一種微影用阻劑下層膜形成組成物，其係包含作為矽烷之水解性矽烷(a)的水解縮合物(c)、硝酸根離子及溶劑，其中該水解性矽烷(a)包含式(1)：R<sup>1</sup><sub>a</sub>R<sup>2</sup><sub>b</sub>Si(R<sup>3</sup>)<sub>4-(a+b)</sub> 式(1)[式(1)中，R<sup>1</sup>為式(2)：<figure><img align="absmiddle" height="159px" width="593px" file="d10026.TIF" alt="化學式ed10026.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10026.png"/></figure>{(式(2)中，X表示氧原子，R<sup>4</sup>表示單鍵或碳原子數1之伸烷基，R<sup>5</sup>表示可含有碳原子數1至10之烷氧基之碳原子數1至10之烷基，R<sup>6</sup>表示碳原子數1至10之烷基，n1表示1≦n1≦5，0≦n2≦(5-n1)，n3表示0或1，※表示與矽原子之鍵結位置(但是X為氧原子、R<sup>4</sup>為單鍵及n3為1的情形除外)}之有機基，且藉由Si-C鍵與矽原子鍵結者，R<sup>2</sup>為烷基、芳基、鹵化烷基、鹵化芳基、烷氧基芳基、烯基，或具有環氧基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、巰基、胺基，或氰基之有機基，且藉由Si-C鍵與矽原子鍵結者，R<sup>3</sup>表示烷氧基、醯氧基、或鹵基，a表示1之整數，b表示0至2之整數，a+b表示1至3之整數]之水解性矽烷，前述矽烷之水解性矽烷(a)之水解縮合物(c)之含量比例為70質量%至99質量%，在微影用阻劑下層膜形成組成物中，以1ppm至1000ppm之範圍含有硝酸根離子。
如請求項1之阻劑下層膜形成組成物，其係進一步包含水解性矽烷(a)及/或其水解物(b)。
如請求項1或請求項2之阻劑下層膜形成組成物，其中水解縮合物(c)係式(1)之水解性矽烷中之式(2)的官能基以(氫原子)/(氫原子+R<sup>5</sup>基)之莫耳比為1%至100%。
如請求項1或請求項2之阻劑下層膜形成組成物，其中該水解性矽烷(a)為前述式(1)之水解性矽烷與其他之水解性矽烷之組合，其他之水解性矽烷為選自由式(3)：R<sup>7</sup><sub>c</sub>Si(R<sup>8</sup>)<sub>4-c</sub> 式(3)(式(3)中，R<sup>7</sup>為烷基、芳基、鹵化烷基、鹵化芳基、烷氧基芳基、烯基，或具有環氧基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、巰基、或氰基之有機基，且藉由Si-C鍵與矽原子鍵結者，R<sup>8</sup>表示烷氧基、醯氧基，或鹵素原子，c表示0至3之整數)，及式(4)：〔R<sup>9</sup><sub>d</sub>Si(R<sup>10</sup>)<sub>3-d</sub>〕<sub>2</sub>Y<sub>e</sub> 式(4)(式(4)中，R<sup>9</sup>為烷基，且藉由Si-C鍵與矽原子鍵結者，R<sup>10</sup>表示烷氧基、醯氧基，或鹵基，Y表示伸烷基或伸芳基，d表示0或1之整數，e為0或1之整數)所成群之至少1種的水解性矽烷。
如請求項4之阻劑下層膜形成組成物，其中以聚合物包含由如請求項1之前述式(1)之水解性矽烷與如請求項4之前述式(3)之水解性矽烷之組合所成之水解性矽烷之水解縮合物。
如請求項1或請求項2之阻劑下層膜形成組成物，其係進一步包含由水、酸、光酸產生劑、界面活性劑、金屬氧化物，或彼等之組合所成的添加劑。
一種如請求項1至請求項6中任一項之阻劑下層膜形成組成物之製造方法，其係包含下述步驟(A)，步驟(A)：將包含水解性矽烷之水解縮合物(c)，或水解性矽烷之水解縮合物(c)與水解性矽烷(a)及/或其水解物(b)、硝酸根離子及溶劑的聚合物溶液，以包含含有極性基之過濾器的過濾器進行過濾。
如請求項7之阻劑下層膜形成組成物之製造方法，其中含有極性基之過濾器為尼龍製過濾器。
如請求項7或請求項8之阻劑下層膜形成組成物之製造方法，其係進一步包含將在聚合物溶液中加入有如請求項6之添加劑的溶液以過濾器進行過濾的步驟(B)。
一種半導體裝置之製造方法，其係包含以下步驟：將如請求項1至請求項6中任一項之阻劑下層膜形成組成物塗佈於半導體基板上，進行燒成形成阻劑下層膜的步驟；在前述下層膜之上塗佈阻劑用組成物，形成阻劑層的步驟；將前述阻劑層進行曝光的步驟；曝光後，將阻劑進行顯影得到阻劑圖型的步驟；藉由阻劑圖型，蝕刻阻劑下層膜的步驟、及藉由經圖型化之阻劑層與阻劑下層膜，加工半導體基板的步驟。
一種半導體裝置之製造方法，其係包含以下步驟：在半導體基板上形成有機下層膜的步驟；於其上塗佈如請求項1至請求項6中任一項之阻劑下層膜形成組成物，進行燒成形成阻劑下層膜的步驟；在前述下層膜之上塗佈阻劑用組成物，形成阻劑層的步驟；將前述阻劑層進行曝光的步驟；曝光後，將阻劑進行顯影得到阻劑圖型的步驟；藉由阻劑圖型，蝕刻阻劑下層膜的步驟、藉由經圖型化之阻劑下層膜蝕刻有機下層膜的步驟；及藉由經圖型化之有機下層膜，加工半導體基板的步驟。
一種防眩膜，其具有第1主面與該第1主面相反側之第2主面，當將該第1主面之截止值0.8mm的平均傾斜角定義為θa<sub>0.8</sub>，將該第1主面之截止值2.5mm的平均傾斜角定義為θa<sub>2.5</sub>時，滿足下述式(1)及(2)，0.20度≦θa<sub>0.8</sub>≦0.70度 (1) ｜θa<sub>2.5</sub>-θa<sub>0.8</sub>｜≦0.10度 (2)。
如請求項1所述之防眩膜，其中，當將該第1主面之JIS B0601：1994之截止值0.8mm的局部山頂平均間隔定義為S<sub>0.8</sub>，將該第1主面之JIS B0601：1994之截止值2.5mm的局部山頂平均間隔定義為S<sub>2.5</sub>時，滿足下述式(3)，S<sub>2.5</sub>/S<sub>0.8</sub>≦1.40 (3)。
如請求項1或2所述之防眩膜，其中，當將該第1主面之JIS B0601：1994之截止值0.8mm的算術平均粗糙度定義為Ra<sub>0.8</sub>，將該第1主面之JIS B0601：1994之截止值2.5mm的算術平均粗糙度定義為Ra<sub>2.5</sub>時，滿足下述式(4)，Ra<sub>2.5</sub>/Ra<sub>0.8</sub>≦1.20 (4)。
如請求項1或2所述之防眩膜，其於透明基材上具有樹脂層，該樹脂層之表面為該第1主面。
如請求項4所述之防眩膜，其中，該透明基材之厚度為5~300μm。
如請求項1或2所述之防眩膜，其總厚度為7~310μm。
一種偏光板，其具有偏光子、配置於該偏光子之一側而成的透明保護板A、及配置於該偏光子之另一側而成的透明保護板B，該透明保護板A及該透明保護板B之至少一者為請求項1至6中任一項所述之防眩膜，該偏光板係以該第1主面側之面朝向該偏光子相反側之方式配置該防眩膜而成。
一種影像顯示裝置用表面板，其係將防眩膜貼合於樹脂板或玻璃板上而成，該防眩膜為請求項1至6中任一項所述之防眩膜，該影像顯示裝置用表面板係以該第1主面側之面朝向該樹脂板或該玻璃板相反側之方式配置該防眩膜而成。
一種影像顯示裝置，其係請求項1至6中任一項所述之防眩膜的第1主面側之面以朝向顯示元件相反側之方式配置於該顯示元件上而成，且係將該防眩膜配置於最表面而成。
一種聲波元件，包括：一基板；一支撐層，位於該基板之上，其中該支撐層包含一上表面以及相對於該上表面之一下表面，該下表面係一平面；一第一電極，位於該支撐層之上；一空腔，位於該支撐層與該第一電極之間，該空腔自該支撐層的該上表面向該支撐層的該下表面延伸，但未達該支撐層的該下表面；一接合結構，位於該支撐層的該下表面與該基板之間；一壓電層，位於該第一電極之上；以及一第二電極，位於該壓電層之上。
如請求項1所述之聲波元件，其中該壓電層為一磊晶層。
如請求項1所述之聲波元件，其中該壓電層為一多晶層。
如請求項1所述之聲波元件，其中，該接合結構包含絕緣材料、導電材料或前述之組合。
如請求項1所述之聲波元件，其中該第一電極與該第二電極至少其一為一複合電極，該複合電極包括一第一電極層與一第二電極層，該第一電極層與該第二電極層為不同材料。
如請求項5所述之聲波元件，其中該第一電極層相較於該第二電極層具有較高的聲學阻抗，而該第二電極層相較於該第一電極層具有較低的電性阻抗。
如請求項5所述之聲波元件，其中該複合電極的該第一電極層鄰接於該壓電層，而該複合電極的該第二電極層遠離該壓電層。
如請求項5所述之聲波元件，其中該第一電極與該第二電極皆為複合電極。
如請求項5所述之聲波元件，其中該第一電極層的材料包括銥、鉬、鉑、銣、鎢、鈦鎢合金或前述之組合。
如請求項5之聲波元件，其中該第二電極層的材料包括金、銀、銅、鋁或前述之組合。
一種積體組件，其包括： <br/>一多層電容，其包括一第一作用端接部、一第二作用端接部、至少一個接地端接部及在該第一作用端接部與該第二作用端接部之間串聯連接之一對電容，該多層電容進一步包括： <br/>一主體，其包括複數個介電層； <br/>第一複數個電極層，其安置於該主體內且與該第一作用端接部連接； <br/>第二複數個電極層，其安置於該主體內且與該第二作用端接部連接，其中該複數個介電層、該第一複數個電極層、及該第二複數個電極層沿著一堆疊方向堆疊，該堆疊方向垂直於該複數個介電層、該第一複數個電極層、及該第二複數個電極層之每一者；及 <br/>一離散壓敏電阻(discrete varistor)，其沿著該堆疊方向與該多層電容堆疊，該離散壓敏電阻包括與該多層電容之該第一作用端接部連接之一第一外部壓敏電阻端接部，及與該多層電容之該第二作用端接部連接之一第二外部壓敏電阻端接部，該離散壓敏電阻具有在約15伏特至約30伏特範圍內之一嵌位（clamping）電壓； <br/>一第一引線(lead)，附接至該第一作用端接部及該第一外部壓敏電阻端接部，使得該第一引線接觸該第一作用端接部及該第一外部壓敏電阻端接部之兩者； <br/>一第二引線，附接至該第二作用端接部及該第二外部壓敏電阻端接部，使得該第二引線接觸該第二作用端接部及該第二外部壓敏電阻端接部之兩者；及 <br/>一第三引線，附接至該至少一個接地端接部，其中該第一引線、該第二引線及該第三引線之各者延伸平行於該堆疊方向，使得該第一引線、該第二引線及該第三引線之各者垂直於該多層電容之該複數個介電層、該第一複數個電極層及該第二複數個電極層。
如請求項1之積體組件，其中該多層電容進一步包括： <br/>第三複數個電極層，其與該至少一個接地端接部連接且與該第一複數個電極層與第二複數個電極層中之每一者電容式耦合以在該第一複數個電極層與該第三複數個電極層之間形成第一電容且在該第二複數個電極層與該第三複數個電極層之間形成第二電容。
如請求項2之積體組件，其中該第三複數個電極層係大體十字形的。
如請求項2之積體組件，其中該至少一個接地端接部包括一第一接地端接部及一第二接地端接部。
如請求項4之積體組件，其中該第三複數個電極層中之每一者包括一對相對邊緣，該等相對邊緣中之一者與該第一接地端接部連接且該等相對邊緣中之另一者與該第二接地端接部連接。
如請求項4之積體組件，其中該第一接地端接部定位成與該第二接地端接部相對。
如請求項2之積體組件，其中： <br/>該第三複數個電極層沿著一第一重疊區域與該第一複數個電極層重疊；且 <br/>該第三複數個電極層沿著不同於該第一重疊區域之一第二重疊區域與該第二複數個電極層重疊，使得該第一電容具有一第一電容量且該第二電容具有不同於該第一電容量之一第二電容量。
如請求項1之積體組件，其中該對電容之一第一電容具有一第一電容量且該對電容之一第二電容具有一第二電容量，且其中第一電容量或第二電容量中之至少一者介於自約475 nF至約3 µF範圍內。
如請求項2之積體組件，其中： <br/>第三複數個電極層沿著一第一重疊區域與第一複數個電極層重疊；且 <br/>該第三複數個電極層沿著近似等於該第一重疊區域之一第二重疊區域與第二複數個電極層重疊。
如請求項1之積體組件，其中該離散壓敏電阻相對於該多層電容堆疊。
如請求項10之積體組件，其進一步包括囊封該離散壓敏電阻及該多層電容之一包覆模製層。
如請求項1之積體組件，其中該第一複數個電極層及該第二複數個電極層堆疊以形成一電極層疊(electrode stack-up)，且其中該電極層疊之一厚度與單塊主體之一厚度之一比率在約0.95至約0.97之範圍內。
一種用於形成一積體組件之方法，其包括： <br/>提供包含形成一第一電容及一第二電容之電極之一多層電容主體，其中提供包含形成該第一電容及該第二電容之電極之該多層電容主體包括： <br/>形成安置於該多層電容主體內之第一複數個電極層； <br/>形成安置於該多層電容主體內之第二複數個電極層；及 <br/>沿著一堆疊方向堆疊該第一複數個電極層及該第二複數個電極層，該堆疊方向垂直於該第一複數個電極層及該第二複數個電極層之每一者； <br/>在該多層電容主體外部形成一第一作用端接部、一第二作用端接部及至少一個接地端接部，該第一複數個電極層與該第一作用端接部連接且該第二複數個電極層與該第二作用端接部連接，使得該第一電容及該第二電容串聯連接在該第一作用端接部與該第二作用端接部之間； <br/>將一離散壓敏電阻與該多層電容主體沿著該堆疊方向堆疊使得該離散壓敏電阻之一第一壓敏電阻端接部與該第一作用端接部連接且一第二壓敏電阻端接部與該第二作用端接部連接； <br/>附接一第一引線至該第一作用端接部及該第一壓敏電阻端接部，使得該第一引線接觸該第一作用端接部及該第一外部壓敏電阻端接部之兩者； <br/>附接一第二引線至該第二作用端接部及該第二壓敏電阻端接部，使得該第二引線接觸該第二作用端接部及該第二外部壓敏電阻端接部之兩者；及 <br/>附接一第三引線至該至少一個接地端接部，其中該第一引線、該第二引線及該第三引線之各者延伸平行於該堆疊方向，使得該第一引線、該第二引線及該第三引線之各者垂直於該多層電容主體之該第一複數個電極層及該第二複數個電極層， <br/>其中該第一電容具有一第一電容量且該第二電容具有一第二電容量，且 <br/>其中該第一電容量或該第二電容量中之至少一者介於自約475 nF至約3 µF之範圍內。
如請求項13之方法，其進一步包括： <br/>在該多層電容主體內形成第三複數個電極層，該第三複數個電極層與該至少一個接地端接部連接且與該第一複數個電極層及第二複數個電極層中之每一者電容式耦合以在該第一複數個電極層與該第三複數個電極層之間形成第一電容且在該第二複數個電極層與該第三複數個電極層之間形成第二電容。
如請求項13之方法，其中形成該至少一個接地端接部包括形成一第一接地端接部及一第二接地端接部。
如請求項14之方法，其中該第三複數個電極層係大體十字形的。
如請求項14之方法，其中該第三複數個電極層中之每一者包括一對相對邊緣，該等相對邊緣中之一者與該至少一個接地端接部之一第一接地端接部連接且該等相對邊緣中之另一者與該至少一個接地端接部之一第二接地端接部連接。
如請求項15之方法，其中該第一接地端接部定位成與該第二接地端接部相對。
如請求項14之方法，其中： <br/>該第三複數個電極層沿著一第一重疊區域與該第一複數個電極層重疊；且 <br/>該第三複數個電極層沿著不同於該第一重疊區域之一第二重疊區域與該第二複數個電極層重疊，使得該第二電容量不同於該第一電容量。
如請求項13之方法，其中該離散壓敏電阻具有在約15伏特至約30伏特範圍內之一嵌位電壓。
如請求項14之方法，其中： <br/>第三複數個電極層沿著一第一重疊區域與第一複數個電極層重疊；且 <br/>該第三複數個電極層沿著近似等於該第一重疊區域之一第二重疊區域與第二複數個電極層重疊。
如請求項13之方法，其進一步包括藉助一包覆模製層對該離散壓敏電阻及多層電容進行包覆模製。
一種用以製造癌症化學治療支持劑、食品或醫藥品之脂多醣之用途，其特徵係該脂多醣係源自於泛菌屬細菌或源自於腸桿菌屬細菌，該支持劑、食品或醫藥品係經口服投予，該癌症化學治療係投予烷化劑，該烷化劑為鏈佐黴素，且該脂多醣可降低鏈佐黴素所誘發之生存率低下之癌症化學治療的副作用而提高化學治療劑的投予量。
一種用以製造癌症化學治療支持劑、食品或醫藥品之脂多醣之用途，其特徵係該脂多醣係源自於泛菌屬細菌或源自於腸桿菌屬細菌，該支持劑、食品或醫藥品係經口服投予，該癌症化學治療係投予鉑製劑，該鉑製劑為順鉑，且該脂多醣可降低順鉑所誘發之生存率低下之癌症化學治療的副作用而提高化學治療劑的投予量。
一種用以製造癌症化學治療支持劑、食品或醫藥品之脂多醣之用途，其特徵係該脂多醣係源自於泛菌屬細菌或源自於腸桿菌屬細菌，該支持劑、食品或醫藥品係經口服投予，該癌症化學治療係投予烷化劑，該烷化劑為環磷醯胺，且該脂多醣可降低環磷醯胺所誘發之體重減少之癌症化學治療的副作用而提高化學治療劑的投予量。
一種用以製造癌症化學治療支持劑、食品或醫藥品之脂多醣之用途，其特徵係該脂多醣係源自於泛菌屬細菌或源自於腸桿菌屬細菌，該支持劑、食品或醫藥品係經口服投予，該癌症化學治療係投予抗代謝物質，該抗代謝物質為5-氟尿嘧啶，且該脂多醣可降低5-氟尿嘧啶所誘發之體重減少之癌症化學治療的副作用而提高化學治療劑的投予量。
一種醫藥組合物，其包含：<br/>(a) 由以下形成之錯合物：<br/>(ai) 放射性核種<sup>177</sup>鎦(Lu-177)，及<br/>(aii) 式(I)化合物：<br/><img align="absmiddle" height="126px" width="436px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；及<br/>(b) 至少兩種抗放射分解降解之穩定劑，其中該穩定劑包含龍膽酸或其鹽及抗壞血酸或其鹽，其中龍膽酸與抗壞血酸之間的比在1:16至1:10之間；及<br/>(c) 視情況選用之界面活性劑。
如請求項1之醫藥組合物，其中該放射性核種<sup>177</sup>鎦(Lu-177)係以提供至少370 MBq/mL (在處理結束時)± 37 MBq/mL (±10%)之體積放射性的濃度存在。
如請求項1之醫藥組合物，其中龍膽酸與抗壞血酸之間的比在1:15與1:10之間。
如請求項1至3中任一項之醫藥組合物，其中該龍膽酸或其鹽係以至少1000 µg/mL的濃度存在。
如請求項1至3中任一項之醫藥組合物，其中該抗壞血酸或其鹽係以至少10000 µg/mL的濃度存在。
如請求項1至3中任一項之醫藥組合物，其中該龍膽酸或其鹽係以至少1000 µg/mL的濃度存在，且抗壞血酸或其鹽係以至少15000 µg/mL的濃度存在。
如請求項1至3中任一項之醫藥組合物，其中該醫藥調配物之放射化學純度高於95%至多72小時。
一種醫藥組合物，其包含：<br/>(a) 由以下形成之錯合物：<br/>(ai) 放射性核種<sup>177</sup>鎦(Lu-177)，及<br/>(aii) 式(I)之NeoB：<br/><img align="absmiddle" height="117px" width="412px" file="ed10026.jpg" alt="ed10026.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；及<br/>(b) 龍膽酸或其鹽及抗壞血酸或其鹽，其中龍膽酸與抗壞血酸之間的比在1:16至1:10之間；<br/>(c) 視情況，聚乙二醇15羥基硬脂酸酯；<br/>(d) 視情況，至少一種其他醫藥學上可接受之賦形劑。
如請求項8之醫藥組合物，其中該至少一種其他醫藥學上可接受之賦形劑係選自緩衝液及/或溶劑，及/或pH調節劑。
一種醫藥組合物，其由以下組成：<br/>(a) 由以下形成之錯合物：<br/>(ai) 放射性核種<sup>177</sup>鎦(Lu-177)，及<br/>(aii) 式(I)之NeoB：<br/><img align="absmiddle" height="122px" width="424px" file="ed10027.jpg" alt="ed10027.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；及<sub/><br/>(b) 龍膽酸或其鹽及抗壞血酸或其鹽，其中龍膽酸與抗壞血酸之間的比在1:16至1:10之間；<br/>(c) 聚乙二醇15羥基硬脂酸酯；<br/>(d) 乙酸鹽緩衝液；<br/>(e) 注射用水；<br/>(f) NaOH；及<br/>(g) DTPA。
一種對視訊資料進行解碼的方法，該方法包括以下步驟：<br/> 接收針對一當前塊的經編碼的資料；<br/> 決定單個樹劃分是否被啟用用於該當前塊；<br/> 對該經編碼的資料進行解碼，以產生針對該當前塊的亮度變換係數和針對該當前塊的色度變換係數；<br/> 回應於決定該單個樹劃分被啟用用於該當前塊，僅對針對該當前塊的該等亮度變換係數應用一逆低頻不可分離變換（LFNST），以產生針對該當前塊的一殘差塊；及<br/> 使用針對該當前塊的該殘差塊和一預測塊，來重建該視訊資料的該當前塊。
根據請求項1之方法，其中，僅對該等亮度變換係數應用該逆LFNST包括：對針對該當前塊的該等色度變換係數禁用該逆LFNST。
根據請求項1之方法，進一步包括以下步驟：<br/> 接收針對一第二塊的第二經編碼的資料；<br/> 決定分離樹劃分是否被啟用用於該第二塊；<br/> 對該第二經編碼的資料進行解碼，以產生針對該第二塊的第二亮度變換係數和針對該第二塊的第二色度變換係數；<br/> 回應於決定分離樹劃分被啟用用於該第二塊，對該等第二亮度變換係數和該等第二色度變換係數兩者應用該逆LFNST，以產生針對該第二塊的一第二殘差塊；及<br/> 使用針對該第二塊的該第二殘差塊和一第二預測塊，來重建該視訊資料的該第二塊。
根據請求項1之方法，進一步包括以下步驟：<br/> 決定該當前塊是否包括大於4的一高度；<br/> 決定該當前塊是否包括大於4的一寬度；及<br/> 其中僅對該等亮度變換係數應用該逆LFNST是進一步回應於決定該高度大於4並且該寬度大於4。
根據請求項1之方法，其中應用該逆LFNST包括以下步驟：對該等亮度變換係數的一8x8 LFNST子塊應用一逆8x8 LFNST，該方法進一步包括以下步驟：<br/> 決定該當前塊是否包括大於4的一高度；<br/> 決定該當前塊是否包括大於4的一寬度； <br/> 決定該等亮度變換係數的一歸零區域是否在針對該逆LFNST的該8x8 LFNST子塊的外面；及<br/> 其中僅對該等亮度變換係數應用該逆LFNST是進一步回應於決定該高度大於4、該寬度大於4並且該等亮度變換係數的該歸零區域在該8x8 LFNST子塊的外面。
根據請求項1之方法，其中應用該逆LFNST包括：對該等亮度變換係數的一4x4 LFNST子塊應用一逆4x4 LFNST，該方法進一步包括以下步驟：<br/> 決定該當前塊是否包括大於4的一高度；<br/> 決定該當前塊是否包括大於4的一寬度；<br/> 決定該等亮度變換係數的一歸零區域是否在針對該逆LFNST的該4x4 LFNST子塊的外面；及<br/> 其中僅對該等亮度變換係數應用該逆LFNST是進一步回應於決定該高度大於4、該寬度大於4並且該等亮度變換係數的該歸零區域在該4x4 LFNST子塊的外面。
根據請求項1之方法，進一步包括以下步驟：<br/> 回應於決定該單個樹劃分被啟用用於該當前塊，根據該經編碼的資料決定對於針對該當前塊的該等亮度變換係數的一LFNST索引，以及避免根據該經編碼的資料決定針對該等色度變換係數的一LFNST索引；及<br/> 其中僅對該等亮度變換係數應用該逆LFNST是基於針對該等亮度變換係數的該LFNST索引的。
一種對視訊資料進行編碼的方法，該方法包括以下步驟：<br/> 決定單個樹劃分是否被啟用用於一當前塊；<br/> 基於針對該當前塊的一預測塊來產生針對該當前塊的殘差值；<br/> 對該殘差值應用一可分離變換，以產生針對該當前塊的可分離亮度變換係數和針對該當前塊的可分離色度變換係數；<br/> 回應於決定該單個樹劃分被啟用用於該當前塊，僅對針對該當前塊的該等可分離亮度變換係數應用一低頻不可分離變換（LFNST），以產生針對該等當前塊的亮度變換係數和針對該當前塊的色度變換係數； <br/> 對該等亮度變換係數和該等色度變換係數進行編碼，以產生經編碼的視訊資料；及<br/> 輸出該經編碼的視訊資料。
根據請求項8之方法，其中，僅對該等可分離亮度變換係數應用該LFNST包括：對針對該當前塊的該等可分離色度變換係數禁用該LFNST。
根據請求項8之方法，進一步包括以下步驟：<br/> 決定分離樹劃分被啟用用於一第二塊；<br/> 基於針對該第二塊的一第二預測塊，來產生針對該第二塊的第二殘差值；<br/> 對該第二殘差值應用該可分離變換，以產生針對該第二塊的第二可分離亮度變換係數和針對該第二塊的第二可分離色度變換係數；<br/> 回應於決定該分離樹劃分被啟用用於該第二塊，對針對該第二塊的該等第二可分離亮度變換係數應用該LFNST以產生針對該第二塊的第二亮度變換係數，以及對針對該第二塊的該等第二可分離色度變換係數應用該LFNST以產生針對該第二塊的第二色度變換係數；<br/> 對該等第二亮度變換係數和該等第二色度變換係數進行編碼，以產生經編碼的視訊資料；及<br/> 輸出該經編碼的視訊資料。
根據請求項8之方法，進一步包括以下步驟：<br/> 決定該當前塊是否包括大於4的一高度；<br/> 決定該當前塊是否包括大於4的一寬度；及<br/> 其中僅對該等亮度變換係數應用該LFNST是進一步回應於決定該高度大於4並且該寬度大於4。
根據請求項8之方法，其中應用該LFNST包括以下步驟：對該等可分離亮度變換係數的一8x8 LFNST子塊應用一8x8 LFNST，該方法進一步包括以下步驟：<br/> 決定該當前塊是否包括大於4的一高度；<br/> 決定該當前塊是否包括大於4的一寬度； <br/> 決定該等亮度變換係數的一歸零區域是否在針對該LFNST的該8x8 LFNST子塊的外面；及<br/> 其中僅對該等亮度變換係數應用該LFNST是進一步回應於決定該高度大於4、該寬度大於4並且該等亮度變換係數的該歸零區域在該8x8 LFNST子塊的外面。
根據請求項8之方法，其中應用該LFNST包括以下步驟：對該等可分離亮度變換係數的一4x4 LFNST子塊應用一4x4 LFNST，該方法進一步包括以下步驟：<br/> 決定該當前塊是否包括大於4的一高度；<br/> 決定該當前塊是否包括大於4的一寬度；<br/> 決定該等亮度變換係數的一歸零區域是否在針對該LFNST的該4x4 LFNST子塊的外面；及<br/> 其中僅對該等亮度變換係數應用該LFNST是進一步回應於決定該高度大於4、該寬度大於4並且該等亮度變換係數的該歸零區域在該4x4 LFNST子塊的外面。
根據請求項8之方法，進一步包括以下步驟：回應於決定該單個樹劃分被啟用用於該當前塊，在該經編碼的資料中以訊號發送對於針對該當前塊的該等亮度變換係數的一LFNST索引，以及避免在該經編碼的資料中以訊號發送針對該等色度變換係數的一LFNST索引。
一種用於對視訊資料進行解碼的設備，該設備包括：<br/> 一記憶體，其被配置為儲存該視訊資料；及<br/> 一處理電路，其被配置為：<br/> 接收針對一當前塊的經編碼的資料；<br/> 決定單個樹劃分是否被啟用用於該當前塊；<br/> 對該經編碼的資料進行解碼，以產生針對該當前塊的亮度變換係數和針對該當前塊的色度變換係數；<br/> 回應於決定該單個樹劃分被啟用用於該當前塊，僅對針對該當前塊的該等亮度變換係數應用一逆低頻不可分離變換（LFNST），以產生針對該當前塊的一殘差塊；及<br/> 使用針對該當前塊的該殘差塊和一預測塊，來重建該視訊資料的該當前塊。
根據請求項15之設備，其中，僅對該等亮度變換係數應用該逆LFNST包括：對針對該當前塊的該等色度變換係數禁用該逆LFNST。
根據請求項15之設備，其中該處理電路進一步被配置為：<br/> 接收針對一第二塊的第二經編碼的資料；<br/> 決定分離樹劃分是否被啟用用於該第二塊；<br/> 對該第二經編碼的資料進行解碼，以產生針對該第二塊的第二亮度變換係數和針對該第二塊的第二色度變換係數；<br/> 回應於決定分離樹劃分被啟用用於該第二塊，對該等第二亮度變換係數和該等第二色度變換係數兩者應用該逆LFNST，以產生針對該第二塊的一第二殘差塊；及<br/> 使用針對該第二塊的該第二殘差塊和一第二預測塊，來重建該視訊資料的該第二塊。
根據請求項15之設備，其中該處理電路進一步被配置為：<br/> 決定該當前塊是否包括大於4的一高度；<br/> 決定該當前塊是否包括大於4的一寬度；及<br/> 其中僅對該等亮度變換係數應用該逆LFNST是進一步回應於決定該高度大於4並且該寬度大於4。
根據請求項15之設備，其中為了應用該逆LFNST，該處理電路被配置為：對該等亮度變換係數的一8x8 LFNST子塊應用一逆8x8 LFNST，其中該處理電路進一步被配置為：<br/> 決定該當前塊是否包括大於4的一高度；<br/> 決定該當前塊是否包括大於4的一寬度； <br/> 決定該等亮度變換係數的一歸零區域是否在針對該逆LFNST的該8x8 LFNST子塊的外面；及<br/> 其中該處理電路被配置為：進一步回應於決定該高度大於4、該寬度大於4並且該等亮度變換係數的該歸零區域在該8x8 LFNST子塊的外面，僅對該等亮度變換係數應用該逆LFNST。
根據請求項15之設備，其中為了應用該逆LFNST，該處理電路被配置為：對該等亮度變換係數的一4x4 LFNST子塊應用一逆4x4 LFNST，其中該處理電路進一步被配置為：<br/> 決定該當前塊是否包括大於4的一高度；<br/> 決定該當前塊是否包括大於4的一寬度；<br/> 決定該等亮度變換係數的一歸零區域是否在針對該逆LFNST的該4x4 LFNST子塊的外面；及<br/> 其中該處理電路被配置為：進一步回應於決定該高度大於4、該寬度大於4並且該等亮度變換係數的該歸零區域在該4x4 LFNST子塊的外面，僅對該等亮度變換係數應用該逆LFNST。
根據請求項15之設備，其中該處理電路進一步被配置為：<br/> 回應於決定該單個樹劃分被啟用用於該當前塊，根據該經編碼的資料決定對於針對該當前塊的該等亮度變換係數的一LFNST索引，以及避免根據該經編碼的資料決定針對該等色度變換係數的一LFNST索引；及<br/> 其中該處理電路被配置為：基於針對該等亮度變換係數的該LFNST索引來僅對該等亮度變換係數應用該逆LFNST。
根據請求項15之設備，進一步包括被配置為顯示圖像的一顯示器。
根據請求項15之設備，其中該設備包括一照相機、一電腦、一行動設備、一廣播接收器設備或一機上盒中的一項或多項。
一種用於對視訊資料進行編碼的設備，該設備包括：<br/> 一記憶體，其被配置為儲存該視訊資料；及<br/> 一處理電路，其被配置為：<br/> 決定單個樹劃分是否被啟用用於一當前塊；<br/> 基於針對該當前塊的一預測塊，來產生針對該當前塊的殘差值；<br/> 對該殘差值應用一可分離變換，以產生針對該當前塊的可分離亮度變換係數和針對該當前塊的可分離色度變換係數；<br/> 回應於決定該單個樹劃分被啟用用於該當前塊，僅對針對該當前塊的該等可分離亮度變換係數應用一低頻不可分離變換（LFNST），以產生針對該當前塊的亮度變換係數和針對該當前塊的色度變換係數；<br/> 對該等亮度變換係數和該等色度變換係數進行編碼，以產生經編碼的視訊資料；及<br/> 輸出該經編碼的視訊資料。
根據請求項24之設備，其中，僅對該等可分離亮度變換係數應用該LFNST包括：對針對該當前塊的該等可分離色度變換係數禁用該LFNST。
根據請求項24之設備，其中該處理電路進一步被配置為：<br/> 決定分離樹劃分被啟用用於一第二塊；<br/> 基於針對該第二塊的一第二預測塊，來產生針對該第二塊的第二殘差值；<br/> 對該第二殘差值應用該可分離變換，以產生針對該第二塊的第二可分離亮度變換係數和針對該第二塊的第二可分離色度變換係數；<br/> 回應於決定該分離樹劃分被啟用用於該第二塊，對針對該第二塊的該等第二可分離亮度變換係數應用該LFNST以產生針對該第二塊的第二亮度變換係數，以及對針對該第二塊的該等第二可分離色度變換係數應用該LFNST以產生針對該第二塊的第二色度變換係數；<br/> 對該等第二亮度變換係數和該等第二色度變換係數進行編碼，以產生經編碼的視訊資料；及<br/> 輸出該經編碼的視訊資料。
根據請求項24之設備，其中該處理電路進一步被配置為：<br/> 決定該當前塊是否包括大於4的一高度；<br/> 決定該當前塊是否包括大於4的一寬度；及<br/> 其中該處理電路被配置為：進一步回應於決定該高度大於4並且該寬度大於4，僅對該等亮度變換係數應用該LFNST。
根據請求項24之設備，其中為了應用該LFNST，該處理電路被配置為：對該可分離亮度變換係數的一8x8 LFNST子塊應用一8x8 LFNST，其中該處理電路進一步被配置為：<br/> 決定該當前塊是否包括大於4的一高度；<br/> 決定該當前塊是否包括大於4的一寬度； <br/> 決定該等亮度變換係數的一歸零區域是否在針對該LFNST的該8x8 LFNST子塊的外面；及<br/> 其中該處理電路被配置為：進一步回應於決定該高度大於4、該寬度大於4並且該等亮度變換係數的該歸零區域在該8x8 LFNST子塊的外面，僅對該等亮度變換係數應用該LFNST。
根據請求項24之設備，其中為了應用該LFNST，該處理電路被配置為：對可分離亮度變換係數的一4x4 LFNST子塊應用一4x4 LFNST，其中該處理電路進一步被配置為：<br/> 決定該當前塊是否包括大於4的一高度；<br/> 決定該當前塊是否包括大於4的一寬度；<br/> 決定該等亮度變換係數的一歸零區域是否在針對該LFNST的該4x4 LFNST子塊的外面；及<br/> 其中該處理電路被配置為：進一步回應於決定該高度大於4、該寬度大於4並且該等亮度變換係數的該歸零區域在該4x4 LFNST子塊的外面，僅對該等亮度變換係數應用該LFNST。
根據請求項24之設備，其中該處理電路進一步被配置為：回應於決定該單個樹劃分被啟用用於該當前塊，在該經編碼的資料中以訊號發送對於針對該當前塊的該等亮度變換係數的一LFNST索引，以及避免在該經編碼的資料中以訊號發送針對該等色度變換係數的一LFNST索引。
一種半導體用接著劑，其係含有熱固性樹脂、硬化劑及具有酸基之助熔劑化合物，<br/> 藉由以10℃/分鐘的升溫速度加熱該半導體用接著劑之示差掃描熱量測量得到之DSC曲線中的60～155℃的發熱量為20J/g以下，<br/> 在前述DSC曲線中，由硬化反應引起之發熱峰的起始溫度為150℃以上，<br/> 前述熱固性樹脂包含環氧樹脂，<br/> 前述助熔劑化合物為具有羧基之有機酸，<br/> 前述硬化劑含有2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑，<br/> 相對於前述半導體用接著劑100質量份，前述助熔劑化合物的含量為0.1～(2/171.5)×100質量份。
如請求項1所述之半導體用接著劑，其中<br/> 前述助熔劑化合物的熔點為50～200℃。
如請求項1或請求項2所述之半導體用接著劑，其係還含有熱塑性樹脂。
如請求項1或請求項2所述之半導體用接著劑，其係在半導體晶片的複數個連接部及配線電路基板的複數個連接部彼此電連接之半導體裝置或複數個半導體晶片的各複數個連接部彼此電連接之半導體裝置中，用於密封彼此電連接之前述連接部中的至少一部分。
如請求項4所述之半導體用接著劑，其中<br/> 前述半導體晶片的複數個前述連接部中的至少一部分包含焊料凸塊。
一種半導體用接著劑片，其係具備支撐基材和設置於該支撐基材上且含有請求項1至請求項5之任一項所述之半導體用接著劑之接著劑層。
如請求項6所述之半導體用接著劑片，其中<br/> 前述支撐基材具有塑膠膜和設置於該塑膠膜上之黏著劑層，前述接著劑層設置於前述黏著劑層上。
一種製造半導體裝置之方法，其係包括選自如下步驟中之至少一個步驟：<br/> 在具有複數個連接部之半導體晶片與具有複數個連接部之配線電路基板之間存在有接著劑之狀態下，對前述半導體晶片、前述配線電路基板及前述接著劑進行加熱及加壓，藉此形成如下接合體之步驟，前述接合體係前述半導體晶片的前述連接部與前述配線電路基板的前述連接部彼此電連接、彼此電連接之前述連接部中的至少一部分被硬化之前述接著劑密封之接合體；<br/> 在具有複數個連接部之複數個半導體晶片之間存在有接著劑之狀態下，對前述半導體晶片及前述接著劑進行加熱及加壓，藉此形成如下接合體之步驟，前述接合體係複數個前述半導體晶片的前述連接部彼此電連接、彼此電連接之前述連接部中的至少一部分被硬化之前述接著劑密封之接合體；以及<br/> 在具有複數個連接部之半導體晶片與具有複數個連接部之半導體晶圓之間存在有接著劑之狀態下，對前述半導體晶片、前述半導體晶圓及前述接著劑進行加熱，藉此形成如下接合體之步驟，前述接合體係前述半導體晶片的前述連接部與前述半導體晶圓的前述連接部彼此電連接、彼此電連接之前述連接部中的至少一部分被硬化之前述接著劑密封之接合體，<br/> 前述接著劑為請求項1至請求項3之任一項所述之半導體用接著劑。
如請求項8所述之方法，其中<br/> 該方法還包括如下步驟：<br/> 準備半導體晶圓之步驟，前述半導體晶圓具備具有兩個主面之晶圓本體及設置於前述晶圓本體的一個主面上之複數個前述連接部；<br/> 在前述晶圓本體的前述連接部側的主面上設置含有前述接著劑之接著劑層之步驟；<br/> 藉由研削前述晶圓本體的與前述連接部相反的一側的主面，使前述晶圓本體變薄之步驟；及<br/> 藉由切割變薄之前述晶圓本體及前述接著劑層，形成具有前述半導體晶片及前述接著劑層之帶接著劑之半導體晶片之步驟。
一種積蓄槽管理系統，該積蓄槽係作為進行販賣之炸物的調理的設施之附帶設備而設置並積蓄前述炸物所使用之油炸油，該積蓄槽管理系統具備： <br/>剩餘量識別部，係識別前述積蓄槽內的前述油炸油的剩餘量； <br/>訂購時機決定部，係根據前述積蓄槽內的前述油炸油劣化度以及前述剩餘量識別部所識別之前述剩餘量，而決定補給於前述積蓄槽之前述油炸油的訂購時機；及 <br/>劣化預測部，係預測前述積蓄槽內的前述油炸油的劣化度； <br/>前述劣化預測部係以前述積蓄槽內的頂隙量作為一判斷要件而預測前述劣化度， <br/>前述訂購時機決定部係以不超過使前述劣化預測部所預測之前述劣化度維持於容許範圍所需之前述頂隙量之方式，而決定前述訂購時機。
一種積蓄槽管理系統，該積蓄槽係作為進行販賣之炸物的調理的設施之附帶設備而設置並積蓄前述炸物所使用之油炸油，該積蓄槽管理系統具備： <br/>剩餘量識別部，係識別前述積蓄槽內的前述油炸油的剩餘量； <br/>訂購時機決定部，係根據前述積蓄槽內的前述油炸油劣化度以及前述剩餘量識別部所識別之前述剩餘量，而決定補給於前述積蓄槽之前述油炸油的訂購時機；及 <br/>劣化預測部，係預測前述積蓄槽內的前述油炸油的劣化度； <br/>前述訂購時機決定部係以前述劣化預測部所預測之前述劣化度可維持於容許範圍之方式，而決定前述訂購時機； <br/>前述劣化預測部係根據前述積蓄槽內的前述油炸油補給至前述積蓄槽內時的補給量與正好在補給前之前述油炸油剩餘量的比率，而預測補給時之前述劣化度作為補給時劣化度，且根據前述補給時劣化度及自補給時起的經過時間，而預測自補給時起的時間經過後之前述積蓄槽內的前述油炸油劣化度。
一種積蓄槽管理系統，該積蓄槽係作為進行販賣之炸物的調理的設施之附帶設備而設置並積蓄前述炸物所使用之油炸油，該積蓄槽管理系統具備： <br/>剩餘量識別部，係識別前述積蓄槽內的前述油炸油的剩餘量； <br/>訂購時機決定部，係根據前述積蓄槽內的前述油炸油劣化度以及前述剩餘量識別部所識別之前述剩餘量，而決定補給於前述積蓄槽之前述油炸油的訂購時機； <br/>劣化預測部，係預測前述積蓄槽內的前述油炸油的劣化度； <br/>訂購部，係根據前述訂購時機決定部所決定之前述訂購時機，而對前述油炸油供應商進行訂購；及 <br/>供應商伺服器，係作為前述油炸油之前述供應商之前述油炸油的製造業者所管理， <br/>前述訂購時機決定部係以前述劣化預測部所預測之前述劣化度可維持於容許範圍之方式，而決定前述訂購時機； <br/>前述供應商伺服器係具備： <br/>訂購接受部，係接受來自前述訂購部的前述訂購；及 <br/>生產計畫規劃部，係根據前述訂購接受部所接受之前述訂購，而規劃前述油炸油的生產計畫。
如請求項1或2所述之積蓄槽管理系統，其進一步具備訂購部，係根據前述訂購時機決定部所決定之前述訂購時機，而對前述油炸油的供應商進行訂購。
如請求項1至3中任一項所述之積蓄槽管理系統，其進一步具備交換資訊識別部，係識別前述設施內的油炸鍋中的前述油炸油的交換資訊， <br/>前述訂購時機決定部係考慮前述交換資訊識別部所識別之前述交換資訊，而決定前述訂購時機。
如請求項1至3中任一項所述之積蓄槽管理系統，其進一步具備參數資訊識別部，係作為參數資訊而識別前述設施之店舖屬性、影響前述店舖之炸物營業額之活動的資訊、根據種類別之炸物的過去販售數目實際值所預測之未來預測販售數、根據種類別之炸物的調理時間、現在的日期時間、前述油炸油的劣化度、及天氣資訊中之至少一者， <br/>前述訂購時機決定部係考慮前述參數資訊識別部所識別之前述參數資訊，而決定前述訂購時機。
一種積蓄槽管理方法，前述積蓄槽係作為進行販賣之炸物的調理的設施之附帶設備而設置並積蓄前述炸物所使用之油炸油，前述積蓄槽管理方法包括下述步驟： <br/>剩餘量識別步驟，係由剩餘量識別部識別前述積蓄槽內的前述油炸油的剩餘量； <br/>劣化預測步驟，係由劣化預測部預測前述積蓄槽內的前述油炸油的劣化度；及 <br/>訂購時機決定步驟，係由訂購時機決定部根據前述積蓄槽內的前述油炸油劣化度以及前述剩餘量識別步驟中所識別之前述剩餘量，而決定補給於前述積蓄槽之前述油炸油的訂購時機； <br/>前述劣化預測步驟中，以前述積蓄槽內的頂隙量作為一判斷要件而預測前述劣化度， <br/>前述訂購時機決定步驟中，以不超過使前述劣化預測部所預測之前述劣化度維持於容許範圍所需之前述頂隙量之方式，而決定前述訂購時機。
一種標準元件，包括： <br/>多條寬金屬線，其中，該寬金屬線由銅形成；和 <br/>多條窄金屬線，其中，在線寬約為12奈米或更小時，該窄金屬線由具有比銅更低的電阻的材料所形成， <br/>其特徵在於該多條寬金屬線的高度比該多條窄金屬線的高度大。
如請求項1所述的標準元件，其中該多條窄金屬線由銠（Rh）、鉑（Pt）、銥（Ir）、鈮（Nb）、鎳（Ni）、鋁（Al）、釕（Ru）、鉬（Mo）和鋨（Os）中的至少一者所形成；或者 <br/>其中該多條寬金屬線中的寬金屬線的寬度與該多條窄金屬線中的窄金屬線的寬度之比約為3:1；或者 <br/>其中該多條窄金屬線每條的寬度約12奈米；或者 <br/>其中該多條寬金屬線的該高度比該多條窄金屬線的該高度至少大5奈米；或者 <br/>其中該多條窄金屬線通過一減成蝕刻製程形成；或者 <br/>其中該多條寬金屬線通過一鑲嵌製程形成；或者 <br/>其中該標準元件是併入音樂播放機、影音播放機、娛樂單元、導航裝置、通信裝置、行動裝置、個人數位助理、固定位置終端、電腦、物聯網裝置、伺服器或汽車中的設備中至少一者的半導體裝置的一部分。
如請求項1 所述的標準元件，其中該多條寬金屬線每條的寬度約為35奈米。
如請求項3所述的標準元件，其中該多條窄金屬線每條的寬度約12奈米。
如請求項1所述的標準元件，還包括： <br/> 多個障壁，其中每個障壁形成在該多條寬金屬線中的每一條周圍。
如請求項5所述的標準元件，其中每個障壁由氮化鉭（TaN）組合中至少一種形成，該氮化鉭（TaN）組合包括TaN/Ta、TaN/Co（鈷）或TaN/Ru（釕）中至少一種 。
如請求項5所述的標準元件，還包含： <br/> 介電質，佈置在該多條窄金屬線和該多條寬金屬線的每一條之間。
如請求項7所述的標準元件，其中該介電質由一低介電常數材料形成。
如請求項8所述的標準元件，其中該低介電常數材料為摻碳氧化物介電質。
如請求項7所述的標準元件，還包含： <br/> 位在該多條窄金屬線的每一條的末端的黏合層，佈置在該多條寬金屬線之間。
如請求項10所述的標準元件，其中該黏合層是氮化鈦（TiN）。
如請求項12所述的標準元件，其中該多條窄金屬線形成於該多條寬金屬線中的至少兩條之間。
如請求項12所述的標準元件，其中該多條寬金屬線中的該至少兩條被配置為提供電源電壓予特定電路；以及 <br/>可選地其中該多條窄金屬線被配置為傳導該特定電路的信號。
一種用於製造標準元件的方法，包括： <br/> 製造多條寬金屬線，其中該寬金屬線由銅形成；和 <br/> 製造多條窄金屬線，其中該窄金屬線由具有比銅更低的電阻的材料形成，其線寬約為12奈米或更小，其特徵在於 <br/>該多條寬金屬線的高度比該多條窄金屬線的高度大。
如請求項14所述的方法，其中該多條窄金屬線由釕（Ru）所形成，以及其中所述方法進一步包括使用化學機械研磨/平面化進行平面化處理。
一種雙面黏著帶，其係包含丙烯酸系黏著劑者，且 <br/>該丙烯酸系黏著劑由丙烯酸系黏著劑組合物形成， <br/>上述雙面黏著帶伸長100%時之負載為7 N/10 mm以下， <br/>上述雙面黏著帶伸長500%時之負載為20 N/10 mm以下， <br/>上述丙烯酸系黏著劑組合物包含使單體成分(m1)聚合所獲得之丙烯酸系部分聚合物、單體成分(m2)、交聯劑、光聚合起始劑、及填料， <br/>當將上述丙烯酸系黏著劑組合物整體設為100重量份時，上述單體成分(m2)之總量為5重量份～50重量份，上述丙烯酸系部分聚合物為50重量份～80重量份， <br/>上述單體成分(m2)包含酯末端具有碳數4～10之烷基之(甲基)丙烯酸烷基酯、及對應均聚物之Tg為0℃以上之聚合性單體， <br/>上述單體成分(m1)中酯末端具有碳數4～10之烷基之(甲基)丙烯酸烷基酯之含有比率為30重量%～85重量%， <br/>上述填料為金屬氫氧化物或水合金屬化合物， <br/>相對於上述單體成分(m1)100重量份，上述填料之含量為5重量份～40重量份， <br/>上述雙面黏著帶之斷裂時之負載為15 N/10 mm以上。
如請求項1之雙面黏著帶，其斷裂時之伸長率為650%以上。
如請求項1或2之雙面黏著帶，其中上述丙烯酸系黏著劑組合物包含丙烯酸系低聚物。
如請求項1或2之雙面黏著帶，其係用於電子機器。
如請求項3之雙面黏著帶，其係用於電子機器。
一種式III或式IV化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽， <br/><img align="absmiddle" height="67px" width="137px" file="ed11372.jpg" alt="ed11372.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (III) 或 <br/><img align="absmiddle" height="67px" width="135px" file="ed11373.jpg" alt="ed11373.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (IV)， <br/>其中： <br/>A*係選自： <br/><img align="absmiddle" height="58px" width="108px" file="ed11374.jpg" alt="ed11374.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="60px" width="96px" file="ed11375.jpg" alt="ed11375.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<br/><img align="absmiddle" height="55px" width="105px" file="ed11376.jpg" alt="ed11376.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="55px" width="99px" file="ed11377.jpg" alt="ed11377.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及<img align="absmiddle" height="58px" width="101px" file="ed11378.jpg" alt="ed11378.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>B*選自： <br/><img align="absmiddle" height="20px" width="37px" file="ed11379.jpg" alt="ed11379.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及<img align="absmiddle" height="21px" width="39px" file="ed11380.jpg" alt="ed11380.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/>y為0、1、2或3； <br/>R<sup>31</sup>在每次出現時獨立地選自H、F、Cl、C<sub>1-6</sub>烷基、氰基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、鹵基-C<sub>1-6</sub>烷氧基及鹵基-C<sub>1-6</sub>烷基且可位於雙環之任一環上； <br/>R<sup>32</sup>為氫、F、Cl、C<sub>1-6</sub>烷基及鹵基-C<sub>1-6</sub>烷基； <br/>R<sup>33</sup>為氫、F、Cl、C<sub>1-6</sub>烷基及鹵基-C<sub>1-6</sub>烷基且可位於二氫吡咯或咪唑環上； <br/>R<sup>34</sup>為H； <br/>R<sup>35</sup>為H； <br/>或R<sup>34</sup>及R<sup>35</sup>組合形成-(CH<sub>2</sub>)<sub>q</sub>-； <br/>q為1或2； <br/>R<sup>36</sup>及R<sup>37</sup>係獨立地選自H、F、Cl、氰基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、鹵基-C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>烷基及鹵基-C<sub>1-6</sub>烷基； <br/>或R<sup>36</sup>及R<sup>37</sup>一起組合形成視情況經1、2或3個R<sup>31</sup>取代基取代之5員或6員環，其中該5員或6員環係選自5員或6員環烷基、苯基、含有1個選自氧、硫及氮之雜原子的5員或6員雜芳基、或含有1或2個選自氧、硫及氮之雜原子的5員或6員雜環； <br/>R<sup>90</sup>為H、C<sub>1-6</sub>烷基或C<sub>3-6</sub>環烷基； <br/>環G為視情況經1或2個R<sup>42</sup>取代基取代之雜芳基； <br/>A<sup>21</sup>為-NH-、-O-、-CH<sub>2</sub>-或-NR<sup>100</sup>-； <br/>R<sup>100</sup>為C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-8</sub>環烷基、苯基或雜芳基； <br/>A<sup>32</sup>、A<sup>33</sup>、A<sup>34</sup>及A<sup>35</sup>係獨立地選自-N-及-CR<sup>42</sup>-； <br/>R<sup>42</sup>在每次出現時獨立地選自H、F、Cl、氰基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、鹵基-C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>烷基及鹵基-C<sub>1-6</sub>烷基； <br/>A<sup>36</sup>為-N-或-CR<sup>35</sup>-； <br/>L<sup>2</sup>為下式之二價連接基團： <br/><img align="absmiddle" height="13px" width="90px" file="ed11381.jpg" alt="ed11381.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中： <br/>X<sup>1</sup>為雜環、苯基或雜芳基，其中雜環、苯基及雜芳基各視情況經1、2或3個獨立地選自R<sup>40</sup>之取代基取代； <br/>X<sup>2</sup>選自鍵、雜環、苯基、雜芳基、雙環、烷基、-NR<sup>27</sup>-、-CR<sup>40</sup>R<sup>41</sup>-、-O-、-C(O)- 及-C(NR<sup>27</sup>)-；雜環、苯基、雜芳基及雙環各視情況經1、2或3個獨立地選自R<sup>40</sup>之取代基取代； <br/>R<sup>20</sup>選自由以下組成之群：鍵、烷基、-C(O)-、-C(O)NR<sup>27</sup>-、-NR<sup>27</sup>C(O)-、-O-、-NR<sup>27</sup>-、氧基伸烷基、雙環、烯、炔、苯基、雜環、雜芳基及單環C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>-環烷基；各視情況經1、2或3個獨立地選自R<sup>40</sup>之取代基取代； <br/>R<sup>21</sup>、R<sup>22</sup>及R<sup>23</sup>在每次出現時獨立地選自由以下組成之群：烷基、-C(O)-、-C(O)NR<sup>27</sup>-、-NR<sup>27</sup>C(O)-、-O-、-NR<sup>27</sup>-、氧基伸烷基、雙環、烯、炔、苯基、雜環、雜芳基及單環C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>-環烷基；各視情況經1、2或3個獨立地選自R<sup>40</sup>之取代基取代； <br/>R<sup>24</sup>選自由以下組成之群：鍵、烷基、-C(O)-、-C(O)NR<sup>27</sup>-、-NR<sup>27</sup>C(O)-、-NR<sup>27</sup>-、氧基伸烷基、雙環、烯、炔、苯基、雜環、雜芳基及單環C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>-環烷基；各視情況經1、2或3個獨立地選自R<sup>40</sup>之取代基取代； <br/>R<sup>27</sup>在每次出現時獨立地選自由以下組成之群：氫、烷基、雜環、苯基、雜芳基、-C(O)(苯基或雜芳基)、-C(O)O(苯基或雜芳基)、烯及炔； <br/>R<sup>40</sup>在每次出現時獨立地選自由以下組成之群：氫、烷基、烯、炔、氟基、氯基、羥基、烷氧基、疊氮基、胺基、氰基、-NH(烷基)、-N(烷基)<sub>2</sub>、鹵烷基、苯基、雜芳基、雜環、側氧基及環烷基；或在價數允許之情況下，兩個R<sup>40</sup>基團鍵結至同一碳可接合在一起形成3至8員螺環；及 <br/>R<sup>41</sup>為苯基、雜芳基或氫； <br/>其中： <br/>雜芳基係選自由以下組成之群的5員雜芳基：吡咯、呋喃、噻吩、吡唑、咪唑、三唑、四唑、異<img align="absmiddle" height="22px" width="21px" file="d10003.TIF" alt="ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/>唑、<img align="absmiddle" height="22px" width="21px" file="d10003.TIF" alt="ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/>唑、<img align="absmiddle" height="22px" width="21px" file="d10003.TIF" alt="ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/>二唑、<img align="absmiddle" height="22px" width="21px" file="d10003.TIF" alt="ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/>三唑、異噻唑、噻唑、噻二唑及噻三唑；或含有1或2個氮原子之6員雜芳基；及 <br/>雜環係選自氮丙啶、環氧乙烷、環硫乙烷、氮雜環丁烷、1,3-二氮雜環丁烷、氧雜環丁烷、硫雜環丁烷、吡咯啶、3-吡咯啉、2-吡咯啉、吡唑啶、咪唑啶、四氫呋喃、1,3-二氧雜環戊烷、四氫噻吩、1,2-氧硫雜環戊烷、1,3-氧硫雜環戊烷、哌啶、哌<img align="absmiddle" height="24px" width="20px" file="d10001.TIF" alt="ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/>、四氫哌喃、1,4-二<img align="absmiddle" height="22px" width="21px" file="d10003.TIF" alt="ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/>烷、噻<img align="absmiddle" height="25px" width="22px" file="d10004.TIF" alt="ed10004.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10004.png"/>、1,3-二噻<img align="absmiddle" height="25px" width="22px" file="d10004.TIF" alt="ed10004.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10004.png"/>、1,4-二噻<img align="absmiddle" height="25px" width="22px" file="d10004.TIF" alt="ed10004.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10004.png"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="21px" file="d10005.TIF" alt="ed10005.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10005.png"/>啉及硫代<img align="absmiddle" height="22px" width="21px" file="d10005.TIF" alt="ed10005.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10005.png"/>啉。
如請求項1之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為下式： <br/><img align="absmiddle" height="180px" width="383px" file="ed11382.jpg" alt="ed11382.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為下式： <br/><img align="absmiddle" height="178px" width="384px" file="ed11383.jpg" alt="ed11383.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1至3中任一項之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>33</sup>為H或F。
如請求項1至3中任一項之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中y為1。
如請求項1至3中任一項之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中y為2。
如請求項1至3中任一項之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中至少一個R<sup>31</sup>為F或Cl。
如請求項1至3中任一項之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中至少一個R<sup>31</sup>為F。
如請求項1至3中任一項之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中y為0。
如請求項1至3中任一項之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>32</sup>為H或F。
如請求項1之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物係選自： <br/><img align="absmiddle" height="51px" width="102px" file="ed11384.jpg" alt="ed11384.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="51px" width="102px" file="ed11385.jpg" alt="ed11385.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及 <br/><img align="absmiddle" height="51px" width="102px" file="ed11386.jpg" alt="ed11386.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>其中： <br/>B係選自環系統AD及AE： <br/><img align="absmiddle" height="152px" width="134px" file="ed11387.jpg" alt="ed11387.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及<img align="absmiddle" height="154px" width="135px" file="ed11388.jpg" alt="ed11388.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為： <br/><img align="absmiddle" height="49px" width="91px" file="ed11389.jpg" alt="ed11389.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/>其中： <br/>B係選自環系統AD及AE： <br/><img align="absmiddle" height="157px" width="132px" file="ed11390.jpg" alt="ed11390.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及<img align="absmiddle" height="153px" width="137px" file="ed11391.jpg" alt="ed11391.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物係選自： <br/><img align="absmiddle" height="51px" width="102px" file="ed11392.jpg" alt="ed11392.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="51px" width="102px" file="ed11393.jpg" alt="ed11393.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及<br/><img align="absmiddle" height="51px" width="102px" file="ed11394.jpg" alt="ed11394.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>其中： <br/>B係選自環系統AD及AE： <br/><img align="absmiddle" height="145px" width="125px" file="ed11395.jpg" alt="ed11395.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及<img align="absmiddle" height="152px" width="141px" file="ed11396.jpg" alt="ed11396.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為： <br/><img align="absmiddle" height="49px" width="91px" file="ed11397.jpg" alt="ed11397.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/>其中： <br/>B係選自環系統AD及AE： <br/><img align="absmiddle" height="151px" width="138px" file="ed11398.jpg" alt="ed11398.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及<img align="absmiddle" height="147px" width="131px" file="ed11399.jpg" alt="ed11399.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中A*為： <br/><img align="absmiddle" height="155px" width="243px" file="ed11400.jpg" alt="ed11400.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1及3中任一項之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中A<sup>34</sup>為CH、N或CF。
如請求項1及3中任一項之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中A<sup>34</sup>為CR<sup>42</sup>。
如請求項1及3中任一項之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中A<sup>35</sup>為CH、N或CF。
如請求項1及3中任一項之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中A<sup>35</sup>為CR<sup>42</sup>。
如請求項1之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中A*為： <br/><img align="absmiddle" height="154px" width="283px" file="ed11401.jpg" alt="ed11401.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中A*為： <br/><img align="absmiddle" height="147px" width="258px" file="ed11402.jpg" alt="ed11402.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項20或21之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中A<sup>21</sup>為NH或O。
如請求項1之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中A*為： <br/><img align="absmiddle" height="142px" width="253px" file="ed11403.jpg" alt="ed11403.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1、20、21及23中任一項之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中A<sup>32</sup>為CH、N或CF。
如請求項1、20、21及23中任一項之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中A<sup>32</sup>為CR<sup>42</sup>。
如請求項1、15、20、21及23中任一項之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中A<sup>33</sup>為CH、N或CF。
如請求項1、15、20、21及23中任一項之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中A<sup>33</sup>為CR<sup>42</sup>。
如請求項1之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中A*為： <br/><img align="absmiddle" height="140px" width="265px" file="ed11404.jpg" alt="ed11404.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1、20、21及28中任一項之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>34</sup>為H，且R<sup>35</sup>為H。
如請求項1、20、21及28中任一項之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>34</sup>及R<sup>35</sup>組合形成-CH<sub>2</sub>-。
如請求項1至3中任一項之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>31</sup>在各情況獨立地選自H、F、Cl及C<sub>1-6</sub>烷基。
如請求項1至3中任一項之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>42</sup>在各情況獨立地選自H、F、Cl及C<sub>1-6</sub>烷基。
如請求項1至3中任一項之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中B*為<img align="absmiddle" height="20px" width="25px" file="ed11405.jpg" alt="ed11405.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="19px" width="29px" file="ed11406.jpg" alt="ed11406.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中L<sup>2</sup>具有式： <br/><img align="absmiddle" height="53px" width="240px" file="ed11407.jpg" alt="ed11407.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="42px" width="215px" file="ed11408.jpg" alt="ed11408.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項34之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中X<sup>1</sup>為雜環，且X<sup>2</sup>獨立地為鍵。
如請求項34之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>21</sup>、R<sup>22</sup>、R<sup>23</sup>及R<sup>24</sup>獨立地為-CH<sub>2</sub>-、雜環、芳基或雙環。
如請求項34之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>21</sup>為苯基。
如請求項1之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中連接子具下式： <br/><img align="absmiddle" height="39px" width="143px" file="ed11409.jpg" alt="ed11409.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中連接子具有下式： <br/><img align="absmiddle" height="42px" width="114px" file="ed11410.jpg" alt="ed11410.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>24</sup>為-C(O)-。
一種化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其選自： <br/>。
一種化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其選自： <br/>。
一種化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其選自： <br/>。
一種化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其選自： <br/>。
一種化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其選自： <br/>。
一種化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其選自： <br/>。
一種化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其選自： <br/>。
一種化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其選自： <br/>。
一種化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其選自： <br/>。
一種化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其選自： <br/>。
一種化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其選自： <br/>。
一種化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其選自： <br/>。
一種化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其選自： <br/>。
一種化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其選自： <br/>。
一種化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其選自： <br/>。
一種化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其選自： <br/>。
一種化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其選自： <br/>。
一種化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其選自： <br/>。
一種化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其選自： <br/>。
一種化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其選自： <br/>。
如請求項1之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為 <br/><img align="absmiddle" height="88px" width="137px" file="ed11682.jpg" alt="ed11682.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為 <br/><img align="absmiddle" height="90px" width="142px" file="ed11684.jpg" alt="ed11684.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為 <br/><img align="absmiddle" height="51px" width="215px" file="ed11703.jpg" alt="ed11703.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為 <br/><img align="absmiddle" height="51px" width="215px" file="ed11705.jpg" alt="ed11705.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為 <br/><img align="absmiddle" height="51px" width="215px" file="ed11707.jpg" alt="ed11707.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為 <br/><img align="absmiddle" height="87px" width="137px" file="ed11692.jpg" alt="ed11692.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為 <br/><img align="absmiddle" height="84px" width="150px" file="ed11694.jpg" alt="ed11694.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為 <br/><img align="absmiddle" height="84px" width="148px" file="ed11696.jpg" alt="ed11696.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為 <br/><img align="absmiddle" height="50px" width="212px" file="ed11710.jpg" alt="ed11710.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為 <br/><img align="absmiddle" height="82px" width="145px" file="ed11700.jpg" alt="ed11700.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1-3、11-15、20、21、23、28及41-70中任一項之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，其用於治療突變EGFR蛋白介導之癌症。
一種如請求項1至70中任一項之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽的用途，其用於製造供治療人類患者之突變EGFR介導之病症的藥劑，其中該病症為癌症、腫瘤或異常細胞增殖。
如請求項72之用途，其中該突變EGFR介導之病症為癌症或腫瘤。
如請求項72之用途，其中該突變EGFR介導之病症為異常細胞增殖。
如請求項73之用途，其中該癌症為肺癌。
如請求項75之用途，其中該肺癌為非小細胞肺癌。
如請求項72之用途，其中該癌症、腫瘤或異常細胞增殖具有L858R突變、T790M突變、C797S突變、L792H突變或L718Q突變之突變EGFR蛋白。
如請求項72之用途，其中該癌症、腫瘤或異常細胞增殖具有T790M-L858R突變之突變EGFR蛋白。
如請求項72之用途，其中該癌症、腫瘤或異常細胞增殖具有T790M-L858R-C797S突變之突變EGFR蛋白。
如請求項72之用途，其中該癌症、腫瘤或異常細胞增殖具有L858R-C797S突變之突變EGFR蛋白。
如請求項72之用途，其中投與另外EGFR抑制劑。
如請求項81之用途，其中該另外EGFR抑制劑為酪胺酸激酶抑制劑。
如請求項82之用途，其中該酪胺酸激酶抑制劑為奧希替尼(osimertinib)。
如請求項82之用途，其中該酪胺酸激酶抑制劑為羅西替尼(rociletinib)、阿維替尼(avitinib)、拉澤替尼(lazertinib)或那紮替尼(nazartinib)。
如請求項81之用途，其中該另外EGFR抑制劑為針對EGFR之突變形式的抗體。
如請求項85之用途，其中該針對EGFR之突變形式的抗體為西妥昔單抗(cetuximab)、帕尼妥單抗(panitumab)或奈西妥單抗(necitumab)。
如請求項72之用途，其中亦投與MET抑制劑。
如請求項72之用途，其中該人類患者接受另外化學治療劑。
如請求項72之用途，其中該化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽為 <br/><img align="absmiddle" height="51px" width="215px" file="ed11703.jpg" alt="ed11703.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項72之用途，其中該化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽為 <br/><img align="absmiddle" height="51px" width="215px" file="ed11705.jpg" alt="ed11705.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項72之用途，其中該化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽為 <br/><img align="absmiddle" height="51px" width="215px" file="ed11707.jpg" alt="ed11707.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1至70中任一項之化合物、或其水合物或醫藥學上可接受之鹽，及醫藥學上可接受之賦形劑。
一種基板支撐組件，包括：<br/> 一靜電吸盤，該靜電吸盤具有嵌入其中的一個或多個吸附電極，該一個或多個吸附電極用於將一基板吸附於該靜電吸盤的一基板支撐表面； <br/> 一邊緣環，該邊緣環設置在該靜電吸盤上且圍繞該基板支撐表面； <br/> 設置在該靜電吸盤下方的一基底板及設置在該邊緣環下方的一環形電極、以及兩個或更多個射頻電源，該等兩個或更多個射頻電源耦接到該環形電極；<br/> 一匹配網路，該匹配網路將該環形電極耦接到該等兩個或更多個射頻電源；及<br/> 一RF電路，該RF電路將該環形電極耦接到該等兩個或更多個射頻電源，該RF電路經配置使用兩個或更多個電路塊以同時調諧該等兩個或更多個射頻電源的各個訊號的一RF振幅或一RF相位中的至少一個，該兩個或更多個電路塊彼此並聯連接且設置在該兩個或更多個射頻電源與該環形電極之間。
如請求項1所述之基板支撐組件，進一步包括：<br/> 一控制器，該控制器經配置以調節該RF電路的兩個或更多個可變電容器，以經由該環形電極來控制該邊緣環處的一RF電壓、RF電流或RF相位中的至少一個，該環形電極耦接到該RF電路。
如請求項1所述之基板支撐組件，其中該RF電路在共振附近（near resonance）操作，及<br/> 其中該兩個或更多個電路塊各自包括連接於地與該電路塊的一中腳（middle leg）之間的一電元件、連接於該匹配網路的一輸入線與該電路塊的該中腳之間的一電元件、及該電路塊的該中腳中所連接的一電元件。
如請求項3所述之基板支撐組件，其中該等電元件包括一可變電容器以及以下各者中的至少一個：一電感器、與一電感器串聯的一可變電容器、或與一電感器並聯的一可變電容器。
如請求項3所述之基板支撐組件，其中該兩個或更多個電路塊之一的一輸出包括一阻塞電容器和一直流電源供應，該直流電源供應設置在該阻塞電容器與該兩個或更多個電路塊之一的該輸出之間。
如請求項1所述之基板支撐組件，其中該等兩個或更多個射頻電源耦接到該基底板。
如請求項1所述之基板支撐組件，進一步包括一直流電源，該直流電源耦接到設置在該邊緣環下方的該環形電極且經配置以在操作期間在該邊緣環上提供一夾持力。
如請求項1所述之基板支撐組件，其中該等兩個或更多個射頻電源和該匹配網路經配置以在使用期間由該基板和設置在該邊緣環下方的該環形電極共用。
一種處理腔室，該處理腔室包括：<br/> 一腔室主體； <br/> 一蓋件，該蓋件設置在該腔室主體上； <br/> 一電漿設備，該電漿設備定位在該蓋件上方；及 <br/> 一基板支撐組件，該基板支撐組件定位在該腔室主體內，該基板支撐組件包含：<br/> 一靜電吸盤，該靜電吸盤具有嵌入其中的一個或多個吸附電極，該一個或多個吸附電極用於將一基板吸附於該靜電吸盤的一基板支撐表面； <br/> 一邊緣環，該邊緣環設置在該靜電吸盤上且圍繞該基板支撐表面； <br/> 設置在該靜電吸盤下方的一基底板及設置在該邊緣環下方的一環形電極、以及兩個或更多個射頻電源，該等兩個或更多個射頻電源耦接到該環形電極；<br/> 一匹配網路，該匹配網路將該環形電極耦接到該等兩個或更多個射頻電源；及<br/> 一RF電路，該RF電路將該環形電極耦接到該等兩個或更多個射頻電源，該RF電路經配置使用兩個或更多個電路塊以同時調諧該等兩個或更多個射頻電源的各個訊號的一RF振幅或一RF相位中的至少一個，該兩個或更多個電路塊彼此並聯連接且設置在該兩個或更多個射頻電源與該環形電極之間。
如請求項9所述之處理腔室，進一步包括：<br/> 一控制器，該控制器經配置以調節該RF電路的兩個或更多個可變電容器，以經由該環形電極來控制該邊緣環處的一RF電壓、RF電流或RF相位中的至少一個，該環形電極耦接到該RF電路。
如請求項9所述之處理腔室，其中該RF電路在共振附近操作，及<br/> 其中該兩個或更多個電路塊各自包括連接於地與該電路塊的一中腳之間的一電元件、連接於該匹配網路的一輸入線與該電路塊的該中腳之間的一電元件、及該電路塊的該中腳中所連接的一電元件。
如請求項11所述之處理腔室，其中該等電元件包括一可變電容器以及以下各者中的至少一個：一電感器、與一電感器串聯的一可變電容器、或與一電感器並聯的一可變電容器。
如請求項11所述之處理腔室，其中該兩個或更多個電路塊之一的一輸出包括一阻塞電容器和一直流電源供應，該直流電源供應設置在該阻塞電容器與該兩個或更多個電路塊之一的該輸出之間。
一種轉頻器，包括：<br/> 一個或多個光電管，其經配置為接收電磁輻射；及<br/> 一時脈恢復電路，其包括一光電導體，該光電導體包括一源極端子及經耦合至一電源的一汲極端子，該光電導體具有經配置為隨所接收的輻射強度而變化的一電阻，該時脈恢復電路經配置為產生一恢復的時脈，其中該轉頻器是一單片積體電路，其厚度尺寸經設計為大約2mm、或更小×2mm、或更小×0.2mm或更小。
如請求項1所述的轉頻器，進一步包括一可逆天線系統，該可逆天線系統經連接到至少一個光電管且經配置為發送資料。
如請求項1所述的轉頻器，其中該光電導體經配置為回應於入射在該光電導體上的一調製的輻射信號而在該光電導體的一源極端子處產生一調製的電壓信號。
如請求項3所述的轉頻器，其中該時脈恢復電路包括：<br/> 一放大器，其經由一電容器耦合到該光電導體的該源極端子以用於接收該調製的電壓信號並輸出從該調製的電壓信號產生的一類比信號；及<br/> 一反相器，其經耦接至該放大器且經配置成數位化該放大器的該類比信號以產生該恢復的時脈。
如請求項3所述的轉頻器，其中該時脈恢復電路包括一電阻器，該電阻器包括一第一端子及一第二端子，該第一端子經連接至該光電導體的該源極端子及該第二端子經連接至一接地，及其中位於該光電導體的該源極端子處的該調製的電壓信號由該光電導體和該電阻器的一電阻率確定。
如請求項1所述的轉頻器，其中該轉頻器具有一唯一的辨識符。
如請求項1所述的轉頻器，其中該電磁輻射包括電磁頻譜的次兆赫部分的一個或多個子集。
一種轉頻器，包括：<br/> 一個或多個光電管，其經配置為接收電磁輻射；及<br/> 一可逆天線系統，其經連接到至少一個光電管並經配置為發送資料，其中該可逆天線系統包括一個或多個天線和複數個電子開關，該系統經配置為進行雙相傳輸以引導電流流過該一個或多個天線和該複數個電子開關。
如請求項8所述的轉頻器，其中該轉頻器經配置為通過該可逆天線系統以一調製電流發送其辨識符。
如請求項8所述的轉頻器，其中進行該雙相傳輸使得以在一方向上流過該等天線中之一者的一第一電流發送一「1」位元數位信號，及以在一相反方向上在該等天線中之一者中流動的一第二電流發送一「0」位元數位信號。
如請求項8所述的轉頻器，其中該可逆天線系統包括一前向天線和一反向天線。
如請求項8所述的轉頻器，其中該可逆天線系統包括一單個天線。
如請求項8所述的轉頻器，其中該可逆天線系統經配置為進行該雙相傳輸，以用基本上相同的功率來發送所發送的一「1」位元數位信號和一「0」位元數位信號。
如請求項8所述的轉頻器，其中該可逆天線系統包括圍繞該一個或多個光電管的至少一個環形天線。
如請求項8所述的轉頻器，包括進行編碼使得承諾發送一個位元的週期數量是8個資料週期。
如請求項8所述的轉頻器，包括進行編碼使得承諾發送一個位元的週期數量是64個資料週期。
一種轉頻器，包括：<br/> 一單片積體電路，其尺寸經設計為約2mm、或更小x 2mm、或更小x 0.2mm（厚度）或更小；及<br/> 一可逆天線系統，其包括一個或多個天線和複數個電子開關，該一個或多個天線和該複數個開關經配置為進行一雙相傳輸以引導電流流過該天線和該複數個電子開關。
如請求項17所述的轉頻器，其中進行雙相傳輸使得以在一方向上流過一天線的一第一電流發送一「1」位元數位信號，及以在一相反方向上在該天線流動的一第二電流發送一「0」位元數位信號。
如請求項17所述的轉頻器，其中該天線包括一前向天線和一反向天線。
如請求項17所述的轉頻器，其中該天線系統包括一單個天線。
如請求項17所述的轉頻器，其中該可逆天線系統經配置為進行該雙相傳輸，以用基本上相同的功率來發送所發送的一「1」位元數位信號和一「0」位元數位信號。
如請求項17所述的轉頻器，其中該一個或多個天線是圍繞該一個或多個光電管的環形天線。
一種安全嵌體，包括：<br/> 一底部嵌體段；<br/> 一頂部嵌體段，其經配置為適於該底部嵌體段；及<br/> 一電磁輻射觸發的轉頻器，其包括位於該兩個嵌體段之間的一頂側和一底側，該底側經設置在該底部嵌體段上及該頂側經設置在該頂部嵌體段上，其中該安全嵌體經配置成使得該頂部嵌體段與該底部嵌體段的一分離會破壞該電磁輻射觸發的轉頻器從而無法讀取該轉頻器，該轉頻器還包括：<br/> 一個或多個光電管，其經配置為接收電磁輻射；及<br/> 一時脈恢復電路，其包括一光電導體，該光電導體包括一源極端子及經耦合至一電源的一汲極端子，該光電導體具有經配置為隨所接收的輻射強度而變化的一電阻，該時脈恢復電路經配置為產生一恢復的時脈，其中該轉頻器是一單片積體電路，其厚度尺寸經設計為大約2mm、或更小×2mm、或更小×0.2mm或更小。
如請求項23所述的安全嵌體，其中該轉頻器包括一槽口，該槽口經配置為引導該轉頻器的一切割線使得可操作的電子設備受到損害。
如請求項23所述的安全嵌體，其中該底部嵌體段包括一底部槽，該底部槽經配置成容納膠以黏附至該轉頻器的該底側，及該頂部嵌體段具有一頂部槽，該頂部槽經配置成容納膠以黏附至該轉頻器的該頂側。
如請求項25所述的安全嵌體，其中該底部槽和該頂部槽分別位於該槽口的相對側。
如請求項23所述的安全嵌體，其中該轉頻器的該頂側和該底側分別包括設置在該轉頻器的該頂側和該底側的不相鄰的相應部分上的黏合劑。
如請求項23所述的安全嵌體，其中該兩個嵌體段經配置成在被黏附到需要一安全嵌體的物體之前經操縱時不容易分離。
一種安全保障一物體的方法，該方法包括以下步驟：將請求項23的安全嵌體經由底部嵌體段黏附到該物體，且將該底部嵌體段黏附到為該物體提供封閉的一膠帶或膠囊。
一種單片安全嵌體，包括：<br/> 一嵌體段；及<br/> 一電磁輻射觸發的微轉頻器（MTP），其耦合到該嵌體段且包括至少一個單片安全性自毀特徵，該微轉頻器包括：<br/> 一個或多個光電管，其經配置為接收電磁輻射；及<br/> 一時脈恢復電路，其包括一光電導體，該光電導體包括一源極端子及經耦合至一電源的一汲極端子，該光電導體具有經配置為隨所接收的輻射強度而變化的一電阻，該時脈恢復電路經配置為產生一恢復的時脈，其中該轉頻器是一單片積體電路，其厚度尺寸經設計為大約2mm、或更小×2mm、或更小×0.2mm或更小。
如請求項30所述的單片安全嵌體，其中該MTP直接附接到或經鑄造到經配置成附接到一物理物體的一模具標籤上。
如請求項30所述的單片安全嵌體，其中該MTP直接附接到或經鑄造到一模具標籤上，隨後在包含該MTP的模具標籤上或周圍形成一物理物體。
如請求項30所述的單片安全嵌體，其中至少一個單片安全性自毀特徵經配置為將該MTP輸送到一外部結構特徵或將該MTP跨該外部結構特徵輸送，以禁用該MTP。
如請求項30所述的單片安全嵌體，其中至少一個單片安全性自毀特徵經配置為旋轉或接合一異質物體或一異質結構以與該MTP接觸，該MTP隨後由於感應應力而失效。
一種用於認證一物理產品的方法，包括以下步驟：<br/> 配置具有一第一辨識符的一超級錨，該超級錨包括一電磁輻射觸發的微轉頻器（MTP），該微轉頻器包括：<br/> 一個或多個光電管，其經配置為接收電磁輻射；及<br/> 一時脈恢復電路，其包括一光電導體，該光電導體包括一源極端子及經耦合至一電源的一汲極端子，該光電導體具有經配置為隨所接收的輻射強度而變化的一電阻，該時脈恢復電路經配置為產生一恢復的時脈，其中該轉頻器是一單片積體電路，其厚度尺寸經設計為大約2mm、或更小×2mm、或更小×0.2mm或更小；<br/> 藉由一伺服器計算裝置的一處理器來註冊和存儲與該物理產品相關聯的該第一辨識符，該物理產品經建立索引成經存儲在一數位安全系統的一資料庫中的一第一產品編號，一超級錨裝置經嵌入至經附接到該物理產品的一標籤劑中，該資料庫經配置為存儲複數個辨識符及複數個經建立索引至各個物理產品的產品編號；<br/> 用一辨識符讀取器照射該超級錨裝置；<br/> 藉由該辨識符讀取器接收並解碼來自該超級錨的回應信號，以獲得與該物理產品相關聯的一第二辨識符；及<br/> 由一伺服器計算裝置的該處理器基於該第二辨識符來確定該物理產品是否被認證。
如請求項35所述的方法，其中確定該物理產品是否被認證之步驟進一步包括以下步驟：<br/> 確定該第二辨識符是否在該資料庫中註冊；及<br/> 回應於確定該第二辨識符在該資料庫中註冊，確定該第二辨識符是否與經建立索引至該物理產品的該產品編號的該第一辨識符相匹配。
如請求項35所述的方法，其中確定該物理物品是否被認證之步驟進一步包括以下步驟：<br/> 回應於確定第二辨識符與經建立索引至該物理產品的該產品編號的該第一辨識符相匹配，在該辨識符讀取器上顯示一真實訊息。
如請求項35所述的方法，其中該MTP在複數層製造處理中經嵌入至該標籤劑的一基板中。
一種式(I)化合物或其藥學上可接受的鹽或者它們的外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，<figure><img align="absmiddle" height="129px" width="302px" file="d10093.TIF" alt="化學式ed10093.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10093.png"/></figure>其中：X<sub>1</sub>和X<sub>2</sub>分別為CH，或者X<sub>1</sub>和X<sub>2</sub>中的一個為N，另一個為CH；X<sub>3</sub>為N；且X<sub>4</sub>為C；Y<sub>1</sub>和Y<sub>2</sub>分別獨立地為CH；R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>與它們連接的碳原子一起形成以下結構：<img align="absmiddle" height="71px" width="86px" file="d10278.TIF" alt="其他非圖式ed10278.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10278.png"/>或<img align="absmiddle" height="71px" width="107px" file="d10279.TIF" alt="其他非圖式ed10279.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10279.png"/>；其中：R<sub>6</sub>獨立地選自鹵素和C<sub>1-6</sub>烷基；m為0、1或2；Z為CH；R<sub>3</sub>為氫或氘；R<sub>4</sub>為-(C<sub>1-3</sub>烷基)-OH，其中該C<sub>1-3</sub>烷基任選地被一個或多個氘取代；Cy為<img align="absmiddle" height="74px" width="80px" file="d10281.TIF" alt="其他非圖式ed10281.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10281.png"/>；其中：R<sub>11</sub>為C<sub>1-6</sub>烷基，其中該C<sub>1-6</sub>烷基任選地被一個或多個氘取代；U為CH；V為N或CH；R<sub>5</sub>為<img align="absmiddle" height="108px" width="60px" file="d10280.TIF" alt="其他非圖式ed10280.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10280.png"/>，其中A<sub>1</sub>、A<sub>2</sub>和A<sub>3</sub>分別獨立地為CH或N；且R<sub>13</sub>為3-12員雜環基，該3-12員雜環基選自哌嗪基和二氮雜氧雜二環[4.4.0]癸烷基；其中當R<sub>13</sub>為哌嗪基時，R<sub>5</sub>選自<img align="absmiddle" height="171px" width="92px" file="d10282.TIF" alt="其他非圖式ed10282.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10282.png"/>和<img align="absmiddle" height="166px" width="76px" file="d10283.TIF" alt="其他非圖式ed10283.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10283.png"/>；R<sub>24</sub>和R<sub>24</sub>’分別獨立地選自氫、側氧和C<sub>1-6</sub>烷基。
如請求項1所述的化合物或其藥學上可接受的鹽或者它們的外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中該化合物是式(III)化合物：<figure><img align="absmiddle" height="151px" width="284px" file="d10094.TIF" alt="化學式ed10094.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10094.png"/></figure>其中：X<sub>1</sub>和X<sub>2</sub>分別為CH，或者X<sub>1</sub>和X<sub>2</sub>中的一個為N，另一個為CH；Y<sub>2</sub>為CH；R<sub>3</sub>為氫或氘；R<sub>4</sub>為-(C<sub>1-3</sub>烷基)-OH或-(C<sub>1-3</sub>氘代烷基)-OH；U為CH；V為N或CH；R<sub>5</sub>為<img align="absmiddle" height="109px" width="59px" file="d10284.TIF" alt="其他非圖式ed10284.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10284.png"/>，其中A<sub>1</sub>、A<sub>2</sub>和A<sub>3</sub>分別獨立地為CH或N；且R<sub>13</sub>為3-12員雜環基，該3-12員雜環基選自哌嗪基和二氮雜氧雜二環[4.4.0]癸烷基；其中當R<sub>13</sub>為哌嗪基時，R<sub>5</sub>選自<img align="absmiddle" height="160px" width="92px" file="d10285.TIF" alt="其他非圖式ed10285.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10285.png"/>和<img align="absmiddle" height="163px" width="74px" file="d10286.TIF" alt="其他非圖式ed10286.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10286.png"/>；R<sub>24</sub>和R<sub>24</sub>’分別獨立地選自氫、側氧和C<sub>1-6</sub>烷基；R<sub>6</sub>為C<sub>1-6</sub>烷基；m為0、1或2；且R<sub>11</sub>為C<sub>1-6</sub>烷基或C<sub>1-6</sub>氘代烷基。
如請求項1或2所述的化合物或其藥學上可接受的鹽或者它們的外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中：R<sub>5</sub>為<img align="absmiddle" height="169px" width="95px" file="d10287.TIF" alt="其他非圖式ed10287.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10287.png"/>，其中：A<sub>1</sub>、A<sub>2</sub>和A<sub>3</sub>分別獨立地為CH或N，且R<sub>24</sub>和R<sub>24</sub>’分別獨立地選自氫、側氧和C<sub>1-6</sub>烷基。
如請求項3所述的化合物或其藥學上可接受的鹽或者它們的外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，R<sub>24</sub>和R<sub>24</sub>’分別獨立地選自氫和C<sub>1-6</sub>烷基。
如請求項3所述的化合物或其藥學上可接受的鹽或者它們的外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中：A<sub>1</sub>、A<sub>2</sub>和A<sub>3</sub>均為CH，或者A<sub>1</sub>為N且A<sub>2</sub>和A<sub>3</sub>均為CH，或者A<sub>3</sub>為N且A<sub>1</sub>和A<sub>2</sub>均為CH。
如請求項2所述的化合物或其藥學上可接受的鹽或者它們的外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，<img align="absmiddle" height="68px" width="76px" file="d10288.TIF" alt="其他非圖式ed10288.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10288.png"/>是<img align="absmiddle" height="76px" width="75px" file="d10290.TIF" alt="其他非圖式ed10290.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10290.png"/>或<img align="absmiddle" height="75px" width="75px" file="d10289.TIF" alt="其他非圖式ed10289.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10289.png"/>，其中R<sub>11</sub>為C<sub>1-6</sub>烷基。
如請求項2所述的化合物或其藥學上可接受的鹽或者它們的外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，X<sub>1</sub>和X<sub>2</sub>均為CH；Y<sub>2</sub>為CH；R<sub>3</sub>為氫；R<sub>4</sub>為-(C<sub>1-3</sub>烷基)-OH；U為CH，V為N或CH，且R<sub>11</sub>為C<sub>1-3</sub>烷基；R<sub>5</sub>選自<img align="absmiddle" height="158px" width="95px" file="d10291.TIF" alt="其他非圖式ed10291.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10291.png"/>，其中：R<sub>24</sub>和R<sub>24</sub>’分別獨立地選自氫、側氧和C<sub>1-6</sub>烷基，A<sub>1</sub>和A<sub>2</sub>均為CH，或者A<sub>1</sub>為N且A<sub>2</sub>為CH；R<sub>6</sub>為C<sub>1-6</sub>烷基；且m為0或2。
如請求項2所述的化合物或其藥學上可接受的鹽或者它們的外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，U和V均為CH，且R<sub>11</sub>為甲基。
如請求項1或2所述的化合物或其藥學上可接受的鹽或者它們的外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，R<sub>6</sub>為C<sub>1-3</sub>烷基；且m為2。
如請求項1或2所述的化合物或其藥學上可接受的鹽或者它們的外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，R<sub>6</sub>與其所連接的五員環一起形成<img align="absmiddle" height="53px" width="68px" file="d10292.TIF" alt="其他非圖式ed10292.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10292.png"/>。
如請求項1或2所述的化合物或其藥學上可接受的鹽或者它們的外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，R<sub>13</sub>為<img align="absmiddle" height="62px" width="42px" file="d10293.TIF" alt="其他非圖式ed10293.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10293.png"/>。
如請求項4所述的化合物或其藥學上可接受的鹽或者它們的外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，X<sub>1</sub>和X<sub>2</sub>均為CH；Y<sub>2</sub>為CH；R<sub>3</sub>為氫；R<sub>4</sub>為-(C<sub>1-3</sub>烷基)-OH；U和V均為CH，且R<sub>11</sub>為甲基；R<sub>5</sub>選自<img align="absmiddle" height="164px" width="70px" file="d10294.TIF" alt="其他非圖式ed10294.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10294.png"/>，其中：R<sub>24</sub>為C<sub>1-3</sub>烷基，A<sub>1</sub>和A<sub>2</sub>均為CH；R<sub>6</sub>與其所連接的五員環一起形成<img align="absmiddle" height="55px" width="64px" file="d10295.TIF" alt="其他非圖式ed10295.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10295.png"/>。
一種化合物或其藥學上可接受的鹽或者它們的外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，該化合物是式(IB)化合物<figure><img align="absmiddle" height="130px" width="317px" file="d10095.TIF" alt="化學式ed10095.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10095.png"/></figure>其中：X<sub>1’</sub>和X<sub>2’</sub>分別獨立地為CH或N；或者，X<sub>1’</sub>為N，X<sub>2’</sub>為CR<sub>14’</sub>，其中R<sub>14’</sub>為C<sub>1-6</sub>烷基；X<sub>3’</sub>和X<sub>4’</sub>分別獨立地為C或N；Y<sub>1’</sub>和Y<sub>2’</sub>分別獨立地為CR<sub>10’</sub>或N；R<sub>6’</sub>獨立地選自氘、鹵素、羥基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>1-6</sub>氘代烷基和C<sub>1-6</sub>鹵烷基；或者兩個R<sub>6’</sub>與它們共同連接的碳原子一起形成3-6員環烴基；m’為0、1、2、3或4；Z’為N或CR<sub>7’</sub>；R<sub>7’</sub>選自氫、氘、C<sub>1-6</sub>烷基、鹵素和C<sub>1-6</sub>鹵烷基；R<sub>3’</sub>為氫、氘、鹵素或C<sub>1-6</sub>鹵烷基；R<sub>4’</sub>為氫、鹵素、-CN、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>2-6</sub>炔基、-(C<sub>1-3</sub>烷基)-OH、-(C<sub>1-3</sub>烷基)-O-(C<sub>1-3</sub>烷基)、-O-(C<sub>1-3</sub>烷基)、-CHO、-C(O)NH<sub>2</sub>、-C(O)NHCH<sub>3</sub>、-C(O)N(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>或3-羥基-氧雜環丁烷-3-基，其中該C<sub>1-6</sub>烷基或C<sub>1-3</sub>烷基各自任選地被一個或多個氘或鹵素取代；Cy’為<img align="absmiddle" height="75px" width="78px" file="d10296.TIF" alt="其他非圖式ed10296.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10296.png"/>或<img align="absmiddle" height="74px" width="74px" file="d10297.TIF" alt="其他非圖式ed10297.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10297.png"/>；其中：R<sub>11’</sub>選自氫、C<sub>1-6</sub>烷基和C<sub>3-6</sub>環烴基，其中該C<sub>1-6</sub>烷基任選地被一個或多個氘或鹵素取代；U’、V’和W’分別獨立地為N或CR<sub>12’</sub>；R<sub>12’</sub>為氫、氘或鹵素；R<sub>5’</sub>為氫、C<sub>1-6</sub>烷基、-C(O)-(C<sub>1-6</sub>烷基)、-C(O)-(C<sub>3-6</sub>環烴基)、-C(O)-苯基、-C(O)NH-(C<sub>1-6</sub>烷基)、-C(O)NH-(C<sub>3-6</sub>環烴基)、-C(O)N(C<sub>1-6</sub>烷基)<sub>2</sub>、苯基、5-6員單環雜芳基或8-10員雙環雜芳基，其中該C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-6</sub>環烴基、苯基、5-6員單環雜芳基或8-10員雙環雜芳基各自任選地被一個或多個選自以下的基團所取代：1)鹵素；2)側氧；3)-CN；4)C<sub>1-6</sub>烷基；5)C<sub>2-6</sub>烯基；6)C<sub>2-6</sub>炔基；7)C<sub>1-6</sub>烷氧基；8)C<sub>1-6</sub>鹵烷基；9)-(C<sub>1-6</sub>烷基)-OH；10)-(C<sub>1-6</sub>烷基)-O-(C<sub>1-6</sub>烷基)；11)C<sub>3-6</sub>環烴基；12)3-12員雜環基，其任選地被一個或多個選自以下的基團所取代：氘、鹵素、羥基、側氧、-CN、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、C<sub>3-6</sub>環烴基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-CN、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-O-(C<sub>1-6</sub>烷基)、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-OH、4-6員雜環基和氘代4-6員雜環基，其中該C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-6</sub>環烴基或4-6員雜環基各自任選地被一個或多個選自以下的基團所取代：氘、鹵素、-NH<sub>2</sub>、-OH、-NH(C<sub>1-6</sub>烷基)、-N(C<sub>1-6</sub>烷基)<sub>2</sub>和-NH(C<sub>3-6</sub>環烴基)；13)5-6員單環雜芳基，其任選地被一個或多個選自以下的基團所取代：鹵素、-CN、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-CN、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-OH、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-6</sub>環烴基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-O-(C<sub>1-6</sub>烷基)、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-NH<sub>2</sub>、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-NH(C<sub>1-6</sub>烷基)、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-N(C<sub>1-6</sub>烷基)<sub>2</sub>、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-NH(C<sub>3-6</sub>環烴基)和4-6員雜環基；14)苯基，其任選地被一個或多個選自以下的基團所取代：鹵素、-CN、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-CN、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-OH、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-6</sub>環烴基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-O-(C<sub>1-6</sub>烷基)、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-NH<sub>2</sub>、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-NH(C<sub>1-6</sub>烷基)、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-N-(C<sub>1-6</sub>烷基)<sub>2</sub>、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-NH(C<sub>3-6</sub>環烴基)和4-6員雜環基；15)-NR<sub>a</sub>’R<sub>a</sub>”，其中R<sub>a</sub>’和R<sub>a</sub>”分別獨立地選自氫、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-6</sub>環烴基、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-O-(C<sub>1-6</sub>烷基)和4-6員雜環基，其中該4-6員雜環基任選地被一個或多個-(C<sub>1-6</sub>烷基)-OH的取代基取代，該C<sub>1-6</sub>烷基任選地被一個或多個-NR<sub>e</sub>’R<sub>e</sub>”取代，R<sub>e</sub>’和R<sub>e</sub>”分別獨立地選自氫、C<sub>1-6</sub>烷基、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-OH和4-6員雜環基；16)-C(O)NR<sub>b</sub>’R<sub>b</sub>”，其中R<sub>b</sub>’和R<sub>b</sub>”與它們共同連接的N原子一起形成4-6員雜環基，其任選地被一個或多個選自以下的基團所取代：氘、鹵素、-OH、C<sub>1-6</sub>烷基、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-NH<sub>2</sub>、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-NH(C<sub>1-6</sub>烷基)、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-N(C<sub>1-6</sub>烷基)<sub>2</sub>、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-NH(C<sub>3-6</sub>環烴基)、-NH<sub>2</sub>、-NH(C<sub>1-6</sub>烷基)、-N(C<sub>1-6</sub>烷基)<sub>2</sub>、-NH(C<sub>3-6</sub>環烴基)和-(C<sub>1-6</sub>烷基)-OH；和17)-C(O)R<sub>c</sub>，其中R<sub>c</sub>選自氫、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-OH和-(C<sub>1-6</sub>烷基)-O-(C<sub>1-6</sub>烷基)；R<sub>10’</sub>為氫、氘、鹵素、CN、C<sub>1-6</sub>烷基或C<sub>1-6</sub>鹵烷基。
如請求項13所述的化合物或其藥學上可接受的鹽或者它們的外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中該化合物是式(IV)化合物：<figure><img align="absmiddle" height="136px" width="341px" file="d10096.TIF" alt="化學式ed10096.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10096.png"/></figure>其中：X<sub>1’</sub>和X<sub>2’</sub>分別獨立地為CH或N；或者，X<sub>1’</sub>為N，X<sub>2’</sub>為CR<sub>14’</sub>，其中R<sub>14’</sub>選自C<sub>1-6</sub>烷基；Y<sub>2’</sub>為CH或N；R<sub>3’</sub>為氫、氘、鹵素或C<sub>1-6</sub>鹵烷基；R<sub>4’</sub>為氫、鹵素、-CN、C<sub>1-6</sub>烷基、-(C<sub>1-3</sub>烷基)-OH、-(C<sub>1-3</sub>氘代烷基)-OH、-(C<sub>1-3</sub>烷基)-O-(C<sub>1-3</sub>烷基)、-O-(C<sub>1-3</sub>烷基)、-CHO、-C(O)NH<sub>2</sub>、-C(O)NHCH<sub>3</sub>、-C(O)N(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>或3-羥基-氧雜環丁烷-3-基，其中該C<sub>1-6</sub>烷基任選地被一個或多個鹵素取代；U’和V’分別獨立地選自N或CH；Z’為N或CH；R<sub>5’</sub>為氫、C<sub>1-6</sub>烷基、-C(O)-(C<sub>1-6</sub>烷基)、-C(O)-(C<sub>3-6</sub>環烴基)、-C(O)-苯基、-C(O)NH-(C<sub>1-6</sub>烷基)、-C(O)NH-(C<sub>3-6</sub>環烴基)、-C(O)N(C<sub>1-6</sub>烷基)<sub>2</sub>、苯基、5-6員單環雜芳基或8-10員雙環雜芳基，其中該C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-6</sub>環烴基、苯基、5-6員單環雜芳基或8-10員雙環雜芳基各自任選地被一個或多個選自以下的基團所取代：1)鹵素；2)側氧；3)-CN；4)C<sub>1-6</sub>烷基；5)C<sub>2-6</sub>烯基；6)C<sub>2-6</sub>炔基；7)C<sub>1-6</sub>烷氧基；8)C<sub>1-6</sub>鹵烷基；9)-(C<sub>1-6</sub>烷基)-OH；10)-(C<sub>1-6</sub>烷基)-O-(C<sub>1-6</sub>烷基)；11)C<sub>3-6</sub>環烴基；12)3-12員雜環基，其任選地被一個或多個選自鹵素、羥基、側氧、-CN、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、C<sub>3-6</sub>環烴基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-CN、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-O-(C<sub>1-6</sub>烷基)、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-OH、4-6員雜環基、4-6員氟代雜環基和氘代4-6員雜環基的取代基取代，其中該C<sub>1-6</sub>烷基任選地被一個或多個-OH取代；13)5-6員單環雜芳基，其任選地被一個或多個選自鹵素、-CN、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-CN、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-OH、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-6</sub>環烴基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-O-(C<sub>1-6</sub>烷基)、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-NH<sub>2</sub>、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-NH(C<sub>1-6</sub>烷基)、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-N(C<sub>1-6</sub>烷基)<sub>2</sub>、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-NH(C<sub>3-6</sub>環烴基)和4-6員雜環基的取代基取代；14)苯基，其任選地被一個或多個選自鹵素、-CN、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-CN、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-OH、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-6</sub>環烴基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-O(C<sub>1-6</sub>烷基)、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-NH<sub>2</sub>、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-NH(C<sub>1-6</sub>烷基)、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-N(C<sub>1-6</sub>烷基)<sub>2</sub>、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-NH(C<sub>3-6</sub>環烴基)和4-6員雜環基的取代基取代；15)-NR<sub>a</sub>’R<sub>a</sub>”，其中R<sub>a</sub>’和R<sub>a</sub>”分別獨立地選自氫、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-6</sub>環烴基、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-O-(C<sub>1-6</sub>烷基)和4-6員雜環基，其中該4-6員雜環基任選地被一個或多個-(C<sub>1-6</sub>烷基)-OH的取代基取代，該C<sub>1-6</sub>烷基任選地被一個或多個-NR<sub>e</sub>’R<sub>e</sub>”取代，R<sub>e</sub>’和R<sub>e</sub>”分別獨立地選自氫、C<sub>1-6</sub>烷基、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-OH和4-6員雜環基；16)-C(O)NR<sub>b</sub>’R<sub>b</sub>”，其中R<sub>b</sub>’和R<sub>b</sub>”與它們共同連接的N原子一起形成4-6員雜環基，其中4-6員雜環基任選地被一個或多個選自鹵素、-OH、C<sub>1-6</sub>烷基、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-NH<sub>2</sub>、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-NH(C<sub>1-6</sub>烷基)、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-N(C<sub>1-6</sub>烷基)<sub>2</sub>、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-NH(C<sub>3-6</sub>環烴基)和-(C<sub>1-6</sub>烷基)-OH的取代基取代；和17)-C(O)R<sub>c</sub>，其中R<sub>c</sub>選自氫、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基和-(C<sub>1-6</sub>烷基)-O-(C<sub>1-6</sub>烷基)；R<sub>6’</sub>為鹵素、C<sub>1-6</sub>烷基或羥基；m’為0、1、2或3；且R<sub>11’</sub>為氫、C<sub>1-6</sub>烷基或C<sub>1-6</sub>氘代烷基。
如請求項13或14所述的化合物或其藥學上可接受的鹽或者它們的外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，Y<sub>2’</sub>為CH。
如請求項13或14所述的化合物或其藥學上可接受的鹽或者它們的外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，R<sub>5’</sub>選自：<figure><img align="absmiddle" height="232px" width="701px" file="d10097.TIF" alt="化學式ed10097.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10097.png"/></figure>其中：R<sub>21</sub>選自C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基和-(C<sub>1-6</sub>烷基)-O-(C<sub>1-6</sub>烷基)；n為0、1或2；R<sub>22</sub>和R<sub>23</sub>分別獨立地選自氫、-CN、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-O-(C<sub>1-6</sub>烷基)、4-6員雜環基或-C(O)R<sub>c</sub>，R<sub>c</sub>選自氫、C<sub>1-6</sub>烷基或-(C<sub>1-6</sub>烷基)-O-(C<sub>1-6</sub>烷基)；R<sub>24”</sub>選自氫、C<sub>1-6</sub>烷基、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-O-(C<sub>1-6</sub>烷基)、或-C(O)NR<sub>b</sub>’R<sub>b</sub>”，其中R<sub>b</sub>’和R<sub>b</sub>”與它們共同連接的N原子一起形成4-6員雜環基；A<sub>1’</sub>、A<sub>2’</sub>和A<sub>3’</sub>分別獨立地為CH或N；且R<sub>13’</sub>選自：1)氫；2)C<sub>1-6</sub>烷基；3)C<sub>1-6</sub>烷氧基；4)鹵素；5)C<sub>3-6</sub>環烴基；6)4-8員雜環基，其任選地被一個或多個選自側氧、-CN、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-CN、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-O-(C<sub>1-6</sub>烷基)、4-6員雜環基和氘代4-6員雜環基的取代基取代，其中該C<sub>1-6</sub>烷基任選地被一個或多個-OH取代；7)苯基，其任選地被一個或多個選自4-6員雜環基的取代基取代；8)-NR<sub>a</sub>’R<sub>a</sub>”，其中R<sub>a</sub>’和R<sub>a</sub>”分別獨立地選自氫、C<sub>1-6</sub>烷基、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-O-(C<sub>1-6</sub>烷基)和4-6員雜環基，其中4-6員雜環基任選地被一個或多個-(C<sub>1-6</sub>烷基)-OH取代，該C<sub>1-6</sub>烷基任選地被一個或多個-NR<sub>e</sub>’R<sub>e</sub>”取代，R<sub>e</sub>’和R<sub>e</sub>”分別獨立地選自氫、C<sub>1-6</sub>烷基、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-OH和4-6員雜環基；和9)-C(O)NR<sub>b</sub>’R<sub>b</sub>”，其中R<sub>b</sub>’和R<sub>b</sub>”與它們共同連接的N原子一起形成4-6員雜環基，其中4-6員雜環基任選地被一個或多個C<sub>1-6</sub>烷基取代。
如請求項13或14所述的化合物或其藥學上可接受的鹽或者它們的外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中：X<sub>1’</sub>和X<sub>2’</sub>均為CH，或者X<sub>1’</sub>和X<sub>2’</sub>中的一個為N，另一個是為CH；Y<sub>2’</sub>為CH；R<sub>3’</sub>為氫；R<sub>4’</sub>為-(C<sub>1-3</sub>烷基)-OH；Z’為CH；U’為CH，V’為N或CH；R<sub>5’</sub>為<img align="absmiddle" height="98px" width="57px" file="d10298.TIF" alt="其他非圖式ed10298.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10298.png"/>或<img align="absmiddle" height="105px" width="46px" file="d10299.TIF" alt="其他非圖式ed10299.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10299.png"/>，其中A<sub>1’</sub>和A<sub>2’</sub>分別獨立地為CH或N，且R<sub>13’</sub>是4-6員雜環基，其任選地被一個或多個選自側氧、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-O-(C<sub>1-6</sub>烷基)和4-6員雜環基的取代基取代；R<sub>22</sub>選自氫、-CN、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、-(C<sub>1-6</sub>烷基)-O-(C<sub>1-6</sub>烷基)、4-6員雜環基或-C(O)R<sub>c</sub>，R<sub>c</sub>選自氫、C<sub>1-6</sub>烷基或-(C<sub>1-6</sub>烷基)-O-(C<sub>1-6</sub>烷基)；R<sub>6’</sub>為鹵素；m’為0、1或2；且R<sub>11’</sub>為C<sub>1-3</sub>烷基。
一種化合物或其藥學上可接受的鹽或者它們的外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其選自：<figure><img align="absmiddle" height="969px" width="350px" file="d10462.TIF" alt="表格ed10462.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10462.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="866px" width="351px" file="d10463.TIF" alt="表格ed10463.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10463.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="874px" width="358px" file="d10464.TIF" alt="表格ed10464.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10464.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="986px" width="355px" file="d10465.TIF" alt="表格ed10465.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10465.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="689px" width="523px" file="d10466.TIF" alt="表格ed10466.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10466.png"/></figure>
一種醫藥組成物，其包含如請求項1至18中任一項所述的化合物或其藥學上可接受的鹽或者它們的外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，並且任選地包含藥學上可接受的賦形劑。
一種體外抑制BTK活性的方法，其包括使有效量的如請求項1至18中任一項所述的化合物或其藥學上可接受的鹽或者它們的外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體與BTK接觸。
一種如請求項1至18中任一項所述的化合物或其藥學上可接受的鹽或者它們的外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體在製備藥物中的用途，該藥物用於治療或預防由BTK介導或至少部分由BTK介導的疾病。
如請求項21所述的用途，該藥物用於治療或預防癌症、炎性疾病或自身免疫性疾病。
如請求項22所述的用途，該癌症為實體瘤或血液學惡性腫瘤。
如請求項22所述的用途，該癌症為淋巴瘤、白血病及骨髓瘤。
如請求項22所述的用途，該藥物用於治療或預防B細胞惡性腫瘤、瀰漫性大B細胞淋巴瘤(DLBCL)、大B細胞淋巴瘤(LBCL)、B細胞淋巴瘤、套細胞淋巴瘤、濾泡性淋巴瘤、非霍奇金淋巴瘤、霍奇金淋巴瘤、華氏巨球蛋白血症、邊緣區淋巴瘤、伯基特淋巴瘤、非伯基特高度惡性B細胞淋巴瘤、結節外邊緣區B細胞淋巴瘤、小淋巴細胞淋巴瘤(SLL)、淋巴母細胞淋巴瘤、淋巴細胞白血病、髓細胞性白血病、急性髓細胞性白血病(AML)、慢性髓細胞性白血病(CML)、人急性單核細胞白血病、急性淋巴細胞白血病(ALL)、B細胞急性淋巴細胞白血病(B-ALL)、毛細胞白血病、慢性淋巴細胞白血病(CLL)、骨髓增生異常綜合症、急性淋巴母細胞性白血病、骨髓瘤、移植性抗宿主病；全身性炎症和局部炎症、關節炎、類風濕關節炎、與免疫抑制相關的炎症、器官移植排斥、變態反應性疾病、潰瘍性結腸炎、克羅恩氏病、皮炎、哮喘、紅斑狼瘡、舍格倫綜合症、多發性硬化、硬皮病、骨質疏鬆症、特發性血小板減少性紫癜、自身免疫性溶血性貧血、抗中性粒細胞胞質抗體血管炎、慢性阻塞性肺病、銀屑病、乾燥綜合症、尋常性天胞瘡、與腎移植相關的疾病。
如請求項22所述的用途，該藥物用於治療或預防高危型CLL或多發性骨髓瘤。
一種藥物組合，其包括如請求項1至18中任一項所述的化合物或其藥學上可接受的鹽或者它們的外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，以及至少一種另外的治療劑，該治療劑選自：抗炎劑、免疫調節劑或抗腫瘤活性劑，該抗腫瘤活性劑包括化療劑、免疫檢查點抑制劑或激動劑、以及靶向治療劑。
一種式(VI)化合物或其外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體和互變異構體，<figure><img align="absmiddle" height="132px" width="242px" file="d10098.TIF" alt="化學式ed10098.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10098.png"/></figure>其中：X<sub>1</sub>、X<sub>2</sub>、X<sub>3</sub>、X<sub>4</sub>、R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>和R<sub>3</sub>如請求項1至12中任一項所定義；R<sub>31’</sub>為-CHO、-C<sub>1-3</sub>烷基-OH或-C<sub>1-3</sub>烷基-OAc，且R<sub>32</sub>為鹵素、-B(OH)<sub>2</sub>、-B(OC<sub>1-6</sub>烷基)<sub>2</sub>、<img align="absmiddle" height="75px" width="83px" file="d10300.TIF" alt="其他非圖式ed10300.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10300.png"/>或<img align="absmiddle" height="72px" width="104px" file="d10301.TIF" alt="其他非圖式ed10301.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10301.png"/>，R<sub>d</sub>為氫或C<sub>1-6</sub>烷基。
如請求項28所述的化合物或其外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體和互變異構體，其為：<figure><img align="absmiddle" height="261px" width="659px" file="d10099.TIF" alt="化學式ed10099.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10099.png"/></figure><img align="absmiddle" height="128px" width="209px" file="d10302.TIF" alt="其他非圖式ed10302.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10302.png"/>或<img align="absmiddle" height="119px" width="196px" file="d10303.TIF" alt="其他非圖式ed10303.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10303.png"/>，其中：Z為N或CR<sub>7</sub>；且R<sub>7</sub>和R<sub>8</sub>分別獨立地為氫或鹵素。
如請求項28所述的化合物或其外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體和互變異構體，其選自：<figure><img align="absmiddle" height="403px" width="649px" file="d10467.TIF" alt="表格ed10467.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10467.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="530px" width="649px" file="d10468.TIF" alt="表格ed10468.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10468.png"/></figure>
一種製造液晶晶胞裝置的方法，其包含：<br/> 提供一液晶(LC)晶胞，其包含容納於二個半晶胞組件之間的LC材料，該二個半晶胞組件各自包括一塑膠膜組件，該二個組件之各者具有鄰近於該LC材料之一導體層，其中提供散置在該LC材料內之複數個間隔物以改善該LC材料的厚度之均勻性，其中該LC材料在界定一作用區域之黏著密封劑材料之框架中由一或多個密封件側向地容納，該等導體層由該作用區域延伸至超出該一或多個密封件的接觸區；<br/> 在鄰近於該接觸區之黏著密封劑框架的部分之至少一區中強制性地撐住該二個組件；<br/> 在接觸區中使用工具對二個半晶胞組件之外表面施加一向外拉力來夾持該外表面以在自該一或多個密封件側向向外之該接觸區中強制性地使該二個半晶胞組件之二者撓曲隔開；<br/> 提供一連接元件，其包含一塑膠支撐膜並在該塑膠支撐膜之各側上支撐導體層，以及在各導體層上的保護膜，該等導體層在該連接元件之一遠端部分處暴露；<br/> 將一導電黏著材料塗覆至該連接元件之該遠端部分；<br/> 在二個半晶胞組件在接觸區中被強制性地撓曲隔開之情況下，將該連接元件之該遠端部分插入該二個組件之間；<br/> 釋放該外部撓曲力，以允許該半晶胞組件之彈性使該半晶胞組件返回其被迫離開之平面靜止組態而按壓其間的該連接元件，其中該連接元件之在該遠端部分處的一或多個導體與在該接觸區處之該二個組件中之一或多者的一或多個導體對準；以及<br/> 將該連接元件之與該遠端部分相對的一近端部分連接至一電源以驅動該LC晶胞。
一種液晶晶胞裝置，其包含：<br/> 一LC晶胞，其包含容納於包括至少一個塑膠膜組件之二個半晶胞組件之間的LC材料，該二個半晶胞組件各自包括一塑膠膜組件，該二個組件之各者具有鄰近於該LC材料之導體層，其中提供散置在該LC材料內之複數個間隔物以改善該LC材料的厚度之均勻性，其中該LC材料在界定一作用區域之黏著密封劑材料之框架中由將該二個組件接合在一起之一或多個密封件側向地容納，該等導體層由該作用區域延伸至超出該一或多個密封件的一接觸區；以及<br/> 一連接元件，其具有在自該一或多個密封件側向向外之一接觸區中按壓於該二個組件之間的一遠端部分，該二個組件之二者經撓曲以將該連接元件固定在適當位置中，該連接元件包含：<br/> 一塑膠支撐膜，在該塑膠支撐膜之各側上支撐導體層；<br/> 在各導體層上的保護膜，其在連接元件之與該遠端部分相對的一近端部分處，該等導體層在該連接元件之該遠端部分處暴露；以及<br/> 一導電黏著材料，其被塗覆至在該連接元件之該遠端部分處之該經暴露的導體層以額外地將該連接元件固定在適當位置中；<br/> 其中在該連接元件之該遠端部分處的該等導體層與在該接觸區處之該二個組件中之導體對準，<br/> 該連接元件之該近端部分連接至一電源以驅動該LC晶胞。
一種形成隔離通道層之方法，包含：(i)蝕刻一或更多特徵部穿過一模具堆疊體，其中該模具堆疊體係設置在一半導體基板上，該模具堆疊體包含複數薄膜堆疊體，其中該複數薄膜堆疊體係垂直堆疊的，且相鄰的薄膜堆疊體係被一介電層所分隔，各個薄膜堆疊體包含：源極區域、汲極區域、及位在該源極區域與該汲極區域之間的氧化物層；(ii)選擇性地蝕刻該等薄膜堆疊體之各者中的該氧化物層之至少一部份，以在該等薄膜堆疊體之各者中形成一凹陷區域；(iii)沿著該一或更多特徵部之側壁而保形地沉積一通道材料；(iv)沿著該一或更多特徵部之側壁而沉積覆蓋該通道材料的犧牲性襯墊；(v)對該凹陷區域之外的區域中之覆蓋該通道材料的該犧牲性襯墊進行蝕刻；以及(vi)沿著該凹陷區域之外的該一或更多特徵部之側壁而選擇性地至少蝕刻該通道材料，以在各個薄膜堆疊體的該源極區域與該汲極區域之間界定一隔離通道層。
如請求項1之形成隔離通道層之方法，更包含：(vii)在選擇性地至少蝕刻該凹陷區域之外的該通道材料之後，將覆蓋在該隔離通道層上的該犧牲性襯墊去除。
如請求項2之形成隔離通道層之方法，其中，在去除該犧牲性襯墊之後，該隔離通道層與參考表面的形貌偏差不超過約10%。
如請求項1之形成隔離通道層之方法，其中各個薄膜堆疊體更包含一導體層，該導體層係與該汲極區域相鄰且被夾在該汲極區域與該介電層之間，其中該介電層用於將相鄰的薄膜堆疊體彼此電隔離。
如請求項1之形成隔離通道層之方法，其中對該凹陷區域之外的區域中之該犧牲性襯墊進行蝕刻的步驟包含相對於該通道材料以至少10：1的蝕刻對比度定向地蝕刻該犧牲性襯墊。
如請求項5之形成隔離通道層之方法，其中由該一或更多特徵部之側壁形成的突出部用作一遮罩以在定向地蝕刻該犧牲性襯墊的期間保護該凹陷區域。
如請求項1之形成隔離通道層之方法，其中選擇性地至少蝕刻該凹陷區域之外的區域中的該通道材料之步驟包含相對於該犧牲性襯墊以至少25：1的蝕刻對比度各向同性地蝕刻該通道材料。
如請求項7之形成隔離通道層之方法，其中各向同性地蝕刻該通道材料之步驟係至少相對於該介電層以至少10：1的蝕刻對比度進行。
如請求項1之形成隔離通道層之方法，其中該通道材料包含半導體材料，且其中該犧牲性襯墊包含碳化物及/或氧化物材料。
如請求項9之形成隔離通道層之方法，其中該半導體材料包含多晶矽，且其中該犧牲性襯墊包含設置在該半導體材料上之第一層的氧化物、及設置在該第一層的氧化物上之第二層的碳化物。
如請求項1-10其中任一項之形成隔離通道層之方法，其中該犧牲性襯墊係沿著該一或更多特徵部之側壁而保形地沉積在該通道材料上。
如請求項1-10其中任一項之形成隔離通道層之方法，其中該複數薄膜堆疊體包含多於20個的重複薄膜堆疊體。
如請求項1-10其中任一項之形成隔離通道層之方法，其中，在選擇性地至少蝕刻該通道材料之後，該凹陷區域之外的區域中的該一或更多特徵部之側壁實質上不含該通道材料。
如請求項1-10其中任一項之形成隔離通道層之方法，其中該隔離通道層的平均厚度係介於約5nm至約20nm之間。
一種由一無線傳輸/接收單元(WTRU)實施的方法，該方法包括：<br/>接收指示關於一控制資源集(CORESET)的一CORESET配置的資訊，該CORESET配置包括關於一符號持續時間的一指示和關於實體下鏈控制通道(PDCCH)解調參考信號(DM-RS)跳頻或密度改變的一指示；<br/>基於(1)該符號持續時間的該指示和該PDCCH DM-RS跳頻或密度改變的該指示以及 (2) 一個或複數資源元素組(REG)的分別索引，確定該CORESET的該一個或複數REG中的複數DM-RS位置；<br/>在與該CORESET相關聯的一搜尋空間中接收一實體下鏈控制通道(PDCCH)傳輸，其中一個或複數PDCCH DM-RS位於該一個或複數REG中該複數DM-RS位置中；<br/>使用該複數DM-RS位置中的一個或複數PDCCH DM-RS，解碼該所接收的PDCCH傳輸；<br/>基於該所解碼的PDCCH傳輸的一個或複數下鏈控制資訊(DCI)欄位，接收一實體下鏈共用通道(PDSCH)傳輸或發送一實體上鏈共用通道(PUSCH)傳輸。
如請求項1所述的方法，其中該確定該CORESET的該一個或複數資源元素組(REG)中的該複數DM-RS位置進一步基於一DCI格式和/或一聚合等級。
如請求項1至請求項2中任一項所述的方法，其中該複數DM-RS位置至少在該CORESET的該一個或複數REG中具有一最低分別REG索引的一第一REG中。
如請求項1至請求項2中任一項所述的方法，其中該一個或複數REG分別包括在相同的符號持續時間內在頻率上連續的複數資源元素。
如請求項1至請求項2中任一項所述的方法，其中該確定該CORESET的該一個或複數REG中的該複數DM-RS位置是基於關於PDCCH DM-RS跳頻的該指示並且基於該一個或複數REG中的每一個的該分別REG索引，並且該複數DM-RS位置在該一個或複數REG中的每一個中在頻率上具有不同的位置。
如請求項1至請求項2中任一項所述的方法，其中該CORESET的該一個或複數REG中該複數DM-RS位置在該CORESET的該一個或複數REG中的每一個中是不同的。
如請求項6所述的方法，其中該一個或複數REG中的相鄰REG中的該複數DM-RS位置在頻率上處於連續資源元素中。
如請求項1至請求項2中任一項所述的方法，其中該確定該CORESET的該一個或複數REG中的該複數DM-RS位置是基於關於PDCCH DM-RS密度改變的該指示和該一個或複數REG中的每一個的該分別REG索引，並且該複數DM-RS位置僅在該一個或複數REG中的一個REG中。
如請求項8所述的方法，其中該一個REG中的分別DM-RS位置每一者在頻率上被一個資源元素分開。
如請求項1至請求項2中任一項所述的方法，其中該CORESET的該一個或複數REG中的該複數DM-RS位置不位於該CORESET的該REG中的至少一個REG中。
一種無線傳輸/接收單元(WTRU)，該WTRU包括：<br/>一處理器和一傳輸器/接收器單元，<br/>其中該傳輸器/接收器單元被配置為接收指示關於一控制資源集(CORESET)的一CORESET配置的資訊，該CORESET配置包括關於一符號持續時間的一指示和/或關於實體下鏈控制通道(PDCCH)解調參考信號(DM-RS)跳頻或密度改變的一指示，<br/>其中該處理器被配置為基於(1)該符號持續時間的該指示和該PDCCH DM-RS跳頻或密度改變的該指示以及 (2) 一個或複數資源元素組(REG)的分別索引，確定該CORESET的該一個或複數REG中的複數DM-RS位置，<br/>其中該傳輸器/接收器單元被配置為在與該CORESET相關聯的一搜尋空間中接收一實體下鏈控制通道(PDCCH)傳輸，<br/>其中該處理器被配置為使用該複數DM-RS位置中的一個或複數PDCCH DM-RS來解碼該所接收的PDCCH傳輸，其中一個或複數PDCCH DM-RS位於該一個或複數REG中的該複數DM-RS位置中，以及<br/>其中該傳輸器/接收器單元被配置為基於該所解碼的PDCCH傳輸的一個或複數下鏈控制資訊(DCI)欄位，接收一實體下鏈共用通道(PDSCH)傳輸或發送一實體上鏈共用通道(PUSCH)傳輸。
如請求項11所述的WTRU，其中該處理器被配置成進一步基於一DCI格式和/或一聚合等級來確定該CORESET的該一個或複數資源元素組(REG)中的該複數DM-RS位置。
如請求項11至請求項12中任一項所述的WTRU，其中該複數DM-RS位置位於至少一第一REG中，該第一REG在該CORESET的該一個或複數REG中具有一最低的一分別REG索引。
如請求項11至請求項12中任一項所述的WTRU，其中該一個或複數REG分別包括在相同的符號持續時間內在頻率上連續的複數資源元素。
如請求項11至請求項12中任一項所述的WTRU，其中該處理器被配置成基於關於PDCCH DM-RS跳頻的該指示以及基於該一個或複數REG中的每一個的該分別REG索引來確定該CORESET的該一個或複數資源元素組(REG)中的該複數DM-RS位置，並且該複數DM-RS位置在該一個或複數REG中的每一個中在頻率上具有不同的位置。
如請求項11至請求項12中任一項所述的WTRU，其中該CORESET的該一個或複數資源元素組(REG)中的該複數DM-RS位置在該CORESET的該一個或複數REG中的每一個中是不同的。
如請求項16所述的WTRU，其中該一個或複數REG中的相鄰REG中的該複數DM-RS位置在頻率上處於連續資源元素中。
如請求項11至請求項12中任一項所述的WTRU，其中該確定該CORESET的該一個或複數REG中的該複數DM-RS位置是基於關於PDCCH DM-RS密度改變的該指示並且基於該一個或複數REG中的每一個的該分別REG索引，並且該複數DM-RS位置僅在該一個或複數REG中的一個REG中。
如請求項18所述的WTRU，其中該一個REG中的該複數DM-RS位置每一個在頻率上被一個資源元素分開。
如請求項11至請求項12中任一項所述的WTRU，其中該CORESET的該一個或複數資源元素組(REG)中的該複數DM-RS位置不位於該CORESET的該REG中的至少一個中。
一種半導體基板之洗淨方法，其係包含使用剝離用組成物將半導體基板上之接著層剝離之步驟，其特徵係， <br/>該接著層為使用含有接著劑成分（S）之接著劑組成物所得之膜； <br/>該接著劑成分（S）係含有矽氧烷系接著劑，其中，該矽氧烷系接著劑係含有因矽氫化反應而硬化之聚有機矽氧烷成分（A）； <br/>該剝離用組成物係含有溶劑且不含有鹽；且 <br/>該溶劑係由碳數8~10之直鏈狀脂肪族飽和碳氫化合物所成。
如請求項1所述之半導體基板之洗淨方法，其中，該碳數8~10之直鏈狀脂肪族飽和碳氫化合物係選自正辛烷、正壬烷及正癸烷中之至少一種。
如請求項1所述之半導體基板之洗淨方法，其中，該接著劑成分（S）進一步含有選自丙烯酸樹脂系接著劑、環氧樹脂系接著劑、聚醯胺系接著劑、聚苯乙烯系接著劑、聚醯亞胺接著劑及酚樹脂系接著劑中至少一種。
如請求項3所述之半導體基板之洗淨方法，其中，該接著劑組成物，係含有剝離劑成分（B）。
如請求項4所述之半導體基板之洗淨方法，其中，該接著劑組成物，係含有相對於該接著劑成分（S）為25質量%以上之該剝離劑成分（B）。
一種加工後之半導體基板之製造方法，其係包含： <br/>第1步驟，製造具備半導體基板、支撐基板、及由接著劑組成物所得之接著層之積層體； <br/>第2步驟，加工所得之積層體之半導體基板； <br/>第3步驟，自支撐基板分離半導體基板及接著層；以及 <br/>第4步驟，使用剝離用組成物剝離半導體基板上之接著層；其特徵係 <br/>該接著層為使用含有接著劑成分（S）之接著劑組成物所得之膜； <br/>該接著劑成分（S）係含有矽氧烷系接著劑，其中，該矽氧烷系接著劑係含有因矽氫化反應而硬化之聚有機矽氧烷成分（A）； <br/>該剝離用組成物，係含有溶劑且不含有鹽；且 <br/>該溶劑係由碳數8~10之直鏈狀脂肪族飽和碳氫化合物所成。
如請求項6所述之加工後之半導體基板之製造方法，其中，該碳數8~10之直鏈狀脂肪族飽和碳氫化合物，係選自正辛烷、正壬烷及正癸烷中之至少一種。
如請求項6所述之加工後之半導體基板之製造方法，其中，該接著劑成分（S）進一步含有選自丙烯酸樹脂系接著劑、環氧樹脂系接著劑、聚醯胺系接著劑、聚苯乙烯系接著劑、聚醯亞胺接著劑及酚樹脂系接著劑中之至少一種。
如請求項8所述之加工後之半導體基板之製造方法，其中，該接著劑組成物係含有剝離劑成分（B）。
如請求項9所述之加工後之半導體基板之製造方法，其中，該接著劑組成物係含有相對於該接著劑成分（S）為25質量%以上之該剝離劑成分（B）。
一種剝離用組成物之製造方法，該剝離用組成物係於將半導體基板洗淨時用以剝離該半導體基板上之接著層，其特徵係該製造方法具備： <br/>含有由碳數8~10之直鏈狀脂肪族飽和碳氫化合物所成之溶劑，但不含有鹽之步驟；及 <br/>藉此獲得剝離該接著層之剝離用組成物之步驟，且該接著層為使用含有接著劑成分（S）之接著劑組成物所得之膜，該接著劑成分（S）含有矽氧烷系接著劑，其中，該矽氧烷系接著劑係含有因矽氫化反應而硬化之聚有機矽氧烷成分（A）。
如請求項11所述之剝離用組成物之製造方法，其中，該碳數8~10之直鏈狀脂肪族飽和碳氫化合物，係選自正辛烷、正壬烷及正癸烷中之至少一種。
如請求項12所述之剝離用組成物之製造方法，其中，該接著劑成分（S）進一步含有選自丙烯酸樹脂系接著劑、環氧樹脂系接著劑、聚醯胺系接著劑、聚苯乙烯系接著劑、聚醯亞胺接著劑及酚樹脂系接著劑中至少一種。
如請求項13所述之剝離用組成物之製造方法，其中，該接著劑組成物係含有剝離劑成分（B）。
如請求項14所述之剝離用組成物之製造方法，其中，該接著劑組成物係含有相對於該接著劑成分（S）為25質量%以上之該剝離劑成分（B）。
一種硬化性樹脂組成物，其為包含量子點(A)、樹脂(B)、光聚合性化合物(C)、光聚合起始劑(D)、抗氧化劑(E)及溶劑(F)的硬化性樹脂組成物，且以所述硬化性樹脂組成物的總質量為基準的含水率為50ppm以上且小於1000ppm，其中以所述硬化性樹脂組成物的所述抗氧化劑(E)的質量為基準的含水率為60ppm以下，所述抗氧化劑(E)為選自磷系抗氧化劑、酚系抗氧化劑、磷/酚複合型抗氧化劑及硫系抗氧化劑所組之族群中的至少一種，相對於所述樹脂(B)100質量份，所述抗氧化劑(E)的含量為1質量份以上且50質量份以下，相對於所述硬化性樹脂組成物的總量，所述溶劑(F)的含有率為40質量%以上且95質量%以下，以及所述溶劑(F)相對於水的溶解度於溫度20℃下為0.01質量%以上且30質量%以下。
如請求項1所述的硬化性樹脂組成物，進而包含有機配位體。
如請求項2所述的硬化性樹脂組成物，其中所述有機配位體的氣相酸度為-15kJ/mol以上且5kJ/mol以下。
如請求項2所述的硬化性樹脂組成物，其中所述有機配位體為具有極性基的有機化合物，且所述極性基為選自由硫醇基、羧基、及胺基所組成的群組中的至少一種基。
如請求項1或請求項2所述的硬化性樹脂組成物，進而包含光散射劑(H)。
一種硬化膜，其是由如請求項1至請求項5中任一項所述的硬化性樹脂組成物形成。
一種顯示裝置，包括如請求項6所述的硬化膜。
一種光硬化性片狀黏著劑，其含有下述的（A）成分、（B）成分、以及（C）成分， <br/>其中構成（B）成分的環氧樹脂的至少一種為提供玻璃轉移溫度（Tg）25℃以下的硬化物之環氧樹脂〔環氧樹脂（BL）〕， <br/>構成（B）成分的環氧樹脂（BL）含量，相對於（B）成分整體為100質量%， <br/>（A）成分：以1種或2種以上的黏合劑樹脂構成之黏合劑樹脂成分， <br/>（B）成分：以1種或2種以上的環氧樹脂構成之環氧系硬化性成分， <br/>（C）成分：光陽離子聚合起始劑。
如請求項1所述之光硬化性片狀黏著劑，其中構成前述（A）成分之黏合劑樹脂的至少一種為苯氧樹脂。
如請求項1所述之光硬化性片狀黏著劑，其中構成前述（A）成分之黏合劑樹脂的至少一種為聚乙烯縮醛樹脂。
如請求項1所述之光硬化性片狀黏著劑，其中前述（B）成分的含量，相對於光硬化性片狀黏著劑整體為35~75質量%。
如請求項1所述之光硬化性片狀黏著劑，其中前述環氧樹脂（BL）為具有氧伸烷結構之環氧樹脂。
如請求項1所述之光硬化性片狀黏著劑，其中構成前述（Ｂ）成分之環氧樹脂的至少一種為在23℃下呈液狀者。
一種光硬化性片狀黏著劑，其中將如請求項1所述之光硬化性片狀黏著劑，使用高壓汞燈並以下述條件硬化而得到之硬化物，測定於0℃的儲存剪切彈性模數（G’<sub>0</sub>）及於100℃的儲存剪切彈性模數（G’<sub>100</sub>）時，滿足下述公式（I）， <br/><img align="absmiddle" height="83px" width="1232px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>光硬化性片狀黏著劑的硬化條件： <br/>溫度：23℃ <br/>在波長365nm測定時的照度：200mW/cm<sup>2 </sup><br/>在波長365nm測定時的積算光量：1000mJ/cm<sup>2</sup>。
如請求項1所述之光硬化性片狀黏著劑，其用於光學裝置的製造。
一種射頻(RF)訊號之參數的估計設備，該RF訊號係耦合至包含複數個站的一積體電路製造腔室，該設備包含：<br/> 複數個電壓感測器，各個電壓感測器配置成提供該RF訊號的一電壓之示值；<br/> 複數個電流感測器，各個電流感測器配置成提供由該RF訊號傳導的一電流之示值；<br/> 一多工器，配置成：<br/> 選定該複數個電壓感測器的一電壓感測器及該複數個電流感測器的一電流感測器，其中選定的該電壓感測器及選定的該電流感測器對應該複數個站的一選定的站；及<br/> 將選定的該電壓感測器及選定的該電流感測器之輸出提供至一類比至數位轉換器；<br/> 該類比至數位轉換器，配置成接收來自該電壓感測器及該電流感測器的輸出，且配置成基於來自該電壓感測器及該電流感測器的輸入，提供該RF訊號之該電壓及由該RF訊號傳導之該電流的數位表示法；及<br/> 一或更多處理器，配置成基於該RF訊號的該電壓及該電流之數位表示法，判定：關聯於該電壓之數位表示法的一峰值電壓、關聯於該電流之數位表示法的一峰值電流、及關聯於該RF訊號的功率特性。
如請求項1之射頻(RF)訊號之參數的估計設備，其中該一或更多處理器更配置成判定關聯於該電壓及該電流之數位表示法的相位。
如請求項2之射頻(RF)訊號之參數的估計設備，其中該功率特性係基於所判定之該相位。
如請求項1-3其中任一項之射頻(RF)訊號之參數的估計設備，其中該一或更多處理器更配置成基於該峰值電壓及該峰值電流判定一阻抗。
如請求項1-3其中任一項之射頻(RF)訊號之參數的估計設備，其中該電壓感測器包含一電容性電壓感測器。
如請求項1-3其中任一項之射頻(RF)訊號之參數的估計設備，其中該電流感測器包含一電感性變流器。
如請求項1-3其中任一項之射頻(RF)訊號之參數的估計設備，其中該RF訊號係藉由提供至少2個頻率分量的一RF功率產生器所提供。
如請求項1-3其中任一項之射頻(RF)訊號之參數的估計設備，其中該RF訊號係藉由提供一頻率分量的一RF功率產生器所提供。
如請求項1-3其中任一項之射頻(RF)訊號之參數的估計設備，其中該一或更多處理器包含一現場可程式化閘陣列(FPGA)。
如請求項1-3其中任一項之射頻(RF)訊號之參數的估計設備，其中該數位表示法係於通常大於約100 MHz之取樣率下。
如請求項1-3其中任一項之射頻(RF)訊號之參數的估計設備，其中該功率特性包含一功率因數。
如請求項1-3其中任一項之射頻(RF)訊號之參數的估計設備，其中該一或更多處理器更配置成經由序列通訊協定、經由乙太網路、或經由另一數位通訊協定來連通資料。
如請求項1-3其中任一項之射頻(RF)訊號之參數的估計設備，其中該一或更多處理器更配置成提供輸出至乙太網控制自動化技術(Ethernet for Control Automation Technology, EtherCAT)系統。
如請求項13之射頻(RF)訊號之參數的估計設備，其中該EtherCAT系統係配置成提供指令至一匹配網路或其他RF分配系統中的一或更多元件。
如請求項1-3其中任一項之射頻(RF)訊號之參數的估計設備，其中該一或更多處理器係配置成：1)提供校準係數至該電壓感測器以供儲存在關聯於該電壓感測器之記憶體中；或2)提供校準係數至該電流感測器以供儲存在關聯於該電流感測器之記憶體中。
如請求項15之射頻(RF)訊號之參數的估計設備，其中該校準係數係針對複數個RF訊號頻率而判定。
如請求項15之射頻(RF)訊號之參數的估計設備，其中該校準係數係使用一模組化校準方法加以判定，該模組化校準方法包含：判定將該電壓感測器及該電流感測器電性耦合至該類比至數位轉換器的一或更多纜線之效應；或判定經由該一或更多纜線從該電壓感測器及該電流感測器接收輸出的一控制器之效應。
如請求項15之射頻(RF)訊號之參數的估計設備，其中該校準係數係使用端對端(end-to-end)校準方法而判定，該端對端校準方法包含判定將該一或更多處理器之輸出關聯於該RF訊號之特性的轉換函數。
如請求項15之射頻(RF)訊號之參數的估計設備，其中：1)該電壓感測器係配置成提供識別資訊至該一或更多處理器；或2)該電流感測器係配置成提供識別資訊至該一或更多處理器。
如請求項19之射頻(RF)訊號之參數的估計設備，其中該識別資訊包含該校準係數。
如請求項19之射頻(RF)訊號之參數的估計設備，其中：1)該電壓感測器係配置成在一系統功率開啟時間或一系統重設時間提供識別資訊至該一或更多處理器；或2)該電流感測器係配置成在該系統功率開啟時間或該系統重設時間提供識別資訊至該一或更多處理器。
一種烴製造系統，係至少由水與二氧化碳製造烴類，至少具有導入有水與二氧化碳的電解反應部、分開投入有前述電解反應部之出口氣體及與前述出口氣體不同之二氧化碳，而將所包含之前述二氧化碳加以還原的逆水氣轉移反應(Reverse Water Gas Shift, RWGS)部、由前述逆水氣轉移反應部之出口氣體來合成烴的烴合成反應部， <br/> 前述電解反應部，在支撐體上具備夾著電解質層而形成有電極層與對極電極層的電解胞，具備將水與二氧化碳供給至前述電極層之電極層側氣體供給路，同時該電極層側氣體供給路係作為排出在前述電極層所產生的氫之排出路，並具備接收經由該排出路排出且包含氫及二氧化碳之氣體的前述逆水氣轉移反應部， <br/> 藉由導入前述電解反應部的水與二氧化碳的比率之調整、前述電解反應部的反應條件之調整、或前述逆水氣轉移反應部的反應條件之調整，來調整投入前述烴合成反應部之氫與一氧化碳的比。
如請求項1之烴製造系統，於前述電解反應部，進行水的電解反應。
如請求項1之烴製造系統，於前述電解反應部，進行水與二氧化碳之共電解反應。
如請求項1之烴製造系統，前述逆水氣轉移反應(Reverse Water Gas Shift, RWGS)部，具有在金屬氧化物擔體上擔持活性金屬的逆水氣轉移反應觸媒。
如請求項4之烴製造系統，前述逆水氣轉移反應觸媒，係在以氧化鈰系金屬氧化物或氧化鋯系金屬氧化物為主成分的擔體上，至少擔持鎳及鐵之任一方或雙方作為前述活性金屬之逆水氣轉移反應觸媒。
如請求項5之烴製造系統，前述氧化鈰系金屬氧化物，是摻雜釓(Gd)、釤(Sm)、釔之中的至少任一之氧化鈰。
如請求項5之烴製造系統，前述氧化鋯系金屬氧化物，是摻雜氧化釔、氧化鈧之中的至少任一的安定化氧化鋯。
如請求項4～7之任一項之烴製造系統，作為前述活性金屬，擔持著銅。
如請求項1之烴製造系統，前述烴合成反應部，具有在金屬氧化物擔體上擔持活性金屬的烴合成觸媒。
如請求項9之烴製造系統，前述活性金屬為釕。
如請求項1至7中任一項所述之烴製造系統，除前述電極層側氣體供給路之外，具備對前述對極電極層供給搬送用氣體之對極電極層側氣體供給路， <br/> 前述支撐體係作為分隔前述電極層側氣體供給路與前述對極電極層側氣體供給路之隔板。
如請求項11之烴製造系統，前述逆水氣轉移反應部由前述支撐體支撐，前述支撐體為金屬。
如請求項12之烴製造系統，前述烴合成反應部由前述支撐體支撐，前述支撐體為金屬。
一種烴製造系統之製造方法，係請求項1～13之任一項之烴製造系統之製造方法，把經由在金屬氧化物擔體上含浸擔持活性金屬的含浸擔持步驟而得的含浸擔持物，配置於前述逆水氣轉移反應部與前述烴合成反應部。
一種烴製造系統之製造方法，係請求項1～13之任一項之烴製造系統之製造方法，把經由在金屬氧化物擔體上含浸擔持活性金屬的含浸擔持步驟而得的含浸擔持物，配置於支撐體之至少一部分，形成前述逆水氣轉移反應部。
一種烴製造系統之製造方法，係請求項1～13之任一項之烴製造系統之製造方法，於前述逆水氣轉移反應部的形成步驟，至少具有以450℃以上的溫度進行燒成(firing)的燒成步驟。
一種烴製造系統之運作方法，係請求項1～13之任一項之烴製造系統之運作方法，在對前述逆水氣轉移反應部施以還原前處理之後運作。
一種式I化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物或立體異構體， <br/><img align="absmiddle" height="69px" width="107px" file="ed10414.jpg" alt="ed10414.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(I) <br/>其中 <br/>R<sup>1</sup>係選自由以下組成之群： <br/><img align="absmiddle" height="116px" width="526px" file="ed10415.jpg" alt="ed10415.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="55px" width="71px" file="ed10416.jpg" alt="ed10416.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及<img align="absmiddle" height="28px" width="33px" file="ed10417.jpg" alt="ed10417.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>各R<sup>2</sup>獨立地選自由以下組成之群：不存在、鹵素、-NHR<sup>3</sup>、-OR<sup>3</sup>、-R<sup>3</sup>、-C(O)R<sup>3</sup>、-CO<sub>2</sub>R<sup>3</sup>、C(O)N(R<sup>3</sup>)<sub>2</sub>、-CH<sub>2</sub>C(O)N(R<sup>3</sup>)<sub>2</sub>、-S(O)<sub>2</sub>R<sup>3</sup>及-CN； <br/>或R<sup>2</sup>之兩個實例與其所連接之原子一起形成包含1至4個選自N、O及S之雜原子之3員至11員雜環基或包含1至4個選自N、O及S之雜原子之5員至12員雜芳基環； <br/>各R<sup>3</sup>獨立地選自不存在、-H、側氧基、ALK、苯基、包含1至4個選自N、O及S之雜原子之3員至11員雜環基及包含1至4個選自N、O及S之雜原子之5員至12員雜芳基； <br/>R<sup>4</sup>係選自由以下組成之群：<img align="absmiddle" height="114px" width="259px" file="ed10418.jpg" alt="ed10418.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>各U係獨立地選自由以下組成之群：-C(O)-、1至8個碳原子之伸烷基、-O-、-N(R<sup>3</sup>)-、-C(O)O-、-C(O)N(R<sup>3</sup>)-及<img align="absmiddle" height="110px" width="135px" file="ed10419.jpg" alt="ed10419.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>各R<sup>x</sup>獨立地選自1至8個碳原子之伸烷基， <br/>V<sup>1</sup>係選自-C(R<sup>3</sup>)-及-N-； <br/>各V<sup>2</sup>獨立地選自-C(R<sup>3</sup>)=、-N(R<sup>3</sup>)-、-N=及-O-； <br/>V<sup>3</sup>係選自-C=及-N-；及 <br/>Z為C或N， <br/>其中ALK為未經取代之1至8個碳原子之烷基或經取代之1至8個碳原子之烷基，或ALK之兩個實例可與其插入原子接合在一起以形成3員至10員環烷基或包含1至4個選自N、O及S之雜原子之3員至11員雜環基環。
一種式II化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物或立體異構體， <br/><img align="absmiddle" height="52px" width="30px" file="ed10420.jpg" alt="ed10420.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(II) <br/>其中 <br/>R<sup>1</sup>係選自由以下組成之群：ALK、3員至10員環烷基、包含1至4個選自N、O及S之雜原子之3員至7員雜環基、 <br/><img align="absmiddle" height="71px" width="87px" file="ed10421.jpg" alt="ed10421.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="55px" width="52px" file="ed10422.jpg" alt="ed10422.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="55px" width="71px" file="ed10416.jpg" alt="ed10416.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及<img align="absmiddle" height="28px" width="33px" file="ed10424.jpg" alt="ed10424.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>各R<sup>2</sup>獨立地選自由以下組成之群：不存在、鹵素、-OR<sup>3</sup>、-R<sup>3</sup>、-CO<sub>2</sub>R<sup>3</sup>、C(O)N(R<sup>3</sup>)<sub>2</sub>、-CH<sub>2</sub>C(O)N(R<sup>3</sup>)<sub>2</sub>、-S(O)<sub>2</sub>R<sup>3</sup>及-CN； <br/>或R<sup>2</sup>之兩個實例與其所連接之原子一起形成包含1至4個選自N、O及S之雜原子之3員至11員雜環基或包含1至4個選自N、O及S之雜原子之5員至12員雜芳基環； <br/>各R<sup>3</sup>獨立地選自不存在、-H、ALK、苯基及包含1至4個選自N、O及S之雜原子之5員至12員雜芳基； <br/>R<sup>4</sup>為<img align="absmiddle" height="28px" width="33px" file="ed10425.jpg" alt="ed10425.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>X係選自由以下組成之群：-CH<sub>2</sub>-、-CHF-及-CF<sub>2</sub>-； <br/>各U獨立地選自由以下組成之群：-O-、-N(R<sup>3</sup>)-、-C(O)O-、-C(O)N(R<sup>3</sup>)-、<img align="absmiddle" height="110px" width="135px" file="ed10419.jpg" alt="ed10419.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、-C(O)-、-O-N=C(H)-及1至8個碳原子之伸烷基； <br/>各R<sup>x</sup>獨立地選自1至8個碳原子之伸烷基； <br/>V<sup>1</sup>係選自-C(R<sup>3</sup>)-及-N-； <br/>各V<sup>2</sup>獨立地選自-C(R<sup>3</sup>)=、-N(R<sup>3</sup>)-、-N=及-O-； <br/>V<sup>3</sup>係選自-C=及-N-； <br/>各Z獨立地為C或N；及 <br/>n<sup>1</sup>為數字0或1， <br/>其中ALK為未經取代之1至8個碳原子之烷基或經取代之1至8個碳原子之烷基，或ALK之兩個實例可與其插入原子接合在一起以形成3員至10員環烷基或包含1至4個選自N、O及S之雜原子之3員至11員雜環基環。
如請求項2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物或立體異構體，其中該化合物為式IIa化合物： <br/><img align="absmiddle" height="239px" width="175px" file="ed10427.jpg" alt="ed10427.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中 <br/>X為CH<sub>2</sub>、CHF或CF<sub>2</sub>。
如請求項1至3中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物或立體異構體，其中R<sup>1</sup>為 <br/><img align="absmiddle" height="239px" width="175px" file="ed10429.jpg" alt="ed10429.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項4之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物或立體異構體，其中R<sup>1</sup>為 <br/><img align="absmiddle" height="109px" width="105px" file="ed10431.jpg" alt="ed10431.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項3之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物或立體異構體，其中該化合物為式(IIb)化合物： <br/><img align="absmiddle" height="111px" width="103px" file="ed10433.jpg" alt="ed10433.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1至3及6中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物或立體異構體，其中U為-C(O)O-。
如請求項1或2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物或立體異構體，其中R<sup>4</sup>為<img align="absmiddle" height="225px" width="251px" file="ed10435.jpg" alt="ed10435.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，且在R<sup>4</sup>中之U為-C(O)O-或-C(O)N(R<sup>3</sup>)-。
如請求項2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物或立體異構體，其中該化合物為式IIa1化合物： <br/><img align="absmiddle" height="55px" width="54px" file="ed10436.jpg" alt="ed10436.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物或立體異構體，其選自由以下組成之群： <br/>(12S)-3,4,5-三甲氧基苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>(12R)-3,4,5-三甲氧基苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>3,4,5-三甲氧基苯甲酸16,16-二氟-7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>(12S)-3,4,5-三甲氧基苯甲酸16,16-二氟-7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>(12R)-3,4,5-三甲氧基苯甲酸16,16-二氟-7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>N-(7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基)-3,4,5-三甲氧基苯甲醯胺； <br/>3,4,5-三甲氧基苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-8-氧雜-5-氮雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>(12S)-3,4,5-三甲氧基苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-8-氧雜-5-氮雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>(12R)-3,4,5-三甲氧基苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-8-氧雜-5-氮雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>3,4,5-三甲氧基苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-5-甲基-6-側氧基-8-氧雜-5-氮雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>(12S)-3,4,5-三甲氧基苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-5-甲基-6-側氧基-8-氧雜-5-氮雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>(12R)-3,4,5-三甲氧基苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-5-甲基-6-側氧基-8-氧雜-5-氮雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>(11R)-3,4,5-三甲氧基苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5-氮雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十三蕃-11-基酯； <br/>(10S)-3,4,5-三甲氧基苯甲酸14-氯-2-側氧基-11H-3-氮雜-1(6,1)-吲唑-7(1,4)-二氮雜環庚烷環十三蕃-10-基酯； <br/>(10R)-3,4,5-三甲氧基苯甲酸14-氯-2-側氧基-11H-3-氮雜-1(6,1)-吲唑-7(1,4)-二氮雜環庚烷環十三蕃-10-基酯； <br/>(12S)-3,4,5-三甲氧基苯甲酸6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>(12R)-3,4,5-三甲氧基苯甲酸6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>(12S)-苯甲酸6-側氧基-8-氧雜-5-氮雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>(12R)-苯甲酸6-側氧基-8-氧雜-5-氮雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>3,4,5-三甲氧基苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二氯-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>(12S)-3,4,5-三甲氧基苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二氯-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>(12R)-3,4,5-三甲氧基苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二氯-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>3,4,5-三甲氧基苯甲酸7<sup>5</sup>-胺甲醯基-7<sup>4</sup>-氯-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>(11Z,16E,10S)-3,4,5-三甲氧基苯甲酸14-氯-2-側氧基-12H-3-氮雜-1(6,2)-吲唑-7(1,4)-二氮雜環庚烷環十三蕃-10-基酯； <br/>(11Z,16E,10R)-3,4,5-三甲氧基苯甲酸14-氯-2-側氧基-12H-3-氮雜-1(6,2)-吲唑-7(1,4)-二氮雜環庚烷環十三蕃-10-基酯； <br/>(12S)-3,4,5-三甲氧基苯甲酸7<sup>4</sup>-胺甲醯基-7<sup>5</sup>-氯-6-側氧基-8-氧雜-5-氮雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>(12R)-3,4,5-三甲氧基苯甲酸7<sup>4</sup>-胺甲醯基-7<sup>5</sup>-氯-6-側氧基-8-氧雜-5-氮雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>3,4,5-三甲氧基苯甲酸7<sup>4</sup>-溴-7<sup>5</sup>-氯-6-側氧基-8-氧雜-5-氮雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>3,4,5-三甲氧基苯甲酸7<sup>5</sup>-氯-7<sup>4</sup>-氰基-6-側氧基-8-氧雜-5-氮雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>(12R)-苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>(12R)-苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>(12S)-苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>(Z)-苯甲醛O-(7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基)肟； <br/>12-羥基-7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-6-酮； <br/>4-羥基苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>4-氟苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>4-異丙氧基苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>3-(三氟甲基)苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>3-(甲磺醯基)苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>3-苯氧基苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>2-氟苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>4-溴-3-氰基苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>3-甲基-5-(三氟甲基)苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>2-氟-4-甲氧基苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>4-甲氧基-2-(三氟甲氧基)苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>吡啶甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>菸鹼酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>吡𠯤-2-甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>6-羥基菸鹼酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>喹啉-5-甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>㗁唑-4-甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>1H-1,2,3-三唑-4-甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>乙酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>環丙烷甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>3-甲基丁酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>4,4,4-三氟丁酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>環己烷甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>1-甲基哌啶-4-甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>3,3-二甲基環丁烷-1-甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>2-(氧雜環丁-3-基)乙酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>(1R,5S,6r)-3-氧雜雙環[3.1.0]己烷-6-甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>5-側氧基吡咯啶-3-甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>1-苯甲基-5-側氧基吡咯啶-3-甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>4-甲氧基環己烷-1-甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>2,6-二氟苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>4-(三氟甲氧基)苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>3-氰基苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>2-側氧基-1,2,3,4-四氫喹啉-6-甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>3-(二氟甲氧基)苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>3,5-二氯苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>3,4-二氯苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>2,3-二氯苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>2-氯-6-氟-3-甲基苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>3-氟-5-(三氟甲基)苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>4-氟-3-(三氟甲基)苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>4-氰基-3-氟苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>4-(三氟甲基)苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>3,5-二氟苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>3,4-二氟苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>3-氰基-4-氟苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>4-氰基苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>3-氯-4-氟苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>1-甲基-1H-苯并[d]咪唑-5-甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>4-(㗁唑-5-基)苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>4,5-二氯-2-氟苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>3,4,5-三乙氧基苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>3-甲氧基丙酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>3-(1H-吡唑-1-基)丙酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>3-氰基丙酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>4-氰基丁酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>4-乙醯胺基丁酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>3-(1H-四唑-1-基)丙酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>4-(二甲胺基)-4-側氧基丁酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>3-乙醯胺基丙酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>4-(甲基胺基)-4-側氧基丁酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>3-(1H-1,2,4-三唑-1-基)丙酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>4-(N-嗎啉基)-4-側氧基丁酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>3-(4-氟苯氧基)丙酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>4,4-二氟環己烷-1-甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>4-(三氟甲基)環己烷-1-甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>3-(2,5-二側氧基吡咯啶-1-基)丙酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>3-甲氧基環己烷-1-甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>苯甲酸7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-8-氧雜-5-氮雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基酯； <br/>(E)-苯甲醛O-(7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-8-氧雜-5-氮雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基)肟； <br/>(E)-苯甲醛O-((12R) 7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-8-氧雜-5-氮雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基)肟； <br/>(E)-苯甲醛O-((12S)- 7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-6-側氧基-8-氧雜-5-氮雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-12-基)肟； <br/>12-羥基7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-8-氧雜-5-氮雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-6-酮； <br/>(12R)-12-羥基-7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-6-酮； <br/>(12S)-12-羥基-7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-6-酮； <br/>7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-12-(5-苯基-2H-四唑-2-基)-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-6-酮； <br/>7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-12-(4-苯基-1H-1,2,3-三唑-1-基)-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-6-酮； <br/>7<sup>4</sup>,7<sup>5</sup>-二甲氧基-12-(5-苯基-1H-四唑-1-基)-5,8-二氧雜-1(1,4)-二氮雜環庚烷-7(1,3)-苯環十四蕃-6-酮， <br/>及其醫藥學上可接受之鹽、水合物或立體異構體。
一種化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物或立體異構體，其選自由<img align="absmiddle" height="219px" width="253px" file="ed10437.jpg" alt="ed10437.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及其醫藥學上可接受之鹽、水合物或立體異構體所組成之群。
如請求項1至3、6、9及10中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物或立體異構體，其中該化合物僅包含一個對掌性中心。
如請求項12之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物或立體異構體，其中該化合物為含有R異構體及S異構體之外消旋混合物、R異構體或S異構體。
如請求項1至3、6、9及10中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物或立體異構體，其中該化合物包含超過一個對掌性中心。
如請求項14之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物或立體異構體，其中該等對掌性中心獨立地包含R或S組態。
如請求項14之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物或立體異構體，其中該等對掌性中心包含相同組態。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1至16中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物或立體異構體及至少一種醫藥學上可接受之賦形劑。
如請求項17之醫藥組合物，其進一步包含腺苷受體拮抗劑。
如請求項18之醫藥組合物，其中該腺苷受體拮抗劑為A2A或A2B受體拮抗劑。
如請求項18之醫藥組合物，其中該腺苷受體拮抗劑係選自： <br/>5-溴-2,6-二-(1H-吡唑-1-基)嘧啶-4-胺； <br/>(S)-7-(5-甲基呋喃-2-基)-3-((6-(([四氫呋喃-3-基]氧基)甲基)吡啶-2-基)甲基)-3H-[1,2,3]三唑并[4,5-d]嘧啶-5-胺； <br/>6-(2-氯-6-甲基吡啶-4-基)-5-(4-氟苯基)-1,2,4-三𠯤-3-胺； <br/>3-(2-胺基-6-(1-((6-(2-羥基丙-2-基)吡啶-2-基)甲基)-1H-1,2,3-三唑-4-基)嘧啶-4-基)-2-甲基苯甲腈； <br/>2-(2-呋喃基)-7-(2-(4-(4-(2-甲氧基乙氧基)苯基)-1-哌𠯤基)乙基)-7H-吡唑并(4,3-e)(1,2,4)三唑并(1,5-c)嘧啶-5-胺； <br/>3-(4-胺基-3-甲基苯甲基)-7-(2-呋喃基)-3H-(1,2,3)三唑并(4,5-d)嘧啶-5-胺； <br/>4-羥基-N-(4-甲氧基-7-(N-嗎啉基)苯并[d]噻唑-2-基)-4-甲基哌啶-1-甲醯胺； <br/>及其醫藥學上可接受之鹽。
如請求項18之醫藥組合物，其中該腺苷受體拮抗劑為式(III)化合物： <br/><img align="absmiddle" height="173px" width="217px" file="ed10438.jpg" alt="ed10438.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>或其醫藥學上可接受之鹽，其中： <br/>R<sup>1</sup>為包含1至4個選自N、O及S之雜原子之5員或6員雜芳基或5員或6員芳基，其中雜芳基或芳基視情況經一或多個選自C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基及鹵基之取代基取代； <br/>R<sup>2</sup>為6員芳基或包含1至4個選自N、O及S之雜原子之6員雜芳基， <br/>其中雜芳基或芳基視情況經一或多個選自以下之取代基取代：鹵基、烷基、雜環基、烷氧基、環烷基氧基、雜環基氧基、羰基、烷基羰基、胺基羰基、羥基羰基、雜環基羰基、烷基亞碸、烷基磺醯基、胺基磺醯基、雜環基磺醯基、烷基磺亞胺醯基、羰基胺基、磺醯基胺基及烷基碸烷基； <br/>該等取代基視情況經一或多個選自以下之取代基取代：側氧基、鹵基、羥基、氰基、烷基、烯基、醛、雜環基烷基、羥基烷基、二羥基烷基、羥基烷基胺基烷基、胺基烷基、烷基胺基烷基、二烷基胺基烷基、(雜環基)(烷基)胺基烷基、雜環基、雜芳基、烷基雜芳基、炔烴、烷氧基、胺基、二烷基胺基、胺基烷基羰基胺基、胺基羰基烷基胺基、(胺基羰基烷基)(烷基)胺基、烯基羰基胺基、羥基羰基、烷基氧基羰基、胺基羰基、胺基烷基胺基羰基、烷基胺基烷基胺基羰基、二烷基胺基烷基胺基羰基、雜環基烷基胺基羰基、(烷基胺基烷基)(烷基)胺基羰基、烷基胺基烷基羰基、二烷基胺基烷基羰基、雜環基羰基、烯基羰基、炔基羰基、烷基亞碸、烷基亞碸烷基、烷基磺醯基及烷基碸烷基； <br/>或該等雜芳基或芳基視情況經兩個連同其所連接之原子一起形成5員或6員芳基環、5員或6員雜芳基環、5員或6員環烷基環或5員或6員雜環基環之取代基取代；視情況經一或多個選自以下之取代基取代：側氧基、鹵基、羥基、氰基、烷基、烯基、醛、雜環基烷基、羥基烷基、二羥基烷基、羥基烷基胺基烷基、胺基烷基、烷基胺基烷基、二烷基胺基烷基、(雜環基)(烷基)胺基烷基、雜環基、雜芳基、烷基雜芳基、炔烴、烷氧基、胺基、二烷基胺基、胺基烷基羰基胺基、胺基羰基烷基胺基、(胺基羰基烷基)(烷基)胺基、烯基羰基胺基、羥基羰基、烷基氧基羰基、胺基羰基、胺基烷基胺基羰基、烷基胺基烷基胺基羰基、二烷基胺基烷基胺基羰基、雜環基烷基胺基羰基、(烷基胺基烷基)(烷基)胺基羰基、烷基胺基烷基羰基、二烷基胺基烷基羰基、雜環基羰基、烯基羰基、炔基羰基、烷基亞碸、烷基亞碸烷基、烷基磺醯基及烷基碸烷基； <br/>其中在上述該等取代基中，術語「烷基」係指包含1至8個碳原子之烷基；術語「烯基」係指包含2至6個碳原子之烯基；術語「芳基」係指包含5至12個原子之芳基；術語「環烷基」係指包含3至10個碳原子之環烷基；術語「雜芳基」係指5至12個碳原子的芳族單環或含有2個稠合在一起的環之環系統，其中一或多個碳原子經氧、氮及/或硫原子置換；且術語「雜環基」係指包含3至10個環原子之具有至少一個雜原子之環狀基團。
如請求項18之醫藥組合物，其中該腺苷受體拮抗劑選自由以下組成之群： <br/>(+)-5-胺基-3-(2-(4-(2,4-二氟-5-(2-(甲亞磺醯基)乙氧基)苯基)哌𠯤-1-基)乙基)-8-(呋喃-2-基)噻唑并[5,4-e][1,2,4]三唑并[1,5-c]嘧啶-2(3H)-酮； <br/>(S)-5-胺基-3-(2-(4-(2,4-二氟-5-(2-(甲亞磺醯基)乙氧基)苯基)哌𠯤-1-基)乙基)-8-(呋喃-2-基)噻唑并[5,4-e][1,2,4]三唑并[1,5-c]嘧啶-2(3H)-酮； <br/>(R)-5-胺基-3-(2-(4-(2,4-二氟-5-(2-(甲亞磺醯基)乙氧基)苯基)哌𠯤-1-基)乙基)-8-(呋喃-2-基)噻唑并[5,4-e][1,2,4]三唑并[1,5-c]嘧啶-2(3H)-酮； <br/>(R,S)-5-胺基-3-(2-(4-(2,4-二氟-5-(2-(甲亞磺醯基)乙氧基)苯基)哌𠯤-1-基)乙基)-8-(呋喃-2-基)噻唑并[5,4-e][1,2,4]三唑并[1,5-c]嘧啶-2(3H)-酮； <br/>及其醫藥學上可接受之鹽。
一種如請求項1至16中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物或立體異構體之用途，其係用於製備抑制有需要之患者之ENT1的藥物。
一種如請求項1至16中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物或立體異構體之用途，其係用於製備治療有需要之患者之癌症的藥物。
一種如請求項1至16中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物或立體異構體與腺苷受體拮抗劑之用途，其係用於製備治療有需要之患者之癌症的藥物。
如請求項25之用途，其中如請求項1至16中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物或立體異構體係在投與該腺苷受體拮抗劑之前、同時或之後投與。
如請求項25或26之用途，其中該腺苷受體拮抗劑為A2A或A2B受體拮抗劑。
如請求項25之用途，其中該腺苷受體拮抗劑係選自： <br/>5-溴-2,6-二-(1H-吡唑-1-基)嘧啶-4-胺； <br/>(S)-7-(5-甲基呋喃-2-基)-3-((6-(([四氫呋喃-3-基]氧基)甲基)吡啶-2-基)甲基)-3H-[1,2,3]三唑并[4,5-d]嘧啶-5-胺； <br/>6-(2-氯-6-甲基吡啶-4-基)-5-(4-氟苯基)-1,2,4-三𠯤-3-胺； <br/>3-(2-胺基-6-(1-((6-(2-羥基丙-2-基)吡啶-2-基)甲基)-1H-1,2,3-三唑-4-基)嘧啶-4-基)-2-甲基苯甲腈； <br/>2-(2-呋喃基)-7-(2-(4-(4-(2-甲氧基乙氧基)苯基)-1-哌𠯤基)乙基)-7H-吡唑并(4,3-e)(1,2,4)三唑并(1,5-c)嘧啶-5-胺； <br/>3-(4-胺基-3-甲基苯甲基)-7-(2-呋喃基)-3H-(1,2,3)三唑并(4,5-d)嘧啶-5-胺； <br/>4-羥基-N-(4-甲氧基-7-(N-嗎啉基)苯并[d]噻唑-2-基)-4-甲基哌啶-1-甲醯胺； <br/>及其醫藥學上可接受之鹽。
如請求項25之用途，其中該腺苷受體拮抗劑為式(III)化合物： <br/><img align="absmiddle" height="131px" width="328px" file="ed10439.jpg" alt="ed10439.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>或其醫藥學上可接受之鹽，其中： <br/>R<sup>1</sup>為包含1至4個選自N、O及S之雜原子之5員或6員雜芳基或5員或6員芳基，其中雜芳基或芳基視情況經一或多個選自C1-C6烷基及鹵基之取代基取代； <br/>R<sup>2</sup>為6員芳基或包含1至4個選自N、O及S之雜原子之6員雜芳基， <br/>其中雜芳基或芳基視情況經一或多個選自以下之取代基取代：鹵基、烷基、雜環基、烷氧基、環烷基氧基、雜環基氧基、羰基、烷基羰基、胺基羰基、羥基羰基、雜環基羰基、烷基亞碸、烷基磺醯基、胺基磺醯基、雜環基磺醯基、烷基磺亞胺醯基、羰基胺基、磺醯基胺基及烷基碸烷基； <br/>該等取代基視情況經一或多個選自以下之取代基取代：側氧基、鹵基、羥基、氰基、烷基、烯基、醛、雜環基烷基、羥基烷基、二羥基烷基、羥基烷基胺基烷基、胺基烷基、烷基胺基烷基、二烷基胺基烷基、(雜環基)(烷基)胺基烷基、雜環基、雜芳基、烷基雜芳基、炔烴、烷氧基、胺基、二烷基胺基、胺基烷基羰基胺基、胺基羰基烷基胺基、(胺基羰基烷基)(烷基)胺基、烯基羰基胺基、羥基羰基、烷基氧基羰基、胺基羰基、胺基烷基胺基羰基、烷基胺基烷基胺基羰基、二烷基胺基烷基胺基羰基、雜環基烷基胺基羰基、(烷基胺基烷基)(烷基)胺基羰基、烷基胺基烷基羰基、二烷基胺基烷基羰基、雜環基羰基、烯基羰基、炔基羰基、烷基亞碸、烷基亞碸烷基、烷基磺醯基及烷基碸烷基； <br/>或該等雜芳基或芳基視情況經兩個連同其所連接之原子一起形成5員或6員芳基環、5員或6員雜芳基環、5員或6員環烷基環或5員或6員雜環基環之取代基取代；視情況經一或多個選自以下之取代基取代：側氧基、鹵基、羥基、氰基、烷基、烯基、醛、雜環基烷基、羥基烷基、二羥基烷基、羥基烷基胺基烷基、胺基烷基、烷基胺基烷基、二烷基胺基烷基、(雜環基)(烷基)胺基烷基、雜環基、雜芳基、烷基雜芳基、炔烴、烷氧基、胺基、二烷基胺基、胺基烷基羰基胺基、胺基羰基烷基胺基、(胺基羰基烷基)(烷基)胺基、烯基羰基胺基、羥基羰基、烷基氧基羰基、胺基羰基、胺基烷基胺基羰基、烷基胺基烷基胺基羰基、二烷基胺基烷基胺基羰基、雜環基烷基胺基羰基、(烷基胺基烷基)(烷基)胺基羰基、烷基胺基烷基羰基、二烷基胺基烷基羰基、雜環基羰基、烯基羰基、炔基羰基、烷基亞碸、烷基亞碸烷基、烷基磺醯基及烷基碸烷基； <br/>其中在上述該等取代基中，術語「烷基」係指包含1至8個碳原子之烷基；術語「烯基」係指包含2至6個碳原子之烯基；術語「芳基」係指包含5至12個原子之芳基；術語「環烷基」係指包含3至10個碳原子之環烷基；術語「雜芳基」係指5至12個碳原子的芳族單環或含有2個稠合在一起的環之環系統，其中一或多個碳原子經氧、氮及/或硫原子置換；且術語「雜環基」係指包含3至10個環原子之具有至少一個雜原子之環狀基團。
如請求項25之用途，其中該腺苷受體拮抗劑選自由以下組成之群： <br/>(+)-5-胺基-3-(2-(4-(2,4-二氟-5-(2-(甲亞磺醯基)乙氧基)苯基)哌𠯤-1-基)乙基)-8-(呋喃-2-基)噻唑并[5,4-e][1,2,4]三唑并[1,5-c]嘧啶-2(3H)-酮； <br/>(S)-5-胺基-3-(2-(4-(2,4-二氟-5-(2-(甲亞磺醯基)乙氧基)苯基)哌𠯤-1-基)乙基)-8-(呋喃-2-基)噻唑并[5,4-e][1,2,4]三唑并[1,5-c]嘧啶-2(3H)-酮； <br/>(R)-5-胺基-3-(2-(4-(2,4-二氟-5-(2-(甲亞磺醯基)乙氧基)苯基)哌𠯤-1-基)乙基)-8-(呋喃-2-基)噻唑并[5,4-e][1,2,4]三唑并[1,5-c]嘧啶-2(3H)-酮； <br/>(R,S)-5-胺基-3-(2-(4-(2,4-二氟-5-(2-(甲亞磺醯基)乙氧基)苯基)哌𠯤-1-基)乙基)-8-(呋喃-2-基)噻唑并[5,4-e][1,2,4]三唑并[1,5-c]嘧啶-2(3H)-酮； <br/>及其醫藥學上可接受之鹽。
一種分裝部分之套組，其包含： <br/>(a)第一部分，其包含有效量之如請求項1至16中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物或立體異構體；及 <br/>(b)第二部分，其包含有效量之腺苷受體拮抗劑。
如請求項31之分裝部分之套組，其中該腺苷受體拮抗劑為A2A或A2B受體拮抗劑。
如請求項31之分裝部分之套組，其中該腺苷受體拮抗劑係選自： <br/>5-溴-2,6-二-(1H-吡唑-1-基)嘧啶-4-胺； <br/>(S)-7-(5-甲基呋喃-2-基)-3-((6-(([四氫呋喃-3-基]氧基)甲基)吡啶-2-基)甲基)-3H-[1,2,3]三唑并[4,5-d]嘧啶-5-胺； <br/>6-(2-氯-6-甲基吡啶-4-基)-5-(4-氟苯基)-1,2,4-三𠯤-3-胺； <br/>3-(2-胺基-6-(1-((6-(2-羥基丙-2-基)吡啶-2-基)甲基)-1H-1,2,3-三唑-4-基)嘧啶-4-基)-2-甲基苯甲腈； <br/>2-(2-呋喃基)-7-(2-(4-(4-(2-甲氧基乙氧基)苯基)-1-哌𠯤基)乙基)-7H-吡唑并(4,3-e)(1,2,4)三唑并(1,5-c)嘧啶-5-胺； <br/>3-(4-胺基-3-甲基苯甲基)-7-(2-呋喃基)-3H-(1,2,3)三唑并(4,5-d)嘧啶-5-胺； <br/>4-羥基-N-(4-甲氧基-7-(N-嗎啉基)苯并[d]噻唑-2-基)-4-甲基哌啶-1-甲醯胺； <br/>及其醫藥學上可接受之鹽。
如請求項31之分裝部分之套組，其中該腺苷受體拮抗劑為式(III)化合物： <br/><img align="absmiddle" height="131px" width="328px" file="ed10439.jpg" alt="ed10439.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>或其醫藥學上可接受之鹽，其中： <br/>R<sup>1</sup>為包含1至4個選自N、O及S之雜原子之5員或6員雜芳基或5員或6員芳基，其中雜芳基或芳基視情況經一或多個選自C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基及鹵基之取代基取代； <br/>R<sup>2</sup>為6員芳基或包含1至4個選自N、O及S之雜原子之6員雜芳基， <br/>其中雜芳基或芳基視情況經一或多個選自以下之取代基取代：鹵基、烷基、雜環基、烷氧基、環烷基氧基、雜環基氧基、羰基、烷基羰基、胺基羰基、羥基羰基、雜環基羰基、烷基亞碸、烷基磺醯基、胺基磺醯基、雜環基磺醯基、烷基磺亞胺醯基、羰基胺基、磺醯基胺基及烷基碸烷基； <br/>該等取代基視情況經一或多個選自以下之取代基取代：側氧基、鹵基、羥基、氰基、烷基、烯基、醛、雜環基烷基、羥基烷基、二羥基烷基、羥基烷基胺基烷基、胺基烷基、烷基胺基烷基、二烷基胺基烷基、(雜環基)(烷基)胺基烷基、雜環基、雜芳基、烷基雜芳基、炔烴、烷氧基、胺基、二烷基胺基、胺基烷基羰基胺基、胺基羰基烷基胺基、(胺基羰基烷基)(烷基)胺基、烯基羰基胺基、羥基羰基、烷基氧基羰基、胺基羰基、胺基烷基胺基羰基、烷基胺基烷基胺基羰基、二烷基胺基烷基胺基羰基、雜環基烷基胺基羰基、(烷基胺基烷基)(烷基)胺基羰基、烷基胺基烷基羰基、二烷基胺基烷基羰基、雜環基羰基、烯基羰基、炔基羰基、烷基亞碸、烷基亞碸烷基、烷基磺醯基及烷基碸烷基； <br/>或該等雜芳基或芳基視情況經兩個連同其所連接之原子一起形成5員或6員芳基環、5員或6員雜芳基環、5員或6員環烷基環或5員或6員雜環基環之取代基取代；視情況經一或多個選自以下之取代基取代：側氧基、鹵基、羥基、氰基、烷基、烯基、醛、雜環基烷基、羥基烷基、二羥基烷基、羥基烷基胺基烷基、胺基烷基、烷基胺基烷基、二烷基胺基烷基、(雜環基)(烷基)胺基烷基、雜環基、雜芳基、烷基雜芳基、炔烴、烷氧基、胺基、二烷基胺基、胺基烷基羰基胺基、胺基羰基烷基胺基、(胺基羰基烷基)(烷基)胺基、烯基羰基胺基、羥基羰基、烷基氧基羰基、胺基羰基、胺基烷基胺基羰基、烷基胺基烷基胺基羰基、二烷基胺基烷基胺基羰基、雜環基烷基胺基羰基、(烷基胺基烷基)(烷基)胺基羰基、烷基胺基烷基羰基、二烷基胺基烷基羰基、雜環基羰基、烯基羰基、炔基羰基、烷基亞碸、烷基亞碸烷基、烷基磺醯基及烷基碸烷基； <br/>其中在上述該等取代基中，術語「烷基」係指包含1至8個碳原子之烷基；術語「烯基」係指包含2至6個碳原子之烯基；術語「芳基」係指包含5至12個原子之芳基；術語「環烷基」係指包含3至10個碳原子之環烷基；術語「雜芳基」係指5至12個碳原子的芳族單環或含有2個稠合在一起的環之環系統，其中一或多個碳原子經氧、氮及/或硫原子置換；且術語「雜環基」係指包含3至10個環原子之具有至少一個雜原子之環狀基團。
如請求項31之分裝部分之套組，其中該腺苷受體拮抗劑選自由以下組成之群： <br/>(+)-5-胺基-3-(2-(4-(2,4-二氟-5-(2-(甲亞磺醯基)乙氧基)苯基)哌𠯤-1-基)乙基)-8-(呋喃-2-基)噻唑并[5,4-e][1,2,4]三唑并[1,5-c]嘧啶-2(3H)-酮； <br/>(S)-5-胺基-3-(2-(4-(2,4-二氟-5-(2-(甲亞磺醯基)乙氧基)苯基)哌𠯤-1-基)乙基)-8-(呋喃-2-基)噻唑并[5,4-e][1,2,4]三唑并[1,5-c]嘧啶-2(3H)-酮； <br/>(R)-5-胺基-3-(2-(4-(2,4-二氟-5-(2-(甲亞磺醯基)乙氧基)苯基)哌𠯤-1-基)乙基)-8-(呋喃-2-基)噻唑并[5,4-e][1,2,4]三唑并[1,5-c]嘧啶-2(3H)-酮； <br/>(R,S)-5-胺基-3-(2-(4-(2,4-二氟-5-(2-(甲亞磺醯基)乙氧基)苯基)哌𠯤-1-基)乙基)-8-(呋喃-2-基)噻唑并[5,4-e][1,2,4]三唑并[1,5-c]嘧啶-2(3H)-酮； <br/>及其醫藥學上可接受之鹽。
一種用於一扁平無引線半導體積體電路(IC)之測試插座，其包括： <br/>一插座本體，其包含經組態以面向該扁平無引線半導體IC之一頂面及經組態以面向一負載板之與該頂面對置之一底面，該插座本體界定自該頂面延伸至該底面中之一孔隙之一插槽； <br/>一旋轉接點，其定位於該插槽中，該旋轉接點經組態以平移於一自由狀態與一預負載狀態之間且旋轉於該預負載狀態與一負載狀態之間；及 <br/>一彈性體保持器，其將該旋轉接點捕獲於該插座本體中，該彈性體保持器包含該旋轉接點圍繞其旋轉之一圓形區段，該彈性體保持器經組態以在與該負載板接合之後在自該自由狀態平移至該預負載狀態時在來自該旋轉接點之平移力下壓縮及在與該扁平無引線半導體IC接合之後在自該預負載狀態旋轉至該負載狀態時在來自該旋轉接點之旋轉力下壓縮。
如請求項1之測試插座，其中該旋轉接點包括接近該插座本體之該頂面之一尖端，該尖端經組態以在該旋轉接點自該預負載狀態旋轉至該負載狀態時接合該扁平無引線半導體IC之一接觸墊。
如請求項2之測試插座，其中該旋轉接點之該尖端經組態以在該旋轉接點自該預負載狀態旋轉至該負載狀態時跨該扁平無引線半導體IC之該接觸墊平移。
如請求項2之測試插座，其中該旋轉接點進一步包括與該尖端對置之一端處之一釘，該釘經組態以在該旋轉接點自該預負載狀態旋轉至該負載狀態時行進遠離該插座本體之一壁。
如請求項2之測試插座，其中該旋轉接點進一步包括： <br/>一凸起部，其接近該插座本體之該底面且經組態以在處於該預負載狀態及該負載狀態中時接合該負載板之一印刷電路板(PCB)墊；及 <br/>一臂，其延伸於該尖端與該凸起部之間，該臂經組態以在該插槽內在該插座本體之一支撐邊緣上樞轉。
如請求項1之測試插座，其進一步包括界定一插口之一插座框，該扁平無引線半導體IC經組態以固定至該插口中。
如請求項6之測試插座，其中該插座框安置於該彈性體保持器上方，且其中該彈性體保持器經組態以在來自該旋轉接點之平移力下抵靠該插座框壓縮且在來自該旋轉接點之旋轉力下抵靠該插座框壓縮。
一種用於一半導體積體電路(IC)之測試系統，該測試系統包括： <br/>一負載板；及 <br/>一測試插座，其包括： <br/>一插座本體，其包含經組態以面向該半導體IC之一頂面及安裝至該負載板之一底面，該插座本體界定自該頂面延伸至該底面中之一孔隙之一插槽； <br/>一旋轉接點，其在一預負載狀態中定位於該插槽中，該旋轉接點經組態以旋轉於該預負載狀態與一負載狀態之間；及 <br/>一彈性體保持器，其將該旋轉接點捕獲於該插座本體中，該彈性體保持器包含該旋轉接點經組態以圍繞其旋轉之一圓形區段及將一接觸力及一回復力提供至該旋轉接點之一四邊形區段，該彈性體保持器壓縮於一插座框與該旋轉接點之間且經組態以在與該半導體IC接合之後在自該預負載狀態旋轉至該負載狀態時在來自該旋轉接點之旋轉力下進一步壓縮。
如請求項8之測試系統，其中該旋轉接點包括接近該插座本體之該頂面之一尖端，該尖端經組態以在該旋轉接點自該預負載狀態旋轉至該負載狀態時接合該半導體IC之一接觸墊。
如請求項9之測試系統，其中該旋轉接點之該尖端經組態以在該旋轉接點自該預負載狀態旋轉至該負載狀態時跨該半導體IC之該接觸墊平移。
如請求項9之測試系統，其中該旋轉接點進一步包括與該尖端對置之一端處之一釘，該釘經組態以在該旋轉接點自該預負載狀態旋轉至該負載狀態時行進遠離該插座本體之一壁。
如請求項9之測試系統，其中該旋轉接點進一步包括： <br/>一凸起部，其接近該插座本體之該底面且經組態以在處於該預負載狀態及該負載狀態中時接合該負載板之一印刷電路板(PCB)墊；及 <br/>一臂，其延伸於該尖端與該凸起部之間，該臂經組態以在該插槽內在該插座本體之支撐邊緣上樞轉。
如請求項8之測試系統，其中該插座框界定一插口，該半導體IC經組態以固定至該插口中。
如請求項13之測試系統，其中該插座框包含經組態以使該半導體IC之一接觸墊與該旋轉接點對準之一錐形導壁。
一種組裝用於一半導體積體電路(IC)之一測試系統之方法，該方法包括： <br/>將複數個旋轉接點定位於一測試插座之一插座本體之對應插槽中； <br/>將一彈性體保持器定位於該等旋轉接點上方；及 <br/>將一插座框安裝於該複數個旋轉接點及該彈性體保持器上方。
如請求項15之方法，其中定位該複數個旋轉接點包括：針對該複數個旋轉接點之各旋轉接點，將該旋轉接點定位於該插座本體之一支撐邊緣上。
如請求項15之方法，其進一步包括： <br/>將該插座本體安裝於一負載板上；及 <br/>使該複數個旋轉接點朝向該插座框平移至一預負載狀態中以壓縮該彈性體保持器抵靠該插座框。
如請求項17之方法，其進一步包括： <br/>將該半導體IC固定至該測試插座中；及 <br/>使該複數個旋轉接點圍繞該彈性體保持器旋轉至一負載狀態中，藉此使各旋轉接點之一釘旋轉至該彈性體保持器中以壓縮該彈性體保持器抵靠該插座框。
如請求項18之方法，其中旋轉該複數個旋轉接點包括跨該半導體IC之一對應接觸墊平移各旋轉接點之一尖端。
如請求項18之方法，其進一步包括自該測試插座移除該半導體IC及將該複數個旋轉接點旋轉回至該預負載狀態。
一種碳質材料，其藉由對二氧化碳的吸附脫附等溫線進行大正則蒙地卡羅模擬所求出的細孔容積為0.05cm<sup>3</sup>/g以上0.20cm<sup>3</sup>/g以下，在該吸附脫附等溫線中相對壓力0.01下的脫附量和吸附量的比(脫附量/吸附量)為1.05以上，利用BJH法求出的中孔容積為3.7mm<sup>3</sup>/g以上41mm<sup>3</sup>/g以下。
如請求項1之碳質材料，其中氧元素含量為0.5質量%以上。
如請求項1或2之碳質材料，其中基於氮吸附法的BET比表面積為1m<sup>2</sup>/g以上20m<sup>2</sup>/g以下。
如請求項1之碳質材料，其中平均粒徑(D<sub>50</sub>)為1.3μm以上9.5μm以下。
如請求項1或4之碳質材料，其中基於氮吸附法的BET比表面積為3m<sup>2</sup>/g以上60m<sup>2</sup>/g以下。
如請求項1或2之碳質材料，其中使用基於廣角X射線繞射法的布拉格(Bragg)式所算出的(002)面的平均面間隔d<sub>002</sub>為0.36nm以上0.42nm以下。
一種碳質材料，其係用於電化學裝置的如請求項1或2之碳質材料，其中電化學裝置為電池或電容器。
如請求項7之碳質材料，其係預摻雜有金屬離子而使用。
一種電化學裝置，其係包含如請求項1至8中任一項之碳質材料之電化學裝置，其中電化學裝置為電池或電容器。
一種如請求項1至8中任一項之碳質材料之製造方法，其包含如下步驟：使基於氮吸附法的BET比表面積為500m<sup>2</sup>/g以下的碳前驅物升溫至900℃，該步驟中的600℃以上900℃以下之間的升溫速度為60℃/分鐘以下。
如請求項10之方法，其中該升溫步驟係在揮發性有機物的存在下進行。
如請求項11之方法，其進一步包含如下步驟：在該升溫步驟或熱處理步驟之後，在900℃以上1180℃以下進行熱處理。
如請求項10或11之方法，其進一步包含：將該碳前驅物及/或熱處理後的該碳前驅物粉碎的粉碎步驟。
如請求項12之方法，其進一步包含：將該碳前驅物及/或熱處理後的該碳前驅物粉碎的粉碎步驟。
一種化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物係<figure><img align="absmiddle" height="221px" width="267px" file="d10001.TIF" alt="化學式ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/></figure>
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物係<figure><img align="absmiddle" height="222px" width="218px" file="d10002.TIF" alt="化學式ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/></figure>
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物係<figure><img align="absmiddle" height="230px" width="239px" file="d10003.TIF" alt="化學式ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/></figure>
一種醫藥組合物，其包含以下化合物：<figure><img align="absmiddle" height="230px" width="256px" file="d10004.TIF" alt="化學式ed10004.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10004.png"/></figure>或其醫藥學上可接受之鹽，以及醫藥學上可接受之載劑。
如請求項4之醫藥組合物，其中該化合物係<figure><img align="absmiddle" height="233px" width="270px" file="d10005.TIF" alt="化學式ed10005.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10005.png"/></figure>或其醫藥學上可接受之鹽。
如請求項4之醫藥組合物，其中該化合物係<figure><img align="absmiddle" height="233px" width="251px" file="d10006.TIF" alt="化學式ed10006.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10006.png"/></figure>
一種如請求項1至3中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或如請求項4至6中任一項之醫藥組合物之用途，其係用以製備在有需要之個體中抑制PI3Kα信號傳導活性之藥物。
一種如請求項1至3中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或如請求項4至6中任一項之醫藥組合物之用途，其係用以製備在有需要之個體中治療PI3Kα介導之病症之藥物。
一種如請求項1至3中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或如請求項4至6中任一項之醫藥組合物之用途，其係用以製備在有需要之個體中治療細胞增生性疾病之藥物。
如請求項9之用途，其中該細胞增生性疾病為癌症。
如請求項9之用途，其中該癌症係選自肉瘤；肺癌；支氣管癌；前列腺癌；包括散發性乳癌及考登氏病(Cowden disease)患者之乳癌；胰臟癌；胃腸道癌；結腸癌；直腸癌；癌瘤；結腸癌；腺瘤；結腸直腸腺瘤；甲狀腺癌；肝癌；肝內膽管癌；肝細胞癌；腎上腺癌；胃部癌；胃癌；神經膠質瘤；神經膠母細胞瘤；子宮內膜癌；黑色素瘤；腎癌；腎盂癌；膀胱癌；子宮體癌；子宮頸癌；陰道癌；包括透明細胞卵巢癌之卵巢癌；多發性骨髓瘤；食道癌；白血病；急性骨髓性白血病；慢性骨髓性白血病；淋巴細胞性白血病；骨髓白血病；腦癌；腦部上皮癌；口腔癌及咽癌；喉癌；小腸癌；非霍奇金氏淋巴瘤(non-Hodgkin lymphoma)；絨毛狀結腸腺瘤；瘤形成；上皮特徵瘤形成；淋巴瘤；乳腺上皮癌；基底細胞癌；鱗狀細胞癌；光化性角化症；頸部癌；頭部癌；真性紅血球增多症；原發性血小板增多症；骨髓纖維化伴骨髓化生；及瓦爾登斯特倫巨球蛋白血症(Waldenstrom macroglobulinemia)。
如請求項10之用途，其中該癌症為乳癌。
如請求項10之用途，其中該癌症為卵巢癌。
如請求項13之用途，其中該卵巢癌為透明細胞卵巢癌。
如請求項7至14中任一項之用途，其中該個體具有含有以下突變中之至少一者的PI3Kα：H1047R、E542K及E545K。
一種如請求項1至3中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或如請求項4至6中任一項之醫藥組合物之用途，其係用以製備在個體中治療疾病或病症，其中該疾病或病症係選自由下列組成之群：真性紅血球增多症、原發性血小板增多症、骨髓纖維化伴骨髓化生、哮喘、COPD、ARDS、PROS、PI3K相關過度生長症候群、靜脈畸形、呂氏症候群(Loffler's syndrome)、嗜酸性球性肺炎、包括熱帶嗜酸性球增多症寄生蟲感染、支氣管肺麯黴病、包括查格-施特勞斯症候群(Churg-Strauss syndrome)之結節性多動脈炎、嗜酸性球性肉芽腫、由藥物反應引起之影響氣管之嗜酸性球相關病症、牛皮癬、接觸性皮膚炎、異位性皮膚炎、斑禿、多形性紅斑、疱疹樣皮炎、硬皮病、白斑病、過敏性脈管炎、蕁麻疹、大皰性類天疱瘡、紅斑性狼瘡、天疱瘡、後天大皰性表皮鬆懈、例如溶血性貧血、再生不全性貧血、純紅血球貧血及特發性血小板減少症之自體免疫血液病症、全身性紅斑性狼瘡症、多軟骨炎、韋格納肉芽腫病(Wegener granulomatosis)、皮肌炎、慢性活動性肝炎、重症肌無力、史蒂芬-約翰遜症候群(Steven-Johnson syndrome)、特發性口炎性腹瀉、例如潰瘍性結腸炎及克羅恩氏病(Crohn's disease)之自體免疫發炎性腸病、內分泌眼病變、葛瑞夫茲氏病(Graves' disease)、類肉瘤病、肺泡炎、慢性過敏性肺炎、多發性硬化症、原發性膽汁性肝硬化、例如前部及後部之葡萄膜炎、肺間質纖維化、牛皮癬性關節炎、腎小球腎炎、心血管疾病、動脈粥樣硬化、高血壓、深靜脈血栓形成、中風、心肌梗塞、不穩定絞痛、血栓栓塞、肺栓塞、溶栓性疾病、急性動脈缺血、周邊血栓性閉塞、及冠狀動脈疾病、再灌注損傷、諸如糖尿病性視網膜病變或高壓氧誘導之視網膜病變及諸如青光眼之由眼內壓升高或眼房水分泌表徵之病狀。
如請求項16之用途，其中該個體具有含有以下突變中之至少一者的PI3Kα：H1047R、E542K及E545K。
一種在用於提供一服務之一服務伺服器中管理一關鍵字之方法，該方法包括： <br/>獲取對應於一第一伺服器之一第一組關鍵字； <br/>基於對應於該第一組關鍵字中之各關鍵字之該服務之一登陸頁面來檢查該第一組關鍵字中之各關鍵字是否對應於一死連結； <br/>當該第一組關鍵字中之各關鍵字對應於該死連結時，更新該第一組關鍵字中之各關鍵字之狀態資訊； <br/>將該第一組關鍵字之該經更新狀態資訊提供給該第一伺服器； <br/>獲取對應於一第二伺服器之一第二組關鍵字； <br/>基於該第一組關鍵字之該經更新狀態資訊來更新對應於其狀態資訊已更新之該第一組關鍵字中之該關鍵字之該第二組關鍵字中之一關鍵字的狀態資訊；及 <br/>將該第二組關鍵字之該經更新狀態資訊提供給該第二伺服器。
如請求項1之方法，其中根據經提供給該第一伺服器之該經更新狀態資訊，自與對應於與該第一伺服器相關之該經更新狀態資訊之該關鍵字相關之一搜尋結果，省略與該服務相關之一結果之一輸出。
如請求項1之方法，進一步包括：當對應於該第一組關鍵字中之一特定關鍵字之一頁面類型係顯示由該服務提供之一搜尋結果之一頁面時，向透過對應於由該第一伺服器提供之一頁面上之該特定關鍵字之一連結進入該服務之一使用者提供顯示與該特定關鍵字相關之該服務之該搜尋結果之該頁面。
如請求項1之方法，進一步包括：當對應於該第一組關鍵字中之一特定關鍵字之一頁面類型係顯示由該服務提供之一搜尋結果之一頁面時，向透過對應於該特定關鍵字之一連結自該第一伺服器進入該服務之一使用者提供顯示與對應於該特定關鍵字之一相關關鍵字相關之該服務之該搜尋結果之該頁面。
如請求項1之方法，進一步包括： <br/>基於該第二組關鍵字之該等關鍵字中其狀態資訊未被更新之一第一子集之關鍵字中之各關鍵字之該服務之一登陸頁面來檢查該第一子集之關鍵字中之各關鍵字是否對應於該死連結； <br/>當該第一子集之關鍵字中之各關鍵字對應於該死連結時，更新該第一子集之關鍵字中之各關鍵字之該狀態資訊；及 <br/>將該第一子集之關鍵字之該經更新狀態資訊提供給該第二伺服器。
如請求項1之方法，其中該檢查該第一組關鍵字中之各關鍵字是否對應於該死連結包括基於自該服務獲取之其他使用者之一搜尋記錄來檢查選自該第一組關鍵字之一關鍵字是否對應於該死連結。
如請求項1之方法，其中該檢查該第一組關鍵字中之各關鍵字是否對應於該死連結包括基於提供給自該第一伺服器之一搜尋結果進入該服務之其他使用者之頁面資訊來檢查選自該第一組關鍵字之一關鍵字是否對應於該死連結。
如請求項1之方法，其中該更新該第二組關鍵字中之該關鍵字之該狀態資訊包括：當該第一組關鍵字中存在對應於該第二組關鍵字中之該關鍵字的該關鍵字，且對應於該第二組關鍵字中之該關鍵字之該服務的該登陸頁面對應於對應該第一組關鍵字中之該關鍵字之該服務的該登陸頁面時，基於該第一組關鍵字中之該關鍵字的該狀態資訊來更新該第二組關鍵字中之該關鍵字的該狀態資訊。
如請求項1之方法，其中該登陸頁面包含顯示該服務伺服器之一搜尋結果之一頁面及顯示選自該搜尋結果之一產品之詳細資訊之一頁面之一者，且 <br/>該方法進一步包括：當該第一組關鍵字中之一第一關鍵字對應於該死連結，且對應於該第一關鍵字之該服務之該登陸頁面係顯示該搜尋結果之該頁面時，更新該第一關鍵字及一第二關鍵字之狀態資訊，該第二關鍵字係與顯示經包含於該搜尋結果中之該產品之該詳細資訊的該頁面相關。
如請求項9之方法，進一步包括，當該第一組關鍵字中之該第一關鍵字對應於該死連結且對應於該第一關鍵字之該服務之該登陸頁面係顯示該搜尋結果之該頁面時，將對應於該第一關鍵字之該服務之該登陸頁面更新至與該第一關鍵字之一替換關鍵字相關之一登陸頁面。
如請求項6之方法，其中該檢查該第一組關鍵字中之各關鍵字是否對應於該死連結進一步包括為該搜尋記錄中滿足一特定條件之一關鍵字分配一優先級，且 <br/>檢查被分配該優先級之該關鍵字是否對應於該死連結之一循環係比檢查未被分配該優先級之該關鍵字是否對應於該死連結之一循環短。
如請求項11之方法，其中該特定條件包括該關鍵字在該搜尋記錄中之一搜尋頻率在一預定時段內大於或等於一臨限值之一條件。
如請求項11之方法，進一步包括基於該搜尋記錄來向該第一組關鍵字添加一關鍵字。
一種用於提供一服務之服務伺服器，該服務伺服器包括： <br/>一收發器，其經組態以將資訊傳輸至另一設備及自另一設備接收資訊；及 <br/>一處理器，其經組態以：控制該收發器；獲取對應於一第一伺服器之一第一組關鍵字；基於對應於該第一組關鍵字中之各關鍵字之該服務之一登陸頁面來檢查該第一組關鍵字中之各關鍵字是否對應於一死連結；當該第一組關鍵字中之各關鍵字對應於該死連結時，更新該第一組關鍵字中之各關鍵字之狀態資訊；將該第一組關鍵字之該經更新狀態資訊提供給該第一伺服器；獲取對應於一第二伺服器之一第二組關鍵字；基於該第一組關鍵字之該經更新狀態資訊來更新對應於其狀態資訊已更新之該第一組關鍵字中之該關鍵字之該第二組關鍵字中之一關鍵字的狀態資訊；及將該第二組關鍵字之該經更新狀態資訊提供給該第二伺服器。
一種非暫時性電腦可讀儲存媒體，其包括經組態以儲存電腦可讀指令之一媒體， <br/>其中當該等電腦可讀指令由一處理器執行時，該處理器經組態以執行在提供一服務之一服務伺服器中管理一關鍵字之一方法，該方法包括： <br/>獲取對應於一第一伺服器之一第一組關鍵字； <br/>基於對應於該第一組關鍵字中之各關鍵字之該服務之一登陸頁面來檢查該第一組關鍵字中之各關鍵字是否對應於一死連結； <br/>當該第一組關鍵字中之各關鍵字對應於該死連結時，更新該第一組關鍵字中之各關鍵字之狀態資訊； <br/>將該第一組關鍵字之該經更新狀態資訊提供給該第一伺服器； <br/>獲取對應於一第二伺服器之一第二組關鍵字； <br/>基於該第一組關鍵字之該經更新狀態資訊來更新對應於其狀態資訊已更新之該第一組關鍵字中之該關鍵字之該第二組關鍵字中之一關鍵字的狀態資訊；及 <br/>將該第二組關鍵字之該經更新狀態資訊提供給該第二伺服器。
一種式（I）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽， <img align="absmiddle" height="64px" width="53px" file="ed10430.jpg" alt="ed10430.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 其中， “<img align="absmiddle" height="4px" width="15px" file="ed10431.jpg" alt="ed10431.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>”代表雙鍵時，X、Y分別獨立地選自CR<sup>a</sup>，或X選自CR<sup>a</sup>，Y為N； “<img align="absmiddle" height="4px" width="15px" file="ed10431.jpg" alt="ed10431.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>”代表單鍵時，X為NR<sup>b</sup>，Y為C(O)； R<sup>a</sup>選自氫、羥基、鹵素、氰基、C<sub>1-6</sub>烷基或C<sub>1-6</sub>烷氧基，其中所述C<sub>1-6</sub>烷基或C<sub>1-6</sub>烷氧基任選地被一個或多個氘或鹵素取代； R<sup>b</sup>選自氫或C<sub>1-6</sub>烷基； R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>分別獨立地選自C<sub>1-6</sub>烷基，或R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>和與之相連的磷原子共同形成一個5~6員雜環基，其中所述5~6員雜環基任選地被一個或多個R<sup>c</sup>取代； 每一個R<sup>c</sup>分別獨立地選自氫、甲基、<img align="absmiddle" height="7px" width="17px" file="ed10437.jpg" alt="ed10437.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="20px" file="ed10440.jpg" alt="ed10440.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、乙醯基、<img align="absmiddle" height="19px" width="18px" file="ed10448.jpg" alt="ed10448.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="14px" width="24px" file="ed10449.jpg" alt="ed10449.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="19px" file="ed10451.jpg" alt="ed10451.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="11px" width="19px" file="ed10453.jpg" alt="ed10453.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="19px" file="ed10454.jpg" alt="ed10454.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="21px" file="ed10455.jpg" alt="ed10455.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="8px" width="24px" file="ed10444.jpg" alt="ed10444.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="19px" file="ed10446.jpg" alt="ed10446.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="24px" file="ed10450.jpg" alt="ed10450.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="14px" file="ed10442.jpg" alt="ed10442.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="19px" file="ed10443.jpg" alt="ed10443.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="14px" width="15px" file="ed10456.jpg" alt="ed10456.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="19px" width="19px" file="ed10438.jpg" alt="ed10438.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； 結構單元<img align="absmiddle" height="27px" width="26px" file="ed10459.jpg" alt="ed10459.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>選自<img align="absmiddle" height="29px" width="21px" file="ed10460.jpg" alt="ed10460.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="25px" file="ed10461.jpg" alt="ed10461.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="27px" width="30px" file="ed10463.jpg" alt="ed10463.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="22px" width="34px" file="ed10464.jpg" alt="ed10464.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； n為0、1、2或3； 每一個R<sup>3</sup>分別獨立地選自胺基、硝基、鹵素、C<sub>1-8</sub>烷基-或苯基，其中所述C<sub>1-8</sub>烷基或苯基任選地被一個或多個R<sup>d</sup>取代； R<sup>d</sup>選自羥基、鹵素或C<sub>1-6</sub>烷基-NH-C<sub>1-6</sub>烷基-； R<sup>4</sup>選自甲基，R<sup>5</sup>選自氫或氘，其中，所述甲基任選地被一個或多個氟取代； R<sup>6</sup>選自氫、鹵素或C<sub>1-6</sub>烷基，其中所述C<sub>1-6</sub>烷基任選地被一個或多個鹵素取代， 其中，所述“雜環基”或“雜環烷基”含有1至3個獨立地選自硫、氧、磷和/或氮的雜原子，所述“雜芳基”含有至少一個選自N、O、S的環原子，所述“稠雜環”含有至少一個選自N、O、S的環原子。
如請求項1所述的式（I）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽，其中，X選自CH，Y選自C(OH)、C(OCH<sub>3</sub>)、C(OCHF<sub>2</sub>)、C(OCH<sub>2</sub>F)、CF或C(OCD<sub>3</sub>)；或者，X選自CH，Y選自N；或者，X選自N(CH<sub>3</sub>)，Y選自C(O)；或者，X選自CF或C(CN)，Y選自CH或N。
如請求項1所述的式（I）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽，其中，R<sup>a</sup>選自氫、羥基、鹵素、氰基、C<sub>1-4</sub>烷基或C<sub>1-4</sub>烷氧基，其中，所述C<sub>1-4</sub>烷基和C<sub>1-4</sub>烷氧基任選地被一個或多個氘或鹵素取代。
如請求項1所述的式（I）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽，其中，R<sup>b</sup>選自C<sub>1-6</sub>烷基。
如請求項1所述的式（I）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽，其中，R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>分別獨立地選自C<sub>1-3</sub>烷基。
如請求項1所述的式（I）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽，其中，R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>和與之相連的磷原子共同形成一個5~6員雜環基，其中，所述5~6員雜環基的環原子任選地包含一個或多個選自N、O或S原子的雜原子，所述5~6員雜環基任選地被一個或多個R<sup>c</sup>取代，且當環原子中含N原子時，N與R<sup>c</sup>連接。
如請求項6所述的式（I）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽，其中，R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>和與之相連的磷原子共同形成一個5員或6員雜環基，其中，所述5員或6員雜環基的環原子中任選地包含一個選自N或O原子的雜原子，且當環原子中含N原子時，N與R<sup>c</sup>連接。
如請求項1所述的式（I）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽，其中，結構單元<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="ed10432.jpg" alt="ed10432.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>選自結構單元<img align="absmiddle" height="17px" width="30px" file="ed10436.jpg" alt="ed10436.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="17px" width="22px" file="ed10433.jpg" alt="ed10433.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="17px" width="20px" file="ed10434.jpg" alt="ed10434.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="ed10435.jpg" alt="ed10435.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的式（I）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽，其中，n為0、1或2。
如請求項1所述的式（I）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽，其中，R<sup>3</sup>分別獨立地選自胺基、硝基、鹵素、C<sub>1-4</sub>烷基或苯基，其中，所述C<sub>1-4</sub>烷基或苯基任選地被一個或多個R<sup>d</sup>取代，R<sup>d</sup>選自羥基、鹵素或C<sub>1-3</sub>烷基-NH-C<sub>1-3</sub>烷基-。
如請求項1所述的式（I）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽，其中，結構單元<img align="absmiddle" height="27px" width="26px" file="ed10459.jpg" alt="ed10459.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>選自<img align="absmiddle" height="21px" width="18px" file="ed10465.jpg" alt="ed10465.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="24px" file="ed10466.jpg" alt="ed10466.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="29px" width="34px" file="ed10467.jpg" alt="ed10467.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="28px" file="ed10468.jpg" alt="ed10468.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="24px" file="ed10469.jpg" alt="ed10469.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="27px" width="24px" file="ed10470.jpg" alt="ed10470.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="29px" width="34px" file="ed10471.jpg" alt="ed10471.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="37px" file="ed10472.jpg" alt="ed10472.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="36px" file="ed10473.jpg" alt="ed10473.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="36px" file="ed10474.jpg" alt="ed10474.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="40px" file="ed10475.jpg" alt="ed10475.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="27px" width="37px" file="ed10476.jpg" alt="ed10476.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="28px" width="46px" file="ed10477.jpg" alt="ed10477.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="30px" file="ed10478.jpg" alt="ed10478.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="28px" file="ed10479.jpg" alt="ed10479.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="24px" file="ed10480.jpg" alt="ed10480.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="40px" file="ed10481.jpg" alt="ed10481.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="ed10483.jpg" alt="ed10483.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="31px" width="21px" file="ed10484.jpg" alt="ed10484.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="34px" width="30px" file="ed10485.jpg" alt="ed10485.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="37px" file="ed10486.jpg" alt="ed10486.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 、<img align="absmiddle" height="23px" width="37px" file="ed10487.jpg" alt="ed10487.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="28px" width="25px" file="ed10488.jpg" alt="ed10488.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="27px" width="23px" file="ed10489.jpg" alt="ed10489.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的式（I）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽，其中，R<sup>6</sup>選自氫、鹵素或C<sub>1-3</sub>烷基，其中，所述C<sub>1-3</sub>烷基任選地被一個或多個鹵素取代。
如請求項1所述的式（I）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽，其選自式（II）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽， <img align="absmiddle" height="64px" width="52px" file="ed10490.jpg" alt="ed10490.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 其中， “<img align="absmiddle" height="4px" width="15px" file="ed10431.jpg" alt="ed10431.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>”代表雙鍵時，X、Y分別獨立地選自CR<sup>a</sup>，或X選自CR<sup>a</sup>，Y為N； “<img align="absmiddle" height="4px" width="15px" file="ed10431.jpg" alt="ed10431.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>”代表單鍵時，X為NR<sup>b</sup>，Y為C(O)； R<sup>a</sup>選自氫、羥基、鹵素、C<sub>1-6</sub>烷基或C<sub>1-6</sub>烷氧基，其中，所述C<sub>1-6</sub>烷基任選地被一個或多個鹵素取代，所述C<sub>1-6</sub>烷氧基任選地被一個或多個氘或鹵素取代； R<sup>b</sup>選自氫或C<sub>1-6</sub>烷基； R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>分別獨立地選自C<sub>1-6</sub>烷基，或R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>和與之相連的磷原子共同形成一個5-6員雜環基，其中，所述5-6員雜環基的環原子中至少包含一個N原子，且N與R<sup>c</sup>連接； 每一個R<sup>c</sup>分別獨立地選自氫、甲基、乙醯基、<img align="absmiddle" height="19px" width="18px" file="ed10448.jpg" alt="ed10448.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="14px" width="24px" file="ed10449.jpg" alt="ed10449.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="19px" file="ed10451.jpg" alt="ed10451.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="11px" width="19px" file="ed10453.jpg" alt="ed10453.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="8px" width="24px" file="ed10444.jpg" alt="ed10444.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="19px" file="ed10446.jpg" alt="ed10446.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="19px" width="24px" file="ed10450.jpg" alt="ed10450.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>結構單元<img align="absmiddle" height="27px" width="26px" file="ed10459.jpg" alt="ed10459.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>選自<img align="absmiddle" height="29px" width="21px" file="ed10460.jpg" alt="ed10460.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="22px" width="25px" file="ed10461.jpg" alt="ed10461.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>n為0、1、2或3； <br/>每一個R<sup>3</sup>分別獨立地選自胺基、硝基、鹵素或C<sub>1-8</sub>烷基，其中，所述C<sub>1-8</sub>烷基任選地被一個或多個R<sup>d</sup>取代； <br/>R<sup>d</sup>選自羥基或鹵素。
如請求項13所述的式（I）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽， 其選自式（III）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽， <br/><img align="absmiddle" height="64px" width="52px" file="ed10491.jpg" alt="ed10491.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中， <br/>R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、X、Y、n、環A及<img align="absmiddle" height="4px" width="15px" file="ed10431.jpg" alt="ed10431.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>如請求項13所定義。
如請求項13所述的式（I）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽，所述化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽選自式（III-1）化合物、式（III-2）化合物、式（III-3）化合物、式（III-4）化合物、式（III-5）化合物、式（III-6）化合物、式（III-7）化合物、式（III-8）化合物和式（III-9）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽， <img align="absmiddle" height="66px" width="52px" file="ed10492.jpg" alt="ed10492.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="59px" width="51px" file="ed10493.jpg" alt="ed10493.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="65px" width="60px" file="ed10494.jpg" alt="ed10494.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="72px" width="52px" file="ed10495.jpg" alt="ed10495.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="64px" width="48px" file="ed10496.jpg" alt="ed10496.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="64px" width="48px" file="ed10497.jpg" alt="ed10497.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="64px" width="62px" file="ed10498.jpg" alt="ed10498.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="64px" width="63px" file="ed10499.jpg" alt="ed10499.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="68px" width="63px" file="ed10500.jpg" alt="ed10500.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中， <br/>R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、Y、n、環A、R<sup>a</sup>、R<sup>b</sup>及R<sup>c</sup>如請求項13所定義。
如請求項1所述的式（I）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽，其選自式（IV）化合物、式（V）化合物和式（VI）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽， <img align="absmiddle" height="66px" width="48px" file="ed10501.jpg" alt="ed10501.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="66px" width="62px" file="ed10502.jpg" alt="ed10502.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="73px" width="62px" file="ed10503.jpg" alt="ed10503.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中， <br/>R<sup>3</sup>、Y、n、R<sup>b</sup>及R<sup>c</sup>如請求項1-14中任一項所定義。
一種化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽，所述化合物為下列之一者： <img align="absmiddle" height="45px" width="48px" file="ed10504.jpg" alt="ed10504.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="47px" width="54px" file="ed10505.jpg" alt="ed10505.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="53px" width="64px" file="ed10506.jpg" alt="ed10506.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="47px" width="55px" file="ed10507.jpg" alt="ed10507.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="51px" width="52px" file="ed10508.jpg" alt="ed10508.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="80px" width="94px" file="ed10509.jpg" alt="ed10509.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="47px" width="54px" file="ed10510.jpg" alt="ed10510.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="47px" width="52px" file="ed10511.jpg" alt="ed10511.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="47px" width="52px" file="ed10512.jpg" alt="ed10512.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="56px" width="69px" file="ed10513.jpg" alt="ed10513.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="56px" width="69px" file="ed10514.jpg" alt="ed10514.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="47px" width="72px" file="ed10515.jpg" alt="ed10515.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="70px" width="124px" file="ed10516.jpg" alt="ed10516.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="70px" width="118px" file="ed10517.jpg" alt="ed10517.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="51px" width="62px" file="ed10518.jpg" alt="ed10518.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="51px" width="79px" file="ed10519.jpg" alt="ed10519.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="51px" width="75px" file="ed10520.jpg" alt="ed10520.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="47px" width="69px" file="ed10521.jpg" alt="ed10521.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="53px" width="53px" file="ed10522.jpg" alt="ed10522.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="53px" width="53px" file="ed10523.jpg" alt="ed10523.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="52px" width="62px" file="ed10524.jpg" alt="ed10524.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="47px" width="46px" file="ed10525.jpg" alt="ed10525.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="52px" width="52px" file="ed10526.jpg" alt="ed10526.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="47px" width="75px" file="ed10527.jpg" alt="ed10527.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="53px" width="76px" file="ed10528.jpg" alt="ed10528.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="53px" width="76px" file="ed10529.jpg" alt="ed10529.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="52px" width="76px" file="ed10530.jpg" alt="ed10530.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="53px" width="75px" file="ed10531.jpg" alt="ed10531.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="47px" width="75px" file="ed10532.jpg" alt="ed10532.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="47px" width="80px" file="ed10533.jpg" alt="ed10533.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="53px" width="80px" file="ed10534.jpg" alt="ed10534.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="53px" width="69px" file="ed10535.jpg" alt="ed10535.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="47px" width="75px" file="ed10536.jpg" alt="ed10536.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="47px" width="75px" file="ed10537.jpg" alt="ed10537.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="56px" width="80px" file="ed10538.jpg" alt="ed10538.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="56px" width="80px" file="ed10539.jpg" alt="ed10539.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="56px" width="69px" file="ed10540.jpg" alt="ed10540.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="56px" width="79px" file="ed10541.jpg" alt="ed10541.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="56px" width="80px" file="ed10542.jpg" alt="ed10542.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="53px" width="75px" file="ed10543.jpg" alt="ed10543.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="47px" width="63px" file="ed10544.jpg" alt="ed10544.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="47px" width="69px" file="ed10545.jpg" alt="ed10545.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="47px" width="70px" file="ed10546.jpg" alt="ed10546.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="47px" width="69px" file="ed10547.jpg" alt="ed10547.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="47px" width="80px" file="ed10548.jpg" alt="ed10548.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="51px" width="80px" file="ed10549.jpg" alt="ed10549.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="47px" width="75px" file="ed10550.jpg" alt="ed10550.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="47px" width="80px" file="ed10551.jpg" alt="ed10551.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="47px" width="63px" file="ed10552.jpg" alt="ed10552.jpg" img-content="jpg" 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一種化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽，所述化合物為下列之一者： <img align="absmiddle" height="47px" width="42px" file="ed10655.jpg" alt="ed10655.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="51px" width="51px" file="ed10656.jpg" alt="ed10656.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="47px" width="49px" file="ed10657.jpg" alt="ed10657.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="47px" width="52px" file="ed10658.jpg" alt="ed10658.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="52px" width="62px" file="ed10659.jpg" alt="ed10659.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="51px" width="51px" file="ed10660.jpg" alt="ed10660.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="47px" width="55px" file="ed10661.jpg" alt="ed10661.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="45px" width="46px" file="ed10662.jpg" alt="ed10662.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="47px" width="49px" file="ed10663.jpg" alt="ed10663.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="47px" width="52px" file="ed10664.jpg" alt="ed10664.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="47px" width="53px" file="ed10665.jpg" alt="ed10665.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="47px" width="49px" file="ed10666.jpg" alt="ed10666.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="47px" width="53px" file="ed10667.jpg" alt="ed10667.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="58px" width="50px" file="ed10668.jpg" alt="ed10668.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="53px" width="49px" file="ed10669.jpg" alt="ed10669.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種藥物組合物，其包含如請求項1-17中任一項所述的化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽。
一種如請求項1-17中任一項所述的化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽、或如請求項19的藥物組合物在製備治療與SOS1相關或由SOS1調節的疾病和/或病症的藥物中的應用。
如請求項20所述的應用，其中，所述與SOS1相關或由SOS1調節的疾病和/或病症選自癌症；任選地，所述癌症選自非小細胞肺癌。
一種包含重組AAV之種系(stock)之醫藥組成物，該重組AAV具有AAVhu68衣殼及包裝於其中的載體基因體，其中該載體基因體包含：(a)5’反向末端重複(ITR)；(b)CB7啟動子，其為CMV IE增強子和雞β-肌動蛋白啟動子的雜合體；(c)內含子；(d)半乳糖基神經醯胺酶(galactosylceramidase(GALC))編碼序列，其包含SEQ ID NO：9之核苷酸1至2055或與其至少95%相同的序列，且該編碼序列編碼SEQ ID NO：10之胺基酸1至685；(e)polyA；及(f)3’ITR，其中該組成物被調配用於腦大池內(intracisternal magna(ICM))投予1.7x10<sup>10</sup>基因體拷貝(GC)/g腦質量至5.0x10<sup>11</sup> GC/g腦質量的劑量。
如請求項1之醫藥組成物，其中：(a)該CMV IE增強子包含SEQ ID NO：12；(b)該雞β-肌動蛋白啟動子包含SEQ ID NO：13；及/或(c)該內含子包含SEQ ID NO：15。
如請求項1或2之醫藥組成物，其中該GALC編碼序列包含SEQ ID NO：9之核苷酸1至2055。
如請求項1或2之醫藥組成物，其中該組成物被調配用於投予一劑1.4 x 10<sup>13</sup> GC至4.0 x 10<sup>14</sup> GC之重組AAV。
如請求項1或2之醫藥組成物，其中醫藥組成物之總體積為4.5mL至5.5mL。
一種如請求項1至5中任一項之醫藥組成物在製備用於治療克拉培氏病患者之藥物之用途，其中該醫藥組成物透過ICM投予被投予至該患者。
如請求項6之用途，其中該醫藥組成物以1.7×10<sup>10</sup>GC/g腦質量至5.0×10<sup>11</sup>GC/g腦質量的劑量投予。
如請求項6或7之用途，進一步包括在投予該醫藥組成物之前或之後進行造血幹細胞移植或骨髓移植。
如請求項8之用途，其中該造血幹細胞移植或骨髓移植允許減少劑量的重組AAV投予至患者。
如請求項6或7之用途，進一步包括測量患者之血清及/或腦脊髓液(CSF)中的鞘胺醇半乳糖苷(psychosine)的步驟。
如請求項6或7之用途，其中該患者為少於2個月齡、少於6個月齡、或少於12個月齡的人類。
如請求項6或7之用途，其中該重組AAV以1.4 x 10<sup>13</sup> GC至4.0 x 10<sup>14</sup> GC之劑量投予。
一種如請求項1至5中任一項之醫藥組成物在製備用於增加患有克拉培氏病患者的血清及/或CSF中GALC表現和酶活性之藥物之用途，其中該醫藥組成物被投予至患者以遞送1.7×10<sup>10</sup>GC/g腦質量至5.0×10<sup>11</sup>GC/g腦質量的劑量之重組AAV。
一種如請求項1至5中任一項之醫藥組成物在製備用於降低患有克拉培氏病患者的周圍神經中的神經發炎之藥物之用途，其中該醫藥組成物被投予至患者以遞送1.7×10<sup>10</sup>GC/g腦質量至5.0 x 10<sup>11</sup>GC/g腦質量的劑量之重組AAV。
一種如請求項1至5中任一項之醫藥組成物在製備用於增加患有克拉培氏病患者的皮質及/或海馬迴的神經元中的GALC表現和活性之藥物之用途，其中該醫藥組成物被投予至患者以遞送1.7×10<sup>10</sup>GC/g腦質量至5.0×10<sup>11</sup>GC/g腦質量的劑量之重組AAV。
一種如請求項1至5中任一項之醫藥組成物在製備用於治療患有克拉培氏病患者之藥物之用途，其係可選擇地用在包括投予重組AAV之前或之後進行骨髓移植的聯合療程，可選擇地其中該治療：i)增加該患者之血清及/或CSF中GALC表現及酶活性；或ii)增加皮質及/或海馬迴的神經元中的GALC表現及活性。
一種密封材料，其由橡膠組成物所獲得，該橡膠組成物含有改質液狀二烯系橡膠(A)及交聯劑，該改質液狀二烯系橡膠(A)係具有源自於酸酐之官能基(a)，相對於全部單體單元，含有丁二烯單元50質量%以上，當以凝膠滲透層析法(GPC)進行測定時，聚苯乙烯換算之重量平均分子量(Mw)為5000~50000之範圍，該改質液狀二烯系橡膠(A)在38℃下所測定之熔融黏度為3~400Pa‧s之範圍，該改質液狀二烯系橡膠(A)係經不飽和羧酸酐改質之液狀二烯系橡膠、或是該經不飽和羧酸酐改質之液狀二烯系橡膠與由下述化學式(2)或(3)所示之化合物的反應產物，R<sup>a</sup>-OH (2) (該式(2)中，R<sup>a</sup>為氫原子或可取代之烷基)R<sup>b</sup><sub>2</sub>-NH (3)(該式(3)中，R<sup>b</sup>為氫原子或可取代之烷基，複數個R<sup>b</sup>可為相同也可為相異)，該交聯劑為硫或有機過氧化物。
如請求項1之密封材料，其中該改質液狀二烯系橡膠(A)的重量平均分子量(Mw)為10000~35000之範圍。
如請求項1或2之密封材料，其中該橡膠組成物進一步含有固體橡膠(B)。
如請求項1或2之密封材料，其中該橡膠組成物進一步含有填料。
如請求項4之密封材料，其中該填料包含碳酸鈣。
如請求項1或2之密封材料，其由該橡膠組成物之交聯物所獲得。
一種能夠進行無線通信的設備，所述設備包括： <br/>發射器，其被配置成無線地傳送傳出信號； <br/>記憶體；以及 <br/>通信地耦合至所述記憶體和所述發射器的處理器，所述處理器被配置成： <br/>獲得定位狀態資訊資源分配參數； <br/>基於所述定位狀態資訊資源分配參數來判定定位資源量，所述定位資源量是信道的能用於傳達定位狀態資訊的資源量；以及 <br/>經由所述發射器在所述信道上，基於與所述定位狀態資訊相關聯的控制資訊、或與所述定位狀態資訊相關聯的服務品質、或與所述定位狀態資訊相關聯的定位方法中的至少一者以所述信道中至參考信號的一鄰近度來傳送所述定位狀態資訊，所述定位狀態資訊佔用所述信道的不超過所述定位資源量的資源。
如請求項1所述的設備，其中所述定位狀態資訊資源分配參數是選定的參數，並且其中所述處理器被配置成從儲存在所述記憶體中的多個定位狀態資訊資源分配參數中檢索所述選定的參數。
如請求項2所述的設備，其中所述處理器被配置成基於與所述定位狀態資訊相關聯的定位方法來檢索所述選定的參數。
如請求項2所述的設備，進一步包括接收器，所述接收器通信地耦合至所述處理器並且被配置成接收傳入信號，並且其中所述處理器被配置成基於由所述處理器經由所述接收器接收的控制資訊來檢索所述選定的參數。
如請求項2所述的設備，進一步包括接收器，所述接收器通信地耦合至所述處理器並且被配置成接收傳入信號，並且其中所述處理器被配置成將來自由所述處理器經由所述接收器接收的控制信號的新定位狀態資訊資源分配參數添加到儲存在所述記憶體中的所述多個定位狀態資訊資源分配參數。
如請求項1所述的設備，其中： <br/>為了獲得所述定位狀態資訊資源分配參數，所述處理器被配置成： <br/>獲得第一定位狀態資訊資源分配子參數；以及 <br/>獲得第二定位狀態資訊資源分配子參數； <br/>為了判定所述定位資源量，所述處理器被配置成： <br/>基於所述第一定位狀態資訊資源分配子參數來判定所述信道的資源的第一定位資源子量；以及 <br/>基於所述第二定位狀態資訊資源分配子參數來判定所述信道的資源的第二定位資源子量；並且 <br/>為了傳送所述定位狀態資訊，所述處理器被配置成： <br/>傳送所述定位狀態資訊的第一部分，所述定位狀態資訊的所述第一部分佔用所述信道的不超過所述第一定位資源子量的資源；以及 <br/>傳送所述定位狀態資訊的第二部分，所述定位狀態資訊的所述第二部分佔用所述信道的不超過所述第二定位資源子量的資源。
如請求項6所述的設備，其中所述處理器被配置成將第一信道狀態資訊資源分配子參數用作所述第一定位狀態資訊資源分配子參數以及將第二信道狀態資訊資源分配子參數用作所述第二定位狀態資訊資源分配子參數，並且其中所述第一信道狀態資訊資源分配子參數對應於所述信道的能用於傳達信道狀態資訊的第一部分的資源量且所述第二信道狀態資訊資源分配子參數對應於所述信道的能用於傳達所述信道狀態資訊的第二部分的資源量。
如請求項6所述的設備，其中所述處理器被配置成將第一信道狀態資訊資源分配子參數用作所述第一定位狀態資訊資源分配子參數和所述第二定位狀態資訊資源分配子參數，並且其中所述第一信道狀態資訊資源分配子參數對應於所述信道的能用於傳達信道狀態資訊的第一部分的資源量且第二信道狀態資訊資源分配子參數對應於所述信道的能用於傳達所述信道狀態資訊的第二部分的資源量。
如請求項1所述的設備，其中為了傳送所述定位狀態資訊，所述處理器被配置成將所述定位狀態資訊序連到信道狀態資訊。
如請求項9所述的設備，其中為了將所述定位狀態資訊序連到所述信道狀態資訊，所述處理器被配置成將所述定位狀態資訊的第一部分序連到所述信道狀態資訊的第一部分以及將所述定位狀態資訊的第二部分序連到所述信道狀態資訊的第二部分。
如請求項1所述的設備，其中所述處理器被配置成在不將所述定位狀態資訊的至少一部分映射到被指定用於傳達混合自動重複請求的任何資源元素的情況下傳送所述定位狀態資訊。
如請求項11所述的設備，其中所述定位狀態資訊的所述至少一部分包括所述定位狀態資訊的固定酬載部分、定位鎖定估計、參考傳送/接收點標識、或定位測量。
如請求項1所述的設備，其中能用於傳達所述定位狀態資訊的所述信道是實體上行鏈路共用信道（PUSCH）、實體下行鏈路共用信道（PDSCH）或實體側鏈路共用信道（PSSCH）。
一種能夠進行無線通信的設備，所述設備包括： <br/>用於獲得定位狀態資訊資源分配參數的獲得裝置； <br/>用於基於所述定位狀態資訊資源分配參數來判定定位資源量的判定裝置，所述定位資源量是信道的能用於傳達定位狀態資訊的資源量；以及 <br/>用於在所述信道上基於與所述定位狀態資訊相關聯的控制資訊、或與所述定位狀態資訊相關聯的服務品質、或與所述定位狀態資訊相關聯的定位方法中的至少一者以所述信道中至參考信號的一鄰近度來傳送所述定位狀態資訊，而佔用所述信道的不超過所述定位資源量的資源的傳送裝置。
如請求項14所述的設備，進一步包括用於儲存多個定位狀態資訊資源分配參數的儲存裝置，其中所述定位狀態資訊資源分配參數是選定的參數，並且其中所述獲得裝置用於從儲存在所述儲存裝置中的所述多個定位狀態資訊資源分配參數中檢索所述選定的參數。
如請求項15所述的設備，其中所述獲得裝置包括用於基於用於導出所述定位狀態資訊的定位方法來檢索所述選定的參數的裝置。
如請求項15所述的設備，其中所述獲得裝置包括用於接收控制資訊並且用於基於所述控制資訊來檢索所述選定的參數的裝置。
如請求項15所述的設備，其中所述獲得裝置包括用於從控制信號接收新定位狀態資訊資源分配參數並且用於將所述新定位狀態資訊資源分配參數添加到所述儲存裝置中的所述多個定位狀態資訊資源分配參數的裝置。
如請求項14所述的設備，其中： <br/>所述獲得裝置包括： <br/>用於獲得第一定位狀態資訊資源分配子參數的裝置；以及 <br/>用於獲得第二定位狀態資訊資源分配子參數的裝置； <br/>所述判定裝置包括： <br/>用於基於所述第一定位狀態資訊資源分配子參數來判定所述信道的資源的第一定位資源子量的裝置；以及 <br/>用於基於所述第二定位狀態資訊資源分配子參數來判定所述信道的資源的第二定位資源子量的裝置；並且 <br/>所述傳送裝置包括： <br/>用於傳送所述定位狀態資訊的第一部分的裝置，所述定位狀態資訊的所述第一部分佔用所述信道的不超過所述第一定位資源子量的資源；以及 <br/>用於傳送所述定位狀態資訊的第二部分的裝置，所述定位狀態資訊的所述第二部分佔用所述信道的不超過所述第二定位資源子量的資源。
如請求項19所述的設備，其中所述獲得裝置包括用於將第一信道狀態資訊資源分配子參數用作所述第一定位狀態資訊資源分配子參數並且用於將第二信道狀態資訊資源分配子參數用作所述第二定位狀態資訊資源分配子參數的裝置，並且其中所述第一信道狀態資訊資源分配子參數對應於所述信道的能用於傳達信道狀態資訊的第一部分的資源量且所述第二信道狀態資訊資源分配子參數對應於所述信道的能用於傳達所述信道狀態資訊的第二部分的資源量。
如請求項19所述的設備，其中所述獲得裝置包括用於將第一信道狀態資訊資源分配子參數用作所述第一定位狀態資訊資源分配子參數和所述第二定位狀態資訊資源分配子參數的裝置，並且其中所述第一信道狀態資訊資源分配子參數對應於所述信道的能用於傳達信道狀態資訊的第一部分的資源量且第二信道狀態資訊資源分配子參數對應於所述信道的能用於傳達所述信道狀態資訊的第二部分的資源量。
如請求項14所述的設備，其中所述傳送裝置包括用於將所述定位狀態資訊序連到信道狀態資訊的裝置。
如請求項22所述的設備，其中所述傳送裝置包括用於將所述定位狀態資訊的第一部分序連到所述信道狀態資訊的第一部分並且用於將所述定位狀態資訊的第二部分序連到所述信道狀態資訊的第二部分的裝置。
如請求項14所述的設備，其中所述傳送裝置包括用於在不將所述定位狀態資訊的至少一部分映射到被指定用於傳達混合自動重複請求的任何資源元素的情況下傳送所述定位狀態資訊的裝置。
如請求項24所述的設備，其中所述定位狀態資訊的所述至少一部分包括所述定位狀態資訊的固定酬載部分、定位鎖定估計、參考傳送/接收點標識、或定位測量。
一種在能用於傳達定位狀態資訊的信道中提供所述定位狀態資訊的方法，所述方法包括： <br/>獲得定位狀態資訊資源分配參數； <br/>基於所述定位狀態資訊資源分配參數來判定定位資源量，所述定位資源量是所述信道的能用於傳達所述定位狀態資訊的資源量；以及 <br/>在所述信道上基於與所述定位狀態資訊相關聯的控制資訊、或與所述定位狀態資訊相關聯的服務品質、或與所述定位狀態資訊相關聯的定位方法中的至少一者以所述信道中至參考信號的一鄰近度來傳送所述定位狀態資訊，而佔用所述信道的不超過所述定位資源量的資源。
如請求項26所述的方法，其中所述定位狀態資訊資源分配參數是選定的參數，並且其中獲得所述定位狀態資訊資源分配參數包括從儲存在記憶體中的多個定位狀態資訊資源分配參數中檢索所述選定的參數。
如請求項27所述的方法，其中檢索所述選定的參數基於用於導出所述定位狀態資訊的定位方法。
如請求項27所述的方法，進一步包括接收控制資訊，其中檢索所述選定的參數基於所述控制資訊。
如請求項27所述的方法，進一步包括： <br/>從控制信號接收新定位狀態資訊資源分配參數；以及 <br/>將所述新定位狀態資訊資源分配參數添加到所述記憶體中的所述多個定位狀態資訊資源分配參數。
如請求項26所述的方法，其中： <br/>獲得所述定位狀態資訊資源分配參數包括： <br/>獲得第一定位狀態資訊資源分配子參數；以及 <br/>獲得第二定位狀態資訊資源分配子參數； <br/>判定所述定位資源量包括： <br/>基於所述第一定位狀態資訊資源分配子參數來判定所述信道的資源的第一定位資源子量；以及 <br/>基於所述第二定位狀態資訊資源分配子參數來判定所述信道的資源的第二定位資源子量；並且 <br/>傳送所述定位狀態資訊包括： <br/>傳送所述定位狀態資訊的第一部分，所述定位狀態資訊的所述第一部分佔用所述信道的不超過所述第一定位資源子量的資源；以及 <br/>傳送所述定位狀態資訊的第二部分，所述定位狀態資訊的所述第二部分佔用所述信道的不超過所述第二定位資源子量的資源。
如請求項31所述的方法，其中獲得所述定位狀態資訊資源分配參數包括將第一信道狀態資訊資源分配子參數用作所述第一定位狀態資訊資源分配子參數以及將第二信道狀態資訊資源分配子參數用作所述第二定位狀態資訊資源分配子參數，並且其中所述第一信道狀態資訊資源分配子參數對應於所述信道的能用於傳達信道狀態資訊的第一部分的資源量且所述第二信道狀態資訊資源分配子參數對應於所述信道的能用於傳達所述信道狀態資訊的第二部分的資源量。
如請求項31所述的方法，其中獲得所述定位狀態資訊資源分配參數包括將第一信道狀態資訊資源分配子參數用作所述第一定位狀態資訊資源分配子參數和所述第二定位狀態資訊資源分配子參數，並且其中所述第一信道狀態資訊資源分配子參數對應於所述信道的能用於傳達信道狀態資訊的第一部分的資源量且第二信道狀態資訊資源分配子參數對應於所述信道的能用於傳達所述信道狀態資訊的第二部分的資源量。
如請求項26所述的方法，其中傳送所述定位狀態資訊包括將所述定位狀態資訊序連到信道狀態資訊。
如請求項34所述的方法，其中將所述定位狀態資訊序連到所述信道狀態資訊包括將所述定位狀態資訊的第一部分序連到所述信道狀態資訊的第一部分以及將所述定位狀態資訊的第二部分序連到所述信道狀態資訊的第二部分。
如請求項26所述的方法，其中傳送所述定位狀態資訊包括在不將所述定位狀態資訊的至少一部分映射到被指定用於傳達混合自動重複請求的任何資源元素的情況下傳送所述定位狀態資訊。
如請求項36所述的方法，其中所述定位狀態資訊的所述至少一部分包括所述定位狀態資訊的固定酬載部分、定位鎖定估計、參考傳送/接收點標識、或定位測量。
一種非暫態處理器可讀儲存媒體，其包括被配置成使得設備的處理器執行以下操作的處理器可讀指令： <br/>獲得定位狀態資訊資源分配參數； <br/>基於所述定位狀態資訊資源分配參數來判定定位資源量，所述定位資源量是信道的能用於傳達定位狀態資訊的資源量；以及 <br/>在所述信道上基於與所述定位狀態資訊相關聯的控制資訊、或與所述定位狀態資訊相關聯的服務品質、或與所述定位狀態資訊相關聯的定位方法中的至少一者以所述信道中至參考信號的一鄰近度來傳送所述定位狀態資訊，而佔用所述信道的不超過所述定位資源量的資源。
如請求項38所述的儲存媒體，其中所述定位狀態資訊資源分配參數是選定的參數，並且其中所述儲存媒體包括被配置成使得所述處理器執行以下操作的處理器可讀指令：從儲存在所述設備的記憶體中的多個定位狀態資訊資源分配參數中檢索所述選定的參數。
如請求項39所述的儲存媒體，其中所述儲存媒體包括被配置成使得所述處理器執行以下操作的處理器可讀指令：基於與所述定位狀態資訊相關聯的定位方法來檢索所述選定的參數。
如請求項39所述的儲存媒體，其中所述儲存媒體包括被配置成使得所述處理器執行以下操作的處理器可讀指令：基於由所述設備接收的控制資訊來檢索所述選定的參數。
如請求項39所述的儲存媒體，其中所述儲存媒體包括被配置成使得所述處理器執行以下操作的處理器可讀指令：將來自由所述設備接收的控制信號的新定位狀態資訊資源分配參數添加到儲存在所述設備的所述記憶體中的所述多個定位狀態資訊資源分配參數。
如請求項38所述的儲存媒體，其中， <br/>配置成使得所述處理器獲得所述定位狀態資訊資源分配參數的處理器可讀指令包括被配置成使得所述處理器執行以下操作的處理器可讀指令： <br/>獲得第一定位狀態資訊資源分配子參數；以及 <br/>獲得第二定位狀態資訊資源分配子參數； <br/>配置成使得所述處理器判定所述定位資源量的處理器可讀指令包括被配置成使得所述處理器執行以下操作的處理器可讀指令： <br/>基於所述第一定位狀態資訊資源分配子參數來判定所述信道的資源的第一定位資源子量；以及 <br/>基於所述第二定位狀態資訊資源分配子參數來判定所述信道的資源的第二定位資源子量；並且 <br/>配置成使得所述處理器傳送所述定位狀態資訊的處理器可讀指令包括被配置成使得所述處理器執行以下操作的處理器可讀指令： <br/>傳送所述定位狀態資訊的第一部分，所述定位狀態資訊的所述第一部分佔用所述信道的不超過所述第一定位資源子量的資源；以及 <br/>傳送所述定位狀態資訊的第二部分，所述定位狀態資訊的所述第二部分佔用所述信道的不超過所述第二定位資源子量的資源。
如請求項43所述的儲存媒體，其中所述儲存媒體包括被配置成使得所述處理器執行以下操作的處理器可讀指令：將第一信道狀態資訊資源分配子參數用作所述第一定位狀態資訊資源分配子參數以及將第二信道狀態資訊資源分配子參數用作所述第二定位狀態資訊資源分配子參數，並且其中所述第一信道狀態資訊資源分配子參數對應於所述信道的能用於傳達信道狀態資訊的第一部分的資源量且所述第二信道狀態資訊資源分配子參數對應於所述信道的能用於傳達所述信道狀態資訊的第二部分的資源量。
如請求項43所述的儲存媒體，其中所述儲存媒體包括被配置成使得所述處理器執行以下操作的處理器可讀指令：將第一信道狀態資訊資源分配子參數用作所述第一定位狀態資訊資源分配子參數和所述第二定位狀態資訊資源分配子參數，並且其中所述第一信道狀態資訊資源分配子參數對應於所述信道的能用於傳達信道狀態資訊的第一部分的資源量且第二信道狀態資訊資源分配子參數對應於所述信道的能用於傳達所述信道狀態資訊的第二部分的資源量。
如請求項38所述的儲存媒體，其中配置成使得所述處理器傳送所述定位狀態資訊的處理器可讀指令包括被配置成使得所述處理器執行以下操作的處理器可讀指令：將所述定位狀態資訊序連到信道狀態資訊。
如請求項46所述的儲存媒體，其中配置成使得所述處理器將所述定位狀態資訊序連到所述信道狀態資訊的處理器可讀指令包括被配置成使得所述處理器執行以下操作的處理器可讀指令：將所述定位狀態資訊的第一部分序連到所述信道狀態資訊的第一部分以及將所述定位狀態資訊的第二部分序連到所述信道狀態資訊的第二部分。
如請求項38所述的儲存媒體，其中配置成使得所述處理器傳送所述定位狀態資訊的處理器可讀指令包括被配置成使得所述處理器執行以下操作的處理器可讀指令：在不將所述定位狀態資訊的至少一部分映射到被指定用於傳達混合自動重複請求的任何資源元素的情況下傳送所述定位狀態資訊。
如請求項48所述的儲存媒體，其中所述定位狀態資訊的所述至少一部分包括所述定位狀態資訊的固定酬載部分、定位鎖定估計、參考傳送/接收點標識、或定位測量。
一種導電性膜，其依序具備金屬層、透明導電層、及基材， <br/>該透明導電層包含金屬奈米線及聚合物基質， <br/>該金屬奈米線之一部分自該透明導電層朝金屬層側突出， <br/>該透明導電層之厚度為60 nm～130 nm， <br/>相對於該透明導電層之總重量，該透明導電層中之該金屬奈米線之含有比率為45重量%～80重量%， <br/>構成該金屬層之金屬為銅、銀、鋁、鎳合金、銅合金、鈦合金或銀合金。
如請求項1之導電性膜，其中上述透明導電層之厚度為60 nm～120 nm。
如請求項1或2之導電性膜，其中上述基材包含環烯烴系樹脂。
一種UE（User Equipment），其包含：<br/> 控制部，<br/> 於使用3GPP存取連接於SNPN(Stand-alone Non-Public Network) 服務之情形下，<br/> 前述控制部在前述3GPP存取上，在SNPN存取模式下動作；<br/> 至SNPN之登錄程序中，經由前述3GPP存取，將登錄請求訊息發送至前述SNPN，<br/> 於使用前述3GPP存取並經由PLMN（Public Land Mobile Network）連接於前述SNPN 服務之情形下，<br/> 前述控制部在non-3GPP存取上，在前述SNPN存取模式下動作；<br/> 至前述SNPN之前述登錄程序中，經由前述non-3GPP存取，將登錄請求訊息發送至前述SNPN。
如請求項1所記載之UE，其中，<br/> 於使用前述3GPP存取並經由前述PLMN連接於前述SNPN服務之情形下，前述控制部係在前述3GPP存取上，被設定為在前述SNPN存取模式下不動作。
一種通訊控制方法，係藉由UE(User Equipment)執行的通訊控制方法，且：<br/> 於使用3GPP存取連接於SNPN(Stand-alone Non-Public Network)服務之情況下，<br/> 在前述3GPP存取上，在SNPN存取模式下動作；<br/> 至SNPN之登錄程序中，經由前述3GPP存取，將登錄請求訊息發送至前述SNPN，<br/> 於使用前述3GPP存取並經由PLMN（Public Land Mobile Network）連接於前述SNPN 服務之情形下，<br/> 在non-3GPP存取上，在前述SNPN存取模式下動作；<br/> 至前述SNPN之前述登錄程序中，經由前述non-3GPP存取，將登錄請求訊息發送至前述SNPN。
一種診斷盤，包括：<br/> 一盤形主體，該盤形主體包括升高壁，該等升高壁環繞該盤形主體的一內部，其中該盤形主體的該等升高壁界定該盤形主體的一空腔；<br/> 至少一個突出部，該至少一個突出部從該盤形主體向外延伸，其中該盤形主體的該等升高壁延伸至該至少一個突出部；<br/> 一非接觸感測器，該非接觸感測器附接至該至少一個突出部之每一者；<br/> 一印刷電路板(PCB)，將該PCB放置於該盤形主體上的該空腔內；<br/> 電路系統，該電路系統設置於該PCB上且耦合至每一非接觸感測器，該電路系統包括至少一無線通訊電路及一記憶體；<br/> 一功率源，該功率源設置於該PCB上；<br/> 一無線充電器，該無線充電器設置於該PCB上；及<br/> 一蓋，該蓋放置於該盤形主體上的該空腔上方，其中該蓋將該PCB、該電路系統、該功率源、及該無線充電器在該空腔內的至少部分與一外部環境屏蔽。
如請求項1所述之診斷盤，進一步包括一照明部件，該照明部件附接至該至少一個突出部之每一者，其中設置於該PCB上的該電路系統進一步耦合至每一照明部件。
如請求項1所述之診斷盤，其中該至少一個突出部包括從該盤形主體大致水平延伸的四個突出部，繞著該盤形主體且大致垂直於該盤形主體的一圓周來放置該四個突出部。
如請求項3所述之診斷盤，其中該盤形主體包括在該圓周上的一第一位置處的一凹口，其中以從該凹口的該第一位置約170度至180度的一角度來放置該四個突出部的一第一突出部，其中以從該凹口的該第一位置約225度至235度的一角度來放置該四個突出部的一第二突出部，其中以從該凹口的該第一位置約295度至305度的一角度來放置該四個突出部的一第三突出部，且其中以從該凹口的該第一位置約55度至65度的一角度來放置該四個突出部的一第四突出部。
如請求項4所述之診斷盤，<br/> 其中該盤形主體的一直徑為約310 mm至約320mm；<br/> 其中放置該第一突出部上的一第一非接觸感應器與該盤形主體的一外周邊相距約295 mm至約305 mm；及<br/> 其中放置個別位於該第二突出部、該第三突出部、及該第四突出部之每一者上的一第二非接觸感測器、一第三非接觸感測器、及一第四非接觸感測器之每一者與該盤形主體的該外周邊相距約310 mm至約320 mm。
如請求項1所述之診斷盤，其中該盤形主體及該蓋由聚醚醚酮(PEEK)或一鋁合金之其中至少一者構成。
如請求項1所述之診斷盤，進一步包括：<br/> 一塗層，該塗層在該盤形主體及該蓋上，其中該塗層具有範圍從約4 µin至約16 µin的一表面粗糙度光潔度。
如請求項7所述之診斷盤，其中該塗層包括陽極氧化鋁、一鋁合金或氧化釔之其中至少一者。
如請求項1所述之診斷盤，具有高至約9 mm的一高度。
如請求項1所述之診斷盤，其中該非接觸感測器包括一深度相機，該深度相機具有約25 mm至約45 mm的一焦點深度。
如請求項1所述之診斷盤，進一步包括：<br/> 複數個運動耦合介面，該複數個運動耦合介面在該盤形主體的一底部中，其中該複數個運動耦合介面經配置以在一處理腔室中與一基板支撐組件的配準特徵接合，且其中該複數個運動耦合介面與該等配準特徵的接合使該診斷盤在該處理腔室中達成一目標位置及一目標定向。
一種用於對一處理腔室內的部件進行診斷掃描的方法，包括以下步驟：<br/> 在將如請求項1至11之任一項所述之該診斷盤放置進入一處理腔室之前或之後，藉由該診斷盤使用該診斷盤的一無線通訊電路來建立與一計算系統的一安全無線連接；<br/> 藉由該診斷盤的至少一個非接觸感測器來產生設置於該處理腔室內的一部件的感測器資料；<br/> 將該感測器資料儲存於該診斷盤的一記憶體中；<br/> 使用該無線通訊電路將該感測器資料無線傳送至該計算系統；<br/> 終止與該計算系統的該安全無線連接；及<br/> 從該診斷盤的該記憶體清除該感測器資料。
如請求項12所述之方法，其中該感測器資料包括藉由該計算系統分析的影像資料以決定該部件的對準、同心度、清潔度、或腐蝕度之其中至少一者。
如請求項12所述之方法，其中在該診斷盤在該處理腔室中時，在真空或攝氏-20度至攝氏120度的一溫度之其中至少一者中執行該感測器資料的該產生步驟。
如請求項12所述之方法，其中該部件為以下至少一者：一處理套件環、一單環、一基板支撐組件、一靜電吸盤(ESC)、一腔室壁、一基底、一氣體管線、一氣體分配板、一面板、一噴頭、一噴嘴、一蓋、一襯墊、一襯墊套件、一屏蔽、一電漿屏、一遠端電漿源、一流量等化器、一冷卻基底、一腔室視口、或一腔室蓋。
一種用於對一處理腔室內的部件進行診斷掃描的方法，包括以下步驟：<br/> 藉由一計算系統來建立與如請求項1至11之任一項所述之該診斷盤的一無線連接；<br/> 使一傳送腔室內的一機械臂將該診斷盤放置進入一處理腔室；<br/> 使用該診斷盤的一個或更多個非接觸感測器使該診斷盤產生該處理腔室的一部件的感測器資料；<br/> 藉由該計算系統來從該診斷盤經由該無線連接接收該感測器資料；<br/> 藉由該計算系統來分析該感測器資料以決定該部件的對準、同心度、清潔度、或腐蝕度之其中至少一者；及<br/> 回應於決定以下至少一者：<br/> 該對準或同心度偏斜，啟動該部件的該對準或同心度的自動校正；<br/> 該清潔度達到一污染臨界值，啟動該部件的自動清潔；或<br/> 該腐蝕度達到一壽命終止臨界值，啟動該部件的自動更換。
如請求項16所述之方法，進一步包括以下步驟：<br/> 基於該處理腔室的操作的一小時數，來決定該處理腔室中的該部件進行一診斷掃描；<br/> 使該診斷盤從一儲存區域傳送進入一基板處理系統的一裝載鎖，該基板處理系統包括該傳送腔室；及<br/> 使該傳送腔室內的該機械臂從該裝載鎖收回該診斷盤。
如請求項16所述之方法，其中該診斷盤包括在該診斷盤的一底部處的複數個運動耦合介面，該方法進一步包括以下步驟：<br/> 使該處理腔室中的一基板支撐組件的複數個升降銷升高，其中該診斷盤的該複數個運動耦合介面與該複數個升降銷接合，使該診斷盤具有一目標位置及一目標定向；及<br/> 降低該複數個升降銷以將該診斷盤設定在該基板支撐組件上。
如請求項16所述之方法，其中該診斷盤在設置於該機械臂的一葉片上且在該處理腔室內時產生該感測器資料，該方法進一步包括以下步驟：<br/> 決定該對準或同心度之其中至少一者未偏斜、該清潔度未達到該污染臨界值、或該腐蝕度未達到該壽命終止臨界值；<br/> 決定不需要額外的維護；及<br/> 使該診斷盤移動回到一儲存區域。
如請求項16所述之方法，<br/> 其中該感測器資料包括影像資料，且其中分析該感測器資料包括以下步驟：應用一影像處理演算法或一經訓練機器學習模型之其中一者至該感測器資料以決定該部件的該對準、同心度、清潔度、或腐蝕度之其中至少一者。
一種用於一消減裝置之入口總成，其包括： <br/>一廢氣流導管，其經構形以沿該廢氣流導管內之一主流向輸送一廢氣流； <br/>一入口噴嘴，其與該廢氣流導管流體耦合且經構形以將自該廢氣流導管接收之該廢氣流輸送至該消減裝置之一消減室； <br/>一導流板，其插入於該廢氣流導管與該入口噴嘴之間，該導流板經塑形及密封該入口噴嘴之上部分以藉由抑制廢氣流沿該主流向流入該入口噴嘴中來將來自該廢氣流導管之該廢氣流之流重定向至該入口噴嘴中；及 <br/>其中該導流板包括安置於經構形以自該廢氣流導管接收該廢氣流之一氣室內之一導流板導管，該導流板導管界定經安置以用於該氣室與該入口噴嘴之間的流體連通之至少一孔隙。
如請求項1之入口總成，其中該導流板經塑形及構形以將該廢氣流之流重定向為遠離該主流向進入該入口噴嘴。
如請求項1或2之入口總成，其中該導流板經塑形及構形以促進該入口噴嘴上游之該廢氣流之紊流。
如前述請求項1或2之入口總成，其中該導流板經塑形及構形以促進該廢氣流之層流進入該入口噴嘴。
如前述請求項1或2之入口總成，其中該導流板經塑形及構形以促進該入口噴嘴內之一均勻軸向流速。
如前述請求項1或2之入口總成，其中該導流板經塑形及構形以抑制接近該廢氣流導管之該入口噴嘴內之軸向流速增大且抑制遠離該廢氣流導管之該入口噴嘴內之軸向流速減小以獲得該入口噴嘴內之該均勻軸向流速。
如請求項1之入口總成，其中該至少一孔隙定位於遠離與沿該主流向行進之流入廢氣流對準之該導流板導管上之一位置。
如請求項1之入口總成，其中該至少一孔隙朝向該導流板導管之至少一軸向端定位。
如請求項1之入口總成，其包括複數個該等孔隙。
如請求項1之入口總成，其中接近該廢氣流導管之一孔隙之一橫截面積小於遠離該廢氣流導管之一孔隙之一橫截面積。
如請求項1之入口總成，其中該導流板導管經塑形以將該氣室中之該廢氣流之流重定向至橫向於該主流向之一方向。
如請求項1之入口總成，其中該等孔隙經塑形以重定向該廢氣流之流以將該廢氣流徑向輸送至該導流板導管中。
如請求項1之入口總成，其中該導流板導管經塑形以重定向該廢氣流之流以沿著沿該導流板導管之一軸向方向將該廢氣流輸送至該入口噴嘴中。
如請求項1之入口總成，其中該廢氣流導管經塑形及構形以沿橫向於該軸向方向之該主流向輸送該廢氣流。
如前述請求項1或2之入口總成，其中該廢氣流導管依循一彎曲路徑。
如請求項1之入口總成，其中該導流板導管及該入口噴嘴之至少一者包括安置於其內之同軸吹管。
如請求項16之入口總成，其中一螺旋彈簧經構形以沿該軸向方向延伸超過該吹管。
如請求項1之入口總成，其中該導流板導管沿該軸向方向延伸至少5倍於其內徑。
一種消減裝置，其包括如請求項1至18中任一項所主張之入口總成及該消減室。
一種以消減裝置處理廢氣流之方法，其包括： <br/>沿一廢氣流導管內之一主流向輸送一廢氣流； <br/>使一入口噴嘴與該廢氣流導管耦合以將自該廢氣流導管接收之該廢氣流輸送至該消減裝置之一消減室； <br/>將一導流板插入於該廢氣流導管與該入口噴嘴之間以使得該導流板密封該入口噴嘴之上部分以藉由抑制廢氣流沿該主流向流入該入口噴嘴中來將來自該廢氣流導管之該廢氣流之流重定向至該入口噴嘴中；及 <br/>其中該導流板包括安置於經構形以自該廢氣流導管接收該廢氣流之一氣室內之一導流板導管，該導流板導管界定經安置以用於該氣室與該入口噴嘴之間的流體連通之至少一孔隙。
一種樹脂組成物，係用以形成絕緣層，其中包含(A)含有環狀亞胺醚骨架之聚苯乙烯樹脂、(B)硬化劑，及(C)無機充填材； <br/> 在將樹脂組成物中之非揮發成分設為100質量%之情況中，(A)含有環狀亞胺醚骨架之聚苯乙烯樹脂之含量為10質量%以上70質量%以下； <br/> (B)硬化劑係包含由(B-1)酚系硬化劑、(B-2)酸酐系硬化劑，及(B-3)羧酸系硬化劑所選出之硬化劑； <br/> (B)成分相對於(A)成分之質量比((B)成分/(A)成分)為0.001～0.3； <br/> (C)無機充填材之比表面積為50m<sup>2</sup>/g以下； <br/> 進一步包含或不包含(D)環氧樹脂，在將樹脂組成物中之非揮發成分設為100質量%之情況中，(D)成分之含量為10質量%以下； <br/> 樹脂組成物之硬化物(硬化溫度200℃)之介電正切在以5.8GHz、23℃測定之情況下，為0.020以下。
如請求項1所記載之樹脂組成物，其中，(A)成分係包含含有噁唑啉骨架之聚苯乙烯樹脂。
如請求項1所記載之樹脂組成物，其中，(A)成分係包含具有式(1)： <br/><img align="absmiddle" height="447px" width="453px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [式中，R<sup>11</sup>、R<sup>12</sup>及R<sup>13</sup>係各自獨立表示氫原子或取代基；R<sup>14</sup>係各自獨立表示取代基；a係表示0～5之整數] <br/> 所表示之重複單元，及式(2)： <br/><img align="absmiddle" height="505px" width="492px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [式中，R<sup>21</sup>、R<sup>22</sup>及R<sup>23</sup>係各自獨立表示氫原子或取代基；R<sup>24</sup>係各自獨立表示取代基；X係表示單鍵或連結基；b係表示0～4之整數；n係表示1～4之整數] <br/> 所表示之重複單元之樹脂。
如請求項1所記載之樹脂組成物，其中，在將樹脂組成物中之非揮發成分設為100質量%之情況中，(A)成分之含量為50質量%以下。
如請求項1所記載之樹脂組成物，其中，(B)成分之反應基相對於(A)成分之環狀亞胺醚骨架之莫耳當量比((B)成分之反應基/(A)成分之環狀亞胺醚骨架)為1以下。
如請求項1所記載之樹脂組成物，其中，(B)成分相對於(A)成分之質量比((B)成分/(A)成分)為0.01以上。
如請求項1所記載之樹脂組成物，其中，(C)成分為二氧化矽。
如請求項1所記載之樹脂組成物，其中，在將樹脂組成物中之非揮發成分設為100質量%之情況中，(C)成分之含量為40質量%以上。
如請求項1所記載之樹脂組成物，其中，在將樹脂組成物中之非揮發成分設為100質量%之情況中，(C)成分之含量為70質量%以下。
如請求項1所記載之樹脂組成物，其中，(C)成分相對於(A)成分之質量比((C)成分/(A)成分)為0.5～10。
如請求項1所記載之樹脂組成物，其中進一步包含(D)環氧樹脂。
如請求項1所記載之樹脂組成物，其中進一步包含(G)苯并環丁烯樹脂。
如請求項1所記載之樹脂組成物，其中，樹脂組成物之硬化物(硬化溫度200℃)之介電正切在以5.8GHz、23℃測定之情況下，為0.004以下。
如請求項1所記載之樹脂組成物，其中，樹脂組成物之硬化物(硬化溫度200℃)之相對介電常數在以5.8GHz、23℃測定之情況下，為3.0以下。
如請求項1所記載之樹脂組成物，其係用於形成印刷配線板之絕緣層。
一種硬化物，其係如請求項1～15中之任1項所記載之樹脂組成物之硬化物。
一種薄片狀積層材料，其中含有如請求項1～15中之任1項所記載之樹脂組成物。
一種樹脂薄片，其係具有支持體，及設置於該支持體上之由如請求項1～15中之任1項所記載之樹脂組成物所形成之樹脂組成物層。
一種印刷配線板，其係具備包含如請求項1～15中之任1項所記載之樹脂組成物之硬化物之絕緣層。
一種半導體裝置，其中包含如請求項19所記載之印刷配線板。
一種用於在與熱處理物之間進行熱的交換之傳熱板； <br/>該傳熱板在正面載置該熱處理物的同時，藉由設置於背面的感應加熱機構而受到加熱； <br/>該傳熱板，具有： <br/>製成平板狀之金屬本體；以及 <br/>複數的夾套室，其形成於該金屬本體的內部，並封入有氣液雙相的熱媒體； <br/>該複數的夾套室從設定於該金屬本體之一面的傳熱面的中央部向外側以放射狀延伸； <br/>該複數的夾套室各自具有在俯視觀察下呈彎曲或是彎折的形狀。
如請求項1所述之傳熱板，其中； <br/>該複數的夾套室各自係彼此呈相同形狀。
如請求項1所述之傳熱板，其中； <br/>該複數的夾套室係對該傳熱面的中央部上的中心在周方向上以等間隔設置。
如請求項1所述之傳熱板，其中； <br/>在該複數的夾套室中，相互比鄰的夾套室係以彼此呈等距離的方式形成。
如請求項1所述之傳熱板，其中； <br/>該夾套室係沿著基於基礎圓的漸開線而形成，該基礎圓係將該傳熱面的中央部上的中心視為其中心。
如請求項1所述之傳熱板，其中； <br/>該夾套室的內側端及外側端具有圍繞該傳熱面的中央部上的中心180°以上之相位差。
如請求項1所述之傳熱板，其中； <br/>該夾套室之剖面形狀為具有與該傳熱面平行的一邊之矩形狀。
如請求項1所述之傳熱板，其中； <br/>該夾套室係藉由將在該金屬本體的一面加工後的溝槽，利用蓋構件密封而形成。
如請求項1所述之傳熱板，其中； <br/>在該金屬本體的外側周面形成有進出通口，該進出通口係用以進行對該夾套室之氣液雙相的熱媒體的封入及排出。
一種藉由一電子裝置來管理提供給一發佈者之物品廣告饋送資訊之方法，該方法包括： <br/>基於與該電子裝置相關之一服務之物品資訊來產生用於物品之一廣告饋送之源資訊； <br/>獲取用於饋送產生之設定資訊，其中該設定資訊包括時間資訊中的至少一個，其中該等時間資訊中之各者設定為一發佈者特定值； <br/>藉由基於該設定資訊處理該所產生之源資訊來產生對應於至少一個發佈者之饋送資訊，其中該至少一個發佈者包括一第一發佈者及一第二發佈者，其中該所產生之饋送資訊包括對應於該第一發佈者之一第一饋送資訊及對應於該第二發佈者之一第二饋送資訊； <br/>儲存該所產生之饋送資訊；及 <br/>將該所產生之饋送資訊提供至該至少一個發佈者之一外部伺服器， <br/>其中該提供包括在對應於該等時間資訊中之各者的一時間上，基於該至少一個發佈者之一聯合請求，將該所產生之饋送資訊上傳至提供給該至少一個發佈者之該外部伺服器， <br/>其中基於一聯合應用程式設計介面(API)來執行該聯合請求及對其之一回應， <br/>其中，與對應於該第一發佈者之一第一時間資訊對應之一第一時間設定為不同於與對應於該第二發佈者之一第二時間資訊對應之一第二時間。
如請求項1之方法，其中該設定資訊包含用於處理經包含於該源資訊中之標題資訊之第一資訊，且 <br/>該饋送資訊之該產生包括藉由基於該第一資訊處理該標題資訊來產生該饋送資訊。
如請求項2之方法，其中該第一資訊包含關於經添加至該標題資訊之一片語之資訊， <br/>該饋送資訊之該產生包括將該片語附至該標題資訊，且 <br/>基於關於該物品之該資訊及該至少一個發佈者來判定關於該片語之該資訊。
如請求項1之方法，其中該設定資訊包含指示顯示經包含於該源資訊中之價格資訊之一方法之第二資訊，且 <br/>該饋送資訊之該產生包括基於該第二資訊來處理該物品之該價格資訊。
如請求項1之方法，其中該設定資訊包含指示用於將該所產生之饋送資訊提供給該發佈者之時間資訊之第三資訊，且 <br/>該所產生之饋送資訊至該伺服器之該提供包括基於該第三資訊將該饋送資訊提供給該至少一個發佈者。
如請求項1之方法，其中該設定資訊包含指示對應於可透過該所產生之饋送資訊來存取之一物品之一頁面之一登陸位址之第四資訊，且 <br/>該方法進一步包括當接收到對應於該登陸位址之一請求時，基於該登陸位址來提供對應於該物品之一頁面。
如請求項6之方法，其中該第四資訊包含用於識別該物品之物品識別資訊及用於識別該物品之一供應商之供應商識別資訊。
如請求項1之方法，其中該設定資訊進一步包含指示該物品之一類別之第五資訊及指示用於搜尋該物品之一搜尋標籤之第六資訊。
如請求項1之方法，其中根據應用於各物品之饋送資訊之一策略，不同地設定該設定資訊。
如請求項9之方法，其中該饋送資訊之該產生包括： <br/>檢查對應於應用於各物品之該策略之該設定資訊；及 <br/>基於對應於該策略之該設定資訊來產生該一或多個物品之該饋送資訊。
如請求項5之方法，其中針對各發佈者，不同地設定該設定資訊。
如請求項1之方法，其中該提供包括基於該至少一個發佈者之該聯合請求，將該所儲存之饋送資訊提供給該至少一個發佈者。
如請求項1之方法，進一步包括： <br/>提供指示將該饋送資訊提供給該至少一個發佈者之一狀態之一頁面。
如請求項1之方法，其中該設定資訊進一步包含指示該饋送資訊之一檔案格式之第七資訊。
如請求項6之方法，其中針對一用戶端之各作業系統，不同地設定該第四資訊。
一種電子裝置，其包括： <br/>一饋送產生部分，其經組態以基於與該電子裝置相關之一服務之物品資訊來產生用於一物品之一廣告饋送之源資訊； <br/>一設定資訊獲取部分，其經組態以獲取用於饋送產生之設定資訊，其中該設定資訊包括時間資訊中的至少一個，其中該等時間資訊中之各者設定為一發佈者特定值； <br/>一饋送形成部分，其經組態以基於該設定資訊來處理該所產生之源資訊以產生對應於至少一個發佈者之饋送資訊，其中該至少一個發佈者包括一第一發佈者及一第二發佈者，其中該所產生之饋送資訊包括對應於該第一發佈者之一第一饋送資訊及對應於該第二發佈者之一第二饋送資訊； <br/>一饋送儲存部分，其經組態以儲存該所產生之饋送資訊；及 <br/>該饋送形成部分，其經組態以將該所產生之饋送資訊提供至該至少一個發佈者之一外部伺服器， <br/>其中該饋送形成部分經組態以在對應於該等時間資訊中之各者的一時間上，基於該至少一個發佈者之一聯合請求，將該所產生之饋送資訊上傳至提供給該至少一個發佈者之該外部伺服器， <br/>其中基於一聯合應用程式設計介面(API)來執行該聯合請求及對其之一回應，其中，與對應於該第一發佈者之一第一時間資訊對應之一第一時間設定為不同於與對應於該第二發佈者之一第二時間資訊對應之一第二時間。
一種非暫時性電腦可讀儲存媒體，其經組態以儲存電腦可讀指令， <br/>其中當該等電腦可讀指令由一處理器執行時，該處理器經組態以執行： <br/>基於與電子裝置相關之一服務之物品資訊來產生用於物品之一廣告饋送之源資訊； <br/>獲取用於饋送產生之設定資訊，其中該設定資訊包括時間資訊中的至少一個，其中該等時間資訊中之各者設定為一發佈者特定值； <br/>藉由基於該設定資訊處理該所產生之源資訊來產生對應於至少一個發佈者之饋送資訊，其中該至少一個發佈者包括一第一發佈者及一第二發佈者，其中該所產生之饋送資訊包括對應於該第一發佈者之一第一饋送資訊及對應於該第二發佈者之一第二饋送資訊； <br/>儲存該所產生之饋送資訊；及 <br/>將該所產生之饋送資訊提供至該至少一個發佈者之一外部伺服器， <br/>其中該提供包括在對應於該等時間資訊中之各者的一時間上，基於該至少一個發佈者之一聯合請求，將該所產生之饋送資訊上傳至提供給該至少一個發佈者之該外部伺服器， <br/>其中基於一聯合應用程式設計介面(API)來執行該聯合請求及對其之一回應， <br/>其中，與對應於該第一發佈者之一第一時間資訊對應之一第一時間設定為不同於與對應於該第二發佈者之一第二時間資訊對應之一第二時間。
一種式I之兩性離子可聚合化合物： <br/><br/><img align="absmiddle" height="43px" width="55px" file="ed10041.jpg" alt="ed10041.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>其中R <sup>1</sup>、R <sup>2</sup>及R <sup>3</sup>獨立地係氫、烷基、環烷基、苯基、或苄基； <br/>L <sup>1</sup>及L <sup>2</sup>各自獨立地係伸烷基；且 <br/>R <sub>g</sub>係(甲基)丙烯醯胺。
如請求項1所述之化合物，其中R <sup>1</sup>係氫或C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基。
如請求項1至2中任一項所述之化合物，其中R <sup>2</sup>係氫。
如請求項1至2中任一項所述之化合物，其中R <sup>3</sup>係氫。
如請求項1所述之化合物，其係： <br/>3-(1-(3-甲基丙烯醯胺丙基)-1H-咪唑-3-鎓-3-基)丙酸酯； <br/>3-(1-(3-甲基丙烯醯胺丙基)-2-甲基-1H-咪唑-3-鎓-3-基)丙酸酯；或 <br/>4-(1-(3-甲基丙烯醯胺丙基)-2-甲基-1H-咪唑-3-鎓-3-基)丁酸酯。
一種眼用裝置，其包含衍生自如請求項1至5中任一項所述之兩性離子可聚合化合物的聚合物。
如請求項6所述之眼用裝置，其中該聚合物係包含在該裝置中或係塗佈在該裝置上。
如請求項6所述之眼用裝置，其中該聚合物包含該化合物與一或多種適用於製造該眼用裝置之單體的自由基反應產物。
如請求項8所述之眼用裝置，其中適用於製造該眼用裝置之該單體係選自親水性組分、疏水性組分、含聚矽氧組分、及其二或更多者之混合物。
如請求項6至9中任一項所述之眼用裝置，其係人工水晶體或軟式隱形眼鏡。
如請求項10所述之眼用裝置，其係水凝膠隱形眼鏡。
一種氣泡包裝，其包括眼用裝置及包裝溶液，其中該包裝溶液包含衍生自如請求項1至5中任一項所述之可聚合兩性離子化合物的聚合物。
一種包含氧化鉿及氧化鋯之薄膜結晶材料，其中該結晶材料沉積態展示鐵電行為，其中該結晶材料係衍生自一或多種茂金屬前驅體，其具有式I： <br/><img align="absmiddle" height="88px" width="80px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>或式II： <br/><img align="absmiddle" height="88px" width="71px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中(i) M係選自Zr及Hf且(ii) R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>、R<sup>5</sup>、R<sup>6</sup>、R<sup>7</sup>及R<sup>8</sup>各獨立地選自C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>直鏈烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>分支鏈烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代直鏈烷基及C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代分支鏈烷基，且 <br/>其中該結晶材料具有低於約1原子百分比之碳含量或介於約1原子百分比與約6原子百分比之間之碳含量。
如請求項1之結晶材料，其中 <br/>(i)大於40%之該結晶材料之總體積係呈鐵電相；及 <br/>(ii)小於60%之該結晶材料之總體積構成非鐵電相組分。
如請求項1之結晶材料，其中氧化鉿與氧化鋯比率係介於約1:3與約3:1之間，其中當結合可量測數值變數使用時，術語「約」係指變數之指定值及指定值之實驗誤差內或指定值之± 10%百分比內之變數之所有值，以較高者為準。
如請求項1至3中任一項之結晶材料，其中該結晶材料係衍生自一或多種茂金屬前驅體，其具有式I： <br/><img align="absmiddle" height="88px" width="80px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>或式II： <br/><img align="absmiddle" height="88px" width="71px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中(i) M係選自Zr及Hf且(ii) R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>、R<sup>5</sup>、R<sup>6</sup>、R<sup>7</sup>及R<sup>8</sup>各獨立地為C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>直鏈烷基。
如請求項1至3中任一項之結晶材料，其中該結晶材料係衍生自一或多種茂金屬前驅體，其具有式I： <br/><img align="absmiddle" height="88px" width="80px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>或式II： <br/><img align="absmiddle" height="88px" width="71px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中(i) M係選自Zr及Hf且(ii) R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>、R<sup>5</sup>、R<sup>6</sup>、R<sup>7</sup>及R<sup>8</sup>各為甲基。
一種沉積如請求項1至5中任一項之結晶材料之方法，其包括： <br/><b>(i)</b>在沉積溫度下提供基板； <br/><b>(ii)</b>將該基板暴露於在該沉積溫度下不分解之第一前驅體； <br/><b>(iii)</b>將該基板暴露於第一反應氣體； <br/><b>(iv)</b>將該基板暴露於在該沉積溫度下不分解之第二前驅體；及 <br/><b>(v)</b>將該基板暴露於第二反應氣體， <br/>其中該第一前驅體及該第二前驅體中之一者包含鋯及該第一前驅體及該第二前驅體中之另一者包含鉿，且其中該第一前驅體及第二前驅體具有式I之結構： <br/><img align="absmiddle" height="88px" width="80px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>或式II之結構： <br/><img align="absmiddle" height="88px" width="71px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中(i) M係選自Zr及Hf且(ii) R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>、R<sup>5</sup>、R<sup>6</sup>、R<sup>7</sup>及R<sup>8</sup>各獨立地選自C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>直鏈烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>分支鏈烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代直鏈烷基及C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代分支鏈烷基。
如請求項6之方法，其中該沉積之結晶材料具有介於約0.2 nm及約20 nm之間之厚度。
如請求項6之方法，其中該沉積之結晶材料具有大於8 μC/cm<sup>2</sup>之剩餘極化(Pr)或大於16 μC/cm<sup>2</sup>之總開環。
一種包含如請求項1至5中任一項之材料的薄膜，其中該薄膜具有約0.2 nm至約10 nm之厚度。
一種包含如請求項1至5中任一項之材料的薄膜，其中該薄膜具有大於8 μC/cm<sup>2</sup>之剩餘極化(Pr)或大於16 μC/cm<sup>2</sup>之總開環。
一種用以將硫埋入導電碳中之方法，該方法包含：<br/> 將元素硫溶解在液體氨中，以形成一硫-氨溶液；<br/> 將導電碳浸泡在該硫-氨溶液中，以讓該溶解的硫之至少一部分埋入該導電碳中；及<br/> 回收該埋入硫的導電碳。
如請求項1之方法，更包含在將導電碳浸泡於該硫-氨溶液中之後但是在回收該埋入硫的導電碳前，以氣體氨自該硫-氨溶液移除氨。
如請求項1之方法，其中該元素硫係在第一加壓環境中溶解於該液體氨中。
如請求項3之方法，其中該第一加壓環境於室溫下具有壓力在約110 psig至約135 psig間。
如請求項3之方法，其中該第一加壓環境具有溫度在-20 °C至20 °C間。
如請求項3之方法，其中該第一加壓環境在溫度約-20 °C下具有壓力在10至15 psig間。
如請求項1之方法，其中該將元素硫溶解於液體氨中的步驟進一步包含混合該硫-氨溶液，以助長該元素硫溶解在該液體氨中。
如請求項1之方法，其中該硫-氨溶液包含在5%至30重量%間之溶解的硫。
如請求項1之方法，更包含在該將元素硫溶解於該液體氨中之步驟後，選擇性藉由讓該硫-氨溶液通過篩網而自該硫-氨溶液移除任何未溶解的元素硫。
如請求項3之方法，其中該將導電碳浸泡在該硫-氨溶液中的步驟係於第二加壓環境中進行。
如請求項10之方法，其中該第二加壓環境於室溫下具有壓力約110至約135 psig。
如請求項2之方法，其中在該硫-氨溶液中的液體氨係藉由讓該液體氨蒸發成氣體氨而移除。
如請求項10之方法，其中該液體氨係藉由減壓該第二加壓環境而移除。
如請求項12之方法，其中該氣體氨係經由溼式收集方法回收。
如請求項14之方法，更包含乾燥該經回收的埋入硫的導電碳。
如請求項12之方法，其中該氣體氨係經由乾式收集方法回收。
如請求項12之方法，其包含回收該氣體氨及將該經回收的氣體氨壓縮回液體氨。
一種用以將硫埋入導電碳中的方法，該方法包含：<br/> 將導電碳浸泡在硫-氨溶液中，以讓至少一部分之溶解的硫埋入該導電碳中。
如請求項1之方法，其中該導電碳包含活性碳、石墨、石墨烯或碳奈米管。
如請求項1之方法，其中該導電碳包含活性碳。
如請求項1之方法，其中該元素硫包含S<sub>8</sub>及/或粒狀元素硫。
如請求項1之方法，其中該埋入硫的導電碳包括在30%至85重量%間之硫。
一種埋入硫的導電碳，其藉由如請求項1或18之方法所製造，其包括在30%至85重量%間之硫，其中該導電碳包含活性碳。
一種如請求項23之埋入硫的導電碳的用途，其係使用作為金屬-硫電池的硫陰極。
如請求項24之用途，其中該金屬-硫電池係一鋰-硫電池。
一種金屬-硫電池，其包含如請求項23之埋入硫的導電碳作為硫陰極。
一種鋰-硫電池，其包含如請求項23之埋入硫的導電碳作為硫陰極。
如請求項27之鋰-硫電池，其包括一體積在30至80微升/毫克硫間之電解質。
一種操作如請求項27之電池之方法，其包含當充電及放電該電池時僅循環該電池至75%放電深度。
一種用以進行如請求項1或18之方法之裝置，該裝置包含：<br/> 一硫溶解槽，其包含一用以讓液體氨流入該硫溶解槽中之第一注入口、一用以將元素硫負載進該硫溶解槽中之第二注入口及一用以自該硫溶解槽收回一硫-氨溶液的輸出口；及<br/> 一硫浸漬槽，其選擇性與該硫溶解槽流體連通，該硫浸漬槽包含一連接至該硫溶解槽之該輸出口的第一注入口、一用以將導電碳加入該硫浸漬槽中之第二注入口、一用以蒸發該液體氨的釋放閥及一用以排放氣體氨的釋放導管。
一種圖案化物品，其包含一聚合層，該聚合層包含相對的第一主表面及第二主表面並在其中界定複數個貫通開口，其中對於至少一第一子複數個該等貫通開口中之各貫通開口，一金屬體設置在該貫通開口中，該金屬體具有一第一最外側表面、一相對的第二最外側表面、及在其間延伸的至少一側向側壁，該金屬體之該第一最外側表面與該聚合層之該第一主表面實質上齊平，各側向側壁自該金屬體之該第一最外側表面延伸朝向或至，但不超過，該聚合層之該第二主表面，該金屬體在與該聚合層平行之至少一剖面中與該貫通開口實質上共延伸，其中該等金屬體彼此電隔離，其中該等金屬體之至少一些包含金屬跡線之一微圖案，且其中金屬跡線之該微圖案具有80%至99.95%的一範圍內之一開放面積分率。
如請求項1之圖案化物品，其中對於至少大多數該等金屬體中的各金屬體，該金屬體之該第二最外側表面與該聚合層之該第二主表面實質上齊平。
如請求項1之圖案化物品，其中對於至少大多數該等金屬體中的各金屬體，該金屬體之該第二最外側表面係設置在該聚合層的該第一主表面與該第二主表面之間。
如請求項3之圖案化物品，其中對於大多數該等金屬體中的各金屬體以及對於各對應的貫通開口，該金屬體之該第二最外側表面與該聚合層之該第二主表面之間的該貫通開口的一部分係至少部分填充有一聚合材料。
如請求項1之圖案化物品，其中該聚合層之該第一主表面包含實質上平坦的第一部分及第二部分，該第一部分及該第二部分彼此平行但非彼此共平面。
如請求項1之圖案化物品，其中該等金屬體界定一天線。
如請求項6之圖案化物品，其中該天線包含一反向天線陣列。
如請求項1之圖案化物品，其中在該微圖案中之至少大多數該等金屬跡線中之各金屬跡線沿著該金屬跡線的一縱向方向延伸，具有沿著正交於該縱向方向且正交於該聚合層之一厚度方向的一寬度方向之一寬度W，且具有沿著該厚度方向之一厚度T，T/W係至少0.8。
一種圖案化物品，其包含一聚合層，該聚合層包含一結構化第一主表面及一相對的第二主表面並在其中界定複數個貫通開口，其中對於至少一第一子複數個該等貫通開口中之各貫通開口，一金屬體設置在該貫通開口中，該金屬體具有與該聚合層的該第一主表面相鄰之一第一最外側表面、一相對的第二最外側主表面、及在其間延伸的至少一側向側壁，各側向側壁自該金屬體之該第一最外側表面延伸朝向或至，但不超過，該聚合層之該第二主表面，該金屬體在與該聚合層平行之至少一剖面中與該貫通開口實質上共延伸，其中該等金屬體彼此電隔離，其中該結構化第一主表面包含結構的一規則陣列。
一種圖案化物品，其包含一一體式聚合層，該一體式聚合層設置於一導電層上，該一體式聚合層包含面對該導電層之一第一主表面及一相對的第二主表面，該一體式聚合層在其中界定複數個貫通開口，其中對於至少一第一子複數個該等貫通開口中之各貫通開口，一一體式金屬體設置於該貫通開口中，該一體式金屬體包含至少一側向側壁，各側向側壁自該導電層延伸朝向或至，但不超過，該一體式聚合層之該第二主表面，該一體式金屬體在與該一體式聚合層平行之至少一剖面中與該貫通開口實質上共延伸，該一體式金屬體填充該貫通開口的一體積的至少10%。
如請求項10之圖案化物品，其中該導電層係設置於一基材之一結構化主表面上，且實質上適形於該基材之該結構化主表面。
一種用於製造一圖案化物品之製程，該製程依序包含：提供一導電層；在該導電層上形成一聚合層，該聚合層在其中界定複數個貫通開口；在至少一第一子複數個該等貫通開口中之各貫通開口中沉積一金屬體，以使得該金屬體接觸該導電層；及移除該導電層，導致該等金屬體彼此電隔離。
一種抗體藥物結合物(ADC)之用途，其係用以製備治療有需要之個體之癌症的藥物，其中該ADC包含經由連接子與單甲基奧瑞他汀E (MMAE)之一或多個單元結合的抗連接素-4(nectin-4)抗體或其抗原結合片段，其中該抗體或其抗原結合片段包含：重鏈可變區，該重鏈可變區包含含有SEQ ID NO: 22中所示之重鏈可變區序列中之相應CDR-H1、CDR-H2及CDR-H3之胺基酸序列的互補決定區1 (CDR-H1)、CDR-H2及CDR-H3；以及輕鏈可變區，該輕鏈可變區包含含有SEQ ID NO: 23中所示之輕鏈可變區序列中之相應CDR-L1、CDR-L2及CDR-L3之胺基酸序列的CDR-L1、CDR-L2及CDR-L3，其中該治療包含： <br/>(I) (1)向該個體投與該ADC， <br/>(2)測定該個體中之一或多種ADC第I組標記物基因的表現增加，以及 <br/>(3)(a)若該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現相較於該ADC投與之前之該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現增加，則繼續投與該ADC，或 <br/>(b)若該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現相較於該ADC投與之前之該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現未增加，則中斷投與該ADC；或 <br/>(II) (1)向該個體投與該ADC的第一次劑量， <br/>(2)測定該個體中之一或多種ADC第I組標記物基因的表現增加，以及 <br/>(3)(a)若該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現相較於該ADC投與之前之該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現增加，則以等於或低於該第一次劑量的量投與該ADC的第二次劑量，或 <br/>(b)若該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現相較於該ADC投與之前之該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現未增加，則以高於該第一次劑量的量投與該ADC的第二次劑量；或 <br/>(III) (1)向該個體投與該ADC的第一次劑量， <br/>(2)測定該個體中之一或多種ADC第I組標記物基因的表現增加，以及 <br/>(3)(a)若該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現相較於該ADC投與之前之該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現增加，則投與免疫檢查點抑制劑並聯合投與該ADC之第二次劑量，或 <br/>(b)若該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現相較於該ADC投與之前之該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現未增加，則投與該ADC的第二次劑量，而不投與該免疫檢查點抑制劑；或 <br/>(IV) (1)向該個體投與該ADC的第一次劑量， <br/>(2)測定該個體中之一或多種ADC第I組標記物基因的表現增加，以及 <br/>(3)(a)若該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現相較於該ADC投與之前之該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現增加，則向該個體投與免疫檢查點抑制劑，或 <br/>(b)若該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現相較於該ADC投與之前之該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現未增加，則投與該ADC的第二次劑量，而不投與該免疫檢查點抑制劑， <br/>其中步驟(3)(a)中的該檢查點抑制劑不聯合投與該ADC，其中該一或多種ADC第I組標記物基因包含一或多種主要組織相容複合物(MHC)標籤基因、一或多種鐸樣受體(TLR)家族基因、一或多種介白素受體家族基因、一或多種免疫檢查點受體基因、一或多種受體酪胺酸激酶基因、一或多種IFN受體家族基因、一或多種TNF家族受體基因、一或多種抑制性免疫受體基因，及/或一或多種代謝酶基因。
一種ADC之用途，其係用以製備在有需要之個體之癌症中誘導免疫原性細胞死亡(ICD)的藥物，其中該ADC包含經由連接子與單甲基奧瑞他汀E (MMAE)之一或多個單元結合的抗連接素-4(nectin-4)抗體或其抗原結合片段，其中該抗體或其抗原結合片段包含：重鏈可變區，該重鏈可變區包含含有SEQ ID NO: 22中所示之重鏈可變區序列中之相應CDR-H1、CDR-H2及CDR-H3之胺基酸序列的互補決定區1 (CDR-H1)、CDR-H2及CDR-H3；以及輕鏈可變區，該輕鏈可變區包含含有SEQ ID NO: 23中所示之輕鏈可變區序列中之相應CDR-L1、CDR-L2及CDR-L3之胺基酸序列的CDR-L1、CDR-L2及CDR-L3，其中誘導ICD包含： <br/>(I) (1)向該個體投與該ADC， <br/>(2)測定該個體中之一或多種ADC第I組標記物基因的表現增加，以及 <br/>(3)(a)若該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現相較於該ADC投與之前之該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現增加，則繼續投與該ADC，或 <br/>(b)若該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現相較於該ADC投與之前之該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現未增加，則中斷投與該ADC；或 <br/>(II) (1)向該個體投與該ADC的第一次劑量， <br/>(2)測定該個體中之一或多種ADC第I組標記物基因的表現增加，以及 <br/>(3)(a)若該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現相較於該ADC投與之前之該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現增加，則以等於或低於該第一次劑量的量投與該ADC的第二次劑量，或 <br/>(b)若該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現相較於該ADC投與之前之該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現未增加，則以高於該第一次劑量的量投與該ADC的第二次劑量；或 <br/>(III) (1)向該個體投與該ADC的第一次劑量， <br/>(2)測定該個體中之一或多種ADC第I組標記物基因的表現增加，以及 <br/>(3)(a)若該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現相較於該ADC投與之前之該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現增加，則投與免疫檢查點抑制劑並聯合投與該ADC之第二次劑量，或 <br/>(b)若該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現相較於該ADC投與之前之該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現未增加，則投與該ADC的第二次劑量，而不投與該免疫檢查點抑制劑；或 <br/>(IV) (1)向該個體投與該ADC的第一次劑量， <br/>(2)測定該個體中之一或多種ADC第I組標記物基因的表現增加，以及 <br/>(3)(a)若該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現相較於該ADC投與之前之該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現增加，則向該個體投與免疫檢查點抑制劑，或 <br/>(b)若該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現相較於該ADC投與之前之該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現未增加，則投與該ADC的第二次劑量，而不投與該免疫檢查點抑制劑， <br/>其中步驟(3)(a)中的該檢查點抑制劑不聯合投與該ADC，<sub> </sub><br/>其中該一或多種ADC第I組標記物基因包含一或多種MHC標籤基因、一或多種TLR家族基因、一或多種介白素受體家族基因、一或多種免疫檢查點受體基因、一或多種受體酪胺酸激酶基因、一或多種IFN受體家族基因、一或多種TNF家族受體基因、一或多種抑制性免疫受體基因，及/或一或多種代謝酶基因。
一種ADC之用途，其係用以製備在有需要之個體中誘導免疫細胞向癌症遷移的藥物，其中該ADC包含經由連接子與單甲基奧瑞他汀E (MMAE)之一或多個單元結合的抗連接素-4(nectin-4)抗體或其抗原結合片段，其中該抗體或其抗原結合片段包含：重鏈可變區，該重鏈可變區包含含有SEQ ID NO: 22中所示之重鏈可變區序列中之相應CDR-H1、CDR-H2及CDR-H3之胺基酸序列的互補決定區1 (CDR-H1)、CDR-H2及CDR-H3；以及輕鏈可變區，該輕鏈可變區包含含有SEQ ID NO: 23中所示之輕鏈可變區序列中之相應CDR-L1、CDR-L2及CDR-L3之胺基酸序列的CDR-L1、CDR-L2及CDR-L3，其中誘導免疫細胞向癌症遷移包含： <br/>(I) (1)向該個體投與該ADC， <br/>(2)測定該個體中之一或多種ADC第I組標記物基因的表現增加，以及 <br/>(3)(a)若該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現相較於該ADC投與之前之該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現增加，則繼續投與該ADC，或 <br/>(b)若該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現相較於該ADC投與之前之該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現未增加，則中斷投與該ADC；或 <br/>(II) (1)向該個體投與該ADC的第一次劑量， <br/>(2)測定該個體中之一或多種ADC第I組標記物基因的表現增加，以及 <br/>(3)(a)若該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現相較於該ADC投與之前之該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現增加，則以等於或低於該第一次劑量的量投與該ADC的第二次劑量，或 <br/>(b)若該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現相較於該ADC投與之前之該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現未增加，則以高於該第一次劑量的量投與該ADC的第二次劑量；或 <br/>(III) (1)向該個體投與該ADC的第一次劑量， <br/>(2)測定該個體中之一或多種ADC第I組標記物基因的表現增加，以及 <br/>(3)(a)若該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現相較於該ADC投與之前之該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現增加，則投與免疫檢查點抑制劑並聯合投與該ADC之第二次劑量，或 <br/>(b)若該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現相較於該ADC投與之前之該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現未增加，則投與該ADC的第二次劑量，而不投與該免疫檢查點抑制劑；或 <br/>(IV) (1)向該個體投與該ADC的第一次劑量， <br/>(2)測定該個體中之一或多種ADC第I組標記物基因的表現增加，以及 <br/>(3)(a)若該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現相較於該ADC投與之前之該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現增加，則向該個體投與免疫檢查點抑制劑，或 <br/>(b)若該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現相較於該ADC投與之前之該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現未增加，則投與該ADC的第二次劑量，而不投與該免疫檢查點抑制劑， <br/>其中步驟(3)(a)中的該檢查點抑制劑不聯合投與該ADC，<sub> </sub><br/>其中該一或多種ADC第I組標記物基因包含一或多種MHC標籤基因、一或多種TLR家族基因、一或多種介白素受體家族基因、一或多種免疫檢查點受體基因、一或多種受體酪胺酸激酶基因、一或多種IFN受體家族基因、一或多種TNF家族受體基因、一或多種抑制性免疫受體基因，及/或一或多種代謝酶基因。
一種ADC之用途，其係用以製備使有需要之個體之癌症中之一或多種ADC第I組標記物基因表現增加的藥物，其中該ADC包含經由連接子與單甲基奧瑞他汀E (MMAE)之一或多個單元結合的抗連接素-4(nectin-4)抗體或其抗原結合片段，其中該抗體或其抗原結合片段包含：重鏈可變區，該重鏈可變區包含含有SEQ ID NO: 22中所示之重鏈可變區序列中之相應CDR-H1、CDR-H2及CDR-H3之胺基酸序列的互補決定區1 (CDR-H1)、CDR-H2及CDR-H3；以及輕鏈可變區，該輕鏈可變區包含含有SEQ ID NO: 23中所示之輕鏈可變區序列中之相應CDR-L1、CDR-L2及CDR-L3之胺基酸序列的CDR-L1、CDR-L2及CDR-L3，其中使一或多種ADC第I組標記物基因表現增加包含： <br/>(I) (1)向該個體投與該ADC， <br/>(2)測定該個體中之一或多種ADC第I組標記物基因的表現增加，以及 <br/>(3)(a)若該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現相較於該ADC投與之前之該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現增加，則繼續投與該ADC，或 <br/>(b)若該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現相較於該ADC投與之前之該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現未增加，則中斷投與該ADC；或 <br/>(II) (1)向該個體投與該ADC的第一次劑量， <br/>(2)測定該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現增加，以及 <br/>(3)(a)若該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現相較於該ADC投與之前之該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現增加，則以等於或低於該第一次劑量的量投與該ADC的第二次劑量，或 <br/>(b)若該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現相較於該ADC投與之前之該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現未增加，則以高於該第一次劑量的量投與該ADC的第二次劑量；或 <br/>(III) (1)向該個體投與該ADC的第一次劑量， <br/>(2)測定該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現增加，以及 <br/>(3)(a)若該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現相較於該ADC投與之前之該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現增加，則投與免疫檢查點抑制劑並聯合投與該ADC之第二次劑量，或 <br/>(b)若該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現相較於該ADC投與之前之該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現未增加，則投與該ADC的第二次劑量，而不投與該免疫檢查點抑制劑；或 <br/>(IV) (1)向該個體投與該ADC的第一次劑量， <br/>(2)測定該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現增加，以及 <br/>(3)(a)若該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現相較於該ADC投與之前之該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現增加，則向該個體投與免疫檢查點抑制劑，或 <br/>(b)若該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現相較於該ADC投與之前之該個體中之該一或多種ADC第I組標記物基因的表現未增加，則投與該ADC的第二次劑量，而不投與該免疫檢查點抑制劑， <br/>其中步驟(3)(a)中的該檢查點抑制劑不聯合投與該ADC，<sub> </sub><br/>其中該一或多種ADC第I組標記物基因包含一或多種MHC標籤基因、一或多種TLR家族基因、一或多種介白素受體家族基因、一或多種免疫檢查點受體基因、一或多種受體酪胺酸激酶基因、一或多種IFN受體家族基因、一或多種TNF家族受體基因、一或多種抑制性免疫受體基因，及/或一或多種代謝酶基因。
如請求項1至4中任一項之用途，其中該一或多種ADC第I組標記物基因(i) 包含一或多種MHC標籤基因或(ii) 由一或多種MHC標籤基因組成。
如請求項5之用途，其中該一或多種MHC標誌基因包含一或多種MHC類別基因。
如請求項6之用途，其中該一或多種MHC類別基因包含一或多種I類MHC基因。
如請求項7之用途，其中該一或多種I類MHC基因包含一或多種選自由以下組成之群的基因：人類白血球抗原-A (HLA-A)、HLA-B、HLA-C、HLA-E、HLA-F及ATP結合卡匣亞家族B成員轉運子2 (TAP2)。
如請求項6之用途，其中該一或多種MHC類別基因包含一或多種II類MHC基因。
如請求項9之用途，其中該一或多種II類MHC基因包含一或多種選自由以下組成之群的基因：HLA-DMA、HLA-DMB、HLA-DRB1、HLA-DRA及HLA-DPA1，且其中該一或多種II類MHC基因不包含HLA-DPB1。
如請求項6之用途，其中該一或多種MHC類別基因包含一或多種III類MHC基因。
如請求項11之用途，其中該一或多種III類MHC基因包含一或多種選自由LST1、LTB、AIF1及TNF組成之群的基因。
如請求項1至4中任一項之用途，其中該一或多種MHC標籤基因包含一或多種MHC調控因子基因。
如請求項13之用途，其中該一或多種MHC調控因子基因包含一或多種選自由以下組成之群的基因：干擾素調控因子(IRF)基因、活化B細胞核因子κ輕鏈增強子(NF-κB)家族基因、信號轉導與轉錄活化因子(STAT)家族基因、CTCF、CIITA、RFX轉錄因子家族基因、SPI1及核轉錄因子Y (NFY)基因。
如請求項14之用途，其中： <br/>(i) 該NF-κB家族基因包含一或多種選自由以下組成之群的基因：核因子κB亞單元1 (NFKB1)、NFKB2、RELA、RELB及REL，其中視情況，該NF-κB家族基因包含NFKB2、RELA、或NFKB2與RELA二者； <br/>(ii) 該STAT家族基因包含一或多種選自由以下組成之群的基因：STAT1、STAT2、STAT3、STAT4、STAT5及STAT6，其中視情況，該STAT家族基因為STAT2； <br/>(iii) 該RFX轉錄因子家族基因包含一或多種選自由以下組成之群的基因：RFX1、RFX5、RFX7、RFXAP及RFXANK； <br/>(iv) 該IRF基因包含IRF7、IRF8、或IRF7與IRF8二者；及/或 <br/>(v) 該NFY基因包含NFYA、NFYC、或NFYA與NFYC二者。
如請求項13之用途，其中該一或多種MHC調控因子基因包含CTCF、CIITA及/或SPI1。
如請求項1至4中任一項之用途，其中該一或多種ADC第I組標記物基因包含：一或多種TLR家族基因。
如請求項17之用途，其中該一或多種TLR家族基因包含一或多種選自由TLR9、TLR8及TLR7組成之群的基因。
如請求項18之用途，其中該一或多種TLR家族基因不包含TLR3。
如請求項1至4中任一項之用途，其中該一或多種ADC第I組標記物基因包含一或多種介白素受體家族基因。
如請求項20之用途，其中該一或多種介白素受體家族基因包含一或多種選自由以下組成之群的基因：IL2RA、IL2RB、IL2RG、IL21R、IL27R、IL1RN、IL17RA、IL3RA、IL1R1、IL17RC、IL20RA及IL22RA1；且其中視情況，該一或多種介白素受體家族基因包含IL2RA或由IL2RA組成。
如請求項1至4中任一項之用途，其中該一或多種ADC第I組標記物基因包含一或多種免疫檢查點受體基因。
如請求項22之用途，其中該一或多種免疫檢查點受體基因包含一或多種B7家族基因、一或多種Ig超家族基因、或一或多種B7家族基因與一或多種Ig超家族基因二者。
如請求項23之用途，其中該一或多種B7家族基因包含VTCN1、CD276、或VTCN1與CD276二者。
如請求項23之用途，其中該一或多種Ig超家族基因包含i) 連接素家族基因或ii) 連接素家族基因及LAG3。
如請求項25之用途，其中該等連接素家族基因包含一或多種選自由PVRIG、PVRL2及TIGIT組成之群的基因。
如請求項1至4中任一項之用途，其中該等一或多種ADC第I組標記物基因包含一或多種受體酪胺酸激酶基因。
如請求項27之用途，其中該一或多種受體酪胺酸激酶基因包含一或多種選自由以下組成之群的基因：CSF1R、PDGFRB、TEK/TIE2及FLT3，其中視情況，該一或多種受體酪胺酸激酶基因包含CSF1R，或其中視情況，該一或多種受體酪胺酸激酶基因由CSF1R組成。
如請求項1至4中任一項之用途，其中該一或多種ADC第I組標記物基因包含一或多種TNF家族受體基因。
如請求項29之用途，其中該一或多種TNF家族受體基因包含一或多種選自由以下組成之群的基因：CD40、TNFRSF1A、TNFRSF21及TNFRSF1B。
如請求項1至4中任一項之用途，其中該一或多種ADC第I組標記物基因包含一或多種IFN受體家族基因。
如請求項31之用途，其中該一或多種IFN受體家族基因包含IFNAR1、IFNAR2、或IFNAR1與IFNAR2二者，其中視情況，該一或多種IFN受體家族基因包含IFNAR1，或其中視情況，該一或多種IFN受體家族基因由IFNAR1組成。
如請求項1至4中任一項之用途，其中該一或多種ADC第I組標記物基因包含一或多種抑制性免疫受體基因。
如請求項33之用途，其中該一或多種抑制性免疫受體基因包含TIM3、VSIR、或TIM3與VSIR二者；其中視情況，該一或多種抑制性免疫受體基因包含VSIR；其中視情況，該一或多種抑制性免疫受體基因由VSIR組成；其中視情況，該一或多種抑制性免疫受體基因包含TIM3；或其中視情況，該一或多種抑制性免疫受體基因由TIM3組成。
如請求項1至4中任一項之用途，其中該一或多種ADC第I組標記物基因包含一或多種代謝酶基因。
如請求項35之用途，其中該一或多種代謝酶基因包含一或多種選自由以下組成之群的基因：吲哚胺2,3-二加氧酶1 (IDO1)、TDO2、EIF2AK2、ACSS1及ACSS2；其中視情況，該一或多種代謝酶基因包含IDO1；或其中視情況，該一或多種代謝酶基因由IDO1組成。
如請求項1至4中任一項之用途，其中步驟(2)進一步包含相較於步驟(1)中投與該ADC之前之該個體中之該一或多種ADC第II組標記物基因的表現，測定該個體中之一或多種ADC第II組標記物基因之表現的增加。
如請求項37之用途，其中步驟(3)(a)中之該投與進一步依如請求項37中所測定之該一或多種ADC第II組標記物基因之表現的增加來調節。
如請求項37之用途，其中該一或多種ADC第II組標記物基因包含一或多種選自由以下組成之群的基因：ER應激基因、ER/粒線體ATP酶基因、細胞死亡基因、T細胞刺激因子基因、巨噬細胞/先天性免疫刺激因子基因、趨化因子基因、Rho GTP酶基因、Rho GTP酶調控因子基因、有絲分裂阻滯基因、唾液酸結合免疫球蛋白樣凝集素(siglec)家族基因、GO自噬正調控因子基因、及GTP酶相關激酶基因。
如請求項39之用途，其中： <br/>(i) 該一或多種ER應激基因包含一或多種選自由以下組成之群的基因：XBP-1S、ERP29、TRAF2、c-JUN、BCL2L11、BCAP31、SERINC3、DAP2IP、ERN1、ATF6、NCK2、PPP1R15A、UBQLN2、BAG6及BOK； <br/>(ii) 該一或多種ER應激基因不包含EDEM2或XBP-1L； <br/>(iii) 該一或多種ER/粒線體ATP酶基因包含一或多種選自由ATP2A3、MT-ATP6及MT-ATP8組成之群的基因； <br/>(iv) 該一或多種細胞死亡基因包含一或多種選自由Bax、BCL2L1、BCL2L11及BOK組成之群的基因； <br/>(v) 該一或多種細胞死亡基因不包含FAS； <br/>(vi) 該一或多種T細胞刺激因子基因包含MIG (CXCL9)、IP10 (CXCL10)、或MIG與IP10二者； <br/>(vii) 該一或多種巨噬細胞/先天性免疫刺激因子基因包含IL-1α、M-CSF (CSF)、或IL-1α與M-CSF二者； <br/>(viii) 該一或多種趨化因子基因包含一或多種選自由以下組成之群的基因：伊紅趨素(Eotaxin)(CCL11)、MIP1α、MIP1β及MCP1； <br/>(ix) 該一或多種Rho GTP酶基因包含一或多種選自由RhoB、RhoF及RhoG組成之群的基因； <br/>(x) 該一或多種Rho GTP酶基因不包含CDC42、RhoA及RhoC中的任一者； <br/>(xi) 該一或多種Rho GTP酶調控因子基因包含一或多種選自由DAP2IP、ARHGEF18、ARHGEF5及RASAL1組成之群的基因； <br/>(xii) 該一或多種有絲分裂阻滯基因包含一或多種選自由CCND1、CDKN1A、GADD45B、E4F1、CDC14B及DAPK1組成之群的基因； <br/>(xiii) 該一或多種有絲分裂阻滯基因不包含DDIAS或CDK1； <br/>(xiv) 該一或多種唾液酸結合免疫球蛋白樣凝集素家族基因包含唾液酸結合免疫球蛋白樣凝集素1； <br/>(xv) 該一或多種GO自噬正調控因子基因包含一或多種選自由以下組成之群的基因：BCL2L11、ROCK1、TSC1、TSC2、BAG3、MFN2、RIPK1、RIPK4、HDAC6、STK11、ULK1、FOXO1、FOXO3及MUL1； <br/>(xvi) 該一或多種GO自噬正調控因子基因不包含BNIP3或BNIP3L；及/或 <br/>(xvii) 該一或多種GTP酶相關激酶基因包含ROCK1、PAK4、或ROCK1與PAK4。
如請求項1至4中任一項之用途，其中該基因表現中之任一者的增加為增加： <br/>(i) 10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、100%、110%、120%、130%、140%、150%、160%、170%、180%、190%、200%、250%、300%、350%、400%、450%、500%、550%、600%、650%、700%、750%、800%、850%、900%、950%、1000%或更大；或 <br/>(ii) 1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30倍或更大。
如請求項1至4任一項之用途，其中該免疫檢查點抑制劑為PD-1抑制劑、PD-L1抑制劑、PD-L2抑制劑、CTLA-4抑制劑、LAG-3抑制劑、B7抑制劑、TIM3 (HAVCR2)抑制劑、OX40 (CD134)抑制劑、GITR促效劑、CD137促效劑、CD40促效劑、VTCN1抑制劑、IDO1抑制劑、CD276抑制劑、PVRIG抑制劑、TIGIT抑制劑、CD25 (IL2RA)抑制劑、IFNAR2抑制劑、IFNAR1抑制劑、CSF1R抑制劑、VSIR (VISTA)抑制劑或靶向HLA的治療劑。
如請求項1至4中任一項之用途，其中該免疫檢查點抑制劑為： <br/>(i) 抗PD-1抗體，其中視情況該抗PD-1抗體為BGB-A317、尼沃單抗(nivolumab)、派立珠單抗(pembrolizumab)、賽咪單抗(cemiplimab)、CT-011、康勒珠單抗(camrelizumab)、辛替單抗(sintilimab)、替雷利珠單抗(tislelizumab)、TSR-042、PDR001或特瑞普利單抗(toripalimab)； <br/>(ii) 抗PD-L1抗體，其中視情況該抗PD-L1抗體為德瓦魯單抗(durvalumab)、BMS-936559、阿特珠單抗(atezolizumab)、MEDI4736或阿維魯單抗(avelumab)； <br/>(iii) 抗PD-L2抗體，其中視情況該抗PD-L2抗體為rHIgM12B7A； <br/>(iv) VTCN1抑制劑，其中視情況該VTCN1抑制劑為FPA150； <br/>(v) IDO1抑制劑，其中視情況該IDO1抑制劑為艾帕斯塔(Epacadostat)、BMS986205、那沃莫德(Navoximod)、PF-06840003、KHK2455、RG70099、IOM-E或IOM-D； <br/>(vi) TIGIT抑制劑，其中視情況該TIGIT抑制劑為MTIG7192A、BMS-986207、OMP-313M32、MK-7684、AB154、CGEN-15137、SEA-TIGIT、ASP8374或AJUD008； <br/>(vii) VSIR抑制劑，其中視情況該VSIR抑制劑為CA-170、JNJ 61610588或HMBD-002； <br/>(viii) TIM3抑制劑，其中視情況該TIM3抑制劑為AJUD009； <br/>(ix) CD25 (IL2RA)抑制劑，其中視情況該CD25 (IL2RA)抑制劑為達利珠單抗(daclizumab)或巴利昔單抗(basiliximab)； <br/>(x) IFNAR1抑制劑，其中視情況該IFNAR1抑制劑為安氟單抗(anifrolumab)或絲法力單抗(sifalimumab)； <br/>(xi) CSF1R抑制劑，其中視情況該CSF1R抑制劑為吡昔替尼(pexidartinib)、艾瑪圖單抗(emactuzumab)、卡比拉單抗(cabiralizumab)、ARRY-382、BLZ945、AJUD010、AMG820、IMC-CS4、JNJ-40346527、PLX5622或FPA008；及/或 <br/>(xii) 靶向HLA的治療劑，其中視情況該靶向HLA的該治療劑為GSK01、IMC-C103C、IMC-F106C、IMC-G107C或ABBV-184。
如請求項1至4中任一項之用途，其中該抗體或其抗原結合片段包含：包含SEQ ID NO: 9之胺基酸序列的CDR-H1、包含SEQ ID NO: 10之胺基酸序列的CDR-H2、包含SEQ ID NO: 11之胺基酸序列的CDR-H3；包含SEQ ID NO: 12之胺基酸序列的CDR-L1、包含SEQ ID NO: 13之胺基酸序列的CDR-L2及包含SEQ ID NO: 14之胺基酸序列的CDR-L3，或 <br/>其中該抗體或其抗原結合片段包含：包含SEQ ID NO: 16之胺基酸序列的CDR-H1、包含SEQ ID NO: 17之胺基酸序列的CDR-H2、包含SEQ ID NO: 18之胺基酸序列的CDR-H3；包含SEQ ID NO: 19之胺基酸序列的CDR-L1、包含SEQ ID NO: 20之胺基酸序列的CDR-L2及包含SEQ ID NO: 21之胺基酸序列的CDR-L3。
如請求項1至4中任一項之用途，其中該抗體或其抗原結合片段包含：包含SEQ ID NO: 22之胺基酸序列的重鏈可變區及包含SEQ ID NO: 23之胺基酸序列的輕鏈可變區。
如請求項1至4中任一項之用途，其中該抗體包含：重鏈，該重鏈包含SEQ ID NO: 7之自第20個胺基酸(麩胺酸)至第466個胺基酸(離胺酸)範圍之胺基酸序列；及輕鏈，該輕鏈包含SEQ ID NO: 8之自第23個胺基酸(天冬胺酸)至第236個胺基酸(半胱胺酸)範圍之胺基酸序列。
如請求項1至4中任一項之用途，其中： <br/>(i) 該抗原結合片段為Fab、F(ab')<sub>2</sub>、Fv或scFv片段；或 <br/>(ii) 該抗體為完全人類抗體。
如請求項47之用途，其中該抗體或其抗原結合片段係重組產生。
如請求項1至4中任一項之用途，其中該ADC具有以下結構： <br/><img align="absmiddle" height="153px" width="639px" file="ed10040.jpg" alt="ed10040.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中L-表示該抗體或其抗原結合片段，且p為： <br/>(i) 1至10， <br/>(ii) 2至8，或 <br/>(iii) 3至5。
如請求項1至4中任一項之用途，其中該抗體或抗原結合片段係經由連接子與MMAE之各單元結合，其中該連接子為酶可裂解連接子，且其中該連接子與該抗體或其抗原結合片段之硫原子形成鍵；且其中該連接子具有式：-Aa-Ww-Yy-；其中-A-為延伸單元，a為0或1；-W-為胺基酸單元，w為0至12範圍內之整數；且-Y-為間隔單元，y為0、1或2。
如請求項50之用途，其中該延伸單元具有下式(1)結構；該胺基酸單元為纈胺酸-瓜胺酸；並且該間隔單元為包含下式(2)結構的PAB基團： <br/><img align="absmiddle" height="116px" width="278px" file="ed10041.jpg" alt="ed10041.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式(1) <br/><img align="absmiddle" height="123px" width="222px" file="ed10042.jpg" alt="ed10042.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式(2)。
如請求項50之用途，其中該延伸單元與該抗體或其抗原結合片段之硫原子形成鍵；且其中該間隔單元經由胺基甲酸酯基團連接至MMAE。
如請求項1至4中任一項之用途，其中該ADC包含： <br/>(i) 每個抗體或其抗原結合片段1至20個MMAE單元；或 <br/>(ii) 每個抗體或其抗原結合片段1至10個MMAE單元；或 <br/>(iii) 每個抗體或其抗原結合片段2至8個MMAE單元；或 <br/>(iv) 每個抗體或其抗原結合片段3至5個MMAE單元。
如請求項1至4中任一項之用途，其中於請求項1之(I)、請求項2之(I)、請求項3之(I)及請求項4之(I)中分別為： <br/>(i) 該ADC係以每公斤該個體體重約1至約10 mg、每公斤該個體體重約1至約5 mg、每公斤該個體體重約1至約2.5 mg或每公斤該個體體重約1至約1.25 mg之劑量投與；或 <br/>(ii) 該ADC係以每公斤該個體體重約0.25 mg、約0.5 mg、約0.75 mg、約1.0 mg、約1.25 mg、約1.5 mg、約1.75 mg、約2.0 mg、約2.25 mg或約2.5 mg之劑量投與；或 <br/>(iii) 該ADC係以每公斤該個體體重約1 mg之劑量投與；或 <br/>(iv) 該ADC係以每公斤該個體體重約1.25 mg之劑量投與。
如請求項1至4中任一項之用途，其中於請求項1之(II)至(IV)、請求項2之(II)至(IV)、請求項3之(II)至(IV)及請求項4之(II)至(IV)中分別為： <br/>(i) 該ADC之第一次劑量為每公斤該個體體重約1至約10 mg、每公斤該個體體重約1至約5 mg、每公斤該個體體重約1至約2.5 mg，或每公斤該個體體重約1至約1.25 mg之劑量；或 <br/>(ii) 該ADC之第一次劑量為每公斤該個體體重約0.5 mg、約0.75 mg、約1.0 mg、約1.25 mg、約1.5 mg、約1.75 mg、約2.0 mg、約2.25 mg或約2.5 mg的劑量。
如請求項55之用途，其中該ADC之第二次劑量係： <br/>(i) 比第一次劑量低約0.1 mg/公斤該個體體重至約1 mg/公斤該個體體重；或 <br/>(ii) 比該第一次劑量低約0.1 mg、約0.2 mg、約0.25 mg、約0.3 mg、約0.4 mg、約0.5 mg、約0.6 mg、約0.7 mg、約0.75 mg、約0.8 mg、約0.9 mg或約1 mg/公斤該個體體重。
如請求項56之用途，其中該ADC之第二次劑量： <br/>(i) 比第一次劑量低約1.0 mg/公斤該個體體重；或 <br/>(ii) 為每公斤該個體體重約0.25 mg、約0.5 mg、約0.75 mg、約1.0 mg、約1.25 mg、約1.5 mg、約1.75 mg、約2.0 mg或約2.25 mg的劑量；或 <br/>(iii) 與該ADC的第一次劑量相同。
如請求項1至4中任一項之用途，其中該ADC係藉由以下投與： <br/>(i) 靜脈內(IV)注射或輸注； <br/>(ii) 依每四週之週期藉由靜脈內注射或輸注三次； <br/>(iii) 依每四週之週期，於第1、8及15天進行靜脈內注射或輸注； <br/>(iv) 依每四週之週期，以約30分鐘靜脈內注射或輸注三次；或 <br/>(v) 依每四週之週期，於第1、8及15天，以約30分鐘靜脈內注射或輸注。
如請求項1至4中任一項之用途，其中： <br/>(i) 該ADC調配成包含L-組胺酸、聚山梨醇酯-20 (TWEEN-20)及海藻糖脫水物的醫藥組合物； <br/>(ii) 該ADC調配成醫藥組合物，該醫藥組合物包含約20 mM L-組胺酸、約0.02% (w/v) TWEEN-20、約5.5% (w/v)二水合海藻糖及鹽酸鹽，且其中該醫藥組合物在25℃下之pH為約6.0；或 <br/>(iii) 該ADC調配成醫藥組合物，該醫藥組合物包含約9 mM組胺酸、約11 mM單水合組胺酸鹽酸鹽、約0.02% (w/v) TWEEN-20及約5.5% (w/v)二水合海藻糖，且其中該醫藥組合物在25℃下的pH為約6.0。
如請求項1至4中任一項之用途，其中該癌症為膀胱癌、尿道上皮癌、胃癌、食道癌、頭癌、頸癌、鱗狀非小細胞肺癌(NSCLC)、非鱗狀NSCLC、乳癌、卵巢癌、子宮頸癌、膽癌及膽管癌、胰臟癌、外陰及陰莖之鱗狀細胞癌、前列腺腺癌或子宮內膜癌。
如請求項1至4中任一項之用途，其中該癌症為局部晚期癌症或轉移癌。
如請求項60之用途，其中該乳癌為ER陰性、PR陰性及HER2陰性(ER-/PR-/HER2-)乳癌。
如請求項60之用途，其中該乳癌為激素受體陽性及人類表皮生長因子受體2陰性(HR+/HER2-)乳癌。
如請求項60之用途，其中該尿道上皮癌為乳頭狀尿道上皮癌或扁平尿道上皮癌。
如請求項60之用途，其中該膀胱癌為非肌肉侵入性膀胱癌(NMIBC)或肌肉侵入性膀胱癌。
如請求項65之用途，其中該肌肉侵入性膀胱癌為鱗狀細胞癌、腺癌、小細胞癌或肉瘤。
一種用於重建一數位全像圖(digital hologram)之方法，其包括： <br/>擷取其上具有至少一個三維特徵之一表面之一數位全像圖； <br/>基於該數位全像圖重建一波前(wavefront)； <br/>基於該波前產生該表面之至少一部分之一相位圖，該相位圖包含相位模糊度(phase ambiguities)； <br/>獲得該表面之至少一個額外影像，其中該獲得該表面之至少一個額外影像包括採用一AI網路以產生對應於該表面之一系列數位波前之一系列非相干光影像(a series of incoherent light images)，該系列數位波前係藉由使該波前數位地傳播通過該表面內之一系列深度且獲得對應於該系列深度之該系列數位波前而獲得； <br/>自該表面之該至少一個額外影像獲得與該三維特徵相關之高度資料，該高度資料係以一第一精確度獲得； <br/>基於該高度資料解析該等相位模糊度；及 <br/>在該相位圖中之該等相位模糊度之該解析之後基於該相位圖導出該至少一個三維特徵之一高度，該高度係以比該第一精確度更精確之一第二精確度導出。
如請求項1之方法，其中該獲得高度資料包括採用DFF演算法以基於該系列數位波前獲得高度資料。
如請求項1之方法，其中該獲得高度資料包括採用DFF演算法以基於該系列非相干光影像獲得高度資料。
如請求項1之方法，其中該獲得該表面之至少一個額外影像包括擷取該表面之至少一個經非相干照明影像。
如請求項1之方法，其中該獲得高度資料包括採用該AI網路以基於該至少一個三維特徵之分段及分類自動獲得高度資料。
如請求項1之方法，其中該第一精確度係在1 µm至5 µm之一範圍中。
如請求項6之方法，其中該第二精確度係在1 nm至100 nm或50 nm至1000 nm之一範圍中。
如請求項1之方法，其中該擷取該數位全像圖包括擷取一數位顯微全像圖(digital microscopic hologram)。
一種用於重建一數位全像圖之系統，其包括： <br/>一數位全像影像擷取子系統，其可操作以擷取其上具有至少一個三維特徵之一表面之一數位全像圖； <br/>一波前重建器，其可操作以基於該數位全像圖重建一波前； <br/>一相位圖產生器，其可操作以接收該波前且基於該波前產生該表面之至少一部分之一相位圖，該相位圖包含相位模糊度； <br/>一影像處理子系統，其可操作以獲得該表面之至少一個額外影像，其中該影像處理子系統包括一AI網路，該AI網路可操作以產生對應於該表面之一系列數位波前之一系列非相干光影像，該系列數位波前係藉由該影像處理子系統使該波前數位地傳播通過該表面內之一系列深度且獲得對應於該系列深度之該系列數位波前而獲得； <br/>一影像分析器，其可操作以自該表面之該至少一個額外影像獲得與該三維特徵相關之高度資料，該高度資料係以一第一精確度獲得； <br/>一相位模糊度解析器，其可操作以基於該高度資料解析該相位圖中之該等相位模糊度；及 <br/>一高度計算器，其可操作以在該相位圖中之該等相位模糊度之該解析之後基於該相位圖導出該至少一個三維特徵之一高度，該三維特徵之該高度係以比該第一精確度更精確之一第二精確度導出。
如請求項9之系統，其中該影像分析器可操作以採用DFF演算法以基於該系列數位波前獲得該高度資料。
如請求項9之系統，其中該影像分析器可操作以採用DFF演算法以基於該系列非相干光影像獲得該高度資料。
如請求項9之系統，其中該影像分析器包括可操作以基於該至少一個三維特徵之分段及分類自動獲得高度資料之一AI網路。
如請求項9之系統，其中該第一精確度係在0.5 µm至5 µm之一範圍中。
如請求項13之系統，其中該第二精確度係在1 nm至100 nm或50 nm至1000 nm之一範圍中。
如請求項9之系統，其中該數位全像影像擷取子系統係一數位全像顯微影像擷取子系統。
一種金屬被覆樹脂粒子，其特徵係具有球狀之核樹脂粒子及設於前述核樹脂粒子表面之金屬被覆層，前述金屬被覆層係由形成於前述核樹脂粒子表面之第1銀層、形成於前述第1銀層表面之由選自由錫(Sn)、氧化錫(Sn<sub>x</sub>O<sub>y</sub>)及氫氧化錫(Sn<sub>x</sub>(OH)<sub>y</sub>)所成之群之1種或2種以上之金屬錫及/或錫化合物所成之錫中間層(但，0.1<x<4，0.1<y<5)及形成於前述錫中間層表面之第2銀層所構成。
如請求項1之金屬被覆樹脂粒子，其中前述第1銀層具有10nm~100nm之平均厚度，前述錫中間層具有2nm~20nm之平均厚度，前述第2銀層具有50nm~150nm之平均厚度，且平均粒徑為1μm~110μm。
一種導電性糊料，其分別包含70質量%~90質量%之如請求項1或2之金屬被覆樹脂粒子及10質量%~30質量%之黏合劑樹脂。
一種導電性糊料，於將導電性糊料設為100質量%時，其分別包含10質量%~80質量%之如請求項1或2之金屬被覆樹脂粒子、10質量%~70質量%之球狀或長寬比(長徑/短徑)為5以下之扁平狀銀粒子、及10質量%~30質量%之黏合劑樹脂。
一種導電性薄膜，其係使用如請求項3之導電性糊料。
一種導電性薄膜，其係使用如請求項4之導電性糊料。
一種金屬被覆樹脂粒子之製造方法，其包含下述步驟：於錫化合物之水溶液中混合球狀核樹脂粒子，使錫吸附於前述核樹脂粒子表面形成錫吸附層之步驟，將包含特定量之銀鹽及銀錯化劑之水溶液的一部分與還原劑及pH調整劑一起滴加於使表面形成前述錫吸附層之前述核樹脂粒子分散於水中所成之漿料中並混合，於該混合液中對前述核樹脂粒子進行無電解銀鍍敷，將前述錫吸附層置換形成為第1銀層之步驟，邊攪拌前述混合液邊保持特定時間，於前述第1銀層表面形成錫中間層之步驟，將前述包含特定量之銀鹽及銀錯化劑之水溶液的剩餘部分與前述還原劑及前述pH調整劑一起進而滴加於前述混合液中並混合，於該混合液中對前述核樹脂粒子持續進行無電解銀鍍敷，於前述錫中間層表面形成第2銀層之步驟。
如請求項7之金屬被覆樹脂粒子之製造方法，其中於將前述特定量設為100質量%時，前述包含銀鹽及銀錯化劑之水溶液的一部分為超過5質量%且70質量%以下，前述包含銀鹽及銀錯化劑之水溶液的剩餘部分為30質量%以上且未達95質量%。
如請求項7或8之金屬被覆樹脂粒子之製造方法，其中將前述球狀核樹脂粒子混合於錫化合物之水溶液時的前述錫化合物之水溶液的溫度為超過45℃且90℃以下。
一種非離子系光酸產生劑（A），其特徵在於：含有下述通式（1）所表示的磺醯胺化合物， <br/><img align="absmiddle" height="90px" width="120px" file="ed10032.jpg" alt="ed10032.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[式中，R<sub>f</sub>為氟原子、氟烷基、或氟芳基，R<sup>1</sup>為氟原子、烷基、氟烷基、芳基、或氟芳基，R<sub>f</sub>與R<sup>1</sup>可相互鍵結而形成環，R<sup>2</sup>為氫原子、烷基、烯基、炔基、芳基、含雜原子的芳基、烷基羰基、芳基羰基、烷氧基羰基、或芳氧基羰基，R<sup>3</sup>為環狀烷基、芳基、或含雜原子的芳基，R<sup>2</sup>與R<sup>3</sup>可相互鍵結而形成環（可包含雜原子）]。
如請求項1所述的非離子系光酸產生劑（A），其中通式（1）中，R<sup>2</sup>為碳數1～18的烷基、碳數6～14的芳基、或碳數3～14的含雜原子的芳基，R<sup>3</sup>為碳數3～12的環狀烷基、碳數6～14的芳基、或碳數3～14的含雜原子的芳基，R<sup>2</sup>與R<sup>3</sup>相互鍵結而形成5員環～7員環（可包含雜原子）。
如請求項1所述的非離子系光酸產生劑（A），其中通式（1）中，R<sup>2</sup>為碳數1～18的烷基、碳數2～10的烯基、碳數6～14的芳基、碳數3～14的含雜原子的芳基、碳數6～10（不包含羰基碳）的芳基羰基、或碳數1～10（不包含羰基碳）的烷氧基羰基，R<sup>3</sup>為碳數3～12的環狀烷基、碳數6～14的芳基、或碳數3～14的含雜原子的芳基。
如請求項1至請求項3中任一項所述的非離子系光酸產生劑（A），其中通式（1）中，R<sub>f</sub>及R<sup>1</sup>相互獨立地為CF<sub>3</sub>、C<sub>2</sub>F<sub>5</sub>、C<sub>3</sub>F<sub>7</sub>、C<sub>4</sub>F<sub>9</sub>、或C<sub>6</sub>F<sub>5</sub>。
一種光微影用樹脂組成物（Q），含有如請求項1至請求項4中任一項所述的非離子系光酸產生劑（A）。
一種式(I-a)化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物、互變異構體或立體異構體， <br/><img align="absmiddle" height="92px" width="287px" file="ed10762.jpg" alt="ed10762.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中： <br/>A為視情況經一或多個R<sup>1</sup>取代之5員至10員雜芳基； <br/>B為視情況經一或多個R<sup>1</sup>取代之單環雜環基或雙環雜環基； <br/>L<sup>1</sup>及L<sup>2</sup>各自獨立地不存在； <br/>X及Y各自為N或C(R<sup>6</sup>)，其中X及Y中之至少一者為N； <br/>各R<sup>1</sup>獨立地為氫、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>雜烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、環烷基、雜環基、雜芳基、芳基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>伸烷基-芳基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>伸烯基-芳基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>伸烷基-雜芳基、鹵基、氰基、側氧基、-OR<sup>A</sup>、-NR<sup>B</sup>R<sup>C</sup>、-NR<sup>B</sup>C(O)R<sup>D</sup>、-NO<sub>2</sub>、-C(O)NR<sup>B</sup>R<sup>C</sup>、-C(O)R<sup>D</sup>、-C(O)OR<sup>D</sup>或-S(O)<sub>x</sub>R<sup>D</sup>，其中各烷基、伸烷基、烯基、伸烯基、炔基、雜烷基、鹵烷基、環烷基、雜環基、芳基及雜芳基視情況經一或多個R<sup>7</sup>取代；或 <br/>兩個R<sup>1</sup>基團與其所連接之原子一起形成3員至7員環烷基、雜環基、芳基或雜芳基，其中各環烷基、雜環基、芳基及雜芳基視情況經一或多個R<sup>7</sup>取代； <br/>各R<sup>2</sup>及R<sup>3</sup>獨立地為C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>雜烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、鹵基、氰基、-OR<sup>A</sup>、-NR<sup>B</sup>R<sup>C</sup>、-NR<sup>B</sup>C(O)R<sup>D</sup>、-NO<sub>2</sub>、-C(O)NR<sup>B</sup>R<sup>C</sup>、-C(O)R<sup>D</sup>、-C(O)OR<sup>D</sup>或-S(O)<sub>x</sub>R<sup>D</sup>； <br/>各R<sup>6</sup>獨立地為氫、鹵基、氰基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基或-OR<sup>A</sup>； <br/>各R<sup>7</sup>獨立地為C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>雜烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、環烷基、雜環基、芳基、雜芳基、鹵基、氰基、側氧基、-OR<sup>A</sup>、-NR<sup>B</sup>R<sup>C</sup>、-NR<sup>B</sup>C(O)R<sup>D</sup>、-NO<sub>2</sub>、-C(O)NR<sup>B</sup>R<sup>C</sup>、-C(O)R<sup>D</sup>、-C(O)OR<sup>D</sup>或-S(O)<sub>x</sub>R<sup>D</sup>，其中烷基、烯基、炔基、雜烷基、鹵烷基、環烷基、雜環基、芳基及雜芳基中之每一者視情況經一或多個R<sup>8</sup>取代； <br/>各R<sup>A</sup>獨立地為氫、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>雜烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、環烷基、雜環基、芳基、雜芳基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>伸烷基-芳基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>伸烷基-雜芳基、-C(O)R<sup>D</sup>或-S(O)<sub>x</sub>R<sup>D</sup>，其中各烷基、伸烷基、雜烷基、鹵烷基、環烷基、雜環基、芳基及雜芳基視情況經一或多個R<sup>9</sup>取代；<sup> </sup><br/>各R<sup>B</sup>及R<sup>C</sup>獨立地為氫、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>雜烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、環烷基、雜環基、芳基、雜芳基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>伸烷基-環烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>伸烷基-雜環基、-OR<sup>A</sup>，其中各烷基、伸烷基、雜烷基、鹵烷基、環烷基、雜環基、芳基及雜芳基視情況經一或多個R<sup>9</sup>取代；或 <br/>R<sup>B</sup>及R<sup>C</sup>與其所連接之原子一起形成視情況經一或多個R<sup>9</sup>取代之3員至7員雜環基環； <br/>各R<sup>D</sup>獨立地為氫、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>雜烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基，其中各烷基、烯基、炔基、雜烷基及鹵烷基視情況經一或多個R<sup>9</sup>取代； <br/>各R<sup>8</sup>獨立地為C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>雜烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、鹵基、氰基、側氧基或-OR<sup>A</sup>； <br/>各R<sup>9</sup>為C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、鹵基、氰基、側氧基或-OR<sup>A1</sup>； <br/>各R<sup>A1</sup>為氫或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基； <br/>n為0、1或2； <br/>m為0或1；及 <br/>x為0、1或2。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物、互變異構體或立體異構體，其中A為單環雜芳基或雙環雜芳基，其中每一者視情況經一或多個R<sup>1</sup>取代。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物、互變異構體或立體異構體，其中A為視情況經一或多個R<sup>1</sup>取代之含氮雜芳基。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物、互變異構體或立體異構體，其中A選自：<img align="absmiddle" height="25px" width="33px" file="ed10763.jpg" alt="ed10763.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="43px" file="ed10764.jpg" alt="ed10764.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="43px" file="ed10765.jpg" alt="ed10765.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="38px" file="ed10766.jpg" alt="ed10766.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="40px" file="ed10767.jpg" alt="ed10767.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="35px" file="ed10768.jpg" alt="ed10768.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="35px" file="ed10769.jpg" alt="ed10769.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="45px" file="ed10770.jpg" alt="ed10770.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="26px" width="30px" file="ed10771.jpg" alt="ed10771.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="26px" width="30px" file="ed10772.jpg" alt="ed10772.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="26px" width="30px" file="ed10773.jpg" alt="ed10773.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="30px" file="ed10774.jpg" alt="ed10774.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="44px" file="ed10775.jpg" alt="ed10775.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="45px" file="ed10776.jpg" alt="ed10776.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="25px" width="45px" file="ed10777.jpg" alt="ed10777.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及<img align="absmiddle" height="25px" width="49px" file="ed10778.jpg" alt="ed10778.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中R<sup>1</sup>如請求項1中所描述。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物、互變異構體或立體異構體，其中A選自：<img align="absmiddle" height="22px" width="43px" file="ed10764.jpg" alt="ed10764.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="35px" file="ed10769.jpg" alt="ed10769.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="26px" width="30px" file="ed10779.jpg" alt="ed10779.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及<img align="absmiddle" height="26px" width="30px" file="ed10780.jpg" alt="ed10780.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中R<sup>1</sup>如請求項1中所描述。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物、互變異構體或立體異構體，其中A選自：<img align="absmiddle" height="18px" width="20px" file="ed10781.jpg" alt="ed10781.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="20px" file="ed10782.jpg" alt="ed10782.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="19px" file="ed10783.jpg" alt="ed10783.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="17px" width="37px" file="ed10784.jpg" alt="ed10784.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="39px" file="ed10785.jpg" alt="ed10785.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="36px" file="ed10786.jpg" alt="ed10786.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="37px" file="ed10787.jpg" alt="ed10787.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="37px" file="ed10788.jpg" alt="ed10788.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="41px" file="ed10789.jpg" alt="ed10789.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="39px" file="ed10790.jpg" alt="ed10790.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="31px" width="37px" file="ed10791.jpg" alt="ed10791.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="40px" file="ed10792.jpg" alt="ed10792.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="26px" width="39px" file="ed10793.jpg" alt="ed10793.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="39px" file="ed10470.jpg" alt="ed10470.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="17px" width="37px" file="ed10471.jpg" alt="ed10471.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="37px" file="ed10472.jpg" alt="ed10472.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="17px" width="37px" file="ed10473.jpg" alt="ed10473.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="37px" file="ed10474.jpg" alt="ed10474.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="39px" file="ed10475.jpg" alt="ed10475.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="36px" file="ed10476.jpg" alt="ed10476.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="36px" file="ed10477.jpg" alt="ed10477.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="39px" file="ed10478.jpg" alt="ed10478.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="39px" file="ed10479.jpg" alt="ed10479.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="25px" width="39px" file="ed10480.jpg" alt="ed10480.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="39px" file="ed10481.jpg" alt="ed10481.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="40px" file="ed10482.jpg" alt="ed10482.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="34px" file="ed10483.jpg" alt="ed10483.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="34px" file="ed10484.jpg" alt="ed10484.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="39px" file="ed10485.jpg" alt="ed10485.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="36px" file="ed10486.jpg" alt="ed10486.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="20px" width="36px" file="ed10487.jpg" alt="ed10487.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="36px" file="ed10488.jpg" alt="ed10488.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="20px" width="36px" file="ed10489.jpg" alt="ed10489.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="36px" file="ed10490.jpg" alt="ed10490.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="25px" width="40px" file="ed10491.jpg" alt="ed10491.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="25px" width="40px" file="ed10492.jpg" alt="ed10492.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及<img align="absmiddle" height="25px" width="40px" file="ed10493.jpg" alt="ed10493.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物、互變異構體或立體異構體，其中A選自：<img align="absmiddle" height="19px" width="39px" file="ed10785.jpg" alt="ed10785.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="39px" file="ed10790.jpg" alt="ed10790.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="26px" width="39px" file="ed10793.jpg" alt="ed10793.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="37px" file="ed10787.jpg" alt="ed10787.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="39px" file="ed10478.jpg" alt="ed10478.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="39px" file="ed10479.jpg" alt="ed10479.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及<img align="absmiddle" height="25px" width="39px" file="ed10480.jpg" alt="ed10480.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物、互變異構體或立體異構體，其中B為單環雜環基或雙環雜環基，其中每一者視情況經一或多個R<sup>1</sup>取代。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物、互變異構體或立體異構體，其中B為視情況經一或多個R<sup>1</sup>取代之含氮雜環基。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物、互變異構體或立體異構體，其中B選自：<img align="absmiddle" height="24px" width="19px" file="ed10496.jpg" alt="ed10496.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="32px" file="ed10497.jpg" alt="ed10497.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="31px" file="ed10498.jpg" alt="ed10498.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="30px" width="30px" file="ed10499.jpg" alt="ed10499.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="29px" file="ed10500.jpg" alt="ed10500.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="30px" width="30px" file="ed10501.jpg" alt="ed10501.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="34px" width="30px" file="ed10502.jpg" alt="ed10502.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="31px" width="29px" file="ed10503.jpg" alt="ed10503.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="26px" width="38px" file="ed10504.jpg" alt="ed10504.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="31px" width="36px" file="ed10505.jpg" alt="ed10505.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="34px" width="30px" file="ed10506.jpg" alt="ed10506.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="34px" width="30px" file="ed10507.jpg" alt="ed10507.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="30px" width="31px" file="ed10508.jpg" alt="ed10508.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="29px" width="28px" file="ed10509.jpg" alt="ed10509.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="43px" file="ed10510.jpg" alt="ed10510.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及<img align="absmiddle" height="30px" width="39px" file="ed10511.jpg" alt="ed10511.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中R<sup>1</sup>如請求項1中所描述。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物、互變異構體或立體異構體，其中B選自：<img align="absmiddle" height="15px" width="31px" file="ed10498.jpg" alt="ed10498.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="30px" width="30px" file="ed10499.jpg" alt="ed10499.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及 <img align="absmiddle" height="30px" width="30px" file="ed10501.jpg" alt="ed10501.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中R<sup>1</sup>如請求項1中所描述。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物、互變異構體或立體異構體，其中B選自：<img align="absmiddle" height="17px" width="19px" file="ed10512.jpg" alt="ed10512.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="26px" width="31px" file="ed10513.jpg" alt="ed10513.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="19px" file="ed10514.jpg" alt="ed10514.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="17px" width="25px" file="ed10515.jpg" alt="ed10515.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="24px" file="ed10516.jpg" alt="ed10516.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="24px" file="ed10517.jpg" alt="ed10517.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="24px" file="ed10518.jpg" alt="ed10518.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="24px" file="ed10519.jpg" alt="ed10519.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="25px" file="ed10520.jpg" alt="ed10520.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="31px" file="ed10521.jpg" alt="ed10521.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="24px" file="ed10522.jpg" alt="ed10522.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="27px" file="ed10523.jpg" alt="ed10523.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="24px" file="ed10524.jpg" alt="ed10524.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="23px" file="ed10525.jpg" alt="ed10525.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="26px" file="ed10526.jpg" alt="ed10526.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="25px" file="ed10527.jpg" alt="ed10527.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="26px" file="ed10528.jpg" alt="ed10528.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="26px" file="ed10529.jpg" alt="ed10529.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="26px" file="ed10530.jpg" alt="ed10530.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="20px" file="ed10531.jpg" alt="ed10531.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="36px" file="ed10532.jpg" alt="ed10532.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="31px" file="ed10533.jpg" alt="ed10533.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="36px" file="ed10534.jpg" alt="ed10534.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="19px" file="ed10535.jpg" alt="ed10535.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="25px" width="18px" file="ed10536.jpg" alt="ed10536.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="25px" width="24px" file="ed10537.jpg" alt="ed10537.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="23px" file="ed10538.jpg" alt="ed10538.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="23px" file="ed10539.jpg" alt="ed10539.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="14px" width="35px" file="ed10540.jpg" alt="ed10540.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="14px" width="31px" file="ed10541.jpg" alt="ed10541.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="14px" width="31px" file="ed10542.jpg" alt="ed10542.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="14px" width="31px" file="ed10543.jpg" alt="ed10543.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="14px" width="29px" file="ed10544.jpg" alt="ed10544.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="14px" width="29px" file="ed10545.jpg" alt="ed10545.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="14px" width="29px" file="ed10546.jpg" alt="ed10546.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="34px" file="ed10547.jpg" alt="ed10547.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="34px" file="ed10548.jpg" alt="ed10548.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="34px" file="ed10549.jpg" alt="ed10549.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="14px" width="34px" file="ed10550.jpg" alt="ed10550.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="14px" width="34px" file="ed10551.jpg" alt="ed10551.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="14px" width="34px" file="ed10552.jpg" alt="ed10552.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="14px" width="28px" file="ed10553.jpg" alt="ed10553.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="34px" file="ed10554.jpg" alt="ed10554.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="34px" file="ed10555.jpg" alt="ed10555.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="34px" file="ed10556.jpg" alt="ed10556.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="39px" file="ed10557.jpg" alt="ed10557.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="39px" file="ed10558.jpg" alt="ed10558.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="39px" file="ed10559.jpg" alt="ed10559.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="20px" width="33px" file="ed10560.jpg" alt="ed10560.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="20px" width="33px" file="ed10561.jpg" alt="ed10561.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="20px" width="33px" file="ed10562.jpg" alt="ed10562.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="20px" width="33px" file="ed10563.jpg" alt="ed10563.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="20px" width="33px" file="ed10564.jpg" alt="ed10564.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="20px" width="33px" file="ed10565.jpg" alt="ed10565.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="34px" file="ed10566.jpg" alt="ed10566.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="34px" file="ed10567.jpg" alt="ed10567.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="34px" file="ed10568.jpg" alt="ed10568.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="30px" width="35px" file="ed10569.jpg" alt="ed10569.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="30px" width="35px" file="ed10570.jpg" alt="ed10570.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="30px" width="35px" file="ed10571.jpg" alt="ed10571.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="30px" width="35px" file="ed10572.jpg" alt="ed10572.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="30px" width="35px" file="ed10573.jpg" alt="ed10573.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="30px" width="35px" file="ed10574.jpg" alt="ed10574.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="30px" width="35px" file="ed10575.jpg" alt="ed10575.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="30px" width="35px" file="ed10576.jpg" alt="ed10576.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="30px" width="35px" file="ed10577.jpg" alt="ed10577.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="30px" width="35px" file="ed10578.jpg" alt="ed10578.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="34px" file="ed10579.jpg" alt="ed10579.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="34px" file="ed10580.jpg" alt="ed10580.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="34px" file="ed10581.jpg" alt="ed10581.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="40px" file="ed10582.jpg" alt="ed10582.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="40px" file="ed10583.jpg" alt="ed10583.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="40px" file="ed10584.jpg" alt="ed10584.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="26px" file="ed10585.jpg" alt="ed10585.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="30px" file="ed10586.jpg" alt="ed10586.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="28px" file="ed10587.jpg" alt="ed10587.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="24px" file="ed10588.jpg" alt="ed10588.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="26px" file="ed10589.jpg" alt="ed10589.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="25px" file="ed10590.jpg" alt="ed10590.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="25px" width="25px" file="ed10591.jpg" alt="ed10591.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="25px" file="ed10592.jpg" alt="ed10592.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="17px" width="30px" file="ed10593.jpg" alt="ed10593.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及<img align="absmiddle" height="23px" width="34px" file="ed10594.jpg" alt="ed10594.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物、互變異構體或立體異構體，其中B選自：<img align="absmiddle" height="21px" width="19px" file="ed10514.jpg" alt="ed10514.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="25px" file="ed10595.jpg" alt="ed10595.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="34px" file="ed10554.jpg" alt="ed10554.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="20px" width="33px" file="ed10560.jpg" alt="ed10560.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="40px" file="ed10582.jpg" alt="ed10582.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="20px" width="33px" file="ed10563.jpg" alt="ed10563.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="34px" file="ed10547.jpg" alt="ed10547.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及 <img align="absmiddle" height="22px" width="34px" file="ed10566.jpg" alt="ed10566.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物、互變異構體或立體異構體，其中X為N。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物、互變異構體或立體異構體，其中Y為N。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物、互變異構體或立體異構體，其中X及Y中之每一者獨立地為N。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物、互變異構體或立體異構體，其中該式(I-a)化合物為式(I-e)化合物： <br/><img align="absmiddle" height="105px" width="223px" file="ed10596.jpg" alt="ed10596.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中A、B、X、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、m、n及其子變數如請求項1中所定義。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物、互變異構體或立體異構體，其中該式(I-a)化合物為式(I-f)化合物： <br/><img align="absmiddle" height="104px" width="221px" file="ed10597.jpg" alt="ed10597.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中A、B、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、m、n及其子變數如請求項1中所定義。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物、互變異構體或立體異構體，其中該式(I-a)化合物為式(I-g)化合物： <br/><img align="absmiddle" height="106px" width="223px" file="ed10598.jpg" alt="ed10598.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中A、B、Y、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、m、n及其子變數如請求項1中所定義。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物、互變異構體或立體異構體，其中該式(I-a)化合物為式(I-h)化合物： <br/><img align="absmiddle" height="103px" width="223px" file="ed10599.jpg" alt="ed10599.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中A、B、Y、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、m、n及其子變數如請求項1中所定義。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物、互變異構體或立體異構體，其中該化合物係選自： <br/>。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1至21中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物、互變異構體或立體異構體，及醫藥學上可接受之賦形劑。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物、互變異構體或立體異構體，其中該化合物： <br/>(i) 改變目標核酸； <br/>(ii) 與目標核酸結合；或 <br/>(iii) 使目標核酸穩定化。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物、互變異構體或立體異構體，其中： <br/>(i) 該化合物使目標核酸上之剪接位點處之剪接增加約0.5%、1%、2%、3%、4%、5%、6%、7%、8%、9%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%或更多，其中「約」意謂±10%；或 <br/>(ii) 該化合物使目標核酸上之剪接位點處之剪接減少約0.5%、1%、2%、3%、4%、5%、6%、7%、8%、9%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%或更多，其中「約」意謂±10%。
一種調節核酸之剪接的活體外方法，其包含使該核酸與如請求項1至21中任一項中所描述之式(I-a)化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物、互變異構體或立體異構體接觸。
一種三組分晶體，具有12.12Å x 15.80Å x 12.28Å的單位晶格尺寸，該三組分晶體包含 <br/>（a）一式II之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="59px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式<b>II </b><br/>（b）一式III之化合物；以及 <br/><img align="absmiddle" height="49px" width="55px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式<b>III </b><br/>（c）一胺鹼， <br/>其中各組分的等莫耳比為 1:1:1。
如請求項1所述之三組分晶體，其中該胺鹼為一吡啶鹼。
如請求項2所述之三組分晶體，其中該吡啶鹼為3-甲基吡啶。
一種製備三組分晶體之方法，該三組分晶體具有12.12Å x 15.80Å x 12.28Å的單位晶格尺寸，且包含 <br/>（a）一式II之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="59px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式II <br/>（b）一式III之化合物；以及 <br/><img align="absmiddle" height="49px" width="55px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式III <br/>（c）一胺鹼， <br/>該方法包含以下步驟： <br/>（i）在一非質子性溶劑中以1:1:1的等莫耳量形成該式II之化合物、該式III之化合物以及該胺鹼之混合物， <br/>（ii）由此形成該三組分晶體，以及 <br/>（iii）從該非質子性溶劑中分離出該三組分晶體。
如請求項4所述之方法，其中該非質子性溶劑為乙腈。
如請求項4或請求項5所述之方法，其中該胺鹼為一吡啶鹼。
如請求項6所述之方法，其中該吡啶鹼為3-甲基吡啶。
一種製備式I之化合物之方法 <br/><img align="absmiddle" height="68px" width="65px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式I <br/>該方法包括以下步驟： <br/>（a）使在一非質子性溶劑中的包含三組分晶體的懸浮液與一酸活化劑進行反應，該三組分晶體具有12.12Å x 15.80Å x 12.28Å的單位晶格尺寸，且包含 <br/>（i）一式II之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="59px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式II <br/>（ii）一式III之化合物；以及 <br/><img align="absmiddle" height="49px" width="55px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式III <br/>（iii）一胺鹼， <br/>其中各組分以1:1:1的等莫耳比存在，以及 <br/>（b）使該式II及式III的酸活化化合物偶合以形成式I之化合物。
如請求項8所述之方法，其中該非質子性溶劑為乙腈。
如請求項8或請求項9所述之方法，其中該酸活化劑為一磺醯氯。
如請求項10所述之方法，其中該磺醯氯為甲磺醯氯。
如請求項8所述之方法，其中該胺鹼為一吡啶鹼。
如請求項12所述之方法，其中該吡啶鹼為3-甲基吡啶。
一種記憶體裝置，該記憶體裝置包括： <br/>記憶體塊，該記憶體塊包括多個記憶體單元； <br/>周邊電路，該周邊電路被配置為執行將數據存儲在所述多個記憶體單元當中的連接到所選字線的多個選擇記憶體單元中的第一編程操作和第二編程操作；以及 <br/>編程操作控制器，該編程操作控制器被配置為控制所述第一編程操作和所述第二編程操作， <br/>其中，所述第一編程操作使用要存儲在所述選擇記憶體單元中的頁數據當中的一個邏輯頁數據來執行， <br/>所述第二編程操作使用所述頁數據當中的除了所述一個邏輯頁數據之外的剩餘邏輯頁數據來執行， <br/>其中，所述第一編程操作包括將具有預定電壓位凖的固定編程電壓施加到所述所選字線至少一次的編程脈衝施加步驟，並且不包括驗證步驟， <br/>其中，所述第二編程操作包括多個編程循環，各個編程循環包括將編程電壓施加到所述所選字線的編程電壓施加步驟以及包括將多個驗證電壓依次施加到所述所選字線的驗證步驟，並且 <br/>其中所述固定編程電壓的所述預定電壓位凖比所述第二編程操作之第一編程循環中施加的編程起始電壓高出偏移電壓。
根據請求項1所述的記憶體裝置，其中，所述第一編程操作是將所述選擇記憶體單元的閾值電壓編程為與擦除狀態或中間狀態中的任一個對應的操作。
根據請求項1所述的記憶體裝置，其中，所述驗證步驟包括驗證所述選擇記憶體單元是否對應於目標編程狀態。
根據請求項3所述的記憶體裝置，其中，所述第一編程操作是將所述固定編程電壓施加到所述所選字線至少兩次的操作。
根據請求項3所述的記憶體裝置，其中，所述第一編程操作是將所述固定編程電壓施加到所述所選字線僅一次的操作。
根據請求項2所述的記憶體裝置，其中，多個所述選擇記憶體單元當中的要編程為所述擦除狀態的記憶體單元的目標編程狀態的數量和要編程為所述中間狀態的記憶體單元的目標編程狀態的數量相同。
根據請求項1所述的記憶體裝置，其中，所述選擇記憶體單元具有擦除狀態和第一編程狀態至第n編程狀態中的任一個作為目標編程狀態，其中，n是等於或大於2的自然數。
根據請求項7所述的記憶體裝置，其中，所述周邊電路執行讀取存儲在所述選擇記憶體單元中的數據的讀取操作。
根據請求項8所述的記憶體裝置，該記憶體裝置還包括： <br/>控制邏輯，該控制邏輯被配置為控制所述讀取操作。
根據請求項9所述的記憶體裝置，其中，存儲在所述選擇記憶體單元中的所述數據包括多個邏輯頁數據，並且 <br/>所述控制邏輯控制所述周邊電路在讀取所述多個邏輯頁數據中的任一個時使用一個讀取電壓來讀取。
根據請求項1所述的記憶體裝置，其中，所述一個邏輯頁數據對應於最低有效位元(LSB)頁數據。
根據請求項11所述的記憶體裝置，其中，所述剩餘邏輯頁數據對應於中央有效位元(CSB)頁數據和最高有效位元(MSB)頁數據中的至少一個。
根據請求項12所述的記憶體裝置，其中，所述偏移電壓根據所述字線的位置而具有不同的電壓位凖。
根據請求項3所述的記憶體裝置，其中，在所述第一編程操作期間施加到所述多個記憶體單元當中的未選字線的通過電壓的大小和在所述第二編程操作期間施加到所述多個記憶體單元當中的未選字線的通過電壓的大小具有不同的電壓位凖。
根據請求項14所述的記憶體裝置，其中，所述編程操作控制器將具有不同電壓位凖的通過電壓施加到所述未選字線當中的與所述所選字線相鄰的未選字線以及剩餘未選字線。
根據請求項3所述的記憶體裝置，其中，所述編程操作控制器不同地控制在所述第一編程操作中施加所述固定編程電壓的時間和在所述第二編程操作中施加所述編程電壓的時間。
一種記憶體裝置，該記憶體裝置包括： <br/>記憶體塊，該記憶體塊連接到各自包括多個頁的多條物理字線； <br/>周邊電路，該周邊電路被配置為執行將數據存儲在所述多個頁中的編程操作；以及 <br/>控制邏輯，該控制邏輯被配置為控制所述周邊電路， <br/>其中，所述編程操作包括將包括在所述多個頁中的記憶體單元的閾值電壓編程為具有擦除狀態或中間狀態的狀態的閾值電壓的第一編程操作以及將所述記憶體單元編程為具有所述擦除狀態和第一編程狀態至第n編程狀態中的任一個的閾值電壓的第二編程操作，其中，n是等於或大於2的自然數， <br/>其中，所述控制邏輯控制所述周邊電路對多條所述物理字線當中的所選物理字線中所包括的多個頁中的一個執行第一編程操作，然後對在所述所選物理字線之前執行第一編程操作的物理字線中所包括的多個頁中的一個執行第二編程操作， <br/>其中，所述第一編程操作包括將具有預定電壓位凖的固定編程電壓施加到所述所選字線至少一次的編程脈衝施加步驟，並且不包括驗證包括在所述多個頁中的所述記憶體單元的所述閾值電壓是否對應於所述擦除狀態或所述中間狀態中的任一個的驗證步驟， <br/>其中，所述第二編程操作包括多個編程循環，並且包括在所述第二編程操作中的所述多個編程循環中的每一個包括編程電壓施加操作和驗證操作，並且 <br/>其中所述固定編程電壓的所述預定電壓位凖比所述第二編程操作之第一編程循環中施加的編程起始電壓高出偏移電壓。
根據請求項17所述的記憶體裝置，其中，所述第一編程操作包括一個編程循環。
根據請求項17所述的記憶體裝置，其中，所述多個頁共同連接到多條所述物理字線中的任一條。
根據請求項17所述的記憶體裝置，其中，各條所述物理字線包括分別連接到所述多個頁的多條邏輯字線。
根據請求項20所述的記憶體裝置，其中，所述偏移電壓根據所述物理字線的位置而具有不同的電壓位凖。
根據請求項17所述的記憶體裝置，其中，在所述第一編程操作期間施加到所述多個頁當中的未選頁的通過電壓的大小和在所述第二編程操作期間施加到所述多個頁當中的未選頁的通過電壓的大小具有不同的電壓位凖。
根據請求項22所述的記憶體裝置，其中，所述控制邏輯在所述編程操作期間將具有不同電壓位凖的通過電壓施加到所述未選頁當中的與所述物理字線所對應的所選頁相鄰的未選頁以及剩餘未選頁。
根據請求項20所述的記憶體裝置，其中，所述控制邏輯不同地控制在所述第一編程操作中施加編程電壓的時間和在所述第二編程操作中施加所述編程電壓的時間。
一種儲存裝置，該儲存裝置包括： <br/>多個記憶體裝置；以及 <br/>記憶體控制器，該記憶體控制器被配置為提供指示將數據存儲在所述記憶體裝置中的編程命令， <br/>其中，各個所述記憶體裝置包括： <br/>記憶體單元塊，該記憶體單元塊包括多個記憶體單元； <br/>周邊電路，該周邊電路被配置為響應於所述編程命令而執行將所述數據存儲在多個選擇記憶體單元中的第一編程操作和第二編程操作，所述選擇記憶體單元是從所述多個記憶體單元當中選擇的記憶體單元；以及 <br/>編程操作控制器，該編程操作控制器被配置為控制所述第一編程操作和所述第二編程操作， <br/>所述第一編程操作使用要存儲在所述選擇記憶體單元中的頁數據當中的一個邏輯頁數據來執行， <br/>所述第二編程操作使用所述頁數據當中的除了所述一個邏輯頁數據之外的剩餘邏輯頁數據來執行， <br/>其中，所述第一編程操作包括將具有預定電壓位凖的固定編程電壓施加到所述所選字線至少一次的編程脈衝施加步驟，並且不包括驗證步驟， <br/>其中，所述第二編程操作包括多個編程循環，各個編程循環包括將編程電壓施加到所述所選字線的編程電壓施加步驟以及包括將多個驗證電壓依次施加到所述所選字線的驗證步驟，並且 <br/>其中所述固定編程電壓的所述預定電壓位凖比所述第二編程操作之第一編程循環中施加的編程起始電壓高出偏移電壓。
根據請求項25所述的儲存裝置，其中，所述第一編程操作是將所述選擇記憶體單元的閾值電壓編程為與擦除狀態或中間狀態中的任一個對應的操作。
根據請求項25所述的儲存裝置，其中，所述驗證步驟包括驗證所述選擇記憶體單元是否對應於目標編程狀態。
根據請求項27所述的儲存裝置，其中，所述第一編程操作是將所述固定編程電壓施加到所述字線至少兩次的操作。
根據請求項26所述的儲存裝置，其中，多個所述選擇記憶體單元當中的要編程為所述擦除狀態的記憶體單元的目標編程狀態的數量和要編程為所述中間狀態的記憶體單元的目標編程狀態的數量相同。
根據請求項29所述的儲存裝置，其中，所述偏移電壓根據所述字線的位置而具有不同的電壓位凖。
根據請求項27所述的儲存裝置，其中，在所述第一編程操作期間施加到所述多個記憶體單元當中的未選字線的通過電壓的大小和在所述第二編程操作期間施加到所述多個記憶體單元當中的未選字線的通過電壓的大小具有不同的電壓位凖。
根據請求項31所述的儲存裝置，其中，所述編程操作控制器將具有不同電壓位凖的通過電壓施加到所述未選字線當中的與所選字線相鄰的未選字線以及剩餘未選字線。
根據請求項27所述的儲存裝置，其中，所述編程操作控制器不同地控制在所述第一編程操作中施加所述固定編程電壓的時間和在所述第二編程操作中施加所述編程電壓的時間。
一種口腔內安裝器具之洗淨方法，其係藉由將填充於具備泡形成機構之觸發式噴射容器中而成之清潔劑組合物自該容器噴射以形成具有以下性狀(i)及(ii)之泡沫， <br/>並由所獲得之泡沫被覆口腔內安裝器具2分鐘以上30分鐘以下者，該清潔劑組合物含有0.05質量%以上20質量%以下之界面活性劑(a)及0.1質量%以上30質量%以下之含羥基之化合物(b)， <br/>(i)泡比容為7 ml/g以上20 ml/g以下、 <br/>(ii)排液速度為1.6 ml/分鐘以上6 ml/分鐘以下； <br/>上述成分(a)為選自陰離子性界面活性劑(a1)、兩性界面活性劑(a2)及非離子性界面活性劑(a3)中之1種或2種以上，該陰離子性界面活性劑(a1)為選自烷基硫酸酯鹽、烷基磺酸鹽、醯基胺基酸鹽、N-甲基長鏈醯基牛磺酸鹽及脂肪酸鹽中之1種或2種以上，該兩性界面活性劑(a2)為選自烷基氧化胺、乙酸甜菜鹼、咪唑啉鎓甜菜鹼、烷基磺基甜菜鹼及椰油脂肪醯胺烷基甜菜鹼中之1種或2種以上，該非離子性界面活性劑(a3)為選自甘油脂肪酸酯、烷基葡萄糖苷、多甘油脂肪酸酯及聚氧乙烯烷基苯醚中之1種或2種以上， <br/>上述成分(b)之ClogP值為-3以上1.4以下，質量平均分子量為35以上800以下，且為選自乙醇、丙二醇、丁二醇、二丙二醇、乙二醇、二乙二醇單丁醚、苄醇及苯氧基乙醇中之1種或2種以上， <br/>觸發式噴射容器之噴射距離20 cm時之噴射力為1g・f以上10g・f以下。
如請求項1之口腔內安裝器具之洗淨方法，其中觸發式噴射容器之噴射距離20 cm時之噴射直徑為2 cm以上10 cm以下。
如請求項1或2之口腔內安裝器具之洗淨方法，其中在利用泡沫被覆口腔內安裝器具之後，用水涮洗口腔內安裝器具。
如請求項1或2之口腔內安裝器具之洗淨方法，其中被覆口腔內安裝器具之泡量以口腔內安裝器具之表面積每1 cm<sup>2</sup>計，為0.05 g以上3.5 g以下。
一種處理基板的方法，該方法包含：<br/>使用包含錫氧化物的至少一間隔件，在一半導體基板上執行間隔件上間隔件(spacer-on-spacer)圖案化，<br/>其中執行間隔件上間隔件圖案化包含：<br/>藉由從具有在一圖案化芯部材料上方之一第一保形間隔件材料的一基板選擇性蝕刻該圖案化芯部材料，以形成包含該第一保形間隔件材料的一第一間隔件，該第一保形間隔件材料係選自由在該圖案化芯部材料上方之鈦氧化物、矽氧化物、矽氮化物、及鉛氧化物組成的群組；及<br/>使用該第一間隔件，以形成包含一第二保形間隔件材料的一第二間隔件，該第二保形間隔件材料包含錫。
如請求項1之處理基板的方法，其中執行間隔件上間隔件圖案化包含：<br/>在該圖案化芯部材料上方沉積該第一保形間隔件材料；<br/>選擇性蝕刻該圖案化芯部材料，以形成包含該第一保形間隔件材料的該第一間隔件；<br/>在該第一間隔件上方沉積該第二保形間隔件材料；<br/>選擇性蝕刻該第一間隔件，以形成包含該第二保形間隔件材料的該第二間隔件；及<br/>使用該第二間隔件作為一遮罩而蝕刻一目標層，<br/>其中該第一保形間隔件材料包含錫氧化物，或該第二保形間隔件材料包含錫氧化物。
如請求項1或2之處理基板的方法，其中執行該間隔件上間隔件圖案化，以形成具有小於約40 nm之節距的特徵部。
如請求項1或2之處理基板的方法，其中該錫氧化物係使用錫鹵化物、含有機金屬錫化合物、氯化含有機金屬錫化合物、及其組合加以沉積。
如請求項1或2之處理基板的方法，其中該錫氧化物係使用選自由下列者組成之群組的一含錫前驅物加以沉積：四(二甲基胺基)錫；四(乙基甲基胺基)錫；N<sup>2</sup>,N<sup>3</sup>-二-<i>叔</i>丁基-丁烷-2,3-二胺基-錫(II)；及1,3-雙(1,1-二甲基乙基)-4,5-二甲基-(4R,5R)-1,3,2-二氮雜錫烷-2-亞基。
如請求項5之處理基板的方法，其中該含錫前驅物為四(二甲基胺基)錫，且其中該錫氧化物係藉由將該半導體基板暴露於該含錫前驅物及包含氧之一含氧前驅物而形成。
如請求項1或2之處理基板的方法，其中該錫氧化物係使用化學氣相沉積製程、原子層沉積、或其任何組合的其中至少一者而提供。
如請求項1或2之處理基板的方法，其中該錫氧化物係使用電漿增強原子層沉積(PEALD)而提供。
如請求項1或2之處理基板的方法，其中該錫氧化物係使用選自由下列者組成之群組的一含錫前驅物而沉積：四(二甲基胺基)錫；四(乙基甲基胺基)錫；N<sup>2</sup>,N<sup>3</sup>-二<i>叔</i>丁基丁烷-2,3-二胺基-錫(II)；1,3-雙(1,1-二甲基乙基)-4,5-二甲基-(4R,5R)-1,3,2-二氮雜錫烷-2-亞基；氟化亞錫(SnF<sub>2</sub>)；錫(IV)氯化物(SnCl<sub>4</sub>)；錫(IV)溴化物(SnBr<sub>4</sub>)；錫氫化物(SNH<sub>4</sub>)；錫(II)(1,3-雙(1,1-二甲基乙基)-4,5-二甲基-(4R,5R)-1,3,2-二氮雜錫烷-2-亞基)；四乙基錫(SnEt<sub>4</sub>)；四甲基錫(SnMe<sub>4</sub>)；二乙酸二丁基錫(Bu<sub>2</sub>Sn(OAc)<sub>2</sub>)；(二甲基胺基)三甲基錫(IV)(Me<sub>3</sub>Sn(NMe<sub>2</sub>))；四(二乙基醯胺基)錫(IV)(Sn(NEt<sub>2</sub>)<sub>4</sub>)，三甲基氯化錫；二甲基二氯化錫；三氯化甲基錫；雙[雙(三甲基甲矽烷基)胺基]錫(II)；六苯基二錫(IV)；乙醯丙酮錫(II)；三甲基(苯基乙炔基)錫；二丁基二苯基錫；四烯丙基錫；四乙烯基錫；及三環己基氫化錫。
如請求項1或2之處理基板的方法，其中該錫氧化物係使用選自由下列者組成之群組的一含氧反應物加以沉積：氧氣、氧電漿、水、臭氧、過氧化氫、及氧化亞氮。
如請求項1或2之處理基板的方法，其中該第一保形間隔件材料包含錫氧化物，且該第二保形間隔件材料係選自由下列者組成的群組：鈦氧化物、矽氧化物、矽氮化物、鉿氧化物、及鉛氧化物。
如請求項1或2之處理基板的方法，其中該第一保形間隔件材料包含錫氧化物，且該第一間隔件係藉由使用氫氣挖掘而加以選擇性蝕刻。
一種處理基板的方法，該方法包含：<br/>在一芯部材料上方保形地沉積一可挖掘材料；及<br/>選擇性移除該可挖掘材料的水平區域、及移除該芯部材料，以形成包含該可挖掘材料的間隔件；及<br/>在包含該可挖掘材料的該間隔件上方沉積一互補材料，其中該可挖掘材料能夠相對該互補材料選擇性受蝕刻，<br/>其中該可挖掘材料包含錫氧化物，且該互補材料係選自由下列者組成的群組：鈦氧化物、矽氧化物、矽氮化物、鉿氧化物、及鉛氧化物。
如請求項13之處理基板的方法，其中該可挖掘材料係選自由鈦氧化物、矽氧化物、矽氮化物、及鉛氧化物組成的群組，且該互補材料包含錫氧化物。
如請求項13或14之處理基板的方法，更包含使用氫氣移除包含該可挖掘材料的該間隔件。
如請求項13或14之處理基板的方法，其中該可挖掘材料包含錫氧化物，該錫氧化物係使用選自由下列者組成之群組的一含錫前驅物而沉積：四(二甲基胺基)錫；四(乙基甲基胺基)錫；N<sup>2</sup>,N<sup>3</sup>-二<i>叔</i>丁基丁烷-2,3-二胺基-錫(II)；1,3-雙(1,1-二甲基乙基)-4,5-二甲基-(4R,5R)-1,3,2-二氮雜錫烷-2-亞基；氟化亞錫(SnF<sub>2</sub>)；錫(IV)氯化物(SnCl<sub>4</sub>)；錫(IV)溴化物(SnBr<sub>4</sub>)；錫氫化物(SNH<sub>4</sub>)；錫(II)(1,3-雙(1,1-二甲基乙基)-4,5-二甲基-(4R,5R)-1,3,2-二氮雜錫烷-2-亞基)；四乙基錫(SnEt<sub>4</sub>)；四甲基錫(SnMe<sub>4</sub>)；二乙酸二丁基錫(Bu<sub>2</sub>Sn(OAc)<sub>2</sub>)；(二甲基胺基)三甲基錫(IV)(Me<sub>3</sub>Sn(NMe<sub>2</sub>))；四(二乙基醯胺基)錫(IV)(Sn(NEt<sub>2</sub>)<sub>4</sub>)，三甲基氯化錫；二甲基二氯化錫；三氯化甲基錫；雙[雙(三甲基甲矽烷基)胺基]錫(II)；六苯基二錫(IV)；乙醯丙酮錫(II)；三甲基(苯基乙炔基)錫；二丁基二苯基錫；四烯丙基錫；四乙烯基錫；及三環己基氫化錫。
如請求項16之處理基板的方法，其中該含錫前驅物為四(二甲基胺基)錫，且其中該可挖掘材料係藉由引入該含錫前驅物及包含氧之一含氧前驅物而沉積。
如請求項13或14之處理基板的方法，其中該可挖掘材料及該互補材料其中一者為使用化學氣相沉積製程、原子層沉積、或其任何組合的其中至少一者而沉積的錫氧化物。
如請求項13或14之處理基板的方法，其中該可挖掘材料及該互補材料其中一者為使用電漿增強原子層沉積(PEALD)而沉積的錫氧化物。
如請求項13或14之處理基板的方法，其中該可挖掘材料包含錫氧化物，該錫氧化物係使用選自由下列者組成之群組的一含氧反應物加以沉積：氧氣、氧電漿、水、臭氧、過氧化氫、及氧化亞氮。
一種處理基板的方法，該方法包含：<br/>提供具有一圖案化芯部材料的一基板；<br/>在該圖案化芯部材料上方保形地沉積一第一材料於該圖案化芯部材料之側壁上，該第一材料係選自由矽氧化物、矽氮化物、鈦氧化物、及鉛氧化物所組成的群組；<br/>選擇性移除該圖案化芯部材料，以形成一第一間隔件；<br/>在該第一間隔件上方保形地沉積一錫氧化物間隔件材料於該第一間隔件之側壁上；及<br/>選擇性移除該第一間隔件，以形成包含該錫氧化物間隔件材料的第二間隔件。
如請求項21之處理基板的方法，其中該錫氧化物間隔件材料係使用選自由下列者組成之群組的一含錫前驅物而沉積：四(二甲基胺基)錫；四(乙基甲基胺基)錫；N<sup>2</sup>,N<sup>3</sup>-二<i>叔</i>丁基丁烷-2,3-二胺基-錫(II)；1,3-雙(1,1-二甲基乙基)-4,5-二甲基-(4R,5R)-1,3,2-二氮雜錫烷-2-亞基；氟化亞錫(SnF<sub>2</sub>)；錫(IV)氯化物(SnCl<sub>4</sub>)；錫(IV)溴化物(SnBr<sub>4</sub>)；錫氫化物(SNH<sub>4</sub>)；錫(II)(1,3-雙(1,1-二甲基乙基)-4,5-二甲基-(4R,5R)-1,3,2-二氮雜錫烷-2-亞基)；四乙基錫(SnEt<sub>4</sub>)；四甲基錫(SnMe<sub>4</sub>)；二乙酸二丁基錫(Bu<sub>2</sub>Sn(OAc)<sub>2</sub>)；(二甲基胺基)三甲基錫(IV)(Me<sub>3</sub>Sn(NMe<sub>2</sub>))；四(二乙基醯胺基)錫(IV)(Sn(NEt<sub>2</sub>)<sub>4</sub>)，三甲基氯化錫；二甲基二氯化錫；三氯化甲基錫；雙[雙(三甲基甲矽烷基)胺基]錫(II)；六苯基二錫(IV)；乙醯丙酮錫(II)；三甲基(苯基乙炔基)錫；二丁基二苯基錫；四烯丙基錫；四乙烯基錫；及三環己基氫化錫。
如請求項21或22之處理基板的方法，其中錫氧化物間隔件材料係使用選自由下列者組成之群組的一含氧反應物加以沉積：氧氣、氧電漿、水、臭氧、過氧化氫、及氧化亞氮。
如請求項21或22之處理基板的方法，其中該圖案化芯部材料包含矽或碳。
如請求項21或22之處理基板的方法，其中該第一材料係選自由鈦氧化物、矽氧化物、矽氮化物、及鉛氧化物組成的群組。
如請求項21或22之處理基板的方法，其中該第一材料係使用一濕式蝕刻化學品加以選擇性移除。
如請求項22之處理基板的方法，其中該含錫前驅物為四(二甲基胺基)錫，且其中該錫氧化物間隔件材料係藉由將該基板暴露於該含錫前驅物及包含氧之一含氧前驅物而沉積。
如請求項21或22之處理基板的方法，其中該錫氧化物間隔件材料係使用化學氣相沉積製程、原子層沉積、或其任何組合的其中至少一者而沉積。
如請求項21或22之處理基板的方法，其中該錫氧化物間隔件材料係使用電漿增強原子層沉積(PEALD)而沉積。
一種處理基板的方法，該方法包含：<br/>提供具有一圖案化芯部材料的一基板；<br/>在該圖案化芯部材料上方保形地沉積一錫氧化物材料於芯部材料的側壁上；<br/>選擇性移除該圖案化芯部材料，以形成錫氧化物間隔件；<br/>在該錫氧化物間隔件上方保形地沉積一第二間隔件材料於該錫氧化物間隔件之側壁上；及<br/>選擇性移除該錫氧化物間隔件，以形成第二間隔件。
如請求項30之處理基板的方法，其中該第二間隔件材料係選自由下列者組成的群組：鈦氧化物、矽氧化物、矽氮化物、鉿氧化物、及鉛氧化物。
如請求項30之處理基板的方法，其中該錫氧化物間隔件係藉由使用氫氣加以挖掘而選擇性移除。
如請求項30-32其中任一項之處理基板的方法，其中該錫氧化物材料係使用選自由下列者組成之群組的一含錫前驅物而沉積：四(二甲基胺基)錫；四(乙基甲基胺基)錫；N<sup>2</sup>,N<sup>3</sup>-二<i>叔</i>丁基丁烷-2,3-二胺基-錫(II)；1,3-雙(1,1-二甲基乙基)-4,5-二甲基-(4R,5R)-1,3,2-二氮雜錫烷-2-亞基；氟化亞錫(SnF<sub>2</sub>)；錫(IV)氯化物(SnCl<sub>4</sub>)；錫(IV)溴化物(SnBr<sub>4</sub>)；錫氫化物(SNH<sub>4</sub>)；錫(II)(1,3-雙(1,1-二甲基乙基)-4,5-二甲基-(4R,5R)-1,3,2-二氮雜錫烷-2-亞基)；四乙基錫(SnEt<sub>4</sub>)；四甲基錫(SnMe<sub>4</sub>)；二乙酸二丁基錫(Bu<sub>2</sub>Sn(OAc)<sub>2</sub>)；(二甲基胺基)三甲基錫(IV)(Me<sub>3</sub>Sn(NMe<sub>2</sub>))；四(二乙基醯胺基)錫(IV)(Sn(NEt<sub>2</sub>)<sub>4</sub>)，三甲基氯化錫；二甲基二氯化錫；三氯化甲基錫；雙[雙(三甲基甲矽烷基)胺基]錫(II)；六苯基二錫(IV)；乙醯丙酮錫(II)；三甲基(苯基乙炔基)錫；二丁基二苯基錫；四烯丙基錫；四乙烯基錫；及三環己基氫化錫。
如請求項30-32其中任一項之處理基板的方法，其中該錫氧化物材料係使用選自由下列者組成之群組的一含氧反應物加以沉積：氧氣、氧電漿、水、臭氧、過氧化氫、及氧化亞氮。
如請求項30-32其中任一項之處理基板的方法，其中該含錫前驅物為四(二甲基胺基)錫，且其中該錫氧化物材料係藉由將該基板暴露於該含錫前驅物及包含氧之一含氧前驅物而沉積。
如請求項30-32其中任一項之處理基板的方法，其中該錫氧化物材料係使用化學氣相沉積製程、原子層沉積、或其任何組合的其中至少一者而提供。
如請求項30-32其中任一項之處理基板的方法，其中該錫氧化物係使用電漿增強原子層沉積(PEALD)而提供。
一種化合物為6-(環丙甲醯胺基)-4-((3-(1-環丙基-1H-1,2,4-三唑-3-基)-2-甲氧苯基)胺基)-N-(甲基-d<sub>3</sub>)噠嗪-3-甲醯胺的晶型，該晶型為晶型A、晶型B、晶型C，其中，晶型A的X-射線粉末衍射圖譜在2θ為23.7±0.2°、6.4±0.2°、19.4±0.2°、21.2±0.2°、23.0±0.2°、14.8±0.2°、11.3土0.2°、28.5±0.2°、13.0±0.2°、11.8±0.2°中任意7處具有衍射峰；晶型B的X-射線粉末衍射圖譜在2θ為21.5±0.2°、15.0±0.2°、19.6±0.2°、23.0±0.2°、23.2±0.2°、14.5±0.2°、20.8±0.2°、13.3±0.2°、10.5±0.2°、11.8±0.2°中任意7處具有衍射峰；晶型C的X-射線粉末衍射圖譜在2θ為26.1±0.2°、24.7±0.2°、8.3±0.2°、9.9±0.2°、12.8±0.2°、18.9±0.2°、26.7±0.2°、17.3±0.2°、10.4±0.2°、11.0±0.2°中任意7處具有衍射峰。
如請求項1所述的晶型，其中，該晶型A的X-射線粉末衍射圖譜在2θ為23.7±0.2°、6.4±0.2°、19.4±0.2°、21.2±0.2°、23.0±0.2°、14.8±0.2°、11.3±0.2°、28.5±0.2°、13.0±0.2°、11.8±0.2°中任意8處具有衍射峰；晶型B的X-射線粉末衍射圖譜在2θ為21.5±0.2°、15.0±0.2°、19.6±0.2°、23.0±0.2°、23.2±0.2°、14.5±0.2°、20.8±0.2°、13.3±0.2°、10.5±0.2°、11.8±0.2°中任意8處具有衍射峰；晶型C的X-射線粉末衍射圖譜在2θ為26.1±0.2°、24.7±0.2°、8.3±0.2°、9.9±0.2°、12.8±0.2°、18.9±0.2°、26.7±0.2°、17.3±0.2°、10.4±0.2°、11.0±0.2°中任意8處具有衍射峰。
如請求項1所述的晶型，其中，該晶型A的X-射線粉末衍射圖譜包含位於2θ為23.7±0.2°、6.4±0.2°、19.4±0.2°、21.2±0.2°、23.0±0.2°、14.8±0.2°和11.3±0.2°處的衍射峰；該晶型B的X-射線粉末衍射圖譜包含位於2θ為15.0±0.2°、19.6±0.2°、23.0±0.2°、23.2±0.2°、14.5±0.2°、20.8±0.2°、13.3±0.2°；或者，包含位於2θ為21.5±0.2°、19.6±0.2°、23.0±0.2°、23.2±0.2°、14.5±0.2°、20.8±0.2°和13.3±0.2°處的衍射峰；該晶型C的X-射線粉末衍射圖譜包含位於2θ為26.1±0.2°、24.7±0.2°、8.3±0.2°、9.9±0.2°、12.8±0.2°、18.9±0.2°和26.7±0.2°處的衍射峰。
如請求項1所述的晶型，其中，該晶型A的X-射線粉末衍射圖譜包含位於2θ為23.7±0.2°、6.4±0.2°、19.4±0.2°、21.2±0.2°、23.0±0.2°、14.8±0.2°、11.3±0.2°和28.5±0.2處的衍射峰；該晶型B的X-射線粉末衍射圖譜包含位於2θ為21.5±0.2°、15.0±0.2°、19.6±0.2°、23.0±0.2°、23.2±0.2°、14.5±0.2°、20.8±0.2°和13.3±0.2°處的衍射峰；該晶型C的X-射線粉末衍射圖譜包含位於2θ為26.1±0.2°、24.7±0.2°、8.3±0.2°、9.9±0.2°、12.8±0.2°、18.9±0.2°、26.7±0.2°和17.3±0.2處的衍射峰。
一種化合物為6-(環丙甲醯胺基)-4-((3-(1-環丙基-1H-1,2,4-三唑-3-基)-2-甲氧苯基)胺基)-N-(甲基-d<sub>3</sub>)噠嗪-3-甲醯胺的晶型，該晶型為晶型A、晶型B、晶型C，其中，該晶型A的X-射線粉末衍射圖譜在2θ為23.7±0.2°處具有衍射峰；或者在2θ為6.4±0.2°處具有衍射峰；或者在2θ為19.4±0.2°處具有衍射峰；或者在2θ為21.2±0.2°處具有衍射峰；或者在2θ為14.8±0.2°處具有衍射峰；或者在2θ為11.3±0.2°處具有衍射峰；或者在2θ為28.5±0.2°處具有衍射峰；還包含位於2θ為13.0±0.2°、11.8±0.2°、22.7±0.2°、16.3±0.2°、29.4±0.2°、14.2±0.2°或25.3±0.2°中的6處或7處衍射峰；該晶型B的X-射線粉末衍射圖譜在2θ為15.0±0.2°處具有衍射峰；或者在2θ為23.0±0.2°處具有衍射峰；或者在2θ為23.2±0.2°處具有衍射峰；14.5±0.2°處具有衍射峰；或者在2θ為20.8±0.2°處具有衍射峰；還包含位於2θ為10.5±0.2°、11.8±0.2°、18.3±0.2°、16.7±0.2°、16.3±0.2°、24.2±0.2°、29.1±0.2°中的6處或7處衍射峰；該晶型C的X-射線粉末衍射圖譜在2θ為26.1±0.2°處具有衍射峰；或者在2θ為24.7±0.2°處具有衍射峰；或者在2θ為8.3±0.2°處具有衍射峰；或者在2θ為9.9±0.2°處具有衍射峰；或者在2θ為12.8±0.2°處具有衍射峰；或者在2θ為18.9±0.2°處具有衍射峰；或者在2θ為26.7±0.2°處具有衍射峰；或者在2θ為17.3±0.2°處具有衍射峰；還包含位於2θ為10.4±0.2°、11.0±0.2°、19.2±0.2°、12.1±0.2°、20.0±0.2°、25.5±0.2°或13.7±0.2°中的6處或7處衍射峰。
如請求項1所述的晶型，其中，該化合物為6-(環丙甲醯胺基)-4-((3-(1-環丙基-1H-1,2,4-三唑-3-基)-2-甲氧苯基)氨基)-N-(甲基-d3)噠嗪-3-甲醯胺，該晶型為晶型B，其中：該晶型B的X-射線粉末衍射圖譜在2θ為21.5±0.2°、15.0±0.2°、19.6±0.2°、23.0±0.2°、23.2±0.2°、14.5±0.2°、20.8±0.2°、13.3±0.2°、10.5±0.2°或者11.8±0.2°中任意2-5處具有衍射峰；還包含位於2θ為10.5±0.2°、11.8±0.2°、18.3±0.2°、16.7±0.2°、16.3±0.2°、24.2±0.2°、29.1±0.2°中的6處或7處衍射峰。
一種化合物為6-(環丙甲醯胺基)-4-((3-(1-環丙基-1H-1,2,4-三唑-3-基)-2-甲氧苯基)氨基)-N-(甲基-d3)噠嗪-3-甲醯胺的晶型，該晶型為晶型B，其中：該晶型B的X-射線粉末衍射圖譜在2θ為21.5±0.2°、15.0±0.2°、19.6±0.2°、23.0±0.2°、23.2±0.2°、14.5±0.2°、20.8±0.2°、13.3±0.2°、10.5±0.2°或者11.8±0.2°中任意3-6處具有衍射峰；還包含位於2θ為10.5±0.2°、11.8±0.2°、18.3±0.2°、16.7±0.2°、16.3±0.2°、24.2±0.2°、29.1±0.2°中的6處或7處衍射峰。
如請求項1所述的晶型，其中，該化合物為6-(環丙甲醯胺基)-4-((3-(1-環丙基-1H-1,2,4-三唑-3-基)-2-甲氧苯基)氨基)-N-(甲基-d3)噠嗪-3-甲醯胺，該晶型為晶型B，其中：該晶型B的X-射線粉末衍射圖譜在2θ為21.5±0.2°、15.0±0.2°、19.6±0.2°、23.0±0.2°、23.2±0.2°、14.5±0.2°、20.8±0.2°、13.3±0.2°、10.5±0.2°或者11.8±0.2°中任意5-8處具有衍射峰；還包含位於2θ為10.5±0.2°、11.8±0.2°、18.3±0.2°、16.7±0.2°、16.3±0.2°、24.2±0.2°、29.1±0.2°中的6處或7處衍射峰。
如請求項1所述的晶型，其中，該晶型A的X-射線粉末衍射圖譜包含位於2θ為23.7±0.2°、6.4±0.2°、19.4±0.2°、21.2±0.2°、23.0±0.2°、14.8±0.2°、11.3±0.2°、28.5±0.2、13.0±0.2°、11.8±0.2°、22.7±0.2°或16.3±0.2°中的8處有衍射峰；該晶型B的X-射線粉末衍射圖譜包含位於2θ為21.5±0.2°、15.0±0.2°、19.6±0.2°、23.0±0.2°、23.2±0.2°、14.5±0.2°、20.8±0.2°、13.3±0.2°、10.5±0.2°、11.8±0.2°、18.3±0.2°、16.7±0.2°、16.3±0.2°、24.2±0.2°、29.1±0.2°中的8處有衍射峰；該晶型C的X-射線粉末衍射圖譜包含位於2θ為26.1±0.2°、24.7±0.2°、8.3±0.2°、9.9±0.2°、12.8±0.2°、18.9±0.2°、26.7±0.2°、17.3±0.2、10.4±0.2°、11.0±0.2°、19.2±0.2°或12.1±0.2°中的8處有衍射峰。
如請求項1所述的晶型，其中，該晶型A的X-射線粉末衍射圖譜包含位於2θ為23.7±0.2°、6.4±0.2°、19.4±0.2°、21.2±0.2°、23.0±0.2°、14.8±0.2°、11.3±0.2°、28.5±0.2、13.0±0.2°、11.8±0.2°、22.7±0.2°或16.3±0.2°中的10處有衍射峰；該晶型B的X-射線粉末衍射圖譜包含位於2θ為21.5±0.2°、15.0±0.2°、19.6±0.2°、23.0±0.2°、23.2±0.2°、14.5±0.2°、20.8±0.2°、13.3±0.2°、10.5±0.2°、11.8±0.2°、18.3±0.2°、16.7±0.2°、16.3±0.2°、24.2±0.2°、29.1±0.2°中的10處有衍射峰；該晶型C的X-射線粉末衍射圖譜包含位於2θ為26.1±0.2°、24.7±0.2°、8.3±0.2°、9.9±0.2°、12.8±0.2°、18.9±0.2°、26.7±0.2°、17.3±0.2、10.4±0.2°、11.0±0.2°、19.2±0.2°或12.1±0.2°中的10處有衍射峰。
如請求項1所述的晶型，其中，該晶型A的X-射線粉末衍射圖譜包含位於2θ為23.7±0.2°、6.4±0.2°、19.4±0.2°、21.2±0.2°、23.0±0.2°、14.8±0.2°、11.3±0.2°和13.0±0.2處的衍射峰；或者，23.7±0.2°、6.4±0.2°、19.4±0.2°、21.2±0.2°、23.0±0.2°、14.8±0.2°、11.3±0.2°和11.8±0.2處的衍射峰；該晶型B的X-射線粉末衍射圖譜包含位於2θ為21.5±0.2°、15.0±0.2°、19.6±0.2°、23.0±0.2°、23.2±0.2°、14.5±0.2°、20.8±0.2°和13.3±0.2°處的衍射峰；或者，21.5±0.2°、15.0±0.2°、19.6±0.2°、23.0±0.2°、23.2±0.2°、14.5±0.2°、10.5±0.2°和11.8±0.2°處的衍射峰；或者，21.5±0.2°、15.0±0.2°、19.6±0.2°、23.0±0.2°、20.8±0.2°、13.3±0.2°、10.5±0.2°和11.8±0.2°處的衍射峰；或者，21.5±0.2°、15.0±0.2°、19.6±0.2°、23.0±0.2°、14.5±0.2°、13.3±0.2°、10.5±0.2°和11.8±0.2°處的衍射峰；該晶型C的X-射線粉末衍射圖譜包含位於2θ為26.1±0.2°、24.7±0.2°、8.3±0.2°、9.9±0.2°、12.8±0.2°、18.9±0.2°、26.7±0.2°和10.4±0.2°處的衍射峰；或者，26.1±0.2°、24.7±0.2°、8.3±0.2°、9.9±0.2°、12.8±0.2°、18.9±0.2°、26.7±0.2°和11.0±0.2°處的衍射峰。
如請求項1所述的晶型，其中，該晶型A的X-射線粉末衍射圖譜包含位於2θ為23.7±0.2°、6.4±0.2°、19.4±0.2°、21.2±0.2°、23.0±0.2°、14.8±0.2°、11.3±0.2°、28.5±0.2°、13.0±0.2°和11.8±0.2°處的衍射峰；或者，23.7±0.2°、6.4±0.2°、19.4±0.2°、21.2±0.2°、23.0±0.2°、14.8±0.2°、11.3±0.2°、28.5±0.2°、13.0±0.2°和22.7±0.2°處的衍射峰；該晶型B的X-射線粉末衍射圖譜包含位於2θ為21.5±0.2°、15.0±0.2°、19.6±0.2°、23.0±0.2°、23.2±0.2°、14.5±0.2°、20.8±0.2°、13.3±0.2°、10.5±0.2°和11.8±0.2°處的衍射峰；或者，21.5±0.2°、15.0±0.2°、19.6±0.2°、23.0±0.2°、23.2±0.2°、14.5±0.2°、20.8±0.2°、13.3±0.2°、11.8±0.2°和18.3±0.2°處的衍射峰；或者，21.5±0.2°、15.0±0.2°、19.6±0.2°、23.0±0.2°、23.2±0.2°、14.5±0.2°、20.8±0.2°、10.5±0.2°、18.3±0.2°和16.7±0.2°處的衍射峰；或者，21.5±0.2°、15.0±0.2°、19.6±0.2°、23.0±0.2°、23.2±0.2°、14.5±0.2°、10.5±0.2°、11.8±0.2°、18.3±0.2°和16.7±0.2°處的衍射峰。
如請求項1所述的晶型，其中，該晶型A的X-射線粉末衍射圖譜如圖1所示；該晶型B的X-射線粉末衍射圖譜如圖4所示；該晶型C的X-射線粉末衍射圖譜如圖7所示。
如請求項1所述的晶型，其中，該晶型A具有如圖2所示的DSC圖譜；或者具有如圖3所示的TGA圖譜；該晶型B具有如圖5所示的DSC圖譜；或者具有如圖6所示的TGA圖譜；該晶型C具有如圖8所示的DSC圖譜；或者具有如圖9所示的TGA圖譜。
一種化合物為6-(環丙甲醯胺基)-4-((2-甲氧基-3-(1-(丙-2-炔-1-基)-1H-1,2,4-三唑-3-基)苯基)胺基)-N-(甲基-d3)噠嗪-3-甲醯胺的晶型，該晶型為晶型A、晶型B或晶型C，其中，晶型A的X-射線粉末衍射圖譜在2θ為24.5±0.2°、19.0±0.2°、13.1±0.2°、15.8±0.2°、13.4±0.2°、23.8±0.2°、7.9±0.2°、14.7±0.2°、15.0±0.2°、27.1±0.2°中任意7處具有衍射峰；晶型B的X-射線粉末衍射圖譜在2θ為7.1±0.2°、23.5±0.2°、22.6±0.2°、25.7±0.2°、17.3±0.2°、23.2±0.2°、21.9±0.2°、8.2±0.2°、13.9±0.2°、17.9±0.2°中任意7處具有衍射峰；晶型C的的X-射線粉末衍射圖譜在2θ為24.5±0.2°、13.3±0.2°、15.9±0.2°、14.6±0.2°、19.0±0.2°、7.9±0.2°、15.0±0.2°、20.1±0.2°、13.9±0.2°、13.1±0.2°中任意7處具有衍射峰。
一種化合物為6-(環丙甲醯胺基)-4-((2-甲氧基-3-(1-(丙-2-炔-1-基)-1H-1,2,4-三唑-3-基)苯基)胺基)-N-(甲基-d3)噠嗪-3-甲醯胺的晶型，該晶型為晶型A、晶型B或晶型C，其中，晶型A的X-射線粉末衍射圖譜在2θ為24.5±0.2°、19.0±0.2°、13.1±0.2°、15.8±0.2°、13.4±0.2°、23.8±0.2°、7.9±0.2°、14.7±0.2、15.0±0.2°、27.1±0.2°中任意8處具有衍射峰；晶型B的X-射線粉末衍射圖譜在2θ為7.1±0.2°、23.5±0.2°、22.6±0.2°、25.7±0.2°、17.3±0.2°、23.2±0.2°、21.9±0.2°、8.2±0.2°、13.9±0.2°、17.9±0.2°中任意8處具有衍射峰；晶型C的X-射線粉末衍射圖譜在2θ為24.5±0.2°、13.3±0.2°、15.9±0.2°、14.6±0.2°、19.0±0.2°、7.9±0.2°、15.0±0.2°、20.1±0.2、13.9±0.2°、13.1±0.2°中任意8處具有衍射峰。
如請求項16所述的晶型，其中，該晶型A的X-射線粉末衍射圖譜包含位於2θ為24.5±0.2°、19.0±0.2°、13.1±0.2°、15.8±0.2°、13.4±0.2°、23.8±0.2°、7.9±0.2°和14.7±0.2處的衍射峰；該晶型B的X-射線粉末衍射圖譜包含位於2θ為7.1±0.2°、23.5±0.2°、22.6±0.2°、25.7±0.2°、17.3±0.2°、23.2±0.2°、21.9±0.2°和8.2±0.2處的衍射峰；該晶型C的X-射線粉末衍射圖譜包含位於2θ為24.5±0.2°、13.3±0.2°、15.9±0.2°、14.6±0.2°、19.0±0.2°、7.9±0.2°、15.0±0.2和20.1±0.2°處的衍射峰。
如請求項15或16中任一項所述的晶型，其中，該晶型A的X-射線粉末衍射圖譜在2θ為24.5±0.2°處具有衍射峰；或者在2θ為19.0±0.2°處具有衍射峰；或者在2θ為13.1±0.2°處具有衍射峰；或者在2θ為15.8±0.2°處具有衍射峰；或者在2θ為13.4±0.2°處具有衍射峰；或者在2θ為23.8±0.2°處具有衍射峰；或者在2θ為7.9±0.2°處具有衍射峰；或者在2θ為14.7±0.2°處具有衍射峰；或者在2θ為15.0±0.2°處具有衍射峰；還包含位於2θ為14.5±0.2°、27.1±0.2°、14.0±0.2°、20.1±0.2°、22.3±0.2°、28.2±0.2°或18.4±0.2°中的6處或7處衍射峰；該晶型B的X-射線粉末衍射圖譜在2θ為7.1±0.2°處具有衍射峰；或者在23.5±0.2°處具有衍射峰；或者在22.6±0.2°處具有衍射峰；或者在25.7±0.2°處具有衍射峰；或者在17.3±0.2°處具有衍射峰；或者在23.2±0.2°處具有衍射峰；或者在21.9±0.2°處具有衍射峰；或者在8.2±0.2°處具有衍射峰；還包含位於2θ為13.9±0.2°、17.9±0.2°、25.3±0.2°、5.4±0.2°、8.6±0.2°、14.3±0.2°或27.5±0.2°中的6處或7處衍射峰；該晶型C的X-射線粉末衍射圖譜在2θ為24.5±0.2°處具有衍射峰；或者在13.3±0.2°處具有衍射峰；或者在15.9±0.2°處具有衍射峰；或者在14.6±0.2°處具有衍射峰；或者在19.0±0.2°處具有衍射峰；或者在7.9±0.2°處具有衍射峰；或者在15.0±0.2°處具有衍射峰；或者在20.1±0.2°處具有衍射還包含位於2θ為13.9±0.2°、13.1±0.2°、23.8±0.2°、27.0±0.2°、22.3±0.2°、18.4±0.2°或29.9±0.2°中的6處或7處衍射峰。
如請求項15或16所述的晶型，其中，該晶型A的X-射線粉末衍射圖譜包含位於2<i>θ</i>為24.5±0.2°、19.0±0.2°、13.1±0.2°、15.8±0.2°、13.4±0.2°、23.8±0.2°、7.9±0.2°、14.7±0.2、15.0±0.2°、27.1±0.2°、14.0±0.2°或20.1±0.2°中的8處或10處有衍射峰；該晶型B的X-射線粉末衍射圖譜包含位於2θ為7.1±0.2°、23.5±0.2°、22.6±0.2°、25.7±0.2°、17.3±0.2°、23.2±0.2°、21.9±0.2°、8.2±0.2、13.9±0.2°、17.9±0.2°、25.3±0.2°或5.4±0.2°中的8處或10處有衍射峰；該晶型C的X-射線粉末衍射圖譜包含位於2θ為24.5±0.2°、13.3±0.2°、15.9±0.2°、14.6±0.2°、19.0±0.2°、7.9±0.2°、15.0±0.2°、20.1±0.2°、13.9±0.2°、13.1±0.2°、23.8±0.2°或27.0±0.2°中的8處或10處有衍射峰。
如請求項15或16所述的晶型，其中，該晶型A的X-射線粉末衍射圖譜包含位於2θ為24.5±0.2°、19.0±0.2°、13.1±0.2°、15.8±0.2°、13.4±0.2°、23.8±0.2°和15.0±0.2°處的衍射峰；該晶型B的X-射線粉末衍射圖譜包含位於2θ為7.1±0.2°、23.5±0.2°、22.6±0.2°、25.7±0.2°、17.3±0.2°、23.2±0.2°和13.9±0.2°處的衍射峰；該晶型C的X-射線粉末衍射圖譜包含位於2θ為24.5±0.2°、13.3±0.2°、15.9±0.2°、14.6±0.2°、19.0±0.2°、7.9±0.2°和13.9±0.2°處的衍射峰。
如請求項15或16所述的晶型，其中，該晶型A的X-射線粉末衍射圖譜包含位於2θ為24.5±0.2°、19.0±0.2°、13.1±0.2°、15.8±0.2°、13.4±0.2°、23.8±0.2°、7.9±0.2°、14.7±0.2和15.0±0.2°處的衍射峰；該晶型B的X-射線粉末衍射圖譜包含位於2θ為7.1±0.2°、23.5±0.2°、22.6±0.2°、25.7±0.2°、17.3±0.2°、23.2±0.2°、21.9±0.2°、8.2±0.2和13.9±0.2°處的衍射峰；該晶型C的X-射線粉末衍射圖譜包含位於2θ為24.5±0.2°、13.3±0.2°、15.9±0.2°、14.6±0.2°、19.0±0.2°、7.9±0.2°、15.0±0.2、20.1±0.2°和13.9±0.2°處的衍射峰。
如請求項1或15所述的晶型，其中，該化合物為6-(環丙甲醯胺基)-4-((3-(1-環丙基-1H-1,2,4-三唑-3-基)-2-甲氧苯基)胺基)-N-(甲基-d<sub>3</sub>)噠嗪-3-甲醯胺，該晶型為晶型A、晶型B、晶型C，其中，該晶型A的X-射線粉末衍射圖譜基本如圖1所示；該晶型B的X-射線粉末衍射圖譜基本如圖4所示；該晶型C的X-射線粉末衍射圖譜基本如圖7所示；或者，該化合物為6-(環丙甲醯胺基)-4-((2-甲氧基-3-(1-(丙-2-炔-1-基)-1H-1,2,4-三唑-3-基)苯基)胺基)-N-(甲基-d3)噠嗪-3-甲醯胺，該晶型為晶型A、晶型B或晶型C，其中，該晶型A的X-射線粉末衍射圖譜基本如圖10所示；該晶型B的X-射線粉末衍射圖譜基本如圖13所示；該晶型C的X-射線粉末衍射圖譜基本如圖16所示。
如請求項1或15所述的晶型，其中，該晶型為不含溶劑的晶型。
一種製備如請求項1至23中任一項所述的晶型的方法，具體包括如下步驟：a)稱取適量的游離鹼，用不良溶劑混懸；b)以上所得混懸液在一定溫度下振搖或打漿一定時間；c)任選進一步將以上混懸液離心，去除上清液，乾燥得到目標產物；該不良溶劑選自88%丙酮、異丙醇、甲苯、四氫呋喃、2-甲基四氫呋喃、丙酮、乙酸乙酯、正己烷、正庚烷、乙腈、乙醇、二氯甲烷、1,4-二噁烷、苯、甲苯、正丁醇、異丁醇、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、正丙醇、第三丁醇、2-丁酮或3-戊酮中的一種或多種；或者，具體包括如下步驟：a)稱取適量地游離鹼，用良溶劑溶解，任選還包括加熱步驟，b)向步驟a)所得溶液中滴加反溶劑，自然冷卻或攪拌至固體析出，得到混懸液，c)任選進一步將步驟b)所得混懸液離心，去除上清液，乾燥得到目標產物；該良溶劑選自甲醇、丙酮、乙酸乙酯、乙腈、乙醇、88%丙酮、四氫呋喃、2-甲基-四氫呋喃、二氯甲烷、1,4-二噁烷、苯、甲苯、異丙醇、正丁醇、異丁醇、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯烷酮、正丙醇、第三丁醇、2-丁酮或3-戊酮中的一種或多種；該反溶劑選自庚烷、異丙醚、乙酸乙酯、乙腈、乙醇、甲苯、異丙醇、醋酸異丙酯、水、甲基第三丁基醚或環己烷中的一種或多種。
一種如請求項24所述的方法，其中，該步驟a)中，懸浮密度為50~200mg/mL；該步驟b)中，溫度為0~50℃，時間為1-5天；該步驟c)中，乾燥為放入40℃真空乾燥箱中烘乾至恆重；該不良溶劑選自3-戊酮、乙腈、二氯甲烷或1,4-二氧六環中的一種或多種；該良溶劑選自N-甲基吡咯烷酮、N，N-二甲基甲醯胺或乙腈中的一種或多種；或，所述良溶劑為二甲基亞碸；該反溶劑選自異丙醚、正庚烷或水中的一種或多種。
一種醫藥組成物，其含有治療有效量的如請求項1至23中任一項所述的晶型，以及一種或多種藥學上可接受的載體或賦形劑。
一種如請求項1至23中任一項所述的晶型以及如請求項26所述的醫藥組成物在製備TYK2抑制劑藥物中的應用。
一種如請求項1至23中任一項所述的晶型以及如請求項26所述的醫藥組成物在製備治療炎性疾病和自身免疫疾病藥物中的應用；其中該炎性疾病和自身免疫疾病選自類風濕性關節炎、皮炎、銀屑病或炎症性腸病。
一種線性致動器，包括：一質量塊，可移動地安裝在一線性位移路徑中，該質量塊具有一磁性段總成，該磁性段總成具有一或多個磁性段，該一或多個磁性段沿著該線性位移路徑彼此縱向地分開；一驅動力產生器，經組配來選擇性地在該線性位移路徑的定向上將加速度施加至該質量塊；及一反作用力路徑，當該質量塊自一靜止位置位移時產生一返回力，該返回力處於該線性位移路徑的定向上且朝向該靜止位置，該返回力的振幅根據一力回應曲線隨該質量塊在該線性位移路徑中的位置而變化，該反作用力路徑包含一永磁力元件，該永磁力元件與該線性位移路徑橫向相鄰地安置且與該磁性段總成磁耦合，該永磁力元件在該質量塊處於該靜止位置時係與該磁性段總成縱向相鄰，該永磁力元件具有平行於該線性位移路徑定向的一永磁場，該永磁力元件之該永磁場與該磁性段總成之該一或多個磁性段中的比較靠近的一個磁性段之永磁場指向同一方向，該磁性段總成具有一第一磁性段及一第二磁性段，該第二磁性段藉由一鐵磁材料間隔件與該第一磁性段縱向分開，該第一磁性段及該第二磁性段具有平行於該線性位移路徑定向且彼此相反地指向的數個對應永磁場。
如請求項1之線性致動器，其中該驅動力產生器為與該線性位移路徑橫向相鄰地安置的一電磁體。
如請求項2之線性致動器，其中該磁性段總成具有一第一磁性段及藉由一鐵磁材料間隔件與該第一磁性段縱向分開的一第二磁性段，該第一磁性段及該第二磁性段具有平行於該線性位移路徑定向且彼此相反地指向的數個對應永磁場；其中當該質量塊處於該靜止位置時，該電磁體與該間隔件橫向對準。
一種線性致動器，包括：一質量塊，可移動地安裝在一線性位移路徑中，該質量塊具有一磁性段總成，該磁性段總成具有一或多個磁性段，該一或多個磁性段沿著該線性位移路徑彼此縱向地分開；一驅動力產生器，經組配來選擇性地在該線性位移路徑的定向上將加速度施加至該質量塊；及一反作用力路徑，當該質量塊自一靜止位置位移時產生一返回力，該返回力處於該線性位移路徑的定向上且朝向該靜止位置，該返回力的振幅根據一力回應曲線隨該質量塊在該線性位移路徑中的位置而變化，該反作用力路徑包含一第一永磁力元件，該第一永磁力元件與該線性位移路徑橫向相鄰地安置且與該磁性段總成磁耦合，該第一永磁力元件在該質量塊處於該靜止位置時係與該磁性段總成縱向相鄰，該第一永磁力元件具有平行於該線性位移路徑定向的一永磁場，該第一永磁力元件之該永磁場與該磁性段總成之該一或多個磁性段中的比較靠近的一個磁性段之永磁場指向同一方向，且包括一第二永磁力元件，該第二永磁力元件具有平行於該線性位移路徑定向的一第二永磁場，當該質量塊處於該靜止位置時，該第二永磁力元件與該磁性段總成縱向相鄰，且該第二永磁力元件的該永磁場與該磁性段總成之該一或多個磁性段中的比較靠近的一個磁性段的永磁場指向同一方向。
一種線性致動器，包括：一質量塊，可移動地安裝在一線性位移路徑中，該質量塊具有一磁性段總成，該磁性段總成具有一或多個磁性段，該一或多個磁性段沿著該線性位移路徑彼此縱向地分開；一驅動力產生器，經組配來選擇性地在該線性位移路徑的定向上將加速度施加至該質量塊；及一反作用力路徑，當該質量塊自一靜止位置位移時產生一返回力，該返回力處於該線性位移路徑的定向上且朝向該靜止位置，該返回力的振幅根據一力回應曲線隨該質量塊在該線性位移路徑中的位置而變化，該反作用力路徑包含一永磁力元件，該永磁力元件與該線性位移路徑橫向相鄰地安置且與該磁性段總成磁耦合，該永磁力元件在該質量塊處於該靜止位置時係與該磁性段總成縱向相鄰，該永磁力元件具有平行於該線性位移路徑定向的一永磁場，該永磁力元件之該永磁場與該磁性段總成之該一或多個磁性段中的比較靠近的一個磁性段之永磁場指向同一方向，其中該永磁力元件為一第一永磁力元件，進一步包括一第二永磁力元件，每一永磁力元件具有平行於該線性位移路徑定向的一永磁場，當該質量塊處於該靜止位置時，該第一永磁力元件與該磁性段總成縱向相鄰，且該第一永磁力元件的該永磁場與該磁性段總成之該一或多個磁性段中的比較靠近的一個磁性段的永磁場指向同一方向，當該質量塊處於該靜止位置時，該第二永磁力元件與該磁性段總成橫向對準，且該第二永磁力元件的該永磁場與該磁性段總成的該永磁場指向相反方向。
如請求項5之線性致動器，其中該力回應曲線具有與該線性位移路徑的數個相對端相關聯的數個增加返回力的區域及位於該等增加返回力的區域之間的一平台區。
如請求項5之線性致動器，其中該驅動力產生器為與該線性位移路徑橫向相鄰地安置的一電磁體，其中該磁性段總成具有一第一磁性段及藉由一鐵磁材料間隔件與該第一磁性段縱向分開的一第二磁性段，該第一磁性段及該第二磁性段具有數個對應永磁場，該等對應永磁場平行於該線性位移路徑定向且彼此相對地指向；其中該驅動力產生器為與該線性位移路徑橫向相鄰地安置的一電磁體；且其中當該質量塊處於該靜止位置時，該電磁體與該間隔件橫向對準。
一種醫藥組合物，其包含： <br/>60至80% w/w之活性醫藥成份； <br/>10至30% w/w之水不溶性材料，其包圍該活性醫藥成份以在該活性醫藥成份上形成第一塗層，其中該水不溶性材料包含蠟； <br/>0.5至3% w/w之二氧化矽，其包圍在該活性醫藥成份上之該第一塗層，以在該活性醫藥成份之該第一塗層上形成第二塗層，其中相較於沒有二氧化矽之活性醫藥成份，該二氧化矽對於該活性醫藥成份提供較慢溶離曲線； <br/>3至7% w/w基質形成劑，其包含明膠、水解葡聚醣、糊精、海藻酸鹽、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯啶酮、阿拉伯樹膠，或其組合；及 <br/>2至6% w/w結構形成劑，其包含甘露醇、葡萄糖、乳糖、半乳糖、甘胺酸、環糊精，或其組合。
如請求項1之醫藥組合物，其中該基質形成劑包含明膠。
如請求項1之醫藥組合物，其中該結構形成劑包含甘露醇。
如請求項1之醫藥組合物，其進一步包含0.1至1% w/w黏度調節劑。
如請求項4之醫藥組合物，其中該黏度調節劑包含黃原膠。
如請求項1之醫藥組合物，其進一步包含0.1至2% w/w甜味劑。
如請求項6之醫藥組合物，其中該甜味劑係蔗糖素。
如請求項1之醫藥組合物，其進一步包含0.5至3% w/w矯味劑及/或防曝氣劑。
如請求項8之醫藥組合物，其中該矯味劑及/或防曝氣劑包含萜烯及/或萜品醇。
如請求項1之醫藥組合物，其中該醫藥組合物具有在15分鐘後小於或等於70%之中等體積60分鐘溶離測試結果。
一種製備經塗覆之活性醫藥成份之方法，其包括： <br/>篩選活性醫藥成份原料； <br/>將經篩選之活性醫藥成份原料及水不溶性材料混合於容器中，其中該水不溶性材料包含蠟； <br/>對該容器施加機械能並將該容器加熱至大於或等於50℃之溫度；及 <br/>將二氧化矽添加至該容器，同時繼續施加該機械能並維持該容器之該溫度以形成包含至少一個塗層之經塗覆之活性醫藥成份，該塗層包含水不溶性材料及二氧化矽，其中該經塗覆之活性醫藥成份包含40至85% w/w之活性醫藥成份；10至60% w/w之水不溶性材料，其包圍該活性醫藥成份，以在該活性醫藥成份上形成第一塗層；及0.5至5% w/w之二氧化矽，其包圍該活性醫藥成份之該第一塗層，以在該活性醫藥成份之該第一塗層上形成第二塗層，其中相較於沒有二氧化矽之活性醫藥成份，該二氧化矽對於該活性醫藥成份提供較慢溶離曲線。
如請求項11之方法，其中篩選該活性醫藥成份原料包括將該活性醫藥成份原料篩選至75至250微米之平均粒度。
如請求項11至12中任一項之方法，其進一步包括篩選該經塗覆之活性醫藥成份至75至250微米之平均粒度。
如請求項11至12中任一項之方法，其中該至少一個塗層對該包含至少一個塗層之活性醫藥成份之該活性醫藥成份之比率係15至40:60至85。
如請求項11至12中任一項之方法，其進一步包含： <br/>形成包含以下之醫藥懸浮液： <br/>30至50% w/w該經塗覆之活性醫藥成份，其包含至少一個塗層，該至少一個塗層包含水不溶性材料及二氧化矽； <br/>1至5% w/w基質形成劑，其包含明膠、水解葡聚醣、糊精、海藻酸鹽、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯啶酮、阿拉伯樹膠，或其組合； <br/>1至3% w/w結構形成劑，其包含甘露醇、葡萄糖、乳糖、半乳糖、甘胺酸、環糊精，或其組合；及 <br/>溶劑； <br/>將該醫藥懸浮液給藥至模具內；及 <br/>凍乾該模具中經給藥之醫藥懸浮液以形成該醫藥組合物。
一種製備醫藥組合物之方法，其包括： <br/>形成包含以下之醫藥懸浮液： <br/>30至50% w/w包含至少一個塗層之活性醫藥成份，其中該至少一個塗層包含水不溶性材料及二氧化矽，其中該水不溶性材料包含蠟； <br/>1至5% w/w基質形成劑，其包含明膠、水解葡聚醣、糊精、海藻酸鹽、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯啶酮、阿拉伯樹膠，或其組合； <br/>1至3% w/w結構形成劑，其包含甘露醇、葡萄糖、乳糖、半乳糖、甘胺酸、環糊精，或其組合；及 <br/>溶劑； <br/>將該醫藥懸浮液給藥至模具內；及 <br/>凍乾該模具中經給藥之醫藥懸浮液以形成該醫藥組合物，其中該醫藥組合物包含60至85% w/w之活性醫藥成份；10至30% w/w之水不溶性材料，其包圍該活性醫藥成份以在該活性醫藥成份上形成第一塗層；0.5至3% w/w之二氧化矽，其包圍該活性醫藥成份之該第一塗層，以在該活性醫藥成份之該第一塗層上形成第二塗層，其中相較於沒有二氧化矽之活性醫藥成份，該二氧化矽對於該活性醫藥成份提供較慢溶離曲線。
如請求項16之方法，其中該基質形成劑包含明膠。
如請求項16之方法，其中該結構形成劑包含甘露醇。
如請求項16之方法，其進一步包括0.01至0.1% w/w黏度調節劑。
如請求項19之方法，其中該黏度調節劑包含黃原膠。
如請求項16之方法，其進一步包括0.1至1% w/w甜味劑。
如請求項21之方法，其中該甜味劑係蔗糖素。
如請求項16之方法，其進一步包括0.1至1% w/w矯味劑及/或防曝氣劑。
如請求項23之方法，其中該矯味劑及/或防曝氣劑包含萜烯及/或萜品醇。
一種用於操作全球導航衛星系統（GNSS）接收機的方法，所述方法包括： <br/>針對第一GNSS頻帶在第一狀態中操作所述GNSS接收機； <br/>在所述GNSS接收機處接收第一組GNSS訊號，所述第一組GNSS訊號包括第一至少一個GNSS訊號，所述第一至少一個GNSS訊號是當所述GNSS接收機針對所述第一GNSS頻帶在所述第一狀態中操作時經由所述第一GNSS頻帶接收的； <br/>至少部分基於所述第一至少一個GNSS訊號來確定第一位置估計； <br/>確定在所述第一GNSS頻帶中可能正在發生仿冒； <br/>響應於確定可能正在發生仿冒，針對所述第一GNSS頻帶在第二狀態中操作所述GNSS接收機； <br/>在所述GNSS接收機處接收第二組GNSS訊號，所述第二組GNSS訊號包括第二至少一個GNSS訊號，所述第二至少一個GNSS訊號是當所述GNSS接收機針對所述第一GNSS頻帶在所述第二狀態中操作時經由所述第一GNSS頻帶接收的； <br/>至少部分基於所述第二組GNSS訊號來確定第二位置估計，其中： <br/>確定所述第二位置估計是至少部分基於第三至少一個GNSS訊號的，所述第三至少一個GNSS訊號是當所述GNSS接收機針對所述第一GNSS頻帶在所述第二狀態中操作時經由第二GNSS頻帶接收的，以及 <br/>確定所述第二位置估計不是基於當所述GNSS接收機針對所述第一GNSS頻帶在所述第二狀態中操作時經由所述第一GNSS頻帶接收的任何GNSS訊號； <br/>確定在所述第一GNSS頻帶中可能不再發生仿冒；以及 <br/>響應於確定可能不再發生所述仿冒，針對所述第一GNSS頻帶在所述第一狀態中操作所述GNSS接收機。
根據請求項1所述的方法，其中，針對所述第一GNSS頻帶在所述第二狀態中操作所述GNSS接收機包括：禁用對所述第二至少一個GNSS訊號的資料解調和解碼。
根據請求項2所述的方法，其中，禁用資料解調和解碼包括：關閉或降低所述GNSS接收機的數位處理器的時脈速率。
根據請求項1所述的方法，其中，針對所述第一GNSS頻帶在所述第二狀態中操作所述GNSS接收機包括：忽略從所述第二至少一個GNSS訊號解碼的時間資料。
根據請求項1所述的方法，其中，針對所述第一GNSS頻帶在所述第二狀態中操作所述GNSS接收機包括：禁用由所述GNSS接收機執行的用以從未知或不可見的GNSS衛星獲取訊號的衛星檢測操作。
根據請求項1所述的方法，其中，針對所述第一GNSS頻帶在所述第二狀態中操作所述GNSS接收機包括：禁用由所述GNSS接收機使用所述第二至少一個GNSS訊號執行的衛星差分操作。
根據請求項1所述的方法，其中，針對所述第一GNSS頻帶在所述第二狀態中操作所述GNSS接收機包括：禁用由所述GNSS接收機執行的錯誤恢復操作。
根據請求項1所述的方法，其中，針對所述第一GNSS頻帶在所述第二狀態中操作所述GNSS接收機包括：禁用由所述GNSS接收機使用所述第二至少一個GNSS訊號執行的訊號間時間偏差（ISTB）操作。
根據請求項1所述的方法，其中，針對所述第一GNSS頻帶在所述第二狀態中操作所述GNSS接收機包括：減少由所述GNSS接收機用於檢測所述第二至少一個GNSS訊號的非相干積分時間。
根據請求項9所述的方法，其中，減少由所述GNSS接收機使用的所述非相干積分時間包括：對用於處理所述第二至少一個GNSS訊號的一個或多個組件的供電進行工作循環。
根據請求項1所述的方法，還包括： <br/>在可能正在發生仿冒的時間段內，在第一預定時間段內針對所述第一GNSS頻帶在所述第二狀態中操作所述GNSS接收機與在第二預定時間段內針對所述第一GNSS頻帶在所述第一狀態中操作所述GNSS接收機之間進行循環。
一種用於操作全球導航衛星系統（GNSS）接收機的設備，所述設備包括： <br/>所述GNSS接收機； <br/>記憶體；以及 <br/>一個或多個處理器，其與所述GNSS接收機和所述記憶體通訊地耦接，其中，所述一個或多個處理器被配置為： <br/>針對第一GNSS頻帶在第一狀態中操作所述GNSS接收機； <br/>經由所述GNSS接收機接收第一組GNSS訊號，所述第一組GNSS訊號包括第一至少一個GNSS訊號，所述第一至少一個GNSS訊號是當所述GNSS接收機針對所述第一GNSS頻帶在所述第一狀態中操作時經由所述第一GNSS頻帶接收的； <br/>至少部分基於所述第一至少一個GNSS訊號來確定第一位置估計； <br/>確定在所述第一GNSS頻帶中可能正在發生仿冒； <br/>響應於確定可能正在發生仿冒，針對所述第一GNSS頻帶在第二狀態中操作所述GNSS接收機； <br/>在所述GNSS接收機處接收第二組GNSS訊號，所述第二組GNSS訊號包括第二至少一個GNSS訊號，所述第二至少一個GNSS訊號是當所述GNSS接收機針對所述第一GNSS頻帶在所述第二狀態中操作時經由所述第一GNSS頻帶接收的； <br/>至少部分基於所述第二組GNSS訊號來確定第二位置估計，其中： <br/>確定所述第二位置估計是至少部分基於第三至少一個GNSS訊號的，所述第三至少一個GNSS訊號是當所述GNSS接收機針對所述第一GNSS頻帶在所述第二狀態中操作時經由第二GNSS頻帶接收的，以及 <br/>確定所述第二位置估計不是基於當所述GNSS接收機針對所述第一GNSS頻帶在所述第二狀態中操作時經由所述第一GNSS頻帶接收的任何GNSS訊號； <br/>確定在所述第一GNSS頻帶中可能不再發生仿冒；以及 <br/>響應於確定可能不再發生所述仿冒，針對所述第一GNSS頻帶在所述第一狀態中操作所述GNSS接收機。
根據請求項12所述的設備，其中，為了針對所述第一GNSS頻帶在所述第二狀態中操作所述GNSS接收機，所述一個或多個處理器被配置為：禁用對所述第二至少一個GNSS訊號的資料解調和解碼。
根據請求項13所述的設備，其中，為了禁用資料解調和解碼，所述一個或多個處理器被配置為：關閉或降低所述GNSS接收機的數位處理器的時脈速率。
根據請求項12所述的設備，其中，為了針對所述第一GNSS頻帶在所述第二狀態中操作所述GNSS接收機，所述一個或多個處理器被配置為：忽略從所述第二至少一個GNSS訊號解碼的時間資料。
根據請求項12所述的設備，其中，為了針對所述第一GNSS頻帶在所述第二狀態中操作所述GNSS接收機，所述一個或多個處理器被配置為：禁用由所述GNSS接收機執行的用以從未知或不可見的GNSS衛星獲取訊號的衛星檢測操作。
根據請求項12所述的設備，其中，為了針對所述第一GNSS頻帶在所述第二狀態中操作所述GNSS接收機，所述一個或多個處理器被配置為：禁用由所述GNSS接收機使用所述第二至少一個GNSS訊號執行的衛星差分操作。
根據請求項12所述的設備，其中，為了針對所述第一GNSS頻帶在所述第二狀態中操作所述GNSS接收機，所述一個或多個處理器被配置為：禁用由所述GNSS接收機執行的錯誤恢復操作。
根據請求項12所述的設備，其中，為了針對所述第一GNSS頻帶在所述第二狀態中操作所述GNSS接收機，所述一個或多個處理器被配置為：禁用由所述GNSS接收機使用所述第二至少一個GNSS訊號執行的訊號間時間偏差（ISTB）操作。
根據請求項12所述的設備，其中，為了針對所述第一GNSS頻帶在所述第二狀態中操作所述GNSS接收機，所述一個或多個處理器被配置為：減少由所述GNSS接收機用於檢測所述第二至少一個GNSS訊號的非相干積分時間。
根據請求項20所述的設備，其中，為了減少由所述GNSS接收機使用的所述非相干積分時間，所述一個或多個處理器被配置為：對用於處理所述第二至少一個GNSS訊號的一個或多個組件的供電進行工作循環。
根據請求項12所述的設備，其中，所述一個或多個處理器還被配置為：在可能正在發生仿冒的時間段內，在第一預定時間段內針對所述第一GNSS頻帶在所述第二狀態中操作所述GNSS接收機與在第二預定時間段內針對所述第一GNSS頻帶在所述第一狀態中操作所述GNSS接收機之間進行循環。
一種用於操作全球導航衛星系統（GNSS）接收機的裝置，所述裝置包括： <br/>用於針對第一GNSS頻帶在第一狀態中操作所述GNSS接收機的單元； <br/>用於在所述GNSS接收機處接收第一組GNSS訊號的單元，所述第一組GNSS訊號包括第一至少一個GNSS訊號，所述第一至少一個GNSS訊號是當所述GNSS接收機針對所述第一GNSS頻帶在所述第一狀態中操作時經由所述第一GNSS頻帶接收的； <br/>用於至少部分基於所述第一至少一個GNSS訊號來確定第一位置估計的單元； <br/>用於確定在所述第一GNSS頻帶中可能正在發生仿冒的單元； <br/>用於響應於確定可能正在發生仿冒，針對所述第一GNSS頻帶在第二狀態中操作所述GNSS接收機的單元； <br/>用於在所述GNSS接收機處接收第二組GNSS訊號的單元，所述第二組GNSS訊號包括第二至少一個GNSS訊號，所述第二至少一個GNSS訊號是當所述GNSS接收機針對所述第一GNSS頻帶在所述第二狀態中操作時經由所述第一GNSS頻帶接收的； <br/>用於至少部分基於所述第二組GNSS訊號來確定第二位置估計的單元，其中： <br/>確定所述第二位置估計是至少部分基於第三至少一個GNSS訊號的，所述第三至少一個GNSS訊號是當所述GNSS接收機針對所述第一GNSS頻帶在所述第二狀態中操作時經由第二GNSS頻帶接收的，以及 <br/>確定所述第二位置估計不是基於當所述GNSS接收機針對所述第一GNSS頻帶在所述第二狀態中操作時經由所述第一GNSS頻帶接收的任何GNSS訊號；以及 <br/>其中，所述用於針對所述第一GNSS頻帶在所述第二狀態中操作所述GNSS接收機的單元包括：用於禁用對所述第二至少一個GNSS訊號的資料解調和解碼的單元。
一種非暫時性計算機可讀媒體，儲存有用於操作全球導航衛星系統（GNSS）接收機的指令，所述指令包括用於以下操作的程式碼： <br/>針對第一GNSS頻帶在第一狀態中操作所述GNSS接收機； <br/>在所述GNSS接收機處接收第一組GNSS訊號，所述第一組GNSS訊號包括第一至少一個GNSS訊號，所述第一至少一個GNSS訊號是當所述GNSS接收機針對所述第一GNSS頻帶在所述第一狀態中操作時經由所述第一GNSS頻帶接收的； <br/>至少部分基於所述第一至少一個GNSS訊號來確定第一位置估計； <br/>確定在所述第一GNSS頻帶中可能正在發生仿冒； <br/>響應於確定可能正在發生仿冒，針對所述第一GNSS頻帶在第二狀態中操作所述GNSS接收機； <br/>在所述GNSS接收機處接收第二組GNSS訊號，所述第二組GNSS訊號包括第二至少一個GNSS訊號，所述第二至少一個GNSS訊號是當所述GNSS接收機針對所述第一GNSS頻帶在所述第二狀態中操作時經由所述第一GNSS頻帶接收的； <br/>至少部分基於所述第二組GNSS訊號來確定第二位置估計，其中： <br/>確定所述第二位置估計是至少部分基於第三至少一個GNSS訊號的，所述第三至少一個GNSS訊號是當所述GNSS接收機針對所述第一GNSS頻帶在所述第二狀態中操作時經由第二GNSS頻帶接收的，以及 <br/>確定所述第二位置估計不是基於當所述GNSS接收機針對所述第一GNSS頻帶在所述第二狀態中操作時經由所述第一GNSS頻帶接收的任何GNSS訊號； <br/>確定在所述第一GNSS頻帶中可能不再發生仿冒；以及 <br/>響應於確定可能不再發生所述仿冒，針對所述第一GNSS頻帶在所述第一狀態中操作所述GNSS接收機。
一種放射線圖像處理方法，其包含如下之步驟：使用向對象物照射放射線、拍攝穿透前述對象物之放射線並取得放射線圖像之系統，取得治具之放射線圖像； <br/>特定前述治具之放射線圖像之圖像特性； <br/>基於前述圖像特性，自預先使用圖像資料藉由機器學習分別構建之複數個學習完成模型之中，選擇學習完成模型； <br/>使用前述系統，取得前述對象物之放射線圖像；及 <br/>使用所選擇之前述學習完成模型，執行自前述對象物之放射線圖像去除雜訊之圖像處理；且 <br/>前述治具係：厚度及材質為已知，且X射線之平均能量與X射線穿透率之關係為已知之平板狀構件，或者具有以各種解析度拍攝之圖表之物， <br/>前述複數個學習完成模型係：以作為示教資料使用以平均能量不同之穿透X射線為對象而獲得之圖像資料且雜訊分佈為已知之圖像資料，且使執行自該圖像資料去除雜訊之雜訊去除處理之方式而預先構建者。
如請求項1之放射線圖像處理方法，其中在前述選擇之步驟中，藉由比較前述圖像特性與根據前述圖像資料而特定之圖像特性，來選擇前述學習完成模型。
如請求項1之放射線圖像處理方法，其中於前述特定之步驟中，特定對前述治具之放射線圖像應用前述複數個學習完成模型之結果而獲得之複數個圖像之圖像特性， <br/>於前述選擇之步驟中，基於前述複數個圖像之圖像特性，選擇前述學習完成模型。
如請求項2之放射線圖像處理方法，其中前述圖像特性係能量特性、雜訊特性、及頻率特性中之至少1者， <br/>於前述選擇之步驟中，選擇藉由前述圖像特性類似之圖像資料而構建之前述學習完成模型。
如請求項3之放射線圖像處理方法，其中前述圖像特性係解析度特性或亮度-雜訊比， <br/>於前述選擇之步驟中，選擇用於解析度特性或亮度-雜訊比相對優異之圖像之產生之前述學習完成模型。
如請求項1至5中任一項之放射線圖像處理方法，其中前述機器學習係深度學習。
一種學習完成模型，其使用於請求項1至6中任一項之放射線圖像處理方法，且 <br/>使處理器執行自前述對象物之放射線圖像去除雜訊之圖像處理。
一種放射線圖像處理模組，其包含：取得部，其使用向對象物照射放射線、拍攝穿透前述對象物之放射線並取得放射線圖像之系統，取得治具及對象物之放射線圖像； <br/>特定部，其特定前述治具之放射線圖像之圖像特性； <br/>選擇部，其基於前述圖像特性，自預先使用圖像資料藉由機器學習分別構建之複數個學習完成模型之中，選擇學習完成模型；及 <br/>處理部，其使用所選擇之前述學習完成模型，執行自前述對象物之放射線圖像去除雜訊之圖像處理；且 <br/>前述治具係：厚度及材質為已知，且X射線之平均能量與X射線穿透率之關係為已知之平板狀構件，或者具有以各種解析度拍攝之圖表之物， <br/>前述複數個學習完成模型係：以作為示教資料使用以平均能量不同之穿透X射線為對象而獲得之圖像資料且雜訊分佈為已知之圖像資料，且使執行自該圖像資料去除雜訊之雜訊去除處理之方式而預先構建者。
如請求項8之放射線圖像處理模組，其中前述選擇部藉由比較前述圖像特性與根據前述圖像資料而特定之圖像特性，來選擇前述學習完成模型。
如請求項8之放射線圖像處理模組，其中前述特定部特定對前述治具之放射線圖像應用前述複數個學習完成模型之結果而獲得之複數個圖像之圖像特性， <br/>前述選擇部基於前述複數個圖像之圖像特性，選擇前述學習完成模型。
如請求項9之放射線圖像處理模組，其中前述圖像特性係能量特性、雜訊特性、及頻率特性中之至少1者， <br/>前述選擇部選擇藉由前述圖像特性類似之圖像資料而構建之前述學習完成模型。
如請求項10之放射線圖像處理模組，其中前述圖像特性係解析度特性或亮度-雜訊比， <br/>前述選擇部選擇用於解析度特性或亮度-雜訊比相對優異之圖像之產生之前述學習完成模型。
如請求項8至12中任一項之放射線圖像處理模組，其中前述機器學習係深度學習。
一種放射線圖像處理程式，其使處理器作為取得部、特定部、選擇部及處理部發揮功能， <br/>該取得部使用向對象物照射放射線、拍攝穿透前述對象物之放射線並取得放射線圖像之系統，取得治具及對象物之放射線圖像； <br/>該特定部特定前述治具之放射線圖像之圖像特性； <br/>該選擇部基於前述圖像特性，自預先使用圖像資料藉由機器學習分別構建之複數個學習完成模型之中，選擇學習完成模型；及 <br/>該處理部使用所選擇之前述學習完成模型，執行自前述對象物之放射線圖像去除雜訊之圖像處理；且 <br/>前述治具係：厚度及材質為已知，且X射線之平均能量與X射線穿透率之關係為已知之平板狀構件，或者具有以各種解析度拍攝之圖表之物， <br/>前述複數個學習完成模型係：以作為示教資料使用以平均能量不同之穿透X射線為對象而獲得之圖像資料且雜訊分佈為已知之圖像資料，且使執行自該圖像資料去除雜訊之雜訊去除處理之方式而預先構建者。
一種放射線圖像處理系統，其包含：請求項8至13中任一項之放射線圖像處理模組； <br/>產生源，其向前述對象物照射放射線；及 <br/>攝像裝置，其拍攝穿透前述對象物之放射線並取得前述放射線圖像。
一種用於清潔CMP後的半導體表面之液體組合物，其具有2至6之pH且包含： <br/>氧化劑組合物，其包括過硫酸鹽及過氧化氫且具有標準還原電位(Eº) ＞ 2.0 V； <br/>鹼性胺化合物及表面活性劑中之至少一者；及 <br/>酸，其選自1-羥基亞乙基-1,1-二膦酸、NTMP (次氮基參(亞甲基膦酸))、PBTC (膦醯基丁烷三羧酸)、EDTMP (乙二胺肆(亞甲基膦酸))、焦磷酸、胺基伸乙基膦酸、亞甲膦酸(medronic acid)及(2-羧基亞乙基)雙膦酸，且 <br/>上述酸之濃度為0.01～0.2重量%。
如請求項1之液體組合物，其包含表面活性劑及鹼。
如請求項1之液體組合物，其中上述表面活性劑為羧酸表面活性劑。
如請求項1之液體組合物，其中上述表面活性劑係選自辛醇聚醚-9羧酸或聚氧伸乙基烷基醚羧酸。
如請求項1之液體組合物，其中上述鹼性胺化合物為烷基化胺。
如請求項1之液體組合物，其中上述鹼性胺化合物係選自由3-胺基-4-辛醇、2-(二乙胺基)乙硫醇、卡他敏(captamine)、二乙基乙醇胺、甲基半胱胺、2-(第三丁胺基)乙硫醇、2,2′-二甲氧基-1,1-二甲基-二甲胺、3-丁氧基丙胺、N-乙醯基半胱胺、高半胱胺、N,N-二甲基羥胺、2-(異丙胺基)乙醇、2-(甲基硫代乙基)胺、1-胺基丙烷-2-硫醇、白胺醇、半胱胺、N,O-二甲基羥胺、胺基甲基丙醇、胺基甲基丙二醇、胺基乙基丙二醇、2-胺基-2-(羥甲基)丙-1,2-二醇、2-二甲胺基-2-甲基-1-丙醇、二甲基2-胺基-2-甲基-1,3-丙二醇、二甲基2-胺基-2-乙基-1,3-丙二醇、參(羥甲基)(二甲胺基)甲烷、及2-胺基-1-丁醇組成之群之至少一者。
如請求項1之液體組合物，其中上述氧化劑組合物具有標準還原電位(Eº) ＞ 2.5 V。
如請求項1之液體組合物，其中上述過硫酸鹽係選自過硫酸銨、過硫酸鈉、過硫酸鉀、過硫酸鈣、及過硫酸鎂。
如請求項1之液體組合物，其中上述氧化劑組合物未達上述液體組合物之5重量%。
如請求項1之液體組合物，其包含至少95重量%之水濃度。
一種清潔其上具有CeO<sub>2</sub>粒子之半導體表面之方法，包括施用如請求項1至10中任一項之液體組合物。
一種清潔其上具有CeO<sub>2</sub>粒子之半導體表面之方法，包括施用液體組合物之步驟，該液體組合物包含氧化劑組合物以及0.01～0.2重量%之酸，該氧化劑組合物包括過硫酸鹽及過氧化氫且具有標準還原電位(Eº) ＞ 2.0 V，該酸選自1-羥基亞乙基-1,1-二膦酸、NTMP (次氮基參(亞甲基膦酸))、PBTC (膦醯基丁烷三羧酸)、EDTMP (乙二胺肆(亞甲基膦酸))、焦磷酸、胺基伸乙基膦酸、亞甲膦酸(medronic acid)及(2-羧基亞乙基)雙膦酸。
如請求項11或12之方法，其中上述具有CeO<sub>2</sub>粒子之半導體表面先前經受化學機械拋光。
如請求項11或12之方法，其中上述半導體表面包含TEOS。
一種處理晶圓的方法，包含：<br/> 提供用於將晶圓圖案化的參考圖案，其中該參考圖案係獨立於該晶圓的工作表面；<br/> 藉由識別該參考圖案以對準第一圖案而判定該第一圖案在該晶圓之該工作表面上的設置；以及<br/> 基於該設置而在該晶圓的該工作表面上形成該第一圖案，<br/> 其中判定該第一圖案的設置之步驟更包含：擷取該參考圖案的影像及該第一圖案的影像；執行影像分析以計算第一疊對值，俾判定該第一圖案的設置；以及識別該第一圖案相對於該參考圖案的第一坐標位置。
如請求項1之處理晶圓的方法，更包含：<br/> 藉由識別該參考圖案以對準第二圖案而判定該第二圖案在該晶圓之該工作表面上的設置；以及<br/> 在該晶圓的該工作表面上形成該第二圖案。
如請求項2之處理晶圓的方法，其中判定該第二圖案的設置之步驟更包含：<br/> 識別該第二圖案相對於該參考圖案的第二坐標位置；<br/> 利用該等第一坐標位置及該等第二坐標位置以計算第二疊對值；以及<br/> 利用該第二疊對值以將該第二圖案對準。
如請求項1之處理晶圓的方法，更包含在該晶圓的該工作表面上形成圖案堆疊體，其中該圖案堆疊體的設置係利用該參考圖案加以判定。
如請求項4之處理晶圓的方法，更包含：<br/> 識別該圖案堆疊體的各個圖案相對於該參考圖案的坐標位置；<br/> 利用該等坐標位置以計算疊對值；以及<br/> 利用該等疊對值將該圖案堆疊體對準。
如請求項1之處理晶圓的方法，其中該參考圖案係形成於該晶圓的背側上或嵌入該晶圓內。
如請求項6之處理晶圓的方法，更包含：<br/> 同時擷取該參考圖案的影像及該第一圖案的影像；以及<br/> 藉由量子穿隧成像或IR透射成像而擷取該參考圖案的影像。
如請求項1之處理晶圓的方法，其中該參考圖案包含放射性或螢光材料。
如請求項1之處理晶圓的方法，其中該參考圖案包含點、線、角、框、三角形、數字、或標記中的至少一者。
如請求項1之處理晶圓的方法，其中該參考圖案係與該晶圓同軸對準。
如請求項1之處理晶圓的方法，其中該參考圖案係投影在該晶圓的表面上。
一種處理晶圓的方法，包含：<br/> 提供用於將晶圓圖案化的參考圖案，其中該參考圖案係獨立於該晶圓的工作表面且結合於位在該晶圓下方之參考板中；<br/> 藉由識別該參考圖案以對準第一圖案而判定該第一圖案在該晶圓之該工作表面上的設置；<br/> 同時擷取該參考圖案的影像及該第一圖案的影像；<br/> 基於該設置而在該晶圓的該工作表面上形成該第一圖案；<br/> 藉由識別該參考圖案以對準第二圖案而判定該第二圖案在該晶圓之該工作表面上的設置；及<br/> 在該晶圓的該工作表面上形成該第二圖案，<br/> 其中判定該第二圖案的設置之步驟更包含：<br/> 識別該第一圖案相對於該參考圖案的第一坐標位置；<br/> 識別該第二圖案相對於該參考圖案的第二坐標位置；<br/> 利用該等第一坐標位置及該等第二坐標位置以計算疊對值；以及<br/> 利用該疊對值以將該第二圖案對準。
如請求項12之處理晶圓的方法，更包含：藉由量子穿隧成像或紅外(IR)透射成像而擷取該參考圖案的影像。
如請求項12之處理晶圓的方法，其中該參考板係結合於微影掃描器或步進機的基板固持件中。
如請求項12之處理晶圓的方法，其中該參考板係設置於該晶圓的背側上或黏附於該晶圓的背側。
一種處理晶圓的方法，包含：<br/> 存取用於將該晶圓圖案化的參考圖案，其中該參考圖案係獨立於形成在該晶圓上的第一圖案；<br/> 識別該第一圖案相對於該參考圖案的第一坐標位置；<br/> 識別第二圖案相對於該參考圖案的第二坐標位置；以及<br/> 利用該等第一坐標位置及該等第二坐標位置以計算疊對值，<br/> 其中識別該等第一坐標位置及該等第二坐標位置之步驟包含使用影像分析。
如請求項16之處理晶圓的方法，其中該參考圖案係形成於該晶圓的背側上或嵌入該晶圓內。
如請求項17之處理晶圓的方法，更包含：<br/> 同時擷取該參考圖案的影像及該第一圖案的影像；以及<br/> 藉由量子穿隧成像或IR透射成像而擷取該參考圖案的影像。
一種處理晶圓的方法，包含：<br/> 在該晶圓下方設置一參考板，該參考板包含一參考圖案；<br/> 對該參考板進行成像，以藉由引導光穿過該晶圓而擷取該參考圖案的影像；<br/> 利用該參考圖案的該影像將第一圖案對準；<br/> 基於該對準步驟而將該第一圖案施加於該晶圓的工作表面；以及<br/> 利用表面成像系統將該第一圖案成像，以擷取該第一圖案的影像。
如請求項1之處理晶圓的方法，更包含：<br/> 藉由量子穿隧成像或紅外(IR)透射成像將該參考板成像。
如請求項1之處理晶圓的方法，更包含：<br/> 藉由進行影像分析而識別該第一圖案相對於該參考圖案的坐標位置。
如請求項1之處理晶圓的方法，更包含：<br/> 相對於穿過該晶圓成像的該參考圖案而將該第一圖案成像；<br/> 相對於穿過該晶圓成像的該參考圖案而在該晶圓的工作表面上將第二圖案成像；<br/> 計算該第二圖案相對於該第一圖案的疊對值。
如請求項4之處理晶圓的方法，更包含：<br/> 利用該疊對值以將該第二圖案對準；以及<br/> 將該第二圖案施加於該晶圓的該工作表面。
如請求項4之處理晶圓的方法，更包含：<br/> 識別該第一圖案相對於該參考圖案的第一坐標位置；<br/> 識別該第二圖案相對於該參考圖案的第二坐標位置；以及<br/> 利用該等第一坐標位置及該等第二坐標位置以計算該疊對值。
如請求項1之處理晶圓的方法，更包含在該晶圓的該工作表面上形成圖案堆疊體，其中該圖案堆疊體的設置係利用該參考圖案加以判定。
如請求項7之處理晶圓的方法，更包含：<br/> 將該圖案堆疊體的各個圖案成像；<br/> 藉由進行影像分析而識別該圖案堆疊體的各個圖案相對於該參考圖案的坐標位置；<br/> 利用該等坐標位置以計算疊對值；以及<br/> 利用該等疊對值將該圖案堆疊體對齊。
如請求項1之處理晶圓的方法，其中該參考圖案包含點、線、角、框、數字、三角形、或標記中的至少一者。
如請求項1之處理晶圓的方法，其中該參考圖案係黏附於該晶圓的背側或結合於微影掃描器或步進機的基板固持件中。
如請求項1之處理晶圓的方法，其中該參考圖案係與該晶圓同軸對準。
如請求項1之處理晶圓的方法，其中該參考圖案係投影在該晶圓的表面上。
一種處理晶圓的方法，包含：<br/> 在一晶圓上形成第一層，該第一層具有配置以透過微影術自第一光化輻射圖案接收潛伏圖案的光反應性物種；<br/> 透過量子穿隧成像而識別位於該晶圓下方的對準標記；以及<br/> 將該第一層暴露於該第一光化輻射圖案，其中該第一光化輻射圖案係利用位於該晶圓下方的該等對準標記加以對準。
如請求項13之處理晶圓的方法，其中該光反應性物種對於量子穿隧成像呈非活性。
如請求項13之處理晶圓的方法，其中該等對準標記係形成於該晶圓的背側上或結合於位在該晶圓下方的參考板中。
一種處理晶圓的方法，包含：<br/> 利用兩個同軸對準的電磁輻射束對一晶圓進行成像，其中該兩個同軸對準的電磁輻射束包含將該晶圓之工作表面上的初始圖案成像的第一射束、以及將參考板之參考圖案成像的第二射束，該參考板係位於該晶圓下方；<br/> 基於位在該晶圓下方的該參考板而判定待形成於該晶圓上的後續圖案之設置；以及<br/> 在該晶圓的該工作表面上形成該後續圖案。
如請求項16之處理晶圓的方法，更包含利用該第一射束對該後續圖案進行成像。
如請求項17之處理晶圓的方法，更包含：<br/> 利用該初始圖案之影像及該參考圖案之影像，識別該初始圖案相對於該參考圖案的第一坐標位置；<br/> 利用該後續圖案之影像及該參考圖案之影像，識別該後續圖案相對於該參考圖案的第二坐標位置；以及<br/> 利用該等第一坐標位置及該等第二坐標位置，計算該後續圖案相對於該初始圖案的疊對值。
如請求項16之處理晶圓的方法，其中該參考圖案、該初始圖案及該後續圖案係彼此同軸對準。
一種樹脂組成物，其含有: <br/> 含芳香族乙烯基單體與氰基系單體的共聚物的樹脂(A)、分子內具有合計3個或4個苯酚部位的抗氧化劑(B)、以及磷系抗氧化劑(C) ，該樹脂（A）僅由該芳香族乙烯基單體與氰基系單體的共聚物構成，其中該芳香族乙烯基單體與氰基系單體的共聚物僅由芳香族乙烯基單體與氰基系單體所構成，而芳香族乙烯基單體單元與氰基系單體單元的總計量為100質量%時，該芳香族乙烯基單體與氰基系單體的共聚物含有80~95質量%的芳香族乙烯基單體單元，芳香族乙烯基單體為苯乙烯，且該抗氧化劑(B)與該磷系抗氧化劑(C)的合計含量相對於該樹脂(A)100質量份為0.01~0.5質量份。
如請求項1所述的樹脂組成物，其中，該抗氧化劑(B)與該磷系抗氧化劑(C)的質量比為5/1～1/2。
如請求項1或2所述的樹脂組成物，其中，<br/> 該芳香族乙烯基單體與氰基系單體的共聚物在將芳香族乙烯基單體單元與氰基系單體單元的合計設為100質量%時，含有該氰基系單體單元5~20質量%。
一種成型體，其特徵在於，由請求項1至3中任一項所述的樹脂組成物成型而成。
一種化妝品容器，其特徵在於，由請求項1至3中任一項所述的樹脂組成物成型而成。
一種免疫偶聯物，其包含a)抗體或抗體片段；b)與該抗體或該抗體片段偶聯之TLR促效劑，其中該TLR促效劑包含式(I)化合物或其醫藥學上可接受之鹽、水合物、酯、立體異構物或互變異構物，<figure><img align="absmiddle" height="114px" width="524px" file="d10383.TIF" alt="化學式ed10383.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10383.png"/></figure>其中A係CH或N；X係O-R1、NH-R1、S-R1或H；YY係-ONH<sub>2</sub>、-N<sub>3</sub>、-OH、馬來醯亞胺、-COOH或-C(=O)CH<sub>2</sub>Y1，其中Y1係鹵化物；L1及L2中之每一者皆獨立地為(CH<sub>2</sub>)<sub>m</sub>、(CH<sub>2</sub>)<sub>m</sub>C(=O)、(CH<sub>2</sub>)<sub>m</sub>-NH(CH<sub>2</sub>)<sub>n</sub>、(CH<sub>2</sub>)<sub>m</sub>-C(=O)NH(CH<sub>2</sub>)<sub>n</sub>、(CH<sub>2</sub>)<sub>m</sub>-OC(=O)-NH-(CH<sub>2</sub>)<sub>n</sub>、(CH<sub>2</sub>)<sub>m</sub>-NHC(=O)-NH-(CH<sub>2</sub>)<sub>n</sub>、(CH<sub>2</sub>)<sub>m</sub>-NH、(CH<sub>2</sub>)<sub>m</sub>-NHC(=O)、(CH<sub>2</sub>)<sub>m</sub>-NHC(=O)-(CH<sub>2</sub>)<sub>n</sub>-NHC(=O)-(CH<sub>2</sub>)<sub>p</sub>、C(=O)-(CH<sub>2</sub>)<sub>n</sub>、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>雜環或不存在；其中m、n及p中之每一者皆獨立地為0至12之整數；R1係H、C<sub>1</sub>-C<sub>12</sub>烷基、經取代之C<sub>1</sub>-C<sub>12</sub>烷基、含氧之C<sub>1</sub>-C<sub>12</sub>烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>雜環烷基、經取代之C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>雜環烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基、經取代之C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基、經-N<sub>3</sub>末端取代之C<sub>1</sub>-C<sub>12</sub>烷基、(CH<sub>2</sub>)<sub>q</sub>-(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>r</sub>-OMe，其中q及r中之每一者皆獨立地為0至12之整數；R2係C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>伸烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>12</sub>經取代之伸烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>伸環烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>經取代之伸環烷基、伸芳基、經取代之C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>伸芳基、包含1-3個雜原子之5-12員伸雜芳基、包含1-3個雜原子之經取代之5-12員伸雜芳基或(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>ss</sub>或其組合，或R2不存在；其中ss係1至12之整數，其中每一雜原子皆獨立地為N、O或S；R3係胺基酸之側鏈、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>伸烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>經取代之伸烷基、C<sub>3-</sub>C<sub>8</sub>伸環烷基、C<sub>3-</sub>C<sub>8</sub>伸雜環烷基、經取代之C<sub>3-</sub>C<sub>8</sub>伸環烷基、伸芳基、經取代之伸芳基、包含1-3個雜原子之5-12員伸雜芳基、包含1-3個雜原子之經取代之5-12員伸雜芳基、含胺基之C<sub>1</sub>-C<sub>12</sub>伸烷基、含羰基之C<sub>1</sub>-C<sub>12</sub>伸烷基、含氧之C<sub>1</sub>-C<sub>12</sub>伸烷基、-N<sub>3</sub>末端C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>伸烷基、-CCH末端C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>伸烷基、-SH末端C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>伸烷基、-OH末端C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>伸烷基、含氮之C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>伸烷基、-OPO<sub>3</sub>H<sub>2</sub>末端C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>伸烷基、-OPO<sub>3</sub>H<sub>2</sub>末端伸芳基、葡萄糖醛酸苷末端C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>伸烷基、-N<sub>3</sub>末端伸芳基、乙炔末端伸芳基、胺末端伸芳基、(CH<sub>2</sub>)<sub>s</sub>、(CH<sub>2</sub>)<sub>s</sub>-C(=O)、(CH<sub>2</sub>)<sub>s</sub>-NH(CH<sub>2</sub>)<sub>t</sub>、(CH<sub>2</sub>)<sub>s</sub>-C(=O)NH(CH<sub>2</sub>)<sub>t</sub>、(CH<sub>2</sub>)<sub>s</sub>-OC(=O)-NH-(CH<sub>2</sub>)<sub>t</sub>、(CH<sub>2</sub>)<sub>s</sub>-NHC(=O)-NH-(CH<sub>2</sub>)<sub>t</sub>或其組合；或R3包含連接體；或R3不存在；其中每一s及t皆獨立地為0至6之整數；R4係H、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基、C<sub>3-</sub>C<sub>8</sub>雜環烷基、C<sub>3-</sub>C<sub>8</sub>經取代之雜環烷基、芳基、經取代之芳基、(CH<sub>2</sub>)<sub>u</sub>-(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>v</sub>-OMe、具兩條/三條支鏈之(CH<sub>2</sub>)<sub>u</sub>-(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>v</sub>-OMe或其組合；或其中R4包含PEG部分；或R4不存在；其中每一u及v皆獨立地為1至48之整數；以及其中該TLR促效劑包含一或多種PEG分子或部分，其中該一或多種PEG分子介於0.1kDa與100kDa之間。
如請求項1之免疫偶聯物，其中R4包含該PEG部分，且其中該PEG部分係直鏈的、具支鏈的或多臂的。
如請求項2之免疫偶聯物，其中R4包含(CH<sub>2</sub>)<sub>u</sub>-(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>v</sub>-OMe。
如請求項3之免疫偶聯物，其中：(a)v係1至48之整數，其中u係1至12之整數，且其中ss獨立地為1至12之整數；或(b)v係1至12之整數，其中u係1至12之整數，且其中ss獨立地為1至12之整數。
如請求項1之免疫偶聯物，其中R3包含連接體，且其中該連接體包含各自具有(CH<sub>2</sub>)m-(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)n-之-ONH<sub>2</sub>末端或馬來醯亞胺末端或COOH末端或鹵代乙醯基末端，其中m及n中之每一者皆獨立地為1至12之整數。
如請求項2之免疫偶聯物，其中該PEG部分具有1kDa至100kDa之分子量、或0.1kDa至50kDa之分子量或1kDa至50kDa之分子量。
如請求項1之免疫偶聯物，其中A係CH。
如請求項1之免疫偶聯物，其中該化合物係選自以下：<figure><img align="absmiddle" height="478px" width="649px" file="d10384.TIF" alt="表格ed10384.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10384.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="985px" width="652px" file="d10385.TIF" alt="表格ed10385.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10385.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1038px" width="672px" file="d10386.TIF" alt="表格ed10386.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10386.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="978px" width="653px" file="d10387.TIF" alt="表格ed10387.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10387.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="986px" width="647px" file="d10388.TIF" alt="表格ed10388.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10388.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1019px" width="658px" file="d10389.TIF" alt="表格ed10389.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10389.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1033px" width="662px" file="d10390.TIF" alt="表格ed10390.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10390.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1023px" width="686px" file="d10391.TIF" alt="表格ed10391.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10391.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="979px" width="658px" file="d10392.TIF" alt="表格ed10392.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10392.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="909px" width="653px" file="d10393.TIF" alt="表格ed10393.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10393.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1013px" width="658px" file="d10394.TIF" alt="表格ed10394.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10394.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="898px" width="647px" file="d10395.TIF" alt="表格ed10395.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10395.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="953px" width="658px" file="d10396.TIF" alt="表格ed10396.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10396.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1024px" width="672px" file="d10397.TIF" alt="表格ed10397.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10397.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="229px" width="667px" file="d10398.TIF" alt="表格ed10398.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10398.png"/></figure>，視情況地，其中該化合物係化合物185、化合物186、化合物187、化合物188、化合物189、化合物190、化合物191、化合物213、化合物214、化合物216、化合物217、化合物218、化合物219、化合物220、化合物221、化合物222、化合物223、化合物224、化合物230、化合物233、化合物235、化合物238、化合物239、化合物240、化合物242、化合物244、化合物245、化合物246、化合物248、化合物251、化合物252、化合物253、化合物254、化合物255、化合物256、化合物257、化合物258、化合物259、化合物260、化合物261、化合物263、化合物265、化合物266、化合物267、化合物268、化合物269、化合物272、化合物273、化合物275、化合物278、化合物279、化合物281、化合物282、化合物283、化合物284、化合物285、化合物286、化合物287、化合物296、化合物297、化合物299、化合物300、化合物301、化合物302、化合物303或化合物304。
如請求項1之免疫偶聯物，其中該化合物係化合物145：<figure><img align="absmiddle" height="119px" width="538px" file="d10399.TIF" alt="化學式ed10399.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10399.png"/></figure>
如請求項1之免疫偶聯物，其中該TLR促效劑包含該式(I)化合物之衍生物，其中該化合物之該衍生物直接經由該化合物之部分YY或經由連接體XX與該抗體或該抗體片段偶聯，其中該連接體XX係親水連接體、可裂解連接體或不可裂解連接體。
如請求項10之免疫偶聯物，其中：(a)該連接體XX包含伸烷基、伸烯基、伸炔基、聚醚、聚酯、聚醯胺、聚胺基酸、多肽、可裂解肽或胺基苄基胺基甲酸酯或其組合；或(b)該抗體或該抗體片段結合至細胞之抗原；或(c)該抗體或該抗體片段結合至細胞表面靶標或腫瘤細胞靶標；或(d)該抗體或該抗體片段包含Fc融合蛋白質；或(e)該抗體或該抗體片段係單特異性的；或(f)該抗體或該抗體片段係雙特異性；或(g)該抗體或該抗體片段係多特異性的；或(h)該抗體或該抗體片段結合至選自由以下組成之群之靶標：HER2、HER3、B7-H3、連接素-4、PD-1、PDL-1、EGFR、TROP2、FOLR1、PSMA、BCMA、FLT3、VEGFR、CTLA-4、EpCAM、MUC1、MUC16、NaPi2b、c-Met、GPC3、ENPP3、TIM-3、VISTA、VEGF、密連蛋白(Claudin)18.2、FGFR2、FOLR1、STEAP1、間皮素、5T4、CEA、CA9、鈣黏蛋白6、ROR1、LIV-1、LILRB-1、LRP-1、SLC34A2、SLC39A6、SLC44A4、LY6E、DLL3、ePhA2、TGFbR、PRLR、GPNMB、SLITRK6、SIRPa、CD3、CD19、CD20、CD22、CD24、CD25、CD30、CD33、CD37、CD38、CD44、CD47、CD52、CD56、CD70、CD79b、CD96、CD97、CD99、CD117、CD123、CD179、CD223及CD276。
如請求項10之免疫偶聯物，其中該抗體或該抗體片段係抗HER2抗體、抗CD70抗體或抗PSMA抗體或抗TROP2抗體或片段；視情況地，其中：(i)該抗體或該抗體片段係抗CD70抗體或抗體片段；或(ii)該抗體或該抗體片段係抗PSMA抗體或抗體片段；或(iii)該抗體或該抗體片段係抗TROP2抗體或抗體片段。
如請求項12之免疫偶聯物，其中該抗HER2抗體或抗體片段包含：a)選自SEQ ID NO：1、2、3、4、16、17或18之重鏈可變區；及b)選自SEQ ID NO：5、6、7、8、9、10、11、12、13、14或15之輕鏈可變區，視情況地，其中：(i)該抗CD70抗體或抗體片段包含SEQ ID NO：25或SEQ ID NO：27之重鏈及SEQ ID NO：26之輕鏈；或(ii)該抗PSMA抗體或抗體片段包含SEQ ID NO：22或SEQ ID NO：24之重鏈及SEQ ID NO：23之輕鏈；或(iii)該抗TROP2抗體或抗體片段包含SEQ ID NO：19或SEQ ID NO：21之重鏈及SEQ ID NO：20之輕鏈。
如請求項10之免疫偶聯物，其中：(a)該抗體或該抗體片段包含一或多個Fc突變；或(b)該抗體或該抗體片段包含一或多種併入該重鏈、該輕鏈或該重鏈及輕鏈二者中之非天然胺基酸。
如請求項14之免疫偶聯物，其中該一或多種非天然胺基酸係對乙醯基苯丙胺酸、對硝基苯丙胺酸、對磺基酪胺酸、對羧基苯丙胺酸、鄰硝基苯丙胺酸、間硝基苯丙胺酸、對硼醯基苯丙胺酸、鄰硼醯基苯丙胺酸、間硼醯基苯丙胺酸、對胺基苯丙胺酸、鄰胺基苯丙胺酸、間胺基苯丙胺酸、對醯基苯丙胺酸、鄰醯基苯丙胺酸、間醯基苯丙胺酸、對-OMe苯丙胺酸、鄰-OMe苯丙胺酸、間-OMe苯丙胺酸、對磺基苯丙胺酸、鄰磺基苯丙胺酸、間磺基苯丙胺酸、5-硝基His、3-硝基Tyr、2-硝基Tyr、硝基取代之Leu、硝基取代之His、硝基取代之De、硝基取代之Trp、2-硝基Trp、4-硝基Trp、5-硝基Trp、6-硝基Trp、7-硝基Trp、3-胺基酪胺酸、2-胺基酪胺酸、O-磺基酪胺酸、2-磺氧基苯丙胺酸、3-磺氧基苯丙胺酸、鄰羧基苯丙胺酸、間羧基苯丙胺酸、對乙醯基-L-苯丙胺酸、對炔丙基-苯丙胺酸、O-甲基-L-酪胺酸、L-3-(2-萘基)丙胺酸、3-甲基-苯丙胺酸、O-4-烯丙基-L-酪胺酸、4-丙基-L-酪胺酸、三-O-乙醯基-GlcNAcβ-絲胺酸、L-多巴、氟化苯丙胺酸、異丙基-L-苯丙胺酸、對疊氮基-L-苯丙胺酸、對醯基-L-苯丙胺酸、對苯甲醯基-L-苯丙胺酸、L-磷酸絲胺酸、膦醯基絲胺酸、膦醯基酪胺酸、對碘-苯丙胺酸、對溴苯丙胺酸、對胺基-L-苯丙胺酸、異丙基-L-苯丙胺酸或對-炔丙氧基-L-苯丙胺酸；視情況地，其中：(a)該一或多種非天然胺基酸係對-炔丙氧基-L-苯丙胺酸、對乙醯基-苯丙胺酸、4-疊氮基-L-苯丙胺酸、對疊氮基乙氧基苯丙胺酸或對疊氮基甲基-苯丙胺酸；或(b)該一或多種非天然胺基酸係對乙醯基-苯丙胺酸；或(c)該一或多種非天然胺基酸係經位點特異性地併入。
如請求項10之免疫偶聯物，其中該TLR促效劑係TLR7促效劑、TLR8促效劑或TLR7/TLR8雙重促效劑。
如請求項10之免疫偶聯物，其中：(a)該一或多種PEG分子係直鏈的、具支鏈的、多臂的；或(b)該一或多種PEG分子介於0.1kDa與50kDa之間；或(c)該連接體XX係雙功能或多功能連接體；或(d)該連接體XX與一或多種併入該抗體或該抗體片段中之非天然胺基酸偶聯；或(e)該連接體XX係親水連接體、可裂解連接體或不可裂解連接體。
一種組合物，其包含：抗HER2抗體或其抗原結合片段，其包含重鏈及輕鏈，其中該重鏈及該輕鏈包含選自以下組成之群的胺基酸序列：(a)SEQ ID NO：1及7，其中根據Kabat編號，SEQ ID NO：7在胺基酸位置121處具有對乙醯基苯丙胺酸；(b)SEQ ID NO：2及3，其中根據Kabat編號，SEQ ID NO：2在胺基酸位置114處具有對乙醯基苯丙胺酸；(c)SEQ ID NO：2及4，其中根據Kabat編號，SEQ ID NO：2在胺基酸位置114處具有對乙醯基苯丙胺酸，且根據Kabat編號，SEQ ID NO：4在胺基酸位置110處具有對乙醯基苯丙胺酸；(d)SEQ ID NO：2及5，其中根據Kabat編號，SEQ ID NO：2在胺基酸位置114處具有對乙醯基苯丙胺酸，且根據Kabat編號，SEQ ID NO：5在胺基酸位置112處具有對乙醯基苯丙胺酸；(e)SEQ ID NO：2及7，其中根據Kabat編號，SEQ ID NO：2在胺基酸位置114處具有對乙醯基苯丙胺酸，且根據Kabat編號，SEQ ID NO：7在胺基酸位置121處具有對乙醯基苯丙胺酸；以及(f)SEQ ID NO：2及8，其中根據Kabat編號，SEQ ID NO：2在胺基酸位置114處具有對乙醯基苯丙胺酸，且根據Kabat編號，SEQ ID NO：8在胺基酸位置127處具有對乙醯基苯丙胺酸；其中：各對乙醯基苯丙胺酸藉由肟鍵與類鐸受體(TLR)促效劑共價連接，且該TLR促效劑具以下之結構：<img align="absmiddle" height="164px" width="387px" file="d10400.TIF" alt="其他非圖式ed10400.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10400.png"/>或其鹽、水合物、酯、立體異構物或互變異構物。
如請求項18之組合物，其中該抗HER2抗體包含IgG。
如請求項18之組合物，其中該重鏈及該輕鏈包含SEQ ID NO：1及SEQ ID NO：7之胺基酸序列，其中根據Kabat編號，SEQ ID NO：7在121位處具有對乙醯基苯丙胺酸，其中：該對乙醯基苯丙胺酸藉由肟鍵與類鐸受體(TLR)促效劑共價連接，且該TLR促效劑具以下之結構：<img align="absmiddle" height="151px" width="381px" file="d10401.TIF" alt="其他非圖式ed10401.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10401.png"/>或其鹽。
如請求項18之組合物，其中該重鏈及該輕鏈包含SEQ ID NO：2及SEQ ID NO：3之胺基酸序列，其中根據Kabat編號，SEQ ID NO：2在114位處具有對乙醯基苯丙胺酸，其中：該對乙醯基苯丙胺酸藉由肟鍵與類鐸受體(TLR)促效劑共價連接，且該TLR促效劑具以下之結構：<img align="absmiddle" height="163px" width="384px" file="d10402.TIF" alt="其他非圖式ed10402.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10402.png"/>或其鹽。
如請求項18之組合物，其中該重鏈及該輕鏈包含SEQ ID NO：2及SEQ ID NO：4之胺基酸序列，其中根據Kabat編號，SEQ ID NO：2在胺基酸位置114處具有對乙醯基苯丙胺酸，且根據Kabat編號，SEQ ID NO：4在胺基酸位置110處具有對乙醯基苯丙胺酸。
如請求項18之組合物，其中該重鏈及該輕鏈包含SEQ ID NO：2及SEQ ID NO：5之胺基酸序列，其中根據Kabat編號，SEQ ID NO：2在胺基酸位置114處具有對乙醯基苯丙胺酸，且根據Kabat編號，SEQ ID NO：5在胺基酸位置112處具有對乙醯基苯丙胺酸。
如請求項18之組合物，其中該重鏈及該輕鏈包含SEQ ID NO：2及SEQ ID NO：7之胺基酸序列，其中根據Kabat編號，SEQ ID NO：2在胺基酸位置114處具有對乙醯基苯丙胺酸，且根據Kabat編號，SEQ ID NO：7在胺基酸位置121處具有對乙醯基苯丙胺酸。
如請求項18之組合物，其中該重鏈及該輕鏈包含SEQ ID NO：2及SEQ ID NO：8之胺基酸序列，其中根據Kabat編號，SEQ ID NO：2在胺基酸位置114處具有對乙醯基苯丙胺酸，且根據Kabat編號，SEQ ID NO：8在胺基酸位置127處具有對乙醯基苯丙胺酸。
如請求項18之組合物，其中該抗原結合片段包含：(i)Fab、(Fab’)2、Fv或單鏈Fv(scFv)；(ii)一或多個Fab、(Fab’)2、Fv或單鏈Fv(scFv)突變；或(iii)一或多個Fc突變。
如請求項18至26中任一項之組合物，其中該TLR促效劑係<figure><img align="absmiddle" height="167px" width="421px" file="d10403.TIF" alt="化學式ed10403.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10403.png"/></figure>
如請求項18至26中任一項之組合物，其中該TLR促效劑係<img align="absmiddle" height="147px" width="384px" file="d10404.TIF" alt="其他非圖式ed10404.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10404.png"/>之鹽。
如請求項18至26中任一項之組合物，其中該抗HER2抗體或其抗原結合片段包含藉由肟鍵與TLR促效劑共價連接的對乙醯基苯丙胺酸，其中該TLR促效劑具有以下結構：<img align="absmiddle" height="147px" width="388px" file="d10405.TIF" alt="其他非圖式ed10405.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10405.png"/>；其包含1或2之DAR。
如請求項29之組合物，其中該DAR係2。
一種抗HER2抗體藥物偶聯物(ADC)，其包含抗HER2抗體或其抗原結合片段，其包含重鏈及輕鏈，其中該重鏈及該輕鏈包含SEQ ID NO：1及SEQ ID NO：7之胺基酸序列，其中根據Kabat編號，SEQ ID NO：7在121位處具有對乙醯基苯丙胺酸，TLR促效劑具以下之結構：<figure><img align="absmiddle" height="152px" width="427px" file="d10406.TIF" alt="化學式ed10406.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10406.png"/></figure>其中該對乙醯基苯丙胺酸藉由肟鍵與該TLR促效劑共價連接，其中該抗HER2 ADC具以下之結構：<img align="absmiddle" height="150px" width="521px" file="d10407.TIF" alt="其他非圖式ed10407.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10407.png"/>；其包含2之DAR。
一種抗HER2抗體藥物偶聯物(ADC)，其包含抗HER2抗體或其抗原結合片段，其包含重鏈及輕鏈，其中該重鏈及該輕鏈包含SEQ ID NO：2及SEQ ID NO：3之胺基酸序列，其中根據Kabat編號，SEQ ID NO：2在114位處具有對乙醯基苯丙胺酸，TLR促效劑具以下之結構：<figure><img align="absmiddle" height="157px" width="424px" file="d10408.TIF" alt="化學式ed10408.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10408.png"/></figure>其中該對乙醯基苯丙胺酸藉由肟鍵與該TLR促效劑共價連接，其中該抗HER2 ADC具以下之結構：<img align="absmiddle" height="156px" width="517px" file="d10409.TIF" alt="其他非圖式ed10409.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10409.png"/>；其包含2之DAR。
一種醫藥組合物，其包含治療有效量之如請求項1至17中任一項之免疫偶聯物、如請求項18至30中任一項之組合物或如請求項31至32中任一項之抗HER2抗體藥物偶聯物，及醫藥學上可接受之載劑或賦形劑。
一種如請求項1至17中任一項之免疫偶聯物、如請求項18至30中任一項之組合物、如請求項31至32中任一項之抗HER2抗體藥物偶聯物或如請求項33之醫藥組合物之用途，其係用於製備治療患有疾病或疾患之個體或患者之藥物。
如請求項34之用途，其中該疾病或疾患係自體免疫疾病、慢性炎性疾病或癌症；視情況地，其中該癌症係乳癌、小細胞肺癌、卵巢癌、前列腺癌、胃癌、胃腸胰臟腫瘤、子宮頸癌、食道癌、結腸癌、結腸直腸癌、上皮來源之癌症或腫瘤、腎癌、腦癌、神經膠質母細胞瘤、胰臟癌、骨髓性白血病、甲狀腺癌、子宮內膜癌、淋巴瘤、胰臟癌、頭頸癌或皮膚癌；視情況地，其中額外治療劑係經投與；視情況地，其中該額外治療劑係化學治療劑、激素劑、抗腫瘤劑、免疫刺激劑、免疫調節劑、免疫治療劑或其組合。
如請求項34之用途，其中該疾病或疾患係HER2陽性癌症。
如請求項36之用途，其中該HER2陽性癌症係乳癌、卵巢癌、膀胱癌、胃癌、頭頸癌、食道癌、腦癌或肺癌。
如請求項37之用途，其中該HER2陽性癌症係乳癌。
如請求項38之用途，其中該乳癌係轉移性乳癌。
如請求項37之用途，其中該HER2陽性癌症係卵巢癌。
如請求項37之用途，其中該HER2陽性癌症係膀胱癌。
一種積層體，其具備：半導體基板、支撐基板、設為與該半導體基板相接之剝離層、以及設在該支撐基板與該剝離層之間之接著層；其特徵係該剝離層係由含有聚二甲基矽氧烷所成之聚有機矽氧烷成分之剝離劑組成物所獲得之熱可塑性膜；該聚二甲基矽氧烷的重量平均分子量為100,000~2,000,000，該聚二甲基矽氧烷的分散度為1.0~10.0；該聚有機矽氧烷成分在25℃的黏度為5.50×10<sup>3</sup>Pa．s~0.75×10<sup>3</sup>Pa．s；且該膜的厚度為0.01μm~4.90μm。
如請求項1所述之積層體，其中，該聚有機矽氧烷成分在25℃的黏度為5.00×10<sup>3</sup>Pa．s~0.80×10<sup>3</sup>Pa．s。
如請求項2所述之積層體，其中，該聚有機矽氧烷成分在25℃的黏度為4.52×10<sup>3</sup>Pa．s~0.96×10<sup>3</sup>Pa．s。
如請求項1所述之積層體，其中，該膜的厚度為0.25μm~3.75μm。
如請求項4所述之積層體，其中，該膜的厚度為1.75μm~2.75μm。
如請求項1所述之積層體，其中，該接著層設為與該支撐基板及該剝離層相接。
如請求項1至6中任一項所述之積層體，其中，該接著層為使用含有接著劑成分(S)之接著劑組成物而獲得之膜，且該接著劑成分(S)含有選自聚有機矽氧烷系接著劑、丙烯酸樹脂系接著劑、環氧樹脂系接著劑、聚醯胺系接著劑、聚苯乙烯系接著劑、聚醯亞胺系接著劑及酚樹脂系接著劑中至少一種。
如請求項7所述之積層體，其中，該接著劑成分(S)含有聚有機矽氧烷系接著劑。
如請求項8所述之積層體，其中，該聚有機矽氧烷系接著劑含有藉由矽氫化反應而硬化之聚有機矽氧烷成分(A)。
一種用以形成積層體之剝離層，該積層體具備半導體基板、支撐基板、設為與該半導體基板相接之該剝離層、以及設在該支撐基板與該剝離層之間之接著層，其特徵係該剝離層係由含有聚二甲基矽氧烷所成之聚有機矽氧烷成分之剝離劑組成物所獲得之熱可塑性膜；該聚二甲基矽氧烷的重量平均分子量為100,000~2,000,000，該聚二甲基矽氧烷的分散度為1.0~10.0；該聚有機矽氧烷成分在25℃的黏度為5.50×10<sup>3</sup>Pa．s~0.75×10<sup>3</sup>Pa．s；且該膜的厚度為0.01μm~4.90μm。
如請求項10所述之剝離層，其中，該聚有機矽氧烷成分在25℃的黏度為5.00×10<sup>3</sup>Pa．s~0.80×10<sup>3</sup>Pa．s。
如請求項11所述之剝離層，其中，該聚有機矽氧烷成分在25℃的黏度為4.52×10<sup>3</sup>Pa．s~0.96×10<sup>3</sup>Pa．s。
如請求項10所述之剝離層，其中，該膜的厚度為0.25μm~3.75μm。
如請求項13所述之剝離層，其中，該膜的厚度為1.75μm~2.75μm。
如請求項10所述之剝離層，其中，該接著層設為與該支撐基板及該剝離層相接。
如請求項10所述之剝離層，其中，該接著層為使用含有接著劑成分(S)之接著劑組成物而獲得之膜，且該接著劑成分(S)含有選自聚有機矽氧烷系接著劑、丙烯酸樹脂系接著劑、環氧樹脂系接著劑、聚醯胺系接著劑、聚苯乙烯系接著劑、聚醯亞胺系接著劑及酚樹脂系接著劑中至少一種。
如請求項16所述之剝離層，其中，該接著劑成分(S)含有聚有機矽氧烷系接著劑。
如請求項17所述之剝離層，其中，該聚有機矽氧烷系接著劑含有藉由矽氫化反應而硬化之聚有機矽氧烷成分(A)。
一種液晶顯示元件用密封劑，其係含有硬化性樹脂及熱硬化劑者，其特徵在於： <br/>上述熱硬化劑包含選自由下述式（1）所表示之化合物及下述式（2）所表示之化合物所組成之群中之至少一種、以及選自由胺加成化合物及脲加成化合物所組成之群中之至少一種， <br/><br/><img align="absmiddle" height="234px" width="613px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式（1）中，R<sup>1</sup>表示碳數1以上4以下之伸烷基，R<sup>2</sup>～R<sup>5</sup>分別獨立地表示碳數1以上4以下之伸烷基； <br/><br/><img align="absmiddle" height="234px" width="613px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式（2）中，R<sup>1</sup>表示碳數1以上4以下之伸烷基，R<sup>2</sup>～R<sup>5</sup>分別獨立地表示碳數1以上4以下之伸烷基。
如請求項1之液晶顯示元件用密封劑，其中，上述硬化性樹脂包含環氧化合物。
如請求項2之液晶顯示元件用密封劑，其中，相對於上述環氧化合物1當量，選自由上述式（1）所表示之化合物及上述式（2）所表示之化合物所組成之群中之至少一種之含量為0.1當量以上0.4當量以下。
如請求項1之液晶顯示元件用密封劑，其中，上述硬化性樹脂包含環氧化合物，且 <br/>相對於上述環氧化合物1當量，上述選自由胺加成化合物及脲加成化合物所組成之群中之至少一種之含量為0.3當量以上0.8當量以下。
如請求項1、2、3或4之液晶顯示元件用密封劑，其中，上述液晶顯示元件用密封劑之硬化物在25℃對聚醯亞胺之接著力為在25℃對玻璃之接著力之50%以上。
如請求項1、2、3或4之液晶顯示元件用密封劑，其中，上述液晶顯示元件用密封劑之硬化物在80℃對玻璃之接著力為在25℃對玻璃之接著力之30%以上。
如請求項1、2、3或4之液晶顯示元件用密封劑，其中，上述液晶顯示元件用密封劑之硬化物在25℃之儲存彈性模數為3.5 GPa以下。
一種上下導通材料，其含有請求項1、2、3、4、5、6或7之液晶顯示元件用密封劑及導電性微粒子。
一種液晶顯示元件，其係使用請求項1、2、3、4、5、6或7之液晶顯示元件用密封劑或請求項8之上下導通材料而成者。
一種評估一樣品的一區域的方法，該樣品的該區域包括一第一子區域及與該第一子區域相鄰的一第二子區域，該區域包括延伸穿過該第一子區域及該第二子區域兩者的複數組豎直堆疊的雙層，其中該第一子區域中的該等豎直堆疊的雙層的一幾何形狀或取向不同於該第二子區域中的該豎直堆疊的雙層的一幾何形狀或取向，從而導致該第一子區域具有一第一銑削速率並且該第二子區域具有不同於該第一銑削速率的一第二銑削速率，該方法包括以下步驟：<br/> 藉由使一聚焦離子射束在一樣品的該區域上掃描複數次迭代來銑削該區域，其中對於每次迭代，該聚焦離子射束在該第一子區域及該第二子區域上掃描，從而從該第一子區域及該第二子區域中的每一者產生二次電子及二次離子；<br/> 在該銑削步驟期間，偵測所產生的該等二次電子或該等二次離子中的至少一者；<br/> 從偵測到的二次電子或二次離子中的該至少一者即時產生一終點偵測信號，該終點偵測信號包括具有一第一頻率的一快速振盪信號及具有比該第一頻率慢的一第二頻率的一慢速振盪信號；<br/> 分析該快速振盪信號及該慢速振盪信號以判定該快速振盪信號及該慢速振盪信號的原始第一及第二頻率；以及<br/> 基於所判定的該等第一及第二頻率即時估計該第一子區域及該第二子區域中的每一者的一深度。
如請求項1所述之評估一樣品的一區域的方法，該方法進一步包括以下步驟：當達到該第一子區域及該第二子區域中的至少一者中的一預定深度時，停止該減層製程。
如請求項1所述之評估一樣品的一區域的方法，其中一二次電子計數不能用作一精確的終點偵測信號。
如請求項1所述之評估一樣品的一區域的方法，其中該估計進一步基於該等層的一已知厚度及該銑削時間。
如請求項1所述之評估一樣品的一區域的方法，其中該第一子區域中的該等豎直堆疊的雙層的一幾何形狀不同於該第二子區域中的該等豎直堆疊的雙層的一幾何形狀。
如請求項1所述之評估一樣品的一區域的方法，其中在該第一子區域中形成複數個導通孔，並且在該第二子區域中不形成導通孔。
如請求項1至6中任一項所述之評估一樣品的一區域的方法，其中在該銑削步驟期間，該偵測步驟偵測所產生的該等二次電子，並且該產生步驟即時地從所偵測的該等二次電子產生一終點偵測信號。
一種評估一樣品的一區域的系統，該樣品的該區域包括一第一子區域及與該第一子區域相鄰的一第二子區域，該區域包括延伸穿過該第一子區域及該第二子區域兩者的複數組豎直堆疊的雙層，其中該第一子區域中的該等豎直堆疊的雙層的一幾何形狀或取向不同於該第二子區域中的該豎直堆疊的雙層的一幾何形狀或取向，從而導致該第一子區域具有一第一銑削速率並且該第二子區域具有不同於該第一銑削速率的一第二銑削速率，該系統包括：<br/> 一真空腔室；<br/> 一樣品支撐件，該樣品支撐件被配置為在一樣品評估過程期間將一樣品保持在該真空腔室內；<br/> 一聚焦離子射束（FIB）柱，該FIB柱被配置為將一第二帶電粒子射束引入該真空腔室中；<br/> 一處理器及與該處理器耦合的一記憶體，該記憶體包括複數個電腦可讀取指令，該複數個電腦可讀取指令當由該處理器執行時使該系統執行以下操作：<br/> 藉由使一聚焦離子射束在一樣品的該區域上掃描複數次迭代來銑削該區域，其中對於每次迭代，該聚焦離子射束在該第一子區域及該第二子區域上掃描，從而從該第一子區域及該第二子區域中的每一者產生二次電子及二次離子；<br/> 在該銑削步驟期間，偵測所產生的該等二次電子或該等二次離子中的至少一者；<br/> 從偵測到的二次電子或二次離子中的該至少一者即時產生一終點偵測信號，該終點偵測信號包括具有一第一頻率的一快速振盪信號及具有比該第一頻率慢的一第二頻率的一慢速振盪信號；<br/> 分析該快速振盪信號及該慢速振盪信號以判定該快速振盪信號及該慢速振盪信號的原始第一及第二頻率；以及<br/> 基於所判定的該等第一及第二頻率即時估計該第一子區域及該第二子區域中的每一者的一深度。
如請求項8所述之系統，其中該複數個電腦可讀取指令當由該處理器執行時進一步使得該系統在該第一子區域及該第二子區域中的至少一者中達到一預定深度時停止該減層製程。
如請求項8所述之系統，其中一二次電子計數不能用作一精確的終點偵測信號。
如請求項8所述之系統，其中該估計進一步基於該等層的一已知厚度及該銑削時間。
如請求項8所述之系統，其中在該銑削步驟期間，該偵測步驟偵測所產生的該等二次電子，並且該產生步驟即時地從所偵測的該等二次電子產生一終點偵測信號。
如請求項8所述之系統，其中該第一子區域中的該等豎直堆疊的雙層的一幾何形狀不同於該第二子區域中的該等豎直堆疊的雙層的一幾何形狀。
如請求項8至13中任一項所述之系統，其中在該第一子區域中形成複數個導通孔，並且在該第二子區域中不形成導通孔。
一種非暫時性電腦可讀取記憶體，該非暫時性電腦可讀取記憶體儲存用於藉由以下操作評估一樣品的一區域的指令，該樣品的該區域包括一第一子區域及與該第一子區域相鄰的一第二子區域，該區域包括延伸穿過該第一子區域及該第二子區域兩者的複數組豎直堆疊的雙層，其中該第一子區域中的該等豎直堆疊的雙層的一幾何形狀或取向不同於該第二子區域中的該豎直堆疊的雙層的一幾何形狀或取向，從而導致該第一子區域具有一第一銑削速率並且該第二子區域具有不同於該第一銑削速率的一第二銑削速率：<br/> 藉由使一聚焦離子射束在一樣品的該區域上掃描複數次迭代來銑削該區域，其中對於每次迭代，該聚焦離子射束在該第一子區域及該第二子區域上掃描，從而從該第一子區域及該第二子區域中的每一者產生二次電子及二次離子；<br/> 在該銑削步驟期間，偵測所產生的該等二次電子或該等二次離子中的至少一者；<br/> 從偵測到的二次電子或二次離子中的該至少一者即時產生一終點偵測信號，該終點偵測信號包括具有一第一頻率的一快速振盪信號及具有比該第一頻率慢的一第二頻率的一慢速振盪信號；<br/> 分析該快速振盪信號及該慢速振盪信號以判定該快速振盪信號及該慢速振盪信號的原始第一及第二頻率；以及<br/> 基於所判定的該等第一及第二頻率即時估計該第一子區域及該第二子區域中的每一者的一深度。
如請求項15所述之非暫時性電腦可讀取記憶體，其中一二次電子計數不能用作一精確的終點偵測信號。
如請求項15所述之非暫時性電腦可讀取記憶體，其中該估計進一步基於該等層的一已知厚度及該銑削時間。
如請求項15所述之非暫時性電腦可讀取記憶體，其中在該銑削步驟期間，該偵測步驟偵測所產生的該等二次電子，並且該產生步驟即時地從所偵測的該等二次電子產生一終點偵測信號。
如請求項15所述之非暫時性電腦可讀取記憶體，其中該第一子區域中的該等豎直堆疊的雙層的一幾何形狀不同於該第二子區域中的該等豎直堆疊的雙層的一幾何形狀。
如請求項15至19中任一項所述的非暫時性電腦可讀取記憶體，其中當在該第一子區域及該第二子區域中的至少一者中達到一預定深度時，該等用於評估一樣品的一區域的指令使該減層製程停止。
一種具有重置電路之設備，其包括： <br/>複數個監測電路，其等各自經組態為(i)判定複數個輸入時脈信號之一者之狀態、(ii)將上述複數個輸入時脈信號之一者傳輸至鎖相迴路電路及(iii)回應於上述狀態而產生損耗信號； <br/>其中上述重置電路經組態為(i)自上述複數個監測電路接收上述損耗信號及(ii)回應於上述損耗信號而產生重置信號，其中(a)上述複數個輸入時脈信號之一者係由上述鎖相迴路電路使用之初級輸入，(b)上述複數個輸入時脈信號之一者係次級輸入，上述次級輸入被選擇為替換用於上述鎖相迴路電路之上述初級輸入，(c)上述重置信號經組態為重置上述鎖相迴路電路之反饋時脈分頻器，(d)作為上述反饋時脈分頻器之組件而實施有(implemented)反饋重置電路，(e)上述反饋重置電路經組態為基於上述鎖相迴路電路之輸出時脈信號來重置由上述反饋時脈分頻器產生之反饋信號，且(f)重置上述反饋時脈分頻器限制：量測上述輸入時脈信號之無中斷重新配置(hitless re-arrangement)中上述初級輸入與上述次級輸入之間的偏移中之不準確性(inaccuracy)。
如請求項1之設備，其中限制量測上述偏移中之上述不準確性防止上述鎖相迴路電路之輸出時脈信號上之瞬變(transient)。
如請求項1之設備，其中重置上述反饋信號使得上述反饋信號可獨立於上述輸出時脈信號而調整。
如請求項3之設備，其中獨立於上述輸出時脈信號而調整上述反饋信號限制上述鎖相迴路電路執行相位偏移量測之時間量。
如請求項1之設備，其中重置上述反饋信號使得在上述初級輸入及上述次級輸入具有大致相同頻率時上述初級輸入與上述次級輸入之間的相位偏移可被吸收。
如請求項1之設備，其中重置上述反饋信號包括使上述反饋信號與上述次級輸入對準。
如請求項6之設備，其中上述反饋重置電路包括：閘控電路(gated circuit)，其經組態為在上述初級輸入失效時將上述次級輸入提供至上述反饋信號。
如請求項1之設備，其中上述輸入時脈信號之上述狀態係信號損耗。
如請求項8之設備，其中(i)上述監測電路各自經組態為(a)產生時脈狀態信號及(b)將上述時脈狀態信號呈現(present)給暫存器區塊，(ii)上述時脈狀態信號經組態為提供上述輸入時脈信號之何者具有上述信號損耗之指示(indication)，且(iii)上述暫存器區塊經組態為回應於上述時脈狀態信號而引發失效切換(initiate a failover)。
如請求項1之設備，其中(i)上述鎖相迴路電路經組態為操作於(a)其中啟用上述輸入時脈信號之上述無中斷重新配置之第一操作模式及(b)其中停用上述輸入時脈信號之無中斷重新配置之第二操作模式，且(ii)無中斷啟用信號經組態為選擇上述第一操作模式或上述第二操作模式。
如請求項10之設備，其中(i)上述設備經組態為於上述第一操作模式產生上述重置信號，且(ii)上述重置信號於上述第二操作模式未產生。
如請求項1之設備，其中上述設備經組態為限制上述鎖相迴路電路之輸出時脈上之相位瞬變。
如請求項12之設備，其中(i)上述初級輸入及上述次級輸入具有低於8 kHz之頻率及可高達180度之相位差，且(ii)上述相位瞬變被限制為小於150皮秒。
如請求項1之設備，其中重置上述反饋時脈分頻器經組態為限制上述鎖相迴路電路執行相位偏移量測之時間量。
如請求項1之設備，其中重置上述反饋時脈分頻器經組態為使得上述反饋信號可在上述初級輸入失效之後追蹤上述次級輸入而非上述初級輸入。
如請求項1之設備，其中上述設備經實施為同步乙太網電信裝置之組件。
如請求項1之設備，其中上述重置電路經進一步組態為(i)判定初級輸入與次級輸入之間的相位偏移是否超過臨限值(threshold)及(ii)回應於上述相位偏移超過上述臨限值而產生上述重置信號。
一種具有重置電路之設備，其包括： <br/>複數個監測電路，其等各自經組態為(i)判定複數個輸入時脈信號之一者之狀態、(ii)將上述複數個輸入時脈信號之一者傳輸至鎖相迴路電路及(iii)回應於上述狀態而產生損耗信號； <br/>其中上述重置電路經組態為(i)自上述複數個監測電路接收上述損耗信號及(ii)回應於上述損耗信號而產生重置信號，其中(a)上述複數個輸入時脈信號之一者係由上述鎖相迴路電路使用之初級輸入，(b)上述複數個輸入時脈信號之一者係次級輸入，上述次級輸入被選擇為替換用於上述鎖相迴路電路之上述初級輸入，(c)上述重置信號經組態為重置上述鎖相迴路電路之反饋時脈分頻器，(d)重置上述反饋時脈分頻器限制：量測上述輸入時脈信號之無中斷重新配置中上述初級輸入與上述次級輸入之間的偏移中之不準確性，且(e)上述設備經組態為限制上述鎖相迴路電路之輸出時脈上之相位瞬變。
一種具有重置電路之設備，其包括： <br/>複數個監測電路，其等各自經組態為(i)判定複數個輸入時脈信號之一者之狀態、(ii)將上述複數個輸入時脈信號之一者傳輸至鎖相迴路電路及(iii)回應於上述狀態而產生損耗信號； <br/>其中上述重置電路經組態為(i)自上述複數個監測電路接收上述損耗信號及(ii)回應於上述損耗信號而產生重置信號，其中(a)上述複數個輸入時脈信號之一者係由上述鎖相迴路電路使用之初級輸入，(b)上述複數個輸入時脈信號之一者係次級輸入，上述次級輸入被選擇為替換用於上述鎖相迴路電路之上述初級輸入，(c)上述重置信號經組態為重置上述鎖相迴路電路之反饋時脈分頻器，且(d)重置上述反饋時脈分頻器經組態為限制：(i)量測上述輸入時脈信號之無中斷重新配置中上述初級輸入與上述次級輸入之間的偏移中之不準確性，及(ii)上述鎖相迴路電路執行相位偏移量測之時間量。
一種顯示驅動器，包括：<br/> 控制電路組，配置為：<br/> 儲存用於一第一影格率的一第一設定表及用於一第二影格率的一第二設定表；<br/> 因應於將一顯示裝置的一影格率從該第一影格率調整至該第二影格率，透過對從該第一設定表中獲得的一第一控制參數及從該第二設定表中獲得的一第二控制參數進行內插，產生一內插控制參數；<br/> 在一第一影格週期，將該顯示裝置的該影格率設定為該第一影格率；<br/> 在該第一影格週期後的一第二影格週期，將該顯示裝置的該影格率設定為該第二影格率；以及<br/> 在該第一影格週期與該第二影格週期之間的一第三影格週期，將該顯示裝置的該影格率設定為在該第一影格率與該第二影格率之間的一第三影格率；以及<br/> 訊號供應電路組，配置為基於該內插控制參數產生要供應給一顯示螢幕的至少一第一訊號。
如請求項1所述的顯示驅動器，其中該控制電路組配置為：<br/> 基於一指定影格率，從多個設定表中選擇該第一設定表及該第二設定表。
如請求項2所述的顯示驅動器，其中該指定影格率由該顯示驅動器外部的一主機所指定。
如請求項1所述的顯示驅動器，其中該控制電路組配置為：<br/> 基於一顯示亮度值（display brightness value，DBV），從該第一設定表中選擇該第一控制參數；以及<br/> 基於該DBV，從該第二設定表中選擇該第二控制參數。
一種探針卡用多層配線基板，係設在探針卡之外部端子及探針間之配線路徑上，其上面形成有底絕緣膜，其具備： <br/>薄膜電阻，係由形成在該底絕緣膜上之薄膜構成，連接有一對連接電極：以及 <br/>埋設散熱器，係以隔著該底絕緣膜與該薄膜電阻之主面對向之方式埋設，由熱傳導率較該底絕緣膜高之材料構成，且表面整體平坦； <br/>該埋設散熱器延伸至該薄膜電阻之形成區域外，且該埋設散熱器之一部分具有從該底絕緣膜露出之散熱部。
如請求項1所述之探針卡用多層配線基板，其進一步具備形成在與該薄膜電阻對應之區域、以覆蓋該薄膜電阻並使該底絕緣膜之一部分露出之方式形成的覆蓋絕緣膜； <br/>該埋設散熱器之該散熱部形成在該覆蓋絕緣膜之形成區域外。
如請求項2所述之探針卡用多層配線基板，其進一步具備堆積在該散熱部與和該散熱部相鄰之該底絕緣膜上之既定區域、由熱傳導率較該底絕緣膜高之材料構成的露出散熱器； <br/>該露出散熱器之該既定區域係隔著該散熱部連接在該埋設散熱器。
如請求項3所述之探針卡用多層配線基板，其進一步具備以隔著該覆蓋絕緣膜和該薄膜電阻對向之方式形成的保護膜。
如請求項3所述之探針卡用多層配線基板，其中，該露出散熱器係堆積在該散熱部上、該覆蓋絕緣膜上、以及與該散熱部及該覆蓋絕緣膜分別相鄰之該底絕緣膜之該既定區域上，於該覆蓋絕緣膜上具有與該薄膜電阻對向之區域的保護區域； <br/>該保護區域通過該既定區域上而連接於該埋設散熱器。
如請求項1至5中任一項所述之探針卡用多層配線基板，其中，該一對連接電極係設置在該薄膜電阻之第1方向兩端； <br/>該散熱部從該薄膜電阻觀察時，係形成在與該第1方向交叉之第2方向。
如請求項6所述之探針卡用多層配線基板，其中，2個以上之該薄膜電阻於該第2方向彼此分離排列配置； <br/>該埋設散熱器，係以延伸於該第2方向、與該2個以上之該薄膜電阻分別對向之方式埋設。
如請求項1至5中任一項所述之探針卡用多層配線基板，其中，該底絕緣膜係由絕緣性樹脂材料構成。
如請求項3至5中任一項所述之探針卡用多層配線基板，其中，該露出散熱器係由金屬材料構成。
一種探針卡，係在如請求項1至9中任一項所述之探針卡用多層配線基板上配設該探針。
一種電子機器，其特徵係具有：半導體封裝，其係具有：半導體晶片、安裝前述半導體晶片的封裝基材、及位於比前述半導體晶片的外緣更外側且位於前述封裝基材的外緣的內側之部分；和放熱器，在前述半導體晶片的表面與前述放熱器之間配置具有流動性的熱傳導材料，關於前述半導體封裝的資訊，不是在前述半導體晶片的表面，而是被記載於前述半導體封裝的前述部分，且其中，前述半導體封裝，係具有被安裝於前述封裝基材之發熱量比前述半導體晶片更小的電子零件，且記載關於前述半導體封裝的前述資訊的前述部分包括前述電子零件。
如請求項1記載的電子機器，其中，記載有關於前述半導體封裝的前述資訊的前述部分包括安裝於前述封裝基材的零件。
如請求項2記載的電子機器，其中，前述半導體封裝係具有加強材，其中，記載關於前述半導體封裝的前述資訊的前述部分包括前述加強材，且其中前述加強材被安裝於前述封裝基材。
如請求項1記載的電子機器，其中，記載有關於前述半導體封裝的前述資訊的前述部分包括前述封裝基材的一部分。
如請求項1記載的電子機器，其中，表示關於前述半導體封裝的前述資訊之文字、記號及代碼之中的至少一個會以油墨、雷射及封印之中的至少一個來記載於前述部分。
如請求項1記載的電子機器，其中，前述熱傳導材料為液體金屬。
如請求項1記載的電子機器，其中，更具有包圍前述半導體晶片的密封構件，記載有關於前述半導體封裝的前述資訊的前述部分係位於前述密封構件的外側。
如請求項1記載的電子機器，其中，記載有關於前述半導體封裝的前述資訊的前述部分係以可卸下的構件所覆蓋。
一種電子機器，其特徵係具有：半導體封裝，其係具有半導體晶片及安裝前述半導體晶片的封裝基材；和放熱器，前述半導體封裝，係具有：第1部分，其係形成具有流動性的熱傳導材料，從前述半導體晶片透過前述熱傳導材料來將熱傳至前述放熱器；及與前述第1部分不同的第2部分，關於前述半導體封裝的資訊會被記載於前述第2部分；及前述電子機器包括由平面視時包圍前述熱傳導材料且包圍前述半導體晶片的密封構件，其中在前述密封構件中形成用以露出前述半導體晶片的上面的開口，其中記載關於前述半導體封裝的前述資訊的前述第2部分是位於前述密封構件之外側。
如請求項9記載的電子機器，其中，前述第2部分為前述熱傳導材料未附著的部分。
一種電子機器，其特徵係具有：半導體封裝，其係具有半導體晶片及安裝前述半導體晶片的封裝基材；和放熱器，在前述半導體晶片的表面與前述放熱器之間配置具有流動性的熱傳導材料，前述半導體晶片在其表面具有第1區域及在前述半導體晶片的動作時溫度比前述第1區域更低的第2區域，關於前述半導體封裝的資訊，不是在前述半導體晶片的第1區域，而是被記載於前述第2區域。
如請求項11記載的電子機器，其中，前述第2區域係沿著前述半導體晶片的前述表面的外緣而設。
一種電子機器，其特徵係具有：半導體封裝，其係具有半導體晶片及安裝前述半導體晶片的封裝基材；和放熱器，前述半導體晶片的表面係具有記載關於前述半導體封裝的資訊之區域，在前述半導體晶片的表面形成有覆蓋前述區域的表面處理層，在前述表面處理層與前述放熱器之間配置具有流動性的熱傳導材料，以及前述表面處理層具有平坦的上面，且分別在覆蓋記載關於前述半導體封裝的前述資訊之前述區域的部分以及在覆蓋不具有關於前述半導體封裝的前述資訊的區域之另一部分具有不同的厚度。
如請求項13記載的電子機器，其中，前述表面處理層的厚度係比前述熱傳導材料的厚度更薄。
一種半導體封裝，其特徵係具有：半導體晶片；安裝前述半導體晶片的封裝基材；及位於比前述半導體晶片的外緣更外側，且位於前述封裝基材的外緣的內側之部分，關於前述半導體封裝的資訊，不是在前述半導體晶片的前述表面，而是被記載於前述部分，以及被安裝於前述封裝基材之發熱量比前述半導體晶片更小的電子零件，其中前述電子零件作為記載關於前述半導體封裝的前述資訊的前述部分。
一種半導體封裝，其特徵係具有：半導體晶片；及安裝前述半導體晶片的封裝基材，前述半導體晶片在其表面具有第1區域及在前述半導體晶片的動作時溫度比前述第1區域更低的第2區域，關於前述半導體封裝的資訊，不是在前述半導體晶片的第1區域，而是被記載於前述第2區域。
一種電子機器的製造方法，其特徵係包含：準備半導體封裝之工序，該半導體封裝具有：半導體晶片、安裝前述半導體晶片的封裝基材、及位於比前述半導體晶片的外緣更外側且位於前述封裝基材的外緣的內側之部分，其中前述半導體封裝包括被安裝於前述封裝基材之發熱量比前述半導體晶片更小的電子零件；將關於前述半導體封裝的資訊，不是前述半導體晶片的表面，而是記載於前述半導體封裝的前述部分之工序，其中前述電子零件作為記載關於前述半導體封裝的前述資訊的前述部分；及將具有流動性的熱傳導材料配置於前述半導體晶片的前述表面之工序。
一種電子機器的製造方法，其特徵係包含：準備半導體封裝之工序，該半導體封裝具有：在表面具有第1區域與第2區域的半導體晶片、及安裝前述半導體晶片的封裝基材，在前述半導體晶片的動作時，前述第2區域的溫度會比前述第1區域的溫度更低；將關於前述半導體封裝的資訊，不是前述半導體晶片的第1區域，而是記載於前述第2區域之工序；及將具有流動性的熱傳導材料配置於前述半導體晶片的前述表面之工序。
一種電子機器的製造方法，其特徵係包含：準備半導體封裝之工序，該半導體封裝具有半導體晶片及安裝前述半導體晶片的封裝基材，記載關於前述半導體封裝的資訊之區域會被確保於前述半導體晶片的表面；在前述半導體晶片的表面形成覆蓋前述區域的表面處理層之工序；及將具有流動性的熱傳導材料配置於前述表面處理層上之工序，其中前述表面處理層具有平坦的上面，且分別在覆蓋記載關於前述半導體封裝的前述資訊之前述區域的部分以及在覆蓋不具有關於前述半導體封裝的前述資訊的區域之另一部分具有不同的厚度。
一種資料處理系統，包括：一機架式伺服器，包括一殼體，上述殼體形成上述機架式伺服器的一外殼，上述殼體機架式伺服器具有n個機架單元形狀尺寸，n為介在1到8範圍內的一整數，上述殼體包括一底面板和一前面板，其中上述前面板相對於上述底面板成一角度，其中上述角度在30°至150°的範圍內；一第一電路板，位於上述殼體內，其中上述第一電路板具有一長度、一寬度和一厚度，其中上述長度至少是上述厚度的兩倍，上述寬度至少是上述厚度的兩倍，且上述第一電路板具有由上述長度和上述寬度限定的一第一表面；其中上述第一電路板的上述第一表面相對於上述底面板成一第一角度，其中上述第一角度在30°至150°的範圍內；其中，上述第一電路板的上述第一表面實質上平行於上述機架式伺服器的上述前面板；一第一資料處理模組，電性耦合至上述第一電路板；以及一第一光互連模組，電性耦合至上述第一電路板，其中上述第一光互連模組被配置為從一第一光鏈路接收第一光訊號，將上述第一光訊號轉換為第一電訊號，並將上述第一電訊號傳輸到上述第一資料處理模組。
如請求項1之資料處理系統，包括：具有一長度、一寬度和一厚度的一第二電路板，其中上述長度至少是上述厚度的兩倍，上述寬度至少是上述厚度的兩倍，且上述第二電路板具有由上述長度和上述寬度限定的一第一表面；其中，上述第二電路板的上述第一表面實質上平行於上述底面板或相對於上述底面板成一角度，且上述角度小於20°，以及上述第二電路板電性耦合至上述第一電路板。
如請求項2之資料處理系統，其中上述第二電路板包括一主機板，上述第一電路板包括一子卡(daughter card)，而上述主機板配置用於為上述子卡供電。
如請求項1之資料處理系統，其中上述前面板與一後面板以至少為12英吋的一平均距離隔開，上述第一電路板與上述前面板以小於4英吋的一平均距離隔開。
如請求項1之資料處理系統，其中上述第一資料處理模組至少包括一網路交換機、一中央處理器單元、一圖形處理器單元、一張量處理單元、一神經網路處理器、一人工智能加速器、一數位訊號處理器、一微控制器、一特定應用積體電路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)或一資料儲存設備。
如請求項5之資料處理系統，其中上述第一資料處理模組能夠以每秒至少25Gb的速率處理來自上述第一光互連模組的資料。
如請求項5之資料處理系統，其中上述第一資料處理模組包括一積體電路或包括至少一百萬個電晶體的一系統單晶片。
如請求項1之資料處理系統，其中上述第一資料處理模組安裝於一基板上，上述基板電性耦合至上述第一電路板。
如請求項1之資料處理系統，其中上述第一光互連模組可拆卸地耦合至上述第一電路板。
如請求項9之資料處理系統，其中一插座被安裝在上述第一電路板上，且上述第一光互連模組可拆卸地耦合至上述插座。
如請求項1之資料處理系統，其中上述第一光互連模組包括安裝在一基板上的一光子積體電路，且上述基板電性耦合到上述第一電路板。
如請求項1之資料處理系統，其中上述第一光互連模組包括一連接器部件，其使得一或多個光纖能夠可拆卸地連接到上述第一光互連模組。
如請求項1之資料處理系統，其中上述第一光互連模組被安裝於上述第一電路板的上述第一表面，且上述第一表面朝向一後面板並遠離上述前面板。
如請求項13之資料處理系統，其中上述第一電路板限定一第一開口，上述前面板限定一第二開口，上述系統包括穿過上述第一和上述第二開口的一光學路徑，並且使得來自上述第一光鏈路的上述第一光訊號能夠被傳輸到上述第一光互連模組。
如請求項1之資料處理系統，其中上述第一電訊號包括第一串行電訊號，且上述系統包括：一第一串行器/解串器，配置用以根據上述第一串行電訊號生成一第一平行電訊號組，並調節上述第一平行電訊號；以及一第二串行器/解串器，配置用以根據上述第一平行電訊號組生成一第二串行電訊號；其中，上述第一資料處理模組配置用以處理上述第二串行電訊號中所攜帶的資料。
如請求項15之資料處理系統，包括：一第三串行器/解串器，配置用以基於上述第二串行電訊號生成一第二平行電訊號組；其中，上述第一資料處理模組配置用以處理由上述第二平行電訊號組所攜帶的的資料。
如請求項16之資料處理系統，其中上述第三串行器/解串器被嵌入在上述第一資料處理模組中。
如請求項1之資料處理系統，其中上述第一光互連模組包括一光子積體電路和光耦合到上述光子積體電路的一第一光連接器，上述第一光連接器配置用以與耦合到至少100根光纖束的一第二光連接器可拆卸地連接，以及上述第一光連接器配置用以提供至少100條光學路徑以使來自上述光纖束的光訊號能夠耦合到上述光子積體電路。
如請求項1之資料處理系統，其中上述第一光互連模組包括一光柵耦合器陣列、耦合到上述光柵耦合器陣列的複數光波導、以及耦合到上述複數光波導的複數光電探測器。
如請求項19之資料處理系統，其中上述第一光互連模組包括一光子積體電路和耦合到上述光子積體電路的一光纖連接器；其中上述光子積體電路包括上述光柵耦合器陣列、上述複數光波導和上述複數光電探測器；以及其中上述光纖連接器包括一透鏡陣列，上述透鏡陣列配置成將光聚焦到上述光柵耦合器或從上述光柵耦合器聚焦。
如請求項1之資料處理系統，其中上述第一資料處理模組包括一網路交換機，上述機架式伺服器包括一乙太網路交換器盒。
一種資料處理系統，包括：一機架式伺服器，包括一殼體，上述殼體形成上述機架式伺服器的一外殼，上述殼體機架式伺服器具有n個機架單元形狀尺寸，n為介在1到8範圍內的一整數，上述殼體包括一底面板和一前面板，其中上述前面板相對於上述底面板成一角度，其中上述角度在30°至150°的範圍內；一第一電路板，位於上述殼體內，其中上述第一電路板具有一長度、一寬度和一厚度，其中上述長度至少是上述厚度的兩倍，上述寬度至少是上述厚度的兩倍，且上述第一電路板具有由上述長度和上述寬度限定的一第一表面；其中上述第一電路板的上述第一表面相對於上述底面板成一第一角度，其中上述第一角度在30°至150°的範圍內；其中，上述第一電路板的上述第一表面相對於上述前面板以一第二角度定向，其中上述第二個角度小於60°；一第一資料處理模組，電性耦合至上述第一電路板；以及一第一光互連模組，電性耦合至上述第一電路板，其中上述第一光互連模組被配置為從一第一光鏈路接收第一光訊號，將上述第一光訊號轉換為第一電訊號，並將上述第一電訊號傳輸到上述第一資料處理模組。
如請求項22之資料處理系統，其中上述前面板透過一鉸鏈樞轉地連接至上述殼體的另一部分，並且當上述前面板關閉時測量上述第二角度。
一種資料處理系統，包括：一機架式伺服器，包括一殼體，上述殼體形成上述機架式伺服器的一外殼，上述殼體機架式伺服器具有n個機架單元形狀尺寸，n為介在1到8範圍內的一整數，上述殼體包括一底面板和一前面板，其中上述前面板包括複數個光連接器部件，每一光連接器部件被配置為光學耦接至一外部光纖電纜和一內部光纖電纜；位於上述殼體中的一第一電路板或一第一基板，其中上述第一電路板或上述第一基板相對於上述底面板以一角度定向，其中上述角度在30°至150°的範圍內；其中，上述第一電路板或上述第一基板相對於上述前面板成小於60°的角度；複數光互連模組，電性耦合至上述第一電路板；以及複數內部光纜，其中每一內部光纜光耦合至上述光互連模組其中之一及上述前面板上的一相應光連接器部件。
如請求項24之資料處理系統，其中上述殼體的上述前面板被配置為可在一關閉位置和一打開位置之間移動，當上述前面板處於上述關閉位置時，上述第一電路板或上述第一基板定位在上述前面板後面並且相對於上述前面板成成小於60°的角度。
一種資料處理系統，包括：一機架式伺服器，包括一殼體，上述殼體形成上述機架式伺服器的一外殼，上述殼體機架式伺服器具有n個機架單元形狀尺寸，n為介在1到8範圍內的一整數，上述殼體，包括一底面板和一前面板，上述前面板包括複數光連接器部件，每一光連接器部件配置用以光耦合到一外部光纖電纜和一內部光纖電纜；一第一電路板或一第一基板，位於上述殼體內，其中上述第一電路板或上述第一基板相對於上述底面板成一角度，其中上述角度在30°至150°的範圍內；其中，上述第一電路板或上述第一基板與上述前面板實質上平行；複數光互連模組，電性耦合到上述第一電路板；以及複數內部光纖電纜，其中每一內部光纖電纜光耦合到上述光互連模組其中之一和上述前面板上的一對應光連接器部件。
如請求項26之資料處理系統，其中，上述外殼的上述前面板配置為可在一關閉位置和一打開位置之間移動，當上述前面板處於上述關閉位置時，上述第一電路板或上述第一基板位於上述前面板的後面，且實質上平行於上述前面板。
一種資料處理系統，包括：一殼體，包括一底面板和一前面板，其中上述前面板相對於上述底面板成一角度，其中上述角度在30°至150°的範圍內；一第一電路板，位於上述殼體內，其中上述第一電路板具有一長度、一寬度和一厚度，其中上述長度至少是上述厚度的兩倍，上述寬度至少是上述厚度的兩倍，且上述第一電路板具有由上述長度和上述寬度限定的一第一表面；其中上述第一電路板的上述第一表面相對於上述底面板成一第一角度，其中上述第一角度在30°至150°的範圍內；其中，上述第一電路板的上述第一表面實質上平行於上述前面板，或當上述前面板閉合時，上述第一電路板的上述第一表面與上述前面板成一第二角度，其中上述第二角度小於60°；一第一資料處理模組，電性耦合至上述第一電路板；以及一第一光互連模組，電性耦合至上述第一電路板，其中上述第一光互連模組被配置為從一第一光鏈路接收第一光訊號，將上述第一光訊號轉換為第一電訊號，並將上述第一電訊號傳輸到上述第一資料處理模組；其中，上述第一光互連模組安裝在上述第一電路板的上述第一表面上，且上述第一表面面向上述後面板並遠離上述前面板；以及其中，上述第一電路板限定一第一開口，上述前面板限定一第二開口，上述資料處理系統包括一光路，上述光路穿過上述第一開口和上述第二開口，並使來自上述第一光鏈路的上述第一光信號能夠傳輸至上述第一光互連模組。
如請求項28之資料處理系統，包括一第二電路板，其具有一長度、一寬度和一厚度，其中上述長度是上述厚度的至少兩倍，上述寬度是上述厚度的至少兩倍，且上述第二電路板具有由上述長度和上述寬度限定的一第一表面；其中上述第二電路板的上述第一表面實質上平行於上述底面板或相對於上述底面板具有小於20°的角度，且上述第二電路板電性耦接於上述第一電路板。
如請求項29之資料處理系統，其中上述第二電路板包括一主機板，上述第一電路板包括一子卡，而上述主機板配置用於為上述子卡供電。
如請求項28之資料處理系統，其中上述前面板與上述後面板以至少為12英吋的一平均距離隔開，上述第一電路板與上述前面板以小於4英吋的一平均距離隔開。
如請求項28之資料處理系統，其中上述第一資料處理模組至少包括一網路交換機、一中央處理器單元、一圖形處理器單元、一張量處理單元、一神經網路處理器、一人工智能加速器、一數位訊號處理器、一微控制器、一特定應用積體電路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)或一資料儲存設備。
如請求項32之資料處理系統，其中上述第一資料處理模組能夠以每秒至少25Gb的速率處理來自上述第一光互連模組的資料。
如請求項32之資料處理系統，其中上述第一資料處理模組包括一積體電路或包括至少一百萬個電晶體的一系統單晶片。
如請求項32之資料處理系統，其中上述第一資料處理模組安裝於一基板上，上述基板電性耦合至上述第一電路板。
如請求項32之資料處理系統，其中上述第一光互連模組可拆卸地耦合至上述第一電路板。
如請求項36之資料處理系統，其中一插座被安裝在上述第一電路板上，且上述第一光互連模組可拆卸地耦合至上述插座。
如請求項28之資料處理系統，其中上述第一光互連模組包括安裝在一基板上的一光子積體電路，且上述基板電性耦合到上述第一電路板。
如請求項28之資料處理系統，其中上述第一光互連模組包括一連接器部件，其使得一或多個光纖能夠可拆卸地連接到上述第一光互連模組。
如請求項28之資料處理系統，其中上述第一光互連模組被安裝於上述第一電路板的上述第一表面，且上述第一表面朝向上述後面板並遠離上述前面板。
如請求項40之資料處理系統，其中上述第一電路板限定一第一開口，上述前面板限定一第二開口，上述資料處理系統包括穿過上述第一和上述第二開口的一光學路徑，並且使得來自上述第一光鏈路的上述第一光訊號能夠被傳輸到上述第一光互連模組。
如請求項28之資料處理系統，其中上述第一電訊號包括第一串行電訊號，且上述資料處理系統包括：一第一串行器/解串器，配置用以根據上述第一串行電訊號生成一第一平行電訊號組，並調節上述第一平行電訊號；以及一第二串行器/解串器，配置用以根據上述第一平行電訊號組生成一第二串行電訊號；其中，上述第一資料處理模組配置用以處理上述第二串行電訊號中所攜帶的資料。
如請求項42之資料處理系統，包括：一第三串行器/解串器，配置用以基於上述第二串行電訊號生成一第二平行電訊號組；其中，上述第一資料處理模組配置用以處理由上述第二平行電訊號組所攜帶的的資料。
如請求項43之資料處理系統，其中上述第三串行器/解串器被嵌入在上述第一資料處理模組中。
如請求項28之資料處理系統，其中上述第一光互連模組包括一光子積體電路和光耦合到上述光子積體電路的一第一光連接器，上述第一光連接器配置用以與耦合到至少100根光纖束的一第二光連接器可拆卸地連接，以及上述第一光連接器配置用以提供至少100條光學路徑以使來自上述光纖束的光訊號能夠耦合到上述光子積體電路。
如請求項28之資料處理系統，其中上述第一光互連模組包括一光柵耦合器陣列、耦合到上述光柵耦合器陣列的複數光波導、以及耦合到上述複數光波導的複數光電探測器。
如請求項46之資料處理系統，其中上述第一光互連模組包括一光子積體電路和耦合到上述光子積體電路的一光纖連接器；其中上述光子積體電路包括上述光柵耦合器陣列、上述複數光波導和上述複數光電探測器，以及其中上述光纖連接器包括一透鏡陣列，上述透鏡陣列配置成將光聚焦到上述光柵耦合器或從上述光柵耦合器聚焦。
一種資料處理系統，包括：一殼體，包括一底表面；一第一電路板或第一基板，包括相對於上述殼體的上述底表面成一第一角度的一第一表面，其中上述第一角度在30°到150°的範圍內；至少一資料處理器，直接或間接安裝於上述第一電路板或上述第一基板上；以及至少一光互連模組直接或間接安裝在上述第一電路板或上述第一基板的上述第一表面上，其中每一光互連模組包括被配置為連接到一外部光鏈路的一第一光連接器，每一光互連模組包括一光子積體電路，上述光子積體電路被配置基於從上述第一光連接器接收的一光訊號產生一第一電訊號；其中上述至少一個資料處理器被配置為處理上述第一電訊號中所攜帶的資料；其中上述至少一光互連模組包括：一第二電路板或一第二基板，具有一長度、一寬度及一厚度，其中上述長度為上述厚度的至少兩倍，且上述寬度為上述厚度的至少兩倍，上述第二電路板或上述第二基板具有由上述長度和上述寬度限定的一第二表面；一光輸入埠口，配置用於接收複數通道的光訊號；其中上述光子積體電路安裝在上述第二電路板或上述第二基板上，並被配置為基於上述接收到的光訊號產生上述第一電訊號；以及一第一電端子陣列，設置於上述第二電路板或上述第二基板的上述第一表面上，其中上述第一電端子陣列包括沿上述長度方向分佈的至少兩個電端子以及沿上述寬度方向分佈的至少兩個電端子，上述第一電端子用於輸出上述第一電訊號。
如請求項48之資料處理系統，其中上述第一角度介在80°至100°的範圍內。
如請求項48之資料處理系統，其中上述光輸入埠口包括被配置為耦合到一二維光纖陣列的光連接器部件，並且上述二維光纖陣列包括至少兩行和至少兩列的光纖。
如請求項48之資料處理系統，其中上述至少一光互連模組的至少一個包括：一第一光輸入/輸出埠口，配置為以下至少一個：(i)從一第一複數光纖接收複數第一光訊號通道，或(ii)將複數第二光訊號通道傳輸到上述第一複數光纖；一第一光子積體電路，配置為以下至少一個：(i)基於上述第一光訊號產生複數第一串行電訊號，或(ii)基於複數第二串行電訊號產生上述第二光訊號；複數第一串行器/解串器，配置為以下至少一個：(i)基於上述複數第一串行電訊號產生複數第三平行電訊號組，並且調節上述電訊號，其中每一第三平行電訊號組基於一對應的第一串行電訊號而產生，或(ii)基於複數第四平行電訊號組產生上述複數第二串行電訊號，其中每一第二串行電訊號基於一對應的第四平行電訊號組而產生；以及複數第二串行器/解串器，配置為以下至少一個：(i)基於上述複數第三平行電訊號組產生複數第五串行電訊號，其中每一第五串行電訊號基於一對應的第三平行電訊號組而產生，或(ii)基於複數第六串行電訊號生成複數第四平行電訊號組，其中每一第四平行電訊號組基於一對應的第六串行訊號而產生；複數第三串行器/解串器，配置為以下至少一個：(i)基於上述複數第五串行電訊號生成複數第七平行電訊號組，並且調節上述電訊號，其中每一第七平行電訊號組基於一對應的第五串行電訊號組而產生，或者(ii)基於複數第八平行電訊號組生成上述複數第六串行電訊號，其中每一第六串行電訊號基於一對應的第八平行電訊號而產生；以及一資料處理器，配置為以下至少一個(i)處理上述複數第七平行電訊號組，或(ii)輸出上述複數第八平行電訊號組。
如請求項51之資料處理系統，其中上述複數第三串列器/解串器和上述資料處理器整合在一單晶片積體電路中。
如請求項48之資料處理系統，其中上述第一電路板或上述第一基板具有一第一主表面和一第二主表面；其中上述至少一光互連模組包括一第二基板，上述第二基板包括：一第一主表面和一第二主表面；一第一電觸點陣列，佈置在上述第一主表面上且在上述觸點之間具有一第一最小間距；一第二電觸點陣列，佈置在上述第二主表面上且在上述觸點之間具有一第二最小間距，其中上述第一最小間距大於上述第二最小間距；以及在上述第一電觸點陣列與上述第二電觸點陣列之間的電連接；其中上述第二基板的上述第一主表面被配置為可拆卸地連接至上述第一電路板或上述第一基板的上述第二主表面；其中上述至少一光互連模組還包括：具有一第二主表面的一光子積體電路；一第一光連接器部件，光耦合到上述光子積體電路的上述第二主表面；以及一第二電子積體電路，電耦合到上述光子積體電路的上述第二主表面和佈置在上述第二基板的上述第二主表面上的上述第二電觸點陣列。
如請求項48之資料處理系統，其中上述第一電路板或上述第一基板具有一第一主表面和一第二主表面；其中上述至少一光互連模組包括一第二基板，上述第二基板包括：一第一主表面和一第二主表面；一第一電觸點陣列，佈置在上述第一主表面上且在上述觸點之間具有一第一最小間距；一第二電觸點陣列，佈置在上述第二主表面上且在上述觸點之間具有一第二最小間距，其中上述第一最小間距大於上述第二最小間距；佈置在上述第一主表面上的一第三電觸點陣列；在上述第一電觸點陣列與上述第二電觸點陣列的一第一子集之間的第一電連接；以及在上述第三電觸點陣列與上述第二電觸點陣列的一第二子集之間的第二電連接；其中上述第二基板的上述第一主表面配置為可拆卸地連接至上述第一電路板或上述第一基板的上述第二主表面；其中上述至少一光互連模組還包括：一第二電子積體電路，電耦合到佈置在上述第二基板的上述第二主表面上的上述第二電觸點陣列；一光子積體電路，具有一第二主表面和佈置在上述第二主表面上的電觸點，上述電觸點電耦合到佈置在上述第二基板的上述第一主表面上的上述第三電觸點陣列；以及一第一光連接器部件，光耦合到上述光子積體電路。
如請求項48之資料處理系統，包括附著於上述第一電路板或上述第一基板的一第一結構；其中上述第一結構被配置為使得上述至少一光互連模組能夠可拆卸地耦合到上述第一結構，且上述至少一光互連模組被配置為使得一光纖連接器能夠可拆卸地耦合到上述至少一光互連模組。
如請求項55之資料處理系統，其中上述至少一光互連模組包括具有連接器的一光學模組，其被配置為當上述具有連接器的光學模組耦合到上述第一結構時將上述光子積體電路保持就位並且使來自上述光子積體電路的電子訊號能夠傳送至上述電路板；以及其中上述具有連接器的光學模組被配置為使得一光纖連接器能夠可拆卸地耦合到上述具有連接器的光學模組，其中上述具有連接器的光學模組被配置為使得來自上述光纖連接器的光訊號能夠被傳輸到上述光子積體電路。
如請求項48之資料處理系統，包括具有一長度、一寬度和一厚度的一第二電路板，其中上述長度是上述厚度的至少兩倍，上述寬度是上述厚度的至少兩倍，且上述第二電路板具有由上述長度和上述寬度限定的一第一表面；其中上述第二電路板的上述第一表面實質上平行於上述殼體的上述底表面或相對於上述底表面成一第二角度，上述第二角度小於20°，且上述第二電路板電性耦接至上述第一電路板或上述第一基板；其中上述第二電路板包括一主機板，上述第一電路板或上述第一基板包括一子卡，且上述主機板用於向上述子卡提供電力。
如請求項48之資料處理系統，包括：一機架式伺服器，配置為在運行時放置在一機架上，其中上述殼體包括用於上述機架式伺服器的一外殼，且上述殼體機架式伺服器具有n個機架單元形狀尺寸，n為介在1到8範圍內的一整數。
如請求項58之資料處理系統，其中上述至少一資料處理模組包括一網路交換機，上述機架式伺服器包括一乙太網路交換器盒。
一種資料處理系統，包括：一殼體，包括一前表面；一第一電路板或一第一基板，相對於上述前面板以一第一角度定向，其中上述第一角度在-60°至60°的範圍內；至少一資料處理器，直接或間接安裝於上述第一電路板或上述第一基板上；以及至少一光/電通訊介面模組，電性耦接上述第一電路板或上述第一基板；其中上述至少一資料處理模組能夠以至少每秒100Gb的速率處理來自上述至少一光/電通訊介面模組的資料，並且每一上述至少一光/電通訊介面模組中具有至少每秒10Gb的一頻寬；一機架式伺服器，配置為在運行時放置在一機架上，其中上述殼體包括用於上述機架式伺服器的一外殼，且上述殼體機架式伺服器具有n個機架單元形狀尺寸，n為介在1到8範圍內的一整數；以及複數光/電通訊介面模組，電性耦接至上述第一電路板或上述第一基板的一第一表面，其中上述複數光/電通訊介面模組包括上述至少一光/電通訊介面模組；其中每一光/電通訊介面模組用於接收第一光訊號，將上述第一光訊號轉換為第一電訊號，並將上述第一電訊號直接或間接傳輸至上述資料處理模組；其中每一光/電通訊介面模組用於直接或間接從上述至少一資料處理器接收第二電訊號，將上述第二電訊號轉換為第二光訊號，並輸出上述第二光訊號；其中上述第一電路板或上述第一基板的上述第一表面定向為面向上述前面板，以允許在不從上述機架移除上述機架式伺服器的情況下存取上述光/電通訊介面模組，其中存取上述光/電通訊介面模組其中之一包括以下至少一個：將上述光/電通訊介面模組附於上述第一電路板或上述第一基板上，或將上述光/電通訊介面模組從上述第一電路板或上述第一基板上移除。
如請求項60之資料處理系統，其中上述第一角度介在-10°至10°的範圍內。
如請求項60之資料處理系統，其中上述至少一資料處理模組包括一積體電路或包括至少一百萬個電晶體的一系統單晶片。
如請求項60之資料處理系統，其中上述至少一資料處理模組至少包括一網路交換機、一中央處理器單元、一圖形處理器單元、一張量處理單元、一神經網路處理器、一人工智能加速器、一數位訊號處理器、一微控制器、一特定應用積體電路或一資料儲存設備。
如請求項60之資料處理系統，其中上述第一電路板或上述第一基板具有一第一側及一第二側；其中上述至少一資料處理器直接或間接耦接至上述第一電路板或上述第一基板的上述第一側；其中上述至少一光/電通訊介面直接或間接耦接至上述第一電路板或上述第一基板的上述第二側；其中上述至少一個光/電通訊介面包括：一光學埠口，配置為接收光訊號，以及一光子積體電路，配置為基於上述接收到的光訊號產生電訊號，並且將上述電訊號直接或間接傳輸到上述至少一資料處理器。
如請求項60之資料處理系統，其中上述第一電路板或上述第一基板具有一第一側及一第二側；其中上述至少一資料處理器直接或間接耦合至上述第一基板的上述第一側；其中上述至少一光/電通訊介面包括：一光學埠口，配置為從一第一光纖電纜接收光訊號；以及一光子積體電路，配置為基於上述接收到的光訊號產生電訊號，並且將上述電訊號直接或間接傳輸到上述至少一資料處理器；其中以下至少一個(i)至少一光/電通訊介面中的至少一個，(ii)上述第一光纖電纜，(iii)上述至少一光/電通訊介面中的至少一個的一部分，或(iv)上述第一光纖電纜的一部分延伸穿過上述第一電路板或上述第一基板中的一開口。
如請求項60之資料處理系統，其中上述至少一光/電通訊介面包括一共封裝光學模組，上述共封裝光學模組包括：一光子積體電路；一光學連接器，耦合到上述光子積體電路的一第一表面；以及一第一組至少兩個電積體電路，耦合到上述光子積體電路的上述第一表面。
如請求項60之資料處理系統，其中上述至少一資料處理模組包括一網路交換機，上述機架式伺服器包括一乙太網路交換器盒。
一種資料處理系統，包括：一殼體，包括一底面板和一前面板，上述前面板包括複數光連接器部件，每一光連接器部件配置為光學耦合到一外部光纜和一內部光纜；一第一電路板或一第一基板，位於上述殼體內，其中上述第一電路板或上述第一基板相對於上述底面板以一角度定向，其中上述角度在30°至150°的範圍內；其中上述第一電路板或上述第一基板實質上平行於上述前面板或相對於上述前面板具有小於60°的角度；複數光互連模組，電耦合到上述第一電路板；以及複數內部光纜，其中每一內部光纜光耦合到上述光互連模組其中之一和上述前面板上的一相應光連接器部件；其中至少一光互連模組包括一共封裝光學模組，上述共封裝光學模組包括：一光子積體電路；一光學連接器，耦合到上述光子積體電路的上述第一表面；以及一第一組至少兩個電積體電路，耦合到上述光子積體電路的上述第一表面；其中上述第一組至少兩個電積體電路包括沿著與上述光子積體電路的上述第一表面平行的一平面定位在上述光連接器的相對側上的兩個電積體電路。
如請求項68之資料處理系統，其中上述第一組至少一個電積體電路包括三個電積體電路，上述三個電積體電路沿著與上述光子積體電路的上述第一表面平行的一平面圍繞上述光連接器的三個側面。
如請求項68之資料處理系統，其中上述共封裝光模組包括：一基板，其中上述光子積體電路安裝在上述基板上；以及一第二組至少一電積體電路，安裝在上述基板上並透過一或多個訊號導體和/或跡線電耦合到上述光子積體電路。
如請求項68之資料處理系統，其中上述光子積體電路包括一光電探測器或一光調變器中的至少一個，並且上述第一組至少一積體電路包括配置為放大由上述光電探測器產生的電流的一跨阻放大器或被配置為驅動上述光調變器的一驅動器中的至少一個。
如請求項68之資料處理系統，其中上述光子積體電路包括一矽基板和在一第二表面的一主動層，上述第二表面相對於上述光子積體電路與上述第一表面相對；其中上述主動層包括光柵耦合器，以及光電探測器或光調變器中的至少一個；其中上述光學連接器使用背面照明光耦合到上述光柵耦合器；以及其中上述第一組至少一電積體電路使用矽通孔耦合到上述光電探測器或上述光調變器中的至少一個。
如請求項68之資料處理系統，其中上述至少一光學互連模組包括一共封裝光學模組，上述共封裝光學模組包括：一光子積體電路；一光學連接器，耦合到上述光子積體電路的上述第一表面；以及一第一組至少一電積體電路，耦合到上述光子積體電路的上述第二表面，其中上述第二表面相對於上述光子積體電路與上述第一表面相對。
如請求項68之資料處理系統，包括一機架式伺服器，配置為在運行時放置在一機架上，其中上述殼體包括用於上述機架式伺服器的一外殼，且上述殼體機架式伺服器具有n個機架單元形狀尺寸，n為介在1到8範圍內的一整數。
如請求項74之資料處理系統，其中上述機架式伺服器包括一乙太網路交換器盒。
一種資料處理系統，包括：一殼體，包括一底表面；一第一電路板或一第一基板，包括相對於上述殼體的上述底表面成一第一角度的一第一表面，其中上述第一角度在30°到150°的範圍內；至少一資料處理器，直接或間接安裝於上述第一電路板或上述第一基板上；至少一光互連模組，直接或間接安裝在上述第一電路板或上述第一基板的上述第一表面上，其中每一光互連模組包括被配置為連接到一外部光鏈路的一第一光連接器，每一光互連模組包括一光子積體電路，上述光子積體電路被配置基於從上述第一光連接器接收的一光訊號產生一第一電訊號；其中上述至少一資料處理器被配置為處理上述第一電訊號中所攜帶的資料；以及一第一結構，附著於上述第一電路板或上述第一基板，其中上述第一結構配置為使得上述至少一光互連模組能夠可拆卸地耦合到上述第一結構，且上述至少一光互連模組被配置為使得一光纖連接器能夠可拆卸地耦合到上述至少一光互連模組；其中上述至少一光互連模組包括具有連接器的一光學模組，其被配置為當上述具有連接器的光學模組耦合到上述第一結構時將上述光子積體電路保持就位並且使來自上述光子積體電路的電子訊號能夠傳送至上述電路板；以及其中上述具有連接器的光學模組被配置為使得一光纖連接器能夠可拆卸地耦合到上述具有連接器的光學模組，其中上述具有連接器的光學模組被配置為使得來自上述光纖連接器的光訊號能夠被傳輸到上述光子積體電路。
如請求項76之資料處理系統，其中上述至少一光互連模組的至少一個包括：一第一光輸入/輸出埠口，配置為以下至少一個：(i)從一第一複數光纖接收複數第一光訊號通道，或(ii)將複數第二光訊號通道傳輸到上述第一複數光纖；一第一光子積體電路，配置為以下至少一個：(i)基於上述第一光訊號產生複數第一串行電訊號，或(ii)基於複數第二串行電訊號產生上述第二光訊號；複數第一串行器/解串器，配置為以下至少一個：(i)基於上述複數第一串行電訊號產生複數第三平行電訊號組，並且調節上述電訊號，其中每一第三平行電訊號組基於一對應的第一串行電訊號而產生，或(ii)基於複數第四平行電訊號組產生上述複數第二串行電訊號，其中每一第二串行電訊號基於一對應的第四平行電訊號組而產生；複數第二串行器/解串器，配置為以下至少一個：(i)基於上述複數第三平行電訊號組產生複數第五串行電訊號，其中每一第五串行電訊號基於一對應的第三平行電訊號組而產生，或(ii)基於複數第六串行電訊號生成複數第四平行電訊號組，其中每一第四平行電訊號組基於一對應的第六串行訊號而產生；複數第三串行器/解串器，配置為以下至少一個：(i)基於上述複數第五串行電訊號生成複數第七平行電訊號組，並且調節上述電訊號，其中每一第七平行電訊號組基於一對應的第五串行電訊號組而產生，或(ii)基於複數第八平行電訊號組生成上述複數第六串行電訊號，其中每一第六串行電訊號基於一對應的第八平行電訊號而產生；以及一資料處理器，配置為以下至少一個(i)處理上述複數第七平行電訊號組，或(ii)輸出上述複數第八平行電訊號組。
一種資料處理系統，包括：一殼體，包括一前表面；一第一基板，具有一第一側和一第二側；一第一電子處理模組，直接或間接安裝在上述第一基板的上述第一側上，其中上述第一電子處理模組配置為處理資料；以及一第一光互連模組，直接或間接安裝在上述第一基板的上述第二側上，其中上述第一光互連模組包括：一光埠口，配置為接收光訊號；以及一光子積體電路，配置為基於上述接收到的光訊號產生電訊號，並將上述電訊號傳送到上述第一電子處理模組；其中上述第一基板與上述前面板間隔一第一距離，上述第一距離小於24英吋，上述第一基板相對於上述前面板成一第一角度，上述第一角度在-60°至60°的範圍內。
如請求項78之資料處理系統，包括具有上述前面板的一殼體，其中以下至少一個(i)上述第一電路板或上述第一基板附接到上述前面板；或(ii)上述第一電路板或上述第一基板是上述前面板的一部分。
如請求項78之資料處理系統，其中上述第一角度在-10°至10°的範圍內。
如請求項78之資料處理系統，包括直接或間接安裝在上述第一基板的上述第一側上的複數電子處理模組，其中上述複數電子處理模組配置為處理資料；以及其中上述資料處理系統包括直接或間接安裝在上述第一基板的上述第二側的複數光互連模組，其中每一光互連模組包括：一光埠口，配置為接收光訊號；以及一光子積體電路，配置為基於上述接收到的光訊號產生電訊號；其中上述複數光互連模組的上述光子積體電路配置為將上述電訊號傳輸到上述複數電子處理模組。
如請求項78之資料處理系統，包括複數機架式伺服器，其中上述複數機架式伺服器垂直堆疊，且每一機架式伺服器包括：一第一基板，具有一第一側和一第二側；一第一電子處理模組，直接或間接安裝在上述第一基板的上述第一側上，其中上述第一電子處理模組配置為處理資料；以及一第一光互連模組，直接或間接安裝在上述第一基板的第二側上，其中上述第一光互連模組包括：一光埠口，配置為接收光訊號；以及一光子積體電路，配置為基於上述接收到的光訊號產生電訊號，並將上述電訊號傳送到上述第一電子處理器。
一種資料處理系統，包括：一殼體，包括一前表面；一第一基板，具有一第一側和一第二側；一第一電子處理器，直接或間接安裝在上述第一基板的上述第一側上，其中上述第一電子處理器配置為處理資料；以及一第一光互連模組，其中上述第一光互連模組包括：一光埠口，配置為接收光訊號；以及一光子積體電路，配置為基於上述接收到的光訊號產生電訊號，並將上述電訊號傳送到上述第一電子處理器；其中上述第一光互連模組、上述第一光纖電纜、上述第一光互連模組的一部分或上述第一光纖的一部分中的至少一個延伸穿過上述第一基板中的一開口；以及其中上述第一基板與上述前面板間隔一第一距離，上述第一距離小於24英吋，上述第一基板相對於上述前面板成一第一角度，上述第一角度在-60°至60°的範圍內。
如請求項83之資料處理系統，其中上述第一光互連模組、上述第一光纖電纜、上述第一光互連模組的上述部分或上述第一光纖的上述部分中的至少一個延伸穿過上述第一基板中的上述開口，以使得上述第一光互連模組的至少一部分能夠定位在上述第一基板的上述第二側上或附近。
如請求項83之資料處理系統，包括直接或間接安裝在上述第一基板的上述第一側上的複數電子處理模組，其中上述複數電子處理模組配置為處理資料；以及其中上述資料處理系統包括直接或間接安裝在上述第一基板的上述第二側的複數光互連模組，其中每一光互連模組包括：一光埠口，用於接收光訊號；以及一光子積體電路，配置為基於上述接收到的光訊號產生電訊號；其中上述複數光互連模組的上述光子積體電路配置為將上述電訊號傳輸至上述複數電子處理器。
如請求項83之資料處理系統，包括複數機架式伺服器，其中上述複數機架式伺服器垂直堆疊，且每一機架式伺服器包括：一第一基板，具有一第一側和一第二側；一第一電子處理模組，直接或間接安裝在上述第一基板的上述第一側上，其中上述第一電子處理模組配置為處理資料；以及一第一光互連模組，直接或間接安裝在上述第一基板的第二側上，其中上述第一光互連模組包括：一光埠口，配置為接收光訊號；以及一光子積體電路，配置為基於上述接收到的光訊號產生電訊號，並將上述電訊號傳送到上述第一電子處理器。
一種著色組成物，包含含有式(I)所表示的化合物的著色劑、及鹼可溶性樹脂，[化1]<b>A-L</b><sup><b>1</b></sup><b>-B (I)</b>[式(I)中，L<sup>1</sup>表示式(ph1)所表示的基，A及B分別獨立地為式(t1)、式(t2)、式(t3)或式(t5)所表示的基<figure><img align="absmiddle" height="201px" width="355px" file="d10076.TIF" alt="化學式ed10076.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10076.png"/></figure>[式(ph1)中，X<sup>1</sup>表示胺基、醯胺基、羧基、碳數1~4的烷氧基、碳數1~4的烷硫基、氰基、鹵素原子或可具有取代基B的烴基，所述烴基中所含的-CH<sub>2</sub>-可經取代為-O-、-CO-或-NH-，所述烴基中所含的-CH=可經取代為-N=，所述取代基B表示胺基、醯胺基、羧基、碳數1~4的烷氧基、碳數1~4的烷硫基、氰基、鹵素原子或羥基，n表示0~4的整數，在n表示2以上的整數的情況下，多個X<sup>1</sup>可相同亦可不同，在n表示2以上的整數且X<sup>1</sup>與鄰接的碳原子鍵結的情況下，與鄰接的碳原子鍵結的X<sup>1</sup>可彼此鍵結而形成環，*表示與A的鍵結鍵，**表示與B的鍵結鍵]<figure><img align="absmiddle" height="261px" width="624px" file="d10077.TIF" alt="化學式ed10077.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10077.png"/></figure>[式(t1)~式(t3)及式(t5)中，R<sup>1</sup>~R<sup>7</sup>及R<sup>11</sup>~R<sup>16</sup>分別獨立地表示氫原子、可具有取代基C的烴基、雜環基、氰基、或鹵素原子，所述取代基C表示羥基、碳數1~4的烷氧基、碳數1~4的烷硫基、羧基、胺基、醯胺基、氰基、鹵素原子、-SO<sub>3</sub>H、-SO<sub>3</sub>M、-SO<sub>3</sub>T<sub>0.5</sub>或-SO<sub>2</sub>N(R<sup>17</sup>)<sub>2</sub>，其中M表示鹼金屬原子，T表示鹼土類金屬原子，R<sup>17</sup>表示氫原子或烴基，*表示與L<sup>1</sup>的鍵結鍵]。
如請求項1所述的著色組成物，其中L<sup>1</sup>為式(ph2)所表示的基，[化4]<figure><img align="absmiddle" height="149px" width="356px" file="d10078.TIF" alt="化學式ed10078.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10078.png"/></figure>[式(ph2)中，X<sup>2</sup>~X<sup>5</sup>分別獨立地表示氫原子、碳數1~4的烷基、胺基、醯胺基、羧基、碳數1~4的烷氧基、碳數1~4的烷硫基、氰基、或鹵素原子，X<sup>2</sup>與X<sup>3</sup>、X<sup>4</sup>與X<sup>5</sup>可彼此鍵結而形成環，*表示與A的鍵結鍵，**表示與B的鍵結鍵]。
如請求項1或請求項2所述的著色組成物，其中更包含聚合性化合物及聚合起始劑。
一種彩色濾光片，由如請求項1至請求項3中任一項所述的著色組成物形成。
一種顯示裝置，包括如請求項4所述的彩色濾光片。
一種基板支撐件，其配置係用以支撐具有一直徑D的一基板，該基板支撐件係包含：<br/> 一第一內部電極及一第二內部電極， 其中該第一內部電極及該第二內部電極中的每一個均為D形且界定了小於D的一第一外徑，且其中該第一內部電極及該第二內部電極係配置用以連接至一靜電卡盤（ESC）電壓，以在處理期間將該基板夾持至該基板支撐件；以及<br/> 一外部電極，其包含（i）圍繞該第一內部電極及該第二內部電極的一環形外部，以及（ii）通過該第一內部電極及該第二內部電極之間的一中心部，以連接至該環形外部之一內徑的相對側，<br/> 其中該環形外部之該內徑係大於該直徑D，俾使該環形外部之該內徑以及該中心部和該環形外部兩者之間的交叉點係位於該基板之該直徑D的徑向外側。
如請求項1之基板支撐件，其進一步包含一間隙，其係界定在下列兩者之間：（i）該第一內部電極及該第二內部電極所界定之該第一外徑，以及（ii）該環形外部之該內徑。
如請求項2之基板支撐件，其中該間隙係位於該基板之一外緣下方並與該基板之該外緣重疊。
如請求項2之基板支撐件，其中該間隙係具有介於2.2至7.5 mm之間的一寬度。
如請求項1之基板支撐件，其中該環形外部之該內徑係比該基板之該外徑D大1.0 mm以下。
如請求項1之基板支撐件，其中該環形外部之該內徑係介於300.4至305 mm之間。
如請求項6之基板支撐件，其中該第一內部電極及該第二內部電極所界定之該第一外徑係介於290至296 mm之間。
如請求項1之基板支撐件，其進一步包含位於該基板支撐件之一第一表面中的一袋，其中該袋係配置用以容納該基板。
如請求項8之基板支撐件，其進一步包含配置在該袋中之該基板。
如請求項8之基板支撐件，其中該袋之一直徑係介於302至310 mm之間。
如請求項8之基板支撐件，其中該環形外部之該內徑係與該袋重疊。
一種配置用以支撐基板的基板支撐件，該基板支撐件係包含：<br/> 一第一內部電極及一第二內部電極， 其中該第一內部電極及該第二內部電極中的每一個均為D形，且其中該第一內部電極及該第二內部電極係配置用以連接至一靜電卡盤（ESC）電壓，以在處理期間將該基板夾持至該基板支撐件；以及<br/> 一外部電極，其包含（i）圍繞該第一內部電極及該第二內部電極的一環形外部，以及（ii）連接至該環形外部之一內徑之相對側的一中心部，<br/> 其中該外部電極並非與該第一內部電極及該第二內部電極共平面，且<br/> 其中該環形外部的該內徑係大於該基板的直徑D，俾使該環形外部之該內徑以及在該中心部和該環形外部兩者之間的交叉點係位於該基板之該直徑D的徑向外側。
如請求項12之配置用以支撐基板的基板支撐件，其中該外部電極係定位於該第一內部電極及該第二內部電極下方。
如請求項12之配置用以支撐基板的基板支撐件，其中該中心部係包含複數徑向導體，其係從一導電桿向外延伸以連接至該環形外部。
如請求項14之配置用以支撐基板的基板支撐件，其中該複數徑向導體係包含該等徑向導體中的兩個或更多個。
如請求項14之配置用以支撐基板的基板支撐件，其中該複數徑向導體係包含該等徑向導體中的四個或更多個。
一種配置用以支撐基板的基板支撐件，該基板支撐件係包含：<br/> 一第一內部電極及一第二內部電極， 其中該第一內部電極及該第二內部電極中的每一個均為D形，且其中該第一內部電極及該第二內部電極係配置用以連接至一靜電卡盤（ESC）電壓，以在處理期間將該基板夾持至該基板支撐件；以及<br/> 一外部電極，其包含（i）圍繞該第一內部電極及該第二內部電極的一環形外部，（ii）定位於該環形外部下方的一中心部，（iii）電連接至該中心部的一環，其係圍繞該中心部並與其共平面，以及（iv）至少一垂直部，其將該環電連接至該環形外部。
如請求項17之配置用以支撐基板的基板支撐件，其中該中心部係包含複數徑向導體，其係從一導電桿向外延伸以連接至該環。
如請求項18之配置用以支撐基板的基板支撐件，其中該複數徑向導體係包含該等徑向導體中的兩個或更多個。
如請求項18之配置用以支撐基板的基板支撐件，其中該複數徑向導體係包含該等徑向導體中的四個或更多個。
一種(全)氟聚醚聚合物[(聚合物(P<sup>P</sup>)]，其包含具有兩個鏈端[鏈(Re)]的(全)氟聚醚鏈[鏈(R<sub>pf</sub>)]，該兩個鏈端鍵合至所述鏈(R<sub>pf</sub>)的相對側，其中：- 第一鏈端包含至少一個包含季銨鹽基團[基團(N<sup>+</sup>)]的基團和至少一個選自由以下各項組成之群組的基團：烷氧基矽烷[基團(Si)]和可交聯基團；並且- 第二鏈端包含全氟烷基或季銨鹽基團[基團(N<sup>+</sup>)]和至少一個選自由以下各項組成之群組的基團：烷氧基矽烷[基團(Si)]和可交聯基團。
如請求項1之聚合物(P<sup>P</sup>)，其中所述聚合物(P<sup>P</sup>)係：- 雙官能(全)氟聚醚聚合物[聚合物(P<sup>P-bif</sup>)]，其包含具有兩個鏈端[鏈(Re)]的(全)氟聚醚鏈[鏈(R<sub>pf</sub>)]，該兩個鏈端鍵合至所述鏈(R<sub>pf</sub>)的相對側，其中兩個鏈端包含至少一個包含季銨鹽基團[基團(N<sup>+</sup>)]的基團和至少一個選自由以下各項組成之群組的基團：烷氧基矽烷[基團(Si)]和可交聯基團；或- 單官能(全)氟聚醚聚合物[聚合物(P<sup>P-monof</sup>)]，其包含具有兩個鏈端[鏈(Re)]的(全)氟聚醚鏈[鏈(R<sub>pf</sub>)]，該兩個鏈端鍵合至所述鏈(R<sub>pf</sub>)的相對側，其中一個鏈端帶有一個全氟烷基且另一個鏈端包含至少一個季銨鹽基團[基團(N<sup>+</sup>)]和至少一個選自由以下各項組成之群組的基團：烷氧基矽烷[基團(Si)]和可交聯基團。
如請求項1或2之聚合物(P<sup>P</sup>)，其中所述鏈(R<sub>pf</sub>)係具有下式的鏈-D-(CFX<sup>#</sup>)<sub>z1</sub>-O(R<sub>f</sub>)(CFX<sup>*</sup>)<sub>z2</sub>-D<sup>*</sup>-其中z1和z2彼此相同或不同，係等於或大於1；X<sup>#</sup>和X<sup>*</sup>，彼此相同或不同，係-F或-CF<sub>3</sub>，前提係當z1和/或z2大於1時，X<sup>#</sup>和X<sup>*</sup>係-F；D和D*，彼此相同或不同，係σ鍵、包含從1至6個碳原子的伸烷基鏈，所述烷基鏈視需要被至少一個包含從1至3個碳原子的全氟烷基取代；(R<sub>f</sub>)包含重複單元R°，所述重複單元R°獨立地選自由以下各項組成之群組：(i)-CFXO-，其中X係F或CF<sub>3</sub>；(ii)-CFXCFXO-，其中X，在每次出現時相同或不同，係F或CF<sub>3</sub>，其前提係至少一個X係-F；(iii)-CF<sub>2</sub>CF<sub>2</sub>CW<sub>2</sub>O-，其中每個W，彼此相同或不同，係F、Cl、H；(iv)-CF<sub>2</sub>CF<sub>2</sub>CF<sub>2</sub>CF<sub>2</sub>O-；(v)-(CF<sub>2</sub>)<sub>j</sub>-CFZ-O-，其中j係從0至3的整數並且Z係具有通式-O-R<sub>(f-a)</sub>-T的基團，其中R<sub>(f-a)</sub>係包含從0至10個重複單元數目的氟聚氧伸烷基鏈，所述重複單元在以下各項之中選擇：-CFXO-、-CF<sub>2</sub>CFXO-、-CF<sub>2</sub>CF<sub>2</sub>CF<sub>2</sub>O-、-CF<sub>2</sub>CF<sub>2</sub>CF<sub>2</sub>CF<sub>2</sub>O-，其中每個X獨立地是F或CF<sub>3</sub>並且T係C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>全氟烷基。
如請求項1或2之聚合物(P<sup>P</sup>)，其中所述基團(N<sup>+</sup>)選自以下群組，該群組包括：(N<sup>+</sup>-I) -N<sup>+</sup>(R<sup>h1</sup>)(R<sup>h2</sup>)(R<sup>h3</sup>)其中R<sup>h1</sup>、R<sup>h2</sup>和R<sup>h3</sup>各自獨立地選自具有從1至20個碳原子的直鏈或支鏈烷基鏈，所述烷基鏈視需要被一個或多個-OH基團取代；苄基，或R<sup>h1</sup>、R<sup>h2</sup>和R<sup>h3</sup>中的至少兩個與氮原子一起形成包含4或5個碳原子和氮原子的脂肪族環。
如請求項1或2之聚合物(P<sup>P</sup>)，其中所述基團(U)選自由以下各項組成之群組：(U-I)-O-C(=O)-CR<sub>H</sub>=CH<sub>2</sub> (U-II)-O-C(=O)-NH-CO-CR<sub>H</sub>=CH<sub>2</sub> (U-III)-O-C(=O)-R<sup>A</sup>-CR<sub>H</sub>=CH<sub>2</sub>其中R<sub>H</sub>係H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基；R<sup>A</sup>係選自由(R<sup>A</sup>-I)和(R<sup>A</sup>-II)組成之群組：<figure><img align="absmiddle" height="195px" width="532px" file="d10001.TIF" alt="化學式ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/></figure>其中每個j5獨立地是0或1，並且R<sup>B</sup>係二價的、三價的或四價的基團，該基團選自由以下各項組成之群組：C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>脂肪族基團；C<sub>3</sub>-C<sub>12</sub>脂環族基團；C<sub>5</sub>-C<sub>14</sub>芳香族或烷基芳香族基團，視需要包含至少一個選自N、O和S的雜原子；<figure><img align="absmiddle" height="179px" width="590px" file="d10002.TIF" alt="化學式ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/></figure>其中j6係0或1；每個j7獨立地是0或1；R<sup>B’</sup>係二價的、三價的或四價的基團，該基團選自由以下各項組成之群組：C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>脂肪族基團；C<sub>3</sub>-C<sub>12</sub>脂環族基團；C<sub>5</sub>-C<sub>14</sub>芳香族或烷基芳香族基團，視需要包含至少一個選自N、O和S的雜原子；並且R<sup>B*</sup>具有以上對於R<sup>B’</sup>所定義的相同的含義或其係具有式(R<sup>B</sup>-I)的基團：<figure><img align="absmiddle" height="170px" width="418px" file="d10003.TIF" alt="化學式ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/></figure>其中取代基U選自如以上所定義的基團(U-I)至(U-III)，並且*和#表示與在以上式(R<sup>A</sup>-II)中的氮原子的鍵合位點。
如請求項1或2之聚合物(P<sup>P</sup>)，其中：- 當所述鏈端包含所述基團(N<sup>+</sup>)時，所述鏈(Re)藉由σ鍵或藉由聚(氧)伸烷基鏈[鏈(R<sub>a</sub>)]鍵合至所述鏈(R<sub>pf</sub>)；- 當所述鏈(Re)包含所述基團(U)時，所述鏈(Re)藉由具有下式的基團鍵合至所述鏈(R<sub>pf</sub>)：*-R<sup>10</sup>-NH-C(=O)-O-R<sup>11</sup>-#其中*表示至基團(U)的鍵#表示至鏈(R<sub>pf</sub>)的鍵R<sup>10</sup>係具有從1至6個碳原子的直鏈或支鏈烷基鏈，視需要被包含三烷氧基-矽基的基團取代；R<sup>11</sup>係σ鍵或聚(氧)伸烷基鏈[鏈(R<sub>a</sub>^)]，其中所述鏈(R<sub>a</sub>^)包含從1至50個無氟的氧伸烷基單元，所述單元彼此相同或不同並且選自-CH(J*)CH(J)-O，其中J和J*各自獨立地選自氫原子、直鏈或支鏈烷基或芳基。
一種組成物[組成物(C<sup>P</sup>)]，其包含：- 如請求項2至6中任一項所定義的(全)氟聚醚聚合物[聚合物(P<sup>P-bif</sup>)]；以及- 如請求項2至6中任一項所定義的(全)氟聚醚聚合物[聚合物(P<sup>P-monof</sup>)]。
一種用於製備第一組成物[組成物(INT1)]之方法[方法(M1)]，所述方法(M1)包括以下步驟：(i)提供至少一種(全)氟聚醚(PFPE)聚合物，其包括：具有兩個鏈端的(全)氟聚醚鏈[鏈(R<sub>pf</sub>)]，該兩個鏈端鍵合至所述鏈(R<sub>pf</sub>)的相對側，其中兩個鏈端包含至少一個-OH基團[PFPE聚合物(bif)]；或包含具有兩個鏈端的(全)氟聚醚鏈[鏈(R<sub>pf</sub>)]的(全)氟聚醚(PFPE)聚合物，該兩個鏈端鍵合至所述鏈(R<sub>pf</sub>)的相對側，其中所述鏈端中的一個包含至少一個-OH基團且另一個鏈端包含全氟烷基[PFPE聚合物(monof)]；(ii)將所述PFPE聚合物(bif)或所述PFPE聚合物(monof)的至少一部分-OH基團轉化為環氧基，從而獲得組成物(INT1)，其包含：- 包含具有兩個鏈端的鏈(R<sub>pf</sub>)的(全)氟聚醚聚合物[聚合物P<sup>bif-INT1</sup>]，該兩個鏈端鍵合至所述鏈(R<sub>pf</sub>)的相對側，其中兩個鏈端包含環氧基，- 視需要與(全)氟聚醚聚合物[聚合物P<sup>monof-INT1</sup>]混合，該聚合物包含具有兩個鏈端的鏈(R<sub>pf</sub>)，該兩個鏈端鍵合至所述鏈(R<sub>pf</sub>)的相對側，其中一個鏈端包含環氧基且另一個鏈端包含全氟烷基。
一種組成物(INT1)，其包含：- 包含具有兩個鏈端的鏈(R<sub>pf</sub>)的(全)氟聚醚聚合物[聚合物P<sup>bif-INT1</sup>]，該兩個鏈端鍵合至所述鏈(R<sub>pf</sub>)的相對側，其中兩個鏈端包含環氧基，- 視需要與(全)氟聚醚聚合物[聚合物P<sup>monof-INT1</sup>]混合，該聚合物包含具有兩個鏈端的鏈(R<sub>pf</sub>)，該兩個鏈端鍵合至所述鏈(R<sub>pf</sub>)的相對側，其中一個鏈端包含環氧基且另一個鏈端包含全氟烷基。
一種用於製備組成物[組成物(INT2)]之方法[方法(M2)]，所述方法(M2)包括以下步驟：(iii)使如請求項9中所定義的組成物(INT1)與至少一種帶有二級胺或帶有一個-OH基團的三級胺的化合物接觸，以將所述-O-環氧基轉化為具有下式的基團：-O-R<sub>x1</sub>-CH(OH)-R<sub>x2</sub>-N(R<sup>h1</sup>)(R<sup>h2</sup>)其中R<sub>x1</sub>係包含從1至6個碳原子的直鏈或支鏈烷基鏈、5員或6員脂環族環、或5員或6員芳香族環，所述脂環族或芳香族環視需要被至少一個選自以下群組的雜原子取代，該群組由以下各項組成：氮、氧和硫；R<sub>X2</sub>係包含1至30個碳原子的直鏈或支鏈烷基或烷氧基鏈，其視需要被一個或多個-OH基團取代並視需要包含聚(氧)伸烷基鏈、5員或6員脂環族環、或5員或6員芳香族環，所述脂環族或芳香族環視需要被至少一個選自以下群組的雜原子取代，該群組由以下各項組成：氮、氧和硫；並且R<sub>h1</sub>和R<sub>h2</sub>如請求項4中所定義，從而獲得組成物(INT<sup>2</sup>)，其包含：- 包含具有兩個鏈端的鏈(R<sub>pf</sub>)的(全)氟聚醚聚合物[聚合物P<sup>bif-INT2</sup>]，該兩個鏈端鍵合至所述鏈(R<sub>pf</sub>)的相對側，其中兩個鏈端包含具有下式的基團：-O-R<sub>x1</sub>-CH(OH)-R<sub>x2</sub>-N(R<sup>h1</sup>)(R<sup>h2</sup>)其中R<sub>x1</sub>、R<sub>x2</sub>、R<sub>h1</sub>和R<sub>h2</sub>如上所定義，- 視需要與(全)氟聚醚聚合物[聚合物P<sup>monof-INT2</sup>]混合，該聚合物包含具有兩個鏈端的鏈(R<sub>pf</sub>)，該兩個鏈端鍵合至所述鏈(R<sub>pf</sub>)的相對側，其中一個鏈端包含全氟烷基且另一個鏈端包含具有下式的基團：-O-R<sub>x1</sub>-CH(OH)-R<sub>x2</sub>-N(R<sup>h1</sup>)(R<sup>h2</sup>)其中R<sub>x1</sub>、R<sub>x2</sub>、R<sub>h1</sub>和R<sub>h2</sub>如上所定義。
一種組成物(INT<sup>2</sup>)，其包含：- 包含具有兩個鏈端的鏈(R<sub>pf</sub>)的(全)氟聚醚聚合物[聚合物P<sup>bif-INT2</sup>]，該兩個鏈端鍵合至所述鏈(R<sub>pf</sub>)的相對側，其中兩個鏈端包含具有下式的基團：-O-R<sub>x1</sub>-CH(OH)-R<sub>x2</sub>-N(R<sup>h1</sup>)(R<sup>h2</sup>)其中R<sub>x1</sub>、R<sub>x2</sub>、R<sub>h1</sub>和R<sub>h2</sub>如上所定義，- 視需要與(全)氟聚醚聚合物[聚合物P<sup>monof-INT2</sup>]混合，該聚合物包含具有兩個鏈端的鏈(R<sub>pf</sub>)，該兩個鏈端鍵合至所述鏈(R<sub>pf</sub>)的相對側，其中一個鏈端包含全氟烷基且另一個鏈端包含具有下式的基團：-O-R<sub>x1</sub>-CH(OH)-R<sub>x2</sub>-N(R<sup>h1</sup>)(R<sup>h2</sup>)其中R<sub>x1</sub>、R<sub>x2</sub>、R<sub>h1</sub>和R<sub>h2</sub>如上所定義。
一種用於製備如請求項2至6中任一項所定義的聚合物(P<sup>P-bif</sup>)和(P<sup>P-monof</sup>)之方法[方法(M3)]，所述方法(M3)包括以下步驟：(iv)使如請求項11所定義的組成物(INT2)與選自以下的化合物接觸：烷基鹵化物、苄基鹵化物、烷基磺酸鹽和烷基芳基磺酸鹽，以便將具有式-O-R<sub>x1</sub>-CH(OH)-R<sub>x2</sub>-N(R<sup>h1</sup>)(R<sup>h2</sup>)的基團轉化為-O-R<sub>x1</sub>-CH(OH)-R<sub>x2</sub>-N<sup>+</sup>(R<sup>h1</sup>)(R<sup>h2</sup>)(R<sup>h3</sup>)其中R<sub>x1</sub>、R<sub>x2</sub>如上所定義R<sub>h1</sub>和R<sub>h2</sub>如請求項5中所定義，並且R<sup>h3</sup>係包含1至30個碳原子的直鏈或支鏈烷基或烷氧基鏈，其視需要被一個或多個-OH基團取代，並且視需要包含聚(氧)伸烷基鏈、5員或6員脂環族環、或苄基；(v)將步驟(iv)中獲得的混合物與選自以下群組的化合物接觸，該群組由以下各項組成：- 帶有至少一個如上所定義的基團(U)和至少一個鹵素原子或至少一個異氰酸酯基團的化合物[A]；或- 帶有至少一個如上所定義的基團(E)和至少一個鹵素原子或至少一個異氰酸酯基團的化合物[B]；或- 帶有至少一個如上所定義的基團(Si)和至少一個鹵素原子或至少一個異氰酸酯基團的化合物[C]，從而獲得聚合物(P<sup>P-bif</sup>)或聚合物(P<sup>P-monof</sup>)。
一種組成物[組成物(DIL)]，其包含如請求項7所定義的組成物(C<sup>P</sup>)和至少一種選自以下群組的溶劑[溶劑(S)]，該群組包括：(全)氟化流體，視需要包含至少一個不飽和部分；氫化流體，視需要包含至少一個不飽和部分。
一種賦予製品抗微生物特性之方法，所述方法包括：(a)提供如請求項1至6中任一項所定義的聚合物(P<sup>P</sup>)或如請求項7所定義的組成物(C<sup>P</sup>)或如請求項13所定義的組成物(DIL)；(b)展示具有至少一個表面的製品；(c)使所述組成物(C<sup>P</sup>)或組成物(DIL)與所述至少一個表面的至少一部分接觸；(d)用所述組成物(C<sup>P</sup>)或組成物(DIL)塗覆所述至少一個表面的所述至少一部分。
如請求項14之方法，其中所述製品選自由塑膠、金屬、玻璃、紙或紡織品製成的製品。
一種資料處理裝置，包括：<br/> 一電路板或一基板中的至少一種；<br/> 一資料處理器單元，安裝在上述電路板或上述基板的一第一側； 以及<br/> 一第一結構，附接到上述電路板或上述基板的一第二側，其中上述電路板或上述基板的上述第二側包括一二維佈置的第二電觸點二維排列，上述第一結構被配置為使具有一二維佈置的第一電觸點的一光模組能夠可拆卸地耦合到上述第一結構並且使上述光模組能夠透過上述二維佈置的第一電觸點和上述二維佈置的述第二電觸點電耦合到上述電路板或上述基板。
如請求項1之資料處理裝置，其中上述光模組包括一連接器，上述連接器被配置為使一光纖連接器能夠可移除地耦合到上述光模組。
如請求項1之資料處理裝置，其中上述資料處理器單元至少包括一網路交換機、一中央處理器單元、一圖形處理器單元、一張量處理單元、一神經網路處理器、一人工智能加速器、一數位訊號處理器、一微控制器、一儲存設備或用於處理從上述光模組接收或傳輸到上述光模組的電訊號的一特定應用積體電路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)。
如請求項1之資料處理裝置，其中上述資料處理器單元包括以下至少一個：(i)一裸晶片處理器，安裝在上述電路板或上述基板的上述第一側上，或(ii)一封裝處理器，包括安裝在上述電路板或上述基板上的上述第一側上的一封裝基板。
如請求項1之資料處理裝置，其中上述第一結構包括限定一第一開口的壁，上述壁還限定一個或多個保持機構，使得當上述光模組插入上述第一開口時，上述第一結構的上述壁上的上述一個或多個保持機構接合在上述光模組上的一個或多個閂鎖機構，以將上述光模組固定到上述第一結構，並且上述光模組上的上述第一電觸點電耦合到上述電路板或上述基板上的上述第二電觸點。
如請求項5之資料處理裝置，包括至少一光模組，其中上述光模組包括一機械連接器結構，上述機械連接器結構被配置為將上述光模組可拆卸地耦合到上述電路板或上述基板，以使電訊號能夠在上述光模組和上述電路板或上述基板的上述第二電觸點之間傳輸。
如請求項6之資料處理裝置，其中，上述光模組包括一連接器，上述連接器被配置為使一光纖連接器能夠可拆卸地耦合到上述光模組，並且上述機械連接器結構被配置為接收上述光纖連接器，以使得來自上述光纖連接器的光訊號能夠傳輸到上述光模組。
如請求項7之資料處理裝置，包括上述光纖連接器，其中上述光纖連接器光耦合至包括複數光纖的一光纜，上述光纖連接器用於將上述光纖中承載的光訊號傳輸至上述光模組。
如請求項8之資料處理裝置，其中上述光模組包括一光子積體電路，上述光子積體電路包括一二維陣列的光耦合元件，並且上述光纖連接器被配置為將一二維陣列的光纖耦合到在上述光子積體電路上的上述二維陣列的光耦合元件。
如請求項9之資料處理裝置，其中上述二維陣列的光纖包括至少3x12陣列的光纖。
如請求項1至10中任一項之資料處理裝置，其中上述電路板或上述基板的上述二維佈置的第二電觸點包括至少四列四行的第二電觸點，上述光模組的上述二維佈置的第一電觸點包括至少四列四行的第一電觸點 ，以及當上述光模組耦接至上述第一結構時，上述第一結構被配置為使得上述光模組的上述至少四列四行的第一電觸點能夠電耦合到上述電路板或上述基板的上述至少四列四行的第二電觸點。
如請求項1至10中任一項之資料處理裝置，其中上述第一結構包括限定多個開口的一網格結構，每個開口被配置為容納一對應的光模組。
如請求項12中任一項之資料處理裝置，其中上述網格結構被配置為使得當上述光模組插入上述網格結構的上述開口中時，上述光模組被定向使得每個光模組相對於至少一相鄰的光模組旋轉90度，並且旋轉軸垂直於上述電路板或上述基板。
如請求項1至10中任一項之資料處理裝置，其中上述第一結構用於使上述光模組以一90度旋轉棋盤方式安裝在上述第一結構上。
如請求項1至10中任一項之資料處理裝置，其中上述第一結構被配置為一散熱器。
如請求項1至10中任一項之資料處理裝置，其中上述第一結構具有相對於上述電路板或上述基板位於上述資料處理器單元對面的一開口，離散電路元件安裝在上述電路板或上述基板的上述第二側，上述離散電路元件從上述電路板或上述基板延伸至上述第一結構中的上述開口。
如請求項16之資料處理裝置，包括上述電路板和上述基板，其中上述第一結構附接到上述電路板的上述第二側，上述資料處理器單元安裝在上述基板的上述第一側，上述第一結構中的上述開口相對於上述基板位於上述資料處理器單元的對面，離散電路元件安裝在上述基板的上述第二側，上述離散電路元件從上述基板延伸到上述第一結構的上述開口中。
如請求項16之資料處理裝置，其中上述離散電路元件包括一個或多個電壓調節器、一個或多個濾波器、或一個或多個電容器中的至少一種。
如請求項1至10中任一項之資料處理裝置，其中一第二結構附接到上述電路板或上述基板的上述第一側，並且上述第一結構機械地和熱附接到上述第二結構。
如請求項19之資料處理裝置，其中上述第一結構透過穿過上述電路板或上述基板的螺釘附接到上述第二結構。
如請求項19之資料處理裝置，其中上述第一結構透過散熱通孔附接到上述第二結構。
如請求項19之資料處理裝置，包括附接到上述第一結構或上述第二結構中的至少一個的一散熱器。
如請求項1至10中任一項之資料處理裝置，包括一卡入機構，上述卡入機構被配置為當上述光模組插入上述第一結構時固定上述光模組。
如請求項23之資料處理裝置，其中上述卡入機構被配置為當超過一閾值的力施加到上述光模組時，使得上述光模組能夠從上述第一結構中被拉離。
如請求項23之資料處理裝置，其中上述卡入機構包括形成在上述第一結構的上述壁上的一或多個凹槽，上述光模組包括一或多個彈性翼部，每一彈性翼部包括一舌部(tongue)，其中上述舌部配置為當上述光模組插入上述第一結構時，卡合一對應的凹槽。
如請求項23之資料處理裝置，其中上述卡入機構包括基於槓桿的一閂鎖機構，上述閂鎖機構可在一第一位置和一第二位置之間移動，上述閂鎖機構在處於上述第一位置時接合在上述第一結構上的一支撐結構；上述閂鎖機構在處於上述第二位置時從上述支撐結構脫離；上述光模組在上述閂鎖機構處於上述第一位置時被固定到上述第一結構，在上述閂鎖機構處於上述第二位置時從上述第一結構釋放。
如請求項26之資料處理裝置，其中一槓桿被提供為上述光模組的一部分，上述槓桿可在一第一位置和一第二位置之間移動，上述槓桿被配置為使得將上述槓桿移動到上述第一位置造成上述閂鎖機構移動到上述第一位置，並且將上述槓桿移動到上述第二位置造成上述閂鎖機構移動到上述第二位置。
如請求項26之資料處理裝置，其中一槓桿被提供作為一工具的一部分，上述工具用於將上述光模組插入上述第一結構中或從上述第一結構中拆卸。
如請求項1至10中任一項之資料處理裝置，其中上述光模組包括一共同封裝光模組。
如請求項29之資料處理裝置，其中上述共同封裝光模組包括：<br/> 一光子積體電路，被配置為執行將第一光訊號轉換為第一電訊號或將第二電訊號轉換為第二光訊號中的至少一個；<br/> 上述二維佈置的第一電觸點，其中上述二維佈置的第一電觸點被配置為以下至少一個(i)使上述第一電訊號能夠從上述光子積體電路傳輸到上述電路板或上述基底，或(ii)使上述第二電訊號能夠從上述電路板或上述基板傳輸至上述光子積體電路；以及<br/> 一光纖連接器部件，被配置為光耦合到一光纖陣列，其中上述光纖連接器部件被配置為以下至少一個(i)從上述光纖陣列接收上述第一光訊號並傳輸上述第一光訊號至上述光子積體電路，或(ii)從上述光子積體電路接收上述第二光訊號並將上述第二光訊號傳輸至上述光纖陣列。
如請求項30之資料處理裝置，其中上述共同封裝光模組包括以下至少一種：<br/> 促進光纖到光子積體電路耦合的微光組件；<br/> 一個或多個驅動放大器；<br/> 一個或多個跨阻放大器；<br/> 一個或多個串行器/解串器(SerDes)積體電路；<br/> 一個或多個數位訊號處理器；<br/> 一個或多個雷射或發光二極體；或<br/> 一個或多個微控制器。
如請求項1至10中任一項之資料處理裝置，包括上述光模組，其中上述光模組包括一卡入機構，上述卡入機構被配置成當上述光纖連接器與上述光模組耦合時，上述光纖連接器鎖定到上述卡入機構。
如請求項32之資料處理裝置，其中上述光模組包括一機械連接器結構，當上述光纖連接器與上述光模組耦合時，上述光纖連接器卡入至上述機械連接器結構的一部件以將上述光纖連接器保持在適當位置。
如請求項32之資料處理裝置，包括上述光纖連接器，其中上述光纖連接器和上述光模組包括一球形定位機構，上述球形定位機構被配置為當上述光纖連接器耦合到上述光模組時，將上述光纖連接器保持在適當位置。
一種使用光模組的裝置，包括：<br/> 一光模組，配置為可拆卸地耦合到附接到一電路板或一基板的一第一結構，其中上述光模組包括分佈在上述光模組的一二維表面區域中的一二維佈置的至少16個電觸點，上述光模組包括一光子積體電路，上述光模組被配置為當上述光模組耦合到上述第一結構時保持上述光子積體電路，並使來自上述光子積體電路的電訊號能夠透過上述二維佈置的至少16個電觸點傳輸到上述電路板或上述基板；<br/> 其中上述光模組包括一連接器部件，上述連接器部件被配置為使上述光纖連接器能夠可移除地耦合到上述光模組，其中上述光模組被配置為使來自上述光纖連接器的光訊號能夠傳輸到上述光子積體電路。
如請求項35之裝置，其中上述光纖連接器被配置為將一二維陣列的光纖耦合到上述光子積體電路上的一二維陣列的光耦合元件。
如請求項36之裝置，其中上述二維陣列的光纖包括至少3x12陣列的光纖。
如請求項35至37中任一項之裝置，其中上述資料處理器單元至少包括一網路交換機、一中央處理器單元、一圖形處理器單元、一張量處理單元、一神經網路處理器、一人工智能加速器、一數位訊號處理器、一微控制器、一儲存設備或耦合到上述電路板或上述基板並配置為處理從上述光子積體電路接收或傳輸到上述光子積體電路的電訊號的一特定應用積體電路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)。
如請求項35至37中任一項之裝置，包括上述第一結構以及上述電路板或上述基板中的至少一個，其中上述電路板或上述基板附接到上述第一結構的一第一側，並且上述光模組被配置為從上述第一結構的上述第二側可拆卸地耦合到上述第一結構，並且上述第一結構的上述第二側與上述第一結構的上述第一側相對
如請求項39之裝置，包括兩個或多個光模組，以90度旋轉棋盤方式可拆卸地耦合到上述第一結構。
如請求項39之裝置，包括上述電路板和上述基板，其中上述電路板附接於上述第一結構的上述第一側，上述基板附接於上述電路板，並且上述光模組被配置為在上述光模組耦合到上述第一結構時將上述光子積體電路保持在適當位置，且使來自上述光子積體電路的電訊號能夠被傳輸上述基板。
如請求項35至37中任一項之裝置，其中上述第一結構包括一網格結構，上述網格結構使得兩個或多個光模組能夠可移除地耦合到由上述網格結構限定的一陣列中的上述第一結構。
一資料處理系統，包括<br/> 一殼體；以及<br/> 根據請求項1至10中任一項所述的上述資料處理裝置，其中上述光模組被配置為可移除地耦合到、部分地穿過或穿過上述殼體的一前面板。
如請求項43之資料處理系統，其中上述第一結構是上述殼體的上述前面板的一部分。
如請求項44之資料處理系統，其中上述電路板是上述殼體的上述前面板的一部分。
如請求項43之資料處理系統，其中上述第一結構定位在靠近上述殼體的上述前面板並與上述殼體的上述前面板隔開。
如請求項46之資料處理系統，其中上述第一結構具有一整體結構，上述整體結構沿實質上平行於上述殼體的上述前面板的一平面延伸。
如請求項46之資料處理系統，其中上述電路板實質上平行於上述殼體的上述前面板。
一種使用光模組的方法，包括：<br/> 提供一電路板或一基板中的至少一個，其中上述資料處理器單元安裝在上述電路板或上述基板的一第一側，一第一結構附接到上述電路板或上述基板的一第二側，以及上述電路板或上述基板的上述第二側包括一二維佈置的第二電觸點；<br/> 將一光模組可拆卸地耦合到上述第一結構，其中上述光模組包括一二維佈置的第一電觸點；以及<br/> 透過上述二維佈置的第一電觸點和上述二維佈置的第二電觸點將上述光模組電耦合到上述電路板或上述基板的上述第二側。
如請求項49之方法，包括將一光纖連接器可拆卸地耦合到上述光模組。
如請求項49或50之方法，包括：<br/> 透過由上述第一結構的壁限定的一第一開口插入上述光模組；<br/> 使用上述第一結構的上述壁上的一個或多個保持機構來接合上述光模組上的一個或多個閂鎖機構，以將上述光模組固定到上述第一結構；以及<br/> 將上述電路板或上述基板上的上述第二電觸點電耦合到上述光模組上的上述第一電觸點。
如請求項49或50之方法，包括：<br/> 將光訊號從上述光纖連接器傳輸到上述光模組；<br/> 在上述光模組處，基於上述光訊號產生電訊號；以及<br/> 將上述光模組的上述電訊號傳輸至上述電路板或上述基板。
如請求項52之方法，其中上述光模組包括一光子積體電路，上述光子積體電路包括一二維陣列的光耦合元件，以及<br/> 上述方法包括使用上述光纖連接器將一二維陣列的光纖耦合到在上述光子積體電路上的上述二維陣列的光耦合元件。
如請求項53之方法，其中上述二維陣列的光纖包括至少3x12陣列的光纖。
如請求項49或50之方法，其中在上述電路板或上述基板上的上述二維佈置的第二電觸點包括至少四列四行的電觸點陣列，上述光模組的上述二維佈置的第一電觸點包括至少四列四行的電觸點陣列；以及<br/> 將上述光模組電耦合到上述電路板或上述基板的上述第二側包括將上述光模組的上述至少四列四行的電觸點陣列電耦合到上述電路板或上述基板的上述至少四列四行的電觸點陣列。
如請求項49或50之方法，其中上述第一結構包括限定多個第一開口的一網格結構，並且上述方法包括：<br/> 將複數光模組可拆卸地耦合到上述網格結構，包括將每個光模組插入通過由上述網格結構的上述壁限定的一對應的第一開口；<br/> 對於上述複數光模組中的每一個，使用上述網格結構的上述壁上的一個或多個保持機構來接合上述光模組上的一個或多個閂鎖機構以將上述光模組固定到上述網格結構；以及<br/> 對於上述複數光模組中的每一個，將上述光模組上的上述第一電觸點電耦合到上述電路板或上述基板上對應的第二電觸點。
如請求項56之方法，包括：定向上述光模組，使得每個光模組相對於至少一個相鄰的光模組旋轉90度，並且旋轉軸垂直於光模組電路板或光模組基板。
如請求項49或50之方法，包括：將複數光模組可拆卸地耦合到上述第一結構；以及<br/> 以一90度旋轉棋盤方式定向耦合到上述第一結構的上述光模組。
如請求項49或50之方法，其中將上述光模組可拆卸地耦合到上述第一結構包括：使用一卡入機構將上述光模組固定到上述第一結構。
如請求項59之方法，包括：向上述光模組施加超過一閾值的力以使上述卡入機構脫離，並且將上述光模組拉離上述第一結構。
如請求項59之方法，其中上述卡入機構包括形成在上述第一結構的上述壁上的一個或多個凹槽，上述光模組包括一個或多個彈性翼部，每個彈性翼部包括一舌部；<br/> 其中上述方法包括：當將上述光模組插入由上述第一結構的上述壁限定的一開口中時，使上述彈性翼部的上述舌部與形成在上述第一結構的上述壁上的一對應凹槽接合。
如請求項61之方法，其中上述卡入機構包括基於槓桿的一閂鎖機構，上述閂鎖機構可在一第一位置和一第二位置之間移動，上述閂鎖機構在處於上述第一位置時接合上述第一結構上的一支撐結構並且在處於上述第二位置時從上述支撐結構脫離；<br/> 其中，該方法包括將上述閂鎖機構置於上述第一位置，以將上述光模組固定到上述第一結構；以及將上述閂鎖機構置於上述第二位置，以將上述光模組從上述第一結構釋放。
如請求項62之方法，其中一槓桿被提供作為上述光模組的一部件，其中上述方法包括：<br/> 將上述槓桿移動到上述第一位置以使上述閂鎖機構移動到上述第一位置；以及<br/> 將上述槓桿移動到上述第二位置導致上述閂鎖機構移動到上述第二位置。
如請求項49或50之方法，其中上述光模組包括一共同封裝光模組。
如請求項64之方法，上述共同封裝光模組包括：<br/> 一光子積體電路，被配置為執行將第一光訊號轉換為第一電訊號或將第二電訊號轉換為第二光訊號中的至少一個；<br/> 上述二維佈置的第一電觸點，其中上述二維佈置的第一電觸點被配置為以下至少一個(i)使上述第一電訊號能夠從上述光子積體電路傳輸到上述電路板或上述基底，或(ii)使上述第二電訊號能夠從上述電路板或上述基板傳輸至上述光子積體電路；以及<br/> 一光纖連接器部件，被配置為光耦合到一光纖陣列，其中上述光纖連接器部件被配置為以下至少一個(i)從上述光纖陣列接收上述第一光訊號並傳輸上述第一光訊號至上述光子積體電路，或(ii)從上述光子積體電路接收上述第二光訊號並將上述第二光訊號傳輸至上述光纖陣列。
如請求項65之方法，其中上述共同封裝光模組包括以下至少一種：<br/> 促進光纖到光子積體電路耦合的微光組件；<br/> 一個或多個驅動放大器；<br/> 一個或多個跨阻放大器；<br/> 一個或多個串行器/解串器(SerDes)積體電路；<br/> 一個或多個數位訊號處理器；<br/> 一個或多個雷射或發光二極體；或<br/> 一個或多個微控制器。
一種使用光模組的方法，包括：<br/> 將一第一結構附接到一電路板或一基板的一第一側，上述電路板或上述基板包括在上述第一側上的複數二維佈置的電觸點組；<br/> 將一特定應用積體電路安裝在上述電路板或上述基板的一第二側，其中上述第一結構具有相對於上述電路板或上述基板位於上述特定應用積體電路對面的一第一開口，上述第一結構限定第二開口，上述第二開口被配置為容納光模組，每個第二開口對應於上述複數二維佈置的電觸點組中的一二維佈置的電觸點組，上述第一結構被配置為能夠實現當上述光模組插入通過由上述第一結構限定的上述對應的第二開口時，每個光模組將透過上述對應的二維佈置的電觸點組電耦合到上述電路板或上述基板；以及<br/> 在上述電路板或上述基板的上述第一側上安裝離散電路元件，其中上述離散電路元件從上述電路板或上述基板延伸到上述第一結構中的上述第一開口。
如請求項67之方法，包括：<br/> 將上述第一結構附接至上述電路板的上述第一側；<br/> 將上述特定應用積體電路安裝在上述基板的上述第二側上；以及<br/> 在上述基板的上述第一側上安裝離散電路元件，其中上述離散電路元件從上述基板延伸到上述第一結構中的上述第一開口中。
如請求項67或68之方法，其中上述離散電路元件包括一個或多個電壓調節器、一個或多個濾波器或一個或多個電容器中的至少一種。
如請求項67或68之方法，包括：將一第二結構附接到上述電路板或上述基板的一第二側，以及<br/> 將上述第一結構機械和熱耦合到上述第二結構。
如請求項70之方法，包括使用穿過上述電路板或上述基板的螺釘將上述第一結構附接到上述第二結構。
如請求項70之方法，包括使用散熱通孔將上述第一結構連接到上述第二結構。
如請求項70之方法，包括將一散熱器附接到上述第一結構或上述第二結構中的至少一個。
一種使用光模組的系統，包括：<br/> 一殼體；以及<br/> 根據請求項35至37中任一項所述的上述裝置，其中上述光模組被配置為可移除地耦合到、部分地穿過或穿過上述殼體的一前面板。
如請求項74之系統，其中上述第一結構是上述殼體的上述前面板的一部分。
如請求項75之系統，其中上述電路板是上述殼體的上述前面板的一部分。
如請求項74之系統，其中上述第一結構定位在靠近上述殼體的上述前面板並與上述殼體的上述前面板隔開。
如請求項77之系統，其中上述第一結構具有一整體結構，上述整體結構沿實質上平行於上述殼體的上述前面板的一平面延伸。
如請求項77之系統，其中上述電路板實質上平行於上述殼體的上述前面板。
一種圍封容納沸石咪唑骨架吸附劑及吸附在該吸附劑上之GeH<sub>4</sub>之一內部容積的儲存及施配容器，該容器包括： <br/>一埠； <br/>一閥，其安裝於該埠處； <br/>沸石咪唑骨架吸附劑，其在該內部容積內；及 <br/>GeH<sub>4</sub>，其吸附在該沸石咪唑骨架上； <br/>該容器可選擇性地致動以使氣態GeH<sub>4</sub>自該容器之該內部容積流動通過該閥，以自該容器排放該GeH<sub>4</sub>； <br/>其中在攝氏30度下在365天之一時期內，GeH<sub>4</sub>降解至氫氣(H<sub>2</sub>)之量小於總初始經吸附鍺烷之1%；且 <br/>對該GeH<sub>4</sub>之一儲存容量為至少100 g/kg。
如請求項1之容器，其具有低於760托之一內部壓力。
如請求項1之容器，其中該沸石咪唑骨架包括由咪唑交聯劑連接之四面體配位鋅原子。
如請求項1之容器，其在該內部容積內在次大氣壓下容納GeH<sub>4</sub>，該GeH<sub>4</sub>包括吸附在該吸附劑上之一部分及作為冷凝或氣態GeH<sub>4</sub>與該經吸附GeH<sub>4</sub>平衡存在之一部分。
如請求項1之容器，其能夠自該容器施配容納在該容器中之該鍺烷之至少95%。
如請求項1之容器，其能夠在低於10托之一排放壓力下施配容納在該容器中之該鍺烷。
如請求項1之容器，其中在攝氏30度下在365天之一時期內，GeH<sub>4</sub>降解至氫氣(H<sub>2</sub>)之該量小於總初始經吸附鍺烷之0.1%。
如請求項1之容器，其中該吸附劑呈顆粒、微粒、小珠或丸粒之形式。
一種自如請求項1所述之一容器供應GeH<sub>4</sub>之方法，該方法包括將該GeH<sub>4</sub>自容器內部運送至一容器外部，該GeH<sub>4</sub>係在低於760托之一壓力下自該容器運送。
如請求項9之方法，其中該GeH<sub>4</sub>係在低於50托之一壓力下運送。
一種用於一電漿增強化學氣相沉積(PECVD)腔室之磁鐵保持結構，該磁鐵保持結構包括： <br/>一頂部件，具有複數個磁鐵固位部件，該頂部件具有一第一內邊緣及一第一外邊緣； <br/>一底部件，具有複數個磁鐵固位部件，該底部件具有一第二內邊緣及一第二外邊緣；以及 <br/>複數個殼套，該複數個殼套中之每一殼套經配置以至少部分地嚢封一磁鐵，每一殼套位於該頂部件的一磁鐵固位部件與該底部件的一磁鐵固位部件之間，其中該複數個殼套中之一或更多個殼套具有一開口，且其中每一開口的至少一部分經配置以面向該PECVD腔室。
如請求項1所述之磁鐵保持結構，其中該頂部件及該底部件係由包括鋼、銅、黃銅、鋅、鋁、鎂、鐵、錳、鎳、陶瓷、石英、聚苯乙烯、二乙烯基苯、矽、聚四氟乙烯或其組合之一材料製成。
如請求項1所述之磁鐵保持結構，其中該複數個殼套中之一或更多個殼套係由具有為50,000或更大的一相對導磁率值之一材料製成。
如請求項3所述之磁鐵保持結構，其中該複數個殼套中之一或更多個殼套係由包括鎳、鐵、銅、鉻、鉬、矽或其組合之一材料製成。
如請求項1所述之磁鐵保持結構，其中該頂部件及該底部件係由包括不鏽鋼之一材料製成，且該複數個殼套中之一或更多個殼套係由具有約80,000至約100,000的一相對導磁率值之一材料製成。
一種用於一電漿增強化學氣相沉積(PECVD)腔室之磁鐵保持結構，該磁鐵保持結構包括： <br/>一頂部件，具有複數個磁鐵固位部件，該頂部件具有一第一內邊緣及一第一外邊緣； <br/>一底部件，具有複數個磁鐵固位部件，該底部件具有一第二內邊緣及一第二外邊緣；以及 <br/>複數個殼套，該複數個殼套中之每一殼套經配置以至少部分地嚢封一磁鐵，每一殼套位於該頂部件的一磁鐵固位部件與該底部件的一磁鐵固位部件之間，其中該複數個殼套中之一或更多個殼套係由具有為80,000或更大的一相對導磁率值之一材料製成，其中該複數個殼套中之一或更多個殼套具有一開口，且其中每一開口的至少一部分經配置以面向該PECVD腔室。
如請求項6所述之磁鐵保持結構，其中該頂部件及該底部件係由包括鋼、銅、黃銅、鋅、鋁、鎂、鐵、錳、鎳、陶瓷、石英、聚苯乙烯、二乙烯基苯、矽、聚四氟乙烯或其組合之一材料製成。
如請求項6所述之磁鐵保持結構，其中該複數個殼套中之一或更多個殼套係由包括鎳、鐵、銅、鉻、鉬、矽或其組合之一材料製成。
如請求項6所述之磁鐵保持結構，其中該頂部件及該底部件係由包括不鏽鋼之一材料製成，且該複數個殼套中之一或更多個殼套係由具有為約80,000至約100,000的一相對導磁率值之一材料製成。
一種用於處理一基板之腔室，包括： <br/>一腔室主體；以及 <br/>一旋轉磁性外殼系統，具有耦合至該腔室之一旋轉磁性外殼，該旋轉磁性外殼包括： <br/>一上部板； <br/>一外側壁； <br/>一內側壁，限定一圓形中央開口； <br/>一下部板； <br/>複數個殼套，具有可移除地安置於其中之複數個磁鐵； <br/>複數個固定托架，安置在該旋轉磁性外殼中；以及 <br/>一磁鐵保持結構，包括複數個殼套，其中該複數個殼套中之每一殼套經配置以至少部分地嚢封一磁鐵，其中該複數個固定托架具有可移除地安置於其中之複數個殼套，且其中該複數個殼套中之每一殼套以該複數個磁鐵之每一殼套之間的一間距p固定在一相應固定托架中。
如請求項10所述之腔室，其中該複數個殼套中之一或更多個殼套係由具有為50,000或更大的一相對導磁率值之一材料製成。
如請求項10所述之腔室，進一步包括： <br/>一頂部件，具有複數個磁鐵固位部件，該頂部件具有一第一內邊緣及一第一外邊緣；以及 <br/>一底部件，具有複數個磁鐵固位部件，該底部件具有一第二內邊緣及一第二外邊緣，其中該複數個殼套經配置以至少部分地嚢封一磁鐵，每一殼套位於該頂部件的一磁鐵固位部件與該底部件的一磁鐵固位部件之間。
如請求項12所述之腔室，其中該頂部件及該底部件係由包括鋼、銅、黃銅、鋅、鋁、鎂、鐵、錳、鎳、陶瓷、石英、聚苯乙烯、二乙烯基苯、矽、聚四氟乙烯或其組合之一材料製成。
如請求項12所述之腔室，其中該頂部件及該底部件係由包括不鏽鋼之一材料製成，且該複數個殼套中之一或更多個殼套係由具有為約80,000至約100,000的一相對導磁率值之一材料製成。
如請求項10所述之腔室，其中： <br/>該複數個固定托架中之每一固定托架以每一固定托架之間的一距離d安置在該旋轉磁性外殼中；以及 <br/>當該旋轉磁性外殼圍繞該圓形中央開口旋轉時，該複數個磁鐵經配置以在一圓形路徑中行進。
如請求項14所述之腔室，其中該複數個殼套中之一或更多個殼套係由包括鎳、鐵、銅、鉻、鉬、矽或其組合之一材料製成。
如請求項10所述之腔室，其中該複數個殼套中之一或更多個殼套具有一開口，且其中每一開口的至少一部分經配置以面向該腔室。
如請求項10所述之腔室，其中該複數個殼套中之一或更多個殼套的一厚度係自約100 mil至約200 mil。
一種由行動裝置履行的用於支援在無線網路中對該行動裝置進行定位的方法，該方法包含： <br/>接收用於定位的輔助數據，該輔助數據包含針對由至少一個基地台在波束成形中使用的波束權重集合的根據角度及頻率的陣列增益分佈變化； <br/>基於該輔助數據，對從該至少一個基地台接收的參考信號之至少一個基於角度的定位測量進行測量；以及 <br/>基於該至少一個基於角度的定位測量，生成位置資訊。
如請求項1之方法，其中，藉由在該輔助數據中的該陣列增益分佈變化來描述的陣列增益分佈的變化，係由於由該至少一個基地台針對整個頻率分配在天線陣列中使用固定的在天線元件之間的間距。
如請求項1之方法，其中，該陣列增益分佈變化包括在陣列增益響應中的頻率及空間失真及損傷。
如請求項1之方法，其中，該陣列增益分佈變化與主瓣、旁瓣、波束零點及柵瓣之至少一者之增益及方向資訊相對應。
如請求項1之方法，其中，對從該至少一個基地台接收的參考信號之該至少一個基於角度的定位測量進行測量包含：基於針對由該至少一個基地台在波束成形中使用的該波束權重集合的該陣列增益分佈變化，決定針對由該至少一個基地台傳送的至少一個定位參考信號的至少一個下行鏈路（DL）離開角（AOD）測量。
如請求項1之方法，其中，該位置資訊包含以下之一：該至少一個基於角度的定位測量、基於該至少一個基於角度的定位測量決定的位置估計、以及其組合，該方法進一步包含：向網路節點傳送該位置資訊。
如請求項6之方法，其中，該網路節點係基地台或位置伺服器。
如請求項7之方法，其中，該位置伺服器包含位置管理功能（LMF）、演進型服務行動位置中心（ESMLC）、位置伺服器代理（LSS）或服務基地台之一。
如請求項1之方法，進一步包含：向網路節點傳送指示用於傳送及使用輔助數據的能力的能力資訊，該輔助數據包含針對由該至少一個基地台使用的該波束權重集合的陣列增益之頻率變化。
如請求項1之方法，其中，該至少一個基於角度的定位測量包含至少一個下行鏈路離開角測量。
如請求項1之方法，其中，針對由該至少一個基地台在波束成形中使用的該波束權重集合的該陣列增益分佈變化係針對分配帶寬之子帶。
如請求項11之方法，其中，該分配帶寬之該子帶之大小係基於至少一個行動裝置參數來組態。
如請求項12之方法，其中，該至少一個行動裝置參數包含以下之至少一者：該行動裝置之數據速率、該行動裝置之能力及該行動裝置中的活動帶寬部分大小。
如請求項12之方法，其中，該子帶之該大小係經動態地選擇。
如請求項1之方法，其中，針對由該至少一個基地台在波束成形中使用的該波束權重集合的該陣列增益分佈變化係針對分配帶寬之複數個不同子帶的陣列增益分佈變化之聚合。
如請求項15之方法，其中，該分配帶寬之該複數個不同子帶橫跨該行動裝置中的活動帶寬部分。
如請求項15之方法，其中，針對該分配帶寬之該複數個不同子帶的陣列增益分佈變化之該聚合包含：針對該複數個不同子帶的陣列增益分佈變化之加權平均。
如請求項17之方法，其中，在該加權平均中的權重與該不同子帶之大小相對應。
如請求項1之方法，其中，針對由該至少一個基地台在波束成形中使用的該波束權重集合的該陣列增益分佈變化包含：與分配帶寬之複數個不同子帶相對應的複數個陣列增益分佈變化。
如請求項19之方法，其中，該分配帶寬之該複數個不同子帶橫跨該行動裝置中的活動帶寬部分。
如請求項1之方法，其中，針對由該至少一個基地台使用的該波束權重集合的根據角度及頻率的該陣列增益分佈變化，係包含以下之一的第一類型的陣列增益分佈變化：針對分配帶寬之子帶的單個陣列增益分佈變化、針對該分配帶寬之複數個不同子帶的陣列增益分佈變化之聚合、以及與該分配帶寬之複數個不同子帶相對應的複數個陣列增益分佈變化，該方法進一步包含： <br/>接收用於定位的第二輔助數據，該第二輔助數據包含第二類型的陣列增益分佈變化，其中該第二類型不同於該第一類型。
如請求項21之方法，其中，包含該第二類型的陣列增益分佈變化的該第二輔助數據係基於信令類型、潛時要求及定位精度要求之至少一者來接收。
一種行動裝置，其被組態用於支援在無線網路中對該行動裝置進行定位，該行動裝置包含： <br/>無線收發器，其被組態以在該無線網路中無線地通信； <br/>至少一個記憶體； <br/>耦合到該無線收發器及該至少一個記憶體的至少一個處理器，其中，該至少一個處理器被組態以： <br/>經由該無線收發器，接收用於定位的輔助數據，該輔助數據包含針對由至少一個基地台在波束成形中使用的波束權重集合的根據角度及頻率的陣列增益分佈變化； <br/>基於該輔助數據，對從該至少一個基地台接收的參考信號之至少一個基於角度的定位測量進行測量；以及 <br/>基於該至少一個基於角度的定位測量，生成位置資訊。
如請求項23之行動裝置，其中，藉由在該輔助數據中的該陣列增益分佈變化來描述的陣列增益分佈的變化，係由於由該至少一個基地台針對整個頻率分配在天線陣列中使用固定的在天線元件之間的間距。
如請求項23之行動裝置，其中，該陣列增益分佈變化包括在陣列增益響應中的頻率及空間失真及損傷。
如請求項23之行動裝置，其中，該陣列增益分佈變化與主瓣、旁瓣、波束零點及柵瓣之至少一者之增益及方向資訊相對應。
如請求項23之行動裝置，其中，該至少一個處理器藉由被組態進行以下操作，來被組態以對從該至少一個基地台接收的參考信號之該至少一個基於角度的定位測量進行測量：基於針對由該至少一個基地台在波束成形中使用的該波束權重集合的該陣列增益分佈變化，決定針對由該至少一個基地台傳送的至少一個定位參考信號的至少一個下行鏈路（DL）離開角（AOD）測量。
如請求項23之行動裝置，其中，該位置資訊包含以下之一：該至少一個基於角度的定位測量、基於該至少一個基於角度的定位測量決定的位置估計、以及其組合，該至少一個處理器進一步被組態以：經由該無線收發器向網路節點傳送該位置資訊。
如請求項28之行動裝置，其中，該網路節點係基地台或位置伺服器。
如請求項29之行動裝置，其中，該位置伺服器包含位置管理功能（LMF）、演進型服務行動位置中心（ESMLC）、位置伺服器代理（LSS）或服務基地台之一。
如請求項23之行動裝置，其中，該至少一個處理器進一步被組態以：向網路節點傳送指示用於傳送及使用輔助數據的能力的能力資訊，該輔助數據包含針對由該至少一個基地台使用的該波束權重集合的陣列增益之頻率變化。
如請求項23之行動裝置，其中，該至少一個基於角度的定位測量包含至少一個下行鏈路離開角測量。
如請求項23之行動裝置，其中，針對由該至少一個基地台在波束成形中使用的該波束權重集合的該陣列增益分佈變化係針對分配帶寬之子帶。
如請求項33之行動裝置，其中，該分配帶寬之該子帶之大小係基於至少一個行動裝置參數來組態。
如請求項34之行動裝置，其中，該至少一個行動裝置參數包含以下之至少一者：該行動裝置之數據速率、該行動裝置之能力及該行動裝置中的活動帶寬部分大小。
如請求項34之行動裝置，其中，該子帶之該大小係經動態地選擇。
如請求項23之行動裝置，其中，針對由該至少一個基地台在波束成形中使用的該波束權重集合的該陣列增益分佈變化係針對分配帶寬之複數個不同子帶的陣列增益分佈變化之聚合。
如請求項37之行動裝置，其中，該分配帶寬之該複數個不同子帶橫跨該行動裝置中的活動帶寬部分。
如請求項37之行動裝置，其中，針對該分配帶寬之該複數個不同子帶的陣列增益分佈變化之該聚合包含：針對該複數個不同子帶的陣列增益分佈變化之加權平均。
如請求項39之行動裝置，其中，在該加權平均中的權重與該不同子帶之大小相對應。
如請求項23之行動裝置，其中，針對由該至少一個基地台在波束成形中使用的該波束權重集合的該陣列增益分佈變化包含：與分配帶寬之複數個不同子帶相對應的複數個陣列增益分佈變化。
如請求項41之行動裝置，其中，該分配帶寬之該複數個不同子帶橫跨該行動裝置中的活動帶寬部分。
如請求項23之行動裝置，其中，針對由該至少一個基地台使用的該波束權重集合的根據角度及頻率的該陣列增益分佈變化，係包含以下之一的第一類型的陣列增益分佈變化：針對分配帶寬之子帶的單個陣列增益分佈變化、針對該分配帶寬之複數個不同子帶的陣列增益分佈變化之聚合、以及與該分配帶寬之複數個不同子帶相對應的複數個陣列增益分佈變化，其中，該至少一個處理器進一步被組態以： <br/>接收用於定位的第二輔助數據，該第二輔助數據包含第二類型的陣列增益分佈變化，其中該第二類型不同於該第一類型。
如請求項43之行動裝置，其中，包含該第二類型的陣列增益分佈變化的該第二輔助數據係基於信令類型、潛時要求及定位精度要求之至少一者來接收。
一種行動裝置，其被組態用於支援在無線網路中對該行動裝置進行定位，該行動裝置包含： <br/>用於接收用於定位的輔助數據的構件，該輔助數據包含針對由至少一個基地台在波束成形中使用的波束權重集合的根據角度及頻率的陣列增益分佈變化； <br/>用於基於該輔助數據，對從該至少一個基地台接收的參考信號之至少一個基於角度的定位測量進行測量的構件；以及 <br/>用於基於該至少一個基於角度的定位測量，生成位置資訊的構件。
一種包括儲存在其上的程式代碼的非暫時性儲存媒體，該程式代碼係可操作以組態行動裝置中的至少一個處理器支援在無線網路中對該行動裝置的定位，該非暫時性儲存媒體包含： <br/>用於接收用於定位的輔助數據的程式代碼，該輔助數據包含針對由至少一個基地台在波束成形中使用的波束權重集合的根據角度及頻率的陣列增益分佈變化； <br/>用於基於該輔助數據，對從該至少一個基地台接收的參考信號之至少一個基於角度的定位測量進行測量的程式代碼；以及 <br/>用於基於該至少一個基於角度的定位測量，生成位置資訊的程式代碼。
一種SARS-CoV-2（COVID-19）抗病毒組成物，包含SARS-CoV-2（COVID-19）脂質-肽融合抑制劑及藥學上可接受的賦形劑，其中所述SARS-CoV-2（COVID-19）脂質-肽融合抑制劑具有以下結構：<img align="absmiddle" height="178px" width="520px" file="ed10001.jpg" alt="ed10001.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中<img align="absmiddle" height="22px" width="33px" file="ed10002.jpg" alt="ed10002.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為DISGINASVVNIQKEIDRLNEVAKNLNESLIDLQELGSGSG（SEQ ID NO：7）。
一種SARS-CoV-2（COVID-19）抗病毒組成物在製備預防COVID-19之藥物的用途，所述SARS-CoV-2（COVID-19）抗病毒組成物為如請求項1所述的SARS-CoV-2（COVID-19）抗病毒組成物。
一種SARS-CoV-2（COVID-19）抗病毒組成物在製備治療COVID-19之藥物的用途，所述SARS-CoV-2（COVID-19）抗病毒組成物為如請求項1所述的SARS-CoV-2（COVID-19）抗病毒組成物。
如請求項2或3所述的用途，其中所述藥物經氣道施用。
如請求項4所述的用途，其中所述藥物經鼻內施用。
如請求項5所述的用途，其中所述藥物以滴鼻劑或噴霧劑或鼻用粉末的形式施用。
如請求項6所述的用途，其中所述藥物施用於受試者至少二次。
如請求項7所述的用途，其中所述藥物每天施用。
如請求項8所述的用途，其中所述藥物的施用發生在所述受試者暴露於SARS-CoV-2之前。
一種用於定量包含宿主細胞DNA之樣本中聚陰離子PCR抑制劑之方法，該方法包括： <br/>a) 製備樣本的稀釋系列，該稀釋系列包含至少四個成員； <br/>b) 用恒定量的可與宿主細胞DNA區分的模板DNA加標該樣本的稀釋系列的每個成員； <br/>c) 生成聚陰離子抑制劑標準曲線，該曲線包含在沒有任何樣本的情況下該聚陰離子抑制劑的連續稀釋； <br/>d) 用恒定量的該模板DNA加標該聚陰離子抑制劑標準曲線的每個連續稀釋； <br/>e) 對該樣本的稀釋系列的每個成員和在沒有任何樣本的情況下該聚陰離子抑制劑標準曲線的每個連續稀釋進行該模板DNA的PCR測定； <br/>f) 將該樣本的稀釋系列的PCR測定結果與在沒有任何樣本的情況下該聚陰離子抑制劑標準曲線的PCR測定結果進行比較；以及 <br/>g) 鑒定該樣本中聚陰離子PCR抑制劑的濃度。
如請求項1之方法，其中該樣本中聚陰離子PCR抑制劑的濃度係由以下定義的範圍：該稀釋系列中顯示完全加標回收的最低稀釋的成員中和該稀釋系列中未顯示完全加標回收的最高稀釋的成員中聚陰離子PCR抑制劑的濃度。
如請求項2之方法，其中該稀釋系列中的成員數量為5、6、7、8、9、10、12、15或20個，從而相對於請求項2之方法中所定義的範圍，縮小該樣本中該聚陰離子PCR抑制劑的濃度的範圍。
如請求項1之方法，其中該恒定量的模板DNA係至少100 pg。
如請求項1之方法，其中該聚陰離子PCR抑制劑係磺酸鹽化合物。
如請求項5之方法，其中該磺酸鹽化合物係聚乙烯基磺酸鹽。
如請求項1之方法，其中聚乙烯基磺酸鹽係用於生成該聚陰離子抑制劑標準曲線的聚陰離子PCR抑制劑，並且該樣本中聚陰離子PCR抑制劑的濃度係以聚乙烯基磺酸鹽濃度當量的單位。
一種用於生產食物、草料、飼料、添加劑、解毒劑、營養補充劑、益生元、和/或它們的混合物的方法，所述方法包括：<br/> i) 提供一種多肽，其中所述多肽能夠修飾脫氧雪腐鐮刀菌烯醇（DON）和/或DON衍生物的C7原子，所述DON衍生物選自：3-酮脫氧雪腐鐮刀菌烯醇、3-epi 脫氧雪腐鐮刀菌烯醇、15-乙醯基脫氧雪腐鐮刀菌烯醇、雪腐鐮刀菌烯醇、鐮刀菌烯酮-X（4-乙醯基雪腐鐮刀菌烯醇）、3-氨基脫氧雪腐鐮刀菌烯醇，其中該多肽包含SEQ ID NO: 1所示氨基酸序列；<br/> ii) 將該多肽應用於營養源或材料，所述營養源或材料適用於生產食物、草料、飼料、添加劑、解毒劑、營養補充劑、益生元、和/或它們的混合物。
根據請求項1所述的方法，所述方法進一步包括：在適用於降解DON和/或所述DON衍生物和/或改變DON和/或所述DON衍生物的毒性的條件下，將所述營養源或材料與該多肽一起溫育。
根據請求項2所述的方法，其中所述方法進一步包括熱處理和/或分級分離和/或乾燥所述溫育的產物。
根據請求項2所述的方法，其中所述改變毒性包括以下中的一種或多種：使DON和/或所述DON衍生物解毒和/或分子內重排DON和/或所述DON衍生物。
一種通過根據請求項1所述的方法生產的食物、草料、飼料、添加劑、解毒劑、營養補充劑、益生元、和/或它們的混合物，其中所述食物、草料、飼料、添加劑、解毒劑、營養補充劑、益生元、和/或它們的混合物，包含根據請求項1的所述多肽。
一種用於降解脫氧雪腐鐮刀菌烯醇（DON）和/或DON衍生物和/或改變DON和/或所述DON衍生物的毒性的體外或離體方法，所述DON衍生物選自：3-酮脫氧雪腐鐮刀菌烯醇、3-epi 脫氧雪腐鐮刀菌烯醇、15-乙醯基脫氧雪腐鐮刀菌烯醇、雪腐鐮刀菌烯醇、鐮刀菌烯酮-X（4-乙醯基雪腐鐮刀菌烯醇）、3-氨基脫氧雪腐鐮刀菌烯醇，所述方法包括：<br/> i) 提供一種多肽，其中所述多肽能夠修飾脫氧雪腐鐮刀菌烯醇（DON）和/或DON衍生物的C7原子，所述DON衍生物選自：3-酮脫氧雪腐鐮刀菌烯醇、3-epi 脫氧雪腐鐮刀菌烯醇、15-乙醯基脫氧雪腐鐮刀菌烯醇、雪腐鐮刀菌烯醇、鐮刀菌烯酮-X（4-乙醯基雪腐鐮刀菌烯醇）、3-氨基脫氧雪腐鐮刀菌烯醇，其中該多肽包含SEQ ID NO: 1所示氨基酸序列；<br/> ii) 將該多肽應用於DON和/或所述DON衍生物。
一種組合物或試劑盒，其包含：<br/> (i) 能夠降解脫氧雪腐鐮刀菌烯醇（DON）和/或DON衍生物和/或改變DON和/或所述DON衍生物的毒性的多肽，所述DON衍生物選自：3-酮脫氧雪腐鐮刀菌烯醇、3-epi 脫氧雪腐鐮刀菌烯醇、15-乙醯基脫氧雪腐鐮刀菌烯醇、雪腐鐮刀菌烯醇、鐮刀菌烯酮-X（4-乙醯基雪腐鐮刀菌烯醇）、3-氨基脫氧雪腐鐮刀菌烯醇，其中所述多肽包含SEQ ID NO: 1所示氨基酸序列； <br/> (ii) 用於該多肽的營養源和/或底物，所述營養源和/或底物包含DON和/或所述DON衍生物。
根據請求項7所述的組合物或試劑盒，其中所述多肽由一種或多種核苷酸序列編碼。
根據請求項8所述的組合物或試劑盒，其中所述一種或多種核苷酸序列被宿主細胞所包含的一種或多種核酸包含。
根據請求項7所述的組合物或試劑盒，其中所述組合物或試劑盒是以下中的一種或多種：無細胞和/或非天然存在的和/或分級分離的組合物或試劑盒。
根據請求項7所述的組合物或試劑盒，其中所述組合物或試劑盒是藥物和/或獸醫組合物或試劑盒。
一種根據請求項7至11中任一項所述的組合物或試劑盒、或根據請求項5所述的食物、草料、飼料、添加劑、解毒劑、營養補充劑、益生元、或它們的混合物之用途，其用於製造藥物供治療、改善、預防和/或診斷DON黴菌毒素中毒。
一種用於修飾脫氧雪腐鐮刀菌烯醇（DON）和/或DON衍生物的C7原子的體外或離體方法，所述DON衍生物選自：3-酮脫氧雪腐鐮刀菌烯醇、3-epi 脫氧雪腐鐮刀菌烯醇、15-乙醯基脫氧雪腐鐮刀菌烯醇、雪腐鐮刀菌烯醇、鐮刀菌烯酮-X（4-乙醯基雪腐鐮刀菌烯醇）、3-氨基脫氧雪腐鐮刀菌烯醇，所述方法包括：<br/> i) 提供一種多肽，其包含SEQ ID NO: 1所示氨基酸序列； <br/> ii) 將該多肽應用於DON和/或所述DON衍生物。
一種以下中的一種或多種之用途：<br/> (a) 包含SEQ ID NO: 1所示氨基酸序列的多肽； <br/> (b) 根據請求項7至11中任一項所述的組合物或試劑盒、或根據請求項5所述的食物、草料、飼料、添加劑、解毒劑、營養補充劑、益生元、或它們的混合物；<br/> 用於以下中的一種或多種/在以下中的一種或多種：<br/> i) 修飾DON和/或DON衍生物的C7原子；<br/> ii) 生產食物、草料、飼料、添加劑、解毒劑、營養補充劑、益生元、和/或它們的混合物；及<br/> iii) 降解DON和/或所述DON衍生物和/或改變DON和/或所述DON衍生物的毒性。
一種冷媒，其由以下組成或基本上由以下組成： <br/>a) 不可燃的高揮發性組分，其由CO<sub>2</sub>組成； <br/>b) 不可燃的低揮發性組分，其選自由以下組成之群：HFO1224yd(Z)、HFO1224yd(E)、HFO1336mzz(E)、HFO1336mzz(Z)及其等混合物； <br/>c) 中等揮發性組分，其選自由以下組成之群：HFO1234yf、HFO1234ze(E)、HFO1225ye(Z)、HFO1243zf及其等混合物；及 <br/>d) 可任選之HFC，其選自由以下組成之群：HFC32、HFC227ea和HFC152a或其混合物； <br/>其中該高揮發性組分之量在5重量%至85重量%範圍內； <br/>其中該低揮發性組分之量在5重量%至80重量%範圍內； <br/>其中該中等揮發性組分之量在10重量%至90重量%範圍內；<b><i> </i></b><br/>其中該HFC32存在時之量在2重量%至59重量%範圍內； <br/>其中該HFC227ea存在時之量在1重量%至12.4重量%範圍內； <br/>其中該HFC152a存在時之量在2重量%至10重量%範圍內；及 <br/>其中該等成分之量係選自所述範圍至總計100重量%；以及 <br/>其中該冷媒之熱力學溫度滑移係大於5K。
如請求項1所述之冷媒，其由以下組成或基本上由以下組成： <br/>a) 不可燃的高揮發性組分，其由CO<sub>2</sub>組成； <br/>b) 不可燃的低揮發性組分，其選自由以下組成之群：HFO1224yd(Z)、HFO1224yd(E)、HFO1336mzz(E)、HFO1336mzz(Z)及其等混合物； <br/>c) 中等揮發性組分，其選自由以下組成之群：HFO1234yf、HFO1234ze(E)、HFO1225ye(Z)、HFO1243zf及其等混合物；及 <br/>d) 及HFC，其選自由以下組成之群：HFC32、HFC227ea和HFC152a及其等混合物； <br/>其中該高揮發性組分之量在5重量%至60重量%範圍內； <br/>其中該低揮發性組分之量在5重量%至40重量%範圍內； <br/>其中該中等揮發性組分之量在10重量%至65重量%範圍內； <br/>其中該HFC32存在時之量在2重量%至59重量%範圍內； <br/>其中該HFC227ea存在時之量在1重量%至12.4重量%範圍內； <br/>其中該HFC152a存在時之量在2重量%至10重量%範圍內；及 <br/>其中該等成分之量係選自所述範圍至總計100重量%。
如請求項2所述之冷媒，其由以下組成或基本上由以下組成： <br/>a) 不可燃的高揮發性組分，其由CO<sub>2</sub>組成； <br/>b) 不可燃的低揮發性組分，其選自由以下組成之群：HFO1224yd(Z)、HFO1224yd(E)、HFO1336mzz(E)、HFO1336mzz(Z)及其等混合物； <br/>c) 中等揮發性組分，其選自由以下組成之群：HFO1234yf、HFO1234ze(E)、HFO1225ye(Z)、HFO1243zf及其等混合物；及 <br/>d) HFC，其選自由以下組成之群：HFC32、HFC152a及HFC227ea及其等混合物； <br/>其中該高揮發性組分之量在5重量%至30重量%範圍內； <br/>其中該低揮發性組分之量在5重量%至40重量%範圍內； <br/>其中該中等揮發性組分之量在10重量%至65重量%範圍內； <br/>其中該HFC32存在時之量在22.2重量%至59重量%範圍內； <br/>其中該HFC227ea存在時之量在4.7重量%至12.4重量%範圍內； <br/>其中該HFC152a存在時之量在3重量%至8重量%範圍內；及 <br/>其中該等成分之量係選自所述範圍至總計100重量%。
如請求項2所述之冷媒，其由以下組成或基本上由以下組成： <br/>a) 不可燃的高揮發性組分，其由CO<sub>2</sub>組成； <br/>b) 不可燃的低揮發性組分，其選自由以下組成之群：HFO1224yd(Z)、HFO1224yd(E)、HFO1336mzz(E)、HFO1336mzz(Z)及其等混合物； <br/>c) 中等揮發性組分，其選自由以下組成之群：HFO1234yf、HFO1234ze(E)、HFO1225ye(Z)、HFO1243zf及其等混合物；及 <br/>d) 及HFC，其選自由以下組成之群：HFC32、HFC152a、HFC227ea及其等混合物； <br/>其中該高揮發性組分之量在5重量%至30重量%範圍內； <br/>其中該低揮發性組分之量在5重量%至40重量%範圍內； <br/>其中該中等揮發性組分之量在10重量%至65重量%範圍內； <br/>其中該HFC32存在時之量在2重量%至22重量%範圍內； <br/>其中該HFC227ea存在時之量在1重量%至4.7重量%範圍內； <br/>其中該HFC152a存在時之量在3重量%至5重量%範圍內；及 <br/>其中該等成分之量係選自所述範圍至總計100重量%。
如請求項4所述之冷媒，其由以下組成或基本上由以下組成： <br/>a) 不可燃的高揮發性組分，其由CO<sub>2</sub>組成； <br/>b) 不可燃的低揮發性組分，其選自由以下組成之群：HFO1224yd(Z)、HFO1224yd(E)、HFO1336mzz(E)、HFO1336mzz(Z)及其等混合物； <br/>c) 中等揮發性組分，其選自由以下組成之群：HFO1234yf、HFO1234ze(E)、HFO1225ye(Z)、HFO1243zf及其等混合物；及 <br/>d) HFC32； <br/>其中該高揮發性組分之量在5重量%至30重量%範圍內； <br/>其中該低揮發性組分之量在5重量%至40重量%範圍內； <br/>其中該中等揮發性組分之量在10重量%至60重量%範圍內； <br/>其中該HFC32之量在2重量%至22重量%範圍內；及 <br/>其中該等成分之量係選自所述範圍至總計100重量%。
如請求項5所述之冷媒，其由以下組成或基本上由以下組成： <br/>a) 不可燃的高揮發性組分，其由CO<sub>2</sub>組成； <br/>b) 不可燃的低揮發性組分，其選自由以下組成之群：HFO1224yd(Z)、HFO1224yd(E)、HFO1336mzz(E)、HFO1336mzz(Z)及其等混合物； <br/>c) 中等揮發性組分，其選自由以下組成之群：HFO1234yf、HFO1234ze(E)、HFO-1225ye(Z)、HFO1243zf及其等混合物；及 <br/>d) HFC32； <br/>其中該高揮發性組分之量在6重量%至25重量%範圍內； <br/>其中該低揮發性組分之量在7重量%至30重量%範圍內； <br/>其中該中等揮發性組分之量在40重量%至60重量%範圍內； <br/>其中該HFC32之量在10重量%至21.5重量%範圍內；及 <br/>其中該等成分之量係選自所述範圍至總計100重量%。
如請求項4所述之冷媒，其由以下組成或基本上由以下組成： <br/>a) 不可燃的高揮發性組分，其由CO<sub>2</sub>組成； <br/>b) 不可燃的低揮發性組分，其選自由以下組成之群：HFO1224yd(Z)、HFO1224yd(E)、HFO1336mzz(E)、HFO1336mzz(Z)、及其等混合物； <br/>c) 中等揮發性組分，其選自由以下組成之群：HFO1234yf、HFO1234ze(E)、HFO-1225ye(Z)、HFO1243zf及其等混合物；及 <br/>d) HFC32； <br/>其中該高揮發性組分之量在5重量%至15重量%範圍內； <br/>其中該低揮發性組分之量在6重量%至35重量%範圍內； <br/>其中該中等揮發性組分之量在46重量%至55重量%範圍內； <br/>其中該HFC32之量在15重量%至21.5重量%範圍內；及 <br/>其中該等成分之量係選自所述範圍至總計100重量%。
如請求項4所述之冷媒，其由以下組成或基本上由以下組成： <br/>a) 不可燃的高揮發性組分，其由CO<sub>2</sub>組成； <br/>b) 不可燃的低揮發性組分，其選自由以下組成之群：HFO1224yd(Z)、HFO1224yd(E)、HFO1336mzz(E)、HFO1336mzz(Z)及其等混合物； <br/>c) 中等揮發性組分，其選自由以下組成之群：HFO1234yf、HFO1234ze(E)、HFO1225ye(Z)、HFO1243zf及其等混合物；及 <br/>d) HFC227ea； <br/>其中該高揮發性組分之量在5重量%至30重量%範圍內； <br/>其中該低揮發性組分之量在5重量%至40重量%範圍內； <br/>其中該中等揮發性組分之量在10重量%至65重量%範圍內； <br/>其中該HFC227ea之量在2重量%至4.7重量%範圍內；及 <br/>其中該等成分之量係選自所述範圍至總計100重量%。
如請求項1所述之冷媒，其由以下組成或基本上由以下組成： <br/>a) 不可燃的高揮發性組分，其由CO<sub>2</sub>組成； <br/>b) 不可燃的低揮發性組分，其選自由以下組成之群：HFO1224yd(Z)、HFO1224yd(E)、HFO1336mzz(E)、HFO1336mzz(Z)及其等混合物； <br/>c) 中等揮發性組分，其選自由以下組成之群：HFO1234yf、HFO1234ze(E)、HFO1225ye(Z)、HFO1243zf及其等混合物；及 <br/>其中該高揮發性組分之量在5重量%至90重量%範圍內； <br/>其中該低揮發性組分之量在2重量%至40重量%範圍內； <br/>其中該中等揮發性組分之量在15重量%至60重量%範圍內；及 <br/>其中該等成分之量係選自所述範圍至總計100重量%。
如請求項9所述之冷媒，其由以下組成或基本上由以下組成： <br/>a) 不可燃的高揮發性組分，其由CO<sub>2</sub>組成； <br/>b) 不可燃的低揮發性組分，其選自由以下組成之群：HFO1224yd(Z)、HFO1224yd(E)、HFO1336mzz(E)、HFO1336mzz(Z)及其等混合物； <br/>c) 中等揮發性組分，其選自由以下組成之群：HFO1234yf、HFO1234ze(E)、HFO1225ye(Z)、HFO1243zf及其等混合物；及 <br/>其中該高揮發性組分之量在5重量%至80重量%範圍內； <br/>其中該低揮發性組分之量在2重量%至40重量%範圍內； <br/>其中該中等揮發性組分之量在15重量%至60重量%範圍內；及 <br/>其中該等成分之量係選自所述範圍至總計100重量%。
如請求項1所述之冷媒，其由以下組成或基本上由以下組成： <br/>a) 不可燃的高揮發性組分，其由CO<sub>2</sub>組成； <br/>b) 不可燃的低揮發性組分，其選自由以下組成之群：HFO1224yd(Z)、HFO1224yd(E)、HFO1336mzz(E)、HFO1336mzz(Z)及其等混合物； <br/>c) 中等揮發性組分，其選自由以下組成之群：HFO1234yf、HFO1234ze(E)、HFO1225ye(Z)、HFO1243zf及其等混合物；及 <br/>其中該高揮發性組分之量在10重量%至50重量%範圍內； <br/>其中該低揮發性組分之量在5重量%至35重量%範圍內； <br/>其中該中等揮發性組分之量在12重量%至70重量%範圍內；及 <br/>其中該等成分之量係選自所述範圍至總計100重量%。
如請求項1所述之冷媒，其由以下組成或基本上由以下組成： <br/>a) 不可燃的高揮發性組分，其由CO<sub>2</sub>組成； <br/>b) 不可燃的低揮發性組分，其選自由以下組成之群：HFO1224yd(Z)、HFO1224yd(E)、HFO1336mzz(E)、HFO1336mzz(Z)及其等混合物； <br/>c) 中等揮發性組分，其選自由以下組成之群：HFO1234yf、HFO1234ze(E)、HFO1225ye(Z)、HFO1243zf及其等混合物；及 <br/>其中該高揮發性組分之量在10重量%至40重量%範圍內； <br/>其中該中等揮發性組分之量在15重量%至55重量%範圍內； <br/>其中該低揮發性組分之量在7重量%至25重量%範圍內；及 <br/>其中該等成分之量係選自所述範圍至總計100重量%。
如請求項12所述之冷媒，其由以下組成或基本上由以下組成： <br/>a) 不可燃的高揮發性組分，其由CO<sub>2</sub>組成； <br/>b) 不可燃的低揮發性組分，其選自由以下組成之群：HFO1224yd(Z)、HFO1224yd(E)、HFO1336mzz(E)、HFO1336mzz(Z)及其等混合物； <br/>c 中等揮發性組分，其選自由以下組成之群：HFO1234yf、HFO1234ze(E)、HFO-1225ye(Z)、HFO1243zf及其等混合物；及 <br/>其中該高揮發性組分之量在20重量%至40重量%範圍內； <br/>其中該中等揮發性組分之量在30重量%至55重量%範圍內； <br/>其中該低揮發性組分之量在7重量%至25重量%範圍內；及 <br/>其中該等成分之量係選自所述範圍至總計100重量%。
如請求項3所述之冷媒，其用於新設備中及改裝後用於現有設備中，該冷媒由以下組成或基本上由以下組成： <br/>a) 不可燃的高揮發性組分，其由CO<sub>2</sub>組成； <br/>b) 不可燃的低揮發性組分，其選自由以下組成之群：HFO1224yd(Z)、HFO1224yd(E)、HFO1336mzz(E)、HFO1336mzz(Z)及其等混合物； <br/>c) 中等揮發性組分，其選自由以下組成之群：HFO1234yf、HFO1234ze(E)、HFO-1225ye(Z)、HFO1243zf及其等混合物；及 <br/>d) HFC32； <br/>其中該高揮發性組分之量在8重量%至19重量%範圍內； <br/>其中該低揮發性組分之量在5重量%至8重量%範圍內； <br/>其中該中等揮發性組分之量在39重量%至51重量%範圍內； <br/>其中該HFC32之量在35重量%至44重量%範圍內； <br/>其中該等成分之量係選自所述範圍至總計100重量%；及 <br/>其中摻合物在40℃下之起泡點蒸氣壓不超過30巴絕對壓力。
如請求項2所述之冷媒，其由以下組成或基本上由以下組成： <br/>a) 不可燃的高揮發性組分，其由CO<sub>2</sub>組成； <br/>b) 不可燃的低揮發性組分，其選自由以下組成之群：HFO1224yd(Z)、HFO1224yd(E)、HFO1233zd(E)、HFO1336mzz(E)、HFO1336mzz(Z)及其等混合物； <br/>c) 中等揮發性組分，其選自由以下組成之群：HFO1234yf、HFO1234ze(E)、HFO-1225ye(Z)、HFO1243zf及其等混合物；及 <br/>d) HFC32、HFC227ea或其混合物， <br/>其中該高揮發性組分之量在10重量%至35重量%範圍內； <br/>其中該低揮發性組分之量在5重量%至20重量%範圍內； <br/>其中該中等揮發性組分之量在40重量%至80重量%範圍內； <br/>其中該HFC32存在時之量在18重量%至22重量%範圍內； <br/>其中該HFC227ea存在時之量在2重量%至4.5重量%範圍內； <br/>其中該等成分之量係選自所述範圍至總計100重量%，及 <br/>其中該摻合物在35℃下之起泡點蒸氣壓不超過30巴絕對壓力。
如請求項1所述之冷媒，其由以下組成或基本上由以下組成： <br/>a) 不可燃的高揮發性組分，其由CO<sub>2</sub>組成； <br/>b) 不可燃的低揮發性組分，其選自由以下組成之群：HFO1224yd(Z)、HFO1224yd(E)、HFO1336mzz(E)、HFO1336mzz(Z)及其等混合物； <br/>c) 中等揮發性組分，其選自由以下組成之群：HFO1234yf、HFO1234ze(E)、HFO1225ye(Z)、HFO1243zf及其等混合物；及 <br/>d) HFC32、HFC227ea或其混合物， <br/>其中該高揮發性組分之量在8重量%至25重量%範圍內； <br/>其中該低揮發性組分之量在5重量%至20重量%範圍內； <br/>其中該中等揮發性組分之量在35重量%至70重量%範圍內； <br/>其中該HFC32存在時之量在18重量%至22重量%範圍內； <br/>其中該HFC227ea存在時之量在2重量%至5重量%範圍內； <br/>其中該等成分之量係選自所述範圍至總計100重量%；及 <br/>其中該摻合物在35℃下之起泡點蒸氣壓不超過35巴絕對壓力。
一種鑑識分析總成，其包括： <br/>一配接器，其用於接納一相機； <br/>一外殼，其界定沿著一軸延伸之一套筒，該外殼在該套筒之一第一端處附接至該配接器且在該套筒相對於該第一端的一第二端處具有一開口，該開口足夠大以接納一槍械彈殼； <br/>一固持器，其用於將該槍械彈殼固持在該套筒內以將該槍械彈殼之一頭部定位於該套筒內之一照明平面處； <br/>複數個光源，其等經配置於該外殼內，且經配置以引導光以照明該套筒內之該照明平面，該複數個光源經配置於該第一端與該照明平面之間， <br/>其中該複數個光源包括經配置以依一第一範圍之掠射入射角照明該照明平面之一第一光源及經配置以依不同於該第一範圍之掠射入射角的一第二範圍之入射角照明該照明平面之一第二光源。
如請求項1之鑑識分析總成，其中該配接器經組態以將該鑑識分析總成附接至包括該相機之一使用者裝置。
如請求項1之鑑識分析總成，其中該第二範圍之入射角小於該第一範圍之掠射入射角。
如請求項1之鑑識分析總成，其中該複數個光源包括至少一個結構光源。
如請求項3之鑑識分析總成，其中該第一光源在沿著該軸之一第一位置處，且該第二光源在沿著該軸之不同於該第一光源之一第二位置處。
如請求項5之鑑識分析總成，其中該複數個光源包括包含該第一光源之第一複數個光源，該第一複數個光源之各者經配置於沿著該軸之該第一位置處，各經配置以依該第一範圍之掠射入射角照明該照明平面。
如請求項6之鑑識分析總成，其中該複數個光源以相對該軸之不同方位角配置。
如請求項7之鑑識分析總成，其中該複數個光源包括包含該第二光源之第二複數個光源，該第二複數個光源之各者經配置於沿著該軸之該第二位置處，各經配置以依一第二範圍之入射角照明該照明平面。
如請求項8之鑑識分析總成，其中該第二複數個光源以相對該軸之不同方位角配置。
如請求項9之鑑識分析總成，其中該複數個光源包括在沿著該軸之一第三位置處之一第三光源，其經配置以依不同於該等第一及第二範圍之入射角的一第三範圍之入射角照明該照明平面。
如請求項1之鑑識分析總成，其中該複數個光源包括至少一個空間延伸光源。
如請求項11之鑑識分析總成，其中該至少一個空間延伸光源包括經配置以跨一延伸區域發射光之一漫射光導。
如請求項11之鑑識分析總成，其中該至少一個空間延伸光源經配置於沿著該軸之一位置處以跨足以產生光度立體條件之一定範圍之入射角照明該照明平面。
如請求項1之鑑識分析總成，其中該第一光源係一點光源。
如請求項12之鑑識分析總成，其中用於該至少一個空間延伸光源之一範圍之入射角足以產生光度立體條件。
如請求項3之鑑識分析總成，其中該第二光源係一點光源。
如請求項8之鑑識分析總成，其中該第二範圍之入射角足以產生光度立體條件。
如請求項3之鑑識分析總成，其中該第二光源係一空間延伸光源。
如請求項1之鑑識分析總成，其進一步包括安裝於該套筒內之一透鏡總成，該透鏡總成在該照明平面處界定一焦平面。
如請求項19之鑑識分析總成，其中該透鏡總成係一放大透鏡總成。
如請求項1之鑑識分析總成，其進一步包括用於該複數個光源之一電源。
如請求項1之鑑識分析總成，其進一步包括與該等光源通信且經程式化以控制該複數個光源對該照明平面之一序列照明之一電控制器。
如請求項1之鑑識分析總成，其中該鑑識分析總成係一攜帶式總成。
如請求項23之鑑識分析總成，其中該攜帶式總成係一手持式攜帶式總成。
一種鑑識分析總成，其包括： <br/>一配接器，其用於將該鑑識分析總成附接至一使用者裝置； <br/>一外殼，其界定沿著一軸延伸之一套筒，該外殼在該套筒之一第一端處附接至該配接器且在該套筒相對於該第一端的一第二端處具有一開口，該開口足夠大以接納一槍械彈殼； <br/>一固持器，其用於將該槍械彈殼固持在該套筒內以將該槍械彈殼之一頭部定位於該套筒內之一照明平面處；及 <br/>複數個光源，其等經配置於該外殼內，且經配置以引導光以照明該套筒內之該照明平面，該複數個光源經配置於該第一端與該照明平面之間， <br/>其中該複數個光源包括至少一個點光源及至少一個空間延伸光源。
一種鑑識分析總成，其包括： <br/>一配接器，其用於將該鑑識分析總成附接至一使用者裝置； <br/>一外殼，其界定沿著一軸延伸之一套筒，該外殼在該套筒之一第一端處附接至該配接器且在該套筒相對於該第一端的一第二端處具有一開口，該開口足夠大以接納一槍械彈殼； <br/>一固持器，其用於將該槍械彈殼固持在該套筒內以將該槍械彈殼之一頭部定位於該套筒內之一照明平面處；及 <br/>複數個光源，其等經配置於該外殼內，且經配置以引導光以照明該套筒內之該照明平面，該複數個光源經配置於該第一端與該照明平面之間， <br/>其中該複數個光源包括在沿著該軸之一第一位置處之一第一光源，且該複數個光源包括在沿著該軸之不同於該第一位置的一第二位置處之一第二光源。
一種鑑識分析裝置，其包括： <br/>一相機； <br/>一電子處理模組，其與該相機通信；及 <br/>一總成，其相對於該相機配置，該總成包括： <br/>一固持器，其用於固持一槍械彈殼以將該槍械彈殼之一頭部定位於一套筒內之一照明平面處以由該相機成像；及 <br/>複數個光源，其等經配置以引導光以照明該照明平面， <br/>其中該電子處理模組經程式化以控制該複數個光源及該相機以使用來自該複數個光源之光以一定範圍之不同入射角循序照明該槍械彈殼之該頭部，且在藉由該複數個光源之一對應者照明該槍械彈殼之該頭部時，使用該相機獲取該槍械彈殼之該頭部之一序列影像。
一種用於鑑識分析之方法，其包括： <br/>相對於一相機配置一槍械彈殼之一頭部以獲取該槍械彈殼之該頭部之影像； <br/>使用來自複數個光源之光循序照明該槍械彈殼之該頭部，該複數個光源各經配置以依一不同範圍之入射角照明該槍械彈殼之該頭部； <br/>在藉由該複數個光源之一對應者照明該槍械彈殼之該頭部時，使用該相機獲取該槍械彈殼之該頭部之一序列影像；及 <br/>基於該序列影像及關於來自該複數個光源之各者之該照明之該入射角範圍之資訊來建構該槍械彈殼之該頭部之一三維影像。
如請求項28之方法，其中該相機係一使用者裝置之部分。
一或多種非暫時性電腦可讀媒體，其或其等經耦合至一或多個處理器且具有儲存於其上之指令，該等指令當由該一或多個處理器執行時導致該一或多個處理器執行包括以下之操作： <br/>相對於一相機配置一槍械彈殼之一頭部以獲取該槍械彈殼之該頭部之影像； <br/>使用來自複數個光源之光循序照明該槍械彈殼之該頭部，該複數個光源各經配置以依一不同範圍之入射角照明該槍械彈殼之該頭部； <br/>在藉由該複數個光源之一對應者照明該槍械彈殼之該頭部時，使用該相機獲取該槍械彈殼之該頭部之一序列影像；及 <br/>基於該序列影像及關於來自該複數個光源之各者之該照明之該入射角範圍之資訊來建構該槍械彈殼之該頭部之一三維影像。
一種鑑識分析總成，其包括： <br/>一配接器，其用於將該鑑識分析總成附接至一相機及該相機之一閃光燈； <br/>一外殼，其界定沿著一軸延伸之一套筒，該外殼在該套筒之一第一端處附接至該配接器以對準該套筒與該相機且在該套筒相對於該第一端的一第二端處具有一開口，該開口足夠大以接納一槍械彈殼； <br/>一固持器，其用於將該槍械彈殼固持在該套筒內以將該槍械彈殼之一頭部定位於該套筒內之一照明平面處；及 <br/>一光引導總成，其在該總成經附接至該相機及該相機之該閃光燈時相對於該相機之該閃光燈定位，該光引導總成經組態以將來自該相機之該閃光燈之光引導至該套筒內之該照明平面。
如請求項31之鑑識分析總成，其中該相機係一使用者裝置之部分，且該配接器經組態以將該鑑識分析總成附接至該使用者裝置。
如請求項31之鑑識分析總成，其中該光引導總成經組態以使用來自該相機之該閃光燈之光以一第一範圍之掠射入射角照明該照明平面。
如請求項31之鑑識分析總成，其中該固持器經組態以使該槍械彈殼圍繞該軸旋轉。
如請求項31之鑑識分析總成，其中該光引導總成包括一光導。
如請求項35之鑑識分析總成，其中該光引導總成包括該光導與該相機之該閃光燈之間的一正透鏡。
如請求項31之鑑識分析總成，其中該光引導總成包括自由空間光學元件(例如，沿著從該相機閃光燈至該照明平面之一光路徑隔開之鏡、透鏡、繞射光學元件)。
如請求項31之鑑識分析總成，其中該光引導總成經組態以使用光以多於一個範圍之入射角照明該照明平面。
如請求項31之鑑識分析總成，其中該鑑識分析總成係一攜帶式手持式總成。
一種鑑識分析總成，其包括： <br/>一配接器，其用於將該總成附接至一相機； <br/>一外殼，其界定沿著一軸延伸之一套筒，該外殼在該套筒之一第一端處附接至該配接器且在該套筒相對於該第一端的一第二端處具有一開口，該開口足夠大以接納一槍械彈殼； <br/>一固持器，其用於將該槍械彈殼固持在該套筒內以將該槍械彈殼之一頭部定位於該套筒內之一照明平面處；及 <br/>複數個光源，其等經配置於該外殼內，且經配置以引導光以照明該套筒內之該照明平面，該複數個光源經配置於該第一端與該照明平面之間， <br/>其中該複數個光源包括經配置以使用包括沿著一線延伸之強度峰值之一強度型樣照明該照明平面之至少一個結構光源。
如請求項40之鑑識分析總成，其中該複數個光源包括各經配置以使用包括沿著一對應不同線延伸之強度峰值之一對應強度型樣照明該照明平面之複數個結構光源。
如請求項41之鑑識分析總成，其中該等不同線彼此不平行。
如請求項40之鑑識分析總成，其中該結構光源包括一相干光源及一繞射光柵。
如請求項40之鑑識分析總成，其中該結構光源包括一雷射二極體。
一種具有氣體穿透性之培養容器，特徵在於係供用於保持液體之培養容器，<br/> 前述培養容器具備水蒸發量的比為約1.1以上的膜材，<br/> 前述膜材為多孔質膜及/或不織布積層而成的積層體。
如請求項1之培養容器，其中前述培養容器之每單位接液面積之水蒸發量為約0.01~約1.0kg/(m<sup>2</sup>・h)。
如請求項1之培養容器，其中前述膜材係使用選自聚烯烴及氟樹脂中之至少任一者來形成。
如請求項1之培養容器，其中前述膜材至少使用聚四氟乙烯來形成。
一種培養系統，特徵在於使用如請求項1至4中任一項之培養容器。
如請求項5之培養系統，其具備：<br/> 感測器，其偵測前述培養容器內之液體量；<br/> 液體供給裝置，其將液體供給至前述培養容器內；及<br/> 溫度調節裝置，其調整前述培養容器內之液體溫度；並且，<br/> 前述培養系統係一邊調整前述培養容器內之液體量一邊進行培養。
一種培養裝置，特徵在於：<br/> 前述培養裝置具備：<br/> 具有氣體穿透性之培養容器；<br/> 外壁，其覆蓋前述培養容器之至少一部分；<br/> 在前述培養容器與前述外壁之間的空間；及<br/> 氣體連通機構，其連接在前述外壁內側之前述空間與前述外壁之外側；並且，<br/> 前述培養容器係供用於保持液體之培養容器，且具備水蒸發量的比為約1.1以上的膜材；<br/> 前述膜材為多孔質膜及/或不織布積層而成的積層體。
如請求項7之培養裝置，其中前述培養容器之每單位接液面積之水蒸發量為約0.01~約1.0kg/(m<sup>2</sup>・h)。
如請求項7之培養裝置，其中前述膜材係使用選自聚烯烴及氟樹脂中之至少任一者來形成。
如請求項7之培養裝置，其中前述膜材至少使用聚四氟乙烯來形成。
一種培養系統，特徵在於使用如請求項7至10中任一項之培養裝置。
如請求項11之培養系統，其具備：<br/> 感測器，其偵測前述培養裝置所具備之前述培養容器內之液體量；<br/> 液體供給裝置，其將液體供給至前述培養容器內；及<br/> 溫度調節裝置，其調整前述培養容器內之液體溫度；並且，<br/> 前述培養系統係一邊調整前述培養容器內之液體量一邊進行培養。
如請求項1之培養容器，其中針對前述膜材，關於在實施耐水壓試驗之前之前述培養容器之前述膜材的起泡點、與在實施耐水壓試驗之後之前述培養容器之前述膜材的起泡點，起泡點之變化率在約15%以內。
如請求項1之培養容器，其中前述培養容器之耐水壓為300kPa以上。
一種培養裝置，特徵在於：<br/> 具備具有氣體穿透性之培養容器；<br/> 前述培養容器具備：保持液體之內部區域、含有氣體之外部區域、及分隔前述內部區域與前述外部區域之膜材；<br/> 前述膜材之水蒸發量的比為約1.1以上，且為多孔質膜及/或不織布積層而成的積層體；<br/> 前述培養裝置具備：<br/> 外壁，其覆蓋前述培養容器；<br/> 空間，其形成在前述培養容器之前述外部區域與前述外壁之間；及<br/> 送氣機構，其將氣體送入形成在前述培養容器之前述外部區域與前述外壁之間的前述空間。
如請求項7或15之培養裝置，其中針對前述膜材，關於在實施耐水壓試驗之前之前述培養容器之前述膜材的起泡點、與在實施耐水壓試驗之後之前述培養容器之前述膜材的起泡點，起泡點之變化率在約15%以內。
如請求項7或15之培養裝置，其中前述培養容器之耐水壓為300kPa以上。
如請求項15之培養裝置，其中前述培養裝置進一步具備間隔件，前述間隔件相接於前述膜材之外部區域側及前述外壁之內側，且形成在前述培養容器之前述外部區域與前述外壁之間所形成的前述空間；<br/> 前述送氣機構從前述外壁之外側，將溫度、濕度、及/或氣體成分之濃度經調整之氣體送入形成在前述培養容器之前述外部區域與前述外壁之間的前述空間，而可調整前述培養容器內之環境。
一種微生物及/或細胞之培養方法，包含將前述微生物及/或細胞置於培養容器中並培養，前述培養容器具有氣體穿透性，並且保持有液體；<br/> 前述培養容器具備：保持液體之內部區域、含有氣體之外部區域、及分隔前述內部區域與前述外部區域之膜材；<br/> 前述膜材之水蒸發量的比為約1.1以上，且為多孔質膜及/或不織布積層而成的積層體。
一種半加成工法用積層體，其係用以將基材表面之導電電路層（CM1）、與內層印刷配線基材之導體電路層（CM2）進行電性連接而製造多層印刷配線板者，且特徵在於： 於在絕緣性材料上形成有導體電路層（CM2）之內層印刷配線基材上所積層之絕緣層（A）之整個表面上依序積層有導電性銀粒子層（M1）及銅層（M2），且上述銅層（M2）之層厚為0.1 μm～2 μm；該銅層（M2）係在用於將鈀、導電性聚合物、碳加以去除之蝕刻步驟中保護導電性銀粒子層（M1）者。
如請求項1之半加成工法用積層體，其於上述絕緣層（A）之表面（S1）與導電性銀粒子層（M1）之間進而具有底塗層（B）。
如請求項1或2之半加成工法用積層體，其中，構成上述銀粒子層（M1）之銀粒子為經高分子分散劑被覆者。
如請求項3之半加成工法用積層體，其中，於請求項2之半加成工法用積層體中，上述底塗層（B）為由具有反應性官能基[X]之樹脂所構成之層，上述高分子分散劑為具有反應性官能基[Y]者，上述反應性官能基[X]與上述反應性官能基[Y]可藉由反應而相互形成鍵。
如請求項4之半加成工法用積層體，其中，上述反應性官能基[Y]為含鹼性氮原子之基。
如請求項4之半加成工法用積層體，其中，上述具有反應性官能基[Y]之高分子分散劑為選自由聚伸烷基亞胺、及具有包含氧伸乙基單元之聚氧伸烷基結構之聚伸烷基亞胺所組成之群中之一種以上。
如請求項4之半加成工法用積層體，其中，上述反應性官能基[X]為選自由酮基、乙醯乙醯基、環氧基、羧基、N-烷醇基（N-alkylol group）、異氰酸基、乙烯基、（甲基）丙烯醯基、烯丙基所組成之群中之一種以上。
一種印刷配線板，其特徵在於：為使用請求項1至7中任一項之半加成工法用積層體而形成者。
一種半加成工法用積層體之製造方法，其係用以製造請求項5至7中任一項之多層印刷配線板者，且特徵在於具有： <br/>步驟1，其於在絕緣性材料上形成有導體電路層（CM2）之內層印刷配線基材上所積層之絕緣層（A）之表面上依序積層有導電性銀粒子層（M1）及銅層（M2），且上述銅層（M2）之層厚為0.1 μm～2 μm之積層體， <br/>形成自絕緣層（A）達至導體電路層（CM2）之孔； <br/>步驟2，其於具有上述自絕緣層（A）達至導體電路層（CM2）之孔之基材之表面上，賦予鈀、導電性聚合物、碳中之任一種，使孔表面導電化；及 <br/>步驟3，其對上述銅層（M2）進行蝕刻，使導電性銀粒子層（M1）露出。
如請求項9之半加成工法用積層體之製造方法，其於絕緣層（A）與銀粒子層（M1）之間進而積層底塗層（B）。
一種請求項8之多層印刷配線板之製造方法，其特徵在於具有： <br/>步驟1，其於在絕緣性材料上形成有導體電路層（CM2）之內層印刷配線基材上所積層之絕緣層（A）之表面上依序積層有導電性銀粒子層（M1）及銅層（M2），且上述銅層（M2）之層厚為0.1 μm～2 μm之積層體， <br/>形成自絕緣層（A）達至導體電路層（CM2）之孔； <br/>步驟2，其於具有上述自絕緣層（A）達至導體電路層（CM2）之孔之基材之表面上，賦予鈀、導電性聚合物、碳中之任一種，使孔表面導電化； <br/>步驟3，其對上述銅層（M2）進行蝕刻，使導電性銀粒子層（M1）露出； <br/>步驟4，其於上述導電性銀粒子層（M1）上形成圖案抗蝕劑； <br/>步驟5，其藉由電鍍銅，而將表層與內層之導體電路層（CM2）進行電性連接，同時形成導電電路層（CM1）；及 <br/>步驟6，其剝離圖案抗蝕劑，利用蝕刻液去除非導電電路圖案形成部之上述銀粒子層（M1）。
如請求項11之多層印刷配線板之製造方法，其中，於上述絕緣層（A）與銀粒子層（M1）之間進而具有底塗層（B）。
一種用於電子裝置的探針頭的接觸元件（10），該接觸元件（10）包括一本體（10’、10pp），沿著縱軸（H-H）延伸，縱軸在適於一待測裝置的多個接觸墊（11）的一第一接觸端（10a）及相反的一第二接觸端（10b）之間，其中，該本體（10’、10pp），包括：<br/> 一第一區段（S1），其沿著縱軸（H-H）自該第一接觸端（10a）起朝向該第二接觸端（10b）延伸，且由一導電材料製成，該第一區段（S1）延伸小於1000微米（µm）的一距離；<br/> 一第二區段（S2），其沿著縱軸（H-H）自該第二接觸端（10b）起朝向該第一接觸端（10a）延伸，且由一導電材料製成；及<br/> 一第三區段（S3），其安插於該第一區段（S1）及該第二區段（S2）之間，且由一電性絕緣材料製成，<br/> 其中，該些區段（S1、S2、S3）沿著縱軸（H-H）彼此跟隨，使得該第一接觸端（10a）僅包括在該第一區段（S1）中，該第二接觸端（10b）僅包括在該第二區段（S2），且其中，該第三區段（S3）配置成將該第一區段（S1）與該第二區段（S2）電性絕緣，<br/> 其中，該接觸元件（10）配置成在使用時，來自一待測裝置的一訊號僅由該第一區段（S1）傳遞，且<br/> 其中，該第二區段（S2）的長度比起該第一區段（S1）的長度更長。
如請求項1所述的接觸元件（10），其中，該第二區段（S2）具有範圍介於0.5公釐（mm）至8公釐（mm）的長度，且其中，該第三區段（S3）具有範圍介於1微米（µm）至2公釐（mm）的長度。
如請求項1所述的接觸元件（10），其中，該第三區段（S3）的該電性絕緣材料是選自三氧化二鋁（Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>）、聚對二甲苯、或矽。
如請求項1所述的接觸元件（10），其中，該第一區段（S1）配置成接觸一探針頭的一引導件的多個導電元件。
如請求項4所述的接觸元件（10），包括至少一牆（W），配置成在該第一區段（S1）處接觸該探針頭的該引導件的一引導孔的一對應金屬牆，該第一區段（S1）配置成將訊號自待測裝置傳遞至該引導孔的該金屬牆，且該第二區段（S2）配置成僅提供機械支撐。
如請求項1所述的接觸元件（10），其中，該第一區段（S1）包括多個突出元件（15），其等突出自該本體（10’），該些突出元件（15）定義多個導電鄰接表面（CS）。
如請求項1所述的接觸元件（10），其中，其形式為彎曲樑形式的垂直接觸探針。
如請求項1所述的接觸元件（10），其中，其為彈簧針形式，該第二區段（S2）包括一彈性元件（34），在測試期間適於壓縮，該第三區段（S3）設置在該彈性元件（34）及該第一區段（S1）之間。
一種用於電子裝置的測試設備的探針頭（20），該探針頭（20）包括至少一引導件（21），設置有多個引導孔（22），用於容置各自的多個接觸元件（10），該探針頭（20）的特徵在於，該些接觸元件（10）是根據請求項1～8中的任一項製造，該至少一引導件（21）包括多個導電元件，其等配置成被該些接觸元件（10）的該第一區段（S1）電性接觸。
如請求項9所述的探針頭（20），其中，該至少一引導件（21）是一下引導件，設置在該接觸元件（10）的該第一區段（S1）處。
如請求項9所述的探針頭（20），其中，該引導件（21）的該些導電元件包括多個導電軌（23），其等自該些引導孔（22）延伸，該些導電軌（23）形成在該引導件（21）的一個面（Fa、Fb）上及/或嵌入該引導件（21）中。
如請求項9所述的探針頭（20），其中，該引導件（21）的該些導電元件包括至少一導電部（24），其包括至少一組（22’）的引導孔（22），並配置成在該第一區段（S1）處接觸及短接容置在該組（22’）的多個孔中的對應組的多個接觸元件，且適於傳遞預定形式的訊號。
如請求項12所述的探針頭（20），其中，該導電部（24）形成在該引導件（21）的一個面（Fa、Fb）上，或嵌入該引導件（21）中。
如請求項12所述的探針頭（20），其中，該導電部（24）是多個導電層（24a～24n）的形式，各該些導電層（24a～24n）包括該些引導孔（22）中的各組（22a～22n）孔且將其等彼此電性連接，並配置成接觸對應組的該些接觸元件（10）的該第一區段（S1），其中，各組的接觸元件適於傳遞相同形式的訊號。
如請求項9所述的探針頭（20），其中，該些引導孔（22）的一內表面的至少一部分由與該引導件（21）的多個導電元件連接的一導電部（22w）塗布，該些接觸元件（10）的該第一區段（S1）適於電性接觸該些引導孔（22）的該導電部（22w）。
如請求項9所述的探針頭（20），包括多個額外接觸元件（10bis），其等完全導電，並適於將訊號自一待測裝置直接傳遞至關聯於該探針頭（20）的一支撐板（13），該些額外接觸元件（10bis）適於在該待測裝置及該支撐板（13）之間傳遞功率訊號及/或接地訊號及/或低頻訊號。
如請求項9所述的探針頭（20），其中，該些接觸元件（10）包括在該第一區段（S1）處自該本體（10’）突出的多個突出元件（15），該些突出元件（15）定義多個導電鄰接表面（CS），配置成鄰接至該引導件（21）的該些導電元件上。
如請求項17所述的探針頭（20），更包括一可撓性膜（26），其設置在該引導件（21）的一上表面，且為該引導件（21）的一導電元件，該可撓性膜（26）形塑成其一部設置在該一或多個導電鄰接表面（CS）上，且適於在與待測裝置的接觸期間升高，該可撓性膜（26）包括多個導電軌，其等延伸以安排由該第一區段（S1）傳遞的訊號的路徑。
如請求項9所述的探針頭（20），其中，該些導電元件（10）是彎曲樑形式的垂直接觸探針的形式，該探針頭（20）包括引導孔彼此位移的一下引導件及一上引導件。
如請求項9所述的探針頭（20），其中，該些導電元件（10）是彈簧針形式，該第二區段（S2）包括適於在測試期間壓縮的一彈性元件（34），該第三區段（S3）設置在該彈性元件（34）及該第一區段（S1）之間。
一種式 (I) 化合物或其立體異構物或互變異構物或水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽， <br/><img align="absmiddle" height="67px" width="59px" file="ed10200.jpg" alt="ed10200.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(I)， <br/>其中： <br/>X<sup>1</sup> 為 H 或 -C(O)-CH<sub>3</sub>； <br/>R<sup>1</sup> 為 C<sub>1-12</sub>烷基、C<sub>3-15</sub>環烷基或 3-15 員雜環基， <br/>其中 R<sup>1</sup> 之 C<sub>1-12</sub>烷基、C<sub>3-15</sub>環烷基或 3-15 員雜環基係獨立地視情況經一個或多個 C<sub>1-12</sub>烷基、C<sub>6-20</sub>芳基、-S(O)<sub>2</sub>-C<sub>1-12</sub>烷基或 -C(O)-C<sub>1-12</sub>烷基取代； <br/>R<sup>2</sup> 為 H、C<sub>1-12</sub>烷基或 C<sub>3-5</sub>環烷基， <br/>其中 R<sup>2</sup> 之 C<sub>1-12</sub>烷基或 C<sub>3-5</sub>環烷基係獨立地視情況經一個或多個鹵基或 -CN 取代； <br/>Q<sup>1</sup> 為 H、鹵基、氰基、C<sub>3-6</sub>環烷基、C<sub>6-20</sub>芳基、或5-6 員雜芳基， <br/>其中 Q<sup>1</sup> 之 C<sub>3-6</sub>環烷基係獨立地視情況經一個或多個 R<sup>q</sup> 取代，其中每個 R<sup>q</sup> 獨立地為 C<sub>1-12</sub>烷基，且 <br/>其中 Q<sup>1</sup> 之 5-6 員雜芳基係獨立地視情況經一個或多個 R<sup>q</sup> 取代，其中每個 R<sup>q</sup> 獨立地為鹵基、或C<sub>1-6</sub>烷氧基； <br/>Q<sup>2</sup>為 H； <br/>或 Q<sup>1</sup> 及 Q<sup>2</sup> 連同其所連接之原子一起形成 C<sub>6-20</sub>芳基，其中由 Q<sup>1</sup> 及 Q<sup>2</sup> 所形成之C<sub>6-20</sub>芳基係獨立地視情況經一個或多個 R<sup>s</sup> 取代，其中 R<sup>s</sup> 在每次出現時獨立地為鹵素或C<sub>1-6</sub>烷氧基；
如請求項 1 之化合物或其立體異構物或互變異構物或水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽，其中 R<sup>1</sup> 在每次出現時獨立地為 C<sub>1-12</sub>烷基，其中 R<sup>1</sup> 之 C<sub>1-12</sub>烷基係獨立地視情況經一個或多個 C<sub>6-20</sub>芳基、-S(O)<sub>2</sub>-C<sub>1-12</sub>烷基或 -C(O)-C<sub>1-12</sub>烷基取代。
如請求項 1 之化合物或其立體異構物或互變異構物或水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽，其中 R<sup>1</sup> 在每次出現時獨立地為 C<sub>3-15</sub>環烷基，其中 R<sup>1</sup> 之 C<sub>3-15</sub>環烷基係獨立地視情況經一個或多個 C<sub>1-12</sub>烷基、C<sub>6-20</sub>芳基、-S(O)<sub>2</sub>-C<sub>1-12</sub>烷基或 -C(O)-C<sub>1-12</sub>烷基取代。
如請求項 1 之化合物或其立體異構物或互變異構物或水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽，其中 R<sup>1</sup> 在每次出現時獨立地為 3-15 員雜環基，其中 R<sup>1</sup> 之 3-15 員雜環基係獨立地視情況經一個或多個 C<sub>1-12</sub>烷基、C<sub>6-20</sub>芳基、-S(O)<sub>2</sub>-C<sub>1-12</sub>烷基或 -C(O)-C<sub>1-12</sub>烷基取代。
如請求項 1 之化合物或其立體異構物或互變異構物或水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽，其中該式 (I) 化合物為式 (I’) 化合物 <br/><img align="absmiddle" height="67px" width="59px" file="ed10202.jpg" alt="ed10202.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(I’)。
如請求項 1 之化合物或其立體異構物或互變異構物或水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽，其中該式 (I) 化合物為式 (IA) 化合物： <br/><img align="absmiddle" height="72px" width="59px" file="ed10203.jpg" alt="ed10203.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(IA)。
如請求項 6 之化合物或其立體異構物或互變異構物或水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽，其中該式 (IA) 化合物係選自由以下所組成之群組：<img align="absmiddle" height="50px" width="49px" file="ed10210.jpg" alt="ed10210.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="41px" width="53px" file="ed10365.jpg" alt="ed10365.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="59px" file="ed10234.jpg" alt="ed10234.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="45px" width="56px" file="ed10236.jpg" alt="ed10236.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="51px" width="52px" file="ed10238.jpg" alt="ed10238.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="52px" file="ed10240.jpg" alt="ed10240.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="56px" file="ed10242.jpg" alt="ed10242.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 及 <img align="absmiddle" height="50px" width="52px" file="ed10244.jpg" alt="ed10244.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項 1 之化合物或其立體異構物或互變異構物或水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽，其中該式 (I) 化合物為式 (IB) 化合物： <br/><img align="absmiddle" height="72px" width="55px" file="ed10204.jpg" alt="ed10204.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(IB)。
如請求項 8 之化合物或其立體異構物或互變異構物或水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽，其中該化合物係選自由以下所組成之群組：<img align="absmiddle" height="41px" width="53px" file="ed10365.jpg" alt="ed10365.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="54px" width="46px" file="ed10214.jpg" alt="ed10214.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="54px" width="46px" file="ed10218.jpg" alt="ed10218.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="46px" width="53px" file="ed10367.jpg" alt="ed10367.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="49px" width="53px" file="ed10222.jpg" alt="ed10222.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="53px" file="ed10224.jpg" alt="ed10224.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="55px" width="53px" file="ed10226.jpg" alt="ed10226.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="58px" width="53px" file="ed10228.jpg" alt="ed10228.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="47px" file="ed10230.jpg" alt="ed10230.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="47px" file="ed10232.jpg" alt="ed10232.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 及 <img align="absmiddle" height="45px" width="56px" file="ed10236.jpg" alt="ed10236.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項 1 之化合物或其立體異構物或互變異構物或水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽，其中該式 (I) 化合物為式 (IC) 化合物： <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="59px" file="ed10205.jpg" alt="ed10205.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(IC)， <br/>其中： <br/>R<sup>1</sup> 為 C<sub>1-12</sub>烷基、C<sub>3-15</sub>環烷基或 3-15 員雜環基，其中 R<sup>1</sup> 之 C<sub>1-12</sub>烷基、C<sub>3-15</sub>環烷基或 3-15 員雜環基係獨立地視情況經一個或多個 C<sub>1-12</sub>烷基、-S(O)<sub>2</sub>-C<sub>1-12</sub>烷基或 -C(O)-C<sub>1-12</sub>烷基取代； <br/>R<sup>2</sup> 為 H 或 C<sub>1-12</sub>烷基； <br/>Q<sup>1</sup> 為 H 或 C<sub>3-6</sub>環烷基。
如請求項 10 之化合物或其立體異構物或互變異構物或水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽，其中該化合物係選自由以下所組成之群組：<img align="absmiddle" height="50px" width="49px" file="ed10210.jpg" alt="ed10210.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="41px" width="53px" file="ed10212.jpg" alt="ed10212.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="54px" width="46px" file="ed10214.jpg" alt="ed10214.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="55px" width="53px" file="ed10226.jpg" alt="ed10226.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="41px" width="45px" file="ed10216.jpg" alt="ed10216.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="53px" file="ed10224.jpg" alt="ed10224.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="47px" file="ed10232.jpg" alt="ed10232.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="54px" width="46px" file="ed10218.jpg" alt="ed10218.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="58px" width="53px" file="ed10228.jpg" alt="ed10228.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="52px" file="ed10240.jpg" alt="ed10240.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="46px" width="53px" file="ed10220.jpg" alt="ed10220.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="47px" file="ed10230.jpg" alt="ed10230.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="49px" width="53px" file="ed10222.jpg" alt="ed10222.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="52px" file="ed10244.jpg" alt="ed10244.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="47px" file="ed10368.jpg" alt="ed10368.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="54px" width="47px" file="ed10369.jpg" alt="ed10369.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 及 <img align="absmiddle" height="54px" width="47px" file="ed10371.jpg" alt="ed10371.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項 1 之化合物或其立體異構物或互變異構物或水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽，其中該式 (I) 化合物為式 (IE) 化合物： <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="55px" file="ed10206.jpg" alt="ed10206.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(IE)。
如請求項 12 之化合物或其立體異構物或互變異構物或水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽，其中 Q<sup>1</sup> 為 C<sub>6-20</sub>芳基或 5-6 員雜芳基。
如請求項 12之化合物或其立體異構物或互變異構物或水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽，其中該化合物係選自由以下所組成之群組：<img align="absmiddle" height="54px" width="47px" file="ed10246.jpg" alt="ed10246.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="54px" width="47px" file="ed10262.jpg" alt="ed10262.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="54px" width="47px" file="ed10264.jpg" alt="ed10264.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="54px" width="47px" file="ed10266.jpg" alt="ed10266.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="54px" width="47px" file="ed10268.jpg" alt="ed10268.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="56px" width="47px" file="ed10270.jpg" alt="ed10270.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="56px" width="47px" file="ed10272.jpg" alt="ed10272.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="57px" width="47px" file="ed10274.jpg" alt="ed10274.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="57px" width="47px" file="ed10276.jpg" alt="ed10276.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="57px" width="47px" file="ed10278.jpg" alt="ed10278.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="59px" width="47px" file="ed10280.jpg" alt="ed10280.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="57px" width="48px" file="ed10282.jpg" alt="ed10282.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="57px" width="48px" file="ed10284.jpg" alt="ed10284.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 及 <img align="absmiddle" height="52px" width="55px" file="ed10286.jpg" alt="ed10286.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項 1 之化合物或其立體異構物或互變異構物或水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽，其中該式 (I) 化合物為式 (IF) 化合物： <br/><img align="absmiddle" height="67px" width="59px" file="ed10207.jpg" alt="ed10207.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(IF)。
如請求項 15之化合物或其立體異構物或互變異構物或水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽，其係選自由以下所組成之群組：<img align="absmiddle" height="47px" width="47px" file="ed10256.jpg" alt="ed10256.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="49px" width="51px" file="ed10258.jpg" alt="ed10258.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 及 <img align="absmiddle" height="55px" width="47px" file="ed10260.jpg" alt="ed10260.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項 1 至 16 中任一項之化合物或其立體異構物或互變異構物或水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽，其中 R<sup>1</sup> 所連接之手性碳原子為 <i>S</i> 立體化學構型。
如請求項 1 之化合物或其立體異構物或互變異構物或水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽，其中該化合物係選自由以下所組成之群組：<img align="absmiddle" height="50px" width="49px" file="ed10210.jpg" alt="ed10210.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="41px" width="53px" file="ed10365.jpg" alt="ed10365.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="54px" width="46px" file="ed10214.jpg" alt="ed10214.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="41px" width="45px" file="ed10216.jpg" alt="ed10216.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="54px" width="46px" file="ed10218.jpg" alt="ed10218.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="46px" width="53px" file="ed10367.jpg" alt="ed10367.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="49px" width="53px" file="ed10222.jpg" alt="ed10222.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="53px" file="ed10224.jpg" alt="ed10224.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="55px" width="53px" file="ed10226.jpg" alt="ed10226.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="58px" width="53px" file="ed10228.jpg" alt="ed10228.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="47px" file="ed10230.jpg" alt="ed10230.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="47px" file="ed10232.jpg" alt="ed10232.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="59px" file="ed10234.jpg" alt="ed10234.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="45px" width="56px" file="ed10236.jpg" alt="ed10236.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="51px" width="52px" file="ed10238.jpg" alt="ed10238.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="52px" file="ed10240.jpg" alt="ed10240.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="56px" file="ed10242.jpg" alt="ed10242.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="52px" file="ed10244.jpg" alt="ed10244.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="54px" width="47px" file="ed10246.jpg" alt="ed10246.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="47px" file="ed10248.jpg" alt="ed10248.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="54px" width="47px" file="ed10250.jpg" alt="ed10250.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="54px" width="47px" file="ed10252.jpg" alt="ed10252.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="54px" width="47px" file="ed10254.jpg" alt="ed10254.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="47px" width="47px" file="ed10256.jpg" alt="ed10256.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="49px" width="51px" file="ed10258.jpg" alt="ed10258.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="55px" width="47px" file="ed10260.jpg" alt="ed10260.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="54px" width="47px" file="ed10262.jpg" alt="ed10262.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="54px" width="47px" file="ed10264.jpg" alt="ed10264.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="54px" width="47px" file="ed10266.jpg" alt="ed10266.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="54px" width="47px" file="ed10268.jpg" alt="ed10268.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="56px" width="47px" file="ed10270.jpg" alt="ed10270.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="56px" width="47px" file="ed10272.jpg" alt="ed10272.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="57px" width="47px" file="ed10274.jpg" alt="ed10274.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="57px" width="47px" file="ed10276.jpg" alt="ed10276.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="57px" width="47px" file="ed10278.jpg" alt="ed10278.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="59px" width="47px" file="ed10280.jpg" alt="ed10280.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="57px" width="48px" file="ed10282.jpg" alt="ed10282.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="57px" width="48px" file="ed10284.jpg" alt="ed10284.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 及 <img align="absmiddle" height="52px" width="55px" file="ed10286.jpg" alt="ed10286.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，或其醫藥上可接受之鹽。
如請求項 1之化合物或其立體異構物或互變異構物或水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽，其中該化合物係選自由以下所組成之群組：<img align="absmiddle" height="50px" width="49px" file="ed10288.jpg" alt="ed10288.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="41px" width="53px" file="ed10290.jpg" alt="ed10290.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="54px" width="46px" file="ed10292.jpg" alt="ed10292.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="41px" width="45px" file="ed10294.jpg" alt="ed10294.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="54px" width="46px" file="ed10296.jpg" alt="ed10296.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="46px" width="53px" file="ed10298.jpg" alt="ed10298.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="49px" width="53px" file="ed10300.jpg" alt="ed10300.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="53px" file="ed10302.jpg" alt="ed10302.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="55px" width="53px" file="ed10304.jpg" alt="ed10304.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="58px" width="53px" file="ed10306.jpg" alt="ed10306.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="47px" file="ed10308.jpg" alt="ed10308.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="47px" file="ed10310.jpg" alt="ed10310.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="59px" file="ed10312.jpg" alt="ed10312.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="45px" width="56px" file="ed10314.jpg" alt="ed10314.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="51px" width="52px" file="ed10316.jpg" alt="ed10316.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="51px" file="ed10318.jpg" alt="ed10318.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="56px" file="ed10320.jpg" alt="ed10320.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="51px" file="ed10322.jpg" alt="ed10322.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="54px" width="47px" file="ed10324.jpg" alt="ed10324.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="47px" file="ed10326.jpg" alt="ed10326.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="54px" width="47px" file="ed10328.jpg" alt="ed10328.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="54px" width="47px" file="ed10330.jpg" alt="ed10330.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="54px" width="47px" file="ed10332.jpg" alt="ed10332.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="47px" width="47px" file="ed10334.jpg" alt="ed10334.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="49px" width="51px" file="ed10336.jpg" alt="ed10336.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="55px" width="47px" file="ed10338.jpg" alt="ed10338.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="54px" width="47px" file="ed10340.jpg" alt="ed10340.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="54px" width="47px" file="ed10342.jpg" alt="ed10342.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="54px" width="47px" file="ed10344.jpg" alt="ed10344.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="54px" width="47px" file="ed10346.jpg" alt="ed10346.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="56px" width="47px" file="ed10348.jpg" alt="ed10348.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="56px" width="47px" file="ed10350.jpg" alt="ed10350.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="57px" width="47px" file="ed10352.jpg" alt="ed10352.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="57px" width="47px" file="ed10354.jpg" alt="ed10354.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="57px" width="47px" file="ed10356.jpg" alt="ed10356.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="59px" width="47px" file="ed10358.jpg" alt="ed10358.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="57px" width="48px" file="ed10360.jpg" alt="ed10360.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="57px" width="48px" file="ed10362.jpg" alt="ed10362.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 及 <img align="absmiddle" height="52px" width="55px" file="ed10363.jpg" alt="ed10363.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種醫藥組成物，其包含如請求項 1 至 19 中任一項之化合物或其立體異構物或互變異構物或水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽，及一種或多種醫藥上可接受之賦形劑。
一種體外調節細胞中 VHL 的方法，其包含將該細胞暴露於組成物，該組成物包含有效量之如請求項 1 至 19 中任一項之化合物或其立體異構物或互變異構物或水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽，或如請求項 20 之組成物。
一種體外抑制細胞中 VHL 的方法，其包含將該細胞暴露於組成物，該組成物包含有效量之如請求項 1 至 19 中任一項之化合物或其立體異構物或互變異構物或水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽，或如請求項 20之組成物。
一種用於治療有此需要之人類中之與 VHL 活性相關的疾病、病症或病況的醫藥組成物，其包含如請求項 1 至 19 中任一項之化合物或其立體異構物或互變異構物或水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽。
如請求項23的醫藥組成物，其中該疾病、病症或病況為貧血、缺血或癌症。
一種如請求項 1 至 19 中任一項之化合物或其立體異構物或互變異構物或水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽之用途，其係用於製備以下用途之藥劑： <br/>(a) 治療貧血； <br/>(b) 治療缺血、中風，或缺血期間心血管系統之損傷，或其任何組合； <br/>(c) 增強有此需要之人類中之傷口癒合； <br/>(d) 減少有此需要之人類中之繼發於傷口癒合之結疤；或 <br/>(e) 增強有此需要之人類中之血管生成或動脈生成或兩者。
一種mAbBA301-可裂解連接子-MMAE<sub>n</sub>在製造用以治療癌症之藥劑中的用途，其中mAbBA301係具有重鏈可變區及輕鏈可變區的抗體或其抗原結合抗體片段，該重鏈可變區包含SEQ ID NO. 14之hcCDR1、SEQ ID NO. 15之hcCDR2及SEQ ID NO. 16之hcCDR3；該輕鏈可變區包含SEQ ID NO. 17之lcCDR1、SEQ ID NO. 18之lcCDR2及SEQ ID NO. 19之lcCDR3；且其中n為1至4之間的整數，包括端點，且該mAbBA301-可裂解連接子-MMAE<sub>n</sub>與醫藥學上可接受之載劑經配製以作為組合物，該組合物以1.8 mg/kg人類個體體重之劑量，透過靜脈內輸注，每14或21天投與一次或兩次。
一種mAbBA301-可裂解連接子-MMAE<sub>n</sub>在製造用以治療表現Axl之腫瘤之藥劑中的用途，其中mAbBA301係具有重鏈可變區及輕鏈可變區的抗體或其抗原結合抗體片段，該重鏈可變區包含SEQ ID NO. 14之hcCDR1、SEQ ID NO. 15之hcCDR2及SEQ ID NO. 16之hcCDR3；該輕鏈可變區包含SEQ ID NO. 17之lcCDR1、SEQ ID NO. 18之lcCDR2及SEQ ID NO. 19之lcCDR3；且其中n為1至4之間的整數，包括端點，且該mAbBA301-可裂解連接子-MMAE<sub>n</sub>與醫藥學上可接受之載劑經配製以作為組合物，該組合物以1.8 mg/kg人類個體體重之劑量，透過靜脈內輸注，每14或21天投與一次或兩次。
如請求項1或2之用途，其中該重鏈可變區包含SEQ ID NO. 20且該輕鏈可變區包含SEQ ID NO. 21。
如請求項1或2之用途，其中該可裂解連接子為6-順丁烯二醯亞胺基己醯基-纈胺酸-瓜胺酸-對胺基苯甲氧基羰基，其具有以下之結構： <br/><img align="absmiddle" height="109px" width="251px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項2之用途，其中該腫瘤係表現Axl之肉瘤、表現Axl之腺癌或表現Axl之非小肺細胞癌。
如請求項5之用途，其中該腫瘤係表現Axl之肉瘤。
如請求項1或2之用途，其中該藥劑進一步包含計劃性死亡受體-1阻斷抗體或用於與其組合使用。
如請求項2之用途，其中該腫瘤係腫瘤膜P評分為至少50%之表現Axl之腫瘤。
如請求項2之用途，其中該腫瘤係腫瘤膜P評分為至少55%之表現Axl之腫瘤。
如請求項2之用途，其中該腫瘤係腫瘤膜P評分為至少60%之表現Axl之腫瘤。
如請求項2之用途，其中該腫瘤係腫瘤膜P評分為至少65%之表現Axl之腫瘤。
如請求項2之用途，其中該腫瘤係腫瘤膜P評分為至少70%之表現Axl之腫瘤。
如請求項2之用途，其中該腫瘤係腫瘤膜P評分為至少75%之表現Axl之腫瘤。
如請求項2之用途，其中該腫瘤係腫瘤膜P評分為至少80%之表現Axl之腫瘤。
如請求項2之用途，其中該腫瘤係腫瘤膜P評分為至少85%之表現Axl之腫瘤。
如請求項2之用途，其中該腫瘤係腫瘤膜P評分為至少90%之表現Axl之腫瘤。
如請求項2之用途，其中該腫瘤係腫瘤膜P評分為至少95%之表現Axl之腫瘤。
如請求項1或2之用途，其中該藥劑進一步包含顆粒球群落刺激因子或其類似物或用於與其組合使用。
如請求項1或2之用途，其中該醫藥學上可接受之載劑具有6.0之pH且包含20 mM組胺酸-HCl、70 mg/mL蔗糖及0.5 mg/mL聚山梨醇酯80。
如請求項1或2之用途，其中n等於4。
一種圖案化基板的方法，包含：<br/> 在該基板之上形成一圖案化層以及一層以上的下伏層，其中該圖案化層包含一金屬氧化物光阻；<br/> 實施一極紫外光（EUV）或更短波長的微影步驟，其中未被一上覆遮罩所覆蓋的該圖案化層之部分係暴露於EUV或更短波長光；以及<br/> 實施一循環乾式製程以移除暴露於該EUV或更短波長光的該圖案化層之該部分，並且顯影一金屬氧化物光阻圖案。
如請求項1之圖案化基板的方法，其中該循環乾式製程包含：<br/> 藉由將該基板暴露於一第一電漿而選擇性沉積一保護層於該圖案化層之未暴露部分之上，其中該圖案化層之該未暴露部分係由該上覆遮罩加以覆蓋，並且未暴露於該EUV或更短波長光；<br/> 藉由將該基板暴露於一第二電漿而選擇性蝕刻該圖案化層之暴露部分，其中該圖案化層之該暴露部分未被該上覆遮罩加以覆蓋，並且係暴露於該EUV或更短波長光；以及<br/> 重複該選擇性沉積步驟以及該選擇性蝕刻步驟，直到該圖案化層之該暴露部分係完全移除。
如請求項2之圖案化基板的方法，其中該第一電漿包含烴或氟碳基礎前驅物氣體。
如請求項2之圖案化基板的方法，其中該第二電漿包括含氫或鹵素前驅物氣體以及惰性氣體。
如請求項4之圖案化基板的方法，其中每次實施該選擇性蝕刻步驟時，該含氫或鹵素前驅物氣體將該圖案化層之該暴露部分之一表面轉化為揮發性材料，並且該惰性氣體之離子對該基板之一表面轟擊以自該暴露部分移除該揮發性材料。
如請求項5之圖案化基板的方法，其中每次實施該選擇性沉積步驟時，一新的保護層加以沉積於該圖案化層之該未暴露部分之上。
一種圖案化基板的方法，包含：<br/> 在該基板之上形成一圖案化層以及一層以上的下伏層，其中該圖案化層包含金屬氧化物光阻；<br/> 將未被上覆於該圖案化層之一遮罩所覆蓋的該圖案化層之部分暴露於極紫外光（EUV）或更短波長光；<br/> 藉由將該基板暴露於一第一電漿而將一保護層選擇性沉積於該圖案化層之未暴露部分之上，其中該圖案化層之該未暴露部分係由該遮罩加以覆蓋並且未暴露於該EUV或更短波長光；及<br/> 藉由將該基板暴露於一第二電漿而選擇性蝕刻該圖案化層之暴露部分。
如請求項7之圖案化基板的方法，其中該圖案化層包含金屬氧化物材料，其包括具有化學鍵合有機配位基的金屬氧化物結構之團簇，並且其中將未被該遮罩所覆蓋的該圖案化層之該部分暴露於EUV或更短波長光之步驟使得該等有機配位基與該等金屬氧化物結構分離且保持該圖案化層之該未暴露部分不改變。
如請求項8之圖案化基板的方法，其中在將未被該遮罩所覆蓋的該圖案化層之該部分暴露於EUV或更短波長光之後並且在將該保護層選擇性沉積於該圖案化層之該未暴露部分之上之前，該方法進一步包含實施一烘烤製程，以自該圖案化層之該暴露部分釋放該等有機配位基。
如請求項7之圖案化基板的方法，其中該第一電漿包含烴或氟碳基礎前驅物氣體。
如請求項10之圖案化基板的方法，其中該第一電漿包含CH<sub>4</sub>、C<sub>4</sub>F<sub>8</sub>、C<sub>4</sub>F<sub>6</sub>、或CH<sub>3</sub>F。
如請求項7之圖案化基板的方法，其中該第二電漿包括含氫或鹵素前驅物氣體。
如請求項12之圖案化基板的方法，其中該第二電漿包含CH<sub>4</sub>、CF<sub>4</sub>、CHF<sub>3</sub>、或BCl<sub>3</sub>。
如請求項12之圖案化基板的方法，其中該第二電漿進一步包含一惰性氣體。
如請求項8之圖案化基板的方法，其中該第二電漿進一步包含氬（Ar）。
如請求項12之圖案化基板的方法，其中該含氫或鹵素前驅物氣體將該圖案化層之該暴露部分之一表面轉化為揮發性材料，並且其中惰性氣體離子轟擊該暴露部分之該表面以移除該揮發性材料。
如請求項7之圖案化基板的方法，其中該將一保護層選擇性沉積於該圖案化層之未暴露部分之上之步驟以及該選擇性蝕刻該圖案化層之暴露部分之步驟係同時實施於一電漿處理室之內，使用相同的電漿前驅物氣體以產生該第一電漿及該第二電漿。
如請求項17之圖案化基板的方法，其中該第一電漿及該第二電漿各者包含一烴前驅物及一惰性氣體。
如請求項7之圖案化基板的方法，其中該將一保護層選擇性沉積於該圖案化層之未暴露部分之上之步驟以及該選擇性蝕刻該圖案化層之暴露部分之步驟係分隔於一電漿處理室之內，使得不同的電漿前驅物氣體加以使用以產生該第一電漿及該第二電漿。
如請求項19之圖案化基板的方法，其中該第一電漿包含一烴前驅物，並且其中該第二電漿包含一鹵碳前驅物及一惰性氣體。
如請求項7之圖案化基板的方法，更包含重複該選擇性沉積及該選擇性蝕刻步驟，直到該圖案化層之該暴露部分係完全移除。
一種處理方法，包含：<br/> 在一基板上提供一圖案化層及一個或多個下伏層，<br/> 其中該圖案化層包含金屬氧化物光阻；及<br/> 執行一循環乾式製程以移除由一微影步驟所界定的該圖案化層的一部分以及顯影一金屬氧化物光阻圖案。
如請求項22之處理方法，其中該循環乾式製程包含：<br/> 藉由將該基板暴露於一第一電漿而將一保護層選擇性沉積於該圖案化層之第一部分之上，<br/> 藉由將該基板暴露於一第二電漿而選擇性蝕刻該圖案化層之第二部分，<br/> 重複該選擇性沉積及該選擇性蝕刻步驟，直到該圖案化層之該第二部分係完全移除。
如請求項23之處理方法，其中該圖案化層之該第一部分係在該微影步驟期間一上覆遮罩所覆蓋的未暴露部分，且其中該第二部分係在該微影步驟期間未由該上覆遮罩所覆蓋的該圖案化層的暴露部分。
如請求項24之處理方法，其中該第一電漿包含烴或氟碳基礎前驅物氣體。
如請求項24之處理方法，其中該第一電漿包含CH<sub>4</sub>、C<sub>4</sub>F<sub>8</sub>、C<sub>4</sub>F<sub>6</sub>、或CH<sub>3</sub>F。
如請求項24之處理方法，其中該第二電漿包括含氫或鹵素前驅物氣體及惰性氣體。
如請求項27之處理方法，其中每次實施該選擇性蝕刻步驟時，該含氫或鹵素前驅物氣體將該圖案化層之該暴露部分之一表面轉化為揮發性材料，並且該惰性氣體之離子對該基板之一表面轟擊以自該暴露部分移除該揮發性材料。
如請求項24之處理方法，其中該第二電漿包含CH<sub>4</sub>、CF<sub>4</sub>、CHF<sub>3</sub>、或BCl<sub>3</sub>。
如請求項25之處理方法，其中每次實施該選擇性沉積步驟時，一新的保護層加以沉積於該圖案化層之該未暴露部分之上。
如請求項22之處理方法，其中該微影步驟將暴露的部分暴露於EUV或更短波長光。
如請求項24之處理方法，其中該將一保護層選擇性沉積於該圖案化層之未暴露部分之上之步驟以及該選擇性蝕刻該圖案化層之暴露部分之步驟係同時實施於一電漿處理室之內，使用相同的電漿前驅物氣體以產生該第一電漿及該第二電漿。
如請求項24之處理方法，其中該將一保護層選擇性沉積於該圖案化層之未暴露部分之上之步驟以及該選擇性蝕刻該圖案化層之暴露部分之步驟係分隔於一電漿處理室之內，使得不同的電漿前驅物氣體加以使用以產生該第一電漿及該第二電漿。
一種用於執行光阻顯影的設備，該設備包含：<br/> 一處理室，具有一基板支座；<br/> 一處理氣體輸送機構，耦合至該處理室；<br/> 一電漿產生機構，建構以利用由該處理氣體輸送機構所輸送的一種或多種處理氣體來產生電漿；及<br/> 一控制單元，配置有指令用於處理一半導體基板，該些指令包含程式碼用於執行一循環乾式製程以移除由一微影步驟所界定的一金屬氧化物圖案化層的一部分以及顯影上覆於一基板上的一層以上的下伏層之一金屬氧化物光阻圖案。
如請求項34之設備，其中該電漿產生機構係建構以產生電容耦合電漿（CCP）、感應耦合電漿（ICP）、微波電漿、輻射線槽孔天線微波（RLSA<sup>TM</sup>）電漿、電子迴旋共振（ECR）電漿，或以上之組合。
如請求項34之設備，其中該控制單元係建構以控制該循環乾式製程：控制該基板對第一電漿的暴露而選擇性沉積一保護層於該圖案化層之第一部分之上；控制該基板對第二電漿的暴露而選擇性蝕刻該圖案化層之第二部分；及重複該選擇性沉積步驟以及該選擇性蝕刻步驟，直到該圖案化層之該第二部分係完全移除。
如請求項34之設備，其中在將該圖案化層未被該遮罩覆蓋的部分暴露於EUV或更短波長光之後，以及在將保護層選擇性沉積到該圖案化層的未暴露部分之前，該方法更包含執行一烘烤製程，以自該圖案化層之暴露部分釋放有機配位基。
一種研磨劑，其用於研磨含有鈷之被研磨面， <br/>前述研磨劑含有磨粒、四級鏻鹽、氧化劑、胺、金屬腐蝕抑制劑及水， <br/>前述研磨劑的pH為8.0以上。
如請求項1所述之研磨劑，其中 <br/>前述四級鏻鹽含有選自由四烷基鏻鹽及四芳基鏻鹽組成的組的至少一種。
如請求項1或請求項2所述之研磨劑，其中 <br/>前述四級鏻鹽包含四烷基鏻鹽。
如請求項1或請求項2所述之研磨劑，其中 <br/>以研磨劑的總質量為基準，前述四級鏻鹽的含量為0.010質量%以上且小於0.10質量%。
如請求項1或請求項2所述之研磨劑，其進一步含有膦酸化合物，前述膦酸化合物具有選自由膦醯基及膦酸鹽基組成的組的至少一種。
如請求項5所述之研磨劑，其中 <br/>前述膦酸化合物進一步具有選自由羧基及羧酸鹽基組成的組的至少一種。
如請求項5所述之研磨劑，其中 <br/>前述膦酸化合物含有選自由2-膦醯基丁烷-1,2,4-三羧酸、N,N,N’,N’-乙二胺四（亞甲基膦酸）、氮基三（亞甲基膦酸）、1-羥基乙烷-1,1-雙（膦酸）、苯基膦酸、O-磷醯乙醇胺及該等的鹽組成的組的至少一種。
如請求項1或請求項2所述之研磨劑，其進一步含有磺酸化合物，前述磺酸化合物具有選自由磺酸基及磺酸鹽基組成的組的至少一種。
如請求項8所述之研磨劑，其中 <br/>前述磺酸化合物具有鍵結有選自由磺酸基及磺酸鹽基組成的組的至少一種之芳基。
如請求項8所述之研磨劑，其中 <br/>前述磺酸化合物含有選自由苯磺酸、甲苯磺酸、異喹啉-5-磺酸、3-胺基-4-羥基苯磺酸及該等的鹽組成的組的至少一種。
如請求項1或請求項2所述之研磨劑，其中 <br/>前述磨粒含有二氧化矽。
如請求項1或請求項2所述之研磨劑，其中 <br/>以研磨劑的總質量為基準，前述磨粒的含量為0.01～20質量%。
如請求項1或請求項2所述之研磨劑，其中 <br/>前述胺含有第1酸解離常數pKa為10.0以上之胺。
如請求項1或請求項2所述之研磨劑，其進一步含有有機酸。
如請求項1或請求項2所述之研磨劑，其pH為10.0以上。
如請求項1或請求項2所述之研磨劑，其中 <br/>前述被研磨面進一步含有氧化矽。
如請求項16所述之研磨劑，其中 <br/>前述被研磨面進一步含有氮化矽。
一種多液式研磨劑，其用於獲得請求項1至請求項17之任一項所述之研磨劑， <br/>前述多液式研磨劑至少具有含有前述磨粒之第1液及含有前述四級鏻鹽之第2液。
一種研磨方法，其使用請求項1至請求項17之任一項所述之研磨劑或藉由請求項18所述之多液式研磨劑獲得之研磨劑來研磨含有鈷之被研磨面。
如請求項19所述之研磨方法，其中 <br/>前述被研磨面進一步含有氧化矽。
如請求項20所述之研磨方法，其中 <br/>前述被研磨面進一步含有氮化矽。
一種光罩檢測系統，其包括： <br/>一真空室； <br/>一載物台，其經安置於該真空室中以支撐一光罩且水平及垂直地平移該光罩； <br/>一光學高度感測器，其至少部分安置於該真空室中以量測該光罩之一表面上之多個高度，以便獲得多個經量測高度，其中該光學高度感測器使用並非極紫外線（EUV）光且具有比EUV光更長之波長之光；及 <br/>一載物台控制器，其根據使用該光罩之該表面上之該等經量測高度產生之該光罩之一焦點圖水平及垂直地平移該載物台；及 <br/>一EUV物鏡，其安置於該真空室中，根據該焦點圖以收集來自該光罩之EUV光，以便檢測該光罩之缺陷； <br/>一或多個處理器；及 <br/>記憶體，其儲存由該一或多個處理器執行之一或多個程式，該一或多個程式包括用於使用該光罩之該表面上之該等經量測高度產生該焦點圖之指令，其中： <br/>該等經量測高度包括該光罩上之圖案化區域之多個經量測高度，且 <br/>用於產生該焦點圖之該等指令包括用於基於該等圖案化區域之多個填充因數來調整該等圖案化區域之該等經量測高度之指令，以便獲得多個經調整高度；且 <br/>用於產生該焦點圖之該等指令進一步包括用於根據一校準高度偏移圖將一高度偏移應用於該等經調整高度以說明該等經調整高度與一EUV焦點位置之間的一高度差之指令。
如請求項1之系統，其中該光學高度感測器包括安置於該真空室中且位於與該EUV物鏡離軸之處之一物鏡。
如請求項1之系統，其中該EUV光係13.5 nm光。
如請求項1之系統，其中： <br/>該光學高度感測器包括一寬頻光干涉儀；且 <br/>該寬頻光干涉儀包括安置於該真空室中之一干涉物鏡。
如請求項4之系統，其中： <br/>該寬頻光干涉儀進一步包括安置於該真空室外部之一寬頻光源及安置於該真空室外部之一影像感測器；且 <br/>該真空室包括該真空室之一外壁中之一窗以使該寬頻光干涉儀之光通過。
如請求項5之系統，其中該寬頻光干涉儀進一步包括： <br/>一光束分離器，其經安置於該真空室外部以將來自該寬頻光源之光引導通過該窗至該干涉物鏡；及 <br/>一管透鏡，其經安置於該真空室外部該光束分離器與該影像感測器之間以將來自該干涉物鏡之光聚焦至該影像感測器上。
如請求項4之系統，其中該干涉物鏡經機械耦合至該EUV物鏡。
如請求項7之系統，其中： <br/>該干涉物鏡經連接至該EUV物鏡之一底表面；且 <br/>該EUV物鏡之該底表面面向該載物台。
如請求項1之系統，其中該一或多個程式進一步包括用於基於該光罩之設計之一資料庫來計算該等填充因數之指令。
如請求項1之系統，其中： <br/>該光學高度感測器包括一寬頻光干涉儀；且 <br/>該一或多個程式進一步包括用於以下之指令： <br/>基於來自該寬頻光干涉儀之資料判定該等圖案化區域之反射率；及 <br/>基於該等反射率判定該等填充因數。
如請求項1之系統，其包括一高度感測器控制器及一影像處理電腦，其中： <br/>該高度感測器控制器包括一或多個第一處理器及一第一記憶體，該第一記憶體儲存由該一或多個第一處理器執行之一或多個第一程式，該一或多個第一程式包括用於基於來自該光學高度感測器之資料判定該光罩上之圖案化區域之該等經量測高度之指令； <br/>該影像處理電腦包括一或多個第二處理器及一第二記憶體，該第二記憶體儲存由該一或多個第二處理器執行之一或多個第二程式，該一或多個第二程式包括用於產生該焦點圖之指令。
如請求項11之系統，其中用於產生該焦點圖之該等指令包括用於以下之指令： <br/>根據一校準高度偏移圖將一高度偏移應用於該等經調整高度以說明該等經調整高度與一EUV焦點位置之間的一高度差。
如請求項1之系統，其中該載物台控制器經組態以將同步信號發送至該光學高度感測器以控制該光學高度感測器之操作。
如請求項13之系統，其中該等同步信號提供對應於該光罩之垂直平移之資訊。
一種光罩檢測方法，其包括： <br/>將一光罩定位於一真空室中之一載物台上； <br/>使用至少部分安置於該真空室中之一光學高度感測器量測該光罩之一表面上之圖案化區域之多個高度，以便獲得多個經量測高度，其中該光學高度感測器使用並非極紫外線（EUV）光且具有比EUV光更長之波長之光； <br/>使用該光罩之該表面上之該等經量測高度產生該光罩之一焦點圖，其包括： <br/>基於該等圖案化區域之多個填充因數來調整該等圖案化區域之該等經量測高度，以便獲得多個經調整高度；及 <br/>根據一校準高度偏移圖將一高度偏移應用於該等經調整高度以說明該等經調整高度與一EUV焦點位置之間的一高度差 <br/>使用安置於該真空室中之一極紫外(EUV)物鏡檢測該光罩之缺陷，包括： <br/>根據該焦點圖水平及垂直地平移該載物台；及 <br/>根據該焦點圖使用該EUV物鏡來收集來自該光罩之EUV光。
如請求項15之方法，其中： <br/>該光學高度感測器包括安置於該真空室中且位於與該EUV物鏡離軸之處之一物鏡；且 <br/>使用13.5 nm光執行檢測該光罩之缺陷。
如請求項15之方法，其中： <br/>該光學高度感測器包括一寬頻光干涉儀，該寬頻光干涉儀包括安置於該真空室中之一干涉物鏡、安置於該真空室外部之一寬頻光源及安置於該真空室外部之一影像感測器；且 <br/>量測該等圖案化區域之該等高度包括： <br/>透過該真空室之一外壁中之一窗將來自該寬頻光源之光提供至該干涉物鏡，及 <br/>在該影像感測器處接收從該干涉物鏡行進穿過該窗之光。
如請求項17之方法，其中： <br/>該真空室包括將該真空室劃分為一第一子室及一第二子室之一板； <br/>該EUV物鏡及該干涉物鏡經安置於該第一子室中； <br/>該載物台經安置於該第二子室中； <br/>量測該等圖案化區域之該等高度進一步包括透過該板中之一窗使用來自該干涉物鏡之光照明該光罩；且 <br/>檢測該光罩之缺陷包括透過該板中之一孔使用來自該EUV物鏡之EUV光照明該光罩。
如請求項15之方法，其進一步包括使用具有已知位置處之一固定圖案網格之一校準光罩來產生該校準高度偏移圖。
如請求項15之方法，其中： <br/>量測該等圖案化區域之該等高度包括： <br/>將資料從該光學高度感測器傳輸至一高度感測器控制器，及在該高度感測器控制器中，基於來自該光學高度感測器之該資料判定該光罩上之圖案化區域之該等經量測高度；且 <br/>產生該焦點圖包括： <br/>將該等經量測高度從該高度感測器控制器傳輸至一影像處理電腦，及 <br/>在該影像處理電腦中，校正該等圖案化區域之該等經量測高度，以便獲得多個經校正高度，包括基於該等圖案化區域之多個填充因數來調整該等圖案化區域之該等經量測高度，且根據一校準高度偏移圖將一高度偏移應用於該等經調整高度以說明該等經調整高度與一EUV焦點位置之間的一高度差。
如請求項15之方法，其進一步包括： <br/>暫停該檢測； <br/>在暫停該檢測時，重複該量測及該產生以產生一經更新焦點圖；及 <br/>使用該經更新焦點圖復原該檢測。
如請求項15之方法，其中量測該等圖案化區域之該等高度包括： <br/>使用一載物台控制器控制該載物台之水平及垂直平移；及 <br/>將同步信號從該載物台控制器發送至該光學高度感測器以控制該光學高度感測器之操作。
如請求項22之方法，其中該等同步信號提供對應於該光罩之該垂直平移之資訊。
一種光罩檢測系統，其包括： <br/>一真空室，其包括將該真空室劃分為一第一子室及一第二子室之一板； <br/>一載物台，其經安置於該真空室之該第二子室中，以支撐一光罩且水平及垂直地平移該光罩； <br/>一光學高度感測器，其至少部分安置於該真空室中，以量測該光罩之一表面上之高度，以便獲得多個經量測高度，其中： <br/>該光學高度感測器包括一寬頻光干涉儀， <br/>該寬頻光干涉儀包括安置於該真空室之該第一子室中之一干涉物鏡，及 <br/>該光學高度感測器使用並非極紫外線（EUV）光且具有比EUV光更長之波長之光； <br/>一載物台控制器，其根據使用該光罩之該表面上之該等經量測高度產生之該光罩之一焦點圖水平及垂直地平移該載物台；及 <br/>一EUV物鏡，其安置於該真空室之該第一子室中，根據該焦點圖以收集來自該光罩之EUV光，以便檢測該光罩之缺陷； <br/>其中該板包括： <br/>一窗，其用於使光在該干涉物鏡與該光罩之間通過；及 <br/>一孔，其用於使該EUV光在該光罩與該EUV物鏡之間通過。
一種4-胺基-N-[4-(甲氧基甲基)苯基]-7-(1-甲基環丙基)-6-(3-嗎啉基丙-1-炔-1-基)-7H-吡咯并[2,3-d]嘧啶-5-甲醯胺1:2 HCl鹽型式1之實質上結晶型式，其藉由包含在6.59°2θ+/-5%、7.40°2θ+/-5%、9.12°2θ+/-5%、14.57°2θ+/-5%、16.39°2θ+/-5%、26.06°2θ+/-5%、26.57°2θ+/-5%及27.07°2θ+/-5%處之峰之XRPD圖表徵。
一種4-胺基-N-[4-(甲氧基甲基)苯基]-7-(1-甲基環丙基)-6-(3-嗎啉基丙-1-炔-1-基)-7H-吡咯并[2,3-d]嘧啶-5-甲醯胺1:2 HCl鹽型式1之實質上結晶型式，其藉由包含選自在6.59°2θ、7.40°2θ、9.12°2θ、14.57°2θ、16.39°2θ、26.06°2θ、26.57°2θ及27.07°2θ處之三或三個以上之峰之XRPD圖表徵。
如請求項2之實質上結晶型式，其藉由包含在6.59°2θ、7.40°2θ、9.12°2θ、14.57°2θ、16.39°2θ、26.06°2θ、26.57°2θ及27.07°2θ處之峰之XRPD圖表徵。
如請求項1或2之實質上結晶型式，其中該4-胺基-N-[4-(甲氧基甲基)苯基]-7-(1-甲基環丙基)-6-(3-嗎啉基丙-1-炔-1-基)-7H-吡咯并[2,3-d]嘧啶-5-甲醯胺1:2 HCl鹽型式1藉由實質上與圖3A相同之XRPD圖表徵。
如請求項1或2之結晶，其中該XRPD圖係使用CuKα輻射作為X-射線源而獲得。
如請求項1或2之實質上結晶型式，其中該4-胺基-N-[4-(甲氧基甲基)苯基]-7-(1-甲基環丙基)-6-(3-嗎啉基丙-1-炔-1-基)-7H-吡咯并[2,3-d]嘧啶-5-甲醯胺1:2 HCl型式1具有選自實質上與圖3C相同之DSC溫譜圖及實質上與圖3B相同之TGA譜之至少一個特徵。
如請求項1或2之實質上結晶型式，其中該1:2 HCl鹽為至少50%結晶型式。
如請求項1或2之實質上結晶型式，其中該1:2 HCl鹽為至少60%結晶型式。
如請求項1或2之實質上結晶型式，其中該1:2 HCl鹽為至少70%結晶型式。
如請求項1或2之實質上結晶型式，其中該1:2 HCl鹽為至少80%結晶型式。
如請求項1或2之實質上結晶型式，其中該1:2 HCl鹽為至少90%結晶型式。
如請求項1或2之實質上結晶型式，其中該1:2 HCl鹽為至少95%結晶型式。
如請求項1或2之實質上結晶型式，其中該1:2 HCl鹽為至少96%結晶型式。
如請求項1或2之實質上結晶型式，其中該1:2 HCl鹽為至少97%結晶型式。
如請求項1或2之實質上結晶型式，其中該1:2 HCl鹽為至少98%結晶型式。
如請求項1或2之實質上結晶型式，其中該1:2 HCl鹽為至少99%結晶型式。
如請求項1或2之實質上結晶型式，其中該1:2 HCl鹽為至少100%結晶型式。
一種醫藥組合物，其包含至少一種如請求項1或2之實質上結晶型式及醫藥上可接受之賦形劑。
一種用於偵測一感測器電極的方法，包含： 從該感測器電極獲取一第一結果信號； 基於該第一結果信號，通過一正交解調來決定一同相響應和一正交相位響應；以及 基於該同相響應和該正交相位響應，偵測該感測器電極的一缺陷。
如請求項1所述之方法，其中偵測該感測器電極的該缺陷包含將該同相響應和該正交相位響應映射至一座標平面，該座標平面包含對應於該同相響應的一第一軸以及對應於該正交相位響應的一第二軸。
如請求項2所述之方法，其中偵測該感測器電極的該缺陷是基於對應於該同相響應和該正交相位響應的一點是否位於該座標平面中所定義的一預定區域內。
如請求項1所述之方法，更包含： 從該感測器電極獲取一第二結果信號；以及 基於該第二結果信號，通過電容式接近感測來感測一輸入物件。
如請求項1所述之方法，更包含： 當從該感測器電極獲取該第一結果信號時，施加一週期性驅動電壓至該感測器電極， 其中該第一結果信號係獲取作為一電流信號。
如請求項5所述之方法，其中該週期性驅動電壓包含一正弦電壓。
如請求項1所述之方法，更包含： 當從該感測器電極獲取該第一結果信號時，施加一週期性發射器電壓至與該感測器電極電容耦合的一發射器電極， 其中該第一結果信號係獲取作為一電流信號。
如請求項1所述之方法，其中決定該同相響應和該正交相位響應包含藉由使用一類比前端(AFE)和一數位類比轉換器(ADC)來決定該同相響應和該正交相位響應。
如請求項8所述之方法，其中藉由使用該AFE和該ADC來決定該同相響應和該正交相位響應包含： 基於該第一結果信號，藉由該AFE產生一第一電流輸出； 藉由該ADC對該第一電流輸出施加一類比數位轉換，以產生一第一數位化輸出，其包含： 對應於該同相響應的一第一數值；以及 對應於該正交相位響應的一第二數值。
如請求項9所述之方法，更包含： 基於在一電容式接近感測操作中從該感測器電極所獲取的一第二結果信號，藉由該AFE產生一第二電流輸出，以及 藉由該ADC對該第二電流輸出施加一類比數位轉換，以產生一第二數位化輸出， 其中使用該第二數位化輸出，在該電容式接近感測操作中產生一輸入物件的位置資訊。
一種處理系統，包含： 一電容感測電路，其組態以： 從一感測器電極獲取一第一結果信號； 對該第一結果信號施加一正交解調，以決定一同相響應和一正交相位響應；以及 一處理器，其組態以基於該同相響應和該正交相位響應來偵測該感測器電極的一缺陷。
如請求項11所述之處理系統，其中偵測該感測器電極的該缺陷包含在一座標平面上映射該同相響應和該正交相位響應，該座標平面由對應於該同相響應的一第一軸以及對應於該正交相位響應的一第二軸所定義。
如請求項11所述之處理系統，其中該電容感測電路包含： 一AFE，其組態以基於該第一結果信號來產生一第一電流輸出； 一ADC，其組態以對該第一電流輸出施加一第一類比數位轉換，以產生一第一數位化輸出，其包含： 對應於該同相響應的一第一數值；以及 對應於該正交相位響應的一第二數值。
如請求項13所述之處理系統，其中該電容感測電路進一步組態以在一電容式接近感測操作中從該感測器電極獲取一第二結果信號， 其中該AFE進一步組態以基於該電容式接近感測操作中的該第二結果信號來產生一第二電流輸出， 其中該ADC組態以對該第二電流輸出施加一第二類比數位轉換，以在該電容式接近感測操作中產生一第二數位化輸出，以及 其中該處理器進一步組態以基於該電容式接近感測操作中的該第二數位化輸出來產生一輸入物件的位置資訊。
如請求項11所述之處理系統，其中該電容感測電路進一步組態以在從該感測器電極獲取該第一結果信號時對該感測器電極施加一週期性驅動電壓， 其中該第一結果信號係獲取作為一電流信號。
如請求項11所述之處理系統，其中該電容感測電路進一步組態以在從該感測器電極獲取該第一結果信號時施加一週期性發射器電壓至與該感測器電極電容耦合的一發射器電極，其中該第一結果信號係獲取作為一電流信號。
一種輸入裝置，包含； 一感測器陣列，其包含一感測器電極；以及 一處理系統，其組態以： 從用於電容式接近感測的該感測器電極獲取一第一結果信號； 對該第一結果信號施加一正交解調，以決定一同相響應和一正交相位響應；以及 基於該同相響應和該正交相位響應來偵測該感測器電極的一缺陷。
如請求項17所述之輸入裝置，進一步包含結合了該感測器陣列的一可撓式顯示面板。
如請求項17所述之輸入裝置，其中該處理系統包含： 一AFE，其組態以基於該第一結果信號來產生一第一電流輸出； 一ADC，其組態以對該第一電流輸出施加一第一類比數位轉換，以產生一第一數位化輸出，其包含： 對應於該同相響應的一第一數值；以及 對應於該正交相位響應的一第二數值。
如請求項19所述之輸入裝置，其中該處理系統進一步組態以在一電容式接近感測操作中從該感測器電極獲取一第二結果信號， 其中該AFE進一步組態以基於該電容式接近感測操作中的該第二結果信號來產生一第二電流輸出， 其中該ADC組態以對該第二電流輸出施加一第二類比數位轉換，以在該電容式接近感測操作中產生一第二數位化輸出，以及 其中該處理系統進一步組態以基於該電容式接近感測操作中的該第二數位化輸出來產生一輸入物件的位置資訊。
一種組合物，其包含：SEQ ID NO：1之肽或其醫藥學上可接受之鹽或溶劑合物形式，其量為該組合物之約0.1%至約15%(w/w)；及一或多種醫藥學上可接受之賦形劑；其中該組合物為固體組合物。
如請求項1之組合物，其中該SEQ ID NO：1之肽或其醫藥學上可接受之鹽或溶劑合物形式具有以下化學結構：<figure><img align="absmiddle" height="349px" width="369px" file="d10038.TIF" alt="化學式ed10038.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10038.png"/></figure>且其中該SEQ ID NO：1之肽或其醫藥學上可接受之鹽或溶劑合物形式為醫藥學上可接受之鹽形式。
如請求項1之組合物，其中該SEQ ID NO：1之肽或其醫藥學上可接受之鹽或溶劑合物形式為乙酸鹽形式。
如請求項3之組合物，其中該SEQ ID NO：1之肽或其醫藥學上可接受之鹽或溶劑合物形式之該乙酸鹽形式係呈非晶形式。
如請求項1至4中任一項之組合物，其中該SEQ ID NO：1之肽或其醫藥學上可接受之鹽或溶劑合物形式之量為約1mg至約1000mg。
如請求項1至4中任一項之組合物，其中該SEQ ID NO：1之肽或其醫藥學上可接受之鹽或溶劑合物形式之量為約10mg至約300mg。
如請求項1至4中任一項之組合物，其中該SEQ ID NO：1之肽或其醫藥學上可接受之鹽或溶劑合物形式之量為約25mg至約150mg。
如請求項1至4中任一項之組合物，其中該SEQ ID NO：1之肽或其醫藥學上可接受之鹽或溶劑合物形式之量為約25mg至約100mg。
一種如請求項1至8中任一項之組合物之用途，其係用於製備治療發炎性疾病的藥劑。
一種組合物，其包含：SEQ ID NO：1之肽或其醫藥學上可接受之鹽或溶劑合物形式，其量為該組合物之約0.1%至約20%(w/w)；及一或多種醫藥學上可接受之賦形劑；其中該組合物為固體組合物。
如請求項10之組合物，其中該SEQ ID NO：1之肽或其醫藥學上可接受之鹽或溶劑合物形式具有以下化學結構：<figure><img align="absmiddle" height="353px" width="405px" file="d10039.TIF" alt="化學式ed10039.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10039.png"/></figure>且其中該SEQ ID NO：1之肽或其醫藥學上可接受之鹽或溶劑合物形式為醫藥學上可接受之鹽形式。
如請求項10或11之組合物，其中該SEQ ID NO：1之肽或其醫藥學上可接受之鹽或溶劑合物形式之量為約1mg至約1000mg。
如請求項10或11之組合物，其中該SEQ ID NO：1之肽或其醫藥學上可接受之鹽或溶劑合物形式之量為約10mg至約500mg。
如請求項10或11之組合物，其中該SEQ ID NO：1之肽或其醫藥學上可接受之鹽或溶劑合物形式之量為約10mg至約300mg。
一種如請求項10至14中任一項之組合物之用途，其係用於製備治療發炎性疾病的藥劑。
一種化學機械拋光液，其係由氧化鈰研磨顆粒、羥胺及其衍生物、pH調節劑和水所組成； <br/>其中，所述氧化鈰研磨顆粒表面帶有正電荷；所述羥胺及其衍生物選自羥胺、N-甲基羥胺、N,N-二乙基羥胺的一種或多種；所述pH調節劑為羥基苯甲酸；所述化學拋光液的pH值為4.0至4.5；所述羥胺及其衍生物的濃度為質量百分比50ppm至2000ppm；所述羥基苯甲酸的濃度為質量百分比100ppm至800ppm。
如請求項1所述的化學機械拋光液，其中，所述氧化鈰研磨顆粒的含量為質量百分比為0.1wt%至0.5wt%。
如請求項2所述的化學機械拋光液，其中，所述氧化鈰研磨顆粒的含量為質量百分比為0.3wt%。
如請求項1所述的化學機械拋光液，其中，所述氧化鈰研磨顆粒的粒徑為45至75nm。
一種化學機械拋光液的使用方法，其特徵在於，將請求項1至4中任一項所述的化學機械拋光液用於實現拋光液在拋光過程中的自動停止。
一種自行車部件，包括：殼體，包括內周部、外周部、端壁部及連接部，該內周部至少部分地限定區域，該外周部相對於該區域的中心軸線從該內周部徑向向外間隔開，該端壁部互連該內周部及該外周部以至少部分地限定內部空間，該連接部互連該內周部及該外周部；及蓋體，覆蓋在該殼體的該內部空間上，該蓋體藉由沿著內焊接路徑之焊接來連結到該殼體的該內周部，該蓋體藉由沿著外焊接路徑之焊接來連結到該殼體的該外周部，該蓋體藉由沿著連接焊接路徑之焊接來結合到該殼體的連接部的至少一部分，該連接焊接路徑係連接該內焊接路徑及該外焊接路徑；該內焊接路徑、該外焊接路徑及該連接焊接路徑係形成連續焊接路徑。
如請求項1所述的自行車部件，其中該內焊接路徑包括部分圓形部，且該外焊接路徑包括部分圓形部。
如請求項2所述的自行車部件，其中該部分內圓部及該部分外圓部係同心地配置。
如請求項1所述的自行車部件，其中該連接焊接路徑包括連接該內焊接路徑及該外焊接路徑的第一連接焊接部及第二連接焊接部。
如請求項1所述的自行車部件，其中該連續焊接路徑是封閉環。
如請求項1所述的自行車部件，還包括：電子電路板，提供在該殼體之該內部空間中。
如請求項6所述的自行車部件，還包括：電力儲存器，提供在該殼體的該內部空間中的該電子電路板上以外的位置。
如請求項1所述的自行車部件，其中該區域係為開口。
如請求項1所述的自行車部件，還包括：輪轂軸，支撐該殼體，輪轂體，繞該中心軸線可旋轉地設置，以及電力產生器，設置在該輪轂體中，並被建構為藉由該輪轂體的旋轉來產生電力。
如請求項9所述的自行車部件，其中該殼體係相對於該輪轂軸為非旋轉。
如請求項9所述的自行車部件，還包括：鏈輪支撐結構，繞該中心軸線可旋轉地設置，以在繞該中心軸線於驅動旋轉方向上旋轉時將驅動力傳遞到該輪轂體。
如請求項11所述的自行車部件，還包括：受檢測部件，提供給該鏈輪支撐結構；及旋轉檢測感測器，提供在該殼體的該內部空間中，該旋轉檢測感測器被建構為檢測該受檢測部件，以檢測該鏈輪支撐結構繞該中心軸線的旋轉。
一種形成自行車部件之方法，該自行車部件具有殼體及連結到該殼體的蓋體，該方法包括：將該蓋體覆蓋在該殼體上；及藉由沿著對應於該殼體的內周部的內焊接路徑、沿著對應於該殼體的外周部的外焊接路徑及沿著對應於該殼體的連接部的至少一個連接焊接路徑所形成的焊道，將該蓋體焊接到該殼體上，該連接焊接路徑係連接該內焊接路徑及該外焊接路徑；將該蓋體焊接到該殼體上係藉由連續焊接路徑來實行，該連續焊接路徑包括該至少一個連接焊接路徑、該內焊接路徑及該外焊接路徑。
如請求項13所述的方法，其中將該蓋體焊接到該殼體上係使用雷射光束來實行。
如請求項13所述的方法，其中該連續焊接路徑是封閉環。
如請求項13所述的方法，其中該至少一個連接焊接路徑包括連接該內焊接路徑及該外焊接路徑的第一連接焊接部及第二連接焊接部。
一種模組化的電子自行車操縱裝置(100)，其包括：<br/> 用於電子操縱至少一個自行車組件(120)的電子模組(110)；<br/> 獨立於所述電子模組(110)而構建且能以可更換的方式安裝在所述電子模組上的無電子器件的機械模組(130)，所述機械模組具有框架構件(131)和至少一個可動地支承在所述框架構件(131)上的操縱構件(132)，<br/> 其特徵在於，所述自行車操縱裝置(100)包括部分構建在所述電子模組(110)上且部分構建在所述機械模組(130)上的緊固凸起(142)，其中所述緊固凸起(142)的外表面(143)由構建在所述電子模組(110)上的外表面區段(143.1)和構建在所述機械模組(130)上的外表面區段(143.2)組成。
如請求項1所述的自行車操縱裝置(100)，其中所述緊固凸起(142)適於固定在用於將所述自行車操縱裝置(100)緊固在自行車車把(20)上的緊固裝置(150)的夾箍(152)中，所述夾箍以與所述緊固凸起(142)形狀對應的方式構建。
如請求項1或2所述的自行車操縱裝置(100)，其中所述緊固凸起(142)呈圓柱形並且具有在20 mm至25 mm之間的直徑。
如請求項3所述的自行車操縱裝置(100)，其中在所述緊固凸起(142)的遠端處設置徑向突出的鎖固區段(144)。
如請求項4所述的自行車操縱裝置(100)，其中所述機械模組(130)和所述電子模組(110)借助多個開關(116)的佈置在功能上彼此耦合或者能彼此耦合，以便通過操縱所述操縱構件來操縱所述自行車組件(120)，所述開關基本上佈置在所述電子模組上的同一接口平面(E)中且彼此平行定向。
如請求項5所述的自行車操縱裝置(100)，其中所述接口平面(E)與所述圓柱形緊固凸起(142)的外表面(143)相交。
如請求項6所述的自行車操縱裝置(100)，其中所述電子模組(110)和所述機械模組(130)適於免用工具地彼此可釋放地固定在一起。
如請求項7所述的自行車操縱裝置(100)，其中在所述圓柱形緊固凸起(142)的端側上設有附加的操縱元件(133)。
一種用於將如請求項1至8中任一項所述的自行車操縱裝置(100)緊固在自行車車把(20)上的緊固裝置(150)，其包括適於固定在所述自行車操縱裝置(100)的所述緊固凸起(142)上的夾箍(152)。
如請求項9所述的緊固裝置(150)，其包括用於將所述緊固裝置(150)固定在所述自行車車把(20)上的另一夾箍(154)。
如請求項10所述的緊固裝置(150)，其適於通過單個螺釘(156)緊固所述兩個夾箍(152, 154)，且其中所述兩個夾箍(152, 154)以一體成型的方式構建或者構建為兩個獨立的夾箍構件(252, 254)。
如請求項10或11所述的緊固裝置(150)，其中所述兩個夾箍(152, 154)各定義一個夾具軸(152a, 154a)，所述兩個夾箍(152, 154)的夾具軸以在15°至30°之間的角度(α)相對彼此而傾斜。
如請求項12所述的緊固裝置(150)，其具有兩個直徑相同的夾箍(152, 154)。
如請求項9所述的緊固裝置(150)，其中所述緊固裝置(150)包括用於將所述緊固裝置(150)與獨立的車把夾(201)連接在一起的連接接口(157)，其中所述連接接口(157)具有長形孔(158)或多個緊固開口的線性佈置。
一種模組化自行車操縱系統(500)，其包括如請求項1至8中任一項所述的模組化的電子自行車操縱裝置(100)和如請求項9至14中任一項所述的緊固裝置(150)。
一種硬化性化合物製品，其含有下述式(1)所示之化合物， <br/><img align="absmiddle" height="117px" width="797px" file="ed10037.jpg" alt="ed10037.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[式中，R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>相同或不同地表示下述式(r-1)所示之基或下述式(r-2)所示之基； <br/><img align="absmiddle" height="496px" width="816px" file="ed10038.jpg" alt="ed10038.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>（式中，Q表示C或CH；式中之2個Q經由單鍵或雙鍵而鍵結；R<sup>3</sup>至R<sup>6</sup>相同或不同地表示氫原子或烴基；R<sup>3</sup>與R<sup>4</sup>可相互鍵結而形成環；n'表示0以上之整數；式中之帶有波浪線之鍵結鍵與D<sup>1</sup>或D<sup>2</sup>鍵結） <br/>D<sup>1</sup>、D<sup>2</sup>相同或不同地表示單鍵或連結基；L表示具有包含下述式(L-1-1)所示之結構之重複單元的二價基； <br/><img align="absmiddle" height="75px" width="273px" file="ed10043.jpg" alt="ed10043.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>（式中，m1表示圓括弧內所示之重複單元之平均聚合度，且為2至50；Ar<sup>3</sup>為選自下述式(a-1)至(a-5) <br/><img align="absmiddle" height="469px" width="773px" file="ed10042.jpg" alt="ed10042.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>所示之基中的基；前述式(a-1)至(a-5)中之芳香環可具有烷基作為取代基）] <br/>前述式(r-1)所示之基相對於前述式(r-1)所示之基與前述式(r-2)所示之基之合計的比率為97%以上。
如請求項1所述之硬化性化合物製品，其中，式(1)中之D<sup>1</sup>、D<sup>2</sup>相同或不同地為選自包含下述式(d-1)至(d-4)所示之結構之基中的基， <br/><img align="absmiddle" height="411px" width="747px" file="ed10040.jpg" alt="ed10040.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1或2所述之硬化性化合物製品，其中，對該硬化性化合物製品實施減壓乾燥處理之後溶解於NMP中所獲得之20重量%NMP溶液之黏度(η<sub>0</sub>)與將前述溶液於保持為23℃之乾燥器內靜置10天後之黏度(η<sub>10</sub>)滿足下述式(F)： <br/><br/>η<sub>10</sub>/η<sub>0</sub>＜2 (F)。
如請求項1或2所述之硬化性化合物製品，其利用標準聚苯乙烯換算所得之重量平均分子量為1000至10000。
如請求項1或2所述之硬化性化合物製品，其玻璃轉移溫度為80至230℃。
一種成形物，其包含請求項1至5中任一項所述之硬化性化合物製品之硬化物或半硬化物。
一種積層體，其具有積層請求項1至5中任一項所述之硬化性化合物製品之硬化物或半硬化物與基板而成之構成。
一種積層體之製造方法，其係藉由將請求項1至5中任一項所述之硬化性化合物製品載置於基板上並實施加熱處理，而獲得具有積層前述硬化性化合物製品之硬化物或半硬化物與基板而成之構成的積層體。
如請求項8所述之積層體之製造方法，其係於塑膠製支持體上塗佈前述硬化性化合物製品之熔融物並使其固化，而獲得包含前述硬化性化合物製品之薄膜，將所獲得之薄膜自前述支持體剝離後積層於基板上並實施加熱處理。
一種複合材料，其包含請求項1至5中任一項所述之硬化性化合物製品之硬化物或半硬化物與纖維。
一種黏接劑，其包含請求項1至5中任一項所述之硬化性化合物製品。
一種塗料，其包含請求項1至5中任一項所述之硬化性化合物製品。
一種密封劑，其包含請求項1至5中任一項所述之硬化性化合物製品。
一種用於局部治療皮膚疾病之醫藥調配物，其包含(a)魯索替尼(ruxolitinib)或其醫藥學上可接受之鹽及(b)選自卡泊三醇(calcipotriol)及馬沙骨化醇(maxacalcitol)之維生素D3類似物或其醫藥學上可接受之鹽。
如請求項1之醫藥調配物，其中該魯索替尼(ruxolitinib)或其醫藥學上可接受之鹽為魯索替尼磷酸鹽。
如請求項1之醫藥調配物，其中該維生素D3類似物為卡泊三醇。
如請求項1之醫藥調配物，其中該維生素D3類似物為馬沙骨化醇。
如請求項1至4中任一項之醫藥調配物，其中該調配物包含按游離鹼計約0.05%至約3.0%或約0.05%至約1.5% w/w之該魯索替尼或其醫藥學上可接受之鹽。
如請求項1至4中任一項之醫藥調配物，其中該調配物包含按游離鹼計該調配物之約0.05重量%、約0.06重量%、約0.07重量%、約0.08重量%、約0.09重量%、約0.1重量%、約0.15重量%、約0.2重量%、約0.25重量%、約0.3重量%、約0.35重量%、約0.4重量%、約0.45重量%、約0.5重量%、約0.55重量%、約0.6重量%、約0.65重量%、約0.7重量%、約0.75重量%、約0.8重量%、約0.85重量%、約0.9重量%、約0.95重量%、約1.0重量%、約1.05重量%、約1.1重量%、約1.15重量%、約1.2重量%、約1.25重量%、約1.3重量%、約1.35重量%、約1.4重量%、約1.45重量%、約1.5重量%、約1.55重量%、約1.6重量%、約1.65重量%、約1.7重量%、約1.75重量%、約1.8重量%、約1.85重量%、約1.9重量%、約1.95重量%、約2.0重量%、約2.5重量%或約3.0重量%的該魯索替尼或其醫藥學上可接受之鹽。
如請求項1至4中任一項之醫藥調配物，其中該調配物包含按游離鹼計約0.0001% w/w至約0.01% w/w之該維生素D3類似物或其醫藥學上可接受之鹽。
如請求項1至4中任一項之醫藥調配物，其中該調配物包含按游離鹼計約0.0001% w/w至約0.005% w/w該維生素D3類似物或其醫藥學上可接受之鹽。
如請求項1至4中任一項之醫藥調配物，其中該調配物包含按游離鹼計約0.0001% w/w至約0.01% w/w或約0.0001% w/w至約0.005% w/w之該維生素D3類似物或其醫藥學上可接受之鹽。
如請求項1至4中任一項之醫藥調配物，其中該調配物包含按游離鹼計約0.005% w/w之該維生素D3類似物或其醫藥學上可接受之鹽。
如請求項1至4中任一項之醫藥調配物，其中該調配物為乳膏或洗劑。
如請求項11之醫藥調配物，其中該調配物為水包油乳液。
如請求項12之醫藥調配物，其中該調配物包含水、油組分及乳化劑或穩定劑組分。
如請求項13之醫藥調配物，其中該水佔該醫藥調配物之約5重量%至約90重量%、約10重量%至約80重量%、約10重量%至約70重量%、約10重量%至約60重量%、約20重量%至約70重量%、約20重量%至約60重量%或約20重量%至約50重量%。
如請求項13之醫藥調配物，其中該油組分佔該醫藥調配物之約5重量%至約90重量%、約5重量%至約80重量%、約5重量%至約70重量%、約5重量%至約60重量%、約5重量%至約50重量%或約5重量%至約40重量%。
如請求項13之醫藥調配物，其中該乳化劑或穩定劑組分佔該醫藥調配物之約1重量%至約30重量%或約5重量%至約25重量%。
如請求項13之醫藥調配物，其進一步包含用於溶解魯索替尼或其醫藥學上可接受之鹽的溶劑組分。
如請求項17之醫藥調配物，其中該溶劑組分佔該醫藥調配物之約5重量%至約20重量%、約2重量%至約30重量%、約5重量%至約30重量%、約5重量%至約25重量%、約5重量%至約20重量%或約10重量%至約20重量%。
如請求項1至4中任一項之醫藥調配物，其中該調配物之pH為約6.0至約8.0、約6.5至約7.5或約6.5至約7.0。
如請求項19之醫藥調配物，其中該調配物之pH用三乙醇胺調節。
一種魯索替尼(ruxolitinib)或其醫藥學上可接受之鹽之用途，其係用以製備用於治療有需要之患者之皮膚疾病之藥物，其中該藥物係局部投與至該患者之患病區域，且其中該藥物進一步包含選自卡泊三醇(calcipotriol)及馬沙骨化醇(maxacalcitol)之維生素D3類似物或其醫藥學上可接受之鹽或係與選自卡泊三醇(calcipotriol)及馬沙骨化醇(maxacalcitol)之維生素D3類似物或其醫藥學上可接受之鹽併用。
如請求項21之用途，其中該魯索替尼(ruxolitinib)或其醫藥學上可接受之鹽為魯索替尼磷酸鹽。
如請求項21之用途，其中該維生素D3類似物為卡泊三醇。
如請求項21之用途，其中該維生素D3類似物為馬沙骨化醇。
如請求項21至24中任一項之用途，該皮膚疾病為自身免疫或發炎性皮膚疾病。
如請求項21至24中任一項之用途，其中該皮膚疾病為Th1或Th17相關皮膚疾病。
如請求項21至24中任一項之用途，其中該皮膚疾病係由介白素22 (IL-22)、C-X-C模體趨化因子10 (CXCL10)、基質金屬肽酶12 (MMP12)或其組合介導。
如請求項21至24中任一項之用途，其中該皮膚疾病係由Defb4、S100a12或Serpinb4介導。
如請求項21至24中任一項之用途，其中該皮膚疾病係由絲聚蛋白(FLG)、兜甲蛋白(LOR)、IL-31、TSLP、CAMP、CCL17、CCL22、DefB4a、干擾素-γ、IL-17A、IL-17F、IL-22、IL-33、IL-4或TNFSF18介導。
如請求項21至24中任一項之用途，其中該皮膚疾病係選自牛皮癬、異位性皮膚炎、禿頭症、白斑病、萊特爾氏症候群(Reiter's syndrome)、毛髮紅糠疹、單純性大皰性表皮鬆解症、掌蹠角皮症、先天性厚甲症、多發性皮脂腺囊瘤、皮膚扁平苔癬、皮膚T細胞淋巴瘤、化膿性汗腺炎、接觸性皮膚炎及魚鱗癬。
如請求項21至24中任一項之用途，其中該皮膚疾病為紅斑、牛皮癬性關節炎、真皮纖維化、硬皮病、斯皮茨痣(spitz nevi)、皮癬菌病或尋常痤瘡。
如請求項21至24中任一項之用途，其中該魯索替尼(ruxolitinib)或其醫藥學上可接受之鹽與該維生素D3類似物或其醫藥學上可接受之鹽之間存在協同作用。
如請求項21至24中任一項之用途，其中該魯索替尼(ruxolitinib)或其醫藥學上可接受之鹽及該維生素D3類似物或其醫藥學上可接受之鹽係每天投與至少一次。
如請求項21至24中任一項之用途，其中該魯索替尼(ruxolitinib)或其醫藥學上可接受之鹽及該維生素D3類似物或其醫藥學上可接受之鹽係每天投與至少兩次。
如請求項21至24中任一項之用途，其中該魯索替尼(ruxolitinib)或其醫藥學上可接受之鹽及該維生素D3類似物或其醫藥學上可接受之鹽經同時投與。
如請求項21至24中任一項之用途，其中該魯索替尼(ruxolitinib)或其醫藥學上可接受之鹽及該維生素D3類似物或其醫藥學上可接受之鹽經依序投與。
如請求項21至24中任一項之用途，其中該魯索替尼(ruxolitinib)或其醫藥學上可接受之鹽及該維生素D3類似物或其醫藥學上可接受之鹽係以單獨調配物形式投與。
如請求項21至24中任一項之用途，其中該魯索替尼(ruxolitinib)或其醫藥學上可接受之鹽及該維生素D3類似物或其醫藥學上可接受之鹽係以單一調配物形式投與。
如請求項37之用途，其中該魯索替尼(ruxolitinib)或其醫藥學上可接受之鹽及該維生素D3類似物或其醫藥學上可接受之鹽各自以局部調配物形式投與。
如請求項38之用途，其中該魯索替尼(ruxolitinib)或其醫藥學上可接受之鹽及該維生素D3類似物或其醫藥學上可接受之鹽係以單一局部調配物形式投與。
如請求項39之用途，其中各局部調配物為軟膏、乳膏或洗劑。
如請求項40之用途，其中該單一局部調配物為軟膏、乳膏或洗劑。
如請求項42之用途，其中該單一局部調配物為乳膏或洗劑。
如請求項42之用途，其中該單一局部調配物為乳膏調配物。
如請求項42之用途，其中該單一局部調配物之pH為約6.0至約8.0，約6.5至約7.5或約6.5至約7.0。
如請求項21至24中任一項之用途，其中該藥物進一步包含額外治療劑或係與額外治療劑併用。
如請求項46之用途，其中該額外治療劑為皮質類固醇。
如請求項47之用途，其中該皮質類固醇為二丙酸倍他米松(betamethasone dipropionate)。
一種控制裝置，其藉由複數個移動機械使端接器移動，並藉由該端接器對於工件進行預定之作業，前述控制裝置具備：<br/> 移動機械動作部，其藉由使前述複數個移動機械動作來使前述端接器移動；<br/> 動作狀態資料取得部，其取得動作狀態資料，前述動作狀態資料表示由前述移動機械動作部所動作的前述移動機械的動作狀態；<br/> 適應控制執行部，其因應前述動作狀態資料取得部所取得的前述動作狀態資料，調整前述作業用的前述端接器的輸出值；及<br/> 輸入切換部，其因應預定之指令，將前述動作狀態資料取得部要取得前述動作狀態資料的前述移動機械，從第1前述移動機械切換成第2前述移動機械，<br/> 在前述動作狀態資料取得部要取得前述動態資料的前述移動機械是第1前述移動機械的情況下，前述適應控制執行部因應從第1前述移動機械所取得的前述動作狀態資料，來適應地調整前述端接器的前述輸出值，<br/> 在前述動作狀態資料取得部要取得前述動態資料的前述移動機械是第2前述移動機械的情況下，前述適應控制執行部因應從第2前述移動機械所取得的前述動作狀態資料，來適應地調整前述端接器的前述輸出值。
如請求項1之控制裝置，其中前述輸入切換部從用以執行前述作業的作業程式、或用以對前述移動機械教示動作的教示裝置，受理前述預定之指令。
如請求項1或2之控制裝置，其中前述動作狀態資料包含前述移動機械的位置、速度、加速度、到教示點的距離及移動時間中之至少一者。
如請求項1或2之控制裝置，其中前述動作狀態資料取得部根據前述移動機械動作部用以使前述移動機械動作的動作指令、或於前述移動機械動作部使前述移動機械動作時從該移動機械供給給前述控制裝置的回授，來取得前述動作狀態資料。
如請求項3之控制裝置，其中前述動作狀態資料取得部根據前述移動機械動作部用以使前述移動機械動作的動作指令、或於前述移動機械動作部使前述移動機械動作時從該移動機械供給給前述控制裝置的回授，來取得前述動作狀態資料。
一種機械系統，具備：<br/> 使端接器移動的複數個移動機械；及<br/> 如請求項1至5中任一項之控制裝置。
如請求項6之機械系統，其中前述複數個移動機械具有：<br/> 第1移動機械；及<br/> 第2移動機械，是設置於前述第1移動機械並藉由該第1移動機械來移動的第2移動機械，且安裝有前述端接器。
一種控制方法，是藉由複數個移動機械使端接器移動，並藉由該端接器對於工件進行預定之作業的控制方法，<br/> 處理器是：<br/> 藉由使前述複數個移動機械動作來使前述端接器移動，<br/> 取得表示第1前述移動機械的動作狀態的動作狀態資料，<br/> 因應從第1前述移動機械所取得的前述動作狀態資料，調整前述作業用的前述端接器的輸出值，<br/> 因應預定之指令，將要取得前述動作狀態資料的前述移動機械，從第1前述移動機械切換成第2前述移動機械，<br/> 因應從第2前述移動機械所取得的前述動作狀態資料，調整前述作業用的前述端接器的前述輸出值。
一種電腦程式，其使前述處理器執行如請求項8之控制方法。
一種用於製造碳奈米管之負載型觸媒，其包含：數量平均粒度(D<sub>MN</sub>)為1.5μm至20μm之載體(carrier)；以及負載於該載體上之活性成分，其中，該活性成分包含主觸媒組分及輔觸媒組分；該主觸媒組分為選自鎳、鈷、及鐵中之一或多者；該輔觸媒組分為釩；且該載體為含有40wt%或更多之AlO(OH)的鋁系載體。
如請求項1之負載型觸媒，其中，該載體之數量平均粒度為4.0μm至20μm。
如請求項1之負載型觸媒，其中，該載體之數量平均粒度為4.0μm至19μm。
如請求項1之負載型觸媒，其中，該活性成分之含量，以用於製造碳奈米管之該負載型觸媒的總重為基準計，為5wt%至30wt%。
如請求項1之負載型觸媒，其中：該主觸媒組分對該輔觸媒組分之莫耳比為10：0.1至10：10。
如請求項5之負載型觸媒，其中，該主觸媒組分為鈷。
如請求項1之負載型觸媒，其中，該負載型觸媒係用於束型(bundle-type)碳奈米管之製造。
一種製造碳奈米管之方法，其包含：將如請求項1之用於製造碳奈米管之負載型觸媒、及用於床(bed)之碳奈米管注入流體化床反應器；以及將碳源氣體及流動氣體供應至該流體化床反應器，然後使該碳源氣體及該流動氣體反應以製造碳奈米管。
如請求項8之方法，其中，該碳奈米管為束型碳奈米管。
一種用於處理量子資訊的系統，包含：<br/> 複數個量子位元裝置，該複數個量子位元裝置經配置以在一低溫環境中操作，其中該複數個量子位元裝置中的每一者經配置以提供對應於至少一個量子位元的一信號；以及<br/> 一參數放大器，該參數放大器包含：<br/> 一輸入端子，用於接收對應於從該複數個量子位元裝置中的至少一者接收的至少一個量子位元的一信號；<br/> 一泵送端子，用於接收一泵送信號；以及<br/> 一量子電容器，該量子電容器包括至少一個量子電容裝置，其中該參數放大器經配置以藉由將對應於該至少一個量子位元的該信號與該泵送信號進行混合，來放大對應於該至少一個量子位元的該信號以產生一放大信號，並且其中與該泵送信號相關聯的一頻率為一諧振頻率的兩倍，該諧振頻率與包含該至少一個量子電容裝置的一LC槽相關聯。
如請求項1所述之系統，其中該量子電容裝置包含一電壓可控的量子電容裝置。
如請求項1所述之系統，其中該量子電容裝置包含二維電子氣體(2DEG)結構、一場效應電晶體(FET)、一鰭式場效應電晶體(fin-FET)、一奈米線或具有載子的一半導體裝置中的至少一者，該等載子可使用與該半導體裝置相關聯的一閘極調變。
如請求項1所述之系統，其中該參數放大器包含用於提供該放大信號的一輸出端子，並且其中該參數放大器包含用於將該輸入端子與該泵送端子及該輸出端子耦合的一耦合器。
如請求項1所述之系統，其中該量子電容器經配置為一可變電容器。
如請求項5所述之系統，其中該可變電容器的一電容與跨該可變電容器的一電壓成比例。
一種用於處理量子資訊的系統，包含：<br/> 複數個量子位元裝置，該複數個量子位元裝置經配置以在一低溫環境中操作，其中該複數個量子位元裝置中的每一者經配置以提供對應於至少一個量子位元的一信號，其中該低溫環境對應於低於4.2克爾文的一溫度及10<sup>-3</sup>托至10<sup>-10</sup>托之間的一壓力；以及<br/> 一參數放大器，該參數放大器包含一量子電容器，該量子電容器包括至少一個量子電容裝置，其中該參數放大器經配置以放大對應於至少一個量子位元的一信號，該至少一個量子位元從該複數個量子位元裝置中的至少一者接收。
一種用於處理量子資訊的方法，包含以下步驟：<br/> 接收對應於至少一個量子位元的一信號；<br/> 接收一泵送信號；以及<br/> 使用包含至少一個量子電容裝置的一參數放大器，藉由將對應於該至少一個量子位元的該信號與該泵送信號進行混合，來放大對應於該至少一個量子位元的該信號，其中與該泵送信號相關聯的一頻率為一諧振頻率的兩倍，該諧振頻率與包含該至少一個量子電容裝置的一LC槽相關聯。
如請求項8所述之方法，其中該量子電容裝置為一電壓可控的量子電容裝置。
如請求項9所述之方法，其中該量子電容裝置包含一二維電子氣體(2DEG)結構。
如請求項9所述之方法，其中該量子電容裝置包含二維電洞氣體(2DHG)結構、一場效應電晶體(FET)、一鰭式場效應電晶體(fin-FET)、一奈米線或具有載子的一半導體裝置中的至少一者，該等載子可使用與該半導體裝置相關聯的一閘極調變。
如請求項9所述之方法，進一步包含以下步驟：藉由縮小形成為至少一個二維電子氣體(2DEG)結構的一部分的電子氣體的一大小來控制該壓控量子電容裝置的一電壓。
一種用於處理量子資訊的方法，包含以下步驟：<br/> 接收對應於至少一個量子位元的一信號，其中該至少一個量子位元經配置以在一低溫環境中操作，並且其中該低溫環境對應於低於4.2克爾文的一溫度及10<sup>-3</sup>托至10<sup>-10</sup>托之間的一壓力；<br/> 接收一泵送信號；以及<br/> 使用包含至少一個量子電容裝置的一參數放大器，藉由將對應於該至少一個量子位元的該信號與該泵送信號進行混合，來放大對應於該至少一個量子位元的該信號。
一種參數放大器，包含：<br/> 一輸入端子，用於接收一量子位元信號；<br/> 一泵送端子，用於接收一泵送信號；<br/> 一放大器，該放大器包括複數個量子電容裝置，該複數個量子電容裝置經配置以在一低溫環境中操作，該放大器經配置以藉由將該量子位元信號與該泵送信號進行混合，來放大該量子位元信號以產生一放大信號，其中與該泵送信號相關聯的一頻率為一諧振頻率的兩倍，該諧振頻率與一LC槽相關聯，該LC槽包含與該量子位元信號相關聯的該複數個量子電容裝置中的至少一者；以及<br/> 一輸出端子，用於提供該放大信號。
如請求項14所述之參數放大器，其中該複數個量子電容裝置中的每一者包含包括砷化鎵的一半導體異質結構。
如請求項14所述之參數放大器，其中該複數個量子電容裝置中的每一者包含一電壓可控的量子電容裝置。
如請求項16所述之參數放大器，其中該電壓可控的量子電容裝置包含二維電子氣體(2DEG)結構、二維電洞氣體(2DHG)結構、一場效應電晶體(FET)、一鰭式場效應電晶體(fin-FET)、一奈米線或具有載子的一半導體裝置中的至少一者，該等載子可使用與該半導體裝置相關聯的一閘極調變。
一種參數放大器，包含：<br/> 一輸入端子，用於接收一量子位元信號；<br/> 一泵送端子，用於接收一泵送信號；<br/> 一放大器，該放大器包含複數個量子電容裝置，該複數個量子電容裝置經配置以在一低溫環境中操作，該放大器經配置以藉由將該量子位元信號與該泵送信號進行混合，來放大該量子位元信號以產生一放大信號，其中該低溫環境對應於低於4.2克爾文的一溫度及10<sup>-3</sup>托至10<sup>-10</sup>托之間的一壓力；以及<br/> 一輸出端子，用於提供該放大信號。
一種一第一探針與一第二探針在製備用於監測骨形成的方法中之試劑的用途，該第一探針包括與一近紅外線(NIR)螢光染料綴合之一整合素α5β1配體，該第二探針包括與雙膦酸鹽綴合之金奈米粒子，其中該NIR螢光染料與該金奈米粒子具有不同的NIR發射波長，且其中該方法包含識別需要骨形成監測之一受試者；投與該第一探針與該第二探針；及在該受試者之骨修復位置處獲得一NIR螢光影像。
如請求項1的用途，其中該整合素α5β1配體是不含RGD序列之環肽。
如請求項2的用途，其中該環肽具有序列GGCRRETAWAC (序列辨識編號：1)。
如請求項3的用途，其中該NIR螢光染料是CyTE777。
如請求項1的用途，其中該整合素α5β1配體是具有序列GGCRRETAWAC (序列辨識編號：1)之環肽，該NIR螢光染料是CyTE777及該雙膦酸鹽是裴米卓耐特。
如請求項1的用途，其中該第二探針具有1 nm至10 nm之大小。
一種式(I)化合物 <br/> <img align="absmiddle" height="85px" width="64px" file="ed10048.jpg" alt="ed10048.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(I)， <br/>其中 <br/>R<sup>1</sup> 代表氫或鹵素， <br/>R<sup>2</sup> 代表氫或鹵素， <br/>R<sup>3</sup> 代表氯或三氟甲基， <br/>R<sup>4</sup> 代表氫或C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>-烷基， <br/>R<sup>5</sup> 代表C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>-烷基， <br/>X<sub>1</sub> 代表氮或碳， <br/>X<sub>2</sub> 代表氮或碳， <br/>或其鹽其中之一。
如請求項1之化合物，其特徵在於 <br/>R<sup>1</sup> 代表氫、氟 <br/>R<sup>2</sup> 代表氫、氟 <br/>R<sup>3</sup> 代表氯或三氟甲基 <br/>R<sup>4</sup> 代表氫或甲基 <br/>R<sup>5</sup> 代表異丁基 <br/>X<sub>1</sub> 代表氮或碳 <br/>X<sub>2</sub> 代表氮或碳 <br/>或其鹽其中之一。
如請求項1或2之化合物，其如下式 <br/><img align="absmiddle" height="97px" width="54px" file="ed10049.jpg" alt="ed10049.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>或其鹽其中之一。
一種製備如請求項1至3中任一項之式(I)化合物或其鹽其中之一之方法，其特徵在於 <br/>於第一步驟中，由式(IV)化合物 <br/> <img align="absmiddle" height="84px" width="79px" file="ed10050.jpg" alt="ed10050.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(IV) <br/>(其中 R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>及X<sub>1</sub>與X<sub>2</sub>係如上述定義) <br/>與式(III)化合物 <br/> R<sup>5a</sup>-CHO (III) <br/>(其中 R<sup>5a </sup>代表C<sub>1</sub>‑C<sub>3</sub>‑烷基) <br/>於還原劑、合適溶劑及鹼之存在下反應，產生式(II)化合物 <br/> <img align="absmiddle" height="85px" width="78px" file="ed10051.jpg" alt="ed10051.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (II) <br/>(其中 R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>、R<sup>5</sup>及X<sub>1</sub>與X<sub>2</sub>係如上述定義)， <br/>及 <br/>在第二步驟中 <br/>由式(II)化合物與鹼反應，產生式(I)化合物， <br/><img align="absmiddle" height="85px" width="64px" file="ed10052.jpg" alt="ed10052.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (I) <br/>(其中 R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>、R<sup>5</sup>及X<sub>1</sub>與X<sub>2</sub>係如上述定義)， <br/>視需要由式(I)化合物於第三步驟中，於合適酸之存在下，於合適溶劑中反應，轉化成對應之式(Ia)鹽 <br/><img align="absmiddle" height="85px" width="78px" file="ed10053.jpg" alt="ed10053.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(Ia)。
一種如請求項1至3中任一項之化合物或其鹽其中之一之用途，其用於製造醫藥，供治療心臟衰竭(HFrEF、HFmrEF與HFpEF)、高血壓(HTN)、慢性腎臟疾病(CKD)與糖尿病性腎臟疾病(DKD)與肺高血壓(PH)。
一種醫藥，其包含如請求項1至3中任一項之化合物或其鹽其中之一，組合使用惰性、無毒之醫藥上合適賦形劑。
如請求項6之醫藥，其用於治療心臟衰竭(HFrEF、HFmrEF與HFpEF)、高血壓(HTN)、慢性腎臟疾病(CKD)與糖尿病性腎臟疾病(DKD)與肺高血壓(PH)。
一種鍍黑基材，其包含基底基材及沈積於其上之層堆疊，其中該層堆疊包含： <br/>(a) 一個或多於一個形成於該基底基材上之中間鍍層；及 <br/>(b) 形成於該一個或多於一個中間鍍層上的黑鉻鍍層； <br/>其中 <br/>該黑鉻鍍層 <br/>根據L*a*b色彩系統，具有55或更小之L*值； <br/>包含元素鉻、碳及氧； <br/>在其表面上包含自該表面朝向該一個或多於一個中間鍍層量測具有30 nm或更大之深度的轉換層；及 <br/>具有100 nm或更大之總厚度，包括該轉換層； <br/>其特徵在於該轉換層不包含金屬鉻或僅包含以該元素鉻及該轉換層中鉻原子之總數計至多2原子%之金屬鉻。
如請求項1之鍍黑基材，其中該基底基材為金屬或非金屬基底基材。
如請求項1或2之鍍黑基材，其中該一個或多於一個中間鍍層包含選自由以下組成之群中之一者或多於一者：鎳層、鎳合金層、銅層及銅合金層。
如請求項1或2之鍍黑基材，其中該黑鉻鍍層之L*值為53或更小。
如請求項1或2之鍍黑基材，其中根據該L*a*b色彩系統，該黑鉻鍍層之b*值為+7或更小。
如請求項1或2之鍍黑基材，其中以包括該轉換層之該黑鉻鍍層中原子的總量計，該黑鉻鍍層包含鉻之總量在20原子%至70原子%之範圍內。
如請求項1或2之鍍黑基材，其中以包括該轉換層之該黑鉻鍍層中原子的總量計，該黑鉻鍍層包含碳之總量在5原子%至40原子%之範圍內。
如請求項1或2之鍍黑基材，其中以包括該轉換層之該黑鉻鍍層中原子的總量計，該黑鉻鍍層包含氧之總量在12原子%至40原子%之範圍內。
如請求項1或2之鍍黑基材，其中該黑鉻鍍層包含鐵。
如請求項1或2之鍍黑基材，其中該轉換層之深度為32 nm或更大。
如請求項1或2之鍍黑基材，其中該轉換層之最大深度為90 nm或更小。
如請求項1或2之鍍黑基材，其中包括該轉換層之該黑鉻鍍層的總厚度為130 nm或更大。
如請求項1或2之鍍黑基材，其中該轉換層不包含金屬鉻或僅包含以該元素鉻及該轉換層中鉻原子之總數計至多1.7原子%之金屬鉻。
如請求項1或2之鍍黑基材，其中該轉換層包含呈氫氧化鉻之形式的鉻。
如請求項1或2之鍍黑基材，其中在該轉換層中該元素鉻相對於元素氧之原子比小於1，及/或在無該轉換層之該黑鉻鍍層中，該元素鉻相對於該元素氧之原子比大於1。
一種用於用戶設備（UE）處的無線通信的裝置，包括： <br/>記憶體；以及 <br/>至少一個處理器，其耦接到所述記憶體並且被配置為： <br/>基於第一參考信號從服務小區接收針對輔助小區（SCell）的啟用指示，所述啟用指示指示用於啟用所述SCell的所述第一參考信號的發送； <br/>識別所述第一參考信號是否如所指示的進行發送；以及 <br/>在識別所述第一參考信號是如所指示的進行發送時，基於包括所述第一參考信號或第二參考信號的一個或多個參考信號來啟用所述SCell；並且 <br/>在識別所述第一參考信號沒有如所指示的進行發送時，從所述SCell接收所述第二參考信號；以及 <br/>在識別所述第一參考信號沒有如所指示的進行發送時，基於從所述SCell接收的所述第二參考信號來啟用所述SCell。
根據請求項1所述的裝置，其中，所述至少一個處理器還被配置為： <br/>向所述服務小區發送關於接收所述啟用指示的確認（ACK），其中，所述啟用指示是在向所述服務小區發送所述ACK之後的第一持續時間內處理的。
根據請求項1所述的裝置，其中，所述第一參考信號包括週期性追蹤參考信號或非週期性追蹤參考信號中的至少一項。
根據請求項1所述的裝置，其中，為了識別所述第一參考信號是否如所指示的進行發送，所述至少一個處理器被配置為： <br/>執行閒置信道評估，以決定信道測量是否大於閾值；以及 <br/>響應於決定所述信道測量大於所述閾值，識別所述第一參考信號沒有如由所述啟用指示所指示的進行發送。
根據請求項1所述的裝置，其中，所述至少一個處理器被配置為： <br/>從所述服務小區接收關於取消所述第一參考信號的所述發送的指令，其中，所述UE響應於接收關於取消所述第一參考信號的所述指令，而識別所述第一參考信號未被發送， <br/>其中，關於基於所述第一參考信號取消針對所述SCell的所述啟用指示的所述指令是透過媒體存取控制（MAC）控制元素（CE）（MAC-CE）或下行鏈路控制資訊（DCI）中的一項來指示的。
根據請求項1所述的裝置，其中，不遲於在時隙n+K中啟用所述SCell，其中所述啟用指示是在時隙n中接收的，並且K是基於以下各項中的至少一項決定的：在從所述服務小區接收所述啟用指示與向所述服務小區發送所述啟用指示的確認（ACK）之間的時間段、在所述啟用指示的所述ACK的所述發送與接收所述第二參考信號之後的第二持續時間之間的SCell啟用時間、以及在獲取一個或多個第一可用CSI報告資源時的延遲不確定性。
根據請求項1所述的裝置，其中，所述至少一個處理器還被配置為： <br/>接收新啟用指示，新啟用指示指示用於啟用所述SCell的所述第二參考信號的發送， <br/>其中，在接收所述新啟用指示時，所述UE識別所述第一參考信號沒有如所指示的進行發送。
根據請求項7所述的裝置，其中，不遲於在時隙n+K中啟用所述SCell，其中所述啟用指示是在時隙n中接收的，並且K是基於以下各項中的至少一項決定的：在從所述服務小區接收所述啟用指示與向所述服務小區發送所述啟用指示的確認（ACK）之間的時間段、在所述啟用指示的所述ACK的所述發送與接收所述第二參考信號之後的第二持續時間之間的SCell啟用時間、以及在獲取一個或多個第一可用CSI報告資源時的延遲不確定性。
根據請求項1所述的裝置，其中，所述SCell包括多個子頻帶，以及 <br/>其中，為了識別所述第一參考信號是否如所指示的進行發送，所述至少一個處理器被配置為： <br/>執行閒置信道評估，以決定信道測量是否大於針對所述多個子頻帶中的至少一個子頻帶的閾值；以及 <br/>在決定所述多個子頻帶中的至少一個子頻帶的所述信道測量大於所述閾值時，識別所述第一參考信號沒有如所指示的進行發送。
一種在用戶設備（UE）處的無線通信的方法，包括： <br/>基於第一參考信號從服務小區接收針對輔助小區（SCell）的啟用指示，所述啟用指示指示用於啟用所述SCell的所述第一參考信號的發送； <br/>識別所述第一參考信號是否如所指示的進行發送；以及 <br/>在識別所述第一參考信號是如所指示的進行發送時，基於包括所述第一參考信號或第二參考信號的一個或多個參考信號來啟用所述SCell；並且 <br/>在識別所述第一參考信號沒有如所指示的進行發送時，從所述SCell接收所述第二參考信號；以及 <br/>在識別所述第一參考信號沒有如所指示的進行發送時，基於從所述SCell接收的所述第二參考信號來啟用所述SCell。
根據請求項10所述的方法，其中，不遲於在時隙n+K中啟用所述SCell，其中所述啟用指示是在時隙n中接收的，並且K是基於以下各項中的至少一項決定的：在從所述服務小區接收所述啟用指示與向所述服務小區發送所述啟用指示的確認（ACK）之間的時間段、在所述啟用指示的所述ACK的所述發送與接收所述第二參考信號之後的第二持續時間之間的SCell啟用時間、以及在獲取一個或多個第一可用CSI報告資源時的延遲不確定性。
一種用於決定第一參考信號時間差（RSTD）值的方法，該方法由與無線網路相關聯的用戶裝備（UE）履行，並且包含： <br/>決定與該第一RSTD值相關聯的第一RSTD估計及第一RSTD不確定度； <br/>識別針對該第一RSTD值的搜索間隔，該搜索間隔從該第一RSTD估計與該第一RSTD不確定度之差延伸到該第一RSTD估計與該第一RSTD不確定度之和，其中該搜索間隔內的快速傅立葉變換（FFT）窗口定時獨立於與該UE相關聯的服務小區之定時； <br/>在所識別的搜索間隔期間接收無線信號； <br/>決定用於對在所識別的搜索間隔期間接收的第一定位參考信號（PRS）進行解碼的FFT窗口偏移；以及 <br/>至少部分基於所決定的FFT窗口偏移來決定該第一RSTD值。
如請求項1之方法，其中，該第一RSTD值與關聯於該第一PRS的第一傳送及接收點（TRP）相關聯。
如請求項1之方法，進一步包含至少部分基於該第一RSTD值來決定用於對隨後接收的第二PRS進行解碼的FFT窗口偏移。
如請求項3之方法，進一步包含決定與第二RSTD值相關聯的第二RSTD不確定度，該第二RSTD不確定度小於該第一RSTD不確定度。
如請求項3之方法，其中，針對第二RSTD值的第二RSTD估計等於該第一RSTD值。
如請求項1之方法，其中，該FFT窗口偏移為在決定該第一RSTD值的同時決定的。
如請求項1之方法，其中，該服務小區為錨服務小區，該方法進一步包含相對於與該UE相關聯的該錨服務小區之該定時來調整所決定的FFT窗口偏移。
如請求項1之方法，其中，該FFT窗口偏移不基於與該UE相關聯的該服務小區之小區參考信號（CRS）或追蹤參考信號（TRS）。
如請求項1之方法，其中，決定該FFT窗口偏移使該FFT窗口與該第一PRS對齊。
如請求項1之方法，其中，在該搜索間隔期間，該UE之數據機履行用於接收該第一PRS的接收及傳送操作，並且不履行其他接收或傳送操作。
如請求項1之方法，其中，該服務小區為錨服務小區，並且其中用於對該第一PRS進行解碼的該FFT窗口偏移相對於與該UE相關聯的該錨服務小區之該定時並非整數個偏移碼元。
如請求項1之方法，其中，決定該FFT窗口偏移包含：決定使接收該第一PRS的信號雜訊比（SNR）最大化的搜索間隔內的該FFT窗口偏移。
一種用戶裝備（UE），被組態以決定第一參考信號時間差（RSTD）值，該UE與無線網路相關聯，並且包含： <br/>無線收發器，被組態以與該無線網路中的實體進行無線通信； <br/>至少一個記憶體；以及 <br/>耦合到該無線收發器及該至少一個記憶體的至少一個處理器，其中，該至少一個處理器被組態以： <br/>決定與該第一RSTD值相關聯的第一RSTD估計及第一RSTD不確定度； <br/>識別針對該第一RSTD值的搜索間隔，該搜索間隔從該第一RSTD估計與該第一RSTD不確定度之差延伸到該第一RSTD估計與該第一RSTD不確定度之和，其中該搜索間隔內的快速傅立葉變換（FFT）窗口定時獨立於與該UE相關聯的服務小區之定時； <br/>使用該無線收發器在所識別的搜索間隔期間經由該無線收發器接收無線信號； <br/>決定用於對在所識別的搜索間隔期間接收的第一定位參考信號（PRS）進行解碼的FFT窗口偏移；以及 <br/>至少部分基於所決定的FFT窗口偏移來決定該第一RSTD值。
如請求項13之UE，其中，該第一RSTD值與關聯於該第一PRS的第一傳送及接收點（TRP）相關聯。
如請求項13之UE，其中，該至少一個處理器進一步被組態以至少部分基於該第一RSTD值來決定用於對隨後接收的第二PRS進行解碼的FFT窗口偏移。
如請求項15之UE，其中，該至少一個處理器進一步被組態以決定與第二RSTD值相關聯的第二RSTD不確定度，該第二RSTD不確定度小於該第一RSTD不確定度。
如請求項15之UE，其中，針對第二RSTD值的第二RSTD估計等於該第一RSTD值。
如請求項13之UE，其中，該FFT窗口偏移為在決定該第一RSTD值的同時決定的。
如請求項13之UE，其中，該服務小區為錨服務小區，並且其中該至少一個處理器進一步被組態以相對於與該UE相關聯的該錨服務小區之該定時來調整所決定的FFT窗口偏移。
如請求項13之UE，其中，該FFT窗口偏移不基於與該UE相關聯的該服務小區之小區參考信號（CRS）或追蹤參考信號（TRS）。
如請求項13之UE，其中，該服務小區為錨服務小區，並且其中用於對該第一PRS進行解碼的該FFT窗口偏移相對於與該UE相關聯的該錨服務小區之該定時並非整數個偏移碼元。
如請求項13之UE，其中，在該搜索間隔期間，該無線收發器履行用於接收該第一PRS的接收及傳送操作，並且不履行其他接收或傳送操作。
如請求項13之UE，其中，該至少一個處理器進一步被組態以決定使接收該第一PRS的信號雜訊比（SNR）最大化的搜索間隔內的該FFT窗口偏移。
一種儲存指令的非暫時性計算機可讀儲存媒體，該指令在被與無線網路相關聯的用戶裝備（UE）之一個或多個處理器執行時，使該UE履行包含以下各項的操作： <br/>決定與第一RSTD值相關聯的第一RSTD估計及第一RSTD不確定度； <br/>識別針對該第一RSTD值的搜索間隔，該搜索間隔從該第一RSTD估計與該第一RSTD不確定度之差延伸到該第一RSTD估計與該第一RSTD不確定度之和，其中該搜索間隔內的快速傅立葉變換（FFT）窗口定時獨立於與該UE相關聯的服務小區之定時； <br/>在所識別的搜索間隔期間接收無線信號； <br/>決定用於對在所識別的搜索間隔期間接收的第一定位參考信號（PRS）進行解碼的FFT窗口偏移；以及 <br/>至少部分基於所決定的FFT窗口偏移來決定該第一RSTD值。
如請求項24之非暫時性計算機可讀儲存媒體，其中，該第一RSTD值與關聯於該第一PRS的第一傳送及接收點（TRP）相關聯。
如請求項24之非暫時性計算機可讀儲存媒體，其中，該指令之執行使該UE履行進一步包含至少部分基於該第一RSTD值來決定用於對隨後接收的第二PRS進行解碼的FFT窗口偏移的操作。
如請求項26之非暫時性計算機可讀儲存媒體，其中，該指令之執行使該UE履行進一步包含決定與第二RSTD值相關聯的第二RSTD不確定度的操作，該第二RSTD不確定度小於該第一RSTD不確定度。
如請求項26之非暫時性計算機可讀儲存媒體，其中，針對第二RSTD值的第二RSTD估計等於該第一RSTD值。
如請求項24之非暫時性計算機可讀儲存媒體，其中，該FFT窗口偏移為在決定該第一RSTD值的同時決定的。
如請求項24之非暫時性計算機可讀儲存媒體，其中，該服務小區為錨服務小區，並且其中該指令之執行使該UE履行進一步包含基於與該UE相關聯的該錨服務小區之該定時來調整該第一RSTD值的操作。
如請求項24之非暫時性計算機可讀儲存媒體，其中，該FFT窗口偏移不基於與該UE相關聯的該服務小區之小區參考信號（CRS）或追蹤參考信號（TRS）。
如請求項24之非暫時性計算機可讀儲存媒體，其中，該服務小區為錨服務小區，並且其中用於對該第一PRS進行解碼的該FFT窗口偏移相對於與該UE相關聯的該錨服務小區之該定時並非整數個偏移碼元。
如請求項24之非暫時性計算機可讀儲存媒體，其中，該指令之執行使該UE履行操作進一步包含決定使接收該第一PRS的信號雜訊比（SNR）最大化的搜索間隔內的該FFT窗口偏移。
一種熱塑性樹脂組成物，其包含： <br/> 25至75重量%的丙烯酸烷酯-芳族乙烯基化合物-丙烯腈化合物接枝共聚物(A)，其僅含有平均粒徑為50至120nm的丙烯酸烷酯橡膠； <br/> 25至75重量%的(甲基)丙烯酸烷酯化合物-芳族乙烯基化合物-丙烯腈化合物非接枝共聚物(B)；以及 <br/> 選自由以下所組成之群組中之一或更多者：熱安定劑、光安定劑、著色劑、潤滑劑、脫模劑、抗靜電劑、抗菌劑、加工助劑、耐摩擦劑、和耐磨劑， <br/> 其中藉以下等式1計算，該熱塑性樹脂組成物的丙烯酸烷酯覆蓋率(X)為67%或更高： <br/> [等式1] <br/> X = {(G-Y)/Y} × 100， <br/> 其中G代表以該熱塑性樹脂組成物總重計之凝膠含量(重量%)，和Y代表以該熱塑性樹脂組成物總重計之該凝膠中的丙烯酸烷酯含量(重量%)。
如請求項1之熱塑性樹脂組成物，其中該非接枝共聚物(B)包含60至85重量%的(甲基)丙烯酸烷酯化合物、5至30重量%的芳族乙烯基化合物、和1至25重量%的丙烯腈化合物。
如請求項1之熱塑性樹脂組成物，其中該非接枝共聚物(B)的重量平均分子量為30,000至150,000 g/mol。
如請求項1之熱塑性樹脂組成物，其中該接枝共聚物(A)包含20至60重量%的丙烯酸烷酯橡膠(a-1)和40至80重量%的芳族乙烯基化合物-丙烯腈化合物共聚物(a-2)。
如請求項1之熱塑性樹脂組成物，其中藉以下等式3計算，該接枝共聚物(A)的接枝度為55%或更高： <br/> [等式3] <br/> 接枝度(%) = [已接枝單體的重量(g)/橡膠重量(g)] × 100， <br/> 其中已接枝單體的重量(g)係藉由自將接枝共聚物溶於丙酮中並進行離心而得之不溶物(凝膠)的重量扣除橡膠重量(g)而得，而橡膠重量(g)係理論上加至接枝共聚物粉末之橡膠組份的重量(g)。
如請求項1之熱塑性樹脂組成物，其中根據ASTM D-1003，使用厚度為3T的射出試樣測量，該熱塑性樹脂組成物的總透光率(Tt)為74%或更高。
如請求項1之熱塑性樹脂組成物，其中根據ASTM D-1003，使用厚度為3T的射出試樣測量，該熱塑性樹脂組成物的濁度為10%或更低。
如請求項1之熱塑性樹脂組成物，其中，根據ASTM D1003，當使用Gardner衝擊試驗機，1 kg重量自25 cm的高度垂直落在尺寸為0.15 mm × 10 cm × 10 cm的厚度、寬度、和長度之擠出膜上時，在衝擊之前和之後測量該膜被重量撞擊的部分的濁度值，並計算該濁度值的差，該熱塑性樹脂組成物的濁度差(△濁度)為6.7或更低。
如請求項1之熱塑性樹脂組成物，其中，使用T-模具擠出機製得0.15mm厚的片，且該片被切成100cm長度，在除了距離該片的兩端之2至3 cm的區域以外的區域中的10或更多個位置測量厚度，並基於最大和最小厚度之間的差計算厚度偏差時，該熱塑性樹脂組成物的厚度偏差為0.07mm或更低。
如請求項1之熱塑性樹脂組成物，其中該著色劑包括染料及顏料，且該加工助劑包括金屬鈍化劑、阻燃劑、煙霧抑制劑及防滴落劑。
一種製備熱塑性樹脂組成物之方法，包含於200至300℃和100至500rpm，捏和及擠出25至75重量%僅含有平均粒徑為50至120nm的丙烯酸烷酯橡膠之丙烯酸烷酯-芳族乙烯基化合物-丙烯腈化合物接枝共聚物(A)和25至75重量%的(甲基)丙烯酸烷酯化合物-芳族乙烯基化合物-丙烯腈化合物非接枝共聚物(B)以及選自由以下所組成之群組中之一或更多者：熱安定劑、光安定劑、著色劑、潤滑劑、脫模劑、抗靜電劑、抗菌劑、加工助劑、耐摩擦劑、和耐磨劑， <br/> 其中藉以下等式1計算，該熱塑性樹脂組成物的丙烯酸烷酯覆蓋率(X)為67%或更高： <br/> [等式1] <br/> X = {(G-Y)/Y} × 100， <br/> 其中G代表以該熱塑性樹脂組成物總重計之凝膠含量(重量%)，和Y代表以該熱塑性樹脂組成物總重計之該凝膠中的丙烯酸烷酯含量(重量%)。
一種模製物件，其包含如請求項1至10中任一項之熱塑性樹脂組成物。
如請求項12之模製物件，其中該模製物件係射出模製物件、壓延模製物件、或擠出模製物件。
一種對半導體基板上的材料進行蝕刻的方法，包括：<br/> (a) 提供半導體基板，該半導體基板具有遮罩材料的暴露層、凹陷特徵部以及位於該遮罩材料的該層下方的目標材料的層，其中該目標材料在該凹陷特徵部的底部處係暴露的；<br/> (b) 使用電漿蝕刻對該目標材料進行蝕刻，從而使該凹陷特徵部的深度增加，其中該目標材料的該蝕刻會因為阻塞材料的沉積而在至少一位置處造成該凹陷特徵部窄化或阻擋；以及<br/> (c) 藉由將該半導體基板接觸鹵素源及由有機溶劑及水所組成的群組中選擇的液體的蒸汽而對該阻塞材料進行蝕刻，其中該阻塞材料的該蝕刻係在無電漿的情況下執行。
如請求項1之對半導體基板上的材料進行蝕刻的方法，其中該目標材料的蝕刻(b)及該阻塞材料的蝕刻(c)係在一處理腔室中執行。
如請求項1之對半導體基板上的材料進行蝕刻的方法，其中該阻塞材料包括矽氧化物。
如請求項1至3中任一項之對半導體基板上的材料進行蝕刻的方法，其中該目標材料係選自於由碳及矽所組成的群組。
如請求項1至3中任一項之對半導體基板上的材料進行蝕刻的方法，其中該遮罩材料係選自於由矽氮氧化物、矽氮化物、矽氧化物、矽碳氧化物、矽硼化物、硼-摻雜碳、鎢、鎢-摻雜碳及硼-摻雜碳所組成的群組。
如請求項1至3中任一項之對半導體基板上的材料進行蝕刻的方法，其中該阻塞材料的該蝕刻對於該遮罩材料及該目標材料二者具有大於1的蝕刻選擇性。
如請求項1至3中任一項之對半導體基板上的材料進行蝕刻的方法，其中該阻塞材料的該蝕刻包括在不對該半導體基板施予外部偏壓的情況下將電漿中的至少一反應物活化。
如請求項1至3中任一項之對半導體基板上的材料進行蝕刻的方法，更包括重複進行步驟(b)～(c)。
如請求項1至3中任一項之對半導體基板上的材料進行蝕刻的方法，其中該阻塞材料的該蝕刻包括將該半導體基板同時接觸該鹵素源及由該有機溶劑及水所組成的該群組中選擇的液體的該蒸汽。
如請求項1至3中任一項之對半導體基板上的材料進行蝕刻的方法，其中該阻塞材料的該蝕刻包括將該半導體基板依序接觸該鹵素源及由該有機溶劑及水所組成的該群組中選擇的液體的該蒸汽。
如請求項1至3中任一項之對半導體基板上的材料進行蝕刻的方法，其中(c)更包括將該半導體基板接觸從胺、雜環化合物及氟化氫根來源所組成的群組中選擇的添加劑。
如請求項1至3中任一項之對半導體基板上的材料進行蝕刻的方法，其中該阻塞材料的該蝕刻係在約0.01～10 Torr之間的壓力及約-60～250ºC之間的溫度進行。
如請求項1至3中任一項之對半導體基板上的材料進行蝕刻的方法，其中在(a)中提供的該半導體基板的該凹陷特徵部具有約5～300 nm的寬度。
如請求項1至3中任一項之對半導體基板上的材料進行蝕刻的方法，其中該半導體基板包括從部分加工3D NAND裝置、DRAM裝置及邏輯裝置所組成的群組中選擇的裝置。
如請求項1至3中任一項之對半導體基板上的材料進行蝕刻的方法，其中在該蝕刻完成後的該凹陷特徵部的深寬比係至少約5：1。
如請求項1至3中任一項之對半導體基板上的材料進行蝕刻的方法，其中該有機溶劑係選自於由烷、酮及醇所組成的群組。
如請求項1至3中任一項之對半導體基板上的材料進行蝕刻的方法，其中該鹵素源係選自於由三溴化氮(NBr<sub>3</sub>)、三氯化氮(NCl<sub>3</sub>)、三氟化氯(ClF<sub>3</sub>)、氟化氫(HF)、氯化氫(HCl)及溴化氫(HBr)所組成的群組。
如請求項1至3中任一項之對半導體基板上的材料進行蝕刻的方法，其中(b)中的該電漿蝕刻包括將該半導體基板接觸含氧反應物。
如請求項1至3中任一項之對半導體基板上的材料進行蝕刻的方法，更包括下列步驟：<br/> 將光阻塗覆至該半導體基板；<br/> 將該光阻曝光；<br/> 將該光阻圖案化，並且將該圖案轉移至該半導體基板；以及<br/> 將該光阻從該半導體基板選擇性移除。
一種對半導體基板上的材料進行蝕刻的方法，包括：<br/> (a) 提供半導體基板，該半導體基板具有遮罩材料的暴露層、凹陷特徵部以及位於該遮罩材料的該層下方的目標材料的層，其中該目標材料在該凹陷特徵部的底部處係暴露的，其中該遮罩材料為含矽材料，且其中該目標材料係選自於由碳 (C) 及矽 (Si) 所組成的群組；<br/> (b) 使用含氧電漿蝕刻對該目標材料進行蝕刻，從而使該凹陷特徵部的深度增加，其中該目標材料的該蝕刻會因為含矽阻塞材料的沉積而在至少一位置處造成該凹陷特徵部窄化或阻擋；以及<br/> (c) 藉由將該半導體基板接觸鹵素源及由有機溶劑及水所組成的群組中選擇的液體的蒸汽而對該含矽阻塞材料進行蝕刻，其中該含矽阻塞材料的該蝕刻係在無電漿的情況下執行。
如請求項20之對半導體基板上的材料進行蝕刻的方法，其中該含矽阻塞材料為矽氧化物。
一種半導體基板的處理設備，包括：<br/> (a) 處理腔室，配置以容納該半導體基板，其中該處理腔室包括配置以固持該半導體基板的基板固持件，以及配置以允許一或更多反應物進入該處理腔室的輸入口；<br/> (b) 電漿產生機構；<br/> (c) 機構，用於將與該處理腔室連接的液體蒸汽化，並係配置以將該液體輸送至該處理腔室；以及<br/> (d) 控制器，包括複數程式指令，該等程式指令係配置以透過下列事項而對於該半導體基板上的材料的蝕刻造成影響：<br/> (i) 該半導體基板包括遮罩材料的暴露層、凹陷特徵部以及位於該遮罩材料的該層下方的目標材料的層，其中該目標材料在該凹陷特徵部的底部處係暴露的，在該半導體基板上使用電漿蝕刻對該目標材料進行蝕刻，從而使該凹陷特徵部的深度增加；以及<br/> (ii) 藉由將該半導體基板接觸鹵素源及由有機溶劑及水所組成的群組中選擇的液體的蒸汽而對在該電漿蝕刻期間沉積且造成該凹陷特徵部窄化或阻擋的阻塞材料進行蝕刻，其中該阻塞材料的該蝕刻係在無電漿的情況下執行。
如請求項22之半導體基板的處理設備，其中該等程式指令包括將步驟(i)～(ii)重複進行的指令。
如請求項22之半導體基板的處理設備，其中該設備包括在該電漿蝕刻期間將電漿中的含氧反應物進行活化的程式指令。
一種樹脂組成物，其係包含： <br/>選自包括環化樹脂及其前驅物之群組中的至少1種樹脂；以及 <br/>具有經由連接基相互鍵結之聚合性基和醯胺鍵之聚合性化合物， <br/>前述醯胺鍵與前述連接基在羰基側鍵結， <br/>在使用前述聚合性化合物合成了單聚物的情況下，前述單聚物顯示藉由在250℃下進行加熱而產生從主鏈游離之鹼之性質， <br/>其中相對於前述樹脂組成物的總固體成分，前述至少1種樹脂的含量為20～99.5質量%，且前述聚合性化合物的含量為0.5～20質量%， <br/>其中前述聚合性化合物為下述式（1-1）或式（1-2）所表示之化合物， <br/>[化學式1] <br/><img align="absmiddle" height="66px" width="169px" file="ed10091.jpg" alt="ed10091.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式（1-1）中，R <sup>1</sup>分別獨立地為氫原子或1價的有機基，2個R <sup>1</sup>可以鍵結而形成環結構，R <sup>2</sup>分別獨立地為氫原子、鹵素原子或1價的有機基，至少2個R <sup>2</sup>可以鍵結而形成環結構，L <sup>1</sup>表示3價的有機基， <br/>[化學式2] <br/><img align="absmiddle" height="124px" width="163px" file="ed10093.jpg" alt="ed10093.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式（1-2）中，R <sup>1</sup>分別獨立地表示氫原子或1價的有機基，2個R <sup>1</sup>可以鍵結而形成環結構，L <sup>2</sup>表示單鍵或2價的連接基，Cy表示環結構，L <sup>3</sup>表示單鍵或2價的連接基，R <sup>2</sup>分別獨立地表示氫原子、鹵素原子或1價的有機基，至少2個R <sup>2</sup>可以鍵結而形成環結構。
如請求項1所述之樹脂組成物，其中， <br/>前述聚合性化合物中之前述聚合性基為自由基聚合性基。
如請求項1或請求項2所述之樹脂組成物，其中， <br/>前述樹脂具有聚合性基。
如請求項1或請求項2所述之樹脂組成物，其係進一步包含光聚合起始劑。
如請求項1或請求項2所述之樹脂組成物，其係進一步包含與前述聚合性化合物不同之聚合性化合物。
如請求項1或請求項2所述之樹脂組成物，其係用於形成再配線層用層間絕緣膜。
一種硬化物，其係將請求項1至請求項6之任一項所述之樹脂組成物硬化而成。
一種積層體，其係包括2層以上的由請求項7所述之硬化物形成之層，並且在由前述硬化物形成之層之間的任一個之間包括金屬層。
一種硬化物之製造方法，其係包括將請求項1至請求項6之任一項所述之樹脂組成物適用於基材上而形成膜之膜形成步驟。
如請求項9所述之硬化物之製造方法，其係包括選擇性地曝光前述膜之曝光步驟及使用顯影液對前述膜進行顯影而形成圖案之顯影步驟。
如請求項9所述之硬化物之製造方法，其係包括在50～450℃下對前述膜進行加熱之加熱步驟。
一種半導體元件，其係包含請求項7所述之硬化物。
一種化合物，其係由下述式（1-1）表示， <br/><br/>[化學式3] <br/><img align="absmiddle" height="66px" width="169px" file="ed10091.jpg" alt="ed10091.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式（1-1）中，R <sup>1</sup>分別獨立地為氫原子或1價的有機基，2個R <sup>1</sup>可以鍵結而形成環結構，R <sup>2</sup>分別獨立地為氫原子、鹵素原子或1價的有機基，至少2個R <sup>2</sup>可以鍵結而形成環結構，L <sup>1</sup>表示3價的有機基。
一種化合物，其係由下述式（1-2）表示， <br/>[化學式4] <br/><img align="absmiddle" height="124px" width="170px" file="ed10092.jpg" alt="ed10092.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式（1-2）中，R <sup>1</sup>分別獨立地表示氫原子或1價的有機基，2個R <sup>1</sup>可以鍵結而形成環結構，L <sup>2</sup>表示單鍵或2價的連接基，Cy表示環結構，L <sup>3</sup>表示單鍵或2價的連接基，R <sup>2</sup>分別獨立地表示氫原子、鹵素原子或1價的有機基，至少2個R <sup>2</sup>可以鍵結而形成環結構。
一種物品攜具，用以包裝至少一物品，該攜具包括一片具有至少一個用以接合一物品之物品固持結構的主板片，該攜具包括一片利用一第一鉸接部而鉸接到該主板片的側板片，其中該主板片與該側板片之間的該第一鉸接部至少有一部分是由一條弧形折疊線界定出，其中該弧形折疊線界定出一個凸形鉸接部。
如申請專利範圍第1項所述之物品攜具，其中該主板片包括二個或以上的物品固持結構，其中該弧形折疊線係延伸於鄰接的一對物品固持結構之間。
如申請專利範圍第1項所述之物品攜具，其中該至少一個物品固持結構包括若干個利用一第二鉸接部鉸接到該主板片且配置成與該物品接合的接合齒狀物，其中該弧形折疊線則與該第二鉸接部會合。
如申請專利範圍第1項所述之物品攜具，其中一第一銜接凸片至少有一部分是從該主板片壓製成並與該側板片構成一體，以界定出該至少一個物品固持結構的一物品容置開口的一部分，且該弧形折疊線則是在該第一銜接凸片的近接處與該至少一個物品固持結構會合。
如申請專利範圍第4項所述之物品攜具，其中在該第一銜接凸片的鄰接處設有一物品接合齒狀物，該物品接合齒狀物至少有一部分是從該主板片壓製成並利用一第二鉸接部而鉸接至其上，該弧形折疊線則是在該第一銜接凸片的近接處與該物品容置開口會合。
如申請專利範圍第4項所述之物品攜具，其中該攜具包括一片端板片，其至少有一部分是利用一第二弧形折疊線而鉸接到該主板片。
如申請專利範圍第6項所述之物品攜具，其中一第二銜接凸片至少有一部分是從該主板片壓製成並與該端板片構成一體，該第二銜接凸片界定出該至少一個物品固持結構的該物品容置開口的一部分，且該第二弧形折疊線則是在該第二銜接凸片的近接處與該物品容置開口會合。
如申請專利範圍第7項所述之物品攜具，其中該第二銜接凸片延伸於一第一方向且該第一銜接凸片延伸於與該第一方向大致垂直之一第二方向。
如申請專利範圍第1項所述之物品攜具，其進一步包括一片利用一第二鉸接部而從該側板片的鄰接處鉸接到該主板片的端板片，該第一鉸接部的一部分與該第二鉸接部的一部分界定出該主板片所屬一角隅部的至少一部分，其中相對於該第二鉸接部的該部分，該第一鉸接部的該部分在取向上至少有一部分是設成斜向。
如申請專利範圍第9項所述之物品攜具，其中該至少一個物品固持結構包括一個鄰接該等側板片及端板片的物品容置開口，其中該第一鉸接部的該部分是延伸於該側板片之一端與該物品容置開口之間，且該第二鉸接部有一部分延伸於該側板片之一端與該物品容置開口之間。
如申請專利範圍第9項所述之物品攜具，其中該主板片的該角隅部相對於該主板片是設成斜向。
如申請專利範圍第1項所述之物品攜具，其進一步包括一片利用一第二鉸接部而從該側板片的鄰接處鉸接到該主板片的端板片，該第一鉸接部的一部分與該第二鉸接部的一部分界定出該主板片所屬一角隅部的至少一部分，其中一角隅緩衝板片被鉸接於該側板片的一端與該端板片的一鄰接端之間。
如申請專利範圍第1項所述之物品攜具，其中該至少一個物品固持結構包括一系列各自至少有一部分是從該第一板片壓製成並圍繞一個物品容置孔之周邊的齒狀物，其中該系列的齒狀物包括：被一凹口分開之一第一複數個接合齒狀物與一第二複數個接合齒狀物，及與該側板片構成一體的一第一凸片，該第一凸片則設成與該凹口在該物品容置孔之周邊相對。
一種用以形成如申請專利範圍第1項所述之物品攜具的胚片。
一種化合物，其係： <br/><img align="absmiddle" height="55px" width="71px" file="ed10042.jpg" alt="ed10042.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；或 <br/><img align="absmiddle" height="48px" width="85px" file="ed10043.jpg" alt="ed10043.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述之化合物，該化合物具有至少35 nm且至多100奈米之在該可見光吸收最大值下之半高全寬值(FWHM)，其中該化合物係光穩定的。
如請求項2所述之化合物，其中該可見光吸收最大值係在440 nm與470 nm之間。
如請求項2所述之化合物，其中在該可見光吸收最大值下之該FWHM係至少40 nm且至多95 nm。
如請求項2所述之化合物，其中光穩定性包含在該可見光吸收最大值下之吸光度損失不大於20百分比。
如請求項1所述之化合物，該化合物具有至少35 nm且至多100奈米之在該可見光吸收最大值下之半高全寬值(FWHM)，其中該化合物比黃斑色素更具光穩定性。
如請求項1所述之化合物，該化合物具有至少7740 L.mol<sup>-1</sup>.cm<sup>-1</sup>之莫耳消光係數。
一種眼用裝置，其包含如請求項1至7中任一項所述之化合物。
一種隱形眼鏡或人工水晶體，其係反應性混合物之聚合反應產物，該反應性混合物包含：(a)適合用於製造該眼用裝置之單體；及(b)如請求項1至7中任一項所述之化合物。
一種眼鏡鏡片或太陽眼鏡鏡片，其包含(a)礦物材料、或有機材料、或其組合、及(b)如請求項1至7中任一項所述之化合物。
如請求項1所述之化合物，其中該化合物係熱穩定的。
一種製造式II之化合物的方法， <br/><img align="absmiddle" height="48px" width="85px" file="ed10044.jpg" alt="ed10044.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中m係1，及n係0；T係NR<sup>6</sup>，其中R<sup>6</sup>係H；R係C<sub>3</sub>-C<sub>4</sub>烷基；Y係C<sub>2</sub>伸烷基；P<sub>g</sub>係甲基丙烯酸酯；R<sup>1</sup>係C<sub>1</sub>烷氧基；且EWG係氰基， <br/>該方法包含： <br/>提供式II-A之經N取代之吖啶酮： <br/><br/><img align="absmiddle" height="44px" width="71px" file="ed10045.jpg" alt="ed10045.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>用二溴化三苯膦及下式之試劑處理該經N取代之吖啶酮： <br/><img align="absmiddle" height="18px" width="49px" file="ed10046.jpg" alt="ed10046.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；及 <br/>單離該式II之化合物， <br/>其中該式II之化合物係： <br/><img align="absmiddle" height="55px" width="71px" file="ed10042.jpg" alt="ed10042.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；或 <br/><img align="absmiddle" height="48px" width="85px" file="ed10043.jpg" alt="ed10043.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種類比電路設計設備，該設備包含至少一個設計單元，該設計單元包含處理器及通訊介面，該處理器建構為：(a)控制該通訊介面以接收代表用於該類比電路的技術要求之資訊，其中該等技術要求包含(i)至少一個電路性能要求，及(ii)至少一個用於該類比電路的製造要求，以滿足一組特定之製造製程相關規則；(b)基於該接收的資訊，識別複數個潛在之類比電路設計架構，用於滿足該電路性能要求，該等架構將滿足該至少一個製造要求；(c)從該複數個潛在的類比電路設計架構之中選擇初始類比電路設計架構作為當前類比電路設計架構，其中該初始類比電路設計的選擇取決於該組製造製程相關規則；(d)產生用於該類比電路之當前設計，其滿足該當前類比電路設計架構；(e)為用於該類比電路的當前設計，決定該當前設計是否將滿足該至少一個電路性能要求；在用於該類比電路之當前設計被決定為未滿足該電路性能要求的情況下：(f)選擇另一類比電路設計架構作為該當前類比電路設計架構，其中該另一類比電路設計架構之選擇取決於該組製造製程相關規則，及(g)重複步驟(d)和(e)；及(h)在決定用於該類比電路設計結構的當前設計滿足該電路性能要求之情況下，輸出用於該類比電路的設計。
如請求項1的類比電路設計設備，其中該處理器更建構為：(i)為用於該類比電路之每一個當前設計，決定該當前設計怎麼樣滿足該至少一個電路性能要求及該組製造製程相關規則；(j)選擇另一類比電路設計架構作為該當前類比電路設計架構，其中該另一類比電路設計架構的選擇取決於該組製造製程相關規則，及(k)重複步驟(d)和(e)以產生複數個所產生之類比電路設計；及(l)從該複數個所產生的類比電路設計選擇並輸出用於該類比電路之設計，其最佳滿足該至少一個電路性能要求及該組製造製程相關規則。
如請求項1的類比電路設計設備，其中在步驟(c)及/或步驟(f)對該類比電路設計架構的選擇係基於該複數個潛在架構之優先化，該優先化創建已決定為滿足該組製造製程相關規則的潛在類比電路設計架構之優先列表。
如請求項1、2或3的類比電路設計設備，其中該設備包含初級設計單元及二級設計單元，其中該初級設計單元建構為：(m)基於該接收之資訊，識別該複數個潛在類比電路設計架構，用於滿足該電路性能要求，該架構將滿足該製造要求；及(n)從該複數個潛在的類比電路設計架構之中選擇該初始類比電路設計架構作為該當前類比電路設計架構，其中每一個電路設計架構包含各自的複數個電路部分；(o)為該複數個電路部分之每一個電路部分，決定用於該電路部分的各自電路性能要求，其中用於每一個電路部分之各自電路性能要求係基於該組特定的製造製程相關規則來決定；及(p)對複數個二級設計單元之至少一個提供用於每一個電路部分的各自電路性能要求；且其中該類比電路設計設備之複數個二級設計單元的每一個建構為：(q)基於藉由該初級設計單元所提供之各自電路部分用的電路性能要求，設計該複數個電路部分之各自電路部分；及(r)輸出該各自電路部分的結果初始設計；其中該初級設計單元更建構為：(s)從該複數個二級設計單元之每一個接收用於每一個電路部分的各自設計；及(t)基於每一個電路部分用之各自設計，產生用於滿足該當前類比電路設計架構的類比電路之當前類比電路設計。
如請求項4的類比電路設計設備，其中該初級設計單元更建構為：(u)基於該當前類比電路設計模擬類比電路，以產生至少一個模擬輸出；(v)驗證該類比電路是否滿足該電路性能要求，及當該類比電路滿足該電路性能要求時，輸出該當前類比電路設計；及當該類比電路未滿足該電路性能要求時：選擇另一類比電路設計架構作為該當前類比電路設計架構，其中該另一類比電路設計之選擇取決於該組製造製程相關規則；及重複步驟(d)至(e)及(m)至(v)。
如請求項4的類比電路設計設備，其中該初級設計單元更建構為：(w)基於該當前類比電路設計模擬類比電路，以產生至少一個模擬輸出；(x)驗證該類比電路是否滿足用於該類比電路的電路性能要求，及當該類比電路滿足該電路性能要求時，輸出該當前類比電路設計；及當該類比電路未滿足該電路性能要求時：針對該複數個電路部分的至少一個受影響之電路部分，基於該模擬輸出及該電路性能要求決定該受影響的電路部分之經修正電路性能要求；向至少一個對應的二級設計單元提供用於每一個受影響之電路部分的經修正電路性能要求；從該至少一個對應之二級設計單元接收每一個受影響的電路部分之各自更新設計；用每一個受影響的電路部分之各自更新設計來更新該類比電路的當前設計；及為該更新之設計組重複步驟(w)至(x)。
如請求項6的類比電路設計設備，其中藉由基於步驟(w)執行的該模擬行為與該電路性能要求之間的差異來調節該各自電路部分之設計，該複數個二級設計單元的每一個建構為基於該模擬行為來調節該各自電路部分之設計。
如請求項5的類比電路設計設備，其中在已藉由該等二級設計單元之至少另一個完成給定電路部分的至少初始設計之後，該等二級設計單元的至少一個建構為基於其對應電路部分之上下文來調節該當前類比電路設計，該上下文包含基於藉由該等二級設計單元的至少另一個所完成之給定電路部分的已完成設計而生成之電路性能要求。
如請求項4的類比電路設計設備，其中，在已藉由該等二級設計單元之至少另一個來完成給定電路部分的至少初始設計之後，該等二級設計單元的至少一個建構為基於其對應電路部分之上下文來調節其輸出初始設計，該上下文包含基於藉由該等二級設計單元的至少另一個所完成之給定電路部分的已完成設計而生成之電路性能要求。
如請求項8的類比電路設計設備，其中該等二級設計單元之每一個建構為在該複數個電路部分的另一電路部分之設計的修改造成用於該另一個電路部分之上下文變化的情況下，重複調節另一個電路部分之設計的步驟。
如請求項9的類比電路設計設備，其中該等二級設計單元之每一個建構為僅在上下文中的變化大於上下文中之變化的選定閾值位準之情況下，重複調節另一個電路部分的設計之步驟。
如請求項8的類比電路設計設備，其中該設備建構為藉由模擬該給定電路部分之性能來獲得該上下文。
—種設計類比電路之方法，該方法包含至少一個設計單元，該設計單元包含處理器及通訊介面：(a)控制該通訊介面以接收代表用於該類比電路的技術要求之資訊，其中該等技術要求包含(i)至少一個電路性能要求，及(ii)至少一個用於該類比電路的製造要求，以滿足一組特定之製造製程相關規則；(b)基於該接收的資訊，識別複數個潛在之類比電路設計架構，用於滿足該電路性能要求，其將滿足該至少一個製造要求；(c)從該複數個潛在的類比電路設計架構之中選擇初始類比電路設計架構作為當前類比電路設計架構，其中該初始類比電路設計的選擇取決於該組製造製程相關規則；(d)產生用於該類比電路之當前設計，其滿足該當前類比電路設計架構；(e)為用於該類比電路設計架構的當前設計，決定該當前設計是否將滿足該至少一個電路性能要求；在用於該類比電路設計架構之當前設計被決定為未滿足該電路性能要求的情況下：(f)選擇另一類比電路設計架構作為該當前類比電路設計架構，其中該另一類比電路設計架構之選擇取決於該組製造製程相關規則，及(g)重複步驟(d)和(e)；及(h)在決定用於該類比電路設計結構的當前設計滿足該電路性能要求之情況下，輸出用於該類比電路的設計。
如請求項13之類比電路設計方法，更包含：(i)為用於該類比電路之當前設計，決定該當前設計怎麼樣滿足該至少一個電路性能要求及該組製造製程相關規則；(j)選擇另一類比電路設計架構作為該當前類比電路設計架構，其中該另一類比電路設計架構的選擇取決於該組製造製程相關規則，及(k)重複步驟(d)和(e)以產生複數個所產生之類比電路設計；及(l)從該複數個所產生的類比電路設計選擇並輸出用於該類比電路之設計，其最佳滿足該至少一個電路性能要求及該組製造製程相關規則。
如請求項13之類比電路設計方法，其中在步驟(c)及/或步驟(f)對該類比電路設計架構的選擇係基於該複數個潛在架構之優先化，該優先化創建已決定為滿足該組製造製程相關規則的潛在類比電路設計架構之優先列表。
如請求項15之類比電路設計方法，該方法包含：於初級設計單元處：(m)基於該接收之資訊，識別該複數個潛在類比電路設計架構，用於滿足該電路性能要求，該架構將滿足該製造要求；及(n)從該複數個潛在的類比電路設計架構之中選擇該初始類比電路設計架構作為該當前類比電路設計架構，其中每一個電路設計架構包含各自的複數個電路部分；(o)為該複數個電路部分之每一個電路部分，決定用於該電路部分的各自電路性能要求，其中用於每一個電路部分之各自電路性能要求係基於該組特定的製造製程相關規則來決定；及(p)對複數個二級設計單元之至少一個提供用於該每一個電路部分的各自電路性能要求；在該複數個二級設計單元之每一個處：(q)基於藉由該初級設計單元所提供之各自電路部分用的電路性能要求，設計該複數個電路部分之各自電路部分；及(r)輸出該各自電路部分的結果初始設計；於該初級設計單元處更包含：(s)從該複數個二級設計單元之每一個接收用於每一個電路部分的各自設計；及(t)基於每一個電路部分用之各自設計，產生用於滿足該當前類比電路設計架構的類比電路之當前類比電路設計。
如請求項16之類比電路設計方法更包含在該初級設計單元處：(u)基於該當前類比電路設計模擬類比電路，以產生至少一個模擬輸出；(v)驗證該類比電路是否滿足該電路性能要求，及當該類比電路滿足該電路性能要求時，輸出該當前類比電路設計；及當該類比電路未滿足該電路性能要求時：選擇另一類比電路設計架構作為該當前類比電路設計架構，其中該另一類比電路設計之選擇[基於複數個潛在架構的優先化]取決於該組製造製程相關規則；及重複步驟(d)至(e)及(m)至(v)。
如請求項16之類比電路設計方法，在該初級設計單元處更包含：(w)基於該當前類比電路設計模擬類比電路，以產生至少一個模擬輸出；(x)驗證該類比電路是否滿足用於該類比電路的電路性能要求，及當該類比電路滿足該電路性能要求時，輸出該當前類比電路設計；及當該類比電路未滿足該電路性能要求時：針對該複數個電路部分的至少一個受影響之電路部分，基於該模擬輸出及該電路性能要求決定用於該受影響的電路部分之經修正電路性能要求；向至少一個對應的二級設計單元提供用於每一個受影響之電路部分的經修正電路性能要求；從該至少一個對應之二級設計單元接收每一個受影響的電路部分之各自更新設計；用每一個受影響的電路部分之各自更新設計來更新該類比電路的當前設計；及為該更新的設計組重複步驟(w)至(x)。
如請求項16之類比電路設計方法，更包含藉由基於步驟(w)執行的該模擬行為與該電路性能要求之間的差異來調節該各自電路部分之設計，在該複數個二級設計單元之每一個處基於該模擬行為來調節該各自電路部分的設計。
如請求項16之類比電路設計方法，更包含在已藉由該等二級設計單元之至少另一個完成給定電路部分的至少初始設計之後，基於其對應電路部分的上下文來調節該等二級設計單元之至少一個的輸出初始設計，該上下文包含基於藉由該等二級設計單元之至少另一個所完成的給定電路部分之已完成設計而生成的電路性能要求。
如請求項16的類比電路設計方法，更包含在已藉由該等二級設計單元之至少另一個來完成給定電路部分的至少初始設計之後，基於其對應電路部分的上下文來調節該等二級設計單元之至少一個的輸出初始設計，該上下文包含基於藉由該等二級設計單元之至少另一個所完成的給定電路部分之已完成設計而生成的電路性能要求。
如請求項21的類比電路設計方法，更包含在該複數個電路部分之另一電路部分的設計之修改造成用於該另一個電路部分的上下文變化之情況下，在該等二級設計單元的每一個處重複調節另一個電路部分之設計的步驟。
如請求項21的類比電路設計方法，更包含僅在上下文中之變化大於上下文中的變化之選定閾值位準的情況下，在該等二級設計單元之每一個處重複調節另一個電路部分的設計之步驟。
如請求項21的類比電路設計方法，其中藉由模擬該給定電路部分之性能來獲得該上下文。
如請求項13至24中任一項的方法，更包含對該輸出設計製作一類比電路。
一種電腦可讀之非暫態儲存媒體，包含用於電腦的程式，該程式建構為造成處理器施行請求項13至24中任一項之方法。
一種用於處理視訊資料的裝置，包括：<br/> 至少一個記憶體；及<br/> 至少一個處理器，其耦合到該至少一個記憶體並且被配置為：<br/> 決定用於預測一視訊資料區塊的一非整數角度的訊框內預測模式；<br/> 針對該非整數角度的訊框內預測模式，在一第一高斯平滑內插濾波器與一第二高斯平滑內插濾波器之間進行選擇，以用於該視訊資料區塊，其中該第一高斯平滑內插濾波器包括比該第二高斯平滑內插濾波器更多的濾波器分接點，其中該選擇是至少部分地基於將該視訊資料區塊的一寬度和該視訊資料區塊的一高度中的至少一項與一第一閥值進行比較來決定的；及<br/> 針對該非整數角度的訊框內預測模式，使用所選擇的平滑內插濾波器和該訊框內預測模式來針對該視訊資料區塊執行訊框內預測。
根據請求項1之裝置，其中針對該非整數角度的訊框內預測模式，該至少一個處理器被配置為：<br/> 至少部分地基於關於該塊的該寬度和該塊的該高度中的至少一項大於該第一閥值的一決定，使用該第一高斯平滑內插濾波器作為所選擇的平滑內插濾波器；及<br/> 使用該第一高斯平滑內插濾波器來決定用於對該視訊資料區塊的訊框內預測的一參考圖元。
根據請求項2之裝置，其中該第一高斯平滑內插濾波器包括一6分接點高斯濾波器。
根據請求項1之裝置，其中針對該非整數角度的訊框內預測模式，該至少一個處理器被配置為：<br/> 至少部分地基於關於該塊的該寬度和該塊的該高度中的至少一項不大於該第一閥值的一決定，使用該第二高斯平滑內插濾波器作為所選擇的平滑內插濾波器；及<br/> 使用該第二高斯平滑內插濾波器來決定用於對該視訊資料區塊的訊框內預測的一參考圖元。
根據請求項4之裝置，其中該第二高斯平滑內插濾波器包括一4分接點高斯濾波器。
根據請求項1之裝置，其中該至少一個處理器被配置為：<br/> 決定針對該視訊資料區塊的一殘差資料區塊；及<br/> 使用該殘差資料區塊和基於針對該視訊資料區塊執行該訊框內預測而決定的一預測塊來對該視訊資料區塊進行解碼。
根據請求項1之裝置，其中該至少一個處理器被配置為：<br/> 產生包括與該視訊資料區塊相關聯的資訊的一經編碼的視訊位元串流。
根據請求項7之裝置，其中該至少一個處理器被配置為：<br/> 使得將該經編碼的視訊位元串流儲存在該至少一個記憶體中。
根據請求項7之裝置，亦包括：<br/> 被配置為發送該經編碼的視訊位元串流的發射器。
一種處理視訊資料的方法，該方法包括以下步驟：<br/> 決定用於預測一視訊資料區塊的一非整數角度的訊框內預測模式；<br/> 針對該非整數角度的訊框內預測模式，在一第一高斯平滑內插濾波器與一第二高斯平滑內插濾波器之間進行選擇，以用於該視訊資料區塊，其中該第一高斯平滑內插濾波器包括比該第二高斯平滑內插濾波器更多的濾波器分接點，其中該選擇是至少部分地基於將該視訊資料區塊的一寬度和該視訊資料區塊的一高度中的至少一項與一第一閥值進行比較來決定的；及<br/> 針對該非整數角度的訊框內預測模式，使用所選擇的平滑內插濾波器和該訊框內預測模式來針對該視訊資料區塊執行訊框內預測。
根據請求項10之方法，針對該非整數角度的訊框內預測模式，亦包括以下步驟：<br/> 至少部分地基於關於該塊的該寬度和該塊的該高度中的至少一項大於該第一閥值的一決定，使用該第一高斯平滑內插濾波器作為所選擇的平滑內插濾波器；及<br/> 使用該第一平滑內插濾波器來決定用於該視訊資料區塊的訊框內預測的一參考圖元。
根據請求項11之方法，其中該第一高斯平滑內插濾波器包括一6分接點高斯濾波器。
根據請求項10之方法，針對該非整數角度的訊框內預測模式，亦包括以下步驟：<br/> 至少部分地基於關於該塊的該寬度和該塊的該高度中的至少一項不大於該第一閥值的一決定，使用該第二高斯平滑內插濾波器作為所選擇的平滑內插濾波器；及<br/> 使用該第二平滑內插濾波器來決定用於對該視訊資料區塊的訊框內預測的一參考圖元。
根據請求項13之方法，其中該第二高斯平滑內插濾波器包括一4分接點高斯濾波器。
根據請求項10之方法，亦包括以下步驟：<br/> 決定針對該視訊資料區塊的一殘差資料區塊；及<br/> 使用該殘差資料區塊和基於針對該視訊資料區塊執行該訊框內預測而決定的一預測塊來對該視訊資料區塊進行解碼。
根據請求項10之方法，亦包括以下步驟：<br/> 產生包括與該視訊資料區塊相關聯的資訊的一經編碼的視訊位元串流。
一種包含第一免疫球蛋白單可變結構域(ISVD)和第二免疫球蛋白單可變結構域的多肽，其中-所述第一ISVD特異性結合T細胞上存在的人和非人靈長類動物T細胞受體(TCR)的恒定結構域；-所述第二ISVD特異性結合靶細胞上的第一抗原；其中所述第一抗原不同於所述TCR；其中所述靶細胞不同於所述T細胞；並且其中所述第一ISVD基本上由4個架構區(分別為FR1至FR4)和3個互補決定區(分別為CDR1至CDR3)組成，其中CDR1由GYVHKINFYG的胺基酸序列(SEQ ID NO：171)組成，CDR2由HISIGDQTD的胺基酸序列(SEQ ID NO：209)組成，以及CDR3由LSRIWPYDY的胺基酸序列(SEQ ID NO：235)組成。
如請求項1所述的多肽，其中所述第一ISVD的胺基酸序列與SEQ ID NO：46、92、150至152、261和262的胺基酸序列中的至少一個具有至少95%序列同一性，其中出於確定序列同一性程度的目的，形成所述CDR序列的胺基酸殘基被忽略，或其中所述第一ISVD選自SEQ ID NO：46、92、150至152、261和262的胺基酸序列的群組。
如請求項1或2所述的多肽，其中靶細胞上的所述第一抗原係腫瘤抗原。
如請求項3所述的多肽，其中靶細胞上的所述第一抗原係腫瘤相關抗原(TAA)。
如請求項1或2所述的多肽，其還包含第三ISVD，所述第三ISVD特異性結合靶細胞上的第二抗原。
如請求項5所述的多肽，其中靶細胞上的所述第二抗原係腫瘤抗原。
如請求項6所述的多肽，其中靶細胞上的所述第二抗原係腫瘤相關抗原(TAA)。
如請求項4所述的多肽，其中所述TAA係獨立選自下列構成之群組：黑色素瘤相關硫酸軟骨素蛋白聚糖(MCSP)、表皮生長因子受體(EGFR)、成纖維細胞活化蛋白(FAP)、MART-1、癌胚抗原(CEA)、gp100、MAGE-1、HER-2、路易士<sup>Y</sup>抗原、CD123、CD44、CLL-1、CD96、CD47、CD32、CXCR4、Tim-3、CD25、TAG-72、Ep-CAM、PSMA、PSA、GD2、GD3、CD4、CD5、CD19、CD20、CD22、CD36、CD45、CD52、CD147、生長因子受體、細胞因子受體、介白素-10受體α鏈(IL-10R-A)、介白素-10受體β鏈(IL-10R-B)、介白素-12受體β-1鏈(IL-12R-β1)、介白素-12受體β-2鏈、介白素-13受體α-1鏈(IL-13-α-1)、介白素-13受體α-2鏈、介白素-17受體(IL-17受體)、介白素-17B受體(IL-17B受體)、介白素21受體前體(IL-21R)、介白素-1受體I型(IL-1R-1)、介白素-1受體II型(IL-1R-β)、介白素-1受體拮抗蛋白(IL-1ra)、介白素-2受體α鏈、介白素-2受體β鏈、介白素-3受體α鏈(IL-3R-α)、CD30、IL23R、IGF-1R、IL5R、IgE、CD248、CD44v6、gpA33、Ron、Trop2、PSCA、密封蛋白6、密封蛋白18.2、CLEC12A、CD38、ephA2、c-Met、CD56、MUC16、EGFRvlll、AGS-16、CD27L、連接蛋白-4、SLITRK6、間皮素、葉酸受體、組織因子、axl、磷脂醯肌醇蛋白聚糖-3、CA9、Cripto、CD138、CD37、MUC1、CD70、胃泌素釋放肽受體、PAP、CEACAM5、CEACAM6、CXCR7、N-鈣粘素、FXYD2γa、CD21、CD133、Na/K-ATPase、mlgM(膜結合IgM)、mlgA(膜結合IgA)、Mer、Tyro2、CD120、CD95、CA 195、DR5、DR6、DcR3和CAIX、以及相關多態變異體和同種型。
如請求項8所述的多肽，其中生長因子受體為ErbB3或ErbB4或細胞因子受體為介白素-2受體γ鏈，或所述TAA為CD123或磷脂醯肌醇蛋白聚糖-3。
一種單價單特異性多肽，其包含以下或基本上由以下組成：特異性結合T細胞上存在的人和非人靈長類動物TCR的恒定結構域的ISVD，該ISVD包含互補決定區(CDR)1、CDR2、和CDR3，其中：a)CDR1由GYVHKINFYG的胺基酸序列(SEQ ID NO：171)組成，b)CDR2由HISIGDQTD的胺基酸序列(SEQ ID NO：209)組成，以及c)CDR3由LSRIWPYDY的胺基酸序列(SEQ ID NO：235)組成。
如請求項10所述的多肽，其中所述ISVD的胺基酸序列與SEQ ID NO：46、92、150至152、261和262的胺基酸序列中的至少一個具有至少95%序列同一性，其中出於確定序列同一性程度的目的，形成所述CDR序列的胺基酸殘基被忽略。
如請求項1、2、及10中任一項所述的多肽，其中所述多肽還包含一個或多個其他基團、殘基、部分或結合單元，其中與不具有所述一個或多個其他基團、殘基、部分或結合單元的對應多肽相比，所述一個或多個其他基團、殘基、部分或結合單元提供所述多肽增加的半衰期，其中所述一個或多個其他基團、殘基、部分或結合單元是可結合人血清白蛋白的ISVD。
如請求項12所述的多肽，其中所述多肽還包含經由一個或多個肽連接子連接的一個或多個其他基團、殘基、部分或結合單元。
一種編碼如請求項1至13中任一項所述的多肽的核酸，或一種包含編碼如請求項1至13中任一項所述的多肽的核酸的載體。
一種用如請求項14所述的核酸或載體轉化或轉染的宿主細胞。
一種產生如請求項1至13中任一項所述的多肽的方法，所述方法包括在允許表現如請求項1至13中任一項所述的多肽的條件下培養如請求項15所述的宿主細胞，並且回收從培養物產生的多肽。
一種組合物，其包含如請求項1至13中任一項所述的多肽或如請求項16所述的方法產生的多肽。
如請求項17所述的組合物，其為醫藥組合物。
一種如請求項1至13中任一項所述的多肽或如請求項17或18所述的組合物用於製備藥物之用途。
如請求項19所述的用途，其中該藥物係用於預防、治療或改善選自由增殖性疾病、發炎性疾病、感染性疾病和自體免疫疾病組成之群組的疾病。
如請求項20所述的用途，其中所述增殖性疾病是選自由以下組成之群組的癌症：癌、神經膠質瘤、間皮瘤、黑色素瘤、淋巴瘤、白血病、骨髓增生異常症候群、母細胞性漿細胞樣樹突狀細胞瘤、系統性肥大細胞增多症、和腺癌。
如請求項20所述的用途，其中所述發炎性疾病選自由自體免疫性狼瘡(SLE)、過敏、哮喘和類風濕性關節炎組成之群組。
如請求項21所述的用途，其中白血病係選自下列組成之群組：急性髓性白血病、慢性髓性白血病、急性B成淋巴細胞性白血病、慢性淋巴細胞白血病和毛細胞白血病。
如請求項22所述的用途，其中腺癌係選自下列組成之群組：乳腺癌、卵巢癌、宮頸癌、膠質母細胞瘤、多發性骨髓瘤、前列腺癌、和伯基特淋巴瘤、頭頸癌、結腸癌、結腸直腸癌、非小細胞肺癌、小細胞肺癌、食道癌、胃癌、胰腺癌、肝膽管癌、膽囊癌、小腸癌、直腸癌、腎癌、膀胱癌、前列腺癌、陰莖癌、尿道癌、睾丸癌、陰道癌、子宮癌、甲狀腺癌、甲狀旁腺癌、腎上腺癌、胰腺內分泌癌、類癌、骨癌、皮膚癌、視網膜母細胞瘤、霍奇金淋巴瘤、非霍奇金淋巴瘤、卡波西肉瘤、多中心型卡斯爾曼病或愛滋病相關原發性滲出性淋巴瘤、神經外胚瘤、橫紋肌肉瘤；以及上述任何癌症的任何轉移。
如請求項24所述的用途，其中多發性骨髓瘤係選自下列構成之群組：意義未明的單株丙種球蛋白病、無症狀性和有症狀性骨髓瘤。
一種攝像裝置，其具備： <br/>像素，其輸出與入射光量相應之光電轉換信號；及 <br/>比較器，其將上述光電轉換信號與參照信號進行比較；且 <br/>上述比較器具備： <br/>差動電路，其輸出相應於上述光電轉換信號與上述參照信號之信號差的信號；及 <br/>差動控制電路，其於開始上述光電轉換信號與上述參照信號之比較動作之前之信號重設期間內，設定上述差動電路之動作點；且 <br/>上述比較器包含：第1電流源，其連接於上述差動電路； <br/>上述像素包含：第1電晶體，其產生與上述光電轉換信號相應之電流； <br/>上述差動電路包含：第2電晶體，其產生與上述參照信號相應之電流； <br/>由上述差動電路輸出之上述信號與流動於上述第1電晶體之電流與流動於上述第2電晶體之電流之差分相應； <br/>上述第1電流源調整流動於包含上述第1電晶體之第1分支(branch)及包含上述第2電晶體之第2並聯分支(parallel branch)之總電流； <br/>上述差動控制電路具備：第2電流源及第3電流源，其等串聯連接於第1基準電壓節點與第2基準節點之間； <br/>上述第2電流源包含：第4電晶體及第5電晶體，其等串疊連接於上述第1基準電壓節點與上述第3電流源之輸入節點之間； <br/>上述第4電晶體與上述第5電晶體之間之連接節點連接於上述第2電晶體之汲極； <br/>上述第2電流源與上述第3電流源之間之連接節點係：輸出與上述信號差相應之上述信號的輸出節點； <br/>上述第3電流源包含：電晶體；及供給至上述電晶體之閘極之偏壓信號； <br/>於上述信號重設期間內調整上述第4電晶體及上述第5電晶體之閘極電壓，以將上述輸出節點之電壓位準設定為特定之電壓位準，且於設定上述動作點後保持。
如請求項1之攝像裝置，其中 <br/>上述差動電路包含：第3電晶體，其與上述第1電晶體串疊連接，於要讀取之上述像素被讀取時導通。
如請求項1之攝像裝置，其中 <br/>上述差動控制電路於上述信號重設期間內，對上述輸出節點之上述電壓位準進行負反饋控制。
如請求項3之攝像裝置，其中 <br/>上述比較器包含：第6電晶體，其切換是否將上述第2電晶體之閘極與上述輸出節點短路； <br/>上述第6電晶體於上述信號重設期間內導通，以使上述第2電晶體之上述閘極與上述輸出節點短路；且 <br/>該攝像裝置進而具備： <br/>電容器，其連接於上述第2電晶體之上述閘極與上述參照信號之輸入節點之間；且 <br/>於上述第6電晶體導通時，上述參照信號之上述輸入節點設定為特定之電壓位準。
如請求項1之攝像裝置，其中 <br/>上述第4電晶體與上述第5電晶體之上述閘極電壓之電壓位準被設定為上述第4電晶體及上述第5電晶體於飽和狀態下動作之電壓位準。
如請求項3至5中任一項之攝像裝置，其進而具備： <br/>第7電晶體及第8電晶體，其等串疊連接於上述第1基準電壓節點與上述第2基準電壓節點之間；且 <br/>對上述第7電晶體之閘極供給特定之偏壓信號； <br/>上述輸出節點連接於上述第8電晶體之閘極。
如請求項3至5中任一項之攝像裝置，其進而具備： <br/>第9電晶體，其與上述第4電晶體並聯連接，且與上述第2電晶體串疊連接；且 <br/>於上述第1電晶體之閘極電壓下降時，上述第9電晶體之閘極電壓被調整，以使將與上述第1電晶體之上述閘極電壓下降前流動之電流相同之電流，施加至上述第1電流源。
如請求項3至5中任一項之攝像裝置，其進而具備： <br/>第10電晶體，其與上述第2電晶體並聯連接；且 <br/>上述輸出節點連接於上述第10電晶體之閘極。
如請求項1至5中任一項之攝像裝置，其中 <br/>上述差動電路將流動於設置在複數個上述像素內之複數個上述第1電晶體之電流之和、與流動於上述第2電晶體之電流進行比較，而輸出與上述信號差相應之上述信號。
如請求項1至5中任一項之攝像裝置，其進而具備： <br/>選擇器，其選擇設置於複數個上述像素內之複數個上述第1電晶體中之至少一個第1電晶體；且 <br/>上述差動電路將流動於由上述選擇器選擇之上述至少一個第1電晶體之電流之和、與流動於上述第2電晶體之電流進行比較，而輸出與上述信號差相應之上述信號。
如請求項1至5中任一項之攝像裝置，其進而具備： <br/>第1基板，其設置有複數個上述像素；及 <br/>第2基板，其積層於上述第1基板，且上述比較器設置於上述第2基板。
如請求項1之攝像裝置，其進而具備： <br/>初始化電路，其用於在上述信號重設期間後且於開始比較上述光電轉換信號與上述參考信號之動作前，以初始化電位對上述輸出節點之上述電壓位準進行初始化。
一種電子機器，其具有： <br/>如請求項1至12中任一項之攝像裝置，其輸出於複數個像素內進行光電轉換之攝像像素信號；及 <br/>信號處理裝置，其基於上述攝像像素信號進行信號處理。
一種聚合物，其包含重複單元(A)、(B)、(C)和(D)中的至少一種： <br/><img align="absmiddle" height="47px" width="146px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (A) (B) <br/><img align="absmiddle" height="47px" width="153px" file="ed10034.jpg" alt="ed10034.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (C) (D) ; <br/>其中R<sup>1</sup>是H、C1-C8烷基；和 <br/>其中所述聚合物具有至少10重量%的在25℃下在烴溶劑中的溶解度， <br/>其中所述聚合物具有使用DSC根據ASTM D3418測量的50-300℃的T<sub>g</sub>，且 <br/>其中所述聚合物在烴溶劑中形成基本上不含凝膠的溶液，其具有低於5重量%之不溶於烴溶劑中的固體物質；且 <br/>其中所述聚合物具有根據ASTM D5296測量之8,000至48,000道爾頓的重均分子量Mw及5.0至10.0的多分散性指數。
根據請求項1所述的聚合物，其中R<sup>1</sup>是甲基、乙基、異丙基或正丁基。
根據請求項1所述的聚合物，其中所述聚合物包含選自結構(E)、(F)、(G)和(H)的至少一個端基： <br/><img align="absmiddle" height="46px" width="69px" file="ed10029.jpg" alt="ed10029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="47px" width="114px" file="ed10030.jpg" alt="ed10030.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (E) (F) <img align="absmiddle" height="45px" width="77px" file="ed10031.jpg" alt="ed10031.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="46px" width="118px" file="ed10032.jpg" alt="ed10032.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (G) (H) <br/>其中R<sup>1</sup>是H或C1-C8烷基。
根據請求項1所述的聚合物，其具有選自由以下組成之群的至少一個性能： <br/>3,000-15,000 cP的黏度，其係對25℃下在環己烷中的50重量%的溶液測量； <br/>50-1200 cP的黏度，其係對25℃下在甲苯中的50重量%的溶液測量； <br/>5-100 cP的黏度，其係對25℃下在甲苯中的15重量%的溶液測量； <br/>50-300℃的Tg，其係使用DSC根據ASTM D341測量； <br/>水分吸收係數為小於0.05，其係在25℃下根據ASTM D570測量； <br/>2-2.5的介電常數(Dk)，其係根據ASTM D2520；和 <br/>0.0001-0.002的損耗正切(Df)，其係根據ASTM D2520。
根據請求項1所述的聚合物，其還包含衍生自選自以下的共聚單體的結構單元： <br/>(i)環二烯或其二聚體； <br/>(ii)除了式(I)、(II)的二異烯基芳烴或其組合之外的二乙烯基芳烴； <br/><img align="absmiddle" height="67px" width="49px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="68px" width="35px" file="ed10036.jpg" alt="ed10036.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (I) (II) <br/>其中R<sup>1</sup>是H或C1-C8烷基； <br/>(iii)環二烯和非環二烯的加合物； <br/>(iv)具有兩個或更多個烯丙基的烯丙基化合物； <br/>(v)不同於二乙烯基芳烴(ii)且具有兩個或更多個乙烯基的乙烯基化合物；和 <br/>其任何組合。
根據請求項1-5中任一項所述的聚合物，其中所述聚合物經由在布倫斯特酸或路易斯酸催化劑的存在下親電聚合包含1,3-二異烯基芳烴(I)、1,4-二異烯基芳烴(II)或其混合物中任一種的單體獲得： <br/><img align="absmiddle" height="67px" width="49px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="68px" width="35px" file="ed10036.jpg" alt="ed10036.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (I) (II) <br/>其中R<sup>1</sup>是H或C1-C8烷基。
根據請求項6所述的聚合物，其中所述環二烯是1,3-環己二烯。
根據請求項6所述的聚合物，其中在選自脂族烴、芳族烴及其組合的烴溶劑中進行聚合。
根據請求項6所述的聚合物，其中所述聚合包括在-100℃至120℃的反應溫度下將所述單體加入布倫斯特酸或路易斯酸催化劑在烴溶劑中的溶液中，其中所述布倫斯特酸或路易斯酸催化劑與至少供電子添加劑以1:10-10:1摩爾比混合以形成錯合物。
根據請求項9所述的聚合物，其中所述供電子添加劑選自乙-1,2-二醇(乙二醇)、丙-1,2-二醇(丙二醇)、1,2-二乙氧基丙烷、2-(乙氧基甲基)四氫呋喃、2,2'-(丙-2,2-二基)雙(四氫呋喃)、水、乙醇、異丙醇、丁醇、己醇、辛醇、乙二醇丁醚(EGBE)、二乙二醇丁醚(DEGBE)、二乙二醇二丁醚(DEGDBE)、四乙二醇二甲醚、二丙二醇二甲醚、聚乙二醇(PEG)、聚丙二醇(PPG)、及其混合物。
根據請求項9所述的聚合物，其中所述供電子添加劑選自(甲基亞磺醯基)甲烷(二甲亞碸，DMSO)、2-氨基乙磺酸(牛磺酸)、乙酸乙酯、及其混合物。
一種可固化組合物，其包含請求項1-5中任一項所述的聚合物、一種或多種橡膠狀聚合物、一種或多種交聯劑、和視情況的一種或多種固化引發劑，其中由所述可固化組合物獲得的經固化組合物具有以下一個或多個性能： <br/>0.1-1.0 N/m的對銅的180<sup>o</sup>剝離強度； <br/>0.0005-0.005的耗散因子(Df)，根據ASTM D2520； <br/>2.2-2.8的介電常數(Dk)，根據ASTM D2520； <br/>V0或V1的UL94耐火性； <br/>在XY面內5-25ppm/℃和在Z方向上30-100ppm/℃的熱膨脹係數，其係使用DMA在-50℃至300℃的溫度範圍內測量；和 <br/>0.02-0.2%的水分吸收率，根據ASTM D570測量。
一種預浸料坯，其包含如請求項12中所述的經固化組合物。
一種聚合物組合物，其經由在布倫斯特酸或路易斯酸催化劑的存在下親電聚合包含1,3-二異烯基芳烴(I)、1,4-二異烯基芳烴(II)或其混合物中的任一種的單體獲得： <br/><img align="absmiddle" height="67px" width="49px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="71px" width="36px" file="ed10027.jpg" alt="ed10027.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (I) (II) <br/>其中R<sup>1</sup>是H或C1-C8烷基；且 <br/>其中所述聚合物具有至少10重量%的在25℃下在烴溶劑中的溶解度，且在烴溶劑中形成基本上不含凝膠的溶液，其具有低於5重量%之不溶於烴溶劑中的固體物質；且 <br/>其中所述聚合物具有使用DSC根據ASTM D3418測量的50-300℃的T<sub>g</sub>；且 <br/>其中所述聚合物具有根據ASTM D5296測量之8,000至48,000道爾頓的重均分子量Mw及5.0至10.0的多分散性指數。
根據請求項14所述的聚合物組合物，其中所述組合物包含聚合物，所述聚合物包含重複單元(A)、(B)、(C)和(D)中至少一種： <br/><img align="absmiddle" height="40px" width="61px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="47px" width="71px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (A) (B) <br/> <img align="absmiddle" height="57px" width="59px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="59px" width="72px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中R<sup>1</sup>是H或C1-C8烷基。
根據請求項14-15任一項所述的聚合物組合物，其中所述聚合物包含選自結構(E)、(F)、(G)和(H)的至少一個端基： <br/><img align="absmiddle" height="46px" width="69px" file="ed10029.jpg" alt="ed10029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="47px" width="114px" file="ed10030.jpg" alt="ed10030.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (E) (F) <img align="absmiddle" height="45px" width="77px" file="ed10031.jpg" alt="ed10031.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="46px" width="118px" file="ed10032.jpg" alt="ed10032.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (G) (H) <br/>其中R<sup>1</sup>是H或C1-C8烷基。
一種附帶多層反射膜的基板，係具有基板、設在該基板上的多層反射膜、及設在該多層反射膜上的保護膜；該保護膜係包含第1金屬與第2金屬；該第1金屬之氟化物的標準生成自由能係較RuF<sub>5</sub>的標準生成自由能要高；該第2金屬在波長13.5nm的消光係數係0.03以下；該第2金屬的含量係未達50原子%。
一種附帶多層反射膜的基板，係具有基板、設在該基板上的多層反射膜、及設在該多層反射膜上的保護膜；該保護膜係包含第1金屬與第2金屬；該第1金屬之氟化物的標準生成自由能係較RuF<sub>5</sub>的標準生成自由能要高；該第2金屬在波長13.5nm的消光係數係0.03以下；該第1金屬的含量係50原子%以上。
一種附帶多層反射膜的基板，係具有基板、設在該基板上的多層反射膜、及設在該多層反射膜上的保護膜；該保護膜係包含第1金屬與第2金屬；該第1金屬之氟化物的標準生成自由能係較RuF<sub>5</sub>的標準生成自由能要高；該第2金屬在波長13.5nm的消光係數係0.03以下；該保護膜係包含氮(N)，N含量係0.1原子%以上50原子%以下。
一種附帶多層反射膜的基板，係具有基板、設在該基板上的多層反射膜、及設在該多層反射膜上的保護膜；該保護膜係包含第1金屬與第2金屬；該第1金屬之氟化物的標準生成自由能係較RuF<sub>5</sub>的標準生成自由能要高；該第2金屬在波長13.5nm的消光係數係0.03以下；該第1金屬係選自銥(Ir)及銠(Rh)的至少一者；該第2金屬係選自鋯(Zr)及釕(Ru)的至少一者；該第1金屬的含量係多於該第2金屬的含量。
如申請專利範圍第1至3項中任一項之附帶多層反射膜的基板，其中該第1金屬係選自由銥(Ir)、鈀(Pd)、金(Au)、鉑(Pt)、及銠(Rh)所構成之群的至少一種金屬；該第2金屬係選自由鋯(Zr)、釕(Ru)、釔(Y)、鑭(La)、鈮(Nb)、銣(Rb)、及鈦(Ti)所構成之群的至少一種金屬。
如申請專利範圍第1至4項中任一項之附帶多層反射膜的基板，其中該第1金屬係銥(Ir)，該第2金屬係釕(Ru)。
如申請專利範圍第1至4項中任一項之附帶多層反射膜的基板，其中該第1金屬係銠(Rh)，該第2金屬係釕(Ru)。
如申請專利範圍第1至4項中任一項之附帶多層反射膜的基板，其中該第1金屬係銥(Ir)，該第2金屬係鋯(Zr)。
如申請專利範圍第1至4項中任一項之附帶多層反射膜的基板，其中該第1金屬係銠(Rh)，該第2金屬係鋯(Zr)。
一種反射型遮罩基底，係在如申請專利範圍第1至9項中任一項之附帶多層反射膜的基板之該保護膜上具備吸收體膜。
如申請專利範圍第10項之反射型遮罩基底，其中該吸收體膜係包含釕(Ru)。
如申請專利範圍第10項之反射型遮罩基底，其中該吸收體膜係具有緩衝層及設在該緩衝層上的吸收層；該緩衝層係包含鉭(Ta)或矽(Si)；該吸收層係包含釕(Ru)。
一種反射型遮罩，係具備使如申請專利範圍第10至12項中任一項之反射型遮罩基底的該吸收體膜圖案化後的吸收體圖案。
一種半導體裝置的製造方法，係具有會使用如申請專利範圍第13項之反射型遮罩而使用曝光裝置來進行微影處理以將轉印圖案形成在被轉印體的工序。
一種對視訊資料進行解碼的方法，該方法包括以下步驟：<br/> 基於使用色度殘差聯合譯碼（JCCR）進行譯碼的一視訊資料區塊的複數個顏色分量來預測該視訊資料區塊的一聯合殘差區塊的複數個係數中的一係數的一符號，預測該符號之步驟包括以下步驟：<br/> 決定該複數個顏色分量的一聯合成本值，該聯合成本值決定為該複數個顏色分量的成本值的一加權和，其中決定該等成本值的該加權和之步驟包括以下步驟：<br/> 決定該複數個顏色分量中的一第一顏色分量的一第一權重和該複數個顏色分量中的一第二顏色分量的一第二權重；及<br/> 基於該第一權重和該第二權重來決定該複數個顏色分量的該等成本值的該加權和；及<br/> 基於該聯合成本值預測該符號；<br/> 針對該複數個顏色分量之每一者相應顏色分量並且基於該聯合殘差區塊的該複數個係數，產生複數個殘差區塊中的一相應殘差區塊的係數；及<br/> 基於該複數個殘差區塊來重構該視訊資料區塊。
根據請求項1之方法，其中將該聯合成本值決定為該複數個顏色分量的該等成本值的該加權和之步驟包括以下步驟：根據以下等式來決定該聯合成本值：<br/><img align="absmiddle" height="20px" width="117px" file="ed10038.jpg" alt="ed10038.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中<img align="absmiddle" height="16px" width="29px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是該聯合成本值，<img align="absmiddle" height="16px" width="20px" file="ed10036.jpg" alt="ed10036.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是該複數個顏色分量中的一特定顏色分量的一權重，<img align="absmiddle" height="16px" width="4px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示包括該複數個顏色分量的一集合，並且<img align="absmiddle" height="16px" width="30px" file="ed10039.jpg" alt="ed10039.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是該特定顏色分量的一成本值。
根據請求項1之方法，其中決定該第一權重和該第二權重之步驟包括以下步驟：<br/> 基於該複數個顏色分量中的何者顏色分量在一掃瞄次序中較早地具有一非零譯碼區塊標誌（CBF）來決定該第一權重和該第二權重。
根據請求項3之方法，其中該第一顏色分量是一Cb顏色分量，並且該第二顏色分量是一Cr顏色分量。
根據請求項4之方法，其中該Cb顏色分量是在該掃瞄次序中在該Cr顏色分量之前被掃瞄的，該方法亦包括以下步驟：<br/> 回應於決定該Cb顏色分量具有一非零CBF，決定該第一權重為1並且該第二權重為0。
根據請求項4之方法，其中該Cb顏色分量是在該掃瞄次序中在該Cr顏色分量之前被掃瞄的，該方法亦包括以下步驟：<br/> 回應於決定該Cb顏色分量具有一零CBF並且該Cr顏色分量具有一非零CBF，決定該第一權重為0並且該第二權重為1。
根據請求項4之方法，亦包括以下步驟：<br/> 回應於決定該Cb顏色分量具有一非零CBF，決定該第一權重為1；及<br/> 回應於決定該Cr顏色分量具有一非零CBF，決定該第二權重為1。
根據請求項1之方法，其中決定該多個顏色分量的該聯合成本值之步驟包括以下步驟：<br/> 針對一負符號決定該複數個顏色分量的一第一聯合成本值；及<br/> 針對一正符號決定該複數個顏色分量的一第二聯合成本值，其中預測該殘差資料的該符號之步驟包括以下步驟：<br/> 回應於決定該第一聯合成本值小於該第二聯合成本值，預測該符號為負；及<br/> 回應於決定該第二聯合成本值小於該第一聯合成本值，預測該符號為正。
一種對視訊資料進行編碼的方法，該方法包括以下步驟：<br/> 基於使用色度殘差聯合譯碼（JCCR）進行譯碼的一視訊資料區塊的複數個顏色分量來預測該視訊資料區塊的一聯合殘差區塊的複數個係數中的一係數的一符號，其中預測該符號之步驟包括以下步驟；<br/> 決定該複數個顏色分量的一聯合成本值，該聯合成本值決定為該複數個顏色分量的成本值的一加權和，其中決定該等成本值的該加權和之步驟包括以下步驟：<br/> 決定該複數個顏色分量中的一第一顏色分量的一第一權重和該複數個顏色分量中的一第二顏色分量的一第二權重；及<br/> 基於該第一權重和該第二權重來決定該複數個顏色分量的該等成本值的該加權和及基於該聯合成本值預測該符號；<br/> 針對該複數個顏色分量之每一者相應顏色分量並且基於該聯合殘差區塊的該複數個係數，產生複數個殘差區塊中的一相應殘差區塊的係數；及<br/> 基於該複數個殘差區塊來重構該視訊資料區塊。
根據請求項9之方法，其中將該聯合成本值決定為該複數個顏色分量的該等成本值的該加權和之步驟包括以下步驟：根據以下等式來決定該聯合成本值：<br/><img align="absmiddle" height="20px" width="117px" file="ed10038.jpg" alt="ed10038.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中<img align="absmiddle" height="16px" width="29px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是該聯合成本值，<img align="absmiddle" height="16px" width="20px" file="ed10036.jpg" alt="ed10036.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是該複數個顏色分量中的一特定顏色分量的一權重，<img align="absmiddle" height="16px" width="4px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示包括該複數個顏色分量的一集合，並且<img align="absmiddle" height="16px" width="30px" file="ed10039.jpg" alt="ed10039.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是該特定顏色分量的一成本值。
根據請求項9之方法，其中決定該第一權重和該第二權重之步驟包括以下步驟：<br/> 基於該複數個顏色分量中的何者顏色分量在一掃瞄次序中較早地具有一非零譯碼區塊標誌（CBF）來決定該第一權重和該第二權重。
根據請求項11之方法，其中該第一顏色分量是一Cb顏色分量，並且該第二顏色分量是一Cr顏色分量。
根據請求項12之方法，其中該Cb顏色分量是在該掃瞄次序中在該Cr顏色分量之前被掃瞄的，該方法亦包括以下步驟：<br/> 回應於決定該Cb顏色分量具有一非零CBF，決定該第一權重為1並且該第二權重為0。
根據請求項12之方法，其中該Cb顏色分量是在該掃瞄次序中在該Cr顏色分量之前被掃瞄的，該方法亦包括以下步驟：<br/> 回應於決定該Cb顏色分量具有一零CBF並且該Cr顏色分量具有一非零CBF，決定該第一權重為0並且該第二權重為1。
根據請求項12之方法，亦包括以下步驟：<br/> 回應於決定該Cb顏色分量具有一非零CBF，決定該第一權重為1；及<br/> 回應於決定該Cr顏色分量具有一非零CBF，決定該第二權重為1。
根據請求項9之方法，其中決定該多個顏色分量的該聯合成本值之步驟包括以下步驟：<br/> 針對一負符號決定該複數個顏色分量的一第一聯合成本值；及<br/> 針對一正符號決定該複數個顏色分量的一第二聯合成本值，其中預測該殘差資料的該符號之步驟包括以下步驟：<br/> 回應於決定該第一聯合成本值小於該第二聯合成本值，預測該符號為負；及<br/> 回應於決定該第二聯合成本值小於該第一聯合成本值，預測該符號為正。
一種用於對視訊資料進行解碼的設備，該設備包括：<br/> 一記憶體，其被配置為儲存視訊資料；及<br/> 一或多個處理器，其在電路系統中實現並且被配置為進行以下操作：<br/> 基於使用色度殘差聯合譯碼（JCCR）進行譯碼的一視訊資料區塊的複數個顏色分量來預測該視訊資料區塊的一聯合殘差區塊的複數個係數中的一係數的一符號，其中，為了預測該符號，該一或多個處理器被配置為進行以下操作：<br/> 決定該複數個顏色分量的一聯合成本值，該聯合成本值決定為該複數個顏色分量的成本值的一加權和，其中，為了決定該等成本值的該加權和，該一或多個處理器被配置為進行以下操作：<br/> 決定該複數個顏色分量中的一第一顏色分量的一第一權重和該複數個顏色分量中的一第二顏色分量的一第二權重；及<br/> 基於該第一權重和該第二權重來決定該複數個顏色分量的該等成本值的該加權和及基於該聯合成本值預測該符號；<br/> 針對該複數個顏色分量之每一者相應顏色分量並且基於該聯合殘差區塊的該複數個係數，產生複數個殘差區塊中的一相應殘差區塊的係數；及<br/> 基於該複數個殘差區塊來重構該視訊資料區塊。
根據請求項17之設備，其中為了決定該第一權重和該第二權重，該一或多個處理器被配置為：<br/> 基於該複數個顏色分量中的何者顏色分量在一掃瞄次序中較早地具有一非零譯碼區塊標誌（CBF）來決定該第一權重和該第二權重。
根據請求項18之設備，其中該第一顏色分量是一Cb顏色分量，並且該第二顏色分量是一Cr顏色分量。
根據請求項19之設備，其中該Cb顏色分量是在該掃瞄次序中在該Cr顏色分量之前被掃瞄的，並且其中該一或多個處理器亦被配置為：<br/> 回應於決定該Cb顏色分量具有一非零CBF，決定該第一權重為1並且該第二權重為0。
根據請求項19之設備，其中該Cb顏色分量是在該掃瞄次序中在該Cr顏色分量之前被掃瞄的，並且其中該一或多個處理器亦被配置為：<br/> 回應於決定該Cb顏色分量具有一零CBF並且該Cr顏色分量具有一非零CBF，決定該第一權重為0並且該第二權重為1。
一種用於對視訊資料進行編碼的設備，該設備包括：<br/> 一記憶體，其被配置為儲存視訊資料；及<br/> 一或多個處理器，其在電路系統中實現並且被配置為進行以下操作：<br/> 基於使用色度殘差聯合譯碼（JCCR）進行譯碼的一視訊資料區塊的複數個顏色分量來預測該視訊資料區塊的一聯合殘差區塊的複數個係數中的一係數的一符號，其中，為了預測該符號，該一或多個處理器被配置為進行以下操作：<br/> 決定該複數個顏色分量的一聯合成本值，該聯合成本值決定為該複數個顏色分量的成本值的一加權和，其中，為了決定該等成本值的該加權和，該一或多個處理器被配置為進行以下操作：<br/> 決定該複數個顏色分量中的一第一顏色分量的一第一權重和該複數個顏色分量中的一第二顏色分量的一第二權重；及<br/> 基於該第一權重和該第二權重來決定該複數個顏色分量的該等成本值的該加權和及基於該聯合成本值預測該符號；<br/> 針對該複數個顏色分量之每一者相應顏色分量並且基於該聯合殘差區塊的該複數個係數，產生複數個殘差區塊中的一相應殘差區塊的係數；及<br/> 基於該複數個殘差區塊來重構該視訊資料區塊。
根據請求項22之設備，其中為了決定該第一權重和該第二權重，該一或多個處理器被配置為：<br/> 基於該複數個顏色分量中的何者顏色分量在一掃瞄次序中較早地具有一非零譯碼區塊標誌（CBF）來決定該第一權重和該第二權重。
根據請求項23之設備，其中該第一顏色分量是一Cb顏色分量，並且該第二顏色分量是一Cr顏色分量。
根據請求項24之設備，其中該Cb顏色分量是在該掃瞄次序中在該Cr顏色分量之前被掃瞄的，並且其中該一或多個處理器亦被配置為：<br/> 回應於決定該Cb顏色分量具有一非零CBF，決定該第一權重為1並且該第二權重為0。
根據請求項24之設備，其中該Cb顏色分量是在該掃瞄次序中在該Cr顏色分量之前被掃瞄的，並且其中該一或多個處理器亦被配置為：<br/> 回應於決定該Cb顏色分量具有一零CBF並且該Cr顏色分量具有一非零CBF，決定該第一權重為0並且該第二權重為1。
一種用於對視訊資料進行譯碼的設備，該設備包括：<br/> 用於基於使用色度殘差聯合譯碼（JCCR）進行譯碼的一視訊資料區塊的複數個顏色分量來預測該視訊資料區塊的一聯合殘差區塊的複數個係數中的一係數的一符號的構件，其中該用於預測該符號的構件包括：<br/> 用於決定該複數個顏色分量的一聯合成本值的構件，該聯合成本值決定為該複數個顏色分量的成本值的一加權和，其中該用於決定該等成本值的該加權和的構件包括：<br/> 用於決定該複數個顏色分量中的一第一顏色分量的一第一權重和該複數個顏色分量中的一第二顏色分量的一第二權重的構件；及<br/> 用於基於該第一權重和該第二權重來決定該複數個顏色分量的該等成本值的該加權和的構件及用於基於該聯合成本值預測該符號的構件；<br/> 用於針對該複數個顏色分量之每一者相應顏色分量並且基於該聯合殘差區塊的該複數個係數，產生複數個殘差區塊中的一相應殘差區塊的係數的構件；及<br/> 用於基於該複數個殘差區塊來重構該視訊資料區塊的構件。
一種儲存指令的非暫態電腦可讀取儲存媒體，該等指令在被執行時使得一視訊譯碼器的一或多個處理器進行以下操作：<br/> 基於使用色度殘差聯合譯碼（JCCR）進行譯碼的一視訊資料區塊的複數個顏色分量來預測該視訊資料區塊的一聯合殘差區塊的複數個係數中的一係數的一符號，其中使得該一或多個處理器預測該符號之該等指令包括使得該一或多個處理器進行以下操作的指令：<br/> 決定該複數個顏色分量的一聯合成本值，該聯合成本值決定為該複數個顏色分量的成本值的一加權和，其中使得使得該一或多個處理器決定該等成本值的該加權和之該等指令包括使得該一或多個處理器進行以下操作的指令：<br/> 決定該複數個顏色分量中的一第一顏色分量的一第一權重和該複數個顏色分量中的一第二顏色分量的一第二權重；及<br/> 基於該第一權重和該第二權重來決定該複數個顏色分量的該等成本值的該加權和及基於該聯合成本值預測該符號；<br/> 針對該複數個顏色分量之每一者相應顏色分量並且基於該聯合殘差區塊的該複數個係數，產生複數個殘差區塊中的一相應殘差區塊的係數；及<br/> 基於該複數個殘差區塊來重構該視訊資料區塊。
一種樹脂組成物，其含有下述成分： <br/> (A)選自由在分子結構中包含芳香族環與脂肪族環之縮合環且具有2個以上的N-取代馬來醯亞胺基之馬來醯亞胺化合物及其衍生物所組成之群組中的1種以上；及， <br/> (B)在25℃中的拉伸彈性模數為10GPa以下的樹脂； <br/> 前述(A)成分是由下述通式(a1-2)表示的化合物， <br/> 前述(B)成分含有改質共軛二烯聚合物，該改質共軛二烯聚合物是以(b2)具有2個以上的N-取代馬來醯亞胺基之馬來醯亞胺化合物使(b1)側鏈具有乙烯基之共軛二烯聚合物改質而成， <br/><img align="absmiddle" height="58px" width="225px" file="ed10029.jpg" alt="ed10029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>通式(a1-2)中，R<sup>a1</sup>各自獨立地為碳數1～10的烷基、碳數1～10的烷氧基、碳數1～10的烷硫基、碳數6～10的芳基、碳數6～10的芳氧基、碳數6～10的芳硫基、碳數3～10的環烷基、鹵素原子、羥基或巰基，n1各自獨立地為0～3的整數；R<sup>a2</sup>～R<sup>a4</sup>各自獨立地為碳數1～10的烷基；R<sup>a5</sup>各自獨立地為碳數1～10的烷基、碳數1～10的烷氧基、碳數1～10的烷硫基、碳數6～10的芳基、碳數6～10的芳氧基、碳數6～10的芳硫基、碳數3～10的環烷基、鹵素原子、硝基、羥基或巰基，n2各自獨立地為0～4的整數，n3為0.95～10.0的數。
一種樹脂組成物，其含有下述成分： <br/> (A)選自由在分子結構中包含芳香族環與脂肪族環之縮合環且具有2個以上的N-取代馬來醯亞胺基之馬來醯亞胺化合物及其衍生物所組成之群組中的1種以上；及， <br/> (B)在25℃中的拉伸彈性模數為10GPa以下的樹脂； <br/> 前述(A)成分是由下述通式(a1-2)表示的化合物， <br/> 前述(B)成分含有苯乙烯系彈性體， <br/> 前述(B)成分的含量相對於樹脂組成物中的樹脂成分的總和100質量份為10～90質量份； <br/><br/><img align="absmiddle" height="58px" width="225px" file="ed10029.jpg" alt="ed10029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>通式(a1-2)中，R<sup>a1</sup>各自獨立地為碳數1～10的烷基、碳數1～10的烷氧基、碳數1～10的烷硫基、碳數6～10的芳基、碳數6～10的芳氧基、碳數6～10的芳硫基、碳數3～10的環烷基、鹵素原子、羥基或巰基，n1各自獨立地為0～3的整數；R<sup>a2</sup>～R<sup>a4</sup>各自獨立地為碳數1～10的烷基；R<sup>a5</sup>各自獨立地為碳數1～10的烷基、碳數1～10的烷氧基、碳數1～10的烷硫基、碳數6～10的芳基、碳數6～10的芳氧基、碳數6～10的芳硫基、碳數3～10的環烷基、鹵素原子、硝基、羥基或巰基，n2各自獨立地為0～4的整數，n3為0.95～10.0的數。
一種樹脂組成物，其含有下述成分：<br/> (A)選自由在分子結構中包含芳香族環與脂肪族環之縮合環且具有2個以上的N-取代馬來醯亞胺基之馬來醯亞胺化合物及其衍生物所組成之群組中的1種以上；及， <br/> (B)在25℃中的拉伸彈性模數為10GPa以下的樹脂； <br/> 前述(A)成分是由下述通式(a1-2)表示的化合物， <br/> 前述(B)成分含有矽氧系樹脂， <br/><br/><img align="absmiddle" height="58px" width="225px" file="ed10029.jpg" alt="ed10029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>通式(a1-2)中，R<sup>a1</sup>各自獨立地為碳數1～10的烷基、碳數1～10的烷氧基、碳數1～10的烷硫基、碳數6～10的芳基、碳數6～10的芳氧基、碳數6～10的芳硫基、碳數3～10的環烷基、鹵素原子、羥基或巰基，n1各自獨立地為0～3的整數；R<sup>a2</sup>～R<sup>a4</sup>各自獨立地為碳數1～10的烷基；R<sup>a5</sup>各自獨立地為碳數1～10的烷基、碳數1～10的烷氧基、碳數1～10的烷硫基、碳數6～10的芳基、碳數6～10的芳氧基、碳數6～10的芳硫基、碳數3～10的環烷基、鹵素原子、硝基、羥基或巰基，n2各自獨立地為0～4的整數，n3為0.95～10.0的數。
一種預浸體，其含有請求項1～3中任一項所述之樹脂組成物或前述樹脂組成物的半硬化物。
一種積層板，其具有： <br/> 請求項1～3中任一項所述之樹脂組成物的硬化物；及， <br/> 金屬箔。
一種樹脂薄膜，其含有請求項1～3中任一項所述之樹脂組成物或前述樹脂組成物的半硬化物。
一種印刷線路板，其具有選自由請求項1～3中任一項所述之樹脂組成物的硬化物。
一種半導體封裝體，其具有： <br/> 請求項7所述之印刷線路板；及， <br/> 半導體元件。
一種式I之化合物或其藥學上可接受的鹽、溶劑化物或立體異構體，該化合物為：<figure><img align="absmiddle" height="227px" width="450px" file="d10001.TIF" alt="化學式ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/></figure>其中L<sub>1</sub>為化學鍵；X<sub>1</sub>為-CH-、-N-或-C(F)-；每個n、m獨立地為0、1或2；每個R<sub>1</sub>獨立地由-F、-Cl、-Br、-CF<sub>3</sub>、-CCl<sub>3</sub>、-O(CF<sub>3</sub>)、-O(CCl<sub>3</sub>)、-OCH<sub>3</sub>、-OCH<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>、-O(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>O-CH<sub>3</sub>、-O(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>O-CH<sub>2</sub>-CH<sub>3</sub>所示；R<sub>2</sub>為-P(O)(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>、-P(O)(CH<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>或-P(O)(環丙基)<sub>2</sub>；R<sub>3</sub>為-H；每個R<sub>4</sub>獨立地為-CH<sub>3</sub>、-OCH<sub>3</sub>或-OCF<sub>3</sub>；R<sub>5</sub>為[2-(二甲基胺基)乙基](甲基)胺基，4-(4-甲基呱嗪-1-基)呱啶-1-基，4-甲基呱嗪-1-基，4-(二甲基胺基)呱啶-1-基，4-嗎啉-1-基，4-甲基-1,4-二氮雜環庚烷-1-基，1-異丙基呱啶-4-基，(1-甲基呱啶-4-基)氧基，(1-甲基呱啶-3-基)胺基，(1-甲基呱啶-4-基)胺基，甲基(1-甲基呱啶-4-基)胺基，(4-甲基呱嗪-1-基)甲酮，(4-甲基呱嗪-1-基)甲基，(2-甲基-2-氮雜雙環[2.2.1]庚烷-5-基)氧基，(1-甲基吡咯烷-3-基)氧基，(1-甲基呱啶-4-基)氧基，1-乙醯基呱啶-1-基，呱啶-1-基，1-(2-(二甲基胺基)-2-氧代乙基)呱啶。
如請求項1所述之的化合物或其藥學上可接受的鹽、溶劑化物或立體異構體，該化合物為：(2-((2-(4-((2-(二甲基胺基)乙基)(甲基)胺基)苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)苯基)二甲基氧化膦甲酸鹽(EGFR_48)；(2-((2-(4-((2-(二甲基胺基)乙基)(甲基)胺基)苯基-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)-4-氟苯基)二甲基氧化膦甲酸鹽(EGFR_58)；(2-((2-(4-((2-(二甲基胺基)乙基)(甲基)胺基)-2-甲氧基苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)苯基)二甲基氧化膦乙酸鹽(EGFR_59)；(2-((2-(4-((2-(二甲基胺基)乙基)(甲基)胺基)-3-甲氧基苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)苯基)二甲基氧化膦乙酸鹽(EGFR_60)；(2-((2-(4-((2-(二甲基胺基)乙基)(甲基)胺基)苯基-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)-5-氟苯基)二甲基氧化膦乙酸鹽(EGFR_65)；(2-((2-(4-((2-(二甲基胺基)乙基)(甲基)胺基)苯基-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)-6-氟苯基)二甲基氧化膦甲酸鹽(EGFR_66)；(2-((2-(4-((2-(二甲基胺基)乙基)(甲基)胺基)苯基-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)-4-(三氟甲基)苯基)二甲基氧化膦(EGFR_68)；(2-((6-(4-((2-(二甲基胺基)乙基)(甲基)胺基)苯基-7H-吡咯並[2,3-d]嘧啶-4-基)胺基)苯基)二甲基氧化膦(EGFR_69)；2-((5-氯-2-(4-((2-(二甲基胺基)乙基)(甲基)胺基)苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)苯基)二甲基氧化膦甲酸鹽(EGFR_70)；(2-((2-(4-((2-(二甲基胺基)乙基)(甲基)胺基)苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)苯基)二乙基氧化膦(EGFR_74)；(2-((2-(4-((2-(二甲基胺基)乙基)(甲基)胺基)苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)苯基)膦酸二甲酯(EGFR_76)；N-(2-((2-(4-((2-(二甲基胺基)乙基)(甲基)胺基)苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]嘧啶-4-基)胺基)苯基)甲磺醯胺甲酸鹽(EGFR_79)；2-(4-((2-(二甲基胺基)乙基)(甲基)胺基)苯基-4-((2-二甲基磷醯基)苯基)胺基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-5-甲腈(EGFR_338)；(4-氟-2-((2-(4-(4-(4-甲基呱嗪-1-基)呱啶-1-基)苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)苯基)二甲基氧化膦甲酸鹽(EGFR_348)；(2-((6-(4-((2-(二甲基胺基)乙基)(甲基)胺基)苯基)-7H-吡咯並[2,3-d]嘧啶-4-氟苯基)二甲基氧化膦乙酸鹽(EGFR_437)；二甲基(2-((6-(4-(4-(4-甲基呱嗪-1-基)呱啶-1-基)苯基)-7H-吡咯並[2,3-d]嘧啶-4-基)胺基)苯基)氧化膦(EGFR_440)；(4-氟-6-((6-(4-(4-(4-甲基呱嗪-1-基)呱啶-1-基)苯基)-7H-吡咯並[2,3-d]嘧啶-4-基)胺基)苯基)二甲基氧化膦(EGFR_441)；(2-氟-6-((6-(4-(4-(4-甲基呱嗪-1-基)呱啶-1-基)苯基)-7H-吡咯並[2,3-d]嘧啶-4-基)胺基)苯基)二甲基氧化膦(EGFR_483)；(2-((5-氯-2-(4-(4-(4-甲基呱嗪-1-基)呱啶-1-基)苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)苯基)二甲基氧化膦(EGFR_485)；二甲基(2-((2-(3-(4-甲基呱嗪-1-基)苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)苯基)氧化膦乙酸鹽(EGFR_655)；二甲基(2-((2-(4-嗎啉代苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)苯基)氧化膦甲酸鹽(EGFR_656)；二甲基(2-((2-(4-(4-甲基呱嗪-1-基)苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)苯基)氧化膦甲酸鹽(EGFR_667)；二甲基(2-((2-(4-(4-甲基-1,4-二氮雜環庚烷-1-基)苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)苯基)氧化膦甲酸鹽(EGFR_668)；(2-((2-(4-((1-異丙基呱啶-4-基)胺基)苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)苯基)二甲基氧化膦乙酸鹽(EGFR_669)；(2-((2-(4-(4-(二甲基胺基)呱啶-1-基)苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)苯基)二甲基氧化膦乙酸鹽(EGFR_743)；二甲基(2-((2-(4-(1-甲基呱啶-4-基)氧基)苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)苯基)氧化膦甲酸鹽(EGFR_752)；(2-((2-(4-(2-(二甲基胺基)乙基(甲基)胺基)苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)苯基)二乙基氧化膦甲酸鹽(EGFR_774)；二甲基(2-((2-(4-(1-甲基呱啶-4-基)胺基)苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)苯基)氧化膦乙酸鹽(EGFR_795)；二甲基(2-((2-(4-(甲基(1-甲基呱啶-4-基)胺基)苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)苯基)氧化膦甲酸鹽(EGFR_796)；(4-(4-((2-(二甲基磷醯基)苯基)胺基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-2-基)苯基)(4-甲基呱嗪-1-基)甲酮甲酸鹽(EGFR_797)；二甲基(2-((2-(4-((4-甲基呱嗪-1-基)甲基)苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)苯基)氧化膦甲酸鹽(EGFR_798)；(S)-二甲基(2-((2-(4-((1-甲基呱啶-3-基)胺基)苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)苯基)氧化膦乙酸鹽(EGFR_801)；(R)-二甲基(2-((2-(4-((1-甲基呱啶-3-基)胺基)苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)苯基)氧化膦乙酸鹽(EGFR_802)；(2-氯-6-((2-(4-(4-(二甲基胺基)呱啶-1-基)苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)苯基)二甲基氧化膦甲酸鹽(EGFR_853)；(2-((2-(4-(4-(二甲基胺基)呱啶-1-基)苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)-6-(三氟甲基)苯基)二甲基氧化膦甲酸鹽(EGFR_854)；(6-((2-(4-(4-(二甲基胺基)呱啶-1-基)苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)-2,3-二氟苯基)二甲基氧化膦(EGFR_855)；(2-((2-(4-(4-(二甲基胺基)呱啶-1-基)苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)-4-甲氧基苯基)二甲基氧化膦乙酸鹽(EGFR_856)；(2-((2-(4-(4-(二甲基胺基)呱啶-1-基)苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)-4-(三氟甲氧基)苯基)二甲基氧化膦乙酸鹽(EGFR_857)；(2-((2-(4-(4-(二甲基胺基)呱啶-1-基)苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)-4,6-二氟苯基)二甲基氧化膦乙酸鹽(EGFR_858)；2-((2-(4-(4-(二甲基胺基)呱啶-1-基)苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)-4-氟苯基)二甲基氧化膦(EGFR_859)；4-((2-(4-(4-(二甲基胺基)呱啶-1-基)苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)-3-(二甲基磷醯基)苄腈甲酸鹽(EGFR_860)；(2-((2-(4-(4-(二甲基胺基)呱啶-1-基)苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)-6-氟苯基)二甲基氧化膦(EGFR_862)；(2-((2-(4-(4-(二甲基胺基)呱啶-1-基)苯基)-5-氟-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)苯基)二甲基氧化膦甲酸鹽(EGFR_865)；(2-((2-(4-(4-(二甲基胺基)呱啶-1-基)苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)-5-甲氧基苯基)二甲基氧化膦甲酸鹽(EGFR_870)；(2-((2-(4-(4-(二甲基胺基)呱啶-1-基)苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)苯基)二乙基氧化膦乙酸鹽(EGFR_871)；(2-((2-(4-(4-(二甲基胺基)呱啶-1-基)-2-(三氟甲氧基)苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)苯基)二甲基氧化膦乙酸鹽(EGFR_884)；(2-((2-(4-(4-(二甲基胺基)呱啶-1-基)-2-甲基苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)苯基)二甲基氧化膦乙酸鹽(EGFR_886)；2-((2-(4-(4-(二甲基胺基)呱啶-1-基)-3-甲基苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)苯基)二甲基氧化膦乙酸鹽(EGFR_887)；(2-((2-(4-(4-(二甲基胺基)呱啶-1-基)苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)-6-甲氧基苯基)二甲基氧化膦乙酸鹽(EGFR_896)；二乙基(2-((2-(4-((甲基(1-甲基呱啶-4-基)胺基)苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)苯基)氧化膦乙酸鹽(EGFR_910)；二乙基(2-((2-(4-((1-甲基呱啶-4-基)氧基)苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)苯基)氧化膦乙酸鹽(EGFR_912)；(2-((2-(4-(4-(二甲基胺基)呱啶-1-基)苯基)-5-甲基-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)苯基)二甲基氧化膦(EGFR_914)；(2-甲氧基-6-((2-(4-((1-甲基呱啶-4-基)氧基)苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)苯基)二甲基氧化膦(EGFR_918)；(2-氟-6-((2-(4-((1-甲基呱啶-4-基)氧基)苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)苯基)二甲基氧化膦甲酸鹽(EGFR_919)；(R)-(2-甲氧基-6-((2-(4-((1-甲基吡咯烷-3-基)氧基)苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)苯基)二甲基氧化膦(EGFR_989)；(S)-(2-甲氧基-6-((2-(4-((1-甲基吡咯烷-3-基)氧基)苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)苯基)二甲基氧化膦(EGFR_990)；二環丙基(2-甲氧基-6-((2-(4-((1-甲基呱啶-4-基)氧基)苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)苯基)二甲基氧化膦(EGFR_982)；(2-甲氧基-6-((2-(4-((2-甲基-2-氮雜雙環[2.2.1]庚烷-5-基)氧基)苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)苯基)二甲基氧化膦(EGFR_985)；1-(4-(4-(4-((2-(二甲基磷醯基)-3-甲氧基苯基)胺基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-2-基)苯氧基)呱啶-1-基)乙-1-酮(EGFR_993)；2-(4-(4-(4-((2-(二甲基磷醯基)-3-甲氧基苯基)胺基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-2-基)苯氧基)呱啶-1-基)-N,N-二甲基乙醯胺(EGFR_994)；(2-甲氧基-6-((2-(4-((1-甲基呱啶-4-基)氧基)苯基)-1H-吡咯並[2,3-b]吡啶-4-基)胺基)苯基)二甲基氧化膦乙酸鹽(EGFR_1006)。
一種如請求項1至2中任一項所述之化合物或其藥理學上可接受的鹽、溶劑化物或立體異構體於製備藥物以抑制受試者中表皮生長因子受體(EGFR)生物活性之用途，該用途包括將EGFR的激酶結構域與如請求項1至2中任一項所述之化合物或其藥理學上可接受的鹽、溶劑化物或立體異構體接觸。
一種藥物組合物，其含有如請求項1至2中任一項所述之化合物或其藥學上可接受的鹽、溶劑化物或立體異構體，以及一種或多種藥學上可接受的賦形劑。
如請求項4所述之藥物組合物，其用於預防或治療由EGFR活性介導的疾病或病症。
如請求項5所述之藥物組合物，其中該特定疾病或病症是具有突變L858R和/或突變T790M和/或外顯子19缺失和/或突變C797S的EGFR活性介導的疾病或病症。
如請求項6所述之藥物組合物，其中由EGFR活性介導的疾病或病症是腫瘤疾病。
如請求項7所述之藥物組合物，其中該疾病或病症是膀胱癌、卵巢癌、宮頸癌、結腸直腸癌、乳腺癌、胰腺癌、頭頸癌、膠質瘤、成膠質細胞瘤、黑素瘤、前列腺癌、白血病、淋巴瘤、非霍奇金淋巴瘤、霍奇金淋巴瘤、肺癌、肝細胞癌、食管癌、胃癌、胃腸道間質瘤、甲狀腺癌、膽管癌、子宮內膜癌、腎癌、肝癌、間變性大細胞淋巴瘤、急性髓性白血病、多發性骨髓瘤、黑素瘤、間皮瘤、血液惡性腫瘤。
如請求項7所述之藥物組合物，其中該腫瘤疾病是非小細胞肺癌。
一種如請求項1至2中任一項所述之化合物或其藥理學上可接受的鹽、溶劑化物或立體異構體或如請求項4所述之藥物組合物於製備藥物以治療由EGFR活性介導的疾病或病症之用途。
如請求項10所述之用途，其中該特定疾病或病症是具有突變L858R和/或突變T790M和/或外顯子19缺失和/或突變C797S的EGFR活性介導的疾病或病症。
如請求項11所述之用途，其中該由EGFR活性介導的疾病或病症是腫瘤疾病。
如請求項12所述之用途，其中該疾病或病症是膀胱癌、卵巢癌、宮頸癌、結腸直腸癌、乳腺癌、胰腺癌、頭頸癌、膠質瘤、成膠質細胞瘤、黑素瘤、前列腺癌、白血病、淋巴瘤、非霍奇金淋巴瘤、霍奇金淋巴瘤、肺癌、肝細胞癌、食管癌、胃癌、胃腸道間質瘤、甲狀腺癌、膽管癌、子宮內膜癌、腎癌、肝癌、間變性大細胞淋巴瘤、急性髓性白血病、多發性骨髓瘤、黑素瘤、間皮瘤、血液惡性腫瘤。
如請求項13所述之用途，其中該腫瘤疾病是非小細胞肺癌。
一種減輕或預防設備性能缺陷之方法，該方法包括： <br/>藉由接收多個感測器裝置所生成的感測器讀數，在設備的使用時間段內監測與該設備相關聯的一個或多個參數來確定該一個或多個參數的值； <br/>計算系統經由(i)對該等感測器讀數應用降維技術及(ii)使用以降低的維度所訓練之分類模型來處理該一個或多個參數的值，藉此確定該設備的性能分類； <br/>由該計算系統將該性能分類映射到減輕或預防行動；以及 <br/>由該計算系統生成指示該減輕或預防行動的輸出。
如請求項1所述之方法，其中： <br/>該分類模型被配置成對於一組給定參數值輸出多個可用分類中的一個，該多個可用分類包括 (i) 指示不推薦減輕或預防行動的分類和 (ii) 指示推薦減輕或預防行動的一個或多個其他分類；並且 <br/>確定該性能分類包括由該分類模型輸出該一個或多個其他分類中的一個分類。
如請求項2所述之方法，其中該一個或多個其他分類包括各自對應於與該設備的缺陷性能相關聯的不同診斷或預測的多個分類。
如請求項1所述之方法，其中，該分類模型包括支持向量機（SVM）模型、決策樹模型或神經網路。
如請求項1所述之方法，其中，該設備包括該多個感測器裝置。
如請求項1所述之方法，其中，該多個感測器裝置包括 (i) 一個或多個溫度感測器和 (ii) 一個或多個壓力感測器中的一者或兩者。
如請求項1所述之方法，其中，將該性能分類映射到該減輕或預防行動包括：確定資料庫中的哪個行動與該性能分類相對應，該資料庫包含針對與該設備相關聯的已知情景的已知減輕或預防行動。
如請求項1所述之方法，其中，生成指示該減輕或預防行動的輸出包括經由顯示器將該輸出呈現給使用者。
如請求項1所述之方法，進一步包括，在確定與該設備相關聯的該一個或多個參數的值之前： <br/>使用 (i) 該一個或多個參數的多組歷史值和 (ii) 多個相應標籤來訓練該分類模型。
如請求項9所述之方法，進一步包括，在確定該設備的性能分類之後： <br/>由該計算系統接收使用者指派的標籤，該使用者指派的標籤表示對該一個或多個參數的值的人工分類；以及 <br/>使用 (i) 該一個或多個參數的值和 (ii) 該使用者指派的標籤來進一步訓練該分類模型。
如請求項1所述之方法，其中： <br/>該設備包括罐和一個或多個溫度感測器； <br/>監測該一個或多個參數包括由該計算系統接收該一個或多個溫度感測器所生成的感測器讀數； <br/>該分類模型被配置成對於一組給定參數值輸出多個可用分類中的一個，該多個可用分類包括 (i) 指示不推薦減輕或預防行動的分類和 (ii) 各自對應於與該設備的缺陷性能相關聯的不同診斷或預測的多個其他分類； <br/>該多個其他分類包括以下中的一者或多者：(i) 與溫度掉線相對應的一個或多個分類，(ii) 與溫度振盪相對應的一個或多個分類，或者 (iii) 與溫度超調相對應的一個或多個分類；並且 <br/>確定該性能分類包括該分類模型輸出該多個其他分類中的一個分類。
一種用於減輕或預防設備性能缺陷的系統，該系統包括： <br/>計算系統，該計算系統具有一個或多個處理器和一個或多個非暫態電腦可讀介質，該一個或多個非暫態電腦可讀介質存儲指令，該等指令在由該一個或多個處理器執行時使得該計算系統 <br/>藉由接收多個感測器裝置所生成的感測器讀數，在設備的使用時間段內監測與該設備相關聯的一個或多個參數來確定該一個或多個參數的值， <br/>藉由(i)對該等感測器讀數應用降維技術及(ii)使用以降低的維度所訓練之分類模型來處理該一個或多個參數的值，從而確定該設備的性能分類， <br/>將該性能分類映射到減輕或預防行動，以及 <br/>生成指示該減輕或預防行動的輸出。
如請求項12所述之系統，其中： <br/>該分類模型被配置成對於一組給定參數值輸出多個可用分類中的一個，該多個可用分類包括 (i) 指示不推薦減輕或預防行動的分類和 (ii) 指示推薦減輕或預防行動的一個或多個其他分類；並且 <br/>確定該性能分類包括由該分類模型輸出該一個或多個其他分類中的一個分類。
如請求項13所述之系統，其中該一個或多個其他分類包括各自對應於與該設備的缺陷性能相關聯的不同診斷或預測的多個分類。
如請求項12所述之系統，其中，該分類模型包括支持向量機（SVM）模型、決策樹模型或神經網路。
如請求項12所述之系統，其中： <br/>該設備包括該多個感測器裝置。
如請求項16所述之系統，其中，該多個感測器裝置包括 (i) 一個或多個溫度感測器和 (ii) 一個或多個壓力感測器中的一者或兩者。
如請求項12所述之系統，其中，將該性能分類映射到該減輕或預防行動包括：確定資料庫中的哪個行動與該性能分類相對應，該資料庫包含針對與該設備相關聯的已知情景的已知減輕或預防行動。
如請求項12所述之系統，進一步包括： <br/>顯示器， <br/>其中，生成指示該減輕或預防行動的輸出包括經由該顯示器將該輸出呈現給使用者。
一種半導體封裝，包括： <br/>重佈線層，具有晶粒貼合區； <br/>多個半導體晶粒，設置在所述重佈線層的頂表面上，設置在所述晶粒貼合區內，且與所述重佈線層電連接； <br/>多個導電連接件，設置在所述多個半導體晶粒與所述重佈線層之間，且與所述多個半導體晶粒及所述重佈線層物理連接及電連接； <br/>多個虛設凸塊，在所述重佈線層的所述頂表面上設置在所述多個導電連接件旁邊及所述多個半導體晶粒下方；以及 <br/>底部填充膠，設置在所述多個半導體晶粒與所述重佈線層之間，且夾置在所述多個虛設凸塊與所述多個半導體晶粒之間， <br/>其中所述多個虛設凸塊是電浮動的，且所述多個虛設凸塊與所述底部填充膠接觸而不接觸所述多個半導體晶粒，其中所述多個虛設凸塊在分佈跨度內分佈，且所述分佈跨度與所述晶粒貼合區局部地交疊，以及 <br/>其中所述底部填充膠完全覆蓋所述多個半導體晶粒中的所述一者的至少一朝外側壁且不覆蓋所述多個半導體晶粒中的所述一者的頂表面，以及所述底部填充膠從所述多個半導體晶粒中的所述一者的所述至少一朝外側壁向外延伸至位於所述晶粒貼合區之外的所述多個虛設凸塊中的最外虛設凸塊。
如請求項1所述的半導體封裝，其中所述分佈跨度與所述多個半導體晶粒在所述重佈線層的所述頂表面上的垂直投影局部地交疊。
如請求項1所述的半導體封裝，其中所述設置虛設凸塊直接位於所述重佈線層的介電層上。
一種封裝結構，包括： <br/>第一晶粒與第二晶粒，並排佈置，其中所述第一晶粒具有第一高度，且所述第二晶粒具有小於所述第一高度的第二高度； <br/>電路基底，設置在所述第一晶粒及所述第二晶粒下方，且與所述第一晶粒及所述第二晶粒電連接； <br/>重佈線層，設置在所述第一晶粒及所述第二晶粒與所述電路基底之間，其中所述重佈線層具有晶粒貼合區，所述第一晶粒及所述第二晶粒設置在所述重佈線層的第一側上且設置在所述晶粒貼合區內，且所述重佈線層與所述第一晶粒及所述第二晶粒通過其間的多個連接件電連接； <br/>多個虛設凸塊，設置在所述重佈線層的所述第一側上，且與所述第一晶粒及所述第二晶粒間隔開，其中所述多個虛設凸塊與所述第一晶粒及所述第二晶粒電斷接；以及 <br/>底部填充膠，設置在所述第一晶粒、所述第二晶粒及所述重佈線層之間，且填充在所述重佈線層之位於所述第一側上的頂表面、所述多個虛設凸塊與所述第一晶粒及所述第二晶粒之間， <br/>其中所述多個虛設凸塊在分佈跨度內分佈，且所述分佈跨度與所述晶粒貼合區局部地交疊，以及從所述第一晶粒的朝外側壁向外延伸至所述重佈線層的所述頂表面的所述底部填充膠具有第三高度，所述第三高度大於所述第二高度，且與所述第一高度實質上相同，以及所述底部填充膠從所述第一晶粒的所述朝外側壁向外延伸，以到達並覆蓋位於所述晶粒貼合區之外的所述多個虛設凸塊。
如請求項4所述的封裝結構，其中直接位於所述第一晶粒或所述第二晶粒下方的所述多個虛設凸塊位於所述晶粒貼合區中，且位於所述晶粒貼合區之外的所述多個虛設凸塊沿著所述晶粒貼合區的外圍佈置。
如請求項4所述的封裝結構，其中所述多個虛設凸塊環繞所述多個連接件佈置，且從俯視圖來看，所述多個虛設凸塊的所述分佈跨度呈環狀。
一種用於封裝結構的製造方法，包括： <br/>形成具有交替堆疊的多個介電層與多個導電層且具有晶粒貼合區的重佈線層； <br/>在所述重佈線層的頂表面上形成多個導電凸塊及多個虛設凸塊； <br/>提供具有多個連結部分的多個半導體晶粒； <br/>將所述多個半導體晶粒設置到所述重佈線層上且所述晶粒貼合區內，且將所述多個連結部分與所述重佈線層的所述頂表面上的所述多個導電凸塊對準； <br/>通過將所述多個導電凸塊與所述多個連結部分連結來將所述多個半導體晶粒接合到所述重佈線層，以使得所述多個半導體晶粒電連接到所述重佈線層；以及 <br/>在所述多個半導體晶粒與所述重佈線層之間及所述多個半導體晶粒與所述多個虛設凸塊之間分配底部填充膠，其中所述多個虛設凸塊在分佈跨度內分佈，且所述分佈跨度與所述晶粒貼合區局部地交疊， <br/>其中所述底部填充膠完全覆蓋所述多個半導體晶粒中的所述一者的至少一朝外側壁且不覆蓋所述多個半導體晶粒中的所述一者的頂表面，以及所述底部填充膠從所述多個半導體晶粒中的所述一者的所述至少一朝外側壁向外延伸至位於所述晶粒貼合區之外的所述多個虛設凸塊中的最外虛設凸塊。
如請求項7所述的用於封裝結構的製造方法，其中在所述重佈線層的所述頂表面上形成所述多個導電凸塊及所述多個虛設凸塊包括通過電鍍形成多個微凸塊。
一種計算系統，包括：<br/> 一深度感測器，包括複數個像素，每個像素被配置為感測光；<br/> 一照明源，被配置為輸出光；<br/> 一邏輯機器；及<br/> 一儲存機器，保存可由該邏輯機器執行的指令，以控制該照明源在兩個或更多個調變頻率下輸出調幅光，並對該複數個像素中的每個像素：<br/> 進行兩個或更多個相位量測，每個相位量測對應於該兩個或更多個調變頻率中的一不同調變頻率，<br/> 至少基於該兩個或更多個相位量測，透過從一參考相位向量產生一雜訊相位向量決定一相序集系列<img align="absmiddle" height="20px" width="70px" file="ed10151.jpg" alt="ed10151.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，並根據下式從該雜訊相位向量計算相序向量：<br/><img align="absmiddle" height="30px" width="72px" file="ed10165.jpg" alt="ed10165.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中<img align="absmiddle" height="20px" width="8px" file="ed10140.jpg" alt="ed10140.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是該相序集系列的一相序集，而<img align="absmiddle" height="20px" width="7px" file="ed10137.jpg" alt="ed10137.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(d)是該雜訊相位向量，每個相序集包括該兩個或更多個頻率中的每個頻率下的一相序，<br/> 透過將該相序集系列與表示相位隨距離的一演變的一線進行比較，來決定一最可能的相序集，及<br/> 基於該最可能的相序集，決定與該像素相關聯的一距離值。
如請求項1所述的計算系統，其中該等指令可執行以透過為沿著該參考相位向量的複數個點中的每一點添加隨機雜訊，來產生該雜訊相位向量。
如請求項1所述的計算系統，其中該等指令可執行以透過添加包括一與頻率相關的方差的各向異性雜訊，來產生該雜訊相位向量。
如請求項1所述的計算系統，其中該兩個或更多個調變頻率包括K個調變頻率，其中該等指令可執行以進行對應於該K個調變頻率的K個相位量測，且其中該線是一K維空間中的一頻率向量，該頻率向量包括K個調變頻率。
如請求項4所述的計算系統，其中該等指令可執行以透過選擇使該頻率向量與包括一相序集的一第二向量之間的一角度的一餘弦增至最大的一相序集，來決定該最可能的相序集。
如請求項4所述的計算系統，其中該等指令可執行以透過選擇使表示該相序的一點與該頻率向量之間的一距離減至最小的一相序集，來決定該最可能的相序集。
如請求項6所述的計算裝置，其中根據下式計算距離：<br/><img align="absmiddle" height="17px" width="184px" file="ed10167.jpg" alt="ed10167.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中<img align="absmiddle" height="20px" width="12px" file="ed10153.jpg" alt="ed10153.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是該距離，<img align="absmiddle" height="20px" width="10px" file="ed10141.jpg" alt="ed10141.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是該相位量測的一總相位，<img align="absmiddle" height="20px" width="2px" file="ed10136.jpg" alt="ed10136.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是包括該等調變頻率的一頻率向量的一斜率，而<img align="absmiddle" height="20px" width="6px" file="ed10155.jpg" alt="ed10155.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是對應於一投影相位點<img align="absmiddle" height="20px" width="9px" file="ed10157.jpg" alt="ed10157.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>的一參數。
如請求項6所述的計算系統，其中該頻率數量是3或7，且其中該距離根據下式計算：<br/><img align="absmiddle" height="14px" width="186px" file="ed10169.jpg" alt="ed10169.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中<img align="absmiddle" height="20px" width="12px" file="ed10153.jpg" alt="ed10153.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是該平方距離，<img align="absmiddle" height="20px" width="10px" file="ed10141.jpg" alt="ed10141.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是該相位量測的一總相位，而<img align="absmiddle" height="20px" width="2px" file="ed10136.jpg" alt="ed10136.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是包括該等調變頻率的一頻率向量的一斜率。
一種裝置，係對基板處理室進行基板的搬送，該基板處理室，係進行基板的處理，該裝置，其特徵係，具備有： <br/> 基板搬送室，具有地面部與側壁部，該地面部，係設置有第1磁石，該側壁部，係與前述基板處理室連接，並形成有在與該基板處理室之間進行基板的搬入搬出之開口部；及 <br/> 基板搬送模組，具備有保持前述基板的基板保持部及排斥力作用於與前述第1磁石之間的第2磁石，並被構成為可藉由使用了前述排斥力的磁懸浮，在前述基板搬送室內移動， <br/> 前述基板搬送模組，係被構成為當在前述基板搬送室內固定設置有基板搬送機構的情況下，在與該基板搬送機構之間收授基板，該基板搬送機構，係用以經由前述開口部，在與該前述基板處理室之間進行基板的搬入搬出， <br/> 並具備有：基板收授部，被設置於前述基板搬送室內，暫時載置在前述基板搬送模組與前述基板搬送機構之間所收授的基板， <br/> 前述基板搬送機構，係被構成為伸縮自如及繞垂直軸旋轉自如的基板搬送臂， <br/>在夾著前述基板搬送臂而設置之前述基板搬送室的兩個側壁部，係以夾著該基板搬送臂且彼此對向的方式，分別設置有前述開口部，並沿著該些開口部與基板搬送臂之排列，配置有複數個前述基板收授部。
如請求項1之裝置，其中， <br/> 前述基板收授部，係具備有：載置部，載置基板；及基板收授部側之磁石，排斥力作用於與前述第1磁石之間，在被保持於前述基板搬送模組的情況下與在被保持於前述基板搬送機構的情況下，為了變更前述基板之朝向，被構成為藉由使用了前述排斥力的磁懸浮，在前述基板搬送室內繞垂直軸旋轉自如。
如請求項1之裝置，其中， <br/> 前述基板搬送室，係具備有：頂面部，設置有第3磁石， <br/> 並具備有：處理模組，設置有引力作用於與前述第3磁石之間的第4磁石，進行前述基板搬送室之內部或基板的處理， <br/> 前述處理模組，係被構成為可藉由使用了前述引力的磁吸引，在前述基板搬送室內移動。
如請求項3之裝置，其中， <br/> 前述處理模組，係氣體吐出模組，該氣體吐出模組，係為了朝向前述基板搬送室內之基板形成清淨氣體的下降氣流，從而將氣體經由被設置於處理模組之下面的氣體供給孔吐出至前述基板搬送室內。
如請求項1之裝置，其中， <br/> 前述基板搬送模組，係具備有：連結機構，與其他基板搬送模組連結。
如請求項1之裝置，其中，具備有： <br/> 收納室，被連接於前述基板搬送室，收納前述基板搬送模組。
如請求項1之裝置，其中， <br/> 前述基板搬送模組，係被構成為除了前述基板的搬送以外，另可進行被設置於前述基板搬送室內或前述基板處理室內之零件的搬送。
如請求項1之裝置，其中， <br/> 前述基板搬送模組，係被構成為在內部設置有前述第2磁石的圓板狀，且該圓板的上面成為前述基板保持部。
如請求項1之裝置，其中， <br/> 前述基板搬送模組，係具備有：本體部，在內部設置有前述第2磁石；及臂部，從該本體部朝向側方延伸，並在其前端部設置有構成前述基板保持部的叉架。
如請求項9之裝置，其中， <br/> 前述基板搬送模組，係在使前述本體部仍位於前述基板搬送室內的狀態下，藉由將前述臂部經由前述開口部插入前述基板處理室的方式，進行前述基板之搬入搬出。
如請求項10之裝置，其中， <br/> 前述基板搬送室，係在俯視下呈細長矩形狀，且被構成為前述矩形之短邊方向的長度比保持了前述基板的狀態之前述基板搬送模組的全長短，並且，在基板搬送室，係設置有「用以在使前述臂部經由前述開口部插入、退出基板處理室時，一邊進行折返動作，一邊轉換前述基板搬送模組之方向」的空間。
如請求項1之裝置，其中， <br/> 前述基板搬送模組，係具備有：本體部，在內部設置有前述第2磁石；及支柱部，以從該本體部之上面朝向上方突出的方式延伸，並在其上面形成有構成前述基板保持部的基板保持面。
如請求項12之裝置，其中， <br/> 前述支柱部，係被構成為直徑比前述基板小， <br/> 藉由在地面部設置有前述第1磁石的方式，在前述基板搬送模組可移動之區域設置感測器部，該感測器部，係藉由前述支柱部予以支撐，光學性地檢測位於比前述支柱部更外方之基板的周緣部， <br/> 前述基板搬送模組，係被構成為移動至可藉由前述感測器部檢測被保持於前述基板保持面的基板之周緣部的位置，並使前述本體部繞通過前述基板之中心的中心軸旋轉，藉此，進行前述基板之對準。
如請求項13之裝置，其中， <br/> 前述基板搬送室，係被構成為在真空氛圍下進行基板的搬送， <br/> 在與「前述基板搬送室的側壁部之形成有用以連接前述基板處理室的開口部」之位置不同的位置，係連接有裝載鎖定室，該裝載鎖定室，係被構成為使內部的壓力於常壓與真空切換自如，並暫時配置有在與前述基板搬送室之間所搬入搬出的基板， <br/> 前述裝載鎖定室，係具備有「藉由在地面部設置有前述第1磁石的方式，前述基板搬送模組可移動」的區域與被設置於該區域之前述感測器部及對準用的前述基板搬送模組， <br/> 在使前述裝載鎖定室內之壓力於常壓與真空切換的期間中，對被搬入至該裝載鎖定室內的基板進行前述對準。
如請求項1之裝置，其中， <br/> 前述基板搬送模組，係具備有自我診斷故障的功能。
如請求項1之裝置，其中，具備有： <br/> 攝像模組，具備了拍攝設置有前述第1磁石之移動區域的攝像機，具備有排斥力作用於與前述第1磁石之間的攝像模組用之磁石，並被構成為可藉由使用了前述排斥力的磁懸浮移動。
一種處理基板之系統，其特徵係，具備有： <br/> 如請求項1～16中任一項之進行基板搬送的裝置；及 <br/> 複數個基板處理室，經由側壁部所形成的複數個前述開口部被連接於前述基板搬送室。
一種方法，係處理被搬送至基板處理室的基板，該方法，其特徵係，包含有： <br/> 「被收容於基板搬送室(該基板搬送室，係具有：地面部，設置有第1磁石；及側壁部，與前述基板處理室連接，並形成有在與該基板處理室之間進行基板的搬入搬出之開口部)內，使用基板搬送模組(該基板搬送模組，係具備有保持前述基板的基板保持部及排斥力作用於與前述第1磁石之間的第2磁石，並被構成為可藉由使用了前述排斥力的磁懸浮，在前述基板搬送室內移動)，當在前述基板搬送室內固定設置有基板搬送機構(該基板搬送機構，係用以經由前述開口部，在與前述基板處理室之間進行基板的搬入搬出)的情況下，在與該基板搬送機構之間收授基板後，藉由前述基板搬送機構，將基板搬入至前述基板處理室內」的工程；及 <br/> 「然後，在前述基板處理室內處理前述基板」的工程， <br/> 實施以下工程：使用「被設置於前述基板搬送室內，暫時載置在前述基板搬送模組與前述基板搬送機構之間所收授的基板」的基板收授部與「作為前述基板搬送機構，被構成為伸縮自如及繞垂直軸旋轉自如」的基板搬送臂，經由「在夾著前述基板搬送臂而設置之前述基板搬送室的兩個側壁部，以夾著該基板搬送臂且彼此對向的方式，分別設置有前述開口部，並沿著該些開口部與基板搬送臂之排列而配置」的複數個前述基板收授部，將基板搬入至前述基板處理室內。
一種鑄模，其適於成型一小零件且包含：一框架（310），其適於安裝於一壓機之壓板（101、102）上，該框架（310）包含適於接納一插入件（350）之一外殼；該插入件（350），其經建構以裝配至該框架（310）中且包含用於包含待成型之該零件之一成型表面（121、122）的一模具之一外殼；用於加熱該模具之一裝置，該裝置包含由對感應加熱敏感之一材料所製成的一銷（131、132），該銷（131、132）安裝於該插入件（350）中，其末端中之一者與該模具接觸，該成型表面（121、122）實質上相對於該銷（131、132）居中；一線圈（141、142），其由一導電材料所製成且包圍該銷（131、132），該線圈（141、142）連接至高頻交流電之一產生器（151、152），使得當該線圈（141、142）被供電時，該線圈（141、142）在該銷（131、132）中產生藉由感應加熱該銷（131、132）之一感應電流，該銷（131、132）將熱量傳輸至該模具，且其中該銷（131、132）之外徑（235）大於或等於該成型表面（121、122）之外徑。
如請求項1之鑄模，其中該框架（310）包含用於冷卻該插入件（350）及該模具之一熱量交換流體之循環的至少一個迴路（171、172）。
如請求項2之鑄模，其中該框架（310）及該插入件（350）包含個別冷卻迴路。
如請求項3之鑄模，其中該插入件之該冷卻迴路包含用於一熱量交換流體之該循環之管道（440）。
如請求項4之鑄模，其中該管道（440）包含一擋板（445、445<sub>1</sub>、445<sub>2</sub>）。
如請求項1之鑄模，其包含一熱電偶（161、162），該熱電偶（161、162）安裝於該銷（131、132）內部且該熱電偶（161、162）之熱熔接部分接近該銷（131、132）之該末端定位。
如請求項1之鑄模，其中定界該成型表面（121、122）之外部覆蓋區之一周邊（225）的該外徑小於5 mm。
如請求項7之鑄模，其中該線圈（141、142）由銅製成，且包含包圍該銷（131、132）之一第二零件（232）的一環形零件（241）及用於將其連接至高頻交流電之分支（242），且該等分支及該環形零件之橫截面（245）小於或等於10 mm<sup>2</sup>。
如請求項1之鑄模，其中該模具包含承載該成型表面（121、122）且由對感應加熱敏感之一鋼製成的一成型零件（221）及由高熱擴散率之一材料製成的一技術零件。
如請求項9之鑄模，其中該模具之該成型零件的該成型表面（121、122）由鎳製成。
一種如請求項10之鑄模的用途，其係在一塑膠射出成型壓機上用於大量生產微型相機鏡頭。
如請求項11之鑄模的用途，其中該鏡頭之厚度在0.1 mm與0.3 mm之間。
一種對視頻資料進行解碼的方法，所述方法包括： <br/>決定將使用角度幀內預測模式來預測視頻資料的當前區塊； <br/>決定所述當前區塊的將用於根據所述角度幀內預測模式的角度來產生用於所述當前區塊的預測區塊並且將被上採樣的相鄰樣本； <br/>根據公式來計算所述預測區塊的預測樣本的值，所述公式對將用於產生所述預測區塊的所述相鄰樣本聯合地上採樣並且產生所述預測樣本的值，其中，計算所述預測樣本的值包括：對於所述預測區塊的每個所述預測樣本： <br/>根據idxX= (j＜＜6) + ( i + 1 ) * dx來計算索引X值，其中，j表示用於當前樣本的列位置值，“＜＜”表示按位元左移運算符，i表示用於所述當前樣本的行位置值，並且dx表示根據所述角度幀內預測模式的所述角度的水平位置純量值； <br/>根據baseX = (idxX ＞＞ (6 - upsampleAbove))來計算基X值，其中，upsampleAbove表示指示是否將根據對將用於產生所述預測區塊並且將被上採樣的所述相鄰樣本的所述決定來對所述上方相鄰樣本進行上採樣的值，且“＞＞”表示按位元右移運算符； <br/>當baseX大於或等於 -(1＜＜upsampleAbove)： <br/>根據shiftX = ((idxX ＜＜ upsampleAbove) ＞＞ 1) & 0x1F來計算移位X值，其中，“＞＞”表示按位元右移運算符，並且“&”表示按位元AND運算符；以及 <br/>使用所述基X值和所述移位X值來計算所述預測區塊中的位置(i, j)處的所述預測樣本的值；或者 <br/>當baseX小於 -(1＜＜upsampleAbove)： <br/>根據idxY = (i＜＜6) + ( j + 1 ) * dy的值來計算索引Y值，其中，dy表示根據所述角度幀內預測模式的所述角度的垂直位置純量值； <br/>根據baseY = (idxY ＞＞ (6 - upsampleLeft))來計算基Y值，其中，upsampleLeft表示指示是否將根據對將用於產生所述預測區塊並且將被上採樣的所述相鄰樣本的所述決定來對所述左側相鄰樣本進行上採樣的值； <br/>根據shiftY = ((idxY ＜＜ upsampleLeft) ＞＞ 1) & 0x1F來計算移位Y值，其中，“＞＞”表示按位元右移運算符，並且“&”表示按位元AND運算符；以及 <br/>使用所述基Y值和所述移位Y值來計算所述預測區塊中的位置(i, j)處的所述預測樣本的值；以及 <br/>使用所述預測區塊來解碼所述當前區塊。
根據請求項1所述的方法，其中，計算用於所述預測區塊的所述預測樣本的值進一步包括： <br/>使用所述當前區塊的上方相鄰樣本來執行對所述預測樣本的值的頂部相鄰路徑計算，包括：對於所述預測區塊的每個所述預測樣本： <br/>計算所述索引X值idxX； <br/>根據maxBaseX = (w + h – 1) ＜＜ upsampleAbove來計算最大基X值，其中，w表示所述當前區塊的寬度，且h表示所述當前區塊的高度； <br/>計算所述基X值；以及 <br/>計算所述移位X值； <br/>使用所述當前區塊的左側相鄰樣本來執行所述預測樣本的值的左側相鄰路徑計算，包括：對於所述預測區塊的每個所述預測樣本： <br/>計算所述索引Y值idxY； <br/>根據maxBaseY = (w + h – 1) ＜＜ upsampleLeft來計算最大基Y值； <br/>計算所述基Y值；以及 <br/>計算所述移位Y值；以及 <br/>對於所述預測區塊的每個所述預測樣本： <br/>根據base = (baseX ＞= -(1＜＜upsampleAbove)) ? baseX : baseY來計算基位置值； <br/>根據shift = (baseX ＞= -(1＜＜upsampleAbove)) ? shiftX : shiftY來計算移位值；以及 <br/>使用所述基位置值和所述移位值來計算所述預測區塊中的位置(i, j)處的所述預測樣本的值。
根據請求項2所述的方法，其中，計算位置(i, j)處的所述預測樣本的值包括： <br/>根據位置(i, j)處的所述預測樣本的所述基位置值來決定四個鄰近樣本；以及 <br/>使用所述四個鄰近樣本來計算所述預測樣本的值。
根據請求項3所述的方法， <br/>其中，決定所述四個鄰近樣本包括：將所述四個鄰近樣本決定為包括所述基位置值減1處的p1、所述基位置處的p2、所述基位置值加1處的p3以及所述基位置值加2處的p4，並且 <br/>其中，使用所述四個鄰近樣本來計算所述預測樣本的值包括： <br/>根據以下各項來計算值refpix_a： <br/>當所述基值為奇數時，refpix_a等於(9*(p1+p2) – (p0+p3))，或者 <br/>當所述基值為偶數時，refpix_a等於p1； <br/>根據以下各項來計算值refpix_b： <br/>當所述基值為奇數時，refpix_b等於p2，或者 <br/>當所述基值為偶數時，refpix_b等於(9*(p1+p2) – (p0+p3))；以及 <br/>根據以下方程式來計算位置(i, j)處的所述預測樣本的值（pred[i][j]）：pred[i][j] = Clip(0, max_pixel_value, Round2( refpix_a * ( 32 - shift ) + refpix_b * shift, 5 ))。
根據請求項1所述的方法，還包括：在解碼所述當前區塊之前使用所述預測區塊對所述當前區塊進行編碼。
一種用於對視頻資料進行解碼的設備，所述設備包括： <br/>記憶體，其被配置為儲存視頻資料；以及 <br/>一個或多個處理器，其在電路中實現並且被配置為： <br/>決定將使用角度幀內預測模式來預測所述視頻資料的當前區塊； <br/>決定所述當前區塊的將用於根據所述角度幀內預測模式的角度來產生用於所述當前區塊的預測區塊並且將被上採樣的相鄰樣本； <br/>根據公式來計算所述預測區塊的預測樣本的值，所述公式對將用於產生所述預測區塊的所述相鄰樣本聯合地上採樣並且產生所述預測樣本的值，其中，為了計算所述預測樣本的值，所述一個或多個處理器被配置為：對於所述預測區塊的每個所述預測樣本： <br/>根據idxX= (j＜＜6) + ( i + 1 ) * dx來計算索引X值，其中，j表示用於當前樣本的列位置值，“＜＜”表示按位元左移運算符，i表示用於所述當前樣本的行位置值，並且dx表示根據所述角度幀內預測模式的所述角度的水平位置純量值； <br/>根據baseX = (idxX ＞＞ (6 - upsampleAbove))來計算基X值，其中，upsampleAbove表示指示是否將根據對將用於產生所述預測區塊並且將被上採樣的所述相鄰樣本的所述決定來對所述上方相鄰樣本進行上採樣的值，且“＞＞”表示按位元右移運算符； <br/>當baseX大於或等於 -(1＜＜upsampleAbove)： <br/>根據shiftX = ((idxX ＜＜ upsampleAbove) ＞＞ 1) & 0x1F來計算移位X值，其中，“＞＞”表示按位元右移運算符，並且“&”表示按位元AND運算符；以及 <br/>使用所述基X值和所述移位X值來計算所述預測區塊中的位置(i, j)處的所述預測樣本的值；或者 <br/>當baseX小於-(1＜＜upsampleAbove)： <br/>根據idxY = (i＜＜6) + ( j + 1 ) * dy的值來計算索引Y值，其中，dy表示根據所述角度幀內預測模式的所述角度的垂直位置純量值； <br/>根據baseY = (idxY ＞＞ (6 - upsampleLeft))來計算基Y值，其中，upsampleLeft表示指示是否將根據對將用於產生所述預測區塊並且將被上採樣的所述相鄰樣本的所述決定來對所述左側相鄰樣本進行上採樣的值； <br/>根據shiftY = ((idxY ＜＜ upsampleLeft) ＞＞ 1) & 0x1F來計算移位Y值，其中，“＞＞”表示按位元右移運算符，並且“&”表示按位元AND運算符；以及 <br/>使用所述基Y值和所述移位Y值來計算所述預測區塊中的位置(i, j)處的所述預測樣本的值；以及 <br/>使用所述預測區塊來解碼所述當前區塊。
根據請求項6所述的設備，其中，為了計算所述預測區塊的所述預測樣本的值，所述一個或多個處理器被配置為： <br/>使用所述當前區塊的上方相鄰樣本來執行對所述預測樣本的值的頂部相鄰路徑計算，包括：對於所述預測區塊的每個所述預測樣本： <br/>計算所述索引X值idxX； <br/>根據maxBaseX = (w + h – 1) ＜＜ upsampleAbove來計算最大基X值，其中，w表示所述當前區塊的寬度，且h表示所述當前區塊的高度； <br/>計算所述基X值；以及 <br/>計算所述移位X值； <br/>使用所述當前區塊的左側相鄰樣本來執行所述預測樣本的值的左側相鄰路徑計算，包括：對於所述預測區塊的每個所述預測樣本進行以下操作： <br/>計算所述索引Y值idxY； <br/>根據maxBaseY = (w + h – 1) ＜＜ upsampleLeft來計算最大基Y值； <br/>計算所述基Y值；以及 <br/>計算所述移位Y值；以及 <br/>對於所述預測區塊的每個所述預測樣本： <br/>根據base = (baseX ＞= -(1＜＜upsampleAbove)) ? baseX : baseY來計算基位置值； <br/>根據shift = (baseX ＞= -(1＜＜upsampleAbove)) ? shiftX : shiftY來計算移位值；以及 <br/>使用所述基值和所述移位值來計算所述預測區塊中的位置(i, j)處的所述預測樣本的值。
根據請求項7所述的設備，其中，為了計算位置(i, j)處的所述預測樣本的值，所述一個或多個處理器被配置為： <br/>根據位置(i, j)處的所述預測樣本的所述基位置值來決定四個鄰近樣本；以及 <br/>使用所述四個鄰近樣本來計算所述預測樣本的值。
根據請求項8所述的設備， <br/>其中，所述一個或多個處理器被配置為：將所述四個鄰近樣本決定為包括所述基位置值減1處的p1、所述基位置處的p2、所述基位置值加1處的p3以及所述基位置值加2處的p4，以及 <br/>其中，為了使用所述四個鄰近樣本來計算所述預測樣本的值，所述一個或多個處理器被配置為： <br/>根據以下各項來計算值refpix_a： <br/>當所述基值為奇數時，refpix_a等於(9*(p1+p2) – (p0+p3))，或者 <br/>當所述基值為偶數時，refpix_a等於p1； <br/>根據以下各項來計算值refpix_b： <br/>當所述基值為奇數時，refpix_b等於p2，或者 <br/>當所述基值為偶數時，refpix_b等於(9*(p1+p2) – (p0+p3))；以及 <br/>根據以下方程式來計算位置(i, j)處的所述預測樣本的值（pred[i][j]）：pred[i][j] = Clip(0, max_pixel_value, Round2( refpix_a * ( 32 - shift ) + refpix_b * shift, 5 ))。
根據請求項6所述的設備，其中，所述一個或多個處理器被配置為：在解碼所述當前區塊之前使用所述預測區塊對所述當前區塊進行編碼。
根據請求項6所述的設備，還包括：被配置為顯示所解碼的視頻資料的顯示器。
根據請求項6所述的設備，其中，所述設備包括相機、計算機、行動設備、廣播接收機設備或機上盒中的一者或多者。
一種具有儲存在其上的指令的非暫時性計算機可讀儲存媒體，所述指令在執行時使得用於對視頻資料進行解碼的設備的處理器進行以下操作： <br/>決定將使用角度幀內預測模式來預測視頻資料的當前區塊； <br/>決定所述當前區塊的將用於根據所述角度幀內預測模式的角度來產生用於所述當前區塊的預測區塊並且將被上採樣的相鄰樣本； <br/>根據公式來計算所述預測區塊的預測樣本的值，所述公式對將用於產生所述預測區塊的所述相鄰樣本聯合地上採樣並且產生所述預測樣本的值，其中，所述指令使得所述處理器計算所述預測樣本的值包括：使得所述處理器進行以下操作的指令：對於所述預測區塊的每個所述預測樣本： <br/>根據idxX= (j＜＜6) + ( i + 1 ) * dx來計算索引X值，其中，j表示用於當前樣本的列位置值，“＜＜”表示按位元左移運算符，i表示用於所述當前樣本的行位置值，並且dx表示根據所述角度幀內預測模式的所述角度的水平位置純量值； <br/>根據baseX = (idxX ＞＞ (6 - upsampleAbove))來計算基X值，其中，upsampleAbove表示指示是否將根據對將用於產生所述預測區塊並且將被上採樣的所述相鄰樣本的所述決定來對所述上方相鄰樣本進行上採樣的值，且“＞＞”表示按位元右移運算符； <br/>當baseX大於或等於 -(1＜＜upsampleAbove)： <br/>根據shiftX = ((idxX ＜＜ upsampleAbove) ＞＞ 1) & 0x1F來計算移位X值，其中，“＞＞”表示按位元右移運算符，並且“&”表示按位元AND運算符；以及 <br/>使用所述基X值和所述移位X值來計算所述預測區塊中的位置(i, j)處的所述預測樣本的值；或者 <br/>當所述baseX值小於 -(1＜＜upsampleAbove)： <br/>根據idxY = (i＜＜6) + ( j + 1 ) * dy的值來計算索引Y值，其中，dy表示根據所述角度幀內預測模式的所述角度的垂直位置純量值； <br/>根據baseY = (idxY ＞＞ (6 - upsampleLeft))來計算基Y值，其中，upsampleLeft表示指示是否將根據對將用於產生所述預測區塊並且將被上採樣的所述相鄰樣本的所述決定來對所述左側相鄰樣本進行上採樣的值； <br/>根據shiftY = ((idxY ＜＜ upsampleLeft) ＞＞ 1) & 0x1F來計算移位Y值，其中，“＞＞”表示按位元右移運算符，並且“&”表示按位元AND運算符；以及 <br/>使用所述基Y值和所述移位Y值來計算所述預測區塊中的位置(i, j)處的所述預測樣本的值；以及 <br/>使用所述預測區塊來解碼所述當前區塊。
根據請求項13所述的非暫時性計算機可讀儲存媒體，其中，使得所述處理器計算所述預測區塊的所述預測樣本的值的所述指令包括使得所述處理器進行以下操作的指令： <br/>使用所述當前區塊的上方相鄰樣本來執行對所述預測樣本的值的頂部相鄰路徑計算，包括：對於所述預測區塊的每個所述預測樣本： <br/>計算所述索引X值idxX； <br/>根據maxBaseX = (w + h – 1) ＜＜ upsampleAbove來計算最大基X值，其中，w表示所述當前區塊的寬度，且h表示所述當前區塊的高度； <br/>計算所述基X值；以及 <br/>計算所述移位X值； <br/>使用所述當前區塊的左側相鄰樣本來執行所述預測樣本的值的左側相鄰路徑計算，包括：對於所述預測區塊的每個所述預測樣本： <br/>計算所述索引Y值idxY； <br/>根據maxBaseY = (w + h – 1) ＜＜ upsampleLeft來計算最大基Y值； <br/>計算所述基Y值；以及 <br/>根據shiftY = ( (idxY ＜＜ upsampleLeft) ＞＞ 1 ) & 0x1F來計算所述移位Y值，其中，“＞＞”表示按位元右移運算符，並且“&”表示按位元AND運算符；以及 <br/>對於所述預測區塊的每個所述預測樣本： <br/>根據base = (baseX ＞= -(1＜＜upsampleAbove)) ? baseX : baseY來計算基位置值； <br/>根據shift = (baseX ＞= -(1＜＜upsampleAbove)) ? shiftX : shiftY來計算移位值；以及 <br/>使用所述基值和所述移位值來計算所述預測區塊中的位置(i, j)處的預測樣本的值。
根據請求項14所述的非暫時性計算機可讀儲存媒體，其中，使得所述處理器計算位置(i, j)處的所述預測樣本的值的所述指令包括使得所述處理器進行以下操作的指令： <br/>根據位置(i, j)處的所述預測樣本的所述基位置值來決定四個鄰近樣本；以及 <br/>使用所述四個鄰近樣本來計算所述預測樣本的值。
根據請求項15所述的非暫時性計算機可讀儲存媒體， <br/>其中，使得所述處理器決定所述四個鄰近樣本的所述指令包括使得所述處理器進行以下操作的指令：將所述四個鄰近樣本決定為包括所述基位置值減1處的p1、所述基位置處的p2、所述基位置值加1處的p3以及所述基位置值加2處的p4，並且 <br/>其中，使得所述處理器使用所述四個鄰近樣本來計算所述預測樣本的值的所述指令包括使得所述處理器進行以下操作的指令： <br/>根據以下各項來計算值refpix_a： <br/>當所述基值為奇數時，refpix_a等於(9*(p1+p2) – (p0+p3))，或者 <br/>當所述基值為偶數時，refpix_a等於p1； <br/>根據以下各項來計算值refpix_b： <br/>當所述基值為奇數時，refpix_b等於p2，或者 <br/>當所述基值為偶數時，refpix_b等於(9*(p1+p2) – (p0+p3))；以及 <br/>根據以下方程式來計算位置(i, j)處的所述預測樣本的值（pred[i][j]）：pred[i][j] = Clip(0, max_pixel_value, Round2( refpix_a * ( 32 - shift ) + refpix_b * shift, 5 ))。
根據請求項13所述的非暫時性計算機可讀儲存媒體，還包括使得所述處理器進行以下操作的指令：在解碼所述當前區塊之前使用所述預測區塊對所述當前區塊進行編碼。
一種用於對視頻資料進行解碼的設備，所述設備包括： <br/>用於決定將使用角度幀內預測模式來預測所述視頻資料的當前區塊的構件； <br/>用於決定所述當前區塊的將用於根據所述角度幀內預測模式的角度來產生用於所述當前區塊的預測區塊並且將被上採樣的相鄰樣本的構件； <br/>用於根據公式來計算所述預測區塊的預測樣本的值的構件，所述公式對將用於產生所述預測區塊的所述相鄰樣本聯合地上採樣並且產生所述預測樣本的值，包括： <br/>用於根據idxX= (j＜＜6) + ( i + 1 ) * dx來計算索引X值的構件，其中，j表示用於當前樣本的列位置值，“＜＜”表示按位元左移運算符，i表示用於所述當前樣本的行位置值，並且dx表示根據所述角度幀內預測模式的所述角度的水平位置純量值； <br/>用於根據baseX = (idxX ＞＞ (6 - upsampleAbove))來計算基X值的構件，其中，upsampleAbove表示指示是否將根據對將用於產生所述預測區塊並且將被上採樣的所述相鄰樣本的所述決定來對所述上方相鄰樣本進行上採樣的值，且“＞＞”表示按位元右移運算符； <br/>當baseX大於或等於 -(1＜＜upsampleAbove)時，用於根據shiftX = ((idxX ＜＜ upsampleAbove) ＞＞ 1) & 0x1F來計算移位X值的構件，其中，“＞＞”表示按位元右移運算符，並且“&”表示按位元AND運算符； <br/>當baseX大於或等於 -(1＜＜upsampleAbove)時，用於使用所述基X值和所述移位X值來計算所述預測區塊中的位置(i, j)處的所述預測樣本的值的構件； <br/>當baseX小於 -(1＜＜upsampleAbove)時，用於根據idxY = (i＜＜6) + ( j + 1 ) * dy的值來計算索引Y值的構件，其中，dy表示根據所述角度幀內預測模式的所述角度的垂直位置純量值； <br/>當baseX小於 -(1＜＜upsampleAbove)時，用於根據baseY = (idxY ＞＞ (6 - upsampleLeft))來計算基Y值的構件，其中，upsampleLeft表示指示是否將根據對將用於產生所述預測區塊並且將被上採樣的所述相鄰樣本的所述決定來對所述左側相鄰樣本進行上採樣的值； <br/>當baseX小於 -(1＜＜upsampleAbove)時，用於根據shiftY = ((idxY ＜＜ upsampleLeft) ＞＞ 1) & 0x1F來計算移位Y值的構件，其中，“＞＞”表示按位元右移運算符，並且“&”表示按位元AND運算符；以及 <br/>當baseX小於 -(1＜＜upsampleAbove)時，用於使用所述基Y值和所述移位Y值來計算所述預測區塊中的位置(i, j)處的所述預測樣本的值的構件；以及 <br/>用於使用所述預測區塊來解碼所述當前區塊的構件。
根據請求項18所述的設備，其中，所述用於計算所述預測區塊的所述預測樣本的值的構件包括： <br/>用於使用所述當前區塊的上方相鄰樣本來執行對所述預測樣本的值的頂部相鄰路徑計算的構件，包括： <br/>所述用於計算所述索引X值的構件； <br/>用於根據maxBaseX = (w + h – 1) ＜＜ upsampleAbove來計算最大基X值的構件，其中，w表示所述當前區塊的寬度，且h表示所述當前區塊的高度； <br/>用於計算所述基X值的構件；以及 <br/>用於計算所述移位X值的構件； <br/>用於使用所述當前區塊的左側相鄰樣本來執行所述預測樣本的值的左側相鄰路徑計算的構件，包括： <br/>用於計算所述索引Y值idxY的構件； <br/>用於根據maxBaseY = (w + h – 1) ＜＜ upsampleLeft來計算最大基Y值的構件； <br/>用於計算所述基Y值的構件；以及 <br/>用於計算所述移位Y值的構件；以及 <br/>用於對於所述預測區塊的每個所述預測樣本，根據base = (baseX ＞= -(1＜＜upsampleAbove)) ? baseX : baseY來計算基位置值的構件； <br/>用於對於所述預測區塊的每個所述預測樣本，根據shift = (baseX ＞= -(1＜＜upsampleAbove)) ? shiftX : shiftY來計算移位值的構件；以及 <br/>用於對於所述預測區塊的每個所述預測樣本，使用所述基值和所述移位值來計算所述預測區塊中的位置(i, j)處的預測樣本的值的構件。
根據請求項19所述的設備，其中，所述用於計算位置(i, j)處的所述預測樣本的值的構件包括： <br/>用於根據位置(i, j)處的所述預測樣本的所述基位置值來決定四個鄰近樣本的構件；以及 <br/>用於使用所述四個鄰近樣本來計算所述預測樣本的值的構件。
根據請求項20所述的設備， <br/>其中，所述用於決定所述四個鄰近樣本的構件包括：用於將所述四個鄰近樣本決定為包括所述基位置值減1處的p1、所述基位置處的p2、所述基位置值加1處的p3以及所述基位置值加2處的p4的構件，並且 <br/>其中，所述用於使用所述四個鄰近樣本來計算所述預測樣本的值的構件包括： <br/>用於根據以下各項來計算值refpix_a的構件： <br/>當所述基值為奇數時，refpix_a等於(9*(p1+p2) – (p0+p3))，或者 <br/>當所述基值為偶數時，refpix_a等於p1； <br/>用於根據以下各項來計算值refpix_b的構件： <br/>當所述基值為奇數時，refpix_b等於p2，或者 <br/>當所述基值為偶數時，refpix_b等於(9*(p1+p2) – (p0+p3))；以及 <br/>用於根據以下方程式來計算位置(i, j)處的所述預測樣本的值（pred[i][j]）的構件：pred[i][j] = Clip(0, max_pixel_value, Round2( refpix_a * ( 32 - shift ) + refpix_b * shift, 5 ))。
根據請求項18所述的設備，還包括：用於在解碼所述當前區塊之前使用所述預測區塊對所述當前區塊進行編碼的構件。
一種對視頻資料進行編碼的方法，所述方法包括： <br/>決定將使用角度幀內預測模式來預測視頻資料的當前區塊； <br/>決定所述當前區塊的將用於根據所述角度幀內預測模式的角度來產生用於所述當前區塊的預測區塊並且將被上採樣的相鄰樣本； <br/>根據公式來計算所述預測區塊的預測樣本的值，所述公式對將用於產生所述預測區塊的所述相鄰樣本聯合地上採樣並且產生所述預測樣本的值，其中，計算所述預測樣本的值包括：對於所述預測區塊的每個所述預測樣本： <br/>根據idxX= (j＜＜6) + ( i + 1 ) * dx來計算索引X值，其中，j表示用於當前樣本的列位置值，“＜＜”表示按位元左移運算符，i表示用於所述當前樣本的行位置值，並且dx表示根據所述角度幀內預測模式的所述角度的水平位置純量值； <br/>根據baseX = (idxX ＞＞ (6 - upsampleAbove))來計算基X值，其中，upsampleAbove表示指示是否將根據對將用於產生所述預測區塊並且將被上採樣的所述相鄰樣本的所述決定來對所述上方相鄰樣本進行上採樣的值，且“＞＞”表示按位元右移運算符； <br/>當baseX大於或等於 -(1＜＜upsampleAbove)： <br/>根據shiftX = ((idxX ＜＜ upsampleAbove) ＞＞ 1) & 0x1F來計算移位X值，其中，“＞＞”表示按位元右移運算符，並且“&”表示按位元AND運算符；以及 <br/>使用所述基X值和所述移位X值來計算所述預測區塊中的位置(i, j)處的所述預測樣本的值；或者 <br/>當baseX小於 -(1＜＜upsampleAbove)： <br/>根據idxY = (i＜＜6) + ( j + 1 ) * dy的值來計算索引Y值，其中，dy表示根據所述角度幀內預測模式的所述角度的垂直位置純量值； <br/>根據baseY = (idxY ＞＞ (6 - upsampleLeft))來計算基Y值，其中，upsampleLeft表示指示是否將根據對將用於產生所述預測區塊並且將被上採樣的所述相鄰樣本的所述決定來對所述左側相鄰樣本進行上採樣的值； <br/>根據shiftY = ((idxY ＜＜ upsampleLeft) ＞＞ 1) & 0x1F來計算移位Y值，其中，“＞＞”表示按位元右移運算符，並且“&”表示按位元AND運算符；以及 <br/>使用所述基Y值和所述移位Y值來計算所述預測區塊中的位置(i, j)處的所述預測樣本的值；以及 <br/>使用所述預測區塊來編碼所述當前區塊。
根據請求項23所述的方法，其中，計算用於所述預測區塊的所述預測樣本的值進一步包括： <br/>使用所述當前區塊的上方相鄰樣本來執行對所述預測樣本的值的頂部相鄰路徑計算，包括：對於所述預測區塊的每個所述預測樣本： <br/>計算所述索引X值idxX； <br/>根據maxBaseX = (w + h – 1) ＜＜ upsampleAbove來計算最大基X值，其中，w表示所述當前區塊的寬度，且h表示所述當前區塊的高度； <br/>計算所述基X值；以及 <br/>計算所述移位X值； <br/>使用所述當前區塊的左側相鄰樣本來執行所述預測樣本的值的左側相鄰路徑計算，包括：對於所述預測區塊的每個所述預測樣本： <br/>計算所述索引Y值idxY； <br/>根據maxBaseY = (w + h – 1) ＜＜ upsampleLeft來計算最大基Y值； <br/>計算所述基Y值；以及 <br/>計算所述移位Y值；以及 <br/>對於所述預測區塊的每個所述預測樣本： <br/>根據base = (baseX ＞= -(1＜＜upsampleAbove)) ? baseX : baseY來計算基位置值； <br/>根據shift = (baseX ＞= -(1＜＜upsampleAbove)) ? shiftX : shiftY來計算移位值；以及 <br/>使用所述基位置值和所述移位值來計算所述預測區塊中的位置(i, j)處的所述預測樣本的值。
根據請求項24所述的方法，其中，計算位置(i, j)處的所述預測樣本的值包括： <br/>根據位置(i, j)處的所述預測樣本的所述基位置值來決定四個鄰近樣本；以及 <br/>使用所述四個鄰近樣本來計算所述預測樣本的值。
根據請求項25所述的方法， <br/>其中，決定所述四個鄰近樣本包括：將所述四個鄰近樣本決定為包括所述基位置值減1處的p1、所述基位置處的p2、所述基位置值加1處的p3以及所述基位置值加2處的p4，並且 <br/>其中，使用所述四個鄰近樣本來計算所述預測樣本的值包括： <br/>根據以下各項來計算值refpix_a： <br/>當所述基值為奇數時，refpix_a等於(9*(p1+p2) – (p0+p3))，或者 <br/>當所述基值為偶數時，refpix_a等於p1； <br/>根據以下各項來計算值refpix_b： <br/>當所述基值為奇數時，refpix_b等於p2，或者 <br/>當所述基值為偶數時，refpix_b等於(9*(p1+p2) – (p0+p3))；以及 <br/>根據以下方程式來計算位置(i, j)處的所述預測樣本的值（pred[i][j]）：pred[i][j] = Clip(0, max_pixel_value, Round2( refpix_a * ( 32 - shift ) + refpix_b * shift, 5 ))。
一種用於對視頻資料進行編碼的設備，所述設備包括： <br/>記憶體，其被配置為儲存視頻資料；以及 <br/>一個或多個處理器，其在電路中實現並且被配置為： <br/>決定將使用角度幀內預測模式來預測所述視頻資料的當前區塊； <br/>決定所述當前區塊的將用於根據所述角度幀內預測模式的角度來產生用於所述當前區塊的預測區塊並且將被上採樣的相鄰樣本； <br/>根據公式來計算所述預測區塊的預測樣本的值，所述公式對將用於產生所述預測區塊的所述相鄰樣本聯合地上採樣並且產生所述預測樣本的值，其中，為了計算所述預測樣本的值，所述一個或多個處理器被配置為：對於所述預測區塊的每個所述預測樣本： <br/>根據idxX= (j＜＜6) + ( i + 1 ) * dx來計算索引X值，其中，j表示用於當前樣本的列位置值，“＜＜”表示按位元左移運算符，i表示用於所述當前樣本的行位置值，並且dx表示根據所述角度幀內預測模式的所述角度的水平位置純量值； <br/>根據baseX = (idxX ＞＞ (6 - upsampleAbove))來計算基X值，其中，upsampleAbove表示指示是否將根據對將用於產生所述預測區塊並且將被上採樣的所述相鄰樣本的所述決定來對所述上方相鄰樣本進行上採樣的值，且“＞＞”表示按位元右移運算符； <br/>當baseX大於或等於 -(1＜＜upsampleAbove)： <br/>根據shiftX = ((idxX ＜＜ upsampleAbove) ＞＞ 1) & 0x1F來計算移位X值，其中，“＞＞”表示按位元右移運算符，並且“&”表示按位元AND運算符；以及 <br/>使用所述基X值和所述移位X值來計算所述預測區塊中的位置(i, j)處的所述預測樣本的值；或者 <br/>當baseX小於-(1＜＜upsampleAbove)： <br/>根據idxY = (i＜＜6) + ( j + 1 ) * dy的值來計算索引Y值，其中，dy表示根據所述角度幀內預測模式的所述角度的垂直位置純量值； <br/>根據baseY = (idxY ＞＞ (6 - upsampleLeft))來計算基Y值，其中，upsampleLeft表示指示是否將根據對將用於產生所述預測區塊並且將被上採樣的所述相鄰樣本的所述決定來對所述左側相鄰樣本進行上採樣的值； <br/>根據shiftY = ((idxY ＜＜ upsampleLeft) ＞＞ 1) & 0x1F來計算移位Y值，其中，“＞＞”表示按位元右移運算符，並且“&”表示按位元AND運算符；以及 <br/>使用所述基Y值和所述移位Y值來計算所述預測區塊中的位置(i, j)處的所述預測樣本的值；以及 <br/>使用所述預測區塊來編碼所述當前區塊。
根據請求項27所述的設備，其中，為了計算所述預測區塊的所述預測樣本的值，所述一個或多個處理器被配置為： <br/>使用所述當前區塊的上方相鄰樣本來執行對所述預測樣本的值的頂部相鄰路徑計算，包括：對於所述預測區塊的每個所述預測樣本： <br/>計算所述索引X值idxX； <br/>根據maxBaseX = (w + h – 1) ＜＜ upsampleAbove來計算最大基X值，其中，w表示所述當前區塊的寬度，且h表示所述當前區塊的高度； <br/>計算所述基X值；以及 <br/>計算所述移位X值； <br/>使用所述當前區塊的左側相鄰樣本來執行所述預測樣本的值的左側相鄰路徑計算，包括：對於所述預測區塊的每個所述預測樣本進行以下操作： <br/>計算所述索引Y值idxY； <br/>根據maxBaseY = (w + h – 1) ＜＜ upsampleLeft來計算最大基Y值； <br/>計算所述基Y值；以及 <br/>計算所述移位Y值；以及 <br/>對於所述預測區塊的每個所述預測樣本： <br/>根據base = (baseX ＞= -(1＜＜upsampleAbove)) ? baseX : baseY來計算基位置值； <br/>根據shift = (baseX ＞= -(1＜＜upsampleAbove)) ? shiftX : shiftY來計算移位值；以及 <br/>使用所述基值和所述移位值來計算所述預測區塊中的位置(i, j)處的所述預測樣本的值。
根據請求項28所述的設備，其中，為了計算位置(i, j)處的所述預測樣本的值，所述一個或多個處理器被配置為： <br/>根據位置(i, j)處的所述預測樣本的所述基位置值來決定四個鄰近樣本；以及 <br/>使用所述四個鄰近樣本來計算所述預測樣本的值。
根據請求項29所述的設備， <br/>其中，所述一個或多個處理器被配置為：將所述四個鄰近樣本決定為包括所述基位置值減1處的p1、所述基位置處的p2、所述基位置值加1處的p3以及所述基位置值加2處的p4，以及 <br/>其中，為了使用所述四個鄰近樣本來計算所述預測樣本的值，所述一個或多個處理器被配置為： <br/>根據以下各項來計算值refpix_a： <br/>當所述基值為奇數時，refpix_a等於(9*(p1+p2) – (p0+p3))，或者 <br/>當所述基值為偶數時，refpix_a等於p1； <br/>根據以下各項來計算值refpix_b： <br/>當所述基值為奇數時，refpix_b等於p2，或者 <br/>當所述基值為偶數時，refpix_b等於(9*(p1+p2) – (p0+p3))；以及 <br/>根據以下方程式來計算位置(i, j)處的所述預測樣本的值（pred[i][j]）：pred[i][j] = Clip(0, max_pixel_value, Round2( refpix_a * ( 32 - shift ) + refpix_b * shift, 5 ))。
一種透明導電性膜，其係具備基材及配置於該基材之單側之透明導電層者，且 <br/>該透明導電層包含金屬奈米線， <br/>該透明導電性膜由包含以下步驟之製造方法製得：塗佈步驟，其於該基材塗佈包含該金屬奈米線之透明導電層形成用組合物而形成塗佈層；放置步驟，其將該塗佈層放置；及送風步驟，其於該放置步驟後對該塗佈層送風， <br/>該放置步驟後之該塗佈層之厚度Tb相對於該塗佈步驟中之該塗佈層之厚度Ts，為25%～90%， <br/>該透明導電層中之該金屬奈米線之量x(g/m<sup>2</sup>)與透明導電性膜之導電率y(1/Ω)之關係乃為下述式(1)之關係： <br/>y＝a×x (1) <br/>於式(1)中，a為0.77以上。
如請求項1之透明導電性膜，其中霧度值為20%以下。
如請求項1之透明導電性膜，其中表面電阻值為0.1 Ω/□～1000 Ω/□。
如請求項2之透明導電性膜，其中表面電阻值為0.1 Ω/□～1000 Ω/□。
如請求項1至4中任一項之透明導電性膜，其中上述透明導電層中之金屬奈米線之量x(g/m<sup>2</sup>)為0.005 g/m<sup>2</sup>～0.05 g/m<sup>2</sup>。
一種用於多單元串聯電池充電的多輸出開關模式電源的電源電路，其包括：<br/> 具有一輸入節點和一輸出節點的一開關模式電源電路；<br/> 具有一第一端子和一第二端子的一電荷泵電路；<br/> 耦合在該開關模式電源電路的該輸出節點與該電荷泵電路的該第一端子之間的一第一開關；<br/> 耦合在該開關模式電源電路的該輸出節點與該電荷泵電路的該第二端子之間的一第二開關；及<br/> 包括串聯連接的多個單元的一電池，其中該電荷泵電路的該第二端子耦合到該電池，其中當該輸入節點處的一輸入電壓小於該電池的一電池電壓時，該第一開關被配置為封閉，並且該第二開關被配置為開啟。
根據請求項1之電源電路，其中當該輸入節點處的該輸入電壓小於該電池的該電池電壓時，該電荷泵電路被配置為從該電荷泵電路的該第一端子到該第二端子的一乘二電荷泵。
根據請求項1之電源電路，其中當該輸入節點處的一輸入電壓大於該電池的一電池電壓時，該第一開關被配置為開啟，並且該第二開關被配置為封閉。
根據請求項3之電源電路，其中當該輸入節點處的該輸入電壓大於該電池的該電池電壓時，該電荷泵電路被配置為從該電荷泵電路的該第二端子到該第一端子的一除二電荷泵。
根據請求項1之電源電路，其中該電源電路被配置為在一反向模式下操作，並且其中在該反向模式下，該第一開關被配置為封閉，並且該第二開關被配置為開啟。
根據請求項1之電源電路，其中該電源電路被配置為在一反向模式下操作，並且其中在該反向模式下，該第一開關被配置為開啟，並且該第二開關被配置為封閉。
根據請求項1之電源電路，其中該第一開關和該第二開關包括n型金屬氧化物半導體（NMOS）電晶體。
根據請求項1之電源電路，其中該開關模式電源電路包括：<br/> 耦合到該輸入節點的一第一電晶體；<br/> 經由一第一節點耦合到該第一電晶體的一第二電晶體；<br/> 經由一第二節點耦合到該第二電晶體的一第三電晶體；<br/> 經由一第三節點耦合到該第三電晶體的一第四電晶體；<br/> 一電容元件，其具有耦合到該第一節點的一第一端子並且具有耦合到該第三節點的一第二端子；及<br/> 一電感元件，其具有耦合到該第二節點的一第一端子並且具有耦合到該開關模式電源電路的該輸出節點的一第二端子。
根據請求項8之電源電路，其中該第一電晶體、該第二電晶體、該第三電晶體和該第四電晶體包括n型金屬氧化物半導體（NMOS）電晶體。
根據請求項1之電源電路，亦包括：耦合在該開關模式電源電路的該輸入節點與該電荷泵電路的該第二端子之間的一並聯充電器。
一種用於多單元串聯電池充電的多輸出開關模式電源的電源管理積體電路（PMIC），其包括根據請求項1之電源電路的至少一部分。
一種用於多單元串聯電池充電的多輸出開關模式電源的供應電力的方法，包括以下步驟：<br/> 操作一開關模式電源電路；<br/> 將一電流選擇性地路由通過耦合在該開關模式電源電路的一第一節點與一電荷泵電路的一第一端子之間的一第一開關或者通過耦合在該開關模式電源電路的該第一節點與該電荷泵電路的一第二端子之間的一第二開關；及<br/> 對一電池進行充電，其中該操作之步驟包括以下步驟：在一正向模式下操作該開關模式電源電路，其中該電池包括串聯連接的多個單元，並且其中該電池耦合到該第二開關以及該電荷泵電路的該第二端子。
根據請求項12之方法，其中當該開關模式電源電路的一第二節點處的一輸入電壓小於該電池的一電池電壓時，該選擇性地路由之步驟包括以下步驟：將該第一開關封閉並且將該第二開關開啟。
根據請求項13之方法，亦包括以下步驟：當該開關模式電源電路的該第二節點處的該輸入電壓小於該電池的該電池電壓時，將該電荷泵電路作為從該電荷泵電路的該第一端子到該第二端子的一乘二電荷泵進行操作。
根據請求項12之方法，其中當該開關模式電源電路的一第二節點處的一輸入電壓大於該電池的一電池電壓時，該選擇性地路由之步驟包括以下步驟：將該第一開關開啟並且將該第二開關封閉。
根據請求項15之方法，亦包括以下步驟：當該開關模式電源電路的該第二節點處的該輸入電壓大於該電池的該電池電壓時，將該電荷泵電路作為從該電荷泵電路的該第二端子到該第一端子的一除二電荷泵進行操作。
根據請求項12之方法，亦包括以下步驟：經由以下各項中的至少一項接收電力以對該電池進行充電：<br/> 被指定用於一有線連接並且耦合到該開關模式電源電路的一埠；或者<br/> 耦合到該開關模式電源電路的一無線電力收發機。
根據請求項12之方法，其中：<br/> 該操作之步驟包括以下步驟：在一反向模式下操作該開關模式電源電路；及<br/> 該選擇性地路由之步驟包括以下步驟：將該第一開關封閉並且將該第二開關開啟，以將該電流從該電荷泵電路經由該第一開關路由到該開關模式電源電路。
根據請求項18之方法，亦包括以下步驟：將該電荷泵電路作為從該電荷泵電路的該第二端子到該第一端子的一除二電荷泵進行操作。
根據請求項18之方法，亦包括以下步驟：從一電池接收電力，其中：<br/> 該電池包括串聯連接的多個單元；及<br/> 該電池耦合到該第二開關和該電荷泵電路的該第二端子。
根據請求項12之方法，其中：<br/> 該操作之步驟包括以下步驟：在一反向模式下操作該開關模式電源電路；<br/> 該選擇性地路由之步驟包括以下步驟：將該第一開關開啟並且將該第二開關封閉，以將該電流從一電池經由該第二開關路由到該開關模式電源電路；<br/> 該電池包括串聯連接的多個單元；及<br/> 該電池耦合到該第二開關和該電荷泵電路的該第二端子。
一種化學機械拋光墊，係用於拋光襯底，該襯底選自磁性襯底、光學襯底和半導體襯底中的至少一種，該化學機械拋光墊包含適配成拋光該襯底的拋光層，該拋光層係聚胺酯，該聚胺酯係包含以下項的反應混合物的產物：(i)液體芳族異氰酸酯組分，其包含一種或多種芳族二異氰酸酯或線型芳族異氰酸酯封端的胺基甲酸酯預聚物，具有基於該液體芳族異氰酸酯組分的總固體重量，20wt.%至40wt.%的未反應的異氰酸酯(NCO)濃度，和(ii)液體多元醇組分，其包含a)一種或多種聚合物多元醇，和b)基於該液體多元醇組分的總重量12wt.%至40wt.%的具有2至9個碳原子的一種或多種小鏈雙官能多元醇和在環境條件下是液體的液體芳族二胺的固化劑混合物，其中液體芳族二胺與小鏈雙官能多元醇和液體芳族二胺的總莫耳數的莫耳比係15：85至40：60，基於該反應混合物的總重量，該反應混合物包含48wt.%至68wt.%的硬鏈段材料，並且還進一步地其中該拋光層具有50蕭氏A(15秒)至68蕭氏D(15秒)的硬度和0.45g/mL至0.9g/mL的密度。
如請求項1所述之化學機械拋光墊，其中，該(i)液體芳族異氰酸酯組分包含線型亞甲基二苯基二異氰酸酯(MDI)預聚物或MDI。
如請求項1所述之化學機械拋光墊，其中，該(ii)液體多元醇組分包含a)一種或多種聚合物多元醇，其選自由以下項組成之群組：聚四亞甲基二醇(PTMEG)、聚丙二醇(PPG)、六官能多元醇、及其混合物。
如請求項1所述之化學機械拋光墊，其中，在該(ii)液體多元醇組分的該b)固化劑混合物中，該具有2至9個碳原子的一種或多種小鏈雙官能多元醇選自由以下項組成之群組：乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇，1,2-丁二醇、1,3-丁二醇、2-甲基-1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、新戊二醇、1,5-戊二醇、3-甲基-1,5-戊二醇、1,6-己二醇、二乙二醇、二丙二醇、三丙二醇、及其混合物。
如請求項1所述之化學機械拋光墊，其中，在該b)固化劑混合物中，該液體芳族二胺選自由以下項組成之群組：二甲基硫代甲苯二胺、二乙基甲苯二胺、三級丁基甲苯二胺、氯甲苯二胺、N,N’-二烷基胺基二苯基甲烷、及其混合物。
如請求項1所述之化學機械拋光墊，其中，在該b)固化劑混合物中，液體芳族二胺與小鏈雙官能多元醇和液體芳族二胺的總莫耳數的莫耳比係23：77至35：65。
如請求項1所述之化學機械拋光墊，其中，反應混合物包含基於該反應混合物的總重量58wt.%至63wt.%的硬鏈段材料。
如請求項1所述之化學機械拋光墊，其中，該化學機械拋光墊不含有除了由氣體、水或CO<sub>2</sub>-胺加合物形成的那些之外的微量元素。
一種用於製備具有適配成拋光襯底的拋光層的化學機械拋光墊之方法，其包括提供如請求項1所定義之反應混合物，其包括：提供該反應混合物，包括在ii)液體多元醇組分中的足以產生該化學機械拋光墊或層的密度的c)水或CO<sub>2</sub>-胺加合物，將該(i)液體芳族異氰酸酯組分和該(ii)液體多元醇組分混合，並且將該反應混合物作為一種組分施用至開放模具表面；使該反應混合物在環境溫度至130℃下固化以形成模製的聚胺酯反應產物；從該模具中移出該聚胺酯反應產物；並且然後，最後在60℃至130℃的溫度下固化1分鐘至18小時的時間段以形成該拋光層。
如請求項9所述之方法，其中，該模具表面具有在該拋光層的頂部表面中形成陰凹槽圖案的陽形貌。
一種觀察裝置，其特徵在於，具備： <br/> 用於利用相對於對象物具有透射性的透射光來對前述對象物進行攝影的攝影部； <br/> 用於至少控制前述攝影部的控制部；和 <br/> 用於使聚光透鏡相對於前述對象物相對地移動的移動部，前述聚光透鏡用於將前述透射光聚光於前述對象物， <br/> 前述對象物具有第1面和前述第1面的相反側的第2面， <br/> 在前述對象物形成有在沿前述第1面和前述第2面的X方向上排列的改質區域和從前述改質區域延伸的裂紋， <br/> 前述控制部藉由控制前述攝影部來進行下述的攝影處理：使前述透射光從前述第1面射入至前述對象物的內部，並利用前述透射光對對象裂紋進行攝影，其中前述對象裂紋是前述裂紋中在與前述第1面和前述第2面交叉的Z方向以及與前述X方向交叉的方向上延伸的前述裂紋， <br/> 在前述攝影處理中，前述控制部控制前述攝影部和前述移動部而使前述聚光透鏡沿前述Z方向相對移動，使得前述透射光的聚光點位於前述對象物的內部的多個位置來對前述對象物進行攝影，藉此獲取多個內部圖像， <br/> 前述控制部，在前述攝影處理之後執行下述的運算處理：基於多個前述內部圖像和對前述內部圖像的各個進行攝影時的前述聚光透鏡在前述Z方向上的移動量，來對作為前述對象裂紋在前述Z方向上的位置的裂紋位置進行運算， <br/> 在前述運算處理中，前述控制部判斷多個前述內部圖像中的前述對象裂紋的像最清晰的前述內部圖像，基於對判斷出的該內部圖像進行攝影時的前述聚光透鏡的前述移動量來運算前述裂紋位置。
如請求項1所述的觀察裝置，其中： <br/> 前述控制部，在前述運算處理之後執行下述的推算處理：基於前述改質區域的形成條件和前述裂紋位置，來推算前述改質區域的前述第1面側的端部在前述Z方向上的位置、前述改質區域的前述第2面側的端部在前述Z方向上的位置、以及前述改質區域在前述Z方向上的寬度中的至少1個。
如請求項1或2所述的觀察裝置，其中： <br/> 在前述攝影處理中，前述控制部執行第1攝影處理和第2攝影處理， <br/> 在前述第1攝影處理中，使前述透射光從前述第1面射入至前述對象物，並使前述聚光透鏡沿前述Z方向相對移動，來一邊使沒有經過前述第2面的反射的前述透射光的前述聚光點從前述第1面側向前述第2面側移動，一邊在多個位置對前述對象物進行攝影，藉此獲取多個第1內部圖像作為前述內部圖像， <br/> 在前述第2攝影處理中，使前述透射光從前述第1面射入至前述對象物，並使前述聚光透鏡沿前述Z方向相對移動，來一邊使在前述第2面反射的前述透射光的前述聚光點從前述第2面側向前述第1面側移動，一邊在多個位置對前述對象物進行攝影，藉此獲取多個第2內部圖像作為前述內部圖像。
如請求項3所述的觀察裝置，其中： <br/> 在前述運算處理中，前述控制部執行第1運算處理和第2運算處理， <br/> 在前述第1運算處理中，判斷多個前述第1內部圖像中的前述對象裂紋最清晰的前述第1內部圖像，基於對判斷出的該第1內部圖像進行攝影時的前述聚光透鏡的前述移動量，來運算作為前述裂紋位置的第1裂紋位置， <br/> 在前述第2運算處理中，判斷多個前述第2內部圖像中的前述對象裂紋最清晰的前述第2內部圖像，基於對判斷出的該第2內部圖像進行攝影時的前述聚光透鏡的前述移動量，來運算作為前述裂紋位置的第2裂紋位置， <br/> 前述控制部基於前述改質區域的形成條件以及前述第1裂紋位置與前述第2裂紋位置的間隔，來推算前述改質區域在前述Z方向上的寬度。
如請求項1或2所述的觀察裝置，其中： <br/> 進一步具備用於顯示資訊的顯示部， <br/> 前述控制部，在前述運算處理之後控制前述顯示部，來執行使前述顯示部顯示關於前述裂紋位置的資訊的顯示處理。
如請求項3所述的觀察裝置，其中： <br/> 進一步具備用於顯示資訊的顯示部， <br/> 前述控制部，在前述運算處理之後控制前述顯示部，來執行使前述顯示部顯示關於前述裂紋位置的資訊的顯示處理。
如請求項4所述的觀察裝置，其中： <br/> 進一步具備用於顯示資訊的顯示部， <br/> 前述控制部，在前述運算處理之後控制前述顯示部，來執行使前述顯示部顯示關於前述裂紋位置的資訊的顯示處理。
一種觀察裝置，其特徵在於，具備： <br/> 用於利用相對於對象物具有透射性的透射光來對前述對象物進行攝影的攝影部； <br/> 用於至少控制前述攝影部的控制部；和 <br/> 用於使聚光透鏡相對於前述對象物相對地移動的移動部，前述聚光透鏡用於將前述透射光聚光於前述對象物， <br/> 前述對象物具有第1面和前述第1面的相反側的第2面， <br/> 在前述對象物形成有在沿前述第1面和前述第2面的X方向上排列的改質區域和從前述改質區域延伸的裂紋， <br/> 前述控制部藉由控制前述攝影部來進行下述的攝影處理：使前述透射光從前述第1面射入至前述對象物的內部，並利用前述透射光對對象裂紋進行攝影，其中前述對象裂紋是前述裂紋中在與前述第1面和前述第2面交叉的Z方向以及與前述X方向交叉的方向上延伸的前述裂紋， <br/> 在前述攝影處理中，前述控制部控制前述攝影部和前述移動部而使前述聚光透鏡沿前述Z方向相對移動，使得前述透射光的聚光點位於前述對象物的內部的多個位置來對前述對象物進行攝影，藉此獲取多個內部圖像， <br/> 前述控制部，在前述攝影處理之後執行下述的運算處理：基於多個前述內部圖像和對前述內部圖像的各個進行攝影時的前述聚光透鏡在前述Z方向上的移動量，來對作為前述對象裂紋在前述Z方向上的位置的裂紋位置進行運算， <br/> 在前述攝影處理中，前述控制部執行第1攝影處理和第2攝影處理， <br/> 在前述第1攝影處理中，使前述透射光從前述第1面射入至前述對象物，並使前述聚光透鏡沿前述Z方向相對移動，來一邊使沒有經過前述第2面的反射的前述透射光的前述聚光點從前述第1面側向前述第2面側移動，一邊在多個位置對前述對象物進行攝影，藉此獲取多個第1內部圖像作為前述內部圖像， <br/> 在前述第2攝影處理中，使前述透射光從前述第1面射入至前述對象物，並使前述聚光透鏡沿前述Z方向相對移動，來一邊使在前述第2面反射的前述透射光的前述聚光點從前述第2面側向前述第1面側移動，一邊在多個位置對前述對象物進行攝影，藉此獲取多個第2內部圖像作為前述內部圖像， <br/> 在前述運算處理中，前述控制部執行第1運算處理和第2運算處理， <br/> 在前述第1運算處理中，判斷多個前述第1內部圖像中的前述對象裂紋最清晰的前述第1內部圖像，基於對判斷出的該第1內部圖像進行攝影時的前述聚光透鏡的前述移動量，來運算作為前述裂紋位置的第1裂紋位置， <br/> 在前述第2運算處理中，判斷多個前述第2內部圖像中的前述對象裂紋最清晰的前述第2內部圖像，基於對判斷出的該第2內部圖像進行攝影時的前述聚光透鏡的前述移動量，來運算作為前述裂紋位置的第2裂紋位置， <br/> 前述控制部基於前述改質區域的形成條件以及前述第1裂紋位置與前述第2裂紋位置的間隔，來推算前述改質區域在前述Z方向上的寬度。
一種觀察方法，其特徵在於，具備： <br/> 準備對象物的準備步驟，前述對象物具有第1面和前述第1面的相反側的第2面，在前述對象物形成有在沿前述第1面和前述第2面的X方向上排列的改質區域和從前述改質區域延伸的裂紋；和 <br/> 攝影步驟，在準備步驟之後，使從前述對象物透射的透射光從前述第1面射入至前述對象物，並利用前述透射光對對象裂紋進行攝影，前述對象裂紋是前述裂紋中在與前述第1面和前述第2面交叉的Z方向以及與前述X方向交叉的方向上延伸的前述裂紋， <br/> 在前述攝影步驟中，使用於將前述透射光聚光於前述對象物的聚光透鏡沿前述Z方向相對移動，使得前述透射光的聚光點位於前述對象物的內部的多個位置來對前述對象物進行攝影，藉此獲取多個內部圖像， <br/> 在前述攝影步驟之後，基於多個前述內部圖像和對前述內部圖像的各個進行攝影時的前述聚光透鏡在前述Z方向上的移動量，來對作為前述對象裂紋在前述Z方向上的位置的裂紋位置進行運算， <br/> 在前述裂紋位置的運算中，判斷多個前述內部圖像中的前述對象裂紋的像最清晰的前述內部圖像，基於對判斷出的該內部圖像進行攝影時的前述聚光透鏡的前述移動量來運算前述裂紋位置。
一種觀察方法，其特徵在於，具備： <br/> 準備對象物的準備步驟，前述對象物具有第1面和前述第1面的相反側的第2面，在前述對象物形成有在沿前述第1面和前述第2面的X方向上排列的改質區域和從前述改質區域延伸的裂紋；和 <br/> 攝影步驟，在準備步驟之後，使從前述對象物透射的透射光從前述第1面射入至前述對象物，並利用前述透射光對對象裂紋進行攝影，前述對象裂紋是前述裂紋中在與前述第1面和前述第2面交叉的Z方向以及與前述X方向交叉的方向上延伸的前述裂紋， <br/> 在前述攝影步驟中，使用於將前述透射光聚光於前述對象物的聚光透鏡沿前述Z方向相對移動，使得前述透射光的聚光點位於前述對象物的內部的多個位置來對前述對象物進行攝影，藉此獲取多個內部圖像， <br/> 在前述攝影步驟之後，基於多個前述內部圖像和對前述內部圖像的各個進行攝影時的前述聚光透鏡在前述Z方向上的移動量，來對作為前述對象裂紋在前述Z方向上的位置的裂紋位置進行運算， <br/> 在前述攝影步驟中， <br/> 使前述透射光從前述第1面射入至前述對象物，並使前述聚光透鏡沿前述Z方向相對移動，來一邊使沒有經過前述第2面的反射的前述透射光的前述聚光點從前述第1面側向前述第2面側移動，一邊在多個位置對前述對象物進行攝影，藉此獲取多個第1內部圖像作為前述內部圖像， <br/> 使前述透射光從前述第1面射入至前述對象物，並使前述聚光透鏡沿前述Z方向相對移動，來一邊使在前述第2面反射的前述透射光的前述聚光點從前述第2面側向前述第1面側移動，一邊在多個位置對前述對象物進行攝影，藉此獲取多個第2內部圖像作為前述內部圖像， <br/> 在前述裂紋位置的運算中， <br/> 判斷多個前述第1內部圖像中的前述對象裂紋最清晰的前述第1內部圖像，基於對判斷出的該第1內部圖像進行攝影時的前述聚光透鏡的前述移動量，來運算作為前述裂紋位置的第1裂紋位置， <br/> 判斷多個前述第2內部圖像中的前述對象裂紋最清晰的前述第2內部圖像，基於對判斷出的該第2內部圖像進行攝影時的前述聚光透鏡的前述移動量，來運算作為前述裂紋位置的第2裂紋位置， <br/> 基於前述改質區域的形成條件以及前述第1裂紋位置與前述第2裂紋位置的間隔，來推算前述改質區域在前述Z方向上的寬度。
一種指示氣溶膠產生裝置的電池的電池電量之方法，該氣溶膠產生裝置用於從消耗品製品中包含的氣溶膠產生物質產生氣溶膠，該方法包括以下步驟： <br/> 確定該電池中剩餘的電荷量； <br/> 計算在所確定的該電池中剩餘的電荷量下能夠完全使用的消耗品製品的數量；以及 <br/> 顯示資訊，所述資訊指示所計算的在所確定的該電池中剩餘的電荷量下能夠完全使用的消耗品製品的數量。
如請求項1所述之方法，其中，該確定步驟包括： <br/> 在使用消耗品製品之前，確定該電池中剩餘的電荷量的第一值(Y)。
如請求項2所述之方法，其中，該確定步驟進一步包括： <br/> 在該消耗品製品被完全使用之後，確定該電池中剩餘的電荷量的第二值(X)； <br/> 該方法進一步包括： <br/> 從該第一值(Y)中減去該第二值(X)， <br/> 根據從該第一值(Y)中減去該第二值(X)的結果，確定完全使用一個消耗品製品所需的電荷量(Zx)，以及 <br/> 存儲所確定的完全使用一個消耗品製品所需的電荷量(Zx)。
如請求項3所述之方法，其中，每次完全使用消耗品製品時，執行該確定和存儲完全使用一個消耗品製品所需的電荷量(Zx)的步驟。
如請求項2至4中任一項所述之方法，其中，計算 <br/> 在所確定的該電池中剩餘的電荷量下能夠完全使用的消耗品製品的數量的步驟包括： <br/> 將該第一值(Y)除以上一次存儲的完全使用一個消耗品製品所需的電荷量(Zx)，從而獲得第一除法結果。
如請求項2至4中任一項所述之方法，其中，計算 <br/> 在所確定的該電池中剩餘的電荷量下能夠完全使用的消耗品製品的數量的步驟包括： <br/> 計算完全使用一個消耗品製品所需的電荷量(Zx)的平均值，以及 <br/> 將該第一值(Y)除以完全使用一個消耗品製品所需的電荷量(Zx)的所述平均值，從而獲得第二除法結果。
如請求項1所述之方法，進一步包括以下步驟：將該電池中剩餘的電荷量發送到電子裝置，使得由該電子裝置來執行該計算消耗品製品數量的步驟。
如請求項7所述之方法，其中，該電子裝置係智慧手機或充電盒。
如請求項1所述之方法，其中，該顯示指示所計算的在所確定的該電池中剩餘的電荷量下能夠完全使用的消耗品製品的數量的資訊的步驟包括顯示所計算的數量。
如請求項1所述之方法，其中，該顯示指示所計算的在所確定的該電池中剩餘的電荷量下能夠完全使用的消耗品製品的數量的資訊的步驟包括：基於所述計算的數量點亮一個或多個指示器的步驟。
如請求項10所述之方法，其中，該氣溶膠產生裝置上佈置有預定數量的指示器， <br/> 並且該方法進一步包括： <br/> 基於所計算的消耗品製品數量和預定閾值來確定該等指示器的點亮模式。
如請求項11所述之方法，其中，確定該等指示器的點亮模式包括：確定該預定數量的指示器中要被點亮的指示器的數量，以及基於所計算的消耗品製品數量和該預定閾值來確定點亮的顏色。
如請求項11所述之方法，其中，該氣溶膠產生裝置上佈置的指示器的該預定數量為四個。
一種用於產生氣溶膠的氣溶膠產生裝置，包括： <br/> 加熱腔體，該加熱腔體被構造成使得使用者能夠將包含氣溶膠產生物質的消耗品製品放置到所述加熱腔體中； <br/> 加熱器，該加熱器被配置為向該加熱腔體供應熱量，從而加熱該消耗品製品中的氣溶膠產生物質； <br/> 電池，該電池被配置為向該加熱器供應電力； <br/> 輸出單元，該輸出單元用於向該使用者顯示資訊；以及 <br/> 控制單元，該控制單元被配置為執行如請求項1至13中任一項所述之方法。
一種系統，包括如請求項14所述之氣溶膠產生裝置以及充電盒，所述充電盒包括用於顯示所述計算的數量的顯示器。
一種具有式(I)之結構之腺苷衍生物或其醫藥上可接受之鹽、立體異構物或水合物， <br/><img align="absmiddle" height="86px" width="119px" file="ed10259.jpg" alt="ed10259.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(I) <br/>其中： <br/>A及E各自獨立地選自由以下組成之群：鍵、-(CO)-、-(CO)-G-、-(CO)-G-(C<sub>1-10</sub>伸烷基)-J-、-(CO)-G-(C<sub>2-10</sub>伸烯基)-J-及-(CO)-G-(C<sub>2-10</sub>伸炔基)-J-；其中： <br/>G選自由以下組成之群：鍵、O、NH及S； <br/>J選自由以下組成之群：鍵、O、NH、S及-(CO)-G-； <br/>R<sup>1</sup>選自由以下組成之群：H、C<sub>1-20</sub>烷基、C<sub>1-20</sub>鹵代烷基、C<sub>1-20</sub>烷氧基、C<sub>2-20</sub>烯基、C<sub>2-20</sub>炔基、C<sub>3-20</sub>環烷基、3至20員雜環烷基、芳基及雜芳基； <br/>R<sup>2</sup>選自由以下組成之群：H、C<sub>1-20</sub>烷基、C<sub>1-20</sub>鹵代烷基、C<sub>1-20</sub>烷氧基、C<sub>2-20</sub>烯基、C<sub>2-20</sub>炔基、C<sub>3-20</sub>環烷基、3至20員雜環烷基、芳基及雜芳基，其中R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>中之至少一者為金剛烷基；且 <br/>R<sup>3</sup>選自由以下組成之群：H、-(CO)-G-C<sub>1-10</sub>烷基、C<sub>1-10</sub>烷基、C<sub>1-10</sub>鹵代烷基、C<sub>2-10</sub>烯基、C<sub>2-10</sub>炔基、C<sub>3-12</sub>環烷基、3至12員雜環烷基、芳基及雜芳基。
如請求項1之腺苷衍生物或其醫藥上可接受之鹽、立體異構物或水合物，其中該腺苷衍生物係式(Ie)或(If)化合物： <br/><img align="absmiddle" height="73px" width="130px" file="ed10260.jpg" alt="ed10260.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(Ie)或 <br/><img align="absmiddle" height="84px" width="125px" file="ed10261.jpg" alt="ed10261.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (If)， <br/>其中： <br/>A及E各自獨立地選自由以下組成之群：鍵、-(CO)-、-(CO)-G-、-(CO)-G-(C<sub>1-10</sub>伸烷基)-J-、-(CO)-G-(C<sub>2-10</sub>伸烯基)-J-及-(CO)-G-(C<sub>2-10</sub>伸炔基)-J-；其中： <br/>G選自由以下組成之群：鍵、O、NH及S； <br/>J選自由以下組成之群：鍵、O、NH、S及-(CO)-G-； <br/>R<sup>1</sup>選自由以下組成之群：H、C<sub>1-10</sub>烷基、C<sub>1-10</sub>鹵代烷基、C<sub>1-10</sub>烷氧基、C<sub>2-10</sub>烯基、C<sub>2-10</sub>炔基、C<sub>3-20</sub>環烷基、3至20員雜環烷基、芳基及雜芳基； <br/>R<sup>2</sup>選自由以下組成之群：H、C<sub>1-10</sub>烷基、C<sub>1-10</sub>鹵代烷基、C<sub>1-10</sub>烷氧基、C<sub>2-10</sub>烯基、C<sub>2-10</sub>炔基、C<sub>3-20</sub>環烷基、3至20員雜環烷基、芳基及雜芳基； <br/>R<sup>3</sup>選自由以下組成之群：H、-(CO)-O-C<sub>1-10</sub>烷基及C<sub>1-10</sub>烷基； <br/>R<sup>4</sup>選自由以下組成之群：H、C<sub>1-10</sub>烷基、C<sub>1-10</sub>鹵代烷基、C<sub>1-10</sub>烷氧基、C<sub>2-10</sub>烯基、C<sub>2-10</sub>炔基、C<sub>3-12</sub>環烷基、3至12員雜環烷基、芳基及雜芳基；且 <br/>R<sup>5</sup>選自由以下組成之群：H、C<sub>1-10</sub>烷基、C<sub>1-10</sub>鹵代烷基、C<sub>1-10</sub>烷氧基、C<sub>2-10</sub>烯基、C<sub>2-10</sub>炔基、C<sub>3-12</sub>環烷基、3至12員雜環烷基、芳基及雜芳基。
如請求項1或2之腺苷衍生物或其醫藥上可接受之鹽、立體異構物或水合物，其中A選自由以下組成之群：鍵、-(CO)-、-(CO)-G-及-(CO)-G-(C<sub>1-5</sub>伸烷基)-J-。
如請求項1或2之腺苷衍生物或其醫藥上可接受之鹽、立體異構物或水合物，其中A係-(CO)-G-或-(CO)-G-(C<sub>1-5</sub>伸烷基)-J-。
如請求項1或2之腺苷衍生物或其醫藥上可接受之鹽、立體異構物或水合物，其中E係鍵、-(CO)-G-或-(CO)-G-(C<sub>1-5</sub>伸烷基)-J-。
如請求項1或2之腺苷衍生物或其醫藥上可接受之鹽、立體異構物或水合物，其中E係鍵。
如請求項1或2之腺苷衍生物或其醫藥上可接受之鹽、立體異構物或水合物，其中G係鍵或O。
如請求項1或2之腺苷衍生物或其醫藥上可接受之鹽、立體異構物或水合物，其中J係鍵或O。
如請求項1或2之腺苷衍生物或其醫藥上可接受之鹽、立體異構物或水合物，其中G係O且J係鍵。
如請求項1或2之腺苷衍生物或其醫藥上可接受之鹽、立體異構物或水合物，其中R<sup>1</sup>係H、C<sub>1-5</sub>烷基或金剛烷基。
如請求項1或2之腺苷衍生物或其醫藥上可接受之鹽、立體異構物或水合物，其中R<sup>1</sup>係H。
如請求項1或2之腺苷衍生物或其醫藥上可接受之鹽、立體異構物或水合物，其中R<sup>2</sup>係H、C<sub>1-5</sub>烷基或金剛烷基。
如請求項1或2之腺苷衍生物或其醫藥上可接受之鹽、立體異構物或水合物，其中R<sup>2</sup>係金剛烷基。
如請求項1或2之腺苷衍生物或其醫藥上可接受之鹽、立體異構物或水合物，其中R<sup>3</sup>係H、-(CO)-C<sub>1-5</sub>烷基、-(CO)-O-C<sub>1-5</sub>烷基或C<sub>1-5</sub>烷基。
如請求項1或2之腺苷衍生物或其醫藥上可接受之鹽、立體異構物或水合物，其中R<sup>3</sup>係H。
如請求項1或2之腺苷衍生物或其醫藥上可接受之鹽、立體異構物或水合物，其中該腺苷衍生物選自由以下組成之群： <br/><img align="absmiddle" height="40px" width="81px" file="ed10262.jpg" alt="ed10262.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="40px" width="86px" file="ed10263.jpg" alt="ed10263.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="40px" width="76px" file="ed10264.jpg" alt="ed10264.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <br/><img align="absmiddle" height="40px" width="81px" file="ed10265.jpg" alt="ed10265.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="49px" width="74px" file="ed10266.jpg" alt="ed10266.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="50px" width="81px" file="ed10267.jpg" alt="ed10267.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <br/><img align="absmiddle" height="40px" width="93px" file="ed10268.jpg" alt="ed10268.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="50px" width="84px" file="ed10269.jpg" alt="ed10269.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="50px" width="93px" file="ed10270.jpg" alt="ed10270.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <br/><img align="absmiddle" height="40px" width="98px" file="ed10271.jpg" alt="ed10271.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="50px" width="90px" file="ed10272.jpg" alt="ed10272.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="40px" width="104px" file="ed10273.jpg" alt="ed10273.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <br/><img align="absmiddle" height="50px" width="95px" file="ed10274.jpg" alt="ed10274.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="40px" width="87px" file="ed10275.jpg" alt="ed10275.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="40px" width="93px" file="ed10276.jpg" alt="ed10276.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <br/><img align="absmiddle" height="50px" width="92px" file="ed10277.jpg" alt="ed10277.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="53px" width="93px" file="ed10278.jpg" alt="ed10278.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="50px" width="86px" file="ed10279.jpg" alt="ed10279.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>,<br/><img align="absmiddle" height="53px" width="98px" file="ed10280.jpg" alt="ed10280.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="52px" width="98px" file="ed10281.jpg" alt="ed10281.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="52px" width="86px" file="ed10282.jpg" alt="ed10282.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>,<br/><img align="absmiddle" height="49px" width="86px" file="ed10283.jpg" alt="ed10283.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="49px" width="104px" file="ed10284.jpg" alt="ed10284.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="49px" width="98px" file="ed10285.jpg" alt="ed10285.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>,<br/><img align="absmiddle" height="49px" width="81px" file="ed10286.jpg" alt="ed10286.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及<img align="absmiddle" height="50px" width="81px" file="ed10287.jpg" alt="ed10287.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1或2之腺苷衍生物或其醫藥上可接受之鹽、立體異構物或水合物，其中該腺苷衍生物選自由以下組成之群： <br/><img align="absmiddle" height="40px" width="86px" file="ed10263.jpg" alt="ed10263.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<img align="absmiddle" height="40px" width="93px" file="ed10268.jpg" alt="ed10268.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及<img align="absmiddle" height="40px" width="98px" file="ed10271.jpg" alt="ed10271.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1或2之腺苷衍生物或其醫藥上可接受之鹽、立體異構物或水合物，其中該腺苷衍生物係 <br/><img align="absmiddle" height="35px" width="84px" file="ed10288.jpg" alt="ed10288.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1至18中任一項之腺苷衍生物或其醫藥上可接受之鹽、立體異構物或水合物，以及醫藥上可接受之載劑。
如請求項19之醫藥組合物，其中該醫藥組合物適於經口投與。
如請求項19之醫藥組合物，其中該醫藥組合物適於非經腸投與。
如請求項21之醫藥組合物，其中該醫藥組合物係持久可注射組合物。
如請求項21或22之醫藥組合物，其中該醫藥組合物適於肌內或皮下注射。
如請求項19至22中任一項之醫藥組合物，其中該醫藥組合物係液體劑型。
如請求項24之醫藥組合物，其中該液體劑型係溶液、乳液或液體懸浮液。
如請求項19或20之醫藥組合物，其中該醫藥組合物係固體劑型。
如請求項26之醫藥組合物，其中該固體劑型係錠劑、膠囊、顆粒、粉末、小藥囊、可重構粉末、可吸入乾燥粉末或可咀嚼劑。
如請求項19至22中任一項之醫藥組合物，其進一步包含一或多種選自由以下組成之群之額外抗病毒劑：萊那卡韋(lenacapavir)、阿紮那韋(atazanavir)、硫酸阿紮那韋、比卡格韋(bictegravir)、卡博特韋(cabotegravir)、達如那韋(darunavir)、德羅格韋(dolutegravir)、多拉韋林(doravirine)、依法韋侖(efavirenz)、富馬酸替諾福韋二吡呋酯(tenofovir disoproxil fumarate)、替諾福韋艾拉酚胺(tenofovir alafenamide)、依曲韋林(etravirine)、達如那韋與可比司他(cobicistat)之組合、馬拉維洛(maraviroc)、利匹韋林(rilpivirine)及MK-8507。
如請求項28之醫藥組合物，其中該一或多種額外抗病毒劑係萊那卡韋或卡博特韋。
一種如請求項19至29中任一項之醫藥組合物用於製備治療HIV感染之藥物之用途。
一種如請求項19至29中任一項之醫藥組合物用於製備預防HIV感染之藥物之用途。
如請求項30或31之用途，其中該HIV感染係由野生型HIV-1、NRTI抗性HIV-1、HIV-2、具有M184V突變之HIV、具有K65R之HIV或多重抗藥性HIV引起。
如請求項30或31之用途，其中該藥物係藉由經口投與。
如請求項30或31之用途，其中該藥物係藉由非經腸投與。
如請求項34之用途，其中該非經腸投與係藉由肌內或皮下注射。
如請求項30或31之用途，其中與在相同條件下等效劑量之EFdA之投與相比，該藥物之投與產生EFdA之持久血漿濃度。
如請求項30或31之用途，其中與在相同條件下等效劑量之EFdA之投與相比，該藥物之投與產生高至少10%、20%、30%、40%或50%之EFdA之血漿濃度。
如請求項30或31之用途，其中與在相同條件下等效劑量之EFdA之投與相比，該藥物之投與產生延長之EFdA釋放。
如請求項30或31之用途，其中與在相同條件下等效劑量之EFdA之投與相比，該藥物之投與產生高至少10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%或100%之EFdA之AUC。
如請求項30或31之用途，其中與在相同條件下等效劑量之EFdA之投與相比，該藥物之投與產生高至少10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%或90%之EFdA之C<sub>max</sub>。
如請求項30或31之用途，其中該藥物進一步包含一或多種選自由以下組成之群之額外抗病毒劑或與一或多種選自由以下組成之群之額外抗病毒劑併用：萊那卡韋、阿紮那韋、硫酸阿紮那韋、比卡格韋、卡博特韋、達如那韋、德羅格韋、多拉韋林、依法韋侖、富馬酸替諾福韋二吡呋酯、替諾福韋艾拉酚胺、依曲韋林、達如那韋與可比司他之組合、利匹韋林及MK-8507。
一種放電加工機，其在儲存於加工槽(46)之液體中將加工對象物進行放電加工，並具有： <br/>泵(52)，其供應該液體； <br/>導入配管(54)，其未經由導引線電極的上方塊導件及下方塊導件中之任一者，就將以該泵供應之該液體導入至該加工槽；及 <br/>貫穿孔(54H)，其貫穿該導入配管之管壁； <br/>該導入配管具有高於該加工槽所容許之水面的高度之最大值的配管部位(54PT)， <br/>該貫穿孔設於該配管部位並與外部空氣恆常連通。
如請求項1之放電加工機，其中， <br/>該配管部位高於該加工槽之上端。
如請求項1或請求項2之放電加工機，其中， <br/>該貫穿孔設於比通過該導入配管之剖面中心的假想中心線(LN)靠重力方向處。
如請求項1或請求項2之放電加工機，其中， <br/>該貫穿孔之剖面積小於該配管部位之流路的剖面積。
如請求項1或請求項2之放電加工機，更具有： <br/>導出液貯存槽(56)，其貯存從該貫穿孔導出之該液體。
如請求項5之放電加工機，更具有： <br/>導出配管(58)，其連接於該導入配管，而將從該貫穿孔導出之該液體引導至該導出液貯存槽。
如請求項6之放電加工機，其中， <br/>該導出配管之流路的剖面積小於該導入配管之流路的剖面積。
如請求項5之放電加工機，更具有： <br/>貯存槽(50)，其貯存該泵供應之該液體；及 <br/>連結管(62)，其將該導出液貯存槽與該貯存槽連結。
一種由一車載使用者設備（V-UE）執行的無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 決定蜂巢車聯網路（C-V2X）服務對於與一第一用戶身份模組（SIM）相關聯的一第一網路存取訂閱、與一第二SIM相關聯的一第二網路存取訂閱、或兩者的一可用性，該第一SIM和該第二SIM分別與該V-UE的一車載系統（IVS）數據機的一第一SIM插槽和一第二SIM插槽相關聯；及<br/> 基於該C-V2X服務的該可用性，更新該IVS數據機的一配置，將該C-V2X服務從該第一網路存取訂閱切換到該第二網路存取訂閱或者從該第二網路存取訂閱切換到該第一網路存取訂閱，或兩者。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟：<br/> 決定從一起始位置到一目的地位置的一路線；及<br/> 針對該路線，檢索C-V2X可用性資料，<br/> 其中決定該C-V2X服務的該可用性是基於針對該路線的該C-V2X可用性資料的。
根據請求項2之方法，其中該檢索包括以下步驟：<br/> 從一眾包伺服器(crowdsourcing server)檢索針對該路線的該C-V2X可用性資料。
根據請求項2之方法，其中針對該路線的該C-V2X可用性資料包括以下步驟：沿著該路線的路邊C-V2X存取點的位置、其他V-UE沿著該路線的歷史C-V2X連接、其他V-UE沿著該路線的當前C-V2X連接、或者其任意組合。
根據請求項2之方法，其中該起始位置是該V-UE的一當前位置。
根據請求項2之方法，亦包括以下步驟：<br/> 基於針對該路線的該C-V2X可用性資料，更改該路線以增加沿著該路線的C-V2X可用性。
根據請求項2之方法，其中更新該配置、切換該C-V2X服務、或兩者還是基於與沿著該路線對該C-V2X服務的一需求相關的一或多個因素的。
根據請求項7之方法，其中該一或多個因素包括沿著該路線的已知交通狀況、沿著該路線的已知危險、或兩者。
根據請求項7之方法，其中更新該IVS數據機的該配置包括以下步驟：<br/> 基於該C-V2X服務不可用並且該一或多個因素指示沿著該路線不存在針對該C-V2X服務的需求，將該IVS數據機的該配置設置為不支援該C-V2X服務的一配置。
根據請求項1之方法，其中決定該C-V2X服務的該可用性是基於由該IVS數據機可以連接到的一細胞廣播的系統資訊區塊（SIB）的一類型。
根據請求項1之方法，其中更新該配置、切換該C-V2X服務、或兩者還是基於具有該C-V2X服務的使用者偏好的。
根據請求項1之方法，其中更新該配置、切換該C-V2X服務、或兩者還是基於針對該V-UE具有該C-V2X服務的法律要求的。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟：<br/> 向一眾包伺服器發送所決定的該C-V2X服務的可用性和該V-UE的一當前位置。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟：<br/> 向一協力廠商伺服器發送所決定的該C-V2X服務的可用性。
根據請求項14之方法，亦包括以下步驟：<br/> 從一原始設備製造商（OEM）接收一或多個指令以更新該IVS數據機的該配置、切換該C-V2X服務、或兩者。
根據請求項1之方法，其中更新該IVS數據機的該配置包括以下步驟：<br/> 基於該C-V2X服務不可用，將該IVS數據機的該配置設置為不支援該C-V2X服務的一配置。
根據請求項1之方法，其中更新該IVS數據機的該配置包括以下步驟：<br/> 基於該C-V2X服務是可用的，將該IVS數據機的該配置設置為支援該C-V2X服務的一配置。
根據請求項1之方法，其中：<br/> 該第一網路存取訂閱是一預設網路存取訂閱，並且<br/> 該第二網路存取訂閱是一使用者網路存取訂閱。
根據請求項18之方法，其中：<br/> 該C-V2X服務對於該預設網路存取訂閱是不可用的，<br/> 該C-V2X服務對於該使用者網路存取訂閱是可用的，並且<br/> 切換該C-V2X服務包括以下步驟：<br/> 基於該C-V2X服務對於該使用者網路存取訂閱是可用的並且對於該預設網路存取訂閱是不可用的，將該C-V2X服務從該預設網路存取訂閱切換為該使用者網路存取訂閱。
根據請求項19之方法，亦包括以下步驟：<br/> 基於該C-V2X服務對於該第一網路存取訂閱是可用的，將該C-V2X服務從該第二網路存取訂閱切換回該第一網路存取訂閱。
根據請求項19之方法，亦包括以下步驟：<br/> 從一OEM接收一或多個指令以將該C-V2X服務從該第一網路存取訂閱切換到該第二網路存取訂閱，從該第二網路存取訂閱切換回該第一網路存取訂閱，或兩者。
根據請求項19之方法，其中切換該C-V2X服務包括以下步驟：<br/> 將該使用者網路存取訂閱克隆到該第二SIM插槽。
根據請求項18之方法，其中：<br/> 一緊急撥叫（eCall）服務對於該預設網路存取訂閱是不可用的，<br/> 該eCall服務對於該使用者網路存取訂閱是可用的，<br/> 該方法亦包括以下步驟：<br/> 基於該eCall服務對於該使用者網路存取訂閱是可用的並且對於該預設網路存取訂閱是不可用的，切換到該使用者網路存取訂閱。
一種車載使用者設備（V-UE），包括：<br/> 一記憶體；<br/> 一數據機；及<br/> 通訊地耦合到該記憶體和該數據機的至少一個處理器，該至少一個處理器被配置為：<br/> 決定蜂巢車聯網路（C-V2X）服務對於與一第一用戶身份模組（SIM）相關聯的一第一網路存取訂閱、與一第二SIM相關聯的一第二網路存取訂閱、或兩者的一可用性，該第一SIM和該第二SIM分別與該V-UE的一車載系統（IVS）數據機的一第一SIM插槽和一第二SIM插槽相關聯；及<br/> 基於該C-V2X服務的該可用性，更新該IVS數據機的一配置，將該C-V2X服務從該第一網路存取訂閱切換到該第二網路存取訂閱或者從該第二網路存取訂閱切換到該第一網路存取訂閱，或兩者。
根據請求項24之V-UE，其中該至少一個處理器亦被配置為：<br/> 決定從一起始位置到一目的地位置的一路線；及<br/> 針對該路線，檢索C-V2X 可用性資料，<br/> 其中決定該C-V2X服務的該可用性是基於針對該路線的該C-V2X可用性資料的。
根據請求項25之V-UE，其中該至少一個處理器被配置為進行檢索包括該至少一個處理器被配置為：<br/> 從一眾包伺服器檢索針對該路線的該C-V2X可用性資料。
根據請求項25之V-UE，其中針對該路線的該C-V2X可用性資料包括：沿著該路線的路邊C-V2X存取點的位置、其他V-UE沿著該路線的歷史C-V2X連接、其他V-UE沿著該路線的當前C-V2X連接、或者其任意組合。
根據請求項25之V-UE，其中該起始位置是該V-UE的一當前位置。
根據請求項25之V-UE，其中該至少一個處理器亦被配置為：<br/> 基於針對該路線的該C-V2X可用性資料，更改該路線以增加沿著該路線的C-V2X可用性。
根據請求項25之V-UE，其中該至少一個處理器被配置為更新該配置、切換該C-V2X服務、或兩者還是基於與沿著該路線對該C-V2X服務的一需求相關的一或多個因素的。
根據請求項30之V-UE，其中該一或多個因素包括沿著該路線的已知交通狀況、沿著該路線的已知危險、或兩者。
根據請求項30之V-UE，其中該至少一個處理器被配置為更新該IVS數據機的該配置包括該至少一個處理器亦被配置為：<br/> 基於該C-V2X服務不可用並且該一或多個因素指示沿著該路線不存在針對該C-V2X服務的需求，將該IVS數據機的該配置設置為不支援該C-V2X服務的一配置。
根據請求項24之V-UE，其中該至少一個處理器被配置為決定該C-V2X服務的該可用性，是基於由該IVS數據機可以連接到的一細胞廣播的系統資訊區塊（SIB）的一類型。
根據請求項24之V-UE，其中該至少一個處理器被配置為更新該配置、切換該C-V2X服務、或兩者還是基於具有該C-V2X服務的使用者偏好。
根據請求項24之V-UE，其中該至少一個處理器被配置為更新該配置、切換該C-V2X服務、或兩者還是基於針對該V-UE具有該C-V2X服務的法律要求的。
根據請求項24之V-UE，其中該至少一個處理器亦被配置為：<br/> 使得該數據機向一眾包伺服器發送所決定的該C-V2X 服務的可用性和該V-UE的一當前位置。
根據請求項24之V-UE，其中該至少一個處理器亦被配置為：<br/> 使得該數據機向一協力廠商伺服器發送所決定的該C-V2X服務的可用性。
根據請求項37之V-UE，其中該至少一個處理器亦被配置為：<br/> 經由該數據機，從一原始設備製造商（OEM）接收一或多個指令以更新該IVS數據機的該配置、切換該C-V2X服務、或兩者。
根據請求項24之V-UE，其中該至少一個處理器被配置為更新該IVS數據機的該配置包括該至少一個處理器被配置為：<br/> 基於該C-V2X服務不可用，將該IVS數據機的該配置設置為不支援該C-V2X服務的一配置。
根據請求項24之V-UE，其中該至少一個處理器被配置為更新該IVS數據機的該配置包括該至少一個處理器被配置為：<br/> 基於該C-V2X服務是可用的，將該IVS數據機的該配置設置為支援該C-V2X服務的一配置。
根據請求項24之V-UE，其中：<br/> 該第一網路存取訂閱是一預設網路存取訂閱，以及<br/> 該第二網路存取訂閱是一使用者網路存取訂閱。
根據請求項41之V-UE，其中：<br/> 該C-V2X服務對於該預設網路存取訂閱是不可用的，<br/> 該C-V2X服務對於該使用者網路存取訂閱是可用的，並且<br/> 該至少一個處理器被配置為切換該C-V2X服務包括該至少一個處理器被配置為：<br/> 基於該C-V2X服務對於該使用者網路存取訂閱是可用的並且對於該預設網路存取訂閱是不可用的，將該C-V2X服務從該預設網路存取訂閱切換為該使用者網路存取訂閱。
根據請求項42之V-UE，其中該至少一個處理器亦被配置為：<br/> 基於該C-V2X服務對於該第一網路存取訂閱是可用的，將該C-V2X服務從該第二網路存取訂閱切換回該第一網路存取訂閱。
根據請求項42之V-UE，其中該至少一個處理器亦被配置為：<br/> 經由該數據機，從一OEM接收一或多個指令以將該C-V2X服務從該第一網路存取訂閱切換到該第二網路存取訂閱，從該第二網路存取訂閱切換回該第一網路存取訂閱，或兩者。
根據請求項42之V-UE，其中該至少一個處理器被配置為切換該C-V2X服務包括該至少一個處理器被配置為：<br/> 將該使用者網路存取訂閱克隆到該第二SIM插槽。
根據請求項41之V-UE，其中：<br/> 一緊急撥叫（eCall）服務對於該預設網路存取訂閱是不可用的，<br/> 該eCall服務對於該使用者網路存取訂閱是可用的，<br/> 該至少一個處理器亦被配置為：<br/> 基於該eCall服務對於該使用者網路存取訂閱是可用的並且對於該預設網路存取訂閱是不可用的，切換到該使用者網路存取訂閱。
一種車載使用者設備（V-UE），包括：<br/> 用於決定蜂巢車聯網路（C-V2X）服務對於與一第一用戶身份模組（SIM）相關聯的一第一網路存取訂閱、與一第二SIM相關聯的一第二網路存取訂閱、或兩者的一可用性的單元，該第一SIM和該第二SIM分別與該V-UE的一車載系統（IVS）數據機的一第一SIM插槽和一第二SIM插槽相關聯；及<br/> 用於基於該C-V2X服務的該可用性，更新該IVS數據機的一配置，將該C-V2X服務從該第一網路存取訂閱切換到該第二網路存取訂閱或者從該第二網路存取訂閱切換到該第一網路存取訂閱，或兩者的單元。
一種儲存一或多個電腦可執行指令的非臨時性電腦可讀取媒體，該一或多個電腦可執行指令在由一車載使用者設備（V-UE）執行時，使該車載使用者設備（V-UE）執行以下操作：<br/> 決定蜂巢車聯網路（C-V2X）服務對於與一第一用戶身份模組（SIM）相關聯的一第一網路存取訂閱、與一第二SIM相關聯的一第二網路存取訂閱、或兩者的一可用性，該第一SIM和該第二SIM分別與該V-UE的一車載系統（IVS）數據機的一第一SIM插槽和一第二SIM插槽相關聯；及<br/> 基於該C-V2X服務的該可用性，更新該IVS數據機的一配置，將該C-V2X服務從該第一網路存取訂閱切換到該第二網路存取訂閱或者從該第二網路存取訂閱切換到該第一網路存取訂閱，或兩者。
一種噴射加工裝置，其係噴射研磨材料者，且具備： <br/>貯存容器，其於內部劃分形成貯存上述研磨材料之貯存室； <br/>定量供給裝置，其從上述貯存室向上述貯存容器之外部供給上述研磨材料；及 <br/>噴射加工用之管嘴，其將從上述定量供給裝置供給之上述研磨材料與壓縮空氣一起噴射； <br/>上述定量供給裝置具有： <br/>外殼，其沿著水平方向延伸，於內部劃分形成空間，並具有連通上述空間與上述貯存室之導入口、及於從上述導入口於水平方向上分離之位置朝向下方開口之供給口；及 <br/>螺桿，其收納於上述外殼，具有沿著水平方向延伸之旋轉軸，藉由以上述旋轉軸為中心旋轉而將上述空間內之上述研磨材料從上述導入口朝向上述供給口搬送； <br/>上述螺桿以於鉛直方向上不與上述供給口重疊之方式收納於上述外殼； <br/>上述管嘴包含： <br/>嘴體，其與從上述定量供給裝置朝向上述管嘴移送上述研磨材料之路徑連結； <br/>空氣嘴，其向上述嘴體之內部導入上述壓縮空氣而產生將上述研磨材料向上述嘴體之內部吸引之氣流；及 <br/>噴射嘴，其將向上述嘴體之內部移送來之上述研磨材料與上述壓縮空氣一起噴射；且 <br/>上述噴射加工裝置進而具備連接配管，該連接配管連接上述管嘴與上述外殼之供給口； <br/>上述管嘴藉由金屬製之上述連接配管與上述供給口連接、或上述管嘴及上述定量供給裝置被固定於框架構件，藉此上述管嘴與上述外殼之相對位置關係被固定； <br/>上述管嘴以伴隨著上述氣流之產生而產生之壓力損失為0.1 kPa以下之方式配置。
如請求項1之噴射加工裝置，其具備供氣構件，該供氣構件收納於上述貯存室，與空氣源連接，設置有供給來自上述空氣源之空氣之複數個氣孔。
如請求項1或2之噴射加工裝置，其具備規制板， <br/>該規制板形成有沿厚度方向貫通之開口，以分隔上述外殼之內部之方式配置於上述螺桿之前端與上述供給口之間。
如請求項1或2之噴射加工裝置，其具備規制板， <br/>該規制板以於與上述外殼之內壁之間形成間隙之方式固定於上述螺桿之前端。
如請求項1之噴射加工裝置，其中 <br/>上述貯存容器、上述定量供給裝置及上述管嘴構成單元，且 <br/>該噴射加工裝置具備使上述單元相對於被加工物於包含水平方向之方向上相對移動之移動機構。
一種用於執行佔用叢集的方法，包括： <br/>由裝置並且從車輛的雷達掃描儀或雷射雷達掃描儀接收識別第一點和第二點的點資料； <br/>由所述裝置生成第一網格，所述第一網格與映射所述車輛的實體環境相關聯，其中所述第一網格包括： <br/>具有第一單元格大小的第一單元格集； <br/>對應所述第一點的第一網格位置；以及 <br/>對應所述第二點的第二網格位置； <br/>由所述裝置接收網格資訊，所述網格資訊包括與映射所述車輛的所述實體環境相關聯的第二網格的第二單元格集，其中所述網格資訊是至少部分基於在所述第一網格中的所述第一單元格集的所述第一單元格大小的改變來接收的； <br/>由所述裝置生成與映射所述車輛的所述實體環境相關聯的所述第二網格，其中所述第二網格包括： <br/>所述第二單元格集，具有至少部分基於在所述第一網格中的所述第一單元格集的所述第一單元格大小的所述改變的第二單元格大小； <br/>對應所述第一點的第三網格位置；以及 <br/>對應所述第二點的第四網格位置； <br/>由所述裝置並且基於確定所述第一點與所述第二點之間的距離滿足距離臨限值，將所述第二單元格集中的單元格子集指定為與所述第一點和所述第二點相關聯的佔用叢集，其中所述距離臨限值是至少部分地基於以下各項中的至少一項來配置的動態臨限值： <br/>所述車輛的速度； <br/>所述點資料中的點的密度； <br/>所述車輛的物理特性；或者 <br/>所述車輛的操作者的操作者特性；以及 <br/>由所述裝置基於與所述佔用叢集相關聯的位置資訊，來執行與所述車輛相關聯的動作。
如請求項1所述的方法，其中，所述網格資訊識別以下中的至少一個： <br/>所述第二單元格集的所述第二單元格大小，或 <br/>所述第二網格中的所述第二單元格集的坐標。
如請求項1所述的方法，其中，所述網格資訊是進一步至少部分地基於所述第一網格中的所述第一單元格集的坐標的改變來接收的。
如請求項1所述的方法，其中，所述距離臨限值是進一步至少部分地基於由所述車輛的所述操作者輸入的偏好資訊來配置的。
如請求項1所述的方法，其中，所述第二單元格集中的所述單元格子集與對應所述第一點的所述第三網格位置，和對應所述第二點的所述第四網格位置成直線。
如請求項1所述的方法，其中，所述第二單元格集中的所述單元格子集包括以下各項中的至少一項： <br/>第一單元格，包括對應所述第一點的所述第三網格位置； <br/>第二單元格，包括對應所述第二點的所述第四網格位置；或者 <br/>第三單元格，位於所述第一點與所述第二點之間的所述第二網格內。
如請求項1所述的方法，其中，所述距離是基於對應所述第一點的所述第三網格位置，和對應所述第二點的所述第四網格位置確定的實體距離。
如請求項1所述的方法，其中，所述距離是網格距離，所述網格距離是基於沿著包括所述第一點的第一單元格，和包括所述第二點的第二單元格之間的線的單元格的數量來確定的，並且 <br/>其中，所述距離臨限值包括基於所述第二網格的所述第二單元格集的所述第二單元格大小的數量臨限值。
如請求項1所述的方法，其中所述位置資訊指示由一個或多個物件佔據的所述實體環境的區域， <br/>其中所述實體環境的所述區域對應於所述第二網格的包括所述第二單元格集中的所述單元格子集的區域。
如請求項1所述的方法，其中，所述位置資訊指示與所述第二單元格集中的所述單元格子集的一個或多個單元格相關聯的網格位置。
如請求項1所述的方法，其中，執行所述動作包括： <br/>經由所述車輛的用戶介面並且基於所述位置資訊，來指示相對於所述車輛的位置的所述佔用叢集的位置。
如請求項1所述的方法，其中，執行所述動作包括： <br/>控制所述車輛以避開在所述位置資訊中指示的所述實體環境的區域。
一種用於執行佔用叢集的裝置，包括： <br/>一個或多個記憶體；以及 <br/>一個或多個處理器，耦接到所述一個或多個記憶體，被配置為： <br/>從車輛的雷達掃描儀或雷射雷達掃描儀接收識別第一點和第二點的點資料； <br/>生成第一網格，所述第一網格與映射所述車輛的實體環境相關聯，其中所述第一網格包括： <br/>具有第一單元格大小的第一單元格集； <br/>對應所述第一點的第一網格位置；以及 <br/>對應所述第二點的第二網格位置； <br/>接收網格資訊，所述網格資訊包括與映射所述車輛的所述實體環境相關聯的第二網格的第二單元格集，其中所述網格資訊是至少部分基於在所述第一網格中的所述第一單元格集的所述第一單元格大小的改變來接收的； <br/>生成與映射所述車輛的所述實體環境相關聯的所述第二網格，其中所述第二網格包括： <br/>所述第二單元格集，具有至少部分基於在所述第一網格中的所述第一單元格集的所述第一單元格大小的所述改變的第二單元格大小； <br/>對應所述第一點的第三網格位置；以及 <br/>對應所述第二點的第四網格位置； <br/>基於確定所述第一點與所述第二點之間的距離滿足距離臨限值，將所述第二單元格集中的單元格子集指定為與所述第一點和所述第二點相關聯的佔用叢集，其中所述距離臨限值是至少部分地基於以下各項中的至少一項來配置的動態臨限值： <br/>所述車輛的速度； <br/>所述點資料中的點的密度； <br/>所述車輛的物理特性；或者 <br/>所述車輛的操作者的操作者特性；以及 <br/>基於與所述佔用叢集相關聯的位置資訊，來執行與所述車輛相關聯的動作。
如請求項13所述的裝置，其中，所述網格資訊識別以下中的至少一個： <br/>所述第二單元格集的所述第二單元格大小，或 <br/>所述第二網格中的所述第二單元格集的坐標。
如請求項13所述的裝置，其中，所述距離臨限值是進一步至少部分地基於由所述車輛的所述操作者輸入的偏好資訊來配置的。
如請求項13所述的裝置，其中所述第二單元格集中的所述單元格子集與對應所述第一點的所述第三網格位置，和對應所述第二點的所述第四網格位置成直線。
如請求項13所述的裝置，其中所述距離是基於對應所述第一點的所述第三網格位置，和對應所述第二點的所述第四網格位置確定的實體距離。
如請求項13所述的裝置，其中為了執行所述動作，所述一個或多個處理器被配置為進行以下各項中的至少一項： <br/>經由所述車輛的用戶介面並且基於所述位置資訊，來指示相對於所述車輛的位置的所述佔用叢集的位置，或者 <br/>控制所述車輛以避開在所述位置資訊中指示的所述實體環境的區域。
一種非暫時性電腦可讀媒體，儲存有指令集，所述指令集包括： <br/>一個或多個指令，所述一個或多個指令在由裝置的一個或多個處理器執行時，使得所述裝置： <br/>從車輛的雷達掃描儀或雷射雷達掃描儀接收識別第一點和第二點的點資料； <br/>生成第一網格，所述第一網格與映射所述車輛的實體環境相關聯，其中所述第一網格包括： <br/>具有第一單元格大小的第一單元格集； <br/>對應所述第一點的第一網格位置；以及 <br/>對應所述第二點的第二網格位置； <br/>接收網格資訊，所述網格資訊包括與映射所述車輛的所述實體環境相關聯的第二網格的第二單元格集，其中所述網格資訊是至少部分基於在所述第一網格中的所述第一單元格集的所述第一單元格大小的改變來接收的； <br/>生成與映射所述車輛的所述實體環境相關聯的所述第二網格，其中所述第二網格包括： <br/>所述第二單元格集，具有至少部分基於在所述第一網格中的所述第一單元格集的所述第一單元格大小的所述改變的第二單元格大小； <br/>對應所述第一點的第三網格位置；以及 <br/>對應所述第二點的第四網格位置； <br/>基於確定所述第一點與所述第二點之間的距離滿足距離臨限值，將所述第二單元格集中的單元格子集指定為與所述第一點和所述第二點相關聯的佔用叢集，其中所述距離臨限值是至少部分地基於以下各項中的至少一項來配置的動態臨限值： <br/>所述車輛的速度； <br/>所述點資料中的點的密度； <br/>所述車輛的物理特性；或者 <br/>所述車輛的操作者的操作者特性；以及 <br/>基於與所述佔用叢集相關聯的位置資訊，來執行與所述車輛相關聯的動作。
如請求項19所述的非暫時性電腦可讀媒體，其中，所述網格資訊識別以下各項中的至少一項： <br/>所述第二單元格集的所述第二單元格大小，或 <br/>所述第二網格中的所述第二單元格集的坐標。
如請求項19所述的非暫時性電腦可讀媒體，其中，所述距離臨限值是進一步至少部分地基於由所述車輛的所述操作者輸入的偏好資訊來配置的。
如請求項19所述的非暫時性電腦可讀媒體，其中，所述第二單元格集中的所述單元格子集與對應所述第一點的所述第三網格位置，和對應所述第二點的所述第四網格位置成直線。
如請求項19所述的非暫時性電腦可讀媒體，其中所述距離是基於對應所述第一點的所述第三網格位置和對應所述第二點的所述第四網格位置確定的實體距離。
如請求項19所述的非暫時性電腦可讀媒體，其中使得所述裝置執行所述動作的所述一個或多個指令使得所述裝置： <br/>經由所述車輛的用戶介面並且基於所述位置資訊，來指示相對於所述車輛的位置的所述佔用叢集的位置，或者 <br/>控制所述車輛以避開在所述位置資訊中指示的所述實體環境的區域。
一種用於執行佔用叢集的設備，包括： <br/>用於從車輛的雷達掃描儀或雷射雷達掃描儀接收識別第一點和第二點的點資料的部件； <br/>用於生成第一網格的部件，所述第一網格與映射所述車輛的實體環境相關聯，其中所述第一網格包括： <br/>具有第一單元格大小的第一單元格集； <br/>對應所述第一點的第一網格位置；以及 <br/>對應所述第二點的第二網格位置； <br/>用於接收網格資訊的部件，所述網格資訊包括與映射所述車輛的所述實體環境相關聯的第二網格的第二單元格集，其中所述網格資訊是至少部分基於在所述第一網格中的所述第一單元格集的所述第一單元格大小的改變來接收的； <br/>用於生成與映射所述車輛的所述實體環境相關聯的所述第二網格的部件，其中所述第二網格包括： <br/>所述第二單元格集，具有至少部分基於在所述第一網格中的所述第一單元格集的所述第一單元格大小的所述改變的第二單元格大小； <br/>對應所述第一點的第三網格位置；以及 <br/>對應所述第二點的第四網格位置； <br/>用於基於確定所述第一點與所述第二點之間的距離滿足距離臨限值、將所述第二單元格集中的單元格子集指定為與所述第一點和所述第二點相關聯的佔用叢集的部件，其中所述距離臨限值是至少部分地基於以下各項中的至少一項來配置的動態臨限值： <br/>所述車輛的速度； <br/>所述點資料中的點的密度； <br/>所述車輛的物理特性；或者 <br/>所述車輛的操作者的操作者特性；以及 <br/>用於基於與所述佔用叢集相關聯的位置資訊、來執行與所述車輛相關聯的動作的部件。
如請求項25所述的設備，其中，所述網格資訊識別以下各項中的至少一項： <br/>所述第二單元格集的所述第二單元格大小，或 <br/>所述第二網格中的所述第二單元格集的坐標。
如請求項25所述的設備，其中，所述距離臨限值是進一步至少部分地基於由所述車輛的所述操作者輸入的偏好資訊來配置的。
如請求項25所述的設備，其中，所述第二單元格集中的所述單元格子集與對應所述第一點的所述第三網格位置，和對應所述第二點的所述第四網格位置成直線。
如請求項25所述的設備，其中，所述距離是基於對應所述第一點的所述第三網格位置，和對應所述第二點的所述第四網格位置確定的實體距離。
如請求項25所述的設備，其中，所述用於執行所述動作的部件包括： <br/>用於經由所述車輛的用戶介面並且基於所述位置資訊、來指示相對於所述車輛的位置的所述佔用叢集的位置的部件，或者 <br/>用於控制所述車輛以避開在所述位置資訊中指示的所述實體環境的區域的部件。
一種用於將一信號提供至一量子電腦之一離子阱中之一電極之系統，該系統包括： <br/>一信號產生器，其經組態以產生一第一信號，其中該第一信號包括一頻率掃描； <br/>一增益級，其經組態以放大該信號，其中該增益級之一輸入連接至該信號產生器之輸出； <br/>一濾波器級，其經組態以對該信號濾波，其中該濾波器級之一輸入連接至該增益級之一輸出； <br/>一轉換器，其經組態以回應於該第一信號而量測該濾波器級之一輸出處之一回應； <br/>其中該信號產生器進一步經組態以產生一第二信號，其中該第二信號基於該經量測回應以一經判定預失真波形預失真； <br/>其中一離子阱中之一電極經組態以接收該第二信號。
如請求項1之系統，其中該濾波器級包括一主動濾波器及一被動濾波器。
如請求項1之系統，其中信號產生器包括一第一數位轉類比轉換器及一第二數位轉類比轉換器。
如請求項3之系統，其中該第二數位轉類比轉換器經組態以提供一DC偏移電壓。
如請求項3之系統，其中該第一數位轉類比轉換器經組態以提供該預失真第二信號。
如請求項1之系統，其中連接至該增益級之該輸入之該信號產生器之該輸出透過一開關連接，且其中該開關在連接至該增益級之該輸入與連接至該轉換器之間切換。
如請求項1之系統，其中該濾波器級包括一低通濾波器。
如請求項1之系統，其中該離子阱經組態以在其中捕獲複數個離子，且其中捕獲於其中之該複數個離子之至少一些用作該量子電腦之量子位。
一種用於使由一量子電腦之一信號產生器產生之一信號預失真之方法，該方法包括： <br/>藉由一控制器使一信號產生器產生一第一信號，其中該第一信號包括在複數個頻率上之一頻率掃描； <br/>使該第一信號提供至雜訊減消電路系統，其中該雜訊減消電路系統包括一濾波器級，且其中該濾波器級經組態以根據一濾波器回應而對該第一信號濾波以提供一經濾波信號； <br/>用一轉換器量測該經濾波信號； <br/>使該信號產生器產生一第二信號，其中該第二信號基於該經濾波信號之該量測預失真； <br/>使該第二信號提供至該量子電腦之一離子阱之一電極。
如請求項9之方法，其中該濾波器級包括一主動濾波器及一被動濾波器且該信號產生器包括一第一數位轉類比轉換器及一第二數位轉類比轉換器。
一種用於在一處理器的安裝期間保護複數個連接器針腳的系統，該系統包括：<br/> 一插座，其中該複數個連接器針腳連接到該插座，其中該複數個連接器針腳被配置為接觸該處理器；以及<br/> 一側向可移除的針腳蓋，連接到該插座，其中該針腳蓋無法被移除，直到該處理器處於一蓋子移除位置為止。
如請求項1所述的系統，其中該針腳蓋包括複數個區段。
如請求項2所述的系統，其中該複數個區段中的至少兩者是彼此互鎖的。
如請求項1所述的系統，其中該針腳蓋無法被移除，直到該處理器與該針腳蓋相鄰為止。
如請求項1所述的系統，其中在該蓋子移除位置，該處理器接觸該針腳蓋。
如請求項4所述的系統，其中該插座包括一個或多個引導柱，並且其中在該蓋子移除位置，該處理器用一位置維持特徵固定到該一個或多個引導柱。
如請求項1所述的系統，其中該複數個連接器針腳在該插座的一針腳基部上方延伸出一針腳高度，並且該針腳蓋在該針腳基部上方延伸出一蓋子高度，並且其中該蓋子高度大於該針腳高度。
如請求項1所述的系統，進一步包括：一閂鎖，將該針腳蓋固定到該插座。
如請求項8所述的系統，其中在該處理器被放置在一蓋子移除位置時，該閂鎖被解除閂鎖。
如請求項1所述的系統，其中該針腳蓋用一互鎖連接來連接到該插座。
一種用於將一處理器連接到一插座的方法，該方法包括以下步驟：<br/> 將該處理器放置在連接到該插座的一側向可移除的針腳蓋上方的一蓋子移除位置，其中該插座包括複數個連接器針腳，該複數個連接器針腳被配置為與該處理器上的複數個連接器墊電連接；<br/> 將該處理器與一位置維持特徵接合，以將該處理器維持在該蓋子移除位置；<br/> 在該處理器定位於該蓋子移除位置的基礎上，從該插座側向移除該針腳蓋；以及<br/> 在將該處理器從該位置維持特徵脫離的基礎上，將該處理器移動到該插座上的一安裝位置，其中在該安裝位置，該複數個連接器針腳與該處理器上的該複數個連接器墊接觸。
如請求項11所述的方法，進一步包括以下步驟：在該蓋子移除位置，將把該針腳蓋固定到該插座的一閂鎖解除閂鎖。
如請求項11所述的方法，其中該針腳蓋包括複數個區段，並且其中側向移除該針腳蓋包括個別地側向移除該複數個區段中的每個區段。
如請求項11所述的方法，其中該針腳蓋包括複數個區段，並且其中側向移除該針腳蓋包括在一第一側向方向上側向移除該複數個區段中的一第一區段並在一第二側向方向上側向移除該複數個區段中的一第二區段。
如請求項11所述的方法，其中將該處理器放置在該蓋子移除位置包括使用一個或多個引導柱來將該處理器對準在該插座上方。
如請求項11所述的方法，其中在將該處理器放置在該蓋子移除位置時，該針腳蓋防止該複數個連接器墊接觸該複數個連接器針腳。
一種用於從一插座移除一處理器組件的方法，該方法包括以下步驟：<br/> 在該處理器組件被安裝在該插座上時，將一針腳蓋插入在該處理器組件與該插座之間；以及<br/> 在該針腳蓋被放置在該處理器組件與該插座之間之後，從該插座移除該處理器組件。
如請求項17所述的方法，其中該插座包括複數個連接器針腳，並且其中，在該處理器組件被安裝在該插座上時，該處理器組件的複數個連接器墊與該複數個連接器針腳接觸，並且其中插入該針腳蓋會將該複數個連接器墊與該複數個連接器針腳斷開。
如請求項17所述的方法，進一步包括以下步驟：在插入該針腳蓋之前從該插座部分地移除該處理器組件。
如請求項17所述的方法，進一步包括以下步驟：在該針腳蓋被完全插入時，從該處理器組件將一閂鎖解除閂鎖。
一種用於在一處理器的安裝期間保護複數個連接器針腳的系統，該系統包括：<br/> 一插座組件，包括：<br/> 一插座，具有複數個連接器針腳；<br/> 至少一個引導柱；<br/> 一針腳蓋，定位在該複數個連接器針腳上方；以及<br/> 一針腳蓋閂鎖，被配置為將該針腳蓋固定在該插座組件上；以及<br/> 一處理器組件，被配置為固定一處理器並使該處理器相對於該插座定位；該處理器組件包括至少一個引導管，該至少一個引導管用於與該至少一個引導柱接合，以相對於該插座組件對準該處理器組件，其中：<br/> 該至少一個引導管和該至少一個引導柱的一界面包括一位置維持特徵，以將該處理器組件暫時維持在一蓋子移除位置；以及<br/> 當處於該蓋子移除位置時，該處理器組件接合該針腳蓋閂鎖，以允許側向移除該針腳蓋。
如請求項21所述的系統，其中該針腳蓋包括複數個區段。
如請求項22所述的系統，其中該複數個區段中的至少兩者是彼此互鎖的。
如請求項21所述的系統，其中該針腳蓋用一互鎖連接來連接到該插座。
如請求項21所述的系統，其中該複數個連接器針腳在該插座的該針腳基部上方延伸出一針腳高度，並且該針腳蓋在該針腳基部上方延伸出一蓋子高度，並且其中該蓋子高度大於該針腳高度。
一種石墨烯奈米帶，係以通式(1)所示； <br/><img align="absmiddle" height="94px" width="171px" file="ed10001.jpg" alt="ed10001.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>1</sup>係表示碳數1至12之直鏈烷基，R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>皆為氫原子，或者，R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>一起形成以–SiR<sup>2a</sup>R<sup>2b</sup>–所示之基，其中，R<sup>2a</sup>及R<sup>2b</sup>係相同或相異地表示氫原子、可具有分枝之碳數1至4的烷基或苯基，n係表示1以上之整數。
如請求項1所述之石墨烯奈米帶，係以通式(1–1)及／或通式(1–2)所示； <br/><img align="absmiddle" height="90px" width="179px" file="ed10002.jpg" alt="ed10002.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>1</sup>係表示碳數1至12之直鏈烷基，R<sup>2a</sup>及R<sup>2b</sup>係相同或相異地表示氫原子、可具有分枝之碳數1至4的烷基或苯基，n<sup>a</sup>係表示1以上之整數； <br/><img align="absmiddle" height="90px" width="182px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>1</sup>係表示碳數1至12之直鏈烷基，n<sup>b</sup>係表示1以上之整數。
一種石墨烯奈米帶的製造方法，係製造請求項1或2所述之石墨烯奈米帶，且該製造方法係在相對於以通式(2)所示之矽雜環戊二烯化合物1莫耳為0.01至0.4莫耳之鈀化合物、o–四氯對苯醌及銀化合物的存在下，使通式(2)所示之矽雜環戊二烯化合物聚合； <br/><img align="absmiddle" height="80px" width="68px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>1</sup>、R<sup>2a</sup>及R<sup>2b</sup>係與前述者相同。
一種被覆醫療設備，包括醫療設備、以及被覆所述醫療設備的表面的親水性聚合物層，所述被覆醫療設備中， <br/>所述醫療設備包含選自由水凝膠及矽酮水凝膠所組成的群組中的材料， <br/>所述親水性聚合物層包含親水性聚合物A， <br/>所述親水性聚合物A包含下述通式（I）所表示的化合物a1、以及具有醯胺基的化合物a2作為單體單元， <br/>所述化合物a1與所述化合物a2的共聚比率為，將所述親水性聚合物A整體設為100質量%，所述化合物a1所佔的比例為30質量%以上且90質量%以下，所述化合物a2所佔的比例為10質量%以上且70質量%以下： <br/>[化1] <br/><br/><img align="absmiddle" height="44px" width="127px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>通式（I）中，R<sup>1</sup>表示氫原子或甲基，X表示氧原子或NR<sup>2</sup>，R<sup>2</sup>表示氫原子或烷基，m表示1～30的整數，Y表示甲基、乙基、丙基、異丙基或丁基。
如請求項1所述的被覆醫療設備，具有所述親水性聚合物層與所述醫療設備的混合層。
如請求項1所述的被覆醫療設備，其中所述水凝膠選自由泰菲康、四菲康、赫爾菲康、馬菲康、聚麥康、海西菲康、阿爾法菲康、奧馬菲康、奈菲康、奈蘇菲康、海拉菲康、阿考菲康、德他菲康、依他菲康、福可菲康、奧庫菲康、菲莫菲康、美他菲康及威爾菲康所組成的群組中。
如請求項1所述的被覆醫療設備，其中所述矽酮水凝膠選自由洛他拉菲康、加萊菲康、那拉菲康、塞諾菲康、庫菲康、英菲康、巴拉菲康、伊夫洛菲康、范菲康、索膜菲康、薩姆菲康、奧利菲康、阿斯莫菲康、富莫菲康、斯坦菲康、阿巴菲康、曼歌菲康、銳歐菲康、西菲康、勞拉菲康及得力菲康所組成的群組中。
如請求項1所述的被覆醫療設備，其中所述醫療設備選自由眼用透鏡、皮膚用被覆材、創傷被覆材、皮膚用保護材、皮膚用藥劑載體、輸液用管、氣體輸送用管、排液用管、血液回路、被覆用管、導管、支架、護套、生物感測器晶片、人工心肺及內視鏡用被覆材所組成的群組中。
一種被覆醫療設備的製造方法，製造如請求項1至請求項5中任一項所述的被覆醫療設備，所述被覆醫療設備的製造方法包括： <br/>（A）接觸步驟，於容器內容納醫療設備，使所述醫療設備與包含親水性聚合物A的溶液a接觸；以及 <br/>（C）加熱步驟，對所述容器進行加熱， <br/>所述親水性聚合物A包含下述通式（I）所表示的化合物a1、以及具有醯胺基的化合物a2作為單體單元， <br/>所述化合物a1與所述化合物a2的共聚比率為，將所述親水性聚合物A整體設為100質量%，所述化合物a1所佔的比例為30質量%以上且90質量%以下，所述化合物a2所佔的比例為10質量%以上且70質量%以下， <br/>[化2] <br/><br/><img align="absmiddle" height="45px" width="130px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>通式（I）中，R<sup>1</sup>表示氫原子或甲基，X表示氧原子或NR<sup>2</sup>，R<sup>2</sup>表示氫原子或烷基，m表示1～30的整數，Y表示甲基、乙基、丙基、異丙基或丁基； <br/>所述加熱步驟後的所述溶液a的pH為6.1～8.0。
如請求項6所述的被覆醫療設備的製造方法，於所述接觸步驟後、所述加熱步驟前更包括：（B）密閉步驟，將容納有所述醫療設備的所述容器密閉。
如請求項6或請求項7所述的被覆醫療設備的製造方法，其中藉由所述加熱步驟對所述醫療設備進行滅菌。
一種基板搬送機構，處理基板並在相互層積的複數處理模組的各者收授該基板，具備： <br/> 具備第1驅動機器的基部； <br/> 使前述基部升降的升降部； <br/> 從前述基部的下側向橫方向延伸，前端部藉由前述第1驅動機器相對於該基部繞縱軸旋轉的第1腕部； <br/> 從前述第1腕部的前端部的上側向橫方向延伸，前端部與前述第1腕部的旋轉一同相對於該第1腕部繞縱軸旋轉的第2腕部； <br/> 設於前述第2腕部的前端部的上側，相對於該第2腕部繞縱軸轉動的前述基板的保持部； <br/> 設於前述升降部，除去使前述基部升降時產生的粒子的排氣機構。
如請求項1記載的基板搬送機構，其中，在前述第2腕部的前端部的上側，設置相對於該第2腕部繞縱軸轉動的基台； <br/> 前述保持部，在前述基台的上側以能相對於該基台進退的方式設置。
如請求項2記載的基板搬送機構，其中，前述保持部，具備相互在縱方向設置且分別保持前述基板的第1保持部、及第2保持部； <br/> 將前述第1保持部及前述第2保持部的進退方向設為前後方向時，在前述基台左右的一面側、另一方側，分別設置使前述第1保持部進退的第1進退機構、使前述第2保持部進退的第2進退機構； <br/> 將前述第1保持部連接至前述第1進退機構的第1連接部僅設於前述基台左右的一面側，將前述第2保持部連接至前述第2進退機構的第2連接部僅設於前述基台左右的另一側。
如請求項2記載的基板搬送機構，其中，前述保持部，具有用來吸引保持前述基板的吸引孔；檢出連接至前述吸引孔的排氣路的狀態的感測器設於前述第2腕部。
如請求項1至4中任一項記載的基板搬送機構，其中，前述處理模組的層積體，包含在橫方向遠離的一層積體、及其他層積體； <br/> 前述升降部，包夾在前述一層積體與前述其他層積體之間設置。
如請求項1至4中任一項記載的基板搬送機構，其中，前述處理模組的層積體，包含在橫方向排列的一層積體、及其他層積體； <br/> 在前述一層積體及前述其他層積體排列的方向，設置前述處理模組的附帶設備以包夾該一層積體及該其他層積體。
如請求項1至4中任一項記載的基板搬送機構，其中，將相對於前述升降部設置前述基部之側設為前方側時， <br/> 前述升降部，具備：在左右排列並在縱方向伸長的複數軌道； <br/> 為了使前述基部沿著前述各軌道的伸長方向升降，在該各軌道共通的第4驅動機器。
如請求項1至4中任一項記載的基板搬送機構，其中，前述基部，具備：支持於前述升降部並進行升降的滑動器； <br/> 從前述滑動器的上部側向橫方向突出，設有前述第1驅動機器的基部本體； <br/> 前述第1腕部的基端部，連接至前述基部本體的下部側。
如請求項8記載的基板搬送機構，其中，前述升降部，具備在縱方向延伸並在橫方向相互遠離設置的第1支柱、第2支柱； <br/> 關於前述滑動器，在橫方向延伸，其一端、另一端分別連接至前述第1支柱、前述第2支柱； <br/> 前述基部本體，朝向相對於前述滑動器的伸長方向的交叉方向從該滑動器突出設置。
如請求項9記載的基板搬送機構，其中，在前述第1支柱及第2支柱之中的至少一者，分別設置用以得到使前述滑動器升降的驅動力的第2驅動機器； <br/> 前述第2驅動機器，設於相對於設有前述處理模組的區域畫分的區域。
如請求項9記載的基板搬送機構，其中，在前述第1支柱及前述第2支柱，形成沿著該各支柱的長邊方向形成且具備用來使前述滑動器升降的升降機構的內部空間； <br/> 將前述內部空間排氣的第1排氣機構，分別設於該內部空間的上部、下部。
如請求項9記載的基板搬送機構，其中，前述升降部，具備：將前述第1支柱的上端部與前述第2支柱的上端部相互連接的第1樑； <br/> 將前述第1支柱的下端部與前述第2支柱的下端部相互連接的第2樑； <br/> 前述第1支柱及第2支柱，相對於包圍前述處理模組及前述基板搬送機構的框體沿著縱方向固定。
如請求項8記載的基板搬送機構，其中，在前述第2腕部的前端部的上側，設置相對於該第2腕部繞縱軸轉動的基台； <br/> 前述保持部，在前述基台的上側以能相對於該基台進退的方式設置；前述基台，具備用來使前述保持部進退的第3驅動機器； <br/> 前述基部本體、前述第1腕部、前述第2腕部，分別具備收容連接至前述第3驅動機器的電纜的基部本體用框體、第1腕部用框體、第2腕部用框體； <br/> 前述第2腕部用框體的上端及前述基部本體用框體的上端，位於前述滑動器的上端以下的高度； <br/> 前述第1腕部用框體的下端，位於前述滑動器的下端以上的高度。
如請求項8記載的基板搬送機構，其中，前述滑動器、前述基部本體、前述第1腕部、前述第2腕部分別具備滑動器用框體、基部本體用框體、第1腕部用框體、第2腕部用框體； <br/> 設置使前述滑動器用框體與前述基部用框體內與前述第1腕部用框體內與前述第2腕部用框體內連通的連通路； <br/> 於前述滑動器，設置經由前述連通路將前述滑動器用框體內、前述基部用框體內、前述第1腕部用框體內及前述第2腕部用框體內排氣的第2排氣機構。
一種基板搬送方法，處理基板並在相互層積的複數處理模組的各者藉由基板搬送機構收授該基板，具備： <br/> 藉由升降部使具備第1驅動機器的基部升降的工程； <br/> 就從前述基部的下側向橫方向延伸的第1腕部的前端部，使該前端部藉由前述第1驅動機器相對於該基部繞縱軸旋轉的工程； <br/> 就從前述第1腕部的前端部的上側向橫方向延伸的第2腕部，使該前端部與前述第1腕部的旋轉一同相對於該第1腕部繞縱軸旋轉的工程； <br/> 使設於前述第2腕部的前端部的上側的前述基板的保持部相對於該第2腕部繞縱軸轉動的工程； <br/> 藉由設於前述升降部的排氣機構，除去使前述基部升降時產生的粒子的工程。
一種固體攝像元件，其具備： <br/>第1像素，其於特定之相對位置，配置將保持特定重設位準之第1電容元件與特定節點之間之路徑開閉之第1選擇電晶體，且於與上述特定之相對位置不同之相對位置，配置將保持與曝光量相應之信號位準之第2電容元件與上述節點之間之路徑開閉之第2選擇電晶體；及 <br/>第2像素，其於上述特定之相對位置，配置將保持特定重設位準之第3電容元件與特定節點之間之路徑開閉之第3選擇電晶體，且於與上述特定之相對位置不同之相對位置，配置將保持與曝光量相應之信號位準之第4電容元件與上述節點之間之路徑開閉之第4選擇電晶體；且 <br/>對包含上述第1像素及上述第2像素之像素陣列部內之像素進行四拜耳排列； <br/>上述像素陣列部包含： <br/>第1區域，其將上述第1像素、與上述第1像素同色之3個上述第2像素排列成2列×2行；及 <br/>第2區域，其與上述第1區域相鄰，將上述第2像素、與上述第2像素同色之3個上述第1像素排列成2列×2行。
如請求項1之固體攝像元件，其中 <br/>上述第2像素與上述第1像素相鄰。
如請求項1之固體攝像元件，其中 <br/>上述節點為後段節點；且 <br/>排列有上述第1像素及上述第2像素之像素區塊具備： <br/>第1前段電路，其依序產生第1重設位準與第1信號位準並保持於上述第1及第2電容元件； <br/>第2前段電路，其依序產生第2重設位準與第2信號位準並保持於上述第3及第4電容元件； <br/>上述第1、第2、第3及第4電容元件； <br/>選擇部，其包含設置上述第1及第2選擇電晶體之第1選擇電路、與設置上述第3及第4前段選擇電晶體之第2選擇電路；及 <br/>後段電路，其經由上述後段節點依序讀出上述第1及第2重設位準與上述第1及第2信號位準之各者。
如請求項3之固體攝像元件，其中 <br/>上述第1前段電路具備： <br/>第1光電轉換元件； <br/>第1前段傳送電晶體，其自上述第1光電轉換元件向第1浮動擴散層傳送電荷； <br/>第1重設電晶體，其將上述第1浮動擴散層初始化；及 <br/>第1前段放大電晶體，其將上述第1浮動擴散層之電壓放大；且 <br/>上述第2前段電路具備： <br/>第2光電轉換元件； <br/>第2前段傳送電晶體，其自上述第2光電轉換元件向第2浮動擴散層傳送電荷； <br/>第2重設電晶體，其將上述第2浮動擴散層初始化；及 <br/>第2前段放大電晶體，其將上述第2浮動擴散層之電壓放大。
如請求項4之固體攝像元件，其中 <br/>上述第1前段電路進而具備：第1電流源電晶體，其連接於第1前段節點； <br/>上述第2前段電路進而具備：第2電流源電晶體，其連接於第2前段節點； <br/>上述第1前段放大電晶體將上述第1浮動擴散層之電壓放大並向上述第1前段節點輸出； <br/>上述第2前段放大電晶體將上述第2浮動擴散層之電壓放大並向上述第2前段節點輸出； <br/>上述第1及第2電容元件之各者之一端共通連接於上述第1前段節點，各者之另一端連接於上述第1選擇電路； <br/>上述第3及第4電容元件之各者之一端共通連接於上述第2前段節點，各者之另一端連接於上述第2選擇電路。
如請求項4之固體攝像元件，其中 <br/>於特定曝光開始時序中，上述第1及第2前段傳送電晶體向上述第1及第2浮動擴散層傳送上述電荷，且上述第1及第2重設電晶體將上述第1及第2光電轉換元件與上述第1及第2浮動擴散層一起初始化； <br/>於特定曝光結束時序中，上述第1及第2前段傳送電晶體向上述第1及第2浮動擴散層傳送上述電荷。
如請求項3之固體攝像元件，其中 <br/>上述選擇部依序進行將上述第1及第2電容元件之一者連接於上述後段節點之控制、將上述第1及第2電容元件之另一者連接於上述後段節點之控制、將上述第3及第4電容元件之一者連接於上述後段節點之控制、及將上述第3及第4電容元件之另一者連接於上述後段節點之控制。
如請求項3之固體攝像元件，其中 <br/>上述選擇部於特定加算模式中，依序進行將上述第1及第2電容元件之一者與上述第3及第4電容元件之一者之兩者連接於上述後段節點之控制、及將上述第1及第2電容元件之另一者與上述第3及第4電容元件之另一者之兩者連接於上述後段節點之控制。
如請求項4之固體攝像元件，其中 <br/>上述第1前段電路進而具備：第1前段選擇電晶體，其根據特定第1選擇信號將由上述第1前段放大電晶體放大之電壓輸出至特定前段節點；且 <br/>上述第2前段電路進而具備： <br/>第2前段選擇電晶體，其根據特定第2選擇信號將由上述第2前段放大電晶體放大之電壓輸出至上述前段節點；及 <br/>電流源電晶體，其連接於上述前段節點；且 <br/>上述第1及第2電容元件之各者之一端共通連接於上述前段節點，各者之另一端連接於上述第1選擇電路； <br/>上述第3及第4電容元件之各者之一端共通連接於上述前段節點，各者之另一端連接於上述第2選擇電路。
如請求項9之固體攝像元件，其中 <br/>於特定曝光結束之時序之前與上述曝光結束之時序之後，上述第1及第2前段選擇電晶體依序轉變至關閉狀態； <br/>上述第1重設電晶體於上述第1前段選擇電晶體為上述關閉狀態時將上述第1浮動擴散層初始化； <br/>上述第2重設電晶體於上述第2前段選擇電晶體為上述關閉狀態時將上述第2浮動擴散層初始化； <br/>於上述曝光結束之時序之後，上述第1及第2前段選擇電晶體依序轉變至關閉狀態； <br/>上述第1及第2前段傳送電晶體於特定曝光結束之時序傳送上述電荷。
如請求項1之固體攝像元件，其中 <br/>上述節點包含第1及第2後段節點； <br/>排列有包含上述第1像素及上述第2像素之4個像素之像素區塊具備： <br/>短路電晶體，其將上述第1後段節點與上述第2後段節點之間之路徑開閉； <br/>上述第1、第2、第3及第4電容元件； <br/>第5、第6、第7及第8電容元件； <br/>及選擇部，其包含設置上述第1及第2選擇電晶體之第1選擇電路、設置上述第3及第4前段選擇電晶體之第2選擇電路、將上述第5及第6電容元件之任一者連接於上述第2後段節點之第3選擇電路、及將上述第7及第8電容元件之任一者連接於上述第2後段節點之第4選擇電路。
如請求項11之固體攝像元件，其中 <br/>於特定非加算模式中，上述短路電晶體為打開狀態； <br/>於上述非加算模式中，上述選擇部以特定順序進行將上述第1及第2電容元件之各者依序連接於上述第1後段節點之控制、將上述第3及第4電容元件之各者依序連接於上述第1後段節點之控制、將上述第5及第6電容元件之各者依序連接於上述第2後段節點之控制、及將上述第7及第8電容元件之各者依序連接於上述第2後段節點之控制。
如請求項11之固體攝像元件，其中 <br/>於特定加算模式中，上述短路電晶體為關閉狀態； <br/>於上述加算模式中，上述選擇部依序進行將上述第1及第2電容元件之一者與上述第3及第4電容元件之一者連接於上述第1後段節點，且將上述第5及第6電容元件之一者與上述第7及第8電容元件之一者連接於上述第2後段節點之控制、及將上述第1及第2電容元件之另一者與上述第3及第4電容元件之另一者連接於上述第1後段節點，且將上述第5及第6電容元件之另一者與上述第7及第8電容元件之另一者連接於上述第2後段節點之控制。
一種攝像裝置，其具備： <br/>如請求項1至13中任一項之固體攝像元件；及 <br/>信號處理電路，其將上述重設位準、上述信號位準依序變換為數位信號而進行處理。
一種電源裝置，具有向雷射振盪器供給叢發狀的高頻電壓之高頻電源；前述電源裝置具備： <br/>控制電路，其係控制前述高頻電源； <br/>控制電源，其係向前述控制電路供給電力； <br/>金屬製的第2框體，其係收納前述控制電路及前述控制電源；以及 <br/>金屬製的第1框體，其係收納前述第2框體及前述高頻電源； <br/>前述第2框體與前述第1框體絕緣，並且與前述第1框體分離。
如請求項1之電源裝置，其中， <br/>前述第2框體經由絕緣構件以與前述第1框體分開規定的距離之狀態被支撐。
如請求項1或請求項2之電源裝置，其中， <br/>前述第2框體通過訊號線與包括前述雷射振盪器之光源裝置的框體電性連接。
如請求項1或請求項2之電源裝置，其中， <br/>前述第2框體具有：側板部，其係對收納前述控制電路及前述控制電源之空間的側面進行劃分；及底板部，其係封住前述側板部的底部。
如請求項1或請求項2之電源裝置，其中， <br/>前述控制電路接收檢測從前述雷射振盪器輸出之雷射的強度之光檢測器的檢測訊號。
如請求項1或請求項2之電源裝置，其中， <br/>在從前述控制電源向前述控制電路供給電力之路徑設置用以減少高頻訊號的傳遞之高頻降低機構。
如請求項6之電源裝置，其中， <br/>前述高頻降低機構包括共模扼流線圈。
一種電子裝置，包括：<br/> 一第一導電結構，延伸穿過該電子裝置的一第一介電質結構並且延伸進該電子裝置的一基板；<br/> 一防護圈，具有多個層，該防護圈沿著該第一導電結構的一第一垂直部分的一或多個側邊延伸；以及<br/> 一第二導電結構，位於該基板和該防護圈之間，該第二導電結構沿著該第一導電結構的一第二垂直部分延伸，<br/> 其中該防護圈的該些層中最接近於該第二導電結構的一層包括一第一防護圈側表面，該第一防護圈側表面最遠離該第一導電結構的一側表面，該第一防護圈側表面和該第一導電結構的該側表面具有一第一距離，<br/> 其中該第二導電結構包括一導電結構側表面，該導電結構側表面最接近於該第一導電結構的該側表面，該導電結構側表面和該第一導電結構的該側表面具有一第二距離，以及<br/> 其中該第二距離大於或等於該第一距離。
如請求項1所述之電子裝置，其中該第一導電結構包括一或多個氧化物通孔或矽通孔。
如請求項1所述之電子裝置，其中該防護圈至少部分環繞該第一導電結構。
如請求項1所述之電子裝置，其中該第二距離大於或等於5%的該第一導電結構的一寬度。
如請求項1所述之電子裝置，其中一最遠之第二防護圈側表面和該第一導電結構具有最大距離，該最遠之第二防護圈側表面和該第一導電結構的該側表面具有一第三距離，以及其中該第二距離大於或等於該第三距離。
如請求項1所述之電子裝置，其中該第一導電結構的該第一垂直部分和該第一導電結構的該第二垂直部分不重疊。
如請求項1所述之電子裝置，進一步包括一第三導電結構，該第三導電結構沿著該電子裝置的該第一垂直部分的至少一部分延伸至一第四導電結構，<br/> 其中該防護圈設置在該第三導電結構和該第一導電結構之間，以及<br/> 其中在該防護圈和該第三導電結構之間的一第三距離大於或等於1%的該第一導電結構的一寬度。
一種電子裝置，包括：<br/> 一第一導電結構，延伸穿過該電子裝置的一介電質結構並且延伸進該電子裝置的一基板；<br/> 一防護圈，具有多個層，該防護圈沿著該第一導電結構的一第一垂直部分的一或多個側邊延伸；以及<br/> 一第二導電結構，沿著該第一導電結構的一第二垂直部分延伸，<br/> 其中該第二導電結構包括一側表面，該第二導電結構的該側表面最接近於該第一導電結構的一側表面，該第二導電結構的該側表面和該第一導電結構的該側表面具有一距離，以及<br/> 其中該距離大於或等於5%的該第一導電結構的一寬度。
如請求項8所述之電子裝置，其中該防護圈藉由一介電層絕緣於該基板，該介電層從該第二導電結構的該側表面延伸至該第一導電結構的該側表面。
一種電子裝置的製造方法，包括：<br/> 形成具有多個層的一防護圈在一電子裝置的一第一垂直部分之中；<br/> 形成沿著該電子裝置的該第一垂直部分的至少一部分延伸的一第一導電結構；以及<br/> 形成該電子裝置的一第二導電結構，該第二導電結構延伸穿過該電子裝置的該第一垂直部分並且延伸進該電子裝置的一基板，<br/> 其中該防護圈設置在該第一導電結構和該第二導電結構之間，<br/> 其中該防護圈包括一防護圈側表面，該防護圈側表面最遠離該第二導電結構的一側表面，該防護圈側表面和該第二導電結構的該側表面具有一第一距離，<br/> 其中該第一導電結構包括一導電結構側表面，該導電結構側表面最接近於該第二導電結構的該側表面，該導電結構側表面和該第二導電結構的該側表面具有一第二距離，以及<br/> 其中該第二距離以至少1%的該第二導電結構的一寬度大於該第一距離。
一種包括置放於在第一水平方向上延伸的多個列上的標準單元的積體電路，所述積體電路包括： <br/>第一標準單元，連續置放於在垂直於所述第一水平方向的第二水平方向上具有第一高度的列以及在所述第二水平方向上具有第二高度的列上，所述第二高度與所述第一高度不同； <br/>第二標準單元，連續置放於在所述第二水平方向上具有所述第一高度的列以及在所述第二水平方向上具有所述第二高度的列上； <br/>多個第一電力線，形成於所述多個列的第一子集的邊界上且經組態以將第一電源電壓供應至所述標準單元；以及 <br/>多個第二電力線，形成於所述多個列的第二子集的邊界上且經組態以將第二電源電壓供應至所述標準單元， <br/>其中所述第一標準單元及所述第二標準單元執行相同功能且在所述第二水平方向上具有相同高度， <br/>其中，在所述多個第一電力線及所述多個第二電力線中，包含將電壓供應至所述第一標準單元的至少一個第一電力線及至少一個第二電力線的第一組電力線在所述第二水平方向上的置放序列與包含將電壓供應至所述第二標準單元的至少一個第一電力線及至少一個第二電力線的第二組電力線在所述第二水平方向上的置放序列不同， <br/>其中所述多個列包括具有所述第一高度且彼此鄰近置放的M個第一列，其中M為大於2的自然數。
如請求項1所述的積體電路，更包括第三標準單元，所述第三標準單元具有所述第一高度及所述第二高度中的一者且經組態以執行與所述第一標準單元及所述第二標準單元相同的功能。
如請求項1所述的積體電路，其中所述多個列包括以1:1的比率交替置放的所述第一高度的列及所述第二高度的列。
如請求項1所述的積體電路，其中所述多個列更包括具有所述第二高度且彼此鄰近置放的N個第二列，其中N為大於0的自然數。
如請求項1所述的積體電路，其中所述多個列更包括具有所述第二高度的N個第二列，其中N為大於0的自然數，且所述第一列及所述第二列交替置放。
如請求項4所述的積體電路，更包括第四標準單元，所述第四標準單元連續置放於所述第一列中的兩個或大於兩個列上，且經組態以執行與所述第一標準單元及所述第二標準單元相同的功能。
如請求項1所述的積體電路，其中所述多個列包括在所述第二水平方向上具有第三高度的列，所述第三高度與所述第一高度及所述第二高度不同。
如請求項1所述的積體電路，其中所述第一標準單元及所述第二標準單元的內部導電圖案彼此不同。
如請求項1所述的積體電路，其中所述多個第一電力線及所述多個第二電力線以1:1的比率交替置放。
一種包括置放於在第一水平方向上延伸的多個列上的標準單元的積體電路，所述積體電路包括： <br/>第一單元，置放於在垂直於所述第一水平方向的第二水平方向上具有第一高度的列上，且所述第一單元具有所述第一高度； <br/>第二單元，連續置放於兩個或大於兩個列上，所述兩個或大於兩個列中的每一者具有所述第一高度；以及 <br/>第三單元，連續置放於在所述第二水平方向上具有所述第一高度的列以及在所述第二水平方向上具有第二高度的列上，所述第二高度與所述第一高度不同， <br/>其中所述第一單元、所述第二單元以及所述第三單元執行相同功能， <br/>其中所述多個列包括具有所述第一高度且彼此鄰近置放的M個第一列，其中M為大於2的自然數。
如請求項10所述的積體電路，更包括： <br/>多個第一電力線，形成於所述多個列的第一子集的邊界上且經組態以將第一電源電壓供應至所述標準單元；以及 <br/>多個第二電力線，形成於所述多個列的第二子集的邊界上且經組態以將第二電源電壓供應至所述標準單元， <br/>其中所述多個第一電力線中的每一者及所述多個第二電力線中的每一者交替置放於所述多個列的所述邊界上。
如請求項11所述的積體電路，更包括第四單元，所述第四單元在所述第二水平方向上具有所述第一高度且經組態以執行與所述第一單元相同的功能， <br/>其中，在所述多個第一電力線及所述多個第二電力線中，包含將電壓供應至所述第四單元的至少一個第一電力線及至少一個第二電力線的第一組電力線在所述第二水平方向上的置放序列與包含將電壓供應至所述第一單元的至少一個第一電力線及至少一個第二電力線的第二組電力線在所述第二水平方向上的置放序列不同。
如請求項11所述的積體電路，更包括第四單元，所述第四單元在所述第二水平方向上具有與所述第二單元的高度相同的高度且經組態以執行與所述第二單元相同的功能， <br/>其中，在所述多個第一電力線及所述多個第二電力線中，包含將電壓供應至所述第四單元的至少一個第一電力線及至少一個第二電力線的第一組電力線在所述第二水平方向上的置放序列與包含將電壓供應至所述第二單元的至少一個第一電力線及至少一個第二電力線的第二組電力線在所述第二水平方向上的置放序列不同。
如請求項11所述的積體電路，更包括第四單元，所述第四單元具有與所述第三單元相同的高度且經組態以執行與所述第三單元相同的功能， <br/>其中，在所述多個第一電力線及所述多個第二電力線中，包含將電壓供應至所述第四單元的至少一個第一電力線及至少一個第二電力線的第一組電力線在所述第二水平方向上的置放序列與包含將電壓供應至所述第三單元的至少一個第一電力線及至少一個第二電力線的第二組電力線在所述第二水平方向上的置放序列不同。
如請求項10所述的積體電路，其中所述多個列更包括具有所述第二高度且彼此鄰近置放的N個第二列，其中N為大於0的自然數。
如請求項10所述的積體電路，其中所述多個列包括具有與所述第一高度及所述第二高度不同的第三高度的列，且包括具有與所述第一高度至所述第三高度不同的第四高度的列。
一種包括置放於在第一水平方向上延伸的多個列上的標準單元的積體電路，所述積體電路包括： <br/>第一標準單元，置放於兩個或大於兩個列上，所述兩個或大於兩個列中的每一者在垂直於所述第一水平方向的第二水平方向上具有第一高度； <br/>第二標準單元，置放於各自在所述第二水平方向上具有所述第一高度的兩個或大於兩個列上； <br/>多個第一電力線，形成於所述多個列的第一子集的邊界上且經組態以將第一電源電壓供應至所述標準單元；以及 <br/>多個第二電力線，形成於所述多個列的第二子集的邊界上且經組態以將第二電源電壓供應至所述標準單元， <br/>其中所述第一標準單元及所述第二標準單元執行相同功能且具有相同高度， <br/>其中，在所述多個第一電力線及所述多個第二電力線中，包含將電壓供應至所述第一標準單元的至少一個第一電力線及至少一個第二電力線的第一組電力線在所述第二水平方向上的置放序列與包含將電壓供應至所述第二標準單元的至少一個第一電力線及至少一個第二電力線的第二組電力線在所述第二水平方向上的置放序列不同， <br/>其中所述多個列包括具有所述第一高度且彼此鄰近置放的M個第一列以及於所述第二水平方向上具有第二高度的多個第二列，其中M為大於2的自然數。
如請求項17所述的積體電路，更包括第三標準單元，所述第三標準單元具有所述第一高度且經組態以執行與所述第一標準單元及所述第二標準單元相同的功能。
如請求項17所述的積體電路，更包括置放於在所述第二水平方向上具有所述第二高度的列上的第三標準單元，所述第二高度與所述第一高度不同，且其中所述第三標準單元在所述第二水平方向上具有與所述第二高度相同的高度，且所述第三標準單元經組態以執行與所述第一標準單元及所述第二標準單元相同的功能。
如請求項17所述的積體電路，更包括第三標準單元，所述第三標準單元在所述第二水平方向上具有與所述第二標準單元的高度相同的高度，且經組態以執行與所述第二標準單元相同的功能， <br/>其中，在所述多個第一電力線及所述多個第二電力線中，將電壓供應至所述第三標準單元的至少一個第一電力線及至少一個第二電力線在所述第二水平方向上的置放序列與將電壓供應至所述第二標準單元的至少一個第一電力線及至少一個第二電力線在所述第二水平方向上的置放序列相同，且 <br/>其中所述第二標準單元及所述第三標準單元的內部導電圖案彼此不同。
一種攝像裝置，係具備： <br/> 攝像部，係拍攝物件；和 <br/> 特徵量抽出部，係將前記攝像部所拍攝到的前記物件之特徵量予以複數抽出；和 <br/> 優先度決定部，係將前記特徵量抽出部所抽出的複數個前記特徵量之優先度，加以決定；和 <br/> 控制部，係隨應於前記優先度之高低及輸出目標之容許量，而決定前記特徵量；和 <br/> 輸出部，係將前記控制部所決定的前記特徵量，予以輸出。
如請求項1所記載之攝像裝置，其中，前記攝像部係同時拍攝同一領域之前記物件。
如請求項1所記載之攝像裝置，其中， <br/> 還具備：移動方向演算部，係演算前記物件之移動方向； <br/> 前記輸出部係將前記特徵量與前記移動方向加以綁定而輸出。
如請求項1所記載之攝像裝置，其中，前記優先度決定部係具有：將各個前記特徵量之隱私等級加以設定的隱私等級設定部，隨應於前記隱私等級而決定前記優先度。
如請求項1所記載之攝像裝置，其中， <br/> 還具備：攝像位置取得部，係取得前記攝像部的攝像位置及攝像方向； <br/> 前記輸出部係將前記攝像位置及前記攝像方向予以輸出。
如請求項1所記載之攝像裝置，其中， <br/> 還具備：環境資訊取得部，係將前記攝像裝置所被設置之周圍的環境資訊，加以取得； <br/> 前記控制部，係基於前記環境資訊，而決定前記特徵量之輸出目標。
如請求項1所記載之攝像裝置，其中， <br/> 還具備：狀態變化資訊取得部，係取得前記特徵量之輸出目標的狀態變化資訊； <br/> 前記控制部，係隨應於前記狀態變化資訊，而決定前記輸出目標。
如請求項1所記載之攝像裝置，其中， <br/> 還具備：感情資訊取得部，將關於前記物件之感情的感情資訊，加以取得； <br/> 前記輸出部係將前記特徵量與前記感情資訊加以綁定而輸出。
如請求項1所記載之攝像裝置，其中， <br/> 前記攝像部，係複數拍攝前記物件； <br/> 還具備：對象選擇部，係從前記攝像部所拍攝到的複數個前記物件，選擇出注目的前記物件； <br/> 前記特徵量抽出部，係將前記對象選擇部所選擇之前記物件之特徵量予以複數抽出。
一種攝像裝置，係具備： <br/> 輸入部，係隨應於優先度之高低及可輸入之容許量，而將物件之複數個特徵量予以輸入；和 <br/> 追蹤部，係基於前記輸入部所輸入之前記特徵量，而追蹤前記物件。
一種追蹤系統，係具備複數攝像裝置，其係具有： <br/> 攝像部，係拍攝物件；和 <br/> 特徵量抽出部，係將前記攝像部所拍攝到的前記物件之特徵量予以複數抽出；和 <br/> 優先度決定部，係將前記特徵量抽出部所抽出的複數個前記特徵量之優先度，加以決定；和 <br/> 送訊部，係隨應於前記優先度之高低及送訊目標之容許量，而發送前記特徵量；和 <br/> 收訊部，係隨應於前記優先度之高低及可收訊之容許量，而接收前記特徵量；和 <br/> 追蹤部，係基於前記收訊部所接收之前記特徵量，而追蹤前記物件； <br/> 複數個前記攝像裝置，係彼此協同而收送前記特徵量。
一種攝像方法，係藉由攝像裝置，執行： <br/> 拍攝物件之步驟；和 <br/> 將已拍攝之前記物件之特徵量予以複數抽出之步驟；和 <br/> 將已抽出之複數個前記特徵量之優先度加以決定之步驟；和 <br/> 隨應於前記優先度之高低及輸出目標之容許量而決定前記特徵量之步驟；和 <br/> 將已決定之前記特徵量予以輸出之步驟。
一種攝像方法，係藉由攝像裝置，執行： <br/> 隨應於優先度之高低及可輸入之容許量而將物件之複數個特徵量予以輸入之步驟；和 <br/> 基於已輸入之前記特徵量而追蹤前記物件之步驟。
一種表面處理銅箔，係具備電解銅箔、覆蓋該電解銅箔的一面側之至少1層的粗化層、進一步覆蓋該至少1層的粗化層之防鏽層、以及覆蓋該防鏽層之矽烷偶合劑處理層；<br/>在該表面處理銅箔之該一面側的表面中，展開界面面積率Sdr為40%以下，山頂點的算術平均曲率Spc為200mm<sup>-1</sup>以下，且均方根傾斜Sdq為0.30~0.90。
一種表面處理銅箔，係具備電解銅箔、覆蓋該電解銅箔的一面側之至少1層的粗化層、進一步覆蓋該至少1層的粗化層之防鏽層、以及覆蓋該防鏽層之矽烷偶合劑處理層；<br/>該防鏽層為鎳、鈷及鉬的複合金屬層，且具有0.05~0.50μm的厚度；<br/>在該表面處理銅箔之該一面側的表面中，粒子的平均粒徑為0.50μm以下，該粒子的平均粒子長度為0.40~0.70μm。
一種表面處理銅箔，係具備電解銅箔、覆蓋該電解銅箔的一面側之至少1層的防鏽層、以及覆蓋該防鏽層之矽烷偶合劑處理層；<br/>在該表面處理銅箔之該一面側的表面中，展開界面面積率Sdr為40%以下，山頂點的算術平均曲率Spc為200mm<sup>-1</sup>以下，且均方根傾斜Sdq為0.20~0.90。
如申請專利範圍第3項之表面處理銅箔，其中該電解銅箔與該防鏽層之間進一步具備至少1層的粗化層。
如申請專利範圍第1或2或4項之表面處理銅箔，其中該至少1層的粗化層係銅與選自鎳、鈷、錫、錳、鎢、鉬、鉭、鎵、鋅及磷之至少1種金屬的複合金屬層。
如申請專利範圍第1或2或4項之表面處理銅箔，其中該至少1層的粗化層係具備該電解銅箔側之第1粗化層，以及覆蓋該第1粗化層之第2粗化層，該第1粗化層係銅與選自鉬、鋅、鎳、鈷、錫、錳、鎢、鉭、鎵及磷之至少1種金屬的複合金屬層，該第2粗化層係銅所構成的層。
如申請專利範圍第1或2或4項之表面處理銅箔，其中該防鏽層與該矽烷偶合劑處理層之間進一步具備鉻酸鹽處理層。
如申請專利範圍第1或2或4項之表面處理銅箔，其中該矽烷偶合劑處理層係包含胺基系矽烷偶合劑、乙烯基系矽烷偶合劑、甲氧基系矽烷偶合劑或丙烯醯氧基系矽烷偶合劑。
一種光阻膜厚膜化組成物，其包含聚合物(A)、含氮化合物(B)、及溶媒(C)，<br/> 其中，該聚合物(A)係從由聚乙烯縮醛樹脂、聚乙烯醇樹脂、聚丙烯酸樹脂、聚乙烯吡咯烷酮樹脂、聚環氧乙烷樹脂、聚-N-乙烯基甲醯胺樹脂、含㗁唑啉之水溶性樹脂、水性胺甲酸酯樹脂、聚烯丙胺樹脂、聚乙烯亞胺樹脂、聚乙烯胺樹脂、水溶性酚樹脂、水溶性環氧樹脂、聚乙烯亞胺樹脂、及此等的共聚物、以及苯乙烯-馬來酸共聚物所組成之群組中所選出，<br/> 該含氮化合物(B)係以式(I)表示；<br/><img align="absmiddle" height="345px" width="465px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中，<br/> X<sup>1</sup>為N或NH，<br/> X<sup>2</sup>~X<sup>6</sup>係各自獨立地為CH、CY、或N，但X<sup>2</sup>~X<sup>6</sup>之中的1或2者為CY，<br/> Y係各自獨立地為羥基(-OH)、胺基(-NH<sub>2</sub>)、C<sub>1-4</sub>羥烷基或C<sub>1-4</sub>胺烷基，<br/> n為0或1；<br/> 該溶媒(C)包含水，<br/> 該含氮化合物(B)之含量，以該組成物的總質量為基準計，為0.001~5質量%，<br/> 該溶媒(C)之含量，以該組成物的總質量為基準計，為70~95質量%。
如請求項1之光阻膜厚膜化組成物，其中該含氮化合物(B)係以式(Ia)、(Ib)、或(Ic)表示；<br/><img align="absmiddle" height="218px" width="489px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中，<br/> Y<sup>a</sup>係各自獨立地為羥基、胺基、C<sub>1-4</sub>羥烷基或C<sub>1-4</sub>胺烷基，<br/> na為1或2；<br/><img align="absmiddle" height="218px" width="489px" file="ed10012.jpg" alt="ed10012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中，<br/> Y<sup>b</sup>係各自獨立地為羥基、胺基、C<sub>1-4</sub>羥烷基或C<sub>1-4</sub>胺烷基，<br/> nb為1或2；<br/><img align="absmiddle" height="233px" width="458px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中，<br/> Y<sup>c</sup>係各自獨立地為羥基、胺基、C<sub>1-4</sub>羥烷基或C<sub>1-4</sub>胺烷基，<br/> nc為1或2。
如請求項1之光阻膜厚膜化組成物，其中該式(I)<br/> 中的Y係各自獨立地為胺基(-NH<sub>2</sub>)、C<sub>1-4</sub>羥烷基或C<sub>1-4</sub>胺烷基。
如請求項1至3中任一項之光阻膜厚膜化組成物，其中該水的含量，以該溶媒(C)的總質量為基準計，為80~100質量%。
如請求項1或2之光阻膜厚膜化組成物，其進一步包含交聯劑(D)。
如請求項1或2之光阻膜厚膜化組成物，其進一步包含界面活性劑(E)。
如請求項1或2之光阻膜厚膜化組成物，其係細微圖案形成組成物。
一種厚膜化圖案之製造方法，其包含以下步驟：<br/> (1)於基板上方施用光阻組成物，形成光阻膜之步驟，<br/> (2a)將該光阻膜曝光之步驟，<br/> (2b)將該光阻膜顯影，而形成光阻圖案之步驟，<br/> (2c)在該光阻圖案的表面上，施用如請求項1至7中任一項之光阻膜厚膜化組成物，而形成光阻膜厚膜化層之步驟，<br/> (3)將該光阻圖案及光阻膜厚膜化層加熱，使該光阻膜厚膜化層的該光阻圖案附近區域硬化，而形成不溶化層之步驟，及<br/> (4)將該光阻膜厚膜化層的未硬化部分去除之步驟；<br/> 其中，步驟(2a)、(2b)及(2c)的順序為任意，且(2a)比(2b)先進行。
如請求項8之厚膜化圖案之製造方法，其係以(2a)、(2b)、(2c)的順序進行步驟。
如請求項8或9之厚膜化圖案之製造方法，其中該步驟(2a)的曝光係使用極限解析度為1.5~5.0μm之曝光裝置進行。
如請求項8或9之厚膜化圖案之製造方法，其中該步驟(2a)的曝光係使用開口數為0.08~0.15之投影透鏡進行。
如請求項8或9之厚膜化圖案之製造方法，其中該步驟(2a)中所照射的光包含波長300~450nm之光。
一種加工基板之製造方法，其包含以下步驟：<br/> 準備藉由如請求項8至12中任一項之厚膜化圖案之製造方法而形成有厚膜化圖案之基板之步驟，及<br/> (5)藉由蝕刻對該基板進行加工之步驟。
一種裝置之製造方法，其包含如請求項8至12中任一項之厚膜化圖案之製造方法，<br/> 其中進一步包含在該基板形成配線之步驟；且<br/> 該裝置為顯示裝置。
一種顯示面板，包含： 一塑料基板；以及 在該塑料基板上的一第一內引線接合(ILB)電極， 其中該第一ILB電極包含： 一第一接合段，其沿傾斜於該顯示面板的一垂直方向的一第一方向延伸； 一第二接合段；以及 一第一連接段，其組態為在該第一接合段和該第二接合段之間提供一電連接， 其中該第一接合段組態以接合到一第一顯示驅動器積體電路(DDIC)晶片，以及 其中該第二接合段組態以接合到一第二DDIC晶片，該第二DDIC晶片組態為不同於該第一DDIC晶片。
如請求項1所述之顯示面板，其中該第一連接段沿不同於該第一方向的一第二方向延伸。
如請求項1所述之顯示面板，其中該第二接合段沿該第一方向延伸。
如請求項1所述之顯示面板，更包含形成在該塑料基板上的一第二ILB電極， 其中該第二ILB電極包含： 一第三接合段，其在不同於該第一方向的一第三方向上延伸； 一第四接合段；以及 一第二連接段，其組態以提供該第三接合段和該第四接合段之間的一電連接； 其中該第三接合段組態以接合到該第一DDIC晶片；以及 其中該第四接合段組態以接合到該第二DDIC晶片。
如請求項4所述之顯示面板，其中該第四接合段沿該第三方向延伸。
如請求項4所述之顯示面板，其中該第一ILB電極比該第二ILB電極更遠離一垂直參考線，該垂直參考線係定義為在該顯示面板的該垂直方向上延伸， 其中當該第一DDIC晶片接合到該顯示面板時，該垂直參考線與該第一DDIC晶片的一第一中心線對齊，以及 其中在該垂直參考線與該第一接合段延伸的該第一方向之間形成的一第一銳角大於在該垂直參考線與該第三接合段延伸的該第三方向之間形成的一第二銳角。
如請求項1所述之顯示面板，更包含適用於該第一DDIC晶片和該第二DDIC晶片的一對準標記。
如請求項7所述之顯示面板，其中該第二接合段相對於第一接合段位於該顯示面板的該垂直方向上，且比該第一接合段距該對準標記更遠。
如請求項7所述之顯示面板，更包含在該塑料基板上的一接合電極，該接合電極的位置比該第一ILB電極更靠近該對準標記，並組態以接合到該第一DDIC晶片和該第二DDIC晶片兩者。
一種將一第一DDIC晶片和一第二DDIC晶片安裝到一第一顯示面板和一第二顯示面板上的方法，包含： 準備具有一相同組態的該第一顯示面板和該第二顯示面板，該第一顯示面板和該第二顯示面板中的一對應者包含： 一塑料基板；以及 在該塑料基板上的一第一ILB電極，該第一ILB電極包含： 一第一接合段，其沿傾斜於該第一顯示面板和該第二顯示面板中的該對應者的一垂直方向的一第一方向延伸； 一第二接合段；以及 一第一連接段，其組態為在該第一接合段和該第二接合段之間提供一電連接， 將該第一DDIC晶片的一第一凸塊接合到該第一顯示面板的該第一接合段；以及 將該第二DDIC晶片的一第二凸塊接合到該第二顯示面板的該第二接合段，該第二DDIC晶片組態為不同於該第一DDIC晶片。
如請求項10所述之方法，其中該第一連接段沿不同於該第一方向的一第二方向延伸。
如請求項10所述之方法，其中該第二接合段沿該第一方向延伸。
如請求項10所述之方法，其中該第一顯示面板和該第二顯示面板中的每一個更包含一對準標記， 其中在該第一顯示面板和該第二顯示面板中的每一個中，該第二接合段比該第一接合段距該對準標記更遠。
如請求項13所述之方法，其中該第二DDIC晶片包含一訊框記憶體，其組態以儲存一完整訊框影像的影像資料。
如請求項14所述之方法，其中該第一DDIC晶片不包含能夠儲存一完整訊框影像的影像資料的任何記憶體。
如請求項13所述之方法，其中該第一DDIC晶片以一第一設計規則來設計， 其中該第二DDIC晶片以不同於該第一設計規則的一第二設計規則來設計。
如請求項16所述之方法，該第一個設計規則提供了比該第二個設計規則更高的一整合密度。
如請求項10所述之方法，其中更包含形成在該塑料基板上的一第二ILB電極， 其中該第二ILB電極包含： 一第三接合段，其在不同於該第一方向的一第三方向上延伸； 一第四接合段；以及 一第二連接段，其組態以提供該第三接合段和該第四接合段之間的一電連接， 其中該方法更包含： 將該第一DDIC晶片的一第三凸塊接合到該第一顯示面板的該第三接合段；以及 將該第二DDIC晶片的一第四凸塊接合到該第二顯示面板的該第四接合段。
如請求項18所述之方法，其中該第一ILB電極比該第二ILB電極更遠離一垂直參考線，該垂直參考線係定義為在該第一顯示面板和該第二顯示面板中的該對應者的該垂直方向上延伸， 其中當該第一DDIC晶片接合到該第一顯示面板時，該垂直參考線與該第一DDIC晶片的一第一中心線對齊，以及 其中在該垂直參考線與該第一接合段延伸的該第一方向之間形成的一第一銳角大於在該垂直參考線與該第三接合段延伸的該第三方向之間形成的一第二銳角。
一種顯示模組，包含： 一顯示面板；以及 一產品DDIC晶片，其接合在該顯示面板上， 其中該顯示面板包含： 一塑料基板；以及 在該塑料基板上的一第一ILB電極， 其中該第一ILB電極包含： 一第一接合段，其沿傾斜於該顯示面板的一垂直方向的一第一方向延伸； 一第二接合段；以及 一第一連接段，其組態為在該第一接合段和該第二接合段之間提供一電連接， 其中該第一接合段組態以接合到一第一DDIC晶片，以及 其中該第二接合段組態以接合到一第二DDIC晶片，該第二DDIC晶片組態為不同於該第一DDIC晶片， 其中該產品DDIC晶片的一凸塊接合到該第一接合段和該第二接合段中的一選定者。
一種原材料捲筒，係具備：捲芯；以及捲取於前述捲芯之外周面上的光學薄膜； <br/>前述捲芯係具備：圓筒體；以及積層體； <br/>前述積層體係具有：覆蓋前述圓筒體之外周面的緩衝層；以及配置於前述圓筒體之外周面與前述緩衝層之間的黏著構件；其中， <br/>前述圓筒體的外徑係70至400mm； <br/>前述積層體係沿著周方向捲繞於前述圓筒體之外周面上，且具有其一端面與另一端面在前述圓筒體之外周面上相向的接縫； <br/>前述接縫的最大間隔係0.3mm以上、2mm以下； <br/>前述緩衝層的25％壓縮應力為100至120kPa； <br/>前述緩衝層為含有50質量％以上的乙烯/醋酸乙烯酯共聚物之發泡樹脂層； <br/>前述光學薄膜的厚度係25至300μm。
如請求項1所述之原材料捲筒，其中，前述捲芯之前述緩衝層的厚度為0.5至3mm。
如請求項1所述之原材料捲筒，其中，前述捲芯之前述黏著構件為單層的黏著劑層。
如請求項1所述之原材料捲筒，其中，前述捲芯之前述黏著構件係具有一對黏著劑層、及配置於前述一對黏著劑層間的基材層。
如請求項3或4所述之原材料捲筒，其中，前述捲芯之前述黏著劑層為丙烯酸系黏著劑層。
一種原材料捲筒的製造方法，係具備：將光學薄膜捲取於捲芯之外周面的步驟； <br/>前述捲芯係具備：圓筒體；以及積層體； <br/>前述積層體係具有：覆蓋前述圓筒體之外周面的緩衝層；以及配置於前述圓筒體之外周面與前述緩衝層之間的黏著構件；其中， <br/>前述圓筒體的外徑係70至400mm； <br/>前述積層體係沿著周方向捲繞於前述圓筒體之外周面上，且具有其一端面與另一端面在前述圓筒體之外周面上相向的接縫； <br/>前述接縫的最大間隔係0.3mm以上、2mm以下； <br/>前述緩衝層的25％壓縮應力為100至120kPa； <br/>前述緩衝層為含有50質量％以上的乙烯/醋酸乙烯酯共聚物之發泡樹脂層； <br/>前述光學薄膜的厚度係25至300μm。
一種用於電連接器（102）的纜線卡組件（130），包括： <br/>一電路卡（132），其具有一上表面（140）和一下表面（142），該電路卡具有一纜線端（134）和與該纜線端相對的一對接端（136），該電路卡具有對接導體（146），其在該對接端處與一對接電連接器對接，該電路卡在該纜線端處具有纜線導體（144）； <br/>纜線（104），其端接至該電路卡，該等纜線包括信號導體（150、152）、圍繞該等相應信號導體以提供電屏蔽給該等信號導體之接地屏蔽，以及電連接到該等相應接地屏蔽的排線（160），該等信號導體在相應的該纜線一端具有被曝露的部份，該等被曝露的部份端接至相應的纜線導體；以及 <br/>一接地區塊（200），其與該電路卡分離和分立並連結至該電路卡，該接地區塊覆蓋該等信號導體的該等被曝露的部份，以提供屏蔽給該等被曝露的部份，該接地區塊包括接收相應排線的排線通道（220），該接地區塊導電以電連接該排線。
如請求項1之纜線卡組件（130），其中該排線（160）壓配至該排線通道（220）內。
如請求項1之纜線卡組件（130），其中該排線（160）以無焊連接電連接至該接地區塊（200）。
如請求項1之纜線卡組件（130），其中該接地區塊（200）在一前部和一後部（202、204）之間延伸，該接地區塊具有固接到該電路卡的一內端（210）以及與該內端相對的一外端（212），該排線通道（220）在該外端開口以接收該排線（160）。
如請求項4之纜線卡組件（130），其中排線通道（220）沿該外端（212）在該後部（204）與該前部（202）之間延伸，該排線通道在該後部開口以接收排線（160）。
如請求項4之纜線卡組件（130），其中該接地區塊（200）包括在該後部與該前部（202、204）之間的隧道（240），該等隧道接收對應的信號導體（150）。
如請求項4之纜線卡組件（130），其中接地區塊（200）包括從該內端（210）延伸的固接插銷（250），該等固接插銷都已連結至該電路卡（132）。
如請求項7之纜線卡組件（130），其中該電路卡（132）包括接地貫穿孔，該等固接插銷（250）壓配到該接地貫穿孔中，以將該接地區塊（200）電連接到該電路卡。
如請求項1之纜線卡組件（130），其中該接地區塊（200）包括收納於該電路卡（132）的接地貫穿孔內之固接插銷（250），該固接插銷壓配到該接地貫穿孔中，以便用無焊連接將該接地區塊電連接到該電路卡。
如請求項1之纜線卡組件（130），其中該排線通道（220）沿著非線性路徑延伸，該排線（160）遵循該非線性路徑。
如請求項1之纜線卡組件（130），其中接地區塊（200）包括干擾焊墊（222），其延伸到該排線通道（220）中，以通過該干擾焊墊接合該排線（160）。
如請求項1之纜線卡組件（130），其中該接地區塊（200）包括在該接地區塊的一後部與一前部之間延伸的隧道（240），該等隧道都由分隔壁（242）隔開，每一通道都接收一對信號導體，該分隔壁在該對信號導體之間提供電屏蔽。
如請求項12之纜線卡組件（130），其中該分隔壁（242）包括在這之間延伸的固接插銷（250），該固接插銷壓配到該電路卡（132）的接地貫穿孔中，以將該接地區塊（200）電連接到該電路卡。
一種組合物，塗覆於牙齒表面的牙齒美白用凝膠組合物，該組合物包含： <br/>包括選自聚乙酸乙烯酯(PVAc)和乙基纖維素(EC)中的一種以上的一成膜劑、一過氧化物以及一揮發性溶劑， <br/>其中，該組合物實質上不包含聚乙烯吡咯烷酮(PVP)。
如請求項1所述的組合物，其中，相對於該組合物的總重量，該過氧化物的含量超過2.5重量%且為15重量%以下。
如請求項1所述的組合物，其中，相對於該組合物總重量，該成膜劑的含量為5重量%至30重量%。
如請求項1所述的組合物，更包括一羥丙基甲基纖維素鄰苯二甲酸酯(HPMCP)。
如請求項1所述的組合物，其中，該組合物作為單一組合物提供。
如請求項4所述的組合物，其中，該成膜劑：該羥丙基甲基纖維素鄰苯二甲酸酯(HPMCP)的重量比為1:0.1至1.5。
如請求項1所述的組合物，其中，該組合物中包含3重量%至25重量%的水，並且該過氧化物以一過氧化物水溶液形式存在，或以溶解在該揮發性溶劑中的狀態存在。
一種在牙齒表面形成塗覆膜的牙齒美白產品，包含： <br/>如請求項1至7中任一項所述的牙齒美白用凝膠組合物；以及 <br/>一儲存該牙齒美白用凝膠組合物的容器。
如請求項8所述的牙齒美白產品，還包含用於塗覆該牙齒美白用凝膠組合物的一塗覆部和/或一使用指南。
如請求項8所述的牙齒美白產品，其中，該容器中該牙齒美白用凝膠組合物的黏度在Brookfield DV2T, Spindle No. 62, 25℃, 5rpm下測量的黏度為1000cps以上，且在100rpm下測量的黏度為100cps以下，並且在塗覆於一牙齒後在1分鐘內形成膜。
一種牙齒美白的方法，包含： <br/>(S1) 將如請求項1至7中任一項所述的牙齒美白用凝膠組合物處理於一牙齒的步驟； <br/>(S2) 在處理上述牙齒美白用凝膠組合物後，在10秒至10分鐘內，在牙齒表面形成非侵蝕性膜來塗覆牙齒表面的步驟；以及 <br/>(S3) 保持該牙齒表面上的該非侵蝕性膜於足夠美白該牙齒表面的時間的步驟。
如請求項11所述的牙齒美白方法，其中，該(S1)步驟的該牙齒美白用凝膠組合物包含相對於該牙齒美白用凝膠組合物總重量的超過2.5重量%且為15重量%以下的該過氧化物。
一種高速週邊組件互連介面裝置，即PCIe介面裝置，包括：<br/> PCIe層，執行主機和直接記憶體存取裝置即DMA裝置之間的通信；以及<br/> PCIe控制器，當從所述主機接收的重置信號被指定或者參考時脈關閉時，將操作時脈從基於所述參考時脈生成的PCIe時脈切換到內部時脈，基於所述內部時脈來處理所述PCIe層的資料，並且當所述重置信號被釋放或者所述參考時脈開啟時，恢復關於所述主機的鏈路。
如請求項1所述的PCIe介面裝置，其中所述PCIe控制器包括：<br/> 時脈控制器，當所述重置信號被指定或者所述參考時脈關閉時，將所述操作時脈從所述PCIe時脈切換到所述內部時脈；以及<br/> 恢復控制器，清除所述PCIe層的資料，處理關於所述DMA裝置的交易，重置所述PCIe層，並且基於所述內部時脈恢復關於所述主機的鏈路。
如請求項2所述的PCIe介面裝置，其中所述時脈控制器基於關於所述DMA裝置的交易是否閒置或者所述重置信號是否被釋放，將所述操作時脈從所述內部時脈回滾到所述PCIe時脈。
如請求項3所述的PCIe介面裝置，其中當關於所述DMA裝置的交易閒置時，所述時脈控制器將所述操作時脈從所述內部時脈回滾到所述PCIe時脈。
如請求項3所述的PCIe介面裝置，其中當關於所述DMA裝置的交易忙碌並且所述重置信號被釋放時，所述時脈控制器將所述操作時脈從所述內部時脈回滾到所述PCIe時脈。
如請求項2所述的PCIe介面裝置，其中所述恢復控制器向所述DMA裝置提供對從所述DMA裝置接收的請求的錯誤回應。
如請求項6所述的PCIe介面裝置，其中當所述DMA裝置的錯誤回應處理完成時，所述恢復控制器確定關於所述DMA裝置的交易是閒置的。
如請求項2所述的PCIe介面裝置，其中所述恢復控制器基於關於所述DMA裝置的交易是否閒置或者所述重置信號是否被釋放來重置所述PCIe層。
如請求項8所述的PCIe介面裝置，其中當關於所述DMA裝置的交易閒置時，所述恢復控制器指定關於所述PCIe層的PCIe重置信號，並且等待直到所述重置信號被釋放或者所述參考時脈開啟。
如請求項9所述的PCIe介面裝置，其中當所述重置信號被釋放或者所述參考時脈開啟時，所述恢復控制器釋放所述PCIe重置信號並且發起所述主機和所述PCIe層之間的鏈路恢復操作。
如請求項8所述的PCIe介面裝置，其中當所述重置信號被釋放或者所述參考時脈開啟而關於所述DMA裝置的交易忙碌時，所述恢復控制器阻止關於所述DMA裝置的交易。
如請求項11所述的PCIe介面裝置，其中所述恢復控制器指定關於所述PCIe層的PCIe重置信號，在所述PCIe層重置完成時釋放所述PCIe重置信號，並且執行所述主機和所述PCIe層之間的鏈路恢復操作。
如請求項12所述的PCIe介面裝置，其中當在所述鏈路恢復操作中發起鏈路訓練時，所述恢復控制器釋放被阻止的交易，清除所述PCIe層的資料，並且處理被釋放的交易。
如請求項13所述的PCIe介面裝置，其中當在所述鏈路恢復操作中完成鏈路接通之後關於所述DMA裝置的交易忙碌時，所述恢復控制器允許所述主機關於所述DMA裝置的入站存取。
如請求項1所述的PCIe介面裝置，其中所述PCIe層包括實體層、資料鏈路層和交易層中的至少一個。
如請求項1所述的PCIe介面裝置，其中所述DMA裝置包括高速非揮發性記憶體模組即NVMe模組、乙太網卡、音效卡、圖形卡、AI CPU模組和AI SoC模組中的至少一個。
一種操作高速週邊組件互連介面裝置即PCIe介面裝置的方法，所述PCIe介面裝置包括PCIe層，所述PCIe層執行主機和直接記憶體存取裝置即DMA裝置之間的通信，所述方法包括：<br/> 當從所述主機接收的重置信號被指定或者參考時脈關閉時，將操作時脈從基於所述參考時脈生成的PCIe時脈切換到內部時脈；<br/> 基於所述內部時脈清除所述PCIe層的資料；<br/> 處理關於所述DMA裝置的交易；<br/> 基於關於所述DMA裝置的交易是否閒置或者所述重置信號是否被釋放來重置所述PCIe層；並且<br/> 當所述PCIe層的重置完成時，執行關於所述主機的鏈路恢復操作。
如請求項17所述的方法，進一步包括：基於關於所述DMA裝置的交易是否閒置或者所述重置信號是否被釋放，將所述操作時脈從所述內部時脈回滾到所述PCIe時脈。
如請求項18所述的方法，其中回滾到所述PCIe時脈包括：當關於所述DMA裝置的交易閒置時，將所述操作時脈從所述內部時脈回滾到所述PCIe時脈。
如請求項18所述的方法，其中回滾到所述PCIe時脈包括：當關於所述DMA裝置的交易忙碌並且所述重置信號被釋放時，將所述操作時脈從所述內部時脈回滾到所述PCIe時脈。
如請求項17所述的方法，其中處理關於所述DMA裝置的交易包括：<br/> 從所述DMA裝置接收請求；以及<br/> 向所述DMA裝置提供對所述請求的錯誤回應。
如請求項17所述的方法，其中重置所述PCIe層包括：<br/> 當關於所述DMA裝置的交易閒置時，指定關於所述PCIe層的PCIe重置信號；<br/> 等待直到所述重置信號被釋放或者所述參考時脈開啟；以及<br/> 當所述重置信號被釋放或者所述參考時脈開啟時，釋放所述PCIe重置信號。
如請求項17所述的方法，其中重置所述PCIe層包括：<br/> 當所述重置信號被釋放或者所述參考時脈開啟而關於所述DMA裝置的交易忙碌時，指定關於所述PCIe層的PCIe重置信號；以及<br/> 當所述PCIe層的重置完成時，釋放所述PCIe重置信號。
如請求項17所述的方法，進一步包括：<br/> 當所述重置信號被釋放而關於所述DMA裝置的交易忙碌時，阻止關於所述DMA裝置的交易；以及<br/> 當在所述鏈路恢復操作中發起鏈路訓練時，釋放被阻止的交易。
如請求項17所述的方法，其中所述PCIe層包括實體層、資料鏈路層和交易層中的至少一個。
如請求項17所述的方法，其中所述DMA裝置包括高速非揮發性記憶體模組即NVMe模組、乙太網卡、音效卡、圖形卡、AI CPU模組和AI SoC模組中的至少一個。
一種具有腔內功率監測器的基於矽光子學的雷射器設備，所述雷射器設備包括： <br/>增益晶片，被安裝在矽光子學基底上，其中所述增益晶片被配置為在有源區域中發射光，所述有源區域被界定在(i)前端琢面與(ii)具有抗反射特點的後端琢面之間； <br/>波長調諧器，在所述矽光子學基底中形成有波導，其中所述波長調諧器光學耦合至所述後端琢面以接收來自所述增益晶片的光，並且其中所述波長調諧器包括一對諧振環以及較所述前端琢面具有更高反射率的反射器，以在與所述前端琢面一起形成的擴展腔中反射所述光，具有調諧波長和放大功率的鐳射光通過所述擴展腔被輸出；以及 <br/>光電二極體，被形成在所述矽光子學基底中，其中所述光電二極體藉由直接設置在所述反射器與所述一對諧振環之間的光路中的分路器而被耦合至所述反射器的所述擴展腔中的所述波導，以測量自所述反射器傳播至所述一對諧振環的光的光學功率。
如請求項1所述的雷射器設備，其中所述有源區域被配置在多量子阱異質結構中。
如請求項2所述的雷射器設備，其中所述多量子阱異質結構由一種或多種化合物半導體製成，所述一種或多種化合物半導體選自InAsP、GaInNAs、GaInAsP、GaInAs和AlGaInAs或它們的組合。
如請求項1所述的雷射器設備，其中所述增益晶片通過使所述後端琢面具有抗反射特點和使所述前端琢面具有小於10%的低反射率而被配置為反射半導體光學放大器。
如請求項1所述的雷射器設備，其中所述反射器被配置有由矽和/或氮化矽製成的環形波導，並且其特徵在於反射率大於90%直至100%。
如請求項5所述的雷射器設備，其中所述波長調諧器是經由CMOS過程直接集成到所述矽光子學基底的芯片中的矽基濾光器，用於在整個C頻段或O頻段上調諧所述光的波長。
如請求項6所述的雷射器設備，其中所述矽基濾光器被配置有由具有不同直徑的圓環形狀的矽製成的所述一對諧振環，所述諧振環經由由氮化矽製成的所述波導的第一線性部分彼此耦合，並且所述一對諧振環中的一個諧振環經由由氮化矽製成的所述波導的第二線性部分耦合至所述後端琢面，所述一對諧振環中的由矽製成的另一諧振環經由由氮化矽製成的波導的第三線性部分耦合至所述反射器。
如請求項7所述的雷射器設備，其中所述分路器經由CMOS過程被形成在所述矽光子學基底的所述芯片中，緊鄰所述擴展腔內的所述反射器前面的波導的所述第三線性部分。
如請求項8所述的雷射器設備，其中所述光電二極體包括鍺或矽鍺光電二極體，所述鍺或矽鍺光電二極體經由CMOS過程形成在所述矽光子學基底的所述芯片中，以與所述分路器的兩個分路埠中的任一個分路埠耦合。
如請求項9所述的雷射器設備，其中所述光電二極體被經由與設備損失和耦合損失無關的固定相關性測量所述擴展腔內的所述反射器正前面的光的光學功率以及監測所述前端琢面外的所述鐳射光的放大功率。
一種用於在一鐳射腔內形成具有功率監測器的基於矽光子學的雷射器設備的方法，所述方法包括： <br/>提供具有嵌入式波導的矽基底； <br/>基於所述嵌入式波導來形成波長調諧器，所述波長調諧器至少包括反射器以及一對諧振環； <br/>在所述矽基底中緊鄰所述反射器的所述嵌入式波導的部分形成分路器波導，其直接位於所述反射器與所述一對諧振環之間的光路中； <br/>在所述矽基底中形成光電二極體以與所述分路器波導耦合； <br/>提供具有有源區域的半導體雷射器增益晶片，所述有源區域被界定在較所述反射器具有更低反射率的前端和具有抗反射特點的後端之間； <br/>將所述半導體雷射器增益晶片安裝至所述矽基底，以使所述後端耦合至所述波長調諧器，以在所述前端與所述反射器之間形成擴展腔；以及 <br/>由所述光電二極體測量自所述反射器傳播至所述一對諧振環的光的光學功率，以監測自所述前端輸出的鐳射光的輸出功率。
如請求項11所述的方法，其中所述矽基底是絕緣體上矽基底。
如請求項11所述的方法，其中基於所述嵌入式波導形成波長調諧器包括經由CMOS過程在所述矽基底的芯片中製作諧振環濾波器，包括：從所述嵌入式波導形成具有不同直徑的圓形形狀的所述一對諧振環，從所述嵌入式波導的環形部分形成所述反射器，並且相互連接所述一對諧振環，或者經由所述嵌入式波導的不同線性部分將所述一對諧振環中的一個環與所述反射器連接。
如請求項13所述的方法，其中形成所述分路器波導包括在所述矽基底的所述芯片中經由CMOS過程與所述反射器前面的所述嵌入式波導的所述不同線性部分其中一者並行地形成所述分路器波導。
如請求項14所述的方法，其中形成所述光電二極體包括經由所述矽基底的所述芯片中的CMOS過程形成鍺光電二極體或矽鍺光電二極體，以與所述分路器波導的兩個分路埠中的任一個分路埠耦合。
如請求項15所述的方法，其中提供所述半導體雷射器增益晶片包括單獨製作所述半導體雷射器增益晶片，所述半導體雷射器增益晶片具有在多量子阱異質結構中配置的所述有源區域，用於發射光並且放大光強度。
如請求項16所述的方法，其中所述多量子阱異質結構由一種或多種化合物半導體製成，所述一種或多種化合物半導體選自InAsP、GaInNAs、GaInAsP、GaInAs和AlGaInAs或它們的組合。
如請求項16所述的方法，其中製作所述半導體雷射器增益晶片包括將所述前端配置為具有小於10%的低反射率以充當光輸出埠，並且利用抗反射塗層塗覆所述後端。
如請求項16所述的方法，其中安裝所述半導體雷射器增益晶片包括將所述半導體雷射器增益晶片翻轉安裝至所述矽基底的所述芯片，以將所述後端與連接至所述一對諧振環中的一個諧振環的所述嵌入式波導的線性部分耦合，並且使所述光電二極體被包括在所述前端與所述反射器之間的所述擴展腔中。
如請求項19所述的方法，還包括在所述擴展腔中形成所述光電二極體以建立所述反射器前面的光的所述功率與自所述前端輸出的所述鐳射光的所述輸出功率的固定相關性，所述固定相關性與設備損失和耦合損失無關。
如請求項11所述的方法，還包括基於在所述反射器處測量到的光的功率與所述前端的所述鐳射光的輸出功率之間的相關性，監測所述鐳射光的所述輸出功率。
如請求項11所述的方法，還包括基於在所述反射器處測量到的光的功率與所述前端的所述鐳射光的輸出功率之間的相關性，監測所述鐳射光的所述輸出功率，所述相關性與所述半導體雷射器增益晶片中的所述鐳射光和所述波導之間的耦合損失變化無關。
如請求項11所述的方法，還包括基於在所述反射器處測量到的光的功率與所述前端的所述鐳射光的輸出功率之間的相關性，監測所述鐳射光的所述輸出功率，所述相關性取決於所述半導體雷射器增益晶片的所述前端以及所述反射器的反射率值。
一種基板處理方法，包含如下步驟：<br/>準備步驟，準備基板，該基板在疊層膜上形成遮罩即氧化鋯膜，進一步乾蝕刻為指定形狀，並且在該疊層膜與該氧化鋯膜的界面形成矽化物；<br/>遮罩去除步驟，於該準備步驟後，對該基板供給含有硫酸與純水之混合物的遮罩去除液，將該氧化鋯膜從該基板的表面去除，其中硫酸為該遮罩去除液的主成分；<br/>殘渣去除步驟，在將該遮罩從該基板的表面去除後，對該基板供給含氟化物之水溶液，將包含該矽化物或硫成分的至少一方之殘渣從該基板的表面去除；以及<br/>乾燥步驟，於該殘渣去除步驟後，使藉由清洗液潤濕的該基板之表面乾燥。
如請求項1之基板處理方法，其中，<br/>進一步包含另一殘渣去除步驟：於該遮罩去除步驟與該殘渣去除步驟之間，對該基板供給加熱之純水，將包含該硫成分之殘渣去除。
如請求項1之基板處理方法，其中，<br/>該乾燥步驟，在將藉由清洗液潤濕的該基板之表面以水溶性醇置換後使其乾燥。
如請求項1之基板處理方法，其中，<br/>該乾燥步驟，利用超臨界狀態的處理流體將該基板之表面乾燥。
如請求項1之基板處理方法，其中，<br/>該乾燥步驟，包含：<br/>第1置換步驟，將藉由清洗液潤濕的該基板之表面，以有機溶劑置換；<br/>撥水化步驟，於該第1置換步驟後，對該基板之表面供給撥水劑；<br/>第2置換步驟，於該撥水化步驟後，將該基板之表面以有機溶劑置換；以及<br/>甩脫步驟，於該第2置換步驟後，將位於該基板之表面的有機溶劑甩脫。
如請求項1之基板處理方法，其中，<br/>於該遮罩去除步驟中，該遮罩去除液藉由在硫酸與純水混合時產生的反應熱而加熱。
如請求項1之基板處理方法，其中，<br/>於該遮罩去除步驟中，該遮罩去除液藉由在硫酸與水蒸氣混合時產生的反應熱而加熱。
一種基板處理方法，包含如下步驟：<br/>準備步驟，準備基板，該基板在疊層膜上形成遮罩即氧化鋯膜，進一步乾蝕刻為指定形狀，並且在該疊層膜與該氧化鋯膜的界面形成矽化物；<br/>遮罩去除步驟，於該準備步驟後，對該基板供給含有硫酸與純水之混合物的遮罩去除液，將該氧化鋯膜從該基板的表面去除，其中硫酸為該遮罩去除液的主成分；<br/>殘渣去除步驟，在將該遮罩從該基板的表面去除後，對該基板供給含氨之水溶液，將包含該矽化物或硫成分的至少一方之殘渣從該基板的表面去除；以及<br/>乾燥步驟，於該殘渣去除步驟後，使藉由清洗液潤濕的該基板之表面乾燥。
如請求項8之基板處理方法，其中，<br/>進一步包含另一殘渣去除步驟：於該遮罩去除步驟與該殘渣去除步驟之間，對該基板供給加熱之純水，將包含該硫成分之殘渣去除。
如請求項8之基板處理方法，其中，<br/>該乾燥步驟，在將藉由清洗液潤濕的該基板之表面以水溶性醇置換後使其乾燥。
如請求項8之基板處理方法，其中，<br/>該乾燥步驟，利用超臨界狀態的處理流體將該基板之表面乾燥。
如請求項8之基板處理方法，其中，<br/>該乾燥步驟，包含：<br/>第1置換步驟，將藉由清洗液潤濕的該基板之表面，以有機溶劑置換；<br/>撥水化步驟，於該第1置換步驟後，對該基板之表面供給撥水劑；<br/>第2置換步驟，於該撥水化步驟後，將該基板之表面以有機溶劑置換；以及<br/>甩脫步驟，於該第2置換步驟後，將位於該基板之表面的有機溶劑甩脫。
如請求項8之基板處理方法，其中，<br/>於該遮罩去除步驟中，該遮罩去除液藉由在硫酸與純水混合時產生的反應熱而加熱。
如請求項8之基板處理方法，其中，<br/>於該遮罩去除步驟中，該遮罩去除液藉由在硫酸與水蒸氣混合時產生的反應熱而加熱。
一種基板處理裝置，包含：<br/>固持部，固持基板而使其旋轉；<br/>液體供給部，對固持在該固持部之該基板供給處理液；以及<br/>控制部，控制各部；<br/>該控制部，<br/>對於在疊層膜上形成遮罩即氧化鋯膜，進一步乾蝕刻為指定形狀的該基板，供給以硫酸為主成分之遮罩去除液，將該氧化鋯膜去除；<br/>在將該氧化鋯膜去除後，使藉由清洗液潤濕的該基板之表面乾燥。
一種用於多感測器圖像擷取裝置的變換矩陣學習的方法，包括：<br/> 接收一第一視差值，該第一視差值指示一第一圖像感測器和一第二圖像感測器之間的一視場差異；<br/> 接收與該第一視差值相對應的一第一深度值；及<br/> 決定用於在複數個深度值處在該第一圖像感測器和該第二圖像感測器之間的一視差的一模型，該模型是至少部分地基於該第一視差值和該第一深度；<br/> 從該第一圖像感測器或該第二圖像感測器中的一者接收一輸入圖像；<br/> 接收與該輸入圖像相對應的一第二深度值；<br/> 基於該第二深度值和該模型來決定一預測視差值；及<br/> 決定用於將該輸入圖像扭曲到該第一圖像感測器或該第二圖像感測器中的另一者的一視場的一變換矩陣；<br/> 決定與該變換矩陣相關聯的一置信度水平低於一閥值水平；及<br/> 基於該輸入圖像和該預測視差值來決定一經校正的圖像訊框。
根據請求項1之方法，其中決定該經校正的圖像包括：將由該第一圖像感測器或該第二圖像感測器中的一者接收的該輸入圖像扭曲以匹配該第一圖像感測器或該第二圖像感測器中的另一者的一視場。
根據請求項1之方法，其中決定該變換矩陣包括：利用電腦視覺處理（CVP）來決定該變換矩陣。
根據請求項1之方法，還包括：<br/> 決定該輸入圖像的一圖像特性低於一閥值水平，<br/> 其中決定該經校正的圖像訊框的步驟是基於決定該圖像特性低於該閥值水平來執行的。
根據請求項1之方法，還包括：<br/> 決定該輸入圖像的一亮度低於一閥值水平，<br/> 其中決定該經校正的圖像訊框的步驟是基於決定該圖像特性低於該閥值水平來執行的。
根據請求項1之方法，還包括：<br/> 決定一視訊序列，該視訊序列包括來自該第一圖像感測器的一第一圖像、來自該第二圖像感測器的一第二圖像和該經校正的圖像訊框，其中該經校正的圖像出現在該第一圖像和該第二圖像之間的該視訊序列中。
根據請求項1之方法，其中決定該經校正的圖像的步驟是進一步基於該第一圖像感測器或該第二圖像感測器中的另一者的一圖像的。
根據請求項1之方法，其中：<br/> 該第一視差值指示沿著一第一軸的一視場差異，以及<br/> 該方法還包括：<br/> 接收一第二視差值，該第二視差值指示在該第一圖像感測器和該第二圖像感測器之間沿著與該第一軸不同的一第二軸的一視場差異，其中決定該模型的步驟是進一步至少部分地基於該第二視差值的。
根據請求項1之方法，其中決定該模型包括：<br/> 儲存複數個視差值，其中該模型是基於該複數個視差值的；及<br/> 基於該複數個視差值中的一值數量或與該複數個視差值中的先前值相關聯的一時間中的至少一項，利用該第一視差值替換該先前值。
根據請求項1之方法，其中該第一深度值包括與該第一輸入圖像相對應的一自動聚焦深度。
根據請求項1之方法，還包括：基於測距成像來決定該第一深度值。
根據請求項11之方法，其中決定該第一深度值包括：基於一飛行時間（ToF）測量來決定該第一深度值。
根據請求項11之方法，其中決定該第一深度值包括：基於一光偵測和測距（LIDAR）測量來決定該第一深度值。
一種用於多感測器圖像擷取裝置的變換矩陣學習的設備，包括：<br/> 一或多個處理器；及<br/> 一記憶體，其耦合到該一或多個處理器並且儲存指令，該等指令在由該一或多個處理器執行時使得該設備執行操作，該等操作包括：<br/> 接收一第一視差值，該第一視差值指示一第一圖像感測器和一第二圖像感測器之間的一視場差異；<br/> 接收與該第一視差值相對應的一第一深度值； <br/> 決定用於在複數個深度值處在該第一圖像感測器和該第二圖像感測器之間的一視差的一模型，該模型是至少部分地基於該第一視差值和該第一深度；<br/> 從該第一圖像感測器或該第二圖像感測器中的一者接收一輸入圖像；<br/> 接收與該輸入圖像相對應的一第二深度值；<br/> 基於該第二深度值和該模型來決定一預測視差值； <br/> 決定用於將該輸入圖像扭曲到該第一圖像感測器或該第二圖像感測器中的另一者的一視場的一變換矩陣；<br/> 決定與該變換矩陣相關聯的一置信度水平低於一閥值水平；及<br/> 基於該輸入圖像和該預測視差值來決定一經校正的圖像。
根據請求項14之設備，其中決定該經校正的圖像包括：將由該第一圖像感測器或該第二圖像感測器中的一者接收的該輸入圖像扭曲以匹配該第一圖像感測器或該第二圖像感測器中的另一者的一視場。
根據請求項14之設備，其中決定該變換矩陣包括：利用電腦視覺處理（CVP）來決定該變換矩陣。
根據請求項14之設備，其中該等指令使得該設備執行還包括以下各項的操作：<br/> 決定該輸入圖像的一圖像特性低於一閥值水平，<br/> 其中決定該經校正的圖像訊框的步驟是基於決定該圖像特性低於該閥值水平來執行的。
根據請求項14之設備，其中該等指令使得該設備執行還包括以下各項的操作：<br/> 決定該輸入圖像的一亮度低於一閥值水平，<br/> 決定該經校正的圖像訊框的步驟是基於決定該亮度低於該閥值水平來執行的。
根據請求項14之設備，其中該等指令使得該設備執行還包括以下各項的操作：<br/> 決定一視訊序列，該視訊序列包括來自該第一圖像感測器的一第一圖像、來自該第二圖像感測器的一第二圖像和該經校正的圖像，其中該經校正的圖像在該視訊序列中出現在該第一圖像和該第二圖像之間。
根據請求項14之設備，其中決定該經校正的圖像的步驟是進一步基於該第一圖像感測器或該第二圖像感測器中的另一者的一圖像的。
根據請求項14之設備，其中：<br/> 該第一視差值指示沿著一第一軸的一視場差異，以及<br/> 該等指令使得該設備執行還包括以下各項的操作：<br/> 接收一第二視差值，該第二視差值指示在該第一圖像感測器和該第二圖像感測器之間沿著與該第一軸不同的一第二軸的一視場差異，其中決定該模型的步驟是進一步至少部分地基於該第二視差值的。
根據請求項14之設備，其中決定該模型包括：<br/> 儲存複數個視差值，其中該模型是基於該複數個視差值的；及<br/> 基於該複數個視差值中的一值數量或與該複數個視差值中的先前值相關聯的一時間中的至少一項，利用該第一視差值替換該先前值。
根據請求項14之設備，其中該第一深度值包括與該第一輸入圖像相對應的一自動聚焦深度。
根據請求項14之設備，其中該等指令使得該設備執行還包括以下各項的操作：基於測距成像來決定該第一深度值。
根據請求項24之設備，其中決定該第一深度值包括：基於一飛行時間（ToF）測量來決定該第一深度值。
根據請求項24之設備，其中決定該第一深度值包括：基於一光偵測和測距（LIDAR）測量來決定該第一深度值。
一種儲存指令的用於多感測器圖像擷取裝置的變換矩陣學習的非暫時性電腦可讀取媒體，該等指令在由一設備的一處理器執行時使得該設備執行包括以下各項的操作：<br/> 接收一第一視差值，該第一視差值指示一第一圖像感測器和一第二圖像感測器之間的一視場差異；<br/> 接收與該第一視差值相對應的一第一深度值； <br/> 決定用於在複數個深度值處在該第一圖像感測器和該第二圖像感測器之間的一視差的一模型，該模型是至少部分地基於該第一視差值和該第一深度；<br/> 從該第一圖像感測器或該第二圖像感測器中的一者接收一輸入圖像；<br/> 接收與該輸入圖像相對應的一第二深度值；<br/> 基於該第二深度值和該模型來決定一預測視差值； <br/><br/> 決定用於將該輸入圖像扭曲到該第一圖像感測器或該第二圖像感測器中的另一者的一視場的一變換矩陣；<br/> 決定與該變換矩陣相關聯的一置信度水平低於一閥值水平；及<br/> 基於該輸入圖像與該預測視差值來決定一經校正的圖像。
根據請求項27之非暫時性電腦可讀取媒體，其中決定該經校正的圖像包括：將由該第一圖像感測器或該第二圖像感測器中的一者接收的該輸入圖像扭曲以匹配該第一圖像感測器或該第二圖像感測器中的另一者的一視場。
根據請求項27之非暫時性電腦可讀取媒體，其中決定該變換矩陣包括：利用電腦視覺處理（CVP）來決定該變換矩陣。
根據請求項27之非暫時性電腦可讀取媒體，其中該等指令在由一設備的一處理器執行時使得該設備執行還包括以下各項的操作：<br/> 決定該輸入圖像的一圖像特性低於一閥值水平，<br/> 其中基於決定該圖像特性低於該閥值水平來執行決定該經校正的圖像的步驟。
根據請求項27之非暫時性電腦可讀取媒體，其中該等指令在由一設備的一處理器執行時使得該設備執行還包括以下各項的操作：<br/> 決定該輸入圖像的一亮度低於一閥值水平， <br/> 其中決定該經校正的圖像訊框的步驟是基於決定該亮度低於該閥值水平來執行的。
根據請求項27之非暫時性電腦可讀取媒體，其中該等指令在由一設備的一處理器執行時使得該設備執行還包括以下各項的操作：<br/> 決定一視訊序列，該視訊序列包括來自該第一圖像感測器的一第一圖像、來自該第二圖像感測器的一第二圖像和該經校正的圖像，其中該經校正的圖像在該視訊序列中出現在該第一圖像和該第二圖像之間。
根據請求項27之非暫時性電腦可讀取媒體，其中決定該經校正的圖像的步驟是進一步基於該第一圖像感測器或該第二圖像感測器中的另一者的一圖像的。
根據請求項27之非暫時性電腦可讀取媒體，其中：<br/> 該第一視差值指示沿著一第一軸的一視場差異，以及<br/> 該等指令在由一設備的一處理器執行時使得該設備執行還包括以下各項的操作：<br/> 接收一第二視差值，該第二視差值指示在該第一圖像感測器和該第二圖像感測器之間沿著與該第一軸不同的一第二軸的一視場差異，其中決定該模型的步驟是進一步至少部分地基於該第二視差值的。
根據請求項27之非暫時性電腦可讀取媒體，其中決定該模型包括：<br/> 儲存複數個視差值，其中該模型是基於該複數個視差值的；及<br/> 基於該複數個視差值中的一值數量或與該複數個視差值中的先前值相關聯的一時間中的至少一項，利用該第一視差值替換該先前值。
根據請求項27之非暫時性電腦可讀取媒體，其中該第一深度值包括與該輸入圖像相對應的一自動聚焦深度。
根據請求項27之非暫時性電腦可讀取媒體，其中該等指令在由一設備的一處理器執行時使得該設備執行還包括以下各項的操作：<br/> 基於測距成像來決定該第一深度值。
根據請求項37之非暫時性電腦可讀取媒體，其中決定該第一深度值包括：基於一飛行時間（ToF）測量來決定該第一深度值。
根據請求項37之非暫時性電腦可讀取媒體，其中決定該第一深度值包括：基於一光偵測和測距（LIDAR）測量來決定該第一深度值。
一種用於多感測器圖像擷取裝置的變換矩陣學習的設備，包括：<br/> 一第一圖像感測器，其被配置有一第一視場；<br/> 一第二圖像感測器，其被配置有至少部分地與該第一視場重疊的一第二視場；<br/> 一或多個處理器，其耦合到該第一圖像感測器並且耦合到該第二圖像感測器；及<br/> 一記憶體，其耦合到該一或多個處理器，<br/> 其中該一或多個處理器被配置為執行包括以下各項的步驟：<br/> 接收一第一視差值，該第一視差值指示該第一圖像感測器和該第二圖像感測器之間的一視場差異；<br/> 接收與該第一視差值相對應的第一深度值； <br/> 決定用於在複數個深度值處在該第一圖像感測器和該第二圖像感測器之間的一視差的一模型，該模型是至少部分地基於該第一視差值和該第一深度；<br/> 從該第一圖像感測器或該第二圖像感測器中的一者接收一輸入圖像；<br/> 接收與該輸入圖像相對應的一第二深度值；<br/> 基於該第二深度值和該模型來決定一預測視差值； <br/> 決定用於將該輸入圖像扭曲到該第一圖像感測器或該第二圖像感測器中的另一者的一視場的一變換矩陣；<br/> 決定與該變換矩陣相關聯的一置信度水平低於一閥值水平；及<br/> 基於該輸入圖像和該預測視差值來決定一經校正的圖像訊框。
根據請求項40之設備，其中決定該經校正的圖像包括：將由該第一圖像感測器或該第二圖像感測器中的一者接收的該輸入圖像扭曲以匹配該第一圖像感測器或該第二圖像感測器中的另一者的一視場。
根據請求項40之設備，其中決定該變換矩陣包括：利用電腦視覺處理（CVP）來決定該變換矩陣。
根據請求項50之設備，其中該一或多個處理器還被配置為執行包括以下各項的步驟：<br/> 決定該輸入圖像的一圖像特性低於一閥值水平，<br/> 其中決定該經校正的圖像訊框的步驟是基於決定該圖像特性低於該閥值水平來執行的。
根據請求項40之設備，其中該一或多個處理器還被配置為執行包括以下各項的步驟：<br/> 決定該輸入圖像的一亮度低於一閥值水平，<br/> 其中決定該經校正的圖像訊框的步驟是基於決定該亮度低於該閥值水平來執行的。
根據請求項40之設備，其中該一或多個處理器還被配置為執行包括以下各項的步驟：<br/> 決定一視訊序列，該視訊序列包括來自該第一圖像感測器的一第一圖像、來自該第二圖像感測器的一第二圖像和該經校正的圖像，其中該經校正的圖像在該視訊序列中出現在該第一圖像和該第二圖像之間。
根據請求項40之設備，其中決定該經校正的圖像的步驟是進一步基於該第一圖像感測器或該第二圖像感測器中的另一者的一圖像的。
根據請求項40之設備，其中：<br/> 該第一視差值指示沿著一第一軸的一視場差異，以及<br/> 該一或多個處理器被配置為執行還包括以下各項的步驟： <br/> 接收一第二視差值，該第二視差值指示在該第一圖像感測器和該第二圖像感測器之間沿著與該第一軸不同的一第二軸的一視場差異，其中決定該模型的步驟是進一步至少部分地基於該第二視差值的。
根據請求項40之設備，其中決定該模型包括：<br/> 儲存複數個視差值，其中該模型是基於該複數個視差值的；及<br/> 基於該複數個視差值中的一值數量或與該複數個視差值中的先前值相關聯的時間中的至少一項，利用該第一視差值替換該先前值。
根據請求項40之設備，還包括一深度感測器，其中該一或多個處理器耦合到該深度感測器並且被配置為從該深度感測器接收該第一深度值。
根據請求項49之設備，其中該深度感測器包括一測距成像系統。
根據請求項50之設備，其中該深度感測器包括一飛行時間（ToF）系統，並且其中決定該第一深度值包括：基於來自該ToF系統的一ToF測量來決定該第一深度值。
根據請求項50之設備，其中該深度感測器包括一光探測和測距（LIDAR）系統，並且其中決定該第一深度值包括：基於來自該LIDAR系統的一LIDAR測量來決定該第一深度值。
根據請求項40之設備，還包括：<br/> 一電腦視覺處理器（CVP），其耦合到該一或多個處理器並且被配置為執行包括以下各項的操作：<br/> 從該第一圖像感測器接收一第一圖像訊框；<br/> 從該第二圖像感測器接收一第二圖像訊框；及<br/> 在該第一圖像訊框和該第二圖像訊框之間進行特徵匹配，以決定該第一圖像感測器和該第二圖像感測器之間的一視場差異，<br/> 其中該處理器被配置為從該CVP接收該第一圖像感測器和該第二圖像感測器之間的該視場差異作為該第一視差值。
一種半導體裝置，其包含： <br/>一垂直電晶體，其包括： <br/>一第一電晶體區段，其具有一第一本體區域、一第一源極區域、及一第一閘極電極，該第一源極區域經設置在該垂直電晶體之一第一側上； <br/>一第二電晶體區段，其具有一第二本體區域、一第二源極區域、及一第二閘極電極，該第二源極區域經設置在該垂直電晶體之該第一側上； <br/>一第一介電層，其經設置在該垂直電晶體之一第二側上，該第二側與該第一側相對； <br/>一導電格柵，其經設置在該第一介電層上，該導電格柵使用透過該第一介電層形成之至少一第一導電接觸件與該第一閘極電極及該第二閘極電極電耦接； <br/>一第二介電層，其經設置在該導電格柵及該第一介電層上；及 <br/>一金屬層，其經設置在該第二介電層上，該金屬層包括： <br/>一第一部分，其使用透過該第一介電層及該第二介電層形成之至少一第二導電接觸件與該第一本體區域、該第一源極區域、該第二本體區域、及該第二源極區域電耦接；及 <br/>一第二部分，其使用透過該第二介電層形成之至少一第三導電接觸件與該導電格柵電耦接。
如請求項1之半導體裝置，其中： <br/>該第一閘極電極係一第一溝槽閘極電極；且 <br/>該第二閘極電極係一第二溝槽閘極電極。
如請求項1之半導體裝置，其中： <br/>該垂直電晶體係包括在一半導體基材中，該半導體基材經配置在一平面中；且 <br/>該導電格柵之至少一部分及該垂直電晶體之該第一電晶體區段的一部分沿著正交於該平面的一線配置。
如請求項1之半導體裝置，其中該金屬層係一第一金屬層，該半導體裝置進一步包含： <br/>一第三介電層，其經設置在該第一金屬層及該第二介電層上；及 <br/>一第二金屬層，其經設置在該第三介電層上，該第二金屬層包括： <br/>一第一部分，其透過該第三介電層與該第一金屬層之該第一部分電耦接；及 <br/>一第二部分，其透過該第三介電層與該第一金屬層之該第二部分電耦接， <br/>其中： <br/>該第二金屬層之該第一部分經設置在該第一金屬層之該第一部分上；及 <br/>該第二金屬層之該第二部分係使用透過該第三介電層形成之至少一導電通孔與該第一金屬層的該第二部分電耦接。
如請求項1之半導體裝置，其中： <br/>該垂直電晶體係包括在一碳化矽(SiC)半導體區域中； <br/>該第一本體區域屬於一第一導電性類型且經設置在該SiC半導體區域中； <br/>該第二本體區域屬於該第一導電性類型且經設置在該SiC半導體區域中； <br/>該SiC半導體區域、該第一源極區域、及該第二源極區域屬於相反於該第一導電性類型的一第二導電性類型； <br/>該第一源極區域經設置在該第一本體區域中；及 <br/>該第二源極區域經設置在該第二本體區域中。
如請求項1之半導體裝置，其中： <br/>該第一閘極電極係一第一摻雜多晶矽閘極電極；且 <br/>該第二閘極電極係一第二摻雜多晶矽閘極電極， <br/>該第一摻雜多晶矽閘極電極經由該導電格柵及至該導電格柵之各別電氣接觸件與該第二摻雜多晶矽閘極電極電耦接。
如請求項1之半導體裝置，其中： <br/>透過該第一介電層形成之該至少該第一導電接觸件係包括在透過該第一介電層形成之一第一複數個導電接觸件中； <br/>透過該第一介電層及該第二介電層形成之該至少該第二導電接觸件係包括在透過該第一介電層及該第二介電層形成之一第二複數個導電接觸件中；且 <br/>透過該第二介電層形成之該至少該第三導電接觸件係包括在透過該第二介電層形成之一第三複數個導電接觸件中。
一種半導體裝置，其包含： <br/>一半導體區域； <br/>一主動區域，其經設置在該半導體區域中； <br/>一隔離區域，其經設置在該半導體區域中，該隔離區域至少部分地環繞該主動區域； <br/>複數個垂直電晶體區段，其等經設置在該主動區域中，該複數個垂直電晶體區段包括各別的閘極電極，及經設置在該主動區域之一第一側上之各別的源極區域； <br/>一第一介電層，其經設置在該主動區域之一第二側上； <br/>一導電格柵，其經設置在該第一介電層上，該導電格柵使用透過該第一介電層形成的複數個導電接觸件與該等各別的閘極電極電耦接； <br/>一第二介電層，其經設置在該導電格柵及該第一介電層上；及 <br/>一金屬層，其經設置在該第二介電層上，該金屬層包括一部分，該部分使用透過該第二介電層形成之至該導電格柵的至少一導電接觸件透過該導電格柵與該等各別的閘極電極電耦接。
如請求項8之半導體裝置，其中該導電格柵並未減少該主動區域之一主動區。
如請求項8之半導體裝置，其中該複數個垂直電晶體區段包括下列中之一者： <br/>複數個垂直場效電晶體區段；或 <br/>複數個垂直絕緣閘型雙極電晶體區段。
一種用於生產一半導體裝置之方法，該方法包含： <br/>在一半導體區域中形成一垂直電晶體，其包括： <br/>一第一電晶體區段，其具有一第一本體區域、一第一源極區域、及一第一閘極電極，該第一源極區域經設置在該垂直電晶體之一第一側上； <br/>一第二電晶體區段，其具有一第二本體區域、一第二源極區域、及一第二閘極電極，該第二源極區域經設置在該垂直電晶體之該第一側上； <br/>在該垂直電晶體之一第二側上形成一第一介電層，該第二側與該第一側相對； <br/>在該第一介電層上形成一導電格柵，該導電格柵使用透過該第一介電層形成之至少一第一導電接觸件與該第一閘極電極及該第二閘極電極電耦接； <br/>在該導電格柵及該第一介電層上形成一第二介電層；及 <br/>在該第二介電層上形成一金屬層，該金屬層包括： <br/>一第一部分，其使用透過該第一介電層及該第二介電層形成之至少一第二導電接觸件與該第一本體區域、該第一源極區域、該第二本體區域、及該第二源極區域電耦接；及 <br/>一第二部分，其使用透過該第二介電層形成之至少一第三導電接觸件與該導電格柵電耦接。
如請求項11之方法，其中該金屬層係一第一金屬層，該方法進一步包含： <br/>在該第一金屬層及該第二介電層上形成一第三介電層；及 <br/>在該第三介電層上形成一第二金屬層，該第二金屬層包括： <br/>一第一部分，其透過該第三介電層與該第一金屬層之該第一部分電耦接；及 <br/>一第二部分，其透過該第三介電層與該第一金屬層之該第二部分電耦接。
一種用於無線通訊的使用者設備（UE），包括：<br/> 一記憶體；及<br/> 耦合到該記憶體的一或多個處理器，該一或多個處理器被配置為：<br/> 傳輸對一實體下行鏈路控制通道（PDCCH）監測能力的一指示，該PDCCH監測能力指示在兩個連續的多時槽PDCCH監測訊窗之間的一時間量、要在一PDCCH監測訊窗中監測的一時槽數量，以及在與PDCCH監測相關聯的一跨度中包括的一連續符號數量，每一時槽包括多個符號；及<br/> 接收至少部分地基於該PDCCH監測能力的一PDCCH監測配置。
根據請求項1之UE，其中當一第一PDCCH監測訊窗和一第二PDCCH監測訊窗在一時域中連續時，在兩個連續的PDCCH監測訊窗之間的該時間量指示在該第一PDCCH監測訊窗的一第一時槽與該第二PDCCH監測訊窗的一第一時槽之間的一最小時間量。
根據請求項1之UE，其中與PDCCH監測相關聯的該跨度包括在與PDCCH監測相關聯的一時槽中。
根據請求項1之UE，其中該PDCCH監測配置與一PDCCH候選限制或一控制通道元素（CCE）限制相關聯，並且其中該PDCCH候選限制或該CCE限制是針對該PDCCH監測訊窗定義的。
根據請求項1之UE，其中該PDCCH監測配置與一PDCCH候選限制或一控制通道元素（CCE）限制相關聯，並且其中該PDCCH候選限制或該CCE限制是針對與PDCCH監測相關聯的該跨度定義的。
根據請求項1之UE，其中為了接收該PDCCH監測配置，該一或多個處理器被配置為：<br/> 接收對用於與該PDCCH監測訊窗相關聯的一時槽的一或多個PDCCH監測時機的一指示，其中該一或多個PDCCH監測時機被包括在該時槽中包括的一或多個跨度中。
根據請求項1之UE，其中與PDCCH監測相關聯的該跨度包括在與該PDCCH監測訊窗相關聯的一時槽中，且其中在該時槽中的該跨度的一位置對於與該PDCCH監測配置相關聯的時槽是固定的。
根據請求項7之UE，其中在該時槽中的該跨度的該位置是該時槽的一前一或多個符號，其中該一或多個符號的一數量是藉由該指示所指示的該連續符號數量。
根據請求項1之UE，其中為了傳輸對該PDCCH監測能力的該指示，該一或多個處理器被配置為：<br/> 傳輸與一次載波間隔相關聯的一第一PDCCH監測能力和與該次載波間隔相關聯的一第二PDCCH監測能力。
根據請求項1之UE，其中為了傳輸對該PDCCH監測能力的該指示，該一或多個處理器被配置為：<br/> 傳輸與一第一次載波間隔相關聯的一第一PDCCH監測能力和與一第二次載波間隔相關聯的一第二PDCCH監測能力。
一種用於無線通訊的基地站，包括：<br/> 一記憶體；及<br/> 耦合到該記憶體的一或多個處理器，該一或多個處理器被配置為：<br/> 從一使用者設備（UE）接收對一實體下行鏈路控制通道（PDCCH）監測能力的一指示，該PDCCH監測能力指示在兩個連續的多時槽PDCCH監測訊窗之間的一時間量、要在一PDCCH監測訊窗中監測的一時槽數量，以及在與PDCCH監測相關聯的一跨度中包括的一連續符號數量，每一時槽包括多個符號；及<br/> 向該UE傳輸至少部分地基於該PDCCH監測能力的一PDCCH監測配置。
根據請求項11之基地站，其中當一第一PDCCH監測訊窗和一第二PDCCH監測訊窗在一時域中連續時，在兩個連續的PDCCH監測訊窗之間的該時間量指示在該第一PDCCH監測訊窗的一第一時槽與該第二PDCCH監測訊窗的一第一時槽之間的一最小時間量。
根據請求項11之基地站，其中與PDCCH監測相關聯的該跨度包括在與PDCCH監測相關聯的一時槽中。
根據請求項11之基地站，其中該PDCCH監測配置與一PDCCH候選限制或一控制通道元素（CCE）限制相關聯，並且其中該PDCCH候選限制或該CCE限制是針對該PDCCH監測訊窗定義的。
根據請求項11之基地站，其中該PDCCH監測配置與一PDCCH候選限制或一控制通道元素（CCE）限制相關聯，並且其中該PDCCH候選限制或該CCE限制是針對與PDCCH監測相關聯的該跨度定義的。
根據請求項11之基地站，其中為了傳輸該PDCCH監測配置，該一或多個處理器被配置為：<br/> 傳輸對用於與該PDCCH監測訊窗相關聯的一時槽的一或多個PDCCH監測時機的一指示，其中該一或多個PDCCH監測時機被包括在該時槽中包括的一或多個跨度中。
根據請求項11之基地站，其中與PDCCH監測相關聯的該跨度包括在與該PDCCH監測訊窗相關聯的一時槽中，且其中在該時槽中的該跨度的一位置對於與該PDCCH監測配置相關聯的時槽是固定的。
根據請求項17之基地站，其中在該時槽中的該跨度的該位置是該時槽的一前一或多個符號，其中該一或多個符號的一數量是藉由該指示所指示的該連續符號數量。
根據請求項11之基地站，其中為了接收對該PDCCH監測能力的該指示，該一或多個處理器被配置為：<br/> 接收與一次載波間隔相關聯的一第一PDCCH監測能力和與該次載波間隔相關聯的一第二PDCCH監測能力。
根據請求項11之基地站，其中為了接收對該PDCCH監測能力的該指示，該一或多個處理器被配置為：<br/> 接收與一第一次載波間隔相關聯的一第一PDCCH監測能力和與一第二次載波間隔相關聯的一第二PDCCH監測能力。
一種由一使用者設備（UE）執行的無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 傳輸對一實體下行鏈路控制通道（PDCCH）監測能力的一指示，該PDCCH監測能力指示在兩個連續的多時槽PDCCH監測訊窗之間的一時間量、要在一PDCCH監測訊窗中監測的一時槽數量，以及在與PDCCH監測相關聯的一跨度中包括的一連續符號數量，每一時槽包括多個符號；及<br/> 接收至少部分地基於該PDCCH監測能力的一PDCCH監測配置。
根據請求項21之方法，其中當一第一PDCCH監測訊窗和一第二PDCCH監測訊窗在一時域中連續時，在兩個連續的PDCCH監測訊窗之間的該時間量指示在該第一PDCCH監測訊窗的一第一時槽與該第二PDCCH監測訊窗的一第一時槽之間的一最小時間量。
根據請求項21之方法，其中與PDCCH監測相關聯的該跨度包括在與PDCCH監測相關聯的一時槽中。
根據請求項21之方法，其中接收該PDCCH監測配置之步驟包括以下步驟：<br/> 接收對用於與該PDCCH監測訊窗相關聯的一時槽的一或多個PDCCH監測時機的一指示，其中該一或多個PDCCH監測時機被包括在該時槽中包括的一或多個跨度中。
根據請求項21之方法，其中與PDCCH監測相關聯的該跨度包括在與該PDCCH監測訊窗相關聯的一時槽中，且其中在該時槽中的該跨度的一位置對於與該PDCCH監測配置相關聯的時槽是固定的。
一種由一基地站執行的無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 從一使用者設備（UE）接收對一實體下行鏈路控制通道（PDCCH）監測能力的一指示，該PDCCH監測能力指示在兩個連續的多時槽PDCCH監測訊窗之間的一時間量、要在一PDCCH監測訊窗中監測的一時槽數量，以及在與PDCCH監測相關聯的一跨度中包括的一連續符號數量，每一時槽包括多個符號；及<br/> 向該UE傳輸至少部分地基於該PDCCH監測能力的一PDCCH監測配置。
根據請求項26之方法，其中當一第一PDCCH監測訊窗和一第二PDCCH監測訊窗在一時域中連續時，在兩個連續的PDCCH監測訊窗之間的該時間量指示在該第一PDCCH監測訊窗的一第一時槽與該第二PDCCH監測訊窗的一第一時槽之間的一最小時間量。
根據請求項26之方法，其中與PDCCH監測相關聯的該跨度包括在與PDCCH監測相關聯的一時槽中。
根據請求項26之方法，其中傳輸該PDCCH監測配置之步驟包括以下步驟：<br/> 傳輸對用於與該PDCCH監測訊窗相關聯的一時槽的一或多個PDCCH監測時機的一指示，其中該一或多個PDCCH監測時機被包括在該時槽中包括的一或多個跨度中。
根據請求項26之方法，其中與PDCCH監測相關聯的該跨度包括在與該PDCCH監測訊窗相關聯的一時槽中，且其中在該時槽中的該跨度的一位置對於與該PDCCH監測配置相關聯的時槽是固定的。
一種插座連接器組件（104），其包含： <br/>一插座罩體（110），其包括多個罩體壁（114），該等罩體壁包括一頂壁（130），該等罩體壁形成一模組通道（118），該模組通道構造成接受一可插拔模組（106），該等罩體壁在該插座罩體的一前端（140）與一後端（142）之間延伸，該頂壁包括一向該可插拔模組敞開的一開口（150）； <br/>一EMI墊片（200），其在該開口處耦接到該頂壁，該EMI墊片在該開口處提供電屏蔽，該EMI墊片具有一含有固接表面（220）的基座（210），該EMI墊片的基座之該固接表面固接到該插座罩體的頂壁，該EMI墊片具有從該基座延伸的屏蔽構件且該等屏蔽構件相對於該基座具有彈性，每一該等屏蔽構件具有一對接介面（230）；及 <br/>一散熱器（144），其耦接到該插座罩體，該散熱器包括一具有熱介面（148）的散熱器基座，該熱介面位於該模組通道中，並構造成接合該可插拔模組，以散發來自該可插拔模組的熱量，該散熱器基座在該EMI墊片的該等對接介面接合該等屏蔽構件，以將該散熱器電連接到該EMI墊片，其中當該散熱器從該插座罩體移除，該散熱器可從該EMI墊片分離。
如請求項1所述之插座連接器組件（104），其中該EMI墊片（200）的該等對接介面（230）在接合該散熱器（144）時可壓縮。
如請求項1所述之插座連接器組件（104），其中該基座（210）固定到該頂壁（130），該等對接介面（230）為可分離對接介面。
如請求項1所述之插座連接器組件（104），其中該EMI墊片（200）包括多個從該基座（210）延伸的彈簧夾指（214），該等彈簧夾指包括該等對接介面（230）。
如請求項1所述之插座連接器組件（104），其中該EMI墊片（200）包括一金屬絲網墊片（250）。
如請求項1所述之插座連接器組件（104），其中該EMI墊片（200）包括一導電彈性墊片（260）。
如請求項1所述之插座連接器組件（104），其中該EMI墊片（200）耦接到該頂壁（130）的一內表面（162）。
如請求項1所述之插座連接器組件（104），其中該EMI墊片（200）從該模組通道（118）的內部延伸穿過該開口（150）到該插座罩體（110）的外部。
如請求項1所述之插座連接器組件（104），其中該基座（210）包括在該開口（150）處夾至該頂壁（130）的夾具（240）。
如請求項1所述之插座連接器組件（104），其中該EMI墊片（200）包括沿該頂壁（130）的內表面（162）延伸之內屏蔽構件（242）、以及沿該頂壁（130）的外表面（160）延伸之外屏蔽構件（244）。
如請求項10所述之插座連接器組件（104），其中該等內屏蔽構件（242）包括從該基座（210）延伸的內彈簧夾指（246），且該外屏蔽構件（244）包括從該基座（210）延伸的外彈簧夾指（248）。
一種插座連接器組件（104），其包含： <br/>一插座罩體（110），其包括多個罩體壁（114），該等罩體壁包括一頂壁（130），該等罩體壁形成一模組通道（118），該模組通道構造成接受一可插拔模組（106），該等罩體壁在該插座罩體的一前端（140）與一後端（142）之間延伸，該頂壁包括一向該可插拔模組敞開的一開口（150）； <br/>一EMI墊片（200），其在該開口處耦接到該頂壁，該EMI墊片在該開口處提供電屏蔽，該EMI墊片具有一含有固接表面（220）的基座（210），該EMI墊片的基座之該固接表面耦接到該插座罩體的頂壁，該EMI墊片具有複數個對接介面（230）；及 <br/>一散熱器（144），其耦接到該插座罩體，該散熱器包括一具有熱介面（148）的散熱器基座，該熱介面位於該模組通道中，並構造成接合該可插拔模組，以散發來自該可插拔模組的熱量，該散熱器基座接合該EMI墊片的該等對接介面，以將該散熱器電連接到該EMI墊片； <br/>其中該散熱器（144）的基底位於該頂壁（130）下方的模組通道（118）內，該EMI墊片（200）位於該頂壁與該散熱器之間。
一種旋轉驅動式工具，其係藉由自外部工具所輸入的旋轉力進行動作的旋轉驅動式工具；其特徵在於，其具備有： <br/>傳動軸，其朝向本體側傳動上述旋轉力； <br/>連結部，其形成可相互排斥地收納上述外部工具及上述傳動軸的收納部，且以可繞軸一體旋轉且可朝軸向滑動之方式連結於上述傳動軸； <br/>附加勢能手段，其以使上述傳動軸進入至上述收納部內之方式對上述連結部朝向上述本體側附加勢能； <br/>本體側卡合部，其設於上述本體側，且在限制繞上述傳動軸旋轉的方向與上述連結部側相卡合；及 <br/>連結部側卡合部，其在上述收納部內，以在上述傳動軸將上述外部工具排除的配置下與上述本體側卡合部卡合，且在上述外部工具將上述傳動軸排除的配置下自上述本體側卡合部分離之方式，設成可與上述連結部一體移動。
如請求項1之旋轉驅動式工具，其中，上述附加勢能手段係被設置為相對於上述傳動軸對上述連結部附加勢能。
如請求項1或2之旋轉驅動式工具，其中，上述連結部側卡合部係形成為具有外齒的直齒輪狀，上述本體側卡合部係具有可與上述連結部側卡合部相卡合的圓環狀之內齒。
一種具有用於壓縮加速的早期中止技術的處理器封裝，該處理器封裝包括： <br/> 積體電路； <br/> 該積體電路中的壓縮加速器，該壓縮加速器處理將原始資料壓縮成輸出檔案的請求；以及 <br/> 該壓縮加速器中的早期中止電路提供壓縮操作的早期中止，其中，該提供壓縮操作的早期中止包括： <br/> 使用預定樣本大小來計算該輸出檔案的一部分的估計大小，其中，該樣本大小指定在計算該輸出檔案的該部分的該估計大小之前要分析多少該原始資料； <br/> 根據預定的早期中止閾值，確定該輸出檔案的該部分的該估計大小是否反映了可接受的壓縮量；以及 <br/> 如果該輸出檔案的該部分的該估計大小不反映該可接受的壓縮量，則使該壓縮加速器中止該請求。
根據請求項1所述的處理器封裝，其中，處理將原始資料壓縮成輸出檔案的請求包括： <br/> 如果該早期中止電路沒有預測到不可接受的少量壓縮，則完成該請求。
根據請求項1所述的處理器封裝，其中，該壓縮加速器用於允許軟體指定該樣本大小及該早期中止閾值。
根據請求項1所述的處理器封裝，其中，使用該預定樣本大小來計算該輸出檔案的該部分的該估計大小的操作包括： <br/> 分析該原始資料的一部分以確定可用於壓縮該原始資料的該部分的文字數量及反向引用數量；以及 <br/> 根據該確定的文字數量及該確定的反向引用數量來確定該輸出檔案的該部分的該估計大小。
根據請求項4所述的處理器封裝，其中，根據該確定的文字數量及該確定的反向引用數量來確定該輸出檔案的該部分的該估計大小的操作包括： <br/> 將該輸出檔案的該部分的該估計大小計算為每個文字一個位元組，每個反向引用兩個位元組。
根據請求項4所述的處理器封裝，其中，分析該原始資料的該部分以確定可用於壓縮該原始資料的該部分的該文字數量及該反向引用數量的操作包括： <br/> 根據Deflate壓縮演算法來確定將用於壓縮該原始資料的該部分的該文字數量及該反向引用數量。
一種具有用於壓縮加速的早期中止的技術的資料處理系統，該資料處理系統包括： <br/> 執行軟體的處理核心；以及 <br/> 與該處理核心通信的壓縮加速器，該壓縮加速器用於處理來自該軟體的請求以將原始資料壓縮成輸出檔案，其中，用於處理將原始資料壓縮成輸出檔案的請求包括： <br/> 使用預定的樣本大小來計算該輸出檔案的一部分的估計大小，其中，該樣本大小指定有多少該原始資料要在計算該輸出檔案的該部分的該估計大小之前進行分析； <br/> 根據預定的早期中止閾值，確定該輸出檔案的該部分的該估計大小是否反映了可接受的壓縮量；以及 <br/> 如果該輸出檔案的該部分的該估計大小不反映該可接受的壓縮量，則中止該請求。
根據請求項7所述的資料處理系統，其中： <br/> 該壓縮加速器包括早期中止電路；並且 <br/> 用於處理將原始資料壓縮成輸出檔案的請求還包括如果該早期中止電路沒有預測到不可接受的少量壓縮，則完成該請求。
根據請求項7所述的資料處理系統，其中，該資料處理系統包括積體電路，該積體電路包括該處理核心及該壓縮加速器。
根據請求項7所述的資料處理系統，其中，該壓縮加速器用於允許該軟體指定該樣本大小及該早期中止閾值。
根據請求項7所述的資料處理系統，其中，使用該預定樣本大小來計算該輸出檔案的該部分的該估計大小的操作包括： <br/> 分析該原始資料的一部分以確定可用於壓縮該原始資料的該部分的文字數量及反向引用數量；以及 <br/> 根據該確定的文字數量及該確定的反向引用數量來確定該輸出檔案的該部分的該估計大小。
根據請求項11所述的資料處理系統，其中，根據該確定的文字數量及該確定的反向引用數量來確定該輸出檔案的該部分的該估計大小的操作包括： <br/> 將該輸出檔案的該部分的該估計大小計算為每個文字一個位元組，每個反向引用兩個位元組。
根據請求項11所述的資料處理系統，其中，分析該原始資料的該部分以確定可用於壓縮該原始資料的該部分的該文字數量及該反向引用數量的操作包括： <br/> 根據Deflate壓縮演算法來確定將用於壓縮該原始資料的該部分的該文字數量及該反向引用數量。
根據請求項7所述的資料處理系統，還包括： <br/> 與該處理器通信的非揮發性儲存器(non-volatile storage, NVS)，其中，該NVS包括軟體，並且其中，該軟體用於指定該樣本大小及該早期中止閾值。
根據請求項14所述的資料處理系統，還包括： <br/> 與該處理核心通信的隨機存取記憶體(random access memory, RAM)；以及 <br/> 其中，該軟體進一步： <br/> 在該RAM中建立工作池及交換池； <br/> 在該工作池中儲存舊頁面，其中，該舊頁面包括該原始資料；以及 <br/> 與從該工作池中換出該舊頁面有關的如： <br/> 確定該壓縮加速器是否中止該請求；以及 <br/> 回應於確定該壓縮加速器沒有中止該請求，保存該輸出檔案到該交換池。
一種具有用於壓縮加速的早期中止的技術的設備，該設備包括： <br/> 機器可存取媒體；以及 <br/> 該機器可存取媒體中的指令，當該指令由具有帶有早期中止電路的壓縮加速器的資料處理系統執行時，使該資料處理系統使用該壓縮加速器來處理來自軟體的請求以將原始資料壓縮成輸出檔案，其中，處理將原始資料壓縮成輸出檔案的請求包括： <br/> 使用預定的樣本大小來計算該輸出檔案的一部分的估計大小，其中，該樣本大小指定有多少該原始資料要在計算該輸出檔案的該部分的該估計大小之前進行分析； <br/> 根據預定的早期中止閾值，確定該輸出檔案的該部分的該估計大小是否反映了可接受的壓縮量；以及 <br/> 如果該輸出檔案的該部分的該估計大小不反映該可接受的壓縮量，則中止該請求。
根據請求項16所述的設備，其中，該指令用於指定該樣本大小及該早期中止閾值。
根據請求項16所述的設備，其中，使用該預定樣本大小來計算該輸出檔案的該部分的該估計大小的操作包括： <br/> 分析該原始資料的一部分以確定可用於壓縮該原始資料的該部分的文字數量及反向引用數量；以及 <br/> 根據該確定的文字數量及該確定的反向引用數量來確定該輸出檔案的該部分的該估計大小。
根據請求項18所述的設備，其中，根據該確定的文字數量及該確定的反向引用數量來確定該輸出檔案的該部分的該估計大小的操作包括： <br/> 將該輸出檔案的該部分的該估計大小計算為每個文字一個位元組，每個反向引用兩個位元組。
根據請求項18所述的設備，其中，分析該原始資料的該部分以確定可用於壓縮該原始資料的該部分的該文字數量及該反向引用數量的操作包括： <br/> 根據Deflate壓縮演算法來確定將用於壓縮該原始資料的該部分的該文字數量及該反向引用數量。
根據請求項16所述的設備，其中： <br/> 用於處理將原始資料壓縮成輸出檔案的請求包括如果早期中止電路沒有預測到不可接受的少量壓縮，則完成該請求；並且 <br/> 當該指令被執行時還進一步： <br/> 在完成該請求後將該輸出檔案保存到該資料處理系統中的隨機存取記憶體(random access memory, RAM)中的交換池中，同時從該RAM中的工作池中換出該舊頁面。
一種促進壓縮加速的早期中止的方法，該方法包括： <br/> 在具有帶有早期中止電路的壓縮加速器的資料處理系統中，使用該壓縮加速器處理來自軟體的請求以將原始資料壓縮成輸出檔案；以及 <br/> 其中，使用該壓縮加速器處理請求以將原始資料壓縮成輸出檔案的操作包括： <br/> 使用預定的樣本大小來計算該輸出檔案的一部分的估計大小，其中，該樣本大小指定有多少該原始資料要在計算該輸出檔案的該部分的該估計大小之前進行分析； <br/> 根據預定的早期中止閾值，確定該輸出檔案的該部分的該估計大小是否反映了可接受的壓縮量；以及 <br/> 如果該輸出檔案的該部分的該估計大小不反映該可接受的壓縮量，則中止該請求。
根據請求項22所述的方法，其中，使用預定樣本大小來計算該輸出檔案的一部分的估計大小的操作包括： <br/> 分析該原始資料的一部分以確定可用於壓縮該原始資料的該部分的文字數量及反向引用數量；以及 <br/> 根據該確定的文字數量及該確定的反向引用數量來確定該輸出檔案的該部分的該估計大小。
根據請求項23所述的方法，其中，根據該確定的文字數量及該確定的反向引用數量來確定該輸出檔案的該部分的該估計大小的操作包括： <br/> 將該輸出檔案的該部分的該估計大小計算為每個文字一個位元組，每個反向引用兩個位元組。
根據請求項23所述的方法，其中，分析該原始資料的一部分以確定可用於壓縮該原始資料的該部分的文字數量及反向引用數量的操作包括： <br/> 根據Deflate壓縮演算法來確定將用於壓縮該原始資料的該部分的該文字數量及該反向引用數量。
一種電子設備，其為進行信號之輸入輸出的電子設備(10)，包含： <br/>多數之處理電路(36)，進行該信號之輸入輸出； <br/>多數之通用電力端子(42)，連接至彼此不同的該處理電路，用來將電力供給至多數之該處理電路中之各者； <br/>多數之個別電力端子(40)，與多數之該通用電力端子分開設置，且連接至彼此不同的該處理電路，用來將電力供給至多數之該處理電路中之各者；及 <br/>導通構件(32)，設成可裝上拆下，將多數之該通用電力端子彼此導通； <br/>經由該導通構件與透過該導通構件導通的多數之該通用電力端子，而使多數之該個別電力端子導通； <br/>在多數之該個別電力端子中之一個別電力端子連接於電源的情況下，從該電源供給至該一個別電力端子的電力係供給至多數之該處理電路。
如請求項1之電子設備，其中， <br/>多數之個別電力端子中之各者係將電源與該處理電路加以連接之端子，用來將電力供給至對應的該處理電路。
如請求項1或2之電子設備，其中， <br/>該導通構件係與在第一方向上鄰接於該電子設備的第一其它電子設備導通，將自該第一其它電子設備供給的電力供給至多數之該處理電路。
如請求項3之電子設備，其中， <br/>該導通構件係與在該第一方向之相反方向的第二方向上鄰接於該電子設備 的第二其它電子設備導通，將該電力供給至該第二其它電子設備。
如請求項1或2之電子設備，其中， <br/>該導通構件將自多數之該個別電力端子之中至少一者供給的電力供給至多數之該處理電路。
如請求項5之電子設備，其中， <br/>該導通構件與在既定設置方向上鄰接於該電子設備的其它電子設備導通，將該電力供給至其它該電子設備。
如請求項1或2之電子設備，其中，更包含： <br/>電路基板(34)，具有第一面(34a)及第二面(34b)，設有多數之該處理電路； <br/>且多數之該通用電力端子具有： <br/>一個以上之第一該通用電力端子，設在該第一面；及 <br/>一個以上之第二該通用電力端子，設在該第二面。
如請求項1或2之電子設備，其係分割成： <br/>信號處理單元(50)，具有多數之該處理電路、多數之該通用電力端子、及多數之該個別電力端子；及 <br/>基底單元(48)，可對於該信號處理單元裝上拆下，並以可裝上拆下方式支持著該導通構件。
如請求項1或2之電子設備，更包含： <br/>端子台(46)，用來與作為該信號之輸入輸出對象的設備(16)連接； <br/>且該端子台設有： <br/>接頭(24)，用來將多數之該個別電力端子與多數之電源連接。
如請求項1或2之電子設備，其中， <br/>該電子設備係輸入輸出單元。
一種藥品劑量系統，其包含： <br/>一多日泡殼包裝組，其具有複數個腔穴；及 <br/>複數個藥品劑型，其設置在該複數個腔穴之各別腔穴中，使得該複數個腔穴之各腔穴僅含有該複數個藥品劑型之單一者，其中該複數個腔穴係可取用以在多日之一期間內攝取該複數個藥品劑型，各藥品劑型具有包括至少一種活性成分之相同的成分， <br/>其中該複數個藥品劑型之一第一單一藥品劑型具有與該複數個藥品劑型之一第二單一藥品劑型不同量的該活性成分，且 <br/>其中該多日泡殼包裝組進一步包含標記資訊，其包含圖形資訊，該圖形資訊包含箭頭，其中該箭頭係設置於緊鄰含有選定藥品劑型之腔穴，且 <br/>其中各箭頭指向腔穴，該腔穴內設置一後續藥品劑型，其在緊接著該選定藥品劑型之攝取日之日攝取且使用於多發性硬化症之治療。
如請求項1之藥品劑量系統，其中該第二單一藥品劑型具有下列之一者：比該第一單一藥品劑型多五倍之該活性成分、比該第一單一藥品劑型多4.5倍之該活性成分、比該第一單一藥品劑型多四倍之該活性成分、具有比該第一單一藥品劑型多3.5倍之該活性成分、比該第一單一藥品劑型多三倍之該活性成分、比該第一單一藥品劑型多2.5倍之該活性成分、比該第一單一藥品劑型多兩倍之該活性成分。
如請求項1之藥品劑量系統，其中該第二單一藥品劑型具有比該第一單一藥品劑型多1.5倍之該活性成分，且視情況其中該複數個藥品劑型包含一第三單一藥品劑型，其具有比該第一單一藥品劑型多兩倍之該活性成分，且進一步視情況，當該複數個藥品劑型包含第三單一藥品劑型時，其中該複數個單一藥品劑型包含一第四單一藥品劑型，其具有比該第一單一藥品劑型多2.5倍之該活性成分且進一步視情況，當該複數個藥品劑型包含第四單一藥品劑型時，其中該複數個單一藥品劑型包含一第五單一藥品劑型，其具有比該第一單一藥品劑型多三倍之該活性成分，且進一步視情況，當該複數個藥品劑型包含第五單一藥品劑型時，其中該複數個單一藥品劑型包含一第六單一藥品劑型，其具有比該第一單一藥品劑型多3.5倍之該活性成分，且進一步視情況，當該複數個藥品劑型包含第六單一藥品劑型時，其中該複數個單一藥品劑型包含一第七單一藥品劑型，其具有比該第一單一藥品劑型多四倍之該活性成分，且進一步視情況，當該複數個藥品劑型包含第七單一藥品劑型時，其中該複數個單一藥品劑型包含一第八單一藥品劑型，其具有比該第一單一藥品劑型多4.5倍之該活性成分，且進一步視情況，當該複數個藥品劑型包含第八單一藥品劑型時，其中該複數個單一藥品劑型包含一第九單一藥品劑型，其具有比該第一單一藥品劑型多五倍之該活性成分。
如請求項3之藥品劑量系統，當該複數個單一藥品劑型包含第九單一藥品劑型時，其進一步包含複數個該第一單一藥品劑型。
如請求項3或4之藥品劑量系統，當該複數個單一藥品劑型包含第九單一藥品劑型時，其中該等泡殼含有第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、第八、及第九單一藥品劑型，其分別依序配置在該多天泡殼包裝組上，視情況其中該第一單一藥品劑型包含多於一個第一單一藥品劑型，該多於一個第一單一藥品劑型各在該等泡殼之一各別一者中，該第二單一藥品劑型包含多於一個第二單一藥品劑型，該多於一個第二單一藥品劑型各在該等泡殼之一各別一者中，該第三單一藥品劑型包含多於一個第三單一藥品劑型，該多於一個第三單一藥品劑型各在該等泡殼之一各別一者中，且該第九單一藥品劑型包含多於一個單一藥品劑型，且進一步視情況其中該多於一個第九單一藥品劑型之數量係大於該多於一個第一單一藥品劑型、該多於一個第二單一藥品劑型、及該多於一個第三單一藥品劑型之各者。
如請求項1至4中任一項之藥品劑量系統，其中該等藥品劑型包括具有一第一種尺寸之一第一藥品劑型群組、及具有大於該第一種尺寸之一第二種尺寸的第二藥品劑型群組，且視情況其中該第一藥品劑型群組之該等藥品劑型形成之尺寸及形狀實質上彼此相同，且該第二藥品劑型群組之該等藥品劑型形成之尺寸及形狀實質上彼此相同。
如請求項6之藥品劑量系統，其中該第二藥品劑型群組之該等藥品劑型具有比該第一藥品劑型群組之該等藥品劑型更多活性成分。
如請求項1至4中任一項之藥品劑量系統，其中該多日泡殼包裝組之僅一者經標記以供在一各別日攝入。
如請求項1至4中任一項之藥品劑量系統，其中該等相同成分進一步包括至少一種非活性成分，且視情況其中該藥品劑量系統進一步不包含除了具有該至少一種活性成分及該至少一種非活性成分之該等藥品劑型以外的藥品劑型。
如請求項1之藥品劑量系統，其進一步包含： <br/>一內袋，其包括具有複數個泡殼之多日泡殼包裝組及攜載該泡殼包裝組之一內面板，該複數個泡殼至少部分地界定該對應複數個腔穴，其中該等泡殼延伸通過該內面板之各別開口；及 <br/>其中該等腔穴係可取用以在一多日期間內之各別獨特日攝取該等藥品劑型， <br/>其中該複數個藥品劑型之一第一單一藥品劑型具有比該複數個藥品劑型之一第二單一藥品劑型多至多五倍的活性成分， <br/>其中該等藥品劑型之各者包括指標，該指標視覺上區別該等藥品劑型之各者與該等單一藥品劑型之一或多個其他者， <br/>其中該標記資訊提出該等藥品劑型係供該多日期間內攝取之一給藥時程，且 <br/>其中該等藥品劑型包含： <br/>兩個第一藥品劑型，其由該標記資訊標記成供分別在該多日期間之第一日及第二日攝取，其中該等第一藥品劑型含有大約2 mg之活性成分； <br/>兩個第二藥品劑型，其由該標記資訊標記成供分別在該多日期間之第三日及第四日攝取，其中該等第二藥品劑型含有大約3 mg之活性成分； <br/>兩個第三藥品劑型，其由該標記資訊標記成供分別在該多日期間之第五日及第六日攝取，其中該第三藥品劑型含有大約4 mg之活性成分； <br/>一個第四藥品劑型，其由該標記資訊標記成供在該多日期間之一第七日攝取，其中該第四藥品劑型含有大約5 mg之活性成分； <br/>一個第五藥品劑型，其由該標記資訊標記成供在該多日期間之一第八日攝取，其中該第五藥品劑型含有大約6 mg之活性成分； <br/>一個第六藥品劑型，其由該標記資訊標記成供在該多日期間之一第九日攝取，其中該第六藥品劑型含有大約7 mg之活性成分； <br/>一個第七藥品劑型，其由該標記資訊標記成供在該多日期間之一第十日攝取，其中該第七藥品劑型含有大約8 mg之活性成分； <br/>一個第八藥品劑型，其由該標記資訊標記成供在該多日期間之一第十一日攝取，其中該第八藥品劑型含有大約9 mg之活性成分；及 <br/>三個第九藥品劑型之三者，其由該標記資訊標記成供分別在該多日期間之第十二日、第十三日、及第十四日攝取，其中該第九藥品劑型含有大約9 mg之活性成分。
如請求項10之藥品劑量系統，其中該標記資訊包含文數字資訊，視情況其中該文數字資訊包括經設置緊鄰對應腔穴之數字識別碼，其中該等數字識別碼識別該多日期間之一獨特日，設置在該等對應腔穴中之該等藥品劑型供在該獨特日攝取。
如請求項10或11之藥品劑量系統，其中該圖形資訊包含設置緊鄰含有各別選定藥品劑型之各別腔穴的彎曲表面，其中該等彎曲表面在朝向含有供在一獨特日攝取之各別後續藥品劑型的對應腔穴之一方向彎曲，該獨特日係緊接於供攝取該等選定藥品劑型的該獨特日之後。
如請求項10或11之藥品劑量系統，其中該指標包含設置在該等藥品劑型之各者的一第一表面上的一數字，該數字識別該等藥品劑型之活性成分的一大約劑量，及/或其該等藥品劑型之各者的一顏色，該顏色相關於該等藥品劑型之一或多個其他者至多達所有其他者係獨特的顏色。
如請求項10或11之藥品劑量系統，其中該等藥品劑型包括一實質上相同第一種尺寸之該等藥品劑型的一第一群組，且該等藥品劑型包括大於該第一種尺寸的實質上相同第二種尺寸之該等藥品劑型的一第二群組，視情況其中該指標包含一符號連同一識別符，其區別該第二群組之該等藥品劑型與該第一群組之該等藥品劑型。
如請求項10或11之藥品劑量系統，其中該活性成分經設計以治療多發性硬化症，視情況其中該等藥品劑型經組態為龐西莫德(ponesimod)劑型。
一種管理無線通信系統中發現突發傳輸視窗的方法，所述方法包括： <br/>由使用者設備（UE）接收第一信號同步區塊（SSB）； <br/>自所述第一SSB解碼第一實體廣播通道（PBCH）； <br/>自所述第一PBCH的主資訊區塊（MIB）判定第一波束值； <br/>自所述第一波束值判定發現突發傳輸視窗（DBTW）是否啟用，藉由： <br/> 基於所述第一波束值等於第一值而判定所述DBTW為啟用；或 <br/> 基於所述第一波束值等於第二值而判定所述DBTW為禁用； <br/>自所述第一PBCH判定第一候選同步信號/實體廣播通道（SS/PBCH）區塊索引；以及 <br/>計算第一SS/PBCH區塊索引作為A mod Q，其中A為所述第一候選SS/PBCH區塊索引，且Q為所述第一波束值。
如請求項1所述的方法，更包括： <br/>由所述UE接收第二SSB； <br/>自所述第二SSB解碼第二PBCH； <br/>自所述第二PBCH的MIB判定第二波束值；以及 <br/>自所述第二波束值判定是否正使用所述DBTW。
如請求項2所述的方法，包括： <br/>判定所述第二波束值等於預定值，以及 <br/>基於所述第二波束值等於所述預定值而判定未使用所述DBTW。
如請求項2所述的方法，包括： <br/>判定所述第二波束值不等於預定值， <br/>基於所述第二波束值不等於所述預定值而判定正使用所述DBTW，以及 <br/>自所述第二波束值判定所述DBTW中的波束的數目。
如請求項2所述的方法，更包括獲得系統資訊，其中所述獲得基於是否正使用所述DBTW的所述判定而執行。
如請求項2所述的方法，更包括： <br/>自所述第二PBCH判定第二候選SS/PBCH區塊索引；以及 <br/>基於所述第二候選SS/PBCH區塊索引且基於所述第二波束值而判定第二SS/PBCH區塊索引。
如請求項6所述的方法，其中所述第二SS/PBCH區塊索引的所述判定包括基於在第二DBTW內反轉的候選SS/PBCH區塊索引值的次序而推斷所述第二SS/PBCH區塊索引，所述第二DBTW與第一DBTW相關聯且跟隨所述第一DBTW。
如請求項1所述的方法，更包括接收與所述第一SSB相關聯的DBTW識別位元，所述DBTW識別位元指定所述第一SSB是在兩個相關聯DBTW的第一DBTW還是第二DBTW內。
如請求項8所述的方法，其中所述DBTW識別位元為所述MIB的位元。
如請求項8所述的方法，其中所述DBTW識別位元為subCarrierSpacingCommon。
如請求項1所述的方法，其中： <br/>所述第一波束值大於32，且 <br/>所述方法包括： <br/>在第一DBTW中接收第一多個SSB；以及 <br/>在第二DBTW中接收第二多個SSB。
一種使用者設備（UE），包括： <br/>無線電；以及 <br/>處理電路， <br/>所述處理電路經組態以： <br/>接收第一信號同步區塊（SSB）； <br/>自所述第一SSB解碼第一實體廣播通道（PBCH）； <br/>自所述第一PBCH的主資訊區塊（MIB）判定第一波束值； <br/>自所述第一波束值判定發現突發傳輸視窗（DBTW）是否啟用，藉由： <br/> 基於所述第一波束值等於第一值而判定所述DBTW為啟用；或 <br/> 基於所述第一波束值等於第二值而判定所述DBTW為禁用； <br/>自所述第一PBCH判定第一候選同步信號/實體廣播通道（SS/PBCH）區塊索引；以及 <br/>計算第一SS/PBCH區塊索引作為A mod Q，其中A為所述第一候選SS/PBCH區塊索引，且Q為所述第一波束值。
如請求項12所述的使用者設備，其中所述處理電路進一步經組態以： <br/>接收第二SSB； <br/>自所述第二SSB解碼第二PBCH； <br/>自所述第二PBCH的MIB判定第二波束值； <br/>以及 <br/>自所述第二波束值判定是否正使用所述DBTW。
如請求項13所述的使用者設備，其中所述處理電路經組態以： <br/>判定所述第二波束值等於預定值，以及 <br/>基於所述第二波束值等於所述預定值而判定未使用所述DBTW。
如請求項14所述的使用者設備，其中所述處理電路經組態以： <br/>判定所述第二波束值不等於預定值， <br/>基於所述第二波束值不等於所述預定值而判定正使用所述DBTW，以及 <br/>自所述第二波束值判定所述DBTW中的波束的數目。
如請求項13所述的使用者設備，其中所述處理電路進一步經組態以獲得系統資訊，其中所述獲得基於是否正使用所述DBTW的所述判定而執行。
如請求項13所述的使用者設備，其中所述處理電路進一步經組態以： <br/>自所述第二PBCH判定第二候選SS/PBCH區塊索引；以及 <br/>基於所述第二候選SS/PBCH區塊索引且基於所述第二波束值而判定第二SS/PBCH區塊索引。
如請求項17所述的使用者設備，其中所述第二SS/PBCH區塊索引的所述判定包括基於在第二DBTW內反轉的候選SS/PBCH區塊索引值的次序而推斷所述第二SS/PBCH區塊索引，所述第二DBTW與第一DBTW相關聯且跟隨所述第一DBTW。
如請求項12所述的使用者設備，其中所述處理電路進一步經組態以接收與所述第一SSB相關聯的DBTW識別位元，所述DBTW識別位元指定所述第一SSB是在兩個相關聯DBTW的第一DBTW還是第二DBTW內， <br/>其中所述DBTW識別位元為subCarrierSpacingCommon。
一種使用者設備（UE），包括： <br/>無線電；以及 <br/>處理構件， <br/>所述處理構件經組態以： <br/>接收信號同步區塊（SSB）； <br/>自所述SSB解碼實體廣播通道（PBCH）； <br/>自所述PBCH的主資訊區塊（MIB）判定波束值；以及 <br/>自所述波束值判定發現突發傳輸視窗（DBTW）是否啟用，藉由： <br/> 基於所述波束值等於第一值而判定所述DBTW為啟用；或 <br/> 基於所述波束值等於第二值而判定所述DBTW為禁用。
一種影像還原方法，其包含有：<br/> 取得具有至少一感興趣區域與一背景區域之一分析影像；<br/> 利用一第一還原函數修正該分析影像內的該至少一感興趣區域以生成至少一修正後感興趣區域；以及<br/> 根據該至少一感興趣區域與該背景區域之至少一相對位置將該至少一修正後感興趣區域結合於該分析影像內的該背景區域以生成一還原影像。
如請求項1所述之影像還原方法，另包含有：<br/> 利用一第二還原函數修正該背景區域以生成一修正後背景區域；以及<br/> 根據該至少一感興趣區域與該背景區域之該至少一相對位置將該至少一修正後感興趣區域結合於該修正後背景區域以生成該還原影像。
如請求項1所述之影像還原方法，另包含有：<br/> 取得該至少一感興趣區域之一初始標記點在該背景區域內的一座標；<br/> 找出該至少一修正後感興趣區域之轉換自該初始標記點之一修正後標記點；以及<br/> 將該修正後標記點對齊該座標以結合該至少一修正後感興趣區域與該背景區域。
如請求項1所述之影像還原方法，另包含有：<br/> 將該至少一修正後感興趣區域之一邊緣進行影像處理；以及<br/> 將該邊緣與該背景區域融合以結合該至少一修正後感興趣區域與該背景區域。
如請求項2所述之影像還原方法，另包含有：<br/> 根據該至少一修正後感興趣區域相應調整該第二還原函數；<br/> 利用該第二還原函數將該修正後背景區域中接近該至少一修正後感興趣區域的一邊緣進行影像處理；以及<br/> 將該邊緣與該至少一修正後感興趣區域融合以結合該至少一修正後感興趣區域與該修正後背景區域。
如請求項1所述之影像還原方法，另包含有：<br/> 分析該至少一感興趣區域內之一預定物件的一類別；<br/> 在一資料庫內選擇對應於該類別的該第一還原函數；以及<br/> 利用該第一還原函數修正該至少一感興趣區域。
如請求項6所述之影像還原方法，另包含有：<br/> 分析該類別之一屬性；以及<br/> 在該資料庫內選擇對應於該類別與該屬性的該第一還原函數去修正該至少一感興趣區域。
如請求項1所述之影像還原方法，另包含有：<br/> 在該至少一感興趣區域內偵測一預定特徵；<br/> 在一資料庫內選擇對應於該預定特徵之一特徵還原函數修正該預定特徵而生成一修正後預定特徵；以及<br/> 根據該預定特徵與該至少一感興趣區域之一相對位置將該修正後預定特徵結合於該至少一修正後感興趣區域。
如請求項1所述之影像還原方法，另包含有：<br/> 在該至少一感興趣區域內偵測一預定特徵；<br/> 利用一預定特徵權重和一感興趣區域權重分別調整該預定特徵與該至少一感興趣區域在該第一還原函數內的權值比例；以及<br/> 根據該調整後第一還原函數修正該至少一感興趣區域及其該預定特徵以生成該至少一修正後感興趣區域；<br/> 其中該預定特徵權重係為該預定特徵在還原前後之差距參數的權值，該感興趣區域權重則為該至少一感興趣區域在還原前後之差距參數的權值。
如請求項9所述之影像還原方法，其中該預定特徵權重係針對該預定特徵經由一特徵還原函數之一還原結果進行權值修正，該感興趣區域權重則針對該至少一感興趣區域經由該第一還原函數之一還原結果進行權值修正，該影像還原方法再利用該些還原結果之該權值修正取得該調整後第一還原函數。
如請求項10所述之影像還原方法，其中該影像還原方法係分析該預定特徵以在一資料庫內選擇對應的該特徵還原函數。
如請求項1所述之影像還原方法，另包含有：<br/> 在該至少一感興趣區域內偵測一預定特徵；<br/> 利用一特徵定界框權重和一感興趣區域權重分別調整該預定特徵之一定界框與該至少一感興趣區域在該第一還原函數內的權值比例；以及<br/> 根據該調整後第一還原函數修正該至少一感興趣區域及其該預定特徵以生成該至少一修正後感興趣區域；<br/> 其中該特徵定界框權重為該定界框在還原前後之座標參數間差距的權值，該感興趣區域權重則為該至少一感興趣區域在還原前後之差距參數的權值。
如請求項12所述之影像還原方法，其中該特徵定界框權重係針對該預定特徵經由一定界框偵測函數與一特徵還原函數之一還原結果進行權值修正，該感興趣區域權重則針對該至少一感興趣區域經由該第一還原函數之一還原結果進行權值修正，該影像還原方法再利用該些還原結果之該權值修正取得該調整後第一還原函數。
如請求項13所述之影像還原方法，其中該影像還原方法係分析該預定特徵以在一資料庫內選擇對應的該定界框偵測函數與該特徵還原函數。
如請求項1所述之影像還原方法，另包含有：<br/> 在該至少一感興趣區域內偵測一預定特徵、且劃設該預定特徵之一定界框；<br/> 利用一預定特徵權重、一特徵定界框權重和一感興趣區域權重分別調整該預定特徵、該定界框與該至少一感興趣區域在該第一還原函數內的權值比例；以及<br/> 根據該調整後第一還原函數修正該預定特徵及該定界框和該至少一感興趣區域以生成該至少一修正後感興趣區域；<br/> 其中該預定特徵權重係為該預定特徵在還原前後之差距參數的權值，該特徵定界框權重為該定界框在還原前後之座標參數間差距的權值，該感興趣區域權重則為該至少一感興趣區域在還原前後之差距參數的權值。
如請求項1所述之影像還原方法，另包含有：<br/> 對一原始影像執行一物件辨識，以決定該至少一感興趣區域且生成該分析影像；<br/> 分析一控制指令是否指向該至少一感興趣區域；以及<br/> 於該控制指令指向該至少一感興趣區域時，執行該第一還原函數之修正以生成該還原影像。
一種影像還原裝置，其包含有：<br/> 一影像接收器，用來接收一原始影像；以及<br/> 一運算處理器，電連接該影像接收器，該運算處理器係執行如請求項1至請求項16的其中之一所述之影像還原方法。
一種線性運動導引裝置，具備：導引軌道；滑動件，相對於前述導引軌道而移動；複數個滾動體，被收納於前述滑動件內，<br/>其特徵為：<br/>前述導引軌道，具有利用螺栓固定於被安裝部的安裝孔，<br/>前述安裝孔具有：魚眼部，用來收容前述螺栓的頭部；軸收容部，用來收容前述螺栓的軸部，<br/>前述線性運動導引裝置具有：被壓入前述安裝孔，而封閉前述魚眼部的帽蓋，<br/>前述帽蓋，封閉前述魚眼部的開口部之圓板狀的本體部、與從前述本體部朝前述魚眼部之開口部的相反側延伸設置的圓筒部，成形為一體，<br/>在前述圓筒部形成有：干涉部，具有可與前述魚眼部之間成為緊密嵌合的外徑；異物收容部，位於前述本體部與前述干涉部之間，比前述本體部更小徑，<br/>在前述干涉部的外周，於軸方向形成有缺口溝，<br/>前述本體部，為了藉由前述圓筒部伴隨著朝前述安裝孔的壓入而朝徑向內側的撓曲，使前述本體部之軸方向的圓筒部相反側的本體部頂面接近平坦狀，壓入前的前述本體部頂面成為：隨著朝向前述帽蓋的軸中心，而朝圓筒部側凹陷的曲面；<br/>前述帽蓋，在前述本體部側具有底壁，在前述圓筒部側形成有內孔，該內孔具有朝前述本體部的相反側延伸的側壁，<br/>前述內孔的前述底壁與前述側壁的表面、及前述本體部頂面，分別是由沒有補強肋的面所形成；<br/>前述本體部之前述本體部頂面與除了前述倒角部以外的前述底壁之間的軸方向壁厚，被設定成比前述異物收容部的前述外周與除了前述倒角部以外之前述內孔的內徑之間的徑向壁厚更薄。
如請求項1所記載的線性運動導引裝置，其中前述本體部的外徑，小於前述干涉部的外徑。
如請求項1或請求項2所記載的線性運動導引裝置，其中前述帽蓋，是由聚縮醛樹脂所形成的單體成型件。
一種線性運動導引裝置，具備：<br/>導引軌道；<br/>滑動件，被前述導引軌道朝第1軸方向導引，並且包含：滑動件本體；端帽蓋，在前述第1軸方向中連接於前述滑動件本體的端部；回程導件，以面向前述端帽蓋的方式，配置於前述滑動件本體與前述端帽蓋之間；<br/>滾動體，可在循環通路中滾動，該循環通路包含：滾動通路，被規範於前述導引軌道與前述滑動件本體之間；返回通路，被設在前述滑動件本體的內部，在正交於前述第1軸方向之特定面的第2軸方向中鄰接於前述滾動通路；方向轉換通路，被規範於前述端帽蓋與前述回程導件之間，連結前述滾動通路與前述返回通路；<br/>前述循環通路包含：第1循環通路，在前述特定面中被配置在正交於前述第2軸方向的第3軸方向；第2循環通路；第3循環通路，<br/>前述回程導件具有：從前述第3軸方向，分別對前述第1循環通路、前述第2循環通路及前述第3循環通路供給潤滑油的複數個供油口；<br/>前述供油口，配置於前述第1循環通路、前述第2循環通路及前述第3循環通路各者的前述第3軸方向的端部，朝向前述第1循環通路、前述第2循環通路及前述第3循環通路各者對前述第3軸方向供給潤滑油。
如請求項1所記載的線性運動導引裝置，其中前述回程導件具有：第1油路，被配置於前述第1循環通路與前述第2循環通路之間；第2油路，被配置於前述第2循環通路與前述第3循環通路之間，<br/>前述第1油路的其中一個端部，含有對前述第1循環通路供給前述潤滑油的前述供油口，前述第1油路的另一個端部，含有對前述第2循環通路供給前述潤滑油的前述供油口，<br/>前述第2油路的其中一個端部，含有對前述第2循環通路供給前述潤滑油的前述供油口，前述第2油路的另一個端部，含有對前述第3循環通路供給前述潤滑油的前述供油口。
如請求項2所記載的線性運動導引裝置，其中前述第1油路的流路面積及長度、與前述第2油路的流路面積及長度相等。
如請求項3所記載的線性運動導引裝置，其中前述回程導件具有：連接於前述第1油路之中央部的第3油路、連接於前述第2油路之中央部的第4油路、在連接部連接於前述第3油路及前述第4油路的第5油路，<br/>前述第3油路的流路面積及長度、與前述第4油路的流路面積及長度相等。
如請求項4所記載的線性運動導引裝置，其中前述第1油路及前述第2油路的流路面積，小於前述第3油路及前述第4油路的流路面積，前述第3油路及前述第4油路的流路面積，小於前述第5油路的流路面積。
一種導熱性片之製造方法，其具備： <br/>（A）製作初級片之步驟，該初級片含有高分子基質及分散於上述高分子基質之異向性填充材，上述異向性填充材於厚度方向上配向，且上述異向性填充材之端部於表面露出； <br/>（B）加壓步驟，其將上述初級片於厚度方向上進行壓縮；及 <br/>（C）研磨步驟，其研磨上述初級片之表面， <br/>上述（B）加壓步驟中之加壓溫度為10～150℃，加壓時之壓縮率為5～80%。
如請求項1之導熱性片之製造方法，其中，於上述製作初級片之步驟中，藉由利用磁場而配向之磁場配向製造法或利用剪切力而配向之流動配向製造法，使上述異向性填充材於厚度方向上配向。
如請求項1或2之導熱性片之製造方法，其中，上述加壓步驟中之初級片之厚度變化為3%以上。
如請求項1或2之導熱性片之製造方法，其中，上述加壓步驟係介存剝離片而進行。
如請求項1或2之導熱性片之製造方法，其中，上述異向性填充材含有碳纖維。
如請求項1或2之導熱性片之製造方法，其中，上述異向性填充材含有碳纖維及鱗片狀碳粉末。
如請求項1或2之導熱性片之製造方法，其中，上述高分子基質包含有機聚矽氧烷。
如請求項1或2之導熱性片之製造方法，其中，上述高分子基質包含有機聚矽氧烷及烴系化合物。
如請求項8之導熱性片之製造方法，其中，上述烴系化合物之熔點為高於23℃且80℃以下。
如請求項8之導熱性片之製造方法，其中，上述初級片中相對於有機聚矽氧烷及烴系化合物之總計100質量份，烴系化合物之含量為1～50質量份。
如請求項1或2之導熱性片之製造方法，其中，於（C）研磨步驟之前進行上述（B）加壓步驟。
如請求項1或2之導熱性片之製造方法，其中，於（C）研磨步驟之後進行上述（B）加壓步驟，上述（B）加壓步驟係使初級片之表面粗糙化之步驟。
一種用於烯烴原料之寡聚之方法，該寡聚在30℃至200℃之溫度及0.1至10 MPa之壓力下，在均相催化寡聚系統及溶劑存在下進行，該方法包括： <br/>a)使該烯烴原料在包括寡聚反應器及一或多個再循環迴路之反應段中寡聚之步驟，該一或多個再循環迴路使得能夠經由冷卻液相流份來控制該反應器中之溫度， <br/>b)在下游分離段中分離由該寡聚步驟a)所產生之反應流出物以便獲得溶劑流份之步驟， <br/>c)使由步驟b)所產生之該溶劑流份冷卻至溫度低於該(等)再循環迴路之溫度的步驟， <br/>d)在該反應段中將由步驟c)所產生之該經冷卻之溶劑流份引入至該寡聚步驟a)中之步驟。
如請求項1之方法，其中將該由步驟b)所產生之溶劑流份冷卻至0℃至150℃之溫度。
如請求項1之方法，其中在步驟c)中將由步驟b)所產生之該溶劑流份冷卻至相對於該再循環迴路中之該經冷卻之液體流份之溫度低至少40℃之溫度。
如請求項1之方法，其中步驟c)中之該溶劑流份之該冷卻係藉由一或多個熱交換器來進行。
如請求項1之方法，其中該下游分離段包括至少兩個蒸餾塔。
如請求項1之方法，其中引入該經冷卻之溶劑流份之步驟d)係在該反應器中及/或在該等再循環迴路中之一者或多者中進行。
如請求項4至6中任一項之方法，其中引入該經冷卻之流份之步驟d) 係在該再循環迴路之熱交換器的上游或下游之再循環迴路中進行。
如請求項1至6中任一項之方法，其中該經冷卻之溶劑流份具有以相對於在該(等)循環迴路中循環之液體之流速之重量百分比計0.05%至15.0%的流速。
如請求項1至6中任一項之方法，其中該烯烴原料包含具有2至6個碳原子之烯烴。
如請求項9之方法，其中該烯烴原料係選自丁烯、丙烯及乙烯，單獨或呈混合物。
如請求項1至6中任一項之方法，其中該寡聚步驟a)包括至少一個以下子步驟： <br/>引入該催化系統之子步驟a1)， <br/>與烯烴原料接觸之子步驟a2)， <br/>從該寡聚反應器抽出液相流份之子步驟a3)， <br/>冷卻在步驟a3)中抽出的該液體流份之至少一部分之子步驟a4)，及 <br/>將該經冷卻之液體流份引入至該反應器中之子步驟a5)。
如請求項11之方法，其中該冷卻子步驟a4)係藉由使在子步驟a3)中抽出的該液體流份之至少一部分循環通過位於該再循環迴路中之一或多個熱交換器來進行。
如請求項12之方法，其中用於子步驟a4)中之該(等)熱交換器使該液體流份之溫度降低1.0℃至30.0℃。
如請求項11之方法，其中該反應流出物係藉由將在子步驟a3)中抽出的該液體流份分成兩股物流而獲得。
如請求項1至6中任一項之方法，其中該寡聚反應器係選自兩相氣/液反應器或單相液體反應器。
一種檢查晶片，其特徵在於：其係片狀之檢查晶片，且 <br/>具備一表面側之第1層、及另一表面側之第2層， <br/>上述第1層與上述第2層相鄰， <br/>上述第1層或上述第2層中之任一者具有液體接收部A， <br/>上述第1層至少具有檢測確認部B， <br/>上述第2層至少具有與上述檢測確認部B相鄰之液體流通部D、及與上述液體流通部D連接之液體流路E， <br/>於上述第1層具有液體接收部A之情形時，上述液體接收部A與上述檢測確認部B分離， <br/>上述第1層形成於1片片狀素材之一面，上述第2層形成於該片狀素材之另一面， <br/>上述液體接收部A、上述液體流路E、上述液體流通部D及上述檢測確認部B由藉由毛細管現象而呈現出被檢查液之流通之素材M形成， <br/>上述素材M以外之部分由不會呈現出被檢查液之流通之素材形成， <br/>上述檢查晶片構成為：在將被檢查液滴加至上述液體接收部A時，該被檢查液藉由毛細管現象依序於上述液體接收部A、上述液體流路E及上述液體流通部D中流通，並到達上述檢測確認部B， <br/>上述第1層之表面及上述第2層之表面之中，至少除上述液體接收部A以外之素材M之面被膜密封，藉此，該被檢查液到達檢測確認部B之到達量得到控制。
如請求項1之檢查晶片，其中上述第1層具有與上述檢測確認部B分離之上述液體接收部A， <br/>上述第2層具有與上述液體接收部A相鄰且與上述液體流路E連接之由上述素材M形成之液體流通部C， <br/>上述檢查晶片構成為：在將被檢查液滴加至上述液體接收部A時，該被檢查液藉由毛細管現象依序於上述液體接收部A、上述液體流通部C、上述液體流路E及上述液體流通部D中流通，並到達上述檢測確認部B。
如請求項1或2之檢查晶片，其中上述素材M為濾紙。
如請求項1或2之檢查晶片，其中不會呈現出上述被檢查液之流通之素材係將疏水性材料含浸於上述素材M中而成之素材M'。
如請求項4之檢查晶片，其中上述素材M'之氣密度為15秒以下。
如請求項4之檢查晶片，其中上述素材M'中，上述疏水性材料在上述素材M中之含浸率為70%以下。
如請求項1或2之檢查晶片，其中由檢測對象物質引起的呈色反應於上述檢測確認部B發生。
一種檢查晶片之製造方法，其特徵在於：其係如請求項1至7中任一項之檢查晶片之製造方法，且具備： <br/>膜形成步驟，其係使用疏水性材料於第1基板上形成第1疏水性膜，並且於第2基板上形成第2疏水性膜； <br/>第1印刷步驟，其係使用上述第1基板上之第1疏水性膜，以成為上述檢查晶片之第1層之反轉設計之方式印刷於第1犧牲基材上； <br/>第2印刷步驟，其係使用上述第2基板上之第2疏水性膜，以成為上述檢查晶片之第2層之反轉設計之方式印刷於第2犧牲基材上； <br/>第1轉印步驟，其係將第1印刷步驟後之第1疏水性膜轉印至1片片狀素材之一面，使其含浸於上述片狀素材中，從而形成第1層； <br/>第2轉印步驟，其係將第2印刷步驟後之第2疏水性膜轉印至上述1片片狀素材之另一面，使其含浸於上述片狀素材中，從而形成第2層；及 <br/>密封步驟，其係用膜密封上述第1層之表面及上述第2層之表面中之至少除液體接收部A以外之未含浸之面。
一種用於一第一無線設備處的無線通訊的裝置，該裝置包括：<br/> 至少一個記憶體；<br/> 至少一個收發器；及<br/> 通訊地連接到該至少一個記憶體和該至少一個收發器的至少一個處理器，該至少一個處理器被配置為：<br/> 偵測具有干涉自動化駕駛決策中利用的無線電資源的資料的來自一外部實體的一或多個物件資料訊號；<br/> 決定該一或多個物件資料訊號與一拒絕服務（DoS）攻擊者、一干擾源、一帶外（OOB）干涉源、或其中之一組合相關聯；及<br/> 向至少一第二無線設備發送一訊息，該訊息指示該一或多個物件資料訊號與干涉該自動化駕駛決策中利用的該無線電資源的該DoS攻擊者、該干擾源、該OOB干涉源、或其中之該組合相關聯。
根據請求項1之裝置，其中該外部實體對應於干涉或阻礙在協調式或自動化駕駛決策中利用的無線頻譜或資源的一障礙。
根據請求項2之裝置，其中干涉或阻礙該無線頻譜或資源的該障礙的該一或多個物件資料訊號以大於一參考訊號強度指示符（RSSI）閾值的一RSSI被發送。
根據請求項1之裝置，其中該訊息包括至少一個資訊元素（IE），該至少一個資訊元素（IE）指示該一或多個物件資料訊號與該DoS攻擊者、該干擾源、該OOB干涉源、或其中之該組合相關聯。
根據請求項4之裝置，其中該至少一個IE包括偵測到的物件的類別，其中該偵測到的物件的每個類別包括針對該DoS攻擊者、該干擾源、和該OOB干涉源中的相應一個的特性。
根據請求項1之裝置，其中該訊息觸發該至少第二無線設備中的一緩解動作，以避免或緩解與阻礙協調式或自動化駕駛決策的該一或多個物件資料訊號的接觸。
根據請求項1之裝置，其中該訊息標識正發送具有干涉該自動化駕駛決策中利用的該無線電資源的該資料的該一或多個物件資料訊號的一物件。
根據請求項7之裝置，其中該物件包括一弱勢道路使用者（VRU）、一偵測到的車輛或一無線障礙中的一個。
根據請求項1之裝置，其中該第二無線設備包括一無線車輛、一路邊單元（RSU）或一弱勢道路使用者（VRU）中的至少一個。
一種用於一第一無線設備的無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 偵測具有干涉自動化駕駛決策中利用的無線電資源的資料的來自一外部實體的一或多個物件資料訊號；<br/> 決定該一或多個物件資料訊號與一拒絕服務（DoS）攻擊者、一干擾源、一帶外（OOB）干涉源、或其中之一組合相關聯；及<br/> 向至少一第二無線設備發送一訊息，該訊息指示該一或多個物件資料訊號與干涉該自動化駕駛決策中利用的該無線電資源的該DoS攻擊者、該干擾源、該OOB干涉源、或其中之該組合相關聯。
根據請求項10之方法，其中該外部實體對應於干涉或阻礙在協調式或自動化駕駛決策中利用的無線頻譜或資源的一障礙。
根據請求項11之方法，其中干涉或阻礙該無線頻譜或資源的該障礙的該一或多個物件資料訊號以大於一參考訊號強度指示符（RSSI）閾值的一RSSI被發送。
根據請求項10之方法，其中該訊息包括至少一個資訊元素（IE），該至少一個資訊元素（IE）指示該一或多個物件資料訊號與該DoS攻擊者、該干擾源、該OOB干涉源、或其中之該組合相關聯。
根據請求項10之方法，其中該訊息觸發該至少第二無線設備中的一緩解動作，以避免或緩解與阻礙協調式或自動化駕駛決策的該一或多個物件資料訊號的接觸。
根據請求項10之方法，其中該訊息標識正發送具有干涉該自動化駕駛決策中利用的該無線電資源的該資料的該一或多個物件資料訊號的一物件。
一種用於一第二無線設備處的無線通訊的裝置，該裝置包括：<br/> 記憶體；<br/> 至少一個收發器；及<br/> 通訊地連接到該記憶體和該至少一個收發器的至少一個處理器，該至少一個處理器被配置為：<br/> 從一第一無線設備接收一訊息，該訊息指示由不同於該第一無線設備的一外部實體所傳送的一或多個物件資料訊號，該一或多個物件資料訊號具有干涉自動化駕駛決策中利用的無線電資源的資料，其中該訊息亦指示該一或多個物件資料訊號與一拒絕服務（DoS）攻擊者、一干擾源、一帶外（OOB）干涉源、或其中之一組合相關聯；及<br/> 回應於接收到該訊息發起一緩解動作以避免或緩解與干涉該自動化駕駛決策中利用的該無線電資源的該一或多個物件資料訊號的接觸。
根據請求項16之裝置，其中該外部實體對應於干涉或阻礙在協調式或自動化駕駛決策中利用的無線頻譜或資源的一障礙。
根據請求項17之裝置，其中干涉或阻礙該無線頻譜或資源的該障礙的該一或多個物件資料訊號以大於一參考訊號強度指示符（RSSI）閾值的一RSSI被發送。
根據請求項16之裝置，其中該訊息包括至少一個資訊元素（IE），該至少一個資訊元素（IE）指示該一或多個物件資料訊號與該DoS攻擊者、該干擾源、該OOB干涉源、或其中之該組合相關聯。
根據請求項19之裝置，其中該至少一個IE包括偵測到的物件的類別，其中該偵測到的物件的每個類別包括針對該DoS攻擊者、該干擾源、和該OOB干涉源中的相應一個的特性。
根據請求項16之裝置，其中該緩解動作包括以下至少一者：選擇一替代路徑以避開該一或多個物件資料訊號、或利用一更穩健的MCS。
根據請求項16之裝置，其中該訊息標識正發送具有干涉該自動化駕駛決策中利用的該無線電資源的該資料的該一或多個物件資料訊號的一物件。
根據請求項22之裝置，其中該物件包括一弱勢道路使用者（VRU）、一偵測到的車輛或一無線障礙中的一個。
根據請求項22之裝置，其中該第二無線設備包括一無線車輛、一路邊單元（RSU）和一弱勢道路使用者（VRU）中的至少一個。
根據請求項22之裝置，其中該第一無線設備是一第一車輛或一路邊單元（RSU）。
一種用於一第二無線設備的無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 從一第一無線設備接收一訊息，該訊息指示由不同於該第一無線設備的一外部實體所傳送的一或多個物件資料訊號，該一或多個物件資料訊號具有干涉自動化駕駛決策中利用的無線電資源的資料，其中該訊息亦指示該一或多個物件資料訊號與一拒絕服務（DoS）攻擊者、一干擾源、一帶外（OOB）干涉源、或其中之一組合相關聯；及<br/> 回應於接收到該訊息發起一緩解動作以避免或緩解與干涉該自動化駕駛決策中利用的該無線電資源的該一或多個物件資料訊號的接觸。
根據請求項26之方法，其中該外部實體對應於干涉或阻礙在協調式或自動化駕駛決策中利用的無線頻譜或資源的一障礙。
根據請求項27之方法，其中干涉或阻礙該無線頻譜或資源的該障礙的該一或多個物件資料訊號以大於一參考訊號強度指示符（RSSI）閾值的一RSSI被發送。
根據請求項26之方法，其中該訊息包括至少一個資訊元素（IE），該至少一個資訊元素（IE）指示該一或多個物件資料訊號與該DoS攻擊者、該干擾源、該OOB干涉源、或其中之該組合相關聯。
根據請求項26之方法，其中該緩解動作包括以下至少一者：選擇一替代路徑以避開該一或多個物件資料訊號、或利用一更穩健的MCS。
一種熱處理油，含有包含礦物油(A)、或礦物油(A)與礦物油(B)之基油，<br/> 前述礦物油(A)之40℃動黏度為100~600mm<sup>2</sup>/s，且硫份含量為0.10~0.20質量%；<br/> 前述礦物油(B)之硫份含量為100質量ppm以下；<br/> 以前述基油之總量為基準計，前述礦物油(A)之含量大於0.5質量%；<br/> 以前述基油之總量為基準計，前述礦物油(A)與礦物油(B)之合計含量為80質量%以上；<br/> 以前述熱處理油之總量為基準計，前述熱處理油中之基油含量為80質量%以上；<br/> 以前述熱處理油之總量為基準計，前述熱處理油中之硫份含量為10質量ppm~2,000質量ppm。
如請求項1之熱處理油，其中前述礦物油(A)之由n-d-M環分析所得的%C<sub>A</sub>為5.0~25.0。
如請求項1或2之熱處理油，其中以前述基油之總量為基準計，含有0.7~100質量%的前述礦物油(A)。
如請求項1或2之熱處理油，其中以前述熱處理油之總量為基準計，含硫合成添加劑之調配量小於100質量ppm。
如請求項1或2之熱處理油，其中以前述基油之總量為基準計，前述礦物油(A)之含量為0.8~99.2質量%，且<br/> 以前述基油之總量為基準計，前述礦物油(B)之含量為0.8~99.2質量%。
一種金屬構件之製造方法，係進行高溫淬火處理，該高溫淬火處理包含冷卻步驟，係將經加熱的金屬構件浸漬於油溫維持在120℃以上的如請求項1至5中任一項之熱處理油中進行冷卻。
一種含矽之光阻下層膜形成用組成物，其特徵係含有： <br/>［A］含有具有至少兩個羥基之矽氧烷單元結構之聚矽氧烷、 <br/>［B］硝酸、以及 <br/>［C］溶劑；其中， <br/>該含矽之光阻下層膜形成用組成物係基於該含矽之光阻下層膜形成用組成物的總質量，含有0.0001質量%～1質量%之該硝酸。
如請求項1所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，該［A］含有具有至少兩個羥基之矽氧烷單元結構之聚矽氧烷係含有具有二羥基之矽氧烷單元結構的聚矽氧烷，該二羥基由至少兩個羥基分別與相鄰之碳原子鍵結而成。
如請求項1或2所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，該［A］含有具有至少兩個羥基之矽氧烷單元結構之聚矽氧烷含有聚矽氧烷改性物，該聚矽氧烷改性物係矽醇基的至少一部分經醇改性或經縮醛保護。
如請求項1或2所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，該［A］含有具有至少兩個羥基之矽氧烷單元結構之聚矽氧烷係進一步含有具有有機基之矽氧烷單元結構的聚矽氧烷，該有機基係含有四級銨-硝酸鹽結構。
如請求項2所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，該［A］聚矽氧烷含有選自以下物質所成群中至少一種： <br/>含有具有二羥基之矽氧烷單元結構之水解縮合物［I］，該二羥基係至少兩個羥基分別與相鄰之碳原子鍵結而成；該縮合物［I］所具有之矽醇基的至少一部分經醇改性之水解縮合物的改性物；該縮合物［I］所具有之矽醇基的至少一部分經縮醛保護之水解縮合物的改性物；以及該縮合物［I］與醇之脫水反應物；且 <br/>該水解縮合物［I］為含有至少一種下述式（1）表示之含有含環氧基之有機基之水解性矽烷之水解性矽烷的水解縮合物，並且該水解縮合物［I］具有藉由含硝酸之酸性化合物所進行之該環氧基的開環反應而生成之二羥基； <br/>［化1］ <br/>R<sup>1</sup><sub>a</sub>R<sup>2</sup><sub>b</sub>Si(R<sup>3</sup>)<sub>4-(a+b)</sub> (1) <br/>（式中， <br/>R<sup>1</sup>為與矽原子鍵結之基團，表示含環氧基之有機基； <br/>R<sup>2</sup>為與矽原子鍵結之基團，彼此獨立表示：可經取代之烷基、可經取代之芳基、可經取代之芳烷基、可經取代之鹵化烷基、可經取代之鹵化芳基、可經取代之鹵化芳烷基、可經取代之烷氧烷基、可經取代之烷氧芳基、可經取代之烷氧芳烷基、或可經取代之烯基，或是彼此獨立表示：具有環氧基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、巰基、胺基、醯胺基、烷氧基、磺醯基、或氰基之有機基、或者其等組合； <br/>R<sup>3</sup>為與矽原子鍵結之基團或原子，彼此獨立表示：烷氧基、芳烷氧基、醯氧基、或鹵素原子； <br/>a表示1的整數，b表示0～2的整數，a＋b表示1～3的整數）。
如請求項5所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，該［A］聚矽氧烷含有該縮合物［I］與醇之脫水反應物。
如請求項5或6所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，該［A］聚矽氧烷含有選自以下物質所成群中至少一種： <br/>含有具有有機基之矽氧烷單元結構之水解縮合物［I-1］，該有機基含有具有至少兩個羥基分別與相鄰之碳原子鍵結而成二羥基之矽氧烷單元結構及四級銨-硝酸鹽結構；該縮合物［I-1］所具有之矽醇基的至少一部分經醇改性之水解縮合物的改性物；該縮合物［I-1］所具有之矽醇基的至少一部分經縮醛保護之水解縮合物的改性物；以及該縮合物［I-1］與醇之脫水反應物；且 <br/>該水解縮合物［I-1］為含有以下水解性矽烷之水解性矽烷的水解縮合物：該式（1）表示之含有含環氧基之有機基之水解性矽烷、及下述式（2）表示之含有含胺基之有機基之水解性矽烷，並且該水解縮合物［I-1］具有藉由含硝酸之酸性化合物所進行之該環氧基的開環反應而生成之二羥基； <br/>［化2］ <br/>R<sup>4</sup><sub>c</sub>R<sup>5</sup><sub>d</sub>Si(R<sup>6</sup>)<sub>4-(c+d)</sub> (2) <br/>（式中， <br/>R<sup>4</sup>為與矽原子鍵結之基團，表示含胺基之有機基； <br/>R<sup>5</sup>為與矽原子鍵結之基團，彼此獨立表示：可經取代之烷基、可經取代之芳基、可經取代之芳烷基、可經取代之鹵化烷基、可經取代之鹵化芳基、可經取代之鹵化芳烷基、可經取代之烷氧烷基、可經取代之烷氧芳基、可經取代之烷氧芳烷基、或可經取代之烯基，或是彼此獨立表示：具有丙烯醯基、甲基丙烯醯基、巰基、胺基、醯胺基、烷氧基、磺醯基、或氰基之有機基、或者其等組合； <br/>R<sup>6</sup>為與矽原子鍵結之基團或原子，彼此獨立表示：烷氧基、芳烷氧基、醯氧基、或鹵素原子； <br/>c表示1的整數，d表示0～2的整數，c＋d表示1～3的整數）。
如請求項7所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，該［A］聚矽氧烷含有該縮合物［I-1］與醇之脫水反應物。
如請求項1、2、5或6所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，該［C］溶劑包含醇系溶劑。
如請求項9所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，該［C］溶劑含有丙二醇單烷基醚。
如請求項1、2、5或6所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，該含矽之光阻下層膜形成用組成物不含有硬化觸媒。
如請求項1、2、5或6所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，該［C］溶劑含水。
如請求項1、2、5或6所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，該含矽之光阻下層膜形成用組成物進一步含有pH調整劑。
如請求項1、2、5或6所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，該含矽之光阻下層膜形成用組成物進一步含有界面活性劑。
如請求項1、2、5或6所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，該含矽之光阻下層膜形成用組成物進一步含有金屬氧化物。
如請求項1、2、5或6所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，該含矽之光阻下層膜形成用組成物係用於形成EUV微影用光阻下層膜。
一種光阻下層膜，其特徵係其為如請求項1至16中任一項所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物的硬化物。
一種半導體加工用基板，其特徵係具備半導體基板、以及如請求項17所述之光阻下層膜。
一種半導體元件之製造方法，其特徵係包含： <br/>在基板上形成有機下層膜之步驟； <br/>在該有機下層膜上，使用如請求項1至16中任一項所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物來形成含矽之光阻下層膜之步驟；以及 <br/>在該含矽之光阻下層膜上，形成光阻膜之步驟。
如請求項19所述之半導體元件之製造方法，其中，該形成含矽之光阻下層膜之步驟中，使用經尼龍過濾器過濾之含矽之光阻下層膜形成用組成物。
一種圖案形成方法，其特徵係包含： <br/>在半導體基板上形成有機下層膜之步驟； <br/>在該有機下層膜上，塗布如請求項1至16中任一項所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，進行燒成，從而形成含矽之光阻下層膜之步驟； <br/>在該含矽之光阻下層膜上，塗布光阻膜形成用組成物，從而形成光阻膜之步驟； <br/>使該光阻膜曝光及顯影，從而獲得光阻圖案之步驟； <br/>將該光阻圖案用於光罩，並對該含矽之光阻下層膜進行蝕刻之步驟；以及 <br/>將經圖案化之該含矽之光阻下層膜用作光罩，並對該有機下層膜進行蝕刻之步驟。
如請求項21所述之圖案形成方法，其中，在該對有機下層膜進行蝕刻之步驟後，進一步包含藉由使用藥液之濕式法來除去該含矽之光阻下層膜之步驟。
一種如請求項1或2所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物之製造方法，其特徵係包含： <br/>於醇系溶劑中，在硝酸的存在下，使含有至少一種含有下述式（1）表示之具有環氧基之有機基之水解性矽烷的水解性矽烷進行水解及縮合，藉此製造［A］含有具有至少兩個羥基之矽氧烷單元結構之聚矽氧烷之步驟； <br/>［化3］ <br/>R<sup>1</sup><sub>a</sub>R<sup>2</sup><sub>b</sub>Si(R<sup>3</sup>)<sub>4-(a+b)</sub> (1) <br/>（式中， <br/>R<sup>1</sup>為與矽原子鍵結之基團，表示含環氧基之有機基； <br/>R<sup>2</sup>為與矽原子鍵結之基團，彼此獨立表示：可經取代之烷基、可經取代之芳基、可經取代之芳烷基、可經取代之鹵化烷基、可經取代之鹵化芳基、可經取代之鹵化芳烷基、可經取代之烷氧烷基、可經取代之烷氧芳基、可經取代之烷氧芳烷基、或可經取代之烯基，或是彼此獨立表示：具有環氧基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、巰基、胺基、醯胺基、烷氧基、磺醯基、或氰基之有機基、或者其等組合； <br/>R<sup>3</sup>為與矽原子鍵結之基團或原子，彼此獨立表示：烷氧基、芳烷氧基、醯氧基、或鹵素原子； <br/>a表示1的整數，b表示0～2的整數，a＋b表示1～3的整數）。
一種如請求項1或2所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物之製造方法，其特徵係包含： <br/>於醇系溶劑中，在硝酸的存在下，使含有至少一種下述式（1）表示之含有含環氧基之有機基之水解性矽烷的水解性矽烷進行水解及縮合，藉此製造水解縮合物（1）之步驟； <br/>在硝酸的存在下，使該水解縮合物（1）與醇進行脫水反應，對該縮合物（1）的矽醇基以醇封端，從而形成該縮合物（1）與醇之脫水反應物，製造含有該脫水反應物之［A］含有具有至少兩個羥基之矽氧烷單元結構之聚矽氧烷之步驟； <br/>［化4］ <br/>R<sup>1</sup><sub>a</sub>R<sup>2</sup><sub>b</sub>Si(R<sup>3</sup>)<sub>4-(a+b)</sub> (1) <br/>（式中， <br/>R<sup>1</sup>為與矽原子鍵結之基團，表示含環氧基之有機基； <br/>R<sup>2</sup>為與矽原子鍵結之基團，彼此獨立表示：可經取代之烷基、可經取代之芳基、可經取代之芳烷基、可經取代之鹵化烷基、可經取代之鹵化芳基、可經取代之鹵化芳烷基、可經取代之烷氧烷基、可經取代之烷氧芳基、可經取代之烷氧芳烷基、或可經取代之烯基，或是彼此獨立表示：具有環氧基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、巰基、胺基、醯胺基、烷氧基、磺醯基、或氰基之有機基、或者其等組合； <br/>R<sup>3</sup>為與矽原子鍵結之基團或原子，彼此獨立表示：烷氧基、芳烷氧基、醯氧基、或鹵素原子； <br/>a表示1的整數，b表示0～2的整數，a＋b表示1～3的整數）。
如請求項23或24所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物之製造方法，其中，該水解性矽烷進一步含有下述式（2）表示之含有含胺基之有機基之水解性矽烷； <br/>［化5］ <br/>R<sup>4</sup><sub>c</sub>R<sup>5</sup><sub>d</sub>Si(R<sup>6</sup>)<sub>4-(c+d)</sub> (2) <br/>（式中， <br/>R<sup>4</sup>為與矽原子鍵結之基團，表示含胺基之有機基； <br/>R<sup>5</sup>為與矽原子鍵結之基團，彼此獨立表示：可經取代之烷基、可經取代之芳基、可經取代之芳烷基、可經取代之鹵化烷基、可經取代之鹵化芳基、可經取代之鹵化芳烷基、可經取代之烷氧烷基、可經取代之烷氧芳基、可經取代之烷氧芳烷基、或可經取代之烯基，或是彼此獨立表示：具有丙烯醯基、甲基丙烯醯基、巰基、胺基、醯胺基、烷氧基、磺醯基、或氰基之有機基、或者其等組合； <br/>R<sup>6</sup>為與矽原子鍵結之基團或原子，彼此獨立表示：烷氧基、芳烷氧基、醯氧基、或鹵素原子； <br/>c表示1的整數，d表示0～2的整數，c＋d表示1～3的整數）。
一種伺服設備，包含：<br/> 一機箱；<br/> 複數個風扇模組，適於可熱插拔地（hot-swappable）安裝於該機箱中；<br/> 一控制器，配置為在有風扇模組插入至該機箱中的事件時，控制在該機箱中之每一風扇模組的風扇轉速由一目標轉速降低至一第一暫時轉速，且在經過一第一預定時間後，控制每一風扇模組的風扇轉速升高至該目標轉速，<br/> 其中，在控制每一風扇模組的風扇轉速由該第一暫時轉速升高至該目標轉速後，若偵測到該些風扇模組中之至少一者未正常運轉，則該控制器控制每一風扇模組的風扇轉速由該目標轉速降低至低於該第一暫時轉速之一第二暫時轉速，且經過長於該第一預定時間之一第二預定時間後，控制每一風扇模組的風扇轉速由該第二暫時轉速升高至該目標轉速。
如請求項1所述之伺服設備，其中該第一暫時轉速低於或實質等於該目標轉速的百分之五十。
如請求項1所述之伺服設備，其中該機箱具有複數個風扇插槽，該些風扇插槽位於該機箱的至少一側部且適於分別容置該些風扇模組。
如請求項1所述之伺服設備，其中該控制器在經過最大降轉次數之風扇模組降速運轉後仍偵測到該些風扇模組中之至少一者未正常運轉時判定系統異常。
一種風扇控制方法，適用於一伺服設備，該伺服設備具有一機箱以及安裝於該機箱中之複數個可熱插拔之風扇模組，該風扇控制方法包含： <br/> 在有風扇模組插入該機箱中的事件時，控制在該機箱中之每一風扇模組的風扇轉速由一目標轉速降低至一第一暫時轉速，且經過一第一預定時間後，控制每一風扇模組的風扇轉速升高至該目標轉速；<br/> 在控制每一風扇模組的風扇轉速由該第一暫時轉速升高至該目標轉速後，若偵測到該些風扇模組中之至少一者未正常運轉，則控制每一風扇模組的風扇轉速由該目標轉速降低至低於該第一暫時轉速之一第二暫時轉速；以及<br/> 經過長於該第一預定時間之一第二預定時間後，控制每一風扇模組的風扇轉速由該第二暫時轉速升高至該目標轉速。
如請求項5所述之風扇控制方法，其中該第一暫時轉速低於或實質等於該目標轉速的百分之五十。
如請求項5所述之風扇控制方法，更包含：<br/> 在經過最大降轉次數之風扇模組降速運轉後仍偵測到該些風扇模組中之至少一者未正常運轉時判定系統異常。
一種玻璃基板之製造方法，其係支持半導體元件之玻璃基板之製造方法，且 <br/>生成玻璃母板， <br/>測定上述玻璃母板之厚度、厚度偏差及翹曲量， <br/>基於上述玻璃母板之厚度來篩選玻璃母板， <br/>將篩選出之上述玻璃母板切斷而生成複數個玻璃素板， <br/>基於上述玻璃母板之厚度、厚度偏差及翹曲量來設定上述玻璃素板之第1研磨條件， <br/>基於上述第1研磨條件，對上述玻璃素板之表面進行研磨而生成玻璃板， <br/>測定上述玻璃板之厚度、厚度偏差及翹曲量， <br/>基於上述玻璃板之厚度來篩選上述玻璃板， <br/>基於上述玻璃板之厚度、厚度偏差及翹曲量來設定上述玻璃板之第2研磨條件， <br/>基於上述第2研磨條件，對篩選出之上述玻璃板之表面進行研磨，生成邊長為300 mm以上且厚度為0.5 mm以上之矩形玻璃基板。
如請求項1之玻璃基板之製造方法，其中作為上述玻璃素板之第1研磨條件，基於上述玻璃母板之篩選結果來設定上述玻璃素板之研磨裕度，基於上述玻璃母板之厚度偏差及翹曲量來設定研磨方法， <br/>作為上述玻璃板之第2研磨條件，基於上述玻璃板之篩選結果來設定上述玻璃板之研磨裕度，基於上述玻璃板之厚度偏差及翹曲量來設定研磨方法。
如請求項1或2之玻璃基板之製造方法，其中在對上述玻璃板之表面進行研磨之前，對上述玻璃板之端面進行加工。
一種玻璃基板，其係支持半導體元件者，且 <br/>呈邊長為300 mm以上之矩形形狀， <br/>厚度為0.7 mm以上， <br/>上述玻璃基板之翹曲為1 mm以下， <br/>上述玻璃基板之板厚為0.5 mm以上4.0 mm以下， <br/>上述玻璃基板之厚度偏差為5 μm以下， <br/>上述玻璃基板之50 mm×50 mm中之LTV(Local Thickness Variation)為2 μm以下， <br/>上述玻璃基板之邊緣面部之寬度為1 mm以下，且 <br/>上述玻璃基板之邊緣面與端面之邊界區域之曲率最小區域中任意3點形成的曲率半徑為0.05 mm以上。
一種用於鋰電池之非水電解質溶液，該溶液包含：<br/> i)液體電解質介質；<br/> ii)含鋰鹽；及<br/> iii)至少一種選自以下之溴化阻燃劑：<br/> a)溴化噻吩，其具有兩個或更多個與同一噻吩環結合之溴原子，<br/> b)溴化噻唑，其具有一個或兩個與該噻唑環結合之溴原子，其中當該溴化噻唑具有兩個與該噻唑環結合之溴原子且該等溴原子在該環上之2及5位時，該噻唑環之碳原子具有與其結合之含氧取代基，及<br/> c)溴化噻二唑，其具有一個與該噻二唑環結合之溴原子及與該噻二唑環之碳原子結合之含氧取代基；<br/> 其中當該溴化阻燃劑為溴化噻吩時，溴化阻燃劑的溴量係相對於溶液總重量為10 wt%以上；當該溴化阻燃劑為溴化噻唑時，相對於溶液總重量，該溴量為12 wt%以上；當該溴化阻燃劑為溴化噻二唑時，相對於溶液總重量，該溴量為11 wt%以上。
如請求項1之溶液，其中該溴化阻燃劑為<br/> 溴化噻吩，其具有四個至十二個碳原子、兩個至四個與該噻吩環結合之溴原子及/或相對於該溴化阻燃劑之總重量40 wt%或更多之溴含量；<br/> 溴化噻唑，其含有三個至十二個碳原子且具有一個與該噻唑環結合之溴原子；<br/> 溴化噻唑，其含有四個至十二個碳原子且具有兩個與該噻唑環結合之溴原子，及/或具有相對於該溴化阻燃劑之總重量30 wt%或更多之溴含量；或<br/> 溴化噻二唑，其具有三個至十二個碳原子及/或相對於該溴化阻燃劑之總重量22 wt%或更多之溴含量。
如請求項1之溶液，其中該溴化阻燃劑為<br/> 溴化噻吩，其具有四個至十個碳原子、兩個至三個與該噻吩環結合之溴原子及相對於該溴化阻燃劑之總重量45 wt%或更多之溴含量；<br/> 溴化噻唑，其含有三個至十個碳原子且具有一個與該噻唑環結合之溴原子，及相對於該溴化阻燃劑之總重量30 wt%或更多之溴含量；或<br/> 溴化噻唑，其含有四個至十個碳原子且具有兩個與該噻唑環結合之溴原子，及相對於該溴化阻燃劑之總重量30 wt%或更多之溴含量；或<br/> 溴化噻二唑，其具有三個至十個碳原子、兩個與該噻唑環結合之溴原子及相對於該溴化阻燃劑之總重量22 wt%或更多之溴含量。
如請求項1之溶液，其中該溴化阻燃劑為<br/> 溴化噻吩，其在該噻吩環上具有一個或兩個除該等溴原子外之取代基，該等取代基係選自醚基、酯基或碳酸酯基，條件為醚氧原子不直接與該噻吩環結合，且該溴化噻吩具有六個至十二個碳原子；<br/> 溴化噻唑，其中該含氧取代基係選自烴氧基及醚基；或<br/> 溴化噻二唑，其具有相對於該溴化阻燃劑之總重量22 wt%至45 wt%之溴含量。
如請求項1至4中任一項之溶液，其中該溴化噻唑為溴化1,3-噻唑。
如請求項5之溶液，其中該溴化阻燃劑為2-溴噻唑、4-溴噻唑、5-溴噻唑、2,4-二溴噻唑、4,5-二溴噻唑、4,5-二溴-2-甲氧基噻唑或4,5-二溴-2-(2-甲氧基乙氧基)噻唑。
如請求項1至4中任一項之溶液，其中該溴化噻二唑為溴化1,3,4-噻二唑。
如請求項7之溶液，其中該溴化阻燃劑為2-溴-5-甲氧基-1,3,4-噻二唑、2-溴-5-(2-甲氧基乙氧基)-1,3,4-噻二唑或2-溴-5-(2-乙氧基乙氧基)-1,3,4-噻二唑。
如請求項1至3中任一項之溶液，其中該溴化阻燃劑為2,3-二溴噻吩、2,4-二溴噻吩、2,5-二溴噻吩、3,4-二溴噻吩、2,3,4-三溴噻吩或2,3,5-三溴噻吩。
如請求項4之溶液，其中該溴化阻燃劑為溴化噻吩，其具有醚基作為該噻吩環上之取代基，其中該醚基具有在該噻吩環與該醚氧原子之間的部分，該部分為具有一個至四個碳原子之飽和伸烴基，且其中與該醚氧原子附接之另一基團為具有一個至四個碳原子之飽和烴基。
如請求項10之溶液，其中該溴化阻燃劑為丙基1,1-二甲基-2-[4-(2,3,5-三溴噻吩)]乙基醚。
如請求項4之溶液，其中該溴化阻燃劑為溴化噻吩，其具有酯基作為該噻吩環上之取代基，其中該酯基之羰基部分直接與該噻吩環結合，且其中該酯基之另一部分為具有一個至四個碳原子之烴基。
如請求項12之溶液，其中該溴化阻燃劑為2,5-二溴噻吩-3-甲酸甲酯、2,5-二溴噻吩-3-甲酸乙酯、4,5-二溴噻吩-2-甲酸甲酯、4,5-二溴噻吩-2-甲酸乙酯、4,5-二溴噻吩-3-甲酸乙酯、3,4-二溴噻吩-2,5-二甲酸二甲酯或3,4-二溴噻吩-2,5-二甲酸二乙酯。
如請求項4之溶液，其中該溴化阻燃劑為溴化噻吩，其具有碳酸酯基作為該噻吩環上之取代基，其中該碳酸酯基之氧原子可直接與該噻吩環結合，或不直接與該噻吩環結合，且其中與另一碳酸酯氧原子附接之基團為具有一個至四個碳原子之烴基或具有三個至六個碳原子及一個至三個氧原子之醚基。
如請求項14之溶液，其中該碳酸酯基不經由該碳酸酯基之氧原子與該噻吩環結合，且在該噻吩環與該碳酸酯氧原子之間的該碳酸酯基之部分為具有一個至四個碳原子之飽和伸烴基。
如請求項14之溶液，其中該溴化阻燃劑為碳酸乙酯4-(2,3,5-三溴噻吩)酯或碳酸甲酯1,1-二甲基-2-[4-(2,3,5-三溴噻吩)]乙酯。
如請求項1至4中任一項之溶液，其中相對於該溶液之總重量，該溴化阻燃劑之溴含量為12 wt%或更多。
如請求項1至4中任一項之溶液，其中該液體電解質介質為碳酸伸乙酯、碳酸甲乙酯或其混合物，及/或其中該含鋰鹽為六氟磷酸鋰、二(氟)(草酸根)硼酸鋰或雙(草酸根)硼酸鋰。
如請求項1至4中任一項之溶液，其進一步包含至少一種選自以下之電化學添加劑：<br/> a)含有三個至六個碳原子之不飽和環狀碳酸酯，<br/> b)含有三個至五個碳原子及一個至四個氟原子之含氟飽和環狀碳酸酯，<br/> c)含有三個至九個碳原子之亞磷酸參(三烴基矽烷基)酯，<br/> d)含有三個至十二個碳原子之磷酸三烴基酯，<br/> e)含有三個至八個碳原子之環狀磺內酯，<br/> f)具有5員或6員環且含有兩個至六個碳原子之飽和環狀烴基亞硫酸酯，<br/> g)具有5員或6員環且含有兩個至六個碳原子之飽和環狀烴基硫酸酯，<br/> h)具有6員、7員或8員環且含有兩個至六個碳原子之環狀二氧雜二硫基聚合氧化物化合物，<br/> i)另一含鋰鹽，及<br/> j)上述任兩者或更多者之混合物。
如請求項19之溶液，其中該電化學添加劑係選自：<br/> a)含有三個至四個碳原子之不飽和環狀碳酸酯，<br/> b)含有三個至四個碳原子及一個至兩個氟原子之含氟飽和環狀碳酸酯，<br/> c)含有三個至六個碳原子之亞磷酸參(三烴基矽烷基)酯，<br/> d)含有三個至九個碳原子之磷酸三烴基酯，<br/> e)含有三個至四個碳原子之環狀磺內酯，<br/> f)具有5員環且含有兩個至四個碳原子之飽和環狀烴基亞硫酸酯，<br/> g)具有5員環且含有兩個至四個碳原子之飽和環狀烴基硫酸酯，<br/> h)具有6員或7員環且含有兩個至四個碳原子之環狀二氧雜二硫基聚合氧化物化合物，<br/> i)另一含鋰鹽，及<br/> j)上述任兩者或更多者之混合物。
如請求項19之溶液，其中該電化學添加劑係選自：<br/> a)相對於該非水電解質溶液之總重量，0.5 wt%至12 wt%之量的不飽和環狀碳酸酯，<br/> b)相對於該非水電解質溶液之總重量，0.5 wt%至8 wt%之量的含氟飽和環狀碳酸酯，<br/> c)相對於該非水電解質溶液之總重量，0.1 wt%至5 wt%之量的亞磷酸參(三烴基矽烷基)酯，<br/> d)相對於該非水電解質溶液之總重量，0.5 wt%至5 wt%之量的磷酸三烴基酯，<br/> e)相對於該非水電解質溶液之總重量，0.25 wt%至5 wt%之量的環狀磺内酯，<br/> f)相對於該非水電解質溶液之總重量，0.5 wt%至5 wt%之量的飽和環狀烴基亞硫酸酯，<br/> g)相對於該非水電解質溶液之總重量，0.25 wt%至5 wt%之量的飽和環狀烴基硫酸酯，<br/> h)相對於該非水電解質溶液之總重量，0.5 wt%至5 wt%之量的環狀二氧雜二硫基聚合氧化物化合物，<br/> i)相對於該非水電解質溶液之總重量，0.5 wt%至5 wt%之量的另一含鋰鹽，及<br/> j)上述任兩者或更多者之混合物。
如請求項17之溶液，其中各電化學添加劑不與其他電化學添加劑一起使用。
如請求項1至4中任一項之溶液，其中該溶液進一步包含腈化合物。
如請求項23之溶液，其中該腈化合物為丁二腈。
如請求項1至4中任一項之溶液，其中該溶液進一步包含腈化合物及另一含鋰鹽。
如請求項25之溶液，其中該腈化合物為丁二腈且該含鋰鹽為二(氟)(草酸根)硼酸鋰。
一種非水鋰電池，其包含正電極、負電極及如請求項1至4中任一項之非水電解質溶液。
一種用於鋰電池之非水電解質溶液，該溶液包含：<br/> i)液體電解質介質；<br/> ii)含鋰鹽；及<br/> iii)至少一個選自由以下組成之群的溴化阻燃劑：2,3-二溴噻吩、2,4-二溴噻吩、2,5-二溴噻吩、3,4-二溴噻吩、2,3,4-三溴噻吩、2,3,5-三溴噻吩、丙基1,1-二甲基-2-[4-(2,3,5-三溴噻吩)]乙基醚、碳酸乙酯4-(2,3,5-三溴噻吩)酯、碳酸甲酯1,1-二甲基-2-[4-(2,3,5-三溴噻吩)]乙酯、2,5-二溴噻吩-3-甲酸甲酯、2,5-二溴噻吩-3-甲酸乙酯、4,5-二溴噻吩-2-甲酸甲酯、4,5-二溴噻吩-2-甲酸乙酯、4,5-二溴噻吩-3-甲酸乙酯、3,4-二溴噻吩-2,5-二甲酸二甲酯、3,4-二溴噻吩-2,5-二甲酸二乙酯、2-溴噻唑、4-溴噻唑、5-溴噻唑、2,4-二溴噻唑、4,5-二溴噻唑、4,5-二溴-2-甲氧基噻唑、4,5-二溴-2-(2-甲氧基乙氧基)噻唑、2-溴-5-甲氧基-1,3,4-噻二唑、2-溴-5-(2-甲氧基乙氧基)-1,3,4-噻二唑及2-溴-5-(2-乙氧基乙氧基)-1,3,4-噻二唑；<br/> 其中當該溴化阻燃劑為溴化噻吩時，溴化阻燃劑的溴量係相對於溶液總重量為10 wt%以上；當該溴化阻燃劑為溴化噻唑時，相對於溶液總重量，該溴量為12 wt%以上；當該溴化阻燃劑為溴化噻二唑時，相對於溶液總重量，該溴量為11 wt%以上。
如請求項28之溶液，其中該溴化阻燃劑為2,5-二溴噻吩。
如請求項28之溶液，其中該溴化阻燃劑為2,3-二溴噻吩。
如請求項30之溶液，其中相對於該溶液之總重量，該溴化阻燃劑之溴含量為13 wt%或更多。
如請求項28之溶液，其中該溴化阻燃劑為2-溴噻唑、4-溴噻唑、5-溴噻唑、2,4-二溴噻唑、4,5-二溴噻唑、4,5-二溴-2-甲氧基噻唑或4,5-二溴-2-(2-甲氧基乙氧基)噻唑。
如請求項29之溶液，其中相對於該溶液之總重量，該溴化阻燃劑之溴含量為12 wt%或更多。
如請求項28至33中任一項之溶液，其中該液體電解質介質為碳酸伸乙酯、碳酸甲乙酯或其混合物，及/或其中該含鋰鹽為六氟磷酸鋰、二(氟)(草酸根)硼酸鋰或雙(草酸根)硼酸鋰。
如請求項28至33中任一項之溶液，其中該溶液進一步包含腈化合物或腈化合物及另一含鋰鹽。
如請求項35之溶液，其中該腈化合物為丁二腈，或其中該腈化合物為丁二腈且該含鋰鹽為二(氟)(草酸根)硼酸鋰。
一種非水鋰電池，其包含正電極、負電極及如請求項28至33中任一項之非水電解質溶液。
一種生產用於鋰電池之非水電解質溶液的方法，該方法包括組合包含以下之組分：<br/> i)液體電解質介質；<br/> ii)含鋰鹽；及<br/> iii)至少一種包含以下之溴化阻燃劑：<br/> a)溴化噻吩，其具有兩個或更多個與同一噻吩環結合之溴原子，<br/> b)溴化噻唑，其具有一個或兩個與該噻唑環結合之溴原子，其中當該溴化噻唑具有兩個與該噻唑環結合之溴原子且該等溴原子在該環上之2及5位時，該噻唑環之碳原子具有與其結合之含氧取代基，及<br/> c)溴化噻二唑，其具有一個與該噻二唑環結合之溴原子及與該噻二唑環之碳原子結合之含氧取代基；<br/> 其中當該溴化阻燃劑為溴化噻吩時，溴化阻燃劑的溴量係相對於溶液總重量為10 wt%以上；當該溴化阻燃劑為溴化噻唑時，相對於溶液總重量，該溴量為12 wt%以上；當該溴化阻燃劑為溴化噻二唑時，相對於溶液總重量，該溴量為11 wt%以上。
如請求項38之方法，其中該等組分進一步包含至少一種選自以下之電化學添加劑：<br/> a)含有三個至六個碳原子之不飽和環狀碳酸酯，<br/> b)含有三個至五個碳原子及一個至四個氟原子之含氟飽和環狀碳酸酯，<br/> c)含有三個至九個碳原子之亞磷酸參(三烴基矽烷基)酯，<br/> d)含有三個至十二個碳原子之磷酸三烴基酯，<br/> e)含有三個至八個碳原子之環狀磺內酯，<br/> f)具有5員或6員環且含有兩個至六個碳原子之飽和環狀烴基亞硫酸酯，<br/> g)具有5員或6員環且含有兩個至六個碳原子之飽和環狀烴基硫酸酯，<br/> h)具有6員、7員或8員環且含有兩個至六個碳原子之環狀二氧雜二硫基聚合氧化物化合物，<br/> i)另一含鋰鹽，及<br/> j)上述任兩者或更多者之混合物。
如請求項38至39中任一項之方法，其中該等組分進一步包含腈化合物或腈化合物及另一含鋰鹽。
如請求項40之方法，其中該腈化合物為丁二腈，或其中該腈化合物為丁二腈且該含鋰鹽為二(氟)(草酸根)硼酸鋰。
一種生產用於鋰電池之非水電解質溶液的方法，該方法包括組合包含以下之組分：<br/> i)液體電解質介質；<br/> ii)含鋰鹽；及<br/> iii)至少一種選自由以下組成之群的溴化阻燃劑：2,3-二溴噻吩、2,4-二溴噻吩、2,5-二溴噻吩、3,4-二溴噻吩、2,3,4-三溴噻吩、2,3,5-三溴噻吩、丙基1,1-二甲基-2-[4-(2,3,5-三溴噻吩)]乙基醚、碳酸乙酯4-(2,3,5-三溴噻吩)酯、碳酸甲酯1,1-二甲基-2-[4-(2,3,5-三溴噻吩)]乙酯、2,5-二溴噻吩-3-甲酸甲酯、2,5-二溴噻吩-3-甲酸乙酯、4,5-二溴噻吩-2-甲酸甲酯、4,5-二溴噻吩-2-甲酸乙酯、4,5-二溴噻吩-3-甲酸乙酯、3,4-二溴噻吩-2,5-二甲酸二甲酯、3,4-二溴噻吩-2,5-二甲酸二乙酯、2-溴噻唑、4-溴噻唑、5-溴噻唑、2,4-二溴噻唑、4,5-二溴噻唑、4,5-二溴-2-甲氧基噻唑、4,5-二溴-2-(2-甲氧基乙氧基)噻唑、2-溴-5-甲氧基-1,3,4-噻二唑、2-溴-5-(2-甲氧基乙氧基)-1,3,4-噻二唑及2-溴-5-(2-乙氧基乙氧基)-1,3,4-噻二唑；<br/> 其中當該溴化阻燃劑為溴化噻吩時，溴化阻燃劑的溴量係相對於溶液總重量為10 wt%以上；當該溴化阻燃劑為溴化噻唑時，相對於溶液總重量，該溴量為12 wt%以上；當該溴化阻燃劑為溴化噻二唑時，相對於溶液總重量，該溴量為11 wt%以上。
如請求項42之方法，其中該等組分進一步包含：<br/> 至少一種電化學添加劑，其選自碳酸伸乙烯酯、碳酸4-氟-伸乙酯、亞磷酸參(三甲基矽烷基)酯、磷酸三烯丙酯、1,3-丙烷磺内酯、1,3-丙烯磺内酯、亞硫酸伸乙酯、1,3,2-二氧硫雜戊烷2,2-二氧化物、1,5,2,4-二氧雜二噻烷2,2,4,4-四氧化物、二(氟)(草酸根)硼酸鋰、雙(草酸根)硼酸鋰及此等電化學添加劑中之任兩者或更多者的混合物；及/或<br/> 腈化合物。
如請求項43之方法，其中該腈化合物為丁二腈。
如請求項43至44中任一項之方法，其中該等組分進一步包含腈化合物及另一含鋰鹽。
如請求項45之方法，其中該腈化合物為丁二腈且該含鋰鹽為二(氟)(草酸根)硼酸鋰。
如請求項42至44中任一項之方法，其中該溴化阻燃劑為2,3-二溴噻吩或2,5-二溴噻吩。
一種非晶質無機組成物，其係包含二氧化矽、氧化鋁、氧化鐵、及氧化鈣作為必須成分者，且上述非晶質無機組成物中之 <br/>i）二氧化矽、氧化鋁、及氧化鈣之合計含量為50質量%以上68質量%以下， <br/>ii）氧化鐵之含量為26質量%以上且未達40質量%，且 <br/>iii）上述氧化鐵源自含有二氧化矽、氧化鋁、氧化鈣、及氧化鐵之非晶質原料。
如請求項1之無機組成物，其中，上述非晶質無機組成物中之氧化鈣之含量為5質量%以上20質量%以下。
如請求項1之無機組成物，其中，上述非晶質原料中之二氧化矽、氧化鋁、氧化鈣、及氧化鐵之合計含量為80質量%以上。
如請求項2之無機組成物，其中，上述非晶質原料中之二氧化矽、氧化鋁、氧化鈣、及氧化鐵之合計含量為80質量%以上。
如請求項1至4中任一項之非晶質無機組成物，其中，上述非晶質原料中包含銅渣。
如請求項1至4中任一項之非晶質無機組成物，其中，於上述非晶質原料中，除銅渣以外，進而包含煤灰、玄武岩、或火山灰中之一種以上。
如請求項5之非晶質無機組成物，其中，於上述非晶質原料中，除銅渣以外，進而包含煤灰、玄武岩、或火山灰中之一種以上。
一種纖維，其係由請求項6或7之非晶質無機組成物所構成。
一種混凝土，其填充有請求項8之纖維。
一種噴墨墨水，其包含： <br/>(A1) 萜樹脂；及 <br/>(B) 溶劑系統，其包含(B1)具有低於120℃之沸點的酮溶劑及(B2)二氧雜環戊烷； <br/>該萜樹脂(A1)係以全部結構單元計，具有100重量%之來源於可聚合萜之結構單元的寡聚物或聚合物。
如請求項1之噴墨墨水，其中以該噴墨墨水之總重量計，該萜樹脂(A1)係以0.1至10重量%之量存在。
如請求項1之噴墨墨水，其中該萜樹脂(A1)為由α-蒎烯製備之均聚物。
如請求項1至3中任一項之噴墨墨水，其中以該噴墨墨水之總重量計，該酮溶劑(B1)係以1至90重量%之量存在。
如請求項1至3中任一項之噴墨墨水，其中該酮溶劑(B1)為甲基乙基酮。
如請求項1至3中任一項之噴墨墨水，其中以該噴墨墨水之總重量計，二氧雜環戊烷(B2)係以2至90重量%之量存在。
如請求項1至3中任一項之噴墨墨水，其中二氧雜環戊烷(B2)相對於該酮溶劑(B1)之重量比((B2):(B1))為0.05:1至30:1。
如請求項1至3中任一項之噴墨墨水，其中二氧雜環戊烷(B2)相對於該萜樹脂(A1)之重量比((B2):(A1))為5:1至100:1。
如請求項1至3中任一項之噴墨墨水，其中該溶劑系統(B)進一步包含(B3)二醇醚。
如請求項9之噴墨墨水，其中以該噴墨墨水之總重量計，該二醇醚(B3)係以0.1重量%至20重量%之量存在。
如請求項1至3中任一項之噴墨墨水，其中該溶劑系統(B)進一步包含(B4)醇溶劑。
如請求項11之噴墨墨水，其中以該噴墨墨水之總重量計，該醇溶劑(B4)係以0.1至20重量%之量存在。
如請求項1至3中任一項之噴墨墨水，其進一步包含(A2)萜酚樹脂。
如請求項13之噴墨墨水，其中以該噴墨墨水之總重量計，該萜酚樹脂(A2)係以0.1至10重量%之量存在。
如請求項1至3中任一項之噴墨墨水，其進一步包含(C)界面活性劑。
如請求項15之噴墨墨水，其中以該噴墨墨水之總重量計，該界面活性劑(C)係以0.001至4重量%之量存在。
如請求項15之噴墨墨水，其中該界面活性劑(C)為經聚醚改性之聚矽氧。
如請求項1至3中任一項之噴墨墨水，其進一步包含(D)著色劑。
一種印刷製品，其包含： <br/>基板及置於該基板上之乾燥形式之如請求項1至18中任一項的噴墨墨水。
一種在基板上形成印刷影像的方法，其包含： <br/>用熱噴墨印刷頭將如請求項1至18中任一項之噴墨墨水塗覆至該基板上；及 <br/>乾燥該噴墨墨水。
一種限位組件，其中，包括：<br/> 基座，以及<br/> 多個限位柱，每一所述限位柱包括本體及與所述本體相對之限位部，所述本體可活動地設於所述基座，所述限位部包括：<br/> 第一限位面，<br/> 第二限位面，與所述第一限位面傾斜設置。
如請求項1所述之限位組件，其中，所述基座具有厚度方向，所述基座沿所述厚度方向貫穿設置有開孔，所述本體包括：<br/> 孔內部，連接於所述限位部，所述孔內部之正向投影位於所述開孔內；以及<br/> 孔外部，連接於所述孔內部，所述孔外部之正向投影位至少部分位於所述開孔外。
如請求項2所述之限位組件，其中，所述基座還包括彈性件，所述孔內部沿所述厚度方向之長度大於所述基座之厚度，所述孔內部包括連接部及限轉部，所述連接部連接於所述限轉部與所述孔外部之間，所述彈性件一端抵接於所述限轉部，另一端固定設於所述開孔內。
如請求項3所述之限位組件，其中，所述孔內部沿所述厚度方向之長度與所述基座之厚度之差小於所述限轉部之厚度。
如請求項3所述之限位組件，其中，所述基座還包括第一表面及與所述第一表面相對之第二表面，所述開孔包括頂部開孔、底部開孔及連通所述頂部開孔與所述底部開孔之連通孔，所述第一表面內凹形成所述頂部開孔，所述第二表面內凹形成所述底部開孔，沿所述厚度方向，所述限轉部可活動地收容於所述頂部開孔內，所述連接部可活動地收容於連通孔與所述底部開孔內。
如請求項5所述之限位組件，其中，所述頂部開孔、所述底部開孔及所述連通孔同軸設置，所述底部開孔之正向投影位於所述連通孔內，所述連通孔之正向投影位於所述頂部開孔內，所述彈性件套設於所述連接部，所述彈性件之另一端固定設置於所述底部開孔之周圍。
如請求項1所述之限位組件，其中，所述限位部還包括側接面與端接面，所述端接面連接於所述第一限位面與所述第二限位面之間，所述端接面背離所述本體設置，所述側接面連接於所述第一限位面、所述第二限位面、所述端接面與所述本體。
如請求項7所述之限位組件，其中，所述第一限位面與所述第二限位面均朝向所述端接面傾斜，所述第一限位面與所述第二限位面之間之夾角爲50~70°。
如請求項7所述之限位組件，其中，所述基座具有長度方向與垂直於所述長度方向之寬度方向，至少兩個所述限位柱之所述第一限位面與所述第二限位面朝向所述長度方向設置；<br/> 至少兩個所述限位柱之所述第一限位面與所述第二限位面朝向所述寬度方向設置。
如請求項1所述之限位組件，其中，所述限位組件還包括多個限位塊，所述限位塊間隔設置於所述基座以圍設形成限位空間，所述限位部設於所述限位空間內。
一種用於無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 決定與一站（STA）和一或多個存取點（AP）之間的至少一個鏈路相關的至少一個網路度量；<br/> 決定與在該STA上操作的至少一個應用相關的至少一個連接參數；<br/> 至少部分地基於該至少一個網路度量和該至少一個連接參數來選擇多鏈路操作的多種模式中的一者，其中：<br/> 多鏈路操作的該模式包括一多鏈路模式與一單鏈路模式，在該多鏈路模式下，該STA同時經由至少一第一鏈路和一第二鏈路並基於一相同無線技術操作，在該單鏈路模式下，該STA經由該第一鏈路或該第二鏈路中的一者操作；及<br/> 與該至少一個鏈路相關的該至少一個網路度量包括該第一鏈路的一第一壅塞度量和該第二鏈路的一第二壅塞度量；<br/> 至少部分地基於該第一壅塞度量和該第二壅塞度量來決定一複合度量，其中選擇該模式包括以下步驟：<br/> 當該複合度量小於一複合閥值位準時，選擇該單鏈路模式；及<br/> 當該複合度量處於或超過該複合閥值位準時，選擇該多鏈路模式；及<br/> 根據所選擇的多鏈路操作的該模式來與該一或多個AP進行通訊。
根據請求項1之方法，其中與該至少一個鏈路相關的該至少一個網路度量包括該第一鏈路的一輸送量位準，並且其中與該至少一個應用相關的該至少一個連接參數包括一第一應用的一輸送量閥值位準，其中選擇該多鏈路操作的該模式亦包括以下步驟：<br/> 當該第一鏈路的該輸送量位準處於或超過該第一應用的該輸送量閥值位準時，選擇該多鏈路操作的該單鏈路模式；及<br/> 當該第一鏈路的該輸送量位準小於該第一應用的該輸送量閥值位準時，選擇該多鏈路操作的該多鏈路模式。
根據請求項1之方法，其中與該至少一個鏈路相關的該至少一個網路度量包括該第一鏈路的一第一輸送量位準和該第二鏈路的一第二輸送量位準，並且其中與該至少一個應用相關的該至少一個連接參數包括一第一應用的一輸送量閥值位準，其中選擇該多鏈路操作的該模式亦包括以下步驟：<br/> 當該第一輸送量位準處於或超過該輸送量閥值位準時，選擇經由該第一鏈路的該多鏈路操作的該單鏈路模式；<br/> 當該第一輸送量位準小於該第一應用的該輸送量閥值位準並且該第二輸送量位準超過該輸送量閥值位準時，選擇經由該第二鏈路的該多鏈路操作的該單鏈路模式；及<br/> 當該第一輸送量位準和該第二輸送量位準小於該輸送量閥值位準時，選擇該多鏈路操作的該多鏈路模式。
根據請求項1之方法，其中與該至少一個鏈路相關的該至少一個網路度量包括該第一鏈路的一第一時延位準和該第二鏈路的一第二時延位準，並且其中與該至少一個應用相關的該至少一個連接參數包括一第一應用的一時延閥值位準，其中選擇該多鏈路操作的該模式亦包括以下步驟：<br/> 當該第一時延位準處於或低於該時延閥值位準時，選擇經由該第一鏈路的該多鏈路操作的該單鏈路模式；<br/> 當該第一時延位準超過該時延閥值位準並且該第二時延位準處於或低於該時延閥值位準時，選擇經由該第二鏈路的該多鏈路操作的該單鏈路模式；及<br/> 當該第一時延位準和該第二時延位準超過該時延閥值位準時，選擇該多鏈路操作的該多鏈路模式。
根據請求項1之方法，其中：<br/> 與該至少一個鏈路相關的該至少一個網路度量包括與至少該第一鏈路和該第二鏈路相關的一組合網路度量。
根據請求項1之方法，其中選擇該多鏈路操作的該模式亦包括以下步驟：<br/> 至少部分地基於該至少一個連接參數來偵測一網路條件；及<br/> 至少部分地基於該網路條件的一存在來切換該多鏈路操作的一操作模式。
根據請求項6之方法，其中切換該操作模式包括以下步驟：<br/> 當該第一鏈路具有該網路條件並且該第二鏈路不具有該網路條件時，將該操作模式從該多鏈路模式切換到該單鏈路模式。
根據請求項6之方法，亦包括以下步驟：<br/> 決定該網路條件持續達一持續時間，其中切換該操作模式還是至少部分地基於該網路條件持續達該持續時間的。
根據請求項6之方法，其中該網路條件包括以下各項中的至少一項：一時延要求、一信標未命中數量高於一信標未命中閥值、或一訊號強度值低於一訊號強度閥值。
根據請求項1之方法，其中選擇該多鏈路操作的該模式亦包括以下步驟：<br/> 選擇經由該第一鏈路的該多鏈路操作的該單鏈路模式，其中與該至少一個鏈路相關的該至少一個網路度量是該第一鏈路的一第一網路度量；<br/> 決定該第一網路度量處於或超過一閥值位準；<br/> 至少部分地基於決定該第一網路度量處於或超過該閥值位準來決定該多鏈路操作的該第二鏈路的一第二網路度量；及<br/> 至少部分地基於該第二鏈路的該第二網路度量來決定是否切換為經由該第二鏈路在該多鏈路操作的該單鏈路模式下操作。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟：<br/> 至少部分地基於該選擇來經由該第一鏈路在該多鏈路操作的該單鏈路模式下操作；<br/> 決定與該第二鏈路相關的一可靠性位準；及<br/> 至少部分地基於與該第二鏈路相關的該可靠性位準來選擇經由該第二鏈路的該多鏈路操作的該單鏈路模式或該多鏈路操作的該多鏈路模式。
根據請求項11之方法，亦包括以下步驟：<br/> 決定與該第一鏈路相關的一可靠性位準低於一可靠性閥值，其中決定與該第二鏈路相關的該可靠性位準是至少部分地基於該可靠性閥值的。
根據請求項1之方法，其中與該至少一個鏈路相關的該至少一個網路度量包括該第一鏈路的一壅塞位準或該第一鏈路的一時延位準。
根據請求項1之方法，其中決定該至少一個網路度量亦包括以下步驟：<br/> 估計至少該第一鏈路和該第二鏈路的一壅塞位準。
根據請求項1之方法，其中選擇該多鏈路操作的模式亦包括以下步驟：<br/> 至少部分地基於偵測到一外部觸發來選擇在該多鏈路模式還是該單鏈路模式下操作。
根據請求項15之方法，其中基於偵測到該外部觸發來選擇在該多鏈路模式還是該單鏈路模式下操作包括以下步驟：<br/> 基於偵測到以下各項中的至少一項來選擇在該多鏈路模式下操作：從一非多鏈路操作AP漫遊到一多鏈路操作AP、使用一高輸送量應用、使用一低時延應用、對一低或超低時延模式的一指示、一傳輸控制協定訊窗大小的一增加、回載網路容量的一增加、或電池電量超過一閥值；及<br/> 基於偵測到以下各項中的至少一項來選擇在該單鏈路模式下操作：從一多鏈路操作AP漫遊到一非多鏈路操作AP、使用一低輸送量應用、使用一高時延應用、一傳輸控制協定訊窗大小的一減小、回載網路容量的一減小、或電池電量低於閥值。
一種用於無線通訊的裝置，包括：<br/> 至少一個處理器；<br/> 記憶體，其與該至少一個處理器耦合；及<br/> 指令，其被儲存在該記憶體中，並且可由該至少一個處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 決定與一站（STA）和一或多個存取點（AP）之間的至少一個鏈路相關的至少一個網路度量；<br/> 決定與在該STA上操作的至少一個應用相關的至少一個連接參數；<br/> 至少部分地基於該至少一個網路度量和該至少一個連接參數來選擇多鏈路操作的多種模式中的一者，其中：<br/> 多鏈路操作的該模式包括一多鏈路模式與一單鏈路模式，在該多鏈路模式下，該STA經由同時一第一鏈路和一第二鏈路並基於一相同無線技術操作，在該單鏈路模式下，該STA經由該第一鏈路或該第二鏈路中的一者操作；及<br/> 與該至少一個鏈路相關的該至少一個網路度量包括該第一鏈路的一第一壅塞度量和該第二鏈路的一第二壅塞度量；<br/> 至少部分地基於該第一壅塞度量和該第二壅塞度量來決定一複合度量，其中選擇該模式包括以下步驟：<br/> 當該複合度量小於一複合閥值位準時，選擇該單鏈路模式；及<br/> 當該複合度量處於或超過該複合閥值位準時，選擇該多鏈路模式；及<br/> 根據所選擇的多鏈路操作的模式來與該一或多個AP進行通訊。
根據請求項17之裝置，其中該等用於選擇該多鏈路操作的該模式的指令亦可由該至少一個處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 當該第一鏈路的一輸送量位準處於或超過一第一應用的一輸送量閥值位準時，選擇該多鏈路操作的該單鏈路模式；及<br/> 當該第一鏈路的該輸送量位準小於該一第一應用的該輸送量閥值位準時，選擇該多鏈路操作的該多鏈路模式。
根據請求項17之裝置，其中該等用於選擇該多鏈路操作的該模式的指令亦可由該至少一個處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 當一第一輸送量位準處於或超過該輸送量閥值位準時，選擇經由該第一鏈路的該多鏈路操作的該單鏈路模式；<br/> 當該第一輸送量位準小於一第一應用的該輸送量閥值位準並且一第二輸送量位準超過該輸送量閥值位準時，選擇經由該第二鏈路的該多鏈路操作的該單鏈路模式；及<br/> 當該第一輸送量位準和該第二輸送量位準小於該輸送量閥值位準時，選擇該多鏈路操作的該多鏈路模式。
根據請求項17之裝置，其中該等用於選擇該多鏈路操作的該模式的指令亦可由該至少一個處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 當一第一時延位準處於或低於一時延閥值位準時，選擇經由該第一鏈路的該多鏈路操作的該單鏈路模式；<br/> 當該第一時延位準超過該時延閥值位準並且一第二時延位準處於或低於該時延閥值位準時，選擇經由該第二鏈路的該多鏈路操作的該單鏈路模式；及<br/> 當該第一時延位準和該第二時延位準超過該時延閥值位準時，選擇該多鏈路操作的該多鏈路模式。
根據請求項17之裝置，其中：<br/> 與該至少一個鏈路相關的該至少一個網路度量包括與至少該第一鏈路和該第二鏈路相關的一組合網路度量，<br/> 至少部分地基於該組合網路度量來辨識該STA將在該多鏈路操作的哪種模式下操作。
根據請求項17之裝置，其中該等用於選擇該多鏈路操作的該模式的指令亦可由該至少一個處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 至少部分地基於該至少一個連接參數來偵測一網路條件；及<br/> 至少部分地基於該網路條件的一存在來切換該多鏈路模式的一操作模式。
根據請求項22之裝置，其中該等用於切換該操作模式的指令可由該至少一個處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 當該第一鏈路具有該網路條件並且該第二鏈路不具有該網路條件時，將該操作模式從該多鏈路模式切換到該單鏈路模式。
根據請求項22之裝置，其中該等指令亦可由該至少一個處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 決定該網路條件持續達一持續時間，其中切換該操作模式還是至少部分地基於該網路條件持續達該持續時間的。
根據請求項22之裝置，其中該網路條件包括以下各項中的至少一項：一時延要求、一信標未命中數量高於一信標未命中閥值、或一訊號強度值低於一訊號強度閥值。
根據請求項17之裝置，其中該等用於選擇該多鏈路操作的該模式的指令亦可由該至少一個處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 選擇經由該第一鏈路的該多鏈路操作的該單鏈路模式，其中與該至少一個鏈路相關的該至少一個網路度量是該第一鏈路的一第一網路度量；<br/> 決定該第一網路度量處於或超過一閥值位準；<br/> 至少部分地基於決定該第一網路度量處於或超過該閥值位準來決定該多鏈路操作的該第二鏈路的一第二網路度量；及<br/> 至少部分地基於該第二鏈路的該第二網路度量來決定是否切換為經由該第二鏈路在該多鏈路操作的該單鏈路模式下操作。
根據請求項17之裝置，其中該等指令亦可由至少一個該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 至少部分地基於該選擇來經由該第一鏈路在該多鏈路操作的該單鏈路模式下操作；<br/> 決定與該第二鏈路相關的一可靠性位準；及<br/> 至少部分地基於與該第二鏈路相關的該可靠性位準來選擇經由該第二鏈路的該多鏈路操作的該單鏈路模式或該多鏈路操作的該多鏈路模式。
根據請求項27之裝置，其中該等指令亦可由該至少一個處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 決定與該第一鏈路相關的一可靠性位準低於一可靠性閥值，其中決定與該第二鏈路相關的該可靠性位準是至少部分地基於該可靠性閥值的。
根據請求項17之裝置，其中與該至少一個鏈路相關的該至少一個網路度量包括該第一鏈路的一壅塞位準或該第一鏈路的一時延位準。
根據請求項17之裝置，其中該等用於決定該至少一個網路度量的指令亦可由該至少一個處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 估計至少該第一鏈路和該第二鏈路的一壅塞位準。
一種用於無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 決定與一站（STA）和一或多個存取點（AP）之間的至少一個鏈路相關的至少一個網路度量，其中與該至少一個鏈路相關的該至少一個網路度量包括該第一鏈路的一第一時延位準和該第二鏈路的一第二時延位準；<br/> 決定與在該STA上操作的至少一個應用相關的至少一個連接參數，其中與該至少一個應用相關的該至少一個連接參數包括一第一應用的一時延閥值位準；<br/> 至少部分地基於該至少一個網路度量和該至少一個連接參數來選擇多鏈路操作的多種模式中的一者，其中：<br/> 多鏈路操作的該模式包括一多鏈路模式與一單鏈路模式，在該多鏈路模式下，該STA同時經由至少一第一鏈路和一第二鏈路並基於一相同無線技術操作，在該單鏈路模式下，該STA經由該第一鏈路或該第二鏈路中的一者操作；及<br/> 選擇該多鏈路操作的該模式包括以下步驟：<br/> 當該第一時延位準處於或低於該時延閥值位準時，選擇在該第一鏈路上的該多鏈路操作的該單鏈路模式；<br/> 當該第一時延位準超過該時延閥值位準並且該第二時延位準處於或低於該時延閥值位準時，選擇在該第二鏈路上的該多鏈路操作的該單鏈路模式；及<br/> 當該第一時延位準和該第二時延位準超過該時延閥值位準時，選擇該多鏈路操作的該多鏈路模式；及<br/> 根據所選擇的多鏈路操作的模式來與該一或多個AP進行通訊。
一種用於無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 決定與一站（STA）和一或多個存取點（AP）之間的至少一個鏈路相關的至少一個網路度量；<br/> 決定與在該STA上操作的至少一個應用相關的至少一個連接參數；<br/> 至少部分地基於該至少一個網路度量和該至少一個連接參數來選擇多鏈路操作的多種模式中的一者，其中：<br/> 選擇該多鏈路操作的該模式包括以下步驟：至少部分地基於該至少一個連接參數來偵測一網路條件以及至少部分地基於該網路條件的一存在來切換該多鏈路操作的一操作模式，該選擇包括以下步驟：當該第一鏈路具有該網路條件並且該第二鏈路不具有該網路條件時，將該操作模式從該多鏈路模式切換到該單鏈路模式；及<br/> 多鏈路操作的該模式包括一多鏈路模式與一單鏈路模式，在該多鏈路模式下，該STA同時經由至少一第一鏈路和一第二鏈路並基於一相同無線技術操作，在該單鏈路模式下，該STA經由該第一鏈路或該第二鏈路中的一者操作；及<br/> 根據所選擇的多鏈路操作的模式來與該一或多個AP進行通訊。
根據請求項32之方法，亦包括以下步驟：<br/> 決定該網路條件持續達一持續時間，其中切換該操作模式還是至少部分地基於該網路條件持續達該持續時間的。
根據請求項32之方法，其中該網路條件包括以下各項中的至少一項：一時延要求、一信標未命中數量高於一信標未命中閥值、或一訊號強度值低於一訊號強度閥值。
一種式(I)之化合物或其藥學上可接受之鹽 <br/><img align="absmiddle" height="353px" width="567px" file="ed10032.jpg" alt="ed10032.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中<b>R<sub>1</sub></b>是 <br/><img align="absmiddle" height="258px" width="222px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中<b>A</b>是氫原子或(C<sub>1-6</sub>)烷基，及 <br/>其中任何<b>Q</b>彼此獨立地是氮原子或CH， <br/>其中<b>R<sub>2</sub></b>是 <br/><img align="absmiddle" height="187px" width="265px" file="ed10034.jpg" alt="ed10034.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其藥學上可接受之鹽，其中<b>A</b>是選自由下列所組成之群組的(C<sub>1-3</sub>)烷基：甲基、乙基、1-丙基、2-丙基、及環丙基。
如請求項1或2之化合物或其藥學上可接受之鹽，其中該化合物是式(II)之化合物 <br/><img align="absmiddle" height="398px" width="547px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中<b>A</b>與<b>Q</b>係如請求項1所定義。
如請求項1之化合物或其藥學上可接受之鹽，其係選自由式(III)、(IV)與(V)之化合物所組成的群組： <br/><img align="absmiddle" height="776px" width="1184px" file="ed10036.jpg" alt="ed10036.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>
如請求項1之化合物或其藥學上可接受之鹽，其係二鹽酸鹽形式。
如請求項1之化合物或其藥學上可接受之鹽，其係用作為藥物。
如請求項1之化合物或其藥學上可接受之鹽，其係用於治療與預防由細菌媒介之疾病。
如請求項7之用途的化合物或其藥學上可接受之鹽，其中該疾病是細菌感染。
如請求項7或8之用途的化合物或其藥學上可接受之鹽，其中該疾病是由選自由下列所組成之群組的細菌媒介： <br/> - 革蘭氏陽性菌，其包括： <br/> ˙葡萄球菌， <br/> ˙鏈球菌， <br/> ˙腸球菌， <br/> ˙梭狀芽胞桿菌， <br/> ˙消化鏈球菌， <br/> ˙丙酸桿菌， <br/> ˙及李斯特單胞菌、遲緩真桿菌(<i>Eubacterium lentum</i>)、大芬戈爾德菌(<i>Finegoldia magna</i>)、普氏厭氧球菌(<i>Anaerococcus prevotii</i>)、與不解糖嗜腖菌(<i>Peptoniphilus assaccharolyticus</i>)， <br/> 及 <br/> - 革蘭氏陰性菌，其包括： <br/> ˙莫拉菌(Moraxella)， <br/> ˙嗜血桿菌， <br/> ˙披衣菌， <br/> ˙奈瑟氏球菌， <br/> ˙黴漿菌屬， <br/> ˙梭桿菌， <br/> ˙普雷沃菌屬， <br/> ˙吡咯單胞菌屬， <br/> ˙退伍軍人症桿菌， <br/> ˙螺旋體， <br/> ˙及脆弱類桿菌、與魯氏不動桿菌(<i>Acinetobacter lwoffii</i>)。
如請求項7或8之用途的化合物或其藥學上可接受之鹽，其中該疾病係由選自由葡萄球菌與鏈球菌所組成之群組的細菌媒介。
如請求項7或8之用途的化合物或其藥學上可接受之鹽，其中該疾病係由對樂法木靈(Lefamulin)有抗性之細菌媒介。
如請求項7或8之用途的化合物或其藥學上可接受之鹽，其中該疾病係選自由下列所組成之群組： <br/> ˙呼吸道感染， <br/> ˙皮膚與/或軟組織感染， <br/> ˙全身感染， <br/> ˙人工關節感染， <br/> ˙性傳染病(STI)， <br/> ˙痤瘡， <br/> ˙萊姆病與回歸熱。
一種藥學藥物組成物，其包含如請求項1至5中任一項之化合物與至少一種相關的藥學賦形劑。
如請求項13之藥學藥物組成物，其額外包含另一種藥物活性劑。
一種如請求項1至5中任一項之化合物或其藥學上可接受之鹽在製備治療或預防由細菌媒介之疾病的藥物之用途。
一種凝膠組合物，其包含下述成分(A)～(C)及硫酸根離子， <br/>上述硫酸根離子相對於上述凝膠組合物中所含之鋁離子之莫耳比(SO<sub>4</sub><sup>2-</sup>/Al<sup>3+</sup>)為0.13以上0.27以下， <br/>上述成分(B)相對於上述成分(A)之質量比((B)/(A))為0.020以上0.050以下， <br/>上述成分(A)包含具有羧基之聚乙烯醇， <br/>(A)陰離子化聚合物 <br/>(B)鋁鹽 <br/>(C)水。
如請求項1之凝膠組合物，其中上述陰離子化聚乙烯醇之皂化度為90莫耳%以上。
如請求項1或2之凝膠組合物，其中上述成分(B)為水溶性。
如請求項1或2之凝膠組合物，其中上述成分(C)相對於上述成分(A)之質量比((C)/(A))為1.0以上20.0以下。
如請求項1或2之凝膠組合物，其中上述成分(A)之含量為1.0質量%以上30.0質量%以下。
如請求項1或2之凝膠組合物，其中上述成分(B)之含量為0.01質量%以上10.0質量%以下。
一種皮膚外用劑，其包含如請求項1至6中任一項之凝膠組合物。
一種凝膠組合物之形成方法，其包括藉由將下述成分(A)～(C)及硫酸根離子於使用前進行混合而凝膠化之步驟， <br/>上述硫酸根離子相對於上述凝膠組合物中所含之鋁離子之莫耳比(SO<sub>4</sub><sup>2-</sup>/Al<sup>3+</sup>)為0.13以上0.27以下， <br/>上述成分(B)相對於上述成分(A)之質量比((B)/(A))為0.020以上0.050以下， <br/>上述成分(A)包含具有羧基之聚乙烯醇， <br/>(A)陰離子化聚合物 <br/>(B)鋁鹽 <br/>(C)水。
一種多環芳香族化合物，其特徵在於：為藉由使用激發光而呈現於峰值波長為500 nm以上且750 nm以下的區域中所觀測到的發光、最高佔據分子軌道能階為-6.0 eV以下、且放出延遲螢光的化合物， <br/>所述多環芳香族化合物為通式（1）或通式（2）所表示的化合物， <br/><br/><img align="absmiddle" height="66px" width="256px" file="ed10012.jpg" alt="ed10012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>環Za、環Zb及環Zc分別獨立地為經取代或未經取代的環形成碳數6～30的芳基環、或者經取代或未經取代的環形成碳數6～30的雜芳基環；Z<sup>1</sup>及Z<sup>2</sup>分別獨立地為NRa（具有取代基Ra的氮原子）；Z<sup>1</sup>的取代基Ra與環Za或環Zb鍵結而形成環；Z<sup>2</sup>的取代基Ra與環Za或環Zc鍵結而形成環；E為硼原子；E<sup>1</sup>及E<sup>2</sup>分別獨立地為BRa（具有取代基Ra的硼原子）；E<sup>1</sup>的取代基Ra與環Za或環Zb鍵結而形成環；E<sup>2</sup>的取代基Ra與環Za或環Zc鍵結而形成環；取代基Ra分別獨立地為經取代或未經取代的芳基或者經取代或未經取代的雜芳基， <br/>所述通式（1）或所述通式（2）所表示的化合物具有至少一個拉電子基，所述拉電子基為吡啶基、氰基、醯基、含氟酯基、醯胺基、磺醯基、磺酸酯基或磺醯胺基。
如請求項1所述的多環芳香族化合物，其中所述多環芳香族化合物的最高佔據分子軌道能階為-6.2 eV以下。
如請求項1所述的多環芳香族化合物，其中所述多環芳香族化合物的最高佔據分子軌道能階為-6.5 eV以下。
如請求項1至請求項3中任一項所述的多環芳香族化合物，其中所述多環芳香族化合物的發光峰值波長下的發光光譜的半值寬為40 nm以下。
如請求項1至請求項3中任一項所述的多環芳香族化合物，其中所述通式（1）或所述通式（2）所表示的化合物具有兩個以上的拉電子基。
如請求項1至請求項3中任一項所述的多環芳香族化合物，其中所述環Za、所述環Zb及所述環Zc為苯環。
如請求項1至請求項3中任一項所述的多環芳香族化合物，其中所述多環芳香族化合物藉由使用激發光而呈現於峰值波長為500 nm以上且小於580 nm的區域中所觀測到的發光。
如請求項1至請求項3中任一項所述的多環芳香族化合物，其中所述多環芳香族化合物藉由使用激發光而呈現於峰值波長為580 nm以上且750 nm以下的區域中所觀測到的發光。
一種顏色轉換組成物，為將入射光轉換成與所述入射光不同的光的顏色轉換組成物，其特徵在於包括： <br/>如請求項1至請求項8中任一項所述的多環芳香族化合物；以及 <br/>黏合劑樹脂。
一種顏色轉換片，為將入射光轉換成與所述入射光不同的光的顏色轉換片，其特徵在於包括： <br/>如請求項1至請求項8中任一項所述的多環芳香族化合物；以及 <br/>黏合劑樹脂。
如請求項10所述的顏色轉換片，進而具有阻擋膜。
一種光源單元，其特徵在於包括： <br/>光源；以及 <br/>如請求項10或請求項11所述的顏色轉換片。
如請求項12所述的光源單元，其中所述光源為於波長430 nm以上且500 nm以下的範圍內具有最大發光的發光二極體。
一種顯示器，其特徵在於包括：如請求項10或請求項11所述的顏色轉換片。
一種照明裝置，其特徵在於包括：如請求項10或請求項11所述的顏色轉換片。
一種外裝材，其特徵在於， <br/>安裝於具有容器本體的容器的前述容器本體的外周面來使用， <br/>由具有紙類材料的毛坯材料形成， <br/>具有向與前述外周面相對的相對面側突出且具有基端部和前端部的複數個凸部， <br/>至少一部分的前述凸部具有構成前述紙類材料的纖維的密度比前述基端部中的前述密度小的低密度部， <br/>前述前端部中構成前述紙類材料的前述纖維的密度比前述低密度部的前述纖維的密度高， <br/>在前述前端部形成有將前述外周面的至少一部分遮蔽的遮蔽部。
如請求項1所述之外裝材，其中， <br/>前述低密度部具有構成前述紙類材料的前述纖維的密度從前述前端部朝向前述基端部變小的部分。
如請求項1或2所述之外裝材，其中， <br/>前述低密度部以將前述凸部的前述前端部的周圍包圍的方式形成。
如請求項1或2所述之外裝材，其中， <br/>前述低密度部具有構成前述紙類材料的前述纖維的密度從前述基端部朝向前述前端部變小的部分。
如請求項1或2所述之外裝材，其中， <br/>前述低密度部中，構成前述紙類材料的前述纖維的密度從前述前端部朝向前述基端部變小的部分、和構成前述紙類材料的前述纖維的密度從前述基端部朝向前述前端部變小的部分是相連的。
如請求項1或2所述之外裝材，其中， <br/>在前述凸部，在前述前端部與前述基端部之間形成有狹縫部。
如請求項1或2所述之外裝材，其中， <br/>在前述前端部形成有平坦面。
如請求項1或2所述之外裝材，其具有： <br/>由前述凸部構成的第1凸部；和 <br/>至少將不同的兩個前述第1凸部相連的第2凸部， <br/>前述第2凸部向與前述外周面相對的前述相對面側突出， <br/>前述第2凸部的高度比前述第1凸部低。
如請求項8所述之外裝材，其中， <br/>前述第2凸部將相鄰的兩個前述第1凸部相連， <br/>由前述第1凸部以及與該第1凸部相連的前述第2凸部的組合形成的組合構造部連續形成。
如請求項1或2所述之外裝材，其中， <br/>在不與前述外周面相對的非相對面側積層有保護材料。
如請求項1或2所述之外裝材，其中， <br/>前述凸部為凸狀壓花部。
如請求項1或2所述之外裝材，其中， <br/>前述低密度部以裂縫狀形成於前述凸部的從前述基端部至前述前端部之間的位置。
如請求項1或2所述之外裝材，其中， <br/>前述凸部在不與前述外周面相對的非相對面側形成有凹面。
如請求項1或2所述之外裝材，其中， <br/>至少一部分的前述凸部具有黏接劑。
如請求項1或2所述之外裝材，其作為安裝於前述外周面的套筒來使用。
一種容器，其中， <br/>如請求項1至15中任一項所述之外裝材安裝於前述容器本體的前述外周面。
一種容器與外裝材之組合，其具備： <br/>具有容器本體的容器；和 <br/>如請求項1至15中任一項所述之外裝材。
一種安裝構件，包含： <br/>夾在中間的部分，其被建構成被定位在夾持器和車把之間，以將操作裝置安裝於該車把； <br/>第一肋，其被連接於該夾在中間的部分且被建構成接觸該夾持器的第一外側壁，以限制該安裝構件和該夾持器之間於第一方向上的相對移動；及 <br/>第二肋，其被連接於該夾在中間的部分且被建構成接觸該夾持器的第二外側壁，以限制該安裝構件和該夾持器之間於第二方向上的相對移動，該第二外側壁相反於該第一外側壁，且該第二方向相反於該第一方向。
如請求項1所述的安裝構件，其中 <br/>該夾在中間的部分被建構成可相對於該夾持器在繞著該車把的周圍方向上調整。
如請求項1或2所述的安裝構件，其中 <br/>該夾在中間的部分包括外彎曲接觸表面，該外彎曲接觸表面被建構成接觸該夾持器的彎曲夾持表面。
如請求項1或2所述的安裝構件，其中 <br/>該夾在中間的部分包括內彎曲接觸表面，該內彎曲接觸表面被建構成接觸該車把。
如請求項1或2所述的安裝構件，其中 <br/>該第一肋及該第二肋是平行的。
如請求項1或2所述的安裝構件，其中 <br/>該第一肋是彎曲的肋。
如請求項1或2所述的安裝構件，其中 <br/>該第二肋是彎曲的肋。
如請求項1或2所述的安裝構件，還包含 <br/>連接部分，其以該夾在中間的部分以外之方式連接該第一肋及該第二肋，該連接部分與該夾在中間的部分隔開。
如請求項1或2所述的安裝構件，還包含 <br/>橋接部分，其被建構成延伸跨過該夾持器的兩端部之間所形成的間隙，該兩端部藉由迫緊構件而被移動成在一起。
如請求項1或2所述的安裝構件，還包含 <br/>抵靠部及凹部中的一者，其被建構成接合該夾持器的抵靠部及凹部中的另一者，以將該安裝構件相對於該夾持器定位。
如請求項10所述的安裝構件，其中 <br/>該安裝構件的該抵靠部及該凹部中的該一者及該夾持器的該抵靠部及該凹部中的該另一者被建構成允許該安裝構件和該夾持器之間相對於該車把的相對周圍移動。
如請求項1或2所述的安裝構件，其中 <br/>該第一肋及該第二肋以等於或稍微大於該第一外側壁和該第二外側壁之間的距離之距離相對於該車把的軸向方向被隔開。
如請求項1或2所述的安裝構件，其中 <br/>該第一肋及該第二肋以大於該第一外側壁和該第二外側壁之間的距離之距離相對於該車把的軸向方向被隔開，以致該夾在中間的部分被建構成可相對於該夾持器在該車把的該軸向方向上調整。
一種操作裝置，包含： <br/>外殼； <br/>如請求項1至13中任一項所述的安裝構件，該安裝構件將該外殼安裝於該車把；及 <br/>使用者作動輸入器，其以可相對於該外殼從靜置位置朝向操作位置移動之方式被配置。
如請求項14所述的操作裝置，其中 <br/>該安裝構件包含附接部分，該附接部分被附接於該外殼。
如請求項14或15所述的操作裝置，還包含 <br/>絲線捲繞器，其以可相對於該外殼在第一方向及相反於該第一方向的第二方向上移動之方式被設置。
如請求項16所述的操作裝置，還包含 <br/>定位棘輪，其以可相對於該外殼在該第一方向及該第二方向上移動之方式被設置，該定位棘輪包括複數個棘輪齒，該絲線捲繞器被設置於該定位棘輪。
一種組件總成，其包含如請求項14至17中任一項所述的操作裝置，該組件總成還包含： <br/>附加操作裝置，其被建構成被耦接於該安裝構件，該附加操作裝置包含該夾持器。
如請求項18所述的組件總成，其中 <br/>該附加操作裝置是制動操作裝置。
一種控制裝置，其控制透過複數個彈性要素連接於被驅動體並驅動該被驅動體的馬達，前述控制裝置具備：<br/> 指令生成部，其生成用以使前述馬達以加速的方式動作的指令；<br/> 補正量運算部，其執行補正量運算處理，前述補正量運算處理是根據表示前述彈性要素的彈性的彈性參數，來求出前述指令的補正量；及<br/> 階段檢測部，其檢測出已從第1階段往第2階段轉移，前述第1階段是前述馬達因應前述指令而發生的驅動力作用在第1前述彈性要素之階段，前述第2階段是該驅動力經由該第1彈性要素而作用在第2前述彈性要素之階段；<br/> 前述補正量運算部是於檢測到從前述第1階段往前述第2階段的轉移時，將要執行的前述補正量運算處理，從根據前述第1彈性要素的第1前述彈性參數之第1前述補正量運算處理，切換成根據前述第2彈性要素的第2前述彈性參數及前述第1彈性參數之第2前述補正量運算處理。
如請求項1之控制裝置，其進一步具備變化取得部，前述變化取得部取得表示前述驅動力的力參數相對於時間的變化程度，<br/> 前述階段檢測部是於前述變化取得部所取得之前述變化程度超過預先決定的基準時，檢測出已從前述第1階段往前述第2階段轉移。
如請求項2之控制裝置，其中前述力參數具有前述指令、或因應該指令而使前述馬達動作時所供給的反饋，<br/> 前述指令具有規定前述驅動力的扭矩指令、或規定前述馬達的加速度的加速度指令，<br/> 前述反饋具有對應於前述驅動力的力反饋、對應於前述加速度的加速度反饋、或表示供給至前述馬達的電流的電流反饋。
如請求項2或3之控制裝置，其中前述變化取得部取得前述力參數的斜率來作為前述變化程度。
如請求項1之控制裝置，其進一步具備動作量取得部，前述動作量取得部取得從前述馬達按照前述指令而開始動作的時間點起之該馬達的動作量，<br/> 前述階段檢測部是於前述動作量達到預先決定的閾值時，檢測出已從前述第1階段往前述第2階段轉移。
如請求項1之控制裝置，其進一步具備經過時間取得部，前述經過時間取得部取得從前述馬達按照前述指令而開始動作的時間點起的經過時間，<br/> 前述階段檢測部是於前述經過時間達到預先決定的閾值時，檢測出已從前述第1階段往前述第2階段轉移。
如請求項1至3中任一項之控制裝置，其中前述指令生成部生成用以使前述馬達的動作方向反轉之後再將該馬達加速的前述指令。
如請求項1至3中任一項之控制裝置，其中前述彈性參數具有前述彈性要素的彈簧常數，<br/> 前述補正量運算部是於前述第1補正量運算處理中，利用前述第1彈性要素的第1前述彈簧常數、及表示前述驅動力的力參數，來求出關於前述第1彈性要素的第1前述補正量。
如請求項8之控制裝置，其中前述補正量運算部是於前述第2補正量運算處理中，<br/> 求出前述第1補正量，並且利用前述第2彈性要素的第2前述彈簧常數及前述力參數，來求出關於前述第2彈性要素的第2前述補正量，<br/> 求出前述第1補正量及前述第2補正量的和，來作為關於前述第1彈性要素及前述第2彈性要素的第3前述補正量。
如請求項8之控制裝置，其中前述補正量運算部是於前述第2補正量運算處理中，利用前述第1彈性要素的第1前述彈簧常數與前述第2彈性要素的第2前述彈簧常數的合成彈簧常數、及前述力參數，來求出關於前述第1彈性要素及前述第2彈性要素的第2前述補正量。
如請求項1至3中任一項之控制裝置，其中前述指令具有規定前述被驅動體的位置的位置指令，<br/> 前述補正量運算部求出用以補正前述位置指令的前述補正量。
一種產業機械系統，其具備：<br/> 被驅動體；<br/> 馬達，其透過複數個彈性要素連接於前述被驅動體，並驅動該被驅動體；及<br/> 如請求項1至11中任一項之控制裝置。
一種馬達的控制方法，其控制透過複數個彈性要素連接於被驅動體並驅動該被驅動體的馬達，<br/> 處理器會：<br/> 生成用以使前述馬達以加速的方式動作的指令，<br/> 執行補正量運算處理，前述補正量運算處理是根據表示前述彈性要素的彈性的彈性參數，來求出前述指令的補正量，<br/> 檢測出已從第1階段往第2階段轉移，前述第1階段是前述馬達因應前述指令而發生的驅動力作用在第1前述彈性要素之階段，前述第2階段是該驅動力經由該第1彈性要素而作用在第2前述彈性要素之階段，<br/> 於檢測到從前述第1階段往前述第2階段的轉移時，將要執行的前述補正量運算處理，從根據前述第1彈性要素的第1前述彈性參數之第1前述補正量運算處理，切換成根據前述第2彈性要素的第2前述彈性參數及前述第1彈性參數之第2前述補正量運算處理。
一種L-麥角硫因或其鹽之用途，其係用於製備用以抑制血中尿酸值上昇或降低血中尿酸值之組成物。
如請求項1之用途，其中前述組成物具有抑制血中尿素氮(BUN)值上昇或降低血中尿素氮值的作用。
如請求項1或2之用途，其中前述組成物具有抑制血中肌酸酐值上昇或降低血中肌酸酐值的作用。
如請求項1或2之用途，其中前述組成物係口服用組成物。
如請求項1或2之用途，其中前述組成物係飲食品。
一種由C<sub>9</sub><sup>+</sup>芳烴生產輕質芳烴的方法，包括在氫氣存在下使C<sub>9</sub><sup>+</sup>芳烴與脫烷基催化劑接觸進行脫烷基反應得到輕質芳烴，所述脫烷基催化劑包括KL沸石和負載於其上的鉑和改性金屬，其中所述改性金屬選自IIA族金屬和稀土金屬。
如請求項1所述的方法，其中所述脫烷基催化劑包括KL沸石和以KL沸石為基準計0.1-1.5質量%的鉑和0.02-4.0質量%的所述改性金屬。
如請求項1所述的方法，其中所述脫烷基催化劑包括KL沸石和以KL沸石為基準計0.3-1.2質量%的鉑和0.1-3.0質量%的所述改性金屬。
如請求項1-3中任一項所述的方法，其中所述脫烷基催化劑具有以下特徵中的一個或多個： <br/>所述IIA族金屬選自鋇和鈣； <br/>所述稀土金屬選自La、Ce、Gd、Y、Sm和Yb；和/或 <br/>所述KL沸石的平均晶粒直徑為0.1-2 μm。
如請求項1-3中任一項所述的方法，其中所述脫烷基反應的條件包括：溫度為350-490℃，壓力為0.1-4.0MPa，C<sub>9</sub><sup>+</sup>芳烴質量空速為1-20 h<sup>-1</sup>，氫氣/C<sub>9</sub><sup>+</sup>芳烴莫耳比為0.5-20:1。
如請求項1-3中任一項所述的方法，其中所述脫烷基反應的條件包括：溫度為450-480℃，壓力為0.1-2.0MPa，C<sub>9</sub><sup>+</sup>芳烴質量空速為1-10h<sup>-1</sup>，氫氣/C<sub>9</sub><sup>+</sup>芳烴莫耳比為1-10：1。
一種由包含C<sub>9</sub><sup>+</sup>鏈烷烴的原料生產輕質芳烴的方法，包括如下步驟： <br/>1）使包含C<sub>9</sub><sup>+</sup>鏈烷烴的原料在第一反應區中在氫氣存在下與脫氫催化劑接觸進行反應，使至少部分所述C<sub>9</sub><sup>+</sup>鏈烷烴發生脫氫環化得到C<sub>9</sub><sup>+</sup>芳烴，任選地對所得產物進行分離，得到包含C<sub>9</sub><sup>+</sup>芳烴的物流，其中所述脫氫催化劑包括氧化鋁和負載於其上的VIII族金屬，IVA族金屬，IA族金屬和鹵素； <br/>2）使步驟1）所得的包含C<sub>9</sub><sup>+</sup>芳烴的物流在第二反應區中在氫氣存在下與脫烷基催化劑接觸，使至少部分所述C<sub>9</sub><sup>+</sup>芳烴發生脫烷基反應得到輕質芳烴，其中所述脫烷基催化劑包括KL沸石和負載於其上的鉑和改性金屬，其中所述改性金屬選自IIA族金屬和稀土金屬。
如請求項7所述的方法，其中步驟2）所述的脫烷基催化劑包括KL沸石和以KL沸石為基準計0.1-1.5質量%的鉑和0.02-4.0質量%的所述改性金屬。
如請求項7所述的方法，其中步驟2）所述的脫烷基催化劑包括KL沸石和以KL沸石為基準計0.3-1.2質量%的鉑和0.1-3.0質量%的所述改性金屬。
如請求項7-9中任一項所述的方法，其中所述脫烷基催化劑具有以下特徵中的一個或多個： <br/>所述IIA族金屬選自鋇和鈣； <br/>所述稀土金屬選自La、Ce、Gd、Y、Sm和Yb；和/或 <br/>所述KL沸石的平均晶粒直徑為0.1-2 μm。
如請求項7-9中任一項所述的方法，其中： <br/>步驟1）所用的脫氫催化劑中，所述VIII族金屬選自鉑、鈀和銥，所述IVA族金屬選自錫、鍺和矽，所述IA族金屬選自鉀、鈉、銣和銫，所述鹵素選自氯、氟、溴和碘； <br/>步驟1）所述的脫氫催化劑包括氧化鋁載體和以氧化鋁載體為基準計0.1-2.0質量%的VIII族金屬，0.1-2.0質量%的IVA族金屬，0.01-0.2質量%的IA族金屬和0.3-5質量%的鹵素。
如請求項11所述的方法，其中步驟1）所述的脫氫催化劑包括氧化鋁載體和以氧化鋁載體為基準計0.1-1.0質量%的VIII族金屬，0.1-1.0質量%的IVA族金屬，0.02-0.1質量%的IA族金屬和0.5-1.5質量%的鹵素。
如請求項11所述的方法，其中所述的氧化鋁載體為γ-氧化鋁載體，以氧化鋁載體為基準計，所述脫氫催化劑的鉑含量為0.1-1.0質量%，錫含量為0.1-1.0質量%，鉀含量為0.02-0.1質量%，氯含量為0.5-1.5質量%。
如請求項7-9中任一項所述的方法，其中步驟1）的反應條件包括：反應溫度為400-500℃，反應壓力為0.1-4.0MPa，所述包含C<sub>9</sub><sup>+</sup>鏈烷烴的原料的質量空速為1-50h<sup>-1</sup>，氫氣/烴莫耳比為0.5-20:1。
如請求項7-9中任一項所述的方法，其中步驟1）的反應條件包括：反應溫度為450-480℃，反應壓力為0.1-2.0MPa，所述包含C<sub>9</sub><sup>+</sup>鏈烷烴的原料的質量空速為1-10h<sup>-1</sup>，氫氣/烴莫耳比為1-10：1。
如請求項7-9中任一項所述的方法，其中步驟2）的反應條件包括：溫度為350-490℃，壓力為0.1-4.0MPa，所述包含C<sub>9</sub><sup>+</sup>芳烴的物流的質量空速為1-20h<sup>-1</sup>，氫氣/烴莫耳比為0.5-20：1。
如請求項7-9中任一項所述的方法，其中步驟2）的反應條件包括：溫度為450-480℃，壓力為0.1-2.0MPa，所述包含C<sub>9</sub><sup>+</sup>芳烴的物流的質量空速為1-10h<sup>-1</sup>，氫氣/烴莫耳比為1-10：1。
如請求項7-9中任一項所述的方法，其中步驟1）所用的脫氫催化劑與步驟2）所用的脫烷基催化劑的質量比為1：(0.25-5)。
如請求項7-9中任一項所述的方法，其中步驟1）所用的脫氫催化劑與步驟2）所用的脫烷基催化劑的質量比為1：(1.2-3)。
如請求項7-9中任一項所述的方法，其中所述包含C<sub>9</sub><sup>+</sup>鏈烷烴的原料為石腦油，所述石腦油選自直餾石腦油、氫化裂解重石腦油、氫化焦化汽油、乙烯裂解汽油抽餘油、催化裂解汽油或者它們的混合物。
如請求項20所述的方法，其中所述石腦油包含碳數為6-12的環烷烴、碳數為6-12的鏈烷烴和碳數為6-12的芳烴，初餾點為80-95℃，終餾點為135-180℃。
如請求項20所述的方法，進一步包括在步驟1）之前對所述石腦油進行氫化精製處理，以除去其中所含的砷、鉛、銅、硫和氮雜質的步驟。
如請求項20所述的方法，其中步驟1）的反應控制為使所述石腦油中環烷烴的轉化率不小於90質量%，C<sub>9</sub><sup>+</sup>鏈烷烴的轉化率為70-95質量%。
如請求項20所述的方法，其中步驟1）的反應控制為使所述石腦油中環烷烴的轉化率不小於90質量%，其中C<sub>7</sub>和C<sub>8</sub>環烷烴兩者的轉化率均不小於95質量%，C<sub>6</sub>環烷烴的轉化率不小於70質量%。
如請求項20所述的方法，其中步驟1）的反應控制為使所述石腦油中鏈烷烴的轉化率不大於60質量%，其中C<sub>6</sub>鏈烷烴的轉化率不大於18質量%，C<sub>7</sub>鏈烷烴的轉化率不大於30質量%，C<sub>8</sub>鏈烷烴的轉化率不大於70質量%，C<sub>9</sub><sup>+</sup>鏈烷烴的轉化率為70-95質量%。
一種食用植物油脂，其為具有芝麻油的香氣之食用植物油脂，其特徵係： <br/> 包含2-甲基吡嗪、二甲基吡嗪、及2-呋喃甲醇， <br/> 前述2-甲基吡嗪的含量，在前述食用植物油脂100mg中為6μg以上，且多於前述二甲基吡嗪及前述2-呋喃甲醇的各含量， <br/> 前述二甲基吡嗪及前述2-呋喃甲醇的質量比為70：30~40：60。
如請求項1之食用植物油脂，其中前述二甲基吡嗪相對於前述2-甲基吡嗪的含量比為0.40~0.90。
如請求項1或2之食用植物油脂，其中前述食用植物油脂係進一步包含糠醛及吡嗪。
如請求項3之食用植物油脂，其中前述糠醛相對於前述2-甲基吡嗪的含量比為0.20以下。
如請求項1之食用植物油脂，其中前述2-甲基吡嗪的含量，在前述食用植物油脂100mg中為10μg~100μg， <br/> 前述二甲基吡嗪相對於前述2-甲基吡嗪的含量比為0.40~0.70，且前述二甲基吡嗪及前述2-呋喃甲醇的質量比為55：45~45：55。
如請求項5之食用植物油脂，其中前述食用植物油脂係進一步包含糠醛及吡嗪， <br/> 前述糠醛相對於前述2-甲基吡嗪的含量比為0.20以下，前述吡嗪的含量係多於前述糠醛的含量，且少於前述二甲基吡嗪及前述2-呋喃甲醇的各含量。
一種食用植物油脂，其為具有芝麻油的香氣之食用植物油脂，其特徵係： <br/> 包含2-甲基吡嗪、二甲基吡嗪、及2-呋喃甲醇， <br/> 前述2-甲基吡嗪的含量，在前述食用植物油脂100mg中為6μg以上，且多於前述二甲基吡嗪及前述2-呋喃甲醇的各含量， <br/> 前述食用植物油脂係進一步包含糠醛及吡嗪，前述糠醛相對於前述2-甲基吡嗪的含量比為0.20以下。
一種基板處理裝置，用以處理基板； <br/>包含： <br/>處理腔室，於其內部形成該基板之處理空間； <br/>加熱機構，調整該處理腔室的內部溫度；以及 <br/>內部構件，設置於該處理腔室的內部； <br/>該加熱機構，包括： <br/>感應發熱體，藉由以感應磁場發熱而至少將該內部構件加熱；以及 <br/>磁場產生部，產生該感應磁場； <br/>該內部構件係屏蔽構件，與該處理腔室的內壁面分離地配置，區畫出該處理空間的側壁部之至少一部分； <br/>該磁場產生部，沿著該處理腔室的外壁面而配置。
如請求項1之基板處理裝置，其中， <br/>包含將該屏蔽構件與該處理腔室的內壁面之間隔熱的隔熱層。
如請求項2之基板處理裝置，其中， <br/>於該屏蔽構件與該處理腔室的內壁面之間，形成作為該隔熱層的真空隔熱空間。
如請求項3之基板處理裝置，其中，更包含： <br/>流體供給部，往該真空隔熱空間供給熱傳流體；以及 <br/>流體排出部，從該真空隔熱空間將該熱傳流體排出。
如請求項1之基板處理裝置，其中， <br/>該感應發熱體配置於該屏蔽構件的內部。
如請求項1之基板處理裝置，其中， <br/>該感應發熱體，配置於該屏蔽構件的隔熱層側之壁面。
如請求項1之基板處理裝置，其中， <br/>更包含閘門機構，其包括：閥體，將形成在該處理腔室的側壁部之基板搬出入口開啟關閉；及升降機構，構成為於該處理腔室的內部中使該閥體任意升降； <br/>該屏蔽構件，與該閘門機構的該閥體一體地構成。
如請求項1之基板處理裝置，其中， <br/>該感應發熱體，配置為在前視視角中，至少一部分與該磁場產生部重合。
如請求項8之基板處理裝置，其中， <br/>該感應發熱體，配置為在前視視角中，全面與該磁場產生部重合。
如請求項1之基板處理裝置，其中， <br/>該感應發熱體，係以板構件或線圈構件形成。
如請求項1之基板處理裝置，其中， <br/>該感應發熱體，係由包含碳鋼、矽鐵、不鏽鋼、高導磁合金或肥粒鐵中之任一者的含鐵材料，或鋁、鎢、錫、鈦、碳、矽或碳化矽中之至少任一者構成。
如請求項1之基板處理裝置，其中， <br/>該基板處理裝置，包含複數該感應發熱體、及複數該磁場產生部； <br/>該屏蔽構件，構成為可於預先決定之複數調溫區域各自獨立地加熱。
如請求項12之基板處理裝置，其中， <br/>於該基板處理裝置，以使一個該磁場產生部與一個該感應發熱體對應的方式，設置相同數量之該感應發熱體與該磁場產生部。
如請求項13之基板處理裝置，其中， <br/>於該基板處理裝置，對於一個磁場產生部，對應地設置複數個該感應發熱體。
如請求項1至14中任一項之基板處理裝置，其中， <br/>該基板處理裝置，係對該基板施行電漿處理之電漿處理裝置； <br/>於該電漿處理裝置配置複數個該加熱機構； <br/>複數個該加熱機構，可將形成該處理空間之頂部的介電窗、將該介電窗與該處理腔室連接的絕緣環、將該處理空間之內部排氣的排氣空間、區隔該處理空間與該排氣空間的擋板、或將形成在該處理腔室的側壁部之基板搬出入口開啟關閉的閘門機構中之至少一者加熱。
如請求項1至14中任一項之基板處理裝置，其中， <br/>抑制該感應磁場之透射的磁屏蔽，設置為在前視視角中包圍該磁場產生部。
如請求項1至14中任一項之基板處理裝置，其中， <br/>抑制該感應磁場之透射的磁屏蔽，係包夾該磁場產生部而設置於該處理腔室的外側。
如請求項16之基板處理裝置，其中， <br/>該磁屏蔽，係由相對磁導率為1以下的構件構成。
如請求項1至14中任一項之基板處理裝置，其中， <br/>更包含使該磁場產生部之一部分接近或遠離該感應發熱體的驅動機構。
一種基板處理方法，係基板處理裝置中之基板的處理方法； <br/>該基板處理裝置，包含： <br/>處理腔室，於其內部形成該基板之處理空間； <br/>屏蔽構件，與該處理腔室的內壁面分離地配置，區畫出該處理空間的側壁部之至少一部分； <br/>隔熱層，將該屏蔽構件與該處理腔室的內壁面之間隔熱； <br/>感應發熱體，藉由以感應磁場發熱而至少將該屏蔽構件加熱；以及 <br/>磁場產生部，設置於該處理腔室的外部，產生該感應磁場； <br/>該基板處理方法，包含如下步驟： <br/>藉由對該磁場產生部供給電流而產生感應磁場，藉由該感應磁場，施行該屏蔽構件之加熱；以及 <br/>依據該處理腔室的氣體環境溫度、或反應生成物之對於該屏蔽構件的附著量中之至少一者，調整對該磁場產生部供給的電流量。
如請求項20之基板處理方法，其中， <br/>於該屏蔽構件與該處理腔室的內壁面之間，形成作為該隔熱層的真空隔熱空間； <br/>該基板處理方法，包含如下步驟： <br/>往該真空隔熱空間供給熱傳流體，施行該屏蔽構件之冷卻。
如請求項20或21之基板處理方法，其中， <br/>該基板處理裝置，包含： <br/>氣體供給部，對該處理空間供給處理氣體；以及 <br/>電漿產生部，藉由該處理氣體而於該處理空間產生電漿； <br/>該基板處理方法，包含如下步驟： <br/>在將該處理氣體供給至該處理腔室的內部後，於該處理空間產生電漿。
一種可燒結之導電組合物，其包含： <br/>呈約2重量%至約15重量%之量的黏結劑樹脂，該黏結劑樹脂包含熱固性樹脂、矽烷助黏著劑及固化劑； <br/>呈約65重量%至約93重量%之量的銀粒子組分； <br/>呈約1重量%至約10重量%之量的一或多種填料，該一或多種填料具有在約1 µm至約20 µm之範圍內的粒度且選自由聚合材料、無機材料及其組合組成之群；及 <br/>視情況選用之有機稀釋劑， <br/>其中 <br/>該組合物在固化或燒結時在260℃下具有至少25 kg/mm<sup>2</sup>之7 × 7 mm晶粒上剪切強度；且 <br/>該組合物展現出70至88.8 W/m.K之熱導率。
如請求項1之導電組合物，其中該銀粒子組分包含具有兩種不同粒度範圍之銀粒子。
如請求項1之導電組合物，其中該銀粒子組分包含敲緊密度在1 g/cm<sup>3</sup>至約7 g/cm<sup>3</sup>之間的銀粉及敲緊密度在1 g/cm<sup>3</sup>至約7 g/cm<sup>3</sup>之間的銀片。
如請求項1之導電組合物，其中該銀粒子組分之質量中值直徑(D50)為0.3 µm至6.0 µm。
如請求項1之導電組合物，其中該銀粒子組分之比表面積低於1.5 m<sup>2</sup>/g。
如請求項1之導電組合物，其中該熱固性樹脂包含氫化芳族環氧樹脂、環脂族環氧樹脂或其混合物。
如請求項1之導電組合物，其中該熱固性樹脂包含選自由以下組成之群之環氧樹脂：1,2-環己烷二甲酸二縮水甘油酯；雙(4-羥基環己基)甲烷二環氧丙基醚；4-甲基六氫鄰苯二甲酸二縮水甘油酯；2,2-雙(4-羥基環己基)丙烷二環氧丙基醚；3,4-環氧環己基甲基-3',4'-環氧環己烷甲酸酯；雙(3,4-環氧環己基甲基)己二酸酯及其混合物。
如請求項1之導電組合物，其中該熱固性樹脂進一步包含選自由以下組成之群之環氧樹脂：經胺基甲酸酯改質之環氧樹脂；經異氰酸酯改質之環氧樹脂；環氧酯樹脂；芳族環氧樹脂；及其混合物。
一種基板處理方法，包含對基板施加顯影處理之步驟； <br/>該顯影處理，包含以下步驟： <br/>對該基板的表面供給顯影液，以在該基板的表面形成該顯影液之液膜； <br/>在該基板的表面上維持該顯影液之液膜，俾使該基板的表面上之顯影進行；以及 <br/>在該基板的表面上維持該顯影液之液膜的期間，執行對於該基板的表面之較周緣區域位在更內側的位置之內部區域供給氣體之第一處理，並執行對於該周緣區域供給用以抑制顯影之進行的調整液，以在該周緣區域與該內部區域之間調整顯影的程度之第二處理； <br/>在較該第一處理的開始時點更後，開始該第二處理，且在較該第一處理的結束時點更後，結束該第二處理。
如請求項1所述之基板處理方法，其中， <br/>在較該第一處理的結束時點更後，開始該第二處理；且 <br/>在該基板的表面上維持該顯影液之液膜之步驟，包含以下步驟：從該第一處理的結束時點至該第二處理的開始時點為止之期間，繼續維持該基板的表面上的該顯影液之液膜。
如請求項1所述之基板處理方法，更包含以下步驟： <br/>在對該基板施加該顯影處理之前，分別調整關於該第一處理的條件之第一參數及關於該第二處理的條件之第二參數； <br/>在該顯影處理中執行該第一處理與該第二處理之步驟，包含以下步驟：根據經調整後之該第一參數而執行該第一處理；以及根據經調整後之該第二參數而執行該第二處理。
如請求項3所述之基板處理方法，更包含以下步驟： <br/>在分別調整該第一參數及該第二參數之前，產生用以預測顯影後之該基板的表面上的線寬分布之推定資訊； <br/>產生該推定資訊之步驟，包含以下步驟： <br/>取得表示該第一參數與該第二參數中的至少一方為相異之複數個測試條件的資訊； <br/>於該複數個測試條件所包含的每個測試條件下，對於測試用基板施加與該顯影處理對應之測試顯影處理； <br/>於每個該測試條件下，取得顯影後之該測試用基板的表面上的線寬分布之實測資料，以及 <br/>基於該實測資料，就該測試用基板的表面上的複數個位置，分別產生表示該第一參數及該第二參數與線寬的關係之迴歸式； <br/>該分別調整第一參數及該第二參數之步驟，包含以下步驟：基於該迴歸式，計算執行該顯影處理時之該第一參數的設定値與該第二參數的設定値，以使顯影後之該基板的表面上的線寬分布滿足既定的條件。
如請求項4所述之基板處理方法，其中， <br/>基於該迴歸式計算該第一參數的設定値與該第二參數的設定値之步驟，包含以下步驟： <br/>針對使該第一參數及該第二參數分別以複數階段方式變化時的每個變化之階段的組合，基於該迴歸式計算顯影後的線寬分布之預測資料；以及 <br/>於該預測資料中，將線寬分布的均一性變得最高之該第一參數及該第二參數的組合之値，分別取得作為該第一參數的設定値及該第二參數的設定値。
如請求項4所述之基板處理方法，其中， <br/>產生該迴歸式之步驟，包含以下步驟： <br/>基於該實測資料及得到該實測資料後之該第一參數及該第二參數各自之値，而進行嶺迴歸分析，藉此產生該迴歸式。
如請求項3～6中任一項所述之基板處理方法，更包含： <br/>該顯影處理係在維持該顯影液的液膜之步驟後，對於該基板的表面供給清洗液； <br/>分別調整該第一參數及該第二參數之步驟，包含以下步驟：在不使決定從該顯影液之供給的開始時點起至該清洗液之供給的開始時點為止的時間之條件改變的情況下，分別調整該第一參數及該第二參數。
如請求項3～6中任一項所述之基板處理方法，其中， <br/>該第一參數係該第一處理的執行時間。
如請求項3～6中任一項所述之基板處理方法，其中， <br/>該第二參數係該顯影處理當中的該第二處理之開始時間點。
一種電腦可讀取之記錄媒體，其儲存有用以使裝置執行如請求項1～6中任一項所述之基板處理方法的程式。
一種基板處理裝置，具備： <br/>顯影單元，其具有：固持部，用以固持基板，該基板在表面形成藉由i射線進行曝光後之狀態的光阻膜；顯影液供給部，對於該固持部所固持之該基板的表面，供給顯影液；調整液供給部，對於該固持部所固持之該基板的表面之周緣區域，供給用以抑制顯影之進行之調整液；及氣體供給部，對於該固持部所固持之該基板的表面之較該周緣區域位在更內側的位置之內部區域供給氣體；以及 <br/>控制單元，控制該顯影單元，以對於該基板施加顯影處理； <br/>該顯影處理，包含以下步驟： <br/>藉由該顯影液供給部而對於該基板的表面供給該顯影液，以在該基板的表面形成該顯影液的液膜； <br/>藉由該固持部在該基板的表面上維持該顯影液的液膜，俾使該基板的表面上之顯影進行；以及 <br/>在藉由該固持部在該基板的表面上維持該顯影液的液膜之期間，執行藉由該氣體供給部對於該內部區域供給該氣體之第一處理，並執行藉由該調整液供給部對於該周緣區域供給該調整液，以在該周緣區域與該內部區域之間調整顯影的程度之第二處理； <br/>該控制單元，於該顯影處理中，係較該第一處理的開始時點更後，開始該第二處理，且較該第一處理的結束時點更後，結束該第二處理。
一種電動或混合動力的可騎乘車座式車輛(1)，包括：<br/> 一可充電電池(30)，在一底部(31)與一頭部(32)之間延伸，其中該頭部(32)包括一握持手柄(33)；<br/> 一電動或混合動力牽引馬達(8)，可藉該可充電電池(30)供電以傳送一牽引扭矩；<br/> 一儲放容器(20)；<br/> 其中該儲放容器(20)包括：<br/> 一第一儲藏座(S1)，至少儲藏該可充電電池(30)，使得該可充電電池(30)可插入至該第一儲藏座(S1)中且從該第一儲藏座抽取；<br/> 一第二儲藏座(S2A、S2B)，適應於且構造成儲藏至少一個安全帽(50)，該第二儲藏座具有一第一部(S2A)及一第二部(S2B)；<br/> 其中：<br/> 該第二部(S2B)係配置於該第一部(S2A)下方且鄰接該第一儲藏座(S1)；<br/> 當該可充電電池(30)插入至該第一儲藏座(S1)中且該安全帽(50)儲藏在該儲放容器(20)時，該頭部(32)的該握持手柄(33)至少部分地突入該第二儲藏座(S2A、S2B)的該第一部(S2A)中，且未被該可充電電池(30)之該頭部(32)佔用的該第二儲藏座(S2A、S2B)之部分界定出一構造成儲藏該安全帽(50)之空間，使得該握持手柄(33)部分地突入該安全帽(50)中。
如請求項1之電動或混合動力的可騎乘車座式車輛(1)，其中該第一儲藏座(S1)與該第二儲藏座(S2A、S2B)彼此連通。
如請求項2之電動或混合動力的可騎乘車座式車輛(1)，其中該第一儲藏座(S1)包括一進出開口(38)，可藉該底部(31)橫越，以將該可充電電池(30)插入至該第一儲藏座(S1)中，及其中該第一儲藏座(S1)與該第二儲藏座(S2A、S2B)係經由該進出開口(38)而彼此連通。
如請求項1之電動或混合動力的可騎乘車座式車輛(1)，其中該可充電電池(30)係藉由沿一滑動軸(Z)之平移而可滑動地插入至該第一儲藏座(S1)中、且從該第一儲藏座抽取。
如請求項1之電動或混合動力的可騎乘車座式車輛(1)，其中：<br/> 該安全帽(50)係一噴射式安全帽，該安全帽包括一外殼，該外殼具有一前開放部(51)、二個互相對立的側端部(52)、一後方部(53)、及一上方部(54)，其中該前開放部(51)係藉由該等側端部(52)結合至該後方部(53)，及其中該上方部(54)係位在該前開放部(51)、該等側端部(52)、及該後方部(53)之上；<br/> 該第二儲藏座(S2A、S2B)之該第一部(S2A)係適應於且構造成收容該外殼之該前開放部(51)。
如請求項5之電動或混合動力的可騎乘車座式車輛(1)，其中該第二儲藏座(S2A、S2B)之該第二部(S2B)係適應於且構造成收容該外殼之該等側端部(52)的至少部分。
如請求項1之電動或混合動力的可騎乘車座式車輛(1)，更包括一可騎乘車座(40)，及其中：<br/> 該儲放容器(20)係置於該可騎乘車座(40)下方；<br/> 該可騎乘車座(40)可在該可騎乘車座(40)防止進出該儲放容器(20)之一閉合組態與該可騎乘車座(40)容許進出該儲放容器(20)之一開啟組態之間運動。
如請求項7之電動或混合動力的可騎乘車座式車輛(1)，更包括一主體(2、3、4)，及其中該可騎乘車座(40)係鉸接至該主體(2、3、4)，以在分別與該閉合組態及該開啟組態對應之二個斜角位置之間旋轉。
如請求項7之電動或混合動力的可騎乘車座式車輛(1)，其中該可騎乘車座(40)包括一支持基座(41)及一襯墊料(42)，及其中該支持基座(41)包括一凹口(43)，該凹口適應於且構造成接收該收安全帽(50)之該外殼的該上方部(54)之部分。
如請求項9之電動或混合動力的可騎乘車座式車輛(1)，其中該凹口(43)係呈圓弧及/或曲形。
如請求項7之電動或混合動力的可騎乘車座式車輛(1)，更包括一固鎖裝置(60)，適應於將該可充電電池(30)固鎖於該第一儲藏座(S1)中，其中該固鎖裝置(60)適應於且構造成被移動，以處在一操作固鎖位置及一操作釋放位置，及其中該固鎖裝置(60)係藉由該可騎乘車座(40)處在該閉合組態時，該可騎乘車座(40)施加之一推力，而被扣持於該操作固鎖位置中。
如請求項11之電動或混合動力的可騎乘車座式車輛(1)，其中該固鎖裝置(60)被儲藏於該儲放容器(20)中，且具有一第一末端部(61)，該第一末端部係以可旋轉式鉸接至該儲放容器(20)之一壁。
如請求項1之電動或混合動力的可騎乘車座式車輛(1)，其中該第一儲藏座(S1)具有一底部(301)，該底部配置在關於該第二儲藏座(S2A、S2B)之該第二部(S2B)的一較低高度處。
如請求項1之電動或混合動力的可騎乘車座式車輛(1)，其中該第一儲藏座(S1)係較第二儲藏座(S2A、S2B)延伸至該車輛(1)中一更大深度處。
一種成組之部件(1、50)，包括一如前述請求項1之電動或混合動力的可騎乘車座式車輛(1)，及一可被儲藏於該儲放容器(20)之該第二儲藏座(S2A、S2B)中的安全帽(50)。
一種化合物、或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其藥學上可接受的鹽，其中該化合物具有式(A)所示的結構：<figure><img align="absmiddle" height="63px" width="230px" file="d10642.TIF" alt="化學式ed10642.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10642.png"/></figure>其中，Q為能夠與巰基偶聯的基團，L<sub>1</sub>為-L<sub>1a</sub>-C(=O)-，其中，L<sub>1a</sub>選自以下組：視需要取代的C<sub>1</sub>-C<sub>12</sub>的亞(伸)烷基和視需要取代的亞(伸)芳基；L<sub>2</sub>為選自以下組的多肽殘基：苯丙胺酸-賴胺酸(Phe-Lys)、纈胺酸-丙胺酸(Val-Ala)、纈胺酸-瓜胺酸(Val-Cit)、谷胺酸-纈胺酸-丙胺酸(Glu-Val-Ala)、谷胺酸-纈胺酸-瓜胺酸(Glu-Val-Cit)、纈胺酸-賴胺酸(Val-Lys)、丙胺酸-丙胺酸-丙胺酸(Ala-Ala-Ala)、丙胺酸-丙胺酸-天冬醯胺(Ala-Ala-Asn)和甘胺酸-甘胺酸-苯丙胺酸-甘胺酸(Gly-Gly-Phe-Gly)；L<sub>3</sub>為選自以下組的結構：經取代的<img align="absmiddle" height="79px" width="129px" file="d10643.TIF" alt="其他非圖式ed10643.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10643.png"/>，和經取代的<img align="absmiddle" height="79px" width="105px" file="d10644.TIF" alt="其他非圖式ed10644.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10644.png"/>，其中，L<sub>3</sub>中的苯環與經取代的聚肌胺酸殘基藉由結構單元-X-連接，其中，該結構單元-X-為<img align="absmiddle" height="60px" width="71px" file="d10646.TIF" alt="其他非圖式ed10646.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10646.png"/>或<img align="absmiddle" height="63px" width="123px" file="d10647.TIF" alt="其他非圖式ed10647.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10647.png"/>，其中X<sub>1</sub>選自以下組：C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基，其中，該經取代的聚肌胺酸殘基為<img align="absmiddle" height="83px" width="101px" file="d10648.TIF" alt="其他非圖式ed10648.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10648.png"/>，n2為10，R為選自以下組的結構：C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>環烷基和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基；T為藥物單元。
如請求項1所述的化合物、或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其藥學上可接受的鹽，其中，Q為選自以下組的結構：<img align="absmiddle" height="72px" width="60px" file="d10649.TIF" alt="其他非圖式ed10649.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10649.png"/>、<img align="absmiddle" height="67px" width="131px" file="d10650.TIF" alt="其他非圖式ed10650.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10650.png"/>、<img align="absmiddle" height="64px" width="101px" file="d10651.TIF" alt="其他非圖式ed10651.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10651.png"/>和<img align="absmiddle" height="73px" width="81px" file="d10645.TIF" alt="其他非圖式ed10645.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10645.png"/>。
如請求項1所述的化合物、或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其藥學上可接受的鹽，其中，L<sub>1a</sub>為視需要取代的C<sub>1</sub>-C<sub>7</sub>的亞(伸)烷基。
如請求項1所述的化合物、或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其藥學上可接受的鹽，其中，結構單元-X-為<img align="absmiddle" height="48px" width="71px" file="d10652.TIF" alt="其他非圖式ed10652.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10652.png"/>，該經取代的聚肌胺酸殘基為<img align="absmiddle" height="83px" width="101px" file="d10653.TIF" alt="其他非圖式ed10653.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10653.png"/>，其中n2為10，R為C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基。
如請求項1所述的化合物、或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其藥學上可接受的鹽，其中，T包含具有抗腫瘤活性的化合物。
如請求項1所述的化合物、或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其藥學上可接受的鹽，其中，T為選自以下組的結構：<img align="absmiddle" height="103px" width="117px" file="d10654.TIF" alt="其他非圖式ed10654.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10654.png"/>，<img align="absmiddle" height="126px" width="106px" file="d10655.TIF" alt="其他非圖式ed10655.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10655.png"/>和<img align="absmiddle" height="81px" width="138px" file="d10656.TIF" alt="其他非圖式ed10656.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10656.png"/>。
如請求項1所述的化合物、或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其藥學上可接受的鹽，其中，該化合物為選自以下組的結構：<figure><img align="absmiddle" height="196px" width="652px" file="d10657.TIF" alt="化學式ed10657.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10657.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="201px" width="644px" file="d10658.TIF" alt="化學式ed10658.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10658.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="191px" width="602px" file="d10659.TIF" alt="化學式ed10659.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10659.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="192px" width="622px" file="d10660.TIF" alt="化學式ed10660.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10660.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="160px" width="632px" file="d10661.TIF" alt="化學式ed10661.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10661.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="190px" width="614px" file="d10662.TIF" alt="化學式ed10662.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10662.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="194px" width="592px" file="d10663.TIF" alt="化學式ed10663.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10663.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="177px" width="546px" file="d10664.TIF" alt="化學式ed10664.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10664.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="153px" width="599px" file="d10665.TIF" alt="化學式ed10665.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10665.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="153px" width="630px" file="d10666.TIF" alt="化學式ed10666.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10666.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="153px" width="672px" file="d10667.TIF" alt="化學式ed10667.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10667.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="166px" width="668px" file="d10668.TIF" alt="化學式ed10668.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10668.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="201px" width="635px" file="d10669.TIF" alt="化學式ed10669.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10669.png"/></figure>
一種化合物、或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其藥學上可接受的鹽，其中，該化合物為選自以下組的結構：<figure><img align="absmiddle" height="207px" width="628px" file="d10670.TIF" alt="化學式ed10670.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10670.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="196px" width="663px" file="d10671.TIF" alt="化學式ed10671.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10671.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="194px" width="601px" file="d10672.TIF" alt="化學式ed10672.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10672.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="192px" width="630px" file="d10673.TIF" alt="化學式ed10673.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10673.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="161px" width="626px" file="d10674.TIF" alt="化學式ed10674.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10674.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="194px" width="597px" file="d10675.TIF" alt="化學式ed10675.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10675.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="187px" width="603px" file="d10676.TIF" alt="化學式ed10676.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10676.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="181px" width="542px" file="d10677.TIF" alt="化學式ed10677.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10677.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="146px" width="615px" file="d10678.TIF" alt="化學式ed10678.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10678.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="145px" width="632px" file="d10679.TIF" alt="化學式ed10679.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10679.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="167px" width="675px" file="d10680.TIF" alt="化學式ed10680.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10680.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="166px" width="660px" file="d10681.TIF" alt="化學式ed10681.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10681.png"/></figure>和<figure><img align="absmiddle" height="203px" width="627px" file="d10682.TIF" alt="化學式ed10682.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10682.png"/></figure>
一種化合物、或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其藥學上可接受的鹽，其中該化合物包含式(B)所示的結構：<figure><img align="absmiddle" height="63px" width="263px" file="d10683.TIF" alt="化學式ed10683.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10683.png"/></figure>其中，Q<sub>1</sub>為與巰基偶聯後的連接體，L<sub>1</sub>為-L<sub>1a</sub>-C(=O)-，其中，L<sub>1a</sub>選自以下組：視需要取代的C<sub>1</sub>-C<sub>12</sub>的亞(伸)烷基和視需要取代的亞(伸)芳基；L<sub>2</sub>為選自以下組的多肽殘基：苯丙胺酸-賴胺酸(Phe-Lys)、纈胺酸-丙胺酸(Val-Ala)、纈胺酸-瓜胺酸(Val-Cit)、谷胺酸-纈胺酸-丙胺酸(Glu-Val-Ala)、谷胺酸-纈胺酸-瓜胺酸(Glu-Val-Cit)、纈胺酸-賴胺酸(Val-Lys)、丙胺酸-丙胺酸-丙胺酸(Ala-Ala-Ala)、丙胺酸-丙胺酸-天冬醯胺(Ala-Ala-Asn)和甘胺酸-甘胺酸-苯丙胺酸-甘胺酸(Gly-Gly-Phe-Gly)；L<sub>3</sub>為選自以下組的結構：經取代的<img align="absmiddle" height="74px" width="126px" file="d10684.TIF" alt="其他非圖式ed10684.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10684.png"/>，和經取代的<img align="absmiddle" height="72px" width="104px" file="d10685.TIF" alt="其他非圖式ed10685.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10685.png"/>，其中，L<sub>3</sub>中的苯環與經取代的聚肌胺酸殘基藉由結構單元-X-連接，其中，該結構單元-X-為<img align="absmiddle" height="58px" width="68px" file="d10686.TIF" alt="其他非圖式ed10686.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10686.png"/>或<img align="absmiddle" height="63px" width="120px" file="d10687.TIF" alt="其他非圖式ed10687.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10687.png"/>，其中X<sub>1</sub>選自以下組：C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基，其中，該經取代的聚肌胺酸殘基為<img align="absmiddle" height="83px" width="100px" file="d10688.TIF" alt="其他非圖式ed10688.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10688.png"/>，n2為10，R為選自以下組的結構：C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>環烷基和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基；T為藥物單元。
如請求項9所述的化合物、或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其藥學上可接受的鹽，其中，該化合物包含選自以下組的結構：<figure><img align="absmiddle" height="179px" width="557px" file="d10689.TIF" alt="化學式ed10689.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10689.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="191px" width="620px" file="d10690.TIF" alt="化學式ed10690.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10690.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="180px" width="599px" file="d10691.TIF" alt="化學式ed10691.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10691.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="177px" width="660px" file="d10692.TIF" alt="化學式ed10692.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10692.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="160px" width="624px" file="d10693.TIF" alt="化學式ed10693.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10693.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="194px" width="602px" file="d10694.TIF" alt="化學式ed10694.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10694.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="188px" width="602px" file="d10695.TIF" alt="化學式ed10695.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10695.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="158px" width="482px" file="d10696.TIF" alt="化學式ed10696.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10696.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="147px" width="634px" file="d10697.TIF" alt="化學式ed10697.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10697.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="157px" width="653px" file="d10698.TIF" alt="化學式ed10698.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10698.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="154px" width="660px" file="d10699.TIF" alt="化學式ed10699.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10699.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="165px" width="665px" file="d10700.TIF" alt="化學式ed10700.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10700.png"/></figure>和<figure><img align="absmiddle" height="202px" width="638px" file="d10701.TIF" alt="化學式ed10701.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10701.png"/></figure>
一種化合物、或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其藥學上可接受的鹽，其中該化合物具有式(C)所示的結構：<figure><img align="absmiddle" height="92px" width="309px" file="d10702.TIF" alt="化學式ed10702.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10702.png"/></figure>其中，Q<sub>1</sub>為與巰基偶聯後的連接體，L<sub>1</sub>為-L<sub>1a</sub>-C(=O)-，其中，L<sub>1a</sub>選自以下組：視需要取代的C<sub>1</sub>-C<sub>12</sub>的亞(伸)烷基和視需要取代的亞(伸)芳基；L<sub>2</sub>為選自以下組的多肽殘基：苯丙胺酸-賴胺酸(Phe-Lys)、纈胺酸-丙胺酸(Val-Ala)、纈胺酸-瓜胺酸(Val-Cit)、谷胺酸-纈胺酸-丙胺酸(Glu-Val-Ala)、谷胺酸-纈胺酸-瓜胺酸(Glu-Val-Cit)、纈胺酸-賴胺酸(Val-Lys)、丙胺酸-丙胺酸-丙胺酸(Ala-Ala-Ala)、丙胺酸-丙胺酸-天冬醯胺(Ala-Ala-Asn)和甘胺酸-甘胺酸-苯丙胺酸-甘胺酸(Gly-Gly-Phe-Gly)；L<sub>3</sub>為選自以下組的結構：經取代的<img align="absmiddle" height="71px" width="131px" file="d10703.TIF" alt="其他非圖式ed10703.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10703.png"/>，和經取代的<img align="absmiddle" height="73px" width="101px" file="d10704.TIF" alt="其他非圖式ed10704.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10704.png"/>，其中，L<sub>3</sub>中的苯環與經取代的聚肌胺酸殘基藉由結構單元-X-連接，其中，該結構單元-X-為<img align="absmiddle" height="58px" width="69px" file="d10705.TIF" alt="其他非圖式ed10705.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10705.png"/>或<img align="absmiddle" height="65px" width="123px" file="d10706.TIF" alt="其他非圖式ed10706.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10706.png"/>，其中X<sub>1</sub>選自以下組：C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基，其中，該經取代的聚肌胺酸殘基為<img align="absmiddle" height="86px" width="101px" file="d10707.TIF" alt="其他非圖式ed10707.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10707.png"/>，n2為10，R為選自以下組的結構：C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>環烷基和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基；T為藥物單元，Ab為抗體或其抗原結合片段，m為1-8的數。
如請求項11所述的化合物、或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其藥學上可接受的鹽，其中，Q<sub>1</sub>為選自以下組的結構：<img align="absmiddle" height="64px" width="83px" file="d10708.TIF" alt="其他非圖式ed10708.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10708.png"/>、<img align="absmiddle" height="62px" width="108px" file="d10709.TIF" alt="其他非圖式ed10709.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10709.png"/>、<img align="absmiddle" height="51px" width="93px" file="d10710.TIF" alt="其他非圖式ed10710.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10710.png"/>和<img align="absmiddle" height="53px" width="81px" file="d10711.TIF" alt="其他非圖式ed10711.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10711.png"/>。
如請求項11所述的化合物、或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其藥學上可接受的鹽，其中，L<sub>1a</sub>為視需要取代的C<sub>1</sub>-C<sub>7</sub>的亞(伸)烷基。
如請求項11所述的化合物、或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其藥學上可接受的鹽，其中，該結構單元-X-為<img align="absmiddle" height="48px" width="68px" file="d10712.TIF" alt="其他非圖式ed10712.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10712.png"/>，該經取代的聚肌胺酸殘基為<img align="absmiddle" height="86px" width="101px" file="d10713.TIF" alt="其他非圖式ed10713.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10713.png"/>，其中n2為10，R為C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基。
如請求項11所述的化合物、或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其藥學上可接受的鹽，其中，T包含具有抗腫瘤活性的化合物。
如請求項11所述的化合物、或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其藥學上可接受的鹽，其中，T為選自以下組的結構：<img align="absmiddle" height="107px" width="114px" file="d10714.TIF" alt="其他非圖式ed10714.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10714.png"/>、<img align="absmiddle" height="127px" width="106px" file="d10715.TIF" alt="其他非圖式ed10715.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10715.png"/>和<img align="absmiddle" height="78px" width="136px" file="d10716.TIF" alt="其他非圖式ed10716.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10716.png"/>。
如請求項11所述的化合物、或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其藥學上可接受的鹽，其中，該化合物包含選自以下組的結構：<figure><img align="absmiddle" height="191px" width="639px" file="d10717.TIF" alt="化學式ed10717.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10717.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="218px" width="624px" file="d10718.TIF" alt="化學式ed10718.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10718.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="193px" width="632px" file="d10719.TIF" alt="化學式ed10719.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10719.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="199px" width="632px" file="d10720.TIF" alt="化學式ed10720.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10720.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="153px" width="626px" file="d10721.TIF" alt="化學式ed10721.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10721.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="173px" width="656px" file="d10722.TIF" alt="化學式ed10722.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10722.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="180px" width="641px" file="d10723.TIF" alt="化學式ed10723.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10723.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="178px" width="573px" file="d10724.TIF" alt="化學式ed10724.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10724.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="149px" width="621px" file="d10725.TIF" alt="化學式ed10725.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10725.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="154px" width="632px" file="d10726.TIF" alt="化學式ed10726.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10726.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="139px" width="628px" file="d10727.TIF" alt="化學式ed10727.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10727.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="148px" width="620px" file="d10728.TIF" alt="化學式ed10728.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10728.png"/></figure>和<img align="absmiddle" height="189px" width="590px" file="d10729.TIF" alt="其他非圖式ed10729.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10729.png"/>，Ab為抗體或其抗原結合片段，m為1-8的數。
一種化合物、或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其藥學上可接受的鹽，其中，該化合物包含選自以下組的結構：<figure><img align="absmiddle" height="228px" width="647px" file="d10730.TIF" alt="化學式ed10730.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10730.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="227px" width="668px" file="d10731.TIF" alt="化學式ed10731.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10731.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="211px" width="661px" file="d10732.TIF" alt="化學式ed10732.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10732.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="202px" width="654px" file="d10733.TIF" alt="化學式ed10733.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10733.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="163px" width="616px" file="d10734.TIF" alt="化學式ed10734.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10734.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="189px" width="667px" file="d10736.TIF" alt="化學式ed10736.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10736.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="189px" width="647px" file="d10737.TIF" alt="化學式ed10737.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10737.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="179px" width="583px" file="d10738.TIF" alt="化學式ed10738.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10738.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="148px" width="618px" file="d10739.TIF" alt="化學式ed10739.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10739.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="156px" width="631px" file="d10735.TIF" alt="化學式ed10735.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10735.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="130px" width="629px" file="d10740.TIF" alt="化學式ed10740.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10740.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="147px" width="603px" file="d10741.TIF" alt="化學式ed10741.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10741.png"/></figure>和<img align="absmiddle" height="188px" width="596px" file="d10742.TIF" alt="其他非圖式ed10742.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10742.png"/>，Ab為抗體或其抗原結合片段，m為1-8的數。
一種醫藥組成物，其含有如請求項1至18中任一項所述的化合物、或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其藥學上可接受的鹽，以及視需要地藥學上可接受的載體。
一種含有如請求項1至18中任一項所述的化合物、或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其藥學上可接受的鹽、和/或如請求項19所述的醫藥組成物在製備用於治療和/或預防腫瘤的藥物中的用途。
一種化合物、或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其藥學上可接受的鹽，其中該化合物具有式(C-HER2)所示的結構：<figure><img align="absmiddle" height="81px" width="341px" file="d10073.TIF" alt="化學式ed10073.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10073.png"/></figure>其中，Q<sub>1</sub>為與巰基偶聯後的連接體，L<sub>1</sub>為-L<sub>1a</sub>-C(=O)-，其中，L<sub>1a</sub>選自以下組：視需要取代的C<sub>1</sub>-C<sub>12</sub>的亞(伸)烷基和視需要取代的亞(伸)芳基；L<sub>2</sub>為選自以下組的多肽殘基：苯丙胺酸-賴胺酸(Phe-Lys)、纈胺酸-丙胺酸(Val-Ala)、纈胺酸-瓜胺酸(Val-Cit)、谷胺酸-纈胺酸-丙胺酸(Glu-Val-Ala)、谷胺酸-纈胺酸-瓜胺酸(Glu-Val-Cit)、纈胺酸-賴胺酸(Val-Lys)、丙胺酸-丙胺酸-丙胺酸(Ala-Ala-Ala)、丙胺酸-丙胺酸-天冬醯胺(Ala-Ala-Asn)和甘胺酸-甘胺酸-苯丙胺酸-甘胺酸(Gly-Gly-Phe-Gly)；L<sub>3</sub>為選自以下組的結構：經取代的<img align="absmiddle" height="64px" width="122px" file="d10205.TIF" alt="其他非圖式ed10205.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10205.png"/>，和經取代的<img align="absmiddle" height="63px" width="87px" file="d10206.TIF" alt="其他非圖式ed10206.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10206.png"/>，其中，L<sub>3</sub>中的苯環與經取代的聚肌胺酸殘基藉由結構單元-X-連接，其中，該結構單元-X-為<img align="absmiddle" height="51px" width="67px" file="d10207.TIF" alt="其他非圖式ed10207.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10207.png"/>或<img align="absmiddle" height="56px" width="122px" file="d10208.TIF" alt="其他非圖式ed10208.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10208.png"/>，其中X<sub>1</sub>選自以下組：C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基，其中，該經取代的聚肌胺酸殘基為<img align="absmiddle" height="75px" width="98px" file="d10213.TIF" alt="其他非圖式ed10213.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10213.png"/>，n2為10，R為選自以下組的結構：C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>環烷基和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基；T為藥物單元；Ab為能夠結合HER2的配體，m為1-8的數。
如請求項1所述的化合物、或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其藥學上可接受的鹽，其中，Q<sub>1</sub>為選自以下組的結構：<img align="absmiddle" height="58px" width="74px" file="d10214.TIF" alt="其他非圖式ed10214.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10214.png"/>、<img align="absmiddle" height="48px" width="105px" file="d10209.TIF" alt="其他非圖式ed10209.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10209.png"/>、<img align="absmiddle" height="47px" width="83px" file="d10210.TIF" alt="其他非圖式ed10210.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10210.png"/>和<figure><img align="absmiddle" height="53px" width="103px" file="d10074.TIF" alt="化學式ed10074.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10074.png"/></figure>
如請求項1所述的化合物、或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其藥學上可接受的鹽，其中，L<sub>1a</sub>為視需要取代的C<sub>1</sub>-C<sub>7</sub>的亞(伸)烷基。
如請求項1所述的化合物、或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其藥學上可接受的鹽，其中，結構單元-X-為<img align="absmiddle" height="42px" width="68px" file="d10211.TIF" alt="其他非圖式ed10211.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10211.png"/>，該經取代的聚肌胺酸殘基為<img align="absmiddle" height="74px" width="98px" file="d10212.TIF" alt="其他非圖式ed10212.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10212.png"/>，其中n2為10，R為C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基。
如請求項1所述的化合物、或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其藥學上可接受的鹽，其中，T包含具有抗腫瘤活性的化合物。
如請求項1所述的化合物、或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其藥學上可接受的鹽，其中，T為選自以下組的結構：<img align="absmiddle" height="91px" width="110px" file="d10215.TIF" alt="其他非圖式ed10215.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10215.png"/>，<img align="absmiddle" height="120px" width="104px" file="d10216.TIF" alt="其他非圖式ed10216.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10216.png"/>和<figure><img align="absmiddle" height="79px" width="161px" file="d10075.TIF" alt="化學式ed10075.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10075.png"/></figure>
如請求項1所述的化合物、或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其藥學上可接受的鹽，其中該Ab為抗HER2抗體或其抗原結合片段。
如請求項7所述的化合物、或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其藥學上可接受的鹽，其中該抗原結合片段選自以下組：Fab、Fab<i>'</i>、Fv片段、F(ab')<sub>2</sub>、F(ab)<sub>2</sub>、scFv、di-scFv、VHH和dAb。
如請求項1所述的化合物、或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其藥學上可接受的鹽，其中該Ab為曲妥珠單抗(Trastuzumab)或帕妥珠單抗(Pertuzumab)。
如請求項1所述的化合物、或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其藥學上可接受的鹽，其中，該化合物包含選自以下組的結構：<figure><img align="absmiddle" height="186px" width="650px" file="d10076.TIF" alt="化學式ed10076.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10076.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="183px" width="652px" file="d10077.TIF" alt="化學式ed10077.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10077.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="145px" width="650px" file="d10078.TIF" alt="化學式ed10078.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10078.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="163px" width="652px" file="d10079.TIF" alt="化學式ed10079.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10079.png"/></figure>和<figure><img align="absmiddle" height="137px" width="649px" file="d10080.TIF" alt="化學式ed10080.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10080.png"/></figure>Ab為能夠結合HER2的配體，m為1-8的數。
一種化合物、或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其藥學上可接受的鹽，其中，該化合物包含選自以下組的結構：<figure><img align="absmiddle" height="199px" width="675px" file="d10081.TIF" alt="化學式ed10081.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10081.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="197px" width="676px" file="d10082.TIF" alt="化學式ed10082.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10082.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="157px" width="676px" file="d10083.TIF" alt="化學式ed10083.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10083.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="171px" width="677px" file="d10084.TIF" alt="化學式ed10084.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10084.png"/></figure>和<figure><img align="absmiddle" height="143px" width="660px" file="d10085.TIF" alt="化學式ed10085.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10085.png"/></figure>Ab為能夠結合HER2的配體，m為1-8的數。
一種醫藥組成物，其含有如請求項1至11中任一項所述的化合物、或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其藥學上可接受的鹽，以及視需要地藥學上可接受的載體。
一種含有如請求項1至11中任一項所述的化合物、或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其藥學上可接受的鹽或如請求項12所述的醫藥組成物在製備用於治療或預防腫瘤的藥物中的用途。
一種量子點組合物，包含<br/>25-80重量份的量子點材料；<br/>15-70重量份的聚合物，其中該聚合物的重複單元係一第一重複單元、或該聚合物的重複單元係該第一重複單元及一第二重複單元，其中該第一重複單元具有式(I)所示結構、以及該第二重複單元具有式(II)所示結構：<br/><img align="absmiddle" height="345px" width="479px" file="ed10130.jpg" alt="ed10130.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式(I)<img align="absmiddle" height="345px" width="479px" file="ed10191.jpg" alt="ed10191.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式(II)<br/>其中，A<sup>1</sup>以及A<sup>3</sup>係氫；A<sup>2</sup>係乙烯基、<img align="absmiddle" height="216px" width="324px" file="ed10132.jpg" alt="ed10132.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><i>、</i><img align="absmiddle" height="255px" width="317px" file="ed10133.jpg" alt="ed10133.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><i>、</i><img align="absmiddle" height="57px" width="78px" file="ed10134.jpg" alt="ed10134.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><i>、</i><img align="absmiddle" height="176px" width="324px" file="ed10135.jpg" alt="ed10135.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><i>或</i><img align="absmiddle" height="255px" width="317px" file="ed10137.jpg" alt="ed10137.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>各自獨立為氫、鹵素、或C<sub>1-2</sub>烷基；R<sup>3</sup>為氫、苯基、聯苯基、或萘基；Z<sup>1</sup>為<img align="absmiddle" height="347px" width="413px" file="ed10139.jpg" alt="ed10139.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="235px" width="351px" file="ed10217.jpg" alt="ed10217.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="188px" width="221px" file="ed10141.jpg" alt="ed10141.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="393px" width="395px" file="ed10143.jpg" alt="ed10143.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、或<img align="absmiddle" height="278px" width="570px" file="ed10145.jpg" alt="ed10145.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; R<sup>4</sup>、R<sup>5</sup>、R<sup>11</sup>、R<sup>12</sup>、R<sup>16</sup>、R<sup>17</sup>、R<sup>22</sup>、R<sup>23</sup>、及R<sup>24</sup>各自獨立為氫、鹵素、或C<sub>1-2</sub>烷基；R<sup>6</sup>、R<sup>7</sup>、及R<sup>8</sup>各自獨立為氫、<img align="absmiddle" height="188px" width="210px" file="ed10147.jpg" alt="ed10147.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、C<sub>3-10</sub>烷基、或C<sub>2-10</sub>烯基，且R<sup>6</sup>、R<sup>7</sup>、及R<sup>8</sup>至少一者為C<sub>2-10</sub>烯基、或<img align="absmiddle" height="188px" width="210px" file="ed10147.jpg" alt="ed10147.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；R<sup>9</sup>及R<sup>10</sup>各自獨立為C<sub>2-10</sub>烯基；R<sup>13</sup>各自獨立為氫、C<sub>3-10</sub>烷基、或C<sub>2-10</sub>烯基，且R<sup>13</sup>至少一者為C<sub>2-10</sub>烯基；R<sup>14</sup>及R<sup>15</sup>各自獨立為氫、C<sub>3-10</sub>烷基、或C<sub>2-10</sub>烯基，且R<sup>14</sup>及R<sup>15</sup>至少一者為C<sub>2-10</sub>烯基；R<sup>18</sup>、R<sup>19</sup>、R<sup>20</sup>、及R<sup>21</sup>各自獨立為氫、C<sub>3-10</sub>烷基、或C<sub>2-10</sub>烯基，且R<sup>18</sup>、R<sup>19</sup>、R<sup>20</sup>、及R<sup>21</sup>至少一者為C<sub>2-10</sub>烯基；以及，R<sup>25</sup>各自獨立為氫、C<sub>3-10</sub>烷基、或C<sub>2-10</sub>烯基，且R<sup>25</sup>至少一者為C<sub>2-10</sub>烯基；A<sup>4</sup>及A<sup>6</sup>係氫；A<sup>5</sup>係乙烯基、<img align="absmiddle" height="216px" width="324px" file="ed10192.jpg" alt="ed10192.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="255px" width="317px" file="ed10193.jpg" alt="ed10193.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="216px" width="305px" file="ed10218.jpg" alt="ed10218.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="176px" width="324px" file="ed10135.jpg" alt="ed10135.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="255px" width="317px" file="ed10137.jpg" alt="ed10137.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；R<sup>26</sup>及R<sup>27</sup>獨立為氫、鹵素、或C<sub>1-2</sub>烷基；R<sup>28</sup>為氫、苯基、聯苯基、或萘基；Z<sup>2</sup>為<img align="absmiddle" height="347px" width="413px" file="ed10194.jpg" alt="ed10194.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="235px" width="351px" file="ed10219.jpg" alt="ed10219.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="188px" width="221px" file="ed10195.jpg" alt="ed10195.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="393px" width="395px" file="ed10196.jpg" alt="ed10196.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、或<img align="absmiddle" height="278px" width="570px" file="ed10197.jpg" alt="ed10197.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; R<sup>29</sup>、R<sup>30</sup>、R<sup>36</sup>、R<sup>37</sup>、R<sup>41</sup>、R<sup>42</sup>、R<sup>47</sup>、R<sup>48</sup>、及R<sup>49</sup>係各自獨立為氫、鹵素、或C<sub>1-2</sub>烷基；R<sup>31</sup>、R<sup>32</sup>、及R<sup>33</sup>各自獨立為氫、<img align="absmiddle" height="188px" width="210px" file="ed10198.jpg" alt="ed10198.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、C<sub>3-10</sub>烷基、或C<sub>2-10</sub>烯基，且R<sup>31</sup>、R<sup>32</sup>、及R<sup>33</sup>至少一者不為氫；R<sup>34</sup>及R<sup>35</sup>各自獨立為氫、C<sub>3-10</sub>烷基、或C<sub>2-10</sub>烯基，且R<sup>34</sup>及R<sup>35</sup>至少一者不為氫；R<sup>38</sup>各自獨立為氫、C<sub>3-10</sub>烷基、或C<sub>2-10</sub>烯基，且R<sup>38</sup>至少一者不為氫；R<sup>39</sup>及R<sup>40</sup>各自獨立為氫、C<sub>3-10</sub>烷基、或C<sub>2-10</sub>烯基，且R<sup>39</sup>及R<sup>40</sup>至少一者不為氫；R<sup>43</sup>、R<sup>44</sup>、R<sup>45</sup>、及R<sup>46</sup>各自獨立為氫、C<sub>3-10</sub>烷基、或C<sub>2-10</sub>烯基，且R<sup>43</sup>、R<sup>44</sup>、R<sup>45</sup>、及R<sup>46</sup>至少一者不為氫；以及，R<sup>50</sup>各自獨立為氫、C<sub>3-10</sub>烷基、或C<sub>2-10</sub>烯基，且R<sup>50</sup>至少一者不為氫，其中該第一重複單元與該第二重複單元不同；以及<br/>2-20重量份的交聯單體，其中該交聯單體具有至少一個C<sub>2-8</sub>烯基、至少一個丙烯酸酯基、或至少一個甲基丙烯酸酯基。
如請求項1所述之量子點組合物，其中第一重複單元係<img align="absmiddle" height="541px" width="781px" file="ed10170.jpg" alt="ed10170.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="556px" width="743px" file="ed10172.jpg" alt="ed10172.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="529px" width="559px" file="ed10174.jpg" alt="ed10174.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="743px" width="651px" file="ed10176.jpg" alt="ed10176.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、或<img align="absmiddle" height="635px" width="880px" file="ed10178.jpg" alt="ed10178.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， 其中R<sup>7</sup>係<img align="absmiddle" height="188px" width="210px" file="ed10147.jpg" alt="ed10147.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或C<sub>2-10</sub>烯基，其中R<sup>25</sup>各自獨立為氫、C<sub>3-10</sub>烷基、或C<sub>2-10</sub>烯基，且R<sup>25</sup>至少一者為C<sub>2-10</sub>烯基；R<sup>9</sup>及R<sup>10</sup>各自獨立為C<sub>2-10</sub>烯基；R<sup>13</sup>各自獨立為C<sub>2-10</sub>烯基；R<sup>14</sup>及R<sup>15</sup>各自獨立為C<sub>2-10</sub>烯基；以及，R<sup>18</sup>、R<sup>19</sup>、R<sup>20</sup>、及R<sup>21</sup>各自獨立為C<sub>2-10</sub>烯基。
如請求項1所述之量子點組合物，其中該第一重複單元係<img align="absmiddle" height="308px" width="781px" file="ed10180.jpg" alt="ed10180.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="312px" width="743px" file="ed10182.jpg" alt="ed10182.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="318px" width="559px" file="ed10183.jpg" alt="ed10183.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="523px" width="651px" file="ed10184.jpg" alt="ed10184.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、或<img align="absmiddle" height="384px" width="880px" file="ed10185.jpg" alt="ed10185.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中R<sup>7</sup>係<img align="absmiddle" height="188px" width="210px" file="ed10147.jpg" alt="ed10147.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或C<sub>2-10</sub>烯基，其中R<sup>25</sup>各自獨立為氫、C<sub>3-10</sub>烷基、或C<sub>2-10</sub>烯基，且R<sup>25</sup>至少一者為C<sub>2-10</sub>烯基；R<sup>9</sup>及R<sup>10</sup>各自獨立為C<sub>2-10</sub>烯基；R<sup>13</sup>各自獨立為C<sub>2-10</sub>烯基；R<sup>14</sup>及R<sup>15</sup>各自獨立為C<sub>2-10</sub>烯基；以及，R<sup>18</sup>、R<sup>19</sup>、R<sup>20</sup>、及R<sup>21</sup>各自獨立為C<sub>2-10</sub>烯基。
如請求項1所述之量子點組合物，其中該第一重複單元係<img align="absmiddle" height="427px" width="781px" file="ed10186.jpg" alt="ed10186.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="425px" width="743px" file="ed10187.jpg" alt="ed10187.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="436px" width="559px" file="ed10188.jpg" alt="ed10188.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="643px" width="651px" file="ed10189.jpg" alt="ed10189.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、或<img align="absmiddle" height="515px" width="880px" file="ed10190.jpg" alt="ed10190.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中R<sup>7</sup>係<img align="absmiddle" height="188px" width="210px" file="ed10147.jpg" alt="ed10147.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或C<sub>2-10</sub>烯基，其中R<sup>25</sup>各自獨立為氫、C<sub>3-10</sub>烷基、或C<sub>2-10</sub>烯基，且R<sup>25</sup>至少一者為C<sub>2-10</sub>烯基；R<sup>9</sup>及R<sup>10</sup>各自獨立為C<sub>2-10</sub>烯基；R<sup>13</sup>各自獨立為C<sub>2-10</sub>烯基；R<sup>14</sup>及R<sup>15</sup>各自獨立為C<sub>2-10</sub>烯基；以及，R<sup>18</sup>、R<sup>19</sup>、R<sup>20</sup>、及R<sup>21</sup>各自獨立為C<sub>2-10</sub>烯基。
如請求項1所述之量子點組合物，其中該聚合物的重複單元係該第一重複單元及該第二重複單元，其中該第一重複單元與該第二重複單元的數量比為1:99至99:1。
如請求項5所述之量子點組合物，其中該第二重複單元係<img align="absmiddle" height="541px" width="781px" file="ed10199.jpg" alt="ed10199.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="556px" width="743px" file="ed10200.jpg" alt="ed10200.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="529px" width="559px" file="ed10201.jpg" alt="ed10201.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="743px" width="651px" file="ed10202.jpg" alt="ed10202.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、或<img align="absmiddle" height="635px" width="880px" file="ed10203.jpg" alt="ed10203.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中R<sup>32</sup>係氫、<img align="absmiddle" height="188px" width="210px" file="ed10198.jpg" alt="ed10198.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、C<sub>3-10</sub>烷基、或C<sub>2-10</sub>烯基，其中R<sup>50</sup>各自獨立為氫、C<sub>3-10</sub>烷基、或C<sub>2-10</sub>烯基，且R<sup>50</sup>至少一者不為氫；R<sup>34</sup>及R<sup>35</sup>各自獨立為氫、C<sub>3-10</sub>烷基、或C<sub>2-10</sub>烯基，且R<sup>34</sup>及R<sup>35</sup>至少一者不為氫；R<sup>38</sup>各自獨立為氫、C<sub>3-10</sub>烷基、或C<sub>2-10</sub>烯基，且R<sup>38</sup>至少一者不為氫；R<sup>39</sup>及R<sup>40</sup>各自獨立為氫、C<sub>3-10</sub>烷基、或C<sub>2-10</sub>烯基，且R<sup>39</sup>及R<sup>40</sup>至少一者不為氫；R<sup>43</sup>、R<sup>44</sup>、R<sup>45</sup>、及R<sup>46</sup>各自獨立為氫、C<sub>3-10</sub>烷基、或C<sub>2-10</sub>烯基，且R<sup>43</sup>、R<sup>44</sup>、R<sup>45</sup>、及R<sup>46</sup>至少一者不為氫。
如請求項5所述之量子點組合物，其中該第二重複單元為<img align="absmiddle" height="308px" width="781px" file="ed10204.jpg" alt="ed10204.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="312px" width="743px" file="ed10205.jpg" alt="ed10205.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="318px" width="559px" file="ed10206.jpg" alt="ed10206.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="523px" width="651px" file="ed10207.jpg" alt="ed10207.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、或<img align="absmiddle" height="384px" width="880px" file="ed10208.jpg" alt="ed10208.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中R<sup>32</sup>係氫、<img align="absmiddle" height="188px" width="210px" file="ed10198.jpg" alt="ed10198.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、C<sub>3-10</sub>烷基、或C<sub>2-10</sub>烯基，其中R<sup>50</sup>各自獨立為氫、C<sub>3-10</sub>烷基、或C<sub>2-10</sub>烯基，且R<sup>50</sup>至少一者不為氫；R<sup>34</sup>及R<sup>35</sup>各自獨立為氫、C<sub>3-10</sub>烷基、或C<sub>2-10</sub>烯基，且R<sup>34</sup>及R<sup>35</sup>至少一者不為氫；R<sup>38</sup>各自獨立為氫、C<sub>3-10</sub>烷基、或C<sub>2-10</sub>烯基，且R<sup>38</sup>至少一者不為氫；R<sup>39</sup>及R<sup>40</sup>各自獨立為氫、C<sub>3-10</sub>烷基、或C<sub>2-10</sub>烯基，且R<sup>39</sup>及R<sup>40</sup>至少一者不為氫；R<sup>43</sup>、R<sup>44</sup>、R<sup>45</sup>、及R<sup>46</sup>各自獨立為氫、C<sub>3-10</sub>烷基、或C<sub>2-10</sub>烯基，且R<sup>43</sup>、R<sup>44</sup>、R<sup>45</sup>、及R<sup>46</sup>至少一者不為氫。
如請求項5所述之量子點組合物，其中該第二重複單元為<img align="absmiddle" height="427px" width="781px" file="ed10209.jpg" alt="ed10209.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="425px" width="743px" file="ed10210.jpg" alt="ed10210.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="436px" width="559px" file="ed10211.jpg" alt="ed10211.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="643px" width="651px" file="ed10212.jpg" alt="ed10212.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、或<img align="absmiddle" height="515px" width="880px" file="ed10213.jpg" alt="ed10213.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中R<sup>32</sup>係氫、<img align="absmiddle" height="188px" width="210px" file="ed10198.jpg" alt="ed10198.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、C<sub>3-10</sub>烷基、或C<sub>2-10</sub>烯基，其中R<sup>50</sup>各自獨立為氫、C<sub>3-10</sub>烷基、或C<sub>2-10</sub>烯基，且R<sup>50</sup>至少一者不為氫；R<sup>34</sup>及R<sup>35</sup>各自獨立為氫、C<sub>3-10</sub>烷基、或C<sub>2-10</sub>烯基，且R<sup>34</sup>及R<sup>35</sup>至少一者不為氫；R<sup>38</sup>各自獨立為氫、C<sub>3-10</sub>烷基、或C<sub>2-10</sub>烯基，且R<sup>38</sup>至少一者不為氫；R<sup>39</sup>及R<sup>40</sup>各自獨立為氫、C<sub>3-10</sub>烷基、或C<sub>2-10</sub>烯基，且R<sup>39</sup>及R<sup>40</sup>至少一者不為氫；R<sup>43</sup>、R<sup>44</sup>、R<sup>45</sup>、及R<sup>46</sup>各自獨立為氫、C<sub>3-10</sub>烷基、或C<sub>2-10</sub>烯基，且R<sup>43</sup>、R<sup>44</sup>、R<sup>45</sup>、及R<sup>46</sup>至少一者不為氫。
如請求項1所述之量子點組合物，其中該量子點材料係無摻雜碳材料、摻雜碳、未改質的II-VI族化合物、未改質的III-V族化合物、未改質的IV-VI族化合物、或上述的組合。
如請求項9所述之量子點組合物，其中該未改質的II-VI族化合物係硫化鎘(cadmium sulfide)、硒化鎘(cadmium selenide)、碲化鎘(cadmium telluride)、硫化鋅(zinc sulfide)、硒化鋅(zinc selenide)、碲化鋅(zinc telluride)、硫化汞(mercury sulfide )、硒化汞(mercury selenide)、碲化汞(mercury telluride)、氧化鋅(zinc oxide)、氧化鎘(cadmium oxide)、氧化汞(mercury oxide)、硒硫化鎘(cadmium selenium sulfide)、硒碲化鎘( cadmium selenium telluride)、硫碲化鎘(cadmium sulfide telluride)、硫化鎘鋅(cadmium zinc sulfide)、硒化鎘鋅(cadmium zinc selenide)、碲化鎘鋅(cadmium zinc telluride)、硫化鎘汞(cadmium mercury sulfide)、硒化鎘汞(cadmium mercury selenide)、碲化鎘汞(cadmium mercury telluride)、硒硫化鋅(zinc selenium sulfide)、硒碲化鋅(zinc selenium telluride)、硫碲化鋅(zinc sulfide telluride)、硒硫化汞(mercury selenium sulfide)、硒碲化汞(mercury selenium telluride)、硫碲化汞(mercury sulfide telluride)、硫化汞鋅(mercury zinc sulfide)、硒化汞鋅(mercury zinc selenide)、氧化鎘鋅(cadmium zinc oxide)、氧化鎘汞(cadmium mercury oxide)、氧化鋅汞(zinc mercury oxide)、硒氧化鋅(zinc selenium oxide)、碲氧化鋅(zinc tellurium oxide)、硫氧化鋅(zinc sulfide oxide)、硒氧化鎘(cadmium selenium oxide)、碲氧化鎘(cadmium tellurium oxide)、硫氧化鎘(cadmium sulfide oxide)、硒氧化汞(mercury selenium oxide)、碲氧化汞(mercury tellurium oxide)、硫氧化汞(mercury sulfide oxide)、硒硫化鎘鋅(cadmium zinc selenium sulfide)、硒碲化鎘鋅(cadmium zinc selenium telluride)、硫碲化鎘鋅(cadmium zinc sulfide telluride)、硒硫化鎘汞(cadmium mercury selenium sulfide)、硒碲化鎘汞(cadmium mercury selenium telluride)、硫碲化鎘汞 (cadmium mercury sulfide telluride)、硒硫化汞鋅(mercury zinc selenium sulfide)、硒碲化汞鋅(mercury zinc selenium telluride)、 硫碲化汞鋅(mercury zinc sulfide telluride)、硒酸鎘鋅(cadmium zinc selenium oxide)、碲酸鎘鋅(cadmium zinc tellurium oxide)、硫酸鎘鋅(cadmium zinc sulfide oxide)、硒酸鎘汞(cadmium mercury selenium oxide)、碲酸鎘汞(cadmium mercury tellurium oxide)、硫酸鎘汞(cadmium mercury sulfide oxide)、硒酸鋅汞(zinc mercury selenium oxide)、碲酸鋅汞(zinc mercury tellurium oxide)、或硫酸鋅汞(zinc mercury sulfide oxide )。
如請求項9所述之量子點組合物，其中該未改質的III-V族化合物係磷化鎵(gallium phosphide)、砷化鎵(gallium arsenide)、銻化鎵(gallium antimonide)、氮化鎵(gallium nitride)、磷化鋁(aluminum phosphide)、砷化鋁(aluminum arsenide)、銻化鋁(aluminum antimonide)、氮化鋁(aluminum nitride)、磷化銦(indium phosphide)、砷化銦(indium arsenide)、銻化銦(indium antimonide)、氮化銦(indium nitride)、磷砷化鎵(gallium phosphide arsenide)、磷銻化鎵(gallium phosphide antimonide )、磷氮化鎵(gallium phosphide nitride)、砷氮化鎵(gallium arsenide nitride)、銻氮化鎵(gallium antimonide nitride)、砷磷化鋁(aluminum phosphide arsenide)、磷銻化鋁(aluminum phosphide antimonide)、磷氮化鋁(aluminum phosphide nitride)、砷氮化鋁(aluminum arsenide nitride)、銻氮化鋁(aluminum antimonide nitride)、磷砷化銦(aluminum antimonide nitride)、磷銻化銦(indium phosphide antimonide)、磷氮化銦(indium phosphide nitride)、砷氮化銦(indium arsenide nitrid)、磷化鋁鎵(aluminum gallium phosphide)、砷化鋁鎵(aluminum gallium arsenide)、銻化鋁鎵(aluminum gallium antimonide)、氮化鋁鎵(aluminum gallium nitride)、磷化銦鎵(indium gallium phosphide)、砷化銦鎵(indium gallium arsenide)、銻化銦鎵(indium gallium antimonide)、氮化銦鎵(indium gallium nitride)、銻氮化銦(indium antimonide nitride)、磷化鋁銦(aluminum indium phosphide)、砷化鋁銦(aluminum indium arsenide)、銻化鋁銦(aluminum indium antimonide)、氮化鋁銦(aluminum indium nitride)、砷氮化鋁(aluminum arsenide nitride)、磷砷化鎵鋁(gallium aluminum phosphide arsenide)、磷銻化鎵鋁(gallium aluminum phosphide antimonide)、磷砷化鎵銦(gallium indium phosphide arsenide)、砷化鎵銦鋁(gallium indium aluminum arsenide)、磷氮化鎵鋁(gallium aluminum phosphide nitride)、砷氮化鎵鋁(gallium aluminum arsenide nitride)、銻氮化鎵鋁(gallium aluminum antimonide nitride)、磷氮化鎵銦(gallium indium phosphide nitride)、砷氮化鎵銦(gallium indium arsenide nitride)、氮化鎵銦鋁(gallium indium aluminum nitride)、銻磷氮化鎵(gallium antimonide phosphide nitride)、砷磷氮化鎵(gallium arsenide phosphide nitride)、砷銻氮化鎵(gallium arsenide antimonide nitride)、磷銻化鎵銦(gallium indium phosphide antimonide)、銻氮化鎵銦(gallium indium antimonide nitride)、磷銻氮化鎵(gallium phosphide antimonide nitride)、磷砷化銦鋁(indium aluminum phosphide arsenide)、磷氮化銦鋁(indium aluminum phosphide nitride)、磷砷氮化銦(indium phosphide arsenide nitride)、銻氮化銦鋁(indium aluminum antimonide nitride)、磷銻氮化銦( indium phosphide antimonide nitride)、砷銻氮化銦(indium arsenide antimonide nitride)、或磷銻化銦鋁( indium aluminum phosphide antimonide)。
如請求項9所述之量子點組合物，其中該未改質的IV-VI族化合物係氧化錫( tin oxide)、硫化錫(tin sulfide)、硒化錫(tin selenide)、碲化錫(tin telluride)、硫化鉛(lead sulfide)、硒化鉛(lead selenide)、碲化鉛(lead telluride)、氧化鍺(germanium oxide)、硫化鍺(germanium sulfide)、硒化鍺(germanium selenide)、碲化鍺(germanium telluride)、硒硫化錫(tin selenium sulfide)、硒碲化錫(tin selenium telluride)、硫碲化錫(tin sulfide telluride)、硒硫化鉛(lead selenium sulfide)、硒碲化鉛(lead selenium telluride)、硫碲化鉛(lead sulfide telluride)、硫化錫鉛(tin lead sulfide)、硒化錫鉛(tin lead selenide)、碲化錫鉛(tin lead telluride)、氧硫化錫(tin oxide sulfide)、氧硒化錫(tin oxide selenide)、氧碲化錫(tin oxide telluride)、氧硫化鍺(germanium oxide sulfide)、氧硒化鍺(germanium oxide selenide)、氧碲化鍺(germanium oxide telluride)、硫硒化錫鉛(tin lead sulfide selenide)、硒碲化錫鉛(tin lead selenium telluride)、或硫碲化錫鉛(tin lead sulfide telluride)。
如請求項1所述之量子點組合物，其中該交聯單體係具有至少一個C<sub>2-8</sub>烯基的脂肪族化合物、具有至少一個丙烯酸酯基的脂肪族化合物、具有至少一個甲基丙烯酸酯基的脂肪族化合物、具有至少一個C<sub>2-8</sub>烯基的芳香族化合物、具有至少一個丙烯酸酯基的芳香族化合物、或具有至少一個甲基丙烯酸酯基的芳香族化合物。
如請求項1所述之量子點組合物，其中該交聯單體係具有至少一個C<sub>2-8</sub>烯基的二苯基芴(diphenylfluorene)化合物、具有至少一個丙烯酸酯基的二苯基芴(diphenylfluorene)化合物、或具有至少一個甲基丙烯酸酯基的二苯基芴(diphenylfluorene)化合物。
一種發光裝置，包括：<br/>一對電極；以及<br/>一發光單元，配置於該對電極之間，其中該發光單元包含由請求項1所述量子點組合物所形成之膜層。
一種製造具有至少一個嵌入式電子元件(2)之印刷電路板(1)的方法，包括以下步驟： <br/>製造具有至少一個導電層(4)及至少一個電絕緣層(5)之印刷電路板模組(3)，其中該電絕緣層(5)包圍該電子元件(2)以封閉(enclose)該電子元件，並且該電子元件(2)之接點(6)與該至少一個導電層(4)之連接面(7)導電連接， <br/>提供載體層(8)， <br/>提供具有空隙(10)之定位層(9)，該空隙略大於該印刷電路板模組(3)之相應基面， <br/>將該定位層(9)施加於該載體層(8)上， <br/>將該印刷電路板模組(3)插入該定位層(9)中的該空隙(10)中，藉此將該印刷電路板模組(3)定位，而無需焊接或黏接， <br/>將至少一個電絕緣層(11)施加於該印刷電路板模組(3)及包圍該印刷電路板模組(3)的該定位層(9)上， <br/>將導電層(12)施加於該至少一個覆蓋該印刷電路板模組(3)之電絕緣層(11)上， <br/>對以此方式產生的層序列(13)進行壓製， <br/>在該印刷電路板模組(3)之該等連接面(7)區域內，在經壓製後的該層序列(13)中開設至少延伸至該等連接面(7)之孔洞(14)，以及 <br/>將該等孔洞(14)金屬化。
如請求項1之方法，其特徵在於，這樣來確定該定位層(9)中之該空隙(10)的尺寸，使得在將該印刷電路板模組(3)插入該空隙(10)之後，該印刷電路板模組(3)與包圍該印刷電路板模組(3)之該定位層(9)之間的側向距離(a)小於0.5 mm。
如請求項1或2之方法，其特徵在於，在該印刷電路板模組(3)之該等連接面(7)區域內，以機械開孔方式在經壓製後的該層序列(13)中開設該等孔洞(14)。
如請求項1或2之方法，其特徵在於，該載體層(8)具有導電層(15)及電絕緣層(16)，其中該電絕緣層(16)佈置在該導電層(15)與該印刷電路板模組(3)或該定位層(9)之間。
如請求項4之方法，其特徵在於，至少一部分該等孔洞(14)穿過該導電層(12)及該至少一個覆蓋該印刷電路板模組(3)之電絕緣層(11)，並且/或者，一部分該等孔洞(14)穿過該載體層(8)。
如請求項1或2之方法，其特徵在於，該定位層(9)具有至少兩個電絕緣層(17、18、19)，其中該等電絕緣層(17、18、19)分別具有用於該印刷電路板模組(3)之空隙(10)。
如請求項6之方法，其特徵在於，為該定位層(9)之至少一個電絕緣層(18)使用預浸料，並且為該定位層(9)之至少一個電絕緣層(17、19)使用固化的基本層壓板。
如請求項1或2之方法，其特徵在於，在第一步驟中，在該定位層(9)之該等電絕緣層(17、18、19)中開設空隙(10)，其中較佳藉由蝕刻、銑削、衝壓或雷射切割來製造該等空隙(10)。
一種具有至少一個嵌入式電子元件(2)之印刷電路板(1)，其中該電子元件(2)佈置在印刷電路板模組(3)中，且其中該印刷電路板模組(3)具有至少一個導電層(4)及至少一個電絕緣層(5)，其中該電絕緣層(5)包圍該電子元件(2)以封閉該電子元件，並且該電子元件(2)之接點(6)與該至少一個導電層(4)之連接面(7)導電連接，其中該印刷電路板(1)係以如請求項1至8中任一項之方法製成，並且至少具有以下層序列(13)： <br/>載體層(8)， <br/>具有空隙(10)之定位層(9)，該空隙大於該印刷電路板模組(3)之相應基面， <br/>電絕緣層(11)，及 <br/>導電層(12)， <br/>其中該印刷電路板模組(3)插入在該定位層(9)中之該空隙(10)中， <br/>其中在該印刷電路板模組(3)之該等連接面(7)區域內開設有自該層序列(13)之該等兩個外層(8、12)中的至少一者至少延伸至該等連接面(7)之孔洞(14)，且其中該等孔洞(14)經金屬化處理。
如請求項9之印刷電路板(1)，其特徵在於，至少一部分該等孔洞(14)穿過該導電層(12)及該至少一個覆蓋該印刷電路板模組(3)之電絕緣層(11)。
如請求項9或10之印刷電路板(1)，其特徵在於，該載體層(8)具有導電層(15)及電絕緣層(16)，其中該電絕緣層(16)佈置在該導電層(15)與該印刷電路板模組(3)或該定位層(9)之間。
如請求項11之印刷電路板(1)，其特徵在於，至少一部分該等孔洞(14)穿過該載體層(8)。
如請求項9或10之印刷電路板(1)，其特徵在於，該定位層(9)由至少兩個電絕緣層(17、18、19)組成，其中該等電絕緣層(17、18、19)分別具有用於該印刷電路板模組(3)之空隙(10)。
如請求項13之印刷電路板(1)，其特徵在於，在該定位層(9)之至少一個電絕緣層(17、19)的下側及/或上側設有至少一個導電部分，特別是至少一個導電通路(21)。
如請求項13或14之印刷電路板(1)，其特徵在於，覆蓋該印刷電路板模組(3)之該電絕緣層(11)及該定位層(9)之至少一個電絕緣層(17、19)被設計成預浸料，並且/或者，該定位層(9)之至少一個電絕緣層(18)被設計成固化的基本層壓板。
如請求項9或10之印刷電路板，其特徵在於，該等孔洞(14)之直徑至少等於該等孔洞(14)之深度。
如請求項9或10之印刷電路板(1)，其特徵在於，至少一個導電層(8、15)具有至少為50 μm之厚度(d)。
一種半導體裝置，包括：<br/>第一層；<br/>該第一層上的第二層；<br/>第一佈線；<br/>第二佈線；以及<br/>第三佈線，<br/>其中，該第一層包括第一多工器、第二多工器以及第一至第四類比開關，<br/>該第二層包括第一至第四電晶體，<br/>該第一至第四電晶體各自包括源極、汲極及第一閘極，<br/>該第一佈線與該第一至第四電晶體各自的源極和汲極中的一個電連接，<br/>該第一類比開關及該第二類比開關各自的第一端子與該第一多工器電連接，<br/>該第一類比開關及該第二類比開關各自的第二端子與該第二佈線電連接，<br/>該第一類比開關的第三端子與該第一電晶體及該第二電晶體各自的源極和汲極中的另一個電連接，<br/>該第二類比開關的第三端子與該第三電晶體及該第四電晶體各自的源極和汲極中的另一個電連接，<br/>該第三類比開關及該第四類比開關各自的第一端子與該第二多工器電連接，<br/>該第三類比開關及該第四類比開關各自的第二端子與該第三佈線電連接，<br/>該第三類比開關的第三端子與該第一電晶體及該第三電晶體各自的第一閘極電連接，<br/>並且，該第四類比開關的第三端子與該第二電晶體及該第四電晶體各自的第一閘極電連接。
如請求項1之半導體裝置，還包括：<br/>第四佈線，<br/>其中該第一至該第四電晶體各自還包括第二閘極，<br/>並且該第四佈線與該第一至第四電晶體各自的第二閘極電連接。
如請求項1或2之半導體裝置，<br/>其中該第一至第四電晶體各自在通道形成區域中包含金屬氧化物。
如請求項3之半導體裝置，<br/>其中該金屬氧化物包含銦、鎵及鋅。
如請求項1或2之半導體裝置，<br/>其中該第一至第四類比開關各自使用CMOS電路構成。
如請求項5之半導體裝置，<br/>其中該CMOS電路所包括的電晶體在通道形成區域中包含矽。
一種半導體裝置，包括：<br/>第一層；<br/>該第一層上的第二層；<br/>第一佈線；<br/>第二佈線；以及<br/>第三佈線，<br/>其中，該第一層包括第一多工器、第二多工器以及第一至第三類比開關，<br/>該第二層包括第一電晶體以及第三電晶體，<br/>該第一電晶體及該第三電晶體各自包括源極、汲極以及第一閘極，<br/>該第一佈線與該第一電晶體及該第三電晶體各自的源極和汲極中的一個電連接，<br/>該第一類比開關及該第二類比開關各自的第一端子與該第一多工器電連接，<br/>該第一類比開關及該第二類比開關各自的第二端子與該第二佈線電連接，<br/>該第一類比開關的第三端子與該第一電晶體的源極和汲極中的另一個電連接，<br/>該第二類比開關的第三端子與該第三電晶體的源極和汲極中的另一個電連接，<br/>該第三類比開關的第一端子與該第二多工器電連接，<br/>該第三類比開關的第二端子與該第三佈線電連接，<br/>並且，該第三類比開關的第三端子與該第一電晶體及該第三電晶體各自的第一閘極電連接。
如請求項7之半導體裝置，還包括：<br/>第四佈線，<br/>其中該第一電晶體及該第三電晶體各自還包括第二閘極，<br/>並且該第四佈線與該第一電晶體及該第三電晶體各自的第二閘極電連接。
如請求項7或8之半導體裝置，<br/>其中該第一電晶體及該第三電晶體各自在通道形成區域中包含金屬氧化物。
如請求項9之半導體裝置，<br/>其中該金屬氧化物包含銦、鎵及鋅。
如請求項7或8之半導體裝置，<br/>其中該第一至第三類比開關各自使用CMOS電路構成。
如請求項11之半導體裝置，<br/>其中該CMOS電路所包括的電晶體在通道形成區域中包含矽。
一種半導體裝置，包括：<br/>第一層；<br/>該第一層上的第二層；<br/>第一佈線；<br/>第二佈線；以及<br/>第三佈線，<br/>其中，該第一層包括第一多工器、第二多工器、第一類比開關、第三類比開關以及第四類比開關，<br/>該第二層包括第一電晶體以及第二電晶體，<br/>該第一電晶體及該第二電晶體各自包括源極、汲極以及第一閘極，<br/>該第一佈線與該第一電晶體及該第二電晶體各自的源極和汲極中的一個電連接，<br/>該第一類比開關的第一端子與該第一多工器電連接，<br/>該第一類比開關的第二端子與該第二佈線電連接，<br/>該第一類比開關的第三端子與該第一電晶體及該第二電晶體各自的源極和汲極中的另一個電連接，<br/>該第三類比開關及該第四類比開關各自的第一端子與該第二多工器電連接，<br/>該第三類比開關及該第四類比開關各自的第二端子與該第三佈線電連接，<br/>該第三類比開關的第三端子與該第一電晶體的第一閘極電連接，<br/>並且，該第四類比開關的第三端子與該第二電晶體的第一閘極電連接。
如請求項13之半導體裝置，還包括：<br/>第四佈線，<br/>其中該第一電晶體及該第二電晶體各自還包括第二閘極，<br/>並且該第四佈線與該第一電晶體及該第二電晶體各自的第二閘極電連接。
如請求項13或14之半導體裝置，<br/>其中該第一電晶體及該第二電晶體各自在通道形成區域中包含金屬氧化物。
如請求項15之半導體裝置，<br/>其中該金屬氧化物包含銦、鎵及鋅。
如請求項13或14之半導體裝置，<br/>其中該第一類比開關、該第三類比開關及該第四類比開關各自使用CMOS電路構成。
如請求項17之半導體裝置，<br/>其中該CMOS電路所包括的電晶體在通道形成區域中包含矽。
一種卡盤，其包含：<br/> 一卡盤表面；<br/> 複數可延伸口總成，其分布在該卡盤表面上，各可延伸口總成包括可與一抽吸源連接之一管道及由該卡盤表面遠離地延伸之一管，該管具有一遠端，該遠端係組配成當與一工件接觸時形成一密封且係組配成在形成該密封後藉由該抽吸源施加之抽吸而塌縮；<br/> 複數不可延伸真空口，其與該卡盤表面上之該等可延伸口總成交錯，該等不可延伸真空口中之各者包括可與該抽吸源連接之一管道；及<br/> 至少一面密封，其由該卡盤表面延伸且界限該卡盤表面之一區域，該區域包括該等複數不可延伸真空口中之至少一不可延伸真空口，該面密封係組配成當該面密封與該工件接觸時形成一氣密密封，<br/> 其中該管道包括以一流阻為特徵之一限流器。
如請求項1之卡盤，其中該管係組配成在停止施加該抽吸後再延伸。
如請求項1之卡盤，其中該等複數不可延伸真空口中之一不可延伸真空口的該管道中的該限流器之該流阻比該等複數不可延伸真空口中之至少另一不可延伸真空口的該管道的該限流器之該流阻小。
如請求項3之卡盤，其中該卡盤表面被分成複數鄰接區域，且其中各鄰接區域中之該等不可延伸真空口之該等管道的該等限流器之流阻實質地相等。
如請求項4之卡盤，其中該等複數鄰接區域包含複數同心圓帶。
如請求項4之卡盤，其中該等複數鄰接區域包含被半徑分開之複數扇形。
如請求項4之卡盤，其中該等複數鄰接區域被平行弦線分開。
如請求項1之卡盤，其中該限流器係選自於由一收束部、一擋板及一自適分段孔口(SASO)構成之一組限流器。
如請求項1之卡盤，其中該管係呈具有手風琴式摺頁之一伸縮管形態。
如請求項1之卡盤，其中該等複數不可延伸真空口之該等管道各包括：一感測器，用於感測通過該等管道之入流；及一閥，其可操作以使入流可通過或無法通過該管道。
如請求項10之卡盤，其中一控制器係組配成由該感測器接收一信號且，當該感測器表示減少入流通過該等複數不可延伸真空口中之一些不可延伸真空口且該減少入流表示藉由該等一些不可延伸真空口獲取一翹曲工件，及未減少入流通過該等複數不可延伸真空口中之至少一其他不可延伸真空口且該未減少入流表示無法藉由該至少一其他不可延伸真空口獲取該翹曲工件時，操作該等複數不可延伸真空口中之至少一不可延伸真空口之該管道的該閥以使入流無法通過該至少一其他不可延伸真空口。
如請求項10之卡盤，其中該感測器包含一流量計。
如請求項12之卡盤，其中該減少入流係由比一預定臨界流速小之一感測流速表示。
如請求項10之卡盤，其中該感測器包括一壓力感測器。
如請求項14之卡盤，其中該減少入流係由在一預定臨界壓力以下之一感測流體壓力表示。
如請求項1之卡盤，其中各不可延伸真空口被一可撓杯包圍，該可撓杯係組配成在該工件與該不可延伸真空口之間形成一密封。
如請求項1之卡盤，其中各不可延伸真空口包括用於當該工件被該不可延伸真空口獲取時限制該工件之局部彎曲的一銷。
如請求項11之卡盤，其中該至少一其他不可延伸真空口包含複數該等不可延伸真空口，該控制器更組配成在使入流無法通過該至少一其他不可延伸真空口中之該至少一不可延伸真空口後，決定入流是否已減少通過該至少一其他不可延伸真空口中之至少另一不可延伸真空口。
如請求項18之卡盤，其中該控制器更組配成當決定該入流已減少通過該至少另一不可延伸真空口時，使入流可通過先前入流無法通過之至少一不可延伸真空口。
一種用於人力車輛的操作裝置，包含： <br/>底座構件，其包括 <br/>底座體，及 <br/>安裝部件，其被建構成將該底座體耦接於該人力車輛的管狀部件，該安裝部件的至少一部分與該底座體一體地設置成為單件單體構件；及 <br/>操作構件，其被可移動地耦接於該底座構件， <br/>該安裝部件包括安裝接觸表面，該安裝接觸表面可在該安裝部件將該底座體耦接於該人力車輛的該管狀部件之安裝狀態下與該人力車輛的該管狀部件接觸，該安裝部件包括具有開口中心軸線的安裝開口，該開口中心軸線在該安裝狀態下沿著該人力車輛的該管狀部件的縱向中心軸線被界定， <br/>該底座構件包括 <br/>第一接觸表面，其可在該安裝狀態下與該人力車輛的該管狀部件接觸，該第一接觸表面在相對於該開口中心軸線的軸向方向上與該安裝接觸表面隔開，及 <br/>第二接觸表面，其可在該安裝狀態下與該人力車輛的該管狀部件接觸，該第二接觸表面在該軸向方向上與該安裝接觸表面及該第一接觸表面隔開，且 <br/>該安裝接觸表面在該軸向方向上被設置於該第一接觸表面和該第二接觸表面之間。
如請求項1所述的用於人力車輛的操作裝置，其中 <br/>該底座構件包括 <br/>缸筒內孔，及 <br/>中間孔，其從該缸筒內孔朝向該第一接觸表面延伸。
一種用於人力車輛的操作裝置，包含： <br/>底座構件，其包括 <br/>底座體，及 <br/>安裝部件，其被建構成將該底座體耦接於該人力車輛的管狀部件；及 <br/>操作構件，其被可移動地耦接於該底座構件， <br/>該安裝部件包括安裝接觸表面，該安裝接觸表面可在該安裝部件將該底座體耦接於該人力車輛的該管狀部件之安裝狀態下與該人力車輛的該管狀部件接觸，該安裝部件包括具有開口中心軸線的安裝開口，該開口中心軸線在該安裝狀態下沿著該人力車輛的該管狀部件的縱向中心軸線被界定， <br/>該底座構件包括 <br/>第一接觸表面，其可在該安裝狀態下與該人力車輛的該管狀部件接觸，該第一接觸表面在相對於該開口中心軸線的軸向方向上與該安裝接觸表面隔開， <br/>缸筒內孔，及 <br/>中間孔，其從該缸筒內孔朝向該第一接觸表面延伸。
如請求項1所述的用於人力車輛的操作裝置，其中 <br/>該底座構件包括 <br/>第一支撐件，其包括該第一接觸表面，該第一支撐件在該安裝狀態下從該底座體朝向該人力車輛的該管狀部件延伸，及 <br/>第二支撐件，其包括該第二接觸表面，該第二支撐件在該安裝狀態下從該底座體朝向該人力車輛的該管狀部件延伸。
如請求項4所述的用於人力車輛的操作裝置，其中 <br/>該第一支撐件及該第二支撐件中的至少一者與該底座體一體地設置成為單件單體構件。
如請求項1所述的用於人力車輛的操作裝置，其中 <br/>該第一接觸表面在該軸向方向上比該第二接觸表面更接近該安裝接觸表面。
如請求項1所述的用於人力車輛的操作裝置，其中 <br/>該操作構件以可繞著樞轉軸線樞轉之方式被耦接於該底座體，且 <br/>該安裝接觸表面在該軸向方向上比該第一接觸表面更接近該樞轉軸線。
如請求項1所述的用於人力車輛的操作裝置，其中 <br/>該安裝部件包括第一安裝部分及第二安裝部分， <br/>該第一安裝部分與該底座體一體地設置成為單件單體構件， <br/>該第二安裝部分以可繞著第一安裝樞轉軸線樞轉之方式被耦接於該第一安裝部分，且 <br/>該安裝接觸表面被設置在該第一安裝部分及該第二安裝部分中的至少一者上。
如請求項8所述的用於人力車輛的操作裝置，其中 <br/>該安裝部件包括第三安裝部分，該第三安裝部分以可繞著第二安裝樞轉軸線樞轉之方式被耦接於該第二安裝部分，且 <br/>該安裝接觸表面被設置於該第一安裝部分、該第二安裝部分及該第三安裝部分中的至少一者上。
如請求項2所述的用於人力車輛的操作裝置，其中 <br/>該底座構件包括第一支撐件，該第一支撐件包括該第一接觸表面，該第一支撐件在該安裝狀態下從該底座體朝向該人力車輛的該管狀部件延伸，且 <br/>該中間孔被至少部分地設置在該第一支撐件中。
如請求項2所述的用於人力車輛的操作裝置，其中 <br/>該中間孔包括被設置在該第一接觸表面上的端部開口且從該缸筒內孔延伸至該端部開口。
如請求項11所述的用於人力車輛的操作裝置，其中 <br/>該底座構件包括被設置在該中間孔中的密封構件，以關閉該中間孔。
如請求項12所述的用於人力車輛的操作裝置，其中 <br/>該密封構件被設置在該缸筒內孔和該端部開口之間。
如請求項2所述的用於人力車輛的操作裝置，其中 <br/>該底座構件包括被建構成與液壓軟管可卸除地連接之軟管附接孔，且 <br/>該軟管附接孔被建構成與該中間孔連通。
如請求項14所述的用於人力車輛的操作裝置，其中 <br/>該缸筒內孔具有缸筒中心軸線且沿著該缸筒中心軸線延伸，且 <br/>該軟管附接孔從該中間孔沿著該缸筒中心軸線延伸。
如請求項14所述的用於人力車輛的操作裝置，其中 <br/>該軟管附接孔從該中間孔沿著該軸向方向延伸。
如請求項14所述的用於人力車輛的操作裝置，其中 <br/>該軟管附接孔從該中間孔沿著該軸向方向延伸遠離該安裝接觸表面。
如請求項2所述的用於人力車輛的操作裝置，還包含 <br/>活塞，其被可移動地設置在該缸筒內孔中，其中 <br/>該操作構件可相對於該底座構件在靜置位置和操作位置之間移動，且 <br/>該活塞被耦接於該操作構件，以回應於該操作構件從該靜置位置至該操作位置的拉引操作而在拉引方向上被拉引。
如請求項1所述的用於人力車輛的操作裝置，其中 <br/>該安裝部件包括要供附加裝置耦接的耦接部分。
如請求項19所述的用於人力車輛的操作裝置，其中 <br/>該耦接部分包括要供該附加裝置耦接的耦接開口。
一種用於人力車輛的操作裝置，包含： <br/> 底座構件，其被建構成被安裝於該人力車輛，該底座構件包括具有缸筒中心軸線的缸筒內孔，該缸筒內孔沿著該缸筒中心軸線延伸； <br/> 操作構件，其被可移動地耦接於該底座構件，該操作構件可相對於該底座構件在靜置位置和操作位置之間移動； <br/> 活塞，其被可移動地設置在該缸筒內孔中，且被耦接於該操作構件，以回應於該操作構件從該靜置位置至該操作位置之拉引移動而在拉引方向上被拉引，該操作構件包括凸輪表面，該凸輪表面包括彎曲表面；以及 <br/> 耦接結構，其被建構成將該操作構件耦接於該活塞，以將該拉引移動傳送至該活塞； <br/> 該底座構件包括在該拉引方向上線性地延伸之導引溝槽， <br/> 該耦接結構包括 <br/> 從動件，其被建構成與該凸輪表面接觸，以接收該拉引移動，及 <br/> 受導引部件，其被可移動地設置在該導引溝槽中，以在該拉引方向上移動該從動件。
如請求項1所述的用於人力車輛的操作裝置，其中 <br/> 該底座構件及該活塞界定該缸筒內孔中的液壓腔室， <br/> 該底座構件包括軟管附接孔，該軟管附接孔被建構成可卸除地與液壓軟管連接， <br/> 該軟管附接孔被建構成與該液壓腔室連通，且 <br/> 該軟管附接孔被設置成在該底座構件被安裝於該人力車輛的管狀部件之安裝狀態下比該缸筒內孔更接近該人力車輛的該管狀部件的縱向中心軸線。
如請求項1所述的用於人力車輛的操作裝置，其中 <br/> 該凸輪表面被建構成對於該操作構件的該拉引移動的每單位量而改變該活塞的行進距離。
如請求項3所述的用於人力車輛的操作裝置，其中 <br/> 該操作構件繞著樞轉軸線可樞轉地耦接於該底座構件，且 <br/> 該凸輪表面被建構成對於該操作構件繞著該樞轉軸線的樞轉移動的每單位量而改變該活塞的該行進距離。
如請求項1所述的用於人力車輛的操作裝置，其中 <br/> 該活塞可回應於該操作構件的該拉引移動而相對於該底座構件從初始位置移動至致動位置， <br/> 該活塞具有在該初始位置和該致動位置之間所界定的可移動範圍， <br/> 該活塞的該可移動範圍包括第一可移動範圍及第二可移動範圍， <br/> 該第一可移動範圍比該第二可移動範圍更接近該初始位置， <br/> 該第二可移動範圍比該第一可移動範圍更接近該致動位置， <br/> 該凸輪表面被建構成在該第一可移動範圍中以對於該操作構件的該拉引移動的每單位量之第一行進距離來移動該活塞， <br/> 該凸輪表面被建構成在該第二可移動範圍中以對於該操作構件的該拉引移動的每單位量之第二行進距離來移動該活塞，且 <br/> 該第一行進距離不同於該第二行進距離。
如請求項5所述的用於人力車輛的操作裝置，其中 <br/> 該第一行進距離長於該第二行進距離。
如請求項1所述的用於人力車輛的操作裝置，其中 <br/> 該從動件及該受導引部件中的至少一者以可繞著旋轉軸線旋轉之方式被耦接於該活塞。
如請求項7所述的用於人力車輛的操作裝置，其中 <br/> 該耦接結構包括支撐銷，且 <br/> 該支撐銷被建構成以可繞著該旋轉軸線旋轉之方式支撐該從動件及該受導引部件中的該至少一者。
如請求項7所述的用於人力車輛的操作裝置，其中 <br/> 該從動件及該受導引部件中的至少一者被設置成在沿著該旋轉軸線觀看的情形下與該缸筒中心軸線重疊。
如請求項7所述的用於人力車輛的操作裝置，其中 <br/> 該耦接結構包括中間構件，該中間構件以可繞著活塞樞轉軸線樞轉之方式被耦接於該活塞，且 <br/> 該從動件及該受導引部件中的至少一者以可繞著該旋轉軸線旋轉之方式被耦接於該中間構件。
如請求項10所述的用於人力車輛的操作裝置，其中 <br/> 該活塞樞轉軸線在沿著該旋轉軸線觀看的情形下與該缸筒中心軸線交叉。
如請求項10所述的用於人力車輛的操作裝置，其中 <br/> 該活塞樞轉軸線在沿著該旋轉軸線觀看的情形下垂直於該缸筒中心軸線。
如請求項7所述的用於人力車輛的操作裝置，其中 <br/> 該彎曲表面在沿著該旋轉軸線觀看的情形下具有彎曲外凸形狀。
如請求項7所述的用於人力車輛的操作裝置，其中 <br/> 該操作構件以可繞著樞轉軸線樞轉之方式被耦接於該底座構件，且 <br/> 該旋轉軸線以不穿過垂直於該缸筒中心軸線的第一參考平面之方式可移動，該第一參考平面延伸通過該操作構件的該樞轉軸線。
如請求項14所述的用於人力車輛的操作裝置，其中 <br/> 該從動件以不穿過該第一參考平面之方式可移動。
如請求項14所述的用於人力車輛的操作裝置，其中 <br/> 該旋轉軸線僅在由該第一參考平面及垂直於該第一參考平面的第二參考平面所界定的區域內可移動，該第二參考平面延伸通過該操作構件的該樞轉軸線。
如請求項16所述的用於人力車輛的操作裝置，其中 <br/> 該從動件僅在該區域內可移動。
如請求項16所述的用於人力車輛的操作裝置，其中 <br/> 該缸筒內孔被設置在該區域中。
如請求項1所述的用於人力車輛的操作裝置，其中 <br/> 該操作構件包括凸輪溝槽， <br/> 該凸輪表面部分地界定該凸輪溝槽，且 <br/> 該從動件被可移動地設置在該凸輪溝槽中。
如請求項1所述的用於人力車輛的操作裝置，其中 <br/> 該缸筒內孔包括第一端部及第二端部，該第二端部比該第一端部更接近該操作構件，且 <br/> 該缸筒中心軸線朝向該人力車輛的管狀部件的縱向中心軸線傾斜，以致該第一端部在該底座構件被安裝於該人力車輛的該管狀部件之安裝狀態下比該第二端部更接近該人力車輛的該管狀部件。
如請求項2所述的用於人力車輛的操作裝置，其中 <br/> 該軟管附接孔在該安裝狀態下被設置於該缸筒內孔和該人力車輛的該管狀部件之間。
如請求項2所述的用於人力車輛的操作裝置，其中 <br/> 該軟管附接孔具有孔中心軸線且沿著該孔中心軸線延伸，且 <br/> 該軟管附接孔的該孔中心軸線沿著該缸筒中心軸線被界定。
如請求項22所述的用於人力車輛的操作裝置，其中 <br/> 該底座構件包括中間孔，該中間孔在該安裝狀態下從該缸筒內孔朝向該人力車輛的該管狀部件延伸，且 <br/> 該軟管附接孔被建構成與該中間孔連通。
如請求項23所述的用於人力車輛的操作裝置，其中 <br/> 該軟管附接孔包括出口端部開口且沿著該缸筒中心軸線從該中間孔延伸至該出口端部開口。
如請求項24所述的用於人力車輛的操作裝置，其中 <br/> 該軟管附接孔在該拉引方向上從該出口端部開口延伸至該中間孔。
如請求項22所述的用於人力車輛的操作裝置，其中 <br/> 該軟管附接孔的該孔中心軸線在該安裝狀態下於沿著該缸筒中心軸線觀看的情形下從延伸通過該缸筒中心軸線及該人力車輛的該管狀部件的該縱向中心軸線之參考線偏位。
如請求項26所述的用於人力車輛的操作裝置，還包含 <br/> 貯器，其包含被建構成與該液壓腔室連通的貯器腔室，其中 <br/> 該貯器在該安裝狀態下於沿著該缸筒中心軸線觀看的情形下被設置在該參考線的第一側上，且 <br/> 該軟管附接孔的該孔中心軸線在該安裝狀態下於沿著該缸筒中心軸線觀看的情形下被設置在該參考線的第二側上，該第二側在該安裝狀態下於沿著該缸筒中心軸線觀看的情形下被設置在該第一側相對於該參考線的相反側上。
一種嬰兒照護裝置，包括： <br/> 底座； <br/> 驅動機構，被耦接到該底座，該驅動機構具有界定第一自由度的第一機電驅動器，該第一自由度形成可移動的嬰兒承重座椅表面的第一動作軸線，該可移動的嬰兒承重座椅表面依附於該底座且可相對於該底座移動； <br/> 嬰兒支撐件，配置為被可移除地耦接到該可移動的嬰兒承重座椅表面； <br/> 其中，該驅動機構為分布式驅動機構，其分布於該底座及該嬰兒支撐件，其中，該分布式驅動機構包括與該嬰兒支撐件成一體以依附於該嬰兒支撐件的第二機電驅動器，該第二機電驅動器獨立且區別於該第一機電驅動器，並界定第二自由度，該第二自由度形成該嬰兒支撐件的第二動作軸線；以及 <br/> 控制器，可通信地耦接到該分布式驅動機構，且配置為透過該第一機電驅動器及該第二機電驅動器使被耦接到該可移動的嬰兒承重座椅表面的該嬰兒支撐件相對於該底座移動。
如請求項1之嬰兒照護裝置，其中，該控制器被配置為以獨立動力及可選可變動作曲線來移動該嬰兒支撐件，藉由該第一自由度的該第一動作軸線所確定之第一動作、及藉由該第二自由度的該第二動作軸線所確定之第二動作分別對該嬰兒支撐件施加該獨立動力，且藉由該控制器從不同的可選可變動作曲線中選出該可選可變動作曲線。
如請求項2之嬰兒照護裝置，其中，該控制器配置為藉由該分布式驅動機構之個別獨立的該第一機電驅動器及該第二機電驅動器的動作特性的獨立變化從選擇該可選可變動作曲線之對該控制器的共用選擇輸入來實現該可選可變動作曲線的選擇，且該嬰兒支撐件被耦接到該可移動的嬰兒承重座椅表面。
如請求項3之嬰兒照護裝置，其中，該控制器包括使用者介面，該使用者介面配置為接收來自使用者之用於選擇該可選可變動作曲線的共用選擇輸入。
如請求項2之嬰兒照護裝置，其中，該等不同的可選可變動作曲線中的每一者包括水平移動、垂直移動及旋轉移動中的至少一者。
如請求項1之嬰兒照護裝置，其中，該第一機電驅動器及該第二機電驅動器中的一者或多者為旋轉馬達、線性馬達及線性致動器中的至少一者。
如請求項1之嬰兒照護裝置，其中，該可移動的嬰兒承重座椅表面為具有頂點的彎曲表面，該頂點與該底座的實質平坦配對底座表面配合，該可移動的嬰兒承重座椅表面被設置為使得該頂點在藉由該第一動作軸線所確定的第一動作被施加到該可移動的嬰兒承重座椅表面的動力下相對於該底座移動。
如請求項1之嬰兒照護裝置，其中，該第一機電驅動器包括超過一個獨立且區別的機電驅動器，該超過一個獨立且區別的機電驅動器中的每一者獨立且區別於彼此，並界定形成獨立的動作軸線之獨立的自由度，使得該第一機電驅動器界定兩個或多個獨立的自由度。
如請求項1之嬰兒照護裝置，其中，該控制器被安裝在該底座中。
如請求項1之嬰兒照護裝置，其中，該控制器至少部分地基於來自該分布式驅動機構的一個或多個感測器的資訊來確定該嬰兒支撐件的位置。
一種嬰兒照護裝置，包括： <br/> 底座； <br/> 驅動機構，被耦接到該底座，該驅動機構具有界定第一自由度的第一機電驅動器，該第一自由度形成可移動的嬰兒承重座椅表面的第一動作軸線，該可移動的嬰兒承重座椅表面依附於該底座且可相對於該底座移動； <br/> 嬰兒支撐件，配置為被可移除地耦接到該可移動的嬰兒承重座椅表面； <br/> 其中，該驅動機構為分布式驅動機構，其分布於該底座及該嬰兒支撐件，其中，該分布式驅動機構包括與該嬰兒支撐件成一體以依附於該嬰兒支撐件的第二機電驅動器，該第二機電驅動器獨立且區別於該第一機電驅動器，並界定第二自由度，該第二自由度形成該嬰兒支撐件的第二動作軸線；以及 <br/> 控制器，可通信地耦接到該分布式驅動機構，且配置為透過該第一機電驅動器及該第二機電驅動器使該嬰兒支撐件相對於被耦接到該可移動的嬰兒承重座椅表面的該底座移動。
如請求項11之嬰兒照護裝置，其中，該控制器被配置為以獨立動力及可選可變動作曲線來移動該嬰兒支撐件，藉由該第一自由度的該第一動作軸線所確定之第一動作、及藉由該第二自由度的該第二動作軸線所確定之第二動作分別對該嬰兒支撐件施加該獨立動力，且藉由該控制器從不同的可選可變動作曲線中選出該可選可變動作曲線。
如請求項12之嬰兒照護裝置，其中，該控制器配置為藉由該分布式驅動機構之個別獨立的該第一機電驅動器及該第二機電驅動器的動作特性的獨立變化從選擇該可選可變動作曲線之對該控制器的共用選擇輸入來實現該可選可變動作曲線的選擇，且該嬰兒支撐件被耦接到該可移動的嬰兒承重座椅表面。
如請求項13之嬰兒照護裝置，其中，該控制器包括使用者介面，該使用者介面配置為接收來自使用者之用於選擇該可選可變動作曲線的共用選擇輸入。
如請求項12之嬰兒照護裝置，其中，該等不同的可選可變動作曲線中的每一者包括水平移動、垂直移動及旋轉移動中的至少一者。
如請求項11之嬰兒照護裝置，其中，該第一機電驅動器及該第二機電驅動器中的一者或多者為旋轉馬達、線性馬達及線性致動器中的至少一者。
如請求項11之嬰兒照護裝置，其中，該可移動的嬰兒承重座椅表面為具有頂點的彎曲表面，該頂點與該底座的實質平坦配對底座表面配合，該可移動的嬰兒承重座椅表面被設置為使得該頂點在藉由該第一動作軸線所確定的第一動作被施加到該可移動的嬰兒承重座椅表面的動力下相對於該底座移動。
如請求項11之嬰兒照護裝置，其中，該第一機電驅動器包括超過一個獨立且區別的機電驅動器，該超過一個獨立且區別的機電驅動器中的每一者獨立且區別於彼此，並界定形成獨立的動作軸線之獨立的自由度，使得該第一機電驅動器界定兩個或多個獨立的自由度。
如請求項11之嬰兒照護裝置，其中，該控制器被安裝在該底座中。
如請求項11之嬰兒照護裝置，其中，該控制器至少部分地基於來自該分布式驅動機構的一個或多個感測器的資訊來確定該嬰兒支撐件的位置。
一種用於嬰兒照護裝置的方法，該方法包括： <br/> 提供具有驅動機構的底座，該驅動機構被耦接到該底座，該驅動機構具有界定第一自由度的第一機電驅動器，該第一自由度形成可移動的嬰兒承重座椅表面的第一動作軸線，該可移動的嬰兒承重座椅表面依附於該底座且可相對於該底座移動； <br/> 提供嬰兒支撐件，該嬰兒支撐件配置為被可移除地耦接到該可移動的嬰兒承重座椅表面，其中，該驅動機構為分布式驅動機構，其分布於該底座及該嬰兒支撐件，其中，該分布式驅動機構包括與該嬰兒支撐件成一體以依附於該嬰兒支撐件的第二機電驅動器，該第二機電驅動器獨立且區別於該第一機電驅動器，並界定第二自由度，該第二自由度形成該嬰兒支撐件的第二動作軸線；以及 <br/> 藉由可通信地耦接到該分布式驅動機構的控制器透過該第一機電驅動器及該第二機電驅動器使被耦接到該可移動的嬰兒承重座椅表面的該嬰兒支撐件相對於該底座移動。
如請求項21之用於嬰兒照護裝置的方法，其中，該控制器被配置為以獨立動力及可選可變動作曲線來移動該嬰兒支撐件，藉由該第一自由度的該第一動作軸線所確定之第一動作、及藉由該第二自由度的該第二動作軸線所確定之第二動作分別對該嬰兒支撐件施加該獨立動力，且藉由該控制器從不同的可選可變動作曲線中選出該可選可變動作曲線。
如請求項22之用於嬰兒照護裝置的方法，其中，該控制器配置為藉由該分布式驅動機構之個別獨立的該第一機電驅動器及該第二機電驅動器的動作特性的獨立變化從選擇該可選可變動作曲線之對該控制器的共用選擇輸入來實現該可選可變動作曲線的選擇，且該嬰兒支撐件被耦接到該可移動的嬰兒承重座椅表面。
如請求項23之用於嬰兒照護裝置的方法，還包括藉由該控制器的使用者介面接收來自使用者之用於選擇該可選可變動作曲線的共用選擇輸入。
如請求項22之用於嬰兒照護裝置的方法，其中，該等不同的可選可變動作曲線中的每一者包括水平移動、垂直移動及旋轉移動中的至少一者。
如請求項21之用於嬰兒照護裝置的方法，其中，該第一機電驅動器及該第二機電驅動器中的一者或多者為旋轉馬達、線性馬達及線性致動器中的至少一者。
如請求項21之用於嬰兒照護裝置的方法，其中，該可移動的嬰兒承重座椅表面為具有頂點的彎曲表面，該頂點與該底座的實質平坦配對底座表面配合，該可移動的嬰兒承重座椅表面被設置為使得該頂點在藉由該第一動作軸線所確定的第一動作被施加到該可移動的嬰兒承重座椅表面的動力下相對於該底座移動。
如請求項21之用於嬰兒照護裝置的方法，其中，該第一機電驅動器包括超過一個獨立且區別的機電驅動器，該超過一個獨立且區別的機電驅動器中的每一者獨立且區別於彼此，並界定形成獨立的動作軸線之獨立的自由度，使得該第一機電驅動器界定兩個或多個獨立的自由度。
如請求項21之用於嬰兒照護裝置的方法，其中，該控制器被安裝在該底座中。
如請求項21之用於嬰兒照護裝置的方法，還包括藉由該控制器至少部分地基於來自該分布式驅動機構的一個或多個感測器的資訊來確定該嬰兒支撐件的位置。
一種用於嬰兒照護裝置的方法，該方法包括： <br/> 提供具有驅動機構的底座，該驅動機構被耦接到該底座，該驅動機構具有界定第一自由度的第一機電驅動器，該第一自由度形成可移動的嬰兒承重座椅表面的第一動作軸線，該可移動的嬰兒承重座椅表面依附於該底座且可相對於該底座移動； <br/> 提供嬰兒支撐件，該嬰兒支撐件配置為被可移除地耦接到該可移動的嬰兒承重座椅表面，其中，該驅動機構為分布式驅動機構，其分布於該底座及該嬰兒支撐件，其中，該分布式驅動機構包括與該嬰兒支撐件成一體以依附於該嬰兒支撐件的第二機電驅動器，該第二機電驅動器獨立且區別於該第一機電驅動器，並界定第二自由度，該第二自由度形成該嬰兒支撐件的第二動作軸線；以及 <br/> 藉由可通信地耦接到該分布式驅動機構的控制器透過該第一機電驅動器及該第二機電驅動器使該嬰兒支撐件相對於被耦接到該可移動的嬰兒承重座椅表面的該底座移動。
如請求項31之用於嬰兒照護裝置的方法，其中，該控制器被配置為以獨立動力及可選可變動作曲線來移動該嬰兒支撐件，藉由該第一自由度的該第一動作軸線所確定之第一動作、及藉由該第二自由度的該第二動作軸線所確定之第二動作分別對該嬰兒支撐件施加該獨立動力，且藉由該控制器從不同的可選可變動作曲線中選出該可選可變動作曲線。
如請求項32之用於嬰兒照護裝置的方法，其中，該控制器配置為藉由該分布式驅動機構之個別獨立的該第一機電驅動器及該第二機電驅動器的動作特性的獨立變化從選擇該可選可變動作曲線之對該控制器的共用選擇輸入來實現該可選可變動作曲線的選擇，且該嬰兒支撐件被耦接到該可移動的嬰兒承重座椅表面。
如請求項33之用於嬰兒照護裝置的方法，其中，該控制器包括使用者介面，該使用者介面配置為接收來自使用者之用於選擇該可選可變動作曲線的共用選擇輸入。
如請求項32之用於嬰兒照護裝置的方法，其中，該等不同的可選可變動作曲線中的每一者包括水平移動、垂直移動及旋轉移動中的至少一者。
如請求項31之用於嬰兒照護裝置的方法，其中，該第一機電驅動器及該第二機電驅動器中的一者或多者為旋轉馬達、線性馬達及線性致動器中的至少一者。
如請求項31之用於嬰兒照護裝置的方法，其中，該可移動的嬰兒承重座椅表面為具有頂點的彎曲表面，該頂點與該底座的實質平坦配對底座表面配合，該可移動的嬰兒承重座椅表面被設置為使得該頂點在藉由該第一動作軸線所確定的第一動作被施加到該可移動的嬰兒承重座椅表面的動力下相對於該底座移動。
如請求項31之用於嬰兒照護裝置的方法，其中，該第一機電驅動器包括超過一個獨立且區別的機電驅動器，該超過一個獨立且區別的機電驅動器中的每一者獨立且區別於彼此，並界定形成獨立的動作軸線之獨立的自由度，使得該第一機電驅動器界定兩個或多個獨立的自由度。
如請求項31之用於嬰兒照護裝置的方法，其中，該控制器被安裝在該底座中。
如請求項31之用於嬰兒照護裝置的方法，其中，該控制器至少部分地基於來自該分布式驅動機構的一個或多個感測器的資訊來確定該嬰兒支撐件的位置。
一種由一庫存管理伺服器之一處理單元實施之庫存管理方法，該方法包含以下步驟：<br/> 控制配置於一夾具之貨架上的貨架裝置(AID)以使該等貨架裝置實施一定位程序；<br/> 控制一感測器(CAM)以在該定位程序期間獲取感測器信號；以及<br/> 基於所獲取之感測器信號而定位該等貨架裝置中之每一者；<br/> 該方法之特徵在於：<br/> 控制該等貨架裝置包含將一裝置命令(D-Cd)發送至該等貨架裝置(AID)中之每一者，其中該裝置命令包括一定位程序執行時間且使該等貨架裝置中之每一者已在該定位程序執行時間自一睡眠模式(SLPd)切換至一喚醒模式(WU-BLK)且在切換回至該睡眠模式之前發射一定位信號；以及<br/> 控制該感測器包含將一感測器命令(C-Cd)發送至該感測器(CAM)，其中該感測器命令包括該定位程序執行時間且使該感測器已在該定位程序執行時間自一睡眠模式(SLPc)切換至一喚醒模式(WU-CAP)且在切換回至該睡眠模式之前捕獲由該等貨架裝置中之每一者發射的該定位信號。
如請求項1之庫存管理方法，其中該感測器命令係自一同步伺服器(CS)發送至該感測器，且其中該裝置命令係在一貨架裝置管理伺服器(AIDMS)自該同步伺服器(CS)接收到一管理命令(M-Cd)之後自該貨架裝置管理伺服器發送至該等貨架裝置中之每一者。
如請求項2之庫存管理方法，其中該感測器命令及該管理命令係在該定位程序執行時間之前的一預定時段由該同步伺服器發送。
如請求項1之庫存管理方法，其中在接收到該裝置命令後，該等貨架裝置中之每一者基於一裝置命令到達時間及該定位程序執行時間對一喚醒事件進行排程(DEF-WUd)。
如請求項1之庫存管理方法，其中在接收到該感測器命令後，該感測器基於一感測器命令到達時間及該定位程序執行時間對一喚醒事件進行排程(DEF-WUc)。
如請求項1之庫存管理方法，其中該感測器為經配置以在該定位程序期間捕獲該夾具之影像的一攝影機，其中在該定位程序期間由該等貨架裝置中之每一者發射的該定位信號為一光學信號，且其中定位該等貨架裝置中之每一者包含判定該等貨架裝置中之每一者在所捕獲影像內之一位置。
如請求項6之庫存管理方法，其中判定該等貨架裝置中之每一者在該等所捕獲影像內之一位置包含該攝影機在該等所捕獲影像內之一對應位置處偵測(DTC)藉由該等貨架裝置中之每一者發射的該光學信號。
如請求項7之庫存管理方法，其進一步包含該攝影機將各經偵測光學信號關聯至一報告檔案內的其對應位置，及在切換回至該睡眠模式(SLPc)之前將該報告檔案(Rpt)發送至該庫存管理伺服器。
如請求項8之庫存管理方法，其中該等貨架裝置為配置於該夾具之貨架上的物品匹配裝置，使得一物品定位可自一相關聯物品匹配裝置之一定位導出，且其中該庫存管理伺服器基於該報告檔案內之一經偵測光學信號而識別(CHC)儲存於一資料庫中之一物品匹配裝置識別符且基於判定與該物品匹配裝置識別符相關聯之一物品識別符而定位一物品區域。
如請求項9之庫存管理方法，其中經定位之該物品區域用以填充一貨架圖，該貨架圖指示物品在該夾具中之置放處。
一種包含指令之電腦程式產品，該等指令當程式由一電腦執行時使該電腦進行如請求項1之方法之控制步驟。
一種庫存管理伺服器，其包含一處理單元，該處理單元經組配以實施如請求項1之方法之控制步驟。
一種雙特異性抗體，包含與CD47特異性結合的第一抗原結合結構域及與PD-L1特異性結合的第二抗原結合結構域，其中，<br/> 該第一抗原結合結構域包含重鏈可變區與輕鏈可變區，<br/> 該重鏈可變區包含：<br/> 包含序列17的胺基酸序列的CDR1；<br/> 包含序列19的胺基酸序列的CDR2；以及<br/> 包含序列21的胺基酸序列的CDR3，且<br/> 該輕鏈可變區包含：<br/> 包含序列23的胺基酸序列的CDR1；<br/> 包含序列25的胺基酸序列的CDR2；以及<br/> 包含序列27的胺基酸序列的CDR3，且<br/> 該第二抗原結合結構域包含重鏈可變區與輕鏈可變區，<br/> 該重鏈可變區包含：<br/> 包含序列29的胺基酸序列的CDR1；<br/> 包含序列31的胺基酸序列的CDR2；以及<br/> 包含序列33的胺基酸序列的CDR3，且<br/> 該輕鏈可變區包含：<br/> 包含序列35的胺基酸序列的CDR1；<br/> 包含序列37的胺基酸序列的CDR2；以及<br/> 包含序列39的胺基酸序列的CDR3。
如請求項1之雙特異性抗體，其中，該第一抗原結合結構域包含序列1的重鏈可變區及序列3的輕鏈可變區。
如請求項1之雙特異性抗體，其中，該第二抗原結合結構域包含：<br/> (i)序列5的重鏈可變區及序列7的輕鏈可變區；或者<br/> (ii)序列9的單鏈可變片段(scFv)。
如請求項1之雙特異性抗體，其中，該雙特異性抗體包含：<br/> FC區域；包含與CD47特異性結合的抗原結合結構域的第一抗體片段；以及包含與PD-L1特異性結合的抗原結合結構域的第二抗體片段。
如請求項4之雙特異性抗體，其中，該第一抗體片段為Fab片段，該第二抗體片段為單鏈可變片段(scFv)。
如請求項4之雙特異性抗體，其中，該第二抗體片段通過肽連接子與該Fc區域的C-末端融合。
如請求項1之雙特異性抗體，其中，該雙特異性抗體包含：<br/> Fc區域；包含與CD47特異性結合的抗原結合結構域的兩個Fab片段；以及包含與PD-L1特異性結合的抗原結合結構域的兩個scFv片段。
如請求項1之雙特異性抗體，其中，該雙特異性抗體包含含有與PD-L1特異性結合的抗原結合結構域的單鏈可變片段(scFv)。
如請求項1之雙特異性抗體，其中，該雙特異性抗體包含含有與CD47特異性結合的抗原結合結構域的Fab片段。
如請求項1之雙特異性抗體，其中，該雙特異性抗體包含源自IgG1的重鏈恆定區(CH)的Fc區域。
如請求項10之雙特異性抗體，其中，該Fc區域包含源自IgG1的重鏈恆定區CH1、CH2及CH3，CH3以序列11為基準包含E239D及M241L的胺基酸取代。
如請求項10之雙特異性抗體，其中，該Fc區域通過作用於效應細胞(effector cell)來顯出免疫活化效果。
如請求項10之雙特異性抗體，其中，該雙特異性抗體包含含有該與PD-L1特異性結合的抗原結合結構域的抗體片段，該抗體片段通過肽連接子與該Fc區域的C-末端融合。
如請求項8之雙特異性抗體，其中，該單鏈可變片段(scFv)包含序列9的胺基酸序列。
如請求項10之雙特異性抗體，其中，該Fc區域包含序列11的胺基酸序列。
如請求項1之雙特異性抗體，其中，該雙特異性抗體與表現PD-L1、CD47或者兩者都表現的癌細胞特異性結合。
如請求項1之雙特異性抗體，其中，該雙特異性抗體用於預防或治療選自由乳癌、肺癌、B-細胞誘導的淋巴瘤及T-細胞誘導的淋巴瘤組成的組中的癌。
一種用於預防或治療癌症的藥物組合物，其中，包含如請求項1至17中任一項之雙特異性抗體。
如請求項18之藥物組合物，其中，該癌症選自由卵巢癌、結腸癌、乳癌、肺癌、骨髓瘤、神經母細胞-誘導的中樞神經系統腫瘤、單核細胞白血病、B-細胞誘導的白血病、T-細胞誘導的白血病、B-細胞誘導的淋巴瘤、T-細胞誘導的淋巴瘤及肥大細胞誘導的腫瘤組成的組中。
如請求項18之藥物組合物，其中，該癌症選自由乳癌、肺癌、B-細胞誘導的淋巴瘤及T-細胞誘導的淋巴瘤組成的組中。
一種用於抑制腫瘤細胞生長的藥物組合物，其中，包含如請求項1至17中任一項之雙特異性抗體。
如請求項18之藥物組合物，其中，該雙特異性抗體與化學療法、放射線療法和/或其他免疫療法一同使用或聯合給藥。
一種雙特異性抗體在製造一藥物的用途，其中，該雙特異性抗體為如請求項1至17中任一項之雙特異性抗體，該藥物用於預防或治療包括乳癌、肺癌、B-細胞誘導的淋巴瘤及T-細胞誘導的淋巴瘤在內的多種癌。
一種雙特異性抗體在製造一藥物的用途，其中，該雙特異性抗體為如請求項1至17中任一項之雙特異性抗體，該藥物用於一供預防或治療癌症之方法中，該方法包括向需要預防或治療癌症的對象給藥有效量的該雙特異性抗體。
一種雙特異性抗體在製造一藥物的用途，其中，該雙特異性抗體為如請求項1至17中任一項之雙特異性抗體，該藥物用於一供在對象中抑制腫瘤細胞生長之方法中，該方法包括向具有腫瘤細胞的對象給藥有效量的該雙特異性抗體。
一種多核苷酸，其中，編碼如請求項1至17中任一項之雙特異性抗體。
一種宿主細胞，其中，包含如請求項26之多核苷酸。
一種製備雙特異性抗體的方法，該雙特異性抗體為如請求項1至17中任一項之雙特異性抗體，其中，包括：<br/> 在適於該雙特異性抗體表現的條件下培養如請求項27之宿主細胞；以及<br/> 從培養物中回收該雙特異性抗體。
一種用於一使用者設備（UE）處的無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 向一網路實體傳輸一第一控制訊息，該第一控制訊息報告該UE針對複數個實體上行鏈路通道保持相位連續性的一附隨傳輸能力，該第一控制訊息指示當該複數個實體上行鏈路通道中的至少一項包括一或多個中間非附隨傳輸時，該UE是否能夠針對該複數個實體上行鏈路通道保持相位連續性；<br/> 從該網路實體接收控制信號傳遞，該控制信號傳遞根據該附隨傳輸能力來排程該複數個實體上行鏈路通道；及<br/> 至少部分地基於該控制信號傳遞來傳輸具有相位連續性的該複數個實體上行鏈路通道以及與該複數個實體上行鏈路通道相對應的複數個解調參考信號。
根據請求項1之方法，其中該複數個實體上行鏈路通道中的至少兩個連續實體上行鏈路通道分開達一時間段。
根據請求項2之方法，其中該時間段是小於一時槽的一持續時間。
根據請求項2之方法，其中該時間段是大於或等於一時槽的一持續時間。
根據請求項1之方法，其中傳輸該第一控制訊息之步驟包括以下步驟：<br/> 傳輸該第一控制訊息，該第一控制訊息指示該UE能夠針對在複數個時槽上排程的該複數個實體上行鏈路通道保持相位連續性。
根據請求項5之方法，其中該複數個時槽的至少一部分在該複數個時槽內在時間上是連續的。
根據請求項1之方法，其中傳輸該第一控制訊息之步驟包括以下步驟：<br/> 傳輸該第一控制訊息，該第一控制訊息指示與該附隨傳輸能力相關聯的一頻帶、一調制和譯碼方案，或兩者。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟：<br/> 從該網路實體接收指示對一時槽格式的一改變的一第二控制訊息，其中傳輸該第一控制訊息是至少部分地基於接收該第二控制訊息的。
根據請求項1之方法，其中傳輸該第一控制訊息之步驟包括以下步驟：<br/> 傳輸該第一控制訊息，該第一控制訊息指示當在一相同的時槽內排程該複數個實體上行鏈路通道時，該UE能夠針對該複數個實體上行鏈路通道保持相位連續性。
根據請求項1之方法，其中傳輸該第一控制訊息之步驟包括以下步驟：<br/> 傳輸該第一控制訊息，該第一控制訊息指示該UE能夠在其上保持相位連續性的至少兩個連續實體上行鏈路通道之間的一時間段的一閾值時槽數量，或者該UE能夠在其上保持相位連續性的該至少兩個連續實體上行鏈路通道之間的該時間段的一最大持續時間。
根據請求項1之方法，其中傳輸該第一控制訊息之步驟包括以下步驟：<br/> 傳輸該第一控制訊息，該第一控制訊息指示該UE支援在以下各項期間排程一或多個中間上行鏈路傳輸：一時間段的一第一部分、該時間段的包括一中間排程傳輸之後的一傳輸間隙的一第二部分，或其任何組合。
根據請求項1之方法，其中傳輸該第一控制訊息之步驟包括以下步驟：<br/> 傳輸該第一控制訊息，該第一控制訊息指示該UE能夠針對在載波聚合中跨越複數個載波排程的複數個實體上行鏈路通道保持相位連續性。
根據請求項12之方法，其中傳輸該第一控制訊息之步驟包括以下步驟：<br/> 傳輸該第一控制訊息，該第一控制訊息指示該UE能夠針對在一第一傳輸訊窗期間跨越該複數個載波中的一第一載波排程的複數個實體上行鏈路通道保持相位連續性，該第一傳輸訊窗在時間上與該複數個載波中的一第二載波的一第二傳輸訊窗對準。
根據請求項1之方法，其中傳輸該第一控制訊息之步驟包括以下步驟：<br/> 傳輸該第一控制訊息，該第一控制訊息指示該UE能夠針對跨越複數個傳輸鏈排程的複數個實體上行鏈路通道保持相位連續性。
根據請求項1之方法，其中該複數個實體上行鏈路通道包括：<br/> 複數個實體上行鏈路共享通道、複數個實體上行鏈路控制通道，或兩者。
根據請求項1之方法，其中該複數個實體上行鏈路通道包括：<br/> 一相同實體上行鏈路通道的複數個重複，或由複數個下行鏈路控制資訊訊息排程的兩個或更多個不同的實體上行鏈路通道，或其任何組合。
一種用於一網路實體處的無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 從一使用者設備（UE）接收一第一控制訊息，該第一控制訊息報告該UE針對複數個實體上行鏈路通道保持相位連續性的一附隨傳輸能力，該第一控制訊息指示當該複數個實體上行鏈路通道中的至少一項包括一或多個中間非附隨傳輸時，該UE是否能夠針對該複數個實體上行鏈路通道保持相位連續性；<br/> 至少部分地基於該第一控制訊息來向該UE傳輸控制信號傳遞，該控制信號傳遞根據該附隨傳輸能力來排程該複數個實體上行鏈路通道；及<br/> 至少部分地基於該控制信號傳遞來接收具有相位連續性的該複數個實體上行鏈路通道以及與該複數個實體上行鏈路通道相對應的複數個解調參考信號。
根據請求項17之方法，其中該複數個實體上行鏈路通道中的至少兩個連續實體上行鏈路通道分開達一時間段。
根據請求項18之方法，其中該時間段是小於一時槽的一持續時間。
根據請求項18之方法，其中該時間段是大於或等於一時槽的一持續時間。
根據請求項17之方法，其中接收該第一控制訊息之步驟包括以下步驟：<br/> 接收該第一控制訊息，該第一控制訊息指示該UE能夠針對在複數個時槽上排程的該複數個實體上行鏈路通道保持相位連續性。
根據請求項21之方法，其中該複數個時槽的至少一部分在該複數個時槽內在時間上是連續的。
根據請求項17之方法，其中接收該第一控制訊息之步驟包括以下步驟：<br/> 接收該第一控制訊息，該第一控制訊息指示與該附隨傳輸能力相關聯的一頻帶、一調制和譯碼方案，或兩者。
根據請求項17之方法，其中接收該第一控制訊息之步驟包括以下步驟：<br/> 接收該第一控制訊息，該第一控制訊息指示該UE能夠針對在載波聚合中跨越複數個載波排程的複數個實體上行鏈路通道保持相位連續性。
根據請求項24之方法，其中接收該第一控制訊息之步驟包括以下步驟：<br/> 接收該第一控制訊息，該第一控制訊息指示該UE能夠針對在一第一傳輸訊窗期間跨越該複數個載波中的一第一載波排程的複數個實體上行鏈路通道保持相位連續性，該第一傳輸訊窗在時間上與該複數個載波中的一第二載波的一第二傳輸訊窗對準。
根據請求項17之方法，其中該複數個實體上行鏈路通道包括：<br/> 一相同實體上行鏈路通道的複數個重複，或由複數個下行鏈路控制資訊訊息排程的兩個或更多個不同的實體上行鏈路通道，或其任何組合。
一種用於一使用者設備（UE）處的無線通訊的裝置，包括：<br/> 一收發機；<br/> 一處理器；<br/> 與該處理器耦合的記憶體；及<br/> 指令，其被儲存在該記憶體中並且可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 經由該收發機向一網路實體傳輸一第一控制訊息，該第一控制訊息報告該UE針對複數個實體上行鏈路通道保持相位連續性的一附隨傳輸能力，該第一控制訊息指示當該複數個實體上行鏈路通道中的至少一項包括一或多個中間非附隨傳輸時，該UE是否能夠針對該複數個實體上行鏈路通道保持相位連續性；<br/> 經由該收發機從該網路實體接收控制信號傳遞，該控制信號傳遞根據該附隨傳輸能力來排程該複數個實體上行鏈路通道；及<br/> 至少部分地基於該控制信號傳遞來經由該收發機傳輸具有相位連續性的該複數個實體上行鏈路通道以及與該複數個實體上行鏈路通道相對應的複數個解調參考信號。
一種用於一網路實體處的無線通訊的裝置，包括：<br/> 一收發機；<br/> 一處理器；<br/> 與該處理器耦合的記憶體；及<br/> 指令，其被儲存在該記憶體中並且可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 經由該收發機從一使用者設備（UE）接收一第一控制訊息，該第一控制訊息報告該UE針對複數個實體上行鏈路通道保持相位連續性的一附隨傳輸能力，該第一控制訊息指示當該複數個實體上行鏈路通道中的至少一項包括一或多個中間非附隨傳輸時，該UE是否能夠針對該複數個實體上行鏈路通道保持相位連續性；<br/> 至少部分地基於該第一控制訊息來經由該收發機向該UE傳輸控制信號傳遞，該控制信號傳遞根據該附隨傳輸能力來排程該複數個實體上行鏈路通道；及<br/> 至少部分地基於該控制信號傳遞來經由該收發機接收具有相位連續性的該複數個實體上行鏈路通道以及與該複數個實體上行鏈路通道相對應的複數個解調參考信號。
一種樹脂薄膜之製造方法，其特徵為具有： 步驟A，其係將第1樹脂組成物溶液塗布於支撐體之中央部， <br/>步驟B，其係將第2樹脂組成物溶液塗布於鄰接該中央部之兩端部， <br/>步驟C，其係使該第1樹脂組成物溶液與該第2樹脂組成物溶液乾燥，得到切斷前薄膜， <br/>步驟D，其係將該切斷前薄膜從該支撐體剝離， <br/>步驟E，其係在該步驟D之後，藉由拉幅機式輸送裝置而夾持該切斷前薄膜之兩端部， <br/>步驟F，其係在夾持該切斷前薄膜之兩端部的狀態下，輸送該切斷前薄膜，及 <br/>步驟G，其係在該步驟F之後，從該切斷前薄膜去除由該第2樹脂組成物溶液所形成之部分，得到樹脂薄膜； <br/>該第1樹脂組成物溶液含有第1樹脂及填料，該填料之含量係相對於該第1樹脂而言為0.1質量%以上50質量%以下， <br/>該第2樹脂組成物溶液含有第2樹脂，且不含有填料、或即使含有填料亦比該第1樹脂組成物溶液之含量更少且相對於第2樹脂而言為2質量%以下， <br/>該步驟C之後且該步驟F之前的該切斷前薄膜係由該第2樹脂組成物溶液所形成之部分的撕裂強度比由該第1樹脂組成物溶液所形成之部分的撕裂強度更大。
如請求項1之樹脂薄膜之製造方法，其中該樹脂薄膜之CTE為5ppm/K以上50ppm/K以下。
如請求項1或2之樹脂薄膜之製造方法，其中該步驟E係藉由針梳拉幅機式輸送裝置之針而夾持該切斷前薄膜之兩端部之步驟。
如請求項1或2之樹脂薄膜之製造方法，其中該樹脂薄膜為聚醯亞胺系樹脂薄膜。
如請求項1或2之樹脂薄膜之製造方法，其中該支撐體為高分子薄膜。
如請求項1或2之樹脂薄膜之製造方法，其中該填料為二氧化矽。
一種切斷前薄膜，其特徵為具有： <br/>中央部，及 <br/>兩端部，其係從該中央部連續地形成於該中央部之兩端， <br/>該中央部係以含有第1樹脂及填料之第1樹脂組成物所構成，該填料之含量係相對於該第1樹脂而言為0.1質量%以上50質量%以下， <br/>該兩端部係以含有第2樹脂之第2樹脂組成物所構成，該第2樹脂組成物不含有填料、或即使含有填料亦比該第1樹脂組成物之含量更少且相對於該第2樹脂而言為2質量%以下， <br/>該兩端部之撕裂強度比該中央部之撕裂強度更大。
如請求項7之切斷前薄膜，其中該第1樹脂為聚醯亞胺系樹脂。
如請求項7或8之切斷前薄膜，其中該中央部之CTE為5ppm以上50ppm/K以下。
如請求項7或8之切斷前薄膜，其中該填料為二氧化矽。
一種用於一使用者設備（UE）處的無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 接收一或多個控制訊息，該一或多個控制訊息啟動或排程與一第一發送/接收點相對應的一上行鏈路傳輸的一第一重複集合和與一第二發送/接收點相對應的該上行鏈路傳輸的一第二重複集合，其中該一或多個控制訊息指示一第一冗餘版本序列和一偏移值；<br/> 使用該偏移值、該第一冗餘版本序列的每個冗餘版本值以及一取模運算元來決定一第二冗餘版本序列，該取模運算元產生該第二冗餘版本序列的每個冗餘版本值；<br/> 從該第一冗餘版本序列和該第二冗餘版本序列兩者的零值冗餘版本值中決定該上行鏈路傳輸的一初始重複的一起始冗餘版本序列位置；<br/> 根據該第一冗餘版本序列的一第一冗餘版本值來發送該第一重複集合中的一第一重複；及<br/> 根據該第二冗餘版本序列的一第二冗餘版本值來發送該第二重複集合中的一第二重複，其中該第一冗餘或該第二冗餘中的一個為該起始冗餘。
根據請求項1之方法，其中決定該第二冗餘版本序列包括以下步驟：<br/> 經由將該偏移值加到該第一冗餘版本序列的每個冗餘版本值並且應用具有該第一冗餘版本序列的一長度的該取模運算元來決定該第二冗餘版本序列，該取模運算元產生該第二冗餘版本序列的每個冗餘版本值。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟：<br/> 決定該上行鏈路傳輸的該初始重複的該起始冗餘版本序列位置不是該第一重複集合和該第二重複集合的一組合的最後一個重複時機。
根據請求項3之方法，其中一配置的重複數量大於或等於八，並且至少部分地基於該配置的重複數量大於或等於八，該上行鏈路傳輸的該初始重複的該起始冗餘版本序列位置不是該最後一個重複時機。
根據請求項1之方法，其中接收該一或多個控制訊息包括以下步驟：<br/> 接收指示該第一重複集合和該第二重複集合的一傳輸順序的一下行鏈路控制資訊訊息，其中至少部分地基於該傳輸順序，該第一冗餘版本序列被應用於該第一重複集合並且該第二冗餘版本序列被應用於該第二重複集合。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟：<br/> 使用該第一冗餘版本序列的相應的後續冗餘版本值來發送該第一重複集合中的後續重複；及<br/> 使用該第二冗餘版本序列的相應的後續冗餘版本值來發送該第二重複集合中的後續重複。
根據請求項1之方法，其中該第一重複集合中的一或多個重複和該第二重複集合中的一或多個重複是根據一循環波束映射模式或一順序波束映射模式來發送的。
根據請求項1之方法，其中該第一重複集合與一第一探測參考訊號資源集合相關聯，並且該第二重複集合與一第二探測參考訊號資源集合相關聯。
一種用於無線通訊的使用者設備（UE），包括：<br/> 一處理器；<br/> 與該處理器耦合的記憶體；及<br/> 指令，其被儲存在該記憶體中並且可由該處理器執行以使得該UE進行以下操作：<br/> 接收一或多個控制訊息，該一或多個控制訊息啟動或排程與一第一發送/接收點相對應的一上行鏈路傳輸的一第一重複集合和與一第二發送/接收點相對應的該上行鏈路傳輸的一第二重複集合，其中該一或多個控制訊息指示一第一冗餘版本序列和一偏移值；<br/> 使用該偏移值、該第一冗餘版本序列的每個冗餘版本值以及一取模運算元來決定一第二冗餘版本序列，該取模運算元產生該第二冗餘版本序列的每個冗餘版本值；<br/> 從該第一冗餘版本序列和該第二冗餘版本序列兩者的零值冗餘版本值中決定該上行鏈路傳輸的一初始重複的一起始冗餘版本序列位置；<br/> 根據該第一冗餘版本序列的一第一冗餘版本值來發送該第一重複集合中的一第一重複；及<br/> 根據該第二冗餘版本序列的一第二冗餘版本值來發送該第二重複集合中的一第二重複，其中該第一冗餘或該第二冗餘中的一個為該起始冗餘。
根據請求項9之UE，其中該用於決定該第二冗餘版本序列的指令可由該處理器執行以使得該UE進行以下操作：<br/> 經由將該偏移值加到該第一冗餘版本序列的每個冗餘版本值並且應用具有該第一冗餘版本序列的一長度的該取模運算元來決定該第二冗餘版本序列，該取模運算元產生該第二冗餘版本序列的每個冗餘版本值。
根據請求項9之UE，其中該等指令亦可由該處理器執行以使得該UE進行以下操作：<br/> 決定該上行鏈路傳輸的該初始重複的該起始冗餘版本序列位置不是該第一重複集合和該第二重複集合的一組合的最後一個重複時機。
根據請求項11之UE，其中一配置的重複數量大於或等於八，並且至少部分地基於該配置的重複數量大於或等於八，該上行鏈路傳輸的該初始重複的該起始冗餘版本序列位置不是該最後一個重複時機。
根據請求項9之UE，其中該用於接收該一或多個控制訊息的指令可由該處理器執行以使得該UE進行以下操作：<br/> 接收指示該第一重複集合和該第二重複集合的一傳輸順序的一下行鏈路控制資訊訊息，其中至少部分地基於該傳輸順序，該第一冗餘版本序列被應用於該第一重複集合並且該第二冗餘版本序列被應用於該第二重複集合。
根據請求項9之UE，其中該等指令亦可由該處理器執行以使得該UE進行以下操作：<br/> 使用該第一冗餘版本序列的相應的後續冗餘版本值來發送該第一重複集合中的後續重複；及<br/> 使用該第二冗餘版本序列的相應的後續冗餘版本值來發送該第二重複集合中的後續重複。
根據請求項9之UE，其中該第一重複集合中的一或多個重複和該第二重複集合中的一或多個重複是根據一循環波束映射模式或一順序波束映射模式來發送的。
根據請求項9之UE，其中該第一重複集合與一第一探測參考訊號資源集合相關聯，並且該第二重複集合與一第二探測參考訊號資源集合相關聯。
一種用於無線通訊的使用者設備（UE），包括：<br/> 用於接收一或多個控制訊息的單元，該一或多個控制訊息啟動或排程與一第一發送/接收點相對應的一上行鏈路傳輸的一第一重複集合和與一第二發送/接收點相對應的該上行鏈路傳輸的一第二重複集合，其中該一或多個控制訊息指示一第一冗餘版本序列和一偏移值；<br/> 用於使用該偏移值、該第一冗餘版本序列的每個冗餘版本值以及一取模運算元來決定一第二冗餘版本序列的單元，該取模運算元產生該第二冗餘版本序列的每個冗餘版本值；<br/> 用於從該第一冗餘版本序列和該第二冗餘版本序列兩者的零值冗餘版本值中決定該上行鏈路傳輸的一初始重複的一起始冗餘版本序列位置的單元；<br/> 用於根據該第一冗餘版本序列的一第一冗餘版本值來發送該第一重複集合中的一第一重複的單元；及<br/> 用於根據該第二冗餘版本序列的一第二冗餘版本值來發送該第二重複集合中的一第二重複的單元，其中該第一冗餘或該第二冗餘中的一個為該起始冗餘。
根據請求項17之UE，其中該用於決定該第二冗餘版本序列的單元包括：<br/> 用於經由將該偏移值加到該第一冗餘版本序列的每個冗餘版本值並且應用具有該第一冗餘版本序列的一長度的該取模運算元來決定該第二冗餘版本序列的單元，該取模運算元產生該第二冗餘版本序列的每個冗餘版本值。
根據請求項17之UE，亦包括：<br/> 用於決定該上行鏈路傳輸的該初始重複的該起始冗餘版本序列位置不是該第一重複集合和該第二重複集合的一組合的最後一個重複時機的單元。
根據請求項19之UE，其中一配置的重複數量大於或等於八，並且至少部分地基於該配置的重複數量大於或等於八，該上行鏈路傳輸的該初始重複的該起始冗餘版本序列位置不是該最後一個重複時機。
根據請求項17之UE，其中該用於接收該一或多個控制訊息的單元包括：<br/> 用於接收指示該第一重複集合和該第二重複集合的一傳輸順序的一下行鏈路控制資訊訊息的單元，其中至少部分地基於該傳輸順序，該第一冗餘版本序列被應用於該第一重複集合並且該第二冗餘版本序列被應用於該第二重複集合。
根據請求項17之UE，亦包括：<br/> 用於使用該第一冗餘版本序列的相應的後續冗餘版本值來發送該第一重複集合中的後續重複的單元；及<br/> 用於使用該第二冗餘版本序列的相應的後續冗餘版本值來發送該第二重複集合中的後續重複的單元。
根據請求項17之UE，其中該第一重複集合中的一或多個重複和該第二重複集合中的一或多個重複是根據一循環波束映射模式或一順序波束映射模式來發送的。
根據請求項17之UE，其中該第一重複集合與一第一探測參考訊號資源集合相關聯，並且該第二重複集合與一第二探測參考訊號資源集合相關聯。
一種儲存用於一使用者設備（UE）處的無線通訊的代碼的非暫時性電腦可讀取媒體，該代碼包括可由一處理器執行以進行以下操作的指令：<br/> 接收一或多個控制訊息，該一或多個控制訊息啟動或排程與一第一發送/接收點相對應的一上行鏈路傳輸的一第一重複集合和與一第二發送/接收點相對應的該上行鏈路傳輸的一第二重複集合，其中該一或多個控制訊息指示一第一冗餘版本序列和一偏移值；<br/> 使用該偏移值、該第一冗餘版本序列的每個冗餘版本值以及一取模運算元來決定一第二冗餘版本序列，該取模運算元產生該第二冗餘版本序列的每個冗餘版本值；<br/> 從該第一冗餘版本序列和該第二冗餘版本序列兩者的零值冗餘版本值中決定該上行鏈路傳輸的一初始重複的一起始冗餘版本序列位置；<br/> 根據該第一冗餘版本序列的一第一冗餘版本值來發送該第一重複集合中的一第一重複；及<br/> 根據該第二冗餘版本序列的一第二冗餘版本值來發送該第二重複集合中的一第二重複，其中該第一冗餘或該第二冗餘中的一個為該起始冗餘。
根據請求項25之非暫時性電腦可讀取媒體，其中該用於決定該第二冗餘版本序列的指令可由該處理器執行以進行以下操作：<br/> 經由將該偏移值加到該第一冗餘版本序列的每個冗餘版本值並且應用具有該第一冗餘版本序列的一長度的該取模運算元來決定該第二冗餘版本序列，該取模運算元產生該第二冗餘版本序列的每個冗餘版本值。
根據請求項25之非暫時性電腦可讀取媒體，其中該等指令亦可由該處理器執行以進行以下操作：<br/> 決定該上行鏈路傳輸的該初始重複的該起始冗餘版本序列位置不是該第一重複集合和該第二重複集合的一組合的最後一個重複時機。
根據請求項27之非暫時性電腦可讀取媒體，其中一配置的重複數量大於或等於八，並且至少部分地基於該配置的重複數量大於或等於八，該上行鏈路傳輸的該初始重複的該起始冗餘版本序列位置不是該最後一個重複時機。
根據請求項25之非暫時性電腦可讀取媒體，其中該用於接收該一或多個控制訊息的指令可由該處理器執行以進行以下操作：<br/> 接收指示該第一重複集合和該第二重複集合的一傳輸順序的一下行鏈路控制資訊訊息，其中至少部分地基於該傳輸順序，該第一冗餘版本序列被應用於該第一重複集合並且該第二冗餘版本序列被應用於該第二重複集合。
根據請求項25之非暫時性電腦可讀取媒體，其中該等指令亦可由該處理器執行以進行以下操作：<br/> 使用該第一冗餘版本序列的相應的後續冗餘版本值來發送該第一重複集合中的後續重複；及<br/> 使用該第二冗餘版本序列的相應的後續冗餘版本值來發送該第二重複集合中的後續重複。
根據請求項25之非暫時性電腦可讀取媒體，其中該第一重複集合中的一或多個重複和該第二重複集合中的一或多個重複是根據一循環波束映射模式或一順序波束映射模式來發送的。
根據請求項25之非暫時性電腦可讀取媒體，其中該第一重複集合與一第一探測參考訊號資源集合相關聯，並且該第二重複集合與一第二探測參考訊號資源集合相關聯。
一種控制裝置，是人力驅動車用的控制裝置， <br/> 前述人力驅動車，是包含：人力驅動力被輸入的曲柄軸、及與前述曲柄軸連接的第1旋轉體、及車輪、及與前述車輪連接的第2旋轉體、及卡合於前述第1旋轉體及前述第2旋轉體且在前述第1旋轉體及前述第2旋轉體之間將驅動力傳達用的傳達體、及為了將前述車輪的旋轉速度對於前述曲柄軸的旋轉速度的變速比率變更而將前述傳達體操作用的撥鏈器、及將前述傳達體驅動用的馬達， <br/> 前述控制裝置具備控制部，可進行變速控制，當滿足有關於踩踏的第1條件的情況時，將前述馬達控制將前述傳達體驅動，將前述撥鏈器控制將前述傳達體操作，而變更前述變速比率， <br/> 前述控制部，是包含以下的控制狀態： <br/> 當滿足前述第1條件的情況時，在第1時間內將第1段的變速段數變更的第1控制狀態；及當滿足前述第1條件的情況時，在第2時間內將前述第1段的前述變速段數變更的第2控制狀態； <br/> 在前述第2控制狀態中，將前述馬達控制使前述馬達的旋轉速度比前述第1控制狀態更大， <br/> 當滿足前述第1條件，且滿足第2條件的情況時，將前述控制狀態移動至前述第2控制狀態， <br/> 前述第2時間，是比前述第1時間更短， <br/> 滿足前述第2條件的情況，是前述人力驅動車的加速度是第1加速度以上的情況。
如請求項1的控制裝置，其中， <br/> 前述控制部，是當滿足前述第1條件，且滿足前述第2條件的情況，進一步滿足第3條件的情況時，在前述第2控制狀態中，將複數段的前述變速段數變更， <br/> 滿足前述第3條件的情況，是複數段的前述變速段數的變更被判定成為必要的情況。
如請求項1或2的控制裝置，其中， <br/> 前述人力驅動車，是進一步包含電動致動器，可將前述撥鏈器動作將前述傳達體操作，而將前述變速比率變更， <br/> 前述控制部，是將前述電動致動器控制， <br/> 當滿足前述第1條件的情況時，藉由控制前述電動致動器，並藉由前述撥鏈器將前述傳達體操作， <br/> 在前述第2控制狀態中，將前述電動致動器控制使前述撥鏈器的動作速度比前述第1控制狀態更大。
如請求項1或2的控制裝置，其中， <br/> 前述人力驅動車的坐墊柱的高度是第1高度以下的情況時，前述控制部，是將前述控制狀態移動至前述第2控制狀態。
如請求項1或2的控制裝置，其中， <br/> 前述人力驅動車，是進一步包含懸吊裝置， <br/> 前述懸吊裝置的行程長度反覆增加及減少的頻率是規定頻率以上的情況，前述控制部，是將前述控制狀態移動至前述第2控制狀態。
如請求項1或2的控制裝置，其中， <br/> 行走路的坡度是第1角度以上的情況，前述控制部，是將前述控制狀態移動至前述第2控制狀態。
如請求項1或2的控制裝置，其中， <br/> 前述人力驅動車是行走於下坡的情況，且在前述人力驅動車的行走方向的前方曲線被檢出的情況時，前述控制部，是將前述控制狀態移動至前述第2控制狀態。
如請求項7的控制裝置，其中， <br/> 前述曲線，是彎曲角度為90°以下的曲線。
如請求項7的控制裝置，其中， <br/> 前述人力驅動車，是進一步具備前方檢出部，可以將前述人力驅動車的行走方向的前方的行走環境檢出。
一種減速機，其具備：圓環狀外牙齒輪，其係在外周面具有沿著周方向排列的複數外牙，貫通軸方向的第1貫通孔及以包圍前述第1貫通孔的方式在前述周方向排列形成的複數第2貫通孔；輸入軸，其貫通前述第1貫通孔，可向旋轉軸的周向轉動；第1軸承，其係配置在前述外牙齒輪與前述輸入軸之間，將前述輸入軸保持成可在前述周方向對前述外牙齒輪相對轉動；複數內周銷釘，其係將前述第2貫通孔在前述軸方向貫通；內周銷釘夾鉗，其保持前述複數的內周銷釘的兩端，包圍前述輸入軸的外周面；第2軸承，其包圍前述外牙齒輪的前述外周面；內牙銷釘，其與前述外牙咬合，前述第2軸承，包含：外輪，其固定在前述內周銷釘夾鉗；內輪，其構成配置在較前述外輪的徑方向的內側，以較前述輸入軸更低速旋轉的輸出軸；及轉動體，其與前述外輪的內周面及前述內輪的外周面接觸，在前述內輪，沿著內周面形成有保持前述內牙銷釘的銷釘保持部，其具有包圍前述外牙齒輪的前述外周面的圓環形狀；前述內周銷釘夾鉗，包含：第1夾鉗部，其具有保持前述內周銷釘的第1端部的圓環狀保持部；第2夾鉗部，其具有保持在前述內周銷釘的前述第1端部的相反側的第2端部的圓環狀保持部；及柱部，其連接前述第1夾鉗部及前述第2夾鉗部的同時在前述周方向隔著間隔配置，貫通前述貫通孔，進一步具備：固定構件，其將前述柱部的端面固定在前述第1夾鉗部或前述第2夾鉗部的固定構件，且該固定構件自前述端面插入前述柱部的內部；垂直於前述柱部的長邊方向的斷面形狀，係向前述周方向延伸的圓弧形狀，前述第2貫通孔，係在前述周方向延伸的長孔；於各前述第2貫通孔中分別插入有一個前述柱部與在前述周方向夾持一個前述柱部之一對前述內周銷釘。
如申請專利範圍第1項之減速機，其中在前述內輪，形成有向前述徑方向貫通的注油孔。
如申請專利範圍第2項之減速機，其中在前述內輪的前述外周面，在包含前述旋轉軸的斷面，形成有隨著離開底部軌道面相互的間隔變寬的溝，前述注油孔，係形成在前述溝的底部。
如申請專利範圍第1項或第2項之減速機，其中前述第2貫通孔為沿著前述周方向呈圓弧狀延伸的長孔。
如申請專利範圍第1項或第2項之減速機，其中前述內周銷釘為滾動軸承或滑動軸承。
如申請專利範圍第1項或第2項之減速機，其進一步具備：潤滑構件，其係配置在前述第2貫通孔的內側，與內周銷釘接觸。
如申請專利範圍第6項之減速機，其中在前述潤滑構件，形成有貫通前述軸方向的孔。
一種皮膚外用劑，係含有： <br/>成分(A)：選自由平均粒徑350nm以上且2,500nm以下之球狀金屬氧化物(A1)、及厚度為30nm以上且360nm以下且長厚比為3以上且300以下之板狀氧化鈦(A2)所構成群之1種以上之金屬氧化物；及 <br/>成分(B)：不揮發性油； <br/>該皮膚外用劑中之成分(A)之含量為2質量%以上且50質量%以下， <br/>25℃下之黏度為2,500mPa‧s以上且150,000mPa‧s以下。
如請求項1之皮膚外用劑，其中，上述皮膚外用劑之黏度(mPa‧s)相對於上述皮膚外用劑中之上述成分(A)含量(質量%)為100以上。
如請求項1或2之皮膚外用劑，其中，上述皮膚外用劑之不揮發性成分中之上述成分(A)的含量為5質量%以上且50質量%以下。
如請求項1之皮膚外用劑，其中，上述皮膚外用劑中之上述板狀氧化鈦的含量為5質量%以上且30質量%以下。
如請求項1或2之皮膚外用劑，其中，上述成分(A)含有平均粒徑700nm以上且2,500nm以下之球狀金屬氧化物作為成分(A1)，25℃下之黏度為2,500mPa・s以上且20,000mPa‧s以下。
如請求項1或2之皮膚外用劑，其中，上述成分(B)為選自由酯油、聚矽氧油、烴油、高級脂肪酸、及高級醇所構成群之1種以上。
如請求項1或2之皮膚外用劑，其中，上述皮膚外用劑進一步含有增黏劑。
如請求項7之皮膚外用劑，其中，上述增黏劑為油增黏劑。
如請求項8之皮膚外用劑，其中，上述增黏劑為選自由固形之蠟、有機改質黏土礦物、糊精脂肪酸酯、及胺基酸系凝膠化劑所構成群之1種以上。
如請求項7之皮膚外用劑，其中，上述皮膚外用劑中之上述增黏劑的含量為0.5質量%以上且50質量%以下。
如請求項1或2之皮膚外用劑，其中，上述皮膚外用劑係進一步含有水。
如請求項1或2之皮膚外用劑，其中，上述皮膚外用劑為固形狀。
如請求項1或2之皮膚外用劑，其係紫外線或紅外線防禦用、皮膚溫度上升抑制用、或疲勞抑制用之皮膚外用劑。
一種皮膚之紅外線防禦方法，係具有將請求項1至13中任一項之皮膚外用劑應用於皮膚的步驟。
一種純化有機胺之方法，該方法包含：<br/> （a）向第一容器提供有機胺，該有機胺在1巴下具有標準沸點；<br/> （b）用惰性氣體填充該第一容器；<br/> （c）將該第一容器中的該有機胺加熱至亞沸騰溫度，其中該亞沸騰溫度比標準沸點低至少15℃；<br/> （d）在第二容器中冷卻來自該第一容器之蒸氣以提供液體；及<br/> （e）使該有機胺與樹脂聚合物基質接觸，其中該樹脂聚合物基質包埋(embedded with)有選自(i) 亞胺基二乙酸或(ii) 亞胺基二乙酸及胺基甲基膦酸的胺基化合物。
如請求項1之方法，其中步驟（c）及（d）在步驟（e）之前進行，且其中步驟（e）中之該有機胺在來自步驟（d）之液體中。
如請求項1之方法，其中步驟（e）在步驟（a）-（d）之前進行，且其中該有機胺在步驟（a）中與該樹脂聚合物基質接觸後提供給第一容器。
如請求項1至3中任一項之方法，其中若該有機胺之標準沸點高於200℃，則最低亞沸點比標準沸點低160℃，其中若該有機胺之標準沸點在150℃至200℃之間，則最低亞沸點比標準沸點低120℃，且其中若該有機胺的標準沸點低於150℃，則最低亞沸點高於25℃。
如請求項1至3中任一項之方法，其中在該方法步驟完成之後，該有機胺中Na、K、Ca、Al、Fe、Ni、Zn、Cu、Cr及Sn之濃度各自為10 ppb或更低。
如請求項1至3中任一項之方法，其中在步驟(b)中用惰性氣體填充後之該第一容器中的水含量及氧含量各自小於20 ppm。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該樹脂聚合物基質包含聚丙烯酸酯或聚苯乙烯-二乙烯基苯。
如請求項1至3中任一項之方法，其中如藉由氣體吸附藉由固體之比表面積所測定，該樹脂聚合物基質之孔徑在1-2,000 nm範圍內。
如請求項1至3中任一項之方法，其中將該樹脂聚合物基質作為樹脂珠粒引入至含有機胺之液體中，該珠粒之粒徑在100-2000 μm範圍內。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該有機胺包括具有小於1重量%的水之單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、異丙醇胺、二異丙醇胺、三異丙醇胺、二甲基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺或胺基乙烯乙醇胺。
一種樹脂組成物，含有：<br/> 下述式(1)所示烴系化合物(A)，<br/> [化學式1] <br/><img align="absmiddle" height="130px" width="285px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [式(1)中，X表示碳數6以上且20以下之烴基，其包含選自於芳香族環狀基及脂肪族環狀基中之至少一者；n表示1~10之整數]；<br/> 不同於前述烴系化合物(A)且在25℃下為固體之苯乙烯系聚合物(B)；及<br/> 與前述烴系化合物(A)及前述苯乙烯系共聚物(B)之至少一者進行反應之反應性化合物(C)；<br/> 並且，相對於前述烴系化合物(A)、前述苯乙烯系共聚物(B)及前述反應性化合物(C)之合計100質量份，前述苯乙烯系共聚物(B)之含量為5~50質量份。
如請求項1之樹脂組成物，其中前述烴系化合物(A)包含下述式(2)所示烴系化合物(A1)，<br/> [化學式2] <br/><img align="absmiddle" height="99px" width="282px" file="ed10026.jpg" alt="ed10026.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [n表示1~10之整數]。
如請求項1之樹脂組成物，其中前述苯乙烯系聚合物(B)包含氫化苯乙烯系共聚物。
如請求項3之樹脂組成物，其中前述氫化苯乙烯系共聚物包含選自於由氫化甲基苯乙烯(乙烯/丁烯)甲基苯乙烯嵌段共聚物、氫化甲基苯乙烯(乙烯-乙烯/丙烯)甲基苯乙烯嵌段共聚物、氫化苯乙烯異戊二烯嵌段共聚物、氫化苯乙烯異戊二烯苯乙烯嵌段共聚物、氫化苯乙烯(乙烯/丁烯)苯乙烯嵌段共聚物及氫化苯乙烯(乙烯-乙烯/丙烯)苯乙烯嵌段共聚物所構成群組中之至少1種。
如請求項1之樹脂組成物，其中相對於前述烴系化合物(A)與前述苯乙烯系共聚物(B)之合計質量100質量份，前述烴系化合物(A)之含量為20~80質量份。
如請求項1之樹脂組成物，其中前述反應性化合物(C)包含選自於馬來醯亞胺化合物、環氧化合物、甲基丙烯酸酯化合物、丙烯酸酯化合物、在25℃下為液狀之乙烯基化合物、氰酸酯化合物、活性酯化合物、烯丙基化合物、苯并㗁𠯤化合物、酚化合物、聚苯醚化合物之群組中之至少一者。
如請求項1之樹脂組成物，其中相對於前述烴系化合物(A)、前述苯乙烯系共聚物(B)及前述反應性化合物(C)之合計100質量份，前述反應性化合物(C)之含量為1~40質量份。
如請求項1之樹脂組成物，其包含無機充填劑。
如請求項1之樹脂組成物，其包含磷系阻燃劑。
一種預浸體，具有：如請求項1至9中任一項之樹脂組成物或前述樹脂組成物之半硬化物；及纖維質基材。
一種附樹脂之薄膜，具有：樹脂層，包含如請求項1至9中任一項之樹脂組成物或前述樹脂組成物之半硬化物；及支持薄膜。
一種附樹脂之金屬箔，具有：樹脂層，包含如請求項1至9中任一項之樹脂組成物或前述樹脂組成物之半硬化物；及金屬箔。
一種覆金屬積層板，具有：絕緣層，包含如請求項1至9中任一項之樹脂組成物之硬化物；及金屬箔。
一種配線基板，具有：絕緣層，包含如請求項1至9中任一項之樹脂組成物之硬化物；及配線。
一種覆金屬積層板，具有：絕緣層，包含如請求項10之預浸體之硬化物；及金屬箔。
一種配線基板，具有：絕緣層，包含如請求項10之預浸體之硬化物；及配線。
一種用於一測試系統之測試插座，該測試插座包含： <br/>一容器，其用以形成至一受測裝置(device under test, DUT)的電氣連接及機械連接； <br/>一蓋件，其用以在該容器中覆蓋該DUT，該蓋件係可控的以自動地開啟，以實現在該容器中接收該DUT，並在接收該DUT之後自動地閉合以在該容器中覆蓋該DUT，其中使該蓋件閉合對該DUT施力，以完成該測試插座與該DUT之間的該電氣連接及該機械連接； <br/>一致動器，其用以控制該蓋件之開啟及閉合且控制該蓋件相對於該容器的垂直移動；及 <br/>一齒輪，其經連接至該致動器，該齒輪係可用以垂直地移動該蓋件至該容器。
如請求項1之測試插座，其中該致動器係經組態以相對於該容器樞轉該蓋件。
如請求項1之測試插座，其中該致動器包含一馬達。
如請求項3之測試插座，其中該馬達之一扭矩提供一夾持力至該DUT以完成該測試插座與該DUT之間的該電氣連接及該機械連接。
如請求項1之測試插座，其中該致動器包含一螺旋狀驅動蝸桿，其致使該蓋件動作，並經組態以提供一夾持力至該DUT以完成該測試插座與該DUT之間的該電氣連接及該機械連接。
如請求項1之測試插座，其中該致動器包含一液壓致動器或一氣動致動器中之一者。
如請求項1之測試插座，其進一步包含： <br/>一板，其具有一軌道，該軌道具有一第一分支及一第二分支，該第一分支垂直地延伸至該容器，該第二分支相對於該容器傾斜地延伸。
如請求項7之測試插座，其中該蓋件包含一滾輪，該致動器用於沿著該第一分支移動該滾輪以垂直地移動該蓋件至該容器，並用於沿著該第二分支移動該滾輪以相對於該容器樞轉該蓋件。
如請求項1之測試插座，其進一步包含： <br/>一熱控制系統，其用以控制在該測試插座中的該DUT的一溫度，該控制與控制在其他測試插座中的其他DUT的溫度分開，該熱控制系統包含一熱電冷卻器(thermoelectric cooler, TEC)及一結構，該結構經連接至導熱的該蓋件，該TEC與該DUT熱連通以藉由在該DUT與該結構之間傳遞熱來控制該DUT之該溫度。
如請求項9之測試插座，其中該熱控制系統包含： <br/>液體冷卻劑，其用以流動通過該結構以降低該結構之一溫度。
如請求項10之測試插座，其中該液體冷卻劑包含液態氮。
如請求項9之測試插座，其中該熱控制系統包含一加熱器。
如請求項1之測試插座，其進一步包含： <br/>一第一板，其在該蓋件之一第一側上，該第一板包含第一軌道； <br/>一第二板，其在該蓋件之一第二側上，該第二板包含第二軌道； <br/>第一滾輪，其等在該蓋件之一第一側上；及 <br/>第二滾輪，其等在該蓋件之一第二側上； <br/>其中在該蓋件的開啟及閉合期間，該等第一滾輪沿著該等第一軌道移動，且該等第二滾輪沿著該等第二軌道移動。
如請求項13之測試插座，其中該等第一軌道中之至少一者及該等第二軌道中之至少一者包含一直角軌道。
如請求項13之測試插座，其中該第一板係一單一板，且該第二板係一單一板。
如請求項13之測試插座，其進一步包含： <br/>一鉸鏈，該蓋件經連接至該鉸鏈，該鉸鏈包含一彈簧，該彈簧實現該蓋件壓縮以施力至該DUT，以完成該測試插座與該DUT之間的該電氣連接及該機械連接。
如請求項1之測試插座，其進一步包含： <br/>一第一組板，其在該蓋件之一第一側上，該第一組板包含第一軌道； <br/>一第二組板，其在該蓋件之一第二側上，該第二組板包含第二軌道； <br/>第一滾輪，其等在該蓋件之一第一側上；及 <br/>第二滾輪，其等在該蓋件之一第二側上； <br/>其中在該蓋件的開啟及閉合期間，該等第一滾輪沿著該等第一軌道移動，且該等第二滾輪沿著該等第二軌道移動。
如請求項17之測試插座，其中該第一組板包含一第一活動板及一第一固定板，且該第二組板包含一第二活動板及一第二固定板；且 <br/>其中該第一活動板係可控的以相對於該第一固定板移動，且該第二活動板係可控的以相對於該第二固定板移動，以致使該蓋件開啟或閉合。
如請求項18之測試插座，其中該第一活動板包含一第一軌道及一第二軌道，該第一固定板包含一第三軌道及一第四軌道，該第一軌道在該等第一滾輪中之一者的一位置處與該第三軌道相交，且該第二軌道在該等第一滾輪中之一者的一位置處與該第四軌道相交；且 <br/>其中該第二活動板包含一第五軌道及一第六軌道，該第二固定板包含一第七軌道及一第八軌道，該第五軌道在該等第二滾輪中之一者的一位置處與該第七軌道相交，且該第六軌道在該等第二滾輪中之一者的一位置處與該第八軌道相交。
如請求項19之測試插座，其中該等第一軌道及該等第二軌道之各者包含一或多個彎折處。
一種測試系統，其包含如請求項1之測試插座，其進一步包含： <br/>一取放機器人，其用以相對於該測試插座移動該DUT； <br/>其中該測試系統包含一或多個處理裝置以協調該取放機器人之操作及控制開啟及閉合該蓋件，使得當該取放機器人抵達該測試插座時該蓋件經樞轉。
如請求項21之測試系統，其中該一或多個處理裝置係經組態以協調開啟該蓋件與該取放機器人的移動。
如請求項21之測試系統，其進一步包含： <br/>一支架，該取放機器人安裝在該支架上，該支架經組態以相對於該測試插座移動該取放機器人，以定位該取放機器人用於從該測試插座拾取該DUT或將該DUT放入該測試插座中； <br/>其中該測試插座係配置在測試插座的至少一陣列中，使得該測試插座係該取放機器人可存取的。
一種測試系統，其包含： <br/>包裝，其等包含： <br/>測試插座，其等用於測試受測裝置(DUT)；及 <br/>至少一些測試電子器件，其等用於對在該等測試插座中的該等DUT執行測試，其中不同包裝經組態以具有不同組態，該等不同組態包含至少不同數目之以不同節距配置的測試插座； <br/>其中該等測試插座之中的一測試插座包含： <br/>一容器，其用以形成至一DUT的電氣連接及機械連接； <br/>一蓋件，其用以在該容器中覆蓋該DUT，該蓋件係可控的以自動地開啟，以實現在該容器中接收該DUT，並在接收該DUT之後自動地閉合以在該容器中覆蓋該DUT，其中使該蓋件閉合對該DUT施力，以形成該測試插座與該DUT之間的該電氣連接及該機械連接； <br/>一致動器，其用以控制該蓋件之開啟及閉合且控制該蓋件相對於該容器的垂直移動；及 <br/>一齒輪，其經連接至該致動器，該齒輪係可用以垂直地移動該蓋件至該容器。
如請求項24之測試系統， <br/>其中該致動器經組態以相對於該容器樞轉該蓋件； <br/>其中該測試插座包含一板，其具有一軌道，該軌道具有一第一分支及一第二分支，該第一分支垂直地延伸至該容器，該第二分支相對於該容器傾斜地延伸；且 <br/>其中該蓋件包含一滾輪，該致動器用於沿著該第一分支移動該滾輪以垂直地移動該蓋件至該容器，且用於沿著該第二分支移動該滾輪以相對於該容器樞轉該蓋件。
如請求項24之測試系統，其中該測試插座包含： <br/>一第一板，其在該蓋件之一第一側上，該第一板包含第一軌道； <br/>一第二板，其在該蓋件之一第二側上，該第二板包含第二軌道； <br/>第一滾輪，其等在該蓋件之一第一側上；及 <br/>第二滾輪，其等在該蓋件之一第二側上； <br/>其中在該蓋件的開啟及閉合期間，該等第一滾輪沿著該等第一軌道移動，且該等第二滾輪沿著該等第二軌道移動。
一種農用組成物，其含有(a)脂肪酸酯、(b)油酸鹽、及水，其中， <br/>(a)脂肪酸酯滿足: <br/>(i)作為構成前述脂肪酸酯之脂肪酸含有選自由碳數為12至22之飽和脂肪酸所成群組中之至少1種脂肪酸； <br/>(ii)前述脂肪酸酯水解生成的醇為4價以上之多元醇； <br/>(iii)HLB為5以下；及 <br/>(iv)在20℃且常壓下為固體； <br/>(a)脂肪酸酯及(b)油酸鹽在農用組成物中之重量比(a)/(b)為1至50， <br/>且(a)脂肪酸酯及(b)油酸鹽係於水中乳化或分散。
如請求項1所述之農用組成物，其中(a)構成脂肪酸酯之脂肪酸包含選自由月桂酸、肉豆蔻酸、棕櫚酸、硬脂酸、山嵛酸所成群組中之至少1種脂肪酸。
如請求項1所述之農用組成物，其中(a)脂肪酸酯為聚甘油脂肪酸酯。
如請求項1所述之農用組成物，其中(a)脂肪酸酯為聚合度3至10之聚甘油所構成之聚甘油脂肪酸酯。
如請求項1至4中任一項所述之農用組成物，其中包含(a)脂肪酸酯及(b)油酸鹽之油性液滴在水中的粒徑為50μm以下。
如請求項1所述之農用組成物，其進一步含有選自聚環氧烷脂肪酸酯、聚環氧烷烷基苯脂肪酸酯、丙二醇脂肪酸酯、甘油脂肪酸酯、聚環氧乙烷化甘油脂肪酸酯、聚甘油脂肪酸酯、山梨醇酐脂肪酸酯、聚環氧烷山梨醇酐脂肪酸酯、聚環氧乙烷山梨醇脂肪酸酯、蔗糖脂肪酸酯所構成之群組中的一種(c)非離子性界面活性劑，且(a)/[(b)+(c)]為1至20之量比。
如請求項6所述之農用組成物，其中(c)非離子性界面活性劑之HLB為4以上之(聚環氧乙烷)山梨醇酐脂肪酸酯或(聚)甘油脂肪酸酯。
如請求項6所述之農用組成物，其中(c)非離子性界面活性劑為脂肪酸酯，並含有油酸作為該脂肪酸酯之構成脂肪酸。
如請求項1或6所述之農用組成物，其中(a)脂肪酸酯及(b)油酸鹽作為熔融成一體之油性液滴係呈乳化或分散的狀態。
如請求項6所述之農用組成物，其中(a)脂肪酸酯之含量係多於(b)油酸鹽、及(c)非離子性界面活性劑之含量。
一種耐雨性農用鋪展劑，其包含如請求項1或6所述之農用組成物。
一種農藥組成物，係含有如請求項1或6所述之農用組成物及農藥有效成分。
如請求項12所述之農藥組成物，其中含有濃度20至5000ppm之(a)脂肪酸酯。
一種植物保護劑，其包含如請求項1或6所述之農用組成物。
如請求項14所述之植物保護劑，其包含濃度600至5000ppm之(a)脂肪酸酯。
一種植物保護劑，其包含如請求項1或6所述之農用組成物，係用以防止暴露於由雨或風所攜帶之病原菌。
如請求項16所述之植物保護劑，其包含濃度600至5000ppm之(a)脂肪酸酯。
一種式Ⅰ化合物、立體異構體、氘代化物或其藥學上可接受的鹽： <br/>S-L-E <br/>Ⅰ <br/>其中： <br/>S為S6'、-X-S6'、S6'''或-X-S6'''，其中，X為O； <br/><img align="absmiddle" height="54px" width="48px" file="ed12290.jpg" alt="ed12290.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="54px" width="46px" file="ed12291.jpg" alt="ed12291.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>S6' S6''' <br/>其中所述S6'、S6'''中： <br/>R<sub>2</sub>為氫、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基或者-O(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)，所述-O(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)任選的被-O(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)取代； <br/>R<sub>3</sub>為氫； <br/>R<sub>5</sub>為氫或者-NHR’； <br/>R’選自氫、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基和-C(O)C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基； <br/>R<sub>4</sub>為C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>鹵代烷基； <br/>R<sub>6</sub>為氫或者鹵素； <br/>或者R<sub>4</sub>、R<sub>6</sub>與它們連接的碳原子一起形成環使S6中的<img align="absmiddle" height="23px" width="31px" file="ed12292.jpg" alt="ed12292.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>片段為<img align="absmiddle" height="28px" width="35px" file="ed12293.jpg" alt="ed12293.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>R<sub>7</sub>為C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基； <br/>R<sub>8</sub>為C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基； <br/>L為LA： <br/><img align="absmiddle" height="25px" width="119px" file="ed12294.jpg" alt="ed12294.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>LA <br/>其中所述LA中： <br/>環A為<img align="absmiddle" height="22px" width="32px" file="ed12295.jpg" alt="ed12295.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="32px" file="ed12296.jpg" alt="ed12296.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="32px" file="ed12297.jpg" alt="ed12297.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="31px" file="ed12298.jpg" alt="ed12298.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="32px" file="ed12299.jpg" alt="ed12299.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="32px" file="ed12300.jpg" alt="ed12300.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="22px" width="32px" file="ed12301.jpg" alt="ed12301.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中a端與S連接，b端與X'''連接； <br/>環B為鍵、<img align="absmiddle" height="22px" width="31px" file="ed12302.jpg" alt="ed12302.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="31px" file="ed12303.jpg" alt="ed12303.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="31px" file="ed12304.jpg" alt="ed12304.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="31px" file="ed12305.jpg" alt="ed12305.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="22px" width="31px" file="ed12306.jpg" alt="ed12306.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中c端與X'''連接，d端與L<sub>3</sub>連接； <br/>環C為<img align="absmiddle" height="22px" width="30px" file="ed12307.jpg" alt="ed12307.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="30px" file="ed12308.jpg" alt="ed12308.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="30px" width="42px" file="ed12309.jpg" alt="ed12309.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="30px" file="ed12310.jpg" alt="ed12310.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="30px" file="ed12311.jpg" alt="ed12311.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="30px" file="ed12312.jpg" alt="ed12312.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="30px" width="42px" file="ed12313.jpg" alt="ed12313.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="30px" width="42px" file="ed12314.jpg" alt="ed12314.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="30px" width="42px" file="ed12315.jpg" alt="ed12315.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中e端與L<sub>3</sub>連接，f端與X''連接； <br/>X''為鍵、-NH-、-NCH<sub>3</sub>-、-O-、-C(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-、-S-、-C=C-、-C≡C-、-CHF-、-CHCF<sub>3</sub>-、-C(O)-、-S(O)-、-S(O)<sub>2</sub>-、-C(O)O-、-OC(O)-、-C(O)NH-、-C(O)NCH<sub>3</sub>-、-NHC(O)-、-NCH<sub>3</sub>C(O)-或-C(O)CH<sub>2</sub>O-； <br/>L<sub>3</sub>為-(CH<sub>2</sub>)<sub>k</sub>，所述L<sub>3</sub>中的一個或兩個亞甲基任選的被-O-、-NH-、-C≡C-、-N(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)-、-N(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基)-、-C(O)-、-N(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>羥基烷基)-或-N(C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基)-替代，k為0、1、2、3、4、5、6或7； <br/>X'''為鍵、-NH-、-NCH<sub>3</sub>-、-O-、-C(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-、-S-、-C=C-、-C≡C-、-CHF-、-CHCF<sub>3</sub>-、-C(O)-、-S(O)-、-S(O)<sub>2</sub>-、-C(O)O-、-OC(O)-、-C(O)NH-、-C(O)NCH<sub>3</sub>-、-CH<sub>2</sub>NCH<sub>3</sub>-、-NHC(O)-或-NCH<sub>3</sub>C(O)-； <br/>E為E21，其中所述E21具有式E21-1h、E21-1i、E21-1j或E21-1hh結構： <br/><img align="absmiddle" height="40px" width="54px" file="ed12316.jpg" alt="ed12316.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="33px" width="44px" file="ed12317.jpg" alt="ed12317.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="33px" width="44px" file="ed12318.jpg" alt="ed12318.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="40px" width="54px" file="ed12319.jpg" alt="ed12319.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>E21-1h E21-1i E21-1j E21-1hh <br/>其中，R<sub>3</sub>''各自獨立的為氫、氘、鹵素、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基或-O(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)；所述烷基任選的被1-3個獨立的選自鹵素的基團取代。
如請求項1所述的化合物、立體異構體、氘代化物或其藥學上可接受的鹽，所述S為S6c、S6c''、-X-S6c或-X-S6c''： <br/><img align="absmiddle" height="68px" width="60px" file="ed12320.jpg" alt="ed12320.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="54px" width="44px" file="ed12321.jpg" alt="ed12321.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>S6c S6c'' 。
如請求項1所述的化合物、立體異構體、氘代化物或其藥學上可接受的鹽，其中各S結構中的<img align="absmiddle" height="23px" width="31px" file="ed12292.jpg" alt="ed12292.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>片段為<img align="absmiddle" height="23px" width="31px" file="ed12322.jpg" alt="ed12322.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="22px" file="ed12323.jpg" alt="ed12323.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="28px" width="35px" file="ed12293.jpg" alt="ed12293.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>和/或，R<sub>3</sub>為氫； <br/>和/或，R<sub>7</sub>為甲基。
如請求項1所述的化合物、立體異構體、氘代化物或其藥學上可接受的鹽，其中各S結構中的<img align="absmiddle" height="23px" width="31px" file="ed12292.jpg" alt="ed12292.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>片段為<img align="absmiddle" height="23px" width="37px" file="ed12324.jpg" alt="ed12324.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="33px" width="36px" file="ed12325.jpg" alt="ed12325.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="31px" width="35px" file="ed12326.jpg" alt="ed12326.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="31px" width="35px" file="ed12327.jpg" alt="ed12327.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="24px" file="ed12328.jpg" alt="ed12328.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="28px" width="26px" file="ed12329.jpg" alt="ed12329.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的化合物、立體異構體、氘代化物或其藥學上可接受的鹽，其中各S結構中的<img align="absmiddle" height="23px" width="31px" file="ed12292.jpg" alt="ed12292.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>片段為<img align="absmiddle" height="28px" width="26px" file="ed12329.jpg" alt="ed12329.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="23px" width="37px" file="ed12324.jpg" alt="ed12324.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的化合物、立體異構體、氘代化物或其藥學上可接受的鹽，其中各S結構中的<img align="absmiddle" height="23px" width="31px" file="ed12292.jpg" alt="ed12292.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>片段為<img align="absmiddle" height="23px" width="37px" file="ed12324.jpg" alt="ed12324.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的化合物、立體異構體、氘代化物或其藥學上可接受的鹽，其中所述S6'為如下任一結構： <br/><img align="absmiddle" height="47px" width="52px" file="ed12330.jpg" alt="ed12330.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="52px" width="53px" file="ed12331.jpg" alt="ed12331.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="47px" width="52px" file="ed12332.jpg" alt="ed12332.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="56px" width="52px" file="ed12333.jpg" alt="ed12333.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="54px" width="52px" file="ed12334.jpg" alt="ed12334.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="54px" width="52px" file="ed12335.jpg" alt="ed12335.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="47px" width="48px" file="ed12337.jpg" alt="ed12337.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="47px" width="49px" file="ed12339.jpg" alt="ed12339.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="47px" width="69px" file="ed12341.jpg" alt="ed12341.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>和/或，所述S6'''為如下結構： <br/><img align="absmiddle" height="70px" width="73px" file="ed12348.jpg" alt="ed12348.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的式Ⅰ化合物、立體異構體、氘代化物或其藥學上可接受的鹽，其中所述S為如下結構： <br/><img align="absmiddle" height="52px" width="53px" file="ed12331.jpg" alt="ed12331.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="47px" width="52px" file="ed12330.jpg" alt="ed12330.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的式Ⅰ化合物、立體異構體、氘代化物或其藥學上可接受的鹽，其中所述S為如下結構： <br/><img align="absmiddle" height="47px" width="52px" file="ed12330.jpg" alt="ed12330.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的化合物、立體異構體、氘代化物或其藥學上可接受的鹽，所述LA為LA-1： <br/><img align="absmiddle" height="33px" width="122px" file="ed12360.jpg" alt="ed12360.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>LA-1 <br/>。
如請求項1所述的式Ⅰ化合物、立體異構體、氘代化物或其藥學上可接受的鹽，其中，所述LA為LA-2、LA-3、LA-4或LA-5： <br/><img align="absmiddle" height="25px" width="119px" file="ed12294.jpg" alt="ed12294.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>LA-2 <br/>其中所述LA-2中，環A為<img align="absmiddle" height="22px" width="32px" file="ed12377.jpg" alt="ed12377.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="32px" file="ed12296.jpg" alt="ed12296.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="32px" file="ed12297.jpg" alt="ed12297.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="32px" file="ed12299.jpg" alt="ed12299.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="32px" file="ed12300.jpg" alt="ed12300.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="22px" width="32px" file="ed12301.jpg" alt="ed12301.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中a端與S連接，b端與X'''連接； <br/>X'''為-C(O)-； <br/>環B為<img align="absmiddle" height="22px" width="31px" file="ed12302.jpg" alt="ed12302.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="31px" file="ed12303.jpg" alt="ed12303.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="31px" file="ed12304.jpg" alt="ed12304.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="31px" file="ed12305.jpg" alt="ed12305.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="22px" width="31px" file="ed12306.jpg" alt="ed12306.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中c端與X'''連接，d端與L<sub>3</sub>連接； <br/>L<sub>3</sub>為-(CH<sub>2</sub>)<sub>k</sub>-，其中所述L<sub>3</sub>中包含的一個或兩個CH<sub>2</sub>各自獨立地任選的被-O-、-NH-或-N(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)-替代，或者所述L<sub>3</sub>中包含的一個-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-任選的被-C≡C-替代；k為1、2、3或4； <br/>環C為<img align="absmiddle" height="22px" width="30px" file="ed12307.jpg" alt="ed12307.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="30px" file="ed12308.jpg" alt="ed12308.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="30px" file="ed12310.jpg" alt="ed12310.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="30px" file="ed12311.jpg" alt="ed12311.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="22px" width="30px" file="ed12312.jpg" alt="ed12312.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中e端與L<sub>3</sub>連接，f端與X''連接； <br/>X''為-C(O)-； <br/><img align="absmiddle" height="25px" width="119px" file="ed12294.jpg" alt="ed12294.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>LA-3 <br/>其中，所述LA-3中，環A為<img align="absmiddle" height="22px" width="32px" file="ed12377.jpg" alt="ed12377.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="32px" file="ed12296.jpg" alt="ed12296.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="32px" file="ed12297.jpg" alt="ed12297.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="32px" file="ed12299.jpg" alt="ed12299.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="32px" file="ed12300.jpg" alt="ed12300.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="22px" width="32px" file="ed12301.jpg" alt="ed12301.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中a端與S連接，b端與X'''連接； <br/>X'''為-C(O)-； <br/>環B為<img align="absmiddle" height="22px" width="31px" file="ed12302.jpg" alt="ed12302.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="31px" file="ed12303.jpg" alt="ed12303.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="31px" file="ed12304.jpg" alt="ed12304.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="31px" file="ed12305.jpg" alt="ed12305.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="22px" width="31px" file="ed12306.jpg" alt="ed12306.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中c端與X'''連接，d端與L<sub>3</sub>連接； <br/>L<sub>3</sub>為-(CH<sub>2</sub>)<sub>k</sub>-，其中所述L<sub>3</sub>中包含的一個CH<sub>2</sub>任選的被-O-、-NH-或-N(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)-替代；k為1或2； <br/>環C為<img align="absmiddle" height="30px" width="42px" file="ed12309.jpg" alt="ed12309.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="30px" width="42px" file="ed12313.jpg" alt="ed12313.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="30px" width="42px" file="ed12314.jpg" alt="ed12314.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="30px" width="42px" file="ed12315.jpg" alt="ed12315.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中e端與L<sub>3</sub>連接，f端與X''連接； <br/>X''為-C(O)-； <br/><img align="absmiddle" height="25px" width="119px" file="ed12294.jpg" alt="ed12294.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>LA-4 <br/>其中，所述LA-4中， <br/>環A為<img align="absmiddle" height="22px" width="32px" file="ed12377.jpg" alt="ed12377.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="32px" file="ed12296.jpg" alt="ed12296.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="32px" file="ed12297.jpg" alt="ed12297.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="32px" file="ed12299.jpg" alt="ed12299.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="32px" file="ed12300.jpg" alt="ed12300.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="32px" file="ed12301.jpg" alt="ed12301.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="31px" file="ed12537.jpg" alt="ed12537.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中a端與S連接，b端與X'''連接； <br/>X'''為鍵、-C(O)NH-或-C(O)NCH<sub>3</sub>-； <br/>環B為鍵； <br/>L<sub>3</sub>為-(CH<sub>2</sub>)<sub>k</sub>，所述L<sub>3</sub>中的一個或兩個亞甲基任選的被-O-、-NH-、-C(O)-、-C≡C-或-N(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)-替代，k為0、1、2、3、4、5、6或7； <br/>環C為<img align="absmiddle" height="22px" width="30px" file="ed12307.jpg" alt="ed12307.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="30px" file="ed12308.jpg" alt="ed12308.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="30px" file="ed12310.jpg" alt="ed12310.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="30px" file="ed12311.jpg" alt="ed12311.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="30px" file="ed12312.jpg" alt="ed12312.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="30px" width="42px" file="ed12309.jpg" alt="ed12309.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="30px" width="42px" file="ed12313.jpg" alt="ed12313.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="30px" width="42px" file="ed12314.jpg" alt="ed12314.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="30px" width="42px" file="ed12315.jpg" alt="ed12315.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中e端與L<sub>3</sub>連接，f端與X''連接； <br/>X''為-C(O)-； <br/><img align="absmiddle" height="25px" width="119px" file="ed12294.jpg" alt="ed12294.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>LA-5 <br/>其中，環A、X'''、環B、L<sub>3</sub>和環C如LA-2或LA-3中所定義； <br/>X''為-C(O)CH<sub>2</sub>O-，X''中的-C(O)-與環C連接。
如請求項11所述的式Ⅰ化合物、立體異構體、氘代化物或其藥學上可接受的鹽，其中， <br/>所述LA-2中，環B為<img align="absmiddle" height="22px" width="31px" file="ed12304.jpg" alt="ed12304.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="31px" file="ed12305.jpg" alt="ed12305.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="22px" width="31px" file="ed12306.jpg" alt="ed12306.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中c端與X'''連接，d端與L<sub>3</sub>連接； <br/>和/或，所述LA-2中，L<sub>3</sub>為-CH<sub>2</sub>-、-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-、-(CH<sub>2</sub>)<sub>3</sub>-、-(CH<sub>2</sub>)<sub>4</sub>-、<img align="absmiddle" height="13px" width="38px" file="ed12615.jpg" alt="ed12615.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="32px" file="ed12627.jpg" alt="ed12627.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="32px" file="ed12639.jpg" alt="ed12639.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="13px" width="39px" file="ed12651.jpg" alt="ed12651.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="9px" width="33px" file="ed12663.jpg" alt="ed12663.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="11px" width="33px" file="ed12675.jpg" alt="ed12675.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="16px" width="39px" file="ed12687.jpg" alt="ed12687.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中k''端與環B連接，k'端與環C連接； <br/>和/或，所述LA-2中，環C為<img align="absmiddle" height="22px" width="30px" file="ed12310.jpg" alt="ed12310.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="30px" file="ed12311.jpg" alt="ed12311.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="22px" width="30px" file="ed12312.jpg" alt="ed12312.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中e端與L<sub>3</sub>連接，f端與X''連接； <br/>和/或，所述LA-3中，環A為<img align="absmiddle" height="22px" width="32px" file="ed12377.jpg" alt="ed12377.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="32px" file="ed12297.jpg" alt="ed12297.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="22px" width="32px" file="ed12299.jpg" alt="ed12299.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中a端與S連接，b端與X'''連接； <br/>和/或，所述LA-3中，環B為<img align="absmiddle" height="22px" width="31px" file="ed12304.jpg" alt="ed12304.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="31px" file="ed12305.jpg" alt="ed12305.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="22px" width="31px" file="ed12306.jpg" alt="ed12306.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中c端與X'''連接，d端與L<sub>3</sub>連接； <br/>和/或，所述LA-3中，L<sub>3</sub>為-(CH<sub>2</sub>)<sub>k</sub>-，k為1或2； <br/>和/或，所述LA-3中，環C為<img align="absmiddle" height="30px" width="42px" file="ed12313.jpg" alt="ed12313.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="30px" width="42px" file="ed12314.jpg" alt="ed12314.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="30px" width="42px" file="ed12315.jpg" alt="ed12315.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中e端與L<sub>3</sub>連接，f端與X''連接； <br/>和/或，所述LA-4中，環A為<img align="absmiddle" height="22px" width="32px" file="ed12297.jpg" alt="ed12297.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="32px" file="ed12299.jpg" alt="ed12299.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="23px" width="31px" file="ed12537.jpg" alt="ed12537.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中a端與S連接，b端與X'''連接； <br/>和/或，所述LA-4中，L<sub>3</sub>為-CH<sub>2</sub>-、-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-、<img align="absmiddle" height="20px" width="40px" file="ed12754.jpg" alt="ed12754.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="20px" width="49px" file="ed12766.jpg" alt="ed12766.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="19px" width="45px" file="ed12778.jpg" alt="ed12778.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中k''端與環B連接，k'端與環C連接； <br/>和/或，所述LA-4中，環C為<img align="absmiddle" height="30px" width="42px" file="ed12313.jpg" alt="ed12313.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="22px" width="30px" file="ed12312.jpg" alt="ed12312.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中e端與L<sub>3</sub>連接，f端與X''連接； <br/>和/或，所述LA-5中，環A為<img align="absmiddle" height="22px" width="32px" file="ed12297.jpg" alt="ed12297.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中a端與S連接，b端與X'''連接； <br/>和/或，所述LA-5中，環B為<img align="absmiddle" height="22px" width="31px" file="ed12304.jpg" alt="ed12304.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中c端與X'''連接，d端與L<sub>3</sub>連接； <br/>和/或，所述LA-5中，L<sub>3</sub>為-(CH<sub>2</sub>)-； <br/>和/或，所述LA-5中，環C為<img align="absmiddle" height="22px" width="30px" file="ed12312.jpg" alt="ed12312.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中e端與L<sub>3</sub>連接，f端與X''連接。
如請求項1所述的式Ⅰ化合物、立體異構體、氘代化物或其藥學上可接受的鹽，所述LA為如下任一結構： <br/><img align="absmiddle" height="26px" width="89px" file="ed12806.jpg" alt="ed12806.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="40px" width="83px" file="ed12817.jpg" alt="ed12817.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="26px" width="78px" file="ed12828.jpg" alt="ed12828.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="26px" width="89px" file="ed12839.jpg" alt="ed12839.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="33px" width="83px" file="ed12850.jpg" alt="ed12850.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="40px" width="94px" file="ed12861.jpg" alt="ed12861.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="49px" width="89px" file="ed12872.jpg" alt="ed12872.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="33px" width="89px" file="ed12883.jpg" alt="ed12883.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="40px" width="95px" file="ed12893.jpg" alt="ed12893.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="94px" file="ed12902.jpg" alt="ed12902.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="26px" width="89px" file="ed12913.jpg" alt="ed12913.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="40px" width="95px" file="ed12922.jpg" alt="ed12922.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="40px" width="94px" file="ed12923.jpg" alt="ed12923.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="40px" width="94px" file="ed12925.jpg" alt="ed12925.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="40px" width="94px" file="ed12932.jpg" alt="ed12932.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="47px" width="95px" file="ed12943.jpg" alt="ed12943.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="33px" width="89px" file="ed12949.jpg" alt="ed12949.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="47px" width="95px" file="ed12955.jpg" alt="ed12955.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="33px" width="89px" file="ed12962.jpg" alt="ed12962.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="33px" width="89px" file="ed12963.jpg" alt="ed12963.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="33px" width="89px" file="ed12964.jpg" alt="ed12964.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="33px" width="89px" file="ed12965.jpg" alt="ed12965.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="47px" width="94px" file="ed12966.jpg" alt="ed12966.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="40px" width="84px" file="ed12967.jpg" alt="ed12967.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="29px" width="67px" file="ed12968.jpg" alt="ed12968.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="37px" width="78px" file="ed12969.jpg" alt="ed12969.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="42px" width="94px" file="ed12970.jpg" alt="ed12970.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="34px" width="89px" file="ed12971.jpg" alt="ed12971.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="26px" width="89px" file="ed12972.jpg" alt="ed12972.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項13所述的式Ⅰ化合物、立體異構體、氘代化物或其藥學上可接受的鹽，所述LA為如下任一結構： <br/><img align="absmiddle" height="26px" width="89px" file="ed12839.jpg" alt="ed12839.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="40px" width="94px" file="ed12861.jpg" alt="ed12861.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="40px" width="95px" file="ed12893.jpg" alt="ed12893.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="94px" file="ed12902.jpg" alt="ed12902.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="40px" width="95px" file="ed12922.jpg" alt="ed12922.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="40px" width="94px" file="ed12923.jpg" alt="ed12923.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="40px" width="94px" file="ed12925.jpg" alt="ed12925.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="47px" width="95px" file="ed12943.jpg" alt="ed12943.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="33px" width="89px" file="ed12949.jpg" alt="ed12949.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="47px" width="95px" file="ed12955.jpg" alt="ed12955.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="33px" width="89px" file="ed12962.jpg" alt="ed12962.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="33px" width="89px" file="ed12964.jpg" alt="ed12964.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="33px" width="89px" file="ed12965.jpg" alt="ed12965.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="61px" width="126px" file="ed12980.jpg" alt="ed12980.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的式Ⅰ化合物、立體異構體、氘代化物或其藥學上可接受的鹽，其中，R<sub>3</sub>''為氫、鹵素、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基或-O(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)，所述C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基和-O(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)任選被1-3個鹵素取代。
如請求項1所述的式Ⅰ化合物、立體異構體、氘代化物或其藥學上可接受的鹽，其中，R<sub>3</sub>''為氫、F、Cl、CF<sub>3</sub>、-OCF<sub>3</sub>或-OCH<sub>3</sub>。
如請求項1所述的式Ⅰ化合物、立體異構體、氘代化物或其藥學上可接受的鹽，所述E21為： <br/><img align="absmiddle" height="39px" width="53px" file="ed12982.jpg" alt="ed12982.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="53px" file="ed12984.jpg" alt="ed12984.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="37px" width="54px" file="ed12986.jpg" alt="ed12986.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="54px" file="ed12988.jpg" alt="ed12988.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="55px" file="ed12990.jpg" alt="ed12990.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="37px" width="53px" file="ed12992.jpg" alt="ed12992.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="51px" width="53px" file="ed12994.jpg" alt="ed12994.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="40px" width="54px" file="ed12996.jpg" alt="ed12996.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="45px" width="53px" file="ed12998.jpg" alt="ed12998.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="53px" file="ed13000.jpg" alt="ed13000.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="48px" width="64px" file="ed13002.jpg" alt="ed13002.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="30px" width="44px" file="ed13004.jpg" alt="ed13004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="53px" file="ed13006.jpg" alt="ed13006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="53px" file="ed13008.jpg" alt="ed13008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="37px" width="54px" file="ed13010.jpg" alt="ed13010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="55px" file="ed13012.jpg" alt="ed13012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="55px" file="ed13014.jpg" alt="ed13014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="37px" width="53px" file="ed13016.jpg" alt="ed13016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="51px" width="53px" file="ed13022.jpg" alt="ed13022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="40px" width="54px" file="ed13031.jpg" alt="ed13031.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="45px" width="53px" file="ed13034.jpg" alt="ed13034.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="53px" file="ed13040.jpg" alt="ed13040.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="59px" width="63px" file="ed13049.jpg" alt="ed13049.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的式Ⅰ化合物、立體異構體、氘代化物或其藥學上可接受的鹽，所述E21為： <br/><img align="absmiddle" height="31px" width="44px" file="ed13059.jpg" alt="ed13059.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="31px" width="44px" file="ed13062.jpg" alt="ed13062.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="31px" width="44px" file="ed13074.jpg" alt="ed13074.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="31px" width="44px" file="ed13080.jpg" alt="ed13080.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="32px" width="43px" file="ed13081.jpg" alt="ed13081.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種化合物、立體異構體、氘代化物或其藥學上可接受的鹽，所述化合物為如下任一化合物： <br/><img align="absmiddle" height="83px" width="205px" file="ed13083.jpg" alt="ed13083.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="83px" width="205px" file="ed13085.jpg" alt="ed13085.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="74px" width="184px" file="ed13086.jpg" alt="ed13086.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="71px" width="238px" file="ed13087.jpg" alt="ed13087.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="77px" width="211px" file="ed13089.jpg" alt="ed13089.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="71px" width="238px" file="ed13091.jpg" alt="ed13091.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="71px" width="238px" file="ed13093.jpg" alt="ed13093.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="84px" width="221px" file="ed13095.jpg" alt="ed13095.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="78px" width="239px" file="ed13097.jpg" alt="ed13097.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="70px" width="238px" file="ed13099.jpg" alt="ed13099.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="85px" width="230px" file="ed13101.jpg" alt="ed13101.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="70px" width="221px" file="ed13103.jpg" alt="ed13103.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="70px" width="238px" file="ed13105.jpg" alt="ed13105.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="91px" width="225px" file="ed13107.jpg" alt="ed13107.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="70px" width="238px" file="ed13109.jpg" alt="ed13109.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="85px" width="238px" file="ed13110.jpg" alt="ed13110.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="82px" width="238px" file="ed13112.jpg" alt="ed13112.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="85px" width="246px" file="ed13114.jpg" alt="ed13114.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="71px" width="238px" file="ed13116.jpg" alt="ed13116.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="71px" width="238px" file="ed13117.jpg" alt="ed13117.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="70px" width="238px" file="ed13122.jpg" alt="ed13122.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="70px" width="238px" file="ed13132.jpg" alt="ed13132.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="71px" width="238px" file="ed13143.jpg" alt="ed13143.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="98px" width="235px" file="ed13154.jpg" alt="ed13154.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="80px" width="246px" file="ed13159.jpg" alt="ed13159.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="70px" width="238px" file="ed13166.jpg" alt="ed13166.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="85px" width="246px" file="ed13167.jpg" alt="ed13167.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="85px" width="246px" file="ed13168.jpg" alt="ed13168.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="70px" width="238px" file="ed13169.jpg" alt="ed13169.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="84px" width="247px" file="ed13170.jpg" alt="ed13170.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="90px" width="246px" file="ed13171.jpg" alt="ed13171.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <br/><img align="absmiddle" height="85px" width="246px" file="ed13172.jpg" alt="ed13172.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="66px" width="164px" file="ed13173.jpg" alt="ed13173.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="50px" width="159px" file="ed13174.jpg" alt="ed13174.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="56px" width="164px" file="ed13175.jpg" alt="ed13175.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="47px" width="159px" file="ed13176.jpg" alt="ed13176.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="60px" width="164px" file="ed13177.jpg" alt="ed13177.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="69px" width="153px" file="ed13178.jpg" alt="ed13178.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="58px" width="158px" file="ed13179.jpg" alt="ed13179.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="47px" width="159px" file="ed13180.jpg" alt="ed13180.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" 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如請求項1所述的式Ⅰ化合物、立體異構體、氘代化物或其藥學上可接受的鹽，其中所述氘代化物具有如下任一結構： <br/><img align="absmiddle" height="128px" width="205px" file="ed13191.jpg" alt="ed13191.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="113px" width="213px" file="ed13192.jpg" alt="ed13192.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="84px" width="223px" file="ed13193.jpg" alt="ed13193.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="84px" width="223px" file="ed13194.jpg" alt="ed13194.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種藥物組合物，其包含請求項 1-20任一項所述化合物、立體異構體、氘代化物或其藥學上可接受的鹽，以及藥學上可接受的載體、 稀釋劑或賦形劑。
一種請求項 1-20任一項所述化合物、立體異構體、氘代化物或其藥學上可接受的鹽或請求項21所述的藥物組合物在製備用於治療和/或預防SOS1介導的疾病或病症、或由SOS1與Ras或者SOS1與Rac相互作用所引起的疾病或病症、或癌症的藥物中的應用。
如請求項22中所述的應用，其中，所述癌症為胰腺癌、肺癌、結腸直腸癌、膽管上皮癌、多發性骨髓瘤、黑色素瘤、子宮癌、子宮內膜癌、甲狀腺癌、急性髓性白血病、膀胱癌、尿路上皮癌、胃癌、子宮頸癌、頭頸部鱗狀細胞癌、彌漫性大B細胞淋巴瘤、食道癌、慢性淋巴細胞性白血病、肝細胞癌、乳腺癌、卵巢癌、前列腺癌、成膠質細胞瘤、腎癌或肉瘤。
一種請求項1-20任一項所述化合物、立體異構體、氘代化物或其藥學上可接受的鹽或請求項21所述的藥物組合物在製備治療和/預防1型神經纖維瘤病(NF1)、努南症候群(NS)、伴有多雀斑的努南症候群 (NSML)、毛細血管畸形-動靜脈畸形症候群 (CM-AVM)、先天性水痘症候群 (CS)、心-面-皮膚綜合症(CFC)、萊格斯症候群和遺傳性牙齦纖維瘤病藥物的應用。
一種請求項1-20任一項所述化合物、立體異構體、氘代化物或其藥學上可接受的鹽或請求項21所述的藥物組合物在製備用於治療和/或預防KRAS介導的疾病或病症的藥物中的應用。
如請求項25中所述的應用，其中，所述的KRAS為突變型KRAS。
如請求項25中所述的應用，其中，所述的KRAS為KRAS G12C、KRAS G12D、KRAS G13D和KRAS G12V中的一種或多種。
一種用於由一無線通訊設備執行的無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 產生一第一實體層（PHY）彙聚協定（PLCP）協定資料單元（PPDU），該第一PPDU具有攜帶指示與該第一PPDU相關聯的一頻寬等於320 MHz的一第一頻寬資訊、攜帶指示表示大於或等於160 MHz的一被打孔頻寬的一或多個被打孔通道的被打孔通道資訊，及包括一公共欄位和一使用者特定欄位的一PHY前序訊號，其中該公共欄位包括：一資源元素（RU）分配欄位，該RU分配欄位攜帶RU分配資訊，該RU分配資訊指示被分配用於與該第一PPDU相關聯的一或多個相應使用者的一或多個多RU（MRU）；<br/> 產生一第二PPDU，該第二PPDU具有攜帶指示與該第二PPDU相關聯的一頻寬的一第二頻寬資訊的一PHY前序訊號，由該第二頻寬資訊指示的該頻寬小於或等於160 MHz，該第一PPDU的該PHY前序訊號包括：與該320 MHz頻寬的一第二部分相關聯的一第一空間重用欄位，並且該第二PPDU的該PHY前序訊號包括：與該320 MHz頻寬的該第二部分相關聯的複數個第二空間重用欄位；及<br/> 在一聚合PPDU（A-PPDU）中在該320 MHz頻寬上併發地發送該第一PPDU和該第二PPDU，該第一PPDU是在該320 MHz頻寬的一第一部分上發送的，並且該第二PPDU是在該320 MHz頻寬的該第二部分上發送的，該第二部分跨越由該第二頻寬資訊指示的該頻寬。
根據請求項1之方法，其中該一或多個MRU中的每一項被分配在該320 MHz頻寬的該第一部分內。
根據請求項1之方法，其中該第一PPDU的該PHY前序訊號包括：指示表示大於或等於160 MHz的該被打孔頻寬的該一或多個被打孔通道的一通用訊號欄位（U-SIG）。
根據請求項3之方法，其中該被打孔頻寬至少包括該320 MHz頻寬的該第二部分。
根據請求項3之方法，其中該被打孔通道資訊映射到跨越160 MHz頻寬的一通道打孔模式，該160 MHz頻寬包括該320 MHz頻寬的該第一部分並且與包括該320 MHz頻寬的該第二部分的一160 MHz頻寬不重疊。
根據請求項3之方法，其中該被打孔通道資訊映射到跨越包括該320 MHz頻寬的該第一部分的一80 MHz頻寬的一通道打孔模式。
根據請求項3之方法，其中該第一PPDU符合用於非正交分頻多工存取（非OFDMA）傳輸的一非傳統PPDU格式。
根據請求項7之方法，其中該被打孔通道資訊包括該第一PPDU的該PHY前序訊號的該U-SIG中的6位元。
根據請求項1之方法，其中該第一PPDU符合一第一PPDU格式，並且該第二PPDU符合一第二PPDU格式。
根據請求項1之方法，其中該複數個第二空間重用欄位中的一第二空間重用欄位和該第一空間重用欄位具有相同的空間重用值。
根據請求項1之方法，其中該第二部分位於該320 MHz頻寬的一主160 MHz通道內，並且該第一部分位於該320 MHz頻寬的一輔160 MHz通道內。
一種用於在一無線通訊設備處進行無線通訊的裝置，包括：<br/> 一處理系統，該處理系統包括：一或多個處理器和與該一或多個處理器耦合的一或多個記憶體，該處理系統被配置為使得該裝置進行以下步驟：<br/> 產生一第一實體層（PHY）彙聚協定（PLCP）協定資料單元（PPDU），該第一PPDU具有攜帶指示與該第一PPDU相關聯的一頻寬等於320 MHz的一第一頻寬資訊、攜帶指示表示大於或等於160 MHz的一被打孔頻寬的一或多個被打孔通道的被打孔通道資訊，及包括一公共欄位和一使用者特定欄位的一PHY前序訊號，其中該公共欄位包括：一資源元素（RU）分配欄位，該RU分配欄位攜帶RU分配資訊，該RU分配資訊指示被分配用於與該第一PPDU相關聯的一或多個相應使用者的一或多個多RU（MRU）；<br/> 產生一第二PPDU，該第二PPDU具有攜帶指示與該第二PPDU相關聯的一頻寬的一第二頻寬資訊的一PHY前序訊號，由該第二頻寬資訊指示的該頻寬小於或等於160 MHz，該第一PPDU的該PHY前序訊號包括：與該320 MHz頻寬的一第二部分相關聯的一第一空間重用欄位，並且該第二PPDU的該PHY前序訊號包括：與該320 MHz頻寬的該第二部分相關聯的複數個第二空間重用欄位；及<br/> 在一聚合PPDU（A-PPDU）中在該320 MHz頻寬上併發地發送該第一PPDU和該第二PPDU，該第一PPDU是在該320 MHz頻寬的一第一部分上發送的，並且該第二PPDU是在該320 MHz頻寬的該第二部分上發送的，該第二部分跨越由該第二頻寬資訊指示的該頻寬。
根據請求項12之裝置，其中該一或多個MRU中的每一項被分配在該320 MHz頻寬的該第一部分內。
根據請求項12之裝置，其中該被打孔頻寬至少包括該320 MHz頻寬的該第二部分。
根據請求項14之裝置，其中該被打孔通道資訊映射到跨越160 MHz頻寬的一通道打孔模式，該160 MHz頻寬包括該320 MHz頻寬的該第一部分並且與包括該320 MHz頻寬的該第二部分的一160 MHz頻寬不重疊。
根據請求項14之裝置，其中該被打孔通道資訊映射到跨越包括該320 MHz頻寬的該第一部分的一80 MHz頻寬的一通道打孔模式。
根據請求項12之裝置，其中該第一PPDU的該PHY前序訊號包括一第一空間重用欄位，並且該第二PPDU的該PHY前序訊號包括一第二空間重用欄位，該第一空間重用欄位具有與該第二空間重用欄位相同的空間重用值。
一種用於由一無線通訊設備執行的無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 發送一觸發訊框，該觸發訊框請求一基於觸發的（TB）實體層（PHY）彙聚協定（PLCP）協定資料單元（PPDU），該TB PPDU包括一第一子PPDU和一第二子PPDU，該觸發訊框攜帶指示等於320 MHz的一頻寬的上行鏈路頻寬資訊；及<br/> 回應於該觸發訊框來接收該TB PPDU，該TB PPDU的該第一子PPDU是在該320 MHz頻寬的一第一部分上接收的並且具有攜帶指示該320 MHz頻寬的一第一頻寬資訊、攜帶指示表示大於或等於160 MHz的一被打孔頻寬的一或多個被打孔通道的被打孔通道資訊，及包括一公共欄位和一使用者特定欄位的一PHY前序訊號，其中該公共欄位包括：一資源元素（RU）分配欄位，該RU分配欄位攜帶RU分配資訊，該RU分配資訊指示一或多個多RU（MRU），該TB PPDU的該第二子PPDU是在該320 MHz頻寬的一第二部分上接收的並且具有攜帶指示小於或等於160 MHz的頻寬的一第二頻寬資訊的一PHY前序訊號，該第二部分跨越由該第二頻寬資訊指示的該頻寬，該第一子PPDU的該PHY前序訊號包括：與該320 MHz頻寬的該第二部分相關聯的一第一空間重用欄位，並且該第二子PPDU的該PHY前序訊號包括：與該320 MHz頻寬的該第二部分相關聯的複數個第二空間重用欄位。
根據請求項18之方法，其中該第一子PPDU符合一第一PPDU格式，並且該第二子PPDU符合一第二PPDU格式。
根據請求項18之方法，其中該第二部分位於該320 MHz頻寬的一主160 MHz通道內，並且該第一部分位於該320 MHz頻寬的一輔160 MHz通道內。
根據請求項18之方法，其中該複數個第二空間重用欄位與相應的複數個空間重用值相關聯，該第一空間重用欄位具有等於該複數個空間重用值中的最小者的一空間重用值。
根據請求項18之方法，其中該複數個第二空間重用欄位中的至少一個第二空間重用欄位具有指示在該TB PPDU的傳輸期間禁止基於參數化空間重用（PSR）和非空間重用組（非SRG）重疊基本服務集（OBSS）封包偵測（PD）的空間重用的一值，該第一空間重用欄位亦具有指示在該TB PPDU的傳輸期間禁止基於PSR和非SRG OBSS PD的空間重用的一值。
根據請求項18之方法，其中該第二空間重用欄位中的至少一個第二空間重用欄位具有指示在該TB PPDU的傳輸期間禁止PSR的一值，該第一空間重用欄位亦具有指示在該TB PPDU的傳輸期間禁止PSR的一值。
根據請求項23之方法，其中該複數個第二空間重用欄位中沒有一個第二空間重用欄位具有指示在該TB PPDU的傳輸期間禁止基於非SRG OBSS PD的空間重用的一值。
一種用於在一無線通訊設備處進行無線通訊的裝置，包括：<br/> 一處理系統，該處理系統包括：一或多個處理器和與該一或多個處理器耦合的一或多個記憶體，該處理系統被配置為使得該裝置進行以下步驟：<br/> 發送一觸發訊框，該觸發訊框請求一基於觸發的（TB）實體層（PHY）彙聚協定（PLCP）協定資料單元（PPDU），該TB PPDU包括一第一子PPDU和一第二子PPDU，該觸發訊框攜帶指示等於320 MHz的一頻寬的上行鏈路頻寬資訊；<br/> 回應於該觸發訊框來接收該TB PPDU，該TB PPDU的該第一子PPDU是在該320 MHz頻寬的一第一部分上接收的並且具有攜帶指示該320 MHz頻寬的第一頻寬資訊、攜帶指示表示大於或等於160 MHz的一被打孔頻寬的一或多個被打孔通道的被打孔通道資訊，及包括一公共欄位和一使用者特定欄位的一PHY前序訊號，其中該公共欄位包括：一資源元素（RU）分配欄位，該RU分配欄位攜帶RU分配資訊，該RU分配資訊指示一或多個多RU（MRU），該TB PPDU的該第二子PPDU是在該320 MHz頻寬的一第二部分上接收的並且具有攜帶指示小於或等於160 MHz的頻寬的第二頻寬資訊的一PHY前序訊號，該第二部分跨越由該第二頻寬資訊指示的該頻寬，該第一子PPDU的該PHY前序訊號包括：與該320 MHz頻寬的該第二部分相關聯的一第一空間重用欄位，並且該第二子PPDU的該PHY前序訊號包括：與該320 MHz頻寬的該第二部分相關聯的複數個第二空間重用欄位。
根據請求項25之裝置，其中該第一子PPDU符合一第一PPDU格式，並且該第二子PPDU符合一第二PPDU格式。
根據請求項26之裝置，其中該複數個第二空間重用欄位具有相應的複數個空間重用值，且該第一空間重用欄位具有等於該複數個空間重用值中的最小者的一空間重用值。
根據請求項26之裝置，其中該第一子PPDU的該PHY前序訊號包括與該320 MHz頻寬的該第二部分相關聯的一第一空間重用欄位，並且該第二子PPDU的該PHY前序訊號包括與該320 MHz頻寬的該第二部分相關聯的複數個第二空間重用欄位，該第一空間重用欄位和該複數個第二空間重用欄位中的至少一個第二空間重用欄位具有指示在該TB PPDU的傳輸期間禁止基於參數化空間重用（PSR）和非空間重用組（非SRG）重疊基本服務集（OBSS）封包偵測（PD）的空間重用的一值。
根據請求項26之裝置，其中該第一子PPDU的該PHY前序訊號包括與該320 MHz頻寬的該第二部分相關聯的一第一空間重用欄位，並且該第二子PPDU的該PHY前序訊號包括與該320 MHz頻寬的該第二部分相關聯的複數個第二空間重用欄位，該複數個第二空間重用欄位中沒有一個第二空間重用欄位具有指示在該TB PPDU的傳輸期間禁止基於非SRG OBSS PD的空間重用的一值，該第一空間重用欄位和該第二空間重用欄位中的至少一個第二空間重用欄位具有指示在該TB PPDU的傳輸期間禁止PSR的一值。
一種控制系統，控制沿著規定的行走路徑行走來搬送物品的物品搬送車，<br/> 前述控制系統具有以下的特徵：<br/> 具備：<br/> 停止位置標示體，設置在前述行走路徑中的與前述物品搬送車的停止地點對應的位置；及<br/> 上位控制單元，與前述物品搬送車可通訊地連接，且輸出對前述物品搬送車的動作指令，<br/> 前述物品搬送車具備：<br/> 行走部，沿著前述行走路徑行走；<br/> 移載部，保持前述物品，並且在與配置在前述停止地點的移載對象處之間移載前述物品；<br/> 標示體檢測部，檢測前述停止位置標示體；及<br/> 控制部，控制前述行走部及前述移載部，<br/> 將沿著前述行走路徑行走的前述物品搬送車的行走方向的前方側設為下游側，並且將前述行走方向的後方側設為上游側，<br/> 前述停止位置標示體具備：<br/> 停止位置標示部，顯示前述物品搬送車的停止位置；及<br/> 停止預告標示部，相對於前述停止位置標示部配置在前述上游側，<br/> 前述停止預告標示部的前述上游側的端部配置在相對於前述停止位置標示部往前述上游側拉開事先規定的預告距離的位置，<br/> 前述控制部在藉由前述標示體檢測部檢測到前述停止預告標示部後，在藉由前述標示體檢測部檢測到前述停止位置標示部的情況下，執行使前述行走部的行走停止之行走停止處理，並且在由前述行走停止處理所進行之前述行走部的行走停止後，執行使前述移載部進行前述物品的移載之移載處理，<br/> 前述物品搬送車更具備：<br/> 行走距離檢測部，檢測前述行走部的行走距離，<br/> 在儘管從藉由前述標示體檢測部檢測到前述停止預告標示部的位置起算之前述行走距離為已設定成小於前述預告距離之判定距離以下，卻還是藉由前述標示體檢測部將並非前述停止位置標示部之物檢測為前述停止位置標示部的情況下，前述控制部在由前述行走停止處理所進行之前述行走部的行走停止後，取代前述移載處理，改執行對前述上位控制單元通知異常發生的異常通知處理，<br/> 前述上位控制單元在從前述控制部接收到前述異常發生的通知的情況下，對具備有該控制部的前述物品搬送車再輸出行走指令，前述行走指令是以設置有與該異常發生有關之前述停止位置標示體的前述停止地點為目的地，<br/> 前述控制部接收已再輸出的前述行走指令，使由前述行走部所進行之行走重新開始。
如請求項1之控制系統，其中前述上位控制單元在來自相同的前述物品搬送車之對相同的前述停止位置標示體的前述異常發生的通知次數已成為設定次數以上的情況下，不進行前述行走指令的再輸出，而是進行由顯示裝置或聲音輸出裝置所進行之異常告知。
一種控制系統，控制沿著規定的行走路徑行走來搬送物品的物品搬送車，<br/> 前述控制系統具有以下的特徵：<br/> 具備：<br/> 停止位置標示體，設置在前述行走路徑中的與前述物品搬送車的停止地點對應的位置，<br/> 前述物品搬送車具備：<br/> 行走部，沿著前述行走路徑行走；<br/> 移載部，保持前述物品，並且在與配置在前述停止地點的移載對象處之間移載前述物品；<br/> 標示體檢測部，檢測前述停止位置標示體；及<br/> 控制部，控制前述行走部及前述移載部，<br/> 將沿著前述行走路徑行走的前述物品搬送車的行走方向的前方側設為下游側，並且將前述行走方向的後方側設為上游側，<br/> 前述停止位置標示體具備：<br/> 停止位置標示部，顯示前述物品搬送車的停止位置；及<br/> 停止預告標示部，相對於前述停止位置標示部配置在前述上游側，<br/> 前述停止預告標示部的前述上游側的端部配置在相對於前述停止位置標示部往前述上游側拉開事先規定的預告距離的位置，<br/> 前述控制部在藉由前述標示體檢測部檢測到前述停止預告標示部後，在依據由前述標示體檢測部所進行之前述停止位置標示部的檢測結果來判定前述物品搬送車已到達前述停止位置標示部的設置位置的情況下，執行使前述行走部的行走停止之行走停止處理，並且在由前述行走停止處理所進行之前述行走部的行走停止後，執行使前述移載部進行前述物品的移載之移載處理，<br/> 前述物品搬送車更具備：<br/> 行走距離檢測部，檢測前述行走部的行走距離，<br/> 在儘管從藉由前述標示體檢測部檢測到前述停止預告標示部的位置起算之前述行走距離為已設定成小於前述預告距離之判定距離以下，卻還是藉由前述標示體檢測部檢測到前述停止位置標示部的情況下，前述控制部不判定前述物品搬送車已到達前述停止位置標示部的設置位置而使前述行走部的行走持續進行，且在從藉由前述標示體檢測部檢測到前述停止預告標示部的位置起算之前述行走距離超過前述判定距離後，在藉由前述標示體檢測部檢測到前述停止位置標示部的情況下，前述控制部判定前述物品搬送車已到達前述停止位置標示部的設置位置。
一種控制系統，控制沿著規定的行走路徑行走來搬送物品的物品搬送車，<br/> 前述控制系統具有以下的特徵：<br/> 具備：<br/> 停止位置標示體，設置在前述行走路徑中的與前述物品搬送車的停止地點對應的位置，<br/> 前述物品搬送車具備：<br/> 行走部，沿著前述行走路徑行走；<br/> 移載部，保持前述物品，並且在與配置在前述停止地點的移載對象處之間移載前述物品；<br/> 標示體檢測部，檢測前述停止位置標示體；及<br/> 控制部，控制前述行走部及前述移載部，<br/> 將沿著前述行走路徑行走的前述物品搬送車的行走方向的前方側設為下游側，並且將前述行走方向的後方側設為上游側，<br/> 前述停止位置標示體具備：<br/> 停止位置標示部，顯示前述物品搬送車的停止位置；及<br/> 停止預告標示部，相對於前述停止位置標示部配置在前述上游側，<br/> 前述停止預告標示部的前述上游側的端部配置在相對於前述停止位置標示部往前述上游側拉開事先規定的預告距離的位置，<br/> 前述控制部在藉由前述標示體檢測部檢測到前述停止預告標示部後，在依據由前述標示體檢測部所進行之前述停止位置標示部的檢測結果來判定前述物品搬送車已到達前述停止位置標示部的設置位置的情況下，執行使前述行走部的行走停止之行走停止處理，並且在由前述行走停止處理所進行之前述行走部的行走停止後，執行使前述移載部進行前述物品的移載之移載處理，<br/> 前述物品搬送車更具備：<br/> 行走距離檢測部，檢測前述行走部的行走距離，<br/> 在儘管從藉由前述標示體檢測部檢測到前述停止預告標示部的位置起算之前述行走距離為已設定成小於前述預告距離之判定距離以下，卻還是藉由前述標示體檢測部將並非前述停止位置標示部之物檢測為前述停止位置標示部的情況下，前述控制部不判定前述物品搬送車已到達前述停止位置標示部的設置位置而使前述行走部的行走持續進行，且在從藉由前述標示體檢測部檢測到前述停止預告標示部的位置起算之前述行走距離超過前述判定距離後，在藉由前述標示體檢測部檢測到前述停止位置標示部的情況下，前述控制部判定前述物品搬送車已到達前述停止位置標示部的設置位置。
如請求項3或4之控制系統，其中在儘管從藉由前述標示體檢測部檢測到前述停止預告標示部的位置起算之前述行走距離為前述判定距離以下，卻還是藉由前述標示體檢測部檢測到前述停止位置標示部的次數已成為設定次數以上的情況下，前述控制部進行由顯示部或聲音輸出部所進行之異常告知。
如請求項3或4之控制系統，其中從藉由前述標示體檢測部檢測到前述停止預告標示部的位置起算之前述行走距離為前述判定距離以下的範圍，是配合無法進行由前述移載部所進行之與前述移載對象處之間的前述物品的移載的範圍而設定。
如請求項3或4之控制系統，其中前述控制部在藉由前述標示體檢測部檢測到前述停止位置標示部後，以檢測出前述停止位置標示部的狀態有持續設定時間以上為條件，執行前述移載處理。
一種搬送裝置，其搬送能夠載置物品的不同種類的多個托架，所述搬送裝置包括： <br/>托架識別部，識別所述托架的種類；以及 <br/>伸出檢測部，對自所述托架伸出並載置的所述物品進行檢測， <br/>所述托架識別部藉由檢測所述托架的特徵，而識別所述托架的種類， <br/>所述伸出檢測部根據所述托架識別部所識別的所述托架的種類檢測所述物品。
如請求項1所述的搬送裝置，其中所述托架識別部藉由檢測所述托架的形狀而識別所述托架的種類。
如請求項1或請求項2所述的搬送裝置，其中所述托架識別部藉由計測所述托架的尺寸而識別所述托架的種類。
如請求項1所述的搬送裝置，其中所述托架識別部藉由檢測設置於所述托架的識別碼而識別所述托架的種類。
如請求項1所述的搬送裝置，包括：拍攝部，拍攝所述托架， <br/>所述托架識別部基於所述拍攝部所拍攝的圖像而識別所述托架的種類。
如請求項1所述的搬送裝置，其中所述伸出檢測部對相對於所述托架的搬送方向的所述物品自所述托架的前後端的伸出進行檢測。
如請求項1所述的搬送裝置，其中所述伸出檢測部根據所述托架識別部所識別的所述托架的種類，變更相對於所述托架的搬送方向的自所述托架的前後端伸出的所述物品的檢測範圍。
一種雷射加工裝置，其具備： <br/>保持台，其保持被加工物； <br/>雷射光束照射單元，其對保持於該保持台之該被加工物聚光照射脈衝狀的雷射光束而施以加工；以及 <br/>移動單元，其使該保持台與該雷射光束的聚光點相對地移動， <br/>該雷射光束照射單元包含： <br/>雷射振盪器，其射出雷射光束； <br/>fθ主透鏡，其將從該雷射振盪器射出之雷射光束進行聚光並照射至保持於該保持台之該被加工物； <br/>掃描單元，其配設於該雷射振盪器與該fθ主透鏡之間的光路上，且將該雷射光束進行掃描並導往該fθ主透鏡；以及 <br/>fθ副透鏡，其配設於該雷射振盪器與該掃描單元之間的光路上，且使該雷射光束從平行光變化為漫射光， <br/>其中，該fθ主透鏡及該fθ副透鏡係在相對於該掃描單元之距離及位置已被固定之狀態下被單元化， <br/>且該掃描單元使已藉由該fθ副透鏡而變化成漫射光之雷射光束在掃描鏡朝向該fθ主透鏡反射。
如請求項1之雷射加工裝置，其中，該fθ主透鏡的前側焦點被定位於該掃描單元中該雷射光束從該fθ副透鏡射入之該掃描鏡上。
如請求項1或2之雷射加工裝置，其中，該掃描單元配設於腔室的內部， <br/>該fθ主透鏡及該fθ副透鏡被配置成一邊透射該雷射光束一邊將該腔室的內部與周圍的環境進行分離之窗狀。
一種使用導電連接體的半導體裝置，包含：<br/> 一非導電彈性體，和具有表面被金屬覆蓋的覆蓋區域與沒有被金屬覆蓋的非覆蓋區域的網眼狀纖維體，且所述網眼狀纖維體以⊂字狀之形態對所述非導電彈性體的周圍進行覆蓋，所述非覆蓋區域係藉由化學處理或機械處理而形成。
如請求項1所述之使用導電連接體的半導體裝置，其中所述網眼狀纖維體，係沒有被金屬覆蓋的所述非覆蓋區域與所述覆蓋區域交錯地進行配置。
一種鹽，由式（I）所表示，<br/><img align="absmiddle" height="127px" width="551px" file="ed10158.jpg" alt="ed10158.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式（I）中，<br/> R<sup>4</sup>、R<sup>5</sup>、R<sup>7</sup>及R<sup>8</sup>分別獨立地表示鹵素原子、碳數1～12的鹵代烷基或除碳數1～12的鹵代烷基之外的碳數1～18的烴基，所述烴基可具有取代基，所述鹵代烷基及所述烴基中包含的-CH<sub>2</sub>-可被-O-、-CO-、-S-或-SO<sub>2</sub>-取代；其中至少一個R<sup>4</sup>為碘原子；<br/> A<sup>1</sup>及A<sup>2</sup>分別獨立地表示碳數2～20的烴基，所述烴基可具有取代基，所述烴基中包含的-CH<sub>2</sub>-可被-O-、-CO-、-S-或-SO<sub>2</sub>-取代；<br/> m1表示1～5的任一整數，於m1為2以上時，多個括弧內的基相互可相同亦可不同；<br/> m2表示0～5的任一整數，於m2為2以上時，多個括弧內的基相互可相同亦可不同；<br/> m4表示1～5的任一整數，於m4為2以上時，多個R<sup>4</sup>相互可相同亦可不同；<br/> m5表示0～5的任一整數，於m5為2以上時，多個R<sup>5</sup>相互可相同亦可不同；<br/> m7表示0～4的任一整數，於m7為2以上時，多個R<sup>7</sup>相互可相同亦可不同；<br/> m8表示0～5的任一整數，於m8為2以上時，多個R<sup>8</sup>相互可相同亦可不同；<br/> 其中，1≦m1+m7≦5，0≦m2+m8≦5；<br/> AI<sup>-</sup>表示有機陰離子。
如請求項1所述的鹽，其中A<sup>1</sup>為*-X<sup>01</sup>-L<sup>01</sup>-或*-L<sup>01</sup>-X<sup>01</sup>-，A<sup>2</sup>為*-X<sup>02</sup>-L<sup>02</sup>-或*-L<sup>02</sup>-X<sup>02</sup>-；X<sup>01</sup>及X<sup>02</sup>分別獨立地表示-O-、-CO-、-S-或-SO<sub>2</sub>-；L<sup>01</sup>及L<sup>02</sup>分別獨立地表示碳數1～19的烴基，所述烴基可具有取代基，所述烴基中包含的-CH<sub>2</sub>-可被-O-、-CO-、-S-或-SO<sub>2</sub>-取代；*表示與R<sup>4</sup>或R<sup>5</sup>可鍵結的苯環的鍵結部位。
如請求項2所述的鹽，其中X<sup>01</sup>及X<sup>02</sup>分別獨立地為-O-或-S-。
如請求項2或請求項3所述的鹽，其中L<sup>01</sup>及L<sup>02</sup>分別獨立地為碳數1～6的烷二基，所述烷二基中包含的-CH<sub>2</sub>-可被-O-或-CO-取代。
如請求項1或請求項2所述的鹽，其中於m5為1以上的整數的情況下，R<sup>4</sup>及R<sup>5</sup>分別獨立地為氟原子、碘原子、碳數1～4的全氟烷基或碳數1～4的烷基，所述烷基中包含的-CH<sub>2</sub>-可被-O-或-CO-取代。
如請求項1或請求項2所述的鹽，其中於m7或m8為1以上的整數的情況下，R<sup>7</sup>及R<sup>8</sup>分別獨立地為氟原子、碘原子、碳數1～4的全氟烷基或碳數1～4的烷基，所述烷基中包含的-CH<sub>2</sub>-可被-O-或-CO-取代。
如請求項1或請求項2所述的鹽，其中AI<sup>-</sup>為磺酸根陰離子、磺醯基醯亞胺陰離子、磺醯基甲基化物陰離子或羧酸根陰離子。
如請求項1或請求項2所述的鹽，其中AI<sup>-</sup>為磺酸根陰離子，磺酸根陰離子為式（I-A）所表示的陰離子，<br/><img align="absmiddle" height="100px" width="226px" file="ed10159.jpg" alt="ed10159.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式（I-A）中，<br/> Q<sup>1</sup>及Q<sup>2</sup>分別獨立地表示氫原子、氟原子、碳數1～6的烷基或碳數1～6的全氟烷基；<br/> L<sup>1</sup>表示碳數1～24的飽和烴基，所述飽和烴基中包含的-CH<sub>2</sub>-可被取代為-O-或-CO-，所述飽和烴基中包含的氫原子可被氟原子或羥基取代；<br/> Y<sup>1</sup>表示可具有取代基的甲基或可具有取代基的碳數3～24的脂環式烴基，所述脂環式烴基中包含的-CH<sub>2</sub>-可被取代為-O-、-S-、-SO<sub>2</sub>-或-CO-。
一種酸產生劑，含有如請求項1或請求項2所述的鹽。
一種抗蝕劑組成物，含有如請求項9所述的酸產生劑與具有酸不穩定基的樹脂。
如請求項10所述的抗蝕劑組成物，其中具有酸不穩定基的樹脂包含選自由式（a1-0）所表示的結構單元、式（a1-1）所表示的結構單元及式（a1-2）所表示的結構單元所組成的群組中的至少一種，<br/><img align="absmiddle" height="176px" width="603px" file="ed10160.jpg" alt="ed10160.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式（a1-0）、式（a1-1）及式（a1-2）中，<br/> L<sup>a01</sup>、L<sup>a1</sup>及L<sup>a2</sup>分別獨立地表示-O-或*-O-(CH<sub>2</sub>)<sub>k1</sub>-CO-O-，k1表示1～7的任一整數，*表示與-CO-的鍵結部位；<br/> R<sup>a01</sup>、R<sup>a4</sup>及R<sup>a5</sup>分別獨立地表示氫原子、鹵素原子或可具有鹵素原子的碳數1～6的烷基；<br/> R<sup>a02</sup>、R<sup>a03</sup>及R<sup>a04</sup>分別獨立地表示碳數1～8的烷基、碳數3～18的脂環式烴基、碳數6～18的芳香族烴基或將該些組合而成的基；<br/> R<sup>a6</sup>及R<sup>a7</sup>分別獨立地表示碳數1～8的烷基、碳數2～8的烯基、碳數3～18的脂環式烴基、碳數6～18的芳香族烴基或藉由將該些組合而形成的基；<br/> m1表示0～14的任一整數；<br/> n1表示0～10的任一整數；<br/> n1'表示0～3的任一整數。
如請求項10所述的抗蝕劑組成物，其中具有酸不穩定基的樹脂包含式（a2-A）所表示的結構單元，<br/><img align="absmiddle" height="180px" width="216px" file="ed10161.jpg" alt="ed10161.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式（a2-A）中，<br/> R<sup>a50</sup>表示氫原子、鹵素原子或可具有鹵素原子的碳數1～6的烷基；<br/> R<sup>a51</sup>表示鹵素原子、羥基、碳數1～6的烷基、碳數1～6的烷氧基、碳數2～12的烷氧基烷基、碳數2～12的烷氧基烷氧基、碳數2～4的烷基羰基、碳數2～4的烷基羰氧基、丙烯醯氧基或甲基丙烯醯氧基；<br/> A<sup>a50</sup>表示單鍵或*-X<sup>a51</sup>-(A<sup>a52</sup>-X<sup>a52</sup>)<sub>nb</sub>-，*表示與-R<sup>a50</sup>所鍵結的碳原子的鍵結部位；<br/> A<sup>a52</sup>表示碳數1～6的烷二基；<br/> X<sup>a51</sup>及X<sup>a52</sup>分別獨立地表示-O-、-CO-O-或-O-CO-；<br/> nb表示0或1；<br/> mb表示0～4的任一整數；於mb為2以上的任一整數的情況下，多個R<sup>a51</sup>相互可相同亦可不同。
如請求項10所述的抗蝕劑組成物，更含有產生較自酸產生劑所產生的酸而言酸性度更弱的酸的鹽。
一種抗蝕劑圖案的製造方法，包括：<br/> （1）將如請求項10所述的抗蝕劑組成物塗佈於基板上的步驟；<br/> （2）使塗佈後的組成物乾燥而形成組成物層的步驟；<br/> （3）對組成物層進行曝光的步驟；<br/> （4）將曝光後的組成物層加熱的步驟；以及<br/> （5）將加熱後的組成物層顯影的步驟。
一種硫醇捕捉化合物，係具有如式(II)所示結構，且該硫醇捕捉化合物用以與具有硫醇官能基的一含硼化合物反應：<br/><img align="absmiddle" height="77px" width="119px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(II)。
如請求項1所述之硫醇捕捉化合物，其中，該硫醇捕捉化合物係經由烯-硫醇的點擊反應 (click reaction)與該含硼化合物反應。
一種含硼藥物，係如請求項1所述之硫醇捕捉化合物透過硫碳鍵 (C-S)連接一含硼化合物，<br/> 其中，該含硼藥物係具有式(VIII)所示結構：<br/><img align="absmiddle" height="137px" width="188px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(VIII)。
如請求項3所述之含硼藥物，其中，該含硼化合物每個硼皆為10同位素 (10B) 或部分含10同位素 (10B)。
如請求項3或4所述之含硼藥物，其中，該含硼化合物為油狀或固體。
一種醫藥組成物，其包括治療有效量的如請求項3或4所述之含硼藥物及/或其醫藥上可接受之鹽或是醫藥上可接受之載劑或佐劑。
一種如請求項3或4所述之含硼藥物之用途，其係用於製造治療癌症的藥物。
如請求項7所述之用途，其中該癌症是復發性頭頸癌、皮膚表層黑色素瘤或腦部腫瘤。
一種如請求項3或4所述之含硼藥物之用途，其係用於製造硼中子捕捉療法 (boron neutron capture therapy)的藥物。
一種如請求項3或4所述之含硼藥物之用途，其係用於製造正電子發射斷層攝影術 (Positron emission tomography)的藥物。
一種用於測定包括鹵素離子及一或多種電鍍金屬的加工溶液中之鹵素離子之濃度的方法，該方法包含： <br/>進行第一分析方法，其包含量測該加工溶液之導電率以提供第一量測值； <br/>進行第二分析方法以提供第二量測值；及 <br/>基於該第一量測值及該第二量測值確定該鹵素離子之濃度， <br/>其中該鹵素離子係選自氯離子(Cl)、溴離子(Br)或碘離子(I)， <br/>其中該一或多種電鍍金屬係選自鎳(Ni)、鈷(Co)或鐵(Fe)， <br/>其中該第一分析方法不同於該第二分析方法，且 <br/>其中該第二分析方法包含量測該一或多種電鍍金屬之濃度。
如請求項1之方法，其中該一或多種電鍍金屬之濃度係藉由紫外-可見光譜法(UV-Vis)量測。
如請求項1之方法，其中該第二分析方法包含量測該加工溶液之吸光度。
如請求項1之方法，其中該加工溶液包含一或多種鹽之摻合物。
如請求項1之方法，其中該加工溶液之導電率係在固定溫度下量測。
如請求項1之方法，其中該加工溶液係半導體加工溶液。
一種用於測定包括鹵素離子及預定濃度之一或多種電鍍金屬的加工溶液中之鹵素離子之濃度的方法，該方法包含： <br/>進行第一分析方法，其包含量測該加工溶液之導電率以提供第一量測值；及 <br/>基於該第一量測值及該一或多種電鍍金屬之該預定濃度確定該鹵素離子之濃度， <br/>其中該鹵素離子係選自氯離子(Cl)、溴離子(Br)或碘離子(I)，且 <br/>其中該一或多種電鍍金屬係選自鎳(Ni)、鈷(Co)或鐵(Fe)。
如請求項7之方法，其中該加工溶液包含一或多種鹽之摻合物。
如請求項7之方法，其中該加工溶液之導電率係在固定溫度下量測。
如請求項7之方法，其中該加工溶液係半導體加工溶液。
一種用於測定包含鹵素離子及一或多種電鍍金屬的加工溶液中之鹵素離子之濃度的設備， <br/>該鹵素離子係選自氯離子(Cl)、溴離子(Br)或碘離子(I)，且 <br/>該一或多種電鍍金屬係選自鎳(Ni)、鈷(Co)或鐵(Fe)， <br/>該設備包含： <br/>儲集器，其經調適以容納包含該加工溶液之測試溶液； <br/>取樣機構，其耦接至該儲集器且經調適以將預定體積之該測試溶液自該儲集器提供至耦接至該取樣機構之一或多個感測器； <br/>其中該一或多個感測器中之各者經調適以接收該預定體積之該測試溶液的至少一部分，且可操作以進行二或多種分析方法； <br/>其中該一或多個感測器係選自由導電率感測器及吸光度感測器組成之群。
如請求項11之設備，其中該測試溶液包含該加工溶液之一或多個樣品。
如請求項11之設備，其中該測試溶液進一步包含一或多種標準溶液。
如請求項11之設備，其中該取樣機構包含注射器、量瓶、量筒、自動注射器或計量泵。
如請求項11之設備，其中該二或多種分析方法包含量測該測試溶液之導電率、該一或多種電鍍金屬之濃度或該測試溶液之吸光度中之一或多者。
如請求項11之設備，其進一步包含耦接至該吸光度感測器之吸光度計、光源、光學偵測器或其組合。
如請求項11之設備，其進一步包含耦接至該導電率感測器之導電率計。
如請求項11之設備，其中該一或多個感測器包含該導電率感測器及該吸光度感測器。
如請求項11之設備，其中該加工溶液包含預定濃度之該一或多種電鍍金屬，且該一或多個感測器包含該導電率感測器。
如請求項1之方法，其中 <br/>該鹵素離子僅包含氯離子，且 <br/>該一或多種電鍍金屬包含鎳。
如請求項11之設備，其中 <br/>該鹵素離子僅包含氯離子，且 <br/>該一或多種電鍍金屬包含鎳。
一種液晶配向劑，其特徵為含有聚合物(P)，該聚合物(P)係選自由使用含有下式(d1-1)、(d1-3)、(d1-5)、(d1-7)、(d2-1)、(d2-2)、及(d2-6)中之任一者表示之二胺之二胺成分獲得之聚醯亞胺前驅物及係該聚醯亞胺前驅物之醯亞胺化物之聚醯亞胺構成之群組中之至少1種， <br/><img align="absmiddle" height="1394px" width="2505px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="1026px" width="2922px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之液晶配向劑，其中，該聚合物(P)係藉由該二胺成分、與非環族脂肪族四羧酸二酐、脂環族四羧酸二酐、芳香族四羧酸二酐、或含有該等之衍生物之四羧酸成分之聚合反應獲得。
如請求項1之液晶配向劑，其中，該聚合物(P)係藉由該二胺成分、與非環族脂肪族四羧酸二酐、脂環族四羧酸二酐、或含有該等之衍生物之四羧酸成分之聚合反應獲得。
如請求項1之液晶配向劑，其中，獲得該聚合物(P)時之該式(1)表示之二胺之使用量，相對於全部二胺成分為5莫耳%以上。
如請求項1之液晶配向劑，其中，該二胺成分更含有「A-X-J」表示之芳香族二胺(d)， <br/>A表示2個一級胺基鍵結於芳香族基而得之1價基，X表示單鍵、-(CH<sub>2</sub>)<sub>a</sub>-(a為1~15之整數)、-CONH-、-NHCO-、-CO-N(CH<sub>3</sub>)-、-NH-、-O-、-COO-、-OCO-或-((CH<sub>2</sub>)<sub>a1</sub>-A<sub>1</sub>)<sub>m1</sub>-(a1為1~15之整數，A<sub>1</sub>表示氧原子或-COO-，m1為1~2之整數，m1為2時，多個a1及A<sub>1</sub>各自獨立地有上述定義)， <br/>J表示具有選自由碳數4~40之脂環族烴基及碳數6~40之芳香族烴基構成之群組中之至少1種基之1價有機基，惟，該脂環族烴基及芳香族烴基擁有之氫原子之至少一個，係被選自由鹵素原子、含有鹵素原子之烷基、含有鹵素原子之烷氧基、碳數3~10之烷基、碳數3~10之烷氧基、碳數3~10之烯基、以及含有鹵素原子之烷基、含有鹵素原子之烷氧基、碳數3~10之烷基、碳數3~10之烷氧基、及碳數3~10之烯基之任意亞甲基擁有之碳-碳鍵被氧原子中斷之含雜原子之基構成之群組中之取代基取代。
一種液晶配向膜，係由如請求項1至5中任一項之液晶配向劑獲得。
一種液晶顯示元件，具備如請求項6之液晶配向膜。
一種液晶顯示元件之製造方法，包括按順序進行以下之步驟(1)~(3)， <br/>步驟(1)：將如請求項1至5中任一項之液晶配向劑塗佈於具有導電膜之一對基板之至少其中一基板上而形成塗膜， <br/>步驟(2)：將該塗膜予以煅燒， <br/>步驟(3)：在該一對基板之間形成液晶層而製作液晶胞。
如請求項8之液晶顯示元件之製造方法，包括在步驟(1)~(3)之後更進行以下之步驟(4)， <br/>步驟(4)：對於該液晶胞照光。
一種二胺，以下式(d1-1)、(d1-3)、(d1-5)、(d1-7)、(d2-1)、(d2-2)、及(d2-6)中之任一者表示， <br/><img align="absmiddle" height="1394px" width="2505px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="1026px" width="2922px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種聚合物，係使用含有如請求項10之二胺之二胺成分獲得。
如請求項11之聚合物，其係藉由該二胺成分與四羧酸成分之縮聚反應獲得之聚醯亞胺前驅物或係其醯亞胺化物之聚醯亞胺。
一種雷射加工裝置，其具備： <br/>保持台，其保持被加工物； <br/>雷射光束照射單元，其對保持於該保持台之該被加工物聚光照射脈衝狀的雷射光束而施以加工；以及 <br/>移動單元，其使該保持台與該雷射光束的聚光點相對地移動， <br/>該雷射光束照射單元包含： <br/>雷射振盪器，其射出雷射光束； <br/>聚光器，其將由該雷射振盪器所射出之雷射光束進行聚光並照射至保持於該保持台之該被加工物；以及 <br/>掃描單元，其配設於該雷射振盪器與該聚光器之間的光路上，且具有將該雷射光束進行掃描並導往該聚光器之掃描鏡， <br/>該掃描鏡配設於腔室的內部， <br/>該腔室包含： <br/>第一窗部，其將由該雷射振盪器所射出之雷射光束進行透射並導往該掃描鏡；以及 <br/>第二窗部，其將已被該掃描鏡掃描之雷射光束往該聚光器進行透射， <br/>並且，該腔室係與能減壓該腔室的內部之吸引源連通。
如請求項1之雷射加工裝置，其中， <br/>該腔室進一步包含能冷卻該腔室的內部之冷卻單元。
一種支柱總成，其包括：<br/> 一桿子總成，其具有一第一支柱部件及一第二支柱部件，該第一支柱部件可相對於該第二支柱部件軸向移動；<br/> 一第一延伸構件，其經調適以使得該第一支柱部件能夠在一第一調整中相對於該第二支柱部件移動；以及<br/> 一第二延伸構件，其經調適以使得該第一支柱部件能夠在一第二調整中相對於該第二支柱部件移動；以及<br/> 可選的一第三延伸構件，其經調適以調整該支柱總成之一長度；<br/> 其中該第一延伸構件是一筒夾機構或一捲繞機構，且該第二延伸構件是一捲繞機構；且<br/> 其中該第一延伸構件的該捲繞機構或該第二延伸構件的該捲繞機構包括一把手，該把手具有三個位置：一第一位置，其中該把手向外拉動，該把手在該第一位置可以較高速度移動，使得該第一支柱部件可相對於該第二支柱部件快速伸展或收縮；一第二位置，其中該把手向內推動至一中立位置，該把手在該中立位置脫離使得與把手之意外接觸不會影響第一支柱部件相對於該第二支柱部件之移動；以及一第三位置，其中該把手進一步向內推動，該把手在該第三位置可以較低速度移動，使得該第一支柱部件可相對於該第二支柱部件較緩慢地伸展或收縮。
如請求項1之支柱總成，其僅包括在一第一末端處之一支腳，或僅包括在一第二末端處之一支腳，或包括在該第一末端處之一支腳以及在該第二末端處之一支腳。
如請求項2之支柱總成，其包括在該第一末端處之一支腳及該第二末端處之一支腳，其中該第一末端處之該支腳與該第二末端處之該支腳相同或與該第二末端處之該支腳不同。
如請求項2或3之支柱總成，其中該或每一支腳相對於該支柱總成固定。
如請求項2或3之支柱總成，其中該或每一支腳可相對於該支柱總成樞轉。
如請求項1之支柱總成，其包括在一第一末端及一第二末端中之任一者或二者處之一道釘。
如請求項1之支柱總成，其經組配以在一採礦環境中以一豎直位置使用。
如請求項1之支柱總成，其經組配以在一施工環境中以與一豎直位置成小於90度之一角度使用以及一豎直位置使用。
如請求項1之支柱總成，其中該第一延伸構件具有一速釋機構。
如請求項1之支柱總成，其中該第二延伸構件為一彈簧加載延伸件。
如請求項1之支柱總成，其中該把手為可鎖定的。
如請求項1之支柱總成，其中該第三延伸構件為位於該總成之一第一末端或一第二末端處之一彈簧加載支腳。
如請求項1之支柱總成，其包括該第一延伸構件、該第二延伸構件及該第三延伸構件。
一種用於一支柱總成之一中空末端之模組化支腳總成，該支柱總成係為如請求項1所述之支柱總成，該模組化支腳總成包括經調適而以可移除方式固定在該中空末端內之一子總成，且包括在使用中自該中空末端突出之一道釘或一板及用於將該道釘或板保持在該子總成中之構件。
如請求項14之模組化支腳總成，其中該道釘是帶螺紋之螺釘道釘。
一種用於無線通訊的裝置，該裝置包括：<br/> 一發射器，其被配置為發送用於指示一能力類型的一訊息，並基於包括一第一頻率子集並且亦包括一第二頻率子集的一第一上行鏈路頻寬部分（BWP）與一基地台進行通訊；及<br/> 一接收器，其被配置為從該基地台接收包括一跳頻指示符的一或多個訊息，該跳頻指示符指定是啟用還是禁用一跳頻模式，其中該跳頻指示符是根據該能力類型的，<br/> 其中該發射器亦被配置為使用以下方式來向該基地台發送一上行鏈路控制通道傳輸：<br/> 基於該跳頻指示符指定啟用該跳頻模式，來使用該第一頻率子集和該第二頻率子集兩者；或<br/> 基於該跳頻指示符指定禁用該跳頻模式，來使用該第一頻率子集或該第二頻率子集中的一者。
根據請求項1之裝置，其中該第一上行鏈路BWP對應於該裝置的一預設上行鏈路BWP。
根據請求項1或2之裝置，其中該能力類型對應於一縮減能力（RedCap）能力類型，與至少一種其他能力類型相比，該RedCap能力類型與一減少的上行鏈路頻寬相關聯。
根據請求項1之裝置，其中該發射器亦被配置為發送與一四步隨機存取通道（RACH）程序相關聯並且指示該裝置的一能力類型的一類型一訊息（msg1），其中基於該能力類型來接收該一或多個訊息，並且其中該一或多個訊息包括以下各項中的一項：與該四步RACH程序相關聯的一類型四訊息（msg4）、用於排程該msg4的一下行鏈路控制通道傳輸、或一下行鏈路控制通道傳輸和一下行鏈路資料通道傳輸的一組合。
根據請求項1之裝置，其中該發射器亦被配置為發送與一四步隨機存取通道（RACH）程序相關聯的一類型三訊息（msg3），其中該msg3的一解調參考訊號（DMRS）配置、該msg3的一有效載荷或該msg3的一加擾辨識符中的一者指示該裝置的一能力類型，其中基於該能力類型來接收該一或多個訊息，並且其中該一或多個訊息包括以下各項中的一項：與該四步RACH程序相關聯的一訊息四（msg4）、用於排程該msg4的一下行鏈路控制通道傳輸、或一下行鏈路控制通道傳輸和一下行鏈路資料通道傳輸的一組合。
根據請求項1之裝置，其中該發射器亦被配置為發送與一兩步隨機存取通道（RACH）程序相關聯的一類型A訊息（msgA），其中該msgA的一前序訊號、該msgA的一解調參考訊號（DMRS）配置、該msgA的一有效載荷或該有效載荷的一加擾辨識符中的一者指示該裝置的一能力類型，並且其中基於該能力類型來接收該一或多個訊息。
根據請求項6之裝置，其中該一或多個訊息包括與該兩步RACH程序相關聯的一類型B訊息（msgB）、用於排程該msgB的一下行鏈路控制通道訊息、或一下行鏈路控制通道傳輸和一下行鏈路資料通道傳輸的一組合。
根據請求項1之裝置，其中該一或多個訊息包括與該基地台相關聯的一系統資訊（SI）訊息。
根據請求項1之裝置，其中該跳頻指示符包括一位元，並且其中該發射器亦被配置為基於該位元的一第一值，使用該跳頻模式來執行該上行鏈路控制通道傳輸。
根據請求項9之裝置，其中該發射器亦被配置為基於該位元的一第二值，來針對該上行鏈路控制通道傳輸禁用該跳頻模式。
根據請求項1之裝置，其中該跳頻指示符包括用於指示該第一上行鏈路BWP內的一資源集的一第一組的一或多個位元，並且其中該發射器亦被配置為基於該第一上行鏈路BWP內的該資源集來執行該上行鏈路控制通道傳輸。
根據請求項1之裝置，其中該跳頻指示符包括用於指示一重複次數的一第二組的一或多個位元，並且其中該發射器亦被配置為基於該重複次數來執行對該上行鏈路控制通道傳輸的一或多個重複。
一種由一使用者設備（UE）執行的無線通訊方法，該方法包括以下步驟：<br/> 發送用於指示相關聯於該UE的一能力類型的一訊息；<br/> 從一基地台接收包括一跳頻指示符的一或多個訊息，該跳頻指示符指定針對該UE是啟用還是禁用一跳頻模式，其中該跳頻指示符是根據該能力類型的，其中該UE與包括一第一頻率子集和一第二頻率子集的一第一上行鏈路頻寬部分（BWP）相關聯；<br/> 使用以下方式，向該基地台發送一上行鏈路控制通道傳輸：<br/> 基於該跳頻指示符指定啟用該跳頻模式，來使用該第一頻率子集和該第二頻率子集兩者；或<br/> 基於該跳頻指示符指定禁用該跳頻模式，來使用該第一頻率子集或該第二頻率子集中的一者。
根據請求項13之方法，其中在一初始存取程序之前或之後，使用一廣播傳輸技術來發送該一或多個訊息。
根據請求項13之方法，其中使用利用一無線電資源控制（RRC）連接或媒體存取控制（MAC）控制元素（MAC-CE）訊號傳遞中的一者的一單播傳輸技術來發送該一或多個訊息。
根據請求項13之方法，其中該跳頻指示符指定啟用該跳頻模式，並且其中基於該跳頻模式和與至少一個其他設備使用的至少一個其他資源集共享或者部分重疊的一資源集來執行該上行鏈路控制通道傳輸。
根據請求項13之方法，其中該跳頻指示符指定啟用該跳頻模式，並且其中基於該跳頻模式和與至少一個其他設備使用的至少一個其他資源集相關聯的一或多個資源集分離的一資源集，來執行該上行鏈路控制通道傳輸。
根據請求項13之方法，其中該跳頻指示符指定啟用該跳頻模式，並且進一步指示一資源集，並且其中基於該跳頻模式和該資源集來執行該上行鏈路控制通道傳輸。
根據請求項13之方法，其中該跳頻指示符指定禁用該跳頻模式，並且其中在不使用該跳頻模式的情況下並且基於與至少一個其他設備使用的至少一個其他資源集共享或部分重疊的一資源集的至少一個子集，來執行該上行鏈路控制通道傳輸。
根據請求項13之方法，其中該跳頻指示符指定禁用該跳頻模式，並且其中在不使用該跳頻模式的情況下並且基於與至少一個其他設備使用的至少一個其他資源集相關聯的一或多個資源集分離的一資源集，來執行該上行鏈路控制通道傳輸。
根據請求項13之方法，其中該跳頻指示符指定禁用該跳頻模式，並且亦指示一資源集，並且其中在不使用該跳頻模式的情況下並且基於該資源集來執行該上行鏈路控制通道傳輸。
根據請求項13之方法，其中該跳頻指示符指定禁用該跳頻模式，並且亦指示一重複次數，並且該方法亦包括以下步驟：在不使用該跳頻模式的情況下並且基於該重複次數來執行對該上行鏈路控制通道傳輸的一或多個重複。
根據請求項13之方法，其中該第一上行鏈路BWP的該第一頻率子集和與至少一個其他設備相關聯的一第二上行鏈路BWP的一第一邊界對準，以減少或避免基於該跳頻模式在操作期間對該第二上行鏈路BWP的資源分段。
一種用於無線通訊的裝置，該裝置包括：<br/> 一接收器，其被配置為：<br/> 接收來自一使用者設備（UE）的一訊息，該訊息指示一能力類型；以及<br/> 基於與該UE相關聯的一第一上行鏈路頻寬部分（BWP）與該UE進行通訊，其中該第一上行鏈路BWP包括一第一頻率子集並且亦包括一第二頻率子集；及<br/> 一發射器，其被配置為向該UE發送包括一跳頻指示符的一或多個訊息，該跳頻指示符指定是啟用還是禁用一跳頻模式，其中該跳頻指示符是根據該能力類型的，<br/> 其中該接收器亦被配置為使用以下方式從該UE接收一上行鏈路控制通道傳輸：<br/> 基於該跳頻指示符指定啟用該跳頻模式，來使用該第一頻率子集和該第二頻率子集兩者；或<br/> 基於該跳頻指示符指定禁用該跳頻模式，來使用該第一頻率子集或該第二頻率子集中的一者。
根據請求項24之裝置，其中該一或多個訊息包括一系統資訊（SI）訊息。
根據請求項24之裝置，其中該第一上行鏈路BWP對應於該UE的一預設上行鏈路BWP。
一種由一基地台執行的無線通訊的方法，該方法包括以下步驟：<br/> 接收來自一使用者設備（UE）的一訊息，該訊息指示相關聯於該UE的一能力類型；<br/> 向該UE發送包括一跳頻指示符的一或多個訊息，該跳頻指示符指定針對該UE是啟用還是禁用一跳頻模式，其中該跳頻指示符是根據該能力類型的，其中該UE與包括一第一頻率子集和一第二頻率子集的一第一上行鏈路頻寬部分（BWP）相關聯；<br/> 使用以下方式，從該UE接收一上行鏈路控制通道傳輸：<br/> 基於該跳頻指示符指定啟用該跳頻模式，來使用該第一頻率子集和該第二頻率子集兩者；或<br/> 基於該跳頻指示符指定禁用該跳頻模式，來使用該第一頻率子集或該第二頻率子集中的一者。
根據請求項27之方法，其中該一或多個訊息包括一系統資訊（SI）訊息。
根據請求項27之方法，其中該第一上行鏈路BWP對應於該UE的一預設上行鏈路BWP。
一種顏色轉換片，其特徵在於包含：顏色轉換組成物或其硬化物，所述顏色轉換組成物為將入射光轉換成波長與所述入射光不同的光的顏色轉換組成物，所述組成物的特徵在於包含： <br/>黏合劑樹脂、以及 <br/>以下的發光材料（a）及發光材料（b）， <br/>所述發光材料（a）及所述發光材料（b）中的至少一者為放出熱活化延遲螢光的化合物， <br/>發光材料（a）：發光峰值波長為500 nm以上且小於580 nm的發光材料 <br/>發光材料（b）：發光峰值波長為580 nm以上且750 nm以下的發光材料， <br/>所述發光材料（a）及所述發光材料（b）包含於同一層中； <br/>所述發光材料（a）及所述發光材料（b）中的並非所述放出熱活化延遲螢光的化合物的一者為下述通式（3）所表示的化合物， <br/><br/><img align="absmiddle" height="85px" width="169px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>X為C-R<sup>7</sup>或N；R<sup>1</sup>～R<sup>9</sup>可分別相同亦可不同，且選自氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、羥基、硫醇基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳硫醚基、芳基、雜芳基、鹵素、氰基、醛基、經取代的羰基、羧基、胺甲醯基、胺基、硝基、矽烷基、矽氧烷基、氧硼基、氧化膦基、及與鄰接取代基之間形成的縮合環中；其中所述羰基的取代基為選自甲基、乙氧基、苯甲氧基、環己氧基、以及經芳基取代之苯氧基。
如請求項1所述的顏色轉換片，其中所述放出熱活化延遲螢光的化合物為下述通式（1）或通式（2）所表示的化合物， <br/><br/><img align="absmiddle" height="82px" width="293px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>環Za、環Zb、及環Zc分別獨立地為經取代或未經取代的環形成碳數6～30的芳基環、或者經取代或未經取代的環形成碳數6～30的雜芳基環；Z<sup>1</sup>及Z<sup>2</sup>分別獨立地為氧原子、NRa（具有取代基Ra的氮原子）或硫原子；於Z<sup>1</sup>為NRa的情況下，取代基Ra可與環Za或環Zb鍵結而形成環；於Z<sup>2</sup>為NRa的情況下，取代基Ra可與環Za或環Zc鍵結而形成環；E為硼原子、磷原子、SiRa（具有取代基Ra的矽原子）或P=O；E<sup>1</sup>及E<sup>2</sup>分別獨立地為BRa（具有取代基Ra的硼原子）、PRa（具有取代基Ra的磷原子）、SiRa<sub>2</sub>（具有兩個取代基Ra的矽原子）、C=O、P(=O)Ra<sub>2</sub>（具有兩個取代基Ra的氧化膦）或P(=S)Ra<sub>2</sub>（具有兩個取代基Ra的硫化膦）、S(=O)或S(=O)<sub>2</sub>；於E<sup>1</sup>為BRa、PRa、SiRa<sub>2</sub>、P(=O)Ra<sub>2</sub>或P(=S)Ra<sub>2</sub>的情況下，取代基Ra可與環Za或環Zb鍵結而形成環；於E<sup>2</sup>為BRa、PRa、SiRa<sub>2</sub>、P(=O)Ra<sub>2</sub>或P(=S)Ra<sub>2</sub>的情況下，取代基Ra可與環Za或環Zc鍵結而形成環；取代基Ra分別獨立地為經取代或未經取代的芳基、經取代或未經取代的雜芳基、或者經取代或未經取代的烷基。
如請求項2所述的顏色轉換片，其中所述放出熱活化延遲螢光的化合物為所述通式（1）所表示的化合物，並且所述通式（1）中的E為硼原子、且Z<sup>1</sup>及Z<sup>2</sup>分別獨立地為NRa；或者所述放出熱活化延遲螢光的化合物為所述通式（2）所表示的化合物，並且所述通式（2）中的E<sup>1</sup>及E<sup>2</sup>分別獨立地為BRa。
如請求項1至請求項3中任一項所述的顏色轉換片，其中所述發光材料（a）為所述放出熱活化延遲螢光的化合物。
如請求項1至請求項3中任一項所述的顏色轉換片，其中所述發光材料（a）的發光峰值波長下的發光光譜的半值寬為30 nm以上且40 nm以下。
如請求項1所述的顏色轉換片，其中所述同一層中所含的所述發光材料（a）與所述發光材料（b）的莫耳比為發光材料（a）：發光材料（b）=50：1～500：1。
如請求項1所述的顏色轉換片，其中所述發光材料（b）為所述放出熱活化延遲螢光的化合物，於將所述發光材料（a）的三重態激發狀態的能階設為T<sub>1</sub>a、將所述發光材料（b）的三重態激發狀態的能階設為T<sub>1</sub>b時，|T<sub>1</sub>a-T<sub>1</sub>b|≦0.2 eV。
一種光源單元，其特徵在於包括：光源、以及 <br/>如請求項1至請求項7中任一項所述的顏色轉換片。
一種顯示器，其特徵在於包括：如請求項8所述的光源單元。
一種照明裝置，其特徵在於包括：如請求項8所述的光源單元。
一種影像感測器，包括： <br/>光感測元件，位於基底中； <br/>多個轉移閘極，在實質上平行於所述基底的表面的水平方向上彼此間隔開，所述多個轉移閘極中的每一者延伸穿過所述基底的一部分且接觸所述光感測元件； <br/>浮動擴散區，位於所述基底的鄰近於所述多個轉移閘極的一部分處； <br/>第一分隔圖案，在實質上垂直於所述基底的所述表面的垂直方向上至少部分地延伸穿過所述基底，所述第一分隔圖案在平面圖中具有第一閉合形狀；以及 <br/>第二分隔圖案，在所述垂直方向上至少部分地延伸穿過所述基底，所述第二分隔圖案在所述平面圖中自所述第一分隔圖案的所述第一閉合形狀朝向所述第一閉合形狀的內部延伸， <br/>其中所述浮動擴散區在所述平面圖中位於所述多個轉移閘極之間， <br/>其中所述第二分隔圖案在所述水平方向上與所述浮動擴散區間隔開。
如請求項1所述的影像感測器，其中所述光感測元件為在所述水平方向上彼此間隔開的多個光感測元件中的一者，且 <br/>其中所述多個轉移閘極分別接觸所述多個光感測元件。
如請求項1所述的影像感測器， <br/>其中所述光感測元件、所述多個轉移閘極以及所述浮動擴散區位於單元像素區中的每一者中。
如請求項1所述的影像感測器，其中所述第二分隔圖案為在所述水平方向上彼此間隔開的四個第二分隔圖案中的一者，且 <br/>其中所述光感測元件位於對應於所述第一分隔圖案及所述四個第二分隔圖案中的對應兩者的每一區中。
如請求項4所述的影像感測器，其中所述多個轉移閘極及所述浮動擴散區位於所述第一閉合形狀的中心區處。
如請求項3所述的影像感測器，其中所述第一分隔圖案在所述垂直方向上延伸穿過所述基底，所述第一分隔圖案包含： <br/>核心，在所述垂直方向上延伸；以及 <br/>外殼，覆蓋所述核心的側壁。
如請求項6所述的影像感測器，其中所述核心包含多晶矽，且所述外殼包含氧化矽。
如請求項6所述的影像感測器，其中所述光感測元件為摻雜第一導電性類型的雜質的第一雜質區，且 <br/>其中所述影像感測器更包括摻雜第二導電性類型的雜質的第二雜質區，所述第二導電性類型不同於所述第一導電性類型。
如請求項3所述的影像感測器，其中所述第一分隔圖案在所述垂直方向上部分地延伸穿過所述基底。
如請求項9所述的影像感測器，其中所述第一分隔圖案包含金屬氧化物。
如請求項3所述的影像感測器，更包括在所述垂直方向上至少部分地延伸穿過所述基底的第三分隔圖案，所述第三分隔圖案自所述第一分隔圖案的所述第一閉合形狀朝向所述第一閉合形狀的外部延伸，且所述第三分隔圖案及所述第一分隔圖案的一部分在所述平面圖中形成第二閉合形狀， <br/>其中至少一個額外光感測元件、至少一個額外轉移閘極以及至少一個額外浮動擴散區在所述平面圖中位於對應於所述第二閉合形狀的內部的區中。
如請求項11所述的影像感測器，其中所述第二閉合形狀的面積小於所述第一閉合形狀的面積。
如請求項11所述的影像感測器，其中重設電晶體、源極隨耦器電晶體以及選擇電晶體在所述平面圖中位於對應於所述第一閉合形狀的內部的區中。
如請求項11所述的影像感測器，其中一個額外光感測元件、一個額外轉移閘極以及一個額外浮動擴散區在所述平面圖中位於對應於所述第二閉合形狀的所述內部的所述區中。
如請求項1所述的影像感測器，更包括在所述垂直方向上堆疊的彩色濾光片及微透鏡，所述彩色濾光片及所述微透鏡在所述垂直方向上與所述光感測元件交疊。
一種影像感測器，包括： <br/>光感測元件，位於基底中； <br/>轉移閘極，延伸穿過所述基底的一部分且接觸所述光感測元件，所述轉移閘極在平面圖中具有環形狀； <br/>浮動擴散區，位於所述基底的鄰近於所述轉移閘極的一部分處； <br/>第一分隔圖案，在實質上垂直於所述基底的表面的垂直方向上至少部分地延伸穿過所述基底，所述第一分隔圖案在所述平面圖中具有第一閉合形狀；以及 <br/>第二分隔圖案，在所述垂直方向上至少部分地延伸穿過所述基底，所述第二分隔圖案在所述平面圖中自所述第一分隔圖案的所述第一閉合形狀朝向所述第一閉合形狀的內部延伸， <br/>其中所述浮動擴散區在所述平面圖中位於所述轉移閘極的內部處， <br/>其中所述第二分隔圖案在水平方向上與所述浮動擴散區間隔開。
如請求項16所述的影像感測器，其中所述光感測元件為在實質上平行於所述基底的所述表面的所述水平方向上彼此間隔開的多個光感測元件中的一者，且 <br/>其中所述轉移閘極接觸所述多個光感測元件。
一種影像感測器，包括： <br/>多個光感測元件，位於基底中，所述多個光感測元件在實質上平行於所述基底的表面的水平方向上彼此間隔開； <br/>一個轉移閘極或彼此間隔開的多個轉移閘極，所述一個轉移閘極或所述多個轉移閘極中的每一者延伸穿過所述基底的一部分且共同或分別接觸所述多個光感測元件； <br/>浮動擴散區，位於所述基底的鄰近於所述一個轉移閘極或所述多個轉移閘極的一部分處； <br/>第一分隔圖案，在實質上垂直於所述基底的所述表面的垂直方向上至少部分地延伸穿過所述基底，所述第一分隔圖案在平面圖中具有第一閉合形狀；以及 <br/>第二分隔圖案，在所述垂直方向上至少部分地延伸穿過所述基底，所述第二分隔圖案在所述平面圖中自所述第一分隔圖案的所述第一閉合形狀朝向所述第一閉合形狀的內部延伸， <br/>其中所述浮動擴散區在實質上垂直於所述基底的所述表面的所述垂直方向上的橫截面位於所述一個轉移閘極的內部處或所述多個轉移閘極之間， <br/>其中所述第二分隔圖案在所述水平方向上與所述浮動擴散區間隔開。
如請求項18所述的影像感測器 <br/>其中所述多個光感測元件、所述一個轉移閘極或所述多個轉移閘極以及所述浮動擴散區位於單元像素區中的每一者中。
一種複合膜之製造方法，使用濺鍍裝置，並使用（A）標準狀態（溫度25℃且壓力100KPa）下為固體之物質的靶材、以及（B）能與濺鍍氣體製備混合氣體之物質的氣體，且包括以下步驟： <br/>（1）向上述濺鍍裝置之靶材設定治具安裝上述（A）靶材； <br/>（2）將上述濺鍍裝置之濺鍍室內減壓至第1規定壓力； <br/>（3）將濺鍍氣體與上述（B）氣體之混合氣體導入上述濺鍍裝置之濺鍍室內，使該濺鍍室內成為所述第1規定壓力以上的第2規定壓力；以及 <br/>（4）向上述（A）靶材輸入電力，並藉由進行濺鍍在基材的面上形成上述複合膜， <br/>其中上述（B）氣體包含有機化合物之氣體， <br/>上述混合氣體之混合比（上述濺鍍氣體之體積/上述（B）氣體之體積）為70/30～99.999/0.001， <br/>使用樹脂作為上述基材。
如請求項1所述之製造方法，其中上述濺鍍裝置為輥對輥方式之濺鍍裝置，上述基材為樹脂膜或樹脂片。
如請求項1所述之製造方法，其中上述混合氣體之混合比（上述濺鍍氣體之體積/上述（B）氣體之體積）為80/20～99.999/0.001。
如請求項1所述之製造方法，其中上述混合氣體之混合比（上述濺鍍氣體之體積/上述（B）氣體之體積）為90/10～99.999/0.001。
如請求項1所述之製造方法，其中上述有機化合物之氣體包含選自由具有飽和烴之1個或2個以上的氫原子被氟原子取代之構造的化合物且在標準狀態下為氣體之化合物、以及具有不飽和烴之1個或2個以上的氫原子被氟原子取代之構造的化合物且在標準狀態下為氣體之化合物構成之群組的1種以上化合物之氣體。
如請求項1所述之製造方法，其中於上述步驟（4）中，向上述（A）靶材輸入的電力為高頻電力。
如請求項1至請求項6中任一項所述之製造方法，其中上述（A）靶材為無機物質之靶材。
如請求項7所述之製造方法，其中上述無機物質之靶材包含具有2.6～3.7eV之帶隙之無機物質。
如請求項7所述之製造方法，其中上述無機物質之靶材包含氧化鈰。
一種複合膜之製造方法，使用濺鍍裝置，並使用（A）標準狀態（溫度25℃且壓力100KPa）下為固體之物質的靶材、以及（B）能與濺鍍氣體製備混合氣體之物質的氣體，且包括以下步驟： <br/>（1）向上述濺鍍裝置之靶材設定治具安裝上述（A）靶材； <br/>（2）將上述濺鍍裝置之濺鍍室內減壓至第1規定壓力； <br/>（3）將濺鍍氣體與上述（B）氣體之混合氣體導入上述濺鍍裝置之濺鍍室內，使該濺鍍室內成為所述第1規定壓力以上的第2規定壓力；以及 <br/>（4）向上述（A）靶材輸入電力，並藉由進行濺鍍在基材的面上形成上述複合膜， <br/>其中上述（B）氣體包含有機化合物之氣體， <br/>上述有機化合物之氣體包含選自由具有飽和烴之1個或2個以上的氫原子被氟原子取代之構造的化合物且在標準狀態下為氣體之化合物、以及具有不飽和烴之1個或2個以上的氫原子被氟原子取代之構造的化合物且在標準狀態下為氣體之化合物構成之群組的1種以上化合物之氣體， <br/>上述混合氣體之混合比（上述濺鍍氣體之體積/上述（B）氣體之體積）為70/30～99.999/0.001。
一種複合膜之製造方法，使用濺鍍裝置，並使用（A）標準狀態（溫度25℃且壓力100KPa）下為固體之物質的靶材、以及（B）能與濺鍍氣體製備混合氣體之物質的氣體，且包括以下步驟： <br/>（1）向上述濺鍍裝置之靶材設定治具安裝上述（A）靶材； <br/>（2）將上述濺鍍裝置之濺鍍室內減壓至第1規定壓力； <br/>（3）將濺鍍氣體與上述（B）氣體之混合氣體導入上述濺鍍裝置之濺鍍室內，使該濺鍍室內成為所述第1規定壓力以上的第2規定壓力；以及 <br/>（4）向上述（A）靶材輸入電力，並藉由進行濺鍍在基材的面上形成上述複合膜， <br/>其中上述（A）靶材為無機物質之靶材， <br/>上述無機物質之靶材包含具有2.6～3.7eV之帶隙之無機物質， <br/>上述無機物質之靶材包含氧化鈰， <br/>上述（B）氣體包含有機化合物之氣體， <br/>上述混合氣體之混合比（上述濺鍍氣體之體積/上述（B）氣體之體積）為70/30～99.999/0.001。
如請求項6所述之製造方法，其中 <br/>上述濺鍍裝置為輥對輥方式之濺鍍裝置； <br/>上述有機化合物之氣體包含選自由具有飽和烴之1個或2個以上的氫原子被氟原子取代之構造的化合物且在標準狀態下為氣體之化合物、以及具有不飽和烴之1個或2個以上的氫原子被氟原子取代之構造的化合物且在標準狀態下為氣體之化合物構成之群組的1種以上化合物之氣體； <br/>上述（A）靶材為無機物質之靶材； <br/>上述無機物質之靶材包含具有2.6～3.7eV之帶隙之無機物質；且 <br/>上述無機物質之靶材包含氧化鈰， <br/>上述基材為樹脂膜或樹脂片。
如請求項1至請求項6中任一項所述之製造方法，其中上述（A）靶材為有機化合物之靶材。
如請求項13所述之製造方法，其中上述有機化合物之靶材包含矽酮樹脂。
如請求項6所述之製造方法，其中 <br/>上述濺鍍裝置為輥對輥方式之濺鍍裝置； <br/>上述有機化合物之氣體包含選自由具有飽和烴之1個或2個以上的氫原子被氟原子取代之構造的化合物且在標準狀態下為氣體之化合物、以及具有不飽和烴之1個或2個以上的氫原子被氟原子取代之構造的化合物且在標準狀態下為氣體之化合物構成之群組的1種以上化合物之氣體； <br/>上述（A）靶材為有機化合物之靶材；且 <br/>上述有機化合物之靶材包含矽酮樹脂。
一種組合物，其至少包含； <br/>i)反應性單體，該反應性單體由以下化學式(II)表示， <br/><img align="absmiddle" height="90px" width="149px" file="ed10034.jpg" alt="ed10034.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>X<sup>3</sup>為未經取代或經取代之烷基、芳基或烷氧基； <br/>R<sup>5</sup>為氫原子；Cl、Br之鹵素原子；烷基；芳基；烷氧基；酯基；或羧酸基； <br/>ii)發光部分，該發光部分為半導體發光奈米粒子，其至少包含第一半導體材料、第一殼層和第二殼層， <br/>該第一半導體材料選自由以下組成之群：InP、InPZn、InPZnS、InPZnSe、InPZnSeS、InPZnGa、InPGaS、InPGaSe、InPGaSeS、InPZnGaSeS及InPGa， <br/>該第一殼層由下式(XI)表示， <br/>ZnS<sub>x</sub>Se<sub>y</sub>Te<sub>z </sub> - (XI) <br/>其中0 ≤ x ≤ 1、0 ≤ y ≤ 1、z = 0且x + y = 1， <br/>該第二殼層由下式(XI´)表示， <br/>ZnS<sub>x</sub>Se<sub>y</sub>Te<sub>z </sub> - (XI') <br/>其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1且x+y+z=1， <br/>該第一殼層和該第二殼層並不相同；及 <br/>iii)化合物，該化合物由以下化學式(X<sup>A</sup>)表示， <br/>Z(-X)u-Y - (X<sup>A</sup>) <br/>其中Z為*- R<sup>x1</sup>或<img align="absmiddle" height="104px" width="148px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， 其中「*」表示與該式之符號Y的連接點，R<sup>x1</sup>為選自由以下組成之群中之一或多個成員的基團：膦基、膦氧化物基團、磷酸酯基、膦酸酯基、硫醇基、三級胺、羧基、雜環基、矽烷基、磺酸、羥基、膦酸， <br/>R<sup>x2</sup>為選自由以下組成之群之一或多個成員的基團：膦基、氧化膦基、磷酸酯基、膦酸酯基、硫醇基、三級胺、羧基、雜環基、矽烷基、磺酸、羥基、膦酸， <br/>X為單鍵、具有1至15個碳原子之伸烷基、或具有1至15個碳原子之伸烯基、或具有1至15個碳原子之(聚)伸烷氧基， <br/>u為0或1， <br/>Y係選自具有1至45個碳原子之不飽和直鏈烷基、具有3至45個之碳原子之不飽和或飽和分支鏈烷基及/或具有1至80個碳原子之不飽和或飽和直鏈烷基， <br/>烷基、烯基及/或烷氧基可經一或多種基團R<sup>a</sup>取代，其中一或多個不相鄰CH<sub>2</sub>基團可經R<sup>a</sup>C=CR<sup>a</sup>、C≡C、Si(R<sup>a</sup>)<sub>2</sub>、Ge(<sup>Ra</sup>)<sub>2</sub>、Sn(<sup>Ra</sup>)<sub>2</sub>、C=O、C=S、C=Se、C=NR<sup>a</sup>、P(=O)(<sup>Ra</sup>)、SO、SO<sub>2</sub>、NR<sup>a</sup>、OS或CONR<sup>a</sup>置換，且其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO<sub>2</sub>置換， <br/>R<sup>a</sup>在各次出現時相同或不同地為H、D或具有1至20個碳原子之烷基、具有3至40個碳原子之環烷基或烷氧基、具有5至60個碳環原子的芳族環系統或具有5至60個碳原子之雜芳族環系統，其中H原子可經D、F、Cl、Br、I置換；此處兩個或更多個相鄰取代基R<sup>a</sup>亦可與彼此形成脂族、芳族或雜芳族單環或多環環系統， <br/>倘若Y為具有1至80個碳原子之不飽和或飽和直鏈烷基，其中一或多個不相鄰CH<sub>2</sub>基團經氧原子、C=O、C=S、C=Se、C=NH、SiH<sub>2</sub>、SO、SO<sub>2</sub>、OS或CONH置換，且其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO<sub>2</sub>置換， <br/>其中該化合物之總重量與該發光部分之總重量的比率在0.6:40至1:3之範圍內；在該發光部分為無機發光材料之情況下，該化合物之重量與該無機發光材料之無機部分之重量的比率在0.003至3.2之範圍內。
如請求項1之組合物，其中該發光部分含有至少一個配位體。
如請求項1之組合物，其中該反應性單體為選自單(甲基)丙烯酸酯單體、二(甲基)丙烯酸酯單體或三(甲基)丙烯酸酯單體的(甲基)丙烯酸酯單體。
如請求項1之組合物，其進一步包含由以下化學式(I)表示之(甲基)丙烯酸酯單體及/或由以下化學式(III)表示之(甲基)丙烯酸酯單體；<sub> </sub><br/><img align="absmiddle" height="159px" width="247px" file="ed10036.jpg" alt="ed10036.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中 <br/>X<sup>1</sup>為未經取代或經取代之烷基、芳基或烷氧基或酯基；<i> </i><br/>X<sup>2</sup>為未經取代或經取代之烷基、芳基或烷氧基或酯基；<i> </i><br/>R<sup>1</sup>為氫原子；Cl、Br或F之鹵素原子；烷基；芳基；烷氧基；酯基；或羧酸基； <br/>R<sup>2</sup>為氫原子；Cl、Br或F之鹵素原子；烷基；芳基；烷氧基；酯基；或羧酸基； <br/><img align="absmiddle" height="168px" width="301px" file="ed10037.jpg" alt="ed10037.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>其中R<sup>9</sup>為氫原子、具有1至25個碳原子之直鏈烷基或由化學式(IV)表示之(甲基)丙烯醯基 <br/><img align="absmiddle" height="130px" width="244px" file="ed10038.jpg" alt="ed10038.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>R<sup>10</sup>為氫原子、具有1至25個碳原子的直鏈烷基或由以下化學式(V)表示的(甲基)丙烯醯基 <br/><img align="absmiddle" height="136px" width="236px" file="ed10039.jpg" alt="ed10039.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>R<sup>11</sup>為氫原子、具有1至25個碳原子之直鏈烷基或由化學式(VI)表示之(甲基)丙烯醯基 <br/><img align="absmiddle" height="136px" width="242px" file="ed10040.jpg" alt="ed10040.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>其中R<sup>8a</sup>、R<sup>8b</sup>及R<sup>8c</sup>在各次出現時各自獨立地或彼此依賴地為H或CH<sub>3</sub>； <br/>其中R<sup>9</sup>、R<sup>10</sup>及R<sup>11</sup>中之至少一者為(甲基)丙烯醯基。
如請求項4之組合物，其中該化學式(I)之(甲基)丙烯酸酯單體的沸點(B.P.)為250℃或更高。
如請求項1之組合物，其中在室溫下該組合物之黏度為35 cP或更小。
如請求項1之組合物，其包含選自由以下組成之群中之一或多個成員的另一材料： <br/>iii)不同於如請求項1之發光部分的另一發光部分； <br/>iv)另一(甲基)丙烯酸酯單體； <br/>v)散射粒子，及 <br/>vi)光學透明聚合物、抗氧化劑、自由基淬滅劑、光引發劑及/或界面活性劑。
如請求項1之組合物，其包含 <br/>v)散射粒子；及 <br/>vii)至少一種聚合物，其經組態以使得該聚合物能夠使該等散射粒子分散於該組合物中； <br/>其中該聚合物包含至少一膦基、膦氧化物基團、磷酸酯基、膦酸酯基、硫醇基、三級胺、羧基、雜環基、矽烷基、磺酸、羥基、膦酸或其組合。
如請求項1之組合物，其中以該組合物之總量計，該組合物包含10重量%或更少之溶劑。
一種組合物，其包含衍生自或可衍生自如請求項1至9中任一項之組合物中之一或多種反應性單體的聚合物。
一種層，其至少含有； <br/>I) (甲基)丙烯酸酯聚合物； <br/>II)發光部分，該發光部分為半導體發光奈米粒子，其至少包含第一半導體材料、第一殼層和第二殼層， <br/>該第一半導體材料選自由以下組成之群：InP、InPZn、InPZnS、InPZnSe、InPZnSeS、InPZnGa、InPGaS、InPGaSe、InPGaSeS、InPZnGaSeS及InPGa， <br/>該第一殼層由下式(XI)表示， <br/>ZnS<sub>x</sub>Se<sub>y</sub>Te<sub>z </sub> - (XI) <br/>其中0 ≤ x ≤ 1、0 ≤ y ≤ 1、z = 0且x + y = 1， <br/>該第二殼層由下式(XI´)表示， <br/>ZnS<sub>x</sub>Se<sub>y</sub>Te<sub>z </sub> - (XI') <br/>其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1且x+y+z=1， <br/>該第一殼層和該第二殼層並不相同；及 <br/>III)化合物，該化合物由以下化學式(X<sup>A</sup>)表示， <br/>Z(-X)u-Y - (X<sup>A</sup>) <br/>其中Z為*- R<sup>x1</sup>或<img align="absmiddle" height="104px" width="148px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， 其中「*」表示與該式之符號Y的連接點，R<sup>x1</sup>為選自由以下組成之群中之一或多個成員的基團：膦基、膦氧化物基團、磷酸酯基、膦酸酯基、硫醇基、三級胺、羧基、雜環基、矽烷基、磺酸、羥基、膦酸， <br/>R<sup>x2</sup>為選自由以下組成之群之一或多個成員的基團：膦基、氧化膦基、磷酸酯基、膦酸酯基、硫醇基、三級胺、羧基、雜環基、矽烷基、磺酸、羥基、膦酸， <br/>X為單鍵、具有1至15個碳原子之伸烷基、或具有1至15個碳原子之伸烯基、或具有1至15個碳原子之(聚)伸烷氧基， <br/>u為0或1， <br/>Y係選自具有1至45個碳原子之不飽和直鏈烷基、具有3至45個之碳原子之不飽和或飽和分支鏈烷基及/或具有1至80個碳原子之不飽和或飽和直鏈烷基， <br/>該烷基、烯基及/或烷氧基可經一或多種基團R<sup>a</sup>取代，其中一或多個不相鄰CH<sub>2</sub>基團可經R<sup>a</sup>C=CR<sup>a</sup>、C≡C、Si(R<sup>a</sup>)<sub>2</sub>、Ge(<sup>Ra</sup>)<sub>2</sub>、Sn(<sup>Ra</sup>)<sub>2</sub>、C=O、C=S、C=Se、C=NR<sup>a</sup>、P(=O)(<sup>Ra</sup>)、SO、SO<sub>2</sub>、NR<sup>a</sup>、OS或CONR<sup>a</sup>置換，且其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO<sub>2</sub>置換， <br/>R<sup>a</sup>在各次出現時相同或不同地為H、D或具有1至20個碳原子之烷基、具有3至40個碳原子之環烷基或烷氧基、具有5至60個碳環原子的芳族環系統或具有5至60個碳原子之雜芳族環系統，其中H原子可經D、F、Cl、Br、I置換；此處兩個或更多個相鄰取代基R<sup>a</sup>亦可與彼此形成脂族、芳族或雜芳族單環或多環環系統， <br/>倘若Y為具有1至80個碳原子之不飽和或飽和直鏈烷基，其中一或多個不相鄰CH<sub>2</sub>基團經氧原子、C=O、C=S、C=Se、C=NH、SiH<sub>2</sub>、SO、SO<sub>2</sub>、OS或CONH置換，且其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO<sub>2</sub>置換， <br/>其中該化合物之總重量與該發光部分之總重量的比率在0.6:40至1:3之範圍內；在該發光部分為無機發光材料之情況下，該化合物之重量與該無機發光材料之無機部分之重量的比率在0.003至3.2之範圍內。
一種色彩轉換裝置，其至少包含經如請求項11之層部分或完全填充之第一像素，該第一像素至少包含含有發光部分的基質材料；及至少包含聚合物材料之墨槽。
一種光學裝置，其含有至少一個經組態以調變光或經組態以發射光之功能性介質，及如請求項12之色彩轉換裝置。
一種易聚合性化合物之製造方法，其特徵在於包括以下步驟： <br/>將易聚合性化合物與錳系聚合抑制劑混合； <br/>使經由該混合步驟所獲得之含有易聚合性化合物之溶液之至少一部分與陽離子交換樹脂接觸，調整含有易聚合性化合物之溶液中之錳濃度；及 <br/>對經由該調整步驟所獲得之錳濃度為0.2質量ppm以上5質量ppm以下之含有易聚合性化合物之溶液進行晶析； <br/>上述易聚合性化合物為不飽和羧酸。
如請求項1之易聚合性化合物之製造方法，其中，供給至上述調整步驟之含有易聚合性化合物之溶液之水濃度為0.3～4質量%。
如請求項1或2之易聚合性化合物之製造方法，其中， <br/>上述調整步驟包括以下步驟：使經由上述混合步驟所獲得之含有易聚合性化合物之溶液之一部分與陽離子交換樹脂接觸；及不使該含有易聚合性化合物之溶液之一部分與陽離子交換樹脂接觸，與和陽離子交換樹脂接觸之含有易聚合性化合物之溶液混合。
如請求項1或2之易聚合性化合物之製造方法，其中， <br/>上述製造方法進而包括以下步驟：自藉由上述晶析步驟所分離出之母液或殘渣中回收易聚合性化合物。
如請求項1或2之易聚合性化合物之製造方法，其中， <br/>上述含有易聚合性化合物之溶液為（甲基）丙烯酸水溶液或粗（甲基）丙烯酸溶液。
如請求項1或2之易聚合性化合物之製造方法，其中，上述製造方法包括以下步驟： <br/>由原料獲得含有易聚合性化合物之氣體；及 <br/>由含有易聚合性化合物之氣體獲得含有易聚合性化合物之溶液。
如請求項1或2之易聚合性化合物之製造方法，其中， <br/>上述易聚合性化合物為（甲基）丙烯酸。
如請求項7之易聚合性化合物之製造方法，其中，上述（甲基）丙烯酸以選自由丙烷、丙烯、丙烯醛、異丁烯、甲基丙烯醛、乙酸、乳酸、異丙醇、1,3-丙二醇、甘油及3-羥基丙酸所組成之群中之至少1種作為原料。
一種易聚合性化合物之純化方法，其特徵在於包括以下步驟：將易聚合性化合物與錳系聚合抑制劑混合； <br/>使經由該混合步驟所獲得之含有易聚合性化合物之溶液之至少一部分與陽離子交換樹脂接觸，調整含有易聚合性化合物之溶液中之錳濃度；及 <br/>對經由該調整步驟所獲得之錳濃度為0.2質量ppm以上5質量ppm以下之含有易聚合性化合物之溶液進行晶析； <br/>上述易聚合性化合物為不飽和羧酸。
一種易聚合性化合物之純化裝置，其特徵在於具有：樹脂槽，其用於使含有易聚合性化合物之溶液與陽離子交換樹脂接觸；晶析槽及/或熟化槽，該晶析槽可生成易聚合性化合物之結晶，該熟化槽用於使易聚合性化合物之結晶生長；及管線，其用於自該樹脂槽向該晶析槽及/或熟化槽輸送含有易聚合性化合物之溶液； <br/>上述易聚合性化合物為不飽和羧酸， <br/>該純化裝置進而具有：旁路管線，其用於使含有易聚合性化合物之溶液之至少一部分不與陽離子交換樹脂接觸地進行流通、及 <br/>混合部，其用於將流通過該旁路管線之含有易聚合性化合物之溶液與和陽離子交換樹脂接觸之含有易聚合性化合物之溶液混合。
如請求項10之易聚合性化合物之純化裝置，其進而具有：吸收塔，其用於捕獲含有易聚合性化合物之氣體而獲得含有易聚合性化合物之溶液；及管線，其用於自該吸收塔向上述樹脂槽輸送含有易聚合性化合物之溶液。
一種式 Ib 之化合物或其醫藥上可接受之鹽， <br/><img align="absmiddle" height="69px" width="131px" file="ed10112.jpg" alt="ed10112.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>Ib <br/>其中 <br/>R<sup>1 </sup>及 R<sup>5</sup> 與它們所結合的原子形成視情況經獨立地選自鹵基或烷基的一個或兩個替代基替代之包含單個 O 雜原子的 4 員至 6 員雜環，或 R<sup>1 </sup>及 R<sup>5</sup> 與它們所結合的原子形成視情況經獨立地選自鹵基或烷基的一個或兩個替代基替代之 3 員至 6 員環烷基環； <br/>R<sup>2</sup> 為 H； <br/>R<sup>3</sup> 為甲基； <br/>Z 為 -NH-；以及 <br/>R<sup>4</sup> 為經烷基替代之哌啶環 <br/>。
如請求項1之化合物或其醫藥上可接受之鹽， <br/>其中 <br/>R<sup>1 </sup>及 R<sup>5</sup> 與它們所結合的原子形成包含單個 O 雜原子的 4 員至 6 員雜環，或 R<sup>1</sup> 及 R<sup>5</sup> 與它們所結合的原子形成 3 員至 6 員環烷基環； <br/>R<sup>2</sup> 為 H； <br/>R<sup>3</sup> 為甲基； <br/>Z 為 -NH-；以及 <br/>R<sup>4</sup> 為經烷基替代之哌啶環。
一種化合物5-[3-[[(3R)-1-乙基-3-哌啶基]胺基]-5-甲基-1,2,4-三<img align="absmiddle" height="24px" width="20px" file="d10004.TIF" alt="ed10004.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10004.png"/>-6-基]-2,3-二氫苯并呋喃-4-醇或其醫藥上可接受之鹽。
一種化合物3-[3-[[(3R)-1-乙基-3-哌啶基]胺基]-5-甲基-1,2,4-三<img align="absmiddle" height="24px" width="20px" file="d10004.TIF" alt="ed10004.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10004.png"/>-6-基]雙環[4.2.0]辛-1(6),2,4-三烯-2-醇或其醫藥上可接受之鹽。
一種化合物5-[3-[[(3R)-1-乙基-3-哌啶基]胺基]-5-甲基-1,2,4-三<img align="absmiddle" height="24px" width="20px" file="d10004.TIF" alt="ed10004.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10004.png"/>-6-基]二氫茚-4-醇或其醫藥上可接受之鹽。
一種醫藥組成物，其包含如請求項 1 至 5 中任一項之化合物或其醫藥上可接受之鹽及治療惰性載劑。
一種如請求項 1 至 5 中任一項之化合物或其醫藥上可接受之鹽的用途，其用於製備治療或預防疾病、病症或病況的藥物，其中該疾病、病症或病況對 NLRP3 抑制有反應。
一種如請求項 1 至 5 中任一項之化合物或其醫藥上可接受之鹽的用途，其用於製備治療或預防選自氣喘或 COPD 之疾病、病症或病況的藥物。
一種如請求項 1 至 5 中任一項之化合物或其醫藥上可接受之鹽的用途，其用於製備治療或預防選自阿滋海默症及帕金森病之疾病、病症或病況的藥物。
一種如請求項 1 至 5 中任一項之化合物或其醫藥上可接受之鹽的用途，其用於製備抑制 NLRP3 之藥物。
一種操作用戶設備（UE）的方法，包括： <br/>向位置估計實體發送排程在未來時間所述UE的應需定位參考信號（PRS）定位對話的請求，其中所述請求被配置為請求用於排程的應需PRS定位對話的第一參數集，其中所述第一參數集的一個或多個參數在所述未來時間的可用性在所述請求被發送時是不可確定的；以及 <br/>響應於所述請求並且在所述未來時間之前，接收用於所述排程的應需PRS定位對話的PRS配置，其中所述PRS配置包括至少部分地基於所述一個或多個參數在所述未來時間的所述可用性的第二參數集。
根據請求項1所述的方法，其中所述PRS配置包括下行鏈路（DL）PRS配置、上行鏈路（UL）PRS配置、側行鏈路（SL）PRS配置或其組合。
根據請求項1所述的方法，其中所述請求指定對於所述第一參數集中的每個參數，相應參數是強制的還是選擇性的。
根據請求項1所述的方法，其中所述第一參數集包括至少一個側行鏈路（SL）錨。
根據請求項4所述的方法，其中所述第一參數集包括對於所述至少一個SL錨的SL波束方向、SL頻寬或頻寬部分（BWP）、同步信號區塊（SSB）配置或其組合。
根據請求項4所述的方法，其中由於所述至少一個SL錨的移動性，在所述請求被發送時是不可確定的所述一個或多個參數與所述至少一個SL錨相關聯。
根據請求項6所述的方法，其中由於至少一個固定錨的移動性缺乏，當所述請求被發送時，用於所述至少一個固定錨的一個或多個其他參數是可確定的。
根據請求項1所述的方法，其中所述請求經由優選的開始時間和持續時間的指示來指定所述未來時間。
根據請求項8所述的方法， <br/>其中所述優選的開始時間和持續時間是經由時隙、子幀或幀的集合來指定的，或者 <br/>其中所述優選的開始時間和持續時間是以絕對時間來指定的，或者 <br/>其中所述優選的開始時間和持續時間是經由對當前PRS配置的未來測量間隔或PRS時機的參考來指定的。
根據請求項1所述的方法，其中所述第一參數集中的至少一個參數與至少一個時間限制相關聯。
根據請求項10所述的方法，其中所述至少一個時間限制限制所述至少一個參數何時能夠被請求、被修改或被移除與所述排程的應需PRS定位對話的關聯。
根據請求項1所述的方法，其中所述PRS配置需要在指定的時間視窗內被接收。
根據請求項1所述的方法，其中所述PRS配置是經由多個部分的PRS配置被接收的，所述多個部分的PRS配置累積地定義用於所述排程的應需PRS定位對話的所述第一參數集中的每一個。
根據請求項1所述的方法，其中用於所述PRS配置的一個或多個請求和攜帶所述PRS配置的一個或多個響應包括被配置為區分所述排程的應需PRS定位對話與一個或多個其他排程的應需PRS定位對話的識別符。
一種操作位置估計實體的方法，包括： <br/>接收排程在未來時間用戶設備（UE）的應需定位參考信號（PRS）定位對話的請求，其中所述請求被配置為請求用於排程的應需PRS定位對話的第一參數集，其中所述第一參數集的一個或多個參數在所述未來時間的可用性在所述請求被接收時是不可確定的； <br/>響應於所述請求並且在所述未來時間之前，確定所述一個或多個參數在所述未來時間的所述可用性； <br/>確定用於所述排程的應需PRS定位對話的PRS配置，其中所述PRS配置包括至少部分地基於所述一個或多個參數在所述未來時間的所述可用性的所述確定的第二參數集；以及 <br/>響應於所述請求並且在所述未來時間之前，向所述UE發送所述PRS配置。
根據請求項15所述的方法，其中所述PRS配置包括下行鏈路（DL）PRS配置、上行鏈路（UL）PRS配置、側行鏈路（SL）PRS配置或其組合。
根據請求項15所述的方法，其中所述請求指定對於所述第一參數集中的每個參數，相應參數是強制的還是選擇性的。
根據請求項15所述的方法，其中所述第一參數集包括至少一個側行鏈路（SL）錨。
根據請求項18所述的方法，其中所述第一參數集包括對於所述至少一個SL錨的SL波束方向、SL頻寬或頻寬部分（BWP）、同步信號區塊（SSB）配置或其組合。
根據請求項18所述的方法，其中由於所述至少一個SL錨的移動性，在所述請求被發送時是不可確定的所述一個或多個參數與所述至少一個SL錨相關聯。
根據請求項20所述的方法，其中由於至少一個固定錨的移動性缺乏，當所述請求被發送時，用於所述至少一個固定錨的一個或多個其他參數是可確定的。
根據請求項15所述的方法，其中所述請求經由優選的開始時間和持續時間的指示來指定所述未來時間。
根據請求項22所述的方法， <br/>其中所述優選的開始時間和持續時間是經由時隙、子幀或幀的集合來指定的，或者 <br/>其中所述優選的開始時間和持續時間是以絕對時間來指定的，或者 <br/>其中所述優選的開始時間和持續時間是經由對當前PRS配置的未來測量間隔或PRS時機的參考來指定的。
根據請求項15所述的方法，其中所述第一參數集中的至少一個參數與至少一個時間限制相關聯。
根據請求項24所述的方法，其中所述至少一個時間限制限制所述至少一個參數能夠可以被請求、被修改或被移除與所述排程的應需PRS定位對話的關聯。
根據請求項15所述的方法，其中所述PRS配置需要在指定的時間視窗內被接收。
根據請求項15所述的方法，其中所述PRS配置是經由多個部分的PRS配置被發送的，所述多個部分的PRS配置累積地定義用於所述排程的應需PRS定位對話的所述第一參數集中的每一個。
根據請求項15所述的方法，其中用於所述PRS配置的一個或多個請求和攜帶所述PRS配置的一個或多個響應包括被配置為區分所述排程的應需PRS定位對話與一個或多個其他排程的應需PRS定位對話的識別符。
一種用戶設備（UE），包括： <br/>記憶體； <br/>至少一個收發器；以及 <br/>通信地耦接到所述記憶體和所述至少一個收發器的至少一個處理器，所述至少一個處理器配置為： <br/>經由所述至少一個收發器向位置估計實體發送排程在未來時間所述UE的應需定位參考信號（PRS）定位對話的請求，其中所述請求被配置為請求用於排程的應需PRS定位對話的第一參數集，其中所述第一參數集的一個或多個參數在所述未來時間的可用性在所述請求被發送時是不可確定的；以及 <br/>響應於所述請求並且在所述未來時間之前，經由所述至少一個收發器接收用於所述排程的應需PRS定位對話的PRS配置，其中所述PRS配置包括至少部分地基於所述一個或多個參數在所述未來時間的所述可用性的第二參數集。
根據請求項29所述的UE，其中所述PRS配置包括下行鏈路（DL）PRS配置、上行鏈路（UL）PRS配置、側行鏈路（SL）PRS配置或其組合。
根據請求項29所述的UE，其中所述請求指定對於所述第一參數集中的每個參數，相應參數是強制的還是選擇性的。
根據請求項29所述的UE，其中所述第一參數集包括至少一個側行鏈路（SL）錨。
根據請求項32所述的UE，其中所述第一參數集包括對於所述至少一個SL錨的SL波束方向、SL頻寬或頻寬部分（BWP）、同步信號區塊（SSB）配置或其組合。
根據請求項32所述的UE，其中由於所述至少一個SL錨的移動性，在所述請求被發送時是不可確定的所述一個或多個參數與所述至少一個SL錨相關聯。
根據請求項34所述的UE，其中由於至少一個固定錨的移動性缺乏，當所述請求被發送時，用於所述至少一個固定錨的一個或多個其他參數是可確定的。
根據請求項29所述的UE，其中所述請求經由優選的開始時間和持續時間的指示來指定所述未來時間。
根據請求項36所述的UE， <br/>其中所述優選的開始時間和持續時間是經由時隙、子幀或幀的集合來指定的，或者 <br/>其中所述優選的開始時間和持續時間是以絕對時間來指定的，或者 <br/>其中所述優選的開始時間和持續時間是經由對當前PRS配置的未來測量間隔或PRS時機的參考來指定的。
根據請求項29所述的UE，其中所述第一參數集中的至少一個參數與至少一個時間限制相關聯。
根據請求項38所述的UE，其中所述至少一個時間限制限制所述至少一個參數何時能夠被請求、被修改或被移除與所述排程的應需PRS定位對話的關聯。
根據請求項29所述的UE，其中所述PRS配置需要在指定的時間視窗內被接收。
根據請求項29所述的UE，其中所述PRS配置是經由多個部分的PRS配置被接收的，所述多個部分的PRS配置累積地定義用於所述排程的應需PRS定位對話的所述第一參數集中的每一個。
根據請求項29所述的UE，其中用於所述PRS配置的一個或多個請求和攜帶所述PRS配置的一個或多個響應包括被配置為區分所述排程的應需PRS定位對話與一個或多個其他排程的應需PRS定位對話的識別符。
一種位置估計實體，包括： <br/>記憶體； <br/>至少一個收發器；以及 <br/>通信地耦接到所述記憶體和所述至少一個收發器的至少一個處理器，所述至少一個處理器配置為： <br/>經由所述至少一個收發器接收排程在未來時間用戶設備（UE）的應需定位參考信號（PRS）定位對話的請求，其中所述請求被配置為請求用於排程的應需PRS定位對話的第一參數集，其中所述第一參數集的一個或多個參數在所述未來時間的可用性在所述請求被接收時是不可確定的； <br/>響應於所述請求並且在所述未來時間之前，確定所述一個或多個參數在所述未來時間的所述可用性； <br/>確定用於所述排程的應需PRS定位對話的PRS配置，其中所述PRS配置包括至少部分地基於所述一個或多個參數在所述未來時間的所述可用性的所述確定的第二參數集；以及 <br/>響應於所述請求並且在所述未來時間之前，經由所述至少一個收發器向所述UE發送所述PRS配置。
根據請求項43所述的位置估計實體，其中所述PRS配置包括下行鏈路（DL）PRS配置、上行鏈路（UL）PRS配置、側行鏈路（SL）PRS配置或其組合。
根據請求項43所述的位置估計實體，其中所述請求指定對於所述第一參數集中的每個參數，相應參數是強制的還是選擇性的。
根據請求項43所述的位置估計實體，其中所述第一參數集包括至少一個側行鏈路（SL）錨。
根據請求項46所述的位置估計實體，其中所述第一參數集包括對於所述至少一個SL錨的SL波束方向、SL頻寬或頻寬部分（BWP）、同步信號區塊（SSB）配置或其組合。
根據請求項46所述的位置估計實體，其中由於所述至少一個SL錨的移動性，在所述請求被發送時是不可確定的所述一個或多個參數與所述至少一個SL錨相關聯。
根據請求項48所述的位置估計實體，其中由於至少一個固定錨的移動性缺乏，當所述請求被發送時，用於所述至少一個固定錨的一個或多個其他參數是可確定的。
根據請求項43所述的位置估計實體，其中所述請求經由優選的開始時間和持續時間的指示來指定所述未來時間。
根據請求項50所述的位置估計實體， <br/>其中所述優選的開始時間和持續時間是經由時隙、子幀或幀的集合來指定的，或者 <br/>其中所述優選的開始時間和持續時間是以絕對時間來指定的，或者 <br/>其中所述優選的開始時間和持續時間是經由對當前PRS配置的未來測量間隔或PRS時機的參考來指定。
根據請求項43所述的位置估計實體，其中所述第一參數集中的至少一個參數與至少一個時間限制相關聯。
根據請求項52所述的位置估計實體，其中所述至少一個時間限制限制所述至少一個參數何時能夠被請求、被修改或被移除與所述排程的應需PRS定位對話的關聯。
根據請求項43所述的位置估計實體，其中所述PRS配置需要在指定的時間視窗內被接收。
根據請求項43所述的位置估計實體，其中所述PRS配置是經由多個部分的PRS配置被發送的，所述多個部分的PRS配置累積地定義用於所述排程的應需PRS定位對話的所述第一參數集中的每一個。
根據請求項43所述的位置估計實體，其中用於所述PRS配置的一個或多個請求和攜帶所述PRS配置的一個或多個響應包括被配置為區分所述排程的應需PRS定位對話與一個或多個其他排程的應需PRS定位對話的識別符。
一種用戶設備（UE），包括： <br/>用於向位置估計實體發送排程在未來時間所述UE的應需定位參考信號（PRS）定位對話的請求的構件，其中所述請求被配置為請求用於排程的應需PRS定位對話的第一參數集，其中所述第一參數集的一個或多個參數在所述未來時間的可用性在所述請求被發送時是不可確定的；以及 <br/>用於響應於所述請求並且在所述未來時間之前接收用於所述排程的應需PRS定位對話的PRS配置的構件，其中所述PRS配置包括至少部分地基於所述一個或多個參數在所述未來時間的所述可用性的第二參數集。
根據請求項57所述的UE，其中所述請求指定對於所述第一參數集中的每個參數，相應參數是強制的還是選擇性的。
根據請求項57所述的UE，其中所述第一參數集包括至少一個側行鏈路（SL）錨。
根據請求項57所述的UE，其中所述請求經由優選的開始時間和持續時間的指示來指定所述未來時間。
根據請求項57所述的UE，其中所述第一參數集中的至少一個參數與至少一個時間限制相關聯。
根據請求項57所述的UE，其中所述PRS配置需要在指定的時間視窗內被接收。
根據請求項57所述的UE，其中所述PRS配置是經由多個部分的PRS配置被接收的，所述多個部分的PRS配置累積地定義用於所述排程的應需PRS定位對話的所述第一參數集中的每一個。
根據請求項57所述的UE，其中用於所述PRS配置的一個或多個請求和攜帶所述PRS配置的一個或多個響應包括被配置為區分所述排程的應需PRS定位對話與一個或多個其他排程的應需PRS定位對話的識別符。
一種位置估計實體，包括： <br/>用於接收排程在未來時間用戶設備（UE）的應需定位參考信號（PRS）定位對話的請求的構件，其中所述請求被配置為請求用於排程的應需PRS定位對話的第一參數集，其中所述第一參數集的一個或多個參數在所述未來時間的可用性在所述請求被接收時是不可確定的； <br/>用於響應於所述請求並且在所述未來時間之前確定所述一個或多個參數在所述未來時間的所述可用性的構件； <br/>用於確定用於所述排程的應需PRS定位對話的PRS配置的構件，其中所述PRS配置包括至少部分地基於所述一個或多個參數在所述未來時間的所述可用性的所述確定的第二參數集；以及 <br/>用於響應於所述請求並且在所述未來時間之前向所述UE發送所述PRS配置的構件。
根據請求項65所述的位置估計實體，其中所述請求指定對於所述第一參數集中的每個參數，相應參數是強制的還是選擇性的。
根據請求項65所述的位置估計實體，其中所述第一參數集包括至少一個側行鏈路（SL）錨。
根據請求項65所述的位置估計實體，其中所述請求經由優選的開始時間和持續時間的指示來指定所述未來時間。
根據請求項65所述的位置估計實體，其中所述第一參數集中的至少一個參數與至少一個時間限制相關聯。
根據請求項65所述的位置估計實體，其中所述PRS配置需要在指定的時間視窗內被接收。
根據請求項65所述的位置估計實體，其中所述PRS配置是經由多個部分的PRS配置被發送的，所述多個部分的PRS配置累積地定義用於所述排程的應需PRS定位對話的所述第一參數集中的每一個。
根據請求項65所述的位置估計實體，其中用於所述PRS配置的一個或多個請求和攜帶所述PRS配置的一個或多個響應包括被配置為區分所述排程的應需PRS定位對話與一個或多個其他排程的應需PRS定位對話的識別符。
一種液晶顯示元件用密封劑，其係含有硬化性樹脂及熱硬化劑者，且特徵在於： <br/>上述硬化性樹脂包含環氧化合物， <br/>上述熱硬化劑包含：胺基當量為30以下之胺系化合物與環氧化合物之加成物， <br/>上述胺基當量為30以下之胺系化合物為肼、卡肼或草醯二肼。
如請求項1之液晶顯示元件用密封劑，其中，上述胺基當量為30以下之胺系化合物為肼或卡肼。
如請求項1或2之液晶顯示元件用密封劑，其中，上述胺基當量為30以下之胺系化合物與環氧化合物之加成物於25℃為固體狀。
如請求項1或2之液晶顯示元件用密封劑，其中，上述環氧化合物係具有來自具有酚性羥基之化合物之結構的環氧化合物。
一種液晶顯示元件，其具有請求項1、2、3或4之液晶顯示元件用密封劑之硬化物。
一種液晶顯示元件用密封劑，其係含有硬化性樹脂及光聚合起始劑者，且特徵在於： <br/>上述硬化性樹脂含有(甲基)丙烯酸化合物， <br/>上述光聚合起始劑為下述式（1-1）所表示之化合物、下述式（1-2）所表示之化合物、下述式（1-3）所表示之化合物、或樟腦醌；上述光聚合起始劑為樟腦醌之情形時，含有敏化劑，上述敏化劑為下述式（2-1）所表示之化合物、或下述式（2-2）所表示之化合物， <br/><img align="absmiddle" height="432px" width="334px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="295px" width="382px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>在使用於波長450 nm具有峰頂之LED燈照射100 mW/cm<sup>2</sup>之光30秒鐘之時的凝膠分率為70%以上，並且 <br/>在使用於波長580 nm具有峰頂之LED燈照射400勒克司之光48小時之時的凝膠分率未達10%。
一種液晶顯示元件，其具有請求項1之液晶顯示元件用密封劑之硬化物。
一種測定方法，其包括如下製程： <br/>a)使用受光元件，針對每一不同之曝光時間，測定自電漿處理裝置內產生之電漿檢測出之光之每一波長之發光強度； <br/>b)針對構成預先設定之波長範圍之複數個不同之單獨波長範圍之各者，特定出以包含於上述單獨波長範圍內之預先設定之波長之發光強度成為較可檢測範圍之最大值低之預先設定之範圍內之發光強度之曝光時間測得的上述單獨波長範圍內的發光強度之分佈； <br/>c)自特定出之發光強度之分佈選擇上述單獨波長範圍之發光強度之分佈；及 <br/>d)輸出針對每一上述單獨波長範圍所選擇之發光強度之分佈。
如請求項1之測定方法，其中於上述製程d)中， <br/>將針對每一上述單獨波長範圍所選擇之發光強度之兩個以上之分佈合成而輸出。
如請求項1或2之測定方法，其中上述製程a)至d)依序反覆執行複數次。
如請求項3之測定方法，其包括如下製程： <br/>e)於針對每一上述單獨波長範圍所選擇之發光強度之分佈變為預先設定之分佈之情形時，輸出通知。
一種測定方法，其包括如下製程： <br/>a)使用受光元件，針對每一不同之曝光時間，測定自電漿處理裝置內產生之電漿檢測出之光之每一波長之發光強度； <br/>b)針對每一波長，算出發光強度相對於曝光時間之變化率；及 <br/>c)輸出表示每一波長之上述變化率之大小之分佈的發光狀態資訊。
如請求項5之測定方法，其中於上述製程b)中，將預先設定之發光強度之範圍內發光強度相對於曝光時間之變化近似為直線或曲線，算出表示上述直線或曲線之變化率之係數作為上述變化率。
如請求項5或6之測定方法，其中上述製程a)至c)依序反覆執行複數次。
如請求項5或6之測定方法，其包括如下製程： <br/>d)於上述發光狀態資訊中每一波長之上述變化率之大小之分佈變為預先設定之分佈之情形時，輸出通知。
如請求項1、2、5、6中任一項之測定方法，其中於上述製程a)中，針對100 nm以上且1000 nm以下之範圍內之波長，使用受光元件，針對每一不同之曝光時間測定每一波長之發光強度。
如請求項1、2、5、6中任一項之測定方法，其中於上述製程a)中，於1 msec以上且1000 msec以下之範圍內之曝光時間，使用受光元件，針對每一不同之曝光時間測定每一波長之發光強度。
一種測定裝置，其具備： <br/>獲取部，其從接收自電漿處理裝置內產生之電漿檢測出之光之受光元件，獲取針對每一不同之曝光時間測得之每一波長之發光強度； <br/>特定部，其針對構成預先設定之波長範圍之複數個不同之單獨波長範圍之各者，特定出以包含於上述單獨波長範圍內之預先設定之波長之發光強度成為較可檢測範圍之最大值低之預先設定之範圍內之發光強度之曝光時間測得的上述單獨波長範圍內發光強度之分佈； <br/>選擇部，其自特定出之發光強度之分佈選擇上述單獨波長範圍之發光強度之分佈；及 <br/>輸出部，其輸出針對每一上述單獨波長範圍所選擇之發光強度之分佈。
一種測定裝置，其具備： <br/>獲取部，其從接收自電漿處理裝置內產生之電漿檢測出之光之受光元件，獲取針對每一不同之曝光時間測得之每一波長之發光強度； <br/>算出部，其針對每一波長，算出發光強度相對於曝光時間之變化率；及 <br/>輸出部，其輸出表示每一波長之上述變化率之大小之分佈的發光狀態資訊。
一種半導體材料研磨系統，包括：<br/> 材料供應部，其供應半導體材料；<br/> 供應拾取器，其拾取供應至所述材料供應部的半導體材料並進行傳送；<br/> 一個以上卡盤台，其配置於基台，被所述供應拾取器拾取的所述半導體材料被傳送至所述卡盤台上方，並設置成可在一個方向上移送；<br/> 一個以上半導體材料研磨裝置，包括：研磨頭，其在一端可拆裝地設置有用於研磨所述半導體材料的磨輪；門字形框架，其配置於所述基台且設置於所述卡盤台的移送路徑上，所述門字形框架具有供所述卡盤台移動的開口；升降部，其安裝於所述門字形框架，並使所述研磨頭升降；支架，其用於將所述研磨頭安裝於所述升降部；以及，角度調節部，其用於調節所述研磨頭的傾斜角度；<br/> 清洗部，其清洗在所述半導體材料研磨裝置中結束研磨的半導體材料；以及<br/> 輸出部，其搬出在所述清洗部清洗的半導體材料，<br/> 所述研磨頭位於與所述升降部上的升降軸平行的中心軸，<br/> 所述卡盤台在所述基台上設置有多個，<br/> 所述門字形框架在所述各個卡盤台的移送路徑上分別獨立地設置，<br/> 各個所述門字形框架彼此間隔開配置。
根據請求項1所述的半導體材料研磨系統，其中，<br/> 在各個所述研磨頭選擇性地可拆裝地安裝有具有相同或者彼此不同的粗糙度的所述磨輪，<br/> 當安裝有具有彼此不同的粗糙度的所述磨輪時，<br/> 所述磨輪按照從粗細微性的所述磨輪到細細微性的所述磨輪的順序依次配置。
根據請求項1所述的半導體材料研磨系統，其中，<br/> 所述磨輪具有與欲研磨的所述半導體材料的寬度相同或者大於寬度的直徑，<br/> 在一方向上移送所述卡盤台的同時旋轉所述磨輪，從而研磨所述半導體材料的上部面整體。
根據請求項1所述的半導體材料研磨系統，其中，<br/> 所述支架設置有容納所述研磨頭的容納部，並在構成所述容納部的兩側外壁形成有貫通孔，<br/> 所述半導體材料研磨裝置還包括安裝部件，所述安裝部件結合於所述研磨頭的外部，以將所述研磨頭拆裝於所述容納部，並在與所述貫通孔對應的位置設置有嵌合槽，<br/> 所述角度調節部包括：<br/> 一對托架，其通過所述支架的貫通孔固定安裝於所述安裝部件的嵌合槽，從而使所述研磨頭固定於所述支架，並能夠旋轉；<br/> 杆部件，其使所述一對托架中的一個以上的托架旋轉；以及<br/> 前後微調單元，其在所述杆部件的兩側方向上設置有一個以上，並微調所述研磨頭的前後方向傾斜角度。
根據請求項4所述的半導體材料研磨系統，其中，<br/> 所述杆部件與所述托架形成為一體，或者結合於所述托架的一面，或者插入安裝於所述托架。
根據請求項4所述的半導體材料研磨系統，其中，所述前後微調單元，包括：<br/> 偏心螺母，其分別設置於所述杆部件的兩側方向，一面與所述杆部件的側面接觸並具有偏心的通孔；以及<br/> 緊固螺栓，其螺紋連接於所述偏心螺母的通孔和所述支架，<br/> 通過改變所述緊固螺栓的緊固深度，以微調所述研磨頭的前後方向傾斜角度。
根據請求項4所述的半導體材料研磨系統，其中，所述前後微調單元，包括：<br/> 螺母，其分別設置於所述杆部件的兩側方向，一面與所述杆部件的側面接觸並上部面具有錐形的通孔；以及<br/> 緊固螺栓，其螺紋連接於所述螺母的通孔和所述支架，<br/> 所述通孔大於所述緊固螺栓的直徑，通過改變所述緊固螺栓的緊固深度，以微調所述研磨頭的前後方向傾斜角度。
根據請求項4所述的半導體材料研磨系統，其中，<br/> 所述半導體材料研磨裝置的所述支架和所述安裝部件在彼此對應的位置設置有一個以上的緊固孔，形成於所述支架的所述緊固孔大於形成於所述安裝部件的所述緊固孔，<br/> 所述半導體材料研磨裝置還包括固定螺栓，所述固定螺栓插入結合於所述緊固孔，以通過所述角度調節部固定調節的角度。
根據請求項4所述的半導體材料研磨系統，其中，所述角度調節部還包括左右微調單元，其在所述支架的兩側方向上設置有一個以上，並調節所述研磨頭的左右方向傾斜角度，<br/> 所述左右微調單元，包括：<br/> 偏心螺母，其分別設置於所述支架的左右方向，一面與所述支架的側面接觸並具有偏心的通孔；以及<br/> 緊固螺栓，其螺紋連接於所述偏心螺母的通孔和所述升降部，<br/> 通過改變所述緊固螺栓的緊固深度，以微調所述研磨頭的左右方向傾斜角度。
根據請求項4所述的半導體材料研磨系統，其中，<br/> 所述角度調節部還包括：<br/> 左右微調單元，其在所述支架的左右方向上設置有一個以上，並調節所述研磨頭的左右方向傾斜角度，<br/> 所述左右微調單元，包括：<br/> 螺母，其分別設置於所述支架的左右方向，一面與所述支架的側面接觸且上面具有錐形的通孔；以及<br/> 緊固螺栓，其螺紋連接於所述螺母的通孔和所述升降部，<br/> 通過改變所述緊固螺栓的緊固深度，以微調所述研磨頭的左右方向傾斜角度。
根據請求項6、7、9以及10中任一項所述的半導體材料研磨系統，其中，<br/> 所述緊固螺栓為平頭螺栓或者平頭螺絲。
根據請求項1所述的半導體材料研磨系統，其中，所述半導體材料研磨系統還包括：<br/> 回收拾取器，其拾取在所述半導體材料研磨裝置中結束研磨的半導體材料並傳遞至所述清洗部，<br/> 所述清洗部包括：<br/> 下部面清洗部，其設置於所述回收拾取器的輸送路徑上，並用於與被所述回收拾取器拾取的半導體材料的下面接觸而進行清洗；以及<br/> 隧道式清洗部，具備：清洗台，其將通過所述下部面清洗部下部面被清洗的半導體材料放置於上方，並可在前後方向移送；隧道式清洗腔室，其設置於所述清洗台的移送路徑上，在前方形成有入口且在後方形成有出口，在內側上方設置有向所述清洗台側噴射清洗水的清洗噴嘴；以及控制部，其通過控制所述清洗台的移送方向以及移送次數來一邊使所述清洗台前進後退一邊調節清洗次數。
根據請求項12所述的半導體材料研磨系統，其中，<br/> 所述半導體材料研磨系統還包括：<br/> 卸載部，其卸載從所述出口排出的結束清洗的材料，<br/> 所述卸載部，包括：<br/> 支承軌道，其從所述隧道式清洗腔室的出口的外側向所述隧道式清洗腔室內部側延伸形成，並可在左右方向調節寬度，從而將結束清洗的所述半導體材料支承於上部面；以及<br/> 牽引部，其沿著所述支承軌道移動，並引出支承於所述支承軌道的上方的所述半導體材料。
根據請求項13所述的半導體材料研磨系統，其中，<br/> 所述清洗台可升降設置，<br/> 當通過所述清洗噴嘴的清洗結束，則所述清洗台上升至所述支承軌道高度，在所述支承軌道改變成寬度小於所述半導體材料的寬度的狀態下，所述清洗台下降而將放置於所述清洗台的上方的半導體材料傳送至所述支承軌道。
根據請求項13所述的半導體材料研磨系統，其中，<br/> 在所述清洗台的一側設置有向上方噴射空氣的空氣噴嘴，<br/> 所述空氣噴嘴向傳遞至所述支承軌道的半導體材料的下部面噴射空氣。
根據請求項13所述的半導體材料研磨系統，其中，<br/> 在從所述出口排出結束清洗的所述半導體材料之後所述清洗台向所述入口側後退的期間，所述清洗噴嘴向所述清洗台側噴射清洗水而清洗所述清洗台。
根據請求項13所述的半導體材料研磨系統，其中，<br/> 所述隧道式清洗部還包括：<br/> 空氣噴嘴，其安裝於所述隧道式清洗腔室的內側上方，並向下方噴射空氣，<br/> 所述空氣噴嘴與所述清洗噴嘴一起噴射而清洗所述半導體材料的上部面或者所述清洗台的上部面，或者<br/> 單獨噴射而乾燥所述半導體材料的上部面或者所述清洗台的上部面。
根據請求項12所述的半導體材料研磨系統，其中，<br/> 所述隧道式清洗部包括：<br/> 第一空氣乾燥部，其設置於所述隧道式清洗腔室的出口上端，並向所述半導體材料的上部面噴射空氣；以及<br/> 第二空氣乾燥部，其設置於所述隧道式清洗腔室的出口下端，並向所述半導體材料的下部面噴射空氣，<br/> 所述第一空氣乾燥部和所述第二空氣乾燥部同軸配置。
根據請求項12所述的半導體材料研磨系統，其中，<br/> 所述清洗部還包括：<br/> 上部面清洗部，其設置於所述各個卡盤台的移送路徑上方，並清洗通過所述半導體材料研磨裝置研磨的所述半導體材料的上部面。
根據請求項1所述的半導體材料研磨系統，其中，<br/> 所述半導體材料研磨系統還包括：<br/> 回收拾取器，其拾取在所述半導體材料研磨裝置結束研磨的半導體材料並傳送至所述清洗部，<br/> 所述回收拾取器，包括：<br/> 第一回收拾取器，其拾取放置於所述卡盤台上方的結束研磨的半導體材料並傳遞至任意的卡盤台或者傳遞至所述清洗部；以及<br/> 第二回收拾取器，其在去除所述半導體材料的卡盤台傳遞要加工的新的半導體材料。
根據請求項1所述的半導體材料研磨系統，其中，<br/> 所述供應拾取器可旋轉地設置，<br/> 所述材料供應部還包括：<br/> 暗盒，其層疊有所述半導體材料；<br/> 引出單元，其引出或者投入層疊於所述暗盒的所述半導體材料中的任一個材料；以及<br/> 上視景或者下視景，所述上視景安裝於所述材料供應部的上側，以用於檢查從所述暗盒引出並供應的半導體材料的供應方向，所述下視景安裝於所述材料供應部的下側，<br/> 當根據所述上視景或者所述下視景的檢查結果而所述半導體材料的上下方向錯誤時，所述引出單元將所述半導體材料投入至所述暗盒，<br/> 當所述半導體材料的左右方向錯誤時，在所述供應拾取器拾取所述半導體材料的狀態下進行旋轉，從而轉換所述半導體材料的方向。
根據請求項1所述的半導體材料研磨系統，其中，<br/> 所述半導體材料研磨系統還包括：<br/> 下方視景，其安裝於所述供應拾取器的一側；以及<br/> 上方視景，其安裝於所述供應拾取器的輸送路徑下方，<br/> 所述上方視景檢查被所述供應拾取器拾取的所述半導體材料的對齊情況，<br/> 所述下方視景檢查被所述供應拾取器拾取的所述半導體材料要傳遞的所述卡盤台的對齊情況，<br/> 所述供應拾取器根據上方視景以及下方視景的對齊檢查結果將所述半導體材料傳送至所述卡盤台。
根據請求項1所述的半導體材料研磨系統，其中，<br/> 所述半導體材料研磨系統還包括：<br/> 檢查視景，其安裝於所述輸出部的上方，並檢查結束研磨以及清洗的半導體材料。
一種附防霧膜之樹脂基板，其具備樹脂基板、及上述樹脂基板之表面上之防霧膜，且 <br/>於下述試驗中，可讀取具有40 mm見方尺寸之QR碼之資訊，該試驗為：將附防霧膜之樹脂基板浸漬於25℃之水中100小時，自上述水中取出，並將上述防霧膜暴露在距離上述防霧膜鉛直方向下方60 mm處配置之90℃～100℃之水所產生的水蒸氣中30秒，使用攝影機，自與形成有上述防霧膜之側相反之側讀取QR碼之資訊，該QR碼之資訊係配置在距離上述防霧膜上述方向下方110 mm處，並且，判定能否進行讀取， <br/>上述防霧膜包含選自由矽烷偶合劑及來自矽烷偶合劑之交聯結構所組成之群中之至少1種、吸水性聚合物、聚醚改質矽氧烷、及碳數2～8之二醇， <br/>上述矽烷偶合劑包含矽烷偶合劑A、及符合選自由矽烷偶合劑B及矽烷偶合劑C所組成之群中之至少1種之矽烷偶合劑， <br/>上述矽烷偶合劑A具有胺基、矽原子、及與上述胺基及上述矽原子鍵結之碳數1～3之烴基， <br/>上述矽烷偶合劑B具有胺基、矽原子、及與上述胺基及上述矽原子鍵結之碳數4以上之烴基， <br/>上述矽烷偶合劑C係具有複數個胺基之聚合物； <br/>此處，上述QR碼係依據日本工業標準（JIS）X 0510：2018，按照21×21模組之符號尺寸及H等級之錯誤訂正規格，將作為上述資訊之字串「Rank：B」進行編碼所得之二維碼。
一種附防霧膜之樹脂基板，其具備樹脂基板、及上述樹脂基板之表面上之防霧膜， <br/>上述防霧膜包含吸水性聚合物， <br/>當實施下述試驗時，於暴露在下述水蒸氣中之上述防霧膜之上述表面形成有透明之連續膜，該試驗為：將附防霧膜之樹脂基板浸漬於25℃之水中100小時，自上述水中取出，並將上述防霧膜暴露在距離上述防霧膜鉛直方向下方60 mm處配置之90℃～100℃之水所產生之水蒸氣中30秒， <br/>上述防霧膜包含選自由矽烷偶合劑及來自矽烷偶合劑之交聯結構所組成之群中之至少1種、吸水性聚合物、聚醚改質矽氧烷、及碳數2～8之二醇， <br/>上述矽烷偶合劑包含矽烷偶合劑A、及符合選自由矽烷偶合劑B及矽烷偶合劑C所組成之群中之至少1種之矽烷偶合劑， <br/>上述矽烷偶合劑A具有胺基、矽原子、及與上述胺基及上述矽原子鍵結之碳數1～3之烴基， <br/>上述矽烷偶合劑B具有胺基、矽原子、及與上述胺基及上述矽原子鍵結之碳數4以上之烴基， <br/>上述矽烷偶合劑C係具有複數個胺基之聚合物。
一種附防霧膜之樹脂基板，其具備樹脂基板、及上述樹脂基板之表面上之防霧膜， <br/>上述防霧膜包含選自由矽烷偶合劑及來自矽烷偶合劑之交聯結構所組成之群中之至少1種、吸水性聚合物、聚醚改質矽氧烷、及碳數2～8之二醇， <br/>上述矽烷偶合劑包含矽烷偶合劑A、及符合選自由矽烷偶合劑B及矽烷偶合劑C所組成之群中之至少1種之矽烷偶合劑， <br/>上述矽烷偶合劑A具有胺基、矽原子、及與上述胺基及上述矽原子鍵結之碳數1～3之烴基， <br/>上述矽烷偶合劑B具有胺基、矽原子、及與上述胺基及上述矽原子鍵結之碳數4以上之烴基， <br/>上述矽烷偶合劑C係具有複數個胺基之聚合物。
如請求項1至3中任一項之附防霧膜之樹脂基板，其中，上述二醇包含丙二醇。
如請求項1至3中任一項之附防霧膜之樹脂基板，其中，上述吸水性聚合物包含聚乙烯縮醛樹脂。
如請求項1至3中任一項之附防霧膜之樹脂基板，其進而具備：上述防霧膜之表面上之保護片材；及 <br/>黏著層，其形成於上述樹脂基板之與形成有上述防霧膜之側相反之側之表面。
一種附防霧膜之透明物品，其具備請求項1至3中任一項之附防霧膜之樹脂基板。
一種塗布液，其包含矽烷偶合劑、吸水性聚合物、聚醚改質矽氧烷、及碳數2～8之二醇， <br/>上述矽烷偶合劑包含矽烷偶合劑A、及符合選自由矽烷偶合劑B及矽烷偶合劑C所組成之群中之至少1種之矽烷偶合劑， <br/>上述矽烷偶合劑A具有胺基、矽原子、及與上述胺基及上述矽原子鍵結之碳數1～3之烴基， <br/>上述矽烷偶合劑B具有胺基、矽原子、及與上述胺基及上述矽原子鍵結之碳數4以上之烴基， <br/>上述矽烷偶合劑C係具有複數個胺基之聚合物。
一種嵌入式矽酮水凝膠接觸鏡片，其包含： <br/>矽酮水凝膠本體材料和嵌入其中的插入物， <br/>其中，該插入物由具有第一折射率的交聯聚合物材料製成，其中該矽酮水凝膠本體材料具有第二折射率，其中該第一折射率比該第二折射率高至少0.07， <br/>其中，該插入物具有正彎曲表面、相反的背彎曲表面和小於13.0 mm的直徑，其中該插入物位於該嵌入式水凝膠接觸鏡片的中心部分，並且包含繞射結構，其設置在該正彎曲表面和背彎曲表面之一者上，用於提供有助於該接觸鏡片的總光功率之繞射功率，其中該繞射結構埋在該矽酮水凝膠本體材料內， <br/>其中，該嵌入式矽酮水凝膠接觸鏡片不易於分層，其藉由在顯微鏡下檢查時在密封包裝內於包裝溶液中在121°C下高壓滅菌約45分鐘後在該嵌入式矽酮水凝膠接觸鏡片內的該插入物與該矽酮水凝膠本體材料之間的介面處沒有氣泡所證實，其中該包裝溶液係具有7.1 ± 0.2的pH的磷酸鹽緩衝鹽水。
如請求項1所述之嵌入式矽酮水凝膠接觸鏡片，其中，該插入物的該交聯聚合物材料具有至少約1.47的折射率和/或至少約40巴勒(barrer)的透氧率，其中該插入物的該交聯聚合物材料包含按莫耳計至少50%的一種或多種丙烯酸類單體和/或交聯劑的重複單元（丙烯酸重複單元）。
如請求項2所述之嵌入式矽酮水凝膠接觸鏡片，其中，該插入物的該交聯聚合物材料包含至少一種芳基乙烯類單體的重複單元和/或至少一種芳基乙烯類交聯劑的重複單元。
如請求項3所述之嵌入式矽酮水凝膠接觸鏡片，其中，所述至少一種芳基乙烯類單體包括：丙烯酸2-乙基苯氧基酯；甲基丙烯酸2-乙基苯氧基酯；丙烯酸苯酯；甲基丙烯酸苯酯；丙烯酸苄酯；甲基丙烯酸苄酯；丙烯酸2-苯基乙酯；甲基丙烯酸2-苯基乙酯；丙烯酸3-苯基丙酯；甲基丙烯酸3-苯基丙酯；丙烯酸4-苯基丁酯；甲基丙烯酸4-苯基丁酯；丙烯酸4-甲基苯酯；甲基丙烯酸4-甲基苯酯；丙烯酸4-甲基苄酯；甲基丙烯酸4-甲基苄酯；丙烯酸2-(2-甲基苯基)乙酯；甲基丙烯酸2-(2-甲基苯基)乙酯；丙烯酸2-(3-甲基苯基)乙酯；甲基丙烯酸2-(3-甲基苯基)乙酯；丙烯酸2-(4-甲基苯基)乙酯；甲基丙烯酸2-(4-甲基苯基)乙酯；丙烯酸2-(4-丙基苯基)乙酯；甲基丙烯酸2-(4-丙基苯基)乙酯；丙烯酸2-(4-(1-甲基乙基)苯基)乙酯；甲基丙烯酸2-(4-(1-甲基乙基)苯基)乙酯；丙烯酸2-(4-甲氧基苯基)乙酯；甲基丙烯酸2-(4-甲氧基苯基)乙酯；丙烯酸2-(4-環己基苯基)乙酯；甲基丙烯酸2-(4-環己基苯基)乙酯；丙烯酸2-(2-氯苯基)乙酯；甲基丙烯酸2-(2-氯苯基)乙酯；丙烯酸2-(3-氯苯基)乙酯；甲基丙烯酸2-(3-氯苯基)乙酯；丙烯酸2-(4-氯苯基)乙酯；甲基丙烯酸2-(4-氯苯基)乙酯；丙烯酸2-(4-溴苯基)乙酯；甲基丙烯酸2-(4-溴苯基)乙酯；丙烯酸2-(3-苯基苯基)乙酯；甲基丙烯酸2-(3-苯基苯基)乙酯；丙烯酸2-(4-苯基苯基)乙酯；甲基丙烯酸2-(4-苯基苯基)乙酯；丙烯酸2-(4-苄基苯基)乙酯；甲基丙烯酸2-(4-苄基苯基)乙酯；丙烯酸2-(苯基硫基)乙酯；甲基丙烯酸2-(苯基硫基)乙酯；丙烯酸2-苄氧基乙酯；丙烯酸3-苄氧基丙酯；甲基丙烯酸2-苄氧基乙酯；甲基丙烯酸3-苄氧基丙酯；丙烯酸2-[2-(苄氧基)乙氧基]乙酯；甲基丙烯酸2-[2-(苄氧基)乙氧基]乙酯；苯乙烯、2,5-二甲基苯乙烯、2-(三氟甲基)苯乙烯、2-氯苯乙烯、3,4-二甲氧基苯乙烯、3-氯苯乙烯、3-溴苯乙烯、3-乙烯基苯甲醚、3-甲基苯乙烯、4-溴苯乙烯、4-三級丁基苯乙烯、對苯乙烯基三甲氧基矽烷、苯乙烯基乙基三甲氧基矽烷、2,3,4,5,6-五氟苯乙烯、2,4-二甲基苯乙烯、1-甲氧基-4-乙烯基苯、1-氯-4-乙烯基苯、1-甲基-4-乙烯基苯、1-(氯甲基)-4-乙烯基苯、1-(溴甲基)-4-乙烯基苯、3-硝基苯乙烯、1,2-乙烯基苯基苯、1,3-乙烯基苯基苯、1,4-乙烯基苯基苯、4-乙烯基-1,1'-(4'-苯基)伸聯苯基、1-乙烯基-4-(苯氧基)苯、1-乙烯基-3-(苯氧基)苯、1-乙烯基-2-(苯氧基)苯、1-乙烯基-4-(苯基羰基)苯、1-乙烯基-3-(苯基羧基)苯、1-乙烯基-2-(苯氧基羰基)苯、烯丙基苯基醚、2-聯苯基烯丙基醚、烯丙基4-苯氧基苯基醚、烯丙基2,4,6-三溴苯基醚、烯丙基苯基碳酸酯、1-烯丙氧基-2-三氟甲基苯、烯丙基苯、1-苯基-2-丙-2-烯基苯、4-苯基-1-丁烯、4-苯基-1-丁烯-4-醇、1-(4-甲基苯基)-3-丁烯-1-醇、1-(4-氯苯基)-3-丁烯-1-醇、4-烯丙基甲苯、1-烯丙基-4-氟苯、1-烯丙基-2-甲基苯、1-烯丙基-3-甲基苯、1-烯丙基-3-甲基苯、2-烯丙基苯甲醚、4-烯丙基苯甲醚、1-烯丙基-4-(三氟甲基)苯、烯丙基五氟苯、1-烯丙基-2-甲氧基苯、4-烯丙基-1,2-二甲氧基苯、2-烯丙基苯酚、2-烯丙基-6-甲基苯酚、4-烯丙基-2-甲氧基苯酚、2-烯丙氧基苯甲醚、4-烯丙基-2-甲氧基苯基乙酸酯、2-烯丙基-6-甲氧基苯酚、1-烯丙基-2-溴苯、α-乙烯基苄基醇、1-苯基-3-丁烯-1-酮、烯丙基苄基醚、(3-烯丙氧基)丙基)苯、烯丙基苯基乙基醚、1-苄氧基-4-戊烯、(1-烯丙氧基)乙基)苯、1-苯基烯丙基乙基醚、(2-甲基-2-(2-丙烯氧基)丙基)苯、((5-己烯氧基)甲基)苯、1-烯丙氧基-4-丙氧基苯、1-苯氧基-4-(3-丙-2-烯氧基丙氧基)苯、6-(4'-羥基苯氧基)-1-己烯、4-丁-3-烯氧基苯酚、1-烯丙氧基-4-丁氧基苯、1-烯丙氧基-4-乙氧基苯、1-烯丙基-4-苄氧基苯、1-烯丙基-4-(苯氧基)苯、1-烯丙基-3-(苯氧基)苯、1-烯丙基-2-(苯氧基)苯、1-烯丙基-4-(苯基羰基)苯、1-烯丙基-3-(苯基羧基）苯、1-烯丙基-2-(苯氧基羰基)苯、1,2-烯丙基苯基苯、1,3-烯丙基苯基苯、1,4-烯丙基苯基苯、4-乙烯基-1,1'-(4'-苯基)伸聯苯基、1-烯丙基-4-(苯氧基)苯、1-烯丙基-3-(苯氧基)苯、1-烯丙基-2-(苯氧基)苯、1-烯丙基-4-(苯基羰基)苯、1-烯丙基-3-(苯基羧基)苯、和1-烯丙基-2-(苯氧基羰基)苯、1-乙烯基萘、2-乙烯基萘、1-烯丙基萘、2-烯丙基萘、烯丙基-2-萘基醚、2-(2-甲基丙-2-烯基)萘、2-丙-2-烯基萘、4-(2-萘基)-1-丁烯、1-(3-丁烯基)萘、1-烯丙基萘、2-烯丙基萘、1-烯丙基-4-萘基萘、2-(烯丙氧基)-1-溴萘、2-溴-6-烯丙氧基萘、1,2-乙烯基(1-萘基)苯、1,2-乙烯基(2-萘基)苯、1,3-乙烯基(1-萘基)苯、1,3-乙烯基(2-萘基)苯、1,4-乙烯基(1-萘基)苯、1,4-乙烯基(2-萘基)苯、1-萘基-4-乙烯基萘、1-烯丙基萘、2-烯丙基萘、1,2-烯丙基(1-萘基)苯、1,2-烯丙基(2-萘基)苯、1,3-烯丙基(1-萘基)苯、1,3-烯丙基(2-萘基)苯、1,4-烯丙基(1-萘基)苯、1,4-烯丙基(2-萘基)苯、1-烯丙基-4-萘基萘、1-乙烯基蒽、2-乙烯基蒽、9-乙烯基蒽、1-烯丙基蒽、2-烯丙基蒽、9-烯丙基蒽、9-戊-4-烯基蒽、9-烯丙基-1,2,3,4-四氯蒽、1-乙烯基菲、2-乙烯基菲、3-乙烯基菲、4-乙烯基菲、9-乙烯基菲、1-烯丙基菲、2-烯丙基菲、3-烯丙基菲、4-烯丙基菲、9-烯丙基菲、或其組合； <br/>其中，所述至少一種芳基乙烯類交聯劑包括二乙烯基苯、2-甲基-1,4-二乙烯基苯、雙(4-乙烯基苯基)甲烷、1,2-雙(4-乙烯基苯基)乙烷、1,4-二異丙烯基苯、1,2-雙(4-乙烯基苯基)-1,2-乙二醇、1,3-雙-甲基丙烯醯氧基-苯、1,4-二甲基丙烯酸伸苯酯、雙酚A二甲基丙烯酸酯、雙酚A甘油二甲基丙烯酸酯、2,5-雙{[2-(甲基丙烯醯氧基)乙氧基]羰基}-對苯二甲酸、4-(甲基丙烯醯氧基)苯乙烯、丙烯酸2-[2-(苄氧基)乙氧基]乙酯；甲基丙烯酸2-[2-(苄氧基)乙氧基]乙酯、或其組合。
如請求項2所述之嵌入式矽酮水凝膠接觸鏡片，其中，該插入物的該交聯聚合物材料包含高RI聚二有機矽氧烷乙烯類交聯劑的重複單元，其包含：(1) 包括含芳基的矽氧烷單元的聚二有機矽氧烷鏈段，每個含芳基的矽氧烷單元具有一個具有最高達45個碳原子和至少一個芳基部分的有機取代基，該芳基部分藉由具有至少2個碳原子的連接基連接至Si原子；和 (2) 烯鍵式不飽和基團。
如請求項5所述之嵌入式矽酮水凝膠接觸鏡片，其中該高RI聚二有機矽氧烷乙烯類交聯劑具有至少1000道耳頓的數目平均分子量，且包含聚二有機矽氧烷鏈段，該聚二有機矽氧烷鏈段包含按莫耳計至少30%的該含芳基的矽氧烷單元。
如請求項5所述之嵌入式矽酮水凝膠接觸鏡片，其中，該高RI聚二有機矽氧烷乙烯類交聯劑由式 (1) 定義 <br/><figure num="5"><img align="absMiddle" height="78px" width="414px" file="ed10058.jpg" alt="ed10058.jpg" img-content="jpg" img-format="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/></figure><br/>其中： <br/>υ1係從1至400的整數； <br/>ω1係從1至800的整數； <br/>E<sub>1</sub>係<figure num="16"><img align="absMiddle" height="36px" width="147px" file="ed10059.jpg" alt="ed10059.jpg" img-content="jpg" img-format="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>的一價基團； <br/>R<sub>0</sub>係氫或甲基； <br/>a1係零或1； <br/>X<sub>0</sub>係O或NR<sub>N1</sub>； <br/>R<sub>N1</sub>係氫或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基； <br/>L<sub>0</sub>係C<sub>2</sub>-C<sub>8</sub>伸烷基二價基團，或者<figure num="46"><img align="absMiddle" height="28px" width="120px" file="ed10060.jpg" alt="ed10060.jpg" img-content="jpg" img-format="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>、<figure num="48"><img align="absMiddle" height="36px" width="144px" file="ed10061.jpg" alt="ed10061.jpg" img-content="jpg" img-format="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>、<figure num="50"><img align="absMiddle" height="36px" width="192px" file="ed10062.jpg" alt="ed10062.jpg" img-content="jpg" img-format="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>、或<figure num="52"><img align="absMiddle" height="36px" width="228px" file="ed10063.jpg" alt="ed10063.jpg" img-content="jpg" img-format="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>的二價基團； <br/>L<sub>0</sub>’係C<sub>2</sub>-C<sub>8</sub>伸烷基二價基團； <br/>L<sub>0</sub>”係C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>伸烷基二價基團； <br/>X<sub>1</sub>係-O-、-NR<sub>N1</sub>-、-NHCOO-、-OCONH-、-CONR<sub>N1</sub>-或-NR<sub>N1</sub>CO-； <br/>q1係1至10的整數； <br/>AR係芳基； <br/>L<sub>AR</sub>係<figure num="88"><img align="absMiddle" height="40px" width="188px" file="ed10064.jpg" alt="ed10064.jpg" img-content="jpg" img-format="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>的二價基團 <br/>L<sub>e</sub>係<figure num="94"><img align="absMiddle" height="30px" width="145px" file="ed10065.jpg" alt="ed10065.jpg" img-content="jpg" img-format="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>、<figure num="96"><img align="absMiddle" height="30px" width="185px" file="ed10066.jpg" alt="ed10066.jpg" img-content="jpg" img-format="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>、<figure num="98"><img align="absMiddle" height="30px" width="215px" file="ed10067.jpg" alt="ed10067.jpg" img-content="jpg" img-format="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>、<figure num="100"><img align="absMiddle" height="30px" width="265px" file="ed10068.jpg" alt="ed10068.jpg" img-content="jpg" img-format="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>、<figure num="102"><img align="absMiddle" height="30px" width="140px" file="ed10069.jpg" alt="ed10069.jpg" img-content="jpg" img-format="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>、<figure num="104"><img align="absMiddle" height="30px" width="175px" file="ed10070.jpg" alt="ed10070.jpg" img-content="jpg" img-format="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>、<figure num="106"><img align="absMiddle" height="45px" width="195px" file="ed10071.jpg" alt="ed10071.jpg" img-content="jpg" img-format="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>、<figure num="108"><img align="absMiddle" height="45px" width="195px" file="ed10072.jpg" alt="ed10072.jpg" img-content="jpg" img-format="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>、<figure num="110"><img align="absMiddle" height="60px" width="280px" file="ed10073.jpg" alt="ed10073.jpg" img-content="jpg" img-format="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>、<figure num="112"><img align="absMiddle" height="60px" width="255px" file="ed10074.jpg" alt="ed10074.jpg" img-content="jpg" img-format="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>、<figure num="114"><img align="absMiddle" height="50px" width="155px" file="ed10075.jpg" alt="ed10075.jpg" img-content="jpg" img-format="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>、<figure num="116"><img align="absMiddle" height="70px" width="140px" file="ed10076.jpg" alt="ed10076.jpg" img-content="jpg" img-format="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>、或<figure num="118"><img align="absMiddle" height="55px" width="185px" file="ed10077.jpg" alt="ed10077.jpg" img-content="jpg" img-format="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>的二價基團； <br/>a2係零或1或2； <br/>a3係零或1； <br/>R<sub>1</sub>係直鏈或支鏈的C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>伸烷基二價基團，其視需要被C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷氧基、羥基、羧基、胺基、側氧基、或其組合取代； <br/>R<sub>2</sub>係直鏈或支鏈的C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>伸烷基二價基團； <br/>R<sub>3</sub>係直接鍵或直鏈或支鏈的C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>伸烷基二價基團； <br/>X<sub>AR</sub>和每個X<sub>2</sub>彼此獨立地是-O-、-S-、<figure num="158"><img align="absMiddle" height="45px" width="100px" file="ed10078.jpg" alt="ed10078.jpg" img-content="jpg" img-format="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>、<figure num="160"><img align="absMiddle" height="50px" width="80px" file="ed10079.jpg" alt="ed10079.jpg" img-content="jpg" img-format="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>、<figure num="162"><img align="absMiddle" height="45px" width="85px" file="ed10080.jpg" alt="ed10080.jpg" img-content="jpg" img-format="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>、-NR<sub>N2</sub>-、-NHCOO-、-OCONH-、-NHCONR<sub>N2</sub>-、-NR<sub>N2</sub>CONH-、<figure num="170"><img align="absMiddle" height="60px" width="165px" file="ed10081.jpg" alt="ed10081.jpg" img-content="jpg" img-format="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>、<figure num="172"><img align="absMiddle" height="65px" width="165px" file="ed10082.jpg" alt="ed10082.jpg" img-content="jpg" img-format="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>、<figure num="174"><img align="absMiddle" height="60px" width="150px" file="ed10083.jpg" alt="ed10083.jpg" img-content="jpg" img-format="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>、<figure num="176"><img align="absMiddle" height="60px" width="155px" file="ed10084.jpg" alt="ed10084.jpg" img-content="jpg" img-format="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>、<figure num="178"><img align="absMiddle" height="60px" width="155px" file="ed10085.jpg" alt="ed10085.jpg" img-content="jpg" img-format="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>、<figure num="180"><img align="absMiddle" height="65px" width="160px" file="ed10086.jpg" alt="ed10086.jpg" img-content="jpg" img-format="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>、-CONR<sub>N2</sub>-、-NR<sub>N2</sub>CO-、<figure num="186"><img align="absMiddle" height="60px" width="130px" file="ed10087.jpg" alt="ed10087.jpg" img-content="jpg" img-format="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>、<figure num="188"><img align="absMiddle" height="60px" width="130px" file="ed10088.jpg" alt="ed10088.jpg" img-content="jpg" img-format="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>、<figure num="190"><img align="absMiddle" height="60px" width="120px" file="ed10089.jpg" alt="ed10089.jpg" img-content="jpg" img-format="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>、<figure num="192"><img align="absMiddle" height="60px" width="125px" file="ed10090.jpg" alt="ed10090.jpg" img-content="jpg" img-format="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>、<figure num="194"><img align="absMiddle" height="60px" width="130px" file="ed10091.jpg" alt="ed10091.jpg" img-content="jpg" img-format="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>、<figure num="196"><img align="absMiddle" height="65px" width="135px" file="ed10092.jpg" alt="ed10092.jpg" img-content="jpg" img-format="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>、-NHCOS-、-SCONH-、-COO-或-OCO-的共價鍵或共價連接鍵； <br/>R<sub>N2</sub>係氫、直鏈或支鏈的C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、環己基、環戊基、取代或未經取代的苯基、或經取代的-或未經取代的-苯基-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基； <br/>每個L<sub>x</sub>獨立地是直鏈或支鏈的視需要具有一個或多個羥基或C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>-烷氧基或C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>-醯基胺基的C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>伸烷基二價基團、<figure num="226"><img align="absMiddle" height="35px" width="500px" file="ed10093.jpg" alt="ed10093.jpg" img-content="jpg" img-format="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>、<figure num="228"><img align="absMiddle" height="50px" width="285px" file="ed10094.jpg" alt="ed10094.jpg" img-content="jpg" img-format="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>、<figure num="230"><img align="absMiddle" height="50px" width="260px" file="ed10095.jpg" alt="ed10095.jpg" img-content="jpg" img-format="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>或視需要具有一個或多個羥基或C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>-烷氧基並且是藉由從烴的兩個不同原子處除去兩個氫原子獲得的二價基團，該烴具有最高達20個碳原子並且包含至少一個選自由以下組成之群組的二價基團：伸環烷基、經取代的伸環烷基、伸苯基、經取代的伸苯基、伸環雜烷基、和經取代的伸環雜烷基；並且 <br/>每個R<sub>4</sub>、R<sub>5</sub>和R<sub>6</sub>彼此獨立地是具有零個或一個羥基的直鏈或支鏈的C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>伸烷基二價基團。
如請求項7所述之嵌入式矽酮水凝膠接觸鏡片，其中，在式 (1) 中，a1係零並且X<sub>0</sub>係O或NR<sub>N1</sub>。
如請求項8所述之嵌入式矽酮水凝膠接觸鏡片，其中，在式 (1) 中，ω1/(υ1 + ω1)係從約0.30至約0.95。
如請求項9所述之嵌入式矽酮水凝膠接觸鏡片，其中，在式 (1) 中，AR係苯基、經取代的苯基、萘基、經取代的萘基、蒽基、經取代的蒽基、菲基、或經取代的菲基。
如請求項9所述之嵌入式矽酮水凝膠接觸鏡片，其中，在式 (1) 中，AR係<figure num="4"><img align="absMiddle" height="110px" width="115px" file="ed10096.jpg" alt="ed10096.jpg" img-content="jpg" img-format="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>或<figure num="6"><img align="absMiddle" height="80px" width="150px" file="ed10097.jpg" alt="ed10097.jpg" img-content="jpg" img-format="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>的一價基團，其中R<sub>7</sub>、R<sub>8</sub>、R<sub>9</sub>、R<sub>10</sub>、R<sub>11</sub>、R<sub>12</sub>和R<sub>13</sub>彼此獨立地是H、Cl、Br、F、CF<sub>3</sub>、CCl<sub>3</sub>、C<sub>1</sub>-C<sub>5</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>5</sub>烷氧基、C<sub>2</sub>-C<sub>5</sub>醯氧基、OH、苯基、苯氧基、苄氧基、苯基羰基、苯氧基羰基、苯基羧基（苯基羰基氧基）、或萘基。
如請求項1至11中任一項所述之嵌入式矽酮水凝膠接觸鏡片，其中，該插入物的該交聯聚合物材料進一步包含：(a) 至少一種第一疏水性非矽酮乙烯類單體的重複單元；(b) 至少一種第一非矽酮乙烯類交聯劑的重複單元；(c) 至少一種第一可聚合材料的重複單元，該至少一種第一可聚合材料選自由以下組成之群組：第一UV吸收性乙烯類單體、第一UV/高能紫光（「HEVL」）吸收性乙烯類單體、第一可聚合光致變色化合物、第一可聚合著色劑、及其組合；或 (d) 其組合。
如請求項1至11中任一項所述之嵌入式矽酮水凝膠接觸鏡片，其中，該矽酮水凝膠本體材料包含 (1) 至少一種包含至少0.5 meq/g的H-鍵供體的含矽酮的可聚合組分的重複單元，和 (2) 至少一種親水性乙烯類單體的重複單元。
如請求項13所述之嵌入式矽酮水凝膠接觸鏡片，其中，該含矽酮的可聚合組分包含第一含矽酮的乙烯類單體、第一含矽酮的乙烯類交聯劑、或兩者，其中該第一含矽酮的乙烯類單體選自由以下組成之群組：[3-（甲基）丙烯醯氧基-2-羥基丙氧基]丙基-雙(三甲基矽烷氧基)甲基矽烷、[3-（甲基）丙烯醯氧基-2-羥基丙氧基]丙基-雙(三甲基矽烷氧基)丁基矽烷、3-（甲基）丙烯醯氧基-2-(2-羥基乙氧基)-丙氧基)丙基雙(三甲基矽烷氧基)甲基矽烷、3-（甲基）丙烯醯氧基-2-羥基丙氧基)丙基-三(三甲基矽烷氧基)矽烷、N-[三(三甲基矽烷氧基)矽基丙基]-（甲基）丙烯醯胺、N-(2-羥基-3-(3-(雙(三甲基矽烷氧基)甲基矽基)丙氧基)丙基)-2-甲基（甲基）丙烯醯胺、N-(2-羥基-3-(3-(雙(三甲基矽烷氧基)甲基矽基)丙氧基)丙基)（甲基）丙烯醯胺、N-(2-羥基-3-(3-(三(三甲基矽烷氧基)矽基)丙氧基)丙基)-2-甲基丙烯醯胺、N-(2-羥基-3-(3-(三(三甲基矽烷氧基)矽基)丙氧基)丙基)（甲基）丙烯醯胺、N-[三(二甲基丙基矽烷氧基)矽基丙基]-（甲基）丙烯醯胺、N-[三(二甲基苯基矽烷氧基)-矽基丙基]（甲基）丙烯醯胺、N-[三(二甲基乙基矽烷氧基)-矽基丙基]（甲基）丙烯醯胺、N,N-雙[2-羥基-3-(3-(雙(三甲基矽烷氧基)甲基矽基)-丙氧基)-丙基]-2-甲基（甲基）丙烯醯胺、N,N-雙[2-羥基-3-(3-(雙(三甲基矽烷氧基)甲基矽基)丙氧基)-丙基]（甲基）丙烯醯胺、N,N-雙[2-羥基-3-(3-(三(三甲基矽烷氧基)矽基)丙氧基)-丙基]-2-甲基（甲基）丙烯醯胺、N,N-雙[2-羥基-3-(3-(三(三甲基矽烷氧基)矽基)-丙氧基)丙基]（甲基）丙烯醯胺、N-[2-羥基-3-(3-(三級丁基二甲基矽基)丙氧基)-丙基]-2-甲基（甲基）丙烯醯胺、N-[2-羥基-3-(3-(三級丁基二甲基矽基)丙氧基)-丙基]（甲基）丙烯醯胺、N,N-雙[2-羥基-3-(3-(三級丁基二甲基矽基)丙氧基)丙基]-2-甲基（甲基）丙烯醯胺、N-2-（甲基）丙烯醯氧基乙基-O-(甲基-雙-三甲基矽烷氧基-3-丙基)矽基胺基甲酸酯、3-[三(三甲基矽烷氧基)矽基]丙基乙烯基胺基甲酸酯、3-[三(三甲基矽烷氧基)矽基]丙基烯丙基胺基甲酸酯、具有2000道耳頓或更小的數目平均分子量的α-（甲基）丙烯醯氧基封端的ω-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>-羥烷基封端的聚二甲基矽氧烷、具有2000道耳頓或更小的數目平均分子量的α-（甲基）丙烯醯胺基封端的ω-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>-羥烷基封端的聚二甲基矽氧烷、具有2000道耳頓或更小的數目平均分子量的α-（甲基）丙烯醯氧基-2-羥基丙氧基丙基封端的ω-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>-烷基封端的聚二甲基矽氧烷、α-(2-羥基-甲基丙烯醯氧基丙氧基丙基)-ω-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>-烷基-十甲基-五矽氧烷、具有2000道耳頓或更小的數目平均分子量的α-[3-（甲基）丙烯醯氧基乙氧基-2-羥基丙氧基丙基]封端的ω-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>-烷基封端的聚二甲基矽氧烷、具有2000道耳頓或更小的數目平均分子量的α-[3-（甲基）丙烯醯氧基-丙氧基-2-羥基丙氧基丙基]封端的ω-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>-烷基封端的聚二甲基矽氧烷、具有2000道耳頓或更小的數目平均分子量的α-[3-（甲基）丙烯醯氧基異丙氧基-2-羥基丙氧基丙基]封端的ω-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>-烷基封端的聚二甲基矽氧烷、具有2000道耳頓或更小的數目平均分子量的α-[3-（甲基）丙烯醯氧基丁氧基-2-羥基丙氧基丙基]封端的ω-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>-烷基封端的聚二甲基矽氧烷、具有2000道耳頓或更小的數目平均分子量的α-[3-（甲基）丙烯醯氧基乙胺基-2-羥基丙氧基丙基]封端的ω-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>-烷基封端的聚二甲基矽氧烷、具有2000道耳頓或更小的數目平均分子量的α-[3-（甲基）丙烯醯氧基丙胺基-2-羥基丙氧基-丙基]封端的ω-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>-烷基封端的聚二甲基矽氧烷、具有2000道耳頓或更小的數目平均分子量的α-[3-（甲基）丙烯醯氧基-丁胺基-2-羥基丙氧基丙基]封端的ω-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>-烷基封端的聚二甲基矽氧烷、具有2000道耳頓或更小的數目平均分子量的α-（甲基）丙烯醯氧基-(聚乙氧基)-2-羥基丙氧基丙基]封端的ω-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>-烷基封端的聚二甲基矽氧烷、具有2000道耳頓或更小的數目平均分子量的α-[（甲基）丙烯醯氧基-2-羥基丙氧基-乙氧基丙基]封端的ω-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>-烷基封端的聚二甲基矽氧烷、具有2000道耳頓或更小的數目平均分子量的α-[（甲基）丙烯醯氧基-2-羥丙基-N-乙基胺基丙基]封端的ω-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>-烷基封端的聚二甲基矽氧烷、具有2000道耳頓或更小的數目平均分子量的α-[（甲基）丙烯醯氧基-2-羥丙基-胺丙基]封端的ω-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>-烷基封端的聚二甲基矽氧烷、具有2000道耳頓或更小的數目平均分子量的α-[（甲基）丙烯醯氧基-2-羥基丙氧基-(聚乙氧基)丙基]封端的ω-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>-烷基封端的聚二甲基矽氧烷、具有2000道耳頓或更小的數目平均分子量的α-（甲基）丙烯醯胺基丙氧基丙基封端的ω-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>-烷基封端的聚二甲基矽氧烷、具有2000道耳頓或更小的數目平均分子量的α-[3-（甲基）丙烯醯胺基乙氧基-2-羥基丙氧基-丙基]封端的ω-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>-烷基聚二甲基矽氧烷、具有2000道耳頓或更小的數目平均分子量的α-[3-（甲基）丙烯醯胺基丙氧基-2-羥基丙氧基丙基]封端的ω-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>-烷基封端的聚二甲基矽氧烷、具有2000道耳頓或更小的數目平均分子量的α-[3-（甲基）丙烯醯胺基異丙氧基-2-羥基丙氧基丙基]封端的ω-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>-烷基封端的聚二甲基矽氧烷、具有2000道耳頓或更小的數目平均分子量的α-[3-（甲基）丙烯醯胺丁氧基-2-羥基丙氧基丙基]封端的ω-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>-烷基封端的聚二甲基矽氧烷、具有2000道耳頓或更小的數目平均分子量的α-[3-（甲基）丙烯醯胺基-2-羥基丙氧基丙基]封端的ω-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>-烷基聚二甲基矽氧烷、具有2000道耳頓或更小的數目平均分子量的α-[3-[N-甲基-（甲基）丙烯醯胺基]-2-羥基丙氧基丙基]封端的ω-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>-烷基封端的聚二甲基矽氧烷、N-(2,3-二羥基丙烷)-N'-(丙基四(二甲基矽烷氧基)-二甲基丁基矽烷)（甲基）丙烯醯胺、（甲基）丙烯醯胺基丙基四(二甲基矽烷氧基)-二甲基丁基矽烷、α-碳酸乙烯酯封端的ω-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>-烷基封端的聚二甲基矽氧烷、α-胺基甲酸乙烯酯封端的ω-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>-烷基封端的聚二甲基矽氧烷、及其組合，其中該第一含矽酮的乙烯類交聯劑選自由以下組成之群組：具有4000道耳頓或更小的數目平均分子量的二-（甲基）丙烯醯胺基封端的聚矽氧烷乙烯類交聯劑、具有4000道耳頓或更小的數目平均分子量的α,ω-雙[3-（甲基）丙烯醯氧基-2-羥基丙氧基丙基]封端的聚二甲基矽氧烷、具有4000道耳頓或更小的數目平均分子量的α,ω-雙[3-（甲基）丙烯醯氧基乙氧基-2-羥基丙氧基丙基]封端的聚二甲基矽氧烷、具有4000道耳頓或更小的數目平均分子量的α,ω-雙[3-（甲基）丙烯醯氧基丙氧基-2-羥基丙氧基丙基]封端的聚二甲基矽氧烷、具有4000道耳頓或更小的數目平均分子量的α,ω-雙[3-（甲基）丙烯醯氧基-異丙氧基-2-羥基丙氧基丙基]封端的聚二甲基矽氧烷、具有4000道耳頓或更小的數目平均分子量的α,ω-雙[3-（甲基）丙烯醯氧基丁氧基-2-羥基丙氧基丙基]封端的聚二甲基矽氧烷、具有8000道耳頓或更小的數目平均分子量的α,ω-雙[3-（甲基）丙烯醯胺基乙氧基-2-羥基丙氧基丙基]封端的聚二甲基矽氧烷、具有8000道耳頓或更小的數目平均分子量的α,ω-雙[3-（甲基）丙烯醯胺基丙氧基-2-羥基丙氧基丙基]封端的聚二甲基矽氧烷、具有4000道耳頓或更小的數目平均分子量的α,ω-雙[3-（甲基）丙烯醯胺基異丙氧基-2-羥基丙氧基丙基]封端的聚二甲基矽氧烷、具有8000道耳頓或更小的數目平均分子量的α,ω-雙[3-（甲基）丙烯醯胺基丁氧基-2-羥基丙氧基丙基]封端的聚二甲基矽氧烷、具有8000道耳頓或更小的數目平均分子量的α,ω-雙[3-（甲基）丙烯醯氧基乙基胺基-2-羥基丙氧基丙基]封端的聚二甲基矽氧烷、具有8000道耳頓或更小的數目平均分子量的α,ω-雙[3-（甲基）丙烯醯氧基丙基胺基-2-羥基丙氧基丙基]封端的聚二甲基矽氧烷、具有8000道耳頓或更小的數目平均分子量的α,ω-雙[3-（甲基）丙烯醯氧基丁基胺基-2-羥基丙氧基丙基]封端的聚二甲基矽氧烷、具有12000道耳頓或更小的數目平均分子量的α,ω-雙[（甲基）丙烯醯胺基乙基胺基-2-羥基丙氧基-丙基]封端的聚二甲基矽氧烷、具有4000道耳頓或更小的數目平均分子量的α,ω-雙[3-（甲基）丙烯醯胺基丙基胺基-2-羥基丙氧基丙基]封端的聚二甲基矽氧烷、具有4000道耳頓或更小的數目平均分子量的α,ω-雙[3-（甲基）丙烯醯胺-丁基胺基-2-羥基丙氧基丙基]封端的聚二甲基矽氧烷、具有4000道耳頓或更小的數目平均分子量的α,ω-雙[（甲基）丙烯醯氧基-2-羥基丙氧基-乙氧基丙基]封端的聚二甲基矽氧烷、具有12000道耳頓或更小的數目平均分子量的α,ω-雙[（甲基）丙烯醯氧基-2-羥基丙基-N-乙基胺基丙基]封端的聚二甲基矽氧烷、具有8000道耳頓或更小的數目平均分子量的α,ω-雙[（甲基）丙烯醯氧基-2-羥基丙基-胺基丙基]-聚二甲基矽氧烷、具有4000道耳頓或更小的數目平均分子量的α,ω-雙[（甲基）丙烯醯氧基-2-羥基丙氧基-(聚乙烯氧基)丙基]封端的聚二甲基矽氧烷、具有4000道耳頓或更小的數目平均分子量的α,ω-雙[（甲基）丙烯醯氧基乙基-胺基-羰基氧基-乙氧基丙基]封端的聚二甲基矽氧烷、具有4000道耳頓或更小的數目平均分子量的α,ω-雙[（甲基）丙烯醯氧基乙基胺基-羰基氧基-(聚乙烯氧基)丙基]封端的聚二甲基矽氧烷，二-（甲基）丙烯醯氧基封端或二-（甲基）丙烯醯胺基封端的擴鏈聚矽氧烷乙烯類交聯劑，其各自包含至少兩個聚矽氧烷鏈段和每對聚矽氧烷鏈段之間以及一個（甲基）丙烯醯氧基與一個聚矽氧烷鏈段之間的連接鍵，並且每個連接鍵具有至少一個H-鍵供體；具有二甲基矽氧烷單元和親水化矽氧烷單元的聚矽氧烷乙烯類交聯劑，每個單元具有一個甲基取代基和一個單價C<sub>4</sub>-C<sub>40</sub>有機基團取代基，該取代基具有至少一個H-鍵供體，及其組合。
如請求項13所述之嵌入式矽酮水凝膠接觸鏡片，其中，該含矽酮的可聚合組分包含第一含矽酮的乙烯類交聯劑，該第一含矽酮的乙烯類交聯劑包含至少兩個脲烷連接鍵（-O-CO-NH-）、至少兩個脲連接鍵（-NH-CO-NH-）、至少兩個羥基基團、或其組合。
如請求項13所述之嵌入式矽酮水凝膠接觸鏡片，其中，所述至少一種親水性乙烯類單體包括至少一種烷基（甲基）丙烯醯胺、至少一種含羥基的丙烯酸類單體、至少一種含胺基的丙烯酸類單體、至少一種含羧基的丙烯酸類單體、至少一種N-乙烯基醯胺單體、至少一種含亞甲基的吡咯啶酮單體、至少一種具有C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷氧基乙氧基的丙烯酸類單體、至少一種乙烯基醚單體、至少一種烯丙基醚單體、至少一種含磷醯膽鹼的乙烯類單體、N-2-羥乙基乙烯基胺基甲酸酯、N-羧基乙烯基-β-丙胺酸（VINAL）、N-羧基乙烯基-α-丙胺酸、或其組合。
如請求項14所述之嵌入式矽酮水凝膠接觸鏡片，其中，該矽酮水凝膠本體材料進一步包含：至少一種不同於該第一含矽酮的乙烯類單體之第二含矽酮的乙烯類單體和/或不同於該第一含矽酮的乙烯類交聯劑之第二含矽酮的乙烯類交聯劑的重複單元；至少一種第二疏水性非矽酮乙烯類單體的重複單元；至少一種第二非矽酮乙烯類交聯劑的重複單元；至少一種第二可聚合材料的重複單元，該至少一種第二可聚合材料選自由以下組成之群組：第二UV吸收性乙烯類單體、第二UV/高能紫光（「HEVL」）吸收性乙烯類單體、第二可聚合光致變色化合物、第二可聚合著色劑（可聚合染料）、及其組合；或其組合。
如請求項17所述之嵌入式矽酮水凝膠接觸鏡片，其中，所述至少一種第一非矽酮乙烯類交聯劑和所述至少一種第二非矽酮乙烯類交聯劑彼此獨立地選自由以下組成之群組：甲基丙烯酸烯丙酯、丙烯酸烯丙酯、異氰脲酸三烯丙酯、2,4,6-三烯丙氧基-1,3,5-三<figure num="3"><img align="absmiddle" height="27px" width="22px" file="d10001.TIF" alt="ed10001.png" img-content="tif" img-format="png" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/></figure>、1,2,4-三乙烯基環己烷、二甲基丙烯酸乙二醇酯；乙二醇二丙烯酸酯；1,3-丙二醇二丙烯酸酯；1,3-丙二醇二甲基丙烯酸酯；2,3-丙二醇二丙烯酸酯；2,3-丙二醇二甲基丙烯酸酯；1,4-丁二醇二甲基丙烯酸酯；1,4-丁二醇二丙烯酸酯；1,5-戊二醇二甲基丙烯酸酯；1,5-戊二醇二丙烯酸酯；1,6-己二醇二甲基丙烯酸酯；1,6-己二醇二丙烯酸酯；二乙二醇二甲基丙烯酸酯；二乙二醇二丙烯酸酯；三乙二醇二甲基丙烯酸酯；三乙二醇二丙烯酸酯；四乙二醇二甲基丙烯酸酯；四乙二醇二丙烯酸酯；N,N’-亞甲基雙(丙烯醯胺)；N,N’-亞甲基雙(甲基丙烯醯胺)；N,N’-伸乙基雙(丙烯醯胺)；N,N’-伸乙基雙(甲基丙烯醯胺)；N,N’-六亞甲基雙丙烯醯胺；N,N’-六亞甲基雙甲基丙烯醯胺；新戊四醇三丙烯酸酯、新戊四醇三甲基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、三(2-羥乙基)異氰脲酸酯三丙烯酸酯、三(2-羥乙基)異氰脲酸酯三甲基丙烯酸酯、1,3,5-三丙烯醯氧基六氫-1,3,5-三<figure num="5"><img align="absmiddle" height="27px" width="22px" file="d10001.TIF" alt="ed10001.png" img-content="tif" img-format="png" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/></figure>、1,3,5-三甲基丙烯醯氧基六氫-1,3,5-三<figure num="7"><img align="absmiddle" height="27px" width="22px" file="d10001.TIF" alt="ed10001.png" img-content="tif" img-format="png" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/></figure>；新戊四醇四丙烯酸酯、新戊四醇四甲基丙烯酸酯、二(三羥甲基丙烷)四丙烯酸酯、二(三羥甲基丙烷)四甲基丙烯酸酯、或其組合。
如請求項12所述之嵌入式矽酮水凝膠接觸鏡片，其中，所述至少一種第一非矽酮乙烯類交聯劑和所述至少一種第二非矽酮乙烯類交聯劑彼此獨立地選自由以下組成之群組：甲基丙烯酸烯丙酯、丙烯酸烯丙酯、異氰脲酸三烯丙酯、2,4,6-三烯丙氧基-1,3,5-三<figure num="3"><img align="absmiddle" height="27px" width="22px" file="d10001.TIF" alt="ed10001.png" img-content="tif" img-format="png" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/></figure>、1,2,4-三乙烯基環己烷、二甲基丙烯酸乙二醇酯；乙二醇二丙烯酸酯；1,3-丙二醇二丙烯酸酯；1,3-丙二醇二甲基丙烯酸酯；2,3-丙二醇二丙烯酸酯；2,3-丙二醇二甲基丙烯酸酯；1,4-丁二醇二甲基丙烯酸酯；1,4-丁二醇二丙烯酸酯；1,5-戊二醇二甲基丙烯酸酯；1,5-戊二醇二丙烯酸酯；1,6-己二醇二甲基丙烯酸酯；1,6-己二醇二丙烯酸酯；二乙二醇二甲基丙烯酸酯；二乙二醇二丙烯酸酯；三乙二醇二甲基丙烯酸酯；三乙二醇二丙烯酸酯；四乙二醇二甲基丙烯酸酯；四乙二醇二丙烯酸酯；N,N’-亞甲基雙(丙烯醯胺)；N,N’-亞甲基雙(甲基丙烯醯胺)；N,N’-伸乙基雙(丙烯醯胺)；N,N’-伸乙基雙(甲基丙烯醯胺)；N,N’-六亞甲基雙丙烯醯胺；N,N’-六亞甲基雙甲基丙烯醯胺；新戊四醇三丙烯酸酯、新戊四醇三甲基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、三(2-羥乙基)異氰脲酸酯三丙烯酸酯、三(2-羥乙基)異氰脲酸酯三甲基丙烯酸酯、1,3,5-三丙烯醯氧基六氫-1,3,5-三<figure num="5"><img align="absmiddle" height="27px" width="22px" file="d10001.TIF" alt="ed10001.png" img-content="tif" img-format="png" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/></figure>、1,3,5-三甲基丙烯醯氧基六氫-1,3,5-三<figure num="7"><img align="absmiddle" height="27px" width="22px" file="d10001.TIF" alt="ed10001.png" img-content="tif" img-format="png" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/></figure>；新戊四醇四丙烯酸酯、新戊四醇四甲基丙烯酸酯、二(三羥甲基丙烷)四丙烯酸酯、二(三羥甲基丙烷)四甲基丙烯酸酯、或其組合。
一種空氣處理系統，係包括：除濕單元，包括液體乾燥劑系統，該液體乾燥劑系統包括用於對處理空氣進行除濕的液體乾燥劑；間接蒸發冷卻單元，用於冷卻來自該除濕單元的該處理空氣，以及用於冷卻該液體乾燥劑；以及蒸氣壓縮單元，包括壓縮機、含有冷媒的冷凝器及蒸發器，用於進一步冷卻來自該間接蒸發冷卻單元的該處理空氣；其中，來自該蒸氣壓縮單元之該壓縮機的內部廢熱對該液體乾燥劑進行加熱，以用於再生；且其中，該間接蒸發冷卻單元包括熱交換器以及離開該間接蒸發冷卻單元的已冷卻的清除空氣，該熱交換器用於交換該處理空氣與已加濕的清除空氣流之間的可感測熱，離開該間接蒸發冷卻單元的該已冷卻的清除空氣對該冷媒進行冷卻，以降低該壓縮機上的負載。
如請求項1所述之空氣處理系統，其中，該空氣處理系統配置為以至少20,000m<sup>3</sup>/hr的產能進行新鮮空氣之處理。
如請求項1或2所述之空氣處理系統，其中，該液體乾燥劑包括含有甲酸鉀的溶液。
如請求項3所述之空氣處理系統，其中，該空氣處理系統配置為降低大氣濕度比，且降低幅度大於6g/kg。
如請求項1或2所述之空氣處理系統，其中，該液體乾燥劑系統包括一個或多個熱交換器，用於控制該液體乾燥劑之溫度。
如請求項5所述之空氣處理系統，其中，該液體乾燥劑系統包括一系列的液態-液態可感測板型逆流熱交換器。
如請求項5所述之空氣處理系統，其中，該一個或多個熱交換器與該間接蒸發冷卻單元流體連通，用於使用來自該間接蒸發冷卻單元的水以冷卻該液體乾燥劑。
如請求項1或2所述之空氣處理系統，其中，該液體乾燥劑系統包括乾燥器，該乾燥器具有消除器，用於減少該液體乾燥劑在該處理空氣中的留存。
如請求項8所述之空氣處理系統，其中，該消除器配置為在速度超過8,000cfm(13592m<sup>3</sup>/hr)時，以小於3%的最小壓降，減少該液體乾燥劑之留存。
如請求項1或2所述之空氣處理系統，其中，該液體乾燥劑系統包括再生器，用於濃縮因吸收來自該處理空氣的水分而被稀釋的該液體乾燥劑。
如請求項10所述之空氣處理系統，其中，該再生器配置為以大於25g/s的速率再生該液體乾燥劑。
如請求項10所述之空氣處理系統，其中，該液體乾燥劑系統配置為當該液體乾燥劑之濃度下降到預定閾值之下時，將該液體乾燥劑傳送到該再生器。
如請求項12所述之空氣處理系統，其中，該閾值小於60%。
如請求項10所述之空氣處理系統，其中，該再生器包括熱交換器，用於提高該液體乾燥劑之溫度。
如請求項14所述之空氣處理系統，其中，該熱交換器為液態-液態可感測熱交換器。
如請求項14所述之空氣處理系統，其中，該熱交換器使用來自該蒸氣壓縮單元之該壓縮機的內部廢熱，以加熱該液體乾燥劑。
如請求項10所述之空氣處理系統，其中，該再生器包括消除器，用於減少再生過程中在清除空氣流中的該液體乾燥劑之損失。
如請求項17所述之空氣處理系統，其中，該消除器包括一個或多個纖維素墊。
如請求項1或2所述之空氣處理系統，其中，該間接蒸發冷卻單元包括交錯流板型熱交換器，用於在該處理空氣與已加濕的清除空氣流之間交換可感測熱。
如請求項1或2所述之空氣處理系統，其中，該間接蒸發冷卻單元包括消除器，該消除器配置為協助防止清除空氣夾帶水滴。
如請求項1或2所述之空氣處理系統，其中，該蒸氣壓縮單元配置為採用直接蒸發冷卻。
如請求項21所述之空氣處理系統，其中，該空氣處理系統配置為通過直接蒸發冷卻以冷卻清除空氣流，並使已冷卻的該清除空氣流通過該冷凝器以協助冷卻。
如請求項22所述之空氣處理系統，其中，該清除空氣流係經由吸濕墊以潤濕，以協助對該冷凝器進行絕熱冷卻。
如請求項23所述之空氣處理系統，其中，該吸濕墊包括纖維素墊。
如請求項23所述之空氣處理系統，其中，該空氣處理系統配置為自該間接蒸發冷卻單元獲取水，以潤濕該吸濕墊。
如請求項1或2所述之空氣處理系統，其中，該空氣處理系統配置為將從該蒸氣壓縮單元之該蒸發器之盤管捕獲的水返回到該間接蒸發冷卻單元。
如請求項1或2所述之空氣處理系統，復包括電子換向風扇，用於將已經冷卻且除濕的該處理空氣吹入所需的空間。
一種含有甲酸鉀的溶液之用途，該用途係在如請求項1至27中任一項所述之空氣處理系統中用作液體乾燥劑。
一種化合物，其係(<i>R</i>)-N-乙基-5-氟-N-異丙基-2-((5-(2-(6-((2-甲氧基乙基)(甲基)胺基)-2-甲基己-3-基)-2,6-二氮雜螺[3.4]辛-6-基)-1,2,4-三𠯤-6-基)氧基)苯甲醯胺苯磺酸鹽 <br/><img align="absmiddle" height="136px" width="226px" file="ed10046.jpg" alt="ed10046.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>或其溶劑化物。
如請求項1所述之化合物，其中該化合物係該苯磺酸鹽之溶劑化物。
如請求項2所述之化合物，其中該化合物係該苯磺酸鹽之水合物。
如請求項1所述之化合物，其中該苯磺酸鹽係雙苯磺酸鹽。
如請求項4所述之化合物，其中該化合物係該雙苯磺酸鹽之溶劑化物。
如請求項5所述之化合物，其中該化合物係該雙苯磺酸鹽之水合物。
如請求項1所述之化合物，其中該化合物係(<i>R</i>)-N-乙基-5-氟-N-異丙基-2-((5-(2-(6-((2-甲氧基乙基)(甲基)胺基)-2-甲基己-3-基)-2,6-二氮雜螺[3.4]辛-6-基)-1,2,4-三𠯤-6-基)氧基)苯甲醯胺雙苯磺酸鹽水合物之結晶形式A， <br/>其中該結晶形式產生包含在5.4、7.2、11.1、11.9和21.7度2θ ± 0.2度2θ處的峰的X射線粉末繞射圖。
如請求項7所述之化合物，其中該X射線粉末繞射圖可以進一步包含選自13.7、14.5、14.7、15.0、16.5、17.8、19.0、19.4和20.1度2θ ± 0.2度2θ的至少一個峰。
如請求項7或8所述之化合物，其特徵進一步在於基本上如圖1所描繪的X射線粉末繞射圖。
如請求項1所述之化合物，其中該化合物係苯磺酸鹽。
如請求項1所述之化合物，其中該化合物係雙苯磺酸鹽。
如請求項1至8及10至11中任一項所述之化合物，其中該化合物係用於作為藥物使用。
一種藥物組成物，該藥物組成物包含如請求項1至12中任一項所述之化合物以及藥學上可接受的載體、藥學上可接受的賦形劑和藥學上可接受的稀釋劑中的至少一種。
一種用於製備如請求項13所述之藥物組成物之方法，該方法包括將藥學上可接受的載體與治療有效量的如請求項1至12中任一項所述之化合物混合。
一種如請求項1至12中任一項所述之化合物或如請求項13所述之藥物組成物用於製備治療癌症的藥物之用途。
一種如請求項1至12中任一項所述之化合物或如請求項13所述之藥物組成物用於製備治療白血病、骨髓發育不良症候群（MDS）和骨髓增殖性贅生物（MPN）的藥物之用途。
如請求項16所述之用途，其中該藥物係用於治療白血病，其中該白血病係（NPM1）突變白血病。
如請求項16所述之用途，其中該藥物係用於治療白血病，其中該白血病選自急性白血病、慢性白血病、髓性白血病、骨髓性白血病、成淋巴球性白血病及淋巴球性白血病。
如請求項16所述之用途，其中該藥物係用於治療白血病，其中該白血病選自急性骨髓性白血病（AML）、慢性骨髓性白血病（CML）、急性淋巴母細胞白血病（ALL）、慢性淋巴球性白血病（CLL）、T細胞幼淋巴球性白血病（T-PLL）、大顆粒淋巴球性白血病、毛細胞白血病（HCL）、MLL重排白血病、MLL-PTD白血病、MLL擴增白血病、MLL陽性白血病和表現出<i>HOX</i>/<i>MEIS1</i>基因表現標記的白血病。
如請求項16所述之用途，其中該藥物係用於治療白血病，其中該白血病係急性白血病。
如請求項20所述之用途，其中該藥物係用於治療白急性白血病，其中該急性白血病為AML。
如請求項20所述之用途，其中該藥物係用於治療急性白血病，其中該急性白血病為ALL。
如請求項20至22中任一項所述之用途，其中該急性白血病具有KMT2A基因改變或NPM1突變。
如請求項20至22中任一項所述之用途，其中該急性白血病具有KMT2A基因重排。
如請求項20至22中任一項所述之用途，其中該急性白血病具有NPM1突變。
如請求項25所述之用途，其中該NPM1突變係NPM1c。
如請求項17所述之用途，其中該（NPM1）突變白血病係（NPM1c）突變白血病。
一種用於製備如請求項7至9中任一項所述之呈結晶形式A的化合物之方法，該方法包括對(<i>R</i>)-N-乙基-5-氟-N-異丙基-2-((5-(2-(6-((2-甲氧基乙基)(甲基)胺基)-2-甲基己-3-基)-2,6-二氮雜螺[3.4]辛-6-基)-1,2,4-三𠯤-6-基)氧基)苯甲醯胺進行重結晶的步驟，其中該重結晶包括以下步驟： <br/>a) 在苯磺酸的存在下將(<i>R</i>)-N-乙基-5-氟-N-異丙基-2-((5-(2-(6-((2-甲氧基乙基)(甲基)胺基)-2-甲基己-3-基)-2,6-二氮雜螺[3.4]辛-6-基)-1,2,4-三𠯤-6-基)氧基)苯甲醯胺或溶劑化物添加至合適溶劑之混合物中，並且調整至從約20°C至溶劑回流溫度範圍內的溫度； <br/>b) 用結晶形式A進行晶種接種； <br/>c) 產生如請求項7至9中任一項所述之結晶形式的沈澱物。
如請求項28所述之方法，其中該合適溶劑之混合物係丙酮、水和IPAc之混合物。
如請求項28所述之方法，其中該合適溶劑之混合物係異丙醇、水和IPAc之混合物。
如請求項28至30中任一項所述之方法，其中該溫度係約25°C。<b> </b>
如請求項28至30中任一項所述之方法，其中該(<i>R</i>)-N-乙基-5-氟-N-異丙基-2-((5-(2-(6-((2-甲氧基乙基)(甲基)胺基)-2-甲基己-3-基)-2,6-二氮雜螺[3.4]辛-6-基)-1,2,4-三𠯤-6-基)氧基)苯甲醯胺的溶劑化物係(<i>R</i>)-N-乙基-5-氟-N-異丙基-2-((5-(2-(6-((2-甲氧基乙基)(甲基)胺基)-2-甲基己-3-基)-2,6-二氮雜螺[3.4]辛-6-基)-1,2,4-三𠯤-6-基)氧基)苯甲醯胺的水合物。
一種照明裝置用導光構件，其係具有出射面者，且具有： <br/>導光層，其具有接收自光源出射之光之受光部、上述出射面側之第1主面、及與上述第1主面相反側之第2主面； <br/>配光控制構造，其係具有複數個內部空間者，且上述複數個內部空間各者具有藉由內部全反射使於上述導光層內傳播之光之一部分朝向上述出射面側之第1傾斜面、及與上述第1傾斜面相反側之第2傾斜面，自相對於上述導光層之上述第1主面之法線方向觀察時，上述第1傾斜面形成朝向上述光源側凸出之曲面；以及 <br/>抗反射層及/或防眩層，其配置於上述導光層之上述第1主面側； <br/>上述配光控制構造形成於介隔接著劑層設置於上述導光層之上述第1主面側或上述第2主面側之方向轉換層。
如請求項1之照明裝置用導光構件，其中上述複數個內部空間於上述導光層之導光方向及與上述導光方向交叉之方向上離散配置。
如請求項1或2之照明裝置用導光構件，其具有配置於上述導光層之上述第1主面側之上述抗反射層， <br/>上述抗反射層具有：具有較上述導光層之折射率低之折射率之單一介電層、或包含折射率互不相同之複數個介電層之多層積層體。
如請求項1或2之照明裝置用導光構件，其具有配置於上述導光層之上述第1主面側之上述抗反射層， <br/>上述抗反射層由具有蛾眼構造或具有空隙之材料形成。
如請求項1或2之照明裝置用導光構件，其具有配置於上述導光層之上述第1主面側之上述防眩層， <br/>上述防眩層中與上述導光層相反側之表面之算術平均粗糙度Ra為0.8 μm以上1000 μm以下，且最大高度Rz為5.0 μm以上1000 μm以下。
如請求項1或2之照明裝置用導光構件，其中上述第1傾斜面之傾斜角度θa為10°以上70°以下， <br/>上述第2傾斜面之傾斜角度θb為50°以上100°以下。
如請求項1或2之照明裝置用導光構件，其中自相對於上述導光層之上述第1主面之上述法線方向觀察時，上述複數個內部空間之面積於上述導光層之面積中所占之比率為80%以下。
如請求項1或2之照明裝置用導光構件，其於上述導光層之上述第2主面側具有低折射率層，該低折射率層具有較上述導光層之折射率低之折射率。
如請求項1或2之照明裝置用導光構件，其中上述照明裝置用導光構件之自位於上述第2主面側之背面漏光之區域中之任意部位處的一邊為17.3 mm之正方形區域中之亮度之最大對比率為1.1以下。
如請求項1或2之照明裝置用導光構件，其可見光透過率為60%以上，霧度值未達30%。
一種照明裝置，其具備： <br/>如請求項1至10中任一項之照明裝置用導光構件；及 <br/>光源，其朝向上述受光部出射光。
如請求項11之照明裝置，其中上述光源包含沿上述導光層之上述受光部排列之複數個LED裝置。
一種加工方法，其將對被加工物具有穿透性之波長的雷射光線的聚光點定位於該被加工物的內部，對該被加工物照射雷射光線，在該被加工物的內部形成改質層，該加工方法具備： <br/>保持步驟，其藉由卡盤台而保持該被加工物，該卡盤台在上表面具備保持該被加工物之保持面； <br/>薄片覆蓋步驟，其以具有穿透性之薄片將該卡盤台的上表面與該被加工物的上表面一起覆蓋於該薄片內； <br/>密接步驟，其在該卡盤台的保持面生成吸引力，將被該薄片覆蓋之區域進行減壓，藉由施加於該薄片之大氣壓而使該被加工物與該卡盤台的上表面密接；以及 <br/>改質層形成步驟，其透過該薄片，將雷射光線的聚光點定位於該被加工物的內部，對該被加工物照射雷射光線，形成改質層。
如請求項1之加工方法，其中， <br/>該被加工物為在正面形成有藉由交叉之多條分割預定線所劃分之多個元件之晶圓，在該改質層形成步驟中，沿著該分割預定線而在該晶圓的內部形成改質層。
如請求項1之加工方法，其中， <br/>該被加工物為晶棒，在該改質層形成步驟中，在與應從該晶棒生成之晶圓的厚度相當之該晶棒的內部的整個區域形成改質層。
一種凝膠狀組合物之製造方法，其包含以下步驟(1)～(4)：<br/>(1)獲得含有果膠之水溶液之步驟 (2)將上述步驟(1)中所獲得之果膠水溶液、葡萄糖酸及礦物質進行混合，獲得pH值2.8～6之水溶液之步驟 (3)對上述步驟(2)中所獲得之水溶液進行濃縮，獲得葡萄糖酸之濃度為20質量%以上之濃縮液之步驟 (4)對上述步驟(3)中所獲得之濃縮液進行冷卻之步驟。
如請求項1之凝膠狀組合物之製造方法，其中pH值2.8～6之水溶液進而含有糖類。
如請求項1之凝膠狀組合物之製造方法，其中礦物質係選自鈉、鉀、鈣及鎂中之1種或2種以上。
如請求項1之凝膠狀組合物之製造方法，其中礦物質係源自葡萄糖酸鹽之礦物質。
如請求項1之凝膠狀組合物之製造方法，其中果膠係HM果膠，步驟(2)中之水溶液之pH值為2.8～4.5。
如請求項1之凝膠狀組合物之製造方法，其中果膠係LM果膠，步驟(2)中之礦物質包含鈣、鎂或該等之組合。
如請求項1之凝膠狀組合物之製造方法，其中凝膠狀組合物中之葡萄糖酸之含量為20～70質量%。
如請求項1之凝膠狀組合物之製造方法，其中凝膠狀組合物中之礦物質之含量為0.1～2.1質量%。
如請求項1之凝膠狀組合物之製造方法，其中凝膠狀組合物中之礦物質相對於葡萄糖酸之質量比[礦物質/葡萄糖酸]為0.005～0.2。
如請求項1至9中任一項之凝膠狀組合物之製造方法，其中凝膠狀組合物係果膠凍。
一種凝膠狀組合物，其含有果膠、20～70質量%之葡萄糖酸、及0.1～2.1質量%之礦物質，且用水將凝膠狀組合物稀釋10倍所得之水溶液之pH值為2.8～6。
如請求項11之凝膠狀組合物，其中礦物質係選自鈉、鉀、鈣及鎂中之1種或2種以上。
如請求項11之凝膠狀組合物，其中果膠係HM果膠，且用水將凝膠狀組合物稀釋10倍所得之水溶液之pH值為2.8～4.5。
如請求項11之凝膠狀組合物，其中果膠係LM果膠，礦物質包含鈣、鎂或該等之組合。
如請求項11之凝膠狀組合物，其中礦物質相對於葡萄糖酸之質量比[礦物質/葡萄糖酸]為0.005～0.1。
一種凝膠狀組合物，其含有果膠、20～70質量%之葡萄糖酸、及0.1～6質量%之選自鈉、鉀及鎂中之1種或2種以上之礦物質，且用水將凝膠狀組合物稀釋10倍所得之水溶液之pH值為2.8～6。
如請求項11至16中任一項之凝膠狀組合物，其係果膠凍。
一種剝離裝置，其將對晶棒具有穿透性之波長的雷射光束的聚光點從晶棒的端面定位於與應生成的晶圓的厚度相當之深度，並照射雷射光束，藉此從已形成剝離層之該晶棒剝離應生成的晶圓， <br/>該剝離裝置，包含： <br/>晶棒保持單元，其具有保持晶棒之保持面； <br/>晶圓保持單元，其能相對於該晶棒保持單元接近且遠離，並具有吸引保持應生成的晶圓之保持面；以及 <br/>清洗刷，其清洗將應從該晶棒生成的晶圓剝離後之剝離面的至少一者而去除剝離屑。
如請求項1之剝離裝置，其中， <br/>該清洗刷能繞著相對於該晶圓保持單元的保持面及該晶棒保持單元的保持面呈垂直之軸心旋轉， <br/>藉由抵接至繞著該軸心旋轉之狀態的該清洗刷，而清洗保持於該晶圓保持單元之狀態的晶圓的剝離面及保持於該晶棒保持單元之狀態的晶棒的剝離面之至少一者。
如請求項1或2之剝離裝置，其中， <br/>該清洗刷，包含： <br/>第一清洗刷，其與該晶圓保持單元的保持面相向，並清洗已從該晶棒剝離之晶圓的剝離面；以及 <br/>第二清洗刷，其與該晶棒保持單元的保持面相向，並清洗已剝離該晶圓之該晶棒的剝離面， <br/>能同時實施由該第一清洗刷所進行之該晶圓的剝離面的清洗與由該第二清洗刷所進行之該晶棒的剝離面的清洗。
如請求項1或2之剝離裝置，其中， <br/>該晶棒保持單元能繞著相對於該晶棒保持單元的保持面呈垂直之軸心旋轉， <br/>該晶圓保持單元能繞著相對於該晶圓保持單元的保持面呈垂直之軸心旋轉， <br/>使該晶棒保持單元及該晶圓保持單元的至少一者在繞著該軸心旋轉之狀態下抵接至該清洗刷，藉此清洗剝離面。
如請求項1或2之剝離裝置，其中， <br/>該清洗刷能在作用位置與非作用位置之間移動， <br/>該作用位置係與保持於該晶棒保持單元之狀態的晶棒的剝離面及保持於該晶圓保持單元之狀態的晶圓的剝離面之至少一者相向， <br/>該非作用位置係與保持於該晶棒保持單元之狀態的晶棒的剝離面及保持於該晶圓保持單元之狀態的晶圓的剝離面之任一者皆不相向。
如請求項1或2之剝離裝置，其中， <br/>進一步具有對該晶棒施加超音波之超音波施加單元。
一種高模量之黑色消光聚醯亞胺膜，其含括有：一聚醯亞胺，其佔該膜75~88.6wt%，該聚醯亞胺由二酸酐與二胺聚合後形成聚醯亞胺前驅物，該二酸酐組成含有均苯四甲酸二酐(PMDA)及3,3‘,4,4’-聯苯四羧酸二酐(BPDA)，二胺組成為對苯二胺(PDA)及4,4'-二氨基二苯醚(ODA)，該均苯四甲酸二酐(PMDA)佔該二酸酐之重量百分比65~98wt%，3,3‘,4,4’-聯苯四羧酸二酐(BPDA)佔該二酸酐之重量百分比2~35wt%，4,4'-二氨基二苯醚(ODA)佔該二胺之重量百分比為30~90wt%，對苯二胺(PDA)佔該二胺之重量百分比為10~70wt%，該聚醯亞胺前驅物再經化學環化而得到聚醯亞胺；一碳黑，其佔該膜之2~8wt%；及一填充物，係為液晶高分子聚合物微粉，其平均粒徑範圍為2~10um及占該膜之7.5~20wt%；及其中，該膜之60度光澤度小於50。
如申請專利範圍第1項所述之高模量之黑色消光聚醯亞胺膜，其中，該聚醯亞胺膜之模量大於3.5Gpa，熱膨脹係數值小於30ppm/℃。
如申請專利範圍第1項所述之高模量之黑色消光聚醯亞胺膜，其中，該液晶高分子聚合物微粉為不規則狀，其徑長比小於20。
一種探針顯微鏡，包含：<br/> 一探針陣列，該探針陣列包含排成一陣列的複數個探針，每一個探針包含一懸臂及一針尖；<br/> 一光源系統，該光源系統包含複數個光源，每一個光源係配置以輸出一個別的光束；<br/> 一集光透鏡，係配置以聚集來自該些光源的該些光束；以及<br/> 一物鏡，係配置以接收來自該集光透鏡的該些光束並將每一個光束聚焦到該些探針中之一個對應探針的懸臂上。
如請求項1所述之探針顯微鏡，其中該些光束是致動光束，該些光源是致動光源，該光源系統係配置以調制該些致動光束的功率以致動該些探針，以及該光源系統係配置以獨立調整該些致動光束中之部分或全部的致動光束的功率。
如請求項2所述之探針顯微鏡，其中該光源系統係配置使得該些致動光束的功率的調制引起該些懸臂移動。
如請求項2或3所述之探針顯微鏡，其中每一個致動光源包含一光產生器，係配置以產生並發射光，該些光產生器係配置以調制該些致動光束的功率以致動該些探針，以及該些光產生器中之部分或全部的光產生器係配置以獨立調整這些光產生器的致動光束的功率。
如請求項2或3所述之探針顯微鏡，其中該光源系統包含兩個或更多個調制器，以及每一個調制器係配置以調制該些致動光束中之一個或多個致動光束的功率。
如請求項5所述之探針顯微鏡，其中每一個致動光源包含一光纖，以及每一個調制器係配置以接收光、調制該光的功率以產生功率調制的光、及引導該功率調制的光到該些光纖中之一個或多個光纖中。
如請求項2或3所述之探針顯微鏡，更包含一信號產生器，係配置以產生兩個或更多個功率調制信號，其中該光源系統係配置以根據該些功率調制信號調制該些致動光束的功率。
如請求項1所述之探針顯微鏡，其中該些光束是檢測光束，該些光源是檢測光源，該些探針係配置以反射該些檢測光束以產生複數個感測光束，以及該探針顯微鏡更包含一感測系統，係配置以接收該些感測光束並根據該些感測光束確定該些探針的位置。
如請求項2或3所述之探針顯微鏡，更包含一檢測系統，該檢測系統包含複數個檢測光源，其中每一個檢測光源係配置以輸出一個別的檢測光束，該物鏡係配置以接收該些檢測光束並將每一個檢測光束聚焦到該些探針中之一個對應探針的懸臂上，該些探針係配置以反射檢測光束以產生複數個感測光束，以及該探針顯微鏡更包含一感測系統，係配置以接收該些感測光束並根據該些感測光束確定該些探針的位置。
如請求項8所述之探針顯微鏡，其中該些感測光束由該物鏡接收並從該物鏡中繼到該感測系統。
如請求項8所述之探針顯微鏡，其中該感測系統包含一干涉儀。
如請求項1至3、8、10及11中任一請求項所述之探針顯微鏡，其中每一個光源包含被配置以減小該光源的數值孔徑之技術手段。
如請求項12所述之探針顯微鏡，其中每一個被配置以減小該光源的數值孔徑之技術手段包含一折射元件，該折射元件為一源透鏡或一漸變折射率光纖。
如請求項1至3、8、10及11中任一請求項所述之探針顯微鏡，其中每一個光源包含一源透鏡。
如請求項1至3、8、10及11中任一請求項所述之探針顯微鏡，其中該光源系統更包含支撐及定位該些光源之結構。
如請求項1至3、8、10及11中任一請求項所述之探針顯微鏡，其中每一個光源包含一光纖。
如請求項16所述之探針顯微鏡，其中該光源系統更包含支撐及定位該些光源之結構，該結構包含複數個V形槽，以及每一個V形槽承載該些光纖中之一個對應的光纖。
如請求項16所述之探針顯微鏡，其中該光源系統包含一光產生器、一輸入光纖及一光纖分路器，該光產生器係配置以產生並發射光，該輸入光纖係配置以接收該光，以及該光纖分路器係配置以接收來自該輸入光纖的該光並分配該光到該些光纖中。
如請求項1至3、8、10及11中任一請求項所述之探針顯微鏡，其中每一個光源包含一光產生器，係配置以產生並發射光。
如請求項19所述之探針顯微鏡，其中每一個光源更包含一光纖，係配置以接收來自對應的光產生器的光。
如請求項19所述之探針顯微鏡，其中每一個光產生器包含一垂直共振腔面射型雷射。
如請求項1至3、8、10及11中任一請求項所述之探針顯微鏡，其中該些光束從該些光源射出時相互平行，及/或該光束在進入該集光透鏡時相互平行。
一種探針顯微鏡，包含：<br/> 一探針陣列，該探針陣列包含排成一陣列的複數個探針，每一個探針包含一懸臂及一針尖；<br/> 一光源系統，該光源系統包含一個或多個光產生器、及一光纖陣列，該光產生器係配置以產生並發射光，該光纖陣列包含排成一陣列的複數個光纖，該光纖陣列係配置以接收發射自該一個或多個光產生器的該光，每一個光纖係配置以輸出一個別的光束；<br/> 一集光透鏡，係配置以聚集來自該些光纖的該些光束；以及<br/> 一物鏡，係配置以接收來自該集光透鏡的該些光束並將每一個光束聚焦到該些探針中之一個對應探針的懸臂上。
一種探針顯微鏡，包含：<br/> 一探針陣列，該探針陣列包含排成一陣列的複數個探針，每一個探針包含一懸臂及一針尖；<br/> 一光產生器陣列，該光產生器陣列包含排成一陣列的複數個光產生器，每一個光產生器係配置以產生並輸出一個別的光束；<br/> 一集光透鏡，係配置以聚集來自該些光產生器的該些光束；以及<br/> 一物鏡，係配置以接收來自該集光透鏡的該些光束並將每一個光束聚焦到該些探針中之一個對應探針的懸臂上。
一種操作如請求項2或3所述之探針顯微鏡之方法，包含通過調制該些光束的功率致動該些探針，其中該些光束中之部分或全部的光束的功率被不同地調制。
一種製備式(I)之異㗁唑啉羧酸衍生物的方法 <br/><img align="absmiddle" height="55px" width="81px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (I)， <br/>其中 <br/>X<sup>2</sup> 為H、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>氟烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>氟烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷氧基、氟、CN， <br/>X<sup>3</sup> 為H、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>氟烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>氟烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷氧基、氟、氯、CN， <br/>X<sup>4</sup> 為H、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>氟烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>氟烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷氧基、氟、CN， <br/>X<sup>5</sup> 為H、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>氟烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>氟烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷氧基、氟、氯、CN， <br/>X<sup>6</sup> 為H、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>氟烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>氟烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷氧基、氟、CN， <br/>R<sup>1</sup> 為H、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>-烷基， <br/>R<sup>2</sup> 為C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>-烷基， <br/>該方法的特徵在於將通式(II)、(IIa)或(IIb)化合物 <br/><img align="absmiddle" height="40px" width="47px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="41px" width="71px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="39px" width="55px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(II) (IIa) (IIb) <br/>其中 <br/>X<sup>2</sup>至X<sup>6</sup> 具有上文給出之定義， <br/>X<sup>7</sup>、X<sup>8</sup>、X<sup>10</sup>、X<sup>11</sup> 獨立為H或C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>-烷基， <br/>X<sup>9</sup> 為H、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>-烷基或N(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>-烷基)<sub>2</sub>， <br/>與式(III)化合物 <br/><img align="absmiddle" height="30px" width="51px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(III) <br/>其中 <br/>R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup> 具有上文給出之定義， <br/>在添加能夠形成以通式(II)化合物為基礎計的2.0至4.5當量之活性物種「R<sup>3</sup>OMgHal」(IV)之試劑組合下反應，其中 <br/>R<sup>3</sup> 為C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>-烷基、未經取代或經C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>-烷基取代之苯甲基，及 <br/>Hal 為鹵素， <br/>以給出通式(I)化合物。
如請求項1之方法，其中在該通式(I)、(II)及(III)化合物中的基團之定義係如下： <br/>X<sup>2</sup> 為H、甲基、三氟甲基、二氟甲基、二氟甲氧基、三氟甲氧基、氟、甲氧基、CN， <br/>X<sup>3</sup> 為H、甲基、三氟甲基、二氟甲基、二氟甲氧基、三氟甲氧基、氟、氯、甲氧基、CN， <br/>X<sup>4</sup> 為H、甲基、三氟甲基、二氟甲基、二氟甲氧基、三氟甲氧基、氟、甲氧基、CN， <br/>X<sup>5</sup> 為H、甲基、三氟甲基、二氟甲基、二氟甲氧基、三氟甲氧基、氟、氯、甲氧基、CN， <br/>X<sup>6</sup> 為H、甲基、三氟甲基、二氟甲基、二氟甲氧基、三氟甲氧基、氟、甲氧基、CN， <br/>R<sup>1</sup> 為H、甲基、乙基、異丙基、異丁基， <br/>R<sup>2</sup> 為甲基、乙基。
如請求項1或2之方法，其中在該通式(I)、(II)及(III)化合物中的基團之定義係如下： <br/>X<sup>2</sup> 為H， <br/>X<sup>3</sup> 為H、甲基、三氟甲基、二氟甲基、氟、氯、甲氧基、CN， <br/>X<sup>4</sup> 為氟、H， <br/>X<sup>5</sup> 為H、甲基、三氟甲基、二氟甲基、氟、氯、甲氧基、CN， <br/>X<sup>6</sup> 為H， <br/>R<sup>1</sup> 為H、甲基、異丙基、異丁基， <br/>R<sup>2</sup> 為甲基。
如請求項1或2之方法，其中在該通式(I)、(II)及(III)化合物中的基團之定義係如下： <br/>X<sup>2</sup> 為H， <br/>X<sup>3</sup> 為H、氟， <br/>X<sup>4</sup> 為H、氟， <br/>X<sup>5</sup> 為H、氟， <br/>X<sup>6</sup> 為H， <br/>R<sup>1</sup> 為H、甲基、異丁基， <br/>R<sup>2</sup> 為甲基。
如請求項1或2之方法，其中在該通式(I)、(II)及(III)化合物中的基團之定義係如下： <br/>X<sup>2</sup> 為H， <br/>X<sup>3</sup> 為氟， <br/>X<sup>4</sup> 為H， <br/>X<sup>5</sup> 為氟， <br/>X<sup>6</sup> 為H， <br/>R<sup>1</sup> 為H、甲基， <br/>R<sup>2</sup> 為甲基。
如請求項1或2之方法，其中在該通式(IIa)化合物中的基團之定義係如下： <br/>X<sup>7</sup>、X<sup>8</sup>、X<sup>10</sup>、X<sup>11</sup> 獨立為H、甲基、乙基， <br/>X<sup>9</sup> 為H、甲基、乙基或N(甲基)<sub>2</sub>。
如請求項1或2之方法，其中在該通式(IIa)化合物中的基團之定義係如下： <br/>X<sup>7</sup>、X<sup>11</sup> 為H， <br/>X<sup>8</sup>、X<sup>10</sup> 獨立為H、甲基、乙基， <br/>X<sup>9</sup> 為H、甲基、乙基、N(甲基)<sub>2</sub>。
如請求項1或2之方法，其中在該通式(IIa)化合物中的基團之定義係如下： <br/>X<sup>8</sup> 為H、甲基、乙基， <br/>X<sup>7</sup>、X<sup>11</sup> 獨立為H、甲基， <br/>X<sup>9</sup>、X<sup>10</sup> 為H。
如請求項1或2之方法，其中該通式(IV)化合物係由下列的試劑組合中之一者所產生： <br/>- R<sup>4</sup>MgHal與R<sup>3</sup>OH，或 <br/>- MgHal<sub>2</sub>與R<sup>3</sup>OM，或 <br/>- MgHal<sub>2</sub>與Mg(OR<sup>3</sup>)<sub>2</sub>，其中 <br/>R<sup>3</sup> 為C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>-烷基、苯甲基、甲基苯甲基， <br/>Hal 為鹵素， <br/>M 為鹼金屬， <br/>R<sup>4</sup> 為C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>-烷基、芳基、苯甲基、烯丙基、乙烯基。
如請求項1或2之方法，其中該通式(IV)化合物係由下列的試劑組合中之一者所產生： <br/>- R<sup>4</sup>MgHal與R<sup>3</sup>OH，或 <br/>- MgHal<sub>2</sub>與R<sup>3</sup>OM，或 <br/>- MgHal<sub>2</sub>與Mg(OR<sup>3</sup>)<sub>2</sub>，其中 <br/>- R<sup>3</sup> 為C<sub>2</sub>-C<sub>4</sub>-烷基， <br/>- Hal 為溴或氯， <br/>- M 為鹼金屬， <br/>- R<sup>4</sup> 為C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>-烷基、苯基、苯甲基、對甲苯基、乙烯基。
如請求項1或2之方法，其中該通式(IV)化合物係由下列的試劑組合中之一者所產生： <br/>- R<sup>4</sup>MgHal與R<sup>3</sup>OH，或 <br/>- MgHal<sub>2</sub>與R<sup>3</sup>OM，或 <br/>- MgHal<sub>2</sub>與Mg(OR<sup>3</sup>)<sub>2</sub>，其中 <br/>R<sup>3</sup> 為異丙基、異丁基， <br/>Hal 為溴、氯， <br/>M 為鈉， <br/>R<sup>4</sup> 為甲基、乙基、正丁基、異丙基。
如請求項1或2之方法，其特徵在於係使用以通式(II)化合物為基礎計的2.8至3.2當量之活性物種「R<sup>3</sup>OMgHal」(IV)。
如請求項1或2之方法，其特徵在於該溶劑為甲苯、二甲苯、四氫呋喃(THF)、乙酸異丙酯(i-PrOAc)、乙腈、甲基三級丁醚(MTBE)、甲基-THF、乙酸乙酯(EtOAc)或其任何比例的混合物。
如請求項1或2之方法，其特徵在於該反應係在-25°C至70°C下進行。
如請求項1或2之方法，其特徵在於該反應係在10°C至30°C下進行。
如請求項1或2之方法，其特徵在於藉由進一步的結晶步驟來增加該非鏡像異構物比例。
如請求項1或2之方法，其特徵在於該通式(IV)化合物係經由格任亞(Grignard)反應而產生。
一種式(I)所示之化合物或其N-氧化物或該等之鹽， <br/><img align="absmiddle" height="288px" width="473px" file="ed10071.jpg" alt="ed10071.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[式中， <br/> Z<sup>1</sup>及Z<sup>2</sup>相同或相異，表示氧原子或硫原子， <br/> G<sup>1</sup>表示CR<sup>1a</sup>，G<sup>2</sup>表示CR<sup>1c</sup>，G<sup>3</sup>表示CR<sup>1d</sup>， <br/> R<sup>1b</sup>表示C1-C6鏈式烴基、C1-C6烷氧基{該C1-C6鏈式烴基及該C1-C6烷氧基，可被選自群組A中1以上之取代基取代}、C3-C7環烷基、C1-C6烷基巰基、C1-C6烷基亞磺醯基、C1-C6烷基磺醯基{該C3-C7環烷基、該C1-C6烷基巰基、該C1-C6烷基亞磺醯基，及該C1-C6烷基磺醯基，可被選自群組B中1以上之取代基取代}、可被選自群組C中1以上之取代基取代之C3-C7環烯基、苯基、3-7員非芳香族雜環基{該苯基及該3-7員非芳香族雜環基，可被選自群組D中1以上之取代基取代}、硝基、NR<sup>2</sup>R<sup>3</sup>，或鹵素原子， <br/> R<sup>1c</sup>表示C1-C6鏈式烴基、C1-C6烷氧基{該C1-C6鏈式烴基及該C1-C6烷氧基，可被選自群組A中1以上之取代基取代}、C3-C7環烷基、C1-C6烷基巰基、C1-C6烷基亞磺醯基、C1-C6烷基磺醯基{該C3-C7環烷基、該C1-C6烷基巰基、該C1-C6烷基亞磺醯基，及該C1-C6烷基磺醯基，可被選自群組B中1以上之取代基取代}、可被選自群組C中1以上之取代基取代之C3-C7環烯基、苯基、3-7員非芳香族雜環基{該苯基及該3-7員非芳香族雜環基，可被選自群組D中1以上之取代基取代}、硝基、NR<sup>2</sup>R<sup>3</sup>、鹵素原子或氫原子， <br/> R<sup>1a</sup>及R<sup>1d</sup>相同或相異，表示可被1以上之鹵素原子取代的C1-C6鏈式烴基、鹵素原子或氫原子， <br/> Q表示可被選自群組H中1以上之取代基取代之C6-C10芳基，或可被選自群組I中1以上之取代基取代之5-10員芳香雜環基， <br/> R<sup>2</sup>、R<sup>2a</sup>及R<sup>5</sup>相同或相異，表示可被1以上之鹵素原子取代的C1-C6鏈式烴基，或氫原子， <br/> R<sup>3</sup>及R<sup>3a</sup>相同或相異，表示可被選自群組E中1以上之取代基取代之C1-C6鏈式烴基、C3-C7環烷基、C3-C7環烯基{該C3-C7環烷基及該C3-C7環烯基，可被選自群組C中1以上之取代基取代}、苯基、5或6員芳香族雜環基{該苯基及該5或6員芳香族雜環基，可被選自群組F中1以上之取代基取代}、S(O)<sub>2</sub>R<sup>13</sup>，或氫原子， <br/> R<sup>13</sup>表示可被1以上之鹵素原子取代的C1-C6鏈式烴基，或可被選自群組F中1以上之取代基取代之苯基； <br/> 群組A：由C1-C6烷氧基、C3-C6烯基氧基、C3-C6炔基氧基、C1-C6烷基巰基、C1-C6烷基亞磺醯基、C1-C6烷基磺醯基、C3-C6環烷基{該C1-C6烷氧基、該C3-C6烯基氧基、該C3-C6炔基氧基、該C1-C6烷基巰基、該C1-C6烷基亞磺醯基、該C1-C6烷基磺醯基，及該C3-C6環烷基，可被1以上之鹵素原子取代}、羥基、氰基及鹵素原子所成之群組； <br/> 群組B：由C1-C6鏈式烴基、C1-C6烷氧基、C3-C6烯基氧基、C3-C6炔基氧基{該C1-C6鏈式烴基、該C1-C6烷氧基、該C3-C6烯基氧基，及該C3-C6炔基氧基，可被1以上之鹵素原子取代}、羥基、氰基、硝基，及鹵素原子所成之群組； <br/> 群組C：由可被1以上之鹵素原子取代的C1-C6烷基、氰基及鹵素原子所成之群組； <br/> 群組D：由可被1以上之鹵素原子取代的C1-C6鏈式烴基、可被選自群組F中1以上之取代基取代之5或6員芳香族雜環基、OR<sup>17</sup>、NR<sup>16</sup>R<sup>17</sup>、C(O)R<sup>17</sup>、C(O)NR<sup>16</sup>R<sup>17</sup>、OC(O)R<sup>16a</sup>、OC(O)OR<sup>16a</sup>、NR<sup>17</sup>C(O)R<sup>16a</sup>、NR<sup>17</sup>C(O)OR<sup>16a</sup>、C(O)OR<sup>17</sup>、氰基、硝基，及鹵素原子所成之群組， <br/> R<sup>16a</sup>表示C1-C6烷基，或C3-C6環烷基{該C1-C6烷基及該C3-C6環烷基，可被1以上之鹵素原子取代}， <br/> R<sup>16</sup>及R<sup>17</sup>相同或相異，表示C1-C6烷基、C3-C6環烷基{該C1-C6烷基及該C3-C6環烷基，可被1以上之鹵素原子取代}，或氫原子； <br/> 群組E：由C1-C6烷氧基、C3-C7環烷基{該C1-C6烷氧基及該C3-C7環烷基，可被1以上之鹵素原子取代}、苯基、5或6員芳香族雜環基{該苯基及該5或6員芳香族雜環基，可被選自群組F中1以上之取代基取代}、可被選自群組G中1以上之取代基取代之3-7員非芳香族雜環基、NHR<sup>14</sup>、NR<sup>14</sup>R<sup>15</sup>、胺基、氰基及鹵素原子所成之群組， <br/> R<sup>14</sup>及R<sup>15</sup>相同或相異，表示可被1以上之鹵素原子取代的C1-C6烷基； <br/> 群組F：由C1-C6鏈式烴基、C1-C6烷氧基、C3-C6烯基氧基、C3-C6炔基氧基、C1-C6烷基巰基、C1-C6烷基亞磺醯基、C1-C6烷基磺醯基{該C1-C6鏈式烴基、該C1-C6烷氧基、該C3-C6烯基氧基、該C3-C6炔基氧基、該C1-C6烷基巰基、該C1-C6烷基亞磺醯基，及該C1-C6烷基磺醯基，可被1以上之鹵素原子取代}、NHR<sup>14</sup>、NR<sup>14</sup>R<sup>15</sup>、C(O)R<sup>14</sup>、OC(O)R<sup>14</sup>、C(O)OR<sup>14</sup>、羥基、巰基、胺基、氰基、硝基，及鹵素原子所成之群組； <br/> 群組G：由C1-C6鏈式烴基、C1-C6烷氧基、C3-C6烯基氧基、C3-C6炔基氧基{該C1-C6鏈式烴基、該C1-C6烷氧基、該C3-C6烯基氧基，及該C3-C6炔基氧基，可被1以上之鹵素原子取代}，及鹵素原子所成之群組； <br/> 群組H：由可被選自群組A中1以上之取代基取代之C1-C6鏈式烴基、可被選自群組B中1以上之取代基取代的C3-C7環烷基、可被選自群組C中1以上之取代基取代之C3-C7環烯基、可被選自群組D中1以上之取代基取代之苯基、可被選自群組D中1以上之取代基取代之5或6員芳香族雜環基、OR<sup>3a</sup>、NR<sup>2a</sup>R<sup>3a</sup>、NR<sup>2b</sup>R<sup>3b</sup>、NR<sup>5</sup>NR<sup>2a</sup>R<sup>3a</sup>、NR<sup>5</sup>OR<sup>2a</sup>、NR<sup>2a</sup>C(O)R<sup>6a</sup>、NR<sup>5</sup>NR<sup>2a</sup>C(O)R<sup>6a</sup>、NR<sup>5</sup>NR<sup>2a</sup>C(O)OR<sup>7</sup>、NR<sup>2a</sup>C(O)NR<sup>8</sup>R<sup>9</sup>、NR<sup>5</sup>NR<sup>2a</sup>C(O)NR<sup>10</sup>R<sup>11</sup>、N=CHNR<sup>10</sup>R<sup>11</sup>、N=S(O)<sub>p</sub>R<sup>8</sup>R<sup>9</sup>、C(O)R<sup>12</sup>、C(O)NR<sup>10</sup>R<sup>11</sup>、C(O)NR<sup>2a</sup>S(O)<sub>2</sub>R<sup>13</sup>、CR<sup>5</sup>=NOR<sup>12</sup>、NR<sup>2a</sup>CR<sup>5</sup>=NOR<sup>12</sup>、S(O)<sub>m</sub>R<sup>13</sup>、氰基、硝基，及鹵素原子所成之群組， <br/> p表示0或1， <br/> m表示0、1或2， <br/> R<sup>2b</sup>及R<sup>3b</sup>與該等鍵結之氮原子一起，形成可被選自群組B中1以上之取代基取代之3-7員非芳香族雜環基， <br/> R<sup>6a</sup>表示C1-C6鏈式烴基、C3-C7環烷基、(C3-C6環烷基)C1-C3烷基{該C1-C6鏈式烴基、該C3-C7環烷基，及該(C3-C6環烷基)C1-C3烷基，可被1以上之鹵素原子取代}、苯基，或5或6員芳香族雜環基{該苯基及該5或6員芳香族雜環基，可被選自群組F中1以上之取代基取代}， <br/> R<sup>7</sup>表示C1-C6鏈式烴基、C3-C7環烷基、(C3-C6環烷基)C1-C3烷基{該C1-C6鏈式烴基、該C3-C7環烷基，及該(C3-C6環烷基)C1-C3烷基，可被1以上之鹵素原子取代}，或苯基C1-C3烷基{該苯基C1-C3烷基中之苯基部分，可被選自群組F中1以上之取代基取代}， <br/> R<sup>8</sup>及R<sup>9</sup>相同或相異，表示可被1以上之鹵素原子取代的C1-C6烷基， <br/> R<sup>10</sup>表示可被1以上之鹵素原子取代的C1-C6烷基，或氫原子， <br/> R<sup>11</sup>表示可被選自群組B中1以上之取代基取代的C1-C6鏈式烴基、可被選自群組G中1以上之取代基取代之C3-C7環烷基、S(O)<sub>2</sub>R<sup>6a</sup>，或氫原子， <br/> R<sup>12</sup>表示可被1以上之鹵素原子取代的C1-C6鏈式烴基、可被選自群組F中1以上之取代基取代之苯基，或氫原子； <br/> 群組I：由可被選自群組A中1以上之取代基取代之 C1-C6鏈式烴基、可被選自群組B中1以上之取代基取代的C3-C7環烷基、可被選自群組C中1以上之取代基取代之C3-C7環烯基、OR<sup>3a</sup>、NR<sup>2a</sup>R<sup>3a</sup>、NR<sup>2b</sup>R<sup>3b</sup>、NR<sup>5</sup>NR<sup>2a</sup>R<sup>3a</sup>、NR<sup>5</sup>OR<sup>2a</sup>、NR<sup>2a</sup>C(O)R<sup>6a</sup>、NR<sup>5</sup>NR<sup>2a</sup>C(O)R<sup>6a</sup>、NR<sup>5</sup>NR<sup>2a</sup>C(O)OR<sup>7</sup>、NR<sup>2a</sup>C(O)NR<sup>8</sup>R<sup>9</sup>、NR<sup>5</sup>NR<sup>2a</sup>C(O)NR<sup>10</sup>R<sup>11</sup>、N=CHNR<sup>10</sup>R<sup>11</sup>、N=S(O)<sub>p</sub>R<sup>8</sup>R<sup>9</sup>、C(O)R<sup>12</sup>、C(O)NR<sup>10</sup>R<sup>11</sup>、C(O)NR<sup>2a</sup>S(O)<sub>2</sub>R<sup>13</sup>、CR<sup>5</sup>=NOR<sup>12</sup>、NR<sup>2a</sup>CR<sup>5</sup>=NOR<sup>12</sup>、S(O)<sub>m</sub>R<sup>13</sup>、氰基、硝基，及鹵素原子所成之群組]。
如請求項1之化合物或其N-氧化物或該等之鹽，其中Z<sup>2</sup>為氧原子，Q為苯基、萘基{該苯基及該萘基，可被選自群組J中1以上之取代基取代}、呋喃基、噻吩基、吡唑基、咪唑基、<img align="absmiddle" height="17px" width="17px" file="ed10080.JPG" alt="ed10080.JPG" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>唑基、噻唑基、異<img align="absmiddle" height="17px" width="17px" file="ed10080.JPG" alt="ed10080.JPG" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>唑基、吡啶基、嗒<img align="absmiddle" height="17px" width="17px" file="ed10081.JPG" alt="ed10081.JPG" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>基、嘧啶基、吡<img align="absmiddle" height="17px" width="17px" file="ed10081.JPG" alt="ed10081.JPG" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>基、喹啉基、咪唑并吡啶基、苯并呋喃基，或苯并硫苯基{該呋喃基、該噻吩基、該吡唑基、該咪唑基、該<img align="absmiddle" height="17px" width="17px" file="ed10080.JPG" alt="ed10080.JPG" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>唑基、該噻唑基、該異<img align="absmiddle" height="17px" width="17px" file="ed10080.JPG" alt="ed10080.JPG" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>唑基、該吡啶基、該嗒<img align="absmiddle" height="17px" width="17px" file="ed10081.JPG" alt="ed10081.JPG" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>基、該嘧啶基、該吡<img align="absmiddle" height="17px" width="17px" file="ed10081.JPG" alt="ed10081.JPG" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>基、該喹啉基、該咪唑并吡啶基、該苯并呋喃基及該苯并硫苯基，可被選自群組K中1以上之取代基取代}， <br/> 群組J為由可被1以上之鹵素原子取代的C1-C6鏈式烴基、可被1以上之鹵素原子取代的C3-C7環烷基、可被1以上之鹵素原子取代的C3-C7環烯基、可被1以上之鹵素原子取代的苯基、可被1以上之鹵素原子取代的5或6員芳香族雜環基、OR<sup>3a</sup>、NR<sup>2a</sup>R<sup>3a</sup>、NR<sup>2b</sup>R<sup>3b</sup>、NR<sup>5</sup>NR<sup>2a</sup>R<sup>3a</sup>、NR<sup>5</sup>OR<sup>2a</sup>、NR<sup>2a</sup>C(O)R<sup>6a</sup>、NR<sup>5</sup>NR<sup>2a</sup>C(O)R<sup>6a</sup>、NR<sup>5</sup>NR<sup>2a</sup>C(O)OR<sup>7</sup>、NR<sup>2a</sup>C(O)NR<sup>8</sup>R<sup>9</sup>、NR<sup>5</sup>NR<sup>2a</sup>C(O)NR<sup>10</sup>R<sup>11</sup>、N=CHNR<sup>10</sup>R<sup>11</sup>、N=S(O)<sub>p</sub>R<sup>8</sup>R<sup>9</sup>、C(O)R<sup>12</sup>、C(O)NR<sup>10</sup>R<sup>11</sup>、C(O)NR<sup>2a</sup>S(O)<sub>2</sub>R<sup>13</sup>、CR<sup>5</sup>=NOR<sup>12</sup>、NR<sup>2a</sup>CR<sup>5</sup>=NOR<sup>12</sup>、S(O)<sub>m</sub>R<sup>13</sup>、氰基、硝基，及鹵素原子所成之群組， <br/> 群組K為由可被1以上之鹵素原子取代的C1-C6鏈式烴基、可被1以上之鹵素原子取代的C3-C7環烷基、可被1以上之鹵素原子取代的C3-C7環烯基、OR<sup>3a</sup>、NR<sup>2a</sup>R<sup>3a</sup>、NR<sup>2b</sup>R<sup>3b</sup>、NR<sup>5</sup>NR<sup>2a</sup>R<sup>3a</sup>、NR<sup>5</sup>OR<sup>2a</sup>、NR<sup>2a</sup>C(O)R<sup>6a</sup>、NR<sup>5</sup>NR<sup>2a</sup>C(O)R<sup>6</sup><sup>a</sup>、NR<sup>5</sup>NR<sup>2a</sup>C(O)OR<sup>7</sup>、NR<sup>2a</sup>C(O)NR<sup>8</sup>R<sup>9</sup>、NR<sup>5</sup>NR<sup>2a</sup>C(O)NR<sup>10</sup>R<sup>11</sup>、N=CHNR<sup>10</sup>R<sup>11</sup>、N=S(O)<sub>p</sub>R<sup>8</sup>R<sup>9</sup>、C(O)R<sup>12</sup>、C(O)NR<sup>10</sup>R<sup>11</sup>、C(O)NR<sup>2a</sup>S(O)<sub>2</sub>R<sup>13</sup>、CR<sup>5</sup>=NOR<sup>12</sup>、NR<sup>2a</sup>CR<sup>5</sup>=NOR<sup>12</sup>、S(O)<sub>m</sub>R<sup>13</sup>、氰基、硝基，及鹵素原子所成之群組。
如請求項1或請求項2之化合物或其N-氧化物或該等之鹽，其中R<sup>1b</sup>為可被1以上之鹵素原子取代的C1-C6鏈式烴基、可被1以上之鹵素原子取代的C3-C7環烷基，或鹵素原子，R<sup>1c</sup>為可被1以上之鹵素原子取代的C1-C6鏈式烴基、可被1以上之鹵素原子取代的C3-C7環烷基、鹵素原子或氫原子。
如請求項1或請求項2之化合物或其N-氧化物或該等之鹽，其中Q為苯基、萘基{該苯基及該萘基，可被選自群組L中1以上之取代基取代}、吡啶基，或喹啉基{該吡啶基及該喹啉基，可被選自群組M中1以上之取代基取代}， <br/> 群組L為由可被1以上之鹵素原子取代的C1-C6鏈式烴基、可被1以上之鹵素原子取代的C3-C7環烷基、可被1以上之鹵素原子取代的苯基、OR<sup>19</sup>、S(O)<sub>m</sub>R<sup>19</sup>，及鹵素原子所成之群組， <br/> 群組M為由可被1以上之鹵素原子取代的C1-C6鏈式烴基、可被1以上之鹵素原子取代的C3-C7環烷基、OR<sup>19</sup>、S(O)<sub>m</sub>R<sup>19</sup>，及鹵素原子所成之群組， <br/> R<sup>19</sup>為可被1以上之鹵素原子取代的C1-C3鏈式烴基。
如請求項1或請求項2之化合物或其N-氧化物或該等之鹽，其中Q為式Q1所示之基， <br/><img align="absmiddle" height="300px" width="307px" file="ed10072.jpg" alt="ed10072.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[式中， <br/> R<sup>18a</sup>、R<sup>18b</sup>及R<sup>18c</sup>相同或相異，表示可被1以上之鹵素原子取代的C1-C6鏈式烴基、可被1以上之鹵素原子取代的C3-C7環烷基、可被1以上之鹵素原子取代的苯基、OR<sup>19</sup>、S(O)<sub>m</sub>R<sup>19</sup>、鹵素原子或氫原子， <br/> R<sup>19</sup>表示可被1以上之鹵素原子取代的C1-C3鏈式烴基]。
如請求項1或請求項2之化合物或其N-氧化物或該等之鹽，其中Z<sup>1</sup>及Z<sup>2</sup>為氧原子。
一種有害節肢動物防除組成物，其含有如請求項1~請求項6中任一項之化合物或其N-氧化物或該等之鹽。
一種組成物，其含有選自由群組(a)、群組(b)、群組(c)及群組(d)所成之群組中1以上之成分，以及如請求項1~請求項6中任一項之化合物或其N-氧化物或該等之鹽： <br/> 群組(a)：由殺蟲活性成分、殺蟎活性成分及殺線蟲活性成分所成之群組； <br/> 群組(b)：殺菌活性成分； <br/> 群組(c)：植物成長調整成分； <br/> 群組(d)：忌避成分。
一種有害節肢動物之防除方法，其係將如請求項1~請求項6中任一項之化合物或其N-氧化物或該等之鹽的有效量或如請求項8之組成物的有效量施用於有害節肢動物或有害節肢動物的棲息場所。
一種式(II)所示之化合物， <br/><img align="absmiddle" height="308px" width="665px" file="ed10073.jpg" alt="ed10073.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[式中， <br/> G<sup>4</sup>表示CR<sup>1f</sup>， <br/> R<sup>1e</sup>表示可被1以上之鹵素原子取代的C1-C6鏈式烴基、可被1以上之鹵素原子取代的C3-C7環烷基，或鹵素原子， <br/> R<sup>1f</sup>表示可被1以上之鹵素原子取代的C1-C6鏈式烴基、可被1以上之鹵素原子取代的C3-C7環烷基、鹵素原子或氫原子， <br/> R<sup>18d</sup>及R<sup>18e</sup>相同或相異，表示可被1以上之鹵素原子取代的C1-C6鏈式烴基、可被1以上之鹵素原子取代的C3-C7環烷基、可被1以上之鹵素原子取代的苯基、OR<sup>19a</sup>、S(O)<sub>n</sub>R<sup>19a</sup>、鹵素原子或氫原子， <br/> R<sup>18f</sup>表示可被1以上之鹵素原子取代的C1-C6鏈式烴基、可被1以上之鹵素原子取代的C3-C7環烷基、可被1以上之鹵素原子取代的苯基、OR<sup>19</sup>、S(O)<sub>n</sub>R<sup>19a</sup>，或鹵素原子， <br/> R<sup>19a</sup>表示可被1以上之鹵素原子取代的C1-C3鏈式烴基， <br/> n表示0、1或2]。
一種影像感測器，包括： <br/>半導體基底，包含多個像素區； <br/>抗反射層，位於所述半導體基底上； <br/>彩色濾光片，設置於所述抗反射層上及所述像素區中；以及 <br/>柵欄結構，安置於所述彩色濾光片中的鄰近彩色濾光片之間， <br/>其中所述柵欄結構包括： <br/>下部部分，穿透所述抗反射層； <br/>上部部分，位於所述抗反射層上；以及 <br/>中間部分，位於所述下部部分與所述上部部分之間， <br/>其中所述柵欄結構具有底切區，所述底切區設置於所述中間部分的兩側處且位於所述柵欄結構的所述上部部分與所述抗反射層的頂部表面之間。
如請求項1所述的影像感測器，其中所述柵欄結構具有氣隙，所述氣隙包含：下部間隙區，位於所述柵欄結構的所述下部部分中；以及上部間隙區，位於所述柵欄結構的所述上部部分中且連接至所述下部間隙區。
如請求項1所述的影像感測器，其中所述柵欄結構的所述上部部分具有隨著其距所述抗反射層的所述頂部表面的距離增加而減小的寬度，以及 <br/>所述柵欄結構的所述下部部分具有隨著其變得更接近於所述抗反射層的底部表面而減小的寬度。
如請求項1所述的影像感測器，其中所述底切區相對於彼此不對稱。
如請求項1所述的影像感測器，其中所述柵欄結構的頂部表面不平坦。
如請求項1所述的影像感測器，其中所述柵欄結構包括： <br/>第一柵欄圖案，穿透所述抗反射層的一部分且界定下部間隙區； <br/>第二柵欄圖案，安置於所述第一柵欄圖案上以界定連接至所述下部間隙區的上部間隙區；以及 <br/>障壁圖案，安置於所述抗反射層的所述頂部表面上且安置於所述第一柵欄圖案的相對側表面中的至少一者上， <br/>其中所述障壁圖案的側表面界定所述底切區中的至少一者。
如請求項6所述的影像感測器，其中所述底切區包括： <br/>第一底切區，形成於所述柵欄結構的第一側處以暴露所述障壁圖案的所述側表面；以及 <br/>第二底切區，形成於所述柵欄結構的第二側處以暴露所述第一柵欄圖案的側表面的一部分。
如請求項6所述的影像感測器，其中所述第一柵欄圖案覆蓋穿透所述抗反射層的一部分的溝渠的內部表面。
如請求項6所述的影像感測器，其中所述第一柵欄圖案及所述第二柵欄圖案包括氧化矽， <br/>所述障壁圖案包括金屬材料。
如請求項1所述的影像感測器，其中所述抗反射層包括依序堆疊的第一絕緣層、第二絕緣層以及第三絕緣層，以及 <br/>所述柵欄結構的所述下部部分穿透所述第二絕緣層及所述第三絕緣層。
如請求項10所述的影像感測器，其中所述第二絕緣層比所述第一絕緣層及所述第三絕緣層厚。
如請求項10所述的影像感測器，其中所述第一絕緣層及所述第三絕緣層包括金屬氧化物，且所述第二絕緣層包括氧化矽。
一種影像感測器，包括： <br/>半導體基底，包含多個像素區； <br/>抗反射層，位於所述半導體基底上； <br/>彩色濾光片，設置於所述抗反射層上及所述像素區中；以及 <br/>柵欄結構，安置於所述彩色濾光片中的鄰近彩色濾光片之間，所述柵欄結構包括氣隙， <br/>其中所述柵欄結構包括： <br/>第一柵欄圖案，設置於所述抗反射層中以界定所述氣隙的下部區； <br/>障壁圖案，設置於所述抗反射層的頂部表面上以覆蓋所述第一柵欄圖案的相對側表面的部分；以及 <br/>第二柵欄圖案，設置於所述第一柵欄圖案及所述障壁圖案上以界定所述氣隙的上部區， <br/>其中所述障壁圖案設置於底切區中。
如請求項13所述的影像感測器，其中所述底切區相對於彼此不對稱。
如請求項13所述的影像感測器，其中所述第二柵欄圖案在向上方向上具有逐漸減小的寬度，以及 <br/>所述第一柵欄圖案在所述向上方向上具有逐漸增加的寬度。
如請求項13所述的影像感測器，其中所述第一柵欄圖案及所述第二柵欄圖案包括氧化矽，以及 <br/>所述障壁圖案包括金屬材料。
如請求項13所述的影像感測器，更包括第三柵欄圖案，所述第三柵欄圖案設置於所述第一柵欄圖案的一部分與所述障壁圖案的頂部表面之間。
如請求項13所述的影像感測器，其中所述抗反射層包括依序堆疊的第一絕緣層、第二絕緣層以及第三絕緣層，以及 <br/>所述第一柵欄圖案的下部部分穿透所述第二絕緣層及所述第三絕緣層。
如請求項18所述的影像感測器，其中所述第二絕緣層包括不同於所述第一絕緣層及所述第三絕緣層的絕緣材料，以及 <br/>所述第二絕緣層比所述第一絕緣層及所述第三絕緣層厚。
一種影像感測器，包括： <br/>半導體基底，具有彼此相對的第一表面及第二表面且具有第一導電性類型，所述半導體基底包括光接收區、光阻擋區以及襯墊區； <br/>像素隔離結構，設置於所述光接收區及所述光阻擋區中以界定多個像素區； <br/>光電轉換區，設置於所述像素區中； <br/>多個微透鏡，安置於所述半導體基底的所述第二表面上且設置於所述像素區中； <br/>彩色濾光片，安置於所述微透鏡與所述半導體基底的所述第二表面之間且設置於所述像素區中； <br/>抗反射層，安置於所述彩色濾光片與所述半導體基底的所述第二表面之間；以及 <br/>柵欄結構，安置於所述彩色濾光片中的鄰近彩色濾光片之間， <br/>其中所述柵欄結構包括： <br/>下部部分，穿透所述抗反射層的一部分； <br/>上部部分，在所述抗反射層上方突出；以及 <br/>中間部分，位於所述下部部分與所述上部部分之間， <br/>其中所述柵欄結構具有底切區，所述底切區設置於所述中間部分的兩側處且位於所述柵欄結構的所述上部部分與所述抗反射層的頂部表面之間。
一種按壓式書寫具，係具備：<br/>軸筒；<br/>書寫體，係收容於前述軸筒之內部且在前端具有書寫部；<br/>順次送出機構，係用於將前述書寫體朝前方順次送出；以及<br/>操作體，係配置於前述順次送出機構後方並操作前述順次送出機構；<br/>該按壓式書寫具還具有筆跡改變構件，該筆跡改變構件係安裝於前述操作體的前方，且用於將以前述書寫體書寫的筆跡予以去除、熱變色或隱藏；<br/>前述操作體之至少一部分係從前述軸筒突出，並且前述操作體係利用作用於前述軸筒與前述操作體之間的磁力，而可朝前後滑動且可裝卸地安裝於前述軸筒。
如請求項1所述之按壓式書寫具，其中，前述軸筒或前述操作體中之任意一方係具有磁鐵，而任意另一方係具有利用前述磁鐵之磁力來磁性吸附的強磁性體。
如請求項2所述之按壓式書寫具，其中，藉由操作前述操作體使前述順次送出機構作動，當前述磁鐵與前述強磁性體之間的距離擴大到最大時，前述操作體僅利用作用於前述磁鐵與前述強磁性體之間的磁力即可返回到操作前之位置。
如請求項1至3中任一項所述之按壓式書寫具，其中，當前述操作體從前述軸筒取下時，即使前述操作體之前後方向倒置，也可利用磁力可自由裝卸地安裝於前述軸筒。
如請求項4所述之按壓式書寫具，其中，當前述操作體以以前後倒置方式安裝到前述軸筒時，前述操作體與限制前述操作體朝前方的移動的限制部抵接。
一種用於判定一樣品之資訊之系統，其包括： <br/>一電腦子系統；及 <br/>一或多個組件，其等藉由該電腦子系統執行； <br/>其中該一或多個組件包括在無經標記資料之情況下進行訓練且經組態以自包括至少一樣品影像或自該樣品影像產生之資料之一或多個輸入產生一樣品之一參考之一深度學習模型；且 <br/>其中該電腦子系統經組態用於自該參考及至少該樣品影像或自該樣品影像產生之該資料判定該樣品之資訊。
如請求項1之系統，其中該深度學習模型以一無監督方式進一步訓練。
如請求項1之系統，其中該深度學習模型以一自我監督方式進一步訓練。
如請求項1之系統，其中當該一或多個輸入包括該樣品影像時，該參考包括一經學習參考影像。
如請求項1之系統，其中當該一或多個輸入包括自該樣品影像產生之該資料且自該樣品影像產生之該資料包括結構雜訊時，該參考包括經學習結構雜訊。
如請求項1之系統，其中該一或多個輸入進一步包括該樣品之設計資訊及至少該樣品影像或自該樣品影像產生之該資料。
如請求項1之系統，其中該一或多個輸入進一步包括該樣品之設計資訊及至少該樣品影像或自該樣品影像產生之該資料，且其中該一或多個輸入、該設計資訊及自該樣品影像產生之該資料不包括該樣品之關注區域資訊。
如請求項1之系統，其中該一或多個輸入進一步包括該樣品之關注區域資訊及至少該樣品影像或自該樣品影像產生之該資料。
如請求項1之系統，其中該樣品影像係使用一成像子系統之一第一模式產生，其中該深度學習模型進一步經組態以自至少包括使用該成像子系統之一第二模式產生之一額外樣品影像或自該額外樣品影像產生之資料之一或多個額外輸入產生該樣品之一額外參考，且其中該電腦子系統進一步經組態用於自該額外參考及至少該額外樣品影像或自該額外樣品影像產生之該資料判定該樣品之額外資訊。
如請求項9之系統，其中在不同時間將該樣品影像及該額外樣品影像或自該樣品影像產生之該資料及自該額外樣品影像產生之該資料單獨輸入至該深度學習模型。
如請求項9之系統，其中將該樣品影像及該額外樣品影像或自該樣品影像產生之該資料及自該額外樣品影像產生之該資料聯合輸入至該深度學習模型。
如請求項1之系統，其中該電腦子系統未經組態用於自任何其他樣品之參考判定資訊。
如請求項1之系統，其中該電腦子系統進一步經組態用於自該參考及僅該樣品影像或自該樣品影像產生之該資料判定該樣品之資訊。
如請求項1之系統，其中該電腦子系統進一步經組態用於藉由將該參考及至少該樣品影像或自該樣品影像產生之該資料輸入至一監督式深度學習模型中而判定該樣品之該資訊。
如請求項1之系統，其中該電腦子系統進一步經組態用於藉由將該參考及至少該樣品影像或自該樣品影像產生之該資料輸入至一無監督式深度學習模型中而判定該樣品之該資訊。
如請求項1之系統，其中該電腦子系統進一步經組態用於藉由將該參考及至少該樣品影像或自該樣品影像產生之該資料輸入至一無監督式演算法中而判定該樣品之該資訊。
如請求項1之系統，其中針對該樣品判定之該資訊包括該樣品上之經預測缺陷位置。
如請求項1之系統，其中該樣品影像由一基於光之成像子系統產生。
一種儲存程式指令之非暫時性電腦可讀媒體，該等程式指令可在一電腦系統上實行以執行用於判定一樣品之資訊之一電腦實施方法，其中該電腦實施方法包括： <br/>藉由將一或多個輸入輸入至在不使用經標記資料之情況下進行訓練之一深度學習模型中而產生一樣品之一參考，其中該一或多個輸入包括至少一樣品影像或自該樣品影像產生之資料；及 <br/>自該參考及至少該樣品影像或自該樣品影像產生之該資料判定該樣品之資訊。
一種用於判定一樣品之資訊之電腦實施方法，其包括： <br/>藉由將一或多個輸入輸入至在不使用經標記資料之情況下進行訓練之一深度學習模型中而產生一樣品之一參考，其中該一或多個輸入包括至少一樣品影像或自該樣品影像產生之資料；及 <br/>自該參考及至少該樣品影像或自該樣品影像產生之該資料判定該樣品之資訊，其中該輸入及該判定係藉由一電腦子系統執行。
一種微針貼片，包括： <br/>具有貫通孔的液體非滲透性的基材； <br/>填充於前述貫通孔內的可吸收液體的吸收性材料； <br/>設置於前述基材的一表面側、其內部形成有流通路徑的針狀部；以及 <br/>設置於前述基材的另一表面側的功能性部件， <br/>其中前述針狀部和前述吸收性材料互相連接， <br/>且前述吸收性材料和前述功能性部件互相連接， <br/>其中前述針狀部由多孔質材料所構成，且前述吸收性材料為與該多孔質材料相同的多孔質材料。
如請求項1所述之微針貼片，其中前述針狀部在內部形成有孔部，且前述孔部在前述針狀部的側面也有開口。
如請求項1所述之微針貼片，其中前述基材的前述一表面上設置有第一接著劑層。
如請求項3所述之微針貼片，其中前述第一黏著劑層為感壓接著劑層。
如請求項1所述之微針貼片，其中前述基材的前述另一表面上設置有第二接著劑層。
如請求項1所述之微針貼片，其中前述貫通孔和前述功能性部件設置於平面視角下至少一部分重疊的位置。
如請求項1所述之微針貼片，其中前述吸收性材料以突出於前述基材的另一表面側的方式、或者以前述基材的另一表面與前述吸收性材料的表面涵蓋於同一平面的方式填充。
如請求項1所述之微針貼片，更包括至少覆蓋前述功能性部件的片材，其中該片材在前述功能性部件側的表面上具有接著劑層。
如請求項8所述之微針貼片，其中前述片材包括用於排出殘留於前述片材與前述基材之間的空氣的通氣構造。
如請求項1～9中任一項所述之微針貼片，其中前述功能性部件為檢測從前述針狀部所得到的前述液體之檢測部件或從前述針狀部供給作為前述液體的藥品之藥品供給部件。
如請求項10所述之微針貼片，其中設置有複數前述功能性部件，且前述功能性部件至少包括第一功能性部件和第二功能性部件，前述第一功能性部件和前述第二功能性部件為分別檢測不同成分之前述檢測部件。
一種微針貼片構造體，包括： <br/>具有貫通孔的液體非滲透性的基材、填充於前述貫通孔內的吸收性材料、以及設置於前述基材的一表面側、其內部形成有流通路徑的針狀部， <br/>其中前述針狀部和前述吸收性材料互相連接， <br/>其中前述針狀部由多孔質材料所構成，且前述吸收性材料為與該多孔質材料相同的多孔質材料。
一種加熱烹調器，其中，其包括: 加熱室；<br/> 門，其設置於所述加熱室；<br/> 開閉檢測部，其檢測所述門的開閉；<br/> 判定部，其判定所述加熱室內的食品的有無；<br/> 讀取裝置，其讀取用於對食品進行加熱烹調的資訊碼；以及<br/> 加熱控制部，其基於由所述讀取裝置讀取的資訊碼，對所述加熱室內的食品進行加熱控制，<br/> 在所述讀取裝置讀取到所述資訊碼後，由所述開閉檢測部檢測到所述門關閉且由所述判定部判定為所述加熱室內存在食品時，所述加熱控制部開始所述食品的加熱。
根據請求項1所述之加熱烹調器，其中，<br/> 所述判定部在通過所述開閉檢測部檢測到所述門關閉時，判定所述加熱室內有無食品，<br/> 所述加熱控制部在由所述判定部判定為在所述加熱室內有食品時，開始所述食品的加熱。
根據請求項2所述之加熱烹調器，其中，<br/> 所述判定部在通過所述開閉檢測部檢測到所述門打開時，判定所述加熱室內有無食品，<br/> 在通過所述開閉檢測部檢測到所述門打開，且通過所述判定部判定為所述加熱室沒有食品的狀態下，如果通過所述開閉檢測部檢測到所述門關閉，且通過所述判定部判定為所述加熱室有食品，則所述加熱控制部開始所述食品的加熱。
根據請求項2所述之加熱烹調器，其中，<br/> 所述判定部在通過所述開閉檢測部檢測到所述門打開時，判定所述加熱室內有無食品，<br/> 在由所述開閉檢測部檢測到所述門打開，且通過所述判定部判定為所述加熱室內有食品的狀態下，如果通過所述開閉檢測部檢測到所述門關閉，則所述加熱控制部開始所述食品的加熱。
根據請求項1至4中任一項所述之加熱烹調器，其中，<br/> 所述加熱烹調器具備食品感測器，其檢測所述加熱室內的食品，<br/> 所述食品感測器具備:<br/> 發光的發光部；以及<br/> 受光部，其接收從所述發光部發出的光，<br/> 所述判定部根據所述受光部的受光量來判定所述加熱室內有無食品。
一種加熱烹調器的加熱控制方法，該加熱烹調器包括:加熱室；門，其設置於所述加熱室；開閉檢測部，其檢測所述門的開閉；判定部，其判定所述加熱室內的食品的有無；讀取裝置，其讀取用於對食品進行加熱烹調的資訊碼；以及加熱控制部，其根據由所述讀取裝置讀取到的資訊碼，對所述加熱室內的食品進行加熱控制，其中，<br/> 所述加熱控制方法包括以下工序:在所述讀取裝置讀取到所述資訊碼後，所述開閉檢測部檢測到所述門關閉，且所述判定部判定為在所述加熱室內有食品時，由所述加熱控制部開始所述食品的加熱。
一種紡車式捲線器，其包括： 捲線器本體； 捲筒軸，其相對於上述捲線器本體於前後方向上可移動地受到支持； 捲筒，其具有外周供釣線捲繞之捲線本體部、及從上述捲線本體部之前端向徑向外側延伸之前凸緣，且連結於上述捲筒軸； 捲筒環，其配置於上述前凸緣之徑向外側；以及 拖曳操作構件，其配置於上述捲筒軸之前方，用於調整上述捲筒之拖曳力；且 上述拖曳操作構件具有： 環狀部，其配置於上述捲筒軸之前方；及 抓持部，其沿著包含上述捲筒軸之軸心之平面延伸，從上述環狀部之前表面起，在上述平面上一邊彎曲一邊向前方突出；且 定義了與上述捲筒環之徑向外側部相切之球面， 從徑向外側觀察上述捲筒環時，通過上述球面和上述徑向外側部之切點且與上述球面相切之切線和與上述捲筒軸正交且通過上述切點之直線所成的角度為45度， 上述拖曳操作構件配置於上述球面之內側。
如請求項1之紡車式捲線器，其進而包括用於將上述捲筒環固定於上述捲筒之固定環， 上述固定環配置於上述球面之內側。
如請求項1或2之紡車式捲線器，其中 設置於上述捲筒環中之徑向最外側之第1緣部配置於較設置於上述前凸緣中之徑向最外側之第2緣部更為前方處， 上述第1緣部及上述第2緣部之軸向間隔為2.0 mm以上。
如請求項1或2之紡車式捲線器，其中 上述抓持部具有設置於上述平面之兩側之一對外表面， 一對上述外表面分別具有4.0以上之曲率。
如請求項4之紡車式捲線器，其中 上述環狀部之外徑相對於上述捲筒環之外徑之比率為95%以下。
如請求項5之紡車式捲線器，其進而包括用於將上述捲筒環固定於上述捲筒之固定環， 上述環狀部之前表面及上述固定環之前表面之軸向間隔為0 mm以上且0.5 mm以下。
如請求項1或2之紡車式捲線器，其中 上述徑向外側部之外表面具有0.3以上之曲率。
一種微乳化基質，其包含長鏈脂肪酸、至少兩種非離子性界面活性劑、生物乳化劑及至少一種助界面活性劑，其中該微乳化基質不需要添加水，且其中該微乳液之粒徑範圍為40.7-51.5 nm； <br/>其中該長鏈脂肪酸為油酸乙酯，該生物乳化劑為卵磷脂，且該至少一種助界面活性劑為丙二醇； <br/>其中該至少兩種非離子界面活性劑包含第一非離子界面活性劑及第二非離子界面活性劑，其中至少一種非離子界面活性劑係選自由下列所組成之群組：聚氧乙烯、聚甘油聚蓖麻油酸酯(polyglycerol polyracinoleate)、聚山梨醇酯(Tween 20、40、60、65、80、85)及山梨醇酐單月桂酸酯(sorbitan monolaurate)(SPAN 20至85)；且 <br/>其中該微乳化基質包含以重量計從約12.5至50%範圍之量的油酸乙酯作為油相、從11.5至20.5%範圍之量的第一非離子性界面活性劑、從16.5至29%範圍之量的第二非離子性界面活性劑、從14至25%範圍之量的卵磷脂及從7.5至14%範圍之量的丙二醇。
如請求項1之微乳化基質，其另外包含至少一種選自由下列所組成之群組的精油：油酸甲酯、月桂酸乙酯、油酸、油酸乙酯、苦楝油、瑞香草油(thyme oil)、丁香油、丁香酚、肉桂油、桉樹油、檸檬草油、玫瑰油、薰衣草油、香芹酚油及其混合物。
如請求項1之微乳化基質，其另外包含至少一種選自由下列所組成之群組的酸：丙酸、甲酸和乳酸。
如請求項1之微乳化基質，其中該微乳化基質在pH 2至12之範圍內為穩定的。
如請求項1之微乳化基質，其另外與至少一種類胡蘿蔔素組合。
一種遞送至少一種類胡蘿蔔素至動物之方法，其包含： <br/>將如請求項1所述的微乳化基質，與該至少一種類胡蘿蔔素組合。
如請求項6之方法，其中該微乳化基質係以從約5至8%範圍之量添加，以便於乳化至少50%之該至少一種類胡蘿蔔素、色素及/或其他非水溶性生物活性成分或營養素。
如請求項7之方法，其中該類胡蘿蔔素係選自由下列所組成之群組：葉黃素、玉米黃質、角黃素、蝦青素(astaxanthin)、隱黃質、反式-番椒花素、辣椒紫紅素、堇菜黃質、脫輔基類胡蘿蔔素(apo-carotenoids)及其混合物。
一種增加動物吸收類胡蘿蔔素之方法，其包含對該動物投予包括如請求項1之微乳化基質及皂化類胡蘿蔔素的組成物。
如請求項9之方法，其中將該組成物摻入家禽飼料中且導致蛋黃色澤分數增加。
如請求項9之方法，其中將該組成物摻入水產飼料中且導致魚的外部色素強度增加。
如請求項9之方法，其中該皂化類胡蘿蔔素含有從72 g/kg至87 g/kg之總類胡蘿蔔素及從50g/kg至74 g/kg之範圍的總葉黃素。
一種積層體，係具備： <br/>偏光板；以及 <br/>透明構件； <br/>其中，前述硬塗層構成前述偏光板的至少單側的最外表面，前述硬塗層在波長300nm的吸光度為2.0以下， <br/>前述硬塗層係由光硬化型樹脂組成物的硬化層所構成， <br/>前述光硬化型樹脂組成物含有自由基聚合起始劑作為光聚合起始劑， <br/>前述自由基聚合起始劑為α-羥基苯乙酮系光聚合起始劑或α-胺基苯乙酮系光聚合起始劑， <br/>前述硬塗層與前述透明構件係隔著紫外線加成硬化型聚矽氧接著劑層而積層。
如請求項1所述之積層體，其中，前述光硬化型樹脂組成物的硬化層包含(甲基)丙烯酸系樹脂的硬化物。
如請求項1或2所述之積層體，其中，前述硬塗層的厚度為0.5μm以上10μm以下。
如請求項1或2所述之積層體，其中，前述紫外線加成硬化型聚矽氧接著劑層的厚度為10μm以上1000μm以下。
如請求項1或2所述之積層體，其中，前述紫外線加成硬化型聚矽氧接著劑層為紫外線加成硬化型聚矽氧接著劑組成物的硬化層。
如請求項1或2所述之積層體，其中，前述透明構件為玻璃板、透明樹脂板或觸控面板。
一種用於影像序列或影片分析之運算系統，其包含：<br/> 一處理器；及<br/> 一記憶體，其係耦接至該處理器，該記憶體儲存一神經網路，該神經網路包含：<br/> 複數個卷積層；以及<br/> 複數個正規化層，其被布置為一中繼結構，其中各正規化層係耦接至並跟隨該等複數個卷積層中之一相應者；<br/> 其中布置為一中繼結構之該等複數個正規化層對於各層(k)包含用於該層(k)之一正規化層，其係耦接至並跟隨用於一居前層(k-1)之一正規化層。
如請求項1之運算系統，其中用於該層(k)之該正規化層係經由一隱藏狀態信號及一胞元狀態信號耦接至用於該居前層(k-1)之該正規化層，該隱藏狀態信號及一胞元狀態信號中之各者係由用於該居前層(k-1)之該正規化層所產生。
如請求項2之運算系統，其中各正規化層包含一元閘控單元(MGU)結構。
如請求項3之運算系統，其中該MGU結構包含一修改型長短期記憶體(LSTM)胞元。
如請求項1至4中任一項之運算系統，其中各正規化層更包含：<br/> 一全域平均池化(GAP)函數，其在一特徵圖上具有操作性；<br/> 一標準化(STD)函數，其在該特徵圖上具有操作性；以及<br/> 一線性變換(LNT)函數，其在該STD函數之一輸出上具有操作性，該LNT函數係基於要由該MGU結構所產生之一隱藏狀態信號，並且基於要由該MGU結構所產生之一胞元狀態信號，<br/> 其中該LNT函數之一輸出係耦接至該等複數個卷積層中之一者之一輸入。
一種用於影像序列或影片分析之半導體設備，其包含：<br/> 一或多個基材；及<br/> 邏輯，其係耦接至該一或多個基材，其中該邏輯係至少部分地以可組配邏輯或固定功能硬體邏輯中之一或多者實施，耦接至該一或多個基材之該邏輯包含一神經網路，該神經網路包含：<br/> 複數個卷積層；以及<br/> 複數個正規化層，其被布置為一中繼結構，其中各正規化層係耦接至並跟隨該等複數個卷積層中之一相應者；<br/> 其中布置為一中繼結構之該等複數個正規化層對於各層(k)包含用於該層(k)之一正規化層，其係耦接至並跟隨用於一居前層(k-1)之一正規化層。
如請求項6之設備，其中用於該層(k)之該正規化層係經由一隱藏狀態信號及一胞元狀態信號耦接至用於該居前層(k-1)之該正規化層，該隱藏狀態信號及一胞元狀態信號中之各者係由用於該居前層(k-1)之該正規化層所產生。
如請求項7之設備，其中各正規化層包含一元閘控單元(MGU)結構。
如請求項8之設備，其中該MGU結構包含一修改型長短期記憶體(LSTM)胞元。
如請求項6至9中任一項之設備，其中各正規化層更包含：<br/> 一全域平均池化(GAP)函數，其在一特徵圖上具有操作性；<br/> 一標準化(STD)函數，其在該特徵圖上具有操作性；以及<br/> 一線性變換(LNT)函數，其在該STD函數之一輸出上具有操作性，該LNT函數係基於要由該MGU結構所產生之一隱藏狀態信號，並且基於要由該MGU結構所產生之一胞元狀態信號，<br/> 其中該LNT函數之一輸出係耦接至該等複數個卷積層中之一者之一輸入。
如請求項6之設備，其中耦接至該一或多個基材之該邏輯包括被安置於該一或多個基材內之電晶體通道區域。
一種包含用於影像序列或影片分析之一組指令之至少一個非暫時性電腦可讀儲存媒體，該組指令在由一運算系統執行時，致使該運算系統進行下列動作：<br/> 產生包含複數個卷積層之一神經網路；以及<br/> 在該神經網路中將複數個正規化層布置為一中繼結構，其中各正規化層係耦接至並跟隨該等複數個卷積層中之一相應者；<br/> 其中將該等複數個正規化層布置為一中繼結構對於各層(k)包含將用於該層(k)之一正規化層布置為耦接至並跟隨用於一居前層(k-1)之一正規化層。
如請求項12之至少一個非暫時性電腦可讀儲存媒體，其中用於該層(k)之該正規化層要經由一隱藏狀態信號及一胞元狀態信號耦接至用於該居前層(k-1)之該正規化層，該隱藏狀態信號及一胞元狀態信號中之各者要由用於該居前層(k-1)之該正規化層所產生。
如請求項13之至少一個非暫時性電腦可讀儲存媒體，其中各正規化層包含一元閘控單元(MGU)結構。
如請求項14之至少一個非暫時性電腦可讀儲存媒體，其中該MGU結構包含一修改型長短期記憶體(LSTM)胞元。
如請求項12至15中任一項之至少一個非暫態電腦可讀儲存媒體，其中各正規化層更包含：<br/> 一全域平均池化(GAP)函數，其在一特徵圖上具有操作性；<br/> 一標準化(STD)函數，其在該特徵圖上具有操作性；以及<br/> 一線性變換(LNT)函數，其在該STD函數之一輸出上具有操作性，該LNT函數係基於要由該MGU結構所產生之一隱藏狀態信號，並且基於要由該MGU結構所產生之一胞元狀態信號，<br/> 其中該LNT函數之一輸出要耦接至該等複數個卷積層中之一者之一輸入。
一種用於影像序列或影片分析之方法，其包含：<br/> 產生包含複數個卷積層之一神經網路；以及<br/> 在該神經網路中將複數個正規化層布置為一中繼結構，其中各正規化層係耦接至並跟隨該等複數個卷積層中之一相應者；<br/> 其中將該等複數個正規化層布置為一中繼結構對於各層(k)包含將用於該層(k)之一正規化層布置為耦接至並跟隨用於一居前層(k-1)之一正規化層。。
如請求項17之方法，其中用於該層(k)之該正規化層係經由一隱藏狀態信號及一胞元狀態信號耦接至用於該居前層(k-1)之該正規化層，該隱藏狀態信號及一胞元狀態信號中之各者係由用於該居前層(k-1)之該正規化層所產生。
如請求項18之方法，其中各正規化層包含一元閘控單元(MGU)結構。
如請求項19之方法，其中該MGU結構包含一修改型長短期記憶體(LSTM)胞元。
如請求項17至20中任一項之方法，其中各正規化層更包含：<br/> 一全域平均池化(GAP)函數，其在一特徵圖上具有操作性；<br/> 一標準化(STD)函數，其在該特徵圖上具有操作性；以及<br/> 一線性變換(LNT)函數，其在該STD函數之一輸出上具有操作性，該LNT函數係基於由該MGU結構所產生之一隱藏狀態信號，並且基於由該MGU結構所產生之一胞元狀態信號，<br/> 其中該LNT函數之一輸出係耦接至該等複數個卷積層中之一者之一輸入。
一種熱硬化型樹脂片材，其於半導體裝置之製造方法中，用作用於配置於將形成有電路面之晶圓割斷而得之晶片與被黏著體之間，而使上述晶片接著於上述被黏著體之黏晶片材， <br/>上述熱硬化型樹脂片材包含分子中具有藉由熱硬化處理引起交聯反應之交聯性基之交聯性丙烯酸系聚合物，上述交聯性基包含環氧基， <br/>上述交聯性丙烯酸系聚合物在分子中具有含有上述環氧基之(甲基)丙烯酸縮水甘油酯之結構單元， <br/>上述交聯性丙烯酸系聚合物中之上述結構單元之含有率為5質量%以上且50質量%以下， <br/>上述熱硬化型樹脂片材於熱硬化處理前之140℃下之剪切損失模數G''為1 kPa以上且20 kPa以下，並且在150℃下進行1小時熱硬化處理後之150℃下之拉伸彈性模數為0.5 MPa以上且7.0 MPa以下。
如請求項1之熱硬化型樹脂片材，其中相對於上述黏晶片材中所包含之有機成分100質量份，上述交聯性丙烯酸系聚合物之含有比率為50質量份以上且100質量份以下。
如請求項1或2之熱硬化型樹脂片材，其在150℃下進行1小時熱硬化處理後之玻璃轉移點Tg為20℃以上且100℃以下，上述玻璃轉移點Tg下之Tanδ為0.7以上且1.5以下。
如請求項1或2之熱硬化型樹脂片材，其中作為無機填料之二氧化矽填料之含有率為40質量%以下， <br/>上述二氧化矽填料之比表面積為35 m<sup>2</sup>/g以上且400 m<sup>2</sup>/g以下。
如請求項1或2之熱硬化型樹脂片材，其包含藉由上述熱硬化處理而與上述交聯性基進行交聯反應之酚樹脂， <br/>上述酚樹脂之羥基當量為160以上。
如請求項1或2之熱硬化型樹脂片材，其包含1種或複數種之上述交聯性丙烯酸系聚合物，至少1種上述交聯性丙烯酸系聚合物之質量平均分子量為1萬以上且40萬以下。
如請求項1或2之熱硬化型樹脂片材，其與切晶帶貼合而使用。
如請求項1或2之熱硬化型樹脂片材，其於0℃下之斷裂伸長率為50%以下。
如請求項1或2之熱硬化型樹脂片材，其在用於將半導體晶圓割斷來製造半導體晶片之SDBG(研磨前隱形切割)工藝或DBG(研磨前切割)工藝中使用。
一種切晶黏晶膜，其具備：由如請求項1至9中任一項之熱硬化型樹脂片材構成之黏晶片材、及貼合於該黏晶片材之切晶帶。
一種高電子遷移率電晶體（HEMT）元件，包括： <br/>基底，具有至少一主動區； <br/>通道層，配置在所述至少一主動區上； <br/>阻障層，配置在所述通道層上；以及 <br/>閘極結構，配置在所述阻障層上，其中所述閘極結構包括： <br/>金屬層；以及 <br/>P型III-V族半導體層，垂直配置在所述金屬層與所述阻障層之間，其中所述P型III-V族半導體層包括：下部與位於所述下部上的上部，且所述上部的頂部面積大於所述下部的頂部面積，且所述金屬層的面積大於所述P型III-V族半導體層的頂部面積。
如請求項1所述的HEMT元件，其中所述金屬層與所述上部之間的接觸面積大於所述下部與所述阻障層之間的接觸面積。
如請求項1所述的HEMT元件，其中在俯視下，所述閘極結構沿著第一方向延伸且橫跨所述至少一主動區，且所述上部沿著所述第一方向從所述下部的第一側壁突出第一距離，其中所述第一距離大於0 μm且小於等於10 μm。
如請求項1所述的HEMT元件，其中在俯視下，所述上部沿著垂直於所述第一方向的第二方向從所述下部的第二側壁突出第二距離，所述第二距離大於0 μm且小於等於14 μm。
如請求項1所述的HEMT元件，其中在俯視下，所述上部在垂直於所述第一方向的第二方向上從所述下部的第三側壁突出第三距離，所述第三距離大於0 μm且小於等於2 μm。
如請求項1所述的HEMT元件，更包括：鈍化層配置在所述阻障層上且橫向包封所述P型III-V族半導體層。
如請求項6所述的HEMT元件，更包括：源極/汲極電極配置在所述閘極結構的相對側處，其中所述源極/汲極電極穿過所述鈍化層與所述阻障層以與所述通道層接觸。
如請求項1所述的HEMT元件，更包括：隔離結構環繞所述至少一主動區上的所述通道層與所述阻障層。
如請求項1所述的HEMT元件，更包括：緩衝層垂直配置在所述基底與所述通道層之間。
一種高電子遷移率電晶體（HEMT）元件的形成方法，包括： <br/>在基底上形成通道層； <br/>在所述通道層上形成阻障層； <br/>在所述阻障層上形成鈍化層； <br/>圖案化所述鈍化層以形成開口； <br/>在所述開口中形成P型III-V族半導體層；以及 <br/>在所述P型III-V族半導體層上形成金屬層。
如請求項10所述的HEMT元件的形成方法，其中所述開口包括：下部開口與配置在所述下部開口上的上部開口，且所述上部開口的寬度大於所述下部的寬度。
如請求項11所述的HEMT元件的形成方法，其中所述P型III-V族半導體層包括：形成在所述下部開口中的下部以及形成在所述上部開口中的上部，且所述上部的頂部面積大於所述下部的頂部面積。
如請求項12所述的HEMT元件的形成方法，其中所述上部的頂面低於或實質上齊平所述鈍化層的頂面。
如請求項12所述的HEMT元件的形成方法，其中所述上部與所述下部具有相同材料。
如請求項10所述的HEMT元件的形成方法，更包括：在所述金屬層的相對側處形成源極/汲極電極，其中所述源極/汲極電極穿過所述鈍化層與所述阻障層以與所述通道層接觸。
如請求項15所述的HEMT元件的形成方法，其中所述源極/汲極電極在形成所述金屬層之前形成。
如請求項10所述的HEMT元件的形成方法，其中在形成所述開口之前，所述方法更包括：形成環繞部分所述通道層與部分所述阻障層的隔離結構。
如請求項10所述的HEMT元件的形成方法，更包括在所述基底與所述通道層之間形成緩衝層。
一種高電子遷移率電晶體（HEMT）元件，包括： <br/>基底，具有至少一主動區； <br/>通道層，配置在所述至少一主動區上； <br/>阻障層，配置在所述通道層上；以及 <br/>閘極結構，配置在所述阻障層上，其中所述閘極結構在俯視下，沿著第一方向延伸且橫跨所述至少一主動區，且所述閘極結構包括： <br/>金屬層；以及 <br/>P型III-V族半導體層，垂直配置在所述金屬層與所述阻障層之間，其中所述P型III-V族半導體層包括：下部與位於所述下部上的上部，且所述上部的頂部面積大於所述下部的頂部面積， <br/>其中所述上部在俯視下，沿著垂直於所述第一方向的第二方向從所述下部的第一側壁突出第一距離，且所述上部沿著所述第二方向從所述下部的第二側壁突出第二距離，其中所述第一距離大於0 μm且小於等於14 μm之間，而所述第二距離大於0 μm且小於等於2 μm之間。
一種高電子遷移率電晶體元件，包括： <br/>基底； <br/>通道層，位於所述基底的上方； <br/>源極，位於所述通道層上； <br/>汲極，位於所述通道層上； <br/>緩衝層，位於所述基底與所述通道層之間；以及 <br/>多個非晶系區，位於所述源極與所述汲極下方的所述緩衝層中， <br/>其中所述通道層包括結晶系區，且在所述源極與所述汲極正下方的所述結晶系區與所述多個非晶系區之間具有多個界面。
如請求項1所述之高電子遷移率電晶體元件，其中所述多個非晶系區至少從所述緩衝層的頂面向所述基底延伸。
如請求項1所述之高電子遷移率電晶體元件，其中所述多個非晶系區至少從所述緩衝層的頂面延伸至所述緩衝層的底面。
如請求項1所述之高電子遷移率電晶體元件，其中所述多個非晶系區還延伸至所述通道層中。
如請求項1所述之高電子遷移率電晶體元件，其中多個非晶系區的濃度低於1x10<sup>19</sup>/立方公分。
如請求項1所述之高電子遷移率電晶體元件，更包括： <br/>閘極導體層，位於所述源極與所述汲極之間的所述通道層之上； <br/>阻障層，位於所述通道層與所述閘極導體層之間；以及 <br/>極化調整層，位於所述阻障層與所述閘極導體層之間。
如請求項6所述之高電子遷移率電晶體元件，其中所述緩衝層的材料包括碳摻雜的GaN，所述通道層的材料包括GaN，所述阻障層包括AlGaN，所述極化調整層包括P型GaN。
一種高電子遷移率電晶體元件的製造方法，包括： <br/>提供基底； <br/>在所述基底上形成緩衝層； <br/>在所述緩衝層上形成通道層； <br/>在所述通道層上方形成介電結構； <br/>在所述緩衝層中形成多個非晶系區；以及 <br/>在所述多個非晶系區上方的所述通道層上方形成源極與汲極。
如請求項8所述之高電子遷移率電晶體元件的製造方法，其中所述在所述緩衝層中形成所述多個非晶系區包括： <br/>在所述介電結構上形成罩幕層，其中所述罩幕層具有多個第一開口，對應於所述源極與所述汲極； <br/>以所述罩幕層為罩幕，移除部分所述介電結構，以形成多個第二開口； <br/>進行處理製程，以在所在所述緩衝層中形成多個處理區，所述多個處理區包括所述多個非晶系區；以及 <br/>移除所述罩幕層。
如請求項9所述之高電子遷移率電晶體元件的製造方法，其中所述第二開口的底面裸露出所述介電結構，且更包括在形成所述多個處理區之後，移除所述第二開口下方的所述介電結構。
如請求項9所述之高電子遷移率電晶體元件的製造方法，其中所述處理製程包括離子植入製程。
如請求項11所述之高電子遷移率電晶體元件的製造方法，其中所述離子植入製程的氣體包括鈍氣。
如請求項12所述之高電子遷移率電晶體元件的製造方法，其中所述鈍氣包括氬。
如請求項11所述之高電子遷移率電晶體元件的製造方法，其中所述離子植入製程的能量為70keV至100keV。
如請求項11所述之高電子遷移率電晶體元件的製造方法，其中所述離子植入製程的劑量為5x10<sup>13</sup>/平方公分至5x10<sup>14</sup>/平方公分。
如請求項11所述之高電子遷移率電晶體元件的製造方法，更包括： <br/>進行熱回火製程，以使所述第二開口下方的部分所述多個處理區再結晶。
如請求項16所述之高電子遷移率電晶體元件的製造方法，其中所述熱回火製程的溫度為攝氏550度至650度。
如請求項8所述之高電子遷移率電晶體元件的製造方法，更包括： <br/>形成阻障層，於所述通道層上； <br/>形成極化調整層，於所述阻障層上； <br/>形成所述介電結構的第一介電層； <br/>形成閘極結構，於所述極化調整層以及所述第一介電層上；以及 <br/>形成所述介電結構的第二介電層，於所述閘極結構與所述第一介電層上。
如請求項18所述之高電子遷移率電晶體元件的製造方法，其中所述緩衝層、所述通道層、所述阻障層與所述極化調整層以原位法形成。
一種硬化性樹脂組成物，係包含下述(A)至(F)： <br/>(A) 多官能(甲基)丙烯酸酯化合物、 <br/>(B) 分子量400以下之單官能(甲基)丙烯酸酯化合物、 <br/>(C) 環氧樹脂、 <br/>(D) 多官能硫醇化合物、 <br/>(E) 光自由基起始劑、及 <br/>(F) 熱硬化促進劑，其中， <br/>[有關(B)單官能(甲基)丙烯酸酯化合物之(甲基)丙烯醯基之總數+有關(C)環氧樹脂之環氧基之總數]／[有關(D)多官能硫醇化合物之硫醇基之總數]係0.1至0.5， <br/>[有關(B)單官能(甲基)丙烯酸酯化合物之(甲基)丙烯醯基之總數]／[有關(D)多官能硫醇化合物之硫醇基之總數]係0.05至0.45， <br/>[有關(C)環氧樹脂之環氧基之總數]／[有關(D)多官能硫醇化合物之硫醇基之總數]係0.05至0.45。
如請求項1所述之硬化性樹脂組成物，其中，[有關(B)單官能(甲基)丙烯酸酯化合物之(甲基)丙烯醯基之總數+有關(C)環氧樹脂之環氧基之總數]／[有關(D)多官能硫醇化合物之硫醇基之總數]係0.3至0.5。
如請求項1或2所述之硬化性樹脂組成物，其中，(D)多官能硫醇化合物具有3個以上之硫醇基。
如請求項1或2所述之硬化性樹脂組成物，其中，(D)多官能硫醇化合物包含3官能硫醇化合物及/或4官能硫醇化合物。
如請求項1或2所述之硬化性樹脂組成物，其中，(A)多官能(甲基)丙烯酸酯化合物包含2官能(甲基)丙烯酸酯化合物。
一種接著劑，係包含請求項1至5中任一項所述之硬化性樹脂組成物。
一種硬化物，為能藉由使請求項1至5中任一項所述之硬化性樹脂組成物、或請求項6所述之接著劑硬化而得者。
一種半導體裝置，係包含請求項7所述之硬化物。
一種感測模組，係包含請求項7所述之硬化物。
一種液晶配向劑，含有下列(A)成分及(B)成分，<br/> (A)成分：聚合物(A)，係選自由相對於聚合物中之全部重複單元1莫耳含有60莫耳%以上之下式(1)表示之重複單元之聚醯亞胺前驅物及係該聚醯亞胺前驅物之醯亞胺化物的聚醯亞胺構成之群組中之至少1種，<br/> (B)成分：聚合物(B)，係選自由下式(T<sub>f</sub>)表示之四羧酸二酐之含量為全部四羧酸衍生物成分之5莫耳%以上之四羧酸衍生物成分與含有下式(d<sub>n</sub>)表示之二胺之二胺成分之反應產物即聚醯亞胺前驅物、及係該聚醯亞胺前驅物之醯亞胺化物的聚醯亞胺構成之群組中之至少1種，<br/><img align="absmiddle" height="100px" width="436px" file="ed10034.jpg" alt="ed10034.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> R<sub>11</sub>~R<sub>14</sub>各自獨立地表示氫原子、鹵素原子、碳數1~6之烷基、碳數2~6之烯基、碳數2~6之炔基、含有氟原子之碳數1~6之1價有機基、或苯基，R<sub>11</sub>~R<sub>14</sub>中之至少一者表示上述定義中之氫原子以外之基；Ar<sub>1</sub>、Ar<sub>1’</sub>各表示苯環，且苯環上之1個以上之氫原子也可被1價基取代；L<sub>1</sub>及L<sub>1’</sub>各表示單鍵、-O-、-C(=O)-、-O-C(=O)-；A表示碳數5~12之伸烷基、或該伸烷基之碳-碳鍵之間插入了-O-或-C(=O)-O-中之任一者之基而成之2價有機基(Qa)；惟L<sub>1</sub>及L<sub>1’</sub>表示單鍵時，A表示2價有機基(Qa)；R<sub>1</sub>及Z<sub>1</sub>各自獨立地表示氫原子或碳數1~5之1價有機基，2個R<sub>1</sub>及Z<sub>1</sub>可各相同也可不同；<br/><img align="absmiddle" height="104px" width="93px" file="ed10030.jpg" alt="ed10030.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> X<sub>f</sub>為具有5員環以上之脂環結構之4價有機基；<br/><img align="absmiddle" height="22px" width="192px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> Y表示具有選自由含氮原子之雜環及基「＊21-NR-＊22，其中，＊21、及＊22表示和構成芳香族環之碳原子鍵結之原子鍵，惟該碳原子不和R所鍵結之氮原子形成環；R表示氫原子或1價有機基，且該1價有機基以羰基碳以外之碳原子和氮原子鍵結」表示之胺基構成之群組中之含氮原子之結構之2價有機基。
如請求項1之液晶配向劑，其中，該式(1)中之基-L<sub>1</sub>-A-L<sub>1’</sub>-為下列中之任一者；n為5~12之整數；n1、n2其合計為5~12之整數，m1、m2及n’的合計為5~12之整數：<br/> -O-(CH<sub>2</sub>)<sub>n</sub>-O-、<br/> -O-(CH<sub>2</sub>)<sub>n1</sub>-O-(CH<sub>2</sub>)<sub>n2</sub>-O-、<br/> -C(=O)-(CH<sub>2</sub>)<sub>n</sub>-C(=O)-、<br/> -O-C(=O)-(CH<sub>2</sub>)<sub>n</sub>-O-、<br/> -O-C(=O)-(CH<sub>2</sub>)<sub>n</sub>-O-C(=O)-、<br/> -O-C(=O)-(CH<sub>2</sub>)<sub>n</sub>-C(=O)-O-、<br/> -(CH<sub>2</sub>)<sub>m1</sub>-O-C(=O)-(CH<sub>2</sub>)<sub>n’</sub>-C(=O)-O-(CH<sub>2</sub>)<sub>m2</sub>-、<br/> -(CH<sub>2</sub>)<sub>m1</sub>-O-(CH<sub>2</sub>)<sub>n’</sub>-O-(CH<sub>2</sub>)<sub>m2</sub>-、<br/> -C(=O)-O-(CH<sub>2</sub>)<sub>n</sub>-O-C(=O)-、<br/> -(CH<sub>2</sub>)<sub>m1</sub>-C(=O)-O-(CH<sub>2</sub>)<sub>n’</sub>-O-C(=O)-(CH<sub>2</sub>)<sub>m2</sub>-、<br/> -O-(CH<sub>2</sub>)<sub>n</sub>-。
如請求項1或2之液晶配向劑，其中，該聚合物(B)之構成成分中，該式(d<sub>n</sub>)表示之二胺之含量為該聚合物(B)之製造中使用的全部二胺成分的20~95莫耳%。
如請求項1或2之液晶配向劑，其中，該式(d<sub>n</sub>)表示之二胺係選自由2,6-二胺基吡啶、3,4-二胺基吡啶、2,4-二胺基嘧啶、3,6-二胺基咔唑、N-甲基-3,6-二胺基咔唑、1,4-雙-(4-胺基苯基)-哌𠯤、3,6-二胺基吖啶、N-乙基-3,6-二胺基咔唑、N-苯基-3,6-二胺基咔唑、及下式(d<sub>n</sub>-1)~(d<sub>n</sub>-3)表示之二胺構成之群組中之至少1種二胺，<br/><img align="absmiddle" height="240px" width="408px" file="ed10031.jpg" alt="ed10031.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式(d<sub>n</sub>-1)中，m1、及m1’各自獨立地為1~2之整數，n1為1~3之整數；R<sub>1</sub>和該式(d<sub>n</sub>)中之「＊21-NR-＊22」表示之胺基中之R為同義；<br/> R<sub>1</sub>、及m1’有多個時，多個R<sub>1</sub>、及m1’可相同也可不同；<br/> 式(d<sub>n</sub>-2)中，X<sub>2</sub>表示1價之含氮原子之雜環基，n1為1~2之整數，n2為符合n1+n2=2之整數；L<sub>1</sub>、及L<sub>2</sub>各自獨立地表示單鍵、-CO-、碳數1~6之伸烷基、或該碳數1~6之伸烷基之碳-碳鍵間或末端插入了-O-或-CO-且和氮原子以碳原子鍵結之2價有機基，R表示氫原子或甲基；<br/> X<sub>2</sub><sub>、</sub>L<sub>2</sub>、及R有多個時，多個X<sub>2</sub><sub>、</sub>L<sub>2</sub>、及R可相同也可不同；<br/> 式(d<sub>n</sub>-3)中，X<sub>3</sub>表示具有含氮原子之雜環之2價基；Ar<sub>3</sub>表示2價芳香族環基、或2價之含氮原子之飽和雜環基；芳香族環基、及含氮原子之飽和雜環基之任意之氫原子也可被1價基取代，<br/> L<sub>3</sub>表示單鍵、-(CH<sub>2</sub>)<sub>n</sub>-、-NR’-、-(CH<sub>2</sub>)<sub>n</sub>-NR’-、-O-、-NR’-CO-、-CO-NR’-、-O-CO-、或-CO-O-，R’表示氫原子、甲基、或第三丁氧基羰基，n為1~6之整數，<br/> m3、及m3’各自獨立地為0~2之整數，且m3及m3’中之任一者為1以上之整數；<br/> Ar<sub>3</sub>及L<sub>3</sub>有多個時，多個Ar<sub>3</sub>及L<sub>3</sub>可相同也可不同；<br/> 惟式(d<sub>n</sub>-3)之兩端之NH<sub>2</sub>基皆和構成芳香族環之碳原子鍵結。
如請求項4之液晶配向劑，其中，該式(d<sub>n</sub>-1)~(d<sub>n</sub>-3)表示之二胺係選自下式(Dp-1)~(Dp-6)表示之二胺、及下式(z-1)~式(z-14)表示之二胺中之二胺，<br/><img align="absmiddle" height="197px" width="431px" file="ed10036.jpg" alt="ed10036.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/><img align="absmiddle" height="287px" width="443px" file="ed10032.jpg" alt="ed10032.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/><img align="absmiddle" height="205px" width="437px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1或2之液晶配向劑，其中用以獲得該聚合物(B)之二胺成分更使用選自由對苯二胺、2,3,5,6-四甲基對苯二胺、2,5-二甲基對苯二胺、間苯二胺、2,4-二甲基間苯二胺、2,5-二胺基甲苯、2,6-二胺基甲苯、2,2’-二甲基-4,4’-二胺基聯苯、3,3’-二甲基-4,4’-二胺基聯苯、3,3’-二甲氧基-4,4’-二胺基聯苯、3,3’-二羥基-4,4’-二胺基聯苯、2,2’-二氟-4,4’-二胺基聯苯、3,3’-二氟-4,4’-二胺基聯苯、2,2’-雙(三氟甲基)-4,4’-二胺基聯苯、3,3’-雙(三氟甲基)-4,4’-二胺基聯苯、3,4’-二胺基聯苯、4,4’-二胺基聯苯、3,3’-二胺基聯苯、2,2’-二胺基聯苯、2,3’-二胺基聯苯、3,3’-二胺基二苯基甲烷、3,4’-二胺基二苯基甲烷、4,4’-二胺基二苯基甲烷、1,2-雙(4-胺基苯基)乙烷、1,2-雙(3-胺基苯基)乙烷、1,3-雙(4-胺基苯基)丙烷、1,3-雙(3-胺基苯基)丙烷、1,4-雙(4-胺基苯基)丁烷、1,4-雙(3-胺基苯基)丁烷、1,5-雙(4-胺基苯基)戊烷、1,5-雙(3-胺基苯基)戊烷、1,6-雙(4-胺基苯基)己烷、1,6-雙(3-胺基苯基)己烷、4,4’-二胺基二苯基酮、1,4-雙(4-胺基苯基)苯、1,3-雙(4-胺基苯基)苯、1,4-雙(4-胺基苄基)苯、雙(4-胺基苯氧基)甲烷、1,2-雙(4-胺基苯氧基)乙烷、1,2-雙(4-胺基-2-甲基苯氧基)乙烷、1,3-雙(4-胺基苯氧基)丙烷、1,4-雙(4-胺基苯氧基)丁烷、4-(2-(4-胺基苯氧基)乙氧基)-3-氟苯胺、4-胺基-4’-(2-(4-胺基苯氧基)乙氧基)聯苯、3,3’-二胺基二苯醚、3,4’-二胺基二苯醚、4,4’-二胺基二苯醚、具有醯胺鍵或脲鍵之二胺及4-(2-(甲胺基)乙基)苯胺構成之群組中之至少1種二胺。
如請求項1或2之液晶配向劑，其中，該式(T<sub>f</sub>)之X<sub>f</sub>係下式(X<sub>f</sub>-1)~(X<sub>f</sub>-17)中之任一者表示之4價有機基，<br/><img align="absmiddle" height="254px" width="427px" file="ed10037.jpg" alt="ed10037.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> ＊表示原子鍵。
如請求項1或2之液晶配向劑，其中，該(A)成分及(B)成分之含有比例，按[(A)成分]/[(B)成分]之質量比計，為10/90~90/10。
如請求項1或2之液晶配向劑，其中，<br/> 該液晶配向劑更含有選自由交聯性化合物、官能性矽烷化合物、金屬螯合物化合物、硬化促進劑、界面活性劑、抗氧化劑、增感劑、防腐劑、及用以調整樹脂膜之介電常數、電阻之化合物構成之群組中之至少一種添加劑成分，<br/> 該交聯性化合物係選自由具有選自環氧基、氧雜環丁烷基、㗁唑啉結構、環碳酸酯基、封端異氰酸酯基、羥基及烷氧基中之至少1種取代基之交聯性化合物(c-1)、及具有聚合性不飽和基之交聯性化合物(c-2)構成之群組中之至少1種。
一種液晶配向膜，係使用如請求項1至9中任一項之液晶配向劑形成。
一種液晶顯示元件，具備如請求項10之液晶配向膜。
一種液晶顯示元件之製造方法，包括下列步驟(1)~(3)，<br/> 步驟(1)：將如請求項1至9中任一項之液晶配向劑塗佈在基板上，<br/> 步驟(2)：將已塗佈之該液晶配向劑進行煅燒並獲得膜，<br/> 步驟(3)：對於步驟(2)獲得之該膜進行配向處理。
一種異常檢測裝置，其具備： <br/>AE感測器，其設置於對載置於上部之被加工物進行加工之加工台； <br/>流路，其自於上述加工台之上表面形成開口之孔部與上述AE感測器之檢測面相連； <br/>液體供給部，其對上述流路供給液體，使上述液體介存於上述被加工物與上述檢測面之間而自上述加工台之上表面送出上述液體； <br/>異常檢測部，其基於經由上述液體而檢測來自上述被加工物之彈性波之上述AE感測器所發出之檢測信號，判定上述被加工物有無異常；及 <br/>供給流路，其將上述液體供給部與上述流路相連； <br/>上述供給流路於上述流路之上述孔部與上述檢測面之間連接於上述液體供給部。
如請求項1之異常檢測裝置，其中 <br/>上述AE感測器配置於上述被加工物之載置位置之正下方。
如請求項1或2之異常檢測裝置，其中 <br/>上述被加工物為玻璃板。
如請求項1或2之異常檢測裝置，其中 <br/>上述液體為漿料， <br/>上述異常檢測裝置具有氣體供給部，其連接於上述供給流路， <br/>上述氣體供給部每特定時間對上述供給流路供給氣體。
如請求項1或2之異常檢測裝置，其中 <br/>上述AE感測器之上述檢測面與上述加工台之上表面所成之角為0°以上10°以下。
如請求項1或2之異常檢測裝置，其中 <br/>上述液體被無間隙地填充至上述流路，且被送出至上述加工台之上表面。
一種異常檢測方法，其係 <br/>將AE感測器設置於對載置於上部之被加工物進行加工之加工台， <br/>對自於上述加工台之上表面形成開口之孔部與上述AE感測器之檢測面相連之流路，通過供給流路，於上述流路之上述孔部與上述檢測面之間，供給液體而使上述液體介存於上述被加工物與上述檢測面之間而自上述加工台之上表面送出上述液體， <br/>使上述AE感測器經由上述液體而檢測來自上述被加工物之彈性波， <br/>基於來自上述AE感測器之檢測信號，判定上述被加工物有無異常。
如請求項7之異常檢測方法，其中 <br/>使上述AE感測器配置於上述加工台中之上述被加工物之載置位置之正下方。
如請求項7或8之異常檢測方法，其中 <br/>上述被加工物為玻璃板。
如請求項7或8之異常檢測方法，其中 <br/>使用漿料作為上述液體， <br/>每特定時間將氣體供給至上述供給流路。
如請求項7或8之異常檢測方法，其中 <br/>將上述AE感測器之檢測面與上述加工台之上表面所成之角設為0°以上10°以下。
如請求項7或8之異常檢測方法，其中 <br/>上述液體被無間隙地填充至上述流路，且被送出至上述加工台之上表面。
一種玻璃板之生產方法，其包括 <br/>如請求項7至12中任一項之異常檢測方法。
一種訊號功率分配器的裝置，其包括： <br/>訊號功率分配器； <br/>第一訊號埠； <br/>第一電阻器； <br/>第一阻抗變換器，在所述第一訊號埠和第一中間節點之間，與所述第一電阻器串聯耦合，所述第一阻抗變換器在所述第一電阻器和所述第一中間節點之間，所述第一中間節點耦合至所述訊號功率分配器，其中所述第一電阻器和所述第一阻抗變換器被配置為在更寬的頻寬之上改善所述訊號功率分配器的阻抗匹配或回波損耗； <br/>其中所述訊號功率分配器包括： <br/>第二阻抗變換器，具有輸入和輸出，所述第一中間節點直接耦合至所述輸入，且所述輸出經由耦合在所述輸出和第二訊號埠之間的第二中間節點耦合至所述第二訊號埠； <br/>第三阻抗變換器，具有輸入和輸出，所述第一中間節點直接耦合至所述輸入，且所述輸出經由耦合在所述輸出和第三訊號埠之間的第三中間節點耦合至所述第三訊號埠；以及 <br/>第二電阻器，耦合在所述第二訊號埠和所述第三訊號埠之間； <br/>其中所述第一訊號埠被配置為接收第一輸入訊號，且所述第一中間節點被設於分配所述第一輸入訊號以在所述第二訊號埠和所述第三訊號埠處分別產生第一輸出訊號和第二輸出訊號。
如請求項1所述的裝置，其中所述第一阻抗變換器包括具有第一阻抗和第一長度的第一傳輸線。
如請求項2所述的裝置，其中所述第二阻抗變換器包括具有第二阻抗和第二長度的第二傳輸線。
如請求項3所述的裝置，其中所述第三阻抗變換器包括具有第三阻抗和第三長度的第三傳輸線。
如請求項4所述的裝置，其中所述第二阻抗與所述第三阻抗實質相同，並且其中所述第二長度與所述第三長度實質相同。
如請求項1所述的裝置，其中所述第一阻抗變換器包括第一分路電容器、第一串聯電感器和第二分路電容器，其中所述第一分路電容器和所述第二分路電容器分別耦合到所述第一串聯電感器的兩端。
如請求項6所述的裝置，其中所述第二阻抗變換器包括第三分路電容器、第二串聯電感器和第四分路電容器，其中所述第三分路電容器和所述第四分路電容器分別耦合到所述第二串聯電感器的兩端。
如請求項7所述的裝置，其中所述第三阻抗變換器包括第五分路電容器、第三串聯電感器和第六分路電容器，其中所述第五分路電容器和所述第六分路電容器分別耦合到所述第三串聯電感器的兩端。
如請求項8所述的裝置，其中所述第三分路電容器、所述第四分路電容器、所述第五分路電容器和所述第六分路電容器具有實質相同的電容，並且其中所述第二串聯電感器和所述第三串聯電感器具有實質相同的電感。
如請求項6所述的裝置，其中所述第二阻抗變換器包括第二串聯電感器和第三分路電容器，其中所述第二分路電容器在所述第一阻抗變換器和所述第二阻抗變換器之間共用，並且其中所述第二分路電容器和所述第三分路電容器分別耦合到所述第二串聯電感器的兩端。
如請求項10所述的裝置，其中所述第三阻抗變換器包括第三串聯電感器和第四分路電容器，其中所述第二分路電容器在所述第一阻抗變換器、所述第二阻抗變換器和所述第三阻抗變換器之間共用，並且其中所述第二分路電容器和所述第四分路電容器分別耦合到所述第三串聯電感器的兩端。
如請求項1所述的裝置，還包括： <br/>第四阻抗變換器，具有輸入和輸出，所述輸入直接耦合至所述第二中間節點，且所述輸出直接耦合至所述第二訊號埠，其中所述第二阻抗變換器的所述輸出直接耦合至所述第二中間節點； <br/>第五阻抗變換器，具有輸入和輸出，所述輸入直接耦合至第三中間節點，且所述輸出直接耦合至所述第三訊號埠，其中所述第三阻抗變換器的所述輸出直接耦合至所述第三中間節點；以及 <br/>第三電阻器，耦合在所述第二中間節點和所述第三中間節點之間。
如請求項12所述的裝置，其中所述第四阻抗變換器包括具有第一阻抗和第一長度的第一傳輸線，其中所述第五阻抗變換器包括具有第二阻抗和第二長度的第二傳輸線，其中所述第一阻抗與所述第二阻抗基本上相同，並且其中所述第一長度與所述第二長度基本上相同。
如請求項12所述的裝置，其中： <br/>所述第四阻抗變換器包括第一分路電容器、第一串聯電感器和第二分路電容器，其中所述第一分路電容器和所述第二分路電容器分別耦合到所述第一串聯電感器的兩端； <br/>所述第五阻抗變換器包括第三分路電容器、第二串聯電感器和第四分路電容器，其中所述第三分路電容器和所述第四分路電容器分別耦合到所述第二串聯電感器的兩端；以及 <br/>所述第一分路電容器、所述第二分路電容器、所述第三分路電容器和所述第四分路電容器具有實質相同的電容，並且其中所述第一串聯電感器和所述第二串聯電感器具有實質相同的電感。
如請求項1所述的裝置，其中所述第一電阻器包括關於在所述第一訊號埠處的阻抗的第一電阻及所述第二電阻器的第二電阻。
如請求項12所述的裝置，其中所述第一電阻器包括關於在所述第一訊號埠處的阻抗的第一電阻、所述第二電阻器的第二電阻，以及所述第三電阻器的第三電阻。
如請求項12所述的裝置，其中所述第一電阻器包括關於所述第二電阻器和所述第三電阻器的並聯電阻的第一電阻。
如請求項12所述的裝置，其中所述第一電阻器包括關於在所述第一訊號埠處的阻抗的第一電阻及所述第二電阻器和所述第三電阻器的並聯電阻。
如請求項1所述的裝置，其中所述第一電阻器和所述第一阻抗變換器改善在所述第一訊號埠處的第一阻抗和在所述第一中間節點處的第二阻抗之間的阻抗匹配。
如請求項1所述的裝置，其中： <br/>所述第一電阻器改善所述訊號功率分配器在操作頻率範圍的第一區域的所述第一訊號埠處的第一阻抗和所述第一中間節點處的第二阻抗之間的阻抗匹配；以及 <br/>所述第一阻抗變換器改善所述訊號功率分配器在所述操作頻率範圍的第二區域的所述第一訊號埠處的所述第一阻抗和所述第一中間節點處的所述第二阻抗之間的所述阻抗匹配，所述第二區域在頻率上高於所述第一區域。
一種無線通訊設備，包括： <br/>至少一個天線； <br/>一組收發器鏈，耦合到所述至少一個天線；以及 <br/>訊號功率分配器，耦合到所述一組收發器鏈； <br/>第一訊號埠； <br/>第一電阻器； <br/>第一阻抗變換器，在所述第一訊號埠和第一中間節點之間，與所述第一電阻器串聯耦合，所述第一阻抗變換器在所述第一電阻器和所述第一中間節點之間，所述第一中間節點耦合至所述訊號功率分配器，其中所述第一電阻器和所述第一阻抗變換器被配置為：改善不包括耦合到所述第一訊號埠的任何額外訊號路徑的所述訊號功率分配器的阻抗匹配或回波損耗；以及 <br/>其中所述訊號功率分配器包括： <br/>第二阻抗變換器，具有輸入和輸出，所述第一中間節點直接耦合至所述輸入，且所述輸出經由耦合在所述輸出和第二訊號埠之間的第二中間節點耦合至所述第二訊號埠； <br/>第三阻抗變換器，具有輸入和輸出，所述第一中間節點直接耦合至所述輸入，且所述輸出經由耦合在所述輸出和第三訊號埠之間的第三中間節點耦合至所述第三訊號埠；以及 <br/>第二電阻器，耦合在所述第二訊號埠和所述第三訊號埠之間； <br/>其中所述第一訊號埠被配置為接收第一輸入訊號，且所述第一中間節點被設位於分配所述第一輸入訊號以在所述第二訊號埠和所述第三訊號埠處分別產生第一輸出訊號和第二輸出訊號。
如請求項21所述的無線通訊設備，其中所述第一訊號埠耦合到訊號處理電路的輸入，並且其中所述第二訊號埠和所述第三訊號埠分別耦合到所述一組收發器鏈的輸入。
如請求項21所述的無線通訊設備，其中所述第二訊號埠和所述第三訊號埠分別耦合到所述一組收發器鏈的輸出，並且其中所述第一訊號埠耦合到訊號處理電路的輸入。
如請求項21所述的無線通訊設備，其中所述訊號功率分配器或組合器還包括： <br/>第四阻抗變換器，具有輸入和輸出，所述輸入直接耦合至所述第二中間節點，且所述輸出直接耦合至所述第二訊號埠，其中所述第二阻抗變換器的所述輸出直接耦合至所述第二中間節點； <br/>第五阻抗變換器，具有輸入和輸出，所述輸入直接耦合至所述第三中間節點，且所述輸出直接耦合至所述第三訊號埠，其中所述第三阻抗變換器的所述輸出直接耦合至所述第三中間節點；以及 <br/>第三電阻器，耦合在所述第二中間節點和所述第三中間節點之間。
一種積體電路，包括： <br/> 多個半導體裝置，其具有位於半導體基板上的源極及汲極區，所述半導體基板具有位於所述多個半導體裝置下方的第一摻雜區； <br/> 導電層，其位於所述半導體基板中，所述導電層與位於所述半導體基板中的所述第一摻雜區相鄰並接觸； <br/> 位於所述多個半導體裝置上方的互連區，所述互連區包括多個堆疊互連層； <br/> 位於所述多個堆疊互連層中的任一者中的一個或多個金屬特徵； <br/> 穿過所述互連區的一個或多個層且與所述一個或多個金屬特徵中的任一者耦合的一個或多個導電通孔；以及 <br/> 載體基板，具有半導體材料，所述載體基板包括一個或多個第二摻雜區及形成在所述載體基板上之與所述一個或多個第二摻雜區中的對應多者實體接觸的一個或多個導電焊墊，其中，所述載體基板與所述互連區接合，使得所述一個或多個導電焊墊與所述一個或多個導電通孔中的對應多者接觸。
如請求項1所述的積體電路，還包括位於所述半導體基板下方的背側區，其中，所述背側區包括一個或多個附加的金屬特徵。
如請求項2所述的積體電路，其中，所述一個或多個附加的金屬特徵包括埋入式或背側式電力軌(BPR)結構。
如請求項2所述的積體電路，還包括延伸於所述背側區中的金屬特徵與所述導電層之間的一個或多個導電結構。
如請求項2所述的積體電路，其中，所述背側區包括一個或多個輸入/輸出(I/O)結構。
如請求項2所述的積體電路，其中，所述半導體基板位於所述多個半導體裝置與所述背側區之間。
如請求項1所述的積體電路，還包括導電通孔，所述導電通孔延伸於所述一個或多個金屬特徵中的金屬特徵與所述半導體基板中的所述導電層之間。
如請求項1至7中的任一項所述的積體電路，其中，所述一個或多個第二摻雜區中的至少一者包括第一摻雜劑類型的第一摻雜井及與所述第一摻雜劑類型相反的第二摻雜劑類型的第二摻雜井，且所述第二摻雜井位於所述第一摻雜井內。
如請求項1至7中的任一項所述的積體電路，其中，所述多個堆疊互連層中的所述多個金屬特徵的全部者各與所述一個或多個導電通孔中的至少一者電性耦合。
一種晶粒，包括如請求項1至7中的任一項所述的積體電路。
一種電子裝置，包括： <br/> 晶片封裝，包括一個或多個晶粒，所述一個或多個晶粒中的至少一者包括： <br/> 多個半導體裝置，其具有位於半導體基板上的源極及汲極區，所述半導體基板具有位於所述多個半導體裝置下方的第一摻雜區； <br/> 導電層，其位於所述半導體基板中，所述導電層與位於所述半導體基板中的所述第一摻雜區相鄰並接觸； <br/> 位於所述多個半導體裝置上方的互連區，所述互連區包括多個堆疊互連層； <br/> 位於所述多個堆疊互連層中的任一者中的一個或多個金屬特徵； <br/> 穿過所述互連區的一個或多個層且與所述一個或多個金屬特徵中的任一者耦合的一個或多個導電通孔；以及 <br/> 載體基板，具有半導體材料，所述載體基板包括一個或多個第二摻雜區及形成在所述載體基板上之與所述一個或多個第二摻雜區中的對應多者實體接觸的一個或多個導電焊墊，其中，所述載體基板與所述互連區接合，使得所述一個或多個導電焊墊與所述一個或多個導電通孔中的對應多者接觸。
如請求項11所述的電子裝置，其中，所述一個或多個晶粒中的所述至少一者還包括位於所述半導體基板下方的背側區，其中，所述背側區包括一個或多個附加的金屬特徵。
如請求項12所述的電子裝置，其中，所述一個或多個晶粒中的所述至少一者還包括延伸於所述背側區中的金屬特徵與所述導電層之間的一個或多個導電結構。
如請求項12所述的電子裝置，其中，所述背側區包括一個或多個晶片輸入/輸出(I/O)結構。
如請求項12至14中的任一項所述的電子裝置，其中，所述半導體基板位於所述多個半導體裝置與所述背側區之間。
如請求項11所述的電子裝置，其中，所述一個或多個晶粒中的所述至少一者還包括導電通孔，所述導電通孔延伸於所述一個或多個金屬特徵中的金屬特徵與所述半導體基板中的所述導電層之間。
如請求項11至14中的任一項所述的電子裝置，其中，所述一個或多個第二摻雜區中的至少一者包括第一摻雜劑類型的第一摻雜井及與所述第一摻雜劑類型相反的第二摻雜劑類型的第二摻雜井，其中，所述第二摻雜井位於所述第一摻雜井內。
如請求項11至14中的任一項所述的電子裝置，其中，所述多個堆疊互連層中的所述多個金屬特徵的全部者各與所述一個或多個導電通孔中的至少一者電性耦合。
如請求項11至14中的任一項所述的電子裝置，還包括印刷電路板，其中，所述晶片封裝與所述印刷電路板附接。
一種形成積體電路的方法，所述方法包括： <br/> 在第一基板上形成具有源極及汲極區的多個半導體裝置，所述第一基板具有位於所述多個半導體裝置下方的第一摻雜區； <br/> 在所述第一基板中形成導電層，所述導電層與位於所述第一基板中的所述第一摻雜區相鄰並接觸； <br/> 在所述多個半導體裝置上方形成互連區，所述互連區包括多個堆疊互連層； <br/> 在所述多個堆疊互連層中的任一者中形成一個或多個金屬特徵； <br/> 形成穿過所述互連區的一層或多層的一個或多個導電通孔，所述一個或多個導電通孔與所述互連區中的所述一個或多個金屬特徵接觸； <br/> 在第二基板中形成一個或多個第二摻雜區； <br/> 在所述第二基板上形成與所述一個或多個第二摻雜區的對應多者實體接觸的一個或多個導電焊墊；及 <br/> 將所述第二基板接合至所述互連區上，使得所述一個或多個導電焊墊與所述一個或多個導電通孔中的對應多者接觸。
如請求項20所述的方法，還包括在所述第二基板的頂部表面上形成介電層，其中，所述接合包括將所述第二基板上的所述介電層接合至所述互連區中的另一介電層。
如請求項20所述的方法，還包括去除所述第一基板並在所述多個半導體裝置下方形成背側區。
如請求項22所述的方法，還包括形成延伸於所述背側區中的金屬特徵與所述導電層之間的一個或多個導電結構。
如請求項20至23中的任一項所述的方法，還包括在所述第一基板中形成一個或多個第一摻雜區並去除所述第一基板的第一部分，從而留下包括所述一個或多個第一摻雜區的所述第一基板的第二部分。
如請求項24所述的方法，還包括形成導電通孔，其中，所述導電通孔延伸於所述一個或多個金述特徵中的金屬特徵與所述第一基板中的所屬導電層之間。
一種用於填充一注射器之設備，其包含： <br/>一管線，其用於遞送自一容器排出之一低黏性材料； <br/>至少一向下導向之注射埠，其用以與一注射器連接，該注射器待以透過該管線遞送之該材料填充； <br/>一活塞，其設置於該注射器內以在該注射器之一縱向方向上可線性地移動，且在該注射埠與該活塞之間密封經注射之該材料；及 <br/>一注射器桿，其耦接至該注射器以便將該活塞壓入該注射器中，且指示該活塞之一位置， <br/>其中各注射埠具有用以開啟及閉合該注射埠之一針閥。
如請求項1之設備，其中該注射埠具有一注射器填充噴嘴。
如請求項1之設備，其中該管線配備有一網篩過濾器。
如請求項1之設備，其中該管線經拆卸以供清潔。
如請求項1之設備，其中該注射器桿由一注射器桿、用以按壓該桿的一彈簧、以及用以設定該彈簧之一下端且暴露該桿之一上端的一注射器桿筒構成。
如請求項1之設備，其中該注射器桿由一注射器桿、以及安裝在該注射器桿之一頭部上的一限制感測器構成。
如請求項1之設備，其中該注射埠藉由該活塞之該位置而開啟或閉合。
一種用於填充一注射器之方法，其包含以下步驟： <br/>透過一管線遞送自一容器排出之一低黏性材料； <br/>用透過該管線遞送之該材料填充連接至一向下導向之注射埠的一注射器，其中一活塞設置於該注射器內以在該注射器之一縱向方向上可線性地移動，且在該注射埠與該活塞之間密封經注射之該材料，其中一注射器桿耦接至該注射器以便將該活塞壓入該注射器中，且指示該活塞之一位置；及接著 <br/>閉合該注射埠以藉助於該注射埠之一針閥而停止注射該材料。
如請求項8之方法，其中該注射埠藉由該活塞之該位置而開啟或閉合。
一種接合裝置，具備： <br/>第1保持部，其係保持第1基板； <br/>第2保持部，其係被設置在與上述第1保持部相向之位置，具有吸附被接合於上述第1基板之第2基板的吸附面； <br/>吸附壓力產生部，其係使上述吸附面產生吸附壓力；及 <br/>升降銷，其係使上述吸附面上之上述第2基板相對於上述第2保持部間隔開， <br/>在上述第2保持部設置包含上述升降銷通過之開口的空間， <br/>上述空間係被控制成低於大氣壓的壓力。
如請求項1之接合裝置，其中 <br/>上述空間係藉由上述吸附壓力產生部被吸引。
如請求項1之接合裝置，其中 <br/>進一步具備吸引部，其係將上述空間吸引成低於大氣壓的壓力。
如請求項3之接合裝置，其中 <br/>上述吸引部係以上述空間成為高於上述吸附壓力的壓力之方式，吸引上述空間。
如請求項1至4中之任一者之接合裝置，其中 <br/>上述第2保持部具有： <br/>框體，其係形成上述空間；和 <br/>密封構件，其係於上述第1基板和上述第2基板被接合之時，堵塞上述框體和上述升降銷之間之間隙。
如請求項1至4中之任一者之接合裝置，其中 <br/>上述第2保持部具有： <br/>框體，其係形成上述空間；和 <br/>驅動部，其係驅動上述升降銷；和 <br/>波紋管，其係被配置在上述框體和上述驅動部之間，同時內部被連接於上述空間。
如請求項1至4中之任一項之接合裝置，其中 <br/>上述吸附面具有支持上述第2基板的複數支持銷， <br/>上述升降銷之前端部係於上述第1基板和上述第2基板被接合之時，與複數上述支持銷之前端部略同一平面。
如請求項1至4中之任一項之接合裝置，其中 <br/>上述吸附面具有支持上述第2基板的複數支持銷， <br/>上述支持銷係沿著上述開口之周圍而被配置。
一種接合方法，包含： <br/>以第1保持部保持第1基板之工程； <br/>使與被設置在上述第1保持部相向之位置的第2保持部之吸附面產生吸附壓力而保持第2基板的工程；和 <br/>接合上述第1基板和上述第2基板之工程， <br/>在上述接合的工程中，被設置在上述第2保持部，包含使上述吸附面上之上述第2基板相對於上述第2保持部間隔開的升降銷通過之開口的空間，被控制成低於大氣壓的壓力。
一種測距裝置，具備：<br/> 光源，發出照射光；<br/> 固體拍攝裝置，按每個像素來生成複數個封包，前述複數個封包保持訊號電荷，前述訊號電荷是對於前述照射光在不同的複數個曝光時間點生成之訊號電荷；及<br/> 訊號處理電路，依據前述複數個封包來計算距離值，<br/> 前述訊號處理電路進行以下步驟：<br/> 按每個像素，使用對應之前述複數個封包來判定干擾光的有無；<br/> 在判定為無干擾光的情況下，藉由第1處理來計算該像素的距離值；及<br/> 在判定為有干擾光的情況下，藉由和前述第1處理不同之第2處理來計算該像素的距離值，<br/> 前述訊號處理電路進行以下步驟：<br/> 按每個像素，選擇對應之前述複數個封包當中，訊號量較大的上位N個(N為2以上的整數)封包；<br/> 判定所選擇之N個封包的曝光時間點是否處於預定之相鄰關係；及<br/> 在未處於相鄰關係的情況下，判定為有干擾。
如請求項1之測距裝置，其中前述訊號處理電路進行以下步驟：<br/> 按每個像素，比較對應之前述複數個封包的每一個的訊號量與第1基準值；<br/> 計數訊號量超過前述第1基準值之封包的數量；及<br/> 在所計數之數量超過閾值的情況下，判定為有干擾光。
如請求項1之測距裝置，其中前述照射光是脈衝光。
如請求項2之測距裝置，其中前述閾值取決於前述複數個封包當中，用於距離值的計算之封包的數量來決定。
如請求項3之測距裝置，其中前述閾值為2，前述N為2。
如請求項3之測距裝置，其中前述訊號處理電路進行以下步驟：<br/> 對前述複數個封包當中和從接近於前述測距裝置者起M個距離區間對應之M個封包的每一個、與第2基準值進行比較；及<br/> 在M個封包當中的1個以上超過前述第2基準值的情況下，判定為有干擾光。
如請求項3之測距裝置，其中前述訊號處理電路進行以下步驟：<br/> 對前述複數個封包的每一個與第2基準值進行比較；及<br/> 在前述複數個封包中和從接近於前述測距裝置者起M個距離區間對應之上位的M個封包當中的1個以上超過前述第2基準值的情況下，且在前述複數個封包當中，前述M個封包以外的封包當中的1個以上超過前述第2基準值的情況下，判定為有干擾光。
如請求項6之測距裝置，其中前述第2基準值按前述複數個封包每一個來決定。
如請求項7之測距裝置，其中前述第2基準值按前述複數個封包每一個來決定。
如請求項1至3中任一項之測距裝置，其中前述訊號處理電路進行以下步驟：<br/> 在前述第2處理中，對前述複數個封包的每一個、與第3基準值進行比較；<br/> 將前述複數個封包當中小於前述第3基準值之封包的訊號量變更為0；<br/> 針對前述複數個封包當中不為0的封包的每一個，按每個封包乘以和離前述測距裝置較遠的距離順序對應而具有較大的值之係數；<br/> 在相乘後的封包當中，選擇最大的封包作為第1封包；<br/> 選擇在距離上相鄰於前述第1封包之封包當中較大者作為第2封包；及<br/> 從前述第1封包以及前述第2封包計算距離值。
如請求項10之測距裝置，其中前述訊號處理電路在前述第2處理中進行以下步驟：<br/> 判定在距離上相鄰於前述第1封包之封包的至少一者是否以離前述測距裝置較近之距離順序包含在M個封包中；<br/> 在判定為包含的情況下，將在距離上相鄰於前述第1封包之相乘後的封包當中較大者選擇作為第2封包；及<br/> 在判定為不包含的情況下，將在距離上相鄰於前述第1封包之相乘前的封包當中較大者選擇作為第2封包。
如請求項1至3中任一項之測距裝置，其中前述訊號處理電路進行以下步驟：<br/> 在前述第2處理中，對前述複數個封包的每一個、與第3基準值進行比較；<br/> 將前述複數個封包當中小於前述第3基準值之封包的訊號量變更為0；<br/> 對前述複數個封包當中不為0的封包的每一個，按每個封包乘以和離前述測距裝置較遠的距離順序對應而具有較大的值之係數；<br/> 選擇相乘後的封包當中最大的封包作為第1封包；<br/> 判定在離前述測距裝置較近的順序下前述第1封包是否為第預定個封包；<br/> 在判定為前述第預定個封包的情況下，在距離上相鄰於前述第1封包之相乘前的封包一起超過前述第3基準值時，選擇在距離上相鄰於前述第1封包之封包當中，離前述測距裝置較遠者作為第2封包；及<br/> 從前述第1封包以及前述第2封包計算距離值。
如請求項2之測距裝置，其中前述照射光是具有呈週期性地變化之振幅的連續波，<br/> 前述閾值為3。
如請求項1至3及13中任一項之測距裝置，其中前述訊號處理電路在前述第2處理中將該像素設為無效。
如請求項1至3中任一項之測距裝置，其中前述訊號處理電路進行以下步驟：<br/> 在前述第1處理以及前述第2處理中按每個像素從前述複數個封包選擇用於計算距離值的至少2個封包；及<br/> 依據該像素的周圍的像素的選擇結果，來補正已在前述第2處理中選擇之前述至少2個封包的選擇結果。
如請求項1之測距裝置，其中前述訊號處理電路進行以下步驟：<br/> 進一步判定眩光的有無；<br/> 在判定為有眩光的情況下，進行按每個前述像素進行之干擾光的有無之判定；及<br/> 在判定為無眩光的情況下，進一步按每個像素藉由前述第1處理來計算該像素的距離值。
如請求項16之測距裝置，其中前述照射光是脈衝光，<br/> 前述訊號處理電路在前述眩光的有無之判定中，在將訊號量超過第4基準值之封包的數量超過第1基準數的像素設為高訊號量像素的情況下，且在該高訊號量像素的數量超過第2基準數的情況下，判定為有眩光。
如請求項16之測距裝置，其中前述照射光是脈衝光，<br/> 前述訊號處理電路在前述眩光的有無之判定中，在預定的封包中的訊號量超過第5基準值之光學黑像素的數量為第3基準數以上，且為大於前述第3基準數之第4基準數以下的情況下，判定為有眩光。
如請求項18之測距裝置，其中前述第5基準值呈動態地變化。
如請求項1之測距裝置，其中前述訊號處理電路進行以下步驟：<br/> 進一步按每個像素來判定眩光的有無；<br/> 將判定為有眩光之像素當作對象，進行按每個前述像素進行之干擾光的有無之判定；及<br/> 將判定為無眩光之像素當作對象，進一步按每個像素藉由前述第1處理來計算該像素的距離值。
如請求項20之測距裝置，其中前述照射光是脈衝光，<br/> 前述訊號處理電路在按每個前述像素進行之眩光的有無之判定中，對構成由相互相鄰之預定數量以上的高訊號量像素所形成之高訊號量像素集團的像素、以及位於自該高訊號量像素集團起預定的範圍內之像素判定為有眩光，<br/> 前述高訊號量像素是訊號量超過第4基準值之封包的數量超過第1基準數之像素。
如請求項20之測距裝置，其中前述照射光是脈衝光，<br/> 前述訊號處理電路在按每個前述像素進行之眩光的有無之判定中，對相對於預定的封包中的訊號量超過第5基準值之1個以上的光學黑像素處於預定的位置關係之像素判定為有眩光。
一種測距方法，是使用測距裝置之測距方法，<br/> 前述測距裝置具備：<br/> 光源，發出照射光；<br/> 固體拍攝裝置，按每個像素來生成複數個封包，前述複數個封包保持訊號電荷，前述訊號電荷是對於前述照射光在不同的複數個曝光時間點生成之訊號電荷；及<br/> 訊號處理電路，依據前述複數個封包來計算距離值，<br/> 前述訊號處理電路進行以下步驟：<br/> 按每個像素，使用對應之前述複數個封包來判定干擾光的有無；<br/> 在判定為無干擾光的情況下，藉由第1處理來計算該像素的距離值；<br/> 在判定為有干擾光的情況下，藉由和前述第1處理不同之第2處理來計算該像素的距離值；<br/> 按每個像素，選擇對應之前述複數個封包當中，訊號量較大的上位N個(N為2以上的整數)封包；<br/> 判定所選擇之N個封包的曝光時間點是否處於預定之相鄰關係；及<br/> 在未處於相鄰關係的情況下，判定為有干擾。
一種用於移除一假材料之處理方法，包含以下步驟：<br/> 在一假材料上的一超晶格結構上方形成一襯墊，該超晶格結構包括以複數個堆疊的配對交替安排的複數個通道層及相對應的複數個半導體材料層，該複數個堆疊的配對延伸於一源極溝道與一汲極溝道之間，該等半導體材料層包括矽（Si），該等通道層包含矽鍺（SiGe），而該假材料包括經一摻雜物摻雜的矽，該摻雜物選自硼、磷、砷或鍺的一者或多者，該摻雜物的濃度在2原子百分比至10原子百分比的一範圍中；<br/> 從該假材料移除該襯墊；及<br/> 移除該假材料而不會實質上影響藉由該襯墊覆蓋的該等通道層及該等半導體材料層。
如請求項1所述之方法，其中該襯墊包含氮化矽（SiN）、氧化矽（SiO）、碳化矽（SiC）或其結合。
如請求項1所述之方法，其中移除該襯墊之步驟包含一方向性蝕刻處理。
如請求項1所述之方法，其中移除該假材料之步驟包含一選擇性蝕刻處理，而對該假材料的選擇性更勝於該襯墊。
如請求項1所述之方法，其中移除該假材料之步驟包含一選擇性蝕刻處理，而對該假材料的選擇性更勝於鄰接於該假材料的該通道層或該半導體材料層。
如請求項1所述之方法，進一步包含以下步驟：在移除該假材料之後，於該超晶格結構下方沉積一底部介電隔離層。
如請求項6所述之方法，其中該底部介電隔離層藉由一可流動沉積處理而沉積。
如請求項6所述之方法，其中該底部介電隔離層包含氧化矽。
一種處理方法，包含以下步驟：<br/> 凹陷一超晶格結構中的複數個通道層，以移除通道材料的一深度且形成複數個凹陷的通道層，該超晶格結構在一假材料上，該超晶格結構包括以複數個堆疊的配對交替安排的該複數個通道層及相對應的複數個半導體材料層，該複數個堆疊的配對延伸於一源極溝道與一汲極溝道之間，該複數個半導體材料層包括矽（Si），該複數個通道層包含矽鍺（SiGe），而該假材料包括經一摻雜物摻雜的矽，該摻雜物選自硼、磷、砷或鍺的一者或多者，該摻雜物的濃度在2原子百分比至10原子百分比的一範圍中；<br/> 在該複數個凹陷的通道層、該複數個半導體材料層及該假材料上方形成具有一厚度的一共形襯墊；<br/> 從該假材料移除該襯墊而不暴露該複數個凹陷的通道層或該複數個半導體材料層；<br/> 移除該假材料；<br/> 蝕刻該襯墊以暴露該複數個半導體材料層；<br/> 在該超晶格結構下方沉積一底部介電隔離層；及<br/> 在該底部介電隔離層上沉積一矽材料以填充該超晶格結構。
如請求項9所述之方法，其中該超晶格結構的一總厚度在約30 nm至約80 nm的一範圍中。
如請求項9所述之方法，其中該超晶格結構包含3對至5對的通道層及半導體材料層。
如請求項9所述之方法，其中該等通道層及該等半導體材料層之各者具有在約4 nm至約10 nm的一範圍中的一範圍中的一厚度。
如請求項9所述之方法，其中在該源極溝道及該汲極溝道之間的一橫向距離在約20 nm至約60 nm的一範圍中。
如請求項9所述之方法，其中從該複數個通道層移除的通道材料的該深度在約5 nm至約10 nm的一範圍中。
如請求項9所述之方法，其中該襯墊的該厚度在約3 nm至約5 nm的一範圍中。
一種黏著帶，其具有基材與黏著劑層，且特徵在於： <br/>該黏著劑層含有（甲基）丙烯酸共聚物及交聯劑， <br/>經對該黏著劑層之溶膠成分進行利用微差折射器RI檢測之GPC測定時，於分子量5000以上之區域中，分子量10萬以下之比例為5％以上75％以下，且分子量60萬以上之比例為0.5％以上16％以下， <br/>該黏著劑層中，（甲基）丙烯酸單體之含量為2.5重量％以下。
如請求項1之黏著帶，其中，經進行該GPC測定時，於分子量5000以上之區域中，分子量15萬以下之比例為5％以上65％以下。
如請求項1或2之黏著帶，其中，經進行該GPC測定時，於分子量5000以上之區域中，分子量50萬以上之比例為1％以上20％以下。
如請求項1或2之黏著帶，其中，該黏著劑層中，該（甲基）丙烯酸單體之含量為0.1重量％以上。
如請求項1或2之黏著帶，其中，經對該黏著劑層之溶膠成分進行利用吸收波長254nm之紫外線（UV）檢測的GPC測定時之分子量分布之波峰（Mp（UV））與經對該黏著劑層之溶膠成分進行利用微差折射器RI檢測的GPC測定時之分子量分布之波峰（Mp（RI））的差Mp（UV－RI）為5000以上。
如請求項1或2之黏著帶，其中，經對該黏著劑層之溶膠成分進行利用微差折射器RI檢測之GPC測定時，於分子量5000以上之區域中，分子量分布之波峰（Mp（RI））為10萬以上40萬以下。
如請求項1或2之黏著帶，其中，該黏著劑層之凝膠分率為15重量％以上70重量％以下。
如請求項1或2之黏著帶，其中，該黏著劑層於100℃之儲存彈性模數G’（100℃）為3.5×10<sup>4</sup>Pa以上。
如請求項1或2之黏著帶，其中，該黏著劑層進一步含有賦黏樹脂，該賦黏樹脂之軟化溫度為100℃以上180℃以下，該賦黏樹脂之含量相對於該（甲基）丙烯酸共聚物100重量份，為10重量份以上60重量份以下。
如請求項1或2之黏著帶，其中，該（甲基）丙烯酸共聚物含有8重量％以上之源自含有羧基之單體的構成單元。
如請求項1或2之黏著帶，其中，該（甲基）丙烯酸共聚物其源自具有碳數4以下之烷基的（甲基）丙烯酸烷基酯之構成單元的含量為25重量％以上70重量％以下， <br/>源自具有碳數6以上之烷基的（甲基）丙烯酸烷基酯之構成單元的含量為22重量％以上67重量％以下。
如請求項1或2之黏著帶，其中，該黏著劑層之厚度為10μm以上150μm以下。
如請求項1或2之黏著帶，其中，於該基材之雙面具有該黏著劑層。
如請求項1或2之黏著帶，其係用以將研磨墊固定於研磨機之平台。
一種電子裝置，包括：<br/>一第一基板，包括一第一圖案化導線以及複數個墊部，該或該等墊部電性連接該第一圖案化導線；<br/>複數個拼接單元，連接該第一基板；其中，各該拼接單元分別包括一個或多個之第二圖案化導線，各該第二圖案化導線包括一個或多個之輔助導線以及一個或多個之功能性電路，該或該等輔助導線和該或該等功能性電路互相絕緣；以及<br/>複數個電性元件，設置在該等拼接單元上、並電性連接該等第二圖案化導線的該或該等功能性電路；<br/>其中，各該功能性電路分別電性連接該第一圖案化導線，該或該等輔助導線與對應之多個該等第一圖案化導線呈電性並聯。
如請求項1所述的電子裝置，其中形成於該或該等輔助導線與該第一基板的對應之多個該等第一圖案化導線之間的電性並聯所形成的一等效電阻小於該第一圖案化導線的一阻抗。
如請求項1所述的電子裝置，其中該等電性元件的尺寸是微米等級或以下，或/以及該等拼接單元的尺寸是毫米等級或以下。
如請求項1所述的電子裝置，其中多個該等電性元件以陣列方式設置在對應之該等拼接單元其中之一上，以及其中複數個功能性單元以一m×n陣列設置在對應之該等拼接單元其中之一上，其中m及n分別為正整數。
如請求項1所述的電子裝置，更包括一個或多個之驅動件，其設置於該第一基板或相應之該或該等拼接單元上，並與對應的該等拼接單元其中之一電性連接。
如請求項2所述的電子裝置，其中該輔助導線的阻抗小於該第一圖案化導線的阻抗。
如請求項1所述的電子裝置，更包括複數個導電結構，多個該等導電結構將該等功能性電路或對應之該輔助導線電性連接至該第一圖案化導線，其中該等導電結構包括貫穿該等拼接單元的複數個孔洞，以及分別設置於該等孔洞內的複數個導體。
如請求項7所述的電子裝置，更包括一平坦化層，以及其中各該拼接單元定義有面向該第一基板的一第一面和與該第一面相對的一第二面，該平坦化層形成於該等拼接單元其中之一的該第一面上，其中該等孔洞穿過該平坦化層，且該等導體的一末端接近該平坦化層、且被該平坦化層包圍並顯露於該平坦化層。
如請求項7所述的電子裝置，其中多個該等孔洞形成在該或該等輔助導線處或附近，並且該或該等輔助導線與該第一圖案化導線通過容納於對應之多個該等孔洞中的該等導體呈電性並聯。
如請求項1所述的電子裝置，其中該等電性元件為光電元件。
一種氣體阻隔性多層膜，其依序包含基材層(A1)、水分捕獲層(B1)及外層(Q)，<br/>前述基材層(A1)包含塑膠層(x)，於前述塑膠層(x)之至少一面具有選自由無機阻隔層(a1)及無機阻隔層(a2)所組成之群組中之層，<br/>前述塑膠層(x)的厚度為100 µm以上200 µm以下，<br/>前述基材層(A1)之水滲透率(40℃, RH90%)為8.0×10<sup>-4</sup>g/m<sup>2</sup>/day以下，<br/>層構成為下述構成中之任一種：<br/>無機阻隔層(a1)／塑膠層(x)／水分捕獲層(B1)／黏接劑層(D)/塑膠層(C)、 <br/>無機阻隔層(a1)／塑膠層(x)／水分捕獲層(B1)／黏接劑層(D)/無機阻隔層(a3)／塑膠層(C)、 <br/>無機阻隔層(a1)／塑膠層(x)／水分捕獲層(B1)／黏接劑層(D)/無機阻隔層(a1)／塑膠層(x)、 <br/>無機阻隔層(a1)／塑膠層(x)／水分捕獲層(B1)／黏接劑層(D)/無機阻隔層(a4)／塑膠層(y)、 <br/>塑膠層(x)／無機阻隔層(a2)／水分捕獲層(B1)／黏接劑層(D)/塑膠層(C)、 <br/>塑膠層(x)／無機阻隔層(a2)／水分捕獲層(B1)／黏接劑層(D)/無機阻隔層(a3)／塑膠層(C)、 <br/>塑膠層(x)／無機阻隔層(a2)／水分捕獲層(B1)／黏接劑層(D)/無機阻隔層(a1)／塑膠層(x)、 <br/>塑膠層(x)／無機阻隔層(a2)／水分捕獲層(B1)／黏接劑層(D)/無機阻隔層(a4)／塑膠層(y)、 <br/>無機阻隔層(a1)／塑膠層(x)／無機阻隔層(a2)／水分捕獲層(B1)／黏接劑層(D)／塑膠層(C)、 <br/>無機阻隔層(a1)／塑膠層(x)／無機阻隔層(a2)／水分捕獲層(B1)／黏接劑層(D)／無機阻隔層(a3)／塑膠層(C)、 <br/>無機阻隔層(a1)／塑膠層(x)／無機阻隔層(a2)／水分捕獲層(B1)／黏接劑層(D)／無機阻隔層(a1)／塑膠層(x)。
如請求項1之氣體阻隔性多層膜，其中前述無機阻隔層(a1)至(a4)係金屬氧化物膜。
如請求項1之氣體阻隔性多層膜，其中前述塑膠層(x)至(y)包含烯烴類樹脂、聚酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂或環狀烯烴類樹脂。
如請求項1之氣體阻隔性多層膜，其中前述水分捕獲層(B1)含有於離子性聚合物(i)中分散吸濕劑(ii)之樹脂組成物。
如請求項1之氣體阻隔性多層膜，其中前述塑膠層(C)包含烯烴類樹脂、聚酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂或環狀烯烴類樹脂。
一種半導體元件，包括：<br/> 基底，具有一表面，且至少一溝槽形成於所述基底中；<br/> 高Q值電容器，設置於所述基底的所述表面，其中所述高Q值電容器包括下電極、位於所述下電極上的上電極以及位於所述上電極與所述下電極之間的第一介電層；<br/> 超高密度電容器，設置在所述基底的所述至少一溝槽上，其中所述超高密度電容器包括共形地沉積在所述至少一溝槽中的第一電極、位於所述第一電極上的第二電極、以及位於所述第一電極和所述第二電極之間的第二介電層；以及<br/> 內連線，將所述上電極和所述下電極中的一個連接到所述第一電極和所述第二電極中的一個，並且將所述上電極和所述下電極中的另一個連接到所述第一電極和所述第二電極中的另一個，<br/> 其中所述下電極與所述第一電極彼此分隔開。
如請求項1所述的半導體元件，更包括阻擋層，設置在所述基底的所述表面和所述下電極之間以及在所述至少一溝槽的內表面和所述第一電極之間。
如請求項1所述的半導體元件，其中所述下電極在所述基板的所述表面的投影面積大於所述上電極在所述基板的所述表面的投影面積。
如請求項1所述的半導體元件，其中所述第一電極在所述基板的投影面積大於所述第二電極在所述基板的投影面積。
如請求項1所述的半導體元件，其中所述內連線包括分佈在所述上電極、所述下電極、所述第一電極和所述第二電極上的多數個介層窗。
如請求項1所述的半導體元件，其中所述內連線將所述上電極連接到所述第二電極，並將所述下電極連接到所述第一電極。
如請求項1所述的半導體元件，其中所述內連線將所述上電極連接到所述第一電極，並將所述下電極連接到所述第二電極。
一種半導體元件的製造方法，包括：<br/> 在基底中形成至少一溝槽；<br/> 在所述基底的表面與所述至少一溝槽的內表面形成阻擋層；<br/> 在所述基底的所述表面與所述至少一溝槽的所述內表面形成第一金屬層；<br/> 在所述第一金屬層上形成介電層；<br/> 在所述介電層上形成第二金屬層，並填入所述至少一溝槽；<br/> 在形成所述阻擋層、所述第一金屬層、所述介電層以及所述第二金屬層之後，圖案化所述第二金屬層，以在所述至少一溝槽上方形成第二電極以及在所述基底的所述表面上形成上電極；<br/> 在圖案化所述第二金屬層之後，圖案化所述介電層，以去除所述第二電極與所述上電極之間的所述介電層；以及<br/> 在圖案化所述介電層之後，圖案化所述第一金屬層，以在所述第二電極下方形成第一電極以及在所述上電極下方形成下電極。
如請求項8所述的半導體元件的製造方法，其中在所述基底中形成所述至少一溝槽之前，更包括對所述基底進行互補式金屬氧化物半導體（CMOS）製程。
如請求項9所述的半導體元件的製造方法，其中在進行所述CMOS製程之後，更包括在所述基底上形成層間介電質（ILD）層和金屬間介電質（IMD）層，並且在所述ILD層、所述IMD層以及所述基底中形成所述至少一溝槽。
如請求項8所述的半導體元件的製造方法，其中在圖案化所述第一金屬層之後，更包括在所述上電極、所述下電極、所述第一電極和所述第二電極上形成內連線。
一種車床，其具備： 主軸，其可釋放地固持棒材； 對向主軸，其可釋放地固持自上述棒材之上述主軸向前方伸出之前端部； 刀具台，其安裝有將固持於上述主軸之上述棒材切斷之切斷車刀； 控制部，其控制上述主軸、上述對向主軸、及上述刀具台之動作；及 接觸型破損檢測部，其具有檢測器，於利用上述切斷車刀切斷上述棒材之切斷動作之後，在殘存有上述棒材之前端部的情況下，該檢測器能夠進退至與該前端部接觸之前進位置，且當已前進至上述前進位置之上述檢測器與上述棒材之前端部接觸時，檢測為上述切斷車刀發生了破損； 上述控制部係 進行如下處理，即，於在上述對向主軸固持著由上述主軸固持之上述棒材之狀態下剛進行上述切斷動作後之第一檢測時點，基於用於控制上述主軸與上述對向主軸之至少一者之控制參數而判定上述切斷車刀是否發生了破損，且 進行如下處理，即，於與上述第一檢測時點不同之第二檢測時點，根據上述接觸型破損檢測部之檢測結果而判定上述切斷車刀是否發生了破損， 上述第二檢測時點係於上述對向主軸未固持由上述主軸固持之上述棒材之狀態下剛進行上述切斷動作後之時點、與開始上述棒材之連續加工之時點中之至少一者。
如請求項1之車床，其中將上述主軸與上述對向主軸中之一者設為第一主軸，將另一者設為第二主軸時，上述控制參數係上述第一主軸中之位置指令與位置反饋信號之差信號即位置偏差，且 <br/>上述控制部係於上述第一檢測時點，藉由使上述第二主軸與停止中之上述第一主軸分離之控制，當上述位置偏差超過特定量時判定為上述切斷車刀發生了破損，當上述位置偏差未超過上述特定量時判定為上述切斷車刀未破損。
如請求項1或2之車床，其中上述接觸型破損檢測部具備： <br/>檢測器驅動部，其使上述檢測器於與上述主軸之中心線交叉之方向上移動；及 接觸檢測部，其檢測已朝向上述中心線前進之上述檢測器是否與上述棒材之前端部接觸；且 藉由上述接觸檢測部檢測出已朝向上述中心線前進之上述檢測器與上述棒材之前端部接觸，而檢測為上述切斷車刀發生了破損。
一種車床之切斷車刀破損檢測方法，其係具備如下各部之車床之切斷車刀破損檢測方法： <br/>主軸，其可釋放地固持棒材； 對向主軸，其可釋放地固持自上述棒材之上述主軸向前方伸出之前端部； 刀具台，其安裝有將固持於上述主軸之上述棒材切斷之切斷車刀；及 接觸型破損檢測部，其具有檢測器，於利用上述切斷車刀切斷上述棒材之切斷動作之後，在殘存有上述棒材之前端部的情況下，該檢測器能夠進退至與該前端部接觸之前進位置，且當已前進至上述前進位置之上述檢測器與上述棒材之前端部接觸時，檢測為上述切斷車刀發生了破損； 上述車床之切斷車刀破損檢測方法包含： 第一工序，其係於在上述對向主軸固持著由上述主軸固持之上述棒材之狀態下剛進行上述切斷動作後之第一檢測時點，基於用於控制上述主軸與上述對向主軸之至少一者之控制參數而判定上述切斷車刀是否發生了破損；及 第二工序，其係於與上述第一檢測時點不同之第二檢測時點，根據上述接觸型破損檢測部之檢測結果而判定上述切斷車刀是否發生了破損， <br/>上述第二檢測時點係於上述對向主軸未固持由上述主軸固持之上述棒材之狀態下剛進行上述切斷動作後之時點、與開始上述棒材之連續加工之時點中之至少一者。
一種硬化性組成物，含有：<br/> 熱硬化性化合物(D)，至少包含來自烯基酚(A)之構成單元、來自環氧改性聚矽氧(B)之構成單元、及來自該環氧改性聚矽氧(B)以外的環氧化合物(C)之構成單元，<br/> 環氧樹脂(E)，及<br/> 氰酸酯化合物(F)；<br/> 該環氧樹脂(E)和該環氧改性聚矽氧(B)不同，且和該環氧化合物(C)可為相同也可不同，<br/> 該氰酸酯化合物(F)與該環氧樹脂(E)之官能基當量比(氰酸酯化合物(F)之氰酸酯基的當量/環氧樹脂(E)之環氧基的當量)為0.25~0.85。
如請求項1之硬化性組成物，其中，該熱硬化性化合物(D)為至少將該烯基酚(A)、該環氧改性聚矽氧(B)、及該環氧改性聚矽氧(B)以外的該環氧化合物(C)進行聚合而得的聚合物(D1)。
如請求項1或2之硬化性組成物，其中，該烯基酚(A)包含二烯丙基雙酚及/或二丙烯基雙酚。
如請求項1或2之硬化性組成物，其中，該環氧改性聚矽氧(B)包含具有140~250g/mol之環氧當量的環氧改性聚矽氧。
如請求項1或2之硬化性組成物，其中，該環氧改性聚矽氧(B)包含下式(1)表示之環氧改性聚矽氧；<br/><img align="absmiddle" height="42px" width="201px" file="ed10049.jpg" alt="ed10049.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(1)<br/> 式(1)中，R<sup>1</sup>各自獨立地表示單鍵、伸烷基、芳基、或伸芳烷基，R<sup>2</sup>各自獨立地表示碳數1~10之烷基或苯基，n表示0~100之整數。
如請求項1或2之硬化性組成物，其中，該環氧化合物(C)包含下式(b2)表示之化合物；<br/><img align="absmiddle" height="62px" width="296px" file="ed10050.jpg" alt="ed10050.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式(b2)中，R<sup>a</sup>各自獨立地表示碳數1~10之烷基或氫原子。
如請求項1或2之硬化性組成物，其中，該熱硬化性化合物(D)的重量平均分子量為3.0×10<sup>3</sup>~5.0×10<sup>4</sup>。
如請求項1或2之硬化性組成物，其中，該環氧樹脂(E)包含選自由萘甲酚酚醛清漆型環氧樹脂及伸萘基醚型環氧樹脂構成之群組中之至少1種。
如請求項1或2之硬化性組成物，其中，該氰酸酯化合物(F)包含下式(4)表示之化合物及/或下式(4)表示之化合物之外的下式(5)表示之化合物；<br/><img align="absmiddle" height="82px" width="296px" file="ed10051.jpg" alt="ed10051.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式(4)中，R<sub>6</sub>各自獨立地表示氫原子、或甲基，n<sub>2</sub>表示1以上之整數；<br/><img align="absmiddle" height="81px" width="279px" file="ed10052.jpg" alt="ed10052.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式(5)中，R<sub>ya</sub>各自獨立地表示碳數2~8之烯基、或氫原子，R<sub>yb</sub>各自獨立地表示碳數1~10之烷基、或氫原子，R<sub>yc</sub>各自獨立地表示碳數4~12之芳香環，R<sub>yc</sub>也可和苯環形成縮合結構，R<sub>yc</sub>可存在也可不存在，A<sup>1a</sup>各自獨立地表示碳數1~6之伸烷基、碳數7~16之伸芳烷基、碳數6~10之伸芳基、亞茀基、磺醯基、氧原子、硫原子、或單鍵，R<sub>yc</sub>不存在時，1個苯環中也可具有2個以上之R<sub>ya</sub>及/或R<sub>yb</sub>之基，n表示1~20之整數。
如請求項1或2之硬化性組成物，其中，該熱硬化性化合物(D)的含量，相對於該熱硬化性化合物(D)及該環氧樹脂(E)及該氰酸酯化合物(F)之合計100質量份，為25~50質量份。
如請求項1或2之硬化性組成物，其中，該環氧樹脂(E)及該氰酸酯化合物(F)的合計含量，相對於該熱硬化性化合物(D)及該環氧樹脂(E)及該氰酸酯化合物(F)之合計100質量份，為50~75質量份。
如請求項1或2之硬化性組成物，其中，該熱硬化性化合物(D)的含量，相對於該熱硬化性化合物(D)及該環氧樹脂(E)及該氰酸酯化合物(F)之合計100質量份，為25~50質量份，且<br/> 該環氧樹脂(E)及該氰酸酯化合物(F)的合計含量，相對於該熱硬化性化合物(D)及該環氧樹脂(E)及該氰酸酯化合物(F)之合計100質量份，為50~75質量份。
如請求項1或2之硬化性組成物，其中，該熱硬化性化合物(D)及該環氧樹脂(E)及該氰酸酯化合物(F)的合計含量，相對於樹脂組成物中之樹脂固體成分100質量份，為50~99質量份。
如請求項1或2之硬化性組成物，更含有馬來醯亞胺化合物。
如請求項14之硬化性組成物，其中，該馬來醯亞胺化合物包含選自由雙(4-馬來醯亞胺基苯基)甲烷、2,2-雙(4-(4-馬來醯亞胺基苯氧基)苯基)丙烷、雙(3-乙基-5-甲基-4-馬來醯亞胺基苯基)甲烷、下式(3)表示之馬來醯亞胺化合物、及下式(3’)表示之馬來醯亞胺化合物構成之群組中之至少1種；<br/><img align="absmiddle" height="80px" width="338px" file="ed10053.jpg" alt="ed10053.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式(3)中，R<sub>5</sub>各自獨立地表示氫原子或甲基，n<sub>1</sub>表示1~100之整數；<br/><img align="absmiddle" height="44px" width="188px" file="ed10054.jpg" alt="ed10054.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式(3’)中，R<sup>13</sup>各自獨立地表示氫原子、碳數1~5之烷基、或苯基，n4表示1~10之整數。
如請求項14之硬化性組成物，其中，該馬來醯亞胺化合物的含量，相對於該熱硬化性化合物(D)及該環氧樹脂(E)及該氰酸酯化合物(F)之合計100質量份，為5~45質量份。
如請求項1或2之硬化性組成物，更含有無機填充材。
如請求項17之硬化性組成物，其中，該無機填充材的含量，相對於該熱硬化性化合物(D)及該環氧樹脂(E)及該氰酸酯化合物(F)之合計100質量份，為50~350質量份。
如請求項17之硬化性組成物，其中，該無機填充材為選自由二氧化矽、氫氧化鋁、氧化鋁、軟水鋁石(boehmite)、氮化硼、氮化鋁、氧化鈦、鈦酸鋇、氧化鎂、及氫氧化鎂構成之群組中之至少1種。
如請求項1或2之硬化性組成物，其中，來自該烯基酚(A)之構成單元的含量相對於該熱硬化性化合物(D)之總質量，為5~50質量%，<br/> 來自該環氧改性聚矽氧(B)之構成單元的含量相對於該熱硬化性化合物(D)之總質量，為20~60質量%，<br/> 來自該環氧改性聚矽氧(B)以外的環氧化合物(C)之構成單元的含量相對於該熱硬化性化合物(D)之總質量，為5~40質量%。
一種預浸體，含有：<br/> 基材，及<br/> 含浸或塗佈於該基材之如請求項1至20中任一項之硬化性組成物。
一種覆金屬箔疊層板，含有：<br/> 使用如請求項21之預浸體而形成的疊層體，及<br/> 配置於該疊層體的單面或雙面之金屬箔。
一種印刷配線板，具有：<br/> 絕緣層，及<br/> 形成於該絕緣層的單面或雙面之導體層；<br/> 該絕緣層含有如請求項1至20中任一項之硬化性組成物之硬化物。
一種用於將一組裝材料印刷至一電子基板上的模板印刷機，該模板印刷機包含：<br/> 一框架；<br/> 耦接至該框架的一模板，該模板具有在其中形成的開孔；<br/> 耦接至該框架的一支撐總成，該支撐總成經配置來支撐該電子基板；<br/> 耦接至該框架的一印刷頭台架，該印刷頭台架包括沿著設置在該框架上的軌道行進的一伸長梁，該印刷頭台架的該伸長梁包括在一水平方向上延伸的至少一個線性軸承；<br/> 一印刷頭總成，該印刷頭總成由該印刷頭台架支撐，使得該印刷頭總成經配置來在印刷衝程期間橫穿過該模板；以及<br/> 一刮刀滴液收集系統，該刮刀滴液收集系統經配置來接收來自該印刷頭總成的至少一個刮刀刀片的組裝材料，該刮刀滴液收集系統包括一膏劑護罩，該膏劑護罩耦接至該印刷頭台架且經配置成在一縮回位置與一伸出位置之間移動，在該縮回位置中該膏劑護罩與該至少一個刮刀刀片間隔開，在該伸出位置中該膏劑護罩定位在該至少一個刮刀刀片下方，該刮刀滴液收集系統進一步包括一膏劑護罩移除總成，該膏劑護罩移除總成經配置來將該膏劑護罩與該印刷頭台架解耦並移除該膏劑護罩，該膏劑護罩移除總成包括經配置來在該至少一個線性軸承上橫向移動的至少一個工具構件，該至少一個工具構件包括一向下延伸的銷，該向下延伸的銷具有經配置成接收在與該膏劑護罩相關聯的一接收特徵部內的一端部，<br/> 其中該膏劑護罩包括至少一個接收特徵部，該至少一個接收特徵部經配置成由該至少一個工具構件的該銷嚙合以嚙合並移動該膏劑護罩，及<br/> 其中該至少一個工具構件包括兩個間隔開的工具構件，每個工具構件包括一銷，一第一工具構件經配置來在一第一線性軸承上橫向移動且一第二工具構件經配置來在一第二線性軸承上橫向移動。
如請求項1所述之模板印刷機，其中該膏劑護罩包括一平坦底壁、一前壁、一後壁及兩個側壁，該等壁形成一淺的容器以接收來自該至少一個刮刀刀片的焊膏。
如請求項1所述之模板印刷機，其中該至少一個接收特徵部包括兩個接收特徵部，每個工具構件一個接收特徵部，該第一工具構件及該第二工具構件接收在該膏劑護罩的相應接收特徵部中以可釋放地固定該膏劑護罩。
如請求項1所述之模板印刷機，其中該刮刀滴液收集系統進一步包括至少一個伸展機構，該至少一個伸展機構經配置來使該膏劑護罩在該縮回位置與該伸出位置之間移動。
如請求項4所述之模板印刷機，其中該至少一個伸展機構包括固定至該印刷頭台架的一支架及安裝在該支架上的一伸展構件。
如請求項5所述之模板印刷機，其中該伸展構件包括安裝至該支架的一缸體及往復地接收在該缸體內的一桿。
如請求項6所述之模板印刷機，其中每個桿包括接收在該膏劑護罩的至少一個接收特徵部內的一端部。
如請求項7所述之模板印刷機，其中該膏劑護罩在該至少一個接收特徵部內配置有一彈簧負載鎖定機構以將該膏劑護罩固定至該至少一個伸展機構。
如請求項1所述之模板印刷機，其進一步包含耦接至該印刷頭台架、該印刷頭總成及該刮刀滴液系統的一控制器，該控制器經配置來控制該膏劑護罩在該縮回位置與該伸出位置之間的移動並執行一操作來更換該膏劑護罩。
一種移除一膏劑護罩的方法，該膏劑護罩經配置來收集來自一印刷頭台架的一刮刀的組裝材料，該方法包含以下步驟:<br/> 將至少一個工具構件定位在一膏劑護罩的至少一個接收特徵部附近，該至少一個工具構件經配置來在該至少一個線性軸承上橫向移動，該至少一個工具構件包括一向下延伸的銷，該向下延伸的銷具有經配置成接收在與該膏劑護罩相關聯的一接收特徵部內的一端部，以嚙合並移動該膏劑護罩；<br/> 藉由至少一個伸展機構使該膏劑護罩朝向該至少一個工具構件移動；<br/> 將該至少一個工具構件定位在該膏劑護罩的該至少一個接收特徵部內以從該至少一個伸展機構釋放該膏劑護罩；以及<br/> 用該至少一個工具構件支撐該膏劑護罩，<br/> 其中該至少一個工具構件經配置來在該至少一個線性軸承上橫向移動。
如請求項10所述之方法，其中將該至少一個工具構件定位在該至少一個接收特徵部內的步驟包括：將該至少一個工具構件的該向下延伸的銷定位在該接收特徵部內以及觸發一彈簧負載鎖定機構以從該至少一個伸展機構釋放該膏劑護罩。
如請求項10所述之方法，其中該至少一個工具構件包括兩個間隔開的工具構件，每個工具構件包括一銷，且其中該至少一個接收特徵部包括兩個接收特徵部，該兩個工具構件接收在該膏劑護罩的相應接收特徵部中以固定該膏劑護罩。
如請求項10所述之方法，其中該至少一個伸展機構包括固定至該印刷頭台架的一支架及安裝在該支架上的一伸展構件。
如請求項13所述之方法，其中該至少一個伸展構件包括安裝至該支架的一缸體及往復地接收在一活塞內的一桿，每個桿具有接收在該膏劑護罩的一接收特徵部內的一頭。
如請求項14所述之方法，其中該膏劑護罩配置有一彈簧負載鎖定機構以將該膏劑護罩固定至該至少一個伸展機構。
一種靜電吸盤，用以靜電吸附基板，具備： <br/>吸盤本體，以第1陶瓷粒子形成，具有與被該靜電吸盤吸附之基板對向的基板對向面；及 <br/>複數之凸部，形成於該吸盤本體之該基板對向面； <br/>該凸部各自之至少前端側層以外的部分，係以粒子長徑為20μm以上、2000μm以下之第2陶瓷粒子形成，氣孔率為0.1%以上、1.0%以下。
如請求項1之靜電吸盤，其中， <br/>該凸部之最前端面的表面粗糙度以算術平均粗糙度Ra表示，為0.01μm以下。
如請求項2之靜電吸盤，其中， <br/>該凸部各自之前端側層為單晶板。
如請求項2之靜電吸盤，其中， <br/>該凸部各自之包含前端側層的整體以粒子長徑為20μm以上、2000μm以下之第2陶瓷粒子形成，氣孔率為0.1%以上、1.0%以下。
如請求項1至4中任一項之靜電吸盤，其中， <br/>該吸盤本體之該基板對向面的表面粗糙度以算術平均粗糙度Ra表示，為0.01μm以下。
一種基板固持器，具備： <br/>如請求項1至5中任一項之靜電吸盤；及 <br/>基台，於其頂面設置該靜電吸盤。
一種電漿處理裝置，具備： <br/>如請求項6之基板固持器；及 <br/>處理腔室，以可減壓方式構成，並收納該基板固持器。
一種靜電吸盤，用以靜電吸附基板，具備： <br/>吸盤本體，以第1陶瓷粒子形成，具有與被該靜電吸盤吸附之基板對向的基板對向面；及 <br/>複數之凸部，形成於該吸盤本體之該基板對向面； <br/>於該吸盤本體之該基板對向面上形成第2陶瓷粒子之層後，將光選擇性地照射至該第2陶瓷粒子之層中的對應於該凸部之部分，而使被照射部分之該第2陶瓷粒子的長徑為20μm以上、2000μm以下，並且使該被照射部分之氣孔率為0.1%以上、1.0%以下，之後，將該第2陶瓷粒子之層的未照射部分去除，藉以形成該複數之凸部。
一種靜電吸盤之製造方法，該靜電吸盤用以靜電吸附基板，該靜電吸盤之製造方法包含下列製程： <br/>(A)準備吸盤本體，該吸盤本體以第1陶瓷粒子形成，具有與被該靜電吸盤吸附之基板對向的基板對向面； <br/>(B)於該吸盤本體之該基板對向面形成(從該吸盤本體之該基板對向面突出的)複數之凸部； <br/>該(B)製程包含下列製程： <br/>(a)於該吸盤本體之該基板對向面上形成第2陶瓷粒子之層； <br/>(b)將光選擇性地照射至該第2陶瓷粒子之層中的對應於該凸部之部分，而使被照射部分之該第2陶瓷粒子的長徑為20μm以上、2000μm以下，並且使該被照射部分之氣孔率為0.1%以上、1.0%以下； <br/>(c)將該第2陶瓷粒子之層的未照射部分去除，而形成該凸部。
如請求項9之靜電吸盤之製造方法，其中， <br/>該(B)製程更包含下列製程： <br/>(d)將可使該光透過之單晶板載置於該第2陶瓷粒子之層中的對應於該凸部之部分上； <br/>該(b)製程係將該光經由該單晶板而照射至該第2陶瓷粒子之層， <br/>該(c)製程係將該未照射部分去除，而形成前端側層為該單晶板之該凸部。
如請求項10之靜電吸盤之製造方法，其中， <br/>該(b)製程包含下列製程： <br/>將可使該光透過之透明板推壓使其一併接觸到載置於該第2陶瓷粒子之層的複數之該單晶板； <br/>將該光經由該透明板及該單晶板而照射至該第2陶瓷粒子之層。
如請求項9之靜電吸盤之製造方法，其中， <br/>該(c)製程係將該未照射部分去除，而形成該凸部，該凸部係包含前端側層之整體以粒子長徑為20μm以上、2000μm以下之該第2陶瓷粒子形成，且氣孔率為0.1%以上、1.0%以下， <br/>該(B)製程更包含下列製程： <br/>研磨該凸部之最前端面，而使該最前端面之表面粗糙度以算術平均粗糙度表示，為0.01μm。
如請求項9至12中任一項之靜電吸盤之製造方法，其中， <br/>該(A)製程包含下列製程： <br/>研磨該吸盤本體之該基板對向面，而使該基板對向面之表面粗糙度以算術平均粗糙度Ra表示，為0.01μm。
一種軸流送風機， <br/> 含有一對風扇單元， <br/> 前述一對風扇單元各自含有：轉動件、馬達、外殼、軸承， <br/> 前述轉動件，含有：繞旋轉軸線旋轉的葉輪、從前述葉輪往徑方向延伸的扇葉， <br/> 前述馬達，設在前述葉輪的內部， <br/> 前述外殼，含有：收容前述轉動件的收容部、支撐前述馬達的基座部， <br/> 前述軸承，將前述轉動件對於前述基座部支撐成可旋轉， <br/> 各個前述基座部，具有支撐前述軸承的襯套， <br/> 在比前述葉輪還內周側且在前述基座部的前述襯套的軸方向端面，設有圓筒形狀的連接部， <br/> 前述連接部，與前述基座部形成為一體， <br/> 前述一對風扇單元各自透過彼此的前述連接部，在前述旋轉軸線方向互相連接， <br/> 在前述連接部的附近，在各個前述收容部的外周側不存在其他構件，與前述馬達連接之引線的配線空間為開放。
如請求項1所述之軸流送風機，其中， <br/> 至少各個前述收容部為樹脂製， <br/> 各個前述襯套為金屬製。
如請求項1所述之軸流送風機，其中， <br/> 前述軸流送風機，含有：將前述轉動件對於前述基座部支撐成可旋轉的軸承， <br/> 各個前述基座部，含有：支撐前述軸承的襯套、支撐前述襯套的襯套支撐部， <br/> 在各個前述襯套支撐部的軸方向端面，設有前述連接部。
如請求項3所述之軸流送風機，其中， <br/> 至少各個前述收容部為金屬製。
如請求項1至4中任一項所述之軸流送風機，其中， <br/> 各個前述連接部，互相藉由螺紋嵌合來連接。
如請求項1至4中任一項所述之軸流送風機，其中， <br/> 各個前述連接部，互相藉由壓入所致之嵌合來連接。
如請求項1至4中任一項所述之軸流送風機，其中， <br/> 在各個前述基座部的前述軸方向端面設有定位部。
一種用於由一周邊無線通訊設備進行無線通訊的方法，包括以下步驟： <br/>根據一第一無線通訊協定來與一無線站建立一第一連接； <br/>根據建立該第一連接，將對一第一組無線通道的一第一通道掃瞄的結果發送到該無線站，該第一通道掃瞄的該等結果指示用於一第二無線通訊協定的來自該第一組無線通道的一或多個無線通道； <br/><br/>根據該第二無線通訊協定及該第一通道掃瞄的該等結果來直接與該無線站建立一第二連接；及 <br/>根據該第二無線通訊協定直接從該無線站接收一或多個資料串流。
根據請求項1之方法，其中該第二連接是根據由該無線站執行的一第二通道掃瞄而建立的，該第二通道掃瞄與一第二組無線通道相關聯。
根據請求項2之方法，其中該第一組無線通道與該第二組無線通道相同。
根據請求項2之方法，其中該第一組無線通道中的每一者相應無線通道皆不同於該第二組無線通道中的每一者相應無線通道。
根據請求項1之方法，其中該第一無線通訊協定是比該第二無線通訊協定相對更短範圍的一無線協定。
根據請求項5之方法，其中該第一無線通訊協定是一藍芽協定、一藍芽低功耗（BLE）協定或一近場通訊（NFC）協定。
根據請求項1之方法，其中該第二無線通訊協定是根據電氣和電子工程師協會（IEEE）802.11系列標準的一無線通訊協定。
一種周邊無線通訊設備，包括： <br/>至少一個收發機， <br/>至少一個處理器，以及 <br/>至少一個記憶體，其與該至少一個處理器通訊地耦合並儲存處理器可讀代碼，當由該至少一個處理器執行時，被配置為導致該周邊無線通訊設備進行以下動作： <br/>藉由該至少一個收發機，根據一第一無線通訊協定來與一無線站建立一第一連接； <br/>藉由該至少一個收發機，將對一第一組無線通道的一第一通道掃瞄的結果發送到該無線站，該第一通道掃瞄的該等結果指示用於一第二無線通訊協定的來自該第一組無線通道的一或多個無線通道；藉由該至少一個收發機，根據該第二無線通訊協定及該第一掃瞄的該等結果來直接與該無線站建立一第二連接；及 <br/>藉由該至少一個收發機，根據該第二無線通訊協定來直接從該無線站接收一或多個資料串流。
根據請求項8之周邊無線通訊設備，其中該第二連接是基於由該無線站執行的一第二通道掃瞄而建立的，該第二通道掃瞄與一第二組無線通道相關聯。
根據請求項9之周邊無線通訊設備，其中該第一組無線通道與該第二組無線通道相同。
根據請求項9之周邊無線通訊設備，其中在該第一組無線通道中的每一者無線通道不同於在該第二組無線通道中的每一者相應無線通道。
根據請求項8之周邊無線通訊設備，其中該第一無線通訊協定是比該第二無線通訊協定相對更短範圍的一無線協定。
根據請求項12之周邊無線通訊設備，其中該第一無線通訊協定是一藍芽協定、一藍芽低功耗（BLE）協定或一近場通訊（NFC）協定。
根據請求項8之周邊無線通訊設備，其中該第二無線通訊協定是根據電氣和電子工程師協會（IEEE）802.11系列標準的一無線通訊協定。
一種用於由一無線站進行無線通訊的方法，包括以下步驟： <br/>根據一第一無線通訊協定來與一周邊無線通訊設備建立一第一連接； <br/>根據該第一無線通訊協定來從該周邊無線通訊設備接收對一第一組無線通道的一第一通道掃瞄的結果，該第一通道掃瞄與一第二無線通訊協定相關聯，該第一掃瞄的該等結果指示用於該第二無線通訊協定的來自該第一組無線通道的一或多個無線通道； <br/>根據接收指示對該一或多個無線通道的該第一通道掃瞄的該等結果，將該無線站配置為作為與該第二無線通訊協定相關聯的一存取點操作； <br/>根據該第二無線通訊協定及該第一通道掃瞄的該等結果來直接與該周邊無線通訊設備建立一第二連接；及 <br/>根據該第二無線通訊協定來直接向該周邊無線通訊設備發送一或多個資料串流。
根據請求項15之方法，亦包括以下步驟： <br/>執行對一第二組無線通道的一第二通道掃瞄； <br/>其中建立該第二連接進一步與該第二通道掃瞄有關聯。
根據請求項16之方法，其中該第一組無線通道與該第二組無線通道相同。
根據請求項16之方法，其中在該第一組無線通道中的每一者相應無線通道不同於在該第二組無線通道中的每一者相應無線通道。
根據請求項15之方法，其中該第一無線通訊協定是比該第二無線通訊協定相對更短範圍的一無線協定。
根據請求項19之方法，其中該第一無線通訊協定是一藍芽低功耗（BLE）協定、一藍芽協定或一近場通訊（NFC）協定。
根據請求項15之方法，其中該第二無線通訊協定是根據電氣和電子工程師協會（IEEE）802.11系列標準的一無線通訊協定。
一種無線站，包括： <br/>至少一個收發機， <br/>至少一個處理器，以及 <br/>至少一個記憶體，其與該至少一個處理器通訊地耦合並儲存處理器可讀代碼，當由該至少一個處理器執行時，被配置為導致該無線站進行以下動作： <br/>藉由該至少一個收發機，根據一第一無線通訊協定來與一周邊無線通訊設備建立一第一連接； <br/>藉由該至少一個收發機，根據該第一無線通訊協定來從該周邊無線通訊設備接收對一第一組無線通道的一第一通道掃瞄的結果，該第一通道掃瞄與一第二無線通訊協定相關聯，該第一通道掃瞄的該等結果指示用於該第二無線通訊協定的來自該第一組無線通道的一或多個無線通道； <br/>根據接收指示對該一或多個無線通道的該第一通道掃瞄的該等結果，將該無線站配置為作為與該第二無線通訊協定相關聯的一存取點操作； <br/>藉由該至少一個收發機，根據該第二無線通訊協定及該第一通道掃瞄的該等結果來直接與該周邊無線通訊設備建立一第二連接；及 <br/>藉由該至少一個收發機，根據該第二無線通訊協定來直接向該周邊無線通訊設備發送一或多個資料串流。
根據請求項22之無線站，其中該處理器可讀代碼的執行進一步使得該無線站藉由該至少一個收發機，執行對一第二組無線通道的一第二通道掃瞄，其中建立該第二連接進一步與該第二通道掃瞄相關聯。
根據請求項23之無線站，其中該第一組無線通道與該第二組無線通道相同。
根據請求項23之無線站，其中在該第一組無線通道中的每一者相應無線通道不同於在該第二組無線通道中的每一者相應無線通道。
根據請求項22之無線站，其中該第一無線通訊協定是比該第二無線通訊協定相對更短範圍的一無線協定。
根據請求項26之第一無線通訊設備，其中該第一無線通訊協定是一藍芽低功耗（BLE）協定、一藍芽協定或一近場通訊（NFC）協定。
根據請求項22之無線站，其中該第二無線通訊協定是根據電氣和電子工程師協會（IEEE）802.11系列標準的一無線通訊協定。
一種烯丙基醚化合物，係以下述通式(1)所表示； <br/><img align="absmiddle" height="90px" width="193px" file="ed10001.jpg" alt="ed10001.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (1) <br/>式中，R<sup>1</sup>獨立地表示碳數1至8之烴基，R<sup>2</sup>獨立地表示氫原子或二環戊烯基，且其中1個以上為二環戊烯基，二環戊烯基係來自二環戊二烯的基，且為下述式(1a)或式(1b)表示者， <br/><img align="absmiddle" height="24px" width="47px" file="ed10002.jpg" alt="ed10002.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="24px" width="47px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (1a) (1b)， <br/>R<sup>3</sup>獨立地表示氫原子或碳數1至4之烴基，n表示重複數，其平均值為1至5之數。
一種樹脂組成物，係含有請求項1所述之烯丙基醚化合物、及馬來醯亞胺化合物。
一種硬化物，係請求項2所述之樹脂組成物硬化而成者。
一種密封材，係使用請求項2所述之樹脂組成物者。
一種電路基板用材料，係使用請求項2所述之樹脂組成物者。
一種預浸體，係使用請求項2所述之樹脂組成物者。
一種積層板，係使用請求項2所述之樹脂組成物者。
一種機器檢查系統，係檢查在與從壓縮空氣流通的配管(14)分歧出的複數個第1副配管(16)的每一個分歧出的複數個第2副配管(18)分別連接的複數個空壓機器(20、22、24)是否有壓縮空氣的洩漏處存在、或者在連接前述複數個第2副配管的每一個與前述複數個空壓機器的每一個的管接頭(128、130)是否有壓縮空氣的洩漏處存在的機器檢查系統，其特徵為，具備有： <br/> 第1分枝管(72)，是在較前述管接頭更上游從前述複數個第1副配管的每一個分歧出，且在較前述管接頭更上游與前述複數個第1副配管的每一個合流； <br/> 螢光溶劑供給部(78)，是被設在前述第1分枝管，經由前述複數個第1副配管的每一個向前述複數個第2副配管供給螢光溶劑(82)； <br/> 螢光溶劑回收部(86、152)，是被設在較前述螢光溶劑供給部更下游，回收從前述螢光溶劑供給部所供給的前述螢光溶劑； <br/> 第2分枝管(94)，是在較前述管接頭更上游從前述複數個第1副配管的每一個分歧出，且在較前述管接頭更上游與前述複數個第1副配管的每一個合流；以及 <br/> 流量測定器(98)，是被設在前述第2分枝管，測定在該第2分枝管流通的壓縮空氣的流量， <br/> 並具備有: 閥，是在前述複數個第1副配管的每一個中，被配置在比前述第1分枝管及前述第2分枝管的每一個分歧出之處更下游且比前述第1分枝管及第2分枝管的每一個合流之處更上游； <br/> 被設在前述第1分枝管上的閥；以及 <br/> 被設在前述第2分枝管上的閥， <br/> 壓縮空氣是通過前述3個閥的開閉，能夠選擇性地在前述複數個第1副配管的每一個、前述第1分枝管或前述第2分枝管的任一者流通，且在前述複數個第1副配管的每一個、前述第1分枝管或前述第2分枝管的任一者流通的壓縮空氣經由前述複數個第2副配管分別被供給到前述複數個空壓機器。
如請求項1之機器檢查系統，其中，前述螢光溶劑供給部具有使螢光溶劑霧化的霧氣產生器(80)，將變成霧氣的螢光溶劑供給到前述配管。
如請求項1之機器檢查系統，其中，前述螢光溶劑的溶媒為有機溶媒。
如請求項3之機器檢查系統，其中，前述螢光溶劑的溶媒為酒精類。
如請求項4之機器檢查系統，其中，前述螢光溶劑的溶媒為乙醇。
如請求項1～5項中任1項之機器檢查系統，其中，具備有排氣部(150)，是被設在較前述複數個空壓機器更下游，且向大氣開放。
如請求項1之機器檢查系統，其中，黑光燈(158)，是朝向前述複數個空壓機器照射紫外線。
如請求項1之機器檢查系統，其中，前述螢光溶劑回收部具有：設在與前述第1分枝管內的下游側連接的排氣管上的螢光溶劑回收部、以及設在從前述空壓機器所排出的壓縮空氣流通的其他的排氣管上的其他的螢光溶劑回收部。
一種導熱組成物，其包含： <br/>(A) 可固化聚矽氧組成物，其包含： <br/>(a1) 乙烯基二甲基矽氧基封端之聚二甲基聚矽氧烷，其具有在30至400毫帕斯卡*秒之範圍內的黏度，<br/>(a2) 氫化矽官能性交聯劑；及<br/>(a3) 矽氫化催化劑，<br/>其中該交聯劑的氫化矽官能性與乙烯基官能性之莫耳比係在0.5:1至1:1之範圍內；<br/>(B) 填料處理劑，其包含烷基三烷氧基矽烷及單三烷氧基矽氧基封端之二甲基聚矽氧烷中之一或兩者；及<br/>(C) 導熱填料混合物，其包含：以該導熱組成物之重量計，<br/>(c1) 40重量百分比至55重量百分比的氮化鋁填料，其包含以下之摻合物：<br/>(c1-a) 15重量百分比至41重量百分比的D50粒徑為100微米或更大的球形氮化鋁粒子，及 <br/>(c1-b) 10重量百分比至39重量百分比的D50粒徑為20至80微米的球形或不規則形狀的氮化鋁粒子； <br/>(c2) 27重量百分比至41重量百分比的D50粒徑為1至5微米的球形氧化鋁粒子；及<br/>(c3) 10重量百分比至20重量百分比的D50粒徑為0.1至0.5微米的不規則氧化鋅粒子；<br/>其中以該導熱組成物之重量計，該導熱填料混合物之總量係94重量百分比至97重量百分比。
如請求項1之導熱組成物，其中以該導熱組成物之重量計，D50粒徑為20至80微米之該等球形或不規則形狀的氮化鋁粒子(c1-b)係以10重量百分比至38重量百分比之濃度存在。
如請求項1之導熱組成物，其中以該等氮化鋁粒子(c1-a)及(c1-b)之摻合物的總重量計，該摻合物中之球形氮化鋁粒子之總濃度大於60重量百分比至100重量百分比。
如請求項1至3中任一項之導熱組成物，其中該導熱填料混合物(C)包含以該導熱組成物的重量計，零至少於1重量百分比的氮化硼填料。
如請求項1至3中任一項之導熱組成物，其中該等球形氮化鋁粒子(c1-a)之D50粒徑為120微米或更大。
如請求項1至3中任一項之導熱組成物，其中以該導熱組成物之重量計，D50粒徑為100微米或更大的該等球形氮化鋁粒子(c1-a)係以30重量百分比至38重量百分比之濃度存在。
如請求項1至3中任一項之導熱組成物，其中以該導熱組成物之重量計，該等氮化鋁填料(c1)係以45重量百分比至55重量百分比之濃度存在。
如請求項1至3中任一項之導熱組成物，其中該氫化矽官能性交聯劑包含一或多種具有選自(II)、(III)、或其組合之化學結構的聚矽氧烷：<br/><br/>H(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>SiO-[(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>)SiO)]<sub>x</sub>-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>H (II)<br/>(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>SiO-[(CH<sub>3</sub>)HSiO]<sub>y</sub>[(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>)SiO]<sub>z</sub>-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub> (III)<br/><br/>其中下標x具有在10至100之範圍內的值，下標y具有在3至30之範圍內的值，且下標z具有在3至100之範圍內的值。
如請求項1至3中任一項之導熱組成物，其中該烷基三烷氧基矽烷係選自C<sub>6</sub>至C<sub>12</sub>烷基三甲氧基矽烷，且該單三烷氧基矽氧基封端之二甲基聚矽氧烷具有平均化學結構(IV)：<br/><br/>(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>SiO-[(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>SiO]<sub>a</sub>-Si(OR’)<sub>3</sub> (IV)<br/><br/>其中下標a具有在20至150之範圍內的值，且R’係C<sub>1</sub>至C<sub>12</sub>烷基。
一種電子裝置，其包含在另一材料上之如請求項1至9中任一項之導熱組成物。
一種基板支持器，包含： <br/>基座，電連接於至少一個電源； <br/>第一介電體部，配置於該基座上，且具有基板支持面；及 <br/>第二介電體部，以包圍該第一介電體部的方式配置於該基座上，且具有環支持面； <br/>該第一介電體部於其內部具有： <br/>第一傳熱氣體擴散空間，朝該基板支持面供給傳熱氣體； <br/>第一電極，以與該第一傳熱氣體擴散空間的至少一部分於縱方向重疊的方式，配置於該第一傳熱氣體擴散空間的上方；及 <br/>導電部，使該第一電極和該基座電連接； <br/>該第二介電體部於其內部具有： <br/>第二傳熱氣體擴散空間，朝該環支持面供給傳熱氣體；及 <br/>第二電極，以與該第二傳熱氣體擴散空間的至少一部分於縱方向重疊的方式，配置於該第二傳熱氣體擴散空間的上方，且電連接於輸出與該基座共通的電壓之電源。
如請求項1的基板支持器，其中， <br/>該第一電極和該第二電極係配置於同一平面內。
如請求項1或2的基板支持器，其中， <br/>該第一介電體部更具有： <br/>基板用偏壓電極，配置於該第一電極的上方。
如請求項1或2之基板支持器，其中， <br/>該第一介電體部更具有： <br/>基板用靜電電極，配置於該第一電極的上方。
如請求項1或2之基板支持器，其中， <br/>該第二介電體部更具有： <br/>環用靜電電極，配置於該第二電極的上方。
如請求項1或2之基板支持器，其中， <br/>該第二電極係支持於該環支持面之環用的偏壓電極。
如請求項1或2之基板支持器，其中， <br/>該導電部係沿著該第一介電體部的周向配置複數個。
如請求項7的基板支持器，其中， <br/>複數之該導電部係沿著該第一介電體部的周向等間隔配置。
一種電漿處理裝置，包括：電漿處理處理室、及配置於該電漿處理處理室內的基板支持器； <br/>該基板支持器，包含： <br/>基座，電連接於至少一個電源； <br/>第一介電體部，配置於該基座上，且具有基板支持面；及 <br/>第二介電體部，以包圍該第一介電體部的方式配置於該基座上，且具有環支持面； <br/>該第一介電體部於其內部具有： <br/>第一傳熱氣體擴散空間，朝該基板支持面供給傳熱氣體； <br/>第一電極，以與該第一傳熱氣體擴散空間的至少一部分於縱方向重疊的方式，配置於該第一傳熱氣體擴散空間的上方；及 <br/>導電部，使該第一電極和該基座電連接； <br/>該第二介電體部於其內部具有： <br/>第二傳熱氣體擴散空間，朝該環支持面供給傳熱氣體；及 <br/>第二電極，以與該第二傳熱氣體擴散空間的至少一部分於縱方向重疊的方式，配置於該第二傳熱氣體擴散空間的上方，且電連接於輸出與該基座共通的電壓之電源。
如請求項9的電漿處理裝置，更包括： <br/>載置於該環支持面的邊緣環。
如請求項10的電漿處理裝置，其中， <br/>該第二電極係該邊緣環用的偏壓電極。
如請求項10或11的電漿處理裝置，其中， <br/>該第二介電體部的該環支持面的面積，比由該環支持面所支持的該邊緣環的底面面積更小。
如請求項9～11中任一項的電漿處理裝置，其中， <br/>該第一電極與該第二電極係配置於同一平面內。
如請求項9～11中任一項的電漿處理裝置，其中， <br/>該第一介電體部更具有： <br/>基板用偏壓電極，配置於該第一電極的上方。
如請求項9～11中任一項的電漿處理裝置，其中， <br/>該第一介電體部更具有： <br/>基板用靜電電極，配置於該第一電極的上方。
如請求項9～11中任一項的電漿處理裝置，其中， <br/>該第二介電體部更具有： <br/>環用靜電電極，配置於該第二電極的上方。
如請求項9～11中任一項的電漿處理裝置，其中， <br/>該導電部係沿著該第一介電體部的周向配置複數個。
如請求項17的電漿處理裝置，其中， <br/>複數之該導電部係沿著該第一介電體部的周向等間隔配置。
一種封裝基板，其係以封膜樹脂被覆裝配於框架之元件晶片而成，且僅包含：<br/> 該元件晶片；<br/> 金屬製的引線框架，其具有沿著分割預定線而成之格子狀的第一框部及從該第一框部往兩側延伸之多個第一電極部，該分割預定線劃分配置該元件晶片之支撐部；<br/> 連接框架，其具有沿著該分割預定線而成之格子狀的第二框部及從該第二框部朝向兩側延伸之多個第二電極部，且配設於該引線框架的配設該元件晶片之側；<br/> 引線，其連接該第一電極部及該元件晶片；以及<br/> 該封膜樹脂，其覆蓋與該引線框架的該第一電極部電性連接而配設之該元件晶片、該引線及該連接框架，<br/> 該第二電極部的前端比該第二框部更朝向該第一電極部而被形成為凸狀且與該引線框架的該第一電極部連接，在對從該第一框部切斷該第一電極部所形成之該第一電極部的剖面施行電鍍處理之際，該連接框架成為電極。
一種封裝基板的加工方法，該封裝基板係以封膜樹脂被覆裝配於框架之元件晶片而成，<br/> 該封裝基板僅包含：<br/> 該元件晶片；<br/> 金屬製的引線框架，其具有沿著分割預定線而成之格子狀的第一框部及從該第一框部往兩側延伸之多個第一電極部，該分割預定線劃分配置該元件晶片之支撐部；<br/> 連接框架，其具有沿著該分割預定線而成之格子狀的第二框部及從該第二框部朝向兩側延伸之多個第二電極部，且配設於該引線框架的配設該元件晶片之側；<br/> 引線，其連接該第一電極部及該元件晶片；以及<br/> 該封膜樹脂，其覆蓋與該引線框架的該第一電極部電性連接而配設之該元件晶片、該引線及該連接框架，<br/> 該封裝基板的加工方法包含：<br/> 切割槽形成步驟，其沿著該封裝基板的露出該引線框架之正面側的該分割預定線，使第一切割刀片切入該引線框架的該第一框部而形成切割槽，並使藉由切割該第一框部而被切斷之該第一電極部的切斷面在該切割槽露出，該切割槽的深度未到達被該封膜樹脂覆蓋之該連接框架；<br/> 鍍覆處理步驟，其在實施該切割槽形成步驟後，透過該連接框架而對被切斷之該第一電極部施加電壓，藉由電鍍而以鍍層被覆該第一電極部的已露出之面；<br/> 分割步驟，其在實施該鍍覆處理步驟後，以比該第一切割刀片更薄之第二切割刀片切割該切割槽的中央，切斷該連接框架與該封膜樹脂而分割成一個個封裝晶片；以及<br/> 焊料固定步驟，其使該封裝晶片的該正面側面對裝配目標的配線基板而配置，以焊料連接該封裝晶片的經鍍覆處理之該第一電極部與該配線基板的電極。
一種如請求項1之封裝基板的製造方法，其中，<br/> 該封裝基板係將該連接框架重疊於該引線框架的配設該元件晶片之側，將該元件晶片配置於該支撐部，藉由該引線而將該第一電極部與該元件晶片連接，藉由該封膜樹脂而被覆該元件晶片、該引線及該連接框架所製造。
一種屋外可使用零件，具備： <br/> 從包含鋁的金屬材料所作成的母材、及 <br/> 被配置於前述母材上且具有複數孔的耐酸鋁層、及 <br/> 被配置於前述複數孔的內部的染料、及 <br/> 將前述耐酸鋁層中的前述複數孔覆蓋的封孔層， <br/> 前述耐酸鋁層中的前述複數孔的各個，是具有孔開口及孔底， <br/> 孔深度，是被定義成從前述孔開口朝向前述孔底， <br/> 前述染料，是在前述耐酸鋁層中的前述複數孔的至少1個中，至少到達比從前述孔開口朝向前述孔底的前述孔深度的2/3更大的位置， <br/> 前述封孔層，是將前述耐酸鋁層的整體覆蓋地形成。
如請求項1的屋外可使用零件，其中， <br/> 前述封孔層，是包含鎳。
如請求項2的屋外可使用零件，其中， <br/> 前述封孔層，是包含酢酸鎳。
如請求項1至3中任一項的屋外可使用零件，其中， <br/> 前述染料，是在前述耐酸鋁層中的前述複數孔中，至少到達比從前述孔開口朝向前述孔底的前述孔深度的2/3更大的位置。
如請求項1至3中任一項的屋外可使用零件，其中， <br/> 前述染料，是單色。
如請求項1至3中任一項的屋外可使用零件，其中， <br/> 前述染料，是多色。
一種製造屋外可使用零件的方法，具備： <br/> 提供從包含鋁的金屬材料所作成的母材的步驟；及 <br/> 為了在前述母材上形成耐酸鋁層，而在前述母材的表面施加陽極氧化處理的步驟；及 <br/> 為了在前述耐酸鋁層形成印刷區域，藉由噴墨印表機而將包含染料的墨水塗抹於前述耐酸鋁層的步驟；及 <br/> 使用水將前述耐酸鋁層的前述印刷區域洗淨的步驟；及 <br/> 將封孔層形成於前述耐酸鋁層的前述印刷區域上的步驟； <br/> 前述封孔層，是將前述耐酸鋁層的前述印刷區域的整體覆蓋地形成。
如請求項7的方法，其中， <br/> 前述封孔層，是包含鎳。
如請求項8的方法，其中， <br/> 前述封孔層，是包含酢酸鎳。
如請求項7至9中任一項的方法，其中， <br/> 前述墨水，是包含：溶劑、及樹脂。
如請求項10的方法，其中， <br/> 前述溶劑是包含從由二甲亞碸、乙二醇單丁醚、乙二醇異丙基乙醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單甲醚、異丙醇、丙酮、四氫呋喃、雙丙酮醇、乙酰丙酮、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單丁醚、及二甘醇單甲醚所構成的群組中所選擇的至少1個。
如請求項10的方法，其中， <br/> 前述樹脂，是包含從由硝化纖維素、甲基纖維素、澱粉、丙三醇、乙二醇、甲基乙烯馬來酸酐共聚物、羥基丙基纖維素、聚乙烯吡咯烷酮、及乙醇溶液所構成的群組中所選擇的至少1個。
一種樹脂組成物，其包含(A)具有碳二亞胺構造之含有自由基聚合性基之化合物，及(D)無機填充材，且更包含 <br/> (B)不具有碳二亞胺構造之含有自由基聚合性基之化合物，及 <br/> (C)熱硬化性樹脂 <br/>之中至少一者 <br/> 其中(A)成分包含：式(1)所示之含有自由基聚合性基之化合物， <br/> 將樹脂組成物中之不揮發成分設為100質量%時，(D)成分之含量為30質量%以上； <br/><img align="absmiddle" height="193px" width="1184px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中， <br/> R係各自獨立表示氫原子或甲基； <br/> X<sup>1</sup>係各自獨立表示羰基、亞甲基、伸苯基、或伸苯基-亞甲基； <br/> X<sup>2</sup>係各自獨立表示碳數2~4之2價飽和烴基； <br/> Y係各自獨立表示可具有取代基之碳數2~30之2價飽和烴基，或可具有取代基之碳數2~30之2價不飽和烴基； <br/> Z係各自獨立表示可具有取代基之碳數2~300之2價飽和烴基，或可具有取代基之碳數2~300之2價不飽和烴基； <br/> a係各自獨立表示0、或1以上之整數； <br/> b係各自獨立表示1以上之整數； <br/> c係各自獨立表示1以上之整數； <br/> d係表示0、或1以上之整數。
如請求項1之樹脂組成物，其中將樹脂組成物中之不揮發成分設為100質量%時，(A)成分之含量為0.05質量%~10質量%。
如請求項1之樹脂組成物，其中(C)成分包含環氧樹脂。
如請求項3之樹脂組成物，其中(C)成分更包含活性酯系硬化劑。
如請求項3之樹脂組成物，其中(C)成分更包含酚系硬化劑。
如請求項1之樹脂組成物，其中(D)成分為二氧化矽。
如請求項1之樹脂組成物，其中將樹脂組成物中之不揮發成分設為100質量%時，(D)成分之含量為40質量%以上。
如請求項1之樹脂組成物，其中更包含苯氧基樹脂。
如請求項1之樹脂組成物，其中樹脂組成物之硬化物之損耗正切(Df)在5.8GHz、23℃下測量時為0.006以下。
如請求項1之樹脂組成物，其中樹脂組成物之硬化物之斷裂伸度在23℃下測量時為1.2%以上。
如請求項1之樹脂組成物，其係形成導體層用之絕緣層形成用者。
如請求項1之樹脂組成物，其係印刷配線板之絕緣層形成用者。
一種如請求項1~12中任一項之樹脂組成物之硬化物。
一種薄片狀層合材料，其含有如請求項1~12中任一項之樹脂組成物。
一種樹脂薄片，其具有：支撐體，與設置於該支撐體上之由如請求項1~12中任一項之樹脂組成物所形成之樹脂組成物層。
一種印刷配線板，其具備由如請求項1~12中任一項之樹脂組成物之硬化物所構成之絕緣層。
一種半導體裝置，其包含如請求項16之印刷配線板。
一種在基材上形成光固化層之方法，其包含： <br/> 施加第一可光固化組成物，其至少覆蓋該基材之第一區域，該第一可光固化組成物包含第一可聚合材料； <br/> 施加第二可光固化組成物，其至少部分覆蓋該第一可光固化組成物及/或至少該基材之第二區域，該第二可光固化組成物包含第二可聚合材料； <br/> 使該第一可光固化組成物及該第二可光固化組成物與覆板或模板接觸以形成組合的液體可光固化層； <br/> 光固化該組合的液體層以形成該光固化層；及 <br/> 移除該覆板或該模板， <br/> 其中 <br/> 該第一可聚合材料及該第二可聚合材料兩者皆包含第一單體及第二單體，其中該第一單體的蒸氣壓與該第二單體的蒸氣壓之比率在標準環境溫度及壓力下係至少3；及 <br/> 該第一可聚合材料包含第一重量百分比比率之該第一單體與該第二單體，該第二可聚合材料包含第二重量百分比比率之該第一單體與該第二單體，其中該第一重量百分比比率小於該第二重量百分比比率， <br/> 其中，施加該第二可光固化組成物以補償該第一可光固化組成物的蒸發，並且由該第一單體及該第二單體在整個基材的半徑之蒸發曲線預先計算施加該第二可光固化組成物以補償該第一可光固化組成物的蒸發的量及位置。
如請求項1之方法，其中該光固化層的蝕刻速率變化不大於5%。
如請求項1之方法，其中該第一單體的蒸氣壓在標準環境溫度及壓力下為至少0.01 mmHg。
如請求項1之方法，其中該組合的液體層包含第三重量百分比比率之該第一單體與該第二單體，並且該第三重量百分比比率與該第一重量百分比比率實質上相同。
如請求項1之方法，其中該組合的液體層包含第三重量百分比比率之該第一單體與該第二單體，且其中該第一重量百分比比率與該第三重量百分比比率不同。
如請求項5之方法，其中以該總第三重量百分比比率計，整個該組合的液體可光固化層中之該第三重量百分比比率的變化不大於5%。
如請求項1之方法，其中該第二重量百分比比率與該第一重量百分比比率之間的差異係至少1.5。
如請求項1之方法，其中該光固化層之整個該光固化層中的碳含量變化不大於2.0%。
如請求項8之方法，其中該光固化層之整個該光固化層中的碳含量變化不大於1.0%。
如請求項1之方法，其中該第一單體係丙烯酸酯單體。
如請求項10之方法，其中該第一單體及該第二單體係丙烯酸酯單體。
如請求項1之方法，其中該第一單體係單官能性單體，且該第二單體係多官能性單體。
如請求項1之方法，其中該第一單體的蒸氣壓與該第二單體的蒸氣壓之比率在標準環境溫度及壓力下係至少7。
如請求項1之方法，其中該第一可光固化組成物之該第一可光固化材料的量以該第一可光固化組成物之總重量計係至少80 wt%，且該第二可光固化組成物之該第二可光固化材料的量以該第二可光固化組成物之總重量計係至少80 wt%。
如請求項1之方法，其中該方法適用於奈米壓印微影術或噴墨適應性平坦化，並且該第一可光固化組成物係第一壓印抗蝕劑，且該第二可光固化組成物係第二壓印抗蝕劑。
如請求項1之方法，其中該第一可光固化組成物之黏度不大於50 mPa·s，且該第二可光固化組成物之黏度不大於50 mPa·s。
如請求項1之方法，其中該光固化層的蝕刻率變化不大於1%。
一種形成物品之方法，其包含 <br/> 施加第一可光固化組成物，其至少覆蓋基材之第一區域，該第一可光固化組成物包含第一可聚合材料； <br/> 施加第二可光固化組成物，其至少部分覆蓋該第一可光固化組成物及/或至少該基材之第二區域，該第二可光固化組成物包含第二可聚合材料； <br/> 使該第一可光固化組成物及該第二可光固化組成物與覆板或模板接觸以形成組合的液體可光固化層； <br/> 光固化該組合的液體層以形成光固化層；及 <br/> 從該光固化層移除該覆板或該模板；及 <br/> 加工具有該光固化層之該基材以製造該物品， <br/> 其中 <br/> 該第一可聚合材料及該第二可聚合材料兩者皆包含第一單體及第二單體，其中該第一單體的蒸氣壓與該第二單體的蒸氣壓之比率在標準環境溫度及壓力下係至少3； <br/> 該第一可聚合材料包含第一重量百分比比率之該第一單體與該第二單體，該第二可聚合材料包含第二重量百分比比率之該第一單體與該第二單體，其中該第一重量百分比比率小於該第二重量百分比比率， <br/> 其中，施加該第二可光固化組成物以補償該第一可光固化組成物的蒸發，並且由該第一單體及該第二單體在整個基材的半徑之蒸發曲線預先計算施加該第二可光固化組成物以補償該第一可光固化組成物的蒸發的量及位置。
一種敏化染料，係如下述一般式(1)所示： <br/>[化1] <br/><img align="absmiddle" height="133px" width="513px" file="ed10051.jpg" alt="ed10051.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[式中，R<sup>0</sup>係表示： <br/>亦可具有取代基之碳原子數1~36的直鏈狀或分支狀烷基、或 <br/>亦可具有取代基之碳原子數6~36的芳基； <br/>R<sup>1</sup>~R<sup>4</sup>係表示可為相同、亦可為不同之 <br/>氫原子、鹵原子、氰基、羥基、硝基、亞硝基、硫醇基、 <br/>亦可具有取代基之碳原子數1~36的直鏈狀或分支狀烷基、 <br/>亦可具有取代基之碳原子數3~36的環烷基、 <br/>亦可具有取代基之碳原子數1~36的直鏈狀或分支狀烷氧基、 <br/>亦可具有取代基之碳原子數3~36的環烷氧基、 <br/>亦可具有取代基之碳原子數2~36的直鏈狀或分支狀烯基、 <br/>亦可具有取代基之碳原子數6~36的芳基、或 <br/>亦可具有取代基之碳原子數0~36的胺基； <br/>R<sup>1</sup>~R<sup>4</sup>亦可由相鄰基間相互鍵結形成環； <br/>X係表示CR<sup>5</sup>R<sup>6</sup>、或氧原子； <br/>R<sup>5</sup>及R<sup>6</sup>係表示可為相同、亦可為不同，且 <br/>亦可具有取代基之碳原子數1~36的直鏈狀或分支狀烷基、 <br/>亦可具有取代基之碳原子數1~36的直鏈狀或分支狀烷氧基、或 <br/>亦可具有取代基之碳原子數6~36的芳基； <br/>R<sup>7</sup>~R<sup>8</sup>係表示可為相同亦可為不同之 <br/>氫原子、 <br/>亦可具有取代基之碳原子數1~36的直鏈狀或分支狀烷基、 <br/>亦可具有取代基之碳原子數1~36的直鏈狀或分支狀烷氧基、或 <br/>亦可具有取代基之碳原子數2~36的直鏈狀或分支狀烯基； <br/>R<sup>7</sup>與R<sup>8</sup>分別亦可相互鍵結形成環； <br/>m係表示0或1之整數； <br/>n係表示1或2之整數； <br/>Y係表示CR<sup>9</sup>R<sup>10</sup>、NR<sup>11</sup>或SiR<sup>12</sup>R<sup>13</sup>； <br/>R<sup>9</sup>~R<sup>13</sup>係表示可為相同亦可為不同之 <br/>亦可具有取代基之碳原子數1~36的直鏈狀或分支狀烷基、 <br/>亦可具有取代基之碳原子數1~36的直鏈狀或分支狀烷氧基、或 <br/>亦可具有取代基之碳原子數6~36的芳基； <br/>A係表示一價基； <br/>B係表示二價基或單鍵]。
如請求項1之敏化染料，其中，上述一般式(1)中，A係下述一般式(2)~(4)中任一者所示的一價基； <br/>[化2] <br/><img align="absmiddle" height="306px" width="228px" file="ed10052.jpg" alt="ed10052.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[式中，R<sup>14</sup>及R<sup>15</sup>係表示氫原子或酸性基，且R<sup>14</sup>與R<sup>15</sup>中至少任1個係酸性基；R<sup>16</sup>及R<sup>18</sup>係表示酸性基；R<sup>17</sup>及R<sup>19</sup>係表示氫原子或親電子基]。
如請求項1或2之敏化染料，其中，上述一般式(1)中，B係下述一般式(5)所示二價連接基、或單鍵； <br/>[化3] <br/><img align="absmiddle" height="120px" width="355px" file="ed10053.jpg" alt="ed10053.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[式中， <br/>R<sup>20</sup>~R<sup>25</sup>係表示可為相同亦可為不同之 <br/>氫原子、 <br/>亦可具有取代基之碳原子數1~36的直鏈狀或分支狀烷基、 <br/>亦可具有取代基之碳原子數1~36的直鏈狀或分支狀烷氧基、 <br/>亦可具有取代基之碳原子數6~36的芳基、或 <br/>亦可具有取代基之碳原子數2~36的直鏈狀或分支狀烯基； <br/>且，R<sup>20</sup>與R<sup>21</sup>、R<sup>22</sup>與R<sup>23</sup>、及R<sup>24</sup>與R<sup>25</sup>係分別可為相同亦可為不同，亦可分別相互鍵結形成環； <br/>p及q係表示0或1之整數]。
如請求項1或2之敏化染料，其中，上述一般式(1)中，R<sup>0</sup>係 <br/>亦可具有取代基之碳原子數1~20的直鏈狀或分支狀烷基、或 <br/>亦可具有取代基之碳原子數6~26的芳基。
如請求項1或2之敏化染料，其中，上述一般式(1)中，R<sup>1</sup>~R<sup>4</sup>係 <br/>氫原子、鹵原子、 <br/>亦可具有取代基之碳原子數1~36的直鏈狀或分支狀烷基、 <br/>亦可具有取代基之碳原子數1~36的直鏈狀或分支狀烷氧基、 <br/>亦可具有取代基之碳原子數2~36的直鏈狀或分支狀烯基、 <br/>亦可具有取代基之碳原子數6~36的芳基、或 <br/>亦可具有取代基之碳原子數0~36的胺基。
如請求項1或2之敏化染料，其中，上述一般式(1)中，X係CR<sup>5</sup>R<sup>6</sup>。
如請求項1或2之敏化染料，其中，上述一般式(1)中，Y係CR<sup>9</sup>R<sup>10</sup>或NR<sup>11</sup>。
如請求項1或2之敏化染料，其中，上述一般式(1)中，m係0。
一種光電轉換用敏化染料組成物，係含有請求項1至8中任一項之敏化染料。
一種光電轉換元件，係使用請求項9之光電轉換用敏化染料組成物。
一種染料敏化太陽能電池，係使用請求項10之光電轉換元件。
一種基板收納容器，其中， <br/>所述基板收納容器具備：容器主體，具備筒狀的壁部，該壁部在一端部形成有容器主體開口部且另一端部被封閉，利用所述壁部的內表面形成能夠收納多個基板且與所述容器主體開口部連通的基板收納空間；蓋體，能夠相對於所述容器主體開口部拆裝，能夠封閉所述容器主體開口部；以及蓋體側基板支承部，配置在所述蓋體的部分且當由所述蓋體封閉所述容器主體開口部時與所述基板收納空間對置的部分，當由所述蓋體封閉所述容器主體開口部時，能夠支承所述多個基板的邊緣部，所述蓋體具備蓋體側第一限制部和蓋體側第二限制部，所述蓋體側基板支承部具備支承部側第一限制部和支承部側第二限制部，構成為透過相對於所述蓋體在規定的滑動方向上從第一位置向第二位置滑動而安裝於所述蓋體，所述蓋體側第二限制部不限制用於使所述蓋體側基板支承部位於所述第一位置的、所述蓋體側基板支承部向與所述基板收納空間側相反的一側的移動，在所述第一位置處，所述蓋體側第一限制部允許所述支承部側第一限制部向所述滑動方向的移動，並且允許所述支承部側第二限制部向所述滑動方向的移動，在所述第二位置處，所述蓋體側第一限制部限制所述支承部側第一限制部向與所述滑動方向相反的方向的移動，並且限制所述支承部側第二限制部向所述滑動方向的移動，所述蓋體側第二限制部限制所述蓋體側基板支承部向所述基板收納空間側的移動。
如請求項1所述的基板收納容器，其中， <br/>所述蓋體側基板支承部還具備抵碰避讓部，透過在從與所述基板收納空間側相反的一側觀察的情況下所述抵碰避讓部避開與所述蓋體側第二限制部的抵碰的結構，所述蓋體側第二限制部不限制用於使所述蓋體側基板支承部位於所述第一位置的、所述蓋體側基板支承部向與所述基板收納空間側相反的一側的移動，在所述第二位置處，透過在從與所述基板收納空間側相反的一側觀察的情況下所述抵碰避讓部不避開與所述蓋體側第二限制部的抵碰的結構，所述蓋體側第二限制部限制所述蓋體側基板支承部向所述基板收納空間側的移動。
如請求項1或2所述的基板收納容器，其中， <br/>所述蓋體側第二限制部的與所述基板收納空間側相反的一側的面以隨著趨向與所述滑動方向相反的方向而接近所述基板收納空間側的方式傾斜。
如請求項1或2所述的基板收納容器，其中， <br/>在所述第一位置處，所述支承部側第一限制部的與所述基板收納空間側相反的一側與所述蓋體側第一限制部的所述基板收納空間側抵接。
如請求項1或2所述的基板收納容器，其中， <br/>所述蓋體還具備蓋體側第三限制部，透過所述支承部側第一限制部從所述第一位置變形，所述蓋體側基板支承部向與所述基板收納空間側相反的一側移動，並且所述蓋體側第三限制部限制所述蓋體側基板支承部向與所述基板收納空間側相反的一側的移動。
如請求項1或2所述的基板收納容器，其中， <br/>所述蓋體和所述蓋體側基板支承部具有誤安裝防止結構，所述誤安裝防止結構防止所述蓋體側基板支承部以錯誤的朝向安裝於所述蓋體。
如請求項1或2所述的基板收納容器，其中， <br/>所述蓋體側基板支承部具有：沿著規定的方向延伸的一對第一框部；沿著與所述規定的方向不同的方向延伸的一對第二框部；與所述第一框部連接的腳部；以及設置於所述腳部的基板承接部，所述腳部透過與一方的所述第一框部連接的一方的所述腳部、以及與另一方的所述第一框部連接且不與一方的所述腳部連接的另一方的所述腳部構成腳部對，所述腳部對以與收納在所述基板收納容器中的所述多個基板相同的數量設置，一對所述第二框部在所述腳部對排列的方向的雙方的外側，將一對所述第一框部連接。
如請求項1或2所述的基板收納容器，其中， <br/>所述蓋體側基板支承部在所述第一位置處不與所述蓋體側第二限制部干涉的位置還具備用於提高滑動的操作性的結構。
一種基板收納容器的製造方法，其中， <br/>所述基板收納容器具備：容器主體，具備筒狀的壁部，該壁部在一端部形成有容器主體開口部且另一端部被封閉，利用所述壁部的內表面形成能夠收納多個基板且與所述容器主體開口部連通的基板收納空間；蓋體，能夠相對於所述容器主體開口部拆裝，能夠封閉所述容器主體開口部；以及蓋體側基板支承部，配置在所述蓋體的部分且當由所述蓋體封閉所述容器主體開口部時與所述基板收納空間對置的部分，當由所述蓋體封閉所述容器主體開口部時，能夠支承所述多個基板的邊緣部，所述蓋體具備蓋體側第一限制部和蓋體側第二限制部，所述蓋體側基板支承部具備支承部側第一限制部和支承部側第二限制部，構成為透過相對於所述蓋體在規定的滑動方向上從第一位置向第二位置滑動而安裝於所述蓋體，使所述蓋體側基板支承部不被所述蓋體側第二限制部限制地向與所述基板收納空間側相反的一側移動，以使所述蓋體側基板支承部位於所述第一位置，使所述支承部側第一限制部和所述支承部側第二限制部不被所述蓋體側第一限制部限制地向所述滑動方向移動，以使所述蓋體側基板支承部位於所述第二位置，在所述第二位置處，所述支承部側第一限制部向與所述滑動方向相反的方向的移動被所述蓋體側第一限制部限制，所述支承部側第二限制部向所述滑動方向的移動被所述蓋體側第一限制部限制，所述蓋體側基板支承部向所述基板收納空間側的移動被所述蓋體側第二限制部限制。
如請求項9所述的基板收納容器的製造方法，其中， <br/>所述蓋體還具備蓋體側第三限制部，透過使所述支承部側第一限制部從所述第一位置變形，使所述蓋體側基板支承部向與所述基板收納空間側相反的一側移動，透過所述蓋體側第三限制部限制所述蓋體側基板支承部向與所述基板收納空間側相反的一側的移動。
一種蓋體側基板支承部，配置在基板收納容器的蓋體，其中， <br/>所述基板收納容器具備：容器主體，具備筒狀的壁部，該壁部在一端部形成有容器主體開口部且另一端部被封閉，利用所述壁部的內表面形成能夠收納多個基板且與所述容器主體開口部連通的基板收納空間；以及所述蓋體，能夠相對於所述容器主體開口部拆裝，能夠封閉所述容器主體開口部，具備蓋體側第一限制部和蓋體側第二限制部，所述蓋體側基板支承部配置在所述蓋體的部分且當由所述蓋體封閉所述容器主體開口部時與所述基板收納空間對置的部分，當由所述蓋體封閉所述容器主體開口部時，能夠支承所述多個基板的邊緣部，此外，所述蓋體側基板支承部具備支承部側第一限制部和支承部側第二限制部，構成為透過相對於所述蓋體在規定的滑動方向上從第一位置向第二位置滑動而安裝於所述蓋體，用於使所述蓋體側基板支承部位於所述第一位置的、所述蓋體側基板支承部向與所述基板收納空間側相反的一側的移動不被所述蓋體側第二限制部限制，在所述第一位置處，所述支承部側第一限制部和所述支承部側第二限制部向所述滑動方向的移動不被所述蓋體側第一限制部限制，在所述第二位置處，所述支承部側第一限制部向與所述滑動方向相反方向的移動被所述蓋體側第一限制部限制，並且所述支承部側第二限制部向所述滑動方向的移動被所述蓋體側第一限制部限制，所述蓋體側基板支承部向所述基板收納空間側的移動被所述蓋體側第二限制部限制。
一種轉印膜，其具有偽支撐體和感光性組成物層，其中 <br/>前述感光性組成物層的平均膜厚為10μm以上， <br/>前述感光性組成物層包含增感劑及重量平均分子量為10000以上的樹脂， <br/>前述樹脂包含具有交聯性基之構成單元， <br/>前述具有交聯性基之構成單元的含量相對於前述樹脂的所有構成單元為30質量%以上且50質量%以下， <br/>前述感光性組成物層在波長365nm下的透射率為40%以上， <br/>前述增感劑為二烷基胺基二苯甲酮化合物， <br/>前述交聯性基為乙烯性不飽和基。
如請求項1所述之轉印膜，其中 <br/>前述感光性組成物層中所包含之除前述樹脂以外的重量平均分子量小於10000的聚合性化合物相對於前述樹脂的質量比為0.50～0.80。
如請求項1或請求項2所述之轉印膜，其中 <br/>前述轉印膜在前述偽支撐體與前述感光性組成物層之間具有中間層。
如請求項3所述之轉印膜，其中 <br/>前述中間層為水溶性樹脂層。
一種具有導體圖案之積層體之製造方法，其具有： <br/>貼合步驟，以具有偽支撐體和感光性組成物層的轉印膜的與前述偽支撐體相反的一側的表面與表面具有金屬層之基板的前述金屬層接觸之方式，將前述轉印膜與前述基板進行貼合； <br/>曝光步驟，對前述感光性組成物層進行曝光； <br/>顯影步驟，對經曝光之前述感光性組成物層實施顯影處理而形成光阻圖案； <br/>對位於未配置有前述光阻圖案之區域之前述金屬層進行蝕刻處理之蝕刻步驟及進行電鍍處理之電鍍處理步驟中的任一步驟；及 <br/>剝離步驟，剝離前述光阻圖案， <br/>當具有前述電鍍處理步驟時，還具有去除因前述剝離步驟而露出之前述金屬層並在前述基板上形成導體圖案之去除步驟， <br/>在前述貼合步驟與前述曝光步驟之間或前述曝光步驟與前述顯影步驟之間進一步具有剝離前述偽支撐體之偽支撐體剝離步驟， <br/>其中前述感光性組成物層的平均膜厚為10μm以上， <br/>前述感光性組成物層包含增感劑及重量平均分子量為10000以上的樹脂， <br/>前述樹脂包含具有交聯性基之構成單元， <br/>前述具有交聯性基之構成單元的含量相對於前述樹脂的所有構成單元為30質量%以上且50質量%以下， <br/>前述感光性組成物層在波長365nm下的透射率為40%以上， <br/>前述增感劑為二烷基胺基二苯甲酮化合物， <br/>前述交聯性基為乙烯性不飽和基。
一種具有導體圖案之積層體之製造方法，其具有： <br/>貼合步驟，以具有偽支撐體和感光性組成物層的轉印膜的與前述偽支撐體相反的一側的表面與表面具有金屬層之基板的前述金屬層接觸之方式，將前述轉印膜與前述基板進行貼合； <br/>曝光步驟，對前述感光性組成物層進行曝光； <br/>顯影步驟，對經曝光之前述感光性組成物層實施顯影處理而形成光阻圖案；以及 <br/>在前述貼合步驟與前述曝光步驟之間或前述曝光步驟與前述顯影步驟之間進一步具有剝離前述偽支撐體之偽支撐體剝離步驟， <br/>其中前述感光性組成物層的平均膜厚為10μm以上， <br/>前述感光性組成物層包含增感劑及重量平均分子量為10000以上的樹脂， <br/>前述樹脂包含具有交聯性基之構成單元， <br/>前述具有交聯性基之構成單元的含量相對於前述樹脂的所有構成單元為30質量%以上且50質量%以下， <br/>前述感光性組成物層在波長365nm下的透射率為40%以上， <br/>前述增感劑為二烷基胺基二苯甲酮化合物， <br/>前述交聯性基為乙烯性不飽和基， <br/>前述感光性組成物層不包含顏料。
如請求項5或請求項6所述之具有導體圖案之積層體之製造方法，其中 <br/>前述曝光步驟為經由光罩進行圖案曝光之步驟。
如請求項5或請求項6所述之具有導體圖案之積層體之製造方法，其中 <br/>前述曝光步驟為使用投影了光罩的圖像之活性光線並經由透鏡對前述感光性組成物層進行圖案曝光之步驟。
如請求項5或請求項6所述之具有導體圖案之積層體之製造方法，其中 <br/>在前述貼合步驟與前述曝光步驟之間具有前述偽支撐體剝離步驟， <br/>前述曝光步驟為使剝離前述偽支撐體而露出之表面與光罩接觸而對前述感光性組成物層進行圖案曝光之步驟。
一種介面模組，其包含：<br/> 一風扇過濾單元，其具有一風扇及一濾器；<br/> 一殼體，其圍繞鄰接該濾器的一空間，該殼體包括一門部；<br/> 一上殼體，其圍繞鄰接該風扇的一空間；<br/> 一第一埠口，其提供於該上殼體中；<br/> 一第二埠口，其連通一FFU內部空間，該FFU內部空間係在該風扇過濾單元中該風扇與該濾器之間的一空間；<br/> 一差壓錶，其連接至該第一埠口及該第二埠口，以偵測在該上殼體的一內部與該FFU內部空間之間的一差壓；<br/> 一氮氣源；<br/> 一氮氣供應管，其將該氮氣源連接至該上殼體；<br/> 一電磁閥，其附接至該氮氣供應管；<br/> 一限制開關，其安裝於該電磁閥上；<br/> 一清潔乾空氣源；<br/> 一清潔乾空氣供應管，其將該清潔乾空氣源連接至該上殼體，<br/> 一閥，其附接至該清潔乾空氣供應管；及<br/> 一流量計，其安裝於該清潔乾空氣供應管上。
如請求項1之介面模組，其中該風扇過濾單元包括用於偵測該風扇失效的一警報裝置。
如請求項1之介面模組，其包含：<br/> 一殼體壓力感測器，其經構型以測量該殼體中的一壓力；<br/> 一排放管，其附接至該殼體；及<br/> 一排放壓力感測器，其經構型以測量該排放管中的一壓力。
如請求項2之介面模組，其包含一安全PLC，該安全PLC包括一處理器及一記憶體，並經構型使該處理器執行儲存於該記憶體的一程式，或包括一專用電路，以藉由相互監測該警報裝置的一輸出及由該差壓錶所偵測的一壓力，認證該風扇為旋轉。
如請求項1之介面模組，其包含一安全PLC，該安全PLC包括一處理器及一記憶體，並經構型使該處理器執行儲存於該記憶體的一程式，或包括一專用電路，以在一預定氣體置換操作持續一預定時期後釋放用於打開該門部的一互鎖。
如請求項3之介面模組，其包含一安全PLC，其中該風扇過濾單元包括用於偵測該風扇失效的一警報裝置，其中該安全PLC具有：<br/> 一處理器及一記憶體，並經構型使該處理器執行儲存於該記憶體的一程式，或一專用電路；<br/> 一SV端子，其連接至該電磁閥；<br/> 一LS端子，其連接至該限制開關；<br/> 一FM端子，其連接至該流量計；<br/> 一HP端子，其連接至該殼體壓力感測器；<br/> 一EP端子，其連接至該排放壓力感測器；<br/> 一AL端子，其連接至該警報裝置；及<br/> 一DP端子，其連接至該差壓錶。
如請求項4至請求項6中任一項之介面模組，其包含具有一設定面板的一操作盒，其中該安全PLC和該差壓錶係容置在該操作盒中。
如請求項1之介面模組，其包含：<br/> 一裝載埠口，其鄰接該殼體；<br/> 一負載鎖定模組，其透過一閘閥鄰接該殼體；及<br/> 在該殼體中的一機械臂。
一種電腦可讀取儲存媒體，其具有記錄於內的一程式，該程式致使一電腦執行：<br/> 藉由相互監測安裝至一氮氣供應管的一電磁閥及安裝至該電磁閥的一限制開關，確認一N<sub>2</sub>氣體未提供至一殼體；<br/> 藉由相互監測一CDA的一流量計及一殼體壓力感測器，確認該CDA提供至該殼體；<br/> 藉由相互監測一排放壓力感測器及該殼體壓力感測器，確認該殼體中的一氣體被排放；<br/> 藉由相互監測一風扇的一警報裝置及在該風扇的一入口與一出口之間的一差壓，確認提供一氣流至該殼體的該風扇為旋轉；及<br/> 當該殼體填充有該CDA時，釋放該殼體之一門部的一互鎖。
如請求項9之電腦可讀取儲存媒體，其中該互鎖包括該門部的一電磁鎖定開關。
如請求項9之電腦可讀取儲存媒體，其中該電腦可讀取儲存媒體係一安全PLC的一部分。
一種安全驗證方法，其包含：<br/> 接收一命令，以用一CDA取代一殼體中的一N<sub>2</sub>氣體；<br/> 進行一氣體置換操作，該氣體置換操作包括禁止N<sub>2</sub>氣體供應至該殼體，提供該CDA至該殼體，排放該殼體中的一氣體，及使得用於供應該CDA至該殼體的一風扇旋轉；<br/> 確認該氣體置換操作已持續一預定時段；<br/> 在該確認之後，許可該殼體的一門部打開。
如請求項12之安全驗證方法，其中該風扇旋轉係藉由相互監測該風扇的一失效及在該風扇的一入口與一出口之間的一差壓來驗證。
如請求項12之安全驗證方法，其中無該N<sub>2</sub>氣體供應係藉由相互監測用於調節該N<sub>2</sub>氣體供應的一電磁閥及安裝至該電磁閥的一限制開關來驗證。
如請求項12之安全驗證方法，其中該CDA供應至該殼體係藉由相互監測提供於該CDA之一供應路徑的一流量計及一殼體壓力感測器來驗證。
如請求項12之安全驗證方法，其中該氣體排放係藉由相互監測一排放壓力感測器及一殼體壓力感測器來驗證。
如請求項12之安全驗證方法，其中當該氣體置換操作已持續一預定時段時，該殼體中的一氧濃度為大於或等於19.5%。
如請求項12之安全驗證方法，其中該許可係由一LED燈、顯示器或語音通知一操作員。
一種鎖(10)，具有：鎖定機構，具有：鎖閂(12)，該鎖閂(12)能夠在閂鎖位置與未閂鎖位置之間移動，該閂鎖位置設置成用於固定能夠相對於該鎖定機構移動的相對件，該未閂鎖位置設置成用於釋放該相對件；以及致動元件(14)，用於手動地將該鎖閂(12)移動至該未閂鎖位置，其特徵在於，包括連接元件(18)，該連接元件(18)能夠在連接狀態與脫離連接狀態之間轉移，並且能夠通過該致動元件(14)從被動位置移動至主動位置，在該連接狀態下，該連接元件(18)連接至該鎖閂(12)，在該脫離連接狀態下，該連接元件(18)能夠相對於該鎖閂(12)移動，其中，通過處於該連接狀態的該連接元件(18)由該致動元件(14)從該被動位置移動至該主動位置，該鎖閂(12)能夠移動至該未閂鎖位置，控制元件(38)，用於選擇性地將該連接元件(18)轉移至該連接狀態或該脫離連接狀態，該控制元件(38)包括連接部分，其中，該鎖閂(12)和該連接元件(18)在該連接狀態下由該控制元件(38)連接，其中，在該連接狀態下，該控制元件(38)的連接部分與該鎖閂(12)和該連接元件(18)接合，並且該連接元件(18)將它們彼此連接。
一種鎖(10)，具有：鎖定機構，具有：鎖閂(12)，該鎖閂(12)能夠在閂鎖位置與未閂鎖位置之間移動，該閂鎖位置設置成用於固定能夠相對於該鎖定機構移動的相對件，該未閂鎖位置設置成用於釋放該相對件；以及致動元件(14)，用於手動地將該鎖閂(12)移動至該未閂鎖位置，其特徵在於，包括連接元件(18)，該連接元件(18)能夠在連接狀態與脫離連接狀態之間轉移，並且能夠通過該致動元件(14)從被動位置移動至主動位置，在該連接狀態下，該連接元件(18)連接至該鎖閂(12)，在該脫離連接狀態下，該連接元件(18)能夠相對於該鎖閂(12)移動，其中，通過處於該連接狀態的該連接元件(18)由該致動元件(14)從該被動位置移動至該主動位置，該鎖閂(12)能夠移動至該未閂鎖位置，其中，該鎖閂(12)具有引導部分(20)，該引導部分(20)形成於鎖閂(12)作為引導軸，該連接元件(18)在該引導部分(20)中滑動地引導，其中，該連接元件(18)布置成能夠與該鎖閂(12)平行地移動。
如請求項1所述的鎖(10)，其中，該連接元件(18)布置成能夠與該鎖閂(12)平行地移動。
如請求項1或2所述的鎖(10)，其中，該致動元件(14)的運動方向定向成至少基本上垂直於該鎖閂(12)和/或該連接元件(18)的運動方向。
如請求項1所述的鎖(10)，其中，該鎖閂(12)具有引導部分(20)，在該引導部分(20)中引導該連接元件(18)。
如請求項2所述的鎖(10)，其中，包括控制元件(38)，該控制元件(38)用於選擇性地將該連接元件(18)轉移至該連接狀態或該脫離連接狀態。
如至少請求項6所述的鎖(10)，其中，該鎖閂(12)和該連接元件(18)在該連接狀態下由該控制元件(38)連接。
如至少請求項1或7所述的鎖(10)，其中，該控制元件(38)配置成控制叉(40)，該控制叉(40)在三側圍繞該鎖閂(12)接合，和/或其中，該控制元件(38)具有至少一個連接銷(48)，用於連接該鎖閂(12)和該連接元件(18)，特別地，該至少一個連接銷為縱向軸線垂直於該鎖閂(12)的運動方向延伸的連接銷(48)。
如請求項1和8中至少一項所述的鎖(10)，其中，該連接元件(18)和該鎖閂(12)各自具有至少一個凹部，該至少一個凹部用於容納該控制元件(38)，特別地，用於容納該控制元件(38)的連接銷(48)。
如請求項1和6中至少一項所述的鎖(10)，其中，該控制元件(38)和該鎖閂(12)能夠移動地彼此連接。
如請求項1和6中至少一項所述的鎖(10)，其中，該鎖閂(12)從該閂鎖位置到該未閂鎖位置的運動引起該控制元件(38)的旋轉運動。
如請求項1和2中至少一項所述的鎖(10)，其中，包括阻擋元件(68)，該阻擋元件(68)能夠在阻擋位置與釋放位置之間調節，在該阻擋位置中，該鎖閂(12)被閉鎖在其閂鎖位置，在該釋放位置中，該鎖閂(12)能夠移動至其未閂鎖位置，特別地，該阻擋元件配置為銷或插頭。
一種鎖(10)，具有：鎖定機構，具有：鎖閂(12)，該鎖閂(12)能夠在閂鎖位置與未閂鎖位置之間移動，該閂鎖位置設置成用於固定能夠相對於該鎖定機構移動的相對件，該未閂鎖位置設置成用於釋放該相對件；以及致動元件(14)，用於手動地將該鎖閂(12)移動至該未閂鎖位置，其特徵在於，包括連接元件(18)，該連接元件(18)能夠在連接狀態與脫離連接狀態之間轉移，並且能夠通過該致動元件(14)從被動位置移動至主動位置，在該連接狀態下，該連接元件(18)連接至該鎖閂(12)，在該脫離連接狀態下，該連接元件(18)能夠相對於該鎖閂(12)移動，其中，通過處於該連接狀態的該連接元件(18)由該致動元件(14)從該被動位置移動至該主動位置，該鎖閂(12)能夠移動至該未閂鎖位置，阻擋元件(68)，能夠在阻擋位置與釋放位置之間調節，在該阻擋位置中，該鎖閂(12)被閉鎖在其閂鎖位置，在該釋放位置中，該鎖閂(12)能夠移動至其未閂鎖位置，控制元件(38)，用於選擇性地將該連接元件(18)轉移至該連接狀態或該脫離連接狀態，其中，該阻擋元件(68)形成在該控制元件(38)處。
如請求項12和13中至少一項所述的鎖(10)，其中，在該阻擋元件(68)的該阻擋位置，該阻擋元件(68)與該鎖(10)的部件接合，特別地，與該鎖(10)的不可移動部件接合，諸如殼體(70)。
如請求項1、2和13中至少一項所述的鎖(10)，其中，該鎖閂(12)能夠克服彈簧(28)的回復力而從該閂鎖位置進入該未閂鎖位置，和/或其中，該連接元件(18)能夠克服彈簧(28)的回復力而從該被動位置進入該主動位置。
如至少請求項15所述的鎖(10)，其中，該鎖閂(12)和該連接元件(18)能夠克服同一彈簧(28)的回復力而進入該未閂鎖位置或進入該主動位置。
如請求項1、2和13中至少一項所述的鎖(10)，其中，該鎖(10)包括至少一個致動器，該至少一個致動器用於在該連接狀態與該脫離連接狀態之間傳遞該連接元件(18)和/或用於在其阻擋位置與其釋放位置之間調節阻擋元件(68)，其中，該阻擋元件(68)，能夠在阻擋位置與釋放位置之間調節，在該阻擋位置中，該鎖閂(12)被閉鎖在其閂鎖位置，在該釋放位置中，該鎖閂(12)能夠移動至其未閂鎖位置。
如至少請求項1或6所述的鎖(10)，其中，該鎖(10)包括用於致動該控制元件(38)的至少一個致動器。
如請求項1、2和13中至少一項所述的鎖(10)，其中，包括檢測裝置，該檢測裝置用於檢測該鎖閂(12)處於該閂鎖位置。
如至少請求項19所述的鎖(10)，其中，該檢測裝置包括致動器，該致動器用於調節阻擋元件(68)，該阻擋元件(68)能夠在阻擋位置與釋放位置之間調節，在該阻擋位置，將該鎖閂(12)阻擋在其閂鎖位置，在該釋放位置，該鎖閂(12)能夠移動至其未閂鎖位置。
一種鎖(10)，包括鎖定機構，該鎖定機構具有鎖閂(12)，該鎖閂(12)能夠在閂鎖位置與未閂鎖位置之間移動，該閂鎖位置設置為用於固定能夠相對於該鎖定機構移動的相對件，該未閂鎖位置用於釋放該相對件，該鎖(10)的特徵在於包括檢測裝置，該檢測裝置用於檢測該鎖閂(12)處於該閂鎖位置，該檢測裝置包括致動器，該致動器用於調節阻擋元件(68)，該阻擋元件(68)能夠在阻擋位置與釋放位置之間調節，在該阻擋位置，將該鎖閂(12)阻擋在其閂鎖位置，在該釋放位置，該鎖閂(12)能夠移動至其未閂鎖位置，其中，該致動器係配置為確定何時該阻擋元件(68)無法到達該阻擋位置，且該鎖閂(12)未處於該閂鎖位置，其中，該致動器係一電動機(56)，並從該電動機的增加的功率消耗，能推斷該阻擋元件(68)鄰接殼體壁而不是在該閂鎖位置，或其中，該致動器係一步進電動機，通過該步進電動機能檢測到該阻擋元件(68)實際移動多遠。
如請求項21所述的鎖(10)，其中，包括：致動元件(14)，用於手動地將該鎖閂(12)移動至該未閂鎖位置；以及連接元件(18)，能夠在連接狀態與脫離連接狀態之間轉移，在該連接狀態下，該連接元件(18)連接至該鎖閂(12)，在該脫離連接狀態下，該連接元件(18)能夠相對於該鎖閂(12)移動，並且該連接元件(18)能夠通過該致動元件(14)從被動位置移動至主動位置，其中，通過處於該連接狀態的該連接元件(18)由該致動元件(14)從該被動位置移動至該主動位置，該鎖閂(12)能夠移動至該未閂鎖位置。
如請求項21和22中至少一項所述的鎖(10)，其中，包括請求項3至12及13至20的特徵中的至少一個。
一種尺寸計測裝置，具備處理器及記憶體，<br/> 前述處理器使用前述記憶體進行以下動作：<br/> 取得對象物之三維模型；<br/> 從作為三維形狀之複數個候補的複數個基本形狀中選擇一個，將所選擇的前述基本形狀套合於前述三維模型；及<br/> 使用套合後的前述基本形狀計測前述對象物的尺寸，並將前述尺寸作為數值顯示並輸出，<br/> 前述三維模型是藉由複數個圖像之間的對應關係而取得，且前述三維模型包含分別具有三維座標的複數個點，前述複數個圖像包含從不同視點拍攝前述對象物之至少2個圖像，<br/> 所選擇的前述基本形狀包含對應前述三維模型的整體的1個前述基本形狀。
如請求項1之尺寸計測裝置，其中前述處理器使顯示器顯示用以供使用者從前述複數個基本形狀中指定一個的顯示內容，<br/> 前述處理器基於前述使用者經由輸入介面所指定的資訊，從前述複數個基本形狀中選擇一個。
如請求項2之尺寸計測裝置，其中前述顯示內容是用以供前述使用者指定前述對象物之三維形狀的內容，<br/> 前述處理器從前述複數個基本形狀中選擇前述使用者經由前述輸入介面所指定的三維形狀的基本形狀。
如請求項2之尺寸計測裝置，其中前述顯示內容是用以供前述使用者指定前述對象物之種類的內容，<br/> 前述處理器從前述複數個基本形狀中選擇預先和前述使用者經由前述輸入介面所指定的種類建立對應關係的基本形狀。
如請求項1之尺寸計測裝置，其中前述處理器基於對前述對象物之圖像的圖像辨識，判定前述對象物的種類，<br/> 前述處理器從前述複數個基本形狀中選擇預先和所判定的前述種類建立對應關係的基本形狀。
如請求項1之尺寸計測裝置，其中前述處理器從前述複數個基本形狀中選擇預先和前述對象物或前述尺寸計測裝置所在的位置建立對應關係的基本形狀。
如請求項1之尺寸計測裝置，其中前述處理器基於將前述三維模型與前述複數個基本形狀之各者進行套合後的結果，從前述複數個基本形狀中選擇一個。
如請求項1至7中任一項之尺寸計測裝置，其中前述處理器對前述對象物之姿勢進行判定，<br/> 前述處理器使用所判定的前述姿勢，將前述三維模型與所選擇的前述基本形狀進行套合。
一種尺寸計測方法，包含以下步驟：<br/> 取得對象物之三維模型；<br/> 從作為三維形狀之複數個候補的複數個基本形狀中選擇一個；<br/> 將所選擇的前述基本形狀套合於前述三維模型；<br/> 藉由複數個圖像之間的對應關係而取得前述三維模型，前述三維模型包含分別具有三維座標的複數個點，前述複數個圖像包含從不同視點拍攝前述對象物之至少2個圖像；<br/> 使所選擇的前述基本形狀包含對應前述三維模型的整體的1個前述基本形狀；及<br/> 使用套合後的前述基本形狀計測前述對象物的尺寸，將前述尺寸作為數值顯示而輸出。
一種程式，是使電腦執行如請求項9之尺寸計測方法。
一種電腦可讀取之記錄媒體，其包含指令，當前述指令被電腦執行時，使前述電腦執行如請求項9之尺寸計測方法。
一種含有氧化鋁系組成物之氮化鋯粉末，其係氧化鋁系組成物部分地附著於由氮化鋯所主要構成的粒子之表面而成的含有氧化鋁系組成物之氮化鋯粉末，其特徵為：將前述含有氧化鋁系組成物之氮化鋯粉末的全量當作100質量%時，以超過1質量%且為15質量%以下之比例含有鋁，藉由BET法測定的比表面積為30m<sup>2</sup>/g～90m<sup>2</sup>/g， <br/> 測定以前述含有氧化鋁系組成物之氮化鋯粉末的濃度成為50ppm之方式所作成的分散液之穿透光譜時，370nm的透光率X為20%以上，1000nm的透光率Y為35%以下，前述370nm的透光率X相對於前述1000nm的透光率Y(X/Y)為1.2以上。
一種含有氧化鋁系組成物之氮化鋯粉末之製造方法，其係製造如請求項1之含有氧化鋁系組成物之氮化鋯粉末之方法，其係混合氧化鋯粉末、前述氧化鋯粉末的0.05倍莫耳～0.8倍莫耳的含鋁粉末、前述氧化鋯粉末的2.0倍莫耳～6.0倍莫耳的金屬鎂粉末與前述氧化鋯粉末的0.3倍莫耳～5.0倍莫耳的氧化鎂粉末，得到混合物後，藉由將前述混合物在氮氣環境下，以超過900℃且為1100℃以下之溫度燒成60分鐘～180分鐘，而將前述氧化鋯粉末還原。
如請求項2之含有氧化鋁系組成物之氮化鋯粉末之製造方法，其中前述含鋁粉末為金屬鋁、氧化鋁、鋁酸化合物或氫氧化鋁之任1種以上的粉末。
一種黑色分散液，其係如請求項1之含有氧化鋁系組成物之氮化鋯粉末分散於溶劑或單體化合物者。
一種黑色感光性組成物，其包含如請求項1之含有氧化鋁系組成物之氮化鋯粉末作為黑色顏料。
一種黑色圖型化膜，其係使用如請求項5之黑色感光性組成物而得者。
一種黑色矩陣，其係使用如請求項6之黑色圖型化膜而得者。
一種遮光材，其係使用如請求項6之黑色圖型化膜而得者。
一種遮光濾光片，其係使用如請求項6之黑色圖型化膜而得者。
一種黑色薄膜，其具備支撐薄膜與在該支撐薄膜上的如請求項6之黑色圖型化膜。
一種凹版印刷用導電性漿料，其含有導電性粉末、陶瓷粉末、分散劑、黏合劑樹脂以及有機溶劑，其特徵係，<br/> 該分散劑含有重均分子量為5000以上的羧酸系高分子分散劑；<br/> 相對於導電性漿料整體，含有0.01質量%以上且小於2.0質量%之該羧酸系高分子分散劑；<br/> 該羧酸系高分子分散劑含有具有梳型結構及／或嵌段聚合物結構的高分子系分散劑。
如請求項1所述之凹版印刷用導電性漿料，其中，該羧酸系高分子分散劑之酸值為50mgKOH/g以上且250mgKOH/g以下。
如請求項1所述之凹版印刷用導電性漿料，其中，具有該梳型結構的高分子系分散劑具有含有環氧烷聚合物的構成的接枝鏈。
如請求項1所述之凹版印刷用導電性漿料，其中，該有機溶劑含有選自由二氫萜品醇（DHT）、二氫萜品醇乙酸酯（DHTA）、萜品醇（TPO）、丙二醇單丁醚（PNB）、二乙二醇單丁醚乙酸酯（BCA）、以及二異丁基酮（DIBK）所成群中一種以上。
如請求項1所述之凹版印刷用導電性漿料，其中，該羧酸系高分子分散劑的含量相對於分散劑總量為60質量%以上。
如請求項1所述之凹版印刷用導電性漿料，其中，在該分散劑中，相對於分散劑總量，含有0質量%以上且60質量%以下的分子量小於5000的羧酸系分散劑。
如請求項1所述之凹版印刷用導電性漿料，其中，該導電性粉末含有選自Ni、Pd、Pt、Au、Ag、Cu以及其等的合金中的一種以上的金屬粉末。
如請求項1所述之凹版印刷用導電性漿料，其中，該導電性粉末的平均粒徑為0.05μm以上且1.0μm以下。
如請求項1所述之凹版印刷用導電性漿料，其中，該陶瓷粉末含有鈦酸鋇。
如請求項1所述之凹版印刷用導電性漿料，其中，該陶瓷粉末的平均粒徑為0.01μm以上且0.5μm以下。
如請求項1所述之凹版印刷用導電性漿料，其中，相對於導電性漿料整體，含有1質量%以上且20質量%以下的該陶瓷粉末。
如請求項1所述之凹版印刷用導電性漿料，其中，該黏合劑樹脂含有纖維素系樹脂。
如請求項1所述之凹版印刷用導電性漿料，其中，該凹版印刷用導電性漿料用於積層陶瓷零件的內部電極。
如請求項1所述之凹版印刷用導電性漿料，其中，該凹版印刷用導電性漿料在剪切速率為100sec<sup>-1</sup>時的黏度為1.2Pa･S以下。
一種電子零件，其特徵係，該電子零件係使用請求項1至14中任一項所述之凹版印刷用導電性漿料而形成的電子零件。
一種積層陶瓷電容器，其特徵係，該積層陶瓷電容器至少具有將電介質層及內部電極層進行積層而成的積層體；<br/> 該內部電極層使用請求項1至14中任一項所述之凹版印刷用導電性漿料而形成。
一種薄膜沉積裝置，包括：<br/> 處理腔室，用於進行薄膜沉積；<br/> 氣體供應組件，設置於所述處理腔室頂壁，用於向所述處理腔室內部供應工藝氣體；<br/> 加熱托盤，設置於所述氣體供應組件下方，用於承載並加熱基板；<br/> 射頻源，用於提供射頻功率，激發所述處理腔室內部的工藝氣體解離為電漿氣體，電漿氣體在所述基板上進行薄膜沉積；<br/> 旋轉機構，用於旋轉所述基板、所述加熱托盤或所述氣體供應組件，以改變所述基板與所述氣體供應組件之間的相對位置或所述基板與所述加熱托盤之間的相對位置，所述旋轉的旋轉軸垂直且穿過所述基板；控制器，被配置為：在所述基板上沉積薄膜的過程中，控制所述射頻源保持為打開狀態，並控制所述旋轉機構驅動所述基板、所述加熱托盤、所述氣體供應組件中的一個以先後間隔的方式多次旋轉設定角度，或控制所述基板和所述加熱托盤以先後間隔的方式多次同步旋轉設定角度。
如請求項1所述的薄膜沉積裝置，其中，所述加熱托盤上設置有第二通孔，在所述基板或者所述加熱托盤旋轉時，保持所述射頻源為打開狀態，通過所述第二通孔向所述基板與所述加熱托盤之間的間隙中通入非工藝氣體。
如請求項1所述的薄膜沉積裝置，其中，在所述基板旋轉或者所述加熱托盤旋轉或者基板與加熱托盤同步旋轉時，保持所述射頻源為打開狀態，調節所述射頻源的射頻功率小於薄膜沉積工藝時的射頻功率。
如請求項1 所述的薄膜沉積裝置，其中，在所述基板旋轉或者所述加熱托盤旋轉或者所述氣體供應組件旋轉之前，調整所述射頻源為關閉狀態，並對處理腔室進行淨化處理。
如請求項1所述的薄膜沉積裝置，其中，薄膜沉積結束後，（基板旋轉次數+1）*基板每次旋轉的設定角度=360°。
如請求項1所述的薄膜沉積裝置，其中，所述射頻源的高頻頻率為13.56 MHz的整數倍n，且n滿足：n=1,2,3,…,8。
如請求項1所述的薄膜沉積裝置，其中，所述射頻源的低頻頻率範圍為20 KHz~400KHz。
一種薄膜沉積方法，使用如請求項1所述的薄膜沉積裝置來執行，包括以下步驟：<br/> 步驟S1，將基板放置於處理腔室中，並對處理腔室抽真空；<br/> 步驟S2，向所述處理腔室內部通入工藝氣體，並打開射頻源，在基板上沉積一定層數的薄膜；<br/> 步驟S3，停止向所述處理腔室內部通入工藝氣體，並通入非工藝氣體，以保持所述處理腔室內部的壓力；<br/> 步驟S4，保持所述射頻源為打開狀態，使基板旋轉或者使加熱托盤旋轉或者使基板與加熱托盤同步旋轉一設定角度；<br/> 步驟S5，向所述處理腔室內部再次通入工藝氣體，在基板上再沉積一定層數的薄膜；<br/> 步驟S6，停止向所述處理腔室內部通入工藝氣體，並通入非工藝氣體，以保持所述處理腔室內部的壓力；<br/> 步驟S7，判斷基板上沉積薄膜的層數是否滿足設定層數；若不滿足，則重複上述步驟S2~S6；若滿足，則執行步驟S8；<br/> 步驟S8，從所述處理腔室內部取出基板。
一種薄膜沉積方法，使用如請求項1所述的薄膜沉積裝置來執行，所述薄膜沉積方法包括以下步驟：<br/> 步驟S11，將基板放置於處理腔室中，對處理腔室抽真空；<br/> 步驟S12，通入工藝氣體，打開射頻源，在基板上沉積一定膜厚的薄膜；<br/> 步驟S13，繼續通入工藝氣體，保持射頻源打開狀態，基板旋轉或者加熱托盤旋轉或者基板與加熱托盤同步旋轉設定角度；<br/> 步驟S14，繼續在基板上沉積薄膜；<br/> 步驟S15，判斷基板上已沉積薄膜的厚度是否滿足設定要求，若不滿足，則重複上述步驟S12~S14；若滿足，則執行步驟S16；<br/> 步驟S16，從所述處理腔室內部取出基板。
如請求項8或9所述的薄膜沉積方法，其中，在基板旋轉或者加熱托盤旋轉時，保持所述射頻源為打開狀態，調整基板與加熱托盤之間的間隙小於設定值，所述設定值為m，0＜m≤5mm。
如請求項8或9所述的薄膜沉積方法，其中，在基板旋轉或者加熱托盤旋轉時，保持所述射頻源為打開狀態，向基板與加熱托盤之間的間隙中通入非工藝氣體。
如請求項8或9所述的薄膜沉積方法，其中，在基板旋轉或者加熱托盤旋轉或者基板與加熱托盤同步旋轉時，保持所述射頻源為打開狀態，調節所述射頻源的射頻功率小於薄膜沉積工藝時的射頻功率。
如請求項8或9所述的薄膜沉積方法，其中，在基板旋轉或者加熱托盤旋轉或者基板與加熱托盤同步旋轉之前，先調整所述射頻源為關閉狀態，並對處理腔室進行淨化處理，之後再重新調整所述射頻源為打開狀態。
一種薄膜沉積方法，使用如請求項1所述的薄膜沉積裝置來執行，所述薄膜沉積方法包括以下步驟：<br/> 步驟S21，將基板放置於處理腔室中，並對處理腔室抽真空；<br/> 步驟S22，向所述處理腔室內部通入工藝氣體，並打開射頻源，在基板上沉積一定層數的薄膜；<br/> 步驟S23，停止向所述處理腔室內部通入工藝氣體，並通入非工藝氣體，以保持所述處理腔室內部的壓力；<br/> 步驟S24，調整射頻源為關閉狀態，使加熱托盤帶動基板同步旋轉一設定角度；<br/> 步驟S25，向所述處理腔室內部通入工藝氣體，並調整射頻源為打開狀態，在基板上再沉積一定層數的薄膜；<br/> 步驟S26，停止向所述處理腔室內部通入工藝氣體，並通入非工藝氣體，以保持所述處理腔室內部的壓力；<br/> 步驟S27，判斷基板上沉積薄膜的層數是否滿足設定層數；若不滿足，則重複上述步驟S22~S26；若滿足，則執行步驟S28；<br/> 步驟S28，從處理腔室內部取出基板。
如請求項8、9或14所述的薄膜沉積方法，其中，薄膜沉積結束後，（基板旋轉次數+1）*基板每次旋轉的設定角度=360°。
一種薄膜沉積方法，使用如請求項1所述的薄膜沉積裝置來執行，所述薄膜沉積方法包括以下步驟：<br/> 步驟S31，將基板放置於處理腔室中，並對處理腔室抽真空；<br/> 步驟S32，向所述處理腔室內部通入工藝氣體，並打開射頻源，在基板上沉積一定層數的薄膜；<br/> 步驟S33，停止向所述處理腔室內部通入工藝氣體，並通入非工藝氣體，以保持所述處理腔室內部的壓力；<br/> 步驟S34，調整射頻源為關閉狀態，將基板頂起，並驅動加熱托盤旋轉一設定角度後，將基板放置回加熱托盤上；<br/> 步驟S35，向所述處理腔室內部通入工藝氣體，並調整射頻源為打開狀態，在基板上再沉積一定層數的薄膜；<br/> 步驟S36，停止向所述處理腔室內部通入工藝氣體，並通入非工藝氣體，以保持所述處理腔室內部的壓力；<br/> 步驟S37，判斷基板上沉積薄膜的層數是否滿足設定層數；若不滿足，則重複上述步驟S32~S36；若滿足，則執行步驟S38；<br/> 步驟S38，從處理腔室內部取出基板。
一種薄膜沉積方法，使用如請求項1所述的薄膜沉積裝置來執行，所述薄膜沉積方法包括以下步驟：<br/> 步驟S41，將多片基板依次放入處理腔室內完成薄膜沉積工藝；<br/> 步驟S42，使氣體供應組件旋轉一設定角度；<br/> 步驟S43，對所述處理腔室進行清洗，清洗處理完成後，重複步驟S41~S43。
一種薄膜沉積方法，使用如請求項1所述的薄膜沉積裝置來執行，所述薄膜沉積方法包括以下步驟：<br/> 步驟S51，將多片基板依次放入處理腔室內完成薄膜沉積工藝；<br/> 步驟S52，調節氣體調節單元的第二多孔板與氣體供應組件的第一多孔板之間的間隙；<br/> 步驟S53，對處理腔室進行清洗，清洗處理完成後，重複步驟S51~S53。
如請求項18所述的薄膜沉積方法，其中，調節第二多孔板與第一多孔板之間的間隙是通過調節氣體調節單元的側壁沿豎直方向拉伸或壓縮。
如請求項18所述的薄膜沉積方法，其中，調節第二多孔板與第一多孔板之間的間隙是通過調節氣體調節單元內部的伸縮杆沿豎直方向拉伸或壓縮。
如請求項8、9、14、16、17或18所述的薄膜沉積方法，其中，所述基板上沉積的薄膜包括交替沉積的第一種材料和第二種材料。
如請求項21所述的薄膜沉積方法，其中，所述第一種材料為氧化矽，所述第二種材料為氮化矽。
一種膠膜黏貼裝置，其將膠膜黏貼於環狀框架，該環狀框架在中央具備容納晶圓之開口部，該膠膜黏貼裝置具備： <br/>框架支撐台，其支撐該環狀框架； <br/>升降單元，其升降該框架支撐台； <br/>膠膜黏貼單元，其面向該框架支撐台而配設； <br/>控制單元； <br/>膠膜送出部，其送出該膠膜； <br/>膠膜捲收部，其捲收使用完的該膠膜；以及 <br/>推壓輥，其配設於該膠膜送出部與該膠膜捲收部之間，且將所送出之該膠膜從被該框架支撐台支撐之該環狀框架的第一端朝向相對的第二端一邊推壓一邊移動並黏貼， <br/>該控制單元係將該推壓輥定位於推壓位置並對該膠膜施加張力，而將該膠膜黏貼於該環狀框架的第一端，並使該推壓輥朝向該環狀框架的第二端移動，且與該推壓輥朝向該環狀框架的第二端的移動同時地使該框架支撐台上升，而將施加至膠膜之張力保持固定。
如請求項1之膠膜黏貼裝置，其中，已將該推壓輥定位於該推壓位置之際，該膠膜係從該推壓輥朝向該膠膜捲收部而形成仰角，並以該仰角成為固定之方式與該推壓輥的移動同步地使該框架支撐台上升。
如請求項1之膠膜黏貼裝置，其中，該膠膜黏貼單元具備切割器，該切割器抵接該環狀框架而轉動，並切斷該膠膜。
如請求項1之膠膜黏貼裝置，其中，該膠膜送出部具備送出輥，且該膠膜具備剝離紙， <br/>該膠膜黏貼單元還具備： <br/>從動輥，其鄰接於該送出輥，並構成為使該送出輥旋轉，且該膠膜通過該送出輥與該從動輥之間；以及 <br/>剝離紙輥，其捲收自該膠膜剝離的剝離紙。
如請求項1之膠膜黏貼裝置，其中，在該框架支撐台或該推壓輥中的至少一者內置加熱器及溫度感測器。
如請求項3之膠膜黏貼裝置，還具備： <br/>引導構件，以及 <br/>可動構件，其移動自如地附接於該引導構件， <br/>其中，該切割器附接於該可動構件，並向與該框架支撐台靠近的方向或遠離的方向移動。
如請求項3之膠膜黏貼裝置，其中，該切割器附接於臂片的第一端，該推壓輥附接於該臂片的相對之第二端，且該臂片構成為可旋轉。
如請求項1之膠膜黏貼裝置，其中，該升降單元具備馬達。
一種導熱性矽酮組成物， <br/>含有下述（A）-（G）成分： <br/>（A）直鏈狀的有機聚矽氧烷，其在一個分子中具有至少兩個與矽原子鍵合的烯基，不具有與矽原子鍵合的烷氧基，且具有10,000以下的數目平均分子量，相對於（A）成分與（B）成分的合計100質量份，其為50-90質量份； <br/>（B）由下述式（I）表示的有機聚矽氧烷樹脂， <br/>(R<sup>2</sup><sub>3</sub>SiO<sub>1/2</sub>)<sub>l</sub>(R<sup>1</sup>R<sup>2</sup><sub>2</sub>SiO<sub>1/2</sub>)<sub>m</sub>(R<sup>1</sup>R<sup>2</sup>SiO)<sub>n</sub>(R<sup>2</sup><sub>2</sub>SiO)<sub>p</sub>(R<sup>1</sup>SiO<sub>3/2</sub>)<sub>q</sub>(R<sup>2</sup>SiO<sub>3/2</sub>)<sub>r</sub>(SiO<sub>4/2</sub>)<sub>s</sub> (I) <br/>式中，R<sup>1</sup>獨立地表示烯基，R<sup>2</sup>獨立地表示不包含加成反應性碳-碳雙鍵的非取代或取代的一價烴基，其中，全部R<sup>2</sup>中的至少80莫耳%係甲基，l、m、n、p、q、r以及s分別滿足l ≥ 0、m ≥ 0、n ≥ 0、p ≥ 0、q ≥ 0、r ≥ 0以及s ≥ 0，其還滿足m + n + q ＞ 0，q + r + s ＞ 0，且l + m + n + p + q + r + s = 1，相對於（A）成分與（B）成分的合計100質量份，該有機聚矽氧烷樹脂為10-50質量份； <br/>（C）有機氫聚矽氧烷，其在一個分子中具有至少兩個與矽原子鍵合的氫原子，且具有10,000以下的數目平均分子量，相對於（A）成分中的與矽原子鍵合的烯基以及（B）成分中的與矽原子鍵合的烯基的合計1莫耳，（C）成分中的與矽原子鍵合的氫原子為0.1-15莫耳的量； <br/>（D）散熱填料，該散熱填料係平均粒徑0.2 μm以上且小於1 μm的第一群組的散熱填料粉末與平均粒徑2 μm以上且小於20 μm的第二群組的散熱填料粉末的散熱填料混合物，所述第一群組的散熱填料粉末 : 所述第二群組的散熱填料粉末的質量比為3 : 7-2 : 8，以導熱性矽酮組成物的總質量為基準，該散熱填料為70.0質量%以上的量； <br/>（E）1次粒子的平均粒徑小於1 μm的二氧化矽粒子，以導熱性矽酮組成物的總質量為基準，其為0.1-3質量%的量； <br/>（F）在分子鏈的單末端或者兩末端具有與矽原子鍵合的烷氧基的直鏈狀有機聚矽氧烷，相對於（A）成分以及（B）成分的合計100質量份，其為0.5-20質量份；以及 <br/>（G）分子鏈兩末端矽烷醇基封端的二甲基矽氧烷‧甲基乙烯基矽氧烷共聚物低聚物與3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷的反應混合物，相對於（A）成分、（B）成分以及（C）成分的合計100質量份，其為0.1-10質量份； <br/>其中，溫度25°C以及轉速10 s<sup>-1</sup>下的導熱性矽酮組成物的黏度為20 Pa‧s以下。
如請求項1所述之導熱性矽酮組成物，其中， <br/>平均粒徑0.2 μm以上且小於1 μm的第一群組的散熱填料粉末的D<sub>10</sub>大於二氧化矽粒子的1次粒子的D<sub>90</sub>。
如請求項1所述之導熱性矽酮組成物，其中， <br/>散熱填料為α氧化鋁粒子。
如請求項1所述之導熱性矽酮組成物，其中， <br/>溫度25°C以及轉速10 s<sup>-1</sup>下的導熱性矽酮組成物的黏度為16 Pa‧s以下。
一種用於針式轉移法的、如請求項1至4中一項所述之導熱性矽酮組成物。
一種用於在一半導體處理系統中教導基板搬運之夾具，其包含：<br/> 一驗證銷，具有一銷寬度；<br/> 一盤體，其具有一第一表面、與該第一表面相對的一第二表面及一厚度，該厚度分離該盤體的該第一表面及該第二表面；及<br/> 至少一摩擦構件，固定至該盤體之該第一表面，<br/> 其中該第一表面及該第二表面界定一驗證孔，該驗證孔耦接該盤體之該第一表面至該第二表面，<br/> 其中該驗證孔具有實質上等於該驗證銷之該銷寬度的一孔寬度，以藉由在該驗證孔及一驗證銷座兩者中可滑動地接收該驗證銷而教導該半導體處理系統內之一轉移位置，該驗證銷座界定在該半導體處理系統之一加載鎖中同時在該半導體處理系統內由一基板轉移機械臂支撐，<br/> 其中該盤體具有圍繞該驗證孔周向地延伸之一環形邊緣，其中該環形邊緣徑向地位於該驗證孔與該盤體之一外圓周之間，<br/> 其中該至少一摩擦構件係徑向定位於該環形邊緣與該盤體之該外圓周之間，且<br/> 其中該環形邊緣界定於該盤體之該第一表面及該第二表面中之一者上，其中該至少一摩擦構件固定至該盤體之該第一表面及該第二表面之另一者。
如請求項1所述之夾具，其中該盤體係由一碳纖維材料形成，且其中該盤體具有實質上等於一300毫米矽晶圓之一直徑。
如請求項1所述之夾具，其中該盤體具有延伸穿過該盤體之該第一表面與該第二表面之間的該盤體之該厚度的一或多個減輕孔，其中該減輕孔徑向地位於該驗證孔與該盤體之該外圓周之間。
如請求項3所述之夾具，其中該減輕孔為對稱地分佈於該驗證孔周圍之複數個減輕孔中之一者。
如請求項3所述之夾具，其中該減輕孔為具有一圓形形狀之四個減輕孔中之一者，其中該四個減輕孔係在一共同的減輕孔半徑上周向地圍繞該驗證孔分佈。
如請求項1所述之夾具，其中該至少一摩擦構件係徑向地位於該盤體之該驗證孔與該盤體之該外圓周之間。
如請求項6所述之夾具，其中該至少一摩擦構件具有大於一矽晶圓檔片的一表面的一摩擦係數之一摩擦係數。
如請求項6所述之夾具，其中該至少一摩擦構件包含由一彈性材料形成之O形環，且其中該盤體之該外圓周具有一凹口。
如請求項6所述之夾具，其中該至少一摩擦構件為固定至該盤體之該第一表面的複數個摩擦構件中之一者。
如請求項9所述之夾具，其中該至少一摩擦構件為固定至該盤體之該第一表面的三個摩擦構件中之一者，其中該複數個摩擦構件係在一共同的摩擦構件半徑上周向地圍繞該驗證孔分佈。
如請求項10所述之夾具，其中該複數個摩擦構件在間隔上符合一端效器之複數個叉齒，該複數個摩擦構件使該盤體與該端效器之該等叉齒間隔。
如請求項1所述之夾具，其中該環形邊緣在該盤體之一徑向外部薄部分與該盤體之一徑向內部厚部分之間延伸，其中該徑向內部厚部分在該環形邊緣與延伸通過該盤體之該厚度的該驗證孔之間徑向延伸。
如請求項1所述之夾具，其中該盤體具有延伸穿過該盤體之該厚度的至少一減輕孔，其中該至少一減輕孔徑向位於該驗證孔與該盤體之該環形邊緣之間。
如請求項1所述之夾具，更包括一端效器，其中該環形邊緣在半徑上符合該半導體處理系統之該端效器之一面之一弧形區段。
一種半導體處理系統，包含：<br/> 一加載鎖，具有一驗證銷座；<br/> 一基板中心感測器，其相對於該加載鎖固定且具有一視野；<br/> 一前端基板轉移機械臂，其具有一夾頭型端效器，受支撐而用於相對於該加載鎖之移動之相對移動；<br/> 一後端基板轉移機械臂，其具有一葉片型端效器，受支撐而用於相對於該加載鎖之移動；及<br/> 如請求項1中所述的一夾具，其中該盤體夾在該夾頭型端效器內且藉由該驗證銷固定至該加載鎖，摩擦地支撐在該葉片型端效器上且藉由該驗證銷固定至該加載鎖，固持地支撐在該葉片型端效器上且藉由該驗證銷固定至該加載鎖，或摩擦地支撐或固持地支撐在該葉片型端效器上且在該基板中心感測器之該視野內。
一種在半導體處理系統中教導基板搬運之方法，其包含：<br/> 在一夾具處包括一驗證銷及一盤體，該驗證銷具有一銷寬度，該盤體具有一第一表面、與該第一表面相對的一第二表面及一厚度，該厚度分離該盤體的該第一表面及該第二表面，該第一表面及該第二表面界定一驗證孔，該驗證孔耦接該盤體之該第一表面至該第二表面，該驗證孔具有實質上等於該驗證銷之該銷寬度的一孔寬度；<br/> 使用該盤體及該驗證銷將一前端轉移機械臂至加載鎖轉移位置教導至該半導體處理系統的一前端轉移機械臂；<br/> 使用該盤體及該驗證銷將一後端轉移機械臂至加載鎖轉移位置教導至該半導體處理系統的一後端轉移機械臂；及<br/> 使用該盤體將一基板中心位置教導至該半導體處理系統的一基板中心感測器，<br/> 其中藉由在該驗證孔及一驗證銷座兩者中可滑動地接收該驗證銷而教導該前端轉移機械臂至加載鎖轉移位置及該後端轉移機械臂至加載鎖轉移位置中之至少一者，該驗證銷座界定在該半導體處理系統之一加載鎖中同時在該半導體處理系統內由一基板轉移機械臂支撐。
如請求項16所述之方法，其中教導該前端轉移機械臂至加載鎖轉移位置包含：<br/> 使該盤體夾在該前端轉移機械臂的一夾頭型端效器內；<br/> 判定該驗證孔與界定在該半導體處理系統之該加載鎖中之該驗證銷座之間的一錯誤對位；<br/> 當該錯誤對位防止該驗證銷可滑動地接收至該驗證孔中時，調整該盤體的位置；及<br/> 當該錯誤對位允許該驗證銷可滑動地接收至該驗證孔內時，將該前端轉移機械臂的位置寫入作為該前端轉移機械臂至加載鎖轉移位置。
如請求項16所述之方法，其中教導該後端轉移機械臂至加載鎖轉移位置包含：<br/> 支撐該盤體在該後端轉移機械臂的一端效器上；<br/> 判定該驗證孔與該半導體處理系統的該驗證銷座之間的一錯誤對位；<br/> 當該錯誤對位防止該驗證銷可滑動地接收至該驗證孔中時，調整該盤體的位置；及<br/> 當該錯誤對位允許該驗證銷可滑動地接收至該驗證孔內時，將該後端轉移機械臂的位置寫入作為該後端轉移機械臂至加載鎖轉移位置。
如請求項16所述之方法，其中教導該基板中心位置包含支撐該盤體在該後端轉移機械臂之一葉片型端效器上，使得該盤體固持在該葉片型端效器上。
如請求項16所述之方法，其中教導該基板中心位置包含支撐該盤體在該後端轉移機械臂之一葉片型端效器上，使得該盤體與該葉片型端效器間隔開。
如請求項16所述之方法，其進一步包含在教導該基板中心位置之前，自該半導體處理系統卸載該盤體、反轉該盤體及將該盤體重新載入至該半導體處理系統上。
一種用於由一使用者設備（UE）進行的無線通訊的方法，包括以下步驟： <br/>接收訊號傳遞，該訊號傳遞將一第一細胞配置為具有實體上行鏈路控制通道（PUCCH）資源、將一第二細胞配置為具有PUCCH資源、以及將該第一細胞或該第二細胞中的至少一個細胞配置用於基於子時槽的混合自動重複請求確認（HARQ-ACK）報告； <br/>接收一實體下行鏈路控制通道（PDCCH）； <br/>基於一目標PUCCH細胞切換資訊來選擇該第一細胞或該第二細胞作為用於發送具有針對該PDCCH或由該PDCCH排程的一實體下行鏈路共享通道（PDSCH）的HARQ-ACK回饋的一PUCCH的一目標PUCCH細胞；及 <br/>根據該選擇，在該目標PUCCH細胞上的一子時槽或時槽中發送具有該HARQ-ACK回饋的該PUCCH。
根據請求項1之方法，其中： <br/>該第一細胞包括一主細胞（PCell）或主輔細胞（PSCell）；並且 <br/>該第二細胞包括一輔細胞（SCell）。
根據請求項1之方法，其中該目標PUCCH細胞切換資訊包括以下步驟： <br/>經由下行鏈路控制資訊（DCI）接收的對該目標PUCCH細胞的一指示；或者 <br/>用於目標PUCCH細胞切換的一半靜態時間模式。
根據請求項1之方法，其中： <br/>該訊號傳遞將該第一細胞和該第二細胞兩者皆配置用於基於子時槽的HARQ-ACK報告；並且 <br/>該第一細胞和該第二細胞針對給定的HARQ-ACK編碼簿具有不同的子時槽長度配置。
根據請求項1之方法，其中該訊號傳遞將該第一細胞或該第二細胞中的一個細胞配置用於基於子時槽的HARQ-ACK報告並且將該第一細胞或該第二細胞中的另一細胞配置用於基於時槽的HARQ-ACK報告。
根據請求項1之方法，其中： <br/>該訊號傳遞將該第一細胞配置用於基於子時槽的HARQ-ACK報告；並且 <br/>具有該HARQ-ACK回饋的該PUCCH是基於為該第一細胞配置的一子時槽長度根據一HARQ-ACK回饋定時值來發送的。
根據請求項6之方法，其中對該目標PUCCH細胞的選擇基於用於半靜態PUCCH細胞切換的一時間模式。
根據請求項7之方法，其中： <br/>該UE不預期該第二細胞具有比該第一細胞大的一時槽長度；並且 <br/>若該訊號傳遞將該第二細胞配置為具有比該第一細胞大的一時槽長度，則該UE忽視該訊號傳遞。
根據請求項1之方法，其中： <br/>該訊號傳遞將該第一細胞配置用於基於子時槽的HARQ-ACK報告；並且 <br/>該UE基於用於半靜態目標PUCCH細胞切換的一時間模式被配置用於目標PUCCH切換。
根據請求項9之方法，其中： <br/>用於半靜態目標PUCCH細胞切換的該時間模式是以該第一細胞的上行鏈路時槽為一單位來配置的；並且 <br/>一時槽中的子時槽上的HARQ-ACK報告具有一相同的目標PUCCH細胞。
根據請求項9之方法，其中用於半靜態目標PUCCH細胞切換的該時間模式是以該第一細胞的一上行鏈路子時槽為單位來配置的。
根據請求項9之方法，其中： <br/>一HARQ-ACK回饋定時值是以該第一細胞的子時槽為單位來指示的；並且 <br/>用於應用該HARQ-ACK回饋定時值的一參考點是該第一細胞上其中出現該PDSCH或該PDCCH的一結束符號的一子時槽。
根據請求項9之方法，其中該時間模式中兩個PUCCH細胞之間的切換點是結合該第一細胞或該第二細胞上的時槽或子時槽的邊界出現的。
根據請求項9之方法，其中若該第二細胞被選擇用於發送具有該HARQ-ACK回饋的該PUCCH並且該第一細胞上的一子時槽長度不同於該第二細胞上的一時槽或子時槽長度，則該UE在該第二細胞上與該第一細胞上的一上行鏈路時槽重疊的、如由一HARQ-ACK回饋定時值指示的一第一時槽或子時槽中發送具有該HARQ-ACK回饋的該PUCCH。
根據請求項1之方法，其中： <br/>該目標PUCCH細胞切換資訊包括經由該PDCCH中的下行鏈路控制資訊（DCI）接收的對一目標PUCCH細胞的一指示；並且 <br/>具有該HARQ-ACK回饋的該PUCCH是基於該DCI中被指示為該目標PUCCH細胞的該第一細胞或該第二細胞的一時槽或子時槽長度根據一HARQ-ACK回饋定時值來發送的。
根據請求項15之方法，其中用於應用該HARQ-ACK回饋定時值的一參考點是該目標PUCCH細胞中與該PDCCH或該PDSCH的一結尾重疊的一子時槽或時槽。
根據請求項15之方法，其中該訊號傳遞將該第一細胞配置用於基於子時槽的HARQ-ACK報告。
一種用於由一網路實體進行的無線通訊的方法，包括以下步驟： <br/>向一使用者設備（UE）發送訊號傳遞，該訊號傳遞將一第一細胞配置為具有實體上行鏈路控制通道（PUCCH）資源、將一第二細胞配置為具有PUCCH資源、以及將該第一細胞或該第二細胞中的至少一個細胞配置用於基於子時槽的混合自動重複請求確認（HARQ-ACK）報告； <br/>向該UE發送一實體下行鏈路控制通道（PDCCH）； <br/>基於目標PUCCH細胞切換資訊來選擇該第一細胞或該第二細胞作為用於監視具有針對該PDCCH或由該PDCCH排程的一實體下行鏈路共享通道（PDSCH）的HARQ-ACK回饋的一PUCCH的一目標PUCCH細胞；及 <br/>根據該選擇在該第一細胞或該第二細胞的一子時槽或時槽中監視具有該HARQ-ACK回饋的該PUCCH。
根據請求項18之方法，其中： <br/>該第一細胞包括一主細胞（PCell）或主輔細胞（PSCell）；並且 <br/>該第二細胞包括一輔細胞（SCell）。
根據請求項18之方法，其中該目標PUCCH細胞切換資訊包括以下步驟： <br/>經由下行鏈路控制資訊（DCI）發送的對該目標PUCCH細胞的一指示；或者 <br/>用於目標PUCCH細胞切換的一半靜態時間模式。
根據請求項18之方法，其中： <br/>該訊號傳遞將該第一細胞和該第二細胞兩者皆配置用於基於子時槽的HARQ-ACK報告；並且 <br/>該第一細胞和該第二細胞針對一給定的HARQ-ACK編碼簿具有不同的子時槽長度配置。
根據請求項18之方法，其中該訊號傳遞將該第一細胞或該第二細胞中的一個細胞配置用於基於子時槽的HARQ-ACK報告並且將該第一細胞或該第二細胞中的另一細胞配置用於基於時槽的HARQ-ACK報告。
根據請求項18之方法，其中： <br/>該訊號傳遞將該第一細胞配置用於基於子時槽的HARQ-ACK報告；並且 <br/>具有該HARQ-ACK回饋的該PUCCH是基於為該第一細胞配置的一子時槽長度根據一HARQ-ACK回饋定時值來發送的。
根據請求項23之方法，其中對該目標PUCCH細胞的選擇基於用於半靜態PUCCH細胞切換的一時間模式。
根據請求項24之方法，其中： <br/>該網路實體確保該第二細胞沒有比該第一細胞大的一時槽長度。
根據請求項18之方法，其中： <br/>該訊號傳遞將該第一細胞配置用於基於子時槽的HARQ-ACK報告；並且 <br/>該網路實體基於用於半靜態目標PUCCH細胞切換的一時間模式將該UE配置用於目標PUCCH切換。
根據請求項26之方法，其中： <br/>用於半靜態目標PUCCH細胞切換的該時間模式是以該第一細胞的上行鏈路時槽為一單位來配置的；並且 <br/>一時槽中的子時槽上的HARQ-ACK報告具有一相同的目標PUCCH細胞。
根據請求項26之方法，其中用於半靜態目標PUCCH細胞切換的該時間模式是以該第一細胞的一上行鏈路子時槽為單位來配置的。
根據請求項26之方法，其中： <br/>一HARQ-ACK回饋定時值是以該第一細胞的子時槽為單位來指示的；並且 <br/>用於應用該HARQ-ACK回饋定時值的一參考點是該第一細胞上其中出現該PDSCH或該PDCCH的一結束符號的一子時槽。
根據請求項26之方法，其中該時間模式中兩個PUCCH細胞之間的切換點是結合該第一細胞或該第二細胞上的時槽或子時槽的邊界出現的。
根據請求項26之方法，其中若該第二細胞被選擇用於發送具有該HARQ-ACK回饋的該PUCCH並且該第一細胞上的一子時槽長度不同於該第二細胞上的一時槽或子時槽長度，則該網路實體在該第二細胞上與該第一細胞上的一上行鏈路時槽重疊的、如由一HARQ-ACK回饋定時值指示的一第一時槽或子時槽中監視具有該HARQ-ACK回饋的該PUCCH。
根據請求項18之方法，其中： <br/>該目標PUCCH細胞切換資訊包括經由該PDCCH中的下行鏈路控制資訊（DCI）發送的對一目標PUCCH細胞的一指示；並且 <br/>具有該HARQ-ACK回饋的該PUCCH是基於該DCI中被指示為該目標PUCCH細胞的該第一細胞或該第二細胞的一時槽或子時槽長度根據該HARQ-ACK回饋定時值來發送的。
根據請求項32之方法，其中用於應用該HARQ-ACK回饋定時值的一參考點是該目標PUCCH細胞中與該PDCCH或該PDSCH的一結尾重疊的一子時槽或時槽。
根據請求項32之方法，其中該訊號傳遞將該第一細胞配置用於基於子時槽的HARQ-ACK報告。
一種用於無線通訊的裝置，包括： <br/>一記憶體，其包括可執行指令；及 <br/>一或多個處理器，該一或多個處理器被配置為執行該可執行指令並使得該裝置進行以下操作： <br/>接收訊號傳遞，該訊號傳遞將一第一細胞配置為具有實體上行鏈路控制通道（PUCCH）資源、將一第二細胞配置為具有PUCCH資源、以及將該第一細胞或該第二細胞中的至少一個細胞配置用於基於子時槽的混合自動重複請求確認（HARQ-ACK）報告； <br/>接收一實體下行鏈路控制通道（PDCCH）； <br/>基於目標PUCCH細胞切換資訊來選擇該第一細胞或該第二細胞作為用於發送具有針對該PDCCH或由該PDCCH排程的一實體下行鏈路共享通道（PDSCH）的HARQ-ACK回饋的一PUCCH的一目標PUCCH細胞；及 <br/>根據該選擇在該目標PUCCH細胞上的一子時槽或時槽中發送具有該HARQ-ACK回饋的該PUCCH。
一種用於無線通訊的裝置，包括： <br/>一記憶體，其包括可執行指令；及 <br/>一或多個處理器，該一或多個處理器被配置為執行該可執行指令並使得該裝置進行以下操作： <br/>向一使用者設備（UE）發送訊號傳遞，該訊號傳遞將一第一細胞配置為具有實體上行鏈路控制通道（PUCCH）資源、將一第二細胞配置為具有PUCCH資源、以及將該第一細胞或該第二細胞中的至少一個細胞配置用於基於子時槽的混合自動重複請求確認（HARQ-ACK）報告； <br/>向該UE發送一實體下行鏈路控制通道（PDCCH）； <br/>基於目標PUCCH細胞切換資訊來選擇該第一細胞或該第二細胞作為用於監視具有針對該PDCCH或由該PDCCH排程的一實體下行鏈路共享通道（PDSCH）的HARQ-ACK回饋的一PUCCH的一目標PUCCH細胞；及 <br/>根據該選擇在該第一細胞或該第二細胞的一子時槽或時槽中監視具有該HARQ-ACK回饋的該PUCCH。
一種電極，其朝向厚度方向之一側依序具備基材、導電性碳層、及金屬層， <br/>上述導電性碳層包含sp <sup>2</sup>鍵結原子、及sp <sup>3</sup>鍵結原子， <br/>上述金屬層配置於厚度方向上之上述導電性碳層之一面， <br/>上述導電性碳層之上述一面中之上述金屬層之面積率為95%以下。
如請求項1之電極，其中上述金屬層係金層。
如請求項1或2之電極，其中上述金屬層為島狀結構。
如請求項1或2之電極，其中sp <sup>3</sup>鍵結原子數相對於sp <sup>3</sup>鍵結原子數與sp <sup>2</sup>鍵結原子數之和之比率為0.30以上。
如請求項1或2之電極，其中上述面積率為70%以上。
如請求項1或2之電極，其進而具備金屬基底層， <br/>上述基材、上述金屬基底層、上述導電性碳層、及上述金屬層係朝向上述厚度方向之一側依序配置。
如請求項1或2之電極，其中上述基材係可撓性膜。
一種填充一基板之一表面上之一間隙的方法，該方法包含以下步驟：<br/> 提供該基板至一第一反應室內，該基板包含該間隙；<br/> 在該第一反應室內於該基板的該表面上形成一材料層；<br/> 使該材料層在一第二反應室中暴露至一鹵素反應物，藉此在該間隙內形成包含一鹵素的一可流動層；及<br/> 使該可流動層在一第三反應室中暴露至一轉化反應物以在該間隙內形成一經轉化材料。
如請求項1之方法，其進一步包含在一第四反應室中熱處理該經轉化材料的一步驟。
如請求項2之方法，其中該熱處理步驟包含一快速熱退火製程。
如請求項2之方法，其中一循環包含在該第一反應室內於該基板的該表面上形成該材料層、使該基板在該第二反應室中暴露至該鹵素反應物、使該基板在該第三反應室中暴露至該轉化反應物及在該第四反應室中熱處理該經轉化材料之步驟，其中該循環重複一或多次。
如請求項2之方法，其中該第一反應室、該第二反應室、該第三反應室及該第四反應室形成一叢集工具的部分。
如請求項2之方法，其中在該第一反應室內於該基板的該表面上形成該材料層、使該基板在該第二反應室中暴露至該鹵素反應物、使該基板在該第三反應室中暴露至該轉化反應物及在該第四反應室中熱處理該經轉化材料之該等步驟係在無一空氣中斷的情形下執行。
如請求項1至6中任一項之方法，其中該材料層包含一金屬、一合金、一金屬氧化物、一元素半導體及一化合物半導體中之一或多者。
如請求項1至6中任一項之方法，其中該鹵素反應物包含氟、氯、溴及碘中之一或多者。
如請求項1至6中任一項之方法，其中該轉化反應物包含一惰性氣體、一氧化反應物、一氮化反應物及一還原反應物中之一或多者。
如請求項1至6中任一項之方法，其中該鹵素反應物包含形成於流體耦接至該第二反應室之一遠端電漿單元中的活化種類。
如請求項1至6中任一項之方法，其中形成該材料層之該步驟包含一循環沉積製程。
如請求項1至6中任一項之方法，其中使該可流動層暴露於該轉化反應物之該步驟包含一熱製程，其中在該熱製程期間，該基板之溫度介於約100°C與約700°C之間，且持續介於約10與約3600秒之間的時段。
如請求項1至6中任一項之方法，其中該轉化反應物包含一惰性氣體、一含氧氣體、一含氮氣體、一含碳氣體及一含氫氣體中之一或多者。
一種多室反應器系統，包含：<br/> 一第一反應室，係經組態以沉積一材料層；<br/> 一第二反應室，係經組態以使該材料層暴露至一鹵素反應物，藉此形成一可流動層；及<br/> 一第三反應室，係經組態以使該可流動層在一第三反應室中暴露至一轉化反應物以形成一經轉化材料。
如請求項14之多室反應器系統，其進一步包含一第四反應室，該第四反應室係經組態以熱處理該經轉化材料。
如請求項15之多室反應器系統，其中該第四反應室包含一加熱器，該加熱器係經組態以加熱一基板。
如請求項15之多室反應器系統，其中該第一反應室、該第二反應室、該第三反應室及該第四反應室形成一叢集工具的部分，且其中一基板係在該第一反應室、該第二反應室、該第三反應室與該第四反應室之間移動且無一空氣中斷。
如請求項14至17中任一項之多室反應器系統，其進一步包含流體耦接至該第二反應室之一遠端電漿單元及耦接至該第二反應室之一鹵素反應物源中之一或多者。
如請求項14至17中任一項之多室反應器系統，其進一步包含耦接至該第三反應室之一氧化源、一氮化源、一含碳氣體源及一還原氣體源中之一或多者。
如請求項14至17中任一項之多室反應器系統，其進一步包含耦接至該第四反應室之一惰性氣體源、一含氧氣體源、一含氮氣體源、一含碳氣體源及一含氫氣體源中之一或多者。
一種雙軸配向聚酯薄膜，其中表面(A面)滿足以下(1)，與前述A面相反之面(B面)為P2層且滿足以下(2)，其中該P2層係不同於具有A面之層；<br/> (1)前述A面具有突起，於藉由以下手法所得之各視野中的最大突起高度的值之中，將相當於上位5%的值之最大突起高度的值設為Sp5%A時，Sp5%A為110nm以下，將高度10nm以上的突起個數設為N<sub>10nm</sub>A時，N<sub>10nm</sub>A為300個/mm<sup>2</sup>以上1000個/mm<sup>2</sup>以下；<br/> (2)前述B面具有突起，於藉由以下手法所得之各視野中的最大突起高度的值之中，將相當於上位5%的值之最大突起高度的值設為Sp5%B時，Sp5%B為150nm以上1000nm以下；<br/> (最大突起高度測定方法)<br/> 以掃描型白色干涉顯微鏡(VertScan)，使用10物鏡，測定100視野的561μm□視野之表面影像，求出各視野中的最大突起高度Sp值，將相當於彼等的上位5%的值設為Sp5%值。
請求項1之雙軸配向聚酯薄膜，其中突起存在於前述A面之表面，將高度80nm以上的突起個數設為N<sub>80nm</sub>A時，N<sub>80nm</sub>A為0.4個/mm<sup>2</sup>以下。
如請求項1或2之雙軸配向聚酯薄膜，其中前述具有A面之層為聚酯樹脂層(P1層)。
如請求項3之雙軸配向聚酯薄膜，其中將前述P1層之厚度設為T<sub>P1</sub>時，T<sub>P1</sub>為2μm以上10μm以下。
如請求項4之雙軸配向聚酯薄膜，其中前述P1層含有粒子，將P1層所含有的粒子之最大粒徑設為D<sub>P1</sub>時，T<sub>P1</sub>/D<sub>P1</sub>為20以上100以下。
如請求項1之雙軸配向聚酯薄膜，其中將前述A面之水接觸角設為CaR時，CaR為100°以上120°以下。
如請求項6之雙軸配向聚酯薄膜，其具有以聚酯樹脂作為主成分的層(P1層)及塗布層(R1層)，前述塗布層(R1層)係設於以聚酯樹脂作為主成分的層(P1層)之上，R1層表面為前述A面。
如請求項7之雙軸配向聚酯薄膜，其中前述R1層係至少以聚矽氧樹脂、長鏈烷基樹脂或丙烯酸樹脂之任一者作為主成分。
如請求項7或8之雙軸配向聚酯薄膜，其中將前述R1層之厚度設為T<sub>R1</sub>時，T<sub>R1</sub>為0.01μm以上1.00μm以下。
如請求項3之雙軸配向聚酯薄膜，其在前述P1層與前述P2層之間具有含有粒子的P3層之至少3層以上的構成。
如請求項10之雙軸配向聚酯薄膜，其中前述P2層至少含有平均粒徑不同的2種粒子。
如請求項10之雙軸配向聚酯薄膜，其中將前述P2層之厚度設為T<sub>P2</sub>，將P2層所含有的粒子之最大粒徑設為D<sub>P2</sub>時，T<sub>P2</sub>/D<sub>P2</sub>為1以上5以下。
如請求項1、2及6至8中任一項之雙軸配向聚酯薄膜，其中於與薄膜捲筒寬度方向相同的方向之薄膜寬度方向中測定薄膜厚度，將薄膜之平均厚度設為T<sub>AVE</sub>，將薄膜厚度之最大值設為T<sub>MAX</sub>，將最小值設為T<sub>MIN</sub>時，以下式(1)表示的厚度不均ΔT為5.0%以下；<br/> ΔT=100%×(T<sub>MAX</sub>-T<sub>MIN</sub>)/T<sub>AVE</sub>・・・式(1)。
如請求項1、2及6至8中任一項之雙軸配向聚酯薄膜，其中前述A面與前述B面之靜摩擦係數為0.8以下。
如請求項1、2及6至8中任一項之雙軸配向聚酯薄膜，其係於製造積層陶瓷電容器之步驟中作為生胚薄片(green sheet)成形的支撐體用薄膜使用。
一種靜態隨機存取記憶體單元(SRAM cell)結構，包括： <br/>複數個電晶體，包括n個電晶體，其中n是小於6的一正整數； <br/>一組接觸結構(contacts)，連接到該複數個電晶體； <br/>一字元線，電性連接到該複數個電晶體； <br/>一位元線，電性連接到該複數個電晶體； <br/>一高電壓VDD接觸線，電性連接到該複數個電晶體； <br/>一低電壓VSS接觸線，電性連接到該複數個電晶體；以及 <br/>一穿隧結構(tunneling structure)，設置於該高電壓VDD接觸線與該複數個電晶體之間，且該穿隧結構包括一第一介電層，該第一介電層包括六方氮化硼(hBN)； <br/>其中，隨著該靜態隨機存取記憶體單元結構的一最小特徵尺寸(λ)從28奈米(nm)逐漸微縮，由最小特徵尺寸的平方表示之該靜態隨機存取記憶體單元結構的一面積尺寸仍維持相同或基本相同。
如請求項1所述之靜態隨機存取記憶體單元結構，其中當該最小特徵尺寸從28奈米微縮到5奈米時，該靜態隨機存取記憶體單元結構的該面積尺寸介於51λ <sup>2</sup>至102λ <sup>2</sup>之間。
如請求項2所述之靜態隨機存取記憶體單元結構，其中該複數個電晶體中的一第一電晶體的一長度介於3λ至5λ之間。
如請求項1所述之靜態隨機存取記憶體單元結構， <br/>其中，該第一介電層，設置在該高電壓VDD接觸線和該複數個電晶體之間； <br/>該第一介電層的一厚度介於單一層分子厚度(monolayer)至10奈米之間。
如請求項4所述之靜態隨機存取記憶體單元結構， 其中該第一介電層位於該高電壓VDD接觸線與另一金屬層之間，藉以形成一金屬-絕緣層-金屬 (metal-insulator-metal，MIM)結構。
一種靜態隨機存取記憶體單元結構，包括： <br/>一對交叉耦合電晶體； <br/>一高電壓VDD接觸線，電性連接至該對交叉耦合電晶體； <br/>一低電壓VSS接觸線，電性連接至該對交叉耦合電晶體；以及 <br/>一穿隧結構，設置於該高電壓VDD接觸線與該對交叉耦合電晶體電晶之間；且該穿隧結構包括一第一介電層，該第一介電層包括六方氮化硼(hBN)； <br/>其中，該穿隧結構為具有雙向電流方向(bilateral current directions)的一兩端子元件(two-terminals device)。
如請求項6所述之靜態隨機存取記憶體單元結構，其中該高電壓VDD接觸線係藉由該穿隧結構基於一穿隧效應(tunneling effect)，電性連接至該對交叉耦合電晶體電晶。
如請求項6所述之靜態隨機存取記憶體單元結構，其中該第一介電層具有一厚度介於單一層分子厚度至10奈米之間。
如請求項6所述之靜態隨機存取記憶體單元結構，其中該穿隧結構更包括一超晶格結構(superlattice structure)，具有夾在至少二阻障層(barrier layers)之間的至少一井層(well layers)。
如請求項9所述之靜態隨機存取記憶體單元結構，其中該至少二阻障層和該至少一井層之一者的一厚度，從該穿隧結構的一側到該穿隧結構的另一側，是可以被調整或逐漸改變的。
如請求項9所述之靜態隨機存取記憶體單元結構，其中該超晶格結構具有小於20奈米的一厚度。
如請求項9所述之靜態隨機存取記憶體單元結構，其中該至少一井層的一材料成分，從該穿隧結構的一側到該穿隧結構的另一側，是可以被調整或逐漸改變的。
如請求項9所述之靜態隨機存取記憶體單元結構，其中該至少一井層的一摻雜濃度，從該穿隧結構的一側到該穿隧結構的另一側，是可以被調整或逐漸改變的。
如請求項6所述之靜態隨機存取記憶體單元結構，更包括: <br/>一第一導通電晶體(passing transistor)； <br/>一第二導通電晶體； <br/>一字元線，電性連接至該第一導通電晶體和該第二導通電晶體； <br/>一位元線，電性連接至第一導通電晶體；以及 <br/>一反位元線(bit line bar)，電性連接至第二導通電晶體。
一種靜態隨機存取記憶體單元結構，包括： <br/>複數個電晶體，包括n個電晶體，其中n是小於6的一正整數； <br/>複數個接觸結構，電性連接至該複數個電晶體; <br/>一組第一金屬層，設置在該複數個電晶體的上方，並且電性連接至該複數個電晶體; <br/>一組第二金屬層，設置在該組第一金屬層上方，並且電性連接至該複數個電晶體；以及 <br/>一穿隧結構，設置於該組第二金屬層和該複數個電晶體之間，且該穿隧結構包括一第一介電層，該第一介電層包括六方氮化硼(hBN)； <br/>其中，該複數個接觸結構包括一組第一接觸結構和一組第二接觸結構，該組第一接觸結構連接至該組第一金屬層，該組第二接觸結構連接至該組第二金屬層，但不與該組第一金屬層連接。
如請求項15所述之靜態隨機存取記憶體單元結構，其中該複數個電晶體中的一第一電晶體的一n+摻雜區的一底面被一第一絕緣體完全隔離。
如請求項15所述之靜態隨機存取記憶體單元結構， <br/>該第一介電層的一厚度介於單一層分子厚度至10奈米之間。
一種靜態隨機存取記憶體單元結構，包括： <br/>複數個電晶體，包括n個電晶體，其中n是小於6的一正整數；其中該複數個電晶體中的一第一電晶體包括: <br/>一閘極結構，具有一長度； <br/>一通道區； <br/>一第一導電區，電性連接至該通道區；以及 <br/>一第一接觸孔，位於該第一導電區上方； <br/>其中，該第一接觸孔的一周邊(periphery)獨立於用來形成該靜態隨機存取記憶體單元結構的一微影製程(photolithography process)； <br/>一高電壓VDD接觸線，電性連接至該複數個電晶體；以及 <br/>一穿隧結構，設置於該高電壓VDD接觸線與該複數個電晶體之間，且該穿隧結構包括一第一介電層，該第一介電層包括六方氮化硼(hBN)。
如請求項18所述之靜態隨機存取記憶體單元結構，其中該第一接觸孔的該周邊被該第一導電區所包圍。
如請求項18所述之靜態隨機存取記憶體單元結構， <br/>其中，該穿隧結構為具有雙向電流方向的一兩端子元件。
一種靜態隨機存取記憶體單元結構，包括： <br/>一組靜態隨機存取記憶體單元，包括: <br/>一第一靜態隨機存取記憶體單元，包括: <br/>一第一對交叉耦合電晶體； <br/>一第一高電壓VDD接觸線，電性連接至該第一對交叉耦合電晶體； <br/>一第一低電壓VSS接觸線，電性連接至該第一對交叉耦合電晶體；以及 <br/>一第一穿隧結構，設置在該第一高電壓VDD接觸線和該第一對交叉耦合電晶體之間，其中該第一穿隧結構包括一第一介電層，且該第一介電層包括六方氮化硼(hBN)；以及 <br/>一第二靜態隨機存取記憶體單元， <br/>一第二對交叉耦合電晶體； <br/>一第二高電壓VDD接觸線，電性連接至該第二對交叉耦合電晶體； <br/>一第二低電壓VSS接觸線，電性連接至該第二對交叉耦合電晶體；以及 <br/>一第二穿隧結構，設置在該第二高電壓VDD接觸線和該第二對交叉耦合電晶體之間。
如請求項21所述之靜態隨機存取記憶體單元結構，其中該第一介電層具有一厚度介於單一層分子厚度至10奈米之間。
如請求項21所述之靜態隨機存取記憶體單元結構，其中該第一穿隧結構更包括一第一超晶格結構，具有夾在至少二阻障層之間的至少一井層；該第二穿隧結構包括一第二超晶格結構，具有夾在至少二阻障層之間的至少一井層。
如請求項23所述之靜態隨機存取記憶體單元結構，其中該第一超晶格結構具有與該第二超晶格結構不同的一厚度。
如請求項23所述之靜態隨機存取記憶體單元結構，其中該第一超晶格結構中的該至少一井層或該至少二阻障層的厚度變化，不同於該第二超晶格結構中的該至少一井層或該至少二阻障層的厚度變化。
如請求項23所述之靜態隨機存取記憶體單元結構，其中該第一超晶格結構中的該至少一井層的材料成分變化，不同於該第二超晶格結構中的該至少一井層的材料成分變化。
如請求項23所述之靜態隨機存取記憶體單元結構，其中該第一超晶格結構中的該至少一井層的摻雜濃度變化，不同於該第二超晶格結構中的該至少一井層的摻雜濃度變化。
一種靜態隨機存取記憶體單元結構，包括： <br/>複數個電晶體，包括n個電晶體，其中n是小於6的一正整數； <br/>一組接觸結構，連接到該複數個電晶體； <br/>一字元線，電性連接到該複數個電晶體； <br/>一位元線，電性連接到該複數個電晶體； <br/>一高電壓VDD接觸線，電性連接到該複數個電晶體；一低電壓VSS接觸線，電性連接到該複數個電晶體；以及 <br/>一穿隧結構，設置於該高電壓VDD接觸線與該複數個電晶體之間，且該穿隧結構包括: <br/>一第一介電層，包括六方氮化硼(hBN)； <br/>一第二介電層，具有一通孔，其中該第一介電層覆蓋於該通孔的一側壁及一底部； <br/>一導電插塞，形成在該通孔之中，並與該第一介電層之一側壁及一底部接觸；一第一金屬層，位於該第二介電層的一第一側，且與該第介電層接觸；以及 <br/>一第二金屬層，位於該第二介電層的一第二側，且與該導電插塞接觸；其中該第二側與該第一側相對。
如請求項28所述之靜態隨機存取記憶體單元結構，該第一介電層係由六方氮化硼、氮化硼、氟化鈣、二氧化矽、氧化鋡或五氧化二鉭或3, 4, 9, 10-苝四甲酸二酐所製成。
如請求項29所述之靜態隨機存取記憶體單元結構，其中該穿隧結構更包括一氮化鈦(TiN)層，位於該第一介電層和該導電插塞之間，且該氮化鈦層與該第二金屬層接觸。
一種靜態隨機存取記憶體單元結構，包括： <br/>複數個電晶體，包括n個電晶體，其中n是小於6的一正整數； <br/>一組接觸結構，連接到該複數個電晶體； <br/>一字元線，電性連接到該複數個電晶體； <br/>一位元線，電性連接到該複數個電晶體； <br/>一高電壓VDD接觸線，電性連接到該複數個電晶體；一低電壓VSS接觸線，電性連接到該複數個電晶體；以及 <br/>一穿隧結構，設置於該高電壓VDD接觸線與該複數個電晶體之間，且該穿隧結構包括: <br/>一第一介電層，包括六方氮化硼(hBN)； <br/>一第二介電層，具有一通孔； <br/>一導電插塞，形成在該通孔之中，其中該第一介電層位於該第二介電層的一第一側上，並且與該導電插塞接觸，其中該第一介電層之一底部面積大於該通孔之開口面積； <br/>一第二金屬層，位於該第二介電層的該第一側，且與該第一介電層接觸；以及 <br/>一第一金屬層，位於該第二介電層的一第二側，且與該導電插塞接觸；其中該第二側與該第一側相對。
如請求項31所述之靜態隨機存取記憶體單元結構，該第一介電層係由六方氮化硼、氮化硼、氟化鈣、二氧化矽、氧化鋡或五氧化二鉭或3, 4, 9, 10-苝四甲酸二酐所製成。
如請求項32所述之靜態隨機存取記憶體單元結構，其中該穿隧結構更包括一氮化鈦層，覆蓋於該通孔的一側壁上，且與該導電插塞以及該第二金屬層接觸。
一種不會溢出的飲用蓋，其包含： <br/>一第一構件； <br/>一第二構件，其可拆離地附接至該第一構件；及 <br/>一軸環，其可拆離地附接至該第二構件；其中， <br/>該第一構件具有複數個突出部，該複數個突出部自一內部表面朝向該第二構件延伸； <br/>該複數個突出部經配置以維持該第一構件與該第二構件之間的一流體通道； <br/>該第一構件包含一可撓性外部邊緣，該軸環包含一軸環邊緣，該可撓性第一構件外部邊緣抵靠該軸環邊緣，且該可撓性第一構件外部邊緣可變形以使該流體通道延伸穿過該不會溢出的飲用蓋。
如請求項1之不會溢出的飲用蓋，其中該第二構件進一步包含複數個孔，且該複數個孔中之各孔使該流體通道延伸穿過該第二構件。
如請求項1之不會溢出的飲用蓋，其中該第二構件進一步包含一第二構件外部邊緣且該等第一構件突出部在接近該第二構件外部邊緣處抵靠該第二構件。
如請求項1之不會溢出的飲用蓋，其中， <br/>該流體通道為一第一流體通道； <br/>該第二構件進一步包含一第二構件外部邊緣； <br/>該軸環進一步包含一內壁；且 <br/>該第二構件外部邊緣與該軸環內壁隔開以提供一第二流體通道。
如請求項4之不會溢出的飲用蓋，其中該第二流體通道之路徑圍繞該第二構件周圍。
如請求項4之不會溢出的飲用蓋，其中該第一流體通道及該第二流體通道同時開啟。
如請求項4之不會溢出的飲用蓋，其中該第一流體通道及該第二流體通道在遠離該第二構件外部邊緣之該第二構件之一第一側處發散，且在接近該第二構件外部邊緣之該第二構件的一第二側處聚合。
如請求項1之不會溢出的飲用蓋，其中該複數個突出部相對於該第一構件之該第一構件外部邊緣同心地配置。
如請求項1之不會溢出的飲用蓋，其中該軸環至少部分地包封該第一構件及該第二構件。
如請求項1之不會溢出的飲用蓋，其中該軸環藉由該第二構件相對於該軸環之一旋轉而可拆離地附接至該第二構件。
如請求項1之不會溢出的飲用蓋，其中該第一構件進一步包含一中心突出部，該第二構件進一步包含一中心孔，且該第二構件藉由將該第一構件之該中心突出部插入至該第二構件之該中心孔中來可拆離地附接至該第一構件。
如請求項1之不會溢出的飲用蓋，其中該第一構件由一可撓性材料形成，或該第一構件部分地由一可撓性材料形成。
如請求項1之不會溢出的飲用蓋，其中該第二構件由一剛性材料形成。
如請求項1之不會溢出的飲用蓋，其中該軸環由一剛性材料形成。
一種飲用杯，其包含一容器及如請求項1至14中任一項之飲用杯蓋，其中該飲用杯蓋附接至該容器之一開口。<sub> </sub>
一種組裝一不會溢出的飲用容器蓋之方法，該不會溢出的飲用容器蓋包含：一第一構件，其中該第一構件包含一可撓性第一構件外部邊緣及自該第一構件之一內部表面延伸的複數個突出部；一第二構件；及一軸環，其中該軸環包含一軸環邊緣； <br/>該方法包含： <br/>將該第二構件附接至該軸環；及 <br/>將該第一構件附接至該第二構件；其中當附接時： <br/>該第一構件之該複數個突出部朝向該第二構件延伸， <br/>該複數個突出部經配置以維持該第一構件與該第二構件之間的一流體通道， <br/>該可撓性第一構件外部邊緣抵靠該軸環邊緣，且 <br/>該可撓性第一構件外部邊緣可變形以使該流體通道延伸穿過該不會溢出的飲用蓋。
一種樹脂，其特徵為具有下述構成單位(a)、(b)、(c)之樹脂： <br/> 具有封端異氰酸酯基之構成單位(a)， <br/> 具有由下述式(2-2)及下述式(3-2)所選出之一種以上的基之構成單位(b)，與 <br/> 具有羥基之構成單位(c)；其中 <br/> 前述具有封端異氰酸酯基之構成單位(a)在100℃下加熱30分鐘時的封端異氰酸酯基之解離率為5~99%， <br/><img align="absmiddle" height="255px" width="711px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式(2-2)中，R<sup>1</sup>為氫原子或碳原子數1~20的烴基；R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>各自獨立為氫原子或碳原子數1~20的烴基)； <br/><img align="absmiddle" height="253px" width="714px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式(3-2)中，R<sup>2</sup>為氫原子或碳原子數1~20的烴基；R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>各自獨立為氫原子或碳原子數1~20的烴基)。
如請求項1之樹脂，其中 <br/> 前述具有封端異氰酸酯基之構成單位(a)為源自具有乙烯性不飽和鍵與封端異氰酸酯基的單體之構成單位， <br/> 前述具有乙烯性不飽和鍵與封端異氰酸酯基的單體為具有乙烯性不飽和鍵與異氰酸酯基的異氰酸酯化合物之異氰酸酯基被封端劑所封端化的化合物， <br/> 前述封端劑係由γ-丁內醯胺、1-甲氧基-2-丙醇、2,6-二甲基苯酚、二異丙基胺、甲基乙基酮肟及3,5-二甲基吡唑所選出的一種以上。
如請求項1之樹脂，其中 <br/> 前述具有封端異氰酸酯基之構成單位(a)為源自含封端異氰酸酯基的(甲基)丙烯酸酯之構成單位， <br/> 前述含封端異氰酸酯基的(甲基)丙烯酸酯為含異氰酸酯基的(甲基)丙烯酸酯被由3,5-二甲基吡唑及甲基乙基酮肟所選出的一種以上之封端劑所封端化的化合物。
如請求項1之樹脂，其中前述構成單位(b)為由源自具有(甲基)丙烯醯氧基與下述式(1)所示的基之單體的構成單位所衍生之構成單位； <br/><img align="absmiddle" height="343px" width="644px" file="ed10026.jpg" alt="ed10026.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式(1)中，R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>各自獨立為氫原子或碳原子數1~20的烴基；R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>各自獨立為氫原子或碳原子數1~20的烴基)。
如請求項1之樹脂，其中前述構成單位(b)所具有的R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>各自獨立為碳原子數1~3的烴基，R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>各自獨立為氫原子或甲基。
如請求項1之樹脂，其中前述具有羥基之構成單位(c)為源自含羥基的(甲基)丙烯酸酯之構成單位。
如請求項1之樹脂，其中前述具有羥基之構成單位(c)的一部分包含源自多元酸(e)的羧基。
一種使用鹼性觸媒(PB)進行脫醇反應及脫碳酸反應之樹脂前驅體，其特徵為含有： <br/> 具有封端異氰酸酯基之構成單位(a)， <br/> 具有下述式(1)所示的基之構成單位(pb)，與 <br/> 具有羥基之構成單位(c)；其中 <br/> 前述具有封端異氰酸酯基之構成單位(a)在100℃下加熱30分鐘時的封端異氰酸酯基之解離率為5~99%， <br/><img align="absmiddle" height="338px" width="641px" file="ed10027.jpg" alt="ed10027.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式(1)中，R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>各自獨立為氫原子或碳原子數1~20的烴基；R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>各自獨立為氫原子或碳原子數1~20的烴基)。
一種如請求項1~7中任一項之樹脂之製造方法，其特徵為使如請求項8之樹脂前驅體(PA)在溶劑(PC)中，使用鹼性觸媒(PB)進行脫醇反應及脫碳酸反應。
一種樹脂組成物，其含有： <br/> 如請求項1~7中任一項之樹脂(A)、 <br/> 溶劑(C)、 <br/> 反應性稀釋劑(D)、與 <br/> 光聚合起始劑(E)。
如請求項10之樹脂組成物，其進一步含有著色劑(F)。
如請求項11之樹脂組成物，其中 <br/> 相對於前述樹脂(A)及前述反應性稀釋劑(D)之合計100質量份， <br/> 含有10~90質量份的前述樹脂(A)， <br/> 含有30~1000質量份的前述溶劑(C)， <br/> 含有10~90質量份的前述反應性稀釋劑(D)， <br/> 含有0.1~30質量份的前述光聚合起始劑(E)， <br/> 含有3~80質量份的前述著色劑(F)。
一種樹脂硬化膜，其係由如請求項10~12中任一項之樹脂組成物的硬化物所成。
一種彩色濾光片，其具有由如請求項12之樹脂組成物的硬化物所成之著色圖型。
一種影像顯示元件，其具備如請求項14之彩色濾光片。
一種被加工物的分割方法，其將藉由各自沿著第一方向延伸之多條第一分割預定線及各自沿著與該第一方向交叉之第二方向延伸之多條第二分割預定線而被劃分成多個區域且在該多個區域各自的正面側形成有元件之被加工物，藉由切割刀片而沿著該多條第一分割預定線的每一條及沿著該多條第二分割預定線的每一條從該被加工物的背面側進行分割，<br/> 該被加工物的分割方法具備：<br/> 第一工件單元形成步驟，其以覆蓋第一環狀框架的開口之方式，將施加預定的力時的伸長率具有各向異性之第一膠膜黏貼於該第一環狀框架，且藉由將該第一膠膜黏貼於該被加工物的該正面，而形成將該被加工物與該第一環狀框架一體化而成之第一工件單元；<br/> 保持步驟，其在該第一工件單元形成步驟後，以保持台保持該第一工件單元的該第一膠膜側，使該被加工物的該背面露出；以及<br/> 分割步驟，其在該保持步驟後，藉由該切割刀片而沿著該多條第一分割預定線的每一條及沿著該多條第二分割預定線的每一條從該背面側將該被加工物進行分割並在該第一膠膜形成槽，<br/> 在該第一工件單元形成步驟中，以在對該第一膠膜施加該預定的力時該伸長率成為最低之第三方向與該第一方向及該第二方向中的任一方向皆成為非平行之方式，將該第一膠膜黏貼於該被加工物的該正面。
如請求項1之被加工物的分割方法，其中，該第一方向與該第二方向正交，<br/> 在該第一工件單元形成步驟中，以沿著該第三方向之直線與沿著該第一方向之直線及沿著該第二方向之直線的每一條所形成之角的角度成為45度之方式，將該第一膠膜黏貼於該被加工物的該正面。
如請求項1或2之被加工物的分割方法，其中，在該被加工物的外緣形成有用於表示晶體方向的缺口或定向平面，<br/> 該被加工物的分割方法進一步具備：第二工件單元形成步驟，其在該分割步驟後，以覆蓋在外緣形成有框架切口之第二環狀框架的開口之方式，將第二膠膜黏貼於該第二環狀框架，且將該第二膠膜黏貼於該被加工物的該背面後，從該被加工物剝離該第一膠膜，藉此形成將該被加工物與該第二環狀框架一體化而成之第二工件單元，<br/> 在該第二工件單元形成步驟中，以從該被加工物的中心朝向該缺口或該定向平面之方向與藉由該框架切口所表示之方向所形成之角成為0°、90°、180°或270°之方式，將已黏貼於該第二環狀框架之該第二膠膜黏貼於該被加工物的該背面。
一種多層薄膜，其係依序具備易滑層、基材層與接合層的多層薄膜，前述基材層係包含含脂環結構聚合物的層體，前述多層薄膜之其中之一表面係顯露出前述易滑層的表面（s1），前述多層薄膜之另一表面係顯露出前述接合層的表面（s2），前述表面（s1）與前述表面（s2）之間的動摩擦係數及靜摩擦係數皆為0.8以下，前述基材層之與前述易滑層相反之側的表面（s3）和前述表面（s1）之間的動摩擦係數及靜摩擦係數皆為0.8以下。
如請求項1所述之多層薄膜，其中前述表面（s1）之對於水的接觸角θ1（°）與前述表面（s2）之對於水的接觸角θ2（°）滿足｜θ1−θ2｜≧2。
如請求項1所述之多層薄膜，其中前述易滑層包含滑材粒子。
如請求項3所述之多層薄膜，其中前述接合層不含滑材粒子。
如請求項1所述之多層薄膜，其中前述表面（s1）的最大高度Rz為前述接合層之厚度以上且前述易滑層之厚度的6倍以下。
一種光學多層薄膜，其係具備如請求項1至5之任一項所述之多層薄膜與接觸前述多層薄膜之前述接合層側的表面而設置之熱塑性樹脂層的光學多層薄膜，其中前述光學多層薄膜之其中之一表面係顯露出前述易滑層的表面（s1），前述光學多層薄膜之另一表面係顯露出前述熱塑性樹脂層的表面（s4），前述表面（s1）與前述表面（s4）之間的動摩擦係數及靜摩擦係數皆為0.8以下。
如請求項6所述之光學多層薄膜，其中前述熱塑性樹脂層係負型A板。
一種多層薄膜的製造方法，其係如請求項1至5之任一項所述之多層薄膜的製造方法，包含：工序（1），製備薄膜狀的基材層；工序（2），將易滑層設置於前述基材層之其中之一表面，獲得多層物（II）；以及工序（3），將接合層形成於前述多層物（II）之係為與前述易滑層相反之側的表面，獲得作為前述多層薄膜之多層物（III），其中前述多層薄膜為長條形狀的形狀，於前述工序（2）之後且前述工序（3）之前更包含工序（2a），收捲前述多層物（II）做成薄膜卷。
一種光學多層薄膜的製造方法，其係如請求項6所述之光學多層薄膜的製造方法，包含：工序（1），製備薄膜狀的基材層；工序（2），將易滑層設置於前述基材層之其中之一表面，獲得多層物（II）；工序（3），將接合層形成於前述多層物（II）之係為與前述易滑層相反之側的表面，獲得多層物（III）；以及工序（4），將熱塑性樹脂層形成於前述多層物（III）之前述接合層側的表面，獲得多層物（IV），其中前述多層薄膜為長條形狀的形狀，於前述工序（2）之後且前述工序（3）之前更包含工序（2a），收捲前述多層物（II）做成薄膜卷。
如請求項9所述之光學多層薄膜的製造方法，其中前述多層薄膜為長條形狀的形狀，於前述工序（3）之後且前述工序（4）之前更包含工序（3a），收捲前述多層物（III）做成薄膜卷。
如請求項9所述之光學多層薄膜的製造方法，其更包含工序（5），延伸前述多層物（IV）。
一種蝕刻處理系統，其具有：預測部，其藉由向使用學習用資料進行學習所得之預學習模型輸入作為預測對象之基板之圖像資料，而對作為預測對象之基板之蝕刻品質進行預測，上述學習用資料中，利用配置於基板之搬送路徑上之攝像裝置所拍攝到的上述基板之圖像資料、與用以預測上述基板之蝕刻品質之資訊建立有對應關係。
如請求項1之蝕刻處理系統，其中上述預學習模型係使用學習用資料進行學習所得之模型，上述學習用資料將藉由拍攝經蝕刻處理之上述基板所產生之處理後圖像資料作為輸入資料，將藉由進行經蝕刻處理之上述基板的蝕刻品質之檢查而輸出之蝕刻品質資訊作為正解資料。
如請求項1之蝕刻處理系統，其中上述預學習模型係使用學習用資料進行學習所得之模型，上述學習用資料將對處理前圖像資料與處理後圖像資料進行差分所得之差分圖像資料作為輸入資料，上述處理前圖像資料係藉由拍攝蝕刻處理前之上述基板所產生，上述處理後圖像資料係藉由拍攝蝕刻處理後之上述基板所產生，且上述學習用資料將對處理前品質資訊與處理後品質資訊進行差分所得之蝕刻品質資訊作為正解資料，上述處理前品質資訊係藉由進行蝕刻處理前之上述基板之蝕刻品質的關聯項目之檢查而輸出，上述處理後品質資訊係藉由進行蝕刻處理後之上述基板之蝕刻品質的關聯項目之檢查而輸出。
如請求項1之蝕刻處理系統，其中上述預學習模型具有：第1預學習模型，其係使用學習用資料進行學習所得，上述學習用資料將藉由拍攝蝕刻處理前之上述基板所產生之處理前圖像資料作為輸入資料，將藉由進行與蝕刻處理前之上述基板之蝕刻品質的關聯項目之檢查而輸出之處理前品質資訊作為正解資料；及第2預學習模型，其係使用學習用資料進行學習所得，上述學習用資料將藉由拍攝蝕刻處理後之上述基板所產生之處理後圖像資料作為輸入資料，將藉由進行蝕刻處理後之上述基板之蝕刻品質的關聯項目之檢查而輸出之處理後品質資訊作為正解資料；上述預測部基於作為預測對象之基板之處理前品質資訊及處理後品質資訊，對作為預測對象之基板之蝕刻品質進行預測，上述作為預測對象之基板之處理前品質資訊係藉由向上述第1預學習模型輸入藉由拍攝蝕刻處理前之作為預測對象之基板所產生之處理前圖像資料而輸出，上述處理後品質資訊係藉由向上述第2預學習模型輸入藉由拍攝蝕刻處理後之作為預測對象之基板所產生之處理後圖像資料而輸出。
如請求項2之蝕刻處理系統，其中上述預測部將經蝕刻處理之作為預測對象之基板的膜厚值、CD值、截面形狀之相關值中的任一者作為上述蝕刻品質來預測。
如請求項3或4之蝕刻處理系統，其中上述蝕刻品質之關聯項目中包含膜厚值、CD值、截面形狀之相關值中的任一者，上述預測部將經蝕刻處理之作為預測對象之基板的蝕刻量、蝕刻速率、△CD值中的任一者作為上述蝕刻品質來預測。
如請求項6之蝕刻處理系統，其中上述處理前圖像資料及上述處理後圖像資料係特定之顏色分量之圖像資料。
如請求項1之蝕刻處理系統，其進而具有控制部，上述控制部基於所預測出之上述作為預測對象之基板之蝕刻品質，控制較上述作為預測對象之基板後進行蝕刻處理之基板的處理內容。
如請求項1之蝕刻處理系統，其進而具有學習部，上述學習部產生上述預學習模型，並且，於規定條件成立之情形時，對所產生之上述預學習模型進行再學習。
一種蝕刻品質預測方法，其具有：預測步驟，其藉由向使用學習用資料進行學習所得之預學習模型輸入作為預測對象之基板之圖像資料，而對作為預測對象之基板之蝕刻品質進行預測，上述學習用資料中，利用配置於基板之搬送路徑上之攝像裝置所拍攝到的上述基板之圖像資料、與用以預測上述基板之蝕刻品質之資訊建立有對應關係。
一種蝕刻品質預測程式，其用以令電腦執行：預測步驟，其藉由向使用學習用資料進行學習所得之預學習模型輸入作為預測對象之基板之圖像資料，而對作為預測對象之基板之蝕刻品質進行預測，上述學習用資料中，利用配置於基板之搬送路徑上之攝像裝置所拍攝到的上述基板之圖像資料、與用以預測上述基板之蝕刻品質之資訊建立有對應關係。
一種導熱性矽氧組成物，其特徵在於含有下述成分：<br/> (C)選自平均粒徑4 μm以上且小於50 μm的不規則形、團狀及多面體狀的1種以上的氮化鋁粒子；<br/> (D)選自平均粒徑50 μm以上且150 μm以下的不規則形、團狀及多面體狀的1種以上的氮化鋁粒子；及，<br/> (E)選自平均粒徑0.1 μm以上且小於4.0 μm的氮化鋁粒子及氧化鋅粒子中的1種以上；<br/> 前述(C)成分與前述(D)成分的合計含量，是前述組成物整體的20質量%以上且小於80質量%；<br/> 前述(E)成分的調配量，是前述組成物整體的20質量%以上且小於50質量%，並且，前述(D)成分相對於前述(C)成分與前述(D)成分的合計含量的比例，是5質量%以上且小於50質量%。
如請求項1所述之導熱性矽氧組成物，其中，前述(C)成分是團狀的氮化鋁粒子。
如請求項1所述之導熱性矽氧組成物，其中，前述(C)成分在25 ℃、0.1 MPa的條件下將糊劑由厚度300 μm加壓60分鐘時的厚度，成為10 μm以上且100 μm以下，該糊劑是該(C)成分150質量份與在25℃中的動態黏度為1000 mm<sup>2</sup>/s的二甲基聚矽氧烷100質量份混合而成者。
如請求項2所述之導熱性矽氧組成物，其中，前述(C)成分在25 ℃、0.1 MPa的條件下將糊劑由厚度300 μm加壓60分鐘時的厚度，成為10 μm以上且100 μm以下，該糊劑是該(C)成分150質量份與在25℃中的動態黏度為1000 mm<sup>2</sup>/s的二甲基聚矽氧烷100質量份混合而成者。
如請求項1所述之導熱性矽氧組成物，其中，前述(E)成分是不規則形氧化鋅粒子。
如請求項1～5中任一項所述之導熱性矽氧組成物，其中，進一步含有(A)在25℃中的動態黏度為10～100000 mm<sup>2</sup>/s的有機聚矽氧烷。
如請求項6所述之導熱性矽氧組成物，其中，前述(A)成分是一分子中具有1個以上的鍵結於矽原子的脂肪族不飽和烴基之有機聚矽氧烷。
如請求項7所述之導熱性矽氧組成物，其中，進一步含有：<br/> (F)一分子中具有2個以上的鍵結於矽原子的氫原子之有機氫聚矽氧烷；<br/> (G)鉑金屬觸媒；及，<br/> (H)反應控制劑。
如請求項8所述之導熱性矽氧組成物，其中，含有前述(A)成分與前述(F)成分之矽氫化產物。
如請求項8所述之導熱性矽氧組成物，其中，相對於1個的前述(A)成分中的一分子中的鍵結於矽原子的脂肪族不飽和烴基，前述(F)成分中的一分子中的鍵結於矽原子的氫原子為4.0個～20.0個。
如請求項9所述之導熱性矽氧組成物，其中，相對於1個的前述(A)成分中的一分子中的鍵結於矽原子的脂肪族不飽和烴基，前述(F)成分中的一分子中的鍵結於矽原子的氫原子為4.0個～20.0個。
如請求項7所述之導熱性矽氧組成物，其中，進一步含有(I)有機過氧化物。
如請求項1～5中任一項所述之導熱性矽氧組成物，其中，進一步含有(B)含有烷氧基矽基之水解性有機聚矽氧烷。
如請求項13所述之導熱性矽氧組成物，其中，進一步含有(J)縮合觸媒。
一種化合物或其醫藥學上可接受之鹽在製備治療個體與PI4KIIIα活性相關之疾病或病理反應之藥物中之用途，該化合物選自由以下化合物組成之群：<figure><img align="absmiddle" height="108px" width="302px" file="d10001.TIF" alt="化學式ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/></figure>其中該疾病選自腫瘤、細胞內蛋白錯誤摺疊相關疾病、溶酶體貯積病、炎症反應、組織器官纖維化、微生物感染、放射性射線照射導致的細胞組織損傷、動脈粥樣硬化、糖尿病中之至少一種；該腫瘤選自淋巴瘤、宮頸癌、子宮內膜癌、肝癌、乳癌、肺癌、大腸直腸癌、胃癌、皮膚癌、骨癌、骨髓瘤、血癌、卵巢癌、神經母細胞瘤、甲狀腺癌、惡性胚胎橫紋肌瘤；該細胞內蛋白錯誤摺疊相關疾病為帕金森氏病、路易體癡呆症、多系統萎縮症、亨廷頓疾病、或肌萎縮性側索硬化症；該溶酶體貯積病為戈謝病；該微生物感染選自鮑氏不動桿菌、陰溝腸桿菌、大腸桿菌、產酸克雷伯氏桿菌、肺炎桿菌、摩氏摩根氏菌、綠膿桿菌、黏質沙雷氏菌、金黃葡萄球菌、糞腸球菌、屎腸球菌、肺炎鏈球菌、白色念珠菌、近平滑白念珠菌、煙麯黴、淋球菌、破傷風梭菌、痤瘡丙酸桿菌、新型隱球菌、幽門螺桿菌、脆弱擬桿菌、艱難梭菌、陰道加德納菌、陰道阿托波氏菌、厭氧消化鏈球菌、陰道毛滴蟲中之至少一種之感染。
如請求項1之用途，其中該個體係人或非人哺乳動物。
如請求項1之用途，其中該腫瘤選自急性非B或非T細胞淋巴瘤、三陰性乳癌、非小細胞肺癌、小細胞肺癌、黑色素瘤、急性或慢性白血病、腦星型膠質細胞瘤。
如請求項1之用途，其中該組織器官纖維化選自心纖維化、腎纖維化、肺纖維化、肝纖維化、傷口癒合時之纖維化或瘢痕形成或動脈置放支架後之纖維化所致的再狹窄。
如請求項1之用途，其中該微生物感染選自體表或黏膜處感染之微生物感染。
如請求項1之用途，其中該微生物感染選自痤傷、青春痘、外傷、燒傷或燙傷處之微生物感染。
一種製造方法，其係由廢樹脂組成物製造二羥基化合物之方法，其特徵為包含步驟(a1)與步驟(b1)， <br/> 步驟(a1)係處理包含廢樹脂組成物、與第1溶劑、與水的鹼溶液，該廢樹脂組成物包含具有選自由下述一般式(1)～(4)所構成之群組中之至少2個構成單位的樹脂， <br/><img align="absmiddle" height="1164px" width="1169px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="276px" width="1097px" file="ed10026.jpg" alt="ed10026.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [式中， <br/> X<sub>a</sub>、X<sub>b</sub>、X<sub>c</sub>、X<sub>d</sub>、X<sub>e</sub>及X<sub>f</sub>分別獨立表示碳數1～4之伸烷基， <br/> R<sub>a</sub>、R<sub>b</sub>、R<sub>c</sub>、R<sub>cc</sub>、R<sub>d</sub>、R<sub>dd</sub>、R<sub>e</sub>、R<sub>ee</sub>、R<sub>f</sub>及R<sub>ff</sub>分別獨立選自鹵素原子、碳數1～20之烷基、碳數1～20之烷氧基、碳數5～20之環烷基、碳數5～20之環烷氧基、碳數6～20之芳基、包含選自O、N及S中之1個以上之雜環原子的碳數3～20之雜芳基、碳數6～20之芳氧基以及-C≡C-R<sub>i</sub>， <br/> R<sub>i</sub>表示碳數6～20之芳基或包含選自O、N及S中之1個以上之雜環原子的碳數3～20之雜芳基， <br/> a、b、c、d、e及f分別獨立表示0～10之整數， <br/> h、i、j、j’、k、k’、m、m’、n及n’分別獨立表示0～4之整數， <br/> R<sub>g</sub>分別獨立表示氫原子或碳數1～3之烷基] <br/> 而得到包含二羥基化合物的二羥基化合物之混合物、與第1溶劑的反應溶液，該二羥基化合物的混合物包含選自由下述一般式(1’)～(4’)所構成之群組中之第1二羥基化合物，及選自由前述一般式(1’)～(4’)所構成之群組中之至少1個的其他二羥基化合物， <br/><img align="absmiddle" height="1348px" width="1211px" file="ed10027.jpg" alt="ed10027.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [式中，各記號係與在上述一般式(1)～(4)者同義] <br/> 步驟(b1)係從於前述反應溶液，添加第2溶劑所得之結晶化溶液，晶析前述第1二羥基化合物， <br/> 第2溶劑在25℃之第1二羥基化合物的溶解度、與第2溶劑在25℃之其他二羥基化合物的溶解度之差，即其他二羥基化合物的溶解度-第1二羥基化合物的溶解度為0.1g/10mL以上； <br/> 前述廢樹脂組成物為包含具有選自由下述一般式(6)～(8)所構成之群組中之至少1個構成單位的雜質樹脂， <br/><img align="absmiddle" height="905px" width="537px" file="ed10028.jpg" alt="ed10028.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [式中， <br/> X<sub>g</sub>分別獨立表示碳數1～10之伸烷基， <br/> R<sub>j</sub>、R<sub>k</sub>及R<sub>l</sub>分別獨立選自鹵素原子、取代或非取代之碳數1～20之烷基、取代或非取代之碳數1～20之烷氧基、取代或非取代之碳數5～20之環烷基、取代或非取代之碳數5～20之環烷氧基、取代或非取代之碳數6～20之芳基、取代或非取代之包含選自O、N及S中之1個以上之雜環原子的碳數3～20之雜芳基、取代或非取代之碳數6～20之芳氧基以及-C≡C-R<sub>i</sub>， <br/> R<sub>i</sub>表示取代或非取代之碳數6～20之芳基或包含選自O、N及S中之1個以上之雜環原子的碳數3～20之雜芳基， <br/> p分別獨立表示0或1之整數， <br/> q、r及s分別獨立表示0～10之整數， <br/> t表示1～3之整數， <br/> 於此，q為2以上，於2個R<sub>j</sub>存在相鄰之碳原子時，2個R<sub>j</sub>可一起來形成環構造， <br/> r為2以上，於2個R<sub>k</sub>存在相鄰之碳原子時，2個R<sub>k</sub>可一起來形成環構造， <br/> s為2以上，於2個R<sub>l</sub>存在相鄰之碳原子時，2個R<sub>l</sub>可一起來形成環構造， <br/> R<sub>m</sub>表示氫原子或碳數1～3之烷基]。
如請求項1之製造方法，其中，前述結晶化溶液中之第1溶劑及第2溶劑的總含量相對於前述二羥基化合物之混合物的總量，為1～10g/g。
一種製造方法，其係由廢樹脂組成物製造二羥基化合物之方法，其特徵為包含步驟(a1)與步驟(b1)， <br/> 步驟(a1)係處理包含廢樹脂組成物、與第1溶劑、與水的鹼溶液，該廢樹脂組成物包含具有選自由下述一般式(1)～(4)所構成之群組中之至少2個構成單位的樹脂， <br/><img align="absmiddle" height="1164px" width="1169px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="276px" width="1097px" file="ed10026.jpg" alt="ed10026.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [式中， <br/> X<sub>a</sub>、X<sub>b</sub>、X<sub>c</sub>、X<sub>d</sub>、X<sub>e</sub>及X<sub>f</sub>分別獨立表示碳數1～4之伸烷基， <br/> R<sub>a</sub>、R<sub>b</sub>、R<sub>c</sub>、R<sub>cc</sub>、R<sub>d</sub>、R<sub>dd</sub>、R<sub>e</sub>、R<sub>ee</sub>、R<sub>f</sub>及R<sub>ff</sub>分別獨立選自鹵素原子、碳數1～20之烷基、碳數1～20之烷氧基、碳數5～20之環烷基、碳數5～20之環烷氧基、碳數6～20之芳基、包含選自O、N及S中之1個以上之雜環原子的碳數3～20之雜芳基、碳數6～20之芳氧基以及-C≡C-R<sub>i</sub>， <br/> R<sub>i</sub>表示碳數6～20之芳基或包含選自O、N及S中之1個以上之雜環原子的碳數3～20之雜芳基， <br/> a、b、c、d、e及f分別獨立表示0～10之整數， <br/> h、i、j、j’、k、k’、m、m’、n及n’分別獨立表示0～4之整數， <br/> R<sub>g</sub>分別獨立表示氫原子或碳數1～3之烷基] <br/> 而得到包含二羥基化合物的二羥基化合物之混合物、與第1溶劑的反應溶液，該二羥基化合物的混合物包含選自由下述一般式(1’)～(4’)所構成之群組中之第1二羥基化合物，及選自由前述一般式(1’)～(4’)所構成之群組中之至少1個的其他二羥基化合物， <br/><img align="absmiddle" height="1348px" width="1211px" file="ed10027.jpg" alt="ed10027.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [式中，各記號係與在上述一般式(1)～(4)者同義] <br/> 步驟(b1)係從於前述反應溶液，添加第2溶劑所得之結晶化溶液，晶析前述第1二羥基化合物， <br/> 第2溶劑在25℃之第1二羥基化合物的溶解度、與第2溶劑在25℃之其他二羥基化合物的溶解度之差，即其他二羥基化合物的溶解度-第1二羥基化合物的溶解度為0.1g/10mL以上； <br/> 前述結晶化溶液中之第1溶劑及第2溶劑的總含量相對於前述二羥基化合物之混合物的總量，為1.5～7.5g/g。
如請求項3之製造方法，其中，前述廢樹脂組成物為包含具有選自由下述一般式(6)～(8)所構成之群組中之至少1個構成單位的雜質樹脂， <br/><img align="absmiddle" height="905px" width="537px" file="ed10028.jpg" alt="ed10028.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [式中， <br/> X<sub>g</sub>分別獨立表示碳數1～10之伸烷基， <br/> R<sub>j</sub>、R<sub>k</sub>及R<sub>l</sub>分別獨立選自鹵素原子、取代或非取代之碳數1～20之烷基、取代或非取代之碳數1～20之烷氧基、取代或非取代之碳數5～20之環烷基、取代或非取代之碳數5～20之環烷氧基、取代或非取代之碳數6～20之芳基、取代或非取代之包含選自O、N及S中之1個以上之雜環原子的碳數3～20之雜芳基、取代或非取代之碳數6～20之芳氧基以及-C≡C-R<sub>i</sub>， <br/> R<sub>i</sub>表示取代或非取代之碳數6～20之芳基或包含選自O、N及S中之1個以上之雜環原子的碳數3～20之雜芳基， <br/> p分別獨立表示0或1之整數， <br/> q、r及s分別獨立表示0～10之整數， <br/> t表示1～3之整數， <br/> 於此，q為2以上，於2個R<sub>j</sub>存在相鄰之碳原子時，2個R<sub>j</sub>可一起來形成環構造， <br/> r為2以上，於2個R<sub>k</sub>存在相鄰之碳原子時，2個R<sub>k</sub>可一起來形成環構造， <br/> s為2以上，於2個R<sub>l</sub>存在相鄰之碳原子時，2個R<sub>l</sub>可一起來形成環構造， <br/> R<sub>m</sub>表示氫原子或碳數1～3之烷基]。
如請求項1～4中任一項之製造方法，其中，前述結晶化溶液進一步包含種晶。
如請求項1～4中任一項之製造方法，其中，前述結晶化溶液中之第1溶劑的含量相對於前述二羥基化合物之混合物的總量，為0.1～10g/g。
如請求項1～4中任一項之製造方法，其中，前述結晶化溶液中之第2溶劑的含量相對於前述二羥基化合物之混合物的總量，為0.3～3g/g。
如請求項1～4中任一項之製造方法，其中，前述結晶化溶液中之第1溶劑的含量(g/g)相對於第2溶劑的含量(g/g)之比，即第1溶劑/第2溶劑為0.8～10。
如請求項1～4中任一項之製造方法，其中，前述第1溶劑為芳香族烴系溶劑。
如請求項1～4中任一項之製造方法，其中，前述第2溶劑為酮溶劑。
如請求項9之製造方法，其中，前述第2溶劑為酮溶劑。
一種製造方法，其係由廢樹脂組成物製造二羥基化合物之方法，其特徵為包含步驟(a2)與步驟(b2)， <br/> 步驟(a2)係處理包含廢樹脂組成物、與第1溶劑、與水的鹼溶液，該廢樹脂組成物包含具有選自由下述一般式(1)～(4)所構成之群組中之至少2個構成單位的樹脂， <br/><img align="absmiddle" height="1385px" width="1179px" file="ed10031.jpg" alt="ed10031.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [式中， <br/> X<sub>a</sub>、X<sub>b</sub>、X<sub>c</sub>、X<sub>d</sub>、X<sub>e</sub>及X<sub>f</sub>分別獨立表示碳數1～4之伸烷基， <br/> R<sub>a</sub>、R<sub>b</sub>、R<sub>c</sub>、R<sub>cc</sub>、R<sub>d</sub>、R<sub>dd</sub>、R<sub>e</sub>、R<sub>ee</sub>、R<sub>f</sub>及R<sub>ff</sub>分別獨立選自鹵素原子、碳數1～20之烷基、碳數1～20之烷氧基、碳數5～20之環烷基、碳數5～20之環烷氧基、碳數6～20之芳基、包含選自O、N及S中之1個以上之雜環原子的碳數3～20之雜芳基、碳數6～20之芳氧基以及-C≡C-R<sub>i</sub>， <br/> R<sub>i</sub>表示碳數6～20之芳基或包含選自O、N及S中之1個以上之雜環原子的碳數3～20之雜芳基， <br/> a、b、c、d、e及f分別獨立表示0～10之整數， <br/> h、i、j、j’、k、k’、m、m’、n及n’分別獨立表示0～4之整數， <br/> R<sub>g</sub>分別獨立表示氫原子或碳數1～3之烷基] <br/> 而得到包含二羥基化合物的二羥基化合物之混合物、與第1溶劑的反應溶液，該二羥基化合物之混合物包含選自由下述一般式(1’)～(4’)所構成之群組中之第1二羥基化合物，及選自由前述一般式(1’)～(4’)所構成之群組中之至少1個的其他二羥基化合物， <br/><img align="absmiddle" height="788px" width="980px" file="ed10032.jpg" alt="ed10032.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="582px" width="1221px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [式中，各記號係與在上述一般式(1)～(4)者同義] <br/> 步驟(b2)係從前述反應溶液，至少晶析前述第1二羥基化合物， <br/> 前述步驟(b2)包含將反應溶液加熱至80℃以上， <br/> 前述廢樹脂組成物為包含具有選自由下述一般式(6)～(8)所構成之群組中之至少1個構成單位的雜質樹脂， <br/><img align="absmiddle" height="905px" width="537px" file="ed10028.jpg" alt="ed10028.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [式中， <br/> X<sub>g</sub>分別獨立表示碳數1～10之伸烷基， <br/> R<sub>j</sub>、R<sub>k</sub>及R<sub>l</sub>分別獨立選自鹵素原子、取代或非取代之碳數1～20之烷基、取代或非取代之碳數1～20之烷氧基、取代或非取代之碳數5～20之環烷基、取代或非取代之碳數5～20之環烷氧基、取代或非取代之碳數6～20之芳基、取代或非取代之包含選自O、N及S中之1個以上之雜環原子的碳數3～20之雜芳基、取代或非取代之碳數6～20之芳氧基以及-C≡C-R<sub>i</sub>， <br/> R<sub>i</sub>表示取代或非取代之碳數6～20之芳基或包含選自O、N及S中之1個以上之雜環原子的碳數3～20之雜芳基， <br/> p分別獨立表示0或1之整數， <br/> q、r及s分別獨立表示0～10之整數， <br/> t表示1～3之整數， <br/> 於此，q為2以上，於2個R<sub>j</sub>存在相鄰之碳原子時，2個R<sub>j</sub>可一起來形成環構造， <br/> r為2以上，於2個R<sub>k</sub>存在相鄰之碳原子時，2個R<sub>k</sub>可一起來形成環構造， <br/> s為2以上，於2個R<sub>l</sub>存在相鄰之碳原子時，2個R<sub>l</sub>可一起來形成環構造， <br/> R<sub>m</sub>表示氫原子或碳數1～3之烷基]。
一種再生樹脂之製造方法，其係包含聚合以如請求項1～4中任一項之方法所製造之二羥基化合物。
一種再生樹脂之製造方法，其係包含聚合以如請求項12之方法所製造之二羥基化合物。
一種固體電解質粉末，包含表面被覆粒子，前述表面被覆粒子具有：固體電解質粒子，含有氧化物系之無機固體電解質材料；及被覆層，覆蓋前述固體電解質粒子的表面的至少一部分；<br/> 前述被覆層包含下述通式(I)所表示之硼酸鋰鹽，前述固體電解質粉末中的前述硼酸鋰鹽的含量為0.5質量%以上至5.5質量%以下；<br/> Li<sub>x</sub>B<sub>y</sub>O<sub>z</sub> (I)<br/> 通式(I)中，x及y滿足0.65≦x/(x＋y)≦0.85，z滿足z≧2；<br/> 前述固體電解質粒子的前述無機固體電解質材料含有下述通式(II)所表示之氧化物；<br/> A<sub>2/3-x</sub>Li<sub>3x</sub>TiO<sub>3</sub> (II)<br/> 通式(II)中，x滿足0.04＜x＜0.14，A為選自鑭系元素中的一種以上之元素。
如請求項1所記載之固體電解質粉末，其中前述被覆層中的前述硼酸鋰鹽包含選自由Li<sub>3</sub>BO<sub>3</sub>、LiBO<sub>2</sub>、Li<sub>2</sub>B<sub>4</sub>O<sub>7</sub>及Li<sub>10</sub>B<sub>2</sub>O<sub>8</sub>所組成之群組中的至少一種。
如請求項1或2所記載之固體電解質粉末，其中前述固體電解質粒子的平均粒徑D50為0.05μm至100μm。
如請求項1或2所記載之固體電解質粉末，其中前述被覆層的厚度為0.15μm至0.30μm。
如請求項1或2所記載之固體電解質粉末，其中前述表面被覆粒子的平均粒徑D50為0.35μm至100.6μm。
一種蝕刻方法，包括：接收基板，該基板具有形成在其上方的釕，其中釕表面係暴露在該基板的表面上；將該基板的該表面暴露於第一蝕刻溶液，使該第一蝕刻溶液接觸該釕表面，其中該第一蝕刻溶液包括被溶解在第一溶劑中的鹵化試劑，且其中該鹵化試劑將該釕表面進行化學改質而將經鹵化釕鈍化層形成在該釕表面上，其中該經鹵化釕鈍化層具有自限性且不溶於該第一蝕刻溶液；在該經鹵化釕鈍化層形成後，將該第一蝕刻溶液從該基板的該表面移除；將該基板的該表面暴露於第二蝕刻溶液，該第二蝕刻溶液包括反應試劑及第二溶劑，其中該反應試劑係會與該經鹵化釕鈍化層產生反應且接合的配位基物種以形成被該第二溶劑溶解的可溶性物種；以及將該第二蝕刻溶液及該可溶性物種從該基板移除。
如請求項1之蝕刻方法，其中該鹵化試劑包括氯化試劑、氟化試劑或溴化試劑。
如請求項1之蝕刻方法，其中該第一蝕刻溶液包括氯化試劑，該氯化試劑包括三氯異三聚氰酸(TCCA)、草醯氯、亞硫醯氯或N-氯代琥珀醯亞胺。
如請求項1之蝕刻方法，其中該第一溶劑包括乙酸乙酯(EA)、丙酮、乙腈或氯代碳氫化合物(chlorocarbon)。
如請求項1之蝕刻方法，其中該經鹵化釕鈍化層包括三氯化釕(RuCl<sub>3</sub>)。
如請求項1之蝕刻方法，其中該第二蝕刻溶液中的該第二溶劑包括鹼。
如請求項1之蝕刻方法，其中該配位基物種包括乙二胺四乙酸(EDTA)、亞胺基二乙酸(IDA)、二伸乙基三胺基五乙酸(DTPA)或乙醯丙酮(ACAC)，且其中該第二蝕刻溶液中的該第二溶劑包括鹼。
如請求項1之蝕刻方法，更包含：將下列步驟重複進行複數循環，直到從該基板移除預定量的該釕：將該基板的該表面暴露於該第一蝕刻溶液、將該第一蝕刻溶液移除、將該基板的該表面暴露於該第二蝕刻溶液，以及將該第二蝕刻溶液移除。
一種蝕刻方法，包括：接收基板，該基板具有形成在其上方的釕，其中釕表面係暴露在該基板的表面上；將該基板的該表面暴露於第一蝕刻溶液，使該第一蝕刻溶液接觸該釕表面，該第一蝕刻溶液包括一或更多物種，該一或更多物種驅使鈍化層形成在該釕表面上，其中該鈍化層具有自限性且不溶於該第一蝕刻溶液，其中該第一蝕刻溶液中的該一或更多物種包括氧化劑、陽離子，以及對該釕具有反應性的氯來源；在該鈍化層形成後，將該第一蝕刻溶液從該基板的該表面移除；將該基板的該表面暴露於第二蝕刻溶液，該第二蝕刻溶液包括反應試劑及溶劑，該反應試劑會與該鈍化層產生反應，並且形成被該溶劑溶解的可溶性物種；以及將該第二蝕刻溶液及該可溶性物種從該基板移除。
如請求項9之蝕刻方法，其中該鈍化層包括釕酸鹽或過釕酸鹽。
如請求項9之蝕刻方法，其中該氯來源包括鹽酸，且其中該鈍化層的氧化量係被該第一蝕刻溶液中的該鹽酸的濃度所控制。
如請求項9之蝕刻方法，更包括將下列步驟重複進行複數循環，直到從該基板移除預定量的該釕：將該基板的該表面暴露於該第一蝕刻溶液、將該第一蝕刻溶液移除、將該基板的該表面暴露於該第二蝕刻溶液，以及將該第二蝕刻溶液移除。
一種使用濕式原子層蝕刻(ALE)處理來蝕刻基板的方法，包括：a)接收該基板，該基板上方具有釕(Ru)層；b)將該Ru層暴露於第一蝕刻溶液，該第一蝕刻溶液包含鹵化試劑，從而形成經化學改質Ru表面層，該經化學改質Ru表面層包含釕鹵化物或釕鹵氧化物；c)利用第一清除溶液淋洗該基板，從而將該第一蝕刻溶液從該基板的表面移除；d)將該經化學改質Ru表面層暴露於第二蝕刻溶液以溶解該經化學改質Ru表面層，其中該第二蝕刻溶液包括被溶解在第二溶劑中的配位基，其中該配位基會與該經化學改質Ru表面層產生反應且接合，從而形成溶解在該第二溶劑中的可溶性物種；e)利用第二清除溶液淋洗該基板，從而將該第二蝕刻溶液從該基板的該表面移除；及f)將步驟b)至步驟e)重複進行一或更多循環。
如請求項13之使用濕式ALE處理來蝕刻基板的方法，其中該第一蝕刻溶液包括被溶解在第一溶劑中的氯化試劑，其中該氯化試劑會與該Ru層產生反應而形成釕氯化物。
如請求項14之使用濕式ALE處理來蝕刻基板的方法，其中該氯化試劑包括三氯異三聚氰酸(TCCA)、草醯氯、亞硫醯氯或N-氯代琥珀醯亞胺，且其中該第一溶劑包括乙酸乙酯(EA)、丙酮、乙腈或氯代碳氫化合物。
如請求項14之使用濕式ALE處理來蝕刻基板的方法，其中該配位基包括乙二胺四乙酸(EDTA)、亞胺基二乙酸(IDA)、二伸乙基三胺基五乙酸(DTPA)或乙醯丙酮(ACAC)，且其中該第二溶劑包括鹼。
一種使用濕式原子層蝕刻(ALE)處理來蝕刻基板的方法，包括：a)接收該基板，該基板上方具有釕(Ru)層；b)將該Ru層暴露於第一蝕刻溶液，該第一蝕刻溶液包含氧化劑、陽離子，以及對該Ru層具有反應性的氯來源，從而形成經化學改質Ru表面層，該經化學改質Ru表面層包含釕鹽；c)利用第一清除溶液淋洗該基板，從而將該第一蝕刻溶液從該基板的表面移除；d)將該經化學改質Ru表面層暴露於第二蝕刻溶液以溶解該經化學改質Ru表面層；e)利用第二清除溶液淋洗該基板，從而將該第二蝕刻溶液從該基板的該表面移除；及f)將步驟b)至步驟e)重複進行一或更多循環。
如請求項17之使用濕式ALE處理來蝕刻基板的方法，其中該第一蝕刻溶液內的該氯來源包括鹽酸(HCl)。
如請求項17之使用濕式ALE處理來蝕刻基板的方法，其中該第一蝕刻溶液內的該氧化劑包括過硫酸銨(APS)或過單硫酸四丁基銨(TBAPMS)，且其中該第一蝕刻溶液內的該陽離子包括四甲基銨陽離子(TMA<sup>+</sup>)、四烷基銨陽離子、鏻陽離子、吡啶陽離子、吡咯啶陽離子或鋶陽離子。
如請求項17之使用濕式ALE處理來蝕刻基板的方法，其中該第一蝕刻溶液更包括鹽類，且其中該鹽類包括氯化四甲基銨(TMAC)或氯化1-丁基-3-甲基咪唑。
如請求項17之使用濕式ALE處理來蝕刻基板的方法，其中該經化學改質Ru表面層不溶於該第一蝕刻溶液中，但溶於該第二蝕刻溶液中。
如請求項21之使用濕式ALE處理來蝕刻基板的方法，其中該第二蝕刻溶液包括三氯苯。
如請求項17之使用濕式ALE處理來蝕刻基板的方法，其中該經化學改質Ru表面層不溶於該第一蝕刻溶液中，其中該方法更包括使用離子交換以改善該經化學改質Ru表面層的溶解度。
如請求項23之使用濕式ALE處理來蝕刻基板的方法，其中該第二蝕刻溶液包括鉀氯化物(KCl)及鉀氫氧化物(KOH)。
一種可固化導熱組成物，其包含： <br/>a. 1.0至4.0重量百分比之乙烯基官能性聚矽氧聚合物，其係多於一種乙烯基二甲基封端之聚二甲基矽氧烷的一者或組合，該乙烯基官能性聚矽氧聚合物具有在30至2000毫帕*秒範圍內之黏度，如藉由ASTM D445-21在25攝氏度下以使用玻璃毛細管Cannon-Fenske型黏度計所判定； <br/>b. 至少一種矽氫(silyl-hydride)官能性聚矽氧烷交聯劑，其含有每分子至少兩個矽氫基團，且以提供在0.5至1.0範圍內之該組成物的矽氫基團與乙烯基之莫耳比的濃度存在； <br/>c. 填料處理劑，其濃度在0.1至2.0重量百分比範圍內，其中該等填料處理劑係多於一種選自三烷氧基矽基化合物之化合物的任何一者或任何組合； <br/>d. 導熱填料，其濃度在94至97重量百分比範圍內，其中該導熱填料包含： <br/>i. 第一導熱填料，其係在30至55重量百分比範圍內的濃度下具有在60至150微米範圍內之Dv50的鑽石粒子； <br/>ii. 第二導熱填料，其係在25至35重量百分比範圍內的濃度下具有在大於1.0至10微米範圍內之Dv50的導熱填料； <br/>iii. 第三導熱填料，其係在10至20重量百分比範圍內的濃度下具有在0.1至1.0微米範圍內之Dv50的導熱填料；及 <br/>iv. 可選地，第四導熱填料，其係在0至20重量百分比範圍內的濃度下具有在20至小於60微米範圍內之Dv50的導熱填料； <br/>其中重量百分比係相對於可固化導熱組成物重量。
如請求項1之可固化導熱組成物，其中該可固化導熱組成物進一步包含： <br/>e. 在0.03至0.4重量百分比範圍內的濃度下的基於鉑之矽氫化催化劑，其中重量百分比係指鉑相對於可固化導熱組成物重量的重量。
如請求項1或請求項2之可固化導熱組成物，其中該可固化導熱組成物進一步包含： <br/>f. 在0.001至0.005重量百分比範圍內的濃度下的固化抑制劑，其中重量百分比相對於可固化導熱組成物重量。
如請求項1或請求項2之可固化導熱組成物，其中該乙烯基官能性聚矽氧聚合物具有平均化學結構(I)： <br/><br/>Vi(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>SiO-((CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>SiO)<sub>d</sub>-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>Vi (I) <br/><br/>其中d係((CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>SiO)基團之平均數目，且具有25或更大且同時350或更小之值。
如請求項1或請求項2之可固化導熱組成物，其中該矽氫官能性聚矽氧烷交聯劑係選自由下列組成之群組之聚合物的一者或兩者之組合：(i)三甲基封端之二甲基-共-氫甲基聚矽氧烷，其黏度為14毫帕*秒且含有氫化矽基(silylhydride)基團中0.36重量百分比的氫；及(ii)氫化物封端之聚二甲基矽氧烷，其具有在7至10毫帕*秒範圍內之黏度且含有氫化矽基基團中0.16重量百分比的氫，其中黏度係如藉由ASTM D445-21在25攝氏度下使用玻璃毛細管Cannon-Fenske型黏度計所判定。
如請求項1或請求項2之可固化導熱組成物，其中： <br/>a. 該第二導熱填料其具有在大於1微米至5微米範圍內之Dv50的且係選自由氮化鋁及氧化鋁所組成之群組的一者或多於一者； <br/>b. 該第三導熱填料其具有在0.1至1.0微米範圍內之Dv50且係氧化鋅；及 <br/>c. 存在該第四導熱填料，其係具有在40至小於60微米範圍內之Dv50的氮化鋁導熱填料。
如請求項1之可固化導熱組成物，其包含： <br/>a. 2.7至3.3重量百分比之乙烯基二甲基封端之聚二甲基矽氧烷，其具有在75至80毫帕*秒範圍內的黏度； <br/>b. 0.04重量百分比之黏度為14毫帕*秒的三甲基封端之二甲基共-氫甲基聚矽氧烷及0.5至0.6重量百分比之黏度在7至10毫帕*秒範圍內的氫化物封端之聚二甲基矽氧烷的摻合物； <br/>c. 由0.2重量百分比的正癸基三甲氧基矽烷及0.10至0.12重量百分比的單三甲氧基矽氧基及三甲基矽氧基封端之聚二甲基矽氧烷組成的填料處理劑，其具有平均化學結構(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>SiO[(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>SiO]<sub>30</sub>Si(OCH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>； <br/>d. 由下列組成之導熱填料： <br/>i. 34重量百分比之具有120微米之Dv50的鑽石粒子；或30.5重量百分比之具有120微米之Dv50的鑽石粒子及20重量百分比之具有20微米之Dv50的鑽石粒子；或50.4至50.8重量百分比之具有60微米之Dv50的鑽石粒子； <br/>ii. 30重量百分比之具有在2至5微米範圍內之Dv50的球形氧化鋁粒子；或19重量百分比之具有2微米Dv50的球形氧化鋁粒子與10重量百分比之具有1.5微米Dv50的不規則氮化鋁粒子組合； <br/>iii. 15重量百分比之具有0.2微米Dv50的不規則氧化鋅粒子；及 <br/>iv. 可選地16.50重量百分比之具有在30至50微米範圍內之Dv50的球形氮化鋁粒子； <br/>e. 0.06重量百分比之鉑矽氫化催化劑；及 <br/>f. 0.002重量百分比之甲基(參(1,1,-二甲基-2-丙炔氧基)矽烷； <br/>其中重量百分比係相對於該可固化導熱組成物之重量。
一種使用請求項1-7中任一項之可固化導熱組成物的方法，該方法包含在兩個組件之間施加該可固化導熱組成物且與兩個組件接觸，且接著加熱該可固化組成物以固化該可固化組成物，同時置放於該等組件之間。
如請求項8之方法，其中該可固化導熱組成物之該施加涉及擠出該可固化導熱組成物。
一種適用作受益於組件之間有效導熱的裝置之物品，其包含如請求項1至7中任一項之在該物品之兩個組件之間且與該物品之兩個組件接觸的可固化導熱組成物，其中該可固化導熱組成物呈固化或非固化形式。
一種啤酒風味飲料的製造方法，其具有將3.0℃～15.0℃的啤酒風味原液及3.0℃～15.0℃的可食性水溶液進行混合之混合步驟， <br/> 滿足下述條件式(1)： <br/> 條件式(1)：1.5≦可食性水溶液的重量(g)/啤酒風味原液的重量(g)≦7.0。
如請求項1之製造方法，其中，前述混合步驟係在開放容器中施行。
如請求項2之製造方法，其中，前述開放容器的容量為3L以下。
如請求項1至3中任一項之製造方法，其中，前述可食性水溶液為含有碳酸之水溶液。
一種啤酒風味飲料的提供方法，其係將3.0℃～15.0℃的啤酒風味原液及3.0℃～15.0℃的可食性水溶液進行混合而提供， <br/> 滿足下述條件式(1)： <br/> 條件式(1)：1.5≦可食性水溶液的重量(g)/啤酒風味原液的重量(g)≦7.0。
一種啤酒風味飲料製造用原料液套組，其包含3.0℃～15.0℃的啤酒風味原液及3.0℃～15.0℃的可食性水溶液， <br/> 滿足下述條件式(1)： <br/> 條件式(1)：1.5≦可食性水溶液的重量(g)/啤酒風味原液的重量(g)≦7.0。
一種處理方法，係處理由第1基板與第2基板接合而成之重合基板，包含以下步驟：<br/> 向該第1基板與該第2基板之界面照射界面用雷射光，而在該界面形成接合力降低之未接合區域；<br/> 檢查該未接合區域之形成狀態；<br/> 沿著該第1基板之周緣部與該第1基板之中央部之邊界形成周緣改質層；以及，<br/> 以該周緣改質層為基點將該周緣部去除；<br/> 該未接合區域之形成狀態之檢查，包含以下步驟：<br/> 利用攝影機攝影該未接合區域；<br/> 從該未接合區域之攝影影像，對於在第1基板之周方向或徑方向之至少任一者排列設定之複數之分割區域，分別取得該未接合區域在俯視下之灰度值之分布；以及，<br/> 將取得之該灰度值與預先設定之閾值進行比較，以檢查該未接合區域之形成狀態。
一種處理方法，係處理由第1基板與第2基板接合而成之重合基板，包含以下步驟：<br/> 向該第1基板與該第2基板之界面照射界面用雷射光，而在該界面形成接合力降低之未接合區域；<br/> 檢查該未接合區域之形成狀態；<br/> 沿著該第1基板之周緣部與該第1基板之中央部之邊界形成周緣改質層；以及，<br/> 以該周緣改質層為基點將該周緣部去除；<br/> 該未接合區域之形成狀態之檢查，包含以下步驟：<br/> 利用攝影機攝影該未接合區域；<br/> 從該未接合區域之攝影影像，取得該未接合區域在俯視下之灰度值之分布；以及，<br/> 將取得之該灰度值與預先設定之閾值進行比較，以檢查該未接合區域之形成狀態；<br/> 作為與該閾值比較之對象之該灰度值之參數，包含從該攝影影像取得之灰度值之平均值或標準差中的至少任一者。
一種處理方法，係處理由第1基板與第2基板接合而成之重合基板，包含以下步驟：<br/> 向該第1基板與該第2基板之界面照射界面用雷射光，而在該界面形成接合力降低之未接合區域；<br/> 檢查該未接合區域之形成狀態；<br/> 沿著該第1基板之周緣部與該第1基板之中央部之邊界形成周緣改質層；以及，<br/> 以該周緣改質層為基點將該周緣部去除；<br/> 該未接合區域之形成狀態之檢查，包含以下步驟：<br/> 利用攝影機攝影該未接合區域；<br/> 從該未接合區域之攝影影像，取得該未接合區域在俯視下之灰度值之分布；以及，<br/> 將取得之該灰度值與預先設定之閾值進行比較，以檢查該未接合區域之形成狀態；<br/> 於該第1基板之內部，在形成該周緣改質層時，形成在該周緣改質層與該未接合區域之間伸展之龜裂；<br/> 該處理方法更包含檢查該周緣改質層或該龜裂中的至少任一者之形成狀態之步驟；<br/> 該周緣改質層或該龜裂之形成狀態之檢查，包含以下步驟：<br/> 利用攝影機攝影該周緣改質層及該龜裂；<br/> 從該周緣改質層及該龜裂之攝影影像，取得該第1基板在俯視下之灰度值之分布；以及，<br/> 將取得之該灰度值與預先設定之第2閾值進行比較，以檢查是否已在該第1基板之全周形成該周緣改質層或該龜裂；<br/> 作為與該第2閾值比較之對象之該灰度值之參數，包含從該攝影影像取得之灰度值之平均值、標準差或灰度值變位量分布之高度及徑方向寬度中的至少任一者。
如請求項1所述之處理方法，更包含以下步驟：<br/> 相互比較對於複數之該分割區域之各者取得之各自的灰度值。
如請求項1所述之處理方法，其中，<br/> 作為與該閾值比較之對象之該灰度值之參數，包含從該攝影影像取得之灰度值之平均值或標準差中的至少任一者。
如請求項1或2所述之處理方法，其中，<br/> 於該第1基板之內部，在形成該周緣改質層時，形成在該周緣改質層與該未接合區域之間伸展之龜裂；<br/> 該處理方法更包含檢查該周緣改質層或該龜裂中的至少任一者之形成狀態之步驟。
如請求項6所述之處理方法，其中，<br/> 該周緣改質層或該龜裂之形成狀態之檢查，包含以下步驟：<br/> 利用攝影機攝影該周緣改質層及該龜裂；<br/> 從該周緣改質層及該龜裂之攝影影像，取得該第1基板在俯視下之灰度值之分布；以及，<br/> 將取得之該灰度值與預先設定之第2閾值進行比較，以檢查是否已在該第1基板之全周形成該周緣改質層或該龜裂。
如請求項7所述之處理方法，其中，<br/> 作為與該第2閾值比較之對象之該灰度值之參數，包含從該攝影影像取得之灰度值之平均值、標準差或灰度值變位量分布之高度及徑方向寬度中的至少任一者。
如請求項1~5中任一項所述之處理方法，更包含以下步驟：<br/> 檢查是否已從該重合基板將去除對象之該周緣部去除；<br/> 該周緣部之去除狀態之檢查包含以下步驟：<br/> 利用攝影機攝影去除該周緣部後之該第1基板之端部；<br/> 從去除該周緣部後之該第1基板之端部之攝影影像，取得該第1基板之在俯視下與該周緣部對應之位置之灰度值之分布；以及，<br/> 將去除該周緣部後之灰度值之分布與預先設定之第3閾值進行比較，以檢查是否已在該第1基板之全周去除該周緣部。
如請求項9所述之處理方法，更包含以下步驟：<br/> 利用攝影機攝影去除該周緣部前之該第1基板之端部；以及，<br/> 從去除該周緣部前之該第1基板之端部之攝影影像，取得該第1基板之在俯視下與該周緣部對應之位置之灰度值之分布；<br/> 該第3閾值，係從去除該周緣部前之該第1基板之端部之攝影影像取得之該灰度值之分布。
一種處理系統，係處理由第1基板與第2基板接合而成之重合基板，包含：<br/> 界面改質裝置，向該第1基板與該第2基板之界面照射界面用雷射光，而形成降低該界面之接合力之未接合區域；<br/> 檢查裝置，檢查該未接合區域之形成狀態；<br/> 內部改質裝置，沿著該第1基板之周緣部與該第1基板之中央部之邊界，形成周緣改質層；<br/> 周緣去除裝置，以該周緣改質層為基點去除該周緣部；以及，<br/> 控制裝置；<br/> 該控制裝置，在該檢查裝置之檢查中執行以下控制：<br/> 利用攝影機攝影該未接合區域；<br/> 從該未接合區域之攝影影像，對於在第1基板之周方向或徑方向之至少任一者排列設定之複數之分割區域，分別取得該未接合區域在俯視下之灰度值之分布；以及，<br/> 將取得之該灰度值與預先設定之閾值進行比較。
一種處理系統，係處理由第1基板與第2基板接合而成之重合基板，包含：<br/> 界面改質裝置，向該第1基板與該第2基板之界面照射界面用雷射光，而形成降低該界面之接合力之未接合區域；<br/> 檢查裝置，檢查該未接合區域之形成狀態；<br/> 內部改質裝置，沿著該第1基板之周緣部與該第1基板之中央部之邊界，形成周緣改質層；<br/> 周緣去除裝置，以該周緣改質層為基點去除該周緣部；以及，<br/> 控制裝置；<br/> 該控制裝置，在該檢查裝置之檢查中執行以下控制：<br/> 利用攝影機攝影該未接合區域；<br/> 從該未接合區域之攝影影像取得該未接合區域在俯視下之灰度值之分布；以及，<br/> 將取得之該灰度值與預先設定之閾值進行比較；<br/> 作為與該閾值比較之對象之該灰度值之參數，包含從該攝影影像取得之灰度值之平均值或標準差之至少任一者。
一種處理系統，係處理由第1基板與第2基板接合而成之重合基板，包含：<br/> 界面改質裝置，向該第1基板與該第2基板之界面照射界面用雷射光，而形成降低該界面之接合力之未接合區域；<br/> 檢查裝置，檢查該未接合區域之形成狀態；<br/> 內部改質裝置，沿著該第1基板之周緣部與該第1基板之中央部之邊界，形成周緣改質層；<br/> 周緣去除裝置，以該周緣改質層為基點去除該周緣部；以及，<br/> 控制裝置；<br/> 該控制裝置，在該檢查裝置之檢查中執行以下控制：<br/> 利用攝影機攝影該未接合區域；<br/> 從該未接合區域之攝影影像取得該未接合區域在俯視下之灰度值之分布；以及，<br/> 將取得之該灰度值與預先設定之閾值進行比較；<br/> 該控制裝置執行以下控制：<br/> 在該周緣改質層之形成時，使該內部改質裝置進行動作，以在該第1基板之內部使龜裂在該周緣改質層與該未接合區域之間伸展；以及，<br/> 使該檢查裝置進行動作，以檢查該周緣改質層或該龜裂之至少任一者之形成狀態；<br/> 該控制裝置在該周緣改質層或該龜裂之檢查時，執行以下控制：<br/> 利用攝影機攝影該周緣改質層及該龜裂；<br/> 從該周緣改質層及該龜裂之攝影影像，取得該第1基板在俯視下之灰度值之分布；以及，<br/> 將取得之該灰度值與預先設定之第2閾值進行比較；<br/> 作為與該第2閾值比較之對象之該灰度值之參數，包含從該攝影影像取得之灰度值之平均值、標準差或灰度值變位量分布之高度、徑方向寬度中的至少任一者。
如請求項11所述之處理系統，其中，<br/> 該控制裝置執行以下控制：<br/> 相互比較對於複數之該分割區域之各者取得之各灰度值。
如請求項11所述之處理系統，其中，<br/> 作為與該閾值比較之對象之該灰度值之參數，包含從該攝影影像取得之灰度值之平均值或標準差之至少任一者。
如請求項11或12所述之處理系統，其中，<br/> 該控制裝置執行以下控制：<br/> 在該周緣改質層之形成時，使該內部改質裝置進行動作，以在該第1基板之內部使龜裂在該周緣改質層與該未接合區域之間伸展；以及，<br/> 使該檢查裝置進行動作，以檢查該周緣改質層或該龜裂之至少任一者之形成狀態。
如請求項16所述之處理系統，其中，<br/> 該控制裝置在該周緣改質層或該龜裂之檢查時，執行以下控制：<br/> 利用攝影機攝影該周緣改質層及該龜裂；<br/> 從該周緣改質層及該龜裂之攝影影像，取得該第1基板在俯視下之灰度值之分布；以及，<br/> 將取得之該灰度值與預先設定之第2閾值進行比較。
如請求項17所述之處理系統，其中，<br/> 作為與該第2閾值比較之對象之該灰度值之參數，包含從該攝影影像取得之灰度值之平均值、標準差或灰度值變位量分布之高度、徑方向寬度中的至少任一者。
如請求項11~15中任一項所述之處理系統，其中，<br/> 該控制裝置執行以下控制：<br/> 使該檢查裝置進行動作，以檢查是否已從該重合基板去除作為去除對象之該周緣部；<br/> 該控制裝置更在該周緣部之去除狀態之檢查中執行以下控制：<br/> 利用攝影機攝影去除該周緣部後之該第1基板之端部；<br/> 從去除該周緣部後之該第1基板之端部之攝影影像，取得該第1基板之在俯視下與該周緣部對應之位置之灰度值之分布；以及，<br/> 將去除該周緣部後之灰度值之分布與預先設定之第3閾值進行比較。
如請求項19所述之處理系統，其中，<br/> 該控制裝置，在該周緣部之去除狀態之檢查中執行以下控制：<br/> 利用攝影機攝影去除該周緣部前之該第1基板之端部；<br/> 從去除該周緣部前之該第1基板之端部之攝影影像，取得該第1基板之在俯視下與該周緣部對應之位置之灰度值之分布；<br/> 作為該第3閾值，使用從去除該周緣部前之該第1基板之端部之攝影影像取得之該灰度值之分布。
一種樹脂包覆鋁合金製拉深減薄罐，包括底圓筒狀的罐本體，<br/> 該罐本體包括罐底以及圓筒狀的罐身，該罐身從該罐底的外周沿著罐軸延伸，並以該罐軸為中心，<br/> 該罐本體的罐高度為151mm以上、160mm以下的範圍內，該罐高度為從該罐底的接地部至該罐身的上端，<br/> 該罐身的外徑為直徑45mm以上、59mm以下的範圍內，<br/> 且該罐身具有在該罐底的該接地部往該罐身的上端側90mm處開始、且該罐身之板厚沿罐軸方向連續變化之區域的錐形部，<br/> 該錐形部中，該罐身之板厚朝上方逐漸向該罐身的內部側變厚，並且隨著該板厚之增加，該罐身之內面朝內側傾斜，<br/> 該錐形部相對於該罐軸的角度為50角秒以上、1分30角秒以下，<br/> 構成該罐本體的樹脂包覆鋁合金包括：在該罐本體中成為外側的外側包覆樹脂；成為內側的內側包覆樹脂；以及設置於該外側包覆樹脂與該內側包覆樹脂之間的鋁合金；<br/> 該罐底於中央部具有凹曲面狀的圓頂部，該圓頂部沿著罐軸方向朝該罐身的內部側凹陷，<br/> 在包含該圓頂部的該罐軸上的點的特定區域中，該外側包覆樹脂的厚度為0.008mm以上、0.015mm以下，該鋁合金的厚度為0.18mm以上、0.24mm以下，該內側包覆樹脂的厚度為0.010mm以上、0.020mm以下。
如請求項1所述之樹脂包覆鋁合金製拉深減薄罐，其中，<br/> 該罐身於上端部具有頸部，該頸部是該罐身的該外徑朝該罐軸的上方縮小，<br/> 該頸部至少具有凸曲面以及凹曲面，該凸曲面於該頸部的下端部往徑方向外側凸出，該凹曲面於該頸部的該下端部與該上端部之間往徑方向外側凹陷，且通過該凸曲面的頂部及該凹曲面的頂部的直線相對於罐軸的角度未達27°。
如請求項1或2所述之樹脂包覆鋁合金製拉深減薄罐，其中，該錐形部係形成於自該罐底之該接地部起朝該罐身之上端側90mm至約135mm之範圍。
一種電化學沈積系統，包括：<br/> 一浴容器，可操作以容納一電化學沈積流體，該電化學沈積流體包括溶解於水中的一金屬鹽，其中該金屬鹽包括選自於由硫酸銅、甲基磺酸銅、鎳鹽及金鹽所組成之群組中的一種或多種金屬鹽；<br/> 一溫度計，可操作以測量該電化學沈積流體的一溫度；<br/> 一濃度感測器，可操作以測量該電化學沈積流體中的該金屬鹽的一濃度；以及<br/> 一電腦，裝配以執行複數個操作，包括：<br/> 在一電化學沈積製程的期間接收來自該電化學沈積系統的系統資料，其中，在該電化學沈積流體經歷一或多個條件之變化之後，該系統資料包括該電化學沈積流體中的溫度資料及金屬鹽濃度資料，該溫度資料來自該溫度計，該金屬鹽濃度資料來自該濃度感測器，其中該一或多個條件包括溫度的變化、液位的變化、酸濃度的變化、金屬鹽濃度的變化或其之組合；<br/> 在該電化學沈積流體經歷該一或多個條件之變化之後，從該系統資料產生該電化學沈積流體中的一實際金屬鹽濃度及該電化學沈積流體中的該金屬鹽的一理論溶解度極限，其中該理論溶解度極限是在該電化學沈積製程的期間至少部分地基於該溫度資料所計算的；<br/> 比較該實際金屬鹽濃度及該電化學沈積流體中的該金屬鹽的該理論溶解度極限；以及<br/> 產生一控制訊號，以改變該浴容器中的該電化學沈積流體的該溫度，使得該實際金屬鹽濃度調整至50%~90%的該理論溶解度極限，其中該控制訊號決定於該實際金屬鹽濃度及該電化學沈積流體中的該金屬鹽的該理論溶解度極限的該比較。
如請求項1所述之電化學沈積系統，其中該電化學沈積系統更包括一酸濃度感測器，可操作以測量該電化學沈積流體中的一酸濃度，及其中該系統資料更包括酸濃度資料，該酸濃度資料來自該酸濃度感測器，其中該理論溶解度極限更是在該電化學沈積製程的期間至少部分地基於該酸濃度資料所計算的。
如請求項1所述之電化學沈積系統，其中該電化學沈積系統更包括一液位感測器，可操作以測量該浴容器中的該電化學沈積流體的一總量，及其中該系統資料更包括電化學沈積流體液位資料，該電化學沈積流體液位資料來自該液位感測器，其中該理論溶解度極限更是在該電化學沈積製程的期間至少部分地基於該電化學沈積流體液位資料所計算的。
如請求項1所述之電化學沈積系統，其中該電化學沈積系統更包括：<br/> 一加熱器及一泵，可操作以加熱及使該浴容器中的該電化學沈積流體循環；以及<br/> 一第一功率感測器及一第二功率感測器，該第一功率感測器可操作以感測該加熱器是否加熱該電化學沈積流體，該第二功率感測器可操作以感測該泵是否使該電化學沈積流體循環，<br/> 其中該第一功率感測器及該第二功率感測器係提供系統功率資料至該電腦。
如請求項4所述之電化學沈積系統，其中該電腦產生的該控制訊號包括一排放訊號，以基於該系統功率資料從該浴容器移除該電化學沈積流體。
如請求項1所述之電化學沈積系統，其中該電化學沈積系統更包括一去離子水之來源，可操作以添加至該浴容器來減少該電化學沈積流體中的該實際金屬鹽濃度，及其中該電腦產生的該控制訊號更包括一稀釋訊號，以添加該去離子水之來源的一部分至該浴容器來減少該電化學沈積流體中的該實際金屬鹽濃度。
如請求項1所述之電化學沈積系統，其中至少部分地基於水中之該金屬鹽的一溶解度常數，該電腦更計算在該電化學沈積製程的期間之該電化學沈積流體中的該金屬鹽的該理想溶解度極限。
一種避免一電化學沈積系統中的一電沈積鹽沉澱的方法，該方法包括：<br/> 測量該電化學沈積系統的一浴容器中的一電化學沈積流體的一溫度；<br/> 測量該電化學沈積流體中的一金屬鹽的一金屬鹽濃度，其中該金屬鹽包括選自於由硫酸銅、甲基磺酸銅、鎳鹽及金鹽所組成之群組中的一種或多種金屬鹽； <br/> 在一電化學沈積製程的期間從該電化學沈積系統產生系統資料，其中，在該電化學沈積流體經歷一或多個條件之變化之後，該系統資料包括溫度資料及濃度資料，該溫度資料來自該電化學沈積流體之該溫度的該測量，該濃度資料來自該電化學沈積流體中的該金屬鹽的該金屬鹽濃度的該測量，其中該一或多個條件包括溫度的變化、液位的變化、酸濃度的變化、金屬鹽濃度的變化或其之組合；<br/> 在該電化學沈積流體經歷該一或多個條件之變化之後，從該系統資料產生該電化學沈積流體中的一實際金屬鹽濃度及該電化學沈積流體中的該金屬鹽的一理論溶解度極限，其中該理論溶解度極限是在該電化學沈積製程的期間至少部分地基於該溫度資料所計算的；以及<br/> 基於比較該實際金屬鹽濃度及該理論溶解度極限，從耦接於該電化學沈積系統的一電腦產生一控制訊號，使得該實際金屬鹽濃度調整至50%~90%的該理論溶解度極限，其中該控制訊號調整該電化學沈積流體中的該金屬鹽的該金屬鹽濃度或該溫度。
如請求項8所述之方法，其中該控制訊號藉由調整傳送到一加熱器的一功率總量來調整該電化學沈積流體中的該金屬鹽的該溫度，該加熱器熱接觸該電化學沈積流體。
如請求項8所述之方法，其中該控制訊號藉由調整提供至該電化學沈積流體之一去離子水總量來調整該電化學沈積流體中的該金屬鹽的該金屬鹽濃度。
如請求項8所述之方法，其中該電化學沈積流體更包括一酸，以一酸濃度為特徵，及其中該系統資料更包括酸濃度資料，該酸濃度資料來自測量該電化學沈積流體的該酸濃度。
如請求項8所述之方法，其中該方法更包括測量一加熱器加熱該浴容器中的該電化學沈積流體的一第一功率狀態，及測量一泵使該浴容器中的該電化學沈積流體循環的一第二功率狀態，以及<br/> 其中該電腦產生的該控制訊號包括一排放訊號，以基於該第一功率狀態及該第二功率狀態的該測量從該浴容器移除該電化學沈積流體。
一種非暫態電腦可讀取媒體，包括複數個指令，當該些指令由一或多個處理器執行時致使該一或多個處理器執行的操作包括：<br/> 接收來自一溫度感測器的溫度資料，該溫度感測器熱接觸一電化學沈積系統的一浴容器中的一電化學沈積流體；<br/> 接收來自一濃度感測器的金屬鹽濃度資料，該濃度感測器可操作以測量該電化學沈積流體中的一金屬鹽的一金屬鹽濃度，其中該金屬鹽包括選自於由硫酸銅、甲基磺酸銅、鎳鹽及金鹽所組成之群組中的一種或多種金屬鹽；<br/> 在一電化學沈積製程的期間從該電化學沈積系統產生系統資料，其中，在該電化學沈積流體經歷一或多個條件之變化之後，該系統資料包括該溫度資料及該金屬鹽濃度資料，其中該一或多個條件包括溫度的變化、液位的變化、酸濃度的變化、金屬鹽濃度的變化或其之組合；<br/> 在該電化學沈積流體經歷該一或多個條件之變化之後，從該系統資料產生該電化學沈積流體中的一實際金屬鹽濃度，並比較該實際金屬鹽濃度及該電化學沈積流體中的該金屬鹽的一理論溶解度極限，其中該理論溶解度極限是在該電化學沈積製程的期間至少部分地基於該溫度資料所計算的；以及<br/> 基於該系統資料產生一控制訊號，以調整該電化學沈積流體中的該金屬鹽的溫度或該金屬鹽濃度，使得該實際金屬鹽濃度調整至50%~90%的該理論溶解度極限，其中該控制訊號是基於該實際金屬鹽濃度及該金屬鹽的該理論溶解度極限的該比較所產生的。
如請求項13所述之非暫態電腦可讀取媒體，其中當該些指令由該一或多個處理器執行時致使該一或多個處理器執行的操作更包括：<br/> 接收來自一酸濃度感測器的酸濃度資料，該酸濃度感測器可操作以測量該電化學沈積流體中的一酸濃度；以及<br/> 基於包括該酸濃度資料的額外系統資料，產生該控制訊號。
如請求項13所述之非暫態電腦可讀取媒體，其中當該些指令由該一或多個處理器執行時致使該一或多個處理器執行的操作更包括：<br/> 接收來自一液位感測器的電化學沈積流體液位資料，該液位感測器可操作以測量該浴容器中的該電化學沈積流體的一總量；以及<br/> 基於包括該電化學沈積流體液位資料的額外系統資料，產生該控制訊號。
如請求項13所述之非暫態電腦可讀取媒體，其中當該些指令由該一或多個處理器執行時致使該一或多個處理器執行的操作更包括：<br/> 接收來自一第一功率感測器及一第二功率感測器的功率狀態資料，該第一功率感測器可操作以偵測一加熱器是否加熱該電化學沈積流體，該第二功率感測器可操作以偵測一泵是否使該浴容器中的該電化學沈積流體循環；以及<br/> 基於該功率狀態資料產生該控制訊號，該控制訊號包括一排放訊號。
如請求項13所述之非暫態電腦可讀取媒體，其中基於該電化學沈積流體的該溫度及水中之該金屬鹽的一溶解度常數，電腦係產生該理論溶解度極限。
一種酸產生劑之製造方法，其具有： <br/> 下述一般式(d0-1)所示且酸解離常數(pKa)為0.50以上之羧酸，與選自由含氮鹼化合物及鎓化合物所成群之至少一種進行反應而取得下述一般式(d0-p)所示之中間體的步驟(I)，及 <br/> 使前述步驟(I)取得之中間體，與下述一般式(c0)所示之化合物進行離子交換反應，而取得下述一般式(d0)所示之化合物的步驟(II)； <br/><img align="absmiddle" height="823px" width="956px" file="ed10069.jpg" alt="ed10069.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，X<sup>0</sup>為溴原子或碘原子；R<sup>m</sup>為羥基、烷基、氟原子或氯原子；nb1為1~5之整數，nb2為0~4之整數，且1≦nb1+nb2≦5；Y<sup>d</sup>為包含氧原子之2價連結基或單鍵；Mp<sup>m</sup>’<sup>+</sup>為辛醇/水分配係數(log P<sub>OW</sub>)為4.8以下之有機銨陽離子，或log P<sub>OW</sub>為4.8以下之鎓陽離子；m’為1以上之整數，X<sup>-</sup>為相對陰離子，M<sup>m+</sup>為鎓陽離子，m為1以上之整數。
如請求項1之酸產生劑之製造方法，其中前述M<sup>m+</sup>為鋶陽離子。
如請求項1之酸產生劑之製造方法，其中Yd為前述包含氧原子之2價連結基時，Yd更包含選自碳原子、氫原子、硫原子及氮原子的原子。
如請求項1之酸產生劑之製造方法，其中前述包含氧原子之2價連結基為 <br/> 選自氧原子(醚鍵：-O-)、酯鍵(-C(=O)-O-)、氧羰基(-O-C(=O)-)、醯胺鍵(-C(=O)-NH-)、羰基(-C(=O)-)或碳酸酯鍵(-O-C(=O)-O-)之非烴系之含氧原子之連結基，或， <br/> 前述非烴系之含氧原子之連結基與伸烷基之組合，或， <br/> 前述組合更連結有磺醯基(-SO<sub>2</sub>-)的連結基。
一種剝離方法，其係從依序包含保護薄膜、耐熱高分子薄膜、無機基板之積層體剝離該保護薄膜之方法，其特徵在於： 該剝離方法包含以滿足下述(1)之方式邊調整剝離角度θ邊剝離保護薄膜之步驟；<br/> 該無機基板與該耐熱高分子薄膜之90°剝離試驗的剝離強度F1、<br/> 從該耐熱高分子薄膜剝離該保護薄膜時的該保護薄膜與該耐熱高分子薄膜所成的角θ、<br/> 施加於該保護薄膜的張力T、與<br/> 該保護薄膜的彈性模數E為<br/> Tsinθ＜F1 (1)<br/> 且<br/> E＞2GPa (2)。
如請求項1之剝離方法，其中具有用於輔助該保護薄膜的剝離之輥。
一種導電性彈性體形成用組合物，其含有： <br/>(甲基)丙烯酸系聚合物(a)，其包含具有羧基及羥基之至少一者之單元A、及源自下述式(II-1)所表示之(甲基)丙烯酸系單體之單元B1， <br/>金屬螯合化合物(b)， <br/>導電材(c)，及 <br/>螯合劑(d)； <br/><img align="absmiddle" height="130px" width="892px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式中，R<sup>1</sup>表示氫原子或甲基，R<sup>2</sup>表示具有鹵素原子之碳數1～18之烷基)。
如請求項1之導電性彈性體形成用組合物，其中上述(甲基)丙烯酸系聚合物(a)進而包含源自下述式(II-2)所表示之(甲基)丙烯酸系單體之單元B2； <br/><img align="absmiddle" height="131px" width="892px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式中，R<sup>1</sup>表示氫原子或甲基，R<sup>2</sup>表示碳數1～18之烷基)。
如請求項1之導電性彈性體形成用組合物，其中上述單元A係源自下述式(I)所表示之(甲基)丙烯酸系單體之單元； <br/><img align="absmiddle" height="90px" width="263px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式中，R<sup>1</sup>表示氫原子或甲基，X表示羧基或羥基，Z表示碳數1～10之烷基或碳數2～12之烷氧基烷基，上述烷基及上述烷氧基烷基可含有酯鍵；n表示0或1)。
如請求項1之導電性彈性體形成用組合物，其含有溶劑。
一種導電性彈性體，其係使用如請求項1至4中任一項之導電性彈性體形成用組合物而形成者。
一種導電性彈性體，其包含(甲基)丙烯酸系聚合物(a)及導電材(c)；上述(甲基)丙烯酸系聚合物(a)包含具有羧基及羥基之至少一者之單元A、及源自下述式(II-1)所表示之(甲基)丙烯酸系單體之單元B1，且具有經由金屬原子而交聯之交聯部位； <br/><img align="absmiddle" height="130px" width="892px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式中，R<sup>1</sup>表示氫原子或甲基，R<sup>2</sup>表示具有鹵素原子之碳數1～18之烷基)。
如請求項6之導電性彈性體，其中上述(甲基)丙烯酸系聚合物(a)進而包含源自下述式(II-2)所表示之(甲基)丙烯酸系單體之單元B2； <br/><img align="absmiddle" height="131px" width="892px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式中，R<sup>1</sup>表示氫原子或甲基，R<sup>2</sup>表示碳數1～18之烷基)。
如請求項6或7之導電性彈性體，其中上述金屬原子為選自Al及Ti之至少一種。
如請求項6或7之導電性彈性體，其楊氏模數為30 MPa以下。
一種聚合物，其具有源自丙烯酸之單元A1、及 <br/>源自丙烯酸異硬脂酯之單元B1，並且 <br/>上述單元A1經由選自Al及Ti之至少一種而交聯， <br/>上述單元A1之含有比為0.1～10莫耳%， <br/>上述單元B1之含有比為90～99.9莫耳%。
一種包含丙烷三羧酸酯系組成物之三羧酸酯系塑化劑組成物，該丙烷三羧酸酯系組成物包含至少一種下式1之丙烷三羧酸酯，<b> </b><br/><b> </b>其中該丙烷三羧酸酯之烷基係衍生自己醇之異構物混合物，以及 <br/> 該己醇之異構物混合物包含選自由1-己醇、1-甲基戊醇、2-甲基戊醇、3-甲基戊醇、4-甲基戊醇、1,1-二甲基丁醇、1,2-二甲基丁醇、1,3-二甲基丁醇、2,2-二甲基丁醇、2,3-二甲基丁醇、3,3-二甲基丁醇、1-乙基丁醇、2-乙基丁醇、3-乙基丁醇、及環戊基甲醇所組成群組中之二或更多者，<b> </b><br/><b> </b>[式1] <br/> <img align="absmiddle" height="623px" width="567px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中於上式1中， <br/> R<sub>1</sub>至R<sub>3</sub>各自獨立地為正己基、支鏈己基、或環戊基甲基， <br/> 其中該己醇之異構物混合物具有1.5或更低之分支度。
如請求項1之塑化劑組成物，其中該己醇之異構物混合物包含1-己醇、2-甲基戊醇、及3-甲基戊醇。
如請求項1之塑化劑組成物，其中相對於100重量份的該異構物混合物，該己醇之異構物混合物包含40重量份或更高的量的支鏈醇。
如請求項1之塑化劑組成物，其中相對於100重量份的該異構物混合物，該己醇之異構物混合物包含50重量份至95重量份的量的支鏈醇。
如請求項1之塑化劑組成物，其中相對於100重量份的該異構物混合物，該己醇之異構物混合物包含40重量份或更低的量的1-己醇。
如請求項1之塑化劑組成物，其中該己醇之異構物混合物包含1-己醇、2-甲基戊醇、3-甲基戊醇、及環戊基甲醇。
如請求項6之塑化劑組成物，其中相對於100重量份的該異構物混合物，該己醇之異構物混合物包含20重量份或更低的量的環戊基甲醇。
一種樹脂組成物，其包含： <br/> 100重量份的量的樹脂；以及5重量份至150重量份的量的如請求項1之塑化劑組成物。
如請求項8之樹脂組成物，其中該樹脂係選自由直鏈氯乙烯聚合物、糊狀氯乙烯聚合物、乙烯乙酸乙烯酯共聚物、乙烯聚合物、丙烯聚合物、聚酮、聚苯乙烯、聚胺甲酸酯、聚乳酸、天然橡膠、及合成橡膠所組成群組中之一或多者。
一種包含丙烷三羧酸酯系組成物之三羧酸酯系塑化劑組成物，該丙烷三羧酸酯系組成物包含至少一種下式2至7之丙烷三羧酸酯，<b> </b><br/><b> </b>其中，該丙烷三羧酸酯之烷基係衍生自包含己醇之異構物混合物和苄醇之醇組成物，以及 <br/> 該己醇之異構物混合物包含選自由1-己醇、1-甲基戊醇、2-甲基 戊醇、3-甲基戊醇、4-甲基戊醇、1,1-二甲基丁醇、1,2-二甲基丁醇、1,3-二甲基丁醇、2,2-二甲基丁醇、2,3-二甲基丁醇、3,3-二甲基丁醇、1-乙基丁醇、2-乙基丁醇以及環戊基甲醇所組成群組之二或更多者，其中該己醇之異構物混合物具有1.5或更低之分支度，<b> </b><br/> [式2] <br/><img align="absmiddle" height="274px" width="276px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [式3] <br/><img align="absmiddle" height="274px" width="276px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [式4] <br/><img align="absmiddle" height="277px" width="276px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [式5] <br/><img align="absmiddle" height="273px" width="276px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [式6] <br/><img align="absmiddle" height="275px" width="279px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [式7] <br/><img align="absmiddle" height="275px" width="279px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中，於上式2至7中， <br/> R<sub>a</sub>各為正己基、支鏈己基(branched hexyl group)或環戊基甲基，以及 <br/> R<sub>b</sub>為苄基。
如請求項1之塑化劑組成物，其中，該己醇之異構物混合物包含1-己醇、2-甲基戊醇以及3-甲基戊醇。
如請求項1之塑化劑組成物，其中，相對於100重量份的該異構物混合物，該己醇之異構物混合物包含40重量份或更高之量的支鏈醇(branched alcohol)。
如請求項1之塑化劑組成物，其中，相對於100重量份的該異構物混合物，該己醇之異構物混合物包含50重量份至95重量份之量的支鏈醇。
如請求項1之塑化劑組成物，其中，相對於100重量份的該異構物混合物，該己醇之異構物混合物包含40重量份或更低之量的1-己醇。
如請求項1之塑化劑組成物，其中，該己醇之異構物混合物包含1-己醇、2-甲基戊醇、3-甲基戊醇以及環戊基甲醇。
如請求項6之塑化劑組成物，其中，相對於100重量份的該異構物混合物，該己醇之異構物混合物包含20重量份或更低之量的環戊基甲醇。
如請求項1之塑化劑組成物，其中，該己醇之異構物混合物與苄醇之間的重量比為90：10至10：90。
一種樹脂組成物，其包含： <br/> 100重量份之量的樹脂；以及5重量份至150重量份之量的如請求項1之塑化劑組成物。
如請求項9之樹脂組成物，其中，該樹脂為選自由直鏈氯乙烯聚合物(straight vinyl chloride polymer)、糊狀氯乙烯聚合物(paste vinyl chloride polymer)、乙烯乙酸乙烯酯共聚物、乙烯聚合物、丙烯聚合物、聚酮(polyketone)、聚苯乙烯、聚胺甲酸酯(polyurethane)、聚乳酸(polylactic acid)、天然橡膠以及合成橡膠所組成群組之一或多者。
一種水凝膠，其係由包含親水性單體，以及選自疏水性單體及交聯性單體所組成之群的至少一種單體所形成；其特徵在於：<br/> 所述水凝膠含有無定形碳；<br/> 所述水凝膠為眼用水凝膠；<br/> 所述眼用水凝膠為隱形眼鏡形狀；及<br/> 所述無定形碳圓環狀地配置在除光學區域以外的表面和/或內部。
根據請求項1所述的水凝膠，其中，所述無定形碳物理吸附氟脲嘧啶（5FU）。
一種油包水型乳化固形化粧料，其為含有(A)蠟成分、(B)揮發性矽酮油、(C)矽酮類界面活性劑和(D)粉體的油包水型乳化固形化粧料，其特徵在於該(A)蠟成分含有純地蠟、異構烷烴類蠟和脂肪酸酯類蠟， <br/>其中前述油包水型乳化固形化粧料中，前述純地蠟的含有率為3~6質量%，前述異構烷烴類蠟的含有率為0.1~0.3質量%，前述揮發性矽酮油的含有率為5~23質量%，前述矽酮類界面活性劑的含有率為1.5~3質量%，且前述粉體的含有率為10~20.9質量%。
一種吹風梳，其改良在於，包括： <br/>殼體，殼體內開設有空腔； <br/>彈性件，設置於殼體上並開設有第一容納孔及第二容納孔； <br/>第一梳齒，固定設置於所述第一容納孔中並伸出所述殼體外； <br/>第二梳齒，固定設置於所述第二容納孔中並伸出所述殼體外； <br/>第一觸發元件，設置於所述第一容納孔中並與所述第一梳齒相抵接； <br/>第二觸發元件，設置於所述第二容納孔中並與所述第二梳齒相抵接；以及 <br/>電路板，設置於所述彈性件上並與所述第一觸發元件及所述第二觸發元件電連接；其中， <br/>當所述第一梳齒及所述第二梳齒受到第一方向的力時，所述彈性件發生變形並使第一梳齒壓迫第一觸發元件產生第一觸發信號，並使所述第二梳齒脫離所述第二觸發元件； <br/>當所述第一梳齒及所述第二梳齒受到與所述第一方向不同的第二方向的力時，所述彈性件發生變形並使第二梳齒壓迫第二觸發元件產生第二觸發信號，並使所述第一梳齒脫離第一觸發元件。
如請求項1所述的吹風梳，其中，所述第一觸發元件包括第一斜面，所述第一斜面自所述第一觸發元件靠近所述第二觸發元件的一側朝向背離所述第二觸發元件的一側傾斜，所述第一斜面的頂點與所述第一梳齒相抵接。
如請求項2所述的吹風梳，其中，所述第二觸發元件包括第二斜面，所述第二斜面自所述第二觸發元件靠近所述第一觸發元件的一側朝向背離所述第一觸發元件的一側傾斜，所述第二斜面的頂點與所述第二梳齒相抵接。
如請求項1所述的吹風梳，其中，所述彈性件包括板體部及凸設於所述板體部上的第一凸起部及第二凸起部，所述第一容納孔貫通所述第一凸起部及所述板體部，所述第二容納孔貫通所述第二凸起部及所述板體部。
如請求項1所述的吹風梳，其中，所述第一容納孔的內壁凸設有第一卡塊，所述第一梳齒的一端開設有第一卡槽，所述第一卡塊卡合於所述第一卡槽中。
如請求項1所述的吹風梳，其中，所述第二容納孔的內壁凸設有第二卡塊，所述第二梳齒的一端開設有第二卡槽，所述第二卡塊卡合於所述第二卡槽中。
如請求項1所述的吹風梳，其中，所述吹風梳還包括： <br/>第三梳齒，設置於所述殼體上並開設有第一出風道，所述第一出風道與所述空腔選擇性連通； <br/>第四梳齒，設置於所述殼體上並開設有第二出風道，所述第二出風道與所述空腔選擇性連通，且所述第二出風道的出風方向與所述第一出風道的出風方向不同； <br/>其中，所述電路板包括控制單元，所述控制單元用於在接收到所述第一觸發信號時控制所述第一出風道與所述空腔連通而所述第二出風道與所述空腔不連通，所述控制單元還用於在接收到所述第二觸發信號時控制所述第二出風道與所述空腔連通而所述第一出風道與所述空腔不連通。
如請求項7所述的吹風梳，其中，所述吹風梳還包括驅動裝置及與所述驅動裝置連接的擋板，所述殼體還開設有第一通風孔及第二通風孔，所述第一出風道藉由所述第一通風孔與所述空腔連通，所述第二出風道藉由所述第二通風孔與所述空腔連通，所述控制單元用於控制所述驅動裝置驅動所述擋板遮蓋所述第一通風孔或所述第二通風孔。
如請求項1所述的吹風梳，其中，所述殼體開設有安裝孔，所述吹風梳還包括第一梳頭，所述第一梳頭包括第一安裝座及第五梳齒，所述第一安裝座設置於所述安裝孔中，所述第五梳齒設置於所述第一安裝座上並位於所述殼體外。
如請求項9所述的吹風梳，其中，所述吹風梳還包括第二梳頭，所述第二梳頭包括第二安裝座及第六梳齒，所述第二安裝座設置於所述第一安裝座上並容納於所述空腔中，所述第六梳齒設置於所述第二安裝座上並通過所述第一安裝座以伸出所述殼體外，所述彈性件固定設置於所述第二安裝座上。
一種採血管保持器，係具備保持器主體、壓接部及抵接部， <br/> 前述保持器主體，係構成為在前端側具有底部之有底筒狀，且收容採血管之至少一部分， <br/> 前述壓接部，係配置在前述保持器主體內，隨著朝向前述保持器主體內之前述採血管的插入產生彈性變形，藉此壓接於前述採血管的外周面， <br/> 前述抵接部，係配置在前述保持器主體內，藉由對於前述採血管從前述底部側抵接而將前述採血管在軸方向進行定位， <br/> 前述壓接部具有基端側部及前端側部，前述基端側部係以從前述保持器主體的內周面側朝向前述底部側逐漸遠離前述內周面的方式延伸，前述前端側部，係從前述基端側部的前端以使前述內周面側成為凹陷的方式彎折後朝向前述底部側延伸， <br/> 前述抵接部設置成，當前述採血管之前端部的外徑大於前述抵接部的內徑的情況，在僅使前述基端側部壓接於前述採血管之外周面的位置將前述採血管定位。
如請求項1所述之採血管保持器，其中， <br/> 前述壓接部具有讓剛性局部地降低之低剛性部。
如請求項2所述之採血管保持器，其中， <br/> 前述低剛性部至少設置在前述基端側部。
如請求項1所述之採血管保持器，其中， <br/> 前述壓接部，係至少在與前述採血管接觸的面實施紋理加工。
如請求項1所述之採血管保持器，其係具備有筒狀的嵌合部、突出部， <br/> 前述筒狀的嵌合部，係與前述壓接部形成為一體且嵌合於前述保持器主體內， <br/> 前述突出部，係在前述保持器主體之內周面上與前述嵌合部在軸方向隔著既定間隔而設置，且具有朝前述嵌合部側逐漸遠離前述內周面之傾斜面。
一種附剝離襯墊之光學黏著片材，其係具備如下者： <br/>光學黏著片材，其具有第1面及與該第1面相反側之第2面； <br/>第1剝離襯墊，其與上述第1面可剝離地相接 <b>；</b>及 <br/>第2剝離襯墊，其與上述第2面可剝離地相接； <br/>上述第1剝離襯墊具有延出端部，該延出端部在與厚度方向正交之面方向上延出至較上述光學黏著片材之片材端面更靠外側， <br/>上述片材端面係相對於上述第1面傾斜45度以上且85度以下之傾斜端面，且具有0.25 μm以下之表面粗糙度Ra。
如請求項1之附剝離襯墊之光學黏著片材，其中上述片材端面具有1.5 μm以下之表面粗糙度Rz。
如請求項1之附剝離襯墊之光學黏著片材，其中上述第1剝離襯墊沿著上述光學黏著片材之上述片材端面具有在上述厚度方向上具有深度之半切槽，該片材端面與上述半切槽中之上述光學黏著片材側之內壁面位於同一平面。
如請求項3之附剝離襯墊之光學黏著片材，其中上述半切槽之深度相對於上述第1剝離襯墊之厚度之比率為0.5以下。
如請求項1之附剝離襯墊之光學黏著片材，其中用以將上述第1剝離襯墊自上述光學黏著片材剝離之剝離力大於用以將上述第2剝離襯墊自上述光學黏著片材剝離之剝離力。
如請求項1之附剝離襯墊之光學黏著片材，其中上述面方向上之上述延出端部自上述片材端面之延出長度為0.1 mm以上。
如請求項1之附剝離襯墊之光學黏著片材，其中上述光學黏著片材於25℃下具有10 kPa以上且1000 kPa以下之剪切儲存彈性模數。
如請求項1之附剝離襯墊之光學黏著片材，其中上述光學黏著片材具有40%以上且80%以下之凝膠分率。
如請求項1至8中任一項之附剝離襯墊之光學黏著片材，其中上述第2剝離襯墊具有延出端部，該延出端部在與上述厚度方向正交之面方向上延出至較上述片材端面更靠外側。
一種半導體材料切割裝置，包括： <br/>卡盤台，以在上部傳遞半導體材料且能夠沿Y軸方向移送的方式配置； <br/>主軸，以能夠沿X軸方向移送的方式配置且以能夠裝卸的方式安裝將傳遞到所述卡盤台的半導體材料切割成單獨單位的刀片； <br/>第一框架，沿X軸方向延伸形成，以便移送拾取待切割的半導體材料的拾取器及/或拾取經切割的半導體材料的拾取器；以及 <br/>刀片更換器，以在所述第一框架與所述主軸之間的區域中能夠沿X軸方向進行移送的方式安裝在所述第一框架，且將刀片安裝到所述主軸或從所述主軸將所述刀片分離。
一種半導體材料切割裝置，包括： <br/>卡盤台，以在上部傳遞半導體材料且能夠沿Y軸方向移送的方式配置； <br/>主軸，以能夠沿X軸方向移送的方式配置且以能夠裝卸的方式安裝將傳遞到所述卡盤台的半導體材料切割成單獨單位的刀片； <br/>第一框架，沿X軸方向延伸形成，以便移送拾取待切割的半導體材料的拾取器及/或拾取經切割的半導體材料的拾取器； <br/>第二框架，在所述第一框架與所述主軸之間的區域中沿X軸方向延伸形成；以及 <br/>刀片更換器，以能夠進行移送的方式安裝在所述第二框架，且將刀片安裝到所述主軸或從所述主軸將所述刀片分離。
如請求項1所述的半導體材料切割裝置，其中在所述第一框架的一面配備有對所述拾取器進行移送的拾取器移送導軌，且在所述第一框架的另一面配備有對所述刀片更換器進行移送的刀片更換器移送導軌。
如請求項1所述的半導體材料切割裝置，其中所述刀片更換器包括： <br/>主體部，以能夠在所述第一框架上移動的方式安裝且以能夠升降的方式配備； <br/>擺臂部，配置在所述主體部的下部，且以垂直旋轉軸為中心能夠沿順時針方向或逆時針方向轉動的方式配置；以及 <br/>刀片拾取部，配置在所述擺臂部的一端，且以所述擺臂部的水平旋轉軸為中心能夠沿順時針方向或逆時針方向旋轉的方式配置，所述刀片拾取部通過將方向轉換成與所述主軸的刀片相對的方向來收取所述刀片。
如請求項4所述的半導體材料切割裝置，其中所述刀片更換器在進入位置處轉動所述擺臂部使所述刀片拾取部定位在更換位置，且位於所述更換位置的所述刀片拾取部在將方向轉換成與所述主軸的刀片相對的方向的狀態下使所述主軸或所述刀片更換器在X軸方向上相對移動以收取所述刀片。
如請求項1所述的半導體材料切割裝置，更包括： <br/>視覺，以能夠在所述第一框架上移動的方式安裝且對傳遞到所述卡盤台的半導體材料進行檢測，所述視覺安裝在移送所述刀片更換器的刀片更換器移送導軌，或者安裝在配置在所述第一框架上的各別的移送導軌。
如請求項2所述的半導體材料切割裝置，其中所述刀片更換器包括： <br/>主體部，以能夠在所述第二框架上移動的方式安裝且以能夠升降的方式配備； <br/>擺臂部，配置在所述主體部的下部，且以垂直旋轉軸為中心能夠沿順時針方向或逆時針方向轉動的方式配置；以及 <br/>刀片拾取部，配置在所述擺臂部的一端，且以所述擺臂部的水平旋轉軸為中心能夠沿順時針方向或逆時針方向旋轉的方式配置，所述刀片拾取部通過將方向轉換成與所述主軸的刀片相對的方向來收取所述刀片。
如請求項7所述的半導體材料切割裝置，其中所述刀片更換器在進入位置處轉動所述擺臂部使所述刀片拾取部定位在更換位置，且位於所述更換位置的所述刀片拾取部在將方向轉換成與所述主軸的刀片相對的方向的狀態下使所述主軸或所述刀片更換器在X軸方向上相對移動以收取所述刀片。
如請求項2所述的半導體材料切割裝置，更包括： <br/>視覺，以能夠在所述第二框架上移動的方式安裝且對傳遞到所述卡盤台的半導體材料進行檢測，所述視覺安裝在移送所述刀片更換器的刀片更換器移送導軌，或者安裝在配置在所述第二框架上的各別的移送導軌。
如請求項1至請求項9中任一項所述的半導體材料切割裝置，其中在所述主軸與所述刀片更換器之間的區域中更包括能夠開關的阻斷部，所述阻斷部在所述刀片執行切割作業期間關閉，且在執行更換所述刀片時打開。
如請求項1至請求項9中任一項所述的半導體材料切割裝置，其中所述刀片更換器在所述刀片執行切割作業期間在待機位置處待機且在更換刀片時移動到更換位置，在所述刀片更換器的待機位置下部配備刀片安裝單元，所述刀片安裝單元安裝有待更換的刀片。
如請求項11所述的半導體材料切割裝置，其中所述刀片安裝單元在一側更包括回收已使用過的刀片的刀片回收部。
如請求項1至請求項9中任一項所述的半導體材料切割裝置，更包括： <br/>門，以能夠開關的方式配置在所述半導體材料切割裝置的前方；以及 <br/>刀片安裝單元移送導軌，從刀片安裝單元的待機位置延伸到所述門， <br/>如果所述刀片安裝單元通過所述刀片安裝單元移送導軌被移送到前方，則通過所述門向所述刀片安裝單元供給新的刀片或移除安裝在所述刀片安裝單元的刀片。
如請求項13所述的半導體材料切割裝置，更包括： <br/>半導體材料供給導軌，供給所述待切割的半導體材料，所述刀片安裝單元移送導軌配置在所述半導體材料供給導軌的上部，所述刀片安裝單元移送導軌以能夠將所述門與所述待機位置選擇性地連接或解除連接的方式配置。
一種式（2）所表示之化合物之製造方法，其包括：使式（1）所表示之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="178px" width="280px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>（式（1）中，R <sup>1</sup>表示C1～6烷基，Q表示氫原子、或者經取代或未經取代之吡啶基，X表示鹵基，R <sup>a</sup>表示C1～6烷基）與 <br/>次亞硫酸鈉 <br/>在鹼之存在下發生化學反應， <br/><img align="absmiddle" height="157px" width="283px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>（式（2）中，R <sup>1</sup>及Q表示與式（1）中之R <sup>1</sup>及Q相同者）。
如請求項1之製造方法，其進而包括藉由以下方法獲得上述式（1）所表示之化合物，該獲得上述式（1）所表示之化合物的方法包括： <br/>使式（3）所表示之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="117px" width="229px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>（式（3）中，R <sup>1</sup>表示C1～6烷基，Q表示氫原子、或者經取代或未經取代之吡啶基） <br/>與式（4）所表示之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="93px" width="206px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>（式（4）中，X表示鹵基） <br/>在鹼或金屬烷氧化物之存在下發生化學反應；及 <br/>使上述化學反應之產物與 <br/>式（5）所表示之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="87px" width="255px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>（式（5）中，R <sup>a</sup>表示C1～6烷基） <br/>發生化學反應。
一種式（2a1）、式（2a2）、或式（2a3）所表示之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="145px" width="636px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>（式（2a1）、式（2a2）、或式（2a3）中，R <sup>1</sup>表示C1～6烷基）。
一種拉索昔芬(lasofoxifene)或其醫藥上可接受之鹽用於製備藥劑之用途，該藥劑用於減少患者之雌激素受體陽性且人類表皮生長因子受體2陰性(ER<sup>+</sup>/HER2<sup>–</sup>)乳癌的進展，該患者之乳癌於服用芳香酶抑制劑後已進展，其中該乳癌不具有在雌激素受體1 (ESR1)基因之配體結合域(LBD)內之功能獲得型錯義突變。
如請求項1之用途，其中該ER<sup>+</sup>/HER2<sup>–</sup>乳癌係局部晚期或轉移性乳癌。
如請求項1之用途，其中該芳香酶抑制劑係依西美坦(exemestane)、來曲唑(letrozole)或阿那曲唑(anastrozole)。
如請求項1之用途，其進一步包括以下更早步驟： <br/>確定該乳癌不具有雌激素受體1 (ESR1)基因之配體結合域(LBD)內的功能獲得型錯義突變。
如請求項1之用途，其中拉索昔芬係以酒石酸拉索昔芬投與。
如請求項5之用途，其中酒石酸拉索昔芬係藉由口服投與來投與。
如請求項6之用途，其中酒石酸拉索昔芬係以5 mg拉索昔芬/天至10 mg拉索昔芬/天之劑量經口投與。
如請求項7之用途，其中酒石酸拉索昔芬係以5 mg拉索昔芬/天之劑量經口投與。
如請求項1之用途，其中該藥劑進一步包括細胞週期素依賴型激酶4/6 (CDK4/6)抑制劑，或用於與CDK4/6抑制劑組合使用。
如請求項9之用途，其中該CDK4/6抑制劑係帕博西尼(palbociclib)、阿貝西尼(abemaciclib)或瑞博西尼(ribociclib)。
如請求項10之用途，其中該CDK4/6抑制劑係帕博西尼(palbociclib)。
如請求項10之用途，其中該CDK4/6抑制劑係阿貝西尼(abemaciclib)。
如請求項10之用途，其中該CDK4/6抑制劑係瑞博西尼(ribociclib)。
如請求項1之用途，其中該藥劑進一步包括AKT抑制劑或mTor抑制劑，或用於與AKT抑制劑或mTor抑制劑組合使用。
一種拉索昔芬(lasofoxifene)或其醫藥上可接受之鹽與細胞週期素依賴型激酶4/6 (CDK4/6)抑制劑之組合用於製備藥劑之用途，該藥劑用於減少患者之雌激素受體陽性且人類表皮生長因子受體2陰性(ER<sup>+</sup>/HER2<sup>–</sup>)乳癌的進展，該患者之乳癌於服用芳香酶抑制劑後已進展，其中該乳癌不具有在雌激素受體1 (ESR1)基因之配體結合域(LBD)內之功能獲得型錯義突變。
如請求項15之用途，其中該CDK4/6抑制劑係帕博西尼(palbociclib)、阿貝西尼(abemaciclib)或瑞博西尼(ribociclib)。
如請求項16之用途，其中該CDK4/6抑制劑係帕博西尼(palbociclib)。
如請求項16之用途，其中該CDK4/6抑制劑係阿貝西尼(abemaciclib)。
如請求項16之用途，其中該CDK4/6抑制劑係瑞博西尼(ribociclib)。
如請求項15之用途，其進一步包括以下更早步驟： <br/>確定該乳癌不具有雌激素受體1 (ESR1)基因之配體結合域(LBD)內的功能獲得型錯義突變。
如請求項15之用途，其中拉索昔芬係以酒石酸拉索昔芬投與。
如請求項21之用途，其中酒石酸拉索昔芬係以5 mg拉索昔芬/天之劑量經口投與。
如請求項15之用途，其中該藥劑進一步包括AKT抑制劑或mTor抑制劑，或用於與AKT抑制劑或mTor抑制劑組合使用。
如請求項15之用途，其中拉索昔芬與CDK 4/6抑制劑之該組合抑制該乳癌至骨之轉移。
一種拉索昔芬(lasofoxifene)或其醫藥上可接受之鹽用於製備藥劑之用途，該藥劑用於減少患者之雌激素受體陽性且人類表皮生長因子受體2陰性(ER<sup>+</sup>/HER2<sup>–</sup>)乳癌的進展，該患者之乳癌於服用芳香酶抑制劑後已進展，其中該乳癌不具有在雌激素受體1 (ESR1)基因之配體結合域(LBD)內之功能獲得型錯義突變，且其中該乳癌於選自由以下所組成之群的至少一個基因中具有至少一個變異體：TNFRSF1B、RAB42、FCER1G、USH2A、MYCN、APOB、AFF3、VHL、WNT7A、RASGEF1B、PGRMC2、PALLD、NEK1、CASP3、DNAH5、LIFR、MAP3K1、HSD17B4、HLA-A、MYB、SYNE1、GLI3、KMT2C、DEFA3、PTPRD、SYK、ABCA1、TRAF1、ABCA2、MYO3A、MMP8、PTPN6、KRT18、KRT8、TPH2、STAB2、FLT3、AHNAK2、HERC2、CYP19A1、SETD1A、CETP、CTCF、PELP1、TP53、DNAH2、BCAS3、TMC8、DSG2、SMAD4、MUC16、LDLR、NR2F6、URI1、MAP3K10、CYP2F1、LILRB1、SRC、BMP7、GGT1、MN1、CYP2D7及RPGR。
如請求項25之用途，其中拉索昔芬係以酒石酸拉索昔芬藉由口服投與來投與。
如請求項26之用途，其中酒石酸拉索昔芬係以5 mg拉索昔芬/天之劑量經口投與。
如請求項25之用途，其進一步包括按任何順序之以下更早步驟： <br/>確定該乳癌不具有雌激素受體1 (ESR1)基因之配體結合域(LBD)內的功能獲得型錯義突變，及確定該乳癌於選自由以下所組成之群的至少一個基因中具有至少一個變異體：TNFRSF1B、RAB42、FCER1G、USH2A、MYCN、APOB、AFF3、VHL、WNT7A、RASGEF1B、PGRMC2、PALLD、NEK1、CASP3、DNAH5、LIFR、MAP3K1、HSD17B4、HLA-A、MYB、SYNE1、GLI3、KMT2C、DEFA3、PTPRD、SYK、ABCA1、TRAF1、ABCA2、MYO3A、MMP8、PTPN6、KRT18、KRT8、TPH2、STAB2、FLT3、AHNAK2、HERC2、CYP19A1、SETD1A、CETP、CTCF、PELP1、TP53、DNAH2、BCAS3、TMC8、DSG2、SMAD4、MUC16、LDLR、NR2F6、URI1、MAP3K10、CYP2F1、LILRB1、SRC、BMP7、GGT1、MN1、CYP2D7及RPGR。
如請求項25之用途，其中該藥劑進一步包括細胞週期素依賴型激酶4/6 (CDK4/6)抑制劑，或用於與CDK4/6抑制劑組合使用。
如請求項29之用途，其中該CDK4/6抑制劑係帕博西尼(palbociclib)、阿貝西尼(abemaciclib)或瑞博西尼(ribociclib)。
一種晶圓保持具，其被利用於將晶圓進行吸引並保持之際，且具備： <br/>保持基台，其具有圓狀的保持面，並且，在該保持面側形成有圓環狀的第一槽與藉由該第一槽所包圍之圓環狀的第二槽，且在內部形成有：多個第一吸引孔，其等在該保持面的藉由該第一槽與該第二槽所夾之區域中開口；多個第二吸引孔，其等在該保持面的藉由該第二槽所包圍之區域中開口；以及吸引路徑，其連通該多個第一吸引孔與該多個第二吸引孔並在該保持面的相反側的背面中開口； <br/>第一彈性體環，其配設於該第一槽，且一部分從該保持面突出；以及 <br/>第二彈性體環，其配設於該第二槽，且一部分從該保持面突出， <br/>其中，該多個第一吸引孔及該多個第二吸引孔被設計成在該多個第一吸引孔的每一個中之壓力損失大於在該多個第二吸引孔的每一個中之壓力損失， <br/>該第二彈性體環的上端的位置高於該第一彈性體環的上端的位置。
如請求項1之晶圓保持具，其中，該吸引路徑包含以與該保持面成為平行之方式放射狀地延伸之連通部， <br/>該多個第一吸引孔的每一個及該多個第二吸引孔的每一個係以與該保持面成為垂直之方式從該吸引路徑的該連通部直線地延伸至該保持面為止， <br/>該多個第一吸引孔的每一個係被形成為具有第一直徑之圓筒狀， <br/>該多個第二吸引孔的每一個係被形成為具有大於該第一直徑之第二直徑之圓筒狀。
如請求項1之晶圓保持具，其中，該多個第一吸引孔的數量少於該多個第二吸引孔的數量。
如請求項2之晶圓保持具，其中，該多個第一吸引孔的數量少於該多個第二吸引孔的數量。
如請求項1至4中任一項之晶圓保持具，其中，該第二彈性體環為V環。
一種用於遮罩合成之方法，其包括： <br/>存取定義表示輸入至一遮罩製作程序之一微影遮罩之一佈局幾何形狀之複數個形狀之一遮罩製作描述； <br/>藉由一處理裝置估計由該遮罩製作程序接著為一晶圓微影程序產生之一微影結果，其中： <br/>該遮罩製作程序係用於基於該遮罩製作描述製作該微影遮罩； <br/>該晶圓微影程序係用於藉由在該晶圓微影程序中使用該微影遮罩而圖案化一晶圓； <br/>該微影結果包括入射於該晶圓上之一空中影像、印刷於該晶圓上之一圖案或該空中影像或經印刷之該圖案之一量測之至少一者；及 <br/>使用一整合式三維遮罩(M3D)模型基於特徵影像及對應M3D濾波器估計該微影結果，其包括： <br/>將該遮罩製作描述中之該等形狀分割成特徵影像；及 <br/>將各特徵影像與該對應M3D濾波器卷積； <br/>其中該M3D濾波器表示該晶圓微影程序中該特徵影像之一電磁散射效應，且該特徵影像及/或M3D濾波器考量來自該遮罩製作程序對該佈局幾何形狀之效應而不估計印刷於該微影遮罩上之一遮罩圖案；及 <br/>基於經估計之該微影結果與一對應目標結果之間之差異修改該遮罩製作描述。
如請求項1之方法，其中該整合式M3D模型包括一僅微影M3D模型之一經修改版本，其中該僅微影M3D模型考量該晶圓微影程序中該特徵影像之電磁散射效應但不考量來自該遮罩製作程序對該佈局幾何形狀之效應。
如請求項1之方法，其中該整合式M3D模型包括一僅微影M3D模型加上經添加參數以考量來自該遮罩製作程序對該佈局幾何形狀之效應，其中該僅微影M3D模型考量該晶圓微影程序中該特徵影像之電磁散射效應但不考量來自該遮罩製作程序對該佈局幾何形狀之效應。
如請求項1之方法，其中該整合式M3D模型包括具有經修改以考量來自該遮罩製作程序對該佈局幾何形狀之效應之參數的一僅微影M3D模型，其中該僅微影M3D模型考量該晶圓微影程序中該特徵影像之電磁散射效應但不考量來自該遮罩製作程序對該佈局幾何形狀之效應。
如請求項1之方法，其中該整合式M3D模型自該遮罩製作描述估計一遮罩函數。
如請求項5之方法，其中該遮罩製作程序對該佈局幾何形狀之效應係在該遮罩函數中擷取且非藉由估計印刷於該微影遮罩上之一遮罩圖案而得。
如請求項1之方法，其中估計該等微影結果進一步包括：在該整合式M3D模型之後之一光學成像模型，及在該光學成像模型之後之一光阻劑/蝕刻模型。
一種用於遮罩合成之系統，其包括： <br/>一記憶體，其儲存基於一遮罩製作程序及/或一晶圓微影程序之指令及校準資料，其中 <br/>該遮罩製作程序用於基於一遮罩製作描述製作一微影遮罩；且 <br/>該晶圓微影程序使用該微影遮罩以圖案化一晶圓；及 <br/>一處理裝置，其與該記憶體耦合且執行該等指令，該等指令在經執行時引起該處理裝置： <br/>估計源自該遮罩製作描述之該校準資料，其中該遮罩製作描述定義表示輸入至該遮罩製作程序之該微影遮罩之一佈局幾何形狀之複數個形狀，且該估計使用基於特徵影像及對應M3D濾波器之一整合式三維遮罩(M3D)模型，其包括： <br/>將該等形狀分解成特徵影像；及 <br/>將各特徵影像與該對應M3D濾波器卷積； <br/>其中該M3D濾波器表示該晶圓微影程序中該特徵影像之一電磁散射效應，且該特徵影像及/或M3D濾波器考量來自該遮罩製作程序對該佈局幾何形狀之效應，但不估計印刷於該微影遮罩上之一遮罩圖案；及 <br/>基於經儲存之該校準資料與經估計之該校準資料之間之差異校準該M3D模型。
如請求項8之系統，其中經儲存之該校準資料係基於經製作之該微影遮罩之量測。
如請求項9系統，其中經儲存之該校準資料係基於量測經製作之該微影遮罩接著為考量該晶圓微影程序中該特徵影像之電磁散射效應但不考量來自該遮罩製作程序對該佈局幾何形狀之效應之一僅微影M3D模型。
如請求項8之系統，其中經儲存之該校準資料係基於經圖案化之該晶圓之量測。
如請求項11之系統，其中估計該校準資料進一步包括：在該整合式M3D模型之後之一成像模型，及在該成像模型之後之一光阻劑/蝕刻模型。
如請求項8之系統，其中經儲存之該校準資料包括基於經製作之該微影遮罩之量測之第一校準資料及基於經圖案化之該晶圓之量測之第二校準資料。
如請求項13之系統，其中校準該M3D模型係藉由該第二校準資料驅動且藉由該第一校準資料正規化。
如請求項8之系統，其中經儲存之該校準資料係基於經製作之該微影遮罩及/或經圖案化之該晶圓之量測及該晶圓微影程序之模擬的一組合。
一種非暫時性電腦可讀媒體，其包括經儲存指令，該等指令在藉由一處理裝置執行時引起該處理裝置： <br/>存取一遮罩製作描述； <br/>藉由該處理裝置估計由一遮罩製作程序接著為一晶圓微影程序產生之一微影結果，其中估計該微影結果使用一整合式模型，該整合式模型組合來自該遮罩製作程序及來自該晶圓微影程序之效應而不估計印刷於一微影遮罩上之一遮罩圖案；且 <br/>基於經估計之該微影結果與一對應目標結果之間之差異修改該遮罩製作描述。
如請求項16之非暫時性電腦可讀媒體，其中修改該遮罩製作描述包括添加子解析度輔助特徵。
如請求項16之非暫時性電腦可讀媒體，其中修改該遮罩製作描述包括光學近接校正或逆微影技術。
如請求項16之非暫時性電腦可讀媒體，其中修改該遮罩製作描述包括遮罩近接校正或遮罩錯誤校正。
如請求項16之非暫時性電腦可讀媒體，其中該遮罩製作程序包括一電子束遮罩寫入程序，且該晶圓微影程序包括一極紫外光晶圓微影程序。
一種二次電池，包括： <br/>陰極材料； <br/>電解質層，包括電解質；以及 <br/>用所述電解質填充的陽極結構，設置於所述電解質層中， <br/>其中所述陽極結構為其中編織有由碳奈米管纖維形成的多個紗線的薄片，且 <br/>其中所述多個紗線中的至少一者為編結紗線， <br/>其中所述編結紗線由編結多個碳奈米管纖維所形成，或由編結多個加撚紗線所形成，所述多個加撚紗線的各者由加撚所述多個碳奈米管纖維所形成， <br/>其中用所述電解質填充的所述陽極結構設置為面對所述陰極材料。
如請求項1所述的二次電池， <br/>其中所述陽極結構為鋰離子電池的陽極集電器。
一種無陽極的二次電池，包括： <br/>陰極材料； <br/>集電器； <br/>電解質層，設置於所述陰極材料與所述集電器之間；以及 <br/>陽極結構，為其中編織有由碳奈米管纖維形成的多個紗線的薄片， <br/>其中所述多個紗線中的至少一者為編結紗線， <br/>其中所述編結紗線由編結多個碳奈米管纖維所形成，或由編結多個加撚紗線所形成，所述多個加撚紗線的各者由加撚所述多個碳奈米管纖維所形成， <br/>其中所述陽極結構設置於所述電解質層中。
如請求項1或請求項3所述的二次電池， <br/>其中所述多個紗線中的各者為所述編結紗線。
如請求項4所述的二次電池， <br/>其中所述編結紗線由彼此編結的多個初級加撚紗線形成， <br/>其中所述多個初級加撚紗線中的各者由加撚的多個碳奈米管線形成。
如請求項4所述的二次電池， <br/>其中所述編結紗線由彼此編結的二次加撚紗線形成， <br/>其中所述二次加撚紗線中的各者由彼此加撚的多個初級加撚紗線形成， <br/>其中所述多個初級加撚紗線中的各者由加撚的多個碳奈米管線形成。
如請求項3所述的二次電池， <br/>其中所述電解質為固體，以及 <br/>其中所述電解質包含基於硫化物的材料。
一種基板處理方法，係處理基板，其包含以下步驟： <br/>一邊在使該基板之蝕刻對象旋轉的同時，使蝕刻液供給部通過該蝕刻對象之旋轉中心之上方在徑方向上來回移動，一邊從該蝕刻液供給部向該蝕刻對象之表面供給蝕刻液而蝕刻該表面；以及， <br/>預測以預測對象蝕刻條件蝕刻該蝕刻對象之表面時之該蝕刻對象之徑方向之蝕刻量分布； <br/>該蝕刻量分布之預測包含以下步驟： <br/>取得包含以複數之不同蝕刻條件蝕刻該蝕刻對象之表面後之蝕刻量分布之學習資料；以及， <br/>利用該學習資料，透過以下式(1)～(6)預測該預測對象蝕刻條件之該蝕刻量分布； <br/>ER <sub>scan</sub>(R)＝ER <sub>ref</sub>(R)×Ratio <sub>scan</sub>(R)・・・(1) <br/>Ratio <sub>scan</sub>(R)＝b <sub>0</sub>×exp(b <sub>1</sub>×T＋b <sub>2</sub>)＋C・・・(2) <br/>b <sub>0</sub>＝f(S，V)・・・(3) <br/>b <sub>1</sub>＝f(S，V)・・・(4) <br/>b <sub>2</sub>＝f(S，V)・・・(5) <br/>T＝(L－R)／V・・・(6) <br/>其中， <br/>ER <sub>scan</sub>：使該蝕刻液供給部來回移動時之蝕刻量 <br/>ER <sub>ref</sub>：不使該蝕刻液供給部來回移動時之蝕刻量 <br/>Ratio <sub>scan</sub>：掃描比 <br/>R：自該蝕刻對象之中心之位置 <br/>T：未供給該蝕刻液之未噴吐時間 <br/>C：常數 <br/>S：使該蝕刻對象旋轉時之旋轉速度 <br/>V：使該蝕刻液供給部來回移動時之掃描速度 <br/>L：使該蝕刻液供給部來回移動時之掃描寬度。
如請求項1所述之基板處理方法，其中， <br/>上述式(3)～(5)中之函數係解析該學習資料而決定。
如請求項1或2所述之基板處理方法，其中， <br/>將利用上述式(1)～(6)對於不同之預測對象蝕刻條件預測出之該蝕刻量分布，根據該不同之預測對象蝕刻條件之蝕刻之時間比率進行加總，而導出該蝕刻量分布。
如請求項1或2所述之基板處理方法，其中， <br/>在該蝕刻液供給部相對於該蝕刻對象之旋轉中心進行非對稱之來回移動時， <br/>將利用上述式(1)～(6)對不同之掃描寬度預測出之該蝕刻量分布，根據該不同之掃描寬度之蝕刻之時間比率進行加總，而導出該蝕刻量分布。
如請求項1或2所述之基板處理方法，其中， <br/>在掃描速度於該蝕刻液供給部從該蝕刻對象之旋轉中心往掃描端部移動時，在該蝕刻對象之徑方向之變速點變化之情況下， <br/>將利用上述式(1)～(6)對於從該旋轉中心到該變速點為止之第1掃描速度預測出之該蝕刻量分布，以及利用上述式(1)～(6)對從該變速點到該掃描端部為止之第2掃描速度預測出之該蝕刻量分布加以組合，而導出該蝕刻量分布。
如請求項5所述之基板處理方法，其中， <br/>在該變速點，對於利用上述式(1)～(6)對該第1掃描速度預測出之該蝕刻量分布或利用上述式(1)～(6)對該第2掃描速度預測出之該蝕刻量分布之任一方，根據該第1掃描速度及該第2掃描速度進行修正。
如請求項1或2所述之基板處理方法，更包含以下步驟： <br/>在蝕刻該蝕刻對象之表面之前，測定該蝕刻對象之厚度，並取得該蝕刻對象之徑方向之厚度分布；以及， <br/>基於取得之該蝕刻對象之厚度分布，預測該蝕刻量分布。
一種基板處理系統，係處理基板，其包含： <br/>蝕刻裝置，包含： <br/>基板固持部，固持該基板； <br/>旋轉機構，使該基板固持部旋轉； <br/>蝕刻液供給部，從固持於該基板固持部之該基板之蝕刻對象的表面之上方供給蝕刻液；以及， <br/>移動機構，使該蝕刻液供給部向水平方向移動；以及， <br/>控制裝置； <br/>該控制裝置執行： <br/>一邊在使該蝕刻對象旋轉的同時，使該蝕刻液供給部通過該蝕刻對象之旋轉中心之上方在徑方向上來回移動，一邊從該蝕刻液供給部向該蝕刻對象之表面供給蝕刻液而蝕刻該表面；以及， <br/>預測以預測對象蝕刻條件蝕刻該蝕刻對象之表面時之該蝕刻對象之徑方向之蝕刻量分布； <br/>該蝕刻量分布之預測包含以下步驟： <br/>取得包含以複數之不同之蝕刻條件蝕刻該蝕刻對象之表面後之蝕刻量分布之學習資料；以及， <br/>利用該學習資料，透過以下式(1)～(6)預測該預測對象蝕刻條件之該蝕刻量分布； <br/>ER <sub>scan</sub>(R)＝ER <sub>ref</sub>(R)×Ratio <sub>scan</sub>(R)・・・(1) <br/>Ratio <sub>scan</sub>(R)＝b <sub>0</sub>×exp(b <sub>1</sub>×T＋b <sub>2</sub>)＋C・・・(2) <br/>b <sub>0</sub>＝f(S，V)・・・(3) <br/>b <sub>1</sub>＝f(S，V)・・・(4) <br/>b <sub>2</sub>＝f(S，V)・・・(5) <br/>T＝(L－R)／V・・・(6) <br/>其中， <br/>ER <sub>scan</sub>：使該蝕刻液供給部來回移動時之蝕刻量 <br/>ER <sub>ref</sub>：不使該蝕刻液供給部來回移動時之蝕刻量 <br/>Ratio <sub>scan</sub>：掃描比 <br/>R：自該蝕刻對象之中心之位置 <br/>T：未供給該蝕刻液之未噴吐時間 <br/>C：常數 <br/>S：使該蝕刻對象旋轉時之旋轉速度 <br/>V：使該蝕刻液供給部來回移動時之掃描速度 <br/>L：使該蝕刻液供給部來回移動時之掃描寬度。
如請求項8所述之基板處理系統，其中， <br/>該控制裝置解析該學習資料，而決定上述式(3)～(5)中之函數。
如請求項8或9所述之基板處理系統，其中， <br/>該控制裝置，將利用上述式(1)～(6)對不同之預測對象蝕刻條件預測出之該蝕刻量分布，根據該不同之預測對象蝕刻條件之蝕刻之時間比率進行加總，而導出該蝕刻量分布。
如請求項8或9所述之基板處理系統，其中， <br/>該控制裝置，在該蝕刻液供給部相對於該蝕刻對象之旋轉中心進行非對稱之來回移動時， <br/>將利用上述式(1)～(6)對不同之掃描寬度預測出之該蝕刻量分布，根據該不同之掃描寬度之蝕刻之時間比率進行加總，而導出該蝕刻量分布。
如請求項8或9所述之基板處理系統，其中， <br/>在掃描速度於該蝕刻液供給部從該蝕刻對象之旋轉中心往掃描端部移動時，在該蝕刻對象之徑方向之變速點變化之情況下，該控制裝置執行： <br/>將利用上述式(1)～(6)對從該旋轉中心到該變速點為止之第1掃描速度預測出之該蝕刻量分布，以及利用上述式(1)～(6)對從該變速點到該掃描端部為止之第2掃描速度預測出之該蝕刻量分布加以組合，而導出該蝕刻量分布。
如請求項12所述之基板處理系統，其中， <br/>該控制裝置，在該變速點，對於利用上述式(1)～(6)對該第1掃描速度預測出之該蝕刻量分布或利用上述式(1)～(6)對該第2掃描速度預測出之該蝕刻量分布之任一方，根據該第1掃描速度及該第2掃描速度進行修正。
如請求項8或9所述之基板處理系統，更包含： <br/>厚度測定裝置，測定蝕刻前之該蝕刻對象之厚度； <br/>該控制裝置，基於從該厚度測定裝置所測定出之該蝕刻對象之厚度取得之該蝕刻對象之厚度分布，預測該蝕刻量分布。
一種複合探針，包括： <br/>探針本體，收納於由分離而配置之第1引導板及第2引導板組成之探針卡用之引導單元中，且由上述第1引導板之第1引導孔及上述第2引導板之第2引導孔來支持；以及 <br/>導桿，由一端連結於上述探針本體之大致直線形狀形成，較上述探針本體先插通於上述第1引導孔中，進一步地通過上述第2引導孔後可自上述探針本體切離；其特徵在於：上述探針本體包括： <br/>大致直線形狀之第1桿，支持於上述第1引導孔中； <br/>大致直線形狀之第2桿，支持於上述第2引導孔中；以及 <br/>彎曲部，配置於上述第1引導板及上述第2引導板之間，將上述第1桿及上述第2桿連結；並且 <br/>上述導桿與上述第2桿同軸地連結於上述第2桿之前端； <br/>上述導桿及上述第2桿之合計長度較上述第1引導板及上述第2引導板之非相向面之距離更長。
如請求項1之複合探針，其中， <br/>上述導桿較上述第1引導板及上述第2引導板之非相向面之距離更長。
如請求項1之複合探針，其中， <br/>上述導桿之長度為大於或等於上述探針本體之長度。
如請求項1至3中任一項之複合探針，其中， <br/>上述導桿及上述第2桿為利用鍍敷法而依序積層之金屬層，且在與積層方向大致平行之界面上接合。
如請求項1至3中任一項之複合探針，其中， <br/>包括將上述導桿及上述第2桿連結之連結部，並且 <br/>上述連結部為利用鍍敷法而積層之金屬層，且積層方向之厚度小於上述導桿及上述第2桿。
一種探針之安裝方法，其係對由分離而配置之第1引導板及第2引導板組成之探針卡用之引導單元安裝探針之方法；其特徵在於包括以下步驟： <br/>使用由探針本體及導桿構成之複合探針，上述探針本體包括支持於上述第1引導板之第1引導孔中之第1桿以及支持於上述第2引導板之第2引導孔中之第2桿、以及配置於上述第1引導板及上述第2引導板之間且將上述第1桿及上述第2桿連結之彎曲部， <br/>上述導桿連結於上述探針本體之前端， <br/>將上述導桿較上述探針本體先插通於上述第1引導板之上述第1引導孔中之步驟； <br/>於上述彎曲部插通於上述第1引導孔中之前，將插通於上述第1引導孔中之上述導桿進一步地插通於上述第2引導板之上述第2引導孔中之步驟；以及 <br/>於上述探針本體由上述第1引導孔及上述第2引導孔來支持之狀態下，將上述導桿自上述探針本體切離之步驟。
一種探針卡之製造方法，包括： <br/>使用如請求項6之探針之安裝方法，於上述引導單元上安裝探針之步驟；以及 <br/>將安裝有上述探針之上述引導單元安裝於配線基板上之步驟。
一種比較器，包括：<br/> 一輸入級，包括：<br/> 耦合到一第一節點和一第二節點的一第一輸入電路，該第一輸入電路被配置為接收該比較器的一輸入和一第一比較電壓，該第一比較電壓包括一第一偏移消除分量；<br/> 一第一開關電晶體，其被配置為在一先前位元值為一時啟用該第一輸入電路；<br/> 耦合到該第一節點和該第二節點的一第二輸入電路，該第二輸入電路被配置為接收該比較器的該輸入和一第二比較電壓，該第二比較電壓包括一第二偏移消除分量，其中該第一偏移消除分量和該第二偏移消除分量有助於消除該比較器的一偏移電壓；及<br/> 一第二開關電晶體，其被配置為在該先前位元值為零時啟用該第二輸入電路；<br/> 一再生級，包括：<br/> 一第一逆變器；<br/> 與該第一逆變器交叉耦合的一第二逆變器；<br/> 耦合到該第一逆變器的一第一驅動電晶體，其中該第一驅動電晶體的一閘極耦合到該第二節點；及<br/> 耦合到該第二逆變器的一第二驅動電晶體，其中該第二驅動電晶體的一閘極耦合到該第一節點；及<br/> 一偏移消除電路，包括：<br/> 耦合到該第二節點的一第一偏移電晶體，其中該第一偏移電晶體的一閘極被配置為接收一第一偏移消除電壓；及<br/> 耦合到該第一節點的一第二偏移電晶體，其中該第二偏移電晶體的一閘極被配置為接收一第二偏移消除電壓，並且該偏移消除電路有助於消除該比較器的該偏移電壓。
根據請求項1之比較器，其中該輸入級和該再生級並列地佈置在一電源軌與一地之間。
根據請求項1之比較器，其中該第一輸入電路包括：<br/> 一第一輸入電晶體，其中該第一輸入電晶體的一源極耦合到該第一開關電晶體，該第一輸入電晶體的一閘極耦合到該比較器的該輸入，並且該第一輸入電晶體的一汲極耦合到該第一節點；及<br/> 一第二輸入電晶體，其中該第二輸入電晶體的一源極耦合到該第一開關電晶體，該第二輸入電晶體的一閘極被配置為接收該第一比較電壓，並且該第二輸入電晶體的一汲極耦合到該第二節點。
根據請求項3之比較器，其中該第一輸入電晶體包括一第一p型場效應電晶體（PFET），並且該第二輸入電晶體包括一第二PFET。
根據請求項4之比較器，其中：<br/> 該第一驅動電晶體包括一第一n型場效應電晶體（NFET），其中該第一NFET的一汲極耦合到該第一逆變器，並且該第一NFET的一源極耦合到一地；及<br/> 該第二驅動電晶體包括一第二NFET，其中該第二NFET的一汲極耦合到該第二逆變器，並且該第二NFET的一源極耦合到該地。
根據請求項3之比較器，其中該第一輸入電晶體包括一第一n型場效應電晶體（NFET），並且該第二輸入電晶體包括一第二NFET。
根據請求項6之比較器，其中：<br/> 該第一驅動電晶體包括一第一p型場效應電晶體（PFET），其中該第一PFET的一汲極耦合到該第一逆變器，並且該第一PFET的一源極耦合到一電源軌；及<br/> 該第二驅動電晶體包括一第二PFET，其中該第二PFET的一汲極耦合到該第二逆變器，並且該第二PFET的一源極耦合到該電源軌。
根據請求項3之比較器，其中該第二輸入電晶體的該閘極耦合到一數位類比轉換器（DAC），其中該DAC被配置為產生該第一比較電壓。
根據請求項3之比較器，其中該第二輸入電路包括：<br/> 一第三輸入電晶體，其中該第三輸入電晶體的一源極耦合到該第二開關電晶體，該第三輸入電晶體的一閘極耦合到該比較器的該輸入，並且該第三輸入電晶體的一汲極耦合到該第一節點；及<br/> 一第四輸入電晶體，其中該第四輸入電晶體的一源極耦合到該第二開關電晶體，該第四輸入電晶體的一閘極被配置為接收該第二比較電壓，並且該第四輸入電晶體的一汲極耦合到該第二節點。
根據請求項9之比較器，其中：<br/> 該第二輸入電晶體的該閘極耦合到一第一數位類比轉換器（DAC），其中該第一DAC被配置為產生該第一比較電壓；及<br/> 該第四輸入電晶體的該閘極耦合到一第二DAC，其中該第二DAC被配置為產生該第二比較電壓。
根據請求項9之比較器，其中：<br/> 該第一比較電壓包括一參考電壓和一第一判決回饋等化器（DFE）係數；及<br/> 該第二比較電壓包括該參考電壓和一第二DFE係數。
根據請求項1之比較器，其中：<br/> 該第一偏移電晶體的該閘極耦合到一第一數位類比轉換器（DAC），其中該第一DAC被配置為產生該第一偏移消除電壓；及<br/> 該第二偏移電晶體的該閘極耦合到一第二DAC，其中該第二DAC被配置為產生該第二偏移消除電壓。
根據請求項1之比較器，亦包括一第三開關電晶體，該第三開關電晶體耦合在該第一開關電晶體與一地之間並且耦合在該第二開關電晶體與該地之間，其中該第三開關電晶體的一閘極被配置為接收一時鐘信號。
根據請求項13之比較器，亦包括：<br/> 耦合在該第一節點與一電源軌之間的一第四開關電晶體，其中該第四開關電晶體的一閘極被配置為接收該時鐘信號；及<br/> 耦合在該第二節點與該電源軌之間的一第五開關電晶體，其中該第五開關電晶體的一閘極被配置為接收該時鐘信號。
根據請求項1之比較器，亦包括一第三開關電晶體，其耦合在該第一開關電晶體與一電源軌之間並且耦合在該第二開關電晶體與該電源軌之間，其中該第三開關電晶體的一閘極被配置為接收一時鐘信號。
根據請求項15之比較器，亦包括：<br/> 耦合在該第一節點與一地之間的一第四開關電晶體，其中該第四開關電晶體的一閘極被配置為接收該時鐘信號；及<br/> 耦合在該第二節點與該地之間的一第五開關電晶體，其中該第五開關電晶體的一閘極被配置為接收該時鐘信號。
根據請求項1之比較器，其中該先前位元值是基於由該比較器進行的一先前位元判決的。
根據請求項1之比較器，其中該先前位元值是基於由與該比較器時間交錯的另一比較器進行的一先前位元判決的。
根據請求項18之比較器，其中：<br/> 該第一開關電晶體的一閘極耦合到該另一比較器的一第一輸出或一第一內部節點；及<br/> 該第二開關電晶體的一閘極耦合到該另一比較器的一第二輸出或一第二內部節點。
一種操作一比較器的方法，該比較器包括一第一逆變器、與該第一逆變器交叉耦合的一第二逆變器、耦合到該第一逆變器的一第一驅動電晶體和耦合到該第二逆變器的一第二驅動電晶體，其中該第二驅動電晶體的一閘極耦合到一第一節點，並且該第一驅動電晶體的一閘極耦合到一第二節點，進一步其中該比較器進一步包括耦合到該第二節點的一第一偏移電晶體和耦合到該第一節點的一第二偏移電晶體，該方法包括以下步驟：<br/> 若一先前位元值為一，<br/> 使用一第一輸入電路來將一輸入電壓與一第一比較電壓進行比較，該第一比較電壓包括一第一偏移消除分量，及<br/> 基於該輸入電壓與該第一比較電壓的該比較，在該第一節點上產生一第一電壓並且在該第二節點上產生一第二電壓；<br/> 若該先前位元值為零，<br/> 使用一第二輸入電路來將該輸入電壓與一第二比較電壓進行比較，該第二比較電壓包括一第二偏移消除分量，其中該第一偏移消除分量和該第二偏移消除分量有助於消除該比較器的一偏移電壓，及<br/> 基於該輸入電壓與該第二比較電壓的該比較，在該第一節點上產生該第一電壓並且在該第二節點上產生該第二電壓；<br/> 使用一第一數位類比轉換器（DAC）來產生一第一偏移消除電壓；<br/> 將該第一偏移消除電壓輸入到該第一偏移電晶體的一閘極；<br/> 使用一第二數位類比轉換器（DAC）來產生一第二偏移消除電壓；及<br/> 將該第二偏移消除電壓輸入到該第二偏移電晶體的一閘極，其中該第一偏移消除電壓和該第二偏移消除電壓有助於消除該比較器的該偏移電壓。
根據請求項20之方法，其中：<br/> 該第一比較電壓包括一參考電壓和一第一判決回饋等化器（DFE）係數；及<br/> 該第二比較電壓包括該參考電壓和一第二DFE係數。
根據請求項20之方法，其中：<br/> 該比較器亦包括耦合到該第一節點的一第一輸入電晶體和耦合到該第二節點的一第二輸入電晶體，以及<br/> 將該輸入電壓與該第一比較電壓進行比較之步驟包括以下步驟：將該輸入電壓輸入到該第一輸入電晶體的一閘極，並且將該第一比較電壓輸入到該第二輸入電晶體的一閘極。
根據請求項22之方法，其中該第一輸入電晶體和該第二輸入電晶體中的每一者包括一相應的p型場效應電晶體（PFET），並且該第一驅動電晶體和該第二驅動電晶體中的每一者包括一相應的n型場效應電晶體（NFET）。
根據請求項22之方法，其中該第一輸入電晶體和該第二輸入電晶體中的每一者包括一相應的n型場效應電晶體（NFET），並且該第一驅動電晶體和該第二驅動電晶體中的每一者包括一相應的p型場效應電晶體（PFET）。
根據請求項22之方法，其中：<br/> 該比較器亦包括耦合到該第一節點的一第三輸入電晶體和耦合到該第二節點的一第四輸入電晶體，以及<br/> 將該輸入電壓與該第二比較電壓進行比較之步驟包括以下步驟：將該輸入電壓輸入到該第三輸入電晶體的一閘極，並且將該第二比較電壓輸入到該第四輸入電晶體的一閘極。
根據請求項20之方法，其中該先前位元值是基於由該比較器進行的一先前位元判決的。
根據請求項20之方法，其中該先前位元值是基於由與該比較器時間交錯的另一比較器進行的一先前位元判決的。
一種用於判決回饋等化的系統，包括：<br/> 一比較器，包括：<br/> 一輸入級，包括：<br/> 耦合到一第一節點和一第二節點的一第一輸入電路，該第一輸入電路被配置為接收該比較器的一輸入和一第一比較電壓，該第一比較電壓包括一第一偏移消除分量；<br/> 一第一開關電晶體，其被配置為在一先前位元值為一時啟用該第一輸入電路；<br/> 耦合到該第一節點和該第二節點的一第二輸入電路，該第二輸入電路被配置為接收該比較器的該輸入和一第二比較電壓，該第二比較電壓包括一第二偏移消除分量，其中該第一偏移消除分量和該第二偏移消除分量有助於消除該比較器的一偏移電壓；及<br/> 一第二開關電晶體，其被配置為在該先前位元值為零時啟用該第二輸入電路；<br/> 一再生級，包括：<br/> 一第一逆變器；<br/> 與該第一逆變器交叉耦合的一第二逆變器，其中該比較器的一第一輸出耦合到該第二逆變器的一輸出，並且該比較器的一第二輸出耦合到該第一逆變器的一輸出；<br/> 耦合到該第一逆變器的一第一驅動電晶體，其中該第一驅動電晶體的一閘極耦合到該第二節點；及<br/> 耦合到該第二逆變器的一第二驅動電晶體，其中該第二驅動電晶體的一閘極耦合到該第一節點，其中該輸入級和該再生級並列地佈置在一電源軌與一地之間；及<br/> 一偏移消除電路，包括：<br/> 耦合到該第二節點的一第一偏移電晶體，其中該第一偏移電晶體的一閘極被配置為接收一第一偏移消除電壓；及<br/> 耦合到該第一節點的一第二偏移電晶體，其中該第二偏移電晶體的一閘極被配置為接收一第二偏移消除電壓，並且該偏移消除電路有助於消除該比較器的該偏移電壓；及<br/> 具有一第一輸入和一第二輸入的一鎖存器，其中該鎖存器的該第一輸入耦合到該比較器的該第一輸出，並且該鎖存器的該第二輸入耦合到該比較器的該第二輸出。
根據請求項28之系統，其中該第一輸入電路包括：<br/> 一第一輸入電晶體，其中該第一輸入電晶體的一源極耦合到該第一開關電晶體，該第一輸入電晶體的一閘極耦合到該比較器的該輸入，並且該第一輸入電晶體的一汲極耦合到該第一節點；及<br/> 一第二輸入電晶體，其中該第二輸入電晶體的一源極耦合到該第一開關電晶體，該第二輸入電晶體的一閘極被配置為接收該第一比較電壓，並且該第二輸入電晶體的一汲極耦合到該第二節點。
根據請求項29之系統，其中該第二輸入電路包括：<br/> 一第三輸入電晶體，其中該第三輸入電晶體的一源極耦合到該第二開關電晶體，該第三輸入電晶體的一閘極耦合到該比較器的該輸入，並且該第三輸入電晶體的一汲極耦合到該第一節點；及<br/> 一第四輸入電晶體，其中該第四輸入電晶體的一源極耦合到該第二開關電晶體，該第四輸入電晶體的一閘極被配置為接收該第二比較電壓，並且該第四輸入電晶體的一汲極耦合到該第二節點。
根據請求項29之系統，亦包括：<br/> 具有一輸出的一傳輸器；及<br/> 耦合在該傳輸器的該輸出與該比較器的該輸入之間的一鏈路。
根據請求項28之系統，其中該鎖存器包括一設置重置（SR）鎖存器。
根據請求項28之系統，亦包括耦合到該鎖存器的一解串器。
一種可固化組成物，其包含：<br/>a. 第一有機聚矽氧烷，其每分子包含至少兩個三烷氧矽基，且不含烯基及巰基，以第一、第二及第三有機聚矽氧烷之組合重量計，該第一有機聚矽氧烷以35至80重量百分比之範圍內的濃度存在；<br/>b. 第二有機聚矽氧烷，其含有至少一個烯基且不含巰基及烷氧矽基，其中該第二有機聚矽氧烷以10至65重量百分比之範圍內的濃度存在，且提供大於0.02重量百分比之雙鍵碳基團的濃度，重量百分比值係以第一、第二及第三有機聚矽氧烷之組合重量計；<br/>c. 第三有機聚矽氧烷，其每分子平均包含2個或更多個巰基且不含烯基官能性及烷氧矽基官能性，其中以第一、第二及第三有機聚矽氧烷之組合重量計，該第三有機聚矽氧烷之濃度以0.5至30重量百分比之範圍內且足以提供每莫耳烯基0.3至4莫耳巰基的濃度存在；<br/>d. 光起始劑，其濃度在可固化組成物重量的0.01至5重量百分比之範圍內；<br/>e. 縮合催化劑，其濃度在可固化組成物重量的0.01至3重量百分比之範圍內；及<br/>f. 可選的烷氧基矽烷，其濃度在可固化組成物重量的0.1至10重量百分比之範圍內。
如請求項1之可固化組成物，其中該第一有機聚矽氧烷不含(甲基)丙烯醯基。
如請求項1之可固化組成物，其中該第一有機聚矽氧烷具有平均化學結構(I)：<br/><br/>[XR<sub>2</sub>SiO<sub>1/2</sub>]<sub>m</sub>[R<sub>2</sub>SiO<sub>2/2</sub>]<sub>d</sub>[RXSiO<sub>2/2</sub>]<sub>d’</sub> [RSiO<sub>3/2</sub>]<sub>t</sub>[SiO<sub>4/2</sub>]<sub>q</sub> (I)<br/><br/>其中：<br/>X在每次出現時獨立地選自含有三烷氧矽基的基團；<br/>R在每次出現時獨立地選自含有1至6個碳原子之烴基；<br/>下標m具有2至10之範圍內之平均值；<br/>下標d具有20至5000之範圍內之平均值；<br/>下標d’具有在0至50之範圍內之平均值；<br/>下標t具有0至100之平均值；及<br/>下標q具有0至10之平均值。
如請求項3之可固化組成物，其中X係選自：<br/><br/>(RO)<sub>3</sub>Si-；<br/>及<br/>(RO)<sub>3</sub>Si-R’-R<sub>2</sub>SiO-R<sub>2</sub>Si-R’-<br/><br/>其中R在每次出現時獨立地選自具有1至6個碳原子之烴基且R’在每次出現時獨立地選自具有1至6個碳原子之伸烷基。
如請求項1-4中任一項之可固化組成物，其中該第二有機聚矽氧烷具有平均化學結構(II)：<br/><br/>[YR<sub>2</sub>SiO<sub>1/2</sub>]<sub>m’</sub>[R<sub>2</sub>SiO<sub>2/2</sub>]<sub>d2</sub>[RYSiO<sub>2/2</sub>]<sub>d2’</sub>[RSiO<sub>3/2</sub>]<sub>t’</sub>[SiO<sub>4/2</sub>]<sub>q’</sub> (II)<br/><br/>其中：Y在每次出現時獨立地係具有2至8個碳原子之末端烯基；R在每次出現時獨立地選自具有1至6個碳原子之烴基；下標m’具有2至10之範圍內的平均值；下標d2具有20至5000之範圍內的平均值，下標d2’具有0至50之範圍內的平均值；下標t’具有0至100之範圍內之平均值；且下標q’具有0至10之範圍內之平均值。
如請求項5之可固化組成物，其中各R係甲基，Y係乙烯基。
如請求項1-4中任一項之可固化組成物，其中該第三有機聚矽氧烷具有平均化學組成(III)：<br/><br/>[R<sub>3</sub>SiO<sub>1/2</sub>]<sub>2-j</sub>[R”R<sub>2</sub>SiO<sub>1/2</sub>]<sub>j</sub>[RR”SiO<sub>2/2</sub>]<sub>o</sub>[R<sub>2</sub>SiO<sub>2/2</sub>]<sub>p</sub> (III)<br/><br/>其中：R在每次出現時獨立地選自具有1至6個碳原子的烴基；R”係HS(CH<sub>2</sub>)<sub>t</sub>CH<sub>2</sub>-，其中下標t具有1至7之範圍內之平均值；下標j具有0至2之範圍內之平均值；下標o具有0至30之範圍內的值；下標p具有3至500之範圍內的值；且下標o及p經選擇以提供以該第三有機聚矽氧烷之重量計，0.5至15.0重量百分比之範圍內的巰基重量比。
如請求項1-4中任一項之可固化組成物，其中該烷氧基矽烷為具有平均化學結構(IV)的烷基三烷氧基矽烷：<br/><br/>R(RO)<sub>3</sub>Si (IV)<br/><br/>其中：R在每次出現時獨立地選自具有平均1至6個碳原子的烴基。
如請求項1之可固化組成物，其中：<br/>a. 該第一有機聚矽氧烷以第一、第二及第三有機聚矽氧烷之組合重量之40至80重量百分比之範圍內之濃度存在且具有選自下列之平均化學結構：<br/><br/>X-R<sub>2</sub>SiO-[R<sub>2</sub>SiO]<sub>a</sub>-[RXSiO]<sub>b</sub>-R<sub>2</sub>Si-X (Ia)<br/><br/>其中在每次出現時：X係-R’-SiR<sub>2</sub>-OSiR<sub>2</sub>-R’-Si(OR)<sub>3</sub>，R係甲基，R’係-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-，且其中下標a具有145至290之範圍內的平均值，且下標b係零；<br/>及<br/><br/>Si[O-[R<sub>2</sub>SiO]<sub>a</sub>-[RXSiO]<sub>b</sub>-R<sub>2</sub>Si-X]<sub>4</sub> (Ib)<br/><br/>其中在每次出現時：X係(RO)<sub>3</sub>Si-R’-R<sub>2</sub>SiO-R<sub>2</sub>Si-R’-，R係甲基，R’係-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-，且其中下標a具有55至57之範圍內的平均值，且下標b係零；<br/>b. 該第二有機聚矽氧烷以第一、第二及第三有機聚矽氧烷之組合重量之16至50重量百分比之範圍內之濃度存在且具有選自下列之平均化學結構：<br/><br/>Y-R<sub>2</sub>SiO-[R<sub>2</sub>SiO]<sub>m</sub>-[YRSiO]<sub>n</sub>-R<sub>2</sub>SiY (IIa)<br/><br/>其中在每次出現時：R係甲基，Y係乙烯基，下標m具有120至770之範圍內的平均值，且下標n係零；<br/>及<br/><br/>Si[-O-[R<sub>2</sub>SiO]<sub>m</sub>-[YRSiO]<sub>n</sub>- R<sub>2</sub>SiY]<sub>4</sub> (IIb)<br/><br/>其中在每次出現時：R係甲基，Y係乙烯基，下標m具有55至57之範圍內的平均值，且下標n係零；<br/>c. 該第三有機聚矽氧烷以第一、第二及第三有機聚矽氧烷之組合重量之1至10重量百分比之範圍內之濃度存在且具有平均化學組成(IIIa)：<br/><br/>[R<sub>3</sub>SiO<sub>1/2</sub>]<sub>2</sub>[RR”SiO<sub>2/2</sub>]<sub>o</sub>[R<sub>2</sub>SiO<sub>2/2</sub>]<sub>p</sub> (IIIa)<br/><br/>其中：R在每次出現時係甲基，R”係HS(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-，下標p具有40至45之範圍內的值，且下標o具有平均值5；<br/>d. 該組成物包含光起始劑；<br/>e. 該組成物包含縮合催化劑；及<br/>f. 該組成物包含甲基三甲氧基矽烷作為烷氧基矽烷。
如請求項1-4中任一項之可固化組成物，其中該可固化組成物不含具有烯基與烷氧基官能性二者之聚矽氧烷。
一種形成半導體裝置的方法，包括： <br/>提供裝置晶圓，包括：半導體基底、位於所述半導體基底上的互連結構以及內埋在所述半導體基底中的多個深通孔； <br/>在所述裝置晶圓的前側處沿著所述裝置晶圓的切割線切割出第一開口和第二開口； <br/>翻轉所述裝置晶圓並將其連接到膠帶上； <br/>在所述裝置晶圓的背側處沿著所述裝置晶圓的所述切割線切割出第三開口，所述第三開口接合所述第一開口以將裝置晶粒與所述裝置晶圓完全分離，所述裝置晶粒的側壁具有對應於所述第一開口或所述第三開口的縮進，其中所述第一開口的側壁粗糙度小於所述第三開口的側壁粗糙度； <br/>從所述裝置晶圓的所述背側移除所述半導體基底的一部分以暴露出所述多個深通孔；以及 <br/>在所述裝置晶圓的所述背側上形成多個導電特徵，其中所述多個導電特徵通過所述多個深通孔電性耦合至所述互連結構。
如請求項1所述的方法，其中所述第一開口和所述第二開口彼此橫向分離。
如請求項1所述的方法，其中所述第一開口和所述第二開口從所述裝置晶圓的所述互連結構延伸至所述半導體基底中。
如請求項1所述的方法，其中將所述裝置晶圓連接到所述膠帶上包括：將所述互連結構直接接觸所述膠帶。
如請求項1所述的方法，其中所述第三開口的寬度比所述第一開口的最靠近第一裝置區的第一側壁與所述第二開口的最靠近第二裝置區的第二側壁之間的寬度寬。
如請求項1所述的方法，其中所述裝置晶粒的所述側壁的所述縮進對應於所述第一開口。
一種形成半導體裝置的方法，包括： <br/>自晶圓分割出裝置晶粒，其中所述晶圓包括：基底、位於所述基底上的互連結構以及內埋在所述基底中的多個深通孔，其中所述分割包括： <br/>在所述晶圓的前側中形成一對平行溝槽，所述一對平行溝槽延伸穿過所述互連結構並進入所述晶圓的所述半導體基底中； <br/>翻轉所述晶圓並固定所述晶圓的所述前側；以及 <br/>在所述晶圓的背側中形成平行於所述一對平行溝槽的第三溝槽，所述第三溝槽具有位於所述一對平行溝槽之間的中心線，其中所述一對平行溝槽的側壁粗糙度小於所述第三溝槽的側壁粗糙度； <br/>清潔由形成所述第三溝槽所產生的碎屑或副產物，在所述清潔中保護所述晶圓的所述前側； <br/>從所述背側移除所述半導體基底的一部分以暴露出所述多個深通孔；以及 <br/>在所述背側上形成多個導電特徵，其中所述多個導電特徵通過所述多個深通孔電性耦合至所述互連結構。
如請求項7所述的方法，其中所述一對平行溝槽的外表面之間的寬度是第一寬度，其中所述一對平行溝槽的內表面之間的寬度是第二寬度，其中所述第三溝槽的寬度是在所述第一寬度和所述第二寬度之間。
一種套接器，係將用以使複數光纖分別突出的複數光纖孔設置於一端面，並設置連通於複數前述光纖孔的後端且相互平行的複數光纖誘導孔，用以插入複數前述光纖之光纖帶的光纖帶插入孔設置於前述一端面相反側的另一端面的套接器，其特徵為： <br/> 前述套接器，係具有護緣部，且具備連通複數前述光纖孔、前述光纖誘導孔及前述光纖帶插入孔的內部空間，並且僅於前述護緣部的一面具備用以對前述內部空間填充接著劑的接著劑填充窗， <br/> 套接器的長度為4mm以下， <br/> 前述接著劑填充窗的長度為1.2mm以上， <br/> 前述光纖誘導孔的長度t1為1.7mm以上。
如請求項1所記載之套接器，其中， <br/> 前述另一端面與前述光纖誘導孔的距離為3.0mm以下。
如請求項2所記載之套接器，其中， <br/> 前述光纖帶插入孔的底面為平坦，且不具有保護套插入孔。
如請求項1所記載之套接器，其中， <br/> 從前述套接器的前述一端面到前述另一端面為止的長度為4mm； <br/> 前述套接器的前述內部空間中之前述光纖誘導孔的長度為1.7mm以上2.5mm以下。
如請求項1所記載之套接器，其中， <br/> 前述套接器由PPS樹脂所成； <br/> 前述光纖孔由直徑125微米所成。
如請求項1所記載之套接器，其中， <br/> 前述套接器的前述護緣部，係與前述套接器的前述一端面平行地涵蓋全周而形成。
一種光纖連接器，其特徵為於請求項1所記載之套接器裝填複數前述光纖。
一種光纖連接器的製造方法，係使用請求項1所記載之套接器的連接器的製造方法，其特徵為包含： <br/> 接著劑填充工程，係從設置於前述套接器之前述護緣部的前述接著劑填充窗，對前述內部空間填充前述接著劑； <br/> 光纖帶插入工程，係從前述套接器的前述光纖帶插入孔插入前述光纖； <br/> 接著劑硬化工程，係用以固定前述光纖；及 <br/> 研磨工程，係對從前述套接器的一端面突出之複數前述光纖進行研磨。
一種篩選系統，其包括： <br/>一控制器，其經通信地耦合至一或多個樣本分析工具，其中該一或多個樣本分析工具包括至少一個線上特徵化工具及至少一個電性測試工具，該控制器包含一或多個處理器，該一或多個處理器經組態以執行程式指令以引起該一或多個處理器： <br/>以該至少一個線上特徵化工具之一缺陷分類器，基於自該一或多個樣本分析工具之該至少一個線上特徵化工具接收之線上特徵化工具資料來識別一晶片群體之缺陷結果； <br/>基於自該一或多個樣本分析工具之該至少一個電性測試工具接收之電性測試資料來識別該晶片群體之電性測試結果； <br/>基於該等經識別缺陷結果及該等經識別電性測試結果來產生一或多個相關性度量，其中該一或多個相關性度量包括該缺陷分類器之一分類器置信度度量；及 <br/>基於該一或多個相關性度量來判定該篩選系統之至少一個診斷，該至少一個診斷對應於該篩選系統之一性能。
如請求項1之篩選系統，其中該一或多個處理器經進一步組態以執行該等程式指令以引起該一或多個處理器判定該缺陷分類器之一手動抽查缺陷分類器維護之一降低所需頻率。
如請求項1之篩選系統，其中該篩選系統之該至少一個診斷包括指示該至少一個線上特徵化工具之該缺陷分類器之一缺陷分類器性能之一降級診斷。
如請求項3之篩選系統，其中該一或多個處理器經進一步組態以執行該程式指令以引起該一或多個處理器： <br/>基於該降級診斷來判定一缺陷分類器改良，該缺陷分類器改良對應於以下之至少一者： <br/>調整該缺陷分類器之一屬性或臨限值之至少一者；或 <br/>重新訓練該缺陷分類器之一機器學習模型。
如請求項1之篩選系統，其中該至少一個線上特徵化工具包括： <br/>一檢測工具或一度量工具之至少一者。
如請求項1之篩選系統，其中該晶片群體包括： <br/>一樣本中之晶片、一批次中之多個樣本中之晶片或多個批次中之多個樣本中之晶片之至少一者。
如請求項1之篩選系統，其中該等經識別缺陷結果及該等經識別電性測試結果係基於互斥資料源，使得各者係該晶片群體之一可靠性之一獨立指示。
如請求項1之篩選系統，其中該一或多個相關性度量包括一分級比度量，該分級比度量對應於基於該等經識別缺陷結果來分級移除之該晶片群體之晶片之一數目與基於該等經識別電性測試結果來分級移除之該晶片群體之晶片之一數目之間的一比率。
如請求項1之篩選系統，其中判定該至少一個診斷包括： <br/>獲取經組態以判定該篩選系統之該至少一個診斷之一診斷模組；及 <br/>經由該診斷模組來判定該至少一個診斷。
如請求項9之篩選系統，其中該診斷模組包括經訓練用於使多組訓練相關性度量與多組一或多個訓練診斷相關之一機器學習模型。
如請求項1之篩選系統，其中該一或多個處理器經進一步組態以執行程式指令以引起該一或多個處理器： <br/>基於該至少一個診斷來判定該篩選系統之該性能之一改良。
如請求項11之篩選系統，其中該篩選系統之該性能之該改良包括以下之至少一者： <br/>降低該至少一個線上特徵化工具之一誤判率或一漏報率之至少一者；或 <br/>降低該至少一個電性測試工具之一誤判率或一漏報率之至少一者。
如請求項12之篩選系統，其中該至少一個診斷包括指示該至少一個電性測試工具相對於該至少一個線上特徵化工具之一晶片失準之一晶片佈局失準診斷。
如請求項12之篩選系統，其中該至少一個診斷包括指示該至少一個線上特徵化工具之一線上缺陷配方之一變化之一線上缺陷配方偏差診斷。
如請求項12之篩選系統，其中該至少一個診斷包括指示該至少一個線上特徵化工具之硬體或軟體之至少一者中之一偏差之一線上特徵化工具偏差診斷。
如請求項15之篩選系統，其中該硬體包括一降級照明源，其中該篩選系統之該性能之該改良包括替換該降級照明源。
如請求項1之篩選系統，其中該至少一個診斷包括以下之至少一者： <br/>該至少一個電性測試工具與該至少一個線上特徵化工具之間之一失準； <br/>該篩選系統之一組件之一預測維護間隔； <br/>一線上缺陷檢測配方之一偏差； <br/>該至少一個線上特徵化工具之一軟體及/或硬體中之一偏差；或 <br/>該至少一個電性測試工具之一性能之一偏差。
如請求項1之篩選系統，其中產生該一或多個相關性度量包括產生經組態以允許追蹤該一或多個相關性度量之該一或多個相關性度量的一或多個程序控制圖資料。
如請求項18之篩選系統，其中判定該篩選系統之該至少一個診斷包括： <br/>監測對應於該一或多個程序控制圖資料之一程序控制圖資料之一控制極限臨限值；及 <br/>基於該控制極限臨限值及該程序控制圖資料來識別一控制極限臨限值突破。
如請求項1之篩選系統，其中該一或多個相關性度量包括對應於一類缺陷結果與該等電性測試結果之間之一或多個相關性的一或多個每類相關性度量。
如請求項1之篩選系統，其中該一或多個相關性度量包括對應於一類缺陷結果之一或多個屬性之一屬性之一導數與該等電性測試結果之間之一或多個導數相關性的一或多個每類導數相關性度量。
一種用於篩選之方法，其包括： <br/>以該至少一個線上特徵化工具之一缺陷分類器，基於自一篩選系統之一或多個樣本分析工具之至少一個線上特徵化工具接收的線上特徵化工具資料來識別一晶片群體的缺陷結果； <br/>基於自該一或多個樣本分析工具之至少一個電性測試工具接收的電性測試資料來識別該晶片群體的電性測試結果； <br/>基於該等經識別缺陷結果及該等經識別電性測試結果來產生一或多個相關性度量，其中該一或多個相關性度量包括該缺陷分類器之一分類器置信度度量；及 <br/>基於該一或多個相關性度量來判定該篩選系統的至少一個診斷，該至少一個診斷對應於該篩選系統之一性能。
如請求項22之方法，其中該至少一個診斷包括指示該至少一個線上特徵化工具之該缺陷分類器之一缺陷分類器性能之一降級診斷。
如請求項22之方法，進一步包括判定該缺陷分類器之一手動抽查缺陷分類器維護之一降低所需頻率。
如請求項23之方法，進一步包括： <br/>基於該降級診斷來判定一缺陷分類器改良，該缺陷分類器改良對應於以下之至少一者： <br/>調整該缺陷分類器之一屬性或臨限值之至少一者；或 <br/>重新訓練該缺陷分類器之一機器學習模型。
如請求項22之方法，其中該至少一個線上特徵化工具包括： <br/>一檢測工具或一度量工具之至少一者。
如請求項22之方法，其中該晶片群體包括： <br/>一樣本中之晶片、一批次中之多個樣本中之晶片或多個批次中之多個樣本中之晶片之至少一者。
如請求項22之方法，其中該等經識別缺陷結果及該等經識別電性測試結果係基於互斥資料源，使得各者係該群體之一可靠性之一獨立指示。
如請求項22之方法，其中該一或多個相關性度量包括一分級比度量，該分級比度量對應於基於該等經識別缺陷結果來分級移除之該晶片群體之晶片之一數目與基於該等經識別電性測試結果來分級移除之該晶片群體之晶片之一數目之間的一比率。
如請求項22之方法，其中判定該至少一個診斷包括： <br/>獲取經組態以判定該篩選系統之該至少一個診斷之一診斷模組；及 <br/>經由該診斷模組來判定該至少一個診斷。
如請求項30之方法，其中該診斷模組包括經訓練用於使多組訓練相關性度量與多組一或多個訓練診斷相關之一機器學習模型。
如請求項22之方法，進一步包括： <br/>基於該至少一個診斷來判定該篩選系統之該性能之一改良。
如請求項32之方法，其中該篩選系統之該性能之該改良包括以下之至少一者： <br/>降低該至少一個線上特徵化工具之一誤判率或一漏報率之至少一者；或 <br/>降低該至少一個電性測試工具之一誤判率或一漏報率之至少一者。
如請求項33之方法，其中該至少一個診斷包括指示該至少一個電性測試工具相對於該至少一個線上特徵化工具之一晶片失準之一晶片佈局失準診斷。
如請求項33之方法，其中該至少一個診斷包括指示該至少一個線上特徵化工具之一線上缺陷配方之一變化之一線上缺陷配方偏差診斷。
如請求項33之方法，其中該至少一個診斷包括指示該至少一個線上特徵化工具之硬體或軟體之至少一者中之一偏差之一線上特徵化工具偏差診斷。
如請求項36之方法，其中該硬體包括一降級照明源，其中該篩選系統之該性能之該改良包括替換該降級照明源。
如請求項22之方法，其中該至少一個診斷包括以下之至少一者： <br/>該至少一個電性測試工具與該至少一個線上特徵化工具之間之一失準； <br/>該篩選系統之一組件之一預測維護間隔； <br/>一線上缺陷檢測配方之一偏差； <br/>該至少一個線上特徵化工具之一軟體及/或硬體中之一偏差；或 <br/>該至少一個電性測試工具之一性能之一偏差。
如請求項22之方法，其中產生該一或多個相關性度量包括產生經組態以允許追蹤該一或多個相關性度量之該一或多個相關性度量的一或多個程序控制圖資料。
如請求項39之方法，其中判定該篩選系統之該至少一個診斷包括： <br/>監測對應於該一或多個程序控制圖資料之一程序控制圖之一控制極限臨限值；及 <br/>基於該控制極限臨限值及該程序控制圖資料來識別一控制極限臨限值突破。
如請求項22之方法，其中該一或多個相關性度量包括對應於一類缺陷結果與該等電性測試結果之間之一或多個相關性的一或多個每類相關性度量。
如請求項22之方法，其中該一或多個相關性度量包括對應於一類缺陷結果之一或多個屬性之一屬性之一導數與該等電性測試結果之間的一或多個導數相關性的一或多個每類導數相關性度量。
一種難燃劑組成物，其係粉末狀，且 <br/> (A)含有選自作為(a1)成分之下述一般式(1)表示之化合物及作為(a2)成分之下述一般式(2)表示之化合物中之1種以上的聚磷酸鹽， <br/> 包含下述一般式(1)中之X<sup>1</sup>為三聚氰胺之(a1)成分、與下述一般式(2)中之Y<sup>1</sup>為哌嗪之(a2)成分， <br/> (p2)粒徑80μm以上且未滿170μm之粒子之比例為9~99.9體積% <br/><img align="absmiddle" height="241px" width="624px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 一般式(1)中，n1表示1~100之數，X<sup>1</sup>表示銨或下述一般式(1-A)表示之三嗪衍生物，p表示滿足0＜p≦n1+2之數， <br/><img align="absmiddle" height="251px" width="482px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 一般式(1-A)中，Z<sup>1</sup>及Z<sup>2</sup>各自獨立表示選自-NR<sup>11</sup>R<sup>12</sup>基、羥基、巰基、碳原子數1~10之直鏈或分支之烷基、碳原子數1~10之直鏈或分支之烷氧基、苯基及乙烯基所成群中之任一基，R<sup>11</sup>及R<sup>12</sup>各自獨立表示氫原子、碳原子數1~6之直鏈或分支之烷基，或羥甲基， <br/><img align="absmiddle" height="231px" width="596px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 一般式(2)中，n2表示1~100之數，Y<sup>1</sup>表示[R<sup>21</sup>R<sup>22</sup>N(CH<sub>2</sub>)<sub>m</sub>NR<sup>23</sup>R<sup>24</sup>]、哌嗪，或包含哌嗪環之二胺，R<sup>21</sup>、R<sup>22</sup>、R<sup>23</sup>及R<sup>24</sup>各自獨立表示氫原子，或碳原子數1~5之直鏈或分支之烷基，m為1~10之整數，q表示滿足0＜q≦n2+2之數。
如請求項1之難燃劑組成物，其中，具有以下之粒度分布， <br/> (p1)粒徑未滿80μm之粒子之比例為35~90.9體積%， <br/> (p2)粒徑為80μm以上且未滿170μm之粒子之比例為9~64.9體積%，且 <br/> (p3)粒徑為170μm以上之粒子之比例為0.1~50體積%。
如請求項1或2之難燃劑組成物，其中，體積基準之累積粒度分布中，累積50%粒徑D<sub>50</sub>為10μm以上且150μm以下。
請求項1之難燃劑組成物，其中，包含： <br/> 前述一般式(1)中之n1為2之(a1)成分，與 <br/> 前述一般式(2)中之n2為2之(a2)成分。
如請求項1或2之難燃劑組成物，其中，進而，包含選自氧化矽油及矽烷偶合劑所成群中1種以上作為(B)成分。
一種難燃性樹脂組成物，其係包含如請求項1~5中任一項之難燃劑組成物，與熱可塑性樹脂。
一種成形品，其特徵為使用如請求項6之難燃性樹脂組成物。
一種感光性樹脂組成物，其含有(A)酸改質含乙烯基樹脂、(B)熱固化性樹脂、(C)光聚合起始劑、及(D)光聚合性化合物，前述酸改質含乙烯基樹脂包含使用雙酚酚醛清漆型環氧樹脂(a1)而成之酸改質含乙烯基樹脂(A1)，前述光聚合性化合物包含具有聚氧伸烷基鏈及乙烯性不飽和基之光聚合性化合物，前述聚氧伸烷基鏈中的氧伸烷基的數為12~40，前述光聚合性化合物的含量以感光性樹脂組成物中的固體成分總量為基準為1~8質量%。
如請求項1所述之感光性樹脂組成物，其中前述聚氧伸烷基鏈中的氧伸烷基的數為12~35。
如請求項1所述之感光性樹脂組成物，其中前述聚氧伸烷基鏈中的氧伸烷基的數為12~30。
如請求項1所述之感光性樹脂組成物，其中前述具有聚氧伸烷基鏈及乙烯性不飽和基之光聚合性化合物包含選自由環氧烷改質(甲基)丙烯酸酯化合物、環氧烷改質雙酚A型(甲基)丙烯酸酯化合物、環氧烷改質雙酚F型(甲基)丙烯酸酯化合物、環氧烷改質雙三羥甲基丙烷(甲基)丙烯酸酯化合物、環氧烷改質二新戊四醇(甲基)丙烯酸酯化合物、環氧烷改質新戊四醇(甲基)丙烯酸酯化合物、環氧烷改質三羥甲基丙烷(甲基)丙烯酸酯化合物、環氧烷改質雙甘油(甲基)丙烯酸酯化合物、及環氧烷改質甘油(甲基)丙烯酸酯化合物組成的組中之至少一種。
如請求項1所述之感光性樹脂組成物，其中前述聚氧伸烷基鏈包含選自由聚氧伸乙基鏈、聚氧伸丙基鏈、及聚氧伸丁基鏈組成的組中之至少一種。
如請求項1所述之感光性樹脂組成物，其中前述光聚合性化合物的含量以感光性樹脂組成物中的固體成分總量為基準為2~8質量%。
如請求項1所述之感光性樹脂組成物，其還含有(E)無機填料。
如請求項1所述之感光性樹脂組成物，其還含有(G)離子捕獲劑。
如請求項1所述之感光性樹脂組成物，其還含有(H)彈性體。
一種感光性元件，其具備支撐膜、及形成於前述支撐膜上之感光層，前述感光層包含請求項1至請求項9之任一項所述之感光性樹脂組成物。
一種印刷配線板，其具備包含請求項1至請求項9之任一項所述之感光性樹脂組成物的固化物之永久抗蝕劑。
一種印刷配線板之製造方法，其具備：在基板上使用請求項1至請求項9之任一項所述之感光性樹脂組成物形成感光層之工序；對前述感光層進行曝光及顯影而形成抗蝕劑圖案之工序；及固化前述抗蝕劑圖案而形成永久抗蝕劑之工序。
一種印刷配線板之製造方法，其具備：在基板上使用請求項10所述之感光性元件形成感光層之工序；對前述感光層進行曝光及顯影而形成抗蝕劑圖案之工序；及固化前述抗蝕劑圖案而形成永久抗蝕劑之工序。
一種鋼架承重樑組合件，包括： 一立柱，其一端用於抵地固定，且該立柱的另一端固定有一板體，又該板體外周緣超出該立柱，且該板體於中線位置開設有複數個定位孔； 一承重樑，其由長條狀板材彎折形成有一中央板與垂直該中央板的二側板，又兩該側板皆向兩者之間彎設有一條狀板，又該承重樑於兩該條狀板之間形成有一開槽，且該承重樑以兩該條狀板處抵壓於該板體上方；至少一定位件，其穿設有至少一定位桿組，且該定位件於兩端皆形成有一下壓部，兩該下壓部的相對外緣間距係接近或等於兩該側板的內側間距，又該定位件由該開槽處置入該承重樑內部，並以該定位桿組穿過該定位孔形成鎖固，兩該下壓部能抵推該承重樑使其側向位移，同時兩該下壓部壓迫兩該條狀板處，進而固定該承重樑位於該板體的中線位置；以及 二組接件，其一體成形有一水平板與一垂直板，兩該組接件互相對稱的以該垂直板抵觸該承重樑之該側板，且對該側板與該垂直板形成鎖設固定，兩該組接件又以該水平板抵壓於該板體，且對該水平板與該板體形成鎖設固定，其中該承重樑之該側板開設有複數個第一橢圓孔，且該組接件之該垂直板開設有複數個第二橢圓孔，複數個螺栓由該承重樑內部向外穿過該第一橢圓孔與該第二橢圓孔，並配合一第一螺帽形成夾緊狀的鎖設固定。
如請求項1所述的鋼架承重樑組合件，其中該板體邊長小於該垂直板的長度，且該第一橢圓孔與該第二橢圓孔的向下投影位於該板體的板面外部，讓該螺栓由該開槽置入該承重樑內部後能直接穿設該第一橢圓孔與該第二橢圓孔，藉此達到方便鎖設之功效。
如請求項1所述的鋼架承重樑組合件，其中該板體的四角落處皆開設有一鎖孔，且該組接件之該水平板開設有複數個方孔，複數個馬車螺栓依序穿設該方孔與該鎖孔，並配合一第二螺帽形成夾緊狀的鎖設固定。
如請求項1所述的鋼架承重樑組合件，其中該承重樑於該中央板開設有複數個穿孔，且該穿孔處鎖設有至少一夾座，並以該夾座鎖設固定橫設於該承重樑上方的一橫樑，又該夾座呈L字型形成有一底板與一立板，該底板固定於該承重樑的中央板，且該立板固定於該橫樑，又該底板的長度大於該承重樑的橫向寬度，並於該底板兩端彎設有一限位部，讓兩該限位部抵觸兩該側板而達到該夾座之防轉效果。
如請求項1所述的鋼架承重樑組合件，其中該定位件為長方形狀之板體，且該定位件中線處開設有複數個長方形孔以提供該定位桿組的穿設，又該定位桿組包括有互相對鎖的一馬車螺絲與一第三螺帽，且該馬車螺絲抵住該長方形孔，讓該馬車螺絲在該承重樑內部位置不需額外固定，就能輕易的鎖緊該第三螺帽。
如請求項1所述的鋼架承重樑組合件，其中該定位件之該下壓部為彎折狀之彈性板體，讓該下壓部呈彈性變形的迫壓該條狀板，又該定位件於兩側皆垂直彎設有一固定板，且該固定板的兩端同時抵壓於兩該條狀板。
如請求項6所述的鋼架承重樑組合件，其中該下壓部於一側內縮形成有一弧形部，該定位件受到該定位桿組的連動形成旋轉，並以該弧形部閃避該承重樑之該側板，讓兩該下壓部同時推頂兩該側板，藉此校正該承重樑至該板體的中線位置。
如請求項7所述的鋼架承重樑組合件，其中該定位桿組包括有互相對鎖的一六角頭螺桿與一第四螺帽，且該定位件開設有一圓孔以提供該六角頭螺桿穿設，又該定位件於鄰近該圓孔的周緣凸設有複數個凸部，且該凸部用於阻擋該六角頭螺桿，讓該定位件同步該六角頭螺桿進行旋轉。
如請求項1所述的鋼架承重樑組合件，其中該板體以焊接方式固定於該立柱處，且該板體與該立柱之間形成有1度至10度的夾角。
一種終端裝置，其包括：<br/> 拍攝部；<br/> 顯示部；<br/> 資訊取得部，其取得由該拍攝部拍攝到的被測量者的圖像作為用於測量該被測量者的生物體資訊的資訊；<br/> 傾斜檢測部，其根據該拍攝部拍攝的圖像所包含的被測量者的臉部圖像，來檢測該顯示部的畫面中該被測量者的臉部的傾斜；以及<br/> 顯示控制部，其將由該傾斜檢測部檢測出的臉部的傾斜匹配的第一指標圖像重疊顯示在該顯示部的畫面上的包含該被測量者的圖像上。
根據請求項1所述之終端裝置，其中，該第一指標圖像是包括臉部分以及肩部分的人形輪廓嚮導。
根據請求項1所述之終端裝置，其中，<br/> 在測量開始前，該顯示控制部將第二指標圖像與顯示圖像重疊顯示，該第二指標圖像是使測量者將該被測量者的臉部位置對準於顯示該畫面的規定位置的指標；<br/> 在測量開始後，該顯示控制部將該第一指標圖像與顯示圖像重疊顯示，該第一指標圖像是包含臉部分以及肩部分的人形輪廓嚮導。
根據請求項3所述之終端裝置，其中，該第二指標圖像是使該畫面中顯示的該被測量者的臉部進入內側的引導框。
根據請求項4所述之終端裝置，其中，該引導框是各向同性的形狀。
根據請求項5所述之終端裝置，其中，該各向同性的形狀係圓形、正多邊形或球。
根據請求項1至6中的任一項所述之終端裝置，其中，在該被測量者的臉部位置沒有偏移的情況下，該顯示控制部將該第一指標圖像與該圖像重疊顯示。
根據請求項1至6中的任一項所述之終端裝置，其中，在該被測量者的臉部位置的偏移在規定的範圍內的情況下，該顯示控制部使該第一指標圖像追隨該臉部位置的變化地與該圖像重疊顯示。
根據請求項1至6中的任一項所述之終端裝置，其中，該顯示控制部在顯示該第一指標圖像的期間，使對該畫面自動切換顯示圖像的縱橫的顯示方向的功能無效。
根據請求項2或3所述之終端裝置，其中，<br/> 還包括方向檢測部，其基於該拍攝部拍攝中的圖像所包含的被測量者的臉部圖像，檢測該被測量者的臉部是否朝向側面，<br/> 在該被測量者的臉朝向側面的情況下，作為該第一指標圖像的該人形輪廓嚮導包含側向的特徵部分。
根據請求項2或3所述之終端裝置，其中，<br/> 還包括大小檢測部，其根據該拍攝部拍攝中的圖像所包含的被測量者的臉部圖像，檢測該顯示部的畫面中該被測量者的臉部的大小，<br/> 在該被測量者的臉部的大小為規定的閾值以上的情況下，該顯示控制部使該人形輪廓嚮導的大小配合該圖像中的該被測量者的臉部的大小並追隨顯示；<br/> 在該被測量者的臉部的大小比規定的閾值小的情況下，該顯示控制部以規定的最小尺寸顯示該人形輪廓嚮導。
根據請求項1至6中的任一項所述之終端裝置，其中，<br/> 還包括狀況確定部，其確定測量的狀況，<br/> 當在顯示該第一指標圖像的狀態下由該狀況確定部確定測量的失敗時，該顯示控制部繼續顯示該第一指標圖像。
根據請求項3至6中的任一項所述之終端裝置，其中 ，<br/> 還包括狀況確定部，其確定測量的狀況，<br/> 當在顯示該第一指標圖像的狀態下由該狀況確定部確定測量的失敗時，該顯示控制部結束該第一指標圖像的顯示而顯示該第二指標圖像。
一種花膠胜肽的製備方法，包含：<br/> 將一花膠浸泡一液態氮中0.1小時至3小時，以得到一前置原料；<br/> 以一鹼性蛋白酶及一風味蛋白酶於55±5℃水解該前置原料6小時以得到一花膠萃取液；以及<br/> 從該花膠萃取液中以HPLC系統沖提方式分離出至少一花膠胜肽。
如請求項1所述的製備方法，其中該花膠為一脫水花膠。
如請求項1所述的製備方法，其中於該浸泡步驟中，該液態氮的溫度為-196±5 ℃，且該液態氮的浸泡時間為0.5小時至1.5小時。
如請求項3所述的製備方法，其中該浸泡時間為0.5小時。
如請求項1所述的製備方法，其中該花膠為選自由黃花魚（<i>Larimichthys crocea</i>）、鯰魚（<i>Silurus asotus</i>）、和黃線狹鱈（<i>Gadus chalcogrammus</i>）所組成的組合的魚鰾。
如請求項1所述的製備方法，其中該水解步驟包含：<br/> 將該前置原料與一水混合得到一原料培養液，其中該水與該前置原料的重量比為9：1；<br/> 加入該鹼性蛋白酶及該風味蛋白酶至該原料培養液中並於55±5 ℃下反應6小時以得到一水解產物；以及<br/> 升溫該水解產物至85±5 ℃，以得到該花膠萃取液。
如請求項1所述的製備方法，其中該水解步驟包含：<br/> 以該鹼性蛋白酶及該風味蛋白酶對該前置原料進行水解而得到一花膠粗萃物；<br/> 將該花膠粗萃物以200網目的濾網過濾得到一粗萃物濾液；以及<br/> 將該粗萃物濾液於1±0.2kg/cm<sup>2</sup>壓力，100±5 ℃下進行加熱濃縮，以得到該花膠萃取液，其中該花膠萃取液的白利糖度大於等於9.0 °Bx。
如請求項1所述的製備方法，其中該分離步驟包括以一第一沖提液和一第二沖提液依照一沖提梯度進行該花膠萃取液的成分分離，以得到該至少一花膠胜肽，其中該第一沖提液為0.05 vol%三氟乙酸的水溶液，該第二沖提液為0.05 vol%三氟乙酸的乙腈溶液，以及該沖提梯度為該第一沖提液對該第二沖提液的體積比例為0：100，於30分鐘內拉升至該第一沖提液對該第二沖提液的體積比為40：60，且該第一沖提液和該第二沖提液的流速為每分鐘流0.5 mL。
如請求項1所述的製備方法，其中該花膠胜肽包含第4、7和8型膠原蛋白片段。
一種花膠胜肽用於製備皮膚調理的組合物的用途，其中該花膠胜肽是由如請求項1所述的製備方法製得，該皮膚調理為加速纖維母細胞癒合。
一種光源裝置，其特徵為具備： <br/> 光束擷取部，係擷取能量束； <br/> 板構件，係具有表面及背面，配置於被擷取的前述能量束入射至前述表面的位置，將與前述表面正交的方向作為旋轉軸方向而旋轉； <br/> 原料供給部，係通過對前述表面之前述能量束入射的入射區域供給電漿原料來生成電漿； <br/> 放射線取出部，係從所生成的前述電漿生成並出射放射線； <br/> 處理室，係收容前述板構件；及 <br/> 電壓施加部， <br/> 前述板構件，係以前述表面的前述入射區域之法線軸從構成於入射至前述入射區域之前述能量束的入射軸，與從前述電漿取出之前述放射線的出射軸之間的軸間區域偏離之方式配置， <br/> 前述放射線取出部，係具有連結於前述處理室的出射處理室、使前述放射線從前述處理室入射至前述出射處理室內的出射側開口、及朝向前述入射區域突出且在突出側的前端設置前述出射側開口的出射側突出部， <br/> 前述電壓施加部對前述出射側突出部施加電壓。
如請求項1所記載之光源裝置，其中， <br/> 前述板構件以前述法線軸從前述出射側開口的開口偏離之方式構成。
如請求項1或2所記載之光源裝置，其中，更具備： <br/> 處理室，係收容前述板構件； <br/> 前述光束擷取部，係具有連結於前述處理室的入射處理室，與將前述能量束從前述入射處理室入射至前述處理室內的入射側開口； <br/> 前述板構件，係以前述法線軸從前述入射側開口的開口偏離之方式配置。
如請求項1或2所記載之光源裝置，其中，更具備： <br/> 氣體供給部，係以前述法線軸比前述軸間區域更靠下游側之方式，以從前述軸間區域朝向前述法線軸的方向噴吹氣體。
如請求項3所記載之光源裝置，其中， <br/> 對於前述入射處理室內，用以使前述入射處理室內部的壓力比前述處理室內部的壓力更高的氣體以前述氣體從前述入射側開口朝向前述處理室流動之方式供給。
如請求項1或2所記載之光源裝置，其中， <br/> 對於前述出射處理室內，用以使前述入射處理室內部的壓力比前述處理室內部的壓力更高的氣體以前述氣體從前述入射側開口朝向前述處理室流動之方式供給。
如請求項1或2所記載之光源裝置，其中， <br/> 前述軸間區域，係包含藉由使包含前述入射軸及前述出射軸的平面上的前述入射軸及前述出射軸之間的2維區域，沿著前述平面的法線方向移動時的軌跡所構成的3維區域。
如請求項1或2所記載之光源裝置，其中， <br/> 以前述入射軸與前述法線軸之間的角度，或前述出射軸與前述法線軸之間的角度的至少一方包含於30度到60度為止的範圍之方式構成。
如請求項8所記載之光源裝置，其中， <br/> 以前述入射軸與前述法線軸之間的角度，及前述出射軸與前述法線軸之間的角度各別包含於30度到60度為止的範圍之方式構成。
如請求項3所記載之光源裝置，其中， <br/> 前述光束擷取部，係具有朝向前述入射區域突出，在突出側的前端設置前述入射側開口的入射側突出部。
如請求項10所記載之光源裝置，其中， <br/> 前述入射側突出部，係由隨著往突出側前進而剖面積變小的圓錐形狀所成。
如請求項1或2所記載之光源裝置，其中， <br/> 前述出射側突出部，係由隨著往突出側前進而剖面積變小的圓錐形狀所成。
如請求項1或2所記載之光源裝置，其中， <br/> 前述放射線係為X射線、或極紫外光。
如請求項1或2所記載之光源裝置，其中，更具備： <br/> 厚度調整機構，係調整被供給至前述表面之前述電漿原料的厚度。
一種光源裝置，其特徵為具備： <br/> 光束擷取部，係擷取能量束； <br/> 板構件，係具有表面及背面，配置於被擷取的前述能量束入射至前述表面的位置，將與前述表面正交的方向作為旋轉軸方向而旋轉； <br/> 原料供給部，係通過對前述表面之前述能量束入射的入射區域供給電漿原料來生成電漿； <br/> 放射線取出部，係從所生成的前述電漿取出並出射放射線；及 <br/> 氣體供給部， <br/> 前述板構件，係以前述表面的前述入射區域之法線軸從構成於入射至前述入射區域之前述能量束的入射軸，與從前述電漿取出之前述放射線的出射軸之間的軸間區域偏離之方式配置， <br/> 前述氣體供給部，係以前述法線軸比前述軸間區域更靠下游側之方式，以從前述軸間區域朝向前述法線軸的方向噴吹氣體。
如請求項15所記載之光源裝置，其中， <br/> 前述氣體供給部，係從位於與前述法線軸相反側且偏離前述軸間區域的位置，朝向前述軸間區域及前述法線軸噴吹前述氣體。
如請求項15或16所記載之光源裝置，其中， <br/> 前述軸間區域，係包含藉由使包含前述入射軸及前述出射軸的平面上的前述入射軸及前述出射軸之間的2維區域，沿著前述平面的法線方向移動時的軌跡所構成的3維區域。
如請求項15或16所記載之光源裝置，其中， <br/> 以前述入射軸與前述法線軸之間的角度，或前述出射軸與前述法線軸之間的角度的至少一方包含於30度到60度為止的範圍之方式構成。
一種電子元件，所述電子元件包括：<br/> 多個平面導電金屬片材，所述多個平面導電金屬片材包括：<br/> 第一平面導電金屬片材；<br/> 第二平面導電金屬片材，所述第二平面導電金屬片材被附連並且被電耦合到第一平面導電金屬片材；以及<br/> 第三平面導電金屬片材，所述第三平面導電金屬片材被附連並且被電耦合到第二平面導電金屬片材，所述第二平面導電金屬片材位於所述第一平面導電金屬片材和所述第三平面導電金屬片材之間，<br/> 其中氣隙被限定在所述多個平面導電金屬片材中以形成金屬跡線，所述金屬跡線限定多級導電佈線網路中的從所述第一平面導電金屬片材的外表面到所述第三平面導電金屬片材的外表面的電隔離的導電路徑；<br/> 其中腔體被限定至少通過所述第一平面導電金屬片材，所述腔體被配置為接納第一磁板、第一電容器和/或第一積體電路；<br/> 其中：<br/> 所述腔體是第一腔體，並且<br/> 第二腔體被限定至少通過所述第三平面導電金屬片材，所述第二腔體被配置為接納第二磁板、第二電容器和/或第二積體電路；並且<br/> 其中不存在提高電感的高磁導率材料時，所述電隔離的導電路徑包含具有500 pH至5 nH的電感的高電感導電路徑，所述高電感導電路徑被配置為在位於所述第一腔體和所述第二腔體之間的所述平面導電金屬片材中的一個或更多個上側向傳導電流。
如請求項1所述之電子元件，其中：<br/> 每個所述電隔離的導電路徑具有在2到10的範圍內的各自的縱橫比，所述各自的縱橫比被計算為每個所述電隔離的導電路徑的高度與每個所述電隔離的導電路徑的寬度之比，所述高度是在與各自的所述平面導電金屬片材的主平面正交的方向上測量的，所述寬度是在與電流流動方向正交並且與所述主平面平行的方向上測量的，並且<br/> 每個所述電隔離的導電路徑具有在與電流流動和所述主平面平行的方向上測量的長度，所述長度大於所述寬度。
如請求項1所述之電子元件，其中：<br/> 所述第一腔體被配置為至少接納所述第一磁板；<br/> 所述第二腔體被配置為至少接納所述第二磁板；<br/> 所述第一磁板位於所述第一腔體中，<br/> 所述第二磁板位於所述第二腔體中，並且<br/> 所述第一磁板和所述第二磁板被配置並且被佈置為與當所述第一磁板和所述第二磁板分別不位於所述第一腔體和所述第二腔體中時相比，增大所述高電感導電路徑的電感。
如請求項3所述之電子元件，其中每個所述磁板在100 MHz的電流頻率下具有10至1000的磁導率和0.1至1的損耗正切。
如請求項4所述之電子元件，其中每個所述磁板包含鐵磁材料的多個電絕緣疊片。
如請求項1所述之電子元件，其中：<br/> 所述高電感導電路徑是第一高電感路徑，<br/> 不存在提高電感的高磁導率材料時，所述電隔離的導電路徑包含具有500 pH至5 nH的電感的第二高電感路徑，並且<br/> 所述第一高電感路徑和所述第二高電感路徑被反向耦合以使得流過所述第一高電感路徑和所述第二高電感路徑的電流分別產生第一磁通量和第二磁通量，所述第一磁通量和所述第二磁通量至少部分彼此抵消。
如請求項6所述之電子元件，其中所述第一高電感路徑和所述第二高電感路徑每個都在所述多級導電佈線網路的長度的50%至100%上傳導電流。
如請求項7所述之電子元件，其中所述第一腔體被配置為接納所述第一電容器並且所述第一高電感路徑端接於所述第一電容器上。
如請求項6所述之電子元件，其中所述第一高電感路徑和所述第二高電感路徑之間的空間被填充有包含被嵌入在聚合物基質中的軟鐵磁顆粒的鐵磁-聚合物複合材料。
如請求項1所述之電子元件，其中每個所述金屬跡線的寬度為70微米至140微米，所述寬度與各自的所述平面導電金屬片材的主平面內的電流流動方向正交。
如請求項1所述之電子元件，其中每個所述平面導電金屬片材中的所述多級導電佈線網路的截面面積在各自的所述平面導電金屬片材的截面面積的30%到100%的範圍內。
如請求項1所述之電子元件，其中所述平面導電金屬片材中的至少一個包含部分高度的金屬段，在所述部分高度的金屬段中，部分高度的氣隙被限定在所述部分高度的金屬段和相鄰的所述平面導電金屬片材之間，所述部分高度的氣隙使所述部分高度的金屬段電隔離。
如請求項1所述之電子元件，其中所述第一平面導電金屬片材具有不同於所述第二平面導電金屬片材的材料組成。
如請求項13所述之電子元件，其中所述平面導電金屬片材中的每個包括第一金屬，並且所述平面導電金屬片材使用與不同於所述第一金屬的第二金屬接合。
如請求項14所述之電子元件，其中：<br/> 所述第一金屬包括銅，<br/> 所述第二金屬包括錫，並且<br/> 包括所述第一金屬和所述第二金屬的金屬間化合物的焊料接縫被形成在相鄰的所述平面導電金屬片材之間。
如請求項1所述之電子元件，其中相鄰的所述平面導電金屬片材之間的接縫的組成與相鄰的所述平面導電金屬片材的組成相同。
如請求項1所述之電子元件，其中<br/> 所述第一平面導電金屬片材的外表面是所述第一平面導電金屬片材的主平面外表面，並且<br/> 所述第三平面導電金屬片材的外表面是所述第三平面導電金屬片材的主平面外表面。
如請求項12所述之電子元件，其中，所述部分高度的氣隙是所述氣隙中的一個。
一種電子元件，所述電子元件包括：<br/> 多個平面導電金屬片材，所述多個平面導電金屬片材包括：<br/> 第一平面導電金屬片材；<br/> 第二平面導電金屬片材，所述第二平面導電金屬片材被附連並且被電耦合到所述第一平面導電金屬片材；以及<br/> 第三平面導電金屬片材，所述第三平面導電金屬片材被附連並且被電耦合到第二平面導電金屬片材，所述第二平面導電金屬片材位於所述第一平面導電金屬片材和所述第三平面導電金屬片材之間，<br/> 其中氣隙被限定在所述多個平面導電金屬片材中以形成金屬跡線，所述金屬跡線限定多級導電佈線網路中的從所述第一平面導電金屬片材的外表面到所述第三平面導電金屬片材的外表面的電隔離的導電路徑；並且<br/> 其中，不存在提高電感的高磁導率材料時，所述電隔離的導電路徑包含具有500 pH至5 nH的電感的高電感導電路徑。
如請求項19所述之電子元件，其中所述高電感導電路徑平行於所述平面導電金屬片材中的一個的主平面延伸。
一種電子元件，所述電子元件包括：<br/> 多個金屬跡線，所述多個金屬跡線限定從多級導電佈線網路的頂級到底級的電隔離的導電路徑，其中氣隙被限定在所述金屬跡線之間以使所述導電路徑電隔離；以及<br/> 微晶片，所述微晶片被附連並且被電耦合到所述多級導電佈線網路的所述頂級，<br/> 其中：<br/> 第一腔體被限定通過所述多級導電佈線網路的所述頂級，並且<br/> 第二腔體被限定通過所述多級導電佈線網路的所述底級，<br/> 其中所述微晶片位於所述第一腔體的上方，並且<br/> 其中，不存在提高電感的高磁導率材料時，所述電隔離的導電路徑包含具有500 pH至5 nH的電感的高電感導電路徑，所述高電感導電路徑至少部分位於所述第二腔體中。
如請求項21所述之電子元件，其中一個或更多個電容器位於所述第一腔體中，所述一個或多個電容器被附連並且被電耦合到所述微晶片。
如請求項21所述之電子元件，其中所述高電感導電路徑的端子通過所述微晶片被電耦合到第一電容器。
如請求項21所述之電子元件，其中第一磁板和第二磁板位於所述第二腔體中，所述高電感導電路徑位於所述第一磁板和所述第二磁板之間，所述高電感導電路徑被磁耦合到所述第一磁板和所述第二磁板以形成磁電感器。
如請求項22所述之電子元件，其中所述微晶片和所述高電感導電路徑形成電源轉換器。
如請求項25所述之電子元件，其中所述一個或多個電容器具有對於與所述電源轉換器相關聯的輸入電源供應和輸出電源供應的獨立的電氣網路。
如請求項25所述之電子元件，其中：<br/> 所述高電感導電路徑的第一端子通過被形成在所述微晶片中的半橋電路被電耦合到第一電容器和輸入電源供應端子，並且<br/> 所述高電感導電路徑的第二端子被電耦合到輸出電源供應端子。
如請求項27所述之電子元件，其中所述半橋電路包含互補金屬-氧化物半導體(CMOS)開關，所述CMOS開關使所述高電感導電路徑的所述第一端子以10 MHz至250 MHz的頻率交替地電耦合到所述輸入電源供應端子和地面端子以在高電感導電路徑的所述第二端子處產生輸出電壓，所述輸出電壓在所述輸入電源供應端子的輸入電壓和所述地面端子處的地面電壓之間。
如請求項27所述之電子元件，其中：<br/> 所述半橋電路為第一半橋電路，<br/> 所述高電感導電路徑為第一高電感導電路徑，<br/> 不存在提高電感的高磁導率材料時，所述電隔離的導電路徑包含具有500pH至5 nH的電感的第二高電感導電路徑，所述第二高電感導電路徑至少部分位於所述第二腔體中，並且<br/> 所述第二高電感導電路徑的第一端子通過被形成在所述微晶片中的第二半橋電路被電耦合到第二電容器和所述輸入電源供應端子。
如請求項29所述之電子元件，其中：<br/> 所述輸出電源供應端子是第一輸出電源供應端子，並且<br/> 所述第二高電感導電路徑的所述第二端子被電耦合到第二輸出電源供應端子。
如請求項30所述之電子元件，其中：<br/> 通過所述第一高電感導電路徑、所述第一電容器和所述第一半橋電路的所述電隔離的導電路徑包括第一獨立電氣網路，並且<br/> 通過所述第二高電感導電路徑、所述第二電容器和所述第二半橋電路的所述電隔離的導電路徑包括第二獨立電氣網路。
如請求項31所述之電子元件，其中：<br/> 所述第一電容器和所述第二電容器被電耦合到一組地面端子，<br/> 所述輸入電源供應端子是多個輸入電源供應端子中的一個；並且<br/> 每個所述地面端子和各自的最近的所述多個輸入電源供應端子中的一個之間的空間小於200微米。
如請求項29所述之電子元件，其中所述第一電容器和所述第二電容器具有200 nF至10 μF的電容以當第一半橋電路和第二半橋電路以10 MHz至200 MHz的頻率操作時提供小於100兆歐姆的阻抗。
如請求項29所述之電子元件，其中所述第一高電感導電路徑和所述第二高電感導電路徑被反向磁耦合。
如請求項27所述之電子元件，其中所述第一電容器是所述一個或多個電容器的第一電容器。
如請求項29所述之電子元件，其中<br/> 所述第一電容器是所述一個或多個電容器的第一電容器；並且<br/> 所述第二電容器是所述一個或多個電容器的第二電容器。
一種用於製造電子元件的方法，所述方法包括：<br/> (a)在多個平面導電片材中的第一平面導電片材的第一側上沉積第一光致抗蝕劑層並且對所述第一光致抗蝕劑層進行圖案化；<br/> (b)在所述第一平面導電片材的第二側上沉積第二光致抗蝕劑層並且對所述第二光致抗蝕劑層進行圖案化；<br/> (c)根據所述第一光致抗蝕劑層和所述第二光致抗蝕劑層中的圖案對所述第一平面導電片材的所述第一側和所述第二側進行蝕刻以形成導電跡線和氣隙；<br/> (d)對於所述平面導電片材中的每個附加的所述平面導電片材重複步驟(a)-(c)；<br/> (e)使用所述平面導電片材中的對準標記使所述平面導電片材對準；以及<br/> (f)附連並且電耦合相鄰的平面導電片材以形成多級佈線結構，所述氣隙使所述多級佈線結構電隔離以使得被電隔離的導電路徑從所述多級佈線結構的底級到頂級被形成，<br/> 其中不存在提高電感的高磁導率材料時，所述被電隔離的導電路徑包含具有500 pH至5 nH的電感的高電感導電路徑。
一種可自動輸出高頻能量的皮膚治療裝置，包含： <br/>一頭端，透過與皮膚接觸而傳遞高頻能量； <br/>一機頭，供安裝該頭端，透過被使用者把持而將該頭端與皮膚接觸；以及 <br/>一控制部，透過對高頻能量的輸出進行控制而將高頻能量經由該機頭透過該頭端進行傳遞； <br/>該頭端包含：一溫度檢測感測器，位於其前側面，用於對所接觸的皮膚溫度進行檢測； <br/>該機頭進一步包含：一壓力檢測感測器，用於對施加到該頭端的壓力進行檢測；以及一加速度檢測感測器，用於對該機頭移動時所輸入的加速度進行檢測； <br/>其中，該控制部被配置為：接收來自該溫度檢測感測器、該壓力檢測感測器和該加速度檢測感測器的檢測信號，並且根據所接收的該檢測信號控制該高頻能量的輸出。
如請求項1所述之可自動輸出高頻能量的皮膚治療裝置，其中 <br/>該頭端進一步包含：一電極，以可拆裝的方式結合到該機頭的一側，用於在與皮膚接觸時向前側面傳遞高頻能量。
如請求項2所述之可自動輸出高頻能量的皮膚治療裝置，其進一步包含： <br/>一高頻產生部，用於產生特定頻率、波形以及功率的高頻能量並傳遞到該頭端； <br/>該控制部，係產生用於對在該高頻產生部中產生的高頻能量的頻率、功率、以及脈衝間隔中的至少一個進行控制的一脈衝信號並傳遞到該高頻產生部，從而使得該高頻產生部產生與該脈衝信號對應的高頻能量。
如請求項1所述之可自動輸出高頻能量的皮膚治療裝置，其中 <br/>該控制部透過該溫度檢測感測器對該頭端與皮膚接觸時的所接觸的皮膚溫度進行檢測，並透過對所檢測到的溫度低於或高於預先設定的溫度值進行判斷而對與皮膚的接觸與否進行判斷。
如請求項1所述之可自動輸出高頻能量的皮膚治療裝置，其中 <br/>該控制部透過該壓力檢測感測器對該頭端與皮膚接觸時施加到該頭端的壓力進行檢測，並透過對所檢測到的壓力低於或高於預先設定的壓力值進行判斷而對與皮膚的接觸與否進行判斷。
如請求項1所述之可自動輸出高頻能量的皮膚治療裝置，其中 <br/>該控制部透過該加速度檢測感測器對該機頭移動時所輸入的加速度進行檢測，並透過對所檢測到的加速度低於或高於預先設定的加速度值進行判斷而對與該機頭的移動與否進行判斷。
一種皮膚治療裝置的控制方法，應用於如請求項1~6中任一項所述的可自動輸出高頻能量的皮膚治療裝置，該控制方法包含： <br/>為了產生高頻能量而透過一控制部獲取可對高頻能量的輸出進行控制的一控制信號輸入的步驟； <br/>從所獲取的該控制信號判斷是否為一第一模式的步驟； <br/>從所獲取的該控制信號判斷是否為一第二模式的步驟；以及 <br/>透過該控制部接收該溫度檢測感測器、該壓力檢測感測器以及該加速度檢測感測器的檢測信號，並根據所接收的該檢測信號控制該高頻能量的輸出的個別模式執行步驟。
如請求項7所述之皮膚治療裝置的控制方法，其中 <br/>在判斷是否為該第一模式的步驟中，該第一模式為用於透過一高頻產生部僅在特定時間內產生與所輸入的一脈衝信號對應的高頻能量的模式， <br/>在判斷是否為該第二模式的步驟中，該第二模式為用於透過該高頻產生部不受特定時間限制地自動且重複地產生與所輸入的該脈衝信號對應的高頻信號的模式，在檢測到施加到一頭端的壓力的並且檢測到一機頭的移動的情況下持續維持該第二模式。
一種用於確定波束成形的預編碼訊息的方法，所述方法包括： <br/>針對通道確定所述預編碼訊息的目標分量； <br/>基於所述目標分量與所述預編碼訊息的解壓縮分量之間的相關性來確定所述預編碼訊息的至少一部分；以及 <br/>自使用者設備發送所述預編碼訊息的所述至少一部分， <br/>其中所述預編碼訊息的所述至少一部分提供針對所述通道的波束成形效能。
如請求項1所述的方法，其中所述預編碼訊息的所述至少一部分包括係數向量。
如請求項2所述的方法，其中所述係數向量包括複數的向量。
如請求項3所述的方法，其中所述複數中的至少一者包括： <br/>振幅，表示按比例縮放係數；以及 <br/>相位，表示旋轉係數。
如請求項1所述的方法，其中： <br/>所述目標分量包括目標矩陣；以及 <br/>所述解壓縮分量包括解壓縮矩陣。
如請求項5所述的方法，其中所述目標矩陣包括線性組合係數（LCC）矩陣。
如請求項1所述的方法，其中所述預編碼訊息包括預編碼矩陣指示符（PMI）。
如請求項1所述的方法，其中所述確定所述預編碼訊息的所述至少一部分包括基於所述目標分量及所述解壓縮分量來計算所述預編碼訊息的所述至少一部分。
如請求項8所述的方法，其中所述計算包括實行迭代運算。
如請求項9所述的方法，其中所述迭代運算包括梯度下降運算。
如請求項10所述的方法，其中所述迭代運算包括重球運算。
如請求項1所述的方法，更包括： <br/>確定通道狀況；以及 <br/>所述確定所述預編碼訊息的所述目標分量是基於所述通道狀況。
如請求項1所述的方法，其中所述解壓縮分量包括所述目標分量的解壓縮版本。
如請求項1所述的方法，其中所述預編碼訊息的目標分量是使用奇異值分解來確定。
如請求項1所述的方法，其中：所述預編碼訊息的目標分量包括針對第一次頻帶及第二次頻帶的預編碼訊息的目標分量；以及針對所述第一次頻帶及所述第二次頻帶確定所述預編碼訊息的所述至少一部分。
一種用於確定波束成形的預編碼訊息的裝置，所述裝置包括： <br/>接收器，被配置成使用通道接收參考訊號； <br/>發射器，被配置成針對所述通道發送所述預編碼訊息；以及 <br/>控制器，被配置成： <br/>基於所述參考訊號確定所述預編碼訊息的目標分量；以及 <br/>基於所述預編碼訊息的所述目標分量及解壓縮分量來確定所述預編碼訊息的至少一部分。
如請求項16所述的裝置，其中所述控制器被配置成基於所述目標分量與所述解壓縮分量之間的相關性來確定所述預編碼訊息的所述至少一部分。
如請求項16所述的裝置，其中： <br/>所述預編碼訊息的所述至少一部分包括一或多個係數； <br/>所述目標分量包括目標預編碼係數矩陣；以及 <br/>所述解壓縮分量包括所述目標分量的解壓縮版本。
一種使用者設備，包括： <br/>至少一個處理器，被配置成： <br/>基於下行鏈路通道的狀況來確定所述下行鏈路通道的預編碼矩陣的目標分量； <br/>確定所述預編碼矩陣的解壓縮分量； <br/>基於所述目標分量及所述解壓縮分量來確定所述預編碼矩陣的至少一部分； <br/>對所述預編碼矩陣進行壓縮以產生壓縮分量；以及 <br/>使用上行鏈路通道發送所述壓縮分量。
如請求項19所述的使用者設備，其中所述至少一個處理器被配置成基於所述目標分量與所述解壓縮分量之間的相關性來確定所述預編碼矩陣的所述至少一部分。
如請求項20所述的使用者設備，其中所述至少一個處理器被配置成基於係數矩陣以及按比例縮放係數及旋轉係數的向量來確定所述目標分量。
一種防霧劑組合物，其中：<br/> 該防霧劑組合物含有封端多異氰酸酯(A)、多元醇(B)、膠態二氧化矽(C)及表面活性劑(D)；<br/> 所述封端多異氰酸酯(A)為由含有通式(1)所表示的單體(A-1)、通式(2)所表示的單體(A-2)及通式(3)所表示的單體(A-3)的單體混合物得到的(甲基)丙烯酸酯共聚物，<br/> [化學式1]<br/><img align="absmiddle" height="39px" width="53px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(1)<br/> 通式(1)中，R<sup>1</sup>為氫原子或甲基，R<sup>2</sup>及R<sup>3</sup>獨立地為氫原子或碳原子數為1~4的直鏈或支鏈烷基；<br/> [化學式2]<br/><img align="absmiddle" height="39px" width="99px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(2)<br/> 通式(2)中，R<sup>4</sup>為氫原子或甲基，R<sup>5</sup>為來自封端劑的殘基；以及<br/> [化學式3]<br/><img align="absmiddle" height="39px" width="53px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(3)<br/> 通式(3)中，R<sup>6</sup>為氫原子或甲基，R<sup>7</sup>為紫外線吸收性基團，<br/> 在所述單體混合物中，所述單體(A-1)的比例為30重量%以上且80重量%以下，所述單體(A-2)的比例為15重量%以上且60重量%以下，所述單體(A-3)的比例為1重量%以上且40重量%以下。
根據請求項1所述的防霧劑組合物，其中，在所述通式(3)中，R<sup>7</sup>為苯並三唑類紫外線吸收性基團或三嗪類紫外線吸收性基團。
根據請求項1或2所述的防霧劑組合物，其中，相對於100重量份的所述封端多異氰酸酯(A)，所述多元醇(B)為5重量份以上且250重量份以下，所述膠態二氧化矽(C)為20重量份以上且800重量份以下，所述表面活性劑(D)為1重量份以上且35重量份以下。
根據請求項1或2所述的防霧劑組合物，其中，所述多元醇(B)含有低分子多元醇(B-1)及丙烯酸多元醇(B-2)，所述低分子多元醇(B-1)的分子量為2000以下、羥值為100mgKOH/g以上且800mgKOH/g以下。
根據請求項4所述的防霧劑組合物，其中，<br/> 所述丙烯酸多元醇(B-2)為由含有通式(4)所表示的單體(b-1)、通式(5)所表示的單體(b-2)及通式(6)所表示的單體(b-3)的單體混合物得到的(甲基)丙烯酸酯共聚物，<br/> [化學式4]<br/><img align="absmiddle" height="39px" width="53px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(4)<br/> 通式(4)中，R<sup>8</sup>為氫原子或甲基，R<sup>9</sup>及R<sup>10</sup>獨立地為氫原子或碳原子數為1~4的直鏈或支鏈的烷基；<br/> [化學式5]<br/><img align="absmiddle" height="39px" width="67px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(5)<br/> 通式(5)中，R<sup>11</sup>為氫原子或甲基，R<sup>12</sup>為碳原子數為2~4的直鏈或支鏈；以及<br/> [化學式6]<br/><img align="absmiddle" height="39px" width="55px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(6)<br/> 通式(6)中，R<sup>13</sup>為氫原子或甲基，R<sup>14</sup>為碳原子數為1~12的直鏈、支鏈或環狀的烷基。
根據請求項4所述的防霧劑組合物，其中，所述低分子多元醇(B-1)與所述丙烯酸多元醇(B-2)的重量比((B-1)/(B-2)比)為0.25以上且4.0以下。
一種防霧性產品，其中，該防霧性產品具有由請求項1~6中任一項所述的防霧劑組合物形成的防霧塗膜。
一種結晶性氧化物膜，其包含鎵作為主成分，該結晶性氧化物膜的特徵在於，在使CuKα射線入射而X射線繞射時，繞著與前述結晶性氧化物膜表面正交的φ軸的角度φ，在藉由ω－2θ測定產生的源自前述結晶性氧化物膜的峰成為最大的φ的情況下，掃描ω、2θ時的反射輸出在16.20°＜2θ＜39.90°及20.30°＜ω＜32.20°時具有極大點，並且，有關前述反射輸出成為極大的ω、θ，滿足下述條件：40.10°＜ω＋θ＜40.40°。
一種結晶性氧化物膜，其包含鎵作為主成分，該結晶性氧化物膜的特徵在於，在使CuKα射線入射而X射線繞射時，繞著與前述結晶性氧化物膜表面正交的φ軸的角度φ，在藉由ω－2θ測定產生的源自前述結晶性氧化物膜的峰成為最大的φ的情況下，掃描ω、2θ時的反射輸出在26.20°＜2θ＜49.90°及25.30°＜ω＜37.20°時具有極大點，並且，有關前述反射輸出成為極大的ω、θ，滿足下述條件：50.10°＜ω＋θ＜50.40°。
一種結晶性氧化物膜，其包含鎵作為主成分，該結晶性氧化物膜的特徵在於，在使CuKα射線入射而X射線繞射時，繞著與前述結晶性氧化物膜表面正交的φ軸的角度φ，在藉由ω－2θ測定產生的源自前述結晶性氧化物膜的峰成為最大的φ的情況下，掃描ω、2θ時的反射輸出在12.00°＜2θ＜35.70°及18.20°＜ω＜30.10°時具有極大點，並且，有關前述反射輸出成為極大的ω、θ，滿足下述條件：35.90°＜ω＋θ＜36.20°。
一種結晶性氧化物膜，其包含鎵作為主成分，該結晶性氧化物膜的特徵在於，在使CuKα射線入射而X射線繞射時，繞著與前述結晶性氧化物膜表面正交的φ軸的角度φ，在藉由ω－2θ測定產生的源自前述結晶性氧化物膜的峰成為最大的φ的情況下，掃描ω、2θ時的反射輸出在40.80°＜2θ＜64.50°及32.60°＜ω＜44.50°時具有極大點，並且，有關前述反射輸出成為極大的ω、θ，滿足下述條件：64.70°＜ω＋θ＜65.00°。
如請求項1～4中任一項所述之結晶性氧化物膜，其中，前述結晶性氧化物膜的表面的面積為100 mm <sup>2</sup>以上或直徑為50 mm以上。
一種積層結構體，其特徵在於至少包含基底基板與請求項1～4中任一項所述之結晶性氧化物膜。
一種半導體裝置，其特徵在於包含請求項1～4中任一項所述之結晶性氧化物膜。
一種結晶性氧化物膜的製造方法，該結晶性氧化物膜包含鎵作為主成分，該製造方法的特徵在於，將前述結晶性氧化物膜成膜於設為基底基板的藍寶石基板，該藍寶石基板在使CuKα射線入射而X射線繞射時，在繞著與其表面正交的φ軸的角度φ，在藉由ω－2θ測定產生的源自前述基底基板的峰成為最大的φ的情況下，掃描ω、2θ時的反射輸出在17.70°＜2θ＜41.40°及21.00°＜ω＜32.90°時具有極大點，並且，有關前述反射輸出成為極大的ω、θ，滿足下述條件：41.60°＜ω＋θ＜41.90°。
一種結晶性氧化物膜的製造方法，該結晶性氧化物膜包含鎵作為主成分，該製造方法的特徵在於，將前述結晶性氧化物膜成膜於設為基底基板的藍寶石基板，該藍寶石基板在使CuKα射線入射而X射線繞射時，在繞著與其表面正交的φ軸的角度φ，在藉由ω－2θ測定產生的源自前述基底基板的峰成為最大的φ的情況下，掃描ω、2θ時的反射輸出在28.60°＜2θ＜52.30°及26.50°＜ω＜38.40°時具有極大點，並且，有關前述反射輸出成為極大的ω、θ，滿足下述條件：52.50°＜ω＋θ＜52.80°。
一種結晶性氧化物膜的製造方法，該結晶性氧化物膜包含鎵作為主成分，該製造方法的特徵在於，將前述結晶性氧化物膜成膜於設為基底基板的藍寶石基板，該藍寶石基板在使CuKα射線入射而X射線繞射時，在繞著與其表面正交的φ軸的角度φ，在藉由ω－2θ測定產生的源自前述結晶性氧化物膜的峰成為最大的φ的情況下，掃描ω、2θ時的反射輸出在13.80°＜2θ＜37.50°及19.10°＜ω＜31.00°時具有極大點，並且，有關前述反射輸出成為極大的ω、θ，滿足下述條件：37.70°＜ω＋θ＜38.00°。
一種結晶性氧化物膜的製造方法，該結晶性氧化物膜包含鎵作為主成分，該製造方法的特徵在於，將前述結晶性氧化物膜成膜於設為基底基板的藍寶石基板，該藍寶石基板在使CuKα射線入射而X射線繞射時，在繞著與其表面正交的φ軸的角度φ，在藉由ω－2θ測定產生的源自前述結晶性氧化物膜的峰成為最大的φ的情況下，掃描ω、2θ時的反射輸出在44.30°＜2θ＜68.00°及34.30°＜ω＜46.20°時具有極大點，並且，有關前述反射輸出成為極大的ω、θ，滿足下述條件：68.20°＜ω＋θ＜68.50°。
一種積層聚酯膜，其具備聚酯膜、及位於上述聚酯膜之至少單面之由樹脂組合物形成之樹脂層，且滿足以下之(1)～(3)之全部要件；(1)上述樹脂層具有凹凸結構；(2)上述樹脂組合物包含下述化合物(A)及(B)；(A)低極性化合物(B)選自由黏合劑樹脂及交聯劑所組成之群中之1種以上(3)利用掃描式探針顯微鏡進行測定時之上述樹脂層表面之切斷程度80%時之粗糙度曲線之負載長度率(Rmr(80))為76%以下。
如請求項1之積層聚酯膜，其中利用掃描式探針顯微鏡進行測定時之上述樹脂層表面之切斷程度50%時之粗糙度曲線之負載長度率(Rmr(50))為60%以下。
如請求項1或2之積層聚酯膜，其中利用掃描式探針顯微鏡進行測定時之上述樹脂層表面之算術平均粗糙度(Ra)為20 nm以上。
如請求項1或2之積層聚酯膜，其中利用掃描式探針顯微鏡進行測定時之上述樹脂層表面之十點平均粗糙度(Rzjis)為70 nm以上。
如請求項1或2之積層聚酯膜，其漏氣指數為130,000秒以下。
如請求項1或2之積層聚酯膜，其中上述低極性化合物包含選自由蠟及含有長鏈烷基之化合物所組成之群中之1種以上。
如請求項1或2之積層聚酯膜，其中上述黏合劑樹脂包含選自由(甲基)丙烯酸系樹脂、聚乙烯醇及離子導電性高分子化合物所組成之群中之1種以上。
如請求項1或2之積層聚酯膜，其中上述交聯劑包含選自由三聚氰胺化合物及唑啉化合物所組成之群中之1種以上。
如請求項1或2之積層聚酯膜，其中上述樹脂組合物含有交聯觸媒作為化合物(C)。
如請求項1或2之積層聚酯膜，其中上述樹脂組合物含有微粒子作為化合物(D)。
如請求項1或2之積層聚酯膜，其於積層陶瓷電容器之製造步驟中用作陶瓷坯片之支持體。
一種衛生洗淨裝置，具備朝向已就座之人體的局部噴射水的噴嘴裝置，<br/> 前述噴嘴裝置具備：<br/> 第一噴嘴；<br/> 洗淨噴嘴，噴射將前述第一噴嘴洗淨的水；及<br/> 切換裝置，切換要將水供給至前述第一噴嘴、或供給至前述洗淨噴嘴，<br/> 前述切換裝置具備：<br/> 固定板，將第一孔及洗淨孔排列配備在同一平面上，前述第一孔是由連通至前述第一噴嘴之貫通孔構成，前述洗淨孔是由連通至前述洗淨噴嘴之貫通孔構成；及<br/> 圓盤狀的旋轉板，密合於前述固定板的表面而可將前述第一孔封閉，<br/> 前述旋轉板具備：<br/> 選擇孔，由貫通孔構成，前述貫通孔繞著沿前述固定板的前述表面之法線的旋轉軸而旋轉，藉此選擇性地與前述第一孔或前述洗淨孔連通，<br/> 前述固定板具備：<br/> 有底的第一溝，從前述表面朝前述旋轉軸的方向凹陷，並與前述洗淨孔連通且朝向前述第一孔延伸；及<br/> 有底的第二溝，從前述表面朝前述旋轉軸的方向凹陷，並使前述第一溝與前述第一孔連通，<br/> 比起前述第一溝，前述第二溝的深度較淺，且寬度較窄。
如請求項1之衛生洗淨裝置，其中前述第一溝的深度是從0.4mm以上且1.0mm以下的範圍中選定的深度，<br/> 前述第一溝的寬度是從0.4mm以上且1.0mm以下的範圍中選定的寬度，<br/> 前述第二溝的深度是從0.2mm以上且0.3mm以下的範圍中選定的深度，且<br/> 前述第二溝的寬度是從0.1mm以上且0.25mm以下的範圍中選定的寬度。
如請求項1或2之衛生洗淨裝置，其中前述噴嘴裝置具備：<br/> 第二噴嘴，<br/> 前述切換裝置是切換要將水供給至前述第一噴嘴、或供給至前述洗淨噴嘴、或供給至前述第二噴嘴，<br/> 前述固定板是將第二孔與前述第一孔及前述洗淨孔排列配備在同一平面上，前述第二孔是由連通至前述第二噴嘴之貫通孔構成，<br/> 前述旋轉板的前述選擇孔是將前述第一孔、前述第二孔及前述洗淨孔封閉，且選擇性地與前述第一孔、前述第二孔或前述洗淨孔連通，<br/> 前述固定板具備：<br/> 有底的第三溝，從前述表面朝前述旋轉軸的方向凹陷，並與前述洗淨孔連通且朝向前述第二孔延伸；及<br/> 有底的第四溝，從前述表面朝前述旋轉軸的方向凹陷，並使前述第三溝與前述第二孔連通，<br/> 比起前述第三溝，前述第四溝的深度較淺，且寬度較窄。
一種充電線，其改良在於，所述充電線包括： 輸出介面，所述輸出介面用於與受電設備電連接；所述輸出介面包括接入檢測端、第一收發端和第二收發端；所述第一收發端用於傳輸第一數據信號；所述第二收發端用於傳輸第二數據信號；所述接入檢測端用於檢測所述受電設備的接入方式，並在檢測到所述受電設備為正接時輸出正接信號，以及，在檢測到所述受電設備為反接時輸出反接信號；<br/> 電控板，所述電控板的電源輸入端用於接收電源信號，所述電控板的通信端用於接收/發送數據信號，所述電控板的輸出端與所述輸出介面電連接；所述電控板用於將接入的電源信號加載至接收到的數據信號上並輸出；所述電控板用於在接收到所述正接信號時配置所述第一收發端和所述第二收發端為正接模式；以及，在接收到所述反接信號時配置所述第一收發端和所述第二收發端為反接模式。
如請求項1所述之充電線，其中，所述接入檢測端包括第一引腳，所述第一收發端包括第二引腳和第三引腳，所述第一引腳、所述第二引腳和所述第三引腳與所述電控板分別電連接；<br/> 所述第一引腳用於在被導通與所述第二引腳之間的通路時，輸出正接信號至所述電控板；<br/> 所述第一引腳用於在被導通與所述第三引腳之間的通路時，輸出反接信號至所述電控板。
如請求項2所述之充電線，其中，所述電控板用於在接收到所述正接信號時，配置所述第二引腳為第一數據傳輸正極，和配置所述第三引腳為第一數據傳輸負極；以及，在接收到所述反接信號時，配置所述第二引腳為第一數據傳輸負極，和配置所述第三引腳為第一數據傳輸正極。
如請求項1所述之充電線，其中，所述第二收發端包括第四引腳、第五引腳、第六引腳和第七引腳；<br/> 所述電控板還用於在接收到所述正接信號時，配置所述第四引腳和第五引腳為第二數據傳輸正極，和配置所述第六引腳和第七引腳為第二數據傳輸負極；以及在接收到所述反接信號時，配置所述第四引腳和第五引腳為第二數據傳輸負極，和配置所述第六引腳和第七引腳為第二數據傳輸正極。
如請求項1所述之充電線，其中，電控板包括：<br/> 控制電路，所述控制電路用於在接收到所述正接信號時，配置所述第一收發端和所述第二收發端為所述正接模式，以及，在接收到所述反接信號時，配置所述第一收發端和所述第二收發端為所述反接模式；所述控制電路還用於與所述受電設備通信；<br/> 變壓電路，所述變壓電路具有數據輸入端、電源輸入端和輸出端，所述變壓電路的數據輸入端用於接收數據信號，所述變壓電路的電源輸入端用於接收電源信號，所述變壓電路的輸出端與所述第一收發端和/或所述第二收發端連接；所述變壓電路還用於將所述電源信號加載至所述數據信號上並輸出。
如請求項1所述之充電線，其中，所述充電線還包括：<br/> 磁吸組件，所述磁吸組件圍繞於所述輸出介面設置。
一種充電裝置，其改良在於，所述充電裝置包括如請求項1至6中任一項所述之充電線。
一種數據傳輸與充電方法，應用於請求項1至6中任一項所述之充電線，其改良在於，所述數據傳輸與充電方法包括：<br/> 接收數據信號和電源信號；<br/> 將接收的電源信號加載至接收到的數據信號上並輸出。
如請求項8所述之數據傳輸與充電方法，其中，所述充電線包括輸出介面，所述數據傳輸與充電方法還包括：<br/> 檢測受電設備的接入方式，在檢測到所述受電設備為正接時輸出正接信號，以及，在檢測到所述受電設備為反接時輸出反接信號；<br/> 根據所述正接信號配置所述輸出介面為正接模式；<br/> 根據所述反接信號配置所述輸出介面為反接模式。
一種X射線繞射資料處理裝置，其係對繞射X射線之二維檢測資料進行處理者，該繞射X射線之二維檢測資料係使用自入射角度θ之方向對設定於試樣之表面上之測定點照射入射X射線，並且在相對於上述入射角度θ之方向於2θ之角度方向上配置二維X射線檢測器，利用上述二維X射線檢測器檢測由上述試樣繞射之繞射X射線之X射線分析裝置，掃描上述入射X射線之入射角度θ及配置上述X射線檢測器之角度方向2θ，於數個掃描角度2θ/θ下獲得之二維檢測資料，上述X射線繞射資料處理裝置之特徵在於具備： <br/>峰二維檢測資料提取部，其從於上述數個掃描角度2θ/θ下獲得之繞射X射線之二維檢測資料中，提取總X射線強度最大之繞射X射線之二維檢測資料(峰二維檢測資料)； <br/>峰位置特定部，其從上述峰二維檢測資料中，特定出X射線強度最大之位置(峰位置)；及 <br/>資料處理部，其利用針對上述峰二維檢測資料所特定出之上述峰位置之位置資訊，執行資料處理。
如請求項1之X射線繞射資料處理裝置，其中，上述資料處理部包含： <br/>對象區域設定部，其設定包圍上述峰位置之對象區域；及 <br/>圖譜生成部，其針對於上述數個掃描角度2θ/θ下獲得之繞射X射線之各個二維檢測資料，分別總計與上述對象區域相對應之區域內之X射線強度，基於該等針對各個二維檢測資料分別總計出之X射線強度，製作搖擺曲線圖譜。
如請求項1之X射線繞射資料處理裝置，其中，上述二維X射線檢測器具有檢測繞射X射線之檢測面，並且於該檢測面預先設定有基準檢測點，配置為於自入射角度θ之方向對對稱反射之試樣之表面照射入射X射線時，自該試樣之表面出現於繞射角度2θ之方向上之繞射X射線之光軸入射至上述基準檢測點； <br/>上述峰位置特定部為求出記錄於上述峰二維檢測資料之上述峰位置與上述基準檢測點之間的偏移量之構成。
如請求項3之X射線繞射資料處理裝置，其中，上述峰位置特定部為求出下述Δω及Δχ作為上述峰位置與上述基準檢測點之間的偏移量之構成： <br/>Δω：沿著伴隨2θ/θ掃描之上述基準檢測點之軌跡ω的偏移量； <br/>Δχ：沿著以掃描角度2θ/θ＝0°下之上述基準檢測點為中心之圓弧軌道χ的偏移量。
如請求項2之X射線繞射資料處理裝置，其中，上述對象區域設定部具有下述功能：任意調整包圍上述峰位置之對象區域之與上述2θ的角度方向相對應之寬度。
如請求項1之X射線繞射資料處理裝置，其中，上述資料處理部包含： <br/>峰位移量運算部，其將平板狀之上述試樣作為對象，比對針對設定於該試樣之表面之直線上之數個測定點所取得之上述峰二維檢測資料之上述掃描角度2θ/θ，求出該掃描角度2θ/θ之位移量；及 <br/>曲率半徑運算部，其基於藉由上述峰位移量運算部所求出之上述掃描角度2θ/θ之位移量，運算上述試樣之晶格面之曲率半徑。
一種X射線分析裝置，其係自入射角度θ之方向對設定於試樣之表面上之測定點照射入射X射線，並且在相對於上述入射角度θ之方向於2θ之角度方向上配置二維X射線檢測器，利用上述二維X射線檢測器檢測由上述試樣繞射之繞射X射線，其特徵在於： <br/>具備請求項1至6中任一項之X射線繞射資料處理裝置。
如請求項7之X射線分析裝置，其具備： <br/>升降自如之試樣台，其用於載置上述試樣；及 <br/>試樣台控制部，其至少具有控制上述試樣台高度之功能； <br/>上述試樣台控制部為基於與上述峰二維檢測資料有關之上述峰位置來調整上述試樣台高度之構成。
一種X射線繞射資料處理方法，其係藉由X射線繞射資料處理裝置所執行者，該X射線繞射資料處理裝置係於自入射角度θ之方向對設定於試樣之表面上之測定點照射入射X射線，並且在相對於上述入射角度θ之方向於2θ之角度方向上配置二維X射線檢測器，利用上述二維X射線檢測器檢測由上述試樣繞射之繞射X射線之X射線分析裝置中， <br/>掃描上述入射X射線之入射角度θ及配置上述X射線檢測器之角度方向2θ，對於數個掃描角度2θ/θ下獲得之繞射X射線之二維檢測資料進行處理；上述X射線繞射資料處理方法之特徵在於包括： <br/>峰二維檢測資料提取步驟，其從於上述數個掃描角度2θ/θ下獲得之繞射X射線之二維檢測資料中，提取總X射線強度最大之繞射X射線之二維檢測資料(峰二維檢測資料)； <br/>峰位置特定步驟，其從上述峰二維檢測資料中，特定出X射線強度最大之位置(峰位置)；及 <br/>資料處理步驟，其利用針對上述峰二維檢測資料所特定出之上述峰位置之位置資訊，執行資料處理。
一種X射線繞射資料處理程式，其係X射線繞射資料處理裝置所執行者，該X射線繞射資料處理裝置係於自入射角度θ之方向對設定於試樣之表面上之測定點照射入射X射線，並且在相對於上述入射角度θ之方向於2θ之角度方向上配置二維X射線檢測器，利用上述二維X射線檢測器檢測由上述試樣繞射之繞射X射線之X射線分析裝置中， <br/>掃描上述入射X射線之入射角度θ及配置上述X射線檢測器之角度方向2θ，對於數個掃描角度2θ/θ下獲得之繞射X射線之二維檢測資料進行處理；上述X射線繞射資料處理程式之特徵在於包括： <br/>峰二維檢測資料提取步驟，其從於上述數個掃描角度2θ/θ下獲得之繞射X射線之二維檢測資料中，提取總X射線強度最大之繞射X射線之二維檢測資料(峰二維檢測資料)； <br/>峰位置特定步驟，其從上述峰二維檢測資料中，特定出X射線強度最大之位置(峰位置)；及 <br/>資料處理步驟，其利用針對上述峰二維檢測資料所特定出之上述峰位置之位置資訊，執行資料處理。
一種厚度分布計測裝置，其包含： <br/>搬送部，其將具有第1面及與上述第1面反向之第2面之對象物，朝沿著上述第1面及上述第2面之搬送方向搬送； <br/>光源部，其配置於與上述對象物之上述第2面對向之位置，對搬送中之上述對象物中沿與上述搬送方向交叉之寬度方向延伸之區域照射光； <br/>光檢測部，其配置於與上述對象物之上述第1面對向之位置，檢測透過受上述光照射之上述對象物之出射光；及 <br/>運算部，其基於上述光檢測部中之檢測結果，求出與上述對象物之上述區域之相對厚度在上述寬度方向上之分布相關之資訊；且 <br/>上述光檢測部包含： <br/>影像感測器，其具有至少包含於上述搬送方向上排列之複數個像素之像素部，且於每個上述像素檢測上述出射光之強度並輸出圖像資料；及 <br/>透鏡部，其包含具有等倍之倍率且沿上述寬度方向排列之複數個透鏡，將上述出射光聚光及成像於上述影像感測器之上述像素部。
如請求項1之厚度分布計測裝置，其中上述透鏡部之光軸係沿著上述第1面之法線。
如請求項1之厚度分布計測裝置，其中上述透鏡部之光軸相對於上述第1面之法線傾斜。
如請求項3之厚度分布計測裝置，其中上述透鏡部之光軸相對於上述法線之傾斜角為5°以上且80°以下。
如請求項1至4中任一項之厚度分布計測裝置，其中上述影像感測器係構成為能切換將自上述複數個像素輸出之信號放大之增益値。
如請求項5之厚度分布計測裝置，其進而包含： <br/>另一光源部，其配置在與上述第1面對向之位置，對搬送中之上述對象物中之上述區域或沿上述寬度方向延伸之另一區域照射光；且 <br/>上述光檢測部係檢測自藉由上述另一光源部被照射上述光之上述對象物所反射之出射光； <br/>自上述另一光源部照射上述光時之上述影像感測器之上述增益値，係與自上述光源部照射上述光時之上述影像感測器之上述增益値不同。
如請求項1至4中任一項之厚度分布計測裝置，其進而包含： <br/>厚度計測部，其局部地計測上述對象物之絕對厚度；且 <br/>上述運算部基於由上述厚度計測部計測出之上述絕對厚度，修正上述相對厚度之計測值。
如請求項5之厚度分布計測裝置，其進而包含： <br/>厚度計測部，其局部地計測上述對象物之絕對厚度；且 <br/>上述運算部基於由上述厚度計測部計測出之上述絕對厚度，修正上述相對厚度之計測值。
如請求項6之厚度分布計測裝置，其進而包含： <br/>厚度計測部，其局部地計測上述對象物之絕對厚度；且 <br/>上述運算部基於由上述厚度計測部計測出之上述絕對厚度，修正上述相對厚度之計測值。
如請求項1至4中任一項之厚度分布計測裝置，其中上述影像感測器為線掃描感測器。
如請求項5之厚度分布計測裝置，其中上述影像感測器為線掃描感測器。
如請求項6之厚度分布計測裝置，其中上述影像感測器為線掃描感測器。
如請求項7之厚度分布計測裝置，其中上述影像感測器為線掃描感測器。
如請求項8之厚度分布計測裝置，其中上述影像感測器為線掃描感測器。
如請求項9之厚度分布計測裝置，其中上述影像感測器為線掃描感測器。
如請求項1至4中任一項之厚度分布計測裝置，其中上述光檢測部進而包含： <br/>第1光學濾光片，其設置於上述影像感測器之上述複數個像素中之一部分之像素上，具有以第1波長為中心之透過波長頻帶；及 <br/>第2光學濾光片，其設置於上述影像感測器之上述複數個像素中之另外之至少一部分之像素上，具有以與上述第1波長不同之第2波長為中心之透過波長頻帶。
如請求項5之厚度分布計測裝置，其中上述光檢測部進而包含： <br/>第1光學濾光片，其設置於上述影像感測器之上述複數個像素中之一部分之像素上，具有以第1波長為中心之透過波長頻帶；及 <br/>第2光學濾光片，其設置於上述影像感測器之上述複數個像素中之另外之至少一部分之像素上，具有以與上述第1波長不同之第2波長為中心之透過波長頻帶。
如請求項6之厚度分布計測裝置，其中上述光檢測部進而包含： <br/>第1光學濾光片，其設置於上述影像感測器之上述複數個像素中之一部分之像素上，具有以第1波長為中心之透過波長頻帶；及 <br/>第2光學濾光片，其設置於上述影像感測器之上述複數個像素中之另外之至少一部分之像素上，具有以與上述第1波長不同之第2波長為中心之透過波長頻帶。
如請求項7之厚度分布計測裝置，其中上述光檢測部進而包含： <br/>第1光學濾光片，其設置於上述影像感測器之上述複數個像素中之一部分之像素上，具有以第1波長為中心之透過波長頻帶；及 <br/>第2光學濾光片，其設置於上述影像感測器之上述複數個像素中之另外之至少一部分之像素上，具有以與上述第1波長不同之第2波長為中心之透過波長頻帶。
如請求項8之厚度分布計測裝置，其中上述光檢測部進而包含： <br/>第1光學濾光片，其設置於上述影像感測器之上述複數個像素中之一部分之像素上，具有以第1波長為中心之透過波長頻帶；及 <br/>第2光學濾光片，其設置於上述影像感測器之上述複數個像素中之另外之至少一部分之像素上，具有以與上述第1波長不同之第2波長為中心之透過波長頻帶。
如請求項9之厚度分布計測裝置，其中上述光檢測部進而包含： <br/>第1光學濾光片，其設置於上述影像感測器之上述複數個像素中之一部分之像素上，具有以第1波長為中心之透過波長頻帶；及 <br/>第2光學濾光片，其設置於上述影像感測器之上述複數個像素中之另外之至少一部分之像素上，具有以與上述第1波長不同之第2波長為中心之透過波長頻帶。
如請求項10之厚度分布計測裝置，其中上述光檢測部進而包含： <br/>第1光學濾光片，其設置於上述影像感測器之上述複數個像素中之一部分之像素上，具有以第1波長為中心之透過波長頻帶；及 <br/>第2光學濾光片，其設置於上述影像感測器之上述複數個像素中之另外之至少一部分之像素上，具有以與上述第1波長不同之第2波長為中心之透過波長頻帶。
如請求項11之厚度分布計測裝置，其中上述光檢測部進而包含： <br/>第1光學濾光片，其設置於上述影像感測器之上述複數個像素中之一部分之像素上，具有以第1波長為中心之透過波長頻帶；及 <br/>第2光學濾光片，其設置於上述影像感測器之上述複數個像素中之另外之至少一部分之像素上，具有以與上述第1波長不同之第2波長為中心之透過波長頻帶。
如請求項12之厚度分布計測裝置，其中上述光檢測部進而包含： <br/>第1光學濾光片，其設置於上述影像感測器之上述複數個像素中之一部分之像素上，具有以第1波長為中心之透過波長頻帶；及 <br/>第2光學濾光片，其設置於上述影像感測器之上述複數個像素中之另外之至少一部分之像素上，具有以與上述第1波長不同之第2波長為中心之透過波長頻帶。
如請求項13之厚度分布計測裝置，其中上述光檢測部進而包含： <br/>第1光學濾光片，其設置於上述影像感測器之上述複數個像素中之一部分之像素上，具有以第1波長為中心之透過波長頻帶；及 <br/>第2光學濾光片，其設置於上述影像感測器之上述複數個像素中之另外之至少一部分之像素上，具有以與上述第1波長不同之第2波長為中心之透過波長頻帶。
如請求項14之厚度分布計測裝置，其中上述光檢測部進而包含： <br/>第1光學濾光片，其設置於上述影像感測器之上述複數個像素中之一部分之像素上，具有以第1波長為中心之透過波長頻帶；及 <br/>第2光學濾光片，其設置於上述影像感測器之上述複數個像素中之另外之至少一部分之像素上，具有以與上述第1波長不同之第2波長為中心之透過波長頻帶。
如請求項15之厚度分布計測裝置，其中上述光檢測部進而包含： <br/>第1光學濾光片，其設置於上述影像感測器之上述複數個像素中之一部分之像素上，具有以第1波長為中心之透過波長頻帶；及 <br/>第2光學濾光片，其設置於上述影像感測器之上述複數個像素中之另外之至少一部分之像素上，具有以與上述第1波長不同之第2波長為中心之透過波長頻帶。
一種厚度分布計測方法，其包含以下步驟： <br/>將具有第1面及與上述第1面反向之第2面之對象物，開始向沿著上述第1面及上述第2面之搬送方向搬送； <br/>開始對搬送中之上述對象物中沿與上述搬送方向交叉之寬度方向延伸之區域照射光； <br/>開始檢測透過受上述光照射之上述對象物之出射光；及 <br/>基於上述檢測之步驟中之檢測結果，求出上述對象物之上述區域之相對厚度在上述寬度方向上之分布相關之資訊；且 <br/>於上述檢測之步驟中使用： <br/>影像感測器，其具有至少包含於上述寬度方向上排列之複數個像素之像素部，且於每個上述像素檢測上述出射光之強度並輸出圖像資料；及 <br/>透鏡部，其包含具有等倍之倍率且沿上述寬度方向排列之複數個透鏡，將上述出射光聚光及成像於上述影像感測器之上述像素部。
如請求項28之厚度分布計測方法，其中上述透鏡部之光軸係沿著上述第1面之法線。
如請求項28之厚度分布計測方法，其中上述透鏡部之光軸相對於上述第1面之法線傾斜。
如請求項30之厚度分布計測方法，其中上述透鏡部之光軸相對於上述法線之傾斜角為5°以上且80°以下。
如請求項28至31中任一項之厚度分布計測方法，其中上述影像感測器係構成為能切換將自上述複數個像素輸出之信號放大之增益値。
如請求項28至31中任一項之厚度分布計測方法，其進而包含以下步驟： <br/>局部地計測上述對象物之絕對厚度；且 <br/>於求出上述資訊之步驟中，基於藉由上述計測之步驟計測出之上述絕對厚度，修正上述相對厚度之計測值。
如請求項32之厚度分布計測方法，其進而包含以下步驟： <br/>局部地計測上述對象物之絕對厚度；且 <br/>於求出上述資訊之步驟中，基於藉由上述計測之步驟計測出之上述絕對厚度，修正上述相對厚度之計測值。
一種卡匣，其特徵係具有： <br/> 感光體； <br/> 具備前述感光體的第1單元； <br/> 使碳粉附著於前述感光體的顯像構件； <br/> 具備前述顯像構件，藉由對於前述第1單元移動，可移動於能使碳粉從前述顯像構件往前述感光體附著的顯像位置與前述顯像構件的至少一部分從前述感光體分離而配置的間隔位置之間的第2單元， <br/> 耦合構件； <br/> 從前述耦合構件被傳達驅動力而旋轉的第1齒輪部； <br/> 對於前述顯像構件可移動至前述顯像構件的軸線方向，與前述第1齒輪部咬合而被傳達驅動力而旋轉的第2齒輪部； <br/> 藉由對於前述顯像構件移動至前述顯像構件的軸線方向，可移動於用以將前述第2單元安定地保持於前述間隔位置的第1位置與用以安定地保持於前述顯像位置的第2位置之間的保持部； <br/> 將前述保持部從前述第2位置往前述第1位置彈推的彈推部， <br/> 前述第1齒輪部與前述第2齒輪部的至少一方為斜齒輪， <br/> 前述第2齒輪部藉由前述第1齒輪部被驅動而旋轉時，藉由前述第2齒輪部從前述第1齒輪部受力而對於前述顯像構件往前述顯像構件的軸線方向移動，前述保持部從前述第1位置往前述第2位置移動， <br/> 前述第2齒輪部未藉由前述第1齒輪部來驅動時，前述保持部藉由前述彈推部的彈推力來從前述第2位置朝向前述第1位置移動。
如請求項1記載的卡匣，其中，前述彈推部係被設在彈性構件或被彈性構件彈推的構件。
如請求項2記載的卡匣，其中，前述彈性構件為彈簧。
如請求項1至3中的任一項記載的卡匣，其中，具有可接受使前述保持部從前述第2位置朝向前述第1位置移動的力之力承受部， <br/> 前述力承受部接受前述力時，前述彈推部將前述保持部從前述第2位置朝向前述第1位置彈推。
如請求項4記載的卡匣，其中，藉由前述力承受部往與前述顯像構件的軸線方向交叉的方向移動，前述彈推部將前述保持部從前述第2位置朝向前述第1位置彈推。
如請求項5記載的卡匣，其中，具有： <br/> 具備前述力承受部的第1移動構件；及 <br/> 從前述第1移動構件受力而移動的第2移動構件， <br/> 前述彈推部係被設在前述第2移動構件。
如請求項6記載的卡匣，其中，前述第2移動構件係往前述顯像構件的軸線方向移動時，藉由前述彈推部來將前述保持部從前述第2位置朝向前述第1位置彈推。
如請求項1至3中的任一項記載的卡匣，其中，具有具備前述第2齒輪部的齒輪構件，前述齒輪構件係往前述顯像構件傳達驅動力。
如請求項8記載的卡匣，其中，前述齒輪構件的旋轉軸係與前述顯像構件的旋轉軸同軸。
如請求項8記載的卡匣，其中，前述齒輪構件係具備前述保持部。
如請求項1至3中的任一項記載的卡匣，其中， <br/> 前述第1單元係具備可旋轉地支撐前述感光體的第1框體， <br/> 前述第2單元係具備可旋轉地支撐前述顯像構件，支撐前述保持部的第2框體， <br/> 前述保持部係藉由與前述第1框體抵接來將前述第2單元安定地保持於前述間隔位置。
如請求項11記載的卡匣，其中，前述第1框體係具備對於前述顯像構件的旋轉軸線傾斜的傾斜面， <br/> 前述保持部係在從前述第2位置往前述第1位置移動的期間，在與前述傾斜面接觸的狀態下移動至前述顯像構件的軸線方向。
一種卡匣，係可安裝於畫像形成裝置的裝置本體的卡匣，其特徵為具有： <br/> 第1單元； <br/> 用以使碳粉附著於感光體的顯像構件； <br/> 具備前述顯像構件，藉由對於前述第1單元移動，可移動於能使碳粉從前述顯像構件往前述感光體附著的顯像位置與前述顯像構件的至少一部分從前述感光體分離而配置的間隔位置之間的第2單元， <br/> 可從前述裝置本體接受驅動力的驅動力承受部； <br/> 從前述驅動力承受部被傳達驅動力而旋轉的第1齒輪部； <br/> 對於前述顯像構件可移動至前述顯像構件的軸線方向，與前述第1齒輪部咬合而被傳達驅動力而旋轉的第2齒輪部； <br/> 藉由對於前述顯像構件移動至前述顯像構件的軸線方向，可移動於用以將前述第2單元安定地保持於前述間隔位置的第1位置與用以安定地保持於前述顯像位置的第2位置之間的保持部；及 <br/> 將前述保持部從前述第2位置往前述第1位置彈推的彈推部， <br/> 前述第1齒輪部與前述第2齒輪部的至少一方為斜齒輪， <br/> 前述第2齒輪部藉由前述第1齒輪部被驅動而旋轉時，藉由前述第2齒輪部從前述第1齒輪部受力而對於前述顯像構件往前述顯像構件的軸線方向移動，前述保持部從前述第1位置往前述第2位置移動， <br/> 前述第2齒輪部未藉由前述第1齒輪部來驅動時，前述保持部藉由前述彈推部的彈推力來從前述第2位置朝向前述第1位置移動。
如請求項13記載的卡匣，其中，前述彈推部係被設在彈性構件或被彈性構件彈推的構件。
如請求項14記載的卡匣，其中，前述彈性構件為彈簧。
如請求項13至15中的任一項記載的卡匣，其中，具有可接受使前述保持部從前述第2位置朝向前述第1位置移動的力之力承受部， <br/> 前述力承受部接受前述力時，前述彈推部將前述保持部從前述第2位置朝向前述第1位置彈推。
如請求項16記載的卡匣，其中，藉由前述力承受部往與前述顯像構件的軸線方向交叉的方向移動，前述彈推部將前述保持部從前述第2位置朝向前述第1位置彈推。
如請求項17記載的卡匣，其中，具有： <br/> 具備前述力承受部的第1移動構件；及 <br/> 從前述第1移動構件受力而移動的第2移動構件， <br/> 前述彈推部係被設在前述第2移動構件。
如請求項18記載的卡匣，其中，前述第2移動構件係往前述顯像構件的軸線方向移動時，藉由前述彈推部來將前述保持部從前述第2位置朝向前述第1位置彈推。
如請求項13至15中的任一項記載的卡匣，其中，具有具備前述第2齒輪部的齒輪構件，前述齒輪構件係往前述顯像構件傳達驅動力。
如請求項20記載的卡匣，其中，前述齒輪構件的旋轉軸係與前述顯像構件的旋轉軸同軸。
如請求項20或21記載的卡匣，其中，前述齒輪構件係具備前述保持部。
如請求項13至15中的任一項記載的卡匣，其中， <br/> 前述第1單元係具備可旋轉地支撐前述感光體的第1框體， <br/> 前述第2單元係具備可旋轉地支撐前述顯像構件，支撐前述保持部的第2框體， <br/> 前述保持部係藉由與前述第1框體抵接來將前述第2單元安定地保持於前述間隔位置。
如請求項23記載的卡匣，其中，前述第1框體係具備對於前述顯像構件的旋轉軸線傾斜的傾斜面， <br/> 前述保持部係在從前述第2位置往前述第1位置移動的期間，在與前述傾斜面接觸的狀態下移動至前述顯像構件的軸線方向。
一種卡匣，其特徵係具有： <br/> 感光體； <br/> 具備前述感光體的第1單元； <br/> 使碳粉附著於前述感光體的顯像構件； <br/> 具備前述顯像構件，藉由對於前述第1單元移動，可移動於能使碳粉從前述顯像構件往前述感光體附著的顯像位置與前述顯像構件的至少一部分從前述感光體分離而配置的間隔位置之間的第2單元， <br/> 耦合構件； <br/> 可移動地被支撐於前述第1單元或前述第2單元，可移動於用以藉由前述第1單元來將前述第2單元安定地保持於前述間隔位置的第1位置與用以藉由前述第1單元來將前述第2單元安定地保持於前述顯像位置的第2位置之間的保持構件； <br/> 從前述耦合構件被傳達驅動力而移動的被驅動部； <br/> 前述第2單元位於前述顯像位置時，為了使前述第2單元往前述間隔位置移動，可接受使前述保持構件從前述第2位置朝向前述第1位置移動的間隔力之間隔力承受部， <br/> 前述間隔力承受部係藉由移動至預定方向，可在待機位置與比前述待機位置更從前述第2單元突出的運轉位置之間， <br/> 前述第2單元位於前述顯像位置，前述間隔力承受部位於前述運轉位置時，前述間隔力承受部係藉由接受前述間隔力而移動至與預定方向交叉的第2方向，可使前述保持構件從前述第2位置朝向前述第1位置而移動， <br/> 前述第2單元位於前述間隔位置時，藉由前述被驅動部從前述耦合構件被傳達驅動力而移動，前述保持構件從前述第1位置朝向前述第2位置移動。
如請求項25記載的卡匣，其中，具有將前述保持構件卡止於前述第1位置的卡止部， <br/> 前述保持構件係具備在位於前述第1位置時被卡止於前述卡止部的被卡止部， <br/> 藉由前述被驅動部解除前述卡止部所致的前述被卡止部的卡止，前述保持構件從前述第1位置朝向第2位置移動。
如請求項26記載的卡匣，其中，具有將前述保持構件彈推為從前述第1位置朝向前述第2位置移動的保持構件彈推部。
如請求項25至27中的任一項記載的卡匣，其中，前述被驅動部係從前述耦合構件被傳達驅動力而旋轉。
如請求項25至27中的任一項記載的卡匣，其中，具有具備前述間隔力承受部的移動構件， <br/> 前述第2單元位於前述顯像位置，前述間隔力承受部位於前述運轉位置時，前述移動構件係藉由前述間隔力承受部接受前述間隔力而移動至與預定方向交叉的第2方向，以使前述保持構件從前述第2位置朝向前述第1位置移動的方式推壓。
如請求項25至27中的任一項記載的卡匣，其中， <br/> 前述第1單元係具備可旋轉地支撐前述感光體且可移動地支撐前述保持構件的第1框體， <br/> 前述第2單元係具備可旋轉地支撐前述顯像構件的第2框體， <br/> 前述保持構件係藉由與前述第2框體抵接，將前述第2單元安定地保持於前述間隔位置。
一種卡匣，係可安裝於畫像形成裝置的裝置本體的卡匣，其特徵為具有： <br/> 第1單元； <br/> 使碳粉附著於感光體的顯像構件； <br/> 具備前述顯像構件，藉由對於前述第1單元移動，可移動於能使碳粉從前述顯像構件往前述感光體附著的顯像位置與前述顯像構件的至少一部分從前述感光體分離而配置的間隔位置之間的第2單元， <br/> 可從前述裝置本體接受驅動力的驅動力承受部； <br/> 可移動地被支撐於前述第1單元或前述第2單元，可移動於用以藉由前述第1單元來將前述第2單元安定地保持於前述間隔位置的第1位置與用以藉由前述第1單元來將前述第2單元安定地保持於前述顯像位置的第2位置之間的保持構件； <br/> 從前述驅動力承受部被傳達驅動力而移動的被驅動部；及 <br/> 前述第2單元位於前述顯像位置時，為了使前述第2單元往前述間隔位置移動，可從前述裝置本體接受使前述保持構件從前述第2位置朝向前述第1位置移動的間隔力之間隔力承受部， <br/> 前述間隔力承受部係藉由移動至預定方向，可在待機位置與比前述待機位置更從前述第2單元突出的運轉位置之間， <br/> 前述第2單元位於前述顯像位置，前述間隔力承受部位於前述運轉位置時，前述間隔力承受部係藉由接受前述間隔力來移動至與預定方向交叉的第2方向，可使前述保持構件從前述第2位置朝向前述第1位置而移動， <br/> 前述第2單元位於前述間隔位置時，藉由前述被驅動部從前述驅動力承受部被傳達驅動力而移動，前述保持構件從前述第1位置朝向前述第2位置移動。
如請求項31記載的卡匣，其中，具有將前述保持構件卡止於前述第1位置的卡止部， <br/> 前述保持構件係具備在位於前述第1位置時被卡止於前述卡止部的被卡止部， <br/> 藉由前述被驅動部解除前述卡止部所致的前述被卡止部的卡止，前述保持構件從前述第1位置朝向第2位置移動。
如請求項32記載的卡匣，其中，具有將前述保持構件彈推為從前述第1位置朝向前述第2位置移動的保持構件彈推部。
如請求項31至33中的任一項記載的卡匣，其中，前述被驅動部係從前述驅動力承受部被傳達驅動力而旋轉。
如請求項31至33中的任一項記載的卡匣，其中，具有具備前述間隔力承受部的移動構件， <br/> 前述第2單元位於前述顯像位置，前述間隔力承受部位於前述運轉位置時，前述移動構件係藉由前述間隔力承受部接受前述間隔力而移動至與預定方向交叉的第2方向，以使前述保持構件從前述第2位置朝向前述第1位置移動的方式推壓。
如請求項31至33中的任一項記載的卡匣，其中， <br/> 前述第1單元係具備可移動地支撐前述保持構件的第1框體， <br/> 前述第2單元係具備可旋轉地支撐前述顯像構件的第2框體， <br/> 前述保持構件係藉由與前述第2框體抵接來將前述第2單元安定地保持於前述間隔位置。
一種畫像形成裝置，其特徵係具備： <br/> 可裝卸地支撐如請求項1至36中的任一項記載的卡匣之裝置本體；及 <br/> 被設在前述裝置本體，可將碳粉像轉印至記錄媒體的轉印構件。
一種電子裝置，包括：<br/> 一功率產生器，用以提供一輸入電壓；<br/> 一功率調節器，包括：<br/> 一電壓調節器，電連接到所述功率產生器，且用以接收所述輸入電壓以產生一輸出電壓；以及<br/> 一電子元件，電連接到所述電壓調節器，且用以接收所述輸出電壓，<br/> 其中所述功率調節器根據所述輸入電壓產生一控制信號，且所述功率調節器向所述電子元件提供所述控制信號，<br/> 其中所述電子元件的可調整準位根據所述控制信號進行調整，其中所述可調整準位包括一振動監測器準位。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述功率產生器為一太陽能電池。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述電子元件包括一第一電極、一第二電極及設置在所述第一電極與所述第二電極之間的一介質層。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述電壓調節器包括：<br/> 一電晶體，電連接在所述功率產生器與所述電子元件之間；以及<br/> 一第一運算放大器，電連接到所述電晶體，且用以根據所述輸出電壓及一參考電壓向所述電晶體提供一感測電壓。
如請求項4所述的電子裝置，其中所述電壓調節器還包括：<br/> 一第一電阻器，電連接在所述電晶體與所述第一運算放大器之間；以及<br/> 一第二電阻器，電連接在所述第一運算放大器與一操作電壓之間。
如請求項4所述的電子裝置，其中所述電壓調節器還包括：<br/> 一電容器，電連接在所述電晶體與所述第一運算放大器之間。
如請求項4所述的電子裝置，其中所述功率調節器將所述感測電壓作為所述控制信號提供到所述電子元件。
如請求項4所述的電子裝置，其中所述功率調節器還包括：<br/> 一調整電路，電連接到所述電壓調節器及所述電子元件，且用以接收所述感測電壓且向所述電子元件提供所述控制信號。
如請求項8所述的電子裝置，還包括：<br/> 一基板，其中所述電壓調節器及所述調整電路設置在所述基板上。
如請求項8所述的電子裝置，其中所述調整電路包括：<br/> 一第二運算放大器，電連接到所述第一運算放大器及所述電子元件，且用以根據所述感測電壓向所述電子元件提供所述控制信號。
如請求項10所述的電子裝置，其中所述調整電路包括：<br/> 一第三運算放大器，電連接到所述第二運算放大器，且用以向所述第二運算放大器提供一固定電壓，<br/> 其中所述第二運算放大器根據所述感測電壓及所述固定電壓向所述電子元件提供所述控制信號。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述輸出電壓被用作所述電子元件的一電力供應源。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述可調整準位還包括一透射率。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述可調整準位還包括一顯示器刷新率。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述可調整準位還包括亮度、顏色、閃爍模式或其組合。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述可調整準位還包括一加熱監測器準位。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述可調整準位還包括一無線電波監測器準位。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述電子元件用以根據所述可調整準位產生一報警信號。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述功率產生器為一能量收集源。
一種加工裝置，其具備： <br/>保持單元，其包含卡盤台，該卡盤台具有保持板狀的被加工物之第一保持面，且可繞著與該第一保持面交叉之旋轉軸旋轉； <br/>加工單元，其可加工被保持於該保持單元之該被加工物； <br/>卡匣載置台，其載置卡匣，該卡匣可容納在第一面側設有凹凸構造之板狀的清掃用板及該被加工物； <br/>搬送單元，其包含具有保持該被加工物之第二保持面之保持墊，且可將容納於該卡匣之該被加工物搬送往該卡盤台；以及 <br/>控制單元，其具有處理裝置與記憶裝置，且可遵循記憶於該記憶裝置之程式而控制該保持單元及該搬送單元， <br/>該控制單元遵循該程式，執行下述程序而清掃該卡盤台的該第一保持面： <br/>以該搬送單元將容納於該卡匣之該清掃用板搬出，且以該保持墊的該第二保持面保持該清掃用板的與該第一面為相反側的第二面之程序； <br/>在以該保持墊的該第二保持面保持該清掃用板的該第二面之狀態下，以該搬送單元將該清掃用板的該第一面按壓至該卡盤台的該第一保持面之程序；以及 <br/>在以該搬送單元將該清掃用板的該第一面按壓至該卡盤台的該第一保持面之際，使該卡盤台旋轉之程序。
一種加工裝置，其具備： <br/>保持單元，其包含卡盤台，該卡盤台具有保持板狀的被加工物之第一保持面，且可繞著與該第一保持面交叉之旋轉軸旋轉； <br/>加工單元，其可加工被保持於該保持單元之該被加工物； <br/>卡匣載置台，其載置卡匣，該卡匣可容納在第一面側設有凹凸構造之板狀的清掃用板及該被加工物； <br/>搬送單元，其包含具有保持該被加工物之第二保持面之保持墊，且可將容納於該卡匣之該被加工物搬送往該卡盤台；以及 <br/>控制單元，其具有處理裝置與記憶裝置，且可遵循記憶於該記憶裝置之程式而控制該保持單元及該搬送單元， <br/>該控制單元遵循該程式，執行下述程序而清掃該保持墊的該第二保持面： <br/>以該搬送單元將容納於該卡匣之該清掃用板搬出，且以該卡盤台的該第一保持面保持該清掃用板的與該第一面相反側的第二面之程序； <br/>在以該卡盤台的該第一保持面保持該清掃用板的該第二面之狀態下，以該搬送單元將該保持墊的該第二保持面按壓至該清掃用板的該第一面之程序；以及 <br/>在將該保持墊的該第二保持面按壓至該清掃用板的該第一面之際，使該卡盤台旋轉之程序。
如請求項1或2之加工裝置，其中，該卡盤台在以該加工單元加工該被加工物之際保持該被加工物。
如請求項1或2之加工裝置，其中，進一步包含可清洗該被加工物之清洗單元， <br/>該卡盤台在以該清洗單元清洗該被加工物之際保持該被加工物。
一種清掃方法，其在清掃加工裝置的卡盤台的第一保持面之際使用，該加工裝置具備： <br/>保持單元，其包含該卡盤台，該卡盤台具有保持板狀的被加工物之該第一保持面，且可繞著與該第一保持面交叉之旋轉軸旋轉； <br/>加工單元，其可加工被保持於該保持單元之該被加工物； <br/>卡匣載置台，其載置卡匣，該卡匣可容納在第一面側設有凹凸構造之板狀的清掃用板及該被加工物；以及 <br/>搬送單元，其包含具有保持該被加工物之第二保持面之保持墊，且可將容納於該卡匣之該被加工物搬送往該卡盤台， <br/>該清掃方法係以該搬送單元將容納於該卡匣之該清掃用板搬出，且以該保持墊的該第二保持面保持該清掃用板的與該第一面為相反側的第二面， <br/>在以該保持墊的該第二保持面保持該清掃用板的該第二面之狀態下，以該搬送單元將該清掃用板的該第一面按壓至該卡盤台的該第一保持面， <br/>在以該搬送單元將該清掃用板的該第一面按壓至該卡盤台的該第一保持面之際，藉由使該卡盤台旋轉而清掃該卡盤台的該第一保持面。
一種清掃方法，其在清掃加工裝置的保持墊的第二保持面之際使用，該加工裝置具備： <br/>保持單元，其包含卡盤台，該卡盤台具有保持板狀的被加工物之第一保持面，且可繞著與該第一保持面交叉之旋轉軸旋轉； <br/>加工單元，其可加工被保持於該保持單元之該被加工物； <br/>卡匣載置台，其載置卡匣，該卡匣可容納在第一面側設有凹凸構造之板狀的清掃用板及該被加工物；以及 <br/>搬送單元，其包含具有保持該被加工物之該第二保持面之該保持墊，且可將容納於該卡匣之該被加工物搬送往該卡盤台， <br/>該清掃方法係以該搬送單元將容納於該卡匣之該清掃用板搬出，且以該卡盤台的該第一保持面保持該清掃用板的與該第一面為相反側的第二面， <br/>在以該卡盤台的該第一保持面保持該清掃用板的該第二面之狀態下，以該搬送單元將該保持墊的該第二保持面按壓至該清掃用板的該第一面， <br/>在將該保持墊的該第二保持面按壓至該清掃用板的該第一面之際，藉由使該卡盤台旋轉而清掃該保持墊的該第二保持面。
如請求項5或6之清掃方法，其中，在以該加工單元加工該被加工物之際，以該卡盤台保持該被加工物。
如請求項5或6之清掃方法，其中，該加工裝置進一步包含可清洗該被加工物之清洗單元， <br/>在以該清洗單元清洗該被加工物之際，以該卡盤台保持該被加工物。
一種清掃用板，其係在清掃加工裝置的卡盤台的第一保持面或保持墊的第二保持面之際使用之板狀的清掃用板，該加工裝置具備： <br/>保持單元，其包含該卡盤台，該卡盤台具有保持板狀的被加工物之該第一保持面，且可繞著與該第一保持面交叉之旋轉軸旋轉； <br/>加工單元，其可加工被保持於該保持單元之該被加工物； <br/>卡匣載置台，其載置可容納該被加工物之卡匣；以及 <br/>搬送單元，其包含具有保持該被加工物之該第二保持面之該保持墊，且可將容納於該卡匣之該被加工物搬送往該卡盤台， <br/>該清掃用板具有： <br/>圓形狀的第一面；以及 <br/>與該第一面為相反側的圓形狀的第二面， <br/>在該第一面側設有凹凸構造。
如請求項9之清掃用板，其係以矽所構成。
如請求項9或10之清掃用板，其中，在清掃該卡盤台的該第一保持面之際係藉由該保持墊的該第二保持面而保持該第二面，在清掃該保持墊的該第二保持面之際係藉由該卡盤台的該第一保持面而保持該第二面。
一種黏貼方法，其將膠膜滾筒的膠膜黏貼於工件，該膠膜滾筒係將該膠膜捲成滾筒狀而成，該黏貼方法具備： <br/>殘餘量記錄步驟，其記錄該膠膜滾筒的殘餘量； <br/>膠膜黏貼步驟，其在實施該殘餘量記錄步驟之後，將該膠膜滾筒的該膠膜黏貼於一個以上的該工件； <br/>使用量檢測步驟，其將在該膠膜黏貼步驟中使用於黏貼該工件之該膠膜的量作為使用量而進行檢測；以及 <br/>殘餘量更新步驟，其從由該殘餘量記錄步驟所記錄到之該膠膜滾筒的該殘餘量減去由該使用量檢測步驟所檢測到之該使用量，而更新該膠膜滾筒的殘餘量。
如請求項1之黏貼方法，其中，具備： <br/>判斷步驟，其在實施該膠膜黏貼步驟之前，判斷在該膠膜黏貼步驟中使用之預定的該使用量是否多於該膠膜滾筒的該殘餘量；以及 <br/>更換步驟，其在該判斷步驟中判斷該使用量較多之情形中，更換成其他膠膜滾筒。
如請求項1或2之黏貼方法，其中， <br/>該膠膜滾筒具有個體識別資訊， <br/>在該殘餘量記錄步驟中，將該個體識別資訊連同該殘餘量一起進行記錄， <br/>在實施該膠膜黏貼步驟之前，確認該膠膜滾筒的該個體識別資訊， <br/>在該殘餘量更新步驟中，將與該個體識別資訊一起被記錄之該殘餘量進行更新。
如請求項3之黏貼方法，其中， <br/>該膠膜滾筒具有已記錄個體識別資訊之RF標籤， <br/>在該殘餘量記錄步驟中，在該RF標籤記錄該殘餘量，且在該殘餘量更新步驟中將已記錄於該RF標籤之該殘餘量進行更新。
一種電子裝置，包括： <br/>基板，具有主動區與非主動區，鄰近該主動區； <br/>第一導線層，設置於該非主動區中； <br/>第二導線層，設置於該第一導線層上； <br/>第一絕緣層，設置於該第二導線層上；以及 <br/>配向層，設置於該第一絕緣層上， <br/>其中，於該電子裝置的剖面圖中，該第一導線層具有第一邊緣，該第二導線層具有第二邊緣，鄰近該第一邊緣，該第一邊緣與該第二邊緣於水平方向上隔開第一距離，以及該第一絕緣層具有第一側壁部，覆蓋該第一邊緣與該第二邊緣並形成階梯狀結構。
如請求項1的電子裝置，其中該第一距離介於0.3微米至1.5微米。
如請求項1的電子裝置，其中該非主動區包括扇出區與接合區，該扇出區設置於該主動區與該接合區之間，以及該配向層的邊界位於該扇出區中。
如請求項1的電子裝置，其中，於該電子裝置的該剖面圖中，該第一導線層的寬度大於該第二導線層的寬度。
如請求項1的電子裝置，其中該第一導線層具有第三邊緣，相對於該第一邊緣，該第二導線層具有第四邊緣，鄰近該第三邊緣，且該第三邊緣與該第四邊緣於該水平方向上隔開第二距離。
如請求項5的電子裝置，其中該第二距離介於0.3微米至1.5微米。
如請求項5的電子裝置，其中該第一導線層的一部分未與該第二導線層重疊，以及該第二導線層的一部分未與該第一導線層重疊。
如請求項1的電子裝置，更包括第二絕緣層，設置於該第一導線層與該第二導線層之間，其中該第二絕緣層的厚度與該第一距離的第一比例介於0.3至1.1。
如請求項8的電子裝置，其中該第一導線層具有第三邊緣，相對於該第一邊緣，該第二導線層具有第四邊緣，鄰近該第三邊緣，該第三邊緣與該第四邊緣於該水平方向上隔開第二距離，且該第二絕緣層的厚度與該第二距離的第二比例介於0.3至1.1。
一種電子裝置，包括一發光模組，該發光模組包括：<br/> 一基板，具有一第一區和一第二區，該第二區較接近該基板的一邊緣；<br/> 複數個發光單元，設置在該基板上，其中該複數個發光單元包括：一第一發光單元，設置於該第一區；以及一第二發光單元，設置於該第二區；<br/> 一調光層，該調光層包括：<br/> 一第一調光元件和一第二調光元件，其中該第一調光元件設置在該第一發光單元上，該第二調光元件設置在該第二發光單元上，該第一調光元件和該第二調光元件具有不同尺寸；以及<br/> 一顯示面板，其中該調光層設置在該複數個發光單元和該顯示面板之間，該顯示面板具有一顯示區和一非顯示區，該發光模組的該第一區和該第二區對應於該顯示面板的該顯示區。
如請求項1的電子裝置，其中該第一調光元件具有一第一尺寸，該第二調光元件具有一第二尺寸，該第二尺寸小於該第一尺寸。
如請求項1的電子裝置，其中該尺寸為寬度、長度、厚度、直徑、面積、濃度、或上述之組合。
如請求項1的電子裝置，其中該第二調光元件的面積小於該第一調光元件的面積。
如請求項4的電子裝置，其中該第一調光元件的厚度等於該第二調光元件的厚度。
如請求項1的電子裝置，其中該調光層為油墨。
如請求項1的電子裝置，更包括一封裝層，至少一部分的該封裝層設置在該複數個發光單元和該調光層之間。
如請求項1的電子裝置，更包括一第三調光元件，設置在該非顯示區內。
一種帶硬化膜的發光二極體安裝基板的製造方法，對將具有配線電極的基板、形成於所述配線電極上的凸塊及安裝於所述凸塊上的發光二極體元件搭載有多個的發光二極體安裝基板，依次進行以下的（1）～（5）的處理步驟： <br/>（1）於所述發光二極體安裝基板塗佈感光性樹脂組成物，利用塗佈膜填充發光二極體元件與具有配線電極的基板的間隙及鄰接的發光二極體元件間的空間的步驟； <br/>（2）使所述塗佈膜乾燥而製成乾燥膜的步驟； <br/>（3）對所述乾燥膜進行曝光的步驟； <br/>（4）對曝光後的所述乾燥膜中的不需要部分進行顯影並加以去除的步驟；以及 <br/>（5）顯影後進一步將去除了不需要部分的膜製成硬化膜的步驟。
如請求項1所述的帶硬化膜的發光二極體安裝基板的製造方法，其中於所述處理步驟（4）對曝光後的所述乾燥膜中的不需要部分進行顯影並加以去除的步驟中，至少於凸塊與配線電極的周圍部殘存顯影後的膜。
如請求項1或請求項2所述的帶硬化膜的發光二極體安裝基板的製造方法，其中形成於所述配線電極上的凸塊含有（A）有機成分及（B）導電性粒子。
如請求項3所述的帶硬化膜的發光二極體安裝基板的製造方法，其中所述凸塊中（A）有機成分包含具有羧基的丙烯酸共聚物及環氧樹脂，於所述凸塊的總重量中所述（B）導電性粒子的比例為50 wt%～90 wt%。
如請求項1或請求項2所述的帶硬化膜的發光二極體安裝基板的製造方法，其中所述凸塊是藉由對含有（A）有機成分及（B）導電性粒子的導電膏進行曝光、顯影而進行了圖案形成者。
如請求項1或請求項2所述的帶硬化膜的發光二極體安裝基板的製造方法，其中所述感光性樹脂組成物含有（C）樹脂、（D）光聚合起始劑、（E）光聚合性化合物、（F）有機溶媒及（G）著色顏料。
如請求項6所述的帶硬化膜的發光二極體安裝基板的製造方法，其中所述（G）著色顏料至少包含（G-1）白色顏料。
如請求項6所述的帶硬化膜的發光二極體安裝基板的製造方法，其中所述（C）樹脂為（C-1）矽氧烷樹脂。
一種帶硬化膜的發光二極體安裝基板，藉由如請求項6所述的帶硬化膜的發光二極體安裝基板的製造方法而製造。
一種發光二極體安裝基板，將具有電極的基板、形成於所述電極上的包含有機成分及導電性粒子的複合材料的凸塊、及所述凸塊上的發光二極體元件安裝多個而成，所述發光二極體安裝基板的特徵在於， <br/>至少所述凸塊與發光二極體元件的周圍部分的一部分由感光性著色樹脂組成物的硬化膜包覆，於鄰接的發光二極體元件之間亦具有所述感光性著色樹脂組成物的硬化膜。
一種分度裝置，將驅動馬達作為驅動源並將驅動對象物的角度位置進行分度，前述分度裝置具備驅動傳遞機構，前述驅動傳遞機構包含：第一齒輪，係安裝於前述驅動馬達的輸出軸；第二齒輪，係安裝於將前述驅動對象物進行驅動的驅動軸；及中間齒輪，係用於將前述第一齒輪的旋轉傳遞至前述第二齒輪且相對於固定於框架的中間軸以能夠旋轉的方式被支撐，前述中間軸在端部嵌插於在前述框架形成的收納孔中 ； <br/>前述分度裝置中，前述中間軸具有：收納凹部，係形成於前述端部的有底孔狀的收納凹部，在端面開口並且以在軸線方向觀察時中心與前述端面的外周緣的中心一致的方式形成；及複數個貫通孔，係在半徑方向上貫通前述收納凹部周圍的周壁； <br/>用於相對於前述框架固定前述中間軸的固定機構包含：按壓構件，係在周面具有錐面並且具有在中心位置在軸線方向上貫通的插通孔的圓筒狀的按壓構件，以使前述錐面與前述收納凹部的底面對置並且前述錐面的至少一部分位於前述收納凹部內的方式設置；鋼球，係配置於各前述貫通孔且直徑比前述周壁的壁厚大；及螺紋構件，係插通於前述按壓構件的前述插通孔並螺紋插入在前述底面開口的內螺紋孔中，前述固定機構構成為在前述按壓構件收納於前述收納凹部並且收納於各前述貫通孔的前述鋼球與前述錐面及前述收納孔的內周面抵接的狀態下，在前述按壓構件與前述底面之間存在間隙。
一種修飾半導體元件中的膜的方法，包括： <br/>將一基板加熱至介於約攝氏20度至約攝氏500度之間的一第一溫度，該基板包括一閘極氧化物，該閘極氧化物包括氧化矽；將配置在該基板的一表面上的該閘極氧化物暴露到由一處理氣體形成的一電漿，該處理氣體包括氦氣、氧氣、或上述二者之組合，同時施加一射頻（RF）能量至該處理氣體；以來自該電漿的多個離子轟擊該閘極氧化物，且將來自該電漿的該等離子佈植至該閘極氧化物中；以及調整一電漿鞘（plasma sheath）的一鞘電壓，其透過下述方式達成：調整該RF能量的一RF電力（RF power）脈衝週期、改變一腔室壓力、調整生成該RF能量的RF電力、或上述方式之組合。
如請求項1所述之方法，其中該RF能量賦予能量給該電漿中形成的該等離子的至少一部分，該能量介於約2eV至約30eV之間。
如請求項1所述之方法，其中在處理期間該電漿在該閘極氧化物之該表面上有一平均離子密度，該平均離子密度為每立方公分（cm <sup>3</sup>）介於約1x10 <sup>10</sup>至1x10 <sup>12</sup>個離子之間。
如請求項1所述之方法，其中該RF電力控制在從約50W至約4kW。
如請求項1所述之方法，其中該腔室壓力控制在從約5毫托耳至約200毫托耳。
如請求項1所述之方法，其中該處理氣體進一步包括氬氣或氮氣。
如請求項1所述之方法，其中： <br/>該閘極氧化物是在一第一處理腔室中生長；在一第二處理腔室中執行該基板上的該閘極氧化物的該表面的暴露；及該第一處理腔室與該第二處理腔室耦接一群集工具，該群集工具設置成使該基板得以在該第一處理腔室與該第二處理腔室之間移送而不會暴露於空氣。
一種修飾半導體元件中的膜的方法，包括： <br/>將一基板加熱至介於約攝氏20度至約攝氏500度之間的一第一溫度，該基板包括氧化矽； <br/>將配置在該基板的一表面上的該氧化矽暴露到由一處理氣體形成的一電漿，同時施加一射頻（RF）能量至該處理氣體； <br/>以來自該電漿的多個離子轟擊該氧化矽，且將來自該電漿的該等離子佈植至該氧化矽中；及 <br/>調整一鞘的一鞘電壓，其透過下述方式達成：調整該RF能量的一RF電力脈衝週期、改變一腔室壓力、調整生成該RF能量的RF電力、或上述方式之組合，該RF電力控制在從約50W至約4kW。
如請求項8所述之方法，其中該處理氣體包括氧氣。
如請求項9所述之方法，其中該處理氣體進一步包括氬氣或氦氣。
如請求項8所述之方法，其中該腔室壓力控制在從約5毫托耳至約200毫托耳。
如請求項8所述之方法，其中在處理期間該電漿在該氧化矽之該表面上有一平均離子密度，該平均離子密度為每立方公分（cm <sup>3</sup>）介於約1x10 <sup>10</sup>至1x10 <sup>12</sup>個離子之間。
一種聚矽氧烷系化合物，其至少包含： <br/>源自矽烷系化合物（A）之構成單元（A），該矽烷系化合物（A）係選自四烷氧基矽烷及雙(三烷氧基矽基)烷烴之群中之至少1種； <br/>源自矽烷系化合物（B）之構成單元（B），該矽烷系化合物（B）係選自烷基三烷氧基矽烷、二烷基二烷氧基矽烷、環烷基三烷氧基矽烷、乙烯基三烷氧基矽烷、苯基三烷氧基矽烷之群中之至少1種；及 <br/>源自具有自由基聚合性不飽和雙鍵之矽烷系化合物（C）之構成單元（C）；且 <br/>利用下述式（1）所算出之構成比率大於0且未達0.1， <br/><img align="absmiddle" height="65px" width="613px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>（式（1）中，MA表示構成單元（A）之莫耳數，MB表示構成單元（B）之莫耳數，MC表示構成單元（C）之莫耳數）。
如請求項1之聚矽氧烷系化合物，其中，上述矽烷系化合物（A）係四乙氧基矽烷。
如請求項1或2之聚矽氧烷系化合物，其中，上述矽烷系化合物（B）係苯基三甲氧基矽烷及/或甲基三乙氧基矽烷。
如請求項1或2之聚矽氧烷系化合物，其中，上述矽烷系化合物（C）係3-(甲基丙烯醯氧基)丙基三甲氧基矽烷。
如請求項1或2之聚矽氧烷系化合物，其利用上述式（1）所算出之構成比率為0.03以上0.08以下。
一種皮膜形成用組成物，其至少含有請求項1或2之聚矽氧烷系化合物、光自由基聚合起始劑、及有機溶劑。
如請求項6之皮膜形成用組成物，其中，上述光自由基聚合起始劑含有酮肟酯（ketoxime ester）基。
一種積層體，其係塗佈請求項6之皮膜形成用組成物而成。
一種觸控面板，其係使用請求項8之積層體而成。
一種硬化皮膜之形成方法，其特徵在於具有：塗佈請求項6之皮膜形成用組成物之步驟；對曝光部照射活性能量線而形成硬化皮膜之曝光步驟；及利用顯影液將未曝光部之塗液溶解去除之顯影步驟。
一種半導體裝置，包括：<br/> 半導體基體，具有第一導電型的第一半導體區域和第二導電型的第二半導體區域，由所述第一半導體區域和所述第二半導體區域形成pn結；<br/> 第一電極，形成於所述半導體基體的表面，並與所述第二半導體區域電性連接；<br/> 電阻體，由導入有第一導電型雜質的多晶矽構成，隔著絕緣層形成在所述半導體基體的表面上，並與所述第一電極電性連接；<br/> 第二電極，與所述半導體基體絕緣，並透過所述電阻體與所述第一電極電性連接；<br/> 導電性接合材料，配置在所述第二電極上；以及<br/> 棒狀或板狀的導電性連接構件，配置在所述導電性接合材料上，經由所述導電性接合材料與所述第二電極電性連接，<br/> 其中，所述半導體基體中導入有作為壽命殺手的重金屬。
如請求項1所述的半導體裝置，包括：<br/> 所述半導體裝置包含自舉二極體。
一種半導體裝置的製造方法，依次包括：<br/> 半導體基體準備製程，準備具有第一導電型的第一半導體區域和第二導電型的第二半導體區域並且由所述第一半導體區域與第二半導體區域形成了pn結的半導體基體；<br/> 多晶矽層形成製程，在所述半導體基體的表面上隔著絕緣層形成多晶矽層；<br/> 第一雜質導入製程，向所述多晶矽層導入第一導電型雜質；<br/> 重金屬導入製程，向所述半導體基體的背面導入重金屬；<br/> 熱處理製程，使所述多晶矽層內的第一導電型雜質活化後形成電阻體，同時使所述重金屬向所述半導體基體內擴散；<br/> 表面電極形成製程，在所述半導體基體的表面側形成表面電極，所述表面電極具有與所述半導體基體的所述第二半導體區域及所述多晶矽層電性連接的第一電極、以及與所述半導體基體絕緣並經由所述多晶矽層與所述第一電極電性連接的第二電極；以及<br/> 背面電極形成製程，在所述半導體基體的背面側形成背面電極，<br/> 在所述背面電極形成製程的後段，依次包含：<br/> 導電性連接構件配置製程，在所述第二電極上透過導電性接合材料配置棒狀或板狀的導電性連接構件；以及<br/> 加熱製程，透過加熱來經由所述導電性接合材料接合所述第二電極與所述導電性接合材料。<br/> 。
如請求項3所述的半導體裝置的製造方法，包括：<br/> 在所述加熱製程中，在300℃～400℃的範圍內加熱由所述半導體基體、所述第一電極、所述第二電極、所述電阻體及所述導電性連接構件構成的組裝體。
如請求項3或4所述的半導體裝置的製造方法，包括：<br/> 在所述熱處理製程中，在800℃～1000℃的範圍內加熱所述半導體基體及所述多晶矽層。
如請求項3或4所述的半導體裝置的製造方法，包括：<br/> 在所述重金屬導入製程中，透過塗布重金屬塗布液來導入所述重金屬。
一種壓模成形設備(1)，其包含：<br/>一分配裝置(2)，用於分配至少一聚合材料；<br/>一切斷元件(5)，用於從由該分配裝置(2)分配的該聚合材料中切斷一劑量(4)的聚合材料；<br/>一模具(6)，包含至少二個半模具，其中該等半模具中之至少一者係可朝向另一者移動，俾以從該劑量(4)壓模成形一物件；<br/>至少一運送元件(7)，其可沿著在該分配裝置(2)與該模具(6)之間界定的一封閉路徑移動，經配置用於從該分配裝置(2)拾取該劑量(4)，接著將該劑量釋放進入該模具(6)中，該運送元件(7)係經配置為繞著橫向於該封閉路徑的其之自有一軸線執行一旋轉移動，用於在一第一定向與一第二定向之間旋轉，該劑量(4)於該第一定向被該運送元件(7)接收，該劑量(4)於該第二定向被釋放到該模具(6)中；<br/>抽吸構件及吹送構件，其連接到或可連接到該運送元件(7)並且分別地可選擇性地啟動，以用於將該劑量保留在該運送元件(7)上或將該劑量(4)釋放進入該模具(6)中，<br/>該運送元件(7)包含一推動元件(10)及一運送表面(8)，該推動元件配備具有一接觸表面(10a)，該運送表面(8)經設計成界定與該劑量(4)的一接觸並藉由該接觸表面(10a)及藉由圍繞該推動元件(10)的該運送元件(7)的一圍繞表面(10b)界定，<br/>其中該推動元件(10)係可在一縮回位置與一突出位置之間移動，在該縮回位置中該接觸表面(10a)係經定位與該圍繞表面(10b)齊平，且在該突出位置中該接觸表面(10a)相對於該圍繞表面(10b)突出以將該劑量(4)釋放進入該模具(6)中；<br/>該推動元件(10)在該接觸表面(10a)上包含複數之通道孔(11)，該等通道孔連接到或可連接到該抽吸構件以及該吹送構件以至於可選擇性地界定該劑量(4)與該抽吸構件之間用於保留該劑量(4) 的流體連通，或該劑量與該吹送構件之間用於釋放該劑量(4)的流體連通。
如請求項1之設備(1)，其中該抽吸構件及該吹送構件亦係與用於移動該推動元件(10)的一移動機構(12)連通並且該移動機構能夠經選擇性地啟動以在該縮回位置與該突出位置之間移動該推動元件(10)。
如請求項1或2之設備(1)，其中該運送元件(7)係配備具有熱量調節構件，用於在運送期間熱量調節該劑量(4)及/或沿著該封閉路徑的該運送元件(7)。
如請求項3之設備(1)，其中該熱量調節構件係藉由圍繞該推動元件(10)的一內管道(13)界定並經放置為與空氣源或水源流體連通。
如請求項3之設備(1)，其中該抽吸構件及該吹送構件包含該熱量調節構件。
如請求項1或2之設備(1)，其中該複數之通道孔(11)係分布在該接觸表面(10a)的周邊部分上。
如請求項1或2之設備(1)，其中該切斷元件(5)被包括在或係界定在該運送元件(7)中之用於拾取該劑量(4)的一端部上。
如請求項1或2之設備(1)，其中該運送元件(7)係經製成為一刀片或刀具的形式。
如請求項1或2之設備(1)，其中該推動元件(10)係經製成為一活塞的形式，其界定具有一圓形或正方形形狀的一接觸表面(10a)。
如請求項1或2之設備(1)，其包含一運送裝置(9)，該運送裝置配備具有一中心支撐件(9a)及一用於修改定向的構件(9b)，該中心支撐件(9a)可繞著其之自有軸線旋轉並經配置為用於沿著該封閉路徑移動該至少一運送元件(7)，而該用於修改定向的構件(9b)係經配置用於在該第一定向與該第二定向之間移動該運送元件(7)。
如請求項10之設備(1)，其中該中心支撐件(9a)係經配置為用於支撐複數之運送元件(7)，以及該用於修改定向的構件(9b)係經配置用於當一個別的運送元件(7)接近該分配裝置(2)或該模具(6)時沿著該封閉路徑在該第一定向與該第二定向之間選擇性地移動每一運送元件(7)。
如請求項10之設備(1)，其中每一運送元件(7)係連接到藉由該中心支撐件(9a)支撐的一臂件(9c)，以及該用於修改定向的構件(9b)係經配置為使每一運送元件(7)繞著與該運送元件(7)之旋轉軸線重合的該臂件(9c)旋轉。
如請求項1或2之設備(1)，其中該分配裝置(2)係經配置為用來分配具有平行六面體形狀的一劑量(4)，以及其中該等半模具中之一者具有一上端部，該上端部藉由用於支撐該劑量(4)的一實質上平坦之支撐區域(6b)定界限。
一種自動給袋機構，用於將袋卷中卷製的複數袋子輸出，所述袋卷包括自由端，其改良在於，所述自動給袋機構包括： 底座，用於容置所述袋卷，所述底座包括底板，所述底板設有出袋口；<br/> 驅動件，包括驅動源、主動輥以及從動輥，所述驅動源與所述主動輥連接，所述從動輥設置於所述主動輥一側，使得所述自由端穿過所述主動輥和所述從動輥之間並與所述主動輥和所述從動輥均貼合；所述主動輥包括第一中心軸，定義經過所述第一中心軸且垂直所述底板的平面為第一平面，經過所述第一中心軸且垂直所述第一平面的平面為第二平面，沿所述第一中心軸的延伸方向觀察，所述從動輥和所述出袋口位於所述第一平面的同一側，所述從動輥還位於所述第二平面遠離所述出袋口的一側，所述驅動源用於驅動所述主動輥轉動，以帶動所述自由端從所述出袋口輸出；<br/> 蓋子和兩組彈性定位件，所述彈性定位件包括固定塊，所述固定塊包括本體部和連接於所述本體部一端的勾部，所述本體部與所述從動輥轉動連接，所述勾部與所述蓋子轉動連接，所述彈性定位件還包括彈性設置於所述固定塊和所述蓋子之間的第一彈性件。
如請求項1所述之自動給袋機構，其中，所述蓋子包括頂板，所述本體部面向所述頂板的表面還設有第一容置槽，所述第一彈性件設置於所述第一容置槽內且彈性設置於所述本體部和所述頂板之間。
如請求項2所述之自動給袋機構，其中，所述頂板面向所述底板的表面設置有第一導向柱，所述第一導向柱與所述第一容置槽相對應，所述第一彈性件套設於所述第一導向柱。
如請求項2所述之自動給袋機構，其中，所述頂板面向所述底板的表面設有安裝板，所述安裝板開設有兩組安裝孔，所述勾部的外側面設有凸柱，所述凸柱容置於對應的所述安裝孔內並與所述安裝板轉動連接。
如請求項2所述之自動給袋機構，其中，所述自動給袋機構還包括卡扣件，所述蓋子還包括設置在所述頂板兩側的第一側板和第二側板，所述第一側板設有通孔，所述第一側板在所述通孔處設有限位板，所述限位板與所述第一側板圍合形成容置腔，所述容置腔與所述通孔連通，所述限位板具有缺口，所述卡扣件包括滑動塊和連接於所述滑動塊一端的卡扣，所述滑動塊容置於所述容置腔內且用於沿著所述第一側板到所述第二側板方向滑動，所述卡扣穿過所述缺口朝所述底板延伸並連接於所述底板。
如請求項5所述之自動給袋機構，其中，所述限位板遠離所述第一側板的一側還設有固定板，在所述滑動塊和所述固定板之間還彈性設有第二彈性件。
如請求項1所述之自動給袋機構，其中，所述自動給袋機構還包括用於安裝複數所述袋子形成袋卷的兩個裝配件，所述底座還包括設置於所述底板上的第一板和第二板，兩個所述裝配件分別設置於所述第一板和所述第二板，所述裝配件包括擋板、第三彈性件、設置於所述擋板上的擋塊以及設置於所述擋板遠離所述擋塊的裝配柱，所述第一板開設有裝配孔，所述裝配柱安裝於所述裝配孔內，所述擋塊用於安裝於所述袋卷上，所述第三彈性件套設於所述裝配柱上並彈性抵持於所述第一板和所述擋板之間。
如請求項1所述之自動給袋機構，其中，所述底座上還設有感測器，所述感測器用於感測所述蓋子是否完全蓋合在所述底座上，以確認所述從動輥是否安裝於所述主動輥的一側。
一種給袋裝置，其改良在於，包括筒體和請求項1至8中任一項所述之自動給袋機構，所述自動給袋機構用於向所述筒體輸送袋子。
一種作業車輛(1)，係能夠在農田中自動行駛的作業車輛，前述作業車輛(1)係生成： <br/>主路徑(L2, L4)，係供進行自動行駛；以及 <br/>副路徑(L5)，係有別於供進行前述自動行駛之前述主路徑(L2, L4)； <br/>前述作業車輛(1)係具備： <br/>顯示裝置(17)，係顯示前述主路徑(L2, L4)以及前述副路徑(L5)； <br/>前述作業車輛(1)係使前述主路徑(L2, L4)以及前述副路徑(L5)以互不相同的顯示態樣顯示於前述顯示裝置(17)。
如請求項1所記載之作業車輛(1)，其中具備： <br/>控制機構(5)，係基於預定的控制參數控制前述作業車輛(1)的動作；以及 <br/>遠程控制器(50)，係進行前述控制參數的值的變更指示； <br/>前述作業車輛(1)係於前述遠程控制器(50)顯示前述控制參數的值以及與前述控制參數的值不同的前述控制參數的值的變更指示。
如請求項2所記載之作業車輛(1)，其中由前述遠程控制器(50)進行的前述控制參數的值的變更指示係藉由前述控制參數的值的設定變更而被重置。
如請求項2或3所記載之作業車輛(1)，其中設有用以允許設定前述控制參數的值之控制參數值範圍； <br/>前述控制參數值範圍係具有控制參數上限值以及控制參數下限值； <br/>在進行了由前述遠程控制器(50)進行的前述控制參數的值的變更指示時，在前述控制參數的值超過前述控制參數上限值的情況下，將前述控制參數上限值設定為前述控制參數的值； <br/>在前述控制參數的值低於前述控制參數下限值的情況下，將前述控制參數下限值設定為前述控制參數的值； <br/>前述變更指示的顯示為對超過前述控制參數值範圍的變更指示進行顯示，前述控制參數的顯示為對在前述控制參數值範圍內實際設定的值進行顯示。
一種顯示裝置，包括： <br/>顯示面板；以及 <br/>光學結構層，設置於所述顯示面板上， <br/>其中所述光學結構層的光澤度介於4 GU~35 GU之間，且所述光學結構層的包含鏡面正反射光(SCI)的反射率介於3 %~6 %之間。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述光學結構層的所述光澤度更介於4 GU~30 GU之間。
如請求項2所述的顯示裝置，其中所述光學結構層的所述光澤度更介於4 GU~20 GU之間。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述光學結構層的穿透率介於70 %~98 %之間。
如請求項4所述的顯示裝置，其中所述光學結構層的所述穿透率更介於70 %~95 %之間。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述光學結構層的所述包含鏡面正反射光的反射率介於4 %~6 %之間。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述顯示裝置的光澤度小於5 GU，且所述顯示裝置的包含鏡面正反射光的反射率小於3 %。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述顯示裝置的排除鏡面正反射光的反射率(SCE)與所述包含鏡面正反射光的反射率的比值大於0.6且小於1。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述顯示裝置為液晶顯示裝置、有機發光二極體顯示裝置、微發光二極體顯示裝置或反射式顯示裝置。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述光學結構層包含抗眩光層以及抗反射層，其中所述抗反射層設置於所述抗眩光層上。
如請求項10所述的顯示裝置，其中所述抗眩光層為蓋板，且所述蓋板具有粗糙表面。
如請求項10所述的顯示裝置，其中所述抗眩光層包括蓋板與抗眩光膜，所述抗眩光膜設置於所述蓋板上，且所述抗眩光膜包括複數個二氧化矽微粒。
如請求項10所述的顯示裝置，其中所述抗眩光層包括基底與硬塗層，所述硬塗層設置於所述基底上，且所述硬塗層具有粗糙表面。
如請求項10所述的顯示裝置，其中所述抗眩光層包括基底與硬塗層，所述硬塗層設置於所述基底上，且所述硬塗層包括複數個二氧化矽微粒。
如請求項10所述的顯示裝置，其中所述顯示面板包括偏光板，且所述抗眩光層包括硬塗層，所述硬塗層設置於所述偏光板上，且所述硬塗層具有粗糙表面。
如請求項10所述的顯示裝置，其中所述顯示面板包括偏光板，且所述抗眩光層包括硬塗層，所述硬塗層設置於所述偏光板上，且所述硬塗層包括複數個二氧化矽微粒。
如請求項10所述的顯示裝置，其中所述抗反射層包括交互堆疊的多個高折射率子層與多個低折射率子層。
如請求項17所述的顯示裝置，其中所述多個高折射率子層與所述多個低折射率子層總合的數量大於或等於4。
如請求項1所述的顯示裝置，其更包括背光模組，所述背光模組用以提供光線至所述顯示面板，所述光線的強度的一半所對應的視角的角度與正視角的角度差異大於40度。
如請求項19所述的顯示裝置，其中所述背光模組包括上擴散膜與下擴散膜，且所述上擴散膜直接設置於所述下擴散膜上。
一種金屬製構件的製造方法，是藉由模具對正面與背面被披覆層所覆蓋的金屬板進行衝裁加工而製造金屬製構件的方法， <br/>前述模具，具備： <br/>衝頭； <br/>對擊塊，隔著前述金屬板配置成面向前述衝頭； <br/>壓板，在前述金屬板的厚度方向中被配置在前述衝頭側，並且在前述金屬板的面內方向中被配置成圍繞前述衝頭的周圍； <br/>壓模，在前述金屬板的厚度方向中被配置在前述對擊塊側，並且在前述金屬板的面內方向中被配置成圍繞前述對擊塊的周圍， <br/>前述壓板，在與前述金屬板相對向的面之內周的周緣部具有突起部， <br/>前述壓板的突起部，在內周側具有曲率半徑R1的肩部， <br/>前述曲率半徑R1，為前述金屬板之厚度的0.10倍以上， <br/>前述製造方法，具備： <br/>將前述壓板的突起部壓入前述金屬板的步驟、 <br/>使前述衝頭與前述壓模接近而對前述金屬板進行衝裁的步驟。
如請求項1所記載之金屬製構件的製造方法，其中前述壓模，在與前述金屬板相對向的面之內周的周緣部具有突起部， <br/>前述壓模的突起部，在內周側具有曲率半徑R2的肩部， <br/>前述曲率半徑R2，為前述金屬板之厚度的0.10倍以上， <br/>在將前述壓板的突起部壓入前述金屬板的步驟中，更進一步將前述壓模的突起部壓入前述金屬板。
如請求項1所記載之金屬製構件的製造方法，其中前述壓模，在內周側具有兩層的肩部， <br/>前述兩層的肩部含有： <br/>第1肩部； <br/>第2肩部，在前述金屬板的厚度方向中，相較於前述第1肩部，位在離前述金屬板更遠的位置，並且在前述金屬板的面內方向中，相較於前述第1肩部，位在更靠近前述對擊塊的位置， <br/>前述第2肩部的曲率半徑Rp2，為前述金屬板之厚度的0.10倍以上。
一種金屬製構件的製造方法，是藉由模具對正面與背面被披覆層所覆蓋的金屬板進行衝裁加工而製造金屬製構件的方法， <br/>前述模具，具備： <br/>衝頭； <br/>對擊塊，隔著前述金屬板配置成面向前述衝頭； <br/>壓板，在前述金屬板的厚度方向中被配置在前述衝頭側，並且在前述金屬板的面內方向中被配置成圍繞前述衝頭的周圍； <br/>壓模，在前述金屬板的厚度方向中被配置在前述對擊塊側，並且在前述金屬板的面內方向中被配置成圍繞前述對擊塊的周圍， <br/>前述衝頭，在與前述金屬板相對向的面之周緣部具有突起部， <br/>前述衝頭的突起部，在外周側具有曲率半徑R3的肩部， <br/>前述曲率半徑R3，為前述金屬板之厚度的0.10倍以上， <br/>前述製造方法，具備： <br/>將前述衝頭的突起部壓入前述金屬板的步驟、 <br/>使前述對擊塊與前述壓板接近而對前述金屬板進行衝裁的步驟。
如請求項4所記載之金屬製構件的製造方法，其中前述對擊塊，在與前述金屬板相對向的面之周緣部具有突起部， <br/>前述對擊塊的突起部，在外周側具有曲率半徑R4的肩部， <br/>前述曲率半徑R4，為前述金屬板之厚度的0.10倍以上， <br/>在將前述衝頭的突起部壓入前述金屬板的步驟中，更進一步將前述對擊塊的突起部壓入前述金屬板。
如請求項4所記載之金屬製構件的製造方法，其中前述對擊塊，在與前述金屬板相對向的面之周緣部具有兩層的肩部， <br/>前述兩層的肩部含有： <br/>第1肩部； <br/>第2肩部，在前述金屬板的厚度方向中，相較於前述第1肩部，位在離前述金屬板更遠的位置，並且在前述金屬板的面內方向中，相較於前述第1肩部，位在更靠近前述壓模的位置， <br/>前述第2肩部的曲率半徑Rp4，為前述金屬板之厚度的0.10倍以上。
一種模具，具備： <br/>衝頭； <br/>對擊塊，隔著作為被加工材的金屬板配置成面向前述衝頭； <br/>壓板，在前述金屬板的厚度方向中被配置在前述衝頭側，並且在前述金屬板的面內方向中被配置成圍繞前述衝頭的周圍； <br/>壓模，在前述金屬板的厚度方向中被配置在前述對擊塊側，並且在前述金屬板的面內方向中被配置成圍繞前述對擊塊的周圍， <br/>前述壓板，在與前述金屬板相對向的面之內周的周緣部具有突起部， <br/>前述壓板的突起部，在內周側具有曲率半徑R1的肩部， <br/>前述曲率半徑R1，為0.2mm以上。
如請求項7所記載的模具，其中前述壓模，在與前述金屬板相對向的面之內周的周緣部具有突起部， <br/>前述壓模的突起部，在內周側具有曲率半徑R2的肩部， <br/>前述曲率半徑R2，為0.2mm以上。
如請求項7所記載的模具，其中前述壓模，在內周側具有兩層的肩部， <br/>前述兩層的肩部含有： <br/>第1肩部； <br/>第2肩部，在前述金屬板的厚度方向中，相較於前述第1肩部，位在離前述金屬板更遠的位置，並且在前述金屬板的面內方向中，相較於前述第1肩部，位在更靠近前述對擊塊的位置， <br/>前述第2肩部的曲率半徑Rp2，為0.1mm以上。
一種模具，具備： <br/>衝頭； <br/>對擊塊，隔著作為被加工材的金屬板配置成面向前述衝頭； <br/>壓板，在前述金屬板的厚度方向中被配置在前述衝頭側，並且在前述金屬板的面內方向中被配置成圍繞前述衝頭的周圍； <br/>壓模，在前述金屬板的厚度方向中被配置在前述對擊塊側，並且在前述金屬板的面內方向中被配置成圍繞前述對擊塊的周圍， <br/>前述衝頭，在與前述金屬板相對向的面之周緣部具有突起部， <br/>前述衝頭的突起部，在外周側具有曲率半徑R3的肩部， <br/>前述曲率半徑R3，為0.2mm以上。
如請求項10所記載的模具，其中前述對擊塊，在與前述金屬板相對向的面之周緣部具有突起部， <br/>前述對擊塊的突起部，在外周側具有曲率半徑R4的肩部， <br/>前述曲率半徑R4，為0.2mm以上。
如請求項10所記載的模具，其中前述對擊塊，在與前述金屬板相對向的面之周緣部具有兩層的肩部， <br/>前述兩層的肩部含有： <br/>第1肩部； <br/>第2肩部，在前述金屬板的厚度方向中，相較於前述第1肩部，位在離前述金屬板更遠的位置，並且在前述金屬板的面內方向中，相較於前述第1肩部，位在更靠近前述壓模的位置， <br/>前述第2肩部的曲率半徑Rp4，為0.1mm以上。
一種金屬製構件，是對正面與背面被披覆層所覆蓋的金屬板進行衝裁加工所形成的金屬製構件，具有第1表面、第1表面之相反面的第2表面、藉由前述衝裁加工所形成的切斷端面， <br/>前述切斷端面，含有： <br/>切斷面； <br/>凹陷面，是具有朝向構件內部形成凸狀之形狀的曲面； <br/>前述凹陷面的至少其中一部分被前述披覆層所覆蓋。
如請求項13所記載的金屬製構件，其中前述切斷端面，更進一步含有鄰接於前述凹陷面的塌角， <br/>前述凹陷面與前述塌角所組合之領域的50%以上被前述披覆層所覆蓋。
如請求項13或請求項14所記載的金屬製構件，其中前述切斷端面，更進一步含有鄰接於前述切斷面的第2塌角， <br/>前述切斷面，在前述金屬製構件的厚度方向中，位於前述凹陷面與前述第2塌角之間。
如請求項13或請求項14所記載的金屬製構件，其中前述切斷端面，更進一步含有：第2凹陷面，是具有朝向構件內部形成凸狀之形狀的曲面；第2塌角，鄰接於前述第2凹陷面， <br/>前述切斷面，在前述金屬製構件的厚度方向中，位於前述凹陷面與前述第2凹陷面之間。
如請求項13或請求項14所記載的金屬製構件，其中前述切斷面的切線與前述凹陷面之最凹陷的位置之間的距離亦即下陷量，為前述金屬製構件之厚度的0.01~0.10倍。
一種平板狀導體膜形成方法，其係包含：<br/> 準備燒製型導電性糊的步驟、形成平板狀的膜之步驟、及形成導體膜之步驟，其中<br/> 該燒製型導電性糊包含：<br/> 以鎳作為主要成分，且平均粒徑D<sub>50</sub>在0.05μm以上1.0μm以下的範圍之導電性粉末、<br/> 酸值在0mgKOH/g以上10mgKOH/g以下的範圍內之丙烯酸樹脂、<br/> 可溶解該丙烯酸樹脂的碳數為3以上且沸點為300℃以下的醇系溶劑、及<br/> 比表面積在10m<sup>2</sup>/g以上25m<sup>2</sup>/g以下的範圍內且以通式：ABO<sub>3</sub>(其中，A為Ba、Ca、Sr、Li、La、K的至少1種，B為Ti、Zr、Hf、Nb、Al的至少1種)表示之鈣鈦礦型氧化物粉末的陶瓷粉末，且<br/> 該燒製型導電性糊係被控制為內部的水分量小於0.50質量%；<br/> 該形成平板狀的膜之步驟係將該燒製型導電性糊塗布在基板表面，以形成可內含至少一邊為3.0cm的正方形之形狀且厚度為0.5μm以上的平板狀的膜；<br/> 該形成導體膜之步驟係將在該基板上形成之該平板狀的膜乾燥，藉由在800℃以上且1300℃以下進行燒製，以形成膜中的該導電性粉末的顆粒尺寸為小於5.0μm的導體膜。
如請求項1之平板狀導體膜形成方法，其形成為可內含至少一邊為5.0cm的正方形之形狀且厚度為0.5μm以上的平板狀導體膜。
如請求項1或2之平板狀導體膜形成方法，其中該燒製型導電性糊中之該丙烯酸樹脂的摻合量，相對於100質量份的該導電性粉末，為1質量份以上10質量份以下。
如請求項1或2之平板狀導體膜形成方法，其中該燒製型導電性糊中之該醇系溶劑的摻合量，相對於100質量份的該導電性粉末，為10質量份以上100質量份以下。
如請求項1或2之平板狀導體膜形成方法，其中該燒製型導電性糊係相對於100質量份的該導電性粉末，含有3質量份以上7質量份以下的該陶瓷粉末。
一種燒製型導電性糊，其係用以形成可內含至少一邊為3.0cm的正方形之形狀且厚度為0.5μm以上的平板狀的膜，其特徵為<br/> 包含：<br/> 以鎳作為主要成分，且平均粒徑D<sub>50</sub>在0.05μm以上1.0μm以下的範圍之導電性粉末、<br/> 酸值在0mgKOH/g以上10mgKOH/g以下的範圍內之丙烯酸樹脂、<br/> 可溶解該丙烯酸樹脂的碳數為3以上且沸點為300℃以下的醇系溶劑、及<br/> 比表面積在10m<sup>2</sup>/g以上25m<sup>2</sup>/g以下的範圍內且以通式：ABO<sub>3</sub>(其中，A為Ba、Ca、Sr、Li、La、K的至少1種，B為Ti、Zr、Hf、Nb、Al的至少1種)表示之鈣鈦礦型氧化物粉末的陶瓷粉末，且<br/> 糊中包含的水分量小於0.50質量%。
一種含有結構單位I及結構單位II之聚合物，其中結構單位I如下述一般式(i)所示， <br/><img align="absmiddle" height="431px" width="431px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式(i)中，R<sub>1</sub>表示氫原子或碳數1～10的烷基，R<sub>2</sub>表示碳數1～10的烷基，R<sub>3</sub>表示碳數1～5的伸烷基，R<sub>4</sub>表示碳數1～20的烴基)，結構單位II如下述一般式(ii)所示， <br/><img align="absmiddle" height="370px" width="366px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式(ii)中，R<sub>5</sub>表示氫原子或碳數1～10的烷基，R<sub>6</sub>表示單鍵或-C(=O)-O-)。
如請求項1之聚合物，其中式(i)中，R<sub>4</sub>為含有脂環基或芳基之碳數5～20的烴基。
一種含有結構單位I-1之聚合物，其中結構單位I-1為下述一般式(i-1)： <br/><img align="absmiddle" height="433px" width="510px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式(i-1)中，R<sub>1</sub>表示氫原子或碳數1～10的烷基，R<sub>2</sub>表示碳數1～10的烷基，R<sub>3</sub>表示碳數1～5的伸烷基，R<sub>4a</sub>表示含有芳基之碳數5～20的烴基)。
一種阻劑用樹脂組成物，其中含有如請求項1～3中任一項之聚合物。
一種進行與聚縮合反應相關之預測之方法，由資訊處理裝置所執行，且包括： <br/>基於包含與上述聚縮合反應相關之複數個說明因子及目的因子之實績資料來訓練預測模型之步驟；及 <br/>藉由上述預測模型，基於與上述聚縮合反應相關之複數個說明因子，預測上述聚縮合反應中之上述目的因子之步驟， <br/>上述複數個說明因子包括基於類別之時間比率所確定之複數個特徵量，上述類別係藉由對脫水升溫步驟之複數個計測器之時間序列資料進行聚類解析所獲得， <br/>上述目的因子至少包括黏度及酸值之任一者。
如請求項1之進行與聚縮合反應相關之預測之方法，其中 <br/>上述複數個說明因子包括反應物理模型中之理論值。
如請求項1之進行與聚縮合反應相關之預測之方法，其中上述聚縮合反應係聚酯之脫水縮合反應。
如請求項1之進行與聚縮合反應相關之預測之方法，其中 <br/>於上述預測之步驟中，事先預測上述聚縮合反應中之上述目的因子之經時變化， <br/>上述複數個說明因子包括上述聚縮合反應中之原料追加累積運算值及原料追加時間， <br/>上述方法進而 <br/>使上述目的因子之經時變化預測值之計算條件之一部分亦即原料追加累積運算值與原料追加時間發生變化，輸出表示與反應結束時間、原料追加量、及原料追加時間之關係的可視化圖表。
如請求項4之進行與聚縮合反應相關之預測之方法，其中 <br/>上述可視化圖表係第一軸為原料追加時間、第二軸為原料追加量之熱圖、或等高線圖之任一者。
如請求項4之進行與聚縮合反應相關之預測之方法，其中 <br/>上述可視化圖表包含表示實績資料之曲線。
如請求項1之進行與聚縮合反應相關之預測之方法，其中 <br/>上述預測模型係包括輸入層、中間層及輸出層之神經網路模型，與上述中間層相關之激活函數之係數大於與上述輸出層相關之激活函數之係數。
一種資訊處理裝置，具備控制部，進行與聚縮合反應相關之預測，且 <br/>上述控制部 <br/>基於包含與上述聚縮合反應相關之複數個說明因子及目的因子之實績資料來訓練預測模型， <br/>藉由上述預測模型，基於與上述聚縮合反應相關之複數個說明因子，預測上述聚縮合反應中之上述目的因子， <br/>上述複數個說明因子包括基於類別之時間比率所確定之複數個特徵量，上述類別係藉由對脫水升溫步驟之複數個計測器之時間序列資料進行聚類解析所獲得， <br/>上述目的因子包括黏度及酸值之任一者。
一種程式，由資訊處理裝置所執行，進行與聚縮合反應相關之預測，且使電腦執行： <br/>基於包含與上述聚縮合反應相關之複數個說明因子及目的因子之實績資料來訓練預測模型；及 <br/>藉由上述預測模型，基於與上述聚縮合反應相關之複數個說明因子，預測上述聚縮合反應中之上述目的因子， <br/>上述複數個說明因子包括基於類別之時間比率所確定之複數個特徵量，上述類別係藉由對脫水升溫步驟之複數個計測器之時間序列資料進行聚類解析所獲得， <br/>上述目的因子包括黏度及酸值之任一者。
一種液體排出裝置，前述液體排出裝置具備：收容機構，該收容機構收容向排出液體的排出頭供給的前述液體；以及液體回收機構，該液體回收機構具有接收從前述排出頭排出的前述液體的接收部，其特徵在於， <br/>前述液體排出裝置具備循環流路，該循環流路使前述液體不經由前述排出頭地在前述收容機構與前述液體回收機構之間循環， <br/>前述接收部形成前述循環流路的一部分。
如請求項1前述的液體排出裝置，其中， <br/>在前述液體在前述循環流路循環的過程中，從前述排出頭向前述接收部排出前述液體。
如請求項1前述的液體排出裝置，其中， <br/>前述液體排出裝置具備泵，該泵設置於前述循環流路並壓送前述液體， <br/>在前述泵動作的過程中，從前述排出頭向前述接收部排出前述液體。
如請求項1前述的液體排出裝置，其中， <br/>前述接收部是與前述排出頭相對的那側開口的槽， <br/>前述液體回收機構具備能開閉地覆蓋前述槽的蓋部。
如請求項1前述的液體排出裝置，其中， <br/>前述液體排出裝置具備廢液回收機構，該廢液回收機構將從前述排出頭排出的前述液體作為廢液進行回收， <br/>從前述排出頭選擇性地向前述液體回收機構或前述廢液回收機構排出液體。
如請求項1前述的液體排出裝置，其中， <br/>前述液體排出裝置具備： <br/>廢液流路，該廢液流路從前述循環流路分支；以及 <br/>切換機構，該切換機構設置在前述循環流路與前述廢液流路的分支點，切換前述循環流路與前述廢液流路的連通狀態。
如請求項1前述的液體排出裝置，其中， <br/>前述液體排出裝置具備檢測流經前述循環流路的前述液體的狀態的感測器。
如請求項1前述的液體排出裝置，其中， <br/>前述液體排出裝置具備能閉塞前述循環流路的閥。
如請求項1前述的液體排出裝置，其中， <br/>前述液體排出裝置具備設置於前述循環流路的過濾器。
如請求項1前述的液體排出裝置，其中， <br/>前述液體排出裝置具備冷卻在前述循環流路循環的前述液體的冷卻機構。
如請求項1前述的液體排出裝置，其中， <br/>前述液體排出裝置具備主收容機構，該主收容機構收容向前述收容機構供給的前述液體。
如請求項1前述的液體排出裝置，其中， <br/>前述液體排出裝置是在媒體上進行記錄的記錄裝置， <br/>前述液體是墨， <br/>前述排出頭是向前述媒體排出前述墨的記錄頭。
如請求項12前述的液體排出裝置，其中， <br/>前述墨含有不溶性顆粒。
如請求項12前述的液體排出裝置，其中， <br/>前述墨含有金屬原子。
如請求項14前述的液體排出裝置，其中， <br/>前述墨含有量子點。
如請求項12前述的液體排出裝置，其中， <br/>前述接收部處的前述墨的流速為1mm/秒以上且100mm/秒以下。
如請求項1前述的液體排出裝置，其中， <br/>前述液體排出裝置具備調整機構，該調整機構在前述液體的排出方向調整前述排出頭與前述接收部的距離。
一種液體排出裝置的控制方法，前述液體排出裝置具備：收容機構，該收容機構收容向排出液體的排出頭供給的前述液體；液體回收機構，該液體回收機構具有接收從前述排出頭排出的前述液體的接收部；以及循環流路，前述循環流路使前述液體不經由前述排出頭地在前述收容機構與前述液體回收機構之間循環，前述接收部形成前述循環流路的一部分，其特徵在於， <br/>前述液體排出裝置的控制方法包括在前述液體流經前述接收部的狀態下從前述排出頭向前述接收部排出前述液體的步驟。
一種玻璃纖維用玻璃組成物，其係相對於全量，包含0.0001～0.3500質量%的範圍之Nb <sub>2</sub>O <sub>5</sub>、與0.0010～0.0100質量%的範圍之SO <sub>3</sub>的玻璃纖維用玻璃組成物，其特徵為 <br/>將從玻璃纖維用玻璃組成物的全量，去除SO <sub>3</sub>及Nb <sub>2</sub>O <sub>5</sub>之殘餘定為100質量份時，包含48.0～60.0質量份的範圍之SiO <sub>2</sub>、與18.4～27.0質量份的範圍之B <sub>2</sub>O <sub>3</sub>、與10.8～17.0質量份的範圍之Al <sub>2</sub>O <sub>3</sub>、與0～2.5質量份的範圍之MgO、與0～6.0質量份的範圍之CaO、與0～4.5質量份的範圍之SrO、與0.5～3.5質量份的範圍之TiO <sub>2</sub>、與以合計為0～2.5質量份的範圍之F <sub>2</sub>及Cl <sub>2</sub>， <br/>SO <sub>3</sub>的含量相對於Nb <sub>2</sub>O <sub>5</sub>的含量之比(SO <sub>3</sub>/Nb <sub>2</sub>O <sub>5</sub>)之值為0.07～13.70的範圍。
如請求項1之玻璃纖維用玻璃組成物，其中，SO <sub>3</sub>的含量相對於Nb <sub>2</sub>O <sub>5</sub>的含量之比(SO <sub>3</sub>/Nb <sub>2</sub>O <sub>5</sub>)之值為0.16～6.20的範圍。
一種玻璃纖維，其特徵為包含由如請求項1之玻璃纖維用玻璃組成物所構成之玻璃長絲。
一種玻璃纖維織物，其特徵為包含如請求項3之玻璃纖維。
一種玻璃纖維強化樹脂組成物，其特徵為包含如請求項3之玻璃纖維。
一種鑽孔加工裝置，其藉由使加工台與主軸相對移動，而以前述主軸保持之鑽頭加工載置於前述加工台之被加工物，其特徵在於，具備： <br/>壓腳，其卡合於前述主軸； <br/>轉動構件，其能轉動地安裝於前述壓腳的下表面並具有多個不同直徑之襯套；以及 <br/>整體控制部，其控制裝置的各部分， <br/>其中，與壓縮空氣的供給源連接並在預定高度位置設有噴射口之圓筒狀的噴嘴係設於前述加工台上， <br/>前述整體控制部係以使前述壓腳與前述轉動構件的間隙位於前述噴射口的高度位置、而從前述噴射口噴射壓縮空氣之方式進行控制。
如請求項1之鑽孔加工裝置，其中，前述噴嘴係設置為能以前述噴嘴的軸心為中心旋轉。
如請求項2之鑽孔加工裝置，其中，前述噴射口被形成為在與前述噴嘴的軸心線平行的平面內相對於軸心線而垂直，並在與前述噴嘴的軸心線垂直的平面內相對於軸心線傾斜之貫通孔。
一種半導體結構，包含： <br/>一基板； <br/>一內連結構，覆蓋在一基板上以及包含位在該內連結構的一頂部的一內連墊； <br/>一蓋層，覆蓋在該內連墊上； <br/>一蝕刻停止層，覆蓋在該蓋層上； <br/>一鍵合結構，覆蓋在該內連結構上以及包含一鍵合墊和一鍵合觸點，其中該鍵合觸點穿過該蝕刻停止層和該蓋層，從該鍵合墊延伸到該內連墊；以及 <br/>一鍵合介電結構，該鍵合介電結構的一頂部表面部分與該鍵合墊的一頂部表面部分齊平； <br/>其中該蓋層的一硬度小於該蝕刻停止層的一硬度，及該蓋層之硬度小於9.0莫氏硬度。
如請求項1所述的半導體結構，其中該蓋層包含一矽碳氮化物，其中碳的非零原子百分比大於60%。
如請求項1所述的半導體結構，其中， <br/>該鍵合介電結構，覆蓋該蝕刻停止層上，其中該鍵合墊凹入該鍵合介電結構的一頂部。
如請求項1所述的半導體結構，其中該基板、該內連結構、該蓋層、該蝕刻停止層和該鍵合結構形成第一積體電路（IC）晶粒，並且其中該半導體結構包含： <br/>一第二IC晶粒，通過該鍵合結構而鍵合到該第一IC晶粒。
一種半導體結構，包含： <br/>一第一積體電路（IC）晶粒；以及 <br/>一第二IC晶粒，在一鍵合介面與該第一IC晶粒鍵合； <br/>其中該第一IC晶粒包含一內連墊、位於該鍵合介面的一鍵合墊、從該鍵合墊延伸到該內連墊的一表面的一鍵合觸點、一鍵合介電層，以及覆蓋在該鍵合觸點的周圍的該內連墊的該表面的一蓋層，該鍵合介電層的一頂部表面部分與該鍵合墊的一頂部表面部分齊平，以及 <br/>其中該蓋層係包含碳的一介電層，並該蓋層之硬度小於9.0莫氏硬度； <br/>其中該鍵合墊及該鍵合觸點係由一鍵合插塞與一鍵合阻擋層所形成，該鍵合阻擋層位於該鍵合插塞的側壁和底部表面上。
如請求項5所述的半導體結構，其中該蓋層的一非零碳原子百分比大於60%。
如請求項5所述的半導體結構，其中該第二IC晶粒包含一第二內連墊、位於該鍵合介面的一第二鍵合墊、從該第二鍵合墊延伸至該第二內連墊的一表面的一第二鍵合觸點、以及位於該第二內連墊的該表面正上方的一第二蓋層，且其中該蓋層和該第二蓋層是相同材料。
一種形成一半導體結構的方法，包含： <br/>形成一半導體裝置在一基板上； <br/>形成一內連結構在該基板之上，其中該內連結構包含暴露在該內連結構的一頂部並與該半導體裝置電性耦接的一內連墊； <br/>沉積一蓋層，覆蓋該內連墊，其中該蓋層之硬度小於9.0莫氏硬度； <br/>推動一探針穿過該蓋層至該內連墊； <br/>通過該探針和該內連墊對該半導體裝置執行一測試；以及 <br/>在該測試之後，形成一鍵合介電結構及一鍵合結構在該內連墊之上，且該鍵合結構電性耦接到內連墊； <br/>其中該鍵合介電結構包含一鍵合介電層，該蓋層與該鍵合介電層相互分離。
如請求項8所述的方法，其中該基板、該內連結構和該鍵合結構形成一第一積體電路（IC）晶粒，且其中該方法進一步包含通過該鍵合結構將該第一IC晶粒鍵合到一第二IC晶粒。
如請求項8所述的方法，其中形成該內連結構包含： <br/>圖案化一介電層，以形成與該內連墊相對應的一開口； <br/>沉積一導電層在該開口中；以及 <br/>對該導電層執行平面化，以形成該內連墊。
一種輸送系統，其包括： <br/>一化學品供應櫃； <br/>一模組，其經組態以使一表面改質形成下列之一： <br/>原子層沉積塗層； <br/>鈍化氧化層； <br/>穩定碳化物； <br/>穩定氮化物； <br/>穩定鹵化物； <br/>六甲基二矽烷；及 <br/>無材料添加之改質表面， <br/>其中該表面包含一供應線之一內表面，且該供應線連接至該化學品供應櫃；及 <br/>一控制單元，其經連接至該模組，其中該控制單元經組態以指導該表面之該改質。
如請求項1之輸送系統，其中該輸送系統經組態以連接至一半導體處理工具。
如請求項2之輸送系統，其中該表面進一步包括一半導體處理工具之一內表面。
如請求項1之輸送系統，其中該模組經組態以自該化學品供應櫃之一外部連接至該化學品供應櫃。
如請求項1之輸送系統，其中該控制單元經組態以自動指導該模組使該輸送系統之該表面改質。
一種對一輸送系統之一表面進行改質之方法，其包括： <br/>將一模組連接至一化學品供應櫃； <br/>將一供應線連接至該化學品供應櫃； <br/>在將該模組及該供應線連接至該化學品供應櫃之後，控制該模組使該表面改質，其中該表面包含該供應線之一內表面；及 <br/>經由該模組使該表面改質形成下列之一： <br/>原子層沉積塗層； <br/>鈍化氧化層； <br/>穩定碳化物； <br/>穩定氮化物； <br/>穩定鹵化物； <br/>六甲基二矽烷；及 <br/>無材料添加之改質表面。
如請求項6之方法，進一步包括將一安瓿連接至該化學品供應櫃，及將一工具連接至該供應線或其等之組合。
一種製造系統，其包括： <br/>一化學品供應櫃，其中該化學品供應櫃之一結構界定該化學品供應櫃之一內部容積； <br/>一模組，其經連接至該化學品供應櫃之該內部容積； <br/>一工具，其經連接至該模組；及 <br/>一供應線，其將該化學品供應櫃連接至該工具， <br/>其中在將該模組連接至該化學品供應櫃之後，該模組經組態以使包含該供應線之一內表面的一表面改質形成下列之一： <br/>原子層沉積塗層； <br/>鈍化氧化層； <br/>穩定碳化物； <br/>穩定氮化物； <br/>穩定鹵化物； <br/>六甲基二矽烷；及 <br/>無材料添加之改質表面。
一種氟化有機化合物之製造方法，具備使有機化合物在氟化組成物之存在下進行氟化之步驟， <br/> 前述氟化組成物含有IF<sub>5</sub>、碘、胺及HF，且相對於1莫耳的前述IF<sub>5</sub>，含有0.12莫耳以下的前述碘。
如請求項1之製造方法，其中，相對於1莫耳的IF<sub>5</sub>，前述碘的含量為0.11莫耳以下。
如請求項1或2之製造方法，其中，前述胺含有選自由脂肪族胺、脂環式胺、芳香族胺、雜環式胺及聚合物載持胺所組成之群之至少1種的胺。
如請求項3之製造方法，其中，前述胺含有脂肪族胺。
如請求項4之製造方法，其中，前述脂肪族胺含有脂肪族三級胺。
如請求項5之製造方法，其中，前述脂肪族三級胺含有三乙基胺。
一種組成物，含有IF<sub>5</sub>、碘、胺及HF，且相對於1莫耳的前述IF<sub>5</sub>，含有0.12莫耳以下的前述碘。
如請求項7之組成物，其中，相對於1莫耳的前述IF<sub>5</sub>，前述碘的含量為0.11莫耳以下。
如請求項7或8之組成物，其中，前述胺含有選自由脂肪族胺、脂環式胺、芳香族胺、雜環式胺及聚合物載持胺所組成之群之至少1種的胺。
如請求項9之組成物，其中，前述胺含有脂肪族胺。
如請求項10之組成物，其中，前述脂肪族胺含有脂肪族三級胺。
如請求項11之組成物，其中，前述脂肪族三級胺含有三乙基胺。
一種氟化試劑，其係含有IF<sub>5</sub>、碘、胺及HF的有機化合物的氟化試劑，相對於1莫耳的前述IF<sub>5</sub>，含有0.12莫耳以下的前述碘。
一種電子裝置，包含：<br/> 一基板，包含一作動區；<br/> 複數條第一信號線，設置於該作動區，且沿一第一方向延伸；<br/> 複數條第一驅動線，設置於該作動區，且沿一第二方向延伸，其中該第一方向與該第二方向不同，且該複數條第一驅動線的一者的一末端透過一通孔電性連接該複數條第一信號線的一者；<br/> 複數條第一傳導線，設置於該作動區且沿該第二方向延伸，其中該複數條第一傳導線的一者位於該複數第一驅動線的該一者的延伸線上，且該複數第一傳導線的該一者的一末端與該複數第一驅動線的該一者的該末端之間有一間距；以及<br/> 複數條第二傳導線，設置於該複數條第一驅動線上方，且沿該第二方向延伸，且該複數條第二傳導線的一者的一部份覆蓋該通孔。
如請求項1所述之電子裝置，其中該複數條第二傳導線的該一者覆蓋該複數條第一驅動線的該一者。
如請求項1所述之電子裝置，其中該複數條第二傳導線的該一者覆蓋該複數條第一傳導線的該一者、該間距。
如請求項1所述之電子裝置，其中該複數條第二傳導線的該一者覆蓋該複數條第一驅動線的該一者、該間距與該複數條第一傳導線的該一者。
如請求項1所述之電子裝置，其中該複數條第一傳導線與該複數條第二傳導線接收相同電壓。
如請求項1所述之電子裝置，其中該第一方向與該第二方向垂直。
如請求項1所述之電子裝置，其中該複數條第一信號線用以傳送掃描信號。
如請求項1所述之電子裝置，其中該複數條第一信號線用以傳送數據信號。
如請求項1所述之電子裝置，其中該複數條第一驅動線的相鄰兩者的長度不同。
一種線柵型偏光元件，具有： <br/>在透明的薄板表面形成具有週期性的凹凸圖案之基材，該凹凸圖案沿著其配列方向的剖面形狀為連續的三角波型形狀或連續的正弦波形狀之基材； <br/>被配置於前述基材的表面上，從前述凹凸圖案的延長於長度方向而形成的各凸部前端部更朝前端方向突出而形成的導電體突出部；及 <br/>覆蓋除了前述凸部前端部的表面部的導電體層， <br/>其特徵為： <br/>前述基材表面的凹凸圖案的週期(a)為100~400nm， <br/>從前述基材表面的凹凸圖案的凸部前端部到凹部的谷部的平均深度(b)為200~600nm， <br/>以對於前述週期(a)之存在於各1個的週期內的2個的前述導電體層的配列方向的平均寬度(d)的比例表示的導電體層的平均佔有率([2d/a]×100)為18~40%， <br/>在前述凹凸圖案的凸部前端部所設的導電體突出部的前端方向的平均厚度(h)為前述導電體層的配列方向的平均寬度(d)的1.5倍以上。
如請求項1記載的線柵型偏光元件，其中，覆蓋除了前述基材表面的凹凸圖案的凸部前端部之外的表面部的導電體層是以大體上均一的厚度形成。
如請求項1記載的線柵型偏光元件，其中，在前述基材表面的凹凸圖案的凸部前端部所設的導電體突出部的前端方向的平均厚度(h)為前述導電體層的配列方向的平均寬度(d)的1.5倍以上，5倍以下。
如請求項1記載的線柵型偏光元件，其中，在前述基材表面的凹凸圖案的除了凸部前端部的表面部所配置的導電體層的前述配列方向的平均寬度(d)為14~ 70nm。
如請求項1記載的線柵型偏光元件，其中，被形成於前述基材表面之沿著配列方向的剖面形狀的連續的三角波型形狀為由連續的大致等腰三角形的形狀所組成的三角波型形狀。
如請求項1記載的線柵型偏光元件，其中，在前述基材表面的凹凸圖案的凸部前端部所設的朝前端方向突出的導電體突出部的前述配列方向的剖面形狀為大致矩形狀、細端形狀、粗端形狀或大致縱橢圓形狀。
如請求項1記載的線柵型偏光元件，其中，形成前述導電體突出部與導電體層的導電體材料為從鋁、金、銀、銅、鉑、鉬、鎳、鉻、鈦、鎢、鉭、鋯、鐵、鈮、鉿、鈷、鈀、鉍及釹選擇的1種或2種以上或該等的2種以上的金屬所組成的合金。
一種線柵型偏光元件的製造方法，該線柵型偏光元件是在基材的表面上形成： <br/>在前述凹凸圖案的延長於長度方向而形成的各凸部前端部更朝前端方向突出而形成的導電體突出部；及 <br/>覆蓋除了前述凸部前端部的表面部的導電體層， <br/>前述基材是在透明的薄板表面形成具有週期性的凹凸圖案之基材，該凹凸圖案沿著其配列方向的剖面形狀為連續的三角波型形狀或連續的正弦波形狀之基材， <br/>其特徵為： <br/>在前述基材表面的凹凸圖案的週期(a)為100~400nm及從前述基材表面的凹凸圖案的凸部前端部到凹部的谷部的平均深度(b)為200~600nm之基材的表面，藉由從對於該基材表面垂直方向的上部導入蒸鍍物質的物理蒸鍍法，或作為前處理進行使用了含有錫離子(Sn <sup>2+</sup>)的液體和含有鈀離子(Pd <sup>2+</sup>)的液體之觸媒賦予、活化，然後進行無電解電鍍的無電解電鍍法，形成： <br/>導電體層，其以對於前述週期(a)之存在於1週期內的2個的導電體層的前述配列方向的平均寬度(d)的比例表示的導電體層的平均佔有率([2d/a]×100)會成為18~40%；及 <br/>導電體突出部，其在前述凹凸圖案的凸部前端部所設的前述導電體突出部的前端方向的平均厚度(h)會成為前述導電體層的配列方向的平均寬度(d)的1.5倍以上。
如請求項8記載的線柵型偏光元件的製造方法，其中，覆蓋除了前述基材表面的凹凸圖案的凸部前端部之外的表面部的導電體層是以大體上均一的厚度形成。
如請求項8記載的線柵型偏光元件的製造方法，其中，前述物理蒸鍍法為真空蒸鍍法，電子束蒸鍍法或濺射法的任一者。
一種滴眼油劑型的醫藥組合物，該醫藥組合物包含：一脂質、以及一白軟石蠟、一液體石蠟，每一公克該醫藥組合物包含脂質3~500毫克、白軟石蠟100~250毫克、液體石蠟300~797毫克；其中該脂質為中鏈三酸甘油脂、大豆油、玉米油、橄欖油、芥花油、葵花油、肉荳蔻酸異丙酯(IPM)、花生油或蓖麻油。
如請求項1所述之醫藥組合物，其中該脂質係中鏈三酸甘油脂。
如請求項1所述之醫藥組合物，每一公克該醫藥組合物包含脂質3~300毫克、白軟石蠟100~250毫克、液體石蠟300~797毫克。
如請求項1所述之醫藥組合物，每一公克該醫藥組合物包含脂質3~300毫克、白軟石蠟100~240毫克、液體石蠟500~797毫克。
如請求項1所述之醫藥組合物，該醫藥組合物可加入活性藥物成分。
如請求項5所述之醫藥組合物，該活性藥物成分包含礦物油、類固醇、四環素、巨環抗生素、前列腺素、碳酸酐酶抑制劑、免疫抑制劑或其他難溶於水之活性藥物成分。
如請求項6所述之醫藥組合物，該類固醇包含Loteprednol Etabonate、Betamethasone、Dexamethasone、Fluorometholone、Prednisolone Acetate或Hydrocortisone Acetate。
如請求項6所述之醫藥組合物，該四環素包含Doxycycline Hyclate、Tetracycline HCl或Minocycline HCl。
如請求項6所述之醫藥組合物，該巨環抗生素包含Erythromycin或Azithromycin。
如請求項6所述之醫藥組合物，該前列腺素包含Latanoprost、Travoprost或Bimatoprost。
如請求項6所述之醫藥組合物，該碳酸酐酶抑制劑包含Brinzolamide。
如請求項6所述之醫藥組合物，該免疫抑制劑包含Tacrolimus或Sirolimus。
如請求項6所述之醫藥組合物，該其他難溶於水之活性藥物成分包含Rebamipide、Omega 3、Nepafenac、Besifloxacin HCl、Selenium Disulfide、Vitamin A或Cyclosporin。
一種如請求項1所述之醫藥組合物用於製備治療、預防或改善乾眼症之藥物的用途。
如請求項14所述之用途，該乾眼症是淚液蒸發過度型乾眼症。
如請求項14所述之用途，該乾眼症是由於瞼板腺功能障礙引起。
一種傳輸器，其包括： <br/>一差分放大器，其具有連接至該傳輸器之輸出之差分輸出，該差分放大器包括： <br/>一第一電晶體，其電耦合於該傳輸器之一第一輸入與該傳輸器之一第一輸出之間； <br/>一第二電晶體，其電耦合於該傳輸器之一第二輸入與該傳輸器之一第二輸出之間； <br/>一第一被動負載，其電耦合於該傳輸器之該第一輸出及一電源軌之間；及 <br/>一第二被動負載，其電耦合於該傳輸器之該第二輸出與該電源軌之間，其中該電源軌係一電源電壓軌或一電源接地軌，且其中該第一及第二被動負載具有相同阻抗；及 <br/>一偏壓電壓源，其經組態以偏壓該第一電晶體之一閘極及該第二電晶體之一閘極，其中該偏壓電壓源之一電壓係低於該電源電壓軌之一電壓或高於該電源接地軌之一電壓之一固定預定電壓，其中該第一電晶體之一汲極電耦合至該傳輸器之該第一輸出，及其中該第二電晶體之一汲極電耦合至該傳輸器之該第二輸出， <br/>其中該第一電晶體之一源極電耦合至該傳輸器之該第一輸入，該第二電晶體之一源極電耦合至該傳輸器之該第二輸入，該電源軌係該電源電壓軌，該第一被動負載電耦合於該第一電晶體之該汲極與該電源電壓軌之間，該第二被動負載電耦合於該第二電晶體之該汲極與該電源電壓軌之間，且該第一電晶體之該閘極電耦合至該第二電晶體之該閘極。
如請求項1之傳輸器，其中： <br/>該第一及第二電晶體係NMOS電晶體。
如請求項1之傳輸器，其進一步包括： <br/>一第一電流源，其電耦合於該電源接地軌與該第一電晶體之該源極之間；及 <br/>一第二電流源，其電耦合於該電源接地軌與該第二電晶體之該源極之間。
如請求項1之傳輸器，其中該第一及第二被動負載包括以下之至少一者： <br/>一電阻器； <br/>一電感器及一電阻器，其等串聯電耦合；及一電容器，其與該電感器及該電阻器並聯電耦合； <br/>一電感器及一電阻器，其等串聯電耦合；及一電容器，其與該電感器並聯電耦合；或 <br/>一電感器、一電阻器及一電容器，其中該電感器、該電阻器及該電容器並聯電耦合。
一種傳輸器，其包括： <br/>一差分放大器，其具有連接至該傳輸器之輸出之差分輸出，該差分放大器包括： <br/>一第一電晶體，其電耦合於該傳輸器之一第一輸入與該傳輸器之一第一輸出之間； <br/>一第二電晶體，其電耦合於該傳輸器之一第二輸入與該傳輸器之一第二輸出之間； <br/>一第一被動負載，其電耦合於該傳輸器之該第一輸出及一電源軌之間；及 <br/>一第二被動負載，其電耦合於該傳輸器之該第二輸出與該電源軌之間，其中該電源軌係一電源電壓軌或一電源接地軌，且其中該第一及第二被動負載具有相同阻抗；及 <br/>一偏壓電壓源，其經組態以偏壓該第一電晶體之一閘極及該第二電晶體之一閘極，其中該偏壓電壓源之一電壓係低於該電源電壓軌之一電壓或高於該電源接地軌之一電壓之一固定預定電壓，其中該第一電晶體之一汲極電耦合至該傳輸器之該第一輸出，及其中該第二電晶體之一汲極電耦合至該傳輸器之該第二輸出， <br/>其中該第一電晶體之一源極電耦合至該傳輸器之該第一輸入，該第二電晶體之一源極電耦合至該傳輸器之該第二輸入，該電源軌係該電源接地軌，該第一被動負載電耦合於該第一電晶體之該汲極與該電源接地軌之間，該第二被動負載電耦合於該第二電晶體之該汲極與該電源接地軌之間，且該第一電晶體之該閘極電耦合至該第二電晶體之該閘極。
如請求項5之傳輸器，其中： <br/>該第一及第二電晶體係PMOS電晶體。
如請求項5之傳輸器，其進一步包括： <br/>一第一電流源，其電耦合於該電源電壓軌與該第一電晶體之該源極之間；及 <br/>一第二電流源，其電耦合於該電源電壓軌與該第二電晶體之該源極之間。
一種接收器，其包括： <br/>一差分放大器，其具有連接至該接收器之輸入之差分輸入，該差分放大器包括： <br/>一第一電晶體，其電耦合於該接收器之一第一輸入與該接收器之一第一輸出之間； <br/>一第二電晶體，其電耦合於該接收器之一第二輸入與該接收器之一第二輸出之間，其中該第一電晶體之一源極電耦合至該第二電晶體之一源極， <br/>一第一被動負載，其電耦合至該接收器之該第一輸入，且 <br/>一第二被動負載，其電耦合至該接收器之該第二輸入，其中該第一及第二被動負載具有相同阻抗； <br/>一偏壓電壓源，其電耦合至該第一及第二被動負載，其中該偏壓電壓源之一電壓係低於一電源電壓軌之一電壓或高於一電源接地軌之一電壓之一固定預定電壓，其中該第一被動負載電耦合於該接收器之該第一輸入與該偏壓電壓源之間，且其中該第二被動負載電耦合於該接收器之該第二輸入與該偏壓電壓源之間；及 <br/>一電流源，其電耦合於該電源軌與該第一及第二被動負載之間。
如請求項8之接收器，其中： <br/>該第一及第二電晶體係NMOS電晶體。
如請求項8之接收器，其中： <br/>該第一及第二電晶體係PMOS電晶體。
一種接收器，其包括： <br/>一差分放大器，其具有連接至該接收器之輸入之差分輸入，該差分放大器包括： <br/>一第一電晶體，其電耦合於該接收器之一第一輸入與該接收器之一第一輸出之間； <br/>一第二電晶體，其電耦合於該接收器之一第二輸入與該接收器之一第二輸出之間，其中該第一電晶體之一閘極電耦合至該第二電晶體之一閘極； <br/>一第一被動負載，其電耦合於該接收器之該第一輸入與一電源軌之間；及 <br/>一第二被動負載，其電耦合於該接收器之該第二輸入與該電源軌之間，其中該電源軌係一電源電壓軌或一電源接地軌，其中該第一及第二被動負載具有相同阻抗； <br/>一偏壓電壓源，其電耦合至該第一及第二電晶體之該等閘極，其中該偏壓電壓源之一電壓係低於該電源電壓軌之一電壓或高於該電源接地軌之一電壓之一固定預定電壓； <br/>一第一偏壓電阻器，其電耦合至該接收器之該第一輸入，其中該第一偏壓電阻器及該偏壓電壓源串聯電耦合於該接收器之該第一輸入與該第一及第二電晶體之該等閘極之間；及 <br/>一第二偏壓電阻器，其電耦合至該接收器之該第二輸入，其中該第二偏壓電阻器及該偏壓電壓源串聯電耦合於該接收器之該第二輸入與該第一及第二電晶體之該等閘極之間。
一種液晶配向劑，其特徵為含有聚合物(A)，該聚合物(A)係選自於由具有下式(1)表示之重複單元(a1)之聚醯亞胺前驅物及作為該聚醯亞胺前驅物之醯亞胺化物的聚醯亞胺構成之群組中之至少1種，<br/> 該聚合物(A)中，該重複單元(a1)及該重複單元(a1)之醯亞胺化結構單元之合計含量為全部重複單元之10~100莫耳%，<br/><img align="absmiddle" height="173px" width="385px" file="ed10040.jpg" alt="ed10040.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> R及Z各自獨立地表示氫原子、碳數1~10之烷基、碳數2~10之烯基、碳數2~10之炔基、第三丁氧基羰基(Boc)、或9-茀基甲氧基羰基(Fmoc)。
如請求項1之液晶配向劑，其中，該聚合物(A)係選自於由更具有下式(2)表示之重複單元(a2)之聚醯亞胺前驅物及作為該聚醯亞胺前驅物之醯亞胺化物的聚醯亞胺構成之群組中之至少1種之聚合物，<br/><img align="absmiddle" height="138px" width="386px" file="ed10041.jpg" alt="ed10041.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/> 式(2)中，R、及Z和該式(1)之情形為同義，Y<sub>2</sub>表示下式(O)表示之2價有機基，<br/><img align="absmiddle" height="25px" width="342px" file="ed10042.jpg" alt="ed10042.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式(O)中，Ar各自獨立地表示苯環、聯苯結構、或萘環，該Ar之環上之任意氫原子也可被鹵素原子或1價有機基取代，Q<sub>2</sub>表示-(CH<sub>2</sub>)<sub>n</sub>-(n為2~18)、或該-(CH<sub>2</sub>)<sub>n</sub>-之一部分被-O-、-C(＝O)-及-O-C(＝O)-中之任一者取代之基，＊表示原子鍵。
如請求項2之液晶配向劑，其中，該式(O)表示之2價有機基係下式(o-1)~(o-15)中之任一者表示之2價有機基，<br/><img align="absmiddle" height="246px" width="569px" file="ed10043.jpg" alt="ed10043.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="428px" width="620px" file="ed10044.jpg" alt="ed10044.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/> 式(o-1)~(o-14)中，＊表示原子鍵，式(o-14)~(o-15)中，2個m各自獨立。
如請求項1之液晶配向劑，其中，該聚合物(A)係選自於由更具有選自於由下式(2’)表示之重複單元(a2’)及下式(3)表示之重複單元(a3)構成之群組中之至少一者之聚醯亞胺前驅物及作為該聚醯亞胺前驅物之醯亞胺化物的聚醯亞胺構成之群組中之至少1種之聚合物，<br/><img align="absmiddle" height="164px" width="634px" file="ed10045.jpg" alt="ed10045.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/> 式(2’)、(3)中，X<sub>2’</sub>、X<sub>3</sub>表示4價有機基，Y<sub>2’</sub>表示下式(O2)表示之2價有機基，Y<sub>3</sub>表示分子內具有基「-N(D)-，D表示胺甲酸酯系保護基」且排除D之碳數6~30之2價有機基，R、Z和上式(1)之情形為同義，<br/><img align="absmiddle" height="69px" width="326px" file="ed10046.jpg" alt="ed10046.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/> 式(O2)中，m為0~2之整數，Ar<sub>2’</sub>表示未經取代或經取代之苯環，惟m為0時，Ar<sub>2’</sub>表示未經取代之苯環，m為1或2時，Ar<sub>2’</sub>各自獨立地表示未經取代之苯環、或該苯環上之任意氫原子被鹵素原子或1價有機基取代之苯環中之任一者，Q<sub>2’</sub>表示單鍵或-O-，＊表示原子鍵，Ar<sub>2’</sub>、Q<sub>2’</sub>有多個存在時，各自可相同也可不同。
如請求項4之液晶配向劑，其中，該式(O2)表示之2價有機基係下式(o2-1)~(o2-12)中之任一者表示之2價有機基，<br/><img align="absmiddle" height="501px" width="602px" file="ed10047.jpg" alt="ed10047.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式(o2-1)~(o2-12)中，＊表示原子鍵。
如請求項2之液晶配向劑，其中，該聚合物(A)中，該重複單元(a2)及該重複單元(a2)之醯亞胺化結構單元之合計含量為全部重複單元之10~90莫耳%。
如請求項2之液晶配向劑，其中，該聚合物(A)中，該重複單元(a1)、該重複單元(a2)、下式(2’)表示之重複單元(a2’)及它們的醯亞胺化結構單元之合計含量為全部重複單元之30莫耳%以上，<br/><img align="absmiddle" height="131px" width="365px" file="ed10048.jpg" alt="ed10048.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式(2’)中，X<sub>2’</sub>表示4價有機基，Y<sub>2’</sub>表示下式(O2)表示之2價有機基，R、Z和上式(1)之情形為同義，<br/><img align="absmiddle" height="69px" width="326px" file="ed10046.jpg" alt="ed10046.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式(O2)中，m為0~2之整數，Ar<sub>2’</sub>表示未經取代或經取代之苯環，惟m為0時，Ar<sub>2’</sub>表示未經取代之苯環，m為1或2時，Ar<sub>2’</sub>各自獨立地表示未經取代之苯環、或該苯環上之任意氫原子被鹵素原子或1價有機基取代之苯環中之任一者，Q<sub>2’</sub>表示單鍵或-O-，＊表示原子鍵，Ar<sub>2’</sub>、Q<sub>2’</sub>有多個存在時，各自可相同也可不同。
如請求項1至7中任一項之液晶配向劑，係在光配向處理法用之液晶配向膜中使用。
一種液晶配向膜，係由如請求項1至7中任一項之液晶配向劑獲得。
一種液晶顯示元件，具備如請求項9之液晶配向膜。
一種液晶顯示元件用之液晶配向膜之製造方法，包括下列步驟(1)~(3)，<br/> 步驟(1)：將如請求項1至7中任一項之液晶配向劑塗佈在基板上，<br/> 步驟(2)：將已塗佈之液晶配向劑進行煅燒，<br/> 步驟(3)：對於步驟(2)獲得之膜視需要進行配向處理。
如請求項11之液晶配向膜之製造方法，其中，該配向處理為光配向處理。
如請求項12之液晶配向膜之製造方法，其中，該光配向處理之放射線之照射量為100~1,500mJ/cm<sup>2</sup>。
如請求項11之液晶配向膜之製造方法，更包括對於在步驟(3)經配向處理之膜進行50~300℃之加熱處理之步驟(4)。
如請求項11之液晶配向膜之製造方法，其中，該液晶顯示元件為IPS驅動方式或FFS驅動方式之液晶顯示元件。
一種光學成像系統，包括： <br/>第一透鏡群組、第二透鏡群組、第三透鏡群組以及第四透鏡群組，沿著所述光學成像系統的光軸自所述光學成像系統的物側朝向所述光學成像系統的成像平面以遞增數值次序依序安置， <br/>其中所述光學成像系統共有七個或八個透鏡， <br/>其中所述第一透鏡群組至所述第四透鏡群組中的至少一個透鏡群組經組態以可沿著所述光軸移動， <br/>所述第一透鏡群組包括反射構件、第一透鏡及第二透鏡， <br/>所述第一透鏡具有凸出的物側表面，並且安置於所述光學成像系統的所述物側與所述反射構件之間， <br/>所述第二透鏡安置於所述第一透鏡與所述反射構件之間，或所述反射構件與所述第二透鏡群組之間， <br/>在所述第一透鏡和所述第二透鏡中，安置於緊接在所述反射構件前面的透鏡具有正折射能力。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第一透鏡群組具有正折射能力。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第一透鏡及所述第二透鏡中的一者的阿貝數為50或大於50，且所述第一透鏡及所述第二透鏡中的另一者的阿貝數為40或小於40。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第一透鏡及所述第二透鏡中的一者具有正折射能力，且所述第一透鏡及所述第二透鏡中的另一者具有負折射能力，以及 <br/>所述第一透鏡及所述第二透鏡中具有所述正折射能力的透鏡的阿貝數為50或大於50，且所述第一透鏡及所述第二透鏡中具有所述負折射能力的透鏡的阿貝數為40或小於40。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第二透鏡群組具有負折射能力，且經組態以可遠離所述光學成像系統的所述物側朝向所述光學成像系統的所述成像平面移動以使所述光學成像系統的視場變窄，且經組態以可遠離所述光學成像系統的所述成像平面朝向所述光學成像系統的所述物側移動以加寬所述光學成像系統的所述視場。
如請求項5所述的光學成像系統，其中所述第二透鏡群組具有負折射能力，且包括多個透鏡，以及 <br/>所述第二透鏡群組的所述多個透鏡中的任一個透鏡具有凹入物側表面及凹入像側表面。
如請求項6所述的光學成像系統，其中滿足0.6 ≤ fGc/fG2 ≤ 0.9，其中fGc為具有所述凹入物側表面及所述凹入像側表面的所述透鏡的焦距，且fG2為所述第二透鏡群組的焦距。
如請求項5所述的光學成像系統，其中所述第一透鏡群組及所述第三透鏡群組安置於所述光軸上的固定位置處，以及 <br/>所述第四透鏡群組經組態以隨著所述第二透鏡群組遠離所述光學成像系統的所述物側朝向所述光學成像系統的所述成像平面移動以使所述光學成像系統的所述視場變窄而可遠離所述光學成像系統的所述成像平面朝向所述光學成像系統的所述物側移動以校正所述光學成像系統的焦點位置，且經組態以隨著所述第二透鏡群組遠離所述光學成像系統的所述成像平面朝向所述光學成像系統的所述物側移動以加寬所述光學成像系統的所述視場而可遠離所述光學成像系統的所述物側朝向所述光學成像系統的所述成像平面移動以校正所述光學成像系統的焦點。
如請求項8所述的光學成像系統，其中滿足-1.8 ≤ kf/kr ≤ -1.2，其中kf為最接近所述光學成像系統的所述物側的所述第四透鏡群組的第一表面的折射能力，且kr為最接近所述光學成像系統的所述成像平面的所述第四透鏡群組的最末表面的折射能力。
如請求項8所述的光學成像系統，其中所述第四透鏡群組進一步經組態以隨著物距自無窮遠改變為近距離而可遠離所述光學成像系統的所述成像平面朝向所述光學成像系統的所述物側移動，以及 <br/>滿足0 ≤ |Laf/fG4| ≤ 0.1，其中Laf為當所述物距在所述光學成像系統的所述視場最窄的所述光學成像系統的攝遠端處自無窮遠改變為所述近距離時所述第四透鏡群組的移動量，且fG4為所述第四透鏡群組的焦距。
如請求項8所述的光學成像系統，其中所述第三透鏡群組及所述第四透鏡群組各自具有正折射能力。
如請求項5所述的光學成像系統，其中所述第三透鏡群組包括光闌及沿著所述光軸遠離所述光學成像系統的所述物側朝向所述光學成像系統的所述成像平面依序安置的多個透鏡，以及 <br/>所述第三透鏡群組的所述多個透鏡中最接近所述光闌安置的透鏡具有正折射能力。
如請求項12所述的光學成像系統，其中最接近所述光闌安置的所述透鏡的物側表面或像側表面為非球面的。
如請求項12所述的光學成像系統，其中 <br/>滿足0.4 ≤ D13/TTL ≤ 0.6，其中D13為自所述第一透鏡的所述物側表面至所述光闌的光軸距離，且TTL為自所述第一透鏡的所述物側表面至所述成像平面的光軸距離。
如請求項12所述的光學成像系統，其中 <br/>滿足0.4 ≤ D13/fG1 ≤ 0.8，其中D13為自所述第一透鏡的所述物側表面至所述光闌的光軸距離，且fG1為所述第一透鏡群組的焦距。
如請求項5所述的光學成像系統，其中滿足0.4 ≤ fG12w/fG12t ≤ 0.7，其中fG12w為所述第一透鏡群組及所述第二透鏡群組在所述光學成像系統的所述視場最寬的所述光學成像系統的廣角端處的複合焦距，且fG12t為所述第一透鏡群組及所述第二透鏡群組在所述光學成像系統的所述視場最窄的所述光學成像系統的攝遠端處的複合焦距。
一種載台裝置，其包括： <br/> 第一載台，其被構造為能夠在第一方向上移動； <br/> 第一驅動單元，其被構造為產生推力以在該第一方向上移動該第一載台； <br/> 第二驅動單元，其被構造為產生推力以在與該第一方向垂直的第二方向上移動該第一載台；以及 <br/> 反作用力減小單元，其被構造為產生推力以減小藉由該第一驅動單元的該推力的產生而產生的反作用力， <br/> 其中，至少部分該反作用力減小單元配設在該第二驅動單元中，並且 <br/> 其中，該反作用力減小單元被構造能夠在該第二方向上的複數個位置處產生彼此大小不同的推力，並且能夠在與該第一方向和該第二方向垂直的第三方向上的複數個位置處產生彼此大小不同的推力。
根據請求項1之載台裝置，該載台裝置還包括： <br/> 測量單元，其被構造為測量該第一載台的位置；以及 <br/> 控制器，其被構造為控制該反作用力減小單元， <br/> 其中，該反作用力減小單元包括複數個推力產生單元，該複數個推力產生單元中的各個推力產生單元佈置在相應的位置處，並且 <br/> 其中，該控制器基於由該測量單元測量的該第一載台在該第二方向上的該位置，來確定產生該推力以減小該反作用力的至少一個推力產生單元。
根據請求項2之載台裝置，其中，該控制器具有第一增益參數，該第一增益參數用於確定由所確定的該至少一個推力產生單元中的各個推力產生單元產生的該推力的該大小。
根據請求項3之載台裝置，其中，該控制器被構造為： <br/> 在該第二方向上的至少一個位置中的各個位置處，使該第一驅動單元產生該推力，以使該第一載台在該第一方向上移動；並且 <br/> 藉由確定由該複數個推力產生單元產生的各個推力的該大小來計算該第一增益參數，以使當減小由於該第一驅動單元的該推力的產生而引起的該反作用力時產生的在該第二方向上的擾動變化量最小化。
根據請求項4之載台裝置，其中，由相對於該第二方向上的位置的函數，表示該第一增益參數。
根據請求項4之載台裝置，其中，由相對於該第二方向上的位置的表，表示該第一增益參數。
根據請求項4之載台裝置，其中，該控制器藉由周期性地重新計算該第一增益參數來更新該第一增益參數。
根據請求項2之載台裝置，其中，該控制器具有該複數個推力產生單元共用的第二增益參數和根據該載台裝置的使用狀態或操作順序而改變的第三增益參數。
根據請求項2之載台裝置，其中，該控制器對所確定的該至少一個推力產生單元進行前饋控制，以使所確定的該至少一個推力產生單元產生該推力。
根據請求項1之載台裝置，還包括第二載台，其被構造為能夠在該第二方向上由該第二驅動單元移動， <br/> 其中，該第一驅動單元包括在該第一方向上延伸的第一定子和固定到該第一載台並且能夠在該第一方向上移動的第一可動元件， <br/> 其中，該第二驅動單元包括在該第二方向上延伸的第二定子和固定到該第二載台並且能夠在該第二方向上移動的第二可動元件，並且 <br/> 其中，該第一定子和該第二可動元件彼此耦接。
根據請求項10之載台裝置，其中，該反作用力減小單元包括，在該第二方向上延伸的第三定子和固定到該第二可動元件並且能夠在該第二方向上移動的第三可動元件。
根據請求項11之載台裝置，其中，該反作用力減小單元是音圈馬達，該音圈馬達包括複數個電磁體和至少一個永磁體對，該複數個電磁體中的各個電磁體佈置在該第三定子的該第二方向上的相應位置處，該至少一個永磁體對固定到該第三可動元件。
根據請求項11之載台裝置，其中，該反作用力減小單元是音圈馬達，該音圈馬達包括複數個永磁體對和複數個電磁體，該複數個永磁體對中的各個永磁體對佈置在該第三定子的該第二方向上的相應位置處，並且該複數個電磁體中的各個電磁體佈置在該第三可動元件的該第二方向上的相應位置處。
根據請求項1之載台裝置，其中，該反作用力減小單元於該第一方向上配設在該第一載台的兩側。
一種圖案形成裝置，其用於在基板上形成圖案，該圖案形成裝置包括根據請求項1至14中任一項之載台裝置，該載台裝置被構造為控制安裝有該基板的該第一載台的驅動。
一種物品製造方法，其包括： <br/> 藉由使用根據請求項15之圖案形成裝置在該基板上形成圖案；以及 <br/> 處理形成有該圖案的該基板以獲得該物品。
一種用於控制載台裝置中的反作用力減小單元的方法，該載台裝置包括：第一載台，其被構造為能夠在第一方向上移動；第一驅動單元，其被構造為產生推力以在該第一方向上移動該第一載台；第二驅動單元，其被構造為產生推力以在與該第一方向垂直的第二方向上移動該第一載台；以及該反作用力減小單元，其被構造為產生推力以減小藉由該第一驅動單元的該推力的產生而產生的反作用力，至少部分該反作用力減小單元配設在該第二驅動單元中，該反作用力減小單元被構造為能夠在該第二方向上的複數個位置處產生彼此大小不同的推力，並且能夠在與該第一方向和該第二方向垂直的第三方向上的複數個位置處產生彼此大小不同的推力，該方法包括： <br/> 測量步驟，測量該第一載台的位置；以及 <br/> 確定步驟，基於在該測量步驟中測量的該第一載台的該第二方向上的該位置和增益參數，來確定在該反作用力減小單元的該第二方向上的該複數個位置中的各個位置處產生的該推力的該大小。
一種載具，包含：<br/> 一轉動關節；<br/> 一第二安裝組件，設於所述轉動關節的一外側，所述第二安裝組件相對於所述轉動關節不可轉動；以及<br/> 一側邊置物裝置，包含置物件和第一安裝組件，所述第一安裝組件設於所述置物件的一外壁上；<br/> 一載具本體；<br/> 一頂篷結構，包含：<br/> 一安裝座，用於可樞轉地安裝於載具本體；<br/> 一頂篷組件，與所述安裝座連接並能夠隨所述安裝座的樞轉而展開或收合；以及<br/> 一連接機構，包含：<br/> 一連接件，具有間隔設置的一連接部和一固定部，所述連接部用於與所述頂篷組件和所述安裝座中的一者連接；<br/> 一第一固定件，設置於所述固定部；以及<br/> 一第二固定件，設置於所述頂篷組件和所述安裝座中的另一者且與所述第一固定件可拆卸地連接；<br/> 其中，所述置物件能通過所述第一安裝組件與所述第二安裝組件的配合而安裝於所述轉動關節的一外側，所述第一安裝組件與所述第二安裝組件配合並能夠相對彼此轉動，使得所述置物件能相對該轉動關節轉動。
如請求項1所述的載具，其中所述第一安裝組件與所述第二安裝組件可拆卸配合。
如請求項2所述的載具，其中所述第一安裝組件包含U型的一卡合凸台和U型的一卡合圍邊，所述卡合圍邊的一外邊緣與所述卡合凸台的一形狀相匹配，所述卡合凸台設於所述置物件的一側壁上，所述卡合圍邊的所述外邊緣固定於所述卡合凸台以使得所述卡合圍邊與所述置物件的所述側壁形成一容納空間，所述第二安裝組件具有一卡合間隙，所述卡合圍邊能卡合於所述卡合間隙中。
如請求項3所述的載具，其中所述第二安裝組件包含一止擋環，所述止擋環與所述轉動關節的所述外側間隔設置以形成所述卡合間隙，當所述卡合圍邊卡合於所述卡合間隙中時，所述止擋環部分位於所述容納空間中。
如請求項4所述的載具，其中所述卡合圍邊包含一弧形部、一第一條形部和一第二條形部，所述第一條形部和所述第二條形部分別連接於所述弧形部的兩端，所述第一條形部和所述第二條形部分別具有相對設置且相向延伸的一限位凸點，當所述卡合圍邊卡合於所述卡合間隙中時，所述止擋環至少部分位於所述弧形部和兩個所述限位凸點所限定的一範圍內。
如請求項5所述的載具，其中所述第一安裝組件還包含一限位凸肋，所述限位凸肋固定於所述置物件的所述側壁上且位於所述第一條形部和所述第二條形部之間，當所述卡合圍邊卡合於所述卡合間隙中時，所述限位凸肋與所述止擋環過盈配合。
如請求項4所述的載具，其中所述第二安裝組件還包含一連接部，所述連接部的兩端分別與所述轉動關節的所述外側和所述止擋環連接，所述連接部在平行於所述止擋環的一徑向方向上的一尺寸小於所述止擋環的一外徑。
如請求項3所述的載具，其中所述第二安裝組件包含一安裝凸台和一止擋環，所述安裝凸台固定於所述轉動關節的所述外側，所述止擋環與所述安裝凸台間隔設置以形成所述卡合間隙，當所述卡合圍邊卡合於所述卡合間隙中時，所述止擋環部分位於所述容納空間中。
如請求項8所述的載具，其中所述第二安裝組件還包含一連接部，所述連接部的兩端分別與所述安裝凸台和所述止擋環連接，所述連接部在平行於所述止擋環的一徑向方向上的一尺寸小於所述止擋環的一外徑。
如請求項2所述的載具，其中所述第二安裝組件包含設於所述轉動關節的所述外側的一安裝凸台，所述安裝凸台能與所述第一安裝組件可拆卸配合。
如請求項10所述的載具，其中所述第一安裝組件包含設於所述置物件的一側壁上的U型的一卡合凸台，所述安裝凸台能與所述卡合凸台卡接配合。
如請求項10所述的載具，其中所述第一安裝組件包含U型的一卡合凸台和U型的一卡合圍邊，所述卡合圍邊的一外邊緣與所述卡合凸台的一形狀相匹配，所述卡合凸台設於所述置物件的一側壁上，所述卡合圍邊的所述外邊緣固定於所述卡合凸台，所述卡合圍邊能與所述安裝凸台卡接配合。
如請求項12所述的載具，其中所述卡合圍邊包含一弧形部、一第一條形部和一第二條形部，所述第一條形部和所述第二條形部分別連接於所述弧形部的兩端，所述安裝凸台的兩側具有一第一側邊和一第二側邊，所述卡合圍邊與所述安裝凸台卡接配合時，所述第一條形部與所述第一側邊相抵，所述第二條形部與所述第二側邊相抵。
如請求項10所述的載具，其中所述轉動關節包含一關節本體和可轉動地設置於所述關節本體的一飾蓋，所述安裝凸台固定於所述飾蓋上。
如請求項1至請求項14中任一項所述的載具，其中所述載具爲一嬰兒提籃，所述載具還包含一提籃本體和一提把，所述提籃本體的兩側均設有所述轉動關節和所述第二安裝組件，所述提把的兩端分別安裝在所述提籃本體的兩側的所述轉動關節上，所述提把通過所述轉動關節可相對所述提籃轉動。
如請求項15所述的載具，其中所述側邊置物裝置爲至少一個，所述側邊置物裝置安裝於位於所述提籃本體的至少一側的一第二安裝組件上。
如請求項15所述的載具，其中還包含一轉軸，所述轉動關節通過所述轉軸與所述提籃本體可轉動連接。
如請求項1所述的載具，其中所述連接部用於與所述頂篷組件的一篷布連接，所述第二固定件設置於所述安裝座。
如請求項18所述的載具，其中所述連接部用於與所述頂篷組件的所述篷布固定連接；或者，所述連接部用於與所述頂篷組件的所述篷布可拆卸連接。
如請求項1所述的載具，其中所述連接件爲一柔性連接件；所述柔性連接件爲一連接織帶或一連接繩。
如請求項1所述的載具，其中所述連接件的一長度爲1.2英寸-3英寸。
如請求項1所述的載具，其中所述連接部至所述固定部之間的一距離爲1英寸-2英寸。
根據請求項1所述的載具，其中所述第一固定件和所述第二固定件包含能夠相互扣合的一對按扣；或者，所述第一固定件和所述第二固定件包含能夠相互黏合的一對黏扣。
如請求項1所述的載具，其中所述第一固定件和所述第二固定件中的一者包含一固定孔或一掛環；所述第一固定件和所述第二固定件中的另一者包含一固定柱或一掛鈎。
如請求項1所述的載具，其中所述連接件的一端形成所述固定部，所述連接件的另一端形成所述連接部。
如請求項1所述的載具，其中所述頂篷組件包含：<br/> 一頂篷支架，與所述安裝座連接且可隨所述安裝座樞轉；及<br/> 一篷布，包覆於所述頂篷支架外，且與所述連接部連接；<br/> 其中，所述篷布通過所述連接機構連接至所述安裝座，以使所述篷布隨所述安裝座的樞轉而展開或收合。
一種纖維屑回收裝置，係設置於纖維機械，以將於前述纖維機械中所產生之纖維屑回收，並具備：<br/> 纖維屑移送配管，係設置有用以吸入前述纖維屑之複數個吸入部，並對由複數個前述吸入部所吸入之前述纖維屑進行移送；<br/> 連接部，係設置於前述纖維屑移送配管的長度方向上的一方的端部側，並與用以供給壓縮空氣之壓縮空氣供給源連接；以及<br/> 纖維屑回收部，係於前述纖維屑移送配管的前述長度方向上的另一方的端部側與前述纖維屑移送配管連接，以將前述纖維屑回收；<br/> 前述吸入部係具有吸入管，前述吸入管的一端側係與前述纖維屑移送配管連通，並且於另一端側設置有用以吸入前述纖維屑之吸入口；<br/> 前述吸入管係於前述一端側與前述另一端側之間設置有用以向前述吸入管的內部噴射壓縮空氣之壓縮空氣噴射噴嘴孔；<br/> 前述壓縮空氣噴射噴嘴孔係構成為於前述吸入管的內部朝向前述一端側噴射壓縮空氣；<br/> 前述吸入部係具有用以打開或關閉前述吸入口之開閉構件；<br/> 前述連接部係具有開閉控制閥，前述開閉控制閥係藉由於連通狀態與阻斷狀態之間切換的方式進行打開或關閉，來控制將壓縮空氣供給至前述纖維屑移送配管；<br/> 前述纖維屑回收裝置還具有控制部，前述控制部係對前述開閉構件的開閉動作以及前述開閉控制閥的開閉動作進行控制；<br/> 前述控制部係進行控制，以便於使前述開閉構件進行開放動作以開放前述吸入口時，開放前述連接部的前述開閉控制閥。
如請求項1所記載之纖維屑回收裝置，其中前述纖維屑移送配管係設置有複數個；<br/> 複數個前述纖維屑移送配管係分別設置有前述連接部，並且與前述纖維屑回收部連接；<br/> 前述控制部係進行控制，以便於使前述開閉構件進行開放動作以開放前述吸入口時，將與前述纖維屑移送配管對應之前述連接部中的前述開閉控制閥開放，且其中於前述纖維屑移送配管上係設置有具有進行開放動作的前述開閉構件之前述吸入部。
如請求項1所記載之纖維屑回收裝置，其中前述吸入管係具有比前述纖維屑移送配管的管徑小的管徑。
如請求項2所記載之纖維屑回收裝置，其中前述吸入管係具有比前述纖維屑移送配管的管徑小的管徑。
如請求項1至4中任一項所記載之纖維屑回收裝置，其中前述纖維屑回收部係具有纖維屑回收容器，用以移送前述纖維屑之壓縮空氣係從前述纖維屑移送配管流入前述纖維屑回收容器；<br/> 前述纖維屑回收容器係具有：<br/> 開口，係朝向上方以及側方中的至少任一方開放；以及<br/> 篩網，係設置成覆蓋前述開口，以允許壓縮空氣通過而限制前述纖維屑通過。
如請求項1至4中任一項所記載之纖維屑回收裝置，其中由前述連接部所流入而於前述纖維屑移送配管中流動之壓縮空氣的流速係設定為1000m／min以上。
如請求項5所記載之纖維屑回收裝置，其中由前述連接部所流入而於前述纖維屑移送配管中流動之壓縮空氣的流速係設定為1000m／min以上。
一種再生聚對苯二甲酸乙二酯膜，由包括廢聚對苯二甲酸乙二酯製成的回收晶片及包括原生聚對苯二甲酸乙二酯製成的原生晶片製成， <br/>其中所述再生聚對苯二甲酸乙二酯膜具有0.55分升/克至0.62分升/克的固有黏度（IV）及0.5莫耳%至3.0莫耳%的二甘醇含量， <br/>其中所述再生聚對苯二甲酸乙二酯膜包含60重量%至95重量%的所述廢聚對苯二甲酸乙二酯及5重量%至40重量%的所述原生聚對苯二甲酸乙二酯， <br/>其中所述再生聚對苯二甲酸乙二酯膜在機器方向及橫向方向上具有20千克力/平方毫米至30千克力/平方毫米的斷裂強度，所述斷裂強度藉由美國材料試驗協會D882量測。
如請求項1所述的再生聚對苯二甲酸乙二酯膜，其中所述回收晶片具有0.60分升/克至0.65分升/克的固有黏度（IV）。
如請求項1所述的再生聚對苯二甲酸乙二酯膜，其中所述廢聚對苯二甲酸乙二酯具有40,000克/莫耳至70,000克/莫耳的重量平均分子量。
如請求項1所述的再生聚對苯二甲酸乙二酯膜，其中所述再生聚對苯二甲酸乙二酯膜具有0.5莫耳%至2莫耳%的二甘醇含量。
如請求項1所述的再生聚對苯二甲酸乙二酯膜，其中所述再生聚對苯二甲酸乙二酯膜在200℃下在機器方向上具有5%或小於5%的熱收縮率且在橫向方向上具有1%或小於1%的熱收縮率。
如請求項1所述的再生聚對苯二甲酸乙二酯膜，其中所述再生聚對苯二甲酸乙二酯膜具有245℃至255℃的熔點。
如請求項1所述的再生聚對苯二甲酸乙二酯膜，其中所述再生聚對苯二甲酸乙二酯膜具有25當量/噸至45當量/噸的酸值（COOH值）。
如請求項1所述的再生聚對苯二甲酸乙二酯膜，其中所述再生聚對苯二甲酸乙二酯膜包含10重量百萬分點至200重量百萬分點的金屬離子，所述金屬離子源自包含模製改質劑而製成的原生晶片。
如請求項8所述的再生聚對苯二甲酸乙二酯膜，其中所述再生聚對苯二甲酸乙二酯膜滿足方程式1至方程式3： <br/>[方程式1] <br/>10 ≤[Mg] ≤ 100 <br/>[方程式2] <br/>0.1 ≤ [Na] ≤ 10 <br/>[方程式3] <br/>1 ≤ [P] ≤ 10 <br/>其中在方程式1至方程式3中， <br/>[Mg]是所述再生聚對苯二甲酸乙二酯膜中所包含的鎂離子的根據重量的濃度（ppm）， <br/>[Na]是所述再生聚對苯二甲酸乙二酯膜中所包含的鈉離子的根據重量的濃度（ppm），且 <br/>[P]是所述再生聚對苯二甲酸乙二酯膜中所包含的磷離子的根據重量的濃度（ppm）。
如請求項1所述的再生聚對苯二甲酸乙二酯膜，其中所述再生聚對苯二甲酸乙二酯膜包含100重量百萬分點至1,000重量百萬分點的抗結塊劑。
一種製造如請求項1所述的再生聚對苯二甲酸乙二酯膜的方法，所述方法包括： <br/>製備包含廢聚對苯二甲酸乙二酯的回收晶片； <br/>製備包含原生聚對苯二甲酸乙二酯的原生晶片；以及 <br/>製備包括所述回收晶片及所述原生晶片的再生聚對苯二甲酸乙二酯膜。
如請求項11所述的方法，其中在所述製備所述再生聚對苯二甲酸乙二酯膜中，所包括的所述回收晶片對所述原生晶片的重量比為30:70至95:5。
如請求項11所述的方法，其中製備包含150重量百萬分點至14,000重量百萬分點的模製改質劑的所述原生晶片。
如請求項11所述的方法，其中製備包含150重量百萬分點至20,000重量百萬分點的抗結塊劑的所述原生晶片。
一種開放式耳機，包括：<br/> 發聲部，包括換能器和容納該換能器的殼體，其中，該換能器包括振膜；<br/> 耳掛，佩戴狀態下，該耳掛的第一部分掛設在用戶耳廓和頭部之間，該耳掛的第二部分向該耳廓背離該頭部的一側延伸並連接該發聲部的一連接端以將該發聲部固定於耳道附近但不堵塞耳道的位置，其中，該殼體朝向該耳廓的內側面上開設出聲孔，用於將該振膜前側產生的聲音匯出該殼體後傳向該耳道，該殼體的其它側壁上開設有至少兩個泄壓孔，該至少兩個泄壓孔包括第一泄壓孔和第二泄壓孔，該第一泄壓孔的中心與該第二泄壓孔的中心之間的距離為13.0mm-15.2mm;<br/> 其中，該發聲部具有與該耳掛連接的該連接端和不與該耳掛連接的自由端，在佩戴狀態下，該殼體至少部分插入耳甲腔，該自由端伸入該耳甲腔內。
如請求項1所述的開放式耳機，其中，該第一泄壓孔開設在該殼體的上側面，該第二泄壓孔開設在該殼體的下側面。
如請求項2所述的開放式耳機，該第二泄壓孔的該中心距離該殼體的後側面的距離大於該第一泄壓孔的該中心距離該後側面的距離。
如請求項3所述的開放式耳機，其中，該第一泄壓孔的該中心距該殼體朝向耳廓的該內側面的距離範圍為4.24 mm~6.38 mm，或該第二泄壓孔的該中心距該殼體朝向該耳廓的該內側面的距離範圍為4.24 mm~6.36 mm。
如請求項3所述的開放式耳機，其中，該第一泄壓孔的該中心距該後側面的距離範圍為10.44 mm~15.68 mm，或該第二泄壓孔的該中心距該後側面的距離範圍為13.51 mm~20.27 mm。
如請求項2所述的開放式耳機，其中，該換能器包括磁路組件，該磁路組件用於提供磁場，該第一泄壓孔的該中心距該磁路組件的底面的距離範圍為1.31 mm~1.98 mm，或該第二泄壓孔的該中心距該磁路組件的底面的距離範圍為1.31 mm~1.98 mm。
如請求項2所述的開放式耳機，其中，該換能器包括磁路組件，該磁路組件用於提供磁場，該第一泄壓孔的該中心距離該磁路組件的長軸中心面的距離範圍為5.45 mm~8.19 mm，或該第二泄壓孔的該中心距離該磁路組件的長軸中心面的距離範圍為5.46 mm~8.20 mm。
如請求項2所述的開放式耳機，其中，在佩戴狀態下，該殼體至少部分覆蓋對耳輪，該下側面上的該第二泄壓孔的該中心距離該殼體的後側面的距離與該上側面上的該第一泄壓孔的該中心距離該後側面的距離之差小於10%。
如請求項8所述的開放式耳機，其中，該第一泄壓孔的該中心距該殼體朝向耳廓的該內側面的距離範圍為4.43 mm~7.96 mm，或者該第二泄壓孔的該中心距該內側面的距離範圍為4.43 mm~7.96 mm。
如請求項8所述的開放式耳機，其中，該第一泄壓孔的該中心距該後側面的距離範圍為8.60 mm~12.92 mm，或者該第二泄壓孔的該中心距該後側面的距離範圍為8.60 mm~12.92 mm。
如請求項3所述的開放式耳機，其中，在佩戴狀態下，該第一泄壓孔與該耳掛的該第二部分上任意一點在該發聲部長軸方向的距離範圍為5.28 mm~13.02 mm。
一種釔基熱噴塗層，其特徵在於，所述釔基熱噴塗層藉由熱噴塗熱噴塗用釔基粉末而形成於基材上，<br/> 所述熱噴塗用釔基粉末包含選自Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、YOF、YF<sub>3</sub>、Y<sub>4</sub>Al<sub>2</sub>O<sub>9</sub>、Y<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>和YAlO<sub>3</sub>中的任意一種釔基化合物和大於10重量%且30重量%以下的氧化物添加劑SiO<sub>2</sub>，<br/> 藉由表色系的色度顯示，L值為80至95，a值為-3.0至5，b值為3.34至10。
如請求項1所述之釔基熱噴塗層，其中，所述釔基熱噴塗層的光致發光峰在380nm至440nm和780nm至840nm處顯示。
如請求項1所述之釔基熱噴塗層，其中，所述釔基熱噴塗層的XRD峰的2θ和標準峰的2θ之間的差值是-0.10至0.10。
如請求項1所述之釔基熱噴塗層，其中，所述釔基熱噴塗層的多孔率大於0%且小於1％，硬度是500Hv至700Hv。
如請求項1所述之釔基熱噴塗層，其中，所述熱噴塗在與所述基材相間隔50mm至400mm處進行電漿熱噴塗。
一種由一或多個電腦執行之方法，該方法包括： <br/>獲得一機器人將與其互動之一真實世界環境中之一場景的複數個影像及針對各影像之包括捕捉該影像之一攝影機之一視點的對應攝影機資料； <br/>使用該複數個影像及該對應攝影機資料來訓練一場景合成機器學習模型，其中該場景合成機器學習模型經組態以接收包括一攝影機視點之一場景輸入且自該攝影機視點產生該場景之一合成影像作為輸出；及 <br/>使用由該場景合成機器學習模型產生之至少合成影像來產生用於訓練一策略神經網絡的訓練資料，該策略神經網絡用於在該真實世界環境中控制該機器人執行一或多個任務，其中該策略神經網絡經組態以接收包括特徵化該環境之一當前狀態之一觀察之一策略輸入且回應於該觀察來產生界定由該機器人執行之一動作之一策略輸出作為輸出，其中該觀察包括由該機器人之一機器人攝影機捕捉之該環境之一影像，且其中產生該訓練資料包括： <br/>在該環境與該機器人之一模型互動之一模擬中，自由該場景合成機器學習模型產生之合成影像產生場景之觀察。
如請求項1之方法，進一步包括： <br/>在該訓練資料上訓練該策略神經網絡。
如請求項2之方法，進一步包括： <br/>在該訓練之後，使用該策略神經網絡在該真實世界環境中控制該機器人。
如請求項1至3中任一項之方法，其中獲得該複數個影像包括： <br/>獲得該真實世界環境中之該場景之一視訊；及 <br/>自該視訊選擇複數個視訊圖框作為該複數個影像。
如請求項4之方法，進一步包括： <br/>使用運動恢復結構(SfM)來判定用於該複數個影像之各者的該攝影機資料。
如請求項1至3中任一項之方法，其中產生用於訓練該策略神經網絡之該訓練資料包括： <br/>在複數個時間步驟之各者中，使用該策略神經網絡在該環境之該模擬中控制該機器人之該模型包括在各時間步驟中： <br/>於該時間步驟中之該真實世界環境之該模擬之一狀態內，基於該時間步驟中之該機器人攝影機之一位置，自一模擬器獲得一輸入攝影機視點； <br/>使用該場景合成模型，自該輸入攝影機視點產生該場景之一合成影像； <br/>自該場景之至少該合成影像產生用於該時間步驟之一輸入影像； <br/>使用該策略神經網絡來處理包括該輸入影像之一觀察以產生一策略輸出； <br/>使用該策略輸出來選擇一動作；及 <br/>向該模擬器提供用於控制該機器人之該模型更新該模擬之該狀態的該選定動作；及 <br/>產生用於該等時間步驟之各者之一各自訓練實例，該各自訓練實例包括用於該時間步驟之該觀察及用於該時間步驟之該選定動作。
如請求項6之方法，其中自該場景之至少該合成影像產生用於該時間步驟之一輸入影像包括： <br/>自該模擬器獲得一或多個動態物件在該時間步驟中於該環境中之一各自再現；及 <br/>藉由組合該場景之該合成影像及該等各自再現來產生用於該時間步驟之該輸入影像。
如請求項6之方法，其中該場景合成模型經組態以接收一第一參考系中之攝影機視點且其中該模擬器在一世界參考系中操作，且其中在該真實世界環境之該模擬內基於該機器人攝影機於該時間步驟中之一位置自一模擬器獲得一輸入攝影機視點包括： <br/>自該模擬器接收該世界參考系中之一初始攝影機視點；及 <br/>藉由將該初始攝影機視點自該世界參考系映射至該第一參考系來產生該輸入攝影機視點。
如請求項6之方法，進一步包括： <br/>在各時間步驟中，自該模擬器接收該一或多個任務之各者之一各自獎勵，其中該訓練實例包含該等各自獎勵。
如請求項8之方法，進一步包括： <br/>使用該經訓練場景合成模型來產生該場景之一網格；及 <br/>向該模擬器提供該網格用於在更新該模擬之該狀態時模型化碰撞。
如請求項10之方法，其中產生該網格包括： <br/>在該第一參考系中產生一初始網格；及 <br/>藉由將該初始網格中之頂點自該第一參考系映射至該模擬器之該世界參考系來產生該網格。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該觀察進一步包括來自該機器人之一陀螺儀、該機器人之一加速度計或兩者的資料。
如取決於請求項2之請求項1至3中任一項之方法，其中訓練該策略神經網絡包括： <br/>透過使用域隨機化之強化學習來訓練該策略神經網絡。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該場景合成模型係一神經輻射場(NeRF)模型。
如請求項1至3中任一項之方法，其中捕捉該複數個影像之該攝影機係不同於該機器人攝影機，其中該攝影機資料進一步包括指定捕捉該複數個影像之該攝影機之內參的攝影機參數，其中該場景輸入進一步包括指定由該場景合成機器學習產生之該合成影像應匹配之一輸入攝影機之內參的輸入攝影機參數，且其中在該環境與該機器人之一模型互動之一模擬中，自由該場景合成機器學習模型產生之合成影像產生場景的觀察包括： <br/>藉由提供包含指定該機器人攝影機之內參而非捕捉該複數個影像之該攝影機之內參之輸入攝影機參數的場景輸入來產生該等觀察的各者。
一種系統，其包括： <br/>一或多個電腦；及 <br/>一或多個儲存裝置，其等經通信地耦合至該一或多個電腦，其中該一或多個儲存裝置儲存指令，該等指令在由該一或多個電腦執行時引起該一或多個電腦執行如請求項1至15中任一項之各自方法的操作。
一種一或多個非暫時性電腦儲存媒體，其儲存指令，該等指令在由一或多個電腦執行時引起該一或多個電腦執行如請求項1至15中任一項之各自方法的操作。
一種化學增幅正型阻劑組成物，含有聚合物及光酸產生劑，其特徵為： <br/>該聚合物之含有鍵結於主鏈之芳香族性羥基之結構單元中之該芳香族性羥基係被下式(ALU-1)表示之酸不安定基保護，會因酸作用而脫保護並成為鹼可溶性， <br/>該光酸產生劑含有下式(M-1)表示之光酸產生劑之陰離子結構； <br/><img align="absmiddle" height="80px" width="410px" file="ed10128.jpg" alt="ed10128.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(ALU-1)中，R <sup>L1</sup>~R <sup>L3</sup>各自獨立地為氫原子、或碳數1~6之烴基，不含芳香族環狀結構，R <sup>L1</sup>~R <sup>L3</sup>中之任2個亦可互相鍵結並和它們所鍵結之碳原子一起形成環狀結構，R <sup>L4</sup>為氫原子、鹵素原子、硝基、或亦可含有雜原子之碳數1~6之烴基，n1為0或1之整數，n2於n1＝0時為0~5之整數，於n1＝1時為0~7之整數，鏈線表示和含有鍵結於聚合物之主鏈之芳香族性羥基之單元之芳香族性羥基之氧原子間的鍵結； <br/><img align="absmiddle" height="83px" width="411px" file="ed10135.jpg" alt="ed10135.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(M-1)中，m為0或1，p為1~3之整數，q為1~5之整數，r為0~3之整數，L <sup>1</sup>為單鍵、醚鍵、酯鍵、磺酸酯鍵、碳酸酯鍵或胺甲酸酯鍵，L <sup>2</sup>為醚鍵、酯鍵、磺酸酯鍵、碳酸酯鍵或胺甲酸酯鍵，X <sup>4</sup>於p為1時係單鍵或碳數1~20之伸烴基，於p為2或3時係碳數1~20之(p+1)價烴基，該伸烴基及該(p+1)價烴基也可含有選自醚鍵、羰基、酯鍵、醯胺鍵、磺內酯環、內醯胺環、碳酸酯鍵、鹵素原子、羥基及羧基中之至少1種，Rf <sup>1</sup>及Rf <sup>2</sup>各自獨立地為氫原子、氟原子或三氟甲基，但至少1個為氟原子或三氟甲基，R <sup>21</sup>為羥基、羧基、碳數1~6之飽和烴基、碳數1~6之飽和烴氧基、碳數2~6之飽和烴羰氧基、氟原子、氯原子、溴原子、胺基、-N(R <sup>1A</sup>)-C(＝O)-R <sup>1B</sup>或-N(R <sup>1A</sup>)-C(＝O)-O-R <sup>1B</sup>，R <sup>1A</sup>為氫原子或碳數1~6之飽和烴基，R <sup>1B</sup>為碳數1~6之飽和烴基或碳數2~8之不飽和脂肪族烴基，R <sup>22</sup>為碳數6~14之伸芳基，該伸芳基之一部分或全部氫原子也可被選自碳數1~20之飽和烴基、碳數1~20之飽和烴氧基、碳數6~14之芳基、鹵素原子及羥基中之取代基取代。
如請求項1之化學增幅正型阻劑組成物，其中，該含有鍵結於聚合物之主鏈之該芳香族性羥基之單元為下式(A1)表示之重複單元， <br/><img align="absmiddle" height="98px" width="410px" file="ed10129.jpg" alt="ed10129.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(A1)中，R <sup>A</sup>各自獨立地為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基，X <sup>1</sup>為單鍵、＊-C(＝O)-O-或＊-C(＝O)-NH-，＊係和主鏈之碳原子間之原子鍵，A <sup>1</sup>為單鍵或碳數1~10之飽和伸烴基，構成該飽和伸烴基之-CH <sub>2</sub>-之一部分也可被-O-取代，X <sup>2</sup>為單鍵、醚鍵、酯鍵、羰基、磺酸酯鍵、碳酸酯鍵及胺甲酸酯鍵中之任一者，R <sup>B</sup>為鹵素原子、或亦可含有雜原子之直鏈狀、分支狀或環狀之碳數1~20之烴基，n1為0或1，n3於n1＝0時為0~4之整數，於n1＝1時為0~6之整數，n4為1~3之整數，惟n1＝0時，n3+n4≦5，n1＝1時，n3+n4≦7，鏈線代表和該式(ALU-1)間之鍵結。 <sup/>
如請求項1之化學增幅正型阻劑組成物，其中，該聚合物更含有下式(A2)表示之含苯酚性羥基之重複單元， <br/><img align="absmiddle" height="115px" width="409px" file="ed10130.jpg" alt="ed10130.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(A2)中，R <sup>A</sup>各自獨立地為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基，X <sup>1</sup>為單鍵、＊-C(＝O)-O-或＊-C(＝O)-NH-，＊係和主鏈之碳原子間之原子鍵，A <sup>1</sup>為單鍵或碳數1~10之飽和伸烴基，構成該飽和伸烴基之-CH <sub>2</sub>-之一部分也可被-O-取代，X <sup>2</sup>為單鍵、醚鍵、酯鍵、羰基、磺酸酯鍵、碳酸酯鍵及胺甲酸酯鍵中之任一者，R <sup>B</sup>為鹵素原子、或亦可含有雜原子之直鏈狀、分支狀或環狀之碳數1~20之烴基，n1同前所述，n3於n1＝0時為0~4之整數，於n1＝1時為0~6之整數，n4為1~3之整數，惟n1＝0時，n3+n4≦5，n1＝1時，n3+n4≦7。
如請求項3之化學增幅正型阻劑組成物，其中，該含苯酚性羥基之重複單元為下式(A2-1)表示之重複單元， <br/><img align="absmiddle" height="118px" width="411px" file="ed10131.jpg" alt="ed10131.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(A2-1)中，R <sup>A</sup>同前所述，b’為1~3之整數。
如請求項1之化學增幅正型阻劑組成物，其中，該聚合物更含有下式(B1)~(B3)中之任一者表示之重複單元1種以上， <br/><img align="absmiddle" height="134px" width="411px" file="ed10132.jpg" alt="ed10132.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R <sup>A</sup>各自獨立地為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基，b及c各自獨立地為0~4之整數，d為0~5之整數，e為0~2之整數，X <sup>3</sup>為單鍵、＊-C(＝O)-O-或＊-C(＝O)-NH-，＊係和主鏈之碳原子間之原子鍵，A <sup>2</sup>為單鍵或碳數1~10之飽和伸烴基，構成該飽和伸烴基之-CH <sub>2</sub>-之一部分也可被-O-取代，R <sup>11</sup>及R <sup>12</sup>各自獨立地為羥基、鹵素原子、亦可經鹵素原子取代之碳數2~8之飽和烴羰氧基、亦可經鹵素原子取代之碳數1~8之飽和烴基、或亦可經鹵素原子取代之碳數1~8之飽和烴氧基，R <sup>13</sup>為乙醯基、碳數1~20之飽和烴基、碳數1~20之飽和烴氧基、碳數2~20之飽和烴羰氧基、碳數2~20之飽和烴氧烴基、碳數2~20之飽和烴硫烴基、鹵素原子、硝基或氰基，e為1或2時亦可為羥基。
如請求項1之化學增幅正型阻劑組成物，其中，該聚合物更含有下式(A3-1)及/或下式(A3-2)表示之重複單元， <br/><img align="absmiddle" height="136px" width="409px" file="ed10133.jpg" alt="ed10133.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(A3-1)中，R <sup>A</sup>各自獨立地為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基，b1為0或1，b2為0~2之整數，b3為符合0≦b3≦5+2b2-b4之整數，b4為1~3之整數，b5為0或1，R’ <sup>12</sup>為鹵素原子、亦可經鹵素原子取代之碳數1~6之飽和烴基、亦可經鹵素原子取代之碳數1~6之飽和烴氧基或亦可經鹵素原子取代之碳數2~8之飽和烴羰氧基，A <sup>3</sup>為單鍵或碳數1~10之飽和伸烴基，該飽和伸烴基之-CH <sub>2</sub>-也可被-O-取代，X於b4為1時係酸不安定基，於b4為2以上時為氫原子或酸不安定基，但至少1個為酸不安定基， <br/><img align="absmiddle" height="110px" width="409px" file="ed10134.jpg" alt="ed10134.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(A3-2)中，c1為0~2之整數，c2為0~2之整數，c3為0~5之整數，c4為0~2之整數，R <sup>A</sup>各自獨立地為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基，A <sup>4</sup>為單鍵、伸苯基、伸萘基或＊-C(＝O)-O-A <sup>41</sup>-，A <sup>41</sup>為也可含有羥基、醚鍵、酯鍵或內酯環之碳數1~20之脂肪族伸烴基、或伸苯基或伸萘基，R’ <sup>13</sup>及R’ <sup>14</sup>各自獨立地為亦可含有雜原子之碳數1~10之烴基，R’ <sup>13</sup>與R’ <sup>14</sup>亦可互相鍵結並和它們所鍵結之碳原子一起形成環，R’ <sup>15</sup>各自獨立地為氟原子、碳數1~5之氟化烷基或碳數1~5之氟化烷氧基，R’ <sup>16</sup>各自獨立地為亦可含有雜原子之碳數1~10之烴基。
如請求項1之化學增幅正型阻劑組成物，其中，該聚合物更含有下式(C1)~(C8)中之任一者表示之重複單元1種以上， <br/><img align="absmiddle" height="309px" width="413px" file="ed10139.jpg" alt="ed10139.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R <sup>A</sup>各自獨立地為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基，Y <sup>1</sup>為單鍵、碳數1~6之脂肪族伸烴基、伸苯基、伸萘基或它們組合而獲得之碳數7~18之基、或＊-O-Y <sup>11</sup>-、＊-C(＝O)-O-Y <sup>11</sup>-或＊-C(＝O)-NH-Y <sup>11</sup>-，Y <sup>11</sup>為碳數1~6之脂肪族伸烴基、伸苯基、伸萘基或它們組合而獲得之碳數7~18之基，也可含有羰基、酯鍵、醚鍵或羥基，Y <sup>2</sup>為單鍵或＊＊-Y <sup>21</sup>-C(＝O)-O-，Y <sup>21</sup>為亦可含有雜原子之碳數1~20之伸烴基，Y <sup>3</sup>為單鍵、亞甲基、伸乙基、伸苯基、氟化伸苯基、經三氟甲基取代之伸苯基、＊-O-Y <sup>31</sup>-、＊-C(＝O)-O-Y <sup>31</sup>-或＊-C(＝O)-NH-Y <sup>31</sup>-，Y <sup>31</sup>為碳數1~6之脂肪族伸烴基、伸苯基、氟化伸苯基、經三氟甲基取代之伸苯基或它們組合而獲得之碳數7~20之基，也可含有羰基、酯鍵、醚鍵或羥基，＊係和主鏈之碳原子間之原子鍵，＊＊為和式中之氧原子間之原子鍵，Y <sup>4</sup>為單鍵或亦可含有雜原子之碳數1~30之伸烴基，k <sup>1</sup>及k <sup>2</sup>各自獨立地為0或1，但Y <sup>4</sup>為單鍵時，k <sup>1</sup>及k <sup>2</sup>為0；R <sup>51</sup>~R <sup>68</sup>各自獨立地為鹵素原子、或亦可含有雜原子之碳數1~25之烴基，又，R <sup>51</sup>與R <sup>52</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結之硫原子一起形成環，R <sup>53</sup>與R <sup>54</sup>、R <sup>56</sup>與R <sup>57</sup>、及R <sup>59</sup>與R <sup>60</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結之硫原子一起形成環，R <sup>HF</sup>為氫原子或三氟甲基，Xa <sup>-</sup>為非親核性相對離子。
如請求項1至7中之任一項之化學增幅正型阻劑組成物，更含有有機溶劑。
如請求項1至7中之任一項之化學增幅正型阻劑組成物，更含有淬滅劑。
如請求項1至7中之任一項之化學增幅正型阻劑組成物，更含有含氟原子之聚合物，該含氟原子之聚合物含有選自下式(D1)表示之重複單元、下式(D2)表示之重複單元、下式(D3)表示之重複單元及下式(D4)表示之重複單元中之至少1種， <br/><img align="absmiddle" height="169px" width="411px" file="ed10137.jpg" alt="ed10137.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R <sup>B</sup>各自獨立地為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基，R <sup>101</sup>、R <sup>102</sup>、R <sup>104</sup>及R <sup>105</sup>各自獨立地為氫原子或碳數1~10之飽和烴基，R <sup>103</sup>、R <sup>106</sup>、R <sup>107</sup>及R <sup>108</sup>各自獨立地為氫原子、碳數1~15之烴基、碳數1~15之氟化烴基或酸不安定基，且R <sup>103</sup>、R <sup>106</sup>、R <sup>107</sup>及R <sup>108</sup>為烴基或氟化烴基時，在碳-碳鍵間也可夾雜醚鍵或羰基，m’為1~3之整數，Z <sup>1</sup>為碳數1~20之(m’+1)價烴基或碳數1~20之(m’+1)價氟化烴基。
如請求項10之化學增幅正型阻劑組成物，其中，該含氟原子之聚合物更含有選自下式(D5)表示之重複單元及下式(D6)表示之重複單元中之至少1種， <br/><img align="absmiddle" height="113px" width="413px" file="ed10136.jpg" alt="ed10136.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R <sup>C</sup>各自獨立地為氫原子或甲基，R <sup>109</sup>為氫原子、或碳-碳鍵間也可夾雜了含雜原子之基之直鏈狀或分支狀之碳數1~5之烴基，R <sup>110</sup>為碳-碳鍵間也可夾雜了含雜原子之基之直鏈狀或分支狀之碳數1~5之烴基，R <sup>111</sup>為至少1個氫原子被氟原子取代之碳數1~20之飽和烴基，構成該飽和烴基之-CH <sub>2</sub>-之一部分也可被酯鍵或醚鍵取代，x為1~3之整數，y為符合0≦y≦5+2z-x之整數，z為0或1，Z <sup>2</sup>為單鍵、＊-C(＝O)-O-或＊-C(＝O)-NH-，Z <sup>3</sup>為單鍵、-O-、＊-C(＝O)-O-Z <sup>31</sup>-Z <sup>32</sup>-或＊-C(＝O)-NH-Z <sup>31</sup>-Z <sup>32</sup>-，Z <sup>31</sup>為單鍵或碳數1~10之飽和伸烴基，Z <sup>32</sup>為單鍵、酯鍵、醚鍵或磺醯胺鍵，＊係和主鏈之碳原子間之原子鍵。
如請求項1至7中之任一項之化學增幅正型阻劑組成物，其中，該聚合物對鹼顯影液之溶解速度為10nm/min以下。
如請求項1至7中之任一項之化學增幅正型阻劑組成物，其中，由該化學增幅正型阻劑組成物獲得之阻劑膜之未曝光部對鹼顯影液之溶解速度為10nm/min以下。
如請求項1至7中之任一項之化學增幅正型阻劑組成物，其中，由該化學增幅正型阻劑組成物獲得之阻劑膜之曝光部對鹼顯影液之溶解速度為50nm/sec以上。
一種阻劑圖案形成方法，其特徵為包含下列步驟： <br/>使用如請求項1至7中之任一項之化學增幅正型阻劑組成物在基板上形成阻劑膜， <br/>使用高能射線對該阻劑膜照射圖案，及 <br/>使用鹼顯影液對該已照射圖案之阻劑膜進行顯影。
如請求項15之阻劑圖案形成方法，其使用KrF準分子雷射光、ArF準分子雷射光、電子束或波長3~15nm之極紫外線作為該高能射線。
如請求項15之阻劑圖案形成方法，其使用該基板之最表面由含有選自鉻、矽、鉭、鉬、鈷、鎳、鎢及錫中之至少1種之材料構成的基板。
如請求項17之阻劑圖案形成方法，其使用透射型或反射型空白遮罩作為該基板。
一種透射型或反射型之空白遮罩，其特徵為塗佈如請求項1至7中之任一項之化學增幅正型阻劑組成物而成。
一種鈦合金，其係包含：一α-β鈦合金；其中該α-β鈦合金包含：介於5.0wt%與7.0wt%間的鋁(Al)、介於1.5wt%與3.5wt%間的釩(V)、介於0.75wt%與1.75wt%間的鉬(Mo)、介於0.2wt%與0.3wt%間的鐵(Fe)、少於0.1wt%的銅(Cu)、少於0.1wt%的鎳(Ni)、及一介於4.35g/cc與4.50g/cc之間的密度。
如請求項1所述之鈦合金，其中該α-β鈦合金包含一密度，該密度介於4.41g/cc與4.42g/cc之間。
如請求項1所述之鈦合金，其中該α-β鈦合金更包含：介於0.1wt%與0.2wt%間的矽(Si)。
如請求項3所述之鈦合金，其中該α-β鈦合金更包含：0.15wt%或更少的氧(O)。
如請求項4所述之鈦合金，其中該α-β鈦合金更包含0.08wt%或更少的碳(C)。
如請求項5所述之鈦合金，其中該α-β鈦合金更包含0.05wt%或更少的氮(N)。
如請求項6所述之鈦合金，其中該α-β鈦合金更包含0.015wt%或更少的氫(H)。
如請求項1所述之鈦合金，其中該α-β鈦合金之抗拉強度介於157ksi與170ksi之間。
如請求項1所述之鈦合金，其中該α-β鈦合金之降伏強度介於150ksi與160ksi之間。
如請求項1所述之鈦合金，其中該α-β鈦合金之最小伸長率介於4.5%與8.0%之間。
如請求項1所述之鈦合金，其中該α-β鈦合金之楊氏模數介於15.4Mpsi與16.9Mpsi之間。
如請求項1所述之鈦合金，其中該α-β鈦合金之溶線溫度介於800℃與1000℃之間。
如請求項12所述之鈦合金，其中該α-β鈦合金之溶線溫度介於800℃與950℃之間。
如請求項12所述之鈦合金，其中該α-β鈦合金之溶線溫度介於850℃與950℃之間。
一種高爾夫球桿頭，其包含：一冠部；一與該冠部相對之底部；一趾端；一與該趾端相對之踵端；一凹槽，其係受該冠部、該底部、該趾端與該踵端所包圍；一面板，其構造被設計為可對齊、合身地放置其中、並被焊接於該凹槽；其中該面板含有如請求項1中所述之鈦合金；其中該高爾夫球桿頭被加熱至一低於該面板的溶線溫度之溫度，並維持一預設之時間長度，然後在惰氣中冷卻；其中該面板包含一介於0.065與0.100英吋之間的最小厚度。
如請求項15所述之高爾夫球桿頭，其中該鈦合金包含介於0.1wt%與0.2wt%間的矽(Si)。
如請求項16所述之高爾夫球桿頭，其中該鈦合金包含0.15wt%或更少的氧(O)。
如請求項17所述之高爾夫球桿頭，其中該鈦合金包含0.08wt%或更少的碳(C)。
如請求項16所述之高爾夫球桿頭，其中該鈦合金包含一介於157ksi與170ksi之間的最小抗拉強度。
一種製作具有導熱填充物的磁性元件結構的方法，包含：<br/> 提供一個已裝有線圈的模具，其中該模具由一上模件與一第二磁芯所組成；<br/> 用導熱材料灌鑄該模具，形成一個包覆住至少一部分該線圈的導熱填充物；<br/> 將帶有該導熱填充物以及該線圈的該第二磁芯從該上模件上取下；以及<br/> 將帶有該線圈以及該導熱填充物的該第二磁芯與一第一磁芯組合，形成一具有至少一前開口及至少一後開口的磁性元件結構，該前開口與該後開口相對設置在該第一磁芯與該第二磁芯的兩側，使該導熱填充物在該前開口及該後開口處外露，該導熱填充物被至少局部地容納在該第一磁芯與該第二磁芯之間。
根據申請專利範圍第1項所述之製作具有導熱填充物的磁性元件結構的方法，其中該導熱材料不包覆該第一磁芯。
根據申請專利範圍第2項所述之製作具有導熱填充物的磁性元件結構的方法，其中該導熱材料灌鑄該模具的步驟包含，將該導熱填充物在該第二磁芯內的形狀順著該第二磁芯的內壁。
根據申請專利範圍第3項所述之製作具有導熱填充物的磁性元件結構的方法，其中該導熱材料灌鑄該模具的步驟包含，將包覆住至少一部分該線圈的該導熱填充物由該第二磁芯的組裝平面向上延伸出該第一磁芯的形狀相對於該第一磁芯的外形狀內縮且可容置於該第一磁芯的繞線空間中。
根據申請專利範圍第3項所述之製作具有導熱填充物的磁性元件結構的方法，其中該導熱材料灌鑄該模具的步驟包含，將該導熱填充物包覆住至少一部分的該第二磁芯的外表面。
根據申請專利範圍第3項所述之製作具有導熱填充物的磁性元件結構的方法，其中該導熱材料灌鑄該模具的步驟包含，將該導熱填充物不包覆住該第二磁芯與該第一磁芯的組裝面。
根據申請專利範圍第2項所述之製作具有導熱填充物的磁性元件結構的方法，還包含一繞線架組裝在該第二磁芯上，該線圈纏繞在該繞線架上，且至少一部分的該線圈被該導熱填充物包覆在該繞線架與該第二磁芯上。
根據申請專利範圍第7項所述之製作具有導熱填充物的磁性元件結構的方法，其中該繞線架更包含兩個側壁，其外型沿著該線圈的外側延伸。
根據申請專利範圍第1項所述之製作具有導熱填充物的磁性元件結構的方法，還包含一導熱介面材料介於該磁芯與該導熱填充物之間，其中該導熱介面材料的硬度小於該導熱填充物及該磁芯的硬度。
一種製作具有導熱填充物的磁性元件結構的方法，包含：<br/> 提供一個由一第一磁芯與一第二磁芯所組成的模具，一線圈組裝在該模具中，該第一磁芯與該第二磁芯組合形成至少一前開口及至少一後開口，該前開口與該後開口相對設置在該第一磁芯與該第二磁芯的兩側，在全部的該後開口暫時性地設置一封口組件封住該後開口，以形成該第一磁芯、該第二磁芯及該封口組件之間的一封閉空間且該線圈組裝在該封閉空間中；以及<br/> 用導熱材料從該前開口灌鑄入該模具的該第一磁芯、該第二磁芯及該封口組件之間的該封閉空間中，使該導熱材料包覆住至少一部分該線圈；<br/> 在該導熱材料固化後移除該封口組件，使該導熱材料在該前開口及該後開口處外露，形成一個包覆住至少一部分該線圈的該導熱填充物。
根據申請專利範圍第10項所述之製作具有導熱填充物的磁性元件結構的方法，其中該導熱材料灌鑄該模具的步驟包含，將該導熱填充物在該第一磁芯與該第二磁芯內的形狀順著該第一磁芯與該第二磁芯的內壁。
根據申請專利範圍第10項所述之製作具有導熱填充物的磁性元件結構的方法，其中該導熱材料灌鑄該模具的步驟包含，將該導熱材料由該第一磁芯與該第二磁芯的一開口向外延伸。
根據申請專利範圍第10項所述之製作具有導熱填充物的磁性元件結構的方法，還包含一繞線架組裝在該第一磁芯與該第二磁芯之間，該線圈纏繞在該繞線架上，且至少一部分的該線圈被該導熱填充物包覆在該繞線架與該第二磁芯上。
根據申請專利範圍第13項所述之製作具有導熱填充物的磁性元件結構的方法，其中該繞線架更包含兩個側壁，其外型沿著該線圈的外側延伸。
一種服務間互聯方法， <br/>藉由計算系統執行，其包括如下步驟： <br/>獲取第一使用者的第一服務的第一使用記錄和與該第一使用者的該第一服務不同的第二服務的第二使用記錄； <br/>利用獲取的該第一使用記錄和該第二使用記錄，確定重複執行的聯結行為的成立，其中，該聯結行為包括先前行為和該先前行為的後續行為，該先前行為是該第一服務的第一行為，該後續行為是該第二服務的第二行為，其中該第一服務是餐飲外送服務，該第二服務是視頻串流服務； <br/>將該聯結行為中至少一部分選擇為該第一使用者的偏好模式。
如請求項1所述之服務間互聯方法，其中， <br/>藉由安裝在該第一使用者的使用者終端的第一應用程式提供該第一服務， <br/>藉由安裝在該第一使用者的使用者終端的第二應用程式提供該第二服務， <br/>該第二應用程式是與該第一應用程式彼此獨立的應用程式。
如請求項1所述之服務間互聯方法，其中， <br/>在該獲取的步驟之前，還包括如下步驟：將包括在可聯結服務清單中的組的先前服務確定為該第一服務， 將包括在可聯結服務清單中的組的後續服務確定為該第二服務，其中該可聯結服務清單包括一個或多個預先註冊的先前服務和後續服務的組。
如請求項1所述之服務間互聯方法，其中， <br/>確定該聯結行為的成立的步驟包括如下步驟： <br/>識別根據該第一使用記錄的該第一行為的結束時刻和根據該第二使用記錄的該第二行為的開始時刻； <br/>判斷該開始時刻和該結束時刻是否滿足聯結行為成立條件； <br/>當該判斷的結果為滿足該聯結行為成立條件時，確定以該第一行為為該先前行為、以該第二行為為該後續行為的該聯結行為的成立。
如請求項4所述之服務間互聯方法，其中， <br/>當該結束時刻晚於該開始時刻時， <br/>該聯結行為成立條件成立。
如請求項5所述之服務間互聯方法，其中， <br/>當該第一服務和該第二服務屬於多個家族服務中預先指定的可並行的服務，且該開始時刻晚於該結束時刻時， <br/>該聯結行為成立條件成立。
如請求項4所述之服務間互聯方法，其中， <br/>當該開始時刻晚於該結束時刻，且該結束時刻與該開始時刻之間的時間間隔小於針對該第一服務預先指定的可聯結標準時間， <br/>且該第一服務與該第二服務的服務序列包括在預先定義的可聯結服務目錄中時， <br/>該聯結行為成立條件成立。
如請求項4所述之服務間互聯方法，其中， <br/>當該第一行為的第一目標對象的第一元資訊與該第二行為的第二目標對象的第二元資訊之間的相關性為標準值以上時， <br/>該聯結行為成立條件成立。
如請求項8所述之服務間互聯方法，其中， <br/>當該判斷的結果為滿足該聯結行為成立條件時，確定以該第一行為為該先前行為、以該第二行為為該後續行為的該聯結行為的成立的步驟包括如下步驟： <br/>利用該第一元資訊創建第一文本； <br/>獲取該第一文本的第一嵌入向量（embedding vector）； <br/>利用該第二元資訊創建第二文本； <br/>獲取該第二文本的第二嵌入向量； <br/>利用該第一嵌入向量與該第二嵌入向量之間的距離（distance），確定該第一元資訊與該第二元資訊之間的相關性；以及 <br/>當該相關性為該標準值以上時，確定以該第一行為為該先前行為、以該第二行為為該後續行為的該聯結行為的成立。
如請求項1所述之服務間互聯方法，其中， <br/>選擇為該偏好模式的步驟包括如下步驟： <br/>將該聯結行為中，行為發生時的上下文資訊一致性超過第一標準值的聯結行為確定為該第一使用者的偏好模式。
如請求項1所述之服務間互聯方法，其中， <br/>選擇為該偏好模式的步驟包括如下步驟： <br/>將該聯結行為中，行為發生週期的變化小於第二標準值的聯結行為確定為該第一使用者的偏好模式。
如請求項1所述之服務間互聯方法，其中， <br/>選擇為該偏好模式的步驟包括如下步驟： <br/>將該聯結行為中，行為發生之間的最長時間間隔小於第三標準值的聯結行為確定為該第一使用者的偏好模式。
如請求項1所述之服務間互聯方法，其中， <br/>該偏好模式包括該第一服務的第一行為作為先前行為，包括該第二服務的第二行為作為後續行為， <br/>還包括如下步驟：向該第一使用者的使用者終端發送後續行為的建議資料，以在該第一使用者的使用者終端顯示包括第二服務的第二行為的建議顯示對象的該第一行為的結束提示畫面。
如請求項13所述之服務間互聯方法，其中， <br/>藉由安裝在該第一使用者的使用者終端的第一應用程式提供該第一服務， <br/>藉由安裝在該第一使用者的使用者終端的第二應用程式提供該第二服務， <br/>該第二應用程式是與該第一應用程式彼此獨立的應用程式， <br/>該顯示對象是用於運行該第二應用程式和移動至與該第二應用程式的該第二行為相關的畫面的深層連結（deep link）。
如請求項1所述之服務間互聯方法，其中， <br/>藉由安裝在該第一使用者的使用者終端的第一應用程式提供該第一服務， <br/>藉由安裝在該第一使用者的使用者終端的第二應用程式提供該第二服務， <br/>該第二應用程式是與該第一應用程式彼此獨立的應用程式， <br/>還包括如下步驟：檢測該第一行為的行為結束； <br/>檢測到該第一行為的行為結束後，發送第二應用程式的應用程式推送消息(APP PUSH) ，其中，該應用程式推送消息包括用於移動至與該第二應用程式的該第二行為相關的畫面的深層連結(deep link)。
如請求項1所述之服務間互聯方法，其中， <br/>藉由安裝在該第一使用者的使用者終端的第一應用程式提供該第一服務， <br/>藉由安裝在該第一使用者的使用者終端的第二應用程式提供該第二服務， <br/>該第二應用程式是與該第一應用程式彼此獨立的應用程式， <br/>還包括如下步驟：檢測該第一行為的行為結束； <br/>檢測到該第一行為的行為結束後, 向該第一使用者的使用者終端的第二應用程式，發送包括用於引導移動至與該第二行為相關的畫面的深層連結（deep link)的消息，從而使該第二應用程式顯示未讀消息數計數器(unread counter)。
如請求項1所述之服務間互聯方法，其中， <br/>藉由安裝在該第一使用者的使用者終端的第一應用程式提供該第一服務， <br/>藉由安裝在該第一使用者的使用者終端的第二應用程式提供該第二服務， <br/>該第二應用程式是與該第一應用程式彼此獨立的應用程式， <br/>該使用者終端的主螢幕安裝有包括該第一應用程式和該第二應用程式的多個家族應用程式的快捷微件， <br/>還包括如下步驟：檢測該第一行為的行為結束； <br/>檢測到該第一行為的行為結束後，向該第一使用者的使用者終端的該快捷微件，發送指示該第二行為的建議的消息，從而刷新（refresh）該快捷微件的畫面以顯示指示該第二行為的建議的圖形對象。
如請求項1所述之服務間互聯方法，其中， <br/>藉由安裝在該第一使用者的使用者終端的第一應用程式提供該第一服務， <br/>藉由安裝在該第一使用者的使用者終端的第二應用程式提供該第二服務， <br/>該第二應用程式是與該第一應用程式彼此獨立的應用程式， <br/>還包括如下步驟：利用獲取的該第一使用記錄和第二使用記錄，確定發生該偏好模式時的上下文資訊（context information）； <br/>當發生與該偏好模式的上下文資訊對應的上下文(context)時，向該第一應用程式發送建議執行該偏好模式的推送消息。
如請求項1所述之服務間互聯方法，其中， <br/>藉由安裝在該第一使用者的使用者終端的第一應用程式提供該第一服務， <br/>藉由安裝在該第一使用者的使用者終端的第二應用程式提供該第二服務， <br/>該第二應用程式是與該第一應用程式彼此獨立的應用程式， <br/>還包括如下步驟：利用獲取的該第一使用記錄和第二使用記錄，確定發生該偏好模式時的上下文資訊（context information）； <br/>當發生與該偏好模式的上下文資訊對應的上下文(context)時, 向該第一應用程式，發送包括用於引導移動至與該第一行為相關的畫面的深層連結（deep link)的消息，從而使該第一應用程式顯示未讀消息數計數器(unread counter)。
如請求項1所述之服務間互聯方法，其中， <br/>藉由安裝在該第一使用者的使用者終端的第一應用程式提供該第一服務， <br/>藉由安裝在該第一使用者的使用者終端的第二應用程式提供該第二服務， <br/>該第二應用程式是與該第一應用程式彼此獨立的應用程式， <br/>該使用者終端的主螢幕安裝有包括該第一應用程式和該第二應用程式的多個家族應用程式的快捷微件， <br/>還包括如下步驟：利用獲取的該第一使用記錄和第二使用記錄，確定發生該偏好模式時的上下文資訊（context information）； <br/>當發生與該偏好模式的上下文資訊對應的上下文(context)時, 向該第一使用者的使用者終端的該快捷微件，發送指示建議連續執行該第一行為和該第二行為的建議的消息，從而刷新（refresh）該快捷微件的畫面以顯示指示該偏好模式的建議的圖形對象。
如請求項1所述之服務間互聯方法，其中， <br/>該偏好模式包括該第一服務的第一行為作為先前行為，包括該第二服務的第二行為作為後續行為， <br/>還包括如下步驟：當第二服務伺服器的可用資源量超過標準值時，執行向結束該第一行為的該第一使用者發送顯示該第二服務的第二行為的建議的建議資料的操作。
一種服務間互聯方法 <br/>藉由計算系統執行，其包括如下步驟： <br/>獲取與第一使用者對應的偏好模式的資訊，該偏好模式包括重複執行的聯結行為，該聯結行為包括先前行為和該先前行為的後續行為，該先前行為是第一服務的第一行為，該後續行為是第二服務的第二行為，其中該第一服務是餐飲外送服務，該第二服務是視頻串流服務； <br/>向第二使用者的使用者終端發送後續行為的建議資料，以在該第二使用者的使用者終端顯示包括第二服務的第二行為的建議顯示對象的該第一行為的結束提示畫面。
如請求項22所述之服務間互聯方法，其中， <br/>該第二使用者是關注（follow）該第一使用者的使用者。
一種服務間互聯方法 <br/>藉由計算系統執行，其包括如下步驟： <br/>獲取聯結目標服務清單，該聯結目標服務清單包括重複執行的聯結行為，該聯結行為包括一個或多個預先註冊的先前服務的先前行為和後續服務的後續行為的組，其中該先前服務是餐飲外送服務，該後續服務是視頻串流服務； <br/>檢測第一使用者的該聯結目標服務清單中任一組的先前行為的行為結束；以及 <br/>向該第一使用者的使用者終端發送後續行為的建議資料，以在該第一使用者的使用者終端顯示包括後續服務的後續行為的建議顯示對象的該先前行為的結束提示畫面。
一種形成半導體裝置的方法，包括：<br/>在第一基底之上形成第一介電層，所述第一介電層中具有第一金屬化圖案；<br/>在所述第一介電層之上形成第一經圖案化罩幕；<br/>使用所述第一經圖案化罩幕作為罩幕實行蝕刻製程，所述蝕刻製程形成穿過所述第一介電層且部分地穿過所述第一基底的第三開口；<br/>在所述第三開口中形成襯墊；<br/>利用導電材料填充所述第三開口；<br/>對所述第一基底進行薄化以暴露出所述第三開口中的所述導電材料的一部分，延伸穿過所述第一介電層及所述第一基底的所述導電材料形成基底穿孔；<br/>在所述第一介電層及所述第一金屬化圖案之上形成第二介電層；<br/>在所述第二介電層之上形成延伸至所述第二介電層中的犧牲墊，所述犧牲墊電性耦合至所述第一金屬化圖案中的第一導電特徵；<br/>對所述犧牲墊實行電路探針測試；以及<br/>在實行所述電路探針測試之後，實行蝕刻製程，所述蝕刻製程移除所述犧牲墊。
如請求項1所述的方法，更包括：<br/>在移除所述犧牲墊之後，在所述第二介電層及所述第一導電特徵之上的第三介電層中形成第一結合通孔，所述第一結合通孔電性耦合至所述第一金屬化圖案中的所述第一導電特徵；以及<br/>在所述第一結合通孔及所述第三介電層之上的第四介電層中形成第一結合墊，所述第一結合墊電性耦合至所述第一結合通孔。
如請求項2所述的方法，其中所述第三介電層在實體上接觸所述第一導電特徵。
如請求項2所述的方法，其中所述犧牲墊延伸至所述第二介電層的第一開口中，以在實體上接觸所述第一導電特徵，其中所述第一結合通孔延伸至所述第二介電層的第二開口中，以在實體上接觸所述第一導電特徵。
如請求項4所述的方法，其中所述第二開口位於所述第一開口內。
如請求項1所述的方法，形成所述犧牲墊包括：<br/>在所述第二介電層之上沈積延伸穿過所述第二介電層的晶種層；以及<br/>在所述晶種層上鍍覆焊料材料。
一種形成半導體裝置的方法，包括：<br/>在第一基底之上形成第一內連線結構，所述第一內連線結構中包括介電層及金屬化圖案，所述金屬化圖案包括包含頂部金屬結構的頂部金屬層；<br/>在所述第一內連線結構的所述頂部金屬結構之上形成鈍化層；<br/>形成穿過所述鈍化層的第一開口，所述頂部金屬結構中的第一頂部金屬結構藉由所述第一開口暴露出；<br/>在所述第一開口中及所述鈍化層之上形成探針墊，所述探針墊電性連接至所述第一頂部金屬結構；<br/>對所述探針墊實行電路探針測試；<br/>在實行所述電路探針測試之後，移除所述探針墊；以及<br/>在移除所述探針墊之後，在所述鈍化層之上的介電層中形成結合墊及結合通孔，所述結合墊及所述結合通孔電性耦合至所述頂部金屬結構中的所述第一頂部金屬結構。
如請求項7所述的方法，其中在所述鈍化層之上的所述介電層中形成所述結合墊及所述結合通孔包括：<br/>在所述鈍化層之上形成第一介電層；<br/>在所述第一介電層上形成第二介電層；<br/>對所述第一介電層及所述第二介電層進行圖案化，以暴露出所述頂部金屬結構中的所述第一頂部金屬結構及第二頂部金屬結構；<br/>在所述第一頂部金屬結構及所述第二頂部金屬結構之上及所述第一介電層中形成所述結合通孔，所述結合通孔電性耦合至所述第一頂部金屬結構及所述第二頂部金屬結構；以及<br/>在所述結合通孔之上及所述第二介電層中形成第一結合墊，所述第一結合墊電性耦合至所述結合通孔。
如請求項8所述的方法，更包括：<br/>將所述第二介電層及所述第一結合墊直接結合至封裝結構的第三介電層及第二結合墊，所述封裝結構包括第二基底及位於所述第二基底之上的第二內連線結構，所述第三介電層及所述第二結合墊是所述第二內連線結構的一部分。
一種半導體裝置結構，包括：<br/>第一內連線結構，位於第一基底之上，所述第一內連線結構中包括介電層及金屬化圖案；<br/>基底穿孔，延伸穿過所述第一內連線結構及所述第一基底；<br/>第一頂部金屬結構及第二頂部金屬結構，位於所述第一內連線結構之上的第一介電層中；<br/>第二介電層，位於所述第二頂部金屬結構之上且部分地位於所述第一頂部金屬結構之上；<br/>第三介電層，位於所述第二介電層之上，所述第三介電層延伸穿過所述第二介電層以在實體上接觸所述第一頂部金屬結構；<br/>第一結合通孔，在所述第一頂部金屬結構之上位於所述第二介電層及所述第三介電層中，所述第一結合通孔電性耦合至所述第一頂部金屬結構；<br/>第一結合墊，位於所述第一結合通孔之上的第四介電層中，所述第一結合墊電性耦合至所述第一結合通孔；<br/>第二結合通孔，在所述第二頂部金屬結構之上位於所述第二介電層及所述第三介電層中，所述第二結合通孔電性耦合至所述第二頂部金屬結構；以及<br/>第二結合墊，位於所述第二結合通孔之上的所述第四介電層中，所述第二結合墊電性耦合至所述第二結合通孔。
一種記憶體操作方法，用於記憶體儲存裝置，其中該記憶體儲存裝置包括可複寫式非揮發性記憶體模組，該可複寫式非揮發性記憶體模組包括多個實體單元，且該記憶體操作方法包括：<br/> 從主機系統接收啟動請求；<br/> 根據該啟動請求啟動第一操作模式；<br/> 從該主機系統接收第一資料；<br/> 將該第一資料儲存至該多個實體單元中的第一實體單元，其中該第一實體單元映射至第一邏輯單元；<br/> 在該第一操作模式中，根據該第一資料及儲存於該多個實體單元中的第二實體單元的第二資料執行目標運算以獲得第三資料，其中該第三資料不同於該第一資料；<br/> 將該第三資料儲存至該多個實體單元中的第三實體單元，其中該第三實體單元也映射至該第一邏輯單元；以及<br/> 將該第三資料傳送給該主機系統。
如請求項1所述的記憶體操作方法，其中根據該第一資料及儲存於該多個實體單元中的該第二實體單元的該第二資料執行該目標運算以獲得該第三資料的步驟包括：<br/> 在該目標運算中，根據該第一資料與該第二資料將目標資料更新為該第三資料。
如請求項2所述的記憶體操作方法，更包括：<br/> 從該主機系統接收第四資料；以及<br/> 在該第一操作模式中，根據該第四資料及儲存於該第三實體單元的該第三資料執行該目標運算以將該目標資料更新為第五資料。
如請求項1所述的記憶體操作方法，其中該第二實體單元也映射至該第一邏輯單元。
如請求項1所述的記憶體操作方法，其中該第二實體單元映射至第二邏輯單元，該第一邏輯單元不同於該第二邏輯單元，且該第一邏輯單元與該第二邏輯單元之間存在關聯。
如請求項1所述的記憶體操作方法，更包括：<br/> 將第一映射資訊記錄於第一映射表格，其中該第一映射資訊反映該第一邏輯單元與該第一實體單元之間的映射關係；以及<br/> 將第二映射資訊記錄於第二映射表格，其中該第二映射資訊反映該第一邏輯單元與該第二實體單元之間的映射關係，且該第一映射表格不同於該第二映射表格。
如請求項6所述的記憶體操作方法，更包括：<br/> 響應於該第三資料儲存至該第三實體單元，更新記錄於該第一映射表格的該第一映射資訊，其中更新後的該第一映射資訊反映該第一邏輯單元與該第三實體單元之間的映射關係。
如請求項1所述的記憶體操作方法，更包括：<br/> 在完成該目標運算以獲得該第三資料之前，禁止讀取該第三實體單元。
如請求項1所述的記憶體操作方法，更包括：<br/> 根據該第一資料所屬的該第一邏輯單元決定是否啟動該第一操作模式。
如請求項1所述的記憶體操作方法，其中該目標運算用以輔助該主機系統中的人工智慧模型執行資料更新。
如請求項1所述的記憶體操作方法，更包括：<br/> 從該主機系統接收寫入指令，其中該寫入指令用以寫入該第一資料至該第一邏輯單元；<br/> 從該主機系統接收讀取指令，其中該讀取指令用以讀取該第一邏輯單元；以及<br/> 傳送該第三資料至該主機系統，以回應該讀取指令。
如請求項1所述的記憶體操作方法，更包括：<br/> 在執行該目標運算之前，與該主機系統執行交握操作；以及<br/> 在該交握操作中，執行與該目標運算有關的初始化設定。
如請求項12所述的記憶體操作方法，其中該交握操作包括：<br/> 從該主機系統接收詢問指令，其中該詢問指令用以確認該記憶體儲存裝置支援人工智慧模型的輔助運算之能力；以及<br/> 發送回覆訊息至該主機系統，其中該回覆訊息用以說明該記憶體儲存裝置支援該人工智慧模型的該輔助運算之能力。
一種記憶體儲存裝置，包括：<br/> 連接介面單元，用以耦接至主機系統；<br/> 可複寫式非揮發性記憶體模組，其包括多個實體單元；以及<br/> 記憶體控制電路單元，耦接至該連接介面單元與該可複寫式非揮發性記憶體模組，<br/> 其中該記憶體控制電路單元用以：<br/> 從該主機系統接收啟動請求；<br/> 根據該啟動請求啟動第一操作模式；<br/> 從該主機系統接收第一資料；<br/> 將該第一資料儲存至該多個實體單元中的第一實體單元，其中該第一實體單元映射至第一邏輯單元；<br/> 在該第一操作模式中，根據該第一資料及儲存於該多個實體單元中的第二實體單元的第二資料執行目標運算以獲得第三資料，其中該第三資料不同於該第一資料；<br/> 將該第三資料儲存至該多個實體單元中的第三實體單元，其中該第三實體單元也映射至該第一邏輯單元；以及<br/> 將該第三資料傳送給該主機系統。
如請求項14所述的記憶體儲存裝置，其中該記憶體控制電路單元根據該第一資料及儲存於該多個實體單元中的該第二實體單元的該第二資料執行該目標運算以獲得該第三資料的操作包括：<br/> 在該目標運算中，根據該第一資料與該第二資料將目標資料更新為該第三資料。
如請求項15所述的記憶體儲存裝置，其中該記憶體控制電路單元更用以：<br/> 從該主機系統接收第四資料；以及<br/> 在該第一操作模式中，根據該第四資料及儲存於該第三實體單元的該第三資料執行該目標運算以將該目標資料更新為第五資料。
如請求項14所述的記憶體儲存裝置，其中該第二實體單元也映射至該第一邏輯單元。
如請求項14所述的記憶體儲存裝置，其中該第二實體單元映射至第二邏輯單元，該第一邏輯單元不同於該第二邏輯單元，且該第一邏輯單元與該第二邏輯單元之間存在關聯。
如請求項14所述的記憶體儲存裝置，其中該記憶體控制電路單元更用以：<br/> 將第一映射資訊記錄於第一映射表格，其中該第一映射資訊反映該第一邏輯單元與該第一實體單元之間的映射關係；以及<br/> 將第二映射資訊記錄於第二映射表格，其中該第二映射資訊反映該第一邏輯單元與該第二實體單元之間的映射關係，且該第一映射表格不同於該第二映射表格。
如請求項19所述的記憶體儲存裝置，其中該記憶體控制電路單元更用以：<br/> 響應於該第三資料儲存至該第三實體單元，更新記錄於該第一映射表格的該第一映射資訊，其中更新後的該第一映射資訊反映該第一邏輯單元與該第三實體單元之間的映射關係。
如請求項14所述的記憶體儲存裝置，其中該記憶體控制電路單元更用以：<br/> 在完成該目標運算以獲得該第三資料之前，禁止讀取該第三實體單元。
如請求項14所述的記憶體儲存裝置，其中該記憶體控制電路單元更用以：<br/> 根據該第一資料所屬的該第一邏輯單元決定是否啟動該第一操作模式。
如請求項14所述的記憶體儲存裝置，其中該目標運算用以輔助該主機系統中的人工智慧模型執行資料更新。
如請求項14所述的記憶體儲存裝置，其中該記憶體控制電路單元更用以：<br/> 從該主機系統接收寫入指令，其中該寫入指令用以寫入該第一資料至該第一邏輯單元；<br/> 從該主機系統接收讀取指令，其中該讀取指令用以讀取該第一邏輯單元；以及<br/> 傳送該第三資料至該主機系統，以回應該讀取指令。
如請求項14所述的記憶體儲存裝置，其中該記憶體控制電路單元更用以：<br/> 在執行該目標運算之前，與該主機系統執行交握操作；以及<br/> 在該交握操作中，執行與該目標運算有關的初始化設定。
如請求項25所述的記憶體儲存裝置，其中該交握操作包括：<br/> 從該主機系統接收詢問指令，其中該詢問指令用以確認該記憶體儲存裝置支援人工智慧模型的輔助運算之能力；以及<br/> 發送回覆訊息至該主機系統，其中該回覆訊息用以說明該記憶體儲存裝置支援該人工智慧模型的該輔助運算之能力。
一種記憶體控制電路單元，用以控制可複寫式非揮發性記憶體模組，該可複寫式非揮發性記憶體模組包括多個實體單元，且記憶體控制電路單元包括：<br/> 主機介面，用以耦接至主機系統；<br/> 記憶體介面，用以耦接至該可複寫式非揮發性記憶體模組；以及<br/> 記憶體管理電路，耦接至該主機介面與該記憶體介面，<br/> 其中該記憶體管理電路用以：<br/> 從該主機系統接收啟動請求；<br/> 根據該啟動請求啟動第一操作模式；<br/> 從該主機系統接收第一資料；<br/> 將該第一資料儲存至該多個實體單元中的第一實體單元，其中該第一實體單元映射至第一邏輯單元；<br/> 在該第一操作模式中，根據該第一資料及儲存於該多個實體單元中的第二實體單元的第二資料執行目標運算以獲得第三資料，其中該第三資料不同於該第一資料；<br/> 將該第三資料儲存至該多個實體單元中的第三實體單元，其中該第三實體單元也映射至該第一邏輯單元；以及<br/> 將該第三資料傳送給該主機系統。
如請求項27所述的記憶體控制電路單元，其中該記憶體管理電路根據該第一資料及儲存於該多個實體單元中的該第二實體單元的該第二資料執行該目標運算以獲得該第三資料的操作包括：<br/> 在該目標運算中，根據該第一資料與該第二資料將目標資料更新為該第三資料。
如請求項28所述的記憶體控制電路單元，其中該記憶體管理電路更用以：<br/> 從該主機系統接收第四資料；以及<br/> 在該第一操作模式中，根據該第四資料及儲存於該第三實體單元的該第三資料執行該目標運算以將該目標資料更新為第五資料。
如請求項27所述的記憶體控制電路單元，其中該第二實體單元也映射至該第一邏輯單元。
如請求項27所述的記憶體控制電路單元，其中該第二實體單元映射至第二邏輯單元，該第一邏輯單元不同於該第二邏輯單元，且該第一邏輯單元與該第二邏輯單元之間存在關聯。
如請求項27所述的記憶體控制電路單元，其中該記憶體管理電路更用以：<br/> 將第一映射資訊記錄於第一映射表格，其中該第一映射資訊反映該第一邏輯單元與該第一實體單元之間的映射關係；以及<br/> 將第二映射資訊記錄於第二映射表格，其中該第二映射資訊反映該第一邏輯單元與該第二實體單元之間的映射關係，且該第一映射表格不同於該第二映射表格。
如請求項32所述的記憶體控制電路單元，其中該記憶體管理電路更用以：<br/> 響應於該第三資料儲存至該第三實體單元，更新記錄於該第一映射表格的該第一映射資訊，其中更新後的該第一映射資訊反映該第一邏輯單元與該第三實體單元之間的映射關係。
如請求項27所述的記憶體控制電路單元，其中該記憶體管理電路更用以：<br/> 在完成該目標運算以獲得該第三資料之前，禁止讀取該第三實體單元。
如請求項27所述的記憶體控制電路單元，其中該記憶體管理電路更用以：<br/> 根據該第一資料所屬的該第一邏輯單元決定是否啟動該第一操作模式。
如請求項27所述的記憶體控制電路單元，其中該目標運算用以輔助該主機系統中的人工智慧模型執行資料更新。
如請求項27所述的記憶體控制電路單元，其中該記憶體管理電路更用以：<br/> 從該主機系統接收寫入指令，其中該寫入指令用以寫入該第一資料至該第一邏輯單元；<br/> 從該主機系統接收讀取指令，其中該讀取指令用以讀取該第一邏輯單元；以及<br/> 傳送該第三資料至該主機系統，以回應該讀取指令。
如請求項27所述的記憶體控制電路單元，其中該記憶體管理電路更用以：<br/> 在執行該目標運算之前，與該主機系統執行交握操作；以及<br/> 在該交握操作中，執行與該目標運算有關的初始化設定。
如請求項38所述的記憶體控制電路單元，其中該交握操作包括：<br/> 從該主機系統接收詢問指令，其中該詢問指令用以確認該記憶體控制電路單元支援人工智慧模型的輔助運算之能力；以及<br/> 發送回覆訊息至該主機系統，其中該回覆訊息用以說明該記憶體控制電路單元支援該人工智慧模型的該輔助運算之能力。
一種聚合物，包含(甲基)丙烯酸烷基酯單元、下式1的單元及下式2的單元，且相對於100重量份的所述(甲基)丙烯酸烷基酯單元，所述聚合物以20重量份至120重量份的量包含所述式1的單元，以及相對於100重量份的所述(甲基)丙烯酸烷基酯單元，以0.1重量份至20重量份的量包含所述式2的單元：<br/> [式1]<br/><img align="absmiddle" height="150px" width="80px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中，L為伸烷基或亞烷基，R為氫原子或烷基，且R<sub>1</sub>至R<sub>3</sub>為烷基；<br/> [式2]<br/><img align="absmiddle" height="196px" width="132px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中，L<sub>1</sub>為伸烷基或亞烷基，R<sub>12</sub>為氫原子或烷基，且R<sub>10</sub>及R<sub>11</sub>各自獨立地為烷基，<br/> 其中，所述式2的單元為所述式1的單元的前驅物。
如請求項1所述的聚合物，以30重量%至80重量%的比率包含所述(甲基)丙烯酸烷基酯單元。
如請求項1所述的聚合物，其中所述式1的單元的重量（A）對所述式2的單元的重量（B）的比率（A/B）介於0.5至20的範圍內。
如請求項1所述的聚合物，具有200,000克/莫耳或小於200,000克/莫耳的重量平均分子量。
一種可交聯組成物，包含：<br/> 可交聯聚合物；以及<br/> 如請求項1所述的聚合物，作為離子性聚合物。
如請求項5所述的可交聯組成物，相對於100重量份的所述可交聯聚合物，包含1重量份至60重量份的所述離子性聚合物。
如請求項5所述的可交聯組成物，其中所述可交聯聚合物包含(甲基)丙烯酸烷基酯單元。
如請求項7所述的可交聯組成物，其中所述可交聯聚合物更包含下式3的單元：<br/> [式3]<br/><img align="absmiddle" height="103px" width="73px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中，R<sub>4</sub>、R<sub>5</sub>、R<sub>8</sub>及R<sub>9</sub>各自獨立地為碳原子或羰基，R<sub>6</sub>為碳原子或氧原子或者不存在，且R<sub>4</sub>與R<sub>5</sub>之間的鍵以及R<sub>8</sub>與R<sub>9</sub>之間的鍵各自獨立地為單鍵或雙鍵。
如請求項8所述的可交聯組成物，其中在式3中，R<sub>4</sub>、R<sub>5</sub>、R<sub>8</sub>及R<sub>9</sub>各自獨立地為碳原子或羰基，R<sub>6</sub>為碳原子或者不存在，且R<sub>4</sub>與R<sub>5</sub>之間的所述鍵以及R<sub>8</sub>與R<sub>9</sub>之間的所述鍵各自獨立地為單鍵或雙鍵，但R<sub>4</sub>、R<sub>5</sub>、R<sub>8</sub>及R<sub>9</sub>中的至少一者為羰基。
如請求項8所述的可交聯組成物，其中相對於100重量份的所述(甲基)丙烯酸烷基酯單元，所述可交聯聚合物以0.5重量份至20重量份的量包含所述式3的單元。
如請求項7所述的可交聯組成物，其中所述可交聯聚合物更包含含極性基團單元。
如請求項11所述的可交聯組成物，其中相對於100重量份的所述(甲基)丙烯酸烷基酯單元，所述可交聯聚合物以1重量份至30重量份的量包含所述含極性基團單元。
如請求項5所述的可交聯組成物，更包含交聯劑及交聯阻滯劑。
如請求項13所述的可交聯組成物，其中相對於總計100重量份的所述可交聯聚合物與所述離子性聚合物，以0.01重量份至10重量份的比率包含所述交聯劑，且相對於總計100重量份的所述可交聯聚合物與所述離子性聚合物，以0.1重量份至10重量份的量包含所述交聯阻滯劑，且所述交聯阻滯劑的重量（A）對所述交聯劑的重量（B）的比率（A/B）介於0.5至30的範圍內。
一種用於製備如請求項5所述的可交聯組成物的方法，包括：<br/> 對可交聯聚合物與離子性聚合物進行混合的步驟，其中<br/> 所述離子性聚合物是藉由包括以下步驟的方法來生產：<br/> 使包含(甲基)丙烯酸烷基酯的單體混合物與下式4的化合物發生反應以獲得聚合物；以及<br/> 使所述聚合物與鹵烷發生反應：<br/> [式4]<br/><img align="absmiddle" height="67px" width="126px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中，L<sub>1</sub>為伸烷基或亞烷基，R<sub>12</sub>為氫原子或烷基，且R<sub>10</sub>及R<sub>11</sub>各自獨立地為烷基。
如請求項15所述的用於製備如請求項5所述的可交聯組成物的方法，其中用於生產所述聚合物的所述單體混合物的所述反應是溶液聚合反應。
一種疊層體，包括：<br/> 電子基板；以及<br/> 如請求項5所述的可交聯組成物或所述可交聯組成物的交聯產物，貼合至所述電子基板的一側或兩側。
一種有機發光二極體裝置，包括：<br/> 有機發光二極體面板；以及<br/> 如請求項5所述的可交聯組成物或所述可交聯組成物的交聯產物，貼合至所述有機發光二極體面板的一側或兩側。
一種處理腔室，包括：<br/> 具有側壁及一底部的一腔室主體；<br/> 該腔室主體上的一蓋，封閉一處理容積；及<br/> 至少一個貯氣器，其透過一快速開關閥及一貯氣器管線連接到該蓋並與該蓋流體連通，<br/> 其中有兩個貯存器。
如請求項1所述的處理腔室，其中該兩個貯存器包含不同的蝕刻劑。
如請求項2所述的處理腔室，其中該等貯存器中的每一個包括一反應物與載氣的一預定混合物。
如請求項1所述的處理腔室，其中該至少一個貯氣器具有大於或等於100 cc的一容積。
如請求項1所述的處理腔室，其中該至少一個貯氣器具有足以在小於或等於3秒的一脈衝期間維持前往該處理容積的一恆定高位準蝕刻劑的一容積。
如請求項1所述的處理腔室，其中每個貯氣器管線的一長度小於或等於20 cm。
如請求項1所述的處理腔室，進一步包括連接到該處理腔室的一氣箱，該氣箱被配置為向與每個該等貯氣器管線中的每一個分離的該處理容積提供一處理氣體流。
一種用於選擇性蝕刻一基板的方法，該方法包括以下步驟：<br/> 將一處理腔室的一處理容積中的一基板曝露於來自一處理腔室蓋上的至少一個貯氣器的至少一種蝕刻氣體的一流中達一蝕刻時間，該基板具有一第一材料及一第二材料，該至少一個貯氣器透過一快速開關閥連接到該處理腔室蓋，該至少一種蝕刻氣體相對於該第二材料選擇性地從該第一材料蝕刻一第三材料；及<br/> 淨化該處理容積的該蝕刻氣體，<br/> 其中有兩個貯氣器。
如請求項8所述的方法，其中該蝕刻時間小於或等於3秒。
如請求項8所述的方法，其中該至少一個貯氣器位於距該處理容積的一最小距離內，以確保一蝕刻週期小於3秒。
如請求項8所述的方法，其中該至少一個貯氣器具有大於或等於100 cc的一容積。
如請求項8所述的方法，其中該兩個貯氣器包括不同的蝕刻劑。
如請求項12所述的方法，其中該蝕刻氣體包括分別從該兩個貯氣器流入該處理腔室的兩種蝕刻劑的一混合物。
如請求項12所述的方法，其中該等貯氣器中的每一個包括一反應物與載氣的一預定混合物。
如請求項12所述的方法，其中每個貯氣器管線的一長度小於或等於20 cm。
如請求項12所述的方法，進一步包括以下步驟：將一處理氣體流從連接到該處理腔室的一氣箱提供到該處理腔室的該處理容積中，該氣箱被配置為將該處理氣體流提供到與該等貯氣器管線中的每一個分離的該處理容積。
一種處理腔室，包括：<br/> 具有側壁及一底部的一腔室主體；<br/> 該腔室主體上的一蓋，封閉一處理容積；<br/> 在該腔室主體或該蓋的一或更多個中的一處理氣體入口，其被配置為將一處理氣體流提供到該處理容積中；<br/> 一第一貯氣器，其透過一快速開關閥及一第一貯氣器管線連接到該蓋並與該蓋流體連通，該第一貯氣器具有包括一蝕刻劑與一載氣的一預定混合物的一第一蝕刻氣體；及<br/> 一第二貯氣器，其透過該快速開關閥及一第二貯氣器管線連接到該蓋並與該蓋流體連通，該第二貯氣器具有包括一蝕刻劑與一載氣的一預定混合物的一第二蝕刻氣體，<br/> 其中該第一貯氣器及該第二貯氣器中的每一個具有足以在小於或等於3秒的一脈衝期間維持前往該處理容積的一恆定高位準蝕刻劑的一容積。
如請求項17所述的處理腔室，進一步包括一控制器，該控制器被配置為控制來自該第一貯氣器的一氣流、來自該第二貯氣器的一氣流、透過該處理氣體入口及該快速開關閥的一氣流。
一種電子裝置，包含：<br/> 一基板；<br/> 至少一資料線，設置在該基板上且用以傳輸數據資料；以及<br/> 至少一畫素電路，設置在該基板上，包括：<br/> 一記憶元件；<br/> 一電容，電連接該記憶元件；<br/> 一第一開關元件，其中該第一開關元件的一端電連接該資料線；<br/> 一第二開關元件，電連接於該第一開關元件與該記憶元件之間；以及<br/> 一第三開關元件，電連接於該第一開關元件與該電容之間，<br/> 其中，當該第二開關元件開啟，該數據資料傳輸至該記憶元件；當該第三開關元件開啟，該數據資料傳輸至該電容的其中一端；<br/> 其中，該記憶元件包括一第四開關元件、一第五開關元件、一第六開關元件及一第七開關元件，該第四開關元件及該第五開關元件連接於一節點，該第四開關元件連接於一第一訊號及該節點之間，該第五開關元件連接於一第二訊號及該節點之間，該第六開關元件電連接於該節點與該電容之間，該第七開關元件電連接於該資料線與該電容之間以及電連接於該資料線與該第六開關元件之間。
如請求項1所述之電子裝置，其中更包含至少一掃描線設置於該基板上且與該資料線交錯設置。
如請求項2所述之電子裝置，其中該第一開關元件的控制端電連接該掃描線。
如請求項1所述之電子裝置，其中該記憶元件開啟該第四開關元件且斷開該第五開關元件，使該第一訊號傳輸至該節點。
如請求項1所述之電子裝置，其中該記憶元件開啟該第五開關元件且斷開該第四開關元件，使該第二訊號傳輸至該節點。
如請求項1所述之電子裝置，其中該第六開關元件電連接於該節點與該第三開關元件之間。
如請求項1所述之電子裝置，其中該記憶元件包括第一反相器以及第二反相器，其中該第一反相器的輸出端連接該第二反相器的輸入端以及該第二反相器的輸出端連接該第一反相器的輸入端。
一種單核苷酸變異的基因檢測方法，包括：(a)提供一待測樣本，其中該待測樣本含有欲檢測的一目標基因序列，其中該目標基因序列為一野生型核苷酸序列、一單核苷酸變異序列或是包含上述兩者；(b)加入一特異性引子對進行一基因擴增反應，產生一擴增產物，其中該擴增產物包括該目標基因序列且該擴增產物一端具有一可合成銅奈米團簇之序列以及另一端具有生物素之修飾，其中該可合成銅奈米團簇之序列為一AT重複序列、一AAT重複序列或是一ATT重複序列；(c)將一限制酶與該擴增產物進行水解反應，產生一水解產物以及一未水解之擴增產物；其中該限制酶只能水解該野生型核苷酸序列或該單核苷酸變異序列之一；其中該水解產物包括一具有該可合成銅奈米團簇序列之水解片段以及一具有生物素修飾之水解片段；(d)加入鏈霉親和素包覆的磁珠，將該未水解之擴增產物以及該具有生物素修飾之水解片段以磁鐵進行沉澱，得到一上清液；(e)於該上清溶液中進行銅奈米簇合成反應，其中當該上清液中含有該具有該可合成銅奈米團簇序列之水解片段越多則有越多的雙股DNA模板的銅奈米簇產生；以及(f)進行一結果判讀，透過確認雙股DNA模板的銅奈米簇的多寡可判定該目標基因序列表現的情況。
如請求項1所述之方法，其中該基因擴增反應為重組酶聚合酶擴增。
如請求項1所述之方法，其中該基因擴增反應為聚合酶連鎖反應。
如請求項1所述之方法，其中該特異性引子對包含一正向引子與一反向引子，其中該正向引子的5'端具有該可與銅奈米團簇合成之序列且該反向引子的5'端具有生物素的修飾或是該正向引子的5'端具有生物素的修飾且該反向引子的5'端具有該可與銅奈米團簇合成之序列。
如請求項1所述之方法，其中該AAT重複序列包含AAT、ATA以及TAA的重複序列。
如請求項1所述之方法，其中該ATT重複序列包含TTA、TAT以及ATT的重複序列。
如請求項1所述之方法，其中該結果判讀係透過直接觀察得到一定性結果，其中該定性結果係為做為判斷該目標基因序列為一野生型核苷酸序列或是一單核苷酸變異序列。
如請求項1所述之方法，其中該結果判讀係透過螢光光譜儀進行螢光分析得到一定量結果。
如請求項8所述之方法，其中該定量結果可作為判斷該目標基因突變型/野生型雜合子之比例。
一種聚合物(P)，係選自由使用含有下式(D<sub>A</sub>)表示之二胺(0)之二胺成分獲得之聚醯亞胺前驅物及為該聚醯亞胺前驅物之醯亞胺化物的聚醯亞胺構成之群組中之至少1種，<br/> 該聚合物(P)係利用該二胺成分、與含有脂環族四羧酸二酐或其衍生物之四羧酸成分之縮聚反應獲得，<br/><img align="absmiddle" height="246px" width="1528px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> Ar表示2價苯環、聯苯結構、或萘環中之任一者的2價芳香族基，該苯環、聯苯結構、或萘環上之任意之氫原子也可被選自於由鹵素原子、碳數1~3之烷基、碳數2~3之烯基、碳數1~3之烷氧基、碳數1~3之氟烷基、碳數2~3之氟烯基、碳數1~3之氟烷氧基、羧基、碳數1~3之烷氧基羰基、氰基、及硝基構成之群組中之基取代，m、n各自獨立地為1~3之整數，<br/> 兩端之胺基所鍵結之苯環上之任意氫原子也可被1價基取代。
如請求項1之聚合物，其中，鍵結於該式(D<sub>A</sub>)之苯環的胺基與連接基(-O-)之鍵結位置係1,4位。
如請求項1之聚合物，其中，該Ar係選自1,4-伸苯基、1,3-伸苯基、2-甲基-1,4-伸苯基、2-乙基-1,4-伸苯基、2-丙基-1,4-伸苯基、2-異丙基-1,4-伸苯基、2-甲氧基-1,4-伸苯基、2-乙氧基-1,4-伸苯基、2-丙氧基-1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基、2,3-二甲基-1,4-伸苯基、4-甲基-1,3-伸苯基、5-甲基-1,3-伸苯基、4-氟-1,3-伸苯基、2,3,5,6-四甲基-1,4-伸苯基、聯苯-4,4’-二基、2-甲基聯苯-4,4’-二基、2-乙基聯苯-4,4’-二基、2-丙基聯苯-4,4’-二基、2-甲氧基聯苯-4,4’-二基、2-乙氧基聯苯-4,4’-二基、2-氟聯苯-4,4’-二基、3-甲基聯苯-4,4’-二基、3-乙基聯苯-4,4’-二基、3-丙基聯苯-4,4’-二基、3-甲氧基聯苯-4,4’-二基、3-乙氧基聯苯-4,4’-二基、3-氟聯苯-4,4’-二基、2,2’-二甲基聯苯-4,4’-二基、3,3’-二甲基聯苯-4,4’-二基、聯苯-3,3’-二基、5-甲基聯苯-3,3’-二基、5,5’-二甲基聯苯-3,3’-二基、1,5-伸萘基、2,6-伸萘基、或1-甲基-2,6-伸萘基。
如請求項1或2之聚合物，其中，該聚合物(P)係利用該二胺成分、與含有1,2-二甲基-1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐、1,3-二甲基-1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐、1,2,3,4-四甲基-1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐、1,3-二氟-1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐、1,3-雙(三氟甲基)-1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐、或該等之衍生物之四羧酸成分之聚合反應獲得。
如請求項1或2之聚合物，其中，該二胺成分更包含選自對苯二胺、2,3,5,6-四甲基-對苯二胺、2,5-二甲基-對苯二胺、間苯二胺、2,4-二甲基間苯二胺、2,5-二胺基甲苯、2,6-二胺基甲苯、2,2’-二甲基-4,4’-二胺基聯苯、3,3’-二甲基-4,4’-二胺基聯苯、3,3’-二甲氧基-4,4’-二胺基聯苯、3,3’-二羥基-4,4’-二胺基聯苯、2,2’-二氟-4,4’-二胺基聯苯、3,3’-二氟-4,4’-二胺基聯苯、2,2’-雙(三氟甲基)-4,4’-二胺基聯苯、3,3’-雙(三氟甲基)-4,4’-二胺基聯苯、3,4’-二胺基聯苯、4,4’-二胺基聯苯、3,3’-二胺基聯苯、2,2’-二胺基聯苯、2,3’-二胺基聯苯、下式(d<sub>AL</sub>-1)~(d<sub>AL</sub>-10)表示之二胺、1,7-雙(4-胺基苯氧基)庚烷、1,7-雙(3-胺基苯氧基)庚烷、1,8-雙(4-胺基苯氧基)辛烷、1,8-雙(3-胺基苯氧基)辛烷、1,9-雙(4-胺基苯氧基)壬烷、1,9-雙(3-胺基苯氧基)壬烷、1,10-雙(4-胺基苯氧基)癸烷、1,10-雙(3-胺基苯氧基)癸烷、1,11-雙(4-胺基苯氧基)十一烷、1,11-雙(3-胺基苯氧基)十一烷、1,12-雙(4-胺基苯氧基)十二烷、1,12-雙(3-胺基苯氧基)十二烷、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(4-胺基苯氧基)苯、4,4’-雙(4-胺基苯氧基)聯苯、4,4’-雙(4-胺基苯氧基)二苯醚、1,4-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯氧基]苯、1,2-雙(6-胺基-2-萘氧基)乙烷、1,2-雙(6-胺基-2-萘基)乙烷、6-[2-(4-胺基苯氧基)乙氧基]-2-萘胺、1,4-伸苯基雙(4-胺基苯甲酸酯)、1,4-伸苯基雙(3-胺基苯甲酸酯)、1,3-伸苯基雙(4-胺基苯甲酸酯)、1,3-伸苯基雙(3-胺基苯甲酸酯)、雙(4-胺基苯基)對苯二甲酸酯、雙(3-胺基苯基)對苯二甲酸酯、雙(4-胺基苯基)間苯二甲酸酯、雙(3-胺基苯基)間苯二甲酸酯中之二胺；<br/><img align="absmiddle" height="1875px" width="2566px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式(d<sub>AL</sub>-6)及(d<sub>AL</sub>-8)中，m1及m2各自獨立地有上述定義。
如請求項1或2之聚合物，該聚合物(P)係具有選自由下式(1)表示之重複單元(p1)及該重複單元(p1)之醯亞胺化結構單元構成之群組中之至少1種重複單元之聚合物，<br/><img align="absmiddle" height="300px" width="841px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式(1)中，X<sub>1</sub>表示來自該含有脂環族四羧酸二酐或其衍生物之四羧酸成分之4價有機基，Y<sub>1</sub>係從該式(D<sub>A</sub>)表示之二胺(0)取走了2個胺基之2價有機基，R及Z各自獨立地表示氫原子或1價有機基。
一種液晶配向劑，含有：<br/> 聚合物(P)，該聚合物(P)係選自由使用含有下式(D<sub>A</sub>)表示之二胺(0)之二胺成分獲得之聚醯亞胺前驅物及為該聚醯亞胺前驅物之醯亞胺化物的聚醯亞胺構成之群組中之至少1種、及<br/> 聚合物(B)，該聚合物(B)係選自由使用不含該二胺(0)之二胺成分獲得之聚醯亞胺前驅物及為該聚醯亞胺前驅物之醯亞胺化物的聚醯亞胺構成之群組中之至少1種；<br/><img align="absmiddle" height="246px" width="1528px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> Ar表示2價苯環、聯苯結構、或萘環中之任一者的2價芳香族基，該苯環、聯苯結構、或萘環上之任意之氫原子也可被選自於由鹵素原子、碳數1~3之烷基、碳數2~3之烯基、碳數1~3之烷氧基、碳數1~3之氟烷基、碳數2~3之氟烯基、碳數1~3之氟烷氧基、羧基、碳數1~3之烷氧基羰基、氰基、及硝基構成之群組中之基取代，m、n各自獨立地為1~3之整數，<br/> 兩端之胺基所鍵結之苯環上之任意氫原子也可被1價基取代。
一種防火牆相關故障檢測及修復方法， <br/>藉由至少一個或多個計算設備執行，包括如下步驟： <br/>從雲端服務伺服器獲取與防火牆策略關聯的實例的實際IP資訊； <br/>獲取該防火牆引用的每個該實例的一動態IP資訊，其中，該動態IP資訊由外部模組提供； <br/>比較該實際IP資訊和該動態IP資訊；和 <br/>基於該比較的結果，判斷是否需要該防火牆相關故障修復， <br/>其中比較該實際IP資訊和該動態IP資訊包括於每個第一週期比較該實際IP資訊和該動態IP資訊， <br/>其中該第一週期是基於針對該實例所預設的優先順序而不同地設置的值。
如請求項1所述之防火牆相關故障檢測及修復方法，其中， <br/>該動態IP資訊是由IP資訊同步模組定期更新的資訊。
如請求項1所述之防火牆相關故障檢測及修復方法，其中， <br/>該第一週期是基於針對與該實例關聯的策略預設的優先順序而不同地設置的值。
如請求項1所述之防火牆相關故障檢測及修復方法，其中， <br/>在判斷是否需要該防火牆相關故障修復的步驟之後，還包括如下步驟： <br/>當該判斷的結果為判斷需要該防火牆相關故障修復時，自動執行故障修復過程。
如請求項4所述之防火牆相關故障檢測及修復方法，其中， <br/>使用基於該防火牆的動態IP資訊的IP頻帶生成的預備策略，執行該故障修復過程。
一種防火牆相關故障檢測及修復系統，包括： <br/>處理器；以及 <br/>記憶體，電連接於該處理器，存儲命令語， <br/>當該命令語被該處理器執行時，使該處理器執行如下操作： <br/>透過通訊介面從雲端服務伺服器獲取與防火牆策略關聯的實例的實際IP資訊； <br/>獲取該防火牆引用的每個該實例的一動態IP資訊，其中，該動態IP資訊由外部模組提供； <br/>比較該實際IP資訊和該動態IP資訊；和 <br/>基於該比較的結果，判斷是否需要該防火牆相關故障修復， <br/>其中比較該實際IP資訊和該動態IP資訊包括於每個第一週期比較該實際IP資訊和該動態IP資訊， <br/>其中該第一週期是基於針對該實例所預設的優先順序而不同地設置的值。
一種半導體結構的形成方法，包括： <br/>形成自基底豎直地延伸的鰭片，所述鰭片包括下部半導體奈米結構、上部半導體奈米結構及設置於所述下部半導體奈米結構與所述上部半導體奈米結構之間的虛設半導體奈米結構； <br/>貫穿所述上部半導體奈米結構、所述虛設半導體奈米結構及所述下部半導體奈米結構在所述鰭片中蝕刻出第一凹陷部及第二凹陷部，所述蝕刻在所述第一凹陷部中形成所述上部半導體奈米結構的第一側壁且在所述第一凹陷部中形成所述下部半導體奈米結構的第二側壁，所述蝕刻在所述第二凹陷部中形成所述上部半導體奈米結構的第三側壁且在所述第二凹陷部中形成所述下部半導體奈米結構的第四側壁； <br/>利用第一隔離結構來替代所述虛設半導體奈米結構； <br/>在以第一虛設間隙壁阻擋所述第一側壁時，自所述第二側壁生長第一下部半導體結構，且自所述第四側壁生長第二下部半導體結構，所述第一下部半導體結構及所述第二下部半導體結構具有第一導電類型；以及 <br/>自所述第一側壁生長第一上部半導體結構，且自所述第三側壁生長第二上部半導體結構，所述第一上部半導體結構具有與所述第一導電類型相反的第二導電類型，所述第二上部半導體結構具有所述第一導電類型。
如請求項1所述的方法，其中以磊晶方式同時生長所述第一下部半導體結構、生長所述第二下部半導體結構及生長所述第二上部半導體結構。
如請求項1所述的方法，更包括： <br/>在形成所述第二上部半導體結構之前，形成所述第一上部半導體結構。
如請求項1所述的方法，更包括： <br/>在自所述第一側壁生長所述第一上部半導體結構的同時阻擋所述第三側壁。
如請求項1所述的方法，其中以磊晶方式同時生長所述第二下部半導體結構與生長所述第二上部半導體結構。
如請求項1所述的方法，更包括： <br/>移除環繞所述上部半導體奈米結構及所述下部半導體奈米結構的虛設閘極； <br/>形成環繞所述上部半導體奈米結構及所述下部半導體奈米結構的閘極介電質； <br/>在所述上部半導體奈米結構周圍形成保護結構； <br/>環繞所述下部半導體奈米結構及所述保護結構沉積第一閘極結構； <br/>使所述第一閘極結構凹陷以暴露出所述保護結構； <br/>移除所述保護結構；以及 <br/>環繞所述上部半導體奈米結構沉積第二閘極結構。
一種半導體結構的形成方法，包括： <br/>在鰭狀多層半導體堆疊中蝕刻出第一凹陷部及第二凹陷部，所述第一凹陷部及所述第二凹陷部中的每一者將所述鰭狀多層半導體堆疊分割成多個奈米結構，其中所述多個奈米結構包括彼此堆疊的第一奈米結構與第三奈米結構以及彼此堆疊的第二奈米結構與第四奈米結構； <br/>在以第一虛設間隙壁阻擋所述第三奈米結構時，在所述第一凹陷部中自所述第一奈米結構的暴露端生長第一源極/汲極區，所述第一源極/汲極區具有第一導電類型； <br/>在所述第二凹陷部中自所述第二奈米結構的暴露端生長第二源極/汲極區，所述第二源極/汲極區具有所述第一導電類型； <br/>在所述第一凹陷部中自所述第三奈米結構的暴露端生長第三源極/汲極區，所述第三源極/汲極區具有所述第一導電類型，所述第三源極/汲極區直接設置於所述第一源極/汲極區之上；以及 <br/>在所述第二凹陷部中自所第四奈米結構的暴露端生長第四源極/汲極區，所述第四源極/汲極區具有與所述第一導電類型相反的第二導電類型，所述第四源極/汲極區直接設置於所述第二源極/汲極區之上。
如請求項7所述的方法，其中以磊晶方式同時生長所述第一源極/汲極區與生長所述第二源極/汲極區。
如請求項8所述的方法，更包括： <br/>在生長所述第一源極/汲極區之後，在所述第一源極/汲極區之上形成第一隔離結構； <br/>在形成所述第一隔離結構之後，阻擋所述第三奈米結構，並生長所述第四源極/汲極區；以及 <br/>在生長所述第四源極/汲極區之後，阻擋所述第四源極/汲極區，並生長所述第三源極/汲極區。
如請求項7所述的方法，其中以磊晶方式同時生長所述第一源極/汲極區、生長所述第二源極/汲極區及生長所述第三源極/汲極區。
一種藉由一向量縮減電路在複數個循環週期針對複數個交錯(staggered)輸入向量執行向量縮減運算之方法，該方法包括： <br/>接收一第一請求以對一第一交錯輸入向量執行一第一向量縮減運算及一第二請求以對一第二交錯輸入向量執行一第二向量縮減運算，其中該第一向量縮減運算不同於該第二向量縮減運算； <br/>在一給定週期： <br/>藉由該向量縮減電路之複數個胞之一第一胞，自包含於該第一交錯輸入向量中之第一複數個輸入元素接收一第一輸入元素； <br/>藉由該複數個胞之一第二胞，自包含於該第二交錯輸入向量中之第二複數個輸入元素接收一第二輸入元素，其中該第二交錯輸入向量不同於該第一交錯輸入向量； <br/>對該第一交錯輸入向量執行該第一向量縮減運算，同時對該第二交錯輸入向量執行該第二向量縮減運算包括： <br/>藉由該第一胞，使用該第一交錯輸入向量之該第一輸入元素執行該第一向量縮減運算以產生一各自輸出元素，同時藉由該第二胞，使用該第二交錯輸入向量之該第二輸入元素執行該第二向量縮減運算以產生一各自輸出元素；及 <br/>藉由該第一胞及該第二胞提供該各自輸出元素至該複數個胞之一各自下一個胞或一輸出電路。
如請求項1之方法，其中該向量縮減電路依一管線式方式執行該第一向量縮減運算及該第二向量縮減運算。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>藉由該第一胞接收一第一暫時縮減元素，該第一暫時縮減元素係藉由該複數個胞之一前置胞所執行之一向量縮減運算之一輸出或一佔位符信號； <br/>藉由該第二胞接收一第二暫時縮減元素，該第二暫時縮減元素係藉由該複數個胞之一前置胞所執行之一向量縮減運算之一輸出或一佔位符信號； <br/>藉由該第一胞使用該第一暫時縮減元素執行該第一向量縮減運算；及 <br/>藉由該第二胞使用該第二暫時縮減元素執行該第二向量縮減運算。
如請求項3之方法，其進一步包括： <br/>藉由該第一胞接收一控制向量內之一第一控制縮減元素，該控制向量具有針對該複數個胞之各者之一對應控制元素；及 <br/>藉由該第二胞接收一控制向量內之一第二控制縮減元素，該控制向量具有針對該複數個胞之各者之一對應控制元素。
如請求項4之方法，其中藉由該第一胞及該第二胞提供該各自輸出元素至一下一個胞或一輸出電路進一步包括： <br/>若該第一控制向量元素指示該第一輸入元素並非該輸入向量中之一最末輸入向量元素，則藉由該第一胞提供該各自輸出元素至該下一個胞，該各自輸出元素係針對該下一個胞之一新暫時縮減元素；及 <br/>若該第一控制向量元素指示該第一輸入元素係該輸入向量中之該最末輸入向量元素，則藉由該第一胞提供該各自輸出元素至該輸出電路。
如請求項4之方法，其中藉由該第一胞及該第二胞提供該各自輸出元素至一下一個胞或一輸出電路進一步包括： <br/>若該第二控制向量元素指示該第二輸入元素並非該輸入向量中之一最末輸入向量元素，則藉由該第二胞提供該各自輸出元素至該下一個胞，該各自輸出元素係針對該下一個胞之一新暫時縮減元素；及 <br/>若該第二控制向量元素指示該第二輸入元素係該輸入向量中之該最末輸入向量元素，則藉由該第二胞提供該各自輸出元素至該輸出電路。
如請求項4之方法，其中該第一向量縮減運算係一最大值縮減運算，及其中使用該第一輸入元素及該第一暫時縮減元素執行該最大值縮減運算包括： <br/>比較該第一輸入元素與該第一暫時縮減元素；及 <br/>基於至少該比較判定該第一輸入元素及該第一暫時縮減元素之一最大值及作為使用該第一輸入元素及該第一暫時縮減元素執行該第一向量縮減運算之結果。
如請求項4之方法，其中該第二向量縮減運算係一最大值縮減運算，及其中使用該第二輸入元素及該第二暫時縮減元素執行該最大值縮減運算包括： <br/>比較該第二輸入元素與該第二暫時縮減元素；及 <br/>基於至少該比較判定該第二輸入元素及該第二暫時縮減元素之一最大值及作為使用該第二輸入元素及該第二暫時縮減元素執行該第二向量縮減運算之結果。
如請求項4之方法，其中該第一向量縮減運算係一最小值縮減運算，及其中使用該第一輸入元素及該第一暫時縮減元素執行該最小值縮減運算包括： <br/>比較該第一輸入元素與該第一暫時縮減元素；及 <br/>基於至少該比較判定該第一輸入元素及該第一暫時縮減元素之一最小值及作為使用該第一輸入元素及該第一暫時縮減元素執行該第一向量縮減運算之結果。
如請求項4之方法，其中該第二向量縮減運算係一最小值縮減運算，及其中使用該第二輸入元素及該第二暫時縮減元素執行該最小值縮減運算包括： <br/>比較該第二輸入元素與該第二暫時縮減元素；及 <br/>基於至少該比較判定該第二輸入元素及該第二暫時縮減元素之一最小值及作為使用該第二輸入元素及該第二暫時縮減元素執行該第二向量縮減運算之結果。
如請求項4之方法，其中該第一向量縮減運算係一求和縮減運算，及其中使用該第一輸入元素及該第一暫時縮減元素執行該求和縮減運算包括： <br/>判定該第一輸入元素及該第一暫時縮減元素之一總和作為使用該第一輸入元素及該第一暫時縮減元素執行該求和縮減運算之結果。
如請求項4之方法，其中該第二向量縮減運算係一求和縮減運算，及其中使用該第二輸入元素及該第二暫時縮減元素執行該求和縮減運算包括： <br/>判定該第二輸入元素及該第二暫時縮減元素之一總和作為使用該第二輸入元素及該第二暫時縮減元素執行該求和縮減運算之結果。
如請求項4之方法，其中該第一向量縮減運算係一乘積縮減運算，及其中使用該第一輸入元素及該第一暫時縮減元素執行該乘積縮減運算包括： <br/>判定該第一輸入元素及該第一暫時縮減元素之一乘積作為使用該第一輸入元素及該第一暫時縮減元素執行該乘積縮減運算之結果。
如請求項4之方法，其中該第二向量縮減運算係一乘積縮減運算，及其中使用該第二輸入元素及該第二暫時縮減元素執行該乘積縮減運算包括： <br/>判定該第二輸入元素及該第二暫時縮減元素之一乘積作為使用該第二輸入元素及該第二暫時縮減元素執行該乘積縮減運算之結果。
如請求項4之方法，其中該第一向量縮減運算係一最大值索引運算，及其中使用該第一輸入元素及該第一暫時縮減元素執行該最大值索引運算包括： <br/>判定對應於該第一輸入元素之一第一索引； <br/>接收指示對應於該第一暫時縮減元素之一第二索引之資料； <br/>比較該第一輸入元素與該第一暫時縮減元素； <br/>基於至少該比較判定該第一輸入元素及該第一暫時縮減元素之一最大值；及 <br/>基於至少該判定識別對應於該第一輸入元素之該第一索引或對應於該第一暫時縮減元素之該第二索引之一者及作為使用該第一輸入元素及該第一暫時縮減元素執行該最大值索引運算之結果。
如請求項4之方法，其中該第二向量縮減運算係一最大值索引運算，及其中使用該第二輸入元素及該第二暫時縮減元素執行該最大值索引運算包括： <br/>判定對應於該第二輸入元素之一第一索引； <br/>接收指示對應於該第二暫時縮減元素之一第二索引之資料； <br/>比較該第二輸入元素與該第二暫時縮減元素； <br/>基於至少該比較判定該第二輸入元素及該第二暫時縮減元素之一最大值；及 <br/>基於至少該判定識別對應於該第二輸入元素之該第一索引或對應於該第二暫時縮減元素之該第二索引之一者及作為使用該第二輸入元素及該第二暫時縮減元素執行該最大值索引運算之結果。
如請求項4之方法，其中該第一胞及該第二胞經組態以： <br/>在該第一胞處接收指定使用該第一輸入元素及該第一暫時縮減元素執行之該第一向量縮減運算之一類型之一第一控制信號；及 <br/>在該第二胞處接收指定使用該第二輸入元素及該第二暫時縮減元素執行之該第二向量縮減運算之一類型之一第二控制信號。
如請求項1之方法，其中在與具有一偏移之複數個胞相關聯之複數個通道中接收該複數個交錯向量，其中每個胞係落後於另一通道中之另一個胞之複數個週期。
一種絲線切斷工具，係用以將絲條尾部切斷，前述絲條尾部為在紙管捲繞絲條而形成的絲條捲筒的內層側的絲條；前述絲線切斷工具係具備：<br/> 主體，係具有：鉤掛部，係鉤掛於前述紙管的邊緣部的內側；以及按壓部，係按壓前述紙管的邊緣部的外側；前述主體係藉由前述鉤掛部與前述按壓部而安裝至前述紙管的邊緣部；<br/> 操作部，係設置有軸，並經由前述軸而擺動自如地與前述主體連結，且操作為相對於前述主體轉動；<br/> 刃部，係經由前述軸而旋轉自如地與前述操作部連結，以將前述絲條尾部切斷；以及<br/> 施力部，係將前述刃部與前述操作部連結，並且在前述操作部相對於前述主體轉動時沿著前述操作部相對於前述主體轉動的方向對前述刃部施力；<br/> 在前述主體設置有：引導部，係供前述軸的兩端部分別插入，對與前述刃部一起相對於前述主體位移之前述軸相對於前述主體的移動進行引導，並且限制前述刃部相對於前述主體的移動量；以及抵接部，當由前述引導部對前述軸的移動進行引導時，與前述操作部抵接而成為前述操作部相對於前述主體的轉動動作的支點；<br/> 將在由前述鉤掛部以及前述按壓部將前述主體安裝至前述紙管的邊緣部的狀態下將前述操作部向接近前述絲條捲筒的外層側的絲條的方向轉動操作定義為第一轉動操作，藉由前述第一轉動操作使得前述操作部係以被前述引導部限制了移動之前述軸為中心而相對於前述主體轉動，且由前述操作部經由前述施力部而朝向前述紙管的邊緣部所施力之前述刃部係與前述絲條尾部抵接，並且前述操作部係利用前述抵接部而與前述主體抵接；<br/> 將在前述操作部利用前述抵接部而與前述主體抵接的狀態下將前述操作部向接近前述外層側的絲條的方向進一步轉動操作定義為第二轉動操作，藉由前述第二轉動操作使得前述操作部係以前述抵接部為支點而轉動，且與由前述操作部經由前述施力部而沿著前述操作部相對於前述主體轉動的方向所施力之前述刃部一起移動之前述軸係被前述引導部引導而移動，藉此使得前述刃部係以從前述外層側的絲條沿著前述紙管的軸向遠離的方式滑動移動，從而由前述刃部將前述絲條尾部切斷。
如請求項1所記載之絲線切斷工具，其中前述施力部為彈簧構件。
如請求項1或2所記載之絲線切斷工具，其中前述引導部為設置於前述主體之長孔。
如請求項1或2所記載之絲線切斷工具，其中前述絲線切斷工具還具備定位彈簧構件，前述定位彈簧構件係設置為配置成沿著與被操作的前述操作部相對於前述主體轉動的方向相反的方向使前述操作部對前述主體施力之彈簧構件，並將進行前述第一轉動操作之前的狀態下的前述操作部相對於前述主體的位置予以定位。
如請求項3所記載之絲線切斷工具，其中前述絲線切斷工具還具備定位彈簧構件，前述定位彈簧構件係設置為配置成沿著與被操作的前述操作部相對於前述主體轉動的方向相反的方向使前述操作部對前述主體施力之彈簧構件，並將進行前述第一轉動操作之前的狀態下的前述操作部相對於前述主體的位置予以定位。
一種防眩膜，其具有第1主面與該第1主面相反側之第2主面，當將該第1主面之截止值0.8mm的平均傾斜角定義為θa <sub>0.8</sub>，將該第1主面之截止值2.5mm的平均傾斜角定義為θa <sub>2.5</sub>時，滿足下述式（1）及（2），且 <br/>當依據JIS Z8741：1997將從該第1主面側測得之20度鏡面光澤度及60度鏡面光澤度分別定義為G <sub>20</sub>及G <sub>60</sub>時，滿足下述式（5）， <br/>0.20度≦θa <sub>0.8</sub>≦0.70度 （1）， <br/>｜θa <sub>2.5</sub>－θa <sub>0.8</sub>｜≦0.10度 （2）， <br/>G <sub>60</sub>／G <sub>20</sub>≦2.50 （5）。
如請求項1所述之防眩膜，其中，當將該第1主面之JIS B0601：1994之截止值0.8mm的局部山頂平均間隔定義為S <sub>0.8</sub>，將該第1主面之JIS B0601：1994之截止值2.5mm的局部山頂平均間隔定義為S <sub>2.5</sub>時，滿足下述式（3）， <br/>S <sub>2.5</sub>／S <sub>0.8</sub>≦1.40 （3）。
如請求項1或2所述之防眩膜，其中，當將該第1主面之JIS B0601：1994之截止值0.8mm的算術平均粗糙度定義為Ra <sub>0.8</sub>，將該第1主面之JIS B0601：1994之截止值2.5mm的算術平均粗糙度定義為Ra <sub>2.5</sub>時，滿足下述式（4）， <br/>Ra <sub>2.5</sub>／Ra <sub>0.8</sub>≦1.20 （4）。
如請求項1或2所述之防眩膜，其於透明基材上具有樹脂層，該樹脂層之表面為該第1主面。
如請求項4所述之防眩膜，其中，該透明基材之厚度為5～300μm。
如請求項1或2所述之防眩膜，其總厚度為7～310μm。
一種偏光板，其具有偏光子、配置於該偏光子之一側而成的透明保護板A、及配置於該偏光子之另一側而成的透明保護板B，該透明保護板A及該透明保護板B之至少一者為請求項1至6中任一項所述之防眩膜，該偏光板係以該第1主面側之面朝向該偏光子相反側之方式配置該防眩膜而成。
一種影像顯示裝置用表面板，其係將防眩膜貼合於樹脂板或玻璃板上而成，該防眩膜為請求項1至6中任一項所述之防眩膜，該影像顯示裝置用表面板係以該第1主面側之面朝向該樹脂板或該玻璃板相反側之方式配置該防眩膜而成。
一種影像顯示裝置，其係請求項1至6中任一項所述之防眩膜的第1主面側之面以朝向顯示元件相反側之方式配置於該顯示元件上而成，且係將該防眩膜配置於最表面而成。
一種具有直接饋送氣體注入的紫外光源，該光源包括： <br/>a) 腔室，其包括電漿約束區且界定鄰近該電漿約束區的孔，該電漿約束區使由該電漿所產生的光通過； <br/>b) 磁核心，其位於該電漿約束區周圍且配置以產生複數個電漿電流迴路，在操作期間該複數個電漿電流迴路會聚在該電漿約束區中； <br/>c) 饋送氣體注入器，其耦接至該腔室中的氣體埠且具有輸出，該輸出位於接近該電漿約束區的邊界，該饋送氣體注入器提供饋送氣體至該電漿約束區，而該電漿約束區在該電漿約束區中創建差別壓力； <br/>d) 高電壓區，其耦接至該電漿約束區； <br/>e) 排氣埠，其配置以耦接至泵，而該泵控制該腔室中的壓力；及 <br/>f) 第二氣體注入埠。
如請求項1之光源，其中該饋送氣體注入器的該輸出位於該電漿約束區的該邊界1公分內。
如請求項1之光源，其中該饋送氣體注入器的該輸出位於該電漿約束區的該邊界1/2公分內。
如請求項1之光源，其中該饋送氣體注入器的該輸出位於該腔室的低電壓區與該高電壓區之間。
如請求項1之光源，其中該饋送氣體注入器包括氣體管件，該氣體管件具有輸出，而該輸出位於接近該電漿約束區的該邊界。
如請求項1之光源，其中該饋送氣體注入器形成在該腔室中。
如請求項1之光源，其中該饋送氣體注入器包括複數個孔，而該複數個孔提供該饋送氣體至該電漿約束區中。
如請求項1之光源，其中該饋送氣體注入器定位以使實質所有饋送氣體在傳入該排氣埠之前流過該電漿約束區。
如請求項1之光源，其中該饋送氣體注入器位於且配置以使該電漿約束區中壓力與接近該排氣埠的該腔室中壓力的所要比率在操作期間保持。
如請求項1之光源，其中該第二氣體注入埠位於接近該高電壓區。
如請求項1之光源，其中該第二氣體注入埠位於接近該腔室的低電壓部分。
如請求項1之光源，其中該第二氣體注入埠配置以導入第二類型饋送氣體。
如請求項1之光源，其中該第二氣體注入埠包括輸出，而該輸出位於接近該電漿約束區的第二邊界。
如請求項1之光源，進一步包括第二饋送氣體注入器，其耦接至該第二氣體注入埠且具有位於該電漿約束區的第二邊界中的輸出。
如請求項1之光源，其中該第二氣體注入埠配置以注入氣體至該腔室中的一位置處，該位置在該電漿約束區中的自束擴張形成後提供氣體所要回流量至該電漿約束區中。
如請求項1之光源，其中該第二氣體注入埠定位以注入氣體至該腔室中，以利降低該電漿約束區外的該饋送氣體自吸收。
如請求項1之光源，其中該饋送氣體注入器包括脈衝氣體注入器，其配置以在自束擴張之後重新填充該電漿約束區時注入氣體至該電漿約束區中。
一種產生紫外光的方法，該方法包括： <br/>a) 提供腔室，其界定其中的電漿約束區，該腔室界定將電漿所產生光通到該腔室外的埠，高電壓區耦接至該電漿約束區，且排氣埠配置以耦接至控制該腔室中壓力的真空泵； <br/>b) 直接注入饋送氣體至該電漿約束區的邊界中； <br/>c) 提供電壓至該高電壓區，藉此產生電漿；以及 <br/>d) 控制該電漿約束區中相對該腔室的壓力，以利提供所要壓力差。
如請求項18之方法，其中該電漿約束區中相對該腔室的該壓力的該控制包括以質量流量控制器控制該饋送氣體的流動。
如請求項18之方法，進一步包括注入饋送氣體至該腔室中。
如請求項20之方法，其中該饋送氣體注入至該腔室中係接近該高電壓區而注入。
如請求項20之方法，其中該饋送氣體注入至該腔室中係接近低電壓區而注入。
如請求項18之方法，進一步包括調整注入至該腔室中的該饋送的氣體流，以利在該電漿約束區中自束擴張形成之後提供進該電漿約束區的所要氣體回流量。
如請求項18之方法，進一步包括將第二饋送氣體直接注入至該電漿約束區的第二邊界中。
如請求項18之方法，其中該直接注入饋送氣體至該電漿約束區的邊界中包括透過具有位於該電漿約束區的該邊界的內部的輸出的管件而注入該饋送氣體。
如請求項18之方法，其中該直接注入饋送氣體至該電漿約束區的邊界中包括注入該饋送氣體至該電漿約束區的該邊界的內部的複數個位置中。
如請求項18之方法，進一步包括配置該腔室以使在傳入該排氣埠之前實質所有該饋送氣體流過該電漿約束區。
如請求項18之方法，進一步包括透過排氣埠對該腔室泵送，以提供該電漿約束區中壓力與接近該排氣埠的該腔室中壓力的所要比率。
如請求項18之方法，進一步包括調整直接注入至該電漿約束區的該邊界中的該饋送的氣體流，以利提供該電漿約束區中壓力與接近排氣埠的該腔室中壓力的所要比率。
如請求項18之方法，其中該直接注入饋送氣體至該電漿約束區的邊界中包括在自束擴張之後重新填充該電漿約束區的時間處注入氣體至該電漿約束區中。
如請求項18之方法，其中該直接注入饋送氣體至該電漿約束區的邊界中包括以流率注入該饋送氣體，該流率降低該電漿約束區外的該饋送氣體的自吸收。
一種鈷前驅物的純化方法，其中，包括以下步驟：<br/> 將一鈷前驅物粉末與硫酸溶液在室溫下進行混合並攪拌浸泡形成混合物，所述鈷前驅物粉末中鈷氧化物的含量不低於90wt%，所述硫酸溶液的pH值為0至7，所述鈷前驅物粉末與所述硫酸溶液按10g/L-30g/L比例混合；<br/> 將上述混合物進行固液分離並對分離得到的固體粉末進行清洗及烘乾，以獲得純化後的含鈷氧化物的粉末。
如請求項1所述的鈷前驅物的純化方法，其中，所述浸泡的過程持續攪拌，所述攪拌的速率為100rpm至600rpm，所述浸泡的時長為1小時至8小時。
如請求項1所述的鈷前驅物的純化方法，其中，所述硫酸溶液的pH值為0至2之間。
如請求項1所述的鈷前驅物的純化方法，其中，所述烘乾的溫度為70℃至100℃，所述烘乾的時間為1小時至16小時。
如請求項1所述的鈷前驅物的純化方法，其中，所述鈷氧化物包括三氧化二鈷、氧化鈷、四氧化三鈷中的至少一種。
如請求項1所述的鈷前驅物的純化方法，其中，所述鈷前驅物粉末還包括二價鈣、二價鎂、二價錳、一價銀、二價鎳、二價鋅、二價鐵、二價鎘、二價鈀、二價銅、三價鉻、三價鋁及二價鈷中的至少一種。
一種晶圓切割方法，包括：形成資料庫；在第一晶圓上找到多個切割標記，其中所述多個切割標記中的圖案與所述資料庫中的第一圖案相符；根據所述多個切割標記中的相鄰兩個的第一間距測量所述第一晶圓的第一通道晶粒間距；基於所述的多個切割標記決定所述第一晶圓的切口中心，其中測量所述第一通道晶粒間距及決定所述切口中心是在同一個晶圓固定平台上進行的；以及將所述第一晶圓切割成多個晶粒，其中所述切割是對位於所述切口中心。
如請求項1所述的方法，更包括手動調平所述第一晶圓，其中所述調平是透過辨識所述第一晶圓的交叉路口作為辨識圖案來執行的。
如請求項1所述的方法，更包括透過自動切割工具自動調平所述第一晶圓，其中透過辨識所述第一晶圓的交叉路口來執行所述調平。
如請求項1所述的方法，更包括：執行手動切割標記尋找製程，以從所述第一晶圓中尋找所述多個切割標記的一個，其中所述多個切割標記的所述一個具有所述第一圖案；將所述第一圖案保存到所述資料庫中；以及使用自動切割工具自動從第二晶圓中尋找附加多個切割標記，其中自動從所述第二晶圓中尋找所述附加多個切割標記包括將所述第二晶圓的圖案與已保存在所述資料庫中的所述第一圖案進行比較。
如請求項1所述的方法，其中測量所述第一晶圓的所述第一通道晶粒間距是使用低CCD相機執行的自動製程，所述的方法更包括使用高CCD相機測量所述第一晶圓的所述第一通道晶粒間距，其中所述高CCD相機具有比所述低CCD相機更高的解析度。
如請求項1所述的方法，更包括：將所述第一晶圓旋轉90度；將在所述資料庫中的所述第一圖案旋轉90度以生成第二圖案；在所述第一晶圓中找到與所述第二圖案相符的第二多個切割標記；以及使用所述第二多個切割標記來測量第二通道晶粒間距。
一種晶圓切割方法，包括：對第一晶圓進行切割，包括：手動從所述第一晶圓識別出第一切割標記；將所述第一切割標記的第一圖案保存至資料庫；自動測量所述第一晶圓的第一晶粒間距；以及自動決定所述第一晶圓的第一切口中心；以及切割所述第一晶圓後，切割與所述第一晶圓相同的第二晶圓，其中切割所述第二晶圓包括：透過比較所述第二晶圓的圖案與所述資料庫中保存的所述第一圖案，自動從所述第二晶圓中識別出第二切割標記；自動測量所述第二晶圓的第二晶粒間距；以及自動決定所述第二晶圓的第二切口中心。
如請求項7所述的方法，其中：切割所述第一晶圓更包括手動對所述第一晶圓進行第一調平製程，其中所述第一晶圓的交叉路口的第二圖案被識別出；以及切割所述第二晶圓更包括透過將所述第二晶圓的圖案與所述第二圖案進行比較來自動地在所述第二晶圓上執行第二調平製程。
如請求項7所述的方法，其中在自動切割工具的晶圓固定平台上執行整個所述第一晶圓的切割，且在所述自動切割工具的所述晶圓固定平台上執行整個所述第二晶圓的切割。
一種晶圓切割方法，包括：對第一晶圓進行切割，包括：手動執行調平製程以及切割標記教導製程；以及將所述第一晶圓的圖案保存到資料庫中；以及切割與所述第一晶圓相同的第二晶圓，其中切割所述第二晶圓包括：自動執行調平製程；以及使用保存在所述資料庫中的所述第一晶圓的圖案來自動尋找所述第二晶圓上的切割標記。
一種液晶組合物，其包含： <br/>至少一種通式P的化合物： <br/>至少一種通式B的化合物： <br/>至少一種通式RM的可聚合化合物： <br/>其中， <br/>R<sub>p1</sub>和R<sub>p2</sub>各自獨立地表示含有1-12個碳原子的直鏈的烷基、含有3-12個碳原子的支鏈的烷基、<img align="absmiddle" height="8px" width="14px" file="ed10253.jpg" alt="ed10253.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="11px" width="17px" file="ed10254.jpg" alt="ed10254.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="12px" width="18px" file="ed10255.jpg" alt="ed10255.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中含有1-12個碳原子的直鏈的烷基或含有3-12個碳原子的支鏈的烷基中的一個或不相鄰的兩個以上的-CH<sub>2</sub>-可分別獨立地被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-CO-O-或-O-CO-替代； <br/>R<sub>B1</sub>和R<sub>B2</sub>各自獨立地表示鹵素、含有1-12個碳原子的鹵代或未鹵代的直鏈烷基、含有3-12個碳原子的鹵代或未鹵代的支鏈烷基、<img align="absmiddle" height="8px" width="14px" file="ed10253.jpg" alt="ed10253.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="11px" width="17px" file="ed10254.jpg" alt="ed10254.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="12px" width="18px" file="ed10255.jpg" alt="ed10255.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中含有1-12個碳原子的鹵代或未鹵代的直鏈烷基、含有3-12個碳原子的鹵代或未鹵代的支鏈烷基、<img align="absmiddle" height="8px" width="14px" file="ed10253.jpg" alt="ed10253.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="11px" width="17px" file="ed10254.jpg" alt="ed10254.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="12px" width="18px" file="ed10255.jpg" alt="ed10255.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>中的一個或不相鄰的兩個以上的-CH<sub>2</sub>-可分別獨立地被-CH=CH-、-CH=CF-、-C≡C-、-O-、-CO-、-CO-O-或-O-CO-替代； <br/>R<sub>1</sub>表示-H、鹵素、-CN、-Sp<sub>2</sub>-P<sub>2</sub>、含有1-12個碳原子的直鏈的烷基、含有3-12個碳原子的支鏈的烷基、<img align="absmiddle" height="8px" width="14px" file="ed10253.jpg" alt="ed10253.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="11px" width="17px" file="ed10254.jpg" alt="ed10254.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="12px" width="18px" file="ed10255.jpg" alt="ed10255.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中含有1-12個碳原子的直鏈的烷基、含有3-12個碳原子的支鏈的烷基、<img align="absmiddle" height="8px" width="14px" file="ed10253.jpg" alt="ed10253.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="11px" width="17px" file="ed10254.jpg" alt="ed10254.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="12px" width="18px" file="ed10255.jpg" alt="ed10255.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>中的一個或不相鄰的兩個以上的-CH<sub>2</sub>-可分別獨立地被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-CO-O-或-O-CO-替代，並且一個或更多個-H可分別獨立地被-F或-Cl取代； <br/>環<img align="absmiddle" height="15px" width="30px" file="ed10256.jpg" alt="ed10256.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10258.jpg" alt="ed10258.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10260.jpg" alt="ed10260.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>中的一個或更多個-CH<sub>2</sub>-可被-O-替代，並且一個或至多兩個環中單鍵可被雙鍵替代； <br/>環<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10262.jpg" alt="ed10262.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和環<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10264.jpg" alt="ed10264.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>各自獨立地表示<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10266.jpg" alt="ed10266.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10268.jpg" alt="ed10268.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="15px" width="34px" file="ed10270.jpg" alt="ed10270.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10266.jpg" alt="ed10266.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="15px" width="34px" file="ed10270.jpg" alt="ed10270.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>中的一個或更多個-CH<sub>2</sub>-可被-O-替代，並且一個或至多兩個環中單鍵可被雙鍵替代，其中<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10268.jpg" alt="ed10268.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="15px" width="34px" file="ed10270.jpg" alt="ed10270.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>中的一個或更多個-H可分別獨立地被-CN、-F或-Cl取代，並且一個或更多個環中-CH=可被-N=替代； <br/>環<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10272.jpg" alt="ed10272.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和環<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10274.jpg" alt="ed10274.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>各自獨立地表示<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10258.jpg" alt="ed10258.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10276.jpg" alt="ed10276.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="15px" width="34px" file="ed10278.jpg" alt="ed10278.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10260.jpg" alt="ed10260.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="15px" width="34px" file="ed10278.jpg" alt="ed10278.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>中的一個或更多個-CH<sub>2</sub>-可被-O-替代，並且一個或至多兩個環中單鍵可被雙鍵替代，其中<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10276.jpg" alt="ed10276.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="15px" width="34px" file="ed10278.jpg" alt="ed10278.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>中的一個或更多個-H可分別獨立地被-F、-Cl、-CN、-Sp<sub>3</sub>-P<sub>3</sub>、含有1-12個碳原子的鹵代或未鹵代的直鏈的烷基、含有1-11個碳原子的鹵代或未鹵代的直鏈的烷氧基、<img align="absmiddle" height="8px" width="14px" file="ed10253.jpg" alt="ed10253.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="11px" width="17px" file="ed10254.jpg" alt="ed10254.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="12px" width="18px" file="ed10255.jpg" alt="ed10255.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>取代，並且一個或更多個環中-CH=可被-N=替代； <br/>環<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10280.jpg" alt="ed10280.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10276.jpg" alt="ed10276.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10276.jpg" alt="ed10276.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>中的一個或更多個-H可分別獨立地被-F、-Cl、-CN、-Sp<sub>3</sub>-P<sub>3</sub>、含有1-6個碳原子的鹵代或未鹵代的直鏈的烷基、含有1-5個碳原子的鹵代或未鹵代的直鏈的烷氧基、<img align="absmiddle" height="8px" width="14px" file="ed10253.jpg" alt="ed10253.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="11px" width="17px" file="ed10254.jpg" alt="ed10254.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="12px" width="18px" file="ed10255.jpg" alt="ed10255.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>取代，並且一個或更多個環中-CH=可被-N=替代； <br/>X<sub>B</sub>表示-O-、-S-或-CO-； <br/>P<sub>1</sub>、P<sub>2</sub>和P<sub>3</sub>各自獨立地表示可聚合基團； <br/>L<sub>p1</sub>和L<sub>p2</sub>自獨立地表示鹵素； <br/>L<sub>B1</sub>和L<sub>B2</sub>各自獨立地表示-H、-F、-Cl、-CF<sub>3</sub>或-OCF<sub>3</sub>； <br/>Z<sub>B1</sub>和Z<sub>B2</sub>各自獨立地表示-CO-O-、-O-CO-、-OCH<sub>2</sub>-、-CH=CH-、-C≡C-、-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-、-CF<sub>2</sub>CF<sub>2</sub>-、-(CH<sub>2</sub>)n<sub>B4</sub>-、-(CH<sub>2</sub>)n<sub>B4</sub>O-、-(CH<sub>2</sub>)n<sub>B4</sub>S-、-CF<sub>2</sub>O-或-OCF<sub>2</sub>-，其中n<sub>B4</sub>表示0-5的整數； <br/>Sp<sub>1</sub>、Sp<sub>2</sub>和Sp<sub>3</sub>各自獨立地表示間隔基團或單鍵； <br/>Z<sub>1</sub>和Z<sub>2</sub>各自獨立地表示-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、-CH<sub>2</sub>O-、-OCH<sub>2</sub>-、-CH<sub>2</sub>S-、-SCH<sub>2</sub>-、-CF<sub>2</sub>O-、-OCF<sub>2</sub>-、-CF<sub>2</sub>S-、-SCF<sub>2</sub>-、-(CH<sub>2</sub>)<sub>d</sub>-、-CF<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-、-CH<sub>2</sub>CF<sub>2</sub>-、-(CF<sub>2</sub>)<sub>d</sub>-、-CH=CH-、-CF=CF-、-CH=CF-、-CF=CH-、-C≡C-、-CH=CH-CO-O-、-O-CO-CH=CH-、-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-CO-O-、-O-CO-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-、-CHR<sup>1</sup>-、-CR<sup>1</sup>R<sup>2</sup>-或單鍵，其中R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>各自獨立地表示含有1-12個碳原子的直鏈的烷基，並且d表示1-4的整數； <br/>n<sub>B1</sub>和n<sub>B2</sub>各自獨立地表示0、1或2，其中當n<sub>B1</sub>表示2時，環<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10262.jpg" alt="ed10262.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>可以相同或不同，並且其中當n<sub>B2</sub>表示2時，環<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10264.jpg" alt="ed10264.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>可以相同或不同； <br/>a表示0、1或2，b表示0或1，其中當a表示2時，環<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10282.jpg" alt="ed10282.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>可以相同或不同，Z<sub>1</sub>可以相同或不同； <br/>該液晶組合物還包含至少一種通式M-1至M-29的化合物： <br/>其中， <br/>R<sub>M1</sub>和R<sub>M2</sub>各自獨立地表示含有1-12個碳原子的直鏈的烷基、含有3-12個碳原子的支鏈的烷基、<img align="absmiddle" height="8px" width="14px" file="ed10253.jpg" alt="ed10253.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="11px" width="17px" file="ed10254.jpg" alt="ed10254.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="12px" width="18px" file="ed10255.jpg" alt="ed10255.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中含有1-12個碳原子的直鏈的烷基或含有3-12個碳原子的支鏈的烷基中的一個或不相鄰的兩個以上的-CH<sub>2</sub>-可分別獨立地被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-CO-O-或-O-CO-替代；並且 <br/>該通式M-1的化合物係選自如下化合物組成的組： <br/>
如請求項1所述之液晶組合物，其中，該通式P的化合物選自由如下化合物組成的組： <br/>該通式B的化合物選自由如下化合物組成的組： <br/>其中，R<sub>B1</sub><sup>’</sup>表示含有1-8個碳原子的直鏈烷基、含有2-8個碳原子的直鏈烯基或烯氧基、或含有1-8個碳原子的直鏈烷氧基； <br/>n<sub>B3</sub>表示0、1或2；並且 <br/>X<sub>B1</sub>表示-O-或-CH<sub>2</sub>-。
如請求項1所述之液晶組合物，其中，該通式RM的可聚合化合物選自由如下化合物組成的組： <br/>其中， <br/>X<sub>1</sub>-X<sub>10</sub>和X<sub>12</sub>各自獨立地表示-F、-Cl、-Sp<sub>3</sub>-P<sub>3</sub>、含有1-5個碳原子的直鏈的烷基或烷氧基、<img align="absmiddle" height="8px" width="14px" file="ed10253.jpg" alt="ed10253.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="11px" width="17px" file="ed10254.jpg" alt="ed10254.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="12px" width="18px" file="ed10255.jpg" alt="ed10255.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述之液晶組合物，其中，該液晶組合物還包含至少一種通式N的化合物： <br/>其中， <br/>R<sub>N1</sub>和R<sub>N2</sub>各自獨立地表示含有1-12個碳原子的直鏈的烷基、含有3-12個碳原子的支鏈的烷基、<img align="absmiddle" height="8px" width="14px" file="ed10253.jpg" alt="ed10253.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="11px" width="17px" file="ed10254.jpg" alt="ed10254.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="12px" width="18px" file="ed10255.jpg" alt="ed10255.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中含有1-12個碳原子的直鏈的烷基或含有3-12個碳原子的支鏈的烷基中的一個或不相鄰的兩個以上的-CH<sub>2</sub>-可分別獨立地被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-CO-O-或-O-CO-替代； <br/>環<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10387.jpg" alt="ed10387.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和環<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10389.jpg" alt="ed10389.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>各自獨立地表示<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10258.jpg" alt="ed10258.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10276.jpg" alt="ed10276.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10260.jpg" alt="ed10260.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>中的一個或更多個-CH<sub>2</sub>-可被-O-替代，並且一個或至多兩個環中單鍵可被雙鍵替代，其中<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10276.jpg" alt="ed10276.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>中的一個或更多個-H可被-F、-Cl或-CN取代，並且一個或更多個環中-CH=可被-N=替代； <br/>L<sub>N1</sub>和L<sub>N2</sub>各自獨立地表示-H、含有1-3個碳原子的烷基或鹵素； <br/>Z<sub>N1</sub>和Z<sub>N2</sub>各自獨立地表示單鍵、-CO-O-、-O-CO-、-CH<sub>2</sub>O-、-OCH<sub>2</sub>-、-CH=CH-、-C≡C-、-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-、-CF<sub>2</sub>CF<sub>2</sub>-、-(CH<sub>2</sub>)<sub>4</sub>-、-CF<sub>2</sub>O-或-OCF<sub>2</sub>-； <br/>n<sub>N1</sub>表示0、1、2或3，n<sub>N2</sub>表示0或1，且0≤n<sub>N1</sub>＋n<sub>N2</sub>≤3，當n<sub>N1</sub>=2或3時，環<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10387.jpg" alt="ed10387.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>可以相同或不同，Z<sub>N1</sub>可以相同或不同；並且 <br/>當n<sub>N1</sub>表示1，且環<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10387.jpg" alt="ed10387.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10258.jpg" alt="ed10258.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>時，n<sub>N2</sub>=0。
如請求項4所述之液晶組合物，其中，該通式N的化合物選自由如下化合物組成的組： <br/>
如請求項5所述之液晶組合物，其中，該通式N的化合物選自由該通式N-12的化合物、該通式N-27的化合物、以及該通式N-28的化合物組成的組。
一種包含如請求項1-6中任一項所述之液晶組合物的液晶顯示器件。
一種防塵薄膜組件，包含具有兩個端面的框狀防塵薄膜框架； <br/>該防塵薄膜框架的設有防塵薄膜的一側的端面，具有包含凹部之複數之通氣部； <br/>該複數之通氣部之開口面積的合計，係20mm<sup>2</sup>以上； <br/>該凹部中的至少一個，係從該防塵薄膜框架的其中一個側面朝向另一個側面設置。
如請求項1所述之防塵薄膜組件，其中， <br/>該凹部中的至少一個不具有彎曲部。
如請求項2所述之防塵薄膜組件，其中， <br/>在使壓力從高真空變化至大氣壓時，該彎曲部產生使防塵薄膜破損之通氣路徑內的阻力。
如請求項1所述之防塵薄膜組件，其中， <br/>於該防塵薄膜框架的面向曝光原版的端面形成有黏著劑。
如請求項1所述之防塵薄膜組件，其中， <br/>該防塵薄膜組件的高度在2.5mm以下。
如請求項1所述之防塵薄膜組件，其中， <br/>該防塵薄膜組件係使用於EUV曝光。
一種附防塵薄膜組件的曝光原版，係將如請求項1~6中任一項所述之防塵薄膜組件安裝於曝光原版而成。
一種曝光方法，係使用如請求項7所述之附防塵薄膜組件的曝光原版進行曝光。
一種半導體的製造方法，包含使用如請求項7所述之附防塵薄膜組件的曝光原版進行曝光之步驟。
一種護頭裝置（100），用於包裹一載具（200）的一肩帶（300）以及所述載具（200）的一長度調整裝置（400），所述肩帶（300）與所述載具（200）的一背靠（600）和所述載具（200）的一座體（500）直接或間接連接，所述肩帶（300）繞接於所述長度調整裝置（400），所述長度調整裝置（400）能沿所述肩帶（300）的長度延伸方向相對所述肩帶（300）滑動，其特徵在於，所述護頭裝置（100）包括： <br/>一護片（10），包括位於所述長度調整裝置（400）和所述背靠（600）之間的一第一部分（10A）；以及 <br/>一限位結構（30），設置在所述第一部分（10A）上； <br/>其中，所述肩帶（300）通過所述限位結構（30）沿相反的兩個方向在所述第一部分（10A）的至少一處兩次穿過所述護片（10），所述護片（10）能沿所述肩帶（300）的長度延伸方向相對所述肩帶（300）滑動，所述長度調整裝置（400）通過所述肩帶（300）連接至所述護片（10），所述護片（10）滑動以帶動所述長度調整裝置（400）於所述肩帶（300）上與所述護片（10）同步滑動。
如請求項1所述的護頭裝置（100），其中：所述肩帶（300）包括一第一帶（301），所述第一帶（301）包括連接到所述背靠（600）的一上連接端（301a）和在不同於所述上連接端（301a）的位置連接到所述背靠（600）的一下連接端（301b），所述第一帶（301）通過所述限位結構（30）在所述第一部分（10A）的至少兩處沿相反的兩個方向兩次穿過所述護片（10），所述護片（10）在所述上連接端（301a）和所述下連接端（301b）之間相對所述第一帶（301）滑動，以調節所述護片（10）在所述第一帶（301）上的位置。
如請求項2所述的護頭裝置（100），其中：所述限位結構（30）包括間隔設置的一第一縫隙（31）和一第二縫隙（32），所述第一帶（301）通過所述第一縫隙（31）和所述第二縫隙（32）沿相反的兩個方向分別穿過所述護片（10），所述第一縫隙（31）和所述第二縫隙（32）兩者的四周邊緣均連續設置。
如請求項3所述的護頭裝置（100），其中：所述限位結構（30）是鑲嵌在所述護片（10）中的一限位扣（33），所述第一縫隙（31）為所述限位扣（33）的一第一孔（331），所述第二縫隙（32）為所述限位扣（33）的一第二孔（332）。
如請求項3所述的護頭裝置（100），其中：所述第一縫隙（31）和所述第二縫隙（32）是於所述護片（10）上開設的兩道開口。
如請求項3所述的護頭裝置（100），其中：所述第一縫隙（31）和所述第二縫隙（32）的尺寸均設置為阻止所述長度調整裝置（400）穿過。
如請求項6所述的護頭裝置（100），其中：在所述第一帶（301）的長度延伸方向上，所述第一縫隙（31）的尺寸、所述第二縫隙（32）的尺寸均小於所述長度調整裝置（400）的尺寸。
如請求項7所述的護頭裝置（100），其中：在所述第一帶（301）的寬度延伸方向上，所述第一縫隙（31）的尺寸、所述第二縫隙（32）的尺寸均大於或等於所述第一帶（301）的尺寸，所述第一縫隙（31）的尺寸、所述第二縫隙（32）的尺寸均小於所述長度調整裝置（400）的尺寸。
如請求項7所述的護頭裝置（100），其中：所述長度調整裝置（400）在所述第一帶（301）的厚度延伸方向上的尺寸，大於所述第一縫隙（31）、所述第二縫隙（32）在所述第一帶（301）的長度延伸方向上的尺寸。
如請求項3所述的護頭裝置（100），其中：在所述第一帶（301）的長度延伸方向上，所述第一縫隙（31）與所述第二縫隙（32）之間的間距小於所述長度調整裝置（400）的尺寸。
如請求項2所述的護頭裝置（100），其中：所述護片（10）包括位於所述長度調整裝置（400）背向所述第一部分（10A）一側的一第二部分（10B），所述護片（10）於所述第一部分（10A）和所述第二部分（10B）之間設有一折疊線（40），所述折疊線（40）沿所述第一帶（301）的長度延伸方向延伸。
如請求項2至10任一項所述的護頭裝置（100），其中：所述第一帶（301）繞接於所述長度調整裝置（400），所述長度調整裝置（400）隨所述護片（10）在所述上連接端（301a）和所述下連接端（301b）之間的滑動而同步滑動，所述第一帶（301）和所述限位結構（30）保持所述長度調整裝置（400）和所述護片（10）之間的相對位置。
一種護頭裝置（100），用於包裹一載具（200）的一肩帶（300）以及所述載具（200）的一長度調整裝置（400），所述肩帶（300）與所述載具（200）的一背靠（600）和所述載具（200）的一座體（500）直接或間接連接，所述肩帶（300）繞接於所述長度調整裝置（400），所述長度調整裝置（400）能沿所述肩帶（300）的長度延伸方向相對所述肩帶（300）滑動，其特徵在於，所述護頭裝置（100）包括： <br/>一護片（10），包括位於所述長度調整裝置（400）和所述背靠（600）之間的一第一部分（10A）；以及 <br/>一限位結構（30），設置在所述第一部分（10A）上，所述限位結構（30）包括間隔設置的一第一縫隙（31）和一第二縫隙（32）； <br/>其中，所述肩帶（300）通過所述限位結構（30）沿相反的兩個方向在所述第一部分（10A）的至少一處兩次穿過所述護片（10），所述護片（10）能沿所述肩帶（300）的長度延伸方向相對所述肩帶（300）滑動，所述長度調整裝置（400）隨所述護片（10）於所述肩帶（300）上的滑動而同步滑動； <br/>其中所述第一帶（301）包括位於一上連接端（301a）和一下連接端（301b）之間的一上部（301c）和一下部（301d），所述上部（301c）從所述第一部分（10A）面向所述背靠（600）的一側穿過所述第一縫隙（31）延伸到所述第一部分（10A）背向所述背靠（600）的一側，並從所述長度調整裝置（400）面向所述第一部分（10A）的一側穿過所述長度調整裝置（400）延伸到所述長度調整裝置（400）背向所述第一部分（10A）的一側，所述下部（301d）從所述長度調整裝置（400）背向所述第一部分（10A）的一側穿過所述長度調整裝置（400）延伸到所述長度調整裝置（400）面向所述第一部分（10A）的一側，並從所述第一部分（10A）背向所述背靠（600）的一側穿過所述第二縫隙（32）延伸到所述第一部分（10A）面向所述背靠（600）的一側。
如請求項2或者13所述的護頭裝置（100），其中：所述肩帶（300）還包括一第二帶（302），所述第二帶（302）包括一連接端（302a）和一自由端（302b），所述連接端（302a）直接或間接連接到所述座體（500），所述第二帶（302）繞接於所述長度調整裝置（400），所述長度調整裝置（400）在所述連接端（302a）和所述自由端（302b）之間相對所述第二帶（302）滑動，以調節所述連接端（302a）和所述長度調整裝置（400）之間的所述第二帶（302）的延伸長度。
如請求項14所述的護頭裝置（100），其中：所述第二帶（302）還包括位於所述連接端（302a）和所述自由端（302b）之間的一連接部（302c）和一調整部（302d），所述連接部（302c）從所述連接端（302a）連接到所述長度調整裝置（400），所述調整部（302d）從所述長度調整裝置（400）延伸到所述自由端（302b），所述長度調整裝置（400）於所述第二帶（302）滑動以分配所述調整部（302d）的長度與所述連接部（302c）的長度。
如請求項14所述的護頭裝置（100），其中：所述長度調整裝置（400）具有供所述肩帶（300）纏繞的一第一柱（402）、一第二柱（403）以及位於所述第一柱（402）與所述第二柱（403）之間的一穿置間隙（401），其中所述第一帶（301）纏繞在所述第一柱（402）上，所述第二帶（302）纏繞在所述第二柱（403）上，所述第一帶（301）和所述第二帶（302）均穿過所述穿置間隙（401）。
如請求項2或者13所述的護頭裝置（100），其中：所述肩帶（300）還包括一第二帶（302），所述第二帶（302）包括一連接端（302a）和一自由端（302b），所述連接端（302a）連接到所述第一部分（10A），所述第二帶（302）繞接於所述長度調整裝置（400）並穿過所述座體（500）的一連接扣（900），所述長度調整裝置（400）和所述連接扣（900）在所述連接端（302a）和所述自由端（302b）之間相對所述第二帶（302）滑動，以調節所述連接端（302a）和所述連接扣（900）之間的所述第二帶（302）的延伸長度。
如請求項17所述的護頭裝置（100），其中：所述第二帶（302）還包括位於所述連接端（302a）和所述自由端（302b）之間的一連接部（302c）和一調整部（302d），所述連接部（302c）從所述長度調整裝置（400）面向所述第一部分（10A）的一側穿過所述長度調整裝置（400）延伸到所述長度調整裝置（400）背向所述第一部分（10A）的一側，所述調整部（302d）從所述長度調整裝置（400）背向所述第一部分（10A）的一側穿過所述長度調整裝置（400）延伸到所述長度調整裝置（400）面向所述第一部分（10A）的一側，並穿過所述連接扣（900），且再次從所述長度調整裝置（400）面向所述第一部分（10A）的一側穿過所述長度調整裝置（400）延伸到所述長度調整裝置（400）背向所述第一部分（10A）的一側，再從所述長度調整裝置（400）背向所述第一部分（10A）的一側穿過所述長度調整裝置（400）延伸到所述長度調整裝置（400）面向所述第一部分（10A）的一側，所述長度調整裝置（400）和所述連接扣（900）於所述第二帶（302）滑動以分配所述調整部（302d）的長度與所述連接部（302c）的長度。
如請求項17所述的護頭裝置（100），其中：所述長度調整裝置（400）具有以供所述第二帶（302）纏繞的橫柱。
一種護頭裝置（100），用於包裹一載具（200）的一肩帶（300）以及所述載具（200）的一長度調整裝置（400），所述肩帶（300）與所述載具（200）的一背靠（600）和所述載具（200）的一座體（500）直接或間接連接，所述肩帶（300）繞接於所述長度調整裝置（400），所述長度調整裝置（400）能沿所述肩帶（300）的長度延伸方向相對所述肩帶（300）滑動，其特徵在於，所述護頭裝置（100）包括： <br/>一護片（10），包括位於所述長度調整裝置（400）和所述背靠（600）之間的一第一部分（10A）；以及 <br/>一限位結構（30），設置在所述第一部分（10A）上； <br/>其中，所述肩帶（300）通過所述限位結構（30）沿相反的兩個方向在所述第一部分（10A）的至少一處兩次穿過所述護片（10），所述護片（10）能沿所述肩帶（300）的長度延伸方向相對所述肩帶（300）滑動，所述長度調整裝置（400）隨所述護片（10）於所述肩帶（300）上的滑動而同步滑動； <br/>其中所述肩帶（300）包括一第一帶（301），所述第一帶（301）包括連接到所述背靠（600）的一上連接端（301a）和在不同於所述上連接端（301a）的位置連接到所述背靠（600）的一下連接端（301b），所述第一帶（301）通過所述限位結構（30）在所述護片（10）的一處沿相反的兩個方向兩次穿過所述護片（10）並繞接於所述長度調整裝置（400），所述長度調整裝置（400）隨所述護片（10）在所述上連接端（301a）和所述下連接端（301b）之間的滑動而同步滑動。
如請求項20所述的護頭裝置（100），其中：所述限位結構（30）為一第一縫隙（31），所述第一縫隙（31）的四周邊緣連續設置。
如請求項21所述的護頭裝置（100），其中：在所述第一帶（301）的長度延伸方向上，所述第一縫隙（31）的尺寸小於所述長度調整裝置（400）的尺寸。
如請求項22所述的護頭裝置（100），其中：所述第一縫隙（31）設置為允許所述長度調整裝置（400）在旋轉後穿過。
如請求項22所述的護頭裝置（100），其中：在所述第一帶（301）的寬度延伸方向上，所述第一縫隙（31）的尺寸大於所述長度調整裝置（400）的尺寸。
如請求項22所述的護頭裝置（100），其中：所述長度調整裝置（400）在所述第一帶（301）的厚度延伸方向上的尺寸，小於所述第一縫隙（31）在所述第一帶（301）的長度延伸方向上的尺寸。
如請求項21至25任一項所述的護頭裝置（100），其中：所述第一帶（301）從所述第一部分（10A）面向所述背靠（600）的一側穿過所述第一縫隙（31）及所述長度調整裝置（400）延伸到所述長度調整裝置（400）背向所述第一部分（10A）的一側，再從所述長度調整裝置（400）背向所述第一部分（10A）的一側穿過所述長度調整裝置（400）及所述第一縫隙（31）回到所述第一部分（10A）面向所述背靠（600）的一側，所述長度調整裝置（400）隨所述護片（10）於所述第一帶（301）上的滑動而同步滑動，所述第一帶（301）保持所述長度調整裝置（400）和所述護片（10）之間的相對位置。
如請求項20所述的護頭裝置（100），其中：所述肩帶（300）還包括繞接於所述長度調整裝置（400）的一第二帶（302），所述第二帶（302）包括一連接部（302c）和一調整部（302d），所述護頭裝置（100）還包括一定位帶（34），所述定位帶（34）設置在所述第一部分（10A）背向所述背靠（600）的一側，所述定位帶（34）與所述第一部分（10A）之間形成一間隙（343），所述連接部（302c）和所述調整部（302d）均穿過所述間隙（343），且所述連接部（302c）和所述調整部（302d）位於所述間隙（343）的部分相互重疊，所述長度調整裝置（400）包括一邊沿部（404），所述邊沿部（404）位於所述定位帶（34）背向所述第一部分（10A）的一側並抵接所述定位帶（34）。
如請求項27所述的護頭裝置（100），其中：所述第二帶（302）包括一連接端（302a）和一自由端（302b），所述連接部（302c）和所述調整部（302d）位於所述連接端（302a）和所述自由端（302b）之間，所述連接端（302a）直接或間接連接到所述座體（500），所述長度調整裝置（400）在所述連接端（302a）和所述自由端（302b）之間相對所述第二帶（302）滑動，以調節所述連接端（302a）和所述長度調整裝置（400）之間的所述第二帶（302）的延伸長度。
如請求項27所述的護頭裝置（100），其中： <br/>所述定位帶（34）的材質為彈性材料。
一種載具（200），其特徵在於，所述載具（200）包括： <br/>一座體（500）； <br/>一背靠（600）；連接在所述座體（500）上； <br/>兩條肩帶（300），連接在所述座體（500）與所述背靠（600）之間，所述肩帶（300）可拆卸地直接或間接連接到所述座體（500）； <br/>兩個長度調整裝置（400），分別設置在兩條所述肩帶（300）上，用於調整所述肩帶（300）的長度；以及 <br/>如請求項1-29中任一項所述的護頭裝置（100），包裹所述肩帶（300）及所述長度調整裝置（400）。
如請求項30所述的載具（200），其中所述載具（200）還包括： <br/>兩條腰帶（700）； <br/>一胯帶（800）；以及 <br/>一連接扣（900），所述腰帶（700）對稱地設置在所述座體（500）的乘坐區的左右兩相對側，所述胯帶（800）設置在所述座體（500）的乘坐區的相對中心處，所述兩條肩帶（300）、所述兩條腰帶（700）及所述胯帶（800）分別通過與所述連接扣（900）連接，從而可拆卸地連接於所述座體（500）上。
一種描繪裝置，包括： <br/>射束生成部，生成用以對基板的描繪區域進行描繪的帶電粒子的射束； <br/>描繪部，對將所述描繪區域基於圖案的密度分割後的多個分割區域的各者照射所述射束；以及 <br/>控制器，以如下方式對所述描繪部進行控制：分別執行藉由所述射束對所述多個分割區域中的至少一者進行照射的第一照射～第n照射（n為2以上的整數），並使所述第一照射～第n照射中的所述射束的總照射量達到所述描繪區域中的所述射束的必要照射量以上。
如請求項1所述的描繪裝置，其中， <br/>所述第一照射～第n照射中的所述射束的照射量相等， <br/>所述控制器在所述第一照射～第n照射中，依據照射所述射束的區域，決定各分割區域的所述總照射量。
如請求項1所述的描繪裝置，其中， <br/>所述多個分割區域的各者中的所述射束的總照射量是基於所述第一照射～第n照射的所述射束的照射量之和。
如請求項1所述的描繪裝置，其中， <br/>所述控制器根據所述多個分割區域的所述圖案的密度，決定是否對所述多個分割區域的各者進行所述第一照射～第n照射。
如請求項1所述的描繪裝置，其中， <br/>所述控制器基於所述描繪區域的描繪資料算出所述描繪區域的圖案的密度，基於所述圖案的密度將所述描繪區域分割成所述多個分割區域，並決定是否對所述多個分割區域的各者進行所述第一照射～第n照射。
如請求項1所述的描繪裝置，其中， <br/>所述控制器能夠變更所述第一照射～第n照射中的所述射束的照射量， <br/>所述控制器基於所述多個分割區域的所述必要照射量以及所述第一照射～第n照射中的所述射束的照射量，決定是否對所述多個分割區域的各者進行所述第一照射～第n照射。
如請求項6所述的描繪裝置，其中， <br/>所述控制器基於表示在所述描繪區域中重複照射所述射束的次數的多重度以及所述多個分割區域的所述必要照射量，決定所述第一照射～第n照射中的所述射束的照射量。
如請求項7所述的描繪裝置，其中， <br/>所述多重度的資訊包含表示對所述多個分割區域重複照射所述射束的最低次數的最低多重度、以及表示對所述多個分割區域重複照射所述射束的最大次數的最大多重度， <br/>所述控制器基於所述最低多重度並藉由所述射束對整個所述描繪區域進行照射，基於所述最大多重度並藉由所述射束對所述多個分割區域的一部分進行照射。
如請求項1所述的描繪裝置，其中， <br/>所述第一照射～第n照射的n為偶數。
如請求項1所述的描繪裝置，其中， <br/>所述描繪部使所述射束在將所述描繪區域分割成所述射束的寬度而得的多個條紋區域進行往復移動來進行照射， <br/>在所述多個條紋區域各者中照射所述射束的平台移動方向在所述第一照射～第n照射中的一半照射以及另一半照射中為相互相反的方向。
一種醫學檢測儀，其改良在於，所述醫學檢測儀包括檢測主機及檢測模組，所述檢測模組藉由第一連接端子可拆卸地連接所述檢測主機，所述檢測主機包括凹槽，所述凹槽用於容置所述檢測模組，所述凹槽內設置有用於與所述第一連接端子連接之第二連接端子，所述檢測模組用於檢測使用者之生理參數並傳輸到所述檢測主機，所述檢測主機用於顯示所述生理參數；<br/> 當所述檢測模組未收容於所述凹槽內時，所述檢測模組之所述第一連接端子與所述檢測主機之所述第二連接端子斷開連接，所述檢測主機根據所述檢測模組之無線通訊位址與所述檢測模組建立無線通訊連接，以接收所述生理參數；<br/> 當所述檢測模組收容於所述凹槽內時，所述檢測模組之所述第一連接端子與所述檢測主機之所述第二連接端子連接，所述檢測主機斷開與所述檢測模組之無線通訊連接；<br/> 當所述連接端子與所述檢測主機斷開連接時，所述檢測模組啟動，當所述連接端子與所述檢測主機連接時，所述檢測模組停止工作。
如請求項1所述之醫學檢測儀，其中，當所述連接端子與所述檢測主機斷開連接，且所述檢測模組與所述檢測主機之無線通訊連接斷開時，所述檢測主機顯示提示資訊，所述提示資訊用於提示使用者所述檢測模組與所述檢測主機之無線通訊連接已斷開。
如請求項1所述之醫學檢測儀，其中，當所述檢測模組無法檢測使用者之生理參數時，所述檢測模組藉由所述無線通訊連接傳送修正資訊至所述檢測主機，所述修正資訊用於提示使用者調整所述檢測模組以重新檢測所述生理參數。
如請求項3所述之醫學檢測儀，其中，所述凹槽內設置有卡彈結構，所述卡彈結構用於：<br/> 將所述檢測模組鎖緊固定於所述凹槽內，使得所述連接端子與所述檢測主機連接；或者<br/> 將所述檢測模組推出所述凹槽，使得所述連接端子與所述檢測主機斷開連接。
一種與檢測模組之通訊方法，應用於檢測主機，所述檢測模組藉由第一連接端子可拆卸地連接所述檢測主機，所述檢測主機包括凹槽，所述凹槽用於容置所述檢測模組，所述凹槽內設置有用於與所述第一連接端子連接之第二連接端子，其改良在於，所述通訊方法包括：<br/> 檢測所述檢測模組之所述第一連接端子與所述檢測主機之所述第二連接端子之第一連接狀態；<br/> 若所述第一連接狀態為未連接，啟動電源，根據所述檢測模組之無線通訊位址與所述檢測模組建立無線通訊連接，並接收使用者之生理參數以顯示；<br/> 若所述第一連接狀態為已連接，停止工作，斷開與所述檢測模組之無線通訊連接。
如請求項5所述之通訊方法，其中，所述通訊方法還包括：<br/> 檢測所述檢測主機與所述檢測模組之無線通訊連接之第二連接狀態；<br/> 若所述第一連接狀態為未連接，且所述第二連接狀態為已斷開，顯示提示資訊，所述提示資訊用於提示使用者所述檢測模組與所述檢測主機之無線通訊連接已斷開。
一種與檢測主機之通訊方法，應用於檢測模組，所述檢測模組藉由第一連接端子可拆卸地連接所述檢測主機，所述檢測主機包括凹槽，所述凹槽用於容置所述檢測模組，所述凹槽內設置有用於與所述第一連接端子連接之第二連接端子，其改良在於，所述通訊方法包括：<br/> 檢測所述檢測模組之所述第一連接端子與所述檢測主機之所述第二連接端子之第一連接狀態；<br/> 若所述第一連接狀態為未連接，啟動電源，並與所述檢測主機建立無線通訊連接，且發送使用者之生理參數至所述檢測主機；<br/> 若所述第一連接狀態為已連接，停止工作。
如請求項7所述之通訊方法，其中，所述通訊方法還包括：<br/> 若無法檢測使用者之所述生理參數，傳送修正資訊至所述檢測主機，所述修正資訊用於提示使用者調整所述檢測模組以重新檢測所述生理參數。
一種積體電路，包括：<br/> 在空間佈局上設置在一列中的多個動態暫存器，該等動態暫存器具有各自的輸入資料信號和由輸出端輸出的輸出資料信號，並且接收相同的控制信號，且每個動態暫存器的輸出端是不與用於保持工作狀態的正反饋電路連接的節點，該等動態暫存器包括：在空間佈局上設置在第一行中的第一動態暫存器和設置在與第一行相鄰的第二行中的第二動態暫存器，其中，第一動態暫存器包括第一三態閘，第二動態暫存器包括第二三態閘，第一三態閘包括第一場效應電晶體（FET），第二三態閘包括與第一FET具有相同極性的第二FET，在空間佈局上第一FET與第二FET相鄰，第一FET與第二FET使用跨第一行和第二行之間的第一邊界連續延伸的第一多晶矽圖案作爲閘極端子以接收相同的第一控制信號。
如請求項1所述的積體電路，其中，第一FET和第二FET爲P型場效應電晶體或者N型場效應電晶體。
如請求項1所述的積體電路，其中，該等動態暫存器還包括在空間佈局上設置在第三行中的第三動態暫存器，第三行與第二行相鄰，但不與第一行相鄰，第三動態暫存器包括第三三態閘，第二三態閘還包括與第一FET具有相反極性的第三FET，第三三態閘包括與第三FET具有相同極性的第四FET，在空間佈局上第三FET與第四FET相鄰，第三FET與第四FET使用跨第二行和第三行之間的第二邊界連續延伸的第二多晶矽圖案作爲閘極端子以接收相同的第二控制信號，第二控制信號與第一控制信號互補。
如請求項3所述的積體電路，其中，第一多晶矽圖案與第二多晶矽圖案在空間佈局上在列方向上對準。
如請求項1及2其中任一項所述的積體電路，其中，第一三態閘還包括第五FET，第二三態閘還包括第三FET，第五FET和第三FET的極性與第一FET相反，第五FET和第三FET的閘極端子接收與第一控制信號互補的第二控制信號，第一FET的汲極端子與第五FET的汲極端子耦合在一起以提供第一動態暫存器的輸出資料信號。
如請求項5所述的積體電路，其中，第一三態閘還包括第六FET和第七FET，第六FET的極性與第一FET相反，第七FET的極性與第一FET相同，第七FET的汲極端子耦合到第一FET的源極端子，第六FET的汲極端子耦合到第五FET的源極端子，第六FET和第七FET的閘極端子耦合在一起以接收第一動態暫存器的輸入資料信號，第六FET的源極端子耦合到電源軌或接地軌中的一者，第七FET的源極端子耦合到電源軌或接地軌中的另一者。
如請求項1所述的積體電路，其中，第一三態閘與第二三態閘具有相同的邏輯電路圖。
如請求項1所述的積體電路，其中，第一FET和第二FET共用跨第一邊界連續延伸的同一襯底區域。
如請求項1所述的積體電路，其中，第一動態暫存器和第二動態暫存器共用電源軌或接地軌中的一者，所述電源軌或接地軌中的所述一者設置在第一邊界處。
如請求項1所述的積體電路，其中，第一動態暫存器和第二動態暫存器包括動態閂鎖器。
如請求項1所述的積體電路，其中，第一三態閘和第二三態閘採用互補型金屬氧化物半導體場效電晶體（CMOS）實現。
一種運算晶片，包括至少一個如請求項1至11其中任一項所述的積體電路。
一種計算設備，包括：<br/> 至少一個如請求項12所述的運算晶片；<br/> 控制晶片；<br/> 電源模組；和<br/> 散熱器；<br/> 其中，所述控制晶片與所述至少一個運算晶片耦接並用於控制所述至少一個運算晶片的操作；<br/> 其中，所述電源模組用於向所述至少一個運算晶片和/或所述控制晶片提供電力；以及<br/> 其中，所述散熱器用於給所述至少一個運算晶片、所述控制晶片和/或所述電源模組散熱。
一種複合式滾輪結構，包含： <br/>一滾輪主體，具有相對的兩端面，該滾輪主體的內部設有一主體通道，該兩端面分別形成一第一開口，該第一開口與該主體通道連通； <br/>兩軸筒，對應於該第一開口而分別凸設於該兩端面，每一該兩軸筒具有一軸筒通道與該第一開口連通，該軸筒通道遠離該第一開口的一端具有一第二開口；以及 <br/>兩輪蓋，分別可拆卸地直接設置於該兩軸筒的該第二開口，每一該兩輪蓋具有一開孔，該開孔與該軸筒通道連通， <br/>其中，該滾輪主體及該兩軸筒為一體成形，每一該兩軸筒具有一內壁面，該內壁面鄰近該第二開口處環設有一定位槽，該定位槽延伸至該第二開口，該兩輪蓋適於分別卡置於該兩軸筒的該定位槽， <br/>其中，該定位槽具有一槽壁部及一擋止部，該擋止部面向該第二開口且連接該槽壁部，每一該兩輪蓋具有一外緣面及一內表面，該內表面面向該軸筒通道，該外緣面適於與該槽壁部貼合，且該內表面適於與該擋止部貼合。
如請求項1所述的複合式滾輪結構，其中， 該主體通道穿設於該滾輪主體的一旋轉軸心，該主體通道、該軸筒通道及該開孔分別具有垂直於該旋轉軸心的一第一圓形剖面、一第二圓形剖面及一第三圓形剖面。
如請求項2所述的複合式滾輪結構，其中，該第一圓形剖面、該第二圓形剖面及該第三圓形剖面分別具有一第一直徑、一第二直徑及一第三直徑，該第一直徑大於該第二直徑，且該第二直徑大於、等於或小於該第三直徑。
如請求項1所述的複合式滾輪結構，其中，該擋止部上設置有至少一卡槽，該內表面上設置有至少一凸部，該至少一凸部適於與該至少一卡槽相互卡合。
如請求項4所述的複合式滾輪結構，其中，該至少一卡槽為拱型凹槽，該至少一凸部為對應的拱型凸塊。
一種平行連桿機器人的組裝方法，包括具有一基礎部及在該基礎部上以複數軸線為軸分別可旋轉的複數驅動連桿之一基礎部單元、與該基礎部單元拉開間隔配置之一可動部以及與各該驅動連桿和該可動部分別可拆卸地連結之一從動連桿，該基礎部單元與該可動部藉由一線條體接續，該組裝方法包括： <br/>在所有該從動連桿從各該驅動連桿與該可動部取下的狀態下，藉由一連結件將該基礎部單元與該可動部連結； <br/>將該基礎部單元吊起；以及 <br/>藉由該從動連桿將該驅動連桿與該可動部連結； <br/>該連結件在藉由該連結件將該可動部吊掛在該基礎部單元下方時，具有使該線條體產生鬆弛的長度。
如請求項1所述之組裝方法，更包括： <br/>該從動連桿在每個該驅動連桿處各有兩根平行地設置於各該驅動連桿與該可動部之間；以及 <br/>以該連結件所做的連結，包括將該基礎部單元的一第一連結位置與該可動部的一第二連結位置連結； <br/>該第一連結位置是在至少一個該驅動連桿上至少一個該從動連桿的安裝位置； <br/>該第二連結位置是在與至少一個該從動連桿對應之相位的該可動部上至少一個該從動連桿的安裝位置。
如請求項2所述之組裝方法，其中，以該連結件所做的連結，更包括將在同一個該驅動連桿上的兩個位置的該第一連結位置與兩個位置的該第二連結位置，以同樣長度之個別的該連結件分別連結。
如請求項2所述之組裝方法，其中，以該連結件所做的連結，更包括將在同一個該驅動連桿上的兩個位置的該第一連結位置與兩個位置的該第二連結位置，以在四個角落具有安裝部的帶狀之單一的該連結件連結。
如請求項2至4任一項所述之組裝方法，其中，該基礎部單元的一第一接續位置與該可動部的一第二接續位置，以該線條體連結，並滿足以下的條件式： <br/>L1 ＜L2-L3-L4 <br/>在此，L1為配置於該第一連結位置與該第二連結位置之間的該連結件的長度，L2為配置於該第一接續位置與該第二接續位置之間的該線條體的長度，L3為該第一接續位置與該第一連結位置之間的距離，L4為該第二接續位置與該第二連結位置之間的距離。
一種平行連桿機器人的搬運方法，包括具有一基礎部及在該基礎部上以複數軸線為軸分別可旋轉的複數驅動連桿之一基礎部單元、與該基礎部單元拉開間隔配置之一可動部以及與各該驅動連桿和該可動部分別可拆卸地連結之一從動連桿，該基礎部單元與該可動部藉由一線條體接續，該搬運方法包括： <br/>在所有該從動連桿從各該驅動連桿與該可動部取下的狀態之該基礎部單元與該可動部藉由柔軟的一連結件連結；以及 <br/>搬運由該連結件連結且由該線條體所接續之該基礎部單元與該可動部； <br/>該連結件在藉由該連結件將該可動部吊掛在該基礎部單元下方時，具有使該線條體產生鬆弛的長度。
一種平行連桿機器人的分解方法，包括具有一基礎部及在該基礎部上以複數軸線為軸分別可旋轉的複數驅動連桿之一基礎部單元、與該基礎部單元拉開間隔配置之一可動部以及與各該驅動連桿和該可動部分別可拆卸地連結之一從動連桿，該基礎部單元與該可動部藉由一線條體接續，該分解方法包括： <br/>將該基礎部單元與該可動部藉由一連結件連結；以及 <br/>將該從動連桿從至少一個該驅動連桿和與其對應之該可動部取下； <br/>該連結件在藉由該連結件將該可動部吊掛在該基礎部單元下方時，具有使該線條體產生鬆弛的長度。
一種平行連桿機器人的組裝組，包括具有一基礎部及在該基礎部上以複數軸線為軸分別可旋轉的複數驅動連桿之一基礎部單元、與該基礎部單元拉開間隔配置之一可動部以及與各該驅動連桿和該可動部分別可拆卸地連結之一從動連桿，該基礎部單元與該可動部藉由一線條體接續； <br/>更包括在該從動連桿被取下的狀態之一副組裝體，在將該基礎部單元與該可動部藉由一線條體連結的同時，將該基礎部單元與該可動部藉由柔軟的一連結件連結； <br/>該連結件在藉由該連結件將該可動部吊掛在該基礎部單元下方時，具有使該線條體產生鬆弛的長度。
一種奈米壓印薄膜，包括：<br/> 一光學緻密奈米壓印薄膜，設置於一基板上，其中該光學緻密奈米壓印薄膜包括：<br/> 一多孔奈米壓印薄膜，設置於該基板上，該多孔奈米壓印薄膜係藉由將包含奈米顆粒之一壓印組成物設置於該基板上，然後對該壓印組成物進行壓印以形成特徵的方式所形成；以及<br/> 一金屬氧化物，設置於該多孔奈米壓印薄膜上，其中<br/> 該多孔奈米壓印薄膜包括該等奈米顆粒及在該等奈米顆粒之間的孔洞；<br/> 該等奈米顆粒包括氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鈦、氮化矽、或其任何組合；<br/> 該金屬氧化物包括氧化鈮、氧化鉻、氧化鈧、氧化釔、氧化鐠、氧化鈦、氧化鋁、氧化鎂、氮化矽、或其任何組合；且<br/> 該多孔奈米壓印薄膜的該等孔洞所佔用之體積的約20%至約90%係為該金屬氧化物所填充。
如請求項1所述之奈米壓印薄膜，其中該金屬氧化物具有比該多孔奈米壓印薄膜之折射率大的折射率。
如請求項1所述之奈米壓印薄膜，其中該等奈米顆粒與該金屬氧化物含有不同的材料。
如請求項1所述之奈米壓印薄膜，其中該等奈米顆粒包含氧化鈦。
如請求項1所述之奈米壓印薄膜，其中該金屬氧化物包含氧化鈦或氧化鋁。
如請求項1所述之奈米壓印薄膜，其中該金屬氧化物包含氧化鈮。
如請求項1所述之奈米壓印薄膜，其中該等奈米顆粒包含氧化鈦，且該金屬氧化物包含氧化鋁。
如請求項1所述之奈米壓印薄膜，其中該多孔奈米壓印薄膜之折射率小於2。
如請求項8所述之奈米壓印薄膜，其中該光學緻密奈米壓印薄膜的折射率比該多孔奈米壓印薄膜之折射率大了1%至約30%。
如請求項1所述之奈米壓印薄膜，其中該光學緻密奈米壓印薄膜的折射率比該多孔奈米壓印薄膜之折射率大了約11%至約20%。
如請求項1所述之奈米壓印薄膜，其中該光學緻密奈米壓印薄膜的折射率比該多孔奈米壓印薄膜之折射率大了約2%至約10%。
如請求項11所述之奈米壓印薄膜，其中該金屬氧化物包括氧化鐠、氧化鎂、或其任何組合。
如請求項1所述之奈米壓印薄膜，其中該多孔奈米壓印薄膜之折射率為約1.5至約1.95。
如請求項1所述之奈米壓印薄膜，其中該光學緻密奈米壓印薄膜之折射率為約1.8或更大。
如請求項1所述之奈米壓印薄膜，其中該金屬氧化物包括氮化矽、氧氮化矽、或其任何組合。
如請求項1所述之奈米壓印薄膜，其中該等奈米顆粒包括氮化矽。
一種奈米壓印薄膜，包括：<br/> 一光學緻密奈米壓印薄膜，設置於一基板上，其中該光學緻密奈米壓印薄膜包括：<br/> 一多孔奈米壓印薄膜，設置於該基板上，該多孔奈米壓印薄膜係藉由將包含奈米顆粒之一壓印組成物設置於該基板上，然後對該壓印組成物進行壓印以形成特徵的方式所形成；以及<br/> 一金屬氧化物，設置於該多孔奈米壓印薄膜上，其中<br/> 該多孔奈米壓印薄膜包括奈米顆粒及在該等奈米顆粒之間的孔洞；<br/> 該等奈米顆粒包括氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鈦、氮化矽、或其任何組合；<br/> 該金屬氧化物包括氧化鈮、氧化鉻、氧化鈧、氧化釔、氧化鐠、氧化鈦、氧化鋁、氧化鎂、氮化矽、或其任何組合；且<br/> 該多孔奈米壓印薄膜的該等孔洞所佔用之體積的約20%至約90%係為該金屬氧化物所填充，<br/> 其中該等奈米顆粒之每一者包括設置於一核的周圍之一殼。
如請求項17所述之奈米壓印薄膜，其中該核包括氧化鈦，且該殼包括氧化矽、氧化鋯、氧化鈮、或其任何組合。
如請求項17所述之奈米壓印薄膜，其中該核包括氧化鈮，且該殼包括氧化矽、氧化鋯、或其任何組合。
如請求項17所述之奈米壓印薄膜，其中該核包括氧化鋯，且該殼包括氧化矽。
一種基於可調支撐角度之營柱套件結構，其包含：<br/>一本體，其於一端設置有一組接部，並於另端設置有一插接部，該插接部表面係設置有至少一組接元件，且該插接部係呈尖底形式設置；以及<br/>一套接元件，其於一端設有可對應包覆或收容於該插接部之容接部，且該容接部設有對應於所述組接元件之結合部件，該套接元件之底端係呈平底設置者。
如請求項1所述之基於可調支撐角度之營柱套件結構，其中，該插接部係呈幾何圖型之錐狀、柱狀或錐柱狀設置者。
如請求項1所述之基於可調支撐角度之營柱套件結構，其中，該組接部更包含一由該本體一端凹設形成之凹槽者。
如請求項3所述之基於可調支撐角度之營柱套件結構，其中，該凹槽係呈圓形、多邊形、具導角之多邊形、花瓣形或幾何圖形設置者。
如請求項3所述之基於可調支撐角度之營柱套件結構，其中，該組接部更包含一卡槽，其係對應設置於該凹槽之外緣處，且該卡槽及該凹槽間係具有一承接壁。
如請求項1所述之基於可調支撐角度之營柱套件結構，其中，所述組接元件及所述結合部件間，係呈相對應之凹凸卡合設置者。
如請求項1所述之基於可調支撐角度之營柱套件結構，其中，所述組接元件及所述結合部件間，係互為對應之螺紋及螺牙，藉以透過螺合方式組接者。
如請求項1至請求項7中任一項所述之基於可調支撐角度之營柱套件結構，其中，該套接元件係略呈柱狀或塊狀設置，且該套接元件於相對該容接部一端，更設有至少一抵接部件。
如請求項8所述之基於可調支撐角度之營柱套件結構，其中，所述抵接部件為凸設於該套接元件之凸垣者。
一種營柱，其係略呈柱狀設置，並於其底端係組設有如請求項1至請求項9中任一項所述基於可調支撐角度之營柱套件結構。
一種檢測裝置，係被使用在膜料卷之製造生產線中，該膜料卷，係藉由一面藉由複數之一對之把持部來把持搬送中之膜料之兩側端一面藉由將該一對之把持部之寬幅方向之距離逐漸擴廣來使前述膜料延伸之延伸工程、和對於被作了延伸的膜料之兩側之側端部作修整並分離成中央之膜料以及兩側之被作了修整之膜料之修整工程、以及將藉由修整而使兩側之側端部被作了去除的中央之膜料捲取在卷心上之捲取工程，而被製造， <br/> 該檢測裝置，係具備有： <br/> 攝像部，係對於在前述延伸工程及/或前述修整工程中而被作搬送的前述膜料之表面之監視區域進行攝影，並產生連續之圖框畫像；和 <br/> 處理部，係對於特定之時間差之2個的圖框畫像作比較而產生比較畫像資料，並基於所產生的比較畫像資料，來產生前述膜料之顫動度之指標；和 <br/> 輸出部，係將前述指標作輸出， <br/> 前述處理部，係藉由對於2個的圖框畫像進行差分處理，而產生前述比較畫像資料，並將所產生的前述比較畫像資料之像素之中之超過特定之臨限值且有所連續之像素抽出，並且將所抽出的像素之面積作為前述指標。
如請求項1所記載之檢測裝置，其中， <br/> 前述攝像部係存在有複數，前述複數之攝像部，係各別以會在較前述修整工程之切斷位置更下游側處而使兩側之被作了修整的膜料之表面成為前述監視區域的方式，而被作配置， <br/> 前述處理部，係產生兩側之被作了修整的膜料之其中一方之指標以及另外一方之指標， <br/> 前述輸出部，係將其中一方之指標以及另外一方之指標，以能夠進行比較並作視覺辨認的方式，來在顯示部處作並排顯示。
如請求項1所記載之檢測裝置，其中， <br/> 係更進而具備有：記憶部，係記憶前述膜料卷之製造履歷之資料， <br/> 前述輸出部，係將製造中之膜料卷之前述指標顯示在顯示部處，並且將從記憶部所讀出了的過去之膜料卷製造時之前述指標作顯示。
如請求項1所記載之檢測裝置，其中， <br/> 前述攝像部，係以會使身為其之光軸與前述膜料之表面之間所成的角度之攝影角度成為10度以上、30度以下，並且從自身起直到前述光軸與前述膜料之間之交點為止之距離會成為100mm以上300mm以下的方式，而被作配置。
如請求項1所記載之檢測裝置，其中， <br/> 前述攝像部，係對於在前述延伸工程中而被作搬送的前述膜料之表面之監視區域進行攝影， <br/> 前述攝像部，係以會使身為其之光軸與前述膜料之表面之間所成的角度之攝影角度成為10度以上、30度以下，並且從自身起直到前述光軸與前述膜料之間之交點為止之距離會成為1.0m以上2.0m以下的方式，而被作配置。
如請求項1所記載之檢測裝置，其中， <br/> 前述攝像部，係對於在前述延伸工程中而被作搬送的前述膜料之表面之監視區域進行攝影， <br/> 前述攝像部，係以會使身為其之光軸與前述膜料之表面之間所成的角度之攝影角度成為10度以上、20度以下，並且從自身起直到前述光軸與前述膜料之間之交點為止之距離會成為1.5m以上3.0m以下的方式，而被作配置。
如請求項1所記載之檢測裝置，其中， <br/> 係具備有：光源，係對於前述膜料之前述監視區域照射光， <br/> 係構成為不會使從前述光源而來之直接光進入至前述攝像部中。
如請求項1所記載之檢測裝置，其中， <br/> 係具備有：光源，係對於前述膜料之前述監視區域照射光， <br/> 前述膜料，係為會使光透過之膜料， <br/> 前述光源與前述攝像部，係相對於前述膜料而被配置在相反之面側，並構成為使從前述光源而來之透過了前述膜料後的直接光不會被前述攝像部所受光。
一種製造管理系統，係具備有： <br/> 膜料卷製造裝置，係藉由延伸工程和修整工程以及捲取工程而製造出膜料卷，該延伸工程，係一面藉由複數之一對之把持部來把持搬送中之膜料之兩側端，一面藉由將該一對之把持部之寬幅方向之距離逐漸擴廣，來使前述膜料延伸，該修整工程，係對於被作了延伸的膜料之兩側之側端部作修整並分離成中央之膜料以及兩側之被作了修整之膜料，該捲取工程，係將藉由修整而使兩側之側端部被作了去除的中央之膜料捲取在卷心上；和 <br/> 如請求項1所記載之檢測裝置。
一種檢測方法，係為被使用在膜料卷之製造生產線中之膜料搬送狀態之檢測方法，該膜料卷，係藉由延伸工程和修整工程以及捲取工程而被製造，該延伸工程，係一面藉由複數之一對之把持部來把持搬送中之膜料之兩側端，一面藉由將該一對之把持部之寬幅方向之距離逐漸擴廣，來使前述膜料延伸，該修整工程，係對於被作了延伸的膜料之兩側之側端部作修整並分離成中央之膜料以及兩側之被作了修整之膜料，該捲取工程，係將藉由修整而使兩側之側端部被作了去除的中央之膜料捲取在卷心上， <br/> 該檢測方法，係包含有： <br/> 對於在前述延伸工程及/或前述修整工程中而被作搬送的前述膜料之表面之監視區域進行攝影，並產生連續之圖框畫像之步驟(a)；和 <br/> 對於特定之時間差之2個的圖框畫像作比較而產生比較畫像資料，並基於所產生的比較畫像資料，來產生前述膜料之顫動度之指標之步驟(b)；和 <br/> 將藉由前述步驟(b)所產生的前述指標作輸出之步驟(c)， <br/> 在前述步驟(b)中，係藉由對於2個的圖框畫像進行差分處理，而產生前述比較畫像資料，並將所產生的前述比較畫像資料之像素之中之超過特定之臨限值且有所連續之像素抽出，並且將所抽出的像素之面積作為前述指標。
一種控制程式，係為對於檢測裝置作控制之控制程式，該檢測裝置，係被使用在膜料卷之製造生產線中，該膜料卷，係藉由延伸工程和修整工程以及捲取工程而被製造，該延伸工程，係一面藉由複數之一對之把持部來把持搬送中之膜料之兩側端，一面藉由將該一對之把持部之寬幅方向之距離逐漸擴廣，來使前述膜料延伸，該修整工程，係對於被作了延伸的膜料之兩側之側端部作修整並分離成中央之膜料以及兩側之被作了修整之膜料，該捲取工程，係將藉由修整而使兩側之側端部被作了去除的中央之膜料捲取在卷心， <br/> 該控制程式，係使電腦實行包含有下述步驟之處理： <br/> 對於在前述延伸工程及/或前述修整工程中而被作搬送的前述膜料之表面之監視區域進行攝影，並產生連續之圖框畫像之步驟(a)；和 <br/> 對於特定之時間差之2個的圖框畫像作比較而產生比較畫像資料，並基於所產生的比較畫像資料，來產生前述膜料之顫動度之指標之步驟(b)，其中，係藉由對於2個的圖框畫像進行差分處理，而產生前述比較畫像資料，並將所產生的前述比較畫像資料之像素之中之超過特定之臨限值且有所連續之像素抽出，並且將所抽出的像素之面積作為前述指標；和 <br/> 將藉由前述步驟(b)所產生的前述指標作輸出之步驟(c)。
一種暫時固定用組合物，其包含以下之(A)～(C)： <br/>(A)包含含有與雜原子鍵結之芳香環之(甲基)丙烯酸酯之聚合性成分、 <br/>(B)光自由基聚合起始劑、及 <br/>(C)具有聚合性官能基之紫外線吸收劑， <br/>上述暫時固定用組合物1 g中所含有之與雜原子鍵結之芳香環之當量為0.50 mmol以上3 mmol以下，且 <br/>相對於上述(A)成分之合計100質量份，含有0.5～15質量份之上述(C)成分。
如請求項1之暫時固定用組合物，其中上述(A)成分包含選自由9,9-雙[4-(2-羥基C<sub>1</sub>～C<sub>20</sub>烷氧基)苯基]茀二(甲基)丙烯酸酯、C<sub>1</sub>～C<sub>20</sub>烷氧基化雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、1,3-雙(2-(甲基)丙烯醯氧基C<sub>1</sub>～C<sub>20</sub>烷基)苯、2,2-雙(4-(甲基)丙烯醯氧基二乙氧基苯基)丙烷、或其等之結構異構物所組成之群中之1種以上。
如請求項1之暫時固定用組合物，其中上述(A)成分包含選自由壬基苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、或其等之結構異構物所組成之群中之1種以上。
如請求項1或2之暫時固定用組合物，其中上述(B)成分係選自雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦、及1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]乙酮-1-(O-乙醯肟)中之1種以上。
如請求項1或2之暫時固定用組合物，其中上述(C)成分具有選自由二苯甲酮骨架、三唑骨架、羥基苯基三<img align="absmiddle" height="24px" width="20px" file="d10001.TIF" alt="ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/>骨架、及酚骨架所組成之群中之1種以上，且具有聚合性官能基。
如請求項1或2之暫時固定用組合物，其中相對於上述(A)成分之合計100質量份，且含有0.01～5質量份之上述(B)成分。
一種暫時固定用接著劑，其包含如請求項1或2之暫時固定用組合物。
一種薄型晶圓之製造方法， <br/>其係使用如請求項7之暫時固定用接著劑者，且包括如下之步驟： <br/>經由上述暫時固定用接著劑，使薄型晶圓之基材與光學上透明之支持構件貼合； <br/>自上述支持構件側，使上述暫時固定用接著劑光硬化而形成接著劑層，將上述基材與上述支持構件接著； <br/>對上述基材進行加工而形成薄型晶圓；及 <br/>自上述支持構件側照射波長為350 nm～385 nm之光而使上述接著劑層分解，將上述薄型晶圓自上述支持構件剝離。
一種組合物，其含有以下之(A)～(C)： <br/>(A)包含含有與雜原子鍵結之芳香環之(甲基)丙烯酸酯之聚合性成分、 <br/>(B)聚合起始劑、及 <br/>(C)具有聚合性官能基之紫外線吸收劑， <br/>上述組合物1 g中所含有之與雜原子鍵結之芳香環之當量為0.50 mmol以上3 mmol以下，且 <br/>相對於上述(A)成分之合計100質量份，含有0.5～15質量份之上述(C)成分。
一種路面形狀推定裝置，其包含： <br/>特定部，其將第1鳥瞰圖與第2鳥瞰圖進行比較，該第1鳥瞰圖係將自第1位置拍攝路面之第1圖像轉換成鳥瞰圖而成，該第2鳥瞰圖係將自與前述第1位置不同之第2位置拍攝前述路面之第2圖像轉換成鳥瞰圖而成，前述特定部針對前述路面之複數個部分，特定出與該部分對應之前述第1鳥瞰圖之第1部分及前述第2鳥瞰圖之第2部分；及 <br/>推定部，其算出前述第1部分與前述第2部分之圖像上之移動量，基於該移動量而推定前述路面之凹凸形狀； <br/>前述第1及第2圖像係由設置在行駛於前述路面之車輛的攝影部所拍攝之圖像或動畫之訊框； <br/>前述特定部係：至少針對就與前述車輛之行駛方向大致垂直之方向具有互不相同之位置的前述路面之複數個部分、以及就與前述行駛方向大致垂直之方向具有互為相同之位置的前述路面之複數個部分，特定出前述第1及第2部分； <br/>前述推定部係：針對就與前述行駛方向大致垂直之方向具有互為相同之位置的前述路面之複數個部分而算出前述算出之移動量之前述行駛方向之成分之平均值，藉此推定沿著與前述行駛方向大致垂直之方向的凹凸形狀。
如請求項1之路面形狀推定裝置，其中前述特定部藉由將前述第1鳥瞰圖與前述第2鳥瞰圖進行匹配，而特定出前述第1及第2部分。
如請求項2之路面形狀推定裝置，其中前述特定部藉由將前述第1及第2鳥瞰圖之特徵點進行匹配、或將前述第1及第2鳥瞰圖之至少一部分之區域中所含之所有像素進行匹配，而進行特定。
如請求項2之路面形狀推定裝置，其中前述特定部針對在前述第1及第2鳥瞰圖中具有所指定之規定之尺寸之複數個區域、且係前述區域之至少一部分與鄰接之區域相互重複之複數個區域各者，進行匹配。
如請求項2之路面形狀推定裝置，其中前述特定部進一步藉由將對前述第1及第2鳥瞰圖分別進行單應性轉換而獲得之第1及第2轉換圖進行匹配，而特定出前述第1及第2部分。
如請求項2之路面形狀推定裝置，其中前述特定部藉由有示教之學習模型進行匹配；且 <br/>前述學習模型之示教資料包含路面之圖像及與其對應之不清晰之圖像之組合、以及將相互重複之區域之所有像素建立對應關係之2張圖像之組合之至少1種。
如請求項1至6中任一項之路面形狀推定裝置，其中前述凹凸形狀包含車轍、及路陷之至少1種。
如請求項1至6中任一項之路面形狀推定裝置，其中前述推定部將針對尺寸已知之具有凹凸形狀之路面或物體之推定結果作為參考資料，進一步算出前述推定出之路面之凹凸形狀之尺寸。
一種路面形狀推定方法，其包含： <br/>由電腦執行： <br/>將第1鳥瞰圖與第2鳥瞰圖進行比較，該第1鳥瞰圖係將自第1位置拍攝路面之第1圖像轉換成鳥瞰圖而成，該第2鳥瞰圖係將自與前述第1位置不同之第2位置拍攝前述路面之第2圖像轉換成鳥瞰圖而成，針對前述路面之複數個部分，特定出與該部分對應之前述第1鳥瞰圖之第1部分及前述第2鳥瞰圖之第2部分；及 <br/>算出前述第1部分與前述第2部分之圖像上之移動量，基於該移動量而推定前述路面之凹凸形狀； <br/>其中前述第1及第2圖像係由設置在行駛於前述路面之車輛的攝影部所拍攝之圖像或動畫之訊框； <br/>前述特定係：至少針對就與前述車輛之行駛方向大致垂直之方向具有互不相同之位置的前述路面之複數個部分、以及就與前述行駛方向大致垂直之方向具有互為相同之位置的前述路面之複數個部分，特定出前述第1及第2部分； <br/>前述推定係：針對就與前述行駛方向大致垂直之方向具有互為相同之位置的前述路面之複數個部分而算出前述算出之移動量之前述行駛方向之成分之平均值，藉此推定沿著與前述行駛方向大致垂直之方向的凹凸形狀。
一種路面形狀推定系統，其包含： <br/>攝影部，其設置於車輛； <br/>特定部，其將第1鳥瞰圖與第2鳥瞰圖進行比較，該第1鳥瞰圖係將前述攝影部自第1位置拍攝路面之第1圖像轉換成鳥瞰圖而成，該第2鳥瞰圖係將前述攝影部自與前述第1位置不同之第2位置拍攝前述路面之第2圖像轉換成鳥瞰圖而成，前述特定部針對前述路面之複數個部分，特定出與該部分對應之前述第1鳥瞰圖之第1部分及前述第2鳥瞰圖之第2部分；及 <br/>推定部，其算出前述第1部分與前述第2部分之圖像上之移動量，基於該移動量而推定前述路面之凹凸形狀； <br/>前述第1及第2圖像係由前述攝影部所拍攝之圖像或動畫之訊框； <br/>前述特定部係：至少針對就與前述車輛之行駛方向大致垂直之方向具有互不相同之位置的前述路面之複數個部分、以及就與前述行駛方向大致垂直之方向具有互為相同之位置的前述路面之複數個部分，特定出前述第1及第2部分； <br/>前述推定部係：針對就與前述行駛方向大致垂直之方向具有互為相同之位置的前述路面之複數個部分而算出前述算出之移動量之前述行駛方向之成分之平均值，藉此推定沿著與前述行駛方向大致垂直之方向的凹凸形狀。
一種路面形狀推定程式，其使電腦作為特定部及推定部發揮功能，且 <br/>該特定部將第1鳥瞰圖與第2鳥瞰圖進行比較，該第1鳥瞰圖係將自第1位置拍攝路面之第1圖像轉換成鳥瞰圖而成，該第2鳥瞰圖係將自與前述第1位置不同之第2位置拍攝前述路面之第2圖像轉換成鳥瞰圖而成，前述特定部針對前述路面之複數個部分，特定出與該部分對應之前述第1鳥瞰圖之第1部分及前述第2鳥瞰圖之第2部分； <br/>該推定部算出前述第1部分與前述第2部分之圖像上之移動量，基於該移動量而推定前述路面之凹凸形狀； <br/>前述第1及第2圖像係由設置在行駛於前述路面之車輛的攝影部所拍攝之圖像或動畫之訊框； <br/>前述特定部係：至少針對就與前述車輛之行駛方向大致垂直之方向具有互不相同之位置的前述路面之複數個部分、以及就與前述行駛方向大致垂直之方向具有互為相同之位置的前述路面之複數個部分，特定出前述第1及第2部分； <br/>前述推定部係：針對就與前述車輛之行駛方向大致垂直之方向具有互為相同之位置的前述路面之複數個部分而算出前述算出之移動量之前述行駛方向之成分之平均值，藉此推定沿著與前述車輛之行駛方向大致垂直之方向的凹凸形狀。
一種結構化資料生成方法，其步驟包含:<br/> 步驟S1)首先使用一加工數據庫中一真實資料集，運用特徵擷取演算法及深度學習法，建立一多重鑑別網路；<br/> 步驟S2)由特徵擷取演算法的分析，萃取該加工數據庫的該真實資料集中資料分布的一關鍵特徵值，運用深度學習法，建立一真偽性鑑別網路，透過辨識真實及生成資料的正確度，作為該真偽性鑑別網路的辨識率；<br/> 步驟S3) 從該加工數據庫維度中，定義另外一個及多個關聯式鑑別網路之一輸入資料及一輸出資料，包含加工參數組合與加工結果的輸入輸出對應關係，透過特徵擷取演算法及深度學習，建立一個至多個關聯式鑑別網路，接著將所生成該輸入資料，透過該關聯式鑑別網路預測出相對應的該輸出資料，再與生成的該輸出資料進行比對，以評估其生成及預測之該輸出資料的關聯性誤差值；<br/> 步驟S4)定義一生成網路的一輸入維度及一輸出維度，以隨機雜訊作為該輸入維度，透過反向深度學習技術或深度學習技術並且依照所生成資料筆數建立該生成網路；<br/> 步驟S5)完成定義該多重鑑別網路及該生成網路的架構後，以該加工數據庫取80%資料集作為該關聯式鑑別網路的訓練資料，20%資料集做為測試資料，建立一個至多個關聯式鑑別網路；<br/> 步驟S6)使該生成網路及多重鑑別網路彼此對抗，首先由初始的該生成網路並生成數筆一結構化虛擬資料；接著，從該生成網路及該資料集分別隨機取一小批資料，輸入至該多重鑑別網路，並透過一評估指標，評估生成資料真偽性及合理性，並以提升該真偽性鑑別網路辨識率為目標，透過最佳化演算法調整該真偽性鑑別網路參數；<br/> 步驟S7)固定該真偽性鑑別網路的參數，使該生成網路所生成數筆虛擬資料組合，輸入至當前該真偽性鑑別網路及一個至多個該關聯式鑑別網路，並以得到辨識結果作為依據，透過最佳化演算法，以降低該真偽性鑑別網路辨識率及減少該關聯式鑑別網路的預測及生成資料間誤差為目標，調整該生成網路參數，使其生成資料接近真實資料；以及<br/> 步驟S8) 經由已調整參數的該生成網路，以提升該真偽性鑑別網路辨識率為目標，調整該真偽性鑑別網路參數，並重複上述流程，最終使該生成網路所生成資料可逼近真實資料分布，且資料彼此間具備對應關係。
如請求項1所述的結構化資料生成方法，其中:<br/> 該多重鑑別網路包含一真偽性鑑別網路及一關聯性鑑別網路；<br/> 該特徵擷取演算法包含卷積運算；<br/> 該反向深度學習技術包含反卷積網路；<br/> 該深度學習技術包含全連接神經網路；<br/> 該隨機雜訊包含高斯雜訊；<br/> 該評估指標包含均方根差；<br/> 該最佳化演算法包含梯度下降法；以及<br/> 調整真偽性鑑別網路的參數包含權重及偏權重。
如請求項2所述的結構化資料生成方法，其中:該真偽性鑑別網路係以該加工數據庫的一整體結構化資料作為網路輸入，另以一真偽性資料為網路輸出。
如請求項1所述的結構化資料生成方法，其中:該加工數據庫包含一研磨加工數據庫。
如請求項1所述的結構化資料生成方法，其中:加工參數組合與加工結果的輸入輸出對應關包含研磨加工時，砂輪轉速與進給速度的輸入輸出對應關係。
一種用於自行車之煞車卡鉗，其包含：<br/> 一卡鉗殼體，其包含一空腔；<br/> 一活塞，其可移動地安置在該空腔中，其中該活塞可沿著一第一軸線在該空腔中往復移動，且其中該活塞包含一非圓形外周緣，其界定出正交於該第一軸線之一截面積；<br/> 一密封件，該密封件安置在該外周緣與該空腔之一內部表面之間；以及<br/> 一壓蓋，該壓蓋在該活塞的該外周緣及該空腔的該內部表面中之一者中，用於收納該密封件，該壓蓋具有一第一寬度且該密封件在未壓縮狀態具有一第二寬度，該第一寬度大於該第二寬度。
如請求項1之煞車卡鉗，其中該截面積包含具有一第一長度的一長軸及具有一第二長度的一短軸，其中該長軸正交於該短軸，且其中該第一長度對該第二長度之一功率伸長率大於或等於1.5。
如請求項1之煞車卡鉗，其中該外周緣由至少一線性部分界定。
如請求項3之煞車卡鉗，其中該至少一線性部分包含與第一端部部分及第二端部部分連接之間隔開的第一線性部分及第二線性部分。
如請求項4之煞車卡鉗，其中該第一線性部分及該第二線性部分為非平行的。
如請求項5之煞車卡鉗，其中該第一端部部分係彎曲的且具有一第一半徑，且該第二端部部分係彎曲的且具有一第二半徑，其中該第一半徑大於該第二半徑。
如請求項2之煞車卡鉗，其中該第一長度對該第二長度之該功率伸長率大於或等於2.0。
如請求項1之煞車卡鉗，其進一步包含耦接至該活塞的一煞車墊，其中該煞車墊包含一外周緣，其界定出正交於該第一軸線之一截面積，其中在該活塞之該外周緣沿著該第一軸線疊加在該煞車墊之該截面積上時，該活塞之該外周緣安置在該煞車墊之該外周緣內。
如請求項1之煞車卡鉗，其進一步包含一煞車墊，且其中該活塞包含耦接至該煞車墊的一單個活塞。
如請求項1之煞車卡鉗，其中該壓蓋為階梯狀的。
如請求項1之煞車卡鉗，其中該卡鉗殼體包含一第一卡鉗部分及一第二卡鉗部分，該第一卡鉗部分在該第二卡鉗部分的內側，該第一卡鉗部分包括該空腔，該第二卡鉗部分包括用於收納一第二活塞的一第二空腔，其中該第二活塞可沿著該第一軸線在該第二空腔中往復移動，該第二活塞包含一非圓形外周緣，其界定出正交於該第一軸線之一截面積，該活塞的該外周緣及該第二空腔的一內部表面中之一者包含一第二壓蓋，該第二壓蓋用於收納安置在該第二活塞與該第二空腔的該內部表面之間的一第二密封件，該壓蓋具有一第一寬度且該密封件在未壓縮狀態具有一第二寬度，該第一寬度大於該第二寬度。
如請求項11之煞車卡鉗，其中該第二壓蓋為階梯狀的。
一種用於自行車之煞車卡鉗，其包含：<br/> 一卡鉗殼體，其包含一空腔；<br/> 一活塞，其可移動地安置在該空腔中，其中該活塞可沿著一第一軸線在該空腔中往復移動，且其中該活塞包含一非圓形第一外周緣，其界定出正交於該第一軸線之一第一截面積；以及<br/> 一煞車墊，其耦接至該活塞，其中該煞車墊包含一第二外周緣，該第二外周緣界定出正交於該第一軸線之一第二截面積，其中在該活塞之該外周緣沿著該第一軸線疊加在該煞車墊之該截面積上時，該活塞之該外周緣安置在該煞車墊之該外周緣內，<br/> 其中該外周緣由與第一端部部分及第二端部部分連接之間隔開的第一線性部分及第二線性部分界定，該第一線性部分及該第二線性部分為非平行的。
如請求項13之煞車卡鉗，其中該第一截面積包含具有一第一長度的一長軸及包含一第二長度的一短軸，其中該長軸正交於該短軸，且其中該第一長度對該第二長度之一功率伸長率大於1.0。
如請求項13之煞車卡鉗，其進一步包含一密封件，該密封件安置在該第一外周緣與該空腔之一內部表面之間。
如請求項1之煞車卡鉗，其中該煞車卡鉗進一步包括一套筒，該套筒安置在該活塞與該卡鉗殼體之間。
一種用於自行車之煞車卡鉗，其包含：<br/> 一卡鉗殼體，其包含具有一第一空腔的一第一卡鉗部分及具有一第二空腔的一第二卡鉗部分，該第一卡鉗部分在該第二卡鉗部分的內側；以及<br/> 一第一活塞，其可移動地安置在該第一空腔中，其中該第一活塞可沿著一第一軸線在該第一空腔中往復移動，且其中該第一活塞包含一第一非圓形外周緣，其界定出正交於該第一軸線之一截面積；以及<br/> 一第二活塞，其可移動地安置在該第二空腔中，其中該第二活塞可沿著該第一軸線在該第二空腔中往復移動，其中該第二活塞包含一第二非圓形外周緣，其界定出正交於該第一軸線之一截面積。
如請求項17之煞車卡鉗，其中該等外周緣中之各者由至少一線性部分界定，其中該至少一線性部分包含與第一端部部分及第二端部部分連接之間隔開的第一線性部分及第二線性部分。
如請求項18之煞車卡鉗，其中該第一線性部分及該第二線性部分為非平行的。
如請求項19之煞車卡鉗，其中該第一端部部分係彎曲的且具有一第一半徑，且該第二端部部分係彎曲的且具有一第二半徑，其中該第一半徑大於該第二半徑。
如請求項17之煞車卡鉗，其進一步包含耦接至該第一活塞的一第一煞車墊及耦接至該第二活塞的一第二煞車墊，以及將該第一煞車墊及該第二煞車墊分別偏壓抵靠該第一活塞及該第二活塞的一彈簧元件。
如請求項21之煞車卡鉗，其中該彈簧元件是一擴展器彈簧。
一種VR顯示裝置，其具備：<br/> 外殼、<br/> 容納於該外殼內之顯示面板、<br/> 在該外殼內與該顯示面板重疊配置之透鏡、及<br/> 與該顯示面板及該透鏡重疊配置之抗反射薄膜，其中<br/> 該抗反射薄膜入射角5°的正反射光的視感反射率(Y值)為0.3%以下，且入射角25°的正反射光的視感反射率(Y值)為0.3%以下，且入射角5°的正反射光與入射角25°的正反射光之色差ΔE＊ab值為5以下。
如請求項1之VR顯示裝置，其中該抗反射薄膜具備：<br/> 透明薄膜基材、<br/> 形成於該透明薄膜基材的一側的面之硬塗層、<br/> 形成於該硬塗層上之高折射率層、及<br/> 形成於該高折射率層上之低折射率層；且<br/> 該高折射率層的折射率為1.76±0.02的範圍內，<br/> 該低折射率層的折射率為1.29±0.02的範圍內，<br/> 該高折射率層的膜厚為132.5nm～157.5nm的範圍內，<br/> 該低折射率層的膜厚為92.5nm～112.5nm的範圍內。
如請求項2之VR顯示裝置，其中該高折射率層含有金屬氧化物微粒。
如請求項2之VR顯示裝置，其中該低折射率層含有中空二氧化矽微粒。
一種前光式玻璃顯示模組，其包含：<br/> 一圖像顯示單元；<br/> 一貼合層，其層疊於該圖像顯示單元之一側，該貼合層之材質包含有一光學膠及一緩衝吸收材料，該緩衝吸收材料為含有苯基之高分子聚合物，其由單體聚合而成，該單體的主鏈碳鏈長度為C6至C18之間，苯基係設於支鏈的位置；以及<br/> 一設於該貼合層遠離該圖像顯示單元的前光單元，其包含一玻璃板及一導光結構，該玻璃板係層疊於該貼合層，該導光結構係設於該玻璃板遠離或靠近該貼合層的至少其中一側，該導光結構用以將光線均勻的導引傳遞至該圖像顯示單元。
如請求項1所述之前光式玻璃顯示模組，其中，該圖像顯示單元包含有一電子墨水顯示層。
如請求項1所述之前光式玻璃顯示模組，其中，該緩衝吸收材料佔該貼合層整體比例的10%至20%。
如請求項1所述之前光式玻璃顯示模組，其中，該緩衝吸收材料包含C18-不飽和二聚脂肪酸與聚乙烯胺的反應產物、4,4'-(1-甲基亞乙基)雙苯酚與(氯甲基)環氧乙烷的聚合物或其混合物。
如請求項1所述之前光式玻璃顯示模組，其中，該玻璃板之厚度介於0.3mm至2mm。
如請求項1所述之前光式玻璃顯示模組，其中，該導光結構係設有複數導光部。
如請求項6所述之前光式玻璃顯示模組，其中，各該導光部沿該玻璃板之平面方向的直徑尺寸介於0.05mm至0.1mm。
如請求項6所述之前光式玻璃顯示模組，其中，各該導光部之高度介於3µm至15µm。
如請求項6所述之前光式玻璃顯示模組，其中，各該導光部之光學均勻性介於70%至92%。
如請求項6所述之前光式玻璃顯示模組，其中，各該導光部之可見光穿透率介於70%至92%。
如請求項6所述之前光式玻璃顯示模組，其中，該導光結構係以網版印刷方式設於該玻璃板遠離或靠近該貼合層的至少其中一側。
如請求項1所述之前光式玻璃顯示模組，其中，該圖像顯示單元與該貼合層之間更包含有一電容式觸控層。
如請求項1所述之前光式玻璃顯示模組，其中，該前光單元遠離該貼合層之一側更層疊有一防眩光層。
一種半導體結構的製造方法，包括：<br/> 在第一基底上方形成第一內連線結構，其中所述第一內連線結構包括第一介電層與在所述第一介電層中的金屬化圖案；<br/> 在所述第一內連線結構上方形成重布線通孔與重布線接墊，其中所述重布線通孔與所述重布線接墊電性耦合至所述第一內連線結構的所述金屬化圖案的其中至少一者，且所述重布線通孔與所述重布線接墊具有相同的材料成分；<br/> 在所述重布線接墊上方形成第一翹曲控制介電層；<br/> 在所述第一翹曲控制介電層上形成第二翹曲控制介電層，其中所述第二翹曲控制介電層的材料成分不同於所述第一翹曲控制介電層的材料成分；以及<br/> 在所述重布線接墊上方形成接合墊通孔與接合墊，其中所述接合墊位在所述第一翹曲控制介電層與所述第二翹曲控制介電層中，且所述接合墊通孔電性耦合至所述重布線接墊。
如請求項1所述的半導體結構的製造方法，其中所述重布線通孔與所述重布線接墊分別包括銅。
如請求項2所述的半導體結構的製造方法，其中所述接合墊與所述接合墊通孔分別包括銅。
如請求項1所述的半導體結構的製造方法，其中藉由單一沈積製程形成所述重布線通孔與所述重布線接墊。
如請求項1所述的半導體結構的製造方法，其中在所述第一內連線結構上方形成所述重布線通孔與所述重布線接墊包括：<br/> 在所述第一內連線結構的所述金屬化圖案上方形成第二介電層；<br/> 在所述第二介電層中形成開口，以暴露出所述第一內連線結構的頂層金屬結構；<br/> 在所述第二介電層與暴露於所述第二介電層的所述開口中的所述頂層金屬結構上形成晶種層；<br/> 在所述晶種層上方形成並圖案化遮罩層；以及<br/> 進行鍍覆製程以在經圖案化的所述遮罩層中形成所述重布線通孔與所述重布線接墊，其中所述重布線通孔位在所述第二介電層的所述開口中。
如請求項1所述的半導體結構的製造方法，其中所述接合墊通孔交疊所述重布線通孔。
如請求項1所述的半導體結構的製造方法，更包括：<br/> 在所述第一內連線結構的所述金屬化圖案上方形成第三介電層，其中所述重布線通孔穿過所述第三介電層，且所述重布線接墊位於所述第三介電層上方；<br/> 在所述第三介電層與所述重布線接墊上方形成共形介電層；<br/> 在所述共形介電層上方形成平坦化介電層，其中所述第一翹曲控制介電層與所述第二翹曲控制介電層位在所述平坦化介電層上；以及<br/> 在所述第一翹曲控制介電層與所述第二翹曲控制介電層上形成接合介電層。
如請求項1所述的半導體結構的製造方法，更包括：<br/> 在所述第一翹曲控制介電層與所述第二翹曲控制介電層之間形成中間層，其中所述中間層的材料成分相異於所述第二翹曲控制介電層的所述材料成分與所述第一翹曲控制介電層的所述材料成分。
一種半導體結構，包括：<br/> 在第一基底上方的第一內連線結構，其中所述第一內連線結構包括介電層與位於所述介電層中的金屬化圖案；<br/> 鈍化層，位於所述第一內連線結構的所述金屬化圖案上方；<br/> 重布線通孔與重布線接墊，位於所述第一內連線結構上方，其中所述重布線通孔與所述重布線接墊電性耦合至所述第一內連線結構的所述金屬化圖案中的至少一者，所述重布線通孔穿過所述鈍化層，所述重布線接墊位在所述鈍化層上方，且所述重布線通孔與所述重布線接墊具有相同的材料成分；<br/> 共形介電層，位於所述鈍化層與所述重布線接墊上；<br/> 平坦化介電層，位於所述共形介電層上；<br/> 多層翹曲控制介電層，位於所述平坦化介電層上方，其中所述多層翹曲控制介電層中的一層的材料成分與所述多層翹曲控制介電層中的另一層的材料成分不同；<br/> 接合介電層，位於所述翹曲控制介電層上方；以及<br/> 接合墊通孔與接合墊，位於所述重布線接墊上，其中所述接合墊位在所述翹曲控制介電層與所述接合介電層中，所述接合墊通孔在所述平坦化介電層中且電性耦合至所述重布線接墊。
如請求項9所述的半導體結構，其中所述接合墊的高度大於所述接合墊通孔的高度。
一種半導體結構，包括：<br/> 第一內連線結構，位於第一基底上方，且包括介電層與位於所述介電層中的金屬化圖案；<br/> 基底穿孔，延伸穿過所述第一內連線結構與所述第一基底；<br/> 重布線通孔，位於所述第一內連線結構上方，其中所述重布線通孔電性耦合至所述第一內連線結構的所述金屬化圖案中的至少一者；<br/> 重布線接墊，位於所述重布線通孔上方，其中所述重布線接墊電性耦合至所述重布線通孔，且所述重布線接墊與所述重布線通孔為連續的導體材料；<br/> 通孔定義層，位於所述重布線接墊上方，且為共形介電層；<br/> 平坦化介電層，位於所述通孔定義層上方；<br/> 多層翹曲控制介電層，位於所述平坦化介電層上方，其中所述多層翹曲控制介電層中的一層的材料成分與所述多層翹曲控制介電層中的另一層的材料成分不同；<br/> 接合墊通孔，位於所述平坦化介電層與所述通孔定義層中，其中所述接合墊通孔電性耦合至所述重布線接墊，且所述接合墊通孔交疊於所述重布線通孔；以及<br/> 接合墊，位於所述翹曲控制介電層中，且墊性耦合至所述接合墊通孔，其中所述重布線通孔交疊於所述接合墊。
一種鋶鹽，係以下式(1)表示； <br/><img align="absmiddle" height="48px" width="132px" file="ed10161.jpg" alt="ed10161.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，p、q及r分別獨立地為0~3之整數，s為1或2； <br/>R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>分別獨立地為鹵素原子、三氟甲基、三氟甲氧基、三氟甲基硫代基、硝基、氰基、-C(=O)-R<sup>4</sup>、-O-C(=O)-R<sup>5</sup>或-O-R<sup>5</sup>； <br/>R<sup>3</sup>為鹵素原子、三氟甲基、三氟甲氧基、三氟甲基硫代基、硝基、氰基、-O-C(=O)-R<sup>5</sup>或-O-R<sup>5</sup>； <br/>R<sup>4</sup>為碳數6~10之烴基氧基，該烴基氧基的烴基部為不飽和，且該烴基氧基也可被氟原子或羥基取代； <br/>R<sup>5</sup>為碳數1~10之烴基； <br/>X<sup>1</sup>為單鍵、醚基、羰基、-N(R)-、硫醚基鍵或磺醯基；R為氫原子或碳數1~6之飽和烴基； <br/>Xq<sup>-</sup>係具有鍵結於芳香環之碳原子以外的碳原子之羥基以及在α位或β位具有氟原子或三氟甲基之羧酸陰離子。
如請求項1之鋶鹽，其中，該羧酸陰離子係以下式(2)表示； <br/><img align="absmiddle" height="28px" width="94px" file="ed10162.jpg" alt="ed10162.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，n為0或1； <br/>R<sup>6</sup>~R<sup>9</sup>分別獨立地為氫原子、氟原子、三氟甲基，惟在n為0時，R<sup>6</sup>及R<sup>7</sup>中之至少1個為氟原子或三氟甲基，在n為1時，R<sup>6</sup>~R<sup>9</sup>中之至少1個為氟原子或三氟甲基； <br/>R<sup>10</sup>為單鍵或也可含有雜原子之碳數1~20之伸烴基；惟，-OH所鍵結的R<sup>10</sup>中之碳原子，並非芳香環之碳原子。
如請求項2之鋶鹽，其中，n為0，R<sup>10</sup>為單鍵，R<sup>6</sup>及R<sup>7</sup>為三氟甲基。
一種阻劑材料，含有：包含如請求項1至3中任一項之鋶鹽的淬滅劑。
如請求項4之阻劑材料，更含有基礎聚合物。
如請求項5之阻劑材料，其中，該基礎聚合物含有下式(a1)表示之重複單元或下式(a2)表示之重複單元； <br/><img align="absmiddle" height="65px" width="93px" file="ed10165.jpg" alt="ed10165.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>A</sup>分別獨立地為氫原子或甲基； <br/>Y<sup>1</sup>為單鍵、伸苯基或伸萘基、或含有選自酯鍵及內酯環中之至少1種的碳數1~12之連結基； <br/>Y<sup>2</sup>為單鍵或酯鍵； <br/>Y<sup>3</sup>為單鍵、醚鍵或酯鍵； <br/>R<sup>11</sup>及R<sup>12</sup>分別獨立地為酸不穩定基； <br/>R<sup>13</sup>為氟原子、三氟甲基、氰基或碳數1~6之飽和烴基； <br/>R<sup>14</sup>為單鍵或碳數1~6之烷二基，且其碳原子之一部分也可被醚鍵或酯鍵取代； <br/>a為1或2；b為0~4之整數；惟，1≦a+b≦5。
如請求項6之阻劑材料，其係化學增幅正型阻劑材料。
如請求項5之阻劑材料，其中，該基礎聚合物不含酸不穩定基。
如請求項8之阻劑材料，其係化學增幅負型阻劑材料。
如請求項5之阻劑材料，其中，該基礎聚合物含有選自下式(f1)~(f3)表示之重複單元中之至少1種； <br/><img align="absmiddle" height="63px" width="161px" file="ed10164.jpg" alt="ed10164.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>A</sup>分別獨立地為氫原子或甲基； <br/>Z<sup>1</sup>為單鍵、碳數1~6之脂肪族伸烴基、伸苯基、伸萘基或將它們組合而得之碳數7~18之基、或-O-Z<sup>11</sup>-、-C(=O)-O-Z<sup>11</sup>-或-C(=O)-NH-Z<sup>11</sup>-；Z<sup>11</sup>為碳數1~6之脂肪族伸烴基、伸苯基、伸萘基或將它們組合而得之碳數7~18之基，且也可含有羰基、酯鍵、醚鍵或羥基； <br/>Z<sup>2</sup>為單鍵或酯鍵； <br/>Z<sup>3</sup>為單鍵、-Z<sup>31</sup>-C(=O)-O-、-Z<sup>31</sup>-O-或-Z<sup>31</sup>-O-C(=O)-；Z<sup>31</sup>為碳數1~12之脂肪族伸烴基、伸苯基或將它們組合而得之碳數7~18之基，且也可含有羰基、酯鍵、醚鍵、胺甲酸酯鍵、硝基、氰基、氟原子、碘原子或溴原子； <br/>Z<sup>4</sup>為亞甲基、2,2,2-三氟-1,1-乙烷二基或羰基； <br/>Z<sup>5</sup>為單鍵、亞甲基、伸乙基、伸苯基、氟化伸苯基、被三氟甲基取代之伸苯基、-O-Z<sup>51</sup>-、-C(=O)-O-Z<sup>51</sup>-或-C(=O)-NH-Z<sup>51</sup>-；Z<sup>51</sup>為碳數1~6之脂肪族伸烴基、伸苯基、氟化伸苯基或被三氟甲基取代之伸苯基，且也可含有羰基、酯鍵、醚鍵、鹵素原子或羥基； <br/>R<sup>21</sup>~R<sup>28</sup>分別獨立地為鹵素原子或也可含有雜原子之碳數1~20之烴基；又，R<sup>23</sup>與R<sup>24</sup>或R<sup>26</sup>與R<sup>27</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結的硫原子一起形成環； <br/>M<sup>-</sup>為非親核性相對離子。
如請求項4之阻劑材料，更含有產生強酸的酸產生劑。
如請求項11之阻劑材料，其中，該酸產生劑為產生磺酸、醯亞胺酸或甲基化物酸者。
如請求項4之阻劑材料，更含有有機溶劑。
如請求項4之阻劑材料，更含有界面活性劑。
一種圖案形成方法，包含下列步驟： <br/>使用如請求項4之阻劑材料於基板上形成阻劑膜， <br/>對該阻劑膜以高能射線進行曝光，及 <br/>將該已曝光之阻劑膜使用顯影液進行顯影。
如請求項15之圖案形成方法，其中，該高能射線為KrF準分子雷射光、ArF準分子雷射光、電子束或波長3~15nm之極紫外線。
一種重複使用之尿液飽和感測裝置，係拆卸插設於一尿布本體上，該尿布本體包括有一布料層、一吸尿層和一防漏層，該吸尿層具有一厚度，該吸尿層位於該布料層和該防漏層之間，吸收一尿液，以該尿液增加而加大該厚度尺寸，該重複使用之尿液飽和感測裝置，包括：一組裝部，該組裝部貼靠該布料層，該組裝部二側分別設有一卡固件，該卡固件穿過該尿布本體，且一端位於該防漏層外；一光感發射單元，該光感發射單元與該卡固件其中之一相連接，且位於該吸尿層中，該光感發射單元可投射出一光能量；一光感接收單元，該光感接收單元與另一該卡固件相連接，且位於該吸尿層中；以及一承載部，該承載部貼靠該防漏層，且與該組裝部相連接，該承載部具有一警示單元，該警示單元可發出一警告信號。
如請求項1所述的重複使用之尿液飽和感測裝置，其中該光感發射單元為發光二極體，該光感接收單元為流明計及光電二極體其中之一，該卡固件還設有一尖穿體，該尖穿體依序刺穿過該布料層、該吸尿層和該防漏層而穿射至防漏層外，該光感接收單元及該光感發射單元相互面對且使該光感接收單元的一部分及該光感發射單元的一部分定位於該吸尿層上。
如請求項2所述的重複使用之尿液飽和感測裝置，其中該承載部還設有二接孔，該接孔可容置該尖穿體，使該組裝部和該承載部相對接。
如請求項3所述的重複使用之尿液飽和感測裝置，其中該承載部更具有一運算單元，該運算單元分別電信號連接該光感發射單元、該光感接收單元和該警示單元；該運算單元具有一乾燥透光參數以及一尿溼透光參數，其中，開啟該重複使用之尿液飽和感測裝置，該光感發射單元投射出該光能量經由該吸尿層透射至該光感接收單元而形成該乾燥透光參數，之後，該吸尿層吸收尿液增加而阻擋通過該光能量致使該運算單元形成該尿溼透光參數，藉由該尿溼透光參數小於該乾燥透光參數時，該警示單元發出該警告信號。
如請求項4所述的重複使用之尿液飽和感測裝置，其中該光感發射單元相距該光感接收單元為0.3mm~20mm，使該光感發射單元之光直線透射該吸尿層至該光感接收單元。
如請求項2所述的重複使用之尿液飽和感測裝置，其中該卡固件還設有一電信號連接體，該電信號連接體位於該尖穿體外緣。
如請求項6所述的重複使用之尿液飽和感測裝置，其中該電信號連接體為金屬材質所製成。
如請求項3所述的重複使用之尿液飽和感測裝置，其中該接孔外緣周圍塗布有一電信號感測體，該電信號感測體為金屬材質所製成。
如請求項4所述的重複使用之尿液飽和感測裝置，其中該承載部還包括一電源供應單元，該電源供應單元分別電信號連接該警示單元以及該運算單元，為該警示單元和運算單元的工作提供電能量。
如請求項1所述的重複使用之尿液飽和感測裝置，其中該警示單元為一聲音信號、一光源信號及一無線通訊裝置。
一種基於地點固定式簽章之人員簽到服務系統，包括：一感應機，係設置於一固定地點，且該感應機具有一簽章計數模組；至少一人員之行動裝置，係通訊連結該感應機，以於該感應機斷電前，由該至少一人員之行動裝置對該感應機進行感應，再由該感應機之該簽章計數模組隨著該至少一人員之行動裝置之感應次數而產生連續累加之簽章計數/簽章計數值；以及一簽到服務伺服器，係通訊連結該感應機；其中，當該感應機被斷電而經過外部電源之重新上電後，將該感應機之該簽章計數模組所產生之簽章計數/簽章計數值重設至初始值以重新累加，使得該簽章計數模組在該感應機斷電前所產生之連續累加之簽章計數/簽章計數值與在該感應機重新上電後所產生之簽章計數/簽章計數值之初始值共同呈現出非連續累加之簽章計數/簽章計數值之特徵，俾供該簽到服務伺服器利用該非連續累加之簽章計數/簽章計數值之特徵判斷出該感應機可能或確定已從該固定地點被移動至不同地點。
如請求項1所述之人員簽到服務系統，其中，該感應機之該簽章計數模組係採用揮發性記憶體予以實作，以於該感應機斷電後，使該感應機之該簽章計數模組所儲存之簽章計數/簽章計數值被抹除或消失而重設為該初始值。
如請求項1所述之人員簽到服務系統，其中，該感應機更具有一安全模組與一處理模組，以由該安全模組儲存該感應機之感應機識別序號、感應機私鑰與感應機憑證，且由該處理模組於執行簽章時同步觸發該簽章計數模組以執行累加簽章計數/簽章計數值。
如請求項1所述之人員簽到服務系統，其中，該簽到服務伺服器具有一感應記錄資料庫與一感應機資料庫，以由該感應記錄資料庫保存包括該感應機之感應機識別序號、時間與該人員之人員識別資訊之感應記錄，且由該感應機資料庫管理該感應機之感應機識別序號、感應機公鑰、加密感應機資料與簽章計數/簽章計數值。
如請求項1所述之人員簽到服務系統，其中，該簽到服務伺服器具有一感應機產製模組、一安全模組與一感應機資料庫，以由該感應機產製模組使用該感應機之感應機私鑰加密該感應機之感應機憑證而產生加密感應機資料，再將該安全模組中之感應機識別序號記錄於該感應機資料庫，俾在生產該感應機時，由該感應機產製模組將該感應機之感應機私鑰與感應機憑證同步寫入該安全模組。
如請求項1所述之人員簽到服務系統，其中，該簽到服務伺服器具有一待簽資料產生模組與一專用網頁應用程式，以由該待簽資料產生模組使用該人員之人員識別資訊、該感應機之加密感應機資料與一隨機亂數而產生待簽資料，再由該行動裝置之網頁瀏覽器下載及執行該專用網頁應用程式，俾透過該專用網頁應用程式下載該待簽資料。
如請求項1所述之人員簽到服務系統，其中，該簽到服務伺服器具有一管理工具程式與一感應機資料庫，以於安裝該感應機時，由該管理工具程式讀取該感應機之感應機識別序號與該簽章計數模組之簽章計數/簽章計數值，再將該感應機之感應機識別序號與該簽章計數模組之簽章計數/簽章計數值傳送至該感應機資料庫加以更新。
一種基於地點固定式簽章之人員簽到服務方法，包括：將一具有簽章計數模組之感應機設置於一固定地點，以於該感應機斷電前，由至少一人員之行動裝置對該感應機進行感應，再由該感應機之該簽章計數模組隨著該至少一人員之行動裝置之感應次數而產生連續累加之簽章計數/簽章計數值；以及當該感應機被斷電而經過外部電源之重新上電後，將該感應機之該簽章計數模組所產生之簽章計數/簽章計數值重設至初始值以重新累加，使得該簽章計數模組在該感應機斷電前所產生之連續累加之簽章計數/簽章計數值與在該感應機重新上電後所產生之簽章計數/簽章計數值之初始值共同呈現出非連續累加之簽章計數/簽章計數值之特徵，俾供一簽到服務伺服器利用該非連續累加之簽章計數/簽章計數值之特徵判斷出該感應機可能或確定已從該固定地點被移動至不同地點。
如請求項8所述之人員簽到服務方法，更包括由該簽到服務伺服器整合第三方身分識別服務及使用專用網頁應用程式，且由該簽到服務伺服器之第三方身分識別介面提供該第三方身分識別服務以識別該人員之身分，其中，該行動裝置之網頁瀏覽器執行該簽到服務伺服器之專用網頁應用程式以取得該簽到服務伺服器之待簽資料，再將該簽到服務伺服器之待簽資料透過該行動裝置之網頁瀏覽器所提供之近端感應通訊存取介面傳送至該感應機，俾整合該簽到服務伺服器之第三方身分識別服務與該行動裝置之網頁瀏覽器之近端感應通訊存取介面，以供該人員透過該行動裝置進行近端感應簽到之操作。
如請求項8所述之人員簽到服務方法，更包括在該感應機出廠時，由該簽到服務伺服器之感應機產製模組使用密碼學演算法以產生一具有感應機私鑰與感應機公鑰之感應機金鑰對，再由該感應機產製模組將該感應機金鑰對之感應機私鑰寫入該感應機之安全模組。
如請求項8所述之人員簽到服務方法，更包括當該人員持該行動裝置對該感應機進行感應時，由該人員透過該行動裝置之網頁瀏覽器使用一識別身分方法以完成該人員之第三方身分識別，再將該行動裝置之網頁瀏覽器介接該簽到服務伺服器，俾由該行動裝置之網頁瀏覽器透過該簽到服務伺服器之專用網頁應用程式下載或取得一待簽資料產生模組所產生之待簽資料。
如請求項8所述之人員簽到服務方法，更包括由該簽到服務伺服器之專用網頁應用程式導引該人員開啟該行動裝置之近端感應通訊模組之近端感應通訊功能，以於該人員之行動裝置向該感應機操作近端感應時，由該行動裝置之近端感應通訊模組將一待簽資料產生模組所產生之待簽資料傳送至該感應機。
如請求項8所述之人員簽到服務方法，更包括由該感應機之處理模組使用安全模組中之感應機私鑰解密該感應機之加密感應機資料以取得感應機憑證，再由該感應機比對該處理模組所取得之感應機憑證與該安全模組中之感應機憑證兩者之一致性。
如請求項8所述之人員簽到服務方法，更包括由該感應機之處理模組將感應機識別序號、簽章計數/簽章計數值與待簽資料進行結合，再由該感應機使用安全模組中之感應機私鑰將已結合之該感應機識別序號、簽章計數/簽章計數值與待簽資料執行簽章以產生近端感應簽章。
一種電腦可讀媒介，應用於計算裝置或電腦中，係儲存有指令，以執行如請求項8至14之其中一者所述基於地點固定式簽章之人員簽到服務方法。
一種用於張緊印刷絲網的張緊框架，該印刷絲網包括由具輪廓的封邊環繞的膜片或網片，該張緊框架基本為平面且呈矩形形狀，且該張緊框架包括若干長框臂，各框臂端部相接以形成所述矩形形狀；其中，每一框臂包括：一框臂本體；一形成在框臂本體內的腔室；一位於腔室內部並於框臂本體內延伸的長軸，該長軸被安裝成繞其縱軸相對於框臂本體旋轉；一可在縮回位置和接合位置間移動的觸壓突塊，該觸壓突塊被設置為在使用時與印刷絲網的具輪廓的封邊接合，並在其由縮回位置移動至接合位置時，向印刷絲網施加平行於張緊框架的平面的張力；一可在升位和低位間移動的抵靠面，該抵靠面被設置為在使用時與印刷絲網的膜片或網片的上表面接合，並在抵靠面從升位移動至低位時，向印刷絲網施加垂直於張緊框架的平面的作用力；其中，該長軸、觸壓突塊以及抵靠面均機械相連，以使長軸在相對於框臂本體沿第一旋轉方向旋轉時，將觸壓突塊移動到接合位置，並使抵靠面移動到低位，而當長軸在沿與第一旋轉方向相反的第二旋轉方向旋轉時，將觸壓突塊移動到縮回位置，並使抵靠面移動到升位。
如請求項1所述用於張緊印刷絲網的張緊框架，其中，若干長框臂中的一框臂包括一載入口，該載入口的尺寸可接納沿平行於張緊框架平面的方向穿入的印刷絲網。
如請求項2所述用於張緊印刷絲網的張緊框架，其中，移動所述抵靠面到升位和所述觸壓突塊到縮回位置，使接合面和觸壓突塊遠離該載入口位置，以便印刷絲網可透過載入口完全插入該張緊框架。
如請求項1所述用於張緊印刷絲網的張緊框架，其中，所述接合面係形成於一可移動側壁上，在其位於低位時，該可移動側壁至少部分封閉所述腔室。
如請求項4所述用於張緊印刷絲網的張緊框架，其中，所述可移動側壁包括一舌部，該舌部卡掣於在長軸上形成的卡槽內。
如請求項1所述用於張緊印刷絲網的張緊框架，其中，所述觸壓突塊係設於一至少部分位於腔室內的接合托架上。
如請求項6所述用於張緊印刷絲網的張緊框架，其中，所述接合托架包括一板簧。
如請求項6所述用於張緊印刷絲網的張緊框架，其中，所述觸壓突塊係透過所述接合托架與抵靠面呈剛性連接。
如請求項6所述用於張緊印刷絲網的張緊框架，其中，所述接合托架與所述抵靠面一體成型。
如請求項6所述用於張緊印刷絲網的張緊框架，其中，所述長軸包括一用於驅動接合托架的凸輪面。
如請求項6所述用於張緊印刷絲網的張緊框架，其中，所述接合托架的移動以及所述觸壓突塊因此所產生的移動受到並列設置的接合托架與形成腔室的至少一腔室壁的限制。
如請求項1所述用於張緊印刷絲網的張緊框架，包括與一長軸機械連接的一操縱杆，使該長軸可透過該操縱杆的手動操作而旋轉。
如請求項12所述用於張緊印刷絲網的張緊框架，其中，每一框臂的長軸係機械連接於所述操縱杆，使每一長軸可透過該操縱杆的手動操作而旋轉。
如請求項1所述用於張緊印刷絲網的張緊框架，其中，一長框臂包括一框臂介面，用於可拆卸地連接一可拆卸模組。
如請求項14所述用於張緊印刷絲網的張緊框架，其中，所述可拆卸模組包括與所述框臂介面可拆卸連接的一模組介面。
如請求項15所述用於張緊印刷絲網的張緊框架，其中，所述可拆卸模組包括一操縱杆，且框臂介面與模組介面的連接將該操縱杆機械連接至一長軸，使該長軸可透過該操縱杆的手動操作而旋轉。
如請求項1所述用於張緊印刷絲網的張緊框架，包括一驅動介面，用於接受來自外部動力源的旋轉驅動力，並將旋轉驅動力傳遞到長軸以產生旋轉。
如請求項1所述用於張緊印刷絲網的張緊框架，其中，每一框臂的多個長軸均機械連接，以使所述多個長軸共同旋轉。
一種用於張緊印刷絲網的張緊框架，該印刷絲網包括由具輪廓的封邊環繞的膜片或網片，該張緊框架基本為平面且呈矩形形狀，該張緊框架包括若干長框臂，各框臂端部相接以形成該矩形形狀；其中，每一框臂包括：一框臂本體；一形成在框臂本體內的腔室；一位於腔室內部並於框臂本體內延伸的長軸，該長軸被安裝成繞其縱軸相對於框臂本體旋轉；一可在縮回位置和接合位置間移動的觸壓突塊，該觸壓突塊被設置為在使用時與印刷絲網的具輪廓的封邊接合，並在其由縮回位置移動至接合位置時，向印刷絲網施加平行於張緊框架的平面的張力；一可在升位和低位間移動的抵靠面，該抵靠面被設置為在使用時與印刷絲網上表面接合，並在抵靠面從升位移動至低位時，向印刷絲網施加垂直於張緊框架的平面的作用力；其中，長軸與觸壓突塊機械相連，以使長軸在相對於框臂本體沿第一旋轉方向旋轉時，將觸壓突塊移動到接合位置，而當長軸在沿與第一旋轉方向相反的第二旋轉方向旋轉時，將觸壓突塊移動到縮回位置；且該張緊框架包括：一驅動介面，用於銜接外部動力源所提供的旋轉動力並將該旋轉動力傳遞給長軸，以驅動該長軸沿第一或第二旋轉方向旋轉。
如請求項19所述用於張緊印刷絲網的張緊框架，其中，所述外部動力源包括一模組，且所述張緊框架包括可拆卸並可重復連接到所述模組的一模組介面，以使旋轉驅動力與所述驅動介面接合。
一種張緊框架系統，包括請求項20所述張緊框架和所述模組。
如請求項21所述張緊框架系統，其中，所述模組包括一手動操作裝置。
如請求項21所述張緊框架系統，其中，所述模組包括一氣動驅動裝置。
如請求項21所述張緊框架系統，其中，所述模組包括一介面，用於與一機器人接合並接受其所產生的旋轉驅動力。
一種接合裝置，包括：接合頭，包括：接合頭本體；晶粒吸盤本體，耦接於所述接合頭本體且具有近側以及遠側，其中，所述接合頭本體相較於所述遠側而言較靠近於所述近側，其中所述晶粒吸盤本體包括：第一連接盤，相較於所述近側而言較靠近於所述遠側；以及第一區域，被所述第一連接盤側向地圍繞；加壓區域，至少部分地被所述接合頭本體以及所述晶粒吸盤本體的相對表面所定義；第一壓力致動器，配置為用以在所述第一區域內提供第一真空，其中，所述第一真空足以固持晶粒；以及第二壓力致動器，配置為用以提供壓力至所述加壓區域，其中，所述壓力足以彎曲所述晶粒吸盤本體。
如請求項1所述的接合裝置，其中，所述晶粒吸盤本體進一步包括被所述第一連接盤側向地圍繞的第二連接盤。
如請求項1所述的接合裝置，其中，所述晶粒吸盤本體可鬆脫地耦接於所述接合頭本體。
如請求項1所述的接合裝置，其中，所述加壓區域大於所述第一區域。
如請求項1所述的接合裝置，其中，所述接合頭本體進一步包括周圍邊緣以及流動通道，其中：所述周圍邊緣在所述晶粒吸盤本體的所述遠側以及所述近側之間延伸，所述周圍邊緣相較於所述加壓區域而言較靠近於所述流動通道，以及所述流動通道配置為用以允許真空將所述接合頭本體固持所述晶粒吸盤本體。
如請求項5所述的接合裝置，進一步包括感測器，以感測所述流動通道的狀態。
如請求項1所述的接合裝置，進一步包括固持手段，用於一起固持所述接合頭本體以及所述晶粒吸盤本體，其中所述固持手段包括耦接於第三區域的第三壓力致動器，其中所述第三壓力致動器配置為用以提供足以一起固持所述晶粒吸盤本體以及所述接合頭本體的第二真空。
如請求項7所述的接合裝置，其中，所述第三壓力致動器配置為當所述第二壓力致動器提供所述壓力至所述加壓區域時，使得所述第二真空足以一起固持所述晶粒吸盤本體以及所述接合頭本體。
如請求項1所述的接合裝置，其中所述加壓區域的寬度大於所述第一區域的寬度。
如請求項1所述的接合裝置，進一步包括在所述第一區域內的插銷。
如請求項10所述的接合裝置，其中，所述插銷以及所述第一連接盤具有位於從所述晶粒吸盤本體的所述遠側實質上相同標高的表面。
一種接合裝置，包括：第一接合頭，包括：第一接合頭本體；第一晶粒吸盤本體，耦接於所述第一接合頭本體且具有第一近側以及第一遠側，其中，所述第一接合頭本體相較於所述第一遠側而言較靠近於所述第一近側，其中所述第一晶粒吸盤本體包括；第一連接盤，相較於所述第一近側而言較靠近於所述第一遠側；以及第一區域，被所述第一連接盤側向地圍繞；第一加壓區域，位於所述第一接合頭本體以及所述第一晶粒吸盤本體之間；第一壓力致動器，配置為用以在所述第一區域內提供第一真空，其中，所述第一真空足以固持第一晶粒； 第二壓力致動器，配置為用以提供第一壓力至所述第一加壓區域；第二接合頭，包括：第二接合頭本體；第二晶粒吸盤本體，耦接於所述第二接合頭本體且具有第二近側以及第二遠側，其中，所述第二接合頭本體相較於所述第二遠側而言較靠近於所述第二近側，其中所述第二晶粒吸盤本體包括：第二連接盤，相較於所述第二近側而言較靠近於所述第二遠側；以及第二區域，被所述第二連接盤側向地圍繞；第二加壓區域，位於所述第二接合頭本體以及所述第二晶粒吸盤本體之間；第三壓力致動器，配置為用以在所述第二區域內提供第二真空，其中，所述第二真空足以固持第二晶粒；和第四壓力致動器，配置為用以提供第二壓力至所述第二加壓區域；以及控制器，配置為在同一時間點使得所述第一接合頭可將所述第一晶粒接合到目標基板，且所述第二接合頭可將所述第二晶粒接合到所述目標基板。
一種接合方法，包括：以接合頭固持晶粒，其中所述接合頭包括：接合頭本體；晶粒吸盤本體，耦接於所述接合頭本體且具有近側以及遠側，其中，所述接合頭本體相較於所述遠側而言較靠近於所述近側，其中所述晶粒吸盤本體包括：第一連接盤，相較於所述近側而言較靠近於所述遠側；以及第一區域，被所述第一連接盤側向地圍繞；加壓區域，位於所述接合頭本體以及所述晶粒吸盤本體之間；第一壓力致動器，配置為用以在所述第一區域內提供第一真空，其中，所述第一真空足以固持所述晶粒；以及第二壓力致動器，配置為用以提供壓力至所述加壓區域，其中，所述壓力足以彎曲所述晶粒吸盤本體；以及在所述晶粒正被所述接合頭固持時，以所述加壓區域將所述晶粒彎曲。
如請求項13所述的接合方法，進一步包括：在所述晶粒被彎曲時，使所述晶粒以及目標基板的接合點接觸。
一種非暫態電腦可讀媒體，包括指令，以執行請求項13所述的方法中的至少一部分。
一種半導體裝置，其包含：第1閘極電極； <br/>上述第1閘極電極之上之第1絕緣層； <br/>上述第1絕緣層之上之氧化物半導體層； <br/>上述氧化物半導體層之上之第2絕緣層；及 <br/>上述第2絕緣層之上之第2閘極電極；且 <br/>上述第1絕緣層含有包含矽及氮之第1層、設置於上述第1層之上的包含矽及氧之第2層、及設置於上述第2層之上的包含鋁及氧之第3層； <br/>上述第1層之厚度為10 nm以上190 nm以下； <br/>上述第2層之厚度為10 nm以上100 nm以下； <br/>上述第1層及上述第2層之合計厚度為200 nm以下； <br/>上述第3層之厚度為1 nm以上10 nm以下； <br/>上述第2絕緣層之厚度為10 nm以上75 nm以下； <br/>上述氧化物半導體層之上表面附近之雜質濃度為1×10<sup>19</sup>/cm<sup>3</sup>以上；且 <br/>上述第1層之上表面附近之雜質濃度為1×10<sup>19</sup>/cm<sup>3</sup>以下。
如請求項1之半導體裝置，其中上述氧化物半導體層為多晶體。
如請求項1或2之半導體裝置，其中上述第1層之厚度為10 nm以上100 nm以下。
如請求項1或2之半導體裝置，其中上述第1層及上述第2層之合計厚度為150 nm以下。
如請求項1或2之半導體裝置，其中上述第1層之厚度為10 nm以上100 nm以下； <br/>上述第2層之厚度為10 nm以上50 nm以下；且 <br/>上述第1層及上述第2層之合計厚度為150 nm以下。
一種用於紡織機的紡織工具(1a、1b、1c)，該紡織工具包括一工作區(10)，該工作區用於在生產紡織面料的過程中作用於紡織線(2)，其中該紡織工具(1a、1b、1c)包括一個由芯材製成的工具芯(100)，在該工具芯(100)上至少在工作區(10)塗覆了一層用於磨損保護的塗層(200)， 其特徵在於：<br/>該塗層(200)包括一種粘合促進材料和作為磨損保護材料的四面體無定形碳，簡稱 ta-C。
根據請求項1所述的紡織工具(1a、1b、1c)，其中該粘合促進材料選自包括 Cr、CrN、Ti、TiAlN的一組材料。
根據請求項 1所述的紡織工具(1a、1b、1c)，其中該粘合促進材料是摻鎢的 DLC，簡稱 W-DLC。
根據請求項 1所述的紡織工具(1a、1b、1c)，其中該紡織工具(1a、1b、1c)的工具芯(100)設計成使紡織工具(1a、1b、1c)工作區的表面曲率半徑大於或等於 40μm。
根據請求項 1 至 4 中任一項所述的紡織工具(1a、1b、1c)，其中該塗層(200)至少包括一個由粘合促進材料製成的粘合促進層(210)和一個由ta-C 製成的磨損保護層(220)，其中所述粘合促進層(210)佈置在工具芯(100)和磨損保護層(220)之間。
根據請求項 5 的紡織工具(1a、1b、1c)，其中該磨損保護層(220)的厚度在 0.1 至 3μm之間。
根據請求項6的紡織工具(1a、1b、1c)，其中該磨損保護層(220)的厚度在 0.3 至 2μm之間。
根據請求項 5所述的紡織工具(1a、1b、1c)，其中該粘合促進層(210)的厚度在 0.01 至 2μm之間。
根據請求項 8所述的紡織工具(1a、1b、1c)，其中該粘合促進層(210)的厚度在0.2 至 0.8μm之間。
根據請求項 3所述的紡織工具(1a、1b、1c)，其中該塗層(200)至少包括一個由粘合促進材料製成的粘合促進層(210)和一個由ta-C 製成的磨損保護層(220)，其中所述粘合促進層(210)佈置在工具芯(100)和磨損保護層(220)之間；其中該粘合促進層(210)的厚度在 0.1 至 10μm之間，以及該磨損保護層(220)的厚度在 0.1 至 10μm之間。
根據請求項 1 至 4 中任一項所述的紡織工具(1a、1b、1c)，其中該塗層(200)設計為多層式塗層(230)，包括兩層或更多層(231)由粘合促進材料製成的塗層和兩層或更多層(232)由 ta-C製成的塗層，它們在多層式塗層(230)的厚度方向上交替排列。
根據請求項 1 至 4 中任一項所述的紡織工具(1a、1b、1c)，其中該塗層(200)包括至少由粘合促進材料和 ta-C 混合物組成的混合層。
根據請求項12所述的紡織工具(1a、1b、1c)，其中該混合層是一梯度層(240)，該梯度層中 ta-C 的濃度在梯度層(240)的厚度方向上變化。
根據請求項13所述的紡織工具(1a、1b、1c)，其中 該梯度層(240)在靠紡織線這一側的一端(202)的 ta-C 濃度最大，和/或該梯度層(240)在靠工具芯這一側的一端(201)的粘合促進材料的濃度最大。
根據請求項 13所述的紡織工具(1a、1b、1c)，其中 ta-C的濃度從梯度層(240)的靠工具芯這一側的一端(201)開始向梯度層(240)的靠紡織線這一側的一端(202)增加，特別是，ta-C的濃度沿厚度方向單調增加。
一種紡織工具組件， 包括：<br/>多個根據請求項 1 至 15 中任一項所述的紡織工具(1a、1b、1c)；以及<br/>一夾持元件，所述多個紡織工具(1a、1b、1c)並排固定在該夾持元件上。
一種用於生產紡織面料的紡織機，至少包括：<br/>多個根據請求項 1 至 15 中任一項所述的紡織工具(1a、1b、1c)；以及<br/>一工作區，在該工作區中，該紡織機通過該多個紡織工具(1a、1b、1c)加工多個紡織線，以形成紡織面料 。
一種電池控制方法，應用於電池模組，所述電池模組包括多個電芯單元，每一所述電芯單元包括電芯和與所述電芯串聯的開關，其中所述電池控制方法包括： 獲取每一所述電芯的電芯狀態參數；<br/> 根據當前充/放電狀態和根據多個所述電芯狀態參數確定多個所述電芯狀態的一致性，來生成開關控制策略；以及<br/> 根據所述開關控制策略控制多個所述開關工作；<br/> 其中，所述根據多個所述電芯狀態參數確定多個所述電芯狀態的一致性，包括：<br/> 計算多個所述電芯狀態參數中的最大值和最小值的差值；<br/> 若所述差值大於預設差值，確定多個所述電芯狀態不一致；<br/> 若所述差值小於或等於所述預設差值，確定多個所述電芯狀態一致。
一種電池控制方法，應用於電池模組，所述電池模組包括多個電芯單元，每一所述電芯單元包括電芯和與所述電芯串聯的開關，其中所述電池控制方法包括：<br/> 獲取每一所述電芯的電芯狀態參數；<br/> 根據當前充/放電狀態和根據多個所述電芯狀態參數確定多個所述電芯狀態的一致性，來生成開關控制策略；以及<br/> 根據所述開關控制策略控制多個所述開關工作；<br/> 其中所述根據多個所述電芯狀態參數確定多個所述電芯狀態的一致性，包括：<br/> 根據多個所述電芯狀態參數確定一致性範圍；<br/> 若存在所述電芯狀態參數處於所述一致性範圍外，確定多個所述電芯狀態不一致；<br/> 若所有所述電芯狀態參數處於所述一致性範圍內，確定多個所述電芯狀態一致。
如請求項1所述之電池控制方法，其中所述根據當前充/放電狀態和根據多個所述電芯狀態參數確定多個所述電芯狀態的一致性，來生成開關控制策略；以及根據所述開關控制策略控制多個所述開關工作，包括：<br/> 若確定多個所述電芯狀態不一致，根據多個所述電芯狀態參數確定過狀態電芯和/或欠狀態電芯；<br/> 根據當前充/放電狀態及所述過狀態電芯和/或所述欠狀態電芯控制多個所述開關工作；<br/> 若確定多個所述電芯狀態一致，控制多個所述開關均導通；<br/> 其中，所述欠狀態電芯包括所述電芯狀態參數過低的電芯，所述過狀態電芯包括所述電芯狀態參數過高的電芯，而所述電芯狀態參數包括電壓、電流、荷電狀態中的一個或多個。
如請求項3所述之電池控制方法，其中所述根據當前充/放電狀態及所述過狀態電芯和/或所述欠狀態電芯控制多個所述開關工作，包括：<br/> 若所述電池模組處於放電狀態，控制所述過狀態電芯對應的開關導通，和除所述過狀態電芯之外的電芯對應的開關均斷開。
如請求項3所述之電池控制方法，其中所述根據當前充/放電狀態及所述過狀態電芯和/或所述欠狀態電芯控制多個所述開關工作，包括： 若所述電池模組處於放電狀態，控制所述欠狀態電芯對應的開關斷開，和除所述欠狀態電芯之外的電芯對應的開關均導通。
如請求項3所述之電池控制方法，其中所述根據當前充/放電狀態及所述過狀態電芯和/或所述欠狀態電芯控制多個所述開關工作，包括：<br/> 若所述電池模組處於充電狀態，控制所述過狀態電芯對應的開關斷開，和控制除所述過狀態電芯之外的所述電芯對應的開關導通。
如請求項3所述之電池控制方法，其中所述根據當前充/放電狀態及所述過狀態電芯和/或所述欠狀態電芯控制多個所述開關工作，包括：<br/> 若所述電池模組處於充電狀態，控制所述欠狀態電芯對應的開關導通，和控制除所述欠狀態電芯之外的所述電芯對應的開關斷開。
如請求項3所述之電池控制方法，其中所述根據多個所述電芯狀態參數確定過狀態電芯和/或欠狀態電芯，包括：<br/> 確定所述電芯狀態參數最大值對應的電芯為過狀態電芯；<br/> 確定所述電芯狀態參數最小值對應的電芯為欠狀態電芯。
如請求項3所述之電池控制方法，其中所述根據多個所述電芯狀態參數確定過狀態電芯和/或欠狀態電芯，包括：<br/> 確定所述電芯狀態參數大於所述一致性範圍的最大值的電芯為過狀態電芯；<br/> 確定所述電芯狀態參數小於所述一致性範圍的最小值的電芯為欠狀態電芯。
一種控制器，其中所述控制器包括記憶體、處理器及存儲在記憶體上並可在處理器上運行的電腦程式，所述處理器用於執行所述電腦程式時，實現如請求項1或2所述之電池控制方法。
一種電池模組，其中所述電池模組包括：<br/> 多個並聯連接的電芯單元，每一所述電芯單元包括電芯和與所述電芯串聯的開關；<br/> 如請求項10所述之控制器，用於獲取每一所述電芯的電芯狀態參數，並根據當前充/放電狀態和根據多個所述電芯狀態參數確定多個所述電芯狀態的一致性，來生成開關控制策略；以及，根據所述開關控制策略控制多個所述開關工作。
一種電池包，其中所述電池包包括一個或多個如請求項11所述之電池模組；<br/> 當所述電池模組的數量為多個時，多個所述電池模組串聯連接。
一種電子設備，其中所述電子設備包括如請求項12所述之電池包。
一種神經網路陣列系統，其包含：<br/>一神經網路陣列，其包含配置成列及行之複數個非揮發性記憶體胞元；以及<br/>用於該神經網路陣列中的各別列的列電路，各列電路包含：<br/>一列輸入偵測器，用以在以下情況確立一禁能信號：若(1)該列的列輸入資料等於「0」；(2)該列的該列輸入資料小於或等於一低臨限非零值；及(3)該列的該列輸入資料大於或等於一高臨限值；以及<br/>禁能邏輯，用以禁能該列以回應該禁能信號。
如請求項1之系統，其中，用於每一列的該列電路包含邏輯及一緩衝器。
如請求項2之系統，進一步包含AND邏輯，該AND邏輯自該等緩衝器接收所有輸出以產生一神經讀取禁能信號，以防止將輸入信號施加於該神經網路陣列中的該等列。
如請求項3之系統，其中，各列電路包含OR邏輯及一反相器。
如請求項4之系統，其中，各列電路包含AND邏輯以回應於該等列的各別反相器之一輸出而產生一輸出。
如請求項3之系統，其中，各列電路包含OR邏輯，該OR邏輯接收該列之列輸入資料。
如請求項6之系統，其中，用於一第一列之該OR邏輯在一輸入上接收一「0」，且用於所有其他列之該OR邏輯自用於前一列之該OR邏輯接收一輸出。
如請求項3之系統，其中，各列電路包含接收該列之列輸入資料的OR邏輯及耦接至一負載的一NMOS電晶體。
如請求項3之系統，其中，各列電路包含一反相器，該反相器接收該列之該列輸入資料中的單一位元。
如請求項9之系統，其中，該系統包含AND邏輯，用以回應於各別反相器之輸出而產生一輸出。
如請求項3之系統，其中，各列電路包含一NMOS電晶體，該NMOS電晶體包含接收該列之該列輸入資料中的單一位元的一閘極及耦接至一負載的一汲極。
如請求項1之系統，其中，該禁能邏輯藉由防止一數位至類比轉換器及一類比至數位轉換器中的一或多者被啟動而防止將一輸入信號施加於一各別列。
一種遮蔽神經網路陣列之稀疏輸入的方法，其包含：<br/>接收一神經網路陣列中之各別列的列輸入資料，該神經網路陣列包含配置成列及行之複數個非揮發性記憶體胞元；以及<br/>防止施加從該陣列中之一列的一相關聯列輸入資料導出的一輸入信號，其中該列的該列輸入資料等於或低於一低臨限非零值或高於一高臨限值。
如請求項13之方法，其中，該防止包含在各別列之該列輸入資料小於或等於一低臨限非零值或大於或等於一高臨限值時，防止一數位至類比轉換器及一類比至數位轉換器中之一或多者被啟動。
一種神經網路陣列系統，其包含：<br/>一神經網路陣列，其包含配置成列及行之複數個非揮發性記憶體胞元；以及<br/>一輸出區塊，其包含用於該神經網路陣列中之各別行的一臨限輸出偵測器及一遮蔽電路，其中該遮蔽電路將該陣列中一輸出電流等於或低於一臨限值的行排除於一讀取操作。
如請求項15之系統，其中，該臨限輸出偵測器包含一參考電流源。
如請求項15之系統，其中，該臨限輸出偵測器包含一參考電壓源。
如請求項15之系統，其中，該遮蔽電路藉由在一或多個行的該輸出電流等於或低於一臨限值時防止用於該一或多個行的一數位至類比轉換器及一類比至數位轉換器中之一或多者被啟動，而將該陣列中該輸出電流等於或低於一臨限值的行排除於一讀取操作。
一種遮蔽神經網路陣列之稀疏輸出的方法，其包含：<br/>自一神經網路陣列中的各別行接收輸出電流；以及<br/>防止感測一行的電流，其中該行的該電流等於或低於一臨限值。
如請求項19之方法，其中，該防止包含當一或多個行之該輸出電流等於或低於一非零臨限值時，防止用於該一或多個行的一數位至類比轉換器及一類比至數位轉換器中之一或多者被啟動。
一種遮蔽神經網路陣列之稀疏輸入的方法，其包含：<br/>接收一神經網路陣列中之各別列的列輸入資料，該神經網路陣列包含配置成列及行之複數個非揮發性記憶體胞元；以及<br/>防止從該陣列中之一列的一相關聯列輸入資料啟動一列類比電路，其中該列的該相關聯列輸入資料小於或等於一低臨限非零值或大於或等於一高臨限值。
如請求項21之方法，其中，該防止包含在該神經網路陣列中之該等列的該列輸入資料小於或等於一低臨限值或大於或等於一高臨限值時，防止一數位至類比轉換器及一類比至數位轉換器中之一或多者被啟動。
一種能源量測裝置，包含： 一轉換電路，耦接於一處理電路，且透過該能源量測裝置的一輸入埠耦接於一感測器，以接收一感測電壓，其中該轉換電路用以將該感測電壓轉換為一預設量測訊號，並將該預設量測訊號提供至該處理電路；以及<br/> 一第一量測電路，透過該轉換電路耦接於該處理電路，且透過該輸入埠耦接於該感測器，其中該第一量測電路包含一第一切換開關，在該第一切換開關接收到該處理電路提供的一第一致能訊號時，該第一量測電路用以將該感測電壓轉換為一第一量測電壓，且該轉換電路用以將該第一量測電壓轉換為一第一量測訊號；<br/> 其中當該能源量測裝置接收到該感測電壓時，該第一量測電路被該處理電路禁能，且該處理電路判斷該轉換電路提供之該預設量測訊號是否超出一預設量測範圍；<br/> 其中當該預設量測訊號超出該預設量測範圍時，該第一量測電路被該處理電路致能。
如請求項1所述之能源量測裝置，其中該第一量測電路更包含一第一阻抗元件，在該第一切換開關接收到該第一致能訊號時，該第一量測電路根據該第一阻抗元件的跨壓產生該第一量測電壓；在該第一切換開關接收到該處理電路提供的一第一禁能訊號時，該第一量測電路形成斷路。
如請求項1所述之能源量測裝置，還包含： 一第二量測電路，透過該轉換電路耦接於該處理電路，且透過該輸入埠耦接於該感測器，其中該第二量測電路包含一第二切換開關，在該第二切換開關接收到該處理電路提供的一第二致能訊號時，該第二量測電路用以將該感測電壓轉換為一第二量測電壓，且該轉換電路用以將該第二量測電壓轉換為一第二量測訊號；以及<br/> 其中在該第二切換開關接收到該處理電路提供的一第二禁能訊號時，該第二量測電路被切換為斷路。
如請求項3所述之能源量測裝置，其中當該轉換電路將該感測電壓轉換為該預設量測訊號時，該第一量測電路及該第二量測電路係被禁能。
如請求項4所述之能源量測裝置，其中該第二量測電路更包含一第二阻抗元件，在該第二切換開關接收到該第二致能訊號時，該第二量測電路根據該第二阻抗元件及該感測器中的一熱敏電阻對該感測電壓進行分壓，以產生該第二量測電壓。
如請求項1所述之能源量測裝置，其中該轉換電路包含： 一限壓元件，耦接於該輸入埠；<br/> 複數個分壓電阻，耦接於該限壓元件；以及<br/> 一濾波電容，耦接於該些分壓電阻及該處理電路之間。
一種能源量測裝置，包含：<br/> 一處理電路；<br/> 一轉換電路，耦接於該處理電路，且透過該能源量測裝置的一輸入埠耦接於一感測器，以接收一感測電壓；以及<br/> 一第一量測電路，透過該轉換電路耦接於該處理電路，且透過該輸入埠耦接於該感測器；<br/> 其中當該處理電路禁能該第一量測電路時，該轉換電路用以將該感測電壓轉換為一預設量測訊號，並將該預設量測訊號提供至該處理電路；<br/> 其中當該處理電路致能該第一量測電路時，該第一量測電路用以將該感測電壓轉換為一第一量測電壓，且該轉換電路用以將該第一量測電壓轉換為一第一量測訊號；<br/> 其中當該能源量測裝置接收到該感測電壓時，該處理電路先禁能該第一量測電路，且判斷該轉換電路提供之該預設量測訊號是否超出一預設量測範圍；<br/> 其中當該預設量測訊號超出該預設量測範圍時，該處理電路用以致能該第一量測電路。
如請求項7所述之能源量測裝置，其中該第一量測電路包含一第一阻抗元件及一第一切換開關，在該第一切換開關接收到該處理電路提供的一第一致能訊號時，該第一量測電路根據該第一阻抗元件的跨壓產生該第一量測電壓；在該第一切換開關接收到該處理電路提供的一第一禁能訊號時，該第一量測電路形成斷路。
如請求項7所述之能源量測裝置，還包含：<br/> 一第二量測電路，透過該轉換電路耦接於該處理電路，且透過該輸入埠耦接於該感測器，其中該第二量測電路包含一第二切換開關，在該第二切換開關接收到該處理電路提供的一第二致能訊號時，該第二量測電路用以將該感測電壓轉換為一第二量測電壓，且該轉換電路用以將該第二量測電壓轉換為一第二量測訊號；以及<br/> 其中在該第二切換開關接收到該處理電路提供的一第二禁能訊號時，該第二量測電路被切換為斷路。
如請求項9所述之能源量測裝置，其中該處理電路用以根據一電壓模式訊號，禁能該第一量測電路及該第二量測電路，以使該轉換電路將該感測電壓轉換為該預設量測訊號。
如請求項10所述之能源量測裝置，其中該第二量測電路更包含一第二阻抗元件，在該第二切換開關接收到該第二致能訊號時，該第二量測電路根據該第二阻抗元件及該感測器中的一熱敏電阻對該感測電壓進行分壓，以產生該第二量測電壓。
如請求項7所述之能源量測裝置，其中該轉換電路包含：<br/> 一限壓元件，耦接於該輸入埠；<br/> 複數個分壓電阻，耦接於該限壓元件；以及<br/> 一濾波電容，耦接於該些分壓電阻及該處理電路之間。
一種能源量測裝置，包含：<br/> 一處理器；<br/> 複數個輸入埠，用以耦接於複數個感測器；以及<br/> 複數個能源量測電路，該些能源量測電路之每一者分別耦接於該些輸入埠的其中一者，且該些能源量測電路之每一者包含：<br/> 一轉換電路，耦接於該處理器，以及耦接於該些輸入埠的對應一者，以接收該些感測器的對應一者的一感測電壓，其中當該感測電壓符合一預設電壓範圍時，該轉換電路用以將該感測電壓轉換為一預設量測訊號；以及<br/> 一第一量測電路，透過該轉換電路耦接於該處理器，且耦接於該些輸入埠的該對應一者，其中當該感測電壓符合一第一電壓範圍時，該第一量測電路被該處理器致能，用以將該感測電壓轉換為一第一量測電壓，且該轉換電路用以將該第一量測電壓轉換為一第一量測訊號；<br/> 其中當該些能源量測電路之其中一者接收到該感測電壓時，該處理器先禁能該第一量測電路，且判斷該轉換電路提供之該預設量測訊號是否超出一預設量測範圍；<br/> 其中當該預設量測訊號超出該預設量測範圍時，該處理器用以致能該第一量測電路。
如請求項13所述之能源量測裝置，其中該第一量測電路包含一第一阻抗元件及一第一切換開關，在該第一切換開關接收到該處理器提供的一第一致能訊號時，該第一量測電路根據該第一阻抗元件的跨壓產生該第一量測電壓；在該第一切換開關接收到該處理器提供的一第一禁能訊號時，該第一量測電路形成斷路。
如請求項13所述之能源量測裝置，還包含： 一第二量測電路，透過該轉換電路耦接於該處理器，且耦接於該些輸入埠的該對應一者，其中該第二量測電路包含一第二切換開關；<br/> 其中當該感測電壓符合一第二電壓範圍時，該第二切換開關接收該處理器提供的一第二致能訊號，該第二量測電路用以將該感測電壓轉換為一第二量測電壓，且該轉換電路用以將該第二量測電壓轉換為一第二量測訊號；<br/> 其中該第一電壓範圍與該第二電壓範圍不同。
如請求項15所述之能源量測裝置，其中該處理器用以根據一電壓模式訊號，禁能該第一量測電路及該第二量測電路，以使該轉換電路將該感測電壓轉換為該預設量測訊號；以及<br/> 其中當該處理器提供該第二致能訊號至該第二切換開關時，該處理器禁能該第一量測電路。
如請求項16所述之能源量測裝置，其中該第二量測電路更包含一第二阻抗元件，在該第二切換開關接收到該第二致能訊號時，該第二量測電路根據該第二阻抗元件及一熱敏電阻對該感測電壓進行分壓，以產生該第二量測電壓；以及<br/> 其中在該第二切換開關接收到該處理器提供的一第二禁能訊號時，該第二量測電路形成斷路。
如請求項13所述之能源量測裝置，其中該轉換電路包含：<br/> 一限壓元件；<br/> 複數個分壓電阻，耦接於該限壓元件；以及<br/> 一濾波電容，耦接於該些分壓電阻及該處理器之間。
一種金屬環戊二烯基錯合物，其具有以下式： <br/>M(C<sub>5</sub>H<sub>4</sub>(R(F)<sub>m</sub>)) { <img align="absmiddle" height="35px" width="59px" file="ed10046.jpg" alt="ed10046.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> } <br/>其中m ≥ 0；M係鹼金屬或過渡金屬；C<sub>5</sub>H<sub>4</sub>表示環戊二烯基（Cp）環，其中兩個氫分別被M和R(F)<sub>m</sub>取代；R(F)<sub>m</sub>連接到該Cp的碳原子的任一個並且選自 <br/>i) 含有至少一個氟的C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>直鏈或支鏈、飽和或不飽和的氟烴基； <br/>ii) 矽基 [SiR'<sub>3</sub>]，其中每個R'選自H、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>飽和或不飽和的烴基； <br/>iii) 矽基 [SiR'<sub>3</sub>]，其中R’獨立地選自H、F、含有至少一個氟原子的C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>飽和或不飽和的氟烴基；以及 <br/>iv) 胺基 [-NR<sup>1</sup>R<sup>2</sup>]，其中R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>各自選自H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>直鏈或支鏈、飽和或不飽和的烴基， <br/>前提為該金屬環戊二烯基錯合物排除1,3-雙(三甲基矽基)環戊二烯基鋰。
如請求項1所述之金屬環戊二烯基錯合物，其中，R選自-CF<sub>3</sub>、-1,1,1-三氟丙烷（-1,1,1-PrF<sub>3</sub>）、-1,1,1-三氟丁烷（-1,1,1-BuF<sub>3</sub>）、或-1-氟丁烷（-1,1,1-BuF）。
如請求項1所述之金屬環戊二烯基錯合物，其中，M選自K、Na、Sr、Ba、Ga、In、Y或Yb。
一種單取代的環戊二烯，其具有以下式： <br/>C<sub>5</sub>H<sub>5</sub>-R(F)<sub>m</sub> { <img align="absmiddle" height="22px" width="53px" file="ed10045.jpg" alt="ed10045.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> } <br/>其中m ≥ 0；C<sub>5</sub>H<sub>5</sub>表示環戊二烯基（Cp）環，其中一個氫被R(F)<sub>m</sub>取代；R(F)<sub>m</sub>連接到該Cp的碳原子的任一個並且選自 <br/>i. 含有至少一個氟原子的C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>直鏈或支鏈、飽和或不飽和的氟烴基； <br/>ii. 矽基 [SiR'<sub>3</sub>]，其中R’選自H、F、含有至少一個氟原子的C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>飽和或不飽和的氟烴基；以及 <br/>iii. 胺基 [-NR<sup>1</sup>R<sup>2</sup>]，其中R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>各自獨立地選自H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>直鏈或支鏈、飽和或不飽和的烴基， <br/>前提為該單取代的環戊二烯排除5-三甲基矽基-1,3-環戊二烯。
如請求項4所述之單取代的環戊二烯，其中，R(F)<sub>m</sub>選自-CF<sub>3</sub>、-1,1,1-三氟丙烷（-1,1,1-PrF<sub>3</sub>）、-1,1,1-三氟丁烷（-1,1,1-BuF<sub>3</sub>）、或-1-氟丁烷（-1,1,1-BuF）。
一種用於加工機械之安全模組，該加工機械包含有一加工件與一連接該加工件之動力源，該安全模組包含有：<br/> 一視覺元件，用以對該加工件之加工範圍定義出一安全區和一危險區；<br/> 一煞車器，用以連接該動力源；以及<br/> 一控制器，用以連接該動力源並與該視覺元件及該煞車器電性連接；<br/> 其中，當該視覺元件辨識到一特定目標時，該視覺元件傳送一啟動訊號至該控制器，使該控制器控制該動力源啟動，且當該視覺元件捕捉到一物體位於該危險區時，該視覺元件傳送一煞車訊號至該控制器，使該控制器驅動該煞車器控制該動力源停止運轉；當該視覺元件捕捉到該物體位於該安全區時，該視覺元件傳送一運轉訊號至該控制器，使該控制器控制該動力源持續運轉。
如請求項1所述之用於加工機械之安全模組，其中，該特定目標為生物特徵或非生物特徵。
如請求項1所述之用於加工機械之安全模組，其中，該視覺元件將該加工件之周圍及該加工件之正前方定義為該危險區。
一種用於加工機械之安全模組，該加工機械包含有一加工件與一連接該加工件之動力源，該安全模組包含有：<br/> 一視覺元件，用以對該加工件之加工範圍定義出一安全區和一危險區；<br/> 一煞車器，用以連接該動力源；以及<br/> 一控制器，用以連接該動力源並與該視覺元件及該煞車器電性連接；<br/> 其中，當該視覺元件根據一物體之一移動軌跡判斷該物體即將進入該危險區時，該視覺元件傳送一煞車訊號至該控制器，使該控制器驅動該煞車器控制該動力源停止運轉；當該視覺元件捕捉到該物體位於該安全區時，該視覺元件傳送一運轉訊號至該控制器，使該控制器控制該動力源持續運轉。
如請求項4所述之用於加工機械之安全模組，其中，當該視覺元件辨識到一特定目標時，該視覺元件傳送一啟動訊號至該控制器，使該控制器控制該動力源啟動。
如請求項5所述之用於加工機械之安全模組，其中，該特定目標為生物特徵或非生物特徵。
如請求項4所述之用於加工機械之安全模組，其中，該視覺元件將該加工件之周圍及該加工件之正前方定義為該危險區。
一種修復晶圓的方法，包含：<br/> 研磨一晶圓，以在該晶圓的一表面形成一損傷層；<br/> 執行一第一退火製程，以將該損傷層的一下部轉換成一再生長層，且該再生長層在該晶圓上；<br/> 在該損傷層上形成一金屬層；以及<br/> 執行一第二退火製程，以將該損傷層與該金屬層轉換成一合金層，且該合金層在該再生長層上。
如請求項1所述之方法，其中該第一退火製程為紫外線雷射退火製程。
如請求項1所述之方法，其中該晶圓具有一第一結晶結構，該再生長層具有一第二結晶結構，該第一結晶結構與該第二結晶結構不同。
如請求項1所述之方法，其中該第一退火製程的溫度介於攝氏900至1300度。
如請求項1所述之方法，其中在執行該第二退火製程時，該損傷層的一部分未被轉換成該合金層，且在執行該第二退火製程之後，該損傷層的該部分在該合金層與該再生長層之間。
如請求項1所述之方法，其中在執行該第一退火製程時，該損傷層的一部分未被轉換成該再生長層，且該損傷層的該部分在該再生長層之下，且在執行該第一退火製程之後，該損傷層的該部分在該晶圓與該再生長層之間。
如請求項6所述之方法，其中該損傷層的該部分的一厚度小於該再生長層的一厚度。
一種半導體裝置，包含：<br/> 一碳化矽晶圓，該碳化矽晶圓具有一第一結晶結構；<br/> 一結晶碳化矽層，在該碳化矽晶圓上，該結晶碳化矽層具有一第二結晶結構，其中該碳化矽晶圓的該第一結晶結構與該結晶碳化矽層的該第二結晶結構不同；<br/> 一合金層，在該結晶碳化矽層上，其中該合金層為矽化金屬層。
如請求項8所述之半導體裝置，更包含：<br/> 一非晶碳化矽層，在該碳化矽晶圓與該結晶碳化矽層之間。
如請求項8所述之半導體裝置，更包含：<br/> 一非晶碳化矽層，在該合金層與該結晶碳化矽層之間。
一種具有可樞轉地聯接至手柄的頭的工具，所述工具包括：<br/>限定柄腳齒的接頭柄腳，所述接頭柄腳設置在所述頭上；<br/>設置在所述手柄上的第一制動件和第二制動件；<br/>鎖定杆，其可旋轉地聯接至所述手柄並適於選擇性地設置在鎖定位置和解鎖位置中的任一個中，所述鎖定杆包括具有杆齒的基部，其中當所述鎖定杆設置在所述鎖定位置時，所述柄腳齒接合所述杆齒以選擇性地保持所述頭與所述手柄之間的角度，並且當所述鎖定杆設置在所述解鎖位置時，所述柄腳齒脫離所述杆齒以允許調節所述頭與所述手柄之間的所述角度；<br/>設置在所述鎖定杆內的通孔；<br/>偏壓構件，其具有相對的第一端部和第二端部且設置在所述通孔中；<br/>第一制動球，其設置在所述偏壓構件的所述第一端部與所述柄腳齒之間，其中所述第一制動球適於接合所述柄腳齒；以及<br/>第二制動球，其設置在所述偏壓構件的所述第二端部與所述手柄之間，其中所述第二制動球適於在所述鎖定杆設置在所述鎖定位置時接合所述第一制動件，並且所述第二制動球適於在所述鎖定杆設置在所述解鎖位置時接合所述第二制動件。
如請求項1所述的工具，其還包括銷，所述銷可樞轉地將所述頭的所述接頭柄腳聯接至所述手柄，其中所述銷沿著銷軸線延伸，所述銷軸線基本垂直於所述工具的縱軸方向。
如請求項1所述的工具，其中所述手柄包括軛，並且其中所述鎖定杆和所述接頭柄腳在所述軛內與所述手柄聯接。
如請求項1所述的工具，其中所述手柄包括適於接收所述鎖定杆上的對應脊部的凹槽。
如請求項1所述的工具，其中所述頭包括驅動件。
如請求項5所述的工具，其中所述驅動件包括凸耳。
如請求項5所述的工具，其中所述驅動件包括棘輪機構。
如請求項1所述的工具，其中所述通孔相對於由所述手柄限定的工具軸線偏心設置。
一種棘輪工具，包括頭和手柄，所述棘輪工具包括：<br/>柄腳齒，其設置在所述頭上；<br/>軛，其具有設置在所述手柄上的軛基部，其中所述軛基部包括第一制動件和第二制動件，並且所述頭可樞轉地聯接至所述軛並設置在所述軛內；<br/>鎖定杆，其設置在所述軛中，位於所述頭和所述軛的基部之間，所述鎖定杆包括杆齒，並且適於在鎖定位置和解鎖位置之間選擇性地旋轉，其中當所述鎖定杆設置在所述鎖定位置時，所述柄腳齒接合所述杆齒以保持所述頭與所述手柄之間的角度，並且當所述鎖定杆設置在所述解鎖位置時，所述柄腳齒脫離所述杆齒以允許調節所述頭與所述手柄之間的所述角度；<br/>偏壓構件，其具有相對的第一端部和第二端部，且所述偏壓構件設置在所述軛的所述基部和所述柄腳齒之間；<br/>第一制動球，其設置在所述偏壓構件的所述第一端部與所述柄腳齒之間，其中所述第一制動球適於接合所述柄腳齒；以及<br/>第二制動球，其設置在所述偏壓構件與所述手柄之間，其中在所述鎖定杆設置在所述鎖定位置時，所述第二制動球接合所述第一制動件，並且在所述鎖定杆設置在所述解鎖位置時，所述第二制動球接合所述第二制動件。
如請求項9所述的棘輪工具，其中所述鎖定杆包括通孔，並且所述偏壓構件設置在所述通孔中。
如請求項10所述的棘輪工具，其中所述第一制動球和所述第二制動球至少部分地設置在所述通孔中。
如請求項9所述的棘輪工具，其中所述軛基部包括適於接收所述鎖定杆的對應脊部的凹槽。
如請求項9所述的棘輪工具，其還包括銷，所述銷可樞轉地將所述頭聯接至所述軛，其中所述銷沿著銷軸線延伸，所述銷軸線基本垂直於所述工具的軸向。
一種柔性式接頭工具，其包括：<br/>頭，其具有包括柄腳齒的接頭柄腳；<br/>手柄，其包括軛和軛基部，其中所述頭可樞轉地聯接至所述軛，所述軛基部包括第一制動件和第二制動件；<br/>鎖定杆，其可旋轉地聯接至所述手柄並適於選擇性地在鎖定位置和解鎖位置之間旋轉，所述鎖定杆包括具有杆齒的基部，其中當所述鎖定杆設置在所述鎖定位置時，所述柄腳齒接合所述杆齒以保持所述頭與所述手柄之間的角度，並且當所述鎖定杆設置在所述解鎖位置時，所述柄腳齒脫離所述杆齒以允許調節所述頭與所述手柄之間的所述角度；<br/>設置在所述鎖定杆內的通孔；以及<br/>制動機構，其包括：<br/>偏壓構件，其具有相對的第一端部和第二端部且設置在所述通孔中；<br/>第一制動球，其設置在所述第一端部與所述柄腳齒之間，其中所述第一制動球適於接合所述柄腳齒；以及<br/>第二制動球，其設置在所述第二端部與所述手柄之間，其中當所述鎖定杆設置在所述鎖定位置時，所述第二制動球接合所述第一制動件，並且當所述鎖定杆設置在所述解鎖位置時，所述第二制動球接合所述第二制動件。
一種組合物，其含有： <br/>(A)烯烴-芳香族乙烯基化合物-芳香族多烯共聚物； <br/>(B)包含選自由硼、鋁、鋯及鉿所組成之群中之一種以上元素之化合物；以及 <br/>(C)聚合抑制劑，其係氮氧自由基化合物。
如請求項1之組合物，其進而包含選自由烯烴單體、芳香族乙烯基化合物單體、及芳香族多烯單體所組成之群中之一種以上。
如請求項1之組合物，其中上述(A)烯烴-芳香族乙烯基化合物-芳香族多烯共聚物滿足下述(1)～(4)之條件： <br/>(1)共聚物之數量平均分子量為5000以上10萬以下； <br/>(2)芳香族乙烯基化合物單體單元為碳數8以上20以下之芳香族乙烯基化合物，芳香族乙烯基化合物單體單元之含量為0質量%以上70質量%以下； <br/>(3)芳香族多烯單體單元為選自於分子內具有複數個乙烯基及/或伸乙烯基之碳數5以上20以下之多烯中之一種以上，且每數量平均分子量中源自芳香族多烯單體單元之乙烯基及/或伸乙烯基之含量為1.5個以上且未達20個； <br/>(4)烯烴單體單元為選自碳數2以上20以下之烯烴中之單種或複數種，烯烴單體單元、芳香族乙烯基化合物單體單元及芳香族多烯單體單元之合計為100質量%。
如請求項1之組合物，其中上述(B)成分之質量為上述(A)成分之質量之1%以下。
如請求項1之組合物，其中上述(B)成分包含輔觸媒。
如請求項1之組合物，其中上述(B)成分包含觸媒。
如請求項1之組合物，其中上述(B)成分含有包含選自由硼及鋁所組成之群中之一種以上元素之化合物。
如請求項1之組合物，其中上述(C)成分相對於上述(A)成分之濃度為10 ppm以上10000 ppm以下。
如請求項1之組合物，其中上述(C)成分包含脂環式氮氧自由基化合物。
一種硬化體，其係如請求項1至9中任一項之組合物之硬化體。
一種CCL基板、FCCL基板、層間絕緣材、或覆蓋層，其包含如請求項10之硬化體。
一種組合物之製造方法，其包括如下步驟： <br/>準備包含烯烴單體、芳香族乙烯基化合物單體、及芳香族多烯單體之原料； <br/>準備觸媒、及包含選自由有機鋁化合物及硼化合物所組成之群中之一種以上之輔觸媒，其中，上述觸媒係下述通式(I)所表示之過渡金屬化合物： <br/>[化1] <br/><img align="absmiddle" height="88px" width="391px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(此處，式中之M為鋯或鉿， <br/>Cp1、Cp2為不具有取代基之環戊二烯基、或者具有1個或2個不具有環狀結構之烷基取代基之環戊二烯基；Cp1與Cp2互相可相同亦可不同，又，Cp1、Cp2基中之一者亦可為不具有取代基之茚基、或者具有1個或2個不具有環狀結構之烷基取代基之茚基， <br/>又，Y係與Cp1、Cp2具有鍵且具有氫原子或取代基之碳、矽、鍺或硼，取代基可互不相同亦可相同，亦可具有環狀結構， <br/>X分別獨立地選自由氫、鹵素、烷基及芳基所組成之群，或者，2個X鍵結而構成二烯基)；以及 <br/>將上述原料、上述觸媒、上述輔觸媒、及上述聚合抑制劑進行混合，形成包含上述觸媒及上述輔觸媒之活性種，開始上述原料之單點配位聚合反應，其中，上述聚合抑制劑係氮氧自由基化合物。
一種顯示螢幕像素，包含： <br/>一背板； <br/>複數個發光二極體，設置於該背板上，每一發光二極體被配置為發射在一第一波長範圍中的UV光； <br/>次像素隔離壁，設置於該背板上，該等次像素隔離壁界定複數個次像素阱，每一相應次像素阱包含來自該複數個發光二極體的一相應發光二極體，該相應發光二極體位於相鄰次像素隔離壁之間，其中該等次像素隔離壁包含： <br/>一第一材料的一芯，以及 <br/>一塗層，該塗層覆蓋該芯的至少一部份，其中該塗層為一第二材料，該第二材料對於該第一波長範圍中的該UV光的一透射率低於該第一材料；以及 <br/>一或多個顏色變換材料，設置於該等發光二極體上的該等次像素阱中，用以將該第一波長範圍中的該UV光變換為可見光。
如請求項1所述之顯示螢幕像素，其中該等次像素隔離壁界定一第一次像素阱與一第二次像素阱，該第一次像素阱包含該一或多個顏色變換材料的一第一顏色變換材料，用以將該UV光變換為一第一顏色的可見光，以及該第二次像素阱包含該一或多個顏色變換材料的一第二顏色變換材料，用以將該UV光變換為不同的一第二顏色的可見光。
如請求項2所述之顯示螢幕像素，其中該等次像素隔離壁界定一第三次像素阱，該第三次像素阱包含該一或多個顏色變換材料的一第三顏色變換材料，用以將該UV光變換為不同的一第三顏色的可見光。
如請求項3所述之顯示螢幕像素，其中該第一顏色、該第二顏色與該第三顏色係選自藍、綠與紅。
如請求項1所述之顯示螢幕像素，其中該第一材料包含一光阻劑。
如請求項5所述之顯示螢幕像素，其中該第一材料包含一負性光阻劑。
如請求項1所述之顯示螢幕像素，其中該第一材料包含一金屬。
如請求項1所述之顯示螢幕像素，其中該第一材料為透明。
如請求項1所述之顯示螢幕像素，其中該第二材料為反射性。
如請求項1所述之顯示螢幕像素，其中該第二材料為一金屬。
如請求項10所述之顯示螢幕像素，其中該第二材料為鋁、金、銀、鉑或前述金屬的合金。
如請求項1所述之顯示螢幕像素，其中該塗層具有介於50 nm與300 nm之間的一厚度。
如請求項1所述之顯示螢幕像素，其中該塗層覆蓋該等次像素隔離壁的側表面。
如請求項13所述之顯示螢幕像素，其中該塗層覆蓋該芯的一水平頂表面。
如請求項14所述之顯示螢幕像素，其中該等側表面上的該塗層延伸於該次像素阱中的該發光二極體的一頂表面下方。
如請求項14所述之顯示螢幕像素，其中該等側表面上的該塗層不延伸於該次像素阱中的該發光二極體的一頂表面下方。
如請求項1所述之顯示螢幕像素，其中該塗層延伸於該芯的一頂表面上方。
如請求項1所述之顯示螢幕像素，包含一介電層，該介電層共形覆蓋該等次像素隔離壁的該塗層。
如請求項18所述之顯示螢幕像素，其中該介電層包含氮化矽。
如請求項19所述之顯示螢幕像素，其中該介電層共形塗佈介於相鄰發光二極體之間的該背板的一部份，且該介電層將一相應次像素隔離壁的每一相應芯與該背板分離。
一種光源模組，包括：<br/> 一導光板，具有彼此連接的一入光面與一第一表面，該第一表面設有一作用區以及位在該作用區外圍的一非作用區；<br/> 一光源，設置在該導光板的該入光面的一側，且鄰近該入光面；<br/> 多個微凹槽，設置在該導光板的該第一表面上，且位於該作用區內；<br/> 一透光基材，設置在該第一表面上；<br/> 一蓋板，設置在該透光基材背對該導光板的一側；<br/> 一黏著層，連接該蓋板與該透光基材，其中該光源模組設置在一反射式顯示面板的一顯示面上，該導光板的一第二表面朝向該顯示面，該第二表面連接該入光面且相對於該第一表面；<br/> 一防吸附沾黏層，設置在該透光基材與該導光板之間，並且覆蓋該第一表面的該作用區與該非作用區，該防吸附沾黏層朝向該導光板的一表面的表面能小於300 mJ/m<sup>2</sup>；以及<br/> 一膠黏層，設置在該防吸附沾黏層與該導光板之間，該膠黏層覆蓋該第一表面的該非作用區，且未覆蓋該第一表面的該作用區。
如請求項1所述的光源模組，其中該導光板的該第一表面在該作用區與該非作用區分別具有一第一粗糙度與一第二粗糙度，且該第二粗糙度大於該第一粗糙度。
如請求項2所述的光源模組，其中該導光板的該第一表面在該非作用區與該防吸附沾黏層的該表面定義出一微縫隙，且該膠黏層填充於該微縫隙內。
如請求項3所述的光源模組，其中該導光板還具有鄰接或相對於該入光面的一第一側面，該第一側面連接該第一表面，該透光基材具有連接該防吸附沾黏層的一基材表面以及連接該基材表面的一第二側面，且該膠黏層自該微縫隙延伸覆蓋該導光板的該第一側面與該透光基材的該第二側面。
如請求項3所述的光源模組，其中該微縫隙沿著該第一表面的法線方向的厚度小於或等於30 μm。
如請求項1所述的光源模組，其中該防吸附沾黏層的材料包括甲基矽酸鹽、矽烷-矽氧烷、辛基三氯矽烷、二硫化鎢、鐵氟龍或抗靜電塗料。
如請求項6所述的光源模組，其中該防吸附沾黏層的該表面的算術平均粗糙度小於0.1 μm。
如請求項1所述的光源模組，其中該防吸附沾黏層的材料包括多官能丙烯酸酯、胺基甲酸酯、熱塑性彈性體或環烯烴共聚物。
如請求項8所述的光源模組，其中該防吸附沾黏層分散有多個微粒子，且各該些微粒子的粒徑小於或等於20 μm。
如請求項1所述的光源模組，其中該防吸附沾黏層的該表面設有多個凸出部，各該些凸出部沿著該表面的法線方向具有相對於該表面的一高度，且沿著平行於該表面的任一方向具有一寬度，該高度大於0 μm且小於或等於10 μm，且該寬度大於0 μm且小於或等於20 μm。
一種計算系統，包括：<br/> 一滑動部件，配置以接收複數個計算儲存裝置，該滑動部件可在一開啟位置以及複數個關閉位置之間移動，該等複數個關閉位置包括一初始關閉位置以及一最大關閉位置；<br/> 一印刷電路板(PCB)，安裝在該滑動部件內，該印刷電路板與該等複數個計算儲存裝置電子通訊；<br/> 一入侵偵測開關，附接至該印刷電路板，該入侵偵測開關配置以偵測該滑動部件在該開啟位置以及該等複數個關閉位置之間的移動；以及<br/> 一按壓模組，附接至可移動的該滑動部件，用於延伸該入侵檢測開關的操作範圍，當該滑動部件處於該初始關閉位置時，該按壓模組與該入侵檢測開關初始接觸，該按壓模組具有一按壓單元，該按壓單元響應於該滑動部件從該初始關閉位置移動到該最大關閉位置而線性平移。
如請求項1所述之計算系統，其中該滑動部件在該初始關閉位置與該最大關閉位置之間線性地行進一預定公差距離。
如請求項2所述之計算系統，其中該預定公差距離對應該按壓單元的一按壓距離。
如請求項1所述之計算系統，其中該按壓模組包括一彈簧，對該按壓單元施加一力。
如請求項4所述之計算系統，其中該彈簧的該力的方向相對於該滑動部件朝向該等複數個關閉位置的移動的方向相反。
如請求項4所述之計算系統，其中該彈簧是一壓縮彈簧。
如請求項6所述之計算系統，其中該按壓模組包括一主基底，固定地附接到可移動的該滑動部件以及該按壓單元，該壓縮彈簧安裝在該按壓單元內。
如請求項7所述之計算系統，其中該按壓單元包括一副基底以及一蓋體，該壓縮彈簧安裝在該副基底與該蓋體之間。
一種計算系統，包括：<br/> 一滑動部件，可在一開啟位置與一關閉位置之間移動；<br/> 一入侵偵測開關，配置以偵測滑動部件在該開啟位置與該關閉位置之間的移動；以及<br/> 一按壓模組，安裝在該滑動部件內，且包括<br/> 一主基底，固定在該滑動部件上，以及<br/> 一按壓單元，附接到該主基底，該按壓單元具有一第一端，固定地附接至該主基底，該按壓單元更具有一第二端，相對於該主基底自由線性平移，該按壓單元更具有一壓縮彈簧，安裝在該第一端與該第二端之間，用於促進該按壓單元的線性平移，當該滑動部件在該關閉位置時，該按壓單元與該入侵檢測開關接觸，該按壓單元響應於處在該關閉位置的該滑動部件的移動而沿一預定公差距離線性平移。
一種偵測方法，用於偵測一計算系統中的入侵，該偵測方法包括：<br/> 提供一滑動部件，用於接收複數個計算儲存裝置；<br/> 配置該滑動部件以在一開啟位置與一關閉位置之間移動；<br/> 經由一入侵偵測開關與一按壓模組之間的物理接觸偵測該滑動部件的移動，該物理接觸發生在一初始關閉位置並持續通過一最大關閉位置；以及<br/> 響應於該物理接觸產生一推力，並且該按壓模組的一按壓單元沿在該關閉位置的該滑動部件的一預定公差距離線性平移，該預定公差距離為該滑動部件的一最大操作範圍，由該初始關閉位置以及該最大關閉位置限定。
一種連續爐，包括： <br/>第一處理室，能夠對物件物進行處理； <br/>第二處理室，能夠對所述物件物進行處理； <br/>中間室，配置於所述第一處理室與所述第二處理室之間； <br/>第一封閉機構，將所述第一處理室與所述中間室之間打開/關閉； <br/>第二封閉機構，將所述第二處理室與所述中間室之間打開/關閉； <br/>第一壓力調整機構，對所述第一處理室的氣壓進行調整； <br/>第二壓力調整機構，對所述第二處理室的氣壓進行調整； <br/>第三壓力調整機構，能夠獨立於所述第一處理室及所述第二處理室的氣壓而對所述中間室的氣壓進行調整；以及 <br/>控制部，對所述第一壓力調整機構、所述第二壓力調整機構、及所述第三壓力調整機構、與所述第一封閉機構及所述第二封閉機構的打開/關閉進行控制， <br/>所述控制部以利用所述第一處理室的氣壓與所述中間室的氣壓之差而向所述第一封閉機構關閉的方向施加壓力的方式對所述第三壓力調整機構進行控制、和/或以利用所述第二處理室的氣壓與所述中間室的氣壓之差而向所述第二封閉機構關閉的方向施加壓力的方式對所述第三壓力調整機構進行控制。
如請求項1所述的連續爐，所述第一封閉機構從所述中間室側向所述第一處理室側驅動而將所述第一處理室與所述中間室之間關閉，且所述第二封閉機構從所述中間室側向所述第二處理室側驅動而將所述第二處理室與所述中間室之間關閉， <br/>所述第三壓力調整機構將所述中間室的氣壓調整成比所述第一處理室的氣壓及所述第二處理室的氣壓高的氣壓。
如請求項1所述的連續爐，所述第一封閉機構從所述第一處理室側向所述中間室側驅動而將所述第一處理室與所述中間室之間關閉，且所述第二封閉機構從所述第二處理室側向所述中間室側驅動而將所述第二處理室與所述中間室之間關閉， <br/>所述第三壓力調整機構將所述中間室的氣壓調整成比所述第一處理室的氣壓及所述第二處理室的氣壓低的氣壓。
如請求項1所述的連續爐，其中所述第一壓力調整機構、所述第二壓力調整機構及所述第三壓力調整機構在打開所述第一封閉機構及所述第二封閉機構時，將所述第一處理室、所述第二處理室及所述中間室的氣壓調整成相同氣壓。
如請求項4所述的連續爐，還包括： <br/>旁通配管，將所述第一處理室、所述第二處理室及所述中間室連接；以及 <br/>開閉裝置，將所述旁通配管打開/關閉， <br/>所述第一壓力調整機構、所述第二壓力調整機構及所述第三壓力調整機構將所述開閉裝置開放，而將所述第一處理室、所述第二處理室、及所述中間室的氣壓調整成相同氣壓。
如請求項1至5中任一項所述的連續爐，所述第一處理室的氣壓及所述第二處理室的氣壓為-0.1 MPa以上且小於1 MPa的範圍內的壓力。
一種製造測試探頭的方法，所述測試探頭包括管狀的筒且包括柱塞，所述柱塞可滑動地且部分地插置於所述筒中，所述方法包括： <br/>在所述筒的一個端部部分處形成直徑減小部分； <br/>藉由在所述筒的軸線方向上進行圓柱形切割而機械加工出所述直徑減小部分的前端內表面；以及 <br/>至少在所述直徑減小部分中沿著所述軸線方向形成多個狹縫， <br/>其中所述直徑減小部分厚於所述筒。
一種製造測試探頭的方法，所述測試探頭包括管狀的筒且包括柱塞，所述柱塞可滑動地且部分地插置於所述筒中，所述方法包括： <br/>在所述筒的一個端部部分處形成直徑減小部分； <br/>藉由在所述筒的軸線方向上進行圓柱形切割而機械加工出所述直徑減小部分的前端內表面； <br/>至少在所述直徑減小部分中沿著所述軸線方向形成多個狹縫；以及 <br/>對所述直徑減小部分的前端邊緣進行倒角處理。
一種半導體結構，包括： <br/>一半導體基板，包括具有一第一側壁的一空腔； <br/>一第一介電層，設置在該半導體基板上； <br/>一邊緣耦合器，設置在該第一介電層上；以及 <br/>一填充區，包括與該邊緣耦合器相鄰的多個填充件，該填充區包括被該多個填充件部分包圍的一第一參考標記，該第一參考標記具有包圍該第一介電層的第一表面區域的一周界，該第一表面區域與該空腔的該第一側壁的一部份重疊。
如請求項1所述之半導體結構，其中該多個填充件不存在於該第一參考標記的該周界內部。
如請求項1所述之半導體結構，其中該第一側壁沿著邊緣相鄰於該第一介電層，且該第一參考標記的該周界與該邊緣的一部分重疊。
如請求項1所述之半導體結構，其中該第一介電層包括與該邊緣耦合器相鄰的一第一邊緣，該空腔包括一底切區，該底切區在該半導體基板中從該邊緣耦合器下方的該第一介電層的該第一邊緣延伸，且該第一參考標記的該周界與該底切區中的該第一邊緣的一部分重疊。
如請求項4所述之半導體結構，其中該空腔的該第一側壁沿著一第二邊緣相鄰於該第一介電層，且該第一參考標記的該周界與該第二邊緣的一部分重疊。
如請求項1所述之半導體結構，其中該填充區位於該第一介電層上。
如請求項6所述之半導體結構，其中該多個填充件和該邊緣耦合器包括相同的材料。
如請求項1所述之半導體結構，還包括： <br/>一第二介電層，設置在該第一介電層上，其中該邊緣耦合器嵌入該第二介電層中，且該填充區位於該第二介電層上。
如請求項8所述之半導體結構，其中該多個填充件包括一第一材料，且該邊緣耦合器包括與該第一材料不同的一第二材料。
如請求項1所述之半導體結構，其中該空腔具有一第二側壁，該填充區包括被該多個填充件部分包圍的一第二參考標記，該第二參考標記具有包圍該第一介電層的一第二表面區域的一周界，且該第二表面區域與該空腔的一第二側壁重疊。
如請求項10所述之半導體結構，其中該多個填充件不存在於該第一參考標記的該周界內部，且該多個填充件不存在於該第二參考標記的該周界內部。
如請求項10所述之半導體結構，其中該空腔包括在該第一介電層下方延伸的一底切區，該第一介電層包括與該邊緣耦合器相鄰的一邊緣，且該第一參考標記沿著該邊緣與該第二參考標記間隔開。
如請求項10所述之半導體結構，其中該空腔的該第一側壁沿著一第一邊緣相鄰於該第一介電層，且該第一參考標記的該周界與該第一邊緣的一部分重疊，該空腔的該第二側壁沿著一第二邊緣相鄰於該第一介電層，且該第二參考標記的該周界與該第二邊緣的一部分重疊。
如請求項13所述之半導體結構，其中該空腔具有從該第一邊緣延伸到該第二邊緣的一寬度尺寸。
如請求項10所述之半導體結構，其中該空腔包括一溝槽底部，該溝槽底部將該第一側壁連接至該第二側壁，並且該溝槽底部位於該第一參考標記和該第二參考標記之間。
如請求項1所述之半導體結構，還包括： <br/>一光源，位於相鄰該邊緣耦合器的該空腔中，該光源具有一光輸出，該光輸出被配置為在傳播方向上朝該邊緣耦合器提供光。
如請求項16所述之半導體結構，其中該空腔係為具有一開口端的一凹槽，且該光源係為一光纖。
如請求項1所述之半導體結構，還包括： <br/>一第二介電層，設置在該第一介電層上； <br/>其中該第二介電層包括一介電材料，且該第二介電層的該介電材料位於該第一參考標記的該周界內部的該第一介電層的該第一表面區域上。
如請求項1所述之半導體結構，其中該邊緣耦合器包括一波導核心，且該第一參考標記位在相鄰於部分的該波導核心。
一種半導體結構的製造方法，包括： <br/>形成一空腔在一半導體基板中，其中該空腔包括一側壁，且一介電層位於該半導體基板上； <br/>形成一邊緣耦合器在該介電層上；以及 <br/>形成一填充區，其中該填充區包括與該邊緣耦合器和該空腔相鄰的多個填充件，該填充區包括被該多個填充件部分包圍的一參考標記，該參考標記具有一周界，該周界包圍該介電層的一表面區域，該表面區域與該空腔的該側壁一部份重疊。
一種積體晶片，包含：一底部電極，位於一基板上面；一頂部電極，位於該底部電極上方；一覆蓋結構，設置在該頂部電極和該底部電極之間，其中，該覆蓋結構包含與一金屬層垂直堆疊的一擴散障壁層；以及一切換結構，設置在該底部電極和該覆蓋結構之間，其中，該切換結構包含位於該底部電極上的一介電層以及位於該介電層上的一第一氧親和層，其中，該第一氧親和層的一第一吉布斯自由能小於該介電層的一第二吉布斯自由能，並且其中，該第一吉布斯自由能和該第二吉布斯自由能之間的一第一差小於-100kJ/mol。
根據權利要求1所述的積體晶片，其中，該第一吉布斯自由能小於-1000kJ/mol，並且該第二吉布斯自由能大於-1000kJ/mol。
根據權利要求1所述的積體晶片，其中，該第一氧親和層的厚度與該介電層的厚度的比率在0.85至1的範圍內。
根據權利要求3所述的積體晶片，其中，該切換結構的厚度與該頂部電極和該覆蓋結構的厚度的比率在0.1至0.2的範圍內。
根據權利要求4所述的積體晶片，其中，該切換結構的厚度與該底部電極的厚度的比率在0.2至0.3的範圍內，其中，該底部電極的厚度小於該頂部電極的厚度。
根據權利要求1所述的積體晶片，其中，該介電層主要由二氧化鈦組成，並且該第一氧親和層主要由氧化鋯組成，並且其中，該介電層和該第一氧親和層是未摻雜的。
根據權利要求1所述的積體晶片，其中，該介電層直接接觸該底部電極，該第一氧親和層直接接觸該介電層，該擴散障壁層直接接觸該第一氧親和層，並且該金屬層直接接觸該擴散障壁層。
根據權利要求1所述的積體晶片，其中，該切換結構還包含：一第二氧親和層，設置在該第一氧親和層和該擴散障壁層之間，其中，該第二氧親和層的一第三吉布斯自由能小於該第一吉布斯自由能，其中，該第三吉布斯自由能和該第一吉布斯自由能之間的一第二差小於該第一差。
一種積體晶片，包含：一第一導電結構，位於一基板上方；一第二導電結構，位於該第一導電結構上方，其中，該第二導電結構包括一覆蓋結構上方的一頂部電極；以及一切換結構，位於該第一導電結構和該覆蓋結構之間，其中，該切換結構包含位於該第一導電結構上的一介電層以及位於該介電層上的一第一氧親和層，其中，該第一氧親和層的一第一吉布斯自由能小於-1000kJ/mol，其中，該介電層的厚度大於或等於該第一氧親和層的厚度，其中，該切換結構的厚度與該第二導電結構的厚度的比率在0.1至0.2的範圍內，並且其中，該切換結構的厚度與該第一導電結構的厚度的比率在0.2至0.3的範圍內。
一種用於形成積體晶片的方法，該方法包含：在一基板上方形成一下部導電線；在該下部導電線上方形成一記憶體層堆疊件，其中，該記憶體層堆疊件包含一介電層、位於該介電層上方的一第一氧親和層、位於該第一氧親和層上方的一擴散障壁層、位於該擴散障壁層上方的一金屬層以及位於該金屬層上方的一頂部電極，其中，該第一氧親和層的一第一吉布斯自由能小於該介電層的一第二吉布斯自由能，並且其中，該第一吉布斯自由能和該第二吉布斯自由能之間的一第一差小於-100kJ/mol；在該記憶體層堆疊件上方形成一遮罩層；以及根據該遮罩層圖案化該記憶體層堆疊件，從而限定一記憶體單元。
一種具透氣性高強高模纖維製品，包括：<br/> 一無緯纖維層，包含複數沿一第一方向平行排列的纖維紗線，該些纖維紗線選自芳綸纖維、超高分子量纖維、以及碳纖維中的至少一種；<br/> 一樹脂層，設置於該無緯纖維層下方，該樹脂層選自水性聚氨酯、油性聚氨酯、乙烯醋酸乙烯酯共聚物(EVA)、環氧樹脂中的至少一種；以及<br/> 一薄膜層，設置於該樹脂層下方，該薄膜層選自聚乙烯透氣膜、聚丙烯透氣膜和聚四氟乙烯薄膜中的至少一種；<br/> 其中，該無緯纖維層的重量百分比為60~85%，該樹脂層的重量百分比為5~20%，且該薄膜層的重量百分比為10~20%。
如請求項1之具透氣性高強高模纖維製品，其中，該些纖維紗線平行排列的方式為緊密排列、排一空一、排二空一、或排三空一。
如請求項1之具透氣性高強高模纖維製品，還包括：<br/> 另一樹脂層，設置於該無緯纖維層上方；以及<br/> 另一無緯纖維層，設置於該另一樹脂層上方，包含複數沿一第二方向平行排列的纖維紗線，該第二方向與該第一方向垂直。
如請求項1之具透氣性高強高模纖維製品，還包括：<br/> 另一樹脂層，設置於該薄膜層下方；以及<br/> 另一無緯纖維層，設置於該另一樹脂層下方，包含複數沿一第二方向平行排列的纖維紗線，該第二方向與該第一方向垂直。
如請求項1之具透氣性高強高模纖維製品，其中，該薄膜層具有高透氣性和高阻水性。
如請求項1之具透氣性高強高模纖維製品，其中，該樹脂層用於浸潤該些纖維紗線的表面，使該些纖維紗線具有一定的剛性和彈性。
如請求項1之具透氣性高強高模纖維製品，其中，該樹脂層還包括一添加劑，選自抗菌劑、防火劑、以及抗靜電劑中的至少一種，該添加劑佔該透氣性高強高模纖維製品重量百分比的0~2%，以提高纖維製品的功能性。
一種製作具透氣性高強高模纖維製品的方法，用以製造如請求項1至7任一項所述之具透氣性高強高模纖維製品，包括下列步驟：<br/> 將複數纖維紗線穿入一織物設備，該織物設備採用不同的穿紗手法使得該些纖維紗線沿該第一方向平行排列；<br/> 將一樹脂與一溶劑按照一定的比例混合以形成一樹脂溶液，其中，該樹脂包含水性聚氨酯、油性聚氨酯、乙烯醋酸乙烯酯共聚物(EVA)、環氧樹脂的至少一種以上，該溶劑包含水、酒精、丙酮、二甲基乙醯胺(Dimethylacetamide，DMAC)至少一種以上；<br/> 將該些纖維紗線浸潤於該樹脂溶液後，再貼合於該薄膜層上；以及<br/> 將貼合完成的該些纖維紗線、該樹脂溶液以及該薄膜層進行一乾燥程序。
如請求項8之製作具透氣性高強高模纖維製品的方法，其中，於進行該乾燥程序前，使貼合完成的該些纖維紗線、該樹脂溶液以及該薄膜層通過一加壓輥，使得該些纖維紗線與該薄膜層緊密貼合，並將多餘的樹脂溶液擠出。
如請求項8之製作具透氣性高強高模纖維製品的方法，其中，將經過該乾燥程序後的該些纖維紗線、該樹脂溶液以及該薄膜層切割成所需的尺寸，以得到該具透氣性高強高模纖維製品。
一種人工智慧前端系統，包含一輸入前端，該輸入前端包含一輸入過濾器元件；其中 <br/>該輸入前端經配置以執行： <br/>（a）響應於接收到一查詢，執行一外部澄清程序以獲得一外部澄清查詢；並將該外部澄清查詢導向給該輸入過濾器元件；以及 <br/>（b）經由該輸入過濾器元件對該外部澄清查詢執行一過濾程序以過濾該外部澄清查詢並經由該輸入過濾器元件將過濾後的該外部澄清查詢發送給外部的一聊天機器人。
如請求項1所述之人工智慧前端系統，其中該外部澄清程序包含以下步驟： <br/>（a1）將該查詢設置為一當前查詢； <br/>（a2）判斷該當前查詢是否符合一明確標準； <br/>（a3）響應於判斷該當前查詢符合該明確標準，輸出該當前查詢以作為該外部澄清查詢，並離開該外部澄清程序； <br/>（a4）響應於判斷該當前查詢不符合該明確標準，基於該當前查詢發出一詢問問題；以及 <br/>（a5）響應於接收到對應於該詢問問題的一回應，將該回應設置為該當前查詢，並再執行步驟（a2）~（a5）。
如請求項1所述之人工智慧前端系統，該輸入前端經配置以在步驟（b）後執行： <br/>（c）響應於該聊天機器人提出一內部澄清問題，回覆該內部澄清問題；以及 <br/>（d）響應於該聊天機器人提出一最終問題，將一內部澄清查詢重新導向給該聊天機器人。
如請求項3所述之人工智慧前端系統，其中該人工智慧前端系統包含一輸出前端，該輸出前端包含一輸出過濾器元件，該輸出前端經配置以在步驟（d）後執行： <br/>（e）經由該輸出前端的該輸出過濾器元件接收該聊天機器人回覆該內部澄清查詢的至少一聊天答案；以及 <br/>（f）由該輸出前端在該至少一聊天答案中尋找一最佳聊天答案。
如請求項4所述之人工智慧前端系統，其中該輸出前端經配置以在步驟（f）後執行： <br/>（g）經由該輸出前端的該輸出過濾器元件對該最佳聊天答案執行一修飾程序以修飾該最佳聊天答案。
如請求項4所述之人工智慧前端系統，其中前述步驟（f）包含以下步驟： <br/>（f1）基於一連貫性及清晰度演算法，評估每一該至少一聊天答案的一連貫性及清晰度，以獲得每一該至少一聊天答案的一連貫性及清晰度評分； <br/>（f2）評估每一該至少一聊天答案的一準確性，以獲得每一該至少一聊天答案的一準確性評分； <br/>（f3）基於一相關性演算法，評估每一該至少一聊天答案與該內部澄清查詢的一相關性以獲得每一該至少一聊天答案的一相關性評分；以及 <br/>（f4）基於每一該至少一聊天答案的該連貫性及清晰度評分、該準確性評分以及該相關性評分，從該至少一聊天答案中選擇該最佳聊天答案。
一種人工智慧前端運行方法，適用於一人工智慧前端系統，該人工智慧前端系統包含一輸入前端，該輸入前端包含一輸入過濾器元件，該人工智慧前端運行方法包含： <br/>（a）由該輸入前端響應於接收到一查詢，執行一外部澄清程序以獲得一外部澄清查詢；並將該外部澄清查詢導向給該輸入過濾器元件；以及 <br/>（b）由該輸入前端經由該輸入過濾器元件對該外部澄清查詢執行一過濾程序以過濾該外部澄清查詢並經由該輸入過濾器元件將過濾後的該外部澄清查詢發送給外部的一聊天機器人。
如請求項7所述之人工智慧前端運行方法，其中該外部澄清程序包含以下步驟： <br/>（a1）將該查詢設置為一當前查詢； <br/>（a2）判斷該當前查詢是否符合一明確標準； <br/>（a3）響應於判斷該當前查詢符合該明確標準，輸出該當前查詢以作為該外部澄清查詢，並離開該外部澄清程序； <br/>（a4）響應於判斷該當前查詢不符合該明確標準，基於該當前查詢發出一詢問問題；以及 <br/>（a5）響應於接收到對應於該詢問問題的一回應，將該回應設置為該當前查詢，並再執行步驟（a2）~（a5）。
如請求項7所述之人工智慧前端運行方法，其中由該輸入前端在步驟（b）後執行： <br/>（c）響應於該聊天機器人提出一內部澄清問題，回覆該內部澄清問題；以及 <br/>（d）響應於該聊天機器人提出一最終問題，將一內部澄清查詢重新導向給該聊天機器人。
如請求項9所述之人工智慧前端運行方法，其中該人工智慧前端系統包含一輸出前端，該輸出前端包含一輸出過濾器元件，該輸出前端運行方法包含： <br/>（e）經由該輸出前端的該輸出過濾器元件接收該聊天機器人回覆該內部澄清查詢的至少一聊天答案；以及 <br/>（f）由該輸出前端在該至少一聊天答案中尋找一最佳聊天答案。
如請求項10所述之人工智慧前端運行方法，其中該人工智慧前端運行方法包含在步驟（f）後執行： <br/>（g）經由該輸出前端的該輸出過濾器元件對該最佳聊天答案執行一修飾程序以修飾該最佳聊天答案。
如請求項10所述之人工智慧前端運行方法，其中前述步驟（f）包含以下步驟： <br/>（f1）基於一連貫性及清晰度演算法，評估每一該至少一聊天答案的一連貫性及清晰度，以獲得每一該至少一聊天答案的一連貫性及清晰度評分； <br/>（f2）評估每一該至少一聊天答案的一準確性，以獲得每一該至少一聊天答案的一準確性評分； <br/>（f3）基於一相關性演算法，評估每一該至少一聊天答案與該內部澄清查詢的一相關性以獲得每一該至少一聊天答案的一相關性評分；以及 <br/>（f4）基於每一該至少一聊天答案的該連貫性及清晰度評分、該準確性評分以及該相關性評分，從該至少一聊天答案中選擇該最佳聊天答案。
如請求項12所述之人工智慧前端運行方法，其中該連貫性及清晰度演算法包含神經局部相干分析模型。
如請求項12所述之人工智慧前端運行方法，其中該連貫性及清晰度演算法包含自動評估文本連貫性演算法。
如請求項12所述之人工智慧前端運行方法，其中前述步驟（f2）包含下列步驟： <br/>（f21）通過一結構語意相似性模型，從多個可信來源中尋找與該查詢最相關的多個數據；以及 <br/>（f22）基於該些數據，對每一該至少一聊天答案給出該準確性評分。
如請求項12所述之人工智慧前端運行方法，其中該相關性演算法包含一結構語意相似性模型。
如請求項7所述之人工智慧前端運行方法，其中該過濾程序包含： <br/>（b1）對該外部澄清查詢執行一輸入轉換做為一防禦機制以消除對抗性擾動。
如請求項17所述之人工智慧前端運行方法，其中該過濾程序包含：基於一對話的上下文在經該輸入轉換的該外部澄清查詢中添加更詳細的一查詢要求。
如請求項17所述之人工智慧前端運行方法，其中該過濾程序包含：將經該輸入轉換的該外部澄清查詢轉換為開放式問題形式。
一種內儲程式之電腦可讀取記錄媒體，當一處理單元載入該內儲程式並執行後在一邏輯層面上形成一人工智慧前端系統，該人工智慧前端系統包含一輸入前端，該輸入前端包含一輸入過濾器元件，並執行以下操作： <br/>（a）由該輸入前端響應於接收到一查詢，執行一外部澄清程序以獲得一外部澄清查詢；並將該外部澄清查詢導向給該輸入過濾器元件；以及 <br/>（b）由該輸入前端經由該輸入過濾器元件對該外部澄清查詢執行一過濾程序以過濾該外部澄清查詢並經由該輸入過濾器元件將過濾後的該外部澄清查詢發送給外部的一聊天機器人。
一種醫療用氧氣加濕裝置，包含：<br/> 一容器，包括一底壁及一自該底壁的一周緣朝上延伸並限定出一開口的圍壁，該底壁與圍壁共同定義出一下空間，該圍壁設置有一下貫孔及一上貫孔；<br/> 一半透膜，設置於該圍壁的一頂緣以遮蔽該開口； <br/> 一遮蓋，能開合地封閉該下空間並與該半透膜共同定義出一上空間，該遮蓋包括一頂壁及一圍繞該頂壁的圍繞壁，該遮蓋設有一底貫孔及一頂貫孔；<br/> 一壓板，設置於該上空間內且能在該遮蓋的底貫孔與頂貫孔間上下移動並接觸該遮蓋的圍繞壁的一內表面；及<br/> 一篩網，設置於該下空間內並與該容器的圍壁間隔設置且面相該容器的下貫孔；<br/> 其中，該篩網具有一介於100目至800目之間的目數。
如請求項1所述的醫療用氧氣加濕裝置，其中，還包含一下管路組件，及一上管路組件，該下管路組件包括一連通該容器的下貫孔的下管件，及一連通該容器的上貫孔的上管件，該上管路組件包括一連通該遮蓋的底貫孔的底管件，及一連通該遮蓋的頂貫孔的頂管件。
如請求項2所述的醫療用氧氣加濕裝置，還包含一壓力偵測計及一自動調節閥，該壓力偵測計與該自動調節閥設置於該下管路組件的上管件處以連通該上管件的內部空間，且該自動調節閥相對該壓力偵測計遠離該容器的上貫孔。
如請求項2所述的醫療用氧氣加濕裝置，還包含一減壓單元，該減壓單元設置於該下管路組件的下管件處以連通該下管件的內部空間。
如請求項1所述的醫療用氧氣加濕裝置，其中，該遮蓋的底貫孔與頂貫孔皆設置於該圍繞壁。
如請求項1所述的醫療用氧氣加濕裝置，其中，該容器的圍壁的一內表面朝其一外表面凹陷有一介於該下貫孔與上貫孔之間的凹溝，該篩網包括一基壁、一自該基壁的一周緣朝上延伸且與該容器的圍壁間隔設置的環壁，及一自該環壁的一頂緣朝該圍壁延伸以嵌設於該凹溝內的凸緣，且該篩網的基壁與環壁各自設有複數貫穿其自身的微貫孔。
如請求項6所述的醫療用氧氣加濕裝置，還包含一環型支撐架，該環型支撐架設置於該下空間內以介於該半透膜與該篩網的凸緣間，且該環型支撐架於鄰近該容器之上貫孔處設有一貫穿其自身以連通該容器之上貫孔的通孔。
一種推薦優惠條件之裝置，其包括： <br/>一個以上之處理器；及 <br/>一個以上之記憶體，其儲存有用以藉由上述一個以上之處理器而執行之命令； <br/>於執行上述命令時，上述一個以上之處理器以如下之方式構成： <br/>獲得將第1用戶之對象商品於電子商務服務中登錄為銷售商品之登錄請求之第1資訊， <br/>基於上述第1資訊，確定指示購買固定個數以上之上述對象商品之情形時可應用之優惠的至少一個推薦條件， <br/>將指示上述至少一個推薦條件之優惠條件資訊提供至上述第1用戶之終端；且 <br/>上述第1資訊包括上述對象商品之資訊， <br/>上述一個以上之處理器以如下之方式構成： <br/>獲得商品之各優惠條件之銷售實績之第2資訊， <br/>基於上述第1資訊及上述第2資訊，確定上述至少一個推薦條件， <br/>基於上述第1資訊及上述第2資訊，確定與上述第1用戶相區分之第2用戶對上述對象商品曾設定之一個以上之第3優惠條件， <br/>基於與上述一個以上之第3優惠條件各者對應之上述對象商品之銷售實績來確定上述至少一個推薦條件；且 <br/>上述第2用戶係基於上述對象商品之銷售價格、配送條件及銷售者評估而確定之上述對象商品之優秀銷售者。
如請求項1之裝置，其中 <br/>上述銷售實績係選自銷售量、銷售額或購買轉換率中之至少一者。
如請求項1之裝置，其中 <br/>上述一個以上之處理器以如下之方式構成： <br/>基於上述第1資訊及上述第2資訊，確定上述第1用戶對上述對象商品之同類商品曾設定之一個以上之第1優惠條件，基於與上述一個以上之第1優惠條件各者對應之上述同類商品之銷售實績來確定上述至少一個推薦條件。
如請求項1之裝置，其中 <br/>上述一個以上之處理器以如下之方式構成： <br/>基於上述第1資訊及上述第2資訊，確定對上述對象商品或上述對象商品之同類商品曾設定之一個以上之第2優惠條件，基於與上述一個以上之第2優惠條件各者對應之上述對象商品或上述同類商品之銷售實績來確定上述至少一個推薦條件。
如請求項4之裝置，其中 <br/>上述一個以上之處理器以如下之方式構成： <br/>將上述一個以上之第2優惠條件中之銷售實績較高之預設個數之優惠條件確定為上述至少一個推薦條件。
如請求項4之裝置，其中 <br/>上述一個以上之處理器以如下之方式構成： <br/>確定上述一個以上之第2優惠條件中之銷售實績最高之優惠條件所指示之上述對象商品或上述同類商品之購買個數， <br/>確定指示針對上述對象商品或上述同類商品購買上述確定之購買個數以上之數量之情形時可應用之優惠的優惠條件， <br/>將上述確定之優惠條件確定為上述至少一個推薦條件。
如請求項1之裝置，其中 <br/>上述一個以上之處理器以如下之方式構成： <br/>基於上述第1資訊及上述第2資訊，確定上述第1用戶對上述對象商品之同類商品曾設定之一個以上之第1優惠條件， <br/>基於上述第1資訊及上述第2資訊，確定對上述對象商品或上述同類商品曾設定之一個以上之第2優惠條件， <br/>基於上述第1資訊及上述第2資訊，確定與上述第1用戶相區分之第2用戶對上述對象商品曾設定之一個以上之第3優惠條件， <br/>基於與上述一個以上之第1優惠條件、上述一個以上之第2優惠條件及上述一個以上之第3優惠條件各者對應之上述對象商品或上述同類商品之銷售實績，確定上述至少一個推薦條件；且 <br/>上述第2用戶係基於上述對象商品之銷售價格、配送條件及銷售者評估而確定之上述對象商品之優秀銷售者。
如請求項1之裝置，其中 <br/>上述第1資訊包括指示選自上述對象商品之識別資訊、種類或銷售單位中之至少一者之資訊。
如請求項1之裝置，其中 <br/>上述至少一個推薦條件包括指示可應用於預設個數之優惠之推薦條件。
如請求項1之裝置，其中 <br/>上述至少一個推薦條件各者以比率指示購買固定個數以上之上述對象商品之情形時可應用之折扣量。
一種推薦優惠條件之方法，其係於包括一個以上之處理器及一個以上之記憶體之裝置中實行者，該一個以上之記憶體儲存有用以藉由上述一個以上之處理器而執行之命令， <br/>上述方法包括如下步驟： <br/>上述一個以上之處理器獲得將第1用戶之對象商品於電子商務服務中登錄為銷售商品之登錄請求之第1資訊； <br/>基於上述第1資訊，確定指示購買固定個數以上之上述對象商品之情形時可應用之優惠的至少一個推薦條件；及 <br/>將指示上述至少一個推薦條件之優惠條件資訊提供至上述第1用戶之終端；且 <br/>上述第1資訊包括上述對象商品之資訊， <br/>確定上述至少一個推薦條件之步驟包括如下步驟： <br/>獲得商品之各優惠條件之銷售實績之第2資訊；及 <br/>基於上述第1資訊及上述第2資訊，確定上述至少一個推薦條件， <br/>基於上述第1資訊及上述第2資訊來確定至少一個推薦條件之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述第1資訊及上述第2資訊，確定與上述第1用戶相區分之第2用戶對上述對象商品曾設定之一個以上之第3優惠條件，基於與上述一個以上之第3優惠條件各者對應之上述對象商品之銷售實績來確定上述至少一個推薦條件；且 <br/>上述第2用戶係基於上述對象商品之銷售價格、配送條件及銷售者評估而確定之上述對象商品之優秀銷售者。
如請求項11之方法，其中 <br/>上述銷售實績係選自銷售量、銷售額或購買轉換率中之至少一者。
如請求項11之方法，其中 <br/>基於上述第1資訊及上述第2資訊來確定至少一個推薦條件之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述第1資訊及上述第2資訊，確定上述第1用戶對上述對象商品之同類商品曾設定之一個以上之第1優惠條件，基於與上述一個以上之第1優惠條件各者對應之上述同類商品之銷售實績來確定上述至少一個推薦條件。
如請求項11之方法，其中 <br/>基於上述第1資訊及上述第2資訊來確定至少一個推薦條件之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述第1資訊及上述第2資訊，確定對上述對象商品或上述對象商品之同類商品曾設定之一個以上之第2優惠條件，基於與上述一個以上之第2優惠條件各者對應之上述對象商品或上述同類商品之銷售實績來確定上述至少一個推薦條件。
如請求項14之方法，其中 <br/>根據上述對象商品或上述同類商品之銷售實績來確定上述至少一個推薦條件之步驟包括如下步驟： <br/>確定上述一個以上之第2優惠條件中之銷售實績最高之優惠條件所指示之上述對象商品或上述同類商品之購買個數； <br/>確定指示針對上述對象商品或上述同類商品購買上述確定之購買個數以上之數量之情形時可應用之優惠的優惠條件；及 <br/>將上述確定之優惠條件確定為上述至少一個推薦條件。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其係記錄有用以藉由一個以上之處理器而執行之命令者， <br/>上述命令如下：於執行上述命令時，使上述一個以上之處理器獲得將第1用戶之對象商品於電子商務服務中登錄為銷售商品之登錄請求之第1資訊， <br/>基於上述第1資訊，確定指示購買固定個數以上之上述對象商品之情形時可應用之優惠的至少一個推薦條件， <br/>將指示上述至少一個推薦條件之優惠條件資訊提供至上述第1用戶之終端；且 <br/>上述第1資訊包括上述對象商品之資訊， <br/>其中於執行上述命令時，進一步使上述一個以上之處理器如下： <br/>獲得商品之各優惠條件之銷售實績之第2資訊， <br/>基於上述第1資訊及上述第2資訊，確定上述至少一個推薦條件， <br/>基於上述第1資訊及上述第2資訊，確定與上述第1用戶相區分之第2用戶對上述對象商品曾設定之一個以上之第3優惠條件， <br/>基於與上述一個以上之第3優惠條件各者對應之上述對象商品之銷售實績來確定上述至少一個推薦條件；且 <br/>上述第2用戶係基於上述對象商品之銷售價格、配送條件及銷售者評估而確定之上述對象商品之優秀銷售者。
一種感光性樹脂組合物，其係包含 <br/>(A)聚醯亞胺、 <br/>(B)溶劑、及 <br/>(C)光聚合起始劑 <br/>之負型感光性樹脂組合物， <br/>上述(A)聚醯亞胺具有下述通式(1)所表示之結構： <br/>[化1] <br/><img align="absmiddle" height="103px" width="310px" file="ed10056.jpg" alt="ed10056.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>{式中，n為正整數，X為碳數6～31之四價基，Y為二價基}， <br/>且上述(A)聚醯亞胺於側鏈不具有聚合性官能基， <br/>上述(A)聚醯亞胺之重量平均分子量(Mw)與 <br/>藉由下述式(b)算出之R之積{Mw×R(F<sub>Cont.</sub>)}滿足下述式(a)， <br/>R(F<sub>Cont.</sub>)＝(Mw<sub>f</sub>＋1)/(Mw<sub>x</sub>＋Mw<sub>Y</sub>－36)···(b) <br/>(式中，Mw<sub>f</sub>為可包含於上述(A)聚醯亞胺中之氟原子之總質量，Mw<sub>X</sub>為構成上述(A)聚醯亞胺之四羧酸二酐之平均分子量，Mw<sub>Y</sub>為構成上述(A)聚醯亞胺之二胺之平均分子量) <br/>300≦Mw×R≦948···(a)， <br/>上述(A)聚醯亞胺之重量平均分子量為8,000以上23,000以下。
如請求項1之感光性樹脂組合物，其進而包含(D)自由基聚合性化合物。
如請求項2之感光性樹脂組合物，其中上述(D)自由基聚合性化合物包含(D1)單官能單體、及(D2)多官能單體。
如請求項3之感光性樹脂組合物，其中上述(D1)單官能單體相對於上述(D2)多官能單體之質量比(D1/D2)超過0.01且未達0.5。
如請求項1或2之感光性樹脂組合物，其進而包含選自由 <br/>(E)矽烷偶合劑、 <br/>(F)有機鈦化合物、 <br/>(G)熱交聯劑、 <br/>(H)防銹劑、 <br/>(I)熱聚合起始劑、及 <br/>(J)塑化劑 <br/>所組成之群中之至少1種。
如請求項1或2之感光性樹脂組合物，其中相對於上述(A)聚醯亞胺100質量份， <br/>以30～1000質量份之比率包含上述(B)溶劑，且 <br/>以1～30質量份之比率包含上述(C)光聚合起始劑。
如請求項1或2之感光性樹脂組合物，其中上述式(1)中之X具有選自由下述式(2)～(9)所組成之群中之至少1種所表示之結構： <br/>[化2] <br/><img align="absmiddle" height="56px" width="212px" file="ed10057.jpg" alt="ed10057.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化3] <br/><img align="absmiddle" height="49px" width="275px" file="ed10058.jpg" alt="ed10058.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化4] <br/><img align="absmiddle" height="52px" width="255px" file="ed10059.jpg" alt="ed10059.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化5] <br/><img align="absmiddle" height="59px" width="421px" file="ed10060.jpg" alt="ed10060.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化6] <br/><img align="absmiddle" height="93px" width="266px" file="ed10061.jpg" alt="ed10061.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化7] <br/><img align="absmiddle" height="50px" width="217px" file="ed10062.jpg" alt="ed10062.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化8] <br/><img align="absmiddle" height="49px" width="211px" file="ed10063.jpg" alt="ed10063.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化9] <br/><img align="absmiddle" height="59px" width="282px" file="ed10064.jpg" alt="ed10064.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1或2之感光性樹脂組合物，其中上述式(1)中之Y具有選自由下述式(10)～(19)所組成之群中之至少1種所表示之結構： <br/>[化10] <br/><img align="absmiddle" height="49px" width="241px" file="ed10065.jpg" alt="ed10065.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化11] <br/><img align="absmiddle" height="49px" width="297px" file="ed10066.jpg" alt="ed10066.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化12] <br/><img align="absmiddle" height="86px" width="283px" file="ed10067.jpg" alt="ed10067.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化13] <br/><img align="absmiddle" height="112px" width="207px" file="ed10068.jpg" alt="ed10068.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化14] <br/><img align="absmiddle" height="75px" width="384px" file="ed10069.jpg" alt="ed10069.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化15] <br/><img align="absmiddle" height="83px" width="402px" file="ed10070.jpg" alt="ed10070.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化16] <br/><img align="absmiddle" height="99px" width="286px" file="ed10071.jpg" alt="ed10071.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化17] <br/><img align="absmiddle" height="95px" width="327px" file="ed10072.jpg" alt="ed10072.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化18] <br/><img align="absmiddle" height="66px" width="463px" file="ed10073.jpg" alt="ed10073.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化19] <br/><img align="absmiddle" height="74px" width="265px" file="ed10074.jpg" alt="ed10074.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1或2之感光性樹脂組合物，其中上述(A)聚醯亞胺於其末端具有聚合性官能基。
一種硬化浮凸圖案之製造方法，其包括以下步驟： <br/>(1)將如請求項1或2之感光性樹脂組合物塗佈於基板上，而於上述基板上形成感光性樹脂層之步驟； <br/>(2)對上述感光性樹脂層進行曝光之步驟； <br/>(3)對上述曝光後之感光性樹脂層進行顯影，而形成浮凸圖案之步驟；及 <br/>(4)對上述浮凸圖案進行加熱處理，而形成硬化浮凸圖案之步驟。
一種硬化膜，其包含如請求項1或2之感光性樹脂組合物之硬化物。
一種負型感光性樹脂組合物，其係包含(A)聚醯亞胺、(B)溶劑、及(C)光聚合性起始劑者， <br/>上述(A)聚醯亞胺具有下述通式(1)所表示之結構： <br/>[化20] <br/><img align="absmiddle" height="104px" width="308px" file="ed10075.jpg" alt="ed10075.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>{式中，n為正整數，X為碳數6～31之四價基，Y為二價基}， <br/>且於側鏈不具有聚合性官能基， <br/>將上述組合物於230℃之氮氣氛圍下加熱2小時所得之硬化膜之氧穿透度(cc/m<sup>2</sup>·24 h·atm)未達1000。
一種用於獲得一晶圓(72)上多個半導體結構(30)的多個測量的方法(10)，包含：<br/>a. 獲得該晶圓(72)的一體積成像資料集(22)，其包含多個2D剖面影像(24、26)；<br/>b. 獲得該成像資料集(22)的2D剖面影像(24、26)中的半導體結構(30)的多個輪廓(32)；<br/>c. 指出在該成像資料集(22)的一第一2D剖面影像(24)中關於半導體結構(30)的輪廓(32)的多個特徵的一或多個測量規範(28)；<br/>d. 透過將該第一2D剖面影像(24)中的該等半導體結構(30)的該等輪廓(32)與另外的多個2D剖面影像(26)中相同的該等半導體結構(30)的對應多個輪廓(32)相關聯，以及透過將該第一2D剖面影像(24)中的該等半導體結構(30)的該等輪廓(32)的該等特徵與另外的該等2D剖面影像(26)中該等半導體結構(30)的關聯之該等輪廓中的對應多個特徵相關聯，而將該第一2D剖面影像(24)中所指出的該一或多個測量規範(28)傳播到該成像資料集(22)的另外的該等2D剖面影像(26)；及<br/>e. 透過評估該成像資料集(22)的該第一2D剖面影像(24)及另外的該等2D剖面影像(26)中的該一或多個測量規範(28)以獲得半導體結構(30)的多個測量；<br/>其中至少一測量規範(28)包含一半導體結構(30)的一輪廓(32)的一輪廓點(34)，其中由相對於該輪廓(32)的一特定點(38)，特別是質心(36)，定義了該輪廓點(34)；及一方向向量(40)，其指出該輪廓點(34)關於該第一2D剖面影像(24)中的該特定點(38)的方向，並且其中將該第一2D剖面影像(24)中的該輪廓點(34)與另外的一2D剖面影像(26)中的相關一輪廓(32)的對應一輪廓點(34)相關聯是包含計算相關該輪廓(32)及該方向向量(40)的交點，該方向向量開始於另外的該2D剖面影像(26)中相關該輪廓(32)的該特定點(38)。
如請求項1所述的方法，其中該等測量規範(28)來自於包含特徵位置、特徵距離、特徵尺寸的群組。
如請求項1或2所述的方法，其中該等半導體結構(30)的該等輪廓(32)的該特徵包含相對於該第一2D剖面影像(24)中的一或多個半導體結構(30)的輪廓(32)或輪廓區段所定義的點、線或曲線。
如請求項1或2所述的方法，其中該等半導體結構(30)的該等輪廓的該等特徵來自於包含輪廓(32)或輪廓區段上的點、由輪廓(32)或輪廓區段所定義的區域、輪廓或輪廓(32)的區段、輪廓(32)或輪廓區段的質心(36)。
如請求項1或2所述的方法，其中該等測量規範(28)是由多個特徵距離組成，並且其中該等輪廓的該等特徵是由相對於輪廓所定義的點，特別是輪廓點所組成。
如請求項1或2所述的方法，其中透過將一輪廓擷取方法應用於該第一2D剖面影像(24)及另外的該等2D剖面影像(26)，以獲得該第一2D剖面影像(24)及另外的該等2D剖面影像(26)中的該等半導體結構(30)的該等輪廓(32)。
如請求項1或2所述的方法，其中透過將一物件檢測或影像分割演算法應用於該第一2D剖面影像(24)及另外的該等2D剖面影像(26)，以獲得該第一2D剖面影像(24)及另外的該等2D剖面影像(26)中的該等半導體結構(30)的該等輪廓(32)。
如請求項1或2所述的方法，其中透過將一實例分割演算法應用於該第一2D剖面影像(24)及另外的該等2D剖面影像(26)，以獲得該第一2D剖面影像(24)及另外的該等2D剖面影像(26)中的該等半導體結構(30)的該等輪廓(32)。
如請求項1或2所述的方法，其中由輪廓點(34)表示在該第一2D剖面影像(24)及另外的該等2D剖面影像(26)中的該等半導體結構(30)的該等輪廓。
如請求項1或2所述的方法，其中由多個邊界框表示在該第一2D剖面影像(24)及另外的該等2D剖面影像(26)中的該等半導體結構(30)的該等輪廓。
如請求項1或2所述的方法，其中在步驟d)中，透過將該第一2D剖面影像(24)中的該等半導體結構(30)的該等輪廓(32)的該等特徵，與另外的該等2D剖面影像(26)中該等半導體結構(30)的該等輪廓中的對應多個特徵相關聯，而將該第一2D剖面影像(24)中所指出的該一或多個測量規範(28)傳播到該成像資料集(22)的另外的2D剖面影像(26)，其中關於該第一2D剖面影像(24)中的該等半導體結構(30)的該等輪廓(32)的該等特徵定義了該一或多個測量規範。
如請求項1所述的方法，其中將該第一2D剖面影像(24)中的該等半導體結構(30)的該等輪廓(32)與另外的該等2D剖面影像(26)中相同的該等半導體結構(30)的對應多個輪廓(32)相關聯是包含計算出該第一2D剖面影像(24)中該等半導體結構(30)的輪廓點(34)及另外的該等2D剖面影像(26)中該等半導體結構(30)的輪廓點(34)之映射。
如請求項1所述的方法，其中將該第一2D剖面影像(24)中的該等半導體結構(30)的該等輪廓(32)與另外的該等2D剖面影像(26)中相同的該等半導體結構(30)的對應多個輪廓(32)相關聯是包含在該成像資料集(22)的另外該等2D剖面影像(26)上應用一追蹤演算法或一光流演算法以追蹤該第一2D剖面影像(24)中該等半導體結構(30)的該等輪廓(32)。
如請求項1所述的方法，其中將該第一2D剖面影像(24)中的該等半導體結構(30)的該等輪廓(32)與另外的該等2D剖面影像(26)中相同的該等半導體結構(30)的對應多個輪廓(32)相關聯是包含將該成像資料集(22)配準至具有多個標記輪廓的一參考成像資料集。
如請求項1至2中任一項所述的方法，其中透過計算出該成像資料集(22)中該等半導體結構(30)的一3D分割及從該3D分割計算出該第一2D剖面影像(24)及另外的該等2D剖面影像(26)中已分割的該等半導體結構的該等輪廓(32)，以獲得該第一2D剖面影像(24)及另外的該等2D剖面影像(26)中的該等半導體結構(30)的該等輪廓(32)。
如請求項15所述的方法，其中在步驟d)中，透過將該第一2D剖面影像(24)中該等半導體結構(30)的輪廓(32)與該另外的該等2D剖面影像(26)中相同的該等半導體結構(30)的相同的該3D分割的對應多個輪廓(32)相關聯並且透過將該第一2D剖面影像(24)中該等半導體結構(30)的該等輪廓(32)的該等特徵與另外的該等2D剖面影像(26)中該等半導體結構(30)的相關該等輪廓(32)中的對應多個特徵相關聯，而將該第一2D剖面影像(24)中所指出的一或多個測量規範(28)傳播到該成像資料集(22)的另外的該等2D剖面影像(26)。
如請求項1、2與12至14中任一項所述的方法，其中至少一測量規範(28)包含計算出一或多個2D剖面影像(24、26)中的半導體結構(30)的輪廓(32)的質心(36)，並且其中透過分析沿一區域(44)的多個1D剖面(54、56)的多個強度分佈(46、48)而獲得該質心(36)，該區域圍繞該一或多個2D剖面影像(24、26)中的該輪廓(32)。
如請求項1、2與12至14中任一項所述的方法，其中在步驟d)中將該第一2D剖面影像(24)中所指出的一或多個測量規範(28)傳播到該成像資料集(22)的另外的2D剖面影像(26)是包含產生指出該第一2D剖面影像(24)及另外該等2D剖面影像(26)中的相關該等測量規範(28)的可靠性的一信賴分數。
如請求項1、2與12至14中任一項所述的方法，其中透過檢測由評估該成像資料集(22)的該第一2D剖面影像(24)及另外該等2D剖面影像(26)中的測量規範(28)所獲得的測量中的異常值，以檢測缺陷。
如請求項1、2與12至14中任一項所述的方法，其中獲得一檢查目標，特別是一目標處理量，並且其中另外的2D剖面影像(26)的數量及/或測量規範(28)的數量係自適應成滿足該檢查目標。
如請求項1、2與12至14中任一項所述的方法，其中透過一使用者界面(84)指出該第一2D剖面影像中的該一或多個測量規範。
如請求項21所述的方法，其中該使用者界面(84)配置成用於透過選擇該成像資料集(22)的該第一2D剖面影像(24)上的半導體結構(30)的輪廓(32)的一或多個特徵讓使用者指出該一或多個測量規範(28)。
如請求項21所述的方法，其中該使用者界面(84)配置成用於在指出該一或多個測量規範期間，透過自動計算用於定義該一或多個測量規範(28)的半導體結構(30)的輪廓(32)的所選定特徵的多個修改來協助使用者。
如請求項1、2與12至14中任一項所述的方法，更包含使用一使用者界面(84)，其配置成用於讓使用者透過選擇該成像資料集(22)中的該第一2D剖面影像(24)上的半導體結構(30)的輪廓(32)的一或多個特徵以指出測量規範(28)，並且其中該使用者界面(84)配置成用於在選擇該一或多個特徵期間，透過計算關於該等半導體結構(30)的輪廓(32)的所選定該一或多個特徵的多個修改來協助使用者。
如請求項1、2與12至14中任一項所述的方法，更包含使用一使用者介面(84)，其配置成讓一使用者從記憶體或資料庫(86)載入測量規範(28)及/或將測量規範(28)儲存到該記憶體或該資料庫(86)。
如請求項1、2與12至14中任一項所述的方法，更包含使用一使用者介面(84)，其配置成用以向使用者提出測量規範(28)，該測量規範可由使用者接受、修改或拒絕，其中根據使用者先前指出的測量規範(28)來產生用於測量規範(28)的建議。
如請求項1、2與12至14中任一項所述的方法，更包含使用一使用者介面(84)，其配置成用以透過自然語言處理而讓使用者指出測量規範(28)。
如請求項1、2與12至14中任一項所述的方法，其中該成像資料集(22)係透過一聚焦離子束掃描電子顯微鏡獲得。
如請求項1、2與12至14中任一項所述的方法，其中該晶圓(72)是一記憶體晶圓。
如請求項1、2與12至14中任一項所述的方法，其中用以獲得晶圓(72)上的半導體結構(30)的測量的方法(10)是一電腦實施方法。
一種電腦可讀媒體，其具有儲存於其上而可由一計算裝置執行的一電腦程式，該電腦程式包含用於執行如請求項30所述之方法(10)的程式碼。
一種電腦程式產品，包含多個指令，其中當一電腦執行該程式時，該等指令使該電腦執行如請求項30所述之方法(10)。
一種用於獲得一晶圓(72)上多個半導體結構(30)的多個測量的系統(70)，包含：<br/>- 一成像裝置(74)，其配置成提供包含該晶圓(72)的多個2D剖面影像(24、26)的一體積成像資料集(22)；<br/>- 一或多個處理裝置(76)；<br/>- 一或多個機器可讀硬體儲存裝置，其包含可由該一或多個處理裝置(76)執行的多個指令，以執行如請求項1至32中任一項所述的方法(10)。
一種用於紡織機的紡織工具(1a、1b、1c)，該紡織工具包括一個工作區(10)，該工作區用於在生產紡織面料的過程中作用於紡織線(2)，其中，該紡織工具(1a、1b、1c)包括一個由芯材製成的工具芯(100)，在該工具芯上至少在工作區(10)塗覆了一層用於磨損保護的塗層(200)，其特徵在於： <br/>該塗層(200)包括一個梯度層(210)，該梯度層(210)由材料混合物組成，該材料混合物至少由第一塗層材料和作為第二塗層材料的磨損保護材料組成，其中該磨損保護材料的濃度沿梯度層(210)的厚度方向變化。
如請求項1所述的紡織工具(1a、1b、1c)，其中磨損保護材料的濃度沿厚度方向從梯度層的靠工具芯一側的末端(201)開始沿厚度方向直至梯度層的靠紡織線一側的末端(202)平均而言是增加的。
如請求項2所述的紡織工具(1a、1b、1c)，其中磨損保護材料的濃度從梯度層的靠工具芯一側的末端(201)開始沿厚度方向直至梯度層的靠紡織線一側(210)的末端(202)是單調增加的，尤其是嚴格單調增加的。
如請求項1至3中任一項所述的紡織工具(1a、1b、1c)，其中梯度層(210)的靠紡織線一側的末端(202)的磨損保護材料的濃度在50%到100%質量分數之間。
如請求項4所述的紡織工具(1a、1b、1c)，其中梯度層(210)的靠紡織線一側的末端(202)的磨損保護材料的濃度在75%到100%質量分數之間。
如請求項1至3中任一項所述的紡織工具(1a、1b、1c)，其中梯度層(210)的靠工具芯一側的末端(201)的磨損保護材料的濃度在0%至50%質量分數之間。
如請求項6所述的紡織工具(1a、1b、1c)，其中梯度層(210)的靠工具芯一側的末端(201)的磨損保護材料的濃度在0%至25%質量分數之間。
如請求項1至3中任一項所述的紡織工具(1a、1b、1c)，其中梯度層的厚度在0.1至20μm之間。
如請求項1至3中任一項所述的紡織工具(1a、1b、1c)，其中塗層(200)只包含梯度層(210)，該梯度層直接塗在工具芯(100)上。
如請求項1至3中任一項所述的紡織工具(1a、1b、1c)，其中第一塗層材料是粘合促進材料。
如請求項10所述的紡織工具(1a、1b、1c)，其中粘合促進材料的濃度在梯度層(210)的靠工具芯一側的末端(201)達到最大，及/或磨損保護材料的濃度在梯度層(210)的靠紡織線一側的末端(202)達到最大。
如請求項10所述的紡織工具(1a、1b、1c)，其中粘合促進材料是一種元素或一種具有立方晶系的化合物，尤其是選自以下一組材料，即Cr、CrN、Ti、TiAlN，或 <br/>其中，粘合促進材料是一種元素或一種具有六方晶系的化合物，尤其是選自以下一組材料，即Ti和AlN。
如請求項1至3中任一項所述的紡織工具(1a、1b、1c)，其中磨損保護材料是氮及/或碳與元素週期表第4、5、6、13和14族中的一種或多種元素的化合物，尤其是選自以下一組材料，即AlN、AlTiCrN、CrAlN、Cr <sub>1-x</sub>Al <sub>x</sub>N、CrN、TiN、TiAlN、TiAlCN、TiAlSiN和Al <sub>2</sub>O <sub>3</sub>。
如請求項1至3中任一項所述的紡織工具(1a、1b、1c)，其中紡織工具(1a、1b、1c)的工具芯(100)設計成使紡織工具(1a、1b、1c)工作區的表面曲率半徑大於或等於40μm。
一種紡織工具組件，包括： <br/>多個如請求項1至14中任一項所述的紡織工具(1a、1b、1c)；以及 <br/>一個夾持元件，該多個紡織工具(1a、1b、1c)在該夾持元件上並排固定。
一種用於生產紡織面料的紡織機，至少包括： <br/>多個如請求項1至14中任一項所述的紡織工具(1a、1b、1c)；以及 <br/>一個工作區，在該工作區中，該紡織機透過該多個紡織工具(1a、1b、1c)加工多根紡織線，以形成紡織面料。
一種生產紡織面料的方法，包括 <br/>提供如請求項16所述的紡織機； <br/>在此紡織機的工作區透過紡織機的多個紡織工具(1a、1b、1c)加工多根紡織線，形成紡織面料。
一種假撚加工機，配置有多個錠子， <br/> 上述錠子包括： <br/> 加撚裝置； <br/> 第1供絲輥，在絲線行進的絲線行進方向上配置在上述加撚裝置的上游側；以及 <br/> 第2供絲輥，在上述絲線行進方向上配置在上述加撚裝置的下游側， <br/> 上述假撚加工機具備： <br/> 多個加撚裝置驅動機構，對於多個上述錠子的上述加撚裝置分別個別地設置； <br/> 第1供絲輥驅動機構，對於多個上述錠子的上述第1供絲輥共同地設置，旋轉驅動多個上述第1供絲輥； <br/> 第2供絲輥驅動機構，對於多個上述錠子的上述第2供絲輥共同地設置，旋轉驅動多個上述第2供絲輥； <br/> 控制手段；以及 <br/> 多個切換手段，對於多個上述錠子的上述加撚裝置分別個別地設置， <br/> 上述加撚裝置具有多個盤單元，該盤單元包括多個盤以及使多個上述盤旋轉的旋轉軸， <br/> 上述加撚裝置藉由使各上述盤單元的旋轉軸旋轉，能夠對在多個上述盤單元之間行進的絲線進行加撚， <br/> 各上述加撚裝置驅動機構旋轉驅動對應的上述加撚裝置的各上述盤單元的旋轉軸， <br/> 上述控制手段對各上述加撚裝置驅動機構、上述第1供絲輥驅動機構以及上述第2供絲輥驅動機構進行控制， <br/> 各上述切換手段藉由手動操作生成切換信號，該切換信號將由對應的上述加撚裝置驅動機構驅動的各上述旋轉軸的旋轉速度至少在絲線生產時的旋轉速度即第1旋轉速度、與比上述第1旋轉速度慢的旋轉速度即第2旋轉速度之間進行切換， <br/> 各上述切換手段將上述切換信號發送到上述控制手段。
如請求項1之假撚加工機，其係具備多個報知部， <br/> 多個上述報知部對於多個上述錠子的上述加撚裝置分別個別地設置， <br/> 各上述報知部報知由對應的上述加撚裝置驅動機構驅動的各上述旋轉軸的旋轉速度達到了上述第2旋轉速度。
如請求項2之假撚加工機，其中， <br/> 上述報知部藉由燈的點亮或者閃爍的模式報知各上述旋轉軸的旋轉速度達到了上述第2旋轉速度。
如請求項1至3之任一項之假撚加工機，其中， <br/> 上述切換信號包含：將由對應的上述加撚裝置驅動機構驅動的各上述旋轉軸切換成旋轉停止的停止狀態的信號。
一種掛絲方法，用於將絲線鉤掛於假撚加工機， <br/> 上述假撚加工機配置有多個錠子，該錠子包括加撚裝置，該加撚裝置具有多個盤單元，該盤單元包括多個盤以及使多個上述盤旋轉的旋轉軸，藉由使各上述盤單元的旋轉軸旋轉，能夠對在多個上述盤單元之間行進的絲線進行加撚，上述假撚加工機構成為能夠將多個上述錠子的上述加撚裝置的各上述盤單元的旋轉軸的旋轉速度至少在絲線生產時的旋轉速度即第1旋轉速度、與比上述第1旋轉速度慢的旋轉速度即第2旋轉速度之間切換， <br/> 上述假撚加工機具備： <br/> 多個加撚裝置驅動機構，對於多個上述錠子的上述加撚裝置分別個別地設置；以及 <br/> 多個切換手段，對於多個上述錠子的上述加撚裝置分別個別地設置， <br/> 各上述加撚裝置驅動機構旋轉驅動對應的上述加撚裝置的各上述盤單元的旋轉軸， <br/> 上述掛絲方法包括： <br/> 切換工序，對於多個上述錠子的加撚裝置中的掛絲對象的加撚裝置，將各上述旋轉軸的旋轉速度切換成上述第2旋轉速度；以及 <br/> 加撚裝置掛絲工序，在各上述旋轉軸以上述第2旋轉速度旋轉時、從上述第1旋轉速度向上述第2旋轉速度減少時、或者在向上述第2旋轉速度增大時，藉由將絲線穿過多個上述盤單元之間，於上述掛絲對象的加撚裝置鉤掛絲線。
如請求項5之掛絲方法，其中， <br/> 在各上述旋轉軸的旋轉速度達到上述第2旋轉速度之後進行上述加撚裝置掛絲工序。
如請求項5或6之掛絲方法，其中， <br/> 配置於上述假撚加工機的各錠子包括：在絲線行進的絲線行進方向上配置在上述加撚裝置的下游側的第2供絲輥， <br/> 上述掛絲方法還包括輥掛絲工序， <br/> 在該輥掛絲工序，將絲線鉤掛於配置在上述掛絲對象的加撚裝置的下游側且旋轉的上述第2供絲輥， <br/> 在上述輥掛絲工序之後進行上述加撚裝置掛絲工序。
如請求項7之掛絲方法，其中， <br/> 在進行上述切換工序而使各上述旋轉軸的旋轉速度達到上述第2旋轉速度為止的期間，開始上述輥掛絲工序。
一種聯邦式學習貢獻度計算方法，包含以下步驟： <br/> 一中央伺服器接收複數個已訓練模型參數，其中該等已訓練模型參數係分別對複數個本地資料集進行機器學習而產生； <br/> 該中央伺服器對該等已訓練模型參數進行一聚合算法以產生一聯邦式模型，並儲存該聯邦式模型； <br/> 該中央伺服器對除去或模擬除去至少一第一已訓練模型參數之該等已訓練模型參數進行該聚合算法，以產生一第一貢獻度模型； <br/> 該中央伺服器比對該第一貢獻度模型之價值及該聯邦式模型之價值，以產生該至少一第一已訓練模型參數之一貢獻度；以及 <br/> 當該聯邦式模型因其可靠度和預測精確度而供商用並獲取利潤時，該中央伺服器根據該貢獻度計算該至少一第一已訓練模型參數於該聯邦式模型中之一分潤比例，並根據該分潤比例對該至少一第一已訓練模型參數所對應之至少一參與者進行分潤。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該等已訓練模型參數係分別針對該等本地資料集進行多次的機器學習訓練產生，並且該中央伺服器針對每一次機器學習訓練產生的該等已訓練模型參數進行聚合算法以產生該聯邦式模型，該中央伺服器係以除去最後一次機器學習訓練之該至少一第一已訓練模型參數之該等已訓練模型參數進行該聚合算法以產生該第一貢獻度模型。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該等已訓練模型參數係分別針對該等本地資料集進行多次的機器學習訓練，並且該中央伺服器針對每一次機器學習訓練進行該聚合算法以產生該聯邦式模型，該中央伺服器係以模擬除去每一次機器學習訓練之該至少一第一已訓練模型參數之該等已訓練模型參數進行該聚合算法以產生該第一貢獻度模型。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該等已訓練模型參數係分別針對該等本地資料集進行多次的機器學習訓練，並且該中央伺服器針對每一次機器學習訓練分別進行該聚合算法以產生對應每一次機器學習之該聯邦式模型，該中央伺服器係對除去每一次機器學習訓練之該至少一第一已訓練模型參數之該等已訓練模型參數進行該聚合算法以分別產生對應每一次機器學習之該第一貢獻度模型，該中央伺服器係分別比對每一次機器學習之該第一貢獻度模型之價值及該聯邦式模型之價值並進行平均或加權平均，以產生一平均貢獻度作為該至少一第一已訓練模型參數之該貢獻度。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該等已訓練模型參數係分別針對該等本地資料集進行多次的機器學習訓練，並且該中央伺服器針對每一次機器學習訓練進行該聚合算法以產生該聯邦式模型，該中央伺服器係以模擬除去最後一次至倒數第k次機器學習訓練之該至少一第一已訓練模型參數之該等已訓練模型參數進行該聚合算法以產生該第一貢獻度模型，k為介於1與該至少一第一已訓練模型參數參與該聯邦式模型之聚合算法之次數間的整數。
如申請專利範圍第1項所述之方法，進一步包含以下步驟： <br/> 該中央伺服器判斷該至少一第一已訓練模型參數之該貢獻度為正值或負值；以及 <br/> 當該貢獻度為負值時，該中央伺服器以該第一貢獻度模型取代該聯邦式模型做為更新後的該聯邦式模型。
一種聯邦式學習貢獻度計算與分潤系統，包含： <br/> 複數個人工智慧模型訓練裝置，用以分別針對複數個本地資料集進行機器學習而產生複數個已訓練模型參數；以及 <br/> 一中央伺服器，連接該等人工智慧模型訓練裝置以接收該等已訓練模型參數，該中央伺服器包含： <br/> 一計算模組，用以對該等已訓練模型參數進行一聚合算法以產生一聯邦式模型； <br/> 一貢獻度計算模組，連接該計算模組，用以對除去或模擬除去至少一第一已訓練模型參數之該等已訓練模型參數進行該聚合算法以產生一第一貢獻度模型，並比對該第一貢獻度模型之價值及該聯邦式模型之價值以產生該至少一第一已訓練模型參數之一貢獻度；以及 <br/> 一分潤模組，連接該貢獻度計算模組以接收該貢獻度，該分潤模組係用以根據該貢獻度計算該至少一第一已訓練模型參數於該聯邦式模型中之一分潤比例，且當該聯邦式模型因其可靠度和預測精確度而供商用並獲取利潤時，根據該分潤比例對該至少一第一已訓練模型參數所對應之至少一參與者進行分潤。
如申請專利範圍第7項所述之系統，其中該等人工智慧模型訓練裝置係分別針對該等本地資料集多次的機器學習訓練，該計算模組係用以針對每一次機器學習訓練進行聚合算法以產生該聯邦式模型，並且該貢獻度計算模組係用以除去最後一次機器學習訓練之該至少一第一已訓練模型參數之該等已訓練模型參數進行該聚合算法以產生該第一貢獻度模型。
如申請專利範圍第7項所述之系統，其中該等人工智慧模型訓練裝置係分別針對該等本地資料集多次的機器學習訓練，該計算模組係用以針對每一次機器學習訓練進行聚合算法以產生該聯邦式模型，並且該貢獻度計算模組係用以模擬除去每一次機器學習訓練之該至少一第一已訓練模型參數之該等已訓練模型參數進行該聚合算法以產生該第一貢獻度模型。
如申請專利範圍第7項所述之系統，其中該等人工智慧模型訓練裝置係分別針對該等本地資料集多次的機器學習訓練，該計算模組係用以針對每一次機器學習訓練進行聚合算法以產生該聯邦式模型，並且該貢獻度計算模組係用以模擬除去最後一次至倒數第k次機器學習訓練之該至少一第一已訓練模型參數之該等已訓練模型參數進行該聚合算法以產生該第一貢獻度模型，k為介於1與該至少一第一已訓練模型參數參與該聯邦式模型之聚合算法之次數間的整數。
如申請專利範圍第7項所述之系統，其中該等人工智慧模型訓練裝置係分別針對該等本地資料集多次的機器學習訓練，該計算模組係用以針對每一次機器學習訓練進行該聚合算法以分別產生對應每一次機器學習之該聯邦式模型，並且該貢獻度計算模組係用以除去每一次機器學習訓練之該至少一第一已訓練模型參數之該等已訓練模型參數進行該聚合算法以分別產生對應每一次機器學習之該第一貢獻度模型，並用以分別比對每一次機器學習之該第一貢獻度模型之價值及該聯邦式模型之價值並進行平均或加權平均，以產生一平均貢獻度作為該至少一第一已訓練模型參數之該貢獻度。
一種半導體晶圓輸送系統，包括： <br/>懸掛軌道，配置在半導體製造設施內的較高位置； <br/>第一載具，配置為沿著所述懸掛軌道行駛，同時承載半導體晶圓；以及 <br/>應急輪組件，配置為替換所述第一載具上的第一輪組件，同時所述第一載具保留在所述懸掛軌道上，所述應急輪組件包括配置為在所述第一載具的軸上自由旋轉的輪，其中所述應急輪組件包括配置為提供所述輪繞所述軸自由旋轉的軸承。
如請求項1所述的半導體晶圓輸送系統，更包括： <br/>第二載具，配置為沿所述懸掛軌道行駛； <br/>聯結裝置，配置為物理地且可釋放地聯結所述第一載具至所述第二載具並在所述第二載具沿所述懸掛軌道牽引所述第一載具時保持其間的聯接；以及 <br/>控制器，配置為操作所述第二載具沿著所述懸掛軌道移動，同時用所述聯結裝置聯結至所述第一載具，從而牽引所述第一載具。
如請求項2所述的半導體晶圓輸送系統，其中所述聯結裝置包括： <br/>第一附接構件，配置為固定至所述第一載具； <br/>第二附接構件，配置為固定至所述第二載具；以及 <br/>至少兩個旋轉接合件，配置在所述第一附接構件和所述第二附接構件之間，每個旋轉接合件配置成相對於所述第一附接構件或所述第二附接構件樞轉。
如請求項3所述的半導體晶圓輸送系統，其中所述聯結裝置包括細長構件，所述細長構件被配置為在其第一端聯結到所述第一附接構件，以限定所述至少兩個旋轉接合件的第一旋轉接合件、並且在其配置與所述第一端相對的第二端聯結到所述第二附接構件，以限定所述至少兩個旋轉接合件的第二旋轉接合件。
如請求項4所述的半導體晶圓輸送系統，其中所述細長構件的所述第一端在所述第一旋轉接合件處經由第一插銷可釋放地聯結至所述第一附接構件，且所述細長構件的所述第二端在所述第二旋轉接合件處經由第二插銷可釋放地聯結至所述第二附接構件。
如請求項2所述的半導體晶圓輸送系統，其中所述聯結裝置包括第一和第二構件、旋轉接合件聯結至所述第一和第二構件、以及配置為在用所述第二載具牽引所述第一載具時限制所述旋轉接合件的樞轉，從而限制所述第一和第二構件之間的角度的反過度轉向構件。
一種半導體晶圓輸送系統的操作方法，包括： <br/>沿著配置在半導體製造設施內的較高位置處的懸掛軌道推進其第一輪組件上的第一載具，其中所述第一載具在其中承載半導體晶圓； <br/>確定所述第一載具受損且無法沿著所述懸掛軌道行駛； <br/>用應急輪組件替換所述第一輪組件，同時所述第一載具在所述懸掛軌道上，其中所述應急輪組件包括被配置為在所述第一載具的軸上自由旋轉的輪；以及 <br/>在所述應急輪組件上沿所述懸掛軌道移動所述第一載具。
如請求項7所述的操作方法，更包括： <br/>用聯結裝置將所述第一載具聯結至第二載具；以及 <br/>遠端操作所述第二載具，以沿著所述懸掛軌道推動所述第二載具，同時所述第一載具透過所述聯結裝置聯結到所述第二載具，從而在所述應急輪組件上沿著所述懸掛軌道牽引所述第一載具。
一種半導體晶圓輸送系統的操作方法，包括： <br/>沿著配置在半導體製造設施內的較高位置處的懸掛軌道推進其第一輪組件上的第一載具，其中所述第一載具被配置為在其中承載半導體晶圓； <br/>確定所述第一載具受損且無法沿著所述懸掛軌道行駛； <br/>用聯結裝置將所述第一載具聯結至第二載具；以及 <br/>遠端操作所述第二載具，以沿著所述懸掛軌道推動所述第二載具，同時所述第一載具經由所述聯結裝置聯結到所述第二載具，從而沿著所述懸掛軌道牽引所述第一載具。
一種可食性包膜之形成溶液，包含：1至5%(w/v)幾丁聚醣、1至10%(w/v)明膠及0.1至2%(w/v)辛酸；且<br/> 該可食性包膜之形成溶液進一步包含乙醇。
如請求項1所述之可食性包膜之形成溶液，其中該幾丁聚醣為1%(w/v)、明膠為3%(w/v)、辛酸為0.5%(w/v)。
如請求項1所述之可食性包膜之形成溶液，其中該辛酸的濃度為1至64 mM。
如請求項2所述之可食性包膜之形成溶液，其中該辛酸的濃度為16至32 mM。
如請求項1所述之可食性包膜之形成溶液，其中該乙醇的濃度為2%(v/v)。
如請求項1所述之可食性包膜之形成溶液，其係用於抑制病原菌生長、抑制微生物生長、延緩脂質氧化以及抗氧化。
如請求項6所述之可食性包膜之形成溶液，該病原菌包含金黃色葡萄球菌(<i>Staphylococcus aureus</i>)、大腸桿菌O157:H7 (<i>Escherichia coli</i> O157:H7)、鼠傷寒沙門氏桿菌(Salmonella Typhimurium)及綠膿桿菌(<i>Pseudomonas aeruginosa</i>)。
如請求項6所述之可食性包膜之形成溶液，其中該辛酸對於該病原菌之最低抑菌濃度(MIC)為8至64 mM。
如請求項6所述之可食性包膜之形成溶液，其中該辛酸對於該病原菌之最低殺菌濃度(MBC)為32至128 mM。
一種製備如請求項1至9所述之可食性包膜之形成溶液的方法，包含：<br/> a. 配製幾丁聚醣 (chitosan, CHI) 及明膠 (gelatin, GEL) 溶液；<br/> b. 將步驟a之幾丁聚醣及明膠溶液加熱混合，以獲得幾丁聚醣-明膠 (CHI-GEL) 溶液；<br/> c. 加入辛酸(CA) 及作為溶劑的乙醇，並加熱混合該辛酸及該幾丁聚醣-明膠溶液，以獲得幾丁聚醣-明膠-辛酸 (CHI-GEL-CA) 溶液；<br/> d. 調整該幾丁聚醣-明膠-辛酸溶液之pH值至4至6；<br/> e. 獲得一可食性包膜之形成溶液。
如請求項10所述之製備方法，其中該辛酸的濃度為16至32 mM。
如請求項10所述之製備方法，其中該乙醇的濃度為2%(v/v)。
一種延長食品之架儲期的方法，包含：<br/> a. 提供一食品；<br/> b. 使用如請求項1至9所述之可食性包膜之形成溶液包覆住該食品。
如請求項13所述之延長食品之架儲期的方法，其中該食品包含一新鮮肉品。
如請求項14所述之延長食品之架儲期的方法，其中該新鮮肉品可於4℃下保存20天。
一種基於區塊鏈之分散式錄音儲存系統，包括：控制器模組，用於接收主叫方與被叫方之電話會議之封包，以解析該主叫方與被叫方之該電話會議之封包，俾產生該電話會議之錄音檔及取得該電話會議之通話時間、該主叫方之電話號碼/識別號碼與該被叫方之電話號碼/識別號碼；星際檔案系統模組，用於將該電話會議之錄音檔存入星際檔案系統網路，以接收該星際檔案系統網路回傳之內容辨識碼；以及資料存取模組，用於將該星際檔案系統網路回傳之該內容辨識碼、該電話會議之通話時間、該主叫方之電話號碼/識別號碼與該被叫方之電話號碼/識別號碼一併存入區塊鏈網路，以接收該區塊鏈網路回傳之區塊雜湊值，再將該區塊鏈網路回傳之該區塊雜湊值、該電話會議之通話時間、該主叫方之電話號碼/識別號碼與該被叫方之電話號碼/識別號碼存入資料庫。
如請求項1所述之基於區塊鏈之分散式錄音儲存系統，其中，該控制器模組係根據該封包進行該電話會議之錄音，以產生該錄音檔。
如請求項1所述之基於區塊鏈之分散式錄音儲存系統，其中，該區塊雜湊值係為該區塊鏈網路中該內容辨識碼、該電話會議之通話時間、該主叫方之電話號碼/識別號碼與該被叫方之電話號碼/識別號碼所在之區塊的雜湊值。
如請求項1所述之基於區塊鏈之分散式錄音儲存系統，其中，該控制器模組復用於對該錄音檔、該內容辨識碼、該電話會議之通話時間、該主叫方之電話號碼/識別號碼與該被叫方之電話號碼/識別號碼加密，該星際檔案系統模組係將加密後之該錄音檔存入該星際檔案系統網路，且該資料存取模組係將加密後之該內容辨識碼、該電話會議之通話時間、該主叫方之電話號碼/識別號碼與該被叫方之電話號碼/識別號碼存入該區塊鏈網路。
一種基於區塊鏈之分散式錄音取出系統，包括：控制器模組，用於接收使用者裝置所提供之查詢條件，以使用該查詢條件查詢資料庫中符合該查詢條件之電話會議之通話時間、主叫方之電話號碼/識別號碼與被叫方之電話號碼/識別號碼，俾取得該電話會議之通話時間、該主叫方之電話號碼/識別號碼與該被叫方之電話號碼/識別號碼所對應之區塊雜湊值；資料存取模組，用於根據該電話會議之通話時間、該主叫方之電話號碼/識別號碼與該被叫方之電話號碼/識別號碼所對應之該區塊雜湊值自區塊鏈網路取得該電話會議之錄音檔的內容辨識碼；以及星際檔案系統模組，用於根據該電話會議之錄音檔的內容辨識碼自星際檔案系統網路取出該電話會議之錄音檔，其中，該控制器模組復用於將該電話會議之錄音檔回傳至該使用者裝置。
如請求項5所述之基於區塊鏈之分散式錄音取出系統，其中，該控制器模組復用於在查詢該資料庫之前進行該使用者裝置之身分驗證，且於該身分驗證失敗時中止該錄音檔之取出及返回。
如請求項5所述之基於區塊鏈之分散式錄音取出系統，其中，該區塊鏈網路所提供之該內容辨識碼及該星際檔案系統網路所提供之該錄音檔係已經過加密，且該控制器模組復用於對該內容辨識碼及該錄音檔解密。
一種基於區塊鏈之分散式錄音儲存方法，包括：接收主叫方與被叫方之電話會議之封包；解析該主叫方與被叫方之該電話會議之封包，以產生該電話會議之錄音檔及取得該電話會議之通話時間、該主叫方之電話號碼/識別號碼與該被叫方之電話號碼/識別號碼；將該電話會議之錄音檔存入星際檔案系統網路，以接收該星際檔案系統網路回傳之內容辨識碼；將該星際檔案系統網路回傳之該內容辨識碼、該電話會議之通話時間、該主叫方之電話號碼/識別號碼與該被叫方之電話號碼/識別號碼一併存入區塊鏈網路，以接收該區塊鏈網路回傳之區塊雜湊值；以及將該區塊鏈網路回傳之該區塊雜湊值、該電話會議之通話時間、該主叫方之電話號碼/識別號碼與該被叫方之電話號碼/識別號碼存入資料庫。
一種基於區塊鏈之分散式錄音取出方法，包括：接收使用者裝置所提供之查詢條件；使用該查詢條件查詢資料庫中符合該查詢條件之電話會議之通話時間、主叫方之電話號碼/識別號碼與被叫方之電話號碼/識別號碼，以取得該電話會議之通話時間、該主叫方之電話號碼/識別號碼與該被叫方之電話號碼/識別號碼所對應之區塊雜湊值；根據該電話會議之通話時間、該主叫方之電話號碼/識別號碼與該被叫方之電話號碼/識別號碼所對應之該區塊雜湊值自區塊鏈網路取得該電話會議之錄音檔的內容辨識碼；根據該電話會議之錄音檔的內容辨識碼自星際檔案系統網路取出該電話會議之錄音檔；以及將該電話會議之錄音檔回傳至該使用者裝置。
一種電腦可讀取儲存媒體，係儲存有指令，該指令由處理單元、處理器、電腦或伺服器讀取以執行如請求項8所述之基於區塊鏈之分散式錄音儲存方法或如請求項9所述之基於區塊鏈之分散式錄音取出方法。
一種電子裝置，包括一光控制構造，且該光控制構造包括：<br/> 一基板，包括沿著一第一方向上相對設置的第一側邊及第二側邊；<br/> 一第一光調整層，設置在該基板的一第一表面上，該基板的該第一表面連接在該第一側邊及第二側邊之間，其中該第一光調整層具有一第一透光區；以及<br/> 一第二光調整層，設置在該第一光調整層上，其中該第二光調整層具有一第二透光區，其中該第一光調整層設置在該基板和該第二光調整層之間，<br/> 且該第一透光區及該第二透光區部分重疊，<br/> 其中該第一光調整層具有一第三透光區，該第二光調整層具有一第四透光區，且該第三透光區及該第四透光區部分重疊，在該第一方向上，該第一光調整層中，相較於該第三透光區，該第一透光區較接近該第一側邊，在該第二光調整層中，相較於該第四透光區，該第二透光區較接近該第一側邊，<br/> 其中該第一光調整層包括一第一遮光區，與該第一透光區鄰近設置，該第二光調整層包括一第二遮光區，與該第二透光區鄰近設置，在該第一方向上，該第二遮光區的寬度大於該第一遮光區的寬度；<br/> 其中在該第一方向上，相較於該第一透光區，該第二透光區較接近一第一參考位置，且較遠離該第一側邊，其中一預期視角位置重疊該第一參考位置，<br/> 其中在該第一方向上，相較於該第三透光區，該第四透光區較接近該第一參考位置，且較遠離該第二側邊，<br/> 其中在該第一方向上，該第一透光區具有遠離該第一參考位置的一第一邊緣，且該第二透光區具有遠離該第一參考位置的一第二邊緣，該第一邊緣及該第二邊緣之間具有一第一偏移量，該第一偏移量大於0，<br/> 其中在該第一方向上，該第三透光區具有遠離該第一參考位置的一第三邊緣，且該第四透光區具有遠離該第一參考位置的一第四邊緣，該第三邊緣及該第四邊緣之間具有一第二偏移量，該第二偏移量大於0。
如請求項1所述的電子裝置，<br/> 其中在該第一方向上，相較於該第一邊緣，該第二邊緣較接近該第一參考位置，相較於該第三邊緣，該第四邊緣較接近該第一參考位置。
如請求項1所述的電子裝置，<br/> 其中該第一光調整層包括一第三遮光區，與該第三透光區鄰近設置，<br/> 其中該第二光調整層包括一第四遮光區，與該第四透光區鄰近設置，在該第一方向上，該第四遮光區的寬度大於該第三遮光區的寬度。
如請求項1所述的電子裝置，<br/> 其中該第一光調整層具有一第五透光區，該第二光調整層具有一第六透光區，且該第五透光區及該第六透光區至少部分重疊，<br/> 其中在該第一方向上，該第五透光區位於該第一透光區及該第三透光區之間，該第六透光區位於該第二透光區及該第四透光區之間，且該第五透光區及該第六透光區在該第一方向上對齊。
如請求項1所述的電子裝置，更包括：<br/> 一光源，用於提供一光線；及<br/> 一顯示面板，其中該光控制構造設置在該光源及該顯示面板之間，<br/> 其中該基板包括一第二表面，該第二表面相對於該第一表面，該第二表面相較於該第一表面更接近該光源，且該第二表面用於接收該光線，其中該光源的一入光光線可從該光控制構造的該基板的該第二表面進入，且朝向該光控制構造的該第二光調整層的方向上出光。
如請求項1所述的電子裝置，其中該第一光調整層更包括：<br/> 一第一遮光層，具有一第一開口，其中該第一開口定義該第一透光區；以及<br/> 一第一透光單元，設置在該第一開口內。
如請求項1所述的電子裝置，其中該第一光調整層更包括：<br/> 一光控制介質，其中該光控制介質藉由電能量以產生該第一透光區。
如請求項1所述的電子裝置，其中該第一偏移量在0.05um~100um的範圍內。
如請求項1所述的電子裝置，其中：<br/> 在不同於該第一方向的一第二方向上，該第一透光區具有遠離一第二參考位置的一第五邊緣，該第二透光區具有遠離該第二參考位置的一第六邊緣，該第五邊緣及該第六邊緣之間具有一第三偏移量，該第三偏移量大於0。
如請求項9所述的電子裝置，其中該第三偏移量在0.05um~100um的範圍內。
如請求項9所述的電子裝置，<br/> 其中該第一光調整層具有一第九透光區，且該第二光調整層具有一第十透光區，且該第九透光區及該第十透光區部分重疊，<br/> 其中在該第一方向上，該第九透光區與該第一透光區鄰近設置，該第十透光區與該第二透光區鄰近設置，該第九透光區具有遠離該第一參考位置的一第七邊緣，該第十透光區具有遠離該第一參考位置的一第八邊緣，該第七邊緣和該第八邊緣之間具有一第四偏移量，該第四偏移量大於0，該第一偏移量大於該第四偏移量。
如請求項11所述的電子裝置，其中該第一光調整層具有一第十一透光區，且該第二光調整層具有一第十二透光區，該第十一透光區及該第十二透光區部分重疊，<br/> 其中在該第二方向上，該第十一透光區與該第一透光區鄰近設置，該第十二透光區與該第二透光區鄰近設置，該第十一透光區具有遠離該第二參考位置的一第九邊緣，該第十二透光區具有遠離該第二參考位置的一第十邊緣，該第九邊緣及該第十邊緣之間具有一第五偏移量，該第五偏移量大於0，該第三偏移量大於該第五偏移量。
如請求項12所述的電子裝置，其中：<br/> 該第一光調整層具有一第七透光區，該第二光調整層具有一第八透光區，該第七透光區及該第八透光區設置在一預期視角位置處，該預期視角位置重疊於該第一參考位置，其中該第七透光區和該第八透光區在該第一方向上的偏移量為0或者小於該第四偏移量。
如請求項13所述的電子裝置，<br/> 其中該預期視角位置重疊於該第二參考位置，<br/> 其中該第七透光區和該第八透光區在該第二方向上的偏移量為0或者小於該第五偏移量。
如請求項11所述的電子裝置，<br/> 其中該第一光調整層包括一第五遮光區，設置在該第一透光區和該第九透光區之間，<br/> 其中該第二光調整層包括一第六遮光區，設置在該第二透光區和該第十透光區之間。
如請求項15所述的電子裝置，<br/> 其中該第一光調整層更包括：一第一遮光層，該第一遮光層包括複數個第一開口，該些第一開口定義出複數個透光區，該第一光調整層中的該些透光區包括該第一透光區和該第九透光區，<br/> 其中該第二光調整層更包括：一第二遮光層，該第二遮光層包括複數個第二開口，該些第二開口定義出複數個透光區，該第二光調整層中的該些透光區包括該第二透光區和該第十透光區。
如請求項1所述的電子裝置，更包括：<br/> 一反射層，設置在該基板及該第一光調整層之間；以及<br/> 一透光層，設置在該第一光調整層及該第二光調整層之間。
如請求項2所述的電子裝置，<br/> 其中該基板具有一第一區及一第二區，該第一參考位置設置在該第一區內，一第三參考位置設置在該第二區內，<br/> 其中該第一光調整層的該第一透光區和該第三透光區設置在該第一區內，該第二光調整層的該第二透光區和該第四透光區設置在該第一區內，<br/> 其中該第一光調整層具有一第十三透光區，該第十三透光區設置在該第二區內，該第二光調整層具有一第十四透光區，該第十四透光區設置在該第二區內，<br/> 其中在該第一方向上，該第十三透光區具有遠離該第三參考位置的一第十一邊緣，且該第十四透光區具有遠離該第三參考位置的一第十二邊緣，該第十一邊緣及該第十二邊緣之間具有一第六偏移量，該第六偏移量大於0，相較於該第十一邊緣，該第十二邊緣較接近該第三參考位置。
如請求項18所述的電子裝置，<br/> 其中該第一光調整層包括一第七遮光區，鄰近設置於該第一區內的該第三透光區和該第二區內的該第十三透光區之間，<br/> 其中該第二光調整層包括一第八遮光區，鄰近設置於該第一區內的該第四透光區和該第二區內的該第十四透光區之間，該第七遮光區和該第八遮光區部分重疊。
一種資訊提供方法，其係藉由提供物品配送服務之電子裝置而進行者，其包括如下步驟： <br/>確認自用戶之終端接收到之商店檢索請求； <br/>確認與上述商店檢索請求對應之複數個商店； <br/>基於上述複數個商店各者之等距地圖資料，確定與自上述複數個商店各者至上述用戶之位置之路徑對應之距離； <br/>利用基於上述距離計算而得之分數，確定與上述複數個商店相關之排列順序；及 <br/>將基於上述排列順序而排列之上述複數個商店之資訊提供至上述終端， <br/>其中上述複數個商店中之第1商店之等距地圖資料包括上述第1商店之位置資料、及以上述第1商店為基準而距設定之距離之複數個點之位置資料， <br/>上述設定之距離係與自上述第1商店至上述複數個點中之任一點之路徑對應之距離，該距離係基於上述等距地圖資料中包括之道路資料者， <br/>其中上述等距地圖資料包括由上述複數個點構成之多邊形， <br/>於上述設定之距離包括複數個設定之距離時，上述等距地圖資料包括與上述複數個設定之距離對應之複數個多邊形， <br/>其中上述第1商店之地圖包括藉由上述複數個多邊形而劃分之複數個區劃， <br/>上述分數係基於上述用戶位於上述複數個區劃中之哪一區劃而確定。
如請求項1之資訊提供方法，其中上述複數個設定之距離係基於設定之間隔而確定。
如請求項2之資訊提供方法，其中上述設定之間隔係基於確認上述商店檢索請求之時點是否包括於設定之時間段內而確定。
如請求項1之資訊提供方法，其中對應於上述道路資料發生變更，由上述複數個點構成之多邊形更新為由複數個第1點構成之第1多邊形，該複數個第1點係以上述第1商店為基準而距上述設定之距離者。
如請求項1之資訊提供方法，其中上述複數個商店包括基於上述用戶之位置而搜尋到之商店中之與上述商店檢索請求對應之商店。
如請求項1之資訊提供方法，其中上述分數係基於複數個計分演算法中之第1演算法而確定，該複數個計分演算法係將上述用戶位於上述複數個區劃中之哪一區劃作為輸入者， <br/>上述第1演算法係上述複數個計分演算法中之基於與上述物品配送服務相關之訂單及與上述物品配送服務相關之配送員而確定之演算法。
如請求項1之資訊提供方法，其中確定上述排列順序之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述分數及至少一個第1分數，確定與上述複數個商店相關之排列順序。
如請求項7之資訊提供方法，其中上述至少一個第1分數包括如下中之至少一者： <br/>與上述複數個商店各者提供之優惠券相關之分數、與上述複數個商店中之新商店相關之分數、與上述複數個商店各者之用戶評分相關之分數、與上述複數個商店各者是否提供影像相關之分數、與和上述用戶之位置相鄰之用戶之訂單明細相關之分數、與上述物品配送服務上之上述用戶之行為歷史相關之分數、及與基於上述行為歷史而識別之偏好商店相關之分數。
一種資訊提供方法，其係藉由提供物品配送服務之電子裝置而進行者，其包括如下步驟： <br/>確認自用戶之終端接收到之商店檢索請求； <br/>確認與上述商店檢索請求對應之複數個商店； <br/>基於上述複數個商店各者之等距地圖資料，確定與自上述複數個商店各者至上述用戶之位置之路徑對應之距離； <br/>基於上述距離，確定上述複數個商店各者之配送金額；及 <br/>將包括上述配送金額之資訊之上述複數個商店之資訊提供至上述終端， <br/>其中上述複數個商店中之第1商店之等距地圖資料包括上述第1商店之位置資料、及以上述第1商店為基準而距設定之距離之複數個點之位置資料， <br/>上述設定之距離係與自上述第1商店至上述複數個點中之任一點之路徑對應之距離，該距離係基於上述等距地圖資料中包括之道路資料者， <br/>其中上述等距地圖資料包括由上述複數個點構成之多邊形， <br/>於上述設定之距離包括複數個設定之距離時，上述等距地圖資料包括與上述複數個設定之距離對應之複數個多邊形， <br/>其中上述第1商店之地圖包括藉由上述複數個多邊形而劃分之複數個區劃， <br/>上述分數係基於上述用戶位於上述複數個區劃中之哪一區劃而確定。
一種電子裝置，其包括： <br/>收發器； <br/>一個以上之處理器；及 <br/>儲存器，其儲存有藉由上述一個以上之處理器而執行之一個以上之命令， <br/>上述一個以上之處理器如下： <br/>執行上述一個以上之命令，藉此 <br/>確認自用戶之終端接收到之商店檢索請求； <br/>確認與上述商店檢索請求對應之複數個商店； <br/>基於上述複數個商店各者之等距地圖資料，確定與自上述複數個商店各者至上述用戶之位置之路徑對應之距離； <br/>利用基於上述距離計算而得之分數，確定與上述複數個商店相關之排列順序；及 <br/>將基於上述排列順序而排列之上述複數個商店之資訊提供至上述終端， <br/>其中上述複數個商店中之第1商店之等距地圖資料包括上述第1商店之位置資料、及以上述第1商店為基準而距設定之距離之複數個點之位置資料， <br/>上述設定之距離係與自上述第1商店至上述複數個點中之任一點之路徑對應之距離，該距離係基於上述等距地圖資料中包括之道路資料者， <br/>其中上述等距地圖資料包括由上述複數個點構成之多邊形， <br/>於上述設定之距離包括複數個設定之距離時，上述等距地圖資料包括與上述複數個設定之距離對應之複數個多邊形， <br/>其中上述第1商店之地圖包括藉由上述複數個多邊形而劃分之複數個區劃， <br/>上述分數係基於上述用戶位於上述複數個區劃中之哪一區劃而確定。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有用以於電腦中執行如請求項1至9中任一項之方法之程式。
一種對一商品進行模組化管理的商品管理系統，係運作於一電腦主機內，其中該商品係由複數個特徵庫所組成，該些特徵庫彼此具一階層關係，且各該些特徵庫各自包含複數個特徵元件，其中 <br/>一特徵庫為另一特徵庫內特徵元件的更下層分類；或 <br/>一特徵庫內包含另一特徵庫；以及 <br/>該商品依據不同使用者的設定，具有不同的特徵庫及階層關係； <br/>所述商品管理系統包含： <br/>一管理模組，用以執行以下程序， <br/>(a) 對各該特徵元件分別設定一元件資訊，其中該元件資訊包含一元件定義以及一元件內容；以及 <br/>(b) 基於該階層關係組裝程序(a)所設定的該元件資訊，以產生對應該商品的一模型結構；以及 <br/> 一第一資料庫，與該管理模組通訊連接，用以儲存來自該管理模組產生之該模型結構；以及 <br/> 一第二資料庫，與該管理模組通訊連接，用以儲存複數個規則，其中各該些規則包含一規則資訊及一自定義參數，該自定義參數於導入各該些規則時由一使用者定義其值； <br/>其中該管理模組用以在程序(b)之後更執行： <br/>(c) 基於該第一資料庫儲存之該模型結構產生一商品，其中該商品具有對應該模型結構之一樹狀資訊；以及 <br/>(d) 基於該第二資料庫儲存的複數個規則調整該模型結構，從而使該模型結構對應該規則資訊。
如請求項1所述之商品管理系統，其中在程序(a)，該元件定義包含複數個自定義欄位以及各別對應該些自定義欄位的一欄位屬性，且該元件內容包含一格式化字串。
如請求項2所述之商品管理系統，其中在程序(a)之後，該管理模組更用以執行：設定對應各該特徵庫之一初始特徵元件，其中該初始特徵元件包含一部份的該些自定義欄位。
如請求項1所述之商品管理系統，其中該元件資訊包含一基本屬性及一變動屬性，且該管理模組更用以執行依據該變動屬性調整程序(b)產生的該模型結構。
一種用以模組化產生一保險商品的保險商品管理系統，係運作於一電腦主機內，其中該保險商品由複數個保險商品特徵元件組成，包含： <br/>一第一資料庫，用以儲存由如請求項1所述之商品管理系統所產生之一模型結構； <br/>一管理模組，與該第一資料庫通訊連接，用以執行以下程序， <br/>(a) 對各該保險商品特徵元件分別設定一保險商品特徵元件資訊，其中該保險商品特徵元件資訊包含一保險商品特徵元件定義以及一保險商品特徵元件內容；以及 <br/>(b) 基於該第一資料庫儲存之該模型結構，組裝程序(a)所設定之該保險商品特徵元件資訊，以產生對應該保險商品的一保險商品結構，其中該保險商品具有對應該保險商品結構的一樹狀資訊， <br/>其中，在程序(a)中，該保險商品特徵元件定義包含複數個自定義欄位以及分別對應該些自定義欄位的一欄位屬性，且該保險商品特徵元件內容包含一格式化字串。
如請求項5所述之保險商品管理系統，其中在程序(b)，該管理模組更用以執行： <br/>(b-1) 基於該模型結構之該些元件資訊與該保險商品特徵元件資訊之關聯性，指定至少一繼承方式，其中： <br/>若該模型結構之該些元件資訊沒有對應該保險商品特徵元件資訊，則指定該保險商品不繼承該模型結構的特徵元件資訊； <br/>若該模型結構之該些元件資訊完全對應該保險商品特徵元件資訊，則指定該保險商品全部繼承該模型結構的特徵元件資訊；或 <br/>若該模型結構之該些元件資訊部分對應該保險商品特徵元件資訊，則指定該保險商品部分繼承該對應之特定元件資訊或特定欄位；以及 <br/>(b-2) 選定該至少一繼承方式以產生該保險商品結構。
如請求項5所述之保險商品管理系統，更包含 <br/>一規則引擎，與該第一資料庫通訊連接，用以執行以下程序： <br/>(i) 創建複數個規則，其中各該規則包含至少一規則資訊；以及 <br/>(ii) 基於該保險商品結構分別將各該些規則與該保險商品綁定，使該保險商品對應該至少一規則資訊；以及 <br/>一第二資料庫，與該規則引擎以及該第一資料庫通訊連接，用以儲存該些規則。
如請求項7所述之保險商品管理系統，更包含一使用者介面，用以呈現該保險商品結構之該樹狀資訊以及接受來自外部之一訂單指令，其中該訂單指令包含基於該保險商品結構產生的一預設保險商品。
如請求項8所述之保險商品管理系統，其中該規則引擎更用以基於該訂單指令以及經與該保險商品綁定之該規則，檢驗該預設保險商品。
如請求項7所述之保險商品管理系統，其中各該些規則更包含一自定義參數，該自定義參數於導入各該些規則時由一使用者定義其值。
一種氧化膜的形成條件決定方法，為決定使用成膜裝置在晶圓上形成氧化膜的條件之氧化膜的形成條件決定方法， <br/>前述成膜裝置被構成為，使用具備支撐前述晶圓的外周部的支撐部件及支撐前述支撐部件的托架本體的成膜用托架，加熱前述成膜用托架並將原料氣體供應至前述晶圓上，藉此在前述晶圓上形成前述氧化膜； <br/>前述支撐部件具備載置前述晶圓之環狀的載置部與從前述載置部延伸至下方的腳部； <br/>前述托架本體被構成為，具備收容前述支撐部件之圓柱狀的凹部與沿著前述凹部中的底面外緣形成的複數個溝部，藉由位於彼此互鄰的一對前述溝部之間的接觸部來支撐前述支撐部件的前述腳部； <br/>前述氧化膜的形成條件決定方法具備： <br/>事前氧化膜形成步驟，使用第一前述托架本體，在第一前述晶圓上形成第一前述氧化膜； <br/>相關關係取得步驟，取得前述溝部及前述接觸部中的至少一個的構成要件與前述氧化膜的膜厚分布的相關關係； <br/>目標膜厚分布取得步驟，取得前述氧化膜的目標膜厚分布；以及 <br/>托架本體構成決定步驟，基於前述第一前述氧化膜的膜厚分布與前述相關關係，決定將可以形成前述目標膜厚分布的前述氧化膜之前述至少一個的構成要件，作為適用要件。
如請求項1記載之氧化膜的形成條件決定方法，其中前述相關關係包含：前述溝部中的周方向的至少一部分的寬度，與前述晶圓的外周部中鄰接於前述至少一部分之區域的前述氧化膜的厚度所具有的第一相關關係。
如請求項1記載之氧化膜的形成條件決定方法，其中 <br/>前述成膜裝置被構成為，將各自具備前述托架本體的複數個前述成膜用托架在送出方向排列並在前述送出方向運送，並在被各成膜用托架支撐的前述晶圓上形成前述氧化膜；以及 <br/>前述相關關係包含：直交於前述托架本體的前述送出方向的運送寬度方向側的部位中的前述接觸部與前述腳部的接觸面積，與前述晶圓的外周部中鄰接於前述運送寬度方向側的部位之區域的氧化膜的厚度所具有的第二相關關係。
如請求項3記載之氧化膜的形成條件決定方法，其中前述第二相關關係為，前述運送寬度方向側的部位中的前述接觸面積愈大，則鄰接於前述運送寬度方向側的部位之區域的氧化膜愈薄的關係。
如請求項1記載之氧化膜的形成條件決定方法，其中 <br/>前述成膜裝置被構成為，將各自具備前述托架本體的複數個前述成膜用托架在送出方向排列並在前述送出方向運送，並在被各成膜用托架支撐的前述晶圓上形成前述氧化膜；以及 <br/>前述相關關係包含：前述托架本體的前述送出方向側及相對於該送出方向的相反方向側的部位中的前述接觸部與前述腳部的接觸面積，與前述晶圓的外周部中的前述送出方向側及前述相反方向側的部位所鄰接之區域的氧化膜的厚度所具有的第三相關關係。
如請求項5記載之氧化膜的形成條件決定方法，其中前述第三相關關係為，前述送出方向側及前述相反方向側的部位中的前述接觸面積愈大，則前述送出方向側及前述相反方向側的部位所鄰接之區域的氧化膜愈厚的關係。
一種氧化膜的形成方法，具備： <br/>進行如請求項1至6任一項記載之氧化膜的形成條件決定方法的步驟；以及 <br/>成膜步驟，使用滿足前述適用要件的第二前述托架本體，在第二前述晶圓上形成第二前述氧化膜。
如請求項7記載之氧化膜的形成方法，更具備托架本體準備步驟，準備前述至少一個的構成要件互異的複數種前述托架本體，其中 <br/>前述成膜步驟，是從各自對應於前述複數種前述托架本體之前述至少一個的構成要件中，選擇前述第二前述托架本體，使用該第二前述托架本體而形成前述第二前述氧化膜。
一種晶圓的製造方法，具備藉由如請求項7記載之氧化膜的形成方法而在前述第二前述晶圓上形成前述氧化膜的步驟。
一種通氣裝置，包括：<br/> 一錨定結構；以及<br/> 一振膜，錨定於所述錨定結構，並用以形成一第一通氣口與一第二通氣口；<br/> 其中所述振膜包括一第一瓣片、一第二瓣片與一第三瓣片；<br/> 其中所述振膜將一空間分隔成一第一容積部與一第二容積部，當所述第一通氣口與所述第二通氣口形成時，所述第一容積部與所述第二容積部彼此連接；<br/> 其中所述第一瓣片被致動以朝著一第一方向移動，所述第二瓣片被致動以朝著相反於所述第一方向的一第二方向移動，以形成所述第一通氣口；<br/> 其中所述第一瓣片被致動以朝著所述第一方向移動，所述第三瓣片被致動以朝著相反於所述第一方向的所述第二方向移動，以形成所述第二通氣口。
如請求項1所述的通氣裝置，其中所述第一瓣片相鄰於所述第二瓣片，所述第一瓣片相鄰於所述第三瓣片。
如請求項1所述的通氣裝置，其中所述振膜另包括一第四瓣片，分離於所述第一瓣片、所述第二瓣片與所述第三瓣片。
如請求項1所述的通氣裝置，其中所述第一瓣片包括一第一自由邊緣與一第二自由邊緣，所述第一自由邊緣相鄰於所述第二瓣片，所述第二自由邊緣相鄰於所述第三瓣片，所述第一通氣口形成在所述第一瓣片的所述第一自由邊緣與所述第二瓣片之間，所述第二通氣口形成在所述第一瓣片的所述第二自由邊緣與所述第三瓣片之間。
如請求項4所述的通氣裝置，其中所述第一瓣片包括一第一錨定邊緣，所述第一自由邊緣相對於所述第一錨定邊緣，所述第二自由邊緣在所述第一自由邊緣與所述第一錨定邊緣之間。
如請求項5所述的通氣裝置， <br/> 其中所述第二瓣片包括一第二錨定邊緣、一第三自由邊緣與一第四自由邊緣，所述第三自由邊緣相對於所述第二錨定邊緣，所述第四自由邊緣在所述第三自由邊緣與所述第二錨定邊緣之間；<br/> 其中所述第三瓣片包括一第三錨定邊緣、一第五自由邊緣與一第六自由邊緣，所述第五自由邊緣相對於所述第三錨定邊緣，所述第六自由邊緣在所述第五自由邊緣與所述第三錨定邊緣之間； <br/> 其中所述第一通氣口形成在所述第一瓣片的所述第一自由邊緣與所述第二瓣片的所述第四自由邊緣之間，所述第二通氣口形成在所述第一瓣片的所述第二自由邊緣與所述第三瓣片的所述第五自由邊緣之間。
如請求項5所述的通氣裝置， <br/> 其中所述第二瓣片包括一第二錨定邊緣與一第三自由邊緣，所述第三自由邊緣相對於所述第二錨定邊緣；<br/> 其中所述第三瓣片包括一第三錨定邊緣、一第五自由邊緣與一第六自由邊緣，所述第五自由邊緣相對於所述第三錨定邊緣，所述第六自由邊緣在所述第五自由邊緣與所述第三錨定邊緣之間； <br/> 其中所述第一通氣口形成在所述第一瓣片的所述第一自由邊緣與所述第二瓣片的所述第三自由邊緣之間，所述第二通氣口形成在所述第一瓣片的所述第二自由邊緣與所述第三瓣片的所述第六自由邊緣之間。
如請求項5所述的通氣裝置， <br/> 其中所述第二瓣片包括一第二錨定邊緣、一第三自由邊緣與一第四自由邊緣，所述第三自由邊緣相對於所述第二錨定邊緣，所述第四自由邊緣在所述第三自由邊緣與所述第二錨定邊緣之間； <br/> 其中所述第三瓣片包括一第三錨定邊緣、一第五自由邊緣與一第六自由邊緣，所述第五自由邊緣相對於所述第三錨定邊緣，所述第六自由邊緣在所述第五自由邊緣與所述第三錨定邊緣之間； <br/> 其中所述第一通氣口形成在所述第一瓣片的所述第一自由邊緣與所述第二瓣片的所述第三自由邊緣之間，所述第二通氣口形成在所述第一瓣片的所述第二自由邊緣與所述第三瓣片的所述第五自由邊緣之間。
如請求項5所述的通氣裝置， <br/> 其中所述第二瓣片包括一第二錨定邊緣、一第三自由邊緣與一第四自由邊緣，所述第三自由邊緣相對於所述第二錨定邊緣，所述第四自由邊緣在所述第三自由邊緣與所述第二錨定邊緣之間； <br/> 其中所述第三瓣片包括一第三錨定邊緣、一第五自由邊緣與一第六自由邊緣，所述第五自由邊緣相對於所述第三錨定邊緣，所述第六自由邊緣在所述第五自由邊緣與所述第三錨定邊緣之間； <br/> 其中所述第一通氣口形成在所述第一瓣片的所述第一自由邊緣與所述第二瓣片的所述第四自由邊緣之間，所述第二通氣口形成在所述第一瓣片的所述第二自由邊緣與所述第三瓣片的所述第六自由邊緣之間。
如請求項1所述的通氣裝置，其中所述第一瓣片具有相鄰於所述第二瓣片的一自由邊緣，所述第二瓣片具有相鄰於所述第一瓣片的一邊緣，所述第一通氣口形成在所述第一瓣片的所述自由邊緣與所述第二瓣片的所述邊緣之間，所述第一瓣片的所述自由邊緣與所述第二瓣片的所述邊緣為鋸齒狀邊緣。
如請求項1所述的通氣裝置，其中所述第一瓣片具有相鄰於所述第三瓣片的一自由邊緣，所述第三瓣片具有相鄰於所述第一瓣片的一邊緣，所述第二通氣口形成在所述第一瓣片的所述自由邊緣與所述第三瓣片的所述邊緣之間，所述第一瓣片的所述自由邊緣與所述第三瓣片的所述邊緣為鋸齒狀邊緣。
如請求項1所述的通氣裝置，其中所述通氣裝置以一第一模式、一第二模式或一第三模式操作。
如請求項12所述的通氣裝置，其中在所述第一模式中，所述振膜被致動以維持在一第一位置，所述第一位置平行於一基底，所述通氣裝置設置在所述基底上。
如請求項12所述的通氣裝置，其中在所述第二模式中，所述第一瓣片被致動以朝著所述第一方向移動，所述第二瓣片與所述第三瓣片被致動以朝著相反於所述第一方向的所述第二方向移動，以形成所述第一通氣口與所述第二通氣口。
如請求項12所述的通氣裝置，其中在所述第三模式中，不對設置在所述振膜上的致動件施加電力，或所述第一瓣片、所述第二瓣片與所述第三瓣片低於一第一位置，所述第一位置平行於一基底，所述通氣裝置設置在所述基底上。
如請求項12所述的通氣裝置，其中所述第一通氣口與所述第二通氣口在所述第二模式中的尺寸總和大於所述第一通氣口與所述第二通氣口在所述第三模式中的尺寸總和，所述第一通氣口與所述第二通氣口在所述第三模式中的尺寸總和大於所述第一通氣口與所述第二通氣口在所述第一模式中的尺寸總和。
如請求項1所述的通氣裝置， <br/> 其中所述通氣裝置設置在一穿戴式聲音裝置中或將要設置在所述穿戴式聲音裝置中； <br/> 其中所述穿戴式聲音裝置為一耳塞式耳機或一助聽器；<br/> 其中所述穿戴式聲音裝置包括一聲能轉換器，用以執行一聲學轉換。
如請求項1所述的通氣裝置， <br/> 其中所述第一瓣片包括一第一錨定邊緣，所述第二瓣片包括一第二錨定邊緣，所述第三瓣片包括一第三錨定邊緣；<br/> 其中所述第一錨定邊緣、所述第二錨定邊緣與所述第三錨定邊緣錨定於所述錨定結構；<br/> 其中所述第二錨定邊緣與所述第三錨定邊緣平行於所述第一錨定邊緣。
如請求項1所述的通氣裝置， <br/> 其中所述第一瓣片包括一第一錨定邊緣，所述第二瓣片包括一第二錨定邊緣，所述第三瓣片包括一第三錨定邊緣；<br/> 其中所述第一錨定邊緣、所述第二錨定邊緣與所述第三錨定邊緣錨定於所述錨定結構；<br/> 其中所述第二錨定邊緣與所述第三錨定邊緣垂直於所述第一錨定邊緣。
如請求項1所述的通氣裝置， <br/> 其中所述第一瓣片包括一第一錨定邊緣，所述第二瓣片包括一第二錨定邊緣，所述第三瓣片包括一第三錨定邊緣；<br/> 其中所述第一錨定邊緣、所述第二錨定邊緣與所述第三錨定邊緣錨定於所述錨定結構；<br/> 其中所述第一錨定邊緣與所述第二錨定邊緣垂直於所述第三錨定邊緣。
如請求項1所述的通氣裝置， <br/> 其中所述第一瓣片包括一第一錨定邊緣，所述第二瓣片包括一第二錨定邊緣，所述第三瓣片包括一第三錨定邊緣；<br/> 其中所述第一錨定邊緣、所述第二錨定邊緣與所述第三錨定邊緣錨定於所述錨定結構；<br/> 其中所述第一錨定邊緣與所述第三錨定邊緣垂直於所述第二錨定邊緣。
一種通氣裝置，包括： <br/> 一錨定結構；以及<br/> 一振膜，錨定於所述錨定結構，並用以形成一通氣口，其中所述振膜包括一第一瓣片與一第二瓣片； <br/> 其中所述振膜將一空間分隔成一第一容積部與一第二容積部，當所述通氣口形成時，所述第一容積部與所述第二容積部透過所述通氣口彼此連接；<br/> 其中一狹縫形成在所述振膜上，所述通氣口因為所述狹縫而形成；<br/> 其中所述狹縫的一區段在所述振膜上呈現曲折狀；<br/> 其中所述第一瓣片被致動以朝著一第一方向移動，所述第二瓣片被致動以朝著相反於所述第一方向的一第二方向移動，以形成所述通氣口。
如請求項22所述的通氣裝置，其中所述狹縫具有一曲折狀圖案，所述曲折狀圖案為一鋸齒狀圖案、一齒狀圖案、一梯形圖案、一矩形圖案、一正弦圖案或一多項式圖案。
一種通氣裝置的製造方法，包括：<br/> 提供一晶圓，其中所述晶圓包括一第一層與一第二層，所述第一層包括一振膜；以及<br/> 圖案化所述晶圓的所述第一層，以形成多個狹縫，使得所述振膜包括以所述狹縫分隔的一第一瓣片、一第二瓣片與一第三瓣片； <br/> 其中所述振膜用以被控制來形成多個通氣口，所述通氣口因為所述狹縫而形成； <br/> 其中所述狹縫包括一第一狹縫與一第二狹縫，所述通氣口包括一第一通氣口與一第二通氣口； <br/> 其中所述第一狹縫形成在所述第一瓣片與所述第二瓣片之間，所述第二狹縫形成在所述第一瓣片與所述第三瓣片之間；<br/> 其中所述第一瓣片被致動以朝著一第一方向移動，所述第二瓣片被致動以朝著相反於所述第一方向的一第二方向移動，以形成所述第一通氣口；<br/> 其中所述第一瓣片被致動以朝著所述第一方向移動，所述第三瓣片被致動以朝著相反於所述第一方向的所述第二方向移動，以形成所述第二通氣口。
如請求項24所述的製造方法，另包括：<br/> 將所述第一狹縫或所述第二狹縫形成為具有一鋸齒狀圖案、一齒狀圖案、一梯形圖案、一矩形圖案、一多項式圖案與一正弦圖案中的其中一者的圖案。
一種通氣方法，應用在如請求項24所述的製造方法所製的通氣裝置，所述通氣方法包括：<br/> 朝著所述第一方向致動所述第一瓣片；以及<br/> 朝著相反於所述第一方向的所述第二方向致動所述第二瓣片與所述第三瓣片；<br/> 其中所述第一通氣口因為所述第一狹縫而形成在所述第一瓣片與所述第二瓣片之間，所述第二通氣口因為所述第二狹縫而形成在所述第一瓣片與所述第三瓣片之間。
一種通氣裝置的製造方法，包括：<br/> 提供一晶圓，其中所述晶圓包括一第一層與一第二層，所述第一層包括一振膜；以及<br/> 圖案化所述晶圓的所述第一層，以形成一曲折狀狹縫，其中所述曲折狀狹縫在所述振膜上呈現曲折狀並朝著一方向延伸，所述振膜包括以所述曲折狀狹縫分隔的一第一瓣片與一第二瓣片； <br/> 其中所述振膜用以被控制來形成一通氣口，所述通氣口因為所述曲折狀狹縫而形成；<br/> 其中所述第一瓣片被致動以朝著一第一方向移動，所述第二瓣片被致動以朝著相反於所述第一方向的一第二方向移動，以形成所述通氣口。
一種配位體覆蓋之無機結晶，其包含： <br/>無機結晶，各結晶具有表面； <br/>陰離子，其結合至該等無機結晶之該等表面；以及 <br/>1,2-萘醌二疊氮-4-磺醯氯分子，其與該等無機結晶締合。
如請求項1所述之配位體覆蓋之無機結晶，其中該等陰離子包含金屬鹵化物或金屬硫族化物陰離子。
一種包含在基板上之如請求項1所述之配位體覆蓋之無機結晶之固體膜。
一種圖案化如請求項3所述之膜之方法，該方法包含： <br/>用輻射照射該膜之第一部分，其中該輻射與該1,2-萘醌二疊氮-4-磺醯氯分子之間的交互作用導致該膜之化學改性，同時防止該膜之第二部分由該輻射照射；以及 <br/>使該膜與溶劑接觸，該溶劑溶解該膜之該第二部分，而非該膜之該第一部分。
一種配位體覆蓋之無機結晶，其包含： <br/>無機結晶，各結晶具有表面； <br/>陰離子，其結合至該等無機結晶之該等表面；以及 <br/>2-苯基-2-(-5-((甲苯磺醯氧基)亞胺基)噻吩-2-亞基)乙腈分子，其與該等無機結晶締合。
如請求項5所述之配位體覆蓋之無機結晶，其中該等陰離子包含金屬鹵化物或金屬硫族化物陰離子。
一種包含在基板上之如請求項5所述之配位體覆蓋之無機結晶之固體膜。
一種圖案化如請求項7所述之膜之方法，該方法包含： <br/>用輻射照射該膜之第一部分，其中該輻射與該2-苯基-2-(-5-((甲苯磺醯氧基)亞胺基)噻吩-2-亞基)乙腈分子之間的交互作用導致該膜之化學改性，同時防止該膜之第二部分由該輻射照射；以及 <br/>使該膜與溶劑接觸，該溶劑溶解該膜之該第二部分，而非該膜之該第一部分。
一種半導體元件，包含： <br/>一第一半導體晶片，包含一第一接合結構，其中該第一接合結構包含： <br/>一第一複數介電層；以及 <br/>一第一接合通孔，包含在該第一複數介電層中；以及 <br/>一第二半導體晶片，包含一第二接合結構，其中該第二接合結構包含： <br/>一第二複數介電層； <br/>一第二接合通孔，包含在該第二複數介電層中； <br/>一接合焊盤，包含在該第二複數介電層中，其中，該第一半導體晶片和該第二半導體晶片在該第一接合通孔的一第一接合表面和該接合焊盤的一第二接合表面處接合，其中，整個該第一接合表面與該第二接合表面接合，並且其中，小於整個該第二接合表面與該第一接合表面接合；以及 <br/>一屏蔽閘極，圍繞該接合焊盤。
如請求項1所述的半導體元件，其中該第一接合表面具有一帶圓化端部的矩形俯視圖形狀； <br/>其中，該第二接合表面具有一圓形俯視圖形狀；以及 <br/>其中，該第一接合表面的該圓化端部與該第二接合表面的一圓周的部分重疊。
如請求項1所述的半導體元件，其中該第一接合表面具有一長圓形俯視圖形狀； <br/>其中，該第二接合表面具有一十字形俯視圖形狀；以及 <br/>其中，該第一接合表面與該第二接合表面的一段重疊。
如請求項1所述的半導體元件，其中該第一接合表面具有一第一長圓形俯視圖形狀； <br/>其中，該第二接合表面具有一第二長圓形俯視圖形狀；以及 <br/>其中，該第一接合表面的一第一俯視圖長度小於該第二接合表面的一第二俯視圖長度。
如請求項1所述的半導體元件，其中該第一接合表面具有一半圓形俯視圖形狀； <br/>其中，該第二接合表面具有一圓形俯視圖形狀；以及 <br/>其中，該第一接合表面與該第二接合表面的部分重疊。
如請求項1所述的半導體元件，其中該第一接合表面具有一第一圓形俯視圖形狀； <br/>其中，該第二接合表面具有一第二圓形俯視圖形狀；以及 <br/>其中，該第一接合表面的一第一圓周小於該第二接合表面的一第二圓周。
如請求項6所述的半導體元件，其中該第一接合表面相對於該第二接合表面的一中心偏移。
一種半導體元件，包含： <br/>一第一半導體晶片，包含： <br/>一第一元件層； <br/>一第一互連結構，位於該第一元件層之上，包含一第一金屬層；以及 <br/>一第一接合結構，位於該第一互連結構之上，包含： <br/>一第一複數介電層；以及 <br/>一第一接合通孔，包含在該第一複數介電層中，其中該第一接合通孔位於該第一金屬層之上並且與該第一金屬層耦合；以及 <br/>一第二半導體晶片，包含： <br/>一第二元件層； <br/>一第二互連結構，位於該第二元件層之下，包含一第二金屬層；以及 <br/>一第二接合結構，位於該第二互連結構之下，包含： <br/>一第二複數介電層； <br/>一第二接合通孔，包含在該第二複數介電層中，其中該第二接合通孔與該第二金屬層耦合；以及 <br/>一接合焊盤，包含在該第二複數介電層中，其中該接合焊盤位於該第二接合通孔之下並且與該第二接合通孔耦合，其中該第一半導體晶片和該第二半導體晶片在該第一接合通孔和該接合焊盤處接合，並且其中該接合焊盤的一接合表面區大於該第一接合通孔的一接合表面區； <br/>其中該第二互連結構更包含：一屏蔽閘極，圍繞該接合焊盤。
如請求項8所述的半導體元件，其中該屏蔽閘極和該接合焊盤之間的一距離小於包含在該第一複數介電層中的該第一接合通孔和第三接合通孔之間的一距離。
一種形成半導體元件的方法，包含： <br/>提供一第一半導體晶片，該第一半導體晶片包含位於該第一半導體晶片的一第一複數介電層中的一第一接合通孔； <br/>提供一第二半導體晶片，該第二半導體晶片包含位於該第二半導體晶片的一第二複數介電層中的一第二接合通孔和與該第二接合通孔耦合的一接合焊盤； <br/>對準該第一半導體晶片和該第二半導體晶片，從而使得該第一接合通孔的一第一接合表面位於該接合焊盤的一第二接合表面的一第二周界內，並且從而使得該第一接合表面的一第一周界和該第二接合表面的該第二周界部分重疊；以及 <br/>在對準該第一半導體晶片和該第二半導體晶片之後，在該第一接合表面和該第二接合表面處接合該第一半導體晶片和該第二半導體晶片； <br/>形成一屏蔽閘極，其中，該屏蔽閘極圍繞該接合焊盤。
一種脫硝裝置，具備： <br/> 注入部，其設在供排氣在內部流通的通道內，對於流通於前述通道內的排氣注入還原劑； <br/> 脫硝觸媒，其設置在前述通道內且前述注入部的下游側；以及 <br/> 整流部，其設在前述通道內且在前述注入部的上游側從前述注入部分開既定距離，將流通於前述通道內的排氣予以整流， <br/> 前述整流部具有多孔板，其具有複數個貫通孔，從前述多孔板到前述注入部為止的距離，比前述貫通孔之直徑的11倍長度還長， <br/> 在前述通道內，前述注入部、前述脫硝觸媒、及前述整流部配置在一直線上。
如請求項1所述之脫硝裝置，其中， <br/> 具備第1熱交換部，其設在前述通道內且前述整流部的上游側，回收排氣的熱，且對排氣的流動賦予抵抗， <br/> 前述整流部，設在從前述第1熱交換部分開140mm以上的位置。
如請求項1所述之脫硝裝置，其中，前述整流部，具有格子狀的格子部。
一種補強膜，其具備膜基材、及固黏積層於上述膜基材之一主表面上之黏著劑層， <br/>上述黏著劑層含有包含丙烯酸系基礎聚合物、光硬化劑、光聚合起始劑及抗靜電劑之光硬化性組合物， <br/>上述丙烯酸系基礎聚合物包含(甲基)丙烯酸烷基酯、下述通式(1)所表示之(甲基)丙烯酸酯、以及選自由含有羥基之單體及含有羧基之單體所組成之群中之一種以上作為單體單元，相對於單體單元之合計100重量份，(甲基)丙烯酸烷基酯之量為40～94重量份，下述通式(1)所表示之(甲基)丙烯酸酯之量為5～55重量份，且 <br/>於上述丙烯酸系基礎聚合物中導入有交聯結構， <br/>CH <sub>2</sub>=CR <sup>1</sup>-COO-(R <sup>2</sup>-O) <sub>m</sub>-R <sup>3</sup>(1) <br/>於通式(1)中， <br/>R <sup>1</sup>為氫原子或甲基， <br/>R <sup>2</sup>為可具有支鏈之碳數2～4之伸烷基， <br/>m為1～5之整數， <br/>R <sup>3</sup>為氫原子、碳數1～12之烷基或碳數6～20之芳基。
如請求項1之補強膜，其中上述(甲基)丙烯酸烷基酯之烷基之碳數為6以上。
如請求項1或2之補強膜，其中上述丙烯酸系基礎聚合物在交聯結構導入前之重量平均分子量為10萬以上。
如請求項1或2之補強膜，其中上述光硬化性組合物含有相對於上述丙烯酸系基礎聚合物100重量份為3～25重量份之上述光硬化劑。
如請求項1或2之補強膜，其中上述光硬化劑為多官能(甲基)丙烯酸酯。
如請求項5之補強膜，其中上述光硬化劑含有包含環氧烷鏈之多官能(甲基)丙烯酸酯。
如請求項6之補強膜，其中上述光硬化劑進而包含胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯。
如請求項1或2之補強膜，其中上述黏著劑層在光硬化前對聚醯亞胺膜之接著力為1 N/25 mm以下。
如請求項1或2之補強膜，其中上述黏著劑層在光硬化後對聚醯亞胺膜之接著力為5 N/25 mm以上。
如請求項1或2之補強膜，其中上述黏著劑層在光硬化後於-20℃下之剪切儲存彈性模數為1.0×10 <sup>4</sup>～5.0×10 <sup>5</sup>Pa。
如請求項1或2之補強膜，其中上述黏著劑層之表面電阻為5×10 <sup>11</sup>Ω以下。
一種附補強膜之裝置之製造方法，其係於可彎折之裝置之表面貼設有補強膜之附補強膜之裝置之製造方法，且 <br/>於可彎折之裝置之表面貼合如請求項1或2之補強膜之上述黏著劑層， <br/>使上述黏著劑層光硬化。
一種附補強膜之裝置，其係於可彎折之裝置之表面貼設有補強膜者，且 <br/>上述補強膜具備膜基材、及固黏積層於上述膜基材之一主表面上之黏著劑層， <br/>上述黏著劑層貼合於裝置表面， <br/>上述黏著劑層為使包含丙烯酸系基礎聚合物及光硬化劑之光硬化性黏著劑組合物光硬化而成之光硬化物，包含抗靜電劑， <br/>上述丙烯酸系基礎聚合物包含(甲基)丙烯酸烷基酯、下述通式(1)所表示之(甲基)丙烯酸酯、以及選自由含有羥基之單體及含有羧基之單體所組成之群中之一種以上作為單體單元，相對於單體單元之合計100重量份，(甲基)丙烯酸烷基酯之量為40～94重量份，下述通式(1)所表示之(甲基)丙烯酸酯之量為5～50重量份， <br/>於上述丙烯酸系基礎聚合物中導入有交聯結構，且 <br/>上述黏著劑層於-20℃下之剪切儲存彈性模數為1.0×10 <sup>4</sup>～5.0×10 <sup>5</sup>Pa， <br/>CH <sub>2</sub>=CR <sup>1</sup>-COO-(R <sup>2</sup>-O) <sub>m</sub>-R <sup>3</sup>(1) <br/>於通式(1)中， <br/>R <sup>1</sup>為氫原子或甲基， <br/>R <sup>2</sup>為可具有支鏈之碳數2～4之伸烷基， <br/>m為1～5之整數， <br/>R <sup>3</sup>為氫原子、碳數1～12之烷基或碳數6～20之芳基。
如請求項13之附補強膜之裝置，其中上述黏著劑層之表面電阻為5×10 <sup>11</sup>Ω以下。
一種聲源追蹤系統，包括： <br/>多個電話揚聲器，包括一第一電話揚聲器及至少一第二電話揚聲器，其中該至少一第二電話揚聲器相對於作為一原點的該第一電話揚聲器具有至少一第一座標，該些電話揚聲器更用於依據一聲源發出的聲音產生該聲源相對於該些電話揚聲器的多個第二座標；以及 <br/>一攝影機，用於拍攝該第一電話揚聲器的影像及依據一控制參數拍攝該聲源； <br/>一控制中樞，用於傳送該些電話揚聲器的該至少一第一座標及該些第二座標； <br/>一處理器，通訊連接該攝影機及控制中樞以取得該至少一第一座標及該些第二座標，該處理器用於依據該影像計算該第一電話揚聲器相對於該攝影機的第三座標，依據該第三座標、一第四座標以及一第五座標計算該控制參數，其中該第四座標為該至少一第一座標及該原點中的至少一者，該第五座標關聯於該些第二座標中的至少一者。
如請求項1的聲源追蹤系統，其中該第一電話揚聲器用於依據該至少一第二電話揚聲器發出的至少一測試音訊產生該至少一第一座標。
如請求項1的聲源追蹤系統，其中該攝影機更用於拍攝該至少一第二電話揚聲器的影像，該處理器更用於依據該第一電話揚聲器的影像計算該第一電話揚聲器相對於該攝影機的第一參考座標，依據該至少一第二電話揚聲器的影像計算該至少一第二電話揚聲器相對於該攝影機的第二參考座標，以及依據該第一參考座標及該第二參考座標計算該至少一第一座標。
如請求項1的聲源追蹤系統，其中該處理器更用於依據該些第二座標計算一中點作為該第五座標。
如請求項1的聲源追蹤系統，其中該至少一第二電話揚聲器更用於依據該聲音產生至少一音量值，且該第四座標及該第五座標皆關聯於該至少一音量值中的最大者。
如請求項1的聲源追蹤系統，其中該處理器更用於在一指定期間內累積該至少一第二電話揚聲器收到該聲音的至少一累計次數，且該第四座標及該第五座標皆關聯於該至少一累計次數中的最大者。
如請求項1的聲源追蹤系統，其中該至少一第二電話揚聲器具有至少一優先順序，且該第四座標及該第五座標皆關聯於該至少一優先順序中的最大者。
一種聲源追蹤方法，包括： <br/>以一控制中樞取得至少一第二電話揚聲器相對於一第一電話揚聲器的至少一第一座標，其中該第一電話揚聲器作為原點； <br/>以包括該第一電話揚聲器及該至少一第二電話揚聲器的多個電話揚聲器依據一聲源發出的聲音產生該聲源相對於該些電話揚聲器的多個第二座標； <br/>以一攝影機拍攝一第一電話揚聲器的影像； <br/>以一處理器依據該影像計算該第一電話揚聲器相對於該攝影機的第三座標； <br/>以該處理器依據該第三座標、一第四座標以及一第五座標計算一控制參數，其中該第四座標為該至少一第一座標及該原點中的至少一者，該第五座標關聯於該些第二座標中的至少一者；以及 <br/>以該攝影機依據該控制參數拍攝該聲源。
如請求項8的聲源追蹤方法，更包括：以該第一電話揚聲器依據該至少一第二電話揚聲器發出的至少一測試音訊產生該至少一第一座標。
如請求項8的聲源追蹤方法，更包括： <br/>以該攝影機用於拍攝該至少一第二電話揚聲器的影像； <br/>以該處理器更依據該第一電話揚聲器的影像計算該第一電話揚聲器相對於該攝影機的第一參考座標； <br/>以該處理器依據該至少一第二電話揚聲器的影像計算該至少一第二電話揚聲器相對於該攝影機的第二參考座標；以及 <br/>以該處理器依據該第一參考座標及該第二參考座標計算該至少一第一座標。
如請求項8的聲源追蹤方法，更包括：以該處理器依據該些第二座標計算一中點作為該第五座標。
如請求項8的聲源追蹤方法，更包括：以該至少一第二電話揚聲器依據該聲音產生至少一音量值，其中該第四座標及該第五座標皆關聯於該至少一音量值中的最大者。
如請求項8的聲源追蹤方法，更包括：以該處理器在一指定期間內累積該至少一第二電話揚聲器收到該聲音的至少一累計次數，其中該第四座標及該第五座標皆關聯於該至少一累計次數中的最大者。
如請求項8的聲源追蹤方法，其中該至少一第二電話揚聲器具有至少一優先順序，且該第四座標及該第五座標皆關聯於該至少一優先順序中的最大者。
一種電氣過載(EOS)監測或保護裝置，包含：<br/> 一半導體基板，具有一水平主表面；<br/> 第一摻雜的半導體區及第二摻雜的半導體區，該第一摻雜的半導體區與該第二摻雜的半導體區相反地摻雜，形成在該半導體基板中以形成一橫向PN接面；<br/> 一層堆疊，形成在該第一摻雜的半導體區之上之該水平主表面上，該層堆疊包含在該水平主表面與一電弧形成電極層之間之一介電層；<br/> 一第一金屬層，電連接至一第一電壓節點及該第一摻雜的半導體區；及<br/> 一第二金屬層，電連接至一第二電壓節點、該第二摻雜的半導體區及該電弧形成電極層，<br/> 其中該電弧形成電極層及該第一摻雜的半導體區經組態以響應於在該第一電壓節點與該第二電壓節點之間接收之一EOS電壓訊號而穿過該介電層在其之間產生一電弧放電。
如請求項1所述之EOS監測或保護裝置，進一步包含電連接至該第二摻雜的半導體區之一第三電浮動金屬層。
如請求項1所述之EOS監測或保護裝置，其中該第二金屬層使該第二摻雜的半導體區及該電弧形成電極層電短路。
如請求項1所述之EOS監測或保護裝置，其中該第一摻雜的半導體區及該第二摻雜的半導體區使得響應於該EOS電壓訊號，導致該第二電壓節點被置於相對於該第一電壓節點更高之一電壓，該PN接面變為反向偏置。
如請求項4所述之EOS監測或保護裝置，其中該第一金屬層透過一第一接觸件電連接至該第一摻雜的半導體區，並且其中該第二金屬層透過一第二接觸件電連接至該第二摻雜的半導體區，並且其中該第一接觸件與該PN接面之間之一第一距離大於該第二接觸件與該PN接面之間之一第二距離。
如請求項5所述之EOS監測或保護裝置，其中該介電層具有1 nm至10 nm之一厚度。
如請求項6所述之EOS監測或保護裝置，其中該第一接觸件與該PN接面之間之該第一距離以及介電質之該厚度使得該電弧放電響應於在10 V與300 V之間之該EOS電壓訊號而發生。
如請求項5所述之EOS監測或保護裝置，其中該層堆疊距該PN接面較距該第一接觸件更近。
如請求項5所述之EOS監測或保護裝置，其中該層堆疊距該第一接觸件較距該PN接面更近。
如請求項5所述之EOS監測或保護裝置，其中該第一摻雜的半導體區包含摻雜有與該第一摻雜的半導體區相同之一摻雜劑類型之一第一重摻雜區，並且其中該第一接觸件接觸該第一重摻雜區。
如請求項5所述之EOS監測或保護裝置，其中該第二摻雜的半導體區包含摻雜有與該第二摻雜的半導體區相同之一摻雜劑類型之一第二重摻雜區，並且其中該第二接觸件接觸該第二重摻雜區。
一種電氣過載(EOS)監測或保護裝置，包含：<br/> 一半導體基板，具有一水平主表面；<br/> 第一摻雜的半導體區及第二摻雜的半導體區，該第一摻雜的半導體區與該第二摻雜的半導體區相反地摻雜，形成在該半導體基板中以形成一橫向PN接面；<br/> 一隔離區，形成在該第一摻雜的半導體區中；<br/> 一層堆疊，形成在該第一摻雜的半導體區之上之該水平主表面上，該層堆疊包含在該水平主表面與一電弧形成電極層之間之一介電層，<br/> 其中該電弧形成電極層之一部分在該隔離區之上延伸；<br/> 一第一電壓節點，電連接至該第一摻雜的半導體區；以及<br/> 一第二電壓節點，電連接至該第二摻雜的半導體區，<br/> 其中該電弧形成電極層及該第一摻雜的半導體區經組態以響應於在該第一電壓節點與該第二電壓節點之間接收之一EOS電壓訊號而穿過該介電層在其之間產生一電弧放電。
如請求項12所述之EOS監測或保護裝置，進一步包含電連接至該第一電壓節點及該第一摻雜的半導體區之一第一金屬層以及電連接至該第二電壓節點、該第二摻雜的半導體區及該電弧形成電極層之一第二金屬層。
如請求項13所述之EOS監測或保護裝置，其中該第二金屬層使該第二摻雜的半導體區及該電弧形成電極層電短路。
如請求項13所述之EOS監測或保護裝置，其中該第一摻雜的半導體區及該第二摻雜的半導體區使得響應於該EOS電壓訊號，導致該第二電壓節點被置於相對於該第一電壓節點更高之一電壓，該PN接面變為反向偏置。
一種電氣過載(EOS)監測或保護裝置，包含：<br/> 一半導體基板，具有一水平主表面；<br/> 第一摻雜的半導體區及第二摻雜的半導體區，該第一摻雜的半導體區與該第二摻雜的半導體區相反地摻雜，形成在該半導體基板中以形成一橫向PN接面；<br/> 一隔離區，形成在該第一摻雜的半導體區中；<br/> 一層堆疊，形成在該第一摻雜的半導體區之上之該水平主表面上，該層堆疊包含在該水平主表面與一電弧形成電極層之間之一介電層，<br/> 一金屬層，連接至該電弧形成電極層，至少部分地在該隔離區之上延伸；<br/> 一第一電壓節點，電連接至該第一摻雜的半導體區；以及<br/> 一第二電壓節點，電連接至該第二摻雜的半導體區，<br/> 其中該電弧形成電極層及該第一摻雜的半導體區經組態以響應於在該第一電壓節點與該第二電壓節點之間接收之一EOS電壓訊號而穿過該介電層在其之間產生一電弧放電。
如請求項16所述之EOS監測或保護裝置，其中該電弧形成電極層之一部分在該隔離區上之延伸，並且其中該金屬層連接至該電弧形成電極層之該部分。
如請求項17所述之EOS監測或保護裝置，進一步包含連接至該金屬層並且形成在較該金屬層更高之一金屬化層面處之一進一步金屬層。
如請求項16所述之EOS監測或保護裝置，進一步包含電連接至該第一電壓節點及該第一摻雜的半導體區之一第一接觸金屬層以及電連接至該第二電壓節點、該第二摻雜的半導體區及該電弧形成電極層之一第二接觸金屬層。
一種製程腔室控壓設備標定方法，用於標定基準位置，其中，該控壓設備包括一驅動電機和用於調節該製程腔室的氣壓的一閥門，該標定方法包括： <br/>在該控壓設備斷電後重新上電時，獲取該閥門在上電前的一停機開度資料； <br/>根據該停機開度資料，確定該閥門的一目前開度； <br/>計算該閥門的一開度由該目前開度達到一預設開度對應的該驅動電機的一運轉參數的一目標調節值； <br/>控制該驅動電機的該運轉參數達到該目標調節值，使得該閥門的一閥板移動至該預設開度對應的一基準位置；其中， <br/>該驅動電機的該運轉參數以及該閥板的一位移量與該閥門的該開度之間存在一映射關係。
如請求項1所述的標定方法，其中，該在該控壓設備斷電後重新上電時，獲取該閥門在上電前的一停機開度資料，包括： <br/>在該控壓設備斷電後重新上電時，判斷是否儲存有該閥門在上電前的一停機開度資料； <br/>若儲存有該停機開度資料，獲取該閥門在上電前的停機開度資料。
如請求項2所述的標定方法，其中，該判斷是否儲存有該閥門在上電前的一停機開度資料，包括： <br/>判斷是否儲存有該閥門在一歷史時段內的一歷史開度資料；其中，該歷史時段包含斷電時刻； <br/>若儲存有該閥門的歷史開度資料，則判斷根據該歷史開度資料是否能夠確定該停機開度資料。
如請求項2所述的標定方法，其中，在該控壓設備斷電後重新上電時，判斷是否儲存有該閥門在上電前的一停機開度資料之後，還包括： <br/>若未儲存該停機開度資料，控制該閥板以一第一速度沿一第一方向移動； <br/>判斷該閥板是否到達一機械限位； <br/>在該閥板到達該機械限位時，控制該閥板以一第二速度沿一第二方向由該機械限位移動至該基準位置；其中，該第一方向與該第二方向相反。
如請求項4所述的標定方法，其中，該判斷該閥板是否到達一機械限位，包括： <br/>即時檢測該驅動電機的一實際運行量和一控制請求運行量； <br/>判斷該實際運行量與該控制請求運行量的一差值是否大於預設臨界值； <br/>在該差值大於預設臨界值時，判斷該閥板到達一機械限位。
如請求項5所述的標定方法，其中，該在該差值大於預設臨界值時，判斷該閥板到達一機械限位，包括： <br/>在預設時長內的多個該差值均大於該預設臨界值時，判斷該閥板到達一機械限位。
如請求項4所述的標定方法，其中，該第一速度小於該第二速度。
如請求項2所述的標定方法，其中，在該控壓設備斷電後重新上電時，判斷是否儲存有該閥門在上電前的一停機開度資料之後，還包括： <br/>若未儲存該停機開度資料，控制計時器開始計時； <br/>在計時時長達到一設定時段時該閥板未移動至機械限位，發出報警資訊，報警資訊用於提示標定失敗。
如請求項8所述的標定方法，其中，該設定時段為一標準時長與一增益係數的乘積； <br/>其中，該標準時長為該閥板以一第一速度由全關位置移動至全開位置所需的時長，該增益係數大於等於1。
如請求項1至請求項9中任一項所述的標定方法，其中，該在該控壓設備斷電後重新上電時，獲取該閥門在上電前的一停機開度資料，包括： <br/>在該控壓設備斷電後重新上電時，判斷該控壓設備是否為斷電後首次重新上電； <br/>若該控壓設備為斷電後首次重新上電，控制該控壓設備進入一基準位置標定模式； <br/>在該控壓設備進入該基準位置標定模式時，獲取該閥門在上電前的一停機開度資料。
如請求項10所述的標定方法，其中，在控制該控壓設備進入該基準位置標定模式的情況下，該控制該驅動電機的運轉參數達到該目標調節值，使得該閥門的一閥板移動至該預設開度對應的基準位置，包括： <br/>回應於接收到模式選擇訊號，確定該基準位置標定模式為開閥標定模式和關閥標定模式中的任一種； <br/>當該基準位置標定模式為開閥標定模式時，控制該閥板移動至該預設開度對應基準位置的過程中該閥門的開度增大； <br/>當該基準位置標定模式為關閥標定模式時，控制該閥板移動至該預設開度對應基準位置的過程中該閥門的開度減小。
如請求項1至請求項9中任一項所述的標定方法，其中，該預設開度為0%， <br/>在該閥板移動至該預設開度對應的基準位置之後，還包括： <br/>控制該閥板由該基準位置移動至特定開度對應的特定位置，該特定開度預設為大於0%。
一種製程腔室控壓設備標定裝置，用於標定基準位置，其特徵在於，該控壓設備包括一驅動電機和用於調節該製程腔室的氣壓的一閥門，該標定裝置包括：一記憶體和至少一個控制器； <br/>該記憶體用於儲存程式指令； <br/>該控制器，用於在程式指令被執行時實現如請求項1至請求項12中任一項所述的製程腔室控壓設備標定方法。
一種半導體製程設備，其特徵在於，包括： <br/>一製程腔室； <br/>一控壓設備，包括一驅動電機和用於調節該製程腔室的氣壓的一閥門，該驅動電機用於驅動該閥門的閥板移動；以及 <br/>如請求項13所述的製程腔室控壓設備標定裝置，用於標定該閥門的閥板的基準位置。
一種製造一裝置之方法，該方法包括： <br/>提供一多組態基板(multi-configuration substrate)，其包含具有經組態以為兩個或更多個電路放置組態提供電連接之一共用連接的一可選擇電路放置機構，該可選擇電路放置機構包含經組態以自該兩個或更多個電路放置組態進行選擇的一回蝕選擇器(etch back selector)； <br/>基於回蝕該回蝕選擇器之一部分來選擇該兩個或更多個電路放置組態之一者； <br/>在該多組態基板上安裝一微控制器，其中該所安裝微控制器電耦合至該共用連接； <br/>在該多組態基板上安裝至少一個記憶體器件；以及 <br/>將該至少一個記憶體器件電耦合至該共用連接及該微控制器。
如請求項1之方法，其中選擇該兩個或更多個電路放置組態之該一者包含在以下兩者之間進行選擇：(1)一第一電路放置組態，其用於安裝在與該微控制器分離一定距離之一第一位置處之該至少一個記憶體器件之至少一第一記憶體器件及堆疊在該微控制器上方或下方之該至少一個記憶體器件之至少一第二記憶體器件；或(2)一第二電路放置組態，其用於在該第一位置處安裝該至少一個記憶體器件且維持該微控制器未堆疊。
如請求項2之方法，其中： <br/>該共用連接包含(1)針對該第一電路放置組態之一第一連接位置及在該第一連接位置與該微控制器之間的一第一路由連接，及(2)針對該第二電路放置組態之一第二連接位置及將該第一路由連接耦合至該第二連接位置之一第二路由連接；且 <br/>該回蝕選擇器經組態以選擇性地使該第一路由連接與該第二路由連接電性地斷開連接。
如請求項3之方法，其中： <br/>該回蝕選擇器包含電耦合至一第二選擇區段及該共用連接之一第一選擇區段；且 <br/>選擇該兩個或更多個電路放置組態之該一者包含(1)用一選擇遮罩覆蓋該第一或第二選擇區段之一者，以及(2)蝕除該第一或第二選擇區段之一未被覆蓋者。
如請求項3之方法，其中選擇該兩個或更多個電路放置組態之該一者包含藉由回蝕電連接該第一路由連接與該第二路由連接之該回蝕選擇器之一選擇部分以調整該共用連接且使該第一路由連接與該第二路由連接斷開連接來選擇該第一電路放置組態。
如請求項5之方法，其中： <br/>該回蝕選擇器包含電連接至該第二路由連接及一電接地或一電源的一剩餘選擇器部分；且 <br/>選擇該第一電路放置組態包含維持該第二路由連接與該電接地或一電源之間的一連接。
如請求項6之方法，其中： <br/>對於該第一電路放置組態，該第二連接位置保持未連接； <br/>在該多組態基板上安裝該至少一個記憶體器件包含(1)在該第一位置處安裝該至少該第一記憶體器件，以及(2)在該微控制器上方或下方安裝該至少該第二記憶體器件；且 <br/>其進一步包括： <br/>在該至少該第二記憶體器件與該第一連接位置之間連接一或多條接合線，其中： <br/>該第一連接位置(1)跨越該微控制器與該第一位置對置定位以及(2)定位在該剩餘選擇器部分與該微控制器之間；且 <br/>該至少該第二記憶體器件透過該第一路由連接電耦合至該微控制器。
如請求項7之方法，其中該第一電路放置組態對應於用於該至少該第一記憶體器件及在該多組態基板上之不同位置上方安裝至該微控制器之該至少該第二記憶體器件之各者之一單通道扇出組態。
如請求項3之方法，其中： <br/>該回蝕選擇器最初包含(1)電連接至該第二路由連接及一電接地之一第一選擇器部分，及(2)一連接該第一路由連接與第二路由連接之第二選擇器部分；且 <br/>選擇該兩個或更多個電路放置組態之該一者包含藉由回蝕該回蝕選擇器之該第一選擇部分以使該電接地與該第一路由連接及該第二路由連接斷開連接來選擇該第二電路放置組態。
如請求項9之方法，其中： <br/>對於該第二電路放置組態，該第一連接位置保持未連接； <br/>使用一或多條接合線將該至少一個記憶體器件電連接至該第二連接位置；且 <br/>該至少一個記憶體器件之至少一部分透過該等接合線、該第二連接位置、該第一路由連接、該剩餘第二選擇器部分及該第二路由連接連接至該微控制器。
如請求項10之方法，其中： <br/>該至少一個記憶體器件包含兩個或更多個堆疊記憶體器件；且 <br/>該第二電路放置組態對應於用於該兩個或更多個堆疊記憶體器件之一雙通道扇出組態。
如請求項3之方法，其中該第二路由連接沿該第一路由連接下方之一層橫向延伸。
如請求項3之方法，其中： <br/>該至少一個記憶體器件包含兩個或更多個記憶體器件；且 <br/>選擇該兩個或更多個電路放置組態之該一者包含在以下兩者之間進行選擇：(1)針對一第一電路放置組態在兩個單獨位置處安裝該兩個或更多個記憶體器件或(2)針對一第二電路配置組態在一個位置處將該兩個或更多個記憶體器件安裝為一單一堆疊。
如請求項13之方法，其中： <br/>該多組態基板包含一第一連接位置及一第二連接位置，其等經組態以分別為該第一放置組態及該第二放置組態提供至該兩個或更多個記憶體位置之電耦合；且 <br/>選擇該兩個或更多個電路放置組態之該一者包含選擇該第一連接位置及該第二連接位置之一者與該微控制器之間的一信號路由路徑。
如請求項14之方法，其中： <br/>該共用連接最初包含針對該第一放置組態及該第二放置組態兩者之該微控制器與該兩個或更多個記憶體器件之間之電連接之一重疊； <br/>該第二連接位置在該微控制器與用於該單一堆疊之一指定位置之間；且 <br/>該第一連接位置跨越該微控制器與該第二連接位置對置。
一種半導體封裝，其包括： <br/>一微控制器； <br/>至少一個記憶體器件；及 <br/>一基板，其上安裝有該微控制器及該至少一個記憶體器件，其中該基板包含： <br/>一基板頂部表面； <br/>一或多個未使用接觸表面，其暴露在該基板頂部表面上且未連接至該微控制器及該至少一個記憶體器件； <br/>主動接觸表面，其等暴露在該基板頂部表面上且電連接至該微控制器及該至少一個記憶體器件； <br/>內部電連接，其等在該基板上或內且電耦合該等主動接觸表面、該一或多個未使用接觸表面或其等之一組合； <br/>一回蝕人工製品(etch back artifact)，其包含自該等內部電連接朝向該基板頂部表面豎直向上延伸且掩埋在該頂部表面下方之一導電結構，其中該回蝕人工製品之一頂部部分未連接；及 <br/>一剩餘選擇器部分，其暴露在該基板頂部表面上，其中使用一通孔將該剩餘選擇器部分連接至該等內部電連接。
如請求項16之半導體封裝，其中： <br/>該至少一個記憶體器件包含(1)在一第一位置處安裝在該微控制器上方之至少一第一記憶體器件及(2)安裝在一第二位置處之至少一第二記憶體器件；且 <br/>該等內部電連接包含(1)將該至少第一記憶體器件電耦合至該微控制器之一第一路由連接及(2)跨越該微控制器電延伸且連接至該剩餘選擇器部分及該一或多個未使用接觸表面之一第二路由連接。
如請求項17之半導體封裝，其中該剩餘選擇器部分連接至一電源或一電接地。
如請求項16之半導體封裝，其中： <br/>該至少一個記憶體器件包含堆疊在與該微控制器分離之一位置處之兩個或更多個記憶體器件； <br/>該等主動接觸表面位於該微控制器與該兩個或更多個堆疊記憶體器件之間；且 <br/>該等內部電連接包含(1)電連接至該剩餘選擇器部分及該一或多個未使用接觸表面之一第一路由連接，及(2)電連接至該剩餘選擇器部分及該等主動接觸表面之一第二路由連接。
一種印刷電路板，其包括： <br/>一處理器安裝部分，其經組態以接納一微控制器且提供至該微控制器之電連接； <br/>一記憶體安裝部分，其與該處理器安裝部分分離且經組態以接納至少一個記憶體器件； <br/>一第一組接觸表面，其經組態以支持代表具有堆疊在該微控制器上方或下方之額外記憶體器件之一第一電路放置組態； <br/>一第二組接觸表面，其經組態以支持代表具有未堆疊之該微控制器及在該記憶體安裝部分處之兩個或更多個堆疊記憶體器件之一第二電路放置組態； <br/>一第一路由連接，其將該第一組接觸表面電連接至經組態以連接至該微控制器之該等電連接； <br/>一第二路由連接，其電連接該第二組接觸表面且朝向該第一路由連接延伸；及 <br/>一回蝕選擇器，其在該印刷電路板之一頂部表面上，該回蝕選擇器安置在該第一路由連接與該第二路由連接之間且電連接該第一路由連接與該第二路由連接，其中該回蝕選擇器經組態以使用一回蝕程序來選擇性地中斷該第一路由連接與該第二路由連接之間的一連接以在該第一電路放置組態與該第二電路放置組態之間進行選擇。
一種聚合物，含有來自以下式(A1)表示之單體之重複單元A1； <br/>更含有下式(A2)表示之重複單元A2、及選自下式(A6)～(A13)表示之重複單元中之至少1種； <br/>該重複單元A1的含量為5～70莫耳%，該重複單元A2的含量為25～94.5莫耳%； <br/><img align="absmiddle" height="30px" width="117px" file="ed10171.jpg" alt="ed10171.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，a為0； <br/>R<sup>A</sup>為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基； <br/>L<sup>A</sup>為-О-或-NH-； <br/>L<sup>B</sup>為單鍵、醚鍵、酯鍵或醯胺鍵； <br/>X<sup>L</sup>為單鍵或也可含有雜原子之碳數1～40之伸烴基； <br/>R<sup>1</sup>為鹵素原子或也可含有雜原子之碳數1～20之烴基； <br/>R<sup>2</sup>及R<sup>3</sup>分別獨立地為氫原子、碳數1～15之飽和烴基或碳數6～15之芳基，且該烴基也可被羥基或碳數1～6之飽和烴基氧基取代，且該芳基也可具有取代基；惟，R<sup>2</sup>及R<sup>3</sup>不會同時為氫原子；又，R<sup>2</sup>及R<sup>3</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結的碳原子一起形成環，且該環之-CH<sub>2</sub>-之一部分也可被-O-或-S-取代； <br/>W<sup>1</sup>為氫原子、碳數1～10之脂肪族烴基、碳數2～10之脂肪族烴基羰基或碳數6～15之芳基，且該芳基也可具有取代基； <br/><img align="absmiddle" height="64px" width="120px" file="ed10174.jpg" alt="ed10174.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，b1為0或1；b2為0～2之整數；b3為符合0≦b3≦5+2(b2)-b4之整數；b4為1～3之整數； <br/>R<sup>A</sup>為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基； <br/>R<sup>11</sup>為鹵素原子、也可被鹵素原子取代之碳數1～6之飽和烴基、也可被鹵素原子取代之碳數1～6之飽和烴基氧基或也可被鹵素原子取代之碳數2～8之飽和烴基羰基氧基； <br/>A<sup>1</sup>為單鍵或碳數1～10之飽和伸烴基，且該飽和伸烴基之-CH<sub>2</sub>-之一部分也可被-O-取代； <br/><img align="absmiddle" height="158px" width="211px" file="ed10176.jpg" alt="ed10176.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>B</sup>分別獨立地為氫原子或甲基； <br/>X<sup>1</sup>分別獨立地為單鍵、碳數1～6之脂肪族伸烴基、伸苯基、伸萘基或將它們組合而得之碳數7～18之基、-O-X<sup>11</sup>-、-C(=O)-O-X<sup>11</sup>-或-C(=O)-NH-X<sup>11</sup>-，且X<sup>11</sup>為碳數1～6之脂肪族伸烴基、伸苯基、伸萘基或將它們組合而得之碳數7～18之基，且也可含有羰基、酯鍵、醚鍵或羥基； <br/>X<sup>2</sup>分別獨立地為單鍵或-X<sup>21</sup>-C(=O)-O-，且X<sup>21</sup>為也可含有雜原子之碳數1～20之伸烴基； <br/>X<sup>3</sup>分別獨立地為單鍵、亞甲基、伸乙基、伸苯基、氟化伸苯基、被三氟甲基取代之伸苯基、-O-X<sup>31</sup>-、-C(=O)-O-X<sup>31</sup>-或-C(=O)-NH-X<sup>31</sup>-，且X<sup>31</sup>為碳數1～6之脂肪族伸烴基、伸苯基、氟化伸苯基、被三氟甲基取代之伸苯基或將它們組合而得之碳數7～20之基，且也可含有羰基、酯鍵、醚鍵或羥基； <br/>X<sup>4</sup>分別獨立地為單鍵或也可含有雜原子之碳數1～30之伸烴基； <br/>f1及f2分別獨立地為0或1，惟X<sup>4</sup>為單鍵時，f1及f2為0； <br/>R<sup>31</sup>～R<sup>48</sup>分別獨立地為鹵素原子或也可含有雜原子之碳數1～20之烴基；又，R<sup>31</sup>及R<sup>32</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結的硫原子一起形成環，且R<sup>33</sup>及R<sup>34</sup>、R<sup>36</sup>及R<sup>37</sup>、或R<sup>39</sup>及R<sup>40</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結的硫原子一起形成環； <br/>R<sup>HF</sup>為氫原子或三氟甲基； <br/>Xa<sup>-</sup>為非親核性相對離子。
如請求項1之聚合物，其中，該以下式(A1)表示之單體為以下式(A1-1)表示者； <br/><img align="absmiddle" height="30px" width="104px" file="ed10172.jpg" alt="ed10172.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，a、R<sup>A</sup>、L<sup>A</sup>、R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>及W<sup>1</sup>和前述相同。
如請求項2之聚合物，其中，以下式(A1-1)表示之單體為以下式(A1-2)表示者； <br/><img align="absmiddle" height="30px" width="104px" file="ed10173.jpg" alt="ed10173.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，a、R<sup>A</sup>、L<sup>A</sup>、R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>及R<sup>3</sup>和前述相同。
如請求項1之聚合物，更含有選自下式(A3)表示之重複單元、下式(A4)表示之重複單元及下式(A5)表示之重複單元中之至少1種； <br/><img align="absmiddle" height="73px" width="152px" file="ed10175.jpg" alt="ed10175.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，c及d分別獨立地為0～4之整數；e1為0或1；e2為0～2之整數；e3為0～5之整數； <br/>R<sup>A</sup>為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基； <br/>R<sup>21</sup>及R<sup>22</sup>分別獨立地為羥基、鹵素原子、也可被鹵素原子取代之碳數1～8之飽和烴基、也可被鹵素原子取代之碳數1～8之飽和烴基氧基或也可被鹵素原子取代之碳數2～8之飽和烴基羰基氧基； <br/>R<sup>23</sup>為碳數1～20之飽和烴基、碳數1～20之飽和烴基氧基、碳數2～20之飽和烴基羰基氧基、碳數2～20之飽和烴基氧基烴基、碳數2～20之飽和烴基硫代烴基、鹵素原子、硝基、氰基、碳數1～20之飽和烴基亞磺醯基或碳數1～20之飽和烴基磺醯基； <br/>A<sup>2</sup>為單鍵或碳數1～10之飽和伸烴基，且該飽和伸烴基之-CH<sub>2</sub>-之一部分也可被-O-取代。
一種化學增幅負型阻劑組成物，含有包含(A)如請求項1～4中任一項之聚合物的基礎聚合物。
如請求項5之化學增幅負型阻劑組成物，其中，該基礎聚合物所含的聚合物之全部重複單元中，具有芳香環骨架之重複單元的含有率為60莫耳%以上。
如請求項5之化學增幅負型阻劑組成物，更含有(B)酸產生劑。
如請求項5之化學增幅負型阻劑組成物，更含有(C)交聯劑。
如請求項5之化學增幅負型阻劑組成物，其不含交聯劑。
如請求項5之化學增幅負型阻劑組成物，更含有(D)含有選自下式(D1)表示之重複單元、下式(D2)表示之重複單元、下式(D3)表示之重複單元及下式(D4)表示之重複單元中之至少1種，且也可更含有選自下式(D5)表示之重複單元及下式(D6)表示之重複單元中之至少1種的含氟原子之聚合物； <br/><img align="absmiddle" height="143px" width="199px" file="ed10177.jpg" alt="ed10177.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，x為1～3之整數；y為符合0≦y≦5+2z-x之整數；z為0或1；g為1～3之整數； <br/>R<sup>C</sup>分別獨立地為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基； <br/>R<sup>D</sup>分別獨立地為氫原子或甲基； <br/>R<sup>101</sup>、R<sup>102</sup>、R<sup>104</sup>及R<sup>105</sup>分別獨立地為氫原子或碳數1～10之飽和烴基； <br/>R<sup>103</sup>、R<sup>106</sup>、R<sup>107</sup>及R<sup>108</sup>分別獨立地為氫原子、碳數1～15之烴基、碳數1～15之氟化烴基或酸不穩定基，且R<sup>103</sup>、R<sup>106</sup>、R<sup>107</sup>及R<sup>108</sup>為烴基或氟化烴基時，也可在碳-碳鍵間插入有醚鍵或羰基； <br/>R<sup>109</sup>為氫原子或也可在碳-碳鍵間插入有含雜原子之基之直鏈狀或分支狀之碳數1～5之烴基； <br/>R<sup>110</sup>為也可在碳-碳鍵間插入有含雜原子之基之直鏈狀或分支狀之碳數1～5之烴基； <br/>R<sup>111</sup>為至少1個氫原子被氟原子取代之碳數1～20之飽和烴基，且該飽和烴基之-CH<sub>2</sub>-之一部分也可被酯鍵或醚鍵取代； <br/>Z<sup>1</sup>為碳數1～20之(g+1)價之烴基或碳數1～20之(g+1)價之氟化烴基； <br/>Z<sup>2</sup>為單鍵、*-C(=O)-O-或*-C(=O)-NH-； <br/>Z<sup>3</sup>為單鍵、-O-、*-C(=O)-O-Z<sup>31</sup>-Z<sup>32</sup>-或*-C(=O)-NH-Z<sup>31</sup>-Z<sup>32</sup>-；Z<sup>31</sup>為單鍵或碳數1～10之飽和伸烴基；Z<sup>32</sup>為單鍵、酯鍵、醚鍵或磺醯胺鍵； <br/>*為和主鏈之碳原子的原子鍵。
如請求項5之化學增幅負型阻劑組成物，更含有(E)淬滅劑。
如請求項5之化學增幅負型阻劑組成物，更含有(F)有機溶劑。
一種阻劑圖案形成方法，包含下列步驟：使用如請求項5之化學增幅負型阻劑組成物於基板上形成阻劑膜、使用高能射線對該阻劑膜照射圖案、及使用鹼顯影液將已照射該圖案之阻劑膜進行顯影。
如請求項13之阻劑圖案形成方法，其中，該高能射線為極紫外線或電子束。
如請求項13之阻劑圖案形成方法，其中，該基板的最表面係由含有選自鉻、矽、鉭、鉬、鈷、鎳、鎢及錫中之至少1種的材料構成。
如請求項13之阻劑圖案形成方法，其中，該基板為透射型或反射型空白遮罩。
一種透射型或反射型空白遮罩，其係塗佈有如請求項5之化學增幅負型阻劑組成物。
一種揚聲裝置，其特徵在於，其包括：<br/> 一導磁載板，具有凹槽； <br/> 一磁路模組，包括一主磁鐵與一副磁鐵，該主磁鐵與該副磁鐵設置於該導磁載板，該副磁鐵位於該主磁鐵的外側，其中該磁路模組更包括一副導磁件，該副導磁件位於該副磁鐵上，該副導磁件的外側具有一側缺口，該副導磁件的內側具有一線路凹口，該副磁鐵的兩端具有一凹口；<br/> 一振動模組，包括一支架、一振動組件與一音圈，該支架包括一框體與一熱熔柱體，該框體設置於該副磁鐵上，該熱熔柱體的一端自該框體向下延伸穿過該側缺口、該凹口與該導磁載板，該熱熔柱體的一端熱熔固定於該導磁載板，該振動組件設置於該框體上，該振動組件位於該磁路模組上，該音圈設置於該振動組件下，該音圈位於該主磁鐵與該副磁鐵之間；以及<br/> 一導電組件，包括一導電件與一導電線路，該導電件固定於該導磁載板的底部，該導電線路的一端連接於該導電件的一端，該導電線路的另一端通過該線路凹口而連接於該音圈。
如請求項1所述的揚聲裝置，其中該導磁載板具有一載板缺口，該熱熔柱體的一端穿過該載板缺口。
如請求項2所述的揚聲裝置，其中該導磁載板具有一連接槽，該連接槽的槽口遠離該磁路模組的一側，該連接槽的槽底具有該載板缺口，該熱熔柱體的一端具有一熱熔端部，該熱熔端部熱熔固定於該連接槽內。
如請求項1所述的揚聲裝置，其中該磁路模組更包括一主導磁件，該主導磁件位於該主磁鐵上。
如請求項4所述的揚聲裝置，其中該副導磁件包括一內導磁部與一外導磁部，該外導磁部位於該內導磁部的外側，該內導磁部的頂面至該副磁鐵的頂面的高度相較於該外導磁部的頂面至該副磁鐵的頂面的高度高。
如請求項5所述的揚聲裝置，其中該支架的該框體設置於該外導磁部上。
如請求項1至6中任一項所述的揚聲裝置，其中該振動組件包括一振膜件與一彈性支撐件，該彈性支撐件支撐於該振膜件的周圍，該彈性支撐件設置於該支架。
如請求項7所述的揚聲裝置，其中該支架的該框體具有一內側壁、一外側壁與複數個固定孔，該複數個固定孔穿設該內側壁與該外側壁，該彈性支撐件具有一連接部、一彈性部與一固定部，該彈性支撐件的該連接部、該彈性部與該固定部為一體成形，該連接部的內側連接固定於該振膜件，該連接部的外側連接於該彈性部的內側，該彈性部的外側連接於該框體的該內側壁與該固定部，該固定部成形於該內側壁、該外側壁與該些個固定孔。
如請求項8所述的揚聲裝置，其中該固定部包括一內固定部與一外固定部，該內固定部與該外固定部通過該些個固定孔內互相連接，該內固定部固定於該內側壁，該外固定部固定於該外側壁。
如請求項9所述的揚聲裝置，其中該固定部的該外固定部具有一凸部，該凸部位於遠離該內固定部的一側。
如請求項9所述的揚聲裝置，其中該外側壁具有一外側槽，該外側槽與該些個固定孔互相連通，該外固定部填充於該外側槽與該些個固定孔內。
如請求項11所述的揚聲裝置，其中該外側壁更具有一外固定槽，該外固定槽位於該外側槽的槽內，該外固定槽與該外側槽互相連通，該外固定部更進一步填充於該外固定槽內。
如請求項9所述的揚聲裝置，其中該內側壁具有一內側槽，該內側槽與該些個固定孔互相連通，該內固定部填充於該內側槽與該些個固定孔內。
如請求項13所述的揚聲裝置，其中該彈性部的外側分成一第一彈性連接側與一第二彈性連接側，該第一彈性連接側向該內側槽的槽壁延伸貼覆，並該第一彈性連接側連接於該內固定部，該第二彈性連接側向該內側槽的槽口上方的側壁延伸貼覆。
如請求項8所述的揚聲裝置，其中該連接部的內側包覆住該振膜件的周側。
如請求項15所述的揚聲裝置，其中該音圈連接固定於該連接部。
如請求項8所述的揚聲裝置，其中更包括一支撐環，該支撐環設置於該支架的內側與該彈性部的連接處。
一種無線操作裝置之操作方法，該無線操作裝置係以一第一無線通訊模組與一第二無線通訊模組訊號連接一行動裝置，該行動裝置具有一螢幕，當該行動裝置執行一遊戲程式時，該螢幕顯示之一遊戲畫面中具有一連線用圖像，當該連線用圖像被點擊後，該行動裝置將發出一連線訊號；該操作方法包含以下步驟： <br/>A. 一學習步驟，包括： <br/>A1. 該行動裝置取得一遊戲圖片，且該螢幕顯示該遊戲圖片，該遊戲圖片具有一預定區域，該預定區域之位置係對應該連線用圖像之位置； <br/>A2. 該無線操作裝置以該第一無線通訊模組與該行動裝置訊號連接，且訊號連接後，該行動裝置之螢幕的一初始位置顯示有一指標圖像； <br/>A3. 該無線操作裝置以該第一無線通訊模組發出訊號予該行動裝置，以控制該指標圖像由該初始位置移動至該預定區域；及 <br/>A4. 該無線操作裝置紀錄該指標圖像位於該預定區域時之一座標資訊； <br/>B. 該行動裝置執行該遊戲程式； <br/>C. 該行動裝置發出該連線訊號；該無線操作裝置以該第二無線通訊模組接收該連線訊號，並依據該連線訊號以該第二無線通訊模組訊號連接該行動裝置； <br/>D. 該無線操作裝置監測該第二無線通訊模組是否與該行動裝置訊號斷接，且當該第二無線通訊模組與該行動裝置訊號斷接時，利用該第一無線通訊模組發出訊號予該行動裝置，以依據步驟A4所記錄之座標資訊控制該指標圖像移動至該連線用圖像的位置上； <br/>E. 該無線操作裝置以該第一無線通訊模組發出訊號予該行動裝置，以控制該指標圖像於該連線用圖像的位置上產生點擊操作，使該行動裝置發出該連線訊號；以及 <br/>F. 該無線操作裝置以該第二無線通訊模組接收該連線訊號，並依據該連線訊號以該第二無線通訊模組訊號連接該行動裝置。
如請求項1所述無線操作裝置之操作方法，其中，於步驟A4中，該座標資訊係記錄該指標圖像由該初始位置移動至顯示該預定區域時被控制移動之方向與步數。
如請求項2所述無線操作裝置之操作方法，其中，於步驟D中，係先將該指標圖像回返至該初始位置，再依據該座標資訊紀錄之方向與步數控制該指標圖像移動至該連線用圖像的位置上。
如請求項2所述無線操作裝置之操作方法，其中，於步驟D中，係先計算取得該指標圖像當下位置與該初始位置之間的方向及步數差，再依據計算取得之方向及步數差與步驟A4之該座標資訊所紀錄之方向與步數進行位移量計算後，以計算結果控制該指標圖像由當下位置移動至該連線用圖像的位置上。
如請求項1所述無線操作裝置之操作方法，其中，於步驟A4中，該座標資訊係記錄該指標圖像位於該連線用圖像之位置時，於該預定區域上之虛擬座標值。
如請求項2所述無線操作裝置之操作方法，其中，於步驟D中，係先取得該指標圖像當下位置於該顯示區域上之虛擬座標值，再將當下位置之虛擬座標值與步驟A4之該座標資訊所紀錄之虛擬座標值進行座標差異量之計算，並以計算結果控制該指標圖像由當下位置移動至該連線用圖像的位置上。
如請求項1所述無線操作裝置之操作方法，其中，於步驟F執行後，重新執行步驟D至步驟F。
如請求項7所述無線操作裝置之操作方法，其中，於步驟A2中，該無線操作裝置更偵測一連線機制是否啟動，當該連線機制啟動時，才將該第一無線通訊模組與該行動裝置訊號連接。
如請求項8所述無線操作裝置之操作方法，其中，於連線機制啟動前，該無線操作裝置發出一提示訊息以提示該第一無線通訊模組未與該行動裝置訊號連接。
如請求項1所述無線操作裝置之操作方法，其中，於步驟A2中，該無線操作裝置偵測一腳本建立機制是否啟動，當該腳本建立機制啟動時，才執行步驟A3。
如請求項10所述無線操作裝置之操作方法，其中，該腳本建立機制啟動時，該無線操作裝置發出一提示訊息以提示該腳本建立機制執行中。
如請求項10所述無線操作裝置之操作方法，其中，該腳本建立機制啟動後，若該無線操作裝置完成記錄該座標資訊，則發出一提示訊息以提示腳本建立成功。
如請求項10所述無線操作裝置之操作方法，其中，該腳本建立機制啟動後，若該無線操作裝置未能記錄該座標資訊，則發出一提示訊息以提示腳本建立失敗。
如請求項1所述無線操作裝置之操作方法，其中，於步驟C中，該第二無線通訊模組與該行動裝置訊號連接後，該無線操作裝置更偵測一重連機制是否啟動，當該重連機制啟動時，才執行步驟D。
如請求項1所述無線操作裝置之操作方法，其中，於步驟A4中，該無線操作裝置確認接收到一具有確認指令之訊號後，才紀錄該指標圖像位於該預定區域時之座標資訊。
如請求項1所述無線操作裝置之操作方法，其中當該行動裝置執行該遊戲程式時，該螢幕顯示之另一遊戲畫面中具有一目標區域； <br/>其中，步驟A之該學習步驟，更包括： <br/>A5. 該行動裝置取得另一遊戲圖片，且該螢幕顯示該另一遊戲圖片，該另一遊戲圖片具有另一預定區域，該另一預定區域之位置係對應該目標區域之位置； <br/>A6. 該無線操作裝置以該第一無線通訊模組與該行動裝置訊號連接，且訊號連接後，該行動裝置之螢幕的該初始位置顯示有該指標圖像； <br/>A7. 該無線操作裝置以該第一無線通訊模組發出訊號予該行動裝置，以控制該指標圖像由該初始位置移動至該另一預定區域；及 <br/>A8. 該無線操作裝置紀錄該指標圖像位於該另一預定區域時之另一座標資訊； <br/>於步驟B執行後，該無線操作裝置更偵測一連點機制是否啟動，當該連點機制啟動時，利用該第一無線通訊模組發出訊號予該行動裝置，以依據步驟A8所記錄之該另一座標資訊控制該指標圖像移動至該目標區域的位置上並重覆發出訊號予該行動裝置，以控制該指標圖像於該目標區域的位置上產生連續點擊之操作。
如請求項16所述無線操作裝置之操作方法，其中，當該連點機制啟動後，若執行步驟D至步驟E，則暫停或關閉該連點機制。
如請求項16所述無線操作裝置之操作方法，其中，於該連點機制啟動後，更可調整重覆發出訊號予該行動裝置的頻率，以控制該指標圖像於該目標區域的位置上產生連續點擊之速度。
如請求項1所述無線操作裝置之操作方法，其中，步驟A之前包含一截圖步驟，該截圖步驟包括：在該行動裝置執行該遊戲程式時，由該行動裝置將該遊戲畫面進行截圖，且將該遊戲圖片儲存於該行動裝置的一圖庫中；其中步驟A1中，該行動裝置係自該圖庫取得該遊戲圖片。
一種即時動態定位(RTK)運算系統，該系統供接收來自定位全球導航衛星系統(GNSS)的衛星信息，該系統包括：複數具編碼之基準站，其個別架設於不同的固定三維座標，且分別持續接收該衛星信息並運算為校正信息，並傳送至一多功能管理伺服器；及至少一即時動態運算設備，其設置於一待測物，該即時動態運算設備包含一已載入各該基準站的該固定三維座標及各該編碼之運算模組，該運算模組持續接收該衛星信息並計算距離該待測物最近的該基準站，並發送對應該基準站的該編碼至該多功能管理伺服器，由該多功能管理伺服器將符合該編碼之該基準站所接收的該校正信息傳送至該運算模組，經該運算模組針對該校正信息及該衛星信息進行計算獲得高精度定位信息。
如請求項1所述之即時動態定位(RTK)運算系統，其中即時動態運算設備連結一接收來自該多功能管理伺服器儲存的該高精度定位信息之大數據管理。
如請求項2所述之即時動態定位(RTK)運算系統，更包括一管理平台，其供連接該多功能管理伺服器並由該大數據管理取得該高精度定位信息，以提供各該即時動態運算設備的態動位置。
如請求項1所述之即時動態定位(RTK)運算系統，其中該衛星信息為經度、緯度、高度(橢球高)、時間及速度。
一種供給裝置，具有： <br/>滑槽，具有電子零件能夠逐個通過的多個滑槽孔，所述電子零件具有一端與另一端； <br/>擋板，所述滑槽重疊在所述擋板上，且具有供所述電子零件經由多個所述滑槽孔插入的多個擋板孔； <br/>遮罩，所述擋板重疊在所述遮罩上，且具有供所述電子零件經由所述擋板孔插入，覆蓋所述電子零件的一部分的遮罩孔； <br/>承受台，保持所述遮罩，與插入至所述遮罩孔的所述電子零件的一端相接；以及 <br/>移動機構，在所述擋板重疊於所述滑槽孔的中心與所述遮罩孔的中心處於偏移的狀態的所述滑槽與所述遮罩之間，且所述擋板孔與所述滑槽孔的中心一致後，藉由使所述擋板往第一位置移動，來使被供給至所述滑槽孔的所述電子零件往所述擋板孔移動，且藉由使所述擋板往第二位置移動，來使移動至所述擋板孔的所述電子零件往所述遮罩孔移動，所述第一位置是所述電子零件能夠從所述滑槽孔通過所述擋板孔、且所述擋板孔與所述遮罩孔的中心偏移而所述電子零件無法從所述擋板孔通過所述遮罩孔的位置，所述第二位置是所述滑槽孔與所述擋板孔的中心偏移而所述電子零件無法從所述滑槽孔通過所述擋板孔、且所述擋板孔與所述遮罩孔的中心一致而所述電子零件能夠從所述擋板孔通過所述遮罩孔的位置。
如請求項1所述的供給裝置，其中在所述擋板處於所述第二位置的狀態下，在所述電子零件往所述遮罩孔移動後，使所述滑槽從所述遮罩脫離。
如請求項1所述的供給裝置，其中所述擋板孔的軸方向的長度為所述電子零件的軸方向的長度。
如請求項1所述的供給裝置，具有： <br/>去除機構，從所述滑槽中去除已被插入至所述遮罩孔的所述電子零件以外的所述電子零件。
如請求項4所述的供給裝置，其中所述去除機構具有吸附保持所述電子零件的吸附部。
如請求項5所述的供給裝置，其中所述吸附部具有： <br/>吸附板，吸附所述電子零件；以及 <br/>吸附力賦予部，對所述吸附板賦予吸附力， <br/>所述吸附力賦予部具有磁性構件與相接/分離機構，所述相接/分離機構通過使所述磁性構件與所述吸附板相對移動，從而進行所述電子零件的吸附以及吸附解除。
如請求項4所述的供給裝置，具有： <br/>收容部，收容多個所述電子零件， <br/>所述去除機構具有在所述收容部與所述滑槽之間移載所述電子零件的引導機構。
一種成膜裝置，包括： <br/>如請求項1至請求項7中任一項所述的供給裝置；以及 <br/>成膜處理部，對所述電子零件進行成膜。
一種靜電紡絲抗菌纖維膜，其包含相互層疊的一親水內層以及一疏水外層；其中:<br/> 該疏水外層包含數個疏水靜電紡絲纖維，該疏水靜電紡絲纖維的材質包含熱塑性聚氨酯(TPU)與聚己內酯(PCL)；<br/> 該親水內層包含數個親水靜電紡絲纖維，各親水靜電紡絲纖維的材質為聚乙烯醇(PVA)基質中均勻分布一奈米銀粒子及一薑黃顆粒；以及<br/> 該親水內層與該疏水外層間不包含黏著層。
如請求項1所述的靜電紡絲抗菌纖維膜，其中:該疏水外層的疏水靜電紡絲纖維線徑分布範圍介於815+/-424nm ~1989+/-651nm間。
如請求項1所述的靜電紡絲抗菌纖維膜，其中:該親水內層奈米的親水靜電紡絲纖維線徑分布範圍介於201+/-34nm ~361+/-77nm間。
如請求項1、2或3任一項所述的靜電紡絲抗菌纖維膜，其中:該奈米銀顆粒的平均粒徑介於1~30nm。
如請求項4所述的靜電紡絲抗菌纖維膜，其中:該奈米銀顆粒為利用化學還原法製備。
如請求項1、2或3任一項所述的靜電紡絲抗菌纖維膜，其中:<br/> 該疏水外層水接觸角105.82°；以及<br/> 該親水內層水接觸角70.69°。
如請求項1、2或3任一項所述的靜電紡絲抗菌纖維膜，其中:該親水內層的溶脹率大於458%。
如請求項1、2或3任一項所述的靜電紡絲抗菌纖維膜，其中:該疏水外層與該親水內層分別以滾筒式靜電紡絲設備兩階段靜電紡絲而成。
一種醫用敷料，其包含如請求項1-8任一項所述的靜電紡絲抗菌纖維膜。
一種基材的檢查方法，包含以下步驟： <br/>在一多波長光源系統之一光徑中定位一基材之一第一側； <br/>藉由將該基材之該第一側上沿著一第一材料之一第一區曝光至具有一第一波長帶之一第一光來產生一第一偵測結果，該第一光由該多波長光源系統藉由利用該多波長光源系統之一致動器調整一移動狹縫之一位置或一尺寸之至少一者來選擇； <br/>藉由將該基材之該第一側上沿著一第二材料之一第二區曝光至具有一第二波長帶之一第二光來產生一第二偵測結果，該第二波長帶並不與該第一波長帶重疊，該第二光由該多波長光源藉由利用該致動器調整該移動狹縫之該位置或該尺寸之至少一者來選擇，其中該第二材料與該第一材料不同；及 <br/>利用該多波長光源系統之一第一光譜儀量測通過該移動狹縫之一各別光之一各別波長帶，且當由該第一光譜儀量測之該各別光之該各別波長帶包含在該第一光之該第一波長帶及該第二光之該第二波長帶周圍之窄帶處的多個振幅峰時，則該多波長光源系統被強制停止。
如請求項1所述之方法，進一步包含以下步驟： <br/>當該移動狹縫在一第一位置時，選擇該第一光；以及 <br/>當該移動狹縫在一第二位置時，選擇該第二。
如請求項2所述之方法，其中選擇該第一光的步驟包括利用該致動器定位該移動狹縫在該第一光之一第一路徑中，以及阻擋該第二光，而選擇該第二光的步驟包括利用該致動器定位該移動狹縫在該第二光之一第二路徑中，以及阻擋該第一光。
如請求項3所述之方法，進一步包含以下步驟： <br/>基於由接收該第一光的一光譜儀產生之一數位資料，調整該移動狹縫的一尺寸。
一種基材的檢查方法，包含以下步驟： <br/>藉由將一基材之一第一材料之一第一區曝光至具有一第一波長的一第一光來產生一第一偵測結果； <br/>藉由將該基材之一第二材料之一第二區曝光至具有一第二波長的一第二光來產生一第二偵測結果，其中該第二波長與該第一波長不同，且該第二材料與該第一材料不同； <br/>基於該第一偵測結果及該第二偵測結果產生一光學系統的至少一個參數； <br/>將複數個粒子沈積於該第一區及該第二區上； <br/>藉由曝光該些粒子之各別粒子在該第一區之該第一材料上至該第一波長之該第一光，及曝光該些粒子之各別粒子在該第二區之該第二材料上至該第二光來判定一檢查系統的一缺陷敏感度；及 <br/>回應於該缺陷敏感度超出一臨限值，基於該光學系統之該至少一個參數執行一檢查。
如請求項5所述之方法，其中該產生至少一個參數的步驟包括以下步驟：產生一射頻信號，該射頻信號驅動一光源之一聲光調變器，該光源產生該第一光及該第二光。
如請求項5所述之方法，其中該執行一檢查的步驟包括以下步驟：檢查一遮罩。
如請求項5所述之方法，進一步包含以下步驟： <br/>在該產生該第一偵測結果的步驟之前，由一光譜儀偵測該第一光的一光譜。
一種檢查系統，包含： <br/>一多波長光源系統，包括： <br/>一光源；及 <br/>由該光源產生之光的一光徑中的一波長選擇器，該波長選擇器包含沿著由該光源產生之光之該光徑的一狹縫； <br/>一光譜儀，其可操作以量測由該波長選擇器選擇的一第一光之一光譜； <br/>一遮罩載物台，該遮罩載物台可操作以在該光徑中定位一遮罩；及 <br/>一控制器，其可操作以回應於該第一光的該光譜調整該多波長光源系統的至少一個參數，且當該光譜儀偵測到在該第一光與一第二光之各別波長周圍之窄帶處的兩個振幅峰皆通過該波長選擇器之該狹縫時，該控制器輸出一強制停止。
如請求項9所述之檢查系統，其中該光源包含複數個單一波長光源。
一種用於判定一受測裝置(110；310；510；1310a；1310b)與一測試配置(120；520)之一天線(122；322；522)之間的一最佳化距離之方法(800)，該方法包含 <br/>獲得(802)第一量測資料(970)，其中該第一量測資料(970)表示針對一頻率集合表徵該受測裝置(110；310；510；1310a；1310b)之複數個遠場量測結果，或其中該第一量測資料(970)係基於針對一頻率集合表徵該受測裝置(110；310；510；1310a；1310b)之複數個遠場量測結果； <br/>獲得(804)第二量測資料(974)，其中該第二量測資料(974)表示針對該頻率集合表徵該受測裝置(110；310；510；1310a；1310b)之複數個近場量測結果，或 <br/>其中該第二量測資料(974)係基於針對該頻率集合表徵該受測裝置(110；310；510；1310a；1310b)之複數個近場量測結果； <br/>其中該等近場量測結果中之至少二者係在該受測裝置(110；310；510；1310a；1310b)與該測試配置(120；520)之一天線(122；322；522)之間的不同距離處被擷取；以及 <br/>基於該第一量測資料及該第二量測資料(974)來判定(806)該受測裝置(110；310；510；1310a；1310b)與該測試配置(120；520)之該天線(122；322；522)之間的該最佳化距離。
如請求項1之方法(800)， <br/>其中判定該最佳化距離包含 <br/>將針對該受測裝置(110；310；510；1310a；1310b)與該量測配置之該天線(122；322；522)之間的一第一距離所獲得或與該受測裝置(110；310；510；1310a；1310b)與該量測配置之該天線(122；322；522)之間的一第一距離相關聯的該第二量測資料(974)之一或多個值與該第一量測資料(970)之一或多個對應值進行比較，以獲得一第一比較結果；以及 <br/>將針對該受測裝置(110；310；510；1310a；1310b)與該量測配置之該天線(122；322；522)之間的一第二距離所獲得或與該受測裝置(110；310；510；1310a；1310b)與該量測配置之該天線(122；322；522)之間的一第二距離相關聯的該第二量測資料(974)之一或多個值與該第一量測資料(970)之一或多個對應值進行比較，以獲得一第二比較結果；以及 <br/>基於該第一比較結果及該第二比較結果來判定該最佳化距離。
如請求項2之方法(800)， <br/>其中該第一量測資料及該第二量測資料(974)或該第一量測資料及該第二量測資料(974)中之至少一或多個值係基於藉由該受測裝置(110；310；510；1310a；1310b)對一信號之一無線傳輸而獲得，或係在該受測裝置(110；310；510；1310a；1310b)以無線方式傳輸一信號時獲得。
如請求項2之方法(800)， <br/>其中該第一量測資料(970)之該一或多個值包含下列中之至少一者 <br/>一功率值；一增益值；一增益步長值；一增益壓縮值；一相移值；一增益平坦度值；一誤差向量幅度值；一隔離值；一雜散值及一鄰近頻道功率比值；且 <br/>其中該第二量測資料(974)之該一或多個值包含下列中之至少一者：一功率值；一增益值；一增益步長值；一增益壓縮值；一相移值；一增益平坦度值；一誤差向量幅度值；一隔離值；一雜散值及一鄰近頻道功率比值。
如請求項2之方法(800)， <br/>其中該第一量測資料及該第二量測資料(974)或該第一量測資料及該第二量測資料(974)中之至少一或多個值係基於藉由該受測裝置(110；310；510；1310a；1310b)對一信號之一無線接收而獲得，或係在該受測裝置(110；310；510；1310a；1310b)以無線方式接收一信號時獲得。
如請求項2之方法(800)， <br/>其中該第一量測資料(970)之該一或多個值包含下列中之至少一者 <br/>一功率值；一增益值；一增益步長值；一三階截取點值；一相移值；一增益平坦度值；一誤差向量幅度值；一隔離值及一雜訊系數值，且 <br/>其中該第二量測資料(974)之該一或多個值包含下列中之至少一者 <br/>一功率值；一增益值；一三階截取點值；一相移值；一增益平坦度值；一誤差向量幅度值；一隔離值及一雜訊系數值。
如請求項2之方法(800)， <br/>其中該第二量測資料(974)包含與該受測裝置(110；310；510；1310a；1310b)與該測試配置(120；520)之該天線(122；322；522)之間的一第一距離相關聯的近場量測結果值之一第一集合(982a)，且 <br/>其中該第二量測資料(974)包含與該受測裝置(110；310；510；1310a；1310b)與該測試配置(120；520)之該天線(122；322；522)之間的一第二距離相關聯的近場量測結果值之一第二集合(982b)， <br/>其中該最佳化距離係取決於近場量測結果值之該等集合與遠場量測結果值之一集合之間的偏差來判定。
如請求項1之方法(800)， <br/>其中該最佳化距離係使用與不同頻率相關聯之複數個該等遠場量測結果及對應之近場量測結果來判定。
如請求項1之方法(800)， <br/>其中判定該最佳化距離包含對與不同頻率相關聯之複數個該等遠場量測結果與對應之近場量測結果之間的一差進行平均化。
如請求項1之方法(800)， <br/>其中該最佳化距離係經判定為使得一遠場量測結果與一對應近場量測結果之間的一差小於針對該頻率集合中之所有頻率的一預定最大偏差，或 <br/>其中該最佳化距離係經判定為使得一遠場量測結果與一對應近場量測結果之間的一差小於或等於針對該頻率集合中之所有頻率的一預定最大偏差。
如請求項1之方法(800)， <br/>其中該最佳化距離係經判定為使得一近場量測結果或一遠場量測結果與一對應近場量測結果之間的一差並不針對該頻率集合中之所有頻率展現出一共振效應。
如請求項1之方法(800)， <br/>其中該方法包含判定作為該最佳化距離之一單一距離，其用於該頻率集合中之所有頻率。
如請求項1之方法(800)， <br/>其中該方法包含使用一生產-測試測試程式以用於獲得該第一量測資料(970)。
如請求項1之方法(800)， <br/>其中該方法包含執行一生產-測試程式，該生產-測試程式針對複數個距離針對複數個測試頻率控制該受測裝置(110；310；510；1310a；1310b)之一測試，藉此獲得該第二量測資料(974)。
如請求項1之方法(800)， <br/>其中該方法包含使用一生產-測試測試程式，該生產-測試測試程式在該受測裝置(110；310；510；1310a；1310b)與該測試配置(120；520)之該天線(122；322；522)之間以經修改距離重複一或多次，以便判定該最佳化距離，或 <br/>其中該方法包含使用一生產-測試測試程式，該生產-測試測試程式係由用以實現一重複及對該受測裝置(110；310；510；1310a；1310b)與該測試配置(120；520)之該天線(122；322；522)之間的一距離之一修改的一功能性來補充，以便判定該最佳化距離。
如請求項1之方法(800)， <br/>其中該方法包含在用以獲得該近場量測結果之量測之間改變該受測裝置(110；310；510；1310a；1310b)與該測試配置(120；520)之該天線(122；322；522)之間的一距離。
如請求項1之方法(800)， <br/>其中該方法包含逐步地改變該受測裝置(110；310；510；1310a；1310b)與該測試配置(120；520)之該天線(122；322；522)之間的該距離。
如請求項1之方法(800)， <br/>其中該方法包含在該第二量測資料(974)之與不同距離相關聯的複數個子集當中判定該第二量測資料(974)之哪一子集包含與該第一量測資料(970)之一最大相似性， <br/>且其中該方法包含基於此而判定該最佳化距離。
如請求項1之方法(800)，其進一步包含 <br/>針對該頻率集合中之各頻率，判定在一駐波行為之情況下之距離，其中該最佳化距離係自無駐波行為或駐波行為最小之情況下之距離而判定。
如請求項1之方法，其進一步包含 <br/>產生用於控制支撐該測試配置(120；520)之該天線(122；322；522)的一平台之移動的一控制信號，其中該控制信號使得該平台移動至該等不同距離中之至少二者。
一種用於測試複數個受測裝置之方法(1390)， <br/>其中該方法包含使用一如請求項1之方法來判定該受測裝置(110；310；510；1310a；1310b)與該測試配置(120；520)之一天線(122；322；522)之間的一最佳化距離， <br/>其中該最佳化距離係使用一生產-測試測試程式來判定，該生產-測試測試程式在該受測裝置(110；310；510；1310a；1310b)與該測試配置(120；520)之該天線(122；322；522)之間以一經修改距離重複一或多次，以便判定該最佳化距離，或 <br/>其中該最佳化距離係使用一生產-測試測試程式來判定，該生產-測試測試程式係由用以實現一重複及對該受測裝置(110；310；510；1310a；1310b)與該測試配置(120；520)之該天線(122；322；522)之間的一距離之一修改的一功能性來補充，以便判定該最佳化距離；且 <br/>其中該方法包含使用該生產測試程式來測試複數個受測裝置，其中該受測裝置(110；310；510；1310a；1310b)之間的一距離係保持在先前經判定之該最佳化距離不變。
一種電腦程式，其用於當該電腦程式在一電腦上執行時執行如請求項1或21中任一項之方法。
一種測試配置(120；520)，其用於判定一受測裝置(110；310；510；1310a；1310b)與一測試裝置(140；540)之一天線(122；322；522)之間的一最佳化距離， <br/>其中該測試配置(120；520)係經組配以獲得第一量測資料(970)，其中該第一量測資料(970)表示針對一頻率集合表徵該受測裝置(110；310；510；1310a；1310b)之複數個遠場量測結果，或其中該第一量測資料(970)係基於針對一頻率集合表徵該受測裝置(110；310；510；1310a；1310b)之複數個遠場量測結果； <br/>其中該測試配置(120；520)經組配以獲得第二量測資料(974)，其中該第二量測資料(974)表示針對該頻率集合表徵該受測裝置(110；310；510；1310a；1310b)之複數個近場量測結果，或 <br/>其中該第二量測資料(974)係基於針對該頻率集合表徵該受測裝置(110；310；510；1310a；1310b)之複數個近場量測結果； <br/>其中該等近場量測結果中之至少二者係在該受測裝置(110；310；510；1310a；1310b)與該測試配置(120；520)之一天線(122；322；522)之間的不同距離處被擷取；且 <br/>其中該測試配置(120；520)係經組配以基於該第一量測資料及該第二量測資料(974)來判定該受測裝置(110；310；510；1310a；1310b)與該測試配置(120；520)之該天線(122；322；522)之間的該最佳化距離。
如請求項23之測試配置(120；520)，其進一步包含 <br/>一裝置插座(128)，其經組配以收納該受測裝置(110；310；510；1310a；1310b)； <br/>其中該測試配置(120；520)係經組配以在該受測裝置(110；310；510；1310a；1310b)係經配置於該裝置插座(128)中時執行複數個測試，以便獲得針對該頻率集合之該等近場量測結果， <br/>其中該等測試中之至少二者係在該受測裝置(110；310；510；1310a；1310b)與該測試配置(120；520)之該天線(122；322；522)之間的不同距離處執行，以便獲得針對至少二個不同距離之近場測量結果。
如請求項23之測試配置(120；520)，其進一步包含 <br/>一平台，其支撐該測試配置(120；520)之該天線(122；322；522)且經組配以相對於該裝置插座(128)移動至至少二個不同距離。
如請求項23之測試配置(120；520)，其進一步包含 <br/>一遠場測試裝置(140；540)，其經組配以在一遠場條件下在該頻率集合下執行該受測裝置(110；310；510；1310a；1310b)之一測試，以便獲得該第一量測資料(970)。
如請求項23之測試配置(120；520)，其進一步包含 <br/>一資料介面，其經組配以接收該第一量測資料(970)及/或該第二量測資料(974)。
如請求項23之測試配置(120；520)，其中該測試配置(120；520)係經組配以執行一如請求項1或21中任一項之方法。
一種前級管道組件，用於對具有兩個腔室的處理模組進行排氣，所述前級管道組件包括：<br/> 兩個進氣口，各所述進氣口能夠與各所述腔室的抽氣口匹配連通；<br/> 兩路排氣管道，兩路所述排氣管道的一端分別配置所述進氣口，並且兩路所述排氣管道的走向一致以使其中的流體的流動方向一致；<br/> 三通單元，包括兩個流入端口和一個流出端口；<br/> 兩路連接管道，兩路所述連接管道的一端分別與兩路所述排氣管道連接，另一端分別與所述三通單元的兩個所述流入端口連接，並且所述三通單元的所述流出端口能夠連通至排氣裝置，從而使所述兩個腔室中反應氣體分佈保持一致；所述排氣管道與所述連接管道的連接處配置有管道凸出部。
如請求項1所述的前級管道組件，其中，所述排氣管道的側壁設有開口與所述連接管道連接，所述排氣管道經過所述開口後繼續延伸並形成所述管道凸出部。
如請求項2所述的前級管道組件，其中，所述管道凸出部的端面為弧形或者平面形。
如請求項1所述的前級管道組件，其中，所述排氣管道與所述連接管道的截面形狀為多邊形或環形。
如請求項1所述的前級管道組件，其中，所述連接管道包括第一連接管道段和第二連接管道段，並且所述第一連接管道段和所述第二連接管道段之間的連接呈一角度或者為弧形彎角。
如請求項5所述的前級管道組件，其中，所述角度為直角。
如請求項5所述的前級管道組件，其中，所述流體在所述第一連接管道段和所述第二連接管道段中的流動方向相互垂直。
如請求項1至7中任意一項所述的前級管道組件，其中，所述流體在所述排氣管道與所述連接管道中的流動方向相互垂直。
如請求項8所述的前級管道組件，其中，所述三通單元呈T型。
如請求項9所述的前級管道組件，其中，所述前級管道組件左右對稱配置。
如請求項1所述的前級管道組件，其中，各所述腔室的抽氣口相對於所述腔室中用於承載晶圓的基座的方位角相等。
一種半導體處理裝置，包括：<br/> 左右設置的兩個腔室，各所述腔室的抽氣口相對於所述腔室中用於承載晶圓的基座的方位角相同，所述抽氣口通過一前級管道組件連通至排氣裝置，所述前級管道組件包括：<br/> 兩個進氣口，各進氣口能夠與各所述腔室的抽氣口匹配連通；<br/> 兩路排氣管道，兩路所述排氣管道的一端分別配置所述進氣口，並且兩路所述排氣管道的走向一致以使其中的氣體的流動方向一致；<br/> 三通單元，包括兩個流入端口和一個流出端口；<br/> 兩路連接管道，兩路所述連接管道的一端分別與兩路所述排氣管道連接，另一端分別與所述三通單元的兩個所述流入端口連接，並且所述三通單元的所述流出端口能夠連通至排氣裝置；所述排氣管道與所述連接管道的連接處配置有管道凸出部。
如請求項12所述的半導體處理裝置，其中，所述腔室內設有承載襯底的支撐座，所述排氣管道平行於所述支撐座的上表面。
如請求項13所述的半導體處理裝置，其中，所述支撐座的上表面為中心對稱，所t述排氣管道的中心線的延伸線與所述上表面的中心垂線相交。
如請求項13所述的半導體處理裝置，其中，所述排氣管道的中心線垂直於所述抽氣口所在腔室的側面。
如請求項12所述的半導體處理裝置，其中，各所述抽氣口與各所述腔室的襯底傳輸口分別配置於所述腔室相對的側面。
如請求項12所述的半導體處理裝置，其中，各腔室還分別包括抽氣環，所述抽氣口設置於所述抽氣環。
如請求項12所述的半導體處理裝置，其中，所述排氣管道與所述連接管道的連接處配置有管道凸出部。
如請求項18所述的半導體處理裝置，其中，所述排氣管道的側壁設有開口與所述連接管道連接，所述排氣管道經過所述開口後繼續延伸並形成所述管道凸出部。
如請求項19所述的半導體處理裝置，其中，所述排氣管道的截面面積大於與所述連接管道的截面面積。
如請求項20所述的半導體處理裝置，其中，所述開口與所述抽氣口的距離為25~60mm。
一種用以製造用於一離子阱之一電極結構(206)之方法(100)，其包含： <br/>提供(110)一基底基體(202)，該基底基體包含配置於一半導體層(210)上之一絕緣材料(220)中之一經圖案化金屬化物配置(230)， <br/>提供(120)包含一介電材料(252)之一絕緣基體(250)， <br/>藉助於一接合製程將配置於該絕緣材料(220)上之該基底基體(202)之一表面區(224)連接(130)至該絕緣基體(250)，以及 <br/>藉由將該半導體層(210)移除至該基底基體(202)之該絕緣材料(220)來對該基底基體(202)進行背面減薄(140)， <br/>其中用於該離子阱之該電極結構(206)係藉由對該金屬化物配置(230)執行背面減薄步驟或藉由將一經圖案化表面金屬化物(240)沉積於該經背面減薄基底基體(202)之該絕緣材料(220)上而形成， <br/>或 <br/>其中用於該離子阱之該電極結構(206)係由該經圖案化金屬化物配置(230)形成。
如請求項1之方法(100)，其中該金屬化物配置(230)經組配為一多層金屬化物配置，其中用於該離子阱之該電極結構(206)係藉由對該多層金屬化物配置之一最上部經圖案化金屬化物層(232a)執行該背面減薄步驟而形成。
如請求項1或2之方法(100)，其進一步包含： <br/>藉助於一氧化物/氧化物接合製程在該基底基體(202)之該絕緣材料(220)與該絕緣基體(250)之間執行該接合製程。
如請求項1至3中任一項之方法(100)，其中配置於該絕緣材料(250)上之該基底基體(202)之該表面區(224)以及該絕緣基體(250)各自具有相關聯金屬襯墊(238a、238b、254)，該方法進一步包含： <br/>藉助於一金屬接合製程在該等相關聯金屬襯墊(238a、238b、254)處在該基底基體(202)與該絕緣基體(250)之間執行該接合製程。
如請求項1至4中任一項之方法(100)，其中該接合製程係作為一氧化物/氧化物接合製程與一金屬接合製程之一組合(混合接合製程)而執行。
如請求項1至5中任一項之方法(100)，其中該金屬化物配置(230)之該經曝露金屬化物層(232a)或該經背面減薄基底基體(202)之該絕緣材料(220)上的該經沉積之經圖案化表面金屬化物(240)形成用於該表面離子阱之該電極結構(206)。
如請求項1至6中任一項之方法(100)，其進一步包含： <br/>在該基底基體(202)中形成呈一孔或溝槽之形式之一凹槽(228)，該凹槽穿過該金屬化物配置之該絕緣材料(220)至該半導體層(210)。
如請求項7之方法(100)，其中形成一凹槽(228)之步驟係藉助於孔或溝槽蝕刻而執行。
如請求項7或8之方法(100)，其進一步包含： <br/>將一金屬化物(246)部分地或完全地配置於該經背面減薄基底基體(202)之該絕緣材料(220)中的該凹槽(228)之側壁(248)上。
如請求項1至9中任一項之方法(100)，其中在對該基底基體(202)進行背面減薄之該步驟中完全地移除該基底基體(202)之該半導體層(210)。
如請求項1至10中任一項之方法(100)，其中嵌入於該絕緣材料(220)中之該金屬化物配置(230)經組配為一天線結構以用於為該離子阱提供電場。
如請求項1至11中任一項之方法(100)，其中該基底基體(202)經組配為來自半導體製造之一標準基體或經組配為一IC基體。
如請求項1至12中任一項之方法(100)，其中該絕緣基體(250)之該介電材料包含玻璃、金剛石、藍寶石、剛玉或陶瓷。
如請求項1至13中任一項之方法(100)，其中該基底基體(202)之該絕緣材料(220)包含來自半導體製造之一介電質，諸如SiO <sub>2</sub>或HfO <sub>2</sub>。
如請求項1至14中任一項之方法(100)，其中用以製造用於一離子阱之一電極結構(206)之該方法係藉助於標準半導體製造製程步驟而執行。
如請求項1至15中任一項之方法(100)，其中該離子阱被提供用於量子計算應用。
一種用以製造用於一三維離子阱之一電極配置(208)之方法(300)，其包含： <br/>執行如請求項1至16中任一項之方法(100)以在一經背面減薄基底基體(202-1)上製造一電極結構(206-1)， <br/>提供具有一另外電極結構(206-2)之一另外基體(200-2)， <br/>藉助於配置於該經背面減薄基底基體(202-1)與該另外基體(200-2)之間的一間隔件結構(260)來連接該經背面減薄基底基體與該另外基體，使得該電極結構(206-1)與該另外電極結構(206-2)面向彼此且形成用於該三維離子阱之該電極配置(208)。
如請求項17之方法(300)，其中提供該另外基體(200-2)包括執行如請求項1至16中任一項之方法(100)以製造具有形成該另外電極結構(206-2)之一電極結構的一另外經背面減薄基底基體(202-2)，其中連接該經背面減薄基底基體(202-1)與該另外基體(200-2)係在該另外經背面減薄基底基體(202-2)上執行。
如請求項17或18之方法(300)，其中在連接該經背面減薄基底基體(202-1)與該另外基體(200-2)之步驟中，該經背面減薄基底基體(202-1)之二個橫向相鄰電極結構(206-1)與該另外基體(200-2)之二個橫向相鄰電極結構(206-2)豎直相對地配置。
如請求項19之方法(300)，其中該等二個豎直相對對之該等電極結構(206-1、206-2)形成該3D離子阱之該可控制電極配置(208) (用於量子計算應用)。
如請求項17至20中任一項之方法(300)，其進一步包含： <br/>在該經背面減薄基底基體(202-1)上配置一互連件結構(264-1)且在該另外基體(200-2)上配置一另外互連件結構(264-2)；以及 <br/>藉由連接該等相對互連件結構(264-1、264-2)來連接該經背面減薄基底基體(202-1)與該另外基體(200-2)，其中該等經連接互連件結構(264-1、264-2)形成該間隔件結構。
如請求項17至21中任一項之方法(300)，其中在連接該經背面減薄基底基體(202-1)與該另外基體(200-2)之該步驟中，該間隔件結構(260)經組配為一間隔件基體且配置於該經背面減薄基底基體(202-1)與該另外基體(200-2)之間。
如請求項17至22中任一項之方法(300)，其中該間隔件結構(260)包含一介電材料，諸如玻璃、金剛石、藍寶石、剛玉或陶瓷。
如請求項17至23中任一項之方法(300)，其中該基底基體(202-1)在連接至該絕緣基體(250-1、250-2)、對該基底基體(202-1)進行背面減薄及連接至該另外基體(200-2)之步驟期間固定於例如由諸如玻璃、金剛石、藍寶石、剛玉或陶瓷之一介電材料製成的一載體基體上。
如請求項17至24中任一項之方法(300)，其進一步包含： <br/>例如藉助於灰色調微影來圖案化該經背面減薄基底基體(202-1)及/或該另外基體(200-2)之該電極結構(206)，以便獲取該電極配置(208)之一三維經圖案化電極結構(206)。
如請求項17至25中任一項之方法(300)，其中在連接該經背面減薄基底基體(202-1)與該相對另外基體(200-2)之該步驟中，一自由空間(282)形成於相鄰間隔件結構(260)之間，該方法進一步包含： <br/>將一金屬化物表面(284)部分地或完全地配置於該自由空間(282)之非金屬側壁區(286)上。
如請求項17至26中任一項之方法，其進一步包含提供將該另外基體之該另外電極結構(206-2)之至少一部分電氣連接至該經背面減薄基底基體(202-1)之該電極結構(206-1)之至少一部分的一金屬連接件(270)。
一種車用裝置投射一影像至一擋風玻璃提供一主要觀看者觀看的方法，包括:<br/> 決定一主要觀看者狀態為一駕駛觀看狀態或一副駕觀看狀態；<br/> 根據該主要觀看者狀態輸出一對應內容校正訊號及一對應伽瑪校正訊號；<br/> 根據該對應內容校正訊號及該對應伽瑪校正訊號產生對應的一顯示訊號；<br/> 根據該顯示訊號顯示該影像；以及<br/> 投射該影像至該擋風玻璃。
如請求項1所述之車用裝置投射該影像至該擋風玻璃提供該主要觀看者觀看的方法，其中該駕駛觀看狀態包括一駕駛平均眼睛位置。
如請求項2所述之車用裝置投射該影像至該擋風玻璃提供該主要觀看者觀看的方法，其中決定該主要觀看者狀態的步驟，包括：<br/> 拍攝駕駛的一臉部影像；<br/> 分析該臉部影像產生一臉部影像訊號；以及<br/> 根據該臉部影像訊號計算出在一第一時間內的該駕駛平均眼睛位置。
如請求項3所述之車用裝置投射該影像至該擋風玻璃提供該主要觀看者觀看的方法，其中該第一時間在0.5秒至3秒之間。
如請求項1所述之車用裝置投射該影像至該擋風玻璃提供該主要觀看者觀看的方法，其中該副駕觀看狀態包括一副駕平均眼睛位置。
如請求項5所述之車用裝置投射該影像至該擋風玻璃提供該主要觀看者觀看的方法，其中決定該主要觀看者狀態的步驟，包括：<br/> 拍攝副駕的一臉部影像；<br/> 分析該臉部影像產生一臉部影像訊號；以及<br/> 根據該臉部影像訊號計算出在一第二時間內的該副駕平均眼睛位置。
如請求項1所述之車用裝置投射該影像至該擋風玻璃提供該主要觀看者觀看的方法，其中決定該主要觀看者狀態的步驟包括：<br/> 拍攝一車內影像；<br/> 分析該車內影像產生一車內影像訊號；以及<br/> 根據該車內影像訊號決定該主要觀看者狀態。
如請求項1所述之車用裝置投射該影像至該擋風玻璃提供該主要觀看者觀看的方法，其中該顯示訊號包含一顯示面板訊號及一背光訊號。
如請求項1所述之車用裝置投射該影像至該擋風玻璃提供該主要觀看者觀看的方法，其中在投射該影像至該擋風玻璃之後，在一第三時間後，再次執行決定該主要觀看者狀態的步驟。
如請求項9所述之車用裝置投射該影像至該擋風玻璃提供該主要觀看者觀看的方法，其中該第三時間在0.1秒至0.75秒之間。
一種低頻共振液的製造方法，係用於車輛燃油解鏈暨減廢的用途，以將一液態水或/及霧化水經由波長為400～800奈米及頻率為7.2～8.2赫茲的可見光進行照射30～45分鐘，使其質子分散度達到3.4～6.2ppm，進而形成為該低頻共振液，並讓該低頻共振液的振動頻率達到6.5～1000赫茲。
一種車輛燃油解鏈暨減廢裝置，係包含有:<br/> 至少一容器，係設為長條狀的一管本體且設有一開口；<br/> 一低頻共振液，係將一液態水或/及霧化水經由波長設為400～800奈米及頻率為7.2～8.2赫茲的可見光進行照射30～45分鐘，使其質子分散度達到3.4～6.2ppm，進而形成為該低頻共振液，並讓該低頻共振液的振動頻率為6.5～1000赫茲，再將該低頻共振液填充於該容器內；及<br/> 至少一封蓋，係接設並密封於該管本體的該開口；<br/> 藉由將該車輛燃油解鏈暨減廢裝置裝設於燃油車輛底盤或引擎室內的進油管或/及冷氣低壓管的至少一側，藉以達到細化燃油的分子結構並降低廢氣之排放，以及提升燃油車輛動力。
如請求項2所述車輛燃油解鏈暨減廢裝置，其中該容器及與其相應的該封蓋均設為數個，並將該數個容器都填充有該低頻共振液，以形成數個車輛燃油解鏈暨減廢裝置，再將該數個車輛燃油解鏈暨減廢裝置安裝於燃油車輛底盤或引擎室內的進油管或/及冷氣低壓管的兩側或四周圍。
如請求項3所述車輛燃油解鏈暨減廢裝置，其中該數個車輛燃油解鏈暨減廢裝置係部分安裝於進油管上，其餘則安裝於冷氣機的低壓管上。
如請求項3所述車輛燃油解鏈暨減廢裝置，其中鄰近該各容器的兩端設有二環凹槽，又該容器、該封蓋設為塑膠或金屬材質。
一種自動餐點配給系統，其包括： <br/>一餐點配給機構，其包括： <br/>一混合單元，包含： <br/>一本體，具有一第一開口、及遠離所述第一開口的一第二開口；及 <br/>一攪拌組件，設置於所述本體上，所述攪拌組件包含一轉軸、及樞接於所述轉軸上的一扇葉，所述扇葉能以所述轉軸為中心轉動，並且所述扇葉於轉動時能經過所述本體於所述第二開口的內側；以及 <br/>一配料模組，設置於所述混合單元的一側，所述配料模組包含： <br/>一外殼，固定於所述本體的一側，所述外殼具有一入料口及遠離所述入料口的一出料通道，所述入料口的位置能對應所述第二開口的位置； <br/>一配料件，設置於所述外殼內，所述配料件能相對於所述外殼的內緣移動，並且所述配料件包含一容置環，所述容置環的尺寸對應於所述第二開口的尺寸；及 <br/>一第一驅動總成，設置於所述外殼的一側並且連接所述配料件，所述第一驅動總成能夠沿著一預設方向移動，並且所述第一驅動總成能驅動所述配料件相對於所述外殼位於一第一位置及一第二位置；當所述配料件於所述第一位置時，所述容置環的位置對應所述入料口及所述第二開口；當所述配料件於所述第二位置時，所述容置環的位置對應所述出料通道； <br/>一入料機構，設置於所述本體的所述第一開口；以及 <br/>一輸送機構，設置於所述外殼的一側，所述輸送機構能用來輸送多個容器，使多個所述容器的位置能依序對應位於所述第二位置的所述配料件的所述容置環。
如請求項1所述的自動餐點配給系統，其中，所述配料模組進一步包含一重量感測器，並且所述重量感測器是設置於遠離所述本體的所述第二開口的一側。
如請求項1所述的自動餐點配給系統，其中，所述餐點配給機構進一步包含一切料模組，所述切料模組連接於所述第一驅動總成；當所述配料件位於所述第一位置時，所述切料模組能被所述第一驅動總成驅動以穿過所述入料口及所述第二開口之間。
如請求項1所述的自動餐點配給系統，其中，所述餐點配給機構進一步包含一擋板模組，所述擋板模組設置於所述配料模組的一側，所述擋板模組能沿著所述預設方向移動以封閉所述外殼的所述出料通道，並且所述擋板模組能於所述配料件移動至所述第二位置時能沿著所述預設方向啟動一往復動作，使所述外殼的所述出料通道能短暫地被開放。
如請求項1所述的自動餐點配給系統，其中，所述餐點配給機構進一步包含一推料模組，設置於所述配料模組的一側，所述推料模組能沿垂直於所述預設方向的一垂直方向移動；當所述配料件於所述第二位置時，所述推料模組能夠穿過所述外殼的所述出料通道及所述容置環。
如請求項5所述的自動餐點配給系統，其中，所述推料模組包含一第二驅動總成、及連接於所述第二驅動總成的一推料板，所述推料板能被所述第二驅動總成驅動而穿過所述容置環。
如請求項1所述的自動餐點配給系統，其中，所述攪拌組件的所述扇葉包含至少一葉片、及分別設置於至少一所述葉片上的至少一攪拌片，至少一所述攪拌片的長度不大於至少一所述葉片的長度的一半。
如請求項7所述的自動餐點配給系統，其中，所述本體包含有一漸縮部、及連接所述漸縮部的一延伸部，所述延伸部具有所述第一開口，所述漸縮部具有所述第二開口，並且所述第一開口的尺寸不小於所述第二開口的尺寸；所述扇葉還包含有分別設置於至少一所述攪拌片上的至少一可撓片，並且至少一所述可撓片的一側緣能夠接觸所述漸縮部的內緣。
如請求項1所述的自動餐點配給系統，其中，所述外殼具有能連通所述容置環的多個孔洞、及可拆卸地覆蓋多個所述孔洞的一覆蓋板，多個所述孔洞及所述覆蓋板位於遠離所述第二開口的一側，並且所述覆蓋板可選擇性地開放多個所述孔洞。
一種餐點配給機構，其包括： <br/>一混合單元，包含： <br/>一本體，具有一第一開口、及遠離所述第一開口的一第二開口；及 <br/>一攪拌組件，設置於所述本體上，所述攪拌組件包含一轉軸、及樞接於所述轉軸上的一扇葉，所述扇葉能以所述轉軸為中心轉動，並且所述扇葉於轉動時能經過所述本體於所述第二開口的內側；以及 <br/>一配料模組，設置於所述混合單元的一側，所述配料模組包含： <br/>一外殼，固定於所述本體的一側，所述外殼具有一入料口及遠離所述入料口的一出料通道，所述入料口的位置能對應所述第二開口的位置； <br/>一配料件，設置於所述外殼內，所述配料件能相對於所述外殼的內緣移動，並且所述配料件包含一容置環，所述容置環的尺寸對應於所述第二開口的尺寸；及 <br/>一第一驅動總成，設置於所述外殼的一側並且連接所述配料件，所述第一驅動總成能夠沿著一預設方向移動，並且所述第一驅動總成能驅動所述配料件相對於所述外殼位於一第一位置及一第二位置；當所述配料件於所述第一位置時，所述容置環的位置對應所述入料口及所述第二開口；當所述配料件於所述第二位置時，所述容置環的位置對應所述出料通道。
一種評估方法，係對目標形狀與電子顯微鏡圖像的截面形狀之間的差異進行評估的評估方法，其特徵為具有： <br/> 測量前述截面形狀的特徵性的尺寸的第一步驟； <br/> 在前述第一步驟之後，從前述尺寸獲得的前述截面形狀中作成前述目標形狀的模板的第二步驟；及 <br/> 使用歸一化指標來比較前述模板與前述截面形狀之間的差異的第三步驟； <br/> 前述尺寸是前述截面形狀的寬度的最大值和前述截面形狀的深度的最大值， <br/> 前述模板是根據前述寬度的最大值和前述深度的最大值形成的矩形。
如請求項1之評估方法，其中 <br/> 將前述矩形與前述截面形狀之間的面積差作為前述指標。
如請求項1之評估方法，其中 <br/> 將從前述矩形的角部到前述截面形狀的距離之中最短的距離作為前述指標。
一種搜尋方法，是利用機器學習來搜尋電漿蝕刻裝置的處理結果成為目標形狀的蝕刻條件的搜尋方法，該搜尋方法的特徵為執行： <br/> 測量截面形狀的特徵性的尺寸的第一步驟； <br/> 在前述第一步驟之後，從前述尺寸獲得的前述截面形狀中作成前述目標形狀的模板的第二步驟；及 <br/> 使用歸一化指標來比較前述模板與前述截面形狀之間的差異的第三步驟； <br/> 並且，將透過上述步驟的執行而獲得的電子顯微鏡圖像的評估結果作為目標變數之一； <br/> 前述尺寸是前述截面形狀的寬度的最大值和前述截面形狀的深度的最大值， <br/> 前述模板是根據前述寬度的最大值和前述深度的最大值形成的矩形。
一種搜尋系統，是利用機器學習來搜尋電漿蝕刻裝置的處理結果成為目標形狀的蝕刻條件的搜尋系統，該搜尋系統的特徵為執行： <br/> 測量截面形狀的特徵性的尺寸的第一步驟； <br/> 在前述第一步驟之後，從前述尺寸獲得的前述截面形狀中作成前述目標形狀的模板的第二步驟；及 <br/> 使用歸一化指標來比較前述模板與前述截面形狀之間的差異的第三步驟； <br/> 並且，將透過上述步驟的執行而獲得的電子顯微鏡圖像的評估結果作為目標變數之一； <br/> 前述尺寸是前述截面形狀的寬度的最大值和前述截面形狀的深度的最大值， <br/> 前述模板是根據前述寬度的最大值和前述深度的最大值形成的矩形。
一種電力電子變壓器，包括三個模組，所述三個模組均包括：<br/> 第一子模組，包括第一輸入端和N個輸出端，N為大於0的整數；<br/> 第二子模組，包括第一輸入端和M個輸出端，M為大於0的整數；以及<br/> 第三子模組，包括第一功率變換模組和第二功率變換模組，<br/> 所述第一功率變換模組包括N個第一功率變換單元，N個所述第一功率變換單元的輸入端一一對應連接所述第一子模組的N個所述輸出端，<br/> 所述第二功率變換模組包括M個第一功率變換單元，M個所述第一功率變換單元的輸入端一一對應連接所述第二子模組的M個所述輸出端，<br/> 其中所述第一子模組包括N個第二功率變換單元，N個所述第二功率變換單元的輸入端串聯形成所述第一子模組的所述第一輸入端，N個所述第二功率變換單元的輸出端形成所述第一子模組的N個所述輸出端，所述第二功率變換單元為全橋變換器，<br/> 三個所述模組的所述第一子模組的所述第一輸入端的其中一個端子分別一一對應連接第一三相交流電的三相、另一個端子分別一一對應連接第二三相交流電的三相，<br/> 三個所述模組的所述第二子模組的所述第一輸入端的其中一個端子分別一一對應連接第一三相交流電的三相、另一個端子連接中性點，<br/> 三個所述模組的N個所述第一功率變換單元的輸出端和M個所述第一功率變換單元的輸出端並聯形成直流母線用於給負載供電。
如請求項1所述的電力電子變壓器，其中所述第二子模組包括M個第二功率變換單元，M個所述第二功率變換單元的輸入端串聯形成所述第二子模組的所述第一輸入端，M個所述第二功率變換單元的輸出端形成所述第二子模組的M個所述輸出端。
如請求項1所述的電力電子變壓器，其中所述第一子模組還包括第二輸入端、P個輸出端和P個第二功率變換單元，P為大於0的整數，P個所述第二功率變換單元的輸入端串聯形成所述第一子模組的所述第二輸入端，P個所述第二功率變換單元的輸出端形成所述第一子模組的P個所述輸出端，<br/> 三個所述模組的所述第一子模組的所述第二輸入端的其中一個端子分別一一對應連接第三三相交流電的三相、另一個端子分別一一對應連接第一三相交流電的三相，<br/> 所述第一功率變換模組還包括P個第一功率變換單元，P個所述第一功率變換單元的輸入端一一對應連接所述第一子模組的P個所述輸出端，<br/> 三個所述模組的P個所述第一功率變換單元的輸出端與所述直流母線並聯。
如請求項1所述的電力電子變壓器，其中所述第一功率變換單元為隔離型DC-DC變換器。
如請求項4所述的電力電子變壓器，其中所述第一功率變換單元為隔離型雙向DC-DC變換器。
如請求項1所述的電力電子變壓器，其中所述第一功率變換單元為雙有源全橋DC-DC變換器。
如請求項1所述的電力電子變壓器，其中所述第一功率變換單元為半橋DC-DC變換器。
如請求項1所述的電力電子變壓器，其中所述第二子模組為電壓源型變換器。
一種阻劑下層膜形成用組成物，其特徵為： <br/>含有具有下列通式(1)表示之結構作為重複單元之(A)聚合物、及(B)有機溶劑， <br/>該(A)聚合物之分子量為560~3,000，該(A)聚合物不含含有羥基作為取代基之重複單元也不含含有雜芳香環之重複單元， <br/><img align="absmiddle" height="30px" width="127px" file="ed10076.jpg" alt="ed10076.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上式(1)中，Ar為非取代之碳數6~30之2價芳香族基。
如請求項1之阻劑下層膜形成用組成物，其中，該芳香族基Ar為下列結構(1-a)中之任意者， <br/><img align="absmiddle" height="219px" width="398px" file="ed10077.jpg" alt="ed10077.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上式(1-a)中，＊表示和該通式(1)中之亞甲基之鍵結位置。
如請求項1之阻劑下層膜形成用組成物，其中，該芳香族基Ar係萘、蒽、菲、及芘中之任意者。
如請求項1之阻劑下層膜形成組成物，其中，該(A)聚合物係具有下列通式(2)表示之2種重複單元之共聚物， <br/><img align="absmiddle" height="36px" width="227px" file="ed10078.jpg" alt="ed10078.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上式(2)中，Ar<sub>1</sub>為萘、蒽、菲、及芘中之任一者，Ar<sub>2</sub>係和Ar<sub>1</sub>為不同結構且係選自下式(1-a)之中之任意者，a＋b為100，為30≦a≦99、1≦b≦70， <br/><img align="absmiddle" height="219px" width="398px" file="ed10077.jpg" alt="ed10077.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項4之阻劑下層膜形成組成物，其中，係具有上述通式(2)表示之2種重複單元之共聚物之(A)聚合物，為下式(2-a)表示之單體與下式(2-b)表示之單體之聚合反應產物， <br/><img align="absmiddle" height="47px" width="110px" file="ed10079.jpg" alt="ed10079.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上式中，Ar<sub>1</sub>為萘、蒽、菲、及芘中之任一者，Ar<sub>2</sub>係和Ar<sub>1</sub>不同的結構且係選自該式(1-a)中之任意者，X為羥基、碳數1~4之烷氧基、或鹵素基。
如請求項5之阻劑下層膜形成組成物，其中，該式(2)之Ar<sub>1</sub>為蒽。
如請求項1之阻劑下層膜形成組成物，其中，該(A)聚合物之分子量為560~1,500。
如請求項1之阻劑下層膜形成用組成物，其中，該(A)聚合物具有下列通式(3)表示之末端密封基， <br/><img align="absmiddle" height="48px" width="158px" file="ed10080.jpg" alt="ed10080.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上式(3)中，＊為和該式(1)中之亞甲基之鍵結部，d為1~9之整數，e為0~2之整數。
如請求項1之阻劑下層膜形成用組成物，其中，該阻劑下層膜形成用組成物更含有係酚醛樹脂、或含苯酚性羥基之樹脂之(C)摻混樹脂。
如請求項9之阻劑下層膜形成組成物，其中，該(C)摻混樹脂之分子量為4,000~12,000。
如請求項9之阻劑下層膜形成組成物，其中，該(C)摻混樹脂之添加量相對於該(A)聚合物之100質量份為10~100質量份。
如請求項9之阻劑下層膜形成組成物，其中，該(C)摻混樹脂係下列通式(C-1)、(C-2)及(C-3)之任意者表示之樹脂， <br/><img align="absmiddle" height="64px" width="167px" file="ed10081.jpg" alt="ed10081.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上式(C-1)中，R為亦可含有氧原子之1~3價碳數1~20之有機基，o為1~3之整數，p為1~3之整數， <br/><img align="absmiddle" height="81px" width="203px" file="ed10082.jpg" alt="ed10082.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上式(C-2)中，q為0或1之整數，r為1~6之整數， <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="250px" file="ed10083.jpg" alt="ed10083.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上式(C-3)中，s為0或1之整數，t為1~6之整數，u為0或1之整數。
如請求項1之阻劑下層膜形成用組成物，其中，該阻劑下層膜形成用組成物更含有(D)下列通式(4)表示之結構之交聯劑， <br/><img align="absmiddle" height="117px" width="211px" file="ed10084.jpg" alt="ed10084.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上式(4)中，Ar<sub>3</sub>及Ar<sub>4</sub>各為亦可有取代基之苯環或萘環，R<sup>A</sup>表示氫原子或碳數1~20之1價有機基，W為下列通式(5)表示之基， <br/><img align="absmiddle" height="78px" width="309px" file="ed10094.jpg" alt="ed10094.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上式(5)中，＊表示鍵結位置。
如請求項1之阻劑下層膜形成用組成物，其中，該阻劑下層膜形成用組成物更含有30℃至190℃之重量減少率未達30%且30℃至350℃間之重量減少率為98%以上之(E)流動性促進劑。
如請求項14之阻劑下層膜形成用組成物，其中，該(E)流動性促進劑含有選自由下列通式(i)~(iii)表示之化合物構成之群組中之1個以上之化合物， <br/><img align="absmiddle" height="47px" width="273px" file="ed10085.jpg" alt="ed10085.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上式(i)中，R<sub>1</sub>各自獨立地為氫原子、羥基、或亦可經取代之碳數1~10之有機基，W<sub>1</sub>為伸苯基、或下列通式(i-1)表示之2價基，W<sub>2</sub>及W<sub>3</sub>各為單鍵或下列通式(i-2)表示之任意2價基，g為1~5之整數，h為0~10之整數， <br/><img align="absmiddle" height="54px" width="244px" file="ed10086.jpg" alt="ed10086.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上式(i-1)中，＊表示鍵結位置，R<sub>10</sub>、R<sub>11</sub>、R<sub>12</sub>、R<sub>13</sub>為氫原子、羥基、或碳數1~10之有機基，W<sub>10</sub>及W<sub>11</sub>各自獨立地為單鍵或羰基，i及j為0~10之整數，i＋j≧1， <br/><img align="absmiddle" height="36px" width="154px" file="ed10087.jpg" alt="ed10087.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上式(i-2)中，＊表示鍵結位置， <br/><img align="absmiddle" height="38px" width="186px" file="ed10088.jpg" alt="ed10088.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上式(ii)中，R<sub>2</sub>各自獨立地為氫原子、或亦可經取代之碳數1~10之有機基，W<sub>4</sub>為下列通式(ii-1)表示之2價基，W<sub>5</sub>為單鍵或下列通式(ii-2)表示之任意2價基，k為0~5之整數，l為2~10之整數， <br/><img align="absmiddle" height="63px" width="195px" file="ed10089.jpg" alt="ed10089.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上式(ii-1)中，＊表示鍵結位置，R<sub>20</sub>、R<sub>21</sub>、R<sub>22</sub>及R<sub>23</sub>各為氫原子、羥基、或碳數1~10之有機基，m及n為0~10之整數，m＋n≧1， <br/><img align="absmiddle" height="35px" width="149px" file="ed10090.jpg" alt="ed10090.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上式(ii-2)中，＊表示鍵結位置， <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="140px" file="ed10091.jpg" alt="ed10091.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上式(iii)中，R<sub>3</sub>及R<sub>4</sub>各為氫原子、羥基、或亦可經取代之碳數1~10之有機基，也可鍵結形成環狀結構，R<sub>5</sub>及R<sub>6</sub>各為碳數1~10之有機基，R<sub>5</sub>為含有芳香族環或下列通式(iii-1)表示之2價基中之一者之基，W<sub>6</sub>及W<sub>7</sub>各為單鍵或下列通式(iii-2)表示之任意2價基，至少一者為(iii-2)中任意者表示之2價基， <br/><img align="absmiddle" height="30px" width="145px" file="ed10092.jpg" alt="ed10092.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上式(iii-1)中，＊表示鍵結位置，W<sub>30</sub>為碳數1~4之有機基， <br/><img align="absmiddle" height="35px" width="181px" file="ed10093.jpg" alt="ed10093.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上式(iii-2)中，＊表示鍵結位置。
如請求項1之阻劑下層膜形成用組成物，其中，該阻劑下層膜形成用組成物更含有 <br/>(F)界面活性劑、 <br/>(G)酸產生劑、及 <br/>(H)塑化劑 <br/>中之1種以上。
一種圖案形成方法，係在被加工基板形成圖案之方法，其特徵為具有下列步驟： <br/>(I-1)在被加工基板上塗佈如請求項1至請求項16中任一項之阻劑下層膜形成用組成物而獲得塗膜，將該塗膜進行熱處理而形成阻劑下層膜， <br/>(I-2)在該阻劑下層膜上使用光阻材料形成阻劑上層膜， <br/>(I-3)將該阻劑上層膜進行圖案曝光後，以顯影液顯影而在該阻劑上層膜形成圖案， <br/>(I-4)將該已形成圖案之阻劑上層膜作為遮罩，利用乾蝕刻在該阻劑下層膜轉印圖案，及 <br/>(I-5)將該已形成圖案之阻劑下層膜作為遮罩，將該被加工基板加工，而在該被加工基板形成圖案。
一種圖案形成方法，係在被加工基板形成圖案之方法，其特徵為具有下列步驟： <br/>(II-1)在被加工基板上塗佈如請求項1至請求項16中任一項之阻劑下層膜形成用組成物而獲得塗膜，將該塗膜進行熱處理而形成阻劑下層膜， <br/>(II-2)在該阻劑下層膜上形成阻劑中間膜， <br/>(II-3)在該阻劑中間膜上使用光阻材料形成阻劑上層膜， <br/>(II-4)將該阻劑上層膜進行圖案曝光後，以顯影液顯影而在該阻劑上層膜形成圖案， <br/>(II-5)將該已形成圖案之阻劑上層膜作為遮罩，利用乾蝕刻在該阻劑中間膜轉印圖案， <br/>(II-6)將該已轉印圖案之阻劑中間膜作為遮罩，利用乾蝕刻在該阻劑下層膜轉印圖案，及 <br/>(II-7)將該已形成圖案之阻劑下層膜作為遮罩，將該被加工基板加工，而在該被加工基板形成圖案。
一種圖案形成方法，係在被加工基板形成圖案之方法，其特徵為具有下列步驟： <br/>(III-1)在被加工基板上塗佈如請求項1至請求項16中任一項之阻劑下層膜形成用組成物而獲得塗膜，將該塗膜進行熱處理而形成阻劑下層膜， <br/>(III-2)在該阻劑下層膜上形成選自矽氧化膜、矽氮化膜、及矽氧化氮化膜中之無機硬遮罩中間膜， <br/>(III-3)在該無機硬遮罩中間膜上形成有機薄膜， <br/>(III-4)在該有機薄膜上使用光阻材料形成阻劑上層膜， <br/>(III-5)將該阻劑上層膜進行圖案曝光後，以顯影液顯影而在該阻劑上層膜形成圖案， <br/>(III-6)將該已形成圖案之阻劑上層膜作為遮罩，利用乾蝕刻在該有機薄膜及該無機硬遮罩中間膜轉印圖案， <br/>(III-7)將該已轉印圖案之無機硬遮罩中間膜作為遮罩，利用乾蝕刻在該阻劑下層膜轉印圖案，及 <br/>(III-8)將該已形成圖案之阻劑下層膜作為遮罩，將該被加工基板加工，而在該被加工基板形成圖案。
如請求項17之圖案形成方法，其係使用具有高度30nm以上之結構體或高低差之基板作為該被加工基板。
如請求項18之圖案形成方法，其係使用具有高度30nm以上之結構體或高低差之基板作為該被加工基板。
如請求項19之圖案形成方法，其係使用具有高度30nm以上之結構體或高低差之基板作為該被加工基板。
一種阻劑下層膜形成方法，係作為半導體裝置之製造步驟使用之有機平坦膜作用之阻劑下層膜之形成方法，其特徵為： <br/>在被加工基板上旋轉塗佈如請求項1至請求項16中任一項之阻劑下層膜形成用組成物而獲得塗膜，將該塗膜於450℃以上800℃以下之溫度於10~600秒之範圍進行熱處理而使其硬化，形成阻劑下層膜。
一種阻劑下層膜形成方法，係作為半導體裝置之製造步驟使用之有機平坦膜作用之阻劑下層膜之形成方法，其特徵為： <br/>在被加工基板上旋轉塗佈如請求項1至請求項16中任一項之阻劑下層膜形成用組成物而獲得塗膜，將該塗膜於氧濃度1%以上21%以下之氣體環境進行熱處理而使其硬化，形成阻劑下層膜。
一種阻劑下層膜形成方法，係作為半導體裝置之製造步驟使用之有機平坦膜作用之阻劑下層膜之形成方法，其特徵為： <br/>在被加工基板上旋轉塗佈如請求項1至請求項16中任一項之阻劑下層膜形成用組成物而獲得塗膜，將該塗膜於氧濃度未達1%之氣體環境進行熱處理而使其硬化，形成阻劑下層膜。
如請求項23之阻劑下層膜形成方法，其使用具有高度30nm以上之結構體或高低差之基板作為該被加工基板。
如請求項24之阻劑下層膜形成方法，其使用具有高度30nm以上之結構體或高低差之基板作為該被加工基板。
如請求項25之阻劑下層膜形成方法，其使用具有高度30nm以上之結構體或高低差之基板作為該被加工基板。
一種於同一樣本中檢測多重標的物之方法，包含：<br/> 提供一樣本，該樣本包含至少一標的物之一核酸；<br/> 提供一反應溶液，該反應溶液包含：<br/> 一引子對套組，包含複數個目標引子對；及<br/> 一螢光探針套組，包含複數個目標螢光探針，且包含至少二螢光分子，每一該至少二螢光分子不相同，其中每一該些目標螢光探針包含一目標寡核苷酸結合至少一該至少二螢光分子；<br/> 其中該至少二螢光分子的一數量為m，可檢測的該至少一標的物的一數量為2<sup>m</sup>-1，且該些目標引子對的一數量為2<sup>m</sup>-1，該些目標螢光探針的一數量為2<sup>m</sup>-1；<br/> 其中每一該些目標引子對與其中一該至少一標的物具有序列特異性，每一該些目標螢光探針之該目標寡核苷酸與其中一該至少一標的物具有序列特異性；<br/> 進行一反應步驟，將該樣本與該反應溶液混合後，進行一即時聚合酶連鎖反應，以分別得到該至少二螢光分子之一螢光訊號值，其中於該反應步驟中，該至少二螢光分子之該螢光訊號值包含一第一螢光訊號值和一第二螢光訊號值；以及<br/> 進行一判斷步驟，計算該至少二螢光分子之一螢光訊號值比值，以判斷該樣本中是否存在該至少一標的物，其中該至少一標的物包含一第一標的物、一第二標的物和一第三標的物；<br/> 其中，當該判斷步驟偵測到該第一螢光訊號值時，該至少一標的物僅包含該第一標的物；當該判斷步驟偵測到該第二螢光訊號值時，該至少一標的物僅包含該第二標的物；當該判斷步驟同時偵測到弱的該第一螢光訊號值及弱的該第二螢光訊號值時，該至少一標的物僅包含該第三標的物；當該判斷步驟同時偵測到加成的該第一螢光訊號值及弱的該第二螢光訊號值時，該至少一標的物同時包含該第一標的物及該第三標的物；當該判斷步驟同時偵測到弱的該第一螢光訊號值及加成的該第二螢光訊號值時，該至少一標的物同時包含該第二標的物及該第三標的物；當該判斷步驟同時偵測到強的該第一螢光訊號值及強的該第二螢光訊號值時，該至少一標的物同時包含該第一標的物及該第二標的物；及當該判斷步驟同時偵測到加成的該第一螢光訊號值及加成的該第二螢光訊號值時，該至少一標的物同時包含該第一標的物、該第二標的物及該第三標的物。
如請求項1所述之於同一樣本中檢測多重標的物之方法，其中當該至少二螢光分子的該數量為2時，該些目標引子對包含一第一引子對、一第二引子對和一第三引子對，該些目標螢光探針包含一第一螢光探針、一第二螢光探針和一第三螢光探針，該至少二螢光分子包含一第一螢光分子和一第二螢光分子，且該第一螢光分子和該第二螢光分子不相同，該第一螢光探針包含一第一寡核苷酸結合該第一螢光分子，該第二螢光探針包含一第二寡核苷酸結合該第二螢光分子，該第三螢光探針包含一第三寡核苷酸結合該第一螢光分子及該第三寡核苷酸結合該第二螢光分子；<br/> 其中該第一引子對和該第一寡核苷酸分別與該第一標的物具有序列特異性，該第二引子對和該第二寡核苷酸分別與該第二標的物具有序列特異性，該第三引子對和該第三寡核苷酸分別與該第三標的物具有序列特異性。
如請求項2所述之於同一樣本中檢測多重標的物之方法，其中該第一螢光探針中之該第一螢光分子之一含量、該第二螢光探針中之該第二螢光分子之一含量及該第三螢光探針中該第一螢光分子和該第二螢光分子加總之一含量之一比例為1:1:1，且該第三螢光探針中該第一螢光分子和該第二螢光分子之一比例為0.1:0.9至0.9:0.1。
如請求項3所述之於同一樣本中檢測多重標的物之方法，其中當該螢光訊號值比值為1:0時，該樣本中僅存在該第一標的物，當該螢光訊號值比值為0:1時，該樣本中僅存在該第二標的物，當該螢光訊號值比值為0.1:0.9至0.9:0.1時，該樣本中僅存在該第三標的物，當該螢光訊號值比值為1.1:0.9至1.9:0.1時，該樣本中同時存在該第一標的物和該第三標的物，當該螢光訊號值比值為1:1時，該樣本中同時存在該第一標的物和該第二標的物，當該螢光訊號值比值為0.1:1.9至0.9:1.1時，該樣本中同時存在該第二標的物和該第三標的物，當該螢光訊號值比值為1.1:1.9至1.9:1.1時，該樣本中同時存在該第一標的物、該第二標的物和該第三標的物。
如請求項1所述之於同一樣本中檢測多重標的物之方法，其中該至少二螢光分子係選自由FAM、FITC、Alexa 488、CF488、Atto 488、STAR 488、JOE、TET、Yakima Yellow、HEX、VIC、Atto 532、Alexa 532、Quasar 570、Cy3、TAMRA、ROX、Texas Red、Atto 590、Atto 594、Cy5、Atto 647、Alexa 647、Quasar 670及Quasar 705所組成之群組之二者。
如請求項2所述之於同一樣本中檢測多重標的物之方法，其中該第一螢光探針、該第二螢光探針和該第三螢光探針分別包含一螢光淬滅基團，且該至少二螢光分子和該螢光淬滅基團分別結合在該第一螢光探針、該第二螢光探針和該第三螢光探針的5’端和3’端。
如請求項1所述之於同一樣本中檢測多重標的物之方法，其中該樣本中包含一內部控制標的物作為一內部控制組，該引子對套組包含一內部控制引子對，該內部控制引子對與該內部控制標的物具有序列特異性，且該螢光探針套組包含一內部控制螢光探針，該內部控制螢光探針包含一內部控制寡核苷酸結合該至少二螢光分子，該內部控制寡核苷酸與該內部控制標的物具有序列特異性。
如請求項7所述之於同一樣本中檢測多重標的物之方法，其中以Tx表示該至少一標的物，以ic表示該內部控制組，以Fm表示其中一該至少二螢光分子，該內部控制螢光探針中每一該至少二螢光分子之一含量為<img align="absmiddle" height="21px" width="35px" file="ed10109.jpg" alt="ed10109.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，每一該些目標螢光探針中每一該至少二螢光分子之一含量為<img align="absmiddle" height="17px" width="24px" file="ed10110.jpg" alt="ed10110.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<img align="absmiddle" height="21px" width="35px" file="ed10109.jpg" alt="ed10109.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>:<img align="absmiddle" height="17px" width="24px" file="ed10110.jpg" alt="ed10110.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為1:9、2:8、3:7、4:6或5:5。
一種於同一樣本中定量多重標的物濃度之方法，包含：<br/> 進行一定性步驟，係以如請求項2所述之於同一樣本中檢測多重標的物之方法判斷該樣本中是否存在該第一標的物、該第二標的物及/或該第三標的物；以及<br/> 進行一定量步驟，將該第一螢光訊號值及該第二螢光訊號值代入一檢量線公式中，以回推該樣本中該至少一標的物之一濃度，其中該檢量線公式係由一檢量線集推導而得，該檢量線集包含以該第一螢光分子檢測該第一標的物之一檢量線、以該第二螢光分子檢測該第一標的物之一檢量線、以該第一螢光分子檢測該第二標的物之一檢量線、以該第二螢光分子檢測該第二標的物之一檢量線、以該第一螢光分子檢測該第三標的物之一檢量線和以該第二螢光分子檢測該第三標的物之一檢量線。
如請求項9所述之於同一樣本中定量多重標的物濃度之方法，其中當該樣本中存在的該至少一標的物為該第一標的物、該第二標的物或該第三標的物時，以F1表示該第一螢光分子，以F2表示該第二螢光分子，以Tx表示該至少一標的物，該檢量線公式如式(1)所示：<br/> 其中<img align="absmiddle" height="21px" width="22px" file="ed10114.jpg" alt="ed10114.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="21px" width="22px" file="ed10116.jpg" alt="ed10116.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>分別為該至少一標的物之該第一螢光訊號值和該第二螢光訊號值，<img align="absmiddle" height="21px" width="24px" file="ed10118.jpg" alt="ed10118.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該至少一標的物之該濃度，<img align="absmiddle" height="21px" width="20px" file="ed10120.jpg" alt="ed10120.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="21px" width="20px" file="ed10122.jpg" alt="ed10122.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>分別為以該第一螢光分子和該第二螢光分子檢測該至少一標的物之一檢量線之一斜率，<img align="absmiddle" height="21px" width="22px" file="ed10124.jpg" alt="ed10124.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="21px" width="21px" file="ed10126.jpg" alt="ed10126.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>分別為以該第一螢光分子和該第二螢光分子檢測該至少一標的物之該檢量線之一截距。
如請求項9所述之於同一樣本中定量多重標的物濃度之方法，其中當該樣本中存在的該至少一標的物為該第一標的物、該第二標的物及該第三標的物之二者，以F1表示該第一螢光分子，以F2表示該第二螢光分子，以Tx表示該至少一標的物之一者，以Ty表示該至少一標的物之另一者，該檢量線公式如式(2)和式(3)所示：<br/> 其中<img align="absmiddle" height="19px" width="21px" file="ed10132.jpg" alt="ed10132.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="22px" file="ed10134.jpg" alt="ed10134.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="22px" file="ed10136.jpg" alt="ed10136.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="21px" width="23px" file="ed10138.jpg" alt="ed10138.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>分別為該至少一標的物之該一者和該至少一標的物之該另一者之一第一螢光訊號值和一第二螢光訊號值，<img align="absmiddle" height="21px" width="24px" file="ed10118.jpg" alt="ed10118.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="19px" width="23px" file="ed10140.jpg" alt="ed10140.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>分別為該至少一標的物之該一者之一濃度和該至少一標的物之該另一者之一濃度，<img align="absmiddle" height="19px" width="20px" file="ed10142.jpg" alt="ed10142.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="19px" file="ed10144.jpg" alt="ed10144.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="20px" file="ed10146.jpg" alt="ed10146.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="21px" width="19px" file="ed10148.jpg" alt="ed10148.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>分別為以該第一螢光分子和該第二螢光分子檢測該至少一標的物之該一者和該至少一標的物之該另一者的之一檢量線之一斜率，<img align="absmiddle" height="19px" width="22px" file="ed10150.jpg" alt="ed10150.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="22px" file="ed10152.jpg" alt="ed10152.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="21px" file="ed10154.jpg" alt="ed10154.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="21px" width="23px" file="ed10156.jpg" alt="ed10156.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為分別以該第一螢光分子和該第二螢光分子檢測該至少一標的物之該一者和該至少一標的物之該另一者之該檢量線之一截距。
如請求項9所述之於同一樣本中定量多重標的物濃度之方法，其中當該樣本同時存在該第一標的物、該第二標的物和該第三標的物時，在進行該定量步驟前更包含進行一輔助步驟，係將該反應溶液中的該些目標螢光探針調整為該第一螢光探針包含該第一寡核苷酸結合該第一螢光分子及該第一寡核苷酸結合該第二螢光分子，或該第二螢光探針包含該第二寡核苷酸結合該第一螢光分子及該第二寡核苷酸結合該第二螢光分子，且該第三螢光探針包含該第三寡核苷酸結合該第一螢光分子或該第三寡核苷酸結合該第二螢光分子，再將該反應溶液與該樣本混合後進行該即時聚合酶連鎖反應，以得到該第一螢光分子之另一該第一螢光訊號值和該第二螢光分子之另一該第二螢光訊號值。
如請求項12所述之於同一樣本中定量多重標的物濃度之方法，其中於該定量步驟中，將該定性步驟和該輔助步驟得到的該第一螢光訊號值、該第二螢光訊號值、另一該第一螢光訊號值及另一該第二螢光訊號值代入該檢量線公式中，以回推該樣本中該第一標的物、該第二標的物和該第三標的物之一濃度；<br/> 其中以F1表示該第一螢光分子，以F2表示該第二螢光分子，以T1表示該第一標的物，以T2表示該第二標的物，以T3表示該第三標的物，該檢量線公式如式(4)和式(5)所示：<br/> 其中<img align="absmiddle" height="18px" width="19px" file="ed10162.jpg" alt="ed10162.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="ed10164.jpg" alt="ed10164.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="ed10166.jpg" alt="ed10166.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="17px" file="ed10168.jpg" alt="ed10168.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="18px" file="ed10170.jpg" alt="ed10170.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="16px" width="19px" file="ed10172.jpg" alt="ed10172.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>分別為該第一標的物、該第二標的物和該第三標的物之該第一螢光訊號值和該第二螢光訊號值，<img align="absmiddle" height="20px" width="20px" file="ed10174.jpg" alt="ed10174.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="20px" width="22px" file="ed10176.jpg" alt="ed10176.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="20px" width="23px" file="ed10178.jpg" alt="ed10178.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>分別為該第一標的物、該第二標的物和該第三標的物之該濃度，<img align="absmiddle" height="18px" width="16px" file="ed10180.jpg" alt="ed10180.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="16px" file="ed10182.jpg" alt="ed10182.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="ed10184.jpg" alt="ed10184.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="17px" width="17px" file="ed10186.jpg" alt="ed10186.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="17px" file="ed10188.jpg" alt="ed10188.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="17px" width="17px" file="ed10190.jpg" alt="ed10190.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為分別以該第一螢光分子和該第二螢光分子檢測該第一標的物、該第二標的物和該第三標的物之該檢量線之一斜率，<img align="absmiddle" height="18px" width="19px" file="ed10192.jpg" alt="ed10192.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="19px" file="ed10194.jpg" alt="ed10194.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="19px" file="ed10196.jpg" alt="ed10196.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="ed10198.jpg" alt="ed10198.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="ed10200.jpg" alt="ed10200.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="16px" width="19px" file="ed10202.jpg" alt="ed10202.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為分別以該第一螢光分子和該第二螢光分子檢測該第一標的物、該第二標的物和該第三標的物之該檢量線之一截距。
一種記憶體控制器，包括：<br/> 資料分類加速器，所述資料分類加速器被配置為從主機接收一指示解除配置的邏輯範圍的命令，並將所述解除配置的邏輯範圍劃分為一組解除配置區域，其中，所述一組解除配置區域包括一個或多個第一解除配置區域，所述一個或多個第一解除配置區域分別被分類為一個或多個對齊區域，以及一個或多個第二解除配置區域，所述一個或多個第二解除配置區域分別被分類為一個或多個未對齊區域；<br/> 解除配置加速器，所述解除配置加速器操作地耦合到所述資料分類加速器，並且被配置為分別將與所述一個或多個對齊區域相對應的資料集管理（DSM）點陣圖中的一個或多個位元從第一值更新為第二值，以指示要解除配置的所述一個或多個對齊區域；以及<br/> 映射表加速器，所述映射表加速器操作地耦合到所述資料分類加速器和所述解除配置加速器，並且被配置為：<br/> 基於所述一個或多個未對齊區域更新一邏輯到物理 (L2P) 映射表，以釋放所述一個或多個未對齊區域；<br/> 響應於對所述DSM點陣圖的更新以及所述一個或多個未對齊區域的解除配置，在所述一個或多個對齊區域被解除配置之前生成指示所述解除配置的邏輯範圍被處理的響應，以及<br/> 在所述一個或多個未對齊區域被解除配置之後，但在所述一個或多個對齊區域被解除配置之前，將所述響應發送至所述主機。
根據請求項1所述的記憶體控制器，其中，所述映射表加速器還被配置為基於所述DSM點陣圖來更新所述L2P映射表。
根據請求項2所述的記憶體控制器，其中，為了基於所述DSM點陣圖來更新所述L2P映射表，所述映射表加速器還被配置為：<br/> 從所述DSM點陣圖中識別所述一個或多個對齊區域；以及<br/> 基於所述一個或多個對齊區域來更新所述L2P映射表。
根據請求項3所述的記憶體控制器，其中，為了基於所述一個或多個對齊區域來更新所述L2P映射表，所述映射表加速器還被配置為：<br/> 識別所述一個或多個對齊區域內的第一邏輯位址清單；以及<br/> 使所述L2P映射表中的所述第一邏輯位址清單無效。
根據請求項1所述的記憶體控制器，其中，為了基於所述一個或多個未對齊區域來更新所述L2P映射表，所述映射表加速器還被配置為：<br/> 識別所述一個或多個未對齊區域內的第二邏輯位址清單；以及<br/> 使所述L2P映射表中的第二邏輯位址清單無效。
根據請求項1所述的記憶體控制器，其中，所述資料分類加速器被配置為基於耦合到所述記憶體控制器的非易失性記憶體裝置的邏輯空間的區域劃分，將所述解除配置的邏輯範圍劃分為所述一組解除配置區域，使得所述解除配置的邏輯範圍的劃分與所述非易失性記憶體裝置的邏輯空間的區域劃分匹配。
根據請求項6所述的記憶體控制器，其中：<br/> 所述非易失性記憶體裝置的邏輯空間被劃分為多個邏輯區域；<br/> 所述一個或多個第一解除配置區域分別等於所述多個邏輯區域中的一個或多個第一邏輯區域，使得所述一個或多個第一解除配置區域分別被分類為與所述一個或多個第一邏輯區域對齊的所述一個或多個對齊區域；以及<br/> 所述一個或多個第二解除配置區域分別小於所述多個邏輯區域中的一個或多個第二邏輯區域，使得所述一個或多個第二解除配置區域分別被分類為與所述一個或多個第二邏輯區域未對齊的所述一個或多個未對齊區域。
根據請求項6所述的記憶體控制器，其中，所述非易失性記憶體裝置包括NAND快閃記憶體。
一種記憶體系統，包括：<br/> 非易失性記憶體裝置；以及<br/> 記憶體控制器，所述記憶體控制器操作地耦合到所述非易失性記憶體裝置並且被配置為控制所述非易失性記憶體裝置，所述記憶體控制器包括：<br/> 資料分類加速器，所述資料分類加速器被配置為從主機接收一指示解除配置的邏輯範圍的命令，並將所述解除配置的邏輯範圍劃分為一組解除配置區域，其中，所述一組解除配置區域包括一個或多個第一解除配置區域，所述一個或多個第一解除配置區域分別被分類為一個或多個對齊區域，以及一個或多個第二解除配置區域，所述一個或多個第二解除配置區域分別被分類為一個或多個未對齊區域；<br/> 解除配置加速器，所述解除配置加速器操作地耦合到所述資料分類加速器，並且被配置為分別將與所述一個或多個對齊區域相對應的資料集管理（DSM）點陣圖中的一個或多個位元從第一值更新為第二值，以指示要解除配置的所述一個或多個對齊區域；以及<br/> 映射表加速器，所述映射表加速器操作地耦合到所述資料分類加速器和所述解除配置加速器，並且被配置為：<br/> 基於所述一個或多個未對齊區域更新邏輯到物理 (L2P) 映射表，以釋放所述一個或多個未對齊區域；<br/> 響應於對所述DSM點陣圖的更新以及所述一個或多個未對齊區域的解除配置，在所述一個或多個對齊區域被解除配置之前生成指示所述解除配置的邏輯範圍被處理的響應，以及<br/> 在所述一個或多個未對齊區域被解除配置之後，但在所述一個或多個對齊區域被解除配置之前，將所述響應發送至所述主機。
根據請求項9所述的記憶體系統，其中，所述映射表加速器進一步被配置為基於所述DSM點陣圖來更新所述L2P映射表。
根據請求項10所述的記憶體系統，其中，為了基於所述DSM點陣圖來更新所述L2P映射表，所述映射表加速器還被配置為：<br/> 從所述DSM點陣圖中識別所述一個或多個對齊區域；以及<br/> 基於所述一個或多個對齊區域來更新所述L2P映射表。
根據請求項11所述的記憶體系統，其中，為了基於所述一個或多個對齊區域來更新所述L2P映射表，所述映射表加速器還被配置為：<br/> 識別所述一個或多個對齊區域內的第一邏輯位址清單；以及<br/> 使所述L2P映射表中的所述第一邏輯位址清單無效。
根據請求項9所述的記憶體系統，其中，為了基於所述一個或多個未對齊區域來更新所述L2P映射表，所述映射表加速器還被配置為：<br/> 識別所述一個或多個未對齊區域內的第二邏輯位址清單；以及<br/> 使所述L2P映射表中的第二邏輯位址清單無效。
根據請求項9所述的記憶體系統，其中，所述資料分類加速器被配置為基於耦合到所述記憶體控制器的所述非易失性記憶體裝置的邏輯空間的區域劃分，將所述解除配置的邏輯範圍劃分為所述一組解除配置區域，使得所述解除配置的邏輯範圍的劃分與所述非易失性記憶體裝置的邏輯空間的區域劃分匹配。
根據請求項14所述的記憶體系統，其中：<br/> 所述非易失性記憶體裝置的邏輯空間被劃分為多個邏輯區域；<br/> 所述一個或多個第一解除配置區域分別等於所述多個邏輯區域中的一個或多個第一邏輯區域，使得所述一個或多個第一解除配置區域分別被分類為與所述一個或多個第一邏輯區域對齊的所述一個或多個對齊區域；以及<br/> 所述一個或多個第二解除配置區域分別小於所述多個邏輯區域中的一個或多個第二邏輯區域，使得所述一個或多個第二解除配置區域分別被分類為與所述一個或多個第二邏輯區域未對齊的所述一個或多個未對齊區域。
根據請求項14所述的記憶體系統，其中，所述非易失性記憶體裝置包括NAND快閃記憶體。
一種用於操作記憶體控制器的方法，包括：<br/> 從主機接收一指示解除配置的邏輯範圍的命令，並將所述解除配置的邏輯範圍劃分為一組解除配置區域，其中，所述一組解除配置區域包括一個或多個第一解除配置區域，所述一個或多個第一解除配置區域分別被分類為一個或多個對齊區域，以及一個或多個第二解除配置區域，所述一個或多個第二解除配置區域分別被分類為一個或多個未對齊區域；<br/> 分別將與所述一個或多個對齊區域相對應的資料集管理（DSM）點陣圖中的一個或多個位元從第一值更新為第二值，以指示要解除配置的所述一個或多個對齊區域；以及<br/> 基於所述一個或多個未對齊區域更新邏輯到物理 (L2P) 映射表，以釋放所述一個或多個未對齊區域；<br/> 響應於對所述DSM點陣圖的更新以及所述一個或多個未對齊區域的解除配置，在所述一個或多個對齊區域被解除配置之前生成指示所述解除配置的邏輯範圍被處理的響應，以及<br/> 在所述一個或多個未對齊區域被解除配置之後，但在所述一個或多個對齊區域被解除配置之前，將所述響應發送至所述主機。
根據請求項17所述的方法，還包括：基於所述DSM點陣圖來更新所述L2P映射表。
根據請求項18所述的方法，其中，基於所述DSM點陣圖來更新所述L2P映射表包括：<br/> 從所述DSM點陣圖中識別所述一個或多個對齊區域；以及<br/> 基於所述一個或多個對齊區域來更新所述L2P映射表。
根據請求項19所述的方法，其中，基於所述一個或多個對齊區域來更新所述L2P映射表包括：<br/> 識別所述一個或多個對齊區域內的第一邏輯位址清單；以及<br/> 使所述L2P映射表中的所述第一邏輯位址清單無效。
根據請求項17所述的方法，其中，基於所述一個或多個未對齊區域來更新所述L2P映射表包括：<br/> 識別所述一個或多個未對齊區域內的第二邏輯位址清單；以及<br/> 使所述L2P映射表中的第二邏輯位址清單無效。
根據請求項17所述的方法，其中，將所述解除配置的邏輯範圍劃分為所述一組解除配置區域包括：<br/> 基於耦合到所述記憶體控制器的非易失性記憶體裝置的邏輯空間的區域劃分，將所述解除配置的邏輯範圍劃分為所述一組解除配置區域，使得所述解除配置的邏輯範圍的劃分與所述非易失性記憶體裝置的邏輯空間的區域劃分匹配。
根據請求項22所述的方法，其中：<br/> 所述非易失性記憶體裝置的邏輯空間被劃分為多個邏輯區域；<br/> 所述一個或多個第一解除配置區域分別等於所述多個邏輯區域中的一個或多個第一邏輯區域，使得所述一個或多個第一解除配置區域分別被分類為與所述一個或多個第一邏輯區域對齊的所述一個或多個對齊區域；以及<br/> 所述一個或多個第二解除配置區域分別小於所述多個邏輯區域中的一個或多個第二邏輯區域，使得所述一個或多個第二解除配置區域分別被分類為與所述一個或多個第二邏輯區域未對齊的所述一個或多個未對齊區域。
根據請求項22所述的方法，其中，所述非易失性記憶體裝置包括NAND快閃記憶體。
一種存儲指令的非暫時性電腦可讀存儲介質，所述指令當由記憶體系統的記憶體控制器執行時，使得所述記憶體控制器執行包括以下操作的方法：<br/> 從主機接收一指示解除配置的邏輯範圍的命令，並將所述解除配置的邏輯範圍劃分為一組解除配置區域，其中，所述一組解除配置區域包括一個或多個第一解除配置區域，所述一個或多個第一解除配置區域分別被分類為一個或多個對齊區域，以及一個或多個第二解除配置區域，所述一個或多個第二解除配置區域分別被分類為一個或多個未對齊區域；<br/> 分別將與所述一個或多個對齊區域相對應的資料集管理（DSM）點陣圖中的一個或多個位元從第一值更新為第二值，以指示要解除配置的所述一個或多個對齊區域；以及<br/> 基於所述一個或多個未對齊區域更新邏輯到物理 (L2P) 映射表，以釋放所述一個或多個未對齊區域；<br/> 響應於對所述DSM點陣圖的更新以及所述一個或多個未對齊區域的解除配置，在所述一個或多個對齊區域被解除配置之前生成指示所述解除配置的邏輯範圍被處理的響應，以及<br/> 在所述一個或多個未對齊區域被解除配置之後，但在所述一個或多個對齊區域被解除配置之前，將所述響應發送至所述主機。
一種預防光源失效的顯示系統，其改良在於，所述顯示系統包括： 顯示面板；<br/> 第一組光源，包括多個第一光源，用於使所述顯示面板顯示畫面；<br/> 第二組光源，包括多個第二光源，所述第一組光源與所述第二組光源交錯設置，所述第二組光源僅於所述第一組光源異常時工作以使所述顯示面板顯示畫面，所述第二組光源中的所述多個第二光源形成至少一通路，且每一所述通路中的所述第二光源串聯連接；<br/> 感測單元，用於檢測所述第一組光源是否異常；<br/> 控制單元，於所述第一組光源異常時，控制所述第二組光源工作以使所述顯示面板顯示畫面，所述第二組光源的工作功率小於所述第一組光源的工作功率。
如請求項1所述的顯示系統，其中，所述感測單元包括電壓感測元件或電流感測元件；<br/> 所述電壓感測元件用於檢測所述第一組光源的電壓是否超出預設電壓範圍，在所述電壓感測元件檢測到所述第一組光源的電壓不在所述預設電壓範圍時，判斷所述第一組光源異常；<br/> 所述電流感測元件用於檢測所述第一組光源的電流是否超出預設電流範圍，在所述電流感測元件檢測到所述第一組光源的電流不在所述預設電流範圍時，判斷所述第一組光源異常。
如請求項2所述的顯示系統，其中，所述電流感測元件包括電阻檢測型感測元件及磁場檢測型感測元件。
如請求項1所述的顯示系統，其中，所述第一組光源和所述第二組光源均勻且交錯排列。
如請求項1所述的顯示系統，其中，所述第一組光源和所述第二組光源設置於所述顯示面板的有效區內；或所述第一組光源和所述第二組光源設置於所述顯示面板的有效區外。
如請求項5所述的顯示系統，其中，當所述第一組光源和所述第二組光源設置於所述顯示面板的有效區內時，所述顯示系統包括第一供電電路及第二供電電路，所述第一供電電路電性連接至所述第一組光源，用於為所述第一組光源供電；所述第二供電電路電性連接至所述第二組光源，用於為所述第二組光源供電；<br/> 在所述控制單元確認所述第一組光源中異常的第一光源的數量達到預設範圍時，所述控制單元控制所述第二供電電路為所述第二組光源供電。
如請求項6所述的顯示系統，其中，所述感測單元設置於所述第一供電電路，所述第一供電電路用於提供工作電流至所述第一組光源。
如請求項5所述的顯示系統，其中，當所述第一組光源和所述第二組光源設置於所述顯示面板的有效區外時，所述顯示系統包括切換單元及驅動積體電路，所述驅動積體電路藉由所述切換單元連接至所述第一組光源或所述第二組光源，當所述第一組光源未發生異常時，所述控制單元控制所述切換單元連接至所述第一組光源以為所述第一組光源供電；當所述第一組光源發生異常時，所述控制單元控制所述切換單元連接至所述第二組光源以為所述第二組光源供電。
如請求項8所述的顯示系統，其中，所述感測單元設置於所述驅動積體電路，所述驅動積體電路用於提供工作電流至所述第一組光源。
一種低溫相容的量子電腦裝置，包括： <br/>一微電子量子計算元件，包括： <br/>一基板結構， <br/>複數個第一接觸元件，及 <br/>複數個導電饋通，穿過該基板結構， <br/>其中，位於該基板結構之一第一主表面區域上的該等導電饋通電性連接到該微電子量子計算元件的相對應之複數個第一接觸元件；以及 <br/>一另一微電子元件，包括複數個第二接觸元件； <br/>其中，在該基板結構之一第二主表面區域上的該等導電饋通電性連接到該另一微電子元件的相對應之複數個第二接觸元件， <br/>其中，各該導電饋通分別包括在該第一接觸元件和該第二接觸元件之間的一層元件以及一填充元件，該層元件包括在一量子電腦操作溫度中具超導性的一第一材料，該填充元件包括具導電性的一第二材料，且 <br/>其中該層元件包括鎢材料的β-變體，為了實現該層元件包括該鎢材料的β-變體，將該鎢形成一層設置於該基板結構的該等導電饋通中，其中在與具有該鎢材料的β-變體的該層元件相鄰處佈置具有一另一材料之一另一層，該另一材料的熱膨脹係數高於該鎢材料的熱膨脹係數。
如請求項1所述的量子電腦裝置，其中該層元件為覆蓋該導電饋通的部分側壁區域的一層結構，且其中該填充元件至少部分地填充該導電饋通的剩餘空間。
如請求項1所述的量子電腦裝置，其中該層元件在該第一接觸元件與該第二接觸元件之間至少部分地包圍該填充元件，其中該層元件和該填充元件皆從該第一接觸元件延伸到該第二接觸元件並將其連接。
如請求項1所述的量子電腦裝置，其中該層元件為完全覆蓋該導電饋通的側壁區域的一層結構，而該填充元件至少部分地填充該導電饋通的剩餘空間。
如請求項1所述的量子電腦裝置，其中該層元件完全地或以包層形狀包圍該填充元件，其中該層元件和該填充元件皆從該第一接觸元件延伸到該第二接觸元件並將其連接。
如請求項1所述的量子電腦裝置，其中該填充元件沿著該基板結構的該第一主表面區域和該第二主表面區域之間的橫截面填充該等導電饋通的相應空間的至少50%。
如請求項1所述的量子電腦裝置，其中該等接觸元件形成為接合凸塊或接合柱。
如請求項1所述的量子電腦裝置，其中該微電子量子計算元件的該等接觸元件之間的接觸連接包括通過一金屬相互擴散方法產生的一低溫相容連接。
如請求項1所述的量子電腦裝置，其中位於該基板結構之該第一主表面區域上的該等接觸元件包括通過一金屬相互擴散方法產生與該另一微電子元件之該等接觸元件的連接。
如請求項1所述的量子電腦裝置，其中該微電子量子計算元件的該等接觸元件連接到一並聯電路中的複數個導電饋通。
如請求項1所述的量子電腦裝置，其中該複數個導電饋通係通過一絕緣材料與該基板結構電絕緣。
如請求項1所述的量子電腦裝置，其中該填充元件為利用鎢材料完全填充各該導電饋通而成。
如請求項1所述的量子電腦裝置，其中該填充元件包括鎢材料。
如請求項1所述的量子電腦裝置，其中在與包括該鎢材料的β-變體的該層元件相鄰處佈置具有一另一材料之一另一層，該另一材料的熱膨脹係數高於該鎢材料的熱膨脹係數。
如請求項14所述的量子電腦裝置，其中在與包括該鎢材料的β-變體的該層元件相鄰處分別佈置具有一另一材料之一另一層在每一側，在每一側的各該另一材料的熱膨脹係數高於該鎢材料的熱膨脹係數。
一種低溫相容的量子電腦裝置，包括： <br/>一微電子量子計算元件，包括： <br/>一基板結構， <br/>複數個第一接觸元件，及 <br/>複數個導電饋通，穿過該基板結構， <br/>其中，位於該基板結構之一第一主表面區域上的該等導電饋通電性連接到該微電子量子計算元件的相對應之複數個第一接觸元件；以及 <br/>一另一微電子元件，包括複數個第二接觸元件； <br/>其中，在該基板結構之一第二主表面區域上的該等導電饋通電性連接到該另一微電子元件的相對應之複數個第二接觸元件， <br/>其中，各該導電饋通分別包括在該第一接觸元件和該第二接觸元件之間的一層元件以及一填充元件，該層元件包括在一量子電腦操作溫度中具超導性的一第一材料，該填充元件包括具導電性的一第二材料，且 <br/>其中該填充元件包括鎢材料，其中在與包括該鎢材料的β-變體的該層元件相鄰處佈置具有一另一材料之一另一層，該另一材料的熱膨脹係數高於該鎢材料的熱膨脹係數。
一種低溫相容的量子電腦裝置的製造方法，包括： <br/>提供一微電子量子計算元件，其包括一基板結構、複數個第一接觸元件以及穿過該基板結構的複數個導電饋通，其中各該導電饋通分別包括一層元件以及一填充元件，該層元件包括在一量子電腦操作溫度中具超導性的一第一材料，該填充元件包括具導電性的一第二材料； <br/>在該基板結構的一第一主表面區域上的該等導電饋通與該微電子量子計算元件的相對應之該等第一接觸元件之間形成一電性連接； <br/>提供包括複數個第二接觸元件的一另一微電子元件；以及 <br/>在具有相對應之該等第二接觸元件的該等導電饋通與該另一微電子元件之間的該基板結構的一第二主表面區域上形成一另一電連接， <br/>其中提供該等導電饋通的步驟包括以下子步驟： <br/>在提供壓縮應力的情況下在複數個饋通中沉積形成該層元件的鎢材料以形成鎢材料的β-變體； <br/>在與包括該鎢材料的β-變體的該層元件相鄰處佈置一另一層，該另一層之材料的熱膨脹係數高於該鎢材料的熱膨脹係數；以及 <br/>將導電材料至少部分地或完全地填充於該等饋通中以形成該等導電饋通。
如請求項17所述的方法，其中該等饋通至少部分地或完全地填充有鎢材料以形成該等導電饋通。
如請求項17所述的方法，更包括： <br/>在與包括該鎢材料的β-變體的該層元件相鄰處的任一側上分別佈置一另一層，各該另一層之材料的熱膨脹係數高於該鎢材料的熱膨脹係數。
一種低溫相容的量子電腦裝置的製造方法，包括： <br/>提供一微電子量子計算元件，其包括一基板結構、複數個第一接觸元件以及穿過該基板結構的複數個導電饋通，其中各該導電饋通分別包括一層元件以及一填充元件，該層元件包括在一量子電腦操作溫度中具超導性的一第一材料，該填充元件包括具導電性的一第二材料； <br/>在該基板結構的一第一主表面區域上的該等導電饋通與該微電子量子計算元件的相對應之該等第一接觸元件之間形成一電性連接； <br/>提供包括複數個第二接觸元件的一另一微電子元件；以及 <br/>在具有相對應之該等第二接觸元件的該等導電饋通與該另一微電子元件之間的該基板結構的一第二主表面區域上形成一另一電連接， <br/>其中提供該等導電饋通的步驟包括以下子步驟： <br/>在提供壓縮應力的情況下在複數個饋通中沉積形成該層元件的鎢材料以形成鎢材料的β-變體； <br/>在與包括該鎢材料的β-變體的該層元件相鄰處的任一側上分別佈置一另一層，各該另一層之材料的熱膨脹係數高於該鎢材料的熱膨脹係數；以及 <br/>將導電材料至少部分地或完全地填充於該等饋通中以形成該等導電饋通。
一種具有式 (I) 之化合物， <br/><img align="absmiddle" height="42px" width="53px" file="ed10074.jpg" alt="ed10074.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (I)， <br/>其中 <br/>R<sup>1</sup>選自由以下者組成之群組：C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>2</sub>烷氧基-C<sub>1</sub>-C<sub>2</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>4</sub>烯基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>鹵代烷基、氰基-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>4</sub>鹵代烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>4</sub>炔基和C<sub>2</sub>-C<sub>4</sub>鹵代炔基； <br/>R<sup>2</sup>選自由以下者組成之群組：氫、鹵素、氰基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>鹵代烷氧基-C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基-、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷氧基-C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷氧基-C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷氧基-C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基-、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>羥基烷基-、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基羰基-、-S(O)<sub>m</sub>C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、胺基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基胺基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>二烷基胺基、-C(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基)=N-O-C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基和C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>鹵代炔基； <br/>G係氫、或C(O)R<sup>3</sup>； <br/>R<sup>3</sup>選自由以下者組成之群組：C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基-S-、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、-NR<sup>4</sup>R<sup>5</sup>以及視需要被一個或多個R<sup>6</sup>取代的苯基； <br/>R<sup>4</sup>和R<sup>5</sup>各自獨立地選自由以下者組成之群組：氫、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基和C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基，或者R<sup>4</sup>和R<sup>5</sup>一起可以形成𠰌啉基環；並且， <br/>R<sup>4a</sup>和R<sup>5a</sup>各自獨立地選自由以下者組成之群組：C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基和C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基，或者R<sup>4a</sup>和R<sup>5a</sup>一起可以形成𠰌啉基環；並且， <br/>R<sup>6</sup>選自由以下者組成之群組：鹵素、氰基、硝基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>鹵代烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷氧基以及C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>鹵代烷氧基； <br/>X和Y各自獨立地是氫、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基、環丙基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>鹵代烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>鹵代烷氧基、或鹵素； <br/>D係包含1、2或3個獨立地選自氧、氮和硫的雜原子的經取代的5員或6員單環雜芳基環，其在至少一個環碳原子上被R<sup>8</sup>取代及/或在至少一個環氮原子上被R<sup>9</sup>取代； <br/>至少一個R<sup>8</sup>選自由以下者組成之群組：C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基羰基-、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基羰基-、-S(O)<sub>m</sub>-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、-S(O)<sub>m</sub>-C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、-O-S(O)<sub>2</sub>C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基-S(O)<sub>m</sub>-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基-S(O)<sub>m</sub>-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基-S(O)<sub>m</sub>-C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、氰基-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>-烷基-、-NR<sup>4a</sup>R<sup>5a</sup>、-C(S)NR<sup>4</sup>R<sup>5</sup>、-S(O)<sub>2</sub>NHC(O)C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基、-S(O)<sub>2</sub>NR<sup>4</sup>R<sup>5</sup>、-C(O)OH、-C(O)OC<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-C(O)NHS-(O)<sub>2</sub>C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-C(O)NR<sup>4</sup>R<sup>5</sup>、-NR<sup>4</sup>C(O)NR<sup>4</sup>R<sup>5</sup>、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基羰基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)胺基-、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基羰基胺基-、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基羰基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)胺基-、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基磺醯基胺基-、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基磺醯基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)胺基-、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基磺醯基胺基-、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基磺醯基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)胺基-、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基磺醯基胺基-、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基磺醯基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)胺基-、羥基胺基-、羥基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)胺基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基胺基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)胺基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷氧基胺基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷氧基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)胺基、以及選自由苯基環、包含1、2或3個獨立地選自氧、氮和硫的雜原子的5-6員雜芳基環和包含至多2個獨立地選自氧、氮和硫的雜原子的3-6員雜環基環組成之群組的環系統，其中所述環系統被0至5個R<sup>16</sup>取代； <br/>至少一個R<sup>9</sup>選自由以下者組成之群組：C<sub>5</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>5</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>-環烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷氧基-C<sub>3</sub>烷基-、C<sub>3</sub>烷氧基-C<sub>1</sub>-C<sub>2</sub>烷基-、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>鹵代烷氧基-C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基-、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷氧基-C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷氧基-C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基-、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>羥基烷基-、-C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基-S(O)<sub>m</sub>-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基-S(O)<sub>m</sub>-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基-S(O)<sub>m</sub>-C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、氰基-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>-烷基-、以及選自由苯基環、包含1、2或3個獨立地選自氧、氮和硫的雜原子的5-6員雜芳基環和包含至多2個獨立地選自氧、氮和硫的雜原子的3-6員雜環基環組成之群組的環系統，其中所述環系統被0至5個R<sup>16</sup>取代； <br/>任何另外的R<sup>8</sup>取代基可以選自由以下者組成之群組：氧、羥基、鹵素、氰基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>-環烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷氧基-C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>鹵代烷氧基-C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基-、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷氧基-C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷氧基-C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基-、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>鹵代炔基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>羥基烷基-、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基羰基-、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基羰基-、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基羰基-、-S(O)<sub>m</sub>-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、-S(O)<sub>m</sub>-C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、-O-S(O)<sub>2</sub>C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基-S(O)<sub>m</sub>-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基-S(O)<sub>m</sub>-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基-S(O)<sub>m</sub>-C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、氰基-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>-烷基-、NR<sup>4</sup>R<sup>5</sup>、-C(S)NR<sup>4</sup>R<sup>5</sup>、-S(O)<sub>2</sub>NHC(O)C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基、-S(O)<sub>2</sub>NR<sup>4</sup>R<sup>5</sup>、-C(O)OH、-C(O)OC<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-C(O)NHS-(O)<sub>2</sub>C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-C(O)NR<sup>4</sup>R<sup>5</sup>、-NR<sup>4</sup>C(O)NR<sup>4</sup>R<sup>5</sup>、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基羰基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)胺基-、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基羰基胺基-、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基羰基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)胺基-、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基磺醯基胺基-、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基磺醯基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)胺基-、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基磺醯基胺基-、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基磺醯基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)胺基-、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基磺醯基胺基-、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基磺醯基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)胺基-、羥基胺基-、羥基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)胺基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基胺基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)胺基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷氧基胺基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷氧基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)胺基、或選自由苯基環、包含1、2或3個獨立地選自氧、氮和硫的雜原子的5-6員雜芳基環和包含至多2個獨立地選自氧、氮和硫的雜原子的3-6員雜環基環組成之群組的環系統，其中所述環系統被0至5個R<sup>16</sup>取代； <br/>m係0、1或2的整數； <br/>各個R<sup>16</sup>獨立地是鹵素、氰基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷氧基； <br/>或D係被至少一個R<sup>8</sup>取代的苯基環； <br/>並且， <br/>W係 <br/><img align="absmiddle" height="26px" width="29px" file="ed10075.jpg" alt="ed10075.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>W1或<img align="absmiddle" height="25px" width="26px" file="ed10076.jpg" alt="ed10076.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>W2、或<img align="absmiddle" height="14px" width="33px" file="ed10077.jpg" alt="ed10077.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>W3， <br/>其中： <br/>「a」表示與苯基-嗒𠯤二酮/苯基-嗒𠯤酮部分的附接點， <br/>「b」表示與環D的附接點， <br/>R<sup>10</sup>、R<sup>12</sup>、R<sup>14</sup>和R<sup>15</sup>各自獨立地是氫、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基或C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>鹵代烷基； <br/>或者R<sup>10</sup>和R<sup>12</sup>與它們所連接的碳原子一起形成C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>碳環；並且 <br/>R<sup>11</sup>和R<sup>13</sup>各自獨立地是氫、鹵素、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基、或C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>鹵代烷基； <br/>其前提係當R<sup>11</sup>或R<sup>13</sup>之一者係鹵素、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基或C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>鹵代烷基時，另一者係氫。
如請求項1之具有式 (I) 之化合物，其中， <br/>R<sup>1</sup>係甲基、乙基、環丙基、炔丙基或C<sub>1</sub>氟烷基； <br/>R<sup>2</sup>係氯、環丙基、三氟甲基或甲基； <br/>G係氫或-C(O)-R<sup>3</sup>，其中R<sup>3</sup>係異丙基、三級丁基、甲基、乙基、炔丙基、甲氧基、乙氧基、或三級丁氧基； <br/>X係氟、氯或C<sub>1</sub>-鹵代烷基並且相對於嗒𠯤酮/嗒𠯤-二酮部分係在鄰位； <br/>Y係氫、氯、氟或溴並且相對於-W-D部分係在鄰位； <br/>D係被至少一個選自由以下者組成之群組的R<sup>8</sup>取代的苯基環：C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基羰基-、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基羰基-、-S(O)<sub>m</sub>-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、-S(O)<sub>m</sub>-C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、-O-S(O)<sub>2</sub>C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基-S(O)<sub>m</sub>-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基-S(O)<sub>m</sub>-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基-S(O)<sub>m</sub>-C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、氰基-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>-烷基-、-NR<sup>4a</sup>R<sup>5a</sup>、-C(S)NR<sup>4</sup>R<sup>5</sup>、-S(O)<sub>2</sub>NHC(O)C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基、-S(O)<sub>2</sub>NR<sup>4</sup>R<sup>5</sup>、-C(O)OH、-C(O)OC<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-C(O)NHS-(O)<sub>2</sub>C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-C(O)NR<sup>4</sup>R<sup>5</sup>、-NR<sup>4</sup>C(O)NR<sup>4</sup>R<sup>5</sup>、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基羰基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)胺基-、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基羰基胺基-、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基羰基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)胺基-、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基磺醯基胺基-、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基磺醯基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)胺基-、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基磺醯基胺基-、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基磺醯基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)胺基-、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基磺醯基胺基-、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基磺醯基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)胺基-、羥基胺基-、羥基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)胺基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基胺基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)胺基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷氧基胺基和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷氧基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)胺基；或選自由以下者組成之群組的環系統：苯基環、包含1、2或3個獨立地選自氧、氮和硫的雜原子的5-6員雜芳基環和包含至多2個獨立地選自氧、氮和硫的雜原子的3-6員雜環基環，其中所述環系統被0至5個R<sup>16</sup>取代；並且 <br/>任何另外的R<sup>8</sup>取代基可以選自由以下者組成之群組：羥基、鹵素、氰基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>-環烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基和C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基； <br/>R<sup>4</sup>和R<sup>5</sup>各自獨立地是氫、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷氧基或C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基； <br/>m係0、1或2的整數； <br/>R<sup>4a</sup>和R<sup>5a</sup>各自獨立地選自由以下者組成之群組：C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基和C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基，或者R<sup>4a</sup>和R<sup>5a</sup>一起可以形成𠰌啉基環；並且， <br/>各個R<sup>16</sup>獨立地是鹵素、氰基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷氧基； <br/>W係W1；並且 <br/>R<sup>10</sup>、R<sup>11</sup>、R<sup>12</sup>和R<sup>13</sup>皆為氫。
如請求項1之具有式 (I) 之化合物，其中， <br/>R<sup>1</sup>係甲基； <br/>R<sup>2</sup>係甲基； <br/>G係氫或-C(O)-R<sup>3</sup>，其中R<sup>3</sup>係異丙基、三級丁基、甲基、乙基、炔丙基、甲氧基、乙氧基、或三級丁氧基； <br/>X係氟並且相對於嗒𠯤酮/嗒𠯤-二酮部分係在鄰位； <br/>Y係氯並且相對於-W-D部分係在鄰位； <br/>D係被1或2個R<sup>8</sup>取代的苯基環，其中至少一個R<sup>8</sup>選自由以下者組成之群組：C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基羰基-、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基羰基-、-S(O)<sub>m</sub>-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、-S(O)<sub>m</sub>-C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、-O-S(O)<sub>2</sub>C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基-S(O)<sub>m</sub>-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基-S(O)<sub>m</sub>-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基-S(O)<sub>m</sub>-C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、-S(O)<sub>2</sub>NHC(O)C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基、-S(O)<sub>2</sub>NR<sup>4</sup>R<sup>5</sup>、-C(O)OH、-C(O)OC<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-C(O)NHS-(O)<sub>2</sub>C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-C(O)NR<sup>4</sup>R<sup>5</sup>、-NR<sup>4</sup>C(O)NR<sup>4</sup>R<sup>5</sup>、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基羰基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)胺基-、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基羰基胺基-和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基羰基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)胺基-；或選自由以下者組成之群組的環系統：苯基環、包含1、2或3個獨立地選自氧、氮和硫的雜原子的5-6員雜芳基環和包含至多2個獨立地選自氧、氮和硫的雜原子的3-6員雜環基環，其中所述環系統被0至5個R<sup>16</sup>取代；並且 <br/>任何另外的R<sup>8</sup>取代基可以選自由以下者組成之群組：鹵素、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基； <br/>R<sup>4</sup>和R<sup>5</sup>各自獨立地是氫、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷氧基或C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基； <br/>m係0或2； <br/>各個R<sup>16</sup>獨立地是鹵素、氰基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>鹵代烷基或C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷氧基； <br/>W係W1；並且 <br/>R<sup>10</sup>、R<sup>11</sup>、R<sup>12</sup>和R<sup>13</sup>皆為氫。
如請求項1之具有式 (I) 之化合物，其中， <br/>R<sup>1</sup>係甲基； <br/>R<sup>2</sup>係甲基； <br/>G係氫或-C(O)-R<sup>3</sup>，其中R<sup>3</sup>係異丙基、三級丁基、甲基、乙基、炔丙基、或甲氧基； <br/>X係氟並且相對於嗒𠯤酮/嗒𠯤-二酮部分係在鄰位； <br/>Y係氯並且相對於-W-D部分係在鄰位； <br/>D係被一個選自由以下者組成之群組的R<sup>8</sup>取代的苯基環：-C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基-S(O)<sub>m</sub>-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-S(O)<sub>2</sub>NHC(O)C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基、-S(O)<sub>2</sub>NR<sup>4</sup>R<sup>5</sup>、-C(O)OH、-C(O)OC<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基和-C(O)NR<sup>4</sup>R<sup>5</sup>；或自由以下者組成之群組的環系統：苯基、𠰌啉基、四氫呋喃基、呋喃基、噻吩基、吡咯基、吡唑基、咪唑基、1,2,3-三唑基、1,2,4-三唑基、四唑基、㗁唑基、異㗁唑基、噻唑基、異噻唑基、1,2,4-㗁二唑基、1,3,4-㗁二唑基、1,2,5-㗁二唑基、1,2,3-噻二唑基、1,2,4-噻二唑基、1,3,4-噻二唑基、1,2,5-噻二唑基、吡啶基、吡啶酮基、嘧啶基、嗒𠯤基、吡𠯤基、1,2,3-三𠯤基、1,2,4-三𠯤基、或1,3,5-三𠯤基環，其中所述環系統被0至2個R<sup>16</sup>取代； <br/>R<sup>4</sup>和R<sup>5</sup>各自獨立地是氫或C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基； <br/>m係0或2； <br/>各個R<sup>16</sup>獨立地是鹵素或C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基； <br/>W係W1；並且 <br/>R<sup>10</sup>、R<sup>11</sup>、R<sup>12</sup>和R<sup>13</sup>皆為氫。
如請求項1之具有式 (I) 之化合物，其中， <br/>R<sup>1</sup>係甲基； <br/>R<sup>2</sup>係甲基； <br/>G係氫或-C(O)-R<sup>3</sup>，其中R<sup>3</sup>係異丙基； <br/>X係氟並且相對於嗒𠯤酮/嗒𠯤-二酮部分係在鄰位； <br/>Y係氯並且相對於-W-D部分係在鄰位； <br/>D係被一個選自由以下者組成之群組的R<sup>8</sup>取代的苯基環：甲基氫硫基甲基、異丙基氫硫基甲基、胺磺醯基、甲基胺磺醯基和胺基甲醯基；或選自由以下者組成之群組的環系統：苯基、𠰌啉基、四氫呋喃基、呋喃基、噻吩基、吡咯基、吡唑基、1,2,4-三唑基、㗁唑基和噻唑基環，其中所述環系統被0至2個R<sup>16</sup>取代； <br/>各個R<sup>16</sup>係甲基； <br/>W係W1；並且 <br/>R<sup>10</sup>、R<sup>11</sup>、R<sup>12</sup>和R<sup>13</sup>皆為氫。
如請求項1之具有式 (I) 之化合物，其中， <br/>R<sup>1</sup>係甲基、乙基、環丙基、炔丙基或C<sub>1</sub>氟烷基； <br/>R<sup>2</sup>係氯、環丙基、三氟甲基或甲基； <br/>G係氫或-C(O)-R<sup>3</sup>，其中R<sup>3</sup>係異丙基、三級丁基、甲基、乙基、炔丙基、甲氧基、乙氧基、或三級丁氧基； <br/>X係氟、氯或C<sub>1</sub>-鹵代烷基並且相對於嗒𠯤酮/嗒𠯤-二酮部分係在鄰位； <br/>Y係氫、氯、氟或溴並且相對於-W-D部分係在鄰位； <br/>D係含有1、2或3個獨立地選自氧、氮和硫的雜原子的5員或6員單環雜芳基環，其在環碳上被至少一個選自由以下者組成之群組的R<sup>8</sup>取代：C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基羰基-、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基羰基-、-S(O)<sub>m</sub>-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、-S(O)<sub>m</sub>-C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、-O-S(O)<sub>2</sub>C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基-S(O)<sub>m</sub>-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基-S(O)<sub>m</sub>-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基-S(O)<sub>m</sub>-C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、氰基-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>-烷基-、NR<sup>4a</sup>R<sup>5a</sup>、-C(S)NR<sup>4</sup>R<sup>5</sup>、-S(O)<sub>2</sub>NHC(O)C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基、-S(O)<sub>2</sub>NR<sup>4</sup>R<sup>5</sup>、-C(O)OH、-C(O)OC<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-C(O)NHS-(O)<sub>2</sub>C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-C(O)NR<sup>4</sup>R<sup>5</sup>、-NR<sup>4</sup>C(O)NR<sup>4</sup>R<sup>5</sup>、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基羰基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)胺基-、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基羰基胺基-、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基羰基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)胺基-、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基磺醯基胺基-、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基磺醯基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)胺基-、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基磺醯基胺基-、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基磺醯基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)胺基-、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基磺醯基胺基-、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基磺醯基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)胺基-、羥基胺基-、羥基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)胺基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基胺基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)胺基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷氧基胺基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷氧基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)胺基、以及選自由苯基環、包含1、2或3個獨立地選自氧、氮和硫的雜原子的5-6員雜芳基環和包含至多2個獨立地選自氧、氮和硫的雜原子的3-6員雜環基環組成之群組的環系統，其中所述環系統被0至5個R<sup>16</sup>取代；並且 <br/>任何另外的R<sup>8</sup>取代基可以選自由以下者組成之群組：羥基、鹵素、氰基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>-環烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基和C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基；和/或D將在環氮上被至少一個選自由以下者組成之群組的R<sup>9</sup>取代：C<sub>5</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>5</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>-環烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷氧基-C<sub>3</sub>烷基-、C<sub>3</sub>烷氧基-C<sub>1</sub>-C<sub>2</sub>烷基-、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>鹵代烷氧基-C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基-、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷氧基-C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷氧基-C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基-、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>羥基烷基-、-C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基-S(O)<sub>m</sub>-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基-S(O)<sub>m</sub>-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基-S(O)<sub>m</sub>-C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、氰基-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>-烷基-、以及選自由苯基環、包含1、2或3個獨立地選自氧、氮和硫的雜原子的5-6員雜芳基環和包含至多2個獨立地選自氧、氮和硫的雜原子的3-6員雜環基環組成之群組的環系統，其中所述環系統被0至5個R<sup>16</sup>取代； <br/>R<sup>4</sup>和R<sup>5</sup>各自獨立地是氫、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷氧基或C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基； <br/>m係0、1或2的整數； <br/>R<sup>4a</sup>和R<sup>5a</sup>各自獨立地選自由以下者組成之群組：C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基和C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基，或者R<sup>4a</sup>和R<sup>5a</sup>一起可以形成𠰌啉基環；並且， <br/>各個R<sup>16</sup>獨立地是鹵素、氰基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷氧基； <br/>W係W1；並且 <br/>R<sup>10</sup>、R<sup>11</sup>、R<sup>12</sup>和R<sup>13</sup>皆為氫。
如請求項1之具有式 (I) 之化合物，其中， <br/>R<sup>1</sup>係甲基； <br/>R<sup>2</sup>係甲基； <br/>G係氫或-C(O)-R<sup>3</sup>，其中R<sup>3</sup>係異丙基、三級丁基、甲基、乙基、炔丙基、甲氧基、乙氧基、或三級丁氧基； <br/>X係氟並且相對於嗒𠯤酮/嗒𠯤-二酮部分係在鄰位； <br/>Y係氯並且相對於-W-D部分係在鄰位； <br/>D係含有1、2或3個獨立地選自氧、氮和硫的雜原子的5或6員單環雜芳基環，其在環碳上被1或2個R<sup>8</sup>取代，其中至少一個R<sup>8</sup>選自由以下者組成之群組：C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基羰基-、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基羰基-、-S(O)<sub>m</sub>-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、-S(O)<sub>m</sub>-C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、-O-S(O)<sub>2</sub>C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基-S(O)<sub>m</sub>-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基-S(O)<sub>m</sub>-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基-S(O)<sub>m</sub>-C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、-S(O)<sub>2</sub>NHC(O)C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基、-S(O)<sub>2</sub>NR<sup>4</sup>R<sup>5</sup>、-C(O)OH、-C(O)OC<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-C(O)NHS-(O)<sub>2</sub>C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-C(O)NR<sup>4</sup>R<sup>5</sup>、-NR<sup>4</sup>C(O)NR<sup>4</sup>R<sup>5</sup>、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基羰基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)胺基-、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基羰基胺基-以及C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基羰基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)胺基-；或選自由以下者組成之群組的環系統：苯基環、包含1、2或3個獨立地選自氧、氮和硫的雜原子的5-6員雜芳基環和包含至多2個獨立地選自氧、氮和硫的雜原子的3-6員雜環基環，其中所述環系統被0至5個R<sup>16</sup>取代；並且 <br/>任何另外的R<sup>8</sup>取代基可以選自由以下者組成之群組：鹵素、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基；和/或D將在環氮上被一個選自由以下者組成之群組的R<sup>9</sup>取代：C<sub>5</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>5</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>-環烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基-S(O)<sub>m</sub>-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基-S(O)<sub>m</sub>-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基-S(O)<sub>m</sub>-C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、以及選自由苯基環、包含1、2或3個獨立地選自氧、氮和硫的雜原子的5-6員雜芳基環和包含至多2個獨立地選自氧、氮和硫的雜原子的3-6員雜環基環組成之群組的環系統，其中所述環系統被0至5個R<sup>16</sup>取代； <br/>R<sup>4</sup>和R<sup>5</sup>各自獨立地是氫、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷氧基或C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基； <br/>m係0或2； <br/>各個R<sup>16</sup>獨立地是鹵素、氰基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>鹵代烷基或C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷氧基； <br/>W係W1；並且 <br/>R<sup>10</sup>、R<sup>11</sup>、R<sup>12</sup>和R<sup>13</sup>皆為氫。
如請求項1之具有式 (I) 之化合物，其中， <br/>R<sup>1</sup>係甲基； <br/>R<sup>2</sup>係甲基； <br/>G係氫或-C(O)-R<sup>3</sup>，其中R<sup>3</sup>係異丙基、三級丁基、甲基、乙基、炔丙基或甲氧基； <br/>X係氟並且相對於嗒𠯤酮/嗒𠯤-二酮部分係在鄰位； <br/>Y係氯並且相對於-W-D部分係在鄰位； <br/>D係含有1、2或3個氮原子的5或6員單環雜芳基環，其在環碳上被一個選自由以下者組成之群組的R<sup>8</sup>取代：-C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基-S(O)<sub>m</sub>-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-S(O)<sub>2</sub>NHC(O)C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基、-S(O)<sub>2</sub>NR<sup>4</sup>R<sup>5</sup>、-C(O)OH、-C(O)OC<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基和-C(O)NR<sup>4</sup>R<sup>5</sup>；或選自由以下者組成之群組的環系統：苯基、𠰌啉基、四氫呋喃基、呋喃基、噻吩基、吡咯基、吡唑基、咪唑基、1,2,3-三唑基、1,2,4-三唑基、四唑基、㗁唑基、異㗁唑基、噻唑基、異噻唑基、1,2,4-㗁二唑基、1,3,4-㗁二唑基、1,2,5-㗁二唑基、1,2,3-噻二唑基、1,2,4-噻二唑基、1,3,4-噻二唑基、1,2,5-噻二唑基、吡啶基、吡啶酮基、嘧啶基、嗒𠯤基、吡𠯤基、1,2,3-三𠯤基、1,2,4-三𠯤基、或1,3,5-三𠯤基環，其中所述環系統被0至2個R<sup>16</sup>取代；和/或D將在環氮上被一個選自由以下者組成之群組的R<sup>9</sup>取代：C<sub>5</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>-環烷基、以及選自由苯基環、包含1、2或3個獨立地選自氧、氮和硫的雜原子的5-6員雜芳基環和包含至多2個獨立地選自氧、氮和硫的雜原子的3-6員雜環基環組成之群組的環系統，其中所述環系統被0至2個R<sup>16</sup>取代； <br/>R<sup>4</sup>和R<sup>5</sup>各自獨立地是氫或C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基； <br/>m係0或2； <br/>各個R<sup>16</sup>獨立地是鹵素或C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基； <br/>W係W1；並且 <br/>R<sup>10</sup>、R<sup>11</sup>、R<sup>12</sup>和R<sup>13</sup>皆為氫。
如請求項1之具有式 (I) 之化合物，其中， <br/>R<sup>1</sup>係甲基； <br/>R<sup>2</sup>係甲基； <br/>G係氫或-C(O)-R<sup>3</sup>，其中R<sup>3</sup>係異丙基； <br/>X係氟並且相對於嗒𠯤酮/嗒𠯤-二酮部分係在鄰位； <br/>Y係氯並且相對於-W-D部分係在鄰位； <br/>D係在環碳上被一個選自由以下者組成之群組的R<sup>8</sup>取代的吡唑基或吡啶基：甲基氫硫基甲基、異丙基氫硫基甲基、胺磺醯基、甲基胺磺醯基和胺基甲醯基；或選自由苯基、𠰌啉基、四氫呋喃基、呋喃基、噻吩基、吡咯基、吡唑基、1,2,4-三唑基、㗁唑基和噻唑基環組成之群組的環系統，其中所述環系統被0至2個R<sup>16</sup>取代；和/或D將在環氮上被一個選自環丙基或苯基的R<sup>9</sup>取代； <br/>各個R<sup>16</sup>係甲基； <br/>W係W1；並且 <br/>R<sup>10</sup>、R<sup>11</sup>、R<sup>12</sup>和R<sup>13</sup>皆為氫。
一種除草組成物，其包含如請求項1之具有式 (I) 之化合物和農業上可接受的配製輔助劑。
如請求項10之除草組成物，其進一步包含至少一種另外的殺有害生物劑。
如請求項11之除草組成物，其中該另外的殺有害生物劑係除草劑或除草劑安全劑。
一種控制不想要的植物生長之方法，該方法包括將如請求項1之具有式 (I) 之化合物或如請求項10至12中任一項之除草組成物施用至該不想要的植物或其場所。
一種如請求項1之具有式 (I) 之化合物之用途，其用作為除草劑。
一種由單晶矽製備半導體晶圓的方法，其包含從存在於坩堝中的熔體提拉矽單晶的圓柱形區段和隨後提拉端部圓錐體； <br/>其中，與提拉該圓柱形區段端部區域的提拉速度相比，提拉該端部圓錐體的提拉速度實質上保持恆定； <br/>在提拉該單晶的該圓柱形區段和該端部圓錐體期間，以一轉速並沿一旋轉方向旋轉該坩堝；以及 <br/>從該單晶的該圓柱形區段分割出單晶矽半導體晶圓，其中提拉該端部圓錐體期間的提拉速度至少大於0.46毫米／分鐘，而該坩堝的旋轉方向持續改變，且在該旋轉方向改變前後的轉速幅度不小於6 rpm。
如請求項1所述的方法，其中提拉該端部圓錐體期間的提拉速度至少大於0.5毫米／分鐘。
如請求項1或2所述的方法，其中該圓柱形區段的75%至95%棒長度範圍在600℃至700℃溫度範圍內的停留時間少於460分鐘。
如請求項1或2所述的方法，其中所分割的半導體晶圓不含有晶體來源顆粒（crystal originated particle，COP）和大蝕刻坑（large etch pit，LPit）。
如請求項1或2所述的方法，其中在提拉該單晶的圓柱形區段時不發生差排。
如請求項1或2所述的方法，其中該熔體經受水平磁場。
一種雙面電連接器，其適於正反雙面電連接一對接電連接器，其包括：一對接構造，該對接構造設有一連接槽，該連接槽設有一頂面及一底面，該連接槽之頂面及底面為該對接構造之上下二板面，該頂面及該底面各設有一排接點，該頂面及該底面之二排接點各設有多個不同信號之電路之接點，該二排接點形成在二排端子；及其特徵在於，該頂面的一後段較一前段凸向該連接槽的中心，該底面的一後段較一前段凸向該連接槽的中心，該二排接點係為彈動之二排接點，該彈動之二排接點各包括有多個不同信號之電路之接點且僅凸出於該頂面及該底面之二後段。
一種雙面電連接器，其適於正反雙面電連接一對接電連接器，其包括：一對接構造，該對接構造設有一連接槽，該連接槽設有一頂面及一底面，該連接槽之頂面及底面為該對接構造之上下二板面，該頂面及該底面各設有一排接點，該頂面及該底面之二排接點各設有多個不同信號之電路之接點，該二排接點形成在二排端子；及其特徵在於，該頂面的一後段較一前段凸向該連接槽的中心，該底面的一後段較一前段凸向該連接槽的中心；該二排接點係為彈動之二排接點，該彈動之二排接點各包括有多個不同信號之電路之接點且僅凸出於該頂面及該底面之二後段，該頂面及該底面之該二排接點同時用於電連接。
一種雙面電連接器，其適於正反雙面電連接一對接電連接器，其包括：一對接構造，該對接構造設有一連接槽，該連接槽設有一頂面及一底面，該連接槽之頂面及底面為該對接構造之上下二板面，該頂面及該底面各設有一連接介面，該頂面及該底面之二連接介面各設有一排接點，該二連接介面之二排接點各設有多個不同信號之電路之接點，該二排接點形成在二排端子；及其特徵在於，該頂面的一後段較一前段凸向該連接槽的中心，該底面的一後段較一前段凸向該連接槽的中心，該二連接介面各包括一對D+接點、D-接點的一USB連接介面，該二連接介面之二USB連接介面同時用於電連接。
一種雙面電連接器，其適於正反雙面電連接一對接電連接器，其包括：一對接構造，該對接構造設有一連接槽，該連接槽設有一頂面及一底面，該連接槽之頂面及底面為該對接構造之上下二板面，該頂面及該底面各設有一連接介面，該頂面及該底面之二連接介面各設有一排接點，該二連接介面之二排接點各設有多個不同信號之電路之接點，該二排接點形成在二排端子；及其特徵在於，該頂面的一後段較一前段凸向該連接槽的中心，該底面的一後段較一前段凸向該連接槽的中心，該二排接點係為彈動之二排接點，該彈動之二排接點各包括有多個不同信號之電路之接點且僅凸出於該頂面及該底面之二後段，該二連接介面同時用於電連接。
一種雙面電連接器，其適於正反雙面電連接一對接電連接器，其包括：一對接構造，該對接構造設有一連接槽，該連接槽設有一頂面及一底面，該連接槽之頂面及底面為該對接構造之上下二板面，該頂面及該底面各設有一連接介面，該頂面及該底面之二連接介面各設有一排接點，該二連接介面之二排接點各設有多個不同信號之電路之接點，該二排接點形成在二排端子；及其特徵在於，該頂面的一後段較一前段凸向該連接槽的中心，該底面的一後段較一前段凸向該連接槽的中心，且該二連接介面其中彈動之接點僅凸出於該頂面及該底面之二後段。
一種雙面電連接器，其適於正反雙面電連接一對接電連接器，其包括：一對接構造，該對接構造設有一連接槽，該連接槽設有一頂面及一底面，該連接槽之頂面及底面為該對接構造之上下二板面，該頂面及該底面各設有形成於多數端子上的多數接點，該多數接點設有多個不同信號的電路之接點；及其特徵在於，該頂面的一後段較一前段凸向該連接槽的中心，該底面的一後段較一前段凸向該連接槽的中心，且該頂面的多數接點位於該前段和該後段且各為一排接點，該底面的多數接點位於該前段和該後段且各為一排接點，該頂面的多數接點及該底面的多數接點位於二後段之二排接點係為彈動之二排接點，該彈動之二排接點各包括有多個不同信號之電路之接點且僅凸出於該頂面及該底面之二後段。
一種雙面電連接器，其適於正反雙面電連接一對接電連接器，其包括：一電路板；一對接構造，該對接構造設有一連接槽，該連接槽設有一頂面及一底面，該連接槽之頂面及底面為該對接構造之上下二板面，該頂面及該底面各設有一排接點，該頂面及該底面之二排接點各設有多個不同信號的電路之接點，該二排接點形成在二排端子，該二排端子設有一排接腳焊接在該電路板，該二排接點與該電路板電連接；及其特徵在於，該頂面的一後段較一前段凸向該連接槽的中心，該底面的一後段較一前段凸向該連接槽的中心，其中該二排接點其中二對或四對相同信號的電路之接點分別相互電連接，該二排接點係為彈動之二排接點，該彈動之二排接點各包括有多個不同信號之電路之接點且僅凸出於該頂面及該底面之二後段。
如申請專利範圍第7項所述之雙面電連接器，其特徵在於，其中，該二排接點其中二對或四對相同信號的電路之接點於該連接槽分別相互電連接；或該二排接點其中一對相同信號的電路且上下相互對齊之接點系相互電連接；或該二排接點其中一對相同信號的電路且上下相互對齊之接點系於該連接槽相互電連接。
一種雙面電連接器，其適於正反雙面電連接一對接電連接器，其包括：一對接構造，該對接構造設有一連接槽，該連接槽設有一頂面及一底面，該連接槽之頂面及底面為該對接構造之上下二板面，該頂面及該底面各設有一排接點，該頂面及該底面之二排接點各設有多個不同信號的電路之接點，該二排接點形成在二排端子；及其特徵在於，該頂面的一後段較一前段凸向該連接槽的中心，該底面的一後段較一前段凸向該連接槽的中心；該二排接點設有四對上下對齊的接點，且每對上下對齊的接點相互電連接，該二排接點係為彈動之二排接點，該彈動之二排接點各包括有多個不同信號之電路之接點且僅凸出於該頂面及該底面之二後段。
一種雙面電連接器，其適於正反雙面電連接一對接電連接器，其包括：一對接構造，該對接構造設有一連接槽，該連接槽設有一頂面及一底面，該連接槽之頂面及底面為該對接構造之上下二板面，該頂面及該底面各設有一排接點，該頂面及該底面之二排接點各設有多個不同信號的電路之接點，該二排接點形成在二排端子；及其特徵在於，該頂面的一後段較一前段凸向該連接槽的中心，該底面的一後段較一前段凸向該連接槽的中心，該二排接點其中一對或二對或四對接點系上下相互對齊，且每對上下對齊的接點於該連接槽相互電連接，該二排接點係為彈動之二排接點，該彈動之二排接點各包括有多個不同信號之電路之接點且僅凸出於該頂面及該底面之二後段。
如申請專利範圍第10項所述之雙面電連接器，其特徵在於，其中，每對上下對齊的接點於該連接槽之前段相互電連接。
一種雙面電連接器，其適於正反雙面電連接一對接電連接器，其包括：一對接構造，該對接構造設有一連接槽，該連接槽設有一頂面及一底面，該連接槽之頂面及底面為該對接構造之上下二板面，該頂面及該底面各設有一排接點，該頂面及該底面之二排接點各設有多個不同信號的電路之接點，該二排接點形成在二排端子；及其特徵在於，該頂面的一後段較一前段凸向該連接槽的中心，該底面的一後段較一前段凸向該連接槽的中心，該二排接點各一對接點系上下相互對齊且上下相互不電連接，該二排接點係為彈動之二排接點，該彈動之二排接點各包括有多個不同信號之電路之接點且僅凸出於該頂面及該底面之二後段。
如申請專利範圍第12項所述之雙面電連接器，其特徵在於，其中，可為以下a至f其中之1或至少二個之組合：a.該二排接點各一對接點分別與一電子單元電連接；b.該二排接點各一對接點分別與一IC控制晶片電連接；c.該二排接點各一對接點係相互為不同信號之電路之接點；d.該二排接點各一對接點為各一對傳輸訊號之電路之接點；e.該二排接點各包括另一對接點，該二排接點各二對接點系上下相互對齊且上下相互不電連接；f.該二排接點各包括另一對接點，該二排接點各二對接點系上下相互對齊且上下相互不電連接，該二排接點各二對接點為各二對傳輸訊號之電路之接點。
一種雙面電連接器，其適於正反雙面電連接一對接電連接器，其包括：一電路板；一對接構造，該對接構造設有一連接槽，該連接槽設有一頂面及一底面，該連接槽之頂面及底面為該對接構造之上下二板面，該頂面及該底面各設有一連接介面，該頂面及該底面之二連接介面各設有一排接點，該二連接介面之二排接點各設有多個不同信號的電路之接點，該二排接點形成在二排端子，該二排端子設有一排接腳焊接在該電路板，該二連接介面與該電路板電連接；及其特徵在於，該頂面的一後段較一前段凸向該連接槽的中心，該底面的一後段較一前段凸向該連接槽的中心，該二連接介面其中一端子為偵測端子，該二排接點係為彈動之二排接點，該彈動之二排接點各包括有多個不同信號之電路之接點且僅凸出於該頂面及該底面之二後段。
如申請專利範圍第14項所述之雙面電連接器，其特徵在於，其中，可為以下a至k其中之1或a至k至少二個之組合：a.該二連接介面各一端子為偵測端子；b.該偵測端子被配置為檢測插入方向；c.該偵測端子電連接一電路安全保護元件；d.該偵測端子電連接一控制電路；e.設有一切換開關裝置，該切換開關裝置電連接該二連接介面及一IC控制晶片；f.該二連接介面各一端子為偵測端子，該二連接介面各包括一對D+接點、D-接點的一USB2.0連接介面，當所述之雙面電連接器正面電連接一對接電連接器時，該二連接介面之二USB2.0連接介面其中僅對應正面電連接之一USB2.0連接介面用於電連接，當所述之雙面電連接器反面電連接一對接電連接器時，該二連接介面之二USB2.0連接介面其中僅對應反面電連接之一USB2.0連接介面用於電連接；g.該二連接介面各一端子為偵測端子，該二連接介面各包括一對D+接點、D-接點的一USB2.0連接介面，該二連接介面之二USB2.0連接介面同時用於電連接；h.該二連接介面各一端子為偵測端子，該二連接介面各包括一對D+接點、D-接點的一USB2.0連接介面，該雙面電連接器能操作，用於該二連接介面之二USB2.0連接介面僅其中一USB2.0連接介面進行電連接，且用於該二連接介面之二USB2.0連接介面同時進行電連接；i.該二連接介面各包括一對D+接點、D-接點的一USB3.0連接介面，二USB3.0連接介面各一端子為偵測端子，當所述之雙面電連接器正面電連接一對接電連接器時，該二連接介面之二USB3.0連接介面其中僅對應正面電連接之一USB3.0連接介面用於電連接，當所述之雙面電連接器反面電連接一對接電連接器時，該二連接介面之二USB3.0連接介面其中僅對應反面電連接之一USB3.0連接介面用於電連接；j.該二連接介面各包括一對D+接點、D-接點的一USB3.0連接介面，二USB3.0連接介面各一端子為偵測端子，該二連接介面之二USB3.0連接介面同時用於電連接；k.該二連接介面各包括一對D+接點、D-接點的一USB3.0連接介面，二USB3.0連接介面各一端子為偵測端子，該雙面電連接能操作，用於該二連接介面之二USB3.0連接介面其中僅一USB3.0連接介面進行電連接，且用於該二連接介面之二USB3.0連接介面同時進行電連接。
如申請專利範圍第1項至第15項任一項所述之雙面電連接器，其特徵在於，其中，可為以下a至o其中之1或a至o至少二個之組合：a.設有一定位構造，該定位構造整體為金屬材質，該定位構造設有二定位彈片，該二定位彈片設於該對接構造的左右二側邊，且該二定位彈片位於該上下二板面之二排接點之間，當該連接槽與該對接電連接器相互對接時，該定位構造可與該對接電連接器相互卡定，防止該對接電連接器向相反對接方向脫離；b.該連接槽係為塑膠材質；c.該連接槽係為塑膠射出成型；d.該對接構造設有一塑膠成型結構，該塑膠成型結構的前段設有該連接槽；e.該對接構造設有一塑膠成型結構，該塑膠成型結構的前段一體成型設有該連接槽；f.該對接構造設有一塑膠射出成型結構，該塑膠射出成型結構的前段設有該連接槽；g.該對接構造設有一塑膠射出成型結構，該塑膠射出成型結構的前端一體成型設有該連接槽；h.該對接構造設有一絕緣體，該絕緣體的前段設有該連接槽；i.該對接構造設有一絕緣體，該絕緣體的前端一體成型設有該連接槽；j.該對接構造設有一絕緣體，該絕緣體係為塑膠射出成型且前段設有該連接槽；k 該對接構造設有一絕緣體，該絕緣體係為塑膠射出成型且前段一體成型設有該連接槽；l.該連接槽前端為插入口；m.該頂面及底面為該連接槽之上下二板面，該連接槽之上下二板面的任一板面的該後段較厚於該前段；n.該連接槽之形狀可正反雙面對接定位於該對接電連接器之一連接板，該連接板設有上下二板面，該上下二板面各設有一排接點，該上下二板面之二排接點各設有多個不同信號之電路之接點，該二排接點形成在二排端子；o.該頂面及該底面其中彈動之接點僅凸出於該連接槽之該頂面及該底面之二後段。
一種雙面電連接器，其適於正反雙面電連接一對接電連接器，其包括：一對接構造，該對接構造設有上下二板面，該上下二板面各設有一排接點，該上下二板面之二排接點各設有多個不同信號的電路之接點，該二排接點形成在二排端子；及其特徵在於，上板面的一後段較一前段凸出，下板面的一後段較一前段凸出，該上下二板面之該二排接點同時用於電連接。
一種雙面電連接器，其適於正反雙面電連接一對接電連接器，其包括：一電路板；一對接構造，該對接構造設有上下二板面，該上下二板面各設有一連接介面，該上下二板面之二連接介面各設有一排接點，該二連接介面之二排接點各設有多個不同信號的電路之接點，該二排接點形成在二排端子，該二排端子設有一排接腳焊接在該電路板，該二連接介面與該電路板電連接，該二連接介面各包括一對D+接點、D-接點的一USB連接介面；及其特徵在於，上板面的一後段較一前段凸出，下板面的一後段較一前段凸出，該二連接介面其中二對或四對相同信號的電路之接點分別相互電連接，該雙面電連接器能操作，用於該二連接介面之二USB連接介面其中僅一USB連接介面進行電連接，且用於該二USB連接介面同時進行電連接，且該二USB連接介面其中之一端子為偵測端子。
如申請專利範圍第18項所述之雙面電連接器，其特徵在於，其中，該二連接介面其中二對或四對相同信號的電路之接點於該對接構造分別相互電連接；或該二連接介面其中一對相同信號的電路且上下相互對齊之接點系相互電連接；或該二連接介面其中一對相同信號的電路且上下相互對齊之接點系於該對接構造相互電連接。
一種雙面電連接器，其適於正反雙面電連接一對接電連接器，其包括：一對接構造，該對接構造設有上下二板面，該上下二板面各設有一排接點，該上下二板面之二排接點各設有多個不同信號的電路之接點，該二排接點形成在二排端子；及其特徵在於，上板面的一後段較一前段凸出，下板面的一後段較一前段凸出，該二排接點設有四對上下對齊的接點，且每對上下對齊的接點相互電連接。
一種雙面電連接器，其適於正反雙面電連接一對接電連接器，其包括：一對接構造，該對接構造設有上下二板面，該上下二板面各設有一排接點，該上下二板面之二排接點各設有多個不同信號的電路之接點，該二排接點形成在二排端子；及其特徵在於，上板面的一後段較一前段凸出，下板面的一後段較一前段凸出，該二排接點其中一對或二對或四對接點系上下相互對齊，且每對上下對齊的接點於該對接構造相互電連接。
如申請專利範圍第21項所述之雙面電連接器，其特徵在於，其中，每對上下對齊的接點於該對接構造之前段相互電連接。
一種雙面電連接器，其適於正反雙面電連接一對接電連接器，其包括：一對接構造，該對接構造設有上下二板面，該上下二板面各設有一排接點，該上下二板面之二排接點各設有多個不同信號的電路之接點，該二排接點形成在二排端子；及其特徵在於，上板面的一後段較一前段凸出，下板面的一後段較一前段凸出，該二排接點各一對接點系上下相互對齊且上下相互不電連接。
如申請專利範圍第23項所述之雙面電連接器，其特徵在於，其中，可為以下a至f其中之1或a至f至少二個之組合：a.該二排接點各一對接點分別與一電子單元電連接；b.該二排接點各一對接點分別與一IC控制晶片電連接；c.該二排接點各一對接點係相互為不同信號之電路之接點；d.該二排接點各一對接點為各一對傳輸訊號之電路之接點；e.該二排接點各包括另一對接點，該二排接點各二對接點系上下相互對齊且上下相互不電連接；f.該二排接點各包括另一對接點，該二排接點各二對接點系上下相互對齊且上下相互不電連接，該二排接點各二對接點為各二對傳輸訊號之電路之接點。
一種雙面電連接器，其適於正反雙面電連接一對接電連接器，其包括：一對接構造，該對接構造設有上下二板面，該上下二板面各設有一連接介面，該上下二板面之二連接介面各設有一排接點，該二連接介面之二排接點各設有多個不同信號的電路之接點，該二排接點形成在二排端子；及其特徵在於，上板面的一後段較一前段凸出，下板面的一後段較一前段凸出，該二連接介面其中一端子為偵測端子，該偵測端子被配置為檢測插入方向。
一種雙面電連接器，其適於正反雙面電連接一對接電連接器，其包括：一電路板；一對接構造，該對接構造設有上下二板面，該上下二板面各設有一連接介面，該上下二板面之二連接介面各設有一排接點，該二連接介面之二排接點各設有多個不同信號的電路之接點，該二排接點形成在二排端子，該二排端子設有一排接腳焊接在該電路板，該二連接介面與該電路板電連接；及其特徵在於，上板面的一後段較一前段凸出，下板面的一後段較一前段凸出，該二連接介面其中一端子為偵測端子。
如申請專利範圍第26項所述之雙面電連接器，其特徵在於，其中，可為以下a至k其中之1或a至k至少二個之組合：a.該二連接介面各一端子為偵測端子；b.該偵測端子被配置為檢測插入方向；c.該偵測端子電連接一電路安全保護元件；d.該偵測端子電連接一控制電路；e.設有一切換開關裝置，該切換開關裝置電連接該二連接介面及一IC控制晶片；f.該二連接介面各一端子為偵測端子，該二連接介面各包括一對D+接點、D-接點的一USB2.0連接介面，當所述之雙面電連接器正面電連接一對接電連接器時，該二連接介面之二USB2.0連接介面其中僅對應正面電連接之一USB2.0連接介面用於電連接，當所述之雙面電連接器反面電連接一對接電連接器時，該二連接介面之二USB2.0連接介面其中僅對應反面電連接之一USB2.0連接介面用於電連接；g.該二連接介面各一端子為偵測端子，該二連接介面各包括一對D+接點、D-接點的一USB2.0連接介面，該二連接介面之二USB2.0連接介面同時用於電連接；h.該二連接介面各一端子為偵測端子，該二連接介面各包括一對D+接點、D-接點的一USB2.0連接介面，該雙面電連接器能操作，用於該二連接介面之二USB2.0連接介面僅其中一USB2.0連接介面進行電連接，且用於該二連接介面之二USB2.0連接介面同時進行電連接；i.該二連接介面各包括一對D+接點、D-接點的一USB3.0連接介面，該二連接介面之二USB3.0連接介面各一端子為偵測端子，當所述之雙面電連接器正面電連接一對接電連接器時，該二連接介面之二USB3.0連接介面其中僅對應正面電連接之一USB3.0連接介面用於電連接，當所述之雙面電連接器反面電連接一對接電連接器時，該二連接介面之二USB3.0連接介面其中僅對應反面電連接之一USB3.0連接介面用於電連接；j.該二連接介面各包括一對D+接點、D-接點的一USB3.0連接介面，該二連接介面之二USB3.0連接介面各一端子為偵測端子，該二USB3.0連接介面同時用於電連接；k.該二連接介面各包括一對D+接點、D-接點的一USB3.0連接介面，該二連接介面之二USB3.0連接介面各一端子為偵測端子，該雙面電連接器能操作，用於該二連接介面之二USB3.0連接介面其中僅一USB3.0連接介面進行電連接，且用於該二連接介面之二USB3.0連接介面同時進行電連接。
一種雙面電連接器，其適於正反雙面電連接一對接電連接器，其包括：一對接構造，該對接構造設有上下二板面，該上下二板面各設有一排接點，該上下二板面之二排接點各設有多個不同信號的電路之接點，該二排接點形成在二排端子；及其特徵在於，上板面的一後段較一前段凸出，下板面的一後段較一前段凸出，該對接構造之絕緣體內設有一金屬材質的補強板，該補強板位於該二排接點之間。
一種雙面電連接器，其適於正反雙面電連接一對接電連接器，其包括：一對接構造，該對接構造設有上下二板面，該上下二板面各設有一排接點，該上下二板面之二排接點各設有多個不同信號的電路之接點，該二排接點形成在二排端子；及其特徵在於，上板面的一後段較一前段凸出，下板面的一後段較一前段凸出，該對接構造之絕緣體內設有一金屬材質的補強板，該補強板位於該二排接點之間，且該補強板系與該二排端子其中一排埋入塑膠射出成型定位於該對接構造之絕緣體。
如申請專利範圍第29項所述之雙面電連接器，其特徵在於，其中，可為以下a至b其中之1或a和b之組合：a.該補強板與該二排端子系為埋入該對接構造之絕緣體一體射出成型；b.該對接構造之絕緣體設有上、下絕緣座體，該二排端子系分別埋入塑膠射出成型定位於該上、下絕緣座體，該補強板系與該二排端子其中一排埋入射出定位於該上、下絕緣座體其中之一。
一種雙面電連接器，其適於正反雙面電連接一對接電連接器，其包括：一電路板；一對接構造，該對接構造設有上下二板面，該上下二板面各設有一排接點，該上下二板面之二排接點各設有多個不同信號的電路之接點，該二排接點形成在二排端子，該二排端子設有一排接腳焊接在該電路板；及其特徵在於，上板面的一後段較一前段凸出，下板面的一後段較一前段凸出，該對接構造設有上、下絕緣座體，該二排端子系分別埋入塑膠射出成型定位於該上、下絕緣座體。
如申請專利範圍第31項所述之雙面電連接器，其特徵在於，其中，可為以下a至c其中之1或a至c至少二個之組合：a.該對接構造之絕緣體內設有一金屬材質的補強板，該補強板位於該二排接點之間，藉以增強該對接構造之強度；b.該對接構造之絕緣體內設有一金屬材質的補強板，該補強板位於該二排接點之間，藉以增強該對接構造之強度，該補強板系與該二排端子其中一排埋入射出定位於該上、下絕緣座體其中之一；c.該上絕緣座體一體成型有該上板面，該下絕緣座體一體成型有該下板面。
一種雙面電連接器，其適於正反雙面電連接一對接電連接器，其包括：一對接構造，該對接構造設有上下二板面，該上下二板面各設有一排接點，該上下二板面之二排接點各設有多個不同信號的電路之接點，該二排接點形成在二排端子；及其特徵在於，上板面的一後段較一前段凸出，下板面的一後段較一前段凸出；一定位構造，該定位構造整體為金屬材質，該定位構造設於該對接構造之左右二側邊且位於該上下二板面之該二排接點之間，當該對接構造與該對接電連接器相互對接時，該定位構造可與該對接電連接器相互卡定，防止該對接電連接器向相反對接方向脫離。
如申請專利範圍第33項所述之雙面電連接器，其特徵在於，其中，該定位構造設有二定位彈片或二定位凹部或二定位凹槽。
一種雙面電連接器，其適於正反雙面電連接一對接電連接器，其包括：一對接構造，該對接構造設有上下二板面，該上下二板面各設有一排接點，該上下二板面之二排接點各設有多個不同信號的電路之接點，該二排接點形成在二排端子；及其特徵在於，上板面的一後段較一前段凸出，下板面的一後段較一前段凸出；一金屬殼，該金屬殼僅包覆抵接該對接構造之絕緣體之後段之上下二面及左右二側邊。
如申請專利範圍第35項所述之雙面電連接器，其特徵在於，其中，設有一金屬殼，該金屬殼包覆抵接該對接構造之絕緣體之前段，該僅包覆抵接該對接構造之絕緣體後段之金屬殼係連接該包覆抵接該對接構造之絕緣體之前段之金屬殼。
一種雙面電連接器，其適於正反雙面電連接一對接電連接器，其包括：一電路板；一對接構造，該對接構造設有一絕緣體，該絕緣體的前段設有上下二板面，該上下二板面各設有一排接點，該上下二板面之二排接點各設有多個不同信號的電路之接點，該二排接點形成在二排端子，該二排端子設有一排接腳焊接在該電路板，該二排接點與該電路板電連接；及其特徵在於，上板面的一後段較一前段凸出，下板面的一後段較一前段凸出；該對接構造之該絕緣體的後段設有一套接槽，該電路板前段套接卡合於該套接槽，該套接槽抵接該電路板前段之上下面。
如申請專利範圍第37項所述之雙面電連接器，其特徵在於，其中，可為以下a至f其中之1或a至f至少二個之組合：a.該套接槽抵接該電路板前段之左右側面；b.該電路板設有一控制電路，該控制電路包括一電路安全保護元件；c.設有一封膠體，該封膠體系以封膠方式將該對接構造之絕緣體與該電路板之空間覆蓋補滿結合成一封膠絕緣體，藉以增強該對接構造之強度；d.設有一補強構造及一封膠體，該封膠體系以封膠方式將該補強構造與該絕緣體之空間覆蓋補滿結合該補強構造與該絕緣體，該補強構造為金屬補強板或金屬殼或套接槽或封膠絕緣體；e.設有一電子單元，該電子單元電連接該電路板，使該二排接點與該電子單元電連接；f.設有一電子單元及一封膠體，該電子單元電連接該電路板，使該二排接點與該電子單元電連接，該封膠體系以封膠方式將該電路板之後段與該電子單元之空間覆蓋補滿。
如申請專利範圍第17項至第38項中任一項所述之雙面電連接器，其特徵在於，其中，可為以下a至r其中之1或a至r至少二個之組合：a.該對接構造設有一絕緣體，該絕緣體的前段設有一連接槽，該連接槽設有一頂面及一底面，該連接槽之頂面及底面為該對接構造之上下二板面；b.該對接構造設有一絕緣體，該絕緣體的前段一體成型設有一連接槽，該連接槽設有一頂面及一底面，該連接槽之頂面及底面為該對接構造之上下二板面；c.該對接構造設有一絕緣體，該絕緣體係為塑膠射出成型且前段設有一連接槽，該連接槽設有一頂面及一底面，該連接槽之頂面及底面為該對接構造之上下二板面；d.該對接構造設有一絕緣體，該絕緣體係為塑膠射出成型且前段一體成型設有一連接槽，該連接槽設有一頂面及一底面，該連接槽之頂面及底面為該對接構造之上下二板面；e.該對接構造設有一塑膠成型結構，該塑膠成型結構的前段設有一連接槽，該連接槽設有一頂面及一底面，該連接槽之頂面及底面為該對接構造之上下二板面；f.該對接構造設有一塑膠成型結構，該塑膠成型結構的前段一體成型設有一連接槽，該連接槽設有一頂面及一底面，該連接槽之頂面及底面為該對接構造之上下二板面；g.該對接構造設有一塑膠射出成型結構，該塑膠射出成型結構的前段設有一連接槽，該連接槽設有一頂面及一底面，該連接槽之頂面及底面為該對接構造之上下二板面；h.該對接構造設有一塑膠射出成型結構，該塑膠射出成型結構的前段一體成型設有一連接槽，該連接槽設有一頂面及一底面，該連接槽之頂面及底面為該對接構造之上下二板面；i.該對接構造設有一絕緣體，該絕緣體的前段設有一連接板，該連接板之上下面為該對接構造之上下二板面；j.該對接構造設有一絕緣體，該絕緣體的前段一體成型設有一連接板，該連接板之上下面為該對接構造之上下二板面；k.該對接構造設有一絕緣體，該絕緣體係為塑膠射出成型且前段設有一連接板，該連接板之上下面為該對接構造之上下二板面；l.該對接構造設有一絕緣體，該絕緣體係為塑膠射出成型且前段一體成型設有一連接板，該連接板之上下面為該對接構造之上下二板面；m.該對接構造設有一塑膠成型結構，該塑膠成型結構的前段設有一連接板，該連接板之上下面為該對接構造之上下二板面；n.該對接構造設有一塑膠成型結構，該塑膠成型結構的前段一體成型設有一連接板，該連接板之上下面為該對接構造之上下二板面；o.該對接構造設有一塑膠射出成型結構，該塑膠射出成型結構的前段設有一連接板，該連接板之上下面為該對接構造之上下二板面；p.該對接構造設有一塑膠射出成型結構，該塑膠射出成型結構的前段一體成型設有一連接板，該連接板之上下面為該對接構造之上下二板面；q.該二排接點其中接地接點與電源接點較其他接點靠近該上下二板面之前端；r.該二排接點係為彈動之二排接點，該彈動之二排接點各包括有多個不同信號之電路之接點且僅凸出於該上下二板面之二後段。
如申請專利範圍第1項、第5項至第14項、第20項至第26項、第28項至第38項任一項所述之雙面電連接器，其特徵在於，其中，該上下二板面之該二排接點同時用於電連接。
如申請專利範圍第1項至第6項、第9項至第15項、第17項、第20項至第38項任一項所述之雙面電連接器，其特徵在於，其中，該二排接點其中二對或四對相同信號的電路之接點分別相互電連接。
如申請專利範圍第41項所述之雙面電連接器，其特徵在於，其中，該二排接點其中二對或四對相同信號的電路之接點於該對接構造分別相互電連接；或該二排接點其中一對相同信號的電路且上下相互對齊之接點系相互電連接；或該二排接點其中一對相同信號的電路且上下相互對齊之接點系於該對接構造相互電連接。
如申請專利範圍第1項至第8項、第10項至第15項、第18項至第19項、第21項至第38項任一項所述之雙面電連接器，其特徵在於，其中，該二排接點設有四對上下對齊的接點，且每對上下對齊的接點相互電連接。
如申請專利範圍第1項至第9項、第12項至第15項、第18項至第20項、第23項至第38項任一項所述之雙面電連接器，其特徵在於，其中，該二排接點其中一對或二對或四對接點系上下相互對齊，且每對上下對齊的接點於該對接構造相互電連接；或該二排接點其中一對或二對或四對接點系上下相互對齊，且每對上下對齊的接點於該對接構造之前段相互電連接。
如申請專利範圍第1項至第11項、第14項至第15項、第17項至第22項、第25項至第38項任一項所述之雙面電連接器，其特徵在於，其中，該二排接點各一對接點系上下相互對齊且上下相互不電連接。
如申請專利範圍第45項所述之雙面電連接器，其特徵在於，其中，可為以下a至f其中之1或a至f至少二個之組合：a.該二排接點各一對接點分別與一電子單元電連接；b.該二排接點各一對接點分別與一IC控制晶片電連接；c.該二排接點各一對接點係相互為不同信號之電路之接點；d.該二排接點各一對接點為各一對傳輸訊號之電路之接點；e.該二排接點各包括另一對接點，該二排接點各二對接點系上下相互對齊且上下相互不電連接；f.該二排接點各包括另一對接點，該二排接點各二對接點系上下相互對齊且上下相互不電連接，該二排接點各二對接點為各二對傳輸訊號之電路之接點。
如申請專利範圍第1項至第13項、第17項、第20項至第24項、第28項至第38項任一項所述之雙面電連接器，其特徵在於，其中，可為以下a至n其中之1或a至n至少二個之組合：a.該上下二板面各設有一連接介面，該上下二板面之二連接介面各包括該一排接點，該二連接介面其中一端子為偵測端子；b.該上下二板面各設有一連接介面，該上下二板面之二連接介面各包括該一排接點，該二連接介面各一端子為偵測端子；c.該上下二板面各設有一連接介面，該上下二板面之二連接介面各包括該一排接點，該二連接介面其中一端子為偵測端子，該偵測端子被配置為檢測插入方向；d.該上下二板面各設有一連接介面，該上下二板面之二連接介面各包括該一排接點，該二連接介面其中一端子為偵測端子，該偵測端子電連接一電路安全保護元件；e.該上下二板面各設有一連接介面，該上下二板面之二連接介面各包括該一排接點，該二連接介面其中一端子為偵測端子，該偵測端子電連接一控制電路；f.設有一切換開關裝置，該切換開關裝置電連接該二排接點及一IC控制晶片；g.該上下二板面各設有一連接介面，該上下二板面之二連接介面各包括該一排接點，該二連接介面各一端子為偵測端子，該二連接介面各包括一對D+接點、D-接點的一USB2.0連接介面，當所述之雙面電連接器正面電連接一對接電連接器時，該二連接介面之二USB2.0連接介面其中僅對應正面電連接之一USB2.0連接介面用於電連接，當所述之雙面電連接器反面電連接一對接電連接器時，該二連接介面之二USB2.0連接介面其中僅對應反面電連接之一USB2.0連接介面用於電連接；h.該上下二板面各設有一連接介面，該上下二板面之二連接介面各包括該一排接點，該二連接介面各一端子為偵測端子，該二連接介面各包括一對D+接點、D-接點的一USB2.0連接介面，該二連接介面之二USB2.0連接介面同時用於電連接；i.該上下二板面各設有一連接介面，該上下二板面之二連接介面各包括該一排接點，該二連接介面各一端子為偵測端子，該二連接介面各包括一對D+接點、D-接點的一USB2.0連接介面，該雙面電連接器能操作，用於該二連接介面之二USB2.0連接介面僅其中一USB2.0連接介面進行電連接，且用於該二連接介面之二USB2.0連接介面同時進行電連接；j.該上下二板面各設有一連接介面，該上下二板面之二連接介面各包括該一排接點，該二連接介面各包括一對D+接點、D-接點的一USB2.0連接介面，該雙面電連接器能操作，用於該二連接介面之二USB2.0連接介面僅其中一USB2.0連接介面進行電連接，且用於該二連接介面之二USB2.0連接介面同時進行電連接；k.該上下二板面各設有一連接介面，該上下二板面之二連接介面各包括該一排接點，該二連接介面各包括一對D+接點、D-接點的一USB3.0連接介面，二USB3.0連接介面各一端子為偵測端子，當所述之雙面電連接器正面電連接一對接電連接器時，該二連接介面之二USB3.0連接介面其中僅對應正面電連接之一USB3.0連接介面用於電連接，當所述之雙面電連接器反面電連接一對接電連接器時，該二連接介面之二USB3.0連接介面其中僅對應反面電連接之一USB3.0連接介面用於電連接；l.該上下二板面各設有一連接介面，該上下二板面之二連接介面各包括該一排接點，該二連接介面各包括一對D+接點、D-接點的一USB3.0連接介面，二USB3.0連接介面各一端子為偵測端子，該二連接介面之二USB3.0連接介面同時用於電連接；m.該上下二板面各設有一連接介面，該上下二板面之二連接介面各包括該一排接點，，該二連接介面各包括一對D+接點、D-接點的一USB3.0連接介面，二USB3.0連接介面各一端子為偵測端子，該雙面電連接器能操作，用於該二連接介面之二USB3.0連接介面其中僅一USB3.0連接介面進行電連接，且用於該二連接介面之二USB3.0連接介面同時進行電連接；n.該上下二板面各設有一連接介面，該上下二板面之二連接介面各包括該一排接點，該二連接介面各包括一對D+接點、D-接點的一USB3.0連接介面，該雙面電連接器能操作，用於該二連接介面之二USB3.0連接介面其中僅一USB3.0連接介面進行電連接，且用於該二連接介面之二USB3.0連接介面同時進行電連接。
如申請專利範圍第1項至第15項、第17項至第27項、第33項至第38項任一項所述之雙面電連接器，其特徵在於，其中，可為以下a至d其中之1或a至d至少二個之組合：a.該對接構造之絕緣體內設有一金屬材質的補強板，該補強板位於該二排接點之間；b.該對接構造之絕緣體內設有一金屬材質的補強板，該補強板位於該二排接點之間，該補強板系與該二排端子其中一排埋入塑膠射出成型定位於該對接構造之絕緣體；c.該對接構造之絕緣體內設有一金屬材質的補強板，該補強板位於該二排接點之間，該補強板系與該二排端子埋入塑膠射出成型定位於該對接構造之絕緣體；d.該對接構造之絕緣體內設有一金屬材質的補強板，該補強板位於該二排接點之間，該補強板與該二排端子系為埋入該對接構造之絕緣體一體射出成型。
如申請專利範圍第1項至第15項、第17項至第27項、第33項至第38項任一項所述之雙面電連接器，其特徵在於，其中，可為以下a至d其中之1或a至d至少二個之組合：a.該對接構造設有上、下絕緣座體，該二排端子系分別埋入塑膠射出成型定位於該上、下絕緣座體；b.該對接構造設有上、下絕緣座體，該二排端子系分別埋入塑膠射出成型定位於該上、下絕緣座體，該對接構造之絕緣體內設有一金屬材質的補強板，藉以增強該對接構造之強度，該補強板位於該二排接點之間；c.該對接構造設有上、下絕緣座體，該二排端子系分別埋入塑膠射出成型定位於該上、下絕緣座體，該對接構造之絕緣體內設有一金屬材質的補強板，藉以增強該對接構造之強度，該補強板位於該二排接點之間，該補強板系與該二排端子其中一排埋入射出定位於該上、下絕緣座體其中之一；d.該對接構造設有上、下絕緣座體，該二排端子系分別埋入塑膠射出成型定位於該上、下絕緣座體，該上絕緣座體一體成型有上板面，該下絕緣座體一體成型有下板面。
如申請專利範圍第17項至第32項、第35項至第38項任一項所述之雙面電連接器，其特徵在於，其中，設有一定位構造，該定位構造整體為金屬材質，該定位構造設於該對接構造之左右二側邊且位於該上下二板面之該二排接點之間，當該對接構造與該對接電連接器相互對接時，該定位構造可與該對接電連接器相互卡定，防止該對接電連接器向相反對接方向脫離；或設有一定位構造，該定位構造整體為金屬材質，該定位構造設有二定位彈片或二定位凹部或二定位凹槽，該定位構造設於該對接構造之左右二側邊且位於該上下二板面之該二排接點之間，當該對接構造與該對接電連接器相互對接時，該定位構造可與該對接電連接器相互卡定，防止該對接電連接器向相反對接方向脫離。
如申請專利範圍第1項至第15項、第17項至第34項、第37項至第38項任一項所述之雙面電連接器，其特徵在於，其中，設有一金屬殼，該金屬殼僅包覆抵接該對接構造之絕緣體之後段之上下二面及左右二側邊；或設有一金屬殼，該金屬殼僅包覆抵接該對接構造之絕緣體之後段之上下二面及左右二側邊，及一金屬殼，該金屬殼包覆抵接該對接構造之絕緣體之前段，該僅包覆抵接該對接構造之絕緣體後段之金屬殼係連接該包覆抵接該對接構造之絕緣體之前段之金屬殼。
如申請專利範圍第7項至第8項、第14項至第15項、第18項至第19項、第26項至第27項、第31項至第32項任一項所述之雙面電連接器，其特徵在於，其中，可為以下a至g其中之1或a至g至少二個之組合：a.該對接構造之絕緣體後段設有一套接槽，該電路板前段套接卡合於該套接槽，該套接槽抵接該電路板前段之上下面；b.該對接構造之絕緣體後段設有一套接槽，該電路板前段套接卡合於該套接槽，該套接槽抵接該電路板前段之上下面及左右側面；c.該電路板設有一控制電路，該控制電路包括一電路安全保護元件；d.設有一封膠體，該封膠體系以封膠方式將該對接構造之絕緣體與該電路板之空間覆蓋補滿結合成一封膠絕緣體，藉以增強該對接構造之強度；e.設有一補強構造及一封膠體，該封膠體系以封膠方式將該補強構造與該絕緣體之空間覆蓋補滿結合該補強構造與該對接構造之絕緣體，該補強構造為金屬補強板或金屬殼或套接槽或封膠絕緣體；f.設有一電子單元，該電子單元電連接該電路板，使該二排接點與該電子單元電連接；g.設有一電子單元及一封膠體，該電子單元電連接該電路板，使該二排接點與該電子單元電連接，該封膠體系以封膠方式將該電路板後段與該電子單元之空間覆蓋補滿。
如申請專利範圍第1項至第6項、第9項至第13項、第17項、第20項至第25項、第28項至第30項、第33項至第36項、任一項所述之雙面電連接器，其特徵在於，其中，可為以下a至h其中之1或a至h至少二個之組合：a.設有一電路板，該二排端子設有接腳焊接在該電路板，該二排接點與該電路板電連接，該二排接點與該電路板電連接該對接構造之絕緣體後段設有一套接槽，該電路板前段套接卡合於該套接槽，該套接槽抵接該電路板前段之上下面；b.設有一電路板，該二排端子設有接腳焊接在該電路板，該二排接點與該電路板電連接，該對接構造之絕緣體後段設有一套接槽，該電路板前段套接卡合於該套接槽，該套接槽抵接該電路板前段之上下面及左右側面；c.設有一電路板，該二排端子設有接腳焊接在該電路板，該二排接點與該電路板電連接，該電路板設有一控制電路，該控制電路包括一電路安全保護元件；d.設有一電路板及一封膠體，該二排端子設有接腳焊接在該電路板，該二排接點與該電路板電連接，該封膠體系以封膠方式將該對接構造之絕緣體與該電路板之空間覆蓋補滿結合成一封膠絕緣體，藉以增強該對接構造之強度；e.設有一補強構造及一封膠體，該封膠體系以封膠方式將該補強構造與該絕緣體之空間覆蓋補滿結合該補強構造與該對接構造之絕緣體，該補強構造為金屬補強板或金屬殼或套接槽或封膠絕緣體；f.設有一電路板，該端子設有接腳焊接在該電路板，使該二排接點與該電路板電連接；g.設有一電路板及一電子單元，該電子單元電連接該電路板，該端子設有接腳焊接在該電路板，使該二排接點與該電路板及該電子單元電連接；h.設有一電路板、一電子單元及一封膠體，該電子單元電連接該電路板，該端子設有接腳焊接在該電路板，使該二排接點與該電路板及該電子單元電連接，該封膠體系以封膠方式將該電路板後段與該電子單元之空間覆蓋補滿。
如申請專利範圍第1項至第15項、第17項至第38項任一項所述之雙面電連接器，其特徵在於，其中，可為以下a至k其中之1或a至k至少二個之組合：a.該二排接點其中一對相同信號之電路之接點電連接；b.該二排接點其中相同信號的電路之接點皆電連接；c.該二排接點其中相同信號的電路之接點皆於該對接構造電連接；d.該二排接點其中一對相同信號的電路且上下相互對齊之接點系相互電連接；e.該二排接點其中一對相同信號的電路且上下相互對齊之接點系於該對接構造相互電連接；f.設有一切換開關裝置，該上下二板面各設有一連接介面，該上下二板面之二連接介面各包括該一排接點，該切換開關裝置電連接該二連接介面及一IC控制晶片，該二連接介面各包括一對D+接點、D-接點的一USB2.0連接介面，該二連接介面之二USB2.0連接介面僅其中一USB2.0連接介面用於電連接；g.設有一切換開關裝置，該上下二板面各設有一連接介面，該上下二板面之二連接介面各包括該一排接點，該切換開關裝置電連接該二連接介面及一IC控制晶片，該二連接介面各包括一對D+接點、D-接點的一USB2.0連接介面，該二連接介面之二USB2.0連接介面同時用於電連接；h.設有一切換開關裝置，該上下二板面各設有一連接介面，該上下二板面之二連接介面各包括該一排接點，該切換開關裝置電連接該二連接介面及一IC控制晶片，該二連接介面各包括一對D+接點、D-接點的一USB2.0連接介面，該雙面電連接器能操作，用於該二連接介面之二USB2.0連接介面僅其中一USB2.0連接介面進行電連接，且用於該二連接介面之二USB2.0連接介面同時進行電連接；i.設有一切換開關裝置，該上下二板面各設有一連接介面，該上下二板面之二連接介面各包括該一排接點，該切換開關裝置電連接該二連接介面及一IC控制晶片，該二連接介面各包括一對D+接點、D-接點的一USB3.0連接介面，該二連接介面之二USB3.0連接介面僅其中一USB3.0連接介面用於電連接；j.設有一切換開關裝置，該上下二板面各設有一連接介面，該上下二板面之二連接介面各包括該一排接點，該切換開關裝置電連接該二連接介面及一IC控制晶片，該二連接介面各包括一對D+接點、D-接點的一USB3.0連接介面，該二連接介面之二USB3.0連接介面同時用於電連接；k.設有一切換開關裝置，該上下二板面各設有一連接介面，該上下二板面之二連接介面各包括該一排接點，該切換開關裝置電連接該二連接介面及一IC控制晶片，該二連接介面各包括一對D+接點、D-接點的一USB3.0連接介面，該雙面電連接器能操作，用於該二連接介面之二USB3.0連接介面僅其中一USB3.0連接介面進行電連接，且用於該二連接介面之二USB3.0連接介面同時進行電連接。
如申請專利範圍第1項至第15項、第17項至第38項所述之雙面電連接器，其特徵在於，其中，該雙面電連接器係為一轉接電連接器的一雙面電連接器，且該轉接電連接器設有一電路板、另一電連接器及一轉接電路，該另一電連接器及該轉接電路電連接該電路板，該雙面電連接器之二排接點電連接該電路板而與該另一電連接器及該轉接電路電連接。
如申請專利範圍第55項所述之雙面電連接器，其特徵在於，其中，可為以下a至r其中之1或a至r至少二個之組合：a.該另一電連接器設有一連接板；b.該另一電連接器設有一連接板，該連接板設有上下二板面，該上下二板面各設有一連接介面；c.該另一電連接器設有一連接板及一定位構造，該連接板設有上下二板面，該上下二板面各設有一排接點，該連接板之二排接點係分別平貼於該上下二板面，該上下二板面之二後段較該二排接點凸出，該定位構造整體為金屬材質，該定位構造之二側各設有一定位凹部，該定位構造之二定位凹部設於該連接板之左右二側邊且位於該上下二板面之該二排接點之間；d.該另一電連接器設有一連接板及一定位構造，該連接板設有上下二板面，該上下二板面各設有一排接點，該連接板之二排接點係分別平貼於該上下二板面，該上下二板面之二後段較該二排接點凸出，該二排接點僅露出於該二後段之前方之板面，該定位構造整體為金屬材質，該定位構造之二側各設有一定位凹部，該定位構造之二定位凹部設於該連接板之左右二側邊且位於該上下二板面之該二排接點之間；e.該另一電連接器設有一連接板及一定位構造，該連接板設有上下二板面，該上下二板面各設有一排接點，該連接板之二排接點係分別平貼於該上下二板面，該上下二板面之二後段較該二排接點凸出，該定位構造整體為金屬材質，該定位構造之二側各設有一定位凹槽，該定位構造之二定位凹槽設於該連接板之左右二側邊且位於該上下二板面之該二排接點之間；f.該另一電連接器設有一連接板及一定位構造，該連接板設有上下二板面，該上下二板面各設有一排接點，該連接板之二排接點係分別平貼於該上下二板面，該上下二板面之二後段較該二排接點凸出，該二排接點僅露出於該二後段之前方之板面，該定位構造整體為金屬材質，該定位構造之二側各設有一定位凹槽，該定位構造之二定位凹槽設於該連接板之左右二側邊且位於該上下二板面之該二排接點之間；g.該另一電連接器設有一連接板，該連接板設有上下二板面，該上下二板面各設有一排接點，該連接板之二排接點係分別平貼於該上下二板面，該上下二板面之二後段較該二排接點凸出，該二排接點僅露出於該二後段之前方之板面，該二排接點其中較長之接點位於該上下二板面之左右二側，且其中較短之接點位於該左右二側之較長之接點之間；h.該另一電連接器設有一連接槽；i.該另一電連接器設有一連接槽，該連接槽設有一頂面及一底面，該頂面及該底面各設有一排接點；j.該另一電連接器設有一連接槽，該連接槽設有一頂面及一底面，該頂面及該底面各設有一排接點，該頂面之一後段較一前段凸向該連接槽的中心，該底面之一後段較一前段凸向該連接槽的中心；k.該另一電連接器設有一連接槽，該連接槽設有一頂面及一底面，該頂面及該底面各設有一排接點，該連接槽之二排接點各設有多個不同信號的電路之接點，該二排接點形成在二排端子，該頂面之一後段較一前段凸向該連接槽的中心，該底面之一後段較一前段凸向該連接槽的中心，該二排接點係為彈動之二排接點，該彈動之二排接點各包括有多個不同信號之電路之接點且僅凸出於該頂面及該底面之二後段；l.該另一電連接器係為一雙面電連接器；m.該另一電連接器係為一雙面USB電連接器；n.該另一電連接器係為一雙面USB公頭；o.該另一電連接器係為一雙面USB母座；p該雙面電連接器為一雙面USB公頭；q.該雙面電連接器係為一雙面電連接公頭；r.該另一電連接器的構造相同於該雙面電連接器的構造。
一種轉接電連接器，其包括有：一電路板；一轉接電路，該轉接電路電連接該電路板；一雙面電連接器，其適於正反雙面電連接一對接電連接器，其包括有：一對接構造，該對接構造設有上下二板面，該上下二板面各設有一排接點，該上下二板面之二排接點各設有多個不同信號的電路之接點，該二排接點形成在二排端子，該二排端子設有一排接腳焊接在該電路板，該二排接點與該電路板電連接；該二排接點其中一對相同信號的電路之接點電連接，上板面的一後段較一前段凸出，下板面的一後段較一前段凸出，該上下二板面各設有一連接介面，該上下二板面之二連接介面各包括該一排接點，該二連接介面其中一端子為偵測端子；及另一電連接器，該另一電連接器電連接該電路板，該雙面電連接器之二連接介面之二排接點電連接該電路板而與該另一電連接器及該轉接電路電連接。
如申請專利範圍第57項所述之轉接電連接器，其特徵在於，其中，可為以下a至r其中之1或a至r至少二個之組合：a.該另一電連接器設有一連接板；b.該另一電連接器設有一連接板，該連接板設有上下二板面，該上下二板面各設有一連接介面；c.該另一電連接器設有一連接板及一定位構造，該連接板設有上下二板面，該上下二板面各設有一排接點，該連接板之二排接點係分別平貼於該上下二板面，該上下二板面之二後段較該二排接點凸出，該定位構造整體為金屬材質，該定位構造之二側各設有一定位凹部，該定位構造之二定位凹部設於該連接板之左右二側邊且位於該上下二板面之該二排接點之間；d.該另一電連接器設有一連接板及一定位構造，該連接板設有上下二板面，該上下二板面各設有一排接點，該連接板之二排接點係分別平貼於該上下二板面，該上下二板面之二後段較該二排接點凸出，該二排接點僅露出於該二後段之前方之板面，該定位構造整體為金屬材質，該定位構造之二側各設有一定位凹部，該定位構造之二定位凹部設於該連接板之左右二側邊且位於該上下二板面之該二排接點之間；e.該另一電連接器設有一連接板及一定位構造，該連接板設有上下二板面，該上下二板面各設有一排接點，該連接板之二排接點係分別平貼於該上下二板面，該上下二板面之二後段較該二排接點凸出，該定位構造整體為金屬材質，該定位構造之二側各設有一定位凹槽，該定位構造之二定位凹槽設於該連接板之左右二側邊且位於該上下二板面之該二排接點之間；f.該另一電連接器設有一連接板及一定位構造，該連接板設有上下二板面，該上下二板面各設有一排接點，該連接板之二排接點係分別平貼於該上下二板面，該上下二板面之二後段較該二排接點凸出，該二排接點僅露出於該二後段之前方之板面，該定位構造整體為金屬材質，該定位構造之二側各設有一定位凹槽，該定位構造之二定位凹槽設於該連接板之左右二側邊且位於該上下二板面之該二排接點之間；g.該另一電連接器設有一連接板，該連接板設有上下二板面，該上下二板面各設有有一排接點，該連接板之二排接點係分別平貼於該上下二板面，該上下二板面之二後段較該二排接點凸出，該二排接點僅露出於該二後段之前方之板面，該二排接點其中較長之接點位於該上下二板面之左右二側，且其中較短之接點位於該左右二側之較長之接點之間；h.該另一電連接器設有一連接槽；i.該另一電連接器設有一連接槽，該連接槽設有一頂面及一底面，該頂面及該底面各設有一連接介面；j.該另一電連接器設有一連接槽，該連接槽設有一頂面及一底面，該頂面及該底面各設有一連接介面，該頂面之一後段較一前段凸向該連接槽的中心，該底面之一後段較一前段凸向該連接槽的中心；k.該另一電連接器設有一連接槽，該連接槽設有一頂面及一底面，該頂面及該底面各設有一排接點，該連接槽之二排接點各設有多個不同信號的電路之接點，該二排接點形成在二排端子，該頂面之一後段較一前段凸向該連接槽的中心，該底面之一後段較一前段凸向該連接槽的中心，該二排接點係為彈動之二排接點，該彈動之二排接點各包括有多個不同信號之電路之接點且僅凸出於該頂面及該底面之二後段；l.該另一電連接器係為一雙面電連接器；m.該另一電連接器係為一雙面USB電連接器；n.該另一電連接器係為一雙面USB公頭；o.該另一電連接器係為一雙面USB母座；p.該雙面電連接器係為一雙面USB公頭；q.該雙面電連接器係為一雙面電連接公頭；r.該另一電連接器的構造相同於該雙面電連接器的構造。
如申請專利範圍第57項所述之雙面電連接器，其特徵在於，其中，可為以下a至r其中之1或a至r至少二個之組合：a.該對接構造設有一絕緣體，該絕緣體的前段設有一連接槽，該連接槽設有一頂面及一底面，該連接槽之頂面及底面為該對接構造之上下二板面；b.該對接構造設有一絕緣體，該絕緣體的前段一體成型設有一連接槽，該連接槽設有一頂面及一底面，該連接槽之頂面及底面為該對接構造之上下二板面；c.該對接構造設有一絕緣體，該絕緣體係為塑膠射出成型且前段設有一連接槽，該連接槽設有一頂面及一底面，該連接槽之頂面及底面為該對接構造之上下二板面；d.該對接構造設有一絕緣體，該絕緣體係為塑膠射出成型且前段一體成型設有一連接槽，該連接槽設有一頂面及一底面，該連接槽之頂面及底面為該對接構造之上下二板面；e.該對接構造設有一塑膠成型結構，該塑膠成型結構的前段設有一連接槽，該連接槽設有一頂面及一底面，該連接槽之頂面及底面為該對接構造之上下二板面；f.該對接構造設有一塑膠成型結構，該塑膠成型結構的前段一體成型設有一連接槽，該連接槽設有一頂面及一底面，該連接槽之頂面及底面為該對接構造之上下二板面；g.該對接構造設有一塑膠射出成型結構，該塑膠射出成型結構的前段設有一連接槽，該連接槽設有一頂面及一底面，該連接槽之頂面及底面為該對接構造之上下二板面；h.該對接構造設有一塑膠射出成型結構，該塑膠射出成型結構的前段一體成型設有一連接槽，該連接槽設有一頂面及一底面，該連接槽之頂面及底面為該對接構造之上下二板面；i.該對接構造設有一絕緣體，該絕緣體的前段設有一連接板，該連接板之上下面為該對接構造之上下二板面；j.該對接構造設有一絕緣體，該絕緣體的前段一體成型設有一連接板，該連接板之上下面為該對接構造之上下二板面；k.該對接構造設有一絕緣體，該絕緣體係為塑膠射出成型且前段設有一連接板，該連接板之上下面為該對接構造之上下二板面；l.該對接構造設有一絕緣體，該絕緣體係為塑膠射出成型且前段一體成型設有一連接板，該連接板之上下面為該對接構造之上下二板面；m.該對接構造設有一塑膠成型結構，該塑膠成型結構的前段設有一連接板，該連接板之上下面為該對接構造之上下二板面；n.該對接構造設有一塑膠成型結構，該塑膠成型結構的前段一體成型設有一連接板，該連接板之上下面為該對接構造之上下二板面；o.該對接構造設有一塑膠射出成型結構，該塑膠射出成型結構的前段設有一連接板，該連接板之上下面為該對接構造之上下二板面；p.該對接構造設有一塑膠射出成型結構，該塑膠射出成型結構的前段一體成型設有一連接板，該連接板之上下面為該對接構造之上下二板面；q.該二排接點其中接地接點與電源接點較其他接點靠近該上下二板面之前端；r.該二排接點係為彈動之二排接點，該彈動之二排接點各包括有多個不同信號之電路之接點且僅凸出於該上下二板面之二後段。
一種煙霧式滅菌機，包含有：一本體，呈中空殼狀而於其內部形成有一容置空間，該容置空間內設有一主控制板，且於該本體上設有一煙霧噴出口；一煙霧產生模組，設於該容置空間且與該主控制板電性連接，該煙霧產生模組可受該主控制板控制而啟動，該煙霧產生模組包括有一可供裝填滅菌液之液體容器、一抽取泵及一蓄熱座，該液體容器與該蓄熱座分別以一管路連接該抽取泵，且該蓄熱座連接有一朝該煙霧噴出口延伸設置之導引管，該抽取泵用以抽取該液體容器內之滅菌液並傳遞至該蓄熱座及該導引管中進行加熱氣化後，再以該導引管之出口端將加熱氣化產生之滅菌煙霧經該煙霧噴出口向外噴出；一離子產生模組，設於該容置空間且與該主控制板電性連接，使該離子產生模組可受該主控制板控制而作動產生帶電荷之離子；一紫外線殺菌燈，外接於該本體上，該紫外線殺菌燈具有一燈體及一外接電線，該外接電線以其一端連接該燈體，而該外接電線之另一端電性連接該主控制板，使該燈體可受該主控制板控制而作動發出紫外線光；以及一供電單元，設於該容置空間中，該供電單元電性連接該主控制板，以提供該煙霧產生模組、該離子產生模組及該紫外線殺菌燈運作時所需之電力來源，該本體上設有與該供電單元相互電性連接之一電源開關，該離子產生模組具有一設於該本體外側上之離子發射端，透過按壓該電源開關以開啟電源後，該主控制板即會直接驅動該離子產生模組與該紫外線殺菌燈開始作動。
如請求項1所述之煙霧式滅菌機，其中，該本體之頂面固設有一手把，並於該手把上設有一與該主控制板電性連接之啟動按鈕，透過按壓該啟動按鈕以傳遞一啟動訊號給該主控制板，使該主控制板接收到該啟動訊號時可相對控制該煙霧產生模組啟動。
如請求項1所述之煙霧式滅菌機，其中，該液體容器由可透光材質製成並具有一朝上凸伸至該本體之頂面上的填充口，並於該填充口上設有一可拆卸之蓋體，該本體於鄰近該液體容器之一側設有一液面觀側窗，供使用者可由外部直接觀看到滅菌液的存量。
如請求項1所述之煙霧式滅菌機，其中，該蓄熱座設有可供滅菌液通過之內部流道及加熱用的電熱型加熱元件，該蓄熱座之加熱溫度被控制在90℃至110℃，且該導引管係由金屬導熱材質製成螺旋狀並以其一端與該蓄熱座之內部流道相接。
如請求項1所述之煙霧式滅菌機，其中，該蓄熱座與該主控制板之間更設置有一用以隔開該蓄熱座與該主控制板之隔板，且該隔板之一端呈朝該蓄熱座之方向彎折，使該隔板可於該容置空間中分隔出一加熱空間，並於該隔板上開設有一開孔，該開孔設有一與該主控制板電性連接之風扇，該風扇作動時用以將位於該主控制板一側之空氣送入該加熱空間中，且送入該加熱空間的空氣再經由該煙霧噴出口向外噴出。
如請求項1所述之煙霧式滅菌機，其中，該離子產生模組更具有一作動指示燈，且該離子發射端及該作動指示燈分別朝外凸伸至該本體設有該煙霧噴出口之一側上，當該主控制板控制該離子產生模組作動時，該作動指示燈將同步亮起，以供使用者可迅速判斷該離子產生模組是否正常運作。
如請求項1所述之煙霧式滅菌機，其中，該離子產生模組由一負離子產生器構成，使該離子產生模組作動時可產生負離子。
如請求項1所述之煙霧式滅菌機，其中，該離子產生模組由一負離子產生器及一正離子產生器組成，使該離子產生模組作動時可同時產生出負離子及正離子。
如請求項1所述之煙霧式滅菌機，其中，該紫外線殺菌燈之燈體由一UVC-LED紫外線燈構成，並可發出波長介於200~280奈米之紫外線光，且於該燈體之背側上設有一磁吸件，使該燈體可相對吸附於該本體由金屬製成之外殼上。
如請求項1所述之煙霧式滅菌機，其中，該主控制板更電性連接有一無線接收/發送單元，該無線接收/發送單元用以接收外部一遙控器的啟動訊號，使該主控制板可相對控制該煙霧產生模組開始作動，且該主控制板更可在檢測到故障或完成整個滅菌作業後，透過該無線接收/發送單元傳遞一通知訊號至使用者之行動通訊裝置。
一種電極的製造方法，是含有：將含有含鈮氧化物及含鈦氧化物中至少一者與水的糊漿，塗佈於集電體而得到構造體的步驟； <br/> 使前述糊漿乾燥，形成為卡爾費雪法測出之含水量在1000質量ppm以上10000質量ppm以下之活性物質含有層的步驟；以及 <br/> 沖壓前述構造體的步驟； <br/> 前述塗佈是一邊使前述集電體往搬運方向移動一邊進行，且至少排除與前述集電體之搬運方向平行的端部； <br/> 前述乾燥是一邊使前述構造體往前述搬運方向移動，且一邊將前述構造體之前述端部往與前述搬運方向交叉的方向拉伸來進行。
如請求項1記載之電極的製造方法，其中，更含有：將施加於前述構造體之搬運方向的張力，因應前述含水量進行調整的步驟。
如請求項1或2記載之電極的製造方法，其中，更含有：將前述沖壓後之前述構造體層積多個，將所得到之層積體之兩面最外層邊加壓邊乾燥，使前述活性物質含有層以卡爾費雪法測出之含水量在600質量ppm以下的步驟。
如請求項1或2記載之電極的製造方法，其中，更含有：將前述沖壓後之前述構造體加以裁斷的步驟；以及 <br/> 將前述裁斷後之前述構造體層積多個，將所得到之層積體之兩面最外層邊加壓邊乾燥，使前述活性物質含有層以卡爾費雪法測出之含水量在600質量ppm以下的步驟。
如請求項1或2記載之電極的製造方法，其中，前述含鈮氧化物包含由一般化學式 <br/>Li<sub>x</sub>Ti<sub>1-y</sub>M1<sub>y</sub>Nb<sub>2-z</sub>M2<sub>z</sub>O<sub>7+δ</sub>所表示之含鈮氧化物、一般化學式Li<sub>x</sub>Ti<sub>1-y</sub>M3<sub>y+z</sub>Nb<sub>2-z</sub>O<sub>7-δ</sub>所表示之含鈮氧化物所構成之群中所選擇的至少1種， <br/> 前述M1是從Zr、Si、Sn所構成之群中所選擇的至少1種，前述M2是從V、Ta、Bi所構成之群中所選擇的至少1種，前述M3是從Mg、Fe、Ni、Co、W、Ta、Mo所構成之群中所選擇的至少1種，前述x滿足0≦x≦5，前述y滿足0≦y＜1，前述z滿足0≦z＜2，前述δ滿足-0.3≦δ≦0.3。
如請求項1或2記載之電極的製造方法，其中，前述含鈦氧化物是包含從單斜型二氧化鈦、銳鈦礦型二氧化鈦、金紅石型二氧化鈦、青銅型二氧化鈦所構成之群中所選擇的至少1種。
一種電池的製造方法，是含有：將請求項1~6之任1項所記載之方法所得到的電極當作第1電極，在前述第1電極與第2電極之間配置分隔件來製作電極群的步驟； <br/> 將前述電極群收容於外裝構件的步驟；以及 <br/> 以收容於前述外裝構件的前述電極群來保持非水電解質的步驟。
一種用於側行鏈路定位之第一設備，其包含：<br/> 至少一個處理器；以及<br/> 儲存指令之至少一個記憶體，該等指令在藉由該至少一個處理器執行時，致使該第一設備至少進行下列動作：<br/> 經由側行鏈路通訊傳送用於裝置發現之一發現請求；<br/> 從至少一個候選裝置接收至少一個相應發現回應，該至少一個相應發現回應包含該至少一個候選裝置中之一對應候選裝置之一位置資訊狀態；以及<br/> 將帶有該位置資訊狀態之一候選裝置清單傳送至一第二設備以供對該第一設備定出位置，<br/> 其中該位置資訊狀態指出該至少一個候選裝置中之該對應候選裝置之一已知位置是否有效。
如請求項1之第一設備，其中該位置資訊狀態係藉由一指示符來指出，該指示符之一第一值指出該對應候選裝置之該已知位置有效，並且該指示符之一第二不同值指出該對應候選裝置之該已知位置無效。
如請求項1或2之第一設備，其中該定出位置係藉由該第二設備來發起，並且該第二設備包含實施位置管理功能之一網路裝置。
一種用於側行鏈路定位之第二設備，其包含：<br/> 至少一個處理器；以及<br/> 儲存指令之至少一個記憶體，該等指令在藉由該至少一個處理器執行時，致使該第二設備至少進行下列動作：<br/> 從一第一設備接收一候選裝置清單，該候選裝置清單包含帶有一相應位置資訊狀態之至少一個候選裝置；<br/> 從該候選裝置清單確定用於對該第一設備定出位置之複數個終端裝置，該複數個終端裝置中之至少一者帶有無效位置資訊狀態；<br/> 向帶有該無效位置資訊狀態之該至少一個終端裝置傳送附加裝置發現之一指示，該指示帶有與要發現之一附加裝置有關之參考資訊；<br/> 從帶有該無效位置資訊狀態之該至少一個終端裝置接收一附加裝置清單，該附加裝置清單包含符合該參考資訊之至少一個附加裝置；以及<br/> 憑藉帶有效位置資訊狀態之該等終端裝置之至少一部分及該至少一個附加裝置之一協助，對該第一設備及帶有該無效位置資訊狀態之該至少一個終端裝置定出位置。
如請求項4之第二設備，其中該位置資訊狀態係藉由一指示符來指出，該指示符之一第一值指出該對應候選裝置之該位置資訊狀態有效，並且該指示符之一第二不同值指出該對應候選裝置之該位置資訊狀態無效。
如請求項4之第二設備，其中該定出位置係藉由該第二設備來發起，並且該第二設備包含實施一位置管理功能之一網路裝置。
如請求項4之第二設備，其中與要發現之該附加裝置有關之該參考資訊包含下列至少一者：<br/> 要從要發現之該附加裝置排除之一裝置之一第一指示符，或<br/> 要被包括作為要發現之該附加裝置之一裝置之一第二指示符。
如請求項7之第二設備，其中要從該至少一個附加裝置排除之該裝置包含該第一設備及該等終端裝置。
如請求項4之第二設備，其中該至少一個附加裝置包含至少一個網路裝置或帶有效位置狀態之至少一個終端裝置。
如請求項4至9中任一項之第二設備，其中進一步致使該第二設備進行下列動作：<br/> 在對該第一設備及帶有該無效位置資訊狀態之該至少一個終端裝置定出位置之後，將該至少一個終端裝置之該位置資訊狀態從無效更新至有效。
一種用於側行鏈路定位之第三設備，其包含：<br/> 至少一個處理器；以及<br/> 儲存指令之至少一個記憶體，該等指令在藉由該至少一個處理器執行時，致使該第三設備至少進行下列動作：<br/> 從一第一設備經由側行鏈路通訊接收用於裝置發現之一發現請求；<br/> 向該第一設備傳送包含該第三設備之一無效位置資訊狀態的一發現回應；<br/> 當從用於位置管理之一第二設備接收到附加裝置發現之一指示後，便進行該附加裝置發現，該指示包含與要發現之一附加裝置有關之參考資訊；<br/> 確定符合該參考資訊之至少一個附加裝置；以及<br/> 將包含該至少一個附加裝置之一附加裝置清單傳送至該第二設備以供對該第一設備定出位置。
如請求項11之第三設備，其中該位置資訊狀態係藉由一指示符來指出，該指示符之一第一值指出該位置資訊狀態有效，並且該指示符之一第二不同值指出該位置資訊狀態無效。
如請求項11之第三設備，其中與要發現之該附加裝置有關之該參考資訊包含下列至少一者：<br/> 要從要發現之該附加裝置排除之一裝置之一第一指示符，或<br/> 要被包括作為要發現之該附加裝置之一裝置之一第二指示符。
如請求項11之第三設備，其中進一步致使該第三設備進行下列動作：<br/> 從該第二設備接收將該位置資訊狀態更新為有效之一指示。
如請求項11之第三設備，其中該第三設備當作一伺服器終端裝置，並且其中進一步致使該第三設備進行下列動作：<br/> 基於側行鏈路定位期間之複數個側行鏈路定位參考信號，確定該第三設備之一位置；以及<br/> 將該第三設備之該位置資訊狀態從無效更新至有效。
如請求項11之第三設備，其中該至少一個附加裝置包含至少一個網路裝置或帶有效位置狀態之至少一個終端裝置。
如請求項11至16中任一項之第三設備，其中該第一設備係一第一終端裝置，該第二設備係實施一位置管理功能之一網路裝置，以及該第三設備係一第二終端裝置。
一種用於側行鏈路定位之第四設備，其包含：<br/> 至少一個處理器；以及<br/> 儲存指令之至少一個記憶體，該等指令在藉由該至少一個處理器執行時，致使該第四設備至少進行下列動作：<br/> 經由側行鏈路通訊取得至少一個候選裝置之至少一個位置資訊狀態；<br/> 從該至少一個候選裝置確定用於對該第四設備定出位置之複數個終端裝置，該複數個終端裝置中之至少一個終端裝置帶有無效位置資訊狀態；<br/> 向帶有該無效位置資訊狀態之該至少一個終端裝置傳送附加裝置發現之一指示，該指示帶有與要發現之一附加裝置有關之參考資訊；<br/> 從帶有該無效位置資訊狀態之該至少一個終端裝置接收一附加裝置清單，該附加裝置清單包含符合該參考資訊之至少一個附加裝置；以及<br/> 憑藉帶有效位置資訊狀態之該等終端裝置之至少一部分及該至少一個附加裝置之一協助，對該第四設備定出位置。
如請求項18之第四設備，其中該位置資訊狀態係藉由一指示符來指出，該指示符之一第一值指出該對應候選裝置之該位置資訊狀態有效，並且該指示符之一第二不同值指出該對應候選裝置之該位置資訊狀態無效。
如請求項18之第四設備，其中該定出位置係藉由該第四設備來發起，以及該第四設備包含一終端裝置。
如請求項18之第四設備，其中與要發現之該附加裝置有關之該參考資訊包含下列至少一者：<br/> 要從要發現之該附加裝置排除之一裝置之一第一指示符，或<br/> 要被包括作為要發現之該附加裝置之一裝置之一第二指示符。
如請求項21之第四設備，其中要從該至少一個附加裝置排除之該裝置包含該第四設備及該複數個終端裝置。
如請求項18之第四設備，其中進一步致使該第四裝置：<br/> 基於側行鏈路定位期間之複數個側行鏈路定位參考信號，確定該第四設備之一位置及該至少一個終端裝置之一位置。
如請求項23之第四設備，其中該第四設備之該位置及該至少一個終端裝置之該位置係基於與該複數個側行鏈路定位參考信號相關聯之經觀測抵達時差或往返時間來確定。
如請求項18之第四設備，其中進一步致使該第四裝置：<br/> 向帶有該無效位置資訊狀態之該至少一個終端裝置傳送將該位置資訊狀態更新為有效之一指示。
一種用於側行鏈路定位之方法，其包含：<br/> 於一第一設備處經由側行鏈路通訊傳送用於裝置發現之一發現請求；<br/> 從至少一個候選裝置接收至少一個相應發現回應，該至少一個相應發現回應包含該至少一個候選裝置中之一對應者之一位置資訊狀態；以及<br/> 將帶有該位置資訊狀態之一候選裝置清單傳送至一第二設備以供對該第一設備定出位置，<br/> 其中該位置資訊狀態指出該至少一個候選裝置中之該對應者之一已知位置是否有效。
一種用於側行鏈路定位之方法，其包含：<br/> 於一第二設備處並且從一第一設備接收一候選裝置清單，該候選裝置清單包含帶有一相應位置資訊狀態之至少一個候選裝置；<br/> 從該候選裝置清單確定用於對該第一設備定出位置之複數個終端裝置，該複數個終端裝置中之至少一個終端裝置帶有無效位置資訊狀態；<br/> 向帶有該無效位置資訊狀態之該至少一個終端裝置傳送附加裝置發現之一指示，該指示帶有與要發現之一附加裝置有關之參考資訊；<br/> 從帶有該無效位置資訊狀態之該至少一個終端裝置接收一附加裝置清單，該附加裝置清單包含符合該參考資訊之至少一個附加裝置；以及<br/> 憑藉帶有效位置資訊狀態之該等終端裝置之至少一部分及該至少一個附加裝置之一協助，對該第一設備及帶有該無效位置資訊狀態之該至少一個終端裝置定出位置。
一種用於側行鏈路定位之方法，其包含：<br/> 於一第三設備處並且從一第一設備經由側行鏈路通訊接收用於裝置發現之一發現請求；<br/> 向該第一設備傳送包含該第三設備之一無效位置資訊狀態的一發現回應；<br/> 當從用於位置管理之一第二設備接收到附加裝置發現之一指示後，便進行該附加裝置發現，該指示包含與要發現之一附加裝置有關之參考資訊；<br/> 確定符合該參考資訊之至少一個附加裝置；以及<br/> 將包含該至少一個附加裝置之一附加裝置清單傳送至該第二設備以供對該第一設備定出位置。
一種用於側行鏈路定位之方法，其包含：<br/> 於一第四設備處經由側行鏈路通訊取得至少一個候選裝置之至少一個位置資訊狀態；<br/> 從該至少一個候選裝置確定用於對該第四設備定出位置之複數個終端裝置，該複數個終端裝置中之至少一個終端裝置帶有無效位置資訊狀態；<br/> 向帶有該無效位置資訊狀態之該至少一個終端裝置傳送附加裝置發現之一指示，該指示帶有與要發現之一附加裝置有關之參考資訊；<br/> 從帶有該無效位置資訊狀態之該至少一個終端裝置接收一附加裝置清單，該附加裝置清單包含符合該參考資訊之至少一個附加裝置；以及<br/> 憑藉帶有效位置資訊狀態之該等終端裝置之至少一部分及該至少一個附加裝置之一協助來對該第四設備定出位置。
一種微型發光二極體封裝結構，包括:<br/> 一重分佈線路層，具有彼此相對的一第一側以及一第二側；<br/> 一控制元件，設置於該第一側上，並電性連接該重分佈線路層；<br/> 多個微型發光二極體，設置於該第二側上，並電性連接該重分佈線路層；<br/> 一可撓性材料層，覆蓋該控制元件，並接觸該多個微型發光二極體；<br/> 一第一絕緣層，設置於該第一側上，並接觸該控制元件；以及<br/> 一遮光層，順應性覆蓋該重分佈線路層，並接觸該可撓性材料層。
如請求項1之微型發光二極體封裝結構，其中該多個微型發光二極體具有多個側壁以及多個電極，且該可撓性材料層接觸該多個側壁和該多個電極。
如請求項1之微型發光二極體封裝結構，其中該多個微型發光二極體中之一部分與該控制元件在一垂直方向上彼此重疊。
如請求項1之微型發光二極體封裝結構，其中該控制元件位於該第一絕緣層和該多個微型發光二極體之間。
如請求項1之微型發光二極體封裝結構，更包括一出光面，該多個微型發光二極體較該控制元件接近該出光面。
一種微型發光二極體封裝結構，包括：<br/> 一重分佈線路層，具有彼此相對的一第一側以及一第二側；<br/> 一控制元件，設置於該第一側上，並電性連接該重分佈線路層；<br/> 多個微型發光二極體，設置於該第二側上，並電性連接該重分佈線路層；<br/> 一可撓性材料層，覆蓋該控制元件，並接觸該多個微型發光二極體；<br/> 一第一絕緣層，設置於該第一側上，並接觸該控制元件；<br/> 一分散式布拉格反射鏡層，順應性覆蓋該第一絕緣層，並接觸該第一側；以及<br/> 多個焊墊，設置於該第一絕緣層和該分散式布拉格反射鏡層之間，且電性連接該重分佈線路層。
如請求項6之微型發光二極體封裝結構，更包括：<br/> 一遮光層，設置於該第二側上，並順應性覆蓋該重分佈線路層。
如請求項6之微型發光二極體封裝結構，其中該控制元件具有彼此相對的一背面以及一接觸墊，並且該背面從該第一絕緣層暴露出來。
一種虛擬機器（VM）作業系統（OS）配置系統，包括：<br/> 一處理器，配置為執行：<br/> 一主機VM，配置為產生一啟動訊號以驅動一客戶VM的啟動；<br/> 一虛擬機監控器，配置為根據該啟動訊號產生一第一觸發訊號，用於觸發描述符的安裝；<br/> 一描述符提供者，包括該描述符，並配置為根據該第一觸發訊號將該描述符安裝到受保護的記憶體中；以及<br/> 該客戶VM，包括：<br/> 一啟動加載器，配置為：<br/> 對該描述符進行檢查操作，以產生一經檢查的描述符；以及<br/> 因應該經檢查的描述符沒有存在一錯誤，向該描述符添加至少一安全相關節點以產生一添加後描述符，其中該客戶VM的OS根據該添加後描述符來配置。
如請求項1所述的VM OS配置系統，其中該描述符提供者係利用該VM OS配置系統的一韌體來被預先地內建於該VM OS配置系統中。
如請求項1所述的VM OS配置系統，其中該描述符提供者通過下載應用程式動態加載到該VM OS配置系統中。
如請求項1所述的VM OS配置系統，其中該主機VM包括：<br/> 一VM監控器，配置為產生一監控訊號以回應該客戶VM需要被產生；以及<br/> 一OS驅動程式，配置為根據該監控訊號產生該啟動訊號。
如請求項4所述的VM OS配置系統，其中該描述符提供者包括一安裝程式，該安裝程式配置為執行該描述符的安裝，並且該VM監控器進一步配置為產生並輸出一控制訊號到該描述符提供者，以控制該描述符提供者將該描述符注入到該安裝程式中。
如請求項1所述的VM OS配置系統，其中該虛擬機監控器包括：<br/> 一預啟動管理器，配置為：<br/> 根據該啟動訊號產生該第一觸發訊號；以及<br/> 在該描述符的安裝完成後，產生一第二觸發訊號以觸發該客戶VM的啟動；以及<br/> 一啟動管理器，配置為根據該第二觸發訊號執行該客戶VM的啟動。
一種非暫態機器可讀取儲存媒體，用於存儲程式碼，其中當由處理器加載並執行時，該程式碼指示該處理器執行：<br/> 一主機VM，配置為產生一啟動訊號以驅動一客戶VM的啟動；<br/> 一虛擬機監控器，配置為根據該啟動訊號產生一第一觸發訊號，用於觸發描述符的安裝；<br/> 一描述符提供者，包括該描述符，並配置為根據該第一觸發訊號將該描述符安裝到受保護的記憶體中；以及<br/> 該客戶VM，包括：<br/> 一啟動加載器，配置為：<br/> 對該描述符進行檢查操作，以產生一經檢查的描述符；以及<br/> 因應該經檢查的描述符沒有存在一錯誤，向該描述符添加至少一安全相關節點以產生一添加後描述符，其中該客戶VM的OS根據該添加後描述符來配置。
如請求項7所述的非暫態機器可讀取儲存媒體，其中該描述符提供者係利用該VM OS配置系統的一韌體來被預先地內建於該VM OS配置系統中。
如請求項7所述的非暫態機器可讀取儲存媒體，其中該描述符提供者通過下載應用程式動態加載到該VM OS配置系統中。
如請求項7所述的非暫態機器可讀取儲存媒體，其中該主機VM包括：<br/> 一VM監控器，配置為產生一監控訊號以回應該客戶VM需要被產生；以及<br/> 一OS驅動程式，配置為根據該監控訊號產生該啟動訊號。
如請求項10所述的非暫態機器可讀取儲存媒體，其中該描述符提供者包括一安裝程式，該安裝程式配置為執行該描述符的安裝，並且該VM監控器進一步配置為產生並輸出一控制訊號到該描述符提供者，以控制該描述符提供者將該描述符注入到該安裝程式中。
如請求項7所述的非暫態機器可讀取儲存媒體，其中該虛擬機監控器包括：<br/> 一預啟動管理器，配置為：<br/> 根據該啟動訊號產生該第一觸發訊號；以及<br/> 在該描述符的安裝完成後，產生一第二觸發訊號以觸發該客戶VM的啟動；以及<br/> 一啟動管理器，配置為根據該第二觸發訊號執行該客戶VM的啟動。
一種處理器，其包含：<br/>一預擷取電路，其經組態以從記憶體擷取包括一條件指令的指令至一指令快取記憶體；及<br/>一預測電路，其經組態以：<br/>在將該條件指令擷取至該指令快取記憶體期間，預測該條件指令是否偏向至影響該指令的一資料流之一條件結果；及<br/>回應於該條件指令係偏向的之一預測，引起根據該條件指令之該所預測偏向來執行該條件指令。
如請求項1之處理器，其中為了預測該條件指令是否係偏向的，該預測電路經組態以：<br/>從一預測表識別該條件指令之一預測值；及<br/>基於該條件指令之該預測值提供該預測。
如請求項2之處理器，其中該預測表包含分別對應於一或多個條件指令的一或多個項目，且其中針對一特定條件指令的一項目包含：<br/>與該特定條件指令相關聯的一索引；及<br/>針對該特定條件指令之一預測值，其中該預測值係以下之一者：<br/>一第一值，其表示尚未針對該特定條件指令提供預測；<br/>一第二值，其表示該特定條件指令偏向偽；<br/>一第三值，其表示該特定條件指令偏向真；或<br/>一第四值，其表示該特定條件指令未偏向。
如請求項2之處理器，其中與該特定條件指令相關聯的該索引係基於雜湊與該特定條件指令相關聯的一位址而產生。
如請求項2之處理器，其中為了產生該條件指令之該項目，該預測電路經組態以：<br/>判定該預測表是否包括對應於該條件指令的一項目；<br/>回應於該預測表不包括對應於該條件指令的該項目之一判定：<br/>將該條件指令之該預測值設定為該第一值；<br/>獲得該條件指令之該條件的一解析結果；及<br/>基於該解析結果將該預測值從該第一值更新為該第二值或該第三值；及<br/>回應於該預測表包括該條件指令的該項目且該項目之該預測值係該第二值或該第三值之一判定：<br/>獲得該條件指令之該條件的一解析結果；<br/>判定該解析指令之該預測與該解析結果是否匹配；及<br/>回應於該預測與該解析結果不匹配之一判定，將該預測值從該第二值或該第三值更新為該第四值；及<br/>回應於該預測表包括該條件指令的該項目且該項目之該預測值係該第四值之一判定，將該預測值維持為該第四值。
如請求項5之處理器，其中為了基於該解析結果將該預測值從該第一值更新為該第二值或該第三值，該預測電路經組態以：<br/>基於該條件指令之該條件的該解析結果，在一緩衝器中產生該條件指令之一預測值；<br/>判定該條件指令是否變為非推測性；及<br/>回應於該條件指令變為非推測性的該判定，根據該緩衝器中之該預測值將該預測表中之該條件指令的該預測值更新為該第二值或該第三值。
如請求項5之處理器，其中回應於該預測與該解析結果不匹配之一判定，該預測電路經組態以使得該預擷取電路將該條件指令從該記憶體重新擷取至該指令快取記憶體。
如請求項1之處理器，其中該條件指令係一條件選擇指令，且其中回應於該條件選擇指令係偏向的該預測，該預測電路經組態以使得該條件選擇指令被重新編碼為一移動指令。
如請求項1之處理器，其中該條件指令係一條件選擇指令、一條件設定指令、一條件設定遮罩指令、一條件遞增指令、一條件反轉指令、一條件否定指令、一條件選擇遞增指令、一條件選擇反轉指令、或一條件選擇否定指令之一者。
如請求項1之處理器，其中由該預擷取電路所擷取的該等指令包括一條件分支指令，且其中該預測電路經組態以：<br/>在將該條件分支指令擷取至該指令快取記憶體期間，使用與該條件指令相同的預測表來預測該條件分支指令是否係偏向的。
一種用於預測間接控制轉移指令的偏向之系統，其包含：<br/>一或多個處理器，其個別地包含一指令快取記憶體；<br/>一記憶體，其經組態以儲存指令；及<br/>一顯示器，其經組態以顯示影像；<br/>其中該等處理器個別地包含：<br/>一預擷取電路，其經組態以從該記憶體擷取該等指令之至少一些至該個別處理器的該指令快取記憶體，其中該至少一些指令包括一條件指令；及<br/>一預測電路，其經組態以：<br/>在將該條件指令擷取至該指令快取記憶體期間，預測該條件指令是否偏向至影響該指令的一資料流之一條件結果；及<br/>回應於該條件指令係偏向的之一預測，引起根據該條件指令之該所預測偏向來執行該條件指令。
如請求項11之系統，其中為了預測該條件指令是否係偏向的，該預測電路經組態以：<br/>從一預測表識別該條件指令之一預測值；及<br/>基於該條件指令之該預測值提供該預測。
如請求項12之系統，其中該預測表包含分別對應於一或多個條件指令的一或多個項目，且其中針對一特定條件指令的一項目包含：<br/>與該特定條件指令相關聯的一索引；及<br/>針對該特定條件指令之一預測值，其中該預測值係以下之一者：<br/>一第一值，其表示尚未針對該特定條件指令提供預測；<br/>一第二值，其表示該特定條件指令偏向偽；<br/>一第三值，其表示該特定條件指令偏向真；或<br/>一第四值，其表示該特定條件指令未偏向。
如請求項12之系統，其中與該特定條件指令相關聯的該索引係基於雜湊與該特定條件指令相關聯的一位址而產生。
如請求項12之系統，其中為了產生該條件指令之該項目，該預測電路經組態以：<br/>判定該預測表是否包括對應於該條件指令的一項目；<br/>回應於該預測表不包括對應於該條件指令的該項目之一判定：<br/>將該條件指令之該預測值設定為該第一值；<br/>獲得該條件指令之該條件的一解析結果；及<br/>基於該解析結果將該預測值從該第一值更新為該第二值或該第三值；及<br/>回應於該預測表包括該條件指令的該項目且該項目之該預測值係該第二值或該第三值之一判定：<br/>獲得該條件指令之該條件的一解析結果；<br/>判定該解析指令之該預測與該解析結果是否匹配；及<br/>回應於該預測與該解析結果不匹配之一判定，將該預測值從該第二值或該第三值更新為該第四值；及<br/>回應於該預測表包括該條件指令的該項目且該項目之該預測值係該第四值之一判定，將該預測值維持為該第四值。
如請求項15之系統，其中為了基於該解析結果將該預測值從該第一值更新為該第二值或該第三值，該預測電路經組態以：<br/>基於該條件指令之該條件的該解析結果，在一緩衝器中產生該條件指令之一預測值；<br/>判定該條件指令是否變為非推測性；及<br/>回應於該條件指令變為非推測性的該判定，<br/>根據該緩衝器中之該預測值將該預測表中之該條件指令的該預測值更新為該第二值或該第三值。
如請求項11之系統，其中該條件指令係一條件選擇指令，且其中回應於該條件選擇指令係偏向的該預測，該預測電路經組態以使得該條件選擇指令被重新編碼為一移動指令。
一種用於預測間接控制轉移指令的偏向之方法，其包含：<br/>藉由一處理器的一預擷取電路從記憶體擷取包括一條件指令的指令至一指令快取記憶體；<br/>在將該條件指令擷取至該指令快取記憶體期間，由該處理器的一偏向預測電路預測該條件指令是否偏向至影響該指令的一資料流之一條件結果；及<br/>回應於該條件指令係偏向的之一預測，由該處理器根據該條件指令之該所預測偏向來執行該條件指令。
如請求項18之方法，其中預測該條件指令是否係偏向的包含：<br/>從一預測表識別該條件指令之一預測值；及<br/>基於該條件指令的該預測值提供該預測；<br/>其中該預測表包含分別對應於一或多個條件指令的一或多個項目，且其中針對一特定條件指令的一項目包含：<br/>與該特定條件指令相關聯的一索引；及<br/>針對該特定條件指令之一預測值，其中該預測值係以下之一者：<br/>一第一值，其表示尚未針對該特定條件指令提供預測；<br/>一第二值，其表示該特定條件指令偏向偽；<br/>一第三值，其表示該特定條件指令偏向真；或<br/>一第四值，其表示該特定條件指令未偏向。
如請求項18之方法，其中該條件指令係一條件選擇指令，且其中根據該條件指令之該所預測偏向來執行該條件指令包含將該條件選擇指令重新編碼為一移動指令。
一種記憶體系統，包括： <br/>非揮發性記憶體，具有各自包含多個頁面的多個區塊；以及 <br/>控制器，能夠與主機連接，且對所述非揮發性記憶體進行控制， <br/>所述多個頁面中的每一個是資料寫入的單位，所述多個區塊中的每一個是資料抹除的單位， <br/>所述控制器具有計數器，所述計數器以所述主機的資料的存取單元對保存於所述非揮發性記憶體中的資料的存取次數進行計數， <br/>所述控制器對自所述主機接收到的讀取指令是與順序讀取或隨機讀取中的哪一者有關的指令進行判定， <br/>在為隨機讀取的情況下，所述控制器對與所述讀取指令所指定的資料對應的計數器的值進行增量， <br/>在使第一區塊的資料向第二區塊移動的處理中，在需要跨越所述第二區塊內的兩個頁面地定位所述主機的資料的存取單元的資料的情況下，所述控制器基於所述計數器的值，對所述第一區塊的資料向所述第二區塊的重定位進行控制， <br/>所述控制器在自所述主機接收到寫指令的情況下，生成包含自所述主機接收到的用戶資料、與用於對所述用戶資料的錯誤進行檢測及校正的錯誤校正碼的幀，並將所述幀寫入所述非揮發性記憶體中， <br/>所述控制器在利用將所述用戶資料設為固定長度、將所述錯誤校正碼及所述幀設為可變長度的第一方法生成所述幀的情況下，針對每一所述幀進行利用所述計數器的資料的存取次數的計數， <br/>所述控制器在利用將所述幀設為固定長度、將所述用戶資料及所述錯誤校正碼設為可變長度的第二方法生成所述幀的情況下，針對每一所述主機的存取單元進行利用所述計數器的資料的存取次數的計數。
如請求項1所述的記憶體系統，其中， <br/>所述控制器生成包含自所述主機接收到的用戶資料、與用於對所述用戶資料的錯誤進行檢測及校正的錯誤校正碼的幀，並將所述幀寫入所述非揮發性記憶體中， <br/>所述用戶資料的長度為所述主機的資料的存取單元。
如請求項1所述的記憶體系統，其中， <br/>所述控制器生成包含自所述主機接收到的用戶資料、與用於對所述用戶資料的錯誤進行檢測及校正的錯誤校正碼的幀，並將所述幀寫入所述非揮發性記憶體中， <br/>在使所述第一區塊的資料向所述第二區塊移動的處理的前後，所述幀的長度不變。
如請求項1所述的記憶體系統，其中， <br/>所述控制器針對各區塊中所含的所述多個頁面中的每第一個數頁面，對資料相對於所述非揮發性記憶體的各區塊的定位進行控制， <br/>所述控制器對所述第一區塊的資料向所述第二區塊的重定位進行控制，以使在應定位於所述第一個數頁面的資料中，所述計數器的值小的資料成為跨越兩個頁面地定位的資料。
如請求項1所述的記憶體系統，其中，所述控制器對所述第一區塊的資料向所述第二區塊的重定位進行控制，以使所述計數器的值為臨限值以上的資料不成為跨越兩個頁面地定位的資料。
如請求項1所述的記憶體系統，其中， <br/>所述控制器對第一邏輯位址與第二邏輯位址進行比較，並對第一讀取指令及第二讀取指令是與順序讀取或隨機讀取中的哪一者有關的指令進行判定，所述第一邏輯位址表示所述第一讀取指令所指定的所述非揮發性記憶體的邏輯位置，所述第二邏輯位址由緊隨在所述第一讀取指令之後的第二讀取指令指定。
如請求項1所述的記憶體系統，其中， <br/>所述控制器對第一物理位址與第二物理位址進行比較，並對第一讀取指令及第二讀取指令是與順序讀取或隨機讀取中的哪一者有關的指令進行判定，所述第一物理位址表示與表示所述第一讀取指令所指定的所述非揮發性記憶體的邏輯位置的第一邏輯位址相關聯的所述非揮發性記憶體的物理位置，所述第二物理位址與緊隨在所述第一讀取指令之後的第二讀取指令所指定的第二邏輯位址相關聯。
如請求項1所述的記憶體系統，其中， <br/>所述控制器在利用所述第一方法生成所述幀的情況下，對所述第一區塊的資料向所述第二區塊的重定位進行控制，以使包含所述計數器的值為臨限值以上的資料的一個幀不跨越兩個頁面地定位， <br/>所述控制器在利用所述第二方法生成所述幀的情況下，對所述第一區塊的資料向所述第二區塊的重定位進行控制，以使分配有所述計數器的值為臨限值以上的資料的兩個幀不被分成兩個頁面地定位。
一種資料重定位方法，藉由控制器來執行， <br/>所述控制器能夠與主機連接，且對包括各自包含多個頁面的多個區塊的非揮發性記憶體進行控制， <br/>所述多個頁面中的每一個是資料寫入的單位，所述多個區塊中的每一個是資料抹除的單位， <br/>所述資料重定位方法中，所述控制器， <br/>對自所述主機接收到的讀取指令是與順序讀取或隨機讀取中的哪一者有關的指令進行判定， <br/>在為隨機讀取的情況下，對計數器中的與所述讀取指令所指定的資料對應的計數器的值進行增量，所述計數器用於以每一所述主機的存取單元或每一幀對保存於所述非揮發性記憶體中的資料的存取次數進行計數，所述幀包含自所述主機接收到的用戶資料、與用於對所述用戶資料的錯誤進行檢測及校正的錯誤校正碼， <br/>在使第一區塊的資料向第二區塊移動的處理中，在需要跨越所述第二區塊內的兩個頁面地定位所述主機的存取單元或所述幀的情況下，基於所述計數器的值，對所述第一區塊的資料向所述第二區塊的重定位進行控制， <br/>在自所述主機接收到寫指令的情況下，生成包含自所述主機接收到的用戶資料、與用於對所述用戶資料的錯誤進行檢測及校正的錯誤校正碼的幀，並將所述幀寫入所述非揮發性記憶體中， <br/>在利用將所述用戶資料設為固定長度、將所述錯誤校正碼及所述幀設為可變長度的第一方法生成所述幀的情況下，針對每一所述幀進行利用所述計數器的資料的存取次數的計數， <br/>在利用將所述幀設為固定長度、將所述用戶資料及所述錯誤校正碼設為可變長度的第二方法生成所述幀的情況下，針對每一所述主機的存取單元進行利用所述計數器的資料的存取次數的計數。
一種連接器組件，其中該連接器組件包括：<br/> 插頭連接器，包括複數個插頭觸點及保持該複數個插頭觸點的插頭殼體；以及<br/> 插座連接器，包括複數個插座觸點、保持該複數個插座觸點的插座殼體、以及插座壓緊件，該插座壓緊件安裝在該插座殼體中的該複數個插座觸點的外側上，其中<br/> 透過使該插頭連接器與該插座連接器在嵌合方向上相互嵌合，每個該插頭觸點與每個該插座觸點形成電接觸；<br/> 該複數個插座觸點沿間距方向配置；<br/> 該插座殼體包括平行於該間距方向延伸的兩個側壁、連接該兩個側壁的端部的端壁、以及由該兩個側壁及該端壁包圍的島部；<br/> 該插座壓緊件包括覆蓋該島部之局部的臂部；以及<br/> 該臂部包括壓印部，並且，<br/> 該壓印部的厚度小於該插座壓緊件的其它部分的厚度。
如請求項1所述的連接器組件，其中，該壓印部延伸至該臂部的遠端部。
如請求項1或2所述的連接器組件，其中，該臂部包括沿著該島部的端部在該嵌合方向上突出的突出部、以及在該嵌合方向上從該突出部懸垂的弧形部；以及<br/> 該弧形部相對於該突出部設置在該間距方向上的該島部之側上。
如請求項1或2所述的連接器組件，其中，該臂部包括插入到該島部的該端部中並在該嵌合方向上延伸的插入部、以及在該嵌合方向上從該插入部懸垂的弧形部；<br/> 該弧形部在該間距方向上相對於該插入部設置在該端壁之側上。
一種半導體裝置總成，其包括： <br/>一基板； <br/>複數個功能裝置，其等安置於該基板上方； <br/>一記憶體裝置，其安置於該複數個功能裝置上方，該記憶體裝置包含： <br/>一或多個記憶體陣列， <br/>複數個第一垂直電連接器，其等具有一第一直徑且垂直延伸，及 <br/>複數個第二垂直電連接器，其等具有一第二直徑且垂直延伸，其中該第二直徑大於該第一直徑；及 <br/>複數個晶圓至晶圓(wafer-to-wafer)接合墊，該等接合墊係各自耦合至該複數個第二垂直電連接器之一對應者並與其重疊，其中一第二垂直電連接器及一晶圓至晶圓接合墊之各配對具有與一垂直線重合之各自周邊邊緣。
如請求項1之半導體裝置總成，其進一步包括安置於該一或多個記憶體陣列下方之複數個源極區接觸件(SRC)，其中該複數個第二垂直電連接器穿過對應記憶體陣列，且其中該複數個第二垂直電連接器之至少一者係連接至一對應SRC。
如請求項2之半導體裝置總成，其中該一或多個記憶體陣列之各者包含一記憶體區及一非記憶體區，且其中該複數個第二垂直電連接器穿過對應記憶體陣列之非記憶體區。
如請求項1之半導體裝置總成，其中該複數個第二垂直電連接器之該第二直徑比該複數個第一垂直電連接器之該第一直徑大2倍或更多。
如請求項1之半導體裝置總成，其中該複數個第一垂直電連接器之該第一直徑係900 nm或更小，且其中該複數個第二垂直電連接器之該第二直徑係1.5 μm或更大。
如請求項1之半導體裝置總成，其中該複數個第二垂直電連接器具有一長度，且其中該等第二垂直電連接器之該第二直徑與該長度相關聯，以形成10:1或更小之該等第二垂直電連接器之一縱橫比。
如請求項1之半導體裝置總成，其中該複數個第二垂直電連接器至少部分延伸穿過該一或多個記憶體陣列。
如請求項1之半導體裝置總成，其中該複數個第二垂直電連接器之各者具有具兩個或更多個弧之一截面形狀。
一種半導體設備，其包括： <br/>一頂部部分，其包含經組態以與一或多個外部電路介接(interface with)之一第一晶圓至晶圓接合墊及一第二晶圓至晶圓接合墊； <br/>一下部部分，其包含具有一第一連接點及一第二連接點之一或多個功能電路； <br/>一第一垂直連接器，其垂直延伸且將該第一連接點電耦合至該第一晶圓至晶圓接合墊，其中該第一垂直連接器具有一第一橫向尺寸；及 <br/>一第二垂直連接器，其垂直延伸且將該第二連接點電耦合至該第二晶圓至晶圓接合墊，其中該第二垂直連接器具有大於該第一橫向尺寸之一第二橫向尺寸。
如請求項9之半導體設備，其中該第二垂直連接器之該第二橫向尺寸比該第一垂直連接器之該第一橫向尺寸大2倍或更多。
如請求項9之半導體設備，其中該第一垂直連接器之該第一橫向尺寸係900 nm或更小，且其中該第二垂直連接器之該第二橫向尺寸係1.5 μm或更大。
如請求項9之半導體設備，其中該第二垂直連接器具有10:1或更小之一縱橫比。
如請求項9之半導體設備，其中該第二垂直連接器具有具兩個或更多個弧之一截面形狀。
一種形成一半導體裝置總成之方法，其包括： <br/>形成一或多個記憶體裝置，該一或多個記憶體裝置之各者包含一或多個記憶體陣列、安置於該一或多個記憶體陣列下面之複數個源極區接觸件(SRC)； <br/>蝕刻具有一第一直徑之複數個第一垂直通孔及具有一第二直徑之複數個第二垂直通孔，其中該第二直徑大於該第一直徑； <br/>基於將一導電材料填充至該複數個第一垂直通孔中而形成複數個第一垂直連接器； <br/>基於將該導電材料填充至該複數個第二垂直通孔中而形成複數個第二垂直連接器，該複數個第二垂直連接器具有比該複數個第一垂直連接器之橫向尺寸大的一橫向尺寸；及 <br/>形成複數個晶圓至晶圓接合墊，該等接合墊係各自耦合至該複數個第二垂直連接器之一對應者並與其重疊，其中一第二垂直連接器及一晶圓至晶圓接合墊之各配對具有與一垂直線重合之各自周邊邊緣。
如請求項14之方法，其中形成該複數個第二垂直連接器包含： <br/>將該導電材料填充至該複數個第二垂直通孔之側壁及底表面中； <br/>將一犧牲材料填充至附接至該等側壁及該底表面之該導電材料之間之一空間中； <br/>在該一或多個記憶體裝置上方形成一硬遮罩層，該硬遮罩層具有對應於該複數個第二垂直通孔之複數個開口； <br/>從該複數個第二垂直通孔移除該導電材料及該犧牲材料；及 <br/>在該移除之後，將該導電材料再填充至該複數個第二垂直通孔中。
如請求項14之方法，其進一步包括： <br/>在一基板上形成複數個功能裝置；及 <br/>在該複數個功能裝置之各者上方形成複數個中間導電層，該複數個中間導電層將該複數個功能裝置互連至對應SRC，其中該一或多個記憶體裝置係形成於該複數個功能裝置上方。
如請求項16之方法，其中該複數個第二垂直連接器經組態以在該複數個晶圓至晶圓接合墊與該複數個功能裝置之間傳輸關鍵信號，其中一電阻低於該複數個第一垂直連接器。
如請求項14之方法，其中該複數個第二垂直通孔之蝕刻包含： <br/>穿過該記憶體陣列蝕刻複數個垂直通孔叢集(cluster of vertical vias)，該垂直通孔叢集之各者係相鄰的且具有安置於其等之間之複數個殘餘支柱(residue pillars)，及 <br/>蝕刻該複數個殘餘支柱以合併該垂直通孔叢集之各者以形成該複數個第二垂直通孔，該複數個第二垂直通孔之各者具有具兩個或更多個弧之一截面形狀。
如請求項14之方法，其中該一或多個記憶體裝置係形成於一記憶體晶圓上，其中該記憶體晶圓之一前側表面係透過一混合接合技術接合至一邏輯晶圓之一前側表面，以形成一面對面(F2F)晶圓上晶圓(WoW)接合方案。
一種具低感抗的電子負載裝置，包含：<br/> 一第一散熱器，係延伸於一第一方向，包括一第一安裝側及相反於該第一安裝側的一第一鰭片側；<br/> 一第一負載電路模組，係包括配置於該第一安裝側且延伸於該第一方向的一第一電路板及配置於該第一電路板上的複數第一功率元件；及<br/> 一第一導電片，係延伸於該第一方向且架設於該第一電路板上，令該第一電路板被配置於該第一散熱器與該第一導電片之間；<br/> 一第一極性連接部，係耦接該第一散熱器的一端部且自該第一散熱器的端部沿該第一方向凸伸；及<br/> 一第二極性連接部，係耦接該第一導電片的一端部且自該第一導電片的端部沿該第一方向凸伸，<br/> 其中，該等第一功率元件的第一極性係耦接該第一散熱器及該第一極性連接部，該等第一功率元件的第二極性係耦接該第一導電片及該第二極性連接部。
如請求項1所述之電子負載裝置，其中該第一極性連接部係以片體的形式自該第一散熱器的端部凸伸而出，該第二極性連接部係以片體的形式自該第一導電片的端部凸伸而出。
如請求項2所述之電子負載裝置，其中該第一方向係為長度的延伸方向且為該第一散熱器之氣流流道走向，垂直於該第一方向的一第二方向係為寬度的延伸方向，該第一導電片係具有寬於該第一散熱器的一寬度，以及該第一導電片的一長度至少為該第一散熱器之一長度的1/2。
如請求項3所述之電子負載裝置，其中該第二極性連接部的前段係具有藉由被彎折而縮小與該第一極性連接部之間的距離的一調整段。
如請求項4所述之電子負載裝置，其中該第一極性連接部係平行於該第二極性連接部的該調整段。
如請求項5所述之電子負載裝置，其中該第一極性連接部於該第一方向上係較該第二極性連接部更凸出，該第一極性連接部的一寬度係窄於該第二極性連接部的一寬度。
如請求項1所述之電子負載裝置，其中該第一極性連接部係為一輸入銅排，該第二極性連接部係為一輸出銅排。
如請求項1所述之電子負載裝置，其中該第一散熱器於該第一安裝側係具有凹陷的一第一避讓槽，該第一避讓槽係供配置在該第一電路板上的複數第一支架之底部的凸伸，該等第一支架係供該第一導電片架設於該第一電路板上。
如請求項3至8中任一項所述之電子負載裝置，其中更包含：<br/> 一第二散熱器，係延伸於該第一方向且與該第一散熱器耦接，該第二散熱器包括一第二安裝側及相反於該第二安裝側的一第二鰭片側，該第二鰭片側係面向該第一鰭片側；<br/> 一第二負載電路模組，係包括配置於該第二安裝側且延伸於該第一方向的一第二電路板及配置於該第二電路板上的複數第二功率元件；<br/> 一第二導電片，係延伸於該第一方向且架設於該第二電路板上，令該第二電路板被配置於該第二散熱器與該第二導電片之間；及<br/> 複數導電柱，各該導電柱的一端係連接該第一導電片，各該導電柱的另一端係連接該第二導電片，該第二導電片藉由該等導電柱耦接該第一導電片，<br/> 其中，該等第二功率元件的第一極性係耦接該第二散熱器及該第一極性連接部，該等第二功率元件的第二極性係耦接該第二導電片及該第二極性連接部。
如請求項9所述之電子負載裝置，其中該第二導電片係具有寬於該第二散熱器的寬度，以及該第二導電片的長度至少為該第二散熱器之長度的1/2。
如請求項10所述之電子負載裝置，其中該第一導電片及該第二導電片係藉由該等導電柱而呈相互平行的配置。
如請求項11所述之電子負載裝置，其中更包含一風扇模組，係配置於該第一散熱器及該第二散熱器的一端，並位於該第一極性連接部及該第二極性連接部的一側，用於帶動該第一鰭片側與該第二鰭片側所界定的氣流流道內的流體。
如請求項12所述之電子負載裝置，其中該第二散熱器於該第二安裝側係具有凹陷的一第二避讓槽，該第二避讓槽係供配置在該第二電路板上的複數第二支架之底部的凸伸，該等第二支架係供該第二導電片架設於該第二電路板上。
一種組成物，包含： <br/>經至少一個氟取代的C1至C10羧酸化合物；以及 <br/>有機溶劑， <br/>其中所述組成物用於從含金屬的光阻移除邊緣珠粒及/或是所述含金屬的光阻的顯影劑組成物，且 <br/>其中所述含金屬的光阻包含含有機氧基的錫化合物或含有機羰氧基的錫化合物中的至少一者。
如請求項1所述的組成物，其中所述經至少一個氟取代的C1至C10羧酸化合物由化學式1表示： <br/>[化學式1] <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="51px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，在化學式1中， <br/>R<sup>1</sup>至R<sup>3</sup>各自獨立地為氫、氟、含氟基團、或者經取代或未經取代的C1至C5烷基， <br/>n是1至5的整數中的一者，且 <br/>R<sup>1</sup>至R<sup>3</sup>中的至少一者是氟或所述含氟基團。
如請求項2所述的組成物，其中R<sup>2</sup>或R<sup>3</sup>中的至少一者是氟或所述含氟基團。
如請求項2所述的組成物，其中R<sup>2</sup>及R<sup>3</sup>各自獨立地為氟或所述含氟基團。
如請求項2所述的組成物，其中R<sup>2</sup>及R<sup>3</sup>各自獨立地為氟。
如請求項1所述的組成物，其中所述經至少一個氟取代的C1至C10羧酸化合物是選自二氟乙酸、2,2-二氟丙酸、三氟乙酸及一氟乙酸之中的至少一者。
如請求項1所述的組成物，其中所述組成物包含0.01重量%至5重量%的所述經至少一個氟取代的C1至C10羧酸化合物，以及 <br/>95重量%至99.99重量%的所述有機溶劑。
如請求項1所述的組成物，其中所述含金屬的光阻包含由化學式2表示的化合物： <br/>[化學式2] <br/><img align="absmiddle" height="39px" width="47px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，在化學式2中， <br/>R<sup>4</sup>選自經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基、經取代或未經取代的C6至C30芳烷基、及L<sup>a</sup>-O-R<sup>a</sup>，其中L<sup>a</sup>是經取代或未經取代的C1至C20伸烷基且R<sup>a</sup>是經取代或未經取代的C1至C20烷基或者經取代或未經取代的C6至C20芳基，並且 <br/>R<sup>5</sup>至R<sup>7</sup>各自獨立地為：鹵素；由-OR<sup>b</sup>表示的烷氧基或芳氧基，其中R<sup>b</sup>是經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基、或其組合；由-O(CO)R<sup>6</sup>表示的羧基，其中R<sup>6</sup>是氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基、或其組合；由-NR<sup>7</sup>R<sup>8</sup>表示的烷基醯胺基或二烷基醯胺基，其中R<sup>7</sup>及R<sup>8</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基、或其組合；由-NR<sup>9</sup>(CO)R<sup>10</sup>表示的醯胺基，其中R<sup>9</sup>及R<sup>10</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基、或其組合；或者由-NR<sup>11</sup>C(NR<sup>12</sup>)R<sup>13</sup>表示的脒基，其中R<sup>11</sup>、R<sup>12</sup>及R<sup>13</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基、或其組合。
一種形成圖案的方法，所述方法包括： <br/>在基板上塗布含金屬的光阻組成物； <br/>沿著所述基板的邊緣塗布如請求項1至8中任一項所述的組成物； <br/>進行乾燥及加熱以在所述基板上形成含金屬的光阻層； <br/>將所述含金屬的光阻層曝光；以及 <br/>對所述含金屬的光阻層進行顯影， <br/>其中所述組成物用於從所述含金屬的光阻移除所述邊緣珠粒。
一種形成圖案的方法，所述方法包括： <br/>在基板上塗布含金屬的光阻組成物； <br/>移除含金屬的抗蝕劑的邊緣珠粒； <br/>進行乾燥及加熱以在所述基板上形成含金屬的光阻層； <br/>將所述含金屬的光阻層曝光；以及 <br/>利用如請求項1至8中任一項所述的組成物對所述含金屬的光阻層進行顯影， <br/>其中所述組成物是所述含金屬的光阻的所述顯影劑組成物。
一種形成圖案的方法，所述方法包括： <br/>在基板上塗布含金屬的光阻組成物； <br/>沿著所述基板的邊緣塗布如請求項1至8中任一項所述的組成物； <br/>進行乾燥及加熱以在所述基板上形成含金屬的光阻層； <br/>將所述含金屬的光阻層曝光；以及 <br/>利用如請求項1至8中任一項所述的組成物對所述含金屬的光阻層進行顯影。
一種含金屬的光阻的邊緣珠粒移除組成物，包括如請求項1所述的組成物。
一種用於含金屬的光阻的顯影劑組成物，包括如請求項1所述的組成物。
一種形成半導體裝置的方法，包括： <br/>執行一個或多個第一蝕刻操作，以在半導體裝置的半導體層中形成第一波導； <br/>執行一個或多個第二蝕刻操作，以在所述半導體層中形成第二波導， <br/>其中，所述第一波導的第一端實體耦合到所述第二波導，且所述第一波導的底表面與所述第二波導的底表面具有相同高度；以及 <br/>在所述半導體層之上形成介電層，並在所述介電層中形成第三波導，使得所述第三波導的部分位於所述第一波導的相對於所述第一端的第二端之上， <br/>其中，在所述第三波導的所述部分下方的所述第一波導的部分具有第一角度，所述第一角度位於所述第一波導的所述部分的側壁與所述第一波導的所述部分的底表面之間， <br/>其中，所述第二波導具有第二角度，所述第二角度位於所述第二波導的側壁與所述第二波導的所述底表面之間，以及 <br/>其中，所述第一角度和所述第二角度是不同的角度。
如請求項1所述的方法，其中所述第一角度大於所述第二角度。
如請求項1所述的方法，其中與所述第二波導實體耦合的所述第一波導的另一部分的第三角度以及所述第二角度是不同的角度，所述第三角度位於所述第一波導的所述另一部分的側壁與所述第一波導的所述另一部分的底表面之間。
一種形成半導體裝置的方法，包括： <br/>蝕刻半導體裝置的半導體層以形成第一波導和第二波導，各具有第一厚度， <br/>其中，所述第一波導的第一端實體耦合到所述第二波導； <br/>在所述第二波導的相對於所述第一端的第二端處，在所述第一波導的錐形部分的至少一部分上方形成一個或多個第一遮罩層； <br/>當所述一個或多個第一遮罩層位於所述第一波導的所述錐形部分的所述至少一部分上方時，執行一個或多個第一蝕刻操作，以蝕刻所述半導體層，將所述第二波導的厚度從所述第一厚度增加到第二厚度； <br/>在執行所述一個或多個第一蝕刻操作之後，在所述第二波導上方形成第二遮罩層；以及 <br/>當所述第二遮罩層位於所述第二波導上方時，執行第二蝕刻操作，以蝕刻所述半導體層，將所述第一波導的厚度從所述第一厚度增加到所述第二厚度，其中所述第一波導的底表面與所述第二波導的底表面具有相同高度。
如請求項4所述的方法，其中所述第一波導的所述錐形部分的側壁與所述第一波導的所述錐形部分的底表面之間的第一角度，大於所述第二波導的側壁與所述第二波導的所述底表面之間的第二角度。
一種半導體裝置，包括： <br/>第一波導； <br/>第二波導，實體耦合至所述第一波導的第一端，其中所述第一波導的底表面與所述第二波導的底表面具有相同高度；以及 <br/>第三波導，位於所述第一波導的相對於所述第一端的第二端之上， <br/>其中，所述第一波導在所述第二端處的第一側壁角度大於與所述第一波導間隔開的所述第二波導的一部分之間的第二側壁角度。
如請求項6所述的半導體裝置，其中所述第一波導包括第一半導體波導； <br/>其中，所述第二波導包括第二半導體波導；以及 <br/>其中，所述第三波導包括介電波導。
如請求項6所述的半導體裝置，其中所述第一側壁角度包含在約86度到約88度的範圍內。
如請求項6所述的半導體裝置，其中所述第一波導包括： <br/>第一錐形部分，位於所述第一波導的所述第二端， <br/>其中，所述第一錐形部分位於所述第三波導的一部分下方；以及 <br/>第二錐形部分，位於所述第一波導的所述第一端， <br/>其中，所述第二錐形部分與所述第二波導實體耦合。
如請求項7所述的半導體裝置，其中所述第一波導包括耦合波導； <br/>其中，所述第二波導包括偏振分離旋轉器波導；以及 <br/>其中，所述第三波導包括邊緣耦合器波導。
一種用於在一電子設備中提供與一搜尋項有關之品牌資訊之方法，該方法包括： <br/>藉由該電子設備接收來自一服務之一使用者的該搜尋項； <br/>當該搜尋項與一第一品牌相關聯時，藉由該電子設備識別與該第一品牌相關聯之一相關品牌清單； <br/>藉由該電子設備，提供一第一頁面，該第一頁面包含顯示對應於該搜尋項之一第一物品清單之一第一區域及顯示與該第一品牌相關聯之該相關品牌清單之一第二區域；及 <br/>回應於對該相關品牌清單中所包含之一第二品牌之一輸入，藉由該電子設備，提供包含顯示該第二品牌之一第二物品清單之一第三區域之一第二頁面， <br/>其中在該相關品牌清單中的各個品牌與該第一品牌不同， <br/>其中基於搜尋該第一品牌之其他使用者搜尋之品牌之一搜尋頻率來產生該相關品牌清單，且 <br/>其中針對搜尋該第一品牌之該等使用者之各年齡及性別不同地產生該相關品牌清單。
如請求項1之用於提供品牌資訊之方法，其中該相關品牌清單係按每個特定週期更新。
如請求項1之用於提供品牌資訊之方法，其中該相關品牌清單係基於以下產生： <br/>查看各使用者在一第一時間段內搜尋該第一品牌之時間； <br/>基於搜尋該第一品牌之該等時間設定用於識別由該使用者搜尋之品牌之至少一個第二時間段；及 <br/>查看由該使用者在該至少一個第二時間段內搜尋之該等品牌之該搜尋頻率。
如請求項3之用於提供品牌資訊之方法，其中該第一時間段指示自當前時間之前之一特定時間至該當前時間之一時間段，且該至少一個第二時間段係包含於該第一時間段中。
如請求項1之用於提供品牌資訊之方法，其中，當未識別對應於該搜尋項之一物品時，該第一區域包含與包含於該相關品牌清單中之除該第一品牌外之品牌有關之物品。
如請求項5之用於提供品牌資訊之方法，其中： <br/>該第二區域按根據優先級判定之一順序顯示包含於該相關品牌清單中之除該第一品牌外之該等品牌；且 <br/>該優先級係基於各使用者對該等其他品牌之搜尋頻率來判定。
如請求項6之用於提供品牌資訊之方法，其中： <br/>該第二區域包含用於請求搜尋不同於該第一品牌且包含於該相關品牌清單中之該第二品牌之物品之一第一介面；且 <br/>用於提供品牌資訊之該方法進一步包括回應於該請求在該第一區域中顯示該第二品牌之物品。
如請求項1之用於提供品牌資訊之方法，其中該第二區域係藉由包含於該第一頁面中之一第二介面顯示於該第一頁面上。
一種用於提供物品品牌資訊之電子設備，該設備包括： <br/>一記憶體，其經組態以儲存至少一個程式；及 <br/>一處理器，其經組態以藉由執行該至少一個程式而接收來自一服務之一使用者的搜尋項，當該搜尋項與一第一品牌相關聯時，識別與該第一品牌相關聯之一相關品牌清單，提供一第一頁面，該第一頁面包含顯示對應於該搜尋項之一第一物品清單之一第一區域及顯示與該第一品牌相關聯之該相關品牌清單之一第二區域，及回應於對該相關品牌清單中所包含之一第二品牌之一輸入，提供包含顯示該第二品牌之一第二物品清單之一第三區域之一第二頁面， <br/>其中在該相關品牌清單中的各個品牌與該第一品牌不同， <br/>其中基於搜尋該第一品牌之其他使用者搜尋之品牌之一搜尋頻率來產生該相關品牌清單，且 <br/>其中針對搜尋該第一品牌之該等使用者之各年齡及性別不同地產生該相關品牌清單。
一種非暫時性電腦可讀儲存媒體，其包括： <br/>一媒體，其經組態以儲存電腦可讀指令，其中 <br/>該等電腦可讀指令在藉由一處理器執行時引起該處理器執行： <br/>接收來自一服務之一使用者的搜尋項； <br/>當該搜尋項與一第一品牌相關聯時，識別與該第一品牌相關聯之一相關品牌清單； <br/>提供一第一頁面，該第一頁面包含顯示對應於該搜尋項之一第一物品清單之一第一區域及顯示與該第一品牌相關聯之該相關品牌清單之一第二區域；及 <br/>回應於對該相關品牌清單中所包含之一第二品牌之一輸入，提供包含顯示該第二品牌之一第二物品清單之一第三區域之一第二頁面， <br/>其中在該相關品牌清單中的各個品牌與該第一品牌不同， <br/>其中基於搜尋該第一品牌之其他使用者搜尋之品牌之一搜尋頻率來產生該相關品牌清單，且 <br/>其中針對搜尋該第一品牌之該等使用者之各年齡及性別不同地產生該相關品牌清單。
一種基於洩漏的物理不可複製功能（L-PUF）裝置，包括：<br/> 一預充電電路；<br/> 一第一洩漏裝置及一第二洩漏裝置，分別電連接到該預充電電路，其中該第一洩漏裝置及該第二洩漏裝置中的每一者包括一電晶體，該電晶體具有電連接到地的一控制端、電連接到該預充電電路的一第一端及電連接到地的一第二端；以及<br/> 一感測放大器，電連接到該第一洩漏裝置的該第一端及該第二洩漏裝置的該第一端，其中該感測放大器被配置成產生一第一輸出訊號及一第二輸出訊號；<br/> 其中該感測放大器被配置成基於該第一洩漏裝置與該第二洩漏裝置之間的一電壓差而在第一狀態與第二狀態之間切換，且該第一洩漏裝置與該第二洩漏裝置之間的該電壓差是由該第一洩漏裝置的洩漏電流及該第二洩漏裝置的洩漏電流確定。
如請求項1所述的基於洩漏的物理不可複製功能裝置，其中當該第一洩漏裝置的該洩漏電流大於該第二洩漏裝置的該洩漏電流時，該第一洩漏裝置的電壓下降快於該第二洩漏裝置的電壓下降，且當該第一洩漏裝置與該第二洩漏裝置之間的該電壓差超過一第一臨界點時，該感測放大器被切換到該第一狀態，其中該第一輸出訊號為0，且該第二輸出訊號為1。
如請求項1所述的基於洩漏的物理不可複製功能裝置，其中當該第二洩漏裝置的該洩漏電流大於該第一洩漏裝置的該洩漏電流時，該第二洩漏裝置的電壓下降快於該第一洩漏裝置的電壓下降，且當該第一洩漏裝置與該第二洩漏裝置之間的該電壓差超過第二臨界點時，該感測放大器被切換到該第二狀態，其中該第一輸出訊號為1，且該第二輸出訊號為0。
如請求項1所述的基於洩漏的物理不可複製功能裝置，其中該感測放大器包括：<br/> 一第一電晶體，具有被配置成接收一第一輸入訊號的一控制端、一第一端、及電連接到地的一第二端；<br/> 一第二電晶體，具有電連接到該第一洩漏裝置的該電晶體的一第一端的控制端、一第一端、及被配置成產生該第一輸出訊號的一第二端；<br/> 一第三電晶體，具有電連接到該第一洩漏裝置的該電晶體的該第一端的一控制端、電連接到該第二電晶體的該第二端的一第一端、及電連接到該第一電晶體的該第一端的一第二端；<br/> 一第四電晶體，具有電連接到該第二洩漏裝置的該電晶體的該第一端的一控制端、一第一端、及被配置成產生該第二輸出訊號的一第二端；以及<br/> 一第五電晶體，具有電連接到該第二洩漏裝置的該電晶體的該第一端的一控制端、電連接到該第四電晶體的該第二端的一第一端、及電連接到該第一電晶體的該第一端的一第二端；<br/> 其中該第二電晶體的該第二端及該第三電晶體的該第一端電連接到該第二洩漏裝置的該電晶體的該第一端，且該第四電晶體的該第二端及該第五電晶體的該第一端電連接到該第一洩漏裝置的該電晶體的該第一端。
如請求項4所述的基於洩漏的物理不可複製功能裝置，還包括：<br/> 一第一開關，電連接到該第二電晶體的該第二端；以及<br/> 一第二開關，電連接到該第四電晶體的該第二端。
如請求項5所述的基於洩漏的物理不可複製功能裝置，其中該預充電電路被配置成接收第二輸入訊號，且該第一開關及該第二開關分別由該第二輸入訊號控制。
一種基於洩漏的物理不可複製功能陣列，包括：<br/> 一（M × N）陣列形式的多個基於洩漏的物理不可複製功能單元，其中M及N是正整數，且該基於洩漏的物理不可複製功能單元中的每一者包括相應的一個如請求項1所述的該基於洩漏的物理不可複製功能裝置；<br/> （M × 2）個輸入訊號線，分別沿一第一方向延伸且對應地電連接到該基於洩漏的物理不可複製功能單元，其中該些輸入訊號線中的每一者被配置成將第一輸入訊號或第二輸入訊號傳送到該基於洩漏的物理不可複製功能單元的一第一對應組；以及<br/> （N × 2）個輸出訊號線，分別沿一第二方向延伸且對應地電連接到該基於洩漏的物理不可複製功能單元，其中該些輸出訊號線中的每一者被配置成從該基於洩漏的物理不可複製功能單元的一第二對應組接收一第一輸出訊號或一第二輸出訊號。
如請求項7所述的基於洩漏的物理不可複製功能陣列，其中該些輸入訊號線包括：<br/> M個第一輸入線，分別沿該第一方向延伸且對應地電連接到該基於洩漏的物理不可複製功能單元，其中該第一輸入線中的每一者被配置成將該第一輸入訊號傳送到該基於洩漏的物理不可複製功能單元的該第一對應組；以及<br/> M個第二輸入線，分別沿該第一方向延伸且對應地電連接到該基於洩漏的物理不可複製功能單元，其中該第二輸入線中的每一者被配置成將該第二輸入訊號傳送到該基於洩漏的物理不可複製功能單元的該第一對應組；<br/> 其中該第一輸入線與該第二輸入線沿該第二方向交替地設置。
如請求項7所述的基於洩漏的物理不可複製功能陣列，其中該些輸出訊號線包括：<br/> N個第一輸出線，分別沿一第二方向延伸且對應地電連接到該基於洩漏的物理不可複製功能單元，其中該第一輸出線中的每一者被配置成從該基於洩漏的物理不可複製功能單元的該第二對應組接收該第一輸出訊號；以及<br/> N個第二輸出線，分別沿該第二方向延伸且對應地電連接到該基於洩漏的物理不可複製功能單元，其中該第二輸出線中的每一者被配置成從該基於洩漏的物理不可複製功能單元的該第二對應組接收該第二輸出訊號；<br/> 其中該第一輸出線與該第二輸出線沿該第一方向交替地設置。
如請求項7所述的基於洩漏的物理不可複製功能陣列，其中該第一方向及該第二方向中的一者是列方向，而該第一方向及該第二方向中的另一者是行方向。
一種安全認證裝置，包括如請求項7所述的該基於洩漏的物理不可複製功能陣列。
如請求項11所述的安全認證裝置，該安全認證裝置是一安全加密密鑰產生裝置。
一種基於洩漏的物理不可複製功能（L-PUF）裝置，包括：<br/> 一預充電電路；以及<br/> 一第一洩漏裝置及一第二洩漏裝置，分別電連接到該預充電電路，其中該第一洩漏裝置及該第二洩漏裝置中的每一者包括電晶體，該電晶體具有電連接到地的一控制端、電連接到該預充電電路的一第一端及電連接到地的一第二端；<br/> 其中一第一中間輸出訊號基於該第一洩漏裝置的一下降電壓而確定，且一第二中間輸出訊號基於該第二洩漏裝置的一下降電壓而確定。
如請求項13所述的基於洩漏的物理不可複製功能裝置，還包括：<br/> 一第一開關，電連接到該第一洩漏裝置的該電晶體的該第一端；以及<br/> 一第二開關，電連接到該第二洩漏裝置的該電晶體的該第一端；<br/> 其中該第一開關在被控制成切換到一接通狀態時被配置成傳送該第一中間輸出訊號，且該第二開關在被控制成切換到一接通狀態時被配置成傳送該第二中間輸出訊號。
一種基於洩漏的物理不可複製功能陣列，包括：<br/> （M × N）陣列形式的多個基於洩漏的物理不可複製功能單元，其中M及N是正整數，且該基於洩漏的物理不可複製功能單元中的每一者包括相應的一個如請求項13所述的該基於洩漏的物理不可複製功能裝置；<br/> （M × 2）個輸入訊號線，分別沿一第一方向延伸且對應地電連接到該基於洩漏的物理不可複製功能單元；<br/> （N × 2）個輸出訊號線，分別沿一第二方向延伸且對應地電連接到該基於洩漏的物理不可複製功能單元；以及<br/> N個感測放大器，分別電連接到該些輸入訊號線及該些輸出訊號線中的一者；<br/> 其中該些輸入訊號線被配置成將一第一輸入訊號及一第二輸入訊號傳送到該感測放大器及該基於洩漏的物理不可複製功能單元；<br/> 其中該感測放大器中的每一者被配置成通過該些輸出訊號線接收由該基於洩漏的物理不可複製功能單元的該第二對應組傳送的該第一中間輸出訊號及該第二中間輸出訊號，且基於該第一中間輸出訊號及該第二中間輸出訊號產生一輸出訊號。
如請求項15所述的基於洩漏的物理不可複製功能陣列，其中該些輸入訊號線包括：<br/> 一第一輸入線，沿該第一方向延伸且對應地電連接到該感測放大器，其中該第一輸入線被配置成將該第一輸入訊號傳送到該感測放大器；以及<br/> M個第二輸入線，分別沿該第一方向延伸且對應地電連接到該基於洩漏的物理不可複製功能單元，其中該第二輸入線中的每一者被配置成將該第二輸入訊號傳送到該基於洩漏的物理不可複製功能單元的一第一對應組。
如請求項15所述的基於洩漏的物理不可複製功能陣列，其中該些輸出訊號線包括：<br/> N個第一輸出線，分別沿一第二方向延伸且對應地電連接到該基於洩漏的物理不可複製功能單元，其中該第一輸出線中的每一者被配置成從該基於洩漏的物理不可複製功能單元的第二對應組接收一第一輸出訊號；以及<br/> N個第二輸出線，分別沿該第二方向延伸且對應地電連接到該基於洩漏的物理不可複製功能單元，其中該第二輸出線中的每一者被配置成從該基於洩漏的物理不可複製功能單元的該第二對應組接收一第二輸出訊號；<br/> 其中該第一輸出線與該第二輸出線沿該第一方向交替地設置。
如請求項15所述的基於洩漏的物理不可複製功能陣列，其中該第一方向及該第二方向中的一者是列方向，而該第一方向及該第二方向中的另一者是行方向。
如請求項15所述的基於洩漏的物理不可複製功能陣列，其中該感測放大器中的每一者包括：<br/> 一第一級前置放大器；以及<br/> 一第二級鎖存器。
一種安全認證裝置，包括如請求項15所述的該基於洩漏的物理不可複製功能陣列，該安全認證裝置是一安全加密密鑰產生裝置。
一種層間絕緣用環氧樹脂組成物，含有環氧樹脂、環氧改質聚丁二烯化合物及芳香族胺化合物，且前述環氧改質聚丁二烯化合物包含下述通式(I)所示重複單元、下述通式(II)所示重複單元及下述通式(III)所示重複單元，且包含下述通式(i)所示重複單元、下述通式(ii)所示重複單元及下述通式(iii)所示重複單元中之至少一者；<br/> 前述層間絕緣用環氧樹脂組成物至少含有雙酚A型二環氧丙基醚作為前述環氧樹脂；<br/> 前述芳香族胺化合物係於芳香環上具有2個以上之胺基(-NH<sub>2</sub>)作為取代基之化合物；<br/><img align="absmiddle" height="268px" width="446px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之層間絕緣用環氧樹脂組成物，其包含下述通式(IV)所示化合物作為前述芳香族胺化合物：<br/><img align="absmiddle" height="82px" width="446px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 通式(IV)中，R<sub>1</sub>表示烷基，m表示2以上的整數，n表示0以上的整數，且m與n滿足m+n≦6；當n為2以上時，存在有複數個的R<sub>1</sub>可互為相同亦可互異。
如請求項1之層間絕緣用環氧樹脂組成物，其含有下述通式(V)所示硼-磷錯合物及下述通式(VI)所示磷化合物：<br/><img align="absmiddle" height="85px" width="446px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 通式(V)中，R<sub>2</sub>與R<sub>3</sub>各自獨立表示烷基，r表示0以上且5以下的整數，s表示0以上且5以下的整數；當r為2以上的整數時，存在有複數個的R<sub>2</sub>可互為相同亦可互異；當s為2以上的整數時，存在有複數個的R<sub>3</sub>可互為相同亦可互異；<br/><img align="absmiddle" height="78px" width="446px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 通式(VI)中，R<sub>4</sub>表示烷基或烷氧基，t表示0以上且5以下的整數；當t為2以上的整數時，存在有複數個的R<sub>4</sub>可互為相同亦可互異。
如請求項1之層間絕緣用環氧樹脂組成物，其含有無機填充材。
如請求項4之層間絕緣用環氧樹脂組成物，其至少含有氮化硼作為前述無機填充材，且前述無機填充材於前述環氧樹脂、前述環氧改質聚丁二烯化合物及前述芳香族胺化合物之合計體積中所佔有之比例為50體積%以上且85體積%以下，而前述氮化硼於前述無機填充材中所佔有之比例為60體積%以上。
一種層間絕緣用樹脂片，係由如請求項1至5中任一項之層間絕緣用環氧樹脂組成物的硬化物所構成，並具有相分離結構，該相分離結構係於包含前述環氧樹脂之連續相中，分散有包含前述環氧改質聚丁二烯化合物之非連續相。
如請求項6之層間絕緣用樹脂片，其中源自前述環氧改質聚丁二烯化合物之第1玻璃轉移溫度Tg<sub>1</sub>為-5℃以下，且源自前述環氧樹脂之第2玻璃轉移溫度Tg<sub>2</sub>為175℃以上。
一種電路基板用積層體，具備金屬基板、設置於前述金屬基板之至少單面之絕緣層、及設置於前述絕緣層上之金屬箔，且前述絕緣層為如請求項6或7之層間絕緣用樹脂片。
一種金屬基底電路基板，係電路基板用積層體，該電路基板用積層體具備金屬基板、設置於前述金屬基板之至少單面之絕緣層、及設置於前述絕緣層上之電路圖案，且前述絕緣層為如請求項6或7之層間絕緣用樹脂片。
一種電力模組，具備如請求項9之金屬基底電路基板。
一種超聲波遠近距離探測方法，包括下列步驟：<br/> 第一步，設定一傳感器的一第一發波參數，確定一第一發波根數；設定所述的傳感器的一第二發波參數，確定一第二發波根數，其中該第二發波根數大於該第一發波根數；<br/> 第二步，導入預先設定好的該第一發波參數，啟動發波命令，所述的傳感器執行命令進行發波，探測是否有障礙物，若有該障礙物則計算該障礙物距離並結束探測，若沒有障礙物，則執行下一步操作；<br/> 第三步，導入預先設定好的該第二發波參數，啟動另一發波命令，所述的傳感器執行命令進行發波，探測是否有障礙物，若有該障礙物則計算該障礙物距離並結束探測，若沒有障礙物，則重複第二步操作或結束探測。
如請求項1所述的一種超聲波遠近距離探測方法，其中，所述的傳感器採用相同的固定頻率進行發波。
如請求項1所述的一種超聲波遠近距離探測方法，其中，在第一步中，確定該第一及第二發波根數後，根據該第一及第二發波根數設定配置參數。
如請求項1所述的一種超聲波遠近距離探測方法，其中，所述的第一發波根數為4~8。
如請求項1所述的一種超聲波遠近距離探測方法，中，所述的第二發波根數為26~32。
一種超聲波傳感器的執行程式，採用如請求項1所述的超聲波遠近距離探測方法，其中，所述的超聲波傳感器的執行程式包括一參數設定模組、一發波執行模組、一判斷模組、一計算模組和一結果輸出模組；所述的參數設定模組連接傳感器，對傳感器發波參數進行寫入設定；所述的發波執行模組控制傳感器執行寫入參數的發波指令；所述的判斷模組對發波後的回波接收進行判斷，判斷是否有障礙物，判斷為是，則通過所述的計算模組進行距離計算；判斷為否，則直接轉入所述的發波執行模組，進入下一步操作；所述的結果輸出模組連接所述的判斷模組和計算模組，將判斷為否的結果或計算結果進行輸出。
如請求項6所述的一種超聲波傳感器的執行程式，其中，所述的參數設定模組中預設第一發波參數和第二發波參數。
如請求項6所述的一種超聲波傳感器的執行程式，其中，所述的參數設定模組連接一固定參數選擇模組，對已經完成設定的參數進行儲存，再次使用時進行直接調用。
如請求項6所述的一種超聲波傳感器的執行程式，其中，所述的判斷模組在所述的發波執行模組運行偶數次後連接所述的結果輸出模組，對判斷為否的結果進行輸出。
一種手工具套接頭結構，其係包括：一本體，該本體一端內部係設有一第一套合部，該本體係設有一第一面，該第一面係設於該第一套合部之外部，該第一面處係設有一凹槽，該凹槽內係設有一穿槽，該穿槽係使該凹槽與該第一套合部呈相通，該本體係設有一第一抵緣，該本體係設有一第一環槽；一套環，該套環係與該本體之外部相套設，該套環係可於該本體上軸向移位一距離，該套環內係設有一第一容槽，該第一容槽一側係設有一第二面，該第二面係與該第一面相滑抵，該套環係設有一第三面，該第三面係設於該第二面一側，該套環係設有一第二抵緣，該第二抵緣另側面係設有一第三抵緣，該套環係設有一第二容槽，該第二容槽係與該第一容槽呈相通，該第二容槽與該第一容槽係貫穿該套環，該第二容槽係設有一第四抵緣，該套環端部設有一第一端；一卡制件，該卡制件係為圓桿體狀，該卡制件係容設於該凹槽內，該卡制件係可於該凹槽內自然滾動，該卡制件部分係因該穿槽而凸露於該第一套合部處，該卡制件二端係設有第二端，該第二端係凸露於該凹槽外，該第二抵緣係抵於該第二端處，使該套環受限於該卡制件而不脫出該本體外；一彈性元件，該彈性元件與該本體相套設，該彈性元件一端抵於該第一抵緣，該彈性元件另端抵於該第三抵緣上，該彈性元件係可使該套環移位後具回位功效；一扣環，該扣環係扣設於該第一環槽處，該扣環係部分凸露於該第一環槽外，該扣環係對正該第二容槽，該套環於該本體上位移，該扣環可抵於該第四抵緣上，使該套環不脫出該本體外，且該扣環可限制該套環於該本體上移位之最大距離，亦即該套環係於該卡制件及該扣環之間位移。
如請求項1所述之手工具套接頭結構，其中，該本體係為一圓筒體狀，該第一套合部係呈多角槽狀，該第一面係與該第一套合部呈同延伸方向，該第一面係呈平面狀，該凹槽係呈橫向開口槽狀，該第一抵緣係設於該第一面一側，該第一環槽係呈凹環槽狀，該第一抵緣係設於該第一面與該第一環槽之間，該本體另端係設有一驅動部，該驅動部係供另一工具套合以驅動之，該驅動部係呈四角槽狀，該本體外部設有壓花紋。
如請求項1所述之手工具套接頭結構，其中，該第二面係呈平面狀，轉動該套環，該第二面係可驅動該第一面，使該本體隨該套環轉動，該第二抵緣之直徑係小於該第一容槽之直徑，該第二抵緣係設於該第二面側邊，該第二抵緣係與該第二面相連接，該第四抵緣之直徑係小於該第二容槽之直徑，該套環外部設一轉動部，該轉動部係可驅動該套環而驅動該本體轉動，該轉動部係呈環狀排列之齒狀。
如請求項1所述之手工具套接頭結構，其中，該套環具有一軸心，該第三面與該軸心之距離係大於該第二面與該軸心之距離，亦即該第三面與該第二面之間係形成階級面。
如請求項1所述之手工具套接頭結構，其中，該第一容槽處係凸設有一第一凸塊，該第一凸塊係呈繞設狀，該第一凸塊二側即形成該第二抵緣及該第三抵緣，該套環內係設有一第二凸塊，該第二凸塊即形成該第二面，該第二凸塊係與該第一凸塊相連接，延著該套環之軸心方向，該第二凸塊之長度係大於該第一凸塊之長度，該第三面設於該第二面與該第一端之間，該第一端呈平面狀。
如請求項1所述之手工具套接頭結構，其中，該卡制件係為金屬製，該彈性元件係為彈簧體，該扣環呈C形環體。
如請求項1所述之手工具套接頭結構，其中，該第二面係對正該卡制件，該第二面係限制該卡制件無法脫出該凹槽外，該套環相對該本體移位後，該第三面係對正該卡制件，使該卡制件可於該凹槽處移位，使該卡制件不凸露於該第一套合部處，該套環移位後，該第四抵緣受該扣環限制，該凹槽係不會凸露於該第一端外以保護該卡制件不脫出該凹槽外。
如請求項1所述之手工具套接頭結構，其中，設有一起子頭，該起子頭係套設於該第一套合部內，該卡制件與該起子頭相卡制定位，該起子頭即不脫出該第一套合部。
如請求項1所述之手工具套接頭結構，其中，尚未組設該扣環，推移該套環使該彈性元件更受壓縮，該凹槽之位置係凸出該第一端外，即可將該卡制件組設於該凹槽處，該彈性元件將該套環回位，該第二抵緣抵於該第二端處，最後再組設該扣環。
如請求項1所述之手工具套接頭結構，其中，該凹槽及該穿槽為三個，該凹槽及該穿槽係呈環狀排列狀，該套環亦設有三個該第二面及該第三面，該卡制件亦設有三個，三個該卡制件係分別容設於與三個該凹槽處。
如請求項2所述之手工具套接頭結構，其中，該驅動部係呈多角頭狀而呈起子接頭結構。
如請求項2所述之手工具套接頭結構，其中，該驅動部係呈棘輪狀，該本體即呈棘輪結構，該本體即可樞設於一扳手本體上。
一種電連接器，其中，包括：<br/> 一殼體；所述殼體包括一第一側和相反朝向的一第二側；<br/> 至少兩個第一導電端子，插設於所述殼體中；每個所述第一導電端子與對應的至少兩根第一導線電連接；<br/> 至少一組第二導電端子，插設於所述殼體中；每組所述第二導電端子中的每個所述第二導電端子與對應的至少一根第二導線電連接；<br/> 其中，<br/> 每組所述第二導電端子與至少一個所述第一導電端子在第一方向上相鄰，所述第一方向為所述殼體的第一側的延伸方向；<br/> 每個所述第一導電端子對應電連接的所述第一導線中的部分自所述殼體的所述第一側出線，剩餘部分自所述殼體的所述第二側出線；<br/> 每個所述第二導電端子對應電連接的所述第二導線自所述殼體的至少一側出線，<br/> 每組所述第二導電端子中的所述第二導電端子呈A列B排分佈，每列沿第二方向延伸，每排沿所述第一方向延伸；其中，所述第二方向與所述第一方向相交，A、B均為大於或等於1的整數；<br/> 至少一個所述第一導電端子在所述第二方向上的延伸寬度不小於每組所述第二導電端子每列中的任意兩個所述第二導電端子的中心點之間的距離。
根據請求項1所述的電連接器，其中，所述每個所述第二導電端子與對應的至少一根第二導線電連接，包括：<br/> 每個所述第二導電端子與對應的至少兩根第二導線電連接；<br/> 其中，每個所述第二導電端子對應電連接的所述第二導線中的部分自所述殼體的所述第一側出線，剩餘部分自所述殼體的所述第二側出線。
根據請求項2所述的電連接器，其中，自所述殼體的所述第一側出線的多根所述第二導線為一第二導線組；所述第二導線組中的所述第二導線呈N排M列分佈；其中，N、M均為大於或等於1的整數。
根據請求項1所述的電連接器，其中，所述第一側和所述第二側為所述殼體的長邊側。
根據請求項1所述的電連接器，其中，所述殼體包括：<br/> 一基部，具有相對的一頂面，一底面，以及於所述頂面和所述底面之間延伸的側面；<br/> 一前配接部，自所述基部的頂面向遠離於所述底面的方向延伸。
根據請求項5所述的電連接器，其中，所述殼體還包括：<br/> 一容納腔，沿所述基部的所述底面朝所述頂面的方向延伸；<br/> 所述電連接器還包括：<br/> 一導線密封構件，設置於所述容納腔內，且靠近所述頂面；所述第一導電端子和所述第二導電端子插設於所述導線密封構件中，使所述第一導電端子和所述第二導電端子的一部分位於所述容納腔內；<br/> 一密封體，用於對所述容納腔進行密封。
根據請求項6所述的電連接器，其中，所述導線密封構件包括至少兩個蓋板，相鄰兩個所述蓋板之間具有間隔；<br/> 所述第一導電端子插設於所述蓋板中，每組所述第二導電端子插設於相鄰兩個所述蓋板之間的間隔中。
根據請求項5所述的電連接器，其中，所述殼體還包括：<br/> 一密封圈，套設於所述前配接部背離所述基部的一側外圍。
根據請求項1所述的電連接器，其中，所述第二導線與所述第二導電端子經由一印刷電路板電連接。
一種電連接器，其中，包括：<br/> 一殼體；所述殼體包括一第一側和相反朝向的一第二側；<br/> 至少兩個第一導電端子，插設於所述殼體中；每個所述第一導電端子與對應的至少一根第一導線電連接；<br/> 至少一組第二導電端子，插設於所述殼體中；每組所述第二導電端子中的每個所述第二導電端子與對應的至少兩根第二導線電連接；<br/> 其中，<br/> 每組所述第二導電端子與至少一個所述第一導電端子在第一方向上相鄰，所述第一方向為所述殼體的第一側的延伸方向；<br/> 每個所述第一導電端子對應電連接的所述第一導線自所述殼體的至少一側出線；<br/> 每個所述第二導電端子對應電連接的所述第二導線中的部分自所述殼體的所述第一側出線，剩餘部分自所述殼體的所述第二側出線，<br/> 每組所述第二導電端子中的所述第二導電端子呈A列B排分佈，每列沿第二方向延伸，每排沿所述第一方向延伸；其中，所述第二方向與所述第一方向相交，A、B均為大於或等於1的整數；<br/> 至少一個所述第一導電端子在所述第二方向上的延伸寬度不小於每組所述第二導電端子每列中的任意兩個所述第二導電端子的中心點之間的距離。
一種基板處理裝置，其具備： 基板處理部，其用於使用處理液對基板進行處理； 供給箱，其用於貯存向上述基板處理部供給之上述處理液； 產生部，其用於藉由電解產生上述處理液； 回收部，其用於回收供給至上述基板處理部之上述處理液即處理後液體，並將其供給至上述產生部； 第1供給路徑，其用於向上述供給箱供給由上述產生部產生之上述處理液；及 第2供給路徑，其用於向上述回收部供給由上述產生部產生之上述處理液，且係與上述第1供給路徑不共通之路徑；且 上述回收部將混合經由上述第2供給路徑而供給之上述處理液後之上述處理後液體供給至上述產生部。
如請求項1之基板處理裝置，其 進而具備第1測定部，該第1測定部測定上述回收部中之上述處理後液體之液量，並輸出測定結果， 上述產生部基於上述測定結果來控制向上述回收部供給之上述處理液之流量。
如請求項1或2之基板處理裝置，其中 上述產生部具備用於將上述處理後液體及所產生之上述處理液調整為電解溫度之第1調溫部，該電解溫度係用於藉由電解產生上述處理液之溫度。
如請求項1或2之基板處理裝置，其中 上述回收部具備用於將上述處理後液體調整為電解溫度之第2調溫部，該電解溫度係用於藉由電解產生上述處理液之溫度。
如請求項1或2之基板處理裝置，其 進而具備第2測定部，該第2測定部測定上述回收部中之上述處理後液體之TOC濃度，並輸出測定結果， 上述產生部基於上述測定結果來控制向上述回收部供給之上述處理液之流量。
一種基板處理方法，其係用於使用處理液對基板進行處理者，且包括以下步驟： 於供給箱中貯存向基板處理部供給之上述處理液； 於上述基板處理部中，使用上述處理液對上述基板進行處理； 將供給至上述基板處理部之上述處理液即處理後液體回收至回收部，進而供給至產生部；及 於上述產生部中，藉由電解而自包含上述處理後液體之液體產生上述處理液；且 將用於向上述供給箱供給由上述產生部產生之上述處理液之路徑作為第1供給路徑； 將用於向上述回收部供給由上述產生部產生之上述處理液，且係與上述第1供給路徑不共通之路徑作為第2供給路徑；且 將上述處理後液體供給至上述產生部之步驟係將混合經由上述第2供給路徑而供給之上述處理液後之上述處理後液體供給至上述產生部的步驟。
一種半導體裝置，包含：<br/> 一基板；<br/> 一漂移區，位於該基板上且具有一第一導電特性；<br/> 一週邊區，位於該漂移區上且具有一第二導電特性；<br/> 至少一第一保護環，位於該漂移區上以及該週邊區的一側且具有該第二導電特性；以及<br/> 複數個第二保護環，位於該漂移區上以及該週邊區的一側且具有該第二導電特性，其中該些第二保護環的一深度大於該第一保護環的一深度，該些第二保護環的一者圍繞該第一保護環，該些第二保護環遠離該週邊區的另一者無圍繞該第一保護環，其中該第一保護環的數量為三，該些第二保護環的數量為五，該些第二保護環靠近該週邊區的三者圍繞該些第一保護環，該些第二保護環遠離該週邊區的兩者無圍繞該些第一保護環，其中該些第二保護環的複數個寬度由最靠近該週邊區的一者往最遠離該週邊區的一者依序遞減。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該第一保護環的一摻雜濃度大於該些第二保護環的一摻雜濃度。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該些第二保護環最靠近該週邊區的一者與該週邊區在垂直方向上部分重疊。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該些第二保護環的該些寬度大於等於該第一保護環的一寬度。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該漂移區的一摻雜濃度小於該基板的一摻雜濃度。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該週邊區的一寬度大於該第一保護環的一寬度。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該第一導電特性與該第二導電特性不同，該第一導電特性為N型摻雜，該第二導電特性為P型摻雜。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該些第二保護環的一頂面與該第一保護環的一頂面共平面。
一種承載機構，適於接合至一基座，包括：<br/>一底板；<br/>一夾制件，可動地設置於該底板；<br/>一滑塊，連接至該夾制件，且適於帶動該夾制件移動；<br/>一旋鈕，可轉動地設置於該底板且抵靠於該滑塊；以及<br/>一蓋板，該蓋板相對於該底板設置，該蓋板設有一凸塊，該凸塊適於推抵該夾制件；<br/>其中，該旋鈕適於推動該滑塊，使該夾制件相對於該蓋板與該底板移動並朝向該底板移動。
如請求項1之承載機構，更包括一彈簧，連接於該夾制件且適於對該夾制件施加一作用力，使該夾制件朝向該蓋板的中心移動。
如請求項1之承載機構，更包括一緩衝件，設置於該夾制件朝向該底板的表面上。
如請求項1之承載機構，其中該夾制件設有一凹槽，該蓋板的該凸塊適於推抵該夾制件的該凹槽的一側壁，使該夾制件朝該底板移動。
如請求項1之承載機構，更包括一凸輪，其中該旋鈕透過該凸輪樞接於該底板。
如請求項1之承載機構，更包括一操作部，該操作部由該旋鈕遠離該底板延伸。
一種支架組件，適於承載一電子元件，包括：<br/>一基座；以及<br/>一承載機構，可動地連接於該基座且適於承載該電子元件，包括：<br/>一底板；<br/>一蓋板，該蓋板相對於該底板設置；<br/>一夾制件，可動地設置於該底板，且位於該底板與該蓋板之間，其中該蓋板設有一凸塊，該凸塊適於推抵該夾制件；<br/>一滑塊，連接至該夾制件，且適於帶動該夾制件移動；以及<br/>一旋鈕，可轉動地設置於該底板且抵靠於該滑塊；<br/>其中，該基座可滑移地設置於該承載機構的該底板與該夾制件之間，該旋鈕適於推動該滑塊使該夾制件相對於該蓋板與該底板移動並朝向該基座移動，使該底板和該夾制件分別接觸該基座的相反兩表面。
如請求項7之支架組件，其中該承載機構更包括一彈性扣件以及一連接件，該彈性扣件設置於該底板且與該基座接觸，該連接件可轉動地設置於該底板且與該彈性扣件接觸，其中該彈性扣件適於受該連接件推抵而延伸至該基座的一開口中。
如請求項8之支架組件，其中該承載機構更包括一操作件，該操作件與該連接件連接，該操作件適於帶動該連接件使該連接件推抵該彈性扣件。
如請求項7之支架組件，其中該承載機構更包括一緩衝件，設置於該夾制件朝向該底板的表面上，該夾制件適於以該緩衝件與該基座的一表面接觸。
如請求項7之支架組件，其中該底板設有一凸塊，該凸塊抵靠於該基座的一表面。
如請求項7之支架組件，其中該夾制件設有一凹槽，該蓋板的該凸塊適於推抵該夾制件的該凹槽的一側壁，使該夾制件朝該基座移動。
如請求項7之支架組件，其中該承載機構更包括一接合件，該接合件設置於該蓋板且適於與該電子元件接合。
如請求項7之支架組件，更包括一響片，該響片可旋轉地設置於該底板，且該響片抵靠於該基座。
一種支架組件，適於抵靠於一顯示裝置，包括：<br/>一基座；<br/>一承載機構，可動地連接於該基座且適於抵靠於該顯示裝置，包括：<br/>一底板；<br/>一夾制件，可動地設置於該底板；<br/>一滑塊，連接至該夾制件，且適於帶動該等夾制件移動；<br/>一旋鈕，可轉動地設置於該底板上方且抵靠於該滑塊；以及<br/>一蓋板，該蓋板相對於該底板設置，該蓋板設有一凸塊，該凸塊適於推抵該夾制件；<br/>其中，該基座可滑移地設置於該承載機構的該底板與該夾制件之間，該旋鈕適於推動該滑塊使該夾制件相對於該蓋板與該底板移動並朝向該基座移動，使該底板和該夾制件分別接觸該基座的相反兩表面。
如請求項15之支架組件，更包括一支撐件與一鎖固件，該支撐件透過該鎖固件連接至該基座，其中該支撐件與該承載機構適於抵靠該顯示裝置的不同側面。
如請求項16之支架組件，其中該支撐件包括一檔板以及一固定件，該檔板可轉動地連接於該固定件，該支撐件的該固定件透過該鎖固件與該基座連接。
如請求項17之支架組件，其中該支撐件包括一支架以及一連接桿，該檔板樞接於該支架，該支架透過該連接桿連接於該固定件，該鎖固件適於穿過該固定件推抵該連接桿，使該支架遠離該固定件。
如請求項18之支架組件，其中該支撐件包括一彈性元件，該彈性元件連接於該檔板與該固定件之間，該彈性元件適於對該檔板施加一作用力，使該檔板朝向該固定件移動。
如請求項17之支架組件，其中該支撐件包括一扭力件，該扭力件穿過該檔板並連接於該固定件。
一種功率設備，包括：<br/> 一安裝櫃，包括一頂部和兩側面；<br/> 多個功率模塊，電性連接至該安裝櫃，且陣列地安裝於該安裝櫃的該頂部；<br/> 至少一擴展功率模塊，可拆卸地安裝於該安裝櫃的其中一側面，且電性連接至該安裝櫃；以及<br/> 一安裝支架，可拆卸地設置於該安裝櫃的其中一側面；<br/> 其中，該安裝櫃包含一組擴展界面設置於該安裝櫃的其中一側面，且該組擴展界面和該擴展功率模塊位於該安裝櫃的同一側面，其中該安裝櫃中預留多個擴展線纜用於電連接該擴展功率模塊。
如請求項1所述的功率設備，組裝完成的該安裝櫃和該多個功率模塊作為一第一主體進行運輸，該擴展功率模塊作為一第二主體進行運輸。
如請求項1所述的功率設備，其中該安裝支架包含一導軌，該導軌的一第一端包含一卡槽，該導軌的一第二端包含至少一固定孔，其中該擴展功率模塊由該導軌的該第二端朝向該第一端滑移，且卡扣於該卡槽，再通過螺栓將該擴展功率模塊固定於該至少一固定孔。
如請求項1所述的功率設備，該組擴展界面包含一第一擴展界面、一第二擴展界面及一第三擴展界面；以及<br/> 該安裝櫃包括一直流倉，一交流倉以及一布線倉，其中該直流倉鄰設於該交流倉，該布線倉連通並設置於該直流倉及該交流倉的頂部。
如請求項4所述的功率設備，該直流倉中設置：<br/> 一組擴展直流匯流排；以及<br/> 一組擴展直流線纜，其一第一端電連接該組直流匯流排，自下而上進入該布線倉，且其一第二端預留在該布線倉中；<br/> 其中，該組擴展直流線纜的該第二端穿過該組擴展界面中的該第一擴展界面，電連接該擴展功率模塊的一直流側。
如請求項4所述的功率設備，該交流倉中設置：<br/> 一組擴展交流端子；以及<br/> 一組擴展交流線纜，其一第一端電連接該組擴展交流端子，自下而上進入該布線倉，且其一第二端預留在該布線倉中；<br/> 其中，該組擴展交流線纜的該第二端穿過該組擴展界面的該第二擴展界面，電連接該擴展功率模塊的一交流側。
如請求項4所述的功率設備，該交流倉中還設置：<br/> 一控制盒；以及<br/> 一組擴展控制線纜，其一第一端電連接該控制盒，自下而上進入該布線倉，且其一第二端預留在該布線倉中； <br/> 其中，該組擴展控制線纜的該第二端穿過該組擴展界面的該第三擴展界面，電連接該擴展功率模塊的一控制板。
如請求項1所述的功率設備，該多個功率模塊形成一第一陣列安裝於該安裝櫃的該頂部，該安裝櫃還包含多組界面，每一組該界面設置於該安裝櫃的一前側，且對應該第一陣列中的一個功率模塊設置。
如請求項1所述的功率設備，該多個功率模塊的部分功率模塊形成一第一陣列安裝於該安裝櫃的該頂部的前側，該安裝櫃包含多組界面，每一組界面設置於該安裝櫃的一前側，且對應該第一陣列中的一個功率模塊設置；以及<br/> 該多個功率模塊的其餘功率模塊還形成一第二陣列安裝於該安裝櫃的該頂部的後側，該安裝櫃還包含多組界面，每一組界面設置於該安裝櫃的一後側，且對應該第二陣列中的一個功率模塊設置。
如請求項4所述的功率設備，該至少一擴展功率模塊包括兩個擴展功率模塊，分別為一第一擴展功率模塊和一第二擴展功率模塊；<br/> 其中該第一擴展功率模塊可拆卸地安裝於該安裝櫃的其中一側面，該第二擴展功率模塊可拆卸地安裝於該安裝櫃的另一側面；或者<br/> 其中該第一擴展功率模塊和該第二擴展功率模塊可拆卸地安裝於該安裝櫃的同一側面。
如請求項10所述的功率設備，其中該第一擴展功率模塊可拆卸地安裝于該安裝櫃的其中一側面的前部，該第二擴展功率模塊可拆卸地安裝于該安裝櫃的另一側面的前部；<br/> 該第一擴展功率模塊可拆卸地安裝於該安裝櫃的其中一側面的後部，該第二擴展功率模塊可拆卸地安裝於該安裝櫃的另一側面的後部；<br/> 該第一擴展功率模塊可拆卸地安裝於該安裝櫃的其中一側面的後部，該第二擴展功率模塊可拆卸地安裝於該安裝櫃的另一側面的前部；或者<br/> 該第一擴展功率模塊可拆卸地安裝於該安裝櫃的其中一側面的前部，該第二擴展功率模塊可拆卸地安裝於該安裝櫃的該側面的後部。
如請求項10所述的功率設備，包括兩組擴展界面分別為一第一組擴展界面和一第二組擴展界面，其中該第一擴展界面與該第一擴展功率模塊對應設置在該安裝櫃的同一側面，該第二擴展界面與該第二擴展功率模塊對應設置在該安裝櫃的同一側面。
一種功率設備的組裝方法，包括：<br/> 步驟(S1)，將多個功率模組陣列地安裝於一安裝櫃的一頂部並與該安裝櫃中的一線纜電性連接，其中組裝後的該多個功率模組和該安裝櫃形成一主體；<br/> 步驟(S2)，將該主體和一擴展功率模塊分別運輸至現場； <br/> 步驟(S3)，將該擴展功率模塊通過一安裝支架可拆卸地安裝於該安裝櫃的一側面；以及<br/> 步驟(S4)，將該擴展功率模塊與該安裝櫃中的一預留擴展線纜電性連接，其中該預留擴展線纜通過一組擴展界面電性連接該擴展功率模塊與該安裝櫃，其中該組擴展界面設置於該安裝櫃的該側面。
如請求項13所述功率設備的組裝方法，在該擴展功率模塊安裝於該安裝櫃的側面之前，封堵該組擴展界面。
如請求項14所述功率設備的組裝方法，於該步驟(S4)中，打通該組擴展界面，該預留擴展線纜的一端穿過該組擴展界面，電性連接至該擴展功率模塊。
一種負極材料，其中，所述負極材料包括內核及位於所述內核至少部分表面的碳質包覆層，所述內核包括石墨，所述碳質包覆層和/或所述石墨表面包括氮原子；<br/> 所述氮原子的摻雜濃度的均勻度為A，其中，所述均勻度A藉由以下的測試方法獲得：<br/> 隨機獲取5份負極材料顆粒，在單個負極材料顆粒上隨機取n個1μm*1μm的區域，分別藉由掃描電鏡能譜儀檢測氮元素的能譜訊號，測得每個區域中氮原子的數量占比，並計算氮原子的數量占比的平均值為R；<br/> 均勻度A= ，且A≤0.5，其中，Rn表示第n個區域測得的氮原子的數量占比，n為≥5的自然數。
根據請求項1所述的負極材料，其中，所述負極材料滿足以下特徵中的至少一者：<br/> （1）所述Rn不等於零；<br/> （2）所述石墨包括人造石墨和天然石墨中的至少一種；<br/> （3）所述碳質包覆層的厚度為1nm~100nm；<br/> （4）所述負極材料中氮原子的質量含量為0.01%~3%；<br/> （5）所述石墨的粉末電導率為ρ1，所述負極材料的粉末電導率為ρ2，1.01≤ρ2/ρ1≤10。
根據請求項1所述的負極材料，其中，所述負極材料滿足以下特徵中的至少一者：<br/> （1）所述負極材料的比表面積為0.1m2/g~5m2/g；<br/> （2）所述負極材料的中值粒徑為1μm~30μm；<br/> （3）所述負極材料的振實密度為0.75g/cm3~1.1g/cm3；<br/> （4）所述碳質包覆層包括硬碳、軟碳、石墨碳的至少一種；<br/> （5）所述負極材料中碳質包覆層的質量含量為0.1%~10%。
一種根據請求項1至3中任一項所述的負極材料的製備方法，其中，所述方法包括以下步驟：<br/> 將包含石墨、含氮有機單體及氧化劑的混合溶液進行聚合反應，得到前驅體, 所述石墨與所述含氮有機單體的質量比為100：（0.1~45）；<br/> 將所述前驅體進行碳化處理，得到負極材料。
根據請求項4所述的製備方法，其中，所述方法滿足以下特徵中的至少一者：<br/> （1）所述石墨包括人造石墨和天然石墨中的至少一種； <br/> （2）所述石墨的中值粒徑為1μm~30μm；<br/> （3）所述含氮有機單體包括甲基苯胺、氨基磺酸、氨基水楊酸、氨基對苯二甲酸、苯胺、二苯胺、苯二胺、三苯胺、乙基苯胺和硝基苯胺中的至少一種；<br/> （4）所述氧化劑包括過硫酸銨、雙氧水、氯化鐵及氯化鋁中的至少一種；<br/> （5）所述氧化劑在所述混合溶液中的質量濃度為0.1mol/L～2mol/L；<br/> （6）所述聚合反應的時間為1h～30h；<br/> （7）所述聚合反應的溫度為1℃～95℃；<br/> （8）所述聚合反應在攪拌狀態下進行；<br/> （9）所述聚合反應在攪拌狀態下進行，攪拌速率為50r/min~800r/min；<br/> （10）所述含氮有機單體聚合形成的含氮聚合物纏繞在所述石墨的表面。
根據請求項4所述的製備方法，其中，所述將包含石墨、含氮有機單體及氧化劑的混合溶液進行聚合反應的步驟，包括：先製備含石墨、pH調節劑與含氮有機單體的混合液，往所述混合液中加入氧化劑，得到混合溶液。
根據請求項6所述的製備方法，其中，所述方法滿足以下特徵中的至少一者：<br/> （1）所述混合液的pH為1~10；<br/> （2）所述pH調節劑包括酸性pH試劑和鹼性pH試劑中的至少一種；<br/> （3）所述pH調節劑包括鹽酸、硫酸、磷酸和硝酸中的至少一種；<br/> （4）所述pH調節劑包括氫氧化鋰、氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉和碳酸氫鈉中的至少一種。
根據請求項4至6中任一項所述的製備方法，其中，所述方法滿足以下特徵中的至少一者：<br/> （1）所述碳化處理在保護性氣氛下進行；<br/> （2）所述保護性氣氛包括氮氣、氦氣、氖氣、氬氣、氪氣和氙氣中的至少一種；<br/> （3）所述碳化處理的溫度為500℃~2500℃；<br/> （4）所述碳化處理的升溫速率為0.5℃/min~5.0℃/min； <br/> （5）所述碳化處理的保溫時間為1h~20h。
一種鋰離子電池，其中，所述鋰離子電池包括根據請求項1至3中任一項所述的負極材料或根據請求項4至8中任一項所述的製備方法製得的負極材料。
一種馬達，其包括： <br/>承座，其具有出線槽部； <br/>防護蓋，其設置於所述承座上方； <br/>密封件，其包括第一部分，所述密封件的所述第一部分設置於所述承座的所述出線槽部與所述防護蓋之間，且所述密封件的所述第一部分與所述防護蓋及所述承座構成封閉空間； <br/>電路板，其設置於所述封閉空間中； <br/>定子，其設置於所述防護蓋上； <br/>軸管，其穿入所述承座、所述防護蓋及所述定子；以及 <br/>轉子，其樞接於所述軸管。
如請求項1之馬達，其中所述密封件的所述第一部分接觸所述出線槽部的上表面及所述防護蓋。
如請求項1之馬達，其中所述密封件進一步包括第二部分，所述承座另具有第一容置槽及圍繞所述第一容置槽的第一環牆，所述防護蓋具有第二容置槽及圍繞所述第二容置槽的第二環牆，所述密封件的所述第二部分設置於所述承座的所述第一環牆與所述防護蓋的所述第二環牆之間，且所述密封件的所述第二部分及所述第一部分與所述防護蓋及所述承座構成所述封閉空間。
如請求項3之馬達，其中所述防護蓋的所述第二環牆具有缺口，所述缺口朝向所述承座的所述出線槽部，且所述密封件的所述第一部分封閉所述第二環牆的所述缺口。
如請求項4之馬達，其中所述密封件的所述第一部分的體積小於所述密封件的所述第二部分的體積。
如請求項4之馬達，其進一步包括線材，所述線材穿過所述第二環牆的所述缺口，並電連接所述電路板。
如請求項3之馬達，其中在橫截面視圖下，所述密封件的所述第一部分的寬度大於所述密封件的所述第二部分的寬度。
如請求項3之馬達，其中在橫截面視圖下，所述密封件的所述第一部分的高度小於所述密封件的所述第二部分的高度。
如請求項1之馬達，其中所述防護蓋具有蓋板及中空凸部，所述中空凸部設置於所述蓋板的中心且朝相反於所述承座的方向凸出，所述軸管穿過所述防護蓋的所述中空凸部。
如請求項9之馬達，其中所述定子包括下繞線套，所述防護蓋另具有上環部及環槽，所述上環部環繞所述中空凸部，所述環槽位於所述上環部與所述中空凸部之間，所述下繞線套設置於所述環槽中。
如請求項10之馬達，其中所述下繞線套的頂面與所述中空凸部的頂面及所述上環部的頂面齊平。
如請求項10之馬達，其中所述定子接觸所述中空凸部及所述上環部。
如請求項10之馬達，其中所述定子的外周面與所述上環部的外表面對齊。
如請求項10之馬達，其中所述下繞線套接觸所述上環部的內表面。
如請求項10之馬達，其中所述下繞線套接觸所述中空凸部的外表面。
如請求項10之馬達，其中所述蓋板具有頂面、從所述頂面凸出的多個凸塊以及位於兩相鄰所述多個凸塊之間的卡槽，所述下繞線套具有多個下延伸部，所述多個下延伸部中的至少一個限位於所述卡槽中。
如請求項10之馬達，其中所述蓋板具有頂面及從所述頂面凹入的凹槽，所述下繞線套具有多個下延伸部，所述多個下延伸部中的至少一個限位於所述凹槽中。
如請求項1之馬達，其中所述定子包括導接件，所述導接件貫穿所述防護蓋及所述電路板，且所述導接件電連接所述電路板。
如請求項18之馬達，其進一步包括密封墊圈，所述防護蓋具有蓋板，所述密封墊圈設置於所述防護蓋的所述蓋板與所述電路板之間，且所述導接件穿過所述密封墊圈。
如請求項19之馬達，其中所述蓋板具有開孔，所述密封墊圈設置於所述蓋板的所述開孔的周圍，且所述導接件穿過所述蓋板的所述開孔。
如請求項1之馬達，其中所述密封件進一步包括第二部分，所述承座另具有第一容置槽及圍繞所述第一容置槽的第一環牆，所述第一環牆具有凹槽，所述密封件的所述第二部分設置於所述第一環牆的所述凹槽中。
如請求項21之馬達，其中所述防護蓋具有第二容置槽及圍繞所述第二容置槽的第二環牆，所述防護蓋的所述第二環牆部分設置於所述第一環牆的所述凹槽中且被所述密封件的所述第二部分包覆。
如請求項21之馬達，其中所述密封件進一步包括第三部分，所述出線槽部具有上表面及從所述上表面凹入的凹槽，所述密封件的所述第三部分設置於所述出線槽部的所述凹槽中。
如請求項23之馬達，其中所述密封件的所述第三部分接觸所述密封件的所述第一部分。
如請求項23之馬達，其中所述密封件的所述第三部分的材質不同於所述密封件的所述第一部分的材質。
如請求項1之馬達，其中所述承座另具有第一容置槽及圍繞所述第一容置槽的第一環牆，所述防護蓋具有第二容置槽及圍繞所述第二容置槽的第二環牆，所述防護蓋的所述第二環牆套設於所述承座的所述第一環牆外。
如請求項26之馬達，其中所述第二環牆的外表面與所述承座的外周面對齊。
如請求項26之馬達，其中所述防護蓋另具有蓋板，所述密封件進一步包括第二部分，所述密封件的所述第二部分設置於所述防護蓋的所述蓋板與所述承座的所述第一環牆之間。
如請求項28之馬達，其中所述承座的所述第一環牆具有頂面及從所述頂面凹入的環槽，所述密封件的所述第二部分設置於所述第一環牆的所述環槽中。
如請求項28之馬達，其中所述密封件的所述第二部分包括密封膠或密封環。
如請求項1之馬達，其中所述密封件的所述第一部分包括密封膠或橡膠塞。
如請求項1之馬達，其中所述電路板上配置電子元件，所述防護蓋具有讓位槽，所述電子元件位於所述防護蓋的所述讓位槽中。
一種風扇，其包括： <br/>如請求項1之馬達；及 <br/>多個葉片，其連接所述馬達的所述轉子。
一種馬達之製造方法，包括： <br/>提供組合結構，所述組合結構包括防護蓋及設置於所述防護蓋上的定子，其中所述定子包括貫穿所述防護蓋的導接件； <br/>將電路板放入所述防護蓋內，並使所述導接件貫穿所述電路板； <br/>焊接接合所述導接件與所述電路板； <br/>將軸管穿過所述防護蓋及所述定子； <br/>連接所述軸管與承座； <br/>將密封件的第一部分置於所述承座的出線槽部與所述防護蓋之間，以藉由所述密封件的所述第一部分、所述防護蓋及所述承座形成封閉空間；以及 <br/>樞接轉子於所述軸管。
如請求項34之製造方法，其中所述防護蓋具有中空凸部、環繞所述中空凸部的上環部及位於所述上環部與所述中空凸部之間的環槽，且提供所述組合結構的步驟包括： <br/>將下繞線套置於所述防護蓋的所述環槽中。
如請求項35之製造方法，其中將所述軸管穿過所述防護蓋及所述定子的步驟包括： <br/>將所述軸管穿過所述防護蓋的所述中空凸部。
如請求項34之製造方法，其中焊接接合所述導接件與所述電路板的步驟進一步包括： <br/>焊接接合線材與所述電路板。
如請求項34之製造方法，其中所述承座具有中心管部，且連接所述軸管與所述承座的步驟包括： <br/>將所述軸管穿入所述承座的所述中心管部。
如請求項34之製造方法，其中所述承座另具有第一容置槽及圍繞所述第一容置槽的第一環牆，所述防護蓋具有第二容置槽及圍繞所述第二容置槽的第二環牆，且將所述密封件的所述第一部分置於所述承座的所述出線槽部與所述防護蓋之間的步驟包括： <br/>將所述密封件的第二部分置於所述承座的所述第一環牆與所述防護蓋的所述第二環牆之間，以藉由所述密封件的所述第二部分及所述第一部分、所述防護蓋及所述承座形成所述封閉空間。
如請求項39之製造方法，其中所述防護蓋的所述第二環牆具有缺口，所述缺口朝向所述承座的所述出線槽部，且將所述密封件的所述第一部分置於所述承座的所述出線槽部與所述防護蓋之間的步驟進一步包括： <br/>使用所述密封件的所述第一部分封閉所述第二環牆的所述缺口。
一種馬達之製造方法，包括： <br/>提供組合結構，所述組合結構包括防護蓋、設置於所述防護蓋上的定子以及接觸所述防護蓋的密封件的第一部分，其中所述定子包括貫穿所述防護蓋的導接件； <br/>將電路板放入所述防護蓋內，並使所述導接件貫穿所述電路板； <br/>焊接接合所述導接件與所述電路板； <br/>將軸管穿過所述防護蓋及所述定子； <br/>將所述組合結構、所述電路板及所述軸管移至承座上方，其中所述承座具有第一容置槽及圍繞所述第一容置槽的第一環牆，所述第一環牆具有凹槽，且將所述密封件的第二部分置於所述第一環牆的所述凹槽中； <br/>連接所述軸管與所述承座，並將所述防護蓋部分放入所述密封件的所述第二部分中；以及 <br/>樞接轉子於所述軸管。
如請求項41之製造方法，其中所述防護蓋具有第二容置槽及圍繞所述第二容置槽的第二環牆，所述第二環牆具有缺口，且提供所述組合結構的步驟包括： <br/>將所述密封件的所述第一部分置於所述第二環牆的所述缺口處。
如請求項41之製造方法，其中所述防護蓋具有中空凸部、環繞所述中空凸部的上環部及位於所述上環部與所述中空凸部之間的環槽，且提供所述組合結構的步驟包括： <br/>將下繞線套置於所述防護蓋的所述環槽中。
如請求項43之製造方法，其中將所述軸管穿過所述防護蓋及所述定子的步驟包括： <br/>將所述軸管穿過所述防護蓋的所述中空凸部。
如請求項41之製造方法，其中焊接接合所述導接件與所述電路板的步驟進一步包括： <br/>將線材穿過所述密封件的所述第一部分；及 <br/>焊接接合所述線材與所述電路板。
如請求項41之製造方法，其中所述承座另具有出線槽部，所述出線槽部具有上表面及從所述上表面凹入的凹槽，且將所述密封件的所述第二部分置於所述第一環牆的所述凹槽中的步驟進一步包括： <br/>將所述密封件的第三部分置於所述出線槽部的所述凹槽中。
如請求項46之製造方法，其中將所述防護蓋部分放入所述密封件的所述第二部分中的步驟進一步包括： <br/>使所述密封件的所述第一部分接觸所述密封件的所述第三部分。
如請求項41之製造方法，其中所述承座另具有中心管部，且連接所述軸管與所述承座的步驟包括： <br/>將所述軸管穿入所述承座的所述中心管部。
一種兒童推車，包括：<br/> 第一腳架和第二腳架，所述第一腳架包括第一側段，所述第二腳架包括第二側段；<br/> 推手架，包括第三側段，所述第三側段分別與所述第一側段、所述第二側段相樞接，其中所述第三側段通過一關節與所述第一側段相樞接；以及<br/> 連結組件，包括支撑桿、滑動件和車架連動部，其中，所述支撑桿分別與所述第一側段、所述第二側段相樞接，所述滑動件與所述支撑桿活動地連接，且所述車架連動部與所述滑動件相樞接，從而使所述滑動件在所述兒童推車被收折、展開時沿所述支撑桿移動。
如請求項1所述的兒童推車，其中所述滑動件在所述兒童推車收折的過程中朝向所述支撑桿與所述第一側段相樞接之處滑動，在所述兒童推車展開的過程中則朝向所述支撑桿與所述第二側段相樞接之處滑動。
如請求項1所述的兒童推車，其中所述車架連動部為單一連桿。
如請求項1所述的兒童推車，其中所述車架連動部分別與所述滑動件、所述關節相樞接。
如請求項4所述的兒童推車，其中所述第一側段、所述第三側段和所述車架連動部為同軸線樞接於所述關節處。
如請求項1所述的兒童推車，還包括一車架鎖定機構，其具有鎖定狀態和釋鎖狀態，所述車架鎖定機構處於鎖定狀態時將所述滑動件鎖定於所述支撑桿，所述車架鎖定機構處於釋鎖狀態時則允許所述滑動件沿所述支撑桿移動。
如請求項6所述的兒童推車，其中所述車架鎖定機構包括一個至少部分容置於所述滑動件中的閂鎖件，所述閂鎖件可相對於所述滑動件移動以與所述支撑桿相卡合或脫離卡合，其中，所述閂鎖件在鎖定狀態時與所述支撑桿相卡合，在釋鎖狀態時則與所述支撑桿脫離卡合。
如請求項7所述的兒童推車，其中所述車架鎖定機構還包括一個與所述閂鎖件相連接的閂鎖致動器，所述閂鎖致動器可被操作以促使所述閂鎖件相對於所述滑動件移動而與所述支撑桿脫離卡合。
如請求項8所述的兒童推車，其中所述閂鎖致動器與所述閂鎖件為同步移動以促使所述閂鎖件與所述支撑桿相卡合或脫離卡合。
如請求項7所述的兒童推車，其中所述滑動件承載一軸桿，所述閂鎖件可沿所述軸桿相對於所述滑動件滑動以與所述支撑桿相卡合或脫離卡合。
如請求項10所述的兒童推車，其中所述車架鎖定機構還包括一個與所述閂鎖件相連接的閂鎖致動器，所述閂鎖致動器的至少一部分配置為可繞所述軸桿之軸線樞轉，其中，所述閂鎖致動器可被操作以促使所述閂鎖件相對於所述滑動件滑動而與所述支撑桿脫離卡合。
如請求項11所述的兒童推車，其中所述閂鎖件與所述閂鎖致動器相滑接並可與所述閂鎖致動器繞所述軸線同步樞轉，且所述閂鎖件與所述滑動件的一作用面呈滑動接觸，從而使所述閂鎖致動器繞所述軸線樞轉時可帶動所述閂鎖件沿所述軸線滑動。
如請求項12所述的兒童推車，其中所述車架鎖定機構還包括一彈性件，其與所述閂鎖件相連接，所述彈性件所產生的彈力作用使所述閂鎖件與所述作用面維持滑動接觸。
如請求項11所述的兒童推車，其中所述閂鎖致動器包括所述軸桿及固接於所述軸桿之把柄，所述軸桿可繞所述軸線相對於所述滑動件樞轉，而所述閂鎖件可沿所述軸桿的中空內部滑動。
如請求項14所述的兒童推車，還包括一安全鎖機構，包括相連接的解鎖件和阻擋件，所述解鎖件與所述把柄相組接，所述阻擋件可通過所述軸桿與所述閂鎖件相卡合以阻止所述閂鎖件由鎖定狀態切換為釋鎖狀態，而所述解鎖件經操作可促使所述阻擋件與所述閂鎖件脫離卡合，從而允許所述閂鎖件由鎖定狀態切換為釋鎖狀態。
如請求項11所述的兒童推車，其中所述閂鎖致動器包括為柔韌條狀的操作部。
如請求項16所述的兒童推車，其中所述閂鎖件可沿所述軸桿的中空內部滑動，而所述閂鎖致動器還包括分別與所述閂鎖件、所述操作部相連接的驅動部，所述驅動部可繞所述軸桿樞轉以促使所述閂鎖件與所述支撑桿脫離卡合。
如請求項17所述的兒童推車，其中所述車架鎖定機構還包括一彈性件，其與所述閂鎖件相連接，所述彈性件所產生的彈力作用可促使所述閂鎖件滑動以與所述支撑桿相卡合。
如請求項1至18中任一項所述的兒童推車，其中所述第二側段上設有一扣合件，所述扣合件在所述兒童推車處於收折狀態時與所述滑動件扣接，以便於協助所述兒童推車維持收折狀態。
一種用於頭戴顯示裝置之近紅外光發光元件，包括：<br/> 至少一藍光微型發光二極體晶片；以及<br/> 一近紅外光轉換層，位於該至少一藍光微型發光二極體晶片上方，且該近紅外光轉換層包括一近紅外光螢光材料，該近紅外光螢光材料的一放射波長具有一波峰，且該波峰的一半高寬為80奈米至500奈米，該近紅外光螢光材料的一主體晶格包括LaGaGe<sub>2</sub>O<sub>7</sub>、LiInGe<sub>2</sub>O<sub>6</sub>、Mg<sub>3</sub>Ga<sub>2</sub>GeO<sub>8</sub>、(Ga,Sc)<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、(Ga,Al)<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、SrAl<sub>12</sub>O<sub>19</sub>、Sr(Ga,Al)<sub>12</sub>O<sub>19</sub>、Gd<sub>3</sub>Sc<sub>2</sub>Ga<sub>3</sub>O<sub>12</sub>、或Gd<sub>3</sub>Al<sub>2</sub>Ga<sub>3</sub>O<sub>12</sub>。
如請求項1所述之用於頭戴顯示裝置之近紅外光發光元件，其中該至少一藍光微型發光二極體晶片的數量為複數，且該至少一藍光微型發光二極體晶片排列成一矩陣。
如請求項1所述之用於頭戴顯示裝置之近紅外光發光元件，其中該至少一藍光微型發光二極體晶片為一次毫米藍光發光二極體晶片或者一微米藍光發光二極體晶片。
如請求項1所述之用於頭戴顯示裝置之近紅外光發光元件，其中該近紅外光螢光材料的一激發波長為440奈米至480奈米。
如請求項1所述之用於頭戴顯示裝置之近紅外光發光元件，其中該近紅外光螢光材料的一放射波長涵蓋部分紅光與近紅外光，為600奈米至1700奈米。
如請求項1所述之用於頭戴顯示裝置之近紅外光發光元件，其中該近紅外光螢光材料包括金屬氧化物、金屬硫化物、金屬氟化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、金屬磷氧化物、或其組合。
如請求項1所述之用於頭戴顯示裝置之近紅外光發光元件，其中該近紅外光螢光材料的一發光中心包括Cr<sup>3+</sup>。
一種用於眼部之頭戴顯示裝置，包括：<br/> 一顯示器；以及<br/> 一如請求項1至7中任一項所述之近紅外光發光元件，耦接至該顯示器。
一種輕質水泥建材結構的製造方法，包含：<br/> 一前置步驟，將複數高吸水性聚合物粒料泡水，使該等高吸水性聚合物粒料的體積膨脹10至70倍，接著將該等高吸水性聚合物粒料與接著劑混合後加入水泥砂漿中，該等高吸水性聚合物粒料的重量百分比為0.1%至5%，該水泥砂漿的重量百分比為95%至99.9%；<br/> 一鋪層步驟，將50至80重量份的碎橡膠粒、10至30重量份的樹脂，及足量且不為0的水混合，並鋪設形成一強化隔音層；及<br/> 一澆置步驟，將混有該等高吸水性聚合物粒料的水泥砂漿鋪層、固化，待該等高吸水性聚合物粒料收縮而在該水泥砂漿中形成複數孔洞，澆置形成一密度低於1500公斤/立方公尺的結構主體，且將該結構主體澆置於該強化隔音層上，製得一輕質水泥建材結構。
如請求項1所述輕質水泥建材結構的製造方法，其中，該碎橡膠粒的粒徑為1至20mm。
如請求項1所述輕質水泥建材結構的製造方法，其中，該等高吸水性聚合物粒料的材料選自聚丙烯酸鈉或聚羧酸鈉。
如請求項1所述輕質水泥建材結構的製造方法，其中，該結構主體之水泥砂漿中含有複數碎屑，該等碎屑的材質為橡膠、聚對苯二甲酸乙二酯、或微晶木。
如請求項1所述的輕質水泥建材結構的製造方法，其中，該結構主體之水泥砂漿中含有接著性樹脂，該接著性樹脂為非離子性或陰離子性水性乳膠。
如請求項1所述的輕質水泥建材結構的製造方法，其中，該接著性樹脂選自聚氨酯、乙烯醋酸乙烯酯共聚物、聚氨酯丙烯酸酯、聚丙烯酸酯、丙烯酸酯-丁二烯橡膠、氯丁橡膠，及丁苯橡膠其中之一。
如請求項1所述的輕質水泥建材結構的製造方法，其中，該樹脂的材料選自聚氨酯、乙烯醋酸乙烯酯共聚物，或聚丙烯酸酯。
如請求項1所述的輕質水泥建材結構的製造方法，其中，該結構主體之水泥砂漿含有水泥砂漿添加劑。
如請求項8所述的輕質水泥建材的製造方法，其中，該水泥砂漿添加劑包含防水添加劑。
一種輕質水泥建材結構，由如請求項1至9中任一項所述之輕質水泥建材結構的製造方法所製造而成。
一種輕質水泥建材結構，包含：<br/> 一結構主體，密度低於1500公斤/立方公尺，並包括一重量百分比為95%至99.9%的水泥砂漿，及複數分佈於該水泥砂漿中，且重量百分比為0.1%至5%的高吸水性聚合物粒料，該等高吸水性聚合物粒料吸水後的體積膨脹率為10至70倍，該水泥砂漿具複數孔洞，其中，該結構主體之水泥砂漿含有水泥砂漿添加劑，該水泥砂漿添加劑包含防水添加劑；及<br/> 一強化隔音層，覆設於該結構主體上，該強化隔音層含有50至80重量份的碎橡膠粒、10至30重量份的樹脂，及足量且不為0的水。
如請求項11所述的輕質水泥建材結構，其中，該結構主體之水泥砂漿中含有複數碎屑，該等碎屑的材質為橡膠、聚對苯二甲酸乙二酯，或微晶木。
如請求項11所述的輕質水泥建材結構，其中，該結構主體之水泥砂漿中含有接著性樹脂，該接著性樹脂為非離子性或陰離子性水性乳膠。
如請求項13所述的輕質水泥建材結構，其中，該接著性樹脂選自聚氨酯、乙烯醋酸乙烯酯共聚物、聚氨酯丙烯酸酯、聚丙烯酸酯、丙烯酸酯-丁二烯橡膠、氯丁橡膠，及丁苯橡膠其中之一。
如請求項11所述的輕質水泥建材結構，其中，該等高吸水性聚合物粒料的材料選自聚丙烯酸鈉或聚羧酸鈉。
如請求項11所述的輕質水泥建材結構，該強化隔音層的厚度為5至20mm，該碎橡膠粒的粒徑為1至20mm。
如請求項11所述的輕質水泥建材結構，其中，該樹脂的材料選自聚氨酯、乙烯醋酸乙烯酯共聚物，或聚丙烯酸酯。
一種離心式製造高密度冰塊機構，包含： <br/>一機體，設有一製冰槽，用於盛裝滷水； <br/>一製冰模組，設於該製冰槽內，該製冰模組包含至少一框體及設置於該框體上的複數製冰容器，各該製冰容器用於盛裝待製冰的液體，外圍浸入該滷水中；及 <br/>一攪拌模組，設於該製冰槽上，並位於該製冰模組上方，該攪拌模組包含至少一支架、安裝於該支架上的至少一馬達及由該支架往下延伸的複數攪拌棒，該複數攪拌棒由該馬達驅動旋轉，並分別延伸進入各該製冰容器，在製冰過程中同時進行旋轉攪拌，藉由離心力使所製出的冰塊密度提高，並於冰塊上形成一凹槽。
如請求項1所述之離心式製造高密度冰塊機構，其中該製冰槽靠近上端槽口處設有相對兩支撐部，該製冰槽組以該框體擱置於該兩支撐部上固定。
如請求項1所述之離心式製造高密度冰塊機構，其中該框體設有間隔排列的複數套合孔，該複數製冰容器套置於各該套合孔內組設。
如請求項3所述之離心式製造高密度冰塊機構，其中該套合孔及該製冰容器係呈幾何圖形之型態，為圓形或多邊形或是橢圓形。
如請求項1所述之離心式製造高密度冰塊機構，其中該複數攪拌棒係由該馬達配合皮帶驅動旋轉。
如請求項1或5所述之離心式製造高密度冰塊機構，其中該攪拌棒包含一轉軸及一結合於該轉軸下側的攪拌部，該攪拌部為等腰梯形片體。
一種介面轉接裝置，包括： <br/>USB連接器； <br/>DP連接器； <br/>轉接驅動器，包括上行埠以及DP輸出埠，其中該轉接驅動器的該上行埠耦接至該USB連接器；以及 <br/>DP多工器，包括USB埠以及DP埠，其中該DP多工器的該USB埠耦接至該轉接驅動器的該DP輸出埠，該DP多工器的該DP埠耦接至該DP連接器，其中 <br/>該轉接驅動器偵測該USB連接器的配置通道接腳的配置資訊； <br/>該轉接驅動器根據該配置資訊判斷該介面轉接裝置的操作模式及第一接腳分配模式；以及 <br/>當該操作模式為DP替代模式時，該轉接驅動器基於該介面轉接裝置的該第一接腳分配模式設定該上行埠與該DP輸出埠之間的第二接腳分配模式，並基於該介面轉接裝置的該第一接腳分配模式控制該DP多工器以設定該USB埠與該DP埠之間的第三接腳分配模式。
如請求項1所述的介面轉接裝置，其中， <br/>當該介面轉接裝置的該第一接腳分配模式為符合USB規範的正插型態的接腳分配C模式時，該轉接驅動器將該第二接腳分配模式設定為該正插型態的該接腳分配C模式，並且該轉接驅動器控制該DP多工器以將該第三接腳分配模式設定為該正插型態的該接腳分配C模式。
如請求項1所述的介面轉接裝置，其中， <br/>當該介面轉接裝置的該第一接腳分配模式為符合USB規範的反插型態的接腳分配C模式時，該轉接驅動器將該第二接腳分配模式設定為該反插型態的該接腳分配C模式，並且該轉接驅動器控制該DP多工器以將該第三接腳分配模式設定為符合該USB規範的正插型態的接腳分配C模式。
如請求項1所述的介面轉接裝置，其中， <br/>當該介面轉接裝置的該第一接腳分配模式為符合USB規範的正插型態的接腳分配D模式時，該轉接驅動器將該第二接腳分配模式設定為該正插型態的該接腳分配D模式，並且該轉接驅動器控制該DP多工器以將該第三接腳分配模式設定為該正插型態的該接腳分配D模式。
如請求項1所述的介面轉接裝置，其中， <br/>當該介面轉接裝置的該第一接腳分配模式為符合USB規範的反插型態的接腳分配D模式時，該轉接驅動器將該第二接腳分配模式設定為該反插型態的該接腳分配D模式，並且該轉接驅動器控制該DP多工器以將該第三接腳分配模式設定為符合該USB規範的正插型態的接腳分配D模式。
如請求項1所述的介面轉接裝置，其中， <br/>當該介面轉接裝置的該第一接腳分配模式為符合USB規範的正插型態的接腳分配E模式時，該轉接驅動器將該第二接腳分配模式設定為符合該USB規範的反插型態的接腳分配C模式，並且該轉接驅動器控制該DP多工器以將該第三接腳分配模式設定為符合該USB規範的反插型態的接腳分配E模式。
如請求項1所述的介面轉接裝置，其中， <br/>當該介面轉接裝置的該第一接腳分配模式為符合USB規範的反插型態的接腳分配E模式時，該轉接驅動器將該第二接腳分配模式設定為符合該USB規範的正插型態的接腳分配C模式，並且該轉接驅動器控制該DP多工器以將該第三接腳分配模式設定為該反插型態的該接腳分配E模式。
如請求項1所述的介面轉接裝置，其中該DP多工器的該USB埠通過印刷電路板路由耦接至該轉接驅動器的該DP輸出埠。
如請求項8所述的介面轉接裝置，其中， <br/>該轉接驅動器的該DP輸出埠的ML_Lane_0通道通過該印刷電路板路由的第一導線對耦接至該DP多工器的該USB埠的TX2高速通道； <br/>該轉接驅動器的該DP輸出埠的ML_Lane_1通道通過該印刷電路板路由的第二導線對耦接至該DP多工器的該USB埠的RX2高速通道； <br/>該轉接驅動器的該DP輸出埠的ML_Lane_2通道通過該印刷電路板路由的第三導線對耦接至該DP多工器的該USB埠的RX1高速通道；以及 <br/>該轉接驅動器的該DP輸出埠的ML_Lane_3通道通過該印刷電路板路由的第四導線對耦接至該DP多工器的該USB埠的TX1高速通道。
如請求項8所述的介面轉接裝置，其中， <br/>該轉接驅動器的該DP輸出埠的P輔助通道接腳通過該印刷電路板路由的第一導線耦接至該DP多工器的該USB埠的第一邊帶使用接腳；以及 <br/>該轉接驅動器的該DP輸出埠的N輔助通道接腳通過該印刷電路板路由的第二導線耦接至該DP多工器的該USB埠的第二邊帶使用接腳。
一種移相器，包括：<br/> 多根電纜，該多根電纜中的該每根電纜包括：<br/> 一第一絕緣層；<br/> 一外導體層，該第一絕緣層套設於該外導體層；及<br/> 一內導體層，該外導體層和該內導體層互相間開設置；<br/> 一電路板，和該每根電纜的該內導體層電性連接；以及<br/> 一基板，包括接地用的多個套管與一第一襯板，各該多個套管設置於該第一襯板，該多個套管的每一個包括一內管，該內管套設於對應的該第一絕緣層，該內管的一部分被配置為低於該第一襯板，使得該內導體層沿該內導體層的徑向頂抵於該電路板，該電路板設置於該基板，該每根電纜的至少一部分穿設於該多個套管中的該至少一個套管，該每根電纜的該第一絕緣層位於該外導體層與對應的該套管之間，並在該外導體層與對應的該套管之間形成電性耦合。
根據請求項1所述的移相器，其中，該每根電纜對應於兩個間開的該套管設置。
根據請求項1所述的移相器，其中，各該多個套管和對應的該第一絕緣層的配合關係為過渡配合。
根據請求項1所述的移相器，其中，該每根電纜的該外導體層與對應的該套管之間形成電容性耦合，該第一絕緣層的厚度d滿足以下關係式，<br/> <i><br/></i><img align="absmiddle" height="15px" width="35px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中，A=2πrL，r為該套管的內徑，L為該套管的長度，f 為該外導體層、該第一絕緣層與對應的該套管形成的電容的工作頻率，ε<sub>r</sub>為該第一絕緣層的相對介電常數，ε<sub>0</sub> 為絕對介電常數。
根據請求項1所述的移相器，其中，該基板還包括一第二襯板，該第一襯板和該第二襯板連接。
根據請求項5所述的移相器，其中，該第一襯板的數量為多個，各該多個第一襯板上設置有該多根電纜和該多個套管。
根據請求項5所述的移相器，其中，該第一襯板和該第二襯板為可拆卸地連接。
根據請求項1所述的移相器，其中，該內管為設置於對應的該套管的內側壁的一金屬層；或，該內管為對應的該套管的內側壁，對應的該套管的材料包括金屬材料。
根據請求項1所述的移相器，其中，該第一絕緣層、該內管和該內導體層同軸設置。
根據請求項5所述的移相器，其中，該第一襯板包括多個凹槽，各該多個凹槽和各該多根電纜一一對應設置，該每根電纜的該第一絕緣層沿其徑向抵頂於對應的該凹槽，該每根電纜的該第一絕緣層的形狀和對應的該凹槽的形狀相適配。
根據請求項10所述的移相器，其中，該每個凹槽對應於兩個間開的該套管設置，該每個凹槽位於對應的兩個間開的該套管之間，該每根電纜穿設於對應的該凹槽及對應的兩個間開的該套管。
根據請求項5所述的移相器，其中，該電路板包括一接地層和一第二絕緣層，該接地層、該第二絕緣層和該第二襯板依次抵接設置。
根據請求項1所述的移相器，還包括一移相組件，該電路板設置有多個微帶線，該移相組件設置於該電路板上並電性連接該多個微帶線，該多個微帶線中的該每個微帶線和對應的該電纜的該內導體層連接。
根據請求項13所述的移相器，其中，該多根電纜的每一根還包括一第三絕緣層，該第三絕緣層位於該外導體層和該內導體層之間，該內導體層自該第三絕緣層朝該電路板向外延伸形成一內導體層露出段，該內導體層露出段連接該微帶線；該第三絕緣層自該外導體層朝該電路板向外延伸形成一第三絕緣層露出段，該第三絕緣層露出段抵頂於該電路板。
根據請求項14所述的移相器，其中，該外導體層自該第一絕緣層朝該電路板向外延伸形成一外導體層露出段，該外導體層露出段與該電路板彼此間開；該第一絕緣層自對應的該套管朝該電路板向外延伸形成一第一絕緣層露出段，該第一絕緣層露出段與該電路板彼此間開。
一種智能烘豆機，包含：<br/> 一機架，具有相鄰之一第一空間、一第二空間與一第三空間；<br/> 一馬達，設置於該機架之第一空間；<br/> 一滾筒，為金屬材料所製之ㄈ型結構體，具有一封閉端與一開口端，係座落於該第二空間並受該馬達驅使而轉動，該滾筒的周緣筒壁設有複數個貫穿之通孔，一攪拌器，設置於該滾筒之內緣，據以攪拌咖啡豆使其達到均熱的效果，該攪拌器包括複數個攪拌葉片，且個別該攪拌葉片具有一導引部與一翻轉部，該複數個攪拌葉片的導引部係互呈對應設置；當該滾筒為正向轉動時，可使該滾筒內的咖啡豆朝向該滾筒的封閉端運動，接著再使該咖啡豆朝向該滾筒的開口端螺旋狀運動；<br/> 一線圈架，為弧形狀，係固設於該滾筒外緣之機架上，該線圈架套設有複數感應加熱線圈，通過交流電力將使該感應加熱線圈產生交流磁場，再藉由電磁感應以加熱該滾筒；<br/> 一入豆機構，設置於該機架的第三空間，並位於該滾筒開口端上方的，其包括有一入料斗與一導槽，可使待烘培咖啡豆自該入料斗倒入後經該導槽進到該滾筒內緣，且該入料斗與該導槽之間設有一電動下豆閘門，用以控制該入料斗內的咖啡豆下豆或關閉；<br/> 一艙門，樞設於緊鄰該滾筒開口端的機架上，可令該艙門關閉以進行入豆與烘培作業，及令該艙門微開啟以進行出豆作業；<br/> 一銀皮抽除裝置，包括一座落於該第一空間之排風扇、一設置於該滾筒下方的銀皮收集盒、一設於該排風扇與該銀皮收集盒之間的過濾器，以及一風道；當進行烘培作業，咖啡豆的外層薄膜即「銀皮」會自行脫落，啟動該排風扇，則該銀皮將從該通孔處被抽離至該風道中，再經該過濾器過濾後，銀皮將落入該銀皮收集盒內，而濾掉銀皮後的空氣則自該排風扇的一排風口排出該機架外；<br/> 一物理擴音器，裝設於鄰近該滾筒之機架上，可擴大該滾筒內咖啡豆的爆裂聲，並據以控制其後續的加熱時間；<br/> 一爐溫感知器，用以偵測該感應加熱線圈的加熱溫度；<br/> 一豆溫感知器，用以偵測該滾筒內之咖啡豆的溫度；<br/> 一室溫感知器，用以偵測一室內溫度；以及<br/> 一智能控制電路，設置於該機架上，係分別電性連接該感應加熱線圈、該馬達、該排風扇，及該物理擴音器、爐溫感知器、豆溫感知器、室溫感知器、電動下豆閘門，據以控制其相關構件的作動時機並驅動之。
如申請專利範圍第1項所述之智能烘豆機，其中，該智能控制電路更包括電性連接一無線傳輸單元，可透過外部一行動裝置的編輯控制一烘焙溫度曲線，進而控制烘豆的時間及溫度。
如申請專利範圍第1項所述之智能烘豆機，其中，該機架上更包括設有一外殼，且該機架下方可設有一可抽出使用的咖啡豆收集冷卻盒，該咖啡豆收集冷卻盒底面設有多數的屑孔，以及一盛屑盒置放於該咖啡豆收集冷卻盒底部，且該機架內在該咖啡豆收集冷卻盒的上方設有一冷卻風扇機構。
如申請專利範圍第1項所述之智能烘豆機，其中，該馬達具有一聯軸器用以帶動一轉動軸，該轉動軸懸置於該機架的第二空間中；一支架，固設在該滾筒的開口端，該支架的中心處設有一前軸孔，該滾筒的封閉端之中心處設有一後軸孔，而該前、後軸孔係同軸心且相對應，該前、後軸孔更進一步穿設該轉動軸，並以一螺帽鎖定，使該滾筒座落於該第二空間並受該馬達驅使而轉動。
如申請專利範圍第1項所述之智能烘豆機，其中，該複數個攪拌葉片的翻轉部係分別設置於該導引部尾端的徑向側，可使該滾筒進行轉動中，達到攪拌咖啡豆的效果。
如申請專利範圍第1項所述之智能烘豆機，其中，該電動下豆閘門包括具有一閘門，及一驅動該閘門移動的一動力源，用以控制該入料斗內的咖啡豆下豆或關閉。
如申請專利範圍第1項所述之智能烘豆機，其中，該機架相對於該艙門下方的位置設有一電磁開關，用以控制該艙門成打開或關閉。
如申請專利範圍第1項所述之智能烘豆機，其中，該艙門上更可設有一插孔可供一探豆棒伸進該滾筒內部，以及設置一觀豆視窗，用以觀察該滾筒內其咖啡豆的烘培狀況與咖啡豆的顏色變化。
如申請專利範圍第8項所述之智能烘豆機，其中，該觀豆視窗上更可設有一LED燈條，其可依需求調整亮度照亮該滾筒內部，方便清楚看見咖啡豆烘培狀況。
一種擋板裝置，其係藉由濺鍍法於被處理體之表面形成被膜之成膜裝置所配備者，且具備： <br/>殼體，其具有內表面與被上述內表面所包圍之開口部； <br/>複數個擋板，其等各自具有基端部及末端部，且配置於上述開口部之內部；及 <br/>複數個驅動部，其等各自連結上述基端部與上述殼體，以與上述複數個擋板一對一對應且變更上述複數個擋板各自之姿勢之方式構成，且沿上述殼體之上述內表面配置；且 <br/>上述開口部之至少一部分區域設為供自靶發出之濺鍍粒子通過之通過區域； <br/>上述複數個驅動部以變更為如下狀態之方式構成：封閉狀態，其以至少封塞上述濺鍍粒子之上述通過區域之方式配置上述複數個擋板；平行化狀態，其使上述複數個擋板之一部分配置於上述濺鍍粒子之上述通過區域且以使上述濺鍍粒子之飛行方向成為平行之方式配置；或開啟狀態，其使上述複數個擋板自上述濺鍍粒子之上述通過區域退避；且 <br/>於將自上述開口部之中心朝向上述殼體之上述內表面之方向設為放射方向時， <br/>上述複數個驅動部之各者具備： <br/>旋轉驅動軸，其於朝向與上述放射方向相同之方向之軸向上延伸，且使上述擋板繞上述軸向旋轉；及 <br/>開閉機構，其使上述擋板之上述末端部接近上述殼體之上述內表面或離開上述殼體之上述內表面；且 <br/>上述旋轉驅動軸以將上述擋板之姿勢於上述封閉狀態與上述平行化狀態之間變更之方式構成； <br/>上述開閉機構以使上述擋板之姿勢於上述平行化狀態與上述開啟狀態之間變更之方式構成；且 <br/>上述複數個擋板各自之姿勢可分別藉由上述複數個驅動部之各者，於上述平行化狀態與上述封閉狀態之間，以及於上述平行化狀態與上述開放狀態之間變更。
如請求項1之擋板裝置，其中 <br/>上述擋板具有一對長邊部，且該一對長邊部於自上述基端部朝向上述末端部之方向上，具有如互相接近之形狀， <br/>上述擋板之形狀為自上述基端部朝向上述末端部漸細之形狀。
如請求項2之擋板裝置，其中 <br/>上述擋板之一部分為平坦之板狀之平坦部，且 <br/>上述平坦部為於上述平行化狀態時，至少與上述濺鍍粒子之上述通過區域重疊之部分。
如請求項3之擋板裝置，其中 <br/>上述擋板之上述長邊部具有凸緣部，且 <br/>上述凸緣部於上述封閉狀態時，封塞上述長邊部、及與上述擋板相鄰之另一擋板之長邊部之間之間隙。
如請求項1之擋板裝置，其中 <br/>上述複數個驅動部之各者具備： <br/>開閉驅動軸，其以沿著上述旋轉驅動軸延伸之方向進退之方式構成； <br/>臂部，其安裝於上述擋板之上述基端部； <br/>第1關節部，其安裝於上述臂部與上述旋轉驅動軸之間，且可使上述臂部延伸之方向相對於上述旋轉驅動軸延伸之方向傾斜；及 <br/>第2關節部，其安裝於上述開閉驅動軸與上述臂部之間，且可使上述臂部延伸之方向相對於上述開閉驅動軸延伸之方向傾斜。
一種成膜裝置，其係藉由濺鍍法於被處理體之表面形成被膜者，且具備： <br/>腔室，其收納以互相對向之方式配置之上述被處理體與上述被膜之母材即靶； <br/>排氣部，其對上述腔室內進行減壓； <br/>磁場產生部，其使上述靶之濺鍍面前方產生磁場； <br/>電源，其對上述靶施加電壓； <br/>氣體導入部，其於上述腔室內導入濺鍍氣體；及 <br/>擋板裝置，其配置於上述靶與上述被處理體之間；且 <br/>上述擋板裝置係如請求項1至5中任一項之擋板裝置。
一種積層體，其特徵在於包含空隙層、黏接著層及中間層，前述中間層係前述空隙層的一部分與前述黏接著層的一部分合一而形成之層；<br/> 前述空隙層之空隙率為35體積%以上；<br/> 前述黏接著層之黏接著力為0.7N/25mm以上；<br/> 對前述黏接著層一邊以1Hz之週期賦予應變，一邊以5℃/分鐘之升溫速度使其溫度從-70℃上升至150℃並測定前述黏接著層在23℃時之儲存彈性模數，所得之測定值為1.0×10<sup>5</sup>Pa以上； <br/> 前述黏接著層之凝膠分率為70重量%以上。
如請求項1之積層體，其利用凝膠滲透層析法(Gel Permeation Chromatography)測定前述黏接著層的分子量時，前述黏接著層之溶膠份中，分子量1萬以下的低分子量成分之含有率為20重量%以下。
如請求項2之積層體，其中前述黏接著層之溶膠份的重量平均分子量為50萬以下。
如請求項1之積層體，其中前述黏接著層係由含有(甲基)丙烯酸系聚合物及交聯劑之黏著劑形成，且前述(甲基)丙烯酸系聚合物係將含(甲基)丙烯酸之單體成分作為單體成分聚合而得者。
如請求項4之積層體，其中前述(甲基)丙烯酸系聚合物係使含0.5~5重量%之前述(甲基)丙烯酸的單體成分聚合而得者。
如請求項4之積層體，其中前述(甲基)丙烯酸系聚合物係使含(甲基)丙烯酸羥基烷基酯之單體成分聚合而得者。
如請求項6之積層體，其中前述單體成分為含0.05~2重量%之前述(甲基)丙烯酸羥基烷基酯的單體成分。
如請求項1之積層體，其於保持在溫度85℃且相對溼度85%下500h之加熱加濕耐久性試驗後，前述空隙層之空隙殘存率為前述加熱加濕耐久性試驗前的50體積%以上。
如請求項8之積層體，其在前述加熱加濕耐久性試驗後之前述空隙層之空隙殘存率(體積%)，對比於僅將前述空隙層供於前述加熱加濕耐久性試驗後之空隙殘存率(體積%)，前者為後者的大於50%且在99%以下。
如請求項1至9中任一項之積層體，其中前述中間層之厚度為200nm以下。
如請求項1至9中任一項之積層體，其於保持在溫度85℃且相對溼度85%下500h之加熱加濕耐久性試驗後，前述中間層之厚度相對於前述加熱加濕耐久性試驗前的中間層之厚度，增加率為500%以下。
如請求項1至9中任一項之積層體，其中前述黏接著層係由含有(甲基)丙烯酸系聚合物及交聯劑之黏著劑形成，前述黏接著層之厚度為2~50µm，且前述黏接著層滿足下述數學式(I)：<br/> [(100-X)/100]×Y≦10 (I)<br/> 前述數學式(I)中，X係前述黏接著層之凝膠分率(重量%)，Y係前述黏接著層之厚度(μm)。
如請求項2或3之積層體，其中前述黏接著層之溶膠份的重量平均分子量為5萬~50萬。
如請求項4至7中任一項之積層體，其中前述黏接著層中，前述(甲基)丙烯酸系聚合物係利用前述交聯劑交聯而形成交聯結構。
如請求項1至9中任一項之積層體，其中前述空隙層的折射率為1.25以下。
如請求項1至9中任一項之積層體，其中前述黏接著層係由全光線透射率85%以上且霧度3%以下的光學用丙烯酸系黏著劑形成。
一種光學構件，包含如請求項1至16中任一項之積層體。
一種光學裝置，包含如請求項17之光學構件。
一種電爐之操作方法，係操作對在電爐內依序積層收容熔融金屬、熔渣、金屬原料及副原料，且連續地排出熔融金屬與熔渣的電爐之操作方法，其中， <br/>上述電爐具備：底部、爐壁、爐蓋、以及熔融金屬之攪拌手段； <br/>將熔融金屬單位表面的輸入電力設為300kW/m <sup>2</sup>以上， <br/>利用上述攪拌手段進行的熔融金屬之攪拌動力密度設為5~100W/t之範圍。
如請求項1之電爐之操作方法，其中，上述電爐係在刻意不供應氧氣之情況下熔解的電爐。
如請求項1之電爐之操作方法，其中，上述攪拌手段係被設置於上述電爐底部的電磁攪拌機。
如請求項1之電爐之操作方法，其中，上述攪拌手段係來自浸漬吹管、或在上述電爐底部所設置之氣體底吹手段的吹入氣體。
如請求項1之電爐之操作方法，其中，上述熔融金屬排出口與上述熔渣排出口係相對於爐底中心被設置於不同方向的爐壁上， <br/>藉由從已填塞阻塞材的排出口貫穿阻塞材的開口，以排出熔融金屬。
如請求項1之電爐之操作方法，其中，上述金屬原料之其中一部分或全部係還原鐵。
如請求項5之電爐之操作方法，其中，上述熔渣的鹼度係1.0~1.5之範圍，且上述熔渣的鹼度係指，以質量基準，係熔渣中之CaO相對於SiO <sub>2</sub>的比率。
如請求項1之電爐之操作方法，其中，上述電爐係使用電弧爐，以屬於接地電壓的電弧電壓E(V)除以電弧電極每1根的電流I(A)之平方根的商值E/ <img align="absmiddle" height="10px" width="7px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>在2.0以下之方式，調整電極高度、電弧電壓及電弧電流中之至少1者。
如請求項1之電爐之操作方法，其中，上述電爐係埋弧爐。
一種發聲組件，該發聲組件包括：<br/> 至少一層導電支架（1），每層該導電支架（1）形成有至少一個缺口（11）；以及<br/> 多層壓電振動單元（2），相鄰兩層該壓電振動單元（2）之間連接有一層該導電支架（1）以便該發聲組件通過該缺口（11）發出聲音；<br/> 其中，相鄰兩層該壓電振動單元（2）之間具有間隙，一層該導電支架（1）設於該間隙中，該導電支架（1）的缺口（11）連通該間隙。
如請求項1所述的發聲組件，其中每層該導電支架（1）形成為U型結構。
如請求項2所述的發聲組件，其中該導電支架（1）有多層，相鄰兩層該導電支架（1）的一缺口（11）的朝向相反。
如請求項1所述的發聲組件，其中每層該導電支架（1）包括兩個相對設置的條狀連接件（12），兩個該連接件（12）設置在該壓電振動單元（2）的兩端。
如請求項1到4中任一項所述的發聲組件，其中該壓電振動單元（2）包括兩層導電薄膜（21）和設置在兩層該導電薄膜（21）之間的一壓電薄膜（22）。
如請求項5所述的發聲組件，其中該導電支架（1）通過導電膠與對應的該導電薄膜（21）連接。
如請求項5所述的發聲組件，其中該發聲組件包括兩張導電片（a）以及設置在兩張該導電片（a）之間的一壓電片（b）；<br/> 每張該導電片（a）分別折疊形成多層該導電薄膜（21）；<br/> 該壓電片（b）折疊形成多層該壓電薄膜（22）。
如請求項5所述的發聲組件，其中每層該壓電振動單元（2）上拱起形成複數個凸起部（23）。
如請求項8所述的發聲組件，其中相鄰兩層該壓電振動單元（2）上的該凸起部（23）錯開設置。
如請求項1到4中任一項所述的發聲組件，其中該壓電振動單元（2）包括依次層疊的一第一壓電陶瓷（24）、一第二壓電陶瓷（25）、一第三壓電陶瓷（26）、一金屬基板（27）和一彈性薄膜（28）。
如請求項10所述的發聲組件，其中該第一壓電陶瓷（24）與該第三壓電陶瓷（26）設置為一第一極化方向（c），該第二壓電陶瓷（25）設置為一第二極化方向（d），該第一極化方向（c）與該第二極化方向（d）相反。
如請求項11所述的發聲組件，其中相鄰兩層該壓電振動單元（2）中的電極連接方式相反。
如請求項10所述的發聲組件，其中該金屬基板（27）在一第一延伸方向（e）上向兩側延伸形成有一第一延伸部（271）；<br/> 該彈性薄膜（28）在該第一延伸方向（e）上向兩側延伸形成有一第二延伸部（281）；<br/> 該第一延伸部（271）和該第二延伸部（281）夾設於兩層該導電支架（1）之間。
如請求項13所述的發聲組件，其中該導電支架（1）上凹陷形成有一仿形槽（14），該仿形槽（14）與該第一延伸部（271）相互匹配，該第一延伸部（271）嵌入該仿形槽（14）中。
如請求項10所述的發聲組件，其中該彈性薄膜（28）在一第二延伸方向（f）上向兩側延伸形成有一第三延伸部（282），該第三延伸部（282）連接該導電支架（1）。
如請求項15所述的發聲組件，其中位於邊緣位置的兩層該導電支架（1）沿端面封閉形成有一遮擋部（15）。
一種壓電揚聲器，其特徵在於，該壓電揚聲器包括：<br/> 一殼體（3），該殼體（3）上設有一出音口（31）；以及<br/> 一如請求項1到16中任一項所述的發聲組件，該發聲組件設置在該殼體（3）內，並且至少部分該缺口（11）對準該出音口（31）。
如請求項17所述的壓電揚聲器，其中該殼體（3）內設有一容納槽（32），該容納槽（32）與該出音口（31）相對的槽壁上設有一第一通孔（34）。
一種影片播放系統，包含： <br/>一資料庫，儲存一影片資料，該影片資料包含複數個影片區段資料，該複數個影片區段資料包含一第一影片區段資料以及一第二影片區段資料，該第二影片區段資料接續於該第一影片區段資料之後；以及 <br/>一伺服器，存取該資料庫，並通訊連接一播放裝置； <br/>其中該伺服器自該播放裝置接收一播放要求指令，該伺服器基於該播放要求指令，而使該播放裝置具有播放該第一影片區段資料的權限； <br/>其中該伺服器基於該播放裝置播放該第一影片區段資料，而使該播放裝置具有播放該第二影片區段資料的權限； <br/>其中該伺服器基於該播放要求指令而將該第一影片區段資料解鎖，藉以使該播放裝置具有播放該第一影片區段資料的權限； <br/>其中該伺服器基於該播放裝置播放該第一影片區段資料，而將該第二影片區段資料解鎖，藉以使該播放裝置具有播放該第二影片區段資料的權限； <br/>其中該伺服器藉由該播放裝置所產生的一第一確認資料，而獲得一第一驗證資料； <br/>其中該伺服器係根據該第一驗證資料，而將該第一影片區段資料解鎖； <br/>其中該伺服器藉由該播放裝置所產生的一第二確認資料，而獲得一第二驗證資料； <br/>其中該伺服器係根據該第二驗證資料，而將該第二影片區段資料解鎖。
如請求項1之影片播放系統，其中該伺服器根據該影片資料產生該複數個影片區段資料，並將該複數個影片區段資料儲存至該資料庫中； <br/>其中該複數個影片區段資料分別對應於一順序資料，該複數個順序資料分別指示出其所對應的影片區段資料的播放順序。
如請求項2之影片播放系統，其中該複數個順序資料皆為播放時間資料，該複數個播放時間資料分別指示出其所對應的影片區段資料在該影片資料之中的一播放時間點。
如請求項1之影片播放系統，其中該複數個影片區段資料包含一第三影片區段資料，該第三影片區段資料接續於該第二影片區段資料之後； <br/>其中該第一驗證資料包含該第一影片區段資料的一第一播放時間資料、該第二影片區段資料的一第二播放時間資料、該第一影片區段資料的一第一區塊代碼資料、該第一影片區段資料的一第一解析度資料以及該第一影片區段資料的一第一影片代碼資料其中至少一者； <br/>其中該第二驗證資料包含該第二影片區段資料的該第二播放時間資料、該第三影片區段資料的一第三播放時間資料、該第二影片區段資料的一第二區塊代碼資料、該第二影片區段資料的一第二解析度資料以及該第二影片區段資料的一第二影片代碼資料其中至少一者。
如請求項1之影片播放系統，其中該複數個影片區段資料包含一第三影片區段資料，該第三影片區段資料接續於該第二影片區段資料之後； <br/>其中該伺服器基於該播放裝置播放該第一影片區段資料，而使該播放裝置不具有播放該第三影片區段資料的權限。
如請求項1之影片播放系統，其中該複數個影片區段資料包含一第三影片區段資料，該第三影片區段資料接續於該第二影片區段資料之後； <br/>其中該伺服器基於該播放裝置播放該第二影片區段資料，而使該播放裝置具有播放該第三影片區段資料的權限。
如請求項6之影片播放系統，其中該伺服器藉由該播放裝置所產生的一第三確認資料，而獲得一第三驗證資料； <br/>其中該伺服器基於該播放裝置播放該第二影片區段資料，而將該第三影片區段資料解鎖，藉以使該播放裝置具有播放該第三影片區段資料的權限； <br/>其中該伺服器係根據該第三驗證資料，而將該第三影片區段資料解鎖。
如請求項7之影片播放系統，其中該複數個影片區段資料包含一第七影片區段資料，該第七影片區段資料接續於該第三影片區段資料之後； <br/>其中該第三驗證資料包含該第三影片區段資料的一第三播放時間資料、該第七影片區段資料的一第七播放時間資料、該第三影片區段資料的一第三區塊代碼資料、該第三影片區段資料的一第三解析度資料以及該第三影片區段資料的一第三影片代碼資料其中至少一者。
如請求項1之影片播放系統，其中該複數個影片區段資料包含一第四影片區段資料以及一第五影片區段資料，該第五影片區段資料接續於該第四影片區段資料之後； <br/>其中該伺服器自該播放裝置接收一播放跳轉指令，該伺服器基於該播放跳轉指令，而使該播放裝置具有播放該第四影片區段資料的權限； <br/>其中該伺服器基於該播放裝置播放該第四影片區段資料，而使該播放裝置具有播放該第五影片區段資料的權限； <br/>其中該播放跳轉指令指示出該第四影片區段資料。
如請求項9之影片播放系統，其中該複數個影片區段資料包含一第六影片區段資料，該第六影片區段資料接續於該第五影片區段資料之後； <br/>其中該伺服器基於該播放裝置播放該第四影片區段資料，而使該播放裝置不具有播放該第六影片區段資料的權限。
如請求項9之影片播放系統，其中該伺服器基於該播放跳轉指令而將該第四影片區段資料解鎖，藉以使該播放裝置具有播放該第四影片區段資料的權限； <br/>其中該伺服器基於該播放裝置播放該第四影片區段資料，而將該第五影片區段資料解鎖，藉以使該播放裝置具有播放該第五影片區段資料的權限。
如請求項11之影片播放系統，其中該複數個影片區段資料包含一第六影片區段資料，該第六影片區段資料接續於該第五影片區段資料之後； <br/>其中該伺服器藉由該播放裝置所產生的一第四確認資料，而獲得一第四驗證資料； <br/>其中該伺服器係根據該第四驗證資料，而將該第四影片區段資料解鎖； <br/>其中該伺服器藉由該播放裝置所產生的一第五確認資料，而獲得一第五驗證資料； <br/>其中該伺服器係根據該第五驗證資料，而將該第五影片區段資料解鎖； <br/>其中該第四驗證資料包含該第四影片區段資料的一第四播放時間資料、該第五影片區段資料的一第五播放時間資料、該第四影片區段資料的一第四區塊代碼資料、該第四影片區段資料的一第四解析度資料以及該第四影片區段資料的一第四影片代碼資料其中至少一者； <br/>其中該第五驗證資料包含該第五影片區段資料的該第五播放時間資料、該第六影片區段資料的一第六播放時間資料、該第五影片區段資料的一第五區塊代碼資料、該第五影片區段資料的一第五解析度資料以及該第五影片區段資料的一第五影片代碼資料其中至少一者。
一種影片播放方法，應用於一影片播放系統，該影片播放系統包含一資料庫以及一伺服器，該伺服器存取該資料庫，並通訊連接一播放裝置，該資料庫儲存一影片資料，該影片資料包含複數個影片區段資料，該複數個影片區段資料包含一第一影片區段資料以及一第二影片區段資料，該第二影片區段資料接續於該第一影片區段資料之後；該影片播放方法包含以下步驟： <br/>由該伺服器自該播放裝置接收一播放要求指令； <br/>由該伺服器基於該播放要求指令，而使該播放裝置具有播放該第一影片區段資料的權限；以及 <br/>由該伺服器基於該播放裝置播放該第一影片區段資料，而使該播放裝置具有播放該第二影片區段資料的權限。 <br/>其中該影片播放方法進一步包含以下步驟： <br/>由該伺服器基於該播放要求指令而將該第一影片區段資料解鎖，藉以使該播放裝置具有播放該第一影片區段資料的權限； <br/>由該伺服器基於該播放裝置播放該第一影片區段資料，而將該第二影片區段資料解鎖，藉以使該播放裝置具有播放該第二影片區段資料的權限； <br/>由該伺服器藉由該播放裝置所產生的一第一確認資料，而獲得一第一驗證資料，其中該伺服器係根據該第一驗證資料，而將該第一影片區段資料解鎖；以及 <br/>由該伺服器藉由該播放裝置所產生的一第二確認資料，而獲得一第二驗證資料，其中該伺服器係根據該第二驗證資料，而將該第二影片區段資料解鎖。
如請求項13之影片播放方法，進一步包含以下步驟： <br/>由該伺服器根據該影片資料產生該複數個影片區段資料，並將該複數個影片區段資料儲存至該資料庫中； <br/>其中該複數個影片區段資料分別對應於一順序資料，該複數個順序資料分別指示出其所對應的影片區段資料的播放順序。
如請求項14之影片播放方法，其中該複數個順序資料皆為播放時間資料，該複數個播放時間資料分別指示出其所對應的影片區段資料在該影片資料之中的一播放時間點。
如請求項13之影片播放方法，其中該複數個影片區段資料包含一第三影片區段資料，該第三影片區段資料接續於該第二影片區段資料之後； <br/>其中該第一驗證資料包含該第一影片區段資料的一第一播放時間資料、該第二影片區段資料的一第二播放時間資料、該第一影片區段資料的一第一區塊代碼資料、該第一影片區段資料的一第一解析度資料以及該第一影片區段資料的一第一影片代碼資料其中至少一者； <br/>其中該第二驗證資料包含該第二影片區段資料的該第二播放時間資料、該第三影片區段資料的一第三播放時間資料、該第二影片區段資料的一第二區塊代碼資料、該第二影片區段資料的一第二解析度資料以及該第二影片區段資料的一第二影片代碼資料其中至少一者。
如請求項13之影片播放方法，其中該複數個影片區段資料包含一第三影片區段資料，該第三影片區段資料接續於該第二影片區段資料之後； <br/>其中該影片播放方法進一步包含以下步驟：由該伺服器基於該播放裝置播放該第一影片區段資料，而使該播放裝置不具有播放該第三影片區段資料的權限。
如請求項13之影片播放方法，其中該複數個影片區段資料包含一第三影片區段資料，該第三影片區段資料接續於該第二影片區段資料之後； <br/>其中該影片播放方法進一步包含以下步驟：由該伺服器基於該播放裝置播放該第二影片區段資料，而使該播放裝置具有播放該第三影片區段資料的權限。
如請求項18之影片播放方法，進一步包含以下步驟： <br/>由該伺服器藉由該播放裝置所產生的一第三確認資料，而獲得一第三驗證資料；以及 <br/>由該伺服器基於該播放裝置播放該第二影片區段資料，而將該第三影片區段資料解鎖，藉以使該播放裝置具有播放該第三影片區段資料的權限； <br/>其中該伺服器係根據該第三驗證資料，而將該第三影片區段資料解鎖。
如請求項19之影片播放方法，其中該複數個影片區段資料包含一第七影片區段資料，該第七影片區段資料接續於該第三影片區段資料之後； <br/>其中該第三驗證資料包含該第三影片區段資料的一第三播放時間資料、該第七影片區段資料的一第七播放時間資料、該第三影片區段資料的一第三區塊代碼資料、該第三影片區段資料的一第三解析度資料以及該第三影片區段資料的一第三影片代碼資料其中至少一者。
如請求項13之影片播放方法，其中該複數個影片區段資料包含一第四影片區段資料以及一第五影片區段資料，該第五影片區段資料接續於該第四影片區段資料之後；其中該影片播放方法進一步包含以下步驟： <br/>由該伺服器自該播放裝置接收一播放跳轉指令； <br/>由該伺服器基於該播放跳轉指令，而使該播放裝置具有播放該第四影片區段資料的權限；以及 <br/>由該伺服器基於該播放裝置播放該第四影片區段資料，而使該播放裝置具有播放該第五影片區段資料的權限； <br/>其中該播放跳轉指令指示出該第四影片區段資料。
如請求項21之影片播放方法，其中該複數個影片區段資料包含一第六影片區段資料，該第六影片區段資料接續於該第五影片區段資料之後； <br/>該影片播放方法進一步包含以下步驟：由該伺服器基於該播放裝置播放該第四影片區段資料，而使該播放裝置不具有播放該第六影片區段資料的權限。
如請求項21之影片播放方法，進一步包含以下步驟： <br/>由該伺服器基於該播放跳轉指令而將該第四影片區段資料解鎖，藉以使該播放裝置具有播放該第四影片區段資料的權限；以及 <br/>由該伺服器基於該播放裝置播放該第四影片區段資料，而將該第五影片區段資料解鎖，藉以使該播放裝置具有播放該第五影片區段資料的權限。
如請求項23之影片播放方法，其中該複數個影片區段資料包含一第六影片區段資料，該第六影片區段資料接續於該第五影片區段資料之後；其中該影片播放方法進一步包含以下步驟： <br/>由該伺服器藉由該播放裝置所產生的一第四確認資料，而獲得一第四驗證資料，其中該伺服器係根據該第四驗證資料，而將該第四影片區段資料解鎖；以及 <br/>由該伺服器藉由該播放裝置所產生的一第五確認資料，而獲得一第五驗證資料，其中該伺服器係根據該第五驗證資料，而將該第五影片區段資料解鎖； <br/>其中該第四驗證資料包含該第四影片區段資料的一第四播放時間資料、該第五影片區段資料的一第五播放時間資料、該第四影片區段資料的一第四區塊代碼資料、該第四影片區段資料的一第四解析度資料以及該第四影片區段資料的一第四影片代碼資料其中至少一者； <br/>其中該第五驗證資料包含該第五影片區段資料的該第五播放時間資料、該第六影片區段資料的一第六播放時間資料、該第五影片區段資料的一第五區塊代碼資料、該第五影片區段資料的一第五解析度資料以及該第五影片區段資料的一第五影片代碼資料其中至少一者。
一種電連接器，其包括： <br/>連接器主體，其具有連接器面，所述連接器面之高度不超過1.5吋，並且所述連接器主體之寬度不超過2.25吋； <br/>三個電源接點，其是橫跨所述連接器面的第一維度分布的，每一個電源接點是離每一個其它的電源接點至少0.7吋；以及 <br/>複數個訊號接點，其是沿著所述第一維度與所述三個電源接點中之一重疊的，並且沿著所述連接器面的第二維度和所述電源接點中的所述一個偏置，其中所述第一維度是垂直於所述第二維度。
如請求項1之電連接器，其中所述三個電源接點中的所述一個是在所述第二維度上相對所述三個電源接點中的所述其它兩個偏置。
如請求項1之電連接器，其中所述三個電源接點中的所述一個是在所述第一維度上設置在所述三個電源接點中的所述其它兩個之間。
如請求項1之電連接器，其中所述三個電源接點是在大小、形狀及材料上和彼此相同的。
如請求項1之電連接器，其中所述連接器主體具有和所述連接器面相對的後面部分，其中所述後面部分界定複數個纜線孔徑，其中所述纜線孔徑的每一個具有在所述連接器的組裝期間可調整的大小。
如請求項1之電連接器，其中所述連接器主體界定凹處，其經配置以接收第二連接器的閂鎖的突出部，其中耦接所述閂鎖突出部與所述凹處是將所述連接器主體固定至第二連接器。
一種電連接器對，其包括： <br/>插頭，其具有插頭主體； <br/>插座，其經配置以配接所述插頭並且具有插座主體，所述插頭及所述插座皆具有連接器面，所述連接器面之高度不超過1.5吋，並且所述連接器主體之寬度不超過2.25吋，所述連接器面具有三個電源接點，所述三個電源接點是橫跨的第一維度分布的，每一個電源接點是離每一個其它的電源接點至少0.7吋；以及 <br/>閂鎖，其設置在所述插座主體或所述插頭主體中之一上，所述閂鎖包括： <br/>主體，其具有： <br/>縱長長度，其平行於所述插頭或插座中的所述一個的用以配接所述插頭與所述插座的移動方向；以及 <br/>垂直於所述長度的厚度； <br/>突出部，其是從所述主體的所述厚度向內或向外中的至少一者延伸的，所述突出部具有縱向面向的表面； <br/>其中所述插座主體或所述插頭主體中的另一個界定凹處，其經配置以接收所述閂鎖的所述突出部，其中耦接所述閂鎖突出部與所述凹處是將所述插座主體固定至所述插頭主體。
如請求項7之電連接器對，其中所述閂鎖主體界定孔徑，所述突出部相鄰所述孔徑並且具有和所述孔徑相同的寬度。
如請求項7之電連接器對，其中所述突出部是和所述閂鎖主體一體的。
如請求項7之電連接器對，其中所述凹處是部分藉由縱向面向的表面所界定的，所述縱向面向的表面經配置以和所述突出部的所述縱向面向的表面介接。
如請求項10之電連接器對，其中： <br/>所述插座主體或所述插頭主體中的另一個包括直接耦接至所述縱向面向的表面的兩個縱長支撐臂。
如請求項7之電連接器對，其中所述閂鎖包括鉤狀端，其中所述鉤的尖端是相鄰所述突出部。
一種電連接器，其包括： <br/>第一主體部分； <br/>第二主體部分， <br/>其中所述第一主體部分及所述第二主體部分經配置以夾箝在一起並且全體定義位於後面部分之一或多個電源纜線孔徑及位於前面部分之連接器面，所述連接器面之高度不超過1.5吋，並且所述連接器主體之寬度不超過2.25吋，所述連接器面具有三個電源接點，所述三個電源接點是橫跨的第一維度分布的，每一個電源接點是離每一個其它的電源接點至少0.7吋；以及 <br/>夾箝插件，其經配置以在兩個或多個位置固定至所述第一主體部分或是所述第二主體部分以至少部分地定義訊號纜線孔徑，其中： <br/>當所述夾箝插件是在所述兩個或多個位置中的第一位置時，所述訊號纜線孔徑具有第一大小； <br/>當所述夾箝插件是在所述兩個或多個位置中的第二位置時，所述訊號纜線孔徑具有第二大小；以及 <br/>所述第一大小是不同於所述第二大小。
如請求項13之電連接器，其中： <br/>所述第一主體部分或是所述第二主體部分界定接收結構； <br/>所述第一位置在所述接收結構中包括所述夾箝插件的第一方位；以及 <br/>所述第二位置在所述接收結構中包括所述夾箝插件的第二方位。
如請求項14之電連接器，所述第一方位不同於所述第二方位在於所述夾箝插件的180度的旋轉。
如請求項13之電連接器，其進一步包括： <br/>訊號纜線夾箝，其經配置以耦接至所述第一主體部分或是所述第二主體部分，以和所述夾箝插件全體定義所述訊號纜線孔徑。
如請求項13之電連接器，其中所述第一主體部分及所述第二主體部分當夾箝在一起時，其全體定義兩個或多個電源纜線孔徑，所述電連接器進一步包括： <br/>第一索環，其是在所述兩個或多個電源纜線孔徑中的第一電源纜線孔徑向內設置的，並且經配置以設置在所述第一電源纜線孔徑中所設置的第一電源纜線的周圍；以及 <br/>和所述第一索環分開的第二索環，其是在所述兩個或多個電源纜線孔徑中的第二電源纜線孔徑向內設置的，並且經配置以設置在所述第二電源纜線孔徑中所設置的第二電源纜線的周圍。
如請求項13之電連接器，其中： <br/>所述一或多個電源纜線孔徑界定在所述第一主體部分及所述第二主體部分的第一端中，所述第一端是面向在近端的方向上；以及 <br/>所述連接器進一步包括一組指握件突出部，其設置在所述第一主體部分及所述第二主體部分的面向遠端的表面上。
如請求項18之電連接器，其中所述面向遠端的表面是凹面的。
如請求項13之電連接器，其中所述一或多個電源纜線孔徑在大小上是可調整的。
一種安全座椅，包含： <br/> 一底座，包括一固定部，該底座透過該固定部選擇性地固定於一汽車座椅；<br/> 一本體，組設於該底座上；以及<br/> 一支撐腳，滑動連接於該底座，且能夠沿一縱向相對於該底座滑動，該支撐腳以及該固定部配置於該底座的相對兩側；<br/> 其中，所述支撐腳能選擇性地處於相對於所述底座的展開狀態和收回狀態，在所述展開狀態，所述支撐腳用以抵觸於汽車的後座腳踏上。
一種安全座椅，包含：<br/> 一底座，包括一固定部，該底座透過該固定部選擇性地固定於一汽車座椅；<br/> 一本體，組設於該底座上；以及<br/> 一支撐腳，該支撐腳包括一套管部以及一延伸部，且該延伸部的至少一部分穿設於該套管部內，該套管部滑動連接於該底座而能夠相對於該底座滑動，該支撐腳以及該固定部配置於該底座的相對兩側；<br/> 其中，所述支撐腳能選擇性地處於相對於所述底座的展開狀態和收回狀態，在所述展開狀態，所述支撐腳用以抵觸於汽車的後座腳踏上。
如請求項1或2所述之安全座椅，更包括一滑動件，該滑動件滑設於該底座，且該支撐腳樞接於該滑動件。
如請求項3所述之安全座椅，更包括一卡掣件，該卡掣件樞接或滑設於該底座，該滑動件包括一定位部，且該卡掣件選擇性地卡掣於該定位部。
如請求項4所述之安全座椅，其中該滑動件沿縱向相對於該底座滑動，該支撐腳樞接於該滑動件在該縱向上的前端，且該卡掣件以及該定位部配置於該滑動件在該縱向上的後端；或者，該支撐腳包括一解掣部，且該卡掣件配置於該解掣部的樞轉路徑上；或者，所述之安全座椅更包括一卡掣彈性件，且該卡掣彈性件配置於該卡掣件以及該底座之間。
如請求項3所述之安全座椅，更包括一防護件，該防護件樞接於該滑動件且配置於該支撐腳以及該滑動件之間；或者，該底座包括至少一個限位件，該滑動件形成有至少一個滑槽，且該限位件滑設於該滑槽內；或者，該滑動件形成有一開口，且該支撐腳的一部分透過該開口選擇性地容置於該滑動件內；或者，所述之安全座椅更包括一樞轉彈性件，且該樞轉彈性件配置於該支撐腳以及該滑動件之間。
如請求項3所述之安全座椅，其中該底座還包括一托架，且該滑動件滑設於該托架上。
如請求項7所述之安全座椅，更包括一輔助彈性件，該輔助彈性件連接於該底座以及該滑動件，且該輔助彈性件的延伸方向平行於該托架的延伸方向；或者，更包括一強化件，且該強化件配置於該托架以及該滑動件之間。
如請求項7所述之安全座椅，更包括一止擋件，該止擋件滑設於該滑動件上且選擇性地抵接於該托架。
如請求項9所述之安全座椅，更包括一止擋彈性件，該止擋彈性件連接於該滑動件以及該止擋件。
如請求項1或2所述之安全座椅，更包括一定位鎖，該定位鎖配置於該底座上且包括一鎖部，該支撐腳具有一鎖定部，且該鎖部選擇性地與該鎖定部彼此卡掣。
如請求項11所述之安全座椅，其中該鎖部以及該鎖定部的至少其中之一形成有一導引部，且該鎖部以及該鎖定部透過該導引部抵接且彼此卡掣。
如請求項11所述之安全座椅，其中該底座包括一容置座，該容置座上形成有一缺口，該定位鎖配置於該容置座內且還形成有一定位凸部，且該定位凸部選擇性地卡掣於該缺口。
如請求項3所述之安全座椅，更包括一定位部，該定位部配置於該滑動件上，當該滑動件相對於該底座滑動至展開位置時與該底座之間形成一間隙，且該定位部選擇性地卡掣於該間隙並抵接於該滑動件及/或該底座。
如請求項14所述之安全座椅，更包括一定位彈性件，且該定位彈性件配置於該定位部以及該滑動件之間。
如請求項1或2所述之安全座椅，其中該底座形成有一容置空間，且該支撐腳的至少一部分選擇性地收納於該容置空間內。
如請求項1所述之安全座椅，其中該支撐腳包括一套管部以及一延伸部，且該延伸部的至少一部分穿設於該套管部內。
如請求項1或2所述之安全座椅，其中該支撐腳可拆卸地連接於該底座。
如請求項18所述之安全座椅，更包括一殼體以及一輔助托架，該殼體配置於該底座的外側，該支撐腳樞接於該殼體，該輔助托架滑設於該底座且連接於該殼體，該輔助托架包括一卡掣操作件，該底座形成有一卡掣孔，且該卡掣操作件選擇性地卡掣於該卡掣孔。
如請求項19所述之安全座椅，更包括一遮擋件，該底座還形成有一開口，該輔助托架穿設於該開口，且該遮擋件可樞轉地連接於該底座並相鄰於該開口。
一種插槽裝置，其改良在於，包括：插槽主體，所述插槽主體用於供待測物件插入； 第一運動部，所述第一運動部可活動地設置於所述插槽主體於並可於第一方向往復運動；<br/> 第二運動部，所述第二運動部可活動地設置於所述插槽主體並可與所述第一運動部聯動；<br/> 感測器，所述感測器設置於所述第二運動部；<br/> 其中，於所述第一運動部沿所述第一方向靠近所述第二運動部運動時，所述第一運動部帶動所述第二運動部遠離所述插槽主體運動；<br/> 於所述第一運動部沿所述第一方向遠離所述第二運動部運動時，所述第一運動部帶動所述第二運動部靠近所述插槽主體運動；<br/> 於所述第二運動部遠離所述插槽主體運動時，所述感測器由第一位置運動至第二位置且與所述待測物件接觸；<br/> 於所述第二運動部靠近所述插槽主體運動時，所述感測器由所述第二位置運動至所述第一位置且遠離所述待測物件。
如請求項1所述之插槽裝置，其中，所述第一方向與所述待測物件插入之所述插槽主體之方向一致。
如請求項1所述之插槽裝置，其中，所述第二運動部由彈性材料製成，所述第二運動部之一端連接於所述插槽主體，所述之感測器設置於第二運動部之另一端，所述第一運動部藉由撐開之所述第二運動部之方式帶動所述第二運動部之一端靠近或遠離所述插槽主體運動；或，<br/> 所述插槽裝置還包括第一彈性件，所述第一彈性件設置於之所述第二運動部與所述插槽主體之間，所述第一運動部藉由撐開所述第二運動部之方式帶動所述第二運動部靠近或遠離所述插槽主體運動。
如請求項3所述之插槽裝置，其中，所述第一運動部藉由第一連接部設置於所述插槽主體，所述第一運動部與所述第一連接部之間具有運動導軌，所述第一運動部藉由所述運動導軌可相對所述第一連接部沿所述第一方向往復運動。
如請求項4所述之插槽裝置，其中，所述第一運動部之靠近所述第二運動部之一端呈漸縮狀，所述第一運動部相對所述第一連接部沿所述第一方向往復運動時，所述第一運動部之漸縮狀之一端以撐開所述第二運動部之方式帶動所述第二運動部靠近或遠離所述插槽主體運動。
如請求項4所述之插槽裝置，其中，所述第二運動部與所述插槽主體之間設置有聯動元件，所述第一運動部可相對所述第一連接部沿所述第一方向往復運動時，所述第一運動部藉由帶動所述聯動元件之撐開所述第二運動部之方式帶動所述第二運動部遠離或靠近所述插槽主體運動。
如請求項6所述之插槽裝置，其中，所述聯動元件包括設置於所述插槽主體滾軸與同軸設置於所述滾軸之撐開件，所述第一運動部可相對所述第一連接部沿所述第一方向往復運動時，所述第一運動部藉由帶動所述滾軸使所述撐開件轉動並撐開所述第二運動部之方式帶動所述第二運動部遠離或靠近所述插槽主體運動。
如請求項7所述之插槽裝置，其中，所述撐開件之徑向截面呈橢圓形或扇形。
如請求項6所述之插槽裝置，其中，所述聯動元件包括設置於所述插槽主體之滾軸與同軸設置於所述滾軸之撐桿，所述第一運動部可相對所述第一連接部沿所述第一方向往復運動時，所述第一運動部藉由帶動所述滾軸使所述撐桿相對所述滾軸移動之方式帶動所述第二運動部遠離或靠近所述插槽主體運動。
如請求項6所述之插槽裝置，其中，所述聯動元件包括第一連桿與第二連桿；桿所述第一連桿可活動地連接於所述第一運動部與所述第二運動部；桿所述第二連桿可活動地連接於所述第一運動部與所述插槽主體；所述第一運動部可相對所述第一連接部沿所述第一方向往復運動時，所述第一運動部藉由帶動所述第一連桿與所述第二連桿之撐開所述第二運動部之方式帶動所述第二運動部遠離或靠近所述插槽主體運動。
如請求項4所述之插槽裝置，其中，所述第二運動部與所述插槽主體之間設置有第二彈性件，所述第一運動部可相對所述第一連接部沿所述第一方向往復運動時，所述第一運動部藉由驅動所述第二彈性件伸縮並以撐開所述第二運動部之方式帶動所述第二運動部遠離或靠近所述插槽主體運動。
如請求項1所述之插槽裝置，其中，還包括可轉動地之設置於所述第一運動部之鎖定件，所述鎖定件用於所述待測物件插入所述插槽裝置且所述第一運動部沿所述第一方向靠近所述第二運動部運動時將所述待測物件卡鎖於所述插槽裝置。
一種加壓系統，其執行工件的加壓處理及與前述加壓處理相關的相關處理，其中， <br/>前述加壓系統具有： <br/>多個執行區域，在多個前述執行區域執行包含前述加壓處理及前述相關處理在內的多個處理中的任一個前述處理； <br/>腔室單元，其容納前述工件，在多個前述執行區域之間被搬送； <br/>升降裝置，其配置於前述執行區域各者； <br/>搬送裝置，其搬送前述腔室單元； <br/>加熱能單元，其對前述工件進行加熱； 以及 <br/>預加熱單元及/或冷卻單元，前述預加熱單元對前述工件進行預加熱，前述冷卻單元對加壓後的前述工件進行冷卻； <br/>多個前述執行區域按照執行前述處理的順序配置， <br/>前述腔室單元具備： <br/>頂板部，其配置於前述工件的上方且具備加壓墊，前述加壓墊具備隨著前述工件的表面形狀進行變形的柔軟層，在前述加壓處理中，發揮作為從上方對前述工件進行加壓的上加壓單元的功能； <br/>底板部，其配置於前述工件的下方，在前述加壓處理中，發揮作為從下方對前述工件進行加壓的下加壓單元的功能； <br/>周壁部，其配置成在水平方向上包圍前述工件的整周，與前述頂板部及前述底板部一起劃分出容納前述工件的容納室；以及 <br/>上模具，其配置於前述加壓墊的上方，在前述加壓處理中，前述上模具通過將前述加壓墊向下方按壓，而發揮作為前述上加壓單元的功能； <br/>多個前述執行區域包含加壓區域、以及預加熱區域及/或冷卻區域； <br/>該加壓區域配置有前述加熱能單元，執行前述加壓處理； <br/>該預加熱區域配置有前述預加熱單元，執行前述工件的預加熱處理作為前述相關處理； <br/>該冷卻區域配置有前述冷卻單元，執行加壓後的前述工件的冷卻處理作為前述相關處理； <br/>配置於前述加壓區域的前述升降裝置係使前述加熱能單元升降； <br/>配置於前述預加熱區域的前述升降裝置係使前述預加熱單元升降；及/或，配置於前述冷卻區域的前述升降裝置係使前述冷卻單元升降； <br/>在前述加壓區域，執行前述加壓處理時，前述加熱能單元通過從前述腔室單元的下方上升而與前述底板部抵接； <br/>在前述預加熱區域，執行前述預加熱處理時，前述預加熱單元通過從前述腔室單元的下方上升而與前述底板部抵接；及/或，在前述冷卻區域，執行前述冷卻處理時，前述冷卻單元通過從前述腔室單元的下方上升而與前述底板部抵接； <br/>前述加壓區域、前述預加熱區域及/或前述冷卻區域具備： <br/>升降空間，其可供前述加熱能單元、前述預加熱單元及/或前述冷卻單元於前述升降裝置的上方升降；以及 <br/>上部空間，其位於前述升降空間的更上方； <br/>前述搬送裝置係配置於前述上部空間； <br/>前述腔室單元以通過前述上部空間的方式，在前述執行區域之間被搬送。
如請求項1所述之加壓系統，其中，前述頂板部可相對於前述底板部在上下方向上相對移動。
如請求項1所述之加壓系統，其具有加壓裝置，前述加壓裝置配置於前述加壓區域，執行前述加壓處理， <br/>前述加壓裝置具備按壓單元，前述按壓單元在前述加壓處理中發揮作為前述下加壓單元的功能。
如請求項1所述之加壓系統，其中， <br/>前述容納室的氣體環境係前述容納室的內部壓力比前述腔室單元之外部空間的外部壓力低的減壓環境， <br/>前述底板部配置於前述周壁部的下方，利用前述內部壓力與前述外部壓力的壓力差而安裝於前述周壁部。
如請求項1所述之加壓系統，其中， <br/>前述容納室的氣體環境係填充氣體以使前述容納室的內部壓力與前述腔室單元之外部空間的外部壓力相同的氣體環境， <br/>前述腔室單元具備固定構件，前述固定構件將前述底板部固定於前述周壁部。
如請求項1所述之加壓系統，其中， <br/>前述底板部可安裝於前述周壁部或從前述周壁部拆卸， <br/>多個前述執行區域包含： <br/>容納區域，在前述容納區域，通過將載置有前述工件之前述底板部安裝於前述周壁部，而執行將前述工件容納於前述腔室單元的容納處理，作為前述相關處理；以及 <br/>取出區域，在前述取出區域，通過將載置有經加壓之前述工件之前述底板部從前述周壁部拆卸，而執行將前述工件從前述腔室單元取出的取出處理，作為前述相關處理， <br/>前述底板部發揮作為將前述工件搬入至前述容納區域，將經加壓之前述工件從前述取出區域搬出之搬送托板的功能。
如請求項6所述之加壓系統，其具有維護區域，前述維護區域配置於前述容納區域與前述取出區域之間，在前述維護區域執行已拆卸前述底板部後的前述腔室單元的維護處理。
如請求項1至7中任一項所述之加壓系統，其具有多個前述腔室單元， <br/>多個前述腔室單元的數量為多個前述執行區域的數量以下。
如請求項8所述之加壓系統，其中， <br/>多個前述執行區域按照執行前述處理的順序，配置成環狀， <br/>多個前述腔室單元分別在多個前述執行區域之間被巡迴搬送。
如請求項9所述之加壓系統，其具有轉換機構，前述轉換機構以使前述腔室單元的移動方向上的前述腔室單元的朝向始終相同的方式，轉換前述移動方向， <br/>多個前述執行區域包含配置前述轉換機構的轉換區域。
如請求項4或5所述之加壓系統，其具有： <br/>真空泵； <br/>減壓管路，其與前述真空泵連接； <br/>氣體管路，其與非活性氣體供給系統的管路連接；以及 <br/>多個固定連接器，其分別配置於多個前述執行區域中的2個以上之前述執行區域，與前述減壓管路及前述氣體管路連接， <br/>前述腔室單元具備： <br/>移動連接器，其可安裝於前述固定連接器或從前述固定連接器拆卸；以及 <br/>連通路，其連通前述容納室與前述移動連接器， <br/>在前述腔室單元位於配置有前述固定連接器之前述執行區域時，前述移動連接器與前述固定連接器連接，前述容納室可與前述減壓管路或前述氣體管路連通， <br/>在搬送前述腔室單元時，將前述容納室密封。
一種銅合金，其係等效線徑為0.5～5.0 mm之長條形態者， <br/>以質量%計，包含9.00%≦Ni≦15.00%、0.30%≦Si≦0.90%、0.50%≦Al≦2.00%、2.00%＜Sn≦4.50%、0%＜B＜0.010%，剩餘部分由Cu及不可避免之雜質構成，且 <br/>維氏硬度（Vickers hardness）為350 HV以上， <br/>導電率為8%IACS以上， <br/>Si、Al、Sn及B之關係比率滿足120≦（1.7Si＋1.2Al＋Sn）/3.9B≦300。
如請求項1之銅合金，其中，以質量%計，包含11.00%≦Ni≦15.00%、0.40%≦Si≦0.90%、1.00%≦Al≦2.00%。
如請求項1或2之銅合金，其中，上述關係比率滿足160≦（1.7Si＋1.2Al＋Sn）/3.9B≦250。
一種接觸探針用針，其使用請求項1或2之銅合金。
一種無線耳機收納盒，其特徵在於，包括：<br/> 一盒體（100），該盒體（100）具有一開口端（110），且該盒體（100）的側壁設有一第一滑孔（120），該第一滑孔為長條形孔，且沿一第一方向（X）延伸； <br/> 一上蓋（200），該上蓋（200）滑動連接於該盒體（100），且具有一開蓋位置和一合蓋位置，該上蓋（200）包括一蓋體（210）及連接於該蓋體（210）的一移動塊（220），該移動塊（220）上設有一第一定位槽（222）；<br/> 一撥動組件（300），該撥動組件（300）包括一撥動塊（310）及一隨動塊（320），該撥動塊（310）的一端位於該盒體（100）外，該撥動塊（310）的另一端穿過該第一滑孔（120）並與該隨動塊（320）連接，該隨動塊（320）設有一抵推槽（321），至少部分該移動塊（220）位於該抵推槽（321）中，該隨動塊（320）隨該撥動塊（310）在該第一方向（X）上移動時，能通過該抵推槽（321）的槽壁推動該移動塊（220）移動，以使該上蓋（200）在該開蓋位置和該合蓋位置之間運動；以及<br/> 一合蓋定位組件（400），設置於該隨動塊（320）上，該合蓋定位組件（400）能在該第一方向（X）上彈性抵頂該移動塊（220），且該上蓋（200）位於該合蓋位置時，該合蓋定位組件（400）的端部能卡入該第一定位槽（222）中。
如請求項1所述的無線耳機收納盒，其中該抵推槽（321）包括在該第一方向（X）上相對設置的一傾斜槽側壁（3211）和一限位槽側壁（3212），該合蓋定位組件（400）設置在該限位槽側壁（3212），該上蓋（200）位於該合蓋位置時，該移動塊（220）與該限位槽側壁（3212）貼合，且該傾斜槽側壁（3211）與槽底壁連接的一端在該第一方向（X）上限位該移動塊（220），該傾斜槽側壁（3211）傾斜設置，並被配置為該上蓋（200）在該第一方向（X）上移動時，該傾斜槽側壁（3211）抵推該移動塊（220）在一第二方向（Z）上移動，該第二方向（Z）垂直於該第一方向（X）。
如請求項1所述的無線耳機收納盒，其中該盒體（100）的內壁設有一第一滑槽（130），該移動塊（220）設置有一凸塊（221），該凸塊（221）滑動設置於該第一滑槽（130）中，該上蓋（200）位於該合蓋位置時，該凸塊（221）與該第一滑槽（130）在該第一方向（X）上的一槽壁接觸。
如請求項3所述的無線耳機收納盒，其中該上蓋（200）及該撥動組件（300）一一對應設有兩個，兩個該上蓋（200）的該移動塊（220）均滑動設置在該第一滑槽（130）中，每個該撥動組件（300）用於驅動與其對應的該上蓋（200）在該第一方向（X）上運動，該第一滑槽（130）被配置為將由該合蓋位置移動至該開蓋位置的該上蓋（200）導向至另一個該上蓋（200）的上方或下方，以使兩個該上蓋（200）在一第二方向（Z）上疊置；該上蓋（200）位於該開蓋位置時，該上蓋（200）的該移動塊（220）與另一個該上蓋（200）的該蓋體（210）抵接；兩個該上蓋（200）均位於該合蓋位置時，兩個該上蓋（200）在該第一方向（X）上抵接。
如請求項4所述的無線耳機收納盒，其中每個該蓋體（210）的頂面均設有一第二滑槽（211），每個該蓋體（210）的底面均設有一滾動件（230），一個該上蓋（200）由該合蓋位置移動至該開蓋位置時，該一個該上蓋（200）的該滾動件（230）能在另一個該上蓋（200）的該第二滑槽（211）上滾動。
如請求項1到5任一項所述的無線耳機收納盒，其中該無線耳機收納盒還包括一開蓋定位組件（500），該開蓋定位組件（500）設置於該盒體（100）的側壁，該隨動塊（320）設有一第二定位槽（322），該開蓋定位組件（500）能彈頂抵頂該隨動塊（320），且當該上蓋（200）位於該開蓋位置時，該開蓋定位組件（500）的端部位於該第二定位槽（322）中。
如請求項1到5任一項所述的無線耳機收納盒，其中該無線耳機收納盒還包括一輔助定位組件，該輔助定位組件設置於該盒體（100）的側壁，該隨動塊（320）設有一第三定位槽，該輔助定位組件能彈頂抵頂該隨動塊（320），且當該上蓋（200）位於該合蓋位置時，該輔助定位組件的端部位於該第三定位槽中。
如請求項1到5任一項所述的無線耳機收納盒，其中該合蓋定位組件（400）包括一頂絲部（410）、一凸部（420）和一彈性件（430），該隨動塊（320）設有連通的一第二滑孔（323）和一通孔（324），該凸部（420）設置在該頂絲部（410）的外周面，且該凸部（420）在該第一方向（X）上滑動設置於該第二滑孔（323）中，該通孔（324）的徑向尺寸小於該凸部（420）的徑向尺寸，該頂絲部（410）穿過該通孔（324）設置並能卡入該第一定位槽（222）中，該彈性件（430）設置於該第二滑孔（323）中並沿該第一方向（X）延伸，且該彈性件（430）的一端抵接於該隨動塊（320），該彈性件（430）的另一端抵接於該凸部（420）。
如請求項1到5任一項所述的無線耳機收納盒，其中該盒體（100）的預設側壁設有一容置槽（140），該上蓋（200）位於該合蓋位置時，該隨動塊（320）的一個端部位於該容置槽（140）中，該預設側壁與該盒體（100）設有該第一滑孔（120）的側壁相鄰接。
如請求項4到5任一項所述的無線耳機收納盒，其中該上蓋（200）包括兩個移動塊（220），兩個該移動塊（220）在一第三方向（Y）上相對設置，該第三方向（Y）與該第一方向（X）及該第二方向（Z）均垂直；<br/> 該撥動組件（300）設有兩組，該盒體（100）在該第三方向（Y）上相對的兩個側壁均設有該第一滑孔（120），一組該撥動組件（300）的該撥動塊（310）的另一端穿過該盒體（100）上的一個該第一滑孔（120），另一組該撥動組件（300）的該撥動塊（310）的另一端穿過該盒體（100）上的另一個該第一滑孔（120）；<br/> 兩組該撥動組件（300）的該隨動塊（320）與兩個該移動塊（220）一一對應，每個該隨動塊（320）上均設置有該合蓋定位組件（400），該上蓋（200）位於該合蓋位置時，每個該合蓋定位組件（400）的端部卡入對應的該移動塊（220）的該第一定位槽（222）中。
一種無線耳機盒，該無線耳機盒具有合蓋狀態和開蓋狀態，其特徵在於，該無線耳機盒包括：<br/> 一外殼（100），該外殼（100）的一端具有開口，且該外殼（100）內設有一耳機槽（120）； <br/> 一頂蓋（200），該頂蓋（200）滑動安裝於該外殼（100）的一開口端（110），且該頂蓋（200）具有一合蓋位置和一開蓋位置，該頂蓋（200）位於該開蓋位置時，該無線耳機盒處於該開蓋狀態，該頂蓋（200）位於該合蓋位置時，該無線耳機盒處於該合蓋狀態；以及<br/> 一鎖定機構（300），包括設置在該外殼（100）內的一鎖定組件（310）及活動設置於該頂蓋（200）上的一撥動塊（320），該鎖定組件（310）包括兩個鎖定組及連接於兩個該鎖定組之間的一傳動桿（311），兩個該鎖定組分別設置在該外殼（100）相對的兩個第一側內壁（111）上，該鎖定組件（310）的該鎖定組用於鎖定位於該合蓋位置的該頂蓋（200），該撥動塊（320）用於撥動該鎖定組件（310）的該傳動桿（311）相對於該外殼（100）移動，以使該鎖定組件（310）解除對該頂蓋（200）的鎖定。
如請求項1所述的無線耳機盒，其中該鎖定組包括一限位塊（312）及一彈性件（313），該傳動桿（311）與該限位塊（312）連接，該限位塊（312）沿一第一方向（X）滑動設置在該第一側內壁（111）上，並用於鎖定位於該合蓋位置的該頂蓋（200），該彈性件（313）沿該第一方向（X）延伸且兩端分別與該限位塊（312）及該外殼（100）在該第一方向（X）上的一第二側內壁（112）連接，該撥動塊（320）用於撥動該傳動桿（311）沿擠壓該彈性件（313）的方向運動。
如請求項2所述的無線耳機盒，其中該限位塊（312）背向該彈性件（313）的表面具有一限位凸起（3121），該限位凸起（3121）能與該頂蓋（200）抵接，以鎖定該頂蓋（200）。
如請求項2到3任一項所述的無線耳機盒，其中該頂蓋（200）的底面設有兩個導向塊（210），兩個該導向塊（210）與兩個該鎖定組一一對應，該鎖定組鎖定該頂蓋（200）時，該導向塊（210）與其對應的該導向塊（210）抵接，以阻止該導向塊（210）及該頂蓋（200）在一第二方向（Y）上的運動，該第二方向（Y）與該第一方向（X）垂直。
如請求項1到3任一項所述的無線耳機盒，其中該頂蓋（200）的底面設有兩個導向塊（210），該第一側內壁（111）相對設有兩個，每個該第一側內壁（111）均設有一條第一滑道（140），兩條該第一滑道（140）與兩個該導向塊（210）一一對應，每個該導向塊（210）滑動設於與其對應的該第一滑道（140）中。
如請求項5所述的無線耳機盒，其中該第一滑道（140）包括一窄滑道段（141）和一寬滑道段（142），該寬滑道段（142）在一第二方向（Y）上的寬度大於一窄滑道段（141）在該第二方向（Y）上的寬度，該頂蓋（200）位於該合蓋位置時，該導向塊（210）位於對應的該寬滑道段（142），該窄滑道段（141）沿一第一方向（X）延伸，該導向塊（210）能滑動於該窄滑道段（141）。
如請求項6所述的無線耳機盒，其中該寬滑道段（142）與該窄滑道段（141）的連接處為漸縮結構。
如請求項1到3任一項所述的無線耳機盒，其中該頂蓋（200）的頂面設有一安裝槽（220），該安裝槽（220）的槽底設有一通孔（230），該撥動塊（320）轉動設置在該安裝槽（220）中，且該撥動塊（320）具有一撥動端（321），該撥動端（321）穿過該通孔（230）設置，並用於撥動該鎖定組件（310）相對於該外殼（100）移動。
如請求項8所述的無線耳機盒，其中該撥動塊（320）具有一第一圓弧面（322），該頂蓋（200）具有一第二圓弧面（240），該撥動塊（320）具有初始狀態和撥動狀態，該撥動塊（320）處於該初始狀態時，該撥動塊（320）的頂面與該頂蓋（200）的頂面共面，且該第一圓弧面（322）與該第二圓弧面（240）配合形成一扣手槽（250），該撥動塊（320）處於撥動狀態時，該撥動端（321）與該鎖定組件（310）抵接。
一種鎓鹽，係以下式(A)表示； <br/><img align="absmiddle" height="41px" width="155px" file="ed10355.jpg" alt="ed10355.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，n1為0或1；n2為1、2或3；n3為0~4之整數；n4為0~4之整數；惟，n1為0時係1≦n2+n3+n4≦5，n1為1時係1≦n2+n3+n4≦7； <br/>n5為0、1或2；n6為0；n7在n5為0時係0~4之整數，在n5為1時係0~6之整數，在n5為2時係0~8之整數；惟，n6+n7在n5為0時係0~4，在n5為1時係0~6，在n5為2時係0~8； <br/>R<sup>alk</sup>為碳數6~18之烷基或碳數4~18之氟化烷基；R<sup>alk</sup>為碳數6~18之烷基時，該烷基具有至少1個碳數6以上之直鏈狀結構；R<sup>alk</sup>為碳數4~18之氟化烷基時，該氟化烷基具有至少2個選自-CF<sub>2</sub>-及-CF<sub>3</sub>中之基；又，該烷基及氟化烷基之-CH<sub>2</sub>-的一部分也可被醚鍵或羰基取代，且其末端或碳-碳鍵間也可含有選自環戊烷環、環己烷環、金剛烷環、降莰基環及苯環之環結構； <br/>R<sup>1</sup>為碘原子以外之鹵素原子、或也可含有雜原子之碳數1~20之烴基； <br/>R<sup>2</sup>為碳數1~20之烴基，且n7為2以上時，多個R<sup>2</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結的碳原子一起形成環； <br/>R<sup>F1</sup>為氟原子、碳數1~6之氟化烷基、碳數1~6之氟化烷氧基或碳數1~6之氟化硫代烷氧基； <br/>L<sup>A</sup>、L<sup>B</sup>及L<sup>C</sup>分別獨立地為單鍵、醚鍵、酯鍵、磺酸酯鍵、碳酸酯鍵或胺基甲酸酯鍵； <br/>X<sup>L</sup>為單鍵或也可含有雜原子之碳數1~40之伸烴基； <br/>Z<sup>+</sup>為鎓陽離子。
如請求項1之鎓鹽，為下式(A1)表示者； <br/><img align="absmiddle" height="41px" width="157px" file="ed10356.jpg" alt="ed10356.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，n1~n4、n6、n7、R<sup>alk</sup>、R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>F1</sup>、L<sup>A</sup>、L<sup>B</sup>、L<sup>C</sup>、X<sup>L</sup>及Z<sup>+</sup>和前述相同。
如請求項2之鎓鹽，為下式(A2)表示者； <br/><img align="absmiddle" height="41px" width="157px" file="ed10357.jpg" alt="ed10357.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，n1~n4、n6、n7、R<sup>alk</sup>、R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>F1</sup>、L<sup>A</sup>、L<sup>C</sup>、X<sup>L</sup>及Z<sup>+</sup>和前述相同。
如請求項1之鎓鹽，其中，Z<sup>+</sup>為下式(cation-1)表示之鋶陽離子或下式(cation-2)表示之錪陽離子； <br/><img align="absmiddle" height="32px" width="101px" file="ed10358.jpg" alt="ed10358.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>ct1</sup>~R<sup>ct5</sup>分別獨立地為鹵素原子或也可含有雜原子之碳數1~30之烴基；又，R<sup>ct1</sup>及R<sup>ct2</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結的硫原子一起形成環。
一種光酸產生劑，係由如請求項1之鎓鹽構成。
一種化學增幅正型阻劑組成物，含有如請求項5之光酸產生劑。
如請求項6之化學增幅正型阻劑組成物，更含有包含因酸的作用而分解，並增加對鹼顯影液之溶解度的聚合物之基礎聚合物。
如請求項7之化學增幅正型阻劑組成物，其中，該聚合物為含有下式(B1)表示之重複單元者； <br/><img align="absmiddle" height="64px" width="120px" file="ed10359.jpg" alt="ed10359.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，a1為0或1；a2為0~2之整數；a3為符合0≦a3≦5+2(a2)-a4之整數；a4為1~3之整數； <br/>R<sup>A</sup>為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基； <br/>R<sup>11</sup>為鹵素原子、也可被鹵素原子取代之碳數2~8之飽和烴基羰基氧基、也可被鹵素原子取代之碳數1~6之飽和烴基、或也可被鹵素原子取代之碳數1~6之飽和烴基氧基； <br/>A<sup>1</sup>為單鍵或碳數1~10之飽和伸烴基，且該飽和伸烴基之-CH<sub>2</sub>-的一部分也可被-O-取代。
如請求項7之化學增幅正型阻劑組成物，其中，該聚合物為含有下式(B2-1)表示之重複單元者； <br/><img align="absmiddle" height="64px" width="144px" file="ed10360.jpg" alt="ed10360.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，b1為0或1；b2為0~2之整數；b3為符合0≦b3≦5+2(b2)-b4之整數；b4為1~3之整數；b5為0或1； <br/>R<sup>A</sup>為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基； <br/>R<sup>12</sup>為鹵素原子、也可被鹵素原子取代之碳數2~8之飽和烴基羰基氧基、也可被鹵素原子取代之碳數1~6之飽和烴基、或也可被鹵素原子取代之碳數1~6之飽和烴基氧基； <br/>A<sup>2</sup>為單鍵或碳數1~10之飽和伸烴基，且該飽和伸烴基之-CH<sub>2</sub>-的一部分也可被-O-取代； <br/>b4為1時，X為酸不穩定基；b4為2或3時，X分別獨立地為氫原子或酸不穩定基，惟至少1個為酸不穩定基。
如請求項7之化學增幅正型阻劑組成物，其中，該聚合物為含有下式(B2-2)表示之重複單元者； <br/><img align="absmiddle" height="49px" width="125px" file="ed10361.jpg" alt="ed10361.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，c1為0~2之整數；c2為0~2之整數；c3為0~5之整數；c4為0~2之整數； <br/>R<sup>A</sup>為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基； <br/>R<sup>13</sup>及R<sup>14</sup>分別獨立地為也可含有雜原子之碳數1~10之烴基，且R<sup>13</sup>與R<sup>14</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結的碳原子一起形成環； <br/>R<sup>15</sup>分別獨立地為氟原子、碳數1~5之氟化烷基或碳數1~5之氟化烷氧基； <br/>R<sup>16</sup>分別獨立地為也可含有雜原子之碳數1~10之烴基； <br/>A<sup>3</sup>為單鍵、伸苯基、伸萘基或*-C(=O)-O-A<sup>31</sup>-；A<sup>31</sup>為也可含有羥基、醚鍵、酯鍵或內酯環之碳數1~20之脂肪族伸烴基、或伸苯基或伸萘基；*為和主鏈之碳原子的原子鍵。
如請求項7之化學增幅正型阻劑組成物，其中，該聚合物為含有選自下式(B3)表示之重複單元、下式(B4)表示之重複單元及下式(B5)表示之重複單元中之至少1種者； <br/><img align="absmiddle" height="73px" width="154px" file="ed10362.jpg" alt="ed10362.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，d為0~6之整數；e為0~4之整數；f1為0或1；f2為0~2之整數；f3為0~5之整數； <br/>R<sup>A</sup>為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基； <br/>R<sup>17</sup>及R<sup>18</sup>分別獨立地為羥基、鹵素原子、也可被鹵素原子取代之碳數1~6之飽和烴基、也可被鹵素原子取代之碳數1~6之飽和烴基氧基或也可被鹵素原子取代之碳數2~8之飽和烴基羰基氧基； <br/>R<sup>19</sup>為碳數1~20之飽和烴基、碳數1~20之飽和烴基氧基、碳數2~20之飽和烴基羰基氧基、碳數2~20之飽和烴基氧基烴基、碳數2~20之飽和烴基硫代烴基、鹵素原子、硝基、或氰基，且在f2為1或2時也可為羥基； <br/>A<sup>4</sup>為單鍵或碳數1~10之飽和伸烴基，且該飽和伸烴基之-CH<sub>2</sub>-的一部分也可被-O-取代。
如請求項7之化學增幅正型阻劑組成物，其中，該聚合物為含有選自下式(B6)表示之重複單元、下式(B7)表示之重複單元、下式(B8)表示之重複單元、下式(B9)表示之重複單元中之至少1種者； <br/><img align="absmiddle" height="115px" width="212px" file="ed10363.jpg" alt="ed10363.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>A</sup>分別獨立地為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基； <br/>X<sup>1</sup>為單鍵或伸苯基； <br/>X<sup>2</sup>為*<sup>1</sup>-C(=O)-O-X<sup>21</sup>-、*<sup>1</sup>-C(=O)-NH-X<sup>21</sup>-或*<sup>1</sup>-O-X<sup>21</sup>-；X<sup>21</sup>為碳數1~6之脂肪族伸烴基、伸苯基或將它們組合而得之2價基，且也可含有羰基、酯鍵、醚鍵或羥基；*<sup>1</sup>表示和X<sup>1</sup>之原子鍵； <br/>X<sup>3</sup>分別獨立地為單鍵、伸苯基、伸萘基或*<sup>2</sup>-C(=O)-O-X<sup>31</sup>-；X<sup>31</sup>為碳數1~10之脂肪族伸烴基、伸苯基或伸萘基，且該脂肪族伸烴基也可含有羥基、醚鍵、酯鍵或內酯環；*<sup>2</sup>表示和主鏈之碳原子的原子鍵； <br/>X<sup>4</sup>分別獨立地為單鍵、*<sup>3</sup>-X<sup>41</sup>-C(=O)-O-、*<sup>3</sup>-C(=O)-NH-X<sup>41</sup>-或*<sup>3</sup>-O-X<sup>41</sup>-；X<sup>41</sup>為也可含有雜原子之碳數1~20之伸烴基；*<sup>3</sup>表示和X<sup>3</sup>之原子鍵； <br/>X<sup>5</sup>分別獨立地為單鍵、*<sup>4</sup>-X<sup>51</sup>-C(=O)-O-、*<sup>4</sup>-C(=O)-NH-X<sup>51</sup>-或*<sup>4</sup>-O-X<sup>51</sup>-；X<sup>51</sup>為也可含有雜原子之碳數1~20之伸烴基；*<sup>4</sup>表示和X<sup>4</sup>之原子鍵； <br/>X<sup>6</sup>為單鍵、亞甲基、伸乙基、伸苯基、氟化伸苯基、被三氟甲基取代之伸苯基、*<sup>2</sup>-C(=O)-O-X<sup>61</sup>-、*<sup>2</sup>-C(=O)-N(H)-X<sup>61</sup>-或*<sup>2</sup>-O-X<sup>61</sup>-；X<sup>61</sup>為碳數1~6之脂肪族伸烴基、伸苯基、氟化伸苯基或被三氟甲基取代之伸苯基，且也可含有羰基、酯鍵、醚鍵或羥基；*<sup>2</sup>表示和主鏈之碳原子的原子鍵； <br/>R<sup>21</sup>及R<sup>22</sup>分別獨立地為也可含有雜原子之碳數1~20之烴基；又，R<sup>21</sup>及R<sup>22</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結的硫原子一起形成環； <br/>L<sup>1</sup>為單鍵、醚鍵、酯鍵、羰基、磺酸酯鍵、碳酸酯鍵或胺基甲酸酯鍵； <br/>Rf<sup>1</sup>及Rf<sup>2</sup>分別獨立地為氟原子或碳數1~6之氟化飽和烴基； <br/>Rf<sup>3</sup>及Rf<sup>4</sup>分別獨立地為氫原子、氟原子或碳數1~6之氟化飽和烴基； <br/>Rf<sup>5</sup>及Rf<sup>6</sup>分別獨立地為氫原子、氟原子或碳數1~6之氟化飽和烴基；惟，全部的Rf<sup>5</sup>及Rf<sup>6</sup>不會同時為氫原子； <br/>M<sup>-</sup>為非親核性相對離子； <br/>A<sup>+</sup>為鎓陽離子； <br/>g1及g2分別獨立地為0~3之整數。
如請求項6之化學增幅正型阻劑組成物，更含有有機溶劑。
如請求項6之化學增幅正型阻劑組成物，更含有含氟原子之聚合物，該含氟原子之聚合物含有選自下式(D1)表示之重複單元、下式(D2)表示之重複單元、下式(D3)表示之重複單元及下式(D4)表示之重複單元中之至少1種，且也可更含有選自下式(D5)表示之重複單元及下式(D6)表示之重複單元中之至少1種； <br/><img align="absmiddle" height="143px" width="199px" file="ed10364.jpg" alt="ed10364.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，j1為1~3之整數；j2為符合0≦j2≦5+2(j3)-j1之整數；j3為0或1；k為1~3之整數； <br/>R<sup>B</sup>分別獨立地為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基； <br/>R<sup>C</sup>分別獨立地為氫原子或甲基； <br/>R<sup>101</sup>、R<sup>102</sup>、R<sup>104</sup>及R<sup>105</sup>分別獨立地為氫原子或碳數1~10之飽和烴基； <br/>R<sup>103</sup>、R<sup>106</sup>、R<sup>107</sup>及R<sup>108</sup>分別獨立地為氫原子、碳數1~15之烴基、碳數1~15之氟化烴基或酸不穩定基，且R<sup>103</sup>、R<sup>106</sup>、R<sup>107</sup>及R<sup>108</sup>為烴基或氟化烴基時，也可在碳-碳鍵間插入醚鍵或羰基； <br/>R<sup>109</sup>為氫原子或也可在碳-碳鍵間插入有含雜原子之基之直鏈狀或分支狀之碳數1~5之烴基； <br/>R<sup>110</sup>為也可在碳-碳鍵間插入有含雜原子之基之直鏈狀或分支狀之碳數1~5之烴基； <br/>R<sup>111</sup>為至少1個氫原子被氟原子取代之碳數1~20之飽和烴基，且該飽和烴基之-CH<sub>2</sub>-的一部分也可被酯鍵或醚鍵取代； <br/>Z<sup>1</sup>為碳數1~20之(k+1)價之烴基或碳數1~20之(k+1)價之氟化烴基； <br/>Z<sup>2</sup>為單鍵、*-C(=O)-O-或*-C(=O)-NH-；*表示和主鏈之碳原子的原子鍵； <br/>Z<sup>3</sup>為單鍵、-O-、*-C(=O)-O-Z<sup>31</sup>-Z<sup>32</sup>-或*-C(=O)-NH-Z<sup>31</sup>-Z<sup>32</sup>-；Z<sup>31</sup>為單鍵或碳數1~10之飽和伸烴基；Z<sup>32</sup>為單鍵、酯鍵、醚鍵或磺醯胺鍵；*為和主鏈之碳原子的原子鍵。
如請求項6之化學增幅正型阻劑組成物，更含有淬滅劑。
如請求項6之化學增幅正型阻劑組成物，更含有如請求項5之光酸產生劑以外之光酸產生劑。
一種阻劑圖案形成方法，包含下列步驟： <br/>使用如請求項6至16中任一項之化學增幅正型阻劑組成物於基板上形成阻劑膜， <br/>使用高能射線對該阻劑膜進行曝光，及 <br/>使用鹼顯影液將該已曝光之阻劑膜進行顯影並獲得阻劑圖案。
如請求項17之阻劑圖案形成方法，其中，該高能射線為極紫外線或電子束。
如請求項17之阻劑圖案形成方法，其中，該基板的最表面係由含鉻之材料構成。
如請求項17之阻劑圖案形成方法，其中，該基板為空白光罩。
一種應用於座椅的測試系統，適於利用關聯於該座椅的一椅部件的樣品來測試該椅部件的特性且包含：<br/> 一施壓物；<br/> 一力量感測器，連接該施壓物；<br/> 一機械手臂，連接該力量感測器；以及<br/> 一伺服器，可與該力量感測器和該機械手臂通訊，用以根據一預設測試次數，反覆執行一測試程序來對該樣品進行測試，每一次該測試程序被執行時，該伺服器進行：<br/> 控制該機械手臂帶動該施壓物靠近並推抵該樣品；<br/> 控制該力量感測器偵測經由該施壓物在推抵該樣品時傳遞的反作用力，以產生一力感測值；<br/> 從該力量感測器接收該力感測值，以判斷該力感測值是否達到一設定值，該設定值是關聯於人類體重；及<br/> 當該力感測值達到該設定值時，控制該機械手臂帶動該施壓物離開該樣品；<br/> 其中，該測試程序具有一推抵時間參數，該推抵時間參數指示該伺服器控制該施壓物在一位置上持續推抵該樣品，使在該位置偵測到的力感測值持續達到該設定值一段時間。
一種應用於座椅的測試系統，適於利用關聯於該座椅的一椅部件的樣品來測試該椅部件的特性且包含：<br/> 一施壓物；<br/> 一力量感測器，連接該施壓物；<br/> 一機械手臂，連接該力量感測器；以及<br/> 一伺服器，可與該力量感測器和該機械手臂通訊，用以根據一預設測試次數，反覆執行一測試程序來對該樣品進行測試，每一次該測試程序被執行時，該伺服器進行：<br/> 控制該機械手臂帶動該施壓物靠近並推抵該樣品；<br/> 控制該力量感測器偵測經由該施壓物在推抵該樣品時傳遞的反作用力，以產生一力感測值；<br/> 從該力量感測器接收該力感測值，以判斷該力感測值是否達到一設定值，該設定值是關聯於人類體重；及<br/> 當該力感測值達到該設定值時，控制該機械手臂帶動該施壓物離開該樣品；<br/> 其中，該施壓物是仿人體物件，該仿人體物件包含用以接觸該樣品的施壓面，該施壓面的表面形狀仿照用來接觸該椅部件的人體部位的表面形狀，該仿人體物件的材質仿照該人體部位的軟硬度。
一種應用於座椅的測試系統，適於利用關聯於該座椅的一椅部件的樣品來測試該椅部件的特性且包含：<br/> 一施壓物；<br/> 一力量感測器，連接該施壓物；<br/> 一機械手臂，連接該力量感測器；以及<br/> 一伺服器，可與該力量感測器和該機械手臂通訊，用以根據一預設測試次數，反覆執行一測試程序來對該樣品進行測試，每一次該測試程序被執行時，該伺服器進行：<br/> 控制該機械手臂帶動該施壓物靠近並推抵該樣品；<br/> 控制該力量感測器偵測經由該施壓物在推抵該樣品時傳遞的反作用力，以產生一力感測值；<br/> 從該力量感測器接收該力感測值，以判斷該力感測值是否達到一設定值，該設定值是關聯於人類體重；及<br/> 當該力感測值達到該設定值時，控制該機械手臂帶動該施壓物離開該樣品；<br/> 其中，該測試程序具有一推抵時間參數，該推抵時間參數指示該伺服器控制該施壓物在一位置上持續推抵該樣品，使在該位置偵測到的力感測值持續達到該設定值一段時間；並且該施壓物是仿人體物件，該仿人體物件包含用以接觸該樣品的施壓面，該施壓面的表面形狀仿照用來接觸該椅部件的人體部位的表面形狀，該仿人體物件的材質仿照該人體部位的軟硬度。
根據請求項1至3的任一項所述的應用於座椅的測試系統，其中該伺服器控制該機械手臂帶動該施壓物模擬一人體動作，以靠近並推抵該樣品，該人體動作是指人類就坐時的動作。
根據請求項4所述的應用於座椅的測試系統，其中該施壓物按該人體動作活動時具有一活動軌跡，該活動軌跡包含一前進路徑，該前進路徑是從遠離該樣品的一起始座標，經由一表面接觸座標，前進到一正推抵達座標，該正推抵達座標較該表面接觸座標遠離該起始座標，當該施壓物位於該表面接觸座標時該施壓物剛接觸到該樣品，當該施壓物位於該正推抵達座標時該力感測值達到該設定值；該活動軌跡還包含接續該前進路徑的一側向路徑，該側向路徑是從該正推抵達座標移動至一側推抵達座標，該側推抵達座標較該表面接觸座標遠離該起始座標，當該施壓物位於該側推抵達座標時該力感測值達到該設定值；以及當該活動軌跡完成且該力感測值達到該設定值時，該伺服器控制該機械手臂帶動該施壓物離開該樣品。
根據請求項5所述的應用於座椅的測試系統，其中該活動軌跡還包含接續該側向路徑的一轉向路徑，該轉向路徑是從該側推抵達座標回到該正推抵達座標；以及該活動軌跡還包含接續該轉向路徑的另一側向路徑，該另一側向路徑是從該正推抵達座標移動至另一側推抵達座標，該另一側推抵達座標較該表面接觸座標遠離該起始座標，該正推抵達座標位於該些側推抵達座標之間，當該施壓物位於該另一側推抵達座標時該力感測值達到該設定值。
根據請求項1至3的任一項所述的應用於座椅的測試系統，其中該樣品是仿照該座椅的多個椅部件且可用來一併測試這些椅部件的特性，並且這些椅部件可以被組裝一起或者是構成一體成形結構。
根據請求項1至3的任一項所述的應用於座椅的測試系統，其中該椅部件是椅背、椅座、坐墊、扶手、頭托、椅腳、升降柱或輪子。
根據請求項1至3的任一項所述的應用於座椅的測試系統，其中該樣品是仿照該座椅的多個椅部件且可用來測試被仿照的其中任一個椅部件的特性，並且這些椅部件可以被組裝一起或者是構成一體成形結構。
根據請求項2或3所述的應用於座椅的測試系統，其中當該椅部件是椅背時，該仿人體物件的施壓面的表面形狀仿照背部的表面形狀；以及當該椅部件是椅座時，該仿人體物件的施壓面的表面形狀仿照臀部和大腿根部的表面形狀。
一種應用於座椅的測試方法，適於測試該座椅的一椅部件的特性，且包含以下步驟：<br/> (A)控制一機械手臂帶動一施壓物靠近並推抵關聯於該椅部件的樣品；<br/> (B)控制一力量感測器偵測經由該施壓物在推抵該樣品時傳遞的反作用力，以產生一力感測值；<br/> (C)從該力量感測器接收該力感測值，以判斷該力感測值是否達到一設定值，該設定值是關聯於人類體重；及<br/> (D)當該力感測值達到該設定值時，控制該機械手臂帶動該施壓物離開該樣品；<br/> 其中，該步驟(A)至該步驟(D)是由一伺服器根據一預設測試次數反覆執行一測試程序來進行，且該測試程序具有一推抵時間參數，該推抵時間參數指示該伺服器控制該施壓物在一位置上持續推抵該樣品，使在該位置偵測到的力感測值持續達到該設定值一段時間。
一種應用於座椅的測試方法，適於測試該座椅的一椅部件的特性，且包含以下步驟：<br/> (A)控制一機械手臂帶動一施壓物靠近並推抵關聯於該椅部件的樣品；<br/> (B)控制一力量感測器偵測經由該施壓物在推抵該樣品時傳遞的反作用力，以產生一力感測值；<br/> (C)從該力量感測器接收該力感測值，以判斷該力感測值是否達到一設定值，該設定值是關聯於人類體重；及<br/> (D)當該力感測值達到該設定值時，控制該機械手臂帶動該施壓物離開該樣品；<br/> 其中，該施壓物是仿人體物件，該仿人體物件包含用以接觸該樣品的施壓面，該施壓面的表面形狀仿照用來接觸該椅部件的人體部位的表面形狀，該仿人體物件的材質仿照該人體部位的軟硬度。
一種應用於座椅的測試方法，適於測試該座椅的一椅部件的特性，且包含以下步驟：<br/> (A)控制一機械手臂帶動一施壓物靠近並推抵關聯於該椅部件的樣品；<br/> (B)控制一力量感測器偵測經由該施壓物在推抵該樣品時傳遞的反作用力，以產生一力感測值；<br/> (C)從該力量感測器接收該力感測值，以判斷該力感測值是否達到一設定值，該設定值是關聯於人類體重；以及<br/> (D)當該力感測值達到該設定值時，控制該機械手臂帶動該施壓物離開該樣品；<br/> 其中，該步驟(A)至該步驟(D)是由一伺服器根據一預設測試次數反覆執行一測試程序來進行；該測試程序具有一推抵時間參數，該推抵時間參數指示該伺服器控制該施壓物在一位置上持續推抵該樣品，使在該位置偵測到的力感測值持續達到該設定值一段時間；並且，該施壓物是仿人體物件，該仿人體物件包含用以接觸該樣品的施壓面，該施壓面的表面形狀仿照用來接觸該椅部件的人體部位的表面形狀，該仿人體物件的材質仿照該人體部位的軟硬度。
根據請求項11至13的任一項所述的應用於座椅的測試方法，其中在該步驟(A)中，該機械手臂帶動該施壓物模擬一人體動作，以靠近並推抵該樣品，該人體動作是指人類就坐時的動作。
根據請求項14所述的應用於座椅的測試方法，其中該施壓物按該人體動作活動時具有一活動軌跡，該活動軌跡包含一前進路徑，該前進路徑是從遠離該樣品的一起始座標，經由一表面接觸座標，前進到一正推抵達座標，該正推抵達座標較該表面接觸座標遠離該起始座標；<br/> 當該施壓物位於該表面接觸座標時，該施壓物剛接觸到該樣品；<br/> 當該施壓物位於該正推抵達座標時，該力感測值達到該設定值；<br/> 該活動軌跡還包含接續該前進路徑的一側向路徑，該側向路徑是從該正推抵達座標移動至一側推抵達座標，該側推抵達座標較該表面接觸座標遠離該起始座標；<br/> 當該施壓物位於該側推抵達座標時，該力感測值達到該設定值；以及<br/> 在該步驟(D)中，當該活動軌跡完成且該力感測值達到該設定值時，該伺服器控制該機械手臂帶動該施壓物離開該樣品。
根據請求項15所述的應用於座椅的測試方法，其中該活動軌跡還包含接續該側向路徑的一轉向路徑，該轉向路徑是從該側推抵達座標回到該正推抵達座標；以及該活動軌跡還包含接續該轉向路徑的另一側向路徑，該另一側向路徑是從該正推抵達座標移動至另一側推抵達座標，該另一側推抵達座標較該表面接觸座標遠離該起始座標，該正推抵達座標位於該些側推抵達座標之間，當該施壓物位於該另一側推抵達座標時該力感測值達到該設定值。
根據請求項11至13的任一項所述的應用於座椅的測試方法，其中該樣品是仿照該座椅的多個椅部件且可用來一併測試這些椅部件的特性，並且這些椅部件可以被組裝一起或者是構成一體成形結構。
根據請求項11至13的任一項所述的應用於座椅的測試方法，其中該椅部件是椅背、椅座、坐墊、扶手、頭托、椅腳、升降柱或輪子。
根據請求項11至13的任一項所述的應用於座椅的測試方法，其中該樣品是仿照該座椅的多個椅部件且可用來測試被仿照的其中任一個椅部件的特性，並且這些椅部件可以被組裝一起或者是構成一體成形結構。
根據請求項12或13所述的應用於座椅的測試方法，其中當該椅部件是椅背時，該仿人體物件的施壓面的表面形狀仿照背部的表面形狀；以及當該椅部件是椅座時，該仿人體物件的施壓面的表面形狀仿照臀部和大腿根部的表面形狀。
一種將位於一第一基材上的一附著物轉移至一第二基材上的轉移方法，包括： <br/>將包括一第一接合部和一第二接合部的一轉移元件按壓在位於該第一基材上的該附著物上，使該第一接合部彈性變形並將該第一接合部、該第二接合部與該附著物接合； <br/>使該轉移元件移動而與該第一基材分離，將該附著物與該第一基材分離，同時使該第一接合部和該第二接合部與該附著物接合； <br/>使該轉移元件移動而接近該第二基材，將該附著物與該第二基材接合； <br/>使該轉移元件移動而與該第二基材分離，將該第二接合部與該附著物分離，同時使該第一接合部與該附著物接合；以及 <br/>在該第二接合部分離後，移動該轉移元件以進一步與該第二基材分離，進而將該第一接合部與該附著物分離， <br/>其中當該轉移元件移動以與該第一基材分離時該轉移元件的移動速度快於當該轉移元件移動以與該第二基材分離時的該轉移元件的移動速度。
如請求項1之轉移方法，其中 <br/>該第一接合部的一寬度小於該附著物的一寬度，以及 <br/>該第一接合部的該寬度與該第二接合部的一寬度的總和大於或等於該附著物的該寬度。
如請求項1之轉移方法，其中當該第一接合部和該第二接合部已與該附著物接合時的該轉移元件和該附著物的一接觸面積大於在該第二接合部分離之後，當該轉移元件移動以與該第二基材分離時的該轉移元件和該附著物的該接觸面積。
一種電子裝置的製造方法，包括： <br/>將包括一第一接合部和一第二接合部的一轉移元件按壓在位於一第一基材上的一附著物上，進而使該第一接合部彈性變形並將該第一接合部、該第二接合部與該附著物接合； <br/>移動該轉移元件以與該第一基材分離，進而使該附著物與該第一基材分離，同時使該第一接合部、該第二接合部與該附著物接合； <br/>移動該轉移元件而接近該第二基材，進而將該附著物與該第二基材接合； <br/>移動該轉移元件以與該第二基材分離，進而使該第二接合部與該附著物分離，同時使該第一接合部與該附著物接合；以及 <br/>在該第二接合部分離後，移動該轉移元件以進一步與該第二基材分離，進而將該第一接合部與該附著物分離，同時將該附著物設置在該第二基材上， <br/>其中當該轉移元件移動以與該第一基材分離時的該轉移元件的移動速度快於當該轉移元件移動以與該第二基材分離時的該轉移元件的移動速度。
如請求項4之電子裝置的製造方法，其中 <br/>該第一接合部的一寬度小於該附著物的一寬度，以及 <br/>該第一接合部的該寬度與該第二接合部的一寬度的總和大於或等於該附著物的該寬度。
如請求項4之電子裝置的製造方法，其中當該第一接合部和該第二接合部已與該附著物接合時的該轉移元件和該附著物的一接觸面積大於在該第二接合部分離之後，當該轉移元件移動以與該第二基材分離時的該轉移元件和該附著物的該接觸面積。
一種轉移元件，包括透過按壓一附著物而與該附著物接合的一接合元件，其中該接合元件包括： <br/>一第一接合部，能與該附著物接合；以及 <br/>一第二接合部，當該第一接合部與該附著物接合時能與該附著物接合，且該第二接合部比該第一接合部更靠近該接合元件的一末端， <br/>其中該接合元件配置為使得當該第一接合部按壓該附著物並彈性變形時，該第一接合部、該第二接合部與該附著物接合，當解除按壓時且該第一接合部恢復時，該第二接合部與該附著物分離，且當該第二接合部與該附著物分離時，該第一接合部與該附著物保持接合。
如請求項7之轉移元件，更包括支撐該接合元件的一支撐件，其中在從該支撐件朝向該附著物的一第一方向上，該第一接合部的高度大於該第二接合部的高度。
如請求項8之轉移元件，其中該第二接合部包括一凹部，該凹部的深度方向為該第一方向。
如請求項8或9之轉移元件，其中該支撐件比該接合元件更硬。
如請求項7之轉移元件，其中該第二接合部包括一凹部，該凹部的深度方向為該第一方向，該凹部具有隨著位置靠近該接合元件的一邊緣部分而變淺的一傾斜面。
如請求項7之轉移元件，其中該接合元件按壓在該附著物上的一表面具有一彎曲形狀，該表面在靠近該末端時遠離該附著物。
一種基於服務之碳排放管理方法，其包括：透過一偵測模塊取得一人員之一行為資料，該行為資料為該人員經歷一服務時所產生，其中該人員具特定身份，該行為資料包括該人員經歷該服務時所使用之產品及該人員經歷該服務時所使用之設備之類型、數量及次數相關之數據資料，該行為資料更包括該人員之肢體動作、該人員之移動、該人員經歷該服務使用之消耗品及該人員經歷該服務產生之廢棄物之類型、數量及次數相關之數據資料；透過一身份辨識模塊驗證該人員之一身份識別資料；透過一處理模塊將該身份識別資料與該行為資料進行關聯分析，其中該關聯分析包括對該偵測模塊傳送之該人員經歷服務時相對應之行為資料進行分類、服務使用數量及使用次數進行相關聯、加總或平均；透過該處理模塊依據關聯分析結果篩選出該人員經歷該服務時相關之一碳排放演算法，利用該碳排放演算法計算與該行為資料相關之碳排放數據，其中該碳排放演算法包括將該人員經歷該服務時所產生之該行為資料對應之能源使用量乘上相對應的溫室氣體排放係數，再乘以GWP值，以計算出碳排放量(CO2e)，GWP為全球暖化潛勢(Global Warming Potential，縮寫：GWP)，亦作全球升溫潛能值。
如請求項1所述的基於服務之碳排放管理方法，其中該人員經歷該設備及產品為一可移動狀態或一不可移動狀態。
如請求項1所述的基於服務之碳排放管理方法，其中該人員經歷該服務包括一涉及金融交易之服務、一涉及產生實體資料之服務或一涉及產生無實體資料之服務。
一種基於服務之碳排放管理系統，其包括：一偵測模塊，其被配置以偵測一人員之一行為資料，該行為資料為該人員經歷一服務時所產生，其中該人員具特定身份，該行為資料包括該人員經歷該服務時所使用之產品及該人員經歷該服務時所使用之設備之類型、數量及次數相關之數據資料，該行為資料更包括該人員之肢體動作、該人員之移動、該人員經歷該服務使用之消耗品及該人員經歷該服務產生之廢棄物之類型、數量及次數相關之數據資料；一身份辨識模塊，其被配置以驗證該人員之一身份識別資料；一處理模塊，其被配置以接收由該身份辨識模塊傳送之該人員之身份識別資料以及由該偵測模塊傳送之該人員之該行為資料，將該人員之身份識別資料與該行為資料進行關聯分析，並依據關聯分析結果選擇合適之一碳排放演算法，計算與該行為資料相關之碳排放數據；其中該關聯分析包括對該偵測模塊傳送之人員經歷服務時相對應之行為資料進行分類、服務使用數量及使用次數進行相關聯、加總或平均；其中該碳排放演算法包括將該人員經歷該服務時所產生之該行為資料對應之能源使用量乘上相對應的溫室氣體排放係數，再乘以GWP值，以計算出碳排放量(CO2e)，GWP為全球暖化潛勢(Global Warming Potential，縮寫：GWP)，亦作全球升溫潛能值。
如請求項4所述的基於服務之碳排放管理系統，更包括：一派案模塊，其被配置以接收由該身份辨識模塊傳送之該人員之該身份識別資料，並依據該人員之該身份識別資料進行該人員所經歷之該服務之一派案程序，其中該派案程序依據不同人員之身份識別資料進行對應各該人員所使用之服務或各該人員所提供服務之派工。
如請求項4所述的基於服務之碳排放管理系統，其中該人員經歷該服務係於一場域實施。
如請求項6所述的基於服務之碳排放管理系統，其中該場域為一封閉區域或一開放區域。
如請求項4所述的基於服務之碳排放管理系統，其中該偵測模塊係偵測一時間運作週期內之該人員之該行為資料，該時間運作週期係指該人員經歷該服務自開始至結束之一特定時間區段。
如請求項4所述的基於服務之碳排放管理系統，更包括一儲存載體，其電連接該偵測模塊、該身份辨識模塊以及該處理模塊，其可儲存由該身份辨識模塊傳送之該人員之該身份識別資料、由該偵測模塊傳送之該人員之該行為資料、由該處理模塊傳送之經關聯分析後之關聯分析結果、及預先載有不同類型之該碳排放演算法，再透過該碳排放演算法計算所得之碳排放數據。
一種車道線偵測方法，包括：<br/> 一深度特徵提取器提取一影像中的複數個深度特徵；<br/> 一主要演算法模型利用該影像及該深度特徵，藉由對該影像進行網格化處理得到複數個目標網格，並用以產生一第一誤差值，並將該第一誤差值回傳該深度特徵提取器；<br/> 一輔助演算法模型利用該影像及該深度特徵，藉由計算複數目標格點間之偏移量以及該複數目標格點與端點之距離以產生一第二誤差值，並將該第二誤差值回傳該深度特徵提取器；<br/> 該深度特徵提取器根據該第一誤差值和該第二誤差值調整所擷取的該複數個深度特徵。
如請求項1所述之車道線偵測方法，其中該方法包括：<br/> 利用該深度特徵提取器和該主要演算法模型產生一車道線預測結果。
如請求項2所述之車道線偵測方法，其中主要演算法模型利用該影像及該深度特徵產生一第一誤差值的方法包括：<br/> 在該影像上建立一座標系統，包括複數條縱軸和複數條橫軸；<br/> 判斷該橫軸和該縱軸與該影像中的一目標區是否相交；<br/> 將與該目標區相交的座標進行網格化得到該複數個目標網格；<br/> 將該複數個目標網格連線，得到一第一車道線演算結果；<br/> 比較該第一車道線演算結果與一影像標籤資料，得到該第一誤差值。
如請求項3所述之車道線偵測方法，其中將與該目標區相交的座標進行網格化得到複數個目標網格的步驟包括：<br/> 在該影像上建立一網格平面；<br/> 將與該目標區相交的座標比對該網格平面，得到與該目標區相交的座標所對應的目標網格。
如請求項2所述之車道線偵測方法，其中輔助演算法模型利用該影像和該深度特徵產生一第二誤差值的方法包括：<br/> 切割該影像，得到該複數個目標格點，其中該複數個目標格點對應於該影像中的一目標區；<br/> 指定該複數個目標格點中的一目標格點為一基準點，得到該基準點與距離該基準點一預設距離的一前相鄰目標格點和一後相鄰目標格點之偏移量，以及該基準點與一前端點、一後端點的距離；<br/> 重複上步驟得到該複數個目標格點與其該前相鄰目標格點、其該後相鄰目標格點分別的偏移量，以及，該複數個目標格點與其該前端點、其該後端點分別的距離；<br/> 將該複數個目標格點連線，得到一第二車道線演算結果；<br/> 比較該第二車道線演算結果與一影像標籤資料，得到該第二誤差值。
如請求項5所述之車道線偵測方法，其中指定該複數個目標格點中的一目標格點為基準點的步驟還包括以該基準點為中心，將一指定距離為半徑之範圍內的目標格點巨集化，形成一巨集化目標格點。
一車道線偵測系統，包括：<br/> 一影像擷取裝置；<br/> 一運算裝置，該運算裝置包括：<br/> 一深度特徵提取器，用以接收該影像擷取裝置所拍攝的影像並提取該影像之複數個深度特徵；<br/> 一主要演算法模型，其中，該主要演算法模型以該影像和該複數個深度特徵，藉由對該影像進行網格化處理得到複數個目標網格，並用以產生一第一誤差值，並將該第一誤差值回傳到該深度特徵提取器；<br/> 一輔助演算法模型，其中，該輔助演算法模型以該影像和該複數個深度特徵，藉由計算複數目標格點間之偏移量以及該複數目標格點與端點之距離以產生一第二誤差值，並將該第二誤差值回傳到該影像深度提取器；<br/> 其中，該深度特徵提取器根據該第一誤差值和該第二誤差值調整所擷取的該複數個深度特徵。
如請求項7所述之車道線偵測系統，其中該車道線偵測系統包括一解碼器，用以輸出一車道預測結果，其中該車道預測結果是根據該深度特徵提取器及該主要演算法模型所產生。
如請求項8所述之車道線偵測系統，其中該主要演算法模型包括：<br/> 一存在分支，用以在該影像上建立一座標系統，並判斷該座標系統的每個座標和該影像中的一目標區是否有交點；<br/> 一定位分支，用以將與該目標區有相交的座標進行網格化得到該複數個目標網格，將該複數個目標網格連線得到一第一車道線演算結果，比較該第一車道線演算結果與一影像標籤資料，得到該第一誤差值。
如請求項8所述之車道線偵測系統，其中該輔助演算法模型包括：<br/> 一分割頭部，切割該影像，得到該複數個目標格點，其中該複數個目標格點對應於該影像中的一目標區；<br/> 一移轉頭部，用以指定該複數個目標格點中的一目標格點為一基準點，並得到距離該基準點一預設距離的一前相鄰目標格點和一後相鄰目標格點之偏移量；<br/> 一距離頭部，用以得到該基準點與一前端點、一後端點的距離，並將該複數個目標格點連線得到一第二車道線演算結果，比較該第二車道線演算結果與一影像標籤資料得到該第二誤差值。
一種氧化物半導體膜，其係具有結晶性者，且 <br/>上述氧化物半導體膜包含： <br/>銦(In)；及 <br/>選自由鋁(Al)、鎵(Ga)、釔(Y)、鈧(Sc)及鑭系元素所組成之群中之第1金屬元素； <br/>上述氧化物半導體膜包含藉由電子束背向散射繞射法所測得之複數個晶粒，各晶粒包含結晶方位＜101＞、結晶方位＜111＞及結晶方位＜001＞之至少一者， <br/>以上述結晶方位＜101＞相對於上述氧化物半導體膜之表面之法線方向為15°以內之方式配向之第1區域之佔有率為20%以上， <br/>以上述結晶方位＜001＞相對於上述氧化物半導體膜之上述表面之上述法線方向為15°以內之方式配向之第3區域之佔有率未達10%。
如請求項1之氧化物半導體膜，其藉由上述電子束背向散射繞射法所算出之KAM值之平均值為1.0°以上。
如請求項1之氧化物半導體膜，其中以上述結晶方位＜111＞相對於上述氧化物半導體膜之上述表面之上述法線方向為15°以內之方式配向之第2區域之佔有率為15%以上。
如請求項3之氧化物半導體膜，其中上述第1區域及上述第2區域之合計佔有率為40%以上。
如請求項1之氧化物半導體膜，其中上述氧化物半導體膜包含除上述銦以外之含有上述第1金屬元素之至少一種以上之金屬元素， <br/>上述第1金屬元素為上述鎵， <br/>上述至少一種以上之金屬元素中所包含之第2金屬元素(M2)為選自由上述鋁、上述釔、上述鈧及上述鑭系元素所組成之群中之一種金屬元素，且 <br/>上述銦、上述鎵及上述第2金屬元素之原子比滿足式(1)、式(2)及式(3)， <br/>[數1] <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="359px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[數2] <br/><img align="absmiddle" height="42px" width="358px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[數3] <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="357px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之氧化物半導體膜，其中上述氧化物半導體膜之結晶結構為方鐵錳礦型結構。
一種氧化物半導體膜，其係具有結晶性者，且 <br/>上述氧化物半導體膜包含： <br/>銦(In)；及 <br/>選自由鋁(Al)、鎵(Ga)、釔(Y)、鈧(Sc)及鑭系元素所組成之群中之第1金屬元素； <br/>上述氧化物半導體膜包含藉由電子束背向散射繞射法所測得之複數個晶粒，各晶粒包含結晶方位＜101＞、結晶方位＜111＞及結晶方位＜001＞之至少一者， <br/>上述氧化物半導體膜包含： <br/>第1區域，其以上述結晶方位＜101＞相對於上述氧化物半導體膜之表面之法線方向為15°以內之方式配向； <br/>第2區域，其以上述結晶方位＜111＞相對於上述氧化物半導體膜之上述表面之上述法線方向為15°以內之方式配向；及 <br/>第3區域，其以上述結晶方位＜001＞相對於上述氧化物半導體膜之上述表面之上述法線方向為15°以內之方式配向；且 <br/>上述第3區域之佔有率小於上述第1區域之佔有率及上述第2區域之佔有率。
如請求項7之氧化物半導體膜，其藉由上述電子束背向散射繞射法所算出之KAM值之平均值為1.0°以上。
如請求項7之氧化物半導體膜，其中上述第1區域之上述佔有率大於上述第2區域之上述佔有率。
如請求項7之氧化物半導體膜，其中上述第1區域之上述佔有率為上述第3區域之上述佔有率之2.0倍以上。
如請求項7之氧化物半導體膜，其中上述第2區域之上述佔有率為上述第3區域之上述佔有率之1.5倍以上。
如請求項7之氧化物半導體膜，其藉由上述電子束背向散射繞射法所算出之晶界方位變化之平均值為50°以下。
如請求項7之氧化物半導體膜，其中上述氧化物半導體膜之膜厚未達30 nm。
如請求項7之氧化物半導體膜，其中上述氧化物半導體膜包含除上述銦以外之含有上述第1金屬元素之至少一種以上之金屬元素， <br/>上述第1金屬元素為上述鎵， <br/>上述至少一種以上之金屬元素中所包含之第2金屬元素(M2)為選自由上述鋁、上述釔、上述鈧及上述鑭系元素所組成之群中之一種金屬元素，且 <br/>上述銦、上述鎵及上述第2金屬元素之原子比滿足式(1)、式(2)及式(3)， <br/>[數4] <br/><img align="absmiddle" height="45px" width="358px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[數5] <br/><img align="absmiddle" height="43px" width="358px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[數6] <br/><img align="absmiddle" height="42px" width="359px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項7之氧化物半導體膜，其中上述氧化物半導體膜之結晶結構為方鐵錳礦型結構。
一種薄膜電晶體，其包含如請求項1至15中任一項之氧化物半導體膜作為通道。
一種電子機器，其包含如請求項16之薄膜電晶體。
一種用於在襯底上形成含鋅材料的順序氣相沈積方法，該方法包括以下步驟： <br/>a) 首先使該襯底暴露於二烷基鋅化學品的蒸氣， <br/>b) 然後使來自步驟a) 的該襯底暴露於含氫還原劑的蒸氣，其中該還原劑具有比氫氣更強的還原電勢， <br/>c) 在該襯底的表面上形成含鋅沈積物，其中該含鋅沈積物包含金屬鋅。
如請求項1之順序氣相沈積方法，其進一步包括在步驟a) 與b) 之間的吹掃步驟，其中將一定的吹掃氣體體積施加到該襯底以在步驟a) 之後去除該二烷基鋅化學品中的一部分和/或在步驟b) 之後去除該還原劑的該蒸氣中的一部分。
如請求項1或2之順序氣相沈積方法，其中該順序氣相沈積方法係熱化學氣相沈積方法。
如請求項1或2之順序氣相沈積方法，其中該順序氣相沈積方法係熱原子層沈積方法。
如請求項1或2之順序氣相沈積方法，其中該順序氣相沈積方法不包括a) 該二烷基鋅化學品的光解；和/或b) 該還原劑的電漿的形成和/或c) 該二烷基鋅化學品的電漿的形成。
如請求項1或2之順序氣相沈積方法，其中該襯底係金屬襯底，其具有約10<sup>-2</sup> A/m或更高的電導率。
如請求項6之順序氣相沈積方法，其中該金屬襯底包括鋁、鐵、鈷、鎳、銅、鉑、鑭系元素或具有前述金屬中的一種或多種，其包含按原子百分比計至少20%的前述金屬中的一種或多種的金屬合金。
如請求項6之順序氣相沈積方法，其中該金屬襯底包含按原子百分比計至少50%的鐵。
如請求項1或2之順序氣相沈積方法，其中該二烷基鋅化學品包括ZnMe<sub>2</sub>、ZnEt<sub>2</sub>、Zn(<i>i</i>Pr)<sub>2</sub>、(N,N,N'-三伸乙基二胺)ZnMe<sub>2</sub>和(N,N,N'-三伸乙基二胺)ZnEt<sub>2</sub>中的一種或多種。
如請求項1或2之順序氣相沈積方法，其中該還原劑包括含硼化學品，其選自以下中的一種或多種： <br/>a) <b>R<sup>3</sup>R<sup>4</sup>BH</b>，其中每個<b>R<sup>3</sup></b>、<b>R<sup>4</sup></b>獨立地選自氫（H）；或含N、C、O、F和/或S的非中性直鏈、支鏈或環狀部分； <br/>b) <b>L<sup>2</sup>-BH<sub>3</sub></b>，其中<b>L<sup>2</sup></b>係含N、C、O、F和/或S的中性直鏈、支鏈或環狀單齒或螯合配位基； <br/>c) <b>L<sup>3</sup>L<sup>4</sup>B<sub>2</sub>H<sub>4</sub></b>，其中<b>L<sup>3</sup></b>、<b>L<sup>4</sup></b>各自獨立地選自氫；或含N、C、O、F和/或S的中性直鏈、支鏈或環狀單齒或螯合配位基；和 <br/>d) <b>M(BH4)x</b><b>，</b>其中M係金屬並且x係金屬化合價。
如請求項10之順序氣相沈積方法，其中該含硼化學品包括一種或多種<b>R<sup>3</sup>R<sup>4</sup>BH</b>化學品。
如請求項10之順序氣相沈積方法，其中該含硼化學品包括一種或多種<b>L<sup>2</sup>-BH<sub>3</sub></b>化學品。
如請求項10之順序氣相沈積方法，其中該含硼化學品包括一種或多種<b>L<sup>3</sup>L<sup>4</sup>B<sub>2</sub>H<sub>4</sub></b>化學品。
如請求項1或2之順序氣相沈積方法，其中在步驟a) 和b) 期間的襯底溫度係150°C至250°C。
如請求項1或2之順序氣相沈積方法，其中來自該含鋅沈積物的該金屬鋅滲透到該襯底中以將金屬鋅添加到至少該襯底的外部部分中，所述添加的金屬鋅從該襯底的表面延伸到該襯底中。
如請求項1或2之順序氣相沈積方法，其中將襯底溫度選擇為使得該含鋅沈積物包含小於10原子百分比的衍生自該含氫還原劑的雜原子。
一種基板處理裝置，包含： <br/>複數基板固持部，分別用於固持基板； <br/>噴嘴，在固持於該各基板固持部之基板上的噴吐位置，將處理液噴吐至該基板，且共用於該複數基板固持部；及 <br/>拍攝該噴嘴的拍攝部、以及向該噴嘴進行照明的照明部，皆設置成可分別共用該噴嘴之驅動部而移動； <br/>該照明部包含： <br/>第一照明；及 <br/>第二照明，對該噴嘴，從不同於該第一照明之來自上方的方向照射光。
如請求項1所述之基板處理裝置，其中， <br/>該第二照明，係設置於作為該噴嘴的搬運機構的一部分之臂部的前端側； <br/>該第一照明係設置複數個； <br/>該複數第一照明，係以下述方式彼此分開設置：分別從在俯視觀察下被該噴嘴與該拍攝部連結的直線所分隔的兩個區域，對該噴嘴進行照明。
如請求項2所述之基板處理裝置，其中， <br/>該複數第一照明，係設置在：對該臂部往該臂部之延伸方向觀察而分別往左右延伸的支撐部中的前端部。
如請求項1至3中任一項所述之基板處理裝置，其中， <br/>該拍攝部，係朝向斜下方設置，以涵蓋該噴嘴及該噴嘴的下方區域。
如請求項2或3所述之基板處理裝置，其中， <br/>在藉由該拍攝部所得的該噴嘴的拍攝結果中，根據該噴嘴的內壁當中，在與該噴嘴內的液體接觸的部分和未接觸的部分所產生之明暗的對比，而能在該噴嘴內特定出該液體存在的範圍。
一種基板處理方法，其包含以下步驟： <br/>將基板固持於複數基板固持部之任一者之步驟； <br/>將噴嘴配置在固持於該基板固持部之該基板上的噴吐位置，而從該噴嘴向該基板供給處理液之步驟；及 <br/>藉由設置成可分別共用該噴嘴之驅動部而移動之拍攝部以及照明部，一面向該噴嘴進行照明，一面拍攝該噴嘴之步驟； <br/>該拍攝之步驟，包含： <br/>藉由第一照明，對該噴嘴進行照明；及 <br/>藉由第二照明，對該噴嘴，從不同於該第一照明之來自上方的方向照射光。
一種式<b>I</b>的化合物：<br/><img align="absmiddle" height="67px" width="97px" file="ed10404.jpg" alt="ed10404.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(I)<br/> 或其藥學上可接受的鹽或溶劑化物， <br/> 其中：<br/> R<sub>1</sub>選自由以下各項組成的組：氫、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基和鹵素；<br/> R<sub>2</sub>選自OR<sup>a</sup>；並且R<sup>a</sup>選自由以下各項組成的組：苄基羰基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基羰基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>雜環烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>雜烷基和任選地被氘、鹵素、OH、NH<sub>2</sub>和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基中的一者或多者取代的C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基；並且R<sub>3</sub>、R<sub>4</sub>和R<sub>5</sub>為氫；或<br/> R<sub>5</sub>選自OR<sup>a</sup>；並且R<sup>a</sup>選自由以下各項組成的組：苄基羰基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基羰基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>雜環烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>雜烷基和任選地被氘、鹵素、OH、NH<sub>2</sub>和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基中的一者或多者取代的C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基；並且R<sub>2</sub>、R<sub>3</sub>和R<sub>4</sub>為氫；<br/> R<sub>6</sub>和R<sub>7</sub>可以相同或不同，各自獨立地選自由以下各項組成的組：氫、鹵素、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基；或者R<sub>6</sub>和R<sub>7</sub>與它們所連接的碳一起形成–C(=O)-或C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>碳環；<br/> R<sub>8</sub>為–X<sub>1</sub>-X<sub>2</sub>-R<sub>10</sub>模組，其中X<sub>1</sub>為鍵或-C(O)NH-；X<sub>2</sub>為鍵或CHR<sup>c</sup>，其中R<sup>c</sup>選自氫、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基或任選地被一個或多個鹵素取代的苯基；並且R<sub>10</sub>選自6-10元芳基、5-10元雜芳基、5-10元飽和或不飽和碳環基或任選地被一個或多個R<sub>11</sub>取代的5-10元雜環基，其中每個R<sub>11</sub>獨立地選自由以下各項組成的組：氫、鹵素、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>羥基烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基羰基、5-6元雜芳基、苯基羰基或任選地被一個或多個鹵素取代的苯基；並且 <br/> R<sub>9</sub>選自由以下各項組成的組：C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基。
根據請求項1所述的化合物或其藥學上可接受的鹽或溶劑化物，其中R<sub>1</sub>選自C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基。
根據請求項1所述的化合物或其藥學上可接受的鹽或溶劑化物，其中R<sub>1</sub>選自甲基或乙基。
根據請求項1所述的化合物或其藥學上可接受的鹽或溶劑化物，其中R<sup>a</sup>選自C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>雜烷基和任選地被氘、鹵素、OH、NH<sub>2</sub>和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基中的一者或多者取代的C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基。
根據請求項1所述的化合物或其藥學上可接受的鹽或溶劑化物，其中R<sub>6</sub>和R<sub>7</sub>各自獨立地選自由以下各項組成的組：氫和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基；或R<sub>6</sub>和R<sub>7</sub>與它們所連接的碳一起形成C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>碳環。
根據請求項1所述的化合物或其藥學上可接受的鹽或溶劑化物，其中X<sub>1</sub>為鍵；X<sub>2</sub>為鍵；並且R<sub>10</sub>選自任選地被一個或多個R<sub>11</sub>取代的5-10元雜芳基，其中每個R<sub>11</sub>獨立地選自由以下各項組成的組：氫、鹵素、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、苯基羰基或任選地被一個或多個鹵素取代的苯基。
根據請求項6所述的化合物或其藥學上可接受的鹽或溶劑化物，其中R<sub>10</sub>選自：<img align="absmiddle" height="49px" width="83px" file="ed10557.jpg" alt="ed10557.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其任選地被一個或多個R<sub>11</sub>取代，其中每個R<sub>11</sub>獨立地選自由以下各項組成的組：苯基羰基或任選地被一個或多個鹵素取代的苯基。
根據請求項7所述的化合物或其藥學上可接受的鹽或溶劑化物，其中R<sub>10</sub>選自： <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="51px" file="ed10405.jpg" alt="ed10405.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="44px" width="63px" file="ed10406.jpg" alt="ed10406.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="44px" width="64px" file="ed10407.jpg" alt="ed10407.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="44px" width="64px" file="ed10408.jpg" alt="ed10408.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
根據請求項1所述的化合物或其藥學上可接受的鹽或溶劑化物，其中X<sub>1</sub>為鍵；X<sub>2</sub>為CH<sub>2</sub>；並且R<sub>10</sub>選自任選地被一個或多個R<sub>11</sub>取代的5-10元雜芳基，其中每個R<sub>11</sub>獨立地選自由以下各項組成的組：氫、鹵素、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>羥基烷基和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基羰基。
根據請求項9所述的化合物或其藥學上可接受的鹽或溶劑化物，其中R<sub>10</sub>選自： <br/><img align="absmiddle" height="64px" width="120px" file="ed10558.jpg" alt="ed10558.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其任選地被一個或多個R<sub>11</sub>取代，其中每個R<sub>11</sub>獨立地選自由以下各項組成的組：鹵素、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>羥基烷基和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基羰基。
根據請求項10所述的化合物或其藥學上可接受的鹽或溶劑化物，其中R<sub>10</sub>選自： <br/><img align="absmiddle" height="51px" width="49px" file="ed10409.jpg" alt="ed10409.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="48px" width="37px" file="ed10410.jpg" alt="ed10410.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="48px" width="62px" file="ed10411.jpg" alt="ed10411.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
根據請求項1所述的化合物或其藥學上可接受的鹽或溶劑化物，所述化合物具有式<b>II</b>：<br/><img align="absmiddle" height="66px" width="99px" file="ed10412.jpg" alt="ed10412.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(II)<br/> 其中X<sub>2</sub>為鍵或CHR<sup>c</sup>，其中R<sup>c</sup>選自氫、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基或任選地被一個或多個鹵素取代的苯基；並且R<sub>10</sub>選自苯基、5-10元雜芳基、5-10元飽和或不飽和碳環基或任選地被一個或多個R<sub>11</sub>取代的5-10元雜環基，其中每個R<sub>11</sub>獨立地選自由以下各項組成的組：氫、鹵素、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、5-6元雜芳基或任選地被一個或多個鹵素取代的苯基。
根據請求項12所述的化合物或其藥學上可接受的鹽或溶劑化物，其中所述-X<sub>2</sub>-R<sub>10</sub>模組選自： <br/><img align="absmiddle" height="54px" width="147px" file="ed10559.jpg" alt="ed10559.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其任選地被一個或多個R<sub>11</sub>取代，其中每個R<sub>11</sub>獨立地選自由以下各項組成的組：氫、鹵素和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基。
根據請求項13所述的化合物或其藥學上可接受的鹽或溶劑化物，其中所述-X<sub>2</sub>-R<sub>10</sub>模組選自：<br/><img align="absmiddle" height="32px" width="53px" file="ed10413.jpg" alt="ed10413.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="35px" width="73px" file="ed10414.jpg" alt="ed10414.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="35px" width="78px" file="ed10415.jpg" alt="ed10415.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="35px" width="45px" file="ed10416.jpg" alt="ed10416.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="35px" width="43px" file="ed10417.jpg" alt="ed10417.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="35px" width="45px" file="ed10418.jpg" alt="ed10418.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="32px" width="33px" file="ed10419.jpg" alt="ed10419.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="35px" width="46px" file="ed10420.jpg" alt="ed10420.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="35px" width="54px" file="ed10421.jpg" alt="ed10421.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
根據請求項12所述的化合物或其藥學上可接受的鹽或溶劑化物，其中所述-X<sub>2</sub>-R<sub>10</sub>模組選自：<br/><img align="absmiddle" height="49px" width="62px" file="ed10560.jpg" alt="ed10560.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其任選地被一個或多個R<sub>11</sub>取代，其中每個R<sub>11</sub>獨立地選自由以下各項組成的組：鹵素或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基；X<sub>3</sub>為–CH<sub>2</sub>-或–O-；並且n為0或1。
根據請求項15所述的化合物或其藥學上可接受的鹽或溶劑化物，其中所述-X<sub>2</sub>-R<sub>10</sub>模組選自：<br/><img align="absmiddle" height="32px" width="36px" file="ed10422.jpg" alt="ed10422.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="32px" width="36px" file="ed10423.jpg" alt="ed10423.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="35px" width="36px" file="ed10424.jpg" alt="ed10424.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="43px" width="36px" file="ed10425.jpg" alt="ed10425.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="34px" width="46px" file="ed10426.jpg" alt="ed10426.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="32px" width="46px" file="ed10427.jpg" alt="ed10427.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="44px" width="36px" file="ed10428.jpg" alt="ed10428.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
根據請求項12所述的化合物或其藥學上可接受的鹽或溶劑化物，其中所述-X<sub>2</sub>-R<sub>10</sub>模組選自：<br/><img align="absmiddle" height="30px" width="48px" file="ed10429.jpg" alt="ed10429.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="50px" width="61px" file="ed10430.jpg" alt="ed10430.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
根據請求項1所述的化合物或其藥學上可接受的鹽或溶劑化物，其中R<sub>9</sub>選自C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基。
根據請求項1所述的化合物或其藥學上可接受的鹽或溶劑化物，所述化合物具有式<b>III</b>：<br/><img align="absmiddle" height="70px" width="91px" file="ed10431.jpg" alt="ed10431.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種化合物，所述化合物選自：<br/> 或其藥學上可接受的鹽或溶劑化物。
一種藥物組合物，所述藥物組合物包含根據請求項1-20中任一項所述的化合物或其藥學上可接受的鹽或溶劑化物，以及藥學上可接受的載體。
根據請求項1-20中任一項所述的化合物或其藥學上可接受的鹽或溶劑化物，用於抑制細胞中的IAP蛋白活性。
根據請求項1-20中任一項所述的化合物或其藥學上可接受的鹽或溶劑化物，用於治療其中IAP蛋白的抑制提供益處的疾病或病況。
一種根據請求項1-20中任一項所述的化合物或其藥學上可接受的鹽或溶劑化物或根據請求項21所述的藥物組合物在製備用於抑制細胞中的IAP蛋白活性的藥物中的用途。
一種根據請求項1-20中任一項所述的化合物或其藥學上可接受的鹽或溶劑化物或根據請求項21所述的藥物組合物在製備藥物中的用途，所述藥物用於治療其中IAP蛋白的抑制提供益處的疾病或病況。
一種試劑盒，所述試劑盒包括根據請求項1-20中任一項所述的化合物，和關於向其中IAP蛋白的抑制提供益處的受試者施用所述化合物或其藥學上可接受的鹽或溶劑化物的說明書。
一種多站點驗證授權之資料交換系統，用以與一用戶端通訊連接，包含：<br/> 一主伺服器，包含一註冊資料庫；<br/> 一第一服務裝置，與該主伺服器通訊連接，包含：<br/> 一第一服務端伺服器，於該主伺服器註冊，產生相對於該第一服務端伺服器之一索引資訊於該註冊資料庫中；<br/> 一第一驗證閘道，與該第一服務端伺服器通訊連接，用以控制該第一服務端伺服器之訪問；<br/> 一第二服務裝置，與該主伺服器通訊連接，包含：<br/> 一第二服務端伺服器，於該主伺服器註冊，產生相對於該第二服務端伺服器之一索引資訊於該註冊資料庫中；<br/> 一第二驗證閘道，與該第二服務端伺服器通訊連接，用以控制該第二服務端伺服器之訪問，且該第一驗證閘道和該第二驗證閘道彼此通訊連接，且同步儲存有該些索引資訊；以及<br/> 一第三服務裝置，與該主伺服器通訊連接，包含：<br/> 一第三服務端伺服器，於該主伺服器進行註冊，產生相對於該第三服務端伺服器之一索引資訊於該註冊資料庫中；<br/> 一第三驗證閘道，與該第三服務端伺服器通訊連接，用以控制該第三伺服器之訪問，且同步儲存有該些索引資訊；<br/> 其中該第一服務端伺服器透過該第一驗證閘道接收來自該用戶端之一服務請求，其中該服務請求包含一服務資訊和一授權資訊，該第一驗證閘道依據該服務請求相對應之該索引資訊透過該第二驗證閘道呼叫該第二服務端伺服器，經該第二驗證閘道驗證後，該第一服務端伺服器向該第二服務端伺服器取得相應該服務資訊的至少一服務資料；<br/> 其中該第一服務端伺服器透過該第一驗證閘道接收來自該用戶端之一服務請求，其中該服務請求包含一服務資訊和一授權資訊，該第一驗證閘道依據該服務請求傳送一授權憑證和一資料索引至該第三驗證閘道，以及該第三驗證閘道依據該授權憑證和該資料索引，呼叫該第一服務端伺服器提供相應該服務資訊的至少一服務資料至該第三服務端伺服器，其中該至少一服務資料係由該第一服務端伺服器和/或該第二服務端伺服器所提供。
如請求項1所述之多站點驗證授權之資料交換系統，其中該第一驗證閘道或該第二驗證閘道經配置用以執行一驗證指令和一授權指令。
如請求項1所述之多站點驗證授權之資料交換系統，其中該服務資料係由該第一服務端伺服器和該第二服務端伺服器所提供。
如請求項1所述之多站點驗證授權之資料交換系統，其中該用戶端係透過一QR碼形式提供該授權憑證和該資料索引至該第三驗證閘道。
如請求項1所述之多站點驗證授權之資料交換系統，其中該主伺服器、該第一服務裝置和該二服務端裝置之間係以快捷式醫療照護互通操作資源(Fast Healthcare Interoperability Resources，FHIR)標準之複數筆FHIR規範資料進行交換。
如請求項5所述之多站點驗證授權之資料交換系統，其中該主伺服器更包含一權限管理運算模組，藉由執行以下步驟來對該些FHIR規範資料進行權限管理，包括：<br/> (a) 分 別取得來自該第一服務裝置之一第一公鑰及一第一私鑰，以及來自該第二服務裝置之一第二公鑰與一第二私鑰；<br/> (b) 基於步驟(a)之該第一私鑰及該第二公鑰之組合，產生一密鑰；<br/> (c) 以步驟(b)之該密鑰加密該FHIR規範資料，以產生一加密FHIR規範資料；<br/> (d) 基於該第一私鑰對步驟(c)該加密FHIR規範資料進行簽章，以產生一簽章FHIR規範資料；<br/> (e) 基於該第一公鑰對步驟(d)該簽章FHIR規範資料進行驗章，以解除該簽章，恢復步驟(c)之該加密FHIR規範資料；以及<br/> (f) 基於步驟(a)之該第二私鑰及該第一公鑰之組合產生步驟(b)之該密鑰，以解密步驟(e)之該加密FHIR規範資料，以取得解密後的該FHIR規範資料。
一種利用如請求項1-6任一項之多站點驗證授權之資料交換系統所執行的方法，包含以下步驟：<br/> (1-A) 該第一服務端伺服器透過該第一驗證閘道接收來自該用戶端之該服務請求，其中該服務請求包含一服務資訊和一授權資訊；<br/> (1-B) 該第一驗證閘道依據該服務請求向該第一服務端伺服器取得相對應該服務資訊之一第一服務資料；以及<br/> (1-C) 該第一驗證閘道依據該服務請求透過第二驗證閘道向該第二服務端伺服器取得相對應該服務資訊之一第二服務資料，並由該第一驗證閘道將該第一服務資料和該第二服務資料提供至該用戶端。
一種利用如請求項1之多站點驗證授權之資料交換系統所執行的方法，包含以下步驟：<br/> (2-A) 該第一服務裝置透過該第一驗證閘道接收來自該用戶端所提供的服務請求，其中該服務請求包含一服務資訊和一授權資訊；<br/> (2-B) 該第一驗證閘道依據該服務請求傳送一授權憑證和一資料索引至該第三驗證閘道；以及<br/> (2-C) 該第三驗證閘道依據該授權憑證和該資料索引，呼叫該第一伺服器提供相應該服務資訊的至少一服務資料至該第三服務端伺服器，其中該至少一服務資料係由該第一服務端伺服器和/或該第二服務端伺服器所提供。
如請求項8所述之方法，其中於該步驟(2-B)係由該行動端以一QR碼形式提供該授權憑證和該資料索引至該第三驗證閘道。
一種進門通道，該進門通道包含： <br/>一門框，該門框包括一通道、一門楣、一第一側柱及一第二側柱，該通道在該第一側柱與該第二側柱之間橫向延伸，且該通道沿著該第一側柱及該第二側柱垂直延伸至該門楣； <br/>一門，該門被配置為在一關閉位置與一打開位置之間移動，該門處於該關閉位置時關閉該通道，且該門處於該打開位置時打開該通道；及 <br/>一防撞器，該防撞器被配置為在一展開位置與一收起位置之間移動，該防撞器處於該展開位置時，設置在該通道中且覆蓋該門框之一部分，以及該防撞器直接樞轉地安裝至該門楣， <br/>其中該防撞器自該收起位置至該展開位置之移動由重力驅動。
如請求項1之進門通道，其中該防撞器自該展開位置至該收起位置之移動在運動學上與該門自該打開位置至該關閉位置之移動相關聯。
如請求項1之進門通道，該進門通道進一步包含： <br/>一門支撐件，該門支撐件包含一連桿機構； <br/>該連桿機構之一第一端連接至該門； <br/>該連桿機構之一第二端連接至該門框；且 <br/>該連桿機構被配置為當該門自打開位置移動至該關閉位置時接合該防撞器，以致動該防撞器自該展開位置至該收起位置之移動。
如請求項1之進門通道，該進門通道進一步包含： <br/>一門用五金件，該門用五金件安裝至該門； <br/>該門用五金件被配置為當該門自打開位置移動至該關閉位置時接合該防撞器，以將該防撞器自該展開位置推動至該收起位置。
如請求項4之進門通道，其中當該門處於該打開位置時，該門用五金件與該防撞器脫離。
如請求項1之進門通道，其中該防撞器自該收起位置至該展開位置之移動在運動學上與該門自該關閉位置至該打開位置之移動相關聯。
如請求項1之進門通道，其中該門楣包含該門框之該部分。
如請求項1之進門通道，其中該防撞器處於該收起位置時露出該門框之該部分。
如請求項1之進門通道，其中該防撞器處於該收起位置時設置在該通道外部。
如請求項1之進門通道，其中該防撞器被配置為繞一橫向延伸之樞轉軸線在該展開位置與該收起位置之間樞轉。
如請求項1之進門通道，其中 <br/>該防撞器包括一防撞器框及一防撞器緩衝墊； <br/>該防撞器框鉸接至該門框；且 <br/>該防撞器緩衝墊附接至該防撞器框。
如請求項1之進門通道，其中該防撞器具有一L形橫截面幾何形狀。
如請求項1之進門通道，其中該門鉸接至該第一側柱。
如請求項1之進門通道，其中該門處於該關閉位置時接合該門框以在該門與該門框之間提供一密封。
一種進門通道防撞器，該進門通道防撞器包含： <br/>一框，該框包括一腹板、一第一凸緣及一第二凸緣，該腹板在該第一凸緣與該第二凸緣之間延伸且連接至該第一凸緣及該第二凸緣，該第一凸緣沿著一第一方向自該腹板突出至該第一凸緣之一遠端，且該第二凸緣沿著一第二方向自該腹板突出至該第二凸緣之一遠端，其中該第二方向與該第一方向相反，該框為一段Z形桿； <br/>一緩衝墊，該緩衝墊附接至該腹板、該第一凸緣及該第二凸緣，且該緩衝墊至少覆蓋該框之一第一側，該緩衝墊包含一泡沫聚合物材料，且該緩衝墊至少完整覆蓋該框的一底側；及 <br/>一安裝支架，該安裝支架經由一或多個鉸鏈直接樞轉地附接至該框。
一種進門通道防撞器的操作方法，該方法包含： <br/>將一門自一關閉位置移動至一打開位置以打開穿過一門框之一通道；及 <br/>當該門自該關閉位置移動至該打開位置時，自動展開一防撞器以覆蓋該門框之一門楣， <br/>其中當該門自該關閉位置移動至該打開位置時以及當該防撞器自動展開時，該防撞器之運動由重力驅動， <br/>其中該防撞器包含： <br/>一框，該框包括一腹板、一第一凸緣及一第二凸緣，該腹板在該第一凸緣與該第二凸緣之間延伸且連接至該第一凸緣及該第二凸緣，該第一凸緣沿著一第一方向自該腹板突出至該第一凸緣之一遠端，且該第二凸緣沿著一第二方向自該腹板突出至該第二凸緣之一遠端，其中該第二方向與該第一方向相反，該框構造為一段Z形桿， <br/>一緩衝墊，該緩衝墊附接至該腹板、該第一凸緣及該第二凸緣，且該泡沫緩衝墊至少覆蓋該框之一第一側，該緩衝墊包含一泡沫聚合物材料，且該緩衝墊至少完整覆蓋該框的一底側；及 <br/>一安裝支架，該安裝支架經由一或多個鉸鏈直接樞轉地附接至該框。
如請求項16之方法，該方法進一步包含： <br/>將該門自該打開位置移動至該關閉位置以關閉穿過該門框之該通道；及 <br/>當該門自該打開位置移動至該關閉位置時，自動收起該防撞器。
如請求項16之方法，其中該防撞器經由一或多個鉸鏈鉸接至該門框。
一種異質過渡金屬硫族化物材料的製備方法，包含：<br/> 進行一加熱步驟，是於一加熱溫度下對一硫族元素固體進行加熱以形成一硫族元素氣體，其中該加熱溫度為170攝氏度至900攝氏度；<br/> 進行一電漿形成步驟，是於一電漿操作功率下通入一反應氣體以輔助該硫族元素氣體形成一硫族元素電漿，其中該反應氣體包含氫氣、氮氣、氬氣或其組合，該電漿操作功率為1瓦至200瓦；以及<br/> 進行一沉積步驟，是將一基板設置鄰近於該硫族元素電漿，該基板包含一基材及一鍍層，該硫族元素電漿與該鍍層於一反應溫度與一反應壓力下進行一沉積反應，以形成一異質過渡金屬硫族化物材料；<br/> 其中在該沉積步驟中，該反應溫度為10攝氏度至600攝氏度，且該反應壓力為0.01托至760托。
如請求項1所述的異質過渡金屬硫族化物材料的製備方法，其中該鍍層包含一過渡金屬源及一第一硫族元素源，該硫族元素固體包含一第二硫族元素源。
如請求項2所述的異質過渡金屬硫族化物材料的製備方法，其中該過渡金屬源為鉬、鎢、鉻、鉑、鈀、鎳、銅、鈷、鋅、錳或鈦。
如請求項3所述的異質過渡金屬硫族化物材料的製備方法，其中該第一硫族元素源為硫或硒。
如請求項4所述的異質過渡金屬硫族化物材料的製備方法，其中該第一硫族元素源為硫，該第二硫族元素源為硒或碲。
如請求項1所述的異質過渡金屬硫族化物材料的製備方法，其中該鍍層的一厚度為1奈米至30奈米。
如請求項1所述的異質過渡金屬硫族化物材料的製備方法，其中該反應氣體的一流量為1每分鐘標準毫升至500每分鐘標準毫升。
一種異質過渡金屬硫族化物材料，其係由請求項1至請求項7任一項所述之異質過渡金屬硫族化物材料的製備方法製得，該異質過渡金屬硫族化物材料包含：<br/> 一過渡金屬層；<br/> 一第一硫族層，共價鍵結於該過渡金屬層的一面；以及<br/> 一第二硫族層，共價鍵結於該過渡金屬層的另一面。
一種感測器，包含：<br/> 一基板，包含如請求項8所述之異質過渡金屬硫族化物材料；以及<br/> 一拉曼分光光譜儀，包含一光源發射器與一光源接收器，且該基板設置於該光源發射器與該光源接收器之間。
一種空氣過濾系統，包括：一過濾裝置，該過濾裝置內部形成有一密閉空間，該密閉空間內設有一水區域，該水區域內部設有複數個吸附材料，該水區域上則養殖有至少一多根性漂浮水生植物，而該過濾裝置下方設有一進氣端，上方則設有一出氣端，藉以使一受到污染的氣體自該進氣端進入且溶於水後，可依序經由上述之吸附材料與多根性漂浮水生植物過濾後形成淨化後之空氣，再自該出氣端排出，其中該過濾裝置下方之進氣端係設有一渦流吸風扇，用以加速該受到污染的氣體自該進氣端進入；以及一發電裝置，該發電裝置內部形成有一密閉空間，該密閉空間內設有一特斯拉閥(tesla valve)模組，其中該特斯拉閥模組一端連接有一導風管，另端連接有一排風管，該導風管係與上述過濾裝置之出氣端連接，用以接收該淨化後之空氣後，經由該特斯拉閥模組後由該排風管排出，且該特斯拉閥模組內部設置有至少一組發電模組，使經由該特斯拉閥模組的空氣可推動該發電模組運轉發電。
如請求項1所述之空氣過濾系統，其中該吸附材料係為一多孔隙之吸附材料，其可為沸石、矽藻石、活性碳，火山岩等其中一種者。
如請求項1所述之空氣過濾系統，其中該特斯拉閥模組所連接之排風管，係設有一渦流排風扇，使加速該特斯拉閥模組內空氣之流動。
一種抬頭顯示系統，適於傳遞一影像光束至透反光元件，該抬頭顯示系統包括圖像生成模組與光學模組，其中：<br/> 該圖像生成模組包括圖像生成單元、至少一曲面反射鏡以及擴散件，該圖像生成單元用以產生該影像光束，該擴散件具有光入射面，該至少一曲面反射鏡設置於該影像光束於該圖像生成單元與該擴散件之間的傳遞路徑上，用以控制該影像光束入射至該擴散件的光線角度與角度分布的至少其中之一，使該影像光束以第一方向入射該擴散件的該光入射面，並經該擴散件均勻化後，傳遞到該光學模組，<br/> 該光學模組包括至少一反射元件，該影像光束經該至少一反射元件反射而傳遞至該透反光元件，<br/> 其中該擴散件的該光入射面的法線方向會相對於該第一方向具有不為0的第一夾角，該至少一曲面反射鏡用以使該影像光束成像在該擴散件的該光入射面上，該至少一曲面反射鏡用以將來自該圖像生成單元的該影像光束的張角縮小。
如請求項1所述的抬頭顯示系統，其中該至少一曲面反射鏡為球面反射鏡、非球面反射鏡、自由曲面反射鏡或上述的組合。
如請求項1所述的抬頭顯示系統，其中該至少一反射元件為球面反射鏡、非球面反射鏡、自由曲面反射鏡或上述的組合。
如請求項1所述的抬頭顯示系統，其中該第一夾角落在10度至30度的範圍內。
一種抬頭顯示系統，適於傳遞一影像光束至透反光元件，該抬頭顯示系統包括圖像生成模組與光學模組，其中：<br/> 該圖像生成模組包括圖像生成單元、至少一曲面反射鏡以及擴散件，該圖像生成單元用以產生該影像光束，該擴散件具有光入射面，該至少一曲面反射鏡設置於該影像光束於該圖像生成單元與該擴散件之間的傳遞路徑上，用以控制該影像光束入射至該擴散件的光線角度與角度分布的至少其中之一，使該影像光束以第一方向入射該擴散件的該光入射面，並經該擴散件均勻化後，傳遞到該光學模組，<br/> 該光學模組包括至少一反射元件，該影像光束經該至少一反射元件反射而傳遞至該透反光元件，<br/> 其中該擴散件的該光入射面的法線方向會相對於該第一方向具有不為0的第一夾角，該至少一曲面反射鏡用以使該影像光束成像在該擴散件的該光入射面上，<br/> 其中該影像光束以第二方向從該圖像生成單元出射，且該第二方向平行於第一參考面，該擴散件的該光入射面相對於該第一參考面具有第二夾角，且該第一夾角與該第二夾角相等。
如請求項5所述的抬頭顯示系統，其中該第二方向垂直於該第一方向。
如請求項5所述的抬頭顯示系統，其中該第一方向與該第二方向構成第二參考面，且該擴散件的該光入射面的該法線方向平行該第二參考面。
如請求項5所述的抬頭顯示系統，其中該第一方向與該第二方向構成第二參考面，且該擴散件的該光入射面的該法線方向與該第二參考面具有一不為0的夾角。
如請求項1所述的抬頭顯示系統，其中傳遞至該透反光元件的該影像光束被該透反光元件反射，並以第三方向射出，該第三方向相對於水平面具有第三夾角，該第三夾角為2度至5度的範圍。
如請求項1所述的抬頭顯示系統，其中該圖像生成單元包括數位微鏡元件、矽基液晶面板、薄膜電晶體液晶顯示器、雷射光掃描的微機電系統、有機發光二極體顯示面板、微型發光二極體顯示面板或穿透式液晶面板。
一種抬頭顯示系統，適於傳遞一影像光束至透反光元件，該抬頭顯示系統包括圖像生成模組與光學模組，其中：<br/> 該圖像生成模組包括圖像生成單元、至少一曲面反射鏡以及擴散件，該圖像生成單元用以產生該影像光束，該擴散件具有光入射面，該至少一曲面反射鏡設置於該影像光束於該圖像生成單元與該擴散件之間的傳遞路徑上，用以控制該影像光束入射至該擴散件的光線角度與角度分布的至少其中之一，使該影像光束以第一方向入射該擴散件的該光入射面，並經該擴散件均勻化後，傳遞到該光學模組，<br/> 該光學模組包括至少一反射元件，該影像光束經該至少一反射元件反射而傳遞至該透反光元件，<br/> 其中該擴散件的該光入射面的法線方向會相對於該第一方向具有不為0的第一夾角，該至少一曲面反射鏡用以使該影像光束成像在該擴散件的該光入射面上，<br/> 其中該至少一反射元件在孔徑方向的任一末端與該擴散件的幾何中心的連線相對於該第一方向具有第四夾角，其中該第一夾角大於二分之一的該第四夾角。
如請求項1所述的抬頭顯示系統，其中該至少一曲面反射鏡用以使該影像光束於不同視場的光線以彼此平行的樣態傾斜入射該擴散件。
一種抬頭顯示系統，適於傳遞一影像光束至透反光元件，該抬頭顯示系統包括圖像生成模組與光學模組，其中：<br/> 該圖像生成模組包括圖像生成單元、至少一曲面反射鏡以及擴散件，該圖像生成單元用以產生該影像光束，該擴散件具有光入射面，該至少一曲面反射鏡設置於該影像光束於該圖像生成單元與該擴散件之間的傳遞路徑上，用以控制該影像光束入射至該擴散件的光線角度與角度分布的至少其中之一，使該影像光束以第一方向入射該擴散件的該光入射面，並經該擴散件均勻化後，傳遞到該光學模組，<br/> 該光學模組包括至少一反射元件，該影像光束經該至少一反射元件反射而傳遞至該透反光元件，<br/> 其中該擴散件的該光入射面的法線方向會相對於該第一方向具有不為0的第一夾角，該至少一曲面反射鏡用以使該影像光束成像在該擴散件的該光入射面上，<br/> 其中該圖像生成模組還包括投影鏡頭，設置於該影像光束於該圖像生成單元與該至少一曲面反射鏡之間的傳遞路徑上，該投影鏡頭與該至少一曲面反射鏡用以傳遞來自該圖像生成單元的該影像光束，並使該影像光束於該擴散件上成像。
如請求項1所述的抬頭顯示系統，其中該圖像生成模組還包括平面反射鏡，配置於該影像光束於該圖像生成單元與該至少一曲面反射鏡之間的傳遞路徑上。
如請求項1所述的抬頭顯示系統，其中該擴散件為擴散平板。
一種閃耀光柵，包括： <br/>閃耀光柵基底；以及 <br/>多個鋸齒結構，設置於所述閃耀光柵基底上，其中各所述鋸齒結構包括閃耀面和次閃耀面，所述閃耀面與所述閃耀光柵基底的基準面之間形成閃耀角，所述次閃耀面與所述閃耀角相對，各所述鋸齒結構的所述閃耀面上鍍有至少一光學膜層組，且 <br/>各所述至少一光學膜層組包括第一光學層與第二光學層，所述第一光學層的折射率高於第二光學層，所述至少一光學膜層組的第一光學層與第二光學層週期性地交互堆疊，且符合下述關係式： <br/><img align="absmiddle" height="14px" width="88px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中 <img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為所述閃耀光柵的工作波段， <img align="absmiddle" height="14px" width="11px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為各所述至少一光學膜層組的等效折射率， <img align="absmiddle" height="7px" width="5px" file="ed10012.jpg" alt="ed10012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為各所述至少一光學膜層組的厚度， <img align="absmiddle" height="7px" width="10px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為作用中心視場角， <img align="absmiddle" height="7px" width="4px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為所述閃耀角。
如請求項1所述的閃耀光柵，其中各所述至少一光學膜層組完全覆蓋各所述鋸齒結構的所述閃耀面。
如請求項1所述的閃耀光柵，其中任一所述鋸齒結構的各所述至少一光學膜層組的厚度與相接的另一所述鋸齒結構的所述次閃耀面的長度相等。
如請求項1所述的閃耀光柵，其中所述第一光學層與所述第二光學層的折射率的範圍介於1.5至3.4之間。
一種波導，用以傳遞影像光束，其特徵在於，所述波導包括： <br/>板體，位於所述影像光束的傳遞路徑上，具有耦入區以及至少一擴瞳區，所述影像光束經由所述耦入區進入所述至少一擴瞳區； <br/>至少一閃耀光柵，對應地設置於所述耦入區以及所述至少一擴瞳區的至少一者上，且各至少一閃耀光柵包括： <br/>閃耀光柵基底；以及 <br/>多個鋸齒結構，設置於所述閃耀光柵基底上，其中各所述鋸齒結構包括閃耀面和次閃耀面，所述閃耀面與所述閃耀光柵基底的基準面之間形成閃耀角，所述次閃耀面與所述閃耀角相對，各所述鋸齒結構的所述閃耀面上鍍有至少一光學膜層組，且 <br/>各所述至少一光學膜層組包括第一光學層與第二光學層，所述第一光學層的折射率高於第二光學層，所述至少一光學膜層組的第一光學層與第二光學層週期性地交互堆疊，且符合下述關係式： <br/><img align="absmiddle" height="14px" width="88px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中 <img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為所述閃耀光柵的工作波段， <img align="absmiddle" height="14px" width="11px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為各所述至少一光學膜層組的等效折射率， <img align="absmiddle" height="7px" width="5px" file="ed10012.jpg" alt="ed10012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為各所述至少一光學膜層組的厚度， <img align="absmiddle" height="7px" width="10px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為作用中心視場角， <img align="absmiddle" height="7px" width="4px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為所述閃耀角；以及 <br/>至少一光學膜，對應地設置於所述耦入區以及所述至少一擴瞳區的至少一者上，且對應地覆蓋所述至少一閃耀光柵。
如請求項5所述的波導，其中各所述至少一光學膜層組完全覆蓋各所述鋸齒結構的所述閃耀面。
如請求項5所述的波導，其中任一所述鋸齒結構的各所述至少一光學膜層組的厚度與相接的另一所述鋸齒結構的所述次閃耀面的長度相等。
如請求項5所述的波導，其中所述第一光學層與所述第二光學層的折射率的範圍介於1.5至3.4之間。
如請求項5所述的波導，其中所述至少一光學膜的折射率的折射率的範圍介於1.5至1.8之間。
如請求項5所述的波導，其中所述至少一光學膜的厚度介於1至3微米之間。
如請求項5所述的波導，其中一所述至少一閃耀光柵對應地設置於所述耦入區，且所述其中一所述至少一閃耀光柵的各所述至少一光學膜層組的總厚度介於1.1至3微米之間。
如請求項5所述的波導，其中一所述至少一閃耀光柵對應地設置於所述至少一擴瞳區，且所述其中一所述至少一閃耀光柵的各所述至少一光學膜層組的總厚度小於1.77微米。
一種顯示裝置，包括： <br/>顯示面板，用於提供影像光束；以及 <br/>波導，包括： <br/>板體，位於所述影像光束的傳遞路徑上，具有耦入區以及至少一擴瞳區，所述影像光束經由所述耦入區進入所述至少一擴瞳區； <br/>至少一閃耀光柵，對應地設置於所述耦入區以及所述至少一擴瞳區的至少一者上，且各至少一閃耀光柵包括： <br/>閃耀光柵基底；以及 <br/>多個鋸齒結構，設置於所述閃耀光柵基底上，其中各所述鋸齒結構包括閃耀面和次閃耀面，所述閃耀面與所述閃耀光柵基底的基準面之間形成閃耀角，所述次閃耀面與所述閃耀角相對，各所述鋸齒結構的所述閃耀面上鍍有至少一光學膜層組，且 <br/>各所述至少一光學膜層組包括第一光學層與第二光學層，所述第一光學層的折射率高於第二光學層，所述至少一光學膜層組的第一光學層與第二光學層週期性地交互堆疊，且符合下述關係式： <img align="absmiddle" height="14px" width="88px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中 <img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為所述閃耀光柵的工作波段， <img align="absmiddle" height="14px" width="11px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為各所述至少一光學膜層組的等效折射率， <img align="absmiddle" height="7px" width="5px" file="ed10012.jpg" alt="ed10012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為各所述至少一光學膜層組的厚度， <img align="absmiddle" height="7px" width="10px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為作用中心視場角， <img align="absmiddle" height="7px" width="4px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為所述閃耀角；以及 <br/>至少一光學膜，對應地設置於所述耦入區以及所述至少一擴瞳區的至少一者上，且對應地覆蓋所述至少一閃耀光柵。
如請求項13所述的顯示裝置，其中各所述至少一光學膜層組完全覆蓋各所述鋸齒結構的所述閃耀面。
如請求項13所述的顯示裝置，其中任一所述鋸齒結構的各所述至少一光學膜層組的厚度與相接的另一所述鋸齒結構的所述次閃耀面的長度相等。
如請求項13所述的顯示裝置，其中所述第一光學層與所述第二光學層的折射率的範圍介於1.5至3.4之間。
如請求項13所述的顯示裝置，其中所述至少一光學膜的折射率的折射率的範圍介於1.5至1.8之間。
如請求項13所述的顯示裝置，其中所述至少一光學膜的厚度介於1至3微米之間。
如請求項13所述的顯示裝置，其中一所述至少一閃耀光柵對應地設置於所述耦入區，且所述其中一所述至少一閃耀光柵的各所述至少一光學膜層組的總厚度介於1.1至3微米之間。
如請求項13所述的顯示裝置，其中一所述至少一閃耀光柵對應地設置於所述至少一擴瞳區，且所述其中一所述至少一閃耀光柵的各所述至少一光學膜層組的總厚度小於1.77微米。
一種觸控顯屏模組，包含：<br/> 一觸控感測層，包含：<br/> 一塑料基板，其中該塑料基板的一厚度為10微米至400微米，該塑料基板具有不同方向的一第一折射率及一第二折射率，且該第一折射率與該第二折射率的一差值為0.0000125至0.0001；<br/> 一第一金屬網格電極層，設置於該塑料基板的一第一表面；以及<br/> 一第二金屬網格電極層，設置於該塑料基板的一第二表面，其中該第二表面相對於該第一表面；以及<br/> 一有機發光二極體顯示器，設置於該觸控感測層的一側，其中該有機發光二極體顯示器的一亮度峰值至少為390尼特；<br/> 其中，該觸控顯屏模組的一暗態亮度為0.0001燭光/平方公尺至0.0005燭光/平方公尺。
如請求項1所述的觸控顯屏模組，其中該塑料基板的該厚度為10微米至40微米。
一種觸控顯屏模組，包含：<br/> 一觸控感測層，包含：<br/> 一塑料基板，其中該塑料基板的一厚度為10微米至400微米，該塑料基板具有不同方向的一第一折射率及一第二折射率，且該第一折射率與該第二折射率的一差值為0.0000125至0.0001；<br/> 一第一金屬網格電極層，設置於該塑料基板的一第一表面；以及<br/> 一第二金屬網格電極層，設置於該塑料基板的一第二表面，其中該第二表面相對於該第一表面；<br/> 一有機發光二極體顯示器，設置於該觸控感測層的一側，其中該有機發光二極體顯示器的一亮度峰值至少為390尼特；<br/> 一底塗層，設置在該塑料基板的該第一表面，其中該第一表面背對該觸控感測層的該側，且該底塗層的一折射率小於該第一折射率及該第二折射率的一平均值；以及<br/> 一光學膠層，設置在該塑料基板的該第一表面，其中該第一表面背對該觸控感測層的該側，且該光學膠層的一折射率小於該第一折射率及該第二折射率的一平均值；<br/> 其中，該觸控顯屏模組的一暗態亮度為0.0001燭光/平方公尺至0.0005燭光/平方公尺。
如請求項3所述的觸控顯屏模組，其中該底塗層設置在該塑料基板與該第一金屬網格電極層之間。
一種顯屏模組，包含：<br/> 一塑料基板，其中該塑料基板的一厚度為10微米至400微米，該塑料基板具有不同方向的一第一折射率及一第二折射率，且該第一折射率與該第二折射率的一差值為0.0000125至0.0001；以及<br/> 一有機發光二極體顯示器，設置於該塑料基板的一側，其中該有機發光二極體顯示器的一亮度峰值至少為390尼特；<br/> 其中，該顯屏模組的一暗態亮度為0.0001燭光/平方公尺至0.0005燭光/平方公尺。
如請求項5所述的顯屏模組，其中該塑料基板的該厚度為10微米至40微米。
如請求項5所述的顯屏模組，其中該塑料基板的一表面粗糙度為2埃至200埃。
如請求項5所述的顯屏模組，更包含：<br/> 一光學膠層，設置在該塑料基板背對該側的一表面，其中該光學膠層的一折射率小於該第一折射率及該第二折射率的一平均值。
如請求項8所述的顯屏模組，更包含：<br/> 一底塗層，設置在該塑料基板與該光學膠層之間，其中該底塗層的一折射率小於該第一折射率及該第二折射率的一平均值。
如請求項9所述的顯屏模組，其中該底塗層的該折射率小於該光學膠層的該折射率。
如請求項10所述的顯屏模組，其中該底塗層的該折射率與該塑料基板的該折射率的差值大於該光學膠層的該折射率與該塑料基板的該折射率的差值。
如請求項9所述的顯屏模組，其中該底塗層的一厚度為0.01微米至5微米。
一種觸控顯屏模組，包含：<br/> 一觸控感測層，包含：<br/> 一塑料基板，其中該塑料基板的一厚度為10微米至400微米，該塑料基板具有不同方向的一第一折射率及一第二折射率，且該第一折射率與該第二折射率的一差值為0.0000125至0.0001；<br/> 一第一觸控電極層，設置於該塑料基板的一上表面或一下表面；以及<br/> 一第二觸控電極層，設置於該塑料基板的該上表面或該下表面；以及<br/> 一有機發光二極體顯示器，設置於該觸控感測層的一側，其中該有機發光二極體顯示器的一亮度峰值至少為390尼特；<br/> 其中，該觸控顯屏模組的一暗態亮度為0.0001燭光/平方公尺至0.0005燭光/平方公尺。
如請求項13所述的觸控顯屏模組，其中該塑料基板的該厚度為10微米至40微米。
一種觸控顯屏模組，包含：<br/> 一觸控感測層，包含：<br/> 一塑料基板，其中該塑料基板的一厚度為10微米至400微米，該塑料基板具有不同方向的一第一折射率及一第二折射率，且該第一折射率與該第二折射率的一差值為0.0000125至0.0001；<br/> 一第一觸控電極層，設置於該塑料基板的一上表面或一下表面；以及<br/> 一第二觸控電極層，設置於該塑料基板的該上表面或該下表面；以及<br/> 一有機發光二極體顯示器，設置於該觸控感測層的一側，其中該有機發光二極體顯示器的一亮度峰值至少為390尼特；<br/> 兩底塗層，分別設置在該塑料基板的該上表面及該下表面，其中該兩底塗層各自的一折射率小於該第一折射率及該第二折射率的一平均值；以及<br/> 兩光學膠層，分別設置在該塑料基板的該上表面及該下表面，其中該兩光學膠層各自的一折射率小於該第一折射率及該第二折射率的一平均值；<br/> 其中，該觸控顯屏模組的一暗態亮度為0.0001燭光/平方公尺至0.0005燭光/平方公尺。
一種鋰離子電池矽基負極材料的預鋰化方法，包括：(a)將一第一聯苯衍生物與一第二聯苯衍生物以1~4:1的莫耳比溶解於一有機溶劑中形成一混合溶液，其中，該第一聯苯衍生物是二甲基聯苯，且該第二聯苯衍生物是二乙基聯苯；(b)將一鋰金屬溶解於該混合溶液中形成一預鋰化溶劑；以及(c)將一矽基負極材料浸泡在該預鋰化溶劑中一預定時間，得到一預鋰化矽基負極材料。
如請求項1所述的鋰離子電池矽基負極材料的預鋰化方法，其中該第一聯苯衍生物是4,4’-二甲基聯苯，且該第二聯苯衍生物是4,4’-二乙基聯苯。
如請求項1至2中任一項所述的鋰離子電池矽基負極材料的預鋰化方法，其中該第一聯苯衍生物與該第二聯苯衍生物以1~2:1的莫耳比混合。
一種矽基負極材料，其中該矽基負極材料是以如請求項1-3中任一項所述的鋰離子電池矽基負極材料的預鋰化方法製備而成。
一種鋰離子電池的負極，包括如請求項4所述的預鋰化矽基負極材料。
一種鋰離子電池，包括如請求項5所述的負極。
一種導電漿料組合物，基於該導電漿料組合物的重量百分比計，該導電漿料組合物包含0.5wt%-4wt%的玻璃料、80wt%-92wt%的導電組分、7wt%-16wt%的有機介質；<br/> 該玻璃料包含氧化物，基於該氧化物的摩爾百分比計，該玻璃料包含20mol%-50mol%的B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>；該玻璃料還包含：15mol%-50mol%的PbO；或者，15mol%-50mol%的Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>；或者，15mol%-50mol%的PbO和Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>二者的混合物；<br/> 其中，PbO和Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的陽離子含量之和與B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的陽離子含量的比例為0.30-1.25。
如請求項1之導電漿料組合物，其中基於該氧化物的摩爾百分比計，該玻璃料還包含第一新增劑，該第一新增劑的含量小於等於18mol%，該第一新增劑選自Li<sub>2</sub>O、Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、ZnO、SiO<sub>2</sub>、SeO<sub>2</sub>和TeO<sub>2</sub>中的任意一種或多種。
如請求項2之導電漿料組合物，其中基於該氧化物的摩爾百分比計，該第一新增劑滿足以下條件中的至少一者：<br/> a）該第一新增劑包含Li<sub>2</sub>O，Li<sub>2</sub>O的含量小於等於15mol%；<br/> b）該第一新增劑包含Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>，Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的含量小於等於10mol%；<br/> c）該第一新增劑包含ZnO，ZnO的含量小於等於18mol%；<br/> d）該第一新增劑包含SiO<sub>2</sub>，SiO<sub>2</sub>的含量小於等於15mol%；<br/> e）該第一新增劑包含SeO<sub>2</sub>，SeO<sub>2</sub>的含量小於等於15mol%；<br/> f）該第一新增劑包含TeO<sub>2</sub>，TeO<sub>2</sub>的含量小於等於15mol%。
如請求項1之導電漿料組合物，其中基於該氧化物的摩爾百分比計，該玻璃料還包含：0~15 mol%的Li<sub>2</sub>O；0~10mol%的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>；0~18mol%的ZnO；0~15mol%的SiO<sub>2</sub>。
如請求項1之導電漿料組合物，其中基於該氧化物的摩爾百分比計，該玻璃料還包含第二新增劑，該第二新增劑的含量小於等於5mol%，該第二新增劑選自AgO<sub>2</sub>、Ag<sub>2</sub>O、AgO、Na<sub>2</sub>O、K<sub>2</sub>O、MgO、CaO和BaO中的任意一種或多種。
如請求項1之導電漿料組合物，其中基於該組合物的重量百分比計，該導電漿料組合物還包含小於等於1wt%的填料；該填料包含鋁粉、矽粉和鋁矽合金粉中的至少一種。
如請求項6之導電漿料組合物，其中該填料在該導電漿料組合物中的重量百分含量大於0且小於等於1wt%。
如請求項6之導電漿料組合物，其中該填料的D<sub>v</sub>50為1-4μm，D<sub>v</sub>50為該填料累計體積百分數達到50%時所對應的粒徑。
如請求項1之導電漿料組合物，其中該導電組分選自銀單質、銀合金、氧化銀和銀鹽中的任意一種或幾種的混合物。
如請求項1之導電漿料組合物，其中用於在太陽能電池中形成有第一導電結構（20），該太陽能電池包含襯底（101）和至少位於該襯底（101）一側面的鈍化層（103）；在燒結該太陽能電池時，該導電漿料組合物能夠穿透該鈍化層（103），以形成該第一導電結構（20）。
如請求項10之導電漿料組合物，其中該襯底（101）包含n型摻雜半導體襯底。
一種太陽能電池的製備方法，包含以下步驟：<br/> 提供基材（10），該基材（10）包含襯底（101）、p型摻雜層（102）、和鈍化層（103），該p型摻雜層（102）位於該襯底（101）和該鈍化層（103）之間；<br/> 將如請求項1-11中任一項的導電漿料組合物覆設於該鈍化層（103）上；<br/> 燒結覆設有該導電漿料組合物的基材（10），使該導電漿料組合物在燒結過程中刻蝕該鈍化層（103）以形成第一導電結構（20）；<br/> 對該基材（10）進行鐳射增強接觸最佳化，得到該太陽能電池。
如請求項12之太陽能電池的製備方法，其中將該導電漿料組合物覆設於該鈍化層（103）上，包含：<br/> 該導電漿料組合物以圖案化的形式施加到該鈍化層（103）的至少部分表面上。
如請求項12之太陽能電池的製備方法，其中對該基材（10）進行鐳射增強接觸最佳化的步驟，包含：<br/> 對該基材（10）施加反向電壓，並同時對該基材（10）進行鐳射掃描，以在第一導電結構（20）內形成感應電流。
如請求項14之太陽能電池的製備方法，其中該製備方法滿足以下條件中至少一者：<br/> g）該太陽能電池具有擊穿電壓，該反向電壓小於該擊穿電壓；<br/> h）該鐳射掃描的時間為1ms~100ms；<br/> i）該感應電流為100 A~1000 A。
一種太陽能電池，其中該太陽能電池包含如請求項1-11中任一項的導電漿料組合物製成的第一導電結構（20）。
一種太陽能電池，其中該太陽能電池採用如請求項12-15中任一項的製備方法製得。
如請求項16之太陽能電池，其中該太陽能電池為含有隧穿氧化層鈍化接觸結構的太陽能電池。
一種充電站系統，包括： <br/>複數換電站機櫃，透過一共同母線相互連接，各該換電站機櫃包括： <br/> 一交流對直流轉換器，接收一三相交流電源，且轉換該三相交流電源為一直流母線電壓，其中該直流母線電壓建立在一直流母線上； <br/>複數充放電直流轉換器，分別接收該直流母線電壓，且轉換該直流母線電壓為複數直流電壓； <br/>複數電池，對應地連接該等充放電直流轉換器，且接收該等直流電壓； <br/>一第一輔助直流轉換器，接收該直流母線電壓，且轉換該直流母線電壓為一第一狀態電壓；以及 <br/>一主板，接收該第一狀態電壓與一第二狀態電壓以提供一輔助電力，並使該輔助電力的電壓介於一上限電壓與一下限電壓之間，該第二狀態電壓由該等電池的至少其中之一所提供，其中該第一狀態電壓大於該第二狀態電壓；當該三相交流電源致能時，該主板輸出該第一狀態電壓作為該輔助電力，以維持該等電池的一不斷電操作；其中當該三相交流電源禁能時，該主板輸出該第二狀態電壓作為該輔助電力，以維持該等電池的該不斷電操作；其中該不斷電操作不包括對該等電池進行充電之供電； <br/>其中該第一狀態電壓與該第二狀態電壓兩者切換時為無時間差的電壓切換；以及 <br/>一交流放電機櫃，透過該共同母線連接該等換電站機櫃，該交流放電機櫃包括： <br/>一第二直流母線，提供一直流母線電壓； <br/>一第三輔助直流轉換器，接收該直流母線電壓，且轉換該直流母線電壓為一工作電壓； <br/>一第二主板，接收該工作電壓；以及 <br/>一直流對交流轉換器，接收該直流母線電壓，且轉換該直流母線電壓為一交流轉換電壓； <br/>其中各該換電站機櫃更包括一連接開關，連接該直流母線與該第二直流母線之間；當該連接開關導通，使得該直流母線電壓經由該連接開關提供至該第二直流母線，該交流轉換電壓作為該交流放電機櫃的一輸出電壓；當該連接開關關斷，使得該直流母線電壓無法經由該連接開關提供至該第二直流母線，一單相交流電源作為該交流放電機櫃的該輸出電壓。
如請求項1所述之充電站系統，其中該等換電站機櫃的其中一者供電至該交流放電機櫃，且該等換電站機櫃對該交流放電機櫃的供電過程為無時間差之切換。
如請求項2所述之充電站系統，其中該等換電站機櫃之輸出電壓最高的一者，用以對該交流放電機櫃供電。
如請求項1所述之充電站系統，更包括： <br/>一人機介面，設置於該等換電站機櫃之其中一者的內部，且透過設置有該人機介面的該換電站機櫃與其他換電站機櫃進行通訊。
如請求項1所述之充電站系統，更包括： <br/>一人機介面，獨立地設置於該等換電站機櫃的外部，且透過一控制母線分別地連接該等換電站機櫃進行通訊。
如請求項1所述之充電站系統，其中該主板提供一連接控制信號，以控制該連接開關的導通與關斷。
如請求項1所述之充電站系統，其中當該三相交流電源禁能時，該主板輸出該第二狀態電壓至該等電池，以維持該等電池不斷電操作所需之電力；其中當該三相交流電源致能時，該主板輸出該第一狀態電壓至該等電池，以維持該等電池不斷電操作所需之電力。
如請求項1所述之充電站系統，其中該等電池的任一者可抽換。
如請求項1所述之充電站系統，其中各該換電站機櫃更包括： <br/>一第二輔助直流轉換器，接收該等直流電壓的任一者，且轉換該直流電壓為該第二狀態電壓；以及 <br/>複數二極體，各該二極體具有一陽極與一陰極； <br/>其中該等二極體的該等陽極分別對應連接該等充放電直流轉換器與該等電池之間的複數充放電路徑；該等二極體的該等陰極共接一起，且連接至該第二輔助直流轉換器。
如請求項1所述之充電站系統，其中各該換電站機櫃更包括： <br/>複數二極體，各該二極體具有一陽極與一陰極； <br/>其中該等二極體的該等陽極分別對應連接該等充放電直流轉換器與該等電池之間的複數充放電路徑；該等二極體的該等陰極共接一起，且連接至該第一輔助直流轉換器； <br/>其中該第一輔助直流轉換器進一步接收該等直流電壓的任一者，且轉換該直流電壓為該第二狀態電壓。
如請求項1所述之充電站系統，其中各該換電站機櫃更包括： <br/>一不斷電單元，產生該第二狀態電壓； <br/>其中當該三相交流電源禁能時，該不斷電單元輸出該第二狀態電壓，使得該第二狀態電壓從該主板輸出至該等電池； <br/>其中當該三相交流電源致能時，該第一輔助直流轉換器輸出該第一狀態電壓，使得該第一狀態電壓從該主板輸出至該等電池。
如請求項1所述之充電站系統，其該交流放電機櫃更包括： <br/>一輸入開關，接收該第二主板所提供的一控制信號，且透過該控制信號控制該輸入開關的導通與關斷。
如請求項12所述之充電站系統，其中該輸入開關接收該單相交流電源； <br/>其中當該交流轉換電壓可作為該交流放電機櫃的該輸出電壓時，該第二主板透過該控制信號控制該輸入開關關斷； <br/>其中當該交流轉換電壓無法作為該交流放電機櫃的該輸出電壓時，該第二主板透過該控制信號控制該輸入開關導通，使該單相交流電源作為該交流放電機櫃的該輸出電壓。
一種供電管理方法，應用於具有複數換電站機櫃連接一交流放電機櫃所構成的一充電站系統，各該換電站機櫃包括一連接開關，連接各該換電站機櫃的一直流母線與該交流放電機櫃的一第二直流母線之間；各該換電站機櫃接收一交流市電，且包括複數電池；各該換電站機櫃包括一主板，接收一第一狀態電壓與一第二狀態電壓以提供一輔助電力，並使該輔助電力的電壓介於一上限電壓與一下限電壓之間，該第二狀態電壓由該等電池的至少其中之一所提供，其中該第一狀態電壓大於該第二狀態電壓；當該交流市電致能時，該主板輸出該第一狀態電壓作為該輔助電力，以維持該等電池的一不斷電操作；其中當該交流市電禁能時，該主板輸出該第二狀態電壓作為該輔助電力，以維持該等電池的該不斷電操作；其中該不斷電操作不包括對該等電池進行充電之供電；其中，該第一狀態電壓與該第二狀態電壓兩者切換時為無時間差的電壓切換，該供電管理方法包括： <br/>(a)、判斷該交流市電非正常供電時，該等電池無法透過該交流市電供電，操作於一電池斷電閒置模式； <br/>(b)、選擇該等電池的其中一者進行放電，以提供該充電站系統所需之電力； <br/>(c)、判斷可對該交流放電機櫃進行放電且該等電池為可借出狀態時，操作於一放電及借出模式；以及 <br/>(d)、經選擇的該換電站機櫃，對該交流放電機櫃進行供電；其中當該連接開關導通，一三相交流電源轉換後經由該連接開關作為該交流放電機櫃的一輸出電壓；當該連接開關關斷，一單相交流電源作為該交流放電機櫃的該輸出電壓。
如請求項14所述之供電管理方法，其中在該電池斷電閒置模式下，透過一不斷電電源提供該充電站系統所需之電力。
如請求項14所述之供電管理方法，其中在步驟(c)中，若經選擇的該電池非該放電及借出模式，且判斷該交流市電正常供電，以及操作於一正常充電模式時，操作於一電池復電閒置模式。
如請求項16所述之供電管理方法，其中在該電池復電閒置模式下，透過一不斷電電源提供該充電站系統所需之電力。
如請求項17所述之供電管理方法，其中在該電池復電閒置模式之後，該交流市電經轉換後對該等電池充電。
如請求項17所述之供電管理方法，其中判斷該交流市電非正常供電或非操作於該正常充電模式時，執行步驟(b)。
如請求項14所述之供電管理方法，其中在步驟(a)中，若判斷該交流市電正常供電，且操作於一正常充電模式時，該交流市電經轉換後對該等電池充電。
如請求項20所述之供電管理方法，其中若非操作於該正常充電模式時，該交流市電執行削峰填谷。
如請求項14所述之供電管理方法，其中在步驟(d)中，該交流放電機櫃以該單相交流電源進行放電。
一種管理多個企業專網案場狀態的方法，包括：<br/> 獲取企業案場中各設備的告警清單；<br/> 依據該告警清單判斷是否有告警；<br/> 倘若有告警時，對該告警清單中的告警的處理狀態逐一檢視，判斷是否有未被確認的告警；<br/> 倘若有未被確認的告警，判斷該企業案場是否被暫時確認；<br/> 倘若該企業案場被暫時確認，取得該企業案場被該暫時確認的時間，並判斷於該時間後是否有告警發生；以及<br/> 基於各判斷結果，分別獲取對應於各該判斷結果的該企業案場的各案場狀態，其中各該案場狀態為正常、告警全數確認、暫時確認或告警中。
如請求項1所述的方法，其中該基於各該判斷結果，分別獲取對應於各該判斷結果的該企業案場的各該案場狀態的步驟中，更包括：<br/> 倘若沒有告警時，該企業案場的該案場狀態為該正常；<br/> 倘若有告警時，對該告警清單中的告警的處理狀態逐一檢視，判斷是否有未被確認的告警；以及<br/> 倘若沒有未被確認的告警，則該企業案場的該案場狀態為該告警全數確認。
如請求項2所述的方法，其中該方法更包括：<br/> 倘若有未被確認的告警，判斷該企業案場是否被暫時確認。
如請求項3所述的方法，其中該方法更包括：<br/> 倘若該企業案場被暫時確認，判斷該企業案場被暫時確認後是否有告警發生。
如請求項4所述的方法，其中該方法更包括：<br/> 倘若該企業案場被暫時確認後有告警發生，依據該告警清單判斷告警等級，並且依據該告警等級進行告警。
如請求項4所述的方法，其中該方法更包括：<br/> 倘若該企業案場被暫時確認後沒有告警發生，該企業案場的該案場狀態為該暫時確認。
一種電腦可讀儲存介質，其中，該電腦可讀儲存介質用於儲存電腦程式，該電腦程式被執行時，如請求項1-6任一項所述的方法被執行。
一種管接頭的止水構造，將其他管體的插口插入到球墨鑄鐵管(nodular cast iron pipe)的插孔中，並用壓環(pressed ring)將安裝在該插口外表面的橡膠圈推壓在該插孔上來止水，其中，在該橡膠圈和該壓環之間還設有安裝在該插口的外周面上的環狀的橡膠墊圈，該插孔包括有：圓筒狀的第1空間部和從該第1空間部向開口內徑擴大的第2空間部，該橡膠圈包括有：前端部插入到該第1空間部的圓筒狀的圓筒狀部；從該圓筒狀部的另一端部側向與該前端部相反的方向外徑擴大的錐形部；由該圓筒狀部的另一端部的端面及由該錐形部的內側面所構成並容置有該橡膠墊圈的容置部，該圓筒狀部的內徑比該插口的外徑大，該錐形部形成為其壁厚從該另一端部向錐形前端部逐漸變薄，透過該壓環使該橡膠墊圈往該另一端部的該端面及該錐形部的該內側面推壓並使該橡膠墊圈的該前端部與該第1空間部的內表面緊貼並使該錐形部的外側面與第2空間部的內表面緊貼。
如請求項1所述之管接頭的止水構造，其中，該圓筒狀部的該前端部的外徑略大於該第1空間部的內徑，且該錐形部的外徑略大於該第2空間部的內徑。
如請求項2所述之管接頭的止水構造，其中，該錐形前端部設有與該插孔的外緣部卡合的卡合部和從該卡合部向內側凸出的凸出部。
如請求項3所述之管接頭的止水構造，其中，該凸出部的內側面形成為該凸出部的內徑向外側變窄的錐形狀。
如請求項1所述之管接頭的止水構造，其中，該橡膠圈由與該橡膠墊圈相同或比該橡膠墊圈硬的橡膠材料形成。
如請求項5所述之管接頭的止水構造，其中，該橡膠墊圈具有與該錐形部的該內側面相對的正面和與該管體的外周面相對的內周面，在該正面及該內周面上以適當間隔設置有複數個環狀的凸條。
如請求項6所述之管接頭的止水構造，其中，該錐形部的該內側面相對於該圓筒狀部的傾斜角比該錐形部的該外側面相對於該圓筒狀部的傾斜角大。
如請求項1所述之管接頭的止水構造，其中，在該錐形部的該外側面上以適當間隔設置有複數個環狀突起。
如請求項1至8之任一項所述之管接頭的止水構造，其中，該球墨鑄鐵管的該插孔為K形或類似K形的插孔。
一種橡膠圈，係用於將其他管體的插口插入到球墨鑄鐵管的插孔的管接頭的止水結構，其中，該插孔包括有：圓筒狀的第1空間部和從該第1空間部向開口內徑擴大的第2空間部，該橡膠圈包括有：前端部插入到該第1空間部的圓筒狀的圓筒狀部；從該圓筒狀部的另一端部側向與該前端部相反的方向外徑擴大的錐形部；及由該圓筒狀部的另一端部的端面及該錐形部的內側面所構成並容置裝設於前述插口外周面之一環狀的橡膠墊圈的容置部，該圓筒狀部的內徑比該插口的外徑大，該錐形部形成為錐形部的壁厚從該另一端部向前端逐漸變薄。
一種用於安裝棒狀結構體至安裝物件的支架組件，所述安裝物件包括：<br/> 約束槽，凹入地形成於所述安裝物件的表面一側；以及<br/> 安裝槽，凹入地形成於所述安裝物件的表面且與所述約束槽間隔開，所述安裝槽用以安裝所述棒狀結構體；<br/> 所述支架組件包括：<br/> 支架主體，為平板形狀，包含貫通地形成和所述約束槽的位置對應的第一結合孔、以及貫通地形成和所述安裝槽的位置對應且供所述棒狀結構體插入結合的第一安裝孔；以及<br/> 約束部件，插入結合到所述約束槽及所述第一結合孔，以將所述棒狀結構體固定到所述安裝物件， <br/>其中，所述支架組件還包括：<br/> 加固墊板，用以安裝到所述安裝物件與所述支架主體之間，<br/> 其中，所述加固墊板包括貫通地形成和所述約束槽的位置對應的第二結合孔、以及貫通地形成和所述安裝槽的位置對應且供所述棒狀結構體插入結合的第二安裝孔。
根據請求項1所述的支架組件，其中，所述棒狀結構體是纖維感測器。
根據請求項1所述的支架組件，其中，所述安裝物件是原子層沉積閥組件。
根據請求項1所述的支架組件，其中，所述支架主體還包括：<br/> 第一下部主體，連接到所述第一安裝孔的下部。
根據請求項4所述的支架組件，其中，關於所述支架組件，在所述第一安裝孔及所述第一下部主體的內側面形成第一螺紋，<br/> 其中，在所述棒狀結構體的外周面的一部分形成結構與所述第一螺紋對應的第二螺紋，以及<br/> 其中，所述棒狀結構體通過所述第一螺紋和所述第二螺紋以旋轉結合方式被安裝到所述安裝物件。
根據請求項1所述的支架組件，其中，所述支架主體在所述第一結合孔與所述第一安裝孔之間的區域形成凹部。
根據請求項1所述的支架組件，其中，所述约束部件包括：<br/> 螺栓頭，其上面凹入形成「+」字、「ㅡ」字或六角插入槽；以及<br/> 螺栓主體，連接到所述螺栓頭的下部且外周面形成第三螺紋。
根據請求項7所述的支架組件，其中，所述加固墊板還包括貫通地形成在中心區域的容納孔。
根據請求項7所述的支架組件，其中，還包括連接到所述第二結合孔的下部且內周面形成第四螺紋的第二下部主體。
一種閥組件，利用請求項1至9中任一項所述的支架組件而在上部安裝棒狀結構體。
根據請求項10所述的閥組件，其中，<br/> 所述棒狀結構體是纖維感測器，以及 <br/>其中，所述閥組件是原子層沉積閥組件。
一種半導體裝置，其包含： <br/>閘極電極、 <br/>具有多晶結構之氧化物半導體層、 <br/>上述閘極電極與上述氧化物半導體層之間的閘極絕緣層、 <br/>上述氧化物半導體層之上之源極電極、及 <br/>上述氧化物半導體層之上之汲極電極； <br/>上述氧化物半導體層包含： <br/>源極區域，其含有雜質元素，且與上述源極電極電性連接； <br/>汲極區域，其含有上述雜質元素，且與上述汲極電極電性連接； <br/>上述源極區域與上述汲極區域之間的通道區域；及 <br/>第1區域，其包含沿著自上述源極區域朝向上述汲極區域之第1方向延伸之第1緣部，且與上述通道區域相鄰； <br/>上述閘極電極與整個上述第1區域重疊， <br/>上述第1區域具有較上述源極區域及上述汲極區域之各者高之電阻率；且 <br/>40℃下使用包含磷酸作為主成分之蝕刻液對上述氧化物半導體層進行蝕刻時之上述氧化物半導體層之蝕刻速率未達3 nm/min。
如請求項1之半導體裝置，其中上述閘極電極於與上述第1方向交叉之第2方向上延伸， <br/>上述第1方向上之閘極電極之寬度大於上述第1方向上之上述通道區域之寬度。
如請求項1之半導體裝置，其中於俯視下，上述閘極電極包含與上述通道區域重疊之第1部分， <br/>上述第1方向上之上述第1部分之第1寬度與上述第1方向上之上述通道區域之寬度大致相同。
如請求項3之半導體裝置，其中於上述俯視下，上述閘極電極進而包含與上述第1區域重疊之第2部分， <br/>上述第1方向上之上述第2部分之第2寬度大於上述第1寬度。
如請求項3之半導體裝置，其中於上述俯視下，上述閘極電極進而包含與上述第1區域重疊之第2部分， <br/>上述第1方向上之上述第2部分之第2寬度小於上述第1寬度。
如請求項1之半導體裝置，其中上述第1區域之膜厚隨著自上述通道區域朝向上述第1緣部而變小。
如請求項1之半導體裝置，其中上述源極電極經由設置於上述閘極絕緣層之第1接觸孔而與上述源極區域電性連接， <br/>上述汲極電極經由設置於上述閘極絕緣層之第2接觸孔而與上述汲極區域電性連接。
如請求項1之半導體裝置，其中上述氧化物半導體層進而包含第2區域，該第2區域包含與上述第1緣部為相反側之第2緣部，且與上述通道區域相鄰， <br/>上述第2區域具有較上述源極區域及上述汲極區域之各者高之導電率。
如請求項1之半導體裝置，其中上述第1區域不含上述雜質元素。
一種半導體裝置，其包含： <br/>閘極電極，其於第1方向上延伸； <br/>氧化物半導體層，其包含於與上述第1方向交叉之第2方向上延伸之第1緣部及第2緣部，且具有多晶結構； <br/>上述閘極電極與上述氧化物半導體層之間的閘極絕緣層； <br/>上述氧化物半導體層之上之源極電極；及 <br/>上述氧化物半導體層之上之汲極電極； <br/>上述氧化物半導體層包含： <br/>第1區域，其於俯視下與上述閘極電極重疊； <br/>源極區域，其與上述第1區域相鄰，含有雜質元素，且經由第1接觸孔與上述源極電極電性連接； <br/>汲極區域，其與上述第1區域相鄰，含有上述雜質元素，且經由第2接觸孔與上述汲極電極電性連接； <br/>第2區域，其被上述源極區域包圍，包含上述第1緣部之第1部分； <br/>第3區域，其被上述源極區域包圍，包含上述第2緣部之第1部分； <br/>第4區域，其被上述汲極區域包圍，包含上述第1緣部之第2部分；及 <br/>第5區域，其被上述汲極區域包圍，包含上述第2緣部之第2部分； <br/>上述第1區域、上述第2區域、上述第3區域、上述第4區域及上述第5區域之各者具有較上述源極區域及汲極區域之各者高之電阻率，且 <br/>40℃下使用包含磷酸作為主成分之蝕刻液對上述氧化物半導體層進行蝕刻時之上述氧化物半導體層之蝕刻速率未達3 nm/min。
如請求項10之半導體裝置，其中於上述俯視下，上述第2區域、上述第3區域、上述第4區域及上述第5區域之各者與由和上述閘極電極相同之層形成之金屬層重疊。
如請求項10之半導體裝置，其中上述第1區域、上述第2區域、上述第3區域、上述第4區域及上述第5區域之各者不含上述雜質元素。
一種半導體裝置，其包含： <br/>閘極電極，其於第1方向上延伸； <br/>氧化物半導體層，其包含於與上述第1方向交叉之第2方向上延伸之第1緣部及第2緣部，且具有多晶結構； <br/>上述閘極電極與上述氧化物半導體層之間的閘極絕緣層； <br/>上述氧化物半導體層之上之源極電極；及 <br/>上述氧化物半導體層之上之汲極電極； <br/>上述氧化物半導體層包含： <br/>第1區域，其於俯視下與上述閘極電極重疊； <br/>源極區域，其與上述第1區域相鄰，含有雜質元素，且經由第1接觸孔與上述源極電極電性連接；及 <br/>汲極區域，其與上述第1區域相鄰，含有上述雜質元素，且經由第2接觸孔與上述汲極電極電性連接； <br/>上述閘極電極與整個上述第1區域重疊， <br/>上述第1區域具有較上述源極區域及上述汲極區域之各者高之電阻率， <br/>於上述俯視下，自上述第1緣部至上述第1接觸孔之沿著上述第1方向之第1距離大於自上述第1區域至上述第1接觸孔之沿著上述第2方向之第2距離，且 <br/>40℃下使用包含磷酸作為主成分之蝕刻液對上述氧化物半導體層進行蝕刻時之上述氧化物半導體層之蝕刻速率未達3 nm/min。
如請求項13之半導體裝置，其中上述第1區域不含上述雜質元素。
如請求項1至14中任一項之半導體裝置，其中上述蝕刻液包含硝酸及乙酸。
如請求項1至14中任一項之半導體裝置，其中室溫下使用0.5%氫氟酸溶液對上述氧化物半導體層進行蝕刻時之上述氧化物半導體層之蝕刻速率未達5 nm/min。
如請求項1至14中任一項之半導體裝置，其中上述氧化物半導體層係藉由對具有非晶結構之氧化物半導體膜進行熱處理而形成， <br/>上述40℃下使用上述蝕刻液對上述氧化物半導體膜進行蝕刻時之上述氧化物半導體膜之蝕刻速率為100 nm/min以上。
一種電漿工藝方法，用於蝕刻基片，包括： <br/>將所述基片移入反應腔後通入反應氣體，使用源射頻激發電漿後施加偏置射頻進行第一處理階段和第二處理階段，所述第一處理階段將所述基片向下蝕刻至第一深度，所述第二處理階段在所述第一深度基礎上向下蝕刻至第二深度，所述第二深度大於所述第一深度； <br/>所述第一處理階段包含第一蝕刻步驟和第一修飾步驟； <br/>所述第二處理階段包含第二蝕刻步驟和第二修飾步驟； <br/>在第一蝕刻步驟，向所述反應腔施加的源射頻功率和偏置射頻功率之和為第一蝕刻淨功率，在所述第一修飾步驟，向所述反應腔施加的源射頻功率和偏置射頻功率之和為第一修飾淨功率，所述第一蝕刻淨功率小於第一修飾淨功率；以及， <br/>在第二蝕刻步驟，向所述反應腔施加的源射頻功率和偏置射頻功率之和為第二蝕刻淨功率，在所述第二修飾步驟，向所述反應腔施加的源射頻功率和偏置射頻功率之和為第二修飾淨功率，所述第二蝕刻淨功率小於第二修飾淨功率。
如請求項1所述的電漿工藝方法，其中所述第一處理階段的基片溫度小於第二處理階段的基片溫度。
如請求項2所述的電漿工藝方法，其中在蝕刻基片過程中，所述基片溫度小於20℃。
如請求項1所述的電漿工藝方法，其中所述源射頻和/或偏置射頻為脈衝模式。
如請求項4所述的電漿工藝方法，其中所述脈衝模式的工作週期為5%~90%。
如請求項1所述的電漿工藝方法，其中在所述第一處理階段內，所述第一蝕刻步驟和第一修飾步驟交替循環，和/或 <br/>在所述第二處理階段內，所述第二蝕刻步驟和第二修飾步驟交替循環。
如請求項4所述的電漿工藝方法，其中所述第一蝕刻步驟、第一修飾步驟的持續時間範圍為：100ms~100s，和/或所述第二蝕刻步驟、所述第二修飾步驟的持續時間範圍為：100ms~100s。
如請求項1所述的電漿工藝方法，其中所述第一處理階段的持續時間範圍為：10s~1000s，和/或所述第二處理階段的持續時間範圍為：10s~1000s。
如請求項1所述的電漿工藝方法，其中所述源射頻和/或偏置射頻為連續模式，所述第一蝕刻步驟、第一修飾步驟的持續時間範圍為：100ms~100s，和/或所述第二蝕刻步驟、所述第二修飾步驟的持續時間範圍為：100ms~100s。
如請求項1所述的電漿工藝方法，其中所述第一蝕刻步驟和第一修飾步驟所使用的反應氣體相同，和/或第二蝕刻步驟和第二修飾步驟所使用的反應氣體相同。
如請求項10所述的電漿工藝方法，其中所述反應氣體為碳氫氟氣體、氧氣、溴化氫、碳醯氟、三氟化氮、氫氣、三氟化磷中的一種或多種。
如請求項1所述的電漿工藝方法，其中所述基片包括氧化矽和氮化矽的交疊層；或氧化矽和多晶矽的交疊層；或氧化矽層。
如請求項12所述的電漿工藝方法，其中所述工藝方法在所述基片上形成深寬比大於40的孔。
如請求項1所述的電漿工藝方法，其中所述第一蝕刻步驟的縱向蝕刻速率大於所述第一修飾步驟的縱向蝕刻速率；第二蝕刻步驟的縱向蝕刻速率大於所述第二修飾步驟的縱向蝕刻速率；第一蝕刻步驟的橫向蝕刻速率小於第一修飾步驟的橫向蝕刻速率；第二蝕刻步驟的橫向蝕刻速率小於第二修飾步驟的橫向蝕刻速率。
如請求項1所述的電漿工藝方法，其中所述第二蝕刻步驟的淨功率大於所述第一蝕刻步驟的淨功率，所述第二修飾步驟的淨功率大於所述第一修飾步驟的淨功率。
如請求項1所述的電漿工藝方法，其中所述第二修飾步驟的持續時間大於第一修飾步驟的持續時間。
如請求項1所述的電漿工藝方法，其中所述第一蝕刻步驟和第二蝕刻步驟的淨功率範圍為3000W-8000W；所述第一修飾步驟和第二修飾步驟的淨功率範圍為8000W-14000W。
一種電漿工藝方法，用於處理基片，包括： <br/>將所述基片移入反應腔的基座上，然後通入反應氣體，使用源射頻激發電漿後施加偏置射頻，並循環進行蝕刻步驟和修飾步驟； <br/>在蝕刻步驟，向所述反應腔施加的源射頻功率和偏置射頻功率之和為蝕刻淨功率，在所述修飾步驟，向所述反應腔施加的源射頻功率和偏置射頻功率之和為修飾淨功率，所述蝕刻淨功率小於修飾淨功率。
如請求項18所述的工藝方法，其中在所述蝕刻步驟和修飾步驟至少循環進行一次後，提高所述基片的溫度後繼續循環進行所述蝕刻步驟和修飾步驟。
如請求項18所述的工藝方法，其中所述蝕刻步驟的持續時間範圍為：100ms~100s，和/或所述修飾步驟的持續時間範圍為：100ms~100s。
如請求項19所述的工藝方法，其中循環進行的時間範圍為10s~1000s後提高所述基座的溫度後繼續循環進行所述蝕刻步驟和修飾步驟。
如請求項19所述的工藝方法，其中在基片處理過程中，所述基座的溫度小於-30℃。
如請求項19所述的工藝方法，其中所述基座的溫度被提高的範圍為：1℃~40℃。
一種電漿處理設備，包括： <br/>反應腔體，其內部形成一反應空間用於執行電漿處理； <br/>進氣結構，其連接有多個氣源，用於向所述反應空間通入反應氣體； <br/>射頻源，包括源射頻和偏置射頻； <br/>基座，其位於所述反應腔體的內部，所述基座上表面用於承載基片； <br/>控制器，用於控制所述處理設備執行如請求項1至23任一項所述的工藝方法。
如請求項24所述的電漿處理設備，其中所述基座設置有溫度調節器，其調節範圍為-80℃~30℃。
一種加熱燈安裝結構，包括：<br/> 安裝底板，所述安裝底板接地；<br/> 燈座，用於安裝加熱燈；所述加熱燈通過所述燈座與電源電連接；<br/> 所述加熱燈安裝結構還包括：<br/> 絕緣塊，所述燈座通過所述絕緣塊固定安裝於所述安裝底板上；所述絕緣塊使所述燈座與所述安裝底板之間間隔第一距離，以避免所述燈座與所述安裝底板之間產生電弧放電；所述絕緣塊採用導熱絕緣材料製備。
如請求項1所述的加熱燈安裝結構，其中，所述安裝底板固定在低氣壓腔中。
如請求項1所述的加熱燈安裝結構，其中，所述絕緣塊通過緊固件與所述安裝底板固定連接。
如請求項3所述的加熱燈安裝結構，其中，所述緊固件的長度小於所述絕緣塊的厚度，以使所述緊固件的上表面與所述燈座的下表面之間形成一間隙；且所述間隙的深度具有第二距離，以避免所述緊固件與所述燈座之間的電弧放電。
如請求項4所述的加熱燈安裝結構，其中，所述第二距離不小於5mm。
如請求項4所述的加熱燈安裝結構，其中，所述間隙內填充有絕緣塞。
如請求項6所述的加熱燈安裝結構，其中，所述絕緣塞採用導熱絕緣材料製備。
如請求項3所述的加熱燈安裝結構，其中，所述緊固件採用導熱絕緣材料製備。
如請求項1所述的加熱燈安裝結構，其中，所述燈座通過接線柱與所述電源電連接，且所述接線柱的表面設有絕緣層。
如請求項9所述的加熱燈安裝結構，其中，所述絕緣層採用導熱絕緣材料製備。
一種加熱燈組件，其中，包括如請求項1至10中任意一項所述的加熱燈安裝結構；以及加熱燈，所述加熱燈包括燈本體和與所述燈本體連接的插頭；所述插頭與所述燈座插拔電連接。
一種半導體處理設備，包括：<br/> 反應腔；<br/> 低氣壓腔，位於所述反應腔的上方和/或下方；以及<br/> 如請求項11所述的加熱燈組件，所述加熱燈組件設置於所述低氣壓腔內，用於對所述反應腔內的晶圓進行輻射加熱。
如請求項12所述的半導體處理設備，其中，所述加熱燈組件的數量為多個，且多個所述加熱燈組件沿所述晶圓的周向間隔設置。
一種不適合檢測裝置，其特徵在於具有： <br/>學習模型，其用於將圖像輸入或輸出，及進行圖像轉換； <br/>不適合檢測部，其檢測上述學習模型是否不適合； <br/>不適合報告部，其報告檢測出之不適合；及 <br/>記憶部，其將上述學習模型之學習階段使用之學習用圖像之評估值之分佈作為模型適合區域，與上述學習模型建立對應而記憶；且 <br/>上述不適合檢測部於上述模型適合區域之範圍內無上述圖像之評估值時，判定上述學習模型為不適合。
如請求項1之不適合檢測裝置，其中 <br/>上述不適合檢測裝置進而具有使用模型變更部；且 <br/>上述使用模型變更部於上述不適合檢測部檢測出不適合之情形時，自上述記憶部搜索與適合上述圖像之評估值之上述模型適合區域對應之另外之上述學習模型，將另外之上述學習模型用於上述圖像之轉換處理。
如請求項1之不適合檢測裝置，其中 <br/>上述不適合檢測裝置進而具有既存模型再學習部；且 <br/>上述既存模型再學習部於上述不適合檢測部檢測出不適合之情形時，藉由對成為該不適合之上述學習模型，基於追加之上述學習用圖像進行再學習，而擴展上述學習模型之上述模型適合區域。
如請求項3之不適合檢測裝置，其中 <br/>上述不適合檢測裝置進而具有對策方法提示部、與再學習資料輸入部；且 <br/>上述對策方法提示部提示包含追加之上述學習用圖像之攝影方法之不適合之對策方法； <br/>上述再學習資料輸入部受理以提示之攝影方法拍攝之追加之上述學習用圖像之輸入。
如請求項3之不適合檢測裝置，其中 <br/>上述不適合檢測裝置進而具有再學習資料收集部；且 <br/>上述再學習資料收集部藉由依照事先設定之動作順序使攝像裝置動作，而受理拍攝之追加之上述學習用圖像之輸入。
如請求項1之不適合檢測裝置，其中 <br/>上述圖像係於半導體晶圓所形成之電路圖案之圖像， <br/>上述圖像之評估值係自上述圖像求出之上述電路圖案之偏移量或像差或雜訊去除量<u>等與觀察物或攝影條件相關之量化指標</u>。
一種不適合檢測方法，其特徵在於： <br/>不適合檢測裝置具有： <br/>學習模型，其用於將圖像輸入或輸出，及進行圖像轉換； <br/>不適合檢測部，其檢測上述學習模型是否不適合； <br/>不適合報告部，其報告檢測出之不適合；及 <br/>記憶部，其將上述學習模型之學習階段使用之學習用圖像之評估值之分佈作為模型適合區域，與上述學習模型建立對應而記憶；且 <br/>上述不適合檢測部於上述模型適合區域之範圍內無上述圖像之評估值時，判定上述學習模型為不適合。
一種智能數據分析系統，係於一伺服器內運行，用以對一使用者提供之一待分析數據提供一視覺化分析結果，其中該視覺化分析結果包含一數據探索結果、一圖表以及一表格，該智能數據分析系統包含： <br/>一數據源管理模組，包含 <br/>一數據字典，用以儲存複數個元數據(metadata)； <br/>一知識領域字典，用以儲存一知識領域(knowledge domain)之複數個專業術語定義；以及 <br/>一數據源模組，用以接受該知識領域之一外部數據，其中該外部數據包含一結構化數據及一非結構化數據； <br/>一數據處理分析模組，與該數據源管理模組通訊連接，包含 <br/>一數據處理通道，與該數據源模組通訊連接，用以處理該外部數據並將該外部數據轉換成一標準化數據； <br/>一儲存單元，用以儲存一共同數據模型(common data model，CDM)，其中該共同數據模型係藉由該標準化數據、該複數個元數據以及該複數個專業術語定義建構之；以及 <br/>一虛擬資料訪問層，與該儲存單元通訊連接；以及 <br/>一使用者互動模組，與該虛擬資料訪問層通訊連接，包含 <br/>一探索式資料分析(Exploratory data analysis，EDA)模組，用以探索該待分析數據以提供該數據探索結果； <br/>一對話式圖表生成模組，用以依據來自該使用者之一對話式指令及該待分析數據，通過該虛擬資料訪問層取得該儲存單元內的該共同數據模型，以產生該圖表； <br/>一對話式結構化查詢語言(structured query language，SQL)生成模組，用以依據來自該使用者之該對話式指令以及該待分析數據，通過該虛擬資料訪問層取得該儲存單元內的該共同數據模型，以產生該表格，其中該表格係透過一SQL語言產生 ；以及 <br/>一筆記管理模組，與該探索式資料分析模組、該對話式圖表生成模組以及該對話式結構化查詢語言生成模組通訊連接，用以記錄該使用者使用該對話式圖表生成模組、該對話式結構化查詢語言生成模組或該探索式資料分析模組的歷程。
如請求項1所述之智能數據分析系統，更包含： <br/>一身分和訪問管理模組，與該數據處理分析模組以及該使用者互動模組通訊連接，用以控制該使用者對該數據處理分析模組及該使用者互動模組之一權限； <br/>一數據加密模組，與該數據處理分析模組以及該使用者互動模組通訊連接，用以對該使用者提供之該待分析數據進行加密；以及 <br/>一使用者驗證模組，與該數據處理分析模組以及該使用者互動模組通訊連接，用以對該使用者提供一身分驗證。
如請求項1所述之智能數據分析系統，更包含一檢索增強生成(retrieval-augmented generation，RAG)模組，與該數據處理分析模組通訊連接，用以依據該共同數據模型以及該非結構化數據生成一參考文本。
如請求項3所述之智能數據分析系統，更包含一向量模組，與該數據源管理模組、該數據處理分析模組以及該使用者互動模組通訊連接，包含 <br/>一文本向量化模組，用以將該外部數據、該對話式指令、各該複數個元數據、各該複數個專業術語定義或其組合分別映射為一向量；以及 <br/>一向量相似度模組，用以計算各該向量之間的一相似度。
如請求項4所述之智能數據分析系統，其中該向量模組更包含一向量資料庫，其中該向量資料庫係透過該文本向量化模組以及該向量相似度模組依據該向量及該相似度建構之。
如請求項5所述之智能數據分析系統，更包含一模型訓練模組，與該探索式資料分析模組通訊連接，用以通過該虛擬資料訪問層取得該儲存單元內的該共同數據模型，以產生對應該待分析數據及/或該外部數據的一模型。
如請求項6所述之智能數據分析系統，更包含一模型評估與再訓練模組，與該模型訓練模組通訊連接，用以評估並分析該模型的一異常結果，以及基於該異常結果進行再訓練。
如請求項1所述之智能數據分析系統，其中該知識領域為一醫學領域或一金融領域。
如請求項8所述之智能數據分析系統，其中當該知識領域為該醫學領域，該結構化數據為一標準化醫療保健資料。
如請求項9所述之智能數據分析系統，其中該標準化醫療保健資料包含一健康協定第七層(Health level 7，HL7)、一快捷式醫療照護互通操作資源（Fast Healthcare Interoperability Resources, FHIR）、一醫療數位影像傳輸協定(Digital Imaging and Communications in Medicine，DICOM)、一國際疾病分類(International Classification of Diseases，ICD)、一當前手術術語(Current procedural terminology，CPT)以及一邏輯觀測識別符命名與系統(Logical observation identifiers names and codes，LOINC)。
如請求項1所述之智能數據分析系統，其中該對話式圖表生成模組以及該對話式結構化查詢語言生成模組更可依據該對話式指令，從一使用者資料庫內儲存的一使用者數據集取得一更新圖表及/或一更新表格。
如請求項11所述之智能數據分析系統，其中該數據處理通道更用以處理該待分析數據並將該待分析數據轉換成一新增標準化數據，從而更新該共同數據模型。
一種API閘道器之動作方法，其包括如下步驟： <br/>剖析包含一時間戳記、實例及一組態檔案資訊之一訊息； <br/>識別與一執行中應用程式相關之資訊； <br/>確認上述訊息中之上述實例是否與上述應用程式相關之IP地址資訊匹配； <br/>當上述實例與上述IP地址資訊匹配時，基於上述時間戳記確認上述組態檔案是否為一最新檔案； <br/>基於上述時間戳記當上述組態檔案為一最新檔案時，基於來自經剖析之上述訊息中之上述組態檔案資訊識別路由組態； <br/>按照至少一個路由來剖析上述路由組態； <br/>透過上述至少一個路由比較儲存於儲存庫中之資訊之間的差異； <br/>基於上述差異來更新上述儲存庫； <br/>於複數個述詞中識別與從一客戶終端接收到之一請求匹配之一述詞； <br/>基於上述儲存庫中之經匹配之上述述詞來識別與上述請求相對應之一目標路由； <br/>基於在上述儲存庫中識別之上述目標路由，基於至少一Pre-type過濾器在傳輸至一目標伺服器前過濾上述請求； <br/>識別與上述請求對應之相關資訊，其來自於上述目標伺服器；及 <br/>基於至少一Post Type過濾器來過濾包含上述相關資訊之一響應。
如請求項1之API閘道器之動作方法，其中上述Pre-type過濾器包括一流量控制過濾器，其經組態以確認上述目標路由是否對應於上述儲存庫中管理之一路由，並控制對應於上述請求之流量。
如請求項2之API閘道器之動作方法，其中上述Pre-type過濾器包括一認證過濾器，其經組態以根據一預設方法基於一訪問符記之有效性來識別一認證狀態。
如請求項3之API閘道器之動作方法，其中上述Pre-type過濾器包括一限速過濾器，其經組態以藉由使用根據上述客戶終端上的登錄資訊而不同之識別資訊來識別一實際用戶，從而識別是否超出速率限制。
如請求項4之API閘道器之動作方法，其中上述Pre-type過濾器包括一黑名單過濾器，其經組態以藉由將根據登錄資訊而不同之上述識別資訊與預設之資訊進行比較，來識別一黑名單中之一用戶。
如請求項5之API閘道器之動作方法，其中上述Pre-type過濾器包括一斷路過濾器，其經組態以根據與上述目標路由相關之失敗發生次數是否超過基準值來識別一電路是否被阻斷。
如請求項1之API閘道器之動作方法，其中，於上述時間戳記、上述實例及上述組態檔案中存在變更資訊之情形時，實時接收上述訊息。
一種非暫態之電腦可讀記錄媒體，其具有用於於電腦上執行請求項1之方法的程式。
一種API閘道器，其包括: <br/>通訊部； <br/>記憶體；及 <br/>處理器，其經組態以指示以下步驟： <br/>剖析包含一時間戳記、實例及一組態檔案資訊之一訊息； <br/>識別與一執行中應用程式相關之資訊； <br/>確認上述訊息中之上述實例是否與上述應用程式相關之IP地址資訊匹配； <br/>當上述實例與上述IP地址資訊匹配時，基於上述時間戳記確認上述組態檔案是否為一最新檔案； <br/>基於上述時間戳記當上述組態檔案為一最新檔案時，基於來自經剖析之上述訊息中之上述組態檔案資訊識別路由組態； <br/>按照至少一個路由來剖析上述路由組態； <br/>透過上述至少一個路由比較儲存於儲存庫中之資訊之間的差異； <br/>基於上述差異來更新上述儲存庫； <br/>於複數個述詞中識別與從一客戶終端接收到之一請求匹配之一述詞； <br/>基於上述儲存庫中之經匹配之上述述詞來識別與上述請求相對應之一目標路由； <br/>基於在上述儲存庫中識別之上述目標路由，基於至少一Pre-type過濾器在傳輸至一目標伺服器前過濾上述請求； <br/>識別與上述請求對應之相關資訊，其來自於上述目標伺服器；及 <br/>基於至少一Post Type過濾器來過濾包含上述相關資訊之一響應。
一種區塊鏈錢包的管理方法，該方法包含：<br/>透過一裝置接收一電信資訊； <br/>針對該電信資訊以一預設電信資訊進行一電信特徵驗證； <br/>當該電信特徵驗證通過，透過該裝置接收一還原密碼； <br/>當該還原密碼相同於一預設還原密碼，允許該裝置登入一區塊鏈錢包； <br/>當該電信特徵驗證失敗或該還原密碼不同於該預設還原密碼，使該裝置無法利用該區塊鏈錢包進行交易申請；以及<br/>當該裝置登入該區塊鏈錢包之後，透過該裝置接收一裝置資訊，並自動將該區塊鏈錢包的一預設裝置資訊更新為該裝置資訊，使該區塊鏈錢包綁定該裝置。
如請求項1所述之管理方法，該方法進一步包含： <br/>當該裝置登入該區塊鏈錢包，將該區塊鏈錢包的一私鑰或該私鑰的分片儲存於該裝置。
如請求項1所述之管理方法，其中該電信特徵驗證包含國際移動使用者辨識碼（IMSI）的驗證、網際網路協定（IP）位址反查及使用者身份模組（SIM卡）內資訊驗證的至少一者。
如請求項1所述之管理方法，其中該方法進一步包含：<br/>進行該電信特徵驗證前，透過該裝置接收一登入密碼以及該裝置資訊； <br/>當該登入密碼相同於該區塊鏈錢包的一預設密碼且該裝置資訊相同於該區塊鏈錢包的該預設裝置資訊，直接允許該裝置登入該區塊鏈錢包；以及 <br/>當該登入密碼不同於該預設密碼或該裝置資訊不同於該預設裝置資訊，進行該電信特徵驗證。
如請求項1所述之管理方法，該方法進一步包含：<br/>該電信特徵驗證通過後，透過該裝置接收一登入密碼； <br/>當該登入密碼相同於該區塊鏈錢包的一預設密碼，允許該裝置登入該區塊鏈錢包;以及 <br/>當該登入密碼不同於該預設密碼，使該裝置無法利用該區塊鏈錢包進行交易申請。
如請求項1所述之管理方法，該方法進一步包含：<br/>當該還原密碼不同於該預設還原密碼，透過該裝置接收一另一還原密碼； <br/>當該另一還原密碼相同於該預設還原密碼，允許該裝置登入該區塊鏈錢包；以及 <br/>當該另一還原密碼不同於該預設還原密碼，使該裝置無法利用該區塊鏈錢包進行交易申請。
如請求項1所述之管理方法，該方法進一步包含：<br/>當該電信特徵驗證失敗，透過該裝置接收一另一電信資訊；以及 <br/>針對該另一電信資訊以該預設電信資訊進行該電信特徵驗證。
如請求項1所述之管理方法，該方法進一步包含：<br/>生成該區塊鏈錢包，設定該區塊鏈錢包的該預設裝置資訊、一預設密碼、該預設電信資訊以及一使用者身份資訊。
如請求項8所述之管理方法，該方法進一步包含：<br/>該裝置無法利用該區塊鏈錢包進行交易申請後，利用該使用者身份資訊進行一身份核對；以及 <br/>當該身份核對通過，於該裝置上還原該區塊鏈錢包的一私鑰，並不使該裝置無法利用該區塊鏈錢包進行交易申請。
一種由以下式(I)所表示之化合物或其鹽：<br/> L1-L2-L3-L4-L5 (I)<br/> 其中L1及L5係各自獨立地為一由以下式(II)所表示之基團，<br/><img align="absmiddle" height="179px" width="181px" file="ed10028.jpg" alt="ed10028.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(II)，<br/> L2係一C<sub>1-12</sub>直鏈烷基，其係經一羥基基團取代或未經取代，其中當L2係一經一羥基基團取代之C<sub>1-12</sub>直鏈烷基時，式(I)不包括L1，<br/> L4係一C<sub>1-12</sub>直鏈烷基，<br/> L3具有一二氮雜雙環結構，<br/> n係一0或1之整數，<br/> X及Y係各自獨立地為-Rx’-C(=O)-O-、-Rx’-C(=O)-、-Rx’-NHC(=O)-、-C(=O)NH-Rx’-、-Rx’-O-，或者-Rx’-NH-，<br/> 其中Rx’係直鏈C<sub>1-25</sub>烷基，或者支鏈C<sub>3-25</sub>烷基，<br/> R<sub>1</sub>及R<sub>2</sub>係各自獨立地為直鏈C<sub>1-30</sub>烷基或支鏈C<sub>3-50</sub>烷基，係彼此相同或不同，<br/> R<sub>3</sub>及R<sub>4</sub>係各自獨立地為直鏈C<sub>1-30</sub>烷基、直鏈C<sub>1-30</sub>伸烷基、支鏈C<sub>3-50</sub>烷基或C<sub>4-40</sub>烷氧基，係彼此相同或不同，以及該直鏈C<sub>1-30</sub>烷基、直鏈C<sub>1-30</sub>伸烷基、支鏈C<sub>3-50</sub>烷基或C<sub>4-40</sub>烷氧基係經選自於由C<sub>1-12</sub>烷基、Rx’’-C(=O)-O-、Rx’’-O-C(=O)-及胺所構成之群組中的至少一者取代或未經取代，<br/> Rx’’係氫、直鏈C<sub>1-25</sub>烷基、支鏈C<sub>3-25</sub>烷基、3至6員飽和或不飽和碳環基、3至6員飽和或不飽和碳環烷基、3至6員飽和或不飽和雜環基，或者3至6員飽和或不飽和雜環烷基，<br/> 該波浪線代表一結合位置，<br/> 該雜環胺係一包括一或多個選自於N、S及O之雜原子的環狀胺基團，<br/> 該碳環基係一由碳及氫原子所構成之環狀基團，<br/> 該雜環基係一包括一或多個選自於N、S及O之雜原子的環狀基團，<br/> 該碳環烷基係一碳環基直鏈C<sub>1-6</sub>烷基基團或碳環基支鏈C<sub>3-6</sub>烷基基團，以及<br/> 該雜環烷基係一雜環基直鏈C<sub>1-6</sub>烷基基團或雜環基支鏈C<sub>3-6</sub>烷基基團。
如請求項1之化合物或其鹽，其中L2係直鏈C<sub>1-6</sub>烷基或經一羥基基團取代之直鏈C<sub>1-6</sub>烷基，以及其中L4係直鏈C<sub>1-6</sub>烷基。
如請求項1之化合物或其鹽，其中X及Y係各自獨立地為Rx’-C(=O)-O-、-Rx’-C(=O)-、-Rx’-NHC(=O)-、-C(=O)NH-Rx’-、-Rx’-O-，或者-Rx’-NH-，以及其中Rx’係直鏈C<sub>1-25</sub>烷基。
如請求項1之化合物或其鹽，其中R<sub>1</sub>及R<sub>2</sub>係各自獨立地為直鏈C<sub>1-30</sub>烷基，以及R<sub>1</sub>及R<sub>2</sub>係彼此相同或不同。
如請求項1之化合物或其鹽，其中R<sub>1</sub>及R<sub>2</sub>係各自獨立地為直鏈C<sub>1-12</sub>烷基。
如請求項1之化合物或其鹽，其中R<sub>3</sub>及R<sub>4</sub>係各自獨立地為直鏈C<sub>1-20</sub>烷基、直鏈C<sub>1-20</sub>伸烷基、或支鏈C<sub>3-40</sub>烷基，或者C<sub>4-30</sub>烷氧基，以及R<sub>3</sub>及R<sub>4</sub>係彼此相同或不同。
如請求項1之化合物或其鹽，其中<br/> L2係C<sub>1-4</sub>直鏈烷基或經一羥基基團取代之C<sub>1-4</sub>直鏈烷基，<br/> L3具有一二氮雜雙環結構，<br/> L4係直鏈C<sub>1-6</sub>烷基，<br/> X及Y係各自獨立地為Rx’-C(=O)-O-、-Rx’-C(=O)-、-Rx’-NHC(=O)-、-C(=O)NH-Rx’-、-Rx’-O-，或者-Rx’-NH-，<br/> Rx’係直鏈C<sub>1-12</sub>烷基，<br/> R<sub>1</sub>及R<sub>2</sub>係各自獨立地為直鏈C<sub>2-8</sub>烷基，並且係彼此相同或不同，以及<br/> R<sub>3</sub>及R<sub>4</sub>係各自獨立地為直鏈C<sub>1-20</sub>烷基、直鏈C<sub>1-20</sub>伸烷基、或支鏈C<sub>3-40</sub>烷基，或者C<sub>4-30</sub>烷氧基，並且係彼此相同或不同，以及該直鏈C<sub>1-20</sub>烷基、直鏈C<sub>1-20</sub>伸烷基、及支鏈C<sub>3-40</sub>烷基，或者C<sub>4-30</sub>烷氧基係未經取代或經選自於由C<sub>1-12</sub>烷基、Rx’’-C(=O)-O-、Rx’’-O-C(=O)-及胺所構成之群組中的至少一者取代。
如請求項1之化合物或其鹽，其中L1及L5係各自獨立地為一由以下式(III)所表示之化合物，<br/><img align="absmiddle" height="72px" width="203px" file="ed10029.jpg" alt="ed10029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(III)<br/> 其中R<sub>5</sub>係直鏈C<sub>1-30</sub>烷基，<br/> Z<sub>1</sub>係-(Rx<sup>a</sup>)<sub>k</sub>-O-或(Rx<sup>a</sup>)<sub>k</sub>-NH-，Rx<sup>a</sup>係直鏈C<sub>1-25</sub>烷基，<br/> k係一0或1之整數，<br/> R<sub>6</sub>係直鏈C<sub>1-30</sub>烷基、直鏈C<sub>1-30</sub>伸烷基、支鏈C<sub>3-50</sub>烷基或C<sub>4-40</sub>烷氧基，其中該直鏈C<sub>1-30</sub>烷基、直鏈C<sub>1-30</sub>伸烷基、支鏈C<sub>3-50</sub>烷基或C<sub>4-40</sub>烷氧基係經選自於由C<sub>1-12</sub>烷基、Rx<sup>b</sup>-C(=O)-O-、Rx<sup>b</sup>-O-C(=O)-及胺所構成之群組中的至少一者取代或未經取代，<br/> Rx<sup>b</sup>係氫、直鏈C<sub>1-25</sub>烷基、支鏈C<sub>3-25</sub>烷基、3至6員飽和或不飽和碳環基、3至6員飽和或不飽和碳環烷基、3至6員飽和或不飽和雜環基，或者3至6員飽和或不飽和雜環烷基，<br/> a係一1或2之整數，<br/> 該碳環基係一由碳及氫原子所構成之環狀基團，<br/> 該雜環基係一包括一或多個選自於N、S及O之雜原子的環狀基團，<br/> 該碳環烷基係一碳環基直鏈C<sub>1-6</sub>烷基基團或碳環基支鏈C<sub>3-6</sub>烷基基團，以及<br/> 該雜環烷基係雜環基直鏈C<sub>1-6</sub>烷基基團或雜環基支鏈C<sub>3-6</sub>烷基。
如請求項1之化合物或其鹽，其中該化合物係一由以下式(IV)所表示之化合物：<br/><img align="absmiddle" height="149px" width="344px" file="ed10030.jpg" alt="ed10030.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(IV)<br/> L1、L2、X、Y、R<sub>3</sub>及R<sub>4</sub>的定義係與在請求項1中所述之L1、L2、X、Y、R<sub>3</sub>及R<sub>4</sub>的定義相同，<br/> n<sub>1</sub>及n<sub>2</sub>係各自為一0至12之整數，以及<br/> n<sub>3</sub>係一0或1之整數。
如請求項1之化合物或其鹽，其中該化合物之特徵在於係選自於由以下所構成之群組：<br/> (1) ((3,3’,3’’,3’’’-(((2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2,5-二基)雙(丙烷-3,1-二基))雙(氮烷三基))肆(丙醯基))肆(氧基))肆(丁烷-4,1-二基)四壬酸酯；<br/> (2) 肆(2-乙基己基)3,3’,3’’,3’’’-(((2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2,5-二基)雙(丙烷-3,1-二基))雙(氮烷三基))四丙酸酯；<br/> (3) 肆(4-(2-環己基乙醯氧基)丁基)3,3’,3’’,3’’’-(((2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2,5-二基)雙(丙烷-3,1-二基))雙(氮烷三基))四丙酸酯；<br/> (4) ((3,3’,3’’,3’’’-(((2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2,5-二基)雙(丙烷-3,1-二基))雙(氮烷三基))肆(丙醯基))肆(氧基))肆(丁烷-4,1-二基)四庚酸酯；<br/> (5) ((3,3’,3’’,3’’’-(((2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2,5-二基)雙(丙烷-3,1-二基))雙(氮烷三基))肆(丙醯基))肆(氧基))肆(乙烷-2,1-二基)四庚酸酯；<br/> (6) ((3,3’,3’’,3’’’-(((2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2,5-二基)雙(丙烷-3,1-二基))雙(氮烷三基))肆(丙醯基))肆(氧基))肆(丁烷-4,1-二基)四-十三酸酯；<br/> (7) 肆(2-乙基己基)4,4’,4’’,4’’’-((3,3’,3’’,3’’’-(((2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2,5-二基)雙(丙烷-3,1-二基))雙(氮烷三基))肆(丙醯基))肆(氧基))四丁酸酯；<br/> (8) 肆(2-乙基己基)6,6’,6’’,6’’’-((3,3’,3’’,3’’’-(((2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2,5-二基)雙(丙烷-3,1-二基))雙(氮烷三基))肆(丙醯基))肆(氧基))四己酸酯；<br/> (9) 肆(2-丙基己基)4,4’,4’’,4’’’-((3,3’,3’’,3’’’-(((2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2,5-二基)雙(丙烷-3,1-二基))雙(氮烷三基))肆(丙醯基))肆(氧基))四丁酸酯；<br/> (10) 肆(2-乙基戊基)4,4’,4’’,4’’’-((3,3’,3’’,3’’’-(((2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2,5-二基)雙(丙烷-3,1-二基))雙(氮烷三基))肆(丙醯基))肆(氧基))四丁酸酯；<br/> (11) 肆(2-乙基戊基)6,6’,6’’,6’’’-((3,3’,3’’,3’’’-(((2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2,5-二基)雙(丙烷-3,1-二基))雙(氮烷三基))肆(丙醯基))肆(氧基))四己酸酯；<br/> (12) 四((Z)-壬-2-烯-1-基)9,9’,9’’,9’’’-(((2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2,5-二基)雙(丙烷-3,1-二基))雙(氮烷三基))四壬酸酯；<br/> (13) (((3,3’,3’’,3’’’-(((2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2,5-二基)雙(丙烷-3,1-二基))雙(氮烷三基))肆(丙醯基))肆(氧基))肆(亞甲基))肆(丙烷-2,1,3-三基)八己酸酯；<br/> (14) 二(二十一烷-10-基)3,3’-(((2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2,5-二基)雙(丙烷-3,1-二基))雙(甲基氮烷二基))二丙酸酯；以及<br/> (15) ((3,3’-((3-(5-(3-羥基丙基)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基)丙基)氮烷二基)雙(丙醯基))雙(氧基))雙(己烷-6,1-二基)雙(2-己基癸酸酯)。
一種脂質奈米顆粒，其包含如請求項1至10中任一項之化合物或其鹽、一輔助者脂質、膽固醇及一PEG脂質。
如請求項11之脂質奈米顆粒，其中該輔助者脂質係選自於由以下所構成之群組中的一或多種磷脂：二油醯基磷脂醯基乙醇胺(DOPE)、二硬脂醯基磷脂醯基膽鹼(DSPC)、棕櫚醯基油醯基磷脂醯基膽鹼(POPC)、1-棕櫚醯基-2-油醯基-sn-甘油-3-磷酸膽鹼、卵磷脂醯基膽鹼(EPC)、二油醯基磷脂醯基膽鹼(DOPC)、二棕櫚醯基磷脂醯基膽鹼(DPPC)、二油醯基磷脂醯基甘油(DOPG)、二棕櫚醯基磷脂醯基甘油(DPPG)、二硬脂醯基磷脂醯基乙醇胺(DSPE)、磷脂醯基乙醇胺(PE)、二棕櫚醯基磷脂醯基乙醇胺(DPPE)、1-棕櫚醯基-2-油醯基-sn-甘油-3-磷酸乙醇胺(POPE)、1,2-二油醯基-sn-甘油-3-[磷酸-L-絲胺酸] (DOPS)、1,2-二-十八烷醯基-sn-甘油-3-磷酸絲胺酸(DSPS)、1,2-二-(9Z-十八烯醯基)-sn-甘油-3-磷酸-L-絲胺酸(DOPS)，以及神經鞘磷脂。
如請求項11或12之脂質奈米顆粒，其中該PEG脂質包括一直接地綴合至PEG之脂質或者一經由一連接子部分連接至PEG之脂質，<br/> 其中該連接子部分係選自於由以下所構成之群組中的一或多者：碳酸酯(-OC(O)O-)、琥珀醯基、磷酸酯(-O-(O)POH-O-)、磺酸酯、醯胺基(-C(O)NH-)、胺基(-NR-)、羰基(-C(O)-)、胺基甲酸酯(-NHC(O)O-)、尿素(-NHC(O)NH-)、二硫化物(-SS-)、醚(-O-)、琥珀醯基(-(O)CCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>C(O)-)，以及琥珀醯胺基(-NHC(O)CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>C(O)NH-)，<br/> 該連接至該PEG之脂質係神經醯胺、二肉豆蔻醯基甘油(DMG)、琥珀醯基-二醯基甘油(s-DAG)、二硬脂醯基磷脂醯基膽鹼(DSPC)、二硬脂醯基磷脂醯基乙醇胺(DSPE)，或者膽固醇。
如請求項11或12之脂質奈米顆粒，其中該脂質奈米顆粒包括20至80 mol%的該化合物或其鹽、0至20 mol%的該輔助者脂質、20至65 mol%的該膽固醇，以及0至5 mol%的該PEG脂質，以及其中該輔助者脂質係磷脂。
一種組成物，其包括：<br/> 一離子藥物以及<br/> (i) 如請求項1至10中任一項之化合物或其鹽，或者(ii)一包括如請求項1至10中任一項之化合物或其鹽、一輔助者脂質、膽固醇及一PEG脂質之脂質奈米顆粒。
如請求項15之組成物，其中該離子藥物係選自於由以下所構成之群組中的一或多者：核酸、基於核酸之藥物、胜肽、蛋白質藥物、蛋白質-核酸構築體，以及離子生物聚合物-藥物綴合物。
如請求項16之組成物，其中該核酸係選自於由以下所構成之群組中的一或多者：一反義寡核苷酸(ASO)、短干擾RNA (siRNA)、微小RNA (miRNA)、自擴增RNA (SAM)、環狀RNA、信使RNA (mRNA)、crRNA、tracrRNA、單嚮導RNA (sgRNA)、轉移RNA (tRNA)、不對稱干擾RNA (aiRNA)、安塔夠妙(antagomir)、核酶、切丁酶受質RNA、短髮夾RNA (shRNA)、質體DNA (pDNA)、雙股DNA (dsDNA)、部分雙股DNA、三股DNA、部分三股DNA、單股DNA (ssDNA)、單股RNA (ssRNA)、雙股RNA (dsRNA)、鎖核酸(LNA)、一胜肽核酸(PNA)、一miRNA類似物，以及抗miRNA。
一種含金屬之膜形成用組成物，含有： <br/>(A)含有選自於由Ti、Zr、Hf構成之群組中之至少1種之金屬的金屬化合物、 <br/>(B)於分子內包含2個以上4個以下之碳數2~13之環狀醚結構的交聯劑、及 <br/>(C)溶劑； <br/>該(B)交聯劑係下式(1)表示之有機化合物之任一者； <br/><img align="absmiddle" height="83px" width="444px" file="ed10046.jpg" alt="ed10046.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上式(1)中，X係下述結構之任一者，L係羰基或碳數1~10之2價有機基，R<sub>1</sub>及R<sub>2</sub>係各自獨立地為氫原子、羥基、碳數1~10之烷基、碳數6~10之芳基、碳數1~10之烷氧基之任一者，R<sub>1a</sub>係碳數3~10之脂環式烴基，l表示0或1，m表示2~4；<img align="absmiddle" height="362px" width="295px" file="ed10047.jpg" alt="ed10047.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上式中，n係1~5，r係0或1，R<sub>3</sub>、R<sub>4</sub>係各自獨立地為氫原子或亦可含有鹵素原子之碳數1~10之烷基，R<sub>5</sub>係氫原子、羥基或碳數1~10之烷基，＊表示與L之鍵結部，上式之芳香環中之碳原子亦可具有羥基、羧基、乙烯基、乙炔基、胺基、硫醚基、或亦可含有此等之碳數1~10之烷基作為取代基。
如請求項1之含金屬之膜形成用組成物，其中，該(B)交聯劑係於分子內具有2個以上之環氧基或氧雜環丁基。
如請求項1之含金屬之膜形成用組成物，其中，該(A)金屬化合物係來自下式(2)表示之金屬化合物； <br/><img align="absmiddle" height="23px" width="400px" file="ed10039.jpg" alt="ed10039.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，M係Ti、Zr、Hf之任一者；Ln係獨立地為碳數1至30之單牙配位子及多牙配位子，Xn係獨立地為選自鹵素原子、烷氧基、羧酸酯基、醯氧基、-NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>之水解性基；R<sup>a</sup>及R<sup>b</sup>係各自獨立地為氫原子或碳數1~20之1價有機基；a+b=4，a及b係0~4之整數。
如請求項3之含金屬之膜形成用組成物，其中，該式(2)係下式(3)之結構； <br/><img align="absmiddle" height="22px" width="400px" file="ed10040.jpg" alt="ed10040.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中、M係Ti、Zr、或Hf，R<sup>1A</sup>係碳數1~20之1價烷基。
如請求項3之含金屬之膜形成用組成物，其中，該(A)金屬化合物係來自該式(2)表示之金屬化合物之化合物、與含有至少1個以上之下述通式(a-1)~(a-4)、(b-1)~(b-4)、(c-1)~(c-3)及(d-1)~(d-2)表示之交聯基之碳數1~30之有機化合物的反應產物； <br/><img align="absmiddle" height="78px" width="421px" file="ed10041.jpg" alt="ed10041.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>該通式(a-1)至(a-4)中，R<sub>a</sub>係獨立地為氫原子或碳數1~10之1價有機基，q表示0或1，＊表示鍵結部； <br/><img align="absmiddle" height="134px" width="400px" file="ed10042.jpg" alt="ed10042.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>該通式(b-1)~(b-4)中，R<sub>b</sub>係獨立地為氫原子或甲基，同一式中彼此可相同亦可不同，R<sub>c</sub>係氫、或經取代或未取代之碳數1~20之飽和或不飽和之1價有機基、經取代或未取代之碳數6~30之芳基、經取代或未取代之碳數7~31之芳烷基，＊表示鍵結部； <br/><img align="absmiddle" height="82px" width="400px" file="ed10043.jpg" alt="ed10043.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>該通式(c-1)~(c-3)中，Y<sub>1</sub>係獨立地為碳數1~20之2價有機基，R係氫原子、經取代或未取代之碳數1~20之飽和或碳數2~20之不飽和之1價有機基、經取代或未取代之碳數6~30之芳基、經取代或未取代之碳數7~31之芳烷基，R<sub>d</sub>係獨立地為下述通式(c-4)表示之藉由酸、熱之任一者或兩者之作用而保護基進行脫離，產生1個以上之羥基或羧基的有機基，＊表示鍵結部； <br/><img align="absmiddle" height="39px" width="400px" file="ed10044.jpg" alt="ed10044.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上述通式(c-4)中，R<sub>e</sub>係藉由酸、熱之任一者或兩者之作用而保護基進行脫離的有機基，＊表示與Y<sub>1</sub>之鍵結部； <br/><img align="absmiddle" height="71px" width="400px" file="ed10045.jpg" alt="ed10045.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sub>f</sub>係氫原子或碳數1~10之有機基，＊表示鍵結部。
如請求項1之含金屬之膜形成用組成物，其中，該(B)交聯劑之添加量係相對於該(A)金屬化合物之100質量份，為5~100質量份。
如請求項1之含金屬之膜形成用組成物，其中，該(C)溶劑係1種以上之沸點小於180℃之有機溶劑、與1種以上之沸點為180℃以上之有機溶劑的混合物。
一種圖案形成方法，係於被加工基板形成圖案之方法，具有下述步驟： <br/>(I-1)於被加工基板上，塗布如請求項1至7中任一項之含金屬之膜形成用組成物後，藉由進行熱處理而形成含金屬之膜、 <br/>(I-2)於該含金屬之膜上，使用光阻劑材料形成阻劑上層膜、 <br/>(I-3)將該阻劑上層膜經圖案曝光後，藉由顯影液進行顯影，於該阻劑上層膜形成圖案、 <br/>(I-4)將該經形成圖案之阻劑上層膜作為遮罩，藉由乾蝕刻將圖案轉印至該含金屬之膜、及 <br/>(I-5)將該經形成圖案之含金屬之膜作為遮罩，將該被加工基板進行加工而於該被加工基板形成圖案。
一種圖案形成方法，係於被加工基板形成圖案之方法，具有下述步驟： <br/>(II-1)於被加工基板上形成阻劑下層膜、 <br/>(II-2)於該阻劑下層膜上，塗布如請求項1至7中任一項之含金屬之膜形成用組成物後，藉由進行熱處理而形成含金屬之膜、 <br/>(II-3)於該含金屬之膜上，使用光阻劑材料形成阻劑上層膜、 <br/>(II-4)將該阻劑上層膜經圖案曝光後，藉由顯影液進行顯影，於該阻劑上層膜形成圖案、 <br/>(II-5)將該經形成圖案之阻劑上層膜作為遮罩，藉由乾蝕刻將圖案轉印至該含金屬之膜、 <br/>(II-6)將該經轉印圖案之含金屬之膜作為遮罩，藉由乾蝕刻將圖案轉印至該阻劑下層膜、 <br/>(II-7)將該經形成圖案之阻劑下層膜作為遮罩，將該被加工基板進行加工於該被加工基板形成圖案。
一種圖案形成方法，係於被加工基板形成圖案之方法，具有下述步驟： <br/>(III-1)於被加工基板上，塗布如請求項1至7中任一項之含金屬之膜形成用組成物後，藉由進行熱處理而形成含金屬之膜、 <br/>(III-2)於該含金屬之膜上，形成含矽阻劑中間膜、 <br/>(III-3)於該含矽阻劑中間膜上，使用光阻劑材料形成阻劑上層膜、 <br/>(III-4)將該阻劑上層膜經圖案曝光後，藉由顯影液進行顯影，於該阻劑上層膜形成圖案、 <br/>(III-5)將該經形成圖案之阻劑上層膜作為遮罩，藉由乾蝕刻將圖案轉印至該含矽阻劑中間膜、 <br/>(III-6)將該經轉印圖案之含矽阻劑中間膜作為遮罩，藉由乾蝕刻將圖案轉印至該含金屬之膜、及 <br/>(III-7)將該經形成圖案之含金屬之膜作為遮罩，將該被加工基板進行加工於該被加工基板形成圖案。
一種圖案形成方法，係於被加工基板形成圖案之方法，具有下述步驟： <br/>(IV-1)於被加工基板上塗布如請求項1至7中任一項之含金屬之膜形成用組成物後，藉由進行熱處理而形成含金屬之膜、 <br/>(IV-2)於該含金屬之膜上，形成選自矽氧化膜、矽氮化膜、及矽氧化氮化膜中之無機硬遮罩中間膜、 <br/>(IV-3)於該無機硬遮罩中間膜上，形成有機薄膜、 <br/>(IV-4)於該有機薄膜上，使用光阻劑材料形成阻劑上層膜、 <br/>(IV-5)將該阻劑上層膜經圖案曝光後，藉由顯影液進行顯影，於該阻劑上層膜形成圖案、 <br/>(IV-6)將該經形成圖案之阻劑上層膜作為遮罩，藉由乾蝕刻將圖案轉印至該有機薄膜及該無機硬遮罩中間膜、 <br/>(IV-7)將該經轉印圖案之無機硬遮罩中間膜作為遮罩，藉由乾蝕刻將圖案轉印至該含金屬之膜、及 <br/>(IV-8)將該經形成圖案之含金屬之膜作為遮罩，將該被加工基板進行加工於該被加工基板形成圖案。
如請求項11之圖案形成方法，其中，藉由CVD法或ALD法形成該無機硬遮罩中間膜。
一種圖案形成方法，係於被加工基板形成圖案之方法，具有下述步驟： <br/>(V-1)於被加工基板上，塗布如請求項1至7中任一項之含金屬之膜形成用組成物後，藉由進行熱處理而形成含金屬之膜、 <br/>(V-2)於該含金屬之膜上，形成有機中間膜、 <br/>(V-3)於該有機中間膜上，形成含矽阻劑中間膜、或選自矽氧化膜、矽氮化膜、及矽氧化氮化膜中之無機硬遮罩中間膜與有機薄膜之組合、 <br/>(V-4)於該含矽阻劑中間膜或該有機薄膜上，使用光阻劑材料形成阻劑上層膜、 <br/>(V-5)將該阻劑上層膜經圖案曝光後，藉由顯影液進行顯影，於該阻劑上層膜形成圖案、 <br/>(V-6)將該經形成圖案之阻劑上層膜作為遮罩，藉由乾蝕刻將圖案轉印至含矽阻劑中間膜、或該有機薄膜及該無機硬遮罩中間膜、 <br/>(V-7)將該經轉印圖案之含矽阻劑中間膜或無機硬遮罩中間膜作為遮罩，藉由乾蝕刻將圖案轉印至有機中間膜、 <br/>(V-8)將該有機中間膜作為遮罩，藉由乾蝕刻將圖案轉印至該含金屬之膜、及 <br/>(V-9)將該經形成圖案之含金屬之膜作為遮罩，將該被加工基板進行加工於該被加工基板形成圖案。
一種色調反轉式圖案形成方法，係於被加工基板形成圖案之方法，具有下述步驟： <br/>(VI-1)於被加工基板上形成阻劑下層膜、 <br/>(VI-2)於該阻劑下層膜上，形成含矽阻劑中間膜、或選自矽氧化膜、矽氮化膜、及矽氧化氮化膜中之無機硬遮罩中間膜與有機薄膜的組合、 <br/>(VI-3)於該含矽阻劑中間膜、或無機硬遮罩中間膜與有機薄膜之組合上，使用光阻劑材料形成阻劑上層膜、 <br/>(VI-4)將該阻劑上層膜經圖案曝光後，藉由顯影液進行顯影，於該阻劑上層膜形成圖案、 <br/>(VI-5)將該經形成圖案之阻劑上層膜作為遮罩，藉由乾蝕刻將圖案轉印至該含矽阻劑中間膜、或該有機薄膜及該無機硬遮罩中間膜、 <br/>(VI-6)將該經轉印圖案之含矽阻劑中間膜、或無機硬遮罩中間膜作為遮罩，藉由乾蝕刻將圖案轉印至該阻劑下層膜、 <br/>(VI-7)於該經形成圖案之該阻劑下層膜上，塗布如請求項1至7中任一項之含金屬之膜形成用組成物後，藉由進行熱處理被覆含金屬之膜，將該阻劑下層膜圖案間以該含金屬之膜進行填充、 <br/>(VI-8)將覆於該經形成圖案之該阻劑下層膜上之該含金屬之膜藉由化學性之消除劑(stripper)或乾蝕刻進行回蝕(Etch Back)，使經形成圖案之該阻劑下層膜之頂面暴露、 <br/>(VI-9)將於該阻劑下層膜頂面殘留之含矽阻劑中間膜、或無機硬遮罩中間膜藉由乾蝕刻來除去、 <br/>(VI-10)將表面經暴露之該經形成圖案之該阻劑下層膜藉由乾蝕刻來除去，於含金屬之膜上形成原本圖案之反轉圖案、 <br/>(VI-11)將該經形成反轉圖案之含金屬之膜作為遮罩，將該被加工基板進行加工而於該被加工基板形成反轉圖案。
一種有機發光顯示裝置，包含： <br/>複數子畫素，沿一第一方向具有不同顏色，且沿與該第一方向交錯的一第二方向具有相同顏色之一條狀圖案； <br/>複數陽極，位於該複數子畫素上； <br/>複數有機發光層，位於該複數陽極上； <br/>複數陰極，位於該複數有機發光層上； <br/>複數第一堤，位於沿著該第二方向具有相同顏色之該條狀圖案的該複數子畫素之間，其中該複數第一堤中的一些第一堤各包含一第一凹槽，且各該第一凹槽包含複數側部； <br/>一層間絕緣層，設置於該第一堤之下； <br/>複數第一電源線，沿著該第一方向設置於該複數第一堤之下； <br/>複數連接結構，設置於該些第一凹槽內； <br/>一輔助電極，由該複數第一電源線之中與該些第一凹槽所對應之一些該複數第一電源線所形成；以及 <br/>複數底切結構，由該層間絕緣層之一側部，相較於與該些第一凹槽接觸的該些第一堤之下側之側部進一步凹陷所形成； <br/>其中，該有機發光層及該陰極跨設於該複數第一堤； <br/>其中，該些底切結構沿著該第二方向分別形成於該些第一凹槽中的不同位置，且各該底切結構形成於各該第一凹槽的該複數側部中的至少二側部上；以及 <br/>其中，該連接結構經配置以將該陰極電性連接至該底切結構內的該輔助電極。
如請求項1所述之有機發光顯示裝置，其中，該有機發光層經配置為被該底切結構截斷，使得該輔助電極之一些區域被暴露；以及 <br/>其中，該陰極經配置為接觸於該底切結構中暴露出之該輔助電極之一些區域。
如請求項1所述之有機發光顯示裝置，更包含： <br/>複數無機絕緣層，設置於該複數子畫素內的該複數陰極上； <br/>複數第二堤，具有複數第二凹槽，該複數第二凹槽位於該第一方向上的該複數子畫素之間，其中該複數第二凹槽的長度方向沿著該第二方向設置；以及 <br/>複數防水結構，分別位於該複數第二堤上。
如請求項3所述之有機發光顯示裝置，其中，該複數防水結構包含： <br/>一第一防水結構，位於該第二堤上； <br/>一第二防水結構，位於該第二堤的該第二凹槽之一第一側；以及 <br/>一第三防水結構，位於該第二堤的該第二凹槽之一第二側。
如請求項4所述之有機發光顯示裝置，其中，該第一防水結構經配置為該複數無機絕緣層之至少二層重疊於該第二堤上。
如請求項5所述之有機發光顯示裝置，其中，該第二防水結構經配置為該複數無機絕緣層之其中一者於一第一底切結構處成形為彎曲形； <br/>其中，該第三防水結構經配置為該複數無機絕緣層的另一者於一第二底切結構處成形為彎曲形；以及 <br/>其中，該第一防水結構及該第二防水結構形成於與該第二堤的該第二凹槽接觸的該第二堤之一下側上。
如請求項3所述之有機發光顯示裝置，其中，該防水結構被配置為圍繞位在該第二方向上的該複數子畫素之中的至少一或多者。
如請求項5所述之有機發光顯示裝置，更包含： <br/>複數第二電源線，沿著該第二方向設置於複數第二堤的複數第二凹槽內； <br/>其中，該複數無機絕緣層之至少二層或多層設置於該複數第二電源線上。
如請求項1所述之有機發光顯示裝置，其中，該陰極包含： <br/>一第一導電層；以及 <br/>一第二導電層，位於該第一導電層上。
如請求項3所述之有機發光顯示裝置，更包含： <br/>一開放結構，位於該第一堤以及該第二堤之至少一或多者的一邊緣區域； <br/>其中，該有機發光層之一電洞注入層或一電荷產生層被該開放結構截斷。
如請求項3所述之有機發光顯示裝置，更包含： <br/>複數假子畫素，位於一非顯示區域，該複數假子畫素具有沿該第一方向之一條狀；以及 <br/>複數防水結構，位於該第二方向上的該複數假子畫素之間。
一種電腦實施方法，其包括： <br/>在一深度學習控制器處，自一第一處理站接收一第一組程序中輸入，其中該第一組程序中輸入係是在一製造程序中部署之該第一處理站產生，其中該第一組程序中輸入係該製造程序中之複數個站中之該第一處理站的屬性； <br/>藉由該深度學習控制器識別複數個最終品質度量中的一最終品質度量，以最佳化該製造程序； <br/>藉由該深度學習控制器基於該第一組程序中輸入來預測一製造物品之該最終品質度量之一預期值； <br/>藉由該深度學習控制器判定該製造物品之該預期值係不符合規格； <br/>藉由該深度學習控制器判定複數個關鍵影響者及與影響該製造物品之該預期值之該複數個關鍵影響者相關聯之參數；及 <br/>基於該判定，藉由該深度學習控制器調整一下游處理站之下游參數，該等下游參數對應於該複數個關鍵影響者，其中該調整導致該最終品質度量符合規格。
如請求項1之電腦實施方法，進一步包括： <br/>藉由該深度學習控制器根據該複數個關鍵影響者來調整另一下游處理站的另外下游參數。
如請求項1之電腦實施方法，其進一步包括： <br/>藉由該深度學習控制器產生一或多個控制輸入，其中該深度學習控制器根據該一或多個控制輸入者來調整該另一下游處理站之該等另外下游參數。
如請求項3之電腦實施方法，其中藉由該深度學習控制器來調整該下游處理站之該等下游參數包括： <br/>識別與該複數個關鍵影響者中之一關鍵影響者相對應之該一或多個控制輸入中之一控制輸入；及 <br/>基於與該關鍵影響者相對應之該輸入控制調整該等下游參數。
如請求項1之電腦實施方法，其中複數個關鍵影響者係與影響來自該第一處理站之輸出的特性之複數個參數相關聯。
如請求項1之電腦實施方法，其中藉由該深度學習控制器判定該複數個關鍵影響者及與影響該製造物品之該預期值之該複數個關鍵影響者相關聯之該等參數包括： <br/>對該第一處理站產生之輸出中之複數個參數進行評分；及 <br/>識別超過一臨限分數之該複數個參數之一子集。
如請求項1之電腦實施方法，其中藉由該深度學習控制器判定該複數個關鍵影響者及與影響該製造物品之該預期值之該複數個關鍵影響者相關聯之該等參數包括： <br/>識別該第一處理站產生之輸出中之複數個參數；及 <br/>判定超出該第一處理站所產生之該等輸出的一影響臨限度之該複數個參數之一子集。
一種非暫時性電腦可讀儲存媒體，其包括一或多個指令序列，當由一處理器執行時，該指令序列使一運算系統執行包括以下操作的操作： <br/>在一深度學習控制器處，自一第一處理站接收一第一組程序中輸入，其中該第一組程序中輸入係是在一製造程序中部署之該第一處理站產生，其中該第一組程序中輸入係該製造程序中之複數個站中之該第一處理站的屬性； <br/>藉由該深度學習控制器識別複數個最終品質度量中的一最終品質度量，以最佳化該製造程序； <br/>藉由該深度學習控制器基於該第一組程序中輸入來預測一製造物品之該最終品質度量之一預期值； <br/>藉由該深度學習控制器判定該製造物品之該預期值係不符合規格； <br/>藉由該深度學習控制器判定複數個關鍵影響者及與影響該製造物品之該預期值之該複數個關鍵影響者相關聯之參數；及 <br/>基於該判定，藉由該深度學習控制器調整一下游處理站之下游參數，該等下游參數對應於該複數個關鍵影響者，其中該調整導致該最終品質度量符合規格。
如請求項8之非暫時性電腦可讀儲存媒體，進一步包括： <br/>藉由該深度學習控制器根據該複數個關鍵影響者來調整另一下游處理站的另外下游參數。
如請求項8之非暫時性電腦可讀儲存媒體，其進一步包括： <br/>藉由該深度學習控制器產生一或多個控制輸入，其中該深度學習控制器根據該一或多個控制輸入者來調整該另一下游處理站之該等另外下游參數。
如請求項10之非暫時性電腦可讀儲存媒體，其中藉由該深度學習控制器來調整該下游處理站之該等下游參數包括： <br/>識別與該複數個關鍵影響者中之一關鍵影響者相對應之該一或多個控制輸入中之一控制輸入；及 <br/>基於與該關鍵影響者相對應之該輸入控制調整該等下游參數。
如請求項8之非暫時性電腦可讀儲存媒體，其中複數個關鍵影響者係與影響來自該第一處理站之輸出的特性之複數個參數相關聯。
如請求項8之非暫時性電腦可讀儲存媒體，其中藉由該深度學習控制器判定該複數個關鍵影響者及與影響該製造物品之該預期值之該複數個關鍵影響者相關聯之該等參數包括： <br/>對該第一處理站產生之輸出中之複數個參數進行評分；及 <br/>識別超過一臨限分數之該複數個參數之一子集。
如請求項8之非暫時性電腦可讀儲存媒體，其中藉由該深度學習控制器判定該複數個關鍵影響者及與影響該製造物品之該預期值之該複數個關鍵影響者相關聯之該等參數包括： <br/>識別該第一處理站產生之輸出中之複數個參數；及 <br/>判定超出該第一處理站所產生之該等輸出的一影響臨限度之該複數個參數之一子集。
一種用於製造程序之預測程序控制系統，該系統包括： <br/>一處理器；及 <br/>一記憶體，其具有儲存於其上之程式指令，該等程式指令在藉由該處理器執行時，使該系統執行包含下列操作的操作： <br/>在一深度學習控制器處，自一第一處理站接收一第一組程序中輸入，其中該第一組程序中輸入係是在一製造程序中部署之該第一處理站產生，其中該第一組程序中輸入係該製造程序中之複數個站中之該第一處理站的屬性； <br/>藉由該深度學習控制器識別複數個最終品質度量中的一最終品質度量，以最佳化該製造程序； <br/>藉由該深度學習控制器基於該第一組程序中輸入來預測一製造物品之該最終品質度量之一預期值； <br/>藉由該深度學習控制器判定該製造物品之該預期值係不符合規格； <br/>藉由該深度學習控制器判定複數個關鍵影響者及與影響該製造物品之該預期值之該複數個關鍵影響者相關聯之參數；及 <br/>基於該判定，藉由該深度學習控制器調整一下游處理站之下游參數，該等下游參數對應於該複數個關鍵影響者，其中該調整導致該最終品質度量符合規格。
如請求項15之系統，其中該等操作進一步包括： <br/>藉由該深度學習控制器產生一或多個控制輸入，其中該深度學習控制器根據該一或多個控制輸入者來調整該另一下游處理站之該等另外下游參數。
如請求項16之系統，其中藉由該深度學習控制器來調整該下游處理站之該等下游參數包括： <br/>識別與該複數個關鍵影響者中之一關鍵影響者相對應之該一或多個控制輸入中之一控制輸入；及 <br/>基於與該關鍵影響者相對應之該輸入控制調整該等下游參數。
如請求項15之系統，其中複數個關鍵影響者係與影響來自該第一處理站之輸出的特性之複數個參數相關聯。
如請求項15之系統，其中藉由該深度學習控制器判定該複數個關鍵影響者及與影響該製造物品之該預期值之該複數個關鍵影響者相關聯之該等參數包括： <br/>對該第一處理站產生之輸出中之複數個參數進行評分；及 <br/>識別超過一臨限分數之該複數個參數之一子集。
如請求項15之系統，其中藉由該深度學習控制器判定該複數個關鍵影響者及與影響該製造物品之該預期值之該複數個關鍵影響者相關聯之該等參數包括： <br/>識別該第一處理站產生之輸出中之複數個參數；及 <br/>判定超出該第一處理站所產生之該等輸出的一影響臨限度之該複數個參數之一子集。
一種物流資訊管理方法，其係藉由電子裝置而實行者，其包括如下步驟： <br/>將物品訂購資訊傳輸至銷售者之第1終端，該物品訂購資訊包括所訂購之物品與中間物流中心之資訊； <br/>藉由上述第1終端與上述中間物流中心之第2終端之通訊而確認第1程序有無誤差，該第1程序係用以將物品自上述銷售者配送至上述中間物流中心者；及 <br/>於上述第1程序不存在誤差之情形時，藉由上述第2終端與最終物流中心之第3終端之通訊而確認第2程序有無誤差，該第2程序係用以將物品自上述中間物流中心入庫至上述最終物流中心者； <br/>其中確認上述第1程序有無誤差之步驟包括： <br/>自上述第2終端接收配送至上述中間物流中心之物品是否為可利用上述中間物流中心之銷售者交付之物品、及是否為屬於可在上述中間物流中心處理之類別中之物品之驗證結果；及 <br/>於上述驗證結果指示配送至上述中間物流中心之上述物品為除可利用上述中間物流中心之上述銷售者以外的銷售者交付之物品時、或上述驗證結果指示配送至上述中間物流中心之上述物品為屬於無法在上述中間物流中心處理之類別中之物品之情形時，判斷為上述第1程序發生誤差。
如請求項1之物流資訊管理方法，其進而包括如下步驟： <br/>於上述第1程序存在誤差之情形時，向上述第1終端、上述第2終端或上述第3終端中之至少一部分傳輸告知無法進行上述第2程序之訊息。
如請求項1之物流資訊管理方法，其進而包括如下步驟： <br/>於上述第2程序不存在誤差之情形時，將隨著所訂購之上述物品入庫至上述最終物流中心而產生之庫存資訊添加至保管上述最終物流中心之庫存資訊的資料庫。
如請求項1之物流資訊管理方法，其中上述物品訂購資訊係所訂購之上述物品整體與一個最終物流中心匹配。
如請求項1之物流資訊管理方法，其中確認上述第1程序有無誤差之步驟進一步包括如下步驟： <br/>自上述第1終端接收向上述中間物流中心之物品配送預約資訊；及 <br/>自上述第2終端接收上述銷售者交付之物品之卸貨記錄。
如請求項1之物流資訊管理方法，其中確認上述第1程序有無誤差之步驟進一步包括如下步驟： <br/>自上述第2終端接收卸貨至上述中間物流中心之托板中是否裝載有不與預指定之庫存管理單位對應之物品之驗證結果；及 <br/>根據上述驗證結果，於上述托板中裝載有不與上述指定之庫存管理單位對應之物品之情形時，判斷為上述第1程序發生誤差。
如請求項1之物流資訊管理方法，其中確認上述第1程序有無誤差之步驟進一步包括如下步驟： <br/>自上述第2終端接收卸貨至上述中間物流中心之托板或物品是否為破損之狀態之驗證結果；及 <br/>於上述托板或物品為破損之狀態之情形時，判斷為上述第1程序發生誤差。
如請求項1之物流資訊管理方法，其中確認上述第2程序有無誤差之步驟包括如下步驟： <br/>自上述第2終端接收上述銷售者交付之物品面向上述最終物流中心之裝貨記錄；及 <br/>自上述第3終端接收上述物品入庫至上述最終物流中心之記錄。
如請求項1之物流資訊管理方法，其中確認上述第2程序有無誤差之步驟包括如下步驟： <br/>針對面向上述最終物流中心裝貨之托板中之指定有複數個庫存管理單位之托板，自上述第2終端或上述第3終端接收是否已對裝載於上述托板中之庫存管理單位不同之物品實行排列作業之驗證結果；及 <br/>於未實行上述排列作業之情形時，判斷為上述第2程序發生誤差。
如請求項1之物流資訊管理方法，其中確認上述第2程序有無誤差之步驟包括如下步驟： <br/>自上述第3終端接收配送至上述最終物流中心之物品是否違反預定義之入庫規定之驗證結果；及 <br/>於配送至上述最終物流中心之物品違反上述入庫規定之情形時，判斷為上述第2程序發生誤差。
如請求項1之物流資訊管理方法，其中確認上述第2程序有無誤差之步驟包括如下步驟： <br/>自上述第3終端接收卸貨至上述最終物流中心之托板或物品是否為破損之狀態之驗證結果；及 <br/>於上述托板或物品為破損之狀態之情形時，判斷為上述第2程序發生誤差。
如請求項1之物流資訊管理方法，其中確認上述第2程序有無誤差之步驟包括如下步驟： <br/>自上述第3終端接收所訂購之上述物品中是否存在未卸貨至上述最終物流中心之物品之驗證結果；及 <br/>於所訂購之上述物品中存在未卸貨至上述最終物流中心之物品之情形時，判斷為上述第2程序發生誤差。
如請求項1之物流資訊管理方法，其中確認上述第2程序有無誤差之步驟包括如下步驟： <br/>自上述第3終端接收在上述最終物流中心裝載之物品中是否存在未訂購之物品之驗證結果；及 <br/>於存在未訂購之上述物品之情形時，判斷為上述第2程序發生誤差。
如請求項1之物流資訊管理方法，其進而包括如下步驟： <br/>藉由上述第2終端與上述第3終端之通訊，確認上述物品到達上述中間物流中心之時點至卸貨於上述最終物流中心之時點之間隔是否為基準時間以下；及 <br/>於上述間隔超過上述基準時間之情形時，將上述物品之上述第1程序或上述第2程序中之至少一部分分類為問題案例。
如請求項1之物流資訊管理方法，其進而包括如下步驟： <br/>自上述第1終端接收與所訂購之上述物品之入庫延遲相關之確認請求； <br/>藉由上述第2終端與上述第3終端之通訊，確認發生上述入庫延遲之原因；及 <br/>向上述第1終端告知發生上述入庫延遲之原因。
如請求項15之物流資訊管理方法，其中確認發生上述入庫延遲之原因之步驟包括如下步驟： <br/>確認發生上述入庫延遲之物品之當前配送狀態； <br/>基於上述當前配送狀態，算出發生上述入庫延遲之物品滯留於上述中間物流中心之時間； <br/>於上述滯留時間為固定時間以上之情形時，與上述第2終端進行通訊而確認發生上述入庫延遲之原因；及 <br/>於上述滯留時間未達固定時間之情形時，與上述第3終端進行通訊而確認發生上述入庫延遲之原因。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有用以於電腦中執行如請求項1之方法之程式。
一種電子裝置，其係管理物流資訊者，其包括儲存命令之記憶體及處理器， <br/>上述處理器如下：與上述記憶體連接，從而 <br/>將物品訂購資訊傳輸至銷售者之第1終端，該物品訂購資訊包括所訂購之物品與中間物流中心之資訊； <br/>藉由上述第1終端與上述中間物流中心之第2終端之通訊而確認第1程序有無誤差，該第1程序係用以將物品自上述銷售者配送至上述中間物流中心者； <br/>於上述第1程序不存在誤差之情形時，藉由上述第2終端與最終物流中心之第3終端之通訊而確認第2程序有無誤差，該第2程序係用以將物品自上述中間物流中心入庫至上述最終物流中心者； <br/>其中上述處理器經組態以藉由以下而確認上述第1程序有無誤差： <br/>自上述第2終端接收配送至上述中間物流中心之物品是否為可利用上述中間物流中心之銷售者交付之物品、及是否為屬於可在上述中間物流中心處理之類別中之物品之驗證結果；及 <br/>於上述驗證結果指示配送至上述中間物流中心之上述物品為除可利用上述中間物流中心之上述銷售者以外的銷售者交付之物品時、或上述驗證結果指示配送至上述中間物流中心之上述物品為屬於無法在上述中間物流中心處理之類別中之物品之情形時，判斷為上述第1程序發生誤差。
一種離子交換膜，其包含： <br/>含有水合反應催化劑之催化劑層，及 <br/>離子傳導絕緣層， <br/>其中該催化劑層包含水合反應催化劑及陰離子離聚物（ionomer），且 <br/>該等離子傳導絕緣層中之各者獨立地包含陰離子離聚物。
如請求項1之離子交換膜，其中該離子傳導絕緣層包含第一離子傳導絕緣層及第二離子傳導絕緣層。
如請求項1之離子交換膜，其包含： <br/>含有水合反應催化劑之催化劑層， <br/>形成在該催化劑層之一個表面上之第一離子傳導絕緣層；及 <br/>形成在該催化劑層之另一個表面上之第二離子傳導絕緣層。
如請求項1之離子交換膜，其中該催化劑層藉由該離子傳導絕緣層與外部隔離之形式存在。
如請求項1之離子交換膜，其包含： <br/>第一離子傳導絕緣層； <br/>形成在該第一離子傳導絕緣層上之第二離子傳導絕緣層；及 <br/>形成在該第二離子傳導絕緣層上之催化劑層。
如請求項1之離子交換膜，其進一步包含強度增強層。
如請求項6之離子交換膜，其中該強度增強層包含多孔聚合物膜。
如請求項1之離子交換膜，其中該水合反應催化劑包含選自由以下組成之群之至少一者：鉑基催化劑、鈀基催化劑、銠基催化劑、釕基催化劑、鎳基催化劑、銅基催化劑、鈷基催化劑、錫基催化劑及銥基催化劑。
如請求項1之離子交換膜，其中該催化劑層具有1至40 μm之厚度。
如請求項1之離子交換膜，其中該離子交換膜具有80至100 μm之厚度。
如請求項1之離子交換膜，其中該催化劑層之厚度相對於該離子交換膜之總厚度之比率為0.01至0.5。
如請求項1之離子交換膜，其中該催化劑層中之催化劑含量為相對於離聚物1至2 wt.%。
一種電化學系統，其包含如請求項1之離子交換膜、負電極及正電極。
一種銀行個人化獎勵系統，適用於與一資料庫伺服器及一供一客戶操作的客戶端電子裝置通訊，並包含：<br/> 一處理單元，適用於與該客戶端電子裝置電連接；及<br/> 一儲存單元，電連接該處理單元，且儲存有多筆相關於該客戶且分別對應於多個任務項目的身分識別資料、及多筆轉換積分資料，每一轉換積分資料對應於該等任務項目其中一者且指示出一積分轉換公式；<br/> 其中，該處理單元用於：<br/> 在接收來自該客戶端電子裝置的多筆目標設定資料之後，根據該等目標設定資料產生分別對應於該等目標設定資料的多筆任務設定資料，其中，該等任務設定資料分別對應於該等任務項目，且每一任務設定資料包括一任務執行期間及一任務執行內容； <br/> 傳送該等身分識別資料至該資料庫伺服器，使該資料庫伺服器根據該等身分識別資料查詢及提供多筆任務進度資料，其中，每一任務進度資料對應於該等任務設定資料其中一者；<br/> 對於每一該任務進度資料，根據該任務進度資料對應的該任務項目，選擇對應的該轉換積分資料指示出的該積分轉換公式執行一轉換積分程序，以產生一對應於該等任務進度資料的任務積分資料；及<br/> 接收來自該客戶端電子裝置且對應於該任務積分資料的一兌換指令，並根據該兌換指令使用該任務積分資料執行一兌換獎勵程序。
如請求項1所述的銀行個人化獎勵系統，其中，該銀行個人化獎勵系統及該資料庫伺服器間以應用程式介面(Application Programming Interface，API)作資料傳收。
如請求項1所述的銀行個人化獎勵系統，其中，在該兌換獎勵程序中，該處理單元根據該任務積分資料傳送一金融服務獎勵至該客戶端電子裝置，其中，該金融服務獎勵的種類包括會員點數、優惠條碼、電子票券、網站購物金及實體贈品之兌換序號。
一種銀行個人化獎勵方法，由一銀行個人化獎勵系統實施，該銀行個人化獎勵系統適用於與一資料庫伺服器及一供一客戶操作的客戶端電子裝置通訊，且該銀行個人化獎勵系統包含一處理單元及一電連接該處理單元的儲存單元，該儲存單元儲存有多筆相關於該客戶且分別對應於多個任務項目的身分識別資料、及多筆轉換積分資料，每一轉換積分資料對應於該等任務項目其中一者且指示出一積分轉換公式；該銀行個人化獎勵方法包含： <br/> (A)該處理單元在接收來自該客戶端電子裝置的多筆目標設定資料之後，根據該等目標設定資料產生分別對應於該等目標設定資料的多筆任務設定資料，其中，該等任務設定資料分別對應於該等任務項目，且每一任務設定資料包括一任務執行期間及一任務執行內容；<br/> (B)該處理單元傳送該等身分識別資料至該資料庫伺服器，使該資料庫伺服器根據該等身分識別資料查詢及提供多筆任務進度資料，其中，每一任務進度資料對應於該等任務設定資料其中一者；<br/> (C) 對於每一該任務進度資料，該處理單元根據該任務進度資料對應的該任務項目，選擇對應的該轉換積分資料指示出的該積分轉換公式執行一轉換積分程序，以產生一對應於該等任務進度資料的任務積分資料；及<br/> (D) 該處理單元接收來自該客戶端電子裝置且對應於該任務積分資料的一兌換指令，並根據該兌換指令使用該任務積分資料執行一兌換獎勵程序。
如請求項4所述的銀行個人化獎勵方法，其中，該銀行個人化獎勵系統及該資料庫伺服器間以應用程式介面(Application Programming Interface，API)作資料傳收。
如請求項4所述的銀行個人化獎勵方法，其中，在該兌換獎勵程序中，該處理單元根據該任務積分資料傳送一金融服務獎勵至該客戶端電子裝置，其中，該金融服務獎勵的種類包括會員點數、優惠條碼、電子票券、網站購物金及實體贈品之兌換序號。
一種窄邊鏡頭模組，其定義有一中心軸、一X軸、一Y軸、一物側以及一像側，其中該中心軸、該X軸、該Y軸相互垂直，且該像側相對該物側，該窄邊鏡頭模組包括：<br/> 一鏡筒；<br/> 一光學透鏡組，設置於該鏡筒內，其中該光學透鏡組包括至少一透鏡；<br/> 一光學墊片，設置於該鏡筒內，並位於該透鏡之一物側表面；以及<br/> 一光學感測器，設置於該鏡筒內，並位於一成像面上；<br/> 其中該光學墊片包括一環型本體，具有一外周緣及一内周緣，該外周緣圍繞該内周緣，而該内周緣圍繞形成有一開口；<br/> 該外周緣包括第一及第二切邊，其分別沿該Y軸朝該光學墊片之中心處內縮，該內周緣包括第三及第四切邊，其分別沿該Y軸朝該光學墊片之中心處內縮； <br/> 該第一及第二切邊之間的距離為D2，該第三及第四切邊之間的距離為D1，並滿足下列條件：0.05≦D1/D2≦0.95；以及<br/> 該內周緣更包括四個角落，分別朝該光學墊片之中心處反方向外擴成一透射部。
如請求項1所述之窄邊鏡頭模組，其中該第一至第四切邊皆呈平面。
如請求項1所述之窄邊鏡頭模組，其中該第三及第四切邊皆呈波浪形表面。
如請求項1所述之窄邊鏡頭模組，其中該外周緣更包括第五及第六切邊，其分別沿該X軸朝該光學墊片之中心處內縮，該內周緣更包括第七及第八切邊，其分別沿該X軸朝該光學墊片之中心處內縮。
如請求項4所述之窄邊鏡頭模組，其中該第三、第四、第七及第八切邊皆呈波浪形表面。
如請求項5所述之窄邊鏡頭模組，其中該內周緣更包括四個角落，分別形成對角圓弧。
如請求項4所述之窄邊鏡頭模組，其中該第三、第四、第七及第八切邊皆呈弧形表面，且該內周緣更包括四個角落，分別朝該光學墊片之中心處反方向外擴成一透射部。
如請求項1所述之窄邊鏡頭模組，其中該內周緣包括一內側表面，其設有多個同心環狀微結構、放射狀微結構、或V型微結構。
一種電子裝置，包括：<br/> 一外殼； <br/> 如請求項1至8之任一項所述之窄邊鏡頭模組，設置於該外殼內；<br/> 一控制元件，設置於該外殼內，並電性連接該光學感測器。
一種形成一光阻圖案之方法，包括： <br/>使用包括一有機聚合物及與該有機聚合物混合的一可漂浮聚合物的一光阻劑組合物塗覆一基板，其中在塗覆該基板之後，該有機聚合物在該基板上形成一光阻層，以及該可漂浮聚合物在該光阻層上形成一表面層，該可漂浮聚合物的一接觸角為約75°至約90°且高於該有機聚合物的一接觸角； <br/>固化該光阻層及該表面層； <br/>藉由暴露於輻射來圖案化該光阻層；以及 <br/>顯影該光阻層，以形成該光阻圖案。
如請求項1所述之方法，其中該可漂浮聚合物包括氟。
如請求項1所述之方法，其中該可漂浮聚合物包括一第一單體及一第二單體； <br/>其中該第一單體含有多個氟原子且具有小於13的一pKa值；以及 <br/>其中該第二單體不同於該第一單體且包括可溶於該光阻劑組合物的一溶劑中的一官能基，以及該第二單體具有小於13的一pKa值。
如請求項3所述之方法，其中該第二單體包括羧酸基、氟代醇基或酚基。
如請求項3所述之方法，其中該可漂浮聚合物包括30莫耳%或更多的該第一單體；或者 <br/>其中該可漂浮聚合物包括20莫耳%至80莫耳%的該第二單體。
如請求項3所述之方法，其中該可漂浮聚合物更包括不同於該第一單體及該第二單體的一第三單體； <br/>其中該第三單體包括至少一芳香環；或者 <br/>其中該第三單體含有一pKa值高於該光阻劑組合物的一光酸產生劑的一pKa值的一官能基，或含有一pKa值大於-10的一官能基。
如請求項3所述之方法，其中該可漂浮聚合物更包括一第三單體及一第四單體，其中該第三單體包括一酸性不穩定基團以及該第四單體包括一金屬配位錯合物。
一種形成一圖案化材料層之方法，包括： <br/>使用包括一有機聚合物及一可漂浮聚合物的一光阻劑組合物塗覆一基板，其中在塗覆該基板之後，該有機聚合物在該基板上形成一光阻層，以及該可漂浮聚合物在該光阻層上形成一表面層； <br/>固化該有機聚合物及該表面層； <br/>將該光阻層暴露於一輻射以將該光阻層圖案化； <br/>視情況地對經塗覆的該基板進行一暴露後烘烤； <br/>使用一顯影劑來顯影經圖案化的該光阻層； <br/>視情況地對經圖案化的該光阻層進行一硬烘烤；以及 <br/>蝕刻經圖案化的該光阻層，以在該基板上獲得該圖案化材料層。
如請求項8所述之方法，其中該可漂浮聚合物為一無規共聚物。
一種光阻劑組合物，包括： <br/>一有機聚合物； <br/>多達50 wt%的一可漂浮聚合物； <br/>一光酸產生劑； <br/>一猝滅劑；以及 <br/>一溶劑； <br/>其中該可漂浮聚合物的一表面能低於該有機聚合物的一表面能。
一種電話詐騙防護系統，包括：一通信介面，被配置用來接收並傳送電話通話；一人工智慧模組，被配置用來：當一使用者無法接聽或一來電者未被識別時，代表該使用者自動接聽來電；使用自然語言處理及語意分析與該來電者進行即時的一對話，以驗證該來電者的身份並評估該電話通話的合法性；即時分析該對話的內容以透過識別與詐騙相關的可疑關鍵字或模式來檢測潛在的詐騙活動；基於一分析結果，將該電話通話分類為多個風險類別之一，該風險類別至少包括安全、可疑及危險；對於被分類為危險的電話通話，自動終止該電話通話，封鎖來電者的號碼，並將事件報告給政府當局；其中，該人工智慧模組並被配置用來：對來電者於對話中提供的任何網路連結或網址進行即時網路釣魚評估，並將所述網路連結與預存的惡意網址黑名單比對，以識別網路釣魚企圖；使用影像識別及光學字元識別技術分析該來電者於對話中提供的任何視覺內容；與根據先前通話互動記錄及來自外部威脅情報來源的資料，持續更新其詐騙檢測演算法參數；且其中，該人工智慧模組被配置用來採用第三方AI公司提供的大語言模型，並包含檢索增強生成(RAG)及微調(fine-tuning)之客製化技術，以提升該人工智慧模組在與來電者互動時之上下文感知能力、回應準確性，並增強其對詐騙活動及網路釣魚模式之辨識與分類能力；一音頻輸出介面，被配置用來讓該使用者能夠即時監控正在進行的對話；一使用者干預介面，被配置用來允許該使用者干預並控制該電話通話，並可覆蓋所述人工智慧模組所採取的動作；一資料儲存元件，被配置用來以加密形式儲存對話摘要、分類資料以及可疑或危險電話通話的記錄；及一整合模組，被配置用來從該對話中提取相關資訊，並將該資訊整合到包括日曆及訊息平台的外部服務中，自動在使用者日曆中安排事件，並通過訊息平台傳送對應通知；其中，當該電話通話被判斷為安全時，所述整合模組被配置用來在日曆系統中安排後續約會。
如請求項1所述的電話詐騙防護系統，其中該人工智慧模組被配置用來支持多種語言的對話及分析。
一種電路板，包括：<br/> 一線路基板；<br/> 一絕緣基板，設置於所述線路基板上，並具有一第一表面、一第二表面以及多個位於所述第一表面的凹槽，其中所述第一表面相對於所述第二表面，而所述線路基板設置於所述第二表面；<br/> 多個第一導電柱，設置於所述絕緣基板中，且不位於任何所述凹槽內； <br/> 多個第二導電柱，設置於所述絕緣基板中，且分別位於所述凹槽內，其中所述第一導電柱的長度大於所述第二導電柱的長度；以及<br/> 多個接墊，分別設置於所述多個第一導電柱上與所述多個第二導電柱上，其中所述多個接墊的多個頂面不共平面；<br/> 其中所述多個接墊區分為多個第一接墊與多個第二接墊，所述多個第一接墊分別具有多個第一頂面，且設置於所述多個第一導電柱上；<br/> 所述多個第二接墊分別具有多個第二頂面，且設置於所述多個第二導電柱上，其中所述第一頂面與所述第二頂面之間的一高度差介於30微米至50微米之間。
如請求項1所述之電路板，其中所述多個凹槽每一個具有一槽壁，而所述槽壁的粗糙度介於0.1微米至0.4微米之間。
如請求項1所述之電路板，其中所述多個第一導電柱與所述多個第二導電柱沿著一方向而呈交錯排列。
如請求項1所述之電路板，其中所述凹槽的寬度由所述第一表面往所述第二表面的方向遞減。
一種電路板組件，包括：<br/> 一電路板，包括：<br/> 一線路基板；<br/> 一絕緣基板，設置於所述線路基板上，並具有一第一表面、一第二表面以及多個位於所述第一表面的凹槽，其中所述第一表面相對於所述第二表面，而所述線路基板設置於所述第二表面；<br/> 多個第一導電柱，設置於所述絕緣基板中，且不位於任何所述凹槽內； <br/> 多個第二導電柱，設置於所述絕緣基板中，且分別位於所述凹槽內，其中所述第一導電柱的長度大於所述第二導電柱的長度；<br/> 多個接墊，分別設置於所述多個第一導電柱上與所述多個第二導電柱上，其中所述多個接墊的多個頂面不共平面；<br/> 一電子元件，設置於所述電路板上，並包括:<br/> 一本體，具有一底表面；<br/> 多個導電塊，設置在所述本體的所述底表面上，並電線連接所述本體，其中所述多個導電塊分別設置於所述多個凹槽內，並電性連接所述多個凹槽內的所述多個接墊。
一種電路板組件的製造方法，包括：<br/> 提供一初始絕緣基板，其具有一第一表面、一相對於所述第一表面的第二表面以及多個位於所述第一表面的凹槽；<br/> 在所述初始絕緣基板的所述第一表面上形成多個第一通孔；<br/> 在所述初始絕緣基板的所述凹槽內形成多個第二通孔，其中在形成所述第一通孔與所述多個第二通孔之後，形成一絕緣基板；<br/> 在所述多個第一通孔內形成多個第一導電柱；<br/> 在所述多個第二通孔內形成多個第二導電柱，其中所述第二導電柱未填滿所述多個凹槽；<br/> 在所述多個第一導電柱與所述多個第二導電柱上分別形成多個接墊；<br/> 在形成多個接墊之後，將所述絕緣基板設置於一線路基板上，其中所述線路基板設置於所述第二表面；以及<br/> 將一電子元件裝設於所述絕緣基板上，其中所述絕緣基板位於所述電子元件與所述線路基板之間。
如請求項6所述之電路板組件的製造方法，還包括：<br/> 對所述多個凹槽每一個的槽壁進行拋光。
如請求項6所述之電路板組件的製造方法，其中形成所述電子元件的步驟包括：<br/> 提供一本體，具有一底表面；以及<br/> 設置多個導電塊在所述本體的所述底表面上，其中所述多個導電塊電性連接所述本體。
如請求項6所述之電路板組件的製造方法，其中所述凹槽的寬度由所述第一表面往所述第二表面的方向遞減。
一種服務異常檢測方法，其係藉由電子裝置實行，檢測提供至用戶終端之服務所發生之異常，其包括如下步驟： <br/>上述電子裝置根據自上述用戶終端傳輸來之諮詢用文本資料算出第1向量； <br/>上述電子裝置將上述第1向量及與上述第1向量對應之時間戳資訊儲存於向量資料庫； <br/>上述電子裝置獲得成為用以判定上述服務是否發生異常之基準之基準向量； <br/>上述電子裝置基於上述基準向量而自上述向量資料庫獲得一個以上之虛擬向量，其中各虛擬向量與上述基準向量之相似度為預設之臨界值以上，與各虛擬向量對應之時間戳資訊所表示之時刻屬於預設之期間內； <br/>上述電子裝置獲得與隨時間推移而變化之上述虛擬向量之數量分佈相關之資料；及 <br/>上述電子裝置基於與上述虛擬向量之數量分佈相關之資料，判定上述服務是否發生異常， <br/>其中上述電子裝置獲得與隨時間推移而變化之上述虛擬向量之數量分佈相關之資料之步驟包括如下步驟：將上述預設之期間劃分為複數個區間，以相應虛擬向量屬於與各虛擬向量對應之上述時間戳資訊所屬之區間內的方式進行分類； <br/>其中上述電子裝置基於與上述虛擬向量之數量分佈相關之資料，判定上述服務是否發生了異常之步驟包括如下步驟：於分佈在當前時刻所屬之區間中之虛擬向量之數量偏離聚類之邊界之情形時，判定為上述服務發生異常。
如請求項1之服務異常檢測方法，其中上述電子裝置根據自上述用戶終端傳輸來之上述諮詢用文本資料算出上述第1向量之步驟包括如下步驟： <br/>將上述諮詢用文本資料輸入至語言模型，並獲得自上述語言模型輸出之上述第1向量。
如請求項2之服務異常檢測方法，其中上述語言模型為基於複數個用戶諮詢明細文本資料學習之語言模型。
如請求項3之服務異常檢測方法，其中上述電子裝置根據自上述用戶終端傳輸來之上述諮詢用文本資料算出上述第1向量之步驟包括如下步驟：已學習之上述語言模型使用Text2vec程式館、Word2vec程式館及FastText程式館中之一者來處理文字嵌入。
如請求項1之服務異常檢測方法，其中上述時間戳資訊所表示之上述時刻表示在何時算出了與上述時間戳資訊對應之向量。
如請求項5之服務異常檢測方法，其中上述時間戳資訊以天為單位來表示。
如請求項1之服務異常檢測方法，其中上述時間戳資訊所表示之上述時刻表示在何時自上述用戶終端傳輸了已算出與上述時間戳資訊對應之向量的諮詢用文本資料。
如請求項7之服務異常檢測方法，其中上述時間戳資訊以天為單位來表示。
如請求項1之服務異常檢測方法，其中獲得上述基準向量之步驟包括如下步驟：將上述第1向量確定為上述基準向量。
如請求項9之服務異常檢測方法，其中上述電子裝置基於上述基準向量而自上述向量資料庫獲得上述一個以上之虛擬向量之步驟響應於上述電子裝置根據自上述用戶終端傳輸來之上述諮詢用文本資料算出上述第1向量來實行。
如請求項1之服務異常檢測方法，其中獲得上述基準向量之步驟包括如下步驟： <br/>上述電子裝置接收與自上述用戶終端傳輸來之諮詢用文本資料相區分之單獨輸入之檢索用文本資料； <br/>根據上述檢索用文本資料算出第2向量；及 <br/>將上述第2向量確定為上述基準向量。
如請求項1之服務異常檢測方法，其中上述相似度係根據向量之間之歐氏距離、餘弦相似度及雅卡爾相似度中之一者來確定。
如請求項1之服務異常檢測方法，其中上述預設之期間為一週。
如請求項1之服務異常檢測方法，其中根據常態分佈之三標準差定義上述聚類。
如請求項1之服務異常檢測方法，其進而包括如下步驟： <br/>響應於判定為上述服務發生異常，上述電子裝置輸出異常發生通報。
如請求項15之服務異常檢測方法，其中上述服務為電子商務服務。
如請求項16之服務異常檢測方法，其進而包括如下步驟： <br/>將上述異常發生通報傳輸至藉由長期電子商務服務銷售之商品的銷售者之終端。
一種電子裝置，其包括： <br/>一個以上之處理器；及 <br/>一個以上之記憶體，其等儲存有藉由上述一個以上之處理器執行之命令；且 <br/>上述電子裝置構成為，於藉由上述一個以上之處理器執行上述命令時，由上述一個以上之處理器執行如請求項1至17中任一項之服務異常檢測方法。
一種非暫時性電腦可讀儲存媒體，其儲存有於藉由一個以上之處理器執行時，使上述一個以上之處理器實行動作之命令， <br/>上述命令構成為， <br/>使上述一個以上之處理器執行如請求項1至17中任一項之服務異常檢測方法。
一種具支撐架之滑軌，包含：<br/>一第一軌；<br/>一第一支撐架，安裝於該第一軌一側，該第一支撐架包含：一第一側牆，該第一側牆二端分別彎折延伸有一橫牆，二橫牆末端分別朝相對內側彎折延伸有一縱段；以及<br/>一第二支撐架，包含：一第二側牆，其兩端分別朝該二縱段彎折延伸有一第一部，二第一部末端分別反向彎折有靠抵該二縱段之一彎折部，二彎折部末端分別朝該第一側牆延伸有支撐於該二橫牆之一第二部，二第二部靠抵於該二第一部相鄰該二橫牆之一側，用以增加第二支撐架受該第一軌拉扯時避免變形的抗扭強度。
如請求項1所述之具支撐架之滑軌，其中該第二側牆二端分別彎折延伸有靠抵該第一側牆之一牆體，該第二側牆與該第一側牆之間形成一間距，供該第二支撐架不易彎折。
如請求項1所述之具支撐架之滑軌，其中該二第一部與該二第二部為平行且相互靠抵。
一種具支撐架之滑軌，包含：<br/>一第一軌；<br/>一第一支撐架，安裝於該第一軌一側，該第一支撐架包含：一第一側牆，該第一側牆二端分別彎折延伸有一橫牆，二橫牆末端分別朝相對內側彎折延伸有一縱段；以及<br/>一第二支撐架，包含：一第二側牆，其二端分別朝該二縱段彎折延伸有一第一部，二第一部末端分別垂直彎折有與該二縱段相互支撐之一彎折部，二彎折部末端分別朝該第一側牆反向彎折延伸有支撐於該二橫牆之一第二部，二第二部靠抵於該二第一部相鄰該二橫牆之一側，用以增加該第二支撐架受該第一軌拉扯時避免變形的抗扭強度。
如請求項4所述之具支撐架之滑軌，其中該第二側牆二端分別彎折延伸有靠抵該第一側牆之一牆體，該第二側牆與該第一側牆之間形成一間距，供該第二支撐架不易彎折。
一種具支撐架之滑軌，包含：<br/>一第一軌；<br/>一第一支撐架，安裝於該第一軌一側，該第一支撐架包含：一第一側牆，該第一側牆二端分別彎折延伸有一橫牆，二橫牆末端分別朝相對內側彎折延伸有一縱段；以及<br/>一第二支撐架，包含：一第二側牆，其兩端分別朝該二縱段彎折延伸有一第一部，二第一部末端分別延伸有支撐於該二縱段之一彎折部，二彎折部末端分別朝該第一側牆延伸有支撐於該二橫牆之一第二部，該二彎折部與該二第二部為一連續弧彎，二第二部靠抵於該二第一部相鄰該二橫牆之一側，用以增加該第二支撐架受該第一軌拉扯時避免變形的抗扭強度。
如請求項6所述之具支撐架之滑軌，其中該第二側牆二端分別彎折延伸有靠抵該第一側牆之一牆體，該第二側牆與該第一側牆之間形成一間距，供該第二支撐架不易彎折。
如請求項4或6所述之具支撐架之滑軌，其中該二第二部末端靠抵於該二第一部相鄰該二橫牆之一側。
如請求項2、5或7所述之具支撐架之滑軌，其中該第二側牆二端與該二牆體之間分別為連續彎折之一連接部。
如請求項1、4或6所述之具支撐架之滑軌，其中該第二支撐架一端組接一第二托架，該第二支撐架位於該第一軌之一側，該第一軌遠離該第二托架之另一端組接一第一托架，該第二支撐架位於組接該第二托架之另一端連接該第一支撐架之一軌道。
一種影片剪輯系統，包含：<br/> 一第一攝影機，用以擷取一運動場地的一第一影片；<br/> 複數個第二攝影機，用以擷取該運動場地的複數個第二影片，其中該些第二攝影機具有不同的設置位置；以及<br/> 一處理裝置，通訊連接於該第一攝影機及該些第二攝影機，用以使該第一攝影機及該些第二攝影機的時間同步，並執行以下運作：<br/> 自該第一攝影機取得該第一影片，且自該些第二攝影機取得該些第二影片；<br/> 辨識該第一影片中的一球體；<br/> 分析該球體的一運動軌跡，並根據該運動軌跡建立一剪輯時間點；<br/> 根據該運動軌跡，找出該些第二攝影機中對應於該運動軌跡的至少一者及該些第二影片中的至少一者，其中該些第二影片中的至少一者係由對應於該運動軌跡的該些第二攝影機中的至少一者所產生；以及<br/> 根據該剪輯時間點，剪輯該些第二影片中的該至少一者以產生一剪輯影片。
如請求項1所述之影片剪輯系統，其中該第一攝影機的一拍攝方向為該運動場地的一法向量。
如請求項1所述之影片剪輯系統，其中該處理裝置或該第一攝影機用以辨識該運動場地之至少三個標的物，以建立該運動場地的一座標系統。
如請求項3所述之影片剪輯系統，其中該些第二攝影機的每一者在該座標系統中分別具有相對應的一座標位置。
如請求項1所述之影片剪輯系統，其中當該運動軌跡的一運動參數符合一剪輯條件時，該處理裝置用以建立該剪輯時間點，且該運動參數包含該運動軌跡的速度、加速度、軌跡長度以及變化角度的至少其中之一。
如請求項5所述之影片剪輯系統，其中該處理裝置還用以執行以下運作以建立該剪輯條件：<br/> 取得一參考影片；以及<br/> 分析該參考影片的一影像變化，以產生該剪輯條件。
如請求項1所述之影片剪輯系統，其中該處理裝置用以根據該運動軌跡的一第一運動方向或相反於該運動軌跡的一第二運動方向，找出該些第二攝影機的該至少一者，以取得該些第二影片中的該至少一者。
如請求項1所述之影片剪輯系統，其中該處理裝置用以根據一特寫區域找出該些第二攝影機中位置相對應的一者，以取得該些第二影片中的該至少一者。
如請求項1所述之影片剪輯系統，其中該處理裝置還用以執行以下運作： 在該處理裝置與一終端攝影機相通訊連接時，傳送一座標資料至該終端攝影機；以及<br/> 接收該終端攝影機回傳的一位置資料，以將該終端攝影機新增為該些第二攝影機的其中一者。
如請求項1所述之影片剪輯系統，其中該處理裝置更包含一有物件偵測模型以推估該球體的該運動軌跡。
一種影片剪輯方法，包含：<br/> 同步一處理裝置、一第一攝影機及複數個第二攝影機的時間；<br/> 透過該第一攝影機擷取一運動場地的一第一影片，以及透過該些第二攝影機擷取該運動場地的複數個第二影片，其中該些第二攝影機具有不同的設置位置；<br/> 透過該處理裝置，辨識該第一影片中的一球體；<br/> 分析該球體的一運動軌跡，並根據該運動軌跡建立一剪輯時間點；<br/> 根據該運動軌跡，找出該些第二攝影機中對應於該運動軌跡的至少一者及該些第二影片中的至少一者，其中該些第二影片中的至少一者係由對應於該運動軌跡的該些第二攝影機中的至少一者所產生；以及<br/> 根據該剪輯時間點，剪輯該些第二影片中的該至少一者以產生一剪輯影片。
如請求項11所述之影片剪輯方法，其中該第一攝影機的一拍攝方向為該運動場地的一法向量。
如請求項11所述之影片剪輯方法，還包含：<br/> 辨識該運動場地的至少三個標的物；以及<br/> 根據該至少三個標的物建立該運動場地的一座標系統。
如請求項13所述之影片剪輯方法，其中該些第二攝影機的每一者在該座標系統中分別具有相對應的一座標位置。
如請求項11所述之影片剪輯方法，其中分析該球體的該運動軌跡以建立該剪輯時間點的方法還包含：<br/> 判斷該運動軌跡的一運動參數是否符合一剪輯條件，其中該運動參數包含該運動軌跡的速度、加速度、軌跡長度以及變化角度的至少其中之一；以及<br/> 在該運動參數符合該剪輯條件時，建立該剪輯時間點。
如請求項15所述之影片剪輯方法，還包含：<br/> 取得一參考影片；以及<br/> 分析該參考影片的一影像變化，以產生該剪輯條件。
如請求項11所述之影片剪輯方法，其中找出該些第二攝影機中對應於該運動軌跡的該至少一者及該些第二影片中的該至少一的方法包含：<br/> 根據該運動軌跡的一第一運動方向或相反於該運動軌跡的一第二運動方向，找出該些第二攝影機的該至少一者，以取得該些第二影片中的該至少一者。
如請求項11所述之影片剪輯方法，其中找出該些第二攝影機中對應於該運動軌跡的該至少一者及該些第二影片中的該至少一者的方法包含：<br/> 根據一特寫區域找出該些第二攝影機中位置相對應的一者，以取得該些第二影片中的該至少一者。
如請求項11所述之影片剪輯方法，還包含：<br/> 在該處理裝置與一終端攝影機相通訊連接時，傳送一座標資料至該終端攝影機，並接收該終端攝影機回傳的一位置資料；以及<br/> 將該終端攝影機新增為該些第二攝影機的其中一者。
如請求項19所述之影片剪輯方法，其中該處理裝置更包含一有物件偵測模型以推估該球體的該運動軌跡。
一種可自動逐批次投藥的泡沫處理藥劑性能評鑑的裝置，包含：<br/> 一緩衝裝置；<br/> 一測試裝置，與該緩衝裝置相連通；<br/> 一第一控溫裝置，該緩衝裝置設置於該第一控溫裝置的一第一介質流體中；<br/> 一進氣流體供應裝置，與該測試裝置相連通；<br/> 一測試藥劑儲存裝置，與該緩衝裝置相連通；及<br/> 一測試流體，於該測試裝置及該緩衝裝置之間循環流通；<br/> 一第二控溫裝置，配置為使得該測試裝置的逸散流體冷凝回收重新輸送回到該緩衝裝置中；<br/> 一監測裝置，配置用以監測該測試裝置內部的測試流體的高度，<br/> 其中該測試藥劑儲存裝置配置用以輸送一測試藥劑於該緩衝裝置的該測試流體中，該緩衝裝置配置用以將加入該測試藥劑的測試流體輸送到該測試裝置中，及該進氣流體供應裝置配置用以將進氣流體供應裝置中的一進氣流體輸送至該測試裝置中，以在該測試裝置中進行該測試藥劑的性能評估。
如請求項1所述的裝置，其中該測試裝置還包含一控溫件，包覆於該測試裝置的一測試流體容置區域外，該控溫件與該第一控溫裝置相連通，使得該第一介質流體於該控溫件及該第一控溫裝置之間流通，以使該測試流體容置區域中的測試流體控制於一控制溫度。
如請求項1所述的裝置，其中該裝置還包含一回收裝置，與該測試裝置及該緩衝裝置相連通，使得該測試裝置的逸散流體經由該回收裝置回收並輸送至該緩衝裝置中。
如請求項1所述的裝置，其中該裝置還包含一分析裝置，配置用以分析該測試藥劑的性能。
一種通過如請求項1至4任一項所述的裝置評鑑泡沫處理藥劑性能的方法，包含以下步驟：<br/> （a）將該緩衝裝置中的該測試流體輸送至該測試裝置，並從該進氣流體供應裝置輸送該進氣流體至該測試裝置中的該測試流體，以測試該測試流體的一加藥前高度；<br/> （b）將測試完該加藥前高度的該測試流體回流至該緩衝裝置；<br/> （c）將該測試藥劑加入該緩衝裝置的該測試流體中；及<br/> （d）將加入該測試藥劑的該測試流體由該緩衝裝置輸送至該測試裝置，並從該進氣流體供應裝置輸送該進氣流體至該測試裝置中的該測試流體，以測試該測試流體的一加藥後高度。
如請求項5所述的方法，其中該方法還包含以下步驟：將該緩衝裝置中的該測試流體與該測試裝置中的該測試流體控制為相同溫度。
如請求項6所述的方法，其中該測試流體為通過一第一介質流體熱交換以將該緩衝裝置中的測試流體與該測試裝置中的測試流體控制為相同溫度，該測試流體不直接與第一介質流體接觸。
如請求項5所述的方法，其中該方法還包含以下步驟：將該測試裝置中的逸散流體回收並輸送至該緩衝裝置中。
如請求項5所述的方法，其中該方法還包含以下步驟：重複該步驟（b）至（d），以評估加入不同濃度的測試藥劑後的性能。
一種人工智慧驅動的網路安全系統，包括：<br/> 一連結分析模組，配置用來於一使用者瀏覽期間藉由分析 HTTP 標頭以識別重導回應，並記錄多次重導所涉及之各 URL，從而建構一完整導航路徑；；<br/> 其中，該連結分析模組進一步配置用以對該完整導航路徑套用模式識別及啟發式規則，以識別與惡意活動相關之重導行為，所述重導行為至少包括快速連續重導、混淆 URL、或重導至聲譽分數低之域名；<br/> 其中，該連結分析模組進一步配置用以利用一機器學習模型對該完整導航路徑進行分類，且該機器學習模型係以包含合法重導鏈及惡意重導鏈之訓練資料集訓練；且<br/> 其中，該連結分析模組進一步配置用以由該機器學習模型基於至少下列特徵對該完整導航路徑產生風險評分：URL 熵、域名年齡、SSL 證書有效性、及可疑查詢參數之存在；以及<br/> 一存取控制模組，配置用以當該風險評分達高風險門檻時，阻止使用者存取該完整導航路徑之最終目的地。
如請求項1所述的網路安全系統，更包括：<br/> 一資料接收模組，配置用以接收並彙整包括影像、文字內容及 URL 之多樣化資料類型；<br/> 一AI分析模組，配置用以分析所述影像及文字內容以偵測及分類網路威脅，且該人工智慧分析模組包括一影像識別元件、一光學字元辨識元件及一語義分析元件；<br/> 一家庭監控模組，該家庭監控模組配置用來根據該使用者之設定文件實施自訂的內容過濾和存取控制。
如請求項2所述的網路安全系統，更包括一音訊介面，用以捕捉音訊串流並將語音轉換為文字，且將轉換後之文字提供予該語義分析元件以進行威脅偵測或分類。
如請求項2所述的網路安全系統，其中，該語義分析元件係採用基於Transformer的架構及檢索增強生成(Retrieval-Augmented Generation, RAG)以提高文字識別或理解能力。
如請求項1所述的網路安全系統，其中，該連結分析模組配置用以管理已知安全及已知危險的動態列表，並對不在該動態列表中的URL進行基於AI的評估。
如請求項1所述的網路安全系統，進一步包括一使用者介面模組，其中，該使用者介面模組包括一個狀態儀表板，通過顏色編碼方案呈現即時安全指標。
如請求項1所述的網路安全系統，其中，該機器學習模型係以動態機器學習演算法持續更新，以適應並預測新興威脅。
如請求項1所述的網路安全系統，其中當該風險評分達所述高風險門檻時，產生即時警示以通知使用者。
一種式(I)化合物：<figure><img align="absmiddle" height="190px" width="268px" file="d10171.TIF" alt="化學式ed10171.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10171.png"/></figure>或其藥學上可接受之鹽類；其中，R<sub>1</sub>和R<sub>2</sub>中之一者為H，R<sub>1</sub>和R<sub>2</sub>中之另一者為鹵素、未經取代或經取代的C<sub>1-6</sub>烷基、未經取代或經取代的C<sub>1-6</sub>烷氧基、-NR<sub>a</sub>R<sub>b</sub>或含N雜芳基，其中R<sub>a</sub>和R<sub>b</sub>分別為H或C<sub>1-6</sub>烷基；R<sub>3</sub>為-OH、未經取代或經取代的C<sub>1-6</sub>烷基、或未經取代或經取代的C<sub>1-6</sub>烷氧基；R<sub>4</sub>為-O-C<sub>1-3</sub>亞烷基-R<sub>c</sub>，其中R<sub>c</sub>為-CN、-OH、-C(=O)OR<sub>d</sub>、-C(=O)R<sub>e</sub>、C<sub>2-6</sub>炔基或雜芳基；R<sub>d</sub>為未經取代或經取代的C<sub>1-6</sub>烷基；R<sub>e</sub>為-NR<sub>f</sub>R<sub>g</sub>、或經-OH、C<sub>1-6</sub>烷基、-NR<sub>f</sub>R<sub>g</sub>、環烷基取代的雜環烷基或經C<sub>1-6</sub>烷基取代的雜環烷基；其中R<sub>f</sub>為H或C<sub>1-6</sub>烷基，且R<sub>g</sub>為H、未經取代或經取代的C<sub>1-6</sub>烷基或-SO<sub>2</sub>CF<sub>3</sub>；R<sub>5</sub>為H；以及R<sub>6</sub>為C<sub>1-6</sub>烷基，條件為當R<sub>1</sub>為Cl、R<sub>2</sub>為H、R<sub>3</sub>為C<sub>3</sub>烷基、R<sub>6</sub>為甲基且R<sub>5</sub>為H時，R<sub>4</sub>不為-OCH<sub>2</sub>C(=O)OH。
如請求項1所述之化合物，其中R<sub>2</sub>為H，R<sub>1</sub>為F、Cl、Br、未經取代或經取代的C<sub>1-6</sub>烷基、未經取代或經取代的C<sub>1-6</sub>烷氧基、-NR<sub>a</sub>R<sub>b</sub>或咪唑基。
如請求項2所述之化合物，其中R<sub>1</sub>為Cl或甲氧基。
如請求項1所述之化合物，其中R<sub>3</sub>為未經取代或經取代的C<sub>1-6</sub>烷氧基。
如請求項1所述之化合物，其中R<sub>3</sub>為未經取代的C<sub>1-6</sub>烷氧基。
如請求項1所述之化合物，其中R<sub>5</sub>為H。
如請求項1所述之化合物，其中R<sub>4</sub>為-O-CH<sub>2</sub>-R<sub>c</sub>。
如請求項7所述之化合物，其中R<sub>4</sub>為-O-CH<sub>2</sub>-C(=O)R<sub>e</sub>。
如請求項8所述之化合物，其中R<sub>e</sub>為經-OH、C<sub>1-6</sub>烷基、-NR<sub>f</sub>R<sub>g</sub>、環烷基取代的雜環烷基、或經C<sub>1-6</sub>烷基取代的雜環烷基。
如請求項9所述之化合物，其中R<sub>e</sub>為<img align="absmiddle" height="37px" width="81px" file="d10172.TIF" alt="其他非圖式ed10172.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10172.png"/>；其中X為N或C，Y為C<sub>1-6</sub>烷基、-NR<sub>f</sub>R<sub>g</sub>或經C<sub>1-6</sub>烷基取代的雜環烷基，其中R<sub>f</sub>和R<sub>g</sub>分別為C<sub>1-6</sub>烷基。
如請求項10所述之化合物，其中X為N，且Y為C<sub>1-6</sub>烷基。
如請求項11所述之化合物，其中X為N，且Y為乙基。
如請求項10所述之化合物，其中X為C，Y為-NR<sub>f</sub>R<sub>g</sub>或<img align="absmiddle" height="38px" width="83px" file="d10173.TIF" alt="其他非圖式ed10173.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10173.png"/>，且Z為C<sub>1-6</sub>烷基；其中R<sub>f</sub>和R<sub>g</sub>分別為C<sub>1-6</sub>烷基。
如請求項13所述之化合物，其中Y為-N(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>或<img align="absmiddle" height="36px" width="81px" file="d10174.TIF" alt="其他非圖式ed10174.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10174.png"/>，且Z為甲基。
如請求項1所述之化合物，其中該化合物為其馬來酸鹽。
如請求項1所述之化合物，其中該化合物選自由以下所組成之群組中的任一者：<figure><img align="absmiddle" height="851px" width="587px" file="d10175.TIF" alt="化學式ed10175.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10175.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="905px" width="586px" file="d10176.TIF" alt="化學式ed10176.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10176.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="887px" width="587px" file="d10177.TIF" alt="化學式ed10177.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10177.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="246px" width="577px" file="d10178.TIF" alt="化學式ed10178.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10178.png"/></figure>
一種醫藥組成物，包括：一如請求項1所述之化合物或其藥學上可接受之鹽類；以及一藥學上可接受之載體、賦形劑或稀釋劑。
如請求項17所述之醫藥組成物，更包括一治療劑。
如請求項18所述之醫藥組成物，其中該治療劑為至少一選自由紫杉醇、多西他賽、伊沙貝比隆、艾瑞布林及長春瑞濱所組成之群組。
一種如請求項1所述之化合物或其藥學上可接受之鹽類的用途，用於製備治療癌症的藥物。
一種環狀襯體裝置，用於一製程腔室，包括一第一環襯、一筒狀襯和一第二環襯，其中： <br/>該第一環襯與該筒狀襯的第一端連接，該第二環襯與該筒狀襯的第二端連接，該筒狀襯在其軸線方向上可伸縮，以使該第一環襯和該第二環襯能夠沿該筒狀襯的該軸線方向相對移動。
如請求項1所述的環狀襯體裝置，其中該環狀襯體裝置還包括一導向杆，該導向杆的第一端固定連接於該第一環襯和該第二環襯中的一者上，該導向杆的第二端穿過該筒狀襯的側壁，並至少穿設在該第一環襯和該第二環襯的另一者中，該導向杆與該第一環襯或該第二環襯滑動配合，且用於引導該第一環襯與該第二環襯的對中。
如請求項2所述的環狀襯體裝置，其中該第一環襯或該第二環襯設有一第一安裝孔，該第一安裝孔中固定安裝有一第一套筒，該導向杆穿設在該第一套筒之內，並與該第一套筒滑動配合。
如請求項2所述的環狀襯體裝置，其中該導向杆為多個，且在該環狀襯體裝置的圓周方向間隔分佈。
如請求項1所述的環狀襯體裝置，其中該第一環襯的內側邊緣凸出於該筒狀襯的內壁，並形成一環狀邊緣。
如請求項5所述的環狀襯體裝置，其中該第一環襯包括一環狀本體和一襯筒，該環狀本體的內側邊緣包括該環狀邊緣，該襯筒的第一端口密封連接於該環狀本體的朝向該第二環襯的表面，該襯筒的第二端口鄰近該第二環襯設置，該襯筒的至少部分設在該筒狀襯的內側。
如請求項5所述的環狀襯體裝置，其中該環狀邊緣的朝向該第二環襯的表面開設有一第一環狀定位槽，和/或，該第二環襯的邊緣設有一第二環狀定位槽。
如請求項1所述的環狀襯體裝置，其中該第二環襯設有一連接槽，該連接槽的鄰近該第二環襯的內側邊緣的部位設有一掛接凸起。
如請求項1-8中任一項所述的環狀襯體裝置，其中該筒狀襯包括一第一環、一第二環、一內波紋管和一外波紋管，該內波紋管設於該外波紋管之內，且兩者形成一環狀間隙，該第一環密封在該環狀間隙的第一端，該第二環密封在該環狀間隙的第二端，該第一環與該第一環襯和該第二環襯中的一者相連，該第二環與該第一環襯和第二環襯中的另一者相連。
如請求項9所述的環狀襯體裝置，其中該環狀襯體裝置還包括一導向杆，該導向杆的部分位於該環狀間隙中，該導向杆的一端穿過該第二環，且與該第一環襯和第二環襯中的一者固定相連，該導向杆的另一端穿過該第一環，且與該第一環襯和該第二環襯中的另一者滑動配合。
一種製程腔室的內襯，其中包括一第三環襯和請求項1至10中任一項所述的環狀襯體裝置，該環狀襯體裝置的該第二環襯與該第三環襯可壓緊配合。
如請求項11所述的內襯，其中該內襯還包括一第二誘電線圈，該第二誘電線圈沿該第三環襯的周向延伸，且在該製程腔室處於製程狀態下被壓緊於該第二環襯與該第三環襯之間，並電連接該第二環襯與該第三環襯。
如請求項12所述的內襯，其中該第三環襯與該第二環襯中的至少一者設有一第二環狀定位槽，該第二誘電線圈定位於該第二環狀定位槽中。
如請求項11所述的內襯，其中該第二環襯的底端的環狀端面為一第一折彎面，該第三環襯的邊緣設有一第二折彎面，該第一折彎面和該第二折彎面的形狀相適配，且形成彎折的一第三縫隙。
一種製程腔室，其中包括一腔體、一承載座和請求項11至14中任一項所述的內襯，該腔體設有一傳片口，該第三環襯圍繞該承載座設置； <br/>在製程狀態下，該第二環襯壓緊該第三環襯； <br/>在非製程狀態下，該第二環襯與該第三環襯分離，該筒狀襯縮短並避讓該傳片口。
如請求項15所述的製程腔室，其中該製程腔室還包括一分配盤，該分配盤覆蓋該腔體的頂部開口，該分配盤的邊緣、該第三環襯、該環狀襯體裝置和該承載座均設於該腔體之內。
如請求項16所述的製程腔室，其中該第一環襯的內側邊緣凸出於該筒狀襯的內壁，並形成一環狀邊緣；該製程腔室還包括一第一誘電線圈，該第一誘電線圈沿該環狀邊緣的周向設置，且在該製程狀態下被壓緊於該環狀邊緣與該分配盤的邊緣之間，並電連接該第一環襯與該分配盤。
如請求項17所述的製程腔室，其中該環狀邊緣和該分配盤的邊緣中的至少一者設有一第一環狀定位槽，該第一誘電線圈定位於該第一環狀定位槽中。
如請求項16所述的製程腔室，其中該製程腔室還包括一驅動機構，該驅動機構分別與該第一環襯和第二環襯相連，且用於在製程狀態下分別驅動該第一環襯帶動該環狀邊緣壓緊該分配盤的邊緣以及該第二環襯壓緊該第三環襯。
如請求項19所述的製程腔室，其中該第一環襯的內側邊緣凸出於該筒狀襯的內壁，並形成一環狀邊緣；該驅動機構包括一壓緊機構，該壓緊機構包括一第一滑動件、一第二滑動件和一彈性件，該腔體設有一穿孔，該第一滑動件穿過該穿孔並與該第一環襯相連，該第二滑動件的部分滑動地設於該第一滑動件之內，且穿過該穿孔並與該第二環襯相連，該彈性件連接於該第一滑動件與該第二滑動件之間，且呈預壓狀態，在該驅動機構進行壓緊驅動時，該第二環襯與該第三環襯僅接觸的情況下，該環狀邊緣與該分配盤的邊緣之間在壓緊方向間隔分佈。
如請求項20所述的製程腔室，其中該壓緊機構還包括一筒狀外殼；其中，該筒狀外殼固定於該腔體之外，該筒狀外殼通過該穿孔與該腔體的內部空間連通，該第一滑動件的至少部分滑動地設於該筒狀外殼之內。
如請求項21所述的製程腔室，其中該第一滑動件包括一滑筒、一導向塊和一連接塊，其中： <br/>該滑筒的至少部分滑動地設於該筒狀外殼之內，該連接塊封堵在該滑筒的鄰近該腔體的端口處，並伸至該內部空間中而與該第一環襯相連，該導向塊的至少部分固定在該滑筒內，且與該連接塊間隔設置，該連接塊設有一第一導向孔，該導向塊設有一第二導向孔； <br/>該第二滑動件的第一端與該第二環襯相連，該第二滑動件的第二端穿過該第一導向孔，且伸至該第二導向孔中而分別與該第一導向孔和該第二導向孔滑動配合，該彈性件套設在該第二滑動件的位於該第一導向孔與該第二導向孔之間的部位上，該彈性件的第一端與該第二滑動件相連，該彈性件的第二端抵觸於該導向塊上。
如請求項22所述的製程腔室，其中該第二滑動件包括一第一杆本體和一第一環狀凸緣，該第一環狀凸緣固定於該第一杆本體，且圍繞該第一杆本體的圓周方向延伸，該第一杆本體伸至該第二導向孔中，且與該第二導向孔滑動配合，該彈性件套設於該第一杆本體上，且該彈性件的第一端彈性抵觸於該第一環狀凸緣上。
如請求項22所述的製程腔室，其中該第二滑動件包括一第二杆本體和一第二環狀凸緣，該第二杆本體的第一端位於該滑筒內，該第二杆本體的第二端穿過該第一導向孔，且與該第二環襯相連，該第二環狀凸緣位於該滑筒之內，該壓緊機構還包括第一伸縮筒，該第一伸縮筒套設於該第二杆本體，且該第一伸縮筒的兩個端口分別密封對接於該第二環狀凸緣和該連接塊。
如請求項22所述的製程腔室，其中該滑筒內設有一第三環狀凸緣，該第三環狀凸緣圍成一第二安裝孔，該第二安裝孔內安裝有一第一軸套，該第一軸套位於該導向塊與該連接塊之間，該第二滑動件穿過該第一軸套，該第一軸套的中軸線、該第一導向孔的中軸線和該第二導向孔的中軸線共線。
如請求項21所述的製程腔室，其中該第一滑動件的外壁設有一第四環狀凸緣，該壓緊機構還包括一第二伸縮筒，該第二伸縮筒套設於該第一滑動件，且位於該筒狀外殼之內，該第二伸縮筒的兩端分別密封連接於該第四環狀凸緣與該腔體。
如請求項21所述的製程腔室，其中該壓緊機構還包括一第二軸套和固定在該筒狀外殼之內的一第五環狀凸緣，該第二軸套沿軸向固定於該第五環狀凸緣，且套於該第一滑動件之外，該第一滑動件與該第二軸套在第一滑動件的滑動方向導向滑動配合。
如請求項21所述的製程腔室，其中該第二環襯設有一連接槽，該連接槽的鄰近該第二環襯的內側邊緣的部位設有一掛接凸起； <br/>該壓緊機構還包括一卡接片，該卡接片可拆卸地卡接在該連接槽上，該卡接片與該掛接凸起相對，該卡接片與該掛接凸起圍成一避讓孔，該第二滑動件的端部設有一第六環狀凸緣，該第六環狀凸緣位於該連接槽內，該第二滑動件的其它部位從該避讓孔而伸出該連接槽之外，該第六環狀凸緣分別與該卡接片和該掛接凸起掛接配合。
如請求項28所述的製程腔室，其中該壓緊機構還包括一墊圈，該墊圈設於該第六環狀凸緣與該卡接片以及該掛接凸起之間。
如請求項21所述的製程腔室，其中該第一滑動件的端部伸出該筒狀外殼的遠離該腔體的端口，該驅動機構還包括一動力源，該壓緊機構為多個，多個該壓緊機構間隔分佈，該動力源與多個該壓緊機構的該第一滑動件相連，以驅動該第一滑動件滑動。
如請求項30述的製程腔室，其中該動力源為一伸縮機構，該驅動機構還包括一連杆，該伸縮機構固定於該分配盤上，且該伸縮機構的伸縮端通過該連杆連接於該第一滑動件，該伸縮機構可通過該連杆帶動多個該壓緊機構的第一滑動件同步滑動。
如請求項16所述的製程腔室，其中該第一環襯包括一環狀本體和一襯筒，該環狀本體的內側邊緣凸出於該襯筒的內壁，並形成一環狀邊緣；該襯筒的第一端口密封連接於該環狀本體的朝向該第二環襯的表面，該襯筒的第二端口鄰近該第二環襯設置，該襯筒的至少部分設在該筒狀襯的內側； <br/>該襯筒的內壁與該分配盤之間形成的縫隙為一第一縫隙，該環狀邊緣與該分配盤的邊緣之間形成的縫隙為一第二縫隙，該第一縫隙與該第二縫隙相交。
一種半導體製程設備，包括請求項15至32中任一項所述的製程腔室。
一種粒鐵製造裝置，具有：粒化裝置，將鐵水製成液滴；冷卻水槽，使所述液滴落下至冷卻水中進行冷卻而製成粒鐵；以及搬送裝置，將所述粒鐵搬送至所述冷卻水槽外， <br/>所述粒鐵製造裝置具有：水流控制容器，設置於所述冷卻水槽內且上下端開口；以及冷卻水管組，向所述水流控制容器內供給冷卻水， <br/>所述水流控制容器具有：分隔筒體，具有以水平剖面面積朝向下方變窄的方式傾斜的傾斜面；以及管道筒體，與所述分隔筒體的下方連接， <br/>所述冷卻水管組具有：上段冷卻水管組及中段冷卻水管組，與所述分隔筒體連接；以及下段冷卻水管組，與所述管道筒體連接， <br/>所述上段冷卻水管組與包含所述分隔筒體的上端的傾斜面的上段連接，由自所述上段冷卻水管組供給的冷卻水產生自上方向下方沿著傾斜面的冷卻水流， <br/>所述中段冷卻水管組朝向所述分隔筒體的筒芯與所述分隔筒體的傾斜面的中段水平地連接，由自所述中段冷卻水管組供給的冷卻水，產生朝向所述分隔筒體的筒芯且在所述筒芯處合流並上升，伴隨所述自上方向下方沿著傾斜面的冷卻水流而在所述分隔筒體內循環的第一循環流， <br/>所述下段冷卻水管組與所述管道筒體的側面連接，由自所述下段冷卻水管組供給的冷卻水與來自所述分隔筒體的排水，產生在所述管道筒體內循環的第二循環流， <br/>所述搬送裝置具有：輸送機，設置於所述水流控制容器的下方且自所述冷卻水槽內向所述冷卻水槽外搬送所述粒鐵；以及冷卻水供給裝置，設置於所述冷卻水槽內的所述輸送機的上方且供給將藉由所述輸送機搬出的所述粒鐵冷卻的冷卻水。
如請求項1所述的粒鐵製造裝置，具有控制裝置，所述控制裝置對自所述冷卻水管組向所述水流控制容器供給的冷卻水量進行控制， <br/>所述控制裝置進行控制，以使自所述冷卻水管組供給的冷卻水量按照所述中段冷卻水管組、所述上段冷卻水管組、所述下段冷卻水管組的順序減少。
如請求項1或2所述的粒鐵製造裝置，其中，所述冷卻水供給裝置具有：冷卻水主管，向所述輸送機上的所述粒鐵的上方的區域供給所述冷卻水，並沿著所述輸送機的搬送方向設置；以及多個冷卻水總管，在所述搬送方向上並列並分別與所述冷卻水主管連接，在所述輸送機的寬度方向上延伸，且在所述寬度方向上設置有至少一個供給口。
如請求項1所述的粒鐵製造裝置，具有突出部，所述突出部覆蓋所述上段冷卻水管組及/或所述中段冷卻水管組與所述傾斜面連接的連接部的上側。
如請求項4所述的粒鐵製造裝置，其中，所述突出部的剖面形狀為自上方朝向下方擴展的倒V字形形狀或倒U字形形狀。
如請求項1、4及5中任一項所述的粒鐵製造裝置，具有保護罩，所述保護罩覆蓋所述上段冷卻水管組與所述傾斜面連接的連接部的上側，所述保護罩的上端部封閉。
如請求項6所述的粒鐵製造裝置，其中，所述保護罩的剖面形狀為自上方朝向下方擴展的半圓或半橢圓形狀。
如請求項3所述的粒鐵製造裝置，其中，所述供給口是短邊的長度為3 mm以上的長方形的狹縫。
一種阻劑材料，含有： <br/>酸產生劑，含有下式(1)表示之鋶鹽或錪鹽，以及 <br/>基礎聚合物； <br/><img align="absmiddle" height="18px" width="89px" file="ed10150.jpg" alt="ed10150.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，p為1~3之整數；q為2~4之整數； <br/>R<sup>1</sup>為碳數2~20之烴基羰基氧基、碳數1~20之烴基磺醯基氧基或-N(R<sup>1A</sup>)-C(=O)-R<sup>1B</sup>，且該烴基羰基氧基及烴基磺醯基氧基也可含有選自氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、羥基、酯鍵及醚鍵中之至少1種；R<sup>1A</sup>為氫原子；R<sup>1B</sup>為碳數1~16之脂肪族烴基或碳數6~12之芳基，且也可含有鹵素原子或羥基； <br/>Ar為碳數6之(p+q+1)價芳香族烴基； <br/>M<sup>+</sup>為鋶陽離子或錪陽離子。
如請求項1之阻劑材料，其中，該基礎聚合物含有下式(a1)或(a2)表示之重複單元； <br/><img align="absmiddle" height="64px" width="94px" file="ed10151.jpg" alt="ed10151.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>A</sup>分別獨立地為氫原子或甲基； <br/>X<sup>1</sup>為單鍵、伸苯基或伸萘基、或含有選自酯鍵、醚鍵及內酯環中之至少1種之碳數1~12之連結基，且該伸苯基、伸萘基及連結基也可含有選自羥基、碳數1~8之飽和烴基氧基及碳數2~8之飽和烴基羰基氧基中之至少1種； <br/>X<sup>2</sup>為單鍵或酯鍵； <br/>X<sup>3</sup>為單鍵、醚鍵或酯鍵； <br/>R<sup>11</sup>及R<sup>12</sup>分別獨立地為酸不穩定基； <br/>R<sup>13</sup>為碳數1~4之飽和烴基、鹵素原子、碳數2~5之飽和烴基羰基、氰基或碳數2~5之飽和烴基氧基羰基； <br/>R<sup>14</sup>為單鍵或碳數1~6之烷二基，且該烷二基也可含有選自羥基、碳數1~8之飽和烴基氧基、碳數2~8之飽和烴基羰基氧基、醚鍵及酯鍵中之至少1種； <br/>a為0~4之整數。
如請求項2之阻劑材料，其係化學增幅正型阻劑材料。
如請求項1之阻劑材料，其中，該基礎聚合物為不含酸不穩定基者。
如請求項4之阻劑材料，其係化學增幅負型阻劑材料。
如請求項1之阻劑材料，更含有有機溶劑。
如請求項1之阻劑材料，更含有淬滅劑。
如請求項1之阻劑材料，更含有界面活性劑。
一種圖案形成方法，包含下列步驟： <br/>使用如請求項1至8中任一項之阻劑材料於基板上形成阻劑膜， <br/>以高能射線對該阻劑膜進行曝光，及 <br/>使用顯影液將該已曝光之阻劑膜進行顯影。
如請求項9之圖案形成方法，其中，該高能射線為波長193nm之ArF準分子雷射光、波長248nm之KrF準分子雷射光、電子束或波長3~15nm之極紫外線。
一種半導體結構，包括： <br/>基底； <br/>埋入式字元線結構，位於所述基底中，且包括： <br/>埋入式字元線，位於所述基底中；以及 <br/>閘介電層，位於所述埋入式字元線與所述基底之間；以及 <br/>介電阻障層，位於所述埋入式字元線結構上方的所述基底中，其中 <br/>位於所述基底中的所述介電阻障層的寬度大於所述埋入式字元線結構的寬度，且 <br/>在所述介電阻障層中具有鄰近於所述基底的多個氣隙，其中 <br/>多個所述氣隙位於所述埋入式字元線結構的兩側上方，且 <br/>所述氣隙的外側位置超出所述埋入式字元線結構的外側位置。
如請求項1所述的半導體結構，其中所述介電阻障層包括： <br/>第一介電層，位於多個所述氣隙與所述基底之間； <br/>多個第二介電層，位於所述第一介電層上，其中多個所述氣隙位於所述第一介電層與多個所述第二介電層之間；以及 <br/>第三介電層，封住多個所述氣隙的頂部。
如請求項2所述的半導體結構，其中所述第三介電層填入多個所述氣隙，且所述第三介電層未完全填滿多個所述氣隙。
如請求項2所述的半導體結構，其中所述第三介電層位於多個所述第二介電層旁，且多個所述第二介電層位於多個所述氣隙與所述第三介電層之間。
如請求項2所述的半導體結構，其中所述第三介電層位於所述第一介電層上，且位於多個所述第二介電層之間。
如請求項2所述的半導體結構，其中所述第一介電層的材料、多個所述第二介電層的材料與所述第三介電層的材料包括氮化物。
如請求項1所述的半導體結構，其中所述介電阻障層包括： <br/>第一介電層，位於所述基底中； <br/>多個第二介電層，位於所述第一介電層的多個側壁與所述基底之間，其中多個所述氣隙位於所述第一介電層與多個所述第二介電層之間，且多個所述第二介電層直接接觸所述基底；以及 <br/>第三介電層，封住多個所述氣隙的頂部。
如請求項7所述的半導體結構，其中所述第一介電層的材料與所述第三介電層的材料包括氮化物，且多個所述第二介電層的材料包括氧化物。
如請求項1所述的半導體結構，更包括： <br/>頂蓋層，位於所述埋入式字元線結構與所述介電阻障層之間。
一種半導體結構的製造方法，包括： <br/>提供基底； <br/>在所述基底中形成埋入式字元線結構，其中所述埋入式字元線結構包括： <br/>埋入式字元線，位於所述基底中；以及 <br/>閘介電層，位於所述埋入式字元線與所述基底之間；以及 <br/>在所述埋入式字元線結構上方的所述基底中形成介電阻障層，其中 <br/>位於所述基底中的所述介電阻障層的寬度大於所述埋入式字元線結構的寬度，且 <br/>在所述介電阻障層中具有鄰近於所述基底的多個氣隙，其中 <br/>多個所述氣隙位於所述埋入式字元線結構的兩側上方，且 <br/>所述氣隙的外側位置超出所述埋入式字元線結構的外側位置。
如請求項10所述的半導體結構的製造方法，其中所述埋入式字元線結構與所述介電阻障層的形成方法包括： <br/>在所述基底中形成第一開口； <br/>在所述第一開口上方的所述基底中形成第二開口，其中所述第二開口的寬度大於所述第一開口的寬度； <br/>在所述第一開口中形成所述埋入式字元線結構； <br/>共形地在所述第二開口中形成第一介電層； <br/>在所述埋入式字元線結構的兩側的所述第一介電層上形成多個間隙壁； <br/>共形地在所述第一介電層與多個所述間隙壁上形成介電材料層； <br/>對所述介電材料層進行回蝕刻製程，而形成多個第二介電層，且暴露出多個所述間隙壁； <br/>移除多個所述間隙壁，而形成多個所述氣隙；以及 <br/>形成封住多個所述氣隙的頂部的第三介電層，其中 <br/>所述介電阻障層包括所述第一介電層、多個所述第二介電層與所述第三介電層。
如請求項11所述的半導體結構的製造方法，更包括： <br/>在所述第一開口中形成頂蓋層，其中所述頂蓋層形成在所述埋入式字元線結構上，且所述介電阻障層形成在所述頂蓋層上。
如請求項10所述的半導體結構的製造方法，其中所述埋入式字元線結構與所述介電阻障層的形成方法包括： <br/>在所述基底中形成開口，其中所述開口包括下部與上部； <br/>在所述開口的所述下部中形成所述埋入式字元線結構； <br/>在所述開口的所述上部的側壁上形成多個間隙壁； <br/>在所述開口的所述上部中形成第一介電層，其中所述第一介電層位於多個所述間隙壁之間； <br/>移除多個所述間隙壁，而形成多個所述氣隙； <br/>在由所述開口的所述上部所暴露出的所述基底上形成多個第二介電層，其中多個所述氣隙位於所述第一介電層與多個所述第二介電層之間； <br/>形成封住多個所述氣隙的頂部的第三介電層，其中 <br/>所述介電阻障層包括所述第一介電層、多個所述第二介電層與所述第三介電層。
如請求項13所述的半導體結構的製造方法，其中多個所述間隙壁的形成方法包括： <br/>藉由熱氧化法在所述基底上形成間隙壁材料層，而使得所述開口的所述上部的寬度大於所述開口的所述下部的寬度；以及 <br/>對所述間隙壁材料層進行回蝕刻製程，而形成多個所述間隙壁，其中 <br/>多個第二介電層的形成方法包括熱氧化法。
如請求項13所述的半導體結構的製造方法，更包括： <br/>在所述開口的所述下部中形成頂蓋層，其中所述頂蓋層形成在所述埋入式字元線結構上，且所述介電阻障層形成在所述頂蓋層上。
一種用於半導體器件的塑封模具，其特徵在於，包括：頂壓裝置和至少一個模巢； <br/>該頂壓裝置包括頂針； <br/>該模巢用於容納待塑封之半導體器件，該半導體器件在該模巢之底面具有裸露結構，每個該模巢頂面設置有通孔，該通孔對應於該半導體器件之非晶片放置區域； <br/>該頂針對應於該通孔而設置，以保證在注塑之前該頂針透過該通孔進入該模巢並頂壓在該裸露結構上；在注塑過程中該頂針透過該通孔離開該裸露結構。
如請求項1之用於半導體器件的塑封模具，其中，該通孔之數量至少係兩個，該通孔與該頂針之數量相等。
如請求項1之用於半導體器件的塑封模具，其中，該頂壓裝置進一步包括： <br/>設於該通孔周圍之頂針套。
如請求項3之用於半導體器件的塑封模具，其中，該頂針套之材料包括鎢鋼，該頂針之材料包括高速鋼。
如請求項1之用於半導體器件的塑封模具，其中，該頂針之底部係平面，該頂針之底部係與該裸露結構接觸之一端。
如請求項1之用於半導體器件的塑封模具，其中，該裸露結構係散熱片。
如請求項1至6中任一項之用於半導體器件的塑封模具，其中，該頂壓裝置進一步包括： <br/>與該頂針之頂部連接之移動控制裝置，用於控制該頂針頂壓、離開該裸露結構；該頂針之頂部係遠離該裸露結構之一端。
如請求項7之用於半導體器件的塑封模具，其中，該移動控制裝置包括： <br/>連接板，該連接板與所有該頂針之頂部連接； <br/>與該連接板連接之汽缸，用於帶動該連接板做上下運動。
如請求項8之用於半導體器件的塑封模具，其中，進一步包括： <br/>緩衝部件，該緩衝部件設於該頂針之頂部與該連接板之間。
如請求項9之用於半導體器件的塑封模具，其中，該緩衝部件包括彈簧。
如請求項7之用於半導體器件的塑封模具，其中，該移動控制裝置進一步包括資料收集模組，用於收集塑封資料，並依據該塑封資料在塑封完成之前控制該頂針離開該裸露結構。
如請求項11之用於半導體器件的塑封模具，其中，該塑封資料係塑封時間，當該塑封時間係總注膠塑封時間之60%~85%時，該頂針離開該裸露結構。
如請求項11之用於半導體器件的塑封模具，其中，該塑封資料係塑封材料量，當該塑封材料量係總塑封材料量之60%~85%時，該頂針離開該裸露結構。
一種半導體器件塑封方法，其特徵在於，包括： <br/>將待塑封之半導體器件置於塑封模具之模巢中； <br/>當該塑封模具完成合模時，頂壓裝置中之頂針透過該模巢頂面之通孔進入該模巢，並頂壓該半導體器件之裸露結構，該通孔對應於該半導體器件之非晶片放置區域，該裸露結構位於該模巢之底部； <br/>注膠進行塑封，並在注塑過程中控制該頂針離開該裸露結構。
如請求項14之半導體器件塑封方法，其中，當該頂針下壓該半導體器件之時間達到總注膠塑封時間之60%~85%時，該頂針離開該半導體器件。
如請求項15之半導體器件塑封方法，其中，當該塑封模具完成合模時，頂壓裝置中之頂針透過該模巢之通孔進入該模巢，並頂壓該半導體器件之裸露結構包括： <br/>當該塑封模具完成合模時，合模接近開關將工作指令發送至控制器； <br/>該控制器接收該工作指令，將打開指令發送至壓電磁閥，以便該壓電磁閥控制移動控制裝置，使得該頂針透過該模巢之通孔進入該模巢，並頂壓該半導體器件之裸露結構；並且將計時開始指令發送至計時器，以便該計時器記錄該頂針頂壓該裸露結構之時間； <br/>控制該頂針離開該裸露結構包括： <br/>該控制器接收該計時器之該時間，當該時間達到總注膠塑封時間之60%~85%時，將重設指令發送至該壓電磁閥，以便該壓電磁閥控制該移動控制裝置進行重設，使得該頂針離開該裸露結構。
如請求項14之半導體器件塑封方法，其中，當塑封材料量達到總塑封材料量之60%~85%時，該頂針離開該裸露結構。
如請求項14之半導體器件塑封方法，其中，注膠進行塑封包括： <br/>進行第一次注膠塑封； <br/>當該頂針離開該裸露結構時，進行第二次注膠塑封。
一種用於半導體器件塑封的頂壓裝置，其特徵在於，該頂壓裝置包括頂針，該頂針對應於半導體器件之塑封模具頂面之通孔而設置，該頂針用於在注塑之前穿過該通孔並頂壓半導體器件之目標位置；在注塑過程中該頂針透過該通孔離開該目標位置。
如請求項19之頂壓裝置，其中，進一步包括： <br/>用於設於該通孔周圍之頂針套。
如請求項19之頂壓裝置，其中，進一步包括： <br/>與該頂針之頂部連接之移動控制裝置，用於控制該頂針頂壓、離開該目標位置；該頂針之頂部係遠離該目標位置之一端。
如請求項21之頂壓裝置，其中，該移動控制裝置包括： <br/>連接板，該連接板與所有該頂針之頂部連接； <br/>與該連接板連接之汽缸，用於帶動該連接板做上下運動。
如請求項22之頂壓裝置，其中，進一步包括： <br/>緩衝部件，該緩衝部件設於該頂針之頂部與該連接板之間。
如請求項21至23中任一項之頂壓裝置，其中，該移動控制裝置進一步包括資料收集模組，用於收集塑封資料，並依據該塑封資料在塑封完成之前控制該頂針離開該目標位置。
一種半導體器件，其特徵在於，該半導體器件係採用如請求項1至13中任一項之塑封模具塑封而得到。
一種電子部件的輸送系統，其特徵在於，具備： <br/>圓盤狀的分度工作台，其具有分別收納電子部件並且呈圓周狀配置的多個兜孔，所述分度工作台間歇地以所述兜孔的配置間距一步一步地旋轉； <br/>裝載線路，其設置在所述分度工作台上，並具有與所述兜孔相對應並且貯存所述電子部件的貯存區段； <br/>位置檢測感測器，其設置在所述分度工作台上，並檢測位於檢測位置的所述兜孔的半徑方向位置； <br/>裝載線路驅動部，其沿半徑方向驅動所述裝載線路；以及 <br/>控制部， <br/>所述控制部基於來自所述位置檢測感測器的訊號，針對所述分度工作台的每一步，使所述裝載線路驅動部驅動而使所述裝載線路沿半徑方向移動，並調整所述兜孔相對於所述裝載線路的半徑方向位置。
如請求項1所述之電子部件的輸送系統，其中，所述電子部件的輸送系統還具備電子部件測試裝置，所述電子部件測試裝置設置在所述分度工作台上，進行所述電子部件的電測試。
如請求項1或2所述之電子部件的輸送系統，其中，所述控制部遍及所述分度工作台的整周，在所述分度工作台的所述兜孔內未收納所述電子部件的狀態下，基於來自所述位置檢測感測器的訊號，使所述裝載線路驅動部驅動而使所述裝載線路沿半徑方向移動，並調整所述兜孔相對於所述裝載線路的半徑方向位置， <br/>在所述分度工作台的所述兜孔內收納有所述電子部件的狀態下，所述控制部使所述裝載線路驅動部驅動而使所述裝載線路沿半徑方向移動在所述分度工作台的所述兜孔內未收納所述電子部件的情況下的同一圓周方向位置處的半徑方向移動量，並調整所述兜孔相對於所述裝載線路的半徑方向位置。
如請求項1所述之電子部件的輸送系統，其中，所述控制部根據當前的位於檢測位置的所述兜孔的半徑方向位置以及所述分度工作台的前一步的位於檢測位置的所述兜孔的半徑方向位置，求出所述分度工作台的每一步的所述兜孔的半徑方向位移量，並基於所述兜孔的半徑方向位移量，針對所述分度工作台的每一步使所述裝載線路驅動部驅動，調整所述兜孔相對於所述裝載線路的半徑方向位置。
如請求項1所述之電子部件的輸送系統，其中，所述控制部預先基於處於目視位置的所述兜孔相對於所述裝載線路的初始半徑方向位置，使所述裝載線路驅動部驅動，並調整所述兜孔相對於所述裝載線路的初始半徑方向位置。
如請求項5所述之電子部件的輸送系統，其中，所述兜孔的目視位置與所述兜孔的檢測位置相同。
如請求項5所述之電子部件的輸送系統，其中，所述兜孔的目視位置與所述兜孔的檢測位置在圓周方向上分離3.6°以上且36°以下。
一種呈2至38 µm小球形錫基焊料合金粒子之形式的錫基焊料合金粉末，該等小球形錫基焊料合金粒子展現出在1.0至2.2的範圍內的O/C重量比，其中該等小球形錫基焊料合金粒子具有植物油的薄外表面層。
如請求項1之錫基焊料合金粉末，其中該O/C重量比在1.0至2.0的範圍內。
如請求項1或2之錫基焊料合金粉末，其中該錫基焊料合金係包含至少42 wt.%之錫的焊料合金、或具有90至99.5 wt.%之錫含量的富錫焊料合金。
如請求項1或2之錫基焊料合金粉末，其中該植物油係蓖麻油。
如請求項4之錫基焊料合金粉末，其中該蓖麻油選自由下列所組成之群組：具有酸價在0.14至1.97 mg KOH/g的範圍內的新鮮蓖麻油，及具有酸價在3至4 mg KOH/g的範圍內的受應力蓖麻油。
如請求項1或2之錫基焊料合金粉末，其中該薄外表面層具有在0.5至5.2 nm的範圍內的厚度。
一種用於製造呈2至38 µm小球形錫基焊料合金粒子之形式的錫基焊料合金粉末的方法，該等小球形錫基焊料合金粒子展現出的O/C重量比在1.0至2.2的範圍內，其中該等小球形錫基焊料合金粒子具有植物油的薄外表面層，該方法包含連續步驟：<br/>(1) 藉由使錫基焊料合金熔融體及植物油的熱混合物經受轉子-定子方法直至獲得在2至38 µm之範圍內的粒徑，使該熱混合物轉化為熔融球形錫基焊料合金粒子在該植物油內的分散體，其中該錫基焊料合金熔融體與該植物油之比係在每公升該植物油0.2至5公斤該錫基焊料合金熔融體之範圍內， <br/>(2) 使步驟(1)中形成的該等分散的熔融球形錫基焊料合金粒子在該植物油內固化，<br/>(3) 將該等固化的球形錫基焊料合金粒子從該植物油中分離，以獲得由殘餘植物油覆蓋的固體球形錫基焊料合金粒子，及<br/>(4) 重複沖洗且最終乾燥該等固體球形錫基焊料合金粒子，直至該等固體球形錫基焊料合金粒子具有植物油的薄外表面層，以展現出在1.0至2.2的範圍內的O/C重量比，<br/>其中使用由50至100 wt.%之至少一種鹵化烴溶劑、及0至50 wt.%之至少一種除鹵化烴溶劑之外的有機溶劑所組成之液體組成物作為沖洗液，其中wt.%總計100 wt.%。
如請求項7之方法，其中該O/C重量比在1.0至2.0的範圍內。
如請求項7或8之方法，其中該錫基焊料合金係包含至少42 wt.%之錫的焊料合金、或具有90至99.5 wt.%之錫含量的富錫焊料合金。
如請求項7或8之方法，其中該植物油係蓖麻油。
如請求項10之方法，其中該蓖麻油選自由下列所組成之群組：具有酸價在0.14至1.97 mg KOH/g的範圍內的新鮮蓖麻油，及具有酸價在3至4 mg KOH/g的範圍內的受應力蓖麻油。
如請求項7或8之方法，其中該薄外表面層具有在0.5至5.2 nm的範圍內的厚度。
如請求項7或8之方法，其中該液體組成物由至少一種鹵化烴溶劑所組成。
如請求項7或8之方法，其中反覆進行的該沖洗包含5至20個連續沖洗步驟。
如請求項14之方法，其中該等連續沖洗步驟中之各者係藉由下列方式來進行：持續在20至60分鐘之範圍內之期間攪拌該沖洗液及該等小球形錫基焊料合金粒子的混合物，且接著將該混合物靜置，使該等小球形錫基焊料合金粒子在該沖洗液內下沉。
一種焊料膏，其包含如請求項1至6中任一項之錫基焊料合金粉末、或藉由如請求項7至15中任一項之方法所製造之錫基焊料合金粉末。
一種球狀銀粉，其存在選自由脂肪酸、具有唑結構的化合物及脂肪酸鹽所組成的群組中的一種以上的表面處理劑， <br/>在熱膨脹率測定中，以50℃下的值為基準的熱膨脹率的最大值為0.01%以上且0.3%以下， <br/>布厄特比表面積為0.1 m<sup>2</sup>/g以上且0.8 m<sup>2</sup>/g以下， <br/>D<sub>90</sub>的值為2.0 μm以上且4.0 μm以下。
如請求項1所述的球狀銀粉，其中，D<sub>50</sub>的值為1.0 μm以上且2.5 μm以下。
如請求項1所述的球狀銀粉，其中，D<sub>10</sub>的值為0.5 μm以上且1.2 μm以下。
一種球狀銀粉的製造方法，向含有銀離子以及包含聚合物的螯合劑的水性反應體系中添加還原劑，而使銀粒子還原析出，所述球狀銀粉的製造方法包括： <br/>碳酸濃度調整步驟，在向所述水性反應體系中添加所述還原劑之前，將所述水性反應體系中碳酸的總莫耳濃度相對於銀的總莫耳濃度之比調整為0.004以上且0.051以下；以及 <br/>表面處理劑添加步驟，在所述銀粒子析出後，向所述水性反應體系中添加表面處理劑， <br/>所述球狀銀粉的布厄特比表面積為0.1 m<sup>2</sup>/g以上且0.8 m<sup>2</sup>/g以下， <br/>D<sub>90</sub>的值為2.0 μm以上且4.0 μm以下。
如請求項4所述的球狀銀粉的製造方法，其中，所述表面處理劑是選自由脂肪酸、具有唑結構的化合物及脂肪酸鹽所組成的群組中的一種以上的表面處理劑。
如請求項4所述的球狀銀粉的製造方法，其中，所述螯合劑為重量平均分子量600以下的聚乙烯亞胺。
如請求項4至6中任一項所述的球狀銀粉的製造方法，其中，所述還原劑為聯胺。
一種製造測試探針的方法，包括： <br/>藉由在玻璃基板上堆疊下部乾膜且向所述下部乾膜的模製凹槽中填充預定材料而形成端子本體部分； <br/>藉由在所述下部乾膜上堆疊上部乾膜且在所述上部乾膜的模製凹槽中填充與所述預定材料不同的材料而形成尖端部分； <br/>藉由對所述尖端部分的上部部分進行機械加工而形成至少一個尖端；以及 <br/>自形成有所述尖端的所述尖端部分及所述端子本體部分移除所述上部乾膜及所述下部乾膜， <br/>其中所述形成所述尖端部分包括：藉由在所述上部乾膜的多個模製凹槽中填充與所述預定材料不同的所述材料而形成多個尖端部分，所述多個尖端部分被設置成沿圓周方向間隔開， <br/>其中所述形成所述至少一個尖端包括：形成多個尖端，所述多個尖端設置於距配對端子的球形表面的中心相同距離處的所述多個尖端部分上，使得所述多個尖端能夠與所述配對端子的所述球形表面接觸，同時部分地容納所述球形表面。
如請求項1所述的方法，其中所述玻璃基板塗佈有導電材料。
如請求項1所述的方法，其中 <br/>所述多個尖端部分形似在堆疊方向上延伸且具有彼此面對的側邊緣的柱，且 <br/>所述形成所述多個尖端包括：在所述多個尖端部分上形成在橫向於所述堆疊方向的方向上朝向圓周的中心軸線延伸的具有預定寬度及深度的凹陷部分。
一種半導體裝置，是晶片尺寸封裝型的半導體裝置，具備：<br/> 半導體層，具有：包含第1濃度之不純物的第1導電型之半導體基板；及與前述半導體基板的上表面相接而形成且包含比前述第1濃度還低之第2濃度之不純物的前述第1導電型之低濃度不純物層；<br/> 縱型MOS電晶體，形成於前述半導體層；及<br/> 蕭特基能障二極體，前述低濃度不純物層在前述第1導電型為N型時則作為陰極發揮功能，在前述第1導電型為P型時作為陽極發揮功能，<br/> 進而，在前述半導體裝置的上表面，具備：<br/> 第1墊體，作為前述縱型MOS電晶體的源極墊而發揮功能；<br/> 第2墊體，作為前述縱型MOS電晶體的汲極墊而發揮功能，及，在前述第1導電型為N型時作為前述蕭特基能障二極體的陰極墊體而發揮功能，在前述第1導電型為P型時作為前述蕭特基能障二極體的陽極墊體而發揮功能；<br/> 第3墊體，在前述第1導電型為N型時作為前述蕭特基能障二極體的陽極墊體而發揮功能，在前述第1導電型為P型時作為前述蕭特基能障二極體的陰極墊體而發揮功能；及<br/> 第4墊體，作為前述縱型MOS電晶體的閘極墊體而發揮功能，<br/> 在前述半導體裝置的平面視角下，<br/> 前述半導體裝置是朝逆時鐘方向具有第1頂點、第2頂點、第3頂點、及第4頂點的正方形，<br/> 前述第1墊體、前述第2墊體、前述第3墊體、及前述第4墊體是相同直徑的圓形，<br/> 前述第1墊體的中心與前述第3墊體之中心位於連結前述第1頂點與前述第3頂點的第1對角線上，<br/> 前述第2墊體的中心與前述第4墊體的中心位於連結前述第2頂點與前述第4頂點的第2對角線上，<br/> 前述半導體裝置的中心與前述第1墊體的中心的距離、前述半導體裝置的中心與前述第2墊體的中心的距離、前述半導體裝置的中心與前述第3墊體的中心的距離、及前述半導體裝置的中心與前述第4墊體的中心的距離相等。
如請求項1之半導體裝置，其中在前述半導體裝置的平面視角下，<br/> 前述半導體裝置以下述互不重複的4個正方形區域，即以將前述第1頂點與前述半導體裝置之中心連結之線為對角線的第1正方形區域、以將前述第2頂點與前述半導體裝置之中心連結之線為對角線的第2正方形區域、以將前述第3頂點與前述半導體裝置之中心連結之線為對角線的第3正方形區域、以將前述第4頂點與前述半導體裝置之中心連結之線為對角線的第4正方形區域，將面積成4等分時，<br/> 前述第1墊體包含於前述第1正方形區域內，<br/> 前述第2墊體包含於前述第2正方形區域及前述第4正方形區域任一者即內含第2墊體之正方形區域內，<br/> 前述第3墊體包含於前述第3正方形區域內，<br/> 前述第4墊體包含於前述第2正方形區域及前述第4正方形區域任一另一者即內含第4墊體之正方形區域內，<br/> 前述半導體層進一步具有前述第1導電型之汲極提升區域，其是在前述半導體層的平面視角下整體包含於前述內含第2墊體之正方形區域內的前述汲極提升區域，且從前述半導體層的上表面貫通前述低濃度不純物層到達前述半導體基板，包含比前述第2濃度還高之第3濃度的不純物，<br/> 前述半導體裝置進而在前述半導體裝置的平面視角下，具備：<br/> 第1電極，至少一部分包含於前述第1正方形區域內，且作為前述縱型MOS電晶體之源極電極發揮功能；<br/> 第2電極，至少一部分包含於前述內含第2墊體之正方形區域內，且作為前述縱型MOS電晶體之汲極電極發揮功能，及，在前述第1導電型為N型時作為前述蕭特基能障二極體之陰極電極發揮功能，在前述第1導電型為P型時作為前述蕭特基能障二極體之陽極電極發揮功能；<br/> 第3電極，至少一部分包含於前述第3正方形區域內，且在前述第1導電型為N型時作為前述蕭特基能障二極體之陽極電極發揮功能，在前述第1導電型為P型時作為前述蕭特基能障二極體之陰極電極發揮功能；及<br/> 第4電極，至少一部分包含於前述內含第4墊體之正方形區域內，且作為前述縱型MOS電晶體之閘極電極發揮功能。
如請求項2之半導體裝置，其中前述蕭特基能障二極體為平面型。
如請求項2之半導體裝置，其中前述第2電極具有包含與前述汲極提升區域進行歐姆接合之歐姆接合金屬層的複數金屬層，<br/> 前述第3電極具有包含與前述低濃度不純物層進行蕭特基接合之蕭特基接合金屬層的複數金屬層，<br/> 前述歐姆接合金屬層之金屬材料與前述蕭特基接合金屬層之金屬材料相等。
如請求項2之半導體裝置，其中前述第2電極具有包含與前述汲極提升區域進行歐姆接合之歐姆接合金屬層的複數金屬層，<br/> 前述第3電極具有與前述低濃度不純物層進行蕭特基接合之蕭特基接合金屬層的複數金屬層，<br/> 前述歐姆接合金屬層之金屬材料與前述蕭特基接合金屬層之金屬材料互異。
如請求項2之半導體裝置，其中在前述半導體裝置的平面視角下，<br/> 前述第1電極至少一部分包含於前述內含第2墊體之正方形區域或／及前述內含第4墊體之正方形區域內，<br/> 前述第2電極之至少一部分、前述第3電極之至少一部分，及前述第4電極之至少一部分不包含於前述第1正方形區域內。
如請求項6之半導體裝置，其中在前述半導體裝置的平面視角下，前述第2電極為具有第1對向邊與第2對向邊的矩形，前述第1對向邊具有與前述第1電極之外周邊當中之第1部分平行對向的部分，第2對向邊具有與前述第1電極之前述外周邊當中之第2部分平行對向的部分。
如請求項6之半導體裝置，其中在前述半導體裝置的平面視角下，前述第1電極之至少一部分不包含於前述內含第2墊體之正方形區域內。
如請求項2之半導體裝置，其中前述第3電極與前述低濃度不純物層在蕭特基接合區域中進行蕭特基接合，<br/> 前述第2電極與前述汲極提升區域在歐姆接合區域中進行歐姆接合，<br/> 前述第1電極與前述半導體層在源極接合區域中接觸，<br/> 在前述半導體裝置的平面視角下，<br/> 前述蕭特基接合區域被包含在前述第3電極內，且為圓形、楕圓形、長圓形、及從矩形將各角進行圓倒角後之圓角形任一者，<br/> 前述蕭特基接合區域與前述歐姆接合區域的最短距離，比前述蕭特基接合區域與前述源極接合區域之最短距離還短。
如請求項9之半導體裝置，其中在前述半導體裝置的平面視角下，前述蕭特基接合區域的面積比前述第3墊體的面積還大。
如請求項9之半導體裝置，其中在前述半導體裝置的平面視角下，前述蕭特基接合區域的面積比前述第3墊體的面積還小。
如請求項2之半導體裝置，其中前述第3電極與前述低濃度不純物層在蕭特基接合區域中進行蕭特基接合，<br/> 前述第1電極與前述半導體層在源極接合區域接合，<br/> 在前述半導體裝置的平面視角下，前述蕭特基接合區域為圓形、楕圓形、長圓形、及從矩形將各角進行圓倒角後之圓角形任一者，<br/> 前述源極接合區域是從多角形將各角進行圓倒角後之圓角形，<br/> 前述蕭特基接合區域之外周的最小曲率半徑在前述源極接合區域中之最小曲率半徑以上。
一種攝影光學系統，包含六片透鏡，該六片透鏡沿光路由物側至像側依序為第一透鏡、第二透鏡、第三透鏡、第四透鏡、第五透鏡以及第六透鏡，且該六片透鏡分別具有朝向物側方向的物側表面與朝向像側方向的像側表面；<br/> 其中，該攝影光學系統中的透鏡總數為六片，該第一透鏡具有正屈折力，該第二透鏡具有負屈折力，該第三透鏡具有正屈折力，該第四透鏡具有正屈折力，該第四透鏡物側表面於近光軸處為凹面，該第五透鏡具有負屈折力，該第五透鏡物側表面於近光軸處為凸面，且該第六透鏡像側表面具有至少一反曲點；且<br/> 其中，該第一透鏡物側表面的曲率半徑為R1，該第一透鏡像側表面的曲率半徑為R2，該第二透鏡與該第三透鏡於光軸上的間隔距離為T23，該第三透鏡與該第四透鏡於光軸上的間隔距離為T34，其滿足下列條件：<br/> 0.00 ＜ (R1+R2)/(R1-R2)；以及<br/> 0.50 ＜ T34/T23 ＜ 2.00。
如請求項1所述之攝影光學系統，其中該第一透鏡像側表面於近光軸處為凸面；且<br/> 其中，該第一透鏡物側表面的曲率半徑為R1，該第一透鏡像側表面的曲率半徑為R2，其滿足下列條件：<br/> 0.20 ＜ (R1+R2)/(R1-R2) ＜ 2.00。
如請求項1所述之攝影光學系統，其中該攝影光學系統的最大成像高度為ImgH，該攝影光學系統的焦距為f，其滿足下列條件：<br/> 0.80 ＜ ImgH/f ＜ 1.20。
如請求項1所述之攝影光學系統，其中該攝影光學系統中的最大視角為FOV，其滿足下列條件：<br/> 88.0度 ＜ FOV ＜ 103.0度。
如請求項1所述之攝影光學系統，更包含一光圈，其中該光圈至一成像面於光軸上的距離為SL，該攝影光學系統的焦距為f，其滿足下列條件：<br/> 1.50 ＜ SL/f ＜ 2.00。
如請求項1所述之攝影光學系統，其中該第五透鏡的焦距為f5，該第六透鏡的焦距為f6，其滿足下列條件：<br/> 0.00 ＜ |f5/f6| ＜ 1.00。
如請求項1所述之攝影光學系統，其中該第一透鏡物側表面至一成像面於光軸上的距離為TL，該第三透鏡像側表面的曲率半徑為R6，其滿足下列條件：<br/> -2.00 ＜ TL/R6 ＜ 0.60。
如請求項1所述之攝影光學系統，其中該第五透鏡像側表面於光軸上的交點至該第五透鏡像側表面的最大有效半徑位置平行於光軸的位移量為SAG5R2，該第五透鏡於光軸上的厚度為CT5，其滿足下列條件：<br/> 0.00 ＜ SAG5R2/CT5 ＜ 1.00。
一種取像裝置，包含：<br/> 如請求項1所述之攝影光學系統；以及<br/> 一電子感光元件，設置於該攝影光學系統的一成像面上。
一種電子裝置，包含：<br/> 如請求項9所述之取像裝置。
一種攝影光學系統，包含六片透鏡，該六片透鏡沿光路由物側至像側依序為第一透鏡、第二透鏡、第三透鏡、第四透鏡、第五透鏡以及第六透鏡，且該六片透鏡分別具有朝向物側方向的物側表面與朝向像側方向的像側表面；<br/> 其中，該攝影光學系統中的透鏡總數為六片，該第一透鏡具有正屈折力，該第二透鏡具有負屈折力，該第二透鏡像側表面於近光軸處為凹面，該第四透鏡具有正屈折力，該第四透鏡物側表面於近光軸處為凹面，該第五透鏡具有負屈折力，該第五透鏡物側表面於近光軸處為凸面，且該第六透鏡像側表面具有至少一反曲點；且<br/> 其中，該第一透鏡物側表面的曲率半徑為R1，該第一透鏡像側表面的曲率半徑為R2，其滿足下列條件：<br/> 0.50 ＜ (R1+R2)/(R1-R2) ＜ 2.50。
如請求項11所述之攝影光學系統，其中該第三透鏡具有正屈折力；且<br/> 其中，該第一透鏡物側表面至一成像面於光軸上的距離為TL，該第一透鏡物側表面的曲率半徑為R1，其滿足下列條件：<br/> -1.00 ＜ TL/R1 ＜ 1.30。
如請求項11所述之攝影光學系統，其中該攝影光學系統的焦距為f，該第一透鏡的焦距為f1，該第四透鏡的焦距為f4，該第六透鏡的焦距為f6，其滿足下列條件：<br/> -0.30 ＜ f/f6；以及<br/> 0.20 ＜ |f1/f4| ＜ 1.20。
如請求項11所述之攝影光學系統，其中該攝影光學系統的焦距為f，該第五透鏡像側表面的曲率半徑為R10，該第六透鏡像側表面的曲率半徑為R12，其滿足下列條件：<br/> 5.00 ＜ f/R10+f/R12 ＜ 8.00。
如請求項11所述之攝影光學系統，其中該第二透鏡與該第三透鏡於光軸上的間隔距離為T23，該第三透鏡與該第四透鏡於光軸上的間隔距離為T34，該第四透鏡物側表面的曲率半徑為R7，該第五透鏡物側表面的曲率半徑為R9，其滿足下列條件：<br/> 0.60 ＜ T34/T23 ＜ 1.70；以及<br/> 0.70 ＜ |R7/R9|。
如請求項11所述之攝影光學系統，其中該第一透鏡與該第二透鏡於光軸上的間隔距離為T12，該第四透鏡與該第五透鏡於光軸上的間隔距離為T45，該第五透鏡與該第六透鏡於光軸上的間隔距離為T56，其滿足下列條件：<br/> 0.00 ＜ (T12+T45)/T56 ＜ 1.50。
如請求項11所述之攝影光學系統，其中該第四透鏡物側表面於光軸上的交點至該第四透鏡物側表面的最大有效半徑位置平行於光軸的位移量為SAG4R1，該第四透鏡像側表面於光軸上的交點至該第四透鏡像側表面的最大有效半徑位置平行於光軸的位移量為SAG4R2，其滿足下列條件：<br/> 0.00 ＜ SAG4R2/SAG4R1 ＜ 3.50。
如請求項11所述之攝影光學系統，其中該第四透鏡的阿貝數為V4，其滿足下列條件：<br/> 40.0 ＜ V4 ＜ 80.0。
一種攝影光學系統，包含六片透鏡，該六片透鏡沿光路由物側至像側依序為第一透鏡、第二透鏡、第三透鏡、第四透鏡、第五透鏡以及第六透鏡，且該六片透鏡分別具有朝向物側方向的物側表面與朝向像側方向的像側表面；<br/> 其中，該攝影光學系統中的透鏡總數為六片，該第一透鏡具有正屈折力，該第二透鏡具有負屈折力，該第三透鏡具有正屈折力，該第三透鏡像側表面於近光軸處為凸面，該第四透鏡具有正屈折力，該第四透鏡物側表面於近光軸處為凹面，該第五透鏡具有負屈折力，該第五透鏡物側表面於近光軸處為凸面，且該第六透鏡像側表面具有至少一反曲點；且<br/> 其中，該第一透鏡物側表面的曲率半徑為R1，該第一透鏡像側表面的曲率半徑為R2，其滿足下列條件：<br/> 0.10 ＜ (R1+R2)/(R1-R2)。
如請求項19所述之攝影光學系統，其中該第五透鏡像側表面於近光軸處為凹面，且該第六透鏡像側表面於近光軸處為凹面。
如請求項19所述之攝影光學系統，其中該第六透鏡具有正屈折力，且該第六透鏡像側表面於離軸處具有至少一臨界點。
如請求項19所述之攝影光學系統，其中該第一透鏡物側表面至一成像面於光軸上的距離為TL，該攝影光學系統的最大成像高度為ImgH，該攝影光學系統的光圈值為Fno，該第一透鏡物側表面的曲率半徑為R1，該第一透鏡像側表面的曲率半徑為R2，其滿足下列條件：<br/> 1.30 ＜ TL/ImgH ＜ 2.00；<br/> Fno ＜ 2.10；以及<br/> 0.45 ＜ (R1+R2)/(R1-R2) ＜ 1.70。
如請求項19所述之攝影光學系統，其中該第二透鏡的焦距為f2，該第三透鏡的焦距為f3，其滿足下列條件：<br/> 0.00 ＜ |f2/f3| ＜ 1.10。
如請求項19所述之攝影光學系統，其中該第一透鏡物側表面的曲率半徑為R1，該第一透鏡像側表面的曲率半徑為R2，其滿足下列條件：<br/> -0.40 ＜ R2/R1 ＜ 0.30。
如請求項19所述之攝影光學系統，其中該第三透鏡於光軸上的厚度為CT3，該第四透鏡於光軸上的厚度為CT4，其滿足下列條件：<br/> 0.70 ＜ CT3/CT4 ＜ 1.60。
如請求項19所述之攝影光學系統，其中該第一透鏡物側表面的最大有效半徑為Y1R1，該第六透鏡像側表面的最大有效半徑為Y6R2，其滿足下列條件：<br/> 2.00 ＜ Y6R2/Y1R1 ＜ 4.50。
如請求項19所述之攝影光學系統，其中該第一透鏡物側表面的曲率半徑為R1，該第一透鏡像側表面的曲率半徑為R2，該第三透鏡像側表面的曲率半徑為R6，該第一透鏡與該第二透鏡於光軸上的間隔距離為T12，該第二透鏡與該第三透鏡於光軸上的間隔距離為T23，該第三透鏡與該第四透鏡於光軸上的間隔距離為T34，該第四透鏡與該第五透鏡於光軸上的間隔距離為T45，該第五透鏡與該第六透鏡於光軸上的間隔距離為T56，該第一透鏡物側表面至一成像面於光軸上的距離為TL，該第一透鏡物側表面的最大有效半徑為Y1R1，該第六透鏡像側表面的最大有效半徑為Y6R2，其滿足下列條件：<br/> 0.52 ≤ (R1+R2)/(R1-R2) ≤ 1.55；<br/> 0.79 ≤ T34/T23 ≤ 1.56；<br/> 0.20 ≤ (T12+T45)/T56 ≤ 1.05；<br/> -1.52 ≤ TL/R6 ≤ 0.37；<br/> -0.61 ≤ TL/R1 ≤ 0.71；以及<br/> 2.95 ≤ Y6R2/Y1R1 ≤ 3.55。
一種電路板佈線方法，其中，所述方法包括：<br/> 獲取電路板上之設計缺陷；<br/> 根據預設之評分規則獲得所述設計缺陷之評估分數，包括：確定影響所述設計缺陷之目標妨礙物件，所述目標妨礙物件為距離所述設計缺陷最近之鄰近物件；獲取所述設計缺陷與所述目標妨礙物件之間之直線距離；根據所述設計缺陷與所述目標妨礙物件之間之直線距離、所述評分規則確定所述設計缺陷之評估分數，所述評分規則包括設定之複數距離範圍與設定之複數評估分數之間之對應關係，所述複數評估分數分別表徵不同之修改難易程度；<br/> 根據所述評估分數確定所述設計缺陷之修改方案，並根據所述修改方案對所述設計缺陷進行修改，包括：判斷所述評估分數是否大於預設之閾值；若所述評估分數大於所述閾值，確定利用所述設計工具對所述設計缺陷進行自動修改；若所述評估分數小於或等於所述閾值，確定透過人工對所述設計缺陷進行手動修改。
如請求項1所述之電路板佈線方法，其中，所述確定影響所述設計缺陷之目標妨礙物件包括：<br/> 識別影響所述設計缺陷之至少一個所述鄰近物件；<br/> 計算所述設計缺陷與每個所述鄰近物件之間之直線距離；<br/> 將距離所述設計缺陷最近之所述鄰近物件確定為所述目標妨礙物件。
如請求項1所述之電路板佈線方法，其中，所述鄰近物件包括元器件、導線、過孔。
如請求項1所述之電路板佈線方法，其中，所述方法還包括：<br/> 獲取所述設計缺陷之類型；<br/> 根據所述設計缺陷之類型確定所述評分規則。
如請求項1所述之電路板佈線方法，其中，所述獲取電路板上之設計缺陷包括：<br/> 透過預設之設計工具檢測出所述電路板上違反預設之設計規則之設計缺陷。
一種電路板佈線裝置，其中，所述裝置包括：<br/> 獲取模組，用於獲取電路板上之設計缺陷；<br/> 評估模組，用於根據預設之評分規則評估設計缺陷之修改難易程度，得到評估分數，包括：確定影響所述設計缺陷之目標妨礙物件，所述目標妨礙物件為距離所述設計缺陷最近之鄰近物件；獲取所述設計缺陷與所述目標妨礙物件之間之直線距離；根據所述設計缺陷與所述目標妨礙物件之間之直線距離、所述評分規則確定所述設計缺陷之評估分數，所述評分規則包括設定之複數距離範圍與設定之複數評估分數之間之對應關係，所述複數評估分數分別表徵不同之修改難易程度；<br/> 修改模組，用於根據所述評估分數確定所述設計缺陷之修改方案，以根據所述修改方案對所述設計缺陷進行修改，包括：判斷所述評估分數是否大於預設之閾值；若所述評估分數大於所述閾值，確定利用所述設計工具對所述設計缺陷進行自動修改；若所述評估分數小於或等於所述閾值，確定透過人工對所述設計缺陷進行手動修改。
一種電子設備，其中，所述電子設備包括記憶體、處理器，以及存儲於所述記憶體上並可於所述處理器上運行之所述電腦程式，所述電腦程式被所述處理器執行時實現如請求項1至5中任一項所述之電路板佈線方法之步驟。
一種可讀存儲介質，其中，所述可讀存儲介質上存儲有電腦程式，所述電腦程式被處理器執行時實現如請求項1至5中任一項所述之電路板佈線方法之步驟。
一種碳纖維自行車輪圈，其特徵在於包含有：<br/> 一碳纖維輪圈本體，具有一側壁；以及<br/> 一金屬線，穿置於所述碳纖維輪圈本體的側壁中，來增強所述碳纖維自行車輪圈的耐衝擊性和抗變形能力，從而提高所述碳纖維自行車輪圈的使用性能和耐用性；<br/> 其中，將所述金屬線以吹氣方式一體成形於所述碳纖維輪圈本體的側壁中，確保所述金屬線和碳纖維輪圈本體之間的良好結合，提升所述碳纖維自行車輪圈的整體結構強度。
如請求項1所述之碳纖維自行車輪圈，其特徵在於：<br/> 所述金屬線為鋼絲。
如請求項1所述之碳纖維自行車輪圈，其特徵在於：<br/> 所述金屬線之截面為方形、三角形或圓形。
一種耗氣量管制裝置，其用以讓現場管制人員監測前線消防人員所攜帶的空氣瓶的氣體含量，該耗氣量管制裝置包含：<br/> 一開關模組，其用以控制該耗氣量管制裝置於一開啟狀態或一關閉狀態；<br/> 一時間模組，其耦接於該開關模組，該時間模組用以顯示所述空氣瓶的一耗氣時間值；<br/> 一氣量模組，其耦接於該開關模組及該時間模組，該氣量模組係對應所述空氣瓶的初始含量預設一氣體含量初始值，並根據該氣體含量初始值、一氣量降低資料以及該耗氣時間值計算並顯示一當前氣體含量值；<br/> 一燈號模組，其耦接於該開關模組、該時間模組及該氣量模組，該燈號模組具有一第一燈號單元、一第二燈號單元及一第三燈號單元；以及<br/> 一控制模組，其耦接於該開關模組、該時間模組、該氣量模組及該燈號模組，該控制模組具有一控制單元及一警示單元，該控制單元預設有一第一氣量閾值及一第二氣量閾值，該第二氣量閾值低於該第一氣量閾值，若該耗氣量管制裝置為該開啟狀態，且該時間模組及該氣量模組尚未開始作動，則該控制單元便控制該第二燈號單元處於恆亮狀態，若該時間模組開始作動且該當前氣體含量值高於該第一氣量閾值，則該控制單元控制該第一燈號單元處於所述恆亮狀態，若該當前氣體含量值介於該第一氣量閾值及該第二氣量閾值之間，則該控制單元控制該第三燈號單元處於閃爍狀態，若該當前氣體含量值低於該第二氣量閾值且不為0，則該控制單元控制該第三燈號單元處於所述閃爍狀態，並控制該警示單元發出警示，若該當前氣體含量值為0，則該控制單元控制該第三燈號單元處於所述恆亮狀態，並控制該警示單元發出警示。
如請求項1所述之耗氣量管制裝置，其中，該氣量模組具有一氣量調整單元，該氣量調整單元用以調整該氣體含量初始值，或是在該時間模組停止作動時，調整該當前氣體含量值。
如請求項1所述之耗氣量管制裝置，其中，該時間模組具有一時間啟動單元，該時間啟動單元用以啟動該時間模組。
如請求項1所述之耗氣量管制裝置，其中，該時間模組具有一時間重置單元，該時間重置單元用以重置該耗氣時間值。
如請求項1所述之耗氣量管制裝置，更包含有一計算模組，其耦接於該時間模組及該氣量模組，該計算模組根據該耗氣時間值、該氣體含量初始值及該當前氣體含量值計算出一當前耗氣速度資料。
如請求項5所述之耗氣量管制裝置，其中，該計算模組具有一計算啟動單元，該計算啟動單元用以啟動該計算模組。
如請求項1所述之耗氣量管制裝置，更包含有一電源模組，其耦接該開關模組、該時間模組、該氣量模組、該燈號模組及該控制模組，該電源模組用以供給電源至該開關模組、該時間模組、該氣量模組、該燈號模組及該控制模組；該電源模組具有一電源偵測單元，該電源偵測單元預設有一電量標準閾值，當該電源偵測單元偵測到該電源模組之電量低於該電量標準閾值，該電源偵測單元便輸出一低電量訊號至該控制單元，該控制單元便根據該低電量訊號控制該第一燈號單元處於所述閃爍狀態。
如請求項1所述之耗氣量管制裝置，更包含有一異常模組，其耦接該控制模組，當所述消防人員的所處環境發生異常狀況，該異常模組能夠輸出一異常訊號至該控制單元，該控制單元根據該異常訊號控制該第二燈號單元及該第三燈號單元處於所述閃爍狀態。
如請求項1所述之耗氣量管制裝置，其中，該時間模組具有一時間倒數單元，該時間倒數單元預設有大於0的一時間初始值，該時間倒數單元設定該耗氣時間值的初始值為該時間初始值，當該時間模組開始作動，該時間倒數單元控制該耗氣時間值呈倒數狀態；當該耗氣時間值為0，該控制單元控制該第二燈號單元處於所述閃爍狀態，並控制該警示單元發出警示。
如請求項1所述之耗氣量管制裝置，其中，該時間模組具有一時間累計單元，該時間累計單元設定該耗氣時間值的初始值為0，當該時間模組開始作動，該時間累計單元控制該耗氣時間值呈累加狀態；該控制單元預設有一第一時間閾值及一第二時間閾值，該第二時間閾值大於該第一時間閾值，當該耗氣時間值介於該第一時間閾值及該第二時間閾值之間，該控制單元控制該第二燈號單元處於所述閃爍狀態，當該耗氣時間值大於該第二時間閾值，該控制單元控制該第二燈號單元處於所述恆亮狀態，並控制該警示單元發出警示。
一種光電二極體，包含：<br/> 一第一導電型半導體層；<br/> 一本徵層，設置於該第一導電型半導體層上；<br/> 一第二導電型半導體層，設置於該本徵層之一中央區域上並裸露出環繞該中央區域外之該本徵層之一外圍區域；<br/> 一上緣角，設置於該本徵層之該外圍區域之一邊緣，使經該上緣角進入該本徵層之一第一外部光線與一水平線間之一第一夾角相較未經該上緣角進入該本徵層之一第二外部光線與該水平線間之一第二夾角為大；及<br/> 一金屬層，覆蓋於該上緣角上及該本徵層之該外圍區域上。
如請求項1所述之光電二極體，其中該上緣角係一凹角、一斜角及一凸角其中之一。
如請求項1所述之光電二極體，其中該上緣角距離該本徵層之一上表面之一深度約5至15微米（µm）。
如請求項1所述之光電二極體，其中該金屬層之一材料係選自於由鋁（Al）、鈦（Ti）、鎳（Ni）、金（Au）所組成之一族群其中之一。
如請求項1所述之光電二極體，其中該本徵層之一厚度約50至70微米（µm）。
如請求項1所述之光電二極體，其中該本徵層係一N型輕摻雜矽層，摻質為磷（P），摻雜濃度為10<sup>12~13</sup> cm<sup>-3</sup>。
一種光電二極體之製造方法，包含：<br/> 提供一第一導電型半導體層；<br/> 提供一本徵層，設置於該第一導電型半導體層上；<br/> 提供一第二導電型半導體層，設置於該本徵層之一中央區域上並裸露出環繞該中央區域外之該本徵層之一外圍區域；<br/> 提供一上緣角，設置於該本徵層之該外圍區域之一邊緣，使經該上緣角進入該本徵層之一第一外部光線與一水平線間之一第一夾角相較未經該上緣角進入該本徵層之一第二外部光線與該水平線間之一第二夾角為大；及<br/> 提供一金屬層覆蓋於該上緣角上及該本徵層之該外圍區域上。
如請求項7所述之製造方法，其中提供一上緣角之該步驟係提供一凹角、一斜角及一凸角其中之一。
如請求項7所述之製造方法，其中提供一上緣角之該步驟係以等向性蝕刻該本徵層之該邊緣以形成距離該本徵層之一上表面約5至15微米（µm）之一深度之一步驟。
如請求項7所述之製造方法，其中提供一金屬層之該步驟係提供一材料係選自於由鋁（Al）、鈦（Ti）、鎳（Ni）、金（Au）所組成之一族群其中之一之一步驟。
如請求項7所述之製造方法，其中提供該本徵層之該步驟係提供一厚度約50至70微米（µm）之一N型輕摻雜矽層、摻質為磷（P）、摻雜濃度為10<sup>12~13</sup> cm<sup>-3</sup>之一步驟。
一種積體晶片，包括： <br/>第一晶片，包括第一半導體基板、沿所述第一半導體基板的第一電晶體、在所述第一電晶體上方的第一導電互連，以及在所述第一導電互連上方的第一接合墊；以及 <br/>第二晶片，接合至所述第一晶片，所述第二晶片包括第二半導體基板、沿所述第二半導體基板的第二電晶體、在所述第二電晶體下方的第二導電互連，以及在所述第二導電互連下方的第二接合墊，其中所述第二接合墊接合至所述第一接合墊， <br/>所述第一晶片還包括在所述第一導電互連上方且在所述第一接合墊下方的溝槽電容，所述溝槽電容包括底部電極、頂部電極以及在所述底部電極與所述頂部電極之間的絕緣層，其中所述第一接合墊從所述第二接合墊延伸至所述溝槽電容的所述頂部電極，且其中所述第一接合墊的下表面位於所述溝槽電容的所述頂部電極上。
如請求項1所述的積體晶片，其中所述溝槽電容的所述底部電極從所述絕緣層延伸至所述第一導電互連。
如請求項1所述的積體晶片，其中所述第一晶片還包括與所述溝槽電容側向間隔的接合接觸件，以及在所述接合接觸件上方且與所述第一接合墊和所述溝槽電容側向間隔的第三接合墊。
如請求項1所述的積體晶片，其中所述第二晶片還包括沿所述第二半導體基板的光偵測器。
一種積體晶片，包括： <br/>在第一半導體基板上方的第一金屬互連； <br/>在所述第一金屬互連上方的第一介電層； <br/>延伸穿過所述第一介電層且在所述第一介電層上方的溝槽電容，所述溝槽電容包括在所述第一金屬互連上方的底部電極、在所述底部電極上方的頂部電極，以及在所述頂部電極與所述底部電極之間的絕緣層； <br/>在所述溝槽電容上方的第一蝕刻停止層； <br/>在所述第一蝕刻停止層上方的第一接合介電層； <br/>在所述溝槽電容上方且延伸穿過所述第一接合介電層和所述第一蝕刻停止層的第一接合墊； <br/>在所述第一接合介電層上方且接合至所述第一接合介電層的第二接合介電層； <br/>在所述第一接合墊上方的第二接合墊，所述第二接合墊延伸穿過所述第二接合介電層；以及 <br/>在所述第二接合墊上方的第二半導體基板， <br/>其中所述第一接合墊的上表面接合至所述第二接合墊的下表面，且其中所述第一接合墊的下表面位於所述溝槽電容的所述頂部電極上。
如請求項5所述的積體晶片，還包括： <br/>與所述第一金屬互連橫向間隔的第二金屬互連； <br/>在所述第二金屬互連上方、與所述溝槽電容橫向間隔、且延伸穿過所述第一介電層的接合接觸件； <br/>在所述接合接觸件上方、與所述第一接合墊橫向間隔、且延伸穿過所述第一接合介電層的第三接合墊；以及 <br/>在所述第三接合墊上方且接合至所述第三接合墊、與所述第二接合墊橫向間隔、且延伸穿過所述第二接合介電層的第四接合墊。
如請求項5所述的積體晶片，其中所述第一介電層包含第一介電，所述第一蝕刻停止層包含與所述第一介電不同的第二介電，所述第一接合介電層包含與所述第一介電和所述第二介電不同的第三介電，且所述第二接合介電層包含與所述第一介電和所述第二介電不同的第四介電。
如請求項5所述的積體晶片，其中所述第一蝕刻停止層沿著所述頂部電極的頂表面延伸，且其中所述第一接合墊延伸穿過所述第一蝕刻停止層到所述頂部電極的所述頂表面。
一種形成積體晶片的方法，包括： <br/>沿著第一半導體基板形成第一電晶體，在所述第一半導體基板上方形成第一介電結構，並在所述第一介電結構內形成第一導電互連和第二導電互連； <br/>在所述第一導電互連上方形成溝槽電容，所述溝槽電容包括底部電極、頂部電極，以及在所述底部電極與所述頂部電極之間的絕緣層； <br/>在所述第二導電互連上方且與所述溝槽電容橫向間隔形成第一接合接觸件； <br/>在所述溝槽電容的頂部電極上形成第一接合墊； <br/>在所述第一接合接觸件的頂部上且與所述第一接合墊橫向間隔形成第二接合墊； <br/>在所述第一半導體基板上方排列晶片，所述晶片包括：沿著第二半導體基板的第二電晶體、在所述第二半導體基板下方的第二介電結構、在所述第二介電結構內的第三導電互連和第四導電互連、在所述第三導電互連下方的第三接合墊，以及在所述第四導電互連下方且與所述第三接合墊橫向間隔的第四接合墊；以及 <br/>將所述第三接合墊接合到所述第一接合墊，並將所述第四接合墊接合到所述第二接合墊。
如請求項9所述的方法，還包括： <br/>在所述溝槽電容上方形成第一接合介電層，其中所述第一接合墊延伸穿過所述第一接合介電層，且所述第二接合墊延伸穿過所述第一接合介電層，並且其中所述晶片包括延伸於所述第三接合墊與所述第四接合墊之間的第二接合介電層；以及 <br/>將所述第二接合介電層接合到所述第一接合介電層。
一種半導體裝置，包括： <br/>晶片，具有絕緣閘雙極電晶體區域以及二極體區域； <br/>引線框架，經由焊料與所述晶片的上表面電性連接；以及 <br/>絕緣基板，經由焊料與所述晶片的下表面電性連接，所述半導體裝置的特徵在於， <br/>在所述晶片內，所述絕緣閘雙極電晶體區域與所述二極體區域交替地配置， <br/>經由所述焊料與所述引線框架電性連接的部位的絕緣閘雙極電晶體區域的單元寬度較其他部位的絕緣閘雙極電晶體區域的單元寬度寬， <br/>經由所述焊料與所述引線框架電性連接的部位的二極體區域的單元寬度較其他部位的二極體區域的單元寬度寬。
如請求項1所述的半導體裝置，其中， <br/>交替地配置的所述絕緣閘雙極電晶體區域與所述二極體區域被外周區域包圍， <br/>在所述外周區域的內側設置有跨越所述絕緣閘雙極電晶體區域以及所述二極體區域的閘極焊墊區域。
如請求項1或2所述的半導體裝置，其中， <br/>經由所述焊料與所述引線框架電性連接的部位的絕緣閘雙極電晶體區域的單元寬度是所述部位的二極體區域的單元寬度的大致3倍。
一種純化雙(芳烴)鎳錯合物之方法，其包含： <br/>獲得包含雙(芳烴)鎳錯合物及至少一種雜質之粗混合物； <br/>獲得分離溶劑； <br/>蒸餾該分離溶劑以產生經蒸餾之分離溶劑； <br/>用該經蒸餾之分離溶劑過濾該粗混合物以便獲得包含該經蒸餾之分離溶劑及至少一部分該雙(芳烴)鎳錯合物的濾液；及 <br/>自該濾液中移除該分離溶劑以便獲得經純化之雙(芳烴)鎳錯合物產物， <br/>其中該分離溶劑包含烷烴或芳烴，且 <br/>其中該雙(芳烴)鎳錯合物包含雙(環戊二烯基)鎳錯合物、雙(苯)鎳錯合物、雙(甲苯)鎳錯合物（bis (toluene) nickel complex、bis (methlybenzene) nickel complex）、雙(二甲苯)鎳錯合物（bis (xylene) nickel complex、bis (dimethlybenzene) nickel complex）、雙(丁基甲苯)鎳錯合物、雙(乙基甲苯)鎳錯合物、雙(異丙基甲苯)鎳錯合物、雙(丁基甲苯)鎳錯合物、雙(<img align="absmiddle" height="25px" width="19px" file="d10001.TIF" alt="ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/>)鎳錯合物、雙(偏三甲苯)鎳錯合物、雙(荰)鎳錯合物、雙(三甲苯)鎳錯合物、雙(乙苯)鎳錯合物、雙(1,4-二乙苯)鎳錯合物、雙(三乙苯)鎳錯合物、雙(丙苯)鎳錯合物、雙(丁苯)鎳錯合物、雙(異丁苯)鎳錯合物、雙(二級丁苯)鎳錯合物、雙(三級丁苯)鎳錯合物、雙(己苯)鎳錯合物、雙(苯乙烯)鎳錯合物、雙(萘)鎳錯合物、雙(蒽)鎳錯合物、雙(菲)鎳錯合物、雙(聯苯)鎳錯合物、雙(三聯苯)鎳錯合物、雙(甲基萘)鎳錯合物、雙(伸聯苯)鎳錯合物、雙(二甲基萘)鎳錯合物、雙(甲基蒽)鎳錯合物、雙(4,4'-二甲基聯苯)鎳錯合物、雙(聯苄)鎳錯合物、雙(二苯基甲烷)鎳錯合物、雙(茚)鎳錯合物、雙(茀)鎳錯合物或其任何異構物。
如請求項1之方法，其進一步包含再加熱該濾液以再生該經蒸餾之分離溶劑。
如請求項1之方法，其進一步包含用該經蒸餾之分離溶劑重複過濾該粗混合物以便自該粗混合物中進一步萃取該雙(芳烴)鎳錯合物。
如請求項1之方法，其中該經純化之雙(芳烴)鎳錯合物產物具有小於1.2%之該至少一種雜質。
如請求項1之方法，其中該至少一種雜質可藉由核磁共振(nuclear magnetic resonance；NMR)譜分析偵測。
如請求項1之方法，其中該經純化之雙(芳烴)鎳錯合物產物在75℃之溫度下在32天內為穩定的。
一種雙(芳烴)鎳錯合物，其純度為95%或更高， <br/>其中該雙(芳烴)鎳錯合物藉由如請求項1至6中任一項之方法純化。
如請求項7之雙(芳烴)鎳錯合物，其包含1.2%或更少的至少一種雜質。
一種電子裝置，包括：<br/> 一機殼；<br/> 一電路板組件，設置於該機殼，包括一電路板及一第一電連接器，該第一電連接器設置於該電路板上；<br/> 一電纜組件，包括一殼體、一第二電連接器及一電纜，該第二電連接器及該電纜設置於該殼體，該電纜連接該第二電連接器；以及<br/> 一導引機構，導引該第二電連接器電連接該第一電連接器；<br/> 其中該電纜組件更包括一彈性件，該第二電連接器具有一對位凹槽，該彈性件設置於該殼體內且卡固於該對位凹槽。
如請求項1所述之電子裝置，其中該導引機構可活動地設置於該電纜組件之該殼體。
如請求項2所述之電子裝置，其中該導引機構可滑動地套設於該殼體且支撐該第二電連接器。
如請求項2所述之電子裝置，其中該導引機構包括一組裝部及一框體部，該組裝部及該框體部彼此相連，該組裝部可滑動地設置於該殼體，該框體部包括一導引穿孔，該第二電連接器穿設於該導引穿孔。
如請求項1所述之電子裝置，其中該電纜組件更包括一扣件，該殼體包括一底座及一上蓋，該扣件設置於該底座及該上蓋之間，該上蓋透過該扣件可脫離地連接該底座。
如請求項1所述之電子裝置，其更包括一風扇模組，該風扇模組設置於該機殼內且與該機殼的底部相分離而形成一組裝通道，該組裝通道對應於該電路板組件之該第一電連接器，該導引機構導引該第二電連接器經過該組裝通道電連接該第一電連接器。
如請求項1所述之電子裝置，其中該導引機構設置於該機殼。
如請求項7所述之電子裝置，其中該導引機構包括一座體、一第一導引件及一第二導引件，該座體設置於該機殼且具有對應於該第一電連接器的一通孔，該第一導引件及該第二導引件分別設置於該座體的底部及頂部，該第一導引件及該第二導引件共同形成一導引口，該導引口的尺寸小於該通孔的尺寸，該導引口對應於該第一電連接器，該導引口使該電纜組件之該第二電連接器通過而電連接於該第一電連接器。
如請求項8所述之電子裝置，其中該第一導引件及該第二導引件為彈片。
如請求項9所述之電子裝置，其中該第一導引件包括相連的一第一固定部及一第一活動部，該第一固定部固定於該座體的底部，該第一活動部朝該座體的頂部延伸且可相對該第一固定部活動，該第二導引件包括一第二固定部、一第二活動部及二折耳部，該第二固定部固定於該座體的頂部，該第二活動部可活動地連接於該第二固定部且朝該座體的底部延伸，該二折耳部分別連接於該第二活動部的相對二側，該第一活動部、該第二活動部及該二折耳部共同形成該導引口。
如請求項8所述之電子裝置，其中該導引機構更包括一第三導引件及一第四導引件，分別設置於該座體的二側部，該第一導引件、該第二導引件、該第三導引件及該第四導引件共同形成該導引口。
如請求項8所述之電子裝置，其中該第一導引件及該第二導引件分別可樞轉地設置於該座體的底部及頂部，該第一導引件具有一第一凹槽，該第二導引件具有一第二凹槽，該第一凹槽及該第二凹槽共同形成該導引口。
如請求項12所述之電子裝置，其中該導引機構更包括一第一彈性件及一第二彈性件，分別設置於該第一導引件及該第二導引件，該第一彈性件及該第二彈性件用以對該第一導引件及該第二導引件提供一彈性恢復力。
如請求項8所述之電子裝置，其中該第一導引件為彈片，該第二導引件為滑塊。
如請求項14所述之電子裝置，其中該第一導引件包括相連的一固定部及一活動部，該固定部固定於該座體的底部，該活動部朝該座體的頂部延伸且可相對該固定部活動，該第二導引件具有一導斜面，該活動部與該導斜面共同形成該導引口。
如請求項15所述之電子裝置，其中該導引機構更包括一彈性件，該彈性件設置於該第二導引件，並用以施予該第二導引件朝該座體的底部移動的作用力。
如請求項8所述之電子裝置，其中該座體樞設於該機殼。
一種電纜模組，包括：<br/> 一電纜組件，包括一殼體、一電連接器及一電纜，該電連接器及該電纜部分地設置於該殼體內且彼此相連接；以及<br/> 一導引機構，可活動地設置於該殼體且支撐並導引該電連接器位於該殼體外的部分。
一種機殼模組，用以承載一電路板，且導引一電纜組件電連接該電路板上的一電連接器，該機殼模組包括：<br/> 一機殼，承載該電路板；以及<br/> 一導引機構，設置於該機殼並對應於該電路板上之該電連接器，該導引機構用以導引該電纜組件電連接該電路板上之該電連接器；<br/> 其中該導引機構包括一座體、一第一導引件及一第二導引件，該座體設置於該機殼且具有對應於該第一電連接器的一通孔，該第一導引件及該第二導引件設置於該座體，該第一導引件及該第二導引件共同形成一導引口，該導引口的尺寸小於該通孔的尺寸，該導引口對應於該第一電連接器，該導引口使該電纜組件之該第二電連接器通過而電連接於該第一電連接器。
一種沉積金屬氮化物薄膜的方法，包含：<br/> 含金屬前驅物給料步驟和含氮前驅物給料步驟，含矽氣體在所述含金屬前驅物給料步驟和/或所述含氮前驅物給料步驟中給料，交替重複所述含金屬前驅物給料步驟和所述含氮前驅物給料步驟，直至金屬氮化物薄膜達到目標厚度。
如請求項1所述的沉積金屬氮化物薄膜的方法，其中所述金屬氮化物薄膜中的矽含量小於3%，以原子百分比計。
如請求項1所述的沉積金屬氮化物薄膜的方法，其中所述含金屬前驅物給料步驟包括若干含金屬前驅物給料子步驟，每個所述含金屬前驅物給料子步驟包括含金屬前驅物供給步驟和第一吹掃步驟，所述含氮前驅物給料步驟包括若干含氮前驅物給料子步驟，每個所述含氮前驅物給料子步驟包括含氮前驅物供給步驟和第二吹掃步驟。
如請求項3所述的沉積金屬氮化物薄膜的方法，其中所述含金屬前驅物給料子步驟執行至少1次。
如請求項4所述的沉積金屬氮化物薄膜的方法，其中所述含金屬前驅物給料子步驟重複執行至少5次。
如請求項3所述的沉積金屬氮化物薄膜的方法，其中所述含氮前驅物給料子步驟執行至少1次。
如請求項3所述的沉積金屬氮化物薄膜的方法，其中所述含矽氣體在所述含金屬前驅物給料子步驟中給料。
如請求項7所述的沉積金屬氮化物薄膜的方法，其中所述含矽氣體在所述含金屬前驅物供給步驟中給料。
如請求項7所述的沉積金屬氮化物薄膜的方法，其中所述含矽氣體在所述第一吹掃步驟中給料。
如請求項7所述的沉積金屬氮化物薄膜的方法，其中所述含矽氣體在所述含金屬前驅物供給步驟和所述第一吹掃步驟中給料。
如請求項7所述的沉積金屬氮化物薄膜的方法，其中所述含矽氣體在所述含金屬前驅物供給步驟之後或所述第一吹掃步驟之後給料。
如請求項8至11中任一項所述的沉積金屬氮化物薄膜的方法，其中在所述含金屬前驅物給料子步驟後，還包括：第三吹掃步驟。
如請求項3所述的沉積金屬氮化物薄膜的方法，其中所述含矽氣體在所述含氮前驅物給料子步驟中給料。
如請求項13所述的沉積金屬氮化物薄膜的方法，其中所述含矽氣體在所述含氮前驅物供給步驟中給料。
如請求項13所述的沉積金屬氮化物薄膜的方法，其中所述含矽氣體在所述第二吹掃步驟中給料。
如請求項13所述的沉積金屬氮化物薄膜的方法，其中所述含矽氣體在所述含氮前驅物供給步驟和所述第二吹掃步驟中給料。
如請求項13所述的沉積金屬氮化物薄膜的方法，其中所述含矽氣體在所述含氮前驅物供給步驟之後或所述第二吹掃步驟之後給料。
如請求項14至17中任一項所述的沉積金屬氮化物薄膜的方法，其中在所述含氮前驅物給料子步驟後，還包括：第四吹掃步驟。
如請求項1所述的沉積金屬氮化物薄膜的方法，其中所述含矽氣體為SiH<sub>4</sub>、Si<sub>2</sub>H<sub>6</sub>、SiH<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>、SiHCl<sub>3</sub>和SiCl<sub>4</sub>中的至少一種。
如請求項1所述的沉積金屬氮化物薄膜的方法，其中所述含金屬前驅物為TiCl<sub>4</sub>、TDMAT、TDEAT、TiI<sub>4</sub>、WF<sub>6</sub>、WCl<sub>6</sub>、W(CO)<sub>6</sub>、PDMAT、TaCl<sub>5</sub>、TaBr<sub>5</sub>和TaF<sub>5</sub>中的至少一種。
如請求項1所述的沉積金屬氮化物薄膜的方法，其中所述含氮前驅物為NH<sub>3</sub>或N<sub>2</sub>H<sub>4</sub>中的至少一種。
如請求項1所述的沉積金屬氮化物薄膜的方法，其中所述含矽氣體與所述含金屬前驅物的流量比例為0~50:1，不包含0。
如請求項3所述的沉積金屬氮化物薄膜的方法，其中所述含金屬前驅物供給步驟的持續時間為不大於2s。
如請求項3所述的沉積金屬氮化物薄膜的方法，其中所述第一吹掃步驟的持續時間為不大於30s。
如請求項3所述的沉積金屬氮化物薄膜的方法，其中所述含氮前驅物供給步驟的持續時間為不大於2s。
如請求項3所述的沉積金屬氮化物薄膜的方法，其中所述第二吹掃步驟的持續時間為不大於30s。
如請求項12的沉積金屬氮化物薄膜的方法，其中所述第三吹掃步驟的持續時間為不大於20s。
如請求項18所述的沉積金屬氮化物薄膜的方法，其中所述第四吹掃步驟的持續時間為不大於20s。
一種沉積氮化鈦薄膜的方法，包含：TiCl<sub>4</sub>給料步驟和NH<sub>3</sub>給料步驟，含矽氣體在所述TiCl<sub>4</sub>給料步驟中給料，所述TiCl<sub>4</sub>給料步驟之後還包括一第三吹掃步驟，交替重複所述TiCl<sub>4</sub>給料步驟和所述NH<sub>3</sub>給料步驟，直至氮化鈦薄膜達到目標厚度。
一種可讀儲存介質，所述可讀儲存介質上儲存程式或指令，所述程式或指令被處理器執行時實現如請求項1至28中任一項所述的沉積金屬氮化物薄膜的方法。
一種半導體處理設備，包括：處理器，記憶體及儲存在所述記憶體上並可在所述處理器上運行的程式或指令，所述程式或指令被所述處理器執行時實現如請求項1至28中任一項所述的沉積金屬氮化物薄膜的方法。
一種加熱裝置，安裝在蓋板上，所述加熱裝置包括： <br/>光投射部件和光偏轉器， <br/>所述光投射部件固定安裝在所述蓋板上，並向所述蓋板的方向發射投射光， <br/>所述光偏轉器安裝在所述投射光的光路上，以使所述投射光的方向發生偏轉，所述光偏轉器可旋轉，以通過所述旋轉改變對投射光的偏轉方向， <br/>其中，所述光偏轉器與所述光投射部件分體設置。
如請求項1所述的加熱裝置，其中，所述光偏轉器包括光偏轉鏡，所述投射光經所述光偏轉鏡後方向發生偏轉，通過旋轉所述光偏轉器以使偏轉方向移動。
如請求項1所述的加熱裝置，其中，所述光投射部件豎直安裝在所述蓋板上。
如請求項1所述的加熱裝置，其中，所述蓋板包括安裝部，所述加熱裝置安裝在所述安裝部上，所述蓋板下端為熱反射面，以使下側輻射無法穿過所述蓋板。
如請求項4所述的加熱裝置，其中，所述安裝部為單向透光層，以使所述投射光可穿透所述安裝部。
如請求項1所述的加熱裝置，其中，所述光偏轉器與所述光投射部件共軸線設置。
如請求項2所述的加熱裝置，其中，所述光偏轉器還包括殼體，所述光偏轉鏡固定在所述殼體內部。
如請求項7所述的加熱裝置，其中，所述殼體為導熱體。
如請求項8所述的加熱裝置，其中，所述殼體外套設有冷卻套，所述冷卻套與所述殼體不接觸。
如請求項7所述的加熱裝置，其中，所述光偏轉器還包括第一旋轉器，所述第一旋轉器設於所述殼體端部，帶動所述殼體繞軸自轉。
如請求項7所述的加熱裝置，其中，所述光偏轉器還包括第二旋轉器，所述第二旋轉器設於所述殼體外周面上，帶動所述殼體繞軸自轉。
如請求項8所述的加熱裝置，其中，所述殼體端面固定有冷卻板。
如請求項12所述的加熱裝置，其中，所述冷卻板與第一旋轉器通過調節件可調節地固定安裝。
如請求項13所述的加熱裝置，其中，所述調節件在所述殼體的周向排佈，通過所述調節件可調節所述調節件所處局部位置的所述冷卻板與所述第一旋轉器的距離。
如請求項14所述的加熱裝置，其中，所述冷卻板與所述第一旋轉器之間設置有張緊件，以通過張緊力抵消所述調節件在調節過程中的偏差。
如請求項2所述的加熱裝置，其中，所述光偏轉鏡為楔形透鏡，具有入射面和出射面，所述入射面和所述出射面呈一定夾角，以使所述投射光穿過時產生偏轉。
如請求項16所述的加熱裝置，其中，所述入射面和所述出射面為平面。
如請求項16所述的加熱裝置，其中，所述入射面與所述投射光方向垂直。
如請求項13所述的加熱裝置，其中，所述光偏轉鏡包括入射面和出射面，所述出射面為平面，所述入射面與所述出射面不平行。
如請求項19所述的加熱裝置，其中，所述入射面包括多個不同法線方向的平面，多個所述平面呈外凸結構，以使所述入射面始終具有與所述投射光垂直的面。
如請求項2所述的加熱裝置，其中，所述光偏轉鏡塗有增透膜。
如請求項16至20中任一項所述的加熱裝置，其中，所述出射面塗有紅外濾光膜。
一種半導體處理設備，包括： <br/>加熱腔和工藝腔，所述加熱腔由蓋板封蓋，所述加熱腔內有加熱燈， <br/>所述蓋板上安裝有如請求項1至22中任一項所述的加熱裝置，以對所述工藝腔內的晶圓輔助加熱，其中，所述晶圓位於載台上，所述載台可使所述晶圓繞其軸線自轉。
如請求項23所述的半導體處理設備，其中，所述加熱裝置安裝在安裝部上，所述光投射部件位於所述加熱腔外。
如請求項24所述的半導體處理設備，其中，所述光投射部件位於所述安裝部上方，所述光偏轉器位於所述安裝部下方。
如請求項24所述的半導體處理設備，其中，所述安裝部內為通孔，所述光投射部件位於所述安裝部上方，所述光偏轉器安裝於所述通孔內。
如請求項26所述的半導體處理設備，其中，所述蓋板內設有冷卻裝置。
如請求項24所述的半導體處理設備，其中，所述光偏轉器位於所述安裝部上方，所述光投射部件通過固定支架與所述安裝部懸空固定在所述光偏轉器上方。
一種組織影像處理方法，由一處理器執行一電腦程式以實現並包括： <br/> (a) 獲取一目標影像； <br/> (b) 獲取一資料集，對該資料集進行染色成分增強，利用一染色成分增強後的資料集進行聯邦學習，構建一腫瘤分割模型，該資料集包括一測試影像，該測試影像為一免疫組織化學染色影像； <br/> (c) 將該目標影像輸入該腫瘤分割模型，確定該目標影像中一腫瘤區域； <br/>(d) 對該腫瘤區域進行細胞膜染色檢測，根據該細胞膜的一完整度和一染色強度對該腫瘤區域進行分類；以及 <br/> (e) 根據該分類結果進行評級； <br/>其中獲取該資料集，對該資料集進行染色成分增強之步驟，還包括： <br/>獲取該資料集中該測試影像，對該測試影像進行顏色去卷積，得到該測試影像的一染色劑的顏色基礎和染色強度； <br/>對該染色劑的染色強度進行隨機縮放和隨機平移，得到一增強後的染色強度； 對該染色劑的顏色基礎進行隨機旋轉，得到一增強後的染色劑的顏色基礎；以及 <br/>融合該增強後的染色強度和該增強後的染色劑的顏色基礎，完成該染色成分增強。
如請求項1所述之組織影像處理方法，其中利用染色成分增強後的資料集進行聯邦學習，構建該腫瘤分割模型之步驟，包括：對該增強後的資料集進行預處理，並且將該預處理的結果輸入一聯邦學習伺服器，構建該腫瘤分割模型。
如請求項2所述之組織影像處理方法，其中對該增強後的資料集進行預處理，將該預處理的結果輸入聯邦學習伺服器，構建該腫瘤分割模型之步驟，還包括： <br/> 基於該聯邦學習伺服器的一學習規則構建一本地模型和一全域模型； <br/>根據該增強後的資料集，分別訓練該本地模型，獲取該本地模型的複數個參數； <br/>將該本地模型的複數個參數輸入該聯邦學習伺服器，通過聚類管道訓練該全域模型；以及 <br/>根據該增強後的資料集，分別訓練該全域模型，將訓練後的全域模型的參數分別輸入該聯邦學習伺服器，構建該腫瘤分割模型。
如請求項1所述之組織影像處理方法，其中步驟(d)包括： <br/> (d1) 對該腫瘤區域進行細胞核檢測，確定該腫瘤區域中一細胞核的位置； <br/>(d2) 根據該細胞核的位置進行細胞膜檢測，確定該細胞核對應的一細胞膜的位置； <br/> (d3) 根據該細胞膜的一染色強度對該細胞膜分類，得到一預分類結果；以及 <br/>(d4) 根據該預分類結果與該細胞膜的完整度，對該腫瘤區域進行分類。
如請求項4所述之組織影像處理方法，其中步驟(d2)包括：根據該細胞核的位置，擴大該細胞核的分割遮罩，確定該細胞核對應的該細胞膜的位置。
如請求項4所述之組織影像處理方法，其中步驟(d3)包括： <br/> 將該細胞膜中每個像素進行顏色去卷積，轉化為一蘇木精-二氨基聯苯胺的表現形式； <br/>根據一預設閾值，在二氨基聯苯胺通道上將該細胞膜中每個像素基於其染色強度進行分類，以得到該每個像素的分類等級；以及 <br/>根據該每個像素的分類等級，得到該預分類結果。
如請求項4所述之組織影像處理方法，其中步驟(d4)包括： <br/>利用一骨架化演算法得到該細胞膜的完整度；以及 <br/>使用該細胞膜的完整度細化該預分類結果，對該腫瘤區域進行分類。
一種組織影像處理系統，包括：記憶體、處理器及存儲在記憶體上的電腦程式，該處理器執行該電腦程式以實現請求項1～7中任一項的組織影像處理方法的步驟。
一種電腦程式產品，包括電腦程式/指令，該電腦程式/指令被處理器執行時實現請求項1～7任一項該的組織影像處理方法的步驟。
一種封裝基板，包括芯層，其中所述芯層包括玻璃芯及空腔部，所述玻璃芯具有相互面對的第一面和第二面，所述空腔部貫通所述玻璃芯； <br/>在所述空腔部配置有元件模組； <br/>所述元件模組通過膠囊層將一個以上的空腔元件及空腔分配層模組化而成； <br/>所述空腔分配層為配置在所述空腔元件的上部的重分配層， <br/>其中所述空腔分配層包括至少兩層重配線分配電路層； <br/>所述重配線分配電路層包括： <br/>i）空腔凸塊層，或者 <br/>ii）通孔及電路層； <br/>所述空腔凸塊層為緩衝層，所述緩衝層為與所述空腔元件的上部相接並能夠向所述空腔元件傳輸電信號的導電層； <br/>所述通孔及電路層為與所述空腔凸塊層連接並向所述元件模組外部傳輸電信號的導電層， <br/>其中所述空腔分配層包括： <br/>第一重配線分配電路層，配置有所述空腔凸塊層， <br/>第二重配線分配電路層，在模組絕緣層凹陷配置第一通孔及第一電路層而成，以及 <br/>第三重配線分配電路層，在所述模組絕緣層凹陷配置第二通孔及第二電路層而成； <br/>所述模組絕緣層為配置在所述元件模組內的絕緣層， <br/>其中在所述玻璃芯形成有芯導電層，所述芯導電層為配置在所述玻璃芯表面的金屬電路圖案； <br/>所述重配線分配電路層的節距小於所述芯導電層的節距，且 <br/>其中所述第二電路層的節距大於所述第一電路層的節距。
如請求項1所述的封裝基板，其中所述第二重配線分配電路層的焊盤寬度大於所述第一重配線分配電路層的焊盤寬度。
如請求項1所述的封裝基板，其中所述元件模組包括主動元件。
如請求項3所述的封裝基板，其中所述元件模組更包括被動元件。
如請求項1所述的封裝基板，更包括： <br/>上部層，配置在所述芯層的上部； <br/>配置在所述上部層的下表面的導電圖案的節距大於所述空腔分配層的最小節距。
如請求項1所述的封裝基板，更包括： <br/>下部層，配置在所述芯層的下部； <br/>配置在所述下部層的上表面的導電圖案的節距大於所述空腔分配層的最小節距。
一種封裝基板的製造方法，包括： <br/>準備步驟，準備配置有空腔部的玻璃芯和元件模組，以及 <br/>排列步驟，在所述空腔部排列所述元件模組； <br/>所述元件模組通過膠囊層將一個以上的空腔元件及空腔分配層模組化而成； <br/>所述空腔分配層為配置在所述空腔元件的上部的重分配層， <br/>其中所述空腔分配層包括至少兩層重配線分配電路層； <br/>所述重配線分配電路層包括： <br/>i）空腔凸塊層，或者 <br/>ii）通孔及電路層； <br/>所述空腔凸塊層為緩衝層，所述緩衝層為與所述空腔元件的上部相接並能夠向所述空腔元件傳輸電信號的導電層； <br/>所述通孔及電路層為與所述空腔凸塊層連接並向所述元件模組外部傳輸電信號的導電層； <br/>所述封裝基板的製造方法更包括： <br/>芯導電層形成步驟； <br/>所述芯導電層形成步驟在所述準備步驟與所述排列步驟之間或者在所述排列步驟之後執行； <br/>所述芯導電層形成步驟為在所述玻璃芯形成芯導電層的步驟； <br/>所述重配線分配電路層的節距小於所述芯導電層的節距。
如請求項7所述的封裝基板的製造方法，其中在所述空腔分配層中所述重配線分配電路層距離所述空腔元件越遠，所述重配線分配電路層的節距變得越寬。
如請求項7所述的封裝基板的製造方法，其中所述元件模組通過模組化步驟製造； <br/>所述模組化步驟包括： <br/>在所述空腔元件的上部配置所述空腔分配層的步驟，其中，所述空腔分配層包括至少兩層重配線分配電路層；以及 <br/>通過半加成法形成所述空腔分配層的步驟。
如請求項9所述的封裝基板的製造方法，其中所述元件模組包括主動元件； <br/>所述元件模組更包括被動元件並通過模制而成。
一種資料處理方法，其係藉由電子裝置而實行者，其包括如下步驟： <br/>於第1虛擬目錄中獲得源表之檔案，上述源表包括與電子商務服務相關之複數個第1欄位及製品之第1資料，其中上述源表包括在上述電子商務服務中銷售的製品之第1資料； <br/>基於預設之條件，過濾與在上述複數個第1欄位中選擇之第1欄位對應之第1資料； <br/>基於呼叫與上述電子商務服務相關之內部應用程式設計介面(API)，獲得與經過濾之上述第1資料對應之製品之複數個元資料以產生與複數個第2欄位對應之製品之第2資料，其中上述複數個第2欄位表示為了管理製品而預設之複數個製品之屬性且包括不同於上述複數個第1欄位之欄位； <br/>針對上述複數個第2欄位中與第1欄位相同之第2欄位，獲得各製品的經過濾之上述第1資料為第2資料； <br/>藉由將基於上述內部API獲得的上述複數個元資料及經過濾之上述第1資料輸入到與上述複數個第2欄位相關之邏輯，產生對應於用於各製品之上述複數個第2欄位中與第1欄位不同之第2欄位之第2資料； <br/>產生包括上述複數個第2欄位及上述第2資料之目標表；及 <br/>向用戶終端提供上述目標表之檔案，以便向上述用戶終端提供與上述複數個第2欄位的至少一者對應之一屬性的統計資料； <br/>其中，上述統計資料係提供至上述用戶終端，其藉由在上述目標表之所提供的檔案中，基於與上述用戶終端選擇之與第2欄位對應之第2資料，識別與各第2欄位對應之製品數量。
如請求項1之資料處理方法，其進而包括如下步驟： <br/>將上述第1虛擬目錄之上述源表之檔案下載為第1本地檔案；及 <br/>若對下載之上述源表之第1本地檔案完成上述第1資料之過濾，則刪除上述第1本地檔案。
如請求項2之資料處理方法，其中上述第1資料包括上述源表之各列之記錄，且 <br/>上述方法進而包括如下步驟： <br/>基於剖析上述源表之第1本地檔案，於上述源表中提取與在上述複數個第1欄位中選擇之第1欄位對應之所有記錄。
如請求項3之資料處理方法，其中過濾與在上述複數個第1欄位中選擇之第1欄位對應之第1資料之步驟包括如下步驟： <br/>於不同之記錄之值重複之情形時，將值重複之記錄合併為一個記錄；及 <br/>於記錄之值不存在或內定之情形時，排除不存在上述值之記錄。
如請求項1之資料處理方法，其進而包括如下步驟： <br/>將上述複數個第2欄位及產生之上述第2資料記錄於第2本地檔案中；及 <br/>將上述第2本地檔案上傳至第2虛擬目錄。
如請求項5之資料處理方法，其進而包括如下步驟： <br/>基於上述第2本地檔案來產生上述目標表；及 <br/>將上述目標表之檔案儲存於上述第2虛擬目錄中。
如請求項6之資料處理方法，其中上述目標表係基於日期而分區。
如請求項1之資料處理方法，其中基於上述用戶終端對上述複數個第2欄位中之至少一者進行之選擇輸入，向上述用戶終端提供製品之屬性之統計資料，上述製品之屬性係與在上述目標表中選擇之第2欄位對應者。
一種電子裝置，其包括： <br/>一個以上之處理器；及 <br/>儲存器，其儲存藉由上述一個以上之處理器而執行之一個以上之命令；且 <br/>上述一個以上之處理器如下：執行上述一個以上之命令，藉此， <br/>於第1虛擬目錄中獲得源表之檔案，上述源表包括與電子商務服務相關之複數個第1欄位及製品之第1資料，其中上述源表包括在上述電子商務服務中銷售的製品之第1資料； <br/>基於預設之條件，過濾與在上述複數個第1欄位中選擇之第1欄位對應之第1資料； <br/>基於呼叫與上述電子商務服務相關之內部應用程式設計介面(API)，獲得與經過濾之上述第1資料對應之製品之複數個元資料以產生與複數個第2欄位對應之製品之第2資料，其中上述複數個第2欄位表示為了管理製品而預設之複數個製品之屬性且包括不同於上述複數個第1欄位之欄位； <br/>針對上述複數個第2欄位中與第1欄位相同之第2欄位，獲得各製品的經過濾之上述第1資料為第2資料； <br/>藉由將基於上述內部API獲得的上述複數個元資料及經過濾之上述第1資料輸入到與上述複數個第2欄位相關之邏輯，產生對應於用於各製品之上述複數個第2欄位中與第1欄位不同之第2欄位之第2資料； <br/>產生包括上述複數個第2欄位及上述第2資料之目標表； <br/>向用戶終端提供上述目標表之檔案，以便向上述用戶終端提供與上述複數個第2欄位的至少一者對應之一屬性的統計資料； <br/>其中，上述統計資料係提供至上述用戶終端，其藉由在上述目標表之所提供的檔案中，基於與上述用戶終端選擇之與第2欄位對應之第2資料，識別與各第2欄位對應之製品數量。
一種非暫時性電腦可讀儲存媒體，其係儲存有用以於電腦中執行如請求項1至8中任一項之資料處理方法之程式者。
一種溫控裝置，其包括：<br/> 一壓縮機，該壓縮機包括一進氣端及一出氣端；<br/> 一蒸發器，該蒸發器包括一進口端及一出口端，該出口端與該進氣端連接；<br/> 二供熱通路，二該供熱通路能夠向不同的目標區域輸出熱量，各該供熱通路的一端與該出氣端連接，各該供熱通路的另一端與該進口端連接，各該供熱通路包括一第一冷凝器，該第一冷凝器用於向目標區域輸出熱量；<br/> 一洩壓通路，該洩壓通路的一端與該出氣端連接，該洩壓通路的另一端與該進口端連接，該洩壓通路包括一洩壓電磁閥和一第二冷凝器，該洩壓電磁閥能夠控制該洩壓通路的通斷，該第二冷凝器位於該目標區域以外；以及<br/> 一調節通路，該調節通路的一端與該第一冷凝器遠離該出氣端的一側連接，該調節通路的另一端與該第二冷凝器靠近該出氣端的一側連接，該調節通路包括一調節電磁閥，該調節電磁閥能夠控制該調節通路的通斷；<br/> 其中，該調節通路包括一第一支路和一第二支路，該調節電磁閥包括一第一電磁閥和一第二電磁閥，該第一電磁閥設置在該第一支路，該第二電磁閥設置在該第二支路，該第一支路的一端與其中一個該供熱通路上的該第一冷凝器遠離該出氣端的一側連接，該第一支路的另一端與該第二冷凝器靠近該出氣端的一側連接；該第二支路的一端與另一個該供熱通路上的該第一冷凝器遠離該出氣端的一側連接，該第二支路的另一端與該第二冷凝器靠近該出氣端的一側連接。
如請求項1所述的溫控裝置，其中，該洩壓電磁閥設置在該第二冷凝器靠近該出氣端的一側。
如請求項1所述的溫控裝置，其中，該洩壓通路進一步包括一洩壓膨脹閥，該洩壓膨脹閥設置在該第二冷凝器遠離該出氣端的一側。
如請求項1所述的溫控裝置，其中，該洩壓通路進一步包括一洩壓單向閥，該洩壓單向閥設置在該第二冷凝器遠離該出氣端的一側。
如請求項1所述的溫控裝置，其中，該第二冷凝器與該蒸發器導熱連接，該第二冷凝器的熱量能夠向該蒸發器傳遞。
如請求項1所述的溫控裝置，其中，該供熱通路進一步包括一供熱電磁閥，該供熱電磁閥能夠控制該供熱通路的通斷。
如請求項6所述的溫控裝置，其中，該溫控裝置進一步包括一壓力傳感器，該壓力傳感器設置在該出氣端與通往供熱通路及洩壓通路之分流位置之間的管段，該壓力傳感器用於檢測冷媒的壓力。
一種烘乾系統，其包括一箱體以及一如請求項1至7中任一項所述的溫控裝置，該第一冷凝器設置在該箱體內。
一種鋼板，具有如下成分組成： <br/>以質量%計含有 <br/>C：0.05%以上且0.13%以下、 <br/>Si：0.01%以上且0.04%以下、 <br/>Mn：0.1%以上且0.6%以下、 <br/>P：0.02%以下、 <br/>S：0.02%以下、 <br/>Al：0.01%以上且0.10%以下、 <br/>N：0.0005%以上且0.0040%以下、 <br/>Ti：0.005%以上且0.030%以下、 <br/>Nb：0.005%以上且0.030%以下、 <br/>Mo：0.01%以上且0.05%以下、 <br/>B：0.0005%以上且0.0050%以下， <br/>其餘部分包含鐵及不可避免的雜質， <br/>作為微組織，具有以面積率計為90%以上的肥粒鐵組織， <br/>總Ti、Nb量中的以碳氮化物的形式存在的Ti、Nb的合計以質量%計為0.005%以上。
如請求項1所述的鋼板，其除含有所述成分組成以外，亦以質量%計更含有選自如下成分中的一種或兩種， <br/>Cr：0.005%以上且0.100%以下、 <br/>Ni：0.005%以上且0.150%以下。
一種鋼板的製造方法，具有： <br/>熱軋步驟，於精加工溫度為800℃以上且950℃以下、捲取溫度為550℃以上且750℃以下的條件下對具有如請求項1或2所述的成分組成的板坯實施熱軋； <br/>冷軋步驟，對經過所述熱軋步驟的熱軋板實施壓下率85%以上的冷軋； <br/>退火步驟，將經過所述冷軋步驟的冷軋板以平均升溫速度5℃/秒～40℃/秒升溫至640℃以上且760℃以下的退火溫度，於所述退火溫度下加以保持後，以15℃/秒以上的平均冷卻速度冷卻至低於所述退火溫度且為450℃以上且650℃以下的冷卻停止溫度；以及 <br/>調質壓延步驟，以調質壓延率0.5%以上且5.0%以下對經過所述退火步驟的退火板實施調質壓延。
一種半導體裝置，包括： <br/> 基板； <br/> 在基板上方的異質結結構，由第一III-V族化合物層和第二III-V族化合物層形成； <br/> 第一閘電極，澱積在所述第一III-V族化合物層和所述第二III-V族化合物層上方，其中所述第一閘電極電連接至第一閘極端子； <br/> 第二閘電極，澱積在所述第一III-V族化合物層和所述第二III-V族化合物層上方，其中所述第二閘電極電連接至第二閘極端子； <br/> 源電極，澱積在所述異質結結構上方，其中所述源電極電連接至源極端子； <br/> 第一汲電極，澱積在所述異質結結構上方，其中所述第一汲電極電連接至汲極端子；以及 <br/> 第二汲電極，澱積在所述異質結結構上方，其中所述第二汲電極電連接至第一閘極端子；其中 <br/> 所述第一閘電極位於所述源電極和所述第一汲電極之間，以及所述第二閘電極位於所述源電極和所述第二汲電極之間； <br/> 所述半導體裝置可配置為在所述第一閘極端子接收第一驅動信號，在所述第二閘極端子接收第二驅動信號；以及 <br/> 所述半導體裝置導通時，由所述第一汲電極、所述源電極和所述第一閘電極組成的第一III-V族化合物場效應管在所述第一驅動信號的控制下導通，在所述源電極和所述第一汲電極之間形成第一導電通路，所述半導體裝置關斷時，由所述第二汲電極、所述源電極和所述第二閘電極組成的第二III-V族化合物場效應管在所述第二驅動信號的控制下導通，在所述源電極和所述第二汲電極之間形成第二導電通路。
如請求項1所述的半導體裝置，其中在所述第一III-V族化合物層和所述第二III-V族化合物層之間的過渡處形成二維電子氣區域，所述源電極、所述第一汲電極和所述第二汲電極分別與所述二維電子氣區域接觸，以形成多個歐姆接觸。
如請求項1所述的半導體裝置，其中所述第一III-V族化合物層包括氮化鎵層，以及所述第二III-V族化合物層包括鋁氮化鎵層。
如請求項1所述的半導體裝置，其中所述第二閘電極的長度小於所述第一閘電極的長度，以及所述第二汲電極的長度小於所述第一汲電極的長度。
如請求項1所述的半導體裝置，其中所述第二汲電極與所述第二閘電極之間的距離小於所述第一汲電極與所述第一閘電極之間的距離。
如請求項1所述的半導體裝置，其中所述源電極與所述第二閘電極之間的距離小於所述源電極與所述第一閘電極之間的距離。
如請求項1所述的半導體裝置，進一步包括： <br/> 氮化鋁成核層，位於所述基板和所述異質結結構之間，外延生長於所述第一III-V族化合物層和所述第二III-V族化合物層。
如請求項1所述的半導體裝置，進一步包括： <br/> 第三閘電極，澱積在所述第一III-V族化合物層和所述第二III-V族化合物層上方，其中所述第三閘電極電連接至第三閘極端子；以及 <br/> 第三汲電極，澱積在所述異質結結構上方，其中所述第三汲電極電連接至所述第一閘極端子。
如請求項8所述的半導體裝置，其中所述半導體裝置至少滿足下列關係之一： <br/> (1)所述第三閘電極的長度小於所述第二閘電極的長度，以及所述第二閘電極的長度小於所述第一閘電極的長度； <br/> (2)所述第三汲電極的長度小於所述第二汲電極的長度，以及所述第二汲電極的長度小於所述第一汲電極的長度； <br/> (3)所述第三汲電極與所述第三閘電極之間的距離小於所述第二汲電極與所述第二閘電極之間的距離，以及所述第二汲電極與所述第二閘電極之間的距離小於所述第一汲電極與所述第一閘電極之間的距離；以及 <br/> (4)所述源電極與第三閘電極之間的距離小於所述源電極與第二閘電極之間的距離，以及所述源電極與所述第二閘電極之間的距離小於所述源電極與所述第一閘電極之間的距離。
一種半導體裝置，包括： <br/> 基板； <br/> 氮化鎵層，外延生長於所述基板上方； <br/> 鋁氮化鎵層，外延生長於所述氮化鎵層上方，以形成異質結結構； <br/> 第一閘電極以及第二閘電極，澱積於所述鋁氮化鎵層上方，其中所述第二閘電極的長度小於所述第一閘電極的長度；以及 <br/> 源電極、第一汲電極、以及第二汲電極，澱積於所述氮化鎵層上方；其中 <br/> 所述第一閘電極位於所述源電極和所述第一汲電極之間，所述第二閘電極位於所述源電極和所述第二汲電極之間，以及所述第二汲電極電連接至所述第一閘電極；以及 <br/> 所述半導體裝置導通時，由所述第一汲電極、所述源電極和所述第一閘電極組成的第一場效應管在第一驅動信號的控制下導通，在所述源電極和所述第一汲電極之間形成第一導電通路，所述半導體裝置關斷時，由所述第二汲電極、所述源電極和所述第二閘電極組成的第二場效應管在第二驅動信號的控制下導通，在所述源電極和所述第二汲電極之間形成第二導電通路。
如請求項10所述的半導體裝置，其中所述第一場效應管在施加於所述第一閘電極上的所述第一驅動信號的控制下導通及關斷，所述第二場效應管在施加於所述第二閘電極上的所述第二驅動信號的控制下導通及關斷。
如請求項10所述的半導體裝置，進一步包括： <br/> 第三汲電極，澱積於所述氮化鎵層上方，所述第三汲電極電連接至所述第一閘電極；以及 <br/> 第三閘電極，澱積與所述鋁氮化鎵層上方，所述第三閘電極位於所述源極和所述第三汲電極之間。
如請求項12所述的半導體裝置，其中所述半導體裝置至少滿足下列關係之一： <br/> (1)所述第三閘電極的長度小於所述第二閘電極的長度，以及所述第二閘電極的長度小於所述第一閘電極的長度； <br/> (2)所述第三汲電極的長度小於所述第二汲電極的長度，以及所述第二汲電極的長度小於所述第一汲電極的長度； <br/> (3)所述第三汲電極與所述第三閘電極之間的距離小於所述第二汲電極與所述第二閘電極之間的距離，以及所述第二汲電極與所述第二閘電極之間的距離小於所述第一汲電極與所述第一閘電極之間的距離；以及 <br/> (4)所述源電極與第三閘電極之間的距離小於所述源電極與第二閘電極之間的距離，以及所述源電極與所述第二閘電極之間的距離小於所述源電極與所述第一閘電極之間的距離。
如請求項10所述的半導體裝置，其中所述半導體裝置至少滿足下列關係之一： <br/> (1)所述第二汲電極和所述第二閘電極之間的距離小於所述第一汲電極和所述第一閘電極之間的距離； <br/> (2)所述源電極和所述第二閘電極之間的距離小於所述源電極和所述第一閘電極之間的距離；以及 <br/> (3)所述第二汲電極的長度小於所述第一汲電極的長度。
如請求項10所述的半導體裝置，進一步包括： <br/> 源極端子，電連接至所述源電極； <br/> 汲極端子，電連接至所述第一汲電極； <br/> 第一閘極端子，電連接至所述第一閘電極和所述第二汲電極，其中所述第一閘極端子被配置為接收所述第一驅動信號； <br/> 第二閘極端子，電連接至所述第二閘電極，其中所述第二閘極端子被配置為接收所述第二驅動信號，所述半導體裝置由所述第一驅動信號和所述第二驅動信號控制。
一種半導體裝置，包括： <br/> 第一晶片，包括基板、在所述基板上由兩個III-V族化合物層形成的異質結結構、以及形成在所述基板上的第一場效應管和第二場效應管；其中 <br/> 所述第一場效應管包括澱積在所述異質結結構上方的源電極和第一汲電極，以及澱積在所述兩個III-V族化合物層上方的第一閘電極； <br/> 所述第二場效應管包括所述源電極、澱積在所述異質結結構上方的第二汲電極，以及澱積在所述兩個III-V族化合物層上方的第二閘電極； <br/> 所述第二汲電極電連接至所述第一閘電極；以及 <br/> 所述半導體裝置導通時，所述第一場效應管在第一驅動信號的控制下導通，在所述源電極和所述第一汲電極之間形成第一導電通路，所述半導體裝置關斷時，所述第二場效應管在第二驅動信號的控制下導通，在所述源電極和所述第二汲電極之間形成第二導電通路。
如請求項16所述的半導體裝置，進一步包括： <br/> 第二晶片，和所述第一晶片共同封裝在一塊芯片裡，所述第二晶片包括第三場效應管和控制電路；其中 <br/> 所述第三場效應管電連接至所述第一場效應管，並形成開關節點；以及 <br/> 所述控制電路被配置為提供所述第一驅動信號以控制所述第一場效應管、提供所述第二驅動信號以控制所述第二場效應管、以及提供第三驅動信號以控制所述第三場效應管。
如請求項16所述的半導體裝置，進一步包括： <br/> 第一閘極端子，被配置為接收所述第一驅動信號，其中所述第一閘極端子電連接至所述第一閘電極和第二汲電極； <br/> 第二閘極端子，被配置為接收所述第二驅動信號，其中所述第二閘極端子電連接至所述第二閘電極； <br/> 汲極端子，電連接至所述第一汲電極；以及 <br/> 源極端子，電連接至所述源電極。
如請求項18所述的半導體裝置，其中： <br/> 當通過所述第一驅動信號導通所述第一場效應管、通過所述第二驅動信號關斷所述第二場效應管時，所述汲極端子通過所述第一場效應管連接至所述源極端子；以及 <br/> 當通過所述第一驅動信號關斷第一場效應管、通過所述第二驅動信號導通所述第二場效應管時，所述第一閘極端子通過所述第二場效應管連接至所述源極端子。
如請求項16所述的半導體裝置，其中所述第二場效應管的尺寸小於所述第一場效應管的尺寸。
一種流體流量即時調控系統，包含有：<br/> 一閥島，具有一去流孔接收一流體源輸出的流體，一回流孔將流體送回該流體源；<br/> 多個去管路，連通該閥島之去流孔，分別將該去流孔中的流體送到一待溫控設備；<br/> 多個回管路，連通該閥島之回流孔，分別將該各去管路送至該待溫控設備的流體送回該閥島之回流孔；<br/> 多個感測器，分別接設該各回管路，該各感測器係可感測其對應的該各回管路中之流體得到感測資訊，該感測資訊包括流體的溫度及流量；<br/> 多個流量控制閥，分別接設該各回管路，可調整流量；<br/> 一控制模組，有線或無線連接該各流量控制閥及該各感測器，即時控制該各流量控制閥調整流量；<br/> 其中該控制模組包含使用MRAC演算法，設定一目標溫度，與該各感測器測得之溫度及流量演算，控制該各流量控制閥調整流量。
如請求項1所述之流體流量即時調控系統，其中該閥島包含一第一閥島及一第二閥島，該第二閥島直接或間接接於該第一閥島，該第一閥島具有該去流孔，該第二閥島具有該回流孔。
如請求項1所述之流體流量即時調控系統，其中流體先流經該感測器再流經該流量控制閥，或流體先流經該流量控制閥再流經該感測器。
如請求項1所述之流體流量即時調控系統，其更包含有多個電磁閥分別接設該各去管路，該各電磁閥有線或無線連接該控制模組，該控制模組分別控制該各電磁閥開啟或關閉該各去管路。
如請求項1所述之流體流量即時調控系統，其中該控制模組係控制溫度最低之該回管路以外之其他該流量控制閥降低流量。
如請求項1所述之流體流量即時調控系統，其中該控制模組係控制溫度最高之該回管路以外之其他該流量控制閥降低流量。
如請求項1所述之流體流量即時調控系統，其中該各感測器的感測資訊還包含其對應的該各回管路中之流體的壓力。
如請求項1所述之流體流量即時調控系統，其中所述MRAC演算法包含自適應公式，利用參數估測值與參考模型參數之差，調整該控制模組的參數。
如請求項8所述之流體流量即時調控系統，其參考模型輸出與實際系統輸出之溫差，作為調整控制模組依據，根據誤差訊號，估測系統未知或變化的參數進行流量調整。
一種微波驅動控制裝置，包含有：<br/> 一電源轉換器；<br/> 一第一全橋逆變電路，導接該電源轉換器；<br/> 一第一變壓電路，導接該第一全橋逆變電路；<br/> 一倍壓電路，導接該第一變壓電路；<br/> 一磁控管，導接該倍壓電路，該磁控管具有一燈絲；<br/> 一燈絲預熱電路，導接該電源轉換器，導接該磁控管之燈絲，於送出高壓至該磁控管之前，使用該燈絲預熱電路先將燈絲進行預熱，並加熱至熱電子發射溫度後才觸發；其導入智能化監測系統，可依據該燈絲預熱電路之電壓與電流數據，透過運算得知即時的燈絲之電阻值資訊。
如請求項1所述之微波驅動控制裝置，其依據燈絲之電阻值的衰減，定義出該燈絲之正常期、衰減期與更換期。
如請求項2所述之微波驅動控制裝置，其中該燈絲預熱電路判斷該燈絲之電阻值高於原本1.1~1.3倍範圍為衰減期，其中該燈絲預熱電路判斷該燈絲之電阻值高於原本1.3~2倍範圍為更換期。
如請求項1所述之微波驅動控制裝置，其中該第一變壓電路具有兩升壓變壓器，該兩升壓變壓器一次側串聯而二次側並聯，或該兩升壓變壓器一次側並聯而二次側串聯。
如請求項1所述之微波驅動控制裝置，可依照該磁控管之電壓大小，該倍壓電路進行電容器串聯，使用模組化之架構將電壓倍數增大。
如請求項1所述之微波驅動控制裝置，還包含一第二全橋逆變電路及一第二變壓電路，該第二全橋逆變電路導接該電源轉換器，該第二變壓電路導接該第二全橋逆變電路，該倍壓電路導接該第二變壓電路。
如請求項6所述之微波驅動控制裝置，其中該第一全橋逆變電路與該第二全橋逆變電路其運用個別之電壓或電流回授機制，調整輸入頻率、PWM訊號或移相訊號來控制輸出電壓大小，達到電壓均等。
如請求項6所述之微波驅動控制裝置，其透過該第一全橋逆變電路與該第二全橋逆變電路之控制訊號之相序改變180度，達到波峰與波谷半周訊號互相抵消，降低高壓漣波。
如請求項6所述之微波驅動控制裝置，其中該第二變壓電路具有兩升壓變壓器，該兩升壓變壓器一次側串聯而二次側並聯，或該兩升壓變壓器一次側並聯而二次側串聯。
一種電動車電池自動滅火阻斷裝置，包括一電動車電池自動滅火阻斷模組，係用於一電動車電池模組，該電動車電池模組包括至少一電動車電池單元，該電動車電池自動滅火阻斷模組為一多層封裝結構，該多層封裝結構包含一第一自動滅火阻斷內層、一第一自動滅火阻斷中間層和一自動滅火阻斷外層，其中該第一自動滅火阻斷中間層包含由壓力填充之一第一滅火材料，該第一自動滅火阻斷內層為一第一金屬合金層，該自動滅火阻斷外層為一第二金屬合金層，其中該第一自動滅火阻斷中間層之壓力為蓄壓壓力之 2.5 倍以上，該第一自動滅火阻斷內層和該電動車電池單元間形成一通風散熱空間。
如請求項1所述之電動車電池自動滅火阻斷裝置，其中該第一金屬合金層的熔點低於該第二金屬合金層。
如請求項2所述之電動車電池自動滅火阻斷裝置，其中該第一金屬合金層的熔點為 200~640℃。
如請求項3所述之電動車電池自動滅火阻斷裝置，其中該第二金屬合金層的熔點須超過 1200℃。
如請求項4所述之電動車電池自動滅火阻斷裝置，其中該第一金屬合金層為鋁合金，包括選自於由鋁、鐡、矽、銅、鎂、釔與釩所構成之群組。
如請求項5所述之電動車電池自動滅火阻斷裝置，其中該第二金屬合金層為不銹鋼，包括係選自於由鎳、鉻、錳、矽與鉬所構成之群組。
如請求項6所述之電動車電池自動滅火阻斷裝置，其中該第一滅火材料，包括選自於由碳酸氫鈉、碳酸氫鉀、硫化銨、磷酸二氫銨、氯化鈉、石墨粉與銅粉所構成之群組。
如請求項1所述之電動車電池自動滅火阻斷裝置，其中該多層封裝結構還包括一第二自動滅火阻斷內層和一第二自動滅火阻斷中間層，位於該第一自動滅火阻斷中間層和該自動滅火阻斷外層之間，該第二自動滅火阻斷中間層包含由壓力填充之一第二滅火材料。
如請求項8所述之電動車電池自動滅火阻斷裝置，其中該第一自動滅火阻斷內層還包括一第一壓力監測器，該第二自動滅火阻斷中間層還包括一第二壓力監測器，該第一壓力監測器及該第二壓力監測器可以相互串接。
一種電動車電池自動滅火阻斷方法，包括提供用於一電動車電池模組之一電動車電池自動滅火阻斷模組，該電動車電池自動滅火阻斷模組為一多層封裝結構，該多層封裝結構包括一第一自動滅火阻斷內層、一第一自動滅火阻斷中間層和一自動滅火阻斷外層，其中該第一自動滅火阻斷中間層包含由壓力填充之一第一滅火材料，該第一自動滅火阻斷內層為一第一金屬合金層，該自動滅火阻斷外層為一第二金屬合金層，其中該第一自動滅火阻斷中間層之壓力為蓄壓壓力之 2.5 倍以上，該第一自動滅火阻斷內層和該電動車電池模組間形成一通風散熱空間，當該電動車電池模組的溫度超過該第一自動滅火阻斷內層的熔點時，該第一自動滅火阻斷內層的部分區域會融化並產生破洞，形成噴射點，該第一滅火材料會因壓力差由該噴射點朝向該電動車電池模組噴出。
一種電動車電池自動滅火阻斷方法，包括提供用於一電動車電池模組之一電動車電池自動滅火阻斷模組，該電動車電池自動滅火阻斷模組為一多層封裝結構，該多層封裝結構包括一第一自動滅火阻斷內層、一第一自動滅火阻斷中間層、一第二自動滅火阻斷內層、一第二自動滅火阻斷中間層、以及一自動滅火阻斷外層，其中該第一自動滅火阻斷中間層包含由壓力填充之一第一滅火材料，該第一自動滅火阻斷內層為一第一金屬合金層，該自動滅火阻斷外層為一第二金屬合金層，其中該第一自動滅火阻斷中間層之壓力為蓄壓壓力之 2.5 倍以上，該第二自動滅火阻斷中間層包含由壓力填充之一第二滅火材料，該第一自動滅火阻斷內層和該電動車電池模組間形成一通風散熱空間，當該電動車電池模組的溫度超過該第一自動滅火阻斷內層的熔點時，該第一自動滅火阻斷內層的部分區域會融化並產生一破洞，形成噴射點，該第一滅火材料會因壓力差由該噴射點朝向該電動車電池模組噴出；當該第一滅火材料噴完後，若該電動車電池模組的溫度仍超過該第二自動滅火阻斷內層的熔點時，該第二自動滅火阻斷內層的部分區域會融化並產生另一破洞，形成另一噴射點，該第二滅火材料會因壓力差由該另一噴射點接續朝向該電動車電池模組噴出。
如請求項10或11所述之電動車電池自動滅火阻斷方法，其中該第一自動滅火阻斷中間層還包括一第一壓力監測器，當該第一自動滅火阻斷中間層壓力降低至 100 psi 以下時，會發出一第一警示訊號。
如請求項11所述之電動車電池自動滅火阻斷方法，其中該第一自動滅火阻斷中間層還包括一第一壓力監測器，該第二自動滅火阻斷中間層還包括一第二壓力監測器，當該第一自動滅火阻斷中間層壓力降低至 100 psi 以下時，會發出一第一警示訊號，當該第二自動滅火阻斷中間層壓力降低至 100 psi 以下時，會發出一第二警示訊號。
一種輕質粒料之製備方法，其包含下列步驟： 一材料準備步驟，從包含有機物質之一預定粉土質原料中收集粒徑為75μm以下之一預定原料； <br/>一造條步驟，將該預定原料在未另外添加或混合發氣物質之情況下製成至少一泥條； <br/>一擠壓造粒步驟，將該至少一泥條在一真空條件下擠壓造粒成平均值為2~30 mm粒徑範圍內之一預定粒徑之複數個生料球；以及 <br/>一燒結步驟，將未另外添加或混合發氣物質之該些生料球在一旋轉窯中依序通過一預熱段、一燒結段及一冷卻段以燒結成為複數個輕質粒料，其中，該燒結段之一預定燒結溫度係落於1130℃至1150℃。
如請求項1所述之製備方法，其中，該預定粉土質原料為土質代碼為B1~B7類之材料。
如請求項1所述之製備方法，其中，該預定粉土質原料來自於營建剩餘土石方。
如請求項1所述之製備方法，其中，在該燒結步驟中，該燒結段之該預定燒結溫度係為1150℃。
如請求項1所述之製備方法，其中，在該燒結步驟中，該些生料球通過該旋轉窯的時間不超過15分鐘。
如請求項1所述之製備方法，其中，在該燒結步驟之前，將該些生料球與一預定粉體材料拌合，使該些生料球之球體表面至少部分接附或裹覆該預定粉體材料。
如請求項6所述之製備方法，其中，該預定粉體材料包含矽氧化物。
如請求項7所述之製備方法，其中，該預定粉體材料包含二氧化矽。
如請求項1所述之製備方法，其中在該擠壓造粒步驟中，該至少一泥條在該真空條件下被擠壓造粒成平均值為4~25 mm粒徑範圍內之該預定粒徑之該複數個生料球。
如請求項1所述之製備方法，其中，在該擠壓造粒步驟之前還包含一預處理步驟，且 <br/>其中，該預處理步驟包含將該至少一泥條保持於一預真空狀態下。
如請求項10所述之製備方法，其中，該真空條件係為維持該至少一泥條於該預真空狀態，且在該擠壓造粒步驟中，將該至少一泥條在該真空條件下擠壓造粒成該複數個生料球。
如請求項10所述之製備方法，其中，該預真空狀態係為藉由一真空練泥機抽真空至70%以上的真空程度。
如請求項12所述之製備方法，其中，該預真空狀態係為藉由該真空練泥機抽真空至76%以上的真空程度。
如請求項10所述之製備方法，其中，該預處理步驟包含乾燥該至少一泥條，使該至少一泥條之含水率降至12%後再進行後續之該擠壓造粒步驟。
如請求項1所述之製備方法，其中，在該造條步驟及該擠壓造粒步驟中，皆不添加任何添加劑以基於該預定原料製成該至少一泥條及該複數個生料球。
一種作為製備建築用混凝土之拌合骨料之輕質粒料，其中，該輕質粒料係藉由請求項1之製備方法所製得。
如請求項16所述之輕質粒料，其中，該輕質粒料之比重≤ 2，且該輕質粒料之筒壓強度≥15 MPa。
如請求項17所述之輕質粒料，其中，該輕質粒料之筒壓強度≥20 MPa。
如請求項16所述之輕質粒料，其中，該輕質粒料之內部具有複數個孔隙，且該輕質粒料之外表面之粗糙度小於該輕質粒料剖開之任一平面之內部之粗糙度。
如請求項16所述之輕質粒料，其中，該輕質粒料之吸水率大於天然砂石的吸水率。
如請求項16所述之輕質粒料，其中，該輕質粒料之吸水率大於1%且小於5%。
如請求項21所述之輕質粒料，其中，該輕質粒料之吸水率大於1.5%且小於5%。
如請求項16所述之輕質粒料，其中，該輕質粒料係作為該拌合骨料製備成該建築用混凝土，且該建築用混凝土係配置以用於建構一主體結構。
一種音叉型壓電振動裝置，在容器內部至少搭載有音叉型壓電振動片，其中： <br/>所述音叉型壓電振動片具備基部、從所述基部的一端側向第一方向延伸的一對振動臂部、及與所述容器接合的接合構件， <br/>一對所述振動臂部具有在各自的前端部被加重的振動特性調節部，俯視時所述容器的中心被配置於由一對所述振動特性調節部的虛擬外框包圍的區域內。
如請求項1所述的音叉型壓電振動裝置，其中： <br/>所述振動特性調節部被寬幅地形成在所述振動臂部上。
如請求項1所述的音叉型壓電振動裝置，其中： <br/>所述音叉型壓電振動片具備從所述基部的另一端側向所述第一方向的相反方向延伸的支撐臂部， <br/>所述接合構件被設置於所述支撐臂部， <br/>所述容器在其內部具有台階部，所述台階部的上表面具有與所述接合構件接合的搭載部，俯視時所述台階部在所述第一方向上的緣部與所述基部重疊。
如請求項1至3中的任一項所述的音叉型壓電振動裝置，其中： <br/>所述接合構件由金屬構成的凸塊形成。
如請求項4所述的音叉型壓電振動裝置，其中： <br/>所述接合構件由多個所述凸塊形成。
一種語言互動學習系統，包含：<br/> 一麥克風單元，用於接收語音輸入並輸出一語音信號；<br/> 一揚聲單元，用於接收一揚聲信號並輸出對應的聲音；<br/> 一顯示單元，接收一顯示信號，並根據該顯示信號顯示畫面；<br/> 一儲存單元，儲存一語言資料庫、複數學習畫面及複數預定回答，每一該學習畫面界定一提問區域，每一該提問區域對應於其中一該預定回答；及<br/> 一控制單元，信號連接該麥克風單元、該揚聲單元、該顯示單元與該儲存單元，並具有一語音識別模組、一文字生成模組及一語音合成模組，該控制單元經該語音合成模組輸出對應於該提問區域所顯示的訊息的該揚聲信號，該控制單元接收該語音信號，並經該語音識別模組將該語音信號轉為一回答文字訊息，再經該文字生成模組判斷該回答文字訊息是否符合該提問區域對應的該預定回答，若否，該文字生成模組根據該回答文字訊息讀取該語言資料庫而產生一模仿語言治療師之手法且含有使用者所回應之內容的引導對話，並經該語音合成模組輸出對應於該引導對話的該揚聲信號。
如請求項1所述的語言互動學習系統，還包含一信號連接該控制單元的輸入單元，該輸入單元接受使用者控制而輸出一相關於在該顯示單元顯示之畫面上的點選位置的輸入信號，每一該學習畫面還界定複數選項區域，該控制單元還具有一控制模組，該控制模組判斷該輸入信號對應的位置所在的該選項區域而得出一選項資訊，並判斷該選項資訊是否符合該提問區域對應的該預定回答，若否，該文字生成模組根據該選項資訊讀取該語言資料庫而產生該引導對話。
如請求項2所述的語言互動學習系統，其中，該儲存單元還儲存一圖卡模式，於該圖卡模式所對應的該等學習畫面中，每一該學習畫面界定該提問區域、該等選項區域及一回答圖卡區域，該控制模組於該輸入信號對應的位置位於該回答圖卡區域且符合一觸發條件時，根據該輸入信號於上一次符合一選取條件時對應的位置所在的該選項區域而得出該選項資訊。
如請求項1所述的語言互動學習系統，還包含一信號連接該控制單元的輸入單元，該輸入單元接受使用者控制而輸出一相關於在該顯示單元顯示之畫面上的點選位置的輸入信號，該儲存單元還儲存一繪本模式，於該繪本模式所對應的該等學習畫面中，每一該學習畫面界定該提問區域、複數選項區域及一對應於語音辨識的按鈕區域，該控制單元於該輸入信號對應於該按鈕區域被選取時，使該語音識別模組辨識接下來所接收的該語音信號並轉為該回答文字訊息。
如請求項1所述的語言互動學習系統，其中，該語言資料庫具有一安全機制資料集及一對齊資料集。
一種語言互動學習方法，運用於如請求項1所述的語言互動學習系統，並包含下列步驟：<br/> (A) 該控制單元使該顯示單元顯示其中一該學習畫面；<br/> (B) 該控制單元使該揚聲單元輸出一提問語音，該提問語音對應於該學習畫面的該提問區域所顯示的訊息；<br/> (C) 該控制單元由該麥克風單元接收該語音信號，並經該語音識別模組將該語音信號轉為該回答文字訊息，再經該文字生成模組判斷該回答文字訊息是否符合該提問區域對應的該預定回答；及<br/> (D) 若步驟(C)判斷為否，該文字生成模組根據該回答文字訊息讀取該語言資料庫而產生該引導對話，並經該語音合成模組輸出對應於該引導對話的該揚聲信號。
如請求項6所述的語言互動學習方法，其中，於步驟(D)中，對於每一該提問區域，當步驟(C)初次判斷為否時，該文字生成模組產生相關於該預定回答但不包括該預定回答的該引導對話。
如請求項7所述的語言互動學習方法，其中，於步驟(D)中，對於每一該提問區域，當步驟(C)判斷為否且非初次判斷為否時，該文字生成模組產生相關於部分該預定回答但不包括完整該預定回答的該引導對話。
如請求項6所述的語言互動學習方法，其中，於步驟(C)中，該文字生成模組於該回答文字訊息與該預定回答的部分分詞意義相等，且未具有分詞意義不同、或分詞順序不同之情況時，判斷兩者部分符合，於步驟(D)中，對於每一該提問區域，當步驟(C)判斷為部分符合時，該文字生成模組提供包括該回答文字訊息與相關於剩餘之該預定回答的該引導對話。
如請求項6所述的語言互動學習方法，其中，於步驟(C)中，該文字生成模組於該回答文字訊息與該預定回答的分詞數量不同、或語意不同、或分詞順序不同時，判斷兩者不符合。
一種噪音監測方法，其改良在於，所述方法包括： 獲取第一時間段的噪音資料；<br/> 確定所述第一時間段的噪音資料對應的頻譜圖；<br/> 根據所述噪音資料對應的頻譜圖，透過第一預設模型，得到所述第一時間段的噪音資料對應的來源資訊，所述第一預設模型包括編碼層及輸出層，所述根據所述噪音資料對應的頻譜圖，透過第一預設模型，得到所述第一時間段的噪音資料對應的來源資訊，包括：基於所述編碼層對所述噪音資料對應的頻譜圖進行編碼，得到第一特徵向量，及對預設來源的頻譜圖進行編碼，得到第二特徵向量；基於所述輸出層，計算所述第一特徵向量與所述第二特徵向量的相似度，及將相似度最高的頻譜圖對應的預設來源確定為所述來源資訊；<br/> 根據所述來源資訊，確定預警閥值，包括：基於預設條件及所述來源資訊，確定所述預警閥值，不同預設條件設置對應的預警閥值；<br/> 透過第二預設模型對所述第一時間段的噪音資料進行預測，得到第二時間段的噪音強度，所述第二時間段在所述第一時間段之後，所述第二預設模型包括預測層，所述預測層用於基於所述第一時間段的噪音資料和所述預測層中的設定特徵預測出所述第二時間段的噪音強度；<br/> 若所述第二時間段的噪音強度大於或者等於所述預警閥值，觸發預警。
根據請求項1所述的噪音監測方法，其中，所述方法還包括：<br/> 獲取多個區域的音訊資料；<br/> 對所述多個區域的音訊資料進行描述性統計，得到每個區域對應的音訊特徵；<br/> 基於所述每個區域對應的音訊特徵，確定目的地區域，及將所述目的地區域的音訊資料作為所述第一時間段的噪音資料。
根據請求項1所述的噪音監測方法，其中，在確定所述第一時間段的噪音資料對應的頻譜圖之前，所述方法還包括：<br/> 對所述第一時間段的噪音資料進行預處理，得到預處理後的噪音資料。
根據請求項3所述的噪音監測方法，其中，所述對所述第一時間段的噪音資料進行預處理，得到預處理後的噪音資料，包括：<br/> 對所述第一時間段的噪音資料進行清洗，得到清洗後的噪音資料；<br/> 對所述清洗後的噪音資料進行歸一化處理，得到所述預處理後的噪音資料。
根據請求項2所述的噪音監測方法，其中，所述確定所述第一時間段的噪音資料對應的頻譜圖，包括：<br/> 基於窗函數，對所述第一時間段的噪音資料加權處理，得到噪音特徵；<br/> 對所述噪音特徵進行傅裡葉變換，得到頻譜資料，所述頻譜資料包括所述噪音特徵在預設頻率上的幅度資訊；<br/> 基於所述預設頻率和所述預設頻率對應的幅度資訊，得到頻譜圖。
根據請求項1所述的噪音監測方法，其中，所述第二預設模型包括嵌入層，所述透過第二預設模型對所述第一時間段的噪音資料進行預測，得到第二時間段的噪音強度，包括：<br/> 基於所述第一時間段的噪音資料及第三時間段的噪音資料，得到時間序列資料，所述第三時間段在所述第一時間段之前；<br/> 利用所述嵌入層，對所述時間序列資料進行編碼，得到編碼向量；<br/> 根據所述編碼向量，利用所述預測層，得到所述第二時間段的噪音強度。
一種電子設備，其改良在於，包括：儲存器、處理器及儲存在所述儲存器上並可在所述處理器上運行的電腦程式，所述處理器執行所述電腦程式時實現如請求項1至6中任一項所述的噪音監測方法。
一種電腦可讀儲存介質，其改良在於，所述電腦可讀儲存介質上儲存有電腦程式，所述電腦程式被處理器執行時實現如請求項1至6中任一項所述的噪音監測方法。
一種封裝元件，包括：<br/> 一基板，包括一第一面、一第二面及一預留區，該第一面相對於該第二面；<br/> 一第一線路結構，設置於該第一面且圍繞該預留區而形成一第一開口，該預留區外露於該第一開口；<br/> 一第二線路結構，設置於該第二面且圍繞該預留區而形成一第二開口，該預留區外露於該第二開口；<br/> 一貫孔，設置於該預留區；<br/> 一金屬層，設置於該第一開口及該第二開口且填充於該貫孔，該金屬層連接該第一線路結構及該第二線路結構，而使該第一線路結構電性連接於該第二線路結構；以及<br/> 一封裝層，設置於該第一開口及該第二開口且覆蓋該金屬層，<br/> 其中該第一線路結構包括一第一重佈線層及一第一平坦層，該第一重佈線層連接於該第一面，該第一平坦層連接於該第一重佈線層，該第一重佈線層的一側邊外露於該第一平坦層且連接該金屬層。
如請求項1所述的封裝元件，其中該第一重佈線層的該側邊包括一第一部分及一第二部分，該第一平坦層包覆該第一部分，該第二部分外露於該第一平坦層且連接該金屬層。
如請求項1所述的封裝元件，其中該金屬層包括相對的一上表面及一下表面，該上表面與該第一重佈線層的一表面之間具有一間隙，該間隙大於等於零。
如請求項1所述的封裝元件，其中該第一線路結構包括一第二重佈線層及一第二平坦層，該第二重佈線層連接於該第一平坦層及該第一重佈線層，該第二平坦層連接於該第二重佈線層。
如請求項1所述的封裝元件，其中該第二線路結構包括一第三重佈線層及一第三平坦層，該第三重佈線層連接於該第二面，該第三平坦層連接於該第三重佈線層，該第三重佈線層的一側邊外露於該第三平坦層且連接該金屬層。
如請求項5所述的封裝元件，其中該金屬層包括相對的一上表面及一下表面，該下表面與該第三重佈線層的一表面之間具有一間隙，該間隙大於等於零。
如請求項5所述的封裝元件，其中該第三重佈線層的該側邊包括一第三部分及一第四部分，該第三平坦層包覆該第三部分，該第四部分外露於該第三平坦層且連接該金屬層。
如請求項5所述的封裝元件，其中該第二線路結構更包括一第四重佈線層及一第四平坦層，該第四重佈線層連接於該第三平坦層及該第三重佈線層，該第四平坦層連接於該第四重佈線層。
如請求項1所述的封裝元件，其中該貫孔的一邊緣與該第一線路結構之間具有一距離，該貫孔的另一邊緣與該第二線路結構之間具有一距離。
如請求項1所述的封裝元件，其中該基板的材料為玻璃。
如請求項1所述的封裝元件，其中該貫孔的一深度與一寬度的比值介於1至20。
如請求項1所述的封裝元件，其中該封裝層的一外表面與該第一線路結構的一頂表面齊平，且該封裝層的另一外表面與該第二線路結構的一頂表面齊平。
如請求項1所述的封裝元件，其中該封裝層覆蓋該第一線路結構的一頂表面及該第二線路結構的一頂表面。
一種封裝元件的製造方法，包括：<br/> 提供一基板，該基板包括一第一面、一第二面及一預留區，該第一面相對於該第二面；<br/> 設置一第一線路結構於該第一面，該第一線路結構圍繞該預留區而形成一第一開口，該預留區外露於該第一開口，其中該第一線路結構包括一第一重佈線層及一第一平坦層，該第一重佈線層連接於該第一面，該第一平坦層連接於該第一重佈線層；<br/> 設置一第二線路結構於該第二面，該第二線路結構圍繞該預留區而形成一第二開口，該預留區外露於該第二開口；<br/> 設置一貫孔於該預留區；<br/> 設置一金屬層於該第一開口及該第二開口，該第一重佈線層的一側邊外露於該第一平坦層，該金屬層填充於該貫孔且連接該側邊及該第二線路結構；以及<br/> 設置一封裝層，該封裝層覆蓋該金屬層。
如請求項14所述的封裝元件的製造方法，在設置該第一線路結構之後且在設置該第二線路結構之前，設置一第一保護層，該第一保護層包覆該第一線路結構。
如請求項15所述的封裝元件的製造方法，在設置該第二線路結構之後且在設置該貫孔之前，設置一第二保護層，該第二保護層包覆該第二線路結構。
如請求項16所述的封裝元件的製造方法，在設置該貫孔之後且在設置該金屬層之前，移除該第一保護層及該第二保護層。
如請求項14所述的封裝元件的製造方法，其中設置該貫孔的方法包括以下步驟：<br/> 執行一雷射製程於該預留區，以改質該基板；以及<br/> 執行一濕式蝕刻製程於該預留區，以形成該貫孔。
如請求項14所述的封裝元件的製造方法，其中設置該貫孔的方法包括：<br/> 執行一雷射製程於該預留區，以形成該貫孔。
一種負型感光性組成物，包括：50至60重量百分比之鹼可溶性樹脂；10至20重量百分比之丙烯酸單體或其寡聚物；3至8重量百分比之光起始劑；0.3至1重量百分比之附著劑，其中該附著劑為一含氮的矽烷化合物；以及餘量的溶劑；其中該鹼可溶性樹脂係由包括含環氧基之丙烯酸單體、含矽氧烷之丙烯酸單體、含芳香環之丙烯酸單體、不同於前述之丙烯酸單體的不飽和羧酸、及不同於前述之丙烯酸單體的丙烯酸酯所反應而成的共聚物。
如請求項1所述的負型感光性組成物，其中該含環氧基之丙烯酸單體為甲基丙烯酸3,4-環氧環己基甲基酯、丙烯酸3,4-環氧環己基甲基酯或其組合；該含矽氧烷之丙烯酸單體為丙烯酸3-(三甲基矽烷基)丙基酯、甲基丙烯酸3-(三甲基矽烷基)丙基酯或其組合；該含芳香環之丙烯酸單體為丙烯酸苄酯、甲基丙烯酸苄酯或其組合；該不飽和羧酸為甲基丙烯酸、丙烯酸或其組合；且該丙烯酸酯為甲基丙烯酸三環[5,2,1,02,6]癸-8-基酯、丙烯酸三環[5,2,1,02,6]癸-8-基酯或其組合。
如請求項1所述的負型感光性組成物，其中該鹼可溶性樹脂係由包括含環氧基之丙烯酸單體、含芳香環之烯類單體、不同於前述之丙烯酸單體的不飽和羧酸、及不同於前述之丙烯酸單體的丙烯酸酯所反應而成的共聚物。
如請求項3所述的負型感光性組成物，其中該含環氧基之丙烯酸單體為甲基丙烯酸縮水甘油酯；該含芳香環之烯類單體為苯乙烯；該不飽和羧酸為甲基丙烯酸、丙烯酸或其組合；且該丙烯酸酯為甲基丙烯酸三環[5,2,1,02,6]癸-8-基酯、丙烯酸三環[5,2,1,02,6]癸-8-基酯或其組合。
如請求項1所述的負型感光性組成物，其中該附著劑如下式(I)所示：A-(CH<sub>2</sub>)<sub>n</sub>-Si(OR<sub>1</sub>)<sub>3</sub> (I)其中，A為含氮之基團；每一R<sub>1</sub>各自獨立為C<sub>1-6</sub>烷基；且n為1至6之整數。
如請求項5所述的負型感光性組成物，其中A為-N=C=O或-NR<sub>2</sub>R<sub>3</sub>，其中R<sub>2</sub>為氫或C<sub>1-6</sub>烷基，R<sub>3</sub>為芳基或-C(=O)X，且X為一保護基團。
如請求項6所述的負型感光性組成物，其中R<sub>2</sub>為氫，R<sub>3</sub>為芳基或-C(=O)X，且X為一胺基。
如請求項6所述的負型感光性組成物，其中R<sub>2</sub>為氫，R<sub>3</sub>為苯基或-C(=O)X，且X為-NH<sub>2</sub>。
如請求項5所述的負型感光性組成物，其中該附著劑如下式(I-1)、(I-2)、(I-3)或(I-4)所示：<figure><img align="absmiddle" height="200px" width="644px" file="d10011.TIF" alt="化學式ed10011.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10011.png"/></figure>
如請求項1所述的負型感光性組成物，其中該鹼可溶性樹脂的重量平均分子量為5000至30000。
一種如請求項1至10任一項所述的負型感光性組成物的用途，用於形成一電子元件的絕緣層。
如請求項11所述的用途，其中該絕緣層的厚度為3至10μm。
一種物品供給裝置，其具備： <br/>本體部； <br/>收容部，其設置於上述本體部，且可收容物品； <br/>供給部，其設置於上述收容部，包含可送出收容於上述收容部之上述物品且位於送出方向之上游側之送出部與位於下游側之送出部，而可供給上述物品； <br/>控制部，其可控制利用上述供給部進行之上述物品之供給； <br/>分選部，其於利用上述供給部進行之上述物品之供給時，一次僅可分選於上述收容部中積層之複數個上述物品中位於最下方或最上方之一個上述物品； <br/>第1檢測部，其可檢測由上述供給部供給且由上述分選部選出之上述物品；及 <br/>動力賦予部，其可對上述上游側之送出部及上述下游側之送出部賦予動力；且 <br/>上述下游側之送出部構成為可送出由上述上游側之送出部送出、並由上述分選部分選出之上述物品； <br/>上述上游側之送出部及上述下游側之送出部構成為可進行基於來自上述動力賦予部之動力賦予之第1動作、及不基於動力賦予之第2動作。
如請求項1之物品供給裝置，其中 <br/>上述上游側之送出部及上述下游側之送出部構成為可於上述第1動作後進行上述第2動作。
如請求項2之物品供給裝置，其中 <br/>上述第2動作係基於與送出中之上述物品之摩擦力之動作。
如請求項3之物品供給裝置，其中 <br/>上述控制部於由上述第1檢測部檢測出上述物品後，將上述下游側之送出部控制為可進行上述第1動作。
如請求項4之物品供給裝置，其中 <br/>上述下游側之送出部構成為，於上述上游側之送出部開始上述第2動作後，可進行上述第1動作。
如請求項1至5中任一項之物品供給裝置，其中 <br/>上述收容部包含第1收容部與第2收容部；且 <br/>上述第1收容部構成為位於上述第2收容部之正上方。
如請求項6之物品供給裝置，其中 <br/>上述上游側之送出部及上述下游側之送出部分別形成旋轉輥部；且 <br/>上述上游側之送出部包含可送出收容於上述第1收容部之上述物品之第1旋轉輥部、與可送出收容於上述第2收容部之上述物品之第2旋轉輥部； <br/>上述下游側之送出部包含可進一步送出由上述第1旋轉輥部送出之上述物品之第3旋轉輥部、與可進一步送出由上述第2旋轉輥部送出之上述物品之第4旋轉輥部。
如請求項7之物品供給裝置，其中 <br/>上述第1旋轉輥部與上述第3旋轉輥部構成為可向第1方向旋轉；且 <br/>上述第2旋轉輥部與上述第4旋轉輥部構成為可向與上述第1方向不同之第2方向旋轉。
如請求項8之物品供給裝置，其中 <br/>上述第1旋轉輥部與上述第2旋轉輥部之剖面呈非正圓之形狀；且 <br/>上述第3旋轉輥部與上述第4旋轉輥部之剖面呈正圓之形狀。
如請求項9之物品供給裝置，其中 <br/>上述第1旋轉輥部與上述第2旋轉輥部各者之周面包含第1周面與第2周面；且 <br/>上述第1周面構成為可與上述物品接觸； <br/>上述第2周面構成為不與上述物品接觸。
如請求項10之物品供給裝置，其進而具備： <br/>第2檢測部，其可檢測收容於上述第1收容部及上述第2收容部之上述物品之有無；且 <br/>上述第2檢測部可自上述第1收容部之下部檢測上述物品之有無，並自上述第2收容部之上部檢測上述物品之有無。
如請求項1至5中任一項之物品供給裝置，其中 <br/>上述控制部於檢測到上述收容部無上述物品之情形時，將上述物品控制為無法供給。
如請求項1至5中任一項之物品供給裝置，其中 <br/>上述物品供給裝置可備於遊戲執行部；且 <br/>上述遊戲執行部可以價款之支付為條件執行遊戲。
如請求項1至5中任一項之物品供給裝置，其中 <br/>上述供給部可以價款之支付為條件供給1個上述物品。
一種天線系統， 包含：<br/> 一基板；<br/> 一金屬散熱器，設置於該基板上方，該金屬散熱器包含一本體及一散熱結構，該散熱結構設置於該本體上，該本體具有一凹部，該凹部自該本體之周緣內凹形成；以及<br/> 一天線組件，包含一微帶線及一輻射段，該微帶線設置於該基板表面且耦接至一信號源，該輻射段與該本體連接並設置於該凹部中，該輻射段一端設置於鄰近該微帶線的位置，該輻射段由該微帶線所耦合激發；<br/> 其中該本體具有一卡槽設置於鄰近該凹部的位置，該輻射段連接於該本體之一端具有與該卡槽配合之一卡件，該輻射段能透過該卡件卡合於該卡槽而與該本體連接；<br/> 其中，該輻射段設置於低於該金屬散熱器之上表面的位置；該輻射段具有與基板平行的一延伸方向。
如請求項1所述之天線系統，其中該凹部具有一U字形凹口且該U字形凹口由一第一側邊、一第二側邊及一第三側邊依序連接形成，該輻射段一端連接於該第一側邊或該第三側邊。
如請求項1所述之天線系統，其中該凹部為L字形凹口。
如請求項1所述之天線系統，其中該金屬散熱器與該輻射段由相同材質製成，該金屬散熱器與該輻射段由鋁或不銹鋼材質製成。
如請求項1所述之天線系統，其中該輻射段設置於鄰近該微帶線之一端與該微帶線間具有一間距。
如請求項1所述之天線系統，其中該散熱結構具有複數散熱鰭片。
如請求項1所述之天線系統，包含另一天線組件，該另一天線組件包含另一微帶線及另一輻射段，該另一微帶線設置於該基板表面且耦接至另一信號源，該本體具有另一凹部，該另一凹部自該本體之周緣內凹形成，該另一輻射段連接於該本體並設置於該另一凹部中，該另一輻射段一端設置於鄰近該另一微帶線的位置，該另一輻射段由該另一微帶線耦合激發。
如請求項7所述之天線系統，其中該本體具有相異之一第一邊及一第二邊，該凹部位於該第一邊，該另一凹部位於該第二邊。
一種雙向充電器，用以耦接一電動載具的一電池模組及一電子裝置，且該雙向充電器包括： <br/>一電源轉換電路，用以將該電子裝置所提供的一第一電源轉換為一第二電源，或將該電池模組所提供的該第二電源轉換為該第一電源； <br/>一控制模組，耦接該電源轉換電路，且通過與該電子裝置進行一交握通訊而選擇性的將該電源轉換電路的一操作模式設定為一充電模式或一饋電模式； <br/>一機殼，用以容置該電源轉換電路與該控制模組； <br/>一第一電路板，安置於鄰近該機殼的一內表面，且用以配置該電源轉換電路； <br/>一第二電路板，安置於鄰近該機殼相對於該第一電路板的另一內表面，且用以配置一通訊電路；及 <br/>一第三電路板，用以配置該控制模組，且安置於該第一電路板與該第二電路板之間，並通過複數個導電性組件耦接該第一電路板與該第二電路板； <br/>其中，當該控制模組通過該交握通訊而將該操作模式設定為該充電模式時，該控制模組控制該電源轉換電路將該第一電源轉換為該第二電源，以對該電池模組充電；當該控制模組通過該交握通訊而將該操作模式設定為該饋電模式時，該控制模組控制該電源轉換電路將該電池模組所提供的該第二電源轉換為該第一電源，以對該電子裝置饋電。
如申請專利範圍第1項所述之雙向充電器，更包括： <br/>一模組端連接部，用以通過一連接纜線耦接該電池模組，且該模組端連接部包括： <br/>一正極端，耦接該電源轉換電路； <br/>一負極端，耦接該電源轉換電路，且該電源轉換電路通過該正極端與該負極端傳輸該第二電源；及 <br/>一訊號端，耦接該控制模組，且該控制模組通過該訊號端與該電池模組相互通訊，以取得該電池模組的一電池參數。
如申請專利範圍第1項所述之雙向充電器，更包括： <br/>一連接纜線，用以耦接該電池模組，且該連接纜線包括： <br/>一正極連接線，耦接該電源轉換電路； <br/>一負極連接線，耦接該電源轉換電路，且該電源轉換電路通過該正極連接線與該負極連接線傳輸該第二電源； <br/>至少一訊號連接線，耦接該控制模組，且該控制模組通過該至少一訊號連接線與該電池模組相互通訊，以取得該電池模組的一電池參數； <br/>其中，當該至少一訊號連接線為複數時，該等訊號連接線的一訊號傳輸類型不相同。
如申請專利範圍第1項所述之雙向充電器，其中該第一電路板與該第三電路板之間的一第一容置空間大於該第二電路板與該第三電路板之間的一第二容置空間，且該電源轉換電路的一功率電感與一功率電容配置於該第一容置空間。
如申請專利範圍第1項所述之雙向充電器，其中該第一電路板的層數高於該第二電路板、該第三電路板。
如申請專利範圍第1項所述之雙向充電器，其中該第三電路板包括一屏蔽層，且該屏蔽層用以抑制該電源轉換電路於運作時所產生的雜訊。
如申請專利範圍第1項所述之雙向充電器，其中該控制模組根據該電池模組的一電池參數取得相應於該電池模組中的一電池串接數量的一預設電池電壓，以控制該電源轉換電路根據該預設電池電壓提供該第二電源來對該電池模組充電。
如申請專利範圍第1項所述之雙向充電器，更包括： <br/>一校正模組，用以耦接該控制模組； <br/>其中，該校正模組根據該控制模組預設的一第一電池電壓校正該電源轉換電路實際提供的一第二電池電壓，以將該第二電池電壓校正至大致上等於該第一電池電壓。
如申請專利範圍第1項所述之雙向充電器，其中該控制模組包括一電源輸送控制器與一控制器，該電源輸送控制器通過一電源輸送充電協議與該電子裝置進行該交握通訊，從而調整該第一電源，且該控制器於該充電模式，根據該電池模組的一電池參數調整該第二電源。
如申請專利範圍第1項所述之雙向充電器，其中當該控制模組尚未與該電子裝置完成該交握通訊時，該控制模組控制該電源轉換電路將該第一電源的一電壓調整至一默認電壓，且於該控制模組與該電子裝置完成該交握通訊而將該操作模式設定為該饋電模式時，該控制模組控制該電源轉換電路將該第二電源轉換為符合該電子裝置需求的該第一電源，以對該電子裝置供電。
一種充電系統，用以耦接一電動載具的一電池模組，且該充電系統包括： <br/>一供電裝置，用以將一輸入電源轉換為一第一電源； <br/>一電源轉換電路，用以將該供電裝置所提供的該第一電源轉換為一第二電源； <br/>一控制模組，耦接該電源轉換電路，且通過與該供電裝置進行一交握通訊而確認該供電裝置的一供電能力，以於該供電能力中選擇最大的一供電參數； <br/>一機殼，用以容置該電源轉換電路與該控制模組； <br/>一第一電路板，安置於鄰近該機殼的一內表面，且用以配置該電源轉換電路； <br/>一第二電路板，安置於鄰近該機殼相對於該第一電路板的另一內表面，且用以配置一通訊電路；及 <br/>一第三電路板，用以配置該控制模組，且安置於該第一電路板與該第二電路板之間，並通過複數個導電性組件耦接該第一電路板與該第二電路板； <br/>其中，該供電裝置通過該交握通訊得知該供電參數，且將該輸入電源轉換為相應於該供電參數的該第一電源。
一種雙向充電器的操作方法，該雙向充電器用以耦接一電動載具的一電池模組及一電子裝置，且該雙向充電器包括一電源轉換電路，該操作方法包括下列步驟： <br/>(a)確認該電子裝置接入該雙向充電器，且判斷該電子裝置為一供電裝置或一受電裝置； <br/>(b1)確認該電子裝置為該供電裝置，且接收該供電裝置所提供的一第一電源； <br/>(c)設定提供至該電池模組的一第二電源的一電流上限為一默認電流，且偵測該電池模組的一電池電壓； <br/>(d)判斷該電池電壓是否低於一預定電壓；及 <br/>(e1)根據該電池電壓低於該預定電壓而維持該電流上限為該默認電流，且根據該默認電流控制該電源轉換電路將該第一電源轉換為該第二電源。
如申請專利範圍第12項所述之操作方法，更包括下列步驟： <br/>(b11)通過與該供電裝置進行一交握通訊而確認該供電裝置的一供電能力，且於該供電能力中選擇最大的一供電參數，以接收相應於該供電參數的該第一電源；及 <br/>(e2)根據該電池電壓未低於該預定電壓而將該電流上限設定為相應於該供電參數的一預定電流，且根據該預定電流控制該電源轉換電路將該第一電源轉換為該第二電源。
如申請專利範圍第12項所述之操作方法，更包括下列步驟： <br/>(f)判斷該第二電源的一電流是否低於一閾值電流，且根據該電流未低於該閾值電流而返回步驟(d)。
如申請專利範圍第12項所述之操作方法，更包括下列步驟： <br/>(a1)與該電子裝置進行一交握通訊，且控制該電源轉換電路將該第一電源的一電壓調整至一默認電壓。
如申請專利範圍第13項所述之操作方法，更包括下列步驟： <br/>(b2)確認該電子裝置為該受電裝置，且控制該電源轉換電路將該第二電源轉換為符合該電子裝置需求的該第一電源，以對該電子裝置供電。
如申請專利範圍第16項所述之操作方法，更包括下列步驟： <br/>(b3)無法確認該電子裝置為該供電裝置或該受電裝置； <br/>(g)重新進行該交握通訊，以重新判斷該電子裝置為該供電裝置或該受電裝置，且計數重新判斷該電子裝置的一次數；及 <br/>(h1)當該次數高於一上限次數時，將該電子裝置設定為該受電裝置，且進入步驟(b2)。
如申請專利範圍第17項所述之操作方法，更包括下列步驟： <br/>(h2)當該次數未高於該上限次數時，返回步驟(g)。
如申請專利範圍第17項所述之操作方法，更包括下列步驟： <br/>(h3)當該次數未高於一上限次數，且確認該電子裝置為該受電裝置時，進入步驟(b2)；或 <br/>(h4)當該次數未高於該上限次數，且確認該電子裝置為該供電裝置時，進入步驟(b1)。
一種碳材料，其特徵在於，該碳材料的R<sub>1</sub>值為0.19-0.3；所述R<sub>1</sub>=<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中I<sub>002</sub>是碳材料XRD譜圖（002）峰的峰強度，I<sub>002,G</sub>是內標物石墨的XRD譜圖（002）峰的峰強度，測試時碳材料與石墨的重量比為1:10。
如請求項1所述的碳材料，其中，所述碳材料的R<sub>2</sub>值為0.85-1；所述R<sub>2</sub>=<img align="absmiddle" height="25px" width="22px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中V<sub>TD</sub>是依據真密度測定的碳材料的內孔體積，V<sub>TD</sub>=1/ρ<sub>TD</sub>-1/2.26，其中ρ<sub>TD</sub>是碳材料的真密度，單位為g/cm<sup>3</sup>，V<sub>SAXS</sub>是根據小角X射線散射結果測定的碳材料的孔體積，單位為cm<sup>3</sup>/g；和/或，所述碳材料的R<sub>1</sub>值爲0.22-0.25。
如請求項2所述的碳材料，其中，所述碳材料的d<sub>002</sub>值為0.37-0.4nm；其中d<sub>002</sub>表示（002）晶面間距；和/或，所述碳材料的R<sub>2</sub>值为0.94-1。
如請求項3所述的碳材料，其中，所述碳材料的Lc值為1-3nm；其中Lc表示（002）晶面的平均晶粒度；和/或，所述碳材料的d<sub>002</sub>值爲0.38-0.4nm。
如請求項4所述的碳材料，其中，所述碳材料的La值為1-4nm；其中La表示（100）晶面的平均晶粒度；和/或，所述碳材料的Lc值爲1-2nm。
如請求項1所述的碳材料，其中，所述碳材料的物理吸附比表面積S<sub>BET</sub>不大於30m<sup>2</sup>/g；和/或，所述碳材料的小角X射線散射測得比表面積S<sub>x</sub>為500-3000m<sup>2</sup>/g；和/或，所述碳材料的La值爲1.5-3nm。
如請求項1所述的碳材料，其中，所述碳材料的粒度D<sub>50</sub>為2-20μm；和/或，所述碳材料的物理吸附比表面積S<sub>BET</sub>不大於10m<sup>2</sup>/g；和/或，所述碳材料的小角X射線散射測得比表面積S<sub>x</sub>爲1000-2000m<sup>2</sup>/g。
如請求項1所述的碳材料，其中，所述碳材料的物理吸附比表面積S<sub>BET</sub>為0.1-9m<sup>2</sup>/g；和/或，所述碳材料的粒度D<sub>50</sub>爲3-10μm。
一種製備請求項1-8中任意一項所述碳材料的方法，其特徵在於，該方法包括：將碳前驅體與活化劑接觸進行活化，然後調控活化產物中的活化劑含量使活化產物中活化劑含量低於0.5重量%，再進行熱處理；其中，所述熱處理在含碳氣氛條件下進行，所述碳前驅體為非生物質碳，所述含碳氣氛包括含碳氣體和可選的非活性氣體，所述含碳氣體包括在熱處理溫度下呈氣態的碳氫化合物。
如請求項9所述的方法，其中，所述含碳氣氛中含碳氣體的體積濃度為1-100%；所述含碳氣體為C1-C10的碳氫化合物。
如請求項9所述的方法，其中，所述熱處理的條件使得增碳量X與熱處理程度係數a符合下述公式：a=100X/Se，其中a的值為0.05-0.3；Se為去除活化劑後的活化產物根據物理吸附t-plot方法測定的外比表面積的數值，Se值為50-200m<sup>2</sup>/g；和/或，所述熱處理的溫度為800-1300℃，時間為0.1-10h；和/或，所述含碳氣氛中含碳氣體的體積濃度爲5-50%。
如請求項11所述的方法，其中，所述活化的條件使得R<sub>3</sub>值為0.3-0.8；所述R<sub>3</sub>=<img align="absmiddle" height="28px" width="54px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中I<sub>D</sub>/I<sub>G</sub>是拉曼光譜D峰和G峰的峰面積比，碳材料是指熱處理所得產物，A指去除活化劑後的活化產物；和/或，所述碳前驅體與所述活化所用的活化劑的重量比為1：0.1-3；活化溫度為500-1000℃；活化時間為0.1-6h；和/或，活化劑包括鹼金屬的氫氧化物、鹼土金屬的氫氧化物、鹼金屬的鹽類化合物和鹼土金屬的鹽類化合物中的至少一種；和/或，所述活化在非活性氣體和可選的含碳氣體存在下的活化氣氛中進行，所述非活性氣體包括氮氣和/或惰性氣體；所述活化氣氛中含碳氣體的體積濃度為0.1-20%；所述活化氣氛中含碳氣體包括C1-C3的烴；和/或，a的值爲0.1-0.2；Se值爲80-150m<sup>2</sup>/g；和/或，所述熱處理的溫度爲850-1200℃、時間爲1-6h。
如請求項12所述的方法，其中，調控活化產物中的活化劑含量的方式為洗滌，所述洗滌包括酸洗和/或水洗；和/或，所述活化的條件使得R<sub>3</sub>值爲0.6-0.7；和/或，所述碳前驅體與所述活化所用的活化劑的重量比爲1：0.2-2；活化溫度爲600-900℃；活化時間爲0.3-4h；和/或，活化劑包括氫氧化鉀、碳酸鉀、碳酸氫鉀、氫氧化鈉、氫氧化鈣中的至少一種；和/或，所述活化氣氛中含碳氣體的體積濃度爲1-10%。
如請求項13所述的方法，其中，所述方法還包括：在進行熱處理前，將活化劑含量低於0.5重量%的活化產物與富芳烴物質接觸進行預處理；和/或，所述預處理在惰性氣氛存在條件下進行，所述惰性氣氛包括氮氣和/或惰性氣體；預處理溫度為300-700℃；預處理時間為0.5-3h；所述富芳烴物質與活化劑含量低於0.5重量%的活化產物的重量比為1:100-1:10；和/或，所述洗滌的過程包括：依次對活化産物進行水洗、酸洗和水洗。
如請求項14所述的方法，其中，所述碳前驅體為石油焦，所述石油焦中固定碳含量為75-98wt%，揮發分含量為2-20wt%，硫含量為0.01-10wt%；所述石油焦的粒度為1-100μm；和/或，預處理溫度爲400-600℃；預處理時間爲0.5-2h；所述富芳烴物質與活化劑含量低於0.5重量%的活化産物的重量比爲1:100-1:20。
如請求項15所述的方法，其中，所述碳前驅體爲石油焦，所述石油焦中固定碳含量爲80-90wt%，揮發分含量爲5-15wt%，硫含量爲0.1-8wt%。
一種如請求項9-16中任意一項所述的方法製備得到的碳材料。
一種如請求項1-8和17中任意一項所述的碳材料在負極極片中的應用。
如請求項18所述的應用，其中，所述碳材料係為在鈉離子電池中作為負極極片的應用。
一種鈉離子電池，其特徵在於，所述鈉離子電池的負極材料包括請求項1-8和17中任意一項所述的碳材料。
一種基板結構，包括： <br/>一核心基板，具有彼此相對的一上表面與一下表面以及從該上表面貫穿至該下表面的至少一通孔； <br/>一濺鍍金屬層，配置於該核心基板的該上表面上、該下表面上以及該至少一通孔的一內壁的一部分上； <br/>一無電鍍金屬層，配置於該濺鍍金屬層上以及該至少一通孔的該內壁的一剩餘部分上； <br/>一導電材料層，配置於該無電鍍金屬層上且填滿該至少一通孔，而定義出位於該上表面上的多個第一導電電路、位於該下表面上的多個第二導電電路以及位於該至少一通孔內且電性連接該些第一導電電路中的至少一第一導電電路與該些第二導電電路中的至少一第二導電電路的至少一導電通孔，其中剩餘的該些第一導電電路與剩餘的該些第二導電電路於該核心基板上的正投影不重疊該至少一導電通孔；以及 <br/>一黏著促進層，直接覆蓋於該核心基板的該上表面上、該下表面上以及該至少一通孔的該內壁上，其中該濺鍍金屬層位於該黏著促進層與該無電鍍金屬層之間，且該黏著促進層的材質為一氮化物。
如請求項1所述的基板結構，其中該氮化物包括氮化矽。
如請求項1所述的基板結構，其中該黏著促進層的厚度介於0.01奈米至100奈米之間。
如請求項1所述的基板結構，其中該核心基板包括一絕緣基板。
如請求項4所述的基板結構，其中該絕緣基板包括一無機基板。
如請求項5所述的基板結構，其中該無機基板的材質包括玻璃或陶瓷。
如請求項1所述的基板結構，其中該核心基板的表面粗糙度介於1奈米至50奈米之間。
如請求項1所述的基板結構，其中該核心基板的厚度介於50微米至1000微米之間。
如請求項1所述的基板結構，其中該至少一通孔的直徑介於10微米至200微米之間。
如請求項1所述的基板結構，其中該無電鍍金屬層的厚度小於1微米。
如請求項1所述的基板結構，其中該無電鍍金屬層的材質包括鎳磷、銅、銀或上述材料的組合。
如請求項1所述的基板結構，其中該濺鍍金屬層的材質包括鈦銅合金。
如請求項1所述的基板結構，更包括： <br/> 至少一增層結構，配置於該核心基板的該上表面與該下表面至少其中一者上，該至少一增層結構包括至少一絕緣層、至少一導電盲孔以及至少一線路，該至少一絕緣層覆蓋該至少一第一導電電路與該至少一第二導電電路至少其中一者，而該至少一線路位於該至少一絕緣層上，該至少一導電盲孔位於該至少一絕緣層內且電性連接該至少一線路及該至少一第一導電電路與該至少一第二導電電路至少其中一者。
一種基板結構的製作方法，包括： <br/>提供一核心基板，該核心基板具有彼此相對的一上表面與一下表面以及從該上表面貫穿至該下表面的至少一通孔； <br/>形成一黏著促進層以直接覆蓋於該核心基板的該上表面上、該下表面上以及該至少一通孔的一內壁上，其中該黏著促進層的材質為一氮化物； <br/>對該核心基板進行一乾製程，以形成一濺鍍金屬層於該核心基板的該上表面上、該下表面上以及該至少一通孔的該內壁的一部分上； <br/>對該核心基板進行一濕製程，以形成一無電鍍金屬層於該濺鍍金屬層上以及該至少一通孔的該內壁的一剩餘部分上，其中該濺鍍金屬層位於該黏著促進層與該無電鍍金屬層之間；以及 <br/>形成一導電材料層於該無電鍍金屬層上且填滿該至少一通孔，而於該至少一通孔內定義出至少一導電通孔；以及 <br/>圖案化該導電材料層、該無電鍍金屬層以及該濺鍍金屬層，而於該核心基板的該上表面上定義出多個第一導電電路以及於該核心基板的該下表面上定義出多個第二導電電路，其中該至少一導電通孔電性連接該些第一導電電路中的至少一第一導電電路與該些第二導電電路中的至少一第二導電電路，其中剩餘的該些第一導電電路與剩餘的該些第二導電電路於該核心基板上的正投影不重疊該至少一導電通孔。
如請求項14所述的基板結構的製作方法，更包括： <br/> 圖案化該導電材料層、該無電鍍金屬層以及該濺鍍金屬層之後，形成至少一增層結構於該核心基板的該上表面與該下表面至少其中一者上，其中該至少一增層結構包括至少一絕緣層、至少一導電盲孔以及至少一線路，該至少一絕緣層覆蓋該至少一第一導電電路與該至少一第二導電電路至少其中一者，而該至少一線路位於該至少一絕緣層上，該至少一導電盲孔位於該至少一絕緣層內且電性連接該至少一線路及該至少一第一導電電路與該至少一第二導電電路至少其中一者。
一種區塊鏈預言機資料共享系統，包含：<br/>一預言機設備，通訊連接一資料伺服器；以及<br/>一客戶端裝置，透過一區塊鏈通訊連接該預言機設備，該預言機設備將該資料伺服器的一資料提供給該區塊鏈，該區塊鏈包含一應用程式合約與一資料共享平台合約彼此連結，該客戶端裝置執行一應用程式服務向該應用程式合約發起一取得資料請求，該應用程式合約向該資料共享平台合約撈取存在於該區塊鏈上的該資料，該資料共享平台合約回傳該資料給該應用程式合約，該應用程式合約將該資料回傳給該應用程式服務，該客戶端裝置進行相應於該資料的應用。
如請求項1所述之區塊鏈預言機資料共享系統，其中該客戶端裝置執行關連於該應用程式服務的一履行模組，該應用程式服務向該履行模組發起一更新資料請求，該履行模組向該資料共享平台合約發起一取得外部資料的請求，該履行模組持續監聽該資料共享平台合約的更新事件，該履行模組回傳一更新結果給該應用程式服務。
如請求項2所述之區塊鏈預言機資料共享系統，其中該預言機設備包含一預言機節點與一適配器彼此連接，該資料共享平台合約依據該取得外部資料的請求以發出一資料請求的事件，該預言機節點監聽到來自該資料共享平台合約的該資料請求的事件，該預言機節點根據該資料請求的事件的內容呼叫對應的該適配器，該適配器向該資料伺服器請求該資料，該資料伺服器回傳該資料至該適配器，該適配器將收到的該資料進行格式處理並回傳至該預言機節點，該預言機節點將收到的該資料寫入該區塊鏈之中。
如請求項3所述之區塊鏈預言機資料共享系統，其中該資料共享平台合約包含一預言機外掛程式，該預言機外掛程式將該取得外部資料的請求轉換成該資料請求的事件來來發布，使該預言機節點能夠接收到該資料請求的事件。
如請求項1所述之區塊鏈預言機資料共享系統，其中該資料共享平台合約包含一服務合約，該服務合約儲存該資料和一代理邏輯合約，以及該服務合約整合該區塊鏈與該預言機設備之間的合約。
如請求項5所述之區塊鏈預言機資料共享系統，其中該資料共享平台合約包含一服務合約，該服務合約提供接口功能，幫助該代理邏輯合約儲存多種的該資料於該區塊鏈上。
如請求項5所述之區塊鏈預言機資料共享系統，其中該資料共享平台合約包含一服務合約，該服務合約用於該資料的介面格式，讓該代理邏輯合約寫入及取用不同格式的該資料。
一種區塊鏈預言機資料共享系統，包含一客戶端裝置，該客戶端裝置包含：<br/>一處理器；以及<br/>一網路裝置，電性連接該處理器，該網路裝置透過一區塊鏈通訊連接一預言機設備，該區塊鏈包含一應用程式合約與一資料共享平台合約彼此連結，該處理器執行一應用程式服務向該應用程式合約發起一取得資料請求，該應用程式合約向該資料共享平台合約撈取存在於該區塊鏈上的一資料，該資料共享平台合約回傳該資料給該應用程式合約，該應用程式合約將該資料回傳給該應用程式服務，該處理器進行相應於該資料的應用。
如請求項8所述之區塊鏈預言機資料共享系統，其中該客戶端裝置包含一儲存裝置，該儲存裝置電性連接該處理器，該儲存裝置儲存該應用程式服務與一履行模組彼此關連，該處理器執行該履行模組，該應用程式服務向該履行模組發起一更新資料請求，該履行模組向該資料共享平台合約發起一取得外部資料的請求，該履行模組持續監聽該資料共享平台合約的更新事件，該履行模組回傳一更新結果給該應用程式服務。
如請求項9所述之區塊鏈預言機資料共享系統，其中該預言機設備包含一預言機節點與一適配器彼此連接，該資料共享平台合約依據該取得外部資料的請求以發出一資料請求的事件，該預言機節點監聽到來自該資料共享平台合約的該資料請求的事件，該預言機節點根據該資料請求的事件的內容呼叫對應的該適配器，該適配器向一資料伺服器請求該資料，該資料伺服器回傳該資料至該適配器，該適配器將收到的該資料進行格式處理並回傳至該預言機節點，該預言機節點將收到的該資料寫入該區塊鏈之中。
一種預測商品訂單量之方法，其係藉由電子裝置而實行，其包括如下步驟： <br/>獲得第1時間段中之上述商品之第1預測訂單量之資訊，第1預測訂單量之資訊包括複數個學習模型各者算出之商品之預測訂單量之資訊； <br/>識別擬於上述第1時間段中應用於上述商品之一個以上之事件應用區間； <br/>基於預先確定之基準，確定上述一個以上之事件應用區間中的重複應用互不相同種類之事件之重複事件區間中之上述商品的預測訂單量；及 <br/>基於上述第1時間段中之商品之第1預測訂單量之資訊、及上述重複事件區間之上述商品之預測訂單量，產生上述第1時間段中之上述商品之第2預測訂單量之資訊； <br/>其中上述一個以上之事件應用區間包括： <br/>對上述商品應用促銷之第1區間、屬於公休日之第2區間、及上述商品之訂單量基於上述商品之訂單趨勢而變化之第3區間中之至少一者，且 <br/>上述第1區間包括： <br/>應用向消費者提供上述商品之折扣資訊之促銷之第1促銷區間、及對上述商品之價格應用折扣之促銷之第2促銷區間中的至少一者；及 <br/>其中確定上述重複事件區間中之上述商品之預測訂單量之步驟包括如下步驟： <br/>識別上述第1區間及上述第2區間重複之重複事件區間； <br/>基於確定為存在上述第1區間及上述第2區間重複之重複事件區間，識別上述第1促銷區間或上述第2促銷區間與上述第2區間重複之重複事件區間； <br/>於上述第1促銷區間與上述第2區間重複之情形時，基於上述預先確定之基準，確定上述第1促銷區間與上述第2區間重複之重複事件區間中之上述商品之預測訂單量；及 <br/>於上述第2促銷區間與上述第2區間重複之情形時，基於上述預先確定之基準，確定上述第2促銷區間與上述第2區間重複之重複事件區間中之上述商品之預測訂單量。
如請求項1之預測商品訂單量之方法，其中上述複數個學習模型包括： <br/>第1學習模型，其以預測於上述第1時間段中對上述商品不應用事件時之訂單量，即正常訂單量之方式學習；第2學習模型，其以預測於上述第1時間段中對上述商品應用促銷時之促銷訂單量之方式學習；第3學習模型，其以預測屬於上述第1時間段之公休日之上述商品之訂單量之方式學習；及第4學習模型，其以基於與季節之變化相應之上述商品之訂單量變動，預測特定區間中之上述商品之訂單量之方式學習。
如請求項1之預測商品訂單量之方法，其中確定上述第1促銷區間與上述第2區間重複之重複事件區間中之上述商品之預測訂單量的步驟包括如下步驟： <br/>識別於上述第1促銷區間中所預測之上述商品之第1訂單量； <br/>識別於上述第2區間中所預測之上述商品之第2訂單量；及 <br/>將上述第1訂單量及上述第2訂單量中之較大值確定為上述第1促銷區間與上述第2區間重複之重複事件區間中之上述商品的預測訂單量。
如請求項1之預測商品訂單量之方法，其中確定上述第2促銷區間與上述第2區間重複之重複事件區間中之上述商品之預測訂單量的步驟包括如下步驟： <br/>識別於上述第2區間中所預測之上述商品之第3訂單量；及 <br/>將上述第3訂單量確定為上述第2促銷區間與上述第2區間重複之重複事件區間中之上述商品之預測訂單量。
如請求項1之預測商品訂單量之方法，其中確定上述重複事件區間中之上述商品之預測訂單量之步驟包括如下步驟： <br/>確定是否存在上述第1區間及上述第3區間重複之重複事件區間； <br/>基於確定為存在上述第1區間及上述第3區間重複之重複事件區間，識別上述第1促銷區間或上述第2促銷區間與上述第3區間重複之重複事件區間； <br/>於上述第1促銷區間與上述第3區間重複之情形時，基於上述預先確定之基準，確定上述第1促銷區間與上述第3區間重複之重複事件區間中之上述商品之預測訂單量；及 <br/>於上述第2促銷區間與上述第3區間重複之情形時，基於上述預先確定之基準，確定上述第2促銷區間與上述第3區間重複之重複事件區間中之上述商品之預測訂單量。
如請求項5之預測商品訂單量之方法，其中確定上述第1促銷區間與上述第3區間重複之重複事件區間中之上述商品之預測訂單量之步驟包括如下步驟： <br/>識別於上述第1促銷區間中所預測之上述商品之第4訂單量；及 <br/>將上述第4訂單量確定為上述第1促銷區間與上述第3區間重複之重複事件區間中之上述商品之預測訂單量。
如請求項5之預測商品訂單量之方法，其中上述第3區間包括： <br/>表示上述商品之訂單量增加之趨勢之第1子區間、及表示上述商品之訂單量減少之趨勢之第2子區間； <br/>確定上述第2促銷區間與上述第3區間重複之重複事件區間之上述商品之預測訂單量的步驟包括如下步驟： <br/>於上述第2促銷區間與上述第1子區間重複之情形時，基於上述預先確定之基準，確定上述第2促銷區間與上述第1子區間重複之重複事件區間中之上述商品之預測訂單量；及 <br/>於上述第2促銷區間與上述第2子區間重複之情形時，基於上述預先確定之基準，確定上述第2促銷區間與上述第2子區間重複之重複事件區間中之上述商品之預測訂單量。
如請求項7之預測商品訂單量之方法，其中確定上述第2促銷區間與上述第1子區間重複之重複事件區間中之上述商品之預測訂單量之步驟包括如下步驟： <br/>識別於上述第2促銷區間中所預測之上述商品之第5訂單量； <br/>識別於上述第1子區間中所預測之上述商品之第6訂單量；及 <br/>將上述第5訂單量及上述第6訂單量中之較大值確定為上述第2促銷區間與上述第1子區間重複之重複事件區間中之上述商品的預測訂單量。
如請求項7之預測商品訂單量之方法，其中確定上述第2促銷區間與上述第2子區間重複之重複事件區間中之上述商品之預測訂單量之步驟包括如下步驟： <br/>識別於上述第2促銷區間中所預測之上述商品之第7訂單量； <br/>識別於上述第2子區間中所預測之上述商品之第8訂單量；及 <br/>將上述第7訂單量及上述第8訂單量中之較小值確定為上述第2促銷區間與上述第2子區間重複之重複事件區間中之上述商品的預測訂單量。
如請求項1之預測商品訂單量之方法，其進而包括如下步驟： <br/>根據確定為存在與其他事件應用區間不重複之上述第2區間，將於上述第2區間中所預測之上述商品之第9訂單量，確定為與上述其他事件應用區間不重複之於上述第2區間中之上述商品之訂單量；及 <br/>根據確定為存在與其他事件應用區間不重複之上述第3區間，將於上述第3區間中所預測之上述商品之第10訂單量，確定為與上述其他事件應用區間不重複之於上述第3區間中之上述商品之訂單量。
一種電子裝置，其包括： <br/>一個以上之處理器；及 <br/>一個以上之記憶體，其等儲存有以藉由上述一個以上之處理器而執行之方式構成之命令； <br/>上述電子裝置以如下方式構成： <br/>於藉由上述一個以上之處理器而執行上述命令時，上述一個以上之處理器實行如請求項1至10中任一項之方法。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其係記錄有藉由一個以上之處理器而執行之電腦程式者，上述電腦程式以如下方式構成： <br/>使上述一個以上之處理器執行如請求項1至10中任一項之方法。
一種線上安全付款確認之系統，係包括：電子消費系統，係用於開始付款前傳送交易資料以及付款過程中提出安全付款確認請求和傳送線上身分快速識別認證封包；支付終端，係與該電子消費系統連線，用於執行安全付款確認以及生成該線上身分快速識別認證封包；時戳服務伺服器，用於簽發時戳；以及安全付款確認伺服器，係與該電子消費系統、該支付終端及該時戳服務伺服器連線，用於執行安全交易之確認，其中，該安全付款確認伺服器接收來自該電子消費系統之該交易資料後，將該交易資料及所產生之交易序號傳送至該時戳服務伺服器以取回交易明細時戳回應封包，之後，該安全付款確認伺服器產生一安全付款確認請求所需資訊給予該電子消費系統，以由該電子消費系統依據該安全付款確認請求所需資訊產生一安全付款確認請求，以供該支付終端執行該安全付款確認，待該安全付款確認伺服器提供風險預警圖示給予該支付終端且經消費者確認後，由該支付終端執行線上身分快速識別認證，該安全付款確認伺服器將交易確認過程產生之該線上身分快速識別認證封包送至該時戳服務伺服器進行時戳簽發，以於該時戳服務伺服器回傳時戳回應封包後，由該安全付款確認伺服器儲存交易確認資料以及回傳交易結果給予該電子消費系統和回傳該交易序號給予該支付終端，其中，該安全付款確認伺服器提供該風險預警圖示給予該支付終端，係包括：該支付終端以該安全付款確認之圖示欄位資訊向該安全付款確認伺服器請求該風險預警圖示，該安全付款確認伺服器收到該風險預警圖示之請求後，取得網址內之交易權杖資料以進行該交易權杖有效性之驗證，以及從一商家信用評等系統取得交易風險等級，依照該交易權杖之驗證結果及商家信用評等結果，產生該風險預警圖示以回傳該風險預警圖示至該支付終端。
如請求項1所述之線上安全付款確認之系統，其中，該風險預警圖示係供該消費者區分或辨識不同風險等級之圖示。
如請求項1所述之線上安全付款確認之系統，其中，該安全付款確認伺服器係包括：線上身分快速識別模組，係具備線上身分快速識別註冊與認證功能，以及解析與驗證線上身分快速識別之註冊封包與認證封包內之資料欄位；安全付款確認請求模組，係用於接收來自該電子消費系統之該安全付款確認請求後，回覆該安全付款確認請求所需資訊；風險預警圖示模組，係用於接收來自該支付終端之風險預警圖示請求後，檢查包含交易明細時戳序號及該交易序號之交易權杖有效性，以由一商家信用評等系統取得商家信用評等，俾依據交易風險等級回覆該風險預警圖示；安全付款確認驗證模組，係用於接收來自該電子消費系統之安全付款確認驗證請求後，回覆安全付款確認驗證結果，其中，該安全付款確認驗證請求為交易確認過程產生之該線上身分快速識別認證封包；以及交易舉證模組，係用於接受舉證申請請求，以及產生舉證結果。
如請求項3所述之線上安全付款確認之系統，其中，該安全付款確認請求模組產生該交易序號，該交易序號與該交易資料組成交易明細時戳請求封包後，傳送至該時戳服務伺服器以申請時戳，進而取回該交易明細時戳回應封包，且於解析該交易明細時戳回應封包後，得到該交易明細時戳序號。
如請求項3所述之線上安全付款確認之系統，其中，該風險預警圖示模組檢查該交易權杖之有效性，係包含確認交易權杖的使用次數與交易權杖的有效時間。
如請求項3所述之線上安全付款確認之系統，其中，該交易舉證模組係利用該舉證申請請求內之該交易序號與付款資訊，取得先前交易完成後儲存之交易明細資料與該交易確認資料，以驗證該線上身分快速識別認證封包、該交易明細時戳回應封包以及交易確認過程之該時戳回應封包而產生該舉證結果。
一種線上安全付款確認之方法，係包括以下步驟：令安全付款確認伺服器接收來自電子消費系統之交易資料後，將該交易資料及所產生之交易序號傳送至時戳服務伺服器以取回交易明細時戳回應封包；令該安全付款確認伺服器產生一安全付款確認請求所需資訊給予該電子消費系統，以由該電子消費系統依據該安全付款確認請求所需資訊產生一安全付款確認請求，以供支付終端執行安全付款確認；令該安全付款確認伺服器提供風險預警圖示給予該支付終端，以於消費者確認後，由該支付終端執行線上身分快速識別認證，其中，令該支付終端以該安全付款確認之圖示欄位資訊向該安全付款確認伺服器請求該風險預警圖示，於該安全付款確認伺服器收到該風險預警圖示之請求後，取得網址內之交易權杖資料以進行該交易權杖有效性之驗證，以及從一商家信用評等系統取得交易風險等級，以及令該安全付款確認伺服器依照該交易權杖之驗證結果及商家信用評等結果，產生該風險預警圖示以回傳該風險預警圖示至該支付終端；令該安全付款確認伺服器將交易確認過程產生之線上身分快速識別認證封包送至該時戳服務伺服器進行時戳簽發，以及接收該時戳服務伺服器所回傳之時戳回應封包；以及令該安全付款確認伺服器儲存交易確認資料以及回傳交易結果給予該電子消費系統和回傳該交易序號給予該支付終端。
如請求項7所述之線上安全付款確認之方法，其中，該風險預警圖示係供該消費者區分或辨識不同風險等級之圖示。
如請求項7所述之線上安全付款確認之方法，其中，該交易序號由該安全付款確認伺服器之安全付款確認請求模組產生，且將該交易序號與該交易資料組成交易明細時戳請求封包後，傳送至該時戳服務伺服器以申請時戳，進而取回該交易明細時戳回應封包，且於解析該交易明細時戳回應封包後，得到交易明細時戳序號。
如請求項7所述之線上安全付款確認之方法，其中，檢查該交易權杖之有效性係由該安全付款確認伺服器之風險預警圖示模組執行，且包含確認交易權杖的使用次數與交易權杖的有效時間。
如請求項7所述之線上安全付款確認之方法，復包括：令該安全付款確認伺服器之交易舉證模組利用舉證申請請求內之該交易序號與付款資訊，取得先前交易完成後儲存之交易明細資料與該交易確認資料，進而驗證該線上身分快速識別認證封包、該交易明細時戳回應封包以及交易確認過程之該時戳回應封包，以產生舉證結果。
一種電腦可讀媒介，應用於計算裝置或電腦中，係儲存有指令，以執行如請求項7至11之任一項所述之線上安全付款確認之方法。
一種用於測試電子元件的處理機，其中，<br/> 包括：<br/> 搬運穿梭機，具有讓電子元件在被裝載的狀態下移動而得以搬運複數個電子元件的搬運台；<br/> 第一機械手，把複數個電子元件裝載到憑藉所述搬運穿梭機的運轉而位於第一領域的搬運台；<br/> 第二機械手，從憑藉所述搬運穿梭機的運轉從所述第一領域移動到第二領域的搬運台卸下複數個電子元件；<br/> 測試台，裝載被所述第二機械手從所述搬運台卸下的複數個電子元件；<br/> 重新配置機構，把被所述第二機械手裝載到位於重新配置空間的所述測試台上的複數個電子元件對齊並予以重新配置；<br/> 移動機構，讓所述測試台在所述重新配置空間和由測試機測試複數個電子元件的測試空間之間移動，讓所述測試台升降而使得所述測試台上裝載的複數個電子元件與所述測試機實現電氣連接或將其解除；及，<br/> 控制器，控制所述搬運穿梭機、所述第一機械手、所述第二機械手、所述重新配置機構及所述移動機構的動作；<br/> 所述測試台具有裝載複數個電子元件的第一單位領域與第二單位領域，<br/> 所述第一單位領域對應所述測試機的第一測試領域而所述第二單位領域則對應所述測試機的第二測試領域，<br/> 所述第一單位領域與所述第二單位領域之間的間距大於所述第一單位領域或所述第二單位領域上裝載的複數個電子元件之間的間距。
如申請專利範圍第1項所述用於測試電子元件的處理機，其中，<br/> 所述重新配置空間成雙地形成，<br/> 一對所述重新配置空間隔着所述測試空間分別配置到所述測試空間的兩側。
如申請專利範圍第1項所述用於測試電子元件的處理機，其中，<br/> 所述移動機構包括：<br/> 升降機，驅使所述測試台升降而使得所述測試台上裝載的複數個電子元件與所述測試機實現電氣連接或將其解除；<br/> 第一移動板，安裝所述升降機，以在第一方向移動的方式安裝；<br/> 第一移動器，讓所述第一移動板在所述第一方向移動；<br/> 第二移動板，安裝所述第一移動板與所述第一移動器，以在垂直於所述第一方向的第二方向移動的方式安裝；及，<br/> 第二移動器，讓所述第二移動板在所述第二方向移動。
如申請專利範圍第1項所述用於測試電子元件的處理機，其中，<br/> 所述測試台包括：<br/> 第一台，設有所述第一單位領域；及，<br/> 第二台，和所述第一台隔離並且設有所述第二單位領域；<br/> 所述第一台與所述第二台相互之間的位置可變。
如申請專利範圍第4項所述用於測試電子元件的處理機，其中，<br/> 所述移動機構包括：<br/> 第一移動件，讓所述第一台在所述第二方向移動；及，<br/> 第二移動件，讓所述第二台在所述第一方向移動。
如申請專利範圍第5項所述用於測試電子元件的處理機，其中，<br/> 所述第一台在所述第一方向上的位置被固定，<br/> 所述第二台在所述第二方向上的位置被固定。
如申請專利範圍第4項所述用於測試電子元件的處理機，其中，<br/> 所述升降機包括：<br/> 第一升降要素，讓所述第一台個別升降；及，<br/> 第二升降要素，讓所述第二台個別升降。
如申請專利範圍第7項所述用於測試電子元件的處理機，其中，<br/> 配備2個所述第一移動板，<br/> 為了讓所述第一台與所述第二台互相獨立地在所述第一方向移動，也配備2個所述第一移動器。
如申請專利範圍第3項所述用於測試電子元件的處理機，其中，<br/> 配備複數個所述第二移動板。
如申請專利範圍第1項所述用於測試電子元件的處理機，其中，<br/> 所述升降機包括：<br/> 高度調節器，所述測試台和其結合；及，<br/> 升降馬達，驅動所述高度調節器運轉而讓所述測試台升降。
如申請專利範圍第10項所述用於測試電子元件的處理機，其中，<br/> 還包括把所述升降馬達的動力傳遞給所述高度調節器的傳動件。
一種用於測試電子元件的處理機，其中，<br/> 包括：<br/> 搬運穿梭機，具有讓電子元件在被裝載的狀態下移動而得以搬運複數個電子元件的搬運台；<br/> 第一機械手，把複數個電子元件裝載到憑藉所述搬運穿梭機的運轉而位於第一領域的搬運台；<br/> 第二機械手，從憑藉所述搬運穿梭機的運轉從所述第一領域移動到第二領域的搬運台卸下複數個電子元件；<br/> 複數個測試台，裝載被所述第二機械手從所述搬運台卸下的複數個電子元件；<br/> 複數個重新配置機構，把被所述第二機械手裝載到位於重新配置空間的所述複數個測試台上的複數個電子元件對齊並予以重新配置；<br/> 複數個移動機構，讓所述複數個測試台各自在所述重新配置空間和由測試機測試複數個電子元件的測試空間之間移動，讓所述測試台升降而使得所述測試台上裝載的複數個電子元件與所述測試機實現電氣連接或將其解除；及，<br/> 控制器，控制所述搬運穿梭機、所述第一機械手、所述第二機械手、所述複數個重新配置機構及所述複數個移動機構的動作；<br/> 所述複數個測試台具有裝載複數個電子元件的第一單位領域與第二單位領域，<br/> 所述第一單位領域對應所述測試機的第一測試領域而所述第二單位領域則對應所述測試機的第二測試領域。
如申請專利範圍第12項所述用於測試電子元件的處理機，其中，<br/> 所述重新配置空間隔着所述測試空間成雙地形成於兩側，所述複數個測試台成雙以便能各自配置在一對所述重新配置空間。
如申請專利範圍第13項所述用於測試電子元件的處理機，其中，<br/> 所述控制器能控制所述複數個移動機構的動作以便使得從所述複數個重新配置空間中的一側重新配置空間移動過來的測試台對應所述第一測試領域並且從所述複數個重新配置空間中的另一側重新配置空間移動過來的測試台對應所述第二測試領域而能夠實現電子元件的測試。
如申請專利範圍第1項或第12項所述用於測試電子元件的處理機，其中，<br/> 裝載到所述第一單位領域的複數個電子元件的數量與裝載到所述第二單位領域的複數個電子元件的數量相同。
如申請專利範圍第1項或第12項所述用於測試電子元件的處理機，其中，<br/> 所述第一機械手或所述第二機械手包括：複數個拾取器，用於握持電子元件；移動要素，讓所述複數個拾取器中除了固定型拾取器以外的移動型拾取器在水平方向移動。
如申請專利範圍第16項所述用於測試電子元件的處理機，其中，<br/> 所述重新配置機構還包括讓所述移動型拾取器旋轉的旋轉要素。
一種製冷劑迴圈裝置，配置於伺服器機架的內部，對伺服器進行冷卻，包含：<br/> 一次流路，所述一次流路供一次製冷劑流通；<br/> 二次流路，所述二次流路供二次製冷劑流通；<br/> 熱交換器，所述熱交換器與所述一次流路及所述二次流路連接；<br/> 框體，所述框體具有在俯視觀察時沿第一方向延伸的兩個第一外側面和沿與所述第一方向交叉的第二方向延伸的兩個第二外側面，並收納所述一次流路、所述二次流路、所述熱交換器；<br/> 電源連接器，所述電源連接器設置於所述第一外側面，並從所述第一外側面突出，用於與所述伺服器機架內的電源連接；<br/> 兩個流入口，所述兩個流入口位於設置有所述電源連接器的所述第一外側面，並分別與所述一次流路及所述二次流路連通；以及<br/> 兩個流出口，所述兩個流出口位於設置有所述電源連接器的所述第一外側面，並分別與所述一次流路及所述二次流路連通，<br/> 所述兩個流入口中的至少一方和所述兩個流出口中的至少一方在俯視觀察時在所述第一方向上隔著所述電源連接器配置於相反側，<br/> 所述兩個流入口及所述兩個流出口呈八字狀排列。
如請求項1所述之製冷劑迴圈裝置，其中，<br/> 所述兩個流入口包括與所述一次流路連通的一次流入口及與所述二次流路連通的二次流入口，<br/> 所述兩個流出口包括與所述一次流路連通的一次流出口及與所述二次流路連通的二次流出口，<br/> 所述二次流入口和所述二次流出口在所述第一方向上隔著所述電源連接器配置於相反側。
如請求項1或2所述之製冷劑迴圈裝置，其中，<br/> 所述兩個流入口包括與所述一次流路連通的一次流入口及與所述二次流路連通的二次流入口，<br/> 所述兩個流出口包括與所述一次流路連通的一次流出口及與所述二次流路連通的二次流出口，<br/> 所述一次流入口和所述一次流出口在所述第一方向上隔著所述電源連接器配置於相反側。
如請求項1所述之製冷劑迴圈裝置，其中，<br/> 所述兩個流入口包括與所述一次流路連通的一次流入口及與所述二次流路連通的二次流入口，<br/> 所述兩個流出口包括與所述一次流路連通的一次流出口及與所述二次流路連通的二次流出口，<br/> 在將與所述第一方向及所述第二方向正交的方向設為第三方向的情況下，所述二次流入口及所述二次流出口配置於比所述電源連接器靠所述第三方向的一側的位置。
如請求項1所述之製冷劑迴圈裝置，其中，<br/> 所述兩個流入口包括與所述一次流路連通的一次流入口及與所述二次流路連通的二次流入口，<br/> 所述兩個流出口包括與所述一次流路連通的一次流出口及與所述二次流路連通的二次流出口，<br/> 所述一次流入口及所述一次流出口配置於在所述第一方向上比所述二次流入口及所述二次流出口靠外側的位置。
如請求項4所述之製冷劑迴圈裝置，其中，<br/> 所述一次流入口及所述一次流出口配置於比所述二次流入口及所述二次流出口靠所述第三方向的另一側的位置。
如請求項1所述之製冷劑迴圈裝置，其中，<br/> 所述兩個流入口包括與所述一次流路連通的一次流入口及與所述二次流路連通的二次流入口，<br/> 所述兩個流出口包括與所述一次流路連通的一次流出口及與所述二次流路連通的二次流出口，<br/> 所述製冷劑迴圈裝置還包含：<br/> 第一送液管，所述第一送液管與所述二次流入口連通，並從設置有所述電源連接器的所述第一外側面突出；以及<br/> 第二送液管，所述第二送液管與所述二次流出口連通，並從設置有所述電源連接器的所述第一外側面突出，<br/> 所述二次流入口配置於比所述電源連接器靠所述第一方向的一側的位置，<br/> 所述二次流出口配置於比所述電源連接器靠所述第一方向的另一側的位置，<br/> 所述第一送液管向所述第一方向的一側延伸，<br/> 所述第二送液管向所述第一方向的另一側延伸。
一種冷卻裝置，包含：<br/> 請求項7所述之製冷劑迴圈裝置；<br/> 與多個熱源接觸的多個冷板；以及<br/> 與所述多個冷板連通的收集歧管及分配歧管，<br/> 所述收集歧管配置於比所述電源連接器靠所述第一方向的一側的位置，<br/> 所述分配歧管配置於比所述電源連接器靠所述第一方向的另一側的位置。
如請求項8所述之冷卻裝置，其中，<br/> 所述電源連接器的前端部的寬度比所述電源連接器的基端部的寬度窄。
一種製冷劑迴圈裝置，配置於伺服器機架的內部，對伺服器進行冷卻，包含：<br/> 一次流路，所述一次流路供一次製冷劑流通；<br/> 二次流路，所述二次流路供二次製冷劑流通；<br/> 熱交換器，所述熱交換器與所述一次流路及所述二次流路連接；<br/> 框體，所述框體具有在俯視觀察時沿第一方向延伸的兩個第一外側面和沿與所述第一方向交叉的第二方向延伸的兩個第二外側面，並收納所述一次流路、所述二次流路、所述熱交換器；<br/> 電源連接器，所述電源連接器設置於所述第一外側面，並從所述第一外側面沿所述第二方向突出，用於與所述伺服器機架內的電源連接；<br/> 兩個流入口，所述兩個流入口位於設置有所述電源連接器的所述第一外側面，並分別與所述一次流路及所述二次流路連通；以及<br/> 兩個流出口，所述兩個流出口位於設置有所述電源連接器的所述第一外側面，並分別與所述一次流路及所述二次流路連通，<br/> 所述兩個流入口中的至少一方和所述兩個流出口中的至少一方在俯視觀察時在所述第一方向上隔著所述電源連接器配置於相反側，<br/> 在所述第二方向上，所述電源連接器的突出量比所述兩個流入口及所述兩個流出口中的至少一方的從所述第一外側面突出的突出量大。
一種應用程序的頁面提供方法，由至少一個處理器執行，其中，包括： <br/>從外部電子裝置接收對與應用程序的會員服務相關的所述應用程序的第一頁面的訪問請求； <br/>響應于所接收的所述訪問請求來識別與所述外部電子裝置相關的用戶賬號； <br/>向所述外部電子裝置發送所述第一頁面的信息，所述第一頁面包括第一區域及第二區域，在所述第一區域配置有第一內容，所述第一內容包括基于所述用戶賬號的用戶識別信息，所述第二區域從所述第一區域滾動顯示，在所述第二區域配置有第一圖形用戶界面（graphical user interface），所述第一圖形用戶界面支持自該第一頁面至對與所述會員服務的管理相關的所述應用程序的第二頁面的轉換； <br/>從所述外部電子裝置接收對所述第一圖形用戶界面的第一用戶輸入信息；以及 <br/>響應于接收所述第一用戶輸入信息，向所述外部電子裝置發送所述第二頁面的信息，所述第二頁面包括分別與所述用戶賬號相關的第二內容、第三內容及第三圖形用戶界面中的至少一個，所述第二內容表示所述會員服務的訂閱信息，所述第三內容表示所述會員服務的使用費用結算信息，所述第三圖形用戶界面支持所述會員服務的訂閱解除，及 <br/>其中，向所述外部電子裝置發送所述第二頁面的信息的步驟包括如下步驟： <br/>向所述外部電子裝置發送還包括第五內容的所述第二頁面的信息，所述第五內容表示與所述會員服務的使用費用結算相關的主結算方式信息。
如請求項1之應用程序的頁面提供方法，其中，向所述外部電子裝置發送所述第一頁面的信息的步驟包括如下步驟： <br/>生成與所述用戶識別信息及所述會員服務的識別信息相關的所述第一內容。
如請求項1之應用程序的頁面提供方法，其中，在向所述外部電子裝置發送所述第一頁面的信息的步驟中，所述第一頁面還包括第三區域，所述第三區域位于所述第一區域與所述第二區域之間，在所述第三區域配置有第二圖形用戶界面，所述第二圖形用戶界面支持設定與所述會員服務的使用費用結算相關的結算方式。
如請求項1之應用程序的頁面提供方法，其中，還包括如下步驟：響應于所接收的所述第一用戶輸入信息來識別所述用戶賬號對所述會員服務的訂閱類型。
如請求項4之應用程序的頁面提供方法，其中， <br/>識別所述用戶賬號的訂閱類型的步驟包括如下步驟： <br/>基于所述用戶賬號將所述用戶賬號的訂閱類型識別爲能够在指定期限以內免費使用的第一訂閱類型， <br/>向所述外部電子裝置發送所述第二頁面的信息的步驟進一步包括如下步驟： <br/>響應于將所述用戶賬號的訂閱類型識別爲所述第一訂閱類型，向所述外部電子裝置發送還包括第四內容的所述第二頁面的信息，所述第四內容表示所述第一訂閱類型。
如請求項1之應用程序的頁面提供方法，其中，還包括如下步驟： <br/>接收與所述第五內容的至少一部分相關的第二用戶輸入信息；以及 <br/>響應于所接收的所述第二用戶輸入信息來向所述外部電子裝置發送第三頁面的信息，所述第三頁面支持變更所述主結算方式信息。
如請求項1之應用程序的頁面提供方法，其中，向所述外部電子裝置發送所述第二頁面的信息的步驟進一步包括如下步驟： <br/>響應于所接收的所述第一用戶輸入信息來向所述外部電子裝置發送還包括第六內容的所述第二頁面的信息，所述第六內容表示與所述會員服務的使用費用結算相關的至少一個子結算方式信息。
如請求項7之應用程序的頁面提供方法，其中，還包括如下步驟： <br/>接收與所述第六內容的至少一部分相關的第三用戶輸入信息；以及 <br/>響應于所接收的所述第三用戶輸入信息來向所述外部電子裝置發送還包括第七內容的所述第二頁面的信息，所述第七內容表示已更新的主結算方式信息及已更新的至少一個子結算方式信息。
一種應用程序的頁面提供方法，由至少一個處理器執行，其中，包括： <br/>從外部電子裝置接收對與應用程序的會員服務相關的所述應用程序的第一頁面的訪問請求； <br/>響應于所接收的所述訪問請求來識別與所述外部電子裝置相關的用戶賬號； <br/>向所述外部電子裝置發送所述第一頁面的信息，所述第一頁面包括第一區域及第二區域，在所述第一區域配置有第一內容，所述第一內容包括基于所述用戶賬號的用戶識別信息，所述第二區域從所述第一區域滾動顯示，在所述第二區域配置有第一圖形用戶界面（graphical user interface），所述第一圖形用戶界面支持自該第一頁面至對與所述會員服務的管理相關的所述應用程序的第二頁面的轉換； <br/>從所述外部電子裝置接收對所述第一圖形用戶界面的第一用戶輸入信息； <br/>響應于接收所述第一用戶輸入信息，向所述外部電子裝置發送所述第二頁面的信息，所述第二頁面包括分別與所述用戶賬號相關的第二內容、第三內容及第三圖形用戶界面中的至少一個，所述第二內容表示所述會員服務的訂閱信息，所述第三內容表示所述會員服務的使用費用結算信息，所述第三圖形用戶界面支持所述會員服務的訂閱解除，及 <br/>響應于所接收的所述第一用戶輸入信息來識別所述用戶賬號是否登記了與所述會員服務的使用費用結算相關的結算方式， <br/>其中向所述外部電子裝置發送所述第二頁面的信息的步驟包括 <br/>響應于識別所述用戶賬號尚未登記所述結算方式，向所述外部電子裝置發送還包括第八內容的所述第二頁面的信息，所述第八內容表示與所述會員服務的使用費用結算相關的引導信息。
如請求項9之應用程序的頁面提供方法，其中，還包括如下步驟： <br/>接收與所述第八內容的至少一部分相關的第四用戶輸入信息；以及 <br/>響應于所接收的所述第四用戶輸入信息來向所述外部電子裝置發送第四頁面的信息，所述第四頁面支持登記所述用戶賬號的所述結算方式。
一種非暫時性計算機可讀記錄介質，其中， 記錄有用于在計算機執行如請求項1至10中任一項之方法的指令。
一種電子裝置，其中， <br/>包括： <br/>存儲器，用于存儲指令；以及 <br/>至少一個處理器， <br/>當所述至少一個處理器執行所述指令時，所述電子裝置從外部電子裝置接收對與應用程序的會員服務相關的所述應用程序的第一頁面的訪問請求， <br/>響應于所接收的所述訪問請求來識別與所述外部電子裝置相關的用戶賬號， <br/>向所述外部電子裝置發送所述第一頁面的信息，所述第一頁面包括第一區域及第二區域，在所述第一區域配置有第一內容，所述第一內容包括基于所述用戶賬號的用戶識別信息，所述第二區域從所述第一區域滾動顯示，在所述第二區域配置有第一圖形用戶界面（graphical user interface），所述第一圖形用戶界面支持自該第一頁面至對與所述會員服務的管理相關的所述應用程序的第二頁面的轉換， <br/>從所述外部電子裝置接收對所述第一圖形用戶界面的第一用戶輸入信息，以及 <br/>響應于接收所述第一用戶輸入信息，向所述外部電子裝置發送所述第二頁面的信息，所述第二頁面包括分別與所述用戶賬號相關的第二內容、第三內容及第三圖形用戶界面中的至少一個，所述第二內容表示所述會員服務的訂閱信息，所述第三內容表示所述會員服務的使用費用結算信息，所述第三圖形用戶界面支持所述會員服務的訂閱解除，及 <br/>其中，向所述外部電子裝置發送所述第二頁面的信息的步驟包括如下步驟： <br/>向所述外部電子裝置發送還包括第五內容的所述第二頁面的信息，所述第五內容表示與所述會員服務的使用費用結算相關的主結算方式信息。
一種電流感應線圈，係包含： <br/>一屏蔽層，具有一中央孔洞； <br/>一感應線圈，並設置於該中央孔洞內；以及 <br/>一短路線圈，並設置於該中央孔洞內； <br/>其中，該感應線圈圍繞該短路線圈，使該短路線圈設置於該感應線圈內，且該感應線圈的匝數大於該短路線圈的匝數。
如請求項1所述之電流感應線圈，其中該感應線圈圍繞該短路線圈以形成同心結構。
如請求項1所述之電流感應線圈，其中該感應線圈的匝數為該短路線圈的匝數的1.3倍至2.5倍。
如請求項1所述之電流感應線圈，其中該感應線圈包括一第一感應線圈組及一第二感應線圈組，該第一感應線圈組與該第二感應線圈組彼此交錯設置，且該第一感應線圈組的首端及該第二感應線圈組的首端相互連接，而該第一感應線圈組的尾端與該第二感應線圈組的尾端連接。
如請求項1所述之電流感應線圈，其中該感應線圈包括相互連接的一第一感應線圈組及一第二感應線圈組，該第一感應線圈組包括相互串接的複數個第一線圈單元，該第二感應線圈組包括相互串接的複數個第二線圈單元。
如請求項5所述之電流感應線圈，其中各個該第一線圈單元包括一第一上層導體及一第一下層導體，該第一上層導體與該第一下層導體連接，各個該第二線圈單元包括一第二上層導體及一第二下層導體，該第二上層導體與該第二下層導體連接。
如請求項6所述之電流感應線圈，其中各個該第一線圈單元的該第一上層導體與至少一個該第二線圈單元的該第二上層導體相鄰，各個該第一線圈單元的該第一下層導體與至少一個該第二線圈單元的該第二下層導體相鄰。
如請求項6所述之電流感應線圈，其中各個該第一線圈單元的該第一上層導體的電流方向與該第一線圈單元的該第一下層導體的電流方向相反，各個該第二線圈單元的該第二上層導體的電流方向與該第二線圈單元的該第二下層導體的電流方向相反。
如請求項6所述之電流感應線圈，其中各個該第一線圈單元的該第一上層導體的電流方向與相鄰的該第二線圈單元的該第二上層導體的電流方向相反，各個該第一線圈單元的該第一下層導體的電流方向與相鄰的該第二線圈單元的該第二下層導體的電流方向相反。
如請求項1所述之電流感應線圈，其中該屏蔽層通過單一接地點接地。
如請求項1所述之電流感應線圈，其中該屏蔽層包括一上電路板、一下電路板及複數個連接柱，該上電路板通過該些連接柱與該下電路板連接。
如請求項11所述之電流感應線圈，其中該些連接柱為中空以形成複數個通孔。
如請求項1所述之電流感應線圈，其中該短路線圈包括一第一短路線圈組及一第二短路線圈組，該第一短路線圈組與該第二短路線圈組彼此交錯設置，且該第一短路線圈組的首端及該第二短路線圈組的首端相互連接，而該第一短路線圈組的尾端與該第二短路線圈組的尾端連接。
如請求項1所述之電流感應線圈，其中該短路線圈包括相互連接的一第一短路線圈組及一第二短路線圈組，該第一短路線圈組及該第二短路線圈組與該屏蔽層連接，該第一短路線圈組包括相互串接的複數個第三線圈單元，該第二短路線圈組包括相互串接的複數個第四線圈單元。
如請求項14所述之電流感應線圈，其中各個該第三線圈單元包括一第三上層導體及一第三下層導體，該第三上層導體與該第三下層導體連接，各個該第四線圈單元包括一第四上層導體及一第四下層導體，該第四上層導體與該第四下層導體連接。
一種電流感應線圈，係包含： <br/>一屏蔽層，具有一中央孔洞； <br/>一感應線圈，設置於該中央孔洞內，該感應線圈包括彼此交錯設置的一第一感應線圈組及一第二感應線圈組；以及 <br/>一短路線圈，與該屏蔽層連接，並設置於該中央孔洞內； <br/>其中，該第一感應線圈組的首端及該第二感應線圈組的首端相互連接，而該第一感應線圈組的尾端與該第二感應線圈組的尾端連接。
如請求項16所述之電流感應線圈，其中該第一感應線圈組包括相互串接的複數個第一線圈單元，該第二感應線圈組包括相互串接的複數個第二線圈單元。
如請求項17所述之電流感應線圈，其中各個該第一線圈單元包括一第一上層導體及一第一下層導體，該第一上層導體與該第一下層導體連接，各個該第二線圈單元包括一第二上層導體及一第二下層導體，該第二上層導體與該第二下層導體連接。
如請求項18所述之電流感應線圈，其中各個該第一線圈單元的該第一上層導體與至少一個該第二線圈單元的該第二上層導體相鄰，各個該第一線圈單元的該第一下層導體與至少一個該第二線圈單元的該第二下層導體相鄰。
如請求項18所述之電流感應線圈，其中各個該第一線圈單元的該第一上層導體的電流方向與該第一線圈單元的該第一下層導體的電流方向相反，各個該第二線圈單元的該第二上層導體的電流方向與該第二線圈單元的該第二下層導體的電流方向相反。
如請求項18所述之電流感應線圈，其中各個該第一線圈單元的該第一上層導體的電流方向與相鄰的該第二線圈單元的該第二上層導體的電流方向相反，各個該第一線圈單元的該第一下層導體的電流方向與相鄰的該第二線圈單元的該第二下層導體的電流方向相反。
如請求項18所述之電流感應線圈，其中首端的該第一線圈單元的該第一上層導體或該第一下層導體與首端的該第二線圈單元的該第二上層導體或該第二下層導體連接，尾端的該第一線圈單元的該第一上層導體或該第一下層導體與尾端的該第二線圈單元的該第二上層導體或該第二下層導體連接。
如請求項22所述之電流感應線圈，其中非位於首端及尾端的任一個該第一線圈單元的該第一上層導體與其一側的該第一線圈單元的該第一下層導體連接，而該第一線圈單元的該第一下層導體與其另一側的該第一線圈單元的該第一上層導體連接，非位於首端及尾端的任一個該第二線圈單元的該第二上層導體與其一側的該第二線圈單元的該第二下層導體連接，而該第二線圈單元的該第二下層導體與其另一側的該第二線圈單元的該第二上層導體連接。
如請求項16所述之電流感應線圈，其中該屏蔽層通過單一接地點接地。
如請求項16所述之電流感應線圈，其中該屏蔽層包括一上電路板、一下電路板及複數個連接柱，該上電路板通過該些連接柱與該下電路板連接。
如請求項25所述之電流感應線圈，其中該些連接柱為中空以形成複數個通孔。
如請求項16所述之電流感應線圈，其中該短路線圈包括一第一短路線圈組及一第二短路線圈組，該第一短路線圈組與該第二短路線圈組彼此交錯設置，且該第一短路線圈組的首端及該第二短路線圈組的首端相互連接，而該第一短路線圈組的尾端與該第二短路線圈組的尾端連接。
如請求項16所述之電流感應線圈，其中該短路線圈包括相互連接的一第一短路線圈組及一第二短路線圈組，該第一短路線圈組包括相互串接的複數個第三線圈單元，該第二短路線圈組包括相互串接的複數個第四線圈單元。
如請求項28所述之電流感應線圈，其中各個該第三線圈單元包括一第三上層導體及一第三下層導體，該第三上層導體與該第三下層導體連接，各個該第四線圈單元包括一第四上層導體及一第四下層導體，該第四上層導體與該第四下層導體連接。
如請求項16所述之電流感應線圈，其中該感應線圈的匝數大於該短路線圈的匝數。
如請求項16所述之電流感應線圈，其中該感應線圈圍繞該短路線圈以形成同心結構。
如請求項16所述之電流感應線圈，其中該感應線圈的匝數為該短路線圈的匝數的1.3倍至2.5倍。
一種用於將晶粒裝配至一產品基板之方法，該方法包含以下步驟： <br/>使用一第一夾盤從一源基板選擇性拾取一或更多晶粒，其中該源基板在該拾取步驟期間保持在一倒轉位置中；及 使用一第二夾具將該一或更多晶粒放置在該產品基板上，其中該第二夾具以與該第一夾具的一相反方向定向； 其中在該裝配步驟期間執行重疊度量衡。
如請求項1所述之方法，其中二或更多晶粒裝配至該產品基板上。
如請求項2所述之方法，其中該二或更多晶粒的該裝配步驟以一並行方式來執行。
如請求項1所述之方法，其中該重疊度量衡為一基於莫耳之度量衡。
如請求項1所述之方法，其中該第一夾盤或該第二夾盤包含一上蓋物，該上蓋物使用以下一或更多者製造：碳化矽、熔融矽石、氧化鋁及矽。
如請求項5所述之方法，其中利用壓電致動器以允許該一或更多晶粒相對於該產品基板的形貌控制。
如請求項5所述之方法，其中該上蓋物具有一或更多連接的或未連接的子上蓋物。
如請求項1所述之方法，其中執行該裝配之步驟以在該一或更多晶粒及該產品基板之間達成介於次5 nm重疊精度及次25 nm重疊精度之間。
如請求項8所述之方法，其中利用一或更多奈米精度載台以達成該重疊精度。
如請求項1所述之方法，其中在該裝配期間利用以下一或更多技術：空氣中對準、液體中對準及畸變控制。
如請求項10所述之方法，其中該畸變控制藉由熱致動器來進行。
如請求項1所述之方法，其中該裝配步驟包含直接連接。
如請求項1所述之方法，其中該源基板為以下一者：一矽晶圓及包含GaN、GaAs、InP或SiC的一非矽晶圓。
如請求項1所述之方法，其中該一或更多晶粒使用一黏合劑從該源基板釋放。
如請求項14所述之方法，其中該黏合劑為一UV解除定位黏合劑。
一種防浸水防電擊保護器，包括：<br/> 一密封外殼；<br/> 一防電擊保護器主體，置於所述密封外殼內；<br/> 一安裝結構，置於所述密封外殼內，用於支撐所述防電擊保護器主體並使所述防電擊保護器主體與所述密封外殼的內壁保持空間分離；<br/> 至少一電線管道，從所述防電擊保護器主體延伸至所述密封外殼的外部，用於容納至少一條電線；<br/> 至少一可充氣密封元件，其設置於所述電線管道的周圍，所述可充氣密封元件在充氣時環繞穿設於所述電線管道中的所述電線並與所述電線管道內壁密合，以防止沿所述電線管道的水分滲入；<br/> 多個感測器，包括至少一濕度感測器與至少一溫度感測器，所述濕度感測器與所述溫度感測器置於所述密封外殼內，並布設於鄰近所述密封外殼之密封機構及所述電線管道的潛在滲入位置，以檢測所述密封外殼之內部的濕度水平及溫度；<br/> 一微控制器，與所述濕度感測器運作性連接，並配置為在預定時間窗口內持續接收所述感測器的時間序列感測數據；<br/> 一無線通訊模組，與所述微控制器運作性連接並配置為將數據及警告訊息傳輸至至少一外部設備；<br/> 其中，所述微控制器內嵌一長短期記憶（Long Short-Term Memory, LSTM）模型，該LSTM模型包括一輸入層、一LSTM層及一輸出層，並在所述微控制器受限之處理能力及記憶體資源下以輕量化架構運行，所述LSTM模型配置為對經預處理之時間序列感測數據進行分析，以產生一表示所述密封外殼密封失效可能性的密封劣化分數；<br/> 其中，所述微控制器進一步配置為：<br/> 將所述密封劣化分數與一預定閾值進行比較；以及<br/> 在所述密封劣化分數超過所述預定閾值時，透過所述無線通訊模組向所述外部設備傳輸警告並啟動至少一預防性措施，所述預防性措施包括觸發設於所述防電擊保護器主體中的電路中斷機構以中斷受保護電路；<br/> 其中，所述LSTM模型係先在一具有高性能計算資源之伺服器上，利用多個所述防浸水防電擊保護器所彙總之歷史感測數據進行離線訓練，並於訓練完成後將壓縮後之模型參數透過空中下載更新部署到所述微控制器中，使所述微控制器能在裝置端進行即時密封劣化預測。
如請求項1所述的防浸水防電擊保護器，其中所述安裝結構包括由一個或多個連接柱固定於所述密封外殼內的安裝網，所述安裝網支撐所述防電擊保護器主體，使其不與所述密封外殼的任何內表面接觸。
如請求項1所述的防浸水防電擊保護器，其中所述無線通訊模組為Wi-Fi、藍牙低功耗、或符合LTE-M或NB-IoT標準的行動通訊模組。
如請求項1所述的防浸水防電擊保護器，其中所述微控制器進一步配置為隨時間記錄所述感測器的感測數據，並將該感測數據傳輸至所述外部設備以進行趨勢分析和預測性維護。
如請求項1所述的防浸水防電擊保護器，進一步包括一個透過一客戶端裝置上的行動應用程式可訪問的用戶介面，所述用戶介面配置為顯示即時狀態更新、感測器讀數，並接收來自所述無線通訊模組傳輸的警告。
如請求項1所述的防浸水防電擊保護器，進一步包括一個配置為向所述微控制器和所述無線通訊模組供電的電源管理系統。
一種複合體，包括： <br/>電氣構件，其包含電路部分與間隙部分且厚度為0.5 mm以上； <br/>彈性構件，於一部分進入所述間隙部分的狀態下配備於所述電氣構件的一表面側； <br/>網眼狀片，相對於所述彈性構件中的進入所述間隙部分的部分而積層；以及 <br/>離型膜，相對於所述網眼狀片於所述電氣構件的另一面側積層，其中所述離型膜具有與所述網眼狀片相連通的貫通孔。
一種複合體，包括： <br/>電氣構件，其包含電路部分與間隙部分且厚度為0.5 mm以上； <br/>彈性構件，配備於所述電氣構件的一表面側； <br/>黏著層，相對於所述彈性構件於所述電氣構件的另一面側積層； <br/>網眼狀片，於所述黏著層中的所述間隙部分所處的位置積層；以及 <br/>離型膜，相對於所述網眼狀片於所述電氣構件的另一面側積層，其中所述離型膜具有與所述網眼狀片相連通的貫通孔。
一種複合體，包括： <br/>電氣構件，其包含電路部分與間隙部分且厚度為0.5 mm以上； <br/>彈性構件，配備於所述電氣構件的一表面側； <br/>網眼狀片，具有與所述電路部分對應的第一開口，於所述電路部分插通所述第一開口而進入所述間隙部分的狀態下配備於所述彈性構件的另一面側；以及 <br/>離型膜，具有與所述電路部分對應的第二開口，於所述電路部分插通所述第二開口而進入所述間隙部分的狀態下配備於所述網眼狀片的另一面側。
如請求項3所述的複合體，更包括黏著層，所述黏著層配備於所述彈性構件與所述網眼狀片之間。
一種複合體的製造方法，包括如下步驟： <br/>準備電氣構件，所述電氣構件包含電路部分與間隙部分且厚度為0.5 mm以上； <br/>於所述電氣構件的一表面側配備彈性構件； <br/>於將周圍設為真空環境且設為規定的溫度的狀態下將所述彈性構件向所述電氣構件相對地按壓，使所述彈性構件的一部分進入所述間隙部分； <br/>準備網眼狀片，所述網眼狀片具有與所述電路部分對應的第一開口； <br/>準備離型膜，所述離型膜具有與所述電路部分對應的第二開口； <br/>於使所述彈性構件的一部分進入所述間隙部分的步驟之前實施，使所述網眼狀片相對於所述彈性構件於所述電氣構件的另一面側積層；以及 <br/>於使所述彈性構件的一部分進入所述間隙部分的步驟之前實施，使所述離型膜相對於所述網眼狀片於所述電氣構件的另一面側積層。
如請求項5所述的複合體的製造方法，包括如下步驟：於使所述離型膜積層的步驟之前進行，相對於所述離型膜於與所述第二開口不同的場所設置貫通孔。
一種積層體的製造方法，其中所述積層體積層有金屬基底基板、使樹脂組成物硬化而形成的絕緣層、以及包含電路部分與間隙部分且厚度為0.5 mm以上的電氣構件，所述積層體的製造方法包括如下步驟： <br/>使半硬化狀態的所述樹脂組成物積層於所述金屬基底基板； <br/>使藉由如請求項5或6所述的複合體的製造方法製造的複合體積層於半硬化狀態的所述樹脂組成物而準備壓接前積層體； <br/>於將所述壓接前積層體的周圍設為真空環境且設為規定的溫度的狀態下使半硬化狀態的所述樹脂組成物硬化；以及 <br/>至少去除所述壓接前積層體的所述彈性構件而形成所述積層體。
一種積層體的製造方法，其中所述積層體積層有金屬基底基板、使樹脂組成物硬化而形成的絕緣層、以及包含電路部分與間隙部分且厚度為0.5 mm以上的電氣構件，所述積層體的製造方法包括如下步驟： <br/>準備壓接前積層體，所述壓接前積層體按照所述金屬基底基板、半硬化狀態的所述樹脂組成物、所述電氣構件、黏著層、彈性構件的順序積層而成，於所述黏著層中的所述間隙部分所處的位置積層有網眼狀片，且相對於所述網眼狀片於所述電氣構件的另一面側積層有離型膜； <br/>於使所述離型膜積層的步驟之前進行，對於所述離型膜設置與所述網眼狀片相連通的貫通孔； <br/>於將所述壓接前積層體的周圍設為真空環境且設為規定的溫度的狀態下使半硬化狀態的所述樹脂組成物硬化；以及 <br/>至少去除所述彈性構件而形成所述積層體。
一種積層體的製造方法，其中所述積層體積層有金屬基底基板、使樹脂組成物硬化而形成的絕緣層、以及包含電路部分與間隙部分且厚度為0.5 mm以上的電氣構件，所述積層體的製造方法包括如下步驟： <br/>準備網眼狀片，所述網眼狀片具有與所述電路部分對應的第一開口； <br/>準備離型膜，所述離型膜具有與所述電路部分對應的第二開口； <br/>準備壓接前積層體，所述壓接前積層體按照所述金屬基底基板、半硬化狀態的所述樹脂組成物、所述電氣構件、位於所述第二開口進入所述電路部分處的所述離型膜、位於所述第一開口進入所述電路部分處的所述網眼狀片、彈性構件的順序積層而成； <br/>於將所述壓接前積層體的周圍設為真空環境且設為規定的溫度的狀態下使半硬化狀態的所述樹脂組成物硬化；以及 <br/>至少去除所述彈性構件而形成所述積層體。
如請求項9所述的積層體的製造方法，其中所述壓接前積層體更包括黏著層，所述黏著層配備於所述彈性構件與所述網眼狀片之間。
一種複合體，包括： <br/>電氣構件，其包含電路部分與間隙部分且厚度為0.5 mm以上； <br/>彈性構件，於一部分進入所述間隙部分的狀態下配備於所述電氣構件的一表面側； <br/>網眼狀片，具有與所述電路部分對應的第一開口，於所述電路部分插通所述第一開口而進入所述間隙部分的狀態下配備於所述彈性構件的另一面側；以及 <br/>離型膜，具有與所述電路部分對應的第二開口，於所述電路部分插通所述第二開口而進入所述間隙部分的狀態下配備於所述網眼狀片的另一面側。
一種複合體，包括： <br/>電氣構件，其包含電路部分與間隙部分且厚度為0.5 mm以上； <br/>彈性構件，配備於所述電氣構件的一表面側； <br/>黏著層，相對於所述彈性構件於所述電氣構件的另一面側積層； <br/>網眼狀片，具有與所述電路部分對應的第一開口，所述電路部分插通於所述第一開口，並且配備於所述黏著層中的所述間隙部分所處的位置；以及 <br/>離型膜，具有與所述電路部分對應的第二開口，於所述電路部分插通所述第二開口而進入所述間隙部分的狀態下配備於所述網眼狀片的另一面側。
一種基於氣缸氣動消耗模式取得加工產品缺陷資訊的系統，所述系統包括：<br/> 波形測量單元，經配置以透過使用實驗氣缸進行多次重複實驗，取得與應用氣缸的製造處的氣動條件相對應的最小閾值的氣動特性圖；<br/> 特性圖分析單元，經配置以分析由所述波形測量單元所取得的所述最小閾值的氣動特性圖，並計算出與製造處的氣動條件相對應的最小閾值氣壓；<br/> 氣動消耗模式分析單元，經配置以在應用由所述特性圖分析單元計算出的所述最小閾值氣壓的對應製造處，監測及分析在製造處的所述氣缸的活塞桿與所述加工產品接觸之前/之後的氣動消耗模式；及<br/> 缺陷資訊取得單元，經配置以基於由所述氣動消耗模式分析單元所分析的結果，取得所述加工產品的缺陷資訊。
如請求項1所述之系統，其進一步包括：<br/> 控制單元，經配置以控制所述波形測量單元、所述特性圖分析單元、所述氣動消耗模式分析單元、及所述缺陷資訊取得單元中的每一個的狀態檢查及運作。
如請求項1所述之系統，其進一步包括：<br/> 警報產生單元，經配置以當由所述缺陷資訊取得單元取得所述缺陷資訊時，產生警報聲音或閃爍警示燈光。
如請求項1所述之系統，其進一步包括：<br/> 資料庫(DB)，經配置以儲存與由所述特性圖分析單元分析所述氣動特性圖、由所述氣動消耗模式分析單元分析所述氣動消耗模式、及由所述缺陷資訊取得單元取得所述缺陷資訊相關的各種資料及資訊，以及儲存與應用所述氣缸的製造處的氣動條件或環境相關的資料及資訊。
如請求項1所述之系統，其中，所述氣動消耗模式分析單元以數十毫秒為單位，分析所述氣缸的所述活塞桿與所述加工產品接觸之前/之後的所述氣動消耗模式。
如請求項1所述之系統，其中，所述缺陷資訊取得單元所取得的所述加工產品的所述缺陷資訊包括所述加工產品的裂縫及分層故障。
一種基於氣缸氣動消耗模式取得加工產品缺陷資訊的方法，所述方法包括：<br/> 步驟a) 透過波形測量單元，使用實驗氣缸進行多次重複實驗，取得與應用氣缸的製造處的氣動條件相對應的最小閾值的氣動特性圖；<br/> 步驟b) 透過特性圖分析單元，分析由所述波形測量單元所取得的所述最小閾值的氣動特性圖，並計算出與製造處的氣動條件相對應的最小閾值氣壓；<br/> 步驟c) 透過氣動消耗模式分析單元，在應用計算出的所述最小閾值氣壓的對應製造處，監測及分析在製造處的所述氣缸的活塞桿與所述加工產品接觸之前/之後的氣動消耗模式；及<br/> 步驟d) 透過缺陷資訊取得單元，基於由所述氣動消耗模式分析單元所分析的結果，取得所述加工產品的缺陷資訊。
如請求項7所述之方法，其進一步包括：<br/> 當步驟d)中的所述缺陷資訊取得單元取得所述缺陷資訊時，透過警報產生單元產生警報聲音或閃爍警示燈光。
如請求項7所述之方法，其中，在步驟c)中，所述氣動消耗模式分析單元以數十毫秒為單位，分析所述氣缸的所述活塞桿與所述加工產品接觸之前/之後的所述氣動消耗模式。
如請求項7所述之方法，其中，在步驟d)中，所述加工產品的所述缺陷資訊包括所述加工產品的裂縫及分層故障。
一種雙波段發光二極體，包含：<br/> 一第一磊晶複合層，具有一第一波段之一第一發光層，其中該第一磊晶複合層包含一N型磷化銦磊晶層及一P型磷化銦磊晶層，該N型磷化銦磊晶層及該P型磷化銦磊晶層夾置該第一發光層；<br/> 一第二磊晶複合層，具有一第二波段之一第二發光層，其中該第二磊晶複合層包含一N型砷化鋁鎵磊晶層及一P型砷化鋁鎵磊晶層，該N型砷化鋁鎵磊晶層及該P型砷化鋁鎵磊晶層夾置該第二發光層；<br/> 一透明導電層，夾置於該第一磊晶複合層及該第二磊晶複合層間，且該第一磊晶複合層設置於該第二磊晶複合層之上；<br/> 一P型電極，設置於該透明導電層上，並電性連接該透明導電層；及<br/> 一第一N型電極及一第二N型電極，其中該第一N型電極設置於該第一磊晶複合層上並電性連接該第一發光層，該第二N型電極設置於該第二磊晶複合層上並電性連接該第二發光層，<br/> 其中，該第一波段為1100~2000奈米(nm)，且該第二波段為1000~1100奈米(nm)。
如請求項1所述之雙波段發光二極體，其中該第一磊晶複合層更包含一P型鋅摻雜磷砷化銦鎵磊晶層夾置於該P型磷化銦磊晶層及該透明導電層間。
如請求項1所述之雙波段發光二極體，其中該第二磊晶複合層更包含一P型碳摻雜砷化鎵磊晶層夾置於該P型砷化鋁鎵磊晶層及該透明導電層間。
如請求項1所述之雙波段發光二極體，其中該透明導電層之厚度為3000~10000埃（Å）。
一種雙波段發光二極體之製造方法，包含：<br/> 提供一第一磊晶複合層形成於一第一磊晶成長基板，該第一磊晶複合層具有一第一波段之一第一發光層，其中該第一磊晶複合層包含一N型磷化銦磊晶層及一P型磷化銦磊晶層，該N型磷化銦磊晶層及該P型磷化銦磊晶層夾置該第一發光層；<br/> 提供一第一透明導電層形成於該第一磊晶複合層上；<br/> 提供一第二磊晶複合層形成於一第二磊晶成長基板，該第二磊晶複合層具有一第二波段之一第二發光層，其中該第二磊晶複合層包含一N型砷化鋁鎵磊晶層及一P型砷化鋁鎵磊晶層，該N型砷化鋁鎵磊晶層及該P型砷化鋁鎵磊晶層夾置該第二發光層；<br/> 提供一第二透明導電層形成於該第二磊晶複合層上；<br/> 鍵合該第一透明導電層及該第二透明導電層，使該第一透明導電層及該第二透明導電層夾置於該第一磊晶複合層及該第二磊晶複合層間，且該第一磊晶複合層設置於該第二磊晶複合層之上；<br/> 去除該第一磊晶成長基板後，對該第一磊晶複合層進行一高台（MESA）蝕刻，以裸露部分該第一透明導電層；<br/> 提供一P型電極，設置於該裸露之該第一透明導電層上，並電性連接該第一透明導電層及該第二透明導電層；<br/> 提供一第一N型電極，設置於該第一磊晶複合層上並電性連接至該第一發光層；及<br/> 提供一第二N型電極，設置於該第二磊晶成長基板上並電性連接至該第二發光層，<br/> 其中，該第一波段為1100~2000奈米(nm)，且該第二波段為1000~1100奈米(nm)。
如請求項5所述之製造方法，更包含薄化該第二磊晶成長基板之一步驟。
如請求項5所述之製造方法，其中鍵合該第一透明導電層及該第二透明導電層後之總厚度為3000~10000埃（Å）。
一種半導體光阻組合物，包括： <br/>含Sn有機金屬化合物； <br/>羧酸化合物； <br/>從磺酸化合物和膦酸化合物中選擇的至少一種化合物；以及 <br/>溶劑， <br/>其中以1:0.001至1:10的重量比包括所述羧酸化合物：從所述磺酸化合物和所述膦酸化合物中選擇的所述至少一種化合物。
如請求項1所述的半導體光阻組合物，其中： <br/>所述羧酸化合物由化學式1表示： <br/>化學式1 <br/><img align="absmiddle" height="37px" width="128px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，在化學式1中， <br/>R<sup>1</sup>是胺基、鹵素、羥基、羧基、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基、或經取代或未經取代的C7至C30芳烷基， <br/>L<sup>1</sup>和L<sup>2</sup>各自獨立地是單鍵、經取代或未經取代的C1至C20伸烷基、經取代或未經取代的C6至C30伸芳基或其組合， <br/>X<sup>1</sup>是單鍵、O、S、或NR<sup>2</sup>，其中R<sup>2</sup>是氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合，以及 <br/>m1是大於或等於1的整數。
如請求項1所述的半導體光阻組合物，其中： <br/>所述磺酸化合物由化學式2表示： <br/>化學式2 <br/><img align="absmiddle" height="53px" width="129px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，在化學式2中， <br/>R<sup>3</sup>是胺基、鹵素、羥基、羧基、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基、或經取代或未經取代的C7至C30芳烷基， <br/>L<sup>3</sup>和L<sup>4</sup>各自獨立地是單鍵、經取代或未經取代的C1至C20伸烷基、經取代或未經取代的C6至C30伸芳基或其組合， <br/>X<sup>2</sup>是單鍵、O、S、或NR<sup>4</sup>，其中R<sup>4</sup>是氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合，以及 <br/>m2是大於或等於1的整數。
如請求項1所述的半導體光阻組合物，其中： <br/>所述膦酸化合物由化學式3表示： <br/>化學式3 <br/><img align="absmiddle" height="53px" width="129px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，在化學式3中， <br/>R<sup>5</sup>是胺基、鹵素、羥基、羧基、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基、或經取代或未經取代的C7至C30芳烷基， <br/>L<sup>5</sup>和L<sup>6</sup>各自獨立地是單鍵、經取代或未經取代的C1至C20伸烷基、經取代或未經取代的C6至C30伸芳基或其組合， <br/>X<sup>3</sup>是單鍵、O、S、或NR<sup>6</sup>，其中R<sup>6</sup>是氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合，以及 <br/>m3是大於或等於1的整數。
如請求項1所述的半導體光阻組合物，其中 <br/>所述羧酸化合物是從組1中列出的化合物中選擇的至少一種化合物： <br/>組1 <br/><img align="absmiddle" height="38px" width="48px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="15px" width="23px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="43px" width="95px" file="ed10026.jpg" alt="ed10026.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="29px" width="58px" file="ed10027.jpg" alt="ed10027.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="55px" width="102px" file="ed10028.jpg" alt="ed10028.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="62px" width="75px" file="ed10029.jpg" alt="ed10029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="66px" width="53px" file="ed10030.jpg" alt="ed10030.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="66px" width="70px" file="ed10031.jpg" alt="ed10031.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="66px" width="70px" file="ed10032.jpg" alt="ed10032.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的半導體光阻組合物，其中： <br/>所述磺酸化合物和所述膦酸化合物是從組2中列出的化合物中選擇的至少一種化合物： <br/>組2 <br/><img align="absmiddle" height="191px" width="420px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="51px" width="54px" file="ed10036.jpg" alt="ed10036.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="52px" width="53px" file="ed10037.jpg" alt="ed10037.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="191px" width="420px" file="ed10034.jpg" alt="ed10034.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的半導體光阻組合物，其中： <br/>基於100重量%的所述半導體光阻組合物，以0.001至10重量%的量包括所述羧酸化合物和從所述磺酸化合物和所述膦酸化合物中選擇的所述至少一種化合物。
如請求項1所述的半導體光阻組合物，其中： <br/>基於100重量%的所述半導體光阻組合物，以0.1至5重量%的量包括所述羧酸化合物和從所述磺酸化合物和所述膦酸化合物中選擇的所述至少一種化合物。
如請求項1所述的半導體光阻組合物，其中： <br/>基於100重量%的所述半導體光阻組合物，以0.5重量%至30重量%的量包括所述含Sn有機金屬化合物。
如請求項1所述的半導體光阻組合物，其中： <br/>所述半導體光阻組合物還包括：表面活性劑、交聯劑、調平劑、有機酸、淬滅劑或其組合的添加劑。
如請求項1所述的半導體光阻組合物，其中： <br/>所述含Sn有機金屬化合物包括從有機氧基和有機羰基氧基中選擇的至少一種。
如請求項1所述的半導體光阻組合物，其中： <br/>所述含Sn有機金屬化合物是由化學式4表示的化合物或其縮合化合物： <br/>化學式4 <br/><img align="absmiddle" height="53px" width="62px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，在化學式4中， <br/>R<sup>7</sup>選自經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基、和經取代或未經取代的C6至C30芳烷基， <br/>R<sup>8</sup>至R<sup>10</sup>各自獨立地為經取代或未經取代的C1至C20烷基；經取代或未經取代的C3至C20環烷基；經取代或未經取代的C2至C20烯基；經取代或未經取代的C2至C20炔基；經取代或未經取代的C6至C30芳基；經取代或未經取代的C6至C30芳烷基；由-OR<sup>a</sup>表示的烷氧基和/或芳氧基，其中R<sup>a</sup>為經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合 ；由-O(CO)R<sup>b</sup>表示的羧基，其中R<sup>b</sup>為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>表示的烷基胺基和/或二烷基胺基，其中R<sup>c</sup>和R<sup>d</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合 ；由-NR<sup>e</sup>(COR<sup>f</sup>)表示的醯胺基，其中R<sup>e</sup>和R<sup>f</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合 ；由-NR<sup>g</sup>C(NR<sup>h</sup>)R<sup>i</sup>表示的脒基，其中R<sup>g</sup>、R<sup>h</sup>和R<sup>i</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合 ；由-SR<sup>j</sup>表示的烷硫基和/或芳硫基，其中R<sup>j</sup>為經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合 ；和/或由-S(CO)R<sup>k</sup>表示的硫代羧基，其中R<sup>k</sup>為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合， <br/>R<sup>8</sup>至R<sup>10</sup>中至少一個選自：由-OR<sup>a</sup>表示的烷氧基和芳氧基，其中R<sup>a</sup>為經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合 ；由-O(CO)R<sup>b</sup>表示的羧基，其中R<sup>b</sup>為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合 ；由-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>表示的烷基胺基和二烷基胺基，其中R<sup>c</sup>和R<sup>d</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合 ；由-NR<sup>e</sup>(COR<sup>f</sup>)表示的醯胺基，其中R<sup>e</sup>和R<sup>f</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合 ；由-NR<sup>g</sup>C(NR<sup>h</sup>)R<sup>i</sup>表示的脒基，其中R<sup>g</sup>、R<sup>h</sup>和R<sup>i</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合 ；由-SR<sup>j</sup>表示的烷硫基和芳硫基，其中R<sup>j</sup>為經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合 ；和由-S(CO)R<sup>k</sup>表示的硫代羧基，其中R<sup>k</sup>為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合。
如請求項12所述的半導體光阻組合物，其中： <br/>R<sup>8</sup>至R<sup>10</sup>中至少選擇一個選自：由-OR<sup>a</sup>表示的烷氧基和芳氧基，其中R<sup>a</sup>為經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；以及由-O(CO)R<sup>b</sup>表示的羧基，其中R<sup>b</sup>為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合。
如請求項12所述的半導體光阻組合物，其中： <br/>R<sup>7</sup>為經取代或未經取代的C1至C8烷基、經取代或未經取代的C3至C8環烷基、包含一個或多個雙鍵或三鍵的經取代或未經取代的C2至C8脂肪族不飽和有機基、經取代或未經取代的C6至C20芳基、經取代或未經取代的C4至C20雜芳基、羰基、乙氧基、丙氧基或其組合， <br/>R<sup>a</sup>為經取代或未經取代的C1至C8烷基、經取代或未經取代的C3至C8環烷基、經取代或未經取代的C2至C8烯基、經取代或未經取代的C2至C8炔基、經取代或未經取代的C6至C20芳基或其組合，且 <br/>R<sup>b</sup>為氫、經取代或未經取代的C1至C8烷基、經取代或未經取代的C3至C8環烷基、經取代或未經取代的C2至C8烯基、經取代或未經取代的C2至C8炔基、經取代或未經取代的C6至C20芳基或其組合。
如請求項1所述的半導體光阻組合物，其中： <br/>所述含Sn有機金屬化合物由化學式5或化學式6表示： <br/>化學式5 <br/>R<sup>11</sup><sub>z</sub>SnO<sub>(2-(z/2)-(x/2))</sub>(OH)<sub>x</sub><br/>其中，在化學式5中， <br/>R<sup>11</sup>為C1至C31烴基，其中0 ＜ z ≤ 2，0 ＜ (z+x) ≤ 4； <br/>化學式6 <br/>R<sup>12</sup><sub>a1</sub>Sn<sub>b1</sub>X<sub>c1</sub>Y<sub>d1</sub><br/>其中，在化學式6中， <br/>R<sup>12</sup>為經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、包含一個或多個雙鍵或三鍵的經取代或未經取代的C2至C20脂肪族不飽和有機基、經取代或未經取代的C6至C30芳基、經取代或未經取代的C4至C30雜芳基、羰基、環氧乙烷基、環氧丙烷基或其組合， <br/>X為硫、硒或碲， <br/>Y為-OR<sup>l</sup>或-OC(=O)R<sup>m</sup>， <br/>其中R<sup>l</sup>為經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合， <br/>R<sup>m</sup>為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合，且 <br/>a1、b1、c1和d1各自獨立地為1至20的整數。
一種形成圖案的方法，包括： <br/>在基板上設置蝕刻目標膜； <br/>將如請求項1至請求項15中任一項所述的半導體光阻組合物塗覆在所述蝕刻目標膜上以形成光阻膜； <br/>對所述光阻膜進行圖案化以形成光阻圖案；以及 <br/>使用所述光阻圖案作為蝕刻遮罩對所述蝕刻目標膜進行蝕刻。
一種產生感興趣治療蛋白之方法，其包含： <br/>(A) 從細胞培養物中獲得測試樣本，該細胞培養物含有哺乳動物細胞，該哺乳動物細胞經工程化以產生該感興趣治療蛋白；以及 <br/>(B) 藉由小病毒分析該測試樣本之污染，其包含以下步驟： <br/>(a) 組合(i)正增幅對照質體(PAC)樣本，其中該PAC包含獨特人工質體-專一性序列(UAPS)及目標增幅聚核苷酸序列(TAP)，該TAP包含小病毒NS-1序列的全部或部分，(ii)獨特偵測探針(UDP)，(iii)TAP前置寡核苷酸引子，(iv)TAP反置寡核苷酸引子，(v)TAP偵測探針以及(vi)DNA聚合酶； <br/>(b) 組合(i)該測試樣本，(ii)UDP，(iii)TAP前置寡核苷酸引子，(iv)TAP反置寡核苷酸引子，(v)TAP偵測探針以及(vi)DNA聚合酶； <br/>(c) 使步驟(a)之經組合樣本及步驟(b)之經組合樣本經受聚合酶連鎖反應(PCR)； <br/>(d) 即時監測該PCR之TAP訊號的生成與UDP訊號的生成，該TAP訊號的生成係由該TAP偵測探針結合至該PAC中的該TAP序列或該小病毒中的TAP序列所造成，該UDP訊號的生成係由該UDP結合至該PAC中的UAPS所造成；以及 <br/>(e) 偵測該測試樣本中存在或不存在該小病毒，其中： <br/>i. 如果對該測試樣本沒有觀察到TAP訊號但是對該PAC樣本有觀察到TAP訊號，則該測試樣本不含該小病毒； <br/>ii 如果對該測試樣本有觀察到TAP訊號及UDP訊號，則該測試樣本係被部分的該PAC樣本所交叉污染；或 <br/>iii 如果對該測試樣本觀察到有TAP訊號但沒有UDP訊號，則該TAP訊號不是由PAC所導致的交叉污染且該測試樣本具有小病毒。
如請求項1之方法，其中該UAPS包含17至20個核苷酸的序列，以及不超過7至10個內部核苷酸以及不超過6個連續3’核苷酸係與任何小病毒相同，且其中該UAPS不會辨識或黏合至任何天然小病毒序列。
如請求項1或2之方法，其中該UDP進一步包含至少一個螢光基團以及至少一個淬滅子。
如請求項3之方法，其中該螢光基團係選自具有包含端點495 nm至680 nm間任意之激發波長以及包含端點515 nm至710 nm間任意之發射波長的螢光基團之群組。
如請求項1之方法，其中該小病毒NS-1序列係與SEQ ID NO: 12至37中任一者至少88%相同或與SEQ ID NO: 9至少97%相同。
如請求項1之方法，其中該TAP偵測探針進一步包含至少一個螢光基團以及至少一個淬滅子。
如請求項6之方法，其中該TAP訊號係在約533 nm至約580 nm處被監測。
如請求項1之方法，其中該PAC包含核酸萃取對照(NEC)核酸序列。
如請求項8之方法，其中該NEC核酸序列係M13噬菌體核苷酸序列。
如請求項8或9之方法，其中該測試樣本包含從該細胞培養物的細胞，且其中該測試樣本係經受： <br/>(i) 細胞溶離、蛋白水解及熱變性； <br/>(ii) 組合該樣本與一核酸對照；以及 <br/>(iii) 從該測試樣本萃取核酸。
如請求項10之方法，其中該核酸對照包含M13K07噬菌體。
如請求項10之方法，包含從反應器（reaction vessel）中偵測寡核苷酸萃取，其中步驟(a)至(b)進一步包含組合：(vii)NEC專一性前置寡核苷酸引子，(viii)NEC專一性反置寡核苷酸引子，以及(ix)NEC專一性寡核苷酸偵測引子，其中該NEC專一性寡核苷酸偵測引子結合至該PAC樣本中的該NEC序列或該測試樣本中的該核酸對照； <br/>(d) 進一步包含即時監測該PCR之NEC訊號的生成，該NEC訊號的生成係由該NEC專一性寡核苷酸偵測探針結合至該PAC樣本中或該測試樣本中的該NEC核苷酸序列所造成；且該方法進一步包含： <br/>(f) 偵測核酸萃取，其中 <br/>i. 如果對該測試樣本及對該PAC樣本觀察到有NEC訊號，但是對該測試樣本沒有觀察到UDP訊號，則該NEC訊號代表核酸萃取；或 <br/>ii 如果對該測試樣本有觀察到NEC訊號及UDP訊號，則該測試樣本係被部分的該PAC樣本所交叉污染。
如請求項12之方法，其中該NEC專一性寡核苷酸偵測引子包含花青染劑(cyanine dye)。
如請求項13之方法，其中該花青染劑係Cy5，該Cy5具有約650 nm最大吸收及約670 nm最大發射。
如請求項1之方法，包含在PCR試劑中存在或不存在該小病毒或部分的該PAC樣本，其包含 <br/>(g) 組合(i)緩衝樣本，(ii)UDP，(iii)TAP前置寡核苷酸引子，(iv)TAP反置寡核苷酸引子，(v)TAP偵測探針及(vi)DNA聚合酶； <br/>(h) 使被組合的緩衝樣本經受聚合酶連鎖反應(PCR)； <br/>(i) 即時監測該PCR之TAP訊號的生成與UDP訊號的生成，該TAP訊號的生成係由該TAP偵測探針結合至該PAC或該小病毒中的TAP序列所造成，該UDP訊號的生成係由該UDP結合至該PAC中的UAPS所造成； <br/>(j) 在PCR試劑中偵測存在或不存在該小病毒或該PAC，其中： <br/>i. 如果對該緩衝樣本觀察到沒有TAP訊號及沒有UDP訊號，則沒有PCR試劑被該小病毒或該PAC樣本的部分所污染； <br/>ii 如果對該緩衝樣本觀察到有TAP訊號及UDP訊號，則PCR試劑係被部分的該PAC樣本所污染；或 <br/>iii 如果對該緩衝樣本觀察到有TAP訊號但沒有UDP訊號，則PCR試劑係被該小病毒所污染。
如請求項1之方法，其中該哺乳動物細胞包含CHO細胞。
如請求項16之方法，其中該CHO細胞包含CHO-K1細胞。
如請求項1之方法，其中該感興趣治療蛋白包含抗體。
如請求項1之方法，其中該感興趣治療蛋白包含Fc區。
如請求項19之方法，其中該感興趣治療蛋白包含受體Fc-融合蛋白。
如請求項20之方法，其中該Fc-融合蛋白包含阱蛋白。
如請求項21之方法，其中該阱蛋白包含列洛西普(rilonacept)或阿柏西普(aflibercept)。
如請求項1之方法，其中該小病毒包含嚙齒類小病毒。
如請求項23之方法，其中該嚙齒類小病毒包括小鼠細小病毒(mouse minute virus)、小鼠小病毒1a(MPV-1a)、MPV-1B、MVP-1c、倉鼠小病毒、杜蘭氏小病毒(小病毒H-1)、基爾漢大鼠病毒、大鼠小病毒1a、大鼠小病毒(rate minute virus)及大鼠病毒之Umass株。
如請求項23之方法，其中該嚙齒類小病毒包括小鼠細小病毒。
一種聚合物，含有下式(a)表示之重複單元、及 <br/>來自含有具有聚合性基及經碘原子取代之芳香環結構之氟磺酸陰離子之鎓鹽化合物且因曝光產生酸之重複單元， <br/><img align="absmiddle" height="64px" width="94px" file="ed10268.jpg" alt="ed10268.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，m1為0或1，m2於m1為0時係0～3之整數，於m1為1時係0～5之整數， <br/>R<sup>A</sup>為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基， <br/>X<sup>A</sup>為單鍵、*-C(＝O)-O-或*-C(＝O)-NH-，*表示和主鏈之碳原子間之原子鍵， <br/>R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>各自獨立地為氫原子、或也可以含有雜原子之碳數1～20之烴基，又，R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結之碳原子一起形成環， <br/>R<sup>3</sup>為鹵素原子、羥基、氰基、硝基、也可以含有雜原子之碳數1～20之烴基、也可以含有雜原子之碳數1～20之烴氧基、也可以含有雜原子之碳數2～20之烴氧羰基、也可以含有雜原子之碳數1～20之烴硫基或-N(R<sup>3A</sup>)(R<sup>3B</sup>)，R<sup>3A</sup>及R<sup>3B</sup>各自獨立地為氫原子或碳數1～6之烴基，m2為2以上時，多個R<sup>3</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結之芳香環之碳原子一起形成環， <br/>L<sup>A</sup>為單鍵、碳數1～4之脂肪族伸烴基、羰基、磺醯基、或它們組合而獲得之基， <br/>L<sup>B</sup>及L<sup>C</sup>各自獨立地為氧原子或硫原子，惟L<sup>A</sup>及L<sup>C</sup>必須鍵結在芳香環之相鄰的碳原子。
如請求項1之聚合物，其中，L<sup>B</sup>及L<sup>C</sup>皆為氧原子。
如請求項1之聚合物，其中，L<sup>A</sup>為羰基。
如請求項1之聚合物，其中，該因曝光產生酸之重複單元以下式(b)表示， <br/><img align="absmiddle" height="48px" width="186px" file="ed10269.jpg" alt="ed10269.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，n1為0或1，n2為0或1，n3為0～4之整數，n4為0～4之整數，n5為1～6之整數，惟n2為0時1≦n4＋n5≦4，n2為1時係1≦n4＋n5≦6，n6為0～4之整數，n7為0或1，n8為0或1， <br/>R<sup>A</sup>為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基， <br/>R<sup>11</sup>為鹵素原子、硝基、也可以含有雜原子之碳數1～20之烴基、也可以含有雜原子之碳數1～20之烴氧基或也可以含有雜原子之碳數1～20之烴硫基，n3為2、3或4時，多個R<sup>11</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結之碳原子一起形成環， <br/>R<sup>12</sup>為碘原子以外之鹵素原子、硝基、也可以含有雜原子之碳數1～20之烴基、也可以含有雜原子之碳數1～20之烴氧基或也可以含有雜原子之碳數1～20之烴硫基，n4為2、3或4時，多個R<sup>12</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結之碳原子一起形成環， <br/>L<sup>D</sup>、L<sup>E</sup>及L<sup>F</sup>各自獨立地為單鍵、醚鍵、酯鍵、磺酸酯鍵、磺醯胺鍵、碳酸酯鍵或胺甲酸酯鍵， <br/>X<sup>L</sup>為單鍵、或也可以含有雜原子之碳數1～40之伸烴基， <br/>Q<sup>1</sup>及Q<sup>2</sup>各自獨立地為氫原子、氟原子或碳數1～6之氟化飽和烴基， <br/>Q<sup>3</sup>及Q<sup>4</sup>各自獨立地為氟原子或碳數1～6之氟化飽和烴基， <br/>Z<sup>+</sup>為鎓陽離子。
如請求項4之聚合物，其中，式(b)表示之重複單元係以下式(b1)表示， <br/><img align="absmiddle" height="41px" width="163px" file="ed10270.jpg" alt="ed10270.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>A</sup>、R<sup>11</sup>、R<sup>12</sup>、L<sup>D</sup>、L<sup>F</sup>、Q<sup>1</sup>～Q<sup>4</sup>、n1～n6及Z<sup>+</sup>同前所述。
如請求項5之聚合物，其中，式(b1)表示之重複單元以下式(b2)表示， <br/><img align="absmiddle" height="41px" width="163px" file="ed10275.jpg" alt="ed10275.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>A</sup>、R<sup>11</sup>、R<sup>12</sup>、L<sup>D</sup>、Q<sup>1</sup>、Q<sup>2</sup>、n1～n6及Z<sup>+</sup>同前所述。
如請求項4之聚合物，其中，Z<sup>+</sup>為下式(cation-1)表示之鋶陽離子或下式(cation-2)表示之錪陽離子， <br/><img align="absmiddle" height="31px" width="101px" file="ed10271.jpg" alt="ed10271.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>ct1</sup>～R<sup>ct5</sup>各自獨立地為鹵素原子、或也可以含有雜原子之碳數1～30之烴基，又，R<sup>ct1</sup>及R<sup>ct2</sup>亦可互相鍵結並和它們所鍵結之硫原子一起形成環。
如請求項1之聚合物，更含有下式(c1)表示之重複單元， <br/><img align="absmiddle" height="42px" width="66px" file="ed10272.jpg" alt="ed10272.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>A</sup>為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基， <br/>X<sup>1</sup>為單鍵、*-C(＝O)-O-或*-C(＝O)-NH-，*表示和主鏈之碳原子間之原子鍵， <br/>R<sup>21</sup>為鹵素原子、硝基、氰基、也可以含有雜原子之碳數1～20之烴基、也可以含有雜原子之碳數1～20之烴氧基、也可以含有雜原子之碳數2～20之烴羰基、也可以含有雜原子之碳數2～20之烴羰氧基或也可以含有雜原子之碳數2～20之烴氧羰基， <br/>a為1～4之整數，b為0～3之整數，惟1≦a＋b≦5。
如請求項1之聚合物，更含有下式(d1)或(d2)表示之重複單元， <br/><img align="absmiddle" height="53px" width="83px" file="ed10273.jpg" alt="ed10273.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>A</sup>各自獨立地為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基， <br/>Y<sup>1</sup>為單鍵、伸苯基、伸萘基、*-C(＝O)-O-Y<sup>11</sup>-或*-C(＝O)-NH-Y<sup>11</sup>-，該伸苯基或伸萘基也可被羥基、硝基、氰基、亦可含有氟原子之碳數1～10之烷氧基或鹵素原子取代，Y<sup>11</sup>為碳數1～10之飽和伸烴基、伸苯基或伸萘基，該飽和伸烴基也可含有羥基、醚鍵、酯鍵或內酯環， <br/>Y<sup>2</sup>為單鍵、*-C(＝O)-O-或*-C(＝O)-NH-， <br/>*表示和主鏈之碳原子間之原子鍵， <br/>AL<sup>1</sup>及AL<sup>2</sup>各自獨立地為酸不安定基， <br/>R<sup>31</sup>為鹵素原子、氰基、羥基、硝基、也可以含有雜原子之碳數1～20之烴基、也可以含有雜原子之碳數1～20之烴氧基、也可以含有雜原子之碳數2～20之烴羰基、也可以含有雜原子之碳數2～20之烴羰氧基或也可以含有雜原子之碳數2～20之烴氧羰基， <br/>c為0～4之整數。
如請求項1之聚合物，更含有下式(e1)表示之重複單元， <br/><img align="absmiddle" height="39px" width="66px" file="ed10274.jpg" alt="ed10274.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>A</sup>為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基， <br/>Z<sup>1</sup>為單鍵、伸苯基、伸萘基、*-C(＝O)-O-Z<sup>11</sup>-或*-C(＝O)-NH-Z<sup>11</sup>-，該伸苯基或伸萘基也可被羥基、硝基、氰基、亦可含有氟原子之碳數1～10之烷氧基或鹵素原子取代，*表示和主鏈之碳原子間之原子鍵，Z<sup>11</sup>為碳數1～10之飽和伸烴基、伸苯基或伸萘基，該飽和伸烴基也可含有羥基、醚鍵、酯鍵或內酯環， <br/>R<sup>41</sup>為氫原子、或含有選自苯酚性羥基以外之羥基、氰基、羰基、羧基、醚鍵、酯鍵、磺酸酯鍵、碳酸酯鍵、內酯環、磺內酯環及羧酸酐(-C(＝O)-O-C(＝O)-)中之至少1個以上之結構之碳數1～20之基。
一種化學增幅阻劑組成物，包含(A)含有如請求項1至10中任一項之聚合物之基礎聚合物。
如請求項11之化學增幅阻劑組成物，更包含(B)淬滅劑。
如請求項11之化學增幅阻劑組成物，更包含(C)有機溶劑。
如請求項11之化學增幅阻劑組成物，更包含(D)酸產生劑。
如請求項11之化學增幅阻劑組成物，更包含(E)界面活性劑。
如請求項11之化學增幅阻劑組成物，更包含(F)溶解抑制劑。
一種圖案形成方法，包含下列步驟： <br/>使用如請求項11之化學增幅阻劑組成物在基板上形成阻劑膜， <br/>將該阻劑膜以高能射線進行曝光，及 <br/>將該經曝光之阻劑膜使用顯影液顯影。
如請求項17之圖案形成方法，其中， <br/>該高能射線為波長193nm之ArF準分子雷射光或波長248nm之KrF準分子雷射光、電子束或波長3～15nm之極紫外線。
一種晶片封裝體，包括： <br/>一裝置基底，具有一主動表面及一背側表面，其中該裝置基底包括一第一開口及一第二開口，自該背側表面穿過該裝置基底延伸至該主動表面； <br/>至少一信號/電源接墊，設置於該背側表面上；以及 <br/>一圖案化金屬平板，設置於該背側表面上，且圍繞及隔開該信號/電源接墊，其中該圖案化金屬平板內包括複數個第一狹縫開口，露出該背側表面，且沿一第一方向延伸而彼此平行排列。
如請求項1之晶片封裝體， 更包括： <br/>至少一接地連接器，設置於該圖案化金屬平板的一表面上，並與其電性連接。
如請求項1之晶片封裝體，其中該圖案化金屬平板內更包括： <br/>複數個第二狹縫開口，露出該背側表面，且沿不同於該第一方向的一第二方向延伸而彼此平行排列。
如請求項3之晶片封裝體，其中該等第二狹縫開口中至少一個第二狹縫開口延伸至該等第一狹縫開口中的一個第一狹縫開口，而在上視角度中形成T型或L型狹縫開口。
如請求項3所述之晶片封裝體，其中該等第二狹縫開口中至少一個第二狹縫開口位於該等第一狹縫開口中二個相鄰的第一狹縫開口之間，並延伸至該等相鄰的第一狹縫開口，而在上視角度中形成H型或I型狹縫開口。
如請求項1之晶片封裝體，更包括： <br/>一間隔層，設置於該裝置基底的主動表面的上方； <br/>一蓋板，覆蓋該間隔層，以形成一空腔位於該裝置基底與該蓋板之間，且該空腔由該間隔層所包圍；以及 <br/>一第一重佈線層與一第二重佈線層，分別設置於該第一開口與該第二開口內，其中該第一重佈線層從該第一開口延伸至該信號/電源接墊，而該第二重佈線層從該第二開口延伸至該圖案化金屬平板。
如請求項6之晶片封裝體，其中該第一開口及該第二開口位於該空腔的正下方，使得從上視角度來看，該間隔層的內側壁與該第一開口及該第二開口橫向隔開。
如請求項1之晶片封裝體，更包括： <br/>一第一導電墊結構及一第二導電墊結構，鄰近於該裝置基底的該主動表面，且分別對應於該第一開口及該第二開口，其中該第一導電墊結構及該第二導電墊結構各自包括： <br/>一絕緣層，具有由該裝置基底的該主動表面所定義出的一上表面； <br/>一第一金屬層，位於該絕緣層內，且具有複數個第一貫通孔排列成一第一陣列；以及 <br/>一第二金屬層，位於該絕緣層內，堆疊於該第一金屬層上方，且具有複數個第二貫通孔排列成一第二陣列，其中從上視角度來看，該第二陣列相對於該第一陣列橫向偏移，使得該等第二貫通孔不與該等第一貫通孔重疊。
如請求項8之晶片封裝體，更包括： <br/>一第一重佈線層及一第二重佈線層，分別設置於該第一開口與該第二開口內，且延伸至該絕緣層內，以直接接觸該第一金屬層與位於該等第一貫通孔內的該絕緣層部分。
如請求項8之晶片封裝體，更包括： <br/>一第一重佈線層及一第二重佈線層，分別設置於該第一開口與該第二開口內，且延伸至該絕緣層內，以直接接觸該第一金屬層，並填入該等第一貫通孔內而直接接觸該第二金屬層。
一種晶片封裝體，包括： <br/>一裝置基底，具有一主動表面及一背側表面，其中該裝置基底包括一開口，自該背側表面穿過該裝置基底延伸至該主動表面； <br/>一絕緣層，設置於該裝置基底上，且具有由該裝置基底的該主動表面所定義出的一上表面； <br/>一第一金屬層，位於該絕緣層內，且具有複數個第一貫通孔，排列成一第一陣列；以及 <br/>一第二金屬層，位於該絕緣層內，堆疊於該第一金屬層上方，且具有複數個第二貫通孔，排列成一第二陣列，其中從上視角度來看，該第二陣列相對於該第一陣列橫向偏移，使得該等第二貫通孔不與該等第一貫通孔重疊。
如請求項11之晶片封裝體，更包括： <br/>一重佈線層，設置於該開口內，並延伸至該絕緣層內，以直接接觸該第一金屬層以及位於該等第一貫通孔內的該絕緣層部分。
如請求項11之晶片封裝體，更包括： <br/>一重佈線層，設置於該開口內，並延伸至該絕緣層內，以直接接觸該第一金屬層，且填入該等第一貫通孔內而直接接觸該第二金屬層。
如請求項11之晶片封裝體，更包括： <br/>一第三金屬層，位於該絕緣層內，堆疊於該第二金屬層上方，且具有複數個第三貫通孔，排列成一第三陣列。
如請求項14之晶片封裝體，其中從上視角度來看，該第三陣列與該第二陣列重疊，使得該等第三貫通孔與該等第二貫通孔重疊。
如請求項14之晶片封裝體，其中從上視角度來看，該第三陣列相對於該第一陣列縱向偏移，使得該等第三貫通孔不與該等第一貫通孔重疊。
如請求項11之晶片封裝體，更包括： <br/>一間隔層，設置於該絕緣層上方；以及 <br/>一蓋板，覆蓋該間隔層，以形成一空腔位於該裝置基底與該蓋板之間，且該空腔由該間隔層所包圍； <br/>其中該開口位於該空腔的正下方，使得從上視角度看，該間隔層的內側壁與該開口橫向隔開。
一種晶片封裝體，包括： <br/>一裝置基底，具有一主動表面及一背側表面，其中該裝置基底包括一開口，自該背側表面穿過該裝置基底延伸至該主動表面； <br/>一絕緣層，設置於該裝置基底上，且具有由該裝置基底的該主動表面所定義出的一上表面； <br/>一間隔層，設置於該絕緣層上方；以及 <br/>一蓋板，覆蓋該間隔層，以形成一空腔於該裝置基底與該蓋板之間，且該空腔由該間隔層所包圍； <br/>其中該開口位於該空腔的正下方，使得從上視角度看，該間隔層的內側壁與該開口橫向隔開。
如請求項18之晶片封裝體，更包括： <br/>一金屬墊，位於該絕緣層內，且具有複數個第一貫通孔排列成一第一陣列，其中該開口延伸至該絕緣層內，以露出該金屬墊；以及 <br/>一重佈線層，設置於該開口內，且延伸至該絕緣層內，以直接接觸該金屬墊。
如請求項19之晶片封裝體，更包括： <br/>一金屬層，位於該金屬墊上方的該絕緣層內，且具有複數個第二貫通孔排列成一第二陣列； <br/>其中從上視角度來看，該第二陣列相對於該第一陣列偏移，使得該等第二貫通孔不與該等第一貫通孔重疊；以及 <br/>其中該重佈線層延伸至該等第一貫通孔內，以直接接觸該金屬層。
一種多狀態脈衝方法，包含：<br/> 接收一同步化訊號；<br/> 從該同步化訊號識別複數個週期；及<br/> 於該複數個週期之一者期間，透過控制第一射頻(RF)產生器產生具有第一複數狀態的第一RF訊號及控制第二RF產生器產生具有第二複數狀態的第二RF訊號，以產生第一複數電漿阻抗狀態，其中該第一複數狀態的各者提供該第一RF訊號的變數的一個別最大振幅，且該第二複數狀態的各者提供該第二RF訊號的該變數的一個別最大振幅，其中該第一複數狀態及該第二複數狀態在該複數個週期的另一者期間重複；以及<br/> 透過將該第一RF訊號的轉變時間從該第一複數狀態的第一者改變為該第一複數狀態的第二者，以將該第一複數電漿阻抗狀態修改至第二複數電漿阻抗狀態。
如請求項1之多狀態脈衝方法，其中該接收係由該第一RF產生器所執行，<br/> 其中該同步化訊號為週期性重複且具有該複數個週期的一數位脈衝訊號，其中該複數個週期的各者具有一工作週期。
如請求項1之多狀態脈衝方法，其中識別該複數個週期包含識別該複數個週期的一第一者及該複數個週期的一第二者，其中識別該複數個週期的該第一者及該複數個週期的該第二者包含識別該複數個週期的該第一者之開始時間及停止時間、以及該複數個週期的該第二者之開始時間及停止時間。
如請求項1之多狀態脈衝方法，其中該第一RF訊號具有四或更多個變數位準，其中該四或更多個變數位準之各者為參數位準，其中該四或更多個參數位準的各者具有複數個振幅，其中該第一RF訊號的該變數的該個別最大振幅為該四或更多個參數位準的個別一者處之該複數個振幅的最大值，其中該第一RF訊號的該變數的該個別最大振幅為該第一RF訊號的複數包絡中的一者。
如請求項1之多狀態脈衝方法，其中該第一RF訊號具有四或更多個變數位準，其中該四或更多個變數位準之各者為不同的水平位準，其中該第一複數電漿阻抗狀態被修改以達成第二複數電漿阻抗狀態，其中該第一RF訊號為振盪訊號，該方法包含：<br/> 透過將該第二RF訊號的轉變時間從該第二複數狀態的第一者改變為該第二複數狀態的第二者，以將該第二複數電漿阻抗狀態修改至第三複數電漿阻抗狀態。
如請求項1之多狀態脈衝方法，其中該變數為頻率或功率，其中該第一RF訊號為振盪訊號，其中該第一RF訊號待被供應至電漿腔室的RF線圈，而該第二RF訊號待被供應至該電漿腔室的下電極。
如請求項1之多狀態脈衝方法，其中於該複數個週期之該一者期間，該第一RF訊號從四或更多個變數位準之一第一者轉變成該四或更多個變數位準之一第二者、從該四或更多個變數位準之該第二者轉變成該四或更多個變數位準之一第三者、從該四或更多個變數位準之該第三者轉變成該四或更多個變數位準之一第四者。
如請求項1之多狀態脈衝方法，其中該第一RF訊號具有四或更多個變數位準，其中該四或更多個變數位準之一第一者的該最大振幅大於該四或更多個變數位準之一第二者的該最大振幅。
一種多狀態脈衝方法，包含：<br/> 接收一同步化訊號；<br/> 從該同步化訊號識別複數個週期；及<br/> 產生於該複數個週期之一者期間具有四或更多個變數位準的一射頻(RF)訊號，其中該四或更多個變數位準的各者提供該RF訊號的一最大振幅，其中該四或更多個變數位準在該複數個週期的另一者期間重複，<br/> 其中於該複數個週期之該一者期間，該RF訊號從該四或更多個變數位準之一第一者轉變成該四或更多個變數位準之一第二者、從該四或更多個變數位準之該第二者轉變成該四或更多個變數位準之一第三者、該四或更多個變數位準之該第三者轉變成該四或更多個變數位準之一第四者；<br/> 控制從該四或更多個變數位準之該第一者至該四或更多個變數位準之該第二者的轉變之斜率；<br/> 控制從該四或更多個變數位準之該第二者至該四或更多個變數位準之該第三者的轉變之斜率；及<br/> 控制從該四或更多個變數位準之該第三者至該四或更多個變數位準之該第四者的轉變之斜率。
一種多狀態脈衝用系統，包含：<br/> 一第一處理器，配置成接收一同步化訊號，<br/> 其中該第一處理器係配置成從該同步化訊號識別複數個週期；及<br/> 一第一射頻(RF)電源，<br/> 一第二處理器，配置成接收該同步化訊號，<br/> 其中該第二處理器係配置成從該同步化訊號識別該複數個週期；及<br/> 一第二RF電源，<br/> 其中該第一處理器係配置成控制該第一RF電源且該第二處理器係配置成控制該第二RF電源，以在該複數個週期之一者期間產生第一複數電漿阻抗狀態，其中該第一RF電源被控制以產生具有第一複數狀態的第一RF訊號，而該第二RF電源被控制以產生具有第二複數狀態的第二RF訊號，<br/> 其中該第一複數狀態之各者提供該第一RF訊號的變數的個別最大振幅，且該第二複數狀態的各者提供該第二RF訊號的該變數的個別最大振幅，其中該第一複數狀態及該第二複數狀態之各者在該複數個週期之另一者期間重複，且該第一處理器係配置成透過將該第一RF訊號的轉變時間從該第一複數狀態的第一者改變為該第一複數狀態的第二者，以將該第一複數電漿阻抗狀態修改至第二複數電漿阻抗狀態。
如請求項10之多狀態脈衝用系統，其中該同步化訊號為週期性重複且具有該複數個週期的一數位脈衝訊號，其中該複數個週期的各者具有一工作週期。
如請求項10之多狀態脈衝用系統，其中為了識別該複數個週期，該第一處理器係配置成識別該複數個週期的一第一者及該複數個週期的一第二者，其中為了識別該複數個週期的該第一者及該複數個週期的該第二者，該第一處理器係配置成識別該複數個週期的該第一者之開始時間及停止時間、以及該複數個週期的該第二者之開始時間及停止時間。
如請求項10之多狀態脈衝用系統，其中該第一RF訊號具有四或更多個變數位準，其中該四或更多個變數位準之各者為參數位準，其中該四或更多個參數位準的各者具有複數個振幅，其中該第一RF訊號的該變數的該個別最大振幅為該四或更多個參數位準的個別一者處之該複數個振幅的最大值，其中該第一RF訊號的該變數的該個別最大振幅為該第一RF訊號的複數包絡中的一者。
如請求項10之多狀態脈衝用系統，其中該第一RF訊號具有四或更多個變數位準，其中該四或更多個變數位準之各者為不同的水平位準，其中該第一RF訊號為振盪訊號。
如請求項10之多狀態脈衝用系統，其中該第一RF訊號具有四或更多個變數位準，其中該四或更多個變數位準之該各者為頻率位準或功率位準。
如請求項10之多狀態脈衝用系統，其中於該複數個週期之該一者期間，該第一處理器係配置成控制該第一RF電源，以從四或更多個變數位準之一第一者轉變成該四或更多個變數位準之一第二者、從該四或更多個變數位準之該第二者轉變成該四或更多個變數位準之一第三者、從該四或更多個變數位準之該第三者轉變成該四或更多個變數位準之一第四者。
如請求項10之多狀態脈衝用系統，其中該第一RF訊號具有四或更多個變數位準，其中該四或更多個變數位準之一第一者的該最大振幅大於該四或更多個變數位準之一第二者的該最大振幅。
一種多狀態脈衝用控制器，包含：<br/> 一處理器，其係配置成產生一同步化訊號，其中該同步化訊號包含複數個週期，<br/> 其中該處理器係配置成在該複數個週期之一者期間，透過控制第一射頻(RF)產生器產生具有第一複數狀態的第一RF訊號及控制第二RF產生器產生具有第二複數狀態的第二RF訊號，以產生第一複數電漿阻抗狀態，其中該第一複數狀態之各者提供該第一RF訊號的變數的個別最大振幅，且該第二複數狀態的各者提供該第二RF訊號的該變數的個別最大振幅，其中該第一複數狀態及該第二複數狀態的各者在該複數個週期之另一者期間重複，且其中該處理器係配置成透過將該第一RF訊號的轉變時間從該第一複數狀態的第一者改變為該第一複數狀態的第二者，以將該第一複數電漿阻抗狀態修改至第二複數電漿阻抗狀態；及<br/> 一記憶體裝置，耦接至該處理器。
如請求項18之多狀態脈衝用控制器，其中該同步化訊號為週期性重複且具有該複數個週期的一數位脈衝訊號，其中該複數個週期的各者具有一工作週期。
如請求項18之多狀態脈衝用控制器，其中該複數個週期包含該複數個週期之一第一者及該複數個週期之一第二者，其中該複數個週期之該第一者包含開始時間及停止時間，且該複數個週期之該第二者包含開始時間及停止時間。
如請求項18之多狀態脈衝用控制器，其中該第一RF訊號具有四或更多個變數位準，其中該四或更多個變數位準之各者為參數位準，其中該四或更多個參數位準的各者具有複數個振幅，其中該第一RF訊號的該變數的該個別最大振幅為該四或更多個變數位準的個別一者處之該複數個振幅的最大值，其中該第一RF訊號的該變數的該個別最大振幅為該第一RF訊號的複數包絡中的一者。
一種在電漿工具之多個元件之間傳送資訊的方法，包含：<br/> 在一射頻(RF)產生器處接收一或更多個乙太網控制自動化技術(Ethernet for Control Automation Technology, EtherCAT)訊框，其中該RF產生器為該電漿工具之該多個元件其中一者；<br/> 由該RF產生器從該一或更多個EtherCAT訊框擷取複數個變數位準；<br/> 由該RF產生器產生一RF訊號，該RF訊號具有針對一同步化訊號之一週期的該複數個變數位準；<br/> 識別該一或更多個EtherCAT訊框之目的地位址；及<br/> 將該一或更多個EtherCAT訊框傳送至在該目的地位址處的該多個元件其中另一者。
如請求項22之在電漿工具之多個元件之間傳送資訊的方法，其中該複數個變數位準包含一第一變數位準、一第二變數位準、一第三變數位準、及一第四變數位準，其中於該週期的期間，該RF訊號從該第一變數位準轉變至該第二變數位準、從該第二變數位準轉變至該第三變數位準、且從該第三變數位準轉變至該第四變數位準。
如請求項22之在電漿工具之多個元件之間傳送資訊的方法，更包含識別該一或更多個EtherCAT訊框其中一者內的該RF產生器之位址，其中該擷取包含從具有該位址之欄位與具有該多個元件其中該另一者之另一位址的欄位之間的一欄位獲取該複數個變數位準。
如請求項22之在電漿工具之多個元件之間傳送資訊的方法，其中該多個元件其中該另一者包含耦接至該RF產生器的一阻抗匹配電路。
如請求項22之在電漿工具之多個元件之間傳送資訊的方法，其中該複數個變數位準之各者為頻率位準或功率位準。
如請求項22之在電漿工具之多個元件之間傳送資訊的方法，其中該一或更多個EtherCAT訊框係接收自一處理器，該方法更包含：<br/> 從該多個元件其中該另一者接收該一或更多個EtherCAT訊框；及<br/> 將該一或更多個EtherCAT訊框傳送至該處理器。
如請求項22之在電漿工具之多個元件之間傳送資訊的方法，其中該一或更多個EtherCAT訊框之各者具有用於從該RF產生器接收量測資料的欄位、及包含提供至該RF產生器之該複數個變數位準的欄位。
一種射頻(RF)產生器，包含：<br/> 一通訊控制器，其係配置成接收一或更多個乙太網控制自動化技術(Ethernet for Control Automation Technology, EtherCAT)訊框，其中該RF產生器為一電漿工具之多個元件其中一者，<br/> 其中該通訊控制器係配置成從該一或更多個EtherCAT訊框擷取複數個變數位準；及<br/> 一RF電源，耦接至該通訊控制器，其中該RF電源配置成產生一RF訊號，該RF訊號具有針對一同步化訊號之一週期的該複數個變數位準，<br/> 其中該通訊控制器配置成識別該一或更多個EtherCAT訊框之目的地位址，且<br/> 其中該通訊控制器配置成將該一或更多個EtherCAT訊框傳送至在該目的地位址處的該多個元件其中另一者。
如請求項29之射頻(RF)產生器，其中該複數個變數位準包含一第一變數位準、一第二變數位準、一第三變數位準、及一第四變數位準，其中於該週期的期間，該RF訊號從該第一變數位準轉變至該第二變數位準、從該第二變數位準轉變至該第三變數位準、且從該第三變數位準轉變至該第四變數位準。
如請求項29之射頻(RF)產生器，其中該通訊控制器配置成識別該一或更多個EtherCAT訊框其中一者內的該RF產生器之位址，其中為了擷取該複數個變數位準，該通訊控制器配置成從具有該位址之欄位與具有該多個元件其中該另一者之另一位址的欄位之間的一欄位獲取該複數個變數位準。
如請求項29之射頻(RF)產生器，其中該多個元件其中該另一者包含耦接至該RF產生器的一阻抗匹配電路。
如請求項29之射頻(RF)產生器，其中該複數個變數位準之各者為頻率位準或功率位準。
如請求項29之射頻(RF)產生器，其中該一或更多個EtherCAT訊框係接收自一處理器，該通訊控制器係配置成：<br/> 從該多個元件其中該另一者接收該一或更多個EtherCAT訊框；及<br/> 將該一或更多個EtherCAT訊框傳送至該處理器。
如請求項29之射頻(RF)產生器，其中該RF產生器包含耦接至該通訊控制器的一處理器，其中該一或更多個EtherCAT訊框之各者具有用於從該RF產生器之該處理器接收資料的欄位、及包含提供至該RF產生器之該處理器之該複數個變數位準的欄位。
一種線路基板，包括：<br/> 一核心板，具有彼此相對的一第一表面以及一第二表面；<br/> 多個彼此堆疊的第一介電層，設置於該核心板的該第一表面上，其中各該第一介電層由一第一材料形成，且具有一第一厚度；<br/> 多個彼此堆疊的第二介電層，設置於該核心板上，且使該些第一介電層設置於該些第二介電層上，其中各該第二介電層由一第二材料形成，且具有一第二厚度；以及<br/> 一第一導線，設置於該些第一介電層以及該些第二介電層中，其中該第一導線包括：<br/> 一第一線段，設置於該些第一介電層之間，該第一線段具有一第一線寬；<br/> 一第二線段，設置於該些第二介電層之間，該第二線段具有一第二線寬，其中該第二線寬大於該第一線寬；<br/> 多個彼此堆疊的第一導電孔，貫穿該些第一介電層，且連接該第一線段；<br/> 多個彼此堆疊的第二導電孔，貫穿該些第二介電層，且連接該些第一導電孔以及該第二線段；以及<br/> 一第二導線，設置於該些第一介電層以及該些第二介電層中，且與該第一導線並排設置，其中該第二導線包括：<br/> 一第三線段，設置於該些第一介電層之間，且實質平行於該第一線段；<br/> 一第四線段，設置於該些第二介電層之間，且實質平行於該第二線段；<br/> 多個彼此堆疊的第四導電孔，貫穿該些第一介電層，且連接該第三線段；以及<br/> 多個彼此堆疊的第五導電孔，貫穿該些第二介電層，且連接該些第四導電孔以及該第四線段。
如請求項1所述之線路基板，其中該第一材料不同於該第二材料。
如請求項1所述之線路基板，其中該第一厚度小於該第二厚度。
如請求項1所述之線路基板，其中該第二厚度與該第一厚度的比值大於或等於1.5。
如請求項1所述之線路基板，其中該第一線段具有一第一線長，該第二線段具有一第二線長，且該第二線長介於該第一線長與該第二線長的總和的20%與85%之間。
如請求項1所述之線路基板，其中該第一線段位於一第一層別，該第二線段位於一第二層別，該線路基板更包括：<br/> 位於該第一層別的一第一接地層，與該第一線段隔開且圍繞該第一線段；<br/> 位於該第二層別的一第二接地層，與該第二線段隔開且圍繞該第二線段；以及<br/> 多個彼此堆疊的接地導電孔，貫穿該些第一介電層與該些第二介電層，且連接該第一接地層以及該第二接地層。
如請求項1所述之線路基板，其中該些第二介電層設置於該核心板的該第一表面與該些第一介電層之間。
如請求項1所述之線路基板，其中該些第二介電層設置於該核心板的該第一表面以及該第二表面上，且使該些第二介電層的一部分設置於該核心板的該第一表面與該些第一介電層之間。
如請求項1所述之線路基板，其中該第二線段設置於該核心板的該第一表面或該第二表面上。
如請求項1所述之線路基板，其中該核心板具有一核心導電通孔，貫穿該核心板，且連接該些第二導電孔。
如請求項10所述之線路基板，更包括：<br/> 多個彼此堆疊的第三介電層，設置於該核心板的該第二表面上，其中各該第三介電層由該第一材料形成，且具有該第一厚度，<br/> 其中該第一導線包括：<br/> 多個彼此堆疊的第三導電孔，貫穿該些第三介電層，且連接該些第二導電孔。
如請求項1所述之線路基板，其中該第一導線包括耦接於一發送端或一接收端的單一傳輸線，用以傳輸從該發送端傳送的第一訊號，或傳輸第一訊號至該接收端。
如請求項1所述之線路基板，其中該第四線段的線長大於該第二線段的線長。
如請求項1所述之線路基板，其中該第一導線為耦接於一發送端的單一傳輸線，用以傳輸從該發送端傳送的第一訊號，且該第二導線為耦接於一接收端的單一傳輸線，用以傳輸第二訊號至該接收端。
如請求項1所述之線路基板，其中該第一導線以及該第二導線皆耦接於一發送端或一接收端，以構成一對差動訊號傳輸線。
如請求項1所述之線路基板，更包括：<br/> 一第三導線，設置於該些第一介電層以及該些第二介電層中，該第三導線實質平行於該第一導線，且使該第三導線位於該第一導線以及該第二導線之間，其中該第一導線與該第三導線具有相同的結構；以及<br/> 一第四導線，設置於該些第一介電層以及該些第二介電層中，且實質平行於該第二導線，且使該第四導線位於該第二導線以及該第三導線之間，其中該第二導線與該第四導線具有相同的結構。
如請求項16所述之線路基板，其中該第一導線以及該第三導線皆耦接於一發送端，以構成一第一對差動訊號傳輸線，其中該第二導線以及該第四導線皆耦接於一接收端，以構成一第二對差動訊號傳輸線。
如請求項17所述之線路基板，其中該第一導線以及該第三導線的該些第一線段位於一第一層別，該第一導線以及該第三導線的該些第二線段位於一第二層別，且其中該第二導線以及該第四導線的該些第三線段位於一第三層別，該第二導線以及該第四導線的該些第四線段位於一第四層別。
一種用於一製程腔室的上電極裝置，其中，包括一射頻線圈和一阻抗調節件，該射頻線圈用於纏繞在該製程腔室的一屏蔽筒之外，該屏蔽筒用於套設於該製程腔室的一等離子體發生腔之外；該阻抗調節件與該射頻線圈串聯，且該阻抗調節件用於在該製程腔室的一點火階段和一反應階段被調節爲不同阻抗值，其中該屏蔽筒設有多個沿該屏蔽筒軸向延伸的縫隙，多個該縫隙在該屏蔽筒的圓周方向間隔分布。
如請求項1所述的上電極裝置，其中，該射頻線圈的第一端用於與該製程腔室的一射頻電源電連接，該射頻線圈的第二端用於通過該阻抗調節件接地。
如請求項2所述的上電極裝置，其中，該阻抗調節件爲至少一個，該阻抗調節件在該點火階段的阻抗值大於Z<sub>coil</sub>，該Z<sub>coil</sub>爲該射頻線圈的阻抗值，並且該阻抗調節件在該反應階段的阻抗值大於0且小於Z<sub>coil</sub>；或者， <br/>該阻抗調節件在該反應階段的阻抗值大於0.4Z<sub>coil</sub>且小於0.6Z<sub>coil</sub>；或者， <br/>該阻抗調節件在該反應階段的阻抗值等於0.5 Z<sub>coil</sub>。
如請求項1所述的上電極裝置，其中，該射頻線圈的第一端用於與該製程腔室的一射頻電源電連接，該射頻線圈的第二端用於接地，該阻抗調節件包括至少一個第一子阻抗調節件，該射頻線圈包括串聯的至少兩個線圈段，各個該第一子阻抗調節件串聯連接在相鄰的兩個該線圈段之間。
如請求項4所述的上電極裝置，其中，該阻抗調節件還包括一第二子阻抗調節件，該第二子阻抗調節件用於連接在該射頻線圈的第二端與地之間。
如請求項5所述的上電極裝置，其中，在該點火階段，該第一子阻抗調節件和該第二子阻抗調節件的阻抗值均大於Z<sub>coil</sub>，該Z<sub>coil</sub>爲該射頻線圈的阻抗值； <br/>在該反應階段，該第一子阻抗調節件和該第二子阻抗調節件的阻抗值均大於0且小於Z<sub>coil</sub>。
如請求項5所述的上電極裝置，其中，該第一子阻抗調節件爲多個，各個該第一子阻抗調節件的阻抗值均相等，且大於該第二子阻抗調節件的阻抗值。
如請求項5所述的上電極裝置，其中，該第一子阻抗調節件的阻抗值爲Z<sub>coil</sub>/n，該第二子阻抗調節件的阻抗值爲Z<sub>coil/</sub>2n，其中，n爲該第一子阻抗調節件的數量和該第二子阻抗調節件的數量之和。
如請求項5所述的上電極裝置，其中，該第一子阻抗調節件和該第二子阻抗調節件均與該縫隙錯位分布。
如請求項1所述的上電極裝置，其中，該上電極裝置還包括一驅動機構，該阻抗調節件包括一第一電容極板和一第二電容極板，該驅動機構與該第一電容極板和該第二電容極板中的至少一者相連，該驅動機構用於驅動該第一電容極板和該第二電容極板中的至少一者運動，以調節該第一電容極板和該第二電容極板之間的距離和相對面積中的至少一者來調節該阻抗調節件的電容值。
如請求項1所述的上電極裝置，其中，多個該縫隙在該圓周方向均勻間隔分布，該縫隙在其軸向上兩端位置處的寬度大於該兩端之間的預定位置的寬度，該射頻線圈纏繞在該屏蔽筒的外周側並在軸向上位於該縫隙的預定位置處。
如請求項1所述的上電極裝置，其中，多個該縫隙在該圓周方向均勻間隔分布，該屏蔽筒開設有多個擴口窗，該多個擴口窗與多個該縫隙沿軸向上的端部對應地連通，該多個擴口窗在該屏蔽筒的圓周方向的尺寸大於該縫隙在該屏蔽筒圓周方向的尺寸。
如請求項1所述的上電極裝置，其中，該屏蔽筒包括多個接地部，該多個接地部位於該屏蔽筒的底端，且沿該屏蔽筒的圓周方向均勻分布。
一種製程腔室，其中，包括一等離子體發生腔、一製程反應腔、一屏蔽筒和請求項1至13中任一項所述的上電極裝置，該製程反應腔與該等離子體發生腔連通。
如請求項14所述的製程腔室，其中，該製程腔室還包括一屏蔽盒，該等離子體發生腔、該屏蔽筒、該射頻線圈和該阻抗調節件均設於該屏蔽盒之內，該屏蔽筒與該屏蔽盒接地電連接。
如請求項15所述的製程腔室，其中，該製程腔室還包括一射頻電源和一匹配器，該射頻電源通過該匹配器與該射頻線圈的第一端電連接，該射頻電源和該匹配器位於該屏蔽盒之外，且安裝於該屏蔽盒上。
一種半導體製程設備，其中，包括控制器和請求項14至16中任一項所述的製程腔室，該控制器包括一存儲器和一處理器，該存儲器存儲有計算機程序，該處理器根據該計算機程序，執行以下步驟： <br/>將該阻抗調節件調節爲一第一預設阻抗值； <br/>向該射頻線圈加載射頻功率，以及判斷點火是否成功； <br/>在點火成功的情况下，將該阻抗調節件調節爲一第二預設阻抗值，該第二預設阻抗值小於該第一預設阻抗值。
如請求項17所述的半導體製程設備，其中，該處理器根據該計算機程序，還執行以下步驟： <br/>在點火未成功的情况下，升高該阻抗調節件的阻抗值並重新啓動判斷點火是否成功的步驟。
如請求項17所述的半導體製程設備，其中，該阻抗調節件爲至少一個，其中： <br/>該將該阻抗調節件調節爲一第一預設阻抗值，包括：將該阻抗調節件調節爲該第一預設阻抗值，以使該阻抗調節件的阻抗值大於該射頻線圈的阻抗值； <br/>在該向該射頻線圈加載射頻功率與該判斷點火是否成功之間，該處理器還執行：調節該半導體製程設備的一匹配器進行阻抗匹配，以使該射頻功率至少加載在該射頻線圈上； <br/>該在點火成功的情况下，將該阻抗調節件調節爲第二預設阻抗值，包括：降低該阻抗調節件的阻抗值至該第二預設阻抗值，以使該阻抗調節件的阻抗值大於0且小於該射頻線圈的阻抗值； <br/>在將該阻抗調節件調節爲第二預設阻抗值之後，該處理器還執行：調節該匹配器進行阻抗匹配，以使該射頻功率至少加載在該射頻線圈上；或者 <br/>該處理器還用於執行：在點火未成功的情况下，升高該阻抗調節件的阻抗值，包括：將該阻抗調節件的當前阻抗值乘以一預設係數後作爲該阻抗調節件升高後的阻抗值，該預設係數大於1。
如請求項17所述的半導體製程設備，其中，該阻抗調節件包括多個第一子阻抗調節件和一個第二子阻抗調節件，該射頻線圈包括串聯的至少兩個線圈段，各個該第一子阻抗調節件串聯連接在相鄰的兩個該線圈段之間，該第二子阻抗調節件用於連接在該射頻線圈的第二端與地之間， <br/>該將該阻抗調節件調節爲一第一預設阻抗值，包括：調節多個該第一子阻抗調節件和一個該第二子阻抗調節件的阻抗值，以使各個該第一子阻抗調節件和一個該第二子阻抗調節件的阻抗值均大於該射頻線圈的阻抗值； <br/>在該向該射頻線圈加載射頻功率與該判斷點火是否成功之間，該處理器還執行：調節該半導體製程設備的匹配器進行阻抗匹配，以使該射頻功率至少加載在該射頻線圈上； <br/>該在點火成功的情况下，將該阻抗調節件調節爲一第二預設阻抗值，包括：降低多個該第一子阻抗調節件和該第二子阻抗調節件的阻抗值，以使各個該第一子阻抗調節件的阻抗值爲Z<sub>coil</sub>/n，以及該第二子阻抗調節件的阻抗值爲Z<sub>coil/</sub>2n，其中，該Z<sub>coil</sub>爲該射頻線圈的阻抗值，n爲該第一子阻抗調節件的數量和該第二子阻抗調節件的數量之和； <br/>在將該阻抗調節件調節爲第二預設阻抗值之後，該處理器還執行：調節該匹配器進行阻抗匹配，以使該射頻功率至少加載在該射頻線圈上；或者 <br/>該處理器還用於執行：在點火未成功的情况下，升高該阻抗調節件的阻抗值，包括：將各個該第一子阻抗調節件和該第二子阻抗調節件的當前阻抗值乘以一預設係數後作爲各個該第一子阻抗調節件和該第二子阻抗調節件升高後的阻抗值，該預設係數大於1。
一種訊息通訊方法，係包括有：係設有一路側設備及一路側單元(RSU)及至少一車側單元(OBU)，該路側單元(RSU)係設有一中央處理器(CPU)及一分離式蜂巢式車聯網(C-V2X)控制模組，該路側單元(RSU)之中央處理器(CPU)與該路側單元(RSU)之分離式蜂巢式車聯網(C-V2X)控制模組之間係透過一通訊介面進行通訊，該路側單元(RSU)之分離式蜂巢式車聯網(C-V2X)控制模組係設有一通訊模組及一行動通訊網路，該車側單元(OBU)係設有一中央處理器(CPU)及一分離式蜂巢式車聯網(C-V2X)控制模組，該車側單元(OBU)之中央處理器(CPU)與該車側單元(OBU)之分離式蜂巢式車聯網(C-V2X)控制模組之間係透過一通訊介面進行通訊，該車側單元(OBU)之分離式蜂巢式車聯網(C-V2X)控制模組係設有一通訊模組及一行動通訊網路，其通訊方法的主要步驟係包括：時相資訊傳遞路側單元：該路側設備係連接該路側單元(RSU)，該路側設備係將一時相資訊傳遞至該路側單元(RSU)之中央處理器(CPU)內，並經由該中央處理器(CPU)將該時相資訊進行解析成一路側時相資訊；路側時相資訊進行傳遞：該路側單元(RSU)之中央處理器(CPU)係將路側時相資訊經由該通訊介面傳遞至該路側單元(RSU)之分離式蜂巢式車聯網(C-V2X)控制模組；通訊模組進行編譯封包：該路側單元(RSU)之分離式蜂巢式車聯網(C-V2X)控制模組係透過該通訊模組將該路側時相資訊進行編譯成一蜂巢式車聯網(C-V2X)通訊封包，並經由該行動通訊網路廣播至大氣中，其中該蜂巢式車聯網(C-V2X)通訊封包係含有一辨識碼(ID)及一資料段(Data field)，且該路側時相資訊係位於該資料段(Data field)內；車側單元接收通訊封包：該車側單元(OBU)係透過該分離式蜂巢式車聯網(C-V2X)控制模組之行動通訊網路接收由該路側單元(RSU)之分離式蜂巢式車聯網(C-V2X)控制模組所廣播的該蜂巢式車聯網(C-V2X)通訊封包；車側單元取出路側時相資訊：該車側單元(OBU)係透過該分離式蜂巢式車聯網(C-V2X)控制模組之通訊模組將所接收的該路側單元(RSU)之蜂巢式車聯網(C-V2X)通訊封包內的該路側時相資訊取出；車側時相資訊傳遞中央處理器：該車側單元(OBU)之分離式蜂巢式車聯網(C-V2X)控制模組係將取出的該路側時相資訊經由該通訊介面傳遞至該車側單元(OBU)之中央處理器(CPU)內；以及車側時相資訊呈現使用者介面：該車側單元(OBU)之中央處理器(CPU)係將所收到的該路側時相資訊透過一使用者介面(UI)來呈現。
如申請專利範圍第1項所述之訊息通訊方法，其中該路側設備係進一步為交通號誌及行人號誌之其中任一或其組合。
如申請專利範圍第1項所述之訊息通訊方法，其中該時相資訊係進一步為交通時相(phase)、行人專用時相(Pedestrian Scramble)、行人早開時相(Leading Pedestrian Interval)之其中任一或其組合。
如申請專利範圍第1項所述之訊息通訊方法，其中該路側設備係進一步透過一乙太網路(Ethernet)傳遞至該路側單元(RSU)之中央處理器(CPU)內。
如申請專利範圍第1項所述之訊息通訊方法，其中該車側單元(OBU)係進一步設有一顯示屏，以呈現該使用者介面(UI)。
如申請專利範圍第1項所述之訊息通訊方法，其中該通訊介面係進一步為藍芽(Bluetooth)、無線網路(Wi-Fi)、車用區域網路(CAN BUS)、數字視頻數據(BT.656)、序列式傳輸協定(I2C)、多點通訊介面(RS-485)、序列資料通訊介面(RS-232)、多點通訊介面(RS-422)、串行外設介面(SPI)、通用序列匯流排(USB)、網路連接介面(RJ-45)之其中任一。
如申請專利範圍第1項所述之訊息通訊方法，其中該路側單元(RSU)係進一步設有一中控主機，該中控主機係設有一電路板，該中央處理器(CPU)係設於該電路板上。
如申請專利範圍第1項所述之訊息通訊方法，其中該車側單元(OBU)係進一步設有一中控主機，該中控主機係設有一電路板，該中央處理器(CPU)係設於該電路板上。
如申請專利範圍第1項所述之訊息通訊方法，其中該行動通訊網路係進一步設有一發射射頻(RF)天線與一接收射頻(RF)天線。
一種訊息通訊方法，係包括有：係設有一路側單元(RSU)、一第一車側單元(OBU)及一第二車側單元(OBU)，該路側單元(RSU)係設有一中央處理器(CPU)及一分離式蜂巢式車聯網(C-V2X)控制模組，該路側單元(RSU)之中央處理器(CPU)與該路側單元(RSU)之分離式蜂巢式車聯網(C-V2X)控制模組之間係透過一通訊介面進行通訊，該路側單元(RSU)之分離式蜂巢式車聯網(C-V2X)控制模組係設有一通訊模組及一行動通訊網路，該第一車側單元(OBU)係設有一中央處理器(CPU)及一分離式蜂巢式車聯網(C-V2X)控制模組，該第一車側單元(OBU)之中央處理器(CPU)與該第一車側單元(OBU)之分離式蜂巢式車聯網(C-V2X)控制模組之間係透過一通訊介面進行通訊，該第一車側單元(OBU)之分離式蜂巢式車聯網(C-V2X)控制模組係設有一通訊模組及一行動通訊網路，該第二車側單元(OBU)係設有一中央處理器(CPU)及一分離式蜂巢式車聯網(C-V2X)控制模組，該第二車側單元(OBU)之中央處理器(CPU)與該第二車側單元(OBU)之分離式蜂巢式車聯網(C-V2X)控制模組之間係透過一通訊介面進行通訊，該第二車側單元(OBU)之分離式蜂巢式車聯網(C-V2X)控制模組係設有一通訊模組及一行動通訊網路，其通訊方法的主要步驟係包括：車身資訊傳遞第一車側單元：該第一車側單元(OBU)係設有一車身資訊，該第一車側單元(OBU)之中央處理器(CPU)係將該第一車側單元(OBU)之車身資訊經由該通訊介面傳遞至該第一車側單元(OBU)之分離式蜂巢式車聯網(C-V2X)控制模組；通訊模組進行編譯封包：該第一車側單元(OBU)之分離式蜂巢式車聯網(C-V2X)控制模組係透過該通訊模組將該第一車側單元(OBU)之車身資訊進行編譯成一蜂巢式車聯網(C-V2X)通訊封包，並經由該行動通訊網路廣播至大氣中，其中該蜂巢式車聯網(C-V2X)通訊封包係含有一辨識碼(ID)及一資料段(Data field)，且該第一車側單元(OBU)之車身資訊係位於該資料段(Data field)內；路側單元接收通訊封包：該路側單元(RSU)係透過該分離式蜂巢式車聯網(C-V2X)控制模組之行動通訊網路接收由該第一車側單元(OBU)之分離式蜂巢式車聯網(C-V2X)控制模組所廣播的該蜂巢式車聯網(C-V2X)通訊封包；路側單元取出車身資訊：該路側單元(RSU)係透過該分離式蜂巢式車聯網(C-V2X)控制模組之通訊模組將所接收的該第一車側單元(OBU)之蜂巢式車聯網(C-V2X)通訊封包內的該第一車側單元(OBU)之車身資訊取出；車身資訊傳遞中央處理器：該路側單元(RSU)之分離式蜂巢式車聯網(C-V2X)控制模組係將取出的該第一車側單元(OBU)之車身資訊經由該通訊介面傳遞至該路側單元(RSU)之中央處理器(CPU)內，並整理為一車輛資訊；車輛資訊進行傳遞：該路側單元(RSU)之中央處理器(CPU)係將該車輛資訊經由該通訊介面傳遞至該路側單元(RSU)之分離式蜂巢式車聯網(C-V2X)控制模組；通訊模組進行編譯封包：該路側單元(RSU)之分離式蜂巢式車聯網(C-V2X)控制模組係透過該通訊模組將該車輛資訊進行編譯成該蜂巢式車聯網(C-V2X)通訊封包，並經由該行動通訊網路廣播至大氣中；第二車側單元接收通訊封包：該第二車側單元(OBU)係透過該分離式蜂巢式車聯網(C-V2X)控制模組之行動通訊網路接收由該路側單元(RSU)之分離式蜂巢式車聯網(C-V2X)控制模組所廣播的該蜂巢式車聯網(C-V2X)通訊封包；第二車側單元取出車輛資訊：該第二車側單元(OBU)係透過該分離式蜂巢式車聯網(C-V2X)控制模組之通訊模組將所接收的該路側單元(RSU)之蜂巢式車聯網(C-V2X)通訊封包內的該車輛資訊取出；以及車輛資訊傳遞中央處理器：該第二車側單元(OBU)之分離式蜂巢式車聯網(C-V2X)控制模組係將該車輛資訊經由該通訊介面傳遞至該第二車側單元(OBU)之中央處理器(CPU)內，該第二車側單元(OBU)之中央處理器(CPU)係將所收到的該車輛資訊透過一使用者介面(UI)來呈現。
如申請專利範圍第10項所述之訊息通訊方法，其中該車身資訊係進一步為車輛訊號異常資訊、車輛故障資訊、車輛警示訊號資訊、車輛燈號異常資訊之其中任一或其組合。
如申請專利範圍第10項所述之訊息通訊方法，其中該第一車側單元(OBU)係進一步設有一顯示屏，以呈現該使用者介面(UI)。
如申請專利範圍第10項所述之訊息通訊方法，其中該第二車側單元(OBU)係進一步設有一顯示屏，以呈現該使用者介面(UI)。
如申請專利範圍第10項所述之訊息通訊方法，其中該通訊介面係進一步為藍芽(Bluetooth)、無線網路(Wi-Fi)、車用區域網路(CAN BUS)、數字視頻數據(BT.656)、序列式傳輸協定(I2C)、多點通訊介面(RS-485)、序列資料通訊介面(RS-232)、多點通訊介面(RS-422)、串行外設介面(SPI)、通用序列匯流排(USB)、網路連接介面(RJ-45)之其中任一。
如申請專利範圍第10項所述之訊息通訊方法，其中該路側單元(RSU)係進一步設有一中控主機，該中控主機係設有一電路板，該中央處理器(CPU)係設於該電路板上。
如申請專利範圍第10項所述之訊息通訊方法，其中該第一車側單元(OBU)係進一步設有一中控主機，該中控主機係設有一電路板，該中央處理器(CPU)係設於該電路板上。
如申請專利範圍第10項所述之訊息通訊方法，其中該第二車側單元(OBU)係進一步設有一中控主機，該中控主機係設有一電路板，該中央處理器(CPU)係設於該電路板上。
如申請專利範圍第10項所述之訊息通訊方法，其中該行動通訊網路係進一步設有一發射射頻(RF)天線與一接收射頻(RF)天線。
一種半導體裝置，包含一個以上的半橋電路，所述半橋電路是將使用了功率半導體元件的第一開關及第二開關串聯連接而構成，所述半導體裝置的特徵在於，包括： <br/>絕緣基板； <br/>第一導體層圖案、第二導體層圖案、第三導體層圖案，配置於所述絕緣基板的其中一個面，且相互電性絕緣； <br/>多個功率半導體元件，配置於所述第一導體層圖案上，且相互並聯連接； <br/>引線框架，將所述多個功率半導體元件的各個與所述第二導體層圖案連接； <br/>獨立閘極配線，將所述多個功率半導體元件各自的閘極電極與所述第三導體層圖案連接；以及 <br/>主端子，與所述第二導體層圖案連接， <br/>所述引線框架具有：第一連接面部，分別與所述多個功率半導體元件各自的電極面連接； <br/>引線框架分支部，分支成多個； <br/>第二連接面部，設置於所述引線框架分支部的端部，且與所述第二導體層圖案連接， <br/>在針對所述絕緣基板的俯視下，所述閘極電極及所述獨立閘極配線被配置於由兩個所述引線框架分支部夾著的所述引線框架的空隙中。
如請求項1所述的半導體裝置，其中， <br/>所述主端子配置於所述引線框架分支部的長邊方向上。
如請求項1所述的半導體裝置，其中， <br/>所述引線框架具有多個所述第一連接面部，且 <br/>與所述多個功率半導體元件電性連接。
如請求項1所述的半導體裝置，其中， <br/>在針對所述絕緣基板的俯視下，在由兩個所述引線框架分支部與所述第二導體層圖案圍成的區域的內部，配置有所述獨立閘極配線、所述第一導體層圖案及所述第三導體層圖案的一部分，並且包括不存在所述第一導體層圖案、所述第二導體層圖案及所述第三導體層圖案而配置有所述絕緣基板的區域。
如請求項1所述的半導體裝置，其中， <br/>在針對所述絕緣基板的俯視下，兩個所述引線框架分支部在其端部一體化而形成一個所述第二連接面部， <br/>所述一個第二連接面部配置於所述兩個引線框架分支部的長邊方向的延長線上之間。
如請求項1所述的半導體裝置，其中， <br/>所述獨立閘極配線為接合線。
如請求項1所述的半導體裝置，其中， <br/>在針對所述絕緣基板的俯視下，兩個所述引線框架分支部分別獨立地具有所述第二連接面部，且 <br/>藉由所述第二連接面部而與所述第二導體層圖案連接。
如請求項1所述的半導體裝置，其中， <br/>所述引線框架分割成多個子引線框架而構成， <br/>所述第一連接面部與所述第二連接面部分別形成於不同的所述子引線框架。
一種電力轉換裝置，包括：主電路，具有一對以上的高電壓側與低電壓側的開關電路；以及 <br/>驅動電路，驅動所述高電壓側與低電壓側的開關電路，所述電力轉換裝置的特徵在於， <br/>所述高電壓側與低電壓側的開關電路具有如請求項1至8中任一項所述的半導體裝置。
一種揚聲器，包括 一機殼、一杯體、一音圈、及一彈波(spider)，其中，該彈波的外緣朝向該杯體的一底端設置，且該彈波的內緣連接到一U型鐵 (U-iron)或T型軛鐵(T-york)，該杯體具有一頂端直接朝向一振膜，其中該音圈、該彈波以及至少一部份的該杯體都位於該機殼之內，且該機殼包括位於一側壁之至少一開口，以外露部分之該杯體之該底端，其中，該杯體之該底端的一部分與該開口齊平，或位於該開口內，或從該開口向外突出，使該杯體能相對該機殼縱向移動，且該底端在該開口的縱向範圍內移動。
如請求項1所述之揚聲器，其中該杯體至少一部份形成一截錐體(truncated cone)，該截錐體具有從較大底端到較小頂端的錐形壁體部分。
如請求項1所述之揚聲器，其中該機殼的相對側壁設置至少兩開口。
如請求項1所述之揚聲器，其中該音圈不接觸該振膜，該音圈之一上端與該振膜間具有空隙。
如請求項1所述之揚聲器，其中該開口延伸至該機殼的一頂面。
如請求項1所述之揚聲器，更包括一振膜定位環，其係位於該振膜與該機殼之間。
如請求項1所述之揚聲器，其中該開口延伸至該機殼的一底面。
如請求項1所述之揚聲器，其中該機殼具有上部與下部，該至少一開口為單一開口，該上部的一上開口與該下部的一下開口對準形成該單一開口。
如請求項1所述之揚聲器，其中該杯體的該頂端具有完全或部分平坦的表面。
如請求項9所述之揚聲器，其中該平坦的表面位於與該杯體延伸軸垂直的平面中。
如請求項1所述之揚聲器，更包括該杯體表面之一個或多個凹部。
如請求項11所述之揚聲器，該杯體的該頂端設有一個或多個第一凹部。
如請求項12所述之揚聲器，更包括徑向位置相對的至少兩該第一凹部，其中該音圈的至少兩引出端分別位於該第一凹部及該振膜之間，以防止引出端移位。
如請求項1所述之揚聲器，其中該杯體的側表面具有一個或多個第二凹部。
如請求項14所述之揚聲器，具有兩個徑向相對的該第二凹部，該兩第二凹部位於該杯體最接近該機殼的該側壁的部分。
如請求項14所述之揚聲器，其中每個該第二凹部為該杯體之壁體的多平面部分或弧形部分。
如請求項1所述之揚聲器，其中該杯體之該頂端具有一穿孔，使該音圈之一上端伸入或穿過該穿孔，該音圈與該杯體連接於該穿孔的一邊緣。
如請求項17所述之揚聲器，其中該杯體之該頂端具有一平坦的環形表面圍繞該穿孔，並且連接到該振膜。
如請求項17所述之揚聲器，其中該杯體更包括一延伸內緣，其係從該頂端的該穿孔向下延伸。
如請求項19所述之揚聲器，其中該延伸內緣具有一角度，且向內朝該杯體的縱軸突出。
如請求項10所述之揚聲器，其中該彈波的該外緣與該杯體之該底端的內表面連接。
如請求項21所述之揚聲器，其中該彈波的該外緣更包括一延伸部分，該延伸部分環繞包覆該杯體的該底端。
如請求項17所述之揚聲器，其中該音圈用黏膠與該杯體之該穿孔之邊緣連接。
如請求項1所述之揚聲器，更包括位於該杯體之壁體之至少一个杯體開口，該至少一个杯體開口朝向該機殼之該側壁，並從該機殼之該開口處外露。
如請求項24所述之揚聲器，更包括均勻分佈在該杯體之壁體上的至少一杯體開口。
如請求項5所述之揚聲器，更包括位於該頂面與該振膜之間的一振膜定位環。
如請求項24所述之揚聲器，其中該彈波非圓形，並具有一長度和一寬度，該長度與該寬度之間的長寬比在1.3至2.2之間。
如請求項1至請求項27任一項所述之揚聲器，其中該彈波具有跑道形或橢圓形的配置。
如請求項1所述之揚聲器，其中該機殼具有向上彎曲之一機殼底端，同時連接該彈波的內緣與該U型鐵或該T型軛鐵之一折疊端。
一種小分子化合物，或其鹽類、或該等的溶劑合物，其中該小分子化合物包括下方式(I)所表示之化合物：<br/><img align="absmiddle" height="49px" width="121px" file="ed10141.jpg" alt="ed10141.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式(I)，<br/> 其中，於式(I)中<br/> Q<sup>1</sup>為CR<sup>1</sup>或N，<br/> Q<sup>2</sup>為CR<sup>2</sup>或N，<br/> X<sup>1</sup>為CR<sup>3</sup>或N，且<br/> X<sup>2</sup>為CR<sup>4</sup>或N，<br/> 其中<br/> R<sup>1</sup>與R<sup>2</sup>獨立地為H、烷基、鹵代烷基(alkylhalo)或鹵素，<br/> R<sup>3</sup>與R<sup>4</sup>獨立地為H或烷基，且<br/> 當Q<sup>1</sup>與X<sup>2</sup>皆為N時，Q<sup>2</sup>為CR<sup>2</sup>，而X<sup>1</sup>為CR<sup>3</sup>，<br/> 當Q<sup>2</sup>與X<sup>2</sup>皆為N時，Q<sup>1</sup>為CR<sup>1</sup>，而X<sup>1</sup>為CR<sup>3</sup>，<br/> 當Q<sup>1</sup>與Q<sup>2</sup>皆為N時，X<sup>1</sup>為CR<sup>3</sup>而X<sup>2</sup>為CR<sup>4</sup>；<br/> 又，其中，於式(I)中<br/> Z為O或S，與<br/> n為0或1；<br/> 且，其中，於式(I)中<br/> Ar<sup>1</sup>與Ar<sup>2</sup>獨立地為未經取代或經取代之芳香基或雜芳基，而經取代之芳香基或雜芳基係為經至少一個擇自由以下所組成之群組的取代基所取代：鹵素、氰基、NH<sub>2</sub>、NHR<sup>5</sup>、NR<sup>6</sup>R<sup>7</sup>、NO<sub>2</sub>、烷基、OH、CF<sub>3</sub>、-O-烷基、-SO<sub>2</sub>-烷基、-SO<sub>2</sub>N-烷基、-S-烷基與(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>)烷氧基(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>)烷基，<br/> 其中<br/> R<sup>5</sup>與R<sup>6</sup>獨立地為烷基，R<sup>6</sup>與R<sup>7</sup>相同，且<br/> 烷基可為未經取代或經取代之直鏈型烷基或支鏈型烷基，而經取代之直鏈型烷基或支鏈型烷基係經至少一個擇自由以下所組成之群組的取代基所取代：鹵素、氧與胺基。
如請求項1所述之小分子化合物，或其鹽類、或該等的溶劑合物，其中，針對R<sup>1</sup>與R<sup>2</sup>，該烷基為C<sub>1</sub>-C<sub>24</sub>烷基，且該C<sub>1</sub>-C<sub>24</sub>烷基為C<sub>1</sub>-C<sub>24</sub>直鏈型烷基或C<sub>4</sub>-C<sub>24</sub>支鏈型烷基。
如請求項1所述之小分子化合物，或其鹽類、或該等的溶劑合物，其中，針對R<sup>1</sup>與R<sup>2</sup>，該鹵代烷基為C<sub>1</sub>-C<sub>24</sub>鹵代烷基，且該C<sub>1</sub>-C<sub>24</sub>鹵代烷基為C<sub>1</sub>-C<sub>24</sub>直鏈型鹵代烷基或C<sub>4</sub>-C<sub>24</sub>支鏈型鹵代烷基。
如請求項3所述之小分子化合物，或其鹽類、或該等的溶劑合物，其中，該鹵代烷基為經由至少一鹵素取代之烷基，而該至少一鹵素係獨立地擇自由F、Cl、Br與I所組成之群組。
如請求項1所述之小分子化合物，或其鹽類、或該等的溶劑合物，其中，針對R<sup>1</sup>與R<sup>2</sup>，該鹵素係獨立地擇自由F、Cl、Br與I所組成之群組。
如請求項1所述之小分子化合物，或其鹽類、或該等的溶劑合物，其中，針對R<sup>3</sup>與R<sup>4</sup>，該烷基為C<sub>1</sub>-C<sub>24</sub>烷基，且該C<sub>1</sub>-C<sub>24</sub>烷基為C<sub>1</sub>-C<sub>24</sub>直鏈型烷基或C<sub>4</sub>-C<sub>24</sub>支鏈型烷基。
如請求項1所述之小分子化合物，或其鹽類、或該等的溶劑合物，其中該Ar<sup>1</sup>與Ar<sup>2</sup>係獨立地擇自由以下所組成之群組：<img align="absmiddle" height="34px" width="35px" file="ed10142.jpg" alt="ed10142.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="29px" width="41px" file="ed10144.jpg" alt="ed10144.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="40px" width="58px" file="ed10146.jpg" alt="ed10146.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="33px" width="69px" file="ed10148.jpg" alt="ed10148.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="38px" width="63px" file="ed10150.jpg" alt="ed10150.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="52px" width="56px" file="ed10152.jpg" alt="ed10152.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="48px" width="41px" file="ed10154.jpg" alt="ed10154.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>與<img align="absmiddle" height="47px" width="56px" file="ed10156.jpg" alt="ed10156.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中R<sup>a</sup>與R<sup>b</sup>係獨立地選自由苯基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、鹵素、鹵代烷基與氰基所組成之群組。
如請求項7所述之小分子化合物，或其鹽類、或該等的溶劑合物，其中當R<sup>a</sup>為鹵素時，其係獨立地擇自由F、Cl、Br與I所組成之群組，而當R<sup>b</sup>為鹵素時，其也獨立地擇自由F、Cl、Br與I所組成之群組。
如請求項7所述之小分子化合物，或其鹽類、或該等的溶劑合物，其中Ar<sup>1</sup>與Ar<sup>2</sup>係獨立地擇自由下列所組成之群組：<img align="absmiddle" height="38px" width="52px" file="ed10158.jpg" alt="ed10158.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="54px" file="ed10160.jpg" alt="ed10160.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="33px" width="53px" file="ed10162.jpg" alt="ed10162.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="34px" width="51px" file="ed10164.jpg" alt="ed10164.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="29px" width="58px" file="ed10166.jpg" alt="ed10166.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="32px" width="64px" file="ed10168.jpg" alt="ed10168.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="30px" width="66px" file="ed10170.jpg" alt="ed10170.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="29px" width="65px" file="ed10172.jpg" alt="ed10172.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="33px" width="52px" file="ed10174.jpg" alt="ed10174.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="36px" width="57px" file="ed10176.jpg" alt="ed10176.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="62px" file="ed10178.jpg" alt="ed10178.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="52px" file="ed10180.jpg" alt="ed10180.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="56px" file="ed10182.jpg" alt="ed10182.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="35px" width="47px" file="ed10184.jpg" alt="ed10184.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>與<img align="absmiddle" height="44px" width="48px" file="ed10186.jpg" alt="ed10186.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述之小分子化合物，或其鹽類、或該等的溶劑合物，其中Q<sup>1</sup>與X<sup>2</sup>皆為N，Q<sup>2</sup>為CR<sup>2</sup>，且X<sup>1</sup>為CH。
如請求項1所述之小分子化合物，或其鹽類、或該等的溶劑合物，其中Q<sup>1</sup>與Q<sup>2</sup>皆為N，而X<sup>1</sup>與X<sup>2</sup>皆為CH。
如請求項1所述之小分子化合物，或其鹽類、或該等的溶劑合物，其中X<sup>2</sup>為N，Q<sup>1</sup>為CR<sup>1</sup>，Q<sup>2</sup>為CR<sup>2</sup>，而X<sup>1</sup>為CH。
如請求項12所述之小分子化合物，或其鹽類、或該等的溶劑合物，其中R<sup>1</sup>與R<sup>2</sup>皆為H。
如請求項1所述之小分子化合物，或其鹽類、或該等的溶劑合物，其中該小分子化合物包括：<img align="absmiddle" height="79px" width="162px" file="ed10188.jpg" alt="ed10188.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="80px" width="166px" file="ed10189.jpg" alt="ed10189.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="71px" width="150px" file="ed10191.jpg" alt="ed10191.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="72px" width="153px" file="ed10193.jpg" alt="ed10193.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="73px" width="152px" file="ed10195.jpg" alt="ed10195.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="66px" width="137px" file="ed10197.jpg" alt="ed10197.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="83px" width="171px" file="ed10199.jpg" alt="ed10199.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="86px" width="173px" file="ed10201.jpg" alt="ed10201.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="68px" width="140px" file="ed10203.jpg" alt="ed10203.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="75px" width="153px" file="ed10205.jpg" alt="ed10205.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="64px" width="134px" file="ed10207.jpg" alt="ed10207.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="73px" width="152px" file="ed10209.jpg" alt="ed10209.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="77px" width="163px" file="ed10211.jpg" alt="ed10211.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="77px" width="162px" file="ed10213.jpg" alt="ed10213.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="81px" width="171px" file="ed10215.jpg" alt="ed10215.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="85px" width="169px" file="ed10217.jpg" alt="ed10217.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中R<sup>c</sup>、R<sup>d</sup>與R<sup>e</sup>獨立地為H或烷基。
如請求項1所述之小分子化合物，或其鹽類、或該等的溶劑合物，其中該小分子化合物係擇自由下列化合物1至化合物15所組成的群組：<br/> 。
一種鳥嘌呤核苷酸結合蛋白G(q)次單元α (guanine nucleotide-binding protein G(q) subunit alpha)抑制劑，包括：<br/> 如請求項1-15項任一項所述之小分子化合物，或其鹽類、或該等的溶劑合物。
一種如請求項1-15項任一項所述之小分子化合物，或其鹽類、或該等的溶劑合物用於製備鳥嘌呤核苷酸結合蛋白G(q)次單元α抑制劑之用途。
一種醫藥組成物，包括：<br/> 如請求項1-15項任一項所述之小分子化合物，或其鹽類、或該等的溶劑合物。
如請求項18所述之醫藥組成物，更包括一藥學上可接受之載體或鹽類。
一種如請求項1-15項任一項所述之小分子化合物，或其鹽類、或該等的溶劑合物用於製備一用於治療及/或預防癌症之藥物的用途。
如請求項20所述之用途，其中該癌症包括黑色素瘤、淋巴瘤、肝癌或乳癌。
一種電子元件，包含：<br/> 一印刷電路板；<br/> 一第一核心，該第一核心安置在該印刷電路板上，該第一核心包含一第一空腔；<br/> 一第二核心，該第二核心安置在該第一核心上，該第二核心包含一第二空腔；<br/> 一第一電子元件，該第一電子元件安置在該第一空腔內，其中該第一電子元件經配置以向一晶粒提供一直流電；以及<br/> 一第二電子元件，該第二電子元件安置在該第二空腔內，該第二電子元件經配置以將由該直流電引起的效應去耦。
如請求項1所述之電子元件，其中該第一電子元件包含一整合式被動元件。
如請求項2所述之電子元件，其中該整合式被動元件為一深溝槽電容器或一電感器。
如請求項1所述之電子元件，其中該第二電子元件包含一整合式被動元件。
如請求項4所述之電子元件，其中該整合式被動元件為一電容器。
如請求項1所述之電子元件，其中該第一核心包含一直流域，用於向該晶粒提供直流電。
如請求項1所述之電子元件，其中該第二核心包含一交流域，用於向該晶粒提供一交流電。
如請求項1所述之電子元件，其中一整合式調壓器向該晶粒提供一電流，其中該第一核心內的該第一電子元件調變向該晶粒提供的該電流。
如請求項1所述之電子元件，其中該第一核心經配置以容納與一DC域相關聯的部件，且該第二核心經配置以容納與一AC域相關聯的部件。
一種電子元件，包含：<br/> 一印刷電路板；<br/> 一第一核心，該第一核心包含一第一空腔，該第一核心由一有機材料形成，且該第一空腔經配置以容納一DC電容器，用於自一電壓源向一晶粒輸送直流電；<br/> 一第二核心，該第二核心包含一第二空腔，該第二核心由一無機材料形成，且該第二空腔經配置以容納一AC電容器，該AC電容器耦合至該晶粒的一輸出用於將與該直流電相關聯的交流電效應去耦；以及<br/> 一中介層，該中介層安置在該第一核心與該第二核心之間，經配置以隔離該第一核心與該第二核心。
如請求項10所述之電子元件，其中該無機材料包含玻璃及矽中的至少一種。
如請求項10所述之電子元件，其中該DC電容器為一布萊斯電容器。
如請求項10所述之電子元件，其中該有機材料及該無機材料係至少部分基於與該有機材料及該無機材料中的每一者相關聯的一熱膨脹係數(CTE)來選擇。
如請求項10所述之電子元件，其中該DC電容器及該AC電容器嵌入在一基板直通孔(TSV)內，該TSV延伸穿過該第一核心及該第二核心。
一種電子元件，包含：<br/> 一電壓源，該電壓源用於向一晶粒提供直流電力；<br/> 一第一核心，該第一核心包含一第一電容器，該第一電容器經配置以將該直流電力輸送至該晶粒，該第一核心經配置以隔離該電子元件的一DC域；以及<br/> 一第二核心，該第二核心包含一第二電容器，該第二電容器經配置以將交流電干擾與一晶粒的一輸出去耦，該第二核心經配置以隔離該電子元件的一AC域。
如請求項15所述之電子元件，其中該第二核心包含玻璃及矽中的至少一者的四個層。
如請求項15所述之電子元件，其中該第一核心包含有機材料的介於約12個與約16個之間的層。
如請求項15所述之電子元件，其中該晶粒的一位置及該電壓源的一位置係至少部分基於一電壓降對比一交流電頻率響應，使得一電力輸送網路得以最佳化。
如請求項15所述之電子元件，其中該第二電容器包含一可調諧電容器，經配置以被調整以變更該電子元件的一頻率響應。
如請求項15所述之電子元件，進一步包含一基板直通孔(TSV)，該TSV包含一開關電感器。
一種模組化電連接器，包括：<br/> 一殼體；<br/> 一第一外連接器，設置於該殼體內，該第一外連接器包括露出於該殼體外之複數個第一端子、一第一絕緣結構、一外殼件，該等第一端子結合於該第一絕緣結構，該外殼件包覆該第一絕緣結構； <br/> 一第一內連接器，設置於該殼體內之一第一電路板上，該第一內連接器包括複數個第二端子以及一第二絕緣結構，該等第二端子結合於該第二絕緣結構；<br/> 一第一電性連接組件，包括一組件本體以及設置於該組件本體的複數個線路，該等線路具有一第一連接端及一第二連接端分別對應地電性連接該等第一端子及該等第二端子；<br/> 一第一壓蓋件，設置並包覆於該第二連接端上方並可與該第一內連接器相互定位； <br/> 一第二外連接器，設置於該殼體內，該第二外連接器包括露出於該殼體外之複數個第一端子、一第一絕緣結構、一外殼件，該等第一端子結合於該第一絕緣結構，該外殼件包覆該第一絕緣結構； <br/> 一第二內連接器，設置於該殼體內之一第二電路板上，該第二內連接器包括複數個第二端子以及一第二絕緣結構，該等第二端子結合於該第二絕緣結構；<br/> 一第二電性連接組件，包括一組件本體以及設置於該組件本體的複數個線路，該等線路具有一第一連接端及一第二連接端分別對應地電性連接該等第一端子及該等第二端子；以及<br/> 一第二壓蓋件，設置並包覆於該第二連接端上方並可與該第二內連接器相互定位；<br/> 其中，該第一外連接器及該第二外連接器在水平位置並排設置，該第一電路板具有一第一高度，該第二電路板具有一第二高度，該第一高度與該第二高度不相同。
如請求項1所述的模組化電連接器，其中該第一電路板的第一高度小於該第二電路板之第二高度。
如請求項1所述的模組化電連接器，其中該第一內連接器及該第二內連接器之垂直高度不同。
如請求項1所述的模組化電連接器，其中該第一電性連接組件及該第二電性連接組件之該組件本體形成彎折狀，該第二連接端與該第一連接端形成錯位設置。
如請求項1所述的模組化電連接器，其中該第一電性連接組件及該第二電性連接組件為可撓性電路板。
如請求項1所述的模組化電連接器，其中包括一第三外連接器，設置於該第一電路板上並相對於該第一外連接器。
如請求項6所述的模組化電連接器，其中包括一第四外連接器，設置於該第二電路板上並相對於該第二外連接器。
如請求項7所述的模組化電連接器，其中該第三外連接器及該第四外連接器之垂直方向高度不同。
如請求項1所述的模組化電連接器，其中該第一外連接器及該第二外連接器之垂直方向高度相同。
一種雙頭製品之鍛造成形裝置，包含：<br/> 一下模單元，包括一下模座、一設置於該下模座上的成形座，及二設置於該成形座上的複動機構，該成形座具有一設置於該下模座上的承座體、二可移動地設置於該承座體上的下模仁，及一設置於該下模座上且環繞該承座體及該等下模仁的設置座體，每一複動機構可將高度方向的位移量轉換為水平方向的位移量，以帶動其中一下模仁相對於該承座體水平移動，該複動機構具有一可水平移動地設置於該設置座體上且靠抵於相對應下模仁外側的滑塊、一連接該滑塊及該設置座體的拉伸彈簧，及一設置於該設置座體上且位於該滑塊相對上方的楔型塊，該滑塊具有一傾斜朝上的接觸斜面，該楔型塊具有一可滑動地貼觸該接觸斜面且傾斜地朝下的壓抵斜面；及<br/> 一上模單元，可受控制而向下靠近該下模單元以與該等下模仁合模，並與該成形座相配合界定出一模穴，該上模單元與該等下模仁相配合界定出一位於該模穴中的上端頭特徵區段，且該上模單元被該楔型塊承接，當該上模單元持續下壓該等複動機構時，每一複動機構會向內推動相對應下模仁，使該等下模仁與該承座體相配合界定出一位於該模穴中的下端頭特徵區段，該上模單元另可受控制而向上遠離該下模單元，當該上模單元逐漸由該等複動機構上釋壓時，該等複動機構分別向外拉動該等下模仁復位。
如請求項1所述雙頭製品之鍛造成形裝置，其中，該下模單元之該等下模仁相配合圍繞界定出一位於該模穴中且上下兩端分別連通該上端頭特徵區段及該下端頭特徵區段的柄狀特徵區段。
如請求項1所述雙頭製品之鍛造成形裝置，其中，該下模單元還包括一由下而上地穿設該下模座的頂出桿，該頂出桿可受控制而向上伸置於該成形座內。
如請求項1所述雙頭製品之鍛造成形裝置，其中，該上模單元包括一上模座、一固定於該上模座下方的沖床、一可上下移動地設置於該沖床上且圍繞界定出一通槽的上模仁、一由該沖床向下凸伸至該通槽中的沖頭，及二由該沖床上向下延伸且分別對準該等複動機構的壓塊。
如請求項4所述雙頭製品之鍛造成形裝置，其中，該上模單元還包括一套設於該沖頭上，且兩端分別頂抵該沖床及該上模仁的緩衝彈簧。
如請求項4所述雙頭製品之鍛造成形裝置，其中，該下模單元之每一下模仁具有一傾斜地朝向上方的外斜面，該上模單元還包括二設置於該沖床下方的楔型導板，每一楔型導板具有一傾斜地朝向下方的導斜面，當該下模單元靠近該上模單元時，該等導斜面分別壓抵該等外斜面，使該等下模仁沿水平方向朝內移動而合模。
如請求項6所述雙頭製品之鍛造成形裝置，其中，該上模單元還包括二設置於該沖床且分別頂抵該等楔型導板的壓縮彈簧。
一種過濾器保持器，其包括： <br/>一過濾器保持主體，其界定一開口，該過濾器保持主體具有在橫向於該開口之一方向上延伸至該開口中之一或多個保持元件， <br/>其中該一或多個保持元件之至少一者包含一或多個支座，該一或多個支座之各者自經構形以面向將由該過濾器保持器固定之一過濾器之該一或多個保持元件之一側突出，且 <br/>該一或多個支座之接觸表面之一表面積小於該一或多個保持元件之一表面積。
如請求項1之過濾器保持器，其中該開口係圓形。
如請求項1之過濾器保持器，其中該一或多個保持元件包含一中心主體及複數個輻條。
如請求項3之過濾器保持器，其中該一或多個支座安置於該中心主體與該複數個輻條之間的接合處。
如請求項1之過濾器保持器，其中該一或多個保持元件包含經構形以在該開口之一中心處相遇之複數個輻條。
如請求項1之過濾器保持器，其中該一或多個保持元件在該開口上方形成一網格。
如請求項1之過濾器保持器，其中該一或多個保持元件包含複數對輻條，該複數對輻條之各者朝向一中心延伸，該中心界定一通道。
如請求項7之過濾器保持器，其中該一或多個支座係設置於該複數對輻條之該等輻條上之過濾器保持梁。
如請求項1之過濾器保持器，其中該過濾器保持主體包含一附接部分，其包含一扣合特徵。
一種過濾器總成，其包括： <br/>一過濾器；及 <br/>一過濾器保持器，該過濾器保持器包含界定一開口之一過濾器保持主體，該過濾器保持主體具有在橫向於該開口之一方向上延伸至該開口中之一或多個保持元件， <br/>其中該一或多個保持元件之至少一者包含一或多個支座，該一或多個支座之各者自經構形以面向該過濾器之該一或多個保持元件之一側突出， <br/>其中該一或多個支座之接觸表面之一表面積小於該一或多個保持元件之一表面積，且該過濾器在該支座處接觸該過濾器保持器。
如請求項10之過濾器總成，其中該開口係圓形。
如請求項10之過濾器總成，其中該一或多個保持元件包含一中心主體及複數個輻條。
如請求項12之過濾器總成，其中該一或多個支座安置於該中心主體與該複數個輻條之間的接合處。
如請求項12之過濾器總成，其中該中心主體係一環。
如請求項10之過濾器總成，其中該一或多個保持元件包含經構形以在該開口之一中心處相遇之複數個輻條。
如請求項10之過濾器總成，其中該一或多個保持元件在該開口上方形成一網格。
如請求項10之過濾器總成，其中該一或多個保持元件包含複數對輻條，該複數對輻條之各者朝向一中心延伸，該中心界定一通道。
如請求項17之過濾器總成，其中該一或多個支座係設置於該複數對輻條之該等輻條上之過濾器保持梁。
如請求項10之過濾器總成，該過濾器保持主體包含一附接部分，其包含一扣合特徵。
如請求項10之過濾器總成，其進一步包括一罐，該過濾器保持器接合至該罐。
如請求項10之過濾器總成，其進一步包括一淨化埠，該過濾器保持器接合至該淨化埠。
如請求項10之過濾器總成，其進一步包括一氣體交換模組，該過濾器保持器接合至該氣體交換模組。
如請求項10之過濾器總成，其進一步包括具有一埠之一外殼，該過濾器保持接合至該埠。
一種控制裝置，控制分散式電源，使前述分散式電源增加或減少向電網提供的輸出電力來提供一次調整力以抑制前述電網的系統頻率的波動，前述控制裝置包括： <br/>指令值決定部，基於在電力市場簽約的前述一次調整力、和前述分散式電源可輸出電力的最大值及最小值的至少任一者，將前述電網的基準頻率中的前述分散式電源的前述輸出電力決定為指令值； <br/>下降特性決定部，用於決定下降特性，其中，前述下降特性為以依據前述指令值決定部所決定的前述指令值的前述輸出電力為基準，依據前述系統頻率相對於前述基準頻率的降低而使前述分散式電源的前述輸出電力增加，並依據前述系統頻率相對於前述基準頻率的上升而使前述分散式電源的前述輸出電力減少；以及 <br/>輸出部，將前述指令值決定部所決定的前述指令值、以及前述下降特性決定部所決定的前述下降特性，輸出至前述分散式電源。
如請求項1記載的控制裝置，其中，前述指令值決定部決定前述指令值，使得前述指令值小於或等於從前述分散式電源可輸出電力的前述最大值減去使前述一次調整力中的前述輸出電力增加之與向上調整相關的簽約量而得到的值。
如請求項1記載的控制裝置，其中，前述指令值決定部決定前述指令值，使得前述指令值大於或等於在前述分散式電源可輸出電力的前述最小值加上使前述一次調整力中的前述輸出電力減少之與向下調整相關的簽約量而得到的值。
如請求項1記載的控制裝置，其中，前述下降特性決定部，基於在前述電力市場簽約的前述一次調整力，在前述下降特性中設定前述分散式電源的前述輸出電力的上限值及下限值的至少其中之一。
如請求項4記載的控制裝置，其中，前述下降特性決定部，將向上調整力的簽約量加到前述指令值而得到值設定為前述上限值；前述向上調整力的簽約量亦即是在前述電力市場簽約的前述一次調整力中的前述輸出電力的增加量。
如請求項4記載的控制裝置，其中，前述下降特性決定部，將從前述指令值減去向下調整力的簽約量而得到值設定為前述下限值；前述向下調整力的簽約量亦即是在前述電力市場簽約的前述一次調整力中的前述輸出電力的減少量。
一種分散式電源系統，包括： <br/>請求項1至6任一項所記載的控制裝置；以及 <br/>前述分散式電源，基於前述控制裝置輸出的前述指令值，改變前述輸出電力。
一種控制方法，控制分散式電源，使前述分散式電源增加或減少向電網提供的輸出電力來提供一次調整力以抑制前述電網的系統頻率的波動，前述控制方法包括： <br/>基於在電力市場簽約的前述一次調整力、和前述分散式電源可輸出電力的最大值及最小值的至少任一者，將前述電網的基準頻率中的前述分散式電源的前述輸出電力決定為指令值之步驟； <br/>決定前述分散式電源的下降特性之步驟，其中，前述下降特性為以依據前述指令值的前述輸出電力為基準，依據前述系統頻率相對於前述基準頻率的降低而使前述分散式電源的前述輸出電力增加，並依據前述系統頻率相對於前述基準頻率的上升而使前述分散式電源的前述輸出電力減少；以及 <br/>將前述指令值、以及前述下降特性，輸出至前述分散式電源之步驟。
一種控制程式，用以控制分散式電源，使前述分散式電源增加或減少向電網提供的輸出電力來提供一次調整力以抑制前述電網的系統頻率的波動； <br/>前述控制程式，使電腦執行以下步驟，包括： <br/>基於在電力市場簽約的前述一次調整力、和前述分散式電源可輸出電力的最大值及最小值的至少任一者，將前述電網的基準頻率中的前述分散式電源的前述輸出電力決定為指令值之步驟； <br/>決定前述分散式電源的下降特性之步驟，其中，前述下降特性為以依據前述指令值的前述輸出電力為基準，依據前述系統頻率相對於前述基準頻率的降低而使前述分散式電源的前述輸出電力增加，並依據前述系統頻率相對於前述基準頻率的上升而使前述分散式電源的前述輸出電力減少；以及 <br/>將前述指令值、以及前述下降特性，輸出至前述分散式電源之步驟。
一種電池組，其包含： <br/> 一殼體，其具有從上到下依序排列之一第一框架、一第二框架以及至少一第三框架，該殼體另具有一前蓋，該前蓋可拆卸地覆蓋該殼體之一前殼部，該前蓋上設有一流體入口以及一流體出口；<br/> 複數個第一電池模組，其設置於該第一框架內；<br/> 複數個第二電池模組，其設置於該第二框架內；<br/> 複數個第三電池模組，其設置於該至少一第三框架內；以及<br/> 一管道組件，其包含：<br/> 一輸入管道，其連接至該流體入口；<br/> 一第一管道組，其設置在該殼體之一第一側邊部，該第一管道組連接於該輸入管道且與該第一框架內的該複數個第一電池模組以串聯方式連接；<br/> 一第二管道組，其設置在該殼體之一第二側邊部且與該第二框架內的該複數個第二電池模組以串聯方式連接；<br/> 一第三管道組，其設置在該殼體之該第二側邊部且與該第三框架內的該複數個第三電池模組以串聯方式連接；<br/> 一輸出管道組，其連接於該第二電池模組、該第三電池模組，以及該流體出口；以及<br/> 一連通管道組，其設置於該殼體之一後殼部，該連通管道組連接於該第一電池模組且與該第二電池模組以及該第三電池模組以並聯方式連接。
如請求項1所述之電池組，其中該連通管道組包含：<br/> 一第一連通管道，其連接於該第一電池模組；<br/> 一第二連通管道，其連接於該第二電池模組；<br/> 一第三連通管道，其連接於該第三電池模組；以及<br/> 一三向閥，其連接於該第一連通管道、該第二連通管道，以及該第三連通管道。
如請求項2所述之電池組，其中該第二連通管道之彎管數量大於該第三連通管道之彎管數量。
如請求項2所述之電池組，其中該第三連通管道貫穿該第二框架之一橫向樑以連接至該第三電池模組。
如請求項1所述之電池組，其中該輸出管道組包含：<br/> 一第一輸出管道，其連接於該流體出口；<br/> 一第二輸出管道，其連接於該第二電池模組；<br/> 一第三輸出管道，其連接於該第三電池模組；以及<br/> 一三向閥，其連接於該第一輸出管道、該第二輸出管道，以及該第三輸出管道。
如請求項5所述之電池組，其中該第二管道組與該第二輸出管道之總管道長度等於該第三管道組與該第三輸出管道之總管道長度。
如請求項5所述之電池組，其中該第二輸出管道之彎管數量大於該第三輸出管道之彎管數量。
如請求項1所述之電池組，其中該電池組另包含一電連接排組件，該前蓋另具有一正極接頭以及一負極接頭，該電連接排組件包含：<br/> 一正極電連接排，其電連接於該正極接頭；<br/> 一第一電連接排組，其設置於該第一側邊部且與該正極電連接排以及該複數個第一電池模組以串聯方式電性連接；<br/> 一第二電連接排組，其設置於該第二側邊部且與該複數個第二電池模組以串聯方式電性連接；<br/> 一第三電連接排組，其設置於該第二側邊部且與該複數個第三電池模組以串聯方式電性連接；<br/> 一負極電連接排，其電連接於該負極接頭；以及<br/> 一電線組，其設置於該後殼部以分別建立該第一電連接排組與該第二電連接排組之間的電性連接、該第二電連接排組與該第三電連接排組之間的電性連接，以及該第三電連接排組與該第一電連接排組之間的電性連接。
如請求項8所述之電池組，其中該電線組包含：<br/> 一第一電線單元，其電連接於該第一電池模組以及第二電池模組；<br/> 一第二電線單元，其電連接於該第二電池模組以及第三電池模組；以及<br/> 一第三電線單元，其電連接於該第三電池模組以及第一電池模組；<br/> 其中，該第二電線單元貫穿該第二框架之一橫向樑以電連接於該第三電池模組，且該第三電線單元貫穿該橫向樑以電連接於該第一電連接排組。
如請求項1所述之電池組，其中該第一框架、該第二框架，以及該至少一第三框架之至少其中之一具有至少一外凸塊連接於至少一另一電池組，以構成一電池包。
一種電池系統，其包含：<br/> 一電池組，其包含： <br/> 一殼體，其具有從上到下依序排列之一第一框架、一第二框架以及至少一第三框架，該殼體另具有一前蓋，該前蓋可拆卸地覆蓋該殼體之一前殼部，該前蓋上設有一流體入口以及一流體出口；<br/> 複數個第一電池模組，其設置於該第一框架內；<br/> 複數個第二電池模組，其設置於該第二框架內；<br/> 複數個第三電池模組，其設置於該至少一第三框架內；以及<br/> 一管道組件，其包含：<br/> 一輸入管道，其連接至該流體入口；<br/> 一第一管道組，其設置在該殼體之一第一側邊部，該第一管道組連接於該輸入管道且與該第一框架內的該複數個第一電池模組以串聯方式連接；<br/> 一第二管道組，其設置在該殼體之一第二側邊部且與該第二框架內的該複數個第二電池模組以串聯方式連接；<br/> 一第三管道組，其設置在該殼體之該第二側邊部且與該第三框架內的該複數個第三電池模組以串聯方式連接；<br/> 一輸出管道組，其連接於該第二電池模組、該第三電池模組，以及該流體出口；以及<br/> 一連通管道組，其設置於該殼體之一後殼部，該連通管道組連接於該第一電池模組且與該第二電池模組以及該第三電池模組以並聯方式連接；<br/> 一泵浦，其連接於該流體入口以及該流體出口；以及<br/> 一熱管理模組，其連接於該泵浦，用來控制該泵浦將一流體泵入該電池組，以浸沒式冷卻方式進行該電池組的熱管理。
如請求項11所述之電池系統，其中該連通管道組包含：<br/> 一第一連通管道，其連接於該第一電池模組；<br/> 一第二連通管道，其連接於該第二電池模組；<br/> 一第三連通管道，其連接於該第三電池模組；以及<br/> 一三向閥，其連接於該第一連通管道、該第二連通管道，以及該第三連通管道。
如請求項12所述之電池系統，其中該第二連通管道之彎管數量大於該第三連通管道之彎管數量。
如請求項12所述之電池系統，其中該第三連通管道貫穿該第二框架之一橫向樑以連接至該第三電池模組。
如請求項11所述之電池系統，其中該輸出管道組包含：<br/> 一第一輸出管道，其連接於該流體出口；<br/> 一第二輸出管道，其連接於該第二電池模組；<br/> 一第三輸出管道，其連接於該第三電池模組；以及<br/> 一三向閥，其連接於該第一輸出管道、該第二輸出管道，以及該第三輸出管道。
如請求項15所述之電池系統，其中該第二管道組與該第二輸出管道之總管道長度等於該第三管道組與該第三輸出管道之總管道長度。
如請求項15所述之電池系統，其中該第二輸出管道之彎管數量大於該第三輸出管道之彎管數量。
如請求項11所述之電池系統，其中該電池組另包含一電連接排組件，該前蓋另具有一正極接頭以及一負極接頭，該電連接排組件包含：<br/> 一正極電連接排，其電連接於該正極接頭；<br/> 一第一電連接排組，其設置於該第一側邊部且與該正極電連接排以及該複數個第一電池模組以串聯方式電性連接；<br/> 一第二電連接排組，其設置於該第二側邊部且與該複數個第二電池模組以串聯方式電性連接；<br/> 一第三電連接排組，其設置於該第二側邊部且與該複數個第三電池模組以串聯方式電性連接；<br/> 一負極電連接排，其電連接於該負極接頭；以及<br/> 一電線組，其設置於該後殼部以分別建立該第一電連接排組與該第二電連接排組之間的電性連接、該第二電連接排組與該第三電連接排組之間的電性連接，以及該第三電連接排組與該第一電連接排組之間的電性連接。
如請求項18所述之電池系統，其中該電線組包含：<br/> 一第一電線單元，其電連接於該第一電池模組以及第二電池模組；<br/> 一第二電線單元，其電連接於該第二電池模組以及第三電池模組；以及<br/> 一第三電線單元，其電連接於該第三電池模組以及第一電池模組；<br/> 其中，該第二電線單元貫穿該第二框架之一橫向樑以電連接於該第三電池模組，且該第三電線單元貫穿該橫向樑以電連接於該第一電連接排組。
如請求項11所述之電池系統，其中該第一框架、該第二框架，以及該至少一第三框架之至少其中之一具有至少一外凸塊連接於至少一另一電池組，以構成一電池包。
一種製造光學裝置的方法，所述方法包括： <br/>接收光纖陣列單元，其中在所述接收之後光纖延伸穿過所述光纖陣列單元，其中所述光纖排列成多個組，所述多個組中的每個組與所述多個組中的相鄰組偏移第一距離，所述第一距離小於所述光纖中的一者的直徑，其中所述多個組具有階梯狀的佈置；以及 <br/>將所述光纖陣列單元附接到光學裝置。
如請求項1所述的製造光學裝置的方法，其中所述光學裝置是第一光學封裝。
如請求項2所述的製造光學裝置的方法，其中所述光纖與所述第一光學封裝內的邊緣耦合器對準，所述邊緣耦合器翹曲偏離直線對準。
如請求項2所述的製造光學裝置的方法，更包括將第二光纖陣列單元附接到所述第一光學封裝的第二側，所述第二側與相鄰所述光纖陣列單元的第一側不同。
如請求項4所述的製造光學裝置的方法，其中所述第一側具有與所述第二側不同的長度。
如請求項1所述的製造光學裝置的方法，其中所述第一距離在0.5μm與2μm之間。
如請求項1所述的製造光學裝置的方法，其中所述多個組中的第一組具有第一數量的光纖，並且其中所述多個組中的第二組具有與所述第一數量不同的第二數量的光纖。
一種製造光學裝置的方法，所述方法包括： <br/>將第一光學封裝接合到中介件基底，其中所述接合使所述第一光學封裝內的一排邊緣耦合器翹曲；以及 <br/>將光纖陣列單元附接到所述第一光學封裝的第一側，所述光纖陣列單元包括： <br/>第一組光纖；以及 <br/>第二組光纖，所述第二組光纖與所述第一組光纖的偏移量的距離小於2μm，其中所述第一組光纖和所述第二組光纖具有階梯狀的佈置。
一種光學裝置，包括： <br/>第一光學封裝，接合至中介件基底，其中所述第一光學封裝內的耦合器彼此偏移；以及 <br/>光纖陣列單元<b>，</b>位在所述第一光學封裝的第一側，所述光纖陣列單元包括： <br/>第一組光纖；以及 <br/>第二組光纖，所述第二組光纖與所述第一組光纖的偏移量的距離小於2μm，其中所述第一組光纖和所述第二組光纖具有階梯狀的佈置。
如請求項9所述的光學裝置，其中所述距離大於0.5μm。
一種通訊裝置，包括：<br/> 一第一頻率選擇面元件；<br/> 一第二頻率選擇面元件，鄰近於該第一頻率選擇面元件；<br/> 一饋入輻射部，產生一電磁信號，其中該電磁信號係於該第一頻率選擇面元件和該第二頻率選擇面元件之間來進行反射傳播；以及<br/> 至少一介電雷射加速器，發射至少一電子束；<br/> 其中該第一頻率選擇面元件、該第二頻率選擇面元件，以及該饋入輻射部係共同形成一天線結構；<br/> 其中該電子束與該電磁信號之間發生一耦合效應，使得該電磁信號之輻射能量將會被增強；<br/> 其中該介電雷射加速器係設置於該第一頻率選擇面元件和該第二頻率選擇面元件之間。
如請求項1所述之通訊裝置，其中該第一頻率選擇面元件係用於部份反射且部份透射該電磁信號。
如請求項1所述之通訊裝置，其中該第二頻率選擇面元件係用於完全反射該電磁信號。
如請求項1所述之通訊裝置，其中該第二頻率選擇面元件係由一人造磁導體材質所製成。
如請求項1所述之通訊裝置，其中該第二頻率選擇面元件係由一金屬材質所製成。
如請求項1所述之通訊裝置，其中該天線結構涵蓋一操作頻帶，而該操作頻帶係介於60GHz至500GHz之間。
如請求項6所述之通訊裝置，其中該第一頻率選擇面元件和該第二頻率選擇面元件之間之一特定距離係大致等於該操作頻帶之0.25倍波長。
如請求項6所述之通訊裝置，其中該第一頻率選擇面元件和該第二頻率選擇面元件之間之一特定距離係大致等於該操作頻帶之0.5倍波長。
如請求項1所述之通訊裝置，更包括：<br/> 複數個介電雷射加速器，發射複數個電子束。
如請求項9所述之通訊裝置，其中該等電子束具有相同之發射方向。
如請求項9所述之通訊裝置，其中該等電子束具有不同之發射方向。
如請求項9所述之通訊裝置，其中該等介電雷射加速器係配置成為一陣列。
如請求項9所述之通訊裝置，其中該等介電雷射加速器係沿著一迴圈作排列。
如請求項13所述之通訊裝置，其中該迴圈係呈現一圓形或一橢圓形。
如請求項1所述之通訊裝置，更包括：<br/> 一金屬波導，設置於該第二頻率選擇面元件之下方。
一種通訊方法，包括下列步驟：<br/> 藉由一饋入輻射部，產生一電磁信號；<br/> 於一第一頻率選擇面元件和一第二頻率選擇面元件之間來反射傳播該電磁信號，其中該第二頻率選擇面元件係鄰近於該第一頻率選擇面元件，而該第一頻率選擇面元件、該第二頻率選擇面元件，以及該饋入輻射部係共同形成一天線結構；以及<br/> 藉由至少一介電雷射加速器，發射至少一電子束，其中該電子束與該電磁信號之間發生一耦合效應，使得該電磁信號之輻射能量將會被增強；<br/> 其中該介電雷射加速器係設置於該第一頻率選擇面元件和該第二頻率選擇面元件之間。
如請求項16所述之通訊方法，更包括：<br/> 藉由複數個介電雷射加速器，發射複數個電子束。
如請求項17所述之通訊方法，更包括：<br/> 將該等介電雷射加速器配置成為一陣列。
如請求項17所述之通訊方法，更包括：<br/> 將該等介電雷射加速器沿著一迴圈作排列。
一種有聲故事動畫自動產生方法，包括：接收一故事概述；根據該故事概述產生角色與該角色之描述；使用語者辨識技術抽取複數語者之複數語音檔案的複數語音特徵；將該複數語音特徵分為複數類別；指定各該類別之標記，再以該複數標記作為該複數語者之語音特徵標籤使用大型語言模型技術，進行該角色之描述和該複數語者之語音特徵標籤的配對，以產生該角色之特徵標籤；使用該大型語言模型技術，且根據該故事概述，生成符合該角色之特徵標籤的對話內容；使用該角色之語音模型為該對話內容配音，以產生故事對話語音，其中，該角色之語音模型與該角色之特徵標籤相對應；以及根據該角色之特徵標籤及該故事對話語音，並使用人工智慧動畫生成技術，產生有聲故事動畫。
如請求項1所述之有聲故事動畫自動產生方法，復包括：運用該複數語者之複數語音檔案及語音特徵標籤，並運用語音合成技術，進行語音模型訓練，以產生該複數語者之語音特徵標籤所對應的複數語音模型；以及將該複數語音模型所對應之語音特徵標籤和該角色之特徵標籤進行匹配，再將該複數語音模型中匹配度最高者作為該角色之語音模型。
一種有聲故事動畫自動產生方法，包括：接收一故事概述；根據使用者之語音檔案產生角色；使用語者辨識技術抽取該使用者之語音檔案的複數語音特徵；將該複數語音特徵分為複數類別；指定各該類別之標記，再以該複數標記作為該角色之特徵標籤；使用大型語言模型技術，且根據該故事概述，生成符合該角色之特徵標籤的對話內容；使用該角色之語音模型為該對話內容配音，以產生故事對話語音，其中，該角色之語音模型與該角色之特徵標籤相對應；以及根據該角色之特徵標籤及該故事對話語音，並使用人工智慧動畫生成技術，產生有聲故事動畫。
如請求項3所述之有聲故事動畫自動產生方法，復包括：運用該使用者之語音檔案及語音合成技術，經訓練以產生該角色之語音模型。
一種電腦可讀取儲存媒體，係儲存有複數指令，該複數指令由處理單元、處理器、電腦或伺服器讀取以執行如請求項1至4中任一項所述之有聲故事動畫自動產生方法。
一種有聲故事動畫自動產生系統，包括：故事形象標籤及語音提取模組或使用者特徵標籤提取模組，用於產生角色之特徵標籤；故事內容生成模組，用於使用大型語言模型技術，且根據一故事概述，生成符合該角色之特徵標籤的對話內容，再使用該角色之語音模型為該對話內容配音，以產生故事對話語音，其中，該語音模型與該角色之特徵標籤相對應；以及動畫生成模組，用於根據該角色之特徵標籤及該故事對話語音，並使用人工智慧動畫生成技術，產生有聲故事動畫，其中，該角色係根據該故事概述而產生者，且該故事形象標籤及語音提取模組復用於根據該故事概述產生該角色之描述，再使用該大型語言模型技術，進行該角色之描述和複數語者之語音特徵標籤的配對，以產生該角色之特徵標籤。
一種有聲故事動畫自動產生系統，包括：故事形象標籤及語音提取模組或使用者特徵標籤提取模組，用於產生角色之特徵標籤；故事內容生成模組，用於使用大型語言模型技術，且根據一故事概述，生成符合該角色之特徵標籤的對話內容，再使用該角色之語音模型為該對話內容配音，以產生故事對話語音，其中，該語音模型與該角色之特徵標籤相對應；以及動畫生成模組，用於根據該角色之特徵標籤及該故事對話語音，並使用人工智慧動畫生成技術，產生有聲故事動畫，其中，該角色係根據該使用者之語音檔案而產生者，且該使用者特徵標籤提取模組復用於使用語者辨識技術抽取該使用者之語音檔案的複數語音特徵，將該複數語音特徵分為複數類別，指定各該類別之標記，再以該複數標記作為該角色之特徵標籤。
一種電子設備，包含：<br/> 一電子裝置，包含：<br/> 一殼體，僅具有一容置空間，其中該容置空間具有一第一截面形狀垂直於一第一方向；以及<br/> 二電子模組，設置於該容置空間中，其中各該電子模組可拆卸地沿著該第一方向安裝於該容置空間，各該電子模組具有一凹凸表面，該二電子模組的該凹凸表面相對設置且彼此配合，而使該二電子模組共同形成一第二截面形狀垂直於該第一方向，且該第二截面形狀與該第一截面形狀相匹配；以及<br/> 一安裝單元，包含一開口以及一底部沿著一垂直方向相對設置，其中該電子裝置是沿著該垂直方向通過該開口可拆卸地安裝於該安裝單元，且該第一方向平行於該垂直方向。
如申請專利範圍第1項所述的電子設備，其中該第一截面形狀於垂直於該第一方向的一第二方向具有一第一容置長度，各該電子模組於該第二方向上具有一第一長度，該第一長度對應該凹凸表面的一凸部，該第一長度大於該第一容置長度的一半，且該第一長度小於該第一容置長度。
如申請專利範圍第2項所述的電子設備，其中各該電子模組於該第二方向上具有一第二長度，該第二長度對應該凹凸表面的一凹部，且該第一長度與該第二長度的總和與該第一容置長度相匹配。
如申請專利範圍第2項所述的電子設備，其中各該電子模組包含一第一電子元件以及一第二電子元件分別對應該凹凸表面的該凸部以及一凹部。
如申請專利範圍第4項所述的電子設備，其中該第一電子元件於該第二方向的長度等於該第一長度。
如申請專利範圍第4項所述的電子設備，其中該第一電子元件以及該第二電子元件的其中至少一者包含不對稱形狀。
如申請專利範圍第1項所述的電子設備，其中該第一截面形狀於垂直於該第一方向的一第三方向具有一第二容置長度，各該電子模組於該第三方向具有一第三長度，且該第三長度與該第二容置長度相匹配。
如申請專利範圍第7項所述的電子設備，其中各該電子模組包含一第一電子元件以及一第二電子元件分別對應該凹凸表面的一凸部以及一凹部，且該第一電子元件於該第三方向的長度等於該第三長度。
如申請專利範圍第8項所述的電子設備，其中該第二電子元件於該第三方向的長度小於該第三長度。
如申請專利範圍第1項所述的電子設備，其中各該電子模組包含一第三截面形狀垂直於該第一方向，且該第三截面形狀為一不對稱形狀。
如申請專利範圍第1項所述的電子設備，其中該第一截面形狀以及該第二截面形狀分別為一矩形。
如申請專利範圍第1項所述的電子設備，更包含：<br/> 一分隔片，固定於該殼體且設置於該二電子模組的該凹凸表面之間。
如申請專利範圍第12項所述的電子設備，其中該分隔片包含一吊掛部延伸於該容置空間外。
如申請專利範圍第12項所述的電子設備，其中該分隔片包含依序相連的一第一片體、一第二片體以及一第三片體，其中該第一片體及該第三片體分別對應該二電子模組其中一者的該凹凸表面的一凸部以及一凹部，且該第一片體及該第三片體相對該第二片體彎折。
如申請專利範圍第1項所述的電子設備，其中各該電子模組包含一吊掛部延伸於該容置空間外。
如申請專利範圍第1項所述的電子設備，其中該安裝單元為一機櫃。
如申請專利範圍第1項所述的電子設備，其中該電子設備為一液冷式電子設備。
一種用於腔內手術的多方向組裝器械，包括：一萬向接頭，包括一半球頭部及一相對於半球頭部的基座；以及，至少一組接件，其可拆卸地與萬向接頭的半球頭部相連接，其中該至少一組接件更包括一側開口，該側開口係從套筒朝球部延伸，且側開口與通道相連通形成一容置空間。
如請求項1所述的多方向組裝器械，其中各至少一組接件包括一套筒、一球部、一位於套筒與球部之間的頸部以及一設於頸部內部且設於套筒與球部之間的通道。
如請求項2所述的多方向組裝器械，其中該套筒的外寬度大於套筒的內寬度及球部的寬度，而該球部的寬度稍大於或等於套筒的內寬度；該頸部的寬度小於套筒的外寬度、套筒的內寬度及球部的寬度。
如請求項3所述的多方向組裝器械，其中至少一組接件的數量為一個。
如請求項3所述的多方向組裝器械，其中至少一組接件的數量為複數個。
如請求項5所述的多方向組裝器械，其中至少一組接件的數量為三個以上。
如請求項5所述的多方向組裝器械，其中至少一組接件中的一組接件是藉由球部與萬向接頭的半球頭部可拆卸地連接，該至少一組接件的套筒則係與前一至少一組接件的球部可拆卸地相連接。
如請求項7所述的多方向組裝器械，其中該萬向接頭更包含一頸部及複數個洞孔，其中該頸部設置於該半球頭部與該基座之間，而該複數個洞孔分佈並穿設於該萬向接頭的頸部上。
如請求項8所述的多方向組裝器械，其中該複數個洞孔的形狀包含條狀或點狀。
如請求項9所述的多方向組裝器械，其中該萬向接頭更包括一操作件，該操作件鄰近於基座。
如請求項10所述的多方向組裝器械，其中該操作件包括探針(probe)、扁鑽(flat drill)、扁刀(flat knife)、探查器(explorer)、小鏟(spatula)、塞子(plugger)、咬合成形器(occlusion former)、導引鉗(guide forceps)、骨膜剝離器(periosteal elevator)、骨膜刀(peristome)、鑷子(forceps)或牽引器(retractor)。
如請求項11所述的多方向組裝器械，其中該骨膜剝離器包括De Wijs、molt、Oldberg、Papilla或齦移植骨膜剝離器(gingival grafting periosteal elevator)。
如請求項11所述的多方向組裝器械，其中該探針包括牙周探針(periodontal probe)、抽吸探針(suction probe)或鼻竇探針(sinus probe)。
如請求項11所述的多方向組裝器械，其中該操作件由記憶金屬製成。
如請求項14所述的多方向組裝器械，其中至少一組接件的側邊開口藉由組裝複數組接件而彼此相連，且各至少一組接件的容置空間也彼此相連通。
如請求項15所述的多方向組裝器械，其中至少一用於狹窄腔室的手術器械可透過複數連通的側開口被放置於相互連通的容置空間中。
如請求項16所述的多方向組裝器械，其中至少一用於狹窄腔室的手術器械包括內視鏡(endoscope)、成像裝置、光源、雷射、刮刀(curettes)、超音波驅動的尖端(ultrasonically-powered tips)、灌洗裝置(irrigation devices)和抽吸裝置(suction devices)。
如請求項9所述的多方向組裝器械，其中該萬向接頭更包含一遮罩，該遮罩包括一頂部以及一相對於頂部的底部；該遮罩可拆卸地套接至該萬向接頭，並可相對於該萬向接頭的軸向方向旋轉；該頂部包括複數凸部及至少一凹槽，該至少一凹槽位於相鄰的兩凸部之間，而該底部的形狀則與該萬向接頭的基座的形狀相對應。
如請求項18所述的多方向組裝器械，其中凸部的數量為三或四。
如請求項19所述的多方向組裝器械，其中該遮罩更包括一開口，該開口係從頂部朝向底部延伸。
如請求項20所述的多方向組裝器械，其中該遮罩更包括一頸部，該頸部係設於頂部與底部之間，且該頸部的直徑自底部朝向頂部遞減；該遮罩的頸部的形狀與該萬向接頭的頸部的形狀相對應。
如請求項7所述的多方向組裝器械，其中該萬向接頭更包括一固定件及至少一記憶金屬條，其中固定件設於開口附近的基座上，且至少一記憶金屬條係設於固定件上。
如請求項22所述的多方向組裝器械，其中該固定件更包括兩貫穿槽，且該兩貫穿槽的軸向與該萬向接頭的軸向平行；至少一記憶金屬條的兩端經彎折後可固定於該兩貫穿槽內。
如請求項23所述的多方向組裝器械，其中至少一記憶金屬條經折彎後所形成的形狀包括T形、L形、圓形、橢圓形、M形、W形或網狀。
如請求項23所述的多方向組裝器械，其中至少一記憶金屬條包括鎳鈦基形狀記憶合金(nickel-titanium-based shape memory alloy,Ni-Ti SMA)、銅基形狀記憶合金(copper-based shape memory alloy,Cu SMA)或鐵基形狀記憶合金(iron-based shape memory alloy,Fe SMA)。
如請求項25所述的多方向組裝器械，其中至少一記憶金屬條材質係選自於由金鎘合金(gold-cadmium alloy,Au-Cd)、銀鎘合金(silver-cadmium alloy,Ag-Cd)、銅鋅合金(copper-zinc alloy,Cu-Zn)、銅鋅鋁合金(copper-zinc-aluminum alloy,Cu-Zn-Al)、銅鋅錫合金(copper-zinc-tin alloy,Cu-Zn-Sn)、銅鋅矽合金(copper-zinc-silicon alloy,Cu-Zn-Si)、銅錫合金(copper-tin alloy,Cu-Sn)、銅鋅鎵合金(copper-zinc-gallium,Cu-Zn-Ga)、銦鈦合金(indium-titanium alloy,In-Ti)、金銅鋅合金(gold-copper-zinc alloy,Au-Cu-Zn)、鎳鋁合金(nickel-aluminum alloy,Ni-Al)、鐵鉑合金(iron-platinum alloy,Fe-Pt)、鈦鎳合金(titanium-nickel alloy,Ti-Ni)、鈦鎳鈀合金(titanium-nickel-palladium alloy,Ti-Ni-Pd)、鈦鈮合金(titanium-niobium alloy,Ti-Nb)、鈾鈮合金(uranium-niobium alloy,U-Nb)及鐵錳矽合金(iron-manganese-silicon alloy,Fe-Mn-Si)所組合的群組。
一種用於腔內手術的套組，其包括：一中空握柄；一連接桿包括一前端、一後端及一插口，其中該後端與中空握柄可拆卸地相連接，且該插口位於前端及後端之間；一萬向接頭，包括一半球頭部及一相對於半球頭部的基座；以及，至少一組接件，其可拆卸地設置在連接桿與萬向接頭之間，並與萬向接頭的半球頭部可拆卸地相連接，其中各至少一組接件包括一套筒與一球部；至少一組接件係藉由套筒與連接桿的插口或另一組接件的球部可拆卸地相連接；至少一組接件係藉由球部與萬向接頭的半球頭部可拆卸地相連接。
如請求項27所述的套組，其中該連接桿更包括一內螺紋，其係設在連接桿內部；中空握柄更包括一螺紋螺柱，連接桿的後端可透過內螺紋與該螺紋螺柱可拆卸地與中空握柄相連接。
如請求項28所述的套組，其中該連接桿的插口係由一第一插口及一第二插口組成，該第一插口與該第二插口呈部分交錯狀態，且第一插口的寬度大於第二插口的寬度。
如請求項29所述的套組，其中各至少一組接件更包括一位於套筒與球部之間的頸部以及一設於頸部內部且設於套筒與球部之間的通道。
如請求項30所述的套組，其中該套筒的外寬度大於套筒的內寬度及球部的寬度，而該球部的寬度稍大於或等於套筒的內寬度；該頸部的寬度小於套筒的外寬度、套筒的內寬度及球部的寬度。
如請求項31所述的套組，其中該連接桿的第一插口的寬度大於套筒的外寬度和至少一組接件的頸部的寬度；且第二插口的寬度等於或略小於至少一組接件的頸部的寬度；第二插口的寬度小於套筒的外寬度。
如請求項32所述的套組，其中至少一組接件的數量為複數個。
如請求項33所述的套組，其中至少一組接件的數量為三個以上。
如請求項34所述的套組，其中至少一組接件中的一個組接件藉由套筒與連接桿的第一插口或第二插口可拆卸地相連接；另一個組接件藉由球部與萬向接頭的頭部可拆卸地相連接；其餘一個組接件係藉由套筒與前一個至少一組接件的球部可拆卸地相連接。
如請求項35所述的套組，其中該萬向接頭更包含一頸部及複數個洞孔，其中該頸部設置於該半球頭部與該基座之間，而該複數個洞孔分佈並穿設於該萬向接頭的頸部上。
如請求項36所述的套組，其中該複數個洞孔的形狀包含條狀或點狀。
如請求項37所述的套組，其中該萬向接頭更包括一操作件，該操作件鄰近於基座。
如請求項38所述的套組，其中該操作件包括探針(probe)、扁鑽(flat drill)、扁刀(flat knife)、探查器(explorer)、小鏟(spatula)、塞子(plugger)、咬合成形器(occlusion former)、導引鉗(guide forceps)、骨膜剝離器(periosteal elevator)、骨膜刀(peristome)、鑷子(forceps)或牽引器(retractor)。
如請求項39所述的套組，其中該骨膜剝離器包括De Wijs、molt、Oldberg、Papilla或齦移植骨膜剝離器(gingival grafting periosteal elevator)。
如請求項39所述的套組，其中該探針包括牙周探針(periodontal probe)、抽吸探針(suction probe)或鼻竇探針(sinus probe)。
如請求項39所述的套組，其中該操作件由記憶金屬製成。
如請求項35所述的套組，其中至少一組接件更包括一側開口，該側開口係從套筒朝球部延伸，且側開口與通道相連通形成一容置空間。
如請求項43所述的套組，其中至少一組接件的側邊開口藉由組裝複數組接件而彼此相連，且各至少一組接件的容置空間也彼此相連通。
如請求項44所述的套組，其中至少一用於狹窄腔室的手術器械可透過複數連通的側開口被放置於相互連通的容置空間中。
如請求項45所述的套組，其中至少一用於狹窄腔室的手術器械包括內視鏡(endoscope)、成像裝置、光源、雷射、刮刀(curettes)、超音波驅動的尖端(ultrasonically-powered tips)、灌洗裝置(irrigation devices)和抽吸裝置(suction devices)。
如請求項37所述的套組，其中該萬向接頭更包含一遮罩，該遮罩包括一頂部以及一相對於頂部的底部；該遮罩可拆卸地套接至該萬向接頭，並可相對於該萬向接頭的軸向方向旋轉；該頂部包括複數凸部及至少一凹槽，該至少一凹槽位於相鄰的兩凸部之間，而該底部的形狀則與該萬向接頭的基座的形狀相對應。
如請求項47所述的套組，其中凸部的數量為三或四。
如請求項47所述的套組，其中該遮罩更包括一開口，該開口係從頂部朝向底部延伸。
如請求項49所述的套組，其中該遮罩更包括一頸部，該頸部係設於頂部與底部之間，且該頸部的直徑自底部朝向頂部遞減；該遮罩的頸部的形狀與該萬向接頭的頸部的形狀相對應。
如請求項35所述的套組，其中該萬向接頭更包括一固定件及至少一記憶金屬條，其中固定件設於開口附近的基座上，且至少一記憶金屬條係設於固定件上。
如請求項51所述的套組，其中該固定件更包括兩貫穿槽，且該兩貫穿槽的軸向與該萬向接頭的軸向平行；至少一記憶金屬條的兩端經彎折後可固定於該兩貫穿槽內。
如請求項52所述的套組，其中至少一記憶金屬條經折彎後所形成的形狀包括T形、L形、圓形、橢圓形、M形、W形或網狀。
如請求項52所述的套組，其中至少一記憶金屬條包括鎳鈦基形狀記憶合金(nickel-titanium-based shape memory alloy,Ni-Ti SMA)、銅基形狀記憶合金(copper-based shape memory alloy,Cu SMA)或鐵基形狀記憶合金(iron-based shape memory alloy,Fe SMA)。
如請求項54所述的套組，其中至少一記憶金屬條材質係選自於由金鎘合金(gold-cadmium alloy,Au-Cd)、銀鎘合金(silver-cadmium alloy,Ag-Cd)、銅鋅合金(copper-zinc alloy,Cu-Zn)、銅鋅鋁合金(copper-zinc-aluminum alloy,Cu-Zn-Al)、銅鋅錫合金(copper-zinc-tin alloy,Cu-Zn-Sn)、銅鋅矽合金(copper-zinc-silicon alloy,Cu-Zn-Si)、銅錫合金(copper-tin alloy,Cu-Sn)、銅鋅鎵合金(copper-zinc-gallium,Cu-Zn-Ga)、銦鈦合金(indium-titanium alloy,In-Ti)、金銅鋅合金(gold-copper-zinc alloy,Au-Cu-Zn)、鎳鋁合金(nickel-aluminum alloy,Ni-Al)、鐵鉑合金(iron-platinum alloy,Fe-Pt)、鈦鎳合金(titanium-nickel alloy,Ti-Ni)、鈦鎳鈀合金(titanium-nickel-palladium alloy,Ti-Ni-Pd)、鈦鈮合金(titanium-niobium alloy,Ti-Nb)、鈾鈮合金(uranium-niobium alloy,U-Nb)及鐵錳矽合金(iron-manganese-silicon alloy,Fe-Mn-Si)所組合的群組。
一種顯示裝置，包括： 一顯示區域，包含複數個第一發光區域，其等具有第一顏色並沿第一方向佈置， <br/>其中，沿該第一方向相鄰的該些第一發光區域之間的間隔沿該第一方向在最大間隔與小於該最大間隔的最小間隔之間交替， <br/>其中，一堤部層設置在沿該第一方向相鄰的該些第一發光區域之間， <br/>其中，設置在以該最小間隔相鄰的該些第一發光區域中的發光層彼此連接，以及 <br/>其中，設置在以該最大間隔相鄰的該些第一發光區域中的發光層彼此斷開。
如請求項1所述之顯示裝置， <br/>其中，該顯示區域進一步包含複數個第二發光區域，其等具有第二顏色並沿該第一方向佈置，以及 <br/>其中，該些第一發光區域和該些第二發光區域沿與該第一方向交叉的第二方向交替佈置。
如請求項2所述之顯示裝置， 其中，沿該第一方向上相鄰的該些第二發光區域之間的間隔大於該最小間隔。
如請求項2所述之顯示裝置， 其中，沿該第一方向上相鄰的該些第一發光區域之間的該間隔沿該第一方向在該最大間隔與該最小間隔之間交替。
如請求項2所述之顯示裝置，其中，該些第一發光區域和該些第二發光區域中的每一個包含沿該第一方向的長邊長度和沿該第二方向的短邊長度。
如請求項5所述之顯示裝置，其中，該些第一發光區域中的每一個的該長邊長度大於該些第二發光區域中的每一個的該長邊長度。
如請求項2所述之顯示裝置， <br/>其中，沿該第二方向佈置的該些第二發光區域具有沿該第二方向彼此對齊的中心點，以及 <br/>其中，沿該第二方向佈置的該些第一發光區域中的每一個具有沿該第一方向或與該第一方向相反的方向從該些第二發光區域的該些中心點偏移的中心點。
如請求項7所述之顯示裝置，進一步包括： <br/>一光控制陣列，包含複數個光控制元件，其等重疊並設置在該複數個第一發光區域和該複數個第二發光區域上， <br/>其中，該複數個光控制元件中的每一個包含沿該第一方向的長邊長度和沿該第二方向的短邊長度，以及 <br/>其中，複數個該光控制元件中的每一個配置以將從該複數個第一發光區域和該複數個第二發光區域中的每一個發射的光的路徑沿該第二方向控制在截止角內。
如請求項8所述之顯示裝置，其中，該複數個光控制元件具有沿該第二方向與該些第二發光區域的該些中心點對齊的中心點。
如請求項8所述之顯示裝置，其中，該光控制陣列包含一光控制元件，其由以該最小間隔相鄰的該些第一發光區域共用。
如請求項8所述之顯示裝置，進一步包括： <br/>一發光元件層，包含複數個發光元件； <br/>一封裝層，設置在該發光元件層上；以及 <br/>一觸控感測器陣列，設置在該封裝層與該光控制陣列之間。
如請求項11所述之顯示裝置， <br/>其中，該觸控感測器陣列包含一橋接電極、一黑色矩陣及一感測器電極，其等重疊在該顯示區域的一非發光區域中，以及 <br/>其中，該橋接電極透過設置在該非發光區域中的一接觸部件電性連接至該感測器電極。
一種顯示裝置，包括： <br/>一顯示區域，包含第一列線至第六列線，其等沿第一方向延伸並沿與該第一方向交叉的第二方向佈置， <br/>其中，該第一列線和該第四列線中的每一列包含複數個第一子像素，其中複數個第一發光區域沿該第一方向佈置， <br/>該第二列線和該第五列線中的每一列包含複數個第二子像素，其中複數個第二發光區域沿該第一方向佈置， <br/>該第三列線包含複數個3-1子像素和複數個3-2子像素，其中一3-1發光區域及一3-2發光區域沿該第一方向交替佈置， <br/>該第六列線包含複數個3-2子像素和複數個3-1子像素，其中該3-2發光區域及該3-1發光區域沿該第一方向交替佈置，以及 <br/>在該第三列線和該第六列線的每一列中，沿該第一方向上彼此相鄰的該3-1發光區域和該3-2發光區域以最大間隔間隔開，且沿該第一方向上彼此相鄰的該3-2發光區域和該3-1發光區域小於該最大間隔的最小間隔間隔開， <br/>其中，一堤部層設置在沿該第一方向相鄰的該3-1發光區域與該3-2發光區域之間， <br/>其中，設置在以該最小間隔相鄰的該3-1發光區域與該3-2發光區域中的發光層彼此連接，以及 <br/>其中，設置在以該最大間隔相鄰的該3-1發光區域與該3-2發光區域中的發光層彼此斷開。
如請求項13所述之顯示裝置， <br/>其中，在該第一列線和該第四列線中的每一列中，該複數個第一發光區域沿該第一方向以第一距離間隔開， <br/>在該第二列線和該第五列線中的每一列中，該複數個第二發光區域沿該第一方向以第二距離間隔開，以及 <br/>該最小間隔小於該第一距離和該第二距離。
一種顯示裝置，包括： <br/>一像素陣列，包含複數個像素，其等沿第一方向和與該第一方向交叉的第二方向佈置，該複數個像素中的每一個包含複數個發光元件，該複數個發光元件之中的至少一個發光元件具有比其餘該些發光元件的發光區域更大的最大的發光區域； <br/>一封裝層，設置在該像素陣列上以密封包含該複數個發光元件的一發光元件層； <br/>一觸控感測器陣列，包含至少一黑色矩陣和至少一感測器電極，其等設置在該封裝層上並與該像素陣列的一非發光區域重疊；以及 <br/>一光控制陣列，包含至少一光控制元件，其設置在該觸控感測器陣列上並分別與該發光元件重疊， <br/>其中，在該像素陣列中， <br/>在沿該第一方向上彼此相鄰的第N-1（N為2以上的整數）像素和第N像素中，具有該最大的發光區域的發光元件彼此相鄰並沿該第一方向以第一距離間隔開， <br/>在沿該第一方向彼此相鄰的第N像素和第N+1像素中，具有該最大的發光區域的發光元件彼此相鄰並沿該第一方向以小於各該第一距離的第二距離間隔開， <br/>其中，一堤部層設置在沿該第一方向相鄰的該些發光區域之間， <br/>其中，設置在彼此相鄰並沿該第一方向以該第二距離間隔開的具有該最大的發光區域的該些發光元件中的發光層彼此連接，以及 <br/>其中，設置在彼此相鄰並沿該第一方向以該第一距離間隔開的具有該最大的發光區域的該些發光元件中的發光層彼此斷開。
如請求項15所述之顯示裝置， <br/>其中，該第N像素和該第N+1像素中以該第二距離相鄰的該些發光元件包含： <br/>一陽極電極，獨立地設置在每個發光元件中； <br/>一發光層，由相鄰的該些發光元件共用；以及 <br/>一陰極電極，由相鄰的該些發光元件共用。
如請求項15所述之顯示裝置， <br/>其中，該第N-1、該第N和該N1+1像素中的每一個包含： <br/>一第一發光元件、一第二發光元件及一第三發光元件，其等沿該第二方向佈置， <br/>其中，該第一發光元件至該第三發光元件的發光區域中的每一個包含沿該第一方向的長邊長度和沿該第二方向的短邊長度，以及 <br/>其中，第三發光區域具有最大發光面積。
如請求項17所述之顯示裝置，其中： <br/>在該第N-1像素和該第N+1像素的每一個中，該第一發光元件和該第二發光元件的該些發光區域具有沿該第二方向對齊的第一中心點， <br/>在該第N-1像素和該第N+1像素的每一個中，該第三發光元件的該發光區域具有從該些第一中心點沿該第一方向偏移的第二中心點， <br/>該光控制元件包含沿該第一方向的長邊長度和沿該第二方向的短邊長度，以及 <br/>在該第N-1像素和該第N+1像素的每一個中，分別與該第一發光元件至該第三發光元件中的一個發光元件重疊的該光控制元件的該長邊長度的中心點沿該第二方向與該些第一中心點對齊。
如請求項17所述之顯示裝置，其中， <br/>在該第N像素中，該第一發光元件和該第二發光元件的該些發光區域具有沿該第二方向對齊的第三中心點， <br/>在該第N像素中，該第三發光元件的該發光區域具有從該些第三中心點沿與該第一方向相反的方向偏移的第四中心點，該光控制元件包含沿該第一方向的長邊長度和沿該第二方向的短邊長度，以及 <br/>在該第N像素中，分別與該第一發光元件至該第三發光元件中的一個發光元件重疊的該光控制元件的該長邊長度的中心點沿該第二方向與該些第三中心點對齊。
一種用以將一第一基板與一第二基板接合之裝置，其包含： <br/>一紅外線相機，其被組構成用以將與在該第一基板與該第二基板之間的接觸期間所發生的一接合波相關的資料數位化；及 <br/>一電腦，經數位化的該資料被轉發至該電腦，該電腦被組構成用以從經數位化的該資料來偵測指示該接合波之追蹤的一徑向位置，並根據偵測到的該接合波的該徑向位置控制該接合波。
如請求項1之裝置，其中該電腦進一步被組構成用以從經數位化的該資料來偵測該第一基板與該第二基板之間的一接合介面。
如請求項1之裝置，其中該電腦進一步被組構成用以從經數位化的該資料來偵測該第一基板的一背側。
如請求項1之裝置，其中該電腦進一步被組構成用以從經數位化的該資料來偵測該接合波的一速度。
如請求項1之裝置，其中該電腦進一步被組構成用以從經數位化的該資料來量測該接合波。
如請求項1之裝置，進一步包含： <br/>一第一基板固持器，其被組構成以一第一固持力F<sub>H1</sub>固持該第一基板；及 <br/>一第二基板固持器，其被組構成以一第二固持力F<sub>H2</sub>固持該第二基板；及 <br/>其中該第一固持力F<sub>H1</sub>及該第二固持力F<sub>H2</sub>至少其中之一藉由該電腦被減小至0以控制該接合波。
如請求項1之裝置，其中該電腦進一步被組構成用以從經數位化的該資料來偵測該接合波的一狀態及該接合波的一前進。
如請求項1之裝置，其中該電腦進一步被組構成用以從經數位化的該資料來偵測一經接合區域的一尺寸大小。
如請求項6之裝置，其中該第一基板固持器及該第二基板固持器藉由各別從該第一基板固持器及該第二基板固持器所施加之真空各別地固定至該第一基板及該第二基板； <br/>其中各別從該第一基板固持器及該第二基板固持器所施加之該等真空施加第一固持力F<sub>H1</sub>及第二固持力F<sub>H2</sub>，以各別地將該第一基板及該第二基板固定於該第一基板固持器及該第二基板固持器；及 <br/>其中該電腦進一步被組構成用以控制該等真空之減少以降低該第一固持力F<sub>H1</sub>及該第二固持力F<sub>H2</sub>，以及該第一基板及該第二基板由該第一基板固持器及該第二基板固持器各別之釋放。
如請求項1之裝置，其中該接合波之被偵測到的該徑向位置是對應於該第一基板及該第二基板之各別直徑之至少0.1倍之該接合波的一徑向位置。
如請求項1之裝置，其中該電腦進一步被組構成用以從經數位化的該資料來偵測該第一基板與該第二基板之間的一經接合表面相對於該第一基板與該第二基板之間的一未經接合表面之一百分比量。
一種用以將一第一基板與一第二基板接合之方法，該方法包含： <br/>數位化與在該第一基板與該第二基板之間的接觸期間所發生的一接合波相關的資料； <br/>藉由一電腦從經數位化的該資料來偵測指示該接合波之追蹤的一徑向位置；及 <br/>基於該接合波之被偵測到的該徑向位置，藉由該電腦控制該接合波。
如請求項12之方法，其中該資料係經由一紅外線相機以數位化。
如請求項12之方法，進一步包含： <br/>藉由該電腦，從經數位化的該資料來偵測一經接合區域的一尺寸大小。
如請求項12之方法，進一步包含： <br/>藉由該電腦，從經數位化的該資料來偵測該第一基板的一背側。
如請求項12之方法，進一步包含： <br/>藉由該電腦，從經數位化的該資料來偵測該第一基板與該第二基板之間的一接合介面。
如請求項12之方法，進一步包含： <br/>藉由該電腦，從經數位化的該資料來偵測該接合波的一狀態及該接合波的一前進。
如請求項12之方法，進一步包含： <br/>藉由該電腦，從經數位化的該資料來偵測該接合波的一速度。
如請求項12之方法，進一步包含： <br/>藉由該電腦，從經數位化的該資料來量測該接合波。
如請求項12之方法，進一步包含： <br/>藉由該電腦，從經數位化的該資料來偵測該第一基板與該第二基板之間的一經接合表面相對於該第一基板與該第二基板之間的一未經接合表面之一百分比量。
一種吊扇控制系統，包含：<br/> 複數吊扇，每一該吊扇包括一第一傳輸模組、一第二傳輸模組、一動力模組、一吊扇指撥開關模組，及一控制模組，該第一傳輸模組使用RF通訊技術，該第二傳輸模組使用Wi-Fi或藍牙通訊技術，該吊扇指撥開關模組用以供設置9個位元以上的一第一配對位址，每一該吊扇所設置的該第一配對位址不同，該控制模組信號連接該第一傳輸模組、該第二傳輸模組、該動力模組與該吊扇指撥開關模組，用以輸出一控制信號以控制該動力模組運作；<br/> 複數遙控裝置，分別用以配對至該等吊扇，每一該遙控裝置包括一遙控傳輸模組、一遙控指撥開關模組及一運算模組，該遙控傳輸模組用以與該第一傳輸模組通訊，該遙控指撥開關模組用以供設置一與該第一配對位址相匹配的第二配對位址，該運算模組信號連接該遙控傳輸模組與該遙控指撥開關模組；及<br/> 一控制單元，用以與該等第二傳輸模組通訊，並儲存該等吊扇所對應的該等第一配對位址；<br/> 其中，於任一該吊扇與對應的該遙控裝置的一配對階段，該運算模組經該遙控傳輸模組輸出一相關於該第二配對位址與一滾動碼的配對信號，並傳輸至該第一傳輸模組，該控制模組由該第一傳輸模組接收相關於該第二配對位址與該滾動碼之資訊，並於判斷該第二配對位址匹配於該第一配對位址時，紀錄該滾動碼；<br/> 於任一該吊扇與對應的該遙控裝置的一運作階段，該運算模組經該遙控傳輸模組輸出一相關於該第二配對位址、該滾動碼與一控制資訊的運作信號，並傳輸至該第一傳輸模組，該控制模組由該第一傳輸模組接收該運作信號之資訊，並於判斷該第二配對位址匹配於該第一配對位址，且該滾動碼與所記錄之該滾動碼相同時，根據該控制資訊輸出該控制信號。
如請求項1所述的吊扇控制系統，其中，每一該運算模組儲存有一密碼資訊，該密碼資訊具有複數密碼，於該配對階段，該運算模組隨機取其中一該密碼作為該滾動碼，並記錄所取用的該滾動碼。
如請求項1所述的吊扇控制系統，其中，該控制模組透過該第二傳輸模組接收一操控信號，並於判斷該操控信號具有匹配於該第一配對位址與所記錄的該滾動碼之資訊時，根據該操控信號之資訊輸出該控制信號。
如請求項1所述的吊扇控制系統，其中，每一該吊扇傳輸所紀錄的該滾動碼至該控制單元。
如請求項4所述的吊扇控制系統，其中，該控制單元輸出一操控信號至對應的該吊扇的該第二傳輸模組，該控制模組經該第二傳輸模組接收該操控信號之資訊，並於判斷該操控信號具有匹配於該第一配對位址與所記錄的該滾動碼之資訊時，根據該操控信號之資訊輸出該控制信號。
一種行車資訊處理裝置，包含： <br/>一通訊單元，用以接收自一第一外部車輛傳來的一第一感測物件資料； <br/>一感測單元，用以產生一本車感測資料； <br/>一處理單元，電性或通訊連接該通訊單元和該感測單元，用以根據該第一感測物件資料與該本車感測資料產生一外部物件資料， <br/>基於該外部物件資料中的位置資料和該本車感測資料中的位置資料，產生一比較結果， <br/>若該比較結果包含至少一未匹配物件，則產生一觸發訊號至該通訊單元用以請求與接收該第一外部車輛傳來的一行車透視資料；以及 <br/>一顯示裝置，用以根據該行車透視資料提供包含該至少一未匹配物件的一顯示畫面。
如請求項1所述之行車資訊處理裝置，其中該處理單元更用以判斷該本車感測資料中的物件的種類以產生一本車種類資料。
如請求項2所述之行車資訊處理裝置，其中該處理單元更用以判斷該外部物件資料中的一外部物件種類資料與該本車種類資料相同， <br/>當該外部物件種類資料與該本車種類資料相同時，判斷該外部物件資料中的該位置資料和該本車物件資料中的該位置資料的一距離差是否小於或等於一閾值，以及 <br/>當該距離差小於或等於該閾值時，自該本車物件資料中移除一對應物件的資料。
如請求項1所述之行車資訊處理裝置，其中該處理單元的一第一頻率大於或等於該通訊單元的一第二頻率。
如請求項1所述之行車資訊處理裝置，其中該通訊單元更用以自一第二外部車輛接收一第二感測物件資料。
如請求項5所述之行車資訊處理裝置，其中當該至少一未匹配物件與該第一外部車輛的距離小於該至少一未匹配物件與該第二外部車輛的距離時，該處理單元更用以傳輸該觸發訊號至該通訊單元用以請求與接收該第一外部車輛傳來的該行車透視資料。
如請求項6所述之行車資訊處理裝置，其中當該至少一未匹配物件與該第一外部車輛的距離大於該至少一未匹配物件與該第二外部車輛的距離時，該處理單元更用以傳輸該觸發訊號至該通訊單元用以請求與接收該第二外部車輛傳來的該行車透視資料。
如求請求項1所述之行車資訊處理裝置，其中該處理單元更用以判斷該第一感測物件資料與該本車感測資料的一資料時間差異小於或等於一容許值， <br/>當資料時間差異小於或等於該容許值，該處理單元根據該第一感測物件資料以及該本車感測資料產生該外部物件資料。
如請求項1所述之行車資訊處理裝置，其中該處理單元用以判斷該外部物件資料中的該位置資料和該本車物件資料中的該位置資料之間的一距離差小於或等於一閾值，以產生該觸發訊號。
如請求項1所述之行車資訊處理裝置，其中當該比較結果指示該外部物件資料皆匹配該本車感測資料時，該處理單元更用以產生一請求至該通訊單元以停止接收該行車透視資料。
一種行車資料提供方法，用於一行車資訊處理裝置，包含： <br/>接收一第一外部車輛傳來的一第一感測物件資料； <br/>產生一本車感測資料； <br/>根據該第一感測物件資料與該本車感測資料產生一外部物件資料； <br/>基於該外部物件資料和該本車感測資料產生一比較結果； <br/>若該比較結果包含至少一未匹配物件，則產生一觸發訊號以請求與接收該第一外部車輛傳來的一第一行車透視資料；以及 <br/>根據該行車透視資料提供包含該至少一未匹配物件的一顯示畫面。
如請求項11所述之行車資料提供方法，其中基於該外部物件資料和該本車感測資料產生該比較結果包含： <br/>逐一將該外部物件資料中的複數個物件的種類資料與位置資料和該本車感測資料中複數個物件的種類資料與位置資料相比對，以刪除匹配物件。
如請求項12所述之行車資料提供方法，其中產生該比較結果更包含： <br/>當該外部物件資料中的一物件與該本車感測資料中的一物件的一距離差超過一閾值時，判斷該物件為該至少一未匹配物件。
如請求項11所述之行車資料提供方法，更包含： <br/>若該比較結果指示該外部物件資料皆匹配該本車感測資料時，產生一請求以停止接收該第一行車透視資料。
如請求項11所述之行車資料提供方法，更包含： <br/>自一第二外部車輛接收一第二感測物件資料。
如請求項15所述之行車資料提供方法，更包含： <br/>計算該第一外部車輛與該至少一未匹配物件的一第一距離； <br/>計算該第二外部車輛與該至少一未匹配物件的一第二距離；以及 <br/>比較該第一距離與該第二距離，以及當該第一距離小於該第二距離時，接收該第一外部車輛傳來的該第一行車透視資料。
如請求項16所述之行車資料提供方法，更包含： <br/>當該第一距離大於該第二距離時，接收該第二外部車輛傳來的一第二行車透視資料。
如請求項11所述之行車資料提供方法，更包含： <br/>當該外部物件資料與該本車感測資料的一資料時間差異大於一容許值，停止將該外部物件資料與該本車感測資料相比較。
如請求項11所述之行車資料提供方法，更包含： <br/>判斷該至少一未匹配物件的位置在一警戒區域內，以產生該觸發訊號。
如請求項11所述之行車資料提供方法，其中該第一行車透視資料包含該至少一未匹配物件。
一種熱傳板（8、8a），其包含沿著該熱傳板（8、8a）之一縱向中心軸線（L）依次配置的一上部末端部分（34）、一中心部分（36）及一下部末端部分（38），該上部末端部分（34）包含一第一通口孔（40）及一第二通口孔（42），且該下部末端部分（38）包含一第三通口孔（48）及一第四通口孔（50），該中心部分（36）包含具備一熱傳遞波紋圖案之一熱傳遞區域（46），如從該熱傳板（8、8a）之一第一側（30）所見，該熱傳遞波紋圖案包含HT脊（60）及HT谷（62），該等HT脊（60）及該等HT谷（62）在配置成彼此相距一距離（D）之假想平行的第一平面（P1）及第二平面（P2）中及在該第一平面與該第二平面之間延伸，該熱傳板（8、8a）之該第一側（30）面向該第一平面（P1）且該熱傳板（8、8a）之一相對第二側（32）面向該第二平面（P2），如從該第一側（30）所見，該熱傳板（8、8a）進一步包含一墊片溝槽（68），該墊片溝槽包含圍封該熱傳遞區域（46）以及該第一通口孔（40）及該第三通口孔（48）之一場墊片溝槽部分（68a）、圍封該第二通口孔（42）之一第二環墊片溝槽部分（68b）及圍封該第四通口孔（50）之一第四環墊片溝槽部分（68c），該第二環墊片溝槽部分（68b）之一底部（70b）沿著該第二環墊片溝槽部分（68b）至少多於一半之一長度且配置成與該第二平面相距一距離（d）之一假想墊片溝槽平面（GP）中延伸，且0 ≤ d ＜ D，一環形第二內部邊緣（37）界定該第二通口孔（42），一環形第二邊緣部分（58）圍封該第二通口孔（42）且在該第二內部邊緣（37）與該第二環墊片溝槽部分（68b）之間延伸，<b>其特徵在於</b>該第二邊緣部分（58）包含環形同心的內部區段（58a）、中間區段（58b）及外部區段（58c），該中間區段（58b）圍封該內部區段（58a）且由該外部區段（58c）圍封，其中多於50%之該內部區段（58a）在該第一平面（P1）中延伸，且其中該外部區段（58c）具備一外部波紋圖案（61），如從該熱傳板（8、8a）之該第一側（30）所見，該外部波紋圖案包含外部邊緣脊（61a）及外部邊緣谷（61b），該等外部邊緣脊（61a）及該等外部邊緣谷（61b）在該第二平面（P2）及一假想之第三平面（P3）中及在該第二平面與該第三平面之間延伸，該第三平面（P3）在該第一平面（P1）與該第二平面（P2）之間延伸。<u> </u>
如請求項1之熱傳板（8、8a），其中該中間區段（58b）具備一中間波紋圖案（63），如從該熱傳板（8、8a）之該第一側（30）所見，該中間波紋圖案包含中間邊緣脊（63a）及中間邊緣谷（63b），該等中間邊緣脊（63a）及該等中間邊緣谷（63b）在該第一平面（P1）與該第二平面（P2）中及在該第一平面與該第二平面之間延伸。<u> </u>
如請求項2之熱傳板（8、8a），其中該等中間邊緣脊（63a）及該等中間邊緣谷（63b）中之至少大部分分別與該等外部邊緣脊（61a）及該等外部邊緣谷（61b）中之各別者對準。<u> </u>
如請求項1至3中任一項之熱傳板（8、8a），其中該墊片溝槽平面（GP）在該第一平面（P1）與該第二平面（P2）之間延伸。<u> </u>
如請求項1至3中任一項之熱傳板（8、8a），其中該第三平面（P3）配置於該第一平面（P1）與該墊片溝槽平面（GP）之間。
如請求項1至3中任一項之熱傳板（8、8a），其中該熱傳板（8、8a）之該第二邊緣部分（58）之該內部區段（58a）包含界定該第二通口孔（42）之該第二內部邊緣（37）。<u> </u>
如請求項1至3中任一項之熱傳板（8、8a），如從該第一側（30）所見，其進一步包含一固定谷（65），該固定谷（65）從該第二環墊片溝槽部分（68b）延伸穿過該熱傳板（8、8a）之該內部區段（58a）、該中間區段（58b）及該外部區段（58c）。<u> </u>
如請求項7之熱傳板（8、8a），其中該固定谷（65）之一底部（71）之至少50%在該第二平面（P2）中延伸。<u> </u>
如請求項1至3中任一項之熱傳板（8、8a），其中該第一通口孔（40）及該第三通口孔（48）配置於該熱傳板（8、8a）之該縱向中心軸線（L）的一側上，且該第二通口孔（42）及該第四通口孔（50）配置於該熱傳板（8、8a）之該縱向中心軸線（L）的另一側上。
如請求項1至3中任一項之熱傳板（8、8a），如從該第一側（30）所見，其進一步包含一密封溝槽（64），該密封溝槽包含圍封該熱傳遞區域（46）以及該第二通口孔（42）及該第四通口孔（50）之一場密封溝槽部分（64a）、圍封該第一通口孔（40）之一第一環密封溝槽部分（64b）及圍封該第三通口孔（48）之一第三環密封溝槽部分（64c）。<u> </u>
如請求項10之熱傳板（8、8a），其中該場密封溝槽部分（64a）之一底部（66a）沿著該場密封溝槽部分（64a）至少多於一半之一長度在該第二平面（P2）中延伸，及/或該第一環密封溝槽部分（64b）之一底部（66b）沿著該第一環密封溝槽部分（64b）至少多於一半之一長度在該第二平面（P2）中延伸，及/或該第三環密封溝槽部分（64c）之一底部（66c）沿著該第三環密封溝槽部分（64c）至少多於一半之一長度在該第二平面（P2）中延伸。
一種墊片配置（72），其包含一第二環墊片部分（59b）及用於將該第二環墊片部分（59b）緊固至如請求項1至11中任一項之一熱傳板（8、8a）之一附接部件（74c），其中該附接部件（74c）在一突出方向（PD）上從該第二環墊片部分（59b）之一內側（76）突出且包含一連接構件（80）、一第一指形件（82）及一橋接件（78），該連接構件（80）之一第一連接部分（80a）與該第二環墊片部分（59b）接合，該連接構件（80）之一第二連接部分（80b）與該橋接件（78）接合，該第一指形件（82）之一連接部分（82a）與該橋接件（78）接合，該第一指形件（82）從該橋接件（78）朝向該第二環墊片部分（59b）延伸，<b>其特徵在於</b>該連接構件（80）在其一上部表面（86）中包含一凹槽（88），該凹槽（88）一直延伸穿過該連接構件（80）且與該突出方向（PD）交叉。
一種總成（90），其包含如請求項12之墊片配置（72），其中該第二環墊片部分（59b）容納於該第二環墊片溝槽部分（68b）中，且該附接部件（74c）與該第二邊緣部分（58）接合，其中該連接構件（80）之該凹槽（88）至少部分地與該第二邊緣部分（58）之該外部區段（58c）對準。
一種卡匣（57），其包含兩個如請求項1至11中任一項之熱傳板（8、8a），其中該兩個熱傳板（8、8a）中之一者的該相對第二側（32）面向該兩個熱傳板（8、8a）中之另一者的該相對第二側（32），且該兩個熱傳板（8、8a）彼此焊接。<u> </u>
一種熱交換器（2），其包含複數個如請求項12之墊片配置（72），其中該等墊片配置中之各者配置於該等熱傳板（8、8a）中兩個鄰近者之該等墊片溝槽（68）中。<u> </u>
一種顯示裝置，包括： <br/>一顯示面板，包含複數條資料線及分別連接至該複數條資料線的複數個像素； <br/>一第一資料驅動部，包含分別連接至該複數條資料線的一端的複數個通道及分別佈置在該複數個通道處的複數個第一輸出緩衝器；以及 <br/>一第二資料驅動部，包含分別連接至該複數條資料線的另一端的複數個通道及分別佈置在該複數個通道處的複數個第二輸出緩衝器， <br/>其中，該第一輸出緩衝器及該第二輸出緩衝器中的每一者按訊框交替地在一正（+）斬波狀態及一負（-）斬波狀態下， <br/>其中，在對應的該些通道處的該第一輸出緩衝器及該第二輸出緩衝器的輸出電壓的偏移方向在同一訊框中是相同的，以及 <br/>其中，其中該第一輸出緩衝器或該第二輸出緩衝器的一輸出端子連接至一非反相（+）輸入端子的一正回饋狀態定義為該負（-）斬波狀態，而其中該第一輸出緩衝器或該第二輸出緩衝器的該輸出端子連接至一反相（-）輸入端子的一負回饋狀態定義為該正（+）斬波狀態。
如請求項1所述的顯示裝置，其中，該第一資料驅動部及該第二資料驅動部的該複數個通道包含該第一輸出緩衝器及該第二輸出緩衝器在同一訊框中具有相同斬波狀態的一通道。
如請求項1所述的顯示裝置，其中，該第一資料驅動部及該第二資料驅動部的該複數個通道包含該第一輸出緩衝器及該第二輸出緩衝器在同一訊框中具有相反斬波狀態的一通道。
如請求項1所述的顯示裝置，其中，該第一輸出緩衝器及該第二輸出緩衝器中的每一者具有彼此相反之在該正（+）斬波狀態下的該輸出電壓的該偏移方向及在該負（-）斬波狀態下的該輸出電壓的該偏移方向。
如請求項1所述的顯示裝置，其中，該第一資料驅動部包含儲存一第一斬波驅動資訊的一第一記憶體，在該第一斬波驅動資訊中按訊框設定該第一輸出緩衝器的該斬波狀態，以及 <br/>其中，該第二資料驅動部包含儲存一第二斬波驅動資訊的一第二記憶體，在該第二斬波驅動資訊中按訊框設定該第二輸出緩衝器的該斬波狀態。
如請求項1所述的顯示裝置，其中，當在對應的該些通道處的該第一輸出緩衝器及該第二輸出緩衝器的該等輸出電壓的該等偏移方向相同時的一電流消耗小於當在對應的該些通道處的該第一輸出緩衝器及該第二輸出緩衝器的該等輸出電壓的該等偏移方向相反時的一電流消耗。
如請求項1所述的顯示裝置，其中，該複數個像素中的一者包含一發光二極體。
如請求項2所述的顯示裝置，其中，在該第一輸出緩衝器及該第二輸出緩衝器在同一訊框中具有相同斬波狀態的該通道處，該第一輸出緩衝器在該負（-）斬波狀態下具有一正（+）偏移並在該正（+）斬波狀態下具有一負（-）偏移，而該第二輸出緩衝器在該負（-）斬波狀態下具有一正（+）偏移並在該正（+）斬波狀態下具有一負（-）偏移。
如請求項3所述的顯示裝置，其中，在該第一輸出緩衝器及該第二輸出緩衝器在同一訊框中具有相反斬波狀態的該通道處，該第一輸出緩衝器在該負（-）斬波狀態下具有一正（+）偏移並在該正（+）斬波狀態下具有一負（-）偏移，而該第二輸出緩衝器在該負（-）斬波狀態下具有一負（-）偏移並在該正（+）斬波狀態下具有一正（+）偏移。
一種顯示裝置，包括： <br/>一顯示面板，包含複數條資料線； <br/>一第一資料驅動部，包含分別連接至該複數條資料線的一端的複數個第一輸出緩衝器；以及 <br/>一第二資料驅動部，包含分別連接至該複數條資料線的另一端的複數個第二輸出緩衝器， <br/>其中，該第一輸出緩衝器及該第二輸出緩衝器中的每一者按訊框交替地在一正（+）斬波狀態及一負（-）斬波狀態下， <br/>其中，自連接至同一資料線的該第一輸出緩衝器及該第二輸出緩衝器輸出的資料電壓的偏移方向是相同的，以及 <br/>其中，其中該第一輸出緩衝器或該第二輸出緩衝器的一輸出端子連接至一非反相（+）輸入端子的一正回饋狀態定義為該負（-）斬波狀態，而其中該第一輸出緩衝器或該第二輸出緩衝器的該輸出端子連接至一反相（-）輸入端子的一負回饋狀態定義為該正（+）斬波狀態。
如請求項10所述的顯示裝置，其中，連接至該複數條資料線中的一者的該第一輸出緩衝器及該第二輸出緩衝器在同一訊框中具有相同斬波狀態。
如請求項10所述的顯示裝置，其中，連接至該複數條資料線中的另一者的該第一輸出緩衝器及該第二輸出緩衝器在同一訊框中具有相反斬波狀態。
如請求項10所述的顯示裝置，其中，該第一輸出緩衝器及該第二輸出緩衝器中的每一者具有彼此相反之在該正（+）斬波狀態下的該資料電壓的該偏移方向及在該負（-）斬波狀態下的該資料電壓的該偏移方向。
如請求項10所述的顯示裝置，其中，該第一資料驅動部包含儲存一第一斬波驅動資訊的一第一記憶體，在該第一斬波驅動資訊中按訊框設定該第一輸出緩衝器的該斬波狀態，以及 <br/>其中，該第二資料驅動部包含儲存一第二斬波驅動資訊的一第二記憶體，在該第二斬波驅動資訊中按訊框設定該第二輸出緩衝器的該斬波狀態。
如請求項10所述的顯示裝置，其中，當連接至同一資料線的該第一輸出緩衝器及該第二輸出緩衝器的該等資料電壓的該等偏移方向相同時的一電流消耗小於當連接至同一資料線的該第一輸出緩衝器及該第二輸出緩衝器的該等資料電壓的該等偏移方向相反時的一電流消耗。
如請求項10所述的顯示裝置，其中，該顯示面板包含連接至該資料線並包含一發光二極體的一像素。
如請求項11所述的顯示裝置，其中，該第一輸出緩衝器在該負（-）斬波狀態下具有一正（+）偏移並在該正（+）斬波狀態下具有一負（-）偏移，而該第二輸出緩衝器在該負（-）斬波狀態下具有一正（+）偏移並在該正（+）斬波狀態下具有一負（-）偏移。
如請求項12所述的顯示裝置，其中，該第一輸出緩衝器在該負（-）斬波狀態下具有一正（+）偏移並在該正（+）斬波狀態下具有一負（-）偏移，而該第二輸出緩衝器在該負（-）斬波狀態下具有一負（-）偏移並在該正（+）斬波狀態下具有一正（+）偏移。 <br/><b> </b>
一種光遮斷器組件，包括：<br/> 一光電裝置，包括相互連接的一裝置主體以及一引腳部，該裝置主體設置有一訊號部分，用於發射或接收一光學訊號；以及<br/> 一殼體，包覆該裝置主體，該殼體具有一結合結構及提供該光學訊號通過的至少一開口，該結合結構用於與另一光遮斷器組件的另一結合結構相組接，<br/> 其中，該殼體包括：<br/> 一第一子殼體，包覆該裝置主體且具有一凸出結構；以及<br/> 一第二子殼體，包覆該第一子殼體，該至少一開口設置於該第二子殼體中且與該凸出結構的至少一部份對應，其中，該第一子殼體與該第二子殼體對於該光學訊號具有不同的光學特性。
如請求項1所述的光遮斷器組件，其中，該凸出結構的一截面積沿著遠離該裝置主體的方向逐漸減少。
如請求項2所述的光遮斷器組件，其中，該第二子殼體的一第一表面設置有至少一凹槽，該至少一開口位於該至少一凹槽的底部，該至少一開口的一部分具有與該凸出結構互補的形貌，該結合結構位於該第一表面且為一梳齒結構。
如請求項3所述的光遮斷器組件，其中，當該至少一凹槽的數量為複數時，該些凹槽的底部與該第一表面分別相隔不同或相同的預定距離，對應於該些凹槽的該等開口的頂部面積大小與對應的該預定距離成正比。
如請求項3所述的光遮斷器組件，其中，當該至少一凹槽的數量為複數時，該些凹槽的該等開口沿著一預定方向平行排列。
如請求項3所述的光遮斷器組件，其中，該凸出結構為沿著一第一延伸方向設置的一柱體，位於該第一子殼體的一第二表面上，且該第一延伸方向平行或垂直該第二表面的其中一邊緣。
如請求項6所述的光遮斷器組件，其中，該第一表面對應於該第二表面，該至少一凹槽沿著一第二延伸方向設置，該第二延伸方向垂直於該第一延伸方向。
如請求項1所述的光遮斷器組件，其中，該第一子殼體允許該光學訊號穿透，且該第二子殼體不允許該光學訊號穿透。
如請求項1所述的光遮斷器組件，其中，該第一子殼體與該第二子殼體的熱膨脹係數（coefficient of thermal expansion, CTE）在一預定範圍內。
如請求項1所述的光遮斷器組件，其中，該第二子殼體包括摻雜有一染料的一高分子化合物材料，且該第二子殼體阻擋一預定波長範圍內的該光學訊號通過。
如請求項1所述的光遮斷器組件，其中，該引腳部包括複數個引腳，該裝置主體包括電性連接於該等引腳的至少一光電元件。
一種光遮斷器，包括：<br/> 一發射模組，包括：<br/> 一發射器，包括相互連接的一發射器主體以及一第一引腳部，該發射器主體用於發射一光學訊號；以及<br/> 一第一殼體，包覆該發射器主體，該第一殼體具有一第一結合結構及提供該光學訊號通過的至少一第一開口；以及<br/> 一接收模組，包括：<br/> 一接收器，包括相互連接的一接收器主體以及一第二引腳部，該接收器主體用於接收該光學訊號；以及<br/> 一第二殼體，包覆該接收器主體，該第二殼體具有一第二結合結構及提供該光學訊號通過的至少一第二開口；<br/> 其中，該第一結合結構組接於該第二結合結構以於該發射器主體及該接收器主體之間形成一遮斷槽，<br/> 其中，該第一殼體包括：<br/> 一第一子殼體，包覆該發射器主體，且具有一第一凸出結構；以及<br/> 一第二子殼體，包覆該第一子殼體，該至少一第一開口設置於該第二子殼體中且與該第一凸出結構的至少一部份對應；以及<br/> 其中，該第二殼體包括：<br/> 一第三子殼體，包覆該接收器主體，且具有一第二凸出結構；以及<br/> 一第四子殼體，包覆該第三子殼體，該至少一第二開口設置於該第四子殼體中且與該第二凸出結構的至少一部份對應；<br/> 其中，該第一子殼體與該第二子殼體具有不同光學特性，該第三子殼體與該第四子殼體具有不同光學特性。
如請求項12所述的光遮斷器，其中，該第一凸出結構的截面積沿著遠離該發射器主體的方向逐漸減少，且該第二凸出結構的截面積會沿著遠離該接收器主體的方向逐漸減少。
如請求項13所述的光遮斷器，其中，該第二子殼體的一第一表面設置有至少一第一凹槽，該至少一第一開口位於該至少一第一凹槽的底部，且該至少一第一開口的一部分具有與該第一凸出結構互補的形貌，該第一結合結構位於該第一表面且為一梳齒結構；以及<br/> 該第四子殼體的一第二表面設置有至少一第二凹槽，該至少一第二開口位於該至少一第二凹槽的底部，且該至少一第二開口的一部分具有與該第二凸出結構互補的形貌，該第二結合結構位於該第二表面且為與該梳齒結構互補的另一梳齒結構。
如請求項14所述的光遮斷器，其中，當該至少一第一凹槽與該至少一第二凹槽的數量為複數時，該些第一凹槽與該些第二凹槽的底部分別與該第一表面及該第二表面相隔多個第一預定距離及多個第二預定距離，該些第一預定距離的大小彼此相同或不同，該些第二預定距離的大小彼此相同或不同，且對應於該些第一凹槽的該等第一開口的頂部面積大小與該第一預定距離成正比，以及對應於該些第二凹槽的該等第二開口的頂部面積大小與該第二預定距離成正比。
如請求項14所述的光遮斷器，其中，當該至少一第一凹槽與該至少一第二凹槽的數量為複數時，對應於該些第一凹槽的該等第一開口以一預定方向平行排列，且對應於該些第二凹槽的該等第二開口也以該預定方向平行排列。
如請求項14所述的光遮斷器，其中，該第一凸出結構為沿著一第一延伸方向設置的一第一柱體，位於該第一子殼體的一第三表面上，且該第一延伸方向平行或垂直該第三表面的其中一邊緣；以及<br/> 該第二凸出結構為沿著一第二延伸方向設置的一第二柱體，位於該第三子殼體的一第四表面上，且該第二延伸方向平行或垂直該第四表面的其中一邊緣。
如請求項17所述的光遮斷器，其中，該第一表面對應於該第三表面，該至少一第一凹槽沿著一第三延伸方向設置；以及<br/> 該第二表面對應於該第四表面，該至少一第二凹槽沿著一第四延伸方向設置；<br/> 其中，該第三延伸方向垂直於該第一延伸方向，且該第四延伸方向垂直於該第二延伸方向。
如請求項12所述的光遮斷器，其中，該第一子殼體及該第三子殼體允許該光學訊號穿透，且該第二子殼體及該第四子殼體不允許該光學訊號穿透。
如請求項12所述的光遮斷器，其中，該第一子殼體及該第二子殼體的熱膨脹係數在一第一預定範圍內，該第三子殼體以及該第四子殼體的熱膨脹係數在一第二預定範圍內。
如請求項12所述的光遮斷器，其中，該第二子殼體以及該第四子殼體包括摻雜有一染料的一高分子化合物材料，且該第二子殼體以及該第四子殼體阻擋一預定波長範圍內的該光學訊號通過。
如請求項12所述的光遮斷器，其中，該第一引腳部包括複數個第一引腳，該發射器主體包括電性連接該等第一引腳的至少一發射器元件；<br/> 該第二引腳部包括複數個第二引腳，該接收器主體包括電性連接該等第二引腳的至少一接收器元件。
一種光遮斷器的製造方法，包括：<br/> 提供一發射器，包括相互連接的一發射器主體以及一第一引腳部，該發射器主體用於發射一光學訊號；以及<br/> 形成一第一殼體包覆該發射器主體，該第一殼體具有一第一結合結構及提供該光學訊號通過的至少一第一開口；以及<br/> 提供一接收器，包括相互連接的一接收器主體以及一第二引腳部，該接收器主體用於接收該光學訊號； <br/> 形成一第二殼體包覆該接收器主體，該第二殼體具有一第二結合結構及提供該光學訊號通過的至少一第二開口；以及<br/> 將該第一結合結構與該第二結合結構組接以於該發射器主體及該接收器主體之間形成一遮斷槽，<br/> 其中，透過一灌膠（Encapsulation）設備分別形成該第一殼體及該第二殼體，其中，形成該第一殼體的步驟包括：<br/> 形成一第一子殼體，包覆該發射器主體，且具有一第一凸出結構；以及<br/> 形成一第二子殼體，包覆該第一子殼體，該至少一第一開口設置於該第二子殼體中且與該第一凸出結構的至少一部份對應；<br/> 其中，形成該第二殼體的步驟包括：<br/> 形成一第三子殼體，包覆該接收器主體，且具有一第二凸出結構；以及<br/> 形成一第四子殼體，包覆該第三子殼體，該至少一第二開口設置於該第三子殼體中且與該第二凸出結構的至少一部份對應；<br/> 其中，該第一子殼體與該第二子殼體具有不同光學特性，該第三子殼體與該第四子殼體具有不同光學特性。
如請求項23所述的光遮斷器的製造方法，其中，該第一凸出結構的截面積沿著遠離該發射器主體的方向逐漸減少，且該第二凸出結構的截面積沿著遠離該接收器主體的方向逐漸減少。
如請求項24所述的光遮斷器的製造方法，其中，該第二子殼體的一第一表面設置有至少一第一凹槽，該至少一第一開口位於該至少一第一凹槽的底部，且該至少一第一開口的一部分具有與該第一凸出結構互補的形貌，該第一結合結構位於該第一表面且為一梳齒結構；以及<br/> 該第四子殼體的一第二表面設置有至少一第二凹槽，該至少一第二開口位於該至少一第二凹槽的底部，且該至少一第二開口的一部分具有與該第二凸出結構互補的形貌，該第二結合結構位於該第二表面且為與該梳齒結構互補的另一梳齒結構。
如請求項25所述的光遮斷器的製造方法，其中，當該至少一第一凹槽與該至少一第二凹槽的數量為複數時，該些第一凹槽與該些第二凹槽的底部分別與該第一表面及該第二表面相隔多個第一預定距離及多個第二預定距離，該些第一預定距離的大小彼此相同或不同，該些第二預定距離的大小彼此相同或不同，且對應於該些第一凹槽的該等第一開口的頂部面積大小與該第一預定距離成正比，以及對應於該些第二凹槽的該等第二開口的頂部面積大小與該第二預定距離成正比。
如請求項25所述的光遮斷器的製造方法，其中，當該至少一第一凹槽與該至少一第二凹槽的數量為複數時，對應於該些第一凹槽的該等第一開口以一預定方向平行排列，且對應於該些第二凹槽的該等第二開口也以該預定方向平行排列。
如請求項25所述的光遮斷器的製造方法，其中，該第一凸出結構為沿著一第一延伸方向設置的一第一柱體，位於該第一子殼體的一第三表面上，且該第一延伸方向平行或垂直該第三表面的其中一邊緣；以及<br/> 該第二凸出結構為沿著一第二延伸方向設置的一第二柱體，位於該第三子殼體的一第四表面上，且該第二延伸方向平行或垂直該第四表面的其中一邊緣。
如請求項28所述的光遮斷器的製造方法，其中，該第一表面對應於該第三表面，該至少一第一凹槽沿著一第三延伸方向設置；以及<br/> 該第二表面對應於該第四表面，該至少一第二凹槽沿著一第四延伸方向設置；<br/> 其中，該第三延伸方向垂直於該第一延伸方向，且該第四延伸方向垂直於該第二延伸方向。
如請求項23所述的光遮斷器的製造方法，其中，該第一子殼體及該第三子殼體允許該光學訊號穿透，且該第二子殼體及該第四子殼體不允許該光學訊號穿透。
如請求項23所述的光遮斷器的製造方法，其中，該第一子殼體及該第二子殼體的熱膨脹係數在一第一預定範圍內，該第三子殼體及該第四子殼體的熱膨脹係數在一第二預定範圍內。
如請求項23所述的光遮斷器的製造方法，其中，該第二子殼體以及該第四子殼體包括摻雜有一染料的一高分子化合物材料，且該第二子殼體以及該第四子殼體阻擋一預定波長範圍內的該光學訊號通過。
如請求項23所述的光遮斷器的製造方法，其中，該第一引腳部包括複數個第一引腳，該發射器主體包括電性連接該等第一引腳的至少一發射器元件；<br/> 該第二引腳部包括複數個第二引腳，該接收器主體包括電性連接該等第二引腳的至少一接收器元件。
一種側撞保護機構，其特徵在於，包括： <br/>側撞保護塊，具有一展開狀態； <br/>鎖定部； <br/>鎖定件，活動地設置於所述側撞保護塊，且具有與所述鎖定部可分離地卡合的鎖定端； <br/>所述側撞保護塊藉由所述鎖定端與所述鎖定部的卡合而保持於所述展開狀態； <br/>當所述側撞保護塊處於所述展開狀態且所述鎖定件未受側向撞擊時，所述鎖定部與所述鎖定端之間的卡合深度為第一卡合深度； <br/>當所述側撞保護塊處於所述展開狀態且所述鎖定件受側向撞擊時，所述鎖定部與所述鎖定端之間的卡合深度為第二卡合深度，所述第二卡合深度大於所述第一卡合深度且為最大的所述卡合深度。
根據請求項1所述的側撞保護機構，其特徵在於，所述鎖定部為一槽孔結構，所述卡合深度為所述鎖定端伸入所述鎖定部的深度。
根據請求項2所述的側撞保護機構，其特徵在於，當所述鎖定部與所述鎖定端之間的所述卡合深度為所述第一卡合深度時，所述鎖定端與所述鎖定部的槽底間隔設置；當所述鎖定部與所述鎖定端之間的所述卡合深度為所述第二卡合深度時，所述鎖定端抵接至所述鎖定部的槽底。
根據請求項2所述的側撞保護機構，其特徵在於，所述鎖定端的端部設有斜角結構，所述斜角結構在所述側撞保護塊處於展開狀態且所述鎖定件未受側向撞擊時與所述鎖定部的開口處的側壁呈正對佈置。
根據請求項1所述的側撞保護機構，其特徵在於，還包括一安裝於所述側撞保護塊上的定位件，所述定位件連接於所述鎖定件，所述定位件在所述側撞保護塊處於所述展開狀態且所述鎖定件未受側向撞擊時恆將所述鎖定件定位於所述側撞保護塊上，以使所述鎖定端與所述鎖定部之間的所述卡合深度恆保持於所述第一卡合深度。
根據請求項5所述的側撞保護機構，其特徵在於，所述定位件在所述鎖定端與所述鎖定部之間的所述卡合深度為所述第二卡合深度時恆具有驅使所述鎖定件外伸於所述側撞保護塊的趨勢。
根據請求項5所述的側撞保護機構，其特徵在於，所述定位件包括安裝部及位於所述安裝部的端部處的彈性部，所述彈性部相對所述安裝部呈彈性佈置，所述安裝部安裝於所述側撞保護塊上，所述彈性部安裝於所述鎖定件上並與所述鎖定件呈阻擋佈置。
根據請求項7所述的側撞保護機構，其特徵在於，所述鎖定件開設有一連接通孔，所述彈性部抵在所述連接通孔的孔壁上。
根據請求項8所述的側撞保護機構，其特徵在於，所述側撞保護塊內設有一定位柱，所述定位柱穿置於所述連接通孔。
根據請求項7所述的側撞保護機構，其特徵在於，所述定位件包括兩個所述彈性部，所述安裝部位於兩個所述彈性部之間，且所述定位件為一呈m狀佈置的彈性件。
根據請求項1所述的側撞保護機構，其特徵在於，當所述鎖定部與所述鎖定端之間的所述卡合深度為所述第一卡合深度時，所述鎖定端沿所述鎖定件的活動方向與所述鎖定部間隔設置；當所述鎖定部與所述鎖定端之間的所述卡合深度為所述第二卡合深度時，所述鎖定端沿所述鎖定件的活動方向抵接至所述鎖定部。
一種兒童安全座椅，其特徵在於，包括座椅、底座及側撞保護機構，所述側撞保護機構如請求項1至11中任一項所述，所述座椅安裝於所述底座上，所述側撞保護塊樞接於所述座椅的側翼或所述底座的側翼上。
一種模型轉換方法，應用於人工智慧中之一源模型的處理，該模型轉換方法包含下列步驟：<br/> 將該源模型匯出成一待處理模型，該待處理模型具有一中間格式；<br/> 將該待處理模型分拆成為一第一小模型與一第二小模型；根據一第一部署端之一規格而對應出一第一模型轉換工具與一第一等價轉換運算子資料庫；以及<br/> 使用該第一模型轉換工具與該第一等價轉換運算子資料庫來將該待處理模型轉換成一第一目標模型，使該第一目標模型可運行於該第一部署端。
如請求項1所述的模型轉換方法，其中該中間格式為針對機器學習所開發設計的一開放式文件格式，用於存儲訓練好的模型數據，該第一部署端之該規格為一第一執行環境規格。
如請求項1所述的模型轉換方法，其中將該待處理模型轉換成該第一目標模型的方法包含下列步驟：使用該第一模型轉換工具與該第一等價轉換運算子資料庫來分別對拆分後的該第一小模型與該第二小模型進行轉換，進而分別轉換為一第一目標小模型與一第二目標小模型，而該第一目標模型包含有該第一目標小模型與該第二目標小模型。
如請求項3所述的模型轉換方法，其中更包含下列步驟：<br/> 使用一簡化工具程式來對該待處理模型進行簡化，用以去除該待處理模型中之冗餘節點而產生一簡化後的待處理模型；以及<br/> 使用該第一模型轉換工具與該第一等價轉換運算子資料庫來將該簡化後的待處理模型轉換成該第一目標模型，使該第一目標模型可運行於該第一部署端。
如請求項3所述的模型轉換方法，其中該第一小模型包含有一骨幹模組與一頸部模組，而使用該第一模型轉換工具對該第一小模型進行轉換的方法包含下列步驟：<br/> 當該第一模型轉換工具將該第一小模型轉換為該第一目標小模型的流程中斷並對一運算子產生一錯誤回報訊息時，判斷該錯誤回報訊息中的該運算子是否在該第一等價轉換運算子資料庫中存在相對應的一等價轉換運算子；以及<br/> 若該錯誤回報訊息中的該運算子在該第一等價轉換運算子資料庫中存在相對應的該等價轉換運算子，則將該運算子進行一等價轉換，然後使用該第一模型轉換工具來繼續對已進行該等價轉換之該第一小模型進行轉換。
如請求項5所述的模型轉換方法，其中該等價轉換包含下列步驟：<br/> 刪除該第一小模型中的該運算子；<br/> 在該第一小模型中對應的位置插入該等價運算子，該等價運算子的參數與該運算子的參數完全相同；以及<br/> 將與該運算子相連的下一個運算子的輸入名稱進行修改，修改成與該等價運算子相對應的名稱。
如請求項5所述的模型轉換方法，其中若判斷該錯誤回報訊息中的該運算子於該等價轉換運算子資料庫中不存在相對應的等價轉換運算子，則將該運算子添加到一不支持運算子列表中進行記錄；<br/> 對該運算子進行一非等價轉換；以及<br/> 使用該第一模型轉換工具來繼續對已進行該非等價轉換之該第一小模型進行轉換。
如請求項7所述的模型轉換方法，其中該非等價轉換包含下列步驟：<br/> 使用無參數的運算子或一固定參數的運算子來進行該非等價轉換；以及<br/> 該非等價轉換完成後繼續使用該第一模型轉換工具進行模型轉換，直到成功輸出該第一目標小模型並輸出該不支持運算子列表；<br/> 其中用該源模型的腳本(script)獲取該運算子的一輸入個數、一輸入維度、一輸出個數和一輸出維度，而該固定參數係根據該運算子的該輸入個數、該輸入維度、該輸出個數和該輸出維度計算得到。
如請求項3所述的模型轉換方法，其中該第二小模型包含有一頭部模組以及一後處理模組，而使用該第一模型轉換工具對該第二小模型進行轉換的方法包含下列步驟：<br/> 使用該第一模型轉換工具將該第二小模型轉換為一第二目標小模型；<br/> 若流程中斷並對一運算子產生一錯誤回報訊息，則對該錯誤回報訊息中的該運算子是否在一等價轉換運算子資料庫中存在相對應的等價轉換運算子來進行判斷；<br/> 若判斷為存在，則將該運算子進行等價轉換；以及<br/> 若判斷為不存在，則對該運算子進行一刪除操作。
如請求項9所述的模型轉換方法，其中當順利完成轉換，便輸出完成轉換之該第二目標小模型，然後結束轉換流程。
如請求項9所述的模型轉換方法，其中該刪除操作包含下列步驟：<br/> 刪除該運算子和後續相連的所有運算子；<br/> 指定與該運算子相連的上一個運算子的輸出作為一個新的輸出；以及<br/> 若該運算子後續相連的某個相關運算子的輸出和另一個旁分支運算子的輸出一起作為一個多輸入運算子的輸入，則刪除該多輸入運算子和後續相連的所有運算子，同時指定該旁分支運算子的輸出作為一個新的輸出。
一種包含指令的電腦程式，該等指令在一電腦上執行時，控制該電腦完成一模型轉換方法，該模型轉換方法包含下列步驟：<br/> 將一人工智慧源模型匯出成一待處理模型，該待處理模型具有一中間格式；<br/> 將該待處理模型分拆成為一第一小模型與一第二小模型；<br/> 根據一第一部署端之一規格而對應出一第一模型轉換工具與一第一等價轉換運算子資料庫；以及<br/> 使用該第一模型轉換工具與該第一等價轉換運算子資料庫來將該待處理模型轉換成一第一目標模型，使該第一目標模型可運行於該第一部署端。
一種電腦可讀儲存媒體，其儲存如請求項12之電腦程式。
一種單側雙迴路的低溫高壓旋轉接頭模組，包括： <br/>一測試模組，該測試模組用於承放待測晶片，該測試模組設有用於接收冷媒的冷媒進口管和用於排出冷媒的冷媒出口管； <br/>一旋轉驅動部，該旋轉驅動部包括動力源和中空傳動軸，該動力源透過固定架安裝固定，該動力源與該中空傳動軸驅動連接以驅動該中空傳動軸依自身軸線轉動，該中空傳動軸與該測試模組固定連接，該冷媒進口管和該冷媒出口管設於該中空傳動軸內，且該冷媒出口管與該中空傳動軸位於同中心軸線上； <br/>一旋轉接頭，該旋轉接頭包括進氣接頭、排氣接頭以及殼體，該殼體設置於該動力源遠離該中空傳動軸的另一端，該進氣接頭包括進氣固定部和進氣旋轉部，該進氣接頭固定於該殼體內，該進氣旋轉部能夠依該進氣固定部的中心軸線轉動且與該進氣固定部轉動連接，該進氣旋轉部設有用於與該冷媒進口管相連的第二進氣接頭，該進氣固定部上設有用於與冷媒氣源管相連的第一進氣接頭，該排氣接頭包括排氣固定部和排氣旋轉部，該排氣接頭固定於該殼體內，該排氣旋轉部能夠依自身軸線轉動且與該排氣固定部轉動連接，該排氣旋轉部設有用於與該冷媒出口管相連的第二排氣接頭，該排氣固定部設有用於與冷媒回流管相連的第一排氣接頭。
如請求項1所述之一種單側雙迴路的低溫高壓旋轉接頭模組，該進氣固定部和該進氣旋轉部透過軸承轉動連接，該進氣固定部至少部分的設於該進氣旋轉部內，該進氣固定部和該進氣旋轉部之間設有多段密封環，該進氣固定部與該中空傳動軸於同中心軸線，該進氣固定部內設有第一進氣通道，該進氣旋轉部內設有徑向進氣通道和第二進氣通道，該進氣通道的一端與該第一進氣接頭相連通，該徑向進氣通道的一端與該第一進氣通道相連通，另一端與該第二進氣通道相連通，該第二進氣通道遠離該徑向進氣通道的一端與該第二進氣接頭相連通。
如請求項1所述之一種單側雙迴路的低溫高壓旋轉接頭模組，該排氣固定部和該排氣旋轉部透過軸承轉動連接，該排氣旋轉部至少部分的設於該排氣固定部內，該排氣固定部和該排氣旋轉部之間設有多段密封環，該排氣旋轉部與該中空傳動軸於同中心軸線，該排氣固定部內設有第一排氣通道，該排氣旋轉部內設有第二排氣通道，該第一排氣通道的一端與該第一排氣接頭相連通，該第二排氣通道的一端與該第二排氣通道相連通，另一端與該第二排氣接頭相連通。
如請求項1所述之一種單側雙迴路的低溫高壓旋轉接頭模組，該殼體與該固定架固定連接，該旋轉接頭設於該殼體內，該殼體設有供該冷媒氣源管通過的氣源固定孔以及供該冷媒回流管通過的回流固定孔。
如請求項4所述之單側雙迴路的低溫高壓旋轉接頭模組，該氣源固定孔和該回流固定孔處均設有密封套。
如請求項1所述之一種單側雙迴路的低溫高壓旋轉接頭模組，該殼體內設有固定環和固定盤，該固定環透過固定連桿與該固定盤相連，該固定環、該固定盤與該殼體固定連接，該進氣固定部透過該固定盤與該殼體固定連接，該排氣固定部透過該固定環與該殼體固定連接。
如請求項6所述之一種單側雙迴路的低溫高壓旋轉接頭模組，該動力源為中空軸電機，該中空軸電機的輸出軸與該中空傳動軸於同中心軸線。
如請求項7所述之一種單側雙迴路的低溫高壓旋轉接頭模組，該殼體內設有轉動盤，該轉動盤透過連動連桿與該中空軸電機的輸出軸相連，該轉動盤套設於該固定環內且由該固定環支撐其旋轉，該排氣旋轉部與該轉動盤相連，並由該第二排氣接頭與該冷媒出口管相連，該進氣旋轉部透過連接件與該轉動盤相連，該冷媒進口管經該轉動盤的開口與該第二進氣接頭相連。
如請求項1所述之一種單側雙迴路的低溫高壓旋轉接頭模組，還包括支撐架，該測試模組能夠依該中空傳動軸的軸線方向轉動地與該支撐架相連。
一種充電裝置，透過一第一電力線、一第二電力線以及一接地線安裝至一電力系統，該充電裝置包括： <br/>一第一處理器，耦接該第一電力線以及該第二電力線，並且用以產生一第一電壓判斷訊號； <br/>一第二處理器，耦接該第二電力線以及該接地線，並且用以產生一第二電壓判斷訊號；以及 <br/>一微控制器，耦接該第一處理器以及該第二處理器，並且用以根據該第一電壓判斷訊號以及該第二電壓判斷訊號判斷該電力系統的一電力標準。
如請求項1所述的充電裝置，還包括： <br/>一偵測電路，耦接該第一電力線、該接地線以及該微控制器，並且用以產生一電壓偵測訊號， <br/>其中該微控制器根據該電力標準讀取一判斷公式，並且該微控制器根據該判斷公式以及該電壓偵測訊號判斷該充電裝置是否正確安裝至該電力系統。
如請求項2所述的充電裝置，其中該判斷公式為一接地監控中斷判斷公式。
如請求項2所述的充電裝置，其中該第一處理器根據該第一電力線以及該第二電力線之間的電壓差產生該第一電壓判斷訊號， <br/>其中響應於該微控制器判斷該第一電壓判斷訊號的一第一交流電壓值未介於一第一電壓閾值以及一第二電壓閾值之間，該微控制器判斷該充電裝置未正確安裝至該電力系統， <br/>其中該第一電壓閾值小於該第二電壓閾值。
如請求項4所述的充電裝置，其中該第二處理器根據該第二電力線以及該接地線之間的電壓差產生該第二電壓判斷訊號， <br/>其中響應於該微控制器判斷該第二電壓判斷訊號的一第二交流電壓值未介於一第三電壓閾值以及一第四電壓閾值之間，該微控制器判斷該充電裝置未正確安裝至該電力系統， <br/>其中該第三電壓閾值小於該第四電壓閾值。
如請求項5所述的充電裝置，其中響應於該微控制器判斷該第一電壓判斷訊號的該第一交流電壓值介於該第一電壓閾值以及該第二電壓閾值之間，並且第二電壓判斷訊號的一第二交流電壓值介於該第三電壓閾值以及該第四電壓閾值之間，該微控制器讀取一比對表，以判斷該第一交流電壓值以及該第二交流電壓值是否符合該比對表的一電壓規格。
如請求項6所述的充電裝置，其中響應於該微控制器判斷該第一交流電壓值以及該第二交流電壓值符合該比對表的該電壓規格，該微控制器讀取對應於該電壓規格的該判斷公式。
如請求項2所述的充電裝置，其中該偵測電路包括： <br/>一降壓電路，耦接該第一電力線以及該接地線，並且用以將該第一電力線以及該接地線之間的一電壓差訊號進行降壓，以產生一降壓後的電壓差訊號；以及 <br/>一訊號放大器，耦接該降壓電路，並且用以對該降壓後的電壓差訊號進行訊號放大，以輸出該電壓偵測訊號。
如請求項1所述的充電裝置，其中響應於該電力標準為一TT電力系統標準或一TN電力系統標準，該第一電力線作用為一火線，並且該第二電力線作用為一中性線。
如請求項1所述的充電裝置，其中響應於該電力標準為一IT電力系統標準，該第一電力線作用為一第一火線，並且該第二電力線作用為一第二火線， <br/>其中該第一火線與該第二火線所傳輸的電壓信號的電壓波形具有相同頻率及相位差。
一種充電裝置的操作方法，該充電裝置透過一第一電力線、一第二電力線以及一接地線安裝至一電力系統，該操作方法包括： <br/>透過一第一處理器偵測該第一電力線以及該第二電力線，以產生一第一電壓判斷訊號； <br/>透過一第二處理器偵測該第二電力線以及該接地線，以產生一第二電壓判斷訊號；以及 <br/>透過一微控制器根據該第一電壓判斷訊號以及該第二電壓判斷訊號判斷該電力系統的一電力標準。
如請求項11所述的操作方法，包括： <br/>透過一偵測電路偵測該第一電力線以及該接地線，以產生一電壓偵測訊號； <br/>透過該微控制器根據該電力標準讀取一判斷公式；以及 <br/>透過該微控制器根據該判斷公式以及該電壓偵測訊號判斷該充電裝置是否正確安裝至該電力系統。
如請求項12所述的操作方法，其中該判斷公式為一接地監控中斷判斷公式。
如請求項12所述的操作方法，還包括： <br/>響應於該第一電壓判斷訊號的一第一交流電壓值未介於一第一電壓閾值以及一第二電壓閾值之間，透過該微控制器判斷該充電裝置未正確安裝至該電力系統， <br/>其中該第一電壓閾值小於該第二電壓閾值。
如請求項14所述的操作方法，還包括： <br/>響應於該第二電壓判斷訊號的一第二交流電壓值未介於一第三電壓閾值以及一第四電壓閾值之間，透過該微控制器判斷該充電裝置未正確安裝至該電力系統， <br/>其中該第三電壓閾值小於該第四電壓閾值。
如請求項15所述的操作方法，還包括： <br/>該第一電壓判斷訊號的一第一交流電壓值介於一第一電壓閾值以及一第二電壓閾值之間，並且該第二電壓判斷訊號的一第二交流電壓值介於該第三電壓閾值以及該第四電壓閾值之間，透過該微控制器讀取一比對表，以判斷該第一交流電壓值以及該第二交流電壓值是否符合該比對表的一電壓規格。
如請求項16所述的操作方法，還包括： <br/>響應於該第一交流電壓值以及該第二交流電壓值符合該比對表的該電壓規格，透過該微控制器讀取對應於該電壓規格的該判斷公式。
如請求項12所述的操作方法，產生該電壓偵測訊號的方法包括： <br/>透過一降壓電路將該第一電力線以及該接地線之間的一電壓差訊號進行降壓，以產生一降壓後的電壓差訊號；以及 <br/>透過一訊號放大器對該降壓後的電壓差訊號進行訊號放大，以輸出該電壓偵測訊號。
如請求項11所述的操作方法，其中響應於該電力標準為一TT電力系統標準或一TN電力系統標準，該第一電力線作用為一火線，並且該第二電力線作用為一中性線。
如請求項11所述的操作方法，其中響應於該電力標準為一IT電力系統標準，該第一電力線作用為一第一火線，並且該第二電力線作用為一第二火線， <br/>其中該第一火線與該第二火線所傳輸的電壓信號的電壓波形具有相同頻率及相位差。
一種導線架，包含：多個晶片封裝結構，每一該些晶片封裝結構包含；一晶片焊接區域；多個金屬接觸點，電性連接於該晶片焊接區域；以及至少一短連接筋，電性連接於該些金屬接觸點；以及多個橫向長連接筋，該至少一短連接筋的相對兩端分別接觸於其中一個該晶片封裝結構的該些金屬接觸點及相鄰的至少一個該橫向長連接筋，而將其中一個該晶片封裝結構的該些金屬接觸點電性連接至相鄰的至少一個該橫向長連接筋；其中每一該些晶片封裝結構的該些金屬接觸點包含多個左側上金屬接觸點，該些左側上金屬接觸點彼此電性連接，並與該晶片焊接區域相分離；其中每一該些晶片封裝結構更包含一縱向長連接筋，於每一該些晶片封裝結構中，該縱向長連接筋電性連接於該些左側上金屬接觸點；其中每一該些晶片封裝結構的該些金屬接觸點更包含一左側下金屬接觸點，於每一該些晶片封裝結構中，該至少一短連接筋包含一上短連接筋及一下短連接筋，該上短連接筋接觸並電性連接於該些左側上金屬接觸點，該下短連接筋接觸並電性連接於該左側下金屬接觸點；其中每一該些橫向長連接筋更電性連接該些晶片封裝結構其中一者的該上短連接筋及相鄰的另一個該晶片封裝結構的該下短連接筋；其中該導線架更包含一外框，該外框環繞並電性連接於該些晶片封裝結構。
如請求項1所述之導線架，其中每一該些晶片封裝結構更包含多個右側金屬接觸點，於每一該些晶片封裝結構中，該些右側金屬接觸點電性連接於該晶片焊接區域。
如請求項1所述之導線架，其中每一該些晶片封裝結構的該至少一短連接筋的一延伸方向與該些橫向長連接筋的一延伸方向彼此垂直。
如請求項1所述之導線架，其中該些晶片封裝結構以矩陣形式排列。
如請求項1所述之導線架，其中該外框包含至少一定位孔。
一種電感元件，包括：<br/> 一磁性封裝結構，包括一表面以及兩個凹槽，且所述凹槽設置於所述表面上；<br/> 一線圈主體，內埋於所述磁性封裝結構中；<br/> 兩條延伸線段，分別連接所述線圈主體的兩端，其中所述延伸線段的每一者包括：<br/> 一彎折部，連接所述線圈主體，其中所述彎折部從所述線圈主體朝向所述磁性封裝結構的所述表面而延伸，並且穿透所述表面而裸露於所述磁性封裝結構的外部；<br/> 一引腳部，連接所述彎折部，並且設置於所述磁性封裝結構的所述表面，其中所述引腳部從所述彎折部朝向所述凹槽的其中一者而延伸，且所述引腳部透過所述彎折部連接至所述線圈主體；<br/> 一固定部，連接所述引腳部，並且從所述引腳部朝向所述凹槽的內部而延伸，其中所述固定部沿著所述凹槽的一側壁延伸至所述凹槽的一底面，且所述側壁鄰接所述表面，而所述底面凹陷於所述表面；以及<br/> 兩個密封材料，分別設置於所述凹槽的內部，並且覆蓋所述固定部。
如請求項1所述的電感元件，其中所述線圈主體為一扁平導線線圈。
如請求項1所述的電感元件，其中所述密封材料的一端面與所述磁性封裝結構的所述表面齊平。
如請求項1所述的電感元件，其中所述磁性封裝結構還包括：<br/> 兩個承載部，設置於所述磁性封裝結構的所述表面上，其中所述承載部的每一者的一平面凸出於所述磁性封裝結構的所述表面，且所述延伸線段的所述引腳部覆蓋所述承載部的所述平面。
如請求項4所述的電感元件，其中所述引腳部包括：<br/> 一第一區域，連接所述磁性封裝結構的所述承載部；以及<br/> 兩個第二區域，分別連接於所述彎折部以及所述固定部，其中所述第二區域懸空於所述磁性封裝結構的所述表面上。
如請求項4所述的電感元件，還包括：<br/> 兩個接著材料，分別設置於所述承載部的所述平面，其中所述接著材料位於所述磁性封裝結構的所述承載部以及所述延伸線段的所述引腳部之間。
如請求項1所述的電感元件，還包括：<br/> 一保護層，覆蓋於所述磁性封裝結構的一外表面，且所述保護層暴露所述磁性封裝結構的一部分以及所述延伸線段的一部分。
如請求項1所述的電感元件，其中所述磁性封裝結構包括一磁性材料，而所述磁性材料選自於鐵、鐵鎳系合金、鐵鈷系合金、鐵矽系合金、鐵釩系合金、鐵矽鉻合金、鐵矽鋁合金、鐵矽鋁系合金、鐵鈷釩系合金、鐵基非晶質合金、鐵基奈米晶合金、鎳鋅系鐵氧體、鎳銅鋅系鐵氧體、錳鋅系鐵氧體或上述材料之組合。
如請求項1所述的電感元件，其中所述密封材料包括環氧樹脂。
一種電感元件的製造方法，包括：<br/> 提供一線圈結構，所述線圈結構包括：<br/> 一線圈主體；以及<br/> 兩條延伸線段，分別連接所述線圈主體的兩端；<br/> 在所述線圈結構上設置一磁性封裝結構，其中所述磁性封裝結構包括一表面以及設置於所述表面上的兩個凹槽，且所述磁性封裝結構包覆所述線圈主體，其中所述延伸線段從所述線圈主體朝向所述表面而延伸，並且穿透所述表面而裸露於所述磁性封裝結構的外部；<br/> 在設置所述磁性封裝結構之後，朝向所述表面以及所述凹槽的內部彎折所述延伸線段，以在所述延伸線段的每一者上形成一彎折部、一引腳部以及一固定部，其中所述彎折部連接所述線圈主體以及所述引腳部，而所述引腳部連接所述彎折部以及所述固定部，且所述引腳部設置於所述表面上；以及<br/> 在形成所述彎折部、所述引腳部以及所述固定部之後，在所述凹槽的內部分別設置一密封材料，以使所述密封材料覆蓋所述固定部。
如請求項10所述的方法，其中朝向所述表面以及所述凹槽的內部彎折所述延伸線段包括：<br/> 朝向所述凹槽的一側壁彎折部分所述延伸線段，以形成所述引腳部，其中所述側壁鄰接所述表面；以及<br/> 遠離所述凹槽的一底面彎折部分所述延伸線段，以形成所述固定部，其中所述底面凹陷於所述表面。
如請求項10所述的方法，還包括：<br/> 在朝向所述表面以及所述凹槽的內部彎折所述延伸線段之前，在所述延伸線段上設置一接著材料，以在朝向所述表面以及所述凹槽的內部彎折所述延伸線段之後，使所述接著材料位於所述磁性封裝結構的所述表面以及所述引腳部之間。
一種半導體光阻組成物，包括： <br/>含錫(Sn)有機金屬化合物； <br/>由化學式1或化學式2表示的包括至少兩個酮基的化合物； <br/>芳香環化合物，其被選自-OH、-SH和-NR<sup>13</sup>R<sup>14</sup>中至少兩個取代，其中R<sup>13</sup>和R<sup>14</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C10烷基，或經取代或未經取代的C6至C20芳基；以及 <br/>溶劑， <br/>化學式1 <br/><img align="absmiddle" height="42px" width="98px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>化學式2 <br/><img align="absmiddle" height="113px" width="113px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，在化學式1和化學式2中， <br/>R<sup>1</sup>至R<sup>6</sup>各自獨立地為氫、鹵素、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基，或其組合， <br/>L<sup>1</sup>至L<sup>3</sup>各自獨立地為單鍵、羰基、經取代或未經取代的C1至C20伸烷基，或其組合， <br/>n1和n2各自獨立地為0至2的整數中的一者，且 <br/>n1+n2大於或等於1， <br/>其中所述含錫有機金屬化合物與所述包括至少兩個酮基的化合物和所述芳香環化合物的重量比為90:10至50:50。
如請求項1所述的半導體光阻組成物，其中所述芳香環化合物與所述包括至少兩個酮基的化合物的重量比為1:1至1:10。
如請求項1所述的半導體光阻組成物，其中所述芳香環化合物經至少兩個-OH取代。
如請求項1所述的半導體光阻組成物，其中所述芳香環化合物經至少兩個-SH取代。
如請求項1所述的半導體光阻組成物，其中所述芳香環化合物經至少兩個-NR<sup>13</sup>R<sup>14</sup>取代，其中R<sup>13</sup>和R<sup>14</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C10烷基、或經取代或未經取代的C6至C20芳基。
如請求項1所述的半導體光阻組成物，其中所述包括至少兩個酮基的化合物為選自戊烷-2,4-二酮、2,3-丁二酮、3-甲基-2,4-戊二酮和2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮中的任一種。
如請求項1所述的半導體光阻組成物，其中所述芳香環化合物為選自1,4-氫醌、1,2-苯二酚、1,3-苯二酚、苯-1,2-二硫醇、1,4-苯二胺、4-氨基苯-1-硫醇、3-氨基苯-1-硫醇和2-氨基苯-1-硫醇中的任一種。
如請求項1所述的半導體光阻組成物，其中基於100重量%的所述半導體光阻組成物，所述包括至少兩個酮基的化合物和所述芳香環化合物各自的量為0.001重量%至10重量%。
如請求項1所述的半導體光阻組成物，其中基於100重量%的所述半導體光阻組成物，所述含錫有機金屬化合物的量為0.5重量%至30重量%。
如請求項1所述的半導體光阻組成物，其中所述半導體光阻組成物還包括表面活性劑、交聯劑、平坦劑、有機酸、淬滅劑或其組合的添加劑。
如請求項1所述的半導體光阻組成物，其中所述含錫有機金屬化合物包括有機氧基和有機羰基氧基中至少一種。
如請求項1所述的半導體光阻組成物，其中所述含錫有機金屬化合物由化學式3表示： <br/>化學式3 <br/><img align="absmiddle" height="53px" width="62px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，在化學式3中， <br/>R<sup>7</sup>選擇自經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基和經取代或未經取代的C7至C30芳烷基， <br/>R<sup>8</sup>至R<sup>10</sup>各自獨立地為經取代或未經取代的C1至C20烷基；經取代或未經取代的C3至C20環烷基；經取代或未經取代的C2至C20烯基；經取代或未經取代的C2至C20炔基；經取代或未經取代的C6至C30芳基；經取代或未經取代的C7至C30芳烷基；由-OR<sup>a</sup>表示的烷氧基或芳氧基，其中R<sup>a</sup>為經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；-O(C=O)R<sup>b</sup>，其中R<sup>b</sup>為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>表示的烷基醯胺基或二烷基醯胺基，其中R<sup>c</sup>和R<sup>d</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-NR<sup>e</sup>(C=OR<sup>f</sup>)表示的醯胺基，其中R<sup>e</sup>和R<sup>f</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-NR<sup>g</sup>C(NR<sup>h</sup>)R<sup>i</sup>表示的脒基，其中R<sup>g</sup>、R<sup>h</sup>和R<sup>i</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-SR<sup>j</sup>表示的烷硫基或芳硫基，其中R<sup>j</sup>為經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；或由-S(C=O)R<sup>k</sup>表示的硫羰基，其中R<sup>k</sup>為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合，且 <br/>R<sup>8</sup>至R<sup>10</sup>中至少一個為由-OR<sup>a</sup>表示的烷氧基或芳氧基，其中R<sup>a</sup>為經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；-O(C=O)R<sup>b</sup>，其中R<sup>b</sup>為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>表示的烷基醯胺基或二烷基醯胺基，其中R<sup>c</sup>和R<sup>d</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-NR<sup>e</sup>(C=OR<sup>f</sup>)表示的醯胺基，其中R<sup>e</sup>和R<sup>f</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-NR<sup>g</sup>C(NR<sup>h</sup>)R<sup>i</sup>表示的脒基，其中R<sup>g</sup>、R<sup>h</sup>和R<sup>i</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-SR<sup>j</sup>表示的烷硫基或芳硫基，其中R<sup>j</sup>為經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；或由-S(C=O)R<sup>k</sup>表示的硫羰基，其中R<sup>k</sup>為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合。
如請求項12所述的半導體光阻組成物，其中R<sup>8</sup>至R<sup>10</sup>中的至少一個是由-OR<sup>a</sup>表示的烷氧基或芳氧基，其中R<sup>a</sup>是經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基，或其組合；或-O(C=O)R<sup>b</sup>，其中R<sup>b</sup>是氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基，或其組合。
如請求項12所述的半導體光阻組成物，其中R<sup>7</sup>是經取代或未經取代的C1至C8烷基、經取代或未經取代的C3至C8環烷基、包含一個或多個雙鍵或三鍵的經取代或未經取代的C2至C8脂肪族不飽和有機基、經取代或未經取代的C6至C20芳基、經取代或未經取代的C4至C20雜芳基、乙氧基、丙氧基，或其組合， <br/>R<sup>a</sup>是經取代或未經取代的C1至C8烷基、經取代或未經取代的C3至C8環烷基、經取代或未經取代的C2至C8烯基、經取代或未經取代的C2至C8炔基、經取代或未經取代的C6至C20芳基，或其組合，並且 <br/>R<sup>b</sup>是氫、經取代或未經取代的C1至C8烷基、經取代或未經取代的C3至C8環烷基、經取代或未經取代的C2至C8烯基、經取代或未經取代的C2至C8炔基、經取代或未經取代的C6至C20芳基，或其組合。
如請求項1所述的半導體光阻組成物，其中所述含錫有機金屬化合物由化學式4或化學式5表示： <br/>化學式4 <br/>R<sup>11</sup><sub>z</sub>SnO<sub>(2-(z/2)-(x/2))</sub>(OH)<sub>x</sub><br/>其中，在化學式4中， <br/>R<sup>11</sup>是C1至C31烴基，0 ＜ z ≤ 2，0 ＜ (z+x) ≤ 4； <br/>化學式5 <br/>R<sup>12</sup><sub>a1</sub>Sn<sub>b1</sub>X<sub>c1</sub>Y<sub>d1</sub><br/>其中，在化學式5中， <br/>R<sup>12</sup>是經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、包含一個或多個雙鍵或三鍵的經取代或未經取代的C2至C20脂肪族不飽和有機基、經取代或未經取代的C6至C30芳基、經取代或未經取代的C4至C30雜芳基、羰基、環氧乙烷基、環氧丙烷基，或其組合， <br/>X是硫(S)、硒(Se)或碲(Te)， <br/>Y是-OR<sup>l</sup>或-OC(=O)R<sup>m</sup>， <br/>其中R<sup>l</sup>是經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基，或其組合， <br/>R<sup>m</sup>是氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基，或其組合，且 <br/>a1、b1、c1和d1各自獨立地為1至20的整數。
一種形成圖案的方法，包括： <br/>在基板上形成蝕刻目標層； <br/>將如請求項1至請求項15中任一項所述的半導體光阻組成物塗覆在所述蝕刻目標層上以形成光阻層； <br/>對所述光阻層進行圖案化以形成光阻圖案；以及 <br/>利用所述光阻圖案作為蝕刻罩幕來蝕刻所述蝕刻目標層。
一種半導體光阻組成物，包括： <br/>含錫有機金屬化合物； <br/>由化學式1表示的化合物；和 <br/>溶劑： <br/>化學式1 <br/><img align="absmiddle" height="40px" width="86px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，在化學式1中， <br/>L<sup>1</sup>是單鍵或經取代或未經取代的C1至C10伸烷基，並且 <br/>R<sup>1</sup>是乙基、丙基、丁基、異丙基、叔丁基、2,2-二甲基丙基、環丙基、環丁基、環戊基、環己基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、乙炔基、丙炔基、丁炔基、苯基、甲苯基、二甲苯基、苄基、乙氧基或丙氧基， <br/>其中所包含的所述含錫有機金屬化合物和所述由化學式1表示的化合物的重量比為99.9：0.1至80：20。
如請求項1所述的半導體光阻組成物，其中： <br/>所述由化學式1表示的化合物是選自群組1中列出的化合物中的一種： <br/>群組1 <br/>化學式8 化學式9 化學式10 <br/><img align="absmiddle" height="32px" width="43px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="29px" width="52px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="35px" width="60px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的半導體光阻組成物，其中： <br/>基於100重量%的所述半導體光阻組成物，所述由化學式1表示的化合物的含量為0.01 重量%至10重量%。
如請求項1所述的半導體光阻組成物，其中： <br/>基於100重量%的所述半導體光阻組成物，所述由化學式1表示的化合物的含量為0.5重量%至5重量%。
如請求項1所述的半導體光阻組成物，其中： <br/>基於100重量%的所述半導體光阻組成物，所述含錫有機金屬化合物的含量為0.5重量%至30重量%。
如請求項1所述的半導體光阻組成物，其中： <br/>所述半導體光阻組成物還包括表面活性劑、交聯劑、調平劑、有機酸、猝滅劑或其組合的添加劑。
如請求項1所述的半導體光阻組成物，其中： <br/>所述含錫有機金屬化合物包含選自有機氧基和有機羰基氧基中的至少一種。
如請求項1所述的半導體光阻組成物，其中： <br/>所述含錫有機金屬化合物由化學式2表示： <br/>化學式2 <br/><img align="absmiddle" height="53px" width="62px" file="ed10026.jpg" alt="ed10026.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，在化學式2中， <br/>R<sup>2</sup>選自經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基和經取代或未經取代的C7至C30芳烷基， <br/>R<sup>3</sup>至R<sup>5</sup>各自獨立地為經取代或未經取代的C1至C20烷基；經取代或未經取代的C3至C20環烷基；經取代或未經取代的C2至C20烯基；經取代或未經取代的C2至C20炔基；經取代或未經取代的C6至C30芳基；經取代或未經取代的C7至C30芳烷基；由-OR<sup>d</sup>表示的烷氧基和芳氧基，其中R<sup>d</sup>為經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基，經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；-O(C=O)R<sup>e</sup>，其中R<sup>e</sup>為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-NR<sup>f</sup>R<sup>g</sup>表示的烷基醯胺基或二烷基醯胺基，其中R<sup>f</sup>和R<sup>g</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-NR<sup>h</sup>(C=OR<sup>i</sup>)表示的醯胺基，其中R<sup>h</sup>和R<sup>i</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基，經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-NR<sup>j</sup>C(NR<sup>k</sup>)R<sup>l</sup>表示的脒基，其中R<sup>j</sup>、R<sup>k</sup>和R<sup>l</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C3至C20烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-SR<sup>m</sup>表示的烷硫基和芳硫醇，其中R<sup>m</sup>是經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的 C6至C30芳基或其組合；或由-S(C=O)R<sup>n</sup>表示的硫羰基，其中R<sup>n</sup>是氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合，以及 <br/>選自R<sup>3</sup>至R<sup>5</sup>中的至少一個選自由-OR<sup>d</sup>表示的烷氧基和芳氧基，其中R<sup>d</sup>是經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；-O(C=O)R<sup>e</sup>，其中R<sup>e</sup>是氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基，經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-NR<sup>f</sup>R<sup>g</sup>表示的烷基醯胺基或二烷基醯胺基，其中R<sup>f</sup>和R<sup>g</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基，經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-NR<sup>h</sup>(C=OR<sup>i</sup>)表示的醯胺基，其中R<sup>h</sup>和R<sup>i</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-NR<sup>j</sup>C(NR<sup>k</sup>)R<sup>l</sup>表示的脒基，其中R<sup>j</sup>、R<sup>k</sup>和R<sup>l</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基，經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-SR<sup>m</sup>表示的烷硫基和芳硫醇，其中R<sup>m</sup>為經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基，或其組合；和由-S(C=O)R<sup>n</sup>表示的硫羰基，其中R<sup>n</sup>是氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、取代或 未取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合。
如請求項8所述的半導體光阻組成物，其中： <br/>R<sup>2</sup>是經取代或未經取代的C1至C8烷基、經取代或未經取代的C3至C8環烷基、包括一個或多個雙鍵及/或三鍵的經取代或未經取代的C2至C8脂族不飽和有機基團、經取代或未經取代的C6至C20芳基、經取代或未經取代的C4至C20雜芳基、乙氧基、丙氧基或其組合， <br/>R<sup>d</sup>是經取代或未經取代的C1至C8烷基、經取代或未經取代的C3至C8環烷基、經取代或未經取代的C2至C8烯基、經取代或未經取代的C2至C8炔基、經取代或未經取代的C6至C20芳基或其組合，並且 <br/>R<sup>e</sup>是氫、經取代或未經取代的C1至C8烷基、經取代或未經取代的C3至C8環烷基、經取代或未經取代的C2至C8烯基、經取代或未經取代的C2至C8炔基、經取代或未經取代的C6至C20芳基或其組合。
如請求項1所述的半導體光阻組成物，其中： <br/>所述含錫有機金屬化合物由化學式3或化學式4表示： <br/>化學式3 <br/>R<sup>6</sup><sub>z</sub>SnO<sub>(2-(z/2)-(x/2))</sub>(OH)<sub>x</sub><br/>其中，在化學式3中， <br/>R<sup>6</sup>為C1至C31烴基，0＜z≤2，且0＜(z+x)≤4； <br/>化學式4 <br/>R<sup>7</sup><sub>n</sub>Sn<sub>m</sub>X<sub>l</sub>Y<sub>k</sub><br/>其中，在化學式4中， <br/>R<sup>7</sup>是經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、包括一個或多個雙鍵及/或三鍵的經取代或未經取代的C2至C20脂族不飽和有機基團、經取代或未經取代的C6至C30芳基、經取代或未經取代的C4至C30雜芳基、羰基、環氧乙烷基、環氧丙烷基或其組合， <br/>X是硫(S)、硒(Se)或碲(Te)， <br/>Y是-OR<sup>o</sup>或-OC(=O)R<sup>p</sup>， <br/>其中R<sup>o</sup>是經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合， <br/>R<sup>p</sup>是氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合，並且 <br/>n、m、l和k各自獨立地為1至20的整數。
一種形成圖案的方法，包括： <br/>在基板上提供蝕刻目標層； <br/>在所述蝕刻目標層上塗覆如請求項1至請求項10中任一項所述的半導體光阻組成物以形成光阻層； <br/>圖案化所述光阻層以形成光阻圖案；和 <br/>使用所述光阻圖案作為蝕刻罩幕來蝕刻所述蝕刻目標層。
一種樹脂組成物，包括：<br/> 環氧樹脂；<br/> 活性酯化合物；<br/> 酚醛樹脂，包括至少一種含有羥基的化合物，且所述酚醛樹脂的羥基當量為100克/當量至200克/當量；<br/> 自由基聚合性化合物，其中所述自由基聚合性化合物包括甲基丙烯酸酯聚苯醚樹脂；<br/> 無機填充材料；以及<br/> 促進劑，其中所述促進劑包括4-二甲基胺基吡啶，<br/> 其中相對於所述樹脂組成物100質量份，所述環氧樹脂的添加量為5質量份至10質量份，所述活性酯化合物的添加量為10質量份至15質量份，所述酚醛樹脂的添加量為0.1質量份至5質量份，所述自由基聚合性化合物的添加量為1質量份至5質量份，所述無機填充材料的添加量為60質量份以上，所述促進劑的添加量為0.1質量份至0.5質量份。
如請求項1所述的樹脂組成物，其中所述環氧樹脂的環氧當量為150克/當量至250克/當量。
如請求項1所述的樹脂組成物，其中所述環氧樹脂為選自雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂以及含萘環環氧樹脂中至少一者。
如請求項1所述的樹脂組成物，其中所述活性酯化合物包括含萘聚酯樹脂，活性酯當量為200克/當量至300克/當量。
如請求項1所述的樹脂組成物，其中所述酚醛樹脂包括胺基三嗪酚醛清漆樹脂，且所述羥基當量為110克/當量至180 克/當量。
如請求項1所述的樹脂組成物，其中所述無機填充材料包括球型二氧化矽，且含有環氧基或壓克力基的表面改質。
如請求項6所述的樹脂組成物，其中所述球型二氧化矽的中位粒徑小於1微米，比表面積為4平方公尺/克至6平方公尺/克。
一種雙面膠帶，包括：<br/> 一光減黏膠，其中該光減黏膠的成分按重量百分比包括：<br/> 45%~75%的第一壓克力感壓膠；<br/> 12%~18%的第一光固化單體，其中該第一光固化單體包括不飽和聚酯、環氧丙烯酸酯、聚氨基丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、丙烯酸酯化聚丙烯酸樹脂、環氧樹脂、光固化聚矽氧烷、多烯烴樹脂、雙酚A環氧二丙烯酸酯、雙酚A環氧二丙烯酸酯、雙酚A環氧二丙烯酸酯、環氧甲基丙烯酸酯、環氧大豆油丙烯酸酯或上述的組合；<br/> 0.05%~5%的第一硬化劑，其中該第一硬化劑包括異氰酸酯族類、多異氰酸酯族類以及環氧系材料中的至少一者；及<br/> 0.01%~2%的第一光起始劑；<br/> 一熱滑移感壓膠，重疊於該光減黏膠，其中該熱滑移感壓膠的玻璃轉化溫度為攝氏30度至攝氏60度，該熱滑移感壓膠的形成方法包括熱滑移感壓膠原料的塗佈以及乾燥該熱滑移感壓膠原料，其中該熱滑移感壓膠原料包括：<br/> 25%~45%的第二壓克力感壓膠；<br/> 0.05%~3%的第二硬化劑，其中該第二硬化劑包括異氰酸酯族類、多異氰酸酯族類以及環氧系材料中的至少一者；以及<br/> 50%~70%的溶劑；<br/> 一基材層，位於該光減黏膠與該熱滑移感壓膠之間；以及<br/> 一第一離型膜以及一第二離型膜，分別貼合至該光減黏膠以及該熱滑移感壓膠上，其中該光減黏膠、該基材層以及該熱滑移感壓膠位於該第一離型膜以及該第二離型膜之間。
如請求項1所述的雙面膠帶，其中該第一壓克力感壓膠的黏度為100 cps至60,000 cps，且該第二壓克力感壓膠的黏度為100 cps至20,000 cps。
如請求項1所述的雙面膠帶，其中該第一壓克力感壓膠的重量平均分子量為250 g/mol至2,000,000 g/mol，且該第二壓克力感壓膠的重量平均分子量為30,000 g/mol至1,000,000 g/mol。
如請求項1所述的雙面膠帶，其中該熱滑移感壓膠在室溫下具玻璃態。
一種加工方法，包括：<br/> 提供一雙面膠帶，其中該雙面膠帶包括：<br/> 一光減黏膠，其中該光減黏膠的成分按重量百分比包括：<br/> 45%~75%的第一壓克力感壓膠；<br/> 12%~18%的第一光固化單體，其中該第一光固化單體包括不飽和聚酯、環氧丙烯酸酯、聚氨基丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、丙烯酸酯化聚丙烯酸樹脂、環氧樹脂、光固化聚矽氧烷、多烯烴樹脂、雙酚A環氧二丙烯酸酯、雙酚A環氧二丙烯酸酯、雙酚A環氧二丙烯酸酯、環氧甲基丙烯酸酯、環氧大豆油丙烯酸酯或上述的組合；<br/> 0.05%~5%的第一硬化劑，其中該第一硬化劑包括異氰酸酯族類、多異氰酸酯族類以及環氧系材料中的至少一者；及<br/> 0.01%~2%的第一光起始劑；<br/> 一熱滑移感壓膠，重疊於該光減黏膠，其中該熱滑移感壓膠的玻璃轉化溫度為攝氏30度至攝氏60度，該熱滑移感壓膠的形成方法包括熱滑移感壓膠原料的塗佈以及乾燥該熱滑移感壓膠原料，其中該熱滑移感壓膠原料包括：<br/> 25%~45%的第二壓克力感壓膠；<br/> 0.05%~3%的第二硬化劑，其中該第二硬化劑包括異氰酸酯族類、多異氰酸酯族類以及環氧系材料中的至少一者；以及<br/> 50%~70%的溶劑；<br/> 一基材層，位於該光減黏膠與該熱滑移感壓膠之間；以及<br/> 一第一離型膜以及一第二離型膜，分別貼合至該光減黏膠以及該第二黏著層上，其中該光減黏膠、該基材層以及該熱滑移感壓膠位於該第一離型膜以及該第二離型膜之間；<br/> 移除該第一離型膜，並將一工件的一第一面貼合至該光減黏膠上；<br/> 移除該第二離型膜，並將一載板貼合至該熱滑移感壓膠；<br/> 在該工件相反於該第一面的一第二面上進行加工處理；<br/> 將該熱滑移感壓膠加熱至該熱滑移感壓膠的玻璃轉化溫度以上；<br/> 在該熱滑移感壓膠的該玻璃轉化溫度以上使該載板相對於該基材層滑移；<br/> 在分離該載板以及該基材層之後，對該光減黏膠執行照光減黏製程；以及<br/> 在執行該照光減黏製程之後，從該光減黏膠處分離該工件以及該基材層。
一種加工參數檢測方法，應用於加工設備，所述加工參數檢測方法包括：<br/> 獲取第一待測影像，所述第一待測影像中包含待加工件；<br/> 確定所述第一待測影像中的第一目標特徵點在所述第一待測影像中的第一影像位置，其中，所述待加工件上包括至少兩條預定加工線，所述第一目標特徵點為任一預定加工線上的特徵點；<br/> 根據第一位置訊息和預設加工參數，確定至少一個預測加工標識，其中，所述第一位置訊息為所述第一影像位置或基於所述第一影像位置確定的所述第一目標特徵點的第一物理位置，所述至少一個預測加工標識包括至少一條預測加工線和/或至少一個第一預測特徵點，所述預設加工參數包括所述至少兩條預定加工線中任意兩條相鄰預定加工線之間的預設間距；<br/> 基於與所述至少一個預測加工標識相關的位置檢測訊息，確定所述預設加工參數是否合格，其中，所述位置檢測訊息用於指示所述至少一個預測加工標識的位置是否與預定加工標識的位置匹配，所述預定加工標識包括至少一條預定加工線和/或預定加工線上的至少一個特徵點，<br/> 其中，所述加工設備包括第一影像採集裝置和第二影像採集裝置，所述第一影像採集裝置的影像採集範圍大於所述第二影像採集裝置的影像採集範圍，其中，所述第一待測影像為所述第二影像採集裝置所採集的影像。
如請求項1所述之加工參數檢測方法，其中，<br/> 在所述至少一個預測加工標識包括所述至少一條預測加工線時，所述根據第一位置訊息和預設加工參數，確定至少一個預測加工標識，包括：<br/> 從所述第一影像採集裝置採集的第二待測影像中識別所述待加工件的輪廓；<br/> 根據所述第一位置訊息和所述預設加工參數以及所述待加工件的所述輪廓，沿目標方向確定至少一條預測線段；<br/> 其中，所述至少一條預測加工線包括所述至少一條預測線段，所述至少一條預測線段中存在一條預測線段經過所述第一目標特徵點，任意兩條預測線段之間的距離等於預定加工線在與所述目標方向垂直的方向上的所述預設間距，每條預測線段的兩個端點位於所述待加工件的輪廓內。
如請求項2所述之加工參數檢測方法，其中，<br/> 所述根據所述第一位置訊息和所述預設加工參數以及所述待加工件的所述輪廓，沿目標方向確定至少一條預測線段，包括：<br/> 根據所述第一位置訊息，過起始特徵點沿所述目標方向做目標直線，直至所做出的目標直線與所述待加工件的所述輪廓存在交點為止，其中，所述起始特徵點為所述第一目標特徵點或基於所述第一目標特徵點所確定的距離所述待加工件的產品中心最近的第二目標特徵點；<br/> 將所述起始特徵點沿與所述目標方向垂直的方向平移所述預設間距的整數倍，以獲得一個或多個新特徵點，並過每個新特徵點沿所述目標方向做目標直線，直至所做出的目標直線與所述待加工件的所述輪廓存在交點為止；或者，將過所述起始特徵點的目標直線沿與所述目標方向垂直的方向平移所述預設間距的整數倍，以獲得一條或多條新的目標直線，其中，所述目標直線的位於所述待加工件的所述輪廓內的部分為經過對應特徵點的預測線段。
如請求項2所述之加工參數檢測方法，其中，在所述根據所述第一位置訊息和所述預設加工參數以及所述待加工件的輪廓，沿目標方向確定至少一條預測線段之後，所述加工參數檢測方法還包括：<br/> 顯示帶有所述至少一條預測線段的第三待測影像，所述第三待測影像為所述第一影像採集裝置採集的影像的至少一部分；<br/> 所述基於與所述至少一個預測加工標識相關的位置檢測訊息，確定所述預設加工參數是否合格，包括：<br/> 回應於使用者輸入的合格指示訊息，確定所述預設加工參數合格；和/或，回應於使用者輸入的不合格指示訊息，確定所述預設加工參數不合格；<br/> 其中，所述位置檢測訊息包括所述合格指示訊息和/或所述不合格指示訊息，所述合格指示訊息用於指示所述至少一個預測加工標識的所述位置與所述預定加工標識的所述位置匹配，所述不合格指示訊息用於指示所述至少一個預測加工標識的所述位置與所述預定加工標識的所述位置不匹配。
如請求項1所述之加工參數檢測方法，其中，在所述至少一個預測加工標識包括所述至少一個第一預測特徵點時，所述根據第一位置訊息和預設加工參數，確定至少一個預測加工標識，包括：<br/> 根據所述第一位置訊息和所述預設加工參數，確定與所述第一物理位置或基於所述第一位置訊息所確定的第二物理位置之間的距離符合預設距離條件的物理位置作為所述第一預測特徵點的第三物理位置；<br/> 其中，所述第二物理位置為距離所述待加工件的產品中心最近的第二目標特徵點所對應的物理位置，所述距離條件包括在第二方向上的距離等於第一數量的第一間距以及在第一方向上的距離等於第二數量的第二間距，所述第一方向與所述第二方向彼此垂直，所述預設間距包括所述第一間距和/或所述第二間距。
如請求項5所述之加工參數檢測方法，其中，<br/> 所述基於與所述至少一個預測加工標識相關的位置檢測訊息，確定所述預設加工參數是否合格，包括：<br/> 將所述第二影像採集裝置的視野中心移動至所述第三物理位置；<br/> 獲取所述第二影像採集裝置在移動後採集的第四待測影像；<br/> 從所述第四待測影像中識別第三目標特徵點；<br/> 確定所述第三目標特徵點與所述第二影像採集裝置的所述視野中心各自在所述第四待測影像中的影像位置之間的影像位置差值或各自所對應的物理位置之間的物理位置差值；<br/> 判斷所述影像位置差值是否小於或等於第一預設誤差閾值或所述物理位置差值是否小於或等於第二預設誤差閾值，以獲得位置判斷結果，所述位置檢測訊息包括所述位置判斷結果；<br/> 在所述位置判斷結果指示所述預測加工標識的所述位置與所述預定加工標識的所述位置匹配時，確定所述預設加工參數合格，否則確定所述預設加工參數不合格；<br/> 其中，所述影像位置差值小於或等於所述第一預設誤差閾值或所述物理位置差值小於或等於所述第二預設誤差閾值時，所述位置判斷結果指示所述預測加工標識的所述位置與所述預定加工標識的所述位置匹配；所述影像位置差值大於所述第一預設誤差閾值或所述物理位置差值大於所述第二預設誤差閾值時，所述位置判斷結果指示所述預測加工標識的所述位置與所述預定加工標識的所述位置不匹配。
如請求項6所述之加工參數檢測方法，其中，<br/> 在所述將所述第二影像採集裝置的所述視野中心移動至所述第三物理位置之前，所述加工參數檢測方法還包括：<br/> 根據所述第一位置訊息，將所述第二影像採集裝置的所述視野中心移動至所述第一物理位置或所述第二物理位置；<br/> 所述將所述第二影像採集裝置的視野中心移動至所述第三物理位置，包括：<br/> 將所述第二影像採集裝置的所述視野中心移動所述預設距離條件所指定的距離，以使所述第二影像採集裝置的所述視野中心移動至所述第三物理位置。
如請求項6所述之加工參數檢測方法，其中，<br/> 在所述確定所述第一待測影像中的第一目標特徵點在所述第一待測影像中的第一影像位置之前，所述加工參數檢測方法還包括：<br/> 利用包含模板特徵點的第一模板影像在所述第一待測影像中進行特徵點匹配；<br/> 將從所述第一待測影像中識別出的與所述模板特徵點匹配的特徵點確定為所述第一目標特徵點；<br/> 所述從所述第四待測影像中識別第三目標特徵點，包括：<br/> 利用所述第一模板影像在所述第四待測影像中進行特徵點匹配；<br/> 將從所述第四待測影像中識別出的與所述模板特徵點匹配的特徵點確定為所述第三目標特徵點。
如請求項1至8中任一項所述之加工參數檢測方法，其中，<br/> 在所述確定所述第一待測影像中的第一目標特徵點在所述第一待測影像中的第一影像位置之前，所述加工參數檢測方法還包括：第一操作；或，所述第一操作以及在所述第一操作之後執行的第二操作；或，所述第一操作、所述第二操作以及在所述第二操作之後執行的第三操作；其中，<br/> 所述第一操作包括：從所述第二影像採集裝置採集的第五待測影像中識別第四目標特徵點；<br/> 所述第二操作包括：對所述第四目標特徵點所在的目標預定加工線按照第一方向進行校正；校正完成後，將所述第二影像採集裝置的視野中心移動至所述第二影像採集裝置採集所述第五待測影像時所對應的物理位置；獲取所述第二影像採集裝置移動完成後採集的第六待測影像；從所述第六待測影像中識別第五目標特徵點；<br/> 所述第三操作包括：基於所述第五目標特徵點在所述第六待測影像中的影像位置，確定距離所述待加工件的產品中心最近的第二目標特徵點所對應的第四物理位置；將所述第二影像採集裝置的所述視野中心移動至所述第四物理位置；獲取所述第二影像採集裝置移動完成後採集的第七待測影像；從所述第七待測影像中識別第六目標特徵點；<br/> 其中，在所述加工參數檢測方法包括所述第一操作且不包括所述第二操作時，所述第五待測影像為所述第一待測影像，所述第四目標特徵點為所述第一目標特徵點；在所述加工參數檢測方法包括所述第一操作和所述第二操作且不包括所述第三操作時，所述第六待測影像為所述第一待測影像，所述第五目標特徵點為所述第一目標特徵點；在所述加工參數檢測方法包括所述第一操作、所述第二操作和所述第三操作時，所述第七待測影像為所述第一待測影像，所述第六目標特徵點為所述第一目標特徵點。
如請求項9所述之加工參數檢測方法，其中，在所述從所述第二影像採集裝置採集的第五待測影像中識別第四目標特徵點之前，所述加工參數檢測方法還包括：<br/> 從所述第一影像採集裝置採集的第八待測影像中識別所述待加工件的輪廓，其中，所述第一影像採集裝置採集所述第八待測影像時，所述第一影像採集裝置的視野中心與用於承載所述待加工件的承載裝置的中心重合；<br/> 基於所述待加工件的所述輪廓，確定所述待加工件的所述產品中心在所述第八待測影像中的第二影像位置；<br/> 基於所述第一影像採集裝置的所述視野中心所對應的第三影像位置和所述第二影像位置之間的影像位置差以及影像位置與物理位置之間的轉換關係，確定所述影像位置差所對應的物理位置差；<br/> 將所述承載裝置移動至所述第二影像採集裝置的視野範圍內，其中，移動後的所述承載裝置的中心與所述第二影像採集裝置的所述視野中心重合；<br/> 基於所述物理位置差，調整所述承載裝置的位置，以使調整後的承載裝置上的所述待加工件的所述產品中心所對應的物理位置與所述第二影像採集裝置的所述視野中心所對應的物理位置重合；<br/> 獲取調整完成後所述第二影像採集裝置採集的所述第五待測影像。
如請求項10所述之加工參數檢測方法，其中，在所述基於所述第一影像採集裝置的所述視野中心所對應的第三影像位置和所述第二影像位置之間的影像位置差以及影像位置與物理位置之間的轉換關係，確定所述影像位置差所對應的物理位置差之前，所述加工參數檢測方法還包括：<br/> 獲取多個第九待測影像，所述多個第九待測影像是在所述待加工件分別處於多個第五物理位置時所述第二影像採集裝置針對所述待加工件採集獲得的影像，所述多個第九待測影像的數目大於或等於3個，所述多個第五物理位置中的任意兩個第五物理位置不同；<br/> 對於所述多個第九待測影像中的每個第九待測影像，根據第二模板影像，確定標識特徵在所述第九待測影像中的影像位置，所述第二模板影像包含所述待加工件上的標識特徵；<br/> 根據所述標識特徵在所述多個第九待測影像中的影像位置以及所述多個第五物理位置，確定所述轉換關係。
如請求項9所述之加工參數檢測方法，其中，所述基於所述第五目標特徵點在所述第六待測影像中的影像位置，確定距離所述待加工件的產品中心最近的第二目標特徵點所對應的第四物理位置，包括：<br/> 根據所述第五目標特徵點在所述第六待測影像中的影像位置以及所述預設間距，確定距離所述產品中心最近的至少一個第二預測特徵點，所述至少一個第二預測特徵點相對所述產品中心周向分佈；<br/> 計算所述至少一個第二預測特徵點中每個第二預測特徵點與所述產品中心之間的距離；<br/> 將所述至少一個第二預測特徵點中與所述產品中心之間的距離最小的第二預測特徵點確定為所述第二目標特徵點，並將所述第二目標特徵點所對應的物理位置確定為所述第四物理位置。
如請求項9所述之加工參數檢測方法，其中，所述對所述第四目標特徵點所在的目標預定加工線按照第一方向進行校正，包括：<br/> 將所述第四目標特徵點作為基準位置點，依次確定多組位置點，每組位置點包括第一位置點和第二位置點，所述第一位置點和所述第二位置點位於所述基準位置點的兩側，並且沿所述第一方向，所述多組位置點各自包含的兩個位置點之間的間距逐漸增大，所述基準位置點和所述多組位置點中，不同位置點是所述目標預定加工線上的不同特徵點所對應的位置點；<br/> 在每次確定一組位置點後，計算該組位置點中的第一位置點和第二位置點之間的連線相對於所述第一方向的連線角度，並執行以下校正操作：<br/> 在所述連線角度大於預設角度閾值的情況下，根據所述連線角度確定對應的調整角度，並基於所述調整角度調整所述待加工件的位置，以校正所述待加工件上的所述目標預定加工線的位置；<br/> 在所述連線角度小於或等於所述預設角度閾值的情況下，停止校正；<br/> 其中，在每次確定一組位置點並執行完成該組位置點所對應的校正操作之後，執行確定下一組位置點的步驟，其中，沿所述第一方向，下一組位置點包含的兩個位置點之間的間距大於當前組位置點包含的兩個位置點之間的間距。
一種加工參數檢測裝置，應用於加工設備，所述加工參數檢測裝置包括：<br/> 獲取模組，用於獲取第一待測影像，所述第一待測影像中包含待加工件；<br/> 第一確定模組，用於確定所述第一待測影像中的第一目標特徵點在所述第一待測影像中的第一影像位置，其中，所述待加工件上包括至少兩條預定加工線，所述第一目標特徵點為任一預定加工線上的特徵點；<br/> 第二確定模組，用於根據第一位置訊息和預設加工參數，確定至少一個預測加工標識，其中，所述第一位置訊息為所述第一影像位置或基於所述第一影像位置確定的所述第一目標特徵點的第一物理位置，所述至少一個預測加工標識包括至少一條預測加工線和/或至少一個第一預測特徵點，所述預設加工參數包括所述至少兩條預定加工線中任意兩條相鄰預定加工線之間的預設間距；<br/> 第三確定模組，用於基於與所述至少一個預測加工標識相關的位置檢測訊息，確定所述預設加工參數是否合格，其中，所述位置檢測訊息用於指示所述至少一個預測加工標識的位置是否與預定加工標識的位置匹配，所述預定加工標識包括至少一條預定加工線和/或預定加工線上的至少一個特徵點，<br/> 其中，所述加工設備包括第一影像採集裝置和第二影像採集裝置，所述第一影像採集裝置的影像採集範圍大於所述第二影像採集裝置的影像採集範圍，其中，所述第一待測影像為所述第二影像採集裝置所採集的影像。
一種電子設備，包括處理器和記憶體，其中，所述記憶體中儲存有電腦程式指令，所述電腦程式指令被所述處理器運行時用於執行如請求項1至13中任一項所述之加工參數檢測方法。
一種儲存媒體，儲存有電腦程式/指令，其中，所述電腦程式/指令在運行時用於執行如請求項1至13中任一項所述之加工參數檢測方法。
一種預定加工線位置修正方法，應用於加工設備，所述加工設備包括加工工具，所述加工工具用於沿預定加工線對待加工件進行加工，所述待加工件上包括沿第一方向延伸的至少一條預定加工線，所述預定加工線位置修正方法包括：<br/> 獲取目標預定加工線的第一位置訊息，所述目標預定加工線為所述至少一條預定加工線中的待修正的預定加工線；<br/> 基於所述目標預定加工線的所述第一位置訊息以及所述加工工具的第二位置訊息，確定位置偏差值；<br/> 將所述位置偏差值與目標偏差閾值進行比較；<br/> 在所述位置偏差值小於或等於所述目標偏差閾值時，根據所述位置偏差值對所述目標預定加工線的位置進行修正，以根據修正後的所述目標預定加工線的位置對所述待加工件進行加工。
如請求項1所述之預定加工線位置修正方法，其中，所述目標預定加工線按預設順序進行修正；<br/> 在所述將所述位置偏差值與目標偏差閾值進行比較之前，所述預定加工線位置修正方法還包括：<br/> 基於當前目標預定加工線與前一目標預定加工線之間的預期間距，確定所述目標偏差閾值；<br/> 其中，所述預期間距落入至少兩個間距範圍中的任一特定間距範圍時，所述目標偏差閾值等於至少兩個預設偏差閾值中與所述特定間距範圍對應的預設偏差閾值，所述至少兩個間距範圍與所述至少兩個預設偏差閾值一一對應，間距範圍所包括的間距值越大，對應的預設偏差閾值越大。
如請求項2所述之預定加工線位置修正方法，其中，所述至少兩個預設偏差閾值包括第一預設偏差閾值和第二預設偏差閾值，所述第一預設偏差閾值大於所述第二預設偏差閾值，所述第一預設偏差閾值和所述第二預設偏差閾值分別與兩個間距範圍一一對應，所述兩個間距範圍之間的分界為預設間距閾值，<br/> 所述基於當前目標預定加工線與前一目標預定加工線之間的預期間距，確定所述目標偏差閾值，包括：<br/> 在所述預期間距大於或等於所述預設間距閾值時，確定所述目標偏差閾值為所述第一預設偏差閾值；<br/> 在所述預期間距小於所述預設間距閾值時，確定所述目標偏差閾值為所述第二預設偏差閾值。
如請求項3所述之預定加工線位置修正方法，其中，所述待加工件為晶圓，所述預設間距閾值等於所述晶圓的晶粒間距的特定倍數，所述第一預設偏差閾值等於最小偏差閾值的所述特定倍數，<br/> 所述晶粒間距為兩條相鄰預定加工線之間的間距，所述最小偏差閾值等於將所述待加工件沿第二方向移動一個所述晶粒間距時，移動後任一第一預定加工線的位置與移動前第二預定加工線的位置之間的差值，所述第二預定加工線為與所述第一預定加工線相鄰且位於所述加工件的移動方向一側的預定加工線，所述第二方向為在所述加工設備採用的機械坐標系中與所述第一方向所對應的第一坐標軸垂直的第二坐標軸所在的方向。
如請求項2所述之預定加工線位置修正方法，其中，在所述將所述位置偏差值與所述目標偏差閾值進行比較之前，所述預定加工線位置修正方法還包括：<br/> 基於使用者輸入的第一參數設置訊息，確定所述至少兩個預設偏差閾值。
如請求項1所述之預定加工線位置修正方法，其中，在所述將所述位置偏差值與目標偏差閾值進行比較之後，所述預定加工線位置修正方法還包括：<br/> 在所述位置偏差值大於所述目標偏差閾值時，輸出報警訊息。
如請求項1所述之預定加工線位置修正方法，其中，在所述將所述位置偏差值與所述目標偏差閾值進行比較之前，所述預定加工線位置修正方法還包括：<br/> 基於使用者輸入的第二參數設置訊息，確定所述目標偏差閾值。
如請求項1至7中任一項所述之預定加工線位置修正方法，其中，所述加工設備包括第一影像採集裝置；所述加工工具的物理位置與所述第一影像採集裝置的視野中心所對應的物理位置保持對齊；<br/> 所述目標預定加工線的所述第一位置訊息採用在所述第一影像採集裝置所採集的包含所述目標預定加工線的待測影像中所述目標預定加工線上的特徵點所對應的第一影像位置或與所述第一影像位置對應的第一物理位置表示，所述加工工具的所述第二位置訊息採用所述第一影像採集裝置的所述視野中心所對應的第二影像位置或與所述第二影像位置對應的第二物理位置表示。
如請求項8所述之預定加工線位置修正方法，其中，所述根據所述位置偏差值對所述目標預定加工線的位置進行修正，包括：<br/> 按照所述位置偏差值控制所述第一影像採集裝置移動對應距離，以對所述目標預定加工線的位置進行修正。
如請求項8所述之預定加工線位置修正方法，其中，在所述獲取所述目標預定加工線的第一位置訊息之前，所述預定加工線位置修正方法還包括：<br/> 從所述第一影像採集裝置採集的第一待測影像中識別第一特徵點，所述第一特徵點為任一預定加工線上的特徵點；<br/> 對所述第一特徵點所在的第三預定加工線按照所述第一方向進行校正；<br/> 校正完成後，將所述第一影像採集裝置的所述視野中心移動至所述第一影像採集裝置採集所述第一待測影像時所對應的物理位置；<br/> 獲取所述第一影像採集裝置移動完成後採集的第二待測影像；<br/> 從所述第二待測影像中識別第二特徵點，所述第二特徵點為任一預定加工線上的特徵點；<br/> 按照所述第二特徵點所在的第四預定加工線與至少一個加工階段中的首個加工階段中的起始目標預定加工線之間的預期間距，將所述第一影像採集裝置的所述視野中心移動對應距離；<br/> 獲取所述第一影像採集裝置移動後採集的包含所述首個加工階段中的起始目標預定加工線的第三待測影像，以基於所述第三待測影像針對所述首個加工階段中的起始目標預定加工線執行所述獲取目標預定加工線的第一位置訊息的步驟。
如請求項10所述之預定加工線位置修正方法，其中，所述加工設備還包括第二影像採集裝置，所述第二影像採集裝置的影像採集範圍大於所述第一影像採集裝置的影像採集範圍，其中，在所述從所述第一影像採集裝置採集的第一待測影像中識別第一特徵點之前，所述預定加工線位置修正方法還包括：<br/> 從所述第二影像採集裝置採集的第四待測影像中識別所述待加工件的輪廓，其中，所述第二影像採集裝置採集所述第四待測影像時，所述第二影像採集裝置的視野中心與用於承載所述待加工件的承載裝置的中心重合；<br/> 基於所述待加工件的所述輪廓，確定所述待加工件的產品中心在所述第四待測影像中的第三影像位置；<br/> 基於所述第二影像採集裝置的所述視野中心所對應的第二影像位置和所述第三影像位置之間的影像位置差以及影像位置與物理位置之間的轉換關係，確定所述影像位置差所對應的物理位置差；<br/> 將所述承載裝置移動至所述第一影像採集裝置的視野範圍內，其中，移動後的所述承載裝置的中心與所述第一影像採集裝置的所述視野中心重合；<br/> 基於所述物理位置差，調整所述承載裝置的位置，以使調整後的承載裝置上的所述待加工件的所述產品中心所對應的物理位置與所述第一影像採集裝置的所述視野中心所對應的物理位置重合；<br/> 獲取調整完成後所述第一影像採集裝置採集的所述第一待測影像。
如請求項11所述之預定加工線位置修正方法，其中，在所述基於所述第二影像採集裝置的所述視野中心所對應的第二影像位置和所述第三影像位置之間的影像位置差以及影像位置與物理位置之間的轉換關係，確定所述影像位置差所對應的物理位置差之前，所述預定加工線位置修正方法還包括：<br/> 獲取多個第五待測影像，所述多個第五待測影像是在所述待加工件分別處於多個第四物理位置時所述第一影像採集裝置針對所述待加工件採集獲得的影像，所述多個第五待測影像的數目大於或等於3個，所述多個第四物理位置中的任意兩個第四物理位置不同；<br/> 對於所述多個第五待測影像中的每個第五待測影像，根據模板影像，確定標識特徵在該第五待測影像中的影像位置，所述模板影像包含所述待加工件上的標識特徵；<br/> 根據所述標識特徵在所述多個第五待測影像中的影像位置以及所述多個第四物理位置，確定所述轉換關係。
如請求項10所述之預定加工線位置修正方法，其中，所述對所述第一特徵點所在的第三預定加工線按照所述第一方向進行校正，包括：<br/> 將所述第一特徵點作為基準位置點，依次確定多組位置點，每組位置點包括第一位置點和第二位置點，所述第一位置點和所述第二位置點位於所述基準位置點的兩側，並且沿所述第一方向，所述多組位置點各自包含的兩個位置點之間的間距逐漸增大，所述基準位置點和所述多組位置點中，不同位置點是所述第三預定加工線上的不同特徵點所對應的位置點；<br/> 在每次確定一組位置點後，計算該組位置點中的所述第一位置點和所述第二位置點之間的連線相對於所述第一方向的連線角度，並執行以下校正操作：<br/> 在所述連線角度大於預設角度閾值的情況下，根據所述連線角度確定對應的調整角度，並基於所述調整角度調整所述待加工件的位置，以校正所述待加工件上的所述第三預定加工線的位置；<br/> 在所述連線角度小於或等於所述預設角度閾值的情況下，停止校正；<br/> 其中，在每次確定一組位置點並執行完成該組位置點所對應的校正操作之後，執行確定下一組位置點的步驟，其中，沿所述第一方向，下一組位置點包含的兩個位置點之間的間距大於當前組位置點包含的兩個位置點之間的間距。
一種加工方法，應用於加工設備，所述加工設備包括加工工具，所述加工工具用於沿預定加工線對待加工件進行加工，所述待加工件上包括沿第一方向延伸的至少一條預定加工線，所述加工方法包括：<br/> 執行如下第一加工操作：<br/> 採用如請求項1至13中任一項所述之預定加工線位置修正方法確定實際加工時目標預定加工線所在的位置；<br/> 控制所述加工工具在所述目標預定加工線所在的位置進行加工。
如請求項14所述之加工方法，其中，沿所述至少一條預定加工線按預設順序依次進行加工，當需要對任一目標預定加工線進行加工時，執行所述第一加工操作。
如請求項15所述之加工方法，其中，所述加工方法還包括：<br/> 當需要對除所述目標預定加工線以外的任一非目標預定加工線進行加工時，執行如下第二加工操作：<br/> 基於上次加工的前一預定加工線所在的位置，確定所述非目標預定加工線所在的位置；<br/> 控制所述加工工具在所述非目標預定加工線所在的位置進行加工。
一種預定加工線位置修正裝置，應用於加工設備，所述加工設備包括加工工具，所述加工工具用於沿預定加工線對待加工件進行加工，所述待加工件上包括沿第一方向延伸的至少一條預定加工線，所述預定加工線位置修正裝置包括：<br/> 獲取模組，用於獲取目標預定加工線的第一位置訊息，所述目標預定加工線為所述至少一條預定加工線中的待修正的預定加工線；<br/> 第一確定模組，用於基於所述目標預定加工線的所述第一位置訊息以及所述加工工具的第二位置訊息，確定位置偏差值；<br/> 比較模組，用於將所述位置偏差值與目標偏差閾值進行比較；<br/> 修正模組，用於在所述位置偏差值小於或等於所述目標偏差閾值時，根據所述位置偏差值對所述目標預定加工線的位置進行修正，以根據修正後的所述目標預定加工線的位置對所述待加工件進行加工。
一種加工裝置，應用於加工設備，所述加工設備包括加工工具，所述加工工具用於沿預定加工線對待加工件進行加工，所述待加工件上包括沿第一方向延伸的至少一條預定加工線，其中，所述加工裝置包括執行模組，所述執行模組包括確定子模組和控制子模組，<br/> 所述確定子模組，用於採用如請求項17所述之預定加工線位置修正裝置確定實際加工時目標預定加工線所在的位置；<br/> 所述控制子模組，用於控制所述加工工具在所述目標預定加工線所在的位置進行加工。
一種電子設備，包括處理器和記憶體，其中，所述記憶體中儲存有電腦程序指令，所述電腦程序指令被所述處理器運行時用於執行如請求項1至13中任一項所述之預定加工線位置修正方法和/或如請求項14至16中任一項所述之加工方法。
一種儲存媒體，儲存有電腦程序/指令，其中，所述電腦程序/指令在運行時用於執行如請求項1至13中任一項所述之預定加工線位置修正方法和/或如請求項14至16中任一項所述之加工方法。
一種插頭型印刷電路板（PCB）接線，包括：<br/> 一插頭型印刷電路板，包括：<br/> 一插頭型連接部，設置於該插頭型印刷電路板之一第一端，且該插頭型連接部具有複數個連接部接點，其中該插頭型連接部具有一厚度，該厚度適配以使該插頭型連接部插入一外接介面； <br/> 一接線部，設置於該插頭型印刷電路板之一第二端，且該接線部具有複數個接線部接點與一接地/電源區；以及<br/> 一阻抗控制區，具有一組走線，電連接於該複數個連接部接點與該複數個接線部接點之間，以達成該複數個連接部接點與該複數個接線部接點之間的阻抗匹配；以及<br/> 一組纜線，與該接線部連接。
如請求項1所述的插頭型印刷電路板接線，其中該複數個連接部接點、該複數個接線部接點以及該組走線設置於該插頭型印刷電路板的任一表面上或是二個表面上。
如請求項1所述的插頭型印刷電路板接線，其中該厚度約為0.3 mm。
如請求項1所述的插頭型印刷電路板接線，其中該組纜線由複數條單芯線或同軸線構成，且該接線部與該組纜線採用跳線的方式連接。
如請求項1所述的插頭型印刷電路板接線，更包括一包覆層，其中該包覆層包覆在該組纜線外。
如請求項1所述的插頭型印刷電路板接線，其中該插頭型印刷電路板可以裁切，使得該複數個連接部接點的數目可以調整。
如請求項1所述的插頭型印刷電路板接線，其中該阻抗控制區具有一彎折角度，使得該插頭型連接部與該接線部具有不同的指向。
一種插頭型印刷電路板（PCB）接線，包括：<br/> 一第一插頭型印刷電路板，包括：<br/> 一第一插頭型連接部，設置於該第一插頭型印刷電路板之一第一端，且該第一插頭型連接部具有複數個第一連接部接點，其中該第一插頭型連接部之厚度適配以使該第一插頭型連接部插入一第一外接介面；<br/> 一第一接線部，設置於該第一插頭型印刷電路板之一第一端，且該第一接線部具有複數個第一接線部接點；以及<br/> 一第一阻抗控制區，具有一第一組走線，電連接於該複數個第一連接部接點與該複數個第一接線部接點之間，以達成該複數個第一連接部接點與該複數個第一接線部接點之間的阻抗匹配；<br/> 一第二插頭型印刷電路板，包括：<br/> 一第二插頭型連接部，設置於該第二插頭型印刷電路板之一第一端，且該第二插頭型連接部具有複數個第二連接部接點，其中該第二插頭型連接部之厚度適配以使該第二插頭型連接部插入一第二外接介面；<br/> 一第二接線部，設置於該第二插頭型印刷電路板之一第二端，且該第二接線部具有複數個第二接線部接點；以及<br/> 一第二阻抗控制區，具有一第二組走線，電連接於該複數個第二連接部接點與該複數個第二接線部接點之間，以達成該複數個第二連接部接點與該複數個第二接線部接點之間的阻抗匹配；以及<br/> 一組纜線，以一種自定義接點配置關係連接該第一插頭型印刷電路板上之該複數個第一接線部接點與該第二插頭型印刷電路板上之該複數個第二接線部接點。
一種插頭型印刷電路板（PCB），包括：<br/> 一插頭型連接部，設置於該插頭型印刷電路板之一第一端，且該插頭型連接部具有複數個連接部接點，其中該插頭型連接部之厚度適配以使該插頭型連接部插入一外接介面； <br/> 一接線部，設置於該插頭型印刷電路板之一第二端，且該接線部具有複數個接線部接點與一接地/電源區，以供一組纜線連接；以及<br/> 一阻抗控制區，具有一組走線，電連接於該複數個連接部接點與該複數個接線部接點之間，以達成該複數個連接部接點與該複數個接線部接點之間的阻抗匹配。
如請求項9所述的插頭型印刷電路板，其中該複數個連接部接點、該複數個接線部接點以及該組走線設置於該插頭型印刷電路板的一第一表面以及與該第一表面相對設置的一第二表面上。
如請求項9所述的插頭型印刷電路板，其中該阻抗控制區具有一彎折角度，使得該插頭型連接部與該接線部具有不同的指向，以及該接線部與該組纜線採用跳線的方式連接。
一種發光二極體，包含：<br/> 一基板；<br/> 一磊晶複合層，具有一第一化合物半導體層、一發光層及一第二化合物半導體層，該第一化合物半導體層夾置於該基板與該發光層間；<br/> 一限光層，設置於該發光層及該第二化合物半導體層間，具有一限光開口；及<br/> 一透明導電層，設置於該磊晶複合層上，<br/> 其中，該發光層發出的光線將受限而須穿越該限光層之該限光開口後再由該透明導電層對外射出，該限光開口具有一最小開口內徑，該最小開口內徑依據該發光層的發光波段具有一反向變化關係，當該發光層的發光波段自620奈米（nm）變化至940奈米（nm），該最小開口內徑自45微米（µm）變化至30微米（µm）。
如請求項1所述之發光二極體，其中該限光開口具有一最大開口內徑，該最大開口內徑為60微米（µm）。
如請求項1所述之發光二極體，其中該限光層係一氧化層。
如請求項1所述之發光二極體，其中該透明導電層具一最小厚度，該最小厚度依據該發光層的發光波段具有一正向變化關係。
如請求項4所述之發光二極體，其中當該發光層的發光波段自620奈米（nm）變化至940奈米（nm），該最小厚度自2400埃（Å）變化至4400埃（Å）。
如請求項1所述之發光二極體，其中該透明導電層之材料係選自於由氧化銦錫（Indium Tin Oxide，ITO）、氧化銦鋅（Indium Zinc Oxide，IZO）、氧化鋅錫（Zinc Tin Oxide，ZTO）、鋁摻雜氧化鋅（Aluminum-doped Zinc Oxide，AZO）、鎵摻雜氧化鋅（Gallium-doped Zinc Oxide，GZO）、氟摻雜氧化錫（Fluorine-doped Tin Oxide，FTO）所組成之群族其中之一及其組合。
如請求項1所述之發光二極體，其中該第一化合物半導體層係一第一導電型砷化鋁鎵（AlGaAs）層，且該第二化合物半導體層係一第二導電型砷化鋁鎵層。
如請求項7所述之發光二極體，更包含一磷化鎵（GaP）層，夾置於該第二導電型砷化鋁鎵層與該透明導電層之間，並與該透明導電層形成歐姆接觸。
如請求項1所述之發光二極體，更包含一反射層，設置於該基板與該第一化合物半導體層之間，用以反射該發光層發出的光線穿越該限光層之該限光開口後再由該透明導電層對外射出。
如請求項9所述之發光二極體，其中該反射層係一分佈式布拉格反射鏡（Distributed Bragg Reflector，DBR）。
一種發光二極體之製造方法，包含：<br/> 提供一磊晶複合層，設置於一基板上，其中該磊晶複合層具有一第一化合物半導體層、一發光層及一第二化合物半導體層，該第一化合物半導體層夾置於該基板與該發光層間；<br/> 提供一限光層，設置於該發光層及該第二化合物半導體層間，該限光層具有一限光開口；及<br/> 提供一透明導電層，設置於該磊晶複合層上，<br/> 其中，該發光層發出的光線將受限而須穿越該限光層之該限光開口後再由該透明導電層對外射出，該限光開口具有一最小開口內徑，該最小開口內徑依據該發光層的發光波段具有一反向變化關係，當該發光層的發光波段自620奈米（nm）變化至940奈米（nm），該最小開口內徑自45微米（µm）變化至30微米（µm）。
如請求項11所述發光二極體之製造方法，其中提供一限光層之該步驟係提供具有一最大開口內徑之該限光開口之該限光層，該最大開口內徑為60微米（µm）。
如請求項11所述發光二極體之製造方法，更包含一高台（MESA）蝕刻製程，以蝕刻去除部分該磊晶複合層，並裸露出該磊晶複合層之一側壁。
如請求項13所述發光二極體之製造方法，其中提供一限光層之該步驟係執行一濕氧（Wet Oxidation）製程，使氧氣與水透過該裸露之該磊晶複合層之該側壁進入該磊晶複合層內，以形成一氧化層於該發光層及該第二化合物半導體層間。
如請求項11所述發光二極體之製造方法，其中提供一透明導電層之該步驟係提供具一最小厚度之該透明導電層，該最小厚度依據該發光層的發光波段具有一正向變化關係，當該發光層的發光波段自620奈米（nm）變化至940奈米（nm），該最小厚度自2400埃（Å）變化至4400埃（Å）。
如請求項11所述發光二極體之製造方法，其中該透明導電層之材料係選自於由氧化銦錫（Indium Tin Oxide，ITO）、氧化銦鋅（Indium Zinc Oxide，IZO）、氧化鋅錫（Zinc Tin Oxide，ZTO）、鋁摻雜氧化鋅（Aluminum-doped Zinc Oxide，AZO）、鎵摻雜氧化鋅（Gallium-doped Zinc Oxide，GZO）、氟摻雜氧化錫（Fluorine-doped Tin Oxide，FTO）所組成之群族其中之一及其組合。
如請求項11所述發光二極體之製造方法，其中該第一化合物半導體層係一第一導電型砷化鋁鎵（AlGaAs）層，且該第二化合物半導體層係一第二導電型砷化鋁鎵層。
如請求項17所述發光二極體之製造方法，更包含提供一磷化鎵（GaP）層之一步驟，該磷化鎵層夾置於該第二導電型砷化鋁鎵層與該透明導電層之間，並與該透明導電層形成歐姆接觸。
如請求項11所述發光二極體之製造方法，更包含提供一反射層之一步驟，該反射層設置於該基板與該第一化合物半導體層之間，用以反射該發光層發出的光線穿越該限光層之該限光開口後再由該透明導電層對外射出。
一種電晶體結構，包含：<br/> 一第一源極/汲極區域，位於一半導體裝置的一基板中；<br/> 一第二源極/汲極區域，位於該基板中；<br/> 一閘極結構，位於該基板上方，<br/> 其中該閘極結構橫向位於該第一源極/汲極區域與該第二源極/汲極區域之間；及<br/> 一複合閘極介電層，位於該閘極結構與該基板之間，<br/> 其中該複合閘極介電層包含複數個橫向排列的部分，每一部分具有不同的介電常數，且該複數個橫向排列的部分皆位於同一平面上。
如請求項1所述的電晶體結構，其中該第一源極/汲極區域、該閘極結構及該第二源極/汲極區域在該半導體裝置中沿一第一方向排列；且<br/> 其中該些橫向排列的部分包含：<br/> 一第一部分，具有一第一介電常數；<br/> 一第二部分，具有一第二介電常數；及<br/> 一第三部分，具有該第一介電常數，<br/> 其中該第一部分、該第二部分及該第三部分在該半導體裝置中沿一第二方向排列，該第二方向與該第一方向近似垂直，且<br/> 其中該第一介電常數及該第二介電常數為不同的介電常數。
如請求項1所述的電晶體結構，其中該第一源極/汲極區域、該閘極結構及該第二源極/汲極區域在該半導體裝置中沿一第一方向排列；<br/> 其中該閘極結構在該半導體裝置中沿一第二方向在該第一源極/汲極區域與該第二源極/汲極區域之間延伸，該第二方向與該第一方向近似垂直；且<br/> 其中該些橫向排列的部分包含：<br/> 一第一部分，具有一第一介電常數；<br/> 一第二部分，具有一第二介電常數；及<br/> 一第三部分，具有該第一介電常數，<br/> 其中該第一部分、該第二部分及該第三部分沿該第一方向排列，且<br/> 其中該第一介電常數及該第二介電常數為不同的介電常數。
一種電晶體結構，包含：<br/> 一第一源極/汲極區域，位於一半導體裝置的一基板中；<br/> 一第二源極/汲極區域，位於該基板中；<br/> 一閘極結構，位於該基板上方，<br/> 其中該閘極結構橫向位於該第一源極/汲極區域與該第二源極/汲極區域之間；及<br/> 一複合閘極介電層，位於該閘極結構與該基板之間，<br/> 其中該複合閘極介電層包含複數個橫向排列的部分，且該複數個橫向排列的部分皆位於同一平面上，其中該閘極結構包含複數個橫向排列的摻雜區域，每一摻雜區域具有不同的功函數值。
如請求項4所述的電晶體結構，其中該第一源極/汲極區域、該閘極結構及該第二源極/汲極區域在該半導體裝置中沿一第一方向排列；且<br/> 其中該些橫向排列的摻雜區域包含：<br/> 一第一摻雜區域，具有一第一功函數值；<br/> 一第二摻雜區域，具有一第二功函數值；及<br/> 一第三摻雜區域，具有該第一功函數值，<br/> 其中該第一摻雜區域、該第二摻雜區域及該第三摻雜區域在該半導體裝置中沿一第二方向排列，該第二方向與該第一方向近似垂直，且<br/> 其中該第一功函數值及該第二功函數值為不同的功函數值。
如請求項4所述的電晶體結構，其中該第一源極/汲極區域、該閘極結構及該第二源極/汲極區域在該半導體裝置中沿一第一方向排列；<br/> 其中該閘極結構在該半導體裝置中沿一第二方向在該第一源極/汲極區域與該第二源極/汲極區域之間延伸，該第二方向與該第一方向近似垂直；且<br/> 其中該些橫向排列的摻雜區域包含：<br/> 一第一摻雜區域，具有一第一功函數值；<br/> 一第二摻雜區域，具有一第二功函數值；及<br/> 一第三摻雜區域，具有該第一功函數值，<br/> 其中該第一摻雜區域、該第二摻雜區域及該第三摻雜區域沿該第一方向排列，且<br/> 其中該第一功函數值及該第二功函數值為不同的功函數值。
一種形成電晶體結構的方法，包含：<br/> 形成一電晶體結構的一閘極介電層的一或多個第一部分，<br/> 其中該一或多個第一部分由具有一第一介電常數的一第一材料組成；<br/> 形成該閘極介電層的一或多個第二部分，<br/> 其中該一或多個第二部分由具有一第二介電常數的一第二材料組成，該第二介電常數與不同於該第一介電常數；<br/> 形成該閘極介電層的一或多個第三部分，<br/> 其中該一或多個第三部分由具有一第三介電常數的一第三材料組成，該第三介電常數不同於該第一介電常數及該第二介電常數，其中該一或多個第一部分、該一或多個第二部分和該一或多個第三部分位於同一平面上；<br/> 在該閘極介電層上方形成該電晶體結構的一閘極結構；及<br/> 形成一第一源極/汲極區域及一第二源極/汲極區域，使得該第一源極/汲極區域及該第二源極/汲極區域橫向相鄰於該閘極結構的相對側。
如請求項7所述的方法，其中形成該一或多個第二部分包含：<br/> 形成該一或多個第二部分的一第四部分，使得該第四部分橫向位於該一或多個第一部分的一第一子集之間；及<br/> 形成該一或多個第二部分的一第五部分，使得該第五部分橫向位於該一或多個第一部分的一第二子集之間。
如請求項7所述的方法，進一步包含：<br/> 形成該閘極介電層的一第四部分，<br/> 其中該第四部分由具有一第四介電常數的一材料組成，該第四介電常數不同於該第一介電常數、該第二介電常數及該第三介電常數。
如請求項7所述的方法，其中形成該閘極結構包含：<br/> 在該閘極介電層的該一或多個第一部分上方形成該閘極結構的一或多個第一摻雜區域，<br/> 其中該一或多個第一摻雜區域具有一第一功函數值；<br/> 在該閘極介電層的該一或多個第二部分上方形成該閘極結構的一或多個第二摻雜區域，<br/> 其中該一或多個第二摻雜區域具有一第二功函數值，該第二功函數值不同於該第一功函數值；及<br/> 在該閘極介電層的該一或多個第三部分上方形成該閘極結構的一或多個第三摻雜區域，<br/> 其中該一或多個第三摻雜區域具有一第三功函數值，該第三功函數值不同於該第一功函數值及該第二功函數值。
一種電子裝置，包含： <br/> 第一板(112)； <br/> 面對該第一板(112)的第二板(113)； <br/> 在該第一板(112)和該第二板(113)之間的顯示部(102)； <br/> 在該第一板(112)和該第二板(113)之間的電路板(107)；以及 <br/> 蓄電裝置(103)，包含： <br/> 包含層壓薄膜的外包裝體(207)；以及 <br/> 包含鋰離子的電解質，<u> </u><br/> 其中該顯示部(102)包含第三板(151)、顯示元件(152)及電路部(153)， <br/> 其中該第二板(113)包含第一區域、第二區域及第三區域， <br/> 其中該第三板(151)包含第四區域及第五區域， <br/> 其中該第一區域和該第四區域彼此固定， <br/> 其中該第二區域和該第五區域未彼此固定， <br/> 其中該第三區域和該蓄電裝置(103)彼此固定， <br/> 其中該電路板(107)與該蓄電裝置(103)及該電路部(153)電連接，以及 <br/> 其中該電路部位於自該蓄電裝置的該第二板之對側上。
如請求項1所述的電子裝置，其中當該電子裝置的形狀改變時，該第二區域和該第五區域之間的距離改變。
如請求項1所述的電子裝置，其中該顯示部(102)設置在該第一板(112)上，在其之間具有黏合層。
如請求項1所述的電子裝置，其中當該電子裝置的形狀改變時，該第一板(112)和該第二板(113)之間的距離改變。
如請求項1所述的電子裝置，其中該電子裝置組態以被穿戴使得該第二板(113)與使用者的手臂接觸。
如請求項1所述的電子裝置，更包含充電器(401)， <br/> 其中該充電器(401)與該蓄電裝置(103)電連接，以及 <br/> 其中該充電器包含天線。
一種像素數據處理方法，由一顯示驅動晶片執行，以將包括M×N個輸入像素數據的一輸入顯示數據處理為包括2(M×N)個輸出像素數據的一輸出顯示數據，其中，各所述輸入像素數據包括一輸入紅色灰階值、一輸入綠色灰階值與一輸入藍色灰階值，且各所述輸出像素數據包括一輸出紅色灰階值、一輸出綠色灰階值與一輸出藍色灰階值；所述像素數據處理方法包括：<br/> 在第j個所述輸入像素數據與第j+1個所述輸入像素數據之間的一像素灰階差值大於一預定閥值的情況下，將第j個所述輸入像素數據複製為第j+(j-1)個所述輸出像素數據與第j+j個所述輸出像素數據；以及<br/> 在所述像素灰階差值小於該預定閥值的情況下，對第j個所述輸入像素數據與第j+1個所述輸入像素數據執行一平均運算以獲得一平均像素數據，並以第j個所述輸入像素數據和該平均像素數據分別作為第j+(j-1)個所述輸出像素數據與第j+j個所述輸出像素數據；<br/> 其中，M、N皆為正整數，且j係起始值為1的正整數。
如請求項1所述之像素數據處理方法，其中，該顯示驅動晶片內含一顯示介面實體層與一源極驅動電路，且該顯示驅動晶片進一步包含一像素數據處理模塊以實現所述像素數據處理方法，且該像素數據處理模塊設置於該顯示介面實體層與該源極驅動電路之間。
如請求項1所述之像素數據處理方法，其中，該顯示驅動晶片內含一顯示介面實體層與一源極驅動電路，且該源極驅動電路包括一移位寄存單元、一數據鎖存(sampling latch)單元、一保持鎖存(hold latch)單元、一電平移位單元、一數位類比轉換單元、以及一緩衝單元，且該顯示驅動晶片進一步包含一像素數據處理模塊以實現所述像素數據處理方法，且該像素數據處理模塊設置於該數據鎖存單元與該保持鎖存單元之間。
如請求項1所述之像素數據處理方法，其中，該顯示驅動晶片內含一顯示介面實體層與一源極驅動電路，且該源極驅動電路包括一移位寄存單元、一數據鎖存單元、一保持鎖存單元、一電平移位單元、一數位類比轉換單元、以及一緩衝單元，且該顯示驅動晶片進一步包含一像素數據處理模塊以實現所述像素數據處理方法，且該像素數據處理模塊設置於該保持鎖存單元與該電平移位單元之間。
一種顯示驅動晶片，特徵在於，所述顯示驅動晶片被配置執行一像素數據處理方法從而將包括M×N個輸入像素數據的一輸入顯示數據處理為包括2(M×N)個輸出像素數據的一輸出顯示數據；其中，各所述輸入像素數據包括一輸入紅色灰階值、一輸入綠色灰階值與一輸入藍色灰階值，且各所述輸出像素數據包括一輸出紅色灰階值、一輸出綠色灰階值與一輸出藍色灰階值；所述像素數據處理方法包括：<br/> 在第j個所述輸入像素數據與第j+1個所述輸入像素數據之間的一像素灰階差值大於一預定閥值的情況下，將第j個所述輸入像素數據複製為第j+(j-1)個所述輸出像素數據與第j+j個所述輸出像素數據；以及<br/> 在所述像素灰階差值小於該預定閥值的情況下，對第j個所述輸入像素數據與第j+1個所述輸入像素數據執行一平均運算以獲得一平均像素數據，並以第j個所述輸入像素數據和該平均像素數據分別作為第j+(j-1)個所述輸出像素數據與第j+j個所述輸出像素數據；<br/> 其中，M、N皆為正整數，且j係起始值為1的正整數。
如請求項5所述之顯示驅動晶片，其中，該顯示驅動晶片內含一顯示介面實體層與一源極驅動電路，且該顯示驅動晶片進一步包含一像素數據處理模塊以實現所述像素數據處理方法，且該像素數據處理模塊設置於該顯示介面實體層與該源極驅動電路之間。
如請求項5所述之顯示驅動晶片，其中，該顯示驅動晶片內含一顯示介面實體層與一源極驅動電路，且該源極驅動電路包括一移位寄存單元、一數據鎖存(sampling latch)單元、一保持鎖存(hold latch)單元、一電平移位單元、一數位類比轉換單元、以及一緩衝單元，且該顯示驅動晶片進一步包含一像素數據處理模塊以實現所述像素數據處理方法，且該像素數據處理模塊設置於該數據鎖存單元與該保持鎖存單元之間。
如請求項5所述之顯示驅動晶片，其中，該顯示驅動晶片內含一顯示介面實體層與一源極驅動電路，且該源極驅動電路包括一移位寄存單元、一數據鎖存單元、一保持鎖存單元、一電平移位單元、一數位類比轉換單元、以及一緩衝單元，且該顯示驅動晶片進一步包含一像素數據處理模塊以實現所述像素數據處理方法，且該像素數據處理模塊設置於該保持鎖存單元與該電平移位單元之間。
一種顯示器，其特徵在於，包括一顯示面板以及至少一個如請求項5至請求項8之中任一項所述之顯示驅動晶片。
一種資訊處理裝置，具有至少一個顯示器，其特徵在於，該顯示器包括一顯示面板以及至少一個如請求項5至請求項8之中任一項所述之顯示驅動晶片。
一種耐火保溫磚，其包括以下成份：<br/> 5wt%-75wt%的底渣；<br/> 少於20wt%的汙泥；<br/> 10wt%-45wt%的結合劑；<br/> 10wt%-35wt%的發泡劑；以及<br/> 少於7wt%的骨材，其中所述底渣含有氧化鈣，該結合劑含有三氧化二鋁，所述耐火保溫磚的成份不包括水泥，且所述骨材為陶瓷廢料；且<br/> 其中，所述耐火保溫磚的體比重為下列數值中之一者：0.5、0.55、0.6、0.7、0.75、0.8、0.9、1.0、1.1、1.2或1.25 g/cm<sup>3</sup>。
如請求項1所述之耐火保溫磚，其中所述汙泥包括至少25wt%的碳。
如請求項1所述之耐火保溫磚，其中所述骨材包括天然骨材或人造骨材。
如請求項3所述之耐火保溫磚，其中所述天然骨材包括以下的任一者：河砂、河石、陸上砂石、含有氧化鋁之天然氫骨材或氧化矽組成之矽酸鹽天然礦物。
如請求項1所述之耐火保溫磚，其中所述骨材包括粒徑大於4.75mm的骨材或小於4.75mm的骨材。
如請求項1所述之耐火保溫磚，其中所述底渣包括50.5wt%至 65.5wt%之間的氧化鈣。
如請求項1所述之耐火保溫磚，其包括以下成份：<br/> 20-75wt%的底渣；<br/> 少於20wt%的汙泥；<br/> 10-35wt%的結合劑；以及<br/> 15-35wt%的發泡劑；<br/> 其中所述耐火保溫磚的成份不包括骨材。
如請求項1所述之耐火保溫磚，其包括以下成份：<br/> 10-65wt%的底渣；<br/> 少於20wt%的汙泥；<br/> 15-40wt%的結合劑；<br/> 10-30wt%的發泡劑；以及<br/> 少於7wt%的骨材。
如請求項1所述之耐火保溫磚，其包括以下成份：<br/> 10-40wt%的底渣；<br/> 少於20wt%的汙泥；<br/> 15-40wt%的結合劑；<br/> 10-30wt%的發泡劑；以及<br/> 少於5wt%的骨材。
如請求項1所述之耐火保溫磚，其包括以下成份：<br/> 5-30wt%的底渣；<br/> 少於10wt%的汙泥；<br/> 15-45wt%的結合劑；以及<br/> 10-30wt%的發泡劑；<br/> 其中所述耐火保溫磚的成份不包括骨材。
一種多爪夾物遊戲機台，包含：<br/> 一櫥窗，界定出一遊戲空間；<br/> 多個作動單元，沿一橫方向彼此間隔地配置於該遊戲空間中，將該遊戲空間區分為多個分別對應該等作動單元的子區域，每一該作動單元包括一設置於個別之該子區域頂部的天車模組、一連接於該天車模組的夾爪機構，及一連接於該天車模組且用以控制該夾爪機構在該天車模組上之移動的驅動模組，其中，該等作動單元之間存在至少一種使得該等作動單元之作動產生差異性的差異參數；及<br/> 一控制單元，資訊連接於該等作動單元，且用以可選擇地控制該等作動單元的至少其中之一，該控制單元包括一資訊連接於該等作動單元之所述驅動模組的操作介面，及一資訊連接於該操作介面且用以對該等驅動模組提供該差異參數的處理模組。
如請求項1所述的多爪夾物遊戲機台，其中，該等作動單元之間的所述差異參數為該等驅動模組的運轉速度。
如請求項1所述的多爪夾物遊戲機台，其中，該控制單元包括一資訊連接於該等作動單元之所述驅動模組的操作介面，及一資訊連接於該操作介面且能執行一使該操作介面操作單一該驅動模組之單動模式，或一使該操作介面同時操作多個該驅動模組之多動模式的處理模組。
如請求項3所述的多爪夾物遊戲機台，其中，該控制單元之該處理模組執行的該單動模式，是選擇操作該等作動單元的其中之一。
如請求項3所述的多爪夾物遊戲機台，其中，該控制單元之該處理模組執行的該單動模式，是逐一操作該等作動單元。
如請求項1至5任一項所述的多爪夾物遊戲機台，其中，該等作動單元之間的所述差異參數為該等夾爪機構的抓取力道。
如請求項1至5任一項所述的多爪夾物遊戲機台，其中，該等作動單元之間的所述差異參數為該等夾爪機構的重量。
如請求項1至5任一項所述的多爪夾物遊戲機台，其中，每一該作動單元之該天車模組具有一沿一垂直於該橫方向之前後方向延伸的第一滑軌、一可沿該前後方向移動地配置於該第一滑軌且沿該橫方向延伸的第二滑軌，及一可沿該橫方向移動地配置在該第二滑軌上的主體部。
一種基板的製造方法，其為設置有封裝基板的基板的製造方法，包括： <br/>準備步驟，製造玻璃芯，上述玻璃芯為具有多個芯通孔的玻璃板； <br/>第1-1步驟，在上述玻璃芯上形成第一金屬層； <br/>第1-2步驟，在上述第一金屬層上堆疊第一絕緣材料層； <br/>第1-3步驟，通過固化上述第一絕緣材料層來製造第一絕緣層； <br/>第2-1步驟，在完成上述第1-3步驟之後，在上述第一絕緣材料層的上部形成與上述第一金屬層電連接的第二金屬層；以及 <br/>第2-2步驟，在上述第二金屬層上堆疊第二絕緣材料層， <br/>上述第1-3步驟包括： <br/>預固化過程，在80℃以上且低於175℃的預固化溫度下對上述第一絕緣材料層進行預固化，其中上述預固化過程為執行第一階段之後再執行第二階段的過程，上述第一階段是在110℃以上且低於150℃的溫度下進行10分鐘以上的熱處理，上述第二階段是在150℃以上且低於175℃的溫度下進行10分鐘以上的熱處理；以及 <br/>後固化過程，在175℃以上且230℃以下的後固化溫度下對上述第一絕緣材料層進行後固化， <br/>通過上述基板的製造方法製造出能夠區分為設置作為上述封裝基板的產品的多個產品區域和除了上述產品區域之外的虛設區域的基板。
如請求項1所述的基板的製造方法，其中在上述2-2步驟之後還包括第2-3步驟， <br/>上述第2-3步驟是通過固化上述第二絕緣材料層來製造第二絕緣層的步驟。
如請求項2所述的基板的製造方法，其中第一再分配層包括上述第一金屬層和上述第一絕緣層， <br/>第二再分配層包括上述第二金屬層和上述第二絕緣層， <br/>位於上述虛設區域的上述第一再分配層中設有第一對準標記， <br/>位於上述虛設區域的上述第二再分配層中設有第二對準標記， <br/>在上述基板上的上述第一對準標記的位置和上述第二對準標記的位置之間的距離與預定距離的差異為5 μm以下。
如請求項3所述的基板的製造方法，其中上述第一對準標記為上述第一金屬層的一部分， <br/>上述第二對準標記為上述第二金屬層的一部分。
如請求項2所述的基板的製造方法，其中第一再分配層包括上述第一金屬層和上述第一絕緣層， <br/>第二再分配層包括上述第二金屬層和上述第二絕緣層， <br/>位於上述虛設區域的上述第一再分配層上設置有第一對準標記， <br/>位於上述虛設區域的上述第二再分配層上設置有第二對準標記， <br/>在上述第2-1步驟中，上述第一對準標記與上述第二對準標記之間的距離為D1， <br/>在上述第2-3步驟中，上述第一對準標記與上述第二對準標記之間的距離為D2， <br/>上述D1與上述D2之差為5 μm以下。
如請求項2所述的基板的製造方法，其中上述第2-3步驟包括： <br/>預固化過程，在80℃以上且低於175℃的溫度下對上述第二絕緣材料層進行預固化；及 <br/>後固化過程，在175℃以上且230℃以下的溫度下對上述第二絕緣材料層進行後固化。
如請求項1所述的基板的製造方法，其中在上述第2-2步驟之後還包括第3-1步驟、第3-2步驟及第3-3步驟， <br/>上述第3-1步驟為在上述第二絕緣材料層的上部形成與上述第二金屬層電連接的第三金屬層的步驟， <br/>上述第3-2步驟為在上述第三金屬層上堆疊第三絕緣材料層的步驟， <br/>上述第3-3步驟為通過固化上述第三絕緣材料層來製造第三絕緣層的步驟。
一種封裝基板的製造方法，包括： <br/>根據如請求項1所述的基板的製造方法製造基板的步驟；以及 <br/>將設置在上述產品區域中的上述產品從上述基板分離的切單步驟。
一種清潔與具有式(1)之錫化合物接觸之裝置之方法，該方法至少包括步驟(A)至(C)，其中在步驟(A)之後實施步驟(B)，且在步驟(B)之後實施步驟(C)： <br/>(A)使用非極性溶劑清潔該裝置之步驟， <br/>(B)使用醇清潔該裝置之步驟，及 <br/>(C)使用25℃下電阻率為17 MΩ·cm之超純水清潔該裝置之步驟； <br/>R<sub>p</sub>SnX<sub>m</sub> (1) <br/>其中R係烴基，p係1至3之整數，X係可水解取代基，且m = 4-p。
如請求項1之清潔裝置之方法，其進一步包括在使用醇清潔之該步驟後，使用酸性水溶液清潔器件之步驟。
如請求項1或2之清潔裝置之方法，其中該非極性溶劑包括選自由以下組成之群之至少一種溶劑：芳香族烴、脂肪族烴、飽和環狀烴、酯、直鏈醚及環狀醚。
如請求項1之清潔裝置之方法，其中該醇中碳原子之數量係1至12。
如請求項2之清潔裝置之方法，其中該酸性水溶液係選自由以下組成之群之至少一種溶液：氫氟酸水溶液及硝酸水溶液。
如請求項1或2之清潔裝置之方法，其進一步包括在使用超純水清潔之該步驟之後之乾燥步驟。
如請求項1或2之清潔裝置之方法，其中具有式(1)之該錫化合物係：第三丁基參(二甲基胺基)錫、正丁基參(二甲基胺基)錫、第三丁基參(二乙基胺基)錫、二-第三丁基雙(二甲基胺基)錫、第二丁基參(二甲基胺基)錫、正戊基參(二甲基胺基)錫、異丁基參(二甲基胺基)錫、異丙基參(二甲基胺基)錫、第三丁基三-第三丁氧基錫、正丁基三-第三丁氧基錫、異丙基三-第三丁氧基錫、異丙基三-第三戊基氧基錫、第三丁基三-第三戊基氧基錫、1-甲基-1-環戊基參(二甲基胺基)錫或1-甲基-1-環戊基三-第三丁氧基錫。
一種裝置，該裝置與具有式(1)之該錫化合物接觸且由如請求項1至2中任一項之方法清潔。
如請求項8之裝置，其中在將25℃下電阻率為17 MΩ·cm之超純水填充至該裝置並在25℃下靜置1小時時，水中溶解鹵素離子之量之增加係100質量ppb或更低，每一金屬元素鈉、鉀、鎂、鐵、鉻及鎳之量之增加係1.5質量ppb或更低，且直徑為0.5 μm或更大之顆粒之量之增加係100個顆粒/mL或更低。
如請求項8之裝置，其中在將具有式(1)之該錫化合物置於該裝置中、在惰性氣體氣氛下密封並在25℃下儲存3個月時，該錫化合物之純度之降低係0.1質量%或更低。
如請求項8之裝置，其中該裝置係用於儲存錫化合物之容器。
如請求項8之裝置，其中在真空乾燥該裝置且然後使用壓力為10 kPa之氣體填充時，藉由氣體檢測器件量測之連接部分處之閥座洩漏係5×10<sup>-9 </sup>Pa·m<sup>3</sup>/s或更低。
一種用於錫化合物之裝置，其中在將25℃下電阻率為17 MΩ·cm之超純水填充至該裝置並在25℃下靜置1小時時，該超純水中溶解鹵素離子之量之增加係100質量ppb或更低，且除錫外金屬元素之含量係1.5質量ppb或更低。
一種用於錫化合物之裝置，其中在將25℃下電阻率為17 MΩ·cm之超純水填充至該裝置並在25℃下靜置1小時時，直徑為0.5 μm或更大之顆粒之量之增加係100個顆粒/mL或更低。
一種電源連接器，尤指與一預設之電源公接頭相對接，該電源連接器其包括： <br/>一第一端子組，設置於該電源連接器內部，該第一端子組其包括有間隔設置之至少二第一接地端子、一第一電源端子及一第一偵測迴路端子，該第一電源端子相對位於該二第一接地端子之間，該第一偵測迴路端子相對位於其中一該第一接地端子與該第一電源端子之間； <br/>一第二端子組，設置於該電源連接器內部並相對位於該第一端子組下方，該第二端子組其包括有間隔設置之至少二第二接地端子、一第二電源端子及一第二偵測迴路端子，該第二電源端子相對位於該二第二接地端子之間，該第二偵測迴路端子相對位於其中一該第二接地端子與該第二電源端子之間，該二第二接地端子與該二第一接地端子係呈縱向相對應，該第二電源端子與該第一電源端子係呈縱向相對應，該第二偵測迴路端子與該第一偵測迴路端子係呈縱向相對應； <br/>該二第一接地端子與該二第二接地端子之間分別設有一接地隔板，令該第一接地端子及該第二接地端子與該接地隔板相接觸，該第一電源端子與該第二電源端子之間分別設有一電源隔板，令該第一電源端子及該第二電源端子與該電源隔板相接觸。
如請求項1所述的電源連接器，其中該第一接地端子其後端係向下彎曲延伸設有第一接地焊接腳，該第一電源端子其後端係向下彎曲延伸設有第一電源焊接腳，該第一偵測迴路端子其後端係向下彎曲延伸設有第一偵測焊接腳；該第二接地端子其後端係向下彎曲延伸設有第二接地焊接腳，該第二電源端子其後端係向下彎曲延伸設有第二電源焊接腳，該第二偵測迴路端子其後端係向下彎曲延伸設有第二偵測焊接腳；令該第一接地焊接腳與該第二接地焊接腳呈前後對應設置，該第一電源焊接腳與該第二電源焊接腳呈前後對應設置，該第一偵測焊接腳與該第二偵測焊接腳呈前後對應設置。
如請求項1所述的電源連接器，其中包括有一絕緣座體，該絕緣座體其前端延伸設有一舌板，該絕緣座體包覆該第一端子組、該第二端子組、該二接地隔板及該電源隔板，該第一接地端子、該第一電源端子及該第一偵測迴路端子的前端分別露出位於該舌板的其中一表面，該第二接地端子、該第二電源端子及該第二偵測迴路端子的前端分別露出位於該舌板的其中另一表面，該二接地隔板其外側邊緣分別露出位於該舌板其側邊。
如請求項3所述的電源連接器，其中該二接地隔板其外側邊緣分別凹設有一嵌槽，該嵌槽相對露出位於該舌板其側邊。
如請求項3所述的電源連接器，其中該絕緣座體於該舌板上設有複數個凸肋條，由該等凸肋條用以區隔該第一端子組的該第一接地端子、該第一電源端子及該第一偵測迴路端子，由該等凸肋條用以區隔該第二端子組的該第二接地端子、該第二電源端子及該第二偵測迴路端子。
如請求項3所述的電源連接器，其中包括有一絕緣殼體，由該絕緣殼體用以包覆於該絕緣座體外部，且該絕緣殼體其外部二側分別設有至少一第一定位部。
如請求項6所述的電源連接器，其中包括有一屏蔽殼體，由該屏蔽殼體用以包覆於該絕緣殼體外部，且該屏蔽殼體其外部二側分別設有至少一第二定位部。
如請求項7所述的電源連接器，其中該屏蔽殼體其底部設有夾鏈槽。
如請求項1所述的電源連接器，其中該第一接地端子、該第一電源端子及該第一偵測迴路端子其前端係呈平板狀形式。
如請求項1所述的電源連接器，其中該第二接地端子、該第二電源端子及該第二偵測迴路端子其前端係呈平板狀形式。
一種基板處理裝置，其特徵在於，具備： <br/> 包括搬送室的第一容器； <br/> 第二容器，其與前述搬送室連通且包括對基板進行處理的處理室； <br/> 第一氛圍調節部，具有能夠向前述第一容器內供給惰性氣體的第一氣體供給部以及能夠將前述第一容器內的氛圍排出的第一排氣部，並且該第一氛圍調節部能夠調節前述第一容器內的氛圍； <br/> 能夠調節前述第二容器內的氛圍的第二氛圍調節部；以及 <br/> 控制部，其在前述第一容器內的壓力比前述第二容器內的壓力高的狀態下，能夠將供給至前述第一容器的惰性氣體的供給量控制為(a)＞(b)、(a)＞(c)中的一者或兩者， <br/> 並且為使在前述(b)或者前述(c)中，可以停止向前述第一容器供給惰性氣體、或者/以及前述第一氣體排氣部停止將前述第一容器內的氛圍排出，該控制部至少可以控制前述第一氣體供給部或者前述第一排氣部其中一者，其中， <br/> (a)為在前述第一容器與前述第二容器之間移動前述基板的移動工程， <br/> (b)為利用前述第二容器處理前述基板的處理工程， <br/> (c)為不利用前述第二容器處理前述基板的待機工程。
如請求項1所述的基板處理裝置，其中， <br/> 前述第二氛圍調節部具有能夠向前述第二容器供給處理氣體的第二氣體供給部以及能夠調節前述第二容器內的氛圍的第二排氣部。
如請求項1所述的基板處理裝置，其中， <br/> 在前述(b)或者前述(c)中，構成為能夠進行控制，使得前述第一氣氛調節部以規定的時間差停止向前述第一容器供給惰性氣體並停止排出前述第一容器內的氛圍。
如請求項3所述的基板處理裝置，其中， <br/> 前述規定時間為能夠維持前述第一容器內的壓力比前述第二容器內的壓力高的狀態的時間。
如請求項1所述的基板處理裝置，其中， <br/> 前述第一氛圍調節部構成為能夠進行控制，使得從前述第一容器排出的氛圍的量為前述(a)＜前述(b)、前述(a)＜前述(c)中的一者或兩者。
如請求項1所述的基板處理裝置，其中， <br/> 構成為能夠進行控制，使得在前述第一容器內的壓力與前述第二容器內的壓力之間的壓力差超過第一閾值的情況下，前述第一氛圍調節部提高前述第一容器內的壓力。
如請求項6所述的基板處理裝置，其中， <br/> 構成為能夠進行控制，使得在前述第一容器內的壓力與前述第二容器內的壓力的壓力差超過前述第一閾值的情況下，前述第一氣體供給部向前述第一容器內供給惰性氣體。
如請求項7所述的基板處理裝置，其中， <br/> 構成為能夠進行控制，使得在前述第一容器內的壓力與前述第二容器內的壓力的壓力差超過前述第一閾值的情況下，前述第一氣體排氣部停止將前述第一容器內的氛圍排出、或者減少排氣量。
如請求項6所述的基板處理裝置，其中， <br/> 構成為能夠進行控制，使得當前述壓力差變得比前述第一閾值低時，前述第一氛圍調節部停止前述惰性氣體的供給。
如請求項7所述的基板處理裝置，其中， <br/> 還具備壓力算出部，前述壓力算出部能夠算出前述第二容器與前述第一容器之間的壓力差。
如請求項1所述的基板處理裝置，其中， <br/> 前述第二氛圍調節部構成為能夠進行控制，使得在向前述前述第二容器搬入基板之後執行如下工程： <br/> 將前述第二容器內的壓力調節為基板處理壓力的第一壓力調節工程； <br/> 向前述第二容器供給處理氣體來處理前述基板的基板處理工程；以及 <br/> 在前述基板處理工程之後將前述第二容器內的壓力調節為基板搬送壓力的第二壓力調節工程， <br/> 前述第一氛圍調節部構成為能夠進行控制，使得在前述第一容器中，與至少一個工程同步地調節前述第一容器的壓力。
如請求項11所述的基板處理裝置，其中， <br/> 前述第二氛圍調節部構成為能夠進行控制，使得在前述基板處理工程中重複進行規定次數的以下工程：向前述基板供給原料氣體的第一氣體供給工程和向前述基板供給反應氣體的第二氣體供給工程， <br/> 在前述第一容器中構成為能夠進行控制，使得與至少一個工程同步地調節前述第一容器的壓力。
如請求項11或12所述的基板處理裝置，其中， <br/> 前述第一氛圍調節部構成為能夠進行控制，使得：將前述第一容器內的壓力調整為即使在前述第二容器內的各工程中存在壓力變動的情況下也能夠維持比前述第二容器內的壓力更高壓力的設定的壓力值。
如請求項1所述的基板處理裝置，其中， <br/> 還具有能夠與前述第一容器連通的載入互鎖真空室， <br/> 前述第一氛圍調節部構成為能夠進行控制，使得：在前述載入互鎖真空室內的壓力比前述第一容器內的壓力高的狀態下，前述控制器能夠以使向前述第一容器供給的惰性氣體的供給量成為(e)＞(d)的方式進行控制，其中， <br/> (d)為對前述載入互鎖真空室進行減壓的工程， <br/> (e)為在前述載入互鎖真空室與前述第一容器之間移動前述基板的移動工程。
如請求項14所述的基板處理裝置，其中， <br/> 在前述載入互鎖真空室處於減壓狀態的情況下，前述第一氛圍調節部構成為能夠進行控制，使得：前述第一容器內的壓力成為比前述第二容器內的壓力高的壓力、且成為比前述載入互鎖真空室內的壓力低的壓力。
如請求項1所述的基板處理裝置，其中， <br/> 前述第一氛圍調節部構成為能夠進行控制，使得：在從前述第一容器向前述第二容器移動前述基板時，使前述第一容器內的壓力成為前述第二容器內的壓力以上的壓力， <br/> 此後，使前述第一容器與前述第二容器連通，使前述第一容器內的壓力成為比前述第二容器內的壓力高的狀態。
一種氛圍控制方法，其特徵在於， <br/> 在能夠與對基板進行處理的第二容器連通的第一容器內的壓力比前述第二容器內的壓力高的狀態下，使向前述第一容器供給的惰性氣體的供給量成為(a)＞(b)、(a)＞(c)中的一者或兩者， <br/> 在前述(b)或者前述(c)中，停止向前述第一容器供給惰性氣體、或者/以及前述第一氣體排氣部停止將前述第一容器內的氛圍排出，其中， <br/> (a)為在前述第一容器與前述第二容器之間移動前述基板的移動工程， <br/> (b)為利用前述第二容器處理前述基板的處理工程， <br/> (c)為不利用前述第二容器處理前述基板的待機工程。
一種基板處理方法，其特徵在於， <br/> 在能夠與對基板進行處理的第二容器連通的第一容器內的壓力比前述第二容器內的壓力高的狀態下，使向前述第一容器供給的惰性氣體的供給量成為(a)＞(b)、(a)＞(c)中的一者或兩者， <br/> 在前述(b)或者前述(c)中，停止向前述第一容器供給惰性氣體、或者/以及前述第一氣體排氣部停止將前述第一容器內的氛圍排出，其中， <br/> (a)為在前述第一容器與前述第二容器之間移動前述基板的移動工程， <br/> (b)為利用前述第二容器處理前述基板的處理工程， <br/> (c)為不利用前述第二容器處理前述基板的待機工程。
一種半導體裝置的製造方法，其特徵在於， <br/> 在能夠與對基板進行處理的第二容器連通的第一容器內的壓力比前述第二容器內的壓力高的狀態下，使向前述第一容器供給的惰性氣體的供給量成為(a)＞(b)、(a)＞(c)中的一者或兩者， <br/> 在前述(b)或者前述(c)中，停止向前述第一容器供給惰性氣體、或者/以及前述第一氣體排氣部停止將前述第一容器內的氛圍排出，其中， <br/> (a)為在前述第一容器與前述第二容器之間移動前述基板的移動工程， <br/> (b)為利用前述第二容器處理前述基板的處理工程， <br/> (c)為不利用前述第二容器處理前述基板的待機工程。
一種程式，其特徵在於，前述程式透過電腦使基板處理裝置執行如下的工程： <br/> 在能夠與對基板進行處理的第二容器連通的第一容器內的壓力比前述第二容器內的壓力高的狀態下，以使向前述第一容器供給的惰性氣體的供給量成為(a)＞(b)、(a)＞(c)中的一者或兩者， <br/> 在前述(b)或者前述(c)中，停止向前述第一容器供給惰性氣體、或者/以及前述第一氣體排氣部停止將前述第一容器內的氛圍排出，其中， <br/> (a)為在前述第一容器與前述第二容器之間移動前述基板的移動工程， <br/> (b)為利用前述第二容器處理前述基板的處理工程， <br/> (c)為不利用前述第二容器處理前述基板的待機工程。
如請求項1的基板處理裝置，其中， <br/> 前述第一容器的容積，構成為比前述第二容器的容積大， <br/> 前述控制部構成為可以控制前述第二氛圍調節部，使前述第二氛圍調節部在前述第二容器搬入基板後，執行如下工程： <br/> 將前述第二容器內的壓力調節為基板處理壓力的第一壓力調節工程； <br/> 向前述第二容器供給處理氣體來處理前述基板的基板處理工程；以及 <br/> 在前述基板處理工程之後將前述第二容器內的壓力調節為基板搬送壓力的第二壓力調節工程； <br/> 並且，前述控制部構成為可以控制前述第一氛圍調節部，而將前述第一容器的壓力調節至設定的壓力值，以維持壓力高於前述第二容器、使即使在前述第二容器內的各項工程有壓力變動時，也可以維持壓力高於前述第二容器。
如請求項1所述的基板處理裝置，其中， <br/> 在前述(b)或者前述(c)中，構成為能夠進行控制，使得前述第一氣氛調節部以規定的時間差停止向前述第一容器供給惰性氣體並停止排出前述第一容器內的氛圍， <br/> 並且，前述規定時間被設定為能夠維持前述第一容器內的壓力比前述第二容器內的壓力高的狀態的時間。
一種顯示裝置，包含：一第一基板，包含一顯示區域及一非顯示區域，該非顯示區域包含一彎曲區域；一第二基板，設置於該第一基板之該顯示區域上，以一定的間隙面對該第一基板；一假基板，設置為面對該第一基板之一下部，該非顯示區域之該彎曲區域位於該假基板與該第一基板之間；一防蝕刻構件，配設於該第一基板和該假基板上，以與該非顯示區域重疊；一連接線單元，形成於該防蝕刻構件上；以及一彎曲部分，形成於該防蝕刻構件下方之該第一基板的後表面與該假基板的後表面上，其中該彎曲部分包含：一第一蝕刻表面，配設於該第一基板的該後表面上；及一第二蝕刻表面，配設於該假基板的該後表面上，以與該彎曲區域重疊。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該彎曲部分進一步包含一第三蝕刻表面與一第四蝕刻表面，形成為具有垂直於該第二蝕刻表面之一連續表面，在該假基板的該後表面上具有位於該第三蝕刻表面與該第四蝕刻表面之間的該連接線單元。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該防蝕刻構件由金屬與有機材料中的一者組成。
如請求項3所述之顯示裝置，其中該防蝕刻構件包含作為該有機材料之矽基有機材料、聚氨酯、聚醯亞胺與光丙烯酸中的至少一者，或者包含作為該金屬之鉻（Cr）、鋁（Al）、鉑（Pt）與鎳（Ni）中的至少一者。
如請求項1所述之顯示裝置，其中進一步形成有一無機膜或者一金屬膜和一無機膜進一步形成於該防蝕刻構件與該第一基板之間以及該防蝕刻構件與該假基板之間。
如請求項5所述之顯示裝置，其中： 該無機膜包含二氧化矽（SiO<sub>2</sub>）、氮化矽（SiN<sub>x</sub>）或非晶矽（a-Si）；並且該金屬膜包含鉬（Mo）、鉬鈦（MoTi）或氧化銦錫（ITO）。
如請求項1所述之顯示裝置，進一步包含：一第一塗層，設置於該防蝕刻構件下的該第一基板與該假基板之間；以及一平面化層與一第二塗層，設置於該連接線單元上。
如請求項1所述之顯示裝置，進一步包含設置於該第一基板與該第二基板之間的一液晶層。
如請求項1所述之顯示裝置，進一步包含設置在該第一基板下方之一光源單元。
如請求項9所述之顯示裝置，其中該光源單元設置於該第一基板與該假基板之間，或者設置為與該第一基板之該後表面及該假基板之側面接觸。
如請求項9所述之顯示裝置，其中該光源單元包含一二維微型發光二極體（μ-LED）。
一種顯示裝置，包含：一第一玻璃基板，包含一顯示區域及一非顯示區域，該非顯示區域包含一彎曲區域；一第二玻璃基板，設置於該第一玻璃基板之該顯示區域上，以一定的間隙面對該第一玻璃基板；一液晶層，設置於該第一玻璃基板與該第二玻璃基板之間；一光源單元，設置於該第一玻璃基板之一後表面上；一假玻璃基板，設置為面對該第一玻璃基板之一下部，該非顯示區域之該彎曲區域位於該假玻璃基板與該第一玻璃基板之間；一防蝕刻構件，配設於該第一玻璃基板和該假玻璃基板上，以與該非顯示區域重疊；一連接線單元，形成於該防蝕刻構件上；以及一彎曲部分，形成於該防蝕刻構件下方之該第一玻璃基板的後表面與該假玻璃基板的後表面上，其中該彎曲部分包含：一第一蝕刻表面，配設於該第一基板的該後表面上；及一第二蝕刻表面，配設於該假玻璃基板的該後表面上，以與該彎曲區域重疊。
如請求項12所述之顯示裝置，其中該彎曲部分更包含：一第三蝕刻表面與一第四蝕刻表面，形成為具有垂直於該第二蝕刻表面之一連續表面，在該假玻璃基板的該後表面上具有位於該第三蝕刻表面與該第四蝕刻表面之間的該連接線單元。
如請求項12所述之顯示裝置，進一步包含：一第一塗層，設置於該防蝕刻構件下的該第一玻璃基板與該假玻璃基板之間；以及一平面化層與一第二塗層，設置於該連接線單元上。
一種顯示裝置，包含：一第一玻璃基板，包含一顯示區域及一非顯示區域，該非顯示區域包含一彎曲區域；一第二玻璃基板，設置於該第一玻璃基板之該顯示區域上，以一定的間隙面對該第一玻璃基板；一液晶層，設置於該第一玻璃基板與該第二玻璃基板之間；一假玻璃基板，設置在該第一玻璃基板之一下側，該非顯示區域之該彎曲區域位於該假玻璃基板與該第一玻璃基板之間；一光源單元，設置於該第一玻璃基板之一後表面上及該假玻璃基板之一側面上；一防蝕刻構件，配設於該第一玻璃基板和該假玻璃基板上，以與該非顯示區域重疊；一連接線單元，形成於該防蝕刻構件上；以及一彎曲部分，形成於該防蝕刻構件下方之該第一玻璃基板的後表面與該假玻璃基板的後表面上，其中該彎曲部分包含：一第一蝕刻表面，配設於該第一基板的該後表面上；及一第二蝕刻表面，配設於該假玻璃基板的該後表面上，以與該彎曲區域重疊。
如請求項15所述之顯示裝置，其中該彎曲部分更包含：一第三蝕刻表面與一第四蝕刻表面，形成為具有垂直於該第二蝕刻表面之一連續表面，在該假玻璃基板的該後表面上具有位於該第三蝕刻表面與該第四蝕刻表面之間的該連接線單元。
如請求項15所述之顯示裝置，進一步包含：一第一塗層，設置於該防蝕刻構件下的該第一玻璃基板與該假玻璃基板之間；以及一平面化層與一第二塗層，設置於該連接線單元上。
如請求項15所述之顯示裝置，其中該光源單元包含一二維微型發光二極體（μ-LED）。
一種電感器，包含：<br/> 一磁性體，具有一安裝面、以及彼此相對一第一端面與一第二端面，其中該磁性體包含一第一定位部與一第二定位部分別凸出於該第一端面與該第二端面；<br/> 至少一線圈組，其中該至少一線圈組之每一者包含：<br/> 一第一導體，埋設於該磁性體中，其中該第一導體包含彼此相對之一第一外凸部與一第二外凸部分別定位在該第一定位部與該第二定位部上，且該第一外凸部之一底面與該第二外凸部之一底面位於該安裝面中；以及<br/> 一第二導體，埋設於該磁性體中，且電氣隔離地圈繞於該第一導體之內，其中該第二導體包含彼此相對並分開之一第一內凸部與一第二內凸部，且該第一內凸部之一底面與該第二內凸部之一底面位於該安裝面中，該第一內凸部與該第二內凸部分別朝向彼此延伸；以及<br/> 至少一電極結構，設於該磁性體之該安裝面上且分別對應於該至少一線圈組，其中該至少一電極結構之每一者包含：<br/> 二第一電極，分別設於該第一外凸部之該底面與該第二外凸部之該底面上；以及<br/> 二第二電極，分別設於該第一內凸部之該底面與該第二內凸部之該底面上。
如請求項1所述之電感器，其中<br/> 該第一導體外包覆有一第一絕緣層，該第一絕緣層並未覆蓋該第一外凸部之該底面與該第二外凸部之該底面；以及<br/> 該第二導體外包覆有一第二絕緣層，該第二絕緣層並未覆蓋該第一內凸部之該底面與該第二內凸部之該底面。
如請求項1所述之電感器，更包含一第三絕緣層包覆住部分之該磁性體，並暴露出部分之該安裝面，而露出該第一外凸部、該第二外凸部、該第一內凸部、與該第二內凸部。
如請求項1所述之電感器，其中該第一外凸部之一側面在該第一定位部中暴露出，該第二外凸部之一側面在該第二定位部中暴露出。
如請求項1所述之電感器，其中該第一定位部與該第二定位部分別自該第一端面與該第二端面凸出0.5mm。
如請求項1所述之電感器，其中該磁性體具有彼此垂直之一第一方向與一第二方向，該至少一線圈組與該至少一電極結構之數量均為複數個，且該些線圈組在該第一方向上彼此間隔排列，在該第一方向上之相鄰之該些線圈組在該第一方向上具有一第一最小間隔距離。
如請求項1所述之電感器，其中該磁性體具有彼此垂直之一第一方向與一第二方向，該至少一線圈組與該至少一電極結構之數量均為複數個，且該些線圈組在該第二方向上彼此間隔排列，在該第二方向上之相鄰之該些線圈組在該第二方向上具有一第二最小間隔距離。
如請求項1所述之電感器，其中該磁性體具有彼此垂直之一第一方向與一第二方向，該至少一線圈組與該至少一電極結構之數量均為複數個，且該些線圈組在該第一方向與該第二方向上彼此間隔排列，在該第一方向上相鄰之該些線圈組在該第一方向上具有一第一最小間隔距離，在該第二方向上相鄰之該些線圈組在該第二方向上具有一第二最小間隔距離。
一種電感器之製造方法，包含：<br/> 組合一第一導體與一第二導體，以使該第二導體電氣隔離地圈繞在該第一導體之內，其中該第一導體包含彼此相對之一第一外凸部與一第二外凸部，且該第二導體包含彼此相對之一第一內凸部與一第二內凸部；<br/> 將一第一磁性材料置入一模具之一鑄模空間中，其中該模具包含一第一定位柱與一第二定位柱彼此相對地凸設於該鑄模空間中，而在該鑄模空間中定義出一第一凹槽與一第二凹槽；<br/> 將組合之該第一導體與該第二導體放置在該第一磁性材料上，並使該第一外凸部與該第二外凸部分別定位在該第一凹槽與該第二凹槽中；<br/> 將一第二磁性材料置入該鑄模空間中，以覆蓋該第一磁性材料、該第一導體、與該第二導體；<br/> 進行一壓合操作，以將該第一磁性材料與該第二磁性材料壓製成一磁性體，並使該第一導體與該第二導體之組合埋設在該磁性體中，其中該第一外凸部、該第二外凸部、該第一內凸部、與該第二內凸部在該磁性體之一安裝面中暴露出；<br/> 分別形成二第一電極覆蓋在該安裝面中之該第一外凸部與該第二外凸部上；以及<br/> 分別形成二第二電極覆蓋在該安裝面中之該第一內凸部與該第二內凸部上。
如請求項9所述之電感器之製造方法，其中組合該第一導體與該第二導體前，該電感器之製造方法更包含：<br/> 對該第一導體與該第二導體進行一表面絕緣處理，以形成一第一絕緣層包覆該第一導體、以及形成一第二絕緣層包覆該第二導體；以及<br/> 移除該第一外凸部之一底面與該第二外凸部之一底面上之該第一絕緣層，以及移除該第一內凸部之一底面與該第二內凸部之一底面上之該第二絕緣層。
如請求項9所述之電感器之製造方法，其中該第一導體呈一倒U字型，且組合該第一導體與該第二導體包含使該第二導體卡合在該第一導體之內。
如請求項9所述之電感器之製造方法，其中該第一定位柱與該第二定位柱之每一者之一寬度為0.5mm。
如請求項9所述之電感器之製造方法，其中該第一磁性材料為一預成型磁性體。
如請求項9所述之電感器之製造方法，其中該第二磁性材料為一磁性粉末材料。
如請求項9所述之電感器之製造方法，其中該第二磁性材料為一預成型磁性體。
如請求項9所述之電感器之製造方法，其中該壓合操作係一熱壓操作，進行該熱壓操作包含進行一加熱處理。
如請求項9所述之電感器之製造方法，其中該壓合操作係一冷壓操作，且該壓合操作係於室溫下進行。
如請求項9所述之電感器之製造方法，其中於進行該壓合操作後，該電感器之製造方法更包含：<br/> 進行一噴塗操作，以形成一第三絕緣層覆蓋該磁性體；以及<br/> 移除部分之該第三絕緣層，以暴露出該安裝面中之該第一外凸部、該第二外凸部、該第一內凸部、與該第二內凸部。
一種音頻放大裝置，包含： <br/>一電荷泵電路，用於接收到一上電重置信號時，產生一輸出電壓；及 <br/>一運算放大器，具有一用以接收一第一輸入信號的第一輸入端、一用以接收一第二輸入信號的第二輸入端、一耦接該電荷泵電路以接收該輸出電壓的第三輸入端、一用以接收一切換信號輸出的第四輸入端，及一輸出端，該運算放大器根據該第一輸入信號、該第二輸入信號、該輸出電壓及該切換信號輸出在該輸出端產生一放大信號並輸出至一負載電路，當該上電重置信號的準位由一高邏輯準位轉變為一低邏輯準位時，該運算放大器受該切換信號輸出控制而將該輸出端的電位拉低至零電位。
如請求項1所述的音頻放大裝置，其中，該運算放大器包括： <br/>一增益調整電路，耦接該運算放大器的該第一輸入端至該第三輸入端以分別接收該第一輸入信號、該第二輸入信號及該輸出電壓，並根據該第一輸入信號、該第二輸入信號及該輸出電壓進行增益調整，以產生一第一輸出信號及一第二輸出信號；及 <br/>一輸出電路，用於接收該切換信號輸出，且耦接該增益調整電路以接收該第一輸出信號與該第二輸出信號，及耦接該電荷泵電路以接收該輸出電壓，該輸出電路根據該切換信號輸出、該第一輸出信號與該第二輸出信號及該輸出電壓，於該運算放大器的該輸出端產生該放大信號，當該上電重置信號的準位由該高邏輯準位轉變為該低邏輯準位時，該輸出電路受該切換信號輸出控制而將該輸出端的電位拉低至零電位。
如請求項2所述的音頻放大裝置，其中，該切換信號輸出包括一第一切換信號及一第二切換信號，該輸出電路包括： <br/>一第一切換開關，具有一用於接收一電源電壓的第一端、一耦接該增益調整電路以接收該第二輸出信號的第二端，及一用於接收該第一切換信號的控制端； <br/>一第二切換開關，具有一耦接該第一切換開關的該第二端的第一端、一耦接該電荷泵電路以接收該輸出電壓的第二端，及一用於接收該第二切換信號的控制端，當該第二切換開關導通時，該第一切換開關不導通； <br/>一第一輸出電晶體，具有一用於接收一供應電壓的第一端、一耦接該運算放大器的該輸出端且輸出該放大信號的第二端，及一耦接該增益調整電路以接收該第一輸出信號的控制端；及 <br/>一第二輸出電晶體，具有一耦接該第一輸出電晶體的該第二端的第一端、一耦接該電荷泵電路以接收該輸出電壓的第二端，及一耦接該第二切換開關的該第一端的控制端； <br/>其中，當該上電重置信號的準位由該高邏輯準位轉變為該低邏輯準位時，該輸出電壓的電壓值等於零，該第一切換開關及該第二輸出電晶體導通，該第二切換開關不導通，以致該運算放大器的該輸出端的電位被拉低至零電位。
如請求項3所述的音頻放大裝置，其中，該第一切換開關為一P型金氧半場效電晶體，該第二切換開關為一N型金氧半場效電晶體。
如請求項3所述的音頻放大裝置，其中，該第一輸出電晶體為一P型金氧半場效電晶體，該第二輸出電晶體為一N型金氧半場效電晶體。
如請求項1所述的音頻放大裝置，其中，該電荷泵電路包括： <br/>一第一電晶體，具有一用於接收一供應電壓的第一端、一第二端，及一用於接收一第一控制信號的控制端； <br/>一第二電晶體，具有一耦接該第一電晶體的該第二端的第一端、一接地的第二端，及一用於接收一第二控制信號的控制端； <br/>一電容，具有一耦接該第一電晶體的該第二端的第一端，及一第二端； <br/>一第三電晶體，具有一耦接該電容的該第二端的第一端、一接地的第二端，及一用於接收一第三控制信號的控制端；及 <br/>一第四電晶體，具有一耦接該電容的該第二端的第一端、一提供該輸出電壓的第二端，及一用於接收一第四控制信號的控制端。
如請求項6所述的音頻放大裝置，其中，該第一電晶體為一P型金氧半場效電晶體。
如請求項6所述的音頻放大裝置，其中，該第二電晶體至該第四電晶體各自為一N型金氧半場效電晶體。
如請求項6所述的音頻放大裝置，其中，該電容為一飛馳電容。
如請求項1所述的音頻放大裝置，其中，該上電重置信號隨該音頻放大裝置的開機或關機而變化，該輸出電壓的電壓值小於零或等於零。
一種方法，用於藉由電池管理系統中的主裝置更新於串聯的N個從裝置的各者的韌體，其中該主裝置及該N個從裝置以無線串聯形成無線菊鍊網路拓樸(wireless daisy chain network topology)，該方法包括：<br/> (1)由該主裝置接收用於更新的一韌體映像(firmware image)，將該韌體映像發送至該N個從裝置中的一第n從裝置，其中N為正整數及n為1至N之間的正整數；<br/> (2)由該第n從裝置保存並根據一預定順序轉發所接收的該韌體映像至該N個從裝置中的第(n+k)從裝置，其中k為1至N-1之間的正整數；<br/> (3)繼續保存及根據該預定順序轉發該韌體映像，直到位於該預定順序中最後一級的一從裝置接收到該韌體映像，並回傳一確認訊息至該主裝置，及使用該韌體映像對該N個從裝置中具有該韌體映像的一或多個從裝置進行韌體更新，<br/> 其中步驟(1)更包括由該主裝置將該韌體映像分割為M個片段及發送該M個片段中的一第m片段至該N個從裝置中的一第n從裝置，其中M為正整數及m為1至M之間的正整數，<br/> 其中步驟(2)更包括由該第n從裝置保存並根據該預定順序轉發該第m片段至該第(n+k)從裝置，<br/> 其中步驟(3)更包括繼續保存及根據該預定順序轉發該第m片段，直到位於該預定順序中最後一級的該從裝置接收到該第m片段，並回傳該確認訊息至該主裝置。
如請求項1所述之方法，更包括：<br/> (4)該主裝置於接收到該確認訊息後，發送該M個片段中的一第(m+i)片段至該N個從裝置中的該第n從裝置，其中i為1至M-1之間的正整數；以及<br/> (5)重複上述步驟(2)~(4)依序發送該M個片段的各者，直到該第N個從裝置接收到全部該M個片段，並回傳該確認訊息至該主裝置，<br/> 其中，該N個從裝置的各者在接收到全部該M個片段後，將保存的全部該M個片段組合為該韌體映像。
如請求項2所述之方法，其中當該主裝置發送該M個片段中的該第m片段後，若於特定時間內未收到由該N個從裝置的最後一級的該第N個從裝置發送的該確認訊息，則該主裝置重新發送該M個片段中的該第m片段。
如請求項3所述之方法，其中該N個從裝置藉由設置於該N個從裝置之各者的一控制器的一過濾單元，過濾重複接收的該第m片段，只保存一個該第m片段。
如請求項2所述之方法，其中在該主裝置發送該M個片段中的該第m片段至該N個從裝置中的該第n從裝置之前包括：<br/> 該主裝置發送一OTA(Over-the-air或稱空中更新)啟動訊息至該N個從裝置中的該第n從裝置；<br/> 由該第n從裝置根據該OTA啟動訊息進入一OTA模式，並根據該預定順序轉發該OTA啟動訊息至該第n從裝置中的該第(n+k)從裝置；以及<br/> 繼續轉發該OTA啟動訊息，直到位於該預定順序中最後一級的該從裝置接收到該OTA啟動訊息，進入該OTA模式，並回傳一OTA確認訊息至該主裝置。
如請求項5所述之方法，其中當該主裝置接收到該OTA確認訊息後，將該第m片段附加於一訊息中進行發送。
如請求項6所述之方法，其中該N個從裝置之各者於該OTA模式中時，藉由設置於該N個從裝置之各者的一控制器的一過濾單元，過濾該訊息中除了該第m片段之外的其他資料及保存該第m片段，並藉由設置於該N個從裝置之各者的該控制器的轉發單元，複製及轉發具有該第m片段的該訊息。
一種電池管理系統，包括：<br/> 一主裝置；以及<br/> 以無線串聯的N個從裝置，<br/> 其中該主裝置及該N個從裝置形成一無線菊鍊網路拓樸，<br/> 其中更新該N個從裝置的韌體藉由：<br/> (1)該主裝置接收用於更新的一韌體映像(firmware image)，及發送該韌體映像至該N個從裝置中的一第n從裝置，其中N為正整數及n為1至N之間的正整數；<br/> (2)該第n從裝置保存及根據一預定順序轉發所接收的該韌體映像至該N個從裝置中的第(n+k)從裝置，其中k為1至N-1之間的正整數；<br/> (3)繼續保存及根據該預定順序轉發該韌體映像，直到位於該預定順序中的最後一級的一從裝置接收到該韌體映像，並回傳一確認訊息至該主裝置，及使用該韌體映像對該N個從裝置中具有該韌體映像的一或多個從裝置進行韌體更新，<br/> 其中該主裝置更包括一分割單元，用於將該韌體映像分割為M個片段，且該主裝置發送該M個片段中的一第m片段至該第n從裝置，其中M為正整數及m為1至M之間的正整數，<br/> 其中該第n從裝置保存及轉發所接收的該韌體映像包括保存及根據該預定順序轉發該第m片段，<br/> 其中繼續保存及根據該預定順序轉發該韌體映像包括繼續保存及轉發該第m片段，直到位於該預定順序中最後一級的該從裝置接收到該第m片段，並回傳該確認訊息至該主裝置。
如請求項8所述之電池管理系統，更新該N個從裝置的韌體更藉由：<br/> (4)該主裝置於接收到該確認訊息後，發送該M個片段中的一第(m+i)片段至該N個從裝置中的該第n從裝置，其中i為1至M-1之間的正整數；以及<br/> (5)重複上述(2)~(4)依序發送該M個片段的各者，直到該第N個從裝置接收到全部該M個片段，並回傳該確認訊息至該主裝置，<br/> 其中，該N個從裝置的各者在接收到全部該M個片段後，將保存的全部該M個片段組合為該韌體映像。
如請求項9所述之電池管理系統，其中該主裝置更包括一計時器，用於當該主裝置發送該M個片段中的該第m片段後，若於特定時間內未收到由該N個從裝置的最後一級的該第N個從裝置發送的該確認訊息，則該主裝置重新發送該M個片段中的該第m片段。
如請求項10所述之電池管理系統，其中該N個從裝置的各者包括具有一過濾單元的控制器，該過濾單元用於過濾重複接收的該第m片段，只保存一個該第m片段。
如請求項9所述之電池管理系統，其中在該主裝置發送該M個片段中的該第m片段至該N個從裝置中的該第n從裝置之前包括：<br/> 該主裝置發送一OTA(Over-the-air或稱空中更新)啟動訊息至該N個從裝置中的該第n從裝置；<br/> 由該第n從裝置根據該OTA啟動訊息進入一OTA模式，並根據該預定順序轉發該OTA啟動訊息至該N個從裝置中的該第(n+k)從裝置；以及<br/> 繼續轉發該OTA啟動訊息，直到位於該預定順序中最後一級的該從裝置接收到該OTA啟動訊息，進入該OTA模式，並回傳一OTA確認訊息至該主裝置。
如請求項12所述之電池管理系統，其中當該主裝置接收到該OTA確認訊息後，將該第m片段附加於一訊息中進行發送。
如請求項13所述之電池管理系統，其中該N個從裝置的各者包括一控制器，該控制器包括一過濾單元及一轉發單元，<br/> 其中該過濾單元用於，於該OTA模式中時，過濾該訊息中除了該第m片段之外的其他資料及保存該第m片段，<br/> 其中該轉發單元用於複製及轉發具有該第m片段的該訊息。
一種旋轉整流器之控制電路，係檢測場磁線圈的瞬時電壓，從瞬時電壓運算頻率，在包含前述瞬時電壓從正變換成負的零交越點的預定的相位範圍，使電流從前述旋轉整流器供給至前述場磁線圈； <br/>該旋轉整流器之控制電路係具備檢測電路，該檢測電路係進行前述場磁線圈的電壓的A／D轉換，且根據預先記憶的第一正電壓臨界值、第二正電壓臨界值、第一負電壓臨界值及第二負電壓臨界值，以二值化的電壓電位輸出前述場磁線圈的電壓。
如請求項1所述之旋轉整流器之控制電路，其中，前述旋轉整流器係構成為包含混合閘流體橋式整流器或純閘流體橋式整流器的電<br/> 路。
如請求項1所述之旋轉整流器之控制電路，其設有保護電路，該保護電路係構成為具備與前述場磁線圈並聯連接之保護閘流體與放電電阻串聯連接的電路，且具備與前述保護閘流體反向並聯連接之保護二極體，在前述場磁線圈的順向電壓成為預定的線圈電壓值以上時，使前述保護閘流體導通而保護前述場磁線圈，且在前述控制電路的電源未確立時，藉由非線性元件使前述保護閘流體動作。
如請求項3所述之旋轉整流器之控制電路，其具備前述放電電阻的端電壓的檢測手段； <br/>在前述端電壓成為預定的電阻電壓值以上時，使構成前述旋轉整流器的閘流體成為關斷狀態。
如請求項3所述之旋轉整流器之控制電路，其具備設定值保持電路，該設定值保持電路係非揮發性地記憶前述預定的相位範圍及預定的前述線圈電壓值作為設定值；並且 <br/>前述設定值保持電路係在控制對象的無刷自起動型同步電動機停止時，可對於外部輸出入。
如請求項4所述之旋轉整流器之控制電路，其具備設定值保持電路，該設定值保持電路係非揮發性地記憶前述預定的電阻電壓值作為設定值；並且 <br/>前述設定值保持電路係在控制對象的無刷自起動型同步電動機停止時，可對於外部輸出入。
如請求項1所述之旋轉整流器之控制電路，其具備波形記錄電路，記錄前述旋轉整流器之控制電路的各部的波形資料。
如請求項1所述之旋轉整流器之控制電路，其中，前述控制電路的電源係構成為可與前述旋轉整流器的交流輸入電源並排地絕緣。
一種無刷自起動型同步電動機，係具備： <br/>如請求項1所述之旋轉整流器之控制電路；及 <br/>旋轉整流器。
一種游標顯示控制方法，適用於一電子裝置，該電子裝置包含一操作裝置以及一顯示裝置，其中該顯示裝置對應該操作裝置顯示一游標，且該游標的移動對應於該操作裝置的移動，該游標顯示控制方法包括：<br/> 響應於該操作裝置移動，以獲取該顯示裝置的一顯示資訊，且該顯示資訊包含一顯示尺寸資訊、一顯示解析度資訊以及一每英寸點數資訊；<br/> 根據該顯示資訊計算出一游標速度，其中該游標速度因該顯示裝置的該顯示資訊而調整；以及<br/> 使在該顯示裝置上所顯示的該游標按照該游標速度進行移動。
如請求項1所述的游標顯示控制方法，更包括：<br/> 接收該操作裝置的一操作訊號；<br/> 根據該操作訊號、該游標在該顯示裝置上的一初始顯示位置以及該游標速度計算出該游標在該顯示裝置上的一目標顯示位置；以及<br/> 使該游標在該顯示裝置上按照該游標速度從該初始顯示位置移動到該目標顯示位置。
如請求項1所述的顯示控制方法，其中該顯示資訊更包括一更新率資訊。
如請求項3所述的游標顯示控制方法，其中該游標速度與該顯示解析度資訊成正比，且該游標速度與該顯示尺寸資訊、該每英寸點數資訊以及該更新率資訊成反比。
如請求項1所述的游標顯示控制方法，更包括響應於偵測到該顯示資訊被改變，根據改變後的顯示資訊重新計算出該游標速度。
如請求項1所述的游標顯示控制方法，其中該顯示裝置包括第一顯示器以及第二顯示器，該顯示控制方法更包括：<br/> 響應於該操作裝置移動，獲取該第一顯示器的一第一顯示資訊以及該第二顯示器的一第二顯示資訊；<br/> 根據該第一顯示資訊以及該第二顯示資訊計算出一第一游標速度以及一第二游標速度；以及<br/> 使該游標在該第一顯示器的顯示範圍內按照該第一游標速度進行移動，且使該游標在該第二顯示器的顯示範圍內按照該第二游標速度進行移動。
一種具有游標顯示控制方法的電子裝置，包括：<br/> 一操作裝置，適於操作該電子裝置；<br/> 一顯示裝置，用以顯示對應該操作裝置的一游標，且該游標的移動對應於該操作裝置的移動；<br/> 一儲存媒體，用以儲存程序；以及<br/> 一處理器，耦接該操作裝置、該顯示裝置以及該儲存媒體，且經配置以執行該程序以：<br/> 響應於該操作裝置移動，獲取該顯示裝置的一顯示資訊，且該顯示資訊包含一顯示尺寸資訊、一顯示解析度資訊以及一每英寸點數資訊；<br/> 根據該顯示資訊計算出一游標速度，其中該游標速度因該顯示裝置的該顯示資訊而調整；以及<br/> 使在該顯示裝置上所顯示的該游標按照該游標速度進行移動。
如請求項7所述的電子裝置，其中該處理器更經配置以：<br/> 接收該操作裝置的一操作訊號；<br/> 根據該操作訊號、該游標在該顯示裝置上的一初始顯示位置以及該游標速度計算出該游標在該顯示裝置上的一目標顯示位置；以及<br/> 使該游標在該顯示裝置上按照該游標速度從該初始顯示位置移動到該目標顯示位置。
如請求項7所述的電子裝置，其中該顯示裝置包括一第一顯示器以及一第二顯示器，該處理器更經配置以：<br/> 響應於該操作裝置移動，獲取該第一顯示器的一第一顯示資訊以及該第二顯示器的一第二顯示資訊；<br/> 根據該第一顯示資訊以及該第二顯示資訊計算出一第一游標速度以及一第二游標速度；以及<br/> 使該游標在該第一顯示器的顯示範圍內按照該第一游標速度進行移動，且使該游標在該第二顯示器的顯示範圍內按照該第二游標速度進行移動。
一種用於飲食分析之智慧穿戴裝置，其包含有：一鏡架框體，具有一鏡框部及一鏡腳部，該鏡腳部用於將該鏡框部固定於用戶之頭臉部，其中該鏡腳部設有一操作部；一鏡頭模組，安裝於該鏡框部，用於拍攝及擷取食物影像，且轉換輸出一影像訊號；一檢測模組，安裝於該鏡架框體與用戶皮膚表面接觸之部位，用以監測用戶血糖及體脂肪，輸出一生理數據；一微處理器，安裝於該鏡框部且電性連接於該鏡頭模組及該檢測模組，該微處理器具有一營養數據庫，該營養數據庫儲存食物種類和相關營養資訊，該微處理器接收、儲存並處理該影像訊號，且於該營養數據庫內進行搜尋及比對分析，並結合該生理數據一併分析，輸出一飲食分析結果；一無線傳輸模組，安裝於該鏡框部且電性連接於該微處理器，用於將該飲食分析結果上傳至一雲端伺服器內儲存；一顯示模組，連接於該操作部及該微處理器，用於提供使用介面及顯示該飲食分析結果；一供電模組，安裝於該鏡框部或該鏡腳部，電性連接於該微處理器，以提供運作電力。
如請求項1所述之用於飲食分析之智慧穿戴裝置，其中，該顯示模組為一顯示螢幕，安裝於該鏡腳部。
如請求項1所述之用於飲食分析之智慧穿戴裝置，其中，該顯示模組為一投影裝置，安裝於該鏡框部，用於將使用介面及該飲食分析結果投影於該鏡框部之鏡片上。
如請求項1所述之用於飲食分析之智慧穿戴裝置，其中，該微處理器具有一影像處理單元，用於對經該微處理器處理的影像數據作進一步特徵提取、辨識及營養成分估算。
如請求項4所述之用於飲食分析之智慧穿戴裝置，其中，該影像處理單元還具有一深度學習模型，依據該營養數據庫並結合該飲食分析結果訓練該深度學習模型，以實現高精度的食物辨識。
如請求項1所述之用於飲食分析之智慧穿戴裝置，其中，該微處理器還具有一行為分析單元，透過設定特定手勢以開始分析計算。
如請求項1所述之用於飲食分析之智慧穿戴裝置，其中，該鏡頭模組還具有一多軸感測器，用於追蹤用戶頭部動作，確保影像穩定。
如請求項1所述之用於飲食分析之智慧穿戴裝置，其中，該鏡架框體更安裝一收音模組，連接於該微處理器，用於接收用戶發出的語音指令，觸發該微處理器執行分析。
如請求項1所述之用於飲食分析之智慧穿戴裝置，其中，該無線傳輸模組可與一行動裝置配對，透過該行動裝置進行目標熱量、飲食偏好、易過敏食物的設定。
一種文件存取控制方法，其特徵在於，應用於用戶終端，所述方法包括：<br/>所述用戶終端向網路緩存裝置依次發送用於申請獲取目標文件的多個獲取請求，每個獲取請求包括用戶標識和與用戶密鑰對應的文件塊的塊資訊，以使所述網路緩存裝置查找緩存的與所述獲取請求中的塊資訊對應的文件塊，以及，向文件服務裝置請求所述網路緩存裝置未緩存的與所述獲取請求中塊資訊對應的文件塊，所述用戶密鑰和所述用戶密鑰對應的文件塊的塊資訊由所述文件服務裝置預先下發給所述用戶終端，所述用戶密鑰包括至少一個資料塊，資料塊由所述目標文件劃分得到，文件塊根據所述用戶密鑰由所述目標文件劃分得到，文件塊包括一個資料塊或連續的兩個以上的資料塊；<br/>所述用戶終端接收所述網路緩存裝置回饋的與所述獲取請求中的塊資訊對應的文件塊；<br/>所述用戶終端基於所述用戶密鑰對所述獲取請求中的塊資訊對應的文件塊進行加密處理和解密處理，得到所述目標文件。
如請求項1所述的方法，其中，所述用戶終端基於所述用戶密鑰對所述獲取請求中的塊資訊對應的文件塊進行加密處理和解密處理，得到所述目標文件，包括：<br/>所述用戶終端根據所述用戶密鑰對所述獲取請求中的塊資訊對應的文件塊加密，得到目標密文，所述目標密文為所述目標文件的密文；<br/>所述用戶終端根據所述用戶密鑰對所述目標密文解密，得到所述目標文件。
如請求項2所述的方法，其中，位於文件塊塊首的資料塊和/或位於文件塊塊尾的資料塊與所述用戶密鑰中的資料塊一致；<br/>所述用戶終端根據所述用戶密鑰對所述獲取請求中的塊資訊對應的文件塊加密，得到目標密文，包括：<br/>所述用戶終端將塊尾與塊首為所述用戶密鑰中同一資料塊的文件塊拼接，並對文件塊拼接處的資料塊進行異或操作，得到所述目標密文；<br/>所述用戶終端根據所述用戶密鑰對所述目標密文解密，得到所述目標文件，包括：<br/>所述用戶終端利用所述用戶密鑰中的資料塊與對應的文件塊拼接處的資料塊進行異或操作，得到所述目標文件。
如請求項1所述的方法，其中，所述文件服務裝置生成多個不同的所述用戶密鑰和與每個所述用戶密鑰對應的文件塊；<br/>在所述用戶終端向網路緩存裝置依次發送用於申請獲取目標文件的多個獲取請求之前，還包括：<br/>所述用戶終端向所述文件服務裝置發送文件獲取請求，所述文件獲取請求包括所述用戶標識；<br/>所述用戶終端接收所述文件服務裝置回饋的文件獲取回應資訊，所述文件獲取回應資訊包括與所述用戶標識對應的所述用戶密鑰以及與所述用戶密鑰對應的文件塊的塊資訊，所述文件服務裝置存儲所述用戶標識與所述用戶密鑰的對應關係。
如請求項1所述的方法，其中，<br/>向所述文件服務裝置請求的未緩存的與所述獲取請求中塊資訊對應的文件塊被緩存至所述網路緩存裝置。
如請求項1所述的方法，其中，<br/>所述目標文件劃分為n個資料塊，所述文件服務裝置生成2<sup>n</sup>-2個不同的所述用戶密鑰，n為大於1的整數；<br/>所述文件服務裝置的2<sup>n</sup>-2個不同的所述用戶密鑰中的部分所述用戶密鑰分配給用戶，不同用戶分配的所述用戶密鑰不同。
如請求項1所述的方法，其中，<br/>在所述獲取請求中的用戶標識和塊資訊對應的所述用戶密鑰不具有對應關係的情況下，所述用戶標識指示的用戶為非法用戶，原合法用戶的所述用戶密鑰被更新，所述原合法用戶更新後的所述用戶密鑰為之前未分配的所述用戶密鑰，所述原合法用戶包括與所述獲取請求中塊資訊對應的所述用戶密鑰具有對應關係的所述用戶標識指示的用戶。
一種文件存取控制方法，其特徵在於，應用於網路緩存裝置，所述方法包括：<br/>所述網路緩存裝置接收用戶終端依次發送的用於申請獲取目標文件的多個獲取請求，每個獲取請求包括用戶標識和與用戶密鑰對應的文件塊的塊資訊，所述用戶密鑰和所述用戶密鑰對應的文件塊的塊資訊由文件服務裝置預先下發給所述用戶終端，所述用戶密鑰包括至少一個資料塊，資料塊由所述目標文件劃分得到，文件塊根據所述用戶密鑰由所述目標文件劃分得到，文件塊包括一個資料塊或連續的兩個以上的資料塊；<br/>所述網路緩存裝置查找緩存的與所述獲取請求中的塊資訊對應的文件塊，以及，向所述文件服務裝置請求所述網路緩存裝置未緩存的與所述獲取請求中塊資訊對應的文件塊；<br/>所述網路緩存裝置將得到的與所述獲取請求中的塊資訊對應的文件塊向所述用戶終端回饋，以使所述用戶終端基於所述用戶密鑰對所述獲取請求中的塊資訊對應的文件塊進行加密處理和解密處理，得到所述目標文件。
如請求項8所述的方法，其中，<br/>所述獲取請求中的塊資訊對應的文件塊根據所述用戶密鑰加密得到目標密文，所述目標密文為所述目標文件的密文；<br/>所述目標密文根據所述用戶密鑰解密得到所述目標文件。
如請求項9所述的方法，其中，<br/>所述目標密文由塊尾與塊首為所述用戶密鑰中同一資料塊的文件塊拼接且文件拼接處的資料塊進行異或操作得到；<br/>所述目標密文由所述用戶密鑰中的資料塊與對應的文件塊拼接處的資料塊進行異或操作得到。
如請求項8所述的方法，其中，所述文件服務裝置生成多個不同的所述用戶密鑰和與每個所述用戶密鑰對應的文件塊；<br/>在所述網路緩存裝置接收用戶終端依次發送的用於申請獲取目標文件的多個獲取請求之前，所述用戶終端與所述文件服務裝置通過文件獲取請求和文件獲取回應資訊使所述用戶終端獲取所述用戶密鑰以及與所述用戶密鑰對應的文件塊的塊資訊，所述文件獲取請求包括所述用戶標識，所述文件獲取回應資訊包括與所述用戶標識對應的所述用戶密鑰以及與所述用戶密鑰對應的文件塊的塊資訊，所述文件服務裝置存儲所述用戶標識與所述用戶密鑰的對應關係。
如請求項8所述的方法，其中，所述向所述文件服務裝置請求所述網路緩存裝置未緩存的與所述獲取請求中塊資訊對應的文件塊，包括：<br/>若緩存的文件塊中沒有所述獲取請求中塊資訊對應的文件塊，所述網路緩存裝置向所述文件服務裝置發送文件塊獲取請求，所述文件塊獲取請求包括未緩存塊資訊，所述未緩存塊資訊與所述網路緩存裝置未緩存的與所述獲取請求中塊資訊對應的文件塊對應；<br/>所述網路緩存裝置接收所述文件服務裝置回饋的與所述未緩存塊資訊對應的文件塊並緩存。
如請求項8所述的方法，其中，<br/>所述目標文件劃分為n個資料塊，所述文件服務裝置生成2<sup>n</sup>-2個不同的所述用戶密鑰，n為大於1的整數；<br/>所述文件服務裝置的2<sup>n</sup>-2個不同的所述用戶密鑰中的部分所述用戶密鑰分配給用戶，不同用戶分配的所述用戶密鑰不同。
如請求項8所述的方法，其中，<br/>在所述獲取請求中的用戶標識和塊資訊對應的所述用戶密鑰不具有對應關係的情況下，所述用戶標識指示的用戶為非法用戶，原合法用戶的所述用戶密鑰被更新，所述原合法用戶更新後的所述用戶密鑰為之前未分配的所述用戶密鑰，所述原合法用戶包括與所述獲取請求中塊資訊對應的所述用戶密鑰具有對應關係的所述用戶標識指示的用戶。
一種文件存取控制方法，其特徵在於，應用於文件服務裝置，所述方法包括：<br/>所述文件服務裝置接收網路緩存裝置對所述網路緩存裝置未緩存的與獲取請求中塊資訊對應的文件塊的請求，所述獲取請求由用戶終端向所述網路緩存裝置依次發送，用於申請獲取目標文件，每個獲取請求包括用戶標識和與用戶密鑰對應的文件塊的塊資訊，所述用戶密鑰和所述用戶密鑰對應的文件塊的塊資訊由所述文件服務裝置預先下發給所述用戶終端，所述用戶密鑰包括至少一個資料塊，所述用戶密鑰由所述用戶終端用於對所述獲取請求中的塊資訊對應的文件塊進行加密處理和解密處理，以得到所述目標文件，資料塊由所述目標文件劃分得到，文件塊根據所述用戶密鑰由所述目標文件劃分得到，文件塊包括一個資料塊或連續的兩個以上的資料塊；<br/>所述文件服務裝置向所述網路緩存裝置回饋所述網路緩存裝置未緩存的與所述獲取請求中塊資訊對應的文件塊，使所述網路緩存裝置緩存回饋的文件塊，以在接收到包括回饋的文件塊的塊資訊的所述獲取請求的情況下，將緩存的文件塊向所述用戶終端回饋。
如請求項15所述的方法，其中，<br/>所述獲取請求中的塊資訊對應的文件塊根據所述用戶密鑰加密得到目標密文，所述目標密文為所述目標文件的密文；<br/>所述目標密文根據所述用戶密鑰解密得到所述目標文件。
如請求項16所述的方法，其中，<br/>所述目標密文由塊尾與塊首為所述用戶密鑰中同一資料塊的文件塊拼接且文件拼接處的資料塊進行異或操作得到；<br/>所述目標密文由所述用戶密鑰中的資料塊與對應的文件塊拼接處的資料塊進行異或操作得到。
如請求項15所述的方法，其中，所述文件服務裝置生成多個不同的所述用戶密鑰和與每個所述用戶密鑰對應的文件塊，所述文件服務裝置存儲所述用戶標識與所述用戶密鑰的對應關係；<br/>在所述用戶終端向所述網路緩存裝置依次發送用於申請獲取目標文件的多個獲取請求之前，還包括：<br/>所述文件服務裝置接收所述用戶終端發送的文件獲取請求，所述文件獲取請求包括所述用戶標識；<br/>所述文件服務裝置根據所述用戶標識與所述用戶密鑰之間的對應關係，確定與所述文件獲取請求中所述用戶標識對應的所述用戶密鑰，以及與所述用戶密鑰對應的文件塊的塊資訊；<br/>所述文件服務裝置向所述文件服務裝置回饋文件獲取回應資訊，所述文件獲取回應資訊包括與所述文件獲取請求中所述用戶標識對應的所述用戶密鑰以及與所述用戶密鑰對應的文件塊的塊資訊。
如請求項15所述的方法，其中，還包括：<br/>所述文件服務裝置將所述目標文件劃分為n個資料塊，根據n個資料塊生成2<sup>n</sup>-2個不同的所述用戶密鑰，n為大於1的整數；<br/>所述文件服務裝置將2<sup>n</sup>-2個不同的所述用戶密鑰中的部分所述用戶密鑰分配給申請所述用戶密鑰的用戶，不同用戶分配的所述用戶密鑰不同。
如請求項15所述的方法，其中，還包括：<br/>在所述獲取請求中的用戶標識和塊資訊對應的所述用戶密鑰不具有對應關係的情況下，所述文件服務裝置確定所述用戶標識指示的用戶為非法用戶；<br/>所述文件服務裝置利用之前未分配的所述用戶密鑰更新原合法用戶的所述用戶密鑰，所述原合法用戶更新後的所述用戶密鑰為之前未分配的所述用戶密鑰中的一個，所述原合法用戶包括與所述獲取請求中塊資訊對應的所述用戶密鑰具有對應關係的所述用戶標識指示的用戶。
一種用戶終端，其特徵在於，包括：<br/>發送模組，用於向網路緩存裝置依次發送用於申請獲取目標文件的多個獲取請求，每個獲取請求包括用戶標識和與用戶密鑰對應的文件塊的塊資訊，以使所述網路緩存裝置查找緩存的與所述獲取請求中的塊資訊對應的文件塊，以及，向文件服務裝置請求所述網路緩存裝置未緩存的與所述獲取請求中塊資訊對應的文件塊，所述用戶密鑰和所述用戶密鑰對應的文件塊的塊資訊由所述文件服務裝置預先下發給所述用戶終端，所述用戶密鑰包括至少一個資料塊，資料塊由所述目標文件劃分得到，文件塊根據所述用戶密鑰由所述目標文件劃分得到，文件塊包括一個資料塊或連續的兩個以上的資料塊；<br/>接收模組，用於接收所述網路緩存裝置回饋的與所述獲取請求中的塊資訊對應的文件塊；<br/>加解密模組，用於基於所述用戶密鑰對所述獲取請求中的塊資訊對應的文件塊進行加密處理和解密處理，得到所述目標文件。
一種網路緩存裝置，其特徵在於，包括：<br/>接收模組，用於接收用戶終端依次發送的用於申請獲取目標文件的多個獲取請求，每個獲取請求包括用戶標識和與用戶密鑰對應的文件塊的塊資訊，所述用戶密鑰和所述用戶密鑰對應的文件塊的塊資訊由文件服務裝置預先下發給所述用戶終端，所述用戶密鑰包括至少一個資料塊，資料塊由所述目標文件劃分得到，文件塊根據所述用戶密鑰由所述目標文件劃分得到，文件塊包括一個資料塊或連續的兩個以上的資料塊；<br/>查詢模組，用於查找緩存的與所述獲取請求中的塊資訊對應的文件塊；<br/>發送模組，用於向所述文件服務裝置請求所述網路緩存裝置未緩存的與所述獲取請求中塊資訊對應的文件塊，以及，用於將得到的與所述獲取請求中的塊資訊對應的文件塊向所述用戶終端回饋，以使所述用戶終端基於所述用戶密鑰對所述獲取請求中的塊資訊對應的文件塊進行加密處理和解密處理，得到所述目標文件。
一種文件服務裝置，其特徵在於，包括：<br/>接收模組，用於接收網路緩存裝置對所述網路緩存裝置未緩存的與獲取請求中塊資訊對應的文件塊的請求，所述獲取請求由用戶終端向所述網路緩存裝置依次發送，用於申請獲取目標文件，每個獲取請求包括用戶標識和與用戶密鑰對應的文件塊的塊資訊，所述用戶密鑰和所述用戶密鑰對應的文件塊的塊資訊由所述文件服務裝置預先下發給所述用戶終端，所述用戶密鑰包括至少一個資料塊，所述用戶密鑰由所述用戶終端用於對所述獲取請求中的塊資訊對應的文件塊進行加密處理和解密處理，以得到所述目標文件，資料塊由所述目標文件劃分得到，文件塊根據所述用戶密鑰由所述目標文件劃分得到，文件塊包括一個資料塊或連續的兩個以上的資料塊；<br/>發送模組，用於向所述網路緩存裝置回饋所述網路緩存裝置未緩存的與所述獲取請求中塊資訊對應的文件塊，使所述網路緩存裝置緩存回饋的文件塊，以在接收到包括回饋的文件塊的塊資訊的所述獲取請求的情況下，將緩存的文件塊向所述用戶終端回饋。
一種用戶終端，其特徵在於，包括：處理器以及存儲有電腦程式指令的記憶體；<br/>所述處理器執行所述電腦程式指令時實現如請求項1至7中任意一項所述的文件存取控制方法。
一種網路緩存裝置，其特徵在於，包括：處理器以及存儲有電腦程式指令的記憶體；<br/>所述處理器執行所述電腦程式指令時實現如請求項8至14中任意一項所述的文件存取控制方法。
一種文件服務裝置，其特徵在於，包括：處理器以及存儲有電腦程式指令的記憶體；<br/>所述處理器執行所述電腦程式指令時實現如請求項15至20中任意一項所述的文件存取控制方法。
一種文件存取控制系統，其特徵在於，包括：<br/>如請求項24所述的用戶終端；<br/>如請求項25所述的網路緩存裝置；<br/>如請求項26所述的文件服務裝置。
一種電腦可讀存儲介質，其特徵在於，所述電腦可讀存儲介質上存儲有電腦程式指令，所述電腦程式指令被處理器執行時實現如請求項1至20中任意一項所述的文件存取控制方法。
一種電腦程式產品，其特徵在於，包括電腦程式，所述電腦程式被處理器執行時實現請求項1至20中任意一項所述的文件存取控制方法。
一種陣列式處理器系統，包括：<br/> 一組堆疊式多緒動態隨機存取記憶體(MTDRAM)處理器系統，該些MTDRAM處理器系統被配置成多行(row)多列(column)，每個堆疊式MTDRAM處理器系統包括：<br/> 一控制器晶片，其包含配置成多行多列的複數個處理器區塊；<br/> 複數個動態隨機存取記憶體(DRAM)晶片，每個DRAM晶片包含配置成多行多列的複數個獨立DRAM單位格，其中該控制器晶片的每個處理器區塊被耦合至各DRAM晶片中相應的一DRAM單位格；<br/> 複數個通訊控制晶片，其被耦合至該組堆疊式MTDRAM處理器系統；<br/> 複數個電源管理晶片，其被耦合至該些通訊控制晶片及該組堆疊式MTDRAM處理器系統；<br/> 複數個高速通訊鏈路，其被耦合至該些通訊控制晶片；以及<br/> 一互連結構，其包含上面形成有複數個圖案化金屬互連層之一矽基板，其中該陣列式處理器系統之該組堆疊式MTDRAM處理器系統、該些通訊控制晶片、該些電源管理晶片及該些高速通訊鏈路被安裝在該互連結構上並由其互連。
如請求項1之陣列式處理器系統，其中每個控制器晶片中多行處理器區塊的每一者包含一水平傳輸控制器，其中該互連結構將每個控制器晶片的每個水平傳輸控制器，耦合至該組堆疊式MTDRAM處理器系統同一行中一相鄰控制器晶片之相應的一水平傳輸控制器。
如請求項2之陣列式處理器系統，其中每個水平傳輸控制器位於其相應行處理器區塊內部的中央位置。
如請求項1之陣列式處理器系統，其中一第一控制器晶片包括一第一組水平傳輸控制器，該第一組水平傳輸控制器的每一者被耦合至該第一控制器晶片中相應的一行處理器區塊，且其中一第二控制器晶片包括一第二組水平傳輸控制器，該第二組水平傳輸控制器的每一者被耦合至該第二控制器晶片中相應的一行處理器區塊，其中該第一組水平傳輸控制器的每一者經由該互連結構被耦合至該第二組水平傳輸控制器當中相應的一者。
如請求項4之陣列式處理器系統，其中該第一組水平傳輸控制器及該第二組水平傳輸控制器控制該第一控制器晶片及該第二控制器晶片之間的資料傳輸。
如請求項4之陣列式處理器系統，其中一第三控制器晶片包括第三組水平傳輸控制器，該第三組水平傳輸控制器的每一者被耦合至該第三控制器晶片中相應的一行處理器區塊，其中該第三組水平傳輸控制器的每一者經由該互連結構被耦合至該第二組水平傳輸控制器當中相應的一者。
如請求項6之陣列式處理器系統，其中該第一組水平傳輸控制器及該第二組水平傳輸控制器控制該第一控制器晶片及該第二控制器晶片之間的資料傳輸，且其中該第二組水平傳輸控制器及該第三組水平傳輸控制器控制該第二控制器晶片及該第三控制器晶片之間的資料傳輸。
如請求項1之陣列式處理器系統，其更包括：<br/> 一第一組快閃記憶體系統，其鄰接該組堆疊式MTDRAM處理器系統之第一側，其中該第一組快閃記憶體系統的每一者經由該互連結構而被耦合至該組堆疊式MTDRAM處理器系統中相應的一行堆疊式MTDRAM處理器系統；以及<br/> 一第二組快閃記憶體系統，其鄰接該組堆疊式MTDRAM處理器系統之第二側，其中該第二組快閃記憶體系統的每一者由該互連結構耦合至該組堆疊式MTDRAM處理器系統中相應的一行堆疊式MTDRAM處理器系統。
如請求項1之陣列式處理器系統，其中該多列處理器區塊中第一多列處理器區塊的每一者包括：<br/> 一處理器核心；及<br/> 一本地垂直傳輸控制器，其被耦合至該處理器核心，其中每個本地垂直傳輸控制器經由該互連結構而被耦合至與該第一多列處理器區塊同列的一相鄰處理器區塊中一本地垂直傳輸控制器。
如請求項9之陣列式處理器系統，其中該互連結構包括複數個本地垂直通訊路徑，每個本地垂直通訊路徑用於耦合該第一多列處理器區塊的某一列中相應的本地垂直傳輸控制器子集。
如請求項10之陣列式處理器系統，其中該第一多列處理器區塊中每列處理器區塊的一第一子集更包括一區域垂直傳輸控制器，其中每個區域垂直傳輸控制器被耦合至該第一多列處理器區塊的某一列中的一對本地垂直通訊路徑。
如請求項11之陣列式處理器系統，其中該互連結構更包括複數個區域垂直通訊路徑，其中一第一組區域垂直通訊路徑的每一者用於耦合該第一多列處理器區塊的某一列中的一對區域垂直傳輸控制器。
如請求項12之陣列式處理器系統，其中該互連結構更包括一第二組區域垂直通訊路徑，該第二組區域垂直通訊路徑的每一者用於將該第一多列處理器區塊的某一列中的區域垂直傳輸控制器當中一者，耦合至一相鄰堆疊式MTDRAM處理器系統中的一區域垂直傳輸控制器。
如請求項12之陣列式處理器系統，其中該第一多列處理器區塊中每列處理器區塊的一第二子集更包括一長距離垂直傳輸控制器，其中每個長距離垂直傳輸控制器被耦合至該些區域垂直傳輸控制器當中一者。
如請求項14之陣列式處理器系統，其中該互連結構更包括複數個長距離區域垂直通訊路徑，其中每個長距離區域垂直通訊路徑將該些長距離垂直傳輸控制器當中一者耦合至該些通訊控制晶片當中一者。
如請求項15之陣列式處理器系統，其中該第一多列處理器區塊中每列處理器區塊的一第三子集更包括一垂直橋接電路，其中每個垂直橋接電路被耦合至該第一多列處理器區塊的某一列中的一對本地垂直通訊路徑。
如請求項1之陣列式處理器系統，其更包括一供電及冷卻結構，其被耦合至該些電源管理晶片及該互連結構。
如請求項1之陣列式處理器系統，其中每個控制器晶片包括：<br/> 包含在每個處理器區塊內相應的一處理器核心；且<br/> 其中該控制器晶片之該些處理器區塊的每一行包括：<u><br/></u> 一第一組水平互連結構，其耦合該行內部的處理器核心，使該些處理器核心之間能夠通訊；<br/> 一第二組水平互連結構，其耦合該行內部的處理器核心，使該些處理器核心之間能夠通訊；以及<br/> 耦合至該第一組及第二組水平互連結構之一水平傳輸控制器，其中該水平傳輸控制器包含一介面，該介面使得該行內部的處理器核心及該控制器晶片外部的一個或多個元件之間能夠通訊。
如請求項18之陣列式處理器系統，其中每行內部的第一組水平互連結構位於該行的上緣，且每行內部的第二組水平互連結構位於該行的下緣，其中該行的上緣與該行的下緣相對。
如請求項19之陣列式處理器系統，其中該些處理器區塊中每行內部的處理器區塊更包含複數個矽通孔(TSVs)，其中該些矽通孔位於該行的第一組及第二組水平互連結構之間。
如請求項18之陣列式處理器系統，其中該第一組及第二組水平互連結構各自包含複數個匯流排線路，該複數個匯流排線路被製作於該控制器晶片的一個或多個金屬層中。
如請求項18之陣列式處理器系統，其中每行內部的第一組及第二組水平互連結構被分爲複數個段，並由中繼器耦合該些段，以避免訊號直接跨越整個該控制器晶片進行長距離傳輸。
一種電路板組件，包含：<br/> 一第一線路板，包含一第一線路層；<br/> 一第二線路板，與所述第一線路板間隔，其中所述第二線路板包含一第二線路層；<br/> 一第一光電轉換元件，裝設在所述第一線路層；<br/> 一第二光電轉換元件，裝設在所述第二線路層；<br/> 一彈性傳輸層，連接所述第一線路板和所述第二線路板，其中所述彈性傳輸層具有一傳輸通道，所述傳輸通道用於傳輸一光信號，而所述第一光電轉換元件、所述第二光電轉換元件和所述傳輸通道位於所述光信號的傳遞路徑上；以及<br/> 兩個複合材料結構，分別設置在所述彈性傳輸層的兩相對側，且鄰接所述第一線路板和所述第二線路板，所述兩個複合材料結構每一個包含一第一柔性層和一第二柔性層，且所述第一柔性層和所述第二柔性層的熱膨脹係數不同；<br/> 其中在所述兩個複合材料結構其中一個中，所述第一柔性層相較於所述第二柔性層鄰近所述彈性傳輸層；<br/> 其中在所述兩個複合材料結構另一個中，所述第二柔性層相較於所述第一柔性層鄰近所述彈性傳輸層。
如請求項1所述的電路板組件，還包含：<br/> 一電源控制元件，裝設在所述第一線路層；以及<br/> 多層導電層，設置在所述第一線路板和所述第二線路板之間，其中所述兩個複合材料結構每一個的所述第一柔性層具有導電性，所述多層導電層分別電性連接所述電源控制元件和所述兩層第一柔性層；<br/> 在所述電源控制元件提供一電壓或一電流至所述兩層第一柔性層時，所述兩層第一柔性層因而上升溫度，且將熱能傳遞至所述兩層第二柔性層，使得不同熱膨脹係數的所述兩層第一柔性層和所述兩層第二柔性層產生形變。
如請求項2所述的電路板組件，其中所述多層導電層分別設置在所述彈性傳輸層和所述兩個複合材料結構之間，且環繞在所述兩個複合材料結構和所述第一線路板和所述第二線路板之間。
如請求項1所述的電路板組件，其中所述彈性傳輸層的熱膨脹係數和所述兩個複合材料結構每一個的所述第一柔性層和所述第二柔性層的熱膨脹係數不同。
如請求項4所述的電路板組件，其中在所述兩個複合材料結構每一個中，所述第一柔性層的材料包含奈米碳管，且所述第二柔性層的材料包含矽橡膠，所述彈性傳輸層的材料包含聚氨酯。
如請求項1所述的電路板組件，其中所述第一線路板具有一第一內壁面，而所述第二線路板具有一第二內壁面，且所述第一內壁面面對所述第二內壁面；<br/> 所述兩個複合材料結構所述其中一個具有一第一外表面，且該第一外表面具有鄰近所述第一內壁面的一第一切平面，所述第一切平面與所述第一內壁面之間形成一第一夾角，其中所述第一夾角在大於0度且小於或等於90度的範圍；<br/> 所述兩個複合材料結構所述另一個具有一第二外表面，且該第二外表面具有鄰近所述第一內壁面的一第二切平面，所述第二切平面與所述第一內壁面之間形成一第二夾角，其中所述第二夾角在大於0度且小於或等於90度的範圍。
如請求項6所述的電路板組件，其中在所述兩個複合材料結構所述另一個朝向所述兩個複合材料結構所述其中一個的方向形成彎折時，所述第一夾角小於或等於所述第二夾角；<br/> 在所述兩個複合材料結構所述其中一個朝向所述兩個複合材料結構所述另一個的方向形成彎折時，所述第二夾角小於或等於所述第一夾角。
如請求項1所述的電路板組件，還包含：<br/> 一第一反射層，位於所述彈性傳輸層的其中一端；<br/> 一第二反射層，位於所述彈性傳輸層的另一端，其中所述光信號從所述第一光電轉換元件經由所述第一反射層反射至所述傳輸通道，且從所述傳輸通道經由所述第二反射層反射至所述第二光電轉換元件；以及<br/> 兩層平整層，分別設置在所述彈性傳輸層下方，且所述第一反射層和所述第二反射層分別在所述第一線路板和所述第二線路板上的垂直投影區域，分別位於所述兩層平整層分別在所述第一線路板和所述第二線路板上的垂直投影區域內。
一種電路板組件的製造方法，包含：<br/> 提供一第一基板，其中所述第一基板包含堆疊的一介電層及一第一金屬層；<br/> 形成一穿槽在所述介電層，其中所述穿槽顯露所述第一金屬層；<br/> 設置一彈性傳輸層至所述穿槽；<br/> 設置所述彈性傳輸層之後，堆疊兩個第二基板於所述第一基板，其中所述兩個第二基板每一個包含一第二金屬層，其中所述彈性傳輸層的一中間區域顯露於所述兩個第二基板之間，且所述第一金屬層位於所述彈性傳輸層和所述兩個第二基板之間；<br/> 設置所述彈性傳輸層之後，去除所述第一金屬層在對應所述彈性傳輸層的所述中間區域的部分；<br/> 堆疊所述兩個第二基板之後，圖案化所述兩層第二金屬層，以分別形成兩層線路層；<br/> 去除所述第一金屬層的部分之後，設置兩個複合材料結構至所述彈性傳輸層的兩相對側，其中所述兩個複合材料結構每一個包含一第一柔性層和一第二柔性層，且所述第一柔性層和所述第二柔性層的熱膨脹係數不同，其中在所述兩個複合材料結構其中一個中，所述第一柔性層相較於所述第二柔性層鄰近所述彈性傳輸層，其中在所述兩個複合材料結構另一個中，所述第二柔性層相較於所述第一柔性層鄰近所述彈性傳輸層；以及<br/> 分別裝設兩個光電轉換元件在所述兩層線路層。
如請求項9所述的製造方法，還包含：<br/> 設置所述彈性傳輸層之後，形成兩層平整層在所述彈性傳輸層的二端下方；以及<br/> 形成兩層平整層之後，堆疊兩個第三基板於所述第一基板，其中所述彈性傳輸層的所述中間區域顯露於所述兩個第三基板之間，且所述兩層平整層位於所述彈性傳輸層和所述兩個第三基板之間。
一種半導體元件，包括:<br/> 半導體基板；<br/> N型飄移層、P-通道層與N+層依序堆疊於所述半導體基板上；<br/> 溝槽式閘極，位於所述N+層、所述P-通道層與所述N型飄移層中；<br/> P型超寬能隙磊晶層，位於所述溝槽式閘極的下方；以及<br/> 閘極絕緣層，包圍所述溝槽式閘極的底部與側壁，且介於所述溝槽式閘極與所述P型超寬能隙磊晶層之間，<br/> 其中所述溝槽式閘極朝向所述半導體基板的正投影與所述P型超寬能隙磊晶層朝向所述半導體基板的正投影相重疊。
如請求項1所述的半導體元件，其中所述半導體基板包括碳化矽(SiC)、矽(Si)、氮化鎵(GaN)、β-氧化鎵(β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)、氮化鋁(AlN)、鑽石(Diamond)或藍寶石(Sapphire)。
如請求項1所述的半導體元件，其中所述半導體基板包括具有摻雜的半導體基板。
如請求項1所述的半導體元件，其中所述半導體基板包括N+半導體基板。
如請求項1所述的半導體元件，其中所述P型超寬能隙磊晶層包括4H-碳化矽(4H-SiC)、氮化鎵(GaN)、β-氧化鎵(β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)、氮化鋁鎵(AlGaN)、氮化鋁(AlN)、二氧化鍺(GeO<sub>2</sub>)。
如請求項1所述的半導體元件，其中所述P型超寬能隙磊晶層的能隙範圍為3.2 eV~6.0 eV。
如請求項1所述的半導體元件，其中所述P型超寬能隙磊晶層的深度大於0.1 mm且小於1 mm。
如請求項1所述的半導體元件，其中所述P型超寬能隙磊晶層的P型摻雜質的濃度大於1x10<sup>17</sup> (cm<sup>-3</sup>)且小於5x10<sup>19</sup> (cm<sup>-3</sup>)。
如請求項1所述的半導體元件，其中所述閘極絕緣層包括SiO<sub>2</sub>、SiON、SiN或高介電常數材料。
如請求項9所述的半導體元件，其中所述高介電常數材料包括Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、HfO<sub>2</sub>或ZrO<sub>2</sub>。
如請求項1所述的半導體元件，其中所述溝槽式閘極包括多晶矽(poly-Si)、鈦(Ti)、鋁(Al)、鎢(W)或金(Au)。
如請求項1所述的半導體元件，其中所述溝槽式閘極為一般閘極或虛擬閘極。
如請求項1所述的半導體元件，尚包括氧化層位於所述P型超寬能隙磊晶層的側壁與所述N型飄移層之間。
一種半導體元件，包括:<br/> 半導體基板；<br/> N型飄移層、P-通道層與N+層依序堆疊於所述半導體基板上；<br/> 溝槽式閘極與溝槽式虛擬閘極，位於所述N+層、所述P-通道層與所述N型飄移層中，其中所述溝槽式閘極的厚度與所述溝槽式虛擬閘極的厚度不同；<br/> P型超寬能隙磊晶層，位於所述溝槽式閘極與所述溝槽式虛擬閘極的下方；以及<br/> 閘極絕緣層，包圍所述溝槽式閘極的底部、所述溝槽式閘極的側壁、所述溝槽式虛擬閘極的底部、所述溝槽式虛擬閘極的側壁，且介於所述溝槽式閘極與所述P型超寬能隙磊晶層之間並且介於所述溝槽式虛擬閘極與所述P型超寬能隙磊晶層之間。
如請求項14所述的半導體元件，其中所述半導體基板包括碳化矽(SiC)、矽(Si)、氮化鎵(GaN)、β-氧化鎵(β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)、氮化鋁(AlN)、鑽石(Diamond)或藍寶石(Sapphire)。
如請求項14所述的半導體元件，其中所述半導體基板包括具有摻雜的半導體基板。
如請求項14所述的半導體元件，其中所述半導體基板包括N+半導體基板。
如請求項14所述的半導體元件，其中所述P型超寬能隙磊晶層包括4H-碳化矽(4H-SiC)、氮化鎵(GaN)、β-氧化鎵(β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)、氮化鋁鎵(AlGaN)、氮化鋁(AlN)、二氧化鍺(GeO<sub>2</sub>)。
如請求項14所述的半導體元件，其中所述P型超寬能隙磊晶層的能隙為3.2 eV ~ 6.0 eV。
如請求項14所述的半導體元件，其中所述P型超寬能隙磊晶層的深度大於0.1 mm且小於1 mm。
如請求項14所述的半導體元件，其中所述P型超寬能隙磊晶層的P型摻雜質的濃度大於1x10<sup>17</sup> (cm<sup>-3</sup>)且小於5x10<sup>19</sup> (cm<sup>-3</sup>)。
如請求項14所述的半導體元件，其中所述閘極絕緣層包括SiO<sub>2</sub>、SiON、SiN或高介電常數材料。
如請求項22所述的半導體元件，其中所述高介電常數材料包括Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、HfO<sub>2</sub>或ZrO<sub>2</sub>。
如請求項14所述的半導體元件，其中所述溝槽式閘極包括多晶矽(poly-Si)、鈦(Ti)、鋁(Al)、鎢(W)或金(Au)。
如請求項14所述的半導體元件，其中所述溝槽式虛擬閘極包括多晶矽(poly-Si)、鈦(Ti)、鋁(Al)、鎢(W)或金(Au)。
如請求項14所述的半導體元件，尚包括氧化層位於所述P型超寬能隙磊晶層的側壁與所述N型飄移層之間。
一種半導體元件，包括:<br/> 半導體基板；<br/> N型飄移層位於所述半導體基板上，其中所述N型飄移層包括中間區與兩側區，其中所述中間區的厚度較所述兩側區的厚度厚；<br/> 底部P型井磊晶層與P型井位於所述N型飄移層的所述兩側區上，其中所述P型井位於所述底部P型井磊晶層上；<br/> 閘極與閘極絕緣層位於所述N型飄移層的所述中間區與所述P型井上；以及<br/> N+層位於所述P型井中且位於所述閘極的兩側，<br/> 其中所述閘極朝向所述半導體基板的正投影與所述底部P型井磊晶層朝向所述半導體基板的正投影相重疊。
如請求項27所述的半導體元件，其中所述半導體基板包括碳化矽(SiC)、矽(Si)、氮化鎵(GaN)、β-氧化鎵(β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)、氮化鋁(AlN)、鑽石(Diamond)或藍寶石(Sapphire)。
如請求項27所述的半導體元件，其中所述半導體基板包括具有摻雜的半導體基板。
如請求項27所述的半導體元件，其中所述半導體基板包括N+半導體基板。
如請求項27所述的半導體元件，其中所述底部P型井磊晶層包括4H-碳化矽(4H-SiC)、氮化鎵(GaN)、β-氧化鎵(β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)、氮化鋁鎵(AlGaN)、氮化鋁(AlN)、二氧化鍺(GeO<sub>2</sub>)。
如請求項27所述的半導體元件，其中所述底部P型井磊晶層的能隙為3.2 eV~6.0 eV。
如請求項27所述的半導體元件，其中所述底部P型井磊晶層的深度大於0.1 mm且小於1 mm。
如請求項27所述的半導體元件，其中所述底部P型井磊晶層的P型摻雜質的濃度大於1x10<sup>17</sup> (cm<sup>-3</sup>)且小於5x10<sup>19</sup> (cm<sup>-3</sup>)。
如請求項27所述的半導體元件，其中所述閘極絕緣層包括SiO<sub>2</sub>、SiON、SiN或高介電常數材料。
如請求項35所述的半導體元件，其中所述高介電常數材料包括Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、HfO<sub>2</sub>或ZrO<sub>2</sub>。
如請求項27所述的半導體元件，其中所述閘極包括多晶矽(poly-Si)、鈦(Ti)、鋁(Al)、鎢(W)或金(Au)。
如請求項27所述的半導體元件，其中所述閘極為一般閘極或虛擬閘極。
一種發射裝置，用於一場地中的至少一接收裝置的群組處理，包含： <br/>一發射器，配置以發射一組成群組指令；以及 <br/>一指令涵蓋範圍，為在該場地中可接收到該發射器所發射的指令的區域，該指令涵蓋範圍決定了在該場地中的一群組成員運作範圍，其中該組成群組指令致使在該指令涵蓋範圍之內的該至少一接收裝置形成及／或標示成同一個群組， <br/>其中，該發射裝置自主使該發射器發射該組成群組指令。
如請求項1所述的發射裝置，其中， <br/>該發射裝置係配置以依據一指令發射裝置的一定義群組指令而進入一定義群組模式，致使該發射器發射該組成群組指令。
如請求項2所述的發射裝置，其中， <br/>該發射裝置係配置以依據該指令發射裝置的一組成群組結束指令或一群組動作指令而結束該定義群組模式。
如請求項2所述的發射裝置，其中， <br/>該發射裝置係配置以發出一組成群組結束指令至該指令發射裝置以及該至少一接收裝置，並結束該定義群組模式。
如請求項2所述的發射裝置，其中，該發射器係重新改寫該指令發射裝置的一群組動作指令中內部預先安排好的對應動作。
如請求項1所述的發射裝置，其中，該發射裝置為中繼站，該發射器以廣播方式發射該組成群組指令，該組成群組指令為訊號、光線或聲音，該指令涵蓋範圍使離開的該至少一接收裝置不再屬於該指令涵蓋範圍中的該同一個群組，該發射器係配置以發射一群組動作指令，致使在該指令涵蓋範圍之內的該至少一接收裝置進行對應動作。
一種群組處理方法，用於一場地中的接收裝置，包含： <br/>在該接收裝置進入了在該場地中的複數個發射裝置的其中之一發射裝置的一指令涵蓋範圍的情況下，該接收裝置接收該其中之一發射裝置的一組成群組指令；以及 <br/>依據該組成群組指令，該接收裝置與在該指令涵蓋範圍之內的另一接收裝置形成及／或標示成同一個群組， <br/>其中，該其中之一發射裝置的該指令涵蓋範圍決定了在該場地中的一群組成員運作範圍， <br/>其中，該等複數個發射裝置自主使各該發射器發射該組成群組指令。
如請求項7所述的方法，更包含： <br/>在該接收裝置接收該其中之一發射裝置的該組成群組指令之前，該接收裝置依據一指令發射裝置之一定義群組指令而進入一等待設置群組模式以等待接受該組成群組指令；以及 <br/>在該接收裝置從該其中之一發射裝置的該指令涵蓋範圍離開後，該接收裝置消除本身的群組標示。
如請求項7所述的方法，更包含： <br/>在該接收裝置重新改寫一群組動作指令中內部預先安排好的對應動作。
如請求項7所述的方法，更包含： <br/>在該接收裝置進入該場地中的該其中之一發射裝置的該指令涵蓋範圍的情況下且還未接收到該其中之一發射裝置的該組成群組指令之前，該接收裝置接收該等複數個發射裝置之任一者的任何訊號並且自身產生代表進入該指令涵蓋範圍的提示手段，其中提示手段為聲音、光線、震動、訊息、或指令等；以及 <br/>在該接收裝置從該其中之一發射裝置的該指令涵蓋範圍離開後，該接收裝置產生代表離開該指令涵蓋範圍的提示手段，其中提示手段為聲音、光線、震動、訊息、或指令等。
一種群組處理系統，用於一場地，包含： <br/>複數個發射裝置，各發射裝置包括： <br/>一發射器，配置以發射一組成群組指令；以及 <br/>一指令涵蓋範圍，為在該場地中可接收到該發射器所發射的指令的區域，該指令涵蓋範圍決定了在該場地中的一群組成員運作範圍，其中該組成群組指令致使在該指令涵蓋範圍之內的至少一接收裝置形成及／或標示成同一個群組， <br/>其中該組成群組指令致使在該指令涵蓋範圍形成及／或標示成與該另一指令涵蓋範圍之內的不同接收裝置不同的群組， <br/>其中，該等複數個發射裝置自主使各該發射器發射該組成群組指令。
如請求項11所述的系統，其中，該系統更包括： <br/>一指令發射裝置，配置以發出一定義群組指令至該等複數個發射裝置以及該至少一接收裝置，致使該等複數個發射裝置進入一定義群組模式以透過該發射器發射該組成群組指令、並致使該至少一接收裝置進入一等待設置群組模式以等待接受該組成群組指令。
如請求項12所述的系統，其中， <br/>該指令發射裝置配置以發出一組成群組結束指令或一群組動作指令至該等複數個發射裝置以及該至少一接收裝置，致使該等複數個發射裝置結束該定義群組模式、並且該至少一接收裝置結束該等待設置群組模式；或者是 <br/>該等複數個發射裝置係配置以分別發出一組成群組結束指令至該指令發射裝置以及該至少一接收裝置，致使該等複數個發射裝置結束該定義群組模式、並且該至少一接收裝置結束該等待設置群組模式。
如請求項11所述的系統，其中，該指令發射裝置配置以發出一群組動作指令並透過該等複數個發射裝置將該群組動作指令傳送至該至少一接收裝置，該群組動作指令致使在該指令涵蓋範圍之內的該至少一接收裝置進行對應動作。
如請求項14所述的系統，其中， <br/>該群組動作指令是特別安排的指令或是已有預先對應安排的指令， <br/>該特別安排的指令是針對同一個群體進行同一種動作， <br/>該已有預先對應安排的指令是針對同一個群體使用同一個識別符但可進行同一種或不同種的動作，針對不同群體可進行同一種或不同種的動作。
如請求項14所述的系統，其中， <br/>該發射器係重新改寫該指令發射裝置的該群組動作指令中內部預先安排好的對應動作。
如請求項11所述的系統，其中， <br/>該指令發射裝置係配置以針對該等發射裝置之其中單一個、或單一個群組、或多個群組發送指令， <br/>該等發射裝置之其中之一者係根據該指令發射裝置而發送該指令給單一個接收裝置、或單一個群組、或多個群組。
如請求項11所述的系統，其中， <br/>該指令發射裝置係重新改寫該接收裝置內部預先安排好的對應指令的動作；或者是 <br/>該指令發射裝置係針對單一個接收裝置或單一個群組或多個群組重新改寫內部預先安排好的對應指令的動作。
一種洩壓式防水工程的施工方法，適於被實施在一物體的施工面，該施工面設有一落水孔，該施工方法包含以下步驟：<br/> (A)對該施工面進行表面開槽作業，以在該施工面形成一溝槽網路，該溝槽網路連通該落水孔；<br/> (B)對該施工面進行表面清潔作業；<br/> (C)在該溝槽網路中放置至少一洩壓端管，該至少一洩壓端管連通該溝槽網路和該落水孔；<br/> (D)在該溝槽網路的洩壓溝槽上形成一溝槽封層，以遮蔽該溝槽網路的洩壓溝槽，且該溝槽封層的封層底面與該溝槽網路的洩壓溝槽的槽底面相隔開；以及<b/><br/> (E)在該物體的施工面上形成一防水層，該防水層覆蓋在該施工面和該溝槽封層的封層頂面。
根據請求項1所述的洩壓式防水工程的施工方法，其中該溝槽網路呈棋盤狀或放射狀。
一種洩壓式防水工程的施工方法，適於被實施在一物體的施工面，該施工面設有一落水孔，該施工方法包含以下步驟：(A)對該施工面進行表面開槽作業，以在該施工面形成一溝槽網路，該溝槽網路連通該落水孔；(B)對該施工面進行表面清潔作業；(C)在該溝槽網路中放置至少一洩壓端管，該至少一洩壓端管連通該溝槽網路和該落水孔；(D)在該溝槽網路的洩壓溝槽上形成一溝槽封層，以遮蔽該溝槽網路的洩壓溝槽，且該溝槽封層的封層底面與該溝槽網路的洩壓溝槽的槽底面相隔開；以及(E)在該物體的施工面上形成一防水層，該防水層覆蓋在該施工面和該溝槽封層的封層頂面，其中該溝槽網路的洩壓溝槽的寬度是0.1~0.5公分。
根據請求項3所述的洩壓式防水工程的施工方法，其中該溝槽網路的洩壓溝槽的深度是1~2公分。
根據請求項1所述的洩壓式防水工程的施工方法，其中該溝槽封層是單液聚氨酯填縫材料層、環氧樹脂材料層或含水泥成分之樹脂砂漿材料層。
一種洩壓式防水工程的施工結構，適於設置在一物體的施工面，該施工面設有一落水孔，該施工結構包含：<br/> 至少一洩壓端管，設置在該施工面的一溝槽網路中，且連通該溝槽網路和該落水孔；<br/> 一溝槽封層，設置在該溝槽網路的洩壓溝槽上，以遮蔽該溝槽網路的洩壓溝槽，且該溝槽封層的封層底面與該溝槽網路的洩壓溝槽的槽底面相隔開；以及<br/> 一防水層，設置在該施工面和該溝槽封層的封層頂面。
根據請求項6所述的洩壓式防水工程的施工結構，其中該溝槽網路呈棋盤狀或放射狀。
一種洩壓式防水工程的施工結構，適於設置在一物體的施工面，該施工面設有一落水孔，該施工結構包含：至少一洩壓端管，設置在該施工面的一溝槽網路中，且連通該溝槽網路和該落水孔；一溝槽封層，設置在該溝槽網路的洩壓溝槽上，以遮蔽該溝槽網路的洩壓溝槽，且該溝槽封層的封層底面與該溝槽網路的洩壓溝槽的槽底面相隔開；以及一防水層，設置在該施工面和該溝槽封層的封層頂面，其中該溝槽網路的洩壓溝槽的寬度是0.1~0.5公分。
根據請求項8所述的洩壓式防水工程的施工結構，其中該溝槽網路的洩壓溝槽的深度是1~2公分。
根據請求項6所述的洩壓式防水工程的施工結構，其中該溝槽封層是單液聚氨酯填縫材料層、環氧樹脂材料層或含水泥成分之樹脂砂漿材料層。
一種分離系統，用以分離二片狀件，且包括：<br/> 複數個吸盤，用以吸附該二片狀件；<br/> 一真空吸力提供裝置，連通該些吸盤且用以提供一真空吸力給該些吸盤；以及<br/> 一控制器，連接該真空吸力提供裝置且用以：<br/> 取得該二片狀件之一抗拉拔強度值；<br/> 決定一預設分離長度；<br/> 基於該預設分離長度及該抗拉拔強度值，取得分離該二片狀件之一分離力值；<br/> 基於該預設分離長度、該抗拉拔強度值及該分離力值，取得分離該二片狀件之一分離應力值；及<br/> 基於該預設分離長度及該分離應力值，決定該些吸盤之一吸盤配置參數。
如請求項1所述之分離系統，其中該分離力值為分離該二片狀件之一總拉力值。
如請求項1所述之分離系統，其中該控制器更用以：<br/> 判斷該分離應力值是否小於該二片狀件之一者的一容許強度值；以及<br/> 若該分離應力值不小於該容許強度值，重新決定該預設分離長度。
如請求項1所述之分離系統，其中該吸盤配置參數包括一吸盤半徑、該些吸盤之相鄰二者之間的一吸盤間距、該些吸盤之一吸盤數量以及對應該分離力值之一吸盤距離值；該控制器更用以：<br/> 依據該吸盤距離值，決定該吸盤半徑、該吸盤間距及該吸盤數量。
如請求項4所述之分離系統，其中各該吸盤距離值為該二片狀件之一側面至各該吸盤之一中心軸的距離值。
如請求項4所述之分離系統，其中該控制器更用以：<br/> 依據該分離力值以及所決定之該吸盤半徑及該吸盤數量，取得各該吸盤吸附該二片狀件的一吸盤吸壓力值；<br/> 依據該吸盤吸壓力值及所決定之該吸盤半徑，取得各該吸盤吸附該二片狀件所產生的一吸附應力值； <br/> 判斷該吸附應力值是否小於該二片狀件之一者的一容許強度值；以及<br/> 若該吸附應力值不小於該容許強度值，重新決定該吸盤半徑、該吸盤間距及該吸盤數量。
如請求項6所述之分離系統，其中該控制器更用以：<br/> 判斷該吸盤吸壓力值是否大於該真空吸力提供裝置之一最大可供吸壓力值；以及<br/> 若該吸盤吸壓力值大於該最大可供吸壓力值，控制一噴射器施加一噴射氣流於該二片狀件之一連接處。
如請求項7所述之分離系統，其中該控制器更用以：<br/> 依據該抗拉拔強度值，取得一補充分離壓力值；<br/> 其中，該噴射氣流具有該補充分離壓力值。
一種分離方法，包括：<br/> 取得二片狀件之一抗拉拔強度值；<br/> 決定一預設分離長度；<br/> 基於該預設分離長度及該抗拉拔強度值，取得分離該二片狀件之一分離力值；<br/> 基於該預設分離長度、該抗拉拔強度值及該分離力值，取得分離該二片狀件之一分離應力值；以及<br/> 基於該預設分離長度及該分離應力值，決定複數個吸盤之一吸盤配置參數。
如請求項9所述之分離方法，其中該分離力值為分離該二片狀件之一總拉力值。
如請求項9所述之分離方法，更包括：<br/> 判斷該分離應力值是否小於該二片狀件之一者的一容許強度值；以及<br/> 若該分離應力值不小於該容許強度值，重新決定該預設分離長度。
如請求項9所述之分離方法，其中該吸盤配置參數包括一吸盤半徑、該些吸盤之相鄰二者之間的一吸盤間距、該些吸盤之一吸盤數量以及對應該分離力值之一吸盤距離值；該分離方法更包括：<br/> 依據該吸盤距離值，決定該吸盤半徑、該吸盤間距及該吸盤數量。
如請求項12所述之分離方法，其中各該吸盤距離值為該二片狀件之一側面至各該吸盤之一中心軸的距離值。
如請求項12所述之分離方法，更包括：<br/> 依據該分離力值以及所決定之該吸盤半徑及該吸盤數量，取得各該吸盤吸附該二片狀件的一吸盤吸壓力值；<br/> 依據該吸盤吸壓力值及所決定之該吸盤半徑，取得各該吸盤吸附該二片狀件所產生的一吸附應力值； <br/> 判斷該吸附應力值是否小於該二片狀件之一者的一容許強度值；以及<br/> 若該吸附應力值不小於該容許強度值，重新決定該吸盤半徑、該吸盤間距及該吸盤數量。
如請求項14所述之分離方法，更包括：<br/> 判斷該吸盤吸壓力值是否大於一真空吸力提供裝置之一最大可供吸壓力值；以及<br/> 若該吸盤吸壓力值大於該最大可供吸壓力值，控制一噴射器施加一噴射氣流於該二片狀件之一連接處。
如請求項15所述之分離方法，更包括：<br/> 依據該抗拉拔強度值，取得一補充分離壓力值；<br/> 其中，該噴射氣流具有該補充分離壓力值。
一種電腦程式產品，用以儲存一程式碼，該程式碼用以供一處理器執行一分離方法，其中該分離方法包括：<br/> 取得二片狀件之一抗拉拔強度值；<br/> 決定一預設分離長度；<br/> 基於該預設分離長度及該抗拉拔強度值，取得分離該二片狀件之一分離力值；<br/> 基於該預設分離長度、該抗拉拔強度值及該分離力值，取得分離該二片狀件之一分離應力值；以及<br/> 基於該預設分離長度及該分離應力值，決定複數個吸盤之一吸盤配置參數。
如請求項17所述之電腦程式產品，其中該分離方法更包括：<br/> 判斷該分離應力值是否小於該二片狀件之一者的一容許強度值；以及<br/> 若該分離應力值不小於該容許強度值，重新決定該預設分離長度。
如請求項17所述之電腦程式產品，其中該吸盤配置參數包括一吸盤半徑、該些吸盤之相鄰二者之間的一吸盤間距、該些吸盤之一吸盤數量以及對應該分離力值之一吸盤距離值；該分離方法更包括：<br/> 依據該吸盤距離值，決定該吸盤半徑、該吸盤間距及該吸盤數量。
如請求項19所述之電腦程式產品，其中該分離方法更包括：<br/> 依據該分離力值以及所決定之該吸盤半徑及該吸盤數量，取得各該吸盤吸附該二片狀件的一吸盤吸壓力值；<br/> 依據該吸盤吸壓力值及所決定之該吸盤半徑，取得各該吸盤吸附該二片狀件所產生的一吸附應力值； <br/> 判斷該吸附應力值是否小於該二片狀件之一者的一容許強度值；以及<br/> 若該吸附應力值不小於該容許強度值，重新決定該吸盤半徑、該吸盤間距及該吸盤數量。
如請求項20所述之電腦程式產品，更包括：<br/> 判斷該吸盤吸壓力值是否大於一真空吸力提供裝置之一最大可供吸壓力值；以及<br/> 若該吸盤吸壓力值大於該最大可供吸壓力值，控制一噴射器施加一噴射氣流於該二片狀件之一連接處。
如請求項21所述之電腦程式產品，其中該分離方法更包括：<br/> 依據該抗拉拔強度值，取得一補充分離壓力值；<br/> 其中，該噴射氣流提供該補充分離壓力值。
一種陶瓷基座，其包括：<br/> 絕緣板，設置有發熱體；以及<br/> 軸，接合在所述絕緣板的下部，<br/> 所述發熱體包括第一發熱體圖案，所述第一發熱體圖案包括連接在第一端子對之間的第一電阻部及第一連接部，<br/> 當所述第一電阻部投影到所述絕緣板的平面上時，位於小於所述絕緣板與所述軸的接合部分的直徑區域內的所述第一電阻部是第一中心電阻部，<br/> 所述第一中心電阻部僅包括從各連接部延伸至不超過所述第一電阻部的第一個折疊部的部分的曲線，所述連接部分別與所述第一端子對的各端子連接。
如請求項1所述之陶瓷基座，其中，所述第一電阻部包括沿圓周方向延伸的多個圓弧部及用於連接所述圓弧部的多個折疊部，<br/> 所述第一中心電阻部的曲線，以與穿過相鄰的所述折疊部的隔開空間之間的虛擬直線的延長線相交的方式形成。
如請求項1所述之陶瓷基座，其中，所述第一電阻部包括：<br/> 多個圓弧部，沿圓周方向延伸；以及<br/> 多個折疊部，用於連接所述圓弧部，<br/> 所述第一中心電阻部的曲線，以與從與所述第一中心電阻部最鄰近的所述折疊部延伸的虛擬延長線相交的方式形成。
如請求項1所述之陶瓷基座，其中，在所述第一中心電阻部的曲線中，靠近所述第一端子對中的任意一個的一部分的曲率半徑大於所述第一電阻部的折疊部中的曲率半徑。
如請求項4所述之陶瓷基座，其中，靠近所述第一端子對中的任意一個的一部分的曲率半徑為所述第一電阻部的所述折疊部的最大曲率半徑的2倍以上。
如請求項1所述之陶瓷基座，其中，在所述第一中心電阻部的曲線中，靠近所述第一端子對中的任意一個的一部分的曲率半徑大於所述第一電阻部的折疊部中最鄰近折疊部的曲率半徑。
如請求項1所述之陶瓷基座，其中，所述第一端子對位於小於所述絕緣板與所述軸的接合部分的直徑區域內。
如請求項1所述之陶瓷基座，其中，所述發熱體包括第二發熱體圖案，所述第二發熱體圖案包括連接在第二端子對之間的第二電阻部及第二連接部，<br/> 當所述第一電阻部及所述第二電阻部投影到所述絕緣板的平面上時，包括位於小於所述絕緣板與所述軸的接合部分的直徑區域內的所述第二電阻部的第二中心電阻部。
如請求項8所述之陶瓷基座，其中，所述第二電阻部包括：<br/> 多個圓弧部，沿圓周方向延伸；以及<br/> 多個折疊部，用於連接所述圓弧部，<br/> 所述第一中心電阻部的曲線及所述第二中心電阻部的曲線中的至少任意一個，以與穿過相鄰的所述折疊部的隔開空間之間的虛擬直線的延長線相交的方式形成。
如請求項9所述之陶瓷基座，其中，相鄰的所述折疊部包括相向的所述第一電阻部的折疊部中的一個及所述第二電阻部的折疊部中的一個。
如請求項8所述之陶瓷基座，其中，所述第二電阻部包括：<br/> 多個圓弧部，沿圓周方向延伸；以及<br/> 多個折疊部，用於連接所述圓弧部，<br/> 所述第一中心電阻部的曲線及所述第二中心電阻部的曲線中的至少任意一個，以與從與所述第一中心電阻部或所述第二中心電阻部最鄰近的所述第一中心電阻部的折疊部延伸的虛擬延長線相交的方式形成。
如請求項8所述之陶瓷基座，其中，所述第二電阻部包括：<br/> 多個圓弧部，沿圓周方向延伸；以及<br/> 多個折疊部，用於連接所述圓弧部，<br/> 所述第一中心電阻部的曲線及所述第二中心電阻部的曲線中的至少任意一個，以與從與所述第一中心電阻部或所述第二中心電阻部最鄰近的所述第二中心電阻部的折疊部延伸的虛擬延長線相交的方式形成。
如請求項8所述之陶瓷基座，其中，所述第二電阻部包括：<br/> 多個圓弧部，沿圓周方向延伸；以及<br/> 多個折疊部，用於連接所述圓弧部，<br/> 所述第一中心電阻部的曲線及所述第二中心電阻部的曲線中的至少任意一個，以與從與所述第一中心電阻部及所述第二中心電阻部分別最鄰近的所述第一中心電阻部的折疊部及所述第二中心電阻部的折疊部延伸的各個虛擬延長線相交的方式形成。
如請求項8所述之陶瓷基座，其中，在所述第一中心電阻部的曲線及所述第二中心電阻部的曲線中，靠近各個端子對中的任意一個的一部分的曲率半徑分別大於所述第一電阻部及所述第二電阻部的折疊部中的曲率半徑。
如請求項14所述之陶瓷基座，其中，靠近所述各個端子對中的任意一個的一部分的曲率半徑為所述第一電阻部及所述第二電阻部的折疊部的最大曲率半徑的2倍以上。
如請求項8所述之陶瓷基座，其中，在所述第一中心電阻部的曲線中，靠近所述第一端子對中的任意一個的一部分的曲率半徑大於所述第一電阻部的折疊部中最鄰近的折疊部的曲率半徑，<br/> 在所述第二中心電阻部的曲線中，靠近所述第二端子對中的任意一個的一部分的曲率半徑大於所述第二電阻部的折疊部中最鄰近的折疊部的曲率半徑。
如請求項8所述之陶瓷基座，其中，所述第二端子對位於小於所述絕緣板與所述軸的接合部分的直徑區域內。
一種圖像生成算法之訓練方法，所述圖像生成算法用於將點雲資料轉換為二維圖像，其改良在於，包括： <br/>提供多組待測目標之點雲資料； <br/>提供多組所述待測目標之圖像資料； <br/>將多組所述點雲資料對應轉化為多組二維資料； <br/>利用多組所述二維資料以及對應之多組所述圖像資料，對所述圖像生成算法進行機器學習訓練； <br/>輸出訓練後之所述圖像生成算法。
如請求項1所述之圖像生成算法之訓練方法，其中，將多組所述點雲資料對應轉化為多組二維資料包括： <br/>從每一組所述點雲資料中選取至少三個目標點資料； <br/>由每一組所述目標點資料建立目標座標系，所述目標座標系包括複數目標平面； <br/>求取每一組所述點雲資料之原始座標系與所述目標座標系之間之轉換關係； <br/>根據所述轉換關係對每一組所述點雲資料中之每一子資料進行座標變化； <br/>將每一組所述點雲資料投射到任意一個所述目標平面； <br/>輸出每一組所述二維資料。
如請求項1所述之圖像生成算法之訓練方法，其中，利用多組所述二維資料以及對應之多組所述圖像資料，對所述圖像生成算法進行機器學習訓練包括： <br/>由每一組所述二維資料獲得顏色空間特徵； <br/>根據每一組所述點雲資料得到幾何空間特徵； <br/>將所述顏色空間特徵與所述幾何空間特徵進行融合處理，獲得融合特徵； <br/>根據所述融合特徵，計算獲得每一組所述二維資料以及每一組所述點雲資料對應之二維圖像。
如請求項3所述之圖像生成算法之訓練方法，其中，由每一組所述二維資料獲得顏色空間特徵：採用全卷積網路算法對所述二維資料進行語義分割。
如請求項1所述之圖像生成算法之訓練方法，其中，提供多組待測目標之點雲資料包括： <br/>提供多組待測目標之點雲資料之三維座標訊息； <br/>提供多組待測目標之點雲資料之光強度訊息； <br/>提供多組待測目標之點雲資料之反射率訊息。
如請求項1所述之圖像生成算法之訓練方法，其中，輸出訓練後之所述圖像生成算法前還包括：驗證所述圖像生成算法之正確率，具體包括： <br/>提供多組測試點雲資料； <br/>將所述測試點雲資料輸入所述圖像生成算法，輸出所述測試點雲資料對應之所述二維圖像； <br/>提供多組所述測試點雲資料之標準圖像資料； <br/>將所述圖像生成算法輸出之所述二維圖像與所述標準圖像資料進行比較； <br/>判斷訓練後之所述圖像生成算法相對於所述標準圖像資料正確率是否大於等於95%； <br/>若訓練後之所述圖像生成算法相對於所述標準圖像資料正確率大於等於95%，則結束訓練，並執行輸出訓練後之所述圖像生成算法之步驟。
如請求項6所述之圖像生成算法之訓練方法，其中，若訓練後之所述圖像生成算法相對於所述標準圖像資料正確率小於95%，則補充所述點雲資料；利用多組待測目標之點雲資料、多組所述二維資料以及對應之多組所述圖像資料，繼續對所述圖像生成算法進行機器學習訓練； <br/>再執行驗證所述圖像生成算法之正確率之步驟。
一種存儲介質，其改良在於，所述存儲介質上存儲有程式，所述程式能夠被處理器執行以實現如請求項1至7中任意一項所述之圖像生成算法之訓練方法。
一種光達，其改良在於，包括： <br/>發射系統，用於將探測信號發射給待測目標； <br/>接收系統，用於接收從所述待測目標反射回之所述探測信號，將所述探測信號轉化為點雲資料； <br/>處理模塊，藉由執行如請求項1至7中任意一項所述之圖像生成算法之訓練方法訓練出之所述圖像生成算法，所述處理模塊用於接收所述點雲資料，並將所述點雲資料轉化為二維圖像。
一種車輛，其改良在於，包括： <br/>本體； <br/>如請求項9所述之光達， <br/>自動駕駛系統，用於接收從所述光達傳輸之所述點雲資料以及所述二維圖像，所述自動駕駛系統用於根據所述點雲資料以及所述二維圖像制訂所述自動駕駛路線。
一種晶粒高壓檢測模組，包括：<br/> 一固定環；<br/> 一活動環，耦接該固定環；<br/> 一基板，耦接該固定環，該基板包括複數探針，其中該固定環、該活動環以及該基板形成一壓力腔，該基板之該些探針位於該壓力腔內；<br/> 複數第一磁鐵，位於該固定環；以及<br/> 複數第二磁鐵，位於該活動環並且分別對應該些第一磁鐵；<br/> 其中當該活動環作用於一載台之一向下作用力大於該壓力腔內之一氣體壓力所提供一氣壓反力時，該活動環抵靠於該載台；及<br/> 對應的該些第一磁鐵及該些第二磁鐵之相對端的極性相同，以產生一斥力，使該向下作用力大於該氣壓反力。
如請求項1所述之晶粒高壓檢測模組，其中該些第一磁鐵及該些第二磁鐵中至少一者為一電磁鐵；該電磁鐵適於受控改變極性，以驅使該活動環可選擇地滑移於一第一位置與一第二位置；響應於該活動環位於該第一位置，該活動環與該載台之間具有一間隙；響應於該活動環位於該第二位置，該活動環抵靠於該載台。
如請求項1所述之晶粒高壓檢測模組，其中該活動環包括：<br/> 一軸向凸部，位於該活動環的底部；該氣壓反力為位於該活動環與該載台間的一外溢氣體作用於該軸向凸部所產生之力。
如請求項3所述之晶粒高壓檢測模組，其中其中該活動環更包括一徑向內凸部，該徑向內凸部凸伸於該活動環之內環周表面。
如請求項3所述之晶粒高壓檢測模組，更包括一氣密件，設置於該軸向凸部，當該活動環抵靠於該載台時，該氣密件位於該活動環與該載台之間。
如請求項1所述之晶粒高壓檢測模組，更包括一密封環，位於該固定環的一凹槽，該密封環的二側分別抵接該固定環與該活動環。
一種晶粒高壓檢測設備，包括如請求項1至6中任一項所述之晶粒高壓檢測模組以及該載台，該載台位於該活動環的下方。
如請求項7所述之晶粒高壓檢測設備，其中響應於該活動環實質接觸該載台，該載台受控朝向該固定環移動，以使該些探針電性連接一待測裸晶粒。
一種用於形成一電晶體的方法，包括以下步驟： 在一主動區的多個相對側的一基板中形成多個隔離區；<br/> 在該主動區中的該些隔離區之間形成一閘極介電層；<br/> 在該閘極介電層上方形成一閘電極，形成該閘電極的步驟包含：<br/> 形成一多晶矽層；<br/> 用一第一摻雜劑類型摻雜該多晶矽層的部分，以形成帶有一第一工作函數的一或多個第一區；及<br/> 用相反的一第二摻雜劑類型摻雜該多晶矽層的另一部分，以形成帶有相反的一第二工作函數的一或多個第二區；及<br/> 在該主動區中的該閘極介電層的多個相對側形成多個源極/汲極電極。
如請求項1所述之方法，其中該基板包括鎵或鎘。
如請求項1所述之方法，其中該一或多個第一區一起具有比該一或多個第二區一起更大的一面積。
如請求項1所述之方法，其中該一或多個第二區位於該些隔離區及該主動區上方。
如請求項1所述之方法，其中在一矽局部氧化操作中同時形成該些隔離區及該閘極介電層。
如請求項1所述之方法，進一步包括以下步驟：<br/> 在該基板上方形成一第一絕緣層；<br/> 穿過該第一絕緣層到達該些源極/汲極電極及該閘電極蝕刻多個開口；及<br/> 用一導電材料填充該些開口以形成至少一個源極通孔、至少一個汲極通孔及至少一個閘極通孔。
如請求項6所述之方法，進一步包括以下步驟：<br/> 在該第一絕緣層上方形成一第二絕緣層；<br/> 蝕刻該第二絕緣層以在該至少一個源極通孔、該至少一個汲極通孔及該至少一個閘極通孔上方形成多個墊；及<br/> 用一導電材料填充該些墊以形成一源極端、一汲極端及一閘極端。
一種電晶體，包括：<br/> 一基板，帶有在兩個源極/汲極電極之間延伸的一或多個主動區；<br/> 多個隔離區，位於該主動區的多個相對側；<br/> 一閘極介電層，位於該兩個源極/汲極電極之間的該一或多個主動區上方，其中該些隔離區及該閘極介電層係在一矽局部氧化操作中同時形成且直接相連；及<br/> 一閘電極，位於該閘極介電層上方；<br/> 其中該閘電極包括帶有一第一工作函數的一或多個第一區及帶有相反的一第二工作函數的一或多個第二區。
一種用於操作一電晶體的方法，包括以下步驟：<br/> 形成一閘電極，包含：<br/> 形成一多晶矽層；<br/> 用一第一摻雜劑類型摻雜該多晶矽層的部分，以形成帶有一第一工作函數的一或多個第一區；及<br/> 用相反的一第二摻雜劑類型摻雜該多晶矽層的另一部分，以形成帶有相反的一第二工作函數的一或多個第二區；<br/> 改變去往一閘電極的一電壓訊號以打開兩個源極/汲極電極之間的一通道；<br/> 其中該一或多個第一區及該一或多個第二區位於在多個隔離區與一主動區之間形成的多個拐角上方。
如請求項9所述之方法，其中該第一工作函數為一n型工作函數，而該第二工作函數為一p型工作函數；或<br/> 其中該第一工作函數為一p型工作函數，而該第二工作函數為一n型工作函數。
一種電路板組件標注方法，其中所述電路板組件標注方法包括： 獲取所述電路板組件的圖像和所述電路板組件的測試參數資訊；所述測試參數資訊包括所述電路板組件的尺寸參數、所述電路板組件的測試點參數以及與每一測試點對應的編號；<br/> 基於所述電路板組件的尺寸參數生成與所述電路板組件對應的外框圖形；<br/> 基於所述電路板組件的尺寸參數和測試點參數確定與每一所述測試點對應的編號的位置；<br/> 基於所述外框圖形、所述電路板組件的測試點參數以及與每一所述測試點對應的編號的位置，生成與所述電路板組件對應的標注圖；<br/> 基於所述電路板組件的圖像和所述標注圖生成所述電路板組件的測試點標注圖片，包括：<br/> 對所述電路板組件的圖像進行縮小或放大；<br/> 將縮小或放大後的所述電路板組件的圖像與所述標注圖重合，生成所述電路板組件的測試點標注圖片。
如請求項1所述之電路板組件標注方法，其中所述電路板組件的尺寸參數包括定位點坐標、外框邊界點坐標和外框倒角坐標，所述基於所述電路板組件的尺寸參數生成與所述電路板組件對應的外框圖形，包括：<br/> 基於所述定位點坐標、所述外框邊界點坐標和所述外框倒角坐標生成與所述電路板組件對應的外框圖形。
如請求項1所述之電路板組件標注方法，其中所述測試點參數包括測試點坐標，所述基於所述電路板組件的尺寸參數和測試點參數確定與所述每一測試點對應的編號的位置，包括：<br/> 在所述電路板組件外框圖形外生成多個預設編號點；多個所述預設編號點沿所述電路板組件外框圖形的長度方向或寬度方向依次間隔排列；<br/> 計算所述測試點與每一空閒的預設編號點的連線的斜率，確定斜率絕對值最小或斜率絕對值最大的連線對應的第一預設編號點為所述測試點對應的編號位置，並將所述第一預設編號點設置為非空閒。
如請求項1所述之電路板組件標注方法，其中所述測試點的數量為多個，所述測試點參數包括測試點坐標，所述基於所述電路板組件的尺寸參數和測試點參數確定與每一所述測試點對應的編號的位置，還包括： 基於所述測試點坐標將多個所述測試點分為多個群組；<br/> 基於每一群組中的測試點坐標和所述電路板組件的尺寸參數確定與每一群組中的測試點對應的編號的位置。
如請求項4所述之電路板組件標注方法，其中在所述確定與每一群組中的測試點對應的編號的位置之後，所述方法還包括：<br/> 在所述測試點和所述測試點對應的編號位置之間生成連接線；<br/> 若所述連接線與其他連接線存在交點，將所述測試點放入待處理群組；<br/> 基於所述待處理群組中的測試點坐標和所述電路板組件的尺寸參數確定與待處理群組中的測試點對應的編號的位置。
如請求項1所述之電路板組件標注方法，其中所述電路板組件標注方法還包括：<br/> 獲取預設標注表；所述預設標注表包括需要進行標注的測試點；<br/> 基於所述電路板組件的尺寸參數和所述預設標注表中的測試點參數確定與所述預設標注表中的測試點對應的編號的位置。
如請求項1所述之電路板組件標注方法，其中所述電路板組件的圖像包括所述電路板組件的拍攝圖片或所述電路板組件的設計圖形。
一種電腦存儲介質，其中所述電腦存儲介質存儲有電腦程式，所述電腦程式包括程式指令，所述程式指令被處理器執行，用以執行如請求項1至7中任一項所述之電路板組件標注方法。
一種電子設備，其中所述電子設備包括：<br/> 存儲裝置，其上存儲有電腦程式；<br/> 處理裝置，用於執行所述存儲裝置中的所述電腦程式，以實現如請求項1至7中任一項所述之電路板組件標注方法。
一種電路板組件標注系統，其中所述電路板組件標注系統包括圖像獲取模組、主控模組和影像處理模組；<br/> 所述圖像獲取裝置用於採集待測試電路板組件的圖像；<br/> 所述主控模組用於獲取所述電路板組件的圖像和所述電路板組件的測試參數資訊；所述測試參數資訊包括所述電路板組件的尺寸參數、所述電路板組件的測試點參數以及與每一測試點對應的編號；<br/> 所述主控模組還用於基於所述電路板組件的尺寸參數生成與電路板組件對應的外框圖形；以及，基於所述電路板組件的尺寸參數和測試點參數確定與所述每一測試點對應的編號的位置；<br/> 所述主控模組還用於基於所述電路板組件外框圖形、所述電路板組件的測試點參數以及與每一所述測試點對應的編號的位置，生成所述電路板組件的標注圖；<br/> 所述影像處理模組用於基於所述電路板組件的圖像和所述標注圖生成所述電路板組件的測試點標注圖片，包括：<br/> 所述影像處理模組對所述電路板組件的圖像進行縮小或放大；<br/> 所述影像處理模組將縮小或放大後的所述電路板組件的圖像與所述標注圖重合，生成所述電路板組件的測試點標注圖片。
一種顯示驅動電路，包含有：<br/> 一接收單元，用來透過相同的一傳輸介面從一主處理器接收一原始影像資料及一補償資料；<br/> 一記憶體，用來儲存該補償資料；以及<br/> 一補償電路，耦接於該記憶體及該接收單元，用來從該記憶體讀出該補償資料，並利用該補償資料來補償該原始影像資料以產生一第一補償影像資料；<br/> 其中，該補償資料包含有一累積應力值或一烙印補償值。
如請求項1所述之顯示驅動電路，其中該補償資料包含有該累積應力值，且該顯示驅動電路另包含有：<br/> 一應力補償轉換單元，耦接於該記憶體，用來將該累積應力值轉換成該烙印補償值。
如請求項1所述之顯示驅動電路，其中該補償資料包含有該烙印補償值，且該補償電路利用該烙印補償值及一像素級校正補償值來補償該原始影像資料。
如請求項3所述之顯示驅動電路，其中該補償電路利用該烙印補償值來補償該原始影像資料以產生該第一補償影像資料，並利用該像素級校正補償值來補償該第一補償影像資料以產生一第二補償影像資料。
如請求項1所述之顯示驅動電路，其中該補償資料包含有一主要補償值，且該補償電路利用該主要補償值及一附屬補償值來補償該原始影像資料。
如請求項5所述之顯示驅動電路，其中該主要補償值係以一第一頻率取得，且該附屬補償值係以一第二頻率取得，該第二頻率大於該第一頻率。
一種主處理器，包含有：<br/> 一應力累積單元，用來根據一原始影像資料來產生一應力值，並累積該應力值以產生一累積應力值；以及<br/> 一傳輸單元，耦接於該應力累積單元，用來透過相同的一傳輸介面傳送對應於該累積應力值之一補償資料並傳送該原始影像資料至一顯示驅動電路。
如請求項7所述之主處理器，其中該補償資料包含有該累積應力值或由該累積應力值產生的一烙印補償值。
如請求項8所述之主處理器，另包含有：<br/> 一應力補償轉換單元，耦接於該應力累積單元及該傳輸單元之間，用來將該累積應力值轉換成該烙印補償值。
如請求項8所述之主處理器，其中該應力累積單元另用來接收該烙印補償值，並根據一補償影像資料來產生該應力值，該補償影像資料係由透過該烙印補償值補償的該原始影像資料所產生。
如請求項7所述之主處理器，其中該補償資料包含有一主要補償值及一附屬補償值。
如請求項11所述之主處理器，其中該傳輸單元係以一第一頻率傳送該主要補償值，並以一第二頻率傳送該附屬補償值，該第二頻率大於該第一頻率。
如請求項7所述之主處理器，另包含有：<br/> 一像素編排轉換單元，耦接於該應力累積單元，用來將該原始影像資料轉換成與該顯示驅動電路所控制的一顯示面板相對應的一像素資料；<br/> 其中，該應力累積單元根據該像素資料來產生該應力值。
如請求項7所述之主處理器，其中該應力累積單元另用來接收一像素級校正補償值，並根據一補償影像資料來產生該應力值，該補償影像資料係由透過該像素級校正補償值補償的該原始影像資料所產生。
如請求項7所述之主處理器，其中該應力累積單元係以一像素或一子像素為單位來累積該應力值。
一種顯示系統，包含有：<br/> 一主處理器，包含有：<br/> 一應力累積單元，用來根據一原始影像資料來產生一應力值，並累積該應力值以產生一累積應力值；以及<br/> 一傳輸單元，耦接於該應力累積單元，用來透過相同的一傳輸介面輸出對應於該累積應力值之一補償資料並輸出該原始影像資料；以及<br/> 一顯示驅動電路，包含有：<br/> 一接收單元，用來透過相同的該傳輸介面從該主處理器接收該原始影像資料及該補償資料；<br/> 一記憶體，用來儲存該補償資料；以及<br/> 一補償電路，耦接於該記憶體及該接收單元，用來從該記憶體讀出該補償資料，並利用該補償資料來補償該原始影像資料以產生一補償影像資料。
如請求項16所述之顯示系統，其中該補償資料包含有該累積應力值或由該累積應力值產生的一烙印補償值。
如請求項16所述之顯示系統，其中該補償資料包含有一烙印補償值，且該補償電路利用該烙印補償值及一像素級校正補償值來補償該原始影像資料。
如請求項16所述之顯示系統，其中該應力累積單元另用來接收一烙印補償值，並根據該補償影像資料來產生該應力值，該補償影像資料係由透過該烙印補償值補償的該原始影像資料所產生。
一種氧化渣組合物，包含：20重量份至36重量份的氧化鈣(CaO)；14重量份至18重量份的氧化矽(SiO <sub>2</sub>)；18重量份至23重量份的氧化鋁(Al <sub>2</sub>O <sub>3</sub>)；7重量份至8.5重量份的氧化鎂(MgO)；以及20重量份至36重量份的氧化鐵(FeO)，其中氧化鈣(CaO)、氧化鋁(Al <sub>2</sub>O <sub>3</sub>)與氧化鎂(MgO)的重量份總和對氧化矽(SiO <sub>2</sub>)的重量份之比值為2.6至4.6。
如請求項1所述之氧化渣組合物，其中該氧化渣組合物的鹼度為1.3至2.5。
如請求項1所述之氧化渣組合物，其中氧化鈣(CaO)、氧化鋁(Al <sub>2</sub>O <sub>3</sub>)與氧化鎂(MgO)的重量份總和對氧化矽(SiO <sub>2</sub>)的重量份之比值為2.7至4.5。
如請求項1所述之氧化渣組合物，其中氧化鈣(CaO)係21重量份至36重量份，氧化矽(SiO <sub>2</sub>)係14.5重量份至17重量份，氧化鋁(Al <sub>2</sub>O <sub>3</sub>)係18重量份至22重量份，氧化鎂(MgO)係7.5重量份至8.5重量份，氧化鐵係21重量份至36重量份。
如請求項1所述之氧化渣組合物，具有一結晶相，該結晶相具有：5%至25%之矽鋁酸鈣(Ca <sub>2</sub>Al <sub>2</sub>SiO <sub>7</sub>)晶體結構；10%至25%之矽酸鈣(Ca <sub>2</sub>SiO <sub>4</sub>) 晶體結構；以及60%至80%之氧化鐵(FeO) 晶體結構。
一種氧化渣組合物的形成方法，包含：將一造渣劑組合物與一廢鋼導入一電弧爐中進行煉鋼熔煉以形成一熔渣前驅物與一鋼液，該熔渣前驅物懸浮於該鋼液上；加熱該熔渣前驅物，使該熔渣前驅物反應形成一熔融態氧化渣；在一還原物質的存在下，使該熔融態氧化渣反應形成一氧化碳氣體，且該一氧化碳氣體使該熔融態氧化渣的表面生成一氧化渣發泡層；以及冷卻該氧化渣發泡層以獲得請求項1所述的氧化渣組合物。
如請求項6所述之氧化渣組合物的形成方法，其中加熱該熔渣前驅物的溫度為1400℃至1800℃。
如請求項6所述之氧化渣組合物的形成方法，其中該廢鋼包含碳鋼、合金鋼、直接還原鐵或其組合。
如請求項6所述之氧化渣組合物的形成方法，其中該還原物質包含焦炭、煤炭、煤氣、天然氣或其組合。
一種對接裝置，用以移載載具，所述對接裝置包括：<br/> 一第一升降機構，所述第一升降機構包含至少一第一動力源、至少一升降件及多個定位件，所述至少一升降件連接於所述至少一第一動力源，所述至少一升降件能受所述至少一第一動力源驅動而升降移動，使所述載具能進行第一段的升降，該些定位件設置於所述至少一升降件上，該些定位件能用以承載及定位所述載具；以及<br/> 一第二升降機構，所述第二升降機構包含至少一第二動力源、一升降座、一平移機構及一升降平台，所述升降座連接於所述至少一第二動力源，所述升降平台能用以承載所述載具，所述至少一第二動力源能驅動所述升降座升降，用以帶動所述平移機構及所述升降平台升降移動，使所述載具能進行第二段的升降，所述平移機構設置於所述升降座及所述升降平台之間，所述平移機構能驅動所述升降平台平移，使所述升降平台及所述載具能移動至一設備的出入口處，或離開所述設備的出入口處；<br/> 其中所述升降平台設置至少一鎖扣機構，所述鎖扣機構包含一鎖扣動力源及一鎖扣件，所述鎖扣件連接於所述鎖扣動力源，所述鎖扣動力源能驅動所述鎖扣件轉動，用以鎖扣放置在所述升降平台上的所述載具。
如請求項1所述的對接裝置，其中所述第二升降機構的上方處設置一壓制機構，所述壓制機構包含一第一壓制動力源、一第二壓制動力源及一壓制件，所述第二壓制動力源連接於所述第一壓制動力源，所述壓制件連接於所述第二壓制動力源，所述第一壓制動力源能驅動所述第二壓制動力源及所述壓制件下降，所述第二壓制動力源能驅動所述壓制件水平移動，使所述壓制件能壓制所述載具。
如請求項1所述的對接裝置，其中所述升降平台設置多個感測器，該些感測器能用以偵測所述載具的定位。
如請求項1所述的對接裝置，其中所述升降座及所述升降平台之間設置有至少一平移滑軌，所述平移滑軌水平設置，所述平移滑軌能導引所述升降平台前後移動。
如請求項1所述的對接裝置，其中所述至少一升降件各包含兩臂體，所述兩臂體間隔的設置，該些定位件分別設置於該些臂體上，該些定位件為氣浮盤。
如請求項1所述的對接裝置，其中所述第一升降機構包含兩所述升降件，兩所述升降件間隔的設置，所述升降座、所述平移機構及所述升降平台的寬度皆小於兩所述升降件的間距。
如請求項1所述的對接裝置，其中所述載具具有一蓋板，所述蓋板能選擇性的開啟及關閉，所述設備的出入口處設置一開蓋機構，所述開蓋機構包含一下拉單元、一座體及多個吸盤組，所述下拉單元連接於所述座體，該些吸盤組設置於所述座體上，該些吸盤組能用以吸住所述載具的蓋板，所述下拉單元能驅動所述座體下降，使該些吸盤組能帶動所述載具的蓋板，使所述載具開啟。
如請求項7所述的對接裝置，其中所述開蓋機構還包含至少一開鎖裝置，所述開鎖裝置設置於所述座體上，所述開鎖裝置包含一開鎖驅動單元及至少一開鎖件，所述開鎖驅動單元連接於所述至少一開鎖件，所述開鎖驅動單元能驅動所述至少一開鎖件轉動，對所述載具進行開鎖動作。
一種液體與粉末混合裝置，供一粉末混入一滴瓶的一溶液中，該液體與粉末混合裝置包括有：<br/> 一粉末瓶，該粉末瓶具有一供存放該粉末的混合空間與一連通該混合空間的瓶口；<br/> 一瓶塞，該瓶塞具有一塞體、一貫穿該塞體的通道與一連接該塞體而封閉該通道的頂部，該塞體塞入該瓶口內並讓該頂部頂靠於該瓶口上，該頂部具有一對準該通道的穿刺區與一預切槽，且該混合空間呈負壓狀態而導致該穿刺區凹陷，該穿刺區供該滴瓶的一滴液口刺穿，該預切槽設置於該頂部相鄰該通道的一側且對應該穿刺區，且該瓶塞具有一連接該塞體且供伸入該瓶口內的襯片，該襯片於相鄰該瓶口的表面設置複數止滑凸點，該複數止滑凸點為環狀排列為兩列，且不同列的該複數止滑凸點具有不同的外形；以及<br/> 一保持套，該保持套具有一第一套環與一連接該第一套環的第二套環，該第一套環的管徑對應該粉末瓶且設置一第一固定部，該粉末瓶固定於該第一固定部上，該第二套環的管徑對應該滴瓶且設置一第二固定部，該滴瓶可拆卸地固定於該第二固定部上後，該滴液口同時刺穿該穿刺區，並伸入該通道且連通該混合空間。
如請求項1所述的液體與粉末混合裝置，其中更包含一蓋體，該蓋體可拆卸地遮蔽封閉該第二套環遠離該第一套環的一端，且該蓋體具有一卡制固定該第二套環的帽緣。
如請求項1所述的液體與粉末混合裝置，其中該襯片於相對兩側分別具有一延伸至相鄰該塞體的缺槽。
如請求項1所述的液體與粉末混合裝置，其中該頂部具有一標示該穿刺區的標示記號。
如請求項1所述的液體與粉末混合裝置，其中該第一固定部為形成於該第一套環之內側的一凸緣，且該凸緣供卡制固定該粉末瓶之該瓶口。
如請求項1所述的液體與粉末混合裝置，其中該第二固定部為形成於該第二套環之內側的一內螺紋，而該滴瓶具有一對應該內螺紋的外螺紋。
一種與爐具連動的除油煙機，包括：<br/> 一排氣電路；<br/> 一連動電路；以及<br/> 一控制電路，連接於所述排氣電路及所述連動電路，所述控制電路透過所述連動電路取得一爐具的一連動訊息，並根據所述連動訊息控制所述排氣電路的一運轉模式；<br/> 其中當所述連動訊息為所述爐具提供的一已置鍋訊息時，所述控制電路根據所述連動訊息中的一爐具加熱工作狀態相對控制所述運轉模式中的運轉風速為可變；<br/> 其中當所述連動訊息為所述爐具提供的一未置鍋訊息時，所述控制電路控制所述運轉模式中的運轉風速為固定；<br/> 其中所述爐具加熱工作狀態為所述爐具操作於一自動加熱模式，所述控制電路根據所述自動加熱模式的種類不同而相對控制所述運轉模式以不同運轉風速運轉；<br/> 其中當所述自動加熱模式為一第一自動烹煮模式，所述控制電路根據所述連動訊息取得一料理溫度，所述料理溫度於小於一第一預設溫度時，所述控制電路控制所述運轉模式的運轉風速為一第一運轉風速，所述料理溫度於大於所述第一預設溫度時，所述控制電路控制所述運轉模式的運轉風速為一第二運轉風速，所述第二運轉風速大於所述第一運轉風速。
如請求項1所述的與爐具連動的除油煙機，其中當所述自動加熱模式為一第二自動烹煮模式，所述控制電路控制所述運轉模式的運轉風速為一第三運轉風速，所述控制電路根據所述連動訊息取得所述料理溫度，當所述料理溫度於大於一第二預設溫度時，所述控制電路控制所述運轉模式的運轉風速為一第四運轉風速，所述第二預設溫度大於所述第一預設溫度，所述第三運轉風速大於所述第二運轉風速且小於所述第四運轉風速。
如請求項2所述的與爐具連動的除油煙機，其中當所述爐具操作於所述第一自動烹煮模式時，所述料理溫度為一鍋底溫度；當所述爐具操作於所述第二自動烹煮模式時，所述料理溫度為所述鍋底溫度或由所述控制電路透過一溫度偵測電路或一熱影像偵測電路取得的所述鍋底溫度。
如請求項1所述的與爐具連動的除油煙機，其中所述爐具加熱工作狀態為所述爐具操作於一手動加熱模式，所述控制電路根據所述手動加熱模式的加熱不同而相對控制所述運轉模式以不同運轉風速運轉。
如請求項4所述的與爐具連動的除油煙機，其中當所述手動加熱模式為操作於加熱轉大時，所述控制電路控制所述運轉模式中的提升運轉風速並持續運轉一第一預設時間後，所述控制電路控制所述運轉模式中的運轉風速根據所述連動訊息取得一料理溫度進行對應控制；其中當所述手動加熱模式為未操作於加熱轉大時，所述控制電路控制所述運轉模式中的運轉風速根據所述連動訊息取得所述料理溫度進行對應控制。
如請求項5所述的與爐具連動的除油煙機，其中當所述料理溫度是在一第一自動烹煮溫度區間時，所述控制電路於所述料理溫度與小於所述第一自動烹煮溫度區間的一第一預設溫度時，所述控制電路控制所述運轉模式的運轉風速為一第一運轉風速，所述控制電路於所述料理溫度與大於所述第一自動烹煮溫度區間的所述第一預設溫度時，所述控制電路控制所述運轉模式的運轉風速為一第二運轉風速，所述第二運轉風速大於所述第一運轉風速；所述控制電路於所述料理溫度大於所述第一自動烹煮溫度區間且小於一第二預設溫度時，所述控制電路控制所述運轉模式的運轉風速為一第三運轉風速，所述控制電路於所述料理溫度大於所述第一自動烹煮溫度區間且大於所述第二預設溫度時，所述控制電路控制所述運轉模式的運轉風速為一第四運轉風速，所述第三運轉風速大於所述第二運轉風速且小於所述第四運轉風速。
如請求項1 所述的與爐具連動的除油煙機，更包括一顯示電路及一警示電路，所述控制電路連接於所述顯示電路及所述警示電路，所述控制電路根據所述連動訊息取得一料理溫度，並將所述料理溫度顯示於顯示電路，當所述料理溫度等於一料理溫度時，所述控制電路控制所述警示電路輸出一料理警示訊息，當所述料理溫度等於一高溫溫度時，所述控制電路控制所述警示電路輸出一高溫警示訊息，其中所述排氣電路包括一驅動電路及一風扇電路，所述驅動電路接收所述控制電路輸出的一風速驅動訊號，並根據所述風速驅動訊號驅動所述風扇電路運轉，所述連動電路為有線通訊電路、無線通訊電路或影像辨識電路。
一種與爐具連動的除油煙機之控制方法，包括：<br/> 取得一爐具的一連動訊息，並根據所述連動訊息控制所述除油煙機的一排氣電路的一運轉模式；<br/> 當所述連動訊息為所述爐具提供的一已置鍋訊息時，所述除油煙機根據所述連動訊息中的一爐具加熱工作狀態相對控制所述運轉模式中的運轉風速為可變；以及<br/> 當所述連動訊息為所述爐具提供的一未置鍋訊息時，所述除油煙機控制所述運轉模式中的運轉風速為固定；<br/> 當所述爐具加熱工作狀態為所述爐具操作於一自動加熱模式，所述除油煙機根據所述自動加熱模式的種類不同而相對控制所述運轉模式以不同運轉風速運轉；<br/> 當所述自動加熱模式為一第一自動烹煮模式，所述除油煙機根據所述連動訊息取得一料理溫度，所述料理溫度於小於一第一預設溫度時，所述除油煙機控制所述運轉模式的運轉風速為一第一運轉風速，所述料理溫度於大於所述第一預設溫度時，所述除油煙機控制所述運轉模式的運轉風速為一第二運轉風速，所述第二運轉風速大於所述第一運轉風速。
如請求項8所述的與爐具連動的除油煙機之控制方法，更包括：<br/> 當所述爐具加熱工作狀態為所述爐具操作於一手動加熱模式，所述除油煙機根據所述手動加熱模式的加熱不同而相對控制所述運轉模式以不同運轉風速。
如請求項9所述的與爐具連動的除油煙機之控制方法，更包括：<br/> 當所述自動加熱模式為一第二自動烹煮模式，所述除油煙機控制所述運轉模式的運轉風速為一第三運轉風速，所述除油煙機根據所述連動訊息取得所述料理溫度，當所述料理溫度於大於一第二預設溫度時，所述除油煙機控制所述運轉模式的運轉風速為一第四運轉風速，所述第二預設溫度大於所述第一預設溫度，所述第三運轉風速大於所述第二運轉風速且小於所述第四運轉風速；以及<br/> 當所述爐具操作於所述第一自動烹煮模式時，所述料理溫度為一鍋底溫度；當所述爐具操作於所述第二自動烹煮模式時，所述料理溫度為所述鍋底溫度或由所述除油煙機透過一溫度偵測電路或一熱影像感測電路取得的一鍋內溫度。
如請求項10所述的與爐具連動的除油煙機之控制方法，更包括：<br/> 當所述手動加熱模式為操作於加熱轉大時，所述除油煙機控制所述運轉模式中的提升運轉風速並持續運轉一第一預設時間後，所述除油煙機控制所述運轉模式中的運轉風速根據所述連動訊息取得一料理溫度進行對應控制；<br/> 當所述手動加熱模式為未操作於加熱轉大時，所述除油煙機控制所述運轉模式中的運轉風速根據所述連動訊息取得所述料理溫度進行對應控制。
如請求項11所述的與爐具連動的除油煙機之控制方法，更包括：<br/> 當所述手動加熱模式為未操作於加熱轉大時，所述料理溫度是在一第一自動烹煮溫度區間時，所述除油煙機於所述料理溫度與小於所述第一自動烹煮溫度區間的一第一預設溫度時，所述除油煙機控制所述運轉模式的運轉風速為一第一運轉風速，所述除油煙機於所述料理溫度與大於所述第一自動烹煮溫度區間的所述第一預設溫度時，所述除油煙機控制所述運轉模式的運轉風速為一第二運轉風速，所述第二運轉風速大於所述第一運轉風速；<br/> 當所述除油煙機於所述料理溫度大於所述第一自動烹煮溫度區間且小於一第二預設溫度時，所述除油煙機控制所述運轉模式的運轉風速為一第三運轉風速，所述除油煙機於所述料理溫度大於所述第一自動烹煮溫度區間且大於所述第二預設溫度時，所述除油煙機控制所述運轉模式的運轉風速為一第四運轉風速，所述第三運轉風速大於所述第二運轉風速且小於所述第四運轉風速。
如請求項10所述的與爐具連動的除油煙機之控制方法，更包括：<br/> 根據所述連動訊息取得所述料理溫度，並將所述料理溫度顯示於所述除油煙機的一顯示電路；<br/> 當所述料理溫度等於一預設料理溫度時，所述除油煙機控制一警示電路輸出一料理警示訊息；<br/> 當所述料理溫度等於一預設高溫溫度時，所述除油煙機控制所述警示電路輸出一高溫警示訊息。
一種中顏面擴張器裝置，其包括：<br/> 一第一擴張器本體包括具有一第一側以及與該第一側相對的一第二側的一第一基座，一第一套筒從該第一基座之該第一側延伸，且一第一對準桿從該第一基座之該第二側延伸，其中該第一套筒平行於該第一對準桿，且其中該第一基座包括一第一螺紋孔；<br/> 安置成平行於該第一擴張器本體的一第二擴張器本體包括具有一第一側以及與該第一側相對的一第二側的一第二基座，一第二套筒從該第二基座之該第二側延伸，且一第二對準桿從該第二基座之該第一側延伸，其中該第一套筒配置來接收該第二對準桿，且該第二套筒配置來接收該第一對準桿，且其中該第二基座包括與該第一基座之該第一螺紋孔同軸且平行於該等對準桿之一軸線的一第二螺紋孔；<br/> 一可調節式擴張螺釘組件在該第一擴張器本體與該第二擴張器本體之間延伸；<br/> 配置來支撐該第一擴張器本體的一第一錨本體，其中該第一錨本體包括一第一基座部分，且一第一支撐部分從該第一基座部分之一周邊之至少一部分延伸並界定一第一腔，其中該第一腔配置來支撐該第一擴張器本體之該第一基座，以及<br/> 配置來支撐該第二擴張器本體的一第二錨本體，其中該第一錨本體及該第二錨本體配置來經由一或多個錨螺釘將該裝置固定至患者的上頜骨，其中該第二錨本體包括一第二基座部分，且一第二支撐部分從該第二基座部分之一周邊之至少一部分延伸並界定一第二腔，其中該第二腔配置來支撐該第二擴張器本體之該第二基座。
如請求項1所述之裝置，其中每一基座部分包括一第一側、與該第一側相對的一第二側、一第三側、與該第三側相對的一第四側，其中每一支撐部分包括一前支撐部分及一側支撐部分，其中該前支撐部分從該第一基座部分之該第一側延伸，且該側支撐部分從該第一基座部分之該第三側延伸，其中該側支撐部分包括一或多個間隙以允許對準桿及套筒通過。
如請求項2所述之裝置，其中該前支撐部分配置來支撐至少一暫時性錨定組件，且一後支撐部分配置來支撐至少一暫時性錨定組件，其中每一暫時性錨定組件包括一中空鎖定件及一暫時性錨定螺釘，其中該中空鎖定件包括一圓柱形部分，其包括在該中空鎖定件之一內側處的複數個第一螺紋，且其中該暫時性錨定螺釘包括一頭部分，其具有在一外側處的複數個第二螺紋，其中該暫時性錨定螺釘配置來在該暫時性錨定螺釘之該等第二螺紋旋擰至該中空鎖定件之該等第一螺紋上時與該中空鎖定件鎖定。
如請求項3所述之裝置，其中該前支撐部分及該後支撐部分中之至少一者配置來支撐至少一暫時性錨定組件，其中每一暫時性錨定組件包括一中空鎖定件及一暫時性錨定螺釘，其中該中空鎖定件包括一圓柱形部分，其包括在該中空鎖定件之一內側處的複數個第一螺紋，且其中該暫時性錨定螺釘包括一頭部分，其具有在一外側處的複數個第二螺紋，其中該暫時性錨定螺釘配置來在該暫時性錨定螺釘之該等第二螺紋旋擰至該中空鎖定件之該等第一螺紋上時與該中空鎖定件鎖定。
如請求項4所述之裝置，其進一步包括附接至該第一錨本體之一外側的一第一支撐件，其中該外側界定該第一錨本體之一外表面，其與該第一套筒及該第一對準桿之一側相對，其中該第一支撐件配置來成角度地支撐至少兩個暫時性錨定組件，以及<br/> 附接至該第二錨本體之一外側的一第二支撐件，其中該第二支撐件配置來成角度地支撐至少兩個暫時性錨定組件，其中該第二錨本體之該外側界定該第二錨本體之一外表面，其與該第二套筒及該第二對準桿之一側相對，<br/> 其中每一暫時性錨定組件包括一中空鎖定件及一暫時性錨定螺釘，其中該中空鎖定件包括一圓柱形部分，其包括在該中空鎖定件之一內側處的複數個第一螺紋，且其中該暫時性錨定螺釘包括一頭部分，其具有在一外側處的複數個第二螺紋，其中該暫時性錨定螺釘配置來在該暫時性錨定螺釘之該等第二螺紋旋擰至該中空鎖定件之該等第一螺紋上時與該中空鎖定件鎖定。
如請求項5所述之裝置，其進一步包括從該第一錨本體及該第二錨本體之該外側延伸的一或多個凸緣件，<br/> 其中該第一支撐件包括一或多個孔，其設置成與凸緣件之排列相配以將該第一錨本體之該等凸緣件接收於其中，以將該第一支撐件固定至該第一錨本體，且<br/> 其中該第二支撐件包括一或多個孔，其設置成與凸緣件之排列相配以將該第二錨本體之該等凸緣件接收於其中，以將該第二支撐件固定至該第二錨本體。
如請求項3所述之裝置，其中每一支撐部分包括分別從該第一基座部分及該第二基座部分之該第二側延伸的一後支撐部分。
如請求項3所述之裝置，其中該前支撐部分及該後支撐部分中之至少一者包括一或多個孔以接收一或多條前牽引線。
如請求項3所述之裝置，其中該前支撐部分配置來支撐至少一暫時性錨定組件，且其中該後支撐部分包括一或多個孔以接收一或多條前牽引線，其中每一暫時性錨定組件包括一中空鎖定件及一暫時性錨定螺釘，其中該中空鎖定件包括一圓柱形部分，其包括在該中空鎖定件之一內側處的複數個第一螺紋，且其中該暫時性錨定螺釘包括一頭部分，其具有在一外側處的複數個第二螺紋，其中該暫時性錨定螺釘配置來在該暫時性錨定螺釘之該等第二螺紋旋擰至該中空鎖定件之該等第一螺紋上時與該中空鎖定件鎖定。
如請求項3所述之裝置，其中該前支撐部分配置來支撐至少一暫時性錨定組件，且其中該後支撐部分配置來支撐至少一暫時性錨定組件，其中該前支撐部分之一頂表面與該後支撐部分之一頂表面相比具有額外的空間，其中每一暫時性錨定組件包括一中空鎖定件及一暫時性錨定螺釘，其中該中空鎖定件包括一圓柱形部分，其包括在該中空鎖定件之一內側處的複數個第一螺紋，且其中該暫時性錨定螺釘包括一頭部分，其具有在一外側處的複數個第二螺紋，其中該暫時性錨定螺釘配置來在該暫時性錨定螺釘之該等第二螺紋旋擰至該中空鎖定件之該等第一螺紋上時與該中空鎖定件鎖定。
如請求項2所述之裝置，其中該側支撐部分配置來支撐至少一暫時性錨定組件，其中每一暫時性錨定組件包括一中空鎖定件及一暫時性錨定螺釘，其中該中空鎖定件包括一圓柱形部分，其包括在該中空鎖定件之一內側處的複數個第一螺紋，且其中該暫時性錨定螺釘包括一頭部分，其具有在一外側處的複數個第二螺紋，其中該暫時性錨定螺釘配置來在該暫時性錨定螺釘之該等第二螺紋旋擰至該中空鎖定件之該等第一螺紋上時與該中空鎖定件鎖定。
如請求項1所述之裝置，其中該擴張螺釘組件包括一中間啟動件、一第一螺紋部分以及一第二螺紋部分，其中該中間啟動件具有一第一側以及與該第一側相對的一第二側，其中該第一螺紋部分從該中間啟動件之該第一側延伸至該第一擴張器本體之該第一螺紋孔，且該第二螺紋部分從該中間啟動件之該第二側延伸至該第二擴張器本體之該第二螺紋孔。
如請求項1所述之裝置，其中該擴張螺釘組件包含一中間啟動件、從該中間啟動件之一端延伸的一第一桿件、以及從該中間啟動件之相對端延伸的一第二桿件，其中該第一桿件及該第二桿件配置來在該中間啟動件內伸縮。
如請求項13所述之裝置，其中該中間啟動件設計為一細長中空件，其中該中間啟動件具有一內部中空部分，其包括沿著其長度之至少一部分延伸的內螺紋，其中該內部中空部分包含一第一中空部分以及從該第一中空部分成整體地延伸的一第二中空部分，其具有不同的內徑，<br/> 其中該第一桿件具備一第一螺紋部分，其具有形成在一外側上的多個螺紋，其中該第二桿件包括設計來配合於該中空部分內的一第一部分，結合一第三中空部分以及沿著其長度之一部分具備多個螺紋的一第二螺紋部分，其中該第二桿件之該第一部分與該中間啟動件之該第二中空部分相配，<br/> 其中該第一桿件穿過該第一中空部分並進入該中間啟動件內之該第二桿件之該第三中空部分，且啟動該中間啟動件導致該第一桿件之該第一螺紋部分及該第二桿件之該第二螺紋部分反向螺合至該第一中空部分及該第二中空部分之內螺紋上，從而有利於伸縮式收縮。
如請求項1所述之裝置，其中該第一擴張器本體包括一或多個第一螺紋組裝孔，且該第一錨本體包括一或多個第二螺紋組裝孔，其中該等第一螺紋組裝孔設置成與該等第二螺紋組裝孔之排列相配，其中該第一擴張器本體之該等第一螺紋組裝孔及該第一錨本體之該等第二螺紋組裝孔經由一或多個組裝螺釘緊固。
如請求項1所述之裝置，其中該第二擴張器本體包括一或多個第三螺紋組裝孔，且該第二錨本體包括一或多個第四螺紋組裝孔，其中該等第三螺紋組裝孔設置成與該等第四螺紋組裝孔之排列相配，其中該第二擴張器本體之該等第三螺紋組裝孔及該第二錨本體之該等第四螺紋組裝孔經由一或多個組裝螺釘緊固。
如請求項1所述之裝置，其中該第一錨本體包括一或多個第一螺紋錨孔，且該第二錨本體包括一或多個第二螺紋錨孔，其中該等第一螺紋錨孔及該等第二螺紋錨孔配置來接收一或多個錨螺釘，以將該裝置固定至患者的上頜骨。
如請求項1所述之裝置，其進一步包括至少兩個第一塊體，其中至少一第一塊體從該第一套筒之一中部分垂直延伸，且至少一第一塊體從該第二套筒之一中部分垂直延伸，其中該等第一塊體沿著錨螺釘之一方向延伸。
如請求項1所述之裝置，其進一步包括至少兩個第二塊體，其中至少一第二塊體從該第一錨本體之該基座部分之一第四側垂直延伸，且至少一第二塊體從該第二錨本體之該基座部分之該第四側垂直延伸，其中該等第二塊體沿著與錨螺釘相反的一方向延伸。
如請求項12所述之裝置，其中該中間啟動件之該第一側及該第二側包括至少一漸縮部分。
如請求項20所述之裝置，其中該中間啟動件具有一六邊形形狀。
如請求項1所述之裝置，其中該第一對準桿及該第二對準桿分別壓入配合連接至該第一擴張器本體及該第二擴張器本體。
一種積體電路，包括：<br/> 基底；<br/> 互連結構，位於所述基底上方且包括電容器底部導線、覆蓋所述電容器底部導線的電容器底部通孔以及訊號導線，其中所述訊號導線與所述電容器底部導線處於同一導電層級且彼此電性隔離；以及<br/> 電容器，覆蓋所述電容器底部通孔且包括朝向所述基底突出的多個溝槽段，其中所述多個溝槽段包括第一溝槽段和第二溝槽段；<br/> 其中所述電容器底部通孔從所述電容器底部導線延伸至所述第一溝槽段，且其中所述第二溝槽段位於所述訊號導線之上並與所述電容器底部通孔及所述訊號導線間隔開。
如請求項1所述的積體電路，其中所述第二溝槽段具有相對於所述電容器底部通孔的頂表面凹陷且相對於所述電容器底部導線的頂表面隆起的底表面。
如請求項1所述的積體電路，其中所述電容器包括形成所述多個溝槽段並且從所述第一溝槽段連續至所述第二溝槽段的底部電極、頂部電極和介電層。
如請求項1所述的積體電路，其中所述多個溝槽段包括位於所述第一溝槽段相對側的第三溝槽段，且其中所述電容器底部導線的寬度小於所述第二溝槽段和所述第三溝槽段之間的間隔。
如請求項1所述的積體電路，其中所述電容器底部通孔的頂表面的寬度大於所述第一溝槽段的寬度。
一種積體電路，包括：<br/> 基底；<br/> 互連結構，位於所述基底上方且包括導電特徵；以及<br/> 電容器，包括底部電極、電容介電層和頂部電極，所述底部電極、所述電容介電層和所述頂部電極共同形成多個溝槽段，所述多個溝槽段朝向所述基底突出且包括第一溝槽段和第二溝槽段；<br/> 其中所述第一溝槽段覆蓋並突出至所述導電特徵，且其中所述第二溝槽段位於所述導電特徵之上並與所述導電特徵間隔開，並具有相對於所述第一溝槽段的底表面凹陷的底表面。
如請求項6所述的積體電路，其中所述底部電極在所述第二溝槽段的一部分僅通過導電路徑與所述互連結構電性耦合，所述導電路徑通過所述第一溝槽段。
如請求項6所述的積體電路，其中所述第一溝槽段的高度小於所述第二溝槽段的高度。
如請求項6所述的積體電路，其中所述第二溝槽段的底表面相對於所述導電特徵的底表面升高。
一種積體電路的製造方法，包括：<br/> 形成覆蓋電容器底部導線的第一介電結構；<br/> 對所述第一介電結構進行蝕刻以形成覆蓋並暴露所述電容器底部導線的通孔開口；<br/> 在所述通孔開口中形成電容器底部通孔；<br/> 形成堆疊在所述電容器底部通孔上方的多個介電結構；<br/> 對所述多個介電結構進行第二次蝕刻以形成多個溝槽，所述多個溝槽包括第一溝槽和第二溝槽，其中所述第一溝槽暴露所述電容器底部通孔，且所述第二溝槽與所述電容器底部通孔間隔；<br/> 沉積電容器膜覆蓋所述多個介電結構並襯覆所述多個溝槽；以及<br/> 圖案化所述電容器膜以在所述多個溝槽中形成電容器，其中所述第一介電結構形成於額外導線之上，所述額外導線具有與所述電容器底部導線的頂表面齊平的頂表面，且其中在所述第二次蝕刻完成時，所述第二溝槽直接位於所述額外導線上方且與所述額外導線間隔開。
一種在銀行內以生成式語言模型提供輔助應答之方法，該方法至少包含下列步驟：<br/> 一銀行內部主機取得一內部知識資料集，該內部知識資料集包含多種內部知識資料，每一內部知識資料對應一知識類型；<br/> 該銀行內部主機使用該內部知識資料集訓練一生成式語言模型；<br/> 一客戶端提供透過語音或文字輸入一提問訊息，並傳送該提問訊息至該銀行內部主機；<br/> 該銀行內部主機透過自然語言處理技術判斷與該提問訊息對應之一該知識類型；<br/> 該銀行內部主機將該提問訊息轉換為一提問向量，並依據該提問向量取得至少一相關資料；<br/> 該銀行內部主機將該至少一相關資料、與該提問訊息對應之一該知識類型、及依據該客戶端之身分識別資料所取得之一角色權限訊息提供給該生成式語言模型，使該生成式語言模型產生與該提問訊息和該角色權限訊息對應之一回應內容；及<br/> 該銀行內部主機傳送該回應內容至該客戶端，該客戶端輸出該回應內容。
如請求項1所述之在銀行內以生成式語言模型提供輔助應答之方法，其中該方法於該銀行內部主機將該提問訊息轉換為該提問向量之步驟前，更包含該銀行內部主機依據與該提問訊息對應之一該知識類型判斷該提問訊息為資料查詢時，查找與該提問訊息對應之一該知識類型對應之該些內部知識資料以產生該回應內容或連線到外部伺服器查詢該回應內容之步驟。
如請求項1所述之在銀行內以生成式語言模型提供輔助應答之方法，其中該銀行內部主機使用該內部知識資料集訓練該生成式語言模型之步驟更包含該銀行內部主機將每一該內部知識資料轉換為固定維度之一向量，並使用該些向量及與各該內部知識資料對應之另一角色權限訊息訓練該生成式語言模型之步驟。
如請求項1所述之在銀行內以生成式語言模型提供輔助應答之方法，其中該客戶端傳送該提問訊息至該銀行內部主機之步驟更包含該客戶端於該提問訊息為一語音訊號時，將該提問訊息轉換為與該語音訊息對應之一文字資料之步驟，及該客戶端輸出該回應內容之步驟更包含該客戶端使用文字轉語音技術將該回應內容轉換為相對應之一語音訊號並播放該語音訊號之步驟。
如請求項1所述之在銀行內以生成式語言模型提供輔助應答之方法，其中該方法於該銀行內部主機使用該內部知識資料集訓練該生成式語言模型之步驟後，更包含該銀行內部主機依據該內部知識資料集使用該生成式語言模型產生一教育訓練資料，並傳送該教育訓練資料至該客戶端顯示之步驟。
一種在銀行內以生成式語言模型提供輔助應答之裝置，提供一客戶端連接，該裝置至少包含：<br/> 一資料取得模組，用以取得一內部知識資料集，該內部知識資料集包含多種內部知識資料，每一該內部知識資料對應一知識類型；<br/> 一模型訓練模組，用以使用該內部知識資料集訓練一生成式語言模型；<br/> 一訊息互動模組，用以接收該客戶端透過語音或文字所輸入之一提問訊息，及用以取得該客戶端之一身分識別資料；<br/> 一類型判斷模組，用以透過自然語言處理技術判斷與該提問訊息對應之一該知識類型；<br/> 一訊息轉換模組，用以將該提問訊息轉換為一提問向量，並依據該提問向量取得至少一相關資料；及<br/> 一回應產生模組，用以依據該身分識別資料取得該客戶端之一角色權限訊息，並將該至少一相關資料、與該提問訊息對應之一該知識類型、及該角色權限訊息提供給該生成式語言模型，使該生成式語言模型產生與該提問訊息和該角色權限訊息對應之一回應內容，該訊息互動模組更用以傳送該回應內容至該客戶端，使該客戶端輸出該回應內容。
如請求項6所述之在銀行內以生成式語言模型提供輔助應答之裝置，其中該回應產生模組更用以依據與該提問訊息對應之一該知識類型判斷該提問訊息為資料查詢時，查找與該提問訊息對應之一該知識類型對應之該些內部知識資料以產生該回應內容或連線到外部伺服器查詢該回應內容。
如請求項6所述之在銀行內以生成式語言模型提供輔助應答之裝置，其中該模型訓練模組是將每一該內部知識資料轉換為固定維度之一向量，並使用該些向量訓練該生成式語言模型。
如請求項8所述之在銀行內以生成式語言模型提供輔助應答之裝置，其中該模型訓練模組更用以使用該些向量及與各該內部知識資料對應之另一角色權限訊息訓練該生成式語言模型。
如請求項6所述之在銀行內以生成式語言模型提供輔助應答之裝置，其中該裝置更包含一教育訓練模組，用以依據該內部知識資料集使用該生成式語言模型產生一教育訓練資料，並傳送該教育訓練資料至該客戶端顯示。
一種開關式支撐機構，適用於雙層光罩容器的內盒基座，包括： <br/>一座體，設置於該內盒基座上； <br/>一支撐件，具有靜電消散材料，該支撐件經該座體穿設至鄰近該內盒基座；及 <br/>一絕緣隔離件，用以隔離該座體與該支撐件之間的接觸，使該支撐件相對於該座體進行往復運動，據以使該支撐件接觸該內盒基座以建立一靜電消散導通路徑、或使該支撐件與該內盒基座間保持有一間距，以關閉該靜電消散導通路徑。
如請求項1的開關式支撐機構，其中，當該支撐件未受到外力時，該支撐件離開該內盒基座，使該支撐件與該內盒基座間保持有該間距以關閉該靜電消散導通路徑；當該支撐件受到外力時，該支撐件接觸該內盒基座以建立該靜電消散導通路徑。
如請求項1的開關式支撐機構，其中，該座體包括一安裝部及貫穿該安裝部與該座體的一安裝孔，該絕緣隔離件包括一抵接部及一連接部，該抵接部抵持著該安裝部的上表面，該連接部通過該安裝孔使該絕緣隔離件固定於該安裝部。
如請求項3的開關式支撐機構，其中，該支撐件包括一承載部、一接觸部、位於該承載部與該接觸部之間的一插銷部，該絕緣隔離件具有連通該安裝孔之一通孔，該插銷部穿設於該通孔與該安裝孔中，使該接觸部鄰近該內盒基座、該承載部位於該抵接部的上表面。
如請求項3的開關式支撐機構，其中，該絕緣隔離件包括至少一安裝結構，位於該連接部外側，該安裝結構通過該安裝孔之一延伸擴孔後，固定於該安裝部的下表面。
如請求項3的開關式支撐機構，其中，該安裝部的該上表面設有一安裝槽，該絕緣隔離件之該連接部設置於該安裝槽中，該抵接部抵持著該安裝槽的周緣上表面，使該絕緣隔離件固定於該安裝部中。
如請求項1的開關式支撐機構，其中，該絕緣隔離件為彈性材質，當施加外力或釋放外力於該支撐件時，該絕緣隔離件相應呈現彈性壓縮形變或彈性釋放復位，讓該支撐件進行往復運動。
如請求項1的開關式支撐機構，更包括一絕緣防脫出元件，設置於該座體與該支撐件之間，避免該支撐件脫離該座體與該絕緣隔離件之間。
如請求項8的開關式支撐機構，其中，該支撐件包括一承載部、一接觸部、位於該承載部與該接觸部之間的一插銷部，該絕緣防脫出元件套設於該插銷部上。
如請求項1的開關式支撐機構，其中： <br/>該座體包括一安裝部及貫穿該安裝部與該座體的一安裝孔，該安裝部的上表面設有一安裝槽； <br/>該支撐件包括一承載部、一接觸部、以及位於該承載部與該接觸部之間的一插銷部； <br/>該絕緣隔離件設置於該安裝槽中，該絕緣隔離件具有連通該安裝孔之一通孔，該插銷部穿設於該通孔與該安裝孔中，使該接觸部鄰近該內盒基座、該承載部的下表面位於該絕緣隔離件的上表面。
如請求項1的開關式支撐機構，其中，該支撐件的頂部及/或底部進一步設置有一靜電消散元件。
如請求項1的開關式支撐機構，其中，該支撐件與該內盒基座建立該靜電消散導通路徑，該靜電消散導通路徑連接一設備手臂，將靜電荷經由該設備手臂釋放至地。
一種氨分解系統，包含：<br/> 一氨源；<br/> 一第一反應裝置，該第一反應裝置的一輸入端連接於該氨源，配置於將氨分解為氮氣和氫氣，且包含一第一催化劑管道，其中該第一催化劑管道包含一第一催化劑； <br/> 一第二反應裝置，該第二反應裝置的一輸入端連接於該第一反應裝置，配置於將來自該第一反應裝置中未分解的氨分解為氮氣和氫氣，且包含一第二催化劑管道，其中該第二催化劑管道包含一第二催化劑，其中該第二催化劑不同於該第一催化劑，其中該第二反應裝置還包含一膜，包覆並接觸該第二催化劑管道的側表面，且配置於吸附氫氣；以及<br/> 一純化系統，與該第一反應裝置的一輸出端以及該第二反應裝置的一輸出端連接，配置於純化來自該第一反應裝置以及該第二反應裝置的氮氣或氫氣。
如請求項1所述的氨分解系統，其中該第一催化劑是鎳基催化劑。
如請求項1所述的氨分解系統，其中該第二催化劑是釕基催化劑。
如請求項1所述的氨分解系統，其中該膜包含鈀。
如請求項1所述的氨分解系統，其中該第二反應裝置連接一吹掃氣體源，配置於傳輸一吹掃氣體至該第二反應裝置。
如請求項1所述的氨分解系統，還包含：<br/> 一第一熱交換器，與該氨源的一輸出端連接，並配置於提高來自該氨源的氨的溫度；<br/> 一第二熱交換器，與該第一反應裝置的該輸出端連接，並配置於降低來自該第一反應裝置的氮氣和氫氣的溫度；以及<br/> 一第三熱交換器，與該第二反應裝置的該輸出端連接，並配置於降低來自該第二反應裝置的氫氣的溫度。
如請求項1所述的氨分解系統，其中該純化系統包含:<br/> 一第一純化裝置，與該第一反應裝置的該輸出端連接，配置於純化來自該第一反應裝置的氮氣以及氫氣；以及<br/> 一第二純化裝置，與該第二反應裝置的該輸出端與該第一純化裝置的一輸出端連接，配置於純化來自該第一純化裝置以及該第二反應裝置的氫氣。
如請求項1所述的氨分解系統，還包含:<br/> 一第三反應裝置，該第三反應裝置的一輸入端連接於該氨源，配置於將氨分解為氮氣和氫氣，該第三反應裝置的一輸出端連接於該第二反應裝置，其中該第二反應裝置配置於將來自該第二反應裝置中未分解的氨分解為氮氣和氫氣。
如請求項8所述的氨分解系統，其中該第三反應裝置包含一第三催化劑管道，其中該第三催化劑管道包含一第三催化劑，其中該第三催化劑相同於該第一催化劑。
一種電子裝置，包括： <br/> 一操作元件，其中所述操作元件在操作時產生熱；<br/> 一導熱元件，用以傳導所述操作元件所產生的熱，其中所述操作元件設置在所述導熱元件上；以及<br/> 一氣流產生封裝體，設置在所述電子裝置的一邊緣旁；<br/> 其中所述氣流產生封裝體包括一膜結構，所述膜結構包括一瓣片對，所述瓣片對包括一第一瓣片與一第二瓣片；<br/> 其中所述瓣片對以一超聲波頻率操作而產生一氣流；<br/> 其中所述導熱元件朝所述氣流產生封裝體延伸，使得所述氣流產生封裝體所產生的所述氣流流經所述導熱元件，以透過所述導熱元件散逸所述操作元件所產生的熱；<br/> 其中所述膜結構包括一狹縫，所述第一瓣片與所述第二瓣片彼此相對設置，所述狹縫位於所述第一瓣片與所述第二瓣片之間。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述操作元件與所述氣流產生封裝體設置在所述導熱元件的同一側。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述操作元件、所述導熱元件與所述氣流產生封裝體在所述膜結構的一致動方向上重疊。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述氣流產生封裝體包括一基底與一覆蓋結構，所述膜結構設置在所述基底與所述覆蓋結構之間，所述覆蓋結構設置在所述導熱元件與所述膜結構之間。
如請求項4所述的電子裝置，其中所述導熱元件黏著於所述氣流產生封裝體的所述覆蓋結構。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述氣流產生封裝體包括一覆蓋結構與一散熱結構，所述散熱結構分布在所述覆蓋結構上。
如請求項1所述的電子裝置，還包括一外殼；<br/> 其中所述操作元件、所述導熱元件與所述氣流產生封裝體設置在所述外殼內； <br/> 其中所述外殼包括一第一殼開口與一第二殼開口，所述氣流產生封裝體所產生的所述氣流通過所述第一殼開口與所述第二殼開口。
如請求項7所述的電子裝置，其中所述氣流產生封裝體產生穿過所述第一殼開口與所述第二殼開口的所述氣流。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述導熱元件包括一散熱片或一散熱器。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述導熱元件包括一熱界面材料。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述導熱元件包括一中介層。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述導熱元件包括一導熱管或一蒸氣腔。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述氣流產生封裝體所產生的所述氣流的一流動方向是可逆的。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述氣流產生封裝體與所述操作元件透過一間隔物彼此分隔。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述氣流產生封裝體包括一半導體晶片，所述半導體晶片透過一半導體製程所製造，所述半導體晶片為一微機電系統(MEMS)晶片。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述操作元件包括一應用處理器(AP)、一中央處理器(CPU)、一圖形處理器(GPU)、一張量處理器(TPU)或一記憶體。
一種氣體混合物組成物，包含：<br/> 氟化氫蒸氣；<br/> 醇類的蒸氣；<br/> 一添加劑，其由一鹼類所組成；及<br/> 一載體氣體，<br/> 其中該鹼類選自由胺和一異質芳香環狀化合物組成的群組，該異質芳香環狀化合物含有至少一個氮原子。
如請求項1之氣體混合物組成物，其中該異質芳香環狀化合物由吡啶組成。
如請求項1之氣體混合物組成物，其中該添加劑在該氣體混合物組成物中的範圍為0.1 ppm至2000 ppm(質量)。
如請求項3之氣體混合物組成物，其中該氣體混合物組成物包括：<br/> 該氟化氫蒸氣，其在該氣體混合物組成物中的範圍為0.5%至5%體積；<br/> 該醇類與該添加劑的組合，其在該氣體混合物組成物中的範圍為0.5%至2.5%體積；及<br/> 該載體氣體，其在該氣體混合物組成物中的範圍為92.5%至99%體積。
如請求項3之氣體混合物組成物，其中該氣體混合物組成物包括：<br/> 該氟化氫蒸氣，其在該氣體混合物組成物中的範圍為0.05%至10%體積；<br/> 該醇類與該添加劑的組合，其在該氣體混合物組成物中的範圍為0.5%至2.5%體積；及<br/> 該載體氣體，其在該氣體混合物組成物中的範圍為87.5%至99.45%體積。
如請求項1之氣體混合物組成物，其中該醇類選自由甲醇、異丙醇及含有1至4個碳原子之醇類組成的群組。
如請求項1之氣體混合物組成物，其中該載體氣體由氮分子組成。
一種氣體混合物組成物，包含：<br/> 氟化氫蒸氣；<br/> 異丙醇蒸氣；以及<br/> 吡啶，<br/> 該氟化氫蒸氣在該氣體混合物組成物中的範圍為0.5%至5%體積。
如請求項8之氣體混合物組成物，其中該異丙醇蒸氣與該吡啶之組合在該氣體混合物組成物中的範圍為0.5%至2.5%體積。
如請求項8之氣體混合物組成物，更包含一載體氣體，其中該載體氣體在該氣體混合物組成物中的範圍為92.5%至99%體積。
一種氣體輸送系統，包含：<br/> 一第一供應部，其用於氟化氫蒸氣；<br/> 一第二供應部，其用於異丙醇蒸氣；<br/> 一第三供應部，其用於吡啶；以及<br/> 一或多個閥，用於將該氟化氫蒸氣、該異丙醇蒸氣、以及該吡啶輸送至一岐管以於輸送前混合。
一種氣體輸送設備，其包含：請求項11之氣體輸送系統；及一處理腔室，其容納一基板夾持具，該基板夾持具配置以夾持一半導體基板，其中該氣體輸送設備更包含一控制器，其具有指令以：<br/> 使該氟化氫蒸氣輸送至該岐管；<br/> 使該異丙醇蒸氣輸送至該岐管；<br/> 使該吡啶輸送至該岐管；<br/> 使該氟化氫蒸氣、該異丙醇蒸氣、與該吡啶混合以形成一氣體混合物；以及<br/> 使該氣體混合物輸送至該處理腔室。
一種用於處理半導體基板之方法，該方法包含：<br/> 設置包含氧化物之半導體基板；<br/> 將一氣體混合物引入，該氣體混合物包含：<br/> 氟化氫蒸氣；<br/> 醇類的蒸氣；以及<br/> 由一鹼類所組成的一添加劑；以及<br/> 將該氧化物暴露於該氣體混合物以至少部份蝕刻該氧化物，<br/> 其中該鹼類選自由胺和一異質芳香環狀化合物組成的群組，該異質芳香環狀化合物含有至少一個氮原子。
如請求項13之方法，其中該氣體混合物更包含一載體氣體。
一種抗IL-6受體抗體之用途，其係用於製備用於治療IL-6相關疾病之藥劑，其中該抗體包含含有序列編號: 1之胺基酸序列之重鏈可變區域及含有序列編號: 2之胺基酸序列之輕鏈可變區域，其中該藥劑係歷經以與通常投藥量為相同的投藥量且以較通常投藥間隔為更短的間隔投藥2至5次之短間隔投藥期間後，使其進行通常投藥，其中該短間隔投藥期間的投藥間隔為1至2週，其中該通常投藥量為80至160mg/次，且其中該通常投藥間隔為該短間隔投藥期間的投藥間隔的兩倍長度。
如申請專利範圍第1項之用途，其中，該抗IL-6受體抗體包含具有序列編號: 3之序列的重鏈及具有序列編號: 4之序列的輕鏈。
如申請專利範圍第1項之用途，其中，該抗IL-6受體抗體為SA237。
如申請專利範圍第1至第3項中任一項之用途，其中，該短間隔投藥期間之最終投藥後，以該通常投藥間隔進行複數次連續投藥。
如申請專利範圍第4項之用途，其中，該短間隔投藥期間的投藥間隔為2週且該通常投藥間隔為4週。
如申請專利範圍第1至第3項中任一項之用途，其中，該短間隔投藥期間長度為4週且該短間隔投藥期間的投藥間隔長度為2週。
如申請專利範圍第1至第3項中任一項之用途，其中，該IL-6相關疾病為類風濕性關節炎或幼年性特發性關節炎。
如申請專利範圍第7項之用途，其中，該短間隔投藥期間的投藥間隔為2週且該通常投藥間隔為4週。
如申請專利範圍第1至第3項中任一項之用途，其中，該短間隔投藥期間的投藥間隔為2週。
如申請專利範圍第5項之用途，其中，該短間隔投藥期間中總共進行3次投藥。
如申請專利範圍第10項之用途，其中，該通常投藥之投藥量為120mg/次。
如申請專利範圍第1至第3項中任一項之用途，其中，該通常投藥量為120mg/次。
如申請專利範圍第12項之用途，其中，該短間隔投藥期間的投藥間隔為2週且該通常投藥間隔為4週。
如申請專利範圍第1至第3項中任一項之用途，其中，該藥劑為靜脈內投藥製劑。
如申請專利範圍第1至第3項中任一項之用途，其中，該藥劑為皮下投藥製劑。
如申請專利範圍第15項之用途，其中，第一給藥間隔為2週且第二給藥間隔為4週。
如申請專利範圍第1至第3項中任一項之用途，其中，該IL-6相關疾病為類風濕性關節炎、幼年性特發性關節炎、全身型幼年性特發性關節炎、卡斯爾曼症、全身性紅斑狼瘡(SLE)、狼瘡腎炎、克隆氏症、淋巴瘤、潰瘍性大腸炎、貧血、血管炎、川崎氏症、史迪爾氏症、澱粉樣沉積症、多發性硬化症、移植、老年黃斑部病變、僵直性脊椎炎、乾癬、乾癬性關節炎、慢性阻塞性肺病(COPD)、IgA腎病、變形性關節炎、氣喘、糖尿病性腎病、GVHD、子宮內膜症、肝炎(NASH)、心肌梗塞、動脈硬化、敗血症、骨質疏鬆症、糖尿病、多發性骨髓瘤、前列腺癌、腎癌、非何杰金氏B細胞淋巴瘤、胰癌、肺癌、食道癌、大腸癌、癌惡病質、癌神經浸潤、近視性脈絡膜血管新生、特發性脈絡膜血管新生、葡萄膜炎、慢性甲狀腺炎、延遲性過敏症、接觸性皮膚炎、異位性皮膚炎、間皮瘤、多發性肌炎、皮膚肌炎、泛葡萄膜炎、前部葡萄膜炎、中間部葡萄膜炎、鞏膜炎、角膜炎、眼窩炎症、視神經炎、糖尿病視網膜症、增殖水晶體視網膜症、乾眼症、術後炎症、視神經脊髓炎、重症肌無力症、或肺高血壓症。
如申請專利範圍第17之用途，其中，該短間隔投藥期間的投藥間隔為2週且該通常投藥間隔為4週。
如申請專利範圍第1至第3項中任一項之用途，其中，與替代治療相比時，該投藥導致與該抗IL-6受體抗體結合之抗體生成之可能性較低，於該替代治療中，人類患者接受1次且僅為1次之該抗IL-6受體抗體之投藥量，且該1次且僅為1次之投藥量為該通常投藥量且係皮下投藥。
一種抗IL-6受體抗體之用途，其係用於製備用於治療IL-6相關疾病之藥劑，其中該藥劑為皮下投藥製劑，其中該藥劑以依序投藥間為2週間隔之方式投藥3次至具有IL-6相關疾病之人類患者，且於第3次投藥後，該藥劑以投藥間為4週間隔之方式投藥至該患者，其中每次投藥至該患者之該藥劑中的該抗體之量不變且位於80至160mg之範圍，其中該抗IL-6受體抗體包含含有序列編號: 1之胺基酸序列之重鏈可變區域及含有序列編號: 2之胺基酸序列之輕鏈可變區域。
如申請專利範圍第20項之用途，其中，該抗體為SA237。
如申請專利範圍第20項之用途，其中，該IL-6相關疾病係選自由以下所組成之群：類風濕性關節炎、幼年性特發性關節炎、全身型幼年性特發性關節炎、卡斯爾曼症、全身性紅斑狼瘡(SLE)、狼瘡腎炎、克隆氏症、淋巴瘤、潰瘍性大腸炎、貧血、血管炎、川崎氏症、史迪爾氏症、澱粉樣沉積症、多發性硬化症、移植、老年黃斑部病變、僵直性脊椎炎、乾癬、乾癬性關節炎、慢性阻塞性肺病(COPD)、IgA腎病、變形性關節炎、氣喘、糖尿病性腎病、移植物抗宿主疾病(GVHD)、子宮內膜症、肝炎(NASH)、心肌梗塞、動脈硬化、敗血症、骨質疏鬆症、糖尿病、多發性骨髓瘤、前列腺癌、腎癌、非何杰金氏B細胞淋巴瘤、胰癌、肺癌、食道癌、大腸癌、癌惡病質、癌神經浸潤、近視性脈絡膜血管新生、特發性脈絡膜血管新生、葡萄膜炎、慢性甲狀腺炎、延遲性過敏症、接觸性皮膚炎、異位性皮膚炎、間皮瘤、多發性肌炎、皮膚肌炎、泛葡萄膜炎、前部葡萄膜炎、中間部葡萄膜炎、鞏膜炎、角膜炎、眼窩炎症、視神經炎、糖尿病視網膜症、增殖水晶體視網膜症、乾眼症、術後炎症、視神經脊髓炎、重症肌無力症、及肺高血壓症。
如申請專利範圍第20項之用途，其中，與替代治療相比時，該投藥導致與該抗IL-6受體抗體結合之抗體生成之可能性較低，於該替代治療中，人類患者接受1次且僅為1次之該抗IL-6受體抗體之投藥量，且該1次且僅為1次之投藥量為120mg且係皮下投藥。
如申請專利範圍第20項之用途，其中，該藥劑於第三次投藥後以4週之間隔複數次投藥至該患者。
如申請專利範圍第20項之用途，其中，該抗體包含含有序列編號: 3之序列的重鏈及含有序列編號: 4之序列的輕鏈。
一種基於預約離場通報的路邊停車管理系統，建置於一伺服主機中，通過網路與複數個行動通訊裝置資訊連接，包含：<br/> 一資料庫模組，儲存複數個用戶ID，及每一用戶ID綁定的一點數值；<br/> 一停車管理模組，執行以下作業：<br/> 接收來自以一活躍用戶ID登錄的一活躍行動通訊裝置傳來的一停車訊息，該停車訊息包含一車輛座標及一預定離場時間；<br/> 將該車輛座標設定為已使用；及<br/> 接收來自該活躍行動通訊裝置傳來的一離場訊息，並解除該車輛座標之設定；<br/> 一停車位通知模組，向所有以用戶ID登錄的行動通訊裝置提供該預定離場時間及該車輛座標；及<br/> 一獎懲確認模組，執行以下作業：<br/> 基於該離場訊息發出的一實際離場時間，計算該預定離場時間減該實際離場時間的一差值；及<br/> 若該差值在一容許範圍內，增加該活躍用戶ID綁定的該點數值；若該差值超過該容許範圍，減少該活躍用戶ID綁定的該點數值。
如請求項1所述之基於預約離場通報的路邊停車管理系統，其中該容許範圍為0到正的一第一時間差值、負的一第二時間差值到0，或是介於該第一時間差值與該第二時間差值之間。
如請求項1所述之基於預約離場通報的路邊停車管理系統，其中該停車訊息中進一步包含一車牌號碼，該停車位通知模組進一步向以其它用戶ID登錄的行動通訊裝置提供該車牌號碼。
如請求項3所述之基於預約離場通報的路邊停車管理系統，若該差值為正且大於一無效通知時間時，該停車位通知模組停止向所有以用戶ID登錄的行動通訊裝置提供該車牌號碼、該預定離場時間及該車輛座標。
如請求項4所述之基於預約離場通報的路邊停車管理系統，其中該獎懲確認模組終止改變該活躍用戶ID綁定的該點數值。
如請求項4所述之基於預約離場通報的路邊停車管理系統，其中該無效通知時間為至少30分鐘。
如請求項5所述之基於預約離場通報的路邊停車管理系統，其中該停車位通知模組進一步執行以下作業：<br/> 於設定該預定離場時間後，在所有以用戶ID登錄並執行一行動應用程式的行動通訊裝置的一螢幕上，透過該行動應用程式顯示該車輛座標附近的一地圖影像；<br/> 於該地圖影像中的該車輛座標對應處顯示一標記；<br/> 於該螢幕上顯示該預定離場時間及該車牌號碼；及<br/> 於該實際離場時間後，於該地圖影像上取消該標記，並於螢幕上取消該預定離場時間及該車牌號碼。
一種路邊停車自助計費系統，建置於一伺服主機中，通過網路與複數個停車格管理伺服器及複數個行動通訊裝置資訊連接，包含：<br/> 一停車管理模組，接收來自一操作中行動通訊裝置之一確定停車訊息後開始計時，在接收來自該操作中行動通訊裝置的一確定離場訊息後停止計時，並計算一停車時長，其中該確定停車訊息包含一停車車牌號碼與關於一停車格的一位置資料；<br/> 一停車代繳模組，與該停車管理模組資訊連接，在接收該確定離場訊息後，以該位置資料判定該停車格的一管理單位所屬的一停車格收費管理伺服器，以該停車車牌號碼向該停車格收費管理伺服器取得該停車車牌號碼對應的一停車繳費單，該停車繳費單中的車輛停車時段與由計時開始時間到計時停止時間之一設定停車時段有交集，依照該停車繳費單內的一繳費金額，通知一金融支付業者將該繳費金額自一代繳帳戶轉出到該管理單位指定之一停車費收款帳號，並將一繳費通知回報該操作中行動通訊裝置；及<br/> 一停車時長確認模組，執行以下作業：<br/> 判斷該車輛停車時段的時長是否超過該停車時長；及<br/> 若該車輛停車時段的時長超過該停車時長且超過一合理時間，向該操作中行動通訊裝置發出一停車超時通知。
如請求項1所述之路邊停車自助計費系統，其中該位置資料包含停車格位置座標、停車格所在街道上最接近的建物地址，或停車格所在路段編號。
如請求項1所述之路邊停車自助計費系統，該伺服主機進一步與一地圖資訊伺服器資訊連接並包含一圖資提供模組，該圖資提供模組接收來自任一行動通訊裝置的一所在位置座標，依照該所在位置座標動態地向該地圖資訊伺服器取得複數個圍繞該所在位置座標的地圖圖檔，動態地向該所在位置座標所在停車場的該管理單位所屬的該所屬停車格管理伺服器取得當下未有車子使用的停車格的該位置資料，在該些地圖圖檔中對應該些位置資料處及該所在位置座標處分別標示一開放停車標示與一車子標示，並將標示過的地圖圖檔形成一圖資組合，發送至發出該所在位置座標的該行動通訊裝置上呈現。
如請求項1所述之路邊停車自助計費系統，該伺服主機進一步與一地圖資訊伺服器資訊連接並包含一圖資提供模組，該圖資提供模組接收來自任一行動通訊裝置的一所在位置座標，依照該所在位置座標動態地向該地圖資訊伺服器取得複數個圍繞該所在位置座標的地圖圖檔，並將標示過的地圖圖檔形成一圖資組合，發送至發出該所在位置座標的該行動通訊裝置上呈現。
如請求項3或4所述之路邊停車自助計費系統，其中該些行動通訊裝置上安裝一行動應用軟體，用以接收並顯示來自該停車代繳模組、該停車時長確認模組與該圖資提供模組的資訊，以及向該停車管理模組發出該確定停車訊息與該確定離場訊息。
如請求項1所述之路邊停車自助計費系統，其中該行動通訊裝置為智慧型手機、平板電腦、智能手錶或車載通訊電腦。
如請求項1所述之路邊停車自助計費系統，進一步包含一用戶管理模組，用以管理使用者以使用者帳號與密碼進行註冊，以及讓使用者操作該些行動通訊裝置之一以註冊的使用者帳號進行登錄，其中每一使用者帳號綁定至少一個車牌號碼。
如請求項7所述之路邊停車自助計費系統，其中該停車代繳模組定期去該些停車格管理伺服器查詢其中是否有登錄使用者帳號所屬的車牌號碼未繳款的停車繳費單；若有，則向以對應車牌號碼綁定的使用者帳號登錄的行動通訊裝置發出一未繳費通知。
如請求項1所述之路邊停車自助計費系統，其中該繳費通知中包含該位置資料、該停車車牌號碼、停車日期、該停車繳費單的單號與該繳費金額。
一種基板處理裝置，其特徵係，具備有： <br/> 液噴嘴，從吐出口對下方之基板吐出處理液； <br/> 攝像部，對前述液噴嘴的前述吐出口附近進行拍攝；及 <br/> 控制部， <br/> 前述控制部，係執行以下控制：取得在前述攝像部中所拍攝到之前述液噴嘴的吐出口附近的檢查圖像， <br/> 前述攝像部，係具有複數個攝像機， <br/> 前述複數個攝像機，係沿圓周方向均等地被配置於前述液噴嘴的前述吐出口附近， <br/> 前述控制部，係進一步執行以下控制： <br/> 從前述液噴嘴的吐出口附近的檢查圖像，進行附著物對前述液噴嘴的吐出口之附著狀態的評估；及 <br/> 基於進行前述附著狀態之評估的控制下之評估結果，判定應對前述液噴嘴執行的動作， <br/> 在取得前述檢查圖像的控制中，算出前述檢查圖像與未附著有前述附著物的狀態下之前述吐出口附近之全周的圖像即基準圖像之差分圖像。
一種基板處理裝置，其特徵係，具備有： <br/> 液噴嘴，從吐出口對下方之基板吐出處理液； <br/> 攝像部，對前述液噴嘴的前述吐出口附近進行拍攝；及 <br/> 控制部， <br/> 前述控制部，係執行以下控制：取得在前述攝像部中所拍攝到之前述液噴嘴的吐出口附近的檢查圖像， <br/> 前述攝像部，係具有攝像機與反射鏡， <br/> 前述反射鏡，係被配置於前述噴嘴之前述吐出口的下方， <br/> 前述攝像機，係被配置為與前述反射鏡的反射面對向， <br/> 前述控制部，係進一步執行以下控制： <br/> 從前述液噴嘴的吐出口附近的檢查圖像，進行附著物對前述液噴嘴的吐出口之附著狀態的評估；及 <br/> 基於進行前述附著狀態之評估的控制下之評估結果，判定應對前述液噴嘴執行的動作， <br/> 在取得前述檢查圖像的控制中，算出前述檢查圖像與未附著有前述附著物的狀態下之前述吐出口附近之全周的圖像即基準圖像之差分圖像。
一種基板處理裝置，其特徵係，具備有： <br/> 液噴嘴，從吐出口對下方之基板吐出處理液； <br/> 攝像部，對前述液噴嘴的前述吐出口附近進行拍攝；及 <br/> 控制部， <br/> 前述控制部，係執行以下控制：取得在前述攝像部中所拍攝到之前述液噴嘴的吐出口附近的檢查圖像， <br/> 前述攝像部，係具有：攝像機；反射鏡；及臂體，往與前述吐出口及前述基板對向之方向垂直的方向延伸， <br/> 前述攝像機，係被連接於前述臂體的一端， <br/> 前述噴嘴，係被連接於前述臂體的另一端， <br/> 前述反射鏡，係被配置為映照出相對於前述攝像機為死角的前述噴嘴之側面的外壁， <br/> 前述控制部，係進一步執行以下控制： <br/> 從前述液噴嘴的吐出口附近的檢查圖像，進行附著物對前述液噴嘴的吐出口之附著狀態的評估；及 <br/> 基於進行前述附著狀態之評估的控制下之評估結果，判定應對前述液噴嘴執行的動作， <br/> 在取得前述檢查圖像的控制中，算出前述檢查圖像與未附著有前述附著物的狀態下之前述吐出口附近之全周的圖像即基準圖像之差分圖像。
一種基板處理裝置，其特徵係，具備有： <br/> 液噴嘴，從吐出口對下方之基板吐出處理液； <br/> 攝像部，對前述液噴嘴的前述吐出口附近進行拍攝； <br/> 控制部；及 <br/> 支撐部，被配置於前述噴嘴之前述吐出口的下方，用以支撐前述基板， <br/> 前述控制部，係執行以下控制： <br/> 取得在前述攝像部中所拍攝到之前述液噴嘴的吐出口附近的檢查圖像； <br/> 從前述液噴嘴的吐出口附近的檢查圖像，進行附著物對前述液噴嘴的吐出口之附著狀態的評估；及 <br/> 基於進行前述附著狀態之評估的控制下之評估結果，判定應對前述液噴嘴執行的動作， <br/> 在取得前述檢查圖像的控制中，算出前述檢查圖像與未附著有前述附著物的狀態下之前述吐出口附近的圖像即基準圖像之差分圖像， <br/> 在進行前述附著狀態之評估的控制中，基於特定前述液噴嘴之形狀的噴嘴形狀資訊與前述差分圖像中之亮度值，推估前述液噴嘴中附著有前述附著物的區域， <br/> 在判定應對前述液噴嘴執行之動作的控制中，進一步基於附著有前述附著物之區域的推估結果，判定應對前述液噴嘴執行的動作， <br/> 前述攝像部，係具有攝像機， <br/> 前述攝像機，係被配置為與被支撐於前述支撐部的前述基板之前述吐出口側的表面對向。
如請求項4之基板處理裝置，其中， <br/> 前述控制部，係在進行前述附著狀態之評估的控制中，使用前述噴嘴形狀資訊，推估附著有前述附著物之區域是否包含前述液噴嘴之內壁側的區域與附著有前述附著物之區域是否包含前述液噴嘴之外壁側的區域。
如請求項5之基板處理裝置，其中， <br/> 前述控制部，係基於附著有前述附著物之區域是否包含前述液噴嘴之內壁側的區域之推估結果與附著有前述附著物之區域是否包含前述液噴嘴之外壁側的區域之推估結果，選擇前述液噴嘴之洗淨方法作為應對前述液噴嘴執行的動作。
如請求項4之基板處理裝置，其中， <br/> 前述控制部，係在進行前述附著狀態之評估的控制中，對前述差分圖像進行二值化處理，基於進行了前述二值化處理之前述差分圖像，推估附著有前述附著物的區域。
如請求項4~7中任一項之基板處理裝置，其中， <br/> 前述控制部，係在進行前述附著狀態之評估的控制中，基於從前述檢查圖像所推估之拍攝了附著於前述液噴嘴的附著物之區域的外形或大小，推估附著於前述液噴嘴之附著物為液體或固體， <br/> 在判定應對前述液噴嘴執行之動作的控制中，進一步基於推估了前述附著物為液體或固體的結果，判定應對前述液噴嘴執行的動作。
一種噴嘴檢查方法，係具有從吐出口對下方之基板吐出處理液的液噴嘴與對前述液噴嘴的前述吐出口附近進行拍攝的攝像部與控制部之基板處理裝置之噴嘴檢查方法，其特徵係， <br/> 取得前述液噴嘴的吐出口附近的檢查圖像， <br/> 前述攝像部，係具有複數個攝像機， <br/> 前述複數個攝像機，係沿圓周方向均等地被配置於前述液噴嘴的前述吐出口附近， <br/> 前述控制部，係進一步執行以下控制： <br/> 從前述液噴嘴的吐出口附近的檢查圖像，進行附著物對前述液噴嘴的吐出口之附著狀態的評估；及 <br/> 基於進行前述附著狀態之評估的控制下之評估結果，判定應對前述液噴嘴執行的動作， <br/> 在取得前述檢查圖像的控制中，算出前述檢查圖像與未附著有前述附著物的狀態下之前述吐出口附近之全周的圖像即基準圖像之差分圖像。
一種噴嘴檢查方法，係具有從吐出口對下方之基板吐出處理液的液噴嘴與對前述液噴嘴的前述吐出口附近進行拍攝的攝像部與控制部之基板處理裝置之噴嘴檢查方法，其特徵係， <br/> 取得前述液噴嘴的吐出口附近的檢查圖像， <br/> 前述攝像部，係具有攝像機與反射鏡， <br/> 前述反射鏡，係被配置於前述液噴嘴之前述吐出口的下方， <br/> 前述攝像機，係被配置為與前述反射鏡的反射面對向， <br/> 前述控制部，係進一步執行以下控制： <br/> 從前述液噴嘴的吐出口附近的檢查圖像，進行附著物對前述液噴嘴的吐出口之附著狀態的評估；及 <br/> 基於進行前述附著狀態之評估的控制下之評估結果，判定應對前述液噴嘴執行的動作， <br/> 在取得前述檢查圖像的控制中，算出前述檢查圖像與未附著有前述附著物的狀態下之前述吐出口附近之全周的圖像即基準圖像之差分圖像。
一種噴嘴檢查方法，係具有從吐出口對下方之基板吐出處理液的液噴嘴與對前述液噴嘴的前述吐出口附近進行拍攝的攝像部與控制部之基板處理裝置之噴嘴檢查方法，其特徵係， <br/> 取得前述液噴嘴的吐出口附近的檢查圖像， <br/> 前述攝像部，係具有：攝像機；反射鏡；及臂體，往與前述吐出口及前述基板對向之方向垂直的方向延伸， <br/> 前述攝像機，係被連接於前述臂體的一端， <br/> 前述噴嘴，係被連接於前述臂體的另一端， <br/> 前述反射鏡，係被配置為映照出相對於前述攝像機為死角的前述噴嘴之側面的外壁， <br/> 前述控制部，係進一步執行以下控制： <br/> 從前述液噴嘴的吐出口附近的檢查圖像，進行附著物對前述液噴嘴的吐出口之附著狀態的評估；及 <br/> 基於進行前述附著狀態之評估的控制下之評估結果，判定應對前述液噴嘴執行的動作， <br/> 在取得前述檢查圖像的控制中，算出前述檢查圖像與未附著有前述附著物的狀態下之前述吐出口附近之全周的圖像即基準圖像之差分圖像。
一種噴嘴檢查方法，係具有從吐出口對下方之基板吐出處理液的液噴嘴與對前述液噴嘴的前述吐出口附近進行拍攝的攝像部與被配置於前述液噴嘴之前述吐出口的下方而用以支撐前述基板的支撐部之基板處理裝置之噴嘴檢查方法，其特徵係， <br/> 取得前述液噴嘴的吐出口附近的檢查圖像， <br/> 從前述液噴嘴的吐出口附近的檢查圖像，進行附著物對前述液噴嘴的吐出口之附著狀態的評估， <br/> 基於前述附著狀態之評估的控制，判定應對前述液噴嘴執行的動作， <br/> 在取得前述檢查圖像中，算出前述檢查圖像與未附著有前述附著物的狀態下之前述吐出口附近之全周的圖像即基準圖像之差分圖像， <br/> 在進行前述附著狀態之評估中，基於特定前述液噴嘴之形狀的噴嘴形狀資訊與前述差分圖像中之亮度值，推估前述液噴嘴中附著有前述附著物的區域， <br/> 在進行前述附著狀態之評估中，基於附著有前述附著物之區域的推估結果，判定應對前述液噴嘴執行的動作， <br/> 前述攝像部，係具有攝像機， <br/> 前述攝像機，係被配置為與被支撐於前述支撐部的前述基板之前述吐出口側的表面對向。
一種電腦可讀取之記憶媒體，係記錄有用以使裝置執行如請求項9~12中任一項之噴嘴檢查方法的程式。
一種垂直供電配置之供電系統，包含：<br/> 一系統板，包含一處理器，該處理器位於該系統板之一第一面上；<br/> 一第一級供電模組，設置於該系統板之一第二面上，且經由該系統板之一電路佈線自該第一級供電系統之一安裝面之複數個電力電極提供一目標輸出電壓至該處理器；<br/> 一第二級供電模組，設置於該第一級供電模組上；以及<br/> 一導熱結構，夾置於該第一級供電模組與該第二級供電模組之間，該導熱結構之相對二側分別接觸該第一級供電模組與該第二級供電模組。
如請求項1所述之垂直供電配置之供電系統，另包含一散熱結構，設置於該第一級供電模組與該第二級供電模組外側，其中該導熱結構連接於該散熱結構。
如請求項2所述之垂直供電配置之供電系統，另包含一散熱裝置，設置於該處理器之一散熱面上，其中該散熱結構穿過該系統板而連接於該散熱裝置。
如請求項1所述之垂直供電配置之供電系統，其中該第一級供電模組之該安裝面焊接於該系統板，該第二級供電模組與該第一級供電模組由遠離該安裝面至該安裝面依序堆疊，使得該第二級供電模組與該第一級供電模組依序串聯供電。
如請求項4所述之垂直供電配置之供電系統，其中一電壓輸入端只設置於該第二級供電模組上，且一電壓輸出端只設置於該第一級供電模組之該安裝面上。
如請求項5所述之垂直供電配置之供電系統，其中該第二級供電模組之該電壓輸入端接收由一供電單元之一電源線傳遞及提供的一輸入電壓。
如請求項4所述之垂直供電配置之供電系統，其中該第一級供電模組之該安裝面上無設置電壓輸入端。
如請求項1所述之垂直供電配置之供電系統，其中一導電柱連接於該第一級供電模組與該第二級供電模組，且配置為自該第二級供電模組傳送一中間輸出電壓至該第一級供電模組。
如請求項1所述之垂直供電配置之供電系統，其中該第二級供電模組配置為將一輸入電壓轉換為一中間輸出電壓，該第一級供電模組配置為將該中間輸出電壓轉換為該目標輸出電壓，該目標輸出電壓小於該中間輸出電壓，且該中間輸出電壓小於該輸入電壓。
如請求項1所述之垂直供電配置之供電系統，其中該處理器與該第一級供電模組垂直堆疊。
如請求項1所述之垂直供電配置之供電系統，其中該第一級供電模組包含至少一子供電模組，各該子供電模組包含：<br/> 一上電路板；<br/> 一下電路板，相對該上電路板設置，該下電路板具有複數個電力電極，該複數個電力電極設置於該下電路板之一安裝面上，該複數個電力電極配置為安裝至該系統板；以及<br/> 一電感器，設置於該上電路板與該下電路板之間，該電感器之一上表面朝向該上電路板，該電感器之一下表面朝向該下電路板，該電感器包含二初級繞組以及二次級繞組，各該初級繞組之二電極分別設置於該電感器之該上表面與該下表面，且分別連接於該上電路板與該下電路板，該二次級繞組經由該上電路板與該下電路板或經由該上電路板電性串聯連接。
如請求項11所述之垂直供電配置之供電系統，其中各該次級繞組之二電極分別設置於該電感器之該上表面與該下表面，且分別連接於該上電路板與該下電路板，該電感器另包含二連接件，各該連接件之二端部分別設置於該電感器之該上表面與該下表面，且分別連接於該上電路板與該下電路板，使得該二次級繞組經由該上電路板、該下電路板與該二連接件電性串聯連接。
如請求項12所述之垂直供電配置之供電系統，其中該二連接件設置於該電感器之一磁本體內，且位於該磁本體之相對二側。
如請求項11所述之垂直供電配置之供電系統，其中該電感器另包含二電力傳導件，各該電力傳導件之二端部分別設置於該電感器之該上表面與該下表面。
如請求項14所述之垂直供電配置之供電系統，其中該二電力傳導件設置於該電感器之一磁本體內，且位於該磁本體之相對二側。
如請求項11所述之垂直供電配置之供電系統，其中該第一級供電模組包含複數個子供電模組，該複數個子供電模組之該下電路板整合為單一下電路板，該複數個子供電模組之該上電路板彼此分離。
如請求項11所述之垂直供電配置之供電系統，其中各該次級繞組之二電極設置於該電感器之該上表面，且連接於該上電路板，使得該二次級繞組經由該上電路板電性串聯連接。
如請求項11所述之垂直供電配置之供電系統，其中該子供電模組包含至少一控制電極，配置為經由一訊號連接結構自該上電路板上之一電力元件接收控制訊號。
如請求項11所述之垂直供電配置之供電系統，其中該第一級供電模組包含一電力控制器，設置於該上電路板上，該電力控制器經由該上電路板傳送控制訊號至該上電路板上之一電力元件，該下電路板上無設置控制電極，該控制訊號僅經由該上電路板傳送。
如請求項11所述之垂直供電配置之供電系統，其中該電感器為對稱結構。
如請求項11所述之垂直供電配置之供電系統，其中二電力開關設置於該上電路板上，該二電力開關於一開關接墊串聯連接，以形成一半橋式電力元件或一全橋式電力元件。
如請求項21所述之垂直供電配置之供電系統，其中該開關接墊電性連接於設置在該電感器之該上表面的該初級繞組之該二電極的其中之一，設置在該電感器之該下表面的該初級繞組之該二電極的其中另一電性連接於該下電路板之一輸出電極，該二初級繞組的其中之一與該二電力開關的其中之一形成一相電力輸出。
如請求項11所述之垂直供電配置之供電系統，其中該第一級供電模組另包含複數個輸出電容器，該電感器之該下表面具有一凹槽，配置為容置該複數個輸出電容器。
如請求項11所述之垂直供電配置之供電系統，其中該第一級供電模組另包含複數個輸入電容器，嵌設於該電感器之該上表面中。
如請求項11所述之垂直供電配置之供電系統，其中該下電路板裝設有複數個輸出電容器而無裝設輸入電容器，該上電路板裝設有複數個輸入電容器而無裝設輸出電容器。
如請求項1所述之垂直供電配置之供電系統，其中該第一級供電模組包含至少一子供電模組，各該子供電模組包含：<br/> 一上電路板；<br/> 一下電路板，相對該上電路板設置，該下電路板具有複數個電力電極，該複數個電力電極設置於該下電路板之一安裝面上，該複數個電力電極配置為安裝至該系統板；以及<br/> 一電感器，設置於該上電路板與該下電路板之間，該電感器之一上表面朝向該上電路板，該電感器之一下表面朝向該下電路板，該電感器包含二初級繞組以及二次級繞組，各該初級繞組之二電極分別設置於該電感器之該上表面與該下表面，且分別連接於該上電路板與該下電路板，各該二次級繞組之二電極設置於該電感器之該下表面，且連接於該下電路板，使得該二次級繞組經由該下電路板與該系統板電性串聯連接。
如請求項26所述之垂直供電配置之供電系統，其中複數個輸出電容器嵌設於該下電路板中。
一種負極材料的製造方法，包括：<br/> 將一矽基化合物加入一黏著劑溶液中，並混合以形成一第一混合物，其中該黏著劑溶液包含一第一黏著劑，該第一黏著劑為一烯酸聚合物，該第一混合物包括該矽基化合物與該第一黏著劑所形成一第一黏著體；<br/> 將一第二黏著劑加入該第一混合物，並混合以形成一第二混合物，其中該第二黏著劑與該第一黏著劑不同，該第二混合物包括以該第二黏著劑包覆該第一黏著體所形成的一第二黏著體；<br/> 將一導電材料加入該第二混合物，並混合形成一第三混合物；以及<br/> 將一第三黏著劑加入該第三混合物，並混合以形成該負極材料，其中該第三黏著劑與該第一黏著劑以及該第二黏著劑不同。
如請求項1所述的製造方法，其中：<br/> 該第一黏著劑為聚丙烯酸（Poly(acrylic acid)，PAA）類黏著劑，<br/> 該第二黏著劑為羧甲基纖維素（Carboxymethyl Cellulose，CMC）類黏著劑，以及<br/> 該第三黏著劑為丁苯橡膠（Styrene-Butadiene Rubber，SBR）類黏著劑。
如請求項1所述的製造方法，其中：<br/> 該第三混合物包括以該導電材料包覆該第二黏著體所形成的一第三黏著體。
如請求項3所述的製造方法，其中：<br/> 當該第三黏著劑加入該第三混合物並混合後，形成一負極漿料，其中：<br/> 該負極漿料包含該負極材料；以及<br/> 該負極材料由該第三黏著體與該第三黏著劑所產生。
如請求項4所述的製造方法，其中：<br/> 一電極片上塗佈該負極漿料以形成一負極極片，以及<br/> 通過一乾燥處理以去除該負極極片中的水氣。
如請求項5所述的製造方法，其中：<br/> 該乾燥處理可包括兩個階段的溫度控制。
一種負極材料，其中該負極材料是以如請求項1-6中的任一項請求項所述的負極材料的製造方法製備而成。
一種鋰離子電池的負極電極，其中該負極電極使用如請求項7所述的負極材料。
一種鋰離子電池，包括一負極電極，其中該負極電極使用如請求項7所述的負極材料。
一種用於產生客製化影像的方法，該方法係經由一計算機裝置載入並執行一電腦程式產品之後而被執行，該方法包含以下步驟： <br/>接收一客製化需求資訊； <br/>將該客製化需求資訊輸入至一語意分析模型； <br/>透過該語意分析模型，針對該客製化需求資訊進行語意分析，並基於該客製化需求資訊而產生及輸出一客製化分析資訊； <br/>從一影像分類資料庫中搜尋與該客製化分析資訊相關聯的複數張語意搜尋影像，並接收該複數張語意搜尋影像，並且/或者將該客製化需求資訊和該客製化分析資訊中的至少一者輸入至一影像生成模型，並透過該影像生成模型而基於該客製化需求資訊和該客製化分析資訊中的至少一者來產生及輸出至少一初始生成影像； <br/>將該複數張語意搜尋影像及/或該至少一初始生成影像輸入至一影像分析篩選模型；以及 <br/>透過該影像分析篩選模型，針對該複數張語意搜尋影像及/或該至少一初始生成影像進行影像分析篩選，並基於該客製化需求資訊和該客製化分析資訊中的至少一者而從該複數張語意搜尋影像及/或該至少一初始生成影像中篩選出至少一搜尋篩選影像； <br/>其中，該語意分析模型、該影像生成模型和該影像分析篩選模型分別是經訓練完成的人工智慧引擎。
如請求項1所述的方法，其中，該方法還包含以下步驟： <br/>判斷該至少一搜尋篩選影像的總數量是否小於一預期數量值；以及 <br/>當該至少一搜尋篩選影像的總數量小於該預期數量值時，將該客製化需求資訊和該客製化分析資訊中的至少一者輸入至該影像生成模型，並透過該影像生成模型而基於該客製化需求資訊和該客製化分析資訊中的至少一者來產生及輸出至少一新生成影像； <br/>其中，該至少一新生成影像的總數量大於或等於該至少一搜尋篩選影像的總數量與該預期數量值之間的一數量差值。
如請求項2所述的方法，其中，該方法還包含以下步驟： <br/>將該至少一新生成影像輸入至該影像分析篩選模型； <br/>透過該影像分析篩選模型，針對該至少一新生成影像進行影像分析篩選，並基於該客製化需求資訊和該客製化分析資訊中的至少一者而從該至少一新生成影像中篩選出至少一生成篩選影像； <br/>判斷該至少一生成篩選影像的總數量是否小於該數量差值；以及 <br/>當該至少一生成篩選影像的總數量小於該數量差值時，透過該影像生成模型而再次基於該客製化需求資訊和該客製化分析資訊中的至少一者來產生及輸出該至少一新生成影像，並透過該影像分析篩選模型而再次基於該客製化需求資訊和該客製化分析資訊中的至少一者從該至少一新生成影像中篩選出該至少一生成篩選影像，直到該至少一生成篩選影像的總數量大於或等於該數量差值。
如請求項1所述的方法，其中透過該語意分析模型針對該客製化需求資訊進行語意分析並基於該客製化需求資訊而產生及輸出該客製化分析資訊的步驟包含以下子步驟： <br/>透過該語意分析模型，針對該客製化需求資訊的內容進行語文翻譯，並基於該客製化需求資訊而產生一客製化翻譯資訊；以及 <br/>透過該語意分析模型，針對該客製化翻譯資訊進行語意拆解，並基於該客製化翻譯資訊而產生及輸出該客製化分析資訊。
如請求項1所述的方法，其中，該方法還包含以下步驟： <br/>將該至少一搜尋篩選影像輸入至一影像編輯模型；以及 <br/>透過該影像編輯模型，針對該至少一搜尋篩選影像進行影像編輯，並基於該至少一搜尋篩選影像而產生及輸出至少一篩選編輯影像； <br/>其中，該影像編輯模型是經訓練完成的人工智慧引擎。
如請求項1所述的方法，其中，該方法還包含以下步驟： <br/>接收與一客製化商品資訊相對應的一客製化商品影像； <br/>將該至少一搜尋篩選影像和該客製化商品影像輸入至一影像合成模型；以及 <br/>透過該影像合成模型，針對該至少一搜尋篩選影像和該客製化商品影像進行影像合成，並基於該至少一搜尋篩選影像和該客製化商品影像而產生及輸出至少一篩選合成影像； <br/>其中，該影像合成模型是經訓練完成的人工智慧引擎。
如請求項6所述的方法，其中，該方法還包含以下步驟： <br/>將由一使用者從該至少一篩選合成影像之中所選定的一合成確定影像輸出至一訂購系統。
一種用於產生客製化影像的計算機裝置，包含： <br/>一儲存模組，被配置成儲存有一電腦程式產品；以及 <br/>一處理模組，被配置成與該儲存模組耦接； <br/>其中，該處理模組在載入並執行該電腦程式產品之後，該處理模組能夠執行如請求項1至7中任一項所述之用於產生客製化影像的方法。
一種用於產生客製化影像的非暫時性電腦可讀取記錄媒體，在一計算機裝置載入被儲存在該非暫時性電腦可讀取記錄媒體中的一電腦程式產品並執行該電腦程式產品之後，該計算機裝置能夠執行如請求項1至7中任一項所述之用於產生客製化影像的方法。
一種用於產生客製化影像的電腦程式產品，在一計算機裝置載入並執行該電腦程式產品之後，該計算機裝置能夠執行如請求項1至7中任一項所述之用於產生客製化影像的方法。
一種LED陣列驅動系統，所述LED陣列驅動系統包括： <br/> 微控制器，具有處理器和第一數位介面，通過所述第一數位介面提供一寫資料傳輸包；以及 <br/> 單晶片積體電路開關裝置，包括： <br/> 第一端子，連接以接收來自電源供電模組的供電電壓； <br/> M個掃描端子，耦接至LED陣列中的M條掃描線； <br/> 第二數位介面，連接至所述微控制器的所述第一數位介面以接收所述寫資料傳輸包，其中所述寫資料傳輸包中所包含的編碼的每個位元在系統時脈信號的每個時脈週期發送，所述寫資料傳輸包至少包含決定M個開關控制信號的M個開關控制編碼；以及 <br/> M個功率開關，分別連接至所述M個掃描端子，因應於所述M個開關控制信號，以預設的先後順序控制對應的功率開關連接對應的掃描端子和第一端子，控制所述M條掃描線的LED以預設的先後順序一行一行地點亮。
如請求項1所述LED陣列驅動系統，進一步包括一單晶片積體電路驅動裝置，所述單晶片積體電路驅動裝置包括： <br/> 第三數位介面，連接至所述單晶片積體電路開關裝置的所述第二數位介面，其中所述寫資料傳輸包從所述第二數位介面傳送至所述第三數位介面，所述寫資料傳輸包至少包含決定所述LED陣列中N個通道的LED灰階的N個灰階控制編碼；以及 <br/> N個驅動端子，分別耦接至所述LED陣列中的所述N個通道，為所述N個通道的LED分別提供驅動電流。
如請求項2所述LED陣列驅動系統，其中所述第一數位介面、所述第二數位介面和所述第三數位介面連接為菊輪鍊架構。
如請求項3所述LED陣列驅動系統，其中所述單晶片積體電路開關裝置和所述單晶片積體電路驅動裝置均包括接收裝載控制信號的裝載控制端子，其中所述菊輪鍊架構中的寫資料傳輸的一輪傳輸完成後，所述裝載控制信號的第一捺跳邊緣來臨時，所述單晶片積體電路開關裝置將開關控制編碼裝載至第一儲存單元，所述單晶片積體電路驅動裝置將所述灰階控制編碼裝載至第二儲存單元。
如請求項1所述的LED陣列驅動系統，其中所述單晶片積體電路開關裝置進一步包括： <br/> M個放電電路，與所述M個掃描端子一一對應，其中每個放電電路耦接在對應掃描端子和地之間，在對應的功率開關的導通結束時，提供從對應掃描端子到地的放電路徑。
如請求項1所述的LED陣列驅動系統，其中所述單晶片積體電路開關裝置進一步包括M個箝位電路，其中所述每個箝位電路包括： <br/> 充電電流源，具有供電端和輸出端，其中所述供電端接收內部供電電壓，所述輸出端耦接至對應的掃描端子； <br/> 電阻分壓電路，具有輸入端和輸出端，其中所述輸入端耦接在對應的掃描端子與地之間； <br/> 運算放大器，具有第一輸入端、第二輸入端和輸出端，其中所述第一輸入端耦接收參考電壓，所述第二輸入端耦接至所述電阻分壓電路的所述輸出端；以及 <br/> 電晶體，具有第一端、第二端和控制端，其中所述第一端耦接至對應的掃描端子，所述第二端耦接至地，所述控制端耦接至所述運算放大器的所述輸出端。
如請求項1所述的LED陣列驅動系統，其中所述單晶片積體電路開關裝置進一步包括故障指示端子，輸出故障指示信號，所述微控制器在接收到所述信號並對其處理後，對所述單晶片積體電路開關裝置的工作進行控制。
如請求項7所述的LED陣列驅動系統，其中所述單晶片積體電路開關裝置進一步包括短路偵測電路，所述短路偵測電路在某一功率開關的關斷期間，判斷對應的掃描端子與第一端子之間的電壓是否小於短路臨界電壓，並根據判斷結果提供故障指示信號。
一種LED陣列驅動系統，LED陣列具有K*M條掃描線和L*N個通道，所述LED陣列驅動系統包括： <br/> K個積體電路開關裝置，每個所述積體電路開關裝置均包括一個接收設定的寫資料傳輸包的數位介面，每個所述積體電路開關裝置控制所述LED陣列中的對應的M行LED一行一行地點亮； <br/> L個積體電路驅動裝置，每個所述積體電路驅動裝置均包括一個接收所述寫資料傳輸包的數位介面，每個所述積體電路驅動裝置為所述LED陣列中的對應的N個通道的LED提供驅動電流；以及 <br/> 微控制器，具有處理器、記憶體以及提供所述寫資料傳輸包的數位介面，其中所述微控制器的所述數位介面、所述K個積體電路開關裝置的所述K個數位介面以及所述L個積體電路驅動裝置的所述L個數位介面依次串聯連接為一菊輪鍊架構，所述寫資料傳輸包經由一個數位介面傳遞至所述菊輪鍊架構中的下一個數位介面。
如請求項9所述的LED陣列驅動系統，其中所述寫資料傳輸包中所包含的編碼的每個位元在系統時脈信號的每個時脈週期發送。
如請求項10所述的LED陣列驅動系統，其中所述積體電路開關裝置接收到的所述寫資料傳輸包至少包含M個開關控制編碼。
如請求項10所述的LED陣列驅動系統，其中所述積體電路驅動裝置接收到的所述寫資料傳輸包至少包含N個灰階控制編碼。
如請求項10所述的LED陣列驅動系統，其中所述每個積體電路開關裝置包括： <br/> 第一端子，連接以接收來自電源供電模組的供電電壓； <br/> M個掃描端子，分別耦接至所述LED陣列中對應的M條掃描線； <br/> 第二端子，連接以接收所述系統時脈信號，所述系統時脈信號在每個時脈週期內具有第一型捺跳邊緣和與所述第一型捺跳邊緣相反的第二型捺跳邊緣； <br/> 第三端子，連接以接收所述寫資料傳輸包，其中所述寫資料傳輸包中所包含的編碼的每個位元在所述系統時脈信號的每個時脈週期的第一型捺跳邊緣發送； <br/> 第四端子，連接以接收一裝載控制信號，在所述裝載控制信號有效時裝載所述寫資料傳輸包中的M個開關控制編碼至第一儲存單元，以提供M個開關控制信號； <br/> 第五端子，連接以輸出所述寫資料傳輸包；以及 <br/> M個功率開關，分別耦接至所述M個掃描端子，因應於所述M個開關控制信號中的一個，控制對應的功率開關連接對應的掃描端子和第一端子，以控制所述條掃描線的LED點亮。
如請求項13所述的LED陣列驅動系統，其中所述L個積體電路驅動裝置中的一個積體電路驅動裝置包括： <br/> N個驅動端子，耦接至所述LED陣列中對應的N個通道，為所述LED陣列中的所述N個通道的LED提供驅動電流； <br/> 第一端子，連接以接收所述系統時脈信號； <br/> 第二端子，連接至所述一個積體電路開關裝置的第五端子以接收寫資料傳輸包，其中所述寫資料傳輸包中所包含的編碼的每個位元在系統時脈信號的每個時脈週期的第一型捺跳邊緣發送； <br/> 第三端子，連接以接收所述裝載控制信號，在所述裝載控制信號有效時裝載所述寫資料傳輸包中的N個灰階控制編碼至第二儲存單元； <br/> 第四端子，連接以接收一調光時脈信號；以及 <br/> 第五端子，連接以輸出所述寫資料傳輸包。
一種LED陣列的驅動方法，包括: <br/> 連接一單晶片積體電路開關裝置的第一端子至電源供電模組以接收供電電壓； <br/> 連接所述單晶片積體電路開關裝置的M個掃描端子至所述LED陣列中的M條掃描線； <br/> 連接所述單晶片積體電路開關裝置的數位介面至微控制器的數位介面以接收設定的寫資料傳輸包，其中所述寫資料傳輸包中所包含的編碼的每個位元在系統時脈信號的每個時脈週期發送； <br/> 接收到所述寫資料傳輸包後，所述單晶片積體電路開關裝置裝載所述寫資料傳輸包中的M個開關控制編碼至第一儲存單元，以提供M個開關控制信號；以及 <br/> 因應於所述M個開關控制信號，將所述單晶片積體電路開關裝置第一端子以預設的先後順序連接至所述M個掃描端子中對應的一個掃描端子，以控制所述LED陣列中的所述M條掃描線的LED以預設的先後順序一行一行地點亮。
如請求項15所述的驅動方法，還包括： <br/> 連接一單晶片積體電路驅動裝置的N個驅動端子至所述LED陣列中的N個通道； <br/> 連接所述單晶片積體電路驅動裝置的數位介面至所述單晶片積體電路開關裝置的數位介面，接收所述寫資料傳輸包，其中所述寫資料傳輸包中所包含的編碼的每個位元在所述系統時脈信號的每個時脈週期發送；以及 <br/> 接收到所述寫資料傳輸包後，所述單晶片積體電路驅動裝置裝載所述寫資料傳輸包中的N個灰階控制編碼至第二儲存單元，為所述LED陣列中N個通道的LED提供驅動電流。
如請求項16所述的驅動方法，其中所述微控制器的數位介面、所述單晶片積體電路開關裝置的數位介面以及所述單晶片積體電路驅動裝置的數位介面連接為一菊輪鍊架構。
如請求項16所述的驅動方法，其中所述灰階控制編碼與開關控制編碼的裝載都發生在所述裝載控制信號有效時。
如請求項16所述的驅動方法，其中所述單晶片積體電路開關裝置包括M個功率開關，通過控制所述M個功率開關，按預設順序將所述第一端子依次連接至所述M個掃描端子中對應的一個。
如請求項19所述的驅動方法，還包括： <br/> 在一個功率開關關斷時，與所述功率開關對應的掃描端子到地的放電路徑被導通；以及 <br/> 重新將所述掃描端子的電壓恢復並箝位在箝位臨界電壓之上。
一種有機膜形成用組成物，其特徵為包含： <br/>(A)有機膜形成用材料、 <br/>(B)具有下列通式(B1)表示之次結構之芳基苄醚化合物、及 <br/>(C)溶劑， <br/>相對於該(A)有機膜形成用材料之含量100質量份，該(B)芳基苄醚化合物之含量為0.01質量份至5質量份， <br/><img align="absmiddle" height="88px" width="198px" file="ed10101.jpg" alt="ed10101.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sub>1</sub>為下式(B2-1)表示之基、或下式(B2-2)表示之含氟之任意基，構成該R<sub>1</sub>之結構之中，令下式(B2-1)表示之基之比例為α，下式(B2-2)表示之含氟基之比例為β時，符合α＋β＝1、0.1≦α≦0.5、0.5≦β≦0.9之關係，R<sub>2</sub>為碳數1~30之飽和或不飽和之1價有機基，a為0或1，a為0時，b為1~5，c為0~4，a為1時，b為1~7，c為0~6，＊表示和其他原子之原子鍵， <br/><img align="absmiddle" height="50px" width="212px" file="ed10102.jpg" alt="ed10102.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，鏈線表示和上式(B1)中之氧原子之原子鍵，n為1~6，也可具有上式(B2-1)表示之結構之中1種也可具有2種， <br/><img align="absmiddle" height="64px" width="289px" file="ed10103.jpg" alt="ed10103.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，鏈線表示和上式(B1)中之氧原子之原子鍵，也可具有上式(B2-2)表示之結構之中1種也可具有2種。
如請求項1之有機膜形成用組成物，其中，該(B)芳基苄醚化合物為下列通式(B3)、(B4)、(B6)、(B8)、(B10)、或(B11)表示之化合物， <br/><img align="absmiddle" height="78px" width="181px" file="ed10104.jpg" alt="ed10104.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sub>1</sub>為上式(B2-1)表示之基、或上式(B2-2)表示之含氟之任意基，構成該R<sub>1</sub>之結構之中，令上式(B2-1)表示之基之比例為α，上式(B2-2)表示之含氟基之比例為β時，符合α＋β＝1、0.1≦α≦0.5、0.5≦β≦0.9之關係，R<sub>2</sub>為碳數1~30之飽和或不飽和之1價有機基，R<sub>3</sub>為碳數1~30之飽和或不飽和之2價有機基，a1為0或1，a1為0時，b1為1~4，c1為0~3，a1為1時，b1為1~6，c1為0~5， <br/><img align="absmiddle" height="92px" width="320px" file="ed10105.jpg" alt="ed10105.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sub>1</sub>為上式(B2-1)表示之基、或上式(B2-2)表示之含氟之任意基，構成該R<sub>1</sub>之結構之中，令上式(B2-1)表示之基之比例為α，上式(B2-2)表示之含氟基之比例為β時，符合α＋β＝1、0.1≦α≦0.5、0.5≦β≦0.9之關係，R<sub>2</sub>為碳數1~30之飽和或不飽和之1價有機基，R<sub>4</sub>為單鍵、或下式(B5)表示之基中之任一者，R<sub>5</sub>為碳數1~30之飽和或不飽和之2價有機基，a2為0或1，a2為0時，b2為1~4，c2為0~3，a2為1時b2為1~6，c2為0~5， <br/><img align="absmiddle" height="43px" width="397px" file="ed10106.jpg" alt="ed10106.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="142px" width="288px" file="ed10107.jpg" alt="ed10107.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sub>1</sub>為上式(B2-1)表示之基、或上式(B2-2)表示之含氟之任意基，構成該R<sub>1</sub>之結構之中，令上式(B2-1)表示之基之比例為α，上式(B2-2)表示之含氟基之比例為β時，符合α＋β＝1、0.1≦α≦0.5、0.5≦β≦0.9之關係，R<sub>2</sub>為碳數1~30之飽和或不飽和之1價有機基，R<sub>6</sub>為下式(B7)表示之基，R<sub>7</sub>為碳數1~30之飽和或不飽和之2價有機基，a3為0或1，a3為0時，b3為1~4，c3為0~3，a3為1時，b3為1~6，c3為0~5， <br/><img align="absmiddle" height="62px" width="354px" file="ed10108.jpg" alt="ed10108.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="73px" width="175px" file="ed10109.jpg" alt="ed10109.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sub>1</sub>為上式(B2-1)表示之基、或上式(B2-2)表示之含氟之任意基，構成該R<sub>1</sub>之結構之中，令上式(B2-1)表示之基之比例為α，上式(B2-2)表示之含氟基之比例為β時，符合α＋β＝1、0.1≦α≦0.5、0.5≦β≦0.9之關係，W<sub>1</sub>為下式(B9)表示之基，a4為0或1，b4為1或2，d4為1~4， <br/><img align="absmiddle" height="43px" width="214px" file="ed10110.jpg" alt="ed10110.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sub>1</sub>為上式(B2-1)表示之基、或上式(B2-2)表示之含氟之任意基，構成該R<sub>1</sub>之結構之中，令上式(B2-1)表示之基之比例為α，上式(B2-2)表示之含氟基之比例為β時，符合α＋β＝1、0.1≦α≦0.5、0.5≦β≦0.9之關係， <br/><img align="absmiddle" height="74px" width="186px" file="ed10111.jpg" alt="ed10111.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sub>1</sub>為上式(B2-1)表示之基、或上式(B2-2)表示之含氟之任意基，構成該R<sub>1</sub>之結構之中，令上式(B2-1)表示之基之比例為α，上式(B2-2)表示之含氟基之比例為β時，符合α＋β＝1、0.1≦α≦0.5、0.5≦β≦0.9之關係，W<sub>1</sub>為上式(B9)表示之基，W<sub>2</sub>為單鍵或碳數1~50之有機基，m為符合1≦m≦5之整數，a5為0或1，b5為1或2，d5為1~4， <br/><img align="absmiddle" height="76px" width="153px" file="ed10112.jpg" alt="ed10112.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sub>1</sub>為上式(B2-1)表示之基、或上式(B2-2)表示之含氟之任意基，構成該R<sub>1</sub>之結構之中，令上式(B2-1)表示之基之比例為α，上式(B2-2)表示之含氟基之比例為β時，符合α＋β＝1、0.1≦α≦0.5、0.5≦β≦0.9之關係，R<sub>8</sub>為氫原子或甲基，b6為1~5。
如請求項1之有機膜形成用組成物，其中，該(B)芳基苄醚化合物之重量平均分子量為1000~30000。
一種有機膜形成方法，係半導體裝置之製造步驟使用之有機膜之形成方法，其特徵為： <br/>在被加工基板上將如請求項1至3中任一項之有機膜形成用組成物旋轉塗佈而獲得塗膜， <br/>將該塗膜於100℃以上600℃以下之溫度於10~600秒之範圍利用熱處理使其硬化而形成有機膜。
一種圖案形成方法，其特徵為： <br/>在被加工體上使用如請求項1至3中任一項之有機膜形成用組成物形成有機膜， <br/>在該有機膜之上使用含矽阻劑中間膜材料形成含矽阻劑中間膜， <br/>在該含矽阻劑中間膜之上使用由光阻劑組成物構成之阻劑上層膜材料形成阻劑上層膜， <br/>在該阻劑上層膜形成電路圖案，將該已形成電路圖案之阻劑上層膜作為遮罩，以蝕刻將圖案轉印至該含矽阻劑中間膜， <br/>將該已轉印圖案之含矽阻劑中間膜作為遮罩，以蝕刻將圖案轉印至該有機膜， <br/>再將該已轉印圖案之有機膜作為遮罩，於該被加工體以蝕刻形成圖案。
一種圖案形成方法，其特徵為： <br/>在被加工體上使用如請求項1至3中任一項之有機膜形成用組成物形成有機膜， <br/>在該有機膜之上使用含矽阻劑中間膜材料形成含矽阻劑中間膜，在該含矽阻劑中間膜之上形成有機抗反射膜或密合膜， <br/>在該有機抗反射膜或密合膜上使用由光阻劑組成物構成之阻劑上層膜材料形成阻劑上層膜，在該阻劑上層膜形成電路圖案， <br/>將該已形成電路圖案之阻劑上層膜作為遮罩，以蝕刻將圖案轉印至該有機抗反射膜或密合膜及該含矽阻劑中間膜， <br/>將該已轉印圖案之含矽阻劑中間膜作為遮罩，以蝕刻將圖案轉印至該有機膜， <br/>再將該已轉印圖案之有機膜作為遮罩，於該被加工體以蝕刻形成圖案。
一種圖案形成方法，其特徵為： <br/>在被加工體上使用如請求項1至3中任一項之有機膜形成用組成物形成有機膜， <br/>在該有機膜之上形成選自由矽氧化膜、矽氮化膜、及矽氧化氮化膜構成之群組中之無機硬遮罩， <br/>在該無機硬遮罩之上使用由光阻劑組成物構成之阻劑上層膜材料形成阻劑上層膜， <br/>在該阻劑上層膜形成電路圖案， <br/>將該已形成電路圖案之阻劑上層膜作為遮罩，以蝕刻將圖案轉印至該無機硬遮罩， <br/>將該已轉印圖案之無機硬遮罩作為遮罩，以蝕刻將圖案轉印至該有機膜， <br/>再將該已轉印圖案之有機膜作為遮罩，於該被加工體以蝕刻形成圖案。
一種圖案形成方法，其特徵為： <br/>在被加工體上使用如請求項1至請求項3中任一項之有機膜形成用組成物形成有機膜， <br/>在該有機膜之上形成選自由矽氧化膜、矽氮化膜、及矽氧化氮化膜構成之群組中之無機硬遮罩， <br/>在該無機硬遮罩之上形成有機抗反射膜或密合膜，在該有機抗反射膜或密合膜上使用由光阻劑組成物構成之阻劑上層膜材料形成阻劑上層膜， <br/>在該阻劑上層膜形成電路圖案， <br/>將該已形成電路圖案之阻劑上層膜作為遮罩，以蝕刻將圖案轉印在該有機抗反射膜或密合膜及該無機硬遮罩， <br/>將該已轉印圖案之無機硬遮罩作為遮罩，以蝕刻將圖案轉印在該有機膜， <br/>再將該已轉印圖案之有機膜作為遮罩，以蝕刻將圖案形成於該被加工體。
如請求項7之圖案形成方法，其中，該無機硬遮罩之形成係利用CVD法或ALD法進行。
如請求項5之圖案形成方法，其中，該電路圖案之形成中，係利用使用了波長為10nm以上300nm以下之光之微影、利用電子束所為之直接描繪、奈米壓印、或該等之組合來形成電路圖案。
如請求項5之圖案形成方法，其中，該電路圖案之形成中，係利用鹼顯影或有機溶劑將電路圖案予以顯影。
如請求項5之圖案形成方法，其中，該被加工體係半導體裝置基板、或在該半導體裝置基板上成膜了金屬膜、金屬碳化膜、金屬氧化膜、金屬氮化膜、金屬氧化碳化膜、及金屬氧化氮化膜中之任意者之基板。
如請求項12之圖案形成方法，其中，就該被加工體而言，構成該被加工體之金屬係使用矽、鈦、鎢、鉿、鋯、鉻、鍺、銅、銀、金、鋁、銦、鎵、砷、鈀、鐵、鉭、銥、鉬、或該等之合金。
一種界面活性劑，係由具有下列通式(B1)表示之次結構之芳基苄醚化合物構成， <br/><img align="absmiddle" height="88px" width="198px" file="ed10101.jpg" alt="ed10101.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sub>1</sub>為下式(B2-1)表示之基、或下式(B2-2)表示之含氟之任意基，構成該R<sub>1</sub>之結構之中，令下式(B2-1)表示之基之比例為α，下式(B2-2)表示之含氟基之比例為β時，符合α＋β＝1、0.1≦α≦0.5、0.5≦β≦0.9之關係，R<sub>2</sub>為碳數1~30之飽和或不飽和之1價有機基，a為0或1，a為0時，b為1~5，c為0~4，a為1時，b為1~7，c為0~6，＊表示和其他原子之原子鍵， <br/><img align="absmiddle" height="50px" width="212px" file="ed10102.jpg" alt="ed10102.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，鏈線表示和上式(B1)中之氧原子之原子鍵，n為1~6，也可具有上式(B2-1)表示之結構之中1種也可具有2種， <br/><img align="absmiddle" height="64px" width="289px" file="ed10103.jpg" alt="ed10103.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，鏈線表示和上式(B1)中之氧原子之原子鍵，也可具有上式(B2-2)表示之結構之中1種也可具有2種。
如請求項14之界面活性劑，其中，該芳基苄醚化合物為下列通式(B3)、(B4)、(B6)、(B8)、(B10)、或(B11)表示之化合物， <br/><img align="absmiddle" height="78px" width="181px" file="ed10104.jpg" alt="ed10104.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sub>1</sub>為上式(B2-1)表示之基、或上式(B2-2)表示之含氟之任意基，構成該R<sub>1</sub>之結構之中，令上式(B2-1)表示之基之比例為α，上式(B2-2)表示之含氟基之比例為β時，符合α＋β＝1、0.1≦α≦0.5、0.5≦β≦0.9之關係，R<sub>2</sub>為碳數1~30之飽和或不飽和之1價有機基，R<sub>3</sub>為碳數1~30之飽和或不飽和之2價有機基，a1為0或1，a1為0時，b1為1~4，c1為0~3，a1為1時，b1為1~6，c1為0~5， <br/><img align="absmiddle" height="92px" width="320px" file="ed10105.jpg" alt="ed10105.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sub>1</sub>為上式(B2-1)表示之基、或上式(B2-2)表示之含氟之任意基，構成該R<sub>1</sub>之結構之中，令上式(B2-1)表示之基之比例為α，上式(B2-2)表示之含氟基之比例為β時，符合α＋β＝1、0.1≦α≦0.5、0.5≦β≦0.9之關係，R<sub>2</sub>為碳數1~30之飽和或不飽和之1價有機基，R<sub>4</sub>為單鍵、或下式(B5)表示之基中之任一者，R<sub>5</sub>為碳數1~30之飽和或不飽和之2價有機基，a2為0或1，a2為0時，b2為1~4，c2為0~3，a2為1時b2為1~6，c2為0~5， <br/><img align="absmiddle" height="43px" width="397px" file="ed10106.jpg" alt="ed10106.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="142px" width="288px" file="ed10107.jpg" alt="ed10107.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sub>1</sub>為上式(B2-1)表示之基、或上式(B2-2)表示之含氟之任意基，構成該R<sub>1</sub>之結構之中，令上式(B2-1)表示之基之比例為α，上式(B2-2)表示之含氟基之比例為β時，符合α＋β＝1、0.1≦α≦0.5、0.5≦β≦0.9之關係，R<sub>2</sub>為碳數1~30之飽和或不飽和之1價有機基，R<sub>6</sub>為下式(B7)表示之基，R<sub>7</sub>為碳數1~30之飽和或不飽和之2價有機基，a3為0或1，a3為0時，b3為1~4，c3為0~3，a3為1時，b3為1~6，c3為0~5， <br/><img align="absmiddle" height="62px" width="354px" file="ed10108.jpg" alt="ed10108.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="73px" width="175px" file="ed10109.jpg" alt="ed10109.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sub>1</sub>為上式(B2-1)表示之基、或上式(B2-2)表示之含氟之任意基，構成該R<sub>1</sub>之結構之中，令上式(B2-1)表示之基之比例為α，上式(B2-2)表示之含氟基之比例為β時，符合α＋β＝1、0.1≦α≦0.5、0.5≦β≦0.9之關係，W<sub>1</sub>為下式(B9)表示之基，a4為0或1，b4為1或2，d4為1~4， <br/><img align="absmiddle" height="43px" width="214px" file="ed10110.jpg" alt="ed10110.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sub>1</sub>為上式(B2-1)表示之基、或上式(B2-2)表示之含氟之任意基，構成該R<sub>1</sub>之結構之中，令上式(B2-1)表示之基之比例為α，上式(B2-2)表示之含氟基之比例為β時，符合α＋β＝1、0.1≦α≦0.5、0.5≦β≦0.9之關係， <br/><img align="absmiddle" height="74px" width="186px" file="ed10111.jpg" alt="ed10111.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sub>1</sub>為上式(B2-1)表示之基、或上式(B2-2)表示之含氟之任意基，構成該R<sub>1</sub>之結構之中，令上式(B2-1)表示之基之比例為α，上式(B2-2)表示之含氟基之比例為β時，符合α＋β＝1、0.1≦α≦0.5、0.5≦β≦0.9之關係，W<sub>1</sub>為上式(B9)表示之基，W<sub>2</sub>為單鍵或碳數1~50之有機基，m為符合1≦m≦5之整數，a5為0或1，b5為1或2，d5為1~4， <br/><img align="absmiddle" height="76px" width="153px" file="ed10112.jpg" alt="ed10112.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sub>1</sub>為上式(B2-1)表示之基、或上式(B2-2)表示之含氟之任意基，構成該R<sub>1</sub>之結構之中，令上式(B2-1)表示之基之比例為α，上式(B2-2)表示之含氟基之比例為β時，符合α＋β＝1、0.1≦α≦0.5、0.5≦β≦0.9之關係，R<sub>8</sub>為氫原子或甲基，b6為1~5。
如請求項14或15之界面活性劑，其中，該芳基苄醚化合物之重量平均分子量為1000~30000。
一種樹脂構件，其係大致平板狀者，且 <br/>上述樹脂構件之密度為50 kg/m<sup>3</sup>以上250 kg/m<sup>3</sup>以下， <br/>在與上述樹脂構件之厚度方向平行之方向上，對上述樹脂構件賦予藉由直徑6 mm且質量3 kg之圓柱狀不鏽鋼SUS304所產生之負載，將此時之上述樹脂構件之凹陷量(mm)設為Dh0時，Dh0未達7.5 mm， <br/>上述樹脂構件係選自由酚樹脂、聚胺酯樹脂及苯乙烯樹脂所組成之群中之1種以上， <br/>以將上述樹脂構件之厚度方向之中心位置收容於視野之中央，且視野之上下方向成為樹脂構件之厚度方向的方式，利用電子顯微鏡放大至500倍進行拍攝所獲得之0.25 mm×0.25 mm視野的照片中，包圍氣泡膜之相連之樹脂骨架為0個或1個。
如請求項1之樹脂構件，其中上述樹脂構件係酚樹脂。
一種真空絕熱材，其包含： <br/>密封之袋、及 <br/>於減壓狀態下封入至上述袋內之如請求項1或2之樹脂構件。
如請求項3之真空絕熱材，其中上述真空絕熱材之密度為60 kg/m<sup>3</sup>以上260 kg/m<sup>3</sup>以下。
如請求項3之真空絕熱材，其中上述真空絕熱材於23℃環境下之熱導率為0.010 W/(m・K)以下。
如請求項3之真空絕熱材，其中上述真空絕熱材之表面平滑性水準為1.8 mm以下。
如請求項3之真空絕熱材，其中在與上述樹脂構件之厚度方向平行之方向上，對上述真空絕熱材賦予藉由直徑6 mm且質量5 kg之圓柱狀不鏽鋼SUS304所產生之負載，將此時之上述真空絕熱材之凹陷量(mm)設為Dh1時，Dh1未達7.5 mm。
一種化學過濾器，包括： <br/>一化學過濾介質；以及 <br/>一樹脂層，形成於該化學過濾介質的一外表面上及具有20 kgf/cm <sup>2</sup>至90 kgf/cm <sup>2</sup>的一抗拉強度(tensile strength)。
如請求項1所述之化學過濾器，其中該樹脂層具有20%至350%的一伸長率(elongation)。
如請求項1所述之化學過濾器，其中該樹脂層具有4 kgf至20 kgf的一最大負載。
如請求項1所述之化學過濾器，其中該樹脂層具有1.0 mm至10.0 mm的一厚度。
如請求項1所述之化學過濾器，其中該樹脂層包括一熱熔樹脂。
如請求項5所述之化學過濾器，其中該樹脂層包括一乙烯系共聚物(ethylene-based copolymer)。
如請求項1所述之化學過濾器，其中該化學過濾介質的該外表面包括一第一表面及一第二表面，以及一第三表面及一第四表面，該第一表面及該第二表面於一縱向方向中面對彼此，該第三表面及該第四表面在垂直於該縱向方向的一寬度方向中面對彼此。
如請求項7所述之化學過濾器，其中該樹脂層形成於該第一表面及該第二表面上。
如請求項8所述之化學過濾器，更包括一支撐構件，耦接於該化學過濾介質的該第三表面及該第四表面。
如請求項7所述之化學過濾器，其中該樹脂層形成於全部的該第一表面、該第二表面、該第三表面及該第四表面上。
如請求項1所述之化學過濾器，更包括一過濾器框架，該化學過濾介質容置於該過濾器框架中。
如請求項11所述之化學過濾器，其中該樹脂層直接接觸該過濾器框架。
一種製造一化學過濾器之方法，該方法包括： <br/>準備一化學過濾介質； <br/>彎折該化學過濾介質成一鋸齒狀(zigzag shape)；以及 <br/>供應一熱熔樹脂至該化學過濾介質的一外表面上，以形成一樹脂層， <br/>其中該樹脂層具有調整成20 kgf/cm <sup>2</sup>至90 kgf/cm <sup>2</sup>的一抗拉強度(tensile strength)。
如請求項13所述之方法，更包括組裝形成有該樹脂層於其上的該化學過濾介質於一過濾器框架。
如請求項14所述之方法，其中該化學過濾介質耦接於該過濾器框架，使得該樹脂層藉由與該過濾器框架接觸來固定。
一種半導體裝置，是構成為在第一導電型的漂移層（101）分別形成絕緣閘雙極電晶體區域（17）及二極體區域（19）的半導體裝置（11），所述半導體裝置（11）的特徵在於， <br/>所述二極體區域（19）包括將陰極電極（21b）、陰極層（116）、緩衝層（113）、所述漂移層（101）、陽極層（117）、絕緣層（111）、及陽極電極（23b）分別自背側朝向表側積層而成的結構， <br/>在屬於所述二極體區域（19）的所述陽極電極（23b）形成第三貫通接觸部（33），所述第三貫通接觸部（33）為貫通所述絕緣層（111）的狀態、呈現到達至所述陽極層（117）的規定深度且為柱狀， <br/>所述第三貫通接觸部（33）設置成與所述陽極層（117）中所形成的凹部（117a）嵌合， <br/>在所述第三貫通接觸部（33）的背側面與所述陽極層（117）的所述凹部（117a）的表側面之間形成第二導電型的第二高濃度接觸層（37）， <br/>所述第三貫通接觸部（33）及所述第二高濃度接觸層（37）以與所述陽極層（117）的凹部（117a）的表側面相接觸的方式沿著進深方向選擇性地設置， <br/>所述陽極層（117）的所述凹部（117a）以沿著進深方向空開規定間隔挖掘的矩形柱狀的孔的形態設置於所述陽極層（117）， <br/>所述陽極層（117）的所述凹部（117a）的寬度方向尺寸（W1）設定成與所述陽極層（117）的寬度方向尺寸（W2）相等，且所述凹部（117a）不具有在進深方向與寬度方向上形成的頂部（33a）。
如請求項1所述的半導體裝置，其中 <br/>所述絕緣閘雙極電晶體區域（17）包括將集極電極（21a）、集極層（115）、緩衝層（113）、所述漂移層（101）、通道層（103）、絕緣層（111）、及射極電極（23a）分別自背側朝向表側積層而成的結構， <br/>在屬於所述絕緣閘雙極電晶體區域（17）的所述射極電極（23a）形成第一貫通接觸部（31），所述第一貫通接觸部（31）為貫通所述絕緣層（111）及源極層（105）的狀態、呈現到達至所述通道層（103）的規定深度且為柱狀， <br/>所述第一貫通接觸部（31）設置成與所述通道層（103）中所形成的凹部（103a）嵌合， <br/>在所述第一貫通接觸部（31）的背側面與所述通道層（103）的所述凹部（103a）的表側面之間形成第二導電型的第一高濃度接觸層（35）， <br/>所述第一貫通接觸部（31）及所述第一高濃度接觸層（35）以與所述通道層（103）的所述凹部（103a）的表側面相接觸的方式沿著進深方向連續地設置。
如請求項2所述的半導體裝置，其中 <br/>屬於所述絕緣閘雙極電晶體區域（17）的所述第一高濃度接觸層（35）位於較所述源極層（105）更深的地方。
如請求項2所述的半導體裝置，其中 <br/>屬於所述絕緣閘雙極電晶體區域（17）的所述第一貫通接觸部（31）及所述第一高濃度接觸層（35）、以及屬於所述二極體區域（19）的所述第三貫通接觸部（33）及所述第二高濃度接觸層（37）在同一製程中同時形成。
如請求項1所述的半導體裝置，其中 <br/>在所述二極體區域（19）設置有包括所述陽極層（117）、所述陽極層（117）的所述凹部（117a）、所述第三貫通接觸部（33）、及所述第二高濃度接觸層（37）的多個組， <br/>在所述多個組中的第一組中，採用屬於所述第一組的所述陽極層（117）的所述凹部（117a）的寬度方向尺寸（W1）設定成較所述陽極層（117）的寬度方向尺寸（W2）小的值的第一設定形態， <br/>在所述多個組中的第二組中，採用屬於所述第二組的所述陽極層（117）的所述凹部（117a）的寬度方向尺寸（W1）設定成與所述陽極層（117）的寬度方向尺寸（W2）相等的第二設定形態。
如請求項5所述的半導體裝置，其中 <br/>所述陽極層（117）的所述凹部（117a）的寬度方向尺寸（W1）設定成：對應於所述陽極層（117）在寬度方向上相對於所述絕緣閘雙極電晶體區域（17）與所述二極體區域（19）的邊界部（18）分離的寬度方向分離距離，所述寬度方向分離距離越小，所述陽極層（117）的所述凹部（117a）的寬度方向尺寸（W1）變得越大。
如請求項6所述的半導體裝置，其中 <br/>在涉及所述陽極層（117）相對於所述邊界部（18）的所述寬度方向分離距離為規定臨限值以內的情況下，採用與所述第二組相關的第二設定形態，另一方面，在所述寬度方向分離距離超過規定臨限值的情況下，採用與所述第一組相關的第一設定形態。
一種背光模組，包含：<br/> 一背板，具有多個第一穿孔；<br/> 一燈板，包含一第二板體以及多個光源，該些光源設置於該第二板體，該第二板體具有多個第二穿孔，該些第二穿孔對齊該些第一穿孔；以及<br/> 一腔體反射板，設置於該燈板遠離該背板之一側，該腔體反射板包含：<br/> 一第一板體，該第二板體夾置於該第一板體與該背板之間，該第一板體具有多個第三穿孔，該些光源分別位於該些第三穿孔中；以及<br/> 多個鎖固件，分佈於該第一板體，該些鎖固件中每一者包含：<br/> 一頭部，抵接該背板遠離該第一板體之一側；以及<br/> 一柱體，連接於該第一板體與該頭部之間，並穿越該些第一穿孔中對應之一者以及該些第二穿孔中對應之一者。
如請求項1所述之背光模組，其中該鎖固件為一可塑性鎖固件。
如請求項2所述之背光模組，其中該可塑性鎖固件為一熱熔膠柱。
如請求項1所述之背光模組，其中該第一板體包含：<br/> 多個壁部，分別沿一延伸方向延伸，該些壁部中於一排列方向上相鄰之兩者定義該些第三穿孔中之一者於其中，該延伸方向垂直於該排列方向，該些壁部中每一者包含：<br/> 一底面，抵接該第二板體；<br/> 一頂面，遠離該第二板體並平行於該底面；<br/> 至少一垂直面，垂直地連接該底面；<br/> 至少一第一斜面，連接該垂直面並相對該底面傾斜一第一角度，該第一角度之範圍為60度與70度之間；<br/> 至少一水平面，連接該第一斜面並平行於該底面；以及<br/> 至少一第二斜面，連接於該水平面與該頂面之間並相對該底面傾斜一第二角度，該第二角度之範圍為75度與85度之間；以及<br/> 多個連接部，該些連接部中每一者沿該延伸方向連接於該些壁部中相鄰之兩者之間，並沿該排列方向連接於該些壁部中相鄰之兩者之間。
一種車用顯示器，包含：<br/> 一顯示面板；以及<br/> 如請求項1至4任一所述之背光模組，配置於該顯示面板下，以提供該顯示面板背光光源。
一種背光模組的製作方法，包含至少下列步驟：<br/> 提供一腔體反射板、一燈板和一背板；<br/> 在該燈板和該背板中形成一貫穿孔；<br/> 將一熱熔膠柱貫穿該貫穿孔並連接該腔體反射板，以使該燈板至少部分夾置於該腔體反射板與該背板之間，其中該熱熔膠柱的長度比該貫穿孔的長度長，以致於該熱熔膠柱的一端從該背板的一側露出來；以及<br/> 對該熱熔膠柱從該背板露出的一端進行一塑形製程，而使該熱熔膠柱露出該背板的一端塑形為一頭部，且該頭部的徑向長度比該貫穿孔的直徑大，以使其抵接該背板遠離該腔體反射板之一側，<br/> 其中該塑形製程包含至少下列步驟：<br/> 提供一治具，該治具具有一加熱罩；以及<br/> 將該加熱罩覆蓋在該熱熔膠柱露出該背板的一端，並進行加熱，以將該熱熔膠柱露出該背板的一端塑形成該頭部。
一種半導體裝置，包括： <br/>整流元件； <br/>判定電路，基於所述整流元件的一對輸出端子間的電壓來判定所述整流元件的開啟/關閉； <br/>增益電路，基於所述判定電路的判定結果來控制所述整流元件的開啟/關閉；以及 <br/>分壓電路，連接於所述增益電路的輸出端子或所述整流元件的輸入端子與所述整流元件的一個輸出端子之間； <br/>所述判定電路將所述分壓電路的分壓電壓作為正輸入或負輸入， <br/>其中，所述增益電路由前級的電路的輸出端子與後級的電路的輸入端子連接的多級的單位電路構成， <br/>所述多級的單位電路各自為，由在正側電源與負側電源之間串聯連接的N通道MOSFET與P通道MOSFET構成的汲極接地結構的電路。
如請求項1所述的半導體裝置，其中，所述增益電路的最終級的單位電路具有N通道空乏型MOSFET。
如請求項1所述的半導體裝置，其中，具有對所述增益電路並聯連接的源極接地結構的驅動器。
一種用於組態使用一微影裝置將一設計佈局(design layout)成像至一基板上之一圖案化程序的電腦實施方法，該方法包含： <br/>藉由使用一第一定向上之一設計佈局模擬一第一圖案化程序來獲得一基板上之結構的一第一輪廓集合，該第一輪廓集合內之每一輪廓滿足與該設計佈局相關聯之一設計規格，該第一輪廓集合對應於一第一程序窗條件集合(set of process window conditions)；以及 <br/>基於該設計佈局之一第二定向、該第一程序窗條件集合及該第一輪廓集合而組態一第二圖案化程序，該第二定向不同於該第一定向，該第二圖案化程序與影響該等結構之一第二輪廓集合的一或多個設計變數相關聯，該組態包含： <br/>調整一或多個設計變數直至該第二輪廓集合在與該第一輪廓集合之一所要匹配臨限值內為止，該一或多個設計變數包含與該第二圖案化程序之一照明源相關聯的變數。
如請求項1之方法，其進一步包含： <br/>調整該一或多個設計變數直至該第二圖案化程序之一效能度量(performance metric)在該第一圖案化程序之一第一效能度量的可接受限制內為止。
如請求項2之方法，其中該第一效能度量包含： <br/>焦點深度，其與該第一圖案化程序相關聯； <br/>一影像對比度，其與該第一圖案化程序相關聯；及/或 <br/>一程序變化帶(process variation band)，其與該第一圖案化程序之一程序變數相關聯。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該第一輪廓集合包含與該第一程序窗條件集合相關聯之該等結構的一模擬輪廓集合。
如請求項4之方法，其中該第一輪廓集合包含： <br/>一第一輪廓，其係使用該第一程序窗條件集合內之一第一程序窗條件而獲得；及 <br/>一第二輪廓，其係使用該第一程序窗條件集合內之一第二程序窗條件而獲得。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該第一程序窗條件集合包含與該第一圖案化程序相關之程序變數的值，該等程序變數包含以下各項中之一者：劑量、焦點、偏置、光斑(flare)、像差或其組合。
如請求項6之方法，其中： <br/>該第一程序窗條件集合中之一第一程序窗條件包含一程序變數之一第一極限值， <br/>該第一程序窗條件集合中之一第二程序窗條件包含該程序變數之一第二極限值。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該等設計變數包含與以下各項相關聯的一或多個變數： <br/>該微影裝置之一照明源； <br/>該設計佈局之幾何屬性； <br/>該微影裝置之投影光學器件； <br/>一抗蝕劑程序相關參數；及/或 <br/>一蝕刻程序相關參數。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該第二定向為相對於該設計佈局之該第一定向的一預定旋轉量，該預定旋轉量與經圖案化之該基板之一部分的一定向相關。
如請求項9之方法，其中該預定旋轉量在相對於該第一定向之0º至360º範圍內。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該設計佈局之該第二定向相對於該設計佈局之該第一定向旋轉90º。
如請求項1至3中任一項之方法，其中與該第二圖案化程序相關聯之該一或多個設計變數包含一照明光瞳形狀，該照明光瞳形狀旋轉針對同一設計佈局不同於與該第一圖案化程序相關聯之一照明光瞳形狀的一量。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該第一圖案化程序包括在該第一定向上具有一第一光瞳形狀之一第一照明光瞳，且 <br/>該第二圖案化程序包括具有不同於該第一照明光瞳形狀之一第二形狀及/或不同於該第一定向及該第二定向之一定向的一第二照明光瞳。
如請求項1至3中任一項之方法，其中組態該第二圖案化程序包含： <br/>使用該第一程序窗條件集合作為輸入經由與該第二圖案化程序相關聯之一或多個程序模型執行一源最佳化(source optimization)，直至該第二圖案化程序之該第二輪廓集合中之每一者在與該第一輪廓集合中之每一對應輪廓的該所要匹配臨限值內為止。
如請求項1至3中任一項之方法，其中組態該第二圖案化程序包含： <br/>使用該第一程序窗條件集合作為輸入經由與該第二圖案化程序相關聯之一或多個程序模型執行一源遮罩共同最佳化，直至該第二圖案化程序之該第二輪廓集合中之每一者在與該第一輪廓集合中之每一對應輪廓的該所要匹配臨限值內為止。
如請求項14之方法，其中組態該第二圖案化程序為一反覆程序，每一反覆包含： <br/>(i)使用該第一程序窗條件集合、該設計佈局之該第二定向及該一或多個設計變數模擬與該第二圖案化程序相關聯之一或多個程序模型，以產生該第二輪廓集合； <br/>(ii)使用該等設計變數之值及模擬結果計算一多變量成本函數(multi-variate cost function)； <br/>(iii)判定該多變量成本函數是否滿足一終止條件； <br/>(iv)判定該第二輪廓集合中之每一輪廓是否在該第一輪廓集合中之每一對應輪廓的該所要匹配臨限值內；及 <br/>(v)回應於不滿足該終止條件或該第二輪廓集合不在該所要匹配臨限值內，進一步修改該一或多個設計變數且執行步驟(i)至(v)。
如請求項16之方法，其中該多變量成本函數包含以下各項中之至少一者：該第一輪廓集合與對應之該第二輪廓集合之間的邊緣置放誤差、該第二輪廓集合與該第一輪廓集合之間的圖案置放誤差、該第二輪廓集合之臨界尺寸(CD)、該第二輪廓集合之一局部CD均一性、與該第二圖案化程序相關聯之一影像的一影像對比度、抗蝕劑輪廓距離、最差缺陷大小、最佳焦點移位或遮罩規則檢查。
如請求項16之方法，其中該終止條件包含以下各項中之至少一者：該多變量成本函數之最小化；該多變量成本函數之最大化；達到某一數目次反覆；達到等於或超出某一臨限值之該多變量成本函數之一值；達到某一計算時間；達到在一可接受誤差限制內之該多變量成本函數之一值；或最小化一微影程序中之一曝光時間。
如請求項16之方法，其中藉由利用選自由以下組成之群組的一演算法處理該多變量成本函數來最小化或最大化該多變量成本函數：高斯-牛頓演算法、雷文柏格-馬括特演算法、布洛伊登-費萊雪-高德法伯-香農演算法、梯度下降演算法、模擬退火演算法、內點演算法及基因演算法。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該微影裝置為一EUV微影裝置。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該所要匹配臨限值為該第二輪廓集合中之每一輪廓與該第一輪廓集合中之每一對應輪廓的大於90%匹配。
如請求項1至3中任一項之方法，其中滿足該所要匹配臨限值包含將該第二輪廓集合中之每一輪廓維持在該第一輪廓集合中之一第一輪廓及一第二輪廓內，該第一輪廓及該第二輪廓分別與具有一第一極限值及一第二極限值的相同程序變數相關聯。
一種跨坐型車輛系統，其具備跨坐型車輛、及在可與上述跨坐型車輛通信之攜帶型資訊終端中動作之應用程式，<br/>上述跨坐型車輛具備：<br/>車體，其包含由上述跨坐型車輛之騎乘者用手保持之把手桿；<br/>把手桿開關，其安裝於上述把手桿；<br/>車輛圖像顯示裝置，其安裝於上述車體且顯示圖像；及<br/>車輛圖像控制裝置，其具有與上述攜帶型資訊終端通信之功能，且控制上述車輛圖像顯示裝置；<br/>上述攜帶型資訊終端具備：<br/>終端操作裝置，其顯示圖像，並且受理與所顯示之圖像相關之操作；及<br/>終端控制裝置，其作為電腦，具有與上述車輛圖像控制裝置通信之功能，且控制上述終端操作裝置；<br/>上述應用程式藉由於上述終端控制裝置中執行，而使上述終端控制裝置根據對上述終端操作裝置進行之篩選操作，從分別包含可於上述車輛圖像顯示裝置顯示之1個或多個內容圖像之圖像資料的複數個圖像組中，篩選出包含可向上述車輛圖像顯示裝置發送之圖像資料之圖像組作為複數個篩選圖像組，且<br/>每當從上述車輛圖像控制裝置接收到選擇上述複數個篩選圖像組中之一個之選擇指令時，從上述複數個篩選圖像組中依次選擇一個顯示圖像組，並發送所選擇之上述顯示圖像組中包含之圖像資料，<br/>上述車輛圖像控制裝置根據上述騎乘者之手於保持著上述把手桿之狀態下對上述把手桿開關進行之操作，向上述終端控制裝置發送用以使上述終端控制裝置從上述複數個篩選圖像組中依次選擇一個作為上述顯示圖像組的上述選擇指令，於從上述終端控制裝置接收到上述顯示圖像組中包含之圖像資料之情形時，使接收到之圖像資料之內容圖像顯示於上述車輛圖像顯示裝置。
如請求項1之跨坐型車輛系統，其中<br/>上述把手桿開關具備沿著第1方向配置之2個以上之第1開關、及沿著與上述第1方向不同之第2方向配置之2個以上之第2開關，<br/>上述車輛圖像控制裝置於上述第1開關被操作之情形時，向上述終端控制裝置發送上述選擇指令，於上述第2開關被操作之情形時，向上述終端控制裝置發送從上述顯示圖像組中依次選擇一個內容圖像之圖像切換指令，<br/>上述應用程式藉由於上述終端控制裝置中執行，而使上述終端控制裝置於從上述車輛圖像控制裝置接收到上述圖像切換指令之情形時，從上述顯示圖像組中依次選擇一個內容圖像，並作為上述圖像資料發送。
如請求項1或2之跨坐型車輛系統，其中<br/>上述應用程式藉由於上述終端控制裝置中執行，而使上述終端控制裝置於從上述攜帶型資訊終端之外部接收到與上述篩選圖像組中包含之特定圖像組相關聯之觸發資訊之情形時，在不接收上述選擇指令之情況下強制地發送上述特定圖像組中包含之圖像資料。
一種控制方法，其係使用具備可與跨坐型車輛通信之終端控制裝置、及終端操作裝置之攜帶型資訊終端，來控制安裝於上述跨坐型車輛之車體上之車輛圖像顯示裝置之顯示者，且<br/>根據對上述終端操作裝置進行之篩選操作，從分別包含可於上述車輛圖像顯示裝置顯示之1個或多個內容圖像之圖像資料的複數個圖像組中，篩選出包含可向上述車輛圖像顯示裝置發送之圖像資料之圖像組作為複數個篩選圖像組，<br/>根據對安裝於上述車體之把手桿之把手桿開關進行之操作，向上述終端控制裝置發送用以從上述複數個篩選圖像組中依次選擇一個顯示圖像組之選擇指令，<br/>每當接收到選擇上述複數個篩選圖像組中之一個之上述選擇指令時，從上述複數個篩選圖像組中依次選擇一個上述顯示圖像組，並發送所選擇之上述顯示圖像組中包含之圖像資料，<br/>於從上述終端控制裝置接收到上述顯示圖像組中包含之圖像資料之情形時，將接收到之圖像資料之內容圖像顯示於上述車輛圖像顯示裝置。
一種跨坐型車輛系統，其具備跨坐型車輛、及可與上述跨坐型車輛通信之攜帶型資訊終端，<br/>上述跨坐型車輛具備：<br/>車體，其包含由上述跨坐型車輛之騎乘者用手保持之把手桿；<br/>把手桿開關，其安裝於上述把手桿；<br/>車輛圖像顯示裝置，其安裝於上述車體且顯示圖像；及<br/>車輛圖像控制裝置，其具有與上述攜帶型資訊終端通信之功能，且控制上述車輛圖像顯示裝置；<br/>上述攜帶型資訊終端具備：<br/>終端操作裝置，其顯示圖像，並且受理與所顯示之圖像相關之操作；及<br/>終端控制裝置，其作為電腦，具有與上述車輛圖像控制裝置通信之功能，且控制上述終端操作裝置；<br/>上述終端控制裝置藉由執行應用程式，而根據對上述終端操作裝置進行之篩選操作，從分別包含可於上述車輛圖像顯示裝置顯示之1個或多個內容圖像之圖像資料的複數個圖像組中，篩選出包含可向上述車輛圖像顯示裝置發送之圖像資料之圖像組作為複數個篩選圖像組，且<br/>每當從上述車輛圖像控制裝置接收到選擇上述複數個篩選圖像組中之一個之選擇指令時，從上述複數個篩選圖像組中依次選擇一個顯示圖像組，並發送所選擇之上述顯示圖像組中包含之圖像資料，<br/>上述車輛圖像控制裝置根據上述騎乘者之手於保持著上述把手桿之狀態下對上述把手桿開關進行之操作，向上述終端控制裝置發送用以使上述終端控制裝置從上述複數個篩選圖像組中依次選擇一個作為上述顯示圖像組的上述選擇指令，於從上述終端控制裝置接收到上述顯示圖像組中包含之圖像資料之情形時，使接收到之圖像資料之內容圖像顯示於上述車輛圖像顯示裝置。
如請求項5之跨坐型車輛系統，其中<br/>上述把手桿開關具備沿著第1方向配置之2個以上之第1開關、及沿著與上述第1方向不同之第2方向配置之2個以上之第2開關，<br/>上述車輛圖像控制裝置於上述第1開關被操作之情形時，向上述終端控制裝置發送上述選擇指令，於上述第2開關被操作之情形時，向上述終端控制裝置發送從上述顯示圖像組中依次選擇一個內容圖像之圖像切換指令，<br/>上述終端控制裝置藉由執行上述應用程式，而使上述終端控制裝置於從上述車輛圖像控制裝置接收到上述圖像切換指令之情形時，從上述顯示圖像組中依次選擇一個內容圖像，並作為上述圖像資料發送。
如請求項5或6之跨坐型車輛系統，其中<br/>上述終端控制裝置於從上述攜帶型資訊終端之外部接收到與上述篩選圖像組中包含之特定圖像組相關聯之觸發資訊之情形時，在不接收上述選擇指令之情況下強制地發送上述特定圖像組中包含之圖像資料。
一種應用程式，其係控制如請求項5至7中任一項之跨坐型車輛系統所具備之上述攜帶型資訊終端者，<br/>上述應用程式藉由於上述終端控制裝置中執行，而使上述終端控制裝置根據對上述終端操作裝置進行之篩選操作，從分別包含可於上述車輛圖像顯示裝置顯示之1個或多個內容圖像之圖像資料的複數個圖像組中，篩選出可向上述車輛圖像顯示裝置發送之圖像資料之圖像組作為篩選圖像組，且<br/>每當從上述車輛圖像控制裝置接收到選擇上述複數個篩選圖像組中之一個之選擇指令時，從上述複數個篩選圖像組中依次選擇一個顯示圖像組，並發送所選擇之上述顯示圖像組中包含之圖像資料。
一種製備鐵電單元之方法，係包含一N型鐵電場效電晶體（N-type FeFET）製程，其至少包含下列步驟： <br/>將一第一矽基板清洗乾淨； <br/>在該第一矽基板上使用原子層沉積（atomic layer deposition, ALD）長出一介面層（Interfacial Layer, IL）； <br/>在該介面層上使用該ALD以埃級層狀堆疊二氧化鉿/二氧化鋯（HfO<sub>2</sub>/ZrO<sub>2</sub>）形成一第一氧化鉿鋯（HZO）結構； <br/>在該第一HZO結構上使用物理氣相沉積（Physical vapor deposition, PVD）覆蓋一第一氮化鈦（TiN）層，形成第一金屬氧化物半導體場效應電晶體（Metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET）結構； <br/>對該第一矽基板、該介面層、該第一HZO結構及該第一TiN層進行蝕刻與圖案化以形成一第一源極/汲極區（S/D），接著摻雜該第一源極/汲極區為P型摻雜物（P-dopant），再執行退火製程以活化該第一源極/汲極區中的摻雜物，製得一N型鐵電場效電晶體；以及 <br/>對該N型鐵電場效電晶體進行氫電漿處理，以射頻功率介於100±20% W時，將氫氣（H<sub>2</sub>）以20±20% sccm之流量通入並持續400±20%秒。
依申請專利範圍第1項所述之製備鐵電單元之方法，更包括一P型鐵電場效電晶體（P-type FeFET）製程其至少包含下列步驟： <br/>將一第二矽基板清洗乾淨； <br/>在該第二矽基板上使用該ALD以埃級層狀堆疊HfO<sub>2</sub>/ZrO<sub>2</sub>形成一第二HZO結構； <br/>在該第二HZO結構上使用該PVD依序覆蓋一第二TiN層、一鉬（Mo）層及一 <br/>第三TiN層，形成第二MOSFET結構；以及 <br/>對該第二矽基板、該第二HZO結構、該第二TiN層、該鉬層及該第三TiN層進行蝕刻與圖案化以形成一第二源極/汲極區，接著摻雜該第二源極/汲極區為B型摻雜物（B-dopant），再執行退火製程以活化該第二源極/汲極區中的摻雜物，製得一P型鐵電場效電晶體。
依申請專利範圍第2項所述之製備鐵電單元之方法，其中，該 <br/>第一或該第二矽基板之清洗係以RCA Clean的標準製程清洗。
依申請專利範圍第1項所述之製備鐵電單元之方法，其中，該 <br/>介面層係為氧化鋁（AlOx），厚度為1±20% nm。
依申請專利範圍第2項所述之製備鐵電單元之方法，其中，該 <br/>第一或該第二HZO結構之厚度為9±20% nm，係以該ALD每個周期厚度個別為7埃（Å）的HfO<sub>2</sub>與7Å ZrO<sub>2</sub>循環堆疊而成。
依申請專利範圍第1項所述之製備鐵電單元之方法，其中，該 <br/>第一TiN層之厚度為50±20% nm。
依申請專利範圍第2項所述之製備鐵電單元之方法，其中，該 <br/>第二TiN層之厚度為2.5±20% nm，該鉬層之厚度為30±20% nm，該第三TiN層之厚度為50±20% nm。
依申請專利範圍第2項所述之製備鐵電單元之方法，其中，該 <br/>第一或該第二源極/汲極區係該第一或該第二矽基板中的摻雜區。
依申請專利範圍第2項所述之製備鐵電單元之方法，其中，該 <br/>退火製程包括在900±20%°C的溫度下退火在該第一或該第二矽基板上的該第一或該第二源極/汲極區5±20%秒以活化其中的該P型或該B型摻雜物。
一種鐵電單元，係包括： <br/>一N型鐵電場效電晶體，包含一第一矽基板；一第一閘極堆疊，設置於該第 <br/>一矽基板上方，該第一閘極堆疊包括一介面層、一第一HZO結構，設置於該介面層上方、與一第一TiN層，設置於該第一HZO結構上方；及一第一源極/汲極區，鄰近設置於該第一閘極堆疊的兩側；其中該N型鐵電場效電晶體係經氫電漿處理後的鐵電場效電晶體；以及 <br/>一P型鐵電場效電晶體，包含一第二矽基板；一第二閘極堆疊，設置於該第二矽基板上方，該第二閘極堆疊包括一第二HZO結構、一第二TiN層，設置於該第二HZO結構上方、一鉬層，設置於該第二TiN層上方、與一第三TiN層，設置於該鉬層上方；及一第二源極/汲極區，鄰近設置於該第二閘極堆疊的兩側；其中該N型鐵電場效電晶體與該P型鐵電場效電晶體的源極區耦接至一匹配線（ML），該N型鐵電場效電晶體與該P型鐵電場效電晶體的汲極區耦接至接地端。
依申請專利範圍第10項所述之鐵電單元，其中，該介面層係為氧化鋁，厚度為1±20% nm。
依申請專利範圍第10項所述之鐵電單元，其中，該第一與該第二HZO結構係循環堆疊7 Å的HfO<sub>2</sub>與7Å ZrO<sub>2</sub>而形成總厚度為9±20%nm者。
依申請專利範圍第10項所述之鐵電單元，其中，該第一TiN層 <br/>之厚度為50±20% nm，該第二TiN層之厚度為2.5±20% nm，該鉬層之厚度為30±20% nm，該第三TiN層之厚度為50±20% nm。
依申請專利範圍第10項所述之鐵電單元，其中，該第一源極汲極區係該第一矽基板中的P型摻雜區，該第二源極/汲極區係該第二矽基板中的B型摻雜區。
一種電漿處理裝置，其特徵係， <br/> 具備有真空容器、被設置於前述真空容器之內部並在內部形成有電漿的處理室及被設置於前述處理室之圓筒形狀的試料台， <br/> 前述試料台，係具有在上部的中央部具有凸部之金屬製的基材、覆蓋前述基材的前述凸部之上面而配置的介電質膜、被配置於該介電質膜之內部的第1加熱器及被配置於該第1加熱器之上方的第2加熱器和在前述第2加熱器的上方覆蓋前述第1及前述第2加熱器而配置並接地之金屬製的膜， <br/> 前述第2加熱器，係具有於俯視下具有圓形狀且覆蓋前述凸部上面之中央部的中央區域及環狀地包圍該中央區域之外周的至少一個外周區域，前述第1加熱器，係具有分別於俯視下呈矩形狀並互相鄰接的複數個矩形區域者， <br/> 具備有以使被載置於前述介電質膜上之處理對象的晶圓使用前述電漿而加以實施之處理中的前述晶圓成為目標溫度的方式，個別地調節分別被供給至前述第1加熱器的前述複數個矩形區域及前述第2加熱器的前述中央區域、前述外周區域之電力的控制部。
如請求項1之電漿處理裝置，其中， <br/> 前述金屬製的膜覆蓋前述凸部之外周側壁面而配置。
如請求項1或2之電漿處理裝置，其中， <br/> 在前述處理中，不變更對前述第1加熱器之電力的供給而調節對前述第2加熱器之電力的供給。
如請求項1之電漿處理裝置，其中， <br/> 前述晶圓，係在上面具備有於俯視下具有矩形狀的複數個晶片區域， <br/> 藉由前述控制部來個別地調節對前述複數個矩形區域的電力供給。
如請求項4之電漿處理裝置，其中， <br/> 在前述晶圓被載置於前述凸部上面上之前述介電質膜上的狀態下，一個前述矩形區域位於一個前述晶片區域的下方。
如請求項1之電漿處理裝置，其中，具備有： <br/> 至少一個溫度感測器，被配置於前述複數個矩形區域的下方之前述基材的內部， <br/> 使用前述晶圓之處理中所檢測到的前述溫度感測器之輸出，以成為前述矩形區域之目標溫度的方式，個別地調節對前述矩形區域的電力供給。
如請求項1或2之電漿處理裝置，其中， <br/> 前述中央區域、外周區域及矩形區域，係分別構成為加熱線經折返複數次而配置者，該加熱線由金屬材料所構成，構成前述中央區域或外周區域之前述加熱線的厚度，係比構成前述矩形區域之前述加熱線的厚度還厚。
如請求項7之電漿處理裝置，其中， <br/> 構成前述中央區域及外周區域之前述加熱線的線寬，係比構成前述矩形區域之前述加熱線的線寬還寬。
一種防水門窗框，其具有： <br/>一外框，其具有一連接邊及複數框邊，該連接邊及該等框邊相連接形成一圈；該連接邊具有： <br/> 一主板； <br/> 一第一密封板，其形成於該主板，並向該外框的內側延伸； <br/> 一第一密封槽，其形成於該第一密封板遠離該主板的一端，且該第一密封槽於該第一密封板的外側形成一開口； <br/> 一第一密封件，其設置於該第一密封槽中； <br/> 一安裝槽，其形成於該第一密封板上，並位於該主板及該第一密封槽之間；該安裝槽於該第一密封板的外側形成一開口； <br/> 一第二密封板，其向該外框的內側延伸，並平行於該第一密封板； <br/> 一第二密封槽，其形成於該第二密封板遠離該主板的一端；該第二密封槽的開口方向與該第一密封槽的開口方向相同； <br/> 一第二密封件，其設置於該第二密封槽中； <br/> 一支撐部，其連接該第一密封板及該第二密封板； <br/>一卡扣，其截面呈C字形，該卡扣固設於該安裝槽中； <br/>一內框，其可轉動地設置於該外框的該連接邊的內側；該內框具有： <br/> 一樞軸部，其穿設於該卡扣，該樞軸部的外壁面貼合該卡扣的內壁面；該內框能以該樞軸部為軸心相對於該外框轉動； <br/> 一外板，其一端連接於該樞軸部；該內框能轉動至該外板貼合該第一密封件； <br/> 一內板，其平行設置於該外板，當該內框轉動至該外板貼合該第一密封件時，該內板貼合該第二密封件。
如請求項1所述之防水門窗框，其中，該內框具有一門窗本體連接板，該門窗本體連接板連接該外板及該內板。
如請求項2所述之防水門窗框，其中，該內框具有一門窗本體夾設槽，該門窗本體夾設槽形成於該門窗本體連接板上，且該門窗本體夾設槽的開口朝向該內框的內側。
如請求項1所述之防水門窗框，其中，該內框具有： <br/>一門窗本體連接板，其連接該外板； <br/>一門窗本體夾設槽，其形成於該門窗本體連接板上，且該門窗本體夾設槽的開口朝向該內框的內側。
如請求項1所述之防水門窗框，其中，該支撐部連接該第一密封板的一端的位置對應於該安裝槽。
如請求項1至5中任一項所述之防水門窗框，其中，該卡扣具有一鎖固件，該鎖固件穿設該卡扣，並鎖固於該外框的該安裝槽。
如請求項1至5中任一項所述之防水門窗框，其中，該內框的該樞軸部的截面呈C字形；該卡扣的C字形的開口與該樞軸部的C字形的開口位置上相錯開。
一種點膠機構（100），安裝在點膠機的x軸橫樑（33）上，包括：<br/> 連接座（31），與所述x軸橫樑（33）滑動連接，所述連接座（31）與所述x軸橫樑（33）之間設置有用於驅動所述連接座（31）相對所述x軸橫樑（33）滑動的線性馬達（370），所述x軸橫樑（33）上具有背向設置的第一安裝面和第二安裝面，所述線性馬達（370）位於所述x軸橫樑（33）的所述第一安裝面；<br/> y軸微調機構（6），安裝在所述連接座（31）上，並位於所述x軸橫樑（33）的下方；以及<br/> z軸驅動模組（41），安裝在所述y軸微調機構（6）上，所述z軸驅動模組（41）位於所述x軸橫樑（33）的所述第二安裝面。
根據請求項1所述的點膠機構（100），其中，所述連接座（31）包括：<br/> 轉接塊（313），與所述x軸橫樑（33）的所述第二安裝面滑動相連；<br/> 第一轉接板（311），與所述x軸橫樑（33）的所述第一安裝面滑動相連；以及<br/> 第二轉接板（312），位於所述x軸橫樑（33）的下方，所述第二轉接板（312）的一端與所述轉接塊（313）相連，所述第二轉接板（312）的另一端與所述第一轉接板（311）相連。
根據請求項2所述的點膠機構（100），其中，所述線性馬達（370）包括複數個定子（34）及與所述複數個定子（34）相配合的動子（35），所述第一安裝面上開設有定子安裝槽（331），所述複數個定子（34）沿x向排列設在所述定子安裝槽（331）內，所述動子（35）設在所述第一轉接板（311）朝向所述x軸橫樑（33）的一側。
根據請求項2所述的點膠機構（100），其中，所述第一安裝面與所述第一轉接板（311）之間通過第一導軌滑塊（330）和第二導軌滑塊（340）滑動相連，所述線性馬達（370）位於所述第一導軌滑塊（330）與所述第二導軌滑塊（340）之間。
根據請求項2所述的點膠機構（100），其中，所述第二安裝面上設有導軌安裝面（332），所述導軌安裝面（332）位於所述x軸橫樑（33）的厚度最小處，所述導軌安裝面（332）與所述轉接塊（313）之間通過第三導軌滑塊（350）滑動相連。
根據請求項2所述的點膠機構（100），其中，所述y軸微調機構（6）包括：<br/> y軸螺桿模組（63），安裝在所述第二轉接板（312）上；<br/> y軸驅動件（61），通過y軸聯軸器（62）與所述y軸螺桿模組（63）傳動相連；以及<br/> 安裝基座（64），所述y軸螺桿模組（63）的活動端與所述安裝基座（64）相連，以驅動所述安裝基座（64）沿z向活動，所述z軸驅動模組（41）安裝在所述安裝基座（64）上。
根據請求項6所述的點膠機構（100），其中，所述安裝基座（64）位於所述x軸橫樑（33）的下方，所述z軸驅動模組（41）位於所述安裝基座（64）的一端，所述y軸驅動件（61）位於所述安裝基座（64）的另一端。
根據請求項6所述的點膠機構（100），其中，所述第二轉接板（312）上安裝有第一光電限位開關（66）和第二光電限位開關（67），所述第一光電限位開關（66）和所述第二光電限位開關（67）用於對所述安裝基座（64）進行y向限位。
根據請求項2至8中任一項所述的點膠機構（100），其中，所述z軸驅動模組（41）的輸出端安裝有視覺機構（7）和點膠組件（43），所述z軸驅動模組（41）的輸出端為z軸連接板（421），所述視覺機構（7）安裝在所述z軸連接板（421）朝向所述x軸橫樑（33）的一側，且所述視覺機構（7）位於所述y軸微調機構（6）的下方，所述點膠組件（43）安裝在所述z軸連接板（421）遠離所述x軸橫樑（33）的一側。
根據請求項9所述的點膠機構（100），其中，所述視覺機構（7）包括：<br/> 光源（73），通過光源安裝座（71）安裝在所述z軸連接板（421）上；<br/> 相機（74），其一側安裝有鏡頭（75），所述相機（74）通過相機安裝板（72）安裝在所述光源安裝座（71）上；以及<br/> 航空插頭（76），通過航插安裝板（308）安裝在所述相機安裝板（72）上。
根據請求項9所述的點膠機構（100），其中，所述第一轉接板（311）上還安裝有氣控組件（5），所述氣控組件（5）通過氣管連接所述點膠組件（43）。
根據請求項11所述的點膠機構（100），其中，所述x軸橫樑（33）的所述第一安裝面上安裝有走線組件（12），所述走線組件（12）包括第一承載板（121）和第四拖鏈（122），所述第一承載板（121）安裝在所述x軸橫樑（33）的另一側，所述第四拖鏈（122）的一端安裝在所述第一承載板（121）上，所述第四拖鏈（122）的另一端跟隨所述氣控組件（5）活動。
一種四閥點膠機（1000），包括：<br/> 框架（1）；<br/> y軸驅動機構（2），安裝在所述框架（1）上；<br/> x軸驅動機構（3），安裝在所述y軸驅動機構（2）上；以及<br/> 四個點膠機構（100），為根據請求項1至12中任一項所述的點膠機構（100），所述四個點膠機構（100）均與所述x軸驅動機構（3）相連，所述四個點膠機構（100）能夠獨立或同步進行點膠作業，其中，每個所述點膠機構（100）均包括z軸點膠機構（4），所述z軸點膠機構（4）包括所述z軸驅動模組（41），所述y軸微調機構（6）用於驅動所述z軸點膠機構（4）沿y方向移動。
根據請求項13所述的四閥點膠機（1000），其中，所述y軸微調機構（6）安裝在所述x軸驅動機構（3）上並可沿x方向移動，所述點膠機構（100）還包括氣控組件（5）和視覺機構（7），所述氣控組件（5）與所述z軸點膠機構（4）通過氣管連接，所述視覺機構（7）與所述z軸點膠機構（4）連接，所述視覺機構（7）用於對產品進行視覺拍攝、定位。
根據請求項14所述的四閥點膠機（1000），其中，所述z軸驅動模組（41）與所述y軸微調機構（6）連接，所述z軸點膠機構（4）還包括：<br/> z軸安裝組件（42），與所述z軸驅動模組（41）連接，所述z軸驅動模組（41）能夠驅動所述z軸安裝組件（42）沿z方向移動；<br/> 點膠組件（43），安裝在所述z軸安裝組件（42）上，所述點膠組件（43）通過氣管與所述氣控組件（5）連接；以及<br/> 束線組件（44），位於所述z軸驅動模組（41）的上方，用於整理線纜。
根據請求項15所述的四閥點膠機（1000），其中，所述z軸安裝組件（42）包括：<br/> z軸連接板（421），與所述z軸驅動模組（41）連接；<br/> z軸安裝座（422）；以及<br/> 快拆板（423），通過所述z軸安裝座（422）與所述z軸連接板（421）的前側連接，所述z軸連接板（421）上設有集線盒（424），所述集線盒（424）位於所述z軸安裝座（422）的上方。
根據請求項16所述的四閥點膠機（1000），其中，所述束線組件（44）包括第一拖鏈（441）和第二拖鏈（442），所述y軸微調機構（6）的線纜和所述視覺機構（7）的線纜穿過所述z軸連接板（421）、所述z軸安裝座（422）後插入所述集線盒（424）內；所述集線盒（424）的輸出線纜和所述點膠組件（43）的氣管進入所述第二拖鏈（442）內，所述z軸驅動模組（41）的線纜進入所述第一拖鏈（441）內。
根據請求項17所述的四閥點膠機（1000），其中，所述z軸安裝組件（42）的上端設有第一連接板（45），所述z軸驅動模組（41）的上端設有第二連接板（46），所述氣控組件（5）上設有第三連接板（47），所述第一拖鏈（441）的一端與所述第三連接板（47）連接，所述第一拖鏈（441）的另一端與所述第二連接板（46）連接，所述第二拖鏈（442）的一端與所述第三連接板（47）連接，所述第二拖鏈（442）的另一端與所述第一連接板（45）連接。
根據請求項14至18中任一項所述的四閥點膠機（1000），其中，所述x軸驅動機構（3）包括x軸橫樑（33）和四個連接座（31），所述四個連接座（31）均與所述x軸橫樑（33）連接，所述y軸微調機構（6）與所述連接座（31）連接，所述氣控組件（5）與所述連接座（31）連接。
根據請求項15所述的四閥點膠機（1000），其中，所述點膠組件（43）包括點膠閥（431）和膠筒（432），所述點膠閥（431）上設有第一快插接頭（4311），所述膠筒（432）上設有第二快插接頭（4321），所述第一快插接頭（4311）和所述第二快插接頭（4321）之間通過氣管連通。
根據請求項13所述的四閥點膠機（1000），其中，所述框架（1）上安裝有兩個點膠製程模組（11），沿x方向排列的所述四個z軸點膠機構（4）中，第1～2個所述z軸點膠機構（4）優先共用一個所述點膠製程模組（11），第3～4個所述z軸點膠機構（4）優先共用另一個所述點膠製程模組（11）。
根據請求項13所述的四閥點膠機（1000），其中，所述框架（1）上設有輸送軌道（9），所述輸送軌道（9）包括：<br/> 底板（91）；<br/> 兩個軌道（92），設在所述底板（91）上，所述兩個軌道（92）相對佈置，所述兩個軌道（92）用於輸送產品；<br/> 頂升機構（93），位於產品輸送路徑的下方，所述頂升機構（93）用於將產品頂升至產品作業高度；以及<br/> 側推夾緊機構（94），每個所述軌道（92）上均對應安裝有所述側推夾緊機構（94），所述側推夾緊機構（94）用於夾持頂升後的產品，以便於其它產品從夾持的產品下方通過。
根據請求項14所述的四閥點膠機（1000），其中，所述氣控組件（5）包括：<br/> 儲氣罐（51），與氣源連接；以及<br/> 電磁閥（52），與所述儲氣罐（51）連接，所述電磁閥（52）通過氣管與所述z軸點膠機構（4）連接。
一種四閥點膠機的控制方法，所述四閥點膠機為根據請求項13至23中任一項所述的四閥點膠機，所述控制方法包括以下步驟：<br/> 將待點膠的產品放入四閥點膠機的作業平台上（S1）；<br/> 所述四閥點膠機根據對當前產品設定的點膠控制策略進行點膠作業（S2）；<br/> 所述點膠控制策略包括：<br/> 當放入產品為一個時，將產品沿y方向劃分成四個點膠區域，一個點膠機構對應一個所述點膠區域進行點膠作業；所述點膠機構沿x方向對所述點膠區域的第一行軌跡點膠後，通過y軸驅動機構驅動所述點膠機構沿y方向移動至第二行軌跡進行點膠作業，以此類推，直至所述點膠區域內的所有軌跡均完成點膠作業；<br/> 或者，所述點膠機構沿y方向對所述點膠區域的第一列軌跡點膠後，通過x軸驅動機構驅動所述點膠機構沿x方向移動至第二列軌跡進行點膠作業，以此類推，直至所述點膠區域內的所有軌跡均完成點膠作業；<br/> 其中，所述四個點膠機構能夠進行獨立作業或同步作業。
一種四閥點膠機的控制方法，所述四閥點膠機為根據請求項13至23中任一項所述的四閥點膠機，所述控制方法包括以下步驟：<br/> 將待點膠的產品放入四閥點膠機的作業平台上（S1）；<br/> 所述四閥點膠機根據對當前產品設定的點膠控制策略進行點膠作業（S2）；<br/> 所述點膠控制策略包括：<br/> 當放入產品為兩個時，將每個產品沿y方向劃分成兩個點膠區域，共有四個所述點膠區域，一個點膠機構對應一個所述點膠區域進行點膠作業；所述點膠機構沿x方向對所述點膠區域的第一行軌跡點膠後，通過y軸驅動機構驅動所述點膠機構沿y方向移動至第二行軌跡進行點膠作業，以此類推，直至所述點膠區域內的所有軌跡均完成點膠作業；<br/> 或者，所述點膠機構沿y方向對所述點膠區域的第一列軌跡點膠後，通過x軸驅動機構驅動所述點膠機構沿x方向移動至第二列軌跡進行點膠作業，以此類推，直至所述點膠區域內的所有軌跡均完成點膠作業；<br/> 其中，所述四個點膠機構能夠進行獨立作業或同步作業。
一種四閥點膠機的控制方法，所述四閥點膠機為根據請求項13至23中任一項所述的四閥點膠機，所述控制方法包括以下步驟：<br/> 將待點膠的產品放入四閥點膠機的作業平台上（S1）；<br/> 所述四閥點膠機根據對當前產品設定的點膠控制策略進行點膠作業（S2）；<br/> 所述點膠控制策略包括：<br/> 當放入產品為四個時，一個點膠機構對應一個產品進行點膠作業；所述點膠機構沿x方向對產品的第一行軌跡點膠後，通過y軸驅動機構驅動所述點膠機構沿y方向移動至第二行軌跡進行點膠作業，以此類推，直至產品的所有軌跡均完成點膠作業；<br/> 或者，所述點膠機構沿y方向對產品的第一列軌跡點膠後，通過x軸驅動機構驅動所述點膠機構沿x方向移動至第二列軌跡進行點膠作業，以此類推，直至產品的所有軌跡均完成點膠作業；<br/> 其中，所述四個點膠機構能夠進行獨立作業或同步作業。
一種四閥點膠機的控制方法，所述四閥點膠機為根據請求項13至23中任一項所述的四閥點膠機，所述控制方法包括以下步驟：<br/> 將待點膠的產品放入四閥點膠機的作業平台上（S1）；<br/> 所述四閥點膠機根據對當前產品設定的點膠控制策略進行點膠作業（S2）；<br/> 所述點膠控制策略包括：<br/> 將四個點膠機構分成兩組，兩組所述點膠機構分別利用不同種類的膠體對同一產品進行點膠作業。
一種四閥點膠機的控制方法，所述四閥點膠機為根據請求項13至23中任一項所述的四閥點膠機，所述控制方法包括以下步驟：<br/> 將待點膠的產品放入四閥點膠機的作業平台上（S1）；<br/> 所述四閥點膠機根據對當前產品設定的點膠控制策略進行點膠作業（S2）；<br/> 所述點膠控制策略包括：<br/> 在進行點膠之前，通過y軸驅動機構帶動點膠組件移動至產品上相鄰兩個點膠區域的中間，再通過y軸微調機構將所述點膠組件先移動至其中一個所述點膠區域進行點膠，所述點膠區域點膠完成後，所述y軸微調機構再將所述點膠組件移動至另外一個所述點膠區域進行點膠作業。
一種半導體封裝，包括： <br/>基板； <br/>第一半導體裝置，配置於所述基板上方； <br/>多個第二半導體裝置，配置於所述基板上方且環繞所述第一半導體裝置； <br/>環結構，配置於所述基板上方，其中所述環結構環繞所述第一半導體裝置及所述多個第二半導體裝置，並配置於所述第一半導體裝置與所述多個第二半導體裝置之間，所述環結構包括凸緣部分，其在俯視方向上與所述多個第二半導體裝置的頂表面部分重疊；以及 <br/>蓋結構，覆蓋並接合到所述第一半導體裝置、所述多個第二半導體裝置及所述凸緣部分的上表面，其中所述蓋結構包括接合部分，其朝向所述多個第二半導體裝置突出，且所述凸緣部分環繞所述接合部分。
如請求項1所述的半導體封裝，更包括第一黏合劑以及第二黏合劑，所述第一黏合劑配置於所述蓋結構與所述第一半導體裝置之間，所述第二黏合劑配置於所述蓋結構與所述第二半導體裝置之間以及配置於所述蓋結構與所述凸緣部分的上表面之間，其中所述第一黏合劑的熱導率高於所述第二黏合劑的熱導率，且所述第二黏合劑的黏著性高於所述第一黏合劑的黏著性。
如請求項1所述的半導體封裝，其中所述環結構的熱膨脹係數(coefficient of thermal expansion, CTE)小於所述蓋結構的CTE。
如請求項1所述的半導體封裝，其中所述第二接合部分的厚度大於所述凸緣部分的厚度。
如請求項1所述的半導體封裝，其中所述多個第二半導體裝置的其中之一的寬度實質上等於或大於與所述多個第二半導體裝置的所述其中之一重疊的所述凸緣部分的寬度的兩倍。
一種半導體封裝，包括： <br/>基板； <br/>封裝結構，配置於所述基板上方； <br/>多個晶粒堆疊，配置於所述基板上方，並排列在所述封裝結構的兩個相對側； <br/>環結構，配置於所述基板上方，並環繞所述封裝結構及所述多個晶粒堆疊，其中所述環結構包括凸緣部分，延伸至所述多個晶粒堆疊的頂表面上方； <br/>蓋結構，覆蓋並接合到所述封裝結構、所述多個晶粒堆疊及所述環結構，其中所述蓋結構包括多個接合部分，其朝向所述多個晶粒堆疊突出，且所述凸緣部分環繞所述接合部分；以及 <br/>黏合劑，接合於所述凸緣部分的下表面與所述多個晶粒堆疊的頂表面之間。
如請求項6所述的半導體封裝，其中所述蓋結構包括板狀部分，所述多個接合部分突出於所述板狀部分並用於接合到所述封裝結構及所述多個晶粒堆疊，且配置於所述多個晶粒堆疊的頂表面上的所述黏合劑接觸所述多個接合部分及所述凸緣部分的下表面。
如請求項6所述的半導體封裝，其中所述環結構更包括壁部分，其環繞所述封裝結構及所述多個晶粒堆疊，且所述凸緣部分延伸跨過所述多個晶粒堆疊的其中之一的頂表面，以連接位在所述多個晶粒堆疊的所述其中之一的相對兩側的所述壁部分。
一種製造半導體封裝的方法，包括： <br/>提供第一半導體裝置於基板上方； <br/>提供多個第二半導體裝置於所述基板上方； <br/>提供黏合劑於所述基板及所述多個第二半導體裝置的頂表面上； <br/>通過所述黏合劑將環結構接合於所述基板及所述多個第二半導體裝置上方，其中所述環結構環繞所述第一半導體裝置及所述多個第二半導體裝置並包括凸緣部分，所述凸緣部分延伸於所述多個第二半導體裝置的頂表面上方並接合到所述頂表面；以及 <br/>將蓋結構接合於所述第一半導體裝置、所述多個第二半導體裝置及所述凸緣部分的上表面上方，其中所述蓋結構包括接合部分，其朝向所述多個第二半導體裝置突出以接合所述多個第二半導體裝置，且所述凸緣部分環繞所述接合部分。
如請求項9所述的方法，其中提供所述第一半導體裝置於所述基板上方更包括： <br/>將多個第一晶粒接合到晶圓，其中將所述多個第一晶粒接合到所述晶圓的方法包括熔合接合及直接金屬接合； <br/>在所述晶圓上方形成包封材料，其中所述包封材料至少側向包封所述多個第一晶粒； <br/>在所述包封材料及所述晶圓上執行單體化製程以形成所述第一半導體裝置；以及 <br/>將所述第一半導體裝置接合到所述基板。
一種提供資訊之方法，其係於電子裝置中提供資訊之方法，其包括如下步驟： <br/>將至少一個物品之資訊提供至用戶之裝置； <br/>自上述用戶之上述裝置獲得上述至少一個物品中之一個以上之物品之選擇資訊，其中上述選擇資訊指示上述用戶之選擇輸入； <br/>獲得包括上述一個以上之物品各者之一個以上之影像資訊中之至少一部分的頁面；及 <br/>將上述頁面提供至上述用戶之裝置， <br/>其中獲得上述頁面包括： <br/>確定上述一個以上之物品中之在上述頁面上優先顯示其影像資訊之上述一個以上之物品之至少一部分；及 <br/>確定上述頁面上之用以配置上述一個以上之物品之上述至少一部分的影像資訊之區域，及 <br/>其中確定上述一個以上之物品之上述至少一部分包括於上述一個以上之物品之個數超過所設定之臨界個數的情形時，基於上述一個以上之物品各者之優先級，自上述一個以上之物品中選擇上述臨界個數之物品。
如請求項1之提供資訊之方法，其中確定上述至少一部分物品之步驟進而包括如下步驟： <br/>確定上述一個以上之物品各者之優先級； <br/>確定上述一個以上之物品各者之優先級之步驟包括如下步驟中之一個以上： <br/>確認針對上述一個以上之物品各者預設之優先級；及 <br/>基於選擇上述一個以上之物品之順序，設定上述一個以上之物品各者之優先級，及 <br/>其中設定上述一個以上之物品各者之上述優先級包括指定較高優先級給較早選擇之物品，而非給較晚選擇之物品。
如請求項1之提供資訊之方法，其進而包括如下步驟： <br/>於將上述頁面提供至上述用戶之裝置之後，獲得上述用戶對上述至少一個物品中之第1物品之選擇資訊； <br/>以包括上述第1物品之影像資訊之方式變更上述頁面之構成；及 <br/>將上述構成變更後之頁面提供至上述用戶之裝置； <br/>變更上述頁面之構成之步驟包括如下步驟： <br/>將上述第1物品之影像資訊配置於上述頁面上之所設定之區域；及 <br/>於配置上述所設定之區域在上述頁面上之區域之至少一部分中，而上述區域之上述至少一部分區域係先前確定用以配置上述一個以上之物品之上述至少一部分之影像資訊的情形時，變更上述頁面上之用以配置上述一個以上之物品之上述至少一部分之上述影像資訊之上述區域。
如請求項1之提供資訊之方法，其進而包括如下步驟： <br/>於將上述頁面提供至上述用戶之裝置之後，獲得上述用戶對上述一個以上之物品中之第2物品之選擇取消資訊；及 <br/>將視覺資訊提供至上述用戶之裝置，該視覺資訊係告知上述第2物品之資訊自選擇對象中排除者。
如請求項4之提供資訊之方法，其中將上述視覺資訊提供至上述用戶之裝置之步驟包括如下步驟： <br/>於上述第2物品不屬於上述一個以上之物品之上述至少一部分之情形時，以包括上述第2物品之影像資訊之方式變更上述頁面之構成；及 <br/>自上述構成變更後之頁面中移除上述第2物品之影像資訊。
如請求項1之提供資訊之方法，其中獲得上述頁面之步驟包括如下步驟： <br/>以如下方式構成上述頁面，即，包括用以提供針對至少一個物品之選擇取消功能之用戶介面。
如請求項6之提供資訊之方法，其進而包括如下步驟： <br/>於基於上述用戶介面來請求執行針對第3物品之上述選擇取消功能之情形時， <br/>以如下方式變更上述頁面之構成，即，變更上述第3物品之影像資訊及與上述第3物品對應之上述用戶介面中之一個以上之顯示形態。
如請求項7之提供資訊之方法，其中於在上述用戶之裝置上停止提供上述頁面，之後將上述頁面重新提供至上述用戶之裝置之情形時， <br/>上述第3物品之影像資訊不包括於上述重新提供之頁面中。
如請求項1之提供資訊之方法，其中獲得上述頁面之步驟包括如下步驟： <br/>以如下方式構成上述頁面，即，包括用以提供針對至少一個物品之訂單數量調節功能之用戶介面。
如請求項1之提供資訊之方法，其中於在上述一個以上之物品中存在包括複數個子影像之第4物品，該複數個子影像具有相同之形態，且上述第4物品屬於要在上述頁面上顯示其影像資訊之物品之情形時， <br/>獲得上述頁面之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述複數個子影像來轉換上述第4物品之影像資訊；及 <br/>以包括上述轉換後之影像之方式構成上述頁面。
如請求項1之提供資訊之方法，其中獲得上述頁面之步驟包括如下步驟： <br/>確定上述頁面上之用以配置上述一個以上之物品之影像資訊之第1區域；及 <br/>與上述一個以上之物品中之至少一部分物品相關，確定上述頁面上之用以進一步配置上述至少一部分物品之影像資訊之第2區域； <br/>配置於上述第1區域之影像資訊具有比配置於上述第2區域之影像資訊更大之尺寸。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有用以於電腦中執行如請求項1之方法之程式。
一種電子裝置，其係提供資訊者，其包括： <br/>收發器、儲存命令之記憶體及處理器， <br/>上述處理器與上述收發器及上述記憶體連接， <br/>將至少一個物品之資訊提供至用戶之裝置， <br/>自上述用戶之上述裝置獲得上述至少一個物品中之一個以上之物品之選擇資訊，其中上述選擇資訊指示上述用戶之選擇輸入； <br/>獲得包括上述一個以上之物品各者之一個以上之影像資訊中之至少一部分的頁面；且 <br/>將上述頁面提供至上述用戶之裝置， <br/>其中上述處理器藉由以下步驟獲得上述頁面： <br/>確定上述一個以上之物品中之在上述頁面上優先顯示其影像資訊之上述一個以上之物品之至少一部分；及 <br/>確定上述頁面上之用以配置上述一個以上之物品之上述至少一部分的影像資訊之區域，及 <br/>其中確定上述一個以上之物品之上述至少一部分包括於上述一個以上之物品之個數超過所設定之臨界個數的情形時，基於上述一個以上之物品各者之優先級，自上述一個以上之物品中選擇上述臨界個數之物品。
一種電子裝置，包括： <br/>電路基板，包括基底，以及配置在所述基底上的第一接墊以及第二接墊；以及 <br/>第一填充層，包括位於所述第一接墊與所述第二接墊之間的第一部分， <br/>其中所述第一接墊以及所述第二接墊適於分別連接一第一電子元件的兩個電極，且 <br/>其中所述第一填充層對於200 nm至355 nm範圍內的光具備大於80%的吸收率， <br/>其中所述第一填充層對於900 nm至1000 nm範圍內的所述光具備小於5%的吸收率。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述第一填充層對於200 nm至355 nm範圍內的所述光具備大於95%的吸收率。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述第一填充層包括（甲基）丙烯酸酯共聚物。
如請求項1所述的電子裝置，其中當所述第一填充層被200 nm至355 nm範圍內的光照射，所述第一填充層產生一氣體，且所述氣體包括二氧化碳、一氧化碳以及水分子中的至少一者。
如請求項1所述的電子裝置，還包括第二填充層，配置於所述第一填充層上，且所述第二填充層對於200 nm至355 nm範圍內的光具備小於20%的吸收率。
如請求項5所述的電子裝置，其中所述基底在所述第一接墊與所述第二接墊之間的部分表面被所述第一填充層的所述第一部分暴露出來。
如請求項5所述的電子裝置，其中所述第一填充層的所述第一部分具有第一厚度以及第二厚度，所述第一厚度與所述第二厚度不同。
如請求項5所述的電子裝置，其中所述第二填充層包括增黏樹脂。
一種電子裝置，包括： <br/>電路基板，包括基底，以及配置在所述基底上的第一接墊、第二接墊、第三接墊以及第四接墊；以及 <br/>第一填充層，包括位於所述第一接墊與所述第二接墊之間的第一部分以及位於所述第三接墊與所述第四接墊之間的第二部分， <br/>其中所述第一接墊以及所述第二接墊適於分別連接一第一電子元件的兩個電極，且所述第三接墊以及所述第四接墊適於分別連接一第二電子元件的兩個電極，且 <br/>其中所述第一填充層的所述第二部分包括定義一第一虛擬基準面的一頂面，且所述第一填充層的所述第一部分包括位於所述第一虛擬基準面以及所述基底之間的至少一凹面， <br/>其中所述第一填充層對於900 nm至1000 nm範圍內的所述光具備小於5%的吸收率。
如請求項9所述的電子裝置，其中所述第一填充層包括（甲基）丙烯酸酯共聚物。
如請求項9所述的電子裝置，還包括第二填充層，配置於所述第一填充層上，且包括位於所述第一接墊與所述第二接墊之間的第一部分以及位於所述第三接墊與所述第四接墊之間的第二部分，其中所述第二填充層的所述第二部分包括定義一第二虛擬基準面的一頂面，所述第二填充層的所述第一部分包括至少一凸面，且所述第二虛擬基準面位於所述基底以及所述至少一凸面之間。
如請求項11所述的電子裝置，其中所述第二填充層的所述第一部分以及所述第一填充層的所述第一部分之間具有至少一空腔。
如請求項11所述的電子裝置，其中所述第二填充層包括增黏樹脂。
一種影像測量方法，由影像處理裝置執行，包括： <br/>取得輸入影像及所述輸入影像中的多個參考線段，其中各所述參考線段具有對應的第一端點位置及第二端點位置，且所述多個參考線段至少包括多個待測線段； <br/>將所述輸入影像編碼為序列向量，並將所述序列向量與位置編碼向量整合為第一輸入向量，其中所述位置編碼向量指示各所述參考線段對應的所述第一端點位置及所述第二端點位置； <br/>利用變換器編碼器基於所述第一輸入向量產生第二輸入向量； <br/>利用變換器解碼器基於所述第二輸入向量及查詢資訊產生對應於各所述待測線段的預測偏移結果，其中所述查詢資訊指示各所述待測線段的描述性資訊；以及 <br/>基於各所述待測線段的所述預測偏移結果產生各所述待測線段的測量結果。
如請求項1所述的方法，其中該輸入影像包括待測影像，且所述多個參考線段僅包括所述多個待測線段，且各所述待測線段為經隨機指派於所述待測影像中的第一線段。
如請求項1所述的方法，其中該輸入影像包括由待測影像及輔助影像拼接而成的拼接影像，所述多個參考線段包括所述多個待測線段及多個輔助線段，各所述待測線段為經隨機指派於所述待測影像中的第一線段，且各所述輔助線段為指示所述輔助影像中對應的目標長度的第二線段。
如請求項1所述的方法，其中將所述輸入影像編碼為所述序列向量包括： <br/>將所述輸入影像輸入卷積神經網路，以由所述卷積神經網路提取所述輸入影像的特徵作為所述序列向量。
如請求項1所述的方法，其中各所述待測線段的所述描述性資訊包括對應於各所述待測線段的名稱的語意嵌入向量。
如請求項1所述的方法，其中所述多個待測線段包括第一待測線段，且對應於所述第一待測線段的所述預測偏移結果包括第一偏移量及第二偏移量，其中所述第一偏移量對應於所述第一待測線段的所述第一端點位置，且所述第二偏移量對應於所述第一待測線段的所述第二端點位置。
如請求項6所述的方法，其中基於各所述待測線段的所述預測偏移結果產生各所述待測線段的所述測量結果包括： <br/>依據所述第一偏移量偏移所述第一待測線段的所述第一端點位置，並依據所述第二偏移量偏移所述第一待測線段的所述第二端點位置； <br/>判定所述第一待測線段的經偏移的所述第一端點位置及經偏移的所述第二端點位置之間的距離，並判定所述距離為對應於所述第一待測線段的所述測量結果。
一種影像處理裝置，包括： <br/>儲存電路，其儲存程式碼；以及 <br/>處理器，其耦接該儲存電路並存取該程式碼以執行： <br/>取得輸入影像及所述輸入影像中的多個參考線段，其中各所述參考線段具有對應的第一端點位置及第二端點位置，且所述多個參考線段至少包括多個待測線段； <br/>將所述輸入影像編碼為序列向量，並將所述序列向量與位置編碼向量整合為第一輸入向量，其中所述位置編碼向量指示各所述參考線段對應的所述第一端點位置及所述第二端點位置； <br/>利用變換器編碼器基於所述第一輸入向量產生第二輸入向量； <br/>利用變換器解碼器基於所述第二輸入向量及查詢資訊產生對應於各所述待測線段的預測偏移結果，其中所述查詢資訊指示各所述待測線段的描述性資訊；以及 <br/>基於各所述待測線段的所述預測偏移結果產生各所述待測線段的測量結果。
一種可交換刀頭結構之切削刀具，包含：一刀桿，其一端面朝內設有一定位孔，所述之定位孔係設成多角面之形狀，包含底部設為一對稱形狀且呈V形之定位槽，中間兩側設為垂直對稱之直立邊，頂部則設為呈水平狀之上平直邊，底部則設為呈水平狀之下平直邊，所述之刀桿頂面與定位孔之上平直邊對應處設一貫穿之螺孔；一刀頭，所述之刀頭另端設有一定位軸，所述之定位軸設成多角面之形狀，包含底部設為一對稱形狀且呈V形之定位座，中間兩側設為垂直對稱之直立面，頂部則設為呈水平狀之受力面，底部設為呈水平狀之平直面，所述之定位軸之受力面設一錐孔；一螺絲，所述之螺絲前端設有一圓錐頭。
一種背光模組，包含： <br/>一殼體，包含一背板以及一側壁，該側壁包含一第一壁部； <br/>一導光板，設置在該殼體中，並具有一第一側邊以及至少一凹槽，該第一側邊對應於該側壁的該第一壁部，該至少一凹槽具有一第一側開口，該第一側開口位於該第一側邊； <br/>一光源，設置在該殼體中，並面向該導光板；以及 <br/>至少一彈性限位件，設置在該導光板的該至少一凹槽中，並經由該至少一凹槽的該第一側開口突伸出該導光板的該第一側邊。
如請求項1所述之背光模組，其中該光源設置在該側壁的該第一壁部上，並面對該導光板的該第一側邊，其中該光源包含一電路板以及設置在該電路板上的複數個發光元件，該至少一彈性限位件位於該些發光元件的外側。
如請求項2所述之背光模組，其中該至少一彈性限位件抵靠於該光源的該電路板。
如請求項3所述之背光模組，進一步包含一反射片，該反射片設置在該導光板與該背板之間，該至少一彈性限位件設置在該導光板、該反射片以及該光源的該電路板之間。
如請求項2所述之背光模組，其中該側壁的該第一壁部具有未被該光源的該電路板覆蓋的一區域，該至少一彈性限位件抵靠於該第一壁部的該區域。
如請求項2所述之背光模組，其中該至少一彈性限位件具有一斜面，該斜面位於該至少一彈性限位件鄰近於該些發光元件的一側。
如請求項2所述之背光模組，其中該至少一彈性限位件以及該至少一凹槽為複數個且位於該些發光元件的兩側。
如請求項1所述之背光模組，其中該導光板還具有一第二側邊，該第二側邊鄰接該第一側邊，該導光板的該至少一凹槽還具有一第二側開口，該第二側開口位於該第二側邊，該至少一彈性限位件經由該至少一凹槽的該第二側開口突伸出該導光板的該第二側邊。
如請求項1所述之背光模組，其中該至少一彈性限位件為一彎折結構。
如請求項9所述之背光模組，其中該至少一彈性限位件部分垂直於該導光板的該第一側邊延伸，部分平行於該導光板的該第一側邊延伸。
一種車用顯示器，包含： <br/>一顯示面板； <br/>一如請求項1至10中任一項所述之背光模組，面對該顯示面板的一背面設置。
一種金雀異黃酮磷酸酯衍生物用於製備水溶性環氧化物水解酶（Soluble epoxide hydrolase，sEH）抑制劑之用途，其中，該金雀異黃酮磷酸酯衍生物係為genistein-7-O-phosphate（G7P），該水溶性環氧化物水解酶抑制劑係用於治療一脂肪代謝疾病。
一種金雀異黃酮磷酸酯衍生物用於製備TSLP（Thymic stromal lymphopoietin）抑制組合物之用途，其中，該金雀異黃酮磷酸酯衍生物係為genistein-7-O-phosphate（G7P），該TSLP（Thymic stromal lymphopoietin）抑制組合物係用以治療肝臟脂肪代謝疾病。
如請求項2所述之用途，其中，該肝臟脂肪代謝疾病係為脂肪肝或肝炎。
一種半導體結構，包括：<br/> 基底；<br/> 第一電極，位於所述基底上，其中所述第一電極為柱狀；<br/> 第一支撐層，位於所述第一電極的側壁上；<br/> 高介電常數介電層，位於所述第一電極與所述第一支撐層上；<br/> 低介電常數介電層，位於所述第一支撐層與所述高介電常數介電層之間以及所述第一電極與所述高介電常數介電層之間；以及<br/> 第二電極，位於所述高介電常數介電層上，其中<br/> 所述低介電常數介電層的位於所述第一支撐層上的部份的厚度大於所述低介電常數介電層的位於所述第一電極上的部份的厚度。
如請求項1所述的半導體結構，其中所述低介電常數介電層的位於所述第一電極上的部份的厚度為所述低介電常數介電層的位於所述第一支撐層上的部份的厚度的72%~88%。
如請求項1所述的半導體結構，其中所述高介電常數介電層的材料包括氧化鋯(ZrO)、氧化鋁(AlO)或其組合。
如請求項1所述的半導體結構，其中所述低介電常數介電層的材料包括碳氧化矽。
如請求項1所述的半導體結構，更包括：<br/> 第二支撐層，位於所述第一支撐層的正上方，其中所述低介電常數介電層更位於所述第二支撐層上。
如請求項5所述的半導體結構，其中所述低介電常數介電層更位於所述第二支撐層與所述高介電常數介電層之間。
如請求項5所述的半導體結構，其中所述低介電常數介電層的位於所述第二支撐層上的部份的厚度大於所述低介電常數介電層的位於所述第一電極上的部份的厚度。
如請求項5所述的半導體結構，其中所述低介電常數介電層的位於所述第一電極上的部份的厚度為所述低介電常數介電層的位於所述第二支撐層上的部份的厚度的72%~88%。
如請求項1所述的半導體結構，其中所述第一電極的材料包括氮化鈦，所述第一支撐層的材料包括氮化物，且所述第二電極的材料包括氮化鈦。
一種半導體結構的製造方法，包括：<br/> 提供基底；<br/> 在所述基底上形成第一電極，其中所述第一電極為柱狀；<br/> 在所述第一電極的側壁上形成第一支撐層；<br/> 在所述第一電極與所述第一支撐層上形成低介電常數介電層；<br/> 在所述低介電常數介電層上形成高介電常數介電層，其中所述低介電常數介電層位於所述第一支撐層與所述高介電常數介電層之間以及所述第一電極與所述高介電常數介電層之間；以及<br/> 在所述高介電常數介電層上形成第二電極，其中<br/> 所述低介電常數介電層的位於所述第一支撐層上的部份的厚度大於所述低介電常數介電層的位於所述第一電極上的部份的厚度。
如請求項10所述的半導體結構的製造方法，其中所述低介電常數介電層的形成方法包括原子層沉積法。
如請求項10所述的半導體結構的製造方法，更包括：<br/> 在所述第一電極的側壁上形成第二支撐層，其中所述第二支撐層位於所述第一支撐層的正上方，且所述低介電常數介電層更形成在所述第二支撐層上。
如請求項12所述的半導體結構的製造方法，其中所述低介電常數介電層更位於所述第二支撐層與所述高介電常數介電層之間。
如請求項12所述的半導體結構的製造方法，其中所述低介電常數介電層的位於所述第二支撐層上的部份的厚度大於所述低介電常數介電層的位於所述第一電極上的部份的厚度。
一種利用人工智慧偵測二氧化氮氣體及通報系統，用以偵測一煙道口(A)排出的二氧化氮黃色氣體(B)，且包含： <br/>一影像收集器(110)，具有一監視器鏡頭(112)與電性連接該監視器鏡頭(112)的一監視器主機(114)，其中該監視器鏡頭(112)設置於該煙道口(A)的一側且用以拍攝該煙道口(A)，而該監視器主機(114)用以獲取該監視器鏡頭(112)拍攝該煙道口(A)所生成的一實時排煙影像(C)； <br/>一運算分析伺服器(120)，通訊連接該影像收集器(110)且用以接收該影像收集器(110)的該監視器主機(114)傳輸的該實時排煙影像(C)，其中該運算分析伺服器(120)具有一人工智慧影像分析模組(122)，該人工智慧影像分析模組(122)用以根據一物件偵測模型對該實時排煙影像(C)進行偵測以產生一分析資訊並根據一軌跡追蹤模型對該分析資訊進行軌跡追蹤以產生一煙霧辨識結果，該人工智慧影像分析模組(122)更用以根據一影像分析模型對該煙霧辨識結果進行分析以產生一二氧化氮氣體濃度資訊；以及 <br/>一應用終端裝置(130)，通訊連接該運算分析伺服器(120)，且用以接收該運算分析伺服器(120)傳送的該煙霧辨識結果與該二氧化氮氣體濃度資訊，其中該應用終端裝置(130)為個人電腦、筆記型電腦、平板電腦或行動裝置。
如請求項1所述之利用人工智慧偵測二氧化氮氣體及通報系統，該運算分析伺服器(120)更包含： <br/>一影像校正模組(124)，通訊連接該影像收集器(110)，且用以對該實時排煙影像(C)進行影像校正以獲取複數個前處理資訊。
如請求項2所述之利用人工智慧偵測二氧化氮氣體及通報系統，其中該運算分析伺服器(120)更包含： <br/>一特徵萃取模組(126)，通訊連接該影像校正模組(124)，且用以接收該複數個前處理資訊並從該複數個前處理資訊中萃取複數個特徵資訊；以及 <br/>一儲存模組(128)，通訊連接該特徵萃取模組(126)，且用以儲存該複數個特徵資訊。
如請求項2所述之利用人工智慧偵測二氧化氮氣體及通報系統，其中該物件偵測模型係根據YOLO演算法建立，該人工智慧影像分析模組(122)更用以根據該物件偵測模型對該實時排煙影像(C)完成影像校正後的該複數個前處理資訊進行偵測以產生該分析資訊，且該運算分析伺服器(120)的該人工智慧影像分析模組(122)使用的該軌跡追蹤模型為兩階段(Two-stage)的基於區域的捲積神經網路(Region-based Convolutional Neural Networks，R-CNN)。
如請求項1所述之利用人工智慧偵測二氧化氮氣體及通報系統，其中該運算分析伺服器(120)更用以在該實時排煙影像(C)上設定一辨識區(D)，且該人工智慧影像分析模組(122)更用以根據該物件偵測模型對該辨識區(D)進行偵測以產生該分析資訊。
一種利用人工智慧偵測二氧化氮氣體及通報系統的操作方法，用以偵測一煙道口(A)排出的二氧化氮黃色氣體(B)，且包含： <br/>藉由一影像收集器(110)的一監視器鏡頭(112)拍攝該煙道口(A)，使得該影像收集器(110)的一監視器主機(114)獲取由拍攝該煙道口(A)所生成的一實時排煙影像(C)，其中該監視器鏡頭(112)電性連接該監視器主機(114)，且該監視器鏡頭(112)設置於該煙道口(A)的一側； <br/>藉由一運算分析伺服器(120)接收該影像收集器(110)的該監視器主機(114)傳輸的該實時排煙影像(C)； <br/>藉由該運算分析伺服器(120)的一人工智慧影像分析模組(122)根據一物件偵測模型對該實時排煙影像(C)進行偵測以產生一分析資訊； <br/>藉由該運算分析伺服器(120)的該人工智慧影像分析模組(122)根據一軌跡追蹤模型對該分析資訊進行軌跡追蹤以產生一煙霧辨識結果； <br/>藉由該運算分析伺服器(120)的該人工智慧影像分析模組(122)根據一影像分析模型對該煙霧辨識結果進行分析以產生一二氧化氮氣體濃度資訊；以及 <br/>藉由通訊連接該運算分析伺服器(120)的一應用終端裝置(130)接收該煙霧辨識結果與該二氧化氮氣體濃度資訊，其中該應用終端裝置(130)為個人電腦、筆記型電腦、平板電腦或行動裝置。
如請求項6所述之利用人工智慧偵測二氧化氮氣體及通報系統的操作方法，其中藉由該運算分析伺服器(120)接收該實時排煙影像(C)更包含： <br/>藉由該運算分析伺服器(120)的一影像校正模組(124)接收該實時排煙影像(C)，並對該實時排煙影像(C)進行影像校正以獲取複數個前處理資訊。
如請求項7所述之利用人工智慧偵測二氧化氮氣體及通報系統的操作方法，更包含： <br/>藉由該運算分析伺服器(120)的一特徵萃取模組(126)接收該複數個前處理資訊，並從該複數個前處理資訊中萃取複數個特徵資訊；以及 <br/>藉由該運算分析伺服器(120)的一儲存模組(128)儲存該複數個特徵資訊。
一種影像編碼器，其包含： <br/>電路系統；以及 <br/>耦合至該電路系統之記憶體； <br/>其中該電路系統在操作時： <br/>以一第一動作向量針對一目前圖片之一第一分區來預測一第一像素集合，該第一分區具有一非矩形形狀，該第一動作向量為一單向預測動作向量； <br/>以一第二動作向量針對一第二分區來預測一第二像素集合，該第二動作向量為一單向預測動作向量； <br/>將用於一第一部分之該第一像素集合及該第二像素集合的像素加權，於該第一部分中該第一分區係與該第二分區重疊； <br/>回應於一第一條件，而針對該第一部分儲存該第一動作向量及該第二動作向量中之一者； <br/>回應於與該第一條件不同之一第二條件，而針對該第一部分儲存該第一動作向量及該第二動作向量兩者；以及 <br/>至少使用經加權的該等像素來編碼該第一分區。
一種影像解碼器，其包含： <br/>電路系統；以及 <br/>耦合至該電路系統之記憶體； <br/>其中該電路系統在操作時： <br/>以一第一動作向量針對一目前圖片之一第一分區來預測一第一像素集合，該第一分區具有一非矩形形狀，該第一動作向量為一單向預測動作向量； <br/>以一第二動作向量針對一第二分區來預測一第二像素集合，該第二動作向量為一單向預測動作向量； <br/>將用於一第一部分之該第一像素集合及該第二像素集合的像素加權，於該第一部分中該第一分區係與該第二分區重疊； <br/>回應於一第一條件，而針對該第一部分儲存該第一動作向量及該第二動作向量中之一者； <br/>回應於與該第一條件不同之一第二條件，而針對該第一部分儲存該第一動作向量及該第二動作向量兩者；以及 <br/>至少使用經加權的該等像素來解碼該第一分區。
一種非暫時性電腦可讀媒體，其儲存一位元串流，該位元串流包括資訊及指令，該資訊指出一第一條件或與該第一條件不同之一第二條件，該等指令致使一處理器在該等指令藉由該處理器被執行時，來進行一分區解碼程序， <br/>在該分區解碼程序中： <br/>用於一目前圖片之一第一分區之一第一像素集合係以一第一動作向量來預測，該第一分區具有一非矩形形狀，該第一動作向量為一單向預測動作向量； <br/>用於一第二分區之一第二像素集合係以一第二動作向量來預測，該第二動作向量為一單向預測動作向量； <br/>針對一第一部分來將該第一像素集合及第二像素集合的像素加權，於該第一部分中該第一分區係與該第二分區重疊； <br/>回應於該第一條件，而針對該第一部份儲存該第一動作向量及該第二動作向量中之一者； <br/>回應於該第二條件，而針對該第一部分儲存該第一動作向量及該第二動作向量兩者；以及 <br/>該第一分區係至少使用經加權的該等像素來解碼。
一種利用高溫乾式培燒回收鋁鎳渣中有價金屬之方法，係包含以下步驟： <br/>S1混合步驟，混合該鋁鎳渣與氫氧化鈉固體，得到混合物一； <br/>S2高溫乾式培燒步驟，將該混合物一進行高溫培燒，得到混合物二； <br/>S3水解步驟，使該混合物二進行水解反應，得到混合物三； <br/>S4離心過濾步驟，將該混合物三進行離心過濾，得到殘渣及濾液； <br/>S5鋁離子提取步驟，使該濾液進行沉澱反應以得到Al(OH)<sub>3</sub>沉澱物； <br/>S6鎳離子提取步驟，使該殘渣進行酸浸出反應，並進行處理以得到Ni(OH)<sub>2</sub>沉澱物； <br/>其中，該S6鎳離子提取步驟係將該殘渣加入硫酸溶液並使用磁石攪拌器攪拌進行該酸浸出反應，反應後進行首次離心過濾，將首次過濾液使用氫氧化鈉溶液滴定至pH值為6~6.7後，再度進行第二次離心過濾，並將第二次過濾液使用氫氧化鈉溶液滴定至pH值為10~10.5進行第三次離心過濾，以得到該Ni(OH)<sub>2</sub>沉澱物。
如請求項1所述之方法，其中，該鋁鎳渣與該氫氧化鈉固體的重量比為1:0.4~1:2.4。
如請求項1所述之方法，其中，該水解步驟係使用200~500 mL去離子水在100~120°C下反應18~26小時。
一種利用高溫乾式培燒回收鋁鎳渣中有價金屬之系統，係包含： <br/>混合裝置，混合該鋁鎳渣與氫氧化鈉固體，得到混合物一； <br/>高溫乾式培燒裝置，將該混合物一進行高溫培燒，得到混合物二； <br/>水解裝置，使該混合物二進行水解反應，得到混合物三； <br/>離心過濾裝置，將該混合物三進行離心過濾，得到殘渣及濾液； <br/>Al(OH)<sub>3</sub>沉澱裝置，使該濾液進行沉澱反應以得到Al(OH)<sub>3</sub>沉澱物； <br/>Ni(OH)<sub>2</sub>沉澱裝置，使該殘渣進行酸浸出反應，並進行處理以得到Ni(OH)<sub>2</sub>沉澱物； <br/>其中，該Ni(OH)<sub>2</sub>沉澱裝置係將該殘渣加入硫酸溶液並使用磁石攪拌器攪拌進行該酸浸出反應，反應後進行首次離心過濾，將首次過濾液使用氫氧化鈉溶液滴定至pH值為6~6.7後，再度進行第二次離心過濾，並將第二次過濾液使用氫氧化鈉溶液滴定至pH值為10~10.5進行第三次離心過濾，以得到該Ni(OH)<sub>2</sub>沉澱物。
如請求項4所述之系統，其中，該水解裝置係藉由該水解反應將鋁離子從該混合物二之固體溶出至該混合物三之液體中。
如請求項4所述之系統，其中，該Al(OH)<sub>3</sub>沉澱裝置係將該濾液滴定至pH值為6~6.7產生沉澱，並進行離心過濾以得到該Al(OH)<sub>3</sub>沉澱物。
如請求項4所述之系統，其中，該高溫乾式培燒裝置係將混合物一在800~1000°C下進行培燒10分鐘~1小時。
如請求項4所述之系統，其中，該鋁鎳渣與該氫氧化鈉固體的重量比為1:0.4~1:2.4。
如請求項4所述之系統，其中，該鋁鎳渣之重量為5~25g。
一種多層電路板，包括：<br/> 多個線路結構層，彼此堆疊，且各自包括：<br/> 一線路層；<br/> 至少一個第一凹槽；以及<br/> 至少一個第二凹槽，其中所述第一凹槽與所述第二凹槽從所述線路層朝向遠離所述線路層的方向而延伸，而所述第一凹槽與所述第二凹槽的寬度從所述線路層朝向遠離所述線路層的方向而遞增，其中相鄰兩個的所述線路結構層的相鄰兩個的所述第一凹槽彼此結合； <br/> 多個黏著層，連接所述多個彼此堆疊的線路結構層；以及<br/> 多個導電柱，設置於所述第二凹槽內，並電性連接所述多個線路結構層的所述線路層。
如請求項1所述之多層電路板，還包括:<br/> 多個第一絕緣層，各自覆蓋於所述多個黏著層上，並彼此堆疊；以及<br/> 兩個第二絕緣層，各自覆蓋於尚未被所述多個黏著層覆蓋的所述線路層上，各自包括：<br/> 至少一個第三凹槽，設置在所述第二絕緣層上並暴露出所述線路層；以及<br/> 一保護層，設置於暴露的所述線路層上。
如請求項2所述之多層電路板，其中所述兩個第二絕緣層為感光型聚醯亞胺。
如請求項2所述之多層電路板，其中所述多個導電柱設置於所述多個線路結構層、所述多個黏著層與所述保護層之間。
一種多層電路板的製造方法，包括：<br/> 提供多個複合板；<br/> 各自設置一線路層於所述多個複合板，以形成多個初始線路結構層；<br/> 形成至少一個第一凹槽與至少一個第二凹槽於所述多個初始線路結構層每一個內，以形成多個線路結構層，<br/> 其中在同一個所述線路結構層中，所述第一凹槽與所述第二凹槽從所述線路層朝向遠離所述線路層的方向延伸，而所述第一凹槽與所述第二凹槽兩者的寬度從所述線路層朝向遠離所述線路層的方向而遞增；<br/> 利用多個黏著層，連接並堆疊所述多個線路結構層；<br/> 在連接並堆疊所述多個線路結構層的過程中，彼此結合相鄰兩個的所述多個線路結構層的相鄰兩個的所述第一凹槽；以及<br/> 形成多個導電柱於所述第二凹槽內，並電性連接所述多個線路結構層的所述線路層。
如請求項5所述之多層電路板的製造方法，還包括:<br/> 各自覆蓋多個第一絕緣層於所述多個黏著層上，並彼此堆疊；<br/> 各自覆蓋兩個第二絕緣層於尚未被所述多個黏著層覆蓋的所述線路層上；<br/> 各自設置至少一個第三凹槽在所述第二絕緣層上並暴露出所述線路層；以及<br/> 各自設置一保護層於暴露的所述線路層上。
如請求項6所述之多層電路板的製造方法，還包括：<br/> 覆蓋所述多個黏著層於多個所述線路層與多個所述複合板的一介電層後，以及在形成所述至少一個第一凹槽與所述至少一個第二凹槽前，覆蓋一離型膜於未被所述第一絕緣層覆蓋的每一個所述黏著層的表面上。
如請求項7所述之多層電路板的製造方法，還包括：<br/> 覆蓋所述離型膜於所述多個黏著層後，形成所述至少一個第一凹槽與所述至少一個第二凹槽後，並從所述多個黏著層移除所述離型膜。
如請求項6所述之多層電路板的製造方法，其中在設置所述兩個第二絕緣層之前，壓合彼此堆疊的所述多個線路結構層。
如請求項5所述之多層電路板的製造方法，其中形成所述多個第一凹槽的方式為雷射燒蝕開口。
一種風扇，其改良在於，包括：<br/> 殼體，所述殼體包括底板和軸套，所述軸套連接於所述底板；所述軸套限定內部空間；<br/> 葉輪，所述葉輪包括輪轂、軸桿和止推片；所述軸桿具有沿軸向相對之第一端和第二端，所述第一端連接於所述輪轂，所述第二端伸入所述軸套之內部空間；所述止推片連接於所述軸桿之第二端；以及，<br/> 軸承，所述軸承設於所述內部空間；所述軸桿藉由所述軸承可轉動地連接於所述軸套，所述軸承位於所述輪轂和所述止推片之間；所述軸承具有沿軸向相對之第一端面和第二端面，所述軸承還具有內周面和外周面；<br/> 第一軸向動壓油路，所述第一軸向動壓油路連接於所述葉輪垂直於軸向之表面；所述第一軸向動壓油路能夠產生第一軸向動壓；<br/> 第二軸向動壓油路，所述第二軸向動壓油路與所述第一軸向動壓油路對應設置，所述第二軸向動壓油路能夠產生第二軸向動壓；<br/> 徑向動壓油路，所述徑向動壓油路設置於所述軸承之內周面和所述軸桿之外周面之間，所述徑向動壓油路能夠產生徑向動壓；<br/> 其中，所述軸承之內周面和所述軸桿之外周面之間限定第一油路，所述第一端面和所述輪轂之間限定第二油路，所述軸承之外周面和所述軸套之間限定第三油路，所述第二端面和所述止推片之間限定第四油路；所述第一油路、所述第二油路、所述第三油路和所述第四油路依次連通形成液體回路；所述葉輪能夠在所述第一軸向動壓、所述第二軸向動壓和所述徑向動壓之共同作用下處於完全懸浮狀態；所述軸承還開設有第一連通孔，所述第一連通孔貫通所述軸承之內周面和外周面，所述第一連通孔連通所述第一油路和第三油路。
如請求項1所述之風扇，其中，所述第一連通孔位於所述第一端面和所述第二端面之間。
如請求項1或2所述之風扇，其中，所述軸承還開設有第二連通孔，所述第二連通孔貫通所述第一端面和所述第二端面，並連通所述第二油路和第四油路。
如請求項1或2所述之風扇，其中，所述軸承之內周面開設有第一動壓槽，所述第一動壓槽與所述軸桿之外周面之間形成所述徑向動壓油路；和/或，<br/> 所述第一端面開設有第二動壓槽，所述第二動壓槽配合於所述輪轂以形成第一軸向動壓油路；和/或，<br/> 所述第二端面開設有第四動壓槽，所述第四動壓槽配合於所述止推片以形成第二軸向動壓油路。
如請求項1所述之風扇，其中，所述軸承之外周面還具有切除部分，所述切除部分沿所述軸承之軸向貫通所述第一端面和所述第二端面，以在所述軸承和所述軸套之間限定外連通通道。
如請求項1所述之風扇，其中，所述輪轂還凸設有止推部，所述軸承夾於所述止推部和所述止推片之間；<br/> 所述軸承之第一端面之外周緣下凹形成第一環槽；<br/> 所述止推部還具有第一凸環，所述第一凸環配合於所述第一環槽。
如請求項6所述之風扇，其中，所述第一凸環和所述第一環槽之間限定L形之連通間隙；<br/> 所述軸套之軸向一端夾於所述第一凸環之外側，且所述第一凸環和所述軸套之間限定出口間隙；<br/> 所述出口間隙內設有密封層，用於封堵所述連通間隙。
如請求項1所述之風扇，其中，所述軸套還具有限位凸台，所述限位凸台凸設於所述軸套沿軸向遠離所述輪轂之一側，所述軸承之所述第二端面配合所述限位凸台，以在所述第二端面和所述底板之間形成儲油空間，所述儲油空間與所述第四油路連通。
如請求項1所述之風扇，其中，所述風扇還包括定子，所述定子連接於所述軸套之外環面；<br/> 所述葉輪還包括轉子和扇葉，所述扇葉連接所述輪轂且沿周向對應所述定子，以使所述扇葉能夠與所述定子作用進而轉動。
一種電子設備，其改良在於，機殼；<br/> 電子器件，所述電子器件設於所述機殼內；<br/> 如請求項1至9中任意一項所述之風扇，所述風扇設於所述機殼內，並用於對所述電子器件或所述機殼散熱。
一種光學積層體，其特徵為具備： <br/>由聚對苯二甲酸乙二酯所成的支撐基材、及 <br/>能剝離地積層於該支撐基材之至少一面上的保護層； <br/>其中該保護層之膜厚為1.0μm以上5.0μm以下， <br/>該保護層之維氏硬度為60以上160以下， <br/>該保護層的剝離面側之純水接觸角為50度以上85度以下。
一種光學積層體，其特徵為具備： <br/>由聚對苯二甲酸乙二酯所成的支撐基材、及 <br/>能剝離地積層於該支撐基材之至少一面上的保護層； <br/>其中該保護層之膜厚為1.0μm以上5.0μm以下， <br/>該保護層之穿刺力為0.25N以上，穿刺伸長度為1.0mm以上，且穿刺彈性模數為0.15N/mm以上， <br/>該保護層的剝離面側之純水接觸角為50度以上85度以下。
如請求項1或2之光學積層體，其中從該支撐基材剝離該保護層時之剝離力為0.030N/25mm以上0.150N/25mm以下。
如請求項1或2之光學積層體，其中該支撐基材之積層該保護層的面之表面自由能為30mJ/m <sup>2</sup>以上85mJ/m <sup>2</sup>以下。
如請求項1或2之光學積層體，其中該支撐基材之積層該保護層的面之算術平均粗糙度Ra為20nm以下，最大高度Rz為100nm以下。
如請求項1或2之光學積層體，其中該保護層係由包含紫外線硬化性化合物、光聚合起始劑與溶劑之塗布液的硬化膜所成， <br/>該光聚合起始劑為該塗布液中的3.0質量%以上6.0質量%以下， <br/>該紫外線硬化性化合物之雙鍵當量為90g/mol以上140g/mol以下。
一種顯示面板，包含： 一顯示電路；<br/> 一傳輸電路，用以供電至該顯示電路；<br/> 複數個感應電路，設置於該顯示面板中對應於該顯示電路的位置，其中該些感應電路及該傳輸電路係由銦錫氧化物所形成；以及<br/> 一顯示驅動器，耦接於該顯示電路、該傳輸電路及該些感應電路，且用以偵測該些感應電路的複數個感應阻抗，以產生複數個補償訊號，其中該顯示驅動器用以根據該些補償訊號控制該顯示電路。
如請求項1所述之顯示面板，其中該些感應電路設置於該顯示面板中對應於該顯示電路之邊緣的複數個位置。
如請求項2所述之顯示面板，其中該些感應電路的每一者的至少一部份係位於該顯示面板中的一有效顯示區域內。
如請求項3所述之顯示面板，其中該些感應電路的每一者的該至少一部份包含一L型佈線結構。
如請求項1所述之顯示面板，其中該些感應電路的長度實質上相同。
如請求項5所述之顯示面板，其中該顯示驅動器用以判斷該些感應阻抗的變化，以產生對應之該些補償訊號。
如請求項5所述之顯示面板，其中該些感應電路的佈線結構係相互對稱。
如請求項1所述之顯示面板，其中該顯示驅動器包含一電流檢測器及一電壓檢測器，該電流檢測器及該電壓檢測器係透過不同迴路並聯於該些感應電路的其中一者，以使該顯示驅動器計算出該些感應電路的該其中一者的阻抗值。
如請求項1所述之顯示面板，其中該顯示驅動器用以根據該些補償訊號，調整一伽瑪值、一畫素驅動訊號或一背光控制訊號的佔空比。
一種顯示驅動器，包含： 一偵測電路，耦接於一顯示面板的複數個感應電路，用以偵測該些感應電路的複數個感應阻抗，其中該些感應電路及該顯示面板中一傳輸電路係由銦錫氧化物所形成，且該傳輸電路用以供電至該顯示面板的一顯示電路；<br/> 一轉換電路，耦接於該偵測電路，用以根據該些感應阻抗計算出複數個檢測溫度值；以及<br/> 一補償電路，耦接於該轉換電路及該顯示電路，用以根據該些檢測溫度值產生複數個補償訊號，以根據該些補償訊號控制該顯示電路。
如請求項10所述之顯示驅動器，其中該些感應電路設置於該顯示面板中對應於該顯示電路之邊緣的複數個位置。
如請求項11所述之顯示驅動器，其中該些感應電路的每一者的至少一部份係位於該顯示面板中的一有效顯示區域內。
如請求項12所述之顯示驅動器，其中該些感應電路的每一者的該至少一部份包含一L型佈線結構。
如請求項10所述之顯示驅動器，其中該些感應電路的長度實質上相同。
如請求項14所述之顯示驅動器，其中該偵測電路用以偵測該些感應阻抗的每一者的變化，以產生對應之該些補償訊號。
如請求項14所述之顯示驅動器，其中該些感應電路的佈線結構係相互對稱。
如請求項10所述之顯示驅動器，其中該偵測電路包含一電流檢測器及一電壓檢測器，該電流檢測器及該電壓檢測器係透過不同迴路並聯於該些感應電路的其中一者，以使該偵測電路計算出該些感應電路的該其中一者的阻抗值。
如請求項10所述之顯示驅動器，其中該顯示驅動器用以根據該些補償訊號，調整一伽瑪值、一畫素驅動訊號或一背光控制訊號的佔空比。
一種電路板組件，包括：<br/> 一絕緣材料，具有一上表面以及一下表面；<br/> 一處理器晶粒，設置於所述絕緣材料內部；<br/> 至少一記憶體晶粒，沿一垂直方向設置於所述處理器晶粒的上方；<br/> 一磁性材料，設置於所述絕緣材料中，其中所述磁性材料具有一第一部分以及沿所述垂直方向堆疊於所述第一部分上的一第二部分，所述磁性材料圍繞所述處理器晶粒以及所述至少一記憶體晶粒周圍設置，其中所述磁性材料將所述至少一記憶體晶粒與所述處理器晶粒分隔開來；<br/> 多個導電層，設置於所述絕緣材料的所述上表面、所述下表面以及所述絕緣材料中，其中所述多個導電層電性連接至所述至少一記憶體晶粒以及所述處理器晶粒；以及<br/> 多個金屬柱，設置於所述磁性材料的所述第二部分中，其中所述多個金屬柱連接所述至少一記憶體晶粒其中一個與位於所述處理器晶粒上方的所述多個導電層，所述多個金屬柱與所述多個導電層電性連接。
如請求項1所述之電路板組件，其中所述磁性材料填充於設置在所述處理器晶粒上的所述多個導電層之間的一空隙中。
如請求項1所述之電路板組件，其中所述磁性材料的所述第二部分沿一水平方向延伸而凸出所述磁性材料的所述第一部分的側邊。
如請求項1所述之電路板組件，其中所述磁性材料直接接觸於所述至少一記憶體晶粒與所述處理器晶粒。
如請求項1所述之電路板組件，其中所述磁性材料將所述多個導電層與所述至少一記憶體晶粒分隔開來。
如請求項1所述之電路板組件，其中在所述處理器晶粒遠離所述至少一記憶體晶粒的一表面設置有多個凸塊，所述處理器晶粒通過所述多個凸塊與所述多個導電層電性連接。
如請求項1所述之電路板組件，其中所述多個導電層包括一第一線路，所述第一線路平行於所述絕緣材料的所述上表面。
如請求項7所述之電路板組件，其中所述多個導電層包括一第二線路，所述第二線路與所述第一線路交錯，並且所述第二線路電性連接所述第一線路。
如請求項1所述之電路板組件，更包括：<br/> 一矽穿孔，位於所述至少一記憶體晶粒中，其中所述矽穿孔沿遠離所述多個金屬柱的所述至少一記憶體晶粒之一者的一上表面延伸至沿遠離所述多個金屬柱的所述至少一記憶體晶粒之另一者的一下表面，所述至少一記憶體晶粒的每一層通過所述矽穿孔電性連接。
一種圖像顯示驅動裝置，包括： <br/>處理模組，包括分組單元，其中，所述分組單元被配置為：獲取原始圖像資料及使用者的凝視點資訊；根據所述凝視點資訊對所述原始圖像資料進行分組重採樣，以分別確定重採樣圖像中多個顯示區域的分組資料，其中，所述分組資料記載對應顯示區域中多個位置的至少一個像素值；以及將各所述分組資料及其對應的分組資訊一起傳輸到後端的顯示模組，其中，所述分組資訊記載對應顯示區域的座標範圍、橫向採樣倍率及縱向採樣倍率；以及 <br/>所述顯示模組，被配置為：獲取各所述分組資料及其對應的分組資訊；根據各所述分組資訊分別解析對應的分組資料，以確定所述重採樣圖像中各所述顯示區域的多組行資料及其對應的列掃描控制信號；以及根據各所述列掃描控制信號及其對應的至少一個顯示區域的行資料，同步點亮所述至少一個顯示區域中的多個像素點，以掃描顯示所述重採樣圖像。
如請求項1所述的圖像顯示驅動裝置，其中，所述將各所述分組資料及其對應的分組資訊一起傳輸到後端的顯示模組的步驟包括： <br/>按照各所述顯示區域的座標位置，對各所述分組資料及各所述分組資訊進行排序，在末個顯示區域的分組資訊之後增設指令結束字元，並在所述末個顯示區域的分組資料之後增設資料結束字元，以打包各幀所述重採樣圖像的分組資料及分組資訊；以及 <br/>將各幀所述重採樣圖像的資料包，逐幀傳輸到所述顯示模組。
如請求項2所述的圖像顯示驅動裝置，其中，所述按照各所述顯示區域的座標位置，對各所述分組資料及各所述分組資訊進行排序的步驟包括： <br/>按照掃描顯示各所述顯示區域的順序，對各所述分組資料及各所述分組資訊進行排序。
如請求項1所述的圖像顯示驅動裝置，其中，所述圖像顯示裝置中包括多級所述處理模組，其中， <br/>位於第一級的第一處理模組被配置為：獲取所述原始圖像資料及所述凝視點資訊；根據所述凝視點資訊對所述原始圖像資料進行分組重採樣，以分別確定各幀所述重採樣圖像中多個顯示區域的分組資料；以及將各所述分組資料及其對應的分組資訊一起傳輸到後級的至少一個第二處理模組， <br/>各所述第二處理模組被分別配置為：響應於本地存在針對圖像的資料處理需求，根據各所述分組資料及其對應的分組資訊，還原所述圖像，並基於還原圖像進行對應的資料處理運算；以及響應於完成所述資料處理運算，將各幀所述重採樣圖像的分組資料及分組資訊，一起逐幀傳輸到後一級的第二處理模組或顯示模組。
如請求項4所述的圖像顯示驅動裝置，其中，所述第一處理模組選自片上系統、專用積體電路或顯示驅動集成晶片，和/或 <br/>所述第二處理模組選自專用積體電路和/或顯示驅動集成晶片，所述資料處理運算包括畸變校正運算、均勻性補償運算和/或光學補償運算。
如請求項4所述的圖像顯示驅動裝置，其中，各所述第二處理模組還被配置為： <br/>響應於本地不存在針對圖像的資料處理需求，直接將各幀所述重採樣圖像的資料包，透傳到後一級的第二處理模組或顯示模組。
如請求項4所述的圖像顯示驅動裝置，其中，所述第一處理模組及各前級的第二處理模組中還包括壓縮單元，各後級的第二處理模組及所述顯示模組中還包括解壓縮單元，其中， <br/>位於所述顯示模組之前的最後一級處理模組中的第一分組單元位於對應的第一壓縮單元之前，用於先對所述圖像進行分組重採樣，再壓縮經由所述分組重採樣獲得的資料包，以供所述顯示模組先經由其中的第一解壓縮單元解壓縮所述資料包，再基於解壓縮的資料包掃描顯示所述重採樣圖像。
如請求項7所述的圖像顯示驅動裝置，其中，位於前級的第一處理模組或第二處理模組中的第二分組單元位於對應的第二壓縮單元之前，用於先對所述圖像進行分組重採樣，再壓縮經由所述分組重採樣獲得的資料包，位於後級的第二處理模組中對應的第二解分組單元位於對應的第二解壓縮單元之後，用於先解壓縮所述資料包，再還原所述圖像，或者 <br/>位於前級的第一處理模組或第二處理模組中的第三分組單元位於對應的第三壓縮單元之後，用於先壓縮所述圖像，再對其壓縮圖像進行分組重採樣，位於後級的第二處理模組中對應的第三解分組單元位於對應的第三解壓縮單元之前，用於先還原所述壓縮圖像，再對其進行解壓縮。
如請求項1所述的圖像顯示驅動裝置，其中，所述根據所述凝視點資訊對所述原始圖像資料進行分組重採樣，以分別確定重採樣圖像中多個顯示區域的分組資料的步驟包括： <br/>根據所述凝視點資訊，確定使用者在原始圖像中的凝視點座標； <br/>根據到所述凝視點座標的橫向距離及縱向距離，將所述原始圖像劃分成多個顯示區域，並分別確定各所述顯示區域的橫向採樣倍率及縱向採樣倍率，其中，所述橫向採樣倍率隨到所述凝視點座標的橫向距離的增大而增大，所述縱向採樣倍率隨到所述凝視點座標的縱向距離的增大而增大；以及 <br/>根據各所述顯示區域的座標範圍、橫向採樣倍率及縱向採樣倍率，分別對對應的圖像資料進行分組重採樣，以分別確定所述重採樣圖像中多個顯示區域的分組資料。
如請求項1所述的圖像顯示驅動裝置，其中，所述根據各所述分組資訊分別解析對應的分組資料，以確定所述重採樣圖像中各所述顯示區域的多組行資料及其對應的列掃描控制信號的步驟包括： <br/>根據各所述分組資訊，分別確定其對應的至少一個顯示區域的在整個顯示像素陣列的控制線位置及資料線位置； <br/>根據各列所述顯示區域的各所述分組資訊中最小的橫向採樣倍率、控制線位置及縱向採樣倍率，分別生成對應的列掃描控制信號；以及 <br/>根據各所述分組資料及其對應的至少一個顯示區域的資料線位置，分別生成各所述顯示區域的多組行資料。
如請求項10所述的圖像顯示驅動裝置，其中，所述根據各所述列掃描控制信號及其對應的至少一個顯示區域的行資料，同步點亮所述至少一個顯示區域中的多個像素點，以掃描顯示所述重採樣圖像的步驟包括： <br/>生成各所述列掃描控制信號與對應的多組行資料的關聯時序資訊；以及 <br/>根據所述關聯時序資訊，依次利用各所述列掃描控制信號分別控制對應的資料線獲取對應的行資料，以依次地同步點亮所述顯示像素陣列中各所述顯示區域中的多個像素點。
如請求項11所述的圖像顯示驅動裝置，其中，每一所述顯示區域根據其橫向採樣倍率的倒數及其縱向採樣倍率的倒數，而具備對應數量的至少一個像素值，所述生成各所述列掃描控制信號與對應的多組行資料的關聯時序資訊的步驟包括： <br/>為控制同一所述顯示區域中具有同一像素值的至少一根所述資料線的至少一個第一列掃描控制信號，生成相同的第一關聯時序資訊； <br/>為控制同一所述顯示區域中具有另一像素值的至少一根所述資料線的至少一個第二列掃描控制信號，生成相同的第二關聯時序資訊；以及 <br/>為控制另一所述顯示區域中具有另一像素值的至少一根所述資料線的至少一個第三列掃描控制信號，生成相同的第三關聯時序資訊。
如請求項11所述的圖像顯示驅動裝置，其中，所述顯示模組中配置有掃描驅動單元及源驅動單元，所述根據所述關聯時序資訊，依次利用各所述列掃描控制信號分別控制對應的資料線獲取對應的行資料，以依次地同步點亮所述顯示像素陣列中各所述顯示區域中的多個像素點的步驟包括： <br/>將所述關聯時序資訊及各所述列掃描控制信號，輸入所述掃描驅動單元，並將所述關聯時序資訊及各組所述行資料，輸入所述源驅動單元； <br/>經由所述掃描驅動單元，根據所述關聯時序資訊，向所述顯示像素陣列的各所述控制線依次傳輸對應的列掃描控制信號，並向所述源驅動單元傳輸同步信號；以及 <br/>經由所述源驅動單元，根據所述關聯時序資訊及所述同步信號，向所述顯示像素陣列的各所述資料線依次傳輸對應的行資料，以配合同時輸入的列掃描控制信號，同步點亮所述顯示像素陣列中對應的多個像素點。
如請求項10所述的圖像顯示驅動裝置，其中，所述顯示模組由顯示驅動集成晶片及所述顯示像素陣列組成，其中，所述顯示驅動集成晶片被配置為： <br/>獲取各所述分組資料及其對應的分組資訊； <br/>根據各所述分組資訊分別解析對應的分組資料，以確定所述重採樣圖像中各所述顯示區域的多組行資料及其對應的列掃描控制信號；以及 <br/>將各所述列掃描控制信號及其對應的至少一個顯示區域的行資料，分別傳輸到所述顯示像素陣列的對應控制線及對應資料線，以同步點亮對應的至少一個顯示區域中的多個像素點。
一種圖像顯示驅動方法，包括以下步驟： <br/>在處理模組獲取原始圖像資料及使用者的凝視點資訊，並根據所述凝視點資訊對所述原始圖像資料進行分組重採樣，以分別確定重採樣圖像中多個顯示區域的分組資料，其中，所述分組資料記載對應顯示區域中多個位置的至少一個像素值； <br/>將各所述分組資料及其對應的分組資訊一起傳輸到後端的顯示模組，其中，所述分組資訊記載對應顯示區域的座標範圍、橫向採樣倍率及縱向採樣倍率；以及 <br/>在所述顯示模組獲取各所述分組資料及其對應的分組資訊，並根據各所述分組資訊分別解析對應的分組資料，以確定所述重採樣圖像中各所述顯示區域的多組行資料及其對應的列掃描控制信號，再根據各所述列掃描控制信號及其對應的至少一個顯示區域的行資料，同步點亮所述至少一個顯示區域中的多個像素點，以掃描顯示所述重採樣圖像。
一種電腦可讀存儲介質，其上儲存有電腦指令，其中，所述電腦指令被處理器執行時，實施如請求項15所述的圖像顯示驅動方法。
一種積體電路，包含：<br/> 一基板，包含：<br/> 一p型基板區；<br/> 一第一n型區，在該p型基板區上方；<br/> 一第二n型區，在該p型基板區上方；<br/> 一第一p型磊晶區，在該p型基板區上方且在該第一與該第二n型區之間；<br/> 一第二p型磊晶區，在該p型基板區上方且在該第一n型區與該第二n型區之間，其中該第二p型磊晶區與該第一p型磊晶區側向間隔開；<br/> 一p型摻雜區，在該第二n型區內；<br/> 一隔離結構，在該p型基板區上方，其中在一橫截面圖中，該第一p型磊晶區垂直地在該隔離結構下方；<br/> 一汲電極，電耦合至該第一n型區；<br/> 一閘電極，電耦合至該p型摻雜區；以及<br/> 一源電極，電耦合至該第二n型區。
如請求項1所述之積體電路，進一步包含在該p型基板區上方且側向位於該第一p型磊晶區與該第二p型磊晶區之間的一第三n型區。
如請求項1所述之積體電路，其中在該橫截面圖中，該第一與該第二p型磊晶區具有實質上相同的一寬度。
如請求項1所述之積體電路，進一步包含在該隔離結構上方的一多晶矽板，其中該多晶矽板側向位於該汲電極與該閘電極之間。
一種積體電路，包含：<br/> 一輸入端子及一輸出端子；<br/> 一變壓器，包含一主繞組及一副繞組，該主繞組電耦合至該輸入端子，該副繞組電耦合至該輸出端子；<br/> 一同步整流器，電耦合於該變壓器之該副繞組與該輸出端子之間；以及<br/> 一同步整流器控制器，電耦合至該同步整流器，包含：<br/> 一p型基板區；<br/> 一第一n型區，在該p型基板區上方；<br/> 一第二n型區，在該p型基板區上方；<br/> 一第一p型磊晶區，在該p型基板區上方且在該第一n型區與該第二n型區之間；<br/> 一p型摻雜區，在該第二n型區內；<br/> 一隔離結構，在該p型基板區上方；<br/> 一汲電極，且電耦合至該第一n型區；<br/> 一閘電極，電耦合至該p型摻雜區；<br/> 一源電極，電耦合至該第二n型區；及<br/> 一導電板，在該隔離結構上方，其中該導電板側向位於該汲電極與該閘電極之間。
如請求項5所述之積體電路，其中該導電板與該p型摻雜區與該第二n型區之間的一邊界重疊。
如請求項5所述之積體電路，進一步包含：<br/> 在該p型基板區上方、該第一與該第二n型區之間、且在該隔離結構之下的一第二p型磊晶區，該第一p型磊晶區與該第二p磊晶區隔開。
如請求項7所述之積體電路，其中該第一n型區及該第二p型磊晶區自該p型基板區延伸至該隔離結構。
一種積體電路的形成方法，包含以下步驟：<br/> 形成具有一p型基板區及該p型基板區上方的一p型磊晶層的一基板；<br/> 在該基板中形成一隔離結構；<br/> 執行一第一植入製程，以在該p型磊晶層中形成一第一、一第二、及一第三n型區，該第三n型區在該第一與該第二n型區之間，其中該p型磊晶層具有在該第一與該第三n型區之間的一第一剩餘部分、及在該第二與該第三n型區之間的一第二剩餘部分；<br/> 執行一第二植入製程，以在該第三n型區中形成一p型摻雜區；以及<br/> 在該基板上方形成一汲電極、一閘電極、及一源電極，其中該汲電極電耦合至該第一n型區，該閘電極電耦合至該p型摻雜區，該源電極電耦合至該第二n型區。
如請求項9所述之方法，其中該第一剩餘部分及該第二剩餘部分具有一環形頂部輪廓。
一種藉由電子裝置提供優惠券資訊者之方法，其包括如下步驟： <br/>自用戶之終端獲得第1物品之購買請求； <br/>基於上述用戶之資訊及上述第1物品之資訊中之至少一者，確認上述用戶之一個以上之優惠券； <br/>基於上述第1物品之結算金額，確定上述一個以上之優惠券中之第1優惠券；及 <br/>響應於上述購買請求，向上述用戶之終端提供包括上述第1物品之結算資訊及上述第1優惠券之資訊之第1頁面， <br/>其中上述第1頁面進而包括結算物件；且 <br/>提供上述第1頁面之步驟包括如下步驟： <br/>響應於上述購買請求，於上述第1物品之結算金額為基準金額以下之情形時提供上述第1頁面； <br/>自上述用戶之終端獲得與上述第1頁面之上述結算物件對應之用戶輸入；及 <br/>響應於與上述結算物件對應之用戶輸入，向上述用戶之終端提供上述第1物品之結算完成資訊而無需向上述用戶請求追加輸入。
如請求項1之方法，其中確定上述第1優惠券之步驟包括如下步驟： <br/>確認上述一個以上之優惠券中上述結算金額不滿足優惠券之應用條件之優惠券組；及 <br/>確定上述優惠券組中將顯示於上述第1頁面中之上述第1優惠券。
如請求項2之方法，其中確定上述優惠券組中之上述第1優惠券之步驟包括如下步驟： <br/>確認為了滿足上述優惠券組內之各優惠券之應用條件而需追加結算之金額；及 <br/>將上述優惠券組中上述需追加結算之金額最小之優惠券確定為上述第1優惠券。
如請求項2之方法，其中上述第1優惠券之資訊包括為了滿足上述第1優惠券之應用條件而需追加結算之金額資訊。
如請求項4之方法，其中上述第1優惠券之資訊進而包括上述第1優惠券之折扣金額及上述第1優惠券之應用條件之資訊。
如請求項1之方法，其中上述第1頁面包括第1區域及第2區域，該第1區域包括上述第1物品之結算資訊，該第2區域包括上述第1優惠券之資訊；且 <br/>上述方法進而包括如下步驟： <br/>自上述用戶之終端獲得與上述第2區域對應之用戶輸入；及 <br/>響應於與上述第2區域對應之上述用戶輸入，向上述用戶之終端提供與上述第1優惠券相關聯之第2頁面；且 <br/>上述第2頁面包括上述用戶可追加購買以滿足上述第1優惠券之應用條件之物品之清單。
如請求項6之方法，其中上述清單之各物品具有為了滿足上述第1優惠券之應用條件而需追加結算之金額以上之價格， <br/>上述清單按照物品之價格由低及高之順序排序。
如請求項1之方法，其中上述第1頁面包括第1區域及第2區域，該第1區域包括上述第1物品之結算資訊，該第2區域包括上述第1優惠券之資訊；且 <br/>上述方法進而包括如下步驟： <br/>自上述用戶之終端獲得與上述第2區域對應之用戶輸入；及 <br/>響應於與上述第2區域對應之上述用戶輸入，向上述用戶之終端提供與上述用戶之購物車相關聯之第3頁面；且 <br/>上述第3頁面包括加入至上述用戶之購物車之物品之清單，上述第1物品顯示於上述清單之最上端。
如請求項8之方法，其中上述第3頁面進而包括如下訊息，該訊息係顯示上述用戶為了滿足上述第1優惠券之應用條件而需追加結算之金額者， <br/>上述訊息中之金額根據上述用戶對上述第3頁面之清單之至少一個物品之選擇而發生變更。
如請求項1之方法，其中上述第1頁面包括第1區域及第2區域，該第1區域包括上述第1物品之結算資訊，該第2區域包括上述第1優惠券之資訊；且 <br/>上述方法進而包括如下步驟： <br/>自上述用戶之終端獲得與上述第2區域對應之用戶輸入； <br/>確認上述用戶之購物車中是否存在應用上述第1優惠券之物品；及 <br/>響應於與上述第2區域對應之用戶輸入，於上述用戶之購物車中不存在應用上述第1優惠券之物品之情形時，向上述用戶之終端提供與上述第1優惠券相關聯之第2頁面，於上述用戶之購物車中存在應用上述第1優惠券之物品之情形時，提供與上述用戶之購物車相關聯之第3頁面。
如請求項1之方法，其中獲得上述購買請求之步驟包括如下步驟： <br/>向上述用戶之終端提供包括上述第1物品之詳細資訊之第4頁面；及 <br/>根據與上述第4頁面對應之上述用戶之輸入，獲得上述第1物品之購買請求；且 <br/>提供上述第1頁面之步驟包括如下步驟： <br/>於上述第4頁面之一部分區域中提供上述第1頁面。
一種電子裝置，其係提供優惠券資訊者，其包括： <br/>記憶體，其儲存有至少一個命令；及 <br/>處理器，其執行上述至少一個命令，藉此自用戶之終端獲得第1物品之購買請求，基於上述用戶之資訊及上述第1物品之資訊中之至少一者，確認上述用戶之一個以上之優惠券，基於上述第1物品之結算金額，確定上述一個以上之優惠券中之第1優惠券，響應於上述購買請求，向上述用戶之終端提供包括上述第1物品之結算資訊及上述第1優惠券之資訊之第1頁面， <br/>其中上述第1頁面進而包括結算物件；且 <br/>其中所述處理器經組態以： <br/>響應於上述購買請求，於上述第1物品之結算金額為基準金額以下之情形時提供上述第1頁面； <br/>自上述用戶之終端獲得與上述第1頁面之上述結算物件對應之用戶輸入；及 <br/>響應於與上述結算物件對應之用戶輸入，向上述用戶之終端提供上述第1物品之結算完成資訊而無需向上述用戶請求追加輸入。
一種非暫時性電腦可讀儲存媒體，其係儲存有用以於電腦中執行電子裝置提供優惠券資訊之方法之程式者，且 <br/>上述方法包括如下步驟： <br/>自用戶之終端獲得第1物品之購買請求； <br/>基於上述用戶之資訊及上述第1物品之資訊中之至少一者，確認上述用戶之一個以上之優惠券； <br/>基於上述第1物品之結算金額，確定上述一個以上之優惠券中之第1優惠券；及 <br/>響應於上述購買請求，向上述用戶之終端提供包括上述第1物品之結算資訊及上述第1優惠券之資訊之第1頁面， <br/>其中上述第1頁面進而包括結算物件；且 <br/>提供上述第1頁面之步驟包括如下步驟： <br/>響應於上述購買請求，於上述第1物品之結算金額為基準金額以下之情形時提供上述第1頁面； <br/>自上述用戶之終端獲得與上述第1頁面之上述結算物件對應之用戶輸入；及 <br/>響應於與上述結算物件對應之用戶輸入，向上述用戶之終端提供上述第1物品之結算完成資訊而無需向上述用戶請求追加輸入。
一種半導體裝置，包含：<br/>氧化物半導體層；<br/>源極電極，包含：<br/>第一導電層；及<br/>與該氧化物半導體層接觸的第二導電層；<br/>汲極電極，包含：<br/>第三導電層；及<br/>與該氧化物半導體層接觸的第四導電層；<br/>在該源極電極之上的第一氧化物膜；<br/>在該汲極電極之上的第二氧化物膜；<br/>與該氧化物半導體層重疊的閘極電極；及<br/>設在該氧化物半導體層與該閘極電極間之閘極絕緣層，<br/>其中該第一導電層係在該第二導電層之上，及該第二導電層具有較該第一導電層為高的電阻，<br/>其中該第三導電層係在該第四導電層之上，及該第四導電層具有較該第三導電層為高的電阻，<br/>其中該第一氧化物膜接觸該第一導電層的側面與該第二導電層的頂面，<br/>其中該第一氧化物膜並未接觸該第一導電層的頂面，<br/>其中該第二氧化物膜接觸該第三導電層的側面與該第四導電層的頂面，及<br/>其中該第二氧化物膜並未接觸該第三導電層的頂面。
一種半導體裝置，包含：<br/>氧化物半導體層；<br/>源極電極，包含：<br/>第一導電層；及<br/>與該氧化物半導體層接觸的第二導電層；<br/>汲極電極，包含：<br/>第三導電層；及<br/>與該氧化物半導體層接觸的第四導電層；<br/>在該源極電極之上的第一絕緣膜；<br/>在該汲極電極之上的第二絕緣膜；<br/>與該氧化物半導體層重疊的閘極電極；及<br/>設在該氧化物半導體層與該閘極電極間之閘極絕緣層，<br/>其中該第一導電層係在該第二導電層之上，及該第二導電層具有較該第一導電層為高的電阻，<br/>其中該第三導電層係在該第四導電層之上，及該第四導電層具有較該第三導電層為高的電阻，<br/>其中該第一絕緣膜接觸該第一導電層的側面與該第二導電層的頂面，<br/>其中該第一絕緣膜並未接觸該第一導電層的頂面，<br/>其中該第二絕緣膜接觸該第三導電層的側面與該第四導電層的頂面，及<br/>其中該第二絕緣膜並未接觸該第三導電層的頂面。
一種半導體裝置，包含：<br/>氧化物半導體層；<br/>源極電極，包含：<br/>第一導電層；及<br/>與該氧化物半導體層接觸的第二導電層；<br/>汲極電極，包含：<br/>第三導電層；及<br/>與該氧化物半導體層接觸的第四導電層；<br/>在該源極電極之上的包括氧的第一絕緣膜；<br/>在該汲極電極之上的包括氧的第二絕緣膜；<br/>與該氧化物半導體層重疊的閘極電極；及<br/>設在該氧化物半導體層與該閘極電極間之閘極絕緣層，<br/>其中該第一導電層係在該第二導電層之上，及該第二導電層具有較該第一導電層為高的電阻，<br/>其中該第三導電層係在該第四導電層之上，及該第四導電層具有較該第三導電層為高的電阻，<br/>其中該第一絕緣膜接觸該第一導電層的側面與該第二導電層的頂面，<br/>其中該第一絕緣膜並未接觸該第一導電層的頂面，<br/>其中該第二絕緣膜接觸該第三導電層的側面與該第四導電層的頂面，及<br/>其中該第二絕緣膜並未接觸該第三導電層的頂面。
一種半導體裝置，包含：<br/>氧化物半導體層；<br/>源極電極，包含：<br/>第一導電層；及<br/>與該氧化物半導體層接觸的第二導電層；<br/>汲極電極，包含：<br/>第三導電層；及<br/>與該氧化物半導體層接觸的第四導電層；<br/>在該源極電極之上的包括氧的第一膜；<br/>在該汲極電極之上的包括氧的第二膜；<br/>與該氧化物半導體層重疊的閘極電極；及<br/>設在該氧化物半導體層與該閘極電極間之閘極絕緣層，<br/>其中該第一導電層係在該第二導電層之上，及該第二導電層具有較該第一導電層為高的電阻，<br/>其中該第三導電層係在該第四導電層之上，及該第四導電層具有較該第三導電層為高的電阻，<br/>其中該第一膜接觸該第一導電層的側面與該第二導電層的頂面，<br/>其中該第一膜並未接觸該第一導電層的頂面，<br/>其中該第二膜接觸該第三導電層的側面與該第四導電層的頂面，及<br/>其中該第二膜並未接觸該第三導電層的頂面。
如請求項1至4中之任一項之半導體裝置，更包含：<br/>在該第二導電層之上並與該第一導電層的端部接觸之第一側壁絕緣層；及<br/>在該第四導電層之上並與該第三導電層的端部接觸之第二側壁絕緣層。
如請求項1至4中之任一項之半導體裝置，其中該第二導電層的材料與該第四導電層的材料為金屬的氮化物。
如請求項1至4中之任一項之半導體裝置，其中該第二導電層的厚度與該第四導電層的厚度為由5奈米至15奈米。
如請求項1至4中之任一項之半導體裝置，更包含：<br/>設在該氧化物半導體層與該源極電極間之第一絕緣層；及<br/>設在該氧化物半導體層與該汲極電極間之第二絕緣層。
一種由以下化學式1表示的化合物或其藥學上可接受的鹽， <br/>[化學式1] <br/><img align="absmiddle" height="52px" width="125px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>在化學式1中， <br/>X是CH或N， <br/>L<sub>1</sub>是鍵、C<sub>1-4</sub>伸烷基、C<sub>2-4</sub>伸烯基、C<sub>2-4</sub>伸炔基、-S-或-O-， <br/>R<sub>1</sub>是選自由4,7-二氮雜螺[2.5]辛-8-酮基、側氧基嗒𠯤基、吡唑基或噻唑基組成的群組的任何環，該環未經取代或被CH<sub>3</sub>取代， <br/>R<sub>2</sub>和R<sub>3</sub>各自獨立地為C<sub>1-4</sub>鹵代烷基、C<sub>1-4</sub>烷氧基或鹵素， <br/>L<sub>2</sub>是C<sub>1-4</sub>伸烷基， <br/>R<sub>4</sub>是鹵素。
根據請求項1所述的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中L<sub>1</sub>是鍵、-C≡C-或-O-。
根據請求項1所述的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中R<sub>2</sub>和R<sub>3</sub>各自獨立地是CHF<sub>2</sub>、OCH<sub>3</sub>或Cl。
根據請求項1所述的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中L<sub>2</sub>是-CH<sub>2</sub>-。
根據請求項1所述的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中R<sub>4</sub>是Cl。
根據請求項1所述的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中所述化學式1由以下化學式2表示： <br/>[化學式2] <br/><img align="absmiddle" height="52px" width="132px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>在化學式2中， <br/>X、L<sub>1</sub>、R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>、R<sub>3</sub>、R<sub>4</sub>如請求項1中所定義。
根據請求項1所述的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中由化學式1表示的化合物是選自由以下項組成的群組中的任何一項： <br/>1) 2'-氯-N-(5-((5-氯吡啶-2-基)甲氧基)-1,3,4-噻二唑-2-基)-5'-甲氧基-6-(4-甲基-8-側氧基-4,7-二氮雜螺[2.5]辛-7-基)-4,4'-聯吡啶-3-甲醯胺， <br/>2) N-(5-((5-氯吡啶-2-基)甲氧基)-1,3,4-噻二唑-2-基)-4-(5-(二氟甲基)-2-甲氧苯基)-6-(噻唑-2-基氧基)菸鹼醯胺， <br/>3) N-(5-((5-氯吡啶-2-基)甲氧基)-1,3,4-噻二唑-2-基)-4-(5-(二氟甲基)-2-甲氧苯基)-6-(4-甲基-6-側氧基嗒𠯤-1(6H)-基)菸鹼醯胺，以及 <br/>4) N-(5-((5-氯吡啶-2-基)甲氧基)-1,3,4-噻二唑-2-基)-4-(5-(二氟甲基)-2-甲氧苯基)-6-((1-甲基-1H-吡唑-4-基)乙炔基)菸鹼醯胺。
一種用於治療癌症的藥物組合物，其包括根據請求項1至7中任一項所述的化合物或其藥學上可接受的鹽。
一種把手的開關切換機構，尤指適用於安裝至一第一軌，該第一軌活動安裝於一第二軌，該第二軌具有一第一通孔，該把手的開關切換機構包括：一把手，該把手具有一突出部；一作動件，該作動件活動安裝於該第一軌之內側，該作動件開設一鏤空部，且該鏤空部相對二側分別彎折延伸具有一側牆；一弧形導引件，該弧形導引件之一端連接該作動件前端，該弧形導引件之另一端抵持該突出部，其具有一第一狀態與一第二狀態；以及一耳鎖，該耳鎖後端樞接該第一軌，該耳鎖前端活動設置於該側牆；藉此，當該第一狀態，其該耳鎖位於該第一通孔，該耳鎖前端抵持該側牆，使該第一軌與該第二軌彼此處於一鎖定狀態。
如請求項1所述之把手的開關切換機構，其中當該把手受力旋轉時，該把手之該突出部同步旋轉，其該第一狀態切換為該第二狀態，該突出部推抵該弧形導引件之另一端，該弧形導引件之一端連動該作動件前端，使該作動件往外側移動，此時該作動件之該側牆帶動該耳鎖前端朝遠離第二軌位移，使該耳鎖後端樞轉，該耳鎖並脫離於該第一通孔，使該第一軌與該第二軌彼此處於一解鎖狀態。
如請求項1所述之把手的開關切換機構，其中該把手的開關切換機構具有一第一彈性件及一彈性抵靠件，該第一彈性件兩端分別連接至該把手與該第一軌，該作動件透過多個固定件設置安裝於該第一軌之內側，該彈性抵靠件設置於該第一軌之內側上，其中於該第一狀態時，該彈性抵靠件之一側輕觸抵靠於該耳鎖之底部，且該耳鎖位於該第一通孔而使得該第一軌與該第二軌彼此處於該鎖定狀態。
如請求項3所述之把手的開關切換機構，其中該把手的開關切換機構更包括一第二彈性件，該第二彈性件之一端連接至該固定件，該第二彈性件之另一端連接至該作動件，當該作動件往外側移動時，該第二彈性件也因此受力而拉長。
如請求項1所述之把手的開關切換機構，其中該作動件前端往上垂直彎曲出一第一延伸段，該第一延伸段具有一第一延伸穿孔，且該把手具有一傳動軸與供該傳動軸穿射並固定之至少一把手穿孔，且該傳動軸之一端穿射於該第一延伸穿孔。
如請求項5所述之把手的開關切換機構，其中該把手的開關切換機構包括一彈性抵靠件，且該耳鎖前端二側分別具有一抵靠部，且該側牆之頂端區分為一第一頂部與一第二頂部，且該該第一頂部相對高於該第二頂部。
如請求項6所述之把手的開關切換機構，其中該耳鎖上方具有一卡合部，當該把手受力旋轉時，透過該傳動軸來將該作動件往外側移動，而該傳動軸之該突出部會沿著該弧形導引件而往下移動，並且該耳鎖前端二側之該抵靠部會從該第一頂部相對移動至該第二頂部而使得該耳鎖之底部往下壓至該彈性抵靠件，藉此以使該耳鎖之該卡合部傾斜脫離於該第一通孔，使該第一軌與該第二軌彼此處於一解鎖狀態。
如請求項6所述之把手的開關切換機構，其中當該把手之旋轉施力消失時，該作動件與該耳鎖會從該第二狀態回復至該第一狀態。
如請求項1所述之把手的開關切換機構，其中該把手的開關切換機構更包括一操作件及一安全鎖，該安全鎖可上下且左右活動地設置安裝於該操作件之前端，且該安全鎖具有一突出部特徵與一開關操作部，且該操作件可活動地設置安裝於該第一軌。
如請求項9所述之把手的開關切換機構，其中該作動件之後端延伸出一第二延伸段，且該第二延伸段具有一定位凹槽，且當透過該開關操作部來將該安全鎖之該突出部特徵移動至該定位凹槽之內部時，則該作動件會與該操作件彼此連動且當該作動件從該第一狀態切換至該第二狀態而往外側移動，則該操作件往外側移動。
一種使用一電子裝置提供地址資訊之方法，該方法包括： <br/>接收來自一第一使用者終端機之第一地址資訊，其中該第一使用者終端機係一顧客終端機； <br/>基於該第一地址資訊向該第一使用者終端機提供自一地址資料庫識別之一或多個第二地址資訊； <br/>接收對應於該一或多個第二地址資訊當中的選定第二地址資訊之一選擇輸入； <br/>識別該選定第二地址資訊之一地址級別； <br/>基於該選定第二地址資訊之該地址級別與一最大地址級別之間的一比較向該第一使用者終端機發送詳細地址資訊之一請求； <br/>產生包含回應於詳細地址資訊之該請求輸入之該詳細地址資訊及該選定第二地址資訊之第三地址資訊； <br/>將該第三地址資訊及與該第三地址資訊相關聯之地圖資訊傳輸至一第二使用者終端機，其中該第二使用者終端機係一遞送者終端機； <br/>基於提供至該第一使用者終端機之該一或多個第二地址資訊及自該第一使用者終端機接收之該選定第二地址資訊來判定該第一地址資訊與該選定第二地址資訊之間的一關係程度；及 <br/>將該關係程度儲存於該地址資料庫中。
如請求項1之使用一電子裝置提供地址資訊之方法，其進一步包括： <br/>將一區域地圖之地址類別及地址級別映射至彼此； <br/>根據該等地址級別對該區域地圖之複數個地址資訊進行分類；及 <br/>建立其中儲存該等地址級別及該複數個經分類地址資訊之該地址資料庫。
如請求項1之使用一電子裝置提供地址資訊之方法，其中該一或多個第二地址資訊包含為對應於在儲存於該地址資料庫中之該複數個經分類地址資訊當中的該第一地址資訊之地址資訊所共有的地址資訊。
如請求項1之使用一電子裝置提供地址資訊之方法，其中該一或多個第二地址資訊係以增加地址級別之一順序按一預設數目提供。
如請求項1之使用一電子裝置提供地址資訊之方法，其中該向該第一使用者終端機發送該詳細地址資訊之該請求包含： <br/>識別指示該選定第二地址資訊之該地址級別不足以達到該最大地址級別之一不足地址級別；及 <br/>請求對應於該所識別之不足地址級別之地址資訊作為該詳細地址資訊。
如請求項5之使用一電子裝置提供地址資訊之方法，其進一步包括： <br/>其中對應於該所識別之不足地址級別之該地址資訊係透過在一地址級別基礎上分類之輸入欄位來提供。
如請求項1之使用一電子裝置提供地址資訊之方法，其中該詳細地址資訊係單獨顯示於該第三地址資訊中。
如請求項7之使用一電子裝置提供地址資訊之方法，其中該地圖資訊包含自該第二使用者終端機之一當前位置至對應於該第三地址資訊之一位置之路線資訊。
如請求項7之使用一電子裝置提供地址資訊之方法，其中該地圖資訊包含自該第二使用者終端機之一當前位置至對應於該選定第二地址資訊之一位置之路線資訊。
如請求項9之使用一電子裝置提供地址資訊之方法，其進一步包括： <br/>識別該第三地址資訊是否具有向複數個使用者終端機之至少一者提供之一歷史；及 <br/>當該第三地址資訊經識別以具有該歷史時，提供包含自該第二使用者終端機之該當前位置至對應於該第三地址資訊之一位置之路線資訊之該地圖資訊。
如請求項10之使用一電子裝置提供地址資訊之方法，其進一步包括： <br/>當該第二使用者終端機到達對應於該第三地址資訊之該位置時，接收來自該第二使用者終端機之到達對應於該第三地址資訊之該位置所需之詳細路線資訊；及 <br/>將該詳細路線資訊包含於自該第二使用者終端機之該當前位置至對應於該第三地址資訊之該位置之該路線資訊中。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄用於引起一電腦執行如請求項1之方法之一程式。
一種用於提供地址資訊之電子裝置，其包括： <br/>一通信裝置； <br/>一儲存裝置；及 <br/>一控制器，其經組態以控制該通信裝置及該儲存裝置， <br/>其中該控制器經組態以： <br/>藉由該通信裝置接收來自一第一使用者終端機之第一地址資訊，其中該第一使用者終端機係一顧客終端機； <br/>藉由該通信裝置基於該第一地址資訊向該使用者終端機提供自該儲存裝置識別之一或多個第二地址資訊； <br/>藉由該通信裝置接收對應於該一或多個第二地址資訊當中的選定第二地址資訊之一選擇輸入； <br/>識別該選定第二地址資訊之一地址級別； <br/>基於該選定第二地址資訊之該地址級別與一最大地址級別之間的一比較向該使用者終端機發送詳細地址資訊之一請求； <br/>產生包含回應於詳細地址資訊之該請求輸入之該詳細地址資訊及該選定第二地址資訊之第三地址資訊； <br/>將該第三地址資訊及與該第三地址資訊相關聯之地圖資訊傳輸至一第二使用者終端機，其中該第二使用者終端機係一遞送者終端機； <br/>基於提供至該第一使用者終端機之該一或多個第二地址資訊及自該第一使用者終端機接收之該選定第二地址資訊來判定該第一地址資訊與該選定第二地址資訊之間的一關係程度；及 <br/>將該關係程度儲存於該儲存裝置中。
一種產生UI組件之方法，其係藉由電子裝置進行者，其包括如下步驟： <br/>提供一用戶一個用戶介面，該用戶介面包括用於設定一對象組件的狀態資訊之一第1區域，以及用於設定該對象組件的至少一個槽之各者的狀態資訊之一第2區域； <br/>識別該用戶藉由該用戶介面輸入的第一狀態資訊； <br/>基於該第一狀態資訊，確認與該至少一個槽對應之至少一個子組件； <br/>基於該對象組件之階層式結構，產生包括該至少一個子組件之該對象組件； <br/>其中該至少一個子組件之確認包括： <br/>產生與該第一狀態資訊對應的一原始碼；及 <br/>基於該原始碼確定該至少一個子組件； <br/>其中該原始碼包括指示由該用戶藉由該第1區域輸入的該對象組件之狀態資訊的一第1欄位、及指示由該用戶藉由該第2區域輸入的該至少一個槽之各者的狀態資訊的一第2欄位。
如請求項1之方法，其中該第1區域包括下列至少一者：設定該對象組件的一背景顏色之一區域、設定該對象組件之一尺寸之一區域、設定該對象組件之一文本色調之一區域、及設定該對象組件是否彈出之一區域。
如請求項1之方法，其中該第2區域包括： <br/>一第1子區域，用於設定該至少一個槽之各者是否在該對象組件中被啟用； <br/>一第2子區域，用於設定與該至少一個槽之各者對應的圖標、影像、文本及標識的詳細狀態資訊。
如請求項3之方法，其中當一第1槽藉由該第1子區域被設定為停用時，則與該第1槽對應的一子組件在該對象組件中顯示為一空區域。
如請求項1之方法，其中當經由該第2區域設定一第1槽為停用且設定一第2槽為啟用時，確認該至少一子組件之步驟包括： <br/>基於該原始碼，確認與該第1槽對應的一子組件為空區域； <br/>基於該原始碼，確認與該第2槽對應的一子組件。
如請求項5之方法，其中該第2欄位不包含與該第1槽對應之狀態資訊相關的一代碼行，而包含與該第2槽對應之狀態資訊相關的一代碼行。
如請求項1之方法，其中該原始碼係xml形式之原始碼或json形式之原始碼中之一者。
一種用以產生UI組件之電子裝置，其包括： <br/>一個以上之處理器；及 <br/>儲存器，其儲存藉由該一個以上之處理器而執行之一個以上之命令；且 <br/>該一個以上之處理器藉由執行該一個以上之命令而經組態以： <br/>提供一用戶一個用戶介面，該用戶介面包括用於設定一對象組件的狀態資訊之一第1區域，以及用於設定該對象組件的至少一個槽之各者的狀態資訊之一第2區域； <br/>識別該用戶藉由該用戶介面輸入的第一狀態資訊； <br/>基於該第一狀態資訊，確認與該至少一個槽對應之至少一個子組件； <br/>基於該對象組件之階層式結構，產生包括該至少一個子組件之該對象組件； <br/>其中於確認該至少一個子組件時，該一個以上之處理器經組態以： <br/>產生與該第一狀態資訊對應的一原始碼；及 <br/>基於該原始碼確定該至少一個子組件； <br/>其中該原始碼包括指示由該用戶藉由該第1區域輸入的該對象組件之狀態資訊的一第1欄位、及指示由該用戶藉由該第2區域輸入的該至少一個槽之各者的狀態資訊的一第2欄位。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有用以於電腦中執行如請求項1之方法之程式。
一種調整方法，其調整於在與第一方向正交之既定面內彼此位置不同之複數個部位，分別設置為與前述第一方向平行之複數個對象物之傾斜，包含： <br/>於前述複數個對象物分別安裝調整前述傾斜之調整構件； <br/>於前述複數個對象物，分別於在前述第一方向上位置不同之前述對象物之複數個點安裝取得傾斜角資訊之感測器； <br/>基於藉由前述感測器所取得之複數個前述傾斜角資訊，取得與前述複數個對象物之傾斜相關之資訊；以及 <br/>關於前述複數個對象物之各個，基於與前述複數個對象物之傾斜相關之資訊來驅動前述調整構件，而調整傾斜。
如請求項1之調整方法，其中， <br/>對於前述複數個對象物，分別基於前述複數個傾斜角資訊，求出與前述既定面內之第二方向交叉之前述對象物之一面之形狀資訊，且基於前述形狀資訊，以前述一面之前述傾斜被抵銷之方式來驅動前述調整構件。
如請求項1之調整方法，其中， <br/>為了在前述對象物的每一個，在前述複數個點分別取得前述傾斜角資訊，於前述複數個點分別安裝複數個前述感測器。
如請求項1之調整方法，其中， <br/>前述感測器，以前述第一方向為基準來測量前述傾斜角資訊。
如請求項4之調整方法，其中， <br/>前述第一方向係重力方向。
如請求項5之調整方法，其中， <br/>前述感測器，經由網路連接於伺服器或雲端； <br/>分別安裝於前述複數個對象物之前述調整構件具有連接於前述網路之驅動裝置，藉由前述伺服器或雲端求出前述驅動裝置之控制資訊。
如請求項1至6中任意一項之調整方法，其中， <br/>前述複數個對象物分別係鋼骨柱，為了於前述複數個部位分別建造前述鋼骨柱，進行前述調整構件對前述傾斜之調整。
一種建築構造物之建築方法，其中， <br/>以前述構造物之至少一部分為前述對象物，使用如請求項1至6中任意一項之調整方法來調整前述對象物之傾斜。
如請求項8之建築方法，其進一步包含： <br/>將構成前述構造物之複數個柱分別與前述第一方向大致平行地設置；以及 <br/>為了以前述複數個柱為前述對象物來調整前述傾斜，在前述複數個柱分別於至少在前述第一方向上位置不同之複數個點安裝前述感測器。
如請求項9之建築方法，其中， <br/>前述複數個柱分別是複數節，為了以前述複數節與前述第一方向大致平行之方式於複數個下節柱分別建造複數個上節柱， <br/>於前述複數個下節柱與前述複數個上節柱分別安裝前述調整構件； <br/>於前述複數個上節柱，分別藉由安裝於前述複數個點之前述感測器來取得前述複數個傾斜角資訊，且以於前述複數個上節柱大致並行地進行前述傾斜之調整之方式，基於前述複數個傾斜角資訊來驅動前述調整構件。
如請求項10之建築方法，其中， <br/>於前述複數個下節柱分別建造前述複數個上節柱時， <br/>於前述複數個下節柱，分別藉由在前述第一方向上位置不同之安裝於前述下節柱之複數個點之前述感測器，在前述複數個點分別取得前述下節柱之傾斜角資訊； <br/>於前述複數個下節柱分別取得之前述複數個傾斜角資訊用於前述上節柱之前述傾斜之調整。
如請求項10之建築方法，其進而包含： <br/>於前述複數個上節柱連結樑構件； <br/>在前述樑構件之連結後，於前述複數個上節柱，分別藉由前述感測器來取得前述複數個傾斜角資訊，且基於前述複數個傾斜角資訊來驅動前述調整構件。
如請求項12之建築方法，其中， <br/>在前述樑構件之連結之前，於前述複數個上節柱，分別藉由前述感測器來取得前述複數個傾斜角資訊，且基於前述複數個傾斜角資訊來驅動前述調整構件。
如請求項12之建築方法，其中， <br/>在前述調整構件對前述上節柱之前述傾斜之調整之後，前述複數個上節柱分別與前述複數個下節柱熔接。
一種構造物之建築方法，前述構造物係與第一方向大致平行地設置之複數個柱分別為複數節，前述建築方法包含： <br/>以與前述第一方向大致平行之方式，於在與前述第一方向正交之既定面內彼此位置不同之複數個部位，分別設置複數個下節柱； <br/>於前述複數個下節柱分別設置複數個上節柱； <br/>於前述複數個下節柱與前述複數個上節柱分別安裝調整構件； <br/>於前述複數個上節柱，分別於在前述第一方向上位置不同之前述上節柱之複數個點安裝取得傾斜角資訊之感測器； <br/>基於藉由前述感測器所取得之複數個前述傾斜角資訊，取得與前述複數個上節柱之傾斜相關之資訊；以及 <br/>關於前述複數個上節柱之各個，基於與前述複數個上節柱之傾斜相關之資訊來驅動前述調整構件，而調整傾斜。
如請求項15之建築方法，其中， <br/>前述感測器，以前述第一方向為基準來測量前述傾斜角資訊。
如請求項16之建築方法，其中， <br/>前述第一方向係重力方向。
如請求項15至17中任意一項之建築方法，其中， <br/>於前述複數個下節柱分別建造前述複數個上節柱時， <br/>於前述複數個下節柱，分別藉由在前述第一方向上位置不同之安裝於前述下節柱之複數個點之前述感測器，在前述複數個點分別取得前述下節柱之傾斜角資訊； <br/>於前述複數個下節柱分別取得之前述複數個傾斜角資訊用於前述上節柱之前述傾斜之調整。
如請求項15至17中任意一項之建築方法，其進而包含： <br/>於前述複數個上節柱連結樑構件； <br/>在前述樑構件之連結後，於前述複數個上節柱，分別藉由前述感測器來取得前述複數個傾斜角資訊，且基於前述複數個傾斜角資訊來驅動前述調整構件。
如請求項19之建築方法，其中， <br/>在前述樑構件之連結之前，於前述複數個上節柱，分別藉由前述感測器來取得前述複數個傾斜角資訊，且基於前述複數個傾斜角資訊來驅動前述調整構件。
如請求項19之建築方法，其中， <br/>在前述調整構件對前述上節柱之前述傾斜之調整之後，前述複數個上節柱分別與前述複數個下節柱熔接。
一種構造物之建築系統，前述構造物係與第一方向大致平行地設置之複數個柱分別為複數節，前述建築系統具備： <br/>感測器，能安裝於前述複數個柱，取得前述柱之傾斜角資訊；以及 <br/>控制裝置，經由網路與前述感測器連接； <br/>於在與前述第一方向正交之既定面內彼此位置不同之複數個部位分別設置複數個下節柱，且於前述複數個下節柱分別設置複數個上節柱，於前述複數個下節柱與前述複數個上節柱分別安裝調整構件； <br/>於前述複數個上節柱，分別藉由在前述第一方向上位置不同之安裝於前述上節柱之複數個點之前述感測器，在前述複數個點分別取得前述上節柱之傾斜角資訊，且包含前述傾斜角資訊之資料經由前述網路發送至前述控制裝置； <br/>前述控制裝置，以於前述複數個上節柱大致並行地進行其傾斜之調整之方式，於前述複數個上節柱，分別基於前述傾斜角資訊來控制前述調整構件之驅動，前述調整構件具有連接於前述網路之驅動裝置，藉由前述控制裝置求出前述驅動裝置之控制資訊。
如請求項22之建築系統，其中， <br/>前述感測器，以前述第一方向為基準來測量前述傾斜角資訊。
如請求項23之建築系統，其中， <br/>前述第一方向係重力方向。
如請求項22至24中任意一項之建築系統，其中， <br/>於前述複數個下節柱分別建造前述複數個上節柱時，於前述複數個下節柱，分別藉由在前述第一方向上位置不同之安裝於前述下節柱之複數個點之前述感測器，在前述複數個點分別取得前述下節柱之傾斜角資訊； <br/>前述控制裝置，能將於前述複數個下節柱分別取得之前述複數個傾斜角資訊，用於前述上節柱之前述傾斜之調整。
如請求項22至24中任意一項之建築系統，其中， <br/>在樑構件連結於前述複數個上節柱之前後，分別於前述複數個上節柱藉由前述感測器來取得前述傾斜角資訊，且藉由前述控制裝置基於前述資料來驅動前述調整構件。
一種具連接器之儲能窗結構，其包含有數儲能窗與一儲能窗框，其中：<br/>所述儲能窗邊緣設有數銅箔部用以導電，所述儲能窗框包含有任意數量之邊框與任意數量之接合框，該邊框設有一第一凹槽，該第一凹槽內設有一單頭母座，所述單頭母座設有一第一接合槽，該接合框上下各凹設有一第二凹槽，所述接合框貫通有至少一通孔，該通孔安裝有一雙頭母座，所述雙頭母座上下各設有一第二接合槽，所述第一接合槽與該第二接合槽內各設有一連接器母端，所述連接器母端兩側各設有一翼片，該連接器母端尾端設有一接觸片，所述儲能窗的邊緣可卡入該第一接合槽或該第二接合槽，所述銅箔部夾於該翼片間而可導通，設置於二所述第二接合槽內的該連接器母端之接觸片進行電性連接而可以該接合框連接導通二所述儲能窗。
如請求項1所述的具連接器之儲能窗結構，其中，所述儲能窗及該儲能窗框外設有一鋁門窗用以固定。
如請求項2所述的具連接器之儲能窗結構，其中，所述第二凹槽內設有一鎖固件，該鎖固件可用以與所述鋁門窗鎖固。
如請求項3所述的具連接器之儲能窗結構，其中，所述鎖固件是與該雙頭母座分離的。
如請求項3所述的具連接器之儲能窗結構，其中，所述鎖固件是與該雙頭母座相連一體的。
一種用以控制一自行車之電子換檔之方法，該方法包含：<br/> 由一處理器識別一第一齒輪換檔命令，該第一齒輪換檔命令之一來源係該處理器或另一處理器；<br/> 由該處理器基於該第一齒輪換檔命令來判定一第一換檔方向；<br/> 由該處理器基於該第一齒輪換檔命令，啟動該自行車在該第一換檔方向上從一第一齒輪至一第二齒輪之一換檔；<br/> 由該處理器識別一第二齒輪換檔命令，該第二齒輪換檔命令之一來源係該自行車之一控制裝置，該第二齒輪換檔命令係在該第一齒輪換檔命令之後；<br/> 由該處理器判定在該第一齒輪換檔命令之該識別與該第二齒輪換檔命令之該識別之間的一時段；<br/> 由該處理器將所判定之時段與一預定時段進行比較；以及<br/> 當基於該比較，該所判定之時段小於該預定時段時，由該處理器控制該自行車之該電子換檔，以使得該自行車在一第二方向上換檔至少回到該第一齒輪，該第二方向係與該第一換檔方向相反。
如請求項1之方法，其中識別該第一齒輪換檔命令係包含：由該處理器基於一自動換檔演算法來生成該第一齒輪換檔命令。
如請求項2之方法，其進一步包含由該處理器基於該第一換檔方向來調整該自動換檔演算法之一步調範圍。
如請求項1之方法，其中識別該第二齒輪換檔命令係包含：由該處理器接收響應於在該自行車之該控制裝置之一輸入裝置處的一使用者輸入的來自該自行車之該控制裝置的該第二齒輪換檔命令，<br/> 其中該方法進一步包含判定該使用者輸入之一長度，該使用者輸入之該長度識別與該自行車之換檔裝置之該輸入裝置的使用者互動之一時間量，以及<br/> 其中該控制進一步包含：當基於該比較，該所判定之時段大於該預定時段時，由該處理器控制該自行車之該電子換檔，以使得該自行車基於該使用者輸入之一長度在該第一換檔方向抑或是該第二方向上換檔。
如請求項4之方法，其中該控制裝置之該輸入裝置為一按鈕或一扳桿，且<br/> 其中該輸入裝置係該控制裝置之唯一輸入裝置。
如請求項4之方法，其中該使用者輸入為該控制裝置之該輸入裝置處的一第一使用者輸入，且<br/> 其中該方法進一步包含：<br/> 由該處理器識別一第三齒輪換檔命令，該第三齒輪換檔命令係在該第二齒輪換檔命令之後，該第三齒輪換檔命令之一來源係該處理器；<br/> 由該處理器判定該第三齒輪換檔命令之一換檔方向，該第三齒輪換檔命令之該換檔方向係該第二方向；<br/> 由該處理器基於該第三齒輪換檔命令，啟動該自行車在該第二方向上從該第一齒輪至一第三齒輪之一換檔；<br/> 由該處理器接收響應於該自行車之該控制裝置之相同輸入裝置處的一第二使用者輸入的來自該自行車之該控制裝置的一第四齒輪換檔命令，該第四齒輪換檔命令係在該第三齒輪換檔命令之後；<br/> 由該處理器判定在該第三齒輪換檔命令之該識別與該第四齒輪換檔命令之該接收之間的一時段；<br/> 由該處理器將在該第三齒輪換檔命令之該識別與該第四齒輪換檔命令之該接收之間的所判定之時段與該預定時段進行比較；以及<br/> 當基於該比較，在該第三齒輪換檔命令之該識別與該第四齒輪換檔命令之該接收之間的該所判定之時段係小於該預定時段時，由該處理器控制該自行車之該電子換檔，以使得該自行車在該第一換檔方向上換檔至少回到該第一齒輪。
如請求項1之方法，其中該控制包含：當基於該比較，該所判定之時段小於該預定時段時，由該處理器控制該自行車之該電子換檔，以使得該自行車在該第二方向上換檔至少兩個齒輪至超過該第一齒輪之一第三齒輪。
如請求項1之方法，其中該預定時段係為一第一預定時段，<br/> 其中該方法進一步包含由該處理器將該所判定之時段與一第二預定時段進行比較，且<br/> 其中該控制包含由該處理器控制該自行車之該電子換檔，以使得該自行車在下列情況時在該第二方向上至少換檔回到該第一齒輪：<br/> 基於該所判定之時段與該第二預定時段之該比較，該所判定之時段大於該第二預定時段；以及<br/> 基於該所判定之時段與該第一預定時段之該比較，該所判定之時段小於該第一預定時段。
如請求項8之方法，其中該控制進一步包含當基於該所判定之時段與該第二預定時段之該比較，該所判定之時段小於該第二預定時段時，由該處理器忽略該第二齒輪換檔命令。
如請求項9之方法，其進一步包含在該第二齒輪換檔命令之該識別之後，忽略來自該處理器之任何額外的齒輪換檔命令歷時一第三預定時段。
一種自行車之電子組件，該電子組件包含：<br/> 一處理器，其組配來：<br/> 識別一第一齒輪換檔命令，該第一齒輪換檔命令之一來源係該處理器或另一處理器；<br/> 基於該第一齒輪換檔命令來判定一第一換檔方向；<br/> 基於該第一齒輪換檔命令，啟動該自行車在該第一換檔方向上從一第一齒輪至一第二齒輪的一換檔；<br/> 識別一第二齒輪換檔命令，該第二齒輪換檔命令之一來源係該自行車之一控制裝置，該第二齒輪換檔命令係在該第一齒輪換檔命令之後；<br/> 判定在該第一齒輪換檔命令之該識別與該第二齒輪換檔命令之該識別之間的一時段；<br/> 將所判定之時段與一預定時段進行比較；以及<br/> 當基於該比較，該所判定之時段小於該預定時段時，控制該自行車之電子換檔，以使得該自行車在一第二方向上換檔至少回到該第一齒輪，該第二方向係與該第一換檔方向相反。
如請求項11之電子組件，其中該電子組件為一後變速器。
一種一體成型電感，其包含有：<br/> 一芯柱，其材料為由鐵基合金組成的複合材料，其材料成分為92.1~96.43wt%的鐵（Fe）、3.5~7.5wt%的矽（Si）、0.01~0.1wt%的硼（B）、0.01~0.1wt%的鋁（Al）、0.05~0.2wt%的鉻（Cr）；<br/> 一線圈，其纏繞在該芯柱外；<br/> 一磁片，其材料為由鐵基合金組成的複合材料，其材料成分與該芯柱相同，該磁片設置於該芯柱之底部，且該線圈藉由彎曲緊固在磁片之底部而形成一底部電極；<br/> 一剩餘磁體，其覆蓋在該芯柱及該線圈外，並使該底部電極外露，其材料由鐵基合金、鐵基非晶奈米晶、羰基鐵粉的混合粉末組成；<br/> 一絕緣防銹層，其覆蓋於該剩餘磁體表面，該絕緣防銹層之材料為苯氧樹脂、酚醛環氧樹脂、矽微粉組成的複合塗層。
如請求項1所述的一體成型電感，其中芯柱占剩餘磁體之體積的20vol%~50vol%。
如請求項1所述的一體成型電感，其中所述該芯柱和該磁片之組成材料的粒度為5~53um，其中顆粒表面有10~100nm的氧化矽和氧化鐵、氧化鉻的複合氧化層，其中該芯柱的高度為所述電感高度的60%~90%。
如請求項1所述的一體成型電感，其中該剩餘磁體，其材料由成分為89.7~94.97wt%的Fe、3.0~5.5wt%的Si、2.0~4.5wt%的B、0.01~0.1wt%的磷（P）、0.01~0.1wt%的銅（Cu）、0.01~0.1wt%的鎳（Ni）的主體材料與3um~5um的鐵基合金混合而成，其中鐵基合金為92.1~96.43wt%的Fe、3.5~7.5wt%的Si、0.01~0.1wt%的B、0.01~0.1wt%的P，其中奈米晶材料占粉末重量的60wt%~80wt%，其中鐵基合金占粉末重量的20wt%~40wt%，其中奈米晶表面有兩層包覆層，第一層為氧化鋁、氧化矽等氧化物的混合層，厚度8~15nm，第二層為有機樹脂組成，其中樹脂為環氧樹脂和矽樹脂的混合包覆層，其中環氧樹脂為軟化溫度小於100℃，其中矽樹脂為熱分解溫度大於300℃，其中包覆層厚度為100~200nm，其中環氧樹脂：矽樹脂的質量比為1:1~3:1，其中鐵基合金表面有一層包覆層，包覆厚度為50~150nm，其中包覆層為酚醛樹脂和矽樹脂的混合物，其中酚醛樹脂軟化溫度小於100℃，其中矽樹脂為熱分解溫度大於300℃，其中酚醛樹脂：矽樹脂的質量比為1:1~3:1。
如請求項1所述的一體成型電感，其中該絕緣防銹層的厚度為10~30um，其中苯氧樹脂占絕緣層材料比例的50wt%~80wt%，苯氧樹脂的分子量大於8000，其中酚醛環氧樹脂占絕緣層材料比例的10wt%~30wt%，其中酚醛環氧樹脂的玻璃轉化溫度大於150℃，其中矽微粉占絕緣層材料比例的10wt%~20wt%，其中矽微粉的粒度為8~20nm。
一種如請求項1至5中任一項所述之一體成型電感的製造方法，其包括以下步驟：<br/> 提供該芯柱；<br/> 將該線圈纏繞於該芯柱外；<br/> 將該磁片設置於該芯柱之底部，且該線圈藉由彎曲緊固在磁片底部而形成該底部電極，其中該芯柱、該線圈、該底部電極構成一繞組；<br/> 將該剩餘磁體包覆於該繞組外；<br/> 設置該絕緣防銹層於該剩餘磁體外。
一種旋轉機械，具備：<br/>旋轉軸；及<br/>一方側葉輪，被安裝於前述旋轉軸的軸方向的一方側；及<br/>推力碟片部，被設於前述旋轉軸，沿著前述旋轉軸的徑方向延伸；及<br/>外殼，是將前述旋轉軸及前述推力碟片部可旋轉地收容地構成，具有：形成於前述推力碟片部的前述軸方向的前述一方側的端面及前述外殼之間的一方側流路、及形成於前述推力碟片部的前述軸方向的另一方側的端面及前述外殼之間的另一方側流路、及與前述一方側流路及前述另一方側流路的前述徑方向的外側連接的外周側流路；及<br/>一方側推力軸承，是氣體軸承，被配置於前述一方側流路；及<br/>另一方側推力軸承，是氣體軸承，被配置於前述另一方側流路；及<br/>一方側喉部形成部，被設於前述外周側流路，當前述推力碟片部位於比前述軸方向的中間位置更靠前述一方側時，在與前述推力碟片部的外周面之間形成流路面積比前述一方側流路更小的喉部。
如請求項1的旋轉機械，其中，<br/>具備另一方側喉部形成部，被設於前述外周側流路，當前述推力碟片部位於比前述軸方向的中間位置更靠前述另一方側時，在與前述推力碟片部的前述外周面之間形成流路面積比前述另一方側流路更靠小的喉部。
如請求項1或2的旋轉機械，其中，<br/>前述外殼，具有相對面，前述相對面在前述一方側推力軸承及前述另一方側推力軸承之間將前述外周側流路挾持地相面對，<br/>前述一方側喉部形成部，包含至少1個一方側鰭片，前述至少1個一方側鰭片被設於包含喉部形成位置的部分，前述至少1個一方側鰭片比前述相對面更靠朝向前述徑方向的內側突出。
如請求項1或2的旋轉機械，其中，<br/>前述一方側喉部形成部，包含相對面，前述相對面被設於包含喉部形成位置的部分，前述相對面在前述一方側推力軸承及前述另一方側推力軸承之間將前述外周側流路挾持地相面對。
如請求項3的旋轉機械，其中，<br/>前述一方側鰭片，當前述推力碟片部位於比前述軸方向的前述中間位置更靠前述一方側時，被設於在前述軸方向與前述推力碟片部的前述外周面疊合的位置，並且<br/>前述一方側鰭片，當前述推力碟片部位於前述軸方向的前述中間位置時，被設於在前述軸方向不會與前述推力碟片部的前述外周面疊合的位置。
如請求項3的旋轉機械，其中，<br/>前述至少1個一方側鰭片，包含：第1一方側鰭片、及第2一方側鰭片，前述第2一方側鰭片被設於在前述軸方向對於前述第1一方側鰭片偏離的位置。
如請求項1或2的旋轉機械，其中，<br/>前述一方側喉部形成部中包含喉部形成位置的部分，形成於前述旋轉軸的圓周方向中的1/4周以上的圓周方向範圍。
如請求項1或2的旋轉機械，其中，<br/>具備冷卻氣體排出管線，從前述外周側流路將冷卻氣體朝前述外殼的外部排出，<br/>前述冷卻氣體排出管線，包含排出側入口開口，<br/>前述排出側入口開口形成於外周側壁面，外周側壁面構成前述外周側流路的前述徑方向的外側的一部分。
如請求項1或2的旋轉機械，其中，<br/>具備冷卻氣體排出管線，從前述外周側流路將冷卻氣體朝前述外殼的外部排出，<br/>前述冷卻氣體排出管線，包含排出側入口開口，<br/>前述排出側入口開口形成於前述推力碟片部的前述外周面。
如請求項9的旋轉機械，其中，<br/>前述冷卻氣體排出管線，包含排出側出口開口，<br/>前述排出側出口開口形成於前述旋轉軸的前述一方側或是前述另一方側的端面。
如請求項1或2的旋轉機械，其中，<br/>前述一方側葉輪，是由將氣體壓縮地構成的壓縮機葉輪所構成，<br/>前述旋轉機械，具備：<br/>冷卻器，將藉由前述壓縮機葉輪被壓縮的前述氣體冷卻；及<br/>至少1個冷卻氣體導入管線，將藉由前述冷卻器被冷卻的前述氣體從前述徑方向的內側導入前述一方側流路或是前述另一方側流路的至少一方地構成。
如請求項11的旋轉機械，其中，具備：<br/>另一方側葉輪，是渦輪轉子，被安裝於前述旋轉軸的前述軸方向的前述另一方側，且是藉由被前述冷卻器冷卻的前述氣體而旋轉地構成；及<br/>電動機的轉子，包含永久磁鐵，在比前述推力碟片部更靠前述一方側被安裝於前述旋轉軸；及<br/>前述電動機的定子，包含靜止線圈部，在前述轉子的外周側在與前述轉子之間具有徑方向間隙地相面對配置；<br/>前述至少1個冷卻氣體導入管線，包含：<br/>一方側冷卻氣體導入管線，是將被前述冷卻器冷卻的前述氣體朝前述一方側流路導入地構成；及<br/>另一方側冷卻氣體導入管線，是將被前述冷卻器冷卻的前述氣體朝前述另一方側流路導入地構成。
如請求項11的旋轉機械，其中，具備：<br/>另一方側葉輪，是渦輪轉子，被安裝於前述旋轉軸的前述軸方向的前述另一方側，且是藉由被前述冷卻器冷卻的前述氣體而旋轉地構成；及<br/>氣體導入管線，將通過了前述另一方側葉輪的前述氣體導引至前述一方側葉輪；及<br/>冷卻氣體排出管線，與前述氣體導入管線連接，將冷卻氣體從前述外周側流路朝前述外殼的外部排出。
一種輸入裝置，其特徵在於包含：<br/>第1導電層，其具有：沿與第1方向正交之第2方向排列有複數個沿前述第1方向延伸之第1電極之第1電極群；及沿前述第1方向排列有複數個沿前述第2方向延伸之第2電極之第2電極群；<br/>第2導電層，其具有第3電極；<br/>變形層，其形成於前述第1導電層與前述第2導電層之間，能夠彈性變形；<br/>檢測電路，其連接於前述第1電極群，檢測自複數個前述第1電極之中選擇之1個以上之檢測電極之靜電電容，輸出與前述檢測到之靜電電容相應之檢測信號；<br/>第1驅動電壓源，其連接於前述第2電極群，對自前述複數個前述第2電極之中選擇之1個以上之驅動電極施加第1驅動電壓；<br/>第2驅動電壓源，其連接於前述第3電極，對前述第3電極施加第2驅動電壓；及<br/>控制電路，其控制前述第1驅動電壓源與前述第2驅動電壓源；且<br/>前述第3電極配置為在與前述第1電極之間形成靜電電容；<br/>前述控制電路，<br/>切換於基於前述檢測信號檢測被檢測對象物向前述1個以上之檢測電極之接近之接近檢測模式、與檢測前述被檢測對象物對前述1個以上之檢測電極之按壓之按壓檢測模式，<br/>於前述接近檢測模式時，藉由前述第1驅動電壓源對前述1個以上之驅動電極施加交流之前述第1驅動電壓，且藉由前述第2驅動電壓源對前述第3電極施加直流之前述第2驅動電壓，<br/>於前述按壓檢測模式時，藉由前述第2驅動電壓源對前述第3電極施加交流之前述第2驅動電壓，且藉由前述第1驅動電壓源對前述1個以上之驅動電極施加與前述交流之前述第2驅動電壓為頻率相同且相位相反之交流之前述第1驅動電壓；<br/>前述第1驅動電壓源於前述按壓檢測模式時，經由以前述檢測信號之振幅於前述檢測電路之輸出限制範圍內不飽和之方式經調整之電容及/或電阻電性連接於前述1個以上之檢測電極。
如請求項1之輸入裝置，其中前述控制電路於啟動時成為前述接近檢測模式。
如請求項1之輸入裝置，其中前述控制電路，<br/>於在前述接近檢測模式下，基於前述檢測信號檢測到前述被檢測對象物相對於前述1個以上之檢測電極之任一者於第1規定距離以內接近時，切換為前述按壓檢測模式，<br/>於在前述按壓檢測模式下，基於前述檢測信號檢測到前述被檢測對象物相對於前述1個以上之檢測電極之任一者遠離第2規定距離以上時，自前述接近檢測模式切換。
如請求項3之輸入裝置，其中前述第1規定距離較前述第2規定距離短。
如請求項1至4中任一項之輸入裝置，其進一步包含連接於前述第1驅動電壓源之導體部。
如請求項5之輸入裝置，其中前述導體部經由以前述檢測信號之振幅於前述檢測電路之輸出限制範圍內不飽和之方式經調節之修正電阻及修正電容連接於前述1個以上之檢測電極，或經由前述修正電阻及前述修正電容連接於自前述1個以上之檢測電極至前述檢測電路之配線。
如請求項5之輸入裝置，其中前述導體部具有以前述檢測信號之振幅於前述檢測電路之輸出限制範圍內不飽和之方式經調節之修正電阻，且經由修正電容連接於前述1個以上之檢測電極；或具有前述修正電阻，且經由前述修正電容連接於自前述1個以上之檢測電極至前述檢測電路之配線。
一種致動器，其為與在真空氣氛下剝離保持於一對保持板的薄板狀的工件中之其中一者或者兩者之後，使前述工件的周圍被大氣開放之工件保持機構一起使用之致動器，其特徵為 <br/>前述致動器為沿著工件外周密封部的周圍以周狀配置致動器而使用者，並且整體地按壓工件外周密封部。
如請求項1之致動器，其特徵為 <br/>前述致動器在大氣開放之前動作，按壓沿著工件外周形成之暫置密封部。
如請求項1之致動器，其特徵為 <br/>前述工件保持機構為黏著卡盤。
如請求項1之致動器，其特徵為 <br/>藉由前述致動器的驅動，沿著工件外周形成之暫置密封部不使藉由大氣開放導入到腔室內之氣體與前述暫置密封部的內側連通。
如請求項1之致動器，其特徵為 <br/>前述致動器能夠變更驅動壓力及/或驅動速度。
如請求項1之致動器，其特徵為 <br/>前述致動器的按壓面的前端由具有緩衝性之材料構成。
如請求項1之致動器，其特徵為 <br/>前述致動器為矩形。
如請求項1之致動器，其特徵為 <br/>前述致動器能夠裝卸於前述一對保持板中的至少一個。
一種工件貼合機，其特徵為 <br/>前述工件貼合機具備請求項1至請求項8之任一項之致動器和工件黏著卡盤裝置。
如請求項9之工件貼合機，其特徵為 <br/>還具備控制部， <br/>前述控制部在真空氣氛下的工件貼合的動作時，進行按壓工件外周密封部之按壓控制。
一種工件貼合方法，其至少包括：在真空氣氛下剝離保持於一對保持板的薄板狀的工件中之其中一者或者兩者之步驟；及使前述工件的周圍被大氣開放之步驟，其特徵為 <br/>前述工件貼合方法還包括按壓工件外周密封部之步驟。
如請求項11之工件貼合方法，其特徵為 <br/>前述使工件的周圍被大氣開放之步驟中，不使導入到腔室內之氣體與沿著工件外周形成之暫置密封部的內側連通。
一種水上建物定位結構，包括：<br/>至少一固定柱，固設於水體岸邊上，具凸出於岸邊上方之凸出段，該凸出段設置一第一樞接部；<br/>至少一水上建物，可漂浮在水體上，側方設置至少一第二樞接部；<br/>至少一連結裝置，具一伸縮桿體、一控制器，該伸縮桿體具一第一側、一第二側，該第一側具一第三樞接部，並由一第一樞軸與該第一樞接部樞接，又該第二側具至少一第四樞接部，並由至少一第二樞軸與該第二樞接部樞接；又該控制器連接該伸縮桿體，並可控制該伸縮桿體伸縮長度。
如請求項1所述之水上建物定位結構，其中該伸縮桿體之第二側具一伸縮段，該伸縮段連結一分叉段，該分叉段具二第四樞接部與該第二樞接部樞接。
如請求項1所述之水上建物定位結構，其中更包括一套環，該套環套設於該凸出段上並可對應該凸出段上、下位移，又該第一樞接部設於該套環上。
如請求項3所述之水上建物定位結構，其中更包括一插梢，該凸出段不同高度位置設置複數定位孔，又該套環設置一穿孔，並可由該插梢穿插該穿孔、該定位孔定位該套環位置。
如請求項1所述之水上建物定位結構，其中該第二樞接部設於該水上建物側方。
如請求項1所述之水上建物定位結構，其中該水上建物具一浮體、一主建築物，該浮體上方具該主建築物，又該主建築物頂部設置太陽能發電裝置。
如請求項1所述之水上建物定位結構，其中該伸縮桿體由氣壓、油壓或電動作動。
如請求項1所述之水上建物定位結構，其中該水上建物具複數個連結，相鄰之該水上建物間設置緩衝連結桿連結。
如請求項8所述之水上建物定位結構，其中該水上建物設置第五樞接部，又該緩衝連結桿具一缸體、一桿體、一活塞、一液壓油，該桿體、該活塞、該液壓油設於該缸體內，又該桿體凸出於該缸體二端位置具第六樞接部，並二該第六樞接部分別與一水上建物之第五樞接部樞接，又該活塞設置導流孔。
一種設備，包含：<b> </b><br/><b> </b>第一電極，其包含第一導電材料； <br/> 第一結構，其包含非線性極化材料，該第一結構相鄰於該第一電極，其中該第一電極橫向於該第一結構上； <br/> 第二電極，其包含第二導電材料，該第二電極相鄰於該第一結構，其中該第一結構橫向於該第二電極上； <br/> 介電質，其毗連該第一電極之側壁，其中該介電質不毗連該第一結構之側壁；以及 <br/> 帽或頭盔，其中該帽或該頭盔包圍該介電質，且其中該帽或該頭盔不延伸到該第一結構之下。
如請求項1之設備，其中該非線性極化材料包括下列中的一者： <br/> 鐵酸鉍(BFO)或具有第一摻雜材料的BFO，其中該第一摻雜材料係下列中的一者：鑭、或從週期表之鑭系中的元素、Mn、或Sc； <br/> 鋯鈦酸鉛(PZT)或具有第二摻雜材料的PZT，其中該第二摻雜材料係La或Nb中的一者； <br/> 遲緩性鐵電，其包括下列中的一者：鈮鎂酸鉛(PMN)、鈮鎂酸鉛-鈦酸鉛(PMN-PT)、鋯鈦酸鉛鑭(PLZT)、鈮酸鈧鉛(PSN)、鈦酸鋇-鉍鋅鈮鉭(BT-BZNT)、或鈦酸鋇-鈦酸鍶鋇(BT-BST)； <br/> 鈣鈦礦，其包括下列中的一者：BaTiO<sub>3</sub>、PbTiO<sub>3</sub>、KNbO<sub>3</sub>、NaTaO<sub>3</sub>； <br/> 六方晶鐵電，其包括下列中的一者：YMnO<sub>3</sub>或LuFeO<sub>3</sub>； <br/> h-RMnO<sub>3</sub>類型的六方晶鐵電，其中R係稀土元素，其包括下列中的一者：鈰(Ce)、鏑(Dy)、鉺(Er)、銪(Eu)、釓(Gd)、鈥(Ho)、鑭(La)、鎦(Lu)、釹(Nd)、鐠(Pr)、鉅(Pm)、釤(Sm)、鈧(Sc)、鋱(Tb)、銩(Tm)、鐿(Yb)、或釔(Y)； <br/> 鉿(Hf)、鋯(Zr)、鋁(Al)、矽(Si)、它們的氧化物或它們的合金氧化物； <br/> Hf(<sub>1-x)</sub>E<sub>(x)</sub>O<sub>(y)</sub>形式的氧化鉿，其中E包括下列中的一者：Al、Ca、Ce、Dy、Er、Gd、Ge、La、Sc、Si、Sr、Sn、或Y，其中x和y分別是第一分數和第二分數； <br/> Al<sub>(1-x)</sub>Sc<sub>(x)</sub>N、Ga<sub>(1-x)</sub>Sc<sub>(x)</sub>N、Al<sub>(1-x)</sub>Y<sub>(x)</sub>N、或Al<sub>(1-x-y)</sub>Mg<sub>(x)</sub>Nb<sub>(y)</sub>N，其中x和y分別是第三分數和第四分數； <br/> 摻雜的HfO<sub>2</sub>； <br/> 鈮酸類型的化合物LiNbO<sub>3</sub>、LiTaO<sub>3</sub>、氟化鋰鐵鉭、鈮酸鍶鋇、鈮酸鋇鈉、或鈮酸鍶鉀；或 <br/> 瑕鐵電，其包括下列中的一者：[PTO/STO]n或[LAO/STO]n，其中「n」係在1至100之間。
如請求項1之設備，其中該介電質在該第一電極知該側壁上具有實質上均勻的厚度，以及其中該介電質包含與該第二電極的第二側壁實質上對齊的外側壁。
如請求項1之設備，其中該第一電極包含相對於該第一電極之該側壁正交地測量的第一長度，其中該介電質包含遠離該第一電極之該側壁正交地測量的第二長度，其中該第二電極包含相對於該第一電極之該側壁正交地測量的第三長度，以及其中該第二長度實質上等於該第一長度與兩倍的該第二長度之和。
如請求項1之設備，其中該介電質包括下列中的一或多者：HfO、SiN、SiO、Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、MgO、Mg<sub>2</sub>AlO<sub>3</sub>、或SiC，其中該介電質延伸在該第一電極之頂面的至少一部份上。
如請求項5之設備其中該介電質包含頂面，以及其中該帽從該介電質之該頂面的水平延伸至該第一電極之該頂面的水平以下。
如請求項1之設備，其中該帽不延伸至該第一結構。
如請求項1之設備，其中該帽橫向延伸超過該第一結構之第一側壁及該第二電極之第二側壁。
如請求項8之設備，其中該帽包含從該介電質之上表面垂直向上測量的厚度，其中該厚度在在20埃至500埃的範圍中。
如請求項1之設備，其中該第一電極包含下列中的一者：Ti、TiN、Ru、RuO<sub>2</sub>、IrO<sub>2</sub>、TaN、PdO<sub>2</sub>、OsO<sub>2</sub>、或ReO<sub>3</sub>、TaN、SrO、Ta、Cu、Co、W、或WN；或導電鈣鈦礦，其包括下列中的一或多者：LaCoO<sub>3</sub>、SrCoO<sub>3</sub>、SrRuO<sub>3</sub>、LaMnO<sub>3</sub>、SrMnO<sub>3</sub>、YBa<sub>2</sub>Cu<sub>3</sub>O<sub>7</sub>、Bi<sub>2</sub>Sr<sub>2</sub>CaCu<sub>2</sub>O<sub>8</sub>、或LaNiO<sub>3</sub>；六方晶金屬，其包括PtCoO<sub>2</sub>或PdCoO<sub>2</sub>中的一或多者；銅鐵礦結構的六方晶導電氧化物，其包括摻雜Al的ZnO；尖晶石，其包括Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub>或LiV<sub>2</sub>O<sub>4</sub>中的一或多者；立方氧化物，其包括氧化銦錫或摻雜Sn的In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>；以及其中該第二電極包含下列中的一者：Ti、TiN、Ru、RuO<sub>2</sub>、IrO<sub>2</sub>、TaN、PdO<sub>2</sub>、OsO<sub>2</sub>、或ReO<sub>3</sub>、TaN、SrO、Ta、Cu、Co、W、或WN；或導電鈣鈦礦，其包括下列中的一或多者：LaCoO<sub>3</sub>、SrCoO<sub>3</sub>、SrRuO<sub>3</sub>、LaMnO<sub>3</sub>、SrMnO<sub>3</sub>、YBa<sub>2</sub>Cu<sub>3</sub>O<sub>7</sub>、Bi<sub>2</sub>Sr<sub>2</sub>CaCu<sub>2</sub>O<sub>8</sub>、或LaNiO<sub>3</sub>；六方晶金屬，其包括PtCoO<sub>2</sub>或PdCoO<sub>2</sub>中的一或多者；銅鐵礦結構的六方晶導電氧化物，其包括摻雜Al的ZnO；尖晶石，其包括Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub>或LiV<sub>2</sub>O<sub>4</sub>中的一或多者；立方氧化物，其包括氧化銦錫或摻雜Sn的In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>。
如請求項3之設備，更包含在該第二電極之下的第三電極，其中該第三電極包含與該第二電極之材料不同的材料，以及其中該第三電極包含第三側壁，其中該第三側壁與該第二側壁對齊。 <br/><b> </b>
一種設備，包含：<b> </b><br/><b> </b>邏輯，其在基材上方，其中該邏輯透過一或多個層間介電質(ILD)耦接至一或多個通孔； <br/> 電容器，其包含非線性極化材料，其中該電容器位於一或多個通孔上方並與該一或多個通孔接觸，其中該電容器包括： <br/> 第一電極，其包含第一導電材料； <br/> 第一結構，其包含該非線性極化材料，該第一結構相鄰於該第一電極，其中該第一電極橫向於該第一結構上； <br/> 第二電極，其包含第二導電材料，該第二電極相鄰於該第一結構，其中該第一結構橫向於該第二電極上； <br/> 介電質，其毗連該第一電極之側壁，其中該介電質不毗連該第一結構之側壁；以及 <br/> 帽或頭盔，其中該帽或該頭盔包圍該介電質，且其中該帽或該頭盔不延伸到該第一結構之下； <br/> 第一通孔，其與該第一電極耦接；以及 <br/> 第二通孔，其與該第二電極耦接。
如請求項12之設備，其中該第一通孔係在該第一電極之至少一部份上，其中該第一通孔包含下列中的一或多者：W、Cu、Ta、Ti、Co、Al、Ag、或TaN；以及其中該第二通孔包含下列中的一或多者：W、Cu、Ta、Ti、Co、Al、Ag、或TaN。
如請求項12之設備，其中該帽不延伸至該第一結構。
如請求項12之設備，其中該非線性極化材料包括下列中的一者： <br/> 鐵酸鉍(BFO)或具有第一摻雜材料的BFO，其中該第一摻雜材料係下列中的一者：鑭、或從週期表之鑭系中的元素、Mn、或Sc； <br/> La或稀土元素取代BiFeO<sub>3</sub>、BiCrO<sub>3</sub>、BiCoO<sub>3</sub>中Bi位之一類的材料； <br/> 鋯鈦酸鉛(PZT)或具有第二摻雜材料的PZT，其中該第二摻雜材料係La或Nb中的一者； <br/> 遲緩性鐵電，其包括下列中的一者：鈮鎂酸鉛(PMN)、鈮鎂酸鉛-鈦酸鉛(PMN-PT)、鋯鈦酸鉛鑭(PLZT)、鈮酸鈧鉛(PSN)、鈦酸鋇-鉍鋅鈮鉭(BT-BZNT)、或鈦酸鋇-鈦酸鍶鋇(BT-BST)； <br/> 鈣鈦礦，其包括下列中的一者：BaTiO<sub>3</sub>、PbTiO<sub>3</sub>、KNbO<sub>3</sub>、NaTaO<sub>3</sub>； <br/> 六方晶鐵電，其包括下列中的一者：YMnO<sub>3</sub>或LuFeO<sub>3</sub>； <br/> h-RMnO<sub>3</sub>類型的六方晶鐵電，其中R係稀土元素，其包括下列中的一者：鈰(Ce)、鏑(Dy)、鉺(Er)、銪(Eu)、釓(Gd)、鈥(Ho)、鑭(La)、鎦(Lu)、釹(Nd)、鐠(Pr)、鉅(Pm)、釤(Sm)、鈧(Sc)、鋱(Tb)、銩(Tm)、鐿(Yb)、或釔(Y)； <br/> 鉿(Hf)、鋯(Zr)、鋁(Al)、矽(Si)、它們的氧化物或它們的合金氧化物； <br/> Hf(<sub>1-x)</sub>E<sub>(x)</sub>O<sub>(y)</sub>形式的氧化鉿，其中E包括下列中的一者：Al、Ca、Ce、Dy、Er、Gd、Ge、La、Sc、Si、Sr、Sn、或Y，其中x和y分別是第一分數和第二分數； <br/> Al<sub>(1-x)</sub>Sc<sub>(x)</sub>N、Ga<sub>(1-x)</sub>Sc<sub>(x)</sub>N、Al<sub>(1-x)</sub>Y<sub>(x)</sub>N、或Al<sub>(1-x-y)</sub>Mg<sub>(x)</sub>Nb<sub>(y)</sub>N，其中x和y分別是第三分數和第四分數； <br/> 摻雜的HfO<sub>2</sub>； <br/> 鈮酸類型的化合物LiNbO<sub>3</sub>、LiTaO<sub>3</sub>、氟化鋰鐵鉭、鈮酸鍶鋇、鈮酸鋇鈉、或鈮酸鍶鉀；或 <br/> 瑕鐵電，其包括下列中的一者：[PTO/STO]n或[LAO/STO]n，其中「n」係在1至100之間。
如請求項12之設備，更包含介於該第二電極與該第一結構之間的層，其中該層幫含LaCoO<sub>3</sub>、SrCoO<sub>3</sub>、SrRuO<sub>3</sub>、LaMnO<sub>3</sub>、SrMnO<sub>3</sub>、YBa<sub>2</sub>Cu<sub>3</sub>O<sub>7</sub>、Bi<sub>2</sub>Sr<sub>2</sub>CaCu<sub>2</sub>O<sub>8</sub>,、或LaNiO<sub>3</sub>，以及其中該第二電極包含IrO<sub>2</sub>、RuO<sub>2</sub>、PdO<sub>2</sub>、或PtO<sub>2</sub>。
如請求項12之設備，其中該介電質在該第一電極之頂面的至少一部份上延伸，以及其中該第一通孔延伸通過該介電質。
如請求項17之設備，其中該帽從該第一電極之該頂面下方的水平垂直地延伸至該第一通孔之頂面下方的水平。
如請求項18之設備，其中該帽從該介電質之頂面的水平垂直地延伸至該第一電極之該頂面下方的該水平。
如請求項17之設備，更包含相鄰於該第一通孔的第一蝕刻停止層，其中該第一蝕刻停止層的一部份與該介電質之該頂面及該帽接觸，其中該第一蝕刻停止層包含與該第一電極、該第二電極及該第一結構之材料相比具有不同蝕刻特性的材料。
如請求項12之設備，更包含相鄰於該第二通孔的第二蝕刻停止層，其中該第二通孔延伸至該第二蝕刻停止層之下。 <br/><b> </b>
一種系統，包含：<b> </b><br/><b> </b>處理器； <br/> 通訊介面，其與該處理器通訊地耦接；以及 <br/> 記憶體，其與該處理器耦接，其中該記憶體包括位元單元，其中該位元單元中的一者包括： <br/> 具有源極、汲極、和閘極的電晶體； <br/> 耦接至該閘極的字元線； <br/> 耦接至該電晶體之該源極或該汲極中一者的位元線； <br/> 邏輯，其在基材上方，其中該邏輯透過一或多個層間介電質(ILD)耦接至一或多個通孔； <br/> 電容器，其包含非線性極化材料，其中該電容器相鄰於該一或多個通孔，其中該電容器係耦接至該電晶體之該汲極或該源極中的一者，以及其中該電容器包含： <br/> 第一電極，其包含第一導電材料； <br/> 第一結構，其包含該非線性極化材料，該第一結構相鄰於該第一電極，其中該第一電極橫向於該第一結構上； <br/> 第二電極，其包含第二導電材料，該第二電極相鄰於該第一結構，其中該第一結構橫向於該第二電極上； <br/> 介電質，其毗連該第一電極之側壁，其中該介電質不毗連該第一結構之側壁；以及 <br/> 帽或頭盔，其中該帽或該頭盔包圍該介電質，且其中該帽或該頭盔不延伸到該第一結構之下； <br/> 第一互連或第一通孔，其與該第一電極耦接；以及 <br/> 第二互連或第二通孔，其與該第二電極耦接。
如請求項22之系統，其中該電晶體包括穿隧FET(TFET)、鐵電FET(FeFET)、雙極性(BJT)、BiCMOS、碳奈米管、或自旋電子裝置，以及其中該電晶體包含方形線、矩形帶狀電晶體、三閘、或環繞式閘極圓柱形幾何。
如請求項22之系統，其中該非線性極化材料包括下列中的一者： <br/> 鐵酸鉍(BFO)或具有第一摻雜材料的BFO，其中該第一摻雜材料係下列中的一者：鑭、或從週期表之鑭系中的元素、Mn、或Sc； <br/> 鋯鈦酸鉛(PZT)或具有第二摻雜材料的PZT，其中該第二摻雜材料係La或Nb中的一者； <br/> 遲緩性鐵電，其包括下列中的一者：鈮鎂酸鉛(PMN)、鈮鎂酸鉛-鈦酸鉛(PMN-PT)、鋯鈦酸鉛鑭(PLZT)、鈮酸鈧鉛(PSN)、鈦酸鋇-鉍鋅鈮鉭(BT-BZNT)、或鈦酸鋇-鈦酸鍶鋇(BT-BST)； <br/> 鈣鈦礦，其包括下列中的一者：BaTiO<sub>3</sub>、PbTiO<sub>3</sub>、KNbO<sub>3</sub>、NaTaO<sub>3</sub>； <br/> 六方晶鐵電，其包括下列中的一者：YMnO<sub>3</sub>或LuFeO<sub>3</sub>； <br/> h-RMnO<sub>3</sub>類型的六方晶鐵電，其中R係稀土元素，其包括下列中的一者鈰(Ce)、鏑(Dy)、鉺(Er)、銪(Eu)、釓(Gd)、鈥(Ho)、鑭(La)、鎦(Lu)、釹(Nd)、鐠(Pr)、鉅(Pm)、釤(Sm)、鈧(Sc)、鋱(Tb)、銩(Tm)、鐿(Yb)、或釔(Y)； <br/> 鉿(Hf)、鋯(Zr)、鋁(Al)、矽(Si)、它們的氧化物或它們的合金氧化物； <br/> Hf(<sub>1-x)</sub>E<sub>(x)</sub>O<sub>(y)</sub>形式的氧化鉿，其中E包括下列中的一者：Al、Ca、Ce、Dy、Er、Gd、Ge、La、Sc、Si、Sr、Sn、或Y，其中x和y分別是第一分數和第二分數； <br/> Al<sub>(1-x)</sub>Sc<sub>(x)</sub>N、Ga<sub>(1-x)</sub>Sc<sub>(x)</sub>N、Al<sub>(1-x)</sub>Y<sub>(x)</sub>N、或Al<sub>(1-x-y)</sub>Mg<sub>(x)</sub>Nb<sub>(y)</sub>N，其中x和y分別是第三分數和第四分數； <br/> 摻雜的HfO<sub>2</sub>； <br/> 鈮酸類型的化合物LiNbO<sub>3</sub>、LiTaO<sub>3</sub>、氟化鋰鐵鉭、鈮酸鍶鋇、鈮酸鋇鈉、或鈮酸鍶鉀；或 <br/> 瑕鐵電，其包括下列中的一者：[PTO/STO]n或[LAO/STO]n，其中「n」係在1至100之間。
一種基於斷層掃描的三維結構建立方法，其係由一處理裝置執 <br/>行，至少包含下列步驟： <br/>(A)由該處理裝置接收數張連續且關於一待建構人體組織的待分析二維斷層掃描影像，並對所述待分析二維斷層掃描影像進行影像前處理，該影像前處理包含窗寬窗位調整，以提升不同組織之對比度； <br/>(B)由該處理裝置利用所儲存一組織標記模型對每一待分析二維斷層掃描影像進行標記，以獲得各該待分析二維斷層掃描影像中關於該待建構人體組織的一標記區域，該組織標記模型為經訓練以辨識上顎骨、下顎骨、牙齒、假牙、植牙、填充物、根管、軟組織及空氣之至少一者之三維卷積神經網路（3D-Unet）模型； <br/>(C) 該處理裝置根據各該待分析二維斷層掃描影像中的該標記區域，將各該待分析二維斷層掃描影像進行分割，以獲得包含各該待分析二維斷層掃描影像中的該標記區域的一待建構影像；以及 <br/>(D) 該處理裝置根據所有待建構影像，利用一三維建模演算法進行處理，以產生一對應所有待建構影像的三維網格影像，並根據該三維網格影像獲得關於該待建構人體組織的一三維結構模型。
依申請專利範圍第1項所述之基於斷層掃描的三維結構建立方 <br/>法，其中，該三維建模演算法為視覺化函式庫（Visualization Toolkit, VTK）影像工具。
依申請專利範圍第1項所述之基於斷層掃描的三維結構建立方 <br/>法，其中，每一待分析二維斷層掃描影像為醫療數位影像傳輸協定（Digital Imaging and Communications in Medicine, DICOM）檔，所有待分析二維斷層掃描影 <br/>像為一錐狀射束電腦斷層掃描（Cone-Beam Computed Tomography, CBCT）檔、一電腦斷層掃描（CT）檔、一磁共振成像掃描（Magnetic Resonance Imaging, MRI）檔、一正電子發射斷層掃描（Positron Emission Tomography, PET）檔或其任意組合檔。
依申請專利範圍第1項所述之基於斷層掃描的三維結構建立方 <br/>法，其中，該處理裝置更儲存有數個訓練資料集，每一訓練資料集包含一關於至少一人體組織的二維斷層掃描訓練影像，與其被標記出該人體組織之區域，在該步驟(A)之前，更包含一步驟(E)，該處理裝置根據所有訓練資料集，利用該3D-Unet模型進行訓練，以獲得該組織標記模型。
一種基於斷層掃描的三維結構建立裝置，係包括： <br/>一處理裝置，內建經訓練的一組織標記模型，該處理裝置接收數張連續且關於一待建構人體組織的待分析二維斷層掃描影像，並對每一待分析二維斷層掃描影像進行包含窗寬窗位調整之影像前處理，利用該組織標記模型對每一待分析二維斷層掃描影像進行標記，以產生各該待分析二維斷層掃描影像中關於該待建構人體組織的一標記區域，該組織標記模型為經訓練以辨識上顎骨、下顎骨、牙齒、假牙、植牙、填充物、根管、軟組織及空氣之至少一者之3D-Unet模型，該處理裝置根據各該待分析二維斷層掃描影像中的該標記區域對各該待分析二維斷層掃描影像進行分割，以產生包含各該待分析二維斷層掃描影像中的該標記區域的一待建構影像，再利用一三維建模演算法對所有待建構影像進行處理，以產生一對應所有待建構影像的三維網格影像，並根據該三維網格影像輸出關於該待建構人體組織的一三維結構模型；以及 <br/>一顯示裝置，電性連接該處理裝置，該顯示裝置用以顯示該待建構人體組織的該三維結構模型。
依申請專利範圍第5項所述之基於斷層掃描的三維結構建立裝 <br/>置，其中，該三維建模演算法為VTK影像工具。
依申請專利範圍第5項所述之基於斷層掃描的三維結構建立裝 <br/>置，其中，每一待分析二維斷層掃描影像為DICOM檔，所有待分析二維斷層掃描影像為一CBCT檔、一CT檔、一MRI檔、一PET檔或其任意組合檔。
依申請專利範圍第5項所述之基於斷層掃描的三維結構建立裝 <br/>置，其中，該處理裝置更儲存有數個訓練資料集，每一訓練資料集包含一關於至少一人體組織的二維斷層掃描訓練影像，與其被標記出該人體組織之區域，該處理裝置根據所有訓練資料集，利用該3D-Unet模型進行訓練，以產生經過訓練的該組織標記模型。
一種隨機選卡販賣機，其包括有：一電腦主機，其包括有至少一儲存模組及一與該儲存模組連接的抽卡運算模組，該儲存模組儲存有複數圖像，該抽卡運算模組包括有一計時器及一速率調節器，該計時器提供設定一預定時間，該速率調節器提供設定一圖像切換速率；一觸控顯示器，其係與該電腦主機電性連接，各該圖像輸出至該觸控顯示器，於該觸控顯示器中顯示各該圖像；一列印機，其係與該電腦主機電性連接，該列印機裝設有複數卡紙；以及一支付裝置，其係與該電腦主機電性連接，該支付裝置提供接收一預定金額的虛擬貨幣或一預定金額的實體貨幣後啟動該抽卡運算模組並執行該計時器及該速率調節器，使各該圖像在該預定時間內以該圖像切換速率顯示，藉由點擊該觸控顯示器使該抽卡運算模組停止，並由該列印機列印出該抽卡運算模組停止時所顯示的該圖像。
如請求項1所述之隨機選卡販賣機，其中該抽卡運算模組更包括有一偽隨機數生成器及一Fisher-Yates洗牌演算法，該抽卡運算模組啟動時讀取各該圖像，並執行該偽隨機數生成器及該Fisher-Yates洗牌演算法運作，使各該圖像隨機排列，且各該圖像受該圖像切換速率控制而顯示於該觸控顯示器。
如請求項1所述之隨機選卡販賣機，其中該電腦主機、該觸控顯示器、該列印機及該支付裝置係設置於一殼體中，該殼體包括有一第一鏤空部、一第二鏤空部及一第三鏤空部，該觸控顯示器與該支付裝置分別嵌設於該第一鏤空部及該第二鏤空部，該列印機包括有一輸出端，並對應該第三鏤空部。
如請求項3所述之隨機選卡販賣機，其中該殼體的頂部更嵌設有一顯示器或一字幕機。
如請求項3所述之隨機選卡販賣機，其中該殼體具有一斜面部，該斜面部具有一預定角度，該第一鏤空部位於該斜面部。
如請求項3所述之隨機選卡販賣機，其中該殼體的底部設有複數輪體。
如請求項3所述之隨機選卡販賣機，其中該支付裝置為投幣機、感應式支付機或刷卡機之任一種。
如請求項1所述之隨機選卡販賣機，其中該電腦主機更連接有一無線網卡，該無線網卡提供連線至一雲端伺服器，藉此進行更新至少一該圖像、刪除至少一該圖像或新增至少一圖像。
如請求項1所述之隨機選卡販賣機，其中各該圖像或各該卡紙上包括有一防偽標記，該防偽標記為專屬序號、二維碼或特殊水印之任一種。
如請求項1所述之販賣機，其中該電腦主機該儲存模組中包括有一圖庫及一交易資料庫，各該圖像儲存於該圖庫中，該交易資料庫提供記錄至少一抽卡結果及一與該抽卡結果對應的交易資訊，藉此用以統計或管理。
一種樹脂被覆金屬板，其為於金屬板的至少單面上，具備含有聚酯樹脂之樹脂被覆層之樹脂被覆金屬板， <br/> 前述樹脂被覆層具有包含最表層、中間層，及最下層之至少3層結構， <br/> 前述樹脂被覆層之熔點為230℃以上且260℃以下， <br/> 前述最表層含有1.0質量%以上且5.0質量%以下之聚烯烴， <br/> 前述聚烯烴為酸改質聚烯烴及氧化聚烯烴之至少一者， <br/> 前述聚烯烴之熔點為70℃以上且145℃以下， <br/> 前述聚烯烴於前述最表層中以粒子狀分散， <br/> 前述聚烯烴之粒子之分散狀態，於前述最表層之表面上，以前述聚烯烴之各粒子之重心作為母點而進行沃羅諾伊分割(Voronoi tessellation)所得到之N個沃羅諾伊多邊形(Voronoi polygon)之平均面積m為200μm<sup>2</sup>以上且10000μm<sup>2</sup>以下，且滿足以下之式(1)所定義之σ<sup>2</sup>為1.0以下者， <br/><img align="absmiddle" height="240px" width="599px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中， <br/> N：前述沃羅諾伊多邊形之總個數 <br/> m：前述N個的沃羅諾伊多邊形之平均面積(μm<sup>2</sup>) <br/> S<sub>i</sub>：前述N個的沃羅諾伊多邊形中之第i位置的沃羅諾伊多邊形之面積(μm<sup>2</sup>)，i為1～N之範圍的整數。
如請求項1之樹脂被覆金屬板，其中前述聚烯烴的重量平均分子量為2000以上且50000以下。
如請求項1或2之樹脂被覆金屬板，其中前述聚烯烴的酸價為40mg KOH/g以上且80mg KOH/g以下。
如請求項1或2之樹脂被覆金屬板，其中前述最表層及前述最下層各含有0.010質量%以上且1.0質量%以下之易滑性無機粒子。
如請求項1或2之樹脂被覆金屬板，其中前述中間層含有10質量%以上且35質量%以下之無機粒子。
如請求項1或2之樹脂被覆金屬板，其中前述最表層及前述最下層之層厚各為1.0μm以上且5.0μm以下，前述中間層之層厚為6.0μm以上且30μm以下。
一種金屬容器，其係使用如請求項1～6中任一項之樹脂被覆金屬板所形成的金屬容器，前述樹脂被覆層物位於前述金屬容器之外側。
一種樹脂被覆金屬板之製造方法，其係含有以下步驟者； <br/> 於作為酸成分含有4.0mol%以上且10.0mol%以下之間苯二甲酸的聚酯樹脂中，混煉含有2.0質量%以上且10.0質量%以下的熔點為70℃以上且145℃以下之酸改質聚烯烴及氧化聚烯烴之至少一者的聚烯烴，而製作出母料之步驟、 <br/> 將前述母料與追加之聚酯樹脂混合，而製作出前述聚烯烴之含有量為1.0質量%以上且5.0質量%以下的第1組成物之步驟、 <br/> 以混煉擠出機共擠出前述第1組成物、含有聚酯樹脂之第2組成物，與含有聚酯樹脂之第3組成物，自T型模頭吐出，而得到將前述第1組成物、前述第2組成物及前述第3組成物分別作為第1層、第2層及第3層之薄片狀成形體之步驟、 <br/> 將前述成形體冷卻固化，而得到層合膜之步驟、 <br/> 接著，將前述層合膜以延伸溫度為80℃以上且95℃以下，延伸倍率為4.0倍以上且6.5倍以下之條件進行1次以上延伸，而得到包含前述第1層、前述第2層，及前述第3層之樹脂薄膜之步驟，與 <br/> 接著，將前述樹脂薄膜，使用控制於100℃以上且110℃以下之層合捲材，熱壓著於控制在250℃以上且280℃以下之金屬板的至少單面上，得到於前述金屬板的至少單面上，具有將前述第1層、前述第2層，及前述第3層分別作為最表層、中間層，及最下層之至少3層結構，且具備熔點為230℃以上且260℃以下之樹脂被覆層的樹脂被覆金屬板之步驟。
如請求項8之樹脂被覆金屬板之製造方法，其中前述聚烯烴的重量平均分子量為2000以上且50000以下。
如請求項8或9之樹脂被覆金屬板之製造方法，其中前述聚烯烴的酸價為40mg KOH/g以上且80mg KOH/g以下。
如請求項8或9之樹脂被覆金屬板之製造方法，其中前述第1組成物及前述第3組成物各含有0.010質量%以上且1.0質量%以下之易滑性無機粒子。
如請求項8或9之樹脂被覆金屬板之製造方法，其中前述第2組成物含有10質量%以上35質量%以下的無機粒子。
如請求項8或9之樹脂被覆金屬板之製造方法，其中前述最表層及前述最下層之層厚各為1.0μm以上且5.0μm以下，前述中間層之層厚為6.0μm以上且30μm以下。
一種式（I）化合物與藥學可接受的酸形成的可藥用鹽，<br/><img align="absmiddle" height="53px" width="79px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> （I）；<br/> 其中，所述可藥用鹽為結晶固體；所述可藥用鹽為馬來酸鹽；所述馬來酸鹽為以下的至少一種：<br/> （i） 使用Cu-kα輻射，其X射線粉末繞射圖包含3個或以上任選自以下的2θ值：5.31±0.2°、14.63±0.2°、15.15±0.2°、17.30±0.2°、18.87±0.2°、21.42±0.2°、26.84±0.2°、27.63±0.2°、30.56±0.2°；<br/> （ii） X射線粉末繞射圖基本如圖3所示；<br/> （iii） 在233.9 °C±3°C開始出現吸熱峰；<br/> （iv） 在40 °C和75%RH下儲存四周後，具有與（i）或（ii）基本上相同的X射線粉末繞射圖譜；<br/> （v） 在60 °C儲存四周後，具有與（i）或（ii）基本上相同的X射線粉末繞射圖譜； <br/> （vi） 在0-80%RH條件下的引濕增重小於0.30%；<br/> （vii） 具有基本上等於以下的晶胞參數的單晶結構：<br/> 晶系和空間群：三斜晶系，P1，<br/><i>a</i> = 8.73±0.5Å<br/><i>b</i> = 8.78±0.5 Å<br/><i>c</i> = 16.89±0.5 Å<br/> α = 90.17°±1°<br/> β = 101.37°±1°<br/> γ = 111.41°±1°。
如請求項1所述之可藥用鹽，其中，所述藥學可接受的酸與所述式（I）化合物的莫耳比為1:1。
如請求項1所述之可藥用鹽，其中，所述結晶固體為無水物。
如請求項1所述之可藥用鹽，其中，使用Cu-kα輻射，其X射線粉末繞射圖在2θ值為5.31±0.2°處有特徵峰，並在2θ值為17.30±0.2°、18.87±0.2°、21.42±0.2°、26.84±0.2°、27.63±0.2°、30.56±0.2°處任意地有2個特徵峰。
如請求項1所述之可藥用鹽，其中，使用Cu-kα輻射，其X射線粉末繞射圖在2θ值為5.31±0.2°和18.87±0.2°處有特徵峰，並在2θ 值為17.30±0.2°、21.42±0.2°、26.84±0.2°、27.63±0.2°、30.56±0.2°處任意地有1個特徵峰。
如請求項1所述之可藥用鹽，其中，使用Cu-kα輻射，其X射線粉末繞射圖在2θ值為5.31±0.2°、17.30±0.2°、18.87±0.2°、21.42±0.2°和27.63±0.2°處有特徵峰。
一種式（I）化合物與藥學可接受的酸形成的可藥用鹽，<br/><img align="absmiddle" height="53px" width="79px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> （I）；<br/> 其中，所述可藥用鹽為結晶固體；所述可藥用鹽為對甲苯磺酸鹽；所述甲苯磺酸鹽為以下的至少一種：<br/> （i） 使用Cu-kα輻射，其X射線粉末繞射圖包含3個或以上任選自以下的2θ值：5.42°±0.2°、10.74°±0.2°、17.15°±0.2°、17.65°±0.2°、20.12°±0.2°、20.65°±0.2°、21.47°±0.2°、30.29°±0.2°；<br/> （ii） X射線粉末繞射圖基本如圖17所示；<br/> （iii） 在259.5 °C±3°C開始出現吸熱峰；<br/> （iv） 在40 °C和75%RH下儲存四周後，具有與（i）或（ii）基本上相同的X射線粉末繞射圖譜；<br/> （v） 在60 °C儲存四周後，具有與（i）或（ii）基本上相同的X射線粉末繞射圖譜； <br/> （vi） 在0-80%RH條件下的引濕增重小於0.50%。
如請求項7所述之可藥用鹽，其中，使用Cu-kα輻射，其X射線粉末繞射圖在2θ值為5.42±0.2°、10.74±0.2°和21.47±0.2°處有特徵峰。
一種藥物組合物，包含如請求項1至8中任一項所述之可藥用鹽。
一種如請求項1至8中任一項所述之可藥用鹽或如請求項9所述之藥物組合物在製備治療與PRMT5抑制劑相關疾病的藥物製劑中的用途。
一種脈衝響應生成方法，其步驟包含:<br/> 以文字輸入一脈衝響應規格，利用一嵌入模型生成一高維語義向量後輸入一脈衝響應模型；以及<br/> 該脈衝響應模型依據該脈衝響應規格生成對應之一脈衝響應；該脈衝響應模型引入一溫度參數來適應調整與一超參數以過濾機制。
如請求項1所述的脈衝響應生成方法，其中:該超參數包含Top-K及/或Top-P。
如請求項1所述的脈衝響應生成方法，其中:該脈衝響應模型的訓練步驟包含:<br/> 將數個脈衝響應原始數據進行結構化處理，形成一數據表格；<br/> 針對該數據表格中每一該脈衝響應原始數據的缺失部分統一標記，並現有屬性信息設置預測的空間；<br/> 利用一一維卷積神經網絡模型對該數據表格進行多標籤分類與缺失部分的特徵補全，得到一完整數據表格；以及<br/> 基於該完整數據表格，利用一卷積神經雙向循環網絡生成架構進行訓練，得到該脈衝響應模型。
如請求項3所述的脈衝響應生成方法，其中:該數據表格至少包含每個該脈衝響應原始數據的音箱類型、揚聲器類型、配置、開放式/封閉式、音色及/或麥克風類型。
如請求項1所述的脈衝響應生成方法，其中:該超參數Top-K過濾通過以下式(1)執行：<br/><img align="absmiddle" height="24px" width="269px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>…式(1)，其中:<br/><img align="absmiddle" height="12px" width="9px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為排序後（由高到低）第i個候選項；<br/><img align="absmiddle" height="12px" width="47px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為BERT 模型的原始輸出分值；以及<br/> Top-k candidates為對候選項的logits(<img align="absmiddle" height="12px" width="9px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>)進行排序後，取前k個機率最高的候選。
如請求項1所述的脈衝響應生成方法，其中:該超參數Top- p過濾通過以下式(2) 執行：<br/><img align="absmiddle" height="29px" width="267px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>…式(2)，其中:<br/><img align="absmiddle" height="12px" width="9px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為排序後（由高到低）第i個候選項；<br/><img align="absmiddle" height="14px" width="9px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為排序後（由高到低）第j個候選項；<br/> P(<img align="absmiddle" height="14px" width="9px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>) 當累積機率<img align="absmiddle" height="15px" width="26px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>小於等於p時，保留logits值，透過softmax計算出的概率分佈，即先對logits做指數運算，再歸一化為機率；<br/><img align="absmiddle" height="12px" width="47px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 為BERT 模型對排序後第i個候選項所產生的原始輸出分數；以及<br/> Top-p與p為概率門檻，保留總機率不超過p的範圍。
如請求項1所述的脈衝響應生成方法，其中:溫度參數調整之數學式如下式(3)：<br/><img align="absmiddle" height="33px" width="99px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>…式(3)，其中:<br/><img align="absmiddle" height="12px" width="9px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為排序後（由高到低）第i個候選項；<br/> T為溫度參數；<br/><img align="absmiddle" height="12px" width="41px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為BERT 模型對排序後第i個候選項所產生的原始輸出分數，與 logits(<img align="absmiddle" height="12px" width="9px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>) 效果相同，只是以數字索引表示；以及<br/><img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為經過溫度 T 調整後的候選項<img align="absmiddle" height="12px" width="9px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>的機率分佈。
如請求項3所述的脈衝響應生成方法，其中:針對該數據表格中部分數據存在的屬性缺失問題，採用統一的標記方式，將缺失值標記為「unknown」。
如請求項3所述的脈衝響應生成方法，其中:該積神經雙向循環網絡的卷積神經網絡層提取嵌入特徵中的局部信息，雙向循環網絡層學習長期依賴性與序列關聯性，最終通過一全連接層輸出固定長度的該脈衝響應的一波形數據。
一種訊號整合系統，其應用於一二輪載具，該二輪載具包含一車體與一動力裝置，該訊號整合系統包含：<br/> 一類比電路模組，設置於該車體，並用以取得複數類比訊號；<br/> 一訊號整合單元，設置於該車體並連接該類比電路模組，該訊號整合單元將該些類比訊號轉換為複數數位訊號，並透過一訊號線傳輸該些數位訊號；以及<br/> 一主控制單元，設置於該車體並連接該動力裝置，該主控制單元經由該訊號線連接至該訊號整合單元，並基於該些數位訊號的至少一者控制該動力裝置；<br/> 其中，該車體設有一儀表，該訊號整合單元為該儀表的內部元件之一，且該訊號整合單元設置於該車體的一前端。
如請求項1所述的訊號整合系統，其中該類比電路模組設置於該車體的該前端，且該主控制單元設置於該車體的一後端。
如請求項1所述的訊號整合系統，其中該類比電路模組包含：<br/> 一偵測迴路模組，包含複數偵測單元，其中該些偵測單元用以產生該些類比訊號的一部分；及<br/> 一控制迴路模組，包含複數控制單元，其中該些控制單元用以產生該些類比訊號的另一部分。
如請求項3所述的訊號整合系統，其中該車體至少設有一油門控制件、一剎車控制件及一駐車檔控制件，該些偵測單元包含一油門偵測單元、一剎車偵測單元及一駐車檔偵測單元，且其分別連接該油門控制件、該剎車控制件及該駐車檔控制件。
如請求項3所述的訊號整合系統，其中該車體至少設有一前後燈控制件、一方向燈控制件及一喇叭控制件，該些控制單元包含一前後燈控制單元、一方向燈控制單元及一喇叭控制單元，且其分別連接該前後燈控制件、該方向燈控制件及該喇叭控制件。
一種二輪載具，包含：<br/> 一車體；<br/> 一動力裝置，設置於該車體；<br/> 一類比電路模組，設置於該車體，並用以取得複數類比訊號；<br/> 一訊號整合單元，設置於該車體並連接該類比電路模組，該訊號整合單元將該些類比訊號轉換為複數數位訊號，並透過一訊號線傳輸該些數位訊號；以及<br/> 一主控制單元，設置於該車體並連接該動力裝置，該主控制單元經由該訊號線連接至該訊號整合單元，並基於該些數位訊號的至少一者控制該動力裝置；<br/> 其中，該車體設有一儀表，該訊號整合單元為該儀表的內部元件之一，且該訊號整合單元設置於該車體的一前端。
如請求項6所述的二輪載具，其中該類比電路模組設置於該車體的該前端，且該主控制單元設置於該車體的一後端。
如請求項6所述的二輪載具，其中該類比電路模組包含：<br/> 一偵測迴路模組，包含複數偵測單元，其中該些偵測單元用以產生該些類比訊號的一部分；及<br/> 一控制迴路模組，包含複數控制單元，其中該些控制單元用以產生該些類比訊號的另一部分。
如請求項8所述的二輪載具，其中該車體至少設有一油門控制件、一剎車控制件及一駐車檔控制件，該些偵測單元包含一油門偵測單元、一剎車偵測單元及一駐車檔偵測單元，且其分別連接該油門控制件、該剎車控制件及該駐車檔控制件。
如請求項8所述的二輪載具，其中該車體至少設有一前後燈控制件、一方向燈控制件及一喇叭控制件，該些控制單元包含一前後燈控制單元、一方向燈控制單元及一喇叭控制單元，且其分別連接該前後燈控制件、該方向燈控制件及該喇叭控制件。
一種查詢處理方法，其係藉由電子裝置進行者，其包括如下步驟： <br/>確認用以提取與所選擇之時間範圍對應之資料之查詢； <br/>基於要被提取之列之參照量資訊及與列之每小時儲存量相關之估算密度資訊，確認與自該所選擇之時間範圍提取之目標查詢時間範圍對應的區間資訊； <br/>提取與上述區間資訊對應之上述資料之至少一部分之列，藉此實行上述查詢中之至少一部分； <br/>基於與被提取之該至少一部分之列之數量相關的實際量資訊與該參照量資訊間之比率資訊是否對應於設定範圍，確認上述區間資訊是否滿足維持條件； <br/>基於上述維持條件是否滿足來更新上述區間資訊； <br/>藉由提取與更新之上述區間資訊對應之上述資料之剩餘資料中的至少一部分，實行上述查詢之剩餘查詢中之至少一部分；及 <br/>反覆地更新上述區間資訊，直至全部實行上述查詢為止，從而依次提取與更新之各區間資訊對應之各上述資料之至少一部分。
如請求項1之查詢處理方法， 其中，上述參照量資訊係基於最大量資訊與切割量資訊之至少一部分來確認； <br/>其中，上述最大量資訊係基於與資料庫繫結而進行動作之驅動器之緩衝器尺寸與上述資料中包括之列之最大尺寸之間的比率資訊來確認； <br/>其中，上述切割量資訊係基於對上述資料庫所連接之網路設定之切割尺寸及上述資料中包括之上述列之平均尺寸間的比率資訊來確認。
如請求項2之查詢處理方法，其中上述參照量資訊係確認為透過計算該最大量資訊與該切割量資訊之間的加權平均值而獲得之結果。
如請求項1之查詢處理方法，其中，上述估算密度資訊係基於資料庫中包括之整體資料之整體列數與與上述整體資料對應之整體時間範圍間的比率資訊來確認；及 <br/>其中，確認上述區間資訊進一步包括： <br/>確認上述參照量資訊與上述估算密度資訊間的比率資訊為上述區間資訊。
如請求項1之查詢處理方法， 其中，更新上述區間資訊包括基於上述區間資訊是否滿足上述維持條件來更新上述估算密度資訊； <br/>其中實行上述查詢之剩餘查詢中之至少一部分包含：基於在更新時點確認之更新之估算密度資訊及更新之參照量資訊來更新上述區間資訊，且基於更新後的上述區間資訊，提取與更新之上述區間資訊對應之上述資料之剩餘資料中的至少一部分。
如請求項5之查詢處理方法，其中，更新上述估算密度資訊之步驟係以如下方式進行更新： <br/>判斷當上述比率資訊不對應於上述設定範圍且對應於與提取不足相對應的第一範圍時，判斷上述區間資訊不滿足上述維持條件，並減少上述估算密度資訊。
如請求項6之查詢處理方法， 其中，當上述比率資訊不對應於上述設定範圍而對應於上述第一範圍時，將上述參照量資訊除以第1修正區間資訊所得之結果確認為上述估算密度資訊，藉此更新上述估算密度資訊，該第1修正區間資訊係將第1修正資訊與上述區間資訊相加所得者， <br/>上述第1修正資訊確認為對(i)乘以(ii)所得之結果，該(i)係作為過去區間資訊中之一者之參照區間資訊及上述區間資訊間之差資訊，該(ii)係上述參照量資訊與作為過去提取量資訊中之一者的參照提取量資訊間之差資訊及上述實際量資訊與上述參照提取量資訊間之差資訊間之比率資訊的平方根。
如請求項5之查詢處理方法，其中，更新上述估算密度資訊之步驟係以如下方式進行更新：當上述參照量資訊與上述實際量資訊之間的比率資訊不對應於上述設定範圍且對應於與提取過大相對應的第二範圍時，判斷上述區間資訊不滿足上述維持條件，並增加上述估算密度資訊。
如請求項8之查詢處理方法，其中於上述比率資訊不對應於上述設定範圍且對應於上述第二範圍時， 將上述參照量資訊除以第2修正區間資訊所得之結果確認為上述估算密度資訊，藉此更新上述估算密度資訊，該第2修正區間資訊係基於自上述區間資訊減去第2修正資訊所得者， <br/>上述第2修正資訊確認為對(i)乘以(ii)所得之結果，該(i)係作為過去區間資訊中之一者的參照區間資訊及上述區間資訊間之差資訊，該(ii)係1與上述參照量資訊及作為過去提取量資訊中之一的參照提取量資訊間之差資訊及上述實際量資訊與上述參照提取量間之差資訊間之比率資訊的差資訊之平方根。
如請求項5之查詢處理方法， 其中，更新所述估算密度資訊包括：當上述比率資訊對應於與適當提取相對應的上述設定範圍時，判斷上述區間資訊滿足維持條件，並保持上述估算密度資訊。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有用以於電腦中執行如請求項1至10中任一項之方法之程式。
一種電子裝置，其係處理查詢者，其包括儲存命令之記憶體、及處理器，該處理器係以如下方式設定：與上述記憶體連接，從而： <br/>確認用以提取與所選擇之時間範圍對應之資料之查詢； <br/>基於要被提取之列之參照量資訊及與列之每小時儲存量相關之估算密度資訊，確認與自該所選擇之時間範圍提取之目標查詢時間範圍對應的區間資訊； <br/>提取與上述區間資訊對應之上述資料之至少一部分之列，藉此實行上述查詢中之至少一部分； <br/>基於與被提取之該至少一部分之列之數量相關的實際量資訊與該參照量資訊間之比率資訊是否對應於設定範圍，確認該區間資訊是否滿足維持條件； <br/>基於該維持條件是否滿足來更新該區間資訊； <br/>藉由提取與更新之上述區間資訊對應之上述資料之剩餘資料中的至少一部分，實行上述查詢之剩餘查詢中之至少一部分；及 <br/>反覆地更新上述區間資訊，直至全部實行上述查詢為止，從而依次提取與更新之各區間資訊對應之各上述資料之至少一部分。
一種乳酸片球菌及/或其代謝產物用於製備神經保健的組合物的用途，其中該乳酸片球菌為具有寄存編號BCRC911167的乳酸片球菌TCI550（<i>Pediococcus acidilactici</i> TCI550），其中該乳酸片球菌TCI550具有生成γ-胺基丁酸（γ-aminobutyric acid, GABA）及提升血液中該γ-胺基丁酸含量的能力。
如請求項1所述之用途，其中該神經保健為提高大腦可塑性、鎮靜神經、或其組合。
如請求項1所述之用途，其中該組合物具有降低交感神經細胞總體活性的能力。
如請求項1所述之用途，其中該組合物具有提升神經細胞的血清素生成相關基因、褪黑激素合成相關基因、抗憂鬱相關基因或其組合的表現量的能力。
如請求項4所述之用途，其中該血清素生成相關基因為色氨酸羥化酶（Tryptophan hydroxylase, TPH）基因、多巴胺脫羧酶（Dopa decarboxylase, DDC）基因或其組合。
如請求項4所述之用途，其中該褪黑激素合成相關基因為乙醯血清素O-甲基轉移酶（ASMT）基因、芳烷基胺乙醯基轉移酶（AANAT）基因或其組合。
如請求項4所述之用途，其中該抗憂鬱相關基因為沉默調節蛋白（Sirtuin 1, SIRT1）基因、腦源性神經營養因子（BDNF）基因或其組合。
如請求項1所述之用途，其中該組合物具有促進神經細胞分泌該γ-胺基丁酸的能力。
如請求項1所述之用途，其中該乳酸片球菌TCI550具有提升血液中腦源性神經營養因子（Brain-Derived Neurotrophic Factor, BDNF）含量的能力。
如請求項1所述之用途，其中該乳酸片球菌TCI550的使用量為50mg/日。
一種乳酸片球菌及/或其代謝產物用於製備提高認知的組合物的用途，其中該乳酸片球菌為具有寄存編號BCRC911167的乳酸片球菌TCI550（<i>Pediococcus acidilactici</i> TCI550），其中該乳酸片球菌TCI550具有生成γ-胺基丁酸（γ-aminobutyric acid, GABA）及提升血液中該γ-胺基丁酸含量的能力。
如請求項11所述之用途，其中該組合物具有提高反應力、專注力、記憶力或其組合的能力。
如請求項11所述之用途，其中該組合物具有提升神經細胞的血清素生成相關基因、褪黑激素合成相關基因、抗憂鬱相關基因或其組合的表現量的能力。
如請求項13所述之用途，其中該血清素生成相關基因為色氨酸羥化酶（Tryptophan hydroxylase, TPH）基因、多巴胺脫羧酶（Dopa decarboxylase, DDC）基因或其組合。
如請求項13所述之用途，其中該褪黑激素合成相關基因為乙醯血清素O-甲基轉移酶（ASMT）基因、芳烷基胺乙醯基轉移酶（AANAT）基因或其組合。
如請求項13所述之用途，其中該抗憂鬱相關基因為沉默調節蛋白（Sirtuin 1, SIRT1）基因、腦源性神經營養因子（BDNF）基因或其組合。
如請求項11所述之用途，其中該組合物具有促進神經細胞分泌該γ-胺基丁酸的能力。
如請求項11所述之用途，其中該乳酸片球菌TCI550具有提升血液中腦源性神經營養因子（Brain-Derived Neurotrophic Factor, BDNF）含量的能力。
如請求項11所述之用途，其中該乳酸片球菌TCI550的使用量為50mg/日。
一種乳酸片球菌，其為具有寄存編號BCRC911167的乳酸片球菌TCI550（<i>Pediococcus acidilactici</i> TCI550）。
一種感測信號處理電路，包括：一第一信號處理支路以及一第二信號處理支路，該第一信號處理支路包括一第一混頻器以及一第一積分電路，該第二信號處理支路包括一第二混頻器以及一第二積分電路；其中， <br/>該第一混頻器，其第一輸入端用於接收一疊加感測信號，其第二輸入端用於接收一第一本振信號，其輸出端與該第一積分電路的輸入端耦接；該疊加感測信號包括一接收電極與一第一發射電極耦合產生的一第一感測信號，以及該接收電極與一第二發射電極耦合產生的一第二感測信號，該第一發射電極接收一第一驅動頻率的驅動信號，該第二發射電極接收一第二驅動頻率的驅動信號，該第一驅動頻率與該第二驅動頻率不相等； <br/>該第一積分電路，輸出該第一感測信號對應的基帶信號； <br/>該第二混頻器，其第一輸入端用於接收該疊加感測信號，其第二輸入端用於接收一第二本振信號，其輸出端與該第二積分電路的輸入端耦接；該第一本振信號的頻率與該第一驅動頻率相等，該第二本振信號的頻率與該第二驅動頻率相等；及 <br/>該第二積分電路，輸出該第二感測信號對應的基帶信號；該第一積分電路與該第二積分電路均包括一個低通濾波器，該第二驅動頻率由該第一驅動頻率以及該低通濾波器的一第一零點頻率確定。
如請求項1所述之感測信號處理電路，其中，該第二驅動頻率為該第一驅動頻率與該第一零點頻率的和值。
如請求項2所述之感測信號處理電路，其中，該低通濾波器的一濾波器係數為一第一濾波器係數；該濾波器係數為該第一濾波器係數時，該第一零點頻率與一第一差值的偏移量處於預設的一閾值範圍之內，該第一差值為該第二驅動頻率與該第一驅動頻率的差值。
如請求項3所述之感測信號處理電路，還包括：一控制單元，與兩個低通濾波器均耦接，適於將該兩個低通濾波器的該濾波器係數均調整為該第一濾波器係數。
如請求項4所述之感測信號處理電路，其中，該控制單元，適於：基於該些驅動信號的一掃描時間，確定該兩個低通濾波器的一候選濾波器係數，該候選濾波器係數對應一候選零點頻率；檢測到一第二差值與該第一驅動頻率的差值處於該閾值範圍之外，將該候選濾波器係數調整為該第一濾波器係數；檢測到該第一差值與該第一驅動頻率的差值處於該閾值範圍之內，確定該候選濾波器係數為該第一濾波器係數；該第二差值為該第二驅動頻率與該候選零點頻率的差值。
如請求項1所述之感測信號處理電路，其中，該第一零點頻率為該低通濾波器的任一零點頻率。
如請求項1所述之感測信號處理電路，其中，該第一零點頻率為該低通濾波器的頻率值最小的零點頻率。
如請求項1所述之感測信號處理電路，其中，該低通濾波器具有至少兩個零點頻率；該第一零點頻率為該低通濾波器的所有零點頻率中不存在干擾的任一零點頻率。
一種觸控方法，適用於如請求項1至8任一項所述之感測信號處理電路，該觸控方法包括： <br/>確定一第一驅動頻率； <br/>基於獲取的一驅動信號的一掃描時間，確定一低通濾波器的一候選濾波器係數；該候選濾波器係數對應一候選零點頻率； <br/>檢測到一第二差值與一第一驅動頻率的差值處於預設的一閾值範圍之外，將該候選濾波器係數調整為一第一濾波器係數；且當該低通濾波器的一濾波器係數為該第一濾波器係數時，一第一零點頻率與一第一差值的偏移量處於預設的該閾值範圍之內，該第一差值為一第二驅動頻率與該第一驅動頻率的差值，該第二差值為該第二驅動頻率與該候選零點頻率的差值；及 <br/>採用該第一驅動頻率驅動一第一發射電極，採用該第二驅動頻率驅動一第二發射電極。
一種互容觸控裝置，包括交叉設置的一發射電極和一接收電極，該發射電極中的一第一發射電極接收一第一驅動頻率的驅動信號，該發射電極中的一第二發射電極接收一第二驅動頻率的驅動信號，該第一驅動頻率與該第二驅動頻率不相等；以及，如請求項1至8任一項所述之感測信號處理電路。
一種用於庫存管理之一電子設備之操作方法，該方法包括： <br/>由該電子設備所執行，基於一品項之到期日期相關資訊，將該品項的一剩餘數量辨識為一移除目標；其中該剩餘數量是從該品項的一總數量排除根據一客戶訂單已分配用於運送的數量； <br/>由該電子設備所執行，將關於該移除目標之資訊傳輸至一終端機； <br/>由該電子設備所執行，並自該終端機獲取關於該移除目標之一實際數量當中之待自庫存移除之一移除數量的資訊，及關於該移除目標之該實際數量當中之除該移除數量以外之一剩餘數量的資訊；及 <br/>由該電子設備所執行，基於關於該移除數量之該資訊及關於該剩餘數量之該資訊更新關於該庫存之資訊， <br/>其中該辨識包括在根據該客戶訂單之該分配之後，判定因為該客戶訂單的取消而產生的已解除分配數量所對應的該品項是否為該移除目標。
如請求項1之操作方法，其中該辨識包括： <br/>當該品項的管理類型從藉由製造日期管理之一品項改變為藉由到期日期管理之一品項，且缺少該品項的到期日期相關資訊時，將該品項識別為該移除目標；以及 <br/>當該品項的該管理類型從藉由到期日期管理之一品項改變為藉由製造日期管理之一品項時，比較一當前日期與基於該品項的一製造日期及一保存期限計算的一日期，將該品項辨識為該移除目標。
如請求項1之操作方法，其中該獲取包括： <br/>自該終端機獲取對應於該剩餘數量之到期日期相關資訊，及 <br/>由該電子設備所執行之該更新包括由該電子設備所執行，基於對應於該剩餘數量之該到期日期相關資訊更新關於該庫存之該資訊。
如請求項1之操作方法，其中該終端機經組態以： <br/>向一操作者提供關於該移除目標之該資訊；及 <br/>透過一圖形使用者介面(GUI)自該操作者接收關於該移除數量之該資訊及關於該剩餘數量之該資訊。
如請求項4之操作方法，其中 <br/>該終端機經組態以透過該GUI自該操作者接收對應於該剩餘數量之到期日期相關資訊， <br/>當該移除目標係藉由到期日期管理之一品項時，對應於該剩餘數量之該到期日期相關資訊包含該剩餘數量之品項之到期日期當中之一最早到期日期，及 <br/>當該移除目標係藉由製造日期管理之一品項時，對應於該剩餘數量之該到期日期相關資訊包含該剩餘數量之品項之製造日期當中之一最早製造日期。
如請求項1之操作方法，其中由該電子設備所執行之該辨識包括： <br/>由該電子設備所執行，在其中該品項之一管理類型改變之一情況、其中該品項之到期日期相關資訊改變之一情況及其中該品項之一位置改變之一情況的至少一者中，由該電子設備所執行，判定該庫存中之各品項是否為該移除目標。
如請求項1之操作方法，其中 <br/>當該品項係藉由到期日期管理之一品項時，由該電子設備所執行之該辨識包括由該電子設備所執行，基於該品項之一到期日期及一保存期限判定該品項是否為該移除目標，及 <br/>當該品項係藉由製造日期管理之一品項時，由該電子設備所執行之該辨識包括由該電子設備所執行，基於該品項之一製造日期及該保存期限判定該品項是否為該移除目標。
如請求項1之操作方法，其進一步包括： <br/>提供到期日期相關資訊、位置資訊、關於一移除數量及一剩餘數量之資訊以及關於各移除目標之一操作者之資訊的至少一者。
如請求項1之操作方法，其中關於該移除目標之該資訊包括該移除目標之位置資訊、識別資訊及移除準則資訊之至少一者。
如請求項1之操作方法，其中該更新包括： <br/>基於關於該移除數量之該資訊及關於該剩餘數量之該資訊，比較該移除目標之一資料數量及該實際數量；及 <br/>當該資料數量比該實際數量大一第一數量為該比較之結果時，藉由將該資料數量當中之該第一數量分配至一預定位置之庫存，來調整該資料數量，及當該資料數量比該實際數量小一第二數量為該比較之結果時，藉由分配經分配至該預定位置之該庫存一第三數量至該移除目標之該資料數量，來調整該資料數量，及 <br/>其中該調整包括： <br/>當該資料數量比該實際數量小該第二數量時，比較該第二數量及該第三數量；及 <br/>當該第二數量等於該第三數量時，藉由將該第三數量分配至該資料數量，以調整該移除目標之該資料數量，及當該第三數量小於該第二數量時，藉由將該第三數量分配至該資料數量且之後額外地將該第二數量與該第三數量之間之一差分配給該資料數量，以調整該移除目標之該資料數量。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其包括用於執行如請求項1之操作方法之一電腦程式。
一種用於庫存管理之電子設備，該設備包括： <br/>一通信裝置；及 <br/>一控制器， <br/>其中該控制器經組態以： <br/>基於一品項之到期日期相關資訊，將該品項的一剩餘數量辨識為一移除目標；其中該剩餘數量是從該品項的一總數量排除根據一客戶訂單已分配用於運送的數量； <br/>透過該通信裝置將關於該移除目標之資訊傳輸至一終端機； <br/>透過該通信裝置自該終端機獲取關於該移除目標之一實際數量當中之待自庫存移除之一移除數量的資訊，及關於該移除目標之該實際數量當中之除該移除數量以外之一剩餘數量的資訊；及 <br/>基於關於該移除數量之該資訊及關於該剩餘數量之該資訊更新關於該庫存之資訊， <br/>其中該控制器經組態以在根據該客戶訂單之該分配之後，判定因為該客戶訂單的取消而產生的已解除分配數量所對應的該品項是否為該移除目標。
一種半導體光阻組合物，包括： <br/>有機金屬化合物； <br/>包括由化學式1表示的結構單元的聚合物添加劑；和 <br/>溶劑： <br/>化學式1 <br/><img align="absmiddle" height="51px" width="125px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，在化學式1中， <br/>R<sup>1</sup>是氫或經取代或未經取代的C1至C10烷基， <br/>R<sup>2</sup>是包含三氟甲基和羥基的經取代或未經取代的C1至C20烷基， <br/>R<sup>3</sup>至R<sup>6</sup>各自獨立地為氫、氟、羥基、經取代或未經取代的C1至C20烷基或其組合， <br/>n1和n2各自獨立地為0至10的整數， <br/>n1 + n2為1或大於1， <br/>X<sup>1</sup>是單鍵、-O-、-S-、-S(O)-、-S(O)<sub>2</sub>-、-C(O)-、-(CO)O-、-O(CO)-、-O(CO)O-、-NR<sup>a</sup>-或其組合，其中R<sup>a</sup>是氫、氘或經取代或未經取代的C1至C10烷基，和 <br/>*是連接點， <br/>其中所述有機金屬化合物含有錫。
如請求項1所述的半導體光阻組合物，其中： <br/>R<sup>2</sup>是被至少一個三氟甲基和至少一個羥基取代的C1至C20烷基。
如請求項1所述的半導體光阻組合物，其中： <br/>R<sup>2</sup>是被兩個三氟甲基和一個羥基取代的C1至C10烷基。
如請求項1所述的半導體光阻組合物，其中： <br/>化學式1由化學式1-1表示： <br/>化學式1-1 <br/><img align="absmiddle" height="67px" width="144px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，在化學式1-1中， <br/>R<sup>1</sup>是氫或經取代或未經取代的C1至C10烷基， <br/>R<sup>3</sup>至R<sup>6</sup>各自獨立地是氫、氟、羥基、經取代或未經取代的C1至C20烷基或其組合， <br/>n1和n2各自獨立地是0至10的整數， <br/>n1 + n2是1或大於1， <br/>X<sup>1</sup>是單鍵、-O-、-S-、-S(O)-、-S(O)<sub>2</sub> -、-C(O)-、-(CO)O-、-O(CO)-、-O(CO)O-、-NR<sup>a</sup>-或其組合，其中R<sup>a</sup>是氫、氘或經取代或未經取代的C1至C10烷基，且 <br/>*是連接點。
如請求項1所述的半導體光阻組合物，其中： <br/>所述由化學式1表示的結構單元是從群組1中列出的結構單元中選擇的一種： <br/>群組1 <br/><img align="absmiddle" height="130px" width="206px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，在群組1中， <br/>R<sup>1</sup>是氫或甲基，且 <br/>*是連接點。
如請求項1所述的半導體光阻組合物，其中： <br/>基於100重量%的所述半導體光阻組合物，以0.001重量%至10重量%的量包括所述包括由化學式1表示的結構單元的聚合物添加劑。
如請求項1所述的半導體光阻組合物，其中： <br/>基於100重量%的所述半導體光阻組合物，以0.1重量%至5重量%的量包括所述包括由化學式1表示的結構單元的聚合物添加劑。
如請求項1所述的半導體光阻組合物，其中： <br/>基於100重量%的所述半導體光阻組合物，以0.5重量%至30重量%的量包括所述有機金屬化合物。
如請求項1所述的半導體光阻組合物，其中： <br/>所述半導體光阻組合物還包括表面活性劑、交聯劑、調平劑、有機酸、淬滅劑或其組合的添加劑。
如請求項1所述的半導體光阻組合物，其中： <br/>所述有機金屬化合物是包含選自有機氧基和有機羰基氧基的至少一種的有機錫化合物。
如請求項1所述的半導體光阻組合物，其中： <br/>所述有機金屬化合物由化學式2表示： <br/>化學式2 <br/><img align="absmiddle" height="53px" width="66px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，在化學式2中， <br/>R<sup>9</sup>選自經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基和經取代或未經取代的C6至C30芳烷基， <br/>R<sup>10</sup>至R<sup>12</sup>各自獨立地為經取代或未經取代的C1至C20烷基；經取代或未經取代的C3至C20環烷基；經取代或未經取代的C2至C20烯基；經取代或未經取代的C2至C20炔基；經取代或未經取代的C6至C30芳基；經取代或未經取代的C6至C30芳烷基；由-OR<sup>b</sup>表示的烷氧基或芳氧基，其中R<sup>b</sup>為經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-O(CO)R<sup>c</sup>表示的羧基，其中R<sup>c</sup>為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-NR<sup>d</sup>R<sup>e</sup>表示的烷基胺基或二烷基胺基，其中R<sup>d</sup>和R<sup>e</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-NR<sup>f</sup>(COR<sup>g</sup>)表示的醯胺基，其中R<sup>f</sup>和R<sup>g</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-NR<sup>h</sup>C(NR<sup>i</sup>)R<sup>j</sup>表示的脒基，其中R<sup>h</sup>、R<sup>i</sup>和R<sup>j</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-SR<sup>k</sup>表示的烷硫基或芳硫基，其中R<sup>k</sup>為經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；或由-S(CO)R<sup>l</sup>表示的硫代羧基，其中R<sup>l</sup>為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合，且 <br/>R<sup>10</sup>至R<sup>12</sup>中選擇至少一個從以下中選擇：由-OR<sup>b</sup>表示的烷氧基或芳氧基，其中R<sup>b</sup>為經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-O(CO)R<sup>c</sup>表示的羧基，其中R<sup>c</sup>為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-NR<sup>d</sup>R<sup>e</sup>表示的烷基胺基或二烷基胺基，其中R<sup>d</sup>和R<sup>e</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-NR<sup>f</sup>(COR<sup>g</sup>)表示的醯胺基，其中R<sup>f</sup>和R<sup>g</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-NR<sup>h</sup>C(NR<sup>i</sup>)R<sup>j</sup>表示的脒基，其中R<sup>h</sup>、R<sup>i</sup>和R<sup>j</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-SR<sup>k</sup>表示的烷硫基或芳硫基，其中R<sup>k</sup>為經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；和由-S(CO)R<sup>l</sup>表示的硫代羧基，其中R<sup>l</sup>為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合。
如請求項11所述的半導體光阻組合物，其中： <br/>R<sup>10</sup>至R<sup>12</sup>中選擇至少一個從以下中選擇：由-OR<sup>b</sup>表示的烷氧基或芳氧基，其中R<sup>b</sup>為經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；和由-O(CO)R<sup>c</sup>表示的羧基，其中R<sup>c</sup>為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合。
如請求項12所述的半導體光阻組合物，其中： <br/>R<sup>9</sup>為經取代或未經取代的C1至C8烷基、經取代或未經取代的C3至C8環烷基、包含一個或多個雙鍵或三鍵的經取代或未經取代的C2至C8脂肪族不飽和有機基、經取代或未經取代的C6至C20芳基、經取代或未經取代的C4至C20雜芳基、羰基、乙氧基、丙氧基或其組合， <br/>R<sup>b</sup>為經取代或未經取代的C1至C8烷基、經取代或未經取代的C3至C8環烷基、經取代或未經取代的C2至C8烯基、經取代或未經取代的C2至C8炔基、經取代或未經取代的C6至C20芳基或其組合，且 <br/>R<sup>c</sup>為氫、經取代或未經取代的C1至C8烷基、經取代或未經取代的C3至C8環烷基、經取代或未經取代的C2至C8烯基、經取代或未經取代的C2至C8炔基、經取代或未經取代的C6至C20芳基或其組合。
如請求項1所述的半導體光阻組合物，其中： <br/>所述有機金屬化合物由化學式3或化學式4表示： <br/>化學式3 <br/>R<sup>13</sup><sub>z</sub>SnO<sub>(2-(z/2)-(x/2))</sub>(OH)<sub>x</sub><br/>其中，在化學式3中， <br/>R<sup>13</sup>為C1至C31烴基，0 ＜ z ≤ 2，且0 ＜ (z+x) ≤ 4； <br/>化學式4 <br/>R<sup>14</sup><sub>a</sub>Sn<sub>b</sub>X<sub>c</sub>Y<sub>d</sub><br/>其中，在化學式4中， <br/>R<sup>14</sup>為經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、包含一個或多個雙鍵或三鍵的經取代或未經取代的C2至C20脂肪族不飽和有機基、經取代或未經取代的C6至C30芳基、經取代或未經取代的C4至C30雜芳基、羰基、環氧乙烷基、環氧丙烷基或其組合， <br/>X為硫、硒或碲，且 <br/>Y為-OR<sup>m</sup>或-OC(=O)R<sup>n</sup>， <br/>其中R<sup>m</sup>為經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合， <br/>R<sup>n</sup>為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合，且 <br/>a、b、c和d各自獨立地為1至20的整數。
一種形成圖案的方法，包括： <br/>在基板上設置蝕刻目標層； <br/>將如請求項1至請求項14中任一項所述的半導體光阻組合物塗覆在所述蝕刻目標層上以設置光阻膜； <br/>對所述光阻膜進行圖案化以設置光阻圖案；以及 <br/>利用所述光阻圖案作為蝕刻遮罩對所述蝕刻目標層進行蝕刻。
一種浮體式海上風車系統，其特徵在於包含浮體式海上風車、主浮體、及繫泊體；且 <br/>前述浮體式海上風車具有：葉片，其承受風；輪轂，其固定該葉片；機艙，其收納將該輪轂之旋轉能量轉換為電力之發電機；塔架，其支持該機艙；及副浮體，其支持該塔架； <br/>前述主浮體藉由前述繫泊體繫泊於海底、且具有供前述副浮體插入之副浮體插入空間， <br/>插入於該副浮體插入空間之前述副浮體藉由與前述主浮體之連結部可解除連結地連結。
如請求項1之浮體式海上風車系統，其中 <br/>將由前述發電機發出之電力向陸地系統輸送之海底電纜係連接於前述主浮體。
如請求項1之浮體式海上風車系統，其中 <br/>在前述連結部，前述副浮體之突出部與前述主浮體之缺口部上下重疊，藉由螺栓或熔接將兩者在上下方向連結。
如請求項1之浮體式海上風車系統，其中 <br/>解除了與前述主浮體之連結之前述浮體式海上風車能夠被運輸船拖航。
如請求項1之浮體式海上風車系統，其中 <br/>藉由連結前述主浮體與前述副浮體，而形成駁船型浮體、張力腿式平台型浮體、半潛型浮體、單柱型浮體之任一者。
一種建設方法，其特徵在於係建設如請求項1之浮體式海上風車系統者，且包含： <br/>將前述主浮體繫泊於海底之步驟； <br/>步驟A，其將前述主浮體及/或前述副浮體之相對於海面之高度以成為能夠在前述副浮體插入空間配置前述副浮體之高度之方式進行調整； <br/>在前述副浮體插入空間配置前述副浮體之步驟；及 <br/>步驟B，其將前述主浮體及/或前述副浮體之相對於海面之高度以成為能夠將前述副浮體連結於前述主浮體之高度之方式進行調整；及 <br/>連結前述主浮體與前述副浮體之步驟。
如請求項6之建設方法，其中 <br/>前述主浮體在與前述副浮體插入空間相接之壁面之上部具有缺口部， <br/>前述副浮體具有與前述缺口部嵌合之形狀之突出部， <br/>前述步驟A係向前述主浮體注入壓艙水及/或自前述副浮體排出壓艙水之步驟， <br/>前述步驟B係自前述主浮體排出壓艙水及/或向前述副浮體注入壓艙水之步驟。
如請求項6之建設方法，其中 <br/>前述主浮體在與前述副浮體插入空間相接之壁面之上部具有突出部， <br/>前述副浮體具有與前述突出部嵌合之形狀之缺口部， <br/>前述步驟A係自前述主浮體排出壓艙水及/或向前述副浮體注入壓艙水之步驟， <br/>前述步驟B係向前述主浮體注入壓艙水及/或自前述副浮體排出壓艙水之步驟。
一種解體方法，其特徵在於係解體如請求項1之浮體式海上風車系統者，且包含： <br/>解除前述主浮體與前述副浮體之連結之步驟； <br/>步驟C，其係將前述主浮體及/或前述副浮體之相對於海面之高度，以成為能夠自前述副浮體插入空間拉出前述副浮體之高度之方式進行調整者；及 <br/>自前述副浮體插入空間拉出前述副浮體之步驟。
如請求項9之解體方法，其中 <br/>前述主浮體在與前述副浮體插入空間相接之壁面之上部具有缺口部， <br/>前述副浮體具有與前述缺口部嵌合之形狀之突出部， <br/>前述步驟C係向前述主浮體注入壓艙水及/或自前述副浮體排出壓艙水之步驟。
如請求項9之解體方法，其中 <br/>前述主浮體在與前述副浮體插入空間相接之壁面之上部具有突出部， <br/>前述副浮體具有與前述突出部嵌合之形狀之缺口部， <br/>前述步驟C係自前述主浮體排出壓艙水及/或向前述副浮體注入壓艙水之步驟。
一種維護方法，其特徵在於將藉由如請求項9至11中任一項之解體方法自前述主浮體拉出之前述浮體式海上風車拖航至港灣內而維護。
一種圖案形成方法，包含如下步驟：準備含有鍵結於聚合物主鏈之羧基被酸不穩定基保護的聚合物之阻劑材料，使用該阻劑材料來形成阻劑膜，將該阻劑膜進行曝光、加熱後，利用乾蝕刻進行顯影來形成圖案；其特徵為： <br/>就該聚合物而言，使用具有下述通式(a1)及(a2)表示之重複單元中之任一者或兩者、且具有為具酸產生部之重複單元b之選自下式(b2)、(b4)或(b5)表示之重複單元中之重複單元之聚合物； <br/><img align="absmiddle" height="206px" width="417px" file="ed10152.jpg" alt="ed10152.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>A</sup>分別獨立地為氫原子或甲基；R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>分別獨立地為直鏈狀、分支狀或環狀之也可具有雙鍵或參鍵之碳數1~14之脂肪族烴基、或碳數6~10之芳基，且R<sup>1</sup>與R<sup>2</sup>也可鍵結並形成環；R<sup>4</sup>為氫原子、或直鏈狀、分支狀或環狀之也可具有雙鍵或參鍵之碳數1~14之脂肪族烴基；R<sup>3</sup>及R<sup>5</sup>分別獨立地為碳數1~6之直鏈狀、分支狀或環狀之烷基、碳數1~6之直鏈狀、分支狀或環狀之烷氧基、碳數1~6之直鏈狀、分支狀或環狀之烷氧基羰基、碳數1~6之直鏈狀、分支狀或環狀之烷醯基、鹵素原子、氰基、三氟甲基、三氟甲氧基或硝基；環A為碳數6~16之芳基，環B為4~8員環，且也可具有雙鍵，環C為碳數6~16之芳基；m、n分別為1~3之整數，p、q分別為0~6之整數；X<sup>1</sup>為單鍵、或含有選自酯鍵、內酯環、伸苯基及伸萘基中之至少1種之碳數1~12之連結基； <br/><img align="absmiddle" height="102px" width="92px" file="ed10154.jpg" alt="ed10154.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="94px" width="101px" file="ed10155.jpg" alt="ed10155.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="93px" width="112px" file="ed10156.jpg" alt="ed10156.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>A</sup>分別獨立地為氫原子或甲基；R<sup>B</sup>為氫原子； <br/>Z<sup>2</sup>為酯鍵； <br/>Z<sup>3</sup>為-Z<sup>31</sup>-C(=O)-O-或-Z<sup>31</sup>-O-；Z<sup>31</sup>為伸苯基或將伸苯基與碳數1~12之伸烴基組合而得之碳數7~18之基，且含有1個以上之碘原子，也可含有羰基、硝基、氰基、酯鍵、醚鍵、胺甲酸酯鍵、氟原子或溴原子； <br/>Z<sup>4</sup>為單鍵、亞甲基或伸乙基； <br/>Z<sup>6</sup>酯鍵； <br/>Z<sup>7A</sup>為碳數1~24之2價有機基，且含有1個以上之碘原子，也可具有選自碘原子以外的鹵素原子、氧原子、氮原子及硫原子中之至少1種； <br/>Z<sup>7B</sup>為碳數1~10之1價有機基，且含有1個以上之碘原子，也可具有選自碘原子以外的鹵素原子、氧原子、氮原子及硫原子中之至少1種； <br/>Z<sup>8</sup>為酯鍵； <br/>Z<sup>9</sup>為碳數1~12之3價有機基，且也可具有選自氧原子、氮原子及硫原子中之至少1種； <br/>Rf<sup>1</sup>及Rf<sup>2</sup>分別獨立地為氟原子或三氟甲基，Rf<sup>3</sup>及Rf<sup>4</sup>分別獨立地為氫原子、氟原子或三氟甲基； <br/>R<sup>23</sup>為碳數1~10之飽和烴基、碳數6~10之芳基、氟原子、碘原子、三氟甲氧基、二氟甲氧基、氰基或硝基；環R為碳數6~10之(d+2)價芳香族烴基；d為0~5之整數；X<sup>-</sup>為非親核性相對離子；M<sup>+</sup>為鋶陽離子或錪陽離子。
如請求項1之圖案形成方法，其中，就該阻劑材料而言，使用更含有酸產生劑之阻劑材料。
如請求項1之圖案形成方法，其係利用波長3~15nm之極紫外線來實施該曝光。
如請求項1之圖案形成方法，其係利用加速電壓1~150kV之電子束來實施該曝光。
一種阻劑材料，係使用於乾蝕刻所為之圖案形成，其特徵為：含有具有下述通式(a1)及(a2)表示之重複單元中之任一者或兩者、且具有為具酸產生部之重複單元b之選自下式(b2)、(b4)或(b5)表示之重複單元中之重複單元之聚合物； <br/><img align="absmiddle" height="206px" width="417px" file="ed10152.jpg" alt="ed10152.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>A</sup>分別獨立地為氫原子或甲基；R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>分別獨立地為直鏈狀、分支狀或環狀之也可具有雙鍵或參鍵之碳數1~14之脂肪族烴基、或碳數6~10之芳基，且R<sup>1</sup>與R<sup>2</sup>也可鍵結並形成環；R<sup>4</sup>為氫原子、或直鏈狀、分支狀或環狀之也可具有雙鍵或參鍵之碳數1~14之脂肪族烴基；R<sup>3</sup>及R<sup>5</sup>分別獨立地為碳數1~6之直鏈狀、分支狀或環狀之烷基、碳數1~6之直鏈狀、分支狀或環狀之烷氧基、碳數1~6之直鏈狀、分支狀或環狀之烷氧基羰基、碳數1~6之直鏈狀、分支狀或環狀之烷醯基、鹵素原子、氰基、三氟甲基、三氟甲氧基或硝基；環A為碳數6~16之芳基，環B為4~8員環，且也可具有雙鍵，環C為碳數6~16之芳基；m、n分別為1~3之整數，p、q分別為0~6之整數；X<sup>1</sup>為單鍵、或含有選自酯鍵、內酯環、伸苯基及伸萘基中之至少1種之碳數1~12之連結基； <br/><img align="absmiddle" height="102px" width="92px" file="ed10154.jpg" alt="ed10154.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="94px" width="101px" file="ed10155.jpg" alt="ed10155.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="93px" width="112px" file="ed10156.jpg" alt="ed10156.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>A</sup>分別獨立地為氫原子或甲基；R<sup>B</sup>為氫原子； <br/>Z<sup>2</sup>為酯鍵； <br/>Z<sup>3</sup>為-Z<sup>31</sup>-C(=O)-O-或-Z<sup>31</sup>-O-；Z<sup>31</sup>為伸苯基或將伸苯基與碳數1~12之伸烴基組合而得之碳數7~18之基，且含有1個以上之碘原子，也可含有羰基、硝基、氰基、酯鍵、醚鍵、胺甲酸酯鍵、氟原子或溴原子； <br/>Z<sup>4</sup>為單鍵、亞甲基或伸乙基； <br/>Z<sup>6</sup>酯鍵； <br/>Z<sup>7A</sup>為碳數1~24之2價有機基，且含有1個以上之碘原子，也可具有選自碘原子以外的鹵素原子、氧原子、氮原子及硫原子中之至少1種； <br/>Z<sup>7B</sup>為碳數1~10之1價有機基，且含有1個以上之碘原子，也可具有選自碘原子以外的鹵素原子、氧原子、氮原子及硫原子中之至少1種； <br/>Z<sup>8</sup>為酯鍵； <br/>Z<sup>9</sup>為碳數1~12之3價有機基，且也可具有選自氧原子、氮原子及硫原子中之至少1種； <br/>Rf<sup>1</sup>及Rf<sup>2</sup>分別獨立地為氟原子或三氟甲基，Rf<sup>3</sup>及Rf<sup>4</sup>分別獨立地為氫原子、氟原子或三氟甲基； <br/>R<sup>23</sup>為碳數1~10之飽和烴基、碳數6~10之芳基、氟原子、碘原子、三氟甲氧基、二氟甲氧基、氰基或硝基；環R為碳數6~10之(d+2)價芳香族烴基；d為0~5之整數；X<sup>-</sup>為非親核性相對離子；M<sup>+</sup>為鋶陽離子或錪陽離子。
一種含鋁金屬塑膠複合材料之鋁分離回收方法，包括： <br/>準備步驟，準備20至40wt%之甲酸溶液； <br/>溶解步驟，使含鋁金屬塑膠複合材料與甲酸溶液在攝氏70度至100度之間的溫度下接觸，以使該含鋁金屬塑膠複合材料中的鋁金屬成分溶解並生成甲酸鋁，其化學反應如下： <br/>2Al + 6HCOOH → 2Al(HCOO)<sub>3</sub> + 3H<sub>2</sub>↑；以及 <br/>回收步驟，從該甲酸溶液中回收生成之甲酸鋁。
如請求項1之鋁分離回收方法，其中，該甲酸溶液之pH值介於約0.74至0.1之間。
如請求項1之鋁分離回收方法，其中，該甲酸溶液之甲酸濃度為25至35wt%，且pH值介於0.59至0.27之間。
如請求項1之鋁分離回收方法，其中，在該溶解步驟中，對該含鋁金屬塑膠複合材料和該甲酸溶液的混合物施以攪拌或震盪。
如請求項1之鋁分離回收方法，其中，在該溶解步驟中，監測該甲酸溶液之pH值，當該pH值高於0.74時向該甲酸溶液中補充甲酸，以將該甲酸溶液之pH值控制在約0.74至0.1的範圍內。
如請求項1之鋁分離回收方法，其中 <br/>在該溶解步驟中，持續向該甲酸溶液中投入含鋁金屬塑膠複合材料，以使其中的鋁金屬成分持續溶解並生成甲酸鋁，從而使該甲酸溶液中的甲酸鋁達到飽和而析出，並且 <br/>在該回收步驟中，從該甲酸溶液中回收析出之甲酸鋁。
如請求項1之鋁分離回收方法，其中 <br/>在該溶解步驟中，進一步向該甲酸溶液中添加額外的鋁金屬，以使該額外的鋁金屬溶解並生成甲酸鋁，從而使該甲酸溶液中的甲酸鋁達到飽和而析出，並且 <br/>在該回收步驟中，從該甲酸溶液中回收析出之甲酸鋁。
如請求項6或7之鋁分離回收方法，其中，在該回收步驟中，透過離心或過濾的方式從該甲酸溶液中回收析出之甲酸鋁。
如請求項8之鋁分離回收方法，其中，將該回收步驟中回收析出之甲酸鋁後所得之上清液或濾液用作該準備步驟中的該甲酸溶液。
一種轉子結構，其向轉子與由定子所產生的旋轉磁場同步地旋轉的同步型電動機內部的冷卻對象部供油，其中：<br/> 所述轉子構建為包括多個永磁鐵和轉子芯，所述多個永磁鐵是所述冷卻對象部之一，所述轉子芯形成有多個磁鐵孔且為圓筒狀，所述磁鐵孔埋入有該各個永磁鐵，在軸方向延伸，油通過多個該磁鐵孔內在該轉子芯內部向軸方向流動，<br/> 所述轉子還包括轉子軸和一側端板，所述轉子軸不能相對旋轉地插入所述轉子芯，所述一側端板與該轉子芯的軸心同心地安裝在所述轉子芯的軸方向的一側的端部且為圓環狀，<br/> 在所述一側端板與所述轉子芯的軸心同心地形成有向軸方向看去成為圓環狀的腔空間，<br/> 所述一側端板構建為油被從所述轉子軸內的油路向所述腔空間填充，同時，油被從該腔空間向多個所述磁鐵孔分配。
如請求項1所述之轉子結構，其中：<br/> 在所述一側端板形成有多條直徑方向油路，所述直徑方向油路與所述腔空間相比更在軸方向的另一側在直徑方向延伸，直徑方向的內側的端部與該腔空間連通，同時，直徑方向的外側的端部與多個所述磁鐵孔連通，<br/> 所述各個直徑方向油路從圓周方向看去以R形狀連接有在軸方向的一側區劃該直徑方向油路的面和在直徑方向的外側區劃該直徑方向油路的面。
如請求項1所述之轉子結構，其中：<br/> 在所述一側端板形成有多條直徑方向油路，所述直徑方向油路與所述腔空間相比更在軸方向的另一側在直徑方向延伸，直徑方向的內側的端部與該腔空間連通，同時，直徑方向的外側的端部與多個所述磁鐵孔連通，<br/> 所述各個直徑方向油路中的所述直徑方向的外側的端部與所述各個磁鐵孔中的直徑方向的內側的部分連通。
如請求項1所述之轉子結構，其中：<br/> 所述一側端板被配置為向直徑方向看去與安裝在所述定子的定子線圈中的、作為所述冷卻對象部之一的軸方向的一側的線圈端重疊，<br/> 在所述一側端板形成有多條第一擴散油路，所述第一擴散油路與所述腔空間相比更在軸方向的一側在直徑方向延伸，直徑方向的內側的端部與該腔空間連通，同時，在該一側端板的外周面開口，<br/> 所述各個第一擴散油路形成為越是靠近直徑方向的外側，截面積越是增大。
如請求項4所述之轉子結構，其中：<br/> 所述轉子還具有另一側端板，所述另一側端板與該轉子芯的軸心同心地安裝在所述轉子芯的軸方向的另一側的端部且為圓環狀，<br/> 所述另一側端板被配置為向直徑方向看去與所述定子線圈中的、作為所述冷卻對象部之一的軸方向的另一側的線圈端重疊，<br/> 在所述另一側端板形成有多條第二擴散油路，所述第二擴散油路在直徑方向延伸，直徑方向的內側的端部與多個所述磁鐵孔連通，同時，在另一側端板的外周面開口，且越是靠近直徑方向的外側，截面積越是增大，<br/> 所述第二擴散油路的數目被設定為多於所述第一擴散油路的數目。
如請求項1所述之轉子結構，其中：<br/> 所述轉子芯的傾斜角度為0度。
一種風力發電機用螺栓軸力推定方法，其係藉由螺帽及螺栓將固定構件緊固時之螺栓軸力推定方法，且包含如下步驟： <br/>測定上述螺帽之固定面側附近之側面具有之第一之2個刻印之間隔、與上述螺帽之固定面相反側附近之側面具有之第二之2個刻印之間隔；及 <br/>將上述第一之2個刻印之間隔與上述第二之2個刻印之間隔進行比較而推定螺栓之軸力。
如請求項1之風力發電機用螺栓軸力推定方法，其中 <br/>藉由攝像裝置拍攝上述第一之2個刻印之間隔與上述第二之2個刻印之間隔而測定間隔。
如請求項1之風力發電機用螺栓軸力推定方法，其中 <br/>於上述螺帽之擰緊前後，將上述第一之2個刻印之間隔與上述第二之2個刻印之間隔進行比較而推定螺栓之軸力。
如請求項1之風力發電機用螺栓軸力推定方法，其中 <br/>自固定面起於上述螺帽之厚度方向上50%以內之厚度具有上述第一之2個刻印，且 <br/>使用上述螺帽推定螺栓之軸力。
如請求項1之風力發電機用螺栓軸力推定方法，其中 <br/>自固定面起於上述螺帽之厚度方向上70%以上之厚度具有上述第二之2個刻印，且 <br/>使用上述螺帽推定螺栓之軸力。
如請求項1之風力發電機用螺栓軸力推定方法，其中 <br/>自固定面起於上述螺帽之厚度方向上80%以上之厚度具有上述第二之2個刻印，且 <br/>使用上述螺帽推定螺栓之軸力。
如請求項1之風力發電機用螺栓軸力推定方法，其中 <br/>上述第一之2個刻印與上述第二之2個刻印於上述螺帽之擰緊前為大致相同之間隔，且使用上述螺帽推定螺栓之軸力。
一種風車之預防保全方法，其特徵在於將如請求項1之風力發電機用螺栓軸力推定方法用於風車之受風而旋轉之翼片即葉片之緊固部，推定上述緊固部之螺栓之軸力。
一種風力發電機用螺帽，其係用於與螺栓一起緊固於固定面者，且特徵在於 <br/>為了推定上述螺栓之軸力，而具有設置於上述螺帽之固定面側附近之側面之第一之2個刻印及設置於上述螺帽之固定面相反側附近之側面之第二之2個刻印。
如請求項9之風力發電機用螺帽，其中 <br/>自上述固定面起於螺帽厚度方向上50%以內之厚度具有上述第一之2個刻印。
如請求項9之風力發電機用螺帽，其中 <br/>自上述固定面起於螺帽厚度方向上70%以上之厚度具有上述第二之2個刻印。
如請求項9之風力發電機用螺帽，其中 <br/>自上述固定面起於螺帽厚度方向上80%以上之厚度具有上述第二之2個刻印。
如請求項9之風力發電機用螺帽，其中 <br/>上述第一之2個刻印之間隔與上述第二之2個刻印之間隔大致相等。
一種光學積層體，其具備透明基材、積層於該透明基材的一面之防眩層、與積層於該防眩層的表面，折射率比該防眩層低的低折射率層，其中<br/> 該低折射率層包含黏結劑樹脂、實心粒子、與中空二氧化矽粒子，<br/> 該中空二氧化矽粒子之粒徑為71nm以上77nm以下，<br/> 該低折射率層之不存在該實心粒子的部分中的平均膜厚T1與該實心粒子的平均粒徑D2滿足1.0≦D2/T1≦2.0的條件，<br/> 該低折射率層中之該實心粒子的數量為8~320個/25μm<sup>2</sup>，<br/> 將該透明基材的另一面予以黑處理而測定之SCI反射率Y為1.5%以下。
一種影像顯示裝置，其具備如請求項1之光學積層體。
一種化合物，選自式I所示的化合物，<br/><img align="absmiddle" height="27px" width="112px" file="ed10231.jpg" alt="ed10231.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> I<br/> 其中，<br/><img align="absmiddle" height="15px" width="17px" file="ed10232.jpg" alt="ed10232.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="17px" file="ed10234.jpg" alt="ed10234.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>各自獨立地表示<img align="absmiddle" height="15px" width="17px" file="ed10236.jpg" alt="ed10236.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="17px" file="ed10238.jpg" alt="ed10238.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，且<img align="absmiddle" height="15px" width="17px" file="ed10232.jpg" alt="ed10232.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="17px" file="ed10234.jpg" alt="ed10234.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>中任意的氫原子可被鹵素、碳原子數為1-5的鏈烷基、碳原子數為1-5的鏈烷氧基、碳原子數為2-5的鏈烯基或碳原子數為2-5的鏈烯氧基取代；<br/> c、d各自獨立地表示1或2，且c+d表示3；<br/> Z<sub>1</sub>、Z<sub>2</sub>表示碳原子數為1-15的直鏈或支鏈烷基，其中至少一個-CH<sub>2</sub>-被-O-取代；<br/> Z表示單鍵、碳原子數為1-15的直鏈或支鏈烷基，其中一個或多個不相鄰的-CH<sub>2</sub>-被-O-取代。
根據請求項1所述的化合物，其中所述式I所示的化合物選自下述式I-1至I-10所示的化合物組成的組，<br/><img align="absmiddle" height="49px" width="93px" file="ed10264.jpg" alt="ed10264.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>I-1 <img align="absmiddle" height="49px" width="87px" file="ed10266.jpg" alt="ed10266.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>I-2<br/><img align="absmiddle" height="49px" width="93px" file="ed10268.jpg" alt="ed10268.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>I-3 <img align="absmiddle" height="49px" width="93px" file="ed10270.jpg" alt="ed10270.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>I-4<br/><img align="absmiddle" height="49px" width="93px" file="ed10272.jpg" alt="ed10272.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>I-5 <img align="absmiddle" height="49px" width="87px" file="ed10274.jpg" alt="ed10274.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> I-6<br/><img align="absmiddle" height="49px" width="93px" file="ed10276.jpg" alt="ed10276.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>I-7 <img align="absmiddle" height="49px" width="99px" file="ed10278.jpg" alt="ed10278.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>I-8<br/><img align="absmiddle" height="49px" width="99px" file="ed10280.jpg" alt="ed10280.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>I-9 <img align="absmiddle" height="59px" width="93px" file="ed10282.jpg" alt="ed10282.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>I-10<br/> 其中，<br/><img align="absmiddle" height="15px" width="30px" file="ed10284.jpg" alt="ed10284.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="30px" file="ed10286.jpg" alt="ed10286.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>中任意的氫原子可被鹵素、碳原子數為1-5的鏈烷基、碳原子數為1-5的鏈烷氧基、碳原子數為2-5的鏈烯基或碳原子數為2-5的鏈烯氧基取代；<br/> Z<sub>3</sub>、Z<sub>4</sub>、Z<sub>6</sub>各自獨立地表示碳原子數1-15的直鏈或支鏈烷基，其中至少一個-CH<sub>2</sub>-被-O-取代；<br/> Z<sub>5</sub>表示單鍵、碳原子數為1-15的直鏈或支鏈烷基，其中一個或多個不相鄰的-CH<sub>2</sub>-被-O-取代。
根據請求項2所示的化合物，其中所述式I-1至I-10所示的化合物選自下述式I-1-1至I-10-1所示的化合物組成的組，<br/><img align="absmiddle" height="71px" width="126px" file="ed10288.jpg" alt="ed10288.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> I-1-1<br/><img align="absmiddle" height="71px" width="126px" file="ed10290.jpg" alt="ed10290.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>I-1-2<br/><img align="absmiddle" height="71px" width="126px" file="ed10292.jpg" alt="ed10292.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>I-1-3<br/><img align="absmiddle" height="71px" width="126px" file="ed10294.jpg" alt="ed10294.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>I-1-4<br/><img align="absmiddle" height="71px" width="126px" file="ed10296.jpg" alt="ed10296.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>I-1-5<br/><img align="absmiddle" height="71px" width="126px" file="ed10298.jpg" alt="ed10298.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>I-1-6<br/><img align="absmiddle" height="71px" width="126px" file="ed10300.jpg" alt="ed10300.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>I-1-7<br/><img align="absmiddle" height="71px" width="126px" file="ed10302.jpg" alt="ed10302.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>I-1-8<br/><img align="absmiddle" height="71px" width="126px" file="ed10304.jpg" alt="ed10304.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>I-1-13<br/><img align="absmiddle" height="82px" width="144px" file="ed10306.jpg" alt="ed10306.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>I-1-14<br/><img align="absmiddle" height="71px" width="135px" file="ed10308.jpg" alt="ed10308.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>I-1-15<br/><img align="absmiddle" height="71px" width="119px" file="ed10310.jpg" alt="ed10310.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>I-2-1<br/><img align="absmiddle" height="71px" width="126px" file="ed10312.jpg" alt="ed10312.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>I-3-1<br/><img align="absmiddle" height="71px" width="126px" file="ed10314.jpg" alt="ed10314.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>I-4-1<br/><img align="absmiddle" height="71px" width="126px" file="ed10316.jpg" alt="ed10316.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>I-5-1<br/><img align="absmiddle" height="71px" width="119px" file="ed10318.jpg" alt="ed10318.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>I-6-1<br/><img align="absmiddle" height="43px" width="126px" file="ed10320.jpg" alt="ed10320.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>I-7-1<br/><img align="absmiddle" height="60px" width="132px" file="ed10322.jpg" alt="ed10322.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>I-8-1<br/><img align="absmiddle" height="61px" width="133px" file="ed10324.jpg" alt="ed10324.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>I-9-1<br/><img align="absmiddle" height="72px" width="126px" file="ed10326.jpg" alt="ed10326.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>I-10-1。
一種液晶組合物，其中包含一種或多種如請求項1-3中任一項所述的式I所示的化合物，以及一種或多種選自式II和/或式III所示的化合物，<br/><img align="absmiddle" height="28px" width="106px" file="ed10240.jpg" alt="ed10240.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>II<br/><img align="absmiddle" height="24px" width="78px" file="ed10242.jpg" alt="ed10242.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>III<br/> 其中，<br/> R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>各自獨立地表示碳原子數為1-15的鏈烷基、碳原子數為1-15的鏈烷氧基或碳原子數為2-15的鏈烯基，其中一個或多個不相鄰的-CH<sub>2</sub>-可以被亞環丙基、亞環丁基或亞環戊基取代；<br/> Z<sub>11</sub>表示單鍵、-CH<sub>2</sub>O-或-CH<sub>2</sub>-CH<sub>2</sub>-；<br/> X<sub>1</sub>表示鹵素、碳原子數為1-3的鹵代烷基或碳原子數為1-3的鹵代烷氧基；<br/> X<sub>2</sub>表示碳原子數為1-15的鏈烷基、碳原子數為1-15的鏈烷氧基或碳原子數為1-15的鹵代烷氧基；<br/> X<sub>3</sub>表示H或-CH<sub>3</sub>；<br/> m表示0、1或2；<br/> n表示0或1；<br/> q表示1或2；<br/><img align="absmiddle" height="15px" width="30px" file="ed10244.jpg" alt="ed10244.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="30px" file="ed10246.jpg" alt="ed10246.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="30px" file="ed10248.jpg" alt="ed10248.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="30px" file="ed10250.jpg" alt="ed10250.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>各自獨立地表示<img align="absmiddle" height="23px" width="45px" file="ed10252.jpg" alt="ed10252.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="45px" file="ed10254.jpg" alt="ed10254.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="45px" file="ed10256.jpg" alt="ed10256.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="30px" file="ed10258.jpg" alt="ed10258.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="30px" file="ed10260.jpg" alt="ed10260.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="17px" width="30px" file="ed10262.jpg" alt="ed10262.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；當m或q表示2時，<img align="absmiddle" height="15px" width="30px" file="ed10244.jpg" alt="ed10244.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="30px" file="ed10250.jpg" alt="ed10250.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>每次出現時各自獨立地可相同或不同。
根據請求項4所述的液晶組合物，其中所述液晶組合物包含一種或多種式IV所示的化合物，<br/><img align="absmiddle" height="18px" width="52px" file="ed10333.jpg" alt="ed10333.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>IV<br/> 其中，<br/> R<sub>3</sub>、R<sub>4</sub>各自獨立地表示碳原子數為1-10的鏈烷基、碳原子數為1-10的鏈烷氧基或碳原子數為2-10的鏈烯基；<br/> a表示1、2或3；<br/><img align="absmiddle" height="15px" width="30px" file="ed10334.jpg" alt="ed10334.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="30px" file="ed10335.jpg" alt="ed10335.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>各自獨立地表示<img align="absmiddle" height="23px" width="45px" file="ed10252.jpg" alt="ed10252.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="45px" file="ed10254.jpg" alt="ed10254.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="45px" file="ed10256.jpg" alt="ed10256.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="22px" width="30px" file="ed10258.jpg" alt="ed10258.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> 當a表示2或3時，<img align="absmiddle" height="15px" width="30px" file="ed10334.jpg" alt="ed10334.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>每次出現時可相同或不同。
根據請求項5所述的液晶組合物，其中所述式IV所示的化合物選自下述式IV-1-1、式IV-1-2所示的化合物組成的組，<br/><img align="absmiddle" height="23px" width="107px" file="ed10339.jpg" alt="ed10339.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-1-1<br/><img align="absmiddle" height="31px" width="121px" file="ed10340.jpg" alt="ed10340.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-1-2。
根據請求項5所述的液晶組合物，其中所述式IV所示的化合物選自下述式IV-2所示的化合物組成的組，<br/><img align="absmiddle" height="15px" width="71px" file="ed10341.jpg" alt="ed10341.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-2；<br/> 其中，<br/> R<sub>3</sub>、R<sub>4</sub>各自獨立地表示碳原子數為1-10的鏈烷基、碳原子數為1-10的鏈烷氧基或碳原子數為2-10的鏈烯基。
根據請求項4所述的液晶組合物，其中所述液晶組合物包含一種或多種式V所示的化合物，<br/><img align="absmiddle" height="22px" width="52px" file="ed10342.jpg" alt="ed10342.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> V<br/> 其中，<br/> R<sub>5</sub>、R<sub>6</sub>各自獨立地表示碳原子數為1-15的鏈烷基、碳原子數為1-15的鏈烷氧基或碳原子數為2-15的鏈烯基，其中一個或多個不相鄰的-CH<sub>2</sub>-可以被亞環丙基、亞環丁基或亞環戊基取代；<br/> X<sub>4</sub>表示-S-、-O-、-CH<sub>2</sub>-S-或-CH<sub>2</sub>-O-。
根據請求項4所述的液晶組合物，其中所述液晶組合物包含一種或多種式VI所示的化合物，<br/><img align="absmiddle" height="18px" width="52px" file="ed10346.jpg" alt="ed10346.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> VI<br/> 其中，<br/> R<sub>7</sub>表示碳原子數為1-10的鏈烷基、碳原子數為1-10的鏈烷氧基或碳原子數為2-10的鏈烯基；<br/> X<sub>5</sub>表示鹵素、碳原子數為1-3的鹵代烷基或碳原子數為1-3的鹵代烷氧基；<br/> b表示1、2或3；<br/><img align="absmiddle" height="15px" width="30px" file="ed10347.jpg" alt="ed10347.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="30px" file="ed10348.jpg" alt="ed10348.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>各自獨立地表示<img align="absmiddle" height="23px" width="45px" file="ed10252.jpg" alt="ed10252.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="45px" file="ed10254.jpg" alt="ed10254.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="45px" file="ed10256.jpg" alt="ed10256.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="30px" file="ed10258.jpg" alt="ed10258.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="30px" file="ed10260.jpg" alt="ed10260.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="17px" width="30px" file="ed10262.jpg" alt="ed10262.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> 當b表示2或3時，<img align="absmiddle" height="15px" width="30px" file="ed10347.jpg" alt="ed10347.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>每次出現時可相同或不同。
一種液晶顯示元件或液晶顯示器，其中包含如請求項4-9中任一項所述的液晶組合物，<br/> 所述液晶顯示元件為主動矩陣顯示元件或被動矩陣顯示元件；或<br/> 所述液晶顯示器為主動矩陣顯示器或被動矩陣顯示器。
一種半導體光阻組成物，包括： <br/>含錫(Sn)有機金屬化合物，包括選自有機氧基和有機羰基氧基中的至少一個； <br/>選自包含一個或多個鹵素元素的磺酸化合物和包含一個或多個鹵素元素的磺醯胺類化合物中的至少一個；以及 <br/>溶劑。
如請求項1所述的半導體光阻組成物，其中： <br/>選自所述包含一個或多個鹵素元素的磺酸化合物和所述包含一個或多個鹵素元素的磺醯胺類化合物中的所述至少一個由化學式1或化學式2表示： <br/>化學式1 <br/><img align="absmiddle" height="48px" width="70px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>化學式2 <br/><img align="absmiddle" height="52px" width="139px" file="ed10012.jpg" alt="ed10012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，在化學式1和化學式2中， <br/>R<sup>1</sup>、R<sup>5</sup>及R<sup>6</sup>各自獨立地為氫、鹵素原子、經取代或未經取代的C1至C10烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C6至C30芳基、經取代或未經取代的C2至C30雜環烷基、經取代或未經取代的C2至C30雜芳基、或其組合， <br/>R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>各自獨立地為氫、鹵素原子、經取代或未經取代的C1至C10烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C6至C30芳基、經取代或未經取代的C2至C30雜環烷基、經取代或未經取代的C2至C30雜芳基、或其組合，或者R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>相互連接以形成經取代或未經取代的C5至C20雜環烷基， <br/>R<sup>2</sup>為羥基、氨基、經取代或未經取代的C1至C20烷氧基、經取代或未經取代的C6至C20芳氧基、經取代或未經取代的C1至C20烷基胺基、或經取代或未經取代的C6至C20芳胺基， <br/>L<sup>1</sup>和L<sup>2</sup>各自獨立地為單鍵、經取代或未經取代的C3至C20伸環烷基、經取代或未經取代的C6至C30伸芳基、經取代或未經取代的C2至C30伸雜環烷基、經取代或未經取代的C2至C30伸雜芳基、或其組合， <br/>選自R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>和L<sup>1</sup>中的至少一個為鹵素原子；被一個或多個鹵素取代的C1至C10烷基；被一個或多個鹵素取代的C3至C20環烷基；被一個或多個鹵素取代的C6至C30芳基；被一個或多個鹵素取代的C2至C30雜環烷基；被一個或多個鹵素取代的C2至C30雜芳基；被一個或多個鹵素取代的C1至C20烷氧基；被一個或多個鹵素取代的C6至C20芳氧基；被一個或多個鹵素取代的C1至C20烷基胺基；被一個或多個鹵素取代的C6至C20芳胺基；被一個或多個鹵素取代的C1至C10伸烷基；被一個或多個鹵素取代的C3至C20伸環烷基；被一個或多個鹵素取代的C6至C30伸芳基；被一個或多個鹵素取代的C2至C30伸雜環烷基；被一個或多個鹵素取代的C2至C30伸雜芳基，或其組合， <br/>選自R<sup>3</sup>至R<sup>6</sup>和L<sup>2</sup>中的至少一個為鹵素原子；被一個或多個鹵素取代的C1至C10烷基；被一個或多個鹵素取代的C3至C20環烷基；被一個或多個鹵素取代的C6至C30芳基；被一個或多個鹵素取代的C2至C30雜環烷基；被一個或多個鹵素取代的C2至C30雜芳基；被一個或多個鹵素取代的C1至C10伸烷基；被一個或多個鹵素取代的C3至C20伸環烷基；被一個或多個鹵素取代的C6至C30伸芳基；被一個或多個鹵素取代的C2至C30伸雜環烷基；被一個或多個鹵素取代的C2至C30伸雜芳基，或其組合，且 <br/>n1為0或1。
如請求項2所述的半導體光阻組成物，其中： <br/>R<sup>1</sup>、R<sup>5</sup>及R<sup>6</sup>各自獨立地為氫、氟、溴、氯、經取代或未經取代的C1至C10烷基、經取代或未經取代的C3至C10環烷基、經取代或未經取代的C6至C20芳基，或其組合， <br/>R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>各自獨立地為氫、氟、溴、氯、經取代或未經取代的C1至C10烷基、經取代或未經取代的C3至C10環烷基、經取代或未經取代的C6至C20芳基，或其組合，或者R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>相互連接以形成經取代或未經取代的C5至C20雜環烷基， <br/>R<sup>2</sup>為羥基、氨基、經取代或未經取代的C1至C10烷氧基、經取代或未經取代的C6至C20芳氧基、經取代或未經取代的C1至C10烷基胺基、或經取代或未經取代的C6至C20芳胺基， <br/>L<sup>1</sup>和L<sup>2</sup>各自獨立地為單鍵、經取代或未經取代的C1至C10伸烷基、經取代或未經取代的C3至C10伸環烷基、經取代或未經取代的C6至C20伸芳基，或其組合， <br/>選自R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>和L<sup>1</sup>中的至少一個為氟；溴；氯；被氟、溴和氯中的一個或多個取代的C1至C10烷基；被氟、溴和氯中的一個或多個取代的C3至C20環烷基；被氟、溴和氯中的一個或多個取代的C6至C20芳基；被氟、溴和氯中的一個或多個取代的C1至C10伸烷基；被氟、溴和氯中的一個或多個取代的C3至C10伸環烷基；被氟、溴和氯中的一個或多個取代的C6至C20伸芳基，或其組合，且 <br/>選自R<sup>3</sup>至R<sup>6</sup>和L<sup>2</sup>中的至少一個為氟；溴；氯；被氟、溴和氯中的一個或多個取代的C1至C10烷基；被氟、溴和氯中的一個或多個取代的C3至C20環烷基；被氟、溴和氯中的一個或多個取代的C6至C20芳基；被氟、溴和氯中的一個或多個取代的C1至C10伸烷基；被氟、溴和氯中的一個或多個取代的C3至C10伸環烷基；被氟、溴和氯中的一個或多個取代的C6至C20伸芳基，或其組合。
如請求項1所述的半導體光阻組成物，其中： <br/>選自R<sup>1</sup>和L<sup>1</sup>中的至少一個為氟；溴；氯；被氟、溴和氯中的一個或多個取代的C1至C10烷基；被氟、溴和氯中的一個或多個取代的C3至C20環烷基；被氟、溴和氯中的一個或多個取代的C6至C20芳基；被氟、溴和氯中的一個或多個取代的C1至C10伸烷基；被氟、溴和氯中的一個或多個取代的C3至C10伸環烷基；被氟、溴和氯中的一個或多個取代的C6至C20伸芳基，或其組合，且 <br/>選自R<sup>3</sup>和R<sup>4</sup>中的至少一個為氟；溴；氯；被氟、溴和氯中的一個或多個取代的C1至C10烷基；被氟、溴和氯中的一個或多個取代的C3至C20環烷基；被氟、溴和氯中的一個或多個取代的C6至C20芳基；被氟、溴和氯中的一個或多個取代的C1至C10伸烷基；被氟、溴和氯中的一個或多個取代的C3至C10伸環烷基；被氟、溴和氯中的一個或多個取代的C6至C20伸芳基，或其組合。
如請求項1所述的半導體光阻組成物，其中： <br/>選自所述包含一個或多個鹵素元素的磺酸化合物和所述包含一個或多個鹵素元素的磺醯胺類化合物中的所述至少一個是從群組1中列出的化合物中選擇的一個： <br/>群組1 <br/><img align="absmiddle" height="170px" width="428px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的半導體光阻組成物，其中： <br/>基於100重量%的所述半導體光阻組成物，選自所述包含一個或多個鹵素元素的磺酸化合物和所述包含一個或多個鹵素元素的磺醯胺類化合物中的所述至少一個的含量為0.001重量%至10重量%。
如請求項1所述的半導體光阻組成物，其中： <br/>基於100重量%的所述半導體光阻組成物，選自所述包含一個或多個鹵素元素的磺酸化合物和所述包含一個或多個鹵素元素的磺醯胺類化合物中的所述至少一個的含量為0.05重量%至5重量%。
如請求項1所述的半導體光阻組成物，其中： <br/>基於100重量%的所述半導體光阻組成物，所述含錫有機金屬化合物的含量為0.5重量%至30重量%。
如請求項1所述的半導體光阻組成物，其中： <br/>所述含錫有機金屬化合物和選自所述包含一個或多個鹵素元素的磺酸化合物和所述包含一個或多個鹵素元素的磺醯胺類化合物中的所述至少一個的重量比為99:1至80:20。
如請求項1所述的半導體光阻組成物，其中： <br/>所述半導體光阻組成物更包括表面活性劑、交聯劑、調平劑、有機酸、淬滅劑或其組合的添加劑。
如請求項1所述的半導體光阻組成物，其中： <br/>包括選自有機氧基和有機羰基氧基中的至少一個的所述含錫有機金屬化合物由化學式3表示： <br/>化學式3 <br/><img align="absmiddle" height="53px" width="62px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，在化學式3中， <br/>R<sup>7</sup>選自經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基、經取代或未經取代的C7至C30芳烷基和經取代或未經取代的C1至C20烷氧基， <br/>R<sup>8</sup>至R<sup>10</sup>各自獨立地為經取代或未經取代的C1至C20烷基；經取代或未經取代的C3至C20環烷基；經取代或未經取代的C2至C20烯基；經取代或未經取代的C2至C20炔基；經取代或未經取代的C6至C30芳基；經取代或未經取代的C7至C30芳烷基；由-OR<sup>b</sup>表示的烷氧基或芳氧基，其中R<sup>b</sup>為經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-O(CO)R<sup>c</sup>表示的羧基，其中R<sup>c</sup>為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-NR<sup>d</sup>R<sup>e</sup>表示的烷基醯胺基或二烷基醯胺基，其中R<sup>d</sup>和R<sup>e</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-NR<sup>f</sup>(COR<sup>g</sup>)表示的醯胺基，其中R<sup>f</sup>和R<sup>g</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-NR<sup>h</sup>C(NR<sup>i</sup>)R<sup>j</sup>表示的脒基，其中R<sup>h</sup>、R<sup>i</sup>和R<sup>j</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-SR<sup>k</sup>表示的烷硫基或芳硫基，其中R<sup>k</sup>為經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合或由-S(CO)R<sup>l</sup>表示的硫羰基，其中R<sup>l</sup>為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合，且 <br/>選自R<sup>8</sup>至R<sup>10</sup>中至少一個為由-OR<sup>b</sup>表示的烷氧基或芳氧基，其中R<sup>b</sup>為經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-O(C=O)R<sup>c</sup>表示的羧基，其中R<sup>c</sup>為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-NR<sup>d</sup>R<sup>e</sup>表示的烷基醯胺基或二烷基醯胺基，其中R<sup>d</sup>和R<sup>e</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-NR<sup>f</sup>(C=OR<sup>g</sup>)表示的醯胺基，其中R<sup>f</sup>和R<sup>g</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-NR<sup>h</sup>C(NR<sup>i</sup>)R<sup>j</sup>表示的脒基，其中R<sup>h</sup>、R<sup>i</sup>和R<sup>j</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-SR<sup>k</sup>表示的烷硫基或芳硫基，其中R<sup>k</sup>為經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合和由-S(C=O)R<sup>l</sup>表示的硫羰基，其中R<sup>l</sup>為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合。
如請求項11所述的半導體光阻組成物，其中： <br/>選自R<sup>8</sup>至R<sup>10</sup>中至少一個選自由-OR<sup>b</sup>表示的烷氧基或芳氧基，其中R<sup>b</sup>為經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基，或其組合和由-O(C=O)R<sup>c</sup>表示的羧基，其中R<sup>c</sup>為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基，或其組合。
如請求項12所述的半導體光阻組成物，其中： <br/>R<sup>7</sup>為經取代或未經取代的C1至C8烷基、經取代或未經取代的C3至C8環烷基、經取代或未經取代的C2至C10烯基、經取代或未經取代的C2至C10炔基、經取代或未經取代的C6至C20芳基、經取代或未經取代的C6至C20芳烷基、乙氧基、丙氧基，或其組合， <br/>R<sup>b</sup>為經取代或未經取代的C1至C8烷基、經取代或未經取代的C3至C8環烷基、經取代或未經取代的C2至C8烯基、經取代或未經取代的C2至C8炔基、經取代或未經取代的C6至C20芳基，或其組合，且 <br/>R<sup>c</sup>為氫、經取代或未經取代的C1至C8烷基、經取代或未經取代的C3至C8環烷基、經取代或未經取代的C2至C8烯基、經取代或未經取代的C2至C8炔基、經取代或未經取代的C6至C20芳基，或其組合。
如請求項1所述的半導體光阻組成物，其中： <br/>包括選自有機氧基和有機羰基氧基中的至少一個的所述含錫有機金屬化合物由化學式5表示： <br/>化學式5 <br/>R<sup>12</sup><sub>n</sub>Sn<sub>m</sub>X<sub>l</sub>Y<sub>k</sub><br/>其中，在化學式5中， <br/>R<sup>12</sup>為經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、包含一個或多個雙鍵或三鍵的經取代或未經取代的C2至C20脂肪族不飽和有機基團、經取代或未經取代的C6至C30芳基、經取代或未經取代的C4至C30雜芳基、羰基、環氧乙烷基、環氧丙烷基，或其組合， <br/>X為硫(S)、硒(Se)或碲(Te)，且 <br/>Y為-OR<sup>m</sup>或-OC(=O)R<sup>n</sup>， <br/>其中R<sup>m</sup>為經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基，或其組合， <br/>R<sup>n</sup>為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基，或其組合，且 <br/>n、m、l和k各自獨立地為1至20的整數。
一種形成圖案的方法，包括： <br/>在基板上設置蝕刻目標層； <br/>將如請求項1至14中任一項所述的半導體光阻組成物塗覆在所述蝕刻目標層上以設置光阻膜； <br/>對所述光阻膜進行圖案化以設置光阻圖案；以及 <br/>利用所述光阻圖案作為蝕刻罩幕來蝕刻所述蝕刻目標層。
一種廢塑膠處理設備，其包括： <br/>一廢塑膠熱裂解裝置，其經配置以利用微波作為能源來熱裂解廢塑膠以產生熱裂解氣體； <br/>一管路結構，其經配置以提供該熱裂解氣體透過其從該廢塑膠熱裂解裝置排出並流動的管路通道； <br/>一氣體冷凝單元，其經配置以冷凝該熱裂解氣體以產生熱裂解油；以及 <br/>一熱裂解油儲存單元，其經配置以儲存該熱裂解油， <br/>其中該廢塑膠熱裂解裝置包含：一熱裂解爐，其經配置以提供待熱裂解廢塑膠容納於其中的容納空間；一微波供應單元，其經配置以產生微波並供應微波至該容納空間中；及一加熱元件，其經配置以藉由吸收微波來產生熱能，且 <br/>該加熱元件具有板狀且係水平地定位在該容納空間中，且該待熱裂解廢塑膠置放在該加熱元件上以與該加熱元件直接接觸，且 <br/>在該容納空間中，微波透過設置在該加熱元件上方且面向該加熱元件的輻射口向下輻射，使得微波穿過該待熱裂解廢塑膠並被該加熱元件吸收， <br/>其中該加熱元件包括包含碳化矽（SiC）的SiC加熱元件。
如請求項1之廢塑膠處理設備，其中該廢塑膠熱裂解裝置進一步包括經配置以將該容納空間中的空氣排出的一真空泵，且該真空泵在微波輻射至該容納空間中之前運作以降低在該容納空間中的氧氣量。
一種廢塑膠處理設備，其包括： <br/>一廢塑膠熱裂解裝置，其經配置以利用微波作為能源來熱裂解廢塑膠以產生熱裂解氣體； <br/>一管路結構，其經配置以提供該熱裂解氣體透過其從該廢塑膠熱裂解裝置排出並流動的管路通道； <br/>一氣體冷凝單元，其經配置以冷凝該熱裂解氣體以產生熱裂解油；以及 <br/>一熱裂解油儲存單元，其經配置以儲存該熱裂解油； <br/>其中該廢塑膠熱裂解裝置包含：一熱裂解爐，其經配置以提供待熱裂解廢塑膠容納於其中的容納空間；一微波供應單元，其經配置以產生微波並供應微波至該容納空間中；及一加熱元件，其經配置以藉由吸收微波來產生熱能，且 <br/>該加熱元件具有板狀且係水平地定位在該容納空間中，且該待熱裂解廢塑膠置放在該加熱元件上以與該加熱元件直接接觸，且 <br/>在該容納空間中，微波透過設置在該加熱元件上方且面向該加熱元件的輻射口向下輻射，使得微波穿過該待熱裂解廢塑膠並被該加熱元件吸收， <br/>其中該廢塑膠熱裂解裝置進一步包括一真空泵，經配置以將該容納空間中的空氣排出，且該真空泵在微波輻射至該容納空間中之前運作以降低在該容納空間中的氧氣量， <br/>其中該廢塑膠熱裂解裝置進一步包括經配置以將氮氣吹掃至該容納空間中的一氮氣吹掃機構，且在該真空泵運作後，該氮氣吹掃機構在微波輻射至該容納空間中之前運作以進一步降低在該容納空間中的氧氣量。
一種廢塑膠處理設備，其包括： <br/>一廢塑膠熱裂解裝置，其經配置以利用微波作為能源來熱裂解廢塑膠以產生熱裂解氣體； <br/>一管路結構，其經配置以提供該熱裂解氣體透過其從該廢塑膠熱裂解裝置排出並流動的管路通道； <br/>一氣體冷凝單元，其經配置以冷凝該熱裂解氣體以產生熱裂解油；以及 <br/>一熱裂解油儲存單元，其經配置以儲存該熱裂解油， <br/>其中該廢塑膠熱裂解裝置包含：一熱裂解爐，其經配置以提供待熱裂解廢塑膠容納於其中的容納空間；一微波供應單元，其經配置以產生微波並供應微波至該容納空間中；及一加熱元件，其經配置以藉由吸收微波來產生熱能，且 <br/>該加熱元件具有板狀且係水平地定位在該容納空間中，且該待熱裂解廢塑膠置放在該加熱元件上以與該加熱元件直接接觸，且 <br/>在該容納空間中，微波透過設置在該加熱元件上方且面向該加熱元件的輻射口向下輻射，使得微波穿過該待熱裂解廢塑膠並被該加熱元件吸收， <br/>其中該廢塑膠熱裂解裝置進一步包括經配置以將氮氣吹掃至該容納空間中的一氮氣吹掃機構，且該氮氣吹掃機構在對該待熱裂解廢塑膠進行熱裂解完成後運作以冷卻經加熱的該熱裂解爐。
一種廢塑膠處理設備，其包括： <br/>一廢塑膠熱裂解裝置，其經配置以利用微波作為能源來熱裂解廢塑膠以產生熱裂解氣體； <br/>一管路結構，其經配置以提供該熱裂解氣體透過其從該廢塑膠熱裂解裝置排出並流動的管路通道； <br/>一氣體冷凝單元，其經配置以冷凝該熱裂解氣體以產生熱裂解油；以及 <br/>一熱裂解油儲存單元，其經配置以儲存該熱裂解油， <br/>其中該廢塑膠熱裂解裝置包含：一熱裂解爐，其經配置以提供待熱裂解廢塑膠容納於其中的容納空間；一微波供應單元，其經配置以產生微波並供應微波至該容納空間中；及一加熱元件，其經配置以藉由吸收微波來產生熱能，且 <br/>該氣體冷凝單元係安裝在該管路通道的至少一區段中，使得在該熱裂解氣體流經該管路通道時產生熱裂解油，且 <br/>該氣體冷凝單元包括冷卻流體流經其中的一氣體冷凝管， <br/>其中該氣體冷凝管係沿著該管路通道的長度方向捲繞成線圈形狀並延伸。
一種廢塑膠處理設備，其包括： <br/>一廢塑膠熱裂解裝置，其經配置以利用微波作為能源來熱裂解廢塑膠以產生熱裂解氣體； <br/>一管路結構，其經配置以提供該熱裂解氣體透過其從該廢塑膠熱裂解裝置排出並流動的管路通道； <br/>一氣體冷凝單元，其經配置以冷凝該熱裂解氣體以產生熱裂解油；以及 <br/>一熱裂解油儲存單元，其經配置以儲存該熱裂解油， <br/>其中該廢塑膠熱裂解裝置包含：一熱裂解爐，其經配置以提供待熱裂解廢塑膠容納於其中的容納空間；一微波供應單元，其經配置以產生微波並供應微波至該容納空間中；及一加熱元件，其經配置以藉由吸收微波來產生熱能，且 <br/>該氣體冷凝單元係安裝在該管路通道的至少一區段中，使得在該熱裂解氣體流經該管路通道時產生熱裂解油，且 <br/>該氣體冷凝單元包括冷卻流體流經其中的一氣體冷凝管， <br/>其中該氣體冷凝管沿著該管路通道的長度方向直線延伸，並與形成該管路通道的管路一起形成雙管路。
一種廢塑膠處理設備，其包括： <br/>一廢塑膠熱裂解裝置，其經配置以利用微波作為能源來熱裂解廢塑膠以產生熱裂解氣體； <br/>一管路結構，其經配置以提供該熱裂解氣體透過其從該廢塑膠熱裂解裝置排出並流動的管路通道； <br/>一氣體冷凝單元，其經配置以冷凝該熱裂解氣體以產生熱裂解油；以及 <br/>一熱裂解油儲存單元，其經配置以儲存該熱裂解油， <br/>其中該廢塑膠熱裂解裝置包含：一熱裂解爐，其經配置以提供待熱裂解廢塑膠容納於其中的容納空間；一微波供應單元，其經配置以產生微波並供應微波至該容納空間中；及一加熱元件，其經配置以藉由吸收微波來產生熱能，且 <br/>該氣體冷凝單元係安裝在該管路通道的至少一區段中，使得在該熱裂解氣體流經該管路通道時產生熱裂解油，且 <br/>該氣體冷凝單元包括冷卻流體流經其中的一氣體冷凝管， <br/>其中該熱裂解油儲存單元包含經配置以提供熱裂解油儲存於其中的一儲存空間之一熱裂解油儲存槽，且該管路結構包括使該儲存空間與該容納空間相互連通的一導入管路部件，且該氣體冷凝單元係安裝在該導入管路部件中位於該儲存空間上方且隨接近下游側而不向上延伸的區段中。
如請求項7之廢塑膠處理設備，其中該熱裂解油儲存單元進一步包括經配置以提供熱裂解油儲存於其中的一附加儲存空間之一附加熱裂解油儲存槽，且該管路結構進一步包括使該儲存空間與該附加儲存空間相互連通的一中間管路部件，且該中間管路部件包括從該熱裂解油儲存槽向上延伸的一中間部件上游側管路及從該附加熱裂解油儲存槽向上延伸的一中間部件下游側管路，且該氣體冷凝單元係進一步安裝在該中間部件上游側管路及中間部件下游側管路處。
一種廢塑膠處理設備，其包括： <br/>一廢塑膠熱裂解裝置，其經配置以利用微波作為能源來熱裂解廢塑膠以產生熱裂解氣體； <br/>一管路結構，其經配置以提供該熱裂解氣體透過其從該廢塑膠熱裂解裝置排出並流動的管路通道； <br/>一氣體冷凝單元，其經配置以冷凝該熱裂解氣體以產生熱裂解油；以及 <br/>一熱裂解油儲存單元，其經配置以儲存該熱裂解油， <br/>其中該廢塑膠熱裂解裝置包含：一熱裂解爐，其經配置以提供待熱裂解廢塑膠容納於其中的容納空間；一微波供應單元，其經配置以產生微波並供應微波至該容納空間中；及一加熱元件，其經配置以藉由吸收微波來產生熱能，且 <br/>該加熱元件係設置在該容納空間中的該待熱裂解廢塑膠下方，且 <br/>在該容納空間中，微波穿過該待熱裂解廢塑膠並被該加熱元件吸收，且 <br/>該氣體冷凝單元係安裝在該管路通道的至少一區段中，使得在該熱裂解氣體流經該管路通道時產生熱裂解油， <br/>其中該廢塑膠處理設備進一步包括經組態以將有害物質從該熱裂解氣體中過濾掉的一過濾器。
如請求項9之廢塑膠處理設備，其中該有害物質包括粉塵及鹵素化合物。
如請求項9之廢塑膠處理設備，其中該熱裂解油儲存單元進一步包括經配置以提供熱裂解油儲存於其中的一儲存空間之一熱裂解油儲存槽，且該管路結構包括使該儲存空間與該容納空間相互連通的一導入管路部件，且該過濾器係安裝在該導入管路部件處。
一種廢塑膠熱裂解裝置，其包括： <br/>一熱裂解爐，其經配置以提供待熱裂解廢塑膠容納於其中的容納空間； <br/>一微波供應單元，其經配置以產生微波並供應微波至該容納空間中；以及 <br/>一加熱元件，其設置在該熱裂解爐中的該廢塑膠下方，係與該廢塑膠直接接觸，並經配置以藉由吸收供應的微波來熱裂解該廢塑膠， <br/>其中在該容納空間中，微波透過設置在該加熱元件上方且面向該加熱元件的輻射口向下輻射，使得微波穿過該待熱裂解廢塑膠並被該加熱元件吸收。
一種廢塑膠熱裂解裝置，其包括： <br/>一熱裂解爐，其經配置以提供待熱裂解廢塑膠容納於其中的容納空間； <br/>一微波供應單元，其經配置以產生微波並供應微波至該容納空間中；以及 <br/>一加熱元件，其設置在該熱裂解爐中的該廢塑膠下方，係與該廢塑膠直接接觸，並經配置以藉由吸收供應的微波來熱裂解該廢塑膠， <br/>其中該加熱元件具有板狀且係水平地定位在該容納空間中。
一種半導體防護裝置，其包括框架結構，該框架結構包括框架本體和框架板；該框架本體用於隔絕該半導體防護裝置的外部環境；該框架板設置在該框架本體的內部，用於將該框架本體的內部空間分隔成管路區和電氣區，該電氣區填充有製程氣體，該管路區設置有儲液單元，該儲液單元用於儲存製程液體，該管路區的氣體壓力值小於該電氣區的氣體壓力值。
如請求項1所述的半導體防護裝置，其中該管路區的氣體壓力值小於該半導體防護裝置的外部環境的氣體壓力值，該電氣區的氣體壓力值大於該半導體防護裝置的外部環境的氣體壓力值。
如請求項2所述的半導體防護裝置，其中該管路區的氣體壓力值與該半導體防護裝置的外部環境的氣體壓力值的差值範圍為[-520pa，-480pa]，該電氣區的氣體壓力值與該半導體防護裝置的外部環境的氣體壓力值的差值範圍為[3pa，6pa]。
如請求項1所述的半導體防護裝置，其中該框架結構為一體式框架結構，該框架本體的材料和該框架板的材料均為防爆材料。
如請求項4所述的半導體防護裝置，其中該儲液單元包括儲液罐和漏液盤，該漏液盤與該儲液罐為一體結構，該漏液盤設置在該儲液罐的下端； <br/>該管路區還設置有第一漏液檢測單元；該第一漏液檢測單元設置在該漏液盤上，用於檢測該漏液盤上是否存在液體。
如請求項5所述的半導體防護裝置，其中該框架本體的底部設置有凹槽；該凹槽與該儲液罐的出液口相對設置，該凹槽的底部設置有漏液孔； <br/>該管路區還設置有第二漏液檢測單元；該第二漏液檢測單元設置在該凹槽內、且避讓該漏液孔，用於檢測該凹槽內是否存在液體，並輸出第二漏液檢測信號。
如請求項6所述的半導體防護裝置，其中該管路區還設置有火焰檢測安裝盒和火焰檢測單元；該火焰檢測單元設置在該火焰檢測安裝盒的內部，用於檢測該儲液罐上是否產生火焰； <br/>該火焰檢測安裝盒位於該儲液罐的上方、且固定設置在該框架本體的頂部；該火焰檢測安裝盒的材料為防爆材料。
如請求項7所述的半導體防護裝置，其中該管路區還設置有加熱單元和溫度檢測單元；該加熱單元用於加熱該儲液罐存儲的液體；該溫度檢測單元用於檢測該加熱單元所在位置的溫度是否大於預設溫度，該預設溫度小於該儲液罐存儲的液體的燃點。
如請求項8所述的半導體防護裝置，其中該電氣區設置有壓力檢測控制單元，用於獲得該電氣區的氣體壓力值與該半導體防護裝置的外部環境的氣體壓力值的實際壓差是否在預設壓差範圍內。
如請求項9所述的半導體防護裝置，其中該半導體防護裝置應用於半導體製程設備，該半導體製程設備包括上電電路和負載，該上電電路用於向該負載提供交流電源信號； <br/>該電氣區還設置有第一繼電器單元、中間繼電器和接觸器； <br/>該第一繼電器單元用於在該第一漏液檢測單元、該第二漏液檢測單元、該火焰檢測單元、該溫度檢測單元和該壓力檢測控制單元五個單元中任意單元組合的控制下，控制該中間繼電器的通斷狀態； <br/>該接觸器用於在該中間繼電器的控制下，控制該上電電路在該任意單元組合檢測到異常時斷開。
如請求項10所述的半導體防護裝置，其中該半導體製程設備還包括第一電源和第二電源；該上電電路包括交流電源； <br/>該電氣區還設置有交流電源端、第一電源端和第二電源端，該交流電源端用於接收該交流電源輸出的交流電源信號，該第一電源端用於接收該第一電源輸出的第一電源信號，該第二電源端用於接收該第二電源輸出的第二電源信號； <br/>該第一繼電器單元包括五個繼電器；該第一漏液檢測單元、該第二漏液檢測單元、該火焰檢測單元、該溫度檢測單元和該壓力檢測控制單元分別與該五個繼電器的線圈一一對應電連接；該五個繼電器的線圈還分別與該第一電源端電連接； <br/>該中間繼電器的線圈和該五個繼電器的常閉觸點依次串聯設置在該第二電源端和該第一電源端之間； <br/>該接觸器的線圈分別與該中間繼電器的中間觸點和該第二電源端電連接，該中間繼電器的常開觸點還與該第一電源端電連接； <br/>該上電電路還包括依次電連接的該交流電源端、上電開關和該接觸器的多個接觸觸點；該接觸器的多個接觸觸點設置在該上電開關和該負載之間；該中間繼電器的中間觸點和該接觸器的多個接觸觸點均為常開觸點或者常閉觸點；該上電電路在該第一漏液檢測單元、該第二漏液檢測單元、該火焰檢測單元、該溫度檢測單元和該壓力檢測控制單元五個單元中任意單元組合檢測到異常時斷開。
一種半導體製程設備，其包括製程腔室和如請求項1-11任意一項所述的半導體防護裝置，該半導體防護裝置用於向該製程腔室提供製程液體。
一種鑽孔設備，包括多個鑽孔單元(5)，該等鑽孔單元(5)排成一列，且每個鑽孔單元(5)包括： <br/>一基座(10)，包括一基座本體(11)、一移動模組(12)以及一定位模組(13)、一鑽孔加工區(14)和一襯墊板放置區(15)，該基座本體(11)在一進料端(61)和一出料端(62)之間移動，該移動模組(12)設置於該基座本體(11)，該鑽孔加工區(14)設置於該移動模組(12) 的一滾輪(121)軸向的一側，該定位模組(13)對應於該鑽孔加工區(14)設置，該移動模組(12)使一加工板材(P)沿一第一方向(L1)移動，且該定位模組(13)使該加工板材(P)沿一第二方向(L2)從該移動模組(12)移動至該鑽孔加工區(14)； <br/>一鑽具模組(20)，對應於該鑽孔加工區(14)設置，且沿該第二方向(L2)及一第三方向(L3)分別靠近或遠離該鑽孔加工區(14)，對該加工板材(P)的一預定位置及一襯墊板(L)進行鑽孔加工，該第一方向(L1)、該第二方向(L2)與該第三方向(L3)是彼此正交；以及 <br/>一夾持件(30)，對應於該鑽孔加工區(14)及該襯墊板放置區(15)設置，將沿該第二方向(L2)及該第三方向(L3)將一襯墊板(L)從該襯墊板放置區(15)夾持至該鑽孔加工區(14)且位於該等加工板材(P)遠離該鑽具模組(20)的一側； <br/>其中該夾持件(30)使該襯墊板(L)於該第三方向(L3)上以對應於該加工板材(P)的該預定位置為基準沿該第一方向(L1)或該第二方向(L2)移動使得該襯墊板(L)上已鑽設的孔位避開該預定位置。
如請求項1所述之鑽孔設備，其中該定位模組(13)包括多個卡合凹部(1331)，沿該第一方向(L1)排成至少一列，該加工板材(P)由該等滾輪(121)輸送。
如請求項1所述之鑽孔設備，其中且該鑽孔加工區(14)包括排成陣列的多個模孔(141)，該預定位置係對準其中一個該模孔(141)。
如請求項3所述之鑽孔設備，其中該襯墊板(L)位於該加工板材(P)與該鑽孔加工區(14)之間。
如請求項3所述之鑽孔設備，其中該滾輪(121)接觸於該加工板材(P)的位置與該鑽孔加工區(14)之間的間距是等於該襯墊板(L)的厚度。
如請求項1所述之鑽孔設備，其中每個該定位模組(13)包括至少一第一驅動件(131)、至少一第二驅動件(132)、至少一推移件(133)以及至少一定位件(134)，該至少一第一驅動件(131)驅動該至少一推移件(133)沿該第三方向(L3)移動而突出於該移動模組(12)，該至少一第二驅動件(132)驅動該至少一第一驅動件(131)沿該第二方向(L2)移動，該至少一定位件(134)設置於該鑽孔加工區(14)遠離該移動模組(12)的一側，該至少一推移件(133)推移該加工板材(P)至該至少一定位件(134)。
如請求項6所述之鑽孔設備，其中該至少一推移件(133)包括一卡合凹部(1331)，該加工板材(P)卡合於該卡合凹部(1331)，該至少一定位件(134)包括一止擋面(1341)，該加工板材(P)抵接於該止擋面(1341)。
如請求項6所述之鑽孔設備，其中該至少一推移件(133)位於兩個相鄰的該滾輪(121)之間。
如請求項6所述之鑽孔設備，其中該定位模組(13)更包括一第三驅動件(136’)，該第三驅動件(136’)驅動該定位件平行於該第三方向(L3)移動，該定位件(134’)具有一徑向凸緣(134a’)，該徑向凸緣(134a’)抵接於該加工板材(P)。
如請求項6所述之鑽孔設備，其中該定位模組(13)更包括一頂出件(135’)以及一第四驅動件(137’)，該頂出件(135’)設置於該鑽孔加工區(14)，該第四驅動件(137’)驅動該頂出件(135’)平行於該第三方向(L3)移動以突出於該鑽孔加工區(14)。
如請求項1所述之鑽孔設備，其中該襯墊板放置區(15)設置於靠近該出料端(62)，該襯墊板放置區(15)包括一備料區(151)、一用料區(152)以及一廢料區(153)，該備料區(151)放置未使用的多個該襯墊板(L)，該用料區(152)設置使用中的該襯墊板(L)，該廢料區(153)設置成為廢料的該襯墊板(L)。
一種半導體裝置的測試方法，包括：<br/> 提供一測試結構，包括：<br/> 一第一部分，包括：<br/> 一第一測試元件群，包括多個第一測試元件；<br/> 一第一焊墊組，包括多個第一焊墊；以及<br/> 一行解碼器及一列解碼器，耦接於該第一測試元件群與該第一焊墊組之間；<br/> 藉由該行解碼器及該列解碼器選擇該些第一測試元件，並獲得該些第一測試元件的多個第一電性參數，其中該些第一焊墊的數量小於所獲得的該些第一電性參數的數量；<br/> 依據該些第一電性參數來判斷各該第一測試元件是否為一弱元件；以及<br/> 藉由該行解碼器及該列解碼器選擇該弱元件，並對該弱元件執行一異常原因分析。
如請求項1所述的半導體裝置的測試方法，其中藉由該測試結構的該行解碼器及該列解碼器選擇該測試結構的該些第一測試元件，並獲得該些第一測試元件的該些第一電性參數包括：<br/> 透過該測試結構的該些第一焊墊接收一行選擇訊號及一列選擇訊號，並將該行選擇訊號及該列選擇訊號分別提供至該行解碼器及該列解碼器，以控制該行解碼器及該列解碼器由該些第一測試元件中選擇其中一者進行測試，並獲得該第一測試元件的該第一電性參數；及<br/> 透過變換該行選擇訊號及該列選擇訊號，而獲得一預定範圍中的各該第一測試元件的該第一電性參數。
如請求項1所述的半導體裝置的測試方法，其中各該第一電性參數為一汲極電流。
如請求項1所述的半導體裝置的測試方法，其中依據該些第一電性參數來判斷各該第一測試元件是否為該弱元件包括：<br/> 將該些第一電性參數與一預設條件比較，以將具有不符合該預設條件的該第一電性參數的該第一測試元件判斷為該弱元件。
如請求項1所述的半導體裝置的測試方法，其中藉由該行解碼器及該列解碼器選擇該弱元件，並對該弱元件執行該異常原因分析包括：<br/> 藉由該行解碼器及該列解碼器選擇該弱元件，並獲得該弱元件的一第二電性參數；及<br/> 判斷該第二電性參數是否隨著一閘極電壓而變化，以判斷出該弱元件的異常種類。
如請求項5所述的半導體裝置的測試方法，其中獲得該弱元件的該第二電性參數包括：<br/> 從耦接至該行解碼器的該些第一焊墊的對應一者獲得該弱元件的一閘極電流；<br/> 從耦接至該列解碼器的該些第一焊墊的對應一者獲得該弱元件的一汲極電流；<br/> 從耦接至該弱元件的源極的該些第一焊墊的對應一者獲得該弱元件的一源極電流；及<br/> 從耦接至該弱元件的阱區的該些第一焊墊的對應一者獲得該弱元件的一阱區電流。
如請求項1所述的半導體裝置的測試方法，更包括：<br/> 對包括多個測試分區的該測試結構進行一粗測試，以獲取各該測試分區的一粗電性參數；及<br/> 依據該粗電性參數來判斷該測試結構是否存在一異常測試分區；<br/> 其中，藉由該測試結構的該行解碼器及該列解碼器選擇該測試結構的該些第一測試元件，並獲得該些第一測試元件的該些第一電性參數包括：<br/> 對該異常測試分區的所有的該些第一測試元件進行一細測試，以獲取該異常測試分區的所有的該些第一測試元件的該些第一電性參數。
如請求項7所述的半導體裝置的測試方法，其中：<br/> 該測試結構更包括：<br/> 一第二部分，包括：<br/> 一第二測試元件群，包括多個第二測試元件；<br/> 一第二焊墊組，包括多個第二焊墊，其中各該第二測試元件的每一端直接地耦接至該些第二焊墊的其中一者，<br/> 該粗測試包括對該第二焊墊組施加一粗測試驅動訊號，使該些第二測試元件接收該粗測試驅動電壓，再經由該第二焊墊組從該些第二測試元件同時地獲取該些測試分區的多個該粗電性參數，<br/> 依據該粗電性參數來判斷該測試結構是否存在該異常測試分區包括將各該測試分區的該粗電性參數與一預設條件比較，當該粗電性參數不符合該預設條件時，將該些測試分區中的對應一者判斷為該異常測試分區，<br/> 其中藉由該測試結構的該行解碼器及該列解碼器選擇該測試結構的該些第一測試元件，並獲得該些第一測試元件的該些第一電性參數包括：<br/> 藉由該測試結構的該行解碼器及該列解碼器，選擇該測試結構中與該些第二測試元件所在的該異常測試分區對應的該些第一測試元件。
一種半導體裝置的測試結構，包括：<br/> 一第一部分，包括：<br/> 一第一測試元件群，包括多個第一測試元件；<br/> 一第一焊墊組，包括多個第一焊墊；以及<br/> 一行解碼器及一列解碼器，耦接於該第一測試元件群與該第一焊墊組之間，被配置以選擇該些第一測試元件，並獲得該些第一測試元件的多個第一電性參數，其中該些第一焊墊的數量小於所獲得的該些第一電性參數的數量；<br/> 其中依據該些第一電性參數來判斷各該第一測試元件是否為一弱元件，且藉由該行解碼器及該列解碼器選擇該弱元件，並對該弱元件執行一異常原因分析。
如請求項9所述的半導體裝置的測試結構，其中該行解碼器及該列解碼器經由該第一焊墊組分別接收一行選擇訊號及一列選擇訊號，且透過變換該行選擇訊號及該列選擇訊號，而獲得一預定範圍中的各該第一測試元件的該第一電性參數。
如請求項9所述的半導體裝置的測試結構，其中將該些第一電性參數與一預設條件比較，以將具有不符合該預設條件的該第一電性參數的該第一測試元件判斷為該弱元件。
如請求項9所述的半導體裝置的測試結構，其中藉由該行解碼器及該列解碼器選擇該弱元件，並獲得該弱元件的一第二電性參數，且判斷該第二電性參數是否隨著一閘極電壓而變化，以判斷出該弱元件的異常種類。
如請求項12所述的半導體裝置的測試結構，其中該第二電性參數包括：<br/> 從該些第一焊墊中耦接至該行解碼器的一者獲得的該弱元件的一閘極電流，<br/> 從該些第一焊墊中耦接至該列解碼器的一者獲得的該弱元件的一汲極電流，<br/> 從該些第一焊墊中耦接至該弱元件的源極的一者獲得的該弱元件的一源極電流，及<br/> 從該些第一焊墊中耦接至該弱元件的阱區的一者獲得的該弱元件的一阱區電流。
如請求項9所述的半導體裝置的測試結構，更包括：<br/> 一第二部分，包括：<br/> 一第二測試元件群，包括多個第二測試元件；<br/> 一第二焊墊組，包括多個第二焊墊，其中各該第二測試元件的每一端直接地耦接至該些第二焊墊的其中一者。
如請求項14所述的半導體裝置的測試結構，其中該第一測試元件群具有多個第一測試分區，該第二測試元件群被配置為與該第一測試元件群相同，且具有多個第二測試分區，各該第二測試分區的該些第二測試元件的其中一者的每一端直接地耦接至該些第二焊墊的其中一者。
如請求項15所述的半導體裝置的測試結構，其中對各該第二測試元件進行一粗測試，以獲取各該第二測試分區的一粗電性參數，依據該粗電性參數來判斷該測試結構是否存在一異常測試分區，且對與該異常測試分區對應的所有的該些第一測試元件進行一細測試，以獲取該異常測試分區的所有的該些第一測試元件的該些第一電性參數。
如請求項16所述的半導體裝置的測試結構，其中該些第二焊墊的數量大於所獲得的該些粗電性參數的數量。
一種用於分散式服務系統的日誌追蹤及監控特定資料的方法，包含： <br/>提供一系統，以從多個來源接收多個不同格式的日誌； <br/>提供一第一模組，該第一模組通訊連接於該系統並配置成定義一日誌格式以及識別出所述多個日誌中的至少一識別資料； <br/>該第一模組將該至少一識別資料置入於該日誌格式中，以對所述多個日誌中的每一者進行編程，從而生成多個第一資料； <br/>提供一第二模組，該第二模組通訊連接該第一模組以接收所述多個第一資料，以致使第二模組基於該識別資料識別出多個所述第一資料之資訊； <br/>其中該日誌格式之形式為log.info(“SubscrId=“+scbscrId+”日誌內容”)或log.info(“UserId=“+userId+”, SubscrId=“+scbscrId+”日誌內容”)； <br/>其中所述識別資料置入於該日誌格式的前端或後端； <br/>其中所述識別資料具有一第一識別資料，該第一識別資料關聯於一使用者之辨識碼； <br/>其中所述識別資料還具有一第二識別資料，該第二識別資料關聯於一系統管理者之辨識碼。
一種用於分散式服務系統的日誌追蹤及監控特定資料的系統，該系統從多個來源接收多個不同格式的日誌，該系統包含： <br/>一第一模組，並配置成定義一日誌格式以及識別出所述多個日誌中的至少一識別資料，其中該第一模組進一步將該至少一識別資料置入於該日誌格式中，以對所述多個日誌中的每一者進行編程，從而生成多個第一資料； <br/>一第二模組，該第二模組通訊連接於該第一模組，以接收所述多個第一資料，以致使該第二模組基於該識別資料識別出多個所述第一資料之資訊； <br/>其中該日誌格式之形式為log.info(“SubscrId=“+scbscrId+”日誌內容”)或log.info(“UserId=“+userId+”, SubscrId=“+scbscrId+”日誌內容”)； <br/>其中所述識別資料置入在該日誌格式的前端或後端； <br/>其中所述識別資料具有一第一識別資料，該第一識別資料關聯於一使用者之辨識碼； <br/>其中所述識別資料還具有一第二識別資料，該第二識別資料關聯於一系統管理者或程序編程者之辨識碼。
一種線上商務商品的潛在銷售量確定方法，其由計算裝置執行，其特徵在於，包括： <br/>確定與第一商品相關的查詢集的步驟； <br/>獲取該查詢集中包括的第一查詢在第一期限內的第一搜索數據的步驟； <br/>利用該第一搜索數據，確定第一曝光概率的步驟，該第一曝光概率係由於該第一查詢搜索而使該第一商品曝光的概率； <br/>獲取該第一查詢在第二期限內的第二搜索數據的步驟；以及 <br/>利用該第一曝光概率和該第二搜索數據，確定在該第二期限內該第一商品的潛在銷售量的步驟， <br/>該第一期限是該第二期限之前的期限， <br/>其中該潛在銷售量係該第二期限內該第一商品的預測銷售量， <br/>其中確定該第一商品的潛在銷售量的步驟包括： <br/>從該第二搜索數據中獲取在該第二期限內的該第一查詢的搜索次數的步驟；以及 <br/>利用該第二期限內的該第一查詢的搜索次數和該第一曝光概率，確定該第二期限內該第一商品的潛在銷售量的步驟， <br/>其中確定與該第一商品相關的查詢集的步驟包括： <br/>獲取由於搜索而使該第一商品曝光的第一查詢和第三查詢的步驟；以及 <br/>將該第一查詢包括在該查詢集中，而將該第三查詢不包括在該查詢集中的步驟， <br/>該第一查詢與該第一商品的銷售量之間的相關比率為第三閾值以上， <br/>該第三查詢與該第一商品的銷售量之間的相關比率小於該第三閾值。
根據申請專利範圍第1項所述的線上商務商品的潛在銷售量確定方法，其特徵在於，該第二期限是線上商務中該第一商品的狀態處於缺貨狀態的期限。
根據申請專利範圍第1項所述的線上商務商品的潛在銷售量確定方法，其特徵在於， <br/>獲取該第一搜索數據的步驟還包括：獲取該查詢集中包括的第二查詢的該第一期限內的第三搜索數據的步驟， <br/>該方法還包括：利用該第三搜索數據，確定第二曝光概率的步驟，該第二曝光概率係由於該第二查詢搜索而使該第一商品曝光的概率， <br/>獲取該第二搜索數據的步驟還包括：獲取該第二查詢在該第二期限內的第四搜索數據的步驟， <br/>確定該第一商品的潛在銷售量的步驟包括： <br/>利用該第一曝光概率和該第二搜索數據，確定在該第二期限內該第一商品的潛在銷售量的一部分，並利用該第二曝光概率和該第四搜索數據，確定在該第二期限內該第一商品的潛在銷售量的另一部分的步驟。
根據申請專利範圍第1項所述的線上商務商品的潛在銷售量確定方法，其特徵在於，確定該第一曝光概率的步驟包括： <br/>從該第一搜索數據中獲取該第一查詢在該第一期限內的搜索次數的步驟； <br/>從該第一搜索數據中獲取該第一查詢在第一期限內搜索產生的該第一商品曝光的次數的步驟；以及 <br/>利用該第一查詢的搜索次數和該第一查詢的搜索產生的該第一商品曝光的次數，確定該第一曝光概率的步驟。
根據申請專利範圍第1項所述的線上商務商品的潛在銷售量確定方法，其特徵在於， <br/>確定該第一商品的潛在銷售量的步驟包括： <br/>獲取該第一商品在該第一期限內的銷售量的步驟； <br/>從該第一搜索數據中獲取該第一查詢在該第一期限內搜索產生的該第一商品曝光的次數的步驟； <br/>利用該第一期限內該第一商品的銷售量和該第一查詢在該第一期限內搜索產生的該第一商品曝光的次數，確定該第一商品的曝光次數與該第一商品的銷售量之間的第一相關比率的步驟； <br/>利用該第二期限內的該第一查詢的搜索次數和該第一曝光概率，確定該第二期限內該第一商品的預計曝光次數的步驟；以及 <br/>利用該第一相關比率和該第一商品的預計曝光次數，確定該第二期限內該第一商品的潛在銷售量的步驟。
根據申請專利範圍第1項所述的線上商務商品的潛在銷售量確定方法，其特徵在於， <br/>確定與該第一商品相關的查詢集的步驟包括： <br/>獲取由於搜索而使該第一商品曝光的第一查詢和第三查詢的步驟；以及 <br/>將該第一查詢包括在該查詢集中，而將該第三查詢不包括在該查詢集中的步驟， <br/>該第一查詢的搜索次數為第一閾值以上， <br/>該第三查詢的搜索次數小於該第一閾值。
根據申請專利範圍第1項所述的線上商務商品的潛在銷售量確定方法，其特徵在於， <br/>確定與該第一商品相關的查詢集的步驟包括： <br/>獲取由於搜索而使該第一商品曝光的第一查詢和第三查詢的步驟；以及 <br/>將該第一查詢包括在該查詢集中，而將該第三查詢不包括在該查詢集中的步驟， <br/>該第一查詢的搜索產生的該第一商品曝光的概率為第二閾值以上， <br/>該第三查詢的搜索產生的該第一商品曝光的概率小於該第二閾值。
根據申請專利範圍第1項所述的線上商務商品的潛在銷售量確定方法，其特徵在於， <br/>還包括： <br/>利用該第二期限內該第一商品的潛在銷售量，確定在第三期限內該第一商品的入庫數量的步驟， <br/>該第三期限是該第二期限之後的期限， <br/>該第一商品的入庫數量是流通該第一商品的物流中心的該第一商品的入庫數量。
一種線上商務商品的潛在銷售量確定方法，其由計算裝置執行，其特徵在於，包括： <br/>確定與第一商品相關的查詢集的步驟； <br/>獲取該查詢集中包括的第一查詢在第一期限內的第一搜索數據的步驟； <br/>將該第一搜索數據和該第一期限內該第一商品的銷售量輸入到用於預測該第一商品的潛在銷售量的人工智慧模型中，以使該人工智能模型學習的步驟； <br/>獲取該第一查詢在第二期限內的第二搜索數據的步驟；以及 <br/>將該第二搜索數據輸入到已完成學習的該人工智能模型中，以輸出該第二期限內該第一商品的潛在銷售量的步驟， <br/>該第一期限是該第二期限之前的期限， <br/>其中該潛在銷售量係該第二期限內該第一商品的預測銷售量， <br/>其中確定與該第一商品相關的查詢集的步驟包括： <br/>獲取由於搜索而使該第一商品曝光的第一查詢和第三查詢的步驟；以及 <br/>將該第一查詢包括在該查詢集中，而將該第三查詢不包括在該查詢集中的步驟， <br/>該第一查詢與該第一商品的銷售量之間的相關比率為第三閾值以上， <br/>該第三查詢與該第一商品的銷售量之間的相關比率小於該第三閾值。
一種線上商務商品的潛在銷售量確定裝置，其特徵在於，包括： <br/>通信介面； <br/>記憶體，加載電腦程式；以及 <br/>一個以上的處理器，運行該電腦程式， <br/>該電腦程式包括用於執行如下工作的指令（Instruction）： <br/>確定與第一商品相關的查詢集的工作； <br/>獲取該查詢集中包括的第一查詢在第一期限內的第一搜索數據的工作； <br/>利用該第一搜索數據，確定第一曝光概率的工作，該第一曝光概率係由於該第一查詢搜索而使該第一商品曝光的概率； <br/>獲取該第一查詢在第二期限內的第二搜索數據的工作；以及 <br/>利用該第一曝光概率和該第二搜索數據，確定在該第二期限內該第一商品的潛在銷售量的工作， <br/>該第一期限是該第二期限之前的期限， <br/>其中該潛在銷售量係該第二期限內該第一商品的預測銷售量， <br/>其中確定該第一商品的潛在銷售量的工作包括： <br/>從該第二搜索數據中獲取在該第二期限內的該第一查詢的搜索次數的工作；以及 <br/>利用該第二期限內的該第一查詢的搜索次數和該第一曝光概率，確定該第二期限內該第一商品的潛在銷售量的工作， <br/>其中確定與該第一商品相關的查詢集的工作包括： <br/>獲取由於搜索而使該第一商品曝光的第一查詢和第三查詢的工作；以及 <br/>將該第一查詢包括在該查詢集中，而將該第三查詢不包括在該查詢集中的工作， <br/>該第一查詢與該第一商品的銷售量之間的相關比率為第三閾值以上， <br/>該第三查詢與該第一商品的銷售量之間的相關比率小於該第三閾值。
一種線上商務商品的潛在銷售量確定裝置，其特徵在於，包括： <br/>通信介面； <br/>記憶體，加載電腦程式；以及 <br/>一個以上的處理器，運行該電腦程式， <br/>該電腦程式包括用於執行如下工作的指令（Instruction）： <br/>確定與第一商品相關的查詢集的工作； <br/>獲取該查詢集中包括的第一查詢在第一期限內的第一搜索數據的工作； <br/>將該第一搜索數據和該第一期限內該第一商品的銷售量輸入到用於預測該第一商品的潛在銷售量的人工智慧模型中，以使該人工智能模型學習的工作； <br/>獲取該第一查詢在第二期限內的第二搜索數據的工作；以及 <br/>將該第二搜索數據輸入到已完成學習的該人工智能模型中，以輸出該第二期限內該第一商品的潛在銷售量的工作， <br/>該第一期限是該第二期限之前的期限， <br/>其中該潛在銷售量係該第二期限內該第一商品的預測銷售量， <br/>其中確定與該第一商品相關的查詢集的工作包括： <br/>獲取由於搜索而使該第一商品曝光的第一查詢和第三查詢的工作；以及 <br/>將該第一查詢包括在該查詢集中，而將該第三查詢不包括在該查詢集中的工作， <br/>該第一查詢與該第一商品的銷售量之間的相關比率為第三閾值以上， <br/>該第三查詢與該第一商品的銷售量之間的相關比率小於該第三閾值。
一種積體電路，包含：<br/> 一第一多工器，具有連接至一第一輸入節點的一第一多工輸入，並且具有連接至一第二輸入節點的一第二多工輸入；<br/> 一第二多工器，具有連接至該第一輸入節點的一第一多工輸入，並且具有連接至該第二輸入節點的一第二多工輸入；<br/> 一第一時控比較器，具有連接至該第一輸入節點的一第一比較輸入，並且具有耦接至該第一多工器的一輸出的一第二比較輸入；<br/> 一第二時控比較器，具有連接至該第一輸入節點的一第一比較輸入，並且具有耦接至該第二多工器的一輸出的一第二比較輸入；<br/> 一第三多工器，具有連接至該第一時控比較器的一比較器輸出的一第一多工輸入，並且具有連接至該第二時控比較器的一比較器輸出的一第二多工輸入；及<br/> 一偏移控制電路，具有連接至該第一時控比較器的該比較器輸出的一第一輸入埠，並且具有連接至該第二時控比較器的該比較器輸出的一第二輸入埠。
如請求項1所述之積體電路，其中：<br/> 該第一多工器用以由一第一選擇信號控制；且<br/> 該第二多工器用以由與該第一選擇信號同步的一第二選擇信號控制。
如請求項2所述之積體電路，其中：<br/> 該第三多工器用以由與該第一選擇信號及該第二選擇信號兩者同步的一第三選擇信號控制。
如請求項1所述之積體電路，其中該偏移控制電路包含：<br/> 一第一輸出埠，連接至該第一時控比較器的一偏移微調輸入；及<br/> 一第二輸出埠，連接至該第二時控比較器的一偏移微調輸入。
如請求項1所述之積體電路，其中：<br/> 該第一時控比較器用以接收一第一時脈信號；且<br/> 該第二時控比較器用以接收與該第一時脈信號同步的一第二時脈信號。
如請求項5所述之積體電路，其中：<br/> 該偏移控制電路用以接收與該第一時脈信號及該第二時脈信號兩者同步的一第三時脈信號。
一種操作積體電路的方法，包含以下步驟：<br/> 在一第一時段期間，將一第一電壓信號自一第一輸入節點傳輸至一第一時控比較器的一第一比較輸入，同時經由一第一多工器將一第二電壓信號自一第二輸入節點傳輸至該第一時控比較器的一第二比較輸入；<br/> 在一第二時段期間，將該第一電壓信號自該第一輸入節點傳輸至一第二時控比較器的一第一比較輸入，同時經由一第二多工器將該第二電壓信號自該第二輸入節點傳輸至該第二時控比較器的一第二比較輸入；及<br/> 在該第一時段期間將一輸出電壓自該第一時控比較器傳輸至一輸出節點，且在該第二時段期間將一輸出電壓自該第二時控比較器傳輸至該輸出節點，<br/> 其中該第一時控比較器的一比較器輸出連接至一偏移控制電路的一第一輸入埠，該第二時控比較器的一比較器輸出連接至該偏移控制電路的一第二輸入埠。
如請求項7所述之方法，進一步包含以下步驟：<br/> 在該第一時段期間對該第二時控比較器的一輸入偏移進行微調；及<br/> 在該第二時段期間對該第一時控比較器的一輸入偏移進行微調。
如請求項7所述之方法，進一步包含以下步驟：<br/> 在該第一時段期間基於該第二時控比較器的一比較輸出處的一電壓產生一偏移微調碼；及<br/> 在該第一時段期間將該偏移微調碼傳輸至該第二時控比較器以調整該第二時控比較器的一輸入偏移。
一種積體電路，包含：<br/> 一第一輸入節點，用以攜載一第一電壓信號；<br/> 一第二輸入節點，用以攜載一第二電壓信號；<br/> 一第一多工器及一第二多工器，其中該第一多工器及該第二多工器中的各者具有用以自該第一輸入節點接收該第一電壓信號的一第一多工輸入，並且具有用以自該第二輸入節點接收該第二電壓信號的一第二多工輸入；<br/> 一第一時控比較器及一第二時控比較器，其中該第一時控比較器及該第二時控比較器中的各者具有用以自該第一輸入節點接收該第一電壓信號的一第一比較輸入，其中該第一時控比較器具有用以在一第一時段期間自該第一多工器接收該第二電壓信號且用以在一第二時段期間自該第一多工器接收該第一電壓信號的一第二比較輸入，且其中該第二時控比較器具有用以在該第一時段期間自該第二多工器接收該第一電壓信號且用以在該第二時段期間自該第二多工器接收該第二電壓信號的一第二比較輸入；及<br/> 一偏移控制電路，具有連接至該第一時控比較器的一比較器輸出的一第一輸入埠，並且具有連接至該第二時控比較器的一比較器輸出的一第二輸入埠。
一種用以發佈行動應用程式之裝置，其包括： <br/>一個以上之處理器；及 <br/>一個以上之記憶體，其等儲存有用以藉由上述一個以上之處理器而執行之命令；且 <br/>上述裝置以如下方式構成，即，於執行上述命令時，上述一個以上之處理器如下： <br/>獲得請求確定將成為發佈對象之第1版本之行動應用程式之初始推出比率的請求，上述初始推出比率係於首次發佈上述第1版本之行動應用程式之第1時點成為發佈之對象之用戶的比率； <br/>獲得一個以上之拉取請求之第1資訊，該等一個以上之拉取請求係對應於在上述第1版本之行動應用程式中相較於作為上述第1版本之先前版本之第2版本之行動應用程式而發生變更的一個以上之變更事項者，上述一個以上之拉取請求各者係請求將與其對應之變更事項合併至用以實現上述第1版本之行動應用程式之代碼的請求； <br/>獲得用以實現上述第1版本之行動應用程式之代碼之第2資訊； <br/>基於上述第1資訊及上述第2資訊，確定上述第1版本之行動應用程式之上述初始推出比率； <br/>隨著確定上述初始推出比率，將指示上述初始推出比率之第3資訊傳輸至其他伺服器； <br/>其以如下方式構成，即，於確定上述初始推出比率時，上述一個以上之處理器如下： <br/>基於上述第1資訊，針對上述一個以上之拉取請求各者之代碼資訊而確定是否包括停用與其對應之變更事項的停用代碼； <br/>確定上述一個以上之拉取請求中未包括上述停用代碼之拉取請求之比率即第1比率； <br/>基於上述第1比率，確定上述初始推出比率。
如請求項1之裝置，其以如下方式構成，即，於確定上述初始推出比率時，上述一個以上之處理器如下： <br/>上述第1比率越高，則越小地確定上述初始推出比率。
如請求項1之裝置，其以如下方式構成，即，於確定上述初始推出比率時，上述一個以上之處理器如下： <br/>基於上述第2資訊，基於用以實現上述第1版本之行動應用程式之第1代碼中包括之一個以上之第1行、及用以實現上述第2版本之行動應用程式之第2代碼中包括之一個以上之第2行，確定在上述第1版本之行動應用程式中相較於上述第2版本之行動應用程式而發生變更之行； <br/>確定上述一個以上之第1行中發生變更之上述行之比率即第2比率； <br/>基於上述第2比率，確定上述初始推出比率。
如請求項3之裝置，其以如下方式構成，即，於確定上述初始推出比率時，上述一個以上之處理器如下： <br/>上述第2比率越高，則越小地確定上述初始推出比率。
如請求項3之裝置，其以如下方式構成，即，於確定上述初始推出比率時，上述一個以上之處理器如下： <br/>將上述第1比率乘以第1加權值所得之值與將上述第2比率乘以第2加權值所得之值的和越大，則越小地確定上述初始推出比率；且 <br/>上述第1加權值及上述第2加權值各者為0以上且1以下， <br/>上述第1加權值及上述第2加權值之和為0以上且1以下。
如請求項5之裝置，其中上述第1加權值係大於上述第2加權值之值。
如請求項1之裝置，其以如下方式構成，即，上述一個以上之處理器如下： <br/>於上述第1時點根據上述初始推出比率發佈之後，向上述其他伺服器端傳輸第4資訊，該第4資訊係使推出比率自上述第1時點所屬之日期之次日起增加至發佈新更新版本之行動應用程式之第2時點為止者，該推出比率係全體用戶中接受上述第1版本之行動應用程式之發佈之用戶的比率。
如請求項7之裝置，其中上述第4資訊係使上述推出比率自上述第1時點所屬之日期之次日起每天均等地增加至上述第2時點為止的資訊。
如請求項7之裝置，其中上述第4資訊係將上述第2時點之推出比率增加至指示已向全體用戶發佈之100%之資訊。
如請求項7之裝置，其以如下方式構成，即，上述一個以上之處理器如下： <br/>確定於自上述第1時點起至上述第2時點為止之期間內是否自上述其他伺服器端接收到指示上述第1版本之行動應用程式中存在錯誤之通知。
如請求項10之裝置，其以如下方式構成，即，上述一個以上之處理器如下： <br/>根據確定已於上述第1時點及上述第2時點之間的第3時點自上述其他伺服器端接收到上述通知，向上述其他伺服器端傳輸使上述第1版本之行動應用程式之發佈中斷之第5資訊。
如請求項11之裝置，其中上述第5資訊進而包括將上述第2版本之行動應用程式發佈給全體用戶之資訊。
一種用以發佈行動應用程式之方法，其係於包括一個以上之處理器、及儲存有用以藉由上述一個以上之處理器而執行之命令之一個以上之記憶體的裝置中實行者，其包括如下步驟，即，上述一個以上之處理器如下： <br/>獲得請求確定將成為發佈對象之第1版本之行動應用程式之初始推出比率的請求，上述初始推出比率係於首次發佈上述第1版本之行動應用程式之第1時點成為發佈之對象之用戶的比率； <br/>獲得一個以上之拉取請求之第1資訊，該等一個以上之拉取請求係對應於在上述第1版本之行動應用程式中相較於作為上述第1版本之先前版本之第2版本之行動應用程式而發生變更的一個以上之變更事項者，上述一個以上之拉取請求各者係請求將與其對應之變更事項合併至用以實現上述第1版本之行動應用程式之代碼的請求； <br/>獲得用以實現上述第1版本之行動應用程式之代碼之第2資訊； <br/>基於上述第1資訊及上述第2資訊，確定上述第1版本之行動應用程式之上述初始推出比率；及 <br/>隨著確定上述初始推出比率，將指示上述初始推出比率之第3資訊傳輸至其他伺服器， <br/>其中上述確定上述初始推出比率包含： <br/>基於上述第1資訊，針對上述一個以上之拉取請求各者之代碼資訊而確定是否包括停用與其對應之變更事項的停用代碼； <br/>確定上述一個以上之拉取請求中未包括上述停用代碼之拉取請求之比率即第1比率； <br/>基於上述第1比率，確定上述初始推出比率。
一種電腦可讀記錄媒體，其係記錄有於藉由一個以上之處理器而執行時，使上述一個以上之處理器實行動作之命令的非暫時性電腦可讀記錄媒體， <br/>上述命令以如下方式構成，即，使上述一個以上之處理器如下： <br/>獲得請求確定將成為發佈對象之第1版本之行動應用程式之初始推出比率的請求，上述初始推出比率係於首次發佈上述第1版本之行動應用程式之第1時點成為發佈之對象之用戶的比率； <br/>獲得一個以上之拉取請求之第1資訊，該等一個以上之拉取請求係對應於在上述第1版本之行動應用程式中相較於作為上述第1版本之先前版本之第2版本之行動應用程式而發生變更的一個以上之變更事項者，上述一個以上之拉取請求各者係請求將與其對應之變更事項合併至用以實現上述第1版本之行動應用程式之代碼的請求； <br/>獲得用以實現上述第1版本之行動應用程式之代碼之第2資訊； <br/>基於上述第1資訊及上述第2資訊，確定上述第1版本之行動應用程式之上述初始推出比率； <br/>隨著確定上述初始推出比率，將指示上述初始推出比率之第3資訊傳輸至其他伺服器， <br/>上述命令以如下方式構成，即，使上述一個以上之處理器如下：於確定上述初始推出比率時， <br/>基於上述第1資訊，針對上述一個以上之拉取請求各者之代碼資訊而確定是否包括停用與其對應之變更事項的停用代碼； <br/>確定上述一個以上之拉取請求中未包括上述停用代碼之拉取請求之比率即第1比率； <br/>基於上述第1比率，確定上述初始推出比率。
一種用於通訊的終端裝置，其包含：<br/> 至少一處理器；以及<br/> 儲存指令的至少一記憶體，該等指令在受該至少一處理器執行時致使該終端裝置至少：<br/> 自一網路裝置接收針對用於由使用者設備起始之波束管理(UEIBM)的一過濾參數的一組配；<br/> 基於用於該UEIBM的該過濾參數而判定用於觸發該UEIBM的一事件；及<br/> 基於該事件而將該UEIBM之資訊發送至該網路裝置；及<br/> 其中，該過濾參數是針對該UEIBM的測量實事之數量或是用於判定針對該UEIBM之測量實事之數量的一時間窗。
如請求項1所述的終端裝置，其中，該終端裝置被進一步致使來進行下列作業其中至少一者：<br/> 發送針對該UEIBM的受支援測量實事之數量；或<br/> 發送該時間窗之一受支援長度。
如請求項1或2所述的終端裝置，其中，該組配包含用於該UEIBM的該過濾參數之值。
如請求項1所述的終端裝置，其中，該組配向該終端裝置指出要報告用於該UEIBM的該過濾參數之值。
如請求項4所述的終端裝置，其中，該過濾參數之該值係在針對該UEIBM的一報告中被發送。
如請求項1或2所述的終端裝置，其中，該終端裝置被進一步致使來：<br/> 判定針對用於該UEIBM的一測量事件的一進入條件及一離開條件。
如請求項6所述的終端裝置，其中，該進入條件及該離開條件奠基於一服務波束之一第一L1-RSRP及一目標波束之一第二L1-RSRP。
如請求項7所述的終端裝置，其中，該進入條件包含該第一L1-RSRP小於該第二L1-RSRP加上一第一閾值，並且該離開條件包含該第二L1-RSRP大於該第一L1-RSRP加上一第二閾值。
如請求項6所述的終端裝置，其中，該進入條件及該離開條件奠基於一事件閾值。
一種用於通訊的網路裝置，其包含：<br/> 至少一處理器；以及<br/> 儲存指令的至少一記憶體，該等指令在受該至少一處理器執行時致使該網路裝置至少：<br/> 將針對用於由使用者設備起始之波束管理(UEIBM)的一過濾參數的一組配發送至一終端裝置；<br/> 基於該組配而自該終端裝置接收該UEIBM之資訊；及<br/> 基於該UEIBM之該資訊而進行該UEIBM；及<br/> 其中，該過濾參數是針對該UEIBM的測量實事之數量或是用於判定針對該UEIBM之測量實事之數量的一時間窗。
如請求項10所述的網路裝置，其中，該時間窗係藉由下列項目其中一或多者而被判定：<br/> 由該終端裝置所報告的事件之數量；<br/> 一估算終端裝置速度；<br/> 由所有受服務終端裝置報告的事件之數量；或<br/> 一巢格中之活躍終端裝置之數量。
如請求項10或11所述的網路裝置，其中，該組配包含用於該UEIBM的該過濾參數之值。
如請求項10所述的網路裝置，其中，該網路裝置被進一步致使來進行下列作業其中至少一者：<br/> 接收針對該UEIBM的受支援測量實事之數量；<br/> 接收用於該終端裝置的該時間窗之一受支援長度；或<br/> 判定針對用於該UEIBM的一測量事件的一進入條件及一離開條件。
一種用於通訊的方法，其包含：<br/> 自一網路裝置接收針對用於由使用者設備起始之波束管理(UEIBM)的一過濾參數的一組配；<br/> 基於用於該UEIBM的該過濾參數而判定用於觸發該UEIBM的一事件；以及<br/> 基於該事件而將該UEIBM之資訊發送至該網路裝置；及<br/> 其中，該過濾參數是針對該UEIBM的測量實事之數量或是用於判定針對該UEIBM之測量實事之數量的一時間窗。
一種共軛二烯系聚合物，其滿足下述之條件(1)～(6)：<br/>(1)藉由凝膠滲透層析法(GPC)測定所得之分子量分佈曲線為單峰性，於上述分子量分佈曲線之自峰頂至高分子量側之波峰結束點之區域具有肩部，<br/>(2)利用GPC所測定之重量平均分子量(Mw)為20萬～100萬，<br/>(3)分子量分佈為1.7～3.0，<br/>(4)改性率未達40質量%，<br/>(5)於藉由附黏度檢測器之GPC-光散射測定法所得之絕對分子量曲線中之較峰頂更高分子量側之區域，將第1個反曲點處之絕對分子量設為Mw1、波峰結束點處之絕對分子量設為Mw2時，(Mw1＋Mw2)/2之絕對分子量下之分支度(Bn)為4以上，<br/>(6)藉由附黏度檢測器之GPC-光散射測定法所得之峰頂分子量(Mp)之收縮因子(g')為0.90以上。
如請求項1之共軛二烯系聚合物，其中藉由附黏度檢測器之GPC-光散射測定法所得之數量平均分子量(Mn)之收縮因子(g')為0.90以上。
如請求項1之共軛二烯系聚合物，其中上述改性率未達10質量%。
如請求項1之共軛二烯系聚合物，其包含利用GPC所測定之Mw為50萬～300萬之共軛二烯系聚合物(A)、及利用GPC所測定之Mw為10萬～50萬之共軛二烯系聚合物(B)。
如請求項4之共軛二烯系聚合物，其中上述共軛二烯系聚合物(A)與上述共軛二烯系聚合物(B)之Mw之差(ΔMw)為20萬以上。
如請求項4之共軛二烯系聚合物，其中上述共軛二烯系聚合物(A)與上述共軛二烯系聚合物(B)之質量比((A)/(B))為10/90～40/60。
一種共軛二烯系聚合物之製造方法，其係如請求項4至6中任一項之共軛二烯系聚合物之製造方法，且包含以下步驟：<br/>分別使用一個以上之反應器進行連續聚合，獲得上述共軛二烯系聚合物(A)與上述共軛二烯系聚合物(B)，<br/>對包含上述共軛二烯系聚合物(A)之聚合物溶液與包含上述共軛二烯系聚合物(B)之聚合物溶液進行溶液混合，<br/>其後，進行溶劑去除，獲得共軛二烯系聚合物。
一種成形體，其包含：<br/>如請求項1至6中任一項之共軛二烯系聚合物100質量份、及<br/>有機酸2.0質量份以下。
一種橡膠組合物，其包含：<br/>包含如請求項1至6中任一項之共軛二烯系聚合物之橡膠成分100質量份、及<br/>填料20質量份以上150質量份以下。
一種製備再生量子點墨水組成物的方法，包含： <br/>（a）從量子點墨水組成物中移除散射粒子； <br/>（b）從散射粒子受到移除的量子點墨水組成物中回收量子點； <br/>（c）向所回收的量子點添加配體以再取代配體；以及 <br/>（d）將被配體再取代的量子點分散在光聚合單體中。
如請求項1所述的製備再生量子點墨水組成物的方法，其中步驟（a）包含通過將溶劑與所述量子點墨水組成物混合來選擇性地沉降所述散射粒子。
如請求項2所述的製備再生量子點墨水組成物的方法，其中所述溶劑是可溶解所述量子點墨水組成物中的量子點的溶劑。
如請求項2所述的製備再生量子點墨水組成物的方法，其中所述溶劑具有2.4至7.2的極性指數。
如請求項2所述的製備再生量子點墨水組成物的方法，其中所述溶劑包括選自由以下組成的群組中的至少一者：甲苯、甲基叔丁基醚、二甲苯、苯、二乙醚、二氯甲烷、二氯乙烷、醋酸丁酯、異丙醇、丁醇、四氫呋喃、丙醇、乙腈、醋酸、二甲基甲醯胺、二甲基亞碸、丙酮、醋酸乙酯、醋酸環己酯、氯仿、2-丁酮、二噁烷、甲醇、乙醇和丙二醇單甲醚醋酸酯。
如請求項1所述的製備再生量子點墨水組成物的方法，其中在所述散射粒子受到移除的量子點墨水組成物中，所述散射粒子以400 mg/L或更少的量存在。
如請求項1所述的製備再生量子點墨水組成物的方法，其中步驟（b）包含通過將非溶劑與所述散射粒子受到移除的量子點墨水組成物混合來選擇性地沉降所述量子點。
如請求項7所述的製備再生量子點墨水組成物的方法，其中所述非溶劑具有1或更小的極性指數。
如請求項1所述的製備再生量子點墨水組成物的方法，其中所述配體包含含有羧基的C<sub>3</sub>到C<sub>40</sub>配體。
如請求項9所述的製備再生量子點墨水組成物的方法，其中所述含有羧基的C<sub>3</sub>到C<sub>40</sub>配體包含由式2表示的化合物： <br/><img align="absmiddle" height="57px" width="121px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中L是直接鍵或選自由經取代或未經取代的C<sub>1</sub>到C<sub>20</sub>伸烷基和經取代或未經取代的C<sub>2</sub>到C<sub>20</sub>伸烯基組成的群組； <br/>A是直接鍵或含有選自由以下組成的群組的至少一個官能基的C<sub>1</sub>到C<sub>20</sub>伸烷基或C<sub>2</sub>到C<sub>20</sub>伸烯基：酯（-C(=O)O-）、醚（-O-）、羰基（-C(=O)-）、碸基（-SO<sub>2</sub>-）、硫醚基（-S-）和亞碸基（-SO-）；以及 <br/>R是氫或選自由經取代或未經取代的C<sub>1</sub>到C<sub>20</sub>烷基和經取代或未經取代的C<sub>2</sub>到C<sub>20</sub>烯基組成的群組。
如請求項10所述的製備再生量子點墨水組成物的方法，其中由式2表示的化合物包含選自由以下組成的群組中的至少一者：丙烯酸2-羧基乙酯、單-2-(丙烯醯氧基)乙基琥珀酸酯、單-2-(甲基丙烯醯氧基)乙基琥珀酸酯、單-2-(甲基丙烯醯氧基)乙基馬來酸酯、2-[2-(2-甲氧基乙氧基)乙氧基]醋酸和2-(2-甲氧基乙氧基)醋酸。
如請求項1所述的製備再生量子點墨水組成物的方法，其中所述光聚合單體包含(甲基)丙烯酸酯單體。
如請求項1所述的製備再生量子點墨水組成物的方法，其中步驟（a）中的所述量子點墨水組成物包含廢棄量子點墨水組成物。
一種再生量子點墨水組成物，藉由如請求項1所述的製備再生量子點墨水組成物的方法製備。
如請求項14所述的再生量子點墨水組成物，其中所述再生量子點墨水組成物在50°C下儲存4週後，相較於初始黏度具有+1.6厘泊或更小的黏度變化。
如請求項14所述的再生量子點墨水組成物，其中所述再生量子點墨水組成物用於噴墨印刷。
一種瀘色器，包含如請求項14所述的再生量子點墨水組成物的固化產物。
一種顯示裝置，包含如請求項17所述的瀘色器。
一種磁吸式儲存裝置，其適用磁吸於一可攜式電子裝置，該磁吸式儲存裝置包含：<br/> 一上蓋，該上蓋之周緣形成有複數個扣接卡勾；<br/> 一底殼，該底殼之周緣往該上蓋突出形成一環繞側牆以接合於該上蓋，一槽口形成於該環繞側牆，該環繞側牆之一內表面對應該複數個扣接卡勾之位置形成有複數個凸出肋，該複數個扣接卡勾扣接該複數個凸出肋，使得該上蓋可拆卸地接合於該底殼；<br/> 一磁鐵陣列，其設置於該上蓋，用來磁吸該可攜式電子裝置，使得該上蓋貼附固定至該可攜式電子裝置；<br/> 一電路板，其容設於該上蓋與該底殼之間；<br/> 一儲存模組，其設置於該電路板；<br/> 一控制單元，其設置於該電路板；<br/> 一連接埠，其穿設於該槽口且設置於該電路板以電連接該儲存模組以及該控制單元，用來於以有線連接方式電連接該可攜式電子裝置時，將該可攜式電子裝置所提供之一電能傳輸至該儲存模組，以及經由該控制單元進行該可攜式電子裝置與該儲存模組之間的資料傳輸；以及<br/> 一認證單元，其設置於該電路板且電連接於該連接埠，用來經由該連接埠以與該可攜式電子裝置進行應用軟體認證。
如請求項1所述之磁吸式儲存裝置，其中該可攜式電子裝置為iPhone，該認證單元為MFi（Made For iPhone）認證晶片。
如請求項1所述之磁吸式儲存裝置，其中該磁鐵陣列由複數個磁鐵以環狀排列方式構成。
如請求項3所述之磁吸式儲存裝置，其中該上蓋形成有一環狀限位結構，該磁鐵陣列容設於該環狀限位結構內。
如請求項1所述之磁吸式儲存裝置，其中該磁吸式儲存裝置另包含：<br/> 一無線充電模組，其設置於該電路板，用來傳輸一無線充電電源所傳來之一充電電能至該可攜式電子裝置。
如請求項1所述之磁吸式儲存裝置，其中該磁吸式儲存裝置另包含：<br/> 一絕緣片，設置於該磁鐵陣列以及該電路板之間。
如請求項1所述之磁吸式儲存裝置，其中該儲存模組為固態硬碟（Solid State Drive, SSD）。
如請求項1所述之磁吸式儲存裝置，其中該連接埠為Type-C介面之通用匯流排（Universal Series Bus, USB）連接埠。
如請求項1所述之磁吸式儲存裝置，其中該環繞側牆之一外表面呈圓弧導角狀。
一種研磨結構件，其包括：<br/> 一研磨結構層，包括:<br/> 一第一熔滲複合層，具有位於相反兩側的一研磨面與一第一結合面；以及<br/> 多個第一研磨顆粒，分散地嵌設於所述第一熔滲複合層的所述研磨面，每一所述第一研磨顆粒部分裸露出來；<br/> 一支撐結構層，具有一第二結合面，所述第二結合面面向所述第一結合面；以及<br/> 一焊接層，設置於所述第一結合面與所述第二結合面之間，並用於結合所述第一熔滲複合層與該支撐結構層；<br/> 其中，所述第一熔滲複合層是由一金屬焊料的其中一部分熔滲至一第一多孔結構層內部而形成，且所述金屬焊料熔滲穿透至該第一結合面，並與多個所述第一研磨顆粒結合；<br/> 其中，所述支撐結構層包括一第二熔滲複合層，而所述第二結合面為所述第二熔滲複合層的表面，所述第二熔滲複合層是由所述金屬焊料的另一部分熔滲至一第二多孔結構層內部而形成，並且所述金屬焊料覆蓋所述第二熔滲複合層的所述第二結合面；其中，所述金屬焊料未滲入所述第一熔滲複合層及所述第二熔滲複合層的剩餘部分形成所述焊接層。
如請求項1所述的研磨結構件，其中，所述研磨結構層的等效熱膨脹係數小於或等於所述支撐結構層的等效熱膨脹係數。
如請求項1所述的研磨結構件，其中，所述第二熔滲複合層的平均厚度大於所述第一熔滲複合層的平均厚度。
如請求項1所述的研磨結構件，其中，所述支撐結構層還包括多個第二研磨顆粒，分散地嵌設於所述第二熔滲複合層，且每一所述第二研磨顆粒部分裸露出來。
一種修整器，其包括：<br/> 一基座；以及<br/> 如請求項1所述的研磨結構件，設置在所述基座上。
如請求項5所述的修整器，其中，在所述研磨結構件中，所述第二熔滲複合層包括上層部位與下層部位，所述上層部位是被所述金屬焊料滲入的部位，所述下層部位是未被所述金屬焊料滲入的部位。
如請求項6所述的修整器，還包括一黏合層，設置於所述基座與所述研磨結構件之間，所述黏合層用於黏接所述基座與所述研磨結構件，且所述黏合層的一部分會滲入所述第二熔滲複合層的所述下層部位。
如請求項5所述的修整器，其中，每一所述第一研磨顆粒至少有一半體積嵌入於所述第一熔滲複合層的所述研磨面。
如請求項5所述的修整器，其中，所述第一熔滲複合層的厚度為0.05 mm~0.5 mm，所述第二熔滲複合層的厚度為0.1 mm~1 mm，所述焊接層的厚度為0.005 mm~0.1 mm。
如請求項5所述的修整器，其中，所述第一熔滲複合層的孔隙率為10%~50%，所述第二熔滲複合層的孔隙率約為20%~95%。
一種修整器的製作方法，其包括：<br/> 首先，提供一第一多孔結構層，嵌設多個第一研磨顆粒於所述第一多孔結構層的一研磨面，每一所述第一研磨顆粒部分裸露出所述研磨面；<br/> 然後，設置一金屬焊料於所述第一多孔結構層的一第一結合面，其中所述第一結合面與所述研磨面分別位於所述第一多孔結構層的相反兩側；<br/> 接著，提供一支撐結構層，並以所述支撐結構層的一第二結合面接觸所述金屬焊料，使所述金屬焊料位於所述第一結合面與所述第二結合面之間；以及<br/> 最後，進行一硬焊製程以熔化所述金屬焊料，所述熔化的金屬焊料滲入所述第一多孔結構層形成一第一熔滲複合層，並與多個所述第一研磨顆粒及所述支撐結構層結合，以形成一研磨結構件，其中，所述第一熔滲複合層是由一金屬焊料的其中一部分熔滲至一第一多孔結構層內部而形成，且所述金屬焊料熔滲穿透至該第一結合面，並與多個所述第一研磨顆粒結合，所述支撐結構層包括一第二熔滲複合層，所述第二結合面為所述第二熔滲複合層的表面，所述第二熔滲複合層是由所述金屬焊料在進行所述硬焊製程的階段進一步熔滲至一第二多孔結構層內部而形成。
如請求項11所述的修整器的製作方法，其中，所述支撐結構層還包括多個第二研磨顆粒，分散地嵌設於所述第二熔滲複合層，且每一所述第二研磨顆粒部分裸露出來。
如請求項11所述的修整器的製作方法，還包括：<br/> 預先提供一基座與一黏合劑，所述黏合劑設置於所述基座的一接合面；<br/> 接著，設置所述研磨結構件於所述基座的所述接合面上，所述黏合劑位於所述基座與所述研磨結構件之間；以及<br/> 最後，提供一壓板下壓所述研磨結構件，使所述研磨結構件透過所述黏合劑結合在所述基座上。
一種研磨用多輪，包括： <br/>旋轉柄部； <br/>一對旋轉盤，沿著彼此相向的方向隔開設置在上述旋轉柄部的兩側端部，在中心部形成有與上述旋轉柄部相結合的結合孔； <br/>多個研磨盤，設置在上述一對旋轉盤之間，沿著外周面形成有尖端，用於研磨被加工物；以及 <br/>飛散盤，直徑小於上述研磨盤的直徑，介於相鄰的一對研磨盤之間以及上述研磨盤與上述一對旋轉盤中至少一個旋轉盤之間，上述飛散盤包括：盤本體，呈環形，在中心部形成有使得上述旋轉柄部穿過的貫通孔；以及多個葉片，以留有間隔的方式形成在上述盤本體的外周面，上述飛散盤使得朝向上述研磨盤噴射的工作流體朝向上述研磨盤的尖端側飛散。
如請求項1所述的研磨用多輪，其中上述葉片從上述盤本體的圓周面朝向外側突出，當從與軸方向構成直角的側方向觀察上述盤本體時，上述葉片以上述盤本體的圓周面寬度方向中心的虛線為基準朝向軸方向傾斜。
如請求項2所述的研磨用多輪，其中上述飛散盤的數量與上述研磨盤的數量相對應，形成在各個飛散盤的葉片朝向軸方向傾斜，以使得飛散的工作流體朝向相鄰的研磨盤的尖端側。
如請求項2或3所述的研磨用多輪，其中當從上述盤本體的軸方向觀察時，上述葉片朝向盤本體的旋轉方向傾斜。
如請求項4所述的研磨用多輪，其中當從軸方向觀察上述盤本體時，以橫穿上述盤本體的中心的虛線為基準，上述葉片朝向圓周方向傾斜的角度大於0°且90°以下。
一種抗體-藥物結合物，其包含抗體及與該抗體結合之藥物-連接物，<br/> 其中該藥物-連接物係以下式表示：<br/><img align="absmiddle" height="179px" width="411px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中A表示與該抗體的結合部位，其中該藥物-連接物藉由硫醚鍵與該抗體結合，且<br/> 其中該抗體與序列識別號4記載之黏附蛋白6(cadherin-6)的EC3域之胺基酸序列專一性結合，且具有被併入細胞內的內在化能力，<br/> 其中該抗體分別在輕鏈包含由序列識別號12記載之胺基酸序列所構成的CDRL1、由序列識別號13記載之胺基酸序列所構成的CDRL2及由序列識別號14記載之胺基酸序列所構成的CDRL3並在重鏈包含由序列識別號17記載之胺基酸序列所構成的CDRH1、由序列識別號60記載之胺基酸序列所構成的CDRH2及由序列識別號19記載之胺基酸序列所構成的CDRH3，且<br/> 其中該抗體的恆定區為源自人類的恆定區。
如請求項1之抗體-藥物結合物，其中該藥物-連接物結構之每1抗體的平均結合數為5～8個之範圍。
一種抗體-藥物結合物，其具有下式所表示的結構：<br/><img align="absmiddle" height="92px" width="204px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中，AB表示抗體，其與序列識別號4記載之黏附蛋白6的EC3域之胺基酸序列專一性結合，且具有被併入細胞內的內在化能力；其中該抗體分別在輕鏈包含由序列識別號12記載之胺基酸序列所構成的CDRL1、由序列識別號13記載之胺基酸序列所構成的CDRL2及由序列識別號14記載之胺基酸序列所構成的CDRL3並在重鏈包含由序列識別號17記載之胺基酸序列所構成的CDRH1、由序列識別號60記載之胺基酸序列所構成的CDRH2及由序列識別號19記載之胺基酸序列所構成的CDRH3；該抗體的恆定區為源自人類的恆定區；n表示與抗體結合的藥物-連接物結構之每1抗體的平均結合數，其中n為7～8個之範圍；該抗體與該連接物係介隔源自該抗體的硫氫基而結合。
一種抗體-藥物結合物，其包含抗體及與該抗體結合之藥物-連接物，<br/> 其中該藥物-連接物係以下式表示：<br/><img align="absmiddle" height="179px" width="411px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中A表示與該抗體的結合部位，其中該藥物-連接物藉由硫醚鍵與該抗體結合，且<br/> 其中該抗體分別在輕鏈包含由序列識別號63記載之胺基酸序列所構成的輕鏈可變區並在重鏈包含由序列識別號71記載之胺基酸序列所構成的重鏈可變區，且<br/> 其中該抗體為人類化抗體。
如請求項1之抗體-藥物結合物，其中該藥物-連接物結構之每1抗體的平均結合數為5～8個之範圍。
一種抗體-藥物結合物，其具有下式所表示的結構：<br/><img align="absmiddle" height="92px" width="204px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中，AB表示抗體，其分別在輕鏈包含由序列識別號63記載之胺基酸序列所構成的輕鏈可變區並在重鏈包含由序列識別號71記載之胺基酸序列所構成的重鏈可變區；其中該抗體為人類化抗體；n表示與抗體結合的藥物-連接物結構之每1抗體的平均結合數，其中n為7～8個之範圍；該抗體與該連接物係介隔源自該抗體的硫氫基而結合。
一種抗體-藥物結合物用於製造治療腫瘤的醫藥之用途，其中該抗體-藥物結合物包含抗體及與該抗體結合之藥物-連接物，<br/> 其中該藥物-連接物係以下式表示：<br/><img align="absmiddle" height="190px" width="427px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中A表示與該抗體的結合部位，其中該藥物-連接物藉由硫醚鍵與該抗體結合；<br/> 其中該抗體分別在輕鏈包含由序列識別號63記載之胺基酸序列所構成的輕鏈可變區並在重鏈包含由序列識別號71記載之胺基酸序列所構成的重鏈可變區；<br/> 其中該抗體為人類化抗體；且<br/> 其中該腫瘤為表現CDH6的腫瘤。
如請求項1之用途，其中該藥物-連接物結構之每1抗體的平均結合數為5～8個之範圍。
一種抗體-藥物結合物用於製造治療腫瘤的醫藥之用途，其中該抗體-藥物結合物具有下式所表示的結構：<br/><img align="absmiddle" height="92px" width="204px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中，AB表示抗體，其分別在輕鏈包含由序列識別號63記載之胺基酸序列所構成的輕鏈可變區並在重鏈包含由序列識別號71記載之胺基酸序列所構成的重鏈可變區；其中該抗體為人類化抗體；n表示與抗體結合的藥物-連接物結構之每1抗體的平均結合數，其中n為7～8個之範圍；該抗體與該連接物係介隔源自該抗體的硫氫基而結合；且其中該腫瘤為表現CDH6的腫瘤。
一種抗體-藥物結合物，其包含抗體及與該抗體結合之藥物-連接物，<br/> 其中該藥物-連接物係以下式表示：<br/><img align="absmiddle" height="179px" width="411px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中A表示與該抗體的結合部位，其中該藥物-連接物藉由硫醚鍵與該抗體結合，且<br/> 其中該抗體分別在輕鏈包含由序列識別號63記載之胺基酸序列所構成的輕鏈可變區並在重鏈包含由序列識別號71記載之胺基酸序列所構成的重鏈可變區，<br/> 其中該抗體的同型為IgG1，且<br/> 其中該抗體為人類化抗體。
如請求項1之抗體-藥物結合物，其中該藥物-連接物結構之每1抗體的平均結合數為5～8個之範圍。
一種抗體-藥物結合物，其具有下式所表示的結構：<br/><img align="absmiddle" height="92px" width="204px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中，AB表示抗體，其分別在輕鏈包含由序列識別號63記載之胺基酸序列所構成的輕鏈可變區並在重鏈包含由序列識別號71記載之胺基酸序列所構成的重鏈可變區；其中該抗體的同型為IgG1；該抗體為人類化抗體；n表示與抗體結合的藥物-連接物結構之每1抗體的平均結合數，其中n為7～8個之範圍；該抗體與該連接物係介隔源自該抗體的硫氫基而結合。
一種抗體-藥物結合物，其包含抗體及與該抗體結合之藥物-連接物，<br/> 其中該藥物-連接物係以下式表示：<br/><img align="absmiddle" height="179px" width="411px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中A表示與該抗體的結合部位，其中該藥物-連接物藉由硫醚鍵與該抗體結合，且<br/> 其中該抗體與序列識別號4記載之黏附蛋白6(cadherin-6)的EC3域之胺基酸序列專一性結合，且具有被併入細胞內的內在化能力，<br/> 其中該抗體分別在輕鏈包含由序列識別號12記載之胺基酸序列所構成的CDRL1、由序列識別號13記載之胺基酸序列所構成的CDRL2及由序列識別號14記載之胺基酸序列所構成的CDRL3並在重鏈包含由序列識別號17記載之胺基酸序列所構成的CDRH1、由序列識別號60記載之胺基酸序列所構成的CDRH2及由序列識別號19記載之胺基酸序列所構成的CDRH3，<br/> 其中該抗體的同型為IgG1，且<br/> 其中該抗體的恆定區為源自人類的恆定區。
如請求項1之抗體-藥物結合物，其中該藥物-連接物結構之每1抗體的平均結合數為5～8個之範圍。
一種抗體-藥物結合物，其包含下式：<br/><img align="absmiddle" height="92px" width="204px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中，AB表示抗體，其與序列識別號4記載之黏附蛋白6的EC3域之胺基酸序列專一性結合，且具有被併入細胞內的內在化能力；其中該抗體分別在輕鏈包含由序列識別號12記載之胺基酸序列所構成的CDRL1、由序列識別號13記載之胺基酸序列所構成的CDRL2及由序列識別號14記載之胺基酸序列所構成的CDRL3並在重鏈包含由序列識別號17記載之胺基酸序列所構成的CDRH1、由序列識別號60記載之胺基酸序列所構成的CDRH2及由序列識別號19記載之胺基酸序列所構成的CDRH3；該抗體的同型為IgG1；該抗體的恆定區為源自人類的恆定區；n表示與抗體結合的藥物-連接物結構之每1抗體的平均結合數，其中n為7～8個之範圍；該抗體與該連接物係介隔源自該抗體的硫氫基而結合。
一種氣體絕緣開閉裝置，係具備有： <br/>容器，係充填有絕緣氣體； <br/>真空遮斷器，係收容於前述容器，具有固定電極及可動電極； <br/>第一構件，係以圍繞用來使前述可動電極可動的可動部之方式配置；以及 <br/>第二構件，係以圍繞前述可動部之方式與前述第一構件連結而配置， <br/>前述第二構件係在作為與前述第一構件接合的接合部之凹部的內側側面形成有第一螺紋部，前述第一構件係在往前述凹部側突出而形成的凸形狀的外周側面形成有第二螺紋部， <br/>前述第一構件與前述第二構件係使前述第一螺紋部與前述第二螺紋部相螺合而相固接。
如請求項1所述之氣體絕緣開閉裝置，其中，前述可動部係由前述第一構件、前述第二構件及前述真空遮斷器所包覆。
如請求項1或2所述之氣體絕緣開閉裝置，其中， <br/>前述第一構件係具有收納前述可動部之第一空間， <br/>前述第二構件係具有與前述第一空間連通之第二空間。
如請求項3所述之氣體絕緣開閉裝置，其中， <br/>前述真空遮斷器係設有包圍前述可動部的型態的波紋管， <br/>前述絕緣氣體係包含具有不同的壓力之第一氣體及第二氣體， <br/>前述波紋管的內部空間、前述第一空間及前述第二空間係充填有壓力比前述第一氣體低之前述第二氣體，前述第一氣體係充填於前述容器的內部且為前述真空遮斷器、前述第一構件及前述第二構件的外周部。
如請求項1或2所述之氣體絕緣開閉裝置，其中，前述絕緣氣體係包含氮氣及氧氣之乾空氣，其全球暖化潛勢為0。
如請求項1或2所述之氣體絕緣開閉裝置，其中， <br/>前述第一構件、前述第二構件及前述真空遮斷器係由與前述容器相接而設置的礙子加以支持， <br/>前述容器與前述礙子、前述礙子與前述第二構件、前述第一構件與前述真空遮斷器係分別藉由固接部而密封。
如請求項1或2所述之氣體絕緣開閉裝置，其中，在前述凹部的底面設有氣體密封溝槽。
如請求項1或2所述之氣體絕緣開閉裝置，其中， <br/>前述第一構件、前述第二構件及前述真空遮斷器係由與前述容器相接而設置的礙子加以支持， <br/>前述容器與前述礙子、前述礙子與前述第一構件、前述第二構件與前述真空遮斷器係分別藉由固接部而密封。
如請求項1或2所述之氣體絕緣開閉裝置，其中，在前述凸形狀的頂面設有氣體密封溝槽。
一種車輛警示系統，包含：<br/> 一影像感測器，設置於一車輛，該影像感測器用以擷取一影像，該影像包含該車輛之一車門的影像；<br/> 一訊號處理單元，電性連接該影像感測器，該訊號處理單元接收並判斷該影像是否有物體異常停留於該車門處之特徵，並生成一分析結果；<br/> 一控制單元，電性連接該訊號處理單元，該控制單元接收該分析結果，當該訊號處理單元判斷該影像有物體異常停留於該車門處之特徵時，該控制單元根據該分析結果生成一指令；<br/> 一訊息發報單元，電性連接該控制單元，該訊息發報單元接收該指令後發布一告警訊息；<br/> 其中該控制單元的該指令包含一提示指令，當該訊號處理單元判斷該影像感測器所擷取之影像包含有行動輔具於該車門處之特徵時，該控制單元根據該分析結果生成該提示指令，該訊息發報單元接收該提示指令後，發布該告警訊息通知駕駛者。
如請求項1所述之車輛警示系統，其中該影像感測器擷取該影像的時間區間係為該車門從關閉狀態轉變為開啟狀態時。
如請求項1所述之車輛警示系統，其中該影像感測器設置於該車輛之該車門的外側門框上方。
如請求項1所述之車輛警示系統，其中該影像感測器設置於該車輛之該車門的內側門框上方。
如請求項1所述之車輛警示系統，其中該車輛具有相對設置的一第一側部及一第二側部，該車輛之該車門設置於該第一側部，該影像感測器設置於該第二側部。
如請求項1所述之車輛警示系統，其中該影像感測器設置於該車輛內部之一車頂。
如請求項1所述之車輛警示系統，其中該控制單元的該指令包含一警示指令，當該訊號處理單元判斷該影像包含有物體異常停留於該車門處之特徵時，該控制單元根據該分析結果生成該警示指令，該訊息發報單元接收該警示指令後，發布該告警訊息通知駕駛者開啟車門。
如請求項1所述之車輛警示系統，其中該影像感測器的視角範圍為90~120度。
一種半導體裝置，包括：<br/> 一基板，具有一第一導電類型；<br/> 一第一埋置層，具有不同於該第一導電類型的一第二導電類型，且設置於該基板中；<br/> 一第二埋置層，具有該第一導電類型，且設置於該第一埋置層中；<br/> 一第一高壓井區，具有該第二導電類型，且設置於該第二埋置層上；<br/> 一第二高壓井區，具有該第一導電類型，且設置於該第二埋置層及該第一埋置層上；<br/> 一第三高壓井區，具有該第二導電類型，且設置於該第一埋置層上；及<br/> 一閘極堆疊物，設置於該第一高壓井區上，<br/> 其中該第一埋置層覆蓋該第二高壓井區的一底表面的一部分，且該第二埋置層覆蓋該第二高壓井區的該底表面的剩餘部分。
如請求項1所述的半導體裝置，其中該第二高壓井區圍繞該第一高壓井區，且該第二高壓井區及該第一高壓井區接觸該第二埋置層。
如請求項1所述的半導體裝置，其中該第一埋置層圍繞該第二埋置層的至少三側。
如請求項1所述的半導體裝置，其中該第三高壓井區與該第二埋置層間隔一距離。
如請求項1所述的半導體裝置，其中該第一高壓井區藉由該第二高壓井區及該第二埋置層，與該第三高壓井區及該第一埋置層分離。
如請求項1所述的半導體裝置，更包括：<br/> 一磊晶層，設置於該基板上，且該第一高壓井區、該第二高壓井區及該第三高壓井區設置於該磊晶層中，<br/> 其中，該第二高壓井區及該第二埋置層藉由該第三高壓井區及該第一埋置層，與該磊晶層及該基板分離。
如請求項6所述的半導體裝置，其中該第一高壓井區圍繞該磊晶層。
如請求項6所述的半導體裝置，更包括：<br/> 一源極區，具有該第一導電類型，設置於該第一高壓井區中；及<br/> 一汲極區，具有該第二導電類型，設置於該第一高壓井區中。
如請求項8所述的半導體裝置，其中該源極區與該磊晶層接觸。
一種半導體裝置的形成方法，包括：<br/> 提供一基板，且該基板具有一第一導電類型；<br/> 形成一第一埋置層於該基板中，且該第一埋置層具有不同於該第一導電類型的一第二導電類型；<br/> 形成一第二埋置層於該第一埋置層中，且該第二埋置層具有該第一導電類型；<br/> 形成一磊晶層於該基板、該第一埋置層及該第二埋置層上；<br/> 形成一第一高壓井區於該磊晶層中且於該第二埋置層上，且該第一高壓井區具有該第二導電類型；<br/> 形成一第二高壓井區於該磊晶層中且於該第二埋置層及該第一埋置層上，且該第二高壓井區具有該第一導電類型；<br/> 形成一第三高壓井區於該磊晶層中且於該第一埋置層上，且該第三高壓井區具有該第二導電類型；及<br/> 形成一閘極堆疊物於該第一高壓井區上，<br/> 其中該第一埋置層覆蓋該第二高壓井區的一底表面的一部分，且該第二埋置層覆蓋該第二高壓井區的該底表面的剩餘部分。
一種顯示裝置，其包含：<br/>在基板上方的半導體層；<br/>在該半導體層上方並與其電性連接的第一導電層；<br/>在該第一導電層上方的第一絕緣層；<br/>在該第一絕緣層上方的第二導電層；<br/>在該第二導電層上方的第二絕緣層；<br/>在該第二絕緣層上方的第三導電層；<br/>與該第一導電層設置在相同層中的第四導電層；<br/>與該第二導電層設置在相同層中的第五導電層；以及<br/>與該第二導電層設置在相同層中的第六導電層，<br/>其中該第一導電層包含用作電晶體之源極電極和汲極電極之一者的區域，<br/>其中該第二導電層包含用作觸控感測器之一個電極的區域，<br/>其中該第二導電層係藉由至少設置在該第一絕緣層中的第一接觸孔電性連接至該第四導電層，<br/>其中該第四導電層和該第一導電層包含相同材料，<br/>其中該第三導電層包含用作像素電極的區域，<br/>其中該第三導電層包含狹縫，<br/>其中整個該狹縫與該第六導電層重疊，<br/>其中該第三導電層係藉由至少設置在該第二絕緣層及該第一絕緣層中的第二接觸孔電性連接至該第一導電層，以及<br/>其中該第五導電層與該第四導電層重疊。
一種顯示裝置，其包含：<br/>在基板上方的半導體層；<br/>在該半導體層上方並與其直接接觸的第一導電層；<br/>在該第一導電層上方的第一絕緣層；<br/>在該第一絕緣層上方並與其直接接觸的第二導電層；<br/>在該第二導電層上方並與其直接接觸的第二絕緣層；<br/>在該第二絕緣層上方並與其直接接觸的第三導電層；<br/>與該第一導電層設置在相同層中的第四導電層；<br/>與該第二導電層設置在相同層中的第五導電層；以及<br/>與該第二導電層設置在相同層中的第六導電層，<br/>其中該第一導電層包含用作電晶體之源極電極和汲極電極之一者的區域，<br/>其中該第二導電層包含用作觸控感測器之一個電極的區域，<br/>其中該第二導電層係藉由至少設置在該第一絕緣層中的第一接觸孔電性連接至該第四導電層，<br/>其中該第四導電層和該第一導電層包含相同材料，<br/>其中該第三導電層包含用作像素電極的區域，<br/>其中該第三導電層包含狹縫，<br/>其中整個該狹縫與該第六導電層重疊，<br/>其中該第三導電層係藉由至少設置在該第二絕緣層及該第一絕緣層中的第二接觸孔電性連接至該第一導電層，以及<br/>其中該第五導電層與該第四導電層重疊。
一種顯示裝置，其包含：<br/>在基板上方的半導體層；<br/>在該半導體層上方並與其直接接觸的第一導電層；<br/>在該第一導電層上方的第一絕緣層；<br/>在該第一絕緣層上方並與其直接接觸的第二導電層；<br/>在該第二導電層上方並與其直接接觸的第二絕緣層；<br/>在該第二絕緣層上方並與其直接接觸的第三導電層；<br/>與該第一導電層設置在相同層中的第四導電層；<br/>與該第二導電層設置在相同層中的第五導電層；<br/>與該第二導電層設置在相同層中的第六導電層；以及<br/>在該第三導電層上方的液晶層，<br/>其中該第一導電層包含用作電晶體之源極電極和汲極電極之一者的區域，<br/>其中該第二導電層包含用作觸控感測器之一個電極的區域，<br/>其中該第二導電層係藉由至少設置在該第一絕緣層中的第一接觸孔電性連接至該第四導電層，<br/>其中該第四導電層和該第一導電層包含相同材料，<br/>其中該第三導電層包含用作像素電極的區域，<br/>其中該第三導電層包含狹縫，<br/>其中整個該狹縫與該第六導電層重疊，<br/>其中該第三導電層係藉由至少設置在該第二絕緣層及該第一絕緣層中的第二接觸孔電性連接至該第一導電層，<br/>以及<br/>其中該第五導電層與該第四導電層重疊。
如請求項1、2及3中任一項之顯示裝置，其中該第二絕緣層包含氮化矽膜。
如請求項1、2及3中任一項之顯示裝置，其中該第五導電層係設置在該第一絕緣層與該第二絕緣層之間。
如請求項1、2及3中任一項之顯示裝置，更包含在該像素電極上方的彩色層。
一種插口插座，包括：<br/> 一導電的主體，具有貫穿其的一通道；<br/> 一鎖定件，連結於所述主體且相對於所述主體能夠移動，所述鎖定件具有相對彼此成角度的一頂部和一後部，所述頂部與所述主體接合，所述後部具有貫穿其的一開口，所述鎖定件的所述開口與所述主體中的所述通道至少部分地對齊；以及<br/> 一插口插座殼體，包括一開口和從所述插口插座殼體的所述開口延伸的一腔體，其中，所述主體和所述鎖定件坐落在所述腔體內且所述插口插座殼體的所述開口與所述主體中的所述通道對齊，所述頂部還包括向下延伸並接合在所述主體的一槽內的一前唇部。
如請求項1所述的插口插座，適用於與一導電的插針組合，其中，所述插針坐落在所述主體的通道內並穿過所述鎖定件的所述開口以在一鎖定狀態下與所述鎖定件的後部接合，在所述插針與所述鎖定件組裝之前，所述鎖定件的後部部分地遮擋所述通道的後端。
如請求項2所述的插口插座，其中，所述鎖定件的所述開口的一底緣在其上具有一倒角。
如請求項2所述的插口插座，其中，所述插針包括當所述鎖定件處於所述鎖定狀態時所述鎖定件的後部坐落於內的一槽。
如請求項2所述的插口插座，其中，所述插口插座殼體包括當所述鎖定件移動至一鎖定解除狀態時與所述鎖定件的頂部接合的一能夠壓下的扣件。
如請求項5所述的插口插座，其中，所述能夠壓下的扣件處於所述插口插座殼體的一頂壁並通過多個間隙與所述頂壁分離，而且其中，所述插口插座殼體還包括從所述頂壁向上延伸的多個肋部，其中，所述多個間隙處於所述多個肋部和所述能夠壓下的扣件之間。
如請求項2所述的插口插座，其中，所述主體的後端和所述鎖定件的後端與所述插口插座殼體的一後壁通過一空間間隔開，而且其中，在所述鎖定狀態下，所述插針的一自由端部坐落在所述空間內。
如請求項1所述的插口插座，其中，所述插口插座殼體包括當所述鎖定件被移動至一鎖定解除狀態時與所述鎖定件的頂部接合的一能夠壓下的扣件。
如請求項8所述的插口插座，其中，所述能夠壓下的扣件處於所述插口插座殼體的一頂壁並通過多個間隙與所述頂壁分離，而且其中，所述插口插座殼體還包括從所述頂壁向上延伸的多個肋部，其中，所述多個間隙處於所述多個肋部和所述能夠壓下的扣件之間。
如請求項1所述的插口插座，其中，所述主體包括一插口和安裝在所述插口內的一分離的端子。
如請求項1所述的插口插座，其中，所述插口插座殼體由絕緣材料形成以及所述鎖定件由不鏽鋼形成。
如請求項1所述的插口插座，其中，在所述鎖定件與所述主體組裝之前，所述鎖定件的頂部和後部相對彼此以82度的一角度成角度。
如請求項1所述的插口插座，其中，在所述鎖定件與所述主體組裝之前，所述頂部和所述後部相對彼此以小於90度的一角度成角度，以及在所述鎖定件與所述主體組裝之後，所述頂部和所述後部相對彼此以大於90度的一角度成角度。
如請求項1所述的插口插座，其中，所述主體具有能夠連結於一基板的一下部。
如請求項1所述的插口插座，其中，所述鎖定件為一彈簧。
如請求項1所述的插口插座，其中，所述插口插座殼體包括：一頂壁；一前壁，從頂壁向下延伸，且所述插口插座殼體的所述開口貫穿所述前壁設置；一後壁，與所述前壁相對；兩側壁，在所述前壁和所述後壁之間延伸；多個肋部，從所述頂壁向上延伸；一能夠壓下的扣件，處於所述頂壁、與所述鎖定件能夠接合且通過多個間隙與所述頂壁和所述多個肋部分離；側扣件，處於各側壁，與所述主體接合，並通過多個間隙與各自的側壁分離；以及覆蓋部，從各自的側壁延伸並覆蓋在各自的側扣件和多個間隙的外部。
如請求項1所述的插口插座，其中，所述插口插座殼體包括：一頂壁；一前壁，從所述頂壁向下延伸，且所述插口插座殼體的所述開口貫穿所述前壁設置；一後壁，與所述前壁相對；兩側壁，在所述前壁和所述後壁之間延伸；側扣件，處於各側壁，與所述主體接合，並通過多個間隙與各自的側壁分離；以及覆蓋部，從各自的側壁延伸並覆蓋在各自的側扣件和多個間隙的外部。
如請求項16或17所述的插口插座，其中，各覆蓋部具有一開口的上端和一開口的下端。
如請求項16或17所述的插口插座，其中，各側扣件具有在其外表面的面向所述覆蓋部的多個凹部。
一種電源連接器的組裝方法，包括：<br/> 將一導電的插針插入一如請求項1所述的插口插座的導電的所述主體的所述通道，所述主體具有在其上的能夠撓曲的所述鎖定件，所述鎖定件具有相對彼此成角度的所述頂部和所述後部，所述頂部的所述前唇部接合在所述主體的所述槽內，所述後部具有貫穿其的且部分地遮擋所述通道的所述開口；以及<br/> 使所述插針的一自由端部與所述鎖定件的後部接合，由此使得所述鎖定件相對所述主體移動；<br/> 使所述插針的自由端部穿過所述鎖定件；以及<br/> 使所述鎖定件與所述插針的一柄部接合。
如請求項20所述的電源連接器的組裝方法，還包括通過壓下與所述鎖定件接合的一扣件，將所述插針從所述主體上拆下。
一種低雜訊放大器電路，包含：<br/> 一第一電晶體，包含：<br/> 一第一端，耦接於一第一濾波電路；<br/> 一第二端，耦接於一第二濾波電路；及<br/> 一控制端，用以接收一輸入訊號；<br/> 一第二電晶體，包含：<br/> 一第一端，用以輸出一輸出訊號；<br/> 一第二端，耦接於該第一濾波電路；及<br/> 一控制端；及<br/> 一第一電感，包含：<br/> 一第一端，耦接於一高電壓端；及<br/> 一第二端，耦接於該第二電晶體的該第一端；<br/> 其中該第二濾波電路耦接於一接地端，該第二濾波電路包含：<br/> 一第三電阻，包含：<br/> 一第一端，耦接於該第一電晶體的該第二端；及<br/> 一第二端，耦接於該接地端；及<br/> 一第二電容，包含：<br/> 一第一端，耦接於該第三電阻的該第一端；及<br/> 一第二端，耦接於該接地端；<br/> 其中該第三電阻用以提升該第一電晶體的該第二端的一電壓，以將該第一電晶體的一閘極-源極電壓改變為一負電壓。
如請求項1所述之低雜訊放大器電路，另包含：<br/> 一第一電阻，包含：<br/> 一第一端，耦接於該第一電晶體的該控制端；及<br/> 一第二端，用以接收一第一閘極偏壓；<br/> 一第二電阻，包含：<br/> 一第一端，耦接於該第二電晶體的該控制端；及<br/> 一第二端，用以接收一第二閘極偏壓；及<br/> 一第一電容，包含：<br/> 一第一端，耦接於該第二電阻的該第一端；及<br/> 一第二端，耦接於該接地端。
如請求項2所述之低雜訊放大器電路，其中該第一閘極偏壓和該第二閘極偏壓為正電壓，並且該第二電晶體的該第二端的一電壓大於該第二閘極偏壓。
如請求項1所述之低雜訊放大器電路，其中該第一電晶體或該第二電晶體係由一砷化鎵(GaAs)半導體材料或一氮化鎵(GaN)半導體材料所形成。
如請求項1所述之低雜訊放大器電路，其中該第一電晶體用以根據一弗里斯(Friis)公式，降低來自該輸入訊號的雜訊干擾，並且該第二電晶體係用以增強該輸入訊號與該輸出訊號之間的線性度。
如請求項1所述之低雜訊放大器電路，其中該第一濾波電路包含一第一傳輸線，該第一電晶體的該第一端經由該第一傳輸線耦接於該第二電晶體的該第二端，且該低雜訊放大器電路是一疊接(Cascode)低雜訊放大器電路，其具有包含該第一電晶體的一共源組態元件，以及包含該第二電晶體的一共閘組態元件。
如請求項1所述之低雜訊放大器電路，其中該第一電晶體是一空乏型場效電晶體(Depletion mode field-effect transistor，D型場效電晶體)，該第二電晶體是一空乏型場效電晶體，且當該第一電晶體的該閘極-源極電壓為該負電壓時，該第一電晶體被開啟。
一種低雜訊放大器電路，包含：<br/> 一第一電晶體，包含：<br/> 一第一端，耦接於一第一濾波電路；<br/> 一第二端，耦接於一第二濾波電路；及<br/> 一控制端，用以接收一輸入訊號；<br/> 一第二電晶體，包含：<br/> 一第一端，用以輸出一輸出訊號；<br/> 一第二端，耦接於該第一濾波電路；及<br/> 一控制端；及<br/> 一第一電感，包含：<br/> 一第一端，耦接於一高電壓端；及<br/> 一第二端，耦接於該第二電晶體的該第一端；<br/> 其中該第二濾波電路耦接於一接地端，該第二濾波電路包含：<br/> 一第四電阻，包含：<br/> 一第一端，耦接於該第一電晶體的該第二端；及<br/> 一第二端，耦接於該接地端；<br/> 一第三電容，包含：<br/> 一第一端，耦接於該第四電阻的該第一端；及<br/> 一第二端；及<br/> 一第三電感，包含：<br/> 一第一端，耦接於該第三電容的該第二端；及<br/> 一第二端，耦接於該接地端；<br/> 其中該第四電阻用以提升該第一電晶體的該第二端的一電壓，以將該第一電晶體的一閘極-源極電壓改變為一負電壓。
如請求項8所述之低雜訊放大器電路，其中該第一電晶體是一空乏型場效電晶體(Depletion mode field-effect transistor，D型場效電晶體)，該第二電晶體是一空乏型場效電晶體，且當該第一電晶體的該閘極-源極電壓為該負電壓時，該第一電晶體被開啟。
一種低雜訊放大器電路，包含：<br/> 一第一電晶體，包含：<br/> 一第一端，耦接於一第一濾波電路；<br/> 一第二端，耦接於一第二濾波電路；及<br/> 一控制端，用以接收一輸入訊號；<br/> 一第二電晶體，包含：<br/> 一第一端，用以輸出一輸出訊號；<br/> 一第二端，耦接於該第一濾波電路；及<br/> 一控制端；及<br/> 一第一電感，包含：<br/> 一第一端，耦接於一高電壓端；及<br/> 一第二端，耦接於該第二電晶體的該第一端；<br/> 其中該第一濾波電路包含：<br/> 一第四電感，包含：<br/> 一第一端，耦接於該第二電晶體的該第二端；及<br/> 一第二端，耦接於該第一電晶體的該第一端；及<br/> 一第四電容，包含：<br/> 一第一端，耦接於該第四電感的該第一端；及<br/> 一第二端，耦接於該接地端；<br/> 其中該低雜訊放大器電路是一共源低雜訊放大器電路，該第二濾波電路耦接於一接地端，該第二濾波電路包含：<br/> 一第五電阻，包含：<br/> 一第一端，耦接於該第一電晶體的該第二端；及<br/> 一第二端，耦接於該接地端；及<br/> 一第六電容，包含：<br/> 一第一端，耦接於該第五電阻的該第一端；及<br/> 一第二端，耦接於該接地端；<br/> 其中該第五電阻用以提升該第一電晶體的該第二端的一電壓，以將該第一電晶體的一閘極-源極電壓改變為一負電壓。
如請求項8或10所述之低雜訊放大器電路，另包含：<br/> 一第一電阻，包含：<br/> 一第一端，耦接於該第一電晶體的該控制端；及<br/> 一第二端，用以接收一第一閘極偏壓；<br/> 一第二電阻，包含：<br/> 一第一端，耦接於該第二電晶體的該控制端；及<br/> 一第二端，用以接收一第二閘極偏壓；及<br/> 一第一電容，包含：<br/> 一第一端，耦接於該第二電阻的該第一端；及<br/> 一第二端，耦接於該接地端。
如請求項8或10所述之低雜訊放大器電路，其中該第一濾波電路包含一第一傳輸線，該第一電晶體的該第一端經由該第一傳輸線耦接於該第二電晶體的該第二端，且該低雜訊放大器電路是一疊接(Cascode)低雜訊放大器電路，其具有包含該第一電晶體的一共源組態元件，以及包含該第二電晶體的一共閘組態元件。
如請求項8或10所述之低雜訊放大器電路，其中該第一電晶體或該第二電晶體係由一砷化鎵(GaAs)半導體材料或一氮化鎵(GaN)半導體材料所形成。
如請求項8或10所述之低雜訊放大器電路，其中該第一電晶體是一空乏型場效電晶體(Depletion mode field-effect transistor，D型場效電晶體)，該第二電晶體是一空乏型場效電晶體，且當該第一電晶體的該閘極-源極電壓為該負電壓時，該第一電晶體被開啟。
一種低雜訊放大器電路，包含：<br/> 一第一電晶體，包含：<br/> 一第一端，耦接於一第一濾波電路；<br/> 一第二端，耦接於一第二濾波電路；及<br/> 一控制端，用以接收一輸入訊號；<br/> 一第二電晶體，包含：<br/> 一第一端，用以輸出一輸出訊號；<br/> 一第二端，耦接於該第一濾波電路；及<br/> 一控制端；及<br/> 一第一電感，包含：<br/> 一第一端，耦接於一高電壓端；及<br/> 一第二端，耦接於該第二電晶體的該第一端；<br/> 其中該第一濾波電路包含：<br/> 一第四電感，包含：<br/> 一第一端，耦接於該第二電晶體的該第二端；及<br/> 一第二端，耦接於該第一電晶體的該第一端；及<br/> 一第四電容，包含：<br/> 一第一端，耦接於該第四電感的該第一端；及<br/> 一第二端，耦接於該接地端；<br/> 其中該低雜訊放大器電路是一共源低雜訊放大器電路，該第二濾波電路耦接於一接地端，該第二濾波電路包含：<br/> 一第六電阻，包含：<br/> 一第一端，耦接於該第一電晶體的該第二端；及<br/> 一第二端，耦接於該接地端；<br/> 一第七電容，包含：<br/> 一第一端，耦接於該第六電阻的該第一端；及<br/> 一第二端；及<br/> 一第六電感，包含：<br/> 一第一端，耦接於該第七電容的該第二端；及<br/> 一第二端，耦接於該接地端；<br/> 其中該第六電阻用以提升該第一電晶體的該第二端的一電壓，以將該第一電晶體的一閘極-源極電壓改變為一負電壓。
如請求項15所述之低雜訊放大器電路，其中該第一電晶體是一空乏型場效電晶體(Depletion mode field-effect transistor，D型場效電晶體)，該第二電晶體是一空乏型場效電晶體，且當該第一電晶體的該閘極-源極電壓為該負電壓時，該第一電晶體被開啟。
一種筆型文具，其具有： <br/>一殼體，其具有： <br/> 一放置部； <br/> 一筆尖部，其連接於該放置部； <br/>一彎折部，其位於該筆尖部與該放置部之間，使該筆尖部能相對於該放置部彎折； <br/>一筆芯，其設置於該放置部中，且具有一筆尖，該筆尖能穿出該筆尖部；其中，該彎折部具有： <br/>一連接段，其連接於該放置部； <br/>一彎折段，其連接於該連接段，且該彎折段是可彎折的；該彎折段具有： <br/> 複數穿孔，其位於該彎折段遠離該連接段的一端，且貫穿該彎折段的壁面。
如請求項1所述之筆型文具，其更具有： 一軟質墊，其包覆該殼體，且位於該彎折部上，並具有： <br/> 一突出部，其可彎折地設置連接於該放置部與該筆尖部之間，且能貼合於該筆芯。
如請求項1所述之筆型文具，其中，該等複數穿孔環繞該殼體的中心軸弧形延伸，且該彎折段的單一平面上具有複數該穿孔，並且該等穿孔彼此間隔。
如請求項3所述之筆型文具，其中，位於該彎折段的相鄰平面上的該等穿孔彼此間隔設置。
如請求項3或4所述之筆型文具，其更具有： <br/>一軟質墊，其包覆該彎折段，且靠近該筆芯部。
如請求項5所述之筆型文具，其中，該軟質墊具有： <br/>複數突出部，各該突出部能卡合於其中一該穿孔中，且該複數突出部的端面能與該彎折段的內表面形成一連續表面。
如請求項1所述之筆型文具，其中，該彎折段為螺旋狀。
如請求項7所述之筆型文具，其更具有： 一軟質墊，其包覆該彎折段，且靠近該筆芯部。
如請求項8所述之筆型文具，其中，該軟質墊具有： <br/>一突出部，其為螺旋狀，且能卡合於該彎折段的間隙中，該突出部的端面能與該彎折段的內表面形成一連續表面。
一種半導體裝置，包括：<br/> 一基板，具有一第一導電類型；<br/> 一第一高壓井區，具有不同於該第一導電類型的一第二導電類型，且設置於該基板中；<br/> 一第二高壓井區，具有該第一導電類型，設置於該基板中，且圍繞該第一高壓井區；<br/> 一隔離部分，設置於該第一高壓井區中；及<br/> 一閘極電極，設置於該隔離部分上，<br/> 其中，該隔離部分的一側表面接觸該閘極電極的一側表面，且該隔離部分的一頂表面與該基板的一頂表面齊平。
如請求項1所述的半導體裝置，其中該隔離部分的該頂表面高於該第一高壓井區的一頂表面。
如請求項2所述的半導體裝置，其中該隔離部分的該側表面與該第一高壓井區的該頂表面的夾角等於或大於90度。
如請求項1所述的半導體裝置，更包括：<br/> 一源極區，具有該第一導電類型，且設置於該第一高壓井區中，<br/> 其中，該源極區的一頂表面低於該隔離部分的該頂表面。
如請求項4所述的半導體裝置，其中該源極區的該頂表面齊平或高於該隔離部分的一底表面。
如請求項4所述的半導體裝置，更包括：<br/> 一汲極區，具有該第二導電類型，且設置於該第一高壓井區中，<br/> 其中，該源極區的一頂表面低於該汲極區的一頂表面。
如請求項1所述的半導體裝置，其中該隔離部分的該頂表面介於該閘極電極的一頂表面及該閘極電極的一底表面之間。
如請求項1所述的半導體裝置，其中該閘極電極具有階梯狀形狀。
如請求項1所述的半導體裝置，更包括：<br/> 一閘極介電層，設置在該閘極電極與該第一高壓井區之間，<br/> 其中，該閘極介電層的一側表面為傾斜側表面。
一種高爐出鐵孔填充用堵泥材料，其係將酚醛清漆型酚樹脂、溶劑與耐火原料摻合物混練而成之高爐出鐵孔填充用堵泥材料， <br/> 前述酚醛清漆型酚樹脂之重量平均分子量為300～1500， <br/> 相對於前述酚醛清漆型酚樹脂100質量%，促進前述酚醛清漆型酚樹脂之硬化的硬化劑之添加率為0.08質量%以下(包含0)， <br/> 前述耐火原料摻合物包含2～20質量%的碳黑。
如請求項1之高爐出鐵孔填充用堵泥材料，其中前述酚醛清漆型酚樹脂之重量平均分子量為300～1000。
如請求項1或2之高爐出鐵孔填充用堵泥材料，其中前述耐火原料摻合物中的碳黑之含有率為4～10質量%。
一種清潔機器人，其中，包括：<br/> 機器人主體（100）；<br/> 水箱（200），所述水箱（200）設置於所述機器人主體（100）上，所述水箱（200）包括容納空間，所述水箱（200）上開設有進水口（210）和至少一個溢水口（220），所述進水口（210）和所述溢水口（220）均與所述容納空間連通；<br/> 清潔組件（300），所述清潔組件（300）與所述機器人主體（100）和/或所述水箱（200）連接，所述溢水口（220）直接或者間接與所述清潔組件（300）連通；<br/> 所述進水口（210）用於向所述容納空間注入拖洗流體，所述溢水口（220）用於在所述容納空間中的所述拖洗流體的體積超過預設體積時，向所述清潔組件（300）排放所述拖洗流體，實現對所述清潔組件（300）的清洗。
如請求項1所述的清潔機器人，其中，<br/> 所述水箱（200）的底面用於與所述清潔組件（300）相對，所述溢水口（220）位於所述水箱（200）相對於所述底面的頂面，或者，所述溢水口（220）相對所述底面的垂直高度大於等於預設高度。
如請求項1所述的清潔機器人，其中，所述清潔機器人還包括：<br/> 至少一條溢水管（400），所述溢水管（400）包括溢水流道，所述溢水流道的第一端與所述溢水口（220）連通，所述溢水流道的第二端與所述清潔組件（300）直接或者間接連通，所述溢水口（220）排出的所述拖洗流體通過所述溢水流道向所述清潔組件（300）排放。
如請求項1所述的清潔機器人，其中，<br/> 所述水箱（200）和/或所述機器人主體（100）上還開設有溢水流道，所述溢水流道的第一端與所述溢水口（220）連通，所述溢水流道的第二端與所述清潔組件（300）直接或者間接連通，所述溢水口（220）排出的所述拖洗流體通過所述溢水流道向所述清潔組件（300）排放。
如請求項3或4所述的清潔機器人，其中，<br/> 所述清潔機器人還包括布水件（600），所述布水件（600）與所述水箱（200）和/或所述機器人主體（100）連接，所述布水件（600）包括布水流道以及連通於布水流道的至少一個布水孔，所述溢水流道的第二端與所述布水流道連通，所述布水孔與所述清潔組件（300）相對。
如請求項3或4所述的清潔機器人，其中，<br/> 所述機器人主體（100）包括外殼，所述外殼包括底盤（110），所述底盤（110）上設置有至少一個布水孔，所述清潔組件（300）與所述布水孔連通或者相對，所述溢水流道的第二端與所述布水孔直接或者間接連通。
如請求項3或4所述的清潔機器人，其中，所述清潔機器人還包括：<br/> 出水組件（500），所述水箱（200）還開設有出水口，所述出水口與所述容納空間連通，所述出水組件（500）與所述出水口連通，所述出水組件（500）與所述清潔組件（300）連通，用於選擇性的向所述清潔組件（300）排放所述拖洗流體；<br/> 所述溢水流道的第二端與所述出水組件（500）連通，所述溢水流道流出的所述拖洗流體通過所述出水組件（500）排放至所述清潔組件（300）。
如請求項7所述的清潔機器人，其中，<br/> 所述出水組件（500）包括第一動力件（510）、出水管道（520）和出水件（530）；<br/> 所述出水管道（520）的第一端與所述出水口連通，所述出水管道（520）的第二端與所述出水件（530）連通，所述出水件（530）上設置有至少一個布水孔，所述布水孔與所述清潔組件（300）連通；<br/> 所述第一動力件（510）與所述出水管道（520）連接，用於驅動所述拖洗流體由所述出水口流出，並經過所述出水管道（520）和所述出水件（530）排放至所述拖洗流體；<br/> 所述溢水流道的第二端由所述第一動力件（510）和所述出水件（530）之間與所述出水管道（520）連通，和/或所述溢水流道的第二端與所述出水件（530）連通，所述溢水流道流出的所述拖洗流體通過所述出水件（530）排放至所述清潔組件（300）。
如請求項1所述的清潔機器人，其中，<br/> 所述清潔組件（300）包括拖布（310）和支架（320），所述支架（320）上設置有透水件，所述拖布（310）與所述支架（320）連接，所述支架（320）與所述水箱（200）和/或所述機器人主體（100）連接，所述透水件與所述溢水口（220）直接或者間接連通，所述溢水口（220）排出的所述拖洗流體通過所述透水件向所述拖布（310）排放。
一種清潔基站，用於停靠清潔機器人，所述清潔機器人包括機器人主體（100）、水箱（200）和清潔組件（300），所述水箱（200）設置於所述機器人主體（100）上，所述水箱（200）包括容納空間，所述水箱（200）上開設有進水口（210）和至少一個溢水口（220），所述進水口（210）和所述溢水口（220）均與所述容納空間連通，所述清潔組件（300）與所述機器人主體（100）和/或所述水箱（200）連接，所述溢水口（220）直接或者間接與所述清潔組件（300）連通，所述進水口（210）用於向所述容納空間注入拖洗流體，所述溢水口（220）用於在所述容納空間中的拖洗流體的體積超過預設體積時，向所述清潔組件（300）排放所述拖洗流體，實現對所述清潔組件（300）的清洗；其中，所述清潔基站包括：<br/> 基站主體（10）、供水系統，所述供水系統與所述基站主體（10）連接；<br/> 所述供水系統用於與所述進水口（210）連通，以通過所述進水口（210）向所述容納空間注入拖洗流體。
如請求項10所述的清潔基站，其中，<br/> 所述供水系統包括儲水箱（20）、第二動力件（30）和供水管路（40），所述儲水箱（20）包括供水內腔，所述供水內腔用於容納所述拖洗流體，所述供水管路（40）的第一端與所述供水內腔連通，所述供水管路（40）的第二端用於直接或者間接連接所述進水口（210），所述第二動力件（30）設置於所述供水管路（40）上或者與所述供水內腔連通；<br/> 所述第二動力件（30）用於驅動所述供水內腔內的拖洗流體通過所述供水管路（40）注入所述容納空間。
如請求項11所述的清潔基站，其中，還包括：<br/> 清洗盤（80），所述清洗盤（80）嵌入滯水槽內，且用於與所述清潔組件（300）接觸以進行所述清潔組件（300）的清潔，所述清洗盤（80）與所述滯水槽連通。
如請求項11所述的清潔基站，其中，還包括：<br/> 供水接頭（90），所述供水接頭（90）與所述基站主體（10）連接，且位於所述停靠空間的內壁上，所述供水管路（40）的第二端與所述供水接頭（90）連通，所述供水接頭（90）用於與所述進水口（210）連通。
一種清潔系統，其中，包括清潔機器人以及清潔基站，所述清潔機器人用於選擇性的停靠於所述清潔基站；<br/> 所述清潔機器人包括機器人主體（100）；<br/> 水箱（200），所述水箱（200）設置於所述機器人主體（100）上，所述水箱（200）包括容納空間，所述水箱（200）上開設有進水口（210）和至少一個溢水口（220），所述進水口（210）和所述溢水口（220）均與所述容納空間連通；<br/> 清潔組件（300），所述清潔組件（300）與所述機器人主體（100）和/或所述水箱（200）連接，所述溢水口（220）直接或者間接與所述清潔組件（300）連通；<br/> 清潔基站包括基站主體（10）、供水系統，所述供水系統與所述基站主體（10）連接；<br/> 所述清潔機器人停靠於所述清潔基站時，所述供水系統與所述進水口（210）連通，所述供水系統用於通過所述進水口（210）向所述容納空間注入拖洗流體，所述溢水口（220）用於在所述容納空間中的拖洗流體的體積超過預設體積時，向所述清潔組件（300）排放所述拖洗流體，實現對所述清潔組件（300）的清洗。
一種清潔方法，其中，包括：<br/> 控制清潔機器人停靠到清潔基站；<br/> 控制清潔基站的供水系統向所述清潔機器人的水箱注入清潔液體，通過所述水箱的溢水口向所述清潔機器人清潔組件排放所述清潔液體；<br/> 控制所述清潔機器人的清潔組件與所述清潔基站之間的相對運動以實現對所述清潔組件的清潔。
如請求項15所述的清潔方法，其中，所述方法還包括：<br/> 控制所述清潔機器人離開所述清潔基站以對待清潔表面進行清潔；和/或<br/> 控制所述清潔機器人的出水組件將容納空間中的所述清潔液體排放至向所述清潔組件以對待清潔表面進行清潔。
如請求項15所述的清潔方法，其中，控制所述清潔機器人的清潔組件與所述清潔基站之間的相對運動以實現對所述清潔組件的清潔，包括：控制所述清潔機器人的清潔組件相對所述清潔基站的刮洗組件轉動以實現所述刮洗組件對所述清潔組件的清潔，和/或，控制所述清潔基站的刮洗組件移動或轉動以實現對所述清潔機器人的清潔組件的清潔。
如請求項15所述的清潔方法，其中，<br/> 所述清潔基站的供水系統向所述清潔機器人的水箱注入清潔液體達到預設時長後或者達到預設體積後，控制所述清潔機器人的清潔組件與所述清潔基站之間的相對運動以實現對所述清潔組件的清潔。
如請求項15所述的清潔方法，其中，所述通過所述水箱的溢水口向所述清潔機器人清潔組件排放所述清潔液體包括：所述水箱中清潔液體達到預設液位後通過所述溢水口向所述清潔機器人清潔組件排放所述清潔液體。
一種中藥組成物，其包含有：紅耆、黃芩、天門冬，以及川芎。
如請求項1的中藥組成物，其包含有：7~11重量份的紅耆、2~6重量份的黃芩、4~7重量份的天門冬，以及2~4重量份的川芎。
如請求項2的中藥組成物，其包含有：8~10重量份的紅耆、3~5重量份的黃芩、5~6重量份的天門冬，以及3重量份的川芎。
請求項3的中藥組成物，其包含有：10重量份的紅耆、5重量份的黃芩、5重量份的天門冬，以及3重量份的川芎。
如請求項1的中藥組成物，其進一步包含有鹿茸。
如請求項5的中藥組成物，其包含有：7~11重量份的紅耆、2~6重量份的黃芩、4~7重量份的天門冬、2~4重量份的川芎，以及1~3重量份的鹿茸。
如請求項6的中藥組成物，其包含有：8~10重量份的紅耆、3~5重量份的黃芩、5~6重量份的天門冬、3重量份的川芎，以及2重量份的鹿茸。
如請求項7的中藥組成物，其包含有：10重量份的紅耆、5重量份的黃芩、5重量份的天門冬、3重量份的川芎，以及2重量份的鹿茸。
如請求項5的中藥組成物，其進一步包含有附子。
如請求項9的中藥組成物，其包含有：7~11重量份的紅耆、2~6重量份的黃芩、4~7重量份的天門冬、2~4重量份的川芎、1~3重量份的鹿茸，以及1~3重量份的附子。
如請求項10的中藥組成物，其包含有：8~10重量份的紅耆、3~5重量份的黃芩、5~6重量份的天門冬、3重量份的川芎、2重量份的鹿茸，以及2重量份的附子。
如請求項11的中藥組成物，其包含有：10重量份的紅耆、5重量份的黃芩、5重量份的天門冬、3重量份的川芎、2重量份的鹿茸，以及2重量份的附子。
一種中藥組成物供應用於製備一用來治療失智症之醫藥品的用途，其中該中藥組成物包含有：紅耆、黃芩、天門冬，以及川芎。
如請求項13的用途，其中該中藥組成物包含有：7~11重量份的紅耆、2~6重量份的黃芩、4~7重量份的天門冬，以及2~4重量份的川芎。
如請求項14的用途，其中該中藥組成物包含有：8~10重量份的紅耆、3~5重量份的黃芩、5~6重量份的天門冬，以及3重量份的川芎。
請求項15的用途，其中該中藥組成物包含有：10重量份的紅耆、5重量份的黃芩、5重量份的天門冬，以及3重量份的川芎。
如請求項13的用途，其中該中藥組成物進一步包含有鹿茸。
如請求項17的用途，其中該中藥組成物包含有：7~11重量份的紅耆、2~6重量份的黃芩、4~7重量份的天門冬、2~4重量份的川芎，以及1~3重量份的鹿茸。
如請求項18的用途，其中該中藥組成物包含有：8~10重量份的紅耆、3~5重量份的黃芩、5~6重量份的天門冬、3重量份的川芎，以及2重量份的鹿茸。
請求項19的用途，其中該中藥組成物包含有：10重量份的紅耆、5重量份的黃芩、5重量份的天門冬、3重量份的川芎，以及2重量份的鹿茸。
如請求項17的用途，其中該中藥組成物進一步包含有附子。
如請求項21的用途，其中該中藥組成物包含有：7~11重量份的紅耆、2~6重量份的黃芩、4~7重量份的天門冬、2~4重量份的川芎、1~3重量份的鹿茸，以及1~3重量份的附子。
如請求項22的用途，其中該中藥組成物包含有：8~10重量份的紅耆、3~5重量份的黃芩、5~6重量份的天門冬、3重量份的川芎、2重量份的鹿茸，以及2重量份的附子。
請求項23的用途，其中該中藥組成物包含有：10重量份的紅耆、5重量份的黃芩、5重量份的天門冬、3重量份的川芎、2重量份的鹿茸，以及2重量份的附子。
如請求項13的用途，其中該失智症是選自於由下列所構成之群組：退化性失智症、血管性失智症，以及混合性失智症。
如請求項25的用途，其中該失智症是選自於由下列所構成之群組中的退化性失智症：阿茲海默氏症、路易氏體失智、額顳葉失智症、巴金森氏症失智，以及杭丁頓氏舞蹈症。
如請求項26的用途，其中該失智症是阿茲海默氏症。
如請求項13的用途，其中該失智症的治療包括促進神經新生。
一種拼接電子裝置，包括：<br/> 一第一電子模組；以及<br/> 一第二電子模組，相鄰所述第一電子模組設置，且所述第一電子模組與所述第二電子模組沿一第一方向分離一間隙；<br/> 其中，所述拼接電子裝置具有一第一區及一第二區，所述第一區包含所述間隙的一部分、所述第一電子模組鄰近所述間隙的一第一部分以及所述第二電子模組鄰近所述間隙的一第二部分，所述第二區與所述第一區沿所述第一方向排列，其中所述第二區包含所述第一電子模組鄰近所述第一部分的一第三部分，所述第一區具有一第一光學表現率P1，所述第二區具有一第二光學表現率P2，所述第一光學表現率P1及所述第二光學表現率P2滿足以下關係：<br/> |(P1-P2)/P2|≤5%，<br/> 其中所述第一光學表現率以及所述第二光學表現率均為穿透率。
如請求項1所述的拼接電子裝置，其中所述拼接電子裝置具有一第三區，所述第三區包含所述第一電子模組鄰近所述第一電子模組的中心的一第四部分，所述第三區具有一第三光學表現率P3，所述第二光學表現率P2及所述第三光學表現率P3滿足以下關係：<br/> |(P2-P3)/P3|≤10%。
如請求項2所述的拼接電子裝置，其中所述第一光學表現率P1及所述第三光學表現率P3滿足以下關係：<br/> |(P1-P3)/P3|≤10%。
如請求項3所述的拼接電子裝置，其中所述第三光學表現率為穿透率。
如請求項1所述的拼接電子裝置，更包括一光學結構，對應所述間隙設置。
如請求項5所述的拼接電子裝置，其中所述光學結構包括多個光調整條或多個開口。
如請求項5所述的拼接電子裝置，其中所述光學結構包括一黑色顏料與一樹脂，且所述黑色顏料設置於所述樹脂中，其中所述黑色顏料占所述光學結構的5%到70%。
如請求項1所述的拼接電子裝置，更包括一第一光學層以及一第二光學層，其中所述第一電子模組以及所述第二電子模組設置在所述第一光學層以及所述第二光學層之間。
如請求項8所述的拼接電子裝置，更包括一基板及一第三光學層，其中所述第一光學層與所述第二光學層設置在所述基板與所述第三光學層之間。
如請求項9所述的拼接電子裝置，更可包括一電路層，設置於所述基板與所述第一電子模組之間。
如請求項10所述的拼接電子裝置，其中該第一電子模組包括一透明基板與一通孔結構，且所述通孔結構貫穿所述透明基板，並與所述電路層電性連接。
如請求項9所述的拼接電子裝置，其中所述第一電子模組包含一透明基板，所述基板具有一第一折射率n1，所述透明基板具有一第二折射率n2，所述第一光學層具有一第三折射率n3，且所述第一折射率n1、所述第二折射率n2與所述第三折射率n3滿足關係：[(n1+n2)/2]-0.05≤n3≤[(n1+n2)/2]+0.05。
如請求項12所述的拼接電子裝置，其中所述第二光學層具有第四折射率n4，且所述第三折射率n3與所述第四折射率n4滿足關係：n3-0.05≤n4≤n3+0.05。
如請求項8所述的拼接電子裝置，其中所述第一光學層在所述第一方向上具有一寬度，所述第一電子模組與所述第二電子模組在所述第一方向上具有一分布寬度，且所述分布寬度小於或等於所述寬度。
如請求項8所述的拼接電子裝置，其中所述第二光學層在所述第一方向上具有一寬度，所述第一電子模組與所述第二電子模組在所述第一方向上具有一分布寬度，且所述分布寬度大於或等於所述寬度。
如請求項1所述的拼接電子裝置，其中所述第一電子模組包括多個發光單元以及多個第一透明區，且所述多個發光單元在所述拼接電子裝置的俯視圖中與所述多個第一透明區分隔開。
如請求項16所述的拼接電子裝置，其中所述拼接電子裝置更可包括多個第二透明區，對應所述間隙設置，且所述多個第二透明區的其中一個的俯視面積小於所述多個第一透明區的其中一個的俯視面積。
一種器官晶片系統，包括： <br/>一盒體，具有一開口且包含至少一分隔壁，其中該盒體之內部由該至少一分隔壁區分為多個空間； <br/>一器官晶片，適於設置於該盒體之內部；其中該器官晶片具有至少一接孔適於連接管件； <br/>一蓋體；該蓋體與該盒體之該開口對應，且適於設置於該盒體上並遮蓋該盒體之內部；其中該蓋體具有至少一通孔與該器官晶片之該至少一接孔對應；以及 <br/>至少一管件連接於該至少一接孔及該至少一通孔；其中該至少一管件適於供流體通過。
如請求項1所述之器官晶片系統，其中該器官晶片進一步承載於該至少一分隔壁上。
如請求項2所述之器官晶片系統，其中該盒體進一步包含多個分隔壁；該多個分隔壁包括至少一縱向分隔壁及至少一橫向分隔壁，且該至少一縱向分隔壁及該至少一橫向分隔壁相互交錯；其中該器官晶片承載於該至少一縱向分隔壁及該至少一橫向分隔壁上。
如請求項1所述之器官晶片系統，其中該多個空間進一步包括多個第一容置區及至少一第二容置區；該至少一第二容置區相較於該多個第一容置區位於該盒體內部之靠近該蓋體側的上方，且該器官晶片進一步設置於該至少一第二容置區。
如請求項4所述之器官晶片系統，其中該至少一分隔壁之頂部進一步局部下凹並形成該至少一第二容置區。
如請求項4所述之器官晶片系統，其中該多個第一容置區為多個容置槽，且每一該容置槽由該盒體之盒壁部分、該至少一分隔壁或其組合圍繞。
如請求項4所述之器官晶片系統，其中該多個通孔包括至少一第一通孔及至少一第二通孔，且該至少一第一通孔與該至少一第二通孔成對設置而數量相同。
如請求項7所述之器官晶片系統，其中該至少一管件包括至少一第一管件，而該至少一接孔包括至少一第一接孔，且該至少一第一管件連接於該至少一第一接孔、該至少一第一通孔及該至少一第二通孔並經由該至少一第二通孔通往該多個第一容置區之至少其一。
如請求項8所述之器官晶片系統，其中該至少一管件進一步包括至少一第二管件，該至少一接孔進一步包括至少一第二接孔，而該多個通孔進一步包括至少一第三通孔，且該至少一第二管件連接於該至少一第二接孔及該至少一第三通孔並伸出於該蓋體外。
如請求項9所述之器官晶片系統，其中當該蓋體設置於該盒體上，該至少一第一通孔與該至少一第一接孔對齊，該至少一第三通孔與該至少一第二接孔對齊。
如請求項1所述之器官晶片系統，其中該至少一管件進一步適於與流體控制模組連接以供流體通過。
一種器官晶片包裝，包括： <br/>一包裝結構，包括： <br/>一盒體，由一緩衝材料所形成，且具有一開口，其中該緩衝材料並於該盒體之內部形成一支撐結構；以及 <br/>一蓋體，與該盒體之該開口對應，且設置於該盒體上並遮蓋該盒體之內部；以及 <br/>一器官晶片，容納於該包裝結構內；其中該器官晶片並承載於該支撐結構上。
如請求項12所述之器官晶片包裝，其中該緩衝材料為熱塑性塑膠。
如請求項13所述之器官晶片包裝，其中該盒體及其支撐結構進一步由該熱塑性塑膠的片材一體成型。
如請求項12所述之器官晶片包裝，其中該支撐結構包括至少一支撐壁，且該器官晶片進一步承載於該至少一支撐壁上。
如請求項15所述之器官晶片包裝，其中該支撐結構進一步包括多個支撐壁；該多個支撐壁包括至少一縱向支撐壁及至少一橫向支撐壁，且該至少一縱向支撐壁及該至少一橫向支撐壁相互交錯；其中之該器官晶片承載於該至少一縱向支撐壁及該至少一橫向支撐壁上。
如請求項16所述之器官晶片包裝，其中該至少一縱向支撐壁及該至少一橫向支撐壁進一步區分該盒體之內部為多個空間。
如請求項12所述之器官晶片包裝，其中該器官晶片進一步具有至少一接孔適於連接管件，該蓋體進一步具有至少一通孔與該器官晶片之該至少一接孔對應且適於管件通過。
如請求項12所述之器官晶片包裝，其中該包裝結構之材料為塑膠、熱塑性塑膠、泡殼或其組合。
一種再生能源之能源控制方法，包括： <br/>取得一目標能源在一監控時間區間內的一第一輸出功率； <br/>決定該目標能源在一擴展時間區間內的一第二輸出功率，其中該擴展時間區間對應於該監控時間區間後的時間區間； <br/>依據該第一輸出功率及該第二輸出功率決定一濾波權重，其中該濾波權重用於平滑濾波；以及 <br/>依據該濾波權重平滑化該第一輸出功率及該第二輸出功率。
如請求項1所述的再生能源之能源控制方法，其中決定該目標能源在該擴展時間區間內的該第二輸出功率的步驟包括： <br/>設定該第二輸出功率大於零。
如請求項1所述的再生能源之能源控制方法，其中決定該目標能源在該擴展時間區間內的該第二輸出功率的步驟包括： <br/>決定該第一輸出功率在該監控時間區間內的一第一訊號波形； <br/>依據該第一訊號波形產生一第二訊號波形；以及 <br/>依據該第二訊號波形決定該第二輸出功率。
如請求項3所述的再生能源之能源控制方法，其中依據該第一訊號波形產生該第二訊號波形的步驟包括： <br/>將鏡像翻轉的該第一訊號波形作為該第二訊號波形。
如請求項1所述的再生能源之能源控制方法，其中依據該第一輸出功率及該第二輸出功率決定該濾波權重的步驟包括： <br/>透過一變高斯濾波器決定該濾波權重，其中該變高斯濾波器的權重分配的中心點對應於該第一輸出功率在該監控時間區間內的最新輸出功率，且該變高斯濾波器的窗口大小對應於監控時間區間及該擴展時間區間的總和。
如請求項5所述的再生能源之能源控制方法，其中該變高斯濾波器包括一第一濾波器及一第二濾波器，且透過該變高斯濾波器決定該濾波權重的步驟包括： <br/>決定其標準差為α的該第一濾波器，其中α為σ/n，n為2至5之間的正整數，且σ為該第一輸出功率對應高斯濾波器的標準差；以及 <br/>決定其標準差為β的該第二濾波器，其中β為σ。
如請求項6所述的再生能源之能源控制方法，其中依據該濾波權重平滑化該第一輸出功率及該第二輸出功率的步驟包括： <br/>透過該第一濾波器平滑化該第一輸出功率的訊號，並產生一第三輸出功率； <br/>將該第三輸出功率的訊號乘上γ倍，並產生一第四輸出功率，其中γ為2至4之間的值； <br/>透過該第二濾波器平滑化該第一輸出功率的訊號，並產生一第五輸出功率； <br/>計算該第四輸出功率與該第五輸出功率的一功率差值；以及 <br/>依據該功率差值決定一經平滑化的輸出功率。
如請求項7所述的再生能源之能源控制方法，其中該變高斯濾波器更包括一第三濾波器，且透過該變高斯濾波器決定該濾波權重的步驟包括： <br/>決定其標準差為δ的該第三濾波器，其中δ為σ/m，且m為2至5之間的正整數。
如請求項8所述的再生能源之能源控制方法，其中依據該功率差值決定經平滑化的輸出功率的步驟包括： <br/>透過該第三濾波器平滑化該功率差值的訊號，並產生該經平滑化的輸出功率。
如請求項1所述的再生能源之能源控制方法，更包括： <br/>決定一最新輸出功率及一經平滑化的輸出功率之間的一輸出功率差異，其中該最新輸出功率是該第一輸出功率在該監控時間區間內的最後取樣值，且該經平滑化的輸出功率是該第一輸出功率及該第二輸出功率經平滑化的輸出功率；以及 <br/>依據該輸出功率差異決定一儲能輸出功率，其中該儲能輸出功率為充電功率值與放電功率值中的一者。
一種用於再生能源之能源管理的控制器，經配置用以： <br/>取得一目標能源在一監控時間區間內的一第一輸出功率； <br/>決定該目標能源在一擴展時間區間內的一第二輸出功率，其中該擴展時間區間對應於該監控時間區間後的時間區間； <br/>依據該第一輸出功率及該第二輸出功率決定一濾波權重，其中該濾波權重用於平滑濾波；以及 <br/> 依據該濾波權重平滑化該第一輸出功率及該第二輸出功率。
如請求項11所述的用於再生能源之能源管理的控制器，更經配置用以： <br/>設定該第二輸出功率大於零。
如請求項11所述的用於再生能源之能源管理的控制器，更經配置用以： <br/>決定該第一輸出功率在該監控時間區間內的一第一訊號波形； <br/>依據該第一訊號波形產生一第二訊號波形；以及 <br/>依據該第二訊號波形決定該第二輸出功率。
如請求項13所述的用於再生能源之能源管理的控制器，更經配置用以： <br/>將鏡像翻轉的該第一訊號波形作為該第二訊號波形。
如請求項11所述的用於再生能源之能源管理的控制器，更經配置用以： <br/>透過一變高斯濾波器決定該濾波權重，其中該變高斯濾波器的權重分配的中心點對應於該第一輸出功率在該監控時間區間內的最新輸出功率，且該變高斯濾波器的窗口大小對應於監控時間區間及該擴展時間區間的總和。
如請求項15所述的用於再生能源之能源管理的控制器，其中該變高斯濾波器包括一第一濾波器及一第二濾波器，且該控制器更經配置用以： <br/>決定其標準差為α的該第一濾波器，其中α為σ/n，n為2至5之間的正整數，且σ為該第一輸出功率對應高斯濾波器的標準差；以及 <br/>決定其標準差為β的該第二濾波器，其中β為σ。
如請求項16所述的用於再生能源之能源管理的控制器，更經配置用以： <br/>透過該第一濾波器平滑化該第一輸出功率的訊號，並產生一第三輸出功率； <br/>將該第三輸出功率的訊號乘上γ倍，並產生一第四輸出功率，其中γ為2至4之間的值； <br/>透過該第二濾波器平滑化該第一輸出功率的訊號，並產生一第五輸出功率； <br/>計算該第四輸出功率與該第五輸出功率的一功率差值；以及 <br/>依據該功率差值決定一經平滑化的輸出功率。
如請求項17所述的用於再生能源之能源管理的控制器，其中該變高斯濾波器更包括一第三濾波器，且該控制器更經配置用以： <br/>決定其標準差為δ的該第三濾波器，其中δ為σ/m，且m為2至5之間的正整數。
如請求項18所述的用於再生能源之能源管理的控制器，更經配置用以： <br/>透過該第三濾波器平滑化該功率差值的訊號，並產生該經平滑化的輸出功率。
如請求項11所述的用於再生能源之能源管理的控制器，更經配置用以： <br/>決定一最新輸出功率及一經平滑化的輸出功率之間的一輸出功率差異，其中該最新輸出功率是該第一輸出功率在該監控時間區間內的最後取樣值，且該經平滑化的輸出功率是該第一輸出功率及該第二輸出功率經平滑化的輸出功率； <br/>依據該輸出功率差異決定一儲能輸出功率，其中該儲能輸出功率為充電功率值與放電功率值中的一者；以及 <br/>依據該儲能輸出功率產生一控制指令。
一種無線管理系統，包含：<br/> 一控制基板，包含一第一時鐘；以及<br/> 複數個儲能裝置，其中該些儲能裝置中的一第一儲能裝置通訊連接該控制基板，該些儲能裝置各者通訊連接該些儲能裝置其中之一，並且該些儲能裝置各者包含：<br/> 一儲能元件；以及<br/> 一節點基板，電性連接該儲能元件，其中該節點基板包含一第二時鐘；<br/> 其中，該無線管理系統用以執行以下運作：<br/> 基於該控制基板傳送的一第一校時訊號，同步該第一時鐘以及該些儲能裝置各者的該第二時鐘；<br/> 該些儲能裝置基於該控制基板傳送的一測量訊號，於一指定時間點測量該些儲能裝置各者的該儲能元件，以取得對應該指定時間點的複數個量測數據，其中該測量訊號用以指示該指定時間點；<br/> 基於該些儲能裝置傳送的一回傳訊號，該控制基板自該些儲能裝置取得對應該指定時間點的該些量測數據；以及<br/> 其中該控制基板進一步包含一第一天線，該些儲能裝置各者的該節點基板進一步包含一第二天線以及一第三天線，該控制基板的該第一天線通訊連接該第一儲能裝置的該第二天線，並且該些儲能裝置各者透過該第二天線或該第三天線通訊連接該些儲能裝置其中之一的該第二天線或該第三天線。
如請求項1所述之無線管理系統，其中該控制基板的該第一天線設置於鄰近該第一儲能裝置的該第二天線的一側，並且該第一儲能裝置的該第二天線設置於鄰近該控制基板的一側。
如請求項1所述之無線管理系統，其中同步該第一時鐘以及該些儲能裝置各者的該第二時鐘的運作進一步包含：<br/> 該控制基板傳送該第一校時訊號至該第一儲能裝置；以及<br/> 基於該第一校時訊號，該第一儲能裝置執行一同步運作，以使該第一儲能裝置的該第二時鐘和該第一時鐘同步。
如請求項1所述之無線管理系統，其中同步該第一時鐘以及該些儲能裝置各者的該第二時鐘的運作進一步包含：<br/> 該第一儲能裝置傳送一第二校時訊號至該些儲能裝置其中一第二儲能裝置；以及<br/> 基於該第二校時訊號，該第二儲能裝置執行一同步運作，以使該第二儲能裝置的該第二時鐘和該第一儲能裝置的該第二時鐘同步。
如請求項1所述之無線管理系統，其中該些儲能裝置測量該些儲能裝置各者的該儲能元件的運作進一步包含：<br/> 該控制基板傳送該測量訊號至該第一儲能裝置；<br/> 響應於接收該測量訊號，該第一儲能裝置傳送該測量訊號至該些儲能裝置其中一第二儲能裝置；以及<br/> 響應於接收該測量訊號，該些儲能裝置各者基於該第二時鐘，於該指定時間點測量該儲能元件以取得該些量測數據各者。
如請求項1所述之無線管理系統，其中該控制基板取得該些量測數據的運作進一步包含：<br/> 該些儲能裝置其中一第二儲能裝置傳送該回傳訊號至該第一儲能裝置，其中該第二儲能裝置傳送的該回傳訊號包含該第二儲能裝置測量的一第二量測數據；以及<br/> 響應於接收該回傳訊號，該第一儲能裝置傳送該回傳訊號至該控制基板，其中該第一儲能裝置傳送的該回傳訊號包含該第二量測數據以及該第一儲能裝置測量的一第一量測數據。
如請求項1所述之無線管理系統，其中該些儲能裝置進一步包含一第二儲能裝置至一第n儲能裝置，該第一儲能裝置至該第n儲能裝置依序兩兩通訊連接，該第n儲能裝置與一第n-1儲能裝置為相鄰的儲能裝置，並且n為大於1的正整數。
如請求項7所述之無線管理系統，其中該測量訊號由該控制基板朝一下行方向傳送至該第n儲能裝置，其中該下行方向包含依序經由該控制基板、該第一儲能裝置、該第二儲能裝置、該第n-1儲能裝置至該第n儲能裝置。
如請求項7所述之無線管理系統，其中該回傳訊號依序由該第n儲能裝置朝一上行方向傳送至該控制基板，其中該上行方向包含依序經由該第n儲能裝置、該第n-1儲能裝置、該第二儲能裝置、該第一儲能裝置至該控制基板。
一種無線管理方法，適用於一無線管理系統，其中該無線管理系統包含一控制基板以及複數個儲能裝置，該些儲能裝置中的一第一儲能裝置通訊連接該控制基板，並且該無線管理方法包含以下步驟：<br/> 基於該控制基板傳送的一第一校時訊號，同步該控制基板的一第一時鐘以及該些儲能裝置各者的一第二時鐘；<br/> 該些儲能裝置基於該控制基板傳送的一測量訊號，於一指定時間點測量該些儲能裝置各者的一儲能元件，以取得對應該指定時間點的複數個量測數據，其中該測量訊號用以指示該指定時間點；<br/> 基於該些儲能裝置傳送的一回傳訊號，該控制基板自該些儲能裝置取得對應該指定時間點的該些量測數據；以及<br/> 其中該控制基板進一步包含一第一天線，該些儲能裝置各者的一節點基板進一步包含一第二天線以及一第三天線，該控制基板的該第一天線通訊連接該第一儲能裝置的該第二天線，並且該些儲能裝置各者透過該第二天線或該第三天線通訊連接該些儲能裝置其中之一的該第二天線或該第三天線。
如請求項10所述之無線管理方法，其中該控制基板的該第一天線設置於鄰近該第一儲能裝置的該第二天線的一側，並且該第一儲能裝置的該第二天線設置於鄰近該控制基板的一側。
如請求項10所述之無線管理方法，其中同步該第一時鐘以及該些儲能裝置各者的該第二時鐘的步驟進一步包含：<br/> 該控制基板傳送該第一校時訊號至該第一儲能裝置；以及<br/> 基於該第一校時訊號，該第一儲能裝置執行一同步運作，以使該第一儲能裝置的該第二時鐘和該第一時鐘同步。
如請求項10所述之無線管理方法，其中同步該第一時鐘以及該些儲能裝置各者的該第二時鐘的步驟進一步包含：<br/> 該第一儲能裝置傳送一第二校時訊號至該些儲能裝置其中一第二儲能裝置；以及<br/> 基於該第二校時訊號，該第二儲能裝置執行一同步運作，以使該第二儲能裝置的該第二時鐘和該第一儲能裝置的該第二時鐘同步。
如請求項10所述之無線管理方法，其中該些儲能裝置測量該些儲能裝置各者的該儲能元件的步驟進一步包含：<br/> 該控制基板傳送該測量訊號至該第一儲能裝置；<br/> 響應於接收該測量訊號，該第一儲能裝置傳送該測量訊號至該些儲能裝置其中一第二儲能裝置；以及<br/> 響應於接收該測量訊號，該些儲能裝置各者基於該第二時鐘，於該指定時間點測量該儲能元件以取得該些量測數據各者。
如請求項10所述之無線管理方法，其中該控制基板取得該些量測數據的步驟進一步包含：<br/> 該些儲能裝置其中一第二儲能裝置傳送該回傳訊號至該第一儲能裝置，其中該第二儲能裝置傳送的該回傳訊號包含該第二儲能裝置測量的一第二量測數據；以及<br/> 響應於接收該回傳訊號，該第一儲能裝置傳送該回傳訊號至該控制基板，其中該第一儲能裝置傳送的該回傳訊號包含該第二量測數據以及該第一儲能裝置測量的一第一量測數據。
如請求項10所述之無線管理方法，其中該些儲能裝置進一步包含一第二儲能裝置至一第n儲能裝置，該第一儲能裝置至該第n儲能裝置依序兩兩通訊連接，該第n儲能裝置與一第n-1儲能裝置為相鄰的儲能裝置，並且n為大於1的正整數。
如請求項16所述之無線管理方法，其中該測量訊號由該控制基板朝一下行方向傳送至該第n儲能裝置，其中該下行方向包含依序經由該控制基板、該第一儲能裝置、該第二儲能裝置、該第n-1儲能裝置至該第n儲能裝置。
如請求項16所述之無線管理方法，其中該回傳訊號依序由該第n儲能裝置朝一上行方向傳送至該控制基板，其中該上行方向包含依序經由該第n儲能裝置、該第n-1儲能裝置、該第二儲能裝置、該第一儲能裝置至該控制基板。
一種下肢肌力訓練裝置，其包括： <br/>一基座(10)，其包括相對設置的兩個支持柱(12)，每個該支持柱(12)沿一第一方向(L1)延伸；以及 <br/>兩個踏板件(20)，每個該踏板件(20)包括一踏板本體(21)、一足部支持件(22)、一擺動機構(23)以及一連桿件(24)，該連桿件(24)樞接於該支持柱(12)且繞沿一第二方向(L2)延伸的軸線(a)旋轉，該踏板本體(21)固接於該連桿件(24)，該足部支持件(22)經由該擺動機構(23)可平行於該第二方向(L2)擺動地連接於該踏板本體(21)，該第一方向(L1)與該第二方向(L2)正交。
如請求項1所述之下肢肌力訓練裝置，其中該擺動機構(23)包括一第一支持組件(231)、一第二支持組件(232)、一第一連動組件(233)、一第一驅動組件(234)以及一第二驅動組件(235)，該第一支持組件(231)與該第二支持組件(232)是沿該第二方向(L2)平行地設置於該踏板本體(21)，該第一連動組件(233)位於該第一支持組件(231)與該第二支持組件(232)之間，該足部支持件(22)設置於該第一連動組件(233)，且該第一支持組件(231)及該第二支持組件(232)可滑動地支持該足部支持件(22)的相對兩側， 使該足部支持件(22)的相對兩側往相反方向移動，該第一驅動組件(234)沿該第二方向(L2)往復驅動該足部支持件(22)，該第二驅動組件(235)驅動該第一連動組件(233)沿該第二方向(L2)移動。
如請求項2所述之下肢肌力訓練裝置，其中該第一連動組件(233)包括一第一組件本體(2331)以及一轉軸件(2332)，該第一組件本體(2331)連接於該足部支持件(22)且樞接於該轉軸件(2332)，該第二驅動組件(235)驅動該轉軸件(2332)沿該第二方向(L2)線性移動。
如請求項2所述之下肢肌力訓練裝置，其中該第一支持組件(231)包括一第一線性滑軌(2311)以及與該第一線性滑軌(2311)滑動組接的至少一第一滑塊(2312)，該第一線性滑軌(2311)設置於該踏板本體(21)且沿該第二方向(L2)延伸，該至少一第一滑塊(2312)設置於該足部支持件(22)；該第二支持組件(232)包括一第二線性滑軌(2321)以及與該第二線性滑軌(2321)滑動組接的至少一第二滑塊(2322)，該第二線性滑軌(2321)設置於該踏板本體(21)且沿該第二方向(L2)延伸，該至少一第二滑塊(2322)設置於該足部支持件(22)。
如請求項2所述之下肢肌力訓練裝置，其中該第一驅動組件(234)包括沿該第二方向(L2)延伸的一驅動線性滑軌(2341)、可滑動地設置於該驅動線性滑軌(2341)的一滑動件(2342)以及驅動該滑動件(2342)移動的一第一電動缸(2343)。
如請求項1所述之下肢肌力訓練裝置，其中該擺動機構(23)包括一第三支持組件(236)、一第四支持組件(237)、一第三驅動組件(238)、一第四驅動組件(239)以及一第二連動組件(240)，該第三支持組件(236)與該第四支持組件(237)沿該第二方向(L2)平行地設置於該踏板本體(21)，該第二連動組件(240)可移動地設置於該第三支持組件(236)與該第四支持組件(237)，該第三驅動組件(238)與該第四驅動組件(239)分別設置於該第二連動組件(240)的相對兩側且驅動該第二連動組件(240)平行於該第二方向(L2)往復移動或擺動，該第二連動組件(240)連接於該足部支持件(22)。
如請求項6所述之下肢肌力訓練裝置，其中該踏板件(20)更包括一連接件(25)，其中該第二連動組件(240)包括一第二組件本體(241)以及一差動齒輪(242)，該差動齒輪(242)樞接於該第二組件本體(241)，該第三驅動組件(238)包括一第一齒條(2381)，該第四驅動組件(239)包括一第二齒條(2391)，該第一齒條(2381)與該第二齒條(2391)是嚙合於該差動齒輪(242)，當該第一齒條(2381)與該第二齒條(2391)具有速度差時，該差動齒輪(242)轉動，該連接件(25)固接於該足部支持件(22)及該差動齒輪(242)，使該足部支持件(22)與該差動齒輪(242)同步地平行於該第二方向(L2)移動或擺動。
如請求項7所述之下肢肌力訓練裝置，其中該第三驅動組件(238)更包括一第一導螺桿(2382)以及驅動該第一導螺桿(2382)轉動的一第一馬達(2383)，該第一齒條(2381)螺合於該第一導螺桿(2382)，該第一導螺桿(2382)轉動使該第一齒條(2381)平行於該第二方向(L2)移動；該第四驅動組件(239)更包括一第二導螺桿(2392)以及驅動該第二導螺桿(2392)轉動的一第二馬達(2393)，該第二齒條(2391)螺合於該第二導螺桿(2392)，該第二導螺桿(2392)轉動使該第二齒條(2391)平行於該第二方向(L2)移動。
如請求項8所述之下肢肌力訓練裝置，其中該第三支持組件(236)包括沿該第二方向(L2)延伸的一第三線性滑軌(2361)以及於該第三線性滑軌(2361)上滑動的一第三滑塊(2362)，該第四支持組件(237)包括沿該第二方向(L2)延伸的一第四線性滑軌(2371)以及於該第四線性滑軌(2371)上滑動的一第四滑塊(2372)，該第三滑塊(2362)與該第四滑塊(2372)固接於該第二組件本體(241)。
如請求項1所述之下肢肌力訓練裝置，其更包括兩個安裝座(30)以及兩個膝部定位件(40)，其中每個該安裝座(30)連接於該連桿件(24)，每個該膝部定位件(40)可平行於該第二方向(L2)移動地設置於一個該安裝座(30)，且位於該足部支持件(22)的上方，每個該安裝座(30)具有一延伸臂(31)，該延伸臂(31)沿該第二方向(L2)延伸，該膝部定位件(40)可移動地結合於該延伸臂(31)，且由該延伸臂(31)導引而沿該第二方向(L2)移動。
一種具緩衝機構之滑軌，包含：<br/>一第一軌；<br/>一第二軌可相對該第一軌位移，且該第二軌一端設置一第一工作特徵；以及<br/>一緩衝機構，該緩衝機構設置於該第一軌一側，並包含一滑件與一活動裝置，該滑件活動地設置於該第一軌一側，該滑件開設有一第一長槽，且該活動裝置設置於該第一長槽內；<br/>藉此，當該第二軌展開與收合位移時，該第二軌分別朝同方向位移至一第一距離與一第二距離後，該第二軌之該第一工作特徵抵靠該滑件，該第一工作特徵再帶動該滑件朝相同方向位移，而該活動裝置產生一阻力，用以讓該第二軌展開與收合至行程終點。
如請求項1所述之具緩衝機構之滑軌，其中該滑件位於二相對端分別設置一第二工作特徵與一第三工作特徵，且該活動裝置由至少一活動件與一導引特徵所構成，該導引特徵水平延伸設置於該第一長槽至少一側，該至少一活動件設置於該第一軌上，該至少一活動件對應於該導引特徵。
如請求項2所述之具緩衝機構之滑軌，其中當該第二軌相對該第一軌朝同方向位移至該第一工作特徵分別抵靠第二工作特徵與一第三工作特徵，且該第一工作特徵帶動該滑件朝相同方向位移，該第一長槽之該導引特徵帶動該至少一活動件產生該阻力。
如請求項2所述之具緩衝機構之滑軌，其中該第一軌開設一第一安裝槽，該緩衝機構具有一固定板，該固定板對位於該第一安裝槽，且該滑件相鄰該第一軌之一側開設有連通該第一長槽之一第一活動空間，且該固定板設置於該第一活動空間內，且該至少一活動件安裝於該固定板，該至少一活動件由該第一活動空間置入該第一長槽內。
如請求項2所述之具緩衝機構之滑軌，其中該至少一活動件為阻尼齒輪，且該導引特徵為齒條，該至少一阻尼齒輪嚙合該齒條。
如請求項2所述之具緩衝機構之滑軌，其中該至少一活動件為滾動軸承，且該導引特徵為複數個弧凸塊體，該至少一滾動軸承壓掣該複數個弧凸塊體。
如請求項2所述之具緩衝機構之滑軌，其中該第二工作特徵與該第三工作特徵分別組接於滑件上，且分別對位該第一工作特徵。
如請求項4所述之具緩衝機構之滑軌，其中該緩衝機構具有至少一固定件，且該緩衝機構之該滑件開設有水平延伸之至少一第二長槽，該至少一第二長槽相鄰於該第一長槽，該至少一固定件穿過該至少一第二長槽，再鎖固於該第一軌一側，該至少一固定件分別抵靠該至少一第二長槽兩端，用以限位該滑件活動。
如請求項1所述之具緩衝機構之滑軌，其中該第一工作特徵為鉚釘，該鉚釘安裝於該第二軌末端，且朝向該第一軌。
一種壓電振動片，以厚度剪切方式振動，其中： <br/>採用具備在主面上形成有激勵電極的振動部、包圍著所述振動部的外框部、將所述振動部與所述外框部連結的保持部、及在垂直所述主面的方向上將所述振動部與所述外框部之間切除而形成的切除部的結構， <br/>所述保持部具有沿著從所述振動部的俯視中心點通過的第1方向的第1虛擬直線形成的一對振動保持部、及沿著與所述第1方向不同的方向延伸並將每個振動保持部與所述外框部的兩個部位連結的一對外框保持部， <br/>各振動保持部將所述振動部與所述外框保持部連結，所述外框保持部將所述振動保持部與所述外框部連結， <br/>所述外框保持部被構成為，相對於所述第1虛擬直線線對稱，且相對於與垂直於所述第1虛擬直線的第2方向平行的第2虛擬直線線對稱。
如請求項1所述的壓電振動片，其中： <br/>該壓電振動片俯視為矩形，且所述外框部的內周壁及所述振動部的外周壁俯視均為矩形， <br/>該壓電振動片的俯視長邊方向與所述外框部的所述內周壁的俯視長邊方向被配置在相垂直的方向， <br/>各振動保持部沿著所述外框部的所述內周壁的俯視長邊方向延伸到所述外框保持部側，並將所述振動部的所述外周壁與所述外框保持部連結， <br/>所述外框保持部沿著所述外框部的所述內周壁的俯視短邊方向延伸到所述外框部的所述內周壁側，並在所述外框部的所述內周壁的俯視四角區域將所述外框部的所述內周壁與所述振動保持部連結。
如請求項1所述的壓電振動片，其中： <br/>各振動保持部和各外框保持部均被構成為俯視呈直線狀，各振動保持部和各外框保持部在相互垂直的方向上連接。
如請求項3所述的壓電振動片，其中： <br/>各振動保持部的一端與所述振動部的相向的短邊的中間部分連接， <br/>各振動保持部的另一端與所述外框保持部的中間部分連接。
如請求項1所述的壓電振動片，其中： <br/>各振動保持部與所述外框保持部相比，俯視時寬度較寬且長度較短。
如請求項5所述的壓電振動片，其中： <br/>各振動保持部的所述寬度大於所述切除部的所述振動部與所述外框保持部之間的距離。
如請求項1所述的壓電振動片，其中： <br/>該壓電振動片是AT切割晶體振動片。
如請求項7所述的壓電振動片，其中： <br/>該壓電振動片的俯視長邊方向、及所述振動部的俯視長邊方向均為與X軸方向平行的方向。
一種壓電振動裝置，具備請求項1～8中任一項所述的壓電振動片，其中： <br/>將所述壓電振動片的上表面側覆蓋的上表面密封片、和將所述壓電振動片的下表面側覆蓋的下表面密封片與所述壓電振動片接合。
一種層架輔助結構，包括: <br/> 一第一支撐件，固定於一層架的一外框上；<br/> 一第二支撐件，固定於該層架的該外框上，且與該第一支撐件分離；<br/> 一第一轉接件，固定於該第一支撐件上；<br/> 一第二轉接件，固定於該第二支撐件上；<br/> 一第一連桿，橫跨於該第一支撐件和該第二支撐件之間，並分別與該第一支撐件和該第二支撐件形成一第一銳角和一第二銳角；<br/> 一第一快拆連接組件，設於該第一連桿的一第一端，並與該第一轉接件可拆地(detachably)連接；以及<br/> 一第二快拆連接組件，設於該第一連桿的一第二端，並與該第二轉接件可拆地連接。
如請求項1所述之層架輔助結構，其中該第一快拆連接組件與該第二快拆連接組件具有相同結構。
如請求項1所述之層架輔助結構，其中<br/> 該第一支撐件為一第一管殼結構，具有面對該外框的一第一結合面以及相對於該第一結合面的一第一轉接面，且該第一轉接面具有一第一開口，通過該第一開口，可將該第一轉接件裝設於該第一管殼結構之中；且<br/> 該第二支撐件分別為一第二管殼結構，具有面對該外框的一第二結合面以及相對於該第二結合面的一第二轉接面，且該第二轉接面具有一第二開口，通過該第二開口，可將該第二轉接件裝設於該第二管殼結構之中。
如請求項3所述之層架輔助結構，其中<br/> 該第一轉接件係尺寸實質小於該第一開口的一矩形殼體，該矩形殼體具有一第一上板、平行該第一管殼結構的一第一長軸的一第一側板和一第二側板以及垂直該第一長軸的一第三側板和一第四側板；且<br/> 該第二轉接件係尺寸實質小於該第二開口的一矩形殼體，該矩形殼體具有一第二上板、平行該第二管殼結構的一第二長軸的一第五側板和一第六側板以及垂直該第二長軸的一第七側板和一第八側板。
如請求項4所述之層架輔助結構，其中<br/> 該第一側板和第二側板通過複數個固定單元固定於該第一管殼結構的一內側側壁，該第一上板平行該第一轉接面且具有一第一插銷穿孔，貫穿該第一上板；且<br/> 該第五側板和第六側板通過複數個固定單元固定於該第二管殼結構的一內側側壁，該第二上板平行該第二轉接面且具有一第二插銷穿孔，貫穿該第二上板。
如請求項5所述之層架輔助結構，其中<br/> 該第一轉接件更包括一第一插銷，一端固定於該第一管殼結構的一內側底板上，另一端穿過該第一插銷穿孔、該第一上板和該第一開口；且<br/> 該第二轉接件更包括一第二插銷，一端固定於該第二管殼結構的一內側底板上，另一端穿過該第二插銷穿孔、該第二上板和該第二開口。
如請求項6所述之層架輔助結構，其中該第一連桿更包括:<br/> 一第一貫通孔，位於該第一端，可容許該第一插銷穿設其中，並通過該第一快拆連接組件與該第一轉接件可拆地連接；以及<br/> 一第二貫通孔，位於該第二端，可容許該第二插銷穿設其中，並通過該第二快拆連接組件與該第二轉接件可拆地連接。
如請求項7所述之層架輔助結構，其中該第一連桿更包括:<br/> 一第一側孔，垂直並連通該第一貫通孔，用於容納該第一快拆連接組件穿設其中；以及<br/> 一第二側孔，垂直並連通該第二貫通孔，用於容納該第二快拆連接組件穿設其中。
如請求項8所述之層架輔助結構，其中該第一側孔與該第二側孔配置在該第一連桿的相反側。
如請求項8所述之層架輔助結構，其中<br/> 該第一快拆連接組件包括一第一套筒通過一螺紋鎖固於該第一側孔，以及一第一銷釘，可動地穿設並固定於該第一套筒中，並可選擇地延伸進入該第一貫通孔，用以卡掣該第一插銷；以及<br/> 該第二快拆連接組件包括一第二套筒通過一螺紋鎖固於該第二側孔，以及一第二銷釘，可動地穿設並固定於該第二套筒之中，並可選擇地延伸進入該第二貫通孔，用以卡掣該第二插銷。
如請求項5所述之層架輔助結構，其中<br/> 該第三側板和第四側板之至少一者，包括一第一凸緣平行該第一長軸延伸，並通過至少一固定單元固定於該第一管殼結構的一內側底板；且<br/> 該第七側板和第八側板之至少一者，包括一第二凸緣平行該第二長軸延伸，並通過至少一固定單元固定於該第二管殼結構的一內側底板。
如請求項11所述之層架輔助結構，其中該第二轉接件更包括一第三插銷，一端固定於該第二管殼結構的該內側底板之中，另一端穿過貫穿該第二上板的一第三插銷穿孔。
如請求項12所述之層架輔助結構，更包括:<br/> 一第三轉接件，固定於該第一支撐件的一第三開口之中，並遠離該第一轉接件，且包括一第四插銷，一端固定於該第一管殼結構的該內側底板上，另一端穿過該第三轉接件的一第四插銷穿孔；<br/> 一第二連桿，橫跨於該第一支撐件和該第二支撐件之間，並分別與該第一支撐件和該第二支撐件形成一第三銳角和一第四銳角；<br/> 一第三快拆連接組件，設於該第二連桿的一第三端，並與該第三插銷可拆地連接；以及<br/> 一第四快拆連接組件，設於該第二連桿的一第四端，並與該第四插銷可拆地連接。
如請求項13所述之層架輔助結構，其中該第一連桿與該第二連桿可以互換地與該第一支撐件和該第二支撐件可拆地連接。
如請求項3所述之層架輔助結構，更包括至少一防呆元件，凸設於該第一結合面和該第二結合面之至少一者上，與該外框的一定位元件對應。
如請求項15所述之層架輔助結構，更包括至少一併架元件，用於將該外框與另一層架的另一外框並排固定，且該第一支撐件和該第二支撐件中鄰接於該另一外框之一者，具有一讓位開口，位於該第一結合面上，以容許該併架元件穿設其中。
一種基板清洗設備，適於清洗一承載架所承載的一基板，該基板清洗設備包含：<br/> 一入料翻轉裝置，用以翻轉該承載架以使該基板由一水平狀態翻轉至一直立狀態，該入料翻轉裝置用以沿一輸送方向將該承載架及其所承載的呈該直立狀態的該基板輸出；<br/> 一清洗裝置，位於該入料翻轉裝置下游用以承接該入料翻轉裝置所輸出的該承載架，該清洗裝置用以沿該輸送方向輸送該承載架移動以清洗該基板及輸出該承載架；<br/> 一乾燥裝置，位於該清洗裝置下游用以承接該清洗裝置所輸出的該承載架，該乾燥裝置用以沿該輸送方向輸送該承載架移動以乾燥該基板及輸出該承載架；及<br/> 一出料翻轉裝置，位於該乾燥裝置下游用以承接由該乾燥裝置所輸出的該承載架，該出料翻轉裝置用以翻轉該承載架以使該基板由該直立狀態翻轉至該水平狀態；<br/> 該清洗裝置包括位於該入料翻轉裝置與該乾燥裝置之間的一輸送機構、設置於該輸送機構且位於該入料翻轉裝置下游的一化學清洗段，及設置於該輸送機構且位於該化學清洗段與該乾燥裝置之間的一水洗段，該輸送機構用以沿該輸送方向輸送該承載架移動，該化學清洗段用以通過化學藥液清洗該輸送機構所輸送的該基板，該水洗段用以至少通過第一清洗水清洗該輸送機構所輸送的該基板，該水洗段包含一第一浸泡區、位於該第一浸泡區下游的至少一噴灑區，及位於該噴灑區下游的一第二浸泡區，該第一浸泡區通過該第一清洗水浸泡該基板，該噴灑區通過該第一清洗水噴灑該基板，該第二浸泡區通過含有二氧化碳的第二清洗水浸泡該基板。
如請求項1所述的基板清洗設備，其中，該化學清洗段包含一浸泡區，及位於該浸泡區下游的一噴灑區，該浸泡區通過該化學藥液浸泡該基板，該噴灑區通過該化學藥液噴灑該基板。
如請求項2所述的基板清洗設備，其中，該浸泡區包括一箱體、一超音波振動器，及一噴流總成，該箱體形成有供該輸送機構的一部分設置且容置該化學藥液以浸泡該基板的一浸泡槽，該超音波振動器設置於該浸泡槽內用以產生超音波以振動該浸泡槽內的該化學藥液，該噴流總成設置於該浸泡槽內用以噴出該化學藥液以攪拌該浸泡槽內的該化學藥液。
如請求項2所述的基板清洗設備，其中，該噴灑區包括一箱體，及一前噴灑總成，該箱體形成有供該輸送機構的一部分設置且供該基板容置的一腔室，該箱體具有一前側，及相反於該前側的一後側，該前噴灑總成設置於該腔室內且鄰近於該前側，該前噴灑總成用以噴灑該化學藥液至該基板的面向該前側的一正面。
如請求項4所述的基板清洗設備，其中，該箱體還具有一底端，及相反於該底端的一頂端，該前噴灑總成包含一第一斜噴灑組件、一第二斜噴灑組件，及一第三斜噴灑組件，該第一斜噴灑組件鄰近於該頂端並包括沿該輸送方向相間隔排列的多個第一噴嘴，每一個該第一噴嘴朝向該後側與該底端的方向傾斜，每一個該第一噴嘴用以將該化學藥液噴出成扇形噴霧至該基板的該正面，該第二斜噴灑組件及該第三斜噴灑組件沿該輸送方向相間隔排列，該第二斜噴灑組件包括沿垂直於該輸送方向的一上下方向相間隔排列的多個第二噴嘴，每一個該第二噴嘴朝向該後側與該第三斜噴灑組件的方向傾斜，每一個該第二噴嘴用以將該化學藥液噴出成扇形噴霧至該基板的該正面，該第三斜噴灑組件包括沿該上下方向相間隔排列的多個第三噴嘴，每一個該第三噴嘴朝向該後側與該第二斜噴灑組件的方向傾斜，每一個該第三噴嘴用以將該化學藥液噴出成扇形噴霧至該基板的該正面。
如請求項5所述的基板清洗設備，其中，該第一斜噴灑組件還包括一支撐架及多個萬向接頭，每一個該萬向接頭能轉動地連接於該支撐架且固定地連接於對應的該第一噴嘴，該第二斜噴灑組件還包括連接於該等第二噴嘴的一第一立管，該第一立管能被操作而繞平行於該上下方向的一第一縱軸線旋轉以調整該等第二噴嘴的角度，該第三斜噴灑組件還包括連接於該等第三噴嘴的一第二立管，該第二立管能被操作而繞平行於該上下方向的一第二縱軸線旋轉以調整該等第三噴嘴的角度。
如請求項5所述的基板清洗設備，其中，該前噴灑總成還包含一正噴灑組件，該正噴灑組件沿該輸送方向與該第二斜噴灑組件及該第三斜噴灑組件相間隔且介於該第二斜噴灑組件及該第三斜噴灑組件之間，該正噴灑組件包括沿該上下方向相間隔排列且朝向該後側的多個正噴嘴，每一個該正噴嘴用以將該化學藥液噴出成圓錐形噴霧至該基板的該正面。
如請求項4所述的基板清洗設備，其中，該箱體還具有一頂端，該噴灑區還包括設置於該腔室內且鄰近該頂端的一上水刀，該上水刀用以將該化學藥液朝下噴出成水簾至該基板的面向該頂端的一頂緣。
如請求項4所述的基板清洗設備，其中，該噴灑區還包括設置於該腔室內且鄰近該後側的一後噴灑總成，該後噴灑總成用以噴灑該化學藥液至該基板的面向該後側的一背面。
如請求項9所述的基板清洗設備，其中，該後噴灑總成包含沿該輸送方向相間隔排列的多個背噴灑組件，每一個該背噴灑組件包括沿垂直於該輸送方向的一上下方向相間隔排列的多個背噴嘴，每一個該背噴嘴用以將該化學藥液噴出成圓錐形噴霧至該基板的該背面。
如請求項1所述的基板清洗設備，其中，該水洗段還包含位於該第一浸泡區上游的一第一噴洗區，及位於該第二浸泡區下游的一第二噴洗區，該第一噴洗區通過該第一清洗水噴洗該基板，該第二噴洗區通過該第二清洗水噴洗該基板。
如請求項11所述的基板清洗設備，其中，該水洗段包含沿該輸送方向相間隔的兩個噴灑區，該等噴灑區分別位於該第一浸泡區下游及該第二浸泡區上游。
如請求項1所述的基板清洗設備，其中，該第一浸泡區包括一箱體、一前水刀、一上水刀，及一噴流總成，該箱體形成有供該輸送機構的一部分設置且容置有該第一清洗水以浸泡該基板的一浸泡槽，該箱體具有一前側，及一頂端，該前水刀設置於該浸泡槽內且鄰近於該前側，該前水刀用以將該第一清洗水朝後噴出成水簾至該基板的面向該前側的一正面，該上水刀設置於該浸泡槽內且鄰近於該頂端，該上水刀用以將該第一清洗水朝下噴出成水簾至該基板的面向該頂端的一頂緣，該噴流總成設置於該浸泡槽內用以噴出該第一清洗水以攪拌該浸泡槽內的該第一清洗水。
如請求項1所述的基板清洗設備，其中，該第二浸泡區包括一箱體、一前水刀、一上水刀，及一噴流總成，該箱體形成有供該輸送機構的一部分設置且容置有該第二清洗水以浸泡該基板的一浸泡槽，該箱體具有一前側，及一頂端，該前水刀設置於該浸泡槽內且鄰近於該前側，該前水刀用以將該第二清洗水朝後噴出成水簾至該基板的面向該前側的一正面，該上水刀設置於該浸泡槽內且鄰近於該頂端，該上水刀用以將該第二清洗水朝下噴出成水簾至該基板的面向該頂端的一頂緣，該噴流總成設置於該浸泡槽內用以噴出該第二清洗水以攪拌該浸泡槽內的該第二清洗水。
如請求項1所述的基板清洗設備，其中，該噴灑區包括一箱體，及一前噴灑總成，該箱體形成有供該輸送機構的一部分設置且供該基板容置的一腔室，該箱體具有一前側，及相反於該前側的一後側，該前噴灑總成設置於該腔室內且鄰近於該前側，該前噴灑總成用以噴灑該第一清洗水至該基板的面向該前側的一正面。
如請求項15所述的基板清洗設備，其中，該箱體還具有一底端，及相反於該底端的一頂端，該前噴灑總成包含一第一斜噴灑組件、一第二斜噴灑組件，及一第三斜噴灑組件，該第一斜噴灑組件鄰近於該頂端並包括沿該輸送方向相間隔排列的多個第一噴嘴，每一個該第一噴嘴朝向該後側與該底端的方向傾斜，每一個該第一噴嘴用以將該第一清洗水噴出成扇形噴霧至該基板的該正面，該第二斜噴灑組件及該第三斜噴灑組件沿該輸送方向相間隔排列，該第二斜噴灑組件包括沿垂直於該輸送方向的一上下方向相間隔排列的多個第二噴嘴，每一個該第二噴嘴朝向該後側與該第三斜噴灑組件的方向傾斜，每一個該第二噴嘴用以將該第一清洗水噴出成扇形噴霧至該基板的該正面，該第三斜噴灑組件包括沿該上下方向相間隔排列的多個第三噴嘴，每一個該第三噴嘴朝向該後側與該第二斜噴灑組件的方向傾斜，每一個該第三噴嘴用以將該第一清洗水噴出成扇形噴霧至該基板的該正面。
如請求項16所述的基板清洗設備，其中，該第一斜噴灑組件還包括一支撐架及多個萬向接頭，每一個該萬向接頭能轉動地連接於該支撐架且固定地連接於對應的該第一噴嘴，該第二斜噴灑組件還包括連接於該等第二噴嘴的一第一立管，該第一立管能被操作而繞平行於該上下方向的一第一縱軸線旋轉以調整該等第二噴嘴的角度，該第三斜噴灑組件還包括連接於該等第三噴嘴的一第二立管，該第二立管能被操作而繞平行於該上下方向的一第二縱軸線旋轉以調整該等第三噴嘴的角度。
如請求項16所述的基板清洗設備，其中，該前噴灑總成還包含一正噴灑組件，該正噴灑組件沿該輸送方向與該第二斜噴灑組件及該第三斜噴灑組件相間隔且介於該第二斜噴灑組件及該第三斜噴灑組件之間，該正噴灑組件包括沿該上下方向相間隔排列且朝向該後側的多個正噴嘴，每一個該正噴嘴用以將該第一清洗水噴出成圓錐形噴霧至該基板的該正面。
如請求項15所述的基板清洗設備，其中，該箱體還具有一頂端，該噴灑區還包括設置於該腔室內且鄰近該頂端的一上水刀，該上水刀用以將該第一清洗水朝下噴出成水簾至該基板的面向該頂端的一頂緣。
如請求項15所述的基板清洗設備，其中，該噴灑區還包括設置於該腔室內且鄰近該後側的一後噴灑總成，該後噴灑總成用以噴灑該第一清洗水至該基板的面向該後側的一背面。
如請求項20所述的基板清洗設備，其中，該後噴灑總成包含沿該輸送方向相間隔排列的多個背噴灑組件，每一個該背噴灑組件包括沿垂直於該輸送方向的一上下方向相間隔排列的多個背噴嘴，每一個該背噴嘴用以將該第一清洗水噴出成圓錐形噴霧至該基板的該背面。
如請求項11所述的基板清洗設備，其中，該第一噴洗區包括沿垂直於該輸送方向的一前後方向反向設置的兩個側噴洗件，該等側噴洗件用以分別將該第一清洗水側向噴灑至該基板的一正面及一背面。
如請求項11所述的基板清洗設備，其中，該第二噴洗區包括沿垂直於該輸送方向的一前後方向反向設置的兩個側噴洗件，該等側噴洗件用以分別將該第二清洗水側向噴灑至該基板的一正面及一背面。
如請求項1所述的基板清洗設備，其中，該乾燥裝置包括位於該清洗裝置與該出料翻轉裝置之間的一輸送機構、設置於該輸送機構且位於該清洗裝置下游的一吹乾段，及設置於該輸送機構且位於該吹乾段與該出料翻轉裝置之間的一烘乾段，該輸送機構用以沿該輸送方向輸送該承載架移動，該吹乾段用以對該基板吹第一風以吹乾該基板，該烘乾段用以對該基板吹第二風以烘乾該基板，該第二風的溫度大於該第一風的溫度。
如請求項24所述的基板清洗設備，其中，該吹乾段包含多個側風刀組，及一上風刀，該等側風刀組沿該輸送方向相間隔排列，每一個該側風刀組包括沿垂直於該輸送方向的一前後方向反向設置的兩個側風刀，該等側風刀用以分別將該第一風側向吹至該基板的一正面及一背面，該上風刀用以將該第一風朝下吹至該基板的一頂緣。
如請求項24所述的基板清洗設備，其中，該烘乾段包含多個側風刀組，及一上風刀，該等側風刀組沿該輸送方向相間隔排列，每一個該側風刀組包括沿垂直於該輸送方向的一前後方向反向設置的兩個側風刀，該等側風刀用以分別將該第二風側向吹至該基板的一正面及一背面，該上風刀用以將該第二風朝下吹至該基板的一頂緣。
如請求項1所述的基板清洗設備，其中，該入料翻轉裝置包括一輸送機構，及一旋轉驅動機構，該輸送機構用以承接及輸送該承載架，該旋轉驅動機構連接於該輸送機構用以驅動該輸送機構在一水平位置及一直立位置之間旋轉，當該輸送機構在該水平位置時，該輸送機構用以承接該承載架，且該承載架所承載的該基板呈該水平狀態，當該輸送機構在該直立位置時，該承載架所承載的該基板呈該直立狀態，該輸送機構用以沿該輸送方向輸出該承載架及其所承載的該基板至該清洗裝置。
如請求項1所述的基板清洗設備，其中，該出料翻轉裝置包括一輸送機構，及一旋轉驅動機構，該輸送機構用以承接及輸送該承載架，該旋轉驅動機構連接於該輸送機構用以驅動該輸送機構在一直立位置及一水平位置之間旋轉，當該輸送機構在該直立位置時，該輸送機構用以承接由該乾燥裝置所輸出的該承載架，且該承載架所承載的該基板呈該直立狀態，當該輸送機構在該水平位置時，該承載架所承載的該基板呈該水平狀態，且該輸送機構用以輸出該承載架。
如請求項1所述的基板清洗設備，其中，該清洗裝置及該乾燥裝置各自包括用以沿該輸送方向輸送該承載架的一輸送機構，該基板清洗設備還包含一控制裝置，該控制裝置包括一第一驅動機構、一第二驅動機構，及一操控器，該第一驅動機構連接於該清洗裝置的該輸送機構並可被操作而驅動該輸送機構進行一間歇移動模式或一定速移動模式，該第二驅動機構連接於該乾燥裝置的該輸送機構並可被操作而驅動該輸送機構進行一定速移動模式，該操控器電性連接於該第一驅動機構並可被操作而控制該第一驅動機構驅動該清洗裝置的該輸送機構進行該間歇移動模式或該定速移動模式，該操控器電性連接於該第二驅動機構並可被操作而控制該第二驅動機構驅動該乾燥裝置的該輸送機構進行該定速移動模式。
一種基板清洗方法，適於清洗一承載架所承載的一基板，該基板清洗方法包含下述步驟：<br/> 入料翻轉步驟，通過一入料翻轉裝置翻轉該承載架以使該基板由一水平狀態翻轉至一直立狀態，而後該入料翻轉裝置沿一輸送方向輸出該承載架及其所承載的呈該直立狀態的該基板；<br/> 清洗步驟，通過一清洗裝置承接該入料翻轉裝置所輸出的該承載架並對該承載架所承載的該基板進行清洗，而後該清洗裝置沿該輸送方向輸出該承載架；<br/> 乾燥步驟，通過一乾燥裝置承接該清洗裝置所輸出的該承載架並對該承載架所承載的該基板進行乾燥，而後該乾燥裝置沿該輸送方向輸出該承載架；及<br/> 出料翻轉步驟，通過一出料翻轉裝置承接該乾燥裝置所輸出的該承載架，而後該出料翻轉裝置翻轉該承載架以使該基板由該直立狀態翻轉至該水平狀態；<br/> 該清洗步驟包括一化學洗子步驟，及位於該化學洗子步驟之後的一水洗子步驟，在該化學洗子步驟中，該清洗裝置通過一化學清洗段清洗該基板，在該水洗子步驟中，該清洗裝置通過一水洗段清洗該基板，該水洗子步驟包含一第一浸泡工序、位於該第一浸泡工序之後的至少一噴灑工序，及位於該噴灑工序之後的一第二浸泡工序，在該第一浸泡工序中，該水洗段通過一第一浸泡區以第一清洗水浸泡該基板，在該噴灑工序中，該水洗段通過一噴灑區以該第一清洗水噴灑該基板，在該第二浸泡工序中，該水洗段通過一第二浸泡區以含有二氧化碳的第二清洗水浸泡該基板。
如請求項30所述的基板清洗方法，其中，該化學洗子步驟包含一浸泡工序，及位於該浸泡工序之後的一噴灑工序，在該浸泡工序中，該化學清洗段通過一浸泡區以化學藥液浸泡該基板，在該噴灑工序中，該化學清洗段通過一噴灑區以該化學藥液噴灑該基板。
如請求項31所述的基板清洗方法，其中，該浸泡工序包括一第一子工序，及位於該第一子工序之後的一第二子工序，在該第一子工序中，該浸泡區通過一超音波振動器產生超音波振動該化學藥液，使該化學藥液以振動方式清洗該基板，在該第二子工序中，該浸泡區通過一噴流總成噴出該化學藥液以攪拌該化學藥液，使該化學藥液以振動方式清洗該基板。
如請求項31所述的基板清洗方法，其中，該噴灑工序包括一第一子工序，及位於該第一子工序之後的一第二子工序，在該第一子工序中，該噴灑區通過一前噴灑總成的一第一斜噴灑組件、一第二斜噴灑組件及一第三斜噴灑組件將該化學藥液噴灑至該基板的一正面，在該第二子工序中，該噴灑區通過該前噴灑總成的該第一斜噴灑組件、該第二斜噴灑組件、該第三斜噴灑組件及一正噴灑組件將該化學藥液噴灑至該基板的該正面，該噴灑區通過一上水刀將該化學藥液噴灑至該基板的一頂緣，該噴灑區通過一後噴灑總成將該化學藥液噴灑至該基板的一背面。
如請求項30所述的基板清洗方法，其中，在該第一浸泡工序中，該第一浸泡區通過一前水刀將該第一清洗水噴至該基板的一正面、通過一上水刀將該第一清洗水噴至該基板的一頂緣，以及通過一噴流總成噴出該第一清洗水以攪拌該第一清洗水，使該第一清洗水以振動方式清洗該基板。
如請求項30所述的基板清洗方法，其中，在該第二浸泡工序中，該第二浸泡區通過一前水刀將該第二清洗水噴至該基板的一正面、通過一上水刀將該第二清洗水噴至該基板的一頂緣，以及通過一噴流總成噴出該第二清洗水以攪拌該第二清洗水，使該第二清洗水以振動方式清洗該基板。
如請求項30所述的基板清洗方法，其中，該噴灑工序包括一第一子工序，及位於該第一子工序之後的一第二子工序，在該第一子工序中，該噴灑區通過一前噴灑總成的一第一斜噴灑組件、一第二斜噴灑組件及一第三斜噴灑組件將該第一清洗水噴灑至該基板的一正面，在該第二子工序中，該噴灑區通過該前噴灑總成的該第一斜噴灑組件、該第二斜噴灑組件、該第三斜噴灑組件及一正噴灑組件將該第一清洗水噴灑至該基板的該正面，該噴灑區通過一上水刀將該第一清洗水噴灑至該基板的一頂緣，該噴灑區通過一後噴灑總成將該第一清洗水噴灑至該基板的一背面。
如請求項30所述的基板清洗方法，其中，該水洗子步驟包含兩個噴灑工序，該等噴灑工序分別為一第一噴灑工序及一第二噴灑工序，該第一噴灑工序位於該第一浸泡工序之後，該第二噴灑工序位於該第一噴灑工序之後且位於該第二浸泡工序之前，在該第一噴灑工序中，該水洗段通過一個該噴灑區以該第一清洗水噴灑該基板，在該第二噴灑工序中，該水洗段通過另一個該噴灑區以該第一清洗水噴灑該基板。
如請求項30所述的基板清洗方法，其中，該水洗子步驟還包含位於該第一浸泡工序之前的一第一噴洗工序，及位於該第二浸泡工序之後的一第二噴洗工序，在該第一噴洗工序中，該水洗段通過一第一噴洗區以該第一清洗水噴洗該基板，在該第二噴洗工序中，該水洗段通過一第二噴洗區以該第二清洗水噴洗該基板。
如請求項30所述的基板清洗方法，其中，該乾燥步驟包括一吹乾子步驟，及位於該吹乾子步驟之後的一烘乾子步驟，在該吹乾子步驟中，該乾燥裝置通過一吹乾段對該基板吹第一風以吹乾該基板，在該烘乾子步驟中，該乾燥裝置通過一烘乾段對該基板吹第二風以烘乾該基板，該第二風的溫度大於該第一風的溫度。
如請求項39所述的基板清洗方法，其中，在該吹乾子步驟中，該吹乾段通過多個側風刀組將該第一風側向吹至該基板的一正面及一背面，以及通過一上風刀將該第一風朝下吹至該基板的一頂緣，在該烘乾子步驟中，該烘乾段通過多個側風刀組將該第二風側向吹至該基板的該正面及該背面，以及通過一上風刀將該第二風朝下吹至該基板的該頂緣，該第一風的溫度是小於30℃，該第二風的溫度是120℃。
如請求項30所述的基板清洗方法，還包含位於該入料翻轉步驟之前的輸送模式設定步驟，通過一控制裝置設定一間歇輸送模式或一定速輸送模式，在該間歇輸送模式時，該清洗裝置以一間歇移動模式輸送該承載架移動， 該乾燥裝置以一定速移動模式輸送該承載架移動，在該定速輸送模式時，該清洗裝置以一定速移動模式輸送該承載架移動，該乾燥裝置以該定速移動模式輸送該承載架移動。
一種組成物，包含：<br/> 一組成顆粒以及一分散顆粒，該組成顆粒與該分散顆粒皆為一活性材料；<br/> 其中，該組成顆粒包含一鈮鈦複合氧化物，該鈮鈦複合氧化物包含一鈮元素與一鈦元素；<br/> 其中，該分散顆粒包含一結構元素氧化物，該結構元素氧化物包含一結構元素，且該結構元素選自銅、錫、矽、鐵、錳中的至少三者。
如請求項1所述的組成物，其中該組成物於電壓為0.05 V至4.00 V的範圍內具有至少二氧化波峰或至少二還原波峰。
如請求項1所述的組成物，其中該組成顆粒佔該組成物的重量比例為pWtn，該分散顆粒佔該組成物的重量比例為pWen，其滿足下列條件：<br/> 0.20 ≤ pWtn/pWen ≤ 5.00。
如請求項1所述的組成物，其中該組成顆粒的累計粒徑為tnD50，該分散顆粒的累計粒徑為enD50，其滿足下列條件：<br/> 0.05 ≤ Log(tnD50/enD50) ≤ 2.50。
如請求項3所述的組成物，其中該組成顆粒佔該組成物的重量比例為pWtn，該分散顆粒佔該組成物的重量比例為pWen，其滿足下列條件：<br/> 0.40 ≤ pWtn/pWen ≤ 2.50。
如請求項4所述的組成物，其中該組成顆粒的累計粒徑為tnD50，該分散顆粒的累計粒徑為enD50，其滿足下列條件：<br/> 0.50 ≤ Log(tnD50/enD50) ≤ 1.50。
一種負極，包含：<br/> 一負極材料，包含如請求項1所述的組成物以及一助導劑。
如請求項7所述的負極，其中該組成物佔該負極材料的重量比例為pWo，該助導劑佔該負極材料的重量比例為pWc，其滿足下列條件：<br/> 2.80 ≤ pWo/pWc ≤ 3.80。
如請求項7所述的負極，其中該負極材料於電壓為0.20 V至3.00 V的範圍內具有至少二氧化波峰或至少二還原波峰。
如請求項9所述的負極，其中該負極材料於電壓為1.00 V至2.50 V的範圍內具有至少二氧化波峰，該負極材料於電壓為0.20 V至2.00 V的範圍內具有至少二還原波峰。
如請求項7所述的負極，其中該負極材料的一第一氧化波峰的峰值為Ipa1，該負極材料的一第二氧化波峰的峰值為Ipa2，其滿足下列條件：<br/> 0.50 ≤ Ipa1/Ipa2 ≤ 5.00。
如請求項7所述的負極，其中該負極材料的一第一還原波峰的峰值為Ipc1，該負極材料的一第二還原波峰的峰值為Ipc2，其滿足下列條件：<br/> 1.50 ≤ Ipc1/Ipc2 ≤ 8.00。
如請求項7所述的負極，其中該負極材料的密度為DSan，其滿足下列條件：<br/> 0.40 g/cm<sup>3</sup> ≤ DSan ≤ 1.80 g/cm<sup>3</sup>。
如請求項7所述的負極，其中該負極材料的厚度為THan，該負極材料的電阻為Ran，其滿足下列條件：<br/> 1.0 µm ≤ THan ≤ 70.0 µm；以及<br/> 0.50 mΩ ≤ Ran ≤ 50.00 mΩ。
一種電池，包含：<br/> 如請求項7所述的負極。
如請求項15所述的電池，其中該電池以1 C電流充放電於第十次循環的放電體積電容量為C1V10，該電池以1 C電流充放電於第一百次循環的放電體積電容量為C1V100，其滿足下列條件：<br/> 0.50 ≤ C1V100/C1V10 ≤ 1.80。
如請求項15所述的電池，其中該電池以1 C電流充放電於第十次循環的放電體積電容量為C1V10，該電池以1 C電流充放電於第五百次循環的放電體積電容量為C1V500，其滿足下列條件：<br/> 0.50 ≤ C1V500/C1V10 ≤ 2.50。
如請求項15所述的電池，其中該電池以4 C電流充放電於第十次循環的放電體積電容量為C4V10，該電池以4 C電流充放電於第一百次循環的放電體積電容量為C4V100，其滿足下列條件：<br/> 0.50 ≤ C4V100/C4V10 ≤ 1.50。
如請求項15所述的電池，其中該電池以6 C電流充放電於第十次循環的放電體積電容量為C6V10，該電池以6 C電流充放電於第一百次循環的放電體積電容量為C6V100，其滿足下列條件：<br/> 0.50 ≤ C6V100/C6V10 ≤ 1.50。
一種組成物，包含：<br/> 一組成顆粒以及一分散顆粒，該組成顆粒與該分散顆粒皆為一活性材料；<br/> 其中，該組成顆粒包含一鈮鈦複合氧化物，該鈮鈦複合氧化物包含一鈮元素與一鈦元素；<br/> 其中，該分散顆粒包含一結構元素複合氧化物，該結構元素複合氧化物包含至少三結構元素，且該結構元素複合氧化物選自由矽錫鐵複合氧化物、矽銅錳複合氧化物、錫銅鈷複合氧化物、錫錳鎳複合氧化物、銅錳鎳複合氧化物與銅錫鎳複合氧化物所組成的群組中的至少一者。
如請求項20所述的組成物，其中該組成顆粒佔該組成物的重量比例為pWtn，該分散顆粒佔該組成物的重量比例為pWen，其滿足下列條件：<br/> 0.20 ≤ pWtn/pWen ≤ 5.00。
如請求項20所述的組成物，其中該組成顆粒的觀測粒徑為SDtn，該分散顆粒的觀測粒徑為SDen，其滿足下列條件：<br/> 0.50 µm ≤ SDtn ≤ 50.00 µm；以及<br/> 0.01 µm ≤ SDen ≤ 5.00 µm。
如請求項21所述的組成物，其中該組成顆粒佔該組成物的重量比例為pWtn，該分散顆粒佔該組成物的重量比例為pWen，其滿足下列條件：<br/> 0.30 ≤ pWtn/pWen ≤ 2.80。
如請求項22所述的組成物，其中該組成顆粒的觀測粒徑為SDtn，該分散顆粒的觀測粒徑為SDen，其滿足下列條件：<br/> 3.00 µm ≤ SDtn ≤ 15.00 µm；以及<br/> 0.25 µm ≤ SDen ≤ 1.00 µm。
一種負極，包含：<br/> 一負極材料，包含如請求項20所述的組成物。
如請求項25所述的負極，其中該負極材料於電壓為1.00 V至2.50 V的範圍內具有至少二氧化波峰，該負極材料於電壓為0.20 V至2.00 V的範圍內具有至少二還原波峰。
如請求項26所述的負極，其中該負極材料的一第一氧化波峰的電壓為Epa1，其滿足下列條件：<br/> 1.50 V ≤ Epa1 ≤ 2.00 V。
如請求項26所述的負極，其中該負極材料的一第一還原波峰的電壓為Epc1，其滿足下列條件：<br/> 0.20 V ≤ Epc1 ≤ 1.20 V。
如請求項26所述的負極，其中該負極材料的一第一氧化波峰的電壓為Epa1，該負極材料的一第一還原波峰的電壓為Epc1，其滿足下列條件：<br/> 0.40 V ≤ Epa1-Epc1 ≤ 1.80 V。
如請求項26所述的負極，其中該負極材料的一第一氧化波峰的峰值為Ipa1，該負極材料的一第一還原波峰的峰值為Ipc1，其滿足下列條件：<br/> 0.30 ≤ |Ipa1/Ipc1| ≤ 1.50。
一種電池，包含：<br/> 如請求項25所述的負極。
如請求項31所述的電池，其中該電池以1 C電流充放電於第一百次循環的放電體積電容量為C1V100，該電池以4 C電流充放電於第一百次循環的放電體積電容量為C4V100，其滿足下列條件：<br/> 0.50 ≤ C4V100/C1V100 ≤ 1.20。
如請求項31所述的電池，其中該電池以1 C電流充放電於第一百次循環的放電體積電容量為C1V100，該電池以6 C電流充放電於第一百次循環的放電體積電容量為C6V100，其滿足下列條件：<br/> 0.30 ≤ C6V100/C1V100 ≤ 1.20。
一種用來刷新多條字元線的方法，其中一記憶體裝置包含有多個記憶體單元陣列，該多個記憶體單元陣列包含有該多條字元線，以及該方法包含有：<br/>接收並執行多個刷新命令，其中該多個刷新命令包含有多個第一刷新命令與多個第二刷新命令；<br/>因應接收並執行該多個第一刷新命令之中的每一個第一刷新命令，刷新至少兩條字元線，其中該至少兩條字元線分別位於該多個記憶體單元陣列的至少兩個記憶體單元陣列中；以及<br/>因應接收並執行該多個第二刷新命令，不刷新該多條字元線。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中接收並執行該多個刷新命令的步驟包含有：<br/>因應該多個刷新命令的接收，產生一脈衝訊號，其中該脈衝訊號包含有多個脈衝，並且該多個脈衝分別對應於該多個刷新命令；<br/>因應該脈衝訊號的產生，進行一計數操作直到該多個脈衝的數量達到一預定數量，以產生一循環計數值；<br/>根據該循環計數值來產生一遮罩訊號；以及<br/>對該脈衝訊號與該遮罩訊號進行一及(AND)操作以產生一遮罩後脈衝訊號，以供根據該遮罩後脈衝訊號來刷新該多條字元線。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該多個記憶體單元陣列中的每一個記憶體單元陣列包含有多條正常字元線以及多條冗餘字元線，以及因應接收並執行該多個第一刷新命令之中的每一個第一刷新命令，刷新該至少兩條字元線的步驟包含有：<br/>在一第一時間週期的期間，因應接收並執行該多個第一刷新命令之中的每一個第一刷新命令，刷新分別位於該至少兩個記憶體單元陣列中的至少兩條正常字元線；以及<br/>在一第二時間週期的期間，因應接收並執行該多個第一刷新命令之中的每一個第一刷新命令，刷新分別位於該至少兩個記憶體單元陣列中的至少兩條冗餘字元線，其中該第二時間週期係晚於該第一時間週期。
如申請專利範圍第3項所述之方法，其中在該第一時間週期的期間，因應接收並執行該多個第一刷新命令之中的每一個第一刷新命令，刷新分別位於該至少兩個記憶體單元陣列中的該至少兩條正常字元線的步驟包含有：<br/>因應該至少兩條正常字元線中的任一條正常字元線被一冗餘字元線所取代，不刷新該條正常字元線。
如申請專利範圍第3項所述之方法，另包含有：<br/>因應該至少兩條正常字元線中的任一條正常字元線係一缺陷字元線，不刷新該條正常字元線；以及<br/>因應該至少兩條冗餘字元線中的任一條冗餘字元線係該缺陷字元線，不刷新該條冗餘字元線。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該記憶體裝置另包含有多個感測放大器電路以及一電壓驅動器，該電壓驅動器提供一驅動電壓至該多個感測放大器電路；以及該方法另包含有：<br/>因應刷新該至少兩條字元線，根據該至少兩條字元線的刷新數量來控制該多個感測放大器電路之自該驅動電壓切換至一目標電壓的電壓切換時間點。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該記憶體裝置另包含有多個感測放大器電路以及多個電壓驅動器，該多個電壓驅動器提供一驅動電壓至該多個感測放大器電路；以及該方法另包含有：<br/>因應刷新該至少兩條字元線，根據該至少兩條字元線的刷新數量來決定該多個電壓驅動器的開啟數量。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該記憶體裝置另包含有多個感測放大器電路以及一電壓驅動器，該電壓驅動器提供一等化電壓至該多個感測放大器電路；以及該方法另包含有：<br/>因應刷新該至少兩條字元線，根據該至少兩條字元線的刷新數量來決定該電壓驅動器的開啟時間。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該記憶體裝置另包含有多個感測放大器電路以及多個電壓驅動器，該多個電壓驅動器提供一等化電壓至該多個感測放大器電路；以及該方法另包含有：<br/>因應刷新該至少兩條字元線，根據該至少兩條字元線的刷新數量來決定該多個電壓驅動器的開啟數量。
如申請專利範圍第1項所述之方法，另包含有：<br/>接收並執行多個主動命令，其中該多個主動命令之中的每一個主動命令指示開啟該至少兩條字元線。
一種記憶體裝置，包含有：<br/>多個記憶體單元陣列，包含有多條字元線；以及<br/>一處理電路，用以：<br/>接收並執行多個刷新命令，其中該多個刷新命令包含有多個第一刷新命令與多個第二刷新命令；<br/>因應接收並執行該多個第一刷新命令之中的每一個第一刷新命令，刷新至少兩條字元線，其中該至少兩條字元線分別位於該多個記憶體單元陣列的至少兩個記憶體單元陣列中；以及<br/>因應接收並執行該多個第二刷新命令，不刷新該多條字元線。
如申請範圍第11項所述之記憶體裝置，其中該處理電路包含有：<br/>一命令解碼器，用以因應該多個刷新命令的接收，產生一脈衝訊號，其中該脈衝訊號包含有多個脈衝，並且該多個脈衝分別對應於該多個刷新命令；<br/>一計數器，用以因應該脈衝訊號的產生，進行一計數操作直到該多個脈衝的數量達到一預定數量，以產生一循環計數值；<br/>一邏輯電路，用以根據該循環計數值來產生一遮罩訊號；以及<br/>一及閘電路，用以對該脈衝訊號與該遮罩訊號進行一及(AND)操作以產生一遮罩後脈衝訊號，以供根據該遮罩後脈衝訊號來刷新該多條字元線。
如申請範圍第11項所述之記憶體裝置，其中該多個記憶體單元陣列中的每一個記憶體單元陣列包含有多條正常字元線以及多條冗餘字元線，以及該處理電路另用以：<br/>在一第一時間週期的期間，因應接收並執行該多個第一刷新命令之中的每一個第一刷新命令，刷新分別位於該至少兩個記憶體單元陣列中的至少兩條正常字元線；以及<br/>在一第二時間週期的期間，因應接收並執行該多個第一刷新命令之中的每一個第一刷新命令，刷新分別位於該至少兩個記憶體單元陣列中的至少兩條冗餘字元線，其中該第二時間週期係晚於該第一時間週期。
如申請範圍第13項所述之記憶體裝置，其中因應該至少兩條正常字元線中的任一條正常字元線被一冗餘字元線所取代，該處理電路不刷新該條正常字元線。
如申請範圍第13項所述之記憶體裝置，其中因應該至少兩條正常字元線中的任一條正常字元線係一缺陷字元線，該處理電路不刷新該條正常字元線；以及因應該至少兩條冗餘字元線中的任一條冗餘字元線係該缺陷字元線，該處理電路不刷新該條冗餘字元線。
如申請範圍第11項所述之記憶體裝置，另包含有：<br/>多個感測放大器電路；以及<br/>一感測放大器控制器，包含有：<br/>一電壓驅動器，用以提供一驅動電壓至該多個感測放大器電路；以及<br/>一電壓切換控制器，其中因應刷新該至少兩條字元線，該電壓切換控制器根據該至少兩條字元線的刷新數量來控制該多個感測放大器電路之自該驅動電壓切換至一目標電壓的電壓切換時間點。
如申請範圍第11項所述之記憶體裝置，另包含有：<br/>多個感測放大器電路；以及<br/>一感測放大器控制器，包含有：<br/>多個電壓驅動器，用以提供一驅動電壓至該多個感測放大器電路；<br/>其中因應刷新該至少兩條字元線，該感測放大器控制器根據該至少兩條字元線的刷新數量來決定該多個電壓驅動器的開啟數量。
如申請範圍第11項所述之記憶體裝置，另包含有：<br/>多個感測放大器電路；以及<br/>一感測放大器控制器，包含有：<br/>一電壓驅動器，用以提供一等化電壓至該多個感測放大器電路；<br/>其中因應刷新該至少兩條字元線，該感測放大器控制器根據該至少兩條字元線的刷新數量來決定該電壓驅動器的開啟時間。
如申請範圍第11項所述之記憶體裝置，另包含有：<br/>多個感測放大器電路；以及<br/>一感測放大器控制器，包含有：<br/>多個電壓驅動器，用以提供一等化電壓至該多個感測放大器電路；<br/>其中因應刷新該至少兩條字元線，該感測放大器控制器根據該至少兩條字元線的刷新數量來決定該多個電壓驅動器的開啟數量。
如申請範圍第11項所述之記憶體裝置，其中該處理電路另用以接收並執行多個主動命令，以及該多個主動命令之中的每一個主動命令指示開啟該至少兩條字元線。
一種推薦系統，其係包含伺服器及終端者，且 <br/>前述終端： <br/>自前述伺服器接收對使用該終端之使用者推薦之項目之清單， <br/>將前述接收到之清單之一部分之範圍顯示於畫面內， <br/>在進行對於前述清單之移動操作時，以前述清單之其他一部分顯示於前述畫面內之方式，使前述範圍移動， <br/>在進行選擇前述清單所含之項目之選擇操作時，向前述伺服器發送要求該項目相關之項目頁之請求， <br/>自前述伺服器接收與前述請求相應之應答， <br/>將由前述接收之應答指定之項目頁顯示於前述畫面， <br/>在進行前述移動操作時，將前述使用者關注前述清單之意旨之報告發送至前述伺服器，並且 <br/>前述伺服器： <br/>於接收到前述報告之情形時， <br/>將自前述清單向前述終端發送起規定期間內自前述終端接收到之前述請求相關之項目，特定為瀏覽項目， <br/>將自前述清單去除前述特定出之瀏覽項目後之剩餘之項目中至少在前述畫面內顯示畢之項目，特定為前述報告相關之使用者跳過之跳過項目。
如請求項1之推薦系統，其中前述終端在進行前述選擇操作時，將前述使用者關注前述清單之意旨之報告與前述請求一起發送至前述伺服器。
如請求項1之推薦系統，其中前述伺服器接收到前述請求時，若未接收到前述報告，則視為接收到前述報告，特定前述瀏覽項目及前述跳過項目。
如請求項1之推薦系統，其中前述伺服器， <br/>基於前述報告，特定前述清單所含之項目中未顯示於前述畫面內之非顯示項目， <br/>將前述剩餘之項目中非為前述非顯示項目之項目設為前述跳過項目。
如請求項4之推薦系統，其中在前述報告中，藉由前述移動操作而指定前述清單內之項目中顯示於畫面內之項目，將前述清單中顯示順序較該指定之項目靠後之項目判定為前述非顯示項目。
如請求項1之推薦系統，其中 <br/>前述伺服器於未接收到前述報告之情形時，不特定前述清單中之前述瀏覽項目及前述跳過項目。
一種推薦伺服器，其對使用終端之使用者將推薦之項目之清單發送至前述終端， <br/>在前述清單中，自前述終端接收進行了用於使顯示於畫面內之範圍移動之移動操作之意旨之報告， <br/>自前述終端接收要求前述清單所含之項目相關之項目頁之請求， <br/>將自前述清單向前述終端發送起規定期間內自前述終端接收到之前述請求相關之項目，特定為瀏覽項目， <br/>將自前述清單去除前述特定出之瀏覽項目後之剩餘之項目中至少在前述畫面內顯示畢之項目，特定為前述報告相關之使用者跳過之跳過項目。
一種推薦方法，其係由包含伺服器及終端之推薦系統執行者，且 <br/>前述終端： <br/>自前述伺服器接收對使用該終端之使用者推薦之項目之清單， <br/>將前述接收到之清單之一部分之範圍顯示於畫面內， <br/>在進行對於前述清單之移動操作時，以前述清單之其他一部分顯示於前述畫面內之方式，使前述範圍移動， <br/>在進行選擇前述清單所含之項目之選擇操作時，向前述伺服器發送要求該項目相關之項目頁之請求， <br/>自前述伺服器接收與前述請求相應之應答， <br/>將由前述接收之應答指定之項目頁顯示於前述畫面， <br/>在進行前述移動操作時，將前述使用者關注前述清單之意旨之報告發送至前述伺服器，並且 <br/>前述伺服器： <br/>於接收到前述報告之情形時， <br/>將自前述清單向前述終端發送起規定期間內自前述終端接收到之前述請求相關之項目，特定為瀏覽項目， <br/>將自前述清單去除前述特定出之瀏覽項目後之剩餘之項目中至少在前述畫面內顯示畢之項目，特定為前述報告相關之使用者跳過之跳過項目。
一種推薦方法，其係由伺服器執行者，且 <br/>對使用終端之使用者將推薦之項目之清單發送至前述終端， <br/>在前述清單中，自前述終端接收進行了用於使顯示於畫面內之範圍移動之移動操作之意旨之報告， <br/>自前述終端接收要求前述清單所含之項目相關之項目頁之請求， <br/>將自前述清單向前述終端發送起規定期間內自前述終端接收到之前述請求相關之項目，特定為瀏覽項目， <br/>將自前述清單去除前述特定出之瀏覽項目後之剩餘之項目中至少在前述畫面內顯示畢之項目，特定為前述報告相關之使用者跳過之跳過項目。
一種推薦程式，其使電腦發揮功能並執行以下步驟： <br/>對使用終端之使用者將推薦之項目之清單發送至前述終端， <br/>在前述清單中，自前述終端接收進行了用於使顯示於畫面內之範圍移動之移動操作之意旨之報告， <br/>自前述終端接收要求前述清單所含之項目相關之項目頁之請求， <br/>將自前述清單向前述終端發送起規定期間內自前述終端接收到之前述請求相關之項目，特定為瀏覽項目， <br/>將自前述清單去除前述特定出之瀏覽項目後之剩餘之項目中至少在前述畫面內顯示畢之項目，特定為前述報告相關之使用者跳過之跳過項目。
一種抗反射薄膜，其係在透光性基體上積層至少一層以上之光學功能層的抗反射薄膜，其特徵為：<br/> 該光學功能層的至少一面上形成有凹凸形狀，<br/> 該光學功能層係含有紫外線硬化型化合物、微粒子、光聚合起始劑與增黏劑之組成物的硬化物，<br/> 該微粒子係具有多個突起的微粒子，<br/> 該微粒子之核的曲率半徑r1及該微粒子之突起的曲率半徑r2滿足下式(A)、(B)、(C)，<br/> 梳寬0.5mm的穿透影像鮮明度Ic與霧度Ha滿足下式(D)：<br/> 0.75μm≦r1≦4.0μm (A)<br/> 0.05μm≦r2≦1.0μm (B)<br/> 0.25μm≦r1-r2 (C)<br/> (100-Ic)/Ha≧5 (D)。
如請求項1之抗反射薄膜，其中在將與以入射角度30°入射之入射光的光量相對的反射光量相對值之最大值設為x、將與以入射角度60°入射之入射光的光量相對之反射光量相對值之最大值設為y、將反射光量相對值成為最大值x之1/10以上的受光角度之幅度設為α、並將反射光量相對值成為最大值y之1/10以上的受光角度之幅度設為β時，滿足下式(E)：<br/> β/α≧0.95 (E)。
如請求項1或2之抗反射薄膜，其中在將與以入射角度30°入射之入射光的光量相對的反射光量相對值之最大值設為x、將與以入射角度60°入射的入射光之光量相對的反射光量相對值之最大值設為y時，滿足下式(F)：<br/> y/x≦3.0 (F)。
一種影像顯示裝置，其具備：<br/> 影像顯示面板；及<br/> 如請求項1之抗反射薄膜。
一種利用聲紋與視覺辨識鎖定目標對話者的系統，該系統包含:<br/> 一揚聲器依一對話模型發出對話聲音；<br/> 一攝影裝置擷取一區域影像；<br/> 一收音裝置擷取一現場音；以及<br/> 一伺服器連接該攝影裝置、該收音裝置，該伺服器利用一聲紋辨識技術從該現場音分離出複數個人聲，並比對該些人聲與一資料庫儲存的一辨識聲紋是否大於一閾值，若是則利用一嘴型辨識技術分析該些人聲與該區域影像中嘴型一致者，並標示該區域影像中嘴型一致者為一目標對話者； <br/> 其中，該伺服器傳送一鎖定目標對話者通知到該攝影裝置及該收音裝置，該攝影裝置即鎖定該目標對話者，該收音裝置過濾掉該目標對話者對應的該人聲外的其他音聲；該伺服器還包含一影像辨識技術計算出該目標對話者在一餐廳座位區域圖之一座位號，該伺服器依該對話模型透過該揚聲器向該目標對話者發起一點餐對話，該收音裝置將一對話過程傳送回該伺服器；以及利用一自然語言處理技術分析該對話過程並生成一訂單，進一步將該座位號加入該訂單中。
如請求項1所述之系統，該伺服器比對該目標對話者的該人聲若大於該資料庫儲存的一會員聲紋的該閾值，或/及比對該目標對話者的一臉部影像若不符合該資料庫儲存的一會員臉部特徵，則引導該伺服器進入一註冊模型，該註冊模型包含錄製一會員聲紋及一會員臉部特徵。
如請求項1所述之系統，該伺服器將該對話過程儲存成對應一會員資料的一對話紀錄，一AI訓練模組依該對話紀錄利用深度學習技術來生成符合各個會員的客製化該對話模型。
一種利用聲紋與視覺辨識鎖定目標對話者的方法，該方法包含:<br/> 一伺服器接收一收音裝置擷取的一現場音及一攝影裝置擷取的一區域影像；<br/> 該伺服器利用一聲紋辨識技術從該現場音分離出複數個人聲，進一步計算該些人聲與一辨識聲紋的差異是否大於一閾值；<br/> 若大於該閾值，則該伺服器依時序同步該些人聲與該區域影像，利用一嘴型識別技術分析該些人聲與該區域影像中嘴型一致者並標示為一目標對話者；<br/> 該伺服器傳送一鎖定目標對話者通知到該攝影裝置及該收音裝置，該攝影裝置即鎖定該目標對話者，該收音裝置過濾掉該目標對話者對應的該人聲外的其他音聲；<br/> 該伺服器依一對話模型透過一揚聲器向該目標對話者發起一點餐對話，該收音裝置將一對話過程傳送回該伺服器；以及利用一自然語言處理技術分析該對話過程並生成一訂單，該伺服器還包含一影像辨識技術計算出該目標對話者在一餐廳座位區域圖之一座位號，進一步將該座位號加入該訂單中。
如請求項4所述之方法，該伺服器利用該聲紋辨識技術比對該目標對話者的該人聲是否大於該資料庫儲存的一會員聲紋的該閾值，並利用一影像辨識技術比對該目標對話者的一臉部特徵是否符合該資料庫儲存的一會員臉部特徵，若兩者為否，則引導該伺服器進入一註冊模型，該註冊模型包含錄製一會員聲紋及一會員臉部特徵；若其中之一為是，則提取該資料庫中對應該會員聲紋的一會員資料的該對話模型。
如請求項5所述之方法，該伺服器將該對話過程儲存成對應該會員資料的一對話紀錄，一AI訓練模組依該對話紀錄利用深度學習技術來生成符合各個會員的客製化該對話模型。
一種具選擇權(期權)多空平衡功能的全自動人工智能交易程式的裝置，具有一記憶體與一螢幕，並與一證券期貨公司伺服器連線，該證券期貨公司伺服器包含有一伺服器之通訊模組、一伺服器之處理器與一伺服器之記憶體，包含：一通訊模組，用以建立Internet網路連線，與該伺服器之通訊模組連線；一程式交易連線模組；一螢幕介面產生模組，用以產生一使用者介面於該螢幕，該使用者介面至少包括一帳號資訊畫面、一成交資訊統計畫面、一程式交易參數畫面，該程式交易參數畫面包括至少一程式交易參數設定畫面，其中，該帳號資訊畫面顯示一選擇權產品，而其中一該程式交易參數設定畫面包括一多空參數設定區，其進一步包括：一平衡策略選擇欄；一成交數據統計模組，接收複數個委託單下單並成交後由該證券期貨公司伺服器所回傳的複數組成交回報，統計該些成交回報的複數個成交資訊；一多空平衡參數設定模組，用以讀取該平衡策略選擇欄所定義的一平衡參數設定值，並接收一多空參數，依據該多空參數的變化，調整該平衡參數設定值為一動態平衡參數設定值，並執行該動態平衡參數設定值，以對一當前選擇權倉位進行倉位加碼、減碼，以使一現有倉位平衡參數值符合該動態平衡參數設定值所界定的範圍而實現動態平衡；更包含一C/P比例目標區，當該平衡參數設定值受該多空參數改變時，同步顯示於該C/P比例目標區；該自動下單整合模組，用以將該些委託單向該證券期貨公司伺服器下單；該記憶體，用以儲存一應用程式、該應用程式包含該程式交易連線模組、該螢幕介面產生模組、該多空平衡參數設定模組、該自動下單整合模組與該成交數據統計模組；以及一或多個處理器，連接該記憶體、該螢幕並執行該應用程式。
如請求項1所述之具選擇權(期權)多空平衡功能的全自動人工智能交易程式的裝置，其中該平衡參數設定值係選自一點數平衡參數設定值、一C/P比值平衡參數設定值、一C/P Delta平衡參數設定值、一Call Delta平衡參數設定值、一Put Delta平衡參數設定值。
如請求項1所述之具選擇權(期權)多空平衡功能的全自動人工智能交易程式的裝置，其中該多空參數係由該多空平衡參數設定模組自行計算而得或由一外部連結取得。
如請求項1所述之具選擇權(期權)多空平衡功能的全自動人工智能交易程式的裝置，其中該多空參數調整該平衡參數設定值的調整方式，係透過該多空參數直接調整或加權調整。
如請求項1所述之具選擇權(期權)多空平衡功能的全自動人工智能交易程式的裝置，其中該平衡參數設定值係一點數平衡參數設定值，並由一多空平衡參數進行調整，該多空平衡參數係由一第一倍比設定欄、一第二倍比設定欄的一第一倍比值、一第二倍比值來調整一總點位下限值與一總點位下限值所界定。
如請求項5所述之具選擇權(期權)多空平衡功能的全自動人工智能交易程式的裝置，其中更包含一總點數目標區，當該平衡參數設定值受該多空參數改變時，同步顯示於該總點數目標區。
如請求項1所述之具選擇權(期權)多空平衡功能的全自動人工智能交易程式的裝實，其中該平衡參數設定值係一C/P比值平衡參數設定值，並由一多空平衡參數進行調整，該多空平衡參數係並由一第一比例設定欄、一第二比例設定欄的一第一比例值、一第二比例值來調整一C/P比值下限與一C/P比值上限。
一種動態調整重讀流程的重讀操作處理方法，其是對記憶體之一資料區段進行解碼操作，包含： <br/>對重讀流程中的解碼操作的多個環節進行監控，並記錄各該環節的一成功次數與一失敗次數，其中各該環節對應一次序編號； <br/>得到各該環節的一成功率，其中該成功率是該成功次數與該失敗次數之一比值； <br/>當該成功率小於一重排序閾值時，依據該成功率之高低而重新排序對應的該環節的次序；以及 <br/>依據該資料區段的內容所對應的重新排序的該環節的次序，而更新一重讀次序對照表的內容。
如請求項1所述之重讀操作處理方法，在重新排序對應的該環節的次序後，更包含將重新排序後的該環節的次序依據其對應之該次序編號而轉換爲一數值，並據以更新該重讀次序對照表的內容。
如請求項1所述之重讀操作處理方法，其中該解碼操作的該環節包括硬解碼、軟解碼，或利用獨立磁碟冗餘陣列修復。
如請求項2所述之重讀操作處理方法，其中該數值是關聯於該次序編號的順序與階乘的關係。
如請求項4所述之重讀操作處理方法，其中該數值爲整數。
如請求項5所述之重讀操作處理方法，更包含： <br/>訪問該重讀次序對照表，讀取該資料區段對應的該整數，進而獲得對於該資料區段解碼操作的該環節的次序。
一種重讀操作處理裝置，包含： <br/>一記憶體，用於儲存一計算機程式；以及 <br/>一處理器，與該記憶體連接，用於執行該計算機程式，以實現如請求項1至6任一項所述之動態調整重讀流程的重讀操作處理方法。
一種電腦可讀取儲存媒體，用於保存一計算機程式，其中，該計算機程式被一處理器執行時實現如請求項1至6任一項所述之動態調整重讀流程的重讀操作處理方法。
一種接合材，其係藉由與被接合構件接觸之狀態下加熱，而與前述被接合構件接合之接合材，其特徵係 <br/> 將由Ag或Ag合金所成之Ag層與由Cu或Cu合金所成之Cu層於厚度方向交替積層而成，成為與前述被接合構件之接合面的最外層為前述Ag層， <br/> 前述接合材係與前述被接合構件接觸之狀態下加熱，前述Ag層表面之粒界，因低熔點Ag氧化物噴出而形成了小丘，藉由前述小丘與前述被接合構件接合。
如請求項1之接合材，其中構成Ag層之Ag或Ag合金之平均粒徑為0.01μm以上10μm以下。
如請求項1或2之接合材，其中Ag層之厚度為0.1μm以上15μm以下，其中Cu層之厚度為0.1μm以上30μm以下。
一種接合方法，其係使用如請求項1或2之接合材之接合方法，其係將前述接合材設置於前述被接合構件上，將前述接合材在200℃以上400℃以下加熱。
如請求項4之接合方法，其中在加熱前述接合材之同時，對前述被接合構件於厚度方向以2MPa以上50MPa以下之壓力進行加壓。
一種切割封環結構，介於一積體電路區與一切割道之間，包括：<br/> 一基板；<br/> 一複合式金屬堆疊結構，由一第一金屬堆疊與一第二金屬堆疊所構成，其中該第一金屬堆疊與該第二金屬堆疊分別由多層金屬層堆疊在該基板上且多個導孔插塞貫穿過該些金屬層之間的多個介電層以電性連接該些金屬層；該些金屬層的其中至少一層是被該第一金屬堆疊與該第二金屬堆疊所共用；該第一金屬堆疊的一頂部金屬層與該第二金屬堆疊的一頂部金屬層係分別獨立隔離設置；以及該第一金屬堆疊與該第二金屬堆疊所共用的該些金屬層為該複合式金屬堆疊結構的多個較窄處(頸部)，使該複合式金屬堆疊結構於平行該切割道的方向具有鋸齒狀側面結構；<br/> 一溝槽，係環繞該積體電路區設置於該兩頂部金屬層間，該溝槽使該兩頂部金屬層橫向分離，其中該溝槽向下延伸超過該頂部金屬層的底面的下方；以及<br/> 一密封材料，係覆蓋該複合式金屬堆疊結構並填滿該溝槽。
如請求項1所述的切割封環結構，更包含一保護層位於該複合式金屬堆疊結構上並覆蓋該些金屬層，該保護層具有一開口構成該溝槽，該密封材料覆蓋該保護層並填滿該開口。
一種清潔組件的清潔方法，所述方法包括：<br/> 控制基站的循環清潔系統，使所述基站的清洗容器內的清潔液循環流動，以對清潔設備的清潔組件進行循環清潔；<br/> 在循環清潔的過程中，獲得即時循環清潔訊息；其中，所述即時循環清潔訊息包括由髒汙度檢測裝置對所述清洗容器內的清潔液進行檢測，所得到的即時髒汙度值，所述髒汙度檢測裝置包括光路轉換部件，所述光路轉換部件設置在所述清洗容器內；<br/> 基於所述即時循環清潔訊息，確定結束循環清潔作業。
如請求項1所述的方法，其中，所述在循環清潔的過程中，獲得即時循環清潔訊息，還包括：<br/> 在循環清潔的過程中，控制髒汙度檢測裝置對所述基站的所述清洗容器內的清潔液進行髒汙檢測，得到所述清洗容器內的清潔液的即時髒汙度值。
如請求項2所述的方法，其中，基於所述即時循環清潔訊息，確定結束循環清潔作業，包括：<br/> 確定所述即時髒汙度值大於或等於第一預設閾值，則結束循環清潔作業。
如請求項1所述的方法，其中，所述在循環清潔的過程中，獲得即時循環清潔訊息，包括：<br/> 在循環清潔的過程中，控制髒汙度檢測裝置對所述清洗容器內預設區域的清潔液進行髒汙檢測，以獲得所述預設區域的清潔液的即時髒汙度值，所述預設區域位於所述清洗容器內的過濾部的進水側或出水側。
如請求項4所述的方法，其中，基於所述即時循環清潔訊息，確定結束循環清潔作業，包括：<br/> 確定所述即時髒汙度值大於或等於所述預設區域對應的第二預設閾值，則結束循環清潔作業。
如請求項1所述的方法，其中，所述即時循環清潔訊息包括當前的循環清潔時長；基於所述即時循環清潔訊息，確定結束循環清潔作業，包括：<br/> 確定所述當前的循環清潔時長大於或等於預設的清潔時長，則結束循環清潔作業。
如請求項1所述的方法，其中，所述結束循環清潔作業之後還包括：<br/> 控制排汙系統排放所述清洗容器內的汙液。
如請求項7所述的方法，其中，控制所述排汙系統排放所述清洗容器內的汙液，包括：<br/> 控制所述基站的排水管路打開，以將所述清洗容器內的汙液通過所述排水管路排出，或者，<br/> 控制所述基站的抽吸部件將所述汙液抽吸至所述基站的污水箱內。
如請求項1所述的方法，其中，所述控制基站的循環清潔系統，使所述基站的清洗容器內的清潔液循環流動，以對清潔設備的清潔組件進行循環清潔，包括：<br/> 控制所述循環清潔系統的注水管路以及循環進水管路打開；<br/> 控制所述循環清潔系統的循環驅動部件工作，以將所述基站的淨水箱的清潔液通過所述注水管路以及所述循環進水管路，注入至所述清洗容器內；<br/> 在所述清洗容器的清潔液達到預設液位值時，控制所述循環清潔系統的注水管路關閉；<br/> 控制所述循環清潔系統的循環出水管路打開，使所述清洗容器內的清潔液通過所述循環進水管以及循環出水管進行循環流動，以對所述清潔組件進行循環清潔。
如請求項2至5任一項所述的方法，所述方法還包括：<br/> 對所述髒汙度檢測裝置進行自校準。
如請求項10所述的方法，其中，所述對所述髒汙度檢測裝置進行自校準，包括：<br/> 控制所述基站的淨水箱向空的清洗容器內注入預設量的清潔液；<br/> 控制所述髒汙度檢測裝置對所述清潔液進行髒汙檢測，得到測試髒汙度值；<br/> 獲取預設的清潔液的標準髒汙度值；計算所述測試髒汙度值與所述標準髒汙度值的差值；<br/> 確定所述差值小於預設閾值，則將髒汙度檢測裝置所檢測得到的所有髒汙度值均減去所述差值，得到最終的髒汙度值。
一種清潔組件的清潔裝置，包括：<br/> 循環清潔控制模組，用於控制基站的循環清潔系統，使所述基站的清洗容器內的清潔液循環流動，以對清潔設備的清潔組件進行循環清潔；<br/> 髒汙度值獲取模組，用於在循環清潔的過程中，獲得即時循環清潔訊息；其中，所述即時循環清潔訊息包括由髒汙度檢測裝置對所述清洗容器內的清潔液進行檢測，所得到的即時髒汙度值，所述髒汙度檢測裝置包括光路轉換部件，所述光路轉換部件設置在所述清洗容器內；<br/> 確定模組，用於基於所述即時循環清潔訊息，確定結束循環清潔作業。
一種電腦設備，包括記憶體、處理器以及存儲在所述記憶體中並可在所述處理器上運行的電腦程式，其中，所述處理器執行所述電腦程式時實現如請求項1至11任一項所述清潔組件的清潔方法的步驟。
一種電腦可讀存儲介質，所述電腦可讀存儲介質存儲有電腦程式，其中，所述電腦程式被處理器執行時實現如請求項1至11任一項所述清潔組件的清潔方法的步驟。
一種基站，包括基體，所述基體上設有循環清潔系統、清洗容器以及控制裝置；<br/> 所述循環清潔系統與所述清洗容器連通，所述控制裝置與所述循環清潔系統電連接；<br/> 其中，所述控制裝置用於控制所述循環清潔系統，使所述清洗容器內的清潔液循環流動，以對清潔設備的清潔組件進行循環清潔；在循環清潔的過程中，獲得即時循環清潔訊息；以及基於所述即時循環清潔訊息，確定結束循環清潔作業；<br/> 其中，所述基體上還設有髒汙度檢測裝置，所述髒汙度檢測裝置包括光路轉換部件，所述光路轉換部件設置在所述清洗容器內；所述即時循環清潔訊息包括由所述髒汙度檢測裝置對所述清洗容器內的清潔液進行檢測，所得到的即時髒汙度值。
如請求項15所述的基站，其中，所述髒汙度檢測裝置還包括光發射器以及光接收器；所述光路轉換部件還位於所述光發射器的出射光路上，所述光接收器位於所述出射光路經所述光路轉換部件轉換後的光路上。
如請求項16所述的基站，其中，所述光發射器及所述光接收器位於所述清洗容器的上方，所述光路轉換部件為反射部件。
如請求項16所述的基站，其中，所述光發射器及所述光接收器位於所述清洗容器側面對應的基體上，所述光路轉換部件為透明部件。
如請求項16所述的基站，其中，所述控制裝置具體用於在循環清潔的過程中，控制髒汙度檢測裝置對所述基站的清洗容器內的清潔液進行髒汙檢測，得到所述清洗容器內的清潔液的即時髒汙度值：<br/> 確定所述即時髒汙度值大於或等於第一預設閾值，則結束循環清潔作業。
如請求項16所述的基站，其中，所述清洗容器內設有過濾部，所述髒汙度檢測裝置設置在過濾部的進水側或出水側；<br/> 所述控制裝置具體用於在循環清潔的過程中，控制髒汙度檢測裝置對所述清洗容器內預設區域的清潔液進行髒汙檢測，以獲得所述預設區域的清潔液的即時髒汙度值，所述預設區域位於所述過濾部的進水側或出水側；確定所述即時髒汙度值大於或等於所述預設區域對應的第二預設閾值，則結束循環清潔作業。
如請求項15所述的基站，其中，所述循環清潔訊息包括循環清潔時長；所述控制裝置具體用於確定當前的循環清潔時長大於或等於預設的清潔時長，則結束循環清潔作業。
如請求項15所述的基站，其中，所述基體上還設有排汙系統；所述排汙系統與所述清洗容器連通，所述控制裝置與所述排汙系統電連接；<br/> 所述控制裝置還用於在結束循環清潔作業之後，控制所述排汙系統排放所述清洗容器內的汙液。
如請求項22所述的基站，其中，所述排汙系統包括與所述清洗容器連通的排水管路以及設置在所述排水管路上的排水閥門；<br/> 所述控制裝置具體用於在結束循環清潔作業之後，控制所述排水閥門將所述排水管路打開，以將所述清洗容器內的汙液通過所述排水管路排出。
如請求項22所述的基站，其中，所述排汙系統包括設置抽吸部件、抽吸管路以及污水箱；抽吸部件與所述污水箱連接，所述污水箱還通過所述抽吸管路與所述清洗容器連通；<br/> 所述控制裝置具體用於在結束循環清潔作業之後，控制所述抽吸部件將所述汙液抽吸至所述基站的污水箱內。
如請求項15所述的基站，其中，所述循環清潔系統包括淨水箱、注水管路、循環進水管路、循環出水管路以及切換閥門；<br/> 所述淨水箱與所述注水管路連通，所述注水管路還通過所述切換閥門與所述循環進水管路連通，所述循環進水管路與所述清洗容器連通，所述切換閥門還通過所述循環出水管路與所述清洗容器連通；所述循環進水管路上設有循環控制閥門以及循環驅動部件。
如請求項25所述的基站，其中，所述控制裝置具體用於控制所述切換閥門將所述注水管路打開，以及控制所述循環控制閥門將所述循環進水管路打開；<br/> 控制所述循環驅動部件工作，以將所述淨水箱的清潔液通過所述注水管路以及所述循環進水管路，注入至所述清洗容器內；<br/> 在所述清洗容器的清潔液達到預設液位值時，控制所述切換閥門將所述注水管路關閉；<br/> 控制所述切換閥門將所述循環出水管路打開，使所述清洗容器內的清潔液通過所述循環進水管路以及循環出水管路進行循環流動，以對所述清潔組件進行循環清潔。
如請求項16所述的基站，其中，所述控制裝置還用於對所述髒汙度檢測裝置進行自校準。
如請求項27所述的基站，其中，所述控制裝置還用於控制所述基站的淨水箱向空的清洗容器內注入預設量的清潔液；<br/> 控制所述髒汙度檢測裝置對所述清潔液進行髒汙檢測，得到測試髒汙度值；<br/> 獲取預設的清潔液的標準髒汙度值；計算所述測試髒汙度值與所述標準髒汙度值的差值；<br/> 確定所述差值小於預設閾值，則將髒汙度檢測裝置所檢測得到的所有髒汙度值均減去所述差值，得到最終的髒汙度值。
如請求項15至28中任一項所述的基站，其中，<br/> 所述清洗容器位於所述基體的下部。
一種基站，包括基體，所述基體上設有循環清潔系統以及清洗容器，所述循環清潔系統包括注水管路、循環管路以及切換閥門，所述注水管路通過所述切換閥門與所述循環管路連通，所述循環管路還與所述清洗容器連通；<br/> 所述循環管路上設有循環驅動部件以及循環控制閥門；<br/> 其中，所述基體上還設有髒汙度檢測裝置，所述髒汙度檢測裝置包括光路轉換部件，所述光路轉換部件設置在所述清洗容器內；所述即時循環清潔訊息包括由所述髒汙度檢測裝置對所述清洗容器內的清潔液進行檢測，所得到的即時髒汙度值。
如請求項30所述的基站，其中，所述循環管路包括循環進水管路及循環出水管路；所述注水管路通過所述切換閥門與所述循環進水管路連通，所述循環進水管路與所述清洗容器連通，所述切換閥門還通過所述循環出水管路與所述清洗容器連通；所述循環控制閥門以及循環驅動部件設置在所述循環進水管路上。
如請求項31所述的基站，其中，所述切換閥門用於在需對清潔設備的清潔組件進行循環清潔時，開啟所述注水管路；<br/> 所述循環控制閥門用於在對清潔設備的清潔組件進行循環清潔時，開啟所述循環進水管路；<br/> 所述循環驅動部件用於將清潔液通過所述注水管路以及所述循環進水管路，注入至所述清洗容器內；<br/> 所述切換閥門還用於在所述清洗容器的清潔液達到預設液位值時，關閉所述注水管路，並打開所述循環出水管路，使所述清洗容器內的清潔液通過所述循環進水管路以及循環出水管路進行循環流動，以對所述清潔組件進行循環清潔。
如請求項32所述的基站，其中，所述髒汙度檢測裝置還包括光發射器以及光接收器；所述光路轉換部件還位於所述光發射器的出射光路上，所述光接收器位於所述出射光路經所述光路轉換部件轉換後的光路上。
如請求項33所述的基站，其中，所述光發射器及所述光接收器位於所述清洗容器的上方，所述光路轉換部件為反射部件。
如請求項33所述的基站，其中，所述光發射器及所述光接收器位於所述清洗容器側面對應的基體上，所述光路轉換部件為透明部件。
如請求項33所述的基站，其中，所述髒汙度檢測裝置用於在循環清潔的過程中，對所述基站的清洗容器內的清潔液進行髒汙檢測，得到所述清洗容器內的清潔液的即時髒汙度值，以基於所述即時髒汙度值，確定循環驅動部件停止工作。
如請求項33所述的基站，其中，所述清洗容器內設有過濾部，所述髒汙度檢測裝置設置在過濾部的進水側或出水側；<br/> 所述髒汙度檢測裝置用於循環清潔的過程中，對所述清洗容器內預設區域的清潔液進行髒汙檢測，獲得所述預設區域的清潔液的即時髒汙度值，以基於所述即時髒汙度值，確定循環驅動部件停止工作。
如請求項33所述的基站，其中，所述髒汙度檢測裝置還用於在空的清洗容器內注入預設量的清潔液時，對所述清潔液進行髒汙檢測，得到測試髒汙度值，以計算所述測試髒汙度值與標準髒汙度值的差值，並確定所述差值小於預設閾值，則將髒汙度檢測裝置所檢測得到的所有髒汙度值均減去所述差值，得到最終的髒汙度值。
如請求項32所述的基站，其中，所述循環驅動部件還用於在當前的循環清潔時長大於或等於預設的清潔時長時，停止工作。
如請求項32所述的基站，其中，所述基體上還設有排汙系統；所述排汙系統與所述清洗容器連通，所述排汙系統用於在循環清潔作業結束後，將所述清洗容器內的汙液通過所述排汙系統排出。
如請求項40所述的基站，其中，所述排汙系統包括與所述清洗容器連通的排水管路以及設置在所述排水管路上的排水閥門；<br/> 所述排水閥門用於在循環清潔作業結束後，將所述清洗容器內的汙液通過所述排水管路排出。
如請求項40所述的基站，其中，所述排汙系統包括設置抽吸部件、抽吸管路以及污水箱；抽吸部件與所述污水箱連接，所述污水箱還通過所述抽吸管路與所述清洗容器連通；<br/> 所述抽吸部件具體用於在結束循環清潔作業之後，將汙液抽吸至所述基站的污水箱內。
如請求項30所述的基站，其中，所述循環清潔系統還包括淨水箱，所述注水管路與所述淨水箱連通。
如請求項30至43中任一項所述的基站，<br/> 所述清洗容器位於所述基體的下部。
一種下電極組件，包括：<br/> 導電材料製成的基座，以及設置在所述基座上方的多區加熱板，所述多區加熱板包括：<br/> 絕緣材料製成的基板，所述基板包括多個加熱單元，所述加熱單元包括加熱片及與其電連接的二極體，所述加熱單元用於加熱所述基板的不同區域；多個所述加熱片劃分為第一加熱片組和第二加熱片組，其中，所述第一加熱片組電連接第一二極體構成第一加熱單元組，所述第二加熱片組電連接第二二極體構成第二加熱單元組，所述第一二極體與所述第二二極體的朝向相反，使得所述第一加熱片組和所述第二加熱片組在加熱時的電流方向相反；<br/> 同一子加熱區的多個所述加熱單元與一個單向導通開關聯通，同一區域加熱單元組內包括兩種方向的單向導通開關，以實現用儘量少的區域連接線和二極體控制更多的加熱片獨立加熱；<br/> 所述多個加熱單元被所述基板下方的m根第一驅動控制線和n根第二驅動控制線驅動，其中每根所述第一驅動控制線用於連接到一個功率調整開關，每根所述第二驅動控制線用於連接到一個區域掃描開關，所述多區加熱板中獨立加熱的所述加熱單元數大於m×n且小於等於2m×n，所述基座上設置有多個通孔，使得所述m根第一驅動控制線和所述n根第二驅動控制線從所述多區加熱板底部向下延伸並穿過所述通孔到達所述下電極組件下方，所述m根第一驅動控制線和所述n根第二驅動控制線之一用於接收所述下電極組件下方的脈衝式加熱電壓，所述加熱電壓在正加熱電壓和負加熱電壓之間變化；<br/> 其中所述加熱單元數大於100個，所述第一驅動控制線的數量m大於10，所述第二驅動控制線的數量n大於5。
如請求項1所述的下電極組件，其中，所述基板包括：<br/> 多個跨區加熱單元組，每個所述跨區加熱單元組內包括多個所述加熱單元，且每個所述跨區加熱單元組內的所述加熱單元通過一跨區連接線連接，所述每個跨區連接線分別與一個所述第一驅動控制線聯通，用於接收來自下方的第一電信號；<br/> 多個區域加熱單元組，每個所述區域加熱單元組內包括多個互相鄰近的所述加熱單元，且每個所述區域加熱單元組內的所有所述加熱單元通過一區域連接線連接，所述每個區域連接線分別與一個所述第二驅動控制線聯通，用於接收來自下方的第二電信號；<br/> 所述第二電信號使得所述多個區域加熱單元組依次進入加熱階段，多個所述第一電信號用於控制處於加熱階段的所述區域加熱單元組中的每個所述加熱單元的加熱功率， 最終完成對整個所述基板的加熱。
如請求項2所述的下電極組件，其中，每個所述區域加熱單元組覆蓋所述基板不同區域，同一所述區域加熱單元組內的所述加熱單元與其它所述加熱單元鄰近，構成多行多列的所述加熱單元矩陣。
如請求項2所述的下電極組件，其中，所述加熱單元包括加熱片，多個所述加熱片與一個單向導通開關聯通，同一所述區域加熱單元組內包括兩種方向的所述單向導通開關。
如請求項2所述的下電極組件，其中，所述加熱單元包括加熱片，每個所述加熱片與一個單向導通開關聯通，同一所述區域加熱單元組內包括兩種方向的所述單向導通開關。
如請求項1所述的下電極組件，其中，完成一次對所有所述加熱單元掃描加熱的時間小於400毫秒。
一種電漿處理裝置，包括：<br/> 處理腔，所述處理腔內下部包括如請求項1~6任一項所述的下電極組件，至少一射頻功率源連接到所述下電極組件；<br/> 所述下電極組件下方包括多個功率調整開關和/或多個區域掃描開關。
如請求項7所述電漿處理裝置，其中，還包括一控制器用於控制所述多個功率調整開關和所述多個區域掃描開關進行開關操作，其中所述多個區域掃描開關先後依次開通，所述控制器控制所述多個功率調整開關同時進入脈寬調製開關模式，所述區域掃描開關的開通時間大於所述功率調整開關的開關時間。
如請求項7所述的電漿處理裝置，其中，所述多個第一驅動控制線或者所述第二驅動控制線之一連接到下方的脈衝加熱電源，所述脈衝加熱電源用於輸出所述加熱電壓，所述加熱電壓在所述正加熱電壓和所述負加熱電壓之間變化。
一種用以安裝鐵道車輛用的功能構件的承座，其具備： <br/> 包含：第1縱板、連接於前述第1縱板的下端之第1下板、及連接於前述第1縱板的上端，並從前述第1縱板的表面側觀看，其中一方的端部與前述第1下板彼此分離，另一方的端部與前述第1下板彼此連接之第1上板之第1構件；及 <br/> 包含：與前述第1縱板對向配置之第2縱板、連接於前述第2縱板的下端之第2下板、及連接於前述第2縱板的上端，並從前述第2縱板的表面側觀看，其中一方的端部與前述第2下板彼此分離，另一方的端部與前述第2下板彼此連接之第2上板之第2構件， <br/> 前述第1下板的前述其中一方的端部，與前述第2下板的前述其中一方的端部連接， <br/> 前述第1下板之中前述其中一方的端部以外的部分及前述第2下板之中前述其中一方的端部以外的部分，至少在局部互相分離， <br/> 前述第1上板的前述其中一方的端部，與前述第2上板的前述其中一方的端部連接， <br/> 前述第1上板之中前述其中一方的端部以外的部分及前述第2上板之中前述其中一方的端部以外的部分，至少在局部互相分離。
如請求項1所述的承座，其中， <br/> 前述第1構件和前述第2構件是不同個體， <br/> 前述第1下板的前述其中一方的端部，以熔接接合於前述第2下板的前述其中一方的端部， <br/> 前述第1上板的前述其中一方的端部，以熔接接合於前述第2上板的前述其中一方的端部。
如請求項1所述的承座，其中， <br/> 前述第1下板的下表面及前述第2下板的下表面皆包含平面。
如請求項1所述的承座，其中， <br/> 前述功能構件是煞車鉗、單元煞車、馬達、或齒輪裝置。
如請求項1所述的承座，其中， <br/> 前述承座，包含設於前述第1縱板及前述第2縱板的至少其中一方之肋。
如請求項5所述的承座，其中， <br/> 前述肋設於前述第1縱板， <br/> 在前述第1下板，設有用以將前述功能構件以螺栓緊固的螺栓孔， <br/> 將前述第1下板的前述其中一方的端部側的端至前述螺栓孔的中心位置的長度設為L1時，設於前述第1縱板之前述肋的下端部，位於前述第1下板的前述其中一方的端部側的前述端至1/5×L1以上1/2×L1以下的範圍內。
如請求項5所述的承座，其中， <br/> 前述肋設於前述第2縱板， <br/> 在前述第2下板，設有用以將前述功能構件以螺栓緊固的螺栓孔， <br/> 將前述第2下板的前述其中一方的端部側的端至前述螺栓孔的中心位置的長度設為L2時，設於前述第2縱板之前述肋的下端部，位於前述第2下板的前述其中一方的端部側的前述端至1/5×L2以上1/2×L2以下的範圍內。
如請求項5所述的承座，其中， <br/> 前述肋設於前述第1縱板， <br/> 設於前述第1縱板之前述肋，連接於前述第1下板及前述第1上板。
如請求項5所述的承座，其中， <br/> 前述肋設於前述第1縱板， <br/> 設於前述第1縱板之前述肋，不連接於前述第1下板及前述第1上板的其中一方或雙方。
如請求項5所述的承座，其中， <br/> 前述肋設於前述第2縱板， <br/> 設於前述第2縱板之前述肋，連接於前述第2下板及前述第2上板。
如請求項5所述的承座，其中， <br/> 前述肋設於前述第2縱板， <br/> 設於前述第2縱板之前述肋，不連接於前述第2下板及前述第2上板的其中一方或雙方。
如請求項1所述的承座，其中， <br/> 在前述第1縱板及前述第2縱板的至少其中一方形成貫穿孔。
一種弓弦拉伸及釋放安全裝置，選擇性組設於一弩身上，用以收、放一鉤弦器兩端之拉繩，包括：一支架，至少具有一左架下軸孔；一滑差外套件，組設於該左架下軸孔，具有一貫穿滑差外套件形成之外套孔，且該外套孔孔壁具有複數斜契段；一煞車座，可活動穿伸配置於該外套孔中，具有分設於該煞車座兩端之一滑差軸、及一煞車翼片，其中該滑差軸，穿於該外套孔中，而該煞車翼片，抵接該滑差外套件一側，配置於該支架外側；一滑差內套組，可活動的配置於該滑差外套件與該滑差軸間，包括：一滑差內套件，具有：一內套孔，貫穿該滑差內套件形成，提供該滑差軸穿伸；一大徑段與一小徑段，係分別形成於該滑差內套件之兩端，其中該大徑段抵接該滑差外套件一側，而該小徑段，穿伸該外套孔具有複數剖槽；複數滾針，係匹配各該斜契段及各該剖槽配置，並疊設於該滑差軸外周側；一傳動軸，具有一軸桿及組設於該軸桿外周側之一軸桿齒輪、及一撥塊，其中：該軸桿，一端可活動穿伸該煞車座後凸伸於該支架外側，另端該支架樞接；一煞車片，係對應該煞車翼片配置，套銜於該軸桿外周側；一擎動座，套銜於該軸桿一未端，配置於該支架外側，兩端分別具有一擎動軸、及一擎動翼片，其中該擎動軸，徑向貫穿擎動軸形成有一斜剖槽，提供該撥塊銜接，並受該撥塊推頂選擇性令該擎動翼片與該煞車片抵接；一擎動軸環，套銜於該擎動軸外周側，封閉該斜剖槽槽口；一套接軸套，係與該擎動軸組接，具有複數套接孔；一撥動環柄組，套接該滑差內套件常態連動滑差內套組朝一緊迫狀態方向運動，包括：一撥動環柄，一端設套接該滑差內套件外周側，並與之同動，另端延伸至該支架外側；一拉力彈簧，一端連接該撥動環柄，另端連接該支架；一被動軸，穿伸該支架樞接；複數捲線輪，分別組設於該被動軸兩端，配置於該支架外周側，分別捲收各該拉繩；一齒輪，組設於該被動軸並與之同動，且配置於該支架內，契合該軸桿齒輪；以及一捲線柄，一端選擇性對應插接套接軸套，並牽引套接軸套旋轉，具有匹配各該套接孔插置之插柱。
如請求項1所述之弓弦拉伸及釋放安全裝置，其中該左架下軸孔軸向延伸方向之孔壁，毗鄰具有一多角段及一擋壁。
如請求項1所述之弓弦拉伸及釋放安全裝置，其中各該斜契段兩端分別具高位端與低位端。
如請求項1所述之弓弦拉伸及釋放安全裝置，其中：該大徑段外表面凹設有複數卡槽，該撥動環柄，兩端分別具有一環柄孔及一環柄，其中：該環柄孔，係貫穿撥動環柄形成，且孔壁具有複數匹配各該卡槽之卡合凸肋；該環柄，一端提供該拉力彈簧組接並延伸至該支架外側。
如請求項1所述之弓弦拉伸及釋放安全裝置，其中：該套接軸套，毗鄰各該套接孔凹設有一契合槽，且該契合槽槽壁局部凹設有至少一契合段；該捲線柄，匹配該契合槽凸設有一契合柱，且該契合柱朝外延伸有至少一契合翼片，選擇性契合於該契合段。
如請求項1所述之弓弦拉伸及釋放安全裝置，其中該支架，包括一左側架，具有貫穿該左側架上、下段形成之一左架上軸孔及該左架下軸孔；一右側架，與左側架組接，具有貫穿該右側架上、下段形成之一右架上軸孔及一右架下軸孔。
如請求項1所述之弓弦拉伸及釋放安全裝置，其中該支架兩側分別組設有一左殼罩及一右殼罩，其中：該左殼罩，具有：一左繩口，貫穿該左殼罩一側形成，匹配各該捲線輪其中之一，提供各該拉繩其中之一穿伸；一罩軸孔，係匹配該套接軸套位置，貫穿該左殼罩一側形成；該右殼罩，具有：一右繩口，貫穿該右殼罩一側形成，匹配各該捲線輪其中之一，提供各該拉繩其中之一穿伸。
如請求項1所述之弓弦拉伸及釋放安全裝置，其中該支架內容置有一捲簧，該捲簧套設於該被動軸外周側，兩端分別與該齒輪及該支架組接。
一種車用後座監視裝置，其包含：<br/> 一攝影模組；<br/> 一燈具；以及<br/> 一第一無線傳輸模組，其中<br/> 該攝影模組、該燈具分別與該第一無線傳輸模組電性連接；<br/> 該燈具與該攝影模組電性連接；<br/> 該攝影模組包含一鏡頭、一影像擷取模組以及一影像處理模組，該影像擷取模組分別與該鏡頭及該影像處理模組電性連接；以及<br/> 該車用後座監視裝置係安裝於汽車後座車門上方之一閱讀燈位置，以取代該閱讀燈。
如請求項1所述之車用後座監視裝置，其中<br/> 該影像擷取模組藉由擷取該鏡頭拍攝之畫面，產生一影像訊號，並將該影像訊號傳輸至該影像處理模組；<br/> 該影像訊號藉由該影像處理模組轉變為一經處理影像訊號，並藉由該第一無線傳輸模組將該經處理影像訊號，以無線傳輸之方式傳輸至一車用螢幕或一攜帶式裝置。
如請求項2所述之車用後座監視裝置，其中該車用螢幕為汽車中控台之螢幕、車用控制面板之螢幕或車用娛樂裝置之螢幕。
如請求項2所述之車用後座監視裝置，其中該攜帶式裝置為手機、平板電腦、筆記型電腦或智慧型手錶。
如請求項1所述之車用後座監視裝置，其中該車用後座監視裝置係直接使用該閱讀燈所接之車內電源進行供電。
如請求項1所述之車用後座監視裝置，其中該燈具係搭配該攝影模組使用，該影像擷取模組發出一識別訊號以控制該燈具，使其作為補光之用途。
如請求項1所述之車用後座監視裝置，其中該燈具係單獨使用，以提供該閱讀燈之原有功能。
如請求項1所述之車用後座監視裝置，其中該車用後座監視裝置進一步包含一麥克風模組，該麥克風模組分別與該第一無線傳輸模組以及該攝影模組電性連接，其係於該攝影模組拍攝畫面時一併接收聲音。
如請求項1所述之車用後座監視裝置，其中該車用後座監視裝置進一步包含一喇叭模組，該喇叭模組分別與該第一無線傳輸模組以及該攝影模組電性連接，其用於發出聲音以提醒或確認後座乘客之狀態。
一種經編機之傳動裝置，包括：一傳動軸，用以連接一經編機之一動力源；一第一心軸，該第一心軸平行於該傳動軸；一第二心軸，該第二心軸分別平行於該傳動軸及該第一心軸；一沉降片傳動機構，該沉降片傳動機構包含一沉片偏心凸輪、一第一沉片擺動件、一第二沉片擺動件、一沉片連桿，該傳動軸穿固該沉片偏心凸輪，且該沉片偏心凸輪形成有一第一凸出部，該第一凸出部、該沉片連桿之一端及該第二沉片擺動件以同一軸心相互樞設，該沉片連桿異於該第二沉片擺動件之一端樞設該第一沉片擺動件，而該第一沉片擺動件及該第二沉片擺動件分別供該第一心軸及該第二心軸樞穿，且該第二沉片擺動件用以驅動一沉降片床機構往復擺動運動；一紗圈及梳櫛傳動機構，該紗圈及梳櫛傳動機構包含一紗圈偏心凸輪、一紗圈擺動件、一梳櫛擺動件、一紗圈連桿及一紗圈調節螺桿，該傳動軸穿固該紗圈偏心凸輪，且該紗圈偏心凸輪形成有一第二凸出部，該第二凸出部樞設該紗圈擺動件之一側，該紗圈擺動件中央供該第二心軸樞穿，並該紗圈擺動件異於該紗圈偏心凸輪之一側樞設於該紗圈連桿之一端，該紗圈擺動件用以連動該經編機之一紗圈床機構往復擺動運動，該紗圈連桿異於該紗圈擺動件之一端樞設該梳櫛擺動件，該梳櫛擺動件供該第一心軸樞穿，該梳櫛擺動件用以連動該經編機之一梳櫛裝置往復擺動運動；以及一針芯傳動機構，該針芯傳動機構包含一針芯偏心凸輪、一第一針芯擺動件、一第二針芯擺動件及一針芯連桿，該傳動軸穿固該針芯偏心凸輪且該針芯偏心凸輪形成有一第三凸出部，該第三凸出部、該第一針芯擺動件及該針芯連桿之一端以同一軸心相互樞設，該第一心軸樞穿該第一針芯擺動件，而該針芯連桿異於該第一針芯擺動件之一端樞設該第二針芯擺動件，該第二針芯擺動件供該第二心軸樞穿，該第二針芯擺動件用以連動一針芯床機構往復擺動運動。
如請求項1所述之經編機之傳動裝置，其中該第一心軸及該第二心軸之兩端分別定位於該經編機之兩側。
如請求項1或2所述之經編機之傳動裝置，更包含一第一承座及一第二承座，該第一承座之兩端分別固設於該經編機之兩側，且該第一承座平行於該第一心軸，該第一承座貫穿設有複數個第一容置空間，該第一心軸跨設於該第一承座，且該些第一容置空間供該第一沉片擺動件、該梳櫛擺動件及第一針芯擺動件穿設，藉由該第一承座以支撐該第一心軸，而該第二承座之兩端分別固設於該經編機之兩側，且該第二承座平行於該第二心軸，該第二承座貫穿設有複數個第二容置空間，該第二心軸跨設於該第二承座，且該些第二容置空間供該第二沉片擺動件、該紗圈擺動件及該第二針芯擺動件穿設，藉由該第二承座以支撐該第二心軸。
如請求項1所述之經編機之傳動裝置，其中該沉降片傳動機構更包含一沉片調節螺桿，該第二沉片擺動件之一側與該沉片調節螺桿之一端樞設定位，該沉片調節螺桿之另端用以樞設於該經編機之一沉降片床機構，以供連動該沉降片床機構往復擺動運動。
如請求項4所述之經編機之傳動裝置，其中該沉降片傳動機構之第二沉片擺動件與該第二心軸、該沉片連桿及該沉片調節螺桿間之樞接位置相互形成三角形。
如請求項1或5所述之經編機之傳動裝置，其中該沉降片傳動機構更包含一沉片偏心輪，該沉片偏心輪供該傳動軸穿固，且該沉片偏心輪朝該沉片偏心凸輪方向突設有一第一插銷，該沉片偏心凸輪以該傳動軸為中心呈放射設有複數第一銷孔，而該沉片偏心輪之第一插銷插設於該沉片偏心凸輪之其中之一該第一銷孔內，藉此能調整該沉片偏心輪與該沉片偏心凸輪之間的結合角度。
如請求項1所述之經編機之傳動裝置，其中該紗圈及梳櫛傳動機構更包含一紗圈偏心輪，該紗圈偏心輪供該傳動軸穿固，且該紗圈偏心輪朝該紗圈偏心凸輪方向突設有一第二插銷，該紗圈偏心凸輪以該傳動軸為中心呈放射設有複數第二銷孔，而該紗圈偏心輪之第二插銷插設於該紗圈偏心凸輪之其中之一該第二銷孔內，藉此能調整該紗圈偏心輪與該紗圈偏心凸輪之間的結合角度。
如請求項1或7所述之經編機之傳動裝置，其中該紗圈及梳櫛傳動機構更包含一紗圈調節螺桿及一梳櫛調節螺桿，該紗圈調節螺桿異於該紗圈擺動件之一端樞設於該經編機之紗圈床機構，用以連動該經編機之一紗圈床機構往復擺動運動，而該梳櫛調節螺桿異於該梳櫛擺動件之一端樞設於該梳櫛裝置，用以連動該梳櫛裝置呈往復擺動運動。
如請求項8所述之經編機之傳動裝置，其中該紗圈及梳櫛傳動機構之紗圈擺動件與紗圈偏心凸輪、紗圈連桿及紗圈調節螺桿相互間樞設位置係呈正三角形方位設置，該紗圈及梳櫛傳動機構之梳櫛擺動件與第一心軸、梳櫛調節螺桿及紗圈連桿間之樞接位置係呈正三角形方位設置。
如請求項1所述之經編機之傳動裝置，其中該針芯傳動機構更包含一針芯偏心輪，該針芯偏心輪供該傳動軸穿固，且該針芯偏心輪朝該針芯偏心凸輪方向突設有一第三插銷，該針芯偏心凸輪以該傳動軸為中心呈放射設有複數第三銷孔，而該針芯偏心輪之第三插銷插設於該針芯偏心凸輪之其中之一該第三銷孔內，藉此能調整該針芯偏心輪與該針芯偏心凸輪之間的結合角度。
如請求項1或10所述之經編機之傳動裝置，其中該針芯傳動機構更包含一針芯調節螺桿，該第二針芯擺動件異於該第二心軸之一側樞設該針芯調節螺桿。
如請求項11所述之經編機之傳動裝置，其中該第二針芯擺動件與該針芯連桿、該第二心軸及該針芯調節螺桿樞設位置之間係呈正三角形方位設置。
一種行李追蹤系統，其包含有：<br/> 一智慧行李標籤 ，附着於一行李，包含一用以記錄行李資訊之電子標籤、一用於定位行李位置之GPS定位模組及一供應電力維持運作之供電模組；<br/> 複數標籤讀取器，沿一預設運輸路徑按預設間距安裝，與沿該預設運輸路徑移動經過的智慧行李標籤建立連接，以記錄行李位置及獲取行李資訊；<br/> 一中央伺服器，用於收集該智慧行李標籤及該些標籤讀取器所傳送的資訊，基於上述資訊生成一位置報告，且隨行李狀態改變更新該位置報告並推送通知至行動裝置以告知旅客，該位置報告包括行李移動路線、行李到達移動路線各節點之時間、行李所處的環境條件、行李的預測到達時間及位置；<br/> 其中，該中央伺服器根據所收集之行李位置資訊判斷行李是否偏離該預設運輸路徑，當行李偏離該預設運輸路徑之直徑範圍超過一門檻值時，該中央伺服器判定行李遺失，推送通知提醒旅客並提供行李遺失申報協助；以及，<br/> 當行李在空中環境運輸或在機場範圍外運輸時，該中央伺服器接收該GPS定位模組所傳送的GPS定位訊號以精確定位行李位置，結合機場內的移動軌跡繪製完整的行李運輸軌跡，且透過一行動裝置以地圖標記方式即時顯示行李位置以實現空中行李追蹤。
如請求項1所述之行李追蹤系統，其中，該智慧行李標籤之電子標籤爲一低耗能的藍牙信標，該藍牙信標記載有一行李資訊，該行李資訊包括行李的名稱、屬性、儲存條件、來源地、發往地、發包人信息以及收件人信息，每個智慧行李標籤具有唯一的識別碼。
如請求項1所述之行李追蹤系統，其中，該GPS定位模組藉由無線傳輸方式傳送行李位置資訊至該中央伺服器。
如請求項1所述之行李追蹤系統，其中，該智慧行李標籤還具有一環境感測模組，用於監測行李運送過程中的環境條件。
如請求項1所述之行李追蹤系統，其中，該些標籤讀取器藉由一藍牙模組與該智慧行李標籤建立連接，進而獲取行李資訊，並由一無線傳輸模組上傳所獲得的行李資訊至該中央伺服器，該藍牙模組及該無線傳輸模組均由一電力模組提供作動電源。
如請求項1所述之行李追蹤系統，其中，該中央伺服器具有一應用程式介面（Application Programming Interface，簡稱API），以供行動裝置透過軟體獲取及查看該位置報告。
一種靜態顯示驅動多穩態顯示器，包含有： <br/>一時序控制電路單元，產生一時序控制訊號； <br/>一驅動電路單元，連接該時序控制電路單元，並接收該時序控制訊號； <br/>一面板單元，連接該驅動電路單元； <br/>其中，該時序控制訊號包含有一資料訊號，且該資料訊號包含有一像素靜態顯示標頭數據及一像素靜態顯示波形數據； <br/>其中，該驅動電路單元根據該像素靜態顯示標頭數據決定輸出至該面板單元的一像素顯示驅動訊號的一像素顯示電壓值，且該驅動電路單元根據該像素靜態顯示波形數據決定輸出具有該像素顯示電壓值的該像素顯示驅動訊號的一像素顯示驅動時長。
如請求項1所述的靜態顯示驅動多穩態顯示器，其中，該資料訊號還包含有一像素清除標頭數據； <br/>其中，該驅動電路單元根據該像素清除標頭數據決定輸出至該面板單元的一像素清除驅動訊號。
如請求項1所述的靜態顯示驅動多穩態顯示器，其中，該資料訊號還包含有一像素清除標頭數據及一像素橫向螺旋排列(Uniform Lying Helix；ULH)標頭數據； <br/>其中，該驅動電路單元根據該像素清除標頭數據決定輸出至該面板單元的一像素清除驅動訊號，且該驅動電路單元根據該像素ULH標頭數據決定輸出至該面板單元的一像素ULH驅動訊號。
如請求項1所述的靜態顯示驅動多穩態顯示器，其中，該資料訊號還包含有一像素清除標頭數據及一像素清除波形數據； <br/>其中，該驅動電路單元根據該像素清除標頭數據決定輸出至該面板單元的一像素清除驅動訊號的一像素清除電壓值，且該驅動電路單元根據該像素清除波形數據決定輸出具有該像素清除電壓值的該像素清除驅動訊號的一像素清除驅動時長。
如請求項1所述的靜態顯示驅動多穩態顯示器，其中，該資料訊號還包含有一像素清除標頭數據、一像素清除波形數據、一像素ULH標頭數據及一像素ULH波形數據； <br/>其中，該驅動電路單元根據該像素清除標頭數據決定輸出至該面板單元的一像素清除驅動訊號的一像素清除電壓值，且該驅動電路單元根據該像素清除波形數據決定輸出具有該像素清除電壓值的該像素清除驅動訊號的一像素清除驅動時長； <br/>其中，該驅動電路單元根據該像素ULH標頭數據決定輸出至該面板單元的一像素ULH驅動訊號的一像素ULH電壓值，且該驅動電路單元根據該像素ULH波形數據決定輸出具有該像素ULH電壓值的該像素ULH驅動訊號的一像素ULH驅動時長。
如請求項1所述的靜態顯示驅動多穩態顯示器，其中，該時序控制電路單元包含有： <br/>一標頭設定控制埠，連接該驅動電路單元，輸出一標頭設定訊號至該驅動電路單元； <br/>一資料訊號輸出埠，連接該驅動電路單元，輸出該資料訊號至該驅動電路單元； <br/>其中，當該資料訊號輸出埠輸出的該資料訊號為該像素靜態顯示標頭數據時，該標頭設定控制埠輸出的該標頭設定訊號為一高電壓準位。
如請求項4或5所述的靜態顯示驅動多穩態顯示器，其中，該像素清除標頭數據包含有一像素正清除電壓數據及一像素負清除電壓數據； <br/>其中，該像素正清除電壓數據包含有一第一像素正清除電壓值及一第二像素正清除電壓值，且該像素負清除電壓數據包含有一第一像素負清除電壓值及一第二像素負清除電壓值； <br/>其中，該像素清除波形數據包含有複數個像素電極清除數據； <br/>其中，該些像素電極清除數據至少包含有一第一像素電極清除數據，且該第一像素電極清除數據包含有一第一清除電壓單位數； <br/>其中，該驅動電路單元具有一工作總數，且該驅動電路單元將該工作總數減去該第一清除電壓單位數決定一第一剩餘清除電壓單位數； <br/>其中，當該驅動電路單元根據該像素清除波形數據決定輸出具有該像素清除電壓值的該像素清除驅動訊號的該像素清除驅動時長時，該驅動電路單元係根據該像素清除波形數據的該第一清除電壓單位數決定輸出至一第一像素電極且具有該第一像素正清除電壓值的該像素清除驅動訊號的一第一清除時長，且該驅動電路單元係根據第一剩餘清除電壓單位數決定輸出至該第一像素電極且具有該第二像素正清除電壓值的該像素清除驅動訊號的一第二清除時長，並且該驅動電路單元係根據該像素清除波形數據的該第一清除電壓單位數決定輸出至該第一像素電極且具有該第一像素負清除電壓值的該像素清除驅動訊號的一第三清除時長，以及該驅動電路單元係根據第一剩餘清除電壓單位數決定輸出至該第一像素電極且具有該第二像素負清除電壓值的該像素清除驅動訊號的一第四清除時長。
如請求項1至6中任一項所述的靜態顯示驅動多穩態顯示器，其中，該像素靜態顯示標頭數據包含有一像素正顯示電壓數據及一像素負顯示電壓數據； <br/>其中，該像素正顯示電壓數據包含有一第一像素正顯示電壓值及一第二像素正顯示電壓值，且該像素負顯示電壓數據包含有一第一像素負顯示電壓值及一第二像素負顯示電壓值； <br/>其中，該像素靜態顯示波形數據包含有複數個像素電極顯示數據； <br/>其中，該些像素電極顯示數據至少包含有一第一像素電極顯示數據，且該第一像素電極顯示數據包含有一第一顯示電壓單位數； <br/>其中，該驅動電路單元具有一工作總數，且該驅動電路單元將該工作總數減去該第一顯示電壓單位數決定一第一剩餘顯示電壓單位數； <br/>其中，當該驅動電路單元根據該像素靜態顯示波形數據決定輸出具有該像素顯示電壓值的該像素顯示驅動訊號的該像素顯示驅動時長時，該驅動電路單元係根據該像素靜態顯示波形數據的該第一顯示電壓單位數決定輸出至一第一像素電極且具有該第一像素正顯示電壓值的該像素顯示驅動訊號的一第一顯示時長，且該驅動電路單元係根據第一剩餘顯示電壓單位數決定輸出至該第一像素電極且具有該第二像素正顯示電壓值的該像素顯示驅動訊號的一第二顯示時長，並且該驅動電路單元係根據該像素靜態顯示波形數據的該第一顯示電壓單位數決定輸出至該第一像素電極且具有該第一像素負顯示電壓值的該像素顯示驅動訊號的一第三顯示時長，以及該驅動電路單元係根據第一剩餘顯示電壓單位數決定輸出至該第一像素電極且具有該第二像素負顯示電壓值的該像素顯示驅動訊號的一第四顯示時長。
如請求項4或5所述的靜態顯示驅動多穩態顯示器，其中，該時序控制電路單元還包含有： <br/>一數位類比轉換控制埠，連接該驅動電路單元，輸出一轉換控制訊號至該驅動電路單元，且該轉換控制訊號包含有複數計數訊號； <br/>其中，該驅動電路單元具有一工作總數； <br/>其中，該像素清除標頭數據包含有一像素正清除電壓數據及一像素負清除電壓數據； <br/>其中，該像素正清除電壓數據包含有一第一像素正清除電壓值及一第二像素正清除電壓值，且該像素負清除電壓數據包含有一第一像素負清除電壓值及一第二像素負清除電壓值； <br/>其中，該像素清除波形數據包含有複數個像素電極清除數據； <br/>其中，該些像素電極清除數據至少包含有一第一像素電極清除數據，且該第一像素電極清除數據包含有一第一清除電壓單位數； <br/>其中，當該驅動電路單元根據該像素清除波形數據決定輸出具有該像素清除電壓值的該像素清除驅動訊號的該像素清除驅動時長時，該驅動電路單元係於該數位類比轉換控制埠輸出第1個至第A個的該計數訊號之間輸出具有該第一像素正清除電壓值的該像素清除驅動訊號至一第一像素電極，且該驅動電路單元係於該數位類比轉換控制埠輸出第A+1個至第B個的該計數訊號之間輸出具有該第二像素正清除電壓值的該像素清除驅動訊號至該第一像素電極，並且該驅動電路單元係於該數位類比轉換控制埠輸出第B+1個至第A+B個的該計數訊號之間輸出具有該第一像素負清除電壓值的該像素清除驅動訊號至該第一像素電極，以及該驅動電路單元係於該數位類比轉換控制埠輸出第A+B+1個至第2B個的該計數訊號之間輸出具有該第二像素負清除電壓值的該像素清除驅動訊號至該第一像素電極； <br/>其中，A為該第一清除電壓單位數，且B為該工作總數。
如請求項1至6中任一項所述的靜態顯示驅動多穩態顯示器，其中，該時序控制電路單元還包含有： <br/>一數位類比轉換控制埠，連接該驅動電路單元，輸出一轉換控制訊號至該驅動電路單元，且該轉換控制訊號包含有複數計數訊號； <br/>其中，該驅動電路單元具有一工作總數； <br/>其中，該像素靜態顯示標頭數據包含有一像素正顯示電壓數據及一像素負顯示電壓數據； <br/>其中，該像素正顯示電壓數據包含有一第一像素正顯示電壓值及一第二像素正顯示電壓值，且該像素負顯示電壓數據包含有一第一像素負顯示電壓值及一第二像素負顯示電壓值； <br/>其中，該像素靜態顯示波形數據包含有複數個像素電極顯示數據； <br/>其中，該些像素電極顯示數據至少包含有一第一像素電極顯示數據，且該第一像素電極顯示數據包含有一第一顯示電壓單位數； <br/>其中，當該驅動電路單元根據該像素靜態顯示波形數據決定輸出具有該像素顯示電壓值的該像素顯示驅動訊號的該像素顯示驅動時長時，該驅動電路單元係於該數位類比轉換控制埠輸出第1個至第C個的該計數訊號之間輸出具有該第一像素正顯示電壓值的該像素顯示驅動訊號至一第一像素電極，且該驅動電路單元係於該數位類比轉換控制埠輸出第該C+1個至第B個的該計數訊號之間輸出具有該第二像素正顯示電壓值的該像素顯示驅動訊號至該第一像素電極，並且該驅動電路單元係於該數位類比轉換控制埠輸出第B+1個至第B+C個的該計數訊號之間輸出具有該第一像素負顯示電壓值的該像素顯示驅動訊號至該第一像素電極，以及該驅動電路單元係於該數位類比轉換控制埠輸出第B+C+1個至第2B個的該計數訊號之間輸出具有該第二像素負顯示電壓值的該像素顯示驅動訊號至該第一像素電極； <br/>其中，C為該第一顯示電壓單位數，且B為該工作總數。
如請求項1所述的靜態顯示驅動多穩態顯示器，其中，該時序控制訊號包含有一掃描訊號，且該掃描訊號包含有一線路靜態顯示標頭數據及一線路靜態顯示波形數據； <br/>其中，該驅動電路單元根據該線路靜態顯示標頭數據決定輸出至該面板單元的一線路驅動訊號的一線路驅動電壓值，且該驅動電路單元根據該線路驅動電壓值及該線路靜態顯示波形數據決定輸出至該面板單元的該線路驅動訊號的一訊號波型。
一種阻劑圖案形成方法，包含下列步驟： <br/>(i)使用含有選自下式(1)表示之超原子價碘化合物及下式(2)表示之超原子價碘化合物中之至少1種超原子價碘化合物、含羧基之聚合物及溶劑之非化學增幅阻劑組成物，於基板上或於疊層有下層膜之基板的該下層膜上形成阻劑膜， <br/>(ii)對該阻劑膜以高能射線進行曝光， <br/>(iii)將該曝光後之阻劑膜進行加熱處理，及 <br/>(iv)將該加熱處理後之阻劑膜利用乾蝕刻進行顯影來形成阻劑圖案； <br/><img align="absmiddle" height="51px" width="135px" file="ed10081.jpg" alt="ed10081.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，m為0或1；n在m為0時係0~4之整數，在m為1時係0~6之整數；k為0~5之整數； <br/>R<sup>1</sup>為鹵素原子、或也可含有雜原子之碳數1~10之烴基； <br/>R<sup>2</sup>為鹵素原子、或也可含有雜原子之碳數1~40之烴基；n為2以上時，各R<sup>2</sup>可互為相同，也可相異；又，多個R<sup>2</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結的芳香環之碳原子一起形成環； <br/>R<sup>3</sup>為羰基、或也可含有雜原子之碳數1~10之伸烴基； <br/>*1及*2表示和式中之芳香環的碳原子之原子鍵；惟，*1與*2鍵結於芳香環之相鄰的碳原子； <br/>R<sup>4</sup>及R<sup>5</sup>分別獨立地為鹵素原子、或也可含有雜原子之碳數1~10之烴基；又，R<sup>4</sup>及R<sup>5</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結的碳原子及該碳原子間的原子一起形成環； <br/>R<sup>6</sup>為鹵素原子、或也可含有雜原子之碳數1~40之烴基；k為2、3、4或5時，各R<sup>6</sup>可互為相同，也可相異；又，多個R<sup>6</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結的芳香環之碳原子一起形成環。
如請求項1之阻劑圖案形成方法，其中，該含羧基之聚合物為含有下式(3-1)~(3-3)中之任一者表示之重複單元者； <br/><img align="absmiddle" height="47px" width="158px" file="ed10082.jpg" alt="ed10082.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>A</sup>為氫原子、鹵素原子、甲基或三氟甲基； <br/>X<sup>A</sup>為單鍵、伸苯基、伸萘基或*-C(=O)-O-X<sup>A1</sup>-；X<sup>A1</sup>為碳數1~10之飽和伸烴基、伸苯基或伸萘基，且該飽和伸烴基也可含有選自羥基、醚鍵、及酯鍵中之至少1種；*表示和主鏈之碳原子的原子鍵； <br/>p為0~5之整數；q為0~3之整數。
如請求項1之阻劑圖案形成方法，其中，該高能射線為i射線、KrF準分子雷射光、ArF準分子雷射光、電子束或極紫外線。
如請求項1至3中任一項之阻劑圖案形成方法，其中，步驟(iv)中，乾蝕刻係使用含有選自由氧氣及四氟甲烷構成之群組中之至少1種之氣體來實施。
一種自行車鏈輪，其包括： <br/>一鏈輪體； <br/>複數個鏈輪齒，其等安置於該鏈輪體之一外周邊上； <br/>一升檔促進區段，其經構形以促進其中一自行車鏈條自該自行車鏈輪朝向相鄰於該自行車鏈輪之一較小鏈輪換檔之一升檔操作，其中該自行車鏈輪與該較小鏈輪之間沿相對於該自行車鏈輪之一旋轉中心軸線之一軸向方向無另一鏈輪，該升檔促進區段由該複數個鏈輪齒中之一第一齒群組形成；及 <br/>一降檔促進區段，其經構形以促進其中該自行車鏈條自該較小鏈輪朝向該自行車鏈輪換檔之一降檔操作，該降檔促進區段由該複數個鏈輪齒中之一第二齒群組形成，該第二齒群組完全不同於該第一齒群組，該降檔促進區段沿相對於該自行車鏈輪之該旋轉中心軸線且相對於一傳動旋轉方向之一圓周方向安置於該升檔促進區段之一上游側上， <br/>該複數個鏈輪齒之至少一鏈輪齒具有等於或大於1.7 mm之一軸向齒底厚度。
如請求項1之自行車鏈輪，其中 <br/>該升檔促進區段之該第一齒群組相鄰於該降檔促進區段之該第二齒群組且該第一齒群組與該第二齒群組之間無另一齒。
如請求項1之自行車鏈輪，其中 <br/>該複數個鏈輪齒之各者經構形以進入界定於一自行車鏈條之一對對置外鏈板之間的一外鏈間隔及界定於該自行車鏈條之一對對置內鏈板之間的一內鏈間隔之各者。
一種任務管理系統，包括：<br/> 儲存裝置，儲存知識圖譜，其中所述知識圖譜包括類型數據、數據特徵、事件以及任務之間的關係；以及<br/> 處理器，耦接所述儲存裝置以及應用系統，用以：<br/> 分析來自所述應用系統的應用數據以生成分析結果，其中所述分析結果包括所述應用數據的業務類型；<br/> 根據所述分析結果以及所述知識圖譜，獲取關聯於所述應用數據的至少一個可能任務；以及<br/> 根據所述應用數據，執行所述至少一個可能任務，<br/> 其中所述分析結果還包括所述應用數據的驅動方式、所述應用數據的數據特徵以及變化類型，其中所述處理器還用以：<br/> 判斷所述驅動方式為即時驅動或者事件驅動，<br/> 當所述驅動方式為所述即時驅動時，根據所述知識圖譜，判斷所述至少一個可能任務是否關注所有的所述數據特徵以及所述變化類型以生成匹配結果；以及<br/> 當所述驅動方式為所述即時驅動時，根據所述匹配結果以及所述業務類型，獲取最新的所述數據特徵。
如請求項1所述的任務管理系統，其中所述處理器還用以：<br/> 當所述應用系統發生變化時，存取所述應用系統中的所述應用數據； <br/> 輸出所述至少一個可能任務的執行結果至所述應用系統以更新所述應用系統；以及<br/> 當經更新的所述應用系統發生變化時，存取經更新的所述應用系統中的變化數據以作為所述應用數據。
如請求項1所述的任務管理系統，其中當所述驅動方式為所述即時驅動時，所述處理器還用以：<br/> 根據所述知識圖譜，判斷所述至少一個可能任務是否匹配所述最新的數據特徵，以驅動所述至少一個可能任務。
如請求項1所述的任務管理系統，其中所述至少一個可能任務包括多個可能任務，其中當所述驅動方式為所述即時驅動時，所述處理器還用以：<br/> 根據所述業務類型以及所述知識圖譜，獲取關聯於所述數據特徵以及所述多個可能任務之間的共存關係；以及<br/> 根據所述共存關係，依序地或同時地，根據所述知識圖譜，分別判斷所述多個可能任務是否關注所有的所述數據特徵以及所述變化類型以生成匹配結果，以根據所述匹配結果驅動所述多個可能任務。
如請求項1所述的任務管理系統，其中當所述驅動方式為所述事件驅動時，所述處理器還用以：<br/> 儲存所述應用數據至所述儲存裝置；<br/> 根據所儲存的所述應用數據，執行驅動方式轉換器以生成轉換結果，其中所述驅動方式轉換器包括所述事件與即時數據之間的關係；<br/> 根據所述轉換結果，清除所儲存的所述應用數據，或者在週期內收集所述應用系統中的所述應用數據以生成事件數據。
如請求項5所述的任務管理系統，其中當所述驅動方式為所述事件驅動時，所述處理器還用以：<br/> 在清除所儲存的所述應用數據之後，將所述應用數據的驅動方式視為所述即時驅動。
如請求項5所述的任務管理系統，其中所述分析結果還包括所述應用數據的數據特徵，其中當所述驅動方式為所述事件驅動時，所述處理器還用以：<br/> 根據所述數據特徵，分組所述事件數據以生成多個事件數據組；<br/> 根據所述知識圖譜，判斷每個所述事件數據組的所有數據特徵是否滿足所述至少一個可能任務以生成匹配結果；以及<br/> 根據所述匹配結果，驅動所述至少一個可能任務。
如請求項1所述的任務管理系統，其中所述處理器還用以：<br/> 設定所述任務的驅動方式以及所關注的數據信息；<br/> 設定所述業務類型；<br/> 設定所述事件的事件信息；<br/> 設定所述事件與所述數據信息之間的對應關係；以及<br/> 根據經設定的所述驅動方式、所述數據信息、所述業務類型、所述事件信息以及所述對應關係，生成所述知識圖譜。
一種任務管理系統的操作方法，包括：<br/> 透過儲存裝置，儲存知識圖譜，其中所述知識圖譜包括類型數據、數據特徵、事件以及任務之間的關係；<br/> 透過處理器，分析來自應用系統的應用數據以生成分析結果，其中所述分析結果包括所述應用數據的業務類型；<br/> 透過所述處理器，根據所述分析結果以及所述知識圖譜，獲取關聯於所述應用數據的至少一個可能任務；以及<br/> 透過所述處理器，根據所述應用數據，執行所述至少一個可能任務，<br/> 其中所述分析結果還包括所述應用數據的驅動方式、所述應用數據的數據特徵以及變化類型，其中所述操作方法還包括：<br/> 透過所述處理器，判斷所述驅動方式為即時驅動或者事件驅動；<br/> 當所述驅動方式為所述即時驅動時，透過所述處理器，根據所述知識圖譜，判斷所述至少一個可能任務是否關注所有的所述數據特徵以及所述變化類型以生成匹配結果；以及<br/> 當所述驅動方式為所述即時驅動時，透過所述處理器，根據所述匹配結果以及所述業務類型，獲取最新的所述數據特徵。
如請求項9所述的操作方法，還包括：<br/> 透過所述處理器，當所述應用系統發生變化時，存取所述應用系統中的所述應用數據； <br/> 透過所述處理器，輸出所述至少一個可能任務的執行結果至所述應用系統以更新所述應用系統中的所述應用數據；以及<br/> 透過所述處理器，當經更新的所述應用系統發生變化時，存取經更新的所述應用系統中的變化數據以作為所述應用數據。
如請求項9所述的操作方法，還包括：<br/> 當所述驅動方式為所述即時驅動時，透過所述處理器，根據所述知識圖譜，判斷所述至少一個可能任務是否匹配所述最新的數據特徵，以驅動所述至少一個可能任務。
如請求項9所述的操作方法，其中述至少一個可能任務包括多個可能任務，其中所述操作方法還包括：<br/> 當所述驅動方式為所述即時驅動時，透過所述處理器，根據所述業務類型以及所述知識圖譜，獲取關聯於所述數據特徵以及所述多個可能任務之間的共存關係；以及<br/> 當所述驅動方式為所述即時驅動時，透過所述處理器，根據所述共存關係，依序地或同時地，根據所述知識圖譜，分別判斷所述多個可能任務是否關注所有的所述數據特徵以及所述變化類型以生成匹配結果，以根據所述匹配結果驅動所述多個可能任務。
如請求項9所述的操作方法，還包括：<br/> 當所述驅動方式為所述事件驅動時，透過所述處理器，儲存所述應用數據至所述儲存裝置；<br/> 當所述驅動方式為所述事件驅動時，透過所述處理器，根據所儲存的所述應用數據，執行驅動方式轉換器以生成轉換結果，其中所述驅動方式轉換器包括所述事件與即時數據之間的關係；<br/> 當所述驅動方式為所述事件驅動時，透過所述處理器，根據所述轉換結果，清除所儲存的所述應用數據，或者在週期內收集所述應用系統中的所述應用數據以生成事件數據。
如請求項13所述的操作方法，還包括：<br/> 當所述驅動方式為所述事件驅動時，透過所述處理器，在清除所儲存的所述應用數據之後，將所述應用數據的驅動方式視為所述即時驅動。
如請求項13所述的操作方法，其中所述分析結果還包括所述應用數據的數據特徵，其中所述操作方法還包括：<br/> 當所述驅動方式為所述事件驅動時，透過所述處理器，根據所述數據特徵，分組所述事件數據以生成多個事件數據組；<br/> 當所述驅動方式為所述事件驅動時，透過所述處理器，根據所述知識圖譜，判斷每個所述事件數據組的所有數據特徵是否滿足所述至少一個可能任務以生成匹配結果；以及<br/> 當所述驅動方式為所述事件驅動時，透過所述處理器，根據所述匹配結果，驅動所述至少一個可能任務。
如請求項9所述的操作方法，還包括：<br/> 透過所述處理器，設定所述任務的驅動方式以及所關注的數據信息；<br/> 透過所述處理器，設定所述業務類型；<br/> 透過所述處理器，設定所述事件的事件信息；<br/> 透過所述處理器，設定所述事件與所述數據信息之間的對應關係；以及<br/> 透過所述處理器，根據經設定的所述驅動方式、所述數據信息、所述業務類型、所述事件信息以及所述對應關係，生成所述知識圖譜。
一種III族元素氮化物基板之製造方法，包含下列步驟： <br/>進行III族元素氮化物基板之檢查方法，該III族元素氮化物基板之檢查方法包含下列步驟： <br/>準備摻雜有過渡元素的III族元素氮化物基板； <br/>將激發能量照射至該III族元素氮化物基板；及 <br/>測定藉由該照射所獲得之發射光譜之能帶邊緣發光的半值寬；以及 <br/>基於該能帶邊緣發光之半值寬，來挑選該能帶邊緣發光之半高全寬為6.5nm以下之該III族元素氮化物基板。
一種III族元素氮化物基板之製造方法，包含下列步驟： <br/>進行III族元素氮化物基板之檢查方法，該III族元素氮化物基板之檢查方法包含下列步驟： <br/>準備摻雜有過渡元素的III族元素氮化物基板； <br/>將激發能量照射至該III族元素氮化物基板；及 <br/>測定藉由該照射所獲得之發射光譜之能帶邊緣發光的半值寬；以及 <br/>基於該能帶邊緣發光之半值寬，來挑選該能帶邊緣發光之長波長側之半高半寬為4.2nm以下之該III族元素氮化物基板。
一種半導體元件之製造方法，包含下列步驟： <br/>將激發能量照射至摻雜有過渡元素之III族元素氮化物基板，並測定藉由該照射所獲得之發射光譜之能帶邊緣發光之半值寬； <br/>基於該能帶邊緣發光之半值寬，來挑選該能帶邊緣發光之半高全寬為6.5nm以下之該III族元素氮化物基板； <br/>於該III族元素氮化物基板形成通道層及障壁層而獲得疊層構造；以及 <br/>於該疊層構造上設置源極電極、汲極電極及閘極電極； <br/>其中，將較該通道層之構成材料之能隙能量要高之能量照射至該III族元素氮化物基板。
一種半導體元件之製造方法，包含下列步驟： <br/>將激發能量照射至摻雜有過渡元素之III族元素氮化物基板，並測定藉由該照射所獲得之發射光譜之能帶邊緣發光之半值寬； <br/>基於該能帶邊緣發光之半值寬，來挑選該能帶邊緣發光之長波長側之半高半寬為4.2nm以下之該III族元素氮化物基板； <br/>於該III族元素氮化物基板形成通道層及障壁層而獲得疊層構造；以及 <br/>於該疊層構造上設置源極電極、汲極電極及閘極電極； <br/>其中，將較該通道層之構成材料之能隙能量要高之能量照射至該III族元素氮化物基板。
如請求項3或4之半導體元件之製造方法，其係獲得具備該半值寬滿足既定值之該III族元素氮化物基板之半導體元件。
如請求項3或4之半導體元件之製造方法，其係藉由磊晶成長來獲得該疊層構造。
一種III族元素氮化物基板，摻雜有過渡元素， <br/>藉由激發能量之照射所獲得之發射光譜之能帶邊緣發光之半高全寬為6.5nm以下。
一種III族元素氮化物基板，摻雜有過渡元素， <br/>藉由激發能量之照射所獲得之發射光譜之能帶邊緣發光之長波長側之半高半寬為4.2nm以下。
如請求項7或8之III族元素氮化物基板，其中， <br/>該III族元素氮化物基板包含氮化鎵。
如請求項7或8之III族元素氮化物基板，其中， <br/>該過渡元素包含鐵或錳之至少一種。
一種薄膜覆晶封裝結構，包括：<br/> 一可撓性線路載板，包括：<br/> 一可撓性基材，具有一晶片設置區，該晶片設置區具有相對的一第一邊界與一第二邊界；以及<br/> 多個引腳，配置於該可撓性基材上且包括多個第一內引腳與多個第二內引腳，該些第一內引腳與該些第二內引腳通過該第一邊界並延伸至該晶片設置區內，該些第一內引腳與該些第二內引腳沿著該第一邊界相鄰排列，且該些第二內引腳位於該些第一內引腳的相對兩側；以及<br/> 一晶片，配置於該可撓性線路載板上且位於該晶片設置區內，該晶片具有相對的一第一長邊與一第二長邊且包括多個第一凸塊、多個第二凸塊與多個第三凸塊，該第一長邊與該第二長邊分別對應該第一邊界與該第二邊界，該些第二凸塊與該些第三凸塊鄰近該第一長邊且沿著該第一長邊相鄰排列，該些第二凸塊位於該些第三凸塊的相對兩側，各該第一凸塊對應至少一個該第三凸塊且較對應的該至少一個第三凸塊遠離該第一長邊，其中各該些第一內引腳接合該些第一凸塊的其中一個與對應的該至少一個第三凸塊，該些第二內引腳分別接合該些第二凸塊；<br/> 其中該些第一凸塊在相對兩側具有兩組最外側的該些第一凸塊，該兩組最外側的該些第一凸塊的任一組的任兩相鄰的該些第一凸塊具有一第一間距，而鄰近該組最外側的該些第一凸塊的該些第二凸塊的任兩相鄰的該些第二凸塊具有一第二間距，且該第二間距等於該第一間距；<br/> 其中該晶片具有位於該第一長邊的相對兩端的兩個第一角落，該些第二凸塊位於該兩個第一角落處，且該些第三凸塊不具有電性功能。
如請求項1所述的薄膜覆晶封裝結構，其中該兩組最外側的該些第一凸塊的任一組的該些第一凸塊的數量為至少三個。
如請求項2所述的薄膜覆晶封裝結構，其中鄰近該兩組最外側的該些第一凸塊的任一組的該些第二凸塊的數量不小於三個。
如請求項1所述的薄膜覆晶封裝結構，其中該晶片具有垂直該第一長邊的一中心線，該些第一凸塊與該些第一內引腳分別在該中心線的兩側呈鏡像排列。
如請求項4所述的薄膜覆晶封裝結構，其中位於該中心線的其中一側的該些第一凸塊沿著平行一第一斜線的方向排列成至少一排，其中該第一斜線傾斜於該第一長邊。
如請求項4所述的薄膜覆晶封裝結構，其中各該些第一凸塊與該第一長邊之間具有垂直該第一長邊的一第一距離，該些第一凸塊的該些第一距離由該中心線往遠離該中心線的方向逐漸增加。
如請求項6所述的薄膜覆晶封裝結構，其中各該些第一凸塊與該第二長邊之間具有垂直該第二長邊的一第二距離，部分該些第一凸塊的該些第一距離大於該些第二距離。
如請求項1所述的薄膜覆晶封裝結構，其中該些第一凸塊電性連接該些第一內引腳。
如請求項1所述的薄膜覆晶封裝結構，更包括：<br/> 一封裝膠體，至少填充於該晶片與該可撓性線路載板之間並覆蓋該晶片設置區、該些第一凸塊、該些第二凸塊以及該些第三凸塊。
一種半導體封裝結構，包括：<br/> 一基板；<br/> 一晶片，配置於該基板上，且與該基板電性連接；<br/> 至少一導電柱，配置於該基板上，且與該基板電性連接；<br/> 一封裝膠體，配置於該基板上，且包覆該晶片與該至少一導電柱，該封裝膠體具有彼此相對的一第一表面與一第二表面以及至少一容置凹槽，該第二表面接觸該基板，該至少一容置凹槽從該第一表面往該第二表面延伸且具有至少一底面，該至少一底面暴露出該至少一導電柱的至少一頂面；<br/> 至少一半導體元件，配置於該至少一容置凹槽的該至少一底面，且接觸該至少一導電柱的該至少一頂面，該至少一半導體元件透過該至少一導電柱與該基板電性連接；<br/> 一蓋板，配置於該至少一容置凹槽內，以覆蓋該至少一半導體元件；以及<br/> 一黏合材料，配置於該蓋板的周圍與該至少一容置凹槽的內壁之間，該蓋板透過該黏合材料固定於該至少一容置凹槽內。
如請求項1所述的半導體封裝結構，其中該蓋板為絕緣板材，且該蓋板的材質包括玻璃、塑膠、陶瓷或玻璃纖維。
如請求項1所述的半導體封裝結構，其中該黏合材料包括一紫外線解膠或一熱解膠膜。
如請求項1所述的半導體封裝結構，更包括：<br/> 一絕緣膠材，填充於該至少一容置凹槽內，且完全覆蓋該至少一半導體元件。
如請求項4所述的半導體封裝結構，其中該絕緣膠材包括一紫外線解膠、一熱解膠膜、一環氧樹脂或一封裝膠體。
如請求項1所述的半導體封裝結構，其中該晶片透過打線接合或覆晶接合於該基板。
如請求項1所述的半導體封裝結構，其中該至少一半導體元件於該基板上的正投影不重疊於該晶片於該基板上的正投影。
如請求項1所述的半導體封裝結構，其中該至少一半導體元件包括至少一被動元件或至少一主動元件。
一種大宗液態氣體的供應系統，包含：<br/> 一儲存塔，具有一大容量的儲藏空間來儲存一液態氣體；<br/> 一液體供應系統，具有一輸液管路以及一設置在該輸液管路的加壓泵，該輸液管路的一上游端連接於該儲存塔，且該輸液管路的一下游端形成複數並聯排列的供液管路，每一供液管路設有一能啟閉的第一啟動閥；<br/> 複數氣體供應裝置，分別一對一地連接在每一供液管路，每一氣體供應裝置包括：<br/> 一儲存容器，具有一進液閥以及一出氣閥，該進液閥位於該儲存容器的下半部，而該出氣閥位於該儲存容器的上半部進液閥出氣閥；<br/> 一加熱器，被設置在該儲存容器外的底部，該加熱器透過磁通量變化來加熱從該進液閥輸入的該液態氣體，使得該液態氣體汽化成一從該出氣閥輸出的標的氣體；以及<br/> 一重量感測器，設置在該儲存容器下方，該重量感測器能檢測該儲存容器的一目前重量值；<br/> 一氣體供應系統，具有一供氣管路下游以及至少一維持該供氣管路下游溫度的加熱管路，該供氣管路下游的一上游段形成有複數並聯排列的供氣管路上游，每一供氣管路上游設有一能啟閉的第二啟動閥；以及<br/> 一控制裝置，電性連接每一第一啟動閥、每一第二啟動閥以及每一重量感測器，該控制裝置能依據每一重量感測器的該目前重量值來啟動對應的該第一啟動閥，進而讓該液態氣體輸入該儲存容器；並且該控制裝置能啟動該第二啟動閥，進而讓該標的氣體從該儲存容器輸出，該控制裝置還具有一用以取得該目前重量值的重量模組以及一用以控制該複數第一啟動閥的控制模組，該重量模組能被設定一重量臨界值，當該目前重量值低於該重量臨界值，該重量模組將產生一開閥訊號至該控制模組，該控制模組在接收到該開閥訊號後，將依序接收到的順序，控制對應的該液體供應系統開啟該第一啟動閥使得該液態氣體流入該儲存容器，該重量模組還能被設定一重量平衡值，當該複數目前重量值中的最重者以及最輕者所計算出的一重量差異值大於或等於該重量平衡值時，該重量模組將產生該開閥訊號至該控制模組，該控制模組在接收到該開閥訊號後，將控制最輕者的該第一啟動閥開啟，並使得該液態氣體流入該儲存容器；<br/> 其中，該氣體供應裝置具有一補充液體模式、一供應氣體模式以及一混合模式，在該補充液體模式下該第一啟動閥會開啟，而該第二啟動閥會關閉；而該供應氣體模式下該第一啟動閥會關閉，而該第二啟動閥會開啟；而該混合模式下該第一啟動閥與該第二啟動閥能同時開啟，使得該儲存容器能夠同時補充該液態氣體以及汽化該液態氣體成該標的氣體並輸出。
如請求項1所述大宗液態氣體的供應系統，其中，該輸液管路外具有一真空層以及一隔熱棉層，用以維持該輸液管路的溫度，使該液態氣體持續保持在液相狀態。
如請求項1所述大宗液態氣體的供應系統，其中，每一供液管路設有一能調整該液態氣體流量的流量控制閥。
如請求項3所述大宗液態氣體的供應系統，其中，該第一啟動閥與該流量控制閥之間具有一第一洩壓閥，且該加壓泵與該流量控制閥之間具有一第二洩壓閥。
如請求項1所述大宗液態氣體的供應系統，其中，該加壓泵具有兩幫浦，當該兩幫浦的其中之一停止運行時，該兩幫浦的其中另一者能繼續單獨運行。
如請求項1所述大宗液態氣體的供應系統，其中，該重量模組還能被設定一重量目標值，當該氣體供應裝置進入該補充液體模式時，液態氣體將持續流入該儲存容器，並且當該目前重量值恢復到該重量目標值後，該重量模組將產生一閉閥訊號至該控制模組，該控制模組在接收到該閉閥訊號後，將控制對應的該第一啟動閥關閉。
如請求項6所述大宗液態氣體的供應系統，其中，該控制裝置還具有一控制介面，該重量臨界值、該重量平衡值以及該重量目標值皆能在該控制介面從一原始數值重複設定成一目標數值。
一種機箱，包括： <br/>一機箱本體； <br/>一托架，適於相對該機箱本體進行滑動； <br/>一握把，以可轉動的方式設於該托架，其中，該握把包括一握把卡勾；以及 <br/>一鎖定機構，設於該機箱本體，其中，該鎖定機構具有一鎖定位置以及一解鎖位置，該握把卡勾適於卡合該鎖定機構，該鎖定機構包括一旋轉桿，該旋轉桿樞接該機箱本體， <br/>其中，該握把適於相對該托架，於一第一握把位置以及一第二握把位置之間轉動，當該握把處於該第一握把位置時，該握把卡勾卡合該鎖定機構，當該握把處於該第二握把位置時，該握把卡勾脫離該鎖定機構。
如請求項1所述之機箱，其中，透過旋轉該旋轉桿，該鎖定機構於該鎖定位置以及該解鎖位置間進行切換，該旋轉桿包括一閂部，當該鎖定機構處於該鎖定位置時，該握把卡勾適於卡合該閂部。
如請求項2所述之機箱，其中，該鎖定機構更包括一撥桿，該撥桿之一端以可轉動的方式連接該旋轉桿之一連接端，當一外力推動該撥桿時，該撥桿轉動該旋轉桿，使得該鎖定機構從該鎖定位置切換至該解鎖位置。
如請求項3所述之機箱，其中，該閂部位於該連接端與該旋轉桿之一樞接部之間，該旋轉桿透過該樞接部樞接該機箱本體。
如請求項4所述之機箱，其中，該撥桿樞接該機箱本體，該撥桿之另一端形成有一推撥部。
如請求項5所述之機箱，其中，該鎖定機構更包括一彈力元件，當該鎖定機構處於該解鎖位置時，該彈力元件對該旋轉桿施加一彈力，使該鎖定機構恢復該鎖定位置。
如請求項6所述之機箱，其中，該彈力元件為一扭力彈簧，該彈力元件之一端連接該機箱本體，該彈力元件之另一端連接該旋轉桿。
如請求項6所述之機箱，其中，該旋轉桿包括一導槽，該機箱本體包括一導柱，該導柱伸入該導槽。
如請求項8所述之機箱，其中，該導槽形成於該閂部。
如請求項8所述之機箱，其中，該閂部包括一第一抵接面以及一第二抵接面，該第一抵接面高於該第二抵接面，該握把卡勾適於卡合該第一抵接面或該第二抵接面。
如請求項8所述之機箱，其中，該閂部包括一引導斜面，在該托架插入該機箱本體的過程中，該握把處於該第一握把位置，該握把卡勾沿該引導斜面滑動並推升該閂部。
如請求項11所述之機箱，其中，該閂部包括一止擋面，該止擋面高於該引導斜面，該握把包括一推頂部，在該握把從該第一握把位置旋轉至該第二握把位置的過程中，該推頂部推頂該止擋面。
如請求項12所述之機箱，其中，該握把包括一第一握把部件以及一第二握把部件，該第一握把部件樞接該第二握把部件，該握把卡勾形成於該第一握把部件，該推頂部形成於該第二握把部件。
如請求項13所述之機箱，其中，該握把更包括一止回機構，該止回機構設於該第二握把部件，該第一握把部件包括一齒狀部，該止回機構卡合該齒狀部，以限制該推頂部與該握把卡勾之間的相對距離。
如請求項14所述之機箱，其中，該握把更包括一第一彈片以及一第二彈片，該第一彈片連接該第一握把部件以及該第二握把部件，以對該第一握把部件施力。
如請求項15所述之機箱，其中，該第二彈片連接該止回機構以及該第二握把部件以對該止回機構施力。
如請求項1所述之機箱，其更包括一夾持件，其中，該夾持件連接該托架並且凸出於該托架之外。
一種自動化系統，包括： <br/>一機箱，包括： <br/>一機箱本體； <br/>一托架，適於相對該機箱本體進行滑動； <br/>一握把，以可轉動的方式設於該托架，其中，該握把包括一握把卡勾； <br/>一鎖定機構，設於該機箱本體，其中，該鎖定機構適於在一鎖定位置以及一解鎖位置間進行切換，該握把卡勾適於卡合該鎖定機構，該鎖定機構包括一旋轉桿，該旋轉桿樞接該機箱本體；以及 <br/>一夾持件，連接該托架；以及 <br/>一機械設備，其中，該機械設備包括一夾爪，該夾爪適於夾持該夾持件以移動該托架。
如請求項18所述之自動化系統，其中，透過旋轉該旋轉桿，該鎖定機構於該鎖定位置以及該解鎖位置間進行切換，該旋轉桿包括一閂部，當該鎖定機構處於該鎖定位置時，該握把卡勾適於卡合該閂部，該鎖定機構更包括一撥桿，該撥桿之一端以可轉動的方式連接該旋轉桿之一連接端，該機械設備更包括一推頂件，當該推頂件推動該撥桿時，該撥桿轉動該旋轉桿，使得該鎖定機構從該鎖定位置切換至該解鎖位置。
如請求項19所述之自動化系統，其中，該閂部位於該連接端與該旋轉桿之一樞接部之間，該旋轉桿透過該樞接部樞接該機箱本體。
一種能量轉換系統，包含： <br/>至少一個第一異質性壓能交互作動模組，包含： <br/>一第一管體； <br/>一第一容器，容置第一氣體； <br/>一第二容器，透過該第一管體連通該第一容器，並容置液體；以及 <br/>一第一閥體，設於該第一管體上，在該第一閥體關閉時，該第一氣體作用於該第一容器之容置空間具有一預定壓力，進而讓該第一容器儲存第一壓力能； <br/>至少一個第二異質性壓能交互作動模組，包含： <br/>一第二管體； <br/>一第三容器；以及 <br/>一第四容器，透過該第二管體連通該第三容器，並容置第二氣體；以及 <br/>一電能轉換器，連通該第二容器與該第三容器之容置空間，在該第一閥體開啟時，該第一氣體持續地膨脹，以驅使該液體通過該電能轉換器往該第三容器流動，且將該第一壓力能轉換為第二壓力能的該液體驅動該電能轉換器以產生電能。
如請求項1所述之能量轉換系統，更包含一第一氣體加壓泵，其連通該第一容器之該容置空間。
如請求項1所述之能量轉換系統，其中該至少一個第二異質性壓能交互作動模組更包含一第二閥體，其設於該第二管體上，在該第二閥體關閉時，該第二氣體作用於該第四容器之容置空間具有該預定壓力，進而讓該第四容器儲存第三壓力能。
如請求項3所述之能量轉換系統，其中該第二閥體開啟時，該第二氣體持續地膨脹，以驅使該第三容器中的該液體通過該電能轉換器往該第二容器流動，且將該第三壓力能轉換為第四壓力能的該液體驅動該電能轉換器以產生電能。
如請求項3所述之能量轉換系統，更包含一第二氣體加壓泵，其連通該第四容器之該容置空間。
如請求項3所述之能量轉換系統，更包含： <br/>一第一壓力感測器，設於該第一容器之該容置空間中，並用以感測該第一氣體之第一氣體壓力；以及 <br/>一第二壓力感測器，設於該第四容器之該容置空間中，並用以感測該第二氣體之第二氣體壓力。
如請求項6所述之能量轉換系統，其中該第一閥體與該第二閥體為電控閥體。
如請求項7所述之能量轉換系統，更包含一開關控制器，其電性連接該第一壓力感測器、該第二壓力感測器與該電控閥體，並用以接收該第一氣體壓力與該第二氣體壓力，以據此控制該電控閥體。
如請求項3所述之能量轉換系統，更包含： <br/>一第三管體，其一端連通該電能轉換器，另一端連通該第二容器之該容置空間； <br/>一第三閥體，設於該第三管體上； <br/>一第四管體，其一端連通該電能轉換器，另一端連通該第三容器之該容置空間；以及 <br/>一第四閥體，設於該第四管體上。
如請求項1所述之能量轉換系統，其中該至少一個第一異質性壓能交互作動模組包含多個第一異質性壓能交互作動模組，該至少一個第二異質性壓能交互作動模組包含多個第二異質性壓能交互作動模組，該多個第一異質性壓能交互作動模組與該多個第二異質性壓能交互作動模組皆排列呈陣列。
如請求項1所述之能量轉換系統，其中該電能轉換器為液體泵、渦輪泵、液體發電機、液體渦輪發電機或水力渦輪發電機。
一種畫像生成裝置，具有： <br/> 記憶部，其係記憶推定模型，該推定模型係使用根據基板處理裝置針對複數基板之各者所做的處理前的攝像畫像及處理後的攝像畫像，藉由機械學習而作成，和 <br/> 生成部，其係由被記憶於上述記憶部之推定模型，和根據上述基板處理裝置所做的處理前之檢查對象基板的攝像畫像，生成根據上述基板處理裝置所做的處理後之上述檢查對象基板的攝像畫像。
如請求項1所述之畫像生成裝置，其中 <br/> 上述推定模型係使用在複數上述基板處理裝置取得的攝像畫像而作成的共通之推定模型， <br/> 上述生成部係由上述共通的推定模型和根據一個基板處理裝置所做的處理前之檢查對象基板的攝像畫像，生成根據上述一個基板處理裝置所做的處理後之上述檢查對象基板的攝像畫像。
如請求項1或2所述之畫像生成裝置，其中 <br/> 上述推定模型係被藉由根據條件式生成對抗網路(Conditional GAN (Generative Adversarial Networks))所做的機械學習而被作成的模型。
如請求項1或2所述之畫像生成裝置，其中 <br/> 藉由上述生成部生成的根據上述基板處理裝置所做的處理後之上述檢查對象基板的攝像畫像，係包含每基板所固有的不均之畫像。
如請求項1或2所述之畫像生成裝置，其中 <br/> 根據上述基板處理裝置所做的處理包含成膜處理。
一種畫像生成方法，具有生成工程，其係由使用根據基板處理裝置針對複數基板之各者所做的處理前的攝像畫像及處理後的攝像畫像，藉由機械學習而作成的推定模型，和根據上述基板處理裝置所做的處理前之檢查對象基板的攝像畫像，生成根據上述基板處理裝置所做的處理後之上述檢查對象基板的攝像畫像。
如請求項6所述之畫像生成方法，其中 <br/> 上述推定模型係使用在複數上述基板處理裝置取得的攝像畫像而作成的共通之推定模型， <br/> 上述生成工程係由上述共通的推定模型和根據一個基板處理裝置所做的處理前之檢查對象基板的攝像畫像，生成根據上述一個基板處理裝置所做的處理後之上述檢查對象基板的攝像畫像。
如請求項6或7所述之畫像生成方法，其中 <br/> 上述推定模型係被藉由根據條件式生成對抗網路(Conditional GAN (Generative Adversarial Networks))所做的機械學習而被作成的模型。
如請求項6或7所述之畫像生成方法，其中 <br/> 藉由上述生成工程所生成的根據上述基板處理裝置所做的處理後之上述檢查對象基板的攝像畫像，係包含每基板所固有的不均之畫像。
如請求項6或7所述之畫像生成方法，其中 <br/> 根據上述基板處理裝置所做的處理包含成膜處理。
一種程式，該程式係在以藉由畫像生成裝置之實行畫像生成方法之方式，控制該畫像生成裝置之控制部分的電腦上動作， <br/> 上述畫像生成方法具有生成工程，其係由使用根據基板處理裝置針對複數基板之各者所做的處理前的攝像畫像及處理後的攝像畫像，藉由機械學習而作成的推定模型，和根據上述基板處理裝置所做的處理前之檢查對象基板的攝像畫像，生成根據上述基板處理裝置所做的處理後之上述檢查對象基板的攝像畫像。
一種具有生成式腳本之家電系統，包含： <br/>複數個家電裝置，該家電裝置包含一家電處理模組及一家電傳輸模組，該家電處理模組連結該家電傳輸模組，該家電處理模組記錄該家電裝置的運行狀態，並生成一狀態數據； <br/>一控制裝置，其安裝一腳本應用程式，該控制裝置包含一控制處理模組及一控制傳輸模組，該控制傳輸模組與該控制處理模組連結並接收至少一家電腳本，該控制處理模組運行該腳本應用程式以選擇執行對應之該家電腳本，並依據被選擇之該家電腳本產生一控制要求；以及 <br/>一雲端伺服器，其連結該家電裝置及該控制裝置，該雲端伺服器接收該狀態數據，並將該狀態數據輸入一神經網路模型以計算並生成該家電腳本，該雲端伺服器係將該家電腳本傳輸予該控制裝置； <br/>其中，該雲端伺服器係接收該控制要求，且依據該控制要求產生至少一控制訊號，並根據該控制訊號的一控制標誌傳送該控制訊號至對應該家電裝置之該家電傳輸模組，該家電傳輸模組依據該控制訊號輸出一控制指令至該家電處理模組，該家電處理模組係控制該家電裝置執行該控制指令； <br/>其中，該神經網路模型包含一輸入層、複數個隱藏層以及一輸出層，該輸入層接收該狀態數據並識別該狀態數據中的複數個類別數據，該輸入層將各該類別數據輸出至該些隱藏層中的複數個節點，該些隱藏層根據一設定規則給予各該節點的一權重，該輸出層接收該些隱藏層的組態輸出之各該類別數據的一預測數據，該雲端伺服器根據該些預測數據生成該家電腳本； <br/>其中，該類別數據包含一家電標誌、一運行時間、一運行數據或一耗電量； <br/>其中，該設定規則包含一舒適性規則、一最大化規則以及一節能規則，該權重包含一加權值、一基礎值或一減權值，當該些隱藏層根據該舒適性規則給予各該節點的該權重時，該隱藏層係基於一使用者數據給予對應之該節點該加權值，並給予其他該節點該基礎值，當該些隱藏層根據該最大化規則給予各該節點的該權重時，該隱藏層係基於一最大用量數據給予對應之該節點該加權值，並給予其他該節點該基礎值，當該些隱藏層根據該節能規則給予各該節點的該權重時，該隱藏層係基於一使用者數據以及各該耗電量進行判斷，並當該節點符合該使用者數據且對應之該耗電量低於一耗電閾值時，給予該節點該加權值，當該節點符合該使用者數據且對應之該耗電量高於一耗電閾值時，給予該節點該基礎值，當該節點不符合該使用者數據且對應之該耗電量低於一耗電閾值時，給予該節點該基礎值，當該節點不符合該使用者數據且對應之該耗電量高於一耗電閾值時，給予該節點該減權值。
如請求項1所述之具有生成式腳本之家電系統，其中，該使用者數據係為各該家電裝置於一訓練期間運行的複數個該運行時間以及複數個該運行數據，基於一習慣閾值判斷各該運行時間以及各該運行數據的一重疊區間，並將高於該習慣閾值的該重疊區間作為該使用者數據。
如請求項1所述之具有生成式腳本之家電系統，其中，該最大用量數據係為一訓練期間的複數個該運行時間以及複數個該運行數據，並基於一異常排除規則後選擇最大值的該運行時間以及該運行數據作為該最大用量數據。
如請求項1所述之具有生成式腳本之家電系統，其包含: <br/>一辨識裝置，其與該家電裝置連結，該辨識裝置基於一使用者資訊辨識一識別數據，並當該辨識裝置確認該使用者資訊符合該識別數據時，該辨識裝置啟動該些家電裝置，以驅使該些家電裝置執行該控制指令。
如請求項1所述之具有生成式腳本之家電系統，其中，該家電傳輸模組係以MQTT格式傳送該控制指令之一命令碼至該雲端伺服器，再由該雲端伺服器於該控制裝置安裝該腳本應用程式時，傳送該控制指令之該命令碼至該控制裝置，該家電腳本中包含各該控制指令之該命令碼。
如請求項1所述之具有生成式腳本之家電系統，其中，該控制裝置包含一儲存模組以儲存該家電腳本，該控制裝置係安裝一家電控制應用程式，且執行該家電控制應用程式對該家電裝置進行控制設定，該儲存模組係將控制設定中所設定之控制內容儲存為一自訂腳本。
一種應於用如請求項1至6中任一項所述之具有生成式腳本之家電系統的具有生成式腳本之家電控制方法，其包含： <br/>記錄複數個家電裝置的運行狀態，並生成一狀態數據； <br/>利用一雲端伺服器將該狀態數據輸入一神經網路模型以計算並生成至少一家電腳本； <br/>藉由一控制裝置接收該家電腳本，並運行該腳本應用程式以選擇執行對應之該家電腳本； <br/>依據被選擇之該家電腳本產生一控制要求； <br/>利用該雲端伺服器接收該控制要求，並依據該控制要求產生至少一控制訊號； <br/>根據該控制訊號的一控制標誌傳送該控制訊號至對應該家電裝置；以及 <br/>依據該控制訊號輸出一控制指令控制該家電裝置執行該控制指令。
一種熱管理優化方法，包括：<br/> 基於一運算節點的熱分佈相關之一感測數據，利用一人工智慧模型產生一預測資訊；<br/> 基於該預測資訊，利用一元控制器產生一熱管理決策，其中該元控制器耦接該人工智慧模型，該人工智慧模型及該元控制器形成一認知運算系統，該元控制器為一大語言模型；及<br/> 提供該熱管理決策給該運算節點的一熱管理系統執行。
如請求項1所述之熱管理優化方法，更包括：<br/> 利用一元優化器對該認知運算系統持續進行優化。
如請求項2所述之熱管理優化方法，其中對該認知運算系統持續進行優化，是根據過去的該認知運算系統產生新的該認知運算系統。
如請求項3所述之熱管理優化方法，其中根據過去的該認知運算系統產生新的該認知運算系統包括：<br/> 收集過去的該認知運算系統的歷史數據；及<br/> 分析過去的該認知運算系統以提取有效策略而產生新的該認知運算系統。
如請求項4所述之熱管理優化方法，其中該人工智慧模型包括一冷卻控制模型、一負載平衡模型及一預測維護模型，該元優化器還動態調整相應於該冷卻控制模型、該負載平衡模型及該預測維護模型的一權重。
如請求項5所述之熱管理優化方法，更包括：<br/> 選擇性對該人工智慧模型增量更新。
如請求項2所述之熱管理優化方法，其中該元優化器以近端策略優化演算法實現。
如請求項1所述之熱管理優化方法，更包括：<br/> 該元控制器對相應於該人工智慧模型及該大語言模型的一目標函數分別分配一權重，以獲得一系統級目標函數；及<br/> 該元控制器基於該系統級目標函數進行決策。
如請求項8所述之熱管理優化方法，其中該元控制器基於該系統級目標函數進行決策，是根據各該權重決定相應的該人工智慧模型及該大語言模型的優先次序來進行決策。
如請求項8所述之熱管理優化方法，更包括：<br/> 對各該權重進行動態調整。
如請求項1所述之熱管理優化方法，更包括：<br/> 該元控制器監測該熱管理系統執行該熱管理決策的結果。
如請求項1所述之熱管理優化方法，其中該人工智慧模型包括一冷卻控制模型，以基於該感測數據產生包括一冷卻控制資訊的該預測資訊。
如請求項1所述之熱管理優化方法，其中該人工智慧模型包括一負載平衡模型，以基於該感測數據產生包括一負載平衡資訊的該預測資訊。
如請求項1所述之熱管理優化方法，其中該人工智慧模型包括一預測維護模型，以基於該感測數據產生包括一預測維護資訊的該預測資訊。
一種非暫態電腦可讀取儲存媒體，儲存有複數指令，經載入以執行如請求項1至14中任一項所述之熱管理優化方法。
一種熱管理優化裝置，包括：<br/> 一人工智慧模型，基於一運算節點的熱分佈相關之一感測數據產生一預測資訊；及<br/> 一元控制器，耦接該人工智慧模型，基於該預測資訊產生一熱管理決策，並提供該熱管理決策給該運算節點的一熱管理系統執行，其中該人工智慧模型及該元控制器形成一認知運算系統，該元控制器為一大語言模型。
如請求項16所述之熱管理優化裝置，更包括：一元優化器，對該認知運算系統持續進行優化。
如請求項17所述之熱管理優化裝置，其中該元控制器對相應於該人工智慧模型及一大語言模型的一目標函數分別分配一權重，以獲得一系統級目標函數，並基於該系統級目標函數進行決策。
如請求項18所述之熱管理優化裝置，其中各該權重經由該元控制器或該元優化器動態調整。
一種用於提供包括用於結算之一用戶介面之一頁面之方法，其係於裝置中實行者，該裝置包括一個以上之處理器、及儲存有用以藉由上述一個以上之處理器而執行之命令之一個以上的記憶體， <br/>上述方法包括如下步驟，即，上述一個以上之處理器如下： <br/>獲得用以將第1商品追加至用戶之購物車中之上述用戶之第1請求； <br/>基於上述第1請求，將上述第1商品追加至上述購物車中，並確定上述購物車所包括之商品中之與上述第1商品區分開來之一個以上的第2商品； <br/>產生第1頁面資訊，該第1頁面資訊係用以將包括用以購買上述第1商品之第1 UI及上述一個以上之第2商品之資訊，及針對上述一個以上之第2商品各者用以自上述購物車中刪除商品之第4 UI的第1頁面顯示至上述用戶之用戶終端者；及 <br/>將上述第1頁面資訊傳輸至上述用戶終端， <br/>上述方法進而包括如下步驟： <br/>獲得上述用戶之第4請求，上述第4請求係根據對選自上述一個以上之第2商品中之商品之上述第4 UI進行的用戶輸入而產生者；及 <br/>響應於上述第4請求，於上述購物車中移除所選擇之上述商品。
如請求項1之方法，其中上述第1頁面進而包括用以移動至與上述用戶之上述購物車相關之第2頁面之第2 UI。
如請求項1之方法，其中上述第1頁面進而包括指示上述用戶之上述購物車所包括之商品之個數的資訊。
如請求項1之方法，其進而包括如下步驟： <br/>獲得用以購買上述第1商品之上述用戶之第2請求，該第2請求係根據對上述第1 UI進行之用戶輸入而產生者； <br/>響應於上述第2請求，對上述第1商品之價格與預先確定之基準價格進行比較； <br/>隨著確定上述第1商品之價格為上述基準價格以下，產生用於以覆蓋頁面之形態顯示與上述第1商品之結算相關之資訊的第1購買頁面資訊，隨著確定上述第1商品之價格大於上述基準價格，產生用於以整頁之形態顯示上述第1商品之資訊的第2購買頁面資訊；及 <br/>將上述第1購買頁面資訊或上述第2購買頁面資訊傳輸至上述用戶終端。
如請求項1之方法，其中確定上述一個以上之第2商品之步驟包括如下步驟： <br/>於上述購物車所包括之商品中，將與上述第1商品相同之類別之商品確定為上述一個以上之第2商品中的一者。
如請求項1之方法，其中確定上述一個以上之第2商品之步驟包括如下步驟： <br/>於上述購物車所包括之商品中，將庫存小於預先確定之基準庫存量之商品確定為上述一個以上之第2商品中的一者。
如請求項6之方法，其中上述第1頁面進而包括指示上述庫存小於上述基準庫存量之商品之庫存之資訊、及告知即將售罄之通知。
如請求項1之方法，其中上述第1頁面針對上述一個以上之第2商品各者而包括用以購買商品之第3 UI， <br/>上述方法進而包括如下步驟： <br/>獲得上述用戶之第3請求，該第3請求係根據對選自上述一個以上之第2商品中之商品之第3 UI進行的用戶輸入而產生者； <br/>響應於上述第3請求，產生包括與所選擇之上述商品之結算相關之資訊的第3購買頁面資訊；及 <br/>將上述第3購買頁面資訊傳輸至上述用戶終端。
一種用於提供包括用於結算之一用戶介面之一頁面之裝置，其包括： <br/>一個以上之處理器；及 <br/>一個以上之記憶體，其等儲存有用以藉由上述一個以上之處理器而執行之命令；且 <br/>於執行上述命令時，上述一個以上之處理器如下： <br/>獲得用以將第1商品追加至用戶之購物車中之上述用戶之第1請求； <br/>基於上述第1請求，將上述第1商品追加至上述購物車中，並確定上述購物車所包括之商品中之與上述第1商品區分開來之一個以上的第2商品； <br/>產生第1頁面資訊，該第1頁面資訊係用以將包括用以購買上述第1商品之第1 UI及上述一個以上之第2商品之資訊、及針對上述一個以上之第2商品各者用以自上述購物車中刪除商品之第4 UI的第1頁面顯示至上述用戶之用戶終端者；及 <br/>將上述第1頁面資訊傳輸至上述用戶終端， <br/>上述一個以上之處理器如下： <br/>獲得上述用戶之第4請求，上述第4請求係根據對選自上述一個以上之第2商品之商品之上述第4 UI進行的用戶輸入而產生者；及 <br/>響應於上述第4請求，於上述購物車中移除所選擇之上述商品。
如請求項9之裝置，其中上述第1頁面進而包括用以移動至與上述用戶之上述購物車相關之第2頁面之第2 UI。
如請求項9之裝置，其中上述第1頁面進而包括指示上述用戶之上述購物車所包括之商品之個數的資訊。
如請求項9之裝置，其中上述一個以上之處理器如下： <br/>獲得用以購買上述第1商品之上述用戶之第2請求，該第2請求係根據對上述第1 UI進行之用戶輸入而產生者； <br/>響應於上述第2請求，對上述第1商品之價格與預先確定之基準價格進行比較； <br/>隨著確定上述第1商品之價格為上述基準價格以下，產生用於以覆蓋頁面之形態顯示與上述第1商品之結算相關之資訊的第1購買頁面資訊，隨著確定上述第1商品之價格大於上述基準價格，產生用於以整頁之形態顯示上述第1商品之資訊的第2購買頁面資訊；及 <br/>將上述第1購買頁面資訊或上述第2購買頁面資訊傳輸至上述用戶終端。
如請求項9之裝置，其中於確定上述一個以上之第2商品時，上述一個以上之處理器如下： <br/>於上述購物車所包括之商品中，將與上述第1商品相同之類別之商品確定為上述一個以上之第2商品中的一者。
如請求項9之裝置，其中於確定上述一個以上之第2商品時，上述一個以上之處理器如下： <br/>於上述購物車所包括之商品中，將庫存小於預先確定之基準庫存量之商品確定為上述一個以上之第2商品中的一者。
如請求項14之裝置，其中上述第1頁面進而包括指示上述庫存小於上述基準庫存量之商品之庫存之資訊、及告知即將售罄之通知。
如請求項9之裝置，其中上述第1頁面針對上述一個以上之第2商品各者而包括用以購買商品之第3 UI， <br/>上述一個以上之處理器如下： <br/>獲得上述用戶之第3請求，該第3請求係根據對選自上述一個以上之第2商品中之商品之第3 UI進行的用戶輸入而產生者； <br/>響應於上述第3請求，產生包括與所選擇之上述商品之結算相關之資訊的第3購買頁面資訊；及 <br/>將上述第3購買頁面資訊傳輸至上述用戶終端。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其係記錄有用以藉由一個以上之處理器而執行之命令者， <br/>上述命令以如下方式構成，即，於執行上述命令時，上述一個以上之處理器如下： <br/>獲得用以將第1商品追加至用戶之購物車中之上述用戶之第1請求； <br/>基於上述第1請求，將上述第1商品追加至上述購物車中，並確定上述購物車所包括之商品中之與上述第1商品區分開來之一個以上的第2商品； <br/>產生第1頁面資訊，該第1頁面資訊係用以將包括用以購買上述第1商品之第1 UI及上述一個以上之第2商品之資訊，及針對上述一個以上之第2商品各者用以自上述購物車中刪除商品之第4 UI的第1頁面顯示至上述用戶之用戶終端者；及 <br/>將上述第1頁面資訊傳輸至上述用戶終端， <br/>上述一個以上之處理器如下： <br/>獲得上述用戶之第4請求，上述第4請求係根據對選自上述一個以上之第2商品之商品之上述第4 UI進行的用戶輸入而產生者；及 <br/>響應於上述第4請求，於上述購物車中移除所選擇之上述商品。
一種電動車輛，具有一前輪及一後輪，所述前輪為一從動輪及所述後輪為一驅動輪，所述電動車輛的特徵在於，包含： <br/>一驅動用電機，使所述驅動輪旋轉； <br/>一發電用電機，通過所述從動輪的旋轉以進行發電； <br/>一主電池，向所述驅動用電機供給電力； <br/>一副電池，其容量小於所述主電池，並能夠儲存所述發電用電機所發電的電力； <br/>一電池狀態檢測部，分別設置於所述主電池和所述副電池上，以測量剩餘量； <br/>一切換開關，在所述主電池和所述副電池之間切換向所述驅動用電機供電；以及 <br/>一斷路開關，切斷從所述發電用電機向所述副電池的充電； <br/>其中，當所述主電池及所述副電池經由外部充電後使所述電動車輛行駛時，最初由所述副電池向所述驅動用電機供電以行駛；當所述副電池的電力低於一閾值時，切換為由所述主電池供電以行駛，且同時由所述發電用電機對所述副電池進行充電；當所述主電池的電力低於一閾值時，再切換為由所述副電池供電以繼續行駛。
根據請求項1所述的電動車輛，其中，在所述從動輪以同軸旋轉的方式安裝有一大直徑的驅動盤，在所述發電用電機的一旋轉軸安裝有一小直徑的從動盤，所述驅動盤和所述從動盤通過一傳動帶連結。
根據請求項1所述的電動車輛，其中，所述主電池及所述副電池能夠經由一充電端子從外部進行充電。
一種可變光衰減器，包括： <br/>載子注入區域，具有波導核心； <br/>下包覆層，配置於所述載子注入區域的下方； <br/>熱隔離區，具有的熱傳導率低於所述下包覆層的熱傳導率， <br/>其中所述下包覆層至少部分地被所述熱隔離區環繞；以及 <br/>至少一個第一基板；其中所述熱隔離區包括至少一種隔熱材料， <br/>其中所述至少一個第一基板和所述至少一種隔熱材料相鄰配置以提供至少一個交替結構，所述交替結構配置於所述下包覆層的下方。
如請求項1所述的可變光衰減器，其中所述熱隔離區配置於所述下包覆層的下方且/或至少一側。
如請求項1所述的可變光衰減器，其中所述至少一個交替結構包括多個交替結構，所述多個交替結構相同或不相同。
如請求項3所述的可變光衰減器，其中所述交替結構配置為至少兩列，其中所述可變光衰減器更包括插設於所述至少兩列之間的第二基板。
如請求項4所述的可變光衰減器，其中所述可變光衰減器更包括配置於所述交替結構的下方的第三基板。
如請求項4所述的可變光衰減器，其中所述載子注入區域包括PIN接面，所述PIN接面具有p摻雜區、n摻雜區以及插設於其間並作為所述波導核心的本質區。
如請求項6所述的可變光衰減器，其中所述p摻雜區的摻雜濃度和所述n摻雜區的摻雜濃度是對稱或非對稱的。
如請求項1所述的可變光衰減器，其中所述至少一種隔熱材料包括由二氧化矽、氮化矽、氮化鋁、聚醯亞胺、鍺、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚乙烯（PE）、聚丙烯（PP）、聚四氟乙烯（PTFE）、液體和空氣所組成的組中的至少一種。
如請求項2所述的可變光衰減器，其中所述熱隔離區配置為平行且/或橫向於所述波導核心的光傳播方向。
如請求項1或請求項2所述的可變光衰減器，所述至少一種隔熱材料包括至少一個空氣腔中的空氣，其中所述下包覆層被所述至少一個第一基板支撐。
如請求項1或請求項2所述的可變光衰減器，更包括支撐件，其中所述波導核心包括兩個相對端部和插設於其間的非端部， <br/>其中所述至少一個隔熱材料包括環繞所述波導核心和所述下包覆層的至少一個空氣腔中的空氣， <br/>其中所述波導核心的所述兩個相對端部被所述支撐件支撐，使得所述波導核心的所述非端部懸置在所述至少一個空氣腔中。
如請求項1或請求項2所述的可變光衰減器，其中所述載子注入區域包括由垂直接面、PIPIN接面、外延垂直接面、包覆接面、角落反摻雜接面、鋸齒狀接面、交錯接面、三端接面和水平接面所組成的組中的其中一種。
如請求項1或請求項2所述的可變光衰減器，更包括： <br/>上包覆層，其中所述載子注入區域插設於所述上包覆層和所述下包覆層之間。
一種露臺夾，包括： <br/>間隔件，所述間隔件具有第一翼部和第二翼部，所述第一翼部和所述第二翼部可彈性樞轉地連接到支撐杆，所述支撐杆具有前表面和下表面；以及 <br/>夾持件，所述夾持件可滑動地與所述間隔件接合，所述夾持件具有抵靠所述前表面並延伸超過所述下表面的第一銷和第二銷。
如請求項1所述的露臺夾，其中，所述夾持件的按壓部抵靠所述支撐杆的上表面。
如請求項2所述的露臺夾，其中，從所述支撐杆延伸的第一鉤和第二鉤捕獲所述按壓部使其抵靠所述上表面。
如請求項1所述的露臺夾，其中，所述夾持件和所述間隔件限定所述第一銷的第一前邊緣和所述支撐杆的後表面之間的寬度以及所述第二銷的第二前邊緣和所述支撐杆的後表面之間的寬度。
如請求項1所述的露臺夾，其中，所述第一銷從所述前表面延伸得比所述第一翼部更遠，所述第二銷從所述前表面延伸得比所述第二翼部更遠。
如請求項1所述的露臺夾，其中，所述第一翼部包括第一連接器和第一臂，所述第二翼部包括第二連接器和第二臂。
如請求項6所述的露臺夾，其中，所述第一連接器和所述第二連接器是弧形的。
如請求項7所述的露臺夾，其中，所述第一連接器和所述第二連接器從所述前表面延伸並向後朝向所述支撐杆的後表面返回回繞。
如請求項1所述的露臺夾，其中，所述第一翼部和所述第二翼部經由從所述支撐杆的上表面延伸的杆連接到所述支撐杆。
如請求項9所述的露臺夾，其中，所述第一翼部和所述第二翼部相對於所述前表面向外延伸。
如請求項9所述的露臺夾，其中，所述杆位於所述支撐杆的第一端處。
如請求項1所述的露臺夾，其中，所述第一翼部和所述第二翼部經由插入板連接到所述支撐杆。
如請求項12所述的露臺夾，其中，所述第一翼部和所述第二翼部連接到所述插入板的第一端，並朝向所述前表面向後延伸。
如請求項12所述的露臺夾，其中，所述插入板從所述支撐杆的第一端延伸。
如請求項1所述的露臺夾，其中，所述第一翼部和所述第二翼部相對於所述支撐杆向上延伸。
一種露臺夾，包括： <br/>夾持件，所述夾持件具有從按壓部延伸的第一銷和第二銷，所述第一銷和所述按壓部限定第七內肩，所述第二銷和所述按壓部限定第八內肩；以及 <br/>間隔件，所述間隔件具有支撐杆，所述支撐杆構造成與所述第七內肩和所述第八內肩配合地接合。
如請求項16所述的露臺夾，其中，所述第一銷和所述第二銷抵靠所述支撐杆的前表面。
如請求項16所述的露臺夾，其中，所述間隔件包括第一翼部和第二翼部，所述第一翼部和所述第二翼部可彈性樞轉地連接到所述支撐杆。
如請求項16所述的露臺夾，其中，所述間隔件和所述夾持件限定所述第一銷的第一前邊緣和所述支撐杆的後表面之間的寬度以及所述第二銷的第二前邊緣和所述支撐杆的後表面之間的寬度。
如請求項16所述的露臺夾，其中，所述第一銷和所述第二銷延伸超過所述支撐杆的下表面。
一種構造露臺元件的方法，包括： <br/>將第一露臺板鋪設在托梁上； <br/>將露臺夾插入所述第一露臺板中限定的第一凹槽中，所述露臺夾包括夾持件，所述夾持件可滑動地與間隔件接合； <br/>將第二露臺板鋪設在所述托梁上； <br/>將所述露臺夾插入所述第二露臺板中限定的第二凹槽中，所述夾持件的第一銷和第二銷抵靠所述第一露臺板和所述間隔件的支撐杆，所述間隔件抵靠所述第二露臺板；以及 <br/>將緊固件穿過所述夾持件和所述間隔件並驅動到所述托梁中，當所述緊固件擰緊時，所述第一銷和所述第二銷被驅動到所述托梁中。
一種可擺動筆尖的筆，其具有： <br/>一筆芯，其具有： <br/> 一筆尖段，其可彎折； <br/> 一筆芯段，其連接於該筆尖段； <br/>一殼體，該筆芯能貫穿該殼體，且該殼體具有： <br/> 一放置部，該筆芯的該筆芯段能放置於該放置部，且該筆尖段自該放置部的一端穿出； <br/> 一偏擺部，其穿設於該放置部，且穿設的位置在該筆尖段貫穿該放置部的該一端，且該偏擺部抵靠於該放置部的內壁面，該筆尖段穿設於該偏擺部中，該偏擺部能相對於該放置部的中心軸偏擺；其中， <br/>該偏擺部具有： <br/> 一環形弧面，其貼合於該放置部的內壁面，且該偏擺部能藉由該環形弧面相對於該放置部偏擺； <br/>該放置部具有： <br/> 一內環斜面，其設置於該放置部上靠近該筆尖段的一端，且位於該放置部的內表面，該內環斜面的直徑隨遠離該筆尖段漸增；該環形弧面能抵靠於該內環斜面上； <br/>該可擺動筆尖的筆具有： <br/> 一彈性件，其套設於該筆芯上，且傾向於推動該偏擺部的該環形弧面抵靠該放置部的該內環斜面。
如請求項1所述之可擺動筆尖的筆，其中，該放置部具有： <br/>一外環斜面，其設置於該放置部上靠近該筆尖段的一端，且位於該放置部的內表面，該外環斜面的直徑隨遠離該筆尖段漸減，當該偏擺部相對於該放置部的中心軸偏擺時，該偏擺部能抵靠於該外環斜面上。
如請求項2所述之可擺動筆尖的筆，其更具有： <br/>一穩定件，其設置於該偏擺部與該彈性件之間，且該穩定件呈環狀並環繞該筆芯，當該偏擺部相對於該放置部的中心軸偏擺時，該偏擺部會推動該穩定件向彈性件擠壓。
如請求項1至3中任一項所述之可擺動筆尖的筆，其更具有： <br/>一調整組件，其設置於該殼體中，且具有： <br/> 一調整管，其套設於該筆芯上，且與該殼體的內壁面相螺合，該調整管的一端抵靠於該彈性件。
如請求項4所述之可擺動筆尖的筆，其中，該調整組件具有： <br/>一轉動件，其卡合於該調整管上相對於該彈性件的另一端，且該調整管能隨該轉動件的轉動而沿該筆芯的軸向移動。
如請求項1至3中任一項所述之可擺動筆尖的筆，其更具有： <br/>一鎖定組件，其連接於該放置部，且具有： <br/> 一鎖定件，其套設於該筆芯上，且能選擇性地推動該偏擺部； <br/> 一調整件，其一端可轉動地穿設於該放置部中，且該鎖定件連接於該調整件；該鎖定件能隨該調整件的轉動而沿該筆芯的軸向移動，並推動該偏擺部平行該放置部的中心軸。
如請求項6所述之可擺動筆尖的筆，其中， <br/>該調整件具有： <br/> 至少一調整槽，其設置於該調整件靠近該放置部的一端，且開口朝向該放置部；各該至少一調整槽具有： <br/> 一第一凹部及一第二凹部，該第一凹部與該第二凹部分別設置於該調整槽的兩側，且互相連通；該第二凹部的深度大於該第一凹部的深度； <br/>該鎖定件具有： <br/> 至少一鎖定凸塊，各該至少一鎖定凸塊可移動地設置於其中一該至少一調整槽中，且能選擇性地設置於該第一凹部或該第二凹部中； <br/>該放置部具有： <br/> 至少一放置槽，其數量及位置與該至少一鎖定凸塊相對應，且各該至少一鎖定凸塊能卡合於其中一該至少一放置槽中。
一種磁本體，適用埋設一導電線圈，包含：<br/> 一基體部，包括二沿一軸線的方向相間隔的外表面，及一圍繞該軸線的周面；及<br/> 二端子部，與該基體部一體成型且彼此相間隔，該等端子部沿垂直於該軸線的方向相間隔，每一該端子部具有一與該周面相間隔的第一接面，及一與對應的外表面相間隔的第二接面，第一接面沿垂直於該軸線的方向與該周面相隔一第一間距，該第二接面沿該軸線的方向與對應的外表面相隔一第二間距，該第一接面與該第二接面二者其中之一適用於裸露該導電線圈，該第一間距不小於5μm，該第二間距也不小於5μm。
如請求項1所述的磁本體，其中，每一該端子部的第一接面與該第二接面夾一夾角。
如請求項2所述的磁本體，其中，該夾角介於80度至100度。
一種功率電感，適用一電路板，包含：<br/> 一磁本體，包括一基體部，及二端子部，該基體部具有二沿一軸線的方向相間隔的外表面，及一圍繞該軸線的周面，該等端子部與該基體部一體成型且彼此相間隔，每一該端子部具有一與該周面相間隔的第一接面，及一與對應的外表面相間隔的第二接面；<br/> 一導電線圈，埋設於該磁本體，包括二穿置於該等端子部的接腳，每一該接腳具有一端點，該等端點平齊於該等第一接面且由該等第一接面裸露、或平齊該等第二接面且由該第等第二接面裸露；及<br/> 二電極層組，形成在該等第一接面、該等第二接面至少其中一者，且連接於該等端點，適用於電連接該電路板。
如請求項4所述的功率電感，還包含一絕緣層，形成在該基體部的外表面。
如請求項5所述的功率電感，其中，該基體部的外表面與該電路板相隔一間隙，該間隙不小於1μm。
一種如請求項4所述的功率電感的製造方法，包含以下步驟：<br/> (a)製備埋設有該導電線圈的磁本體；<br/> (b)形成一包覆該磁本體的絕緣層；<br/> (c)移除部分的絕緣層與部分的端子部，用以在該等第一接面、該等第二接面至少其中一者形成二相間隔且裸露該等導電線圈的端點的電極區；及<br/> (d)於該等電極區形成連接該等端點的該等電極層組。
如請求項7所述的功率電感的製造方法，其中，步驟(a)包括下列子步驟：<br/> (a1)將該導電線圈置入一模具中；<br/> (a2)在真空環境中，填入一合金漿料於該模具中，形成一半成品；<br/> (a3)烘乾及壓鑄該半成品，使該半成品定型為該磁本體；及<br/> (a4)將該磁本體從該模具中脫出。
如請求項7所述的功率電感的製造方法，其中，在步驟(b)中，是通過浸泡的方式形成該絕緣層。
如請求項7所述的功率電感的製造方法，其中，在步驟(c)中，是通過研磨的方式移除部分的絕緣層。
如請求項10所述的功率電感的製造方法，其中，在步驟(c)中，該等接腳的端點平齊於該等第一接面、或該等第二接面。
如請求項7所述的功率電感的製造方法，其中，在步驟(d)中，是通過電鍍的方式形成該等電極層組。
如請求項7所述的功率電感的製造方法，其中，每一該電極區由每一該端子部的第一接面延伸至該第二接面。
一種記憶體電路，包含：<br/> 一記憶體單元；<br/> 一位元線；<br/> 一互補位元線；<br/> 一通道閘電晶體，其耦接至該記憶體單元及該位元線；<br/> 一感測放大器，其耦接至該位元線、該互補位元線、以及該通道閘電晶體，該感測放大器包含：<br/> 一第一路徑，其在該位元線與該互補位元線之間，該第一路徑包含：<br/> 一第一隔離電晶體，其用以接收一隔離控制信號，並耦接在該位元線與一第一節點之間；以及<br/> 一第一反向器，其用以接收一感測放大器啟用信號，並耦接在一第二節點與一第三節點之間；以及<br/> 一預充電電路，其耦接至該第一節點，並用以回應於一預充電控制信號而將該第一節點預充電至一預充電電壓。
如請求項1所述之記憶體電路，其中該第一路徑進一步包含：<br/> 一第一電容器，其耦接在該第一節點與該第二節點之間；以及<br/> 一第二隔離電晶體，其用以接收該隔離控制信號，並耦接在該第三節點與該互補位元線之間。
如請求項2所述之記憶體電路，其中該感測放大器進一步包含：<br/> 一第二路徑，其在該位元線與該互補位元線之間，該第二路徑包含：<br/> 一第三隔離電晶體，其用以接收該隔離控制信號，並耦接在該互補位元線與一第四節點之間；以及<br/> 一第二反向器，其用以接收該感測放大器啟用信號，並耦接在一第五節點與一第六節點之間，<br/> 其中該預充電電路進一步耦接至該第四節點，並進一步用以回應於該預充控制信號而將該第四節點預充電至該預充電電壓。
如請求項3所述之記憶體電路，其中該第二路徑進一步包含：<br/> 一第二電容器，其耦接在該第四節點與該第五節點之間；以及<br/> 一第四隔離電晶體，其用以接收該隔離控制信號，並耦接在該第六節點與該位元線之間。
如請求項4所述之記憶體電路，其中該感測放大器進一步包含：<br/> 一第一電晶體，其用以接收一控制信號，與該第一反向器並聯耦接，且在該第二節點與該第三節點之間；以及<br/> 一第二電晶體，其用以接收該控制信號，與該第二反向器並聯耦接，且在該第五節點與該第六節點之間。
如請求項4所述之記憶體電路，其中該預充電電路包含：<br/> 一第一P型電晶體，其包含：<br/> 該第一P型電晶體之一第一端子，其用以接收該預充電控制信號；<br/> 該第一P型電晶體之一第二端子，其耦接至該第一節點、該第一隔離電晶體、及該第一電容器；以及<br/> 該第一P型電晶體之一第三端子，其耦接至該預充電電壓；以及<br/> 一第二P型電晶體，其包含：<br/> 該第二P型電晶體之一第一端子，其用以接收該預充電控制信號；<br/> 該第二P型電晶體之一第二端子，其耦接至該第四節點、該第三隔離電晶體、及該第二電容器；以及<br/> 該第二P型電晶體之一第三端子，其耦接至該預充電電壓及該第一P型電晶體之該第三端子。
如請求項1所述之記憶體電路，其進一步包含：<br/> 一均衡電路，其用以回應於一均衡控制信號而均衡該位元線之一電壓及該互補位元線之一電壓，該均衡電路耦接在該位元線與該互補位元線之間。
如請求項7所述之記憶體電路，其中該均衡電路包含：<br/> 一第一P型電晶體，其包含：<br/> 該第一P型電晶體之一第一端子，其用以接收該均衡控制信號；<br/> 該第一P型電晶體之一第二端子，其耦接至該位元線；以及<br/> 該第一P型電晶體之一第三端子，其耦接至該互補位元線。
一種記憶體電路，其包含：<br/> 一記憶體單元；<br/> 一位元線；<br/> 一互補位元線；<br/> 一字元線；<br/> 一通道閘電晶體，其用以接收一字元線信號，並耦接至該字元線、該記憶體單元、以及該位元線；<br/> 一感測放大器，其耦接至該位元線、該互補位元線、以及該通道閘電晶體，該感測放大器包含：<br/> 一第一路徑，其在該位元線與該互補位元線之間，該第一路徑包含：<br/> 一第一隔離電晶體，其用以接收一隔離控制信號，並耦接在該位元線與一第一節點之間；以及<br/> 一第一反向器，其用以接收一感測放大器啟用信號，並耦接在一第二節點與一第三節點之間；以及<br/> 一第二路徑，其在該第一節點與該互補位元線之間，該第二路徑包含：<br/> 一第一電晶體，其用以接收一控制信號，並耦接在該第一節點與該互補位元線之間；以及<br/> 一預充電及均衡電路，其耦接至該位元線及該互補位元線，並用以回應於一預充電/均衡控制信號而將該位元線及該互補位元線之一電壓預充電至一預充電電壓，其中該預充電及均衡電路包含：<br/> 一第一P型電晶體，其包含：<br/> 一第一端子，用以接收該預充電/均衡控制訊號；<br/> 一第二端子，耦接至該位元線；以及<br/> 一第三端子，耦接至該互補位元線。
一種操作一記憶體電路的操作方法，該操作方法包含：<br/> 藉由一預充電電路回應於一預充電控制信號而將一位元線之一電壓及一互補位元線之一電壓預充電至一預充電電壓；<br/> 藉由一通道閘電晶體回應於一字元線信號而將一記憶體單元耦接至該位元線，從而將儲存在該記憶體單元中的一資料讀出至該位元線，因此將該位元線之該電壓增加對應於儲存在該記憶體單元中的該資料的一信號電壓；<br/> 回應於一隔離控制信號而禁用多個隔離電晶體之一集合，從而使一感測放大器從該位元線及該互補位元線電去耦，該感測放大器包括一第一路徑及一第二路徑，該第一路徑包括一第一節點、一第二節點、及一第三節點，該第二路徑包括一第四節點、一第五節點、及一第六節點；<br/> 回應於一感測放大器啟用信號而啟用一第一反向器及一第二反向器，從而將該第二節點之一電壓設定為該第一反向器之一第一臨限電壓，並將該第五節點之一電壓設定為該第二反向器之一第二臨限電壓，該第一反向器及該第二反向器為該感測放大器的部分；<br/> 回應於一控制信號而禁用一第一電晶體及一第二電晶體，該第一電晶體與該第一反向器並聯耦接，該第二電晶體與該第二反向器並聯耦接；<br/> 回應於該感測放大器啟用信號而禁用該第一反向器及該第二反向器；<br/> 回應於該隔離控制信號而啟用多個隔離電晶體之該集合，從而將該感測放大器電耦接至該位元線及該互補位元線，從而將該第二節點之該電壓增加該信號電壓；以及<br/> 感測該位元線之該電壓與該互補位元線之該電壓之間的一差。
一種沉浸式系統，包含：<br/> 一追蹤裝置，附著於一使用者手上，用以產生關於該追蹤裝置之一姿勢資料；以及<br/> 一頭戴式顯示裝置，配戴於該使用者頭上，包含一顯示器、一通訊電路以及一處理電路，該顯示器係用以顯示一沉浸式內容，該通訊電路係用以建立與該追蹤裝置之一無線連接，該處理電路耦接該顯示器及該通訊電路，該處理電路係用以：<br/> 當該無線連接被建立時，不參考該姿勢資料而計算位於該頭戴式顯示裝置前方之一適當手部位置；<br/> 於從該追蹤裝置所接收到之該姿勢資料穩定之前，根據該適當手部位置渲染對應於該追蹤裝置之一虛擬模型於該沉浸式內容中；以及<br/> 當該姿勢資料穩定之後，根據從該追蹤裝置接收到之該姿勢資料修正或決定該沉浸式內容中之該虛擬模型之一位置及一方向。
如請求項1所述之沉浸式系統，其中該頭戴式顯示裝置包含一攝影機，該攝影機係用以捕捉該頭戴式顯示裝置前方之一影像，並且該處理電路係用以根據該影像執行一電腦視覺演算法以追蹤該適當手部位置。
如請求項2所述之沉浸式系統，其中該處理電路係用以根據該影像執行該電腦視覺演算法以產生關於至少一手部相對於該頭戴式顯示裝置之至少一手部位置，並且該處理電路係用以比對該至少一手部位置與一預定義標準以判斷用以顯示該虛擬模型於其上之該適當手部位置。
如請求項3所述之沉浸式系統，其中該預定義標準包含用以判斷該適當手部位置之一接近距離或一位置範圍。
如請求項1所述之沉浸式系統，其中該追蹤裝置包含一慣性量測單元、一動作感測器、一光學追蹤感測器、一陀螺儀、一加速計或一磁力計以產生該姿勢資料。
如請求項1所述之沉浸式系統，其中該追蹤裝置係一手持控制器、可穿戴追蹤器或一追蹤配件。
如請求項1所述之沉浸式系統，其中該姿勢資料是否已穩定係由該處理電路根據從該追蹤裝置接收之該姿勢資料之一變化而判斷。
如請求項1所述之沉浸式系統，其中該姿勢資料是否已穩定係由該處理電路根據該無線連接建立後是否已逾一預定時間長度而判斷。
如請求項1所述之沉浸式系統，其中該虛擬模型表現一使用者介面元素，該使用者介面元素係回應使用者互動而顯示。
如請求項1所述之沉浸式系統，其中顯示於該沉浸式內容中之該虛擬模型藉由在該姿勢資料穩定之前不利用該姿勢資料渲染該虛擬模型而被優化，以減輕動暈症。
一種顯示方法，適於顯示一虛擬模型，該顯示方法包含：<br/> 建立一無線連接於一追蹤裝置及一頭戴式顯示裝置之間，其中該追蹤裝置附著於一使用者手上，該頭戴式顯示裝置配戴於該使用者頭上；<br/> 透過該無線連接傳送該追蹤裝置產生之一姿勢資料至該頭戴式顯示裝置；<br/> 不參考該姿勢資料而計算位於該頭戴式顯示裝置前方之一適當手部位置；<br/> 於從該追蹤裝置所接收到之該姿勢資料穩定之前，根據該適當手部位置渲染對應於該追蹤裝置之一虛擬模型於一沉浸式內容中；以及<br/> 當該姿勢資料穩定之後，根據從該追蹤裝置接收到之該姿勢資料修正或決定該沉浸式內容中之該虛擬模型之一位置及一方向。
如請求項11所述之顯示方法，進一步包含：<br/> 以一攝影機捕捉該頭戴式顯示裝置前方之一影像；以及<br/> 以該頭戴式顯示裝置之一處理電路根據該影像執行一電腦視覺演算法以追蹤該適當手部位置。
如請求項12所述之顯示方法，其中該電腦視覺演算法被該處理電路根據該影像而執行以產生關於至少一手部相對於該頭戴式顯示裝置之至少一手部位置，該至少一手部位置與一預定義標準比對以判斷用以顯示該虛擬模型於其上之該適當手部位置。
如請求項13所述之顯示方法，其中該預定義標準包含用以判斷該適當手部位置之一接近距離或一位置範圍。
如請求項11所述之顯示方法，其中該追蹤裝置包含一慣性量測單元、一動作感測器、一光學追蹤感測器、一陀螺儀、一加速計或一磁力計以產生該姿勢資料。
如請求項11所述之顯示方法，其中該追蹤裝置係一手持控制器、可穿戴追蹤器或一追蹤配件。
如請求項11所述之顯示方法，其中該姿勢資料是否已穩定係根據從該追蹤裝置接收到之該姿勢資料之一變化而判斷。
如請求項11所述之顯示方法，其中該姿勢資料是否已穩定係由根據該無線連接建立後是否已逾一預定時間長度而判斷。
如請求項11所述之顯示方法，其中該虛擬模型表現一使用者介面元素，該使用者介面元素係回應使用者互動而顯示。
如請求項11所述之顯示方法，其中顯示於該沉浸式內容中之該虛擬模型藉由在該姿勢資料穩定之前不利用該姿勢資料渲染該虛擬模型而被優化，以減輕動暈症。
一種快排閥結構，其包括：<br/>閥管，包括相對設置的第一端和第二端，該第一端用於與清洗槽連接，該閥管上設置有至少一個排液口；<br/>氣缸，套設於該閥管內，並與該第二端連接；<br/>閥芯組件，包括密封套組件以及活塞杆；<br/>該密封套組件套設於該閥管內，並與該閥管的內壁分別形成彼此密封且可相對滑動的動力密封面，並且該密封套組件與該閥管的該動力密封面之間在靠近該第一端的部分設有排液槽；該密封套組件朝向該第二端的一端可移動地套設於該氣缸的外側；<br/>該活塞杆的一端設置於該氣缸內，另一端從該氣缸的內部伸出，並與該密封套組件沿該活塞杆的徑向活動地連接，用於帶動該密封套組件沿該活塞杆的軸向移動；<br/>該密封套組件具有靠近該第一端的第一極限位置和靠近該第二端的第二極限位置，該密封套組件位於該第一極限位置時封堵該第一端，該密封套組件遠離該第一極限位置時，該排液槽與該排液口連通；該密封套組件位於該第二極限位置時避讓至少部分該排液口。
根據請求項1所述的快排閥結構，其中，該密封套組件包括：<br/>密封堵頭，套設於該閥管內，並形成該動力密封面；該密封堵頭朝向該第二端的一端設有沿該活塞杆的軸向延伸的盲孔；<br/>支撐碗，朝向該第二端的一端套設於該氣缸的外側，該支撐碗還套設於該盲孔中；該支撐碗的碗底設有階梯孔，該階梯孔包括朝向該第一端的直徑較大的第一孔段，以及朝向該第二端的直徑較小的第二孔段；<br/>鎖止件，在該活塞杆的徑向上間隙配合地設置於該階梯孔中，該活塞杆的另一端在該活塞杆的徑向上間隙配合地穿過該第二孔段並與該鎖止件連接，該鎖止件分別與該階梯孔的臺階以及該密封堵頭在平行於該活塞杆的軸向的方向上限位配合。
根據請求項1所述的快排閥結構，其中，該活塞杆設置於該氣缸內的一端將該氣缸的內部空間分隔為第一氣腔和第二氣腔；<br/>該密封套組件朝向該第二端的端面與該氣缸以及該閥管圍成第三氣腔；<br/>該氣缸上設置有與該第一氣腔連通的第一氣體通道、與該第二氣腔連通的第二氣體通道，以及與該第三氣腔連通的呼吸孔；<br/>該第一氣體通道和該第二氣體通道用於連接外部氣壓控制裝置，該呼吸孔將該第三氣腔與外部大氣環境連通。
根據請求項3所述的快排閥結構，其中，該氣缸包括：<br/>氣缸本體，朝向該第一端的一端設有開口；<br/>第一法蘭，設置於該氣缸本體遠離該開口的一端；<br/>端蓋，封蓋在該開口處；<br/>該活塞杆從該端蓋伸出，並且該活塞杆的外周與該端蓋的內周之間設置有第一密封圈，該活塞杆設置於該氣缸本體內的一端與該氣缸本體的內壁之間設置有第二密封圈，以隔斷該第一氣腔和該第二氣腔。
根據請求項4所述的快排閥結構，其中，該端蓋朝向該第二端的端面與該氣缸本體相接觸的接觸面為斜面，該斜面與該活塞杆的軸線之間的距離沿靠近該第二端的方向遞減；和/或，<br/>該端蓋的外周與該氣缸本體的內周之間設有第三密封圈。
根據請求項4所述的快排閥結構，其中，該第一法蘭朝向該閥管的端面設置有定位凸台，該定位凸台的外周壁與該閥管的內壁配合；<br/>該氣缸本體連接於該定位凸台朝向該閥管的端面。
根據請求項1所述的快排閥結構，其中，該閥管包括：<br/>閥管本體；<br/>第二法蘭，設置於該閥管本體的第一端，該第二法蘭的內徑大於該閥管本體的內徑；<br/>密封環，套設於該第二法蘭內，並抵接於該閥管本體的第一端；<br/>該密封套組件位於該第一極限位置時與該密封環抵接，以將該排液槽封堵。
根據請求項7所述的快排閥結構，其中，該密封套組件與該密封環彼此相抵接的抵接面為斜面。
根據請求項7所述的快排閥結構，其中，該密封環遠離該閥管本體的一面設有第四密封圈。
根據請求項1所述的快排閥結構，其中，該密封套組件與該閥管的內壁之間設有第五密封圈，該第五密封圈靠近該第二端設置。
根據請求項1所述的快排閥結構，其中，該排液槽為設置於該密封套組件與該閥管的內壁相對的表面的凹槽，並且該凹槽由該密封套組件靠近該第一端的端面沿該活塞杆的軸向延伸。
根據請求項11所述的快排閥結構，其中，該凹槽在該密封套組件的周向上是非連續的。
根據請求項11所述的快排閥結構，其中，該密封套組件靠近該第一端的部分的直徑小於該密封套組件靠近該第二端的部分的直徑，該密封套組件靠近該第一端的部分與該閥管的內壁之間的環形間隙構成該凹槽；<br/>該密封套組件靠近該第二端的部分與該閥管的內壁分別形成該動力密封面。
根據請求項1所述的快排閥結構，其中，該閥管靠近該第一端的部分的內徑大於該閥管靠近該第二端的部分的內徑，該閥管靠近該第一端的部分與該密封套組件之間的環形間隙構成該排液槽；<br/>該閥管靠近該第二端的部分的內壁與該密封套組件與該閥管的內壁相對的表面分別形成該動力密封面。
一種清洗裝置，其包括清洗槽，以及請求項1-14中任一項所述的快排閥結構；<br/>該清洗槽的側壁設有排液管，該快排閥結構與該排液管連接。
一種動物固態脂肪替代物，其包含：本體；以及吸附於該本體之植物油，且該本體為由包含下述製備原料製備而成之凝膠：<br/> (a) 食用膠；以及<br/> (b) 水；<br/> 其中：<br/> 該食用膠包含卡德蘭膠以及其他食用膠；<br/> 該動物固態脂肪替代物之硬度為200～800克，其係經由質地分析儀（Texture Profile Analysis，TPA）測量而得。
如請求項1所述之動物固態脂肪替代物，其中該其他食用膠包含甲基纖維素、羥丙基甲基纖維素、單酸甘油酯、三仙膠、關華豆膠、卡拉膠、次槐豆膠，或其組合。
如請求項1所述之動物固態脂肪替代物，其中該植物油包含：芥花油、橄欖油、葵花油、花生油、葡萄籽油、亞麻仁油、苦茶油，或其組合。
如請求項1所述之動物固態脂肪替代物，其於100～200℃之溫度下為固態。
如請求項1所述之動物固態脂肪替代物，其中該替代物中油脂含量大於80wt%。
如請求項1所述之動物固態脂肪替代物，其中該替代物中水分含量為5wt%以下。
如請求項1所述之動物固態脂肪替代物，其中該凝膠係藉由該食用膠與該水混合，並經加熱及乾燥而形成。
如請求項7所述之動物固態脂肪替代物，其中該乾燥為冷凍乾燥。
如請求項1所述之動物固態脂肪替代物，其中該凝膠藉由真空浸漬法吸附該植物油。
一種動物固態脂肪替代物之製備方法，包含：<br/> (a) 混合食用膠與水，並經加熱，以形成包含水的凝膠，其中該食用膠包含卡德蘭膠以及其他食用膠；<br/> (b) 乾燥該凝膠，以除去該凝膠中的水；以及<br/> (c) 將該凝膠吸附該植物油，以形成該替代物，且該替代物之硬度為200～800克，其係經由質地分析儀（Texture Profile Analysis，TPA）測量而得；<br/> 其中該步驟(a)之加熱溫度介於80～90℃。
如請求項10所述之方法，其中該步驟(a)之加熱時間介於5～30分鐘。
如請求項10所述之方法，其中該步驟(b)係採冷凍乾燥法，，以除去該凝膠中的水。
如請求項10所述之方法，其中該步驟(c)係採真空浸漬法，以將該凝膠吸附該植物油。
如請求項13所述之方法，其中該步驟(c)之該真空浸漬法之處理時間小於20分鐘。
一種背光模組，其改良在於，包括：<br/> 多個第一發光單元，每個所述第一發光單元用於出射第一光以及第二光；<br/> 多個第二發光單元，每個所述第二發光單元用於出射第三光；以及<br/> 調製模塊，用於接收所述第一光、所述第二光以及所述第三光，並用於將所述第一光、所述第二光以及所述第三光調製為照明光後出射；<br/> 其中，所述第一光以及所述第二光用於補足所述第三光於第一波段之光強度；所述照明光於第一波長之半峰全寬FWHM滿足：0nm＜FWHM＜30nm；所述照明光於所述第一波段之範圍內之最大有效光強度大於5000cd/m<sup>2</sup>，所述第一波長位於所述第一波段。
如請求項1所述之背光模組，其中，所述調製模塊包括擴散板，所述擴散板包括一第一出光面以及與所述第一出光面相對之第一入光面；<br/> 多個所述第一發光單元與多個所述第二發光單元同時設置於所述第一入光面遠離所述第一出光面之一側；所述擴散板用於將所述第一光、所述第二光以及所述第三光混合擴散為所述照明光，所述第一出光面用於出射所述照明光。
如請求項2所述之背光模組，其中，多個所述第一發光單元以及多個所述第二發光單元呈矩陣排列；<br/> 所述多個第一發光單元出射之所述第一光與所述第二光之光強度大小之與等於所述多個第二發光單元出射之所述第三光之光強度大小。
如請求項2所述之背光模組，其中，多個所述第一發光單元以及多個所述第二發光單元呈矩陣排列；<br/> 所述多個第一發光單元出射之所述第一光之光強度大小等於所述第二光之光強度大小，<br/> 所述多個第一發光單元出射之所述第一光之光強度大小等於所述多個第二發光單元出射之所述第三光之光強度大小，所述第二發光單元之數量與多個所述第二發光單元出射之所述第三光之光強度大小之平均值呈反比。
如請求項1所述之背光模組，其中，所述調製模塊包括導光板，所述多個第一發光單元與所述多個第二發光單元朝向所述導光板出射所述第一光、所述第二光以及所述第三光；<br/> 所述多個第一發光單元出射之所述第一光與所述第二光之光強度大小之與等於所述多個第二發光單元出射之所述第三光之光強度大小。
如請求項5所述之背光模組，其中，所述導光板包括第二出光面以及分別連接所述第二出光面之第一側面與第二側面，所述第一側面與所述第二側面相對；<br/> 所述多個第一發光單元設置於所述第一側面遠離所述第二側面之一側，所述多個第一發光單元朝向所述第一側面出射所述第一光與所述第二光；<br/> 所述多個第二發光單元設置於所述第二側面遠離所述第一側面之一側，所述多個第二發光單元朝向所述第二側面出射所述第三光。
如請求項5所述之背光模組，其中，所述導光板包括第二出光面以及分別連接所述第二出光面之第一側面與第二側面，所述第一側面與所述第二側面相對；<br/> 所述多個第一發光單元與所述多個第二發光單元同時設置於所述第一側面遠離所述第二側面之一側以及所述第二側面遠離所述第一側面之一側。
如請求項1所述之背光模組，其中，每一所述第一發光單元包括第一子發光層以及第二子發光層；所述第一子發光層被設置為出射所述第一光；所述第二子發光層被設置為出射所述第二光；<br/> 所述第一子發光層出射之所述第一光之光強度大小與所述第二子發光層出射之所述第二光之光強度大小之比之範圍為1∶1至1∶2。
如請求項8所述之背光模組，其中，每一所述第一發光單元還包括第一襯底層；所述第一子發光層與所述第二子發光層層疊設置於所述第一襯底層上，所述第二子發光層設置於所述第一子發光層與所述第一襯底層之間；<br/> 所述第一子發光層於所述第一襯底層上之投影面積等於所述第二子發光層於所述第一襯底層上之投影面積。
如請求項8所述之背光模組，其中，每一所述第一發光單元還包括第一襯底層；所述第二子發光層層疊設置於所述第一襯底層上；所述第一子發光層設置於所述第二子發光層遠離所述第一襯底層之一側；<br/> 所述第一子發光層於所述第一襯底層上之投影面積與所述第二子發光層於所述第一襯底層上之投影面積之比為1∶2。
如請求項8所述之背光模組，其中，所述第一子發光層之厚度h1滿足：0μm＜h1＜20μm；所述第二子發光層之厚度h2滿足：0μm＜h2＜20μm。
如請求項1所述之背光模組，其中，相鄰兩個所述第一發光單元與所述第二發光單元、相鄰兩個所述第一發光單元或相鄰兩個所述第二發光單元之間距範圍為0.1mm-20mm。
如請求項1所述之背光模組，其中，所述第一發光單元於CIE標準顏色空間中之白點座標與所述第二發光單元於CIE標準顏色空間中之白點座標之距離範圍為±0.05。
一種顯示裝置，其改良在於，包括：<br/> 如請求項1至13中任意一項所述之背光模組，所述背光模組用於出射所述照明光。
一種快速檢測加工食品中防腐劑之方法，其係主要包含有下列步驟：<br/> 步驟a：以一固相萃取技術對一加工食品進行一前處理程序，以得到一待測溶液，其中，該前處理程序係包含下列步驟：<br/> a-1：將該加工食品以一第一低級醇水溶液進行萃取程序，得到一上清液；<br/> a-2：使該上清液通過一萃取管柱；<br/> a-3：以一第二低級醇水溶液沖洗該萃取管柱，其中，該第二低級醇水溶液之濃度係低於該第一低級醇水溶液之濃度；<br/> a-4：以一第三低級醇水溶液沖提該管柱，得到一沖提液，再將該沖提液與一水混合而得到該待測溶液，其中，該第三低級醇水溶液之濃度係高於該第一低級醇水溶液之濃度；<br/> 步驟b：將該待測溶液之一液滴置於一SERS基板上，進行SERS量測程序，得到該加工食品之SERS光譜，其中，該液滴與該SERS基板間具有一接觸角，該接觸角係介於30°-120°，並該滴液之體積係為1.5-7.5µL；<br/> 步驟c：分析該加工食品之SERS光譜中特徵波段或特徵峰之位置或/及強度，以得到該加工食品內之防腐劑種類或含量之資訊；<br/> 其中，該加工食品內之防腐劑種類為苯甲酸、山梨酸、去水醋酸。
如請求項1所述快速檢測加工食品中防腐劑之方法，其中，該第一、第二及第三低級醇水溶液分別由一醇類與一去離子水製備而成者。
如請求項1所述快速檢測加工食品中防腐劑之方法，其中，該第一、第二及第三低級醇水溶液係分別為一甲醇水溶液。
如請求項1所述快速檢測加工食品中防腐劑之方法，其中，該接觸角為85-95°。
如請求項1所述快速檢測加工食品中防腐劑之方法，其中，該滴液之體積係為4.5µL。
一種由一系統執行之方法，該系統包含經組態以執行複數個機器學習模型之推論操作的一或多個硬體處理單元，該方法包括： <br/>藉由該系統獲得一第一機器學習模型，其中該第一機器學習模型已經分割成該第一機器學習模型之多個群組推論操作，其中各群組推論操作適合於一循環時窗(recurring time window)之一剩餘時段(remaining time period)內，在該循環時窗中該系統執行一優先機器學習模型與包含該第一機器學習模型之一或多個額外機器學習模型之操作，及其中該剩餘時段係在保留在該循環時間視窗內用於執行該優先機器學習模型之優先操作之一優先時段之後剩餘之該循環時窗之一部分；及 <br/>在該循環時窗之各發生期間，在該優先時段期間執行該優先機器學習模型之該等優先操作及在該剩餘時段期間，執行該等群組推論操作之至少一者之該等推論操作及該一或多個額外機器學習模型之該等推論操作。
如請求項1之方法，其中該第一機器學習模型包括一或多個神經網路，其中各神經網路包括多個層，及其中對於該一或多個神經網路之至少一者之該多個層經組態以執行來自該等推論操作之一或多個推論操作。
如請求項2之方法，其中藉由以下分割該第一機器學習模型： <br/>對於來自該一或多個神經網路之一給定神經網路中來自該多個層之一給定層，判定用於執行該給定層之該一或多個推論操作之一估計持續時間大於該循環時窗之該剩餘時段；及 <br/>基於在該給定神經網路中來自該多個層之各層之該估計持續時間，形成子模型之一子集，其中形成子模型之該子集中之一子模型包括對於具有該估計持續時間大於該剩餘時段之該給定神經網絡配置及分組一或多個該多個層。
如請求項3之方法，其中子模型之該子集之各子模型具有小於或等於該剩餘時段之一各自估計持續時間，及其中子模型之該子集之各子模型具有該第一機器學習模型之該等推論操作之一各自部分。
如請求項3之方法，其中對於一特定層之該一或多個推論操作之各者包括執行多個節點操作之該特定層，及對於該特定層判定用於執行該一或多個推論操作之該估計持續時間大於該剩餘時段包括： <br/>由一分析模型對於該各自層判定該多個節點操作之各者之一各自持續時間；及 <br/>彙總該多個節點操作之該等各自持續時間以判定對於該各自層之該估計持續時間。
如請求項1之方法，其中在該循環時窗之各發生期間執行該等優先操作包括： <br/>在該循環時窗之一第一發生之該優先時段期間執行該優先機器學習模型之優先操作； <br/>在該循環時窗之該第一發生之該剩餘時段期間執行該第一機器學習模型之一第一群組推論操作之該等推論操作； <br/>在該循環時窗之一第二發生之該優先時段期間執行該優先機器學習模型之優先操作；及 <br/>在該循環時窗之該第二發生之該剩餘時段期間執行該第一機器學習模型之一第二群組推論操作之該等推論操作，其中該第二群組推論操作不同於該第一群組推論操作。
如請求項6之方法，進一步包括在該循環時窗之該第二發生之該剩餘時段期間執行在該剩餘時段期間一第二機器學習模型之一或多個推論操作。
如請求項1之方法，其中該優先機器學習模型經組態以執行推論操作以辨識來自輸入影像之人臉。
如請求項1之方法，其中該第一機器學習模型之該多個群組推論操作包括對於一或多個影像之(i)背景偵測、(ii)焦點偵測、(iii)物件偵測或(iv)人臉辨識之一或多者。
如請求項1之方法，其中該第一機器學習模型經組態以使用一輸入執行該等推論操作，及其中該輸入包括一序列之輸入，其中以一特定頻率根據一順序接收該序列之輸入，及其中該循環時窗包括具有基於該特定頻率判定之一週期之多個循環時窗。
如請求項1之方法，進一步包括基於該等推論操作之至少一者產生一輸出，該產生包括： <br/>從一儲存裝置擷取一第一中間輸出；及 <br/>處理該第一中間輸出作為在一或多個下一個時窗中該第一機器學習模型之該剩餘時段之至少一部分之一輸入。
如請求項10之方法，進一步包括： <br/>根據複數個循環時窗之一第一循環時窗之一第一剩餘時段內之該序列執行與子模型之一子集之一第一子模型相關聯之推論操作，其中分割該第一機器學習模型為子模型之該子集；及 <br/>根據該複數個循環時窗之一第二循環時窗之該第一剩餘時段內之該序列執行與在該第一子模型之後的子模型之該子集之一第二子模型相關聯之推論操作。
如請求項12之方法，其中藉由以下分割包括一神經網路之該第一機器學習模型： <br/>將該神經網路分割成子模型之該子集，各子集包含根據該序列配置之一各自數目之網路層；及 <br/>對於除該第一子模型之外子模型之該子集之各子模型判定一各自填充層，以便由該各自填充層提供自該子模型之前之另一子模型產生之一中間輸出至該子模型作為一輸入， <br/>其中各該等各自填充層係包含於子模型之該子集之一相對應子模型中之網路層之一第一層。
如請求項13之方法，其中該輸入包括根據一順序在一主機處接收一第一輸入及一第二輸入的一序列之輸入，其中產生一推論輸出進一步包括： <br/>根據用於處理該第一輸入以產生一第一中間輸出之該序列執行與一第一子模型相關聯之推論操作； <br/>根據該序列將作為一第一中間輸入之該第一中間輸出透過一第二子模型之一填充層提供至該第一子模型之後之該第二個子模型；及 <br/>根據用於處理該第二輸入以產生一第二中間輸出之該序列執行與該第一子模型相關聯之推論操作，同時執行用於處理該第一中間輸入與該第二子模型相關聯之推論操作。
如請求項14之方法，其中產生該推論輸出進一步包括： <br/>儲存由子模型之一子集之一子模型產生用於處理該輸入之一中間輸出於該系統中之一記憶體單元處，其中分割該第一機器學習模型為子模型之該子集；及 <br/>自該系統中之該記憶體單元根據該序列擷取該中間輸出作為在該子模型之後之另一子模型之一中間輸入。
如請求項1之方法，進一步包括： <br/>接收表示該第一機器學習模型之資料； <br/>獲得用於執行處理一輸入以產生一第一推論輸出之該第一機器學習模型之該等推論操作之一第一估計持續時間； <br/>識別用於執行該優先機器學習模型之該等優先操作而保留之該優先時段； <br/>判定在保留用於執行該等優先操作之該優先時段之後剩餘之該循環時窗之該剩餘時段； <br/>判定該第一估計持續時間大於該剩餘時段；及 <br/>回應於判定該第一估計持續時間大於該剩餘時段，分割該第一機器學習模型為適合於該剩餘時段之一第一群組及包括將在一或多個下一個時窗中執行之該第一機器學習模型之剩餘推論操作之一或多個額外群組。
一種用於執行機器學習模型之推論操作之系統，其包括一或多個電腦及儲存指令之一或多個儲存裝置，當由一或多個電腦執行該等指令時導致該一或多個電腦執行包括以下之操作： <br/>在該系統處獲得一第一機器學習模型，該第一機器學習模型已經分割成該第一機器學習模型之多個群組推論操作，其中各群組推論操作適合於一循環時窗之一剩餘時段內，在該循環時窗中該系統執行一優先機器學習模型與包含該第一機器學習模型之一或多個額外機器學習模型之操作，及其中該剩餘時段係在保留在該循環時間視窗內用於執行該優先機器學習模型之優先操作之一優先時段之後剩餘之該循環時窗之一部分；及 <br/>在該循環時窗之各發生期間，在該優先時段期間執行該優先機器學習模型之該等優先操作及在該剩餘時段期間，執行該等群組推論操作之至少一者之該等推論操作及該一或多個額外機器學習模型之該等推論操作。
如請求項17之系統，其中該第一機器學習模型包括一或多個神經網路，其中各神經網路包括多個層，其中對於該一或多個神經網路之至少一者之該多個層經組態以執行來自該等推論操作之一或多個推論操作，及其中藉由以下分割該第一機器學習模型： <br/>對於來自該一或多個神經網路之一給定神經網路中來自該多個層之一給定層，判定用於執行該給定層之該一或多個推論操作之一估計持續時間大於該循環時窗之該剩餘時段；及 <br/>基於在該給定神經網路中來自該多個層之各層之該估計持續時間，形成子模型之一子集，其中形成子模型之該子集中之一子模型包括對於具有該估計持續時間大於該剩餘時段之該給定神經網絡配置及分組一或多個該多個層。
一或多個電腦可讀儲存媒體，其儲存指令，當由一或多個電腦執行該等指令時導致該一或多個電腦執行由包含一或多個硬體處理單元之一系統執行操作，該等操作包括： <br/>在該系統處獲得一第一機器學習模型，該第一機器學習模型已經分割成該第一機器學習模型之多個群組推論操作，其中各群組推論操作適合於一循環時窗之一剩餘時段內，在該循環時窗中該系統執行一優先機器學習模型與包含該第一機器學習模型之一或多個額外機器學習模型之操作，及其中該剩餘時段係在保留在該循環時間視窗內用於執行該優先機器學習模型之優先操作之一優先時段之後剩餘之該循環時窗之一部分；及 <br/>在該循環時窗之各發生期間，在該優先時段期間執行該優先機器學習模型之該等優先操作及在該剩餘時段期間執行該等群組推論操作之至少一者之該等推論操作及該一或多個額外機器學習模型之該等推論操作。
如請求項19之一或多個電腦可讀儲存媒體，其中該第一機器學習模型包括一或多個神經網路，其中各神經網路包括多個層，其中對於該一或多個神經網路之至少一者之該多個層經組態以執行來自該等推論操作之一或多個推論操作，及其中藉由以下分割該第一機器學習模型： <br/>對於來自該一或多個神經網路之一給定神經網路中來自該多個層之一給定層，判定用於執行該給定層之該一或多個推論操作之一估計持續時間大於該循環時窗之該剩餘時段；及 <br/>基於在該給定神經網路中來自該多個層之各層之該估計持續時間，形成子模型之一子集，其中形成子模型之該子集中之一子模型包括對於具有該估計持續時間大於該剩餘時段之該給定神經網絡配置及分組一或多個該多個層。
一種半導體光阻組成物，包括 <br/>由化學式1表示的有機金屬化合物；和 <br/>溶劑： <br/>化學式1 <br/><img align="absmiddle" height="59px" width="98px" file="ed10012.jpg" alt="ed10012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，在化學式1中， <br/>A選擇自經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C2至C30雜烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C30雜環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基、經取代或未經取代的C2至C30雜芳基、經取代或未經取代的C7至C30芳烷基、經取代或未經取代的C4至C30雜芳烷基、和經取代或未經取代的C1至C30烷基羰基， <br/>X為O或S， <br/>R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>各自獨立地選擇自氫；經取代或未經取代的C1至C20烷基；經取代或未經取代的C2至C20烯基；經取代或未經取代的C2至C20炔基；經取代或未經取代的C3至C20環烷基；經取代或未經取代的C3至C20環烯基；經取代或未經取代的C6至C30芳基；經取代或未經取代的C7至C30芳烷基；和L-Z-R<sup>3</sup>，L為經取代或未經取代的C1至C20伸烷基，Z為O、S或NR<sup>4</sup>，且R<sup>3</sup>和R<sup>4</sup>各自獨立地為C1至C20烷基，和 <br/>n為2或3。
如請求項1所述的半導體光阻組成物，其中 <br/>A選擇自經取代或未經取代的C1至C10烷基、經取代或未經取代的C2至C20雜烷基、經取代或未經取代的C3至C12環烷基、經取代或未經取代的C2至C20雜環烷基、經取代或未經取代的C2至C10烯基、經取代或未經取代的C2至C10炔基、經取代或未經取代的C6至C20芳基、經取代或未經取代的C2至C20雜芳基、經取代或未經取代的C7至C20芳烷基、經取代或未經取代的C4至C20雜芳烷基、和經取代或未經取代的C1至C20烷基羰基。
如請求項1所述的半導體光阻組成物，其中 <br/>A為經取代或未經取代的甲基、經取代或未經取代的乙基、經取代或未經取代的丙基、經取代或未經取代的丁基、經取代或未經取代的異丙基、經取代或未經取代的第三丁基、經取代或未經取代的第三戊基、經取代或未經取代的1-甲基丙基、經取代或未經取代的1,1-二甲基丙基、經取代或未經取代的2,2-二甲基丙基、經取代或未經取代的環丙基、經取代或未經取代的環丁基、經取代或未經取代的環戊基、經取代或未經取代的環己基、經取代或未經取代的乙烯基、經取代或未經取代的丙烯基、經取代或未經取代的丁烯基、經取代或未經取代的乙炔基、經取代或未經取代的丙炔基、經取代或未經取代的丁炔基、經取代或未經取代的苯基、經取代或未經取代的甲苯基、經取代或未經取代的二甲苯基、經取代或未經取代的苄基、或其組合。
如請求項1所述的半導體光阻組成物，其中 <br/>R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>各自獨立地選擇自氫；經取代或未經取代的C1至C10烷基；經取代或未經取代的C2至C10烯基；經取代或未經取代的C2至C10炔基；經取代或未經取代的C3至C12環烷基；經取代或未經取代的C3至C12環烯基；經取代或未經取代的C6至C20芳基；經取代或未經取代的C7至C20芳烷基；和L-Z-R<sup>3</sup>，L為經取代或未經取代的C1至C10伸烷基，Z為O、S或NR<sup>4</sup>，且R<sup>3</sup>和R<sup>4</sup>各自獨立地為C1至C10烷基。
如請求項1所述的半導體光阻組成物，其中 <br/>R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>各自獨立地選擇自氫、經取代或未經取代的C1至C10烷基、經取代或未經取代的C3至C12環烷基、經取代或未經取代的C2至C10烯基、經取代或未經取代的C6至C20芳基、和經取代或未經取代的C7至C20芳烷基。
如請求項1所述的半導體光阻組成物，其中 <br/>所述由化學式1表示的有機金屬化合物為從群組1中列出的化合物中選擇的任一種： <br/>群組1 <br/><img align="absmiddle" height="728px" width="665px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="726px" width="640px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的半導體光阻組成物，其中 <br/>基於所述半導體光阻組成物的100 wt%計，所述有機金屬化合物的量為0.5 wt%至30 wt%。
如請求項1所述的半導體光阻組成物，其中 <br/>所述半導體光阻組成物還包括從界面活性劑、交聯劑、流平劑、有機酸、淬滅劑和其組合中選擇的添加劑。
一種形成圖案的方法，包括： <br/>將如請求項1至請求項8中任一項所述的半導體光阻組成物塗覆在蝕刻目標層上以形成光阻層； <br/>對所述光阻層進行圖案化以形成光阻圖案；和 <br/>利用所述光阻圖案作為蝕刻罩幕對所述蝕刻目標層進行蝕刻。
如請求項9所述的形成圖案的方法，其中 <br/>在對所述光阻層進行圖案化時，利用波長為5奈米至150奈米的光。
如請求項9所述的形成圖案的方法，其中 <br/>所述光阻圖案具有5奈米至100奈米的寬度。
如請求項9所述的形成圖案的方法，還包括 <br/>在基底上形成蝕刻目標層。
一種合金，其特徵在於由5.0mass%以上15.0mass%以下的Ag、48.2mass%以上58.3mass%以下的Pd、34.6mass%以上42.3mass%以下的Cu、0.05mass%以上0.17mass%以下的B、0.3mass%以上1.5mass%以下的Zn與0.006mass%以上0.10mass%以下的Al以及餘量為不可避免的不純物構成。
如請求項1記載之合金，其中B為0.05mass%以上0.09mass%以下。
如請求項1記載之合金，其中B為0.11mass%以上0.16mass%以下。
如請求項1記載之合金，其中B為0.09mass%以上0.16mass%以下、Zn為1.0mass%以上1.5mass%以下。
一種合金，其特徵在於由5.0mass%以上15.0mass%以下的Ag、48.2mass%以上58.3mass%以下的Pd、34.6mass%以上42.3mass%以下的Cu、0.08mass%以上0.17mass%以下的B、0.3mass%以上1.3mass%以下的Zn、0.006mass%以上0.10mass%以下的Al以及餘量為不可避免的不純物構成。
一種合金線材，其特徵在於使用請求項1記載的合金所獲得。
如請求項6記載之合金線材，其線徑為1.0mm以下。
如請求項6記載之合金線材，其維氏硬度為490HV以上600HV以下。
如請求項6記載之合金線材，其體積電阻率為11.5μΩ・cm以下。
一種探測針用合金線材，其特徵在於使用請求項6至9任一項記載的合金線材所獲得。
一種合金線材，其特徵在於為使用請求項5記載的合金所獲得的合金線材，線徑為0.1mm以下。
一種探測針用合金線材的製造方法，其特徵在於具備以下的步驟1至步驟3之探測針用合金線材的製造方法： <br/>步驟1：將摻合Ag、Pd、Cu、B、Zn、Al的金屬材料加熱熔解，取得鑄錠，其由5.0mass%以上15.0mass%以下的Ag、48.2mass%以上58.3mass%以下的Pd、34.6mass%以上42.3mass%以下的Cu、0.05mass%以上0.17mass%以下的B、0.3mass%以上1.5mass%以下的Zn、0.006mass%以上0.10mass%以下的Al以及餘量為不可避免的不純物構成； <br/>步驟2：對前述鑄錠重複進行截面縮減率50%以上的冷加工與熱處理，獲得線徑為1.0mm以下之時效處理前合金線材；以及 <br/>步驟3：對前述時效處理前合金線材進行時效處理，獲得時效處理完成之探測針用合金線材。
一種探測針用合金線材的製造方法，其特徵在於具備以下的步驟1至步驟3之探測針用合金線材的製造方法： <br/>步驟1：將摻合Ag、Pd、Cu、B、Zn、Al的金屬材料加熱熔解，取得鑄錠，其由5.0mass%以上15.0mass%以下的Ag、48.2mass%以上58.3mass%以下的Pd、34.6mass%以上42.3mass%以下的Cu、0.08mass%以上0.17mass%以下的B、0.3mass%以上1.3mass%以下的Zn、0.006mass%以上0.10mass%以下的Al以及餘量為不可避免的不純物構成； <br/>步驟2：對前述鑄錠重複進行截面縮減率50%以上的冷加工與熱處理，獲得線徑為0.1mm以下之時效處理前合金線材；以及 <br/>步驟3：對前述時效處理前合金線材進行時效處理，獲得時效處理完成之探測針用合金線材。
一種業務資料處理系統，包括： <br/>儲存裝置，儲存感知器模組、執行器模組、消息隊列管理模組、資料圖譜模組、元資料管理模組以及排程管理模組；以及 <br/>處理器，耦接所述儲存裝置，並且執行所述感知器模組、所述執行器模組、所述消息隊列管理模組、所述資料圖譜模組、所述元資料管理模組以及所述排程管理模組， <br/>其中所述消息隊列管理模組建立消息隊列，並且所述感知器模組根據所述排程管理模組所設定的排程從所述消息隊列感知變化的業務資料， <br/>其中所述感知器模組根據所述變化的業務資料透過所述資料圖譜模組進行資料特徵匹配，以驅動所述執行器模組， <br/>其中所述執行器模組根據所述元資料管理模組提供的元資料執行對應的業務服務，以生成新的業務資料，並且所述執行器模組將所述新的業務資料更新至所述消息隊列管理模組， <br/>其中所述執行器模組執行智體觸發服務，並通過智體創建器從所述元資料管理模組取得智體元資料，以創建智體， <br/>其中所述執行器模組執行所述智體，以讀取上下文業務資料，並執行所述對應的業務服務， <br/>其中所述執行器模組根據所述上下文業務資料來組裝所述新的業務資料。
如請求項1所述的業務資料處理系統，其中所述消息隊列管理模組執行資料接收服務，以接收所述變化的業務資料，並且將所述變化的業務資料儲存至所述消息隊列， <br/>其中所述消息隊列管理模組執行變化資料監聽器，以監聽所述消息隊列，所述消息隊列管理模組保存消息至資料庫，並且將所述變化的業務資料發送至所述感知器模組。
如請求項2所述的業務資料處理系統，其中所述消息隊列管理模組執行隊列管理服務，以從所述元資料管理模組取得智體定義資料，所述元資料管理模組根據所述智體定義資料初始化所述消息隊列，並且動態創建所述變化資料監聽器。
如請求項2所述的業務資料處理系統，其中所述消息隊列管理模組執行感知重試任務，以從所述資料庫查詢失敗記錄，並重新感知變化的業務資料。
如請求項1所述的業務資料處理系統，其中所述感知器模組執行感知觸發服務，並且進行被動感知，其中所述感知器模組通過所述資料圖譜模組查詢所述智體元資料，以進行所述資料特徵匹配，並且激活對應所述智體，其中所述感知器模組根據所述變化的業務資料來驅動所述智體的執行器。
如請求項1所述的業務資料處理系統，其中所述感知器模組執行感知觸發服務，並且進行主動感知，以根據感知策略來取得所述變化的業務資料。
如請求項1所述的業務資料處理系統，其中所述消息隊列管理模組建立多個消息隊列，並且所述業務資料處理系統根據所述資料圖譜模組以及所述元資料管理模組執行多個所述智體，以使多個所述智體分別感知不同的消息隊列。
如請求項7所述的業務資料處理系統，其中多個所述智體的其中一個感知所述多個消息隊列的其中一個，以取得所述變化的業務資料，並且多個所述智體的其中一個將所述新的業務資料更新至所述消息隊列的其中另一個，以使多個所述智體的其中另一個感知所述消息隊列的其中另一個，以取得所述新的業務資料。
如請求項1所述的業務資料處理系統，其中所述感知器模組連線外部的企業資源規劃系統，以取得所述變化的業務資料。
一種業務資料處理方法，包括： <br/>通過消息隊列管理模組建立消息隊列； <br/>通過感知器模組根據排程管理模組所設定的排程從所述消息隊列感知變化的業務資料； <br/>通過所述感知器模組根據所述變化的業務資料透過資料圖譜模組進行資料特徵匹配，以驅動執行器模組； <br/>通過所述執行器模組根據元資料管理模組提供的元資料執行對應的業務服務，以生成新的業務資料；以及 <br/>通過所述執行器模組將所述新的業務資料更新至所述消息隊列管理模組， <br/>其中生成所述新的業務資料的步驟包括： <br/>通過所述執行器模組執行智體觸發服務，並通過智體創建器從所述元資料管理模組取得智體元資料，以創建智體； <br/>通過所述執行器模組執行所述智體，以讀取上下文業務資料，並執行所述對應的業務服務；以及 <br/>通過所述執行器模組根據所述上下文業務資料來組裝所述新的業務資料。
如請求項10所述的業務資料處理方法，其中感知所述變化的業務資料的步驟包括： <br/>通過所述消息隊列管理模組執行資料接收服務，以接收所述變化的業務資料，並且將所述變化的業務資料儲存至所述消息隊列； <br/>通過所述消息隊列管理模組執行變化資料監聽器，以監聽所述消息隊列；以及 <br/>通過所述消息隊列管理模組保存消息至資料庫，並且將所述變化的業務資料發送至所述感知器模組。
如請求項11所述的業務資料處理方法，還包括： <br/>通過所述消息隊列管理模組執行隊列管理服務，以從所述元資料管理模組取得智體定義資料；以及 <br/>通過所述元資料管理模組根據所述智體定義資料初始化所述消息隊列，並且動態創建所述變化資料監聽器。
如請求項11所述的業務資料處理方法，其中感知所述變化的業務資料的步驟還包括： <br/>通過所述消息隊列管理模組執行感知重試任務，以從所述資料庫查詢失敗記錄，並重新感知變化的業務資料。
如請求項10所述的業務資料處理方法，其中驅動所述執行器模組的步驟包括： <br/>通過所述感知器模組執行感知觸發服務，並且進行被動感知； <br/>通過所述感知器模組通過所述資料圖譜模組查詢所述智體元資料，以進行所述資料特徵匹配，並且激活對應所述智體；以及 <br/>通過所述感知器模組根據所述變化的業務資料來驅動所述智體的執行器。
如請求項10所述的業務資料處理方法，其中驅動所述執行器模組的步驟包括： <br/>通過所述感知器模組執行感知觸發服務，並且進行主動感知，以根據感知策略來取得所述變化的業務資料。
如請求項10所述的業務資料處理方法，還包括： <br/>通過所述消息隊列管理模組建立多個消息隊列；以及 <br/>根據所述資料圖譜模組以及所述元資料管理模組執行多個所述智體，以使多個所述智體分別感知不同的消息隊列。
如請求項16所述的業務資料處理方法，還包括： <br/>通過多個所述智體的其中一個感知所述多個消息隊列的其中一個，以取得所述變化的業務資料； <br/>通過多個所述智體的其中一個將所述新的業務資料更新至所述消息隊列的其中另一個；以及 <br/>通過多個所述智體的其中另一個感知所述消息隊列的其中另一個，以取得所述新的業務資料。
如請求項10所述的業務資料處理方法，還包括： <br/>通過所述感知器模組連線外部的企業資源規劃系統，以取得所述變化的業務資料。
一種顯示面板，具有相鄰的第一顯示區及第二顯示區，且包括： <br/>多個第一顯示單元，位於所述第一顯示區； <br/>第一掃描線，位於所述第一顯示區，且電性連接所述多個第一顯示單元； <br/>第一資料線，位於所述第一顯示區，且電性連接所述多個第一顯示單元； <br/>多個第二顯示單元，位於所述第二顯示區； <br/>第二掃描線，位於所述第二顯示區，且電性連接所述多個第二顯示單元； <br/>第二資料線，位於所述第一顯示區及所述第二顯示區，且電性連接所述多個第二顯示單元；以及 <br/>閘驅動元件，位於所述第二顯示區，且電性連接所述第一掃描線及所述第二掃描線。
如請求項1所述的顯示面板，其中所述第一顯示單元為液晶顯示單元或有機發光二極體顯示單元。
如請求項1所述的顯示面板，其中所述第二顯示單元為微型發光二極體顯示單元。
如請求項1所述的顯示面板，其中所述顯示面板包括多條所述第一掃描線，多條所述第一掃描線沿第一方向延伸且沿第二方向排列，所述第二方向與所述第一方向相交。
如請求項4所述的顯示面板，其中所述顯示面板包括多條所述第一資料線，多條所述第一資料線沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向排列。
如請求項1所述的顯示面板，其中所述顯示面板包括多條所述第二掃描線，多條所述第二掃描線沿第一方向延伸且沿第二方向排列，所述第二方向與所述第一方向相交。
如請求項6所述的顯示面板，其中所述顯示面板包括多條所述第二資料線，多條所述第二資料線沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向排列。
如請求項1所述的顯示面板，還包括屏蔽線，位於所述第一資料線與所述第二資料線之間。
如請求項8所述的顯示面板，其中所述屏蔽線僅位於所述第一顯示區，且所述屏蔽線為用於所述第一顯示單元的共用電極線。
如請求項8所述的顯示面板，其中所述屏蔽線位於所述第一顯示區及所述第二顯示區，且所述屏蔽線為用於所述第二顯示單元的電源訊號線。
如請求項10所述的顯示面板，其中所述電源訊號線包括系統高電壓訊號線、系統電壓訊號線及系統參考電壓訊號線中的至少一者。
如請求項11所述的顯示面板，其中所述電源訊號線包括所述系統高電壓訊號線及所述系統電壓訊號線，且所述系統高電壓訊號線與所述系統電壓訊號線沿第一方向交替排列。
如請求項12所述的顯示面板，其中所述系統高電壓訊號線與所述系統電壓訊號線重疊同一條所述第一資料線。
如請求項12所述的顯示面板，其中所述系統高電壓訊號線與所述系統電壓訊號線重疊不同條的所述第一資料線。
如請求項1所述的顯示面板，還包括框膠，位於所述第二顯示區，且覆蓋所述多個第二顯示單元中的一部分第二顯示單元。
如請求項1所述的顯示面板，還包括第一晶片接合件及第二晶片接合件，位於所述顯示面板的周邊區，且分別電性連接所述第一資料線及所述第二資料線。
一種拼接顯示裝置，包括： <br/>相鄰的兩個如請求項1所述的顯示面板。
一種車用顯示設備，包括： <br/>如請求項1所述的顯示面板；或 <br/>如請求項17所述的拼接顯示裝置。
如請求項18所述的車用顯示設備，具有長條帶狀或T字型輪廓的顯示畫面。
一種混合高爾夫系統，其特徵在於，包括：<br/> 混合高爾夫球艙，在內部空間實現由多個用戶進行的融合了虛擬高爾夫和場地高爾夫的混合高爾夫打球；<br/> 虛擬高爾夫裝置，其設於所述混合高爾夫球艙的內部的一側，向螢幕上投影虛擬的高爾夫球場的影像，隨著所述多個使用者分別向所述螢幕進行高爾夫擊球而實現球移動的模擬，從而進行所述虛擬高爾夫；<br/> 實際果嶺，其設於所述混合高爾夫球艙的內部的另一側，使所述多個用戶在通過所述虛擬高爾夫裝置進行的所述虛擬高爾夫之後進行所述場地高爾夫；<br/> 果嶺投影儀，其設置於所述混合高爾夫球艙的內部，與所述虛擬高爾夫裝置聯動而向所述實際果嶺上投影影像；<br/> 控制部，其在所述多個用戶各自的虛擬球上到投影到所述螢幕上的虛擬高爾夫球場上的虛擬的果嶺上時，從所述虛擬高爾夫切換到所述場地高爾夫，當切換到所述場地高爾夫時，使得在所述虛擬高爾夫裝置中執行的虛擬高爾夫的打球狀態能夠由所述果嶺投影儀以影像投影到所述實際果嶺上；以及<br/> 擊球監測裝置，其設置於所述混合高爾夫球艙的內部，進行所述場地高爾夫時，在所述實際果嶺上監測用戶的擊球，<br/> 所述控制部構成為，根據所述實際果嶺上的擊球順序將與所述多個使用者各自的打球狀態有關的資訊從所述虛擬高爾夫裝置傳遞至所述果嶺投影儀，以由所述果嶺投影儀投影到所述實際果嶺上，根據所述擊球監測裝置的感測結果，當執行一用戶的擊球時，中斷所述果嶺投影儀的影像投影，在執行所述一用戶的擊球後，控制所述果嶺投影儀將與下一個使用者的打球狀態有關的資訊以影像投影出來。
如請求項1所述的混合高爾夫系統，其中，<br/> 所述控制部控制所述果嶺投影儀將所述虛擬的果嶺上放置有所述多個用戶的每一個的虛擬球的影像從所述虛擬高爾夫裝置投影到所述實際果嶺上。
如請求項1所述的混合高爾夫系統，其中，<br/> 所述控制部從所述虛擬高爾夫裝置向所述果嶺投影儀傳遞放置在所述虛擬的果嶺上的狀態的所述多個使用者各自的虛擬球的影像，<br/> 所述果嶺投影儀構成為將所述多個用戶各自的虛擬球的影像按照所述實際果嶺的大小縮放並投影到所述實際果嶺上。
如請求項3所述的混合高爾夫系統，其中，<br/> 所述虛擬高爾夫裝置將形成為使得放置在所述虛擬的果嶺上的多個虛擬球在視覺上能夠相互區分開來的影像傳遞至所述果嶺投影儀，<br/> 根據由所述果嶺投影儀投影到所述實際果嶺上的所述多個虛擬球的視覺區分，使得所述多個用戶中的每一個能夠識別自己的虛擬球，並且使得能夠在各自自己的虛擬球的位置進行所述實際果嶺上的高爾夫打球。
如請求項1所述的混合高爾夫系統，其中，<br/> 所述控制部在所述虛擬高爾夫之後接著識別所述多個用戶中的每一個在所述實際果嶺上的擊球順序，並且在所述虛擬高爾夫裝置中執行的虛擬高爾夫的打球狀態下按照所述擊球順序使得引導各使用者在所述實際果嶺上的打球的影像由所述果嶺投影儀投影到所述實際果嶺上。
一種混合高爾夫系統，其特徵在於，包括：<br/> 混合高爾夫球艙，在內部空間實現由多個用戶進行的融合了虛擬高爾夫和場地高爾夫的混合高爾夫打球；<br/> 虛擬高爾夫裝置，其設於所述混合高爾夫球艙的內部的一側，向螢幕上投影虛擬的高爾夫球場的影像，隨著所述多個使用者分別向所述螢幕進行高爾夫擊球而實現球移動的模擬，從而進行所述虛擬高爾夫；<br/> 實際果嶺，其設於所述混合高爾夫球艙的內部的另一側，使所述多個用戶在通過所述虛擬高爾夫裝置進行的所述虛擬高爾夫之後進行所述場地高爾夫；<br/> 果嶺投影儀，其設置於所述混合高爾夫球艙的內部，與所述虛擬高爾夫裝置聯動而向所述實際果嶺上投影影像；<br/> 控制部，其在所述多個用戶各自的虛擬球上到投影到所述螢幕上的虛擬高爾夫球場上的虛擬的果嶺上時，從所述虛擬高爾夫切換到所述場地高爾夫；以及<br/> 擊球監測裝置，其設置於所述混合高爾夫球艙的內部，進行所述場地高爾夫時，在所述實際果嶺上監測用戶的擊球，<br/> 所述控制部在所述虛擬高爾夫之後接著識別所述多個用戶中的每一個在所述實際果嶺上的擊球順序，<br/> 按照所述擊球順序，使輪到該在所述實際果嶺上擊球的使用者的虛擬球影像由所述果嶺投影儀投影到所述實際果嶺上，以引導該用戶的球位置，並根據所述擊球監測裝置的感測，在該用戶進行擊球時使所述果嶺投影儀的影像投影中斷，<br/> 根據所述擊球監測裝置的感測結果，當該用戶的擊球結束時，使輪到下一個擊球的使用者的虛擬球影像由所述果嶺投影儀投影到所述實際果嶺上，以通過引導該使用者的球位置的方式使得各使用者能夠在自己的虛擬球的位置進行所述實際果嶺上的高爾夫打球。
如請求項6所述的混合高爾夫系統，其中，<br/> 所述控制部在所述虛擬高爾夫之後接著識別所述多個用戶中的每一個在所述實際果嶺上的擊球順序，並從所述虛擬高爾夫裝置識別放置在所述虛擬的果嶺上的所述多個用戶各自的虛擬球的位置資訊，<br/> 按照所述擊球順序，使包括輪到該在所述實際果嶺上擊球的使用者的虛擬球影像和形成在除所述輪到該擊球的用戶外的其餘用戶的各虛擬球位置的球標記影像的影像由所述果嶺投影儀投影到所述實際果嶺上。
一種混合高爾夫系統的控制方法，其在混合高爾夫球艙內部空間實現由多個用戶進行的融合了虛擬高爾夫和場地高爾夫的混合高爾夫打球，所述混合高爾夫系統的控制方法的特徵在於，包括：<br/> 由設於所述混合高爾夫球艙的內部的一側的虛擬高爾夫裝置向螢幕上投影虛擬的高爾夫球場的影像，隨著所述多個使用者分別向所述螢幕進行高爾夫擊球而進行球移動的模擬，從而進行所述虛擬高爾夫的步驟；<br/> 從所述虛擬高爾夫切換到所述多個用戶在設於所述混合高爾夫球艙的內部的另一側的實際果嶺上進行的所述場地高爾夫的步驟；以及<br/> 通過設置於所述混合高爾夫球艙的內部，且與所述虛擬高爾夫裝置聯動而向所述實際果嶺上投影影像的果嶺投影儀使在所述虛擬高爾夫裝置中執行的虛擬高爾夫的打球狀態能夠以影像投影到所述實際果嶺上，使得所述多個用戶個在所述虛擬高爾夫之後能夠在所述實際果嶺上進行打球的步驟，<br/> 使得能夠在所述實際果嶺上進行打球的步驟包括：<br/> 在所述虛擬高爾夫之後，根據所述多個使用者各自的所述實際果嶺上的擊球順序使輪到該在所述實際果嶺上擊球的使用者的虛擬球影像由所述果嶺投影儀投影到所述實際果嶺上的步驟；<br/> 根據設置於所述混合高爾夫球艙的內部，且進行所述場地高爾夫時，在所述實際果嶺上監測用戶的擊球的擊球監測裝置的感測，在該用戶擊球時使所述果嶺投影儀的影像投影中斷的步驟；以及<br/> 根據所述擊球監測裝置的感測結果，當該用戶的擊球結束時，使輪到下一個擊球的使用者的虛擬球影像由所述果嶺投影儀投影到所述實際果嶺上的步驟。
如請求項8所述的混合高爾夫系統的控制方法，其中，<br/> 使得能夠在所述實際果嶺上進行打球的步驟包括：<br/> 將以使放置在投影到所述螢幕上的虛擬高爾夫球場的虛擬的果嶺上的所述多個用戶各自的虛擬球在視覺上能夠區分的方式形成的影像從所述虛擬高爾夫裝置傳遞至所述果嶺投影儀的步驟；以及<br/> 所述果嶺投影儀將接收到的所述影像按照所述實際果嶺的大小進行縮放並投影到所述實際果嶺上的步驟。
一種訓練一人工智慧模型的運算裝置，包含：<br/> 一儲存裝置，用以儲存一程式碼，其中該程式碼包含該人工智慧模型，以及該人工智慧模型包含一物體檢測器、一交互行為解碼器以及連接該物體檢測器與該交互行為解碼器的一多層感知器；以及<br/> 一處理器，用以載入並執行該程式碼，其中該人工智慧模型會執行以下訓練操作：<br/> 於一第一階段，先對該物體檢測器進行訓練；以及<br/> 於一第二階段，利用該第一階段所獲得的參數來初始化該物體檢測器的一部分，並對該人工智慧模型進行訓練，其中該人工智慧模型的訓練包含利用一預訓練模型來進行一知識蒸餾訓練，以將該預訓練模型的知識遷移至該多層感知器的輸出；<br/> 其中物體檢測器是一基於即時檢測轉換器的物體檢測器，該基於即時檢測轉換器的物體檢測器包含有一轉換器編碼器、一檢測解碼器以及一前饋神經網路，並且該檢測解碼器採用可變形自注意力。
如請求項1所述之運算裝置，其中該物體檢測器的該部分為該基於即時檢測轉換器的物體檢測器的該檢測解碼器。
如請求項2所述之運算裝置，其中該預訓練模型為一基於對比學習的多模態模型。
如請求項3所述之運算裝置，其中該基於對比學習的多模態模型為一對比語言-圖像預訓練模型。
如請求項4所述之運算裝置，其中該檢測解碼器的輸出作為該多層感知器的輸入，以及該知識蒸餾訓練是利用該對比語言-圖像預訓練模型的一文本編碼器的輸出。
一種訓練一人工智慧模型的方法，包含：<br/> 於一第一階段，先對該人工智慧模型中的一物體檢測器進行訓練，其中該人工智慧模型包含該物體檢測器、一交互行為解碼器以及連接該物體檢測器與該交互行為解碼器的一多層感知器；以及<br/> 於一第二階段，利用該第一階段所獲得的參數來初始化該物體檢測器的一部分，並對該人工智慧模型進行訓練，其中該人工智慧模型的訓練包含利用一預訓練模型來進行一知識蒸餾訓練，以將該預訓練模型的知識遷移至該多層感知器的輸出；<br/> 其中物體檢測器是一基於即時檢測轉換器的物體檢測器，該基於即時檢測轉換器的物體檢測器包含有一轉換器編碼器、一檢測解碼器以及一前饋神經網路，並且該檢測解碼器採用可變形自注意力。
如請求項6所述之方法，其中該物體檢測器的該部分為該基於即時檢測轉換器的物體檢測器的該檢測解碼器。
如請求項7所述之方法，其中該預訓練模型為一基於對比學習的多模態模型。
如請求項8所述之方法，其中該基於對比學習的多模態模型為一對比語言-圖像預訓練模型。
如請求項9所述之方法，其中該檢測解碼器的輸出作為該多層感知器的輸入，以及該知識蒸餾訓練是利用該對比語言-圖像預訓練模型的一文本編碼器的輸出。
一種探針系統（10），其經配置以退火一約瑟夫接面（Josephson junction，JJ）裝置（47）以形成量子位元，包括： <br/>一熱源（90），用於產生一波束（91）； <br/>一夾頭（chuck）（30），其定義一支撐表面，經配置以支撐一被測裝置（device under test，DUT）（44）； <br/>探針組件（20），其定義一探針尖端（24），經配置以電氣接觸所述被測裝置（44）； <br/>一信號分析組件（70）；以及 <br/>一控制器（60），與所述信號分析組件（70）連接，並經程式化以透過以下方式控制所述探針系統（10）的操作： <br/>控制所述探針組件（20）接觸所述被測裝置（44）的至少一個焊墊（48），其中所述至少一個焊墊（48）電氣連接到所述約瑟夫接面裝置（47）； <br/>透過所述熱源（90），在所述被測裝置（44）上發射所述波束（91），其中所述約瑟夫接面裝置（47）形成在所述被測裝置（44）中； <br/>透過所述信號分析組件（70），經由所述探針組件（20）從所述被測裝置（44）取得一結果信號；以及 <br/>透過所述信號分析組件（70），根據所述結果信號測量所述約瑟夫接面裝置（47）的一電氣特性。
如請求項1所述的探針系統，其中所述控制器（60）進一步經程式化以透過以下方式控制所述探針系統（10）的操作： <br/>決定所述電氣特性的值是否位於一目標範圍內； <br/>當所述電氣特性的值位於所述目標範圍內時，透過所述熱源（90），終止所述波束（91）的發射；以及 <br/>當所述電氣特性的值不位於所述目標範圍內時，透過所述熱源（90），用所述波束（91）退火所述約瑟夫接面裝置（47），其中退火所述約瑟夫接面裝置（47）改變所述量子位元的頻率。
如請求項1所述的探針系統，其中所述被測裝置（44）包括基板（45）和兩個電容極板（capacitive plates）（46），且所述約瑟夫接面裝置（47）是在所述基板（45）上的兩個電容極板（46）之間形成的鋁、鋁氧化物或鋁三層材料構成之約瑟夫接面。
如請求項3所述的探針系統，其中所述波束（91）具有直徑（DI），所述波束（91）的直徑（DI）包含所述兩個電容極板（46）的至少一個部分。
如請求項1所述的探針系統，其中所述波束（91）具有532奈米（nm）的波長。
如請求項1所述的探針系統，其中所述波束（91）是高斯波束。
如請求項6所述的探針系統，其中所述波束（91）被導向所述約瑟夫接面裝置（47）。
如請求項7所述的探針系統，其中所述波束（91）直接照射所述約瑟夫接面裝置（47）。
如請求項8所述的探針系統，其中所述波束（91）加熱所述被測裝置（44）的基板（45）。
如請求項9所述的探針系統，其中所述波束（91）加熱所述約瑟夫接面裝置（47）的鋁部分。
如請求項10所述的探針系統，其中所述波束（91）進一步加熱所述約瑟夫接面裝置（47）的鋁氧化物部分。
如請求項2所述的探針系統，其中用所述熱源（90）退火所述約瑟夫接面裝置（47）包括藉由所述波束（91）使所述約瑟夫接面裝置（47）的溫度均勻增加。
如請求項1所述的探針系統，其中所述探針組件（20）在透過所述熱源（90）用所述波束（91）退火所述約瑟夫接面裝置（47）之前與所述至少一個焊墊（48）接觸。
如請求項1所述的探針系統，進一步包括： <br/>一顯微鏡（85），用於引導所述波束（91）到一目標區域；以及 <br/>一光學影像裝置（80），與所述控制器（60）連接，並用於擷取一影像，其中所述目標區域位於所述光學影像裝置的感測器上，且所述控制器（60）進一步被程式化以透過以下方式控制所述探針系統（10）的操作： <br/>根據所述影像，透過所述熱源（90）調整所述波束（91）的目標位置（TL）。
如請求項1所述的探針系統，其中所述電氣特性至少包括電阻。
一種操作探針系統的方法，包括： <br/>提供如請求項1所述的探針系統（10）； <br/>反應於所述探針組件（20）接觸所述被測裝置（44）的所述至少一焊墊（48），透過所述熱源（90）用所述波束（91）退火所述約瑟夫接面裝置（47）。
如請求項16所述的方法，其中退火所述約瑟夫接面裝置（47）包括： <br/>決定所述電氣特性的值是否位於一目標範圍內；以及 <br/>反應於所述電氣特性的值不位於所述目標範圍內，用所述波束（91）退火所述約瑟夫接面裝置（47），其中退火所述約瑟夫接面裝置（47）改變所述量子位元的頻率。
如請求項17所述的方法，進一步包括： <br/>反應於所述電氣特性的值位於所述目標範圍內，透過所述熱源（90）終止發射所述波束（91）。
一種基於金屬沉積保護處理晶片引腳的裝置，包含：<br/> 一導線架，該導線架具有一側壁；<br/> 該導線架於每個晶片引腳的四周透過預先蝕刻的一凹槽，並在該側壁沉積一合金金屬層，該合金金屬層為一活性較低的金屬合金材料；<br/> 一金屬線，該金屬線用於將該導線架及一裸晶接合，使其有訊號連接；<br/> 其中該導線架透過蝕刻將四周圍蝕刻出一方型框範圍，並且將該方型框範圍沉積該合金金屬層，該合金金屬層為一活性較低的金屬，使其不易在高溫高壓高濕度情況下有金屬位移造成導電的情況。
一種如請求項1所述之基於金屬沉積保護處理晶片引腳的裝置的製造方法，包括下列步驟:<br/> (1) 貼模，確定導線架形狀；<br/> (2) 曝光，將導線架需要蝕刻的範圍透過特殊顯影劑並曝光將導線架範圍確定；<br/> (3) 蝕刻，經過曝光後將需要蝕刻的範圍透過化學方式進行蝕刻，其中一方形框的結構在此製成會將此結構蝕刻完全；<br/> (4) 金屬沉積，將第(3)點所述之方形框沉積一活性較低的金屬層；<br/> (5) 電鍍，將上述完整形狀的導線架鍍上一層金屬；<br/> (6) 貼切，將個別的導線架切割下來。
如請求項1所述之基於金屬沉積保護處理晶片引腳的裝置，其中該活性較低的金屬合金材料為含有Pd(鈀)，Au(金)，錫(Tin)等金屬的合金。
如請求項1所述之基於金屬沉積保護處理晶片引腳的裝置，其中，該導線架不限制引腳的數量及大小，包括QFN8、QFN16、QFN32、QFN64、QFN128。
一種基於金屬沉積保護處理晶片引腳的裝置，包含：<br/> 一封裝前的晶圓，將其切割成裸晶，用於封裝成QFN封裝晶片；<br/> 一晶片載板，用於放置及固定裸晶；<br/> 一導線架，該導線架具有一側壁，其中該導線架於每個晶片引腳的四周透過預先蝕刻的一凹槽，並在該側壁沉積一合金金屬層，該合金金屬層為一活性較低的金屬合金材料；<br/> 一金屬線，其中該金屬線用於將導線架及裸晶接合，使其有訊號連接；<br/> 一保護材料，該保護材料用於保護該基於金屬沉積保護處理晶片引腳的裝置不受損及不受外力影響並增加該基於金屬沉積保護處理晶片引腳的裝置之機械結構的強度；<br/> 其中該導線架透過蝕刻將四周圍蝕刻出一方型框範圍，並且將該方型框範圍沉積該合金金屬層，該合金金屬層為一活性較低的金屬，使其不易在高溫高壓高濕度情況下有金屬位移造成導電的情況。
如請求項5所述之基於金屬沉積保護處理晶片引腳的裝置，其中該活性較低的金屬合金材料為含有Pd(鈀)，Au(金)，錫(Tin)等金屬的合金。
如請求項5所述之基於金屬沉積保護處理晶片引腳的裝置，其中，該導線架不限制引腳的數量及大小，包括QFN8、QFN16、QFN32、QFN64、QFN128。
一種基於金屬沉積保護處理晶片引腳的裝置製造方法，包含:<br/> 將一封裝前的晶圓，切割成一裸晶；<br/> 並且將該裸晶放置及固定在一晶片載板上；<br/> 在一導線架的四周圍蝕刻出一方形框，其中該導線架具有一側壁，並沉積一合金金屬層在該導線架的該側壁上，該合金金屬層為一活性較低的金屬合金材料；<br/> 使用一金屬線將導線架及該裸晶接合，使其有訊號連接；<br/> 接著透過一保護材料包圍該金屬線及該裸晶使其露出引腳。
如請求項8所述之基於金屬沉積保護處理晶片引腳的裝置製造方法，其中該活性較低的金屬合金材料為含有Pd(鈀)，Au(金)，錫(Tin)等金屬的合金。
如請求項8所述之金屬沉積保護處理晶片引腳的裝置製造方法，其中，該金屬線為金 。
一種封裝基板之製法，包括：提供一承載件、二封裝結構、二承載單元及複數絕緣層，其中，該承載件之相對兩側上形成有二第一跡線層，各所述承載單元之一側上形成有一第二跡線層，且所述封裝結構各具有相對之二佈線層；令所述封裝結構位於該承載件之相對兩側，令所述承載單元分別位於所述封裝結構之外側，所述絕緣層分別位於所述封裝結構與所述承載單元之間以及所述封裝結構與該承載件之間，並以壓合製程將所述承載單元、所述封裝結構及所述絕緣層對稱結合至該承載件之相對兩側，使所述第一跡線層、所述第二跡線層及所述佈線層嵌埋於所述絕緣層中；以及移除該承載件。
如請求項1所述之封裝基板之製法，更包括在移除該承載件之後，於所述絕緣層中形成複數開孔，以外露所述佈線層。
如請求項2所述之封裝基板之製法，更包括以圖案化製程於所述開孔中及所述絕緣層上分別形成複數導電柱及線路層，並令所述導電柱電性連接所述佈線層，且令該線路層電性連接所述第一跡線層。
如請求項1所述之封裝基板之製法，更包括在移除該承載件之後，於所述絕緣層中形成複數開孔，以外露所述佈線層。
如請求項4所述之封裝基板之製法，其中，該第一跡線層或該第二跡線層更外露於所述開孔。
如請求項4所述之封裝基板之製法，更包括於所述開孔中分別形成複數導電柱，並於所述絕緣層及所述導電柱上形成線路層，而使所述導電柱電性連接所述佈線層，該線路層電性連接所述第一跡線層及所述導電柱，或電性連接所述第二跡線層及所述導電柱。
如請求項6所述之封裝基板之製法，更包括於形成所述導電柱及該線路層之後，移除該線路層，以外露所述第一跡線層、所述第二跡線層及所述導電柱，並令所述導電柱與該絕緣層齊平。
如請求項7所述之封裝基板之製法，更以蝕刻製程移除部分所述第一跡線層及所述第二跡線層，以令所述第一跡線層及所述第二跡線層之高度低於該絕緣層。
如請求項1所述之封裝基板之製法，其中，該封裝結構包含一核心板體、佈設於該核心板體之相對兩側上之內線路層及介電層，以及貫通該核心板體並電性連接該內線路層之複數導電通孔，其中，所述佈線層設於該介電層上並電性連接該內線路層。
一種封裝基板，包括：封裝結構，包含一核心板體、佈設於該核心板體之相對兩側上之內線路層及介電層、貫通該核心板體並電性連接該內線路層之複數導電通孔，以及設於該介電層上並電性連接該內線路層之佈線層；二絕緣層，形成於該封裝結構之相對兩側上並嵌埋有該佈線層；複數導電柱，嵌埋於所述絕緣層中並電性連接該佈線層；第一跡線層，嵌埋於所述絕緣層之一者中並外露於所述絕緣層；以及第二跡線層，嵌埋於所述絕緣層之另一者中並外露於所述絕緣層；其中，部分該第一跡線層及部分該第二跡線層分別與所述絕緣層齊平。
如請求項10所述之封裝基板，更包括一形成於所述絕緣層及所述導電柱上並電性連接所述第一跡線層之線路層。
如請求項10所述之封裝基板，其中，所述導電柱電性連接該第一跡線層或該第二跡線層。
如請求項10所述之封裝基板，其中，所述導電柱與該絕緣層齊平。
如請求項10所述之封裝基板，其中，部分該第一跡線層及部分該第二跡線層之高度低於該絕緣層。
一種光學裝置，係具備：<br/> 支撐部，係能夠支撐觀察對象，前述觀察對象係至少一部分接觸觀察液；<br/> 光學系統，係包含透鏡，前述透鏡係將基於照明光而成之包含來自前述觀察液的螢光以及散射光的至少任一者之反應光聚光；<br/> 檢測器，係檢測前述反應光；以及<br/> 計測部，係基於在前述透鏡與前述支撐部之包含複數個相對高度的相對位置處之來自前述觀察液的前述反應光的檢測結果取得接觸前述觀察液之前述觀察對象的表面的形狀資訊；<br/> 前述計測部係基於不同位置的前述檢測結果的差異取得前述表面的形狀資訊；<br/> 前述不同位置係包含與前述觀察液所在之部分對應的位置及與前述觀察對象所在之部分對應的位置。
一種光學裝置，係具備：<br/> 支撐部，係能夠支撐觀察對象，前述觀察對象係至少一部分接觸觀察液；<br/> 光學系統，係包含透鏡，前述透鏡係將基於照明光而成之包含來自前述觀察液的螢光以及散射光的至少任一者之反應光聚光；<br/> 檢測器，係檢測前述反應光；以及<br/> 計測部，係基於在前述透鏡與前述支撐部之包含複數個相對高度的相對位置處之來自前述觀察液的前述反應光的檢測結果取得接觸前述觀察液之前述觀察對象的表面的形狀資訊；<br/> 前述檢測結果係基於有無超過臨限值的前述反應光而得。
如請求項1或2所記載之光學裝置，其中前述照明光係具有比起與前述觀察液所含有之預定的構成物的能帶間隙對應之波長還長之波長；<br/> 來自前述觀察液的前述反應光係包含前述構成物的多光子激發所激發之光子激發光。
如請求項1或2所記載之光學裝置，其中前述計測部係包含：<br/> 顯示控制部，係根據前述形狀資訊形成前述觀察對象的三維的前述表面的形狀以供使用者目視確認；以及<br/> 顯示部，係顯示前述觀察對象的形狀以供前述使用者目視確認。
如請求項1或2所記載之光學裝置，其中前述透鏡係設置於前述觀察液外的周圍環境；<br/> 前述透鏡的主光軸係相對於前述觀察液與前述周圍環境之邊界面呈略為垂直。
如請求項1或2所記載之光學裝置，其中前述透鏡係包含：浸液物鏡，係物鏡接觸前述觀察液。
如請求項1或2所記載之光學裝置，其中前述透鏡亦為用以對前述觀察對象或前述觀察液照射前述照明光之透鏡；<br/> 前述表面係包含下述表面：於將與前述透鏡的開口數對應的角度設為θ1且將前述表面與和前述透鏡的光軸垂直的平面所成的角度設為θ2時成為θ1＜θ2。
如請求項1或2所記載之光學裝置，其中前述觀察對象係對照於前述照明光以及前述反應光而呈透明；<br/> 前述觀察液的折射率係與前述觀察對象的折射率呈略為相同。
如請求項8所記載之光學裝置，其中計測部係基於前述觀察對象的下方的表面附近的前述反應光取得前述表面的形狀資訊。
如請求項1或2所記載之光學裝置，其中前述計測部係取得第一資訊，前述第一資訊係有關於下述兩個檢測結果的差異：在第一位置處由前述檢測器所檢測的檢測結果；以及在相對於前述第一位置於第一座標軸的方向呈差異之第二位置處由前述檢測器所檢測的檢測結果；<br/> 前述計測部係取得第二資訊，前述第二資訊係有關於下述兩個檢測結果的差異：在前述第一位置處由前述檢測器所檢測的檢測結果；以及在相對於前述第一位置於與前述第一座標軸呈垂直之第二座標軸的方向呈差異之第三位置處由前述檢測器所檢測的檢測結果；<br/> 前述計測部係取得第三資訊，前述第三資訊係有關於下述兩個檢測結果的差異：在前述第一位置處由前述檢測器所檢測的檢測結果；以及在相對於前述第一位置於與前述第一座標軸以及前述第二座標軸呈垂直之第三座標軸的方向呈差異之第四位置處由前述檢測器所檢測的檢測結果；<br/> 前述計測部係基於前述第一資訊、前述第二資訊以及前述第三資訊，取得前述第一位置處之相對於各座標軸之前述觀察對象的前述表面的傾斜度。
如請求項10所記載之光學裝置，其中前述第一資訊、前述第二資訊以及前述第三資訊係包含微分值；<br/> 前述計測部係認定成前述觀察對象的前述表面存在於與以前述微分值作為成分的合成向量呈正交之面並取得前述形狀資訊。
如請求項1或2所記載之光學裝置，其中前述光學系統係包含共焦點光學系統；<br/> 前述檢測器係檢測第一反應光以及第二反應光，前述第一反應光係包含來自前述觀察液的前述散射光以及單光子激發的前述螢光的至少任一者，前述第二反應光係包含來自前述觀察液的多光子激發的光子激發光；<br/> 前述計測部係更包含：控制部，係將前述照明光切換成至少下述兩種模式：第一模式，係優先地使前述第一反應光產生；以及第二模式，係優先地使前述第二反應光產生。
如請求項12所記載之光學裝置，其中前述控制部係在前述觀察對象與前述觀察液之邊界的近處以外時是切換成前述第一模式，在前述邊界的近處時是切換成前述第二模式。
一種計測方法，係具備下述步驟：<br/> 以支撐部來支撐至少一部分接觸觀察液之觀察對象；<br/> 以光學系統中的透鏡來將基於照明光而成之包含來自前述觀察液的螢光以及散射光的至少任一者之反應光聚光；<br/> 以檢測器來檢測前述反應光；以及<br/> 基於在前述透鏡與前述支撐部之包含複數個相對高度的相對位置處之來自前述觀察液的前述反應光的檢測結果，在計測部中取得接觸前述觀察液之前述觀察對象的表面的形狀資訊；<br/> 前述計測部係基於不同位置的前述檢測結果的差異取得前述表面的形狀資訊；<br/> 前述不同位置係包含與前述觀察液所在之部分對應的位置及與前述觀察對象所在之部分對應的位置。
一種計測方法，係具備下述步驟：<br/> 以支撐部來支撐至少一部分接觸觀察液之觀察對象；<br/> 以光學系統中的透鏡來將基於照明光而成之包含來自前述觀察液的螢光以及散射光的至少任一者之反應光聚光；<br/> 以檢測器來檢測前述反應光；以及<br/> 基於在前述透鏡與前述支撐部之包含複數個相對高度的相對位置處之來自前述觀察液的前述反應光的檢測結果，在計測部中取得接觸前述觀察液之前述觀察對象的表面的形狀資訊；<br/> 前述檢測結果係基於有無超過臨限值的前述反應光而得。
如請求項14或15所記載之計測方法，其中前述照明光係具有比起與前述觀察液所含有之預定的構成物的能帶間隙對應之波長還長之波長；<br/> 來自前述觀察液的前述反應光係包含前述構成物的多光子激發所激發之光子激發光。
如請求項14或15所記載之計測方法，其中在前述計測部中進行取得的步驟係包含下述步驟：<br/> 根據前述形狀資訊使顯示控制部形成前述觀察對象的三維的前述表面的形狀以供使用者目視確認；以及<br/> 以顯示部來顯示前述觀察對象的形狀以供前述使用者目視確認。
如請求項14或15所記載之計測方法，其中前述透鏡係設置於前述觀察液外的周圍環境；<br/> 前述透鏡的主光軸係相對於前述觀察液與前述周圍環境之邊界面呈略為垂直。
如請求項14或15所記載之計測方法，其中前述透鏡係包含：浸液物鏡，係物鏡接觸前述觀察液。
如請求項14或15所記載之計測方法，其中前述透鏡亦為用以對前述觀察對象或前述觀察液照射前述照明光之透鏡；<br/> 前述表面係包含下述表面：於將與前述透鏡的開口數對應的角度設為θ1且將前述表面與和前述透鏡的光軸垂直的平面所成的角度設為θ2時成為θ1＜θ2。
如請求項14或15所記載之計測方法，其中前述觀察對象係對照於前述照明光以及前述反應光而呈透明；<br/> 前述觀察液的折射率係與前述觀察對象的折射率呈略為相同。
如請求項21所記載之計測方法，其中計測部係基於前述觀察對象的下方的表面附近的前述反應光取得前述表面的形狀資訊。
如請求項14或15所記載之計測方法，其中在前述計測部中進行取得的步驟中進行：<br/> 取得第一資訊，前述第一資訊係有關於下述兩個檢測結果的差異：在第一位置處由前述檢測器所檢測的檢測結果；以及在相對於前述第一位置於第一座標軸的方向呈差異之第二位置處由前述檢測器所檢測的檢測結果；<br/> 取得第二資訊，前述第二資訊係有關於下述兩個檢測結果的差異：在前述第一位置處由前述檢測器所檢測的檢測結果；以及在相對於前述第一位置於與前述第一座標軸呈垂直之第二座標軸的方向呈差異之第三位置處由前述檢測器所檢測的檢測結果；<br/> 取得第三資訊，前述第三資訊係有關於下述兩個檢測結果的差異：在前述第一位置處由前述檢測器所檢測的檢測結果；以及在相對於前述第一位置於與前述第一座標軸以及前述第二座標軸呈垂直之第三座標軸的方向呈差異之第四位置處由前述檢測器所檢測的檢測結果；以及<br/> 基於前述第一資訊、前述第二資訊以及前述第三資訊，取得前述第一位置處之相對於各座標軸之前述觀察對象的前述表面的傾斜度。
如請求項23所記載之計測方法，其中前述第一資訊、前述第二資訊以及前述第三資訊係包含微分值；<br/> 在前述計測部中進行取得的步驟中進行：<br/> 認定成前述觀察對象的前述表面存在於與以前述微分值作為成分的合成向量呈正交之面並取得前述形狀資訊。
如請求項14或15所記載之計測方法，其中前述光學系統係包含共焦點光學系統；<br/> 以前述檢測器來檢測的步驟係包含下述步驟：<br/> 檢測第一反應光，前述第一反應光係包含來自前述觀察液的前述散射光以及單光子激發的前述螢光的至少任一者；以及<br/> 檢測第二反應光，前述第二反應光係包含來自前述觀察液的多光子激發的光子激發光；<br/> 前述計測方法更具備了下述步驟：<br/> 藉由控制部將前述照明光切換成至少下述兩種模式：第一模式，係優先地使前述第一反應光產生；以及第二模式，係優先地使前述第二反應光產生。
如請求項25所記載之計測方法，其中在藉由前述控制部進行切換的步驟中進行：<br/> 在前述觀察對象與前述觀察液之邊界的近處以外時是切換成前述第一模式，在前述邊界的近處時是切換成前述第二模式。
一種具有彈性的磁性夾具，其包含:<br/> 一導磁面板，其包含一方格陣列以及複數個線圈，該方格陣列位於該導磁面板表面，該方格陣列經由複數個方格相鄰的排列後所形成，該導磁面板內對應每一個該方格設置一個該線圈，該導磁面板可以經由內部的各該線圈導通一電流後始得各該方格產生磁場； <br/> 至少一個彈性件，設置於其中一個該方格內，包含一上磁鐵和一下磁鐵間隔設置，該上磁鐵與該下磁鐵相鄰的一側磁極相同以產生一間隙其中，該下磁鐵鄰近其中一個該方格設置，其中，該間隙的大小依據於該上磁鐵朝向該下磁鐵施加的一外力而改變。
如請求項1所述之具有彈性的磁性夾具，該彈性件還包含一上部件與該上磁鐵結合，以及一下部件與該下磁鐵結合，該上部件依據該外力以朝向該下部件靠近或遠離。
如請求項2所述之具有彈性的磁性夾具，該彈性件還包含一上螺絲及一下螺絲，該上磁鐵及下磁鐵為一環狀體，該上螺絲貫穿於該上磁鐵，並與該上部件結合；該下螺絲貫穿於該下磁鐵，並與該下部件結合。
如請求項3所述之具有彈性的磁性夾具，該上部件其中一端包含一第一開口，該上部件包含一上結合部，該上結合部於該上部件的一封閉端朝向該第一開口突出延伸，該上螺絲螺鎖於該上結合部以固定該上磁鐵於該上部件內。
如請求項4所述之具有彈性的磁性夾具，該下部件其中一端還包含一第二開口，該下部件以該第二開口對應該第一開口的穿設於該上部件內，該下部件與該上部件結合後，該上結合部於該第二開口伸入該下部件內。
如請求項2所述之具有彈性的磁性夾具，該上部件還包含二個第一排孔貫穿於該上部件環周面的其中一相對兩側，該下部件還包含二第二排孔凹設於該下部件環周面的其中一相對兩側，該下部件與該上部件結合後，二個該第二排孔分別與該上部件的二個該第一排孔對齊連通。
如請求項6所述之具有彈性的磁性夾具，該下部件其中一端包含一第二開口，二個該第二排孔為長孔朝向該第二開口的方向延伸，二個該第二排孔之長度大於二個該第一排孔。
如請求項2所述之具有彈性的磁性夾具，該下部件還包含一螺鎖部，該螺鎖部於該下部件的一第二端面沿軸心凸出，該螺鎖部可螺鎖於該導磁面板。
一種用於顯示面板的溫度管理方法，所述方法由顯示驅動積體電路執行，包括：<br/> 由所述顯示驅動積體電路檢測所述顯示面板的邊緣電阻線的阻抗值，所述邊緣電阻線沿所述顯示面板的邊緣進行布置；以及<br/> 由所述顯示驅動積體電路基於所述邊緣電阻線的阻抗值來確定所述顯示面板的溫度信息；<br/> 其中，所述基於所述邊緣電阻線的阻抗值來確定所述顯示面板的溫度信息，包括：<br/> 由所述顯示驅動積體電路在不同溫度下檢測所述邊緣電阻線的至少兩個阻抗值；<br/> 由所述顯示驅動積體電路基於所述至少兩個阻抗值及其對應的溫度來確定所述溫度阻抗映射關係；以及<br/> 由所述顯示驅動積體電路使用預先生成的溫度阻抗映射關係，基於所述邊緣電阻線的阻抗值來確定所述顯示面板的溫度信息。
如請求項1所述的方法，還包括： 由所述顯示驅動積體電路基於所確定的溫度信息對所述顯示面板執行溫度補償。
如請求項2所述的方法，其中，所述溫度補償包括：<br/> 由所述顯示驅動積體電路基於所確定的溫度信息來調整所述顯示面板的一個或多個參數，其中，所述一個或多個參數包括所述顯示面板的源電壓V<sub>Source</sub>、負極電壓ELVSS、正極電壓ELVDD、初始化正電壓VINITP、初始化負電壓VINITN、高閘極電壓VGH和低閘極電壓VGL。
如請求項3所述的方法，其中，基於所確定的溫度信息來調整所述顯示面板的一個或多個參數，包括：<br/> 由所述顯示驅動積體電路使用與所確定的溫度信息相對應的溫度補償曲線來調整所述一個或多個參數，其中，所述溫度補償曲線是基於用於不同溫度的至少兩個預設溫度補償曲線而確定的。
如請求項1所述的方法，還包括：<br/> 由所述顯示驅動積體電路檢測所述顯示面板的邊緣電阻線的不同分段的多個分段阻抗值，所述不同分段對應於所述顯示面板的不同區域；<br/> 由所述顯示驅動積體電路基於所述多個分段阻抗值來確定所述顯示面板的所述不同區域的溫度信息；以及<br/> 由所述顯示驅動積體電路基於所述不同區域的所述溫度信息對所述顯示面板執行所述溫度補償。
如請求項1所述的方法，其中，<br/> 所述溫度管理方法是周期性執行，包括：每隔預定數量的幀或預定時間，由所述顯示驅動積體電路執行一次所述溫度管理方法；或者<br/> 所述溫度管理方法是響應於處理器的指令而執行的。
一種用於顯示面板的積體電路，包括：<br/> 處理電路；和<br/> 記憶體，在所述記憶體中存儲有計算機程序指令，<br/> 其中，在所述計算機程序指令被所述處理電路運行時，使得所述積體電路執行請求項1-6中任一項所述的用於顯示面板的溫度管理方法。
一種顯示面板，包括：<br/> 邊緣電阻線，沿所述顯示面板的邊緣進行布置；以及<br/> 如請求項7所述的積體電路，所述積體電路耦合到所述邊緣電阻線。
一種終端設備，包括：<br/> 如請求項8所述的顯示面板；以及<br/> 處理器，被配置爲接收所述溫度信息，並基於所述溫度信息對所述終端設備的操作進行控制。
如請求項9所述的終端設備，其中，所述處理器基於所述溫度信息對所述終端設備的操作進行控制包括以下中的至少一項：<br/> 電源管理、散熱管理，以及處理器模式管理。
一種清洗槍，包括：<br/> 一主體，圍構有一腔室；<br/> 一槍體，組接於該主體，包含有一連通該腔室之進氣通道；<br/> 一排出通道，設於該主體，連通該腔室與外界；<br/> 一導氣通道，設於該主體，連通該進氣通道與該腔室；及<br/> 複數流體通道，設於該主體且分別連通該腔室，各該流體通道可選擇性地供連通一工作組件；<br/> 其中，該複數流體通道包含有一第二排出通道與至少一導入通道，該第二排出通道之開口方向係非平行於該排出通道之開口方向，該排出通道與該第二排出通道供將位於該腔室之流體排至外界，該至少一導入通道可供流體由該工作組件流入該腔室。
如請求項1所述的清洗槍，另包含有一噴氣嘴，該噴氣嘴位該腔室且設於該主體且連通該導氣通道，該噴氣嘴與該排出通道以一虛擬直線為軸地呈同軸配置。
如請求項2所述的清洗槍，其中該虛擬直線將該主體切分成一上部與一下部，複數該流體通道分設於該上部與該下部。
如請求項1所述的清洗槍，另包含有一多孔隙載體，該多孔隙載體容設於該腔室，該多孔隙載體係位於流體流向該排出通道之路徑上。
如請求項1所述的清洗槍，另包含有一吊掛部，該吊掛部設於該主體以供吊掛。
如請求項1所述的清洗槍，另包含有複數蓋體，該蓋體可選擇性地設於該主體以封閉住一該流體通道。
如請求項1至6其中任一項所述的清洗槍，另包含有一間隔件，該間隔件容設於該腔室並將該腔室間隔成一第一空間與一第二空間，該第一空間連通該導氣通道，該第二空間連通該排出通道，該間隔件貫設有一連通通道，該連通通道連通該第一空間與該第二空間；其中，該第二排出通道係連通該第一空間，該至少一導入通道係連通該第二空間。
如請求項7所述的清洗槍，其中該至少一導入通道之數量係大於該第二排出通道之數量。
如請求項7所述的清洗槍，另包含有一清洗組件、一噴嘴與一閥體，該清洗組件組接於連通該第二排出通道，該噴嘴連接該主體且連通該排出通道，該閥體設於該噴嘴與該排出通道之間進而控制兩者的連通關係；其中，當該閥體阻斷該噴嘴與該排出通道連通時，流體經由該第二排出通道流至該清洗組件。
如請求項3所述的清洗槍，另包含有一多孔隙載體、一吊掛部、複數蓋體、一間隔件、一清洗組件、一噴嘴與一閥體，該多孔隙載體容設於該腔室，該多孔隙載體係位於流體流向該排出通道之路徑上，該吊掛部設於該主體以供吊掛，該蓋體可選擇性地設於該主體以封閉住一該流體通道，該間隔件容設於該腔室並將該腔室間隔成一第一空間與一第二空間，該第一空間連通該導氣通道，該第二空間連通該排出通道，該間隔件貫設有一連通通道，該連通通道連通該第一空間與該第二空間；其中，該第二排出通道係連通該第一空間，該至少一導入通道係連通該第二空間；該至少一導入通道之數量係大於該第二排出通道之數量；該清洗組件組接於連通該第二排出通道，該噴嘴連接該主體且連通該排出通道，該閥體設於該噴嘴與該排出通道之間進而控制兩者的連通關係；其中，當該閥體阻斷該噴嘴與該排出通道連通時，流體經由該第二排出通道流至該清洗組件；該工作組件包含有該清洗組件、該噴嘴、一注入筒、一管路、一瓶體其中一者；至少一組接頭可選擇性地組接連通於至少一該流體通道以供連接該工作組件；該噴氣嘴可拆卸地組接於該主體；該至少一導入通道之數量為二，該二導入通道分設於該上部與該下部；該第二排出通道設於該下部；於該虛擬直線之延伸方向上，位於該上部的該導入通道介於位於該下部的該第二排出通道與另一該導入通道之間；該多孔隙載體容設於該第二空間，且該多孔隙載體位於該排出通道之延伸方向與該第二排出通道之延伸方向上；該清洗組件包含有相連接且連通之一長條管與一噴頭，該長條管連接連通該第二排出通道；該主體另凸伸有一擋垣，該擋垣圍構出一內部空間，該槍體伸入該內部空間地與該主體相連接，該擋垣側向擋止該槍體以防止其相對轉動。
一種主動式驅動LED透聲螢幕，包括：<br/> 一電路基板；<br/> 複數個主動式LED像素封裝體，設置於該電路基板上；<br/> 複數條數據線，電性連接該等主動式LED像素封裝體；<br/> 複數條時脈線，電性連接該等主動式LED像素封裝體；以及<br/> 複數個孔洞，貫穿該電路基板，並形成於該電路基板上並未與該等主動式LED像素封裝體、該等數據線、該等時脈線之位置重疊的一可穿孔區域，<br/> 其中該可穿孔區域佔該電路基板的至少8.0%，<br/> 其中該等主動式LED像素封裝體之每一者包括一或多個紅色子像素、一或多個綠色子像素、一或多個藍色子像素、一LED驅動控制元件。
如請求項1所述之主動式驅動LED透聲螢幕，其中該等孔洞佔該電路基板的至少6.0%。
如請求項1所述之主動式驅動LED透聲螢幕，其中該可穿孔區域佔該電路基板的至少30.0%，且該等孔洞佔該電路基板的至少25.0%。
如請求項1所述之主動式驅動LED透聲螢幕，其中該等主動式LED像素封裝體之其中一者之尺寸小於該等孔洞之其中一者之尺寸。
如請求項1所述之主動式驅動LED透聲螢幕，其中該等主動式LED像素封裝體排列成多列，且同一列中的該等主動式LED像素封裝體以相同的一第一間距排列。
如請求項5所述之主動式驅動LED透聲螢幕，其中該第一間距介於2.00mm至6.00mm之間。
如請求項5所述之主動式驅動LED透聲螢幕，其中該等孔洞之任一者之一尺寸至多為該第一間距減去0.90mm。
如請求項5所述之主動式驅動LED透聲螢幕，其中該等孔洞排列成多列，且同一列中的該等孔洞以相同的一第二間距排列。
如請求項8所述之主動式驅動LED透聲螢幕，其中該第二間距與該第一間距不同。
如請求項8所述之主動式驅動LED透聲螢幕，其中該第二間距與該第一間距之一比例介於1.5至2.5之間。
如請求項1所述之主動式驅動LED透聲螢幕，更包括一顯示驅動IC元件，其中該等主動式LED像素封裝體與該顯示驅動IC元件分別設置於該電路基板之相對表面，且該顯示驅動IC元件之位置並未與該可穿孔區域重疊。
一種滑軌裝置，包含：<br/> 一第一滑軌，具有一第一底板及兩個自該第一底板上下兩側邊橫向延伸的第一側牆；<br/> 一第二滑軌，可活動地設置於該第一滑軌，並具有一第二底板及兩個自該第二底板上下兩側邊橫向延伸的第二側牆；及<br/> 一支撐件，設置於該第二滑軌並抵接該等第二側牆，該支撐件包括一固定地設置於該第二底板的基板、兩個自該基板上下兩側邊橫向延伸且分別抵接該等第二側牆的側板及多個設置於該基板及該等側板之間的加強肋。
如請求項1所述的滑軌裝置，其中，該第二滑軌包括一可活動地設置於該第一滑軌的第一部分及一固接該第一部分的第二部分，該第一部分及該第二部分各自具有該第二底板及該等第二側牆，該支撐件固定地設置於該第一部分的第二底板，該第一部分的第二底板固接該第二部分的第二底板，該第一部分的該等第二側牆的延伸方向相反於該第二部分的該等第二側牆的延伸方向。
一種用於儲存有機錫化合物之方法，其包含： <br/>提供具有頂部空間之多層容器，將該有機錫化合物儲存於該容器中，及用惰性氣體填充該容器之頂部空間， <br/>其中該多層容器包含遮光層、氣體阻隔層及最內層， <br/>其中構成該最內層之材料包含至少一種選自由聚四氟乙烯、酚樹脂、聚乙烯及聚醯胺組成之群的樹脂。
如請求項1之用於儲存有機錫化合物之方法，其中該有機錫化合物具有式(I)： <br/>R<sup>1</sup>SnX<sub>3</sub> (I) <br/>其中R<sup>1</sup>為可經鹵素原子取代之具有1至20個碳原子之烴基，X為可水解基團，且R<sup>1</sup>及一個X可鍵結形成環狀結構。
如請求項1或請求項2之用於儲存有機錫化合物之方法，其進一步包含將連接管連接至該容器之頂部表面部分。
如請求項1或2之用於儲存有機錫化合物之方法，其中該惰性氣體為氬氣。
如請求項4之用於儲存有機錫化合物之方法，其中該氬氣之純度為99.999%或更高。
如請求項4之用於儲存有機錫化合物之方法，其中該氬氣中之氧氣濃度按體積計為3 ppm或更低。
如請求項2之用於儲存有機錫化合物之方法，其中X為鹵素原子、二烷胺基或可經氟原子取代之烷氧基。
如請求項1、2及7中任一項之用於儲存有機錫化合物之方法，其中在25℃及65% RH下轉換為25 μm厚度時該氣體阻隔層之透氧性為100 cm<sup>3</sup>/m<sup>2</sup>·24h·atm或更小。
如請求項1、2及7中任一項之用於儲存有機錫化合物之方法，其中該氣體阻隔層為包含選自由以下組成之群中之至少一者的樹脂層：乙烯-乙烯醇共聚物、間二甲苯二胺-己二酸共縮合物、聚對苯二甲酸乙二酯、聚醯胺、偏二氯乙烯及聚氯三氟乙烯；包含選自由以下組成之群中之至少一者的材料層：氧化矽、氧化鋁及類鑽碳；或上面經蒸氣沉積或塗佈有氧化矽、氧化鋁及/或類鑽碳之樹脂膜。
如請求項1、2及7中任一項之用於儲存有機錫化合物之方法，其中該遮光層包含至少一種選自由以下組成之群的材料：聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚氯乙烯、聚醯胺及ABS樹脂。
如請求項1、2及7中任一項之用於儲存有機錫化合物之方法，其中該遮光層含有著色劑。
如請求項1、2及7中任一項之用於儲存有機錫化合物之方法，其中該遮光層為最外層。
如請求項11之用於儲存有機錫化合物之方法，其中該著色劑為紅色氧化鐵或碳黑。
如請求項1、2及7中任一項之用於儲存有機錫化合物之方法，其中該氣體阻隔層為最外層。
如請求項1、2及7中任一項之用於儲存有機錫化合物之方法，其中該氣體阻隔層安置於該遮光層與該最內層之間。
如請求項1、2及7中任一項之用於儲存有機錫化合物之方法，其中構成該最內層之材料為高密度聚乙烯或超高分子量聚乙烯。
如請求項1、2及7中任一項之用於儲存有機錫化合物之方法，其中儲存期為5天或更久。
如請求項1、2及7中任一項之用於儲存有機錫化合物之方法，其中該樹脂容器係藉由使用充氣方法之擠製成型、使用T字模之擠製成型或吹氣成型來成型。
一種包含儲存於多層容器中的具有式(I)之有機錫化合物的物品，其中該容器之頂部空間填充有惰性氣體， <br/>該多層容器包含遮光層、氣體阻隔層及最內層， <br/>其中該最內層包含至少一種選自由聚四氟乙烯、酚樹脂、聚乙烯及聚醯胺組成之群的材料： <br/>R<sup>1</sup>SnX<sub>3</sub> (I) <br/>其中R<sup>1</sup>為可經鹵素原子取代之具有1至20個碳原子之烴基，X為可水解基團，且R<sup>1</sup>及一個X可鍵結形成環狀結構。
如請求項19之物品，其中該惰性氣體包含純度為99.9995%或更高之氬氣。
如請求項19或請求項20之物品，其中在該有機錫化合物中，X為鹵素原子、二烷胺基或可經氟原子取代之烷氧基。
一種用於製造塗佈溶液之方法，其包含： <br/>自如請求項19之物品移出該有機錫化合物且將其與有機溶劑混合。
一種圖案形成方法，其包含： <br/>自如請求項19之物品移出該有機錫化合物且將其塗佈至基板上，或將藉由混合經移出之有機錫化合物與有機溶劑而獲得之塗佈液體塗佈至基板上以形成薄膜； <br/>用活性能量射線照射該薄膜以獲得具有潛像之薄膜；及 <br/>使該具有潛像之薄膜顯影以獲得具有圖案化層之基板。
一種圖案形成方法，其包含：自如請求項19之物品移出該有機錫化合物且將其供應至CVD設備； <br/>使該有機錫化合物與該CVD設備中之水反應，同時使其沉積至基板上以在該基板上形成薄膜； <br/>用活性能量射線照射該薄膜以獲得具有潛像之薄膜；及 <br/>使該具有潛像之薄膜顯影以獲得具有圖案化層之基板。
一種用於儲存有機錫化合物之方法，其包含提供具有頂部空間之容器，將該有機錫化合物儲存於該容器中，及用具有99.999%或更高之純度之氬氣填充該容器之頂部空間。
如請求項25之用於儲存有機錫化合物之方法，其中該氬氣之純度為99.9995%或更高。
如請求項25或請求項26之用於儲存有機錫化合物之方法，其中該有機錫化合物具有式(I)： <br/>R<sup>1</sup>SnX<sub>3</sub> (I) <br/>其中R<sup>1</sup>為可經鹵素原子取代之具有1至20個碳原子之烴基，X為可水解基團，且R<sup>1</sup>及一個X可鍵結形成環狀結構。
如請求項25或26之用於儲存有機錫化合物之方法，其中該容器為在外側上具備遮光層之玻璃容器。
一種兒童安全座椅，包括：<br/> 座椅本體；<br/> 頂篷；以及<br/> 接合結構，包括：<br/> 固定座，連接到所述座椅本體；<br/> 插座，所述插座連接到所述頂篷並能夠插入所述固定座中；以及<br/> 釋放按鈕，所述釋放按鈕突出於所述插座的外側並與所述插座活動連接，以選擇性地將所述插座鎖定在所述固定座內或解除鎖定；<br/> 其中所述釋放按鈕包括鎖定部，所述鎖定部配置為與所述插座一起插入至所述固定座的中空內部，使所述鎖定部在所述中空內部中與所述固定座卡合，由此將所述插座與所述固定座鎖定。
如請求項1所述之兒童安全座椅，其中所述釋放按鈕包括頂推部，所述頂推部位於所述插座的外側且暴露於所述固定座外部，所述鎖定部插入至所述固定座的所述中空內部時與所述固定座內所設有的止擋部抵靠以鎖定所述插座。
如請求項2所述之兒童安全座椅，其中所述釋放按鈕能夠沿垂直於所述插座插入方向的方向滑動，所述鎖定部在鎖定位置時抵靠所述止擋部，在釋放位置時脫離所述止擋部。
如請求項3所述之兒童安全座椅，其中所述接合結構還包括第三彈性件，所述第三彈性件位於所述釋放按鈕和所述插座之間，以將所述釋放按鈕偏壓向所述鎖定位置。
如請求項3所述之兒童安全座椅，其中所述插座設有限位部，用於限制所述釋放按鈕的滑動範圍，防止其脫離所述插座。
如請求項1所述之兒童安全座椅，其中，所述固定座的內側設有向內凸伸的止擋部，所述止擋部沿所述固定座的周向連續或離散分佈，用於與所述釋放按鈕的所述鎖定部配合鎖定。
如請求項1至6中任一項所述之兒童安全座椅，其中所述頂篷包括第一頂篷桿和第二頂篷桿，所述接合結構還包括第一頂篷桿固定件和第二頂篷桿固定件，所述第一頂篷桿固定件固定於所述插座，所述第一頂篷桿連接至所述第一頂篷桿固定件，所述第二頂篷桿固定件樞轉連接至所述第一頂篷桿固定件，使所述第二頂篷桿能夠相對於所述第一頂篷桿旋轉。
如請求項7所述之兒童安全座椅，其中所述第一頂篷桿固定件設有定位槽，所述第二頂篷桿固定件設有定位突起，並通過所述定位突起與所述定位槽配合實現角度定位。
如請求項1至6中任一項所述之兒童安全座椅，其中所述接合結構還包括封孔件，所述封孔件通過第一彈性件偏壓以在所述插座未插入時封閉所述固定座的開放端，並在所述插座插入時被推離所述開放端。
如請求項9所述之兒童安全座椅，其中所述封孔件設有倒鉤，所述倒鉤的鉤部在所述封孔件移動至所述開放端時抵靠所述固定座內所設有的止擋部，以防止所述封孔件脫離。
一種以單導程心電信號為輸入之多任務生理參數估測系統，其包含：<br/> 一資料擷取模組，用以取得一第一導程心電圖信號；<br/> 一生理參數估測網路模組，用以接收該第一導程心電圖信號；以及<br/> 一神經網路架構，用以逐次心跳的方式將該第一導程心電圖信號推估為一生理參數；以及<br/> 該生理參數包括十二導程完整心電圖、血壓、感壓反射靈敏度及/或左心室射出率。
如請求項1所述的以單導程心電信號為輸入之多任務生理參數估測系統，其進一步包含一信號轉換模組，將該第一導程心電圖信號轉換為一第二導程心電圖信號；該生理參數估測網路模組接收該第二導程心電圖信號；以及該神經網路架構以逐次心跳的方式將該第二導程心電圖信號推估為該生理參數。
如請求項1或2所述的以單導程心電信號為輸入之多任務生理參數估測系統，其進一步包含一序列至序列神經網路模型，用以將該生理參數轉換生成一動脈血壓波，再從該動脈血壓波波型計算轉換出一增強指數。
如請求項2所述的以單導程心電信號為輸入之多任務生理參數估測系統，其進一步包含一輸入嵌入模組，用以將原始該第二導程心電圖信號連續訊號前處理與切割，轉換為固定長度的時間序列區段，將輸入的一文本數據轉換為該輸入嵌入模組可處理的數值向量。
如請求項4所述的以單導程心電信號為輸入之多任務生理參數估測系統，其進一步包含一位置編碼機制，用以賦予該輸入嵌入模組區分相同字符在不同順序組合的意義能力，再輸入到一轉換編碼器模組，該轉換編碼器模組包含一多頭注意力機制，從多個注意力角度抽取序列特徵之間的相依關係，捕捉心電訊號中時間點之間的遠距離依賴特性。
如請求項5所述的以單導程心電信號為輸入之多任務生理參數估測系統，其進一步包含在注意力後方設有一前饋神經網路，並搭配一殘差連接與正規化機制。
如請求項2所述的以單導程心電信號為輸入之多任務生理參數估測系統，其進一步包含一雲端推論模組，用以將該第一導程心電圖信號、該第二導程心電圖信號及/或該生理參數即時傳送至一遠端平台進行處理與回饋。
如請求項1或2所述的以單導程心電信號為輸入之多任務生理參數估測系統，其中：該資料擷取模組為一穿戴式裝置，包含手錶、戒指或腕帶之可貼附並感測一使用者狀態之裝置。
如請求項1所述的以單導程心電信號為輸入之多任務生理參數估測系統，其中：該血壓包含收縮壓及/或舒張壓。
如請求項3所述的以單導程心電信號為輸入之多任務生理參數估測系統，其中：該動脈血壓波包含主動脈、頸動脈、橈動脈、肱動脈及/或股動脈之血壓波；以及該增強指數為評估使用者動脈是否硬化指數。
一種車輛紀錄影像處理方法，運用於一運算裝置，該車輛紀錄影像處理方法包含以下步驟：<br/>(A) 該運算裝置接收一相關於一車輛的拍攝影像，對該拍攝影像執行影像辨識；<br/>(B) 若於步驟(A)中，於該拍攝影像中對應該車輛的車牌的位置能辨識出完整的車牌時，該運算裝置框選該拍攝影像中的車牌；<br/>(C) 該運算裝置將步驟(B)中未框選的影像區域進行馬賽克處理，以使未框選的影像區域模糊化，並維持該車輛的車型及顏色可被識別；及<br/>(D) 該運算裝置將步驟(C)處理後之影像儲存為一憑證影像。
如請求項1所述的車輛紀錄影像處理方法，其中，於步驟(B)中，該運算裝置還於辨識到完整的廠牌標誌時，框選該拍攝影像中的廠牌標誌。
如請求項2所述的車輛紀錄影像處理方法，其中，於步驟(A)中，該運算裝置若未辨識到完整的車牌與完整的廠牌標誌，則刪除該拍攝影像。
如請求項1所述的車輛紀錄影像處理方法，其中，於步驟(B)中，該運算裝置還於辨識到文字標示時，框選該拍攝影像中的文字標示。
如請求項1所述的車輛紀錄影像處理方法，其中，於步驟(D)中，該運算裝置刪除該拍攝影像。
如請求項1所述的車輛紀錄影像處理方法，其中，於步驟(D)中，該運算裝置將該拍攝影像與該憑證影像儲存於一預定儲存位置。
一種車輛紀錄影像處理系統，包含：<br/>一攝像裝置，適用於朝向一車輛拍攝一拍攝影像；及<br/>一運算裝置，信號連接該攝像裝置，接收該拍攝影像，並對該拍攝影像執行影像辨識，該運算裝置於該拍攝影像中對應該車輛的車牌的位置能辨識出完整的車牌時，框選該拍攝影像中的車牌，並將未框選的影像區域進行馬賽克處理，以使未框選的影像區域模糊化，並維持該車輛的車型及顏色可被識別，該運算裝置將處理後之影像儲存為一憑證影像。
一種含膠凍的包裝食品的製法，包含：<br/> 步驟S1，將包括離子性食用膠及水的食用膠溶液在60℃至95℃殺菌5分鐘至60分鐘，得到已殺菌食用膠溶液，且該食用膠溶液與該已殺菌食用膠溶液的pH值範圍皆為大於5.5且9以下，該離子性食用膠具有果膠、結蘭膠、蒟蒻膠、藻膠及藻酸鹽中至少一者；<br/> 步驟S2，將包括陽離子及水的陽離子溶液進行殺菌，得到已殺菌陽離子溶液，該陽離子溶液與該已殺菌陽離子溶液的pH值範圍皆為5以下，該陽離子為二價陽離子；及<br/> 步驟S3，將該已殺菌食用膠溶液與該已殺菌陽離子溶液填充至一包裝容器中，使該已殺菌食用膠溶液與該已殺菌陽離子溶液在該包裝容器中反應形成膠凍，而製得含膠凍的包裝食品。
如請求項1所述的含膠凍的包裝食品的製法，其中，在該步驟S1中，該食用膠溶液與該已殺菌食用膠溶液的pH值範圍皆為6.5且9以下。
如請求項1所述的含膠凍的包裝食品的製法，其中，該食用膠溶液及該陽離子溶液中至少一者還包括可食用粒狀物，從而於該步驟S3中形成的該膠凍包覆該可食用粒狀物。
如請求項1所述的含膠凍的包裝食品的製法，其中，在該步驟S1中，在總量為100wt%的該食用膠溶液中，該離子性食用膠佔0.2wt%至3wt%。
如請求項1所述的含膠凍的包裝食品的製法，其中，在該步驟S1中，該離子性食用膠具有海藻酸鈉、果膠及蒟蒻膠。
如請求項5所述的含膠凍的包裝食品的製法，其中，在該步驟S1中，該海藻酸鈉的用量範圍為0.6wt%至1.4wt%、該果膠的用量範圍為大於0wt%且0.4wt%以下，該蒟蒻膠的用量範圍為大於0wt%且0.4wt%以下。
如請求項1所述的含膠凍的包裝食品的製法，其中，在該步驟S2中，在總量為100wt%的該陽離子溶液中，該陽離子佔0.08wt%至2wt%。
如請求項1所述的含膠凍的包裝食品的製法，其中，在該步驟S3中，填充至該包裝容器中時，該已殺菌食用膠溶液與該已殺菌陽離子溶液的重量比例範圍為10至50：50至90。
一種列印組件，其包含：<br/> 觸點，用以連通至一主機裝置；以及<br/> 一積體電路，其包含：<br/> 讀寫邏輯；<br/> 第一複數個記憶體胞元，用以透過該等觸點中之至少一者來讀取，但不能透過該等觸點寫入；<br/> 第二複數個記憶體胞元，用以藉由該主機裝置透過該等觸點中之至少一者來寫入及讀取，該讀寫邏輯被組配用以進行下列動作：<br/> 使用該等觸點中之至少一者允許該第一複數個記憶體胞元之讀取；以及<br/> 使用該等觸點中之至少一者允許該第二複數個記憶體胞元之讀取及寫入。
如請求項1之列印組件，其中該積體電路係一流體噴射晶粒之部分，其包括用以指導流體噴射致動器之流體噴射邏輯。
如請求項1之列印組件，其中該讀寫邏輯被組配用以進行下列動作：<br/> 使用該等觸點中之一第一觸點來讀取該等第一及第二複數個記憶體胞元之資料；以及<br/> 使用該等觸點中之一第二觸點來寫入至該第二複數個記憶體胞元。
如請求項3之列印組件，其中該積體電路包括連接至該讀寫邏輯之一路由安排，其中該路由安排被組配用以致能對該第一複數個記憶體胞元之寫入，其中該路由安排未連接至該第二觸點。
如請求項4之列印組件，其中該讀寫邏輯被組配用以在該路由安排上需要一邏輯高信號以對該第一複數個記憶體胞元允許寫入。
如請求項4之列印組件，其中該積體電路係一流體噴射晶粒之部分，並且該路由安排延伸至該晶粒之一邊緣。
如請求項6之列印組件，其中當該路由安排連接至一觸點時，該第一複數個記憶體胞元中之一或多個記憶體胞元受到寫入，該觸點係在該寫入之後予以從該流體噴射晶粒移除。
如請求項4之列印組件，其中該路由安排係藉由一材料來覆蓋。
如請求項8之列印組件，其中當該路由安排未藉由該材料來覆蓋時，該第一複數個記憶體胞元中之一或多個記憶體胞元受到寫入，並且其中該材料係在該寫入之後施加至該路由安排。
如請求項4之列印組件，其中該積體電路係一流體噴射晶粒之部分，並且該路由安排與電氣連接至該等觸點以連接至該主機裝置之一組路由安排位在該流體噴射晶粒之同一平面中。
如請求項4之列印組件，其中該讀寫邏輯被組配用以進行下列動作：<br/> 需要一第一寫入致能信號以對該第二複數個記憶體胞元允許寫入；以及<br/> 需要該第一寫入致能信號及一第二寫入致能信號以對該第一複數個記憶體胞元允許寫入。
如請求項4之列印組件，其中該積體電路係一流體噴射晶粒之部分，並且該組件更包含連接至該路由安排之一下拉，該下拉被組配用以致使該路由安排具有一預設邏輯低狀態。
如請求項1之列印組件，該第一複數個記憶體胞元儲存組態位元，該等組態位元要藉由流體噴射邏輯來使用。
如請求項13之列印組件，其中該等組態位元確定該流體噴射晶粒如何轉譯來自該主機裝置之命令。
如請求項13之列印組件，其中該積體電路係一流體噴射晶粒之部分，其包括流體噴射邏輯以指導流體噴射致動器，該第一複數個記憶體胞元儲存組態位元，該等組態位元要藉由該流體噴射邏輯來使用。
如請求項1之列印組件，其中該第一複數個記憶體胞元包括比該第二複數個記憶體胞元更少之記憶體胞元。
如請求項1之列印組件，其中該列印組件係一匣體。
一種流體噴射匣，其包含：<br/> 觸點，用以連接至一主機裝置；以及<br/> 一流體噴射晶粒，其包含：<br/> 第一複數個記憶體胞元；<br/> 第二複數個記憶體胞元；以及<br/> 讀寫邏輯，其被組配用以進行下列動作：<br/> 需要該等觸點上之一組信號及未連接至該等觸點之該流體噴射晶粒上之一路由安排上之一附加信號以寫入至該第一複數個記憶體胞元；以及<br/> 需要該等觸點上之一組信號以寫入至該第二複數個記憶體胞元。
如請求項18之流體噴射匣，其中該讀寫邏輯被組配用以進行下列動作：<br/> 使用該等觸點中之一第一觸點來讀取該等第一及第二複數個記憶體胞元之資料；以及<br/> 使用該等觸點中之一第二觸點來寫入至該第二複數個記憶體胞元。
如請求項19之流體噴射匣，其中該流體噴射晶粒包括連接至該讀寫邏輯之一路由安排，其中該路由安排被組配用以致能對該第一複數個記憶體胞元之寫入，其中該路由安排未連接至該第二觸點。
如請求項20之流體噴射匣，其中該讀寫邏輯被組配用以在該路由安排上需要一邏輯高信號以對該第一複數個記憶體胞元允許寫入。
如請求項20至21中任一項之流體噴射匣，其中該路由安排延伸至該晶粒之一邊緣。
如請求項22之流體噴射匣，其中當該路由安排連接至一觸點時，該第一複數個記憶體胞元中之一或多個記憶體胞元受到寫入，該觸點係在該寫入之後予以從該流體噴射晶粒移除。
如請求項20之流體噴射匣，其中該路由安排係藉由一材料來覆蓋。
如請求項24之流體噴射匣，其中當該路由安排未藉由該材料來覆蓋時，該第一複數個記憶體胞元中之一或多個記憶體胞元受到寫入，並且其中該材料係在該寫入之後施加至該路由安排。
如請求項20之流體噴射匣，其中該路由安排與電氣連接至該等觸點以連接至該主機裝置之一組路由安排位在該流體噴射晶粒之同一平面中。
如請求項20之流體噴射匣，其中該讀寫邏輯被組配用以進行下列動作：<br/> 需要一第一寫入致能信號以對該第二複數個記憶體胞元允許寫入；以及<br/> 需要該第一寫入致能信號及一第二寫入致能信號以對該第一複數個記憶體胞元允許寫入。
如請求項20之流體噴射匣，其更包含連接至該路由安排之一下拉，該下拉被組配用以致使該路由安排具有一預設邏輯低狀態。
如請求項18之流體噴射匣，該第一複數個記憶體胞元儲存組態位元，該等組態位元要藉由晶粒上邏輯來使用。
如請求項29之流體噴射匣，其中該等組態位元確定該流體噴射晶粒如何轉譯來自該主機裝置之命令。
如請求項18之流體噴射匣，其中該第一複數個記憶體胞元包括比該第二複數個記憶體胞元更少之記憶體胞元。
一種用以在一流體噴射晶粒上提供唯讀記憶體胞元之方法，其包含：<br/> 將一組電氣接墊施加至一基材，該組電氣接墊連接至該流體噴射晶粒之電路系統；<br/> 將一邏輯高信號施加至該組電氣接墊中之一寫入致能電氣接墊，當該邏輯高信號係施加至該寫入致能電氣接墊時，該寫入致能電氣接墊對該流體噴射晶粒之一或多個記憶體胞元允許寫入存取；以及<br/> 將該流體噴射晶粒從該基材單一化，以將該流體噴射晶粒與該寫入致能電氣接墊分離。
如請求項32之方法，其中製造該流體噴射晶粒之一第一階段包括將該邏輯高信號施加至該寫入致能電氣接墊，並且其中製造該流體噴射晶粒之一第二階段包括將該流體噴射晶粒從該基材單一化。
如請求項32或33之方法，其中將該組電氣接墊施加至該基材包含：<br/> 將該寫入致能電氣接墊施加至該流體噴射晶粒之一區域外面之該基材；以及<br/> 將該組電氣接墊中之其他電氣接墊施加至該流體噴射晶粒之該區域裡面之該基材。
如請求項32之方法，其中將該邏輯高信號施加至該寫入致能電氣接墊包括寫入至該流體噴射晶粒之一或多個記憶體胞元。
如請求項32之方法，其中將該邏輯高信號施加至該寫入致能電氣接墊包括測試該流體噴射晶粒之該電路系統。
一種雙視像顯示裝置，包含：<br/> 一顯示面板，包含：<br/> 複數子像素，以陣列方式排列；及<br/> 複數資料線，耦接該些子像素，該些資料線包含複數第一資料線及複數第二資料線，且該些第一資料線及該些第二資料線交錯排列；<br/> 一源極驅動模組，耦接該顯示面板，該源極驅動模組用以分別傳輸對應一第一影像的複數第一資料訊號至該些第一資料線，並分別傳輸對應一第二影像的複數第二資料訊號至該些第二資料線，使得該顯示面板基於該些第一資料訊號而顯示以一第一視角觀看的該第一影像，並基於該些第二資料訊號而顯示以一第二視角觀看的該第二影像；以及<br/> 一時序控制模組，電性連接該源極驅動模組，並用以傳輸一源極驅動控制訊號至該源極驅動模組，使得該源極驅動模組根據該源極驅動控制訊號依序產生且輸出該些第一資料訊號及該些第二資料訊號；<br/> 其中，該時序控制模組用以接收一合併影像資料並基於該合併影像資料而產生該源極驅動控制訊號，該合併影像資料包含用以顯示該第一影像的一第一影像資料與用以顯示該第二影像的一第二影像資料，該第二影像資料銜接於該第一影像資料之後。
如請求項1所述的雙視像顯示裝置，其中該顯示面板更包含複數掃描線，該些掃描線耦接該些子像素，且該雙視像顯示裝置更包含：<br/> 一閘極驅動模組，耦接該顯示面板，該閘極驅動模組用以接收一閘極驅動控制訊號，並根據該閘極驅動控制訊號分別傳輸複數掃描訊號至該些掃描線。
如請求項1所述的雙視像顯示裝置，其中該源極驅動模組包含：<br/> 複數第一源極驅動晶片，其中該些第一源極驅動晶片中的每一者包含複數第一引腳，且該些第一引腳用以分別傳輸該些第一資料訊號中的一部分至該些第一資料線中的一部分；及<br/> 複數第二源極驅動晶片，其中該些第二源極驅動晶片中的每一者包含複數第二引腳，且該些第二引腳用以分別傳輸該些第二資料訊號中的一部分至該些第二資料線中的一部分。
如請求項1所述的雙視像顯示裝置，更包含：<br/> 複數第一扇出導線，分別電性連接該些第一資料線且電性連接該源極驅動模組，使得該源極驅動模組經由該些第一扇出導線分別傳輸該些第一資料訊號至該些第一資料線；及<br/> 複數第二扇出導線，分別電性連接該些第二資料線且電性連接該源極驅動模組，使得該源極驅動模組經由該些第二扇出導線分別傳輸該些第二資料訊號至該些第二資料線。
如請求項1所述的雙視像顯示裝置，其中該些第一資料線中的每一者與該些第二資料線中的每一者交錯排列。
如請求項1所述的雙視像顯示裝置，其中該些第一資料線中的每三者與該些第二資料線中的每三者交錯排列。
如請求項1所述的雙視像顯示裝置，更包含：<br/> 一背光模組，位於該顯示面板下，並提供一光線予該顯示面板；及<br/> 一屏障板，設置於該顯示面板上，且包含以間隔方式排列的複數開口部，其中該些開口部用以供穿透該顯示面板的該光線穿過。
如請求項7所述的雙視像顯示裝置，其中該些開口部的每二者之間具有一間隔距離，且該間隔距離以一像素大小為單位。
如請求項7所述的雙視像顯示裝置，其中該些開口部的每二者之間具有一間隔距離，且該間隔距離以一子像素大小為單位。
如請求項1所述的雙視像顯示裝置，其中該源極驅動模組包含：<br/> 一第一源極驅動電路，耦接該顯示面板且位於該顯示面板的一側，該第一源極驅動電路用以分別傳輸對應該第一影像的該些第一資料訊號至該些第一資料線；及<br/> 一第二源極驅動電路，耦接該顯示面板且位於該顯示面板的另一側，該第二源極驅動電路用以分別傳輸對應該第二影像的該些第二資料訊號至該些第二資料線。
一種雙視像顯示裝置的驅動方法，用以驅動一雙視像顯示裝置，該雙視像顯示裝置包含一顯示面板及一源極驅動模組，該顯示面板包含複數子像素及複數資料線，且該雙視像顯示裝置的驅動方法包含：<br/> 藉由該源極驅動模組分別傳輸對應一第一影像的複數第一資料訊號至該些資料線中的複數第一資料線；<br/> 藉由該源極驅動模組分別傳輸對應一第二影像的複數第二資料訊號至該些資料線中的複數第二資料線，其中該些第一資料線及該些第二資料線交錯排列；以及<br/> 藉由該顯示面板基於該些第一資料訊號而顯示以一第一視角觀看的該第一影像，並基於該些第二資料訊號而顯示以一第二視角觀看的該第二影像；<br/> 其中，在傳輸對應該第一影像的該些第一資料訊號的步驟之前，該雙視像顯示裝置的驅動方法更包含：<br/> 藉由一時序控制模組接收一合併影像資料並基於該合併影像資料而產生一源極驅動控制訊號，其中該合併影像資料包含用以顯示該第一影像的一第一影像資料與用以顯示該第二影像的一第二影像資料，該第二影像資料銜接於該第一影像資料之後；及<br/> 藉由該時序控制模組傳輸該源極驅動控制訊號至該源極驅動模組，使得該源極驅動模組根據該源極驅動控制訊號依序產生且輸出該些第一資料訊號及該些第二資料訊號。
如請求項11所述的雙視像顯示裝置的驅動方法，其中在傳輸對應該第一影像的該些第一資料訊號的步驟之前，該雙視像顯示裝置的驅動方法更包含：<br/> 藉由一閘極驅動模組接收一閘極驅動控制訊號，並根據該閘極驅動控制訊號分別傳輸複數掃描訊號至該顯示面板的複數掃描線。
如請求項11所述的雙視像顯示裝置的驅動方法，其中該源極驅動模組包含複數第一源極驅動晶片及複數第二源極驅動晶片，該些第一源極驅動晶片中的每一者包含複數第一引腳，該些第一引腳用以分別傳輸該些第一資料訊號中的一部分至該些第一資料線中的一部分，該些第二源極驅動晶片中的每一者包含複數第二引腳，該些第二引腳用以分別傳輸該些第二資料訊號中的一部分至該些第二資料線中的一部分。
如請求項11所述的雙視像顯示裝置的驅動方法，其中該源極驅動模組經由複數第一扇出導線分別傳輸該些第一資料訊號至該些第一資料線，並經由複數第二扇出導線分別傳輸該些第二資料訊號至該些第二資料線。
如請求項11所述的雙視像顯示裝置的驅動方法，其中該源極驅動模組包含一第一源極驅動電路及一第二源極驅動電路，該第一源極驅動電路用以分別傳輸對應該第一影像的該些第一資料訊號至該些第一資料線，該第二源極驅動電路用以分別傳輸對應該第二影像的該些第二資料訊號至該些第二資料線。
一種驅動系統，包含有：<br/> 串接的複數個驅動電路，其中每一驅動電路透過一主控端及一從屬端連接於一或二個相鄰的驅動電路，該複數個驅動電路包含有：<br/> 一第一驅動電路，用來透過該主控端輸出一第一同步訊號；以及<br/> 一第二驅動電路，用來在透過該主控端接收到該第一同步訊號時，透過該從屬端輸出一第二同步訊號；<br/> 其中，該第二驅動電路相對應的一補償時間係根據該第一同步訊號之一輸出時間點及該第一驅動電路接收到該第二同步訊號之一接收時間點來計算。
如請求項1所述之驅動系統，其中該複數個驅動電路包含有多於3個驅動電路。
如請求項1所述之驅動系統，其中該複數個驅動電路中的一第三驅動電路耦接於該第一驅動電路及該第二驅動電路之間，用來透過該主控端從該第一驅動電路接收該第一同步訊號，並透過該從屬端從該第二驅動電路接收該第二同步訊號。
如請求項3所述之驅動系統，其中該第三驅動電路相對應的一補償時間係根據該第三驅動電路接收到該第一同步訊號之一接收時間點及該第三驅動電路接收到該第二同步訊號之一接收時間點來計算。
如請求項1所述之驅動系統，其中該第一驅動電路係一主控驅動電路，其藉由輸出該第一同步訊號來取得複數個補償時間，其中每一補償時間對應於該複數個驅動電路之其中一者。
如請求項1所述之驅動系統，其中該第一驅動電路係一從屬驅動電路，其將該第二驅動電路相對應的該補償時間發送至該複數個驅動電路中的一主控驅動電路。
如請求項1所述之驅動系統，其中該第一驅動電路係一主控驅動電路，且該複數個驅動電路包含有透過一第一主控端及一第一從屬端耦接至該主控驅動電路的至少一第一從屬驅動電路以及透過一第二主控端及一第二從屬端耦接至該主控驅動電路的至少一第二從屬驅動電路，其中，該主控驅動電路透過該第一主控端輸出該第一同步訊號至該至少一第一從屬驅動電路，並透過該第二主控端輸出一第三同步訊號至該至少一第二從屬驅動電路。
如請求項7所述之驅動系統，其中該第一驅動電路同時輸出該第一同步訊號及該第三同步訊號。
如請求項1所述之驅動系統，其中該複數個驅動電路利用複數個補償時間來同步觸控感測之一感測時間。
一種驅動系統，包含有：<br/> 串接的複數個驅動電路，其中每一驅動電路透過一主控端及一從屬端連接於一或二個相鄰的驅動電路，該複數個驅動電路包含有：<br/> 複數個從屬驅動電路，其中每一從屬驅動電路用來輸出一通知；以及<br/> 一主控驅動電路，用來：<br/> 從該複數個從屬驅動電路接收該通知；<br/> 在從該複數個從屬驅動電路接收到該通知之後，透過該主控端輸出一確認訊號；以及<br/> 在輸出該確認訊號之後，以具有用於該主控驅動電路的一補償時間之延遲來起始一感測操作；<br/> 其中，該複數個從屬驅動電路另透過該主控端接收該確認訊號，並且在接收到該確認訊號之後，以具有用於各別的該從屬驅動電路的一補償時間之延遲來起始該感測操作。
如請求項10所述之驅動系統，其中該複數個從屬驅動電路中的一第一從屬驅動電路係在取得一顯示就緒訊號時輸出該通知。
如請求項10所述之驅動系統，其中該複數個從屬驅動電路中的一第一從屬驅動電路係在取得一顯示就緒訊號並從該複數個從屬驅動電路中的一第二從屬驅動電路接收到該通知時輸出該通知。
如請求項10所述之驅動系統，其中該主控驅動電路係在取得一顯示就緒訊號之後輸出該確認訊號。
如請求項10所述之驅動系統，其中該主控驅動電路係透過該從屬端從該複數個從屬驅動電路接收該通知。
如請求項10所述之驅動系統，其中該主控驅動電路係透過一指令線從該複數個從屬驅動電路接收該通知。
一種第一驅動電路，串接於複數個驅動電路，其中，該第一驅動電路透過一主控端及一從屬端連接於該複數個驅動電路中的一或二個相鄰的驅動電路，該第一驅動電路用來：<br/> 透過該主控端輸出一第一同步訊號；<br/> 透過該從屬端接收一第二同步訊號，其中，該第二同步訊號係由該複數個驅動電路中的一第二驅動電路在接收到該第一同步訊號時輸出；以及<br/> 根據該第一同步訊號之一輸出時間點及該第一驅動電路接收到該第二同步訊號之一接收時間點，計算該第二驅動電路相對應的一補償時間。
如請求項16所述之第一驅動電路，其中該第一同步訊號係由該複數個驅動電路中的一第三驅動電路透過該主控端接收，且該第二同步訊號係由該第三驅動電路透過該從屬端接收。
如請求項17所述之第一驅動電路，其中該第三驅動電路相對應的一補償時間係根據該第三驅動電路接收到該第一同步訊號之一接收時間點及該第三驅動電路接收到該第二同步訊號之一接收時間點來計算。
如請求項16所述之第一驅動電路，其中該第一驅動電路係一主控驅動電路，其藉由輸出該第一同步訊號來取得複數個補償時間，其中每一補償時間對應於該複數個驅動電路之其中一者。
如請求項16所述之第一驅動電路，其中該第一驅動電路係一從屬驅動電路，其將該第二驅動電路相對應的該補償時間發送至該複數個驅動電路中的一主控驅動電路。
如請求項16所述之第一驅動電路，其中該第一驅動電路係一主控驅動電路，且該複數個驅動電路包含有透過一第一主控端及一第一從屬端耦接至該主控驅動電路的至少一第一從屬驅動電路以及透過一第二主控端及一第二從屬端耦接至該主控驅動電路的至少一第二從屬驅動電路，其中，該主控驅動電路透過該第一主控端輸出該第一同步訊號至該至少一第一從屬驅動電路，並透過該第二主控端輸出一第三同步訊號至該至少一第二從屬驅動電路。
如請求項21所述之第一驅動電路，其中該第一驅動電路同時輸出該第一同步訊號及該第三同步訊號。
如請求項16所述之第一驅動電路，其中該第一驅動電路利用複數個補償時間來和該複數個驅動電路同步觸控感測之一感測時間。
一種主控驅動電路，串接於複數個從屬驅動電路，其中，該主控驅動電路透過一主控端及一從屬端連接於該複數個從屬驅動電路中的一或二個相鄰的從屬驅動電路，該主控驅動電路用來：<br/> 從該複數個從屬驅動電路接收一通知；<br/> 在從該複數個從屬驅動電路接收到該通知之後，透過該主控端輸出一確認訊號；以及<br/> 在輸出該確認訊號之後，以具有用於該主控驅動電路的一補償時間之延遲來起始一感測操作。
如請求項24所述之主控驅動電路，其中該主控驅動電路係在取得一顯示就緒訊號之後輸出該確認訊號。
如請求項24所述之主控驅動電路，其中該主控驅動電路係透過該從屬端從該複數個從屬驅動電路接收該通知。
如請求項24所述之主控驅動電路，其中該主控驅動電路係透過一指令線從該複數個從屬驅動電路接收該通知。
一種從屬驅動電路，位於串接的複數個驅動電路中，其中，該從屬驅動電路係透過一主控端及一從屬端連接於該複數個驅動電路中的一或二個相鄰的驅動電路，該從屬驅動電路用來：<br/> 輸出一通知；<br/> 透過該主控端從該複數個驅動電路中的一主控驅動電路接收一確認訊號，其中，該確認訊號係響應該通知而產生；以及<br/> 在接收到該確認訊號之後，以具有用於該從屬驅動電路的一補償時間之延遲來起始一感測操作。
如請求項28所述之從屬驅動電路，其中該從屬驅動電路係在取得一顯示就緒訊號時輸出該通知。
如請求項28所述之從屬驅動電路，其中該從屬驅動電路係在取得一顯示就緒訊號並從該複數個從屬驅動電路中的另一從屬驅動電路接收到該通知時輸出該通知。
如請求項28所述之從屬驅動電路，其中該從屬驅動電路係透過該從屬端輸出該通知。
如請求項28所述之從屬驅動電路，其中該從屬驅動電路係透過一指令線輸出該通知。
一種電動汽車的快速補電系统，連接二充電槍，該二充電槍以一總充電速率輸出一電力至該電動汽車的快速補電系统，該總充電速率等於或大於0.87C，該電動汽車的快速補電系统包含：<br/> 至少一儲電裝置，具有一電池容量及一需求電量，該電池容量介於400Ah及800Ah之間，該需求電量小於該電池容量，該至少一儲電裝置電性連接該二充電槍；<br/> 一電池管理單元，電性連接該至少一儲電裝置及該二充電槍，該電池管理單元自該至少一儲電裝置取得該至少一儲電裝置的該需求電量，且自該二充電槍取得該總充電速率；<br/> 一車輛控制單元，電性連接該電池管理單元；<br/> 當該車輛控制單元透過該電池管理單元自該二充電槍接收一充電請求時，進入一充電模式，此時，當該電池管理單元判斷該至少一儲電裝置的該需求電量等於或大於0.435C時，該電池管理單元根據該需求電量通知該二充電槍以該總充電速率持續一充電時間輸出該電力為該至少一儲電裝置充電，直到該電力的一充電總電量達到該需求電量，其中，該充電時間等於或小於30分鐘；當該電池管理單元判斷該至少一儲電裝置的該需求電量小於0.435C時，只透過其中一該充電槍為該至少一儲電裝置充電。
如請求項1所述之電動汽車的快速補電系统，包含一電源分配器，該電源分配器電性連接該車輛控制單元及該電池管理單元，該至少一儲電裝置透過該電源分配器電性連接該二充電槍；當該電池管理單元判斷該至少一儲電裝置的該需求電量等於或大於0.435C時，該電池管理單元根據該需求電量通知該二充電槍以該總充電速率持續該充電時間輸出該電力至該電源分配器，且對應控制該電源分配器輸出該電力至為該至少一儲電裝置充電。
如請求項2所述之電動汽車的快速補電系统，其中該至少一儲電裝置的數量為複數個，該電源分配器對應該些儲電裝置的數量具有複數輸出埠，各該輸出埠電性連接各該儲電裝置，該電池管理單元根據各該需求電量控制各該輸出埠輸出該電力至各該儲電裝置。
如請求項2所述之電動汽車的快速補電系统，包含一馬達及一電控煞車單元，該馬達電性連接該電源分配器，該電控煞車單元電性連接該馬達及該車輛控制單元；當該電控煞車單元通知該車輛控制單元煞車時，該車輛控制單元透過該電控煞車單元控制該馬達，使該馬達產生的一反電動勢輸出至該電源分配器，該車輛控制單元控制該電源分配器將該反電動勢輸出至該至少一儲電裝置。
如請求項2所述之電動汽車的快速補電系统，包含一漏電檢測單元，該漏電檢測單元電性連接該車輛控制單元及該電源分配器，當該車輛控制單元透過該漏電檢測單元檢測該電源分配器與該至少一儲電裝置之間的電氣線路產生漏電時，該車輛控制單元對應阻斷該電源分配器與該至少一儲電裝置之間的電性連接，且不進入該充電模式。
如請求項2所述之電動汽車的快速補電系统，包含一電池熱管理單元，該電池熱管理單元電性連接該車輛控制單元；當該車輛控制單元透過該電池熱管理單元判斷該至少一儲電裝置的溫度大於一溫度預定值時，該車輛控制單元對應阻斷該電源分配器與該至少一儲電裝置之間的電性連接，且控制該電池熱管理單元對該至少一儲電裝置進行散熱，該車輛控制單元不進入該充電模式。
如請求項1所述之電動汽車的快速補電系统，其中該至少一儲電裝置包含電性連接的複數個電池包，各該電池包為磷酸鐵鋰電池。
如請求項1所述之電動汽車的快速補電系统，該電動汽車係為10人座以上的營運用電動巴士。
如請求項1所述之電動汽車的快速補電系统，包含一漏電檢測單元，該漏電檢測單元電性連接該車輛控制單元及該至少一儲電裝置，當該車輛控制單元透過該漏電檢測單元檢測該至少一儲電裝置的電氣線路產生漏電時，該車輛控制單元透過該電池管理單元對應阻斷該二充電槍與該至少一儲電裝置之間的電性連接，且不進入該充電模式。
如請求項1所述之電動汽車的快速補電系统，包含一電池熱管理單元，該電池熱管理單元電性連接該車輛控制單元；當該車輛控制單元透過該電池熱管理單元判斷該至少一儲電裝置的溫度大於一溫度預定值時，該車輛控制單元透過該電池管理單元對應阻斷該二充電槍與該至少一儲電裝置之間的電性連接，且控制該電池熱管理單元對該至少一儲電裝置進行散熱，該車輛控制單元不進入該充電模式。
一種薑黃素降解物及其類似物之用途，其係用於製備改善肥胖及其所導致的肌少症、葡萄糖耐受不良或改善血糖代謝之藥物；其中，該薑黃素降解物為阿魏酰丙酮(feruloylacetone , FER)，而該薑黃素降解物類似物為去甲氧基阿魏酰丙酮(demethoxyferuloylacetone, DFER)。
如請求項1所述之用途，其中該薑黃素降解物類似物係透過活化AMPK/PGC-1α 路徑以改善肥胖。
如請求項1所述之用途，其中該薑黃素降解物及其類似物係藉由活化PI3K/Akt路徑改善胰島素阻抗，以促進肌肉細胞對葡萄糖之攝取。
如請求項3所述之用途，其中該薑黃素降解物及其類似物係藉由提升葡萄糖轉運蛋白質 (glucose transporter protein, GLUT) 的表現量以增加葡萄糖的攝取能力。
如請求項1所述之用途，其中該薑黃素降解物及其類似物係藉由活化mTOR/p70S6K路徑以降低肌肉蛋白質降解並促進肌肉蛋白質的合成。
如請求項5所述之用途，其中該薑黃素降解物及其類似物係藉由抑制TRIM63或FBX32蛋白質表現以降低肌肉蛋白質降解。
如請求項1所述之用途，其中該薑黃素降解物及其類似物係藉由抑制促發炎細胞因子及趨化因子的升高以降低肥胖造成之發炎反應。
如請求項6所述之用途，其中該促炎性細胞因子及該趨化因子包含白細胞介素6 (IL-6)、腫瘤壞死因子 (TNF-α)、γ-干擾素 (FN-γ)或單核細胞趨化蛋白1 (MCP-1)。
如請求項1所述之用途，其中該薑黃素降解物及其類似物係藉由調控腸道微生物群以改善胰島素阻抗。
如請求項9所述之用途，其中該腸道微生物群包含腸道柏氏菌(<i>Blautia intestinalis)</i>、紐約杜氏菌(<i>Dubosiella newyorkensis)</i>、裂狀糞腸鏈菌(<i>Faecalicatena fissicatena)</i>或綠產氣梭狀芽孢桿菌(<i>Clostridium viride )</i>。
如請求項9所述之用途，其中該薑黃素降解物及其類似物係透過促進腸道微生物短鏈脂肪酸 (short-chain fatty acids, SCFA) 的產生，以調節脂肪代謝及發炎反應。
如請求項11所述之用途，其中該短鏈脂肪酸包含丁酸、戊酸、乙酸或異丁酸。
一種木質素改性方法，其特徵在於包括以下步驟：<br/> a) 將木質素溶解於極性非質子溶劑中；<br/> b) 添加二羧酸；<br/> c) 添加具鹼性特性的催化劑；以及<br/> d) 回收改性木質素；<br/> 其中，反應在持續攪拌及氮氣氣氛下進行。
如請求項1所述的方法，其特徵在於所述極性非質子溶劑選自以下組合：丙酮、乙腈、二氯甲烷、二甲基甲醯胺、二甲基亞碸（DMSO）、乙酸乙酯、吡啶、磺內酯、四氫呋喃及其組合。
如請求項2所述的方法，其特徵在於所述極性非質子溶劑為二甲基亞碸（DMSO）。
如請求項1所述的方法，其特徵在於所述二羧酸選自以下組合：草酸、丙二酸、丁二酸、戊二酸、己二酸、癸二酸、庚二酸、辛二酸、壬二酸、對苯二甲酸，以及上述二羧酸的酸酐及其組合。
如請求項4所述的方法，其特徵在於所述二羧酸為丁二酸。
如請求項1所述的方法，其特徵在於所述催化劑選自以下組合：咪唑及其衍生物、吡啶、三乙胺、三甲胺及其組合。
如請求項6所述的方法，其特徵在於所述催化劑為咪唑。
如請求項1所述的方法，其特徵在於於加入催化劑之前，將混合物加熱至約75至150°C。
一種改性木質素，其特徵在於具有如下結構式：<br/><img align="absmiddle" height="78px" width="121px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 。
一種改性木質素，其特徵在於係依照請求項1至8任一項所述的方法製得。
如請求項9或10所述的木質素之用途，其特徵在於用作製造碳纖維的前驅物。
一種碳纖維，其特徵在於由如請求項9或10所述的改性木質素製得。
一種背光模組，包括：<br/>分區板，形成有呈中空倒四棱臺狀的分光槽，所述分光槽的底部設有開孔；<br/>燈珠，其頂部穿過所述開孔露出於所述分光槽的中部，且與所述分光槽一一對應佈置，所述燈珠包括至少一個反射凹槽和至少一個發光體，所述發光體設置於所述反射凹槽的底部，使得所述發光體的光線經所述反射凹槽向周圍發散至所述分區板；及<br/>電路板，設置於所述分區板的底面處，且與所述燈珠相連，所述分區板的底面貼設於電路板。
如請求項1所述之背光模組，所述燈珠更包括：反射件，呈L型結構，所述反射件包括橫壁和豎壁，所述發光體位於所述橫壁上；及透光件，沿豎直方向佈置，且與所述橫壁的邊緣抵接，所述透光件與所述反射件圍設形成所述反射凹槽。
如請求項2所述之背光模組，其中所述反射凹槽的數量為兩個，每個所述反射凹槽內設有一個所述發光體，且兩個所述反射凹槽對稱佈置。
如請求項3所述之背光模組，其中所述燈珠的所述反射凹槽內填充填充物，所述填充物的表面塗布擴散粉。
如請求項4所述之背光模組，其中所述分區板結構藉由裁切拼接成型。
如請求項1-5中任一項所述之背光模組，更包括分光板，所述分光板包括底板和多個呈三棱錐結構的分光塊，所述底板的底部與所述分區板的頂部抵接，多個所述分光塊設置在所述底板的頂部，且相鄰兩個所述分光塊之間形成分光區，以有效分配所述光線的分佈面積。
如請求項6所述之背光模組，其中所述分光塊在所述底板上的正投影為非正三角形。
如請求項7所述之背光模組，其中所述分光板的相鄰兩個所述分光塊的夾角為範圍在10°-180°中任一值。
如請求項1所述之背光模組，更包括：擴散板，位於所述分區板的頂部，以使所述光線分配均勻。
如請求項9所述之背光模組，其中所述分區板結構的數量為多個且呈矩形陣列分佈。
一種承載機構，包括：<br/>一承載座；<br/>一連桿，連接至該承載座；<br/>一連接組件，連接至該連桿；<br/>一延伸組件，透過該連接組件與該連桿連接，且包括一固定部以及一延伸部；<br/>其中，該承載座適於透過該連桿及該連接組件帶動該延伸組件的延伸部相對於該固定部移動。
如請求項1之承載機構，更包括一彈性元件，連接該固定部的一導引銷以及該延伸部的一固定銷。
如請求項2之承載機構，其中該彈性元件對該固定部和該延伸部施加一拉力。
如請求項2之承載機構，其中該延伸部可相對於該固定部以該導引銷為中心旋轉。
如請求項2之承載機構，其中該連接組件包括一連接線，連接該延伸部的該固定銷以及該連桿的一固定銷。
如請求項5之承載機構，其中該連接組件包括一第一滑輪，設置於該連桿上，該連接線經過該第一滑輪連接至該連桿的該固定銷。
如請求項5之承載機構，其中該連桿設有一固定孔，對應於該承載座的一固定孔，且該連桿的該固定孔至該連桿的一旋轉軸的距離小於該連桿的該固定銷至該連桿的該旋轉軸的距離。
如請求項1之承載機構，其中該延伸組件包括一連接部，該連接部的兩端分別透過一第一連接銷與一第二連接銷連接該固定部和該延伸部。
如請求項8之承載機構，其中該第一連接銷與該第二連接銷的延伸方向不同。
如請求項8之承載機構，其中該連接組件包括透過一中心軸相連的複數個連接桿，且該等連接桿中包括一第一連接桿，該第一連接桿透過該第二連接銷接合至該連接部和該固定部。
如請求項10之承載機構，其中該等連接桿包括一第二連接桿，該第二連接桿樞接於該連桿。
如請求項8之承載機構，更包括一彈性元件，連接該固定部的一固定銷以及該連接部的一固定銷，其中該彈性元件對該固定部和該連接部施加一推力。
一種充電系統，包括：<br/>一電子裝置，包括一本體；以及<br/>一承載機構，包括：<br/>一承載座，可移動地設置於該本體；<br/>一連桿，樞接於該本體且連接至該承載座；<br/>一連接組件，連接至該連桿；<br/>一延伸組件，設置於該本體且透過該連接組件與該連桿連接，該延伸組件包括一固定部以及一延伸部；<br/>其中，該承載座適於透過該連桿及該連接組件帶動該延伸組件的延伸部相對於該固定部移動。
如請求項13之充電系統，其中該承載機構更包括一夾扣，設置於該延伸組件，該電子裝置包括由該本體延伸的一線部，該線部適於夾制於該夾扣。
如請求項13之充電系統，其中該電子裝置更包括一端部，該端部適於設置於該承載座，使該承載座透過該連桿及該連接組件帶動該延伸部朝該固定部移動。
如請求項13之充電系統，其中該承載機構更包括一彈性元件，連接該固定部的一導引銷以及該延伸部的一固定銷，該彈性元件對該固定部和該延伸部施加一拉力。
如請求項16之充電系統，其中該連接組件包括一連接線、一第一滑輪及一第二滑輪，該第一滑輪設置於該連桿，該第二滑輪設置於該電子裝置的該本體，該連接線經由該第一滑輪及該第二滑輪連接於該延伸部。
如請求項13之充電系統，其中該延伸組件包括一連接部，該連接部的兩端分別透過一第一連接銷與一第二連接銷連接該固定部和該延伸部，且該等連接銷的延伸方向不同。
如請求項18之充電系統，其中該連接組件包括透過一中心軸相連的複數個連接桿，且該等連接桿包括一第一連接桿、一第二連接桿及一第三連接桿，該第一連接桿透過該第二連接銷連接於該延伸組件的該固定部與該延伸部，該第二連接桿連接於該連桿，該第三連接桿連接於該電子裝置。
如請求項18之充電系統，其中該承載機構更包括一彈性元件，連接該固定部的一固定銷以及該連接部的一固定銷，該彈性元件對該固定部和該連接部施加一推力。
一種影像處理方法，適用於影像處理裝置，包括： <br/>由所述影像處理裝置接收I幀以及產生座標I列表，其中所述座標I列表對應於所述I幀中的第一檢測物件並且包括具有四個座標的第一座標候選集； <br/>由所述影像處理裝置接收接續於所述I幀之後的P幀以及產生座標P列表，其中所述座標P列表對應於所述P幀中的第二檢測物件並且包括具有四個座標的第二座標候選集； <br/>由所述影像處理裝置基於所述座標I列表以及所述座標P列表以及所述座標I列表中的座標候選集的數量與所述座標P列表中的座標候選集的數量的比對，產生所述I幀與所述P幀之間的內插幀的至少一個物件區域及其初始運動向量；以及 <br/>由所述影像處理裝置校正所述初始運動向量，以產生所述內插幀的所述至少一個物件區域的已校正的運動向量。
如請求項1所述的影像處理方法，其中在產生所述座標I列表以及所述座標P列表之後，所述方法還包括： <br/>由所述影像處理裝置執行座標處理，以通過對所述座標I列表與所述座標P列表執行匹配來獲取至少一個對應關係，其中所述至少一個對應關係包括所述座標I列表的所述第一座標候選集與所述座標P列表的所述第二座標候選集的指定對應關係。
如請求項2所述的影像處理方法，其中對所述座標I列表與所述座標P列表執行匹配的步驟包括： <br/>響應於所述座標P列表中的所述座標候選集的數量少於所述座標I列表中的所述座標候選集的數量，由所述影像處理裝置從所述座標I列表中搜索與所述座標P列表中的所述第二座標候選集具有最小距離的座標候選集以形成對應關係；以及 <br/>響應於所述座標P列表中的所述座標候選集的數量大於所述座標I列表中的所述座標候選集的數量，由所述影像處理裝置從所述座標P列表中搜索與所述座標I列表中的所述第一座標候選集具有最小距離的座標候選集以形成另一對應關係。
如請求項2所述的影像處理方法，其中基於所述座標I列表以及所述座標P列表，產生所述I幀與所述P幀之間的所述內插幀的所述至少一個物件區域及其初始運動向量的步驟包括： <br/>由所述影像處理裝置針對所述指定對應關係計算四個座標運動向量； <br/>由所述影像處理裝置基於所述第一座標候選集以及所述四個座標運動向量，產生所述內插幀的所述至少一個物件區域中的指定物件區域；以及 <br/>由所述影像處理裝置基於所述四個座標運動向量，產生所述內插幀的所述指定物件區域的初始運動向量。
如請求項4所述的影像處理方法， <br/>其中所述四個座標運動向量包括兩個水平運動向量和兩個垂直運動向量， <br/>其中所述初始運動向量的水平分量是基於所述兩個水平運動向量產生的，以及 <br/>其中所述初始運動向量的垂直分量是基於所述兩個垂直運動向量產生的。
如請求項5所述的影像處理方法， <br/>其中所述初始運動向量的水平分量是所述兩個水平運動向量的平均值、最小值或最大值，以及 <br/>其中所述初始運動向量的垂直分量是所述兩個垂直運動向量的平均值、最小值或最大值。
如請求項1所述的影像處理方法，其中校正所述初始運動向量以產生所述內插幀的所述至少一個物件區域的所述已校正的運動向量的步驟包括： <br/>由所述影像處理裝置將多個額外運動向量添加到所述初始運動向量的鄰近位置；以及 <br/>由所述影像處理裝置在所述初始運動向量和所述多個額外運動向量之中選擇使預定成本函數最小化的最佳運動向量做為所述已校正的運動向量。
如請求項7所述的影像處理方法， <br/>其中所述初始運動向量位於所述多個額外運動向量的中心。
如請求項8所述的影像處理方法， <br/>其中當所述內插幀越接近所述P幀時，所述多個額外運動向量越遠離所述初始運動向量。
一種無線射頻標籤的讀寫系統，該無線射頻標籤具有一唯一識別碼及一標籤記憶體，該標籤記憶體具有一記憶狀態，該記憶狀態為一非唯讀狀態及一唯讀狀態的其中一者；該讀寫系統包含：<br/> 一讀寫裝置，包含一讀寫模組及一控制器，該控制器電性連接該讀寫模組，該控制器被配置為：<br/> 透過該讀寫模組讀取該無線射頻標籤的該唯一識別碼及該記憶狀態；<br/> 判斷該記憶狀態是否為該非唯讀狀態；<br/> 基於已讀取到的該唯一識別碼及該記憶狀態為該非唯讀狀態，輸出同一個該唯一識別碼所對應的一連結網址至該讀寫模組且透過該讀寫模組將該連結網址寫入該無線射頻標籤的該標籤記憶體，該無線射頻標籤在被寫入該連結網址之後仍保有該唯一識別碼，其中，該連結網址包括一前置網址與該唯一識別碼。
如請求項1所述之無線射頻標籤的讀寫系統，其中該控制器被配置為操作於一HID（Human Interface Device，人機介面裝置）模式且透過該讀寫模組讀取該無線射頻標籤的該唯一識別碼及該記憶狀態。
如請求項2所述之無線射頻標籤的讀寫系統，包含一電子裝置，該電子裝置包含一USB（Universal Serial Bus，通用序列匯流排）介面及一處理裝置，該處理裝置電性連接該USB介面，該處理裝置透過該USB介面電性連接該控制器；基於該記憶狀態為該非唯讀狀態，該控制器傳送該非唯讀狀態至該USB介面，該處理裝置透過該USB介面接收該非唯讀狀態且響應該非唯讀狀態透過該USB介面傳送一請求指令至該控制器，該控制器根據該請求指令操作於一CDC（Communications Device Class，通訊裝置類別）模式，且透過該讀寫模組將該連結網址寫入該無線射頻標籤的該標籤記憶體。
如請求項3所述之無線射頻標籤的讀寫系統，其中在該控制器透過該讀寫模組將該連結網址寫入該標籤記憶體之後，該控制器由該CDC模式轉換為該HID模式。
如請求項3所述之無線射頻標籤的讀寫系統，其中該控制器傳送該唯一識別碼至該USB介面，該處理裝置透過該USB介面接收該唯一識別碼，該處理裝置將該唯一識別碼及該前置網址結合為該連結網址，且透過該USB介面輸出該連結網址至該控制器。
如請求項1所述之無線射頻標籤的讀寫系統，包含一電子裝置及一伺服器，該電子裝置包含一USB介面及一處理裝置，該處理裝置電性連接該USB介面，該處理裝置透過該USB介面電性連接該控制器；該控制器基於該記憶狀態為該唯讀狀態，傳送該唯一識別碼至該USB介面，該處理裝置透過該USB介面接收該唯一識別碼，該處理裝置連線該伺服器，該處理裝置於該伺服器中建立一物件表單，該控制器傳送該唯一識別碼至該USB介面，該處理裝置透過該USB介面接收該唯一識別碼且傳送該唯一識別碼至該伺服器，該伺服器將該唯一識別碼導入該物件表單中以形成一物件序號。
如請求項1所述之無線射頻標籤的讀寫系統，包含一電子裝置，該電子裝置包含一USB介面及一處理裝置，該處理裝置電性連接該USB介面，該處理裝置透過該USB介面電性連接該控制器；該讀寫裝置包含一裝置記憶體，該裝置記憶體電性連接該控制器，該處理裝置透過該USB介面傳送該前置網址至該控制器，該控制器透過該裝置記憶體儲存該前置網址，該控制器對應該唯一識別碼將該唯一識別碼及該前置網址結合為該連結網址。
如請求項1所述之無線射頻標籤的讀寫系統，其中在該控制器透過該讀寫模組將該連結網址寫入該標籤記憶體之後，該控制器透過該讀寫模組將該記憶狀態自該非唯讀狀態轉換為該唯讀狀態。
如請求項1所述之無線射頻標籤的讀寫系統，其中該讀寫裝置包含一裝置記憶體，該裝置記憶體電性連接該控制器，該控制器透過該裝置記憶體儲存該連結網址，該控制器透過該讀寫模組讀取該標籤記憶體中被寫入的該連結網址，該控制器對應該唯一識別碼自該裝置記憶體取得該連結網址；當該控制器判斷該標籤記憶體中的該連結網址與該裝置記憶體中的該連結網址不相同時，該控制器透過該讀寫模組將該裝置記憶體中的該連結網址寫入該標籤記憶體。
一種無線射頻標籤的讀寫方法，該無線射頻標籤具有一唯一識別碼及一標籤記憶體，該標籤記憶體具有一記憶狀態，該記憶狀態為一非唯讀狀態及一唯讀狀態的其中一者；該讀寫方法係使用一讀寫系統，該讀寫系統包含一讀寫裝置，該讀寫裝置包含一讀寫模組及一控制器，該控制器電性連接該讀寫模組；該讀寫方法包含下列步驟：<br/> A.該讀寫裝置的該控制器透過該讀寫模組讀取該無線射頻標籤的該唯一識別碼及該記憶狀態；<br/> B.該讀寫裝置的該控制器判斷該記憶狀態是否為該非唯讀狀態；<br/> C.該讀寫裝置的該控制器基於已讀取到的該唯一識別碼及該記憶狀態為該非唯讀狀態，輸出同一個該唯一識別碼所對應的一連結網址至該讀寫模組且透過該讀寫模組將該連結網址寫入該無線射頻標籤的該標籤記憶體，該無線射頻標籤在被寫入該連結網址之後仍保有該唯一識別碼，其中，該連結網址包括一前置網址與該唯一識別碼。
如請求項10所述之無線射頻標籤的讀寫方法，其中步驟C中包含，該控制器對應該唯一識別碼將該前置網址及該唯一識別碼結合為該連結網址。
如請求項11所述之無線射頻標籤的讀寫方法，其中該讀寫系統包含一電子裝置，該電子裝置包括一USB介面及一處理裝置，該處理裝置電性連接該USB介面，該處理裝置透過該USB介面電性連接該控制器；該讀寫裝置包括一裝置記憶體，該裝置記憶體電性連接該控制器；步驟A之後包含，執行一設定步驟，該設定步驟包括：<br/> 該處理裝置請求該控制器操作於一CDC模式，該處理裝置透過該USB介面傳送該前置網址至該控制器，該控制器透過該裝置記憶體儲存該前置網址，在該裝置記憶體儲存該前置網址之後，該控制器自該CDC模式轉換為一HID模式。
如請求項11所述之無線射頻標籤的讀寫方法，其中該讀寫系統包含一電子裝置，該電子裝置包括一USB介面及一處理裝置，該處理裝置電性連接該USB介面，該處理裝置透過該USB介面電性連接該控制器；步驟A之後包含：<br/> 執行一設定步驟，該設定步驟包括：<br/> 該讀寫裝置包括一裝置記憶體，該裝置記憶體電性連接該控制器；該處理裝置透過該USB介面傳送該前置網址至該控制器，該控制器透過該裝置記憶體儲存該前置網址，在該裝置記憶體儲存該前置網址之後，該控制器斷開與該處理裝置之間的電性連接。
如請求項10所述之無線射頻標籤的讀寫方法，其中步驟A中包含，該控制器被配置為操作於一HID模式；步驟C中包含該控制器被配置為操作於一CDC模式。
如請求項14所述之無線射頻標籤的讀寫方法，其中該讀寫系統包含一電子裝置，該電子裝置包括一USB介面及一處理裝置，該處理裝置電性連接該USB介面，該處理裝置透過該USB介面電性連接該控制器；步驟C中包含，基於該記憶狀態為該非唯讀狀態，該控制器傳送該非唯讀狀態至該USB介面，該處理裝置透過該USB介面接收該非唯讀狀態，該處理裝置響應該非唯讀狀態透過該USB介面傳送一請求指令至該控制器，該控制器根據該請求指令操作於該CDC模式。
如請求項15所述之無線射頻標籤的讀寫方法，其中步驟C中包含，該控制器傳送該唯一識別碼至該USB介面，該處理裝置透過該USB介面接收該唯一識別碼，該處理裝置將該唯一識別碼及該前置網址結合為該連結網址，且透過該USB介面輸出該連結網址至該控制器。
如請求項14所述之無線射頻標籤的讀寫方法，其中步驟C之後包含，該控制器由該CDC模式轉換為該HID模式。
如請求項10所述之無線射頻標籤的讀寫方法，其中步驟C之後包含：<br/> D.該控制器透過該讀寫模組將該無線射頻標籤的該記憶狀態自該非唯讀狀態轉換為該唯讀狀態。
如請求項10所述之無線射頻標籤的讀寫方法，其中該讀寫裝置包括一裝置記憶體，該裝置記憶體電性連接該控制器；步驟C之後包含：<br/> D01.該裝置記憶體儲存該連結網址，該控制器透過該讀寫模組讀取該標籤記憶體中被寫入的該連結網址；<br/> D02.當該控制器判斷該標籤記憶體中的該連結網址與該裝置記憶體中的該連結網址相同時，該控制器透過該讀寫模組將該無線射頻標籤的該記憶狀態自該非唯讀狀態轉換為該唯讀狀態；<br/> 當該控制器判斷該標籤記憶體中的該連結網址與該裝置記憶體中的該連結網址不相同時，該控制器將該裝置記憶體儲存的該連結網址寫入該標籤記憶體，接著再次執行步驟D02。
如請求項10所述之無線射頻標籤的讀寫方法，其中該讀寫系統包含一電子裝置及一伺服器，該電子裝置包括一USB介面及一處理裝置，該處理裝置電性連接該USB介面，該處理裝置透過該USB介面電性連接該控制器；步驟C中包含，該控制器基於該記憶狀態為該唯讀狀態，傳送該唯一識別碼至該USB介面，該處理裝置透過該USB介面接收該唯一識別碼；步驟C之後包含，該處理裝置連線到該伺服器，該處理裝置於該伺服器中建立一物件表單，該控制器傳送該唯一識別碼至該USB介面，該處理裝置透過該USB介面接收該唯一識別碼且傳送該唯一識別碼至該伺服器，該伺服器將該唯一識別碼導入該物件表單中以形成一物件序號。
一種主機殼，所述主機殼位於機櫃中，所述機櫃具有定位柱，其改良在於，所述主機殼包括：<br/> 主機殼主體，所述主機殼主體具有第一轉軸及第二轉軸；<br/> 鎖定件，所述鎖定件設於所述第一轉軸，並繞所述第一轉軸於鎖定位置與解鎖位置之間轉動，所述鎖定件於所述主機殼主體之外部設有定位槽；<br/> 控制件，所述控制件設於所述第二轉軸，並繞所述第二轉軸於收納位置與拉出位置之間轉動；<br/> 連桿，所述連桿之一端藉由第三轉軸可轉動地連接所述鎖定件，所述連桿之另一端藉由第四轉軸可轉動地連接所述控制件，所述第一轉軸、所述第二轉軸、所述第三轉軸及所述第四轉軸之軸線相平行，所述控制件轉動時藉由所述連桿驅動所述鎖定件轉動；<br/> 當所述控制件於所述拉出位置時，所述鎖定件於所述解鎖位置，所述定位柱可進出所述定位槽；當所述控制件於所述收納位置時，所述鎖定件於所述鎖定位置，所述定位柱於所述定位槽內，以定位所述主機殼主體至所述機櫃，所述第二轉軸、所述第三轉軸及所述第四轉軸之軸線位於同一平面內。
如請求項1所述之主機殼，其中：所述鎖定件朝向所述連桿之一側設有收納槽，當所述控制件於所述收納位置且所述鎖定件於所述鎖定位置時，所述連桿至少部分地位於所述收納槽內。
如請求項1所述之主機殼，其中：所述連桿設有第一缺口，當所述控制件於所述拉出位置且所述鎖定件於所述解鎖位置時，所述第二轉軸至少部分地位於所述第一缺口內。
如請求項3所述之主機殼，其中：所述鎖定件設有第二缺口，當所述控制件於所述收納位置且所述鎖定件於所述鎖定位置時，所述第四轉軸至少部分地設於所述第二缺口內。
如請求項1所述之主機殼，其中：所述第三轉軸與所述第四轉軸之間之距離小於所述第一轉軸與所述第二轉軸之間之距離。
如請求項5所述之主機殼，其中：所述主機殼主體之一側設有避位槽，所述鎖定件之一部分藉由所述避位槽伸出所述主機殼主體並設置所述定位槽。
如請求項1所述之主機殼，其中：所述鎖定件於所述定位槽內具有相向且平行之第一槽面及第二槽面，所述主機殼主體沿第一方向插入所述機櫃並沿第二方向離開所述機櫃，所述第一方向與所述第二方向相反，所述第一槽面與所述第二槽面之間之距離大於所述定位柱於第一方向之寬度，當所述鎖定件於所述鎖定位置時，所述第一槽面於所述定位柱朝所述第一方向之一側，所述第二槽面於所述定位柱朝所述第二方向之一側。
如請求項7所述之主機殼，其中：當所述鎖定件從所述鎖定位置轉向所述解鎖位置，所述第二槽面抵推所述定位柱朝所述第二方向之一側，使所述主機殼主體沿所述第二方向移動；當所述鎖定件從所述解鎖位置轉向所述鎖定位置，所述第一槽面抵推所述定位柱朝所述第一方向之一側，使所述主機殼主體沿所述第一方向移動。
如請求項1所述之主機殼，其中：所述控制件遠離所述第二轉軸之一端設有把手，所述把手與所述主機殼主體之間具有間隙。
一種伺服器系統，其改良在於：所述伺服器系統包括機櫃及多個伺服器，每個伺服器包括如請求項1至9中任一項所述之主機殼，所述機櫃用於收納多個所述伺服器，所述機櫃具有定位柱，所述定位柱用於定位所述主機殼至所述機櫃。
一種生質塑膠粒原料之製造方法，其依序包含：<br/>一第一入料步驟：將一水溶性高分子聚合物及一含鈣無機粉混合為一可水分解原料，該可水分解原料被定量投入一造粒機之一第一投料口；<br/>一第一加熱步驟：該造粒機之一管腔體與該第一投料口連通，該管腔體設有一雙螺桿及一加熱裝置，該加熱裝置將該管腔體加熱至一第一溫度，令該可水分解原料呈半熔融狀態；<br/>一第一切削步驟：該加熱裝置將該管腔體之溫度調整至一第二溫度，於該第二溫度之環境下，透過該雙螺桿將該可水分解原料進行滾攪及切削；<br/>一第一混煉步驟：於該第二溫度之環境下，透過該雙螺桿將經由該第一切削步驟處理之該可水分解原料進行滾攪及推擠；<br/>一第二入料步驟：該造粒機設有與該管腔體連通之一第二投料口，將一生物可分解塑膠由該第二投料口輸入該管腔體；<br/>一第二加熱步驟：該加熱裝置將該管腔體之溫度調整至一第三溫度，於該第三溫度之環境下，透過該雙螺桿將該生物可分解塑膠與經由該第一混煉步驟處理之該可水分解原料進行混合；<br/>一第二切削步驟：該加熱裝置將該管腔體之溫度調整至一第四溫度，於該第四溫度之環境下，透過該雙螺桿將該生物可分解塑膠與經由該第二加熱步驟處理之該可水分解原料進行再次滾攪及切削，令該生物可分解塑膠及該可水分解原料呈完全熔融狀態；<br/>一第二混煉步驟：於該第四溫度之環境下，透過該雙螺桿將經由該第二切削步驟處理之該生物可分解塑膠及該可水分解原料進行再次滾攪及推擠，令該生物可分解塑膠及該可水分解原料完全結合為一混合物；以及<br/>一出料步驟：透過該雙螺桿將經由該第二混煉步驟所形成之該混合物輸出至一降溫環境中，以形成一塑膠粒原料。
如請求項1所述之生質塑膠粒原料之製造方法，其中，該造粒機之一出料槽連通該管腔體，該出料槽設有一鼓風機，該鼓風機能夠對該出料槽吹氣以產生該降溫環境。
如請求項1所述之生質塑膠粒原料之製造方法，其中，該第一溫度高於該第二溫度，該第二溫度高於該第三溫度，該第三溫度高於該第四溫度。
如請求項3所述之生質塑膠粒原料之製造方法，其中，該第一溫度為攝氏210度至230度；該第二溫度為攝氏190度至210度；該第三溫度為攝氏170度至190度；該第四溫度為攝氏150度至170度。
如請求項4所述之生質塑膠粒原料之製造方法，其中，該第一溫度為攝氏220度；該第二溫度為攝氏200度；該第三溫度為攝氏180度；該第四溫度為攝氏160度。
如請求項1所述之生質塑膠粒原料之製造方法，其中，該生物可分解塑膠與該水溶性高分子聚合物之總和含量比例高於該含鈣無機粉之含量比例。
如請求項6所述之生質塑膠粒原料之製造方法，其中，該生物可分解塑膠與該水溶性高分子聚合物之重量比例總和為60至80wt%；該含鈣無機粉之重量比例為20至40wt%。
如請求項7所述之生質塑膠粒原料之製造方法，其中，該生物可分解塑膠與該水溶性高分子聚合物之重量比例總和為65wt%；該含鈣無機粉之重量比例為35wt%。
如請求項6至8任一項所述之生質塑膠粒原料之製造方法，其中，該水溶性高分子聚合物為聚乙烯醇(PVA)；該含鈣無機粉為牡蠣殼粉；該生物可分解塑膠為聚丁二酸丁二醇酯(PBS)。
一種使用如請求項1所述製造方法產生之塑膠粒原料所製成之生質塑膠品。
一種綠能電力使用的紀錄方法，包括：經由一管理平台伺服器將一充電電力設備之一電力使用認證關聯至一綠能發電電號；經由該管理平台伺服器將複數個綠電帳號分別分配給複數個使用者；經由該管理平台伺服器記錄每一個使用者在該充電電力設備上所使用之單位電量，並根據所記錄之單位電量產生對應之複數個綠電點數記錄至每一個使用者所分配到的該綠電帳號；在每一認證周期，經由該管理平台伺服器依照該綠能發電電號所對應的綠能發電廠之發電量，獲得至少一第一綠電憑證以及一第二綠電憑證；經由該管理平台伺服器依照電量使用情況，從該複數個綠電帳號中，獲得一第一群綠電帳號，並將該第一綠電憑證記錄至該第一群綠電帳號；以及經由該管理平台伺服器依照電量使用情況，從該複數個綠電帳號中，獲得一第二群綠電帳號，並將該第二綠電憑證記錄至該第二群綠電帳號。
如請求項第1項所記載之綠能電力使用的紀錄方法，其中，經由該管理平台伺服器將複數個綠電帳號分別分配給複數個使用者，包括：在該充電電力設備，提供一使用者介面；經由該管理平台伺服器依照使用者對該使用者介面的操作，產生一使用者帳號；經由該管理平台伺服器依照一電動車之車牌，產生一綠電點數帳號；以及經由該管理平台伺服器連結該綠電點數帳號至該使用者帳號，以獲得一綠電帳號。
如請求項第2項所記載之綠能電力使用的紀錄方法，其中，經由該管理平台伺服器將複數個綠電帳號分別分配給複數個使用者，更包括：經由該管理平台伺服器提供一企業帳號；以及經由該管理平台伺服器將複數個綠電帳號以群組原則，配置至該企業帳號。
如請求項第3項所記載之綠能電力使用的紀錄方法，其中，經由該管理平台伺服器記錄每一個使用者在該充電電力設備上所使用之單位電量，並根據所記錄之單位電量產生對應之複數個綠電點數記錄至每一個使用者所分配到的該綠電帳號，更包括：經由該管理平台伺服器在每一認證周期，將該企業帳號所對應的該複數個綠電帳號之綠電點數，獲得一企業綠電點數；經由該管理平台伺服器依照該企業綠電點數除以一固定比例，獲得一自然數值；以及經由該管理平台伺服器分配該自然數值同等數目之複數個綠電憑證給該企業帳號。
如請求項第1項所記載之綠能電力使用的紀錄方法，更包括：提供至少一綠電消費平台，包括複數個貨品，每一複數個貨品包括一綠電點數標價；以及根據使用者的選購操作，扣除使用者對應的綠電帳號之綠電點數。
如請求項第1項所記載之綠能電力使用的紀錄方法，其中，該充電電力設備包括：一電動車充電樁，設置於一電動車停車位；一車牌辨識設備，電性連接該電動車充電樁，設置於可拍攝該電動車停車位的位置；以及一升降地鎖，電性連接該電動車充電樁，設置於該電動車停車位，其中，當一車輛駛入該電動車停車位，透過該車牌辨識設備判斷該車輛之車牌是否為一電動車車牌；其中，當該車輛之車牌為該電動車車牌，控制該升降地鎖下降；以及其中，當該升降地鎖下降一預設時間後，控制該升降地鎖上升。
如請求項第6項所記載之綠能電力使用的紀錄方法，更包括：經由該管理平台伺服器依照該車輛之車牌，判定是否具有對應的綠電帳號；當判斷該車輛之車牌具有對應的綠電帳號，啟動該電動車充電樁。
如請求項第7項所記載之綠能電力使用的紀錄方法，其中，經由該管理平台伺服器依照每一個使用者所使用之單位電量，進行計費，並產生對應之複數個綠電點數至對應的該複數個綠電帳號，包括：當該車輛充電完成，經由該管理平台伺服器依照該綠電帳號綁定的付費方式，進行扣款；經由該管理平台伺服器控制該升降地鎖下降； 經由該管理平台伺服器結算並產生對應之複數個綠電點數至對應的綠電帳號；以及經由該管理平台伺服器記錄該綠電帳號的交易數據至一公眾電子記帳資料庫。
如請求項第8項所記載之綠能電力使用的紀錄方法，其中，經由該管理平台伺服器記錄該綠電帳號的交易數據至該公眾電子記帳資料庫，包括：經由該管理平台伺服器產生此交易前的先前交易之一加密雜湊；以及經由該管理平台伺服器記錄該加密雜湊、此交易之相應時間戳記以及交易數據。
如請求項第1項所記載之綠能電力使用的紀錄方法，其中，每一個綠電憑證具有一憑證號碼，且該方法更包括：經由該管理平台伺服器依照所分配並記錄在該第一群綠電帳號中的電力度數，將該第一綠電憑證的該憑證號碼記錄至該第一群綠電帳號對應的複數個綠電帳號中；以及經由該管理平台伺服器依照所分配並記錄在該第二群綠電帳號中的電力度數，將該第二綠電憑證的該憑證號碼記錄至該第二群綠電帳號對應的複數個綠電帳號中。
一種綠能充電系統，包括：一綠能發電廠，採用綠色能源發電，具有一綠能發電電號；一充電電力設備，包括一使用者介面以及一電力使用認證；一管理平台伺服器，耦接該綠能發電廠以及該充電電力設備，用以提供複數個綠電帳號以及用以連結該電力使用認證與該綠能發電電號；其中，該管理平台伺服器依照每一個使用者使用該充電電力設備之單位電量，進行計費，並根據所記錄之單位電量產生對應之複數個綠電點數記錄至每一個使用者所分配到的該綠電帳號；其中，在每一認證周期，該管理平台伺服器依照該綠能發電電號所對應的綠能發電廠之發電量，獲得至少一第一綠電憑證以及一第二綠電憑證；其中，該管理平台伺服器依照電量使用情況，從該複數個綠電帳號中，獲得一第一群綠電帳號，並將該第一綠電憑證記錄至該第一群綠電帳號；以及其中，該管理平台伺服器依照電量使用情況，從該複數個綠電帳號中，獲得一第二群綠電帳號，並將該第二綠電憑證記錄至該第二群綠電帳號。
如請求項第11項所記載之綠能充電系統，其中，該充電電力設備包括：一使用者介面，其中，該管理平台伺服器依照使用者對該使用者介面的操作，產生一使用者帳號；其中，該管理平台伺服器依照一電動車之車牌，產生一綠電點數帳號，並連結該綠電點數帳號至該使用者帳號，以獲得一綠電帳號。
如請求項第12項所記載之綠能充電系統，其中，該管理平台伺服器，更用以：提供一企業帳號；以及將複數個綠電帳號以群組原則，配置至該企業帳號。
如請求項第13項所記載之綠能充電系統，其中，該管理平台伺服器依照一固定比例，將該複數個綠電憑證，依照時間順序，分配至每一該複數個使用者的消費紀錄，包括：該管理平台伺服器在每一認證周期，將該企業帳號所對應的該複數個綠電帳號之綠電點數，獲得一企業綠電點數；以及該管理平台伺服器依照該企業綠電點數除以該固定比例，獲得一自然數值，並分配該自然數值同等數目之複數個綠電憑證給該企業帳號。
如請求項第11項所記載之綠能充電系統，更包括：至少一綠電消費平台，包括複數個貨品，每一複數個貨品包括一綠電點數標價；其中，根據使用者的選購操作，該綠電消費平台扣除使用者對應的綠電帳號之綠電點數。
如請求項第11項所記載之綠能充電系統，其中，該充電電力設備包括：一電動車充電樁，設置於一電動車停車位；一車牌辨識設備，電性連接該電動車充電樁，設置於可拍攝該電動車停車位的位置；以及一升降地鎖，電性連接該電動車充電樁，設置於該電動車停車位，其中，當一車輛駛入該電動車停車位，透過該車牌辨識設備判斷該車輛之車牌是否為一電動車車牌；其中，當該車輛之車牌為該電動車車牌，控制該升降地鎖下降；以及其中，當該升降地鎖下降一預設時間後，控制該升降地鎖上升。
如請求項第16項所記載之綠能充電系統，該管理平台伺服器用以：依照該車輛之車牌，判定是否具有對應的綠電帳號；以及當判斷該車輛之車牌具有對應的綠電帳號，啟動該電動車充電樁。
如請求項第17項所記載之綠能充電系統，其中，當該車輛充電完成，該管理平台伺服器依照該綠電帳號綁定的付費方式，進行扣款，並控制該升降地鎖下降；其中，該管理平台伺服器結算並產生對應之複數個綠電點數至對應的綠電帳號；以及記錄該綠電帳號的交易數據至一公眾電子記帳資料庫。
如請求項第18項所記載之綠能充電系統，其中，該管理平台伺服器用以：產生此交易前的先前交易之一加密雜湊； 記錄該加密雜湊、此交易之相應時間戳記以及交易數據；以及上傳至該公眾電子記帳資料庫。
如請求項第11項所記載之綠能充電系統，其中，每一個綠電憑證具有一憑證號碼，且該管理平台伺服器用以：依照所分配並記錄在該第一群綠電帳號中的電力度數，將該第一綠電憑證的該憑證號碼記錄至該第一群綠電帳號對應的複數個綠電帳號中；以及依照所分配並記錄在該第二群綠電帳號中的電力度數，將該第二綠電憑證的該憑證號碼記錄至該第二群綠電帳號對應的複數個綠電帳號中。
一種熱處理裝置，其係一面對基板供給處理氣體一面對上述基板照射光而進行熱處理者，且具備： <br/>腔室，其收容基板； <br/>保持部，其於上述腔室內保持上述基板； <br/>光照射部，其對由上述保持部保持之上述基板照射光而將上述基板加熱； <br/>石英窗，其設置於上述腔室，使自上述光照射部照射之光透過至上述腔室內； <br/>氣體供給部，其對上述腔室內供給處理氣體； <br/>有孔板，其於上述腔室內設置於上述保持部與上述石英窗之間，形設有將自上述氣體供給部供給之處理氣體向上述保持部噴出之複數個噴出孔；及 <br/>整流機構，其將自上述氣體供給部供給之處理氣體以複數個氣流導流至上述有孔板與上述石英窗之間之空間，以上述複數個氣流之噴出方向自沿鉛直方向貫穿上述腔室中心之中心軸偏向相同方向之方式，對上述複數個氣流進行整流。
如請求項1之熱處理裝置，其中 <br/>上述複數個氣流各者之噴出方向，相對於將上述腔室之中心與該氣流之噴出位置相連之直線傾斜30°以上且80°以下。
如請求項2之熱處理裝置，其中 <br/>上述複數個氣流之噴出方向相對於上述直線之角度恆定。
如請求項2之熱處理裝置，其中 <br/>上述複數個氣流之噴出方向相對於上述直線之角度不定。
如請求項1之熱處理裝置，其中 <br/>上述整流機構對上述複數個氣流進行整流而於上述有孔板與上述石英窗之間之空間形成迴旋流。
如請求項1之熱處理裝置，其中 <br/>上述整流機構包含以包圍上述有孔板與上述石英窗之間之空間之方式配置成環狀之複數個導板，自相鄰之導板之間隙噴出上述處理氣體。
如請求項6之熱處理裝置，其中 <br/>上述相鄰之導板之間隔為5 mm以上且10 mm以下。
如請求項6之熱處理裝置，其中 <br/>上述複數個導板設置於自上述光照射部朝向由上述保持部保持之上述基板的光之光路之外側。
如請求項6之熱處理裝置，其進而具備： <br/>角度調整機構，其變更上述複數個導板之設置角度而調整上述複數個氣流之噴出方向。
如請求項1之熱處理裝置，其中 <br/>上述光照射部包含： <br/>閃光燈，其設置於上述腔室之一側，對上述基板照射閃光；及 <br/>連續點亮燈，其設置於上述腔室之另一側，於對上述基板照射閃光之前對上述基板照射光而將上述基板預加熱。
如請求項10之熱處理裝置，其中 <br/>上述處理氣體為氧， <br/>於藉由來自上述連續點亮燈之光照射開始預加熱上述基板之後，且於自上述閃光燈照射閃光之前，開始自上述整流機構向上述有孔板與上述石英窗之間之空間導流氧。
一種熱處理方法，其係一面對基板供給處理氣體一面對上述基板照射光而進行熱處理者，且具備： <br/>氣體供給工序，其於設置有石英窗之腔室內對由保持部保持之基板供給處理氣體；及 <br/>光照射工序，其自光照射部對由上述保持部保持之上述基板照射光而將上述基板加熱；且 <br/>於上述氣體供給工序中，自設置於上述保持部與上述石英窗之間的有孔板上所形設之複數個噴出孔向上述保持部噴出處理氣體，且將處理氣體以複數個氣流導流至上述有孔板與上述石英窗之間之空間，以上述複數個氣流之噴出方向自沿鉛直方向貫穿上述腔室中心之中心軸偏向相同方向之方式，對上述複數個氣流進行整流。
如請求項12之熱處理方法，其中 <br/>上述複數個氣流各者之噴出方向，相對於將上述腔室之中心與該氣流之噴出位置相連之直線傾斜30°以上且80°以下。
如請求項13之熱處理方法，其中 <br/>上述複數個氣流之噴出方向相對於上述直線之角度恆定。
如請求項13之熱處理方法，其中 <br/>上述複數個氣流之噴出方向相對於上述直線之角度不定。
如請求項12之熱處理方法，其中 <br/>於上述氣體供給工序中，對上述複數個氣流進行整流而於上述有孔板與上述石英窗之間之空間形成迴旋流。
如請求項12之熱處理方法，其進而具備： <br/>對上述複數個氣流之噴出方向進行調整之工序。
如請求項12之熱處理方法，其中 <br/>上述光照射工序包含： <br/>閃光照射工序，其自設置於上述腔室之一側之閃光燈對上述基板照射閃光；及 <br/>預加熱工序，其於上述閃光照射工序之前，自設置於上述腔室之另一側之連續點亮燈對上述基板照射光而將上述基板預加熱。
如請求項18之熱處理方法，其中 <br/>上述處理氣體為氧， <br/>於開始上述預加熱工序之後，且於上述閃光照射工序之前，開始向上述有孔板與上述石英窗之間之空間導流氧。
一種高彩高亮度的電泳式顯示器，包含: <br/>一第一基板，包含一第一表面與第二表面，該第二表面設置一薄膜電晶體層與一透明畫素電極層，該薄膜電晶體層包含多個薄膜電晶體，多條閘極線與多條資料線，該透明畫素電極層包含多個透明畫素電極，該薄膜電晶體的部分面積與該閘極線或該資料線在投影方向重疊； <br/>一高彩高亮彩色濾光層，包含多個濾光單元組，每個該濾光單元組包含至少六個不同顏色的濾光色塊，該些不同顏色的濾光色塊包含多個原色濾光色塊與多個非原色濾光色塊；每一該濾光色塊與一該透明畫素電極呈一對一對應； <br/>一第二基板，包含一第三表面與一第四表面； <br/>一顯示材料層夾置於該第一基板與該第二基板之間，該顯示材料層充填包含至少一種顏色的帶電荷顏色粒子的膠體溶液； <br/>其中該多個非原色濾光色塊包含洋紅色濾光色塊，黃色濾光色塊與青色濾光色塊； <br/>其中該多個原色濾光色塊包含紅色濾光色塊，藍色濾光色塊與綠色濾光色塊。
如請求項1所述之高彩高亮度的電泳式顯示器，其中當該電泳式顯示器全屏顯示白色時，其顯示亮度不小於入射光亮度的百分之三十。
如請求項1所述之高彩高亮度的電泳式顯示器，其中該多個非原色濾光色塊包含至少兩個不同顏色，一該非原色濾光色塊在可見光的範圍 380nm~780nm內，其允過光譜的半峰全寬（Full width at half maximum，FWHM）超過150 nm。
如請求項1所述之高彩高亮度的電泳式顯示器，其中該濾光單元組是該紅色濾光色塊，該藍色濾光色塊與該綠色濾光色塊與該洋紅色濾光色塊，該黃色濾光色塊與該青色濾光色塊沿縱方向或沿橫方向並列而成。
如請求項1所述之高彩高亮度的電泳式顯示器，其中該濾光單元組是該紅色濾光色塊，該藍色濾光色塊與該綠色濾光色塊，該洋紅色濾光色塊，該黃色濾光色塊與該青色濾光色塊沿縱方向或沿橫方向串列而成。
如請求項1所述之高彩高亮度的電泳式顯示器，其中該濾光單元組是該紅色濾光色塊，該藍色濾光色塊與該綠色濾光色塊，該洋紅色濾光色塊，該黃色濾光色塊與該青色濾光色塊沿縱方向或沿橫方向交錯串列而成。
如請求項1所述之高彩高亮度的電泳式顯示器，其中各個該濾光單元組沿橫向與縱向延展排列形成完整的彩色濾光層。
如請求項7所述之高彩高亮度的電泳式顯示器，其中相鄰的該些濾光單元組的該些濾光色塊的排列呈一特定位移關係。
如請求項1所述之高彩高亮度的電泳式顯示器，其中該紅色濾光色塊，該藍色濾光色塊與該綠色濾光色塊，該洋紅色濾光色塊，該黃色濾光色塊與該青色濾光色塊組成6乘6濾光色塊矩陣，且該6乘6濾光色塊矩陣沿縱向與橫向排列形成該高彩高亮彩色濾光層。
如請求項1所述之高彩高亮度的電泳式顯示器，其中任一該濾光色塊與周遭相鄰的該些濾光色塊的顏色不相同。
如請求項1所述之高彩高亮度的電泳式顯示器，其中任兩相鄰的該些濾光色塊在投影方向不重疊，或在投影方向的重疊面積小於該濾光色塊面積的百分之二十。
如請求項1所述之高彩高亮度的電泳式顯示器，其中至少一該濾光色塊週遭有一透明區域。
如請求項1所述之高彩高亮度的電泳式顯示器，其中由該第一基板側向該顯示材料層看過去，其透光開口率大於百分之八十。
如請求項1所述之高彩高亮度的電泳式顯示器，其中該多個原色濾光色塊包含洋紅色塊與黃色塊疊加成的紅色濾光色塊，洋紅色塊與青色塊疊加成的藍色濾光色塊，黃色塊與青色塊疊加成的綠色濾光色塊。
如請求項14所述之高彩高亮度的電泳式顯示器，其中該高彩高亮彩色濾光層係使用同一個光罩，經三次黃光微影製程完成。
如請求項1所述之高彩高亮度的電泳式顯示器，其中在需顯示紅色的區域處，該電泳式顯示器控制帶電荷白色粒子移動堆積到對應原色的紅色濾光色塊、非原色的洋紅色與黃色濾光色塊的表面以顯示紅色。
如請求項1所述之高彩高亮度的電泳式顯示器，其中在需顯示綠色的區域處，該電泳式顯示器控制帶電荷白色粒子移動堆積到對應原色的綠色濾光色塊、非原色的青色與黃色濾光色塊的表面以顯示綠色。
如請求項1所述之高彩高亮度的電泳式顯示器，其中在需顯示藍色的區域處，該電泳式顯示器控制帶電荷白色粒子移動堆積到對應原色的藍色濾光色塊、非原色的洋紅色與青色濾光色塊的表面以顯示藍色。
如請求項1所述之高彩高亮度的電泳式顯示器，其中在需顯示黃色的區域處，該電泳式顯示器控制帶電荷白色粒子移動堆積到對應非原色的黃色濾光色塊、原色的紅色與綠色濾光色塊的表面以顯示黃色。
如請求項1所述之高彩高亮度的電泳式顯示器，其中在需顯示青色的區域處，該電泳式顯示器控制帶電荷白色粒子移動堆積到對應非原色的青色濾光色塊、原色的藍色與綠色濾光色塊的表面以顯示青色。
如請求項1所述之高彩高亮度的電泳式顯示器，其中在顯示洋紅色的區域處，該電泳式顯示器控制帶電荷白色粒子移動堆積到對應非原色的洋紅色濾光色塊、原色的紅色與藍色濾光色塊的表面以顯示洋紅色。
如請求項1所述之高彩高亮度的電泳式顯示器，其中在需顯示白色的區域處，該電泳式顯示器控制帶電荷白色粒子移動堆積到對應非原色的黃色、洋紅色、青色濾光色塊與原色的藍色、紅色和綠色濾光色塊的表面以顯示白色。
一種電子裝置，包含：<br/> 一機櫃；及<br/> 一機箱，包含：<br/> 一殼體，可滑動地設置於該機櫃；及<br/> 一把手組件，包含：<br/> 一把手，可旋轉地連接於該殼體；<br/> 一致動件，可滑動地連接於該把手；及<br/> 一匹配件，設置於該殼體與該把手之間；<br/> 其中，該致動件適於相對該把手滑動，使該匹配件卡制於該殼體；及<br/> 該匹配件適於透過該致動件相對該把手移動，使該匹配件部分地暴露於該致動件的一解鎖孔。
如請求項1所述之電子裝置，其中，該致動件可滑動地連接於該把手以具有一卡固位置與一解鎖位置，於該卡固位置，該致動件的一抵頂部抵頂該匹配件，使該匹配件卡制該殼體；及<br/> 於該解鎖位置，該致動件的該解鎖孔對應該匹配件，使該匹配件在至少一軸上具有一移動自由度。
如請求項2所述之電子裝置，其中，該把手組件更包含一復位件，該把手包含一側桿，該致動件包含一滑塊，該滑塊設置於該側桿且該復位件連接該滑塊及該側桿，適於使該致動件維持於該卡固位置。
如請求項3所述之電子裝置，其中，該殼體包含多個定位部，該復位件適於使該致動件由該解鎖位置朝該卡固位置滑動，且該致動件的該抵頂部將該匹配件定位於其中一該複數定位部。
如請求項1所述之電子裝置，其中，該致動件包含一操作部及一滑塊，該操作部連接該滑塊，該滑塊設有該解鎖孔及一抵頂部；<br/> 該把手包含一握持部及一側桿，該握持部連接該側桿，該握持部設有一卡槽，該側桿可旋轉地連接於該殼體，該側桿設有一滑槽；<br/> 其中，該致動件的該操作部連接於該把手的該卡槽，該致動件的該滑塊設置於該把手的該滑槽內，該匹配件位設置於該滑塊與該殼體之間。
如請求項5所述之電子裝置，其中，該把手組件更包含一止擋件，該止擋件設置於該把手的該側桿，該止擋件設有一容置孔，該匹配件設置於該止擋件與該滑塊之間，且該匹配件的部分暴露於該容置孔。
如請求項6所述之電子裝置，其中，該止擋件更包含一凸部，該凸部朝該殼體凸伸，該容置孔位於該凸部。
如請求項5所述之電子裝置，其中，該匹配件包含一滾珠，該致動件的該解鎖孔的一直徑約為該滾珠的一直徑的0.6至0.9倍，該滾珠的該直徑與該機箱的一承載重量成正比，該滾珠的該直徑符合以下公式：<br/><img align="absmiddle" height="181px" width="1312px" file="ed10002.jpg" alt="ed10002.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中，D為該滾珠的該直徑，F為施加於該把手的一徑向力量，該徑向力量介於5 kg至70 kg之間，k為該滾珠的一摩擦係數，P為該致動件的一導程，L為該把手的一有效長度，R為一範圍參數，該範圍參數介於0.75至1.25之間。
一種伺服器機箱，包含：<br/> 一殼體；及<br/> 一把手組件，包含：<br/> 一把手，可旋轉地連接於該殼體；<br/> 一致動件，可滑動地連接於該把手；及<br/> 一匹配件，設置於該殼體與該把手之間；<br/> 其中，該致動件適於相對該把手滑動，將該匹配件卡制於該殼體；及<br/> 該匹配件適於透過該致動件相對該把手移動，使該匹配件部分地暴露於該致動件的一解鎖孔。
如請求項9所述之伺服器機箱，其中，該致動件可滑動地連接於該把手以具有一卡固位置與一解鎖位置，於該卡固位置，該致動件的一抵頂部抵頂該匹配件，使該匹配件卡制該殼體；於該解鎖位置，該致動件的該解鎖孔對應該匹配件，使該匹配件在至少一軸上具有一移動自由度。
如請求項10所述之伺服器機箱，其中，該把手組件更包含一復位件，該把手包含一側桿，該致動件包含一滑塊，該滑塊設置於該側桿且該復位件連接該滑塊及該側桿，該復位件適於使該致動件維持於該卡固位置；及<br/> 該殼體包含多個定位部，該復位件適於使該致動件由該解鎖位置朝該卡固位置滑動，且該致動件的該抵頂部將該匹配件定位於其中一該複數定位部。
如請求項9所述之伺服器機箱，其中，該致動件包含一操作部及一滑塊，該操作部連接該滑塊，該滑塊設有該解鎖孔及一抵頂部；<br/> 該把手包含一握持部及一側桿，該握持部連接該側桿，該握持部設有一卡槽，該側桿可旋轉地連接於該殼體，該側桿具有一滑槽；<br/> 其中，該致動件的該操作部設置於該把手的該卡槽，該致動件的該滑塊設置於該把手的該滑槽內，該匹配件設置於該滑塊與該殼體之間。
如請求項12所述之伺服器機箱，其中，該把手組件包含一止擋件，該止擋件設置於該把手的該側桿，該止擋件設有一容置孔，該匹配件設置於該止擋件與該滑塊之間，且該匹配件的部分暴露於該容置孔。
如請求項13所述之伺服器機箱，其中，該止擋件包含一凸部，該凸部朝該殼體凸伸，該容置孔位於該凸部。
如請求項9所述之伺服器機箱，其中，該致動件可滑動地連接於該把手以具有一卡固位置與一解鎖位置，於該卡固位置，該致動件的一抵頂部抵頂該匹配件，使該匹配件卡制該殼體；於該解鎖位置，該致動件的該解鎖孔對應該匹配件，使該匹配件在至少一軸上具有一移動自由度；<br/> 該把手組件更包含一復位件，該把手包含一側桿，該致動件包含一滑塊，該滑塊設置於該側桿且該復位件連接該滑塊及該側桿，該復位件適於使該致動件維持於該卡固位置；<br/> 該殼體包含多個定位部，該復位件適於使該致動件由該解鎖位置朝該卡固位置滑動，且該致動件的該抵頂部將該匹配件定位於其中一該複數定位部；<br/> 該致動件更包含一操作部，該操作部連接該滑塊，該滑塊設有該解鎖孔及一抵頂部；<br/> 該把手更包含一握持部，該握持部連接該側桿，該握持部設有一卡槽，該側桿可旋轉地連接於該殼體，該側桿設有一滑槽，該致動件的該操作部設置於該把手的該卡槽，該致動件的該滑塊設置於該把手的該滑槽內，該匹配件設置於該滑塊與該殼體之間；<br/> 把手組件更包含一止擋件，該止擋件設置於該把手的該側桿，該止擋件設有一容置孔，該匹配件設置於該止擋件與該滑塊之間，且該匹配件的部分暴露於該容置孔；及<br/> 該止擋件包含一凸部，該凸部朝該殼體凸伸，該容置孔位於該凸部。
一種把手組件，包含：<br/> 一把手；<br/> 一致動件，可滑動地連接於該把手；及<br/> 一匹配件，可動地設置於該把手；<br/> 其中，該匹配件適於透過該致動件相對該把手移動，使該匹配件部分地暴露於該致動件的一解鎖孔。
如請求項16所述之把手組件，其中，該致動件可滑動地連接於該把手以具有一卡固位置與一解鎖位置，於該卡固位置，該致動件的一抵頂部抵頂該匹配件；及<br/> 於該解鎖位置，該匹配件部分地暴露於該致動件的該解鎖孔，使該匹配件在朝該解鎖孔的方向上具有一移動自由度。
如請求項17所述之把手組件，更包含一復位件，該把手更包含一側桿，該致動件包含一滑塊，該滑塊設置於該側桿且該復位件連接該滑塊及該側桿，該復位件適於使該致動件由該解鎖位置朝該卡固位置滑動，使該致動件的該抵頂部抵頂該匹配件。
如請求項16所述之把手組件，其中，該致動件包含一操作部及一滑塊，該操作部連接該滑塊，該滑塊設有一抵頂部；及<br/> 該把手包含一握持部及一側桿，該握持部連接該側桿，該握持部設有一卡槽，該側桿設有一滑槽；其中，該致動件的該操作部連接該把手的該卡槽，該致動件的該滑塊可滑移地設置於該把手的該滑槽內，該匹配件位於該滑槽。
如請求項19所述之把手組件，其中，該把手組件包含一止擋件，該止擋件設置於該把手的該側桿，該止擋件設有一容置孔，該匹配件設置於該止擋件與該滑塊之間，且該匹配件的部分暴露於該容置孔。
一種具分布多樣性約束之生成對抗網路訓練方法，其包含:<br/> 一生成器、一真偽性鑑別網路及一分布性鑑別網路，其中：<br/> 該真偽性鑑別網路係用於判別輸入之一真實數據與一虛擬數據，並輸出鑑別機率以計算真偽性損失；<br/> 該分布性鑑別網路係用於接收輸入之該真實數據並輸出其一預測值，以反映輸入之該真實數據之分布特性，並據以計算一分布性損失；其中:<br/> 該具分布多樣性約束之生成對抗網路訓練方法的步驟包含:<br/> 步驟S1: 提供該分布性鑑別網路、該真偽性鑑別網路以及該生成器；<br/> 步驟S2:將一隨機噪聲輸入至該生成器生成該虛擬數據，將該虛擬數據輸入至該分布性鑑別網路以訓練該分布性鑑別網路；<br/> 步驟S3:將該真實數據與該虛擬數據輸入至該真偽性鑑別網路以訓練該真偽性鑑別網路；<br/> 步驟S4: 將該虛擬數據輸入至該真偽性鑑別網路後，該真偽性鑑別網路輸出該虛擬數據之鑑別機率並計算其真偽性損失以訓練該生成器；<br/> 步驟S5: 將該真實數據輸入至該分布性鑑別網路後，該分布性鑑別網路輸出該真實數據之該預測值並計算其分布性損失以訓練該生成器，其中該分布性損失係基於該預測值與該真實數據分布之差異所建立，並透過該分布性鑑別網路之輸出結果參與反向傳播以更新該生成器，以提升該虛擬數據分布之多樣性；以及<br/> 步驟S6: 確認該生成器的迭代次數是否達預設之標準。
如請求項1所述的具分布多樣性約束之生成對抗網路訓練方法，其中，若該生成器的迭代次數未達預設之標準，重新前述步驟至達標。
如請求項1所述的具分布多樣性約束之生成對抗網路訓練方法，其中，該生成器輸入為一多維隨機噪聲向量。
如請求項1所述的具分布多樣性約束之生成對抗網路訓練方法，其中，該生成器、該真偽性鑑別網路與該分布性鑑別網路皆為神經網路。
如請求項1所述的具分布多樣性約束之生成對抗網路訓練方法，其中，步驟6中進行多輪迭代訓練，直至平均損失小於預設門檻。
一種網路設備調度建議系統，包括：<br/> 儲存媒體，儲存多個模組；以及<br/> 處理器，耦接該儲存媒體，並且存取和執行該些模組，其中該些模組包括：<br/> 預測模型，用以基於通道數量資訊產生預測結果；以及<br/> 調度/擴充建議模組，用以根據該預測結果以及可用通道資訊產生調度指標，並輸出該調度指標。
如請求項1所述的網路設備調度建議系統，其中該些模組更包括：<br/> 前處理模組，用以根據使用狀況資訊產生該通道數量資訊，並根據該使用狀況資訊及卡板終止資訊產生該可用通道資訊。
如請求項2所述的網路設備調度建議系統，其中該使用狀況資訊包括日期、設備名稱、卡板型號、卡板編號、通道編號、通道速率、卡片狀態、通道銜接狀態及介面狀態。
如請求項2所述的網路設備調度建議系統，其中該卡板終止資訊包括卡版型號及終止服務日期。
如請求項1所述的網路設備調度建議系統，其中該預測模型為長短期記憶神經網路(Long Short-Term Memory，LSTM )模型。
如請求項1所述的網路設備調度建議系統，其中該通道數量資訊包括日期、設備名稱、通道速率及通道使用量。
如請求項1所述的網路設備調度建議系統，其中該可用通道資訊包括設備名稱、通道使用量、通道可用量、有效通道使用量及有效通道可用量。
如請求項1所述的網路設備調度建議系統，其中該預測模型包括多個預測子模型，並且各該預測子模型對應於設備名稱及通道速率。
如請求項1所述的網路設備調度建議系統，其中該預測結果用以指示一段時間後的預測使用量。
如請求項1所述的網路設備調度建議系統，其中該調度指標用以指示一段時間後的通道缺乏數量及有效通道缺乏數量。
一種適用於網路設備調度建議系統的操作方法，包括：<br/> 由預測模型基於通道數量資訊產生預測結果；<br/> 由調度/擴充建議模組根據該預測結果以及可用通道資訊產生調度指標；以及<br/> 由該調度/擴充建議模組輸出該調度指標。
一種訓練方法，其中在一或多個回合的各時間步中，該訓練方法包含:<br/> 由一稀疏智能體根據一狀態產生一動作；及<br/> 自一經驗回放池獲取複數個候選樣本，以更新該稀疏智能體的一當前神經網路，並且其中更新該當前神經網路的步驟包含：<br/> 根據該些候選樣本，計算一損失函數；<br/> 根據該損失函數，計算複數個權重的複數個梯度值；<br/> 對該些梯度值進行梯度裁剪，以產生複數個調整後梯度值；<br/> 根據該些調整後梯度值，進行銳利度感知最小化計算，以獲取複數個擾動向量；及<br/> 根據該損失函數及該些擾動向量更新該當前神經網路，以產生一更新後神經網路。
如請求項1所述之訓練方法，其中該當前神經網路是一稀疏神經網路，並且其中該稀疏神經網路包含複數個遮罩權重以及複數個未遮罩權重，並且其中該些權重為該些未遮罩權重。
如請求項1所述之訓練方法，其中更新該當前神經網路，以產生該更新後神經網路的步驟包含：<br/> 根據該損失函數及該些擾動向量，更新該當前神經網路的該些權重，以獲取複數個更新後權重；<br/> 根據該些梯度值，更新該當前神經網路的一稀疏拓樸，以獲取一更新後稀疏拓樸；<br/> 根據該些梯度值，更新該當前神經網路的一擾動拓樸，以獲取一更新後擾動拓樸；及<br/> 根據該些更新後權重、該更新後稀疏拓樸及該更新後擾動拓樸更新該當前神經網路，以產生該更新後神經網路。
如請求項3所述之訓練方法，其中：<br/> 該更新後稀疏拓樸用以修剪一小部分的該些更新後權重並且增長相同數量的新權重；及<br/> 該更新後擾動拓樸用以修剪一小部分的該些擾動向量並且增長相同數量的新擾動向量。
如請求項1所述之訓練方法，其中產生該更新後神經網路的步驟包含：<br/> 根據在一前一時間步該些權重的複數個權重更新量、該損失函數及該些擾動向量，更新該當前神經網路的該些權重，以獲取複數個更新後權重。
如請求項1所述之訓練方法，其中在一初始階段中，該訓練方法包含:<br/> 獲取具有隨機參數的一密集模型；<br/> 根據該密集模型與一環境的互動以產生複數個樣本，並且將該些樣本儲存至該經驗回放池；及<br/> 基於該密集模型，初始化的一稀疏拓樸及一擾動拓樸，以獲取一初始化神經網路。
如請求項1所述之訓練方法，其中獲取該些候選樣本的步驟包含：<br/> 根據該經驗回放池中的複數個樣本的優先順序，計算該些樣本的複數個機率；<br/> 根據該些機率，自該經驗回放池取樣一部分的該些候選樣本；及<br/> 自該經驗回放池隨機取樣另一部分的該些候選樣本。
如請求項1所述之訓練方法，其中計算該損失函數的步驟包含：<br/> 根據該些候選樣本在一當前價值網路以及在一目標價值網路的輸出之間的複數個誤差，計算該些候選樣本的複數個重要性；<br/> 根據該些重要性，選取一比例的該些候選樣本作為複數個被選樣本；及<br/> 計算該些被選樣本的複數個時間序差異誤差；及<br/> 對該些時間序差異誤差進行加權，以計算該損失函數。
如請求項1所述之訓練方法，其中該稀疏智能體用以在該一或多個回合中與一環境互動，以執行一第一任務，並且其中該訓練方法更包含：<br/> 複製該稀疏智能體，以產生一複製後稀疏智能體，並且其中該複製後稀疏智能體在一或多個回合中與該環境互動，以執行相異於該第一任務的一第二任務。
一種訓練系統，包含：<br/> 一記憶體裝置，用以儲存複數個指令及資料；及<br/> 一處理電路，用以存取該記憶體裝置，以在一或多個回合的各時間步中執行：<br/> 控制一稀疏智能體根據一當前狀態產生一當前動作；及<br/> 自一經驗回放池獲取複數個候選樣本，以更新該稀疏智能體的一當前神經網路，並且更新該當前神經網路的步驟包含：<br/> 根據該些候選樣本，計算一損失函數；<br/> 根據該損失函數，計算複數個權重的複數個梯度值；<br/> 對該些梯度值進行梯度裁剪，以產生複數個調整後梯度值；<br/> 根據該些調整後梯度值，進行銳利度感知最小化計算，以獲取複數個擾動向量；及<br/> 根據該損失函數及該些擾動向量更新該當前神經網路，以產生一更新後神經網路。
一種非暫態電腦可讀取媒體，包含複數個指令及資料供一處理電路存取以執行：<br/> 控制一稀疏智能體根據一當前狀態產生一當前動作；及<br/> 自一經驗回放池獲取複數個候選樣本，以更新該稀疏智能體的一當前神經網路，並且更新該當前神經網路的步驟包含：<br/> 根據該些候選樣本，計算一損失函數；<br/> 根據該損失函數，計算複數個權重的複數個梯度值；<br/> 對該些梯度值進行梯度裁剪，以產生複數個調整後梯度值；<br/> 根據該些調整後梯度值，進行銳利度感知最小化計算，以獲取複數個擾動向量；及<br/> 根據該損失函數及該些擾動向量更新該當前神經網路，以產生一更新後神經網路。
一種運算系統，包括：<br/> 一運算板，具有一第一面及一第二面，該第一面具有一熱介面區；及<br/> 一散熱輔助裝置，包括：<br/> 一結構件；<br/> 一第一簧件，夾置於該運算板與該結構件之間，該第二面朝向該第一簧件；<br/> 一散熱板；及<br/> 一固定件，用以將該散熱板與該結構件相互固定，以使該熱介面區接觸該散熱板之一表面且使該第一簧件具有一將該運算板朝該散熱板推之第一預定力；<br/> 其中，該第一簧件具有一第一抵頂部，該運算板具有多個電壓調節模組，該些電壓調節模組位於該第二面，該第一抵頂部具有多個鏤孔，該些鏤孔對應該些電壓調節模組。
如請求項1所述之運算系統，其中，該第一簧件具有該第一抵頂部及多個第一簧足，該第一抵頂部接觸該第二面，該些第一簧足提供該第一預定力。
如請求項2所述之運算系統，其中，該結構件在朝向該運算板的該第二面上具有一導引孔，該第一抵頂部具有一定位柱，該定位柱對應該導引孔。
如請求項2所述之運算系統，其中，該結構件具有多個導軌，該些導軌對應該些第一簧足並用以分別導引該些第一簧足。
如請求項1所述之運算系統，其中，該散熱輔助裝置另包含一第二簧件，位於該運算板與該散熱板之間，該表面具有一避位槽及一接觸部，該接觸部接觸該熱介面區，該第二簧件具有一第二抵頂部及多個第二簧足，該些第二簧足及該第二抵頂部容置於該避位槽；響應於該些第二簧足抵於該結構件，使該散熱板具有朝該運算板推之一第二預定力。
如請求項5所述之運算系統，其中，各該第二簧足分別具有一定位孔，各該固定件分別穿過該定位孔。
如請求項5所述之運算系統，其中，該第二簧件具有多個連接臂，各該連接臂連接至該散熱板之側邊。
如請求項5所述之運算系統，其中，響應於該第一預定力與該第二預定力，該熱介面區與該接觸部之間的壓力為大於或等於30磅每平方英寸（pound per square inch, Psi）。
如請求項1所述之運算系統，其中，該運算板還包含多個運算元件及多個導熱件，該些運算元件位於該第一面，該些導熱件分別位於該些運算元件與該表面之間。
如請求項1所述之運算系統，其中，該散熱輔助裝置還包含一第三簧件及一第四簧件；該散熱板位於該第三簧件與該結構件之間，該結構件位於該第四簧件與該散熱板之間；固定該第三簧件與該第四簧件，以夾固該散熱板及該結構件。
一種散熱輔助裝置，適於輔助一運算板進行散熱，該運算板具有多個電壓調節模組，該散熱輔助裝置包括：<br/> 一結構件；<br/> 一散熱板；<br/> 一第一簧件，位於該結構件及該散熱板之間；及<br/> 一固定件，用以將該散熱板與該結構件相互固定，以使該第一簧件具有一將該結構件朝該散熱板推之第一預定力；<br/> 其中，該第一簧件具有一第一抵頂部，該第一抵頂部具有多個鏤孔，該些鏤孔對應該些電壓調節模組。
如請求項11所述之散熱輔助裝置，其中，該第一簧件具有該第一抵頂部及多個第一簧足，該些第一簧足連接該第一抵頂部之側邊，該些第一簧足提供該第一預定力。
如請求項12所述之散熱輔助裝置，其中，該結構件在朝向該散熱板的一表面上具有一導引孔，該第一抵頂部具有一定位柱，該定位柱對應該導引孔。
如請求項12所述之散熱輔助裝置，其中，該結構件具有多個導軌，該些導軌對應該些第一簧足並用以分別導引該些第一簧足。
如請求項11所述之散熱輔助裝置，另包含一第二簧件，位於該結構件與該散熱板之間；該散熱板的一表面具有一避位槽及一接觸部，該接觸部接觸該運算板的一熱介面區，該第二簧件具有一第二抵頂部及多個第二簧足，該些第二簧足及該第二抵頂部容置於該避位槽；響應於該些第二簧足抵於該結構件，使該散熱板具有朝該結構件推之一第二預定力。
如請求項15所述之散熱輔助裝置，各該第二簧足分別具有一定位孔，各該固定件分別穿過該定位孔。
如請求項15所述之散熱輔助裝置，其中，該第二簧件具有多個連接臂，各該連接臂連接至該散熱板之側邊。
如請求項15所述之散熱輔助裝置，其中，響應於該第一預定力與該第二預定力，該熱介面區與該接觸部之間的壓力為大於或等於30Psi。
如請求項11所述之散熱輔助裝置，還包含一第三簧件及一第四簧件；該散熱板位於該第三簧件與該結構件之間，該結構件位於該第四簧件與該散熱板之間；固定該第三簧件與該第四簧件，以夾固該散熱板及該結構件。
一種動作輔助裝置，包含： <br/>一支架結構；以及 <br/>一張力系統，設置在該支架結構上，且包括一控制模組； <br/>一第一設置結構，連接至該張力系統，且經配置以設置於一使用者的一骨盆位置；以及 <br/>一第二設置結構，連接至該張力系統，且經配置以設置於該使用者的一肢體位置； <br/>其中該張力系統經配置以根據連接至該第一設置結構與該第二設置結構的至少一個感測張力獲得該使用者的該骨盆位置及該肢體位置，並且根據該骨盆位置及該肢體位置，藉由該第一設置結構及該第二設置結構提供該使用者至少一個方向的輔助張力； <br/>其中該至少一個感測張力包括一第一張力及一第二張力，該第一張力及該第二張力形成一幾何關係；該控制模組經配置以根據該幾何關係以幾何演算法定位該骨盆位置。
如請求項1所述的動作輔助裝置，其中該張力系統由至少一個被動張力元件組成。
如請求項1所述的動作輔助裝置，其中該張力系統由至少一個主動張力元件組成。
如請求項3所述的動作輔助裝置，其中該張力系統進一步由至少一個被動張力元件以及該至少一個主動張力元件組成；其中該控制模組進一步經配置以輸出一控制訊號至該至少一個主動張力元件。
如請求項4所述的動作輔助裝置，其中該控制訊號至少根據該骨盆位置與該肢體位置之一相對位置關係而提供。
如請求項4所述的動作輔助裝置，其中該控制模組進一步經配置以根據該骨盆位置與該肢體位置預測該使用者的骨盆與肢體之間的一交互運動模式。
如請求項4所述的動作輔助裝置，進一步包含： <br/>一動作偵測器，耦接至該張力系統，並輸出一動作預測資訊至該張力系統； <br/>其中該張力系統進一步經配置以根據該動作預測資訊提供該使用者至少一個方向的輔助張力。
如請求項1所述的動作輔助裝置，其中該第一設置結構經由該張力系統的至少一個被動張力元件或至少一個主動張力元件，連結於該支架結構。
如請求項1所述的動作輔助裝置，其中該第一設置結構以及該第二設置結構被整合於一穿戴結構上。
一種鐵電記憶體單元的操作方法，用於操作一組鐵電記憶體單元，包含：<br/> 於一第一循環週期，將一第一資料位元寫入該組鐵電記憶體單元的一第一鐵電記憶體單元；<br/> 於該第一循環週期，將一組符號位元寫入該組鐵電記憶體單元中的至少一第二鐵電記憶體單元，各符號位元具有一第一數值，且該組符號位元用以指示至少一該第二鐵電記憶體單元的一極性；<br/> 於接續該第一循環週期的一第二循環週期，自該第二鐵電記憶體單元讀取該組符號位元；以及<br/> 於該第二循環週期，對一組已儲存位元執行一錯誤更正操作，以判定於該第一循環週期中所寫入之該組符號位元的該第一數值；<br/> 其中，該錯誤更正操作包括一錯誤更正碼(ECC)操作；或者，<br/> 該錯誤更正操作包括一多數決操作。
如請求項1所述的鐵電記憶體單元的操作方法，其中，於該第二循環週期，針對該組已儲存位元執行該錯誤更正操作，以判定於該第一循環週期中寫入之該組符號位元的該第一數值，包含：<br/> 偵測該組符號位元中的至多一個符號位元，且該至多一個符號位元具有反轉為與該第一數值不同的一第二數值；<br/> 於預讀取或讀取該組符號位元時，若多數符號位元維持該第一數值，則決定於該第一循環週期中所寫入之該組符號位元為該第一數值，並將具有該第二數值之符號位元校正為該第一數值；以及<br/> 於預讀取或讀取該組符號位元時，若多數符號位元維持該第一數值，則校正反轉為該第二數值之符號位元。
如請求項2所述的鐵電記憶體單元的操作方法，其中，於該第二循環週期，針對該組已儲存位元執行該錯誤更正操作，以判定於該第一循環週期中寫入之該組符號位元的該第一數值，包含：<br/> 若判定無任何該符號位元反轉時，則決定讀出資料具有一正確極性。
如請求項2所述的鐵電記憶體單元的操作方法，還包含：於該第二循環週期，將該組符號位元的符號位元自該第一數值反轉為該第二數值。
如請求項4所述的鐵電記憶體單元的操作方法，還包含：於該第二循環週期，將一第二資料位元寫入該第一鐵電記憶體單元，使該第二資料位元的一極性與另一組符號位元的極性相匹配。
如請求項5所述的鐵電記憶體單元的操作方法，還包含：於該第二循環週期，在將該第二資料位元寫入該第一鐵電記憶體單元的之前或之後，將該另一組符號位元寫入到至少一該第二鐵電記憶體單元，且該另一組符號位元的各符號位元具有該第二數值。
如請求項1所述的鐵電記憶體單元的操作方法，還包含：<br/> 於該第一循環週期，將一組錯誤修正位元寫入該組鐵電記憶體單元的至少一第三鐵電記憶體單元；以及<br/> 於該第二循環週期，從至少一該第三鐵電記憶體單元讀取該組錯誤修正位元。
如請求項7所述的鐵電記憶體單元的操作方法，其中，該錯誤更正操作是基於該組錯誤修正位元執行。
如請求項8所述的鐵電記憶體單元的操作方法，其中，該錯誤更正操作包括一錯誤更正碼(ECC)操作，且該錯誤更正碼(ECC)操作是使用該錯誤修正位元來判定該組鐵電記憶體單元中各鐵電記憶體單元的一正確極性、一ECC碼以及該組符號位元。
一種記憶體元件，包含：<br/> 一組鐵電記憶體單元；以及<br/> 一週邊電路，耦接至該組鐵電記憶體單元，該週邊電路配置為執行：<br/> 於一第一循環週期，將一第一資料位元寫入該組鐵電記憶體單元的一第一鐵電記憶體單元；<br/> 於該第一循環週期，將一組符號位元寫入該組鐵電記憶體單元中的至少一第二鐵電記憶體單元，各符號位元具有一第一數值，且該組符號位元用以指示至少一該第二鐵電記憶體單元的一極性；<br/> 於接續該第一循環週期的一第二循環週期，自該第二鐵電記憶體單元讀取該組符號位元；及<br/> 於該第二循環週期，對一組已儲存位元執行一錯誤更正操作，以判定於該第一循環週期中所寫入之該組符號位元的該第一數值；<br/> 其中，該錯誤更正操作包括一錯誤更正碼(ECC)操作；或者，<br/> 該錯誤更正操作包括一多數決操作。
如請求項10所述的記憶體元件，其中，於該第二循環週期，為了針對該組已儲存位元執行該錯誤更正操作，以判定於該第一循環週期中寫入之該組符號位元的該第一數值，該週邊電路配置為執行：<br/> 偵測該組符號位元中的至多一個符號位元，且該至多一個符號位元具有反轉為與該第一數值不同的一第二數值；<br/> 於預讀取或讀取該組符號位元時，若多數符號位元維持該第一數值，則決定於該第一循環週期中所寫入之該組符號位元為該第一數值，並將具有該第二數值之符號位元校正為該第一數值；以及<br/> 於預讀取或讀取該組符號位元時，若多數符號位元維持該第一數值，則校正反轉為該第二數值之符號位元。
如請求項11所述的記憶體元件，其中，於該第二循環週期，為了針對該組已儲存位元執行該錯誤更正操作，以判定於該第一循環週期中寫入之該組符號位元的該第一數值，該週邊電路配置為執行：<br/> 若判定該組符號位元的該第一數值未反轉為該第二數值時，則決定讀出資料具有一正確極性。
如請求項11所述的記憶體元件，其中，該週邊電路還被配置為執行：<br/> 若判定無任何該符號位元反轉時，則決定讀出資料具有一正確極性。
如請求項13所述的記憶體元件，其中，該週邊電路還被配置為執行：<br/> 於該第二循環週期，將一第二資料位元寫入該第一鐵電記憶體單元，使該第二資料位元的一極性與寫入的另一組符號位元的極性相匹配。
如請求項14所述的記憶體元件，其中，該週邊電路還被配置為執行：<br/> 於該第二循環週期，在將該第二資料位元寫入該第一鐵電記憶體單元的之前或之後，將該另一組符號位元寫入到至少一該第二鐵電記憶體單元，且該另一組符號位元的各符號位元具有該第二數值。
如請求項10所述的記憶體元件，其中，該週邊電路還被配置為執行：<br/> 於該第一循環週期，將一組錯誤修正位元寫入該組鐵電記憶體單元的至少一第三鐵電記憶體單元；以及<br/> 於該第二循環週期，從至少一該第三鐵電記憶體單元讀取該組錯誤修正位元。
如請求項16所述的記憶體元件，其中，該錯誤更正操作是基於該組錯誤修正位元執行。
如請求項17所述的記憶體元件，其中，該錯誤更正操作包括一錯誤更正碼(ECC)操作，且該錯誤更正碼(ECC)操作是使用該錯誤修正位元來判定該組鐵電記憶體單元中各鐵電記憶體單元的一正確極性、一ECC碼以及該組符號位元。
一種輸入輸出緩衝器，其包含：<br/> 一PVT變異偵測單元，具有一製程變異偵測器、一電壓變異偵測器及一溫度變異偵測器，該製程變異偵測器輸出一製程變異偵測訊號，該電壓變異偵測器輸出一電壓變異偵測訊號，該溫度變異偵測器輸出一溫度變異偵測訊號；<br/> 一預處理器，電性連接該PVT變異偵測單元以接收該製程變異偵測訊號、該電壓變異偵測訊號及該溫度變異偵測訊號，該預處理器並接收一傳輸數據及一狀態控制訊號，該預處理器輸出複數個上拉控制訊號、複數個下拉控制訊號、複數個上拉補償控制訊號及複數個下拉補償控制訊號；以及<br/> 一輸出級，具有一輸出電路及複數個補償電路，該輸出電路具有一上拉PMOS電晶體、一上拉NMOS電晶體、一下拉PMOS電晶體及一下拉NMOS電晶體，該上拉PMOS電晶體及該上拉NMOS電晶體接收一輸入輸出電源電壓並電性連接一輸出節點，且該上拉PMOS電晶體及該上拉NMOS電晶體受該些上拉控制訊號控制，該下拉PMOS電晶體及該下拉NMOS電晶體電性連接該輸出節點及接地，且該下拉PMOS電晶體及該下拉NMOS電晶體受該些下拉控制訊號控制，該輸出電路由該輸出節點輸出一輸出數據至一導接墊，該些補償電路電性連接該輸出節點，且該些補償電路受該些上拉補償控制訊號及該些下拉補償控制訊號控制而提供複數個補償電流至該輸出節點。
如請求項1之輸入輸出緩衝器，其中該些補償電路包含複數個製程變異補償電路、複數個電壓變異補償電路及複數個溫度變異補償電路，各該製程變異補償電路、各該電壓變異補償電路及各該溫度變異補償電路的電路結構與該輸出電路的電路結構相同。
如請求項1或2之輸入輸出緩衝器，其中該上拉PMOS電晶體之源極及該上拉NMOS電晶體之汲極接收該輸入輸出電源電壓，該上拉PMOS電晶體之汲極及該上拉NMOS電晶體之源極電性連接該輸出節點，該上拉PMOS電晶體之閘極接收一第一上拉控制訊號，該上拉NMOS電晶體之閘極接收一第二上拉控制訊號，該下拉NMOS電晶體之汲極及該下拉PMOS電晶體之源極電性連接該輸出節點，該下拉NMOS電晶體之源極及之該下拉PMOS電晶體之汲極接地，該下拉PMOS電晶體之閘極接收一第一下拉控制訊號，該下拉NMOS電晶體之閘極接收一第二下拉控制訊號。
如請求項1之輸入輸出緩衝器，其中該預處理器具有一輸出電路驅動單元、複數個製程變異補償驅動單元、複數個電壓變異補償驅動單元及複數個溫度變異補償驅動單元，該輸出電路驅動單元接收一外部控制訊號並輸出一第一上拉控制訊號、一第二上拉控制訊號、一第一下拉控制訊號及一第二下拉控制訊號，該些製程變異補償驅動單元電性連接該製程變異偵測器以接收該製程變異偵測訊號，且該些製程變異補償驅動單元輸出一第一製程補償上拉控制訊號、一第二製程補償上拉控制訊號、一第一製程補償下拉控制訊號及一第二製程補償下拉控制訊號，該些電壓變異補償驅動單元電性連接該電壓變異偵測器以接收該電壓變異偵測訊號，且該些電壓變異補償驅動單元輸出一第一電壓補償上拉控制訊號、一第二電壓補償上拉控制訊號、一第一電壓補償下拉控制訊號及一第二電壓補償下拉控制訊號，該些溫度變異補償驅動單元電性連接該溫度變異偵測器以接收該溫度變異偵測訊號，且該些溫度變異補償驅動單元輸出一第一溫度補償上拉控制訊號、一第二溫度補償上拉控制訊號、一第一溫度補償下拉控制訊號及一第二溫度補償下拉控制訊號。
如請求項4之輸入輸出緩衝器，其中該輸出電路驅動單元具有一上拉數據控制串、一上拉狀態開關對、一上拉緩衝器、一下拉數據控制串、一下拉狀態控制對及一下拉緩衝器，該上拉狀態開關對及該上拉緩衝器電性連接該上拉數據控制串，該上拉數據控制串接收該狀態控制訊號、該傳輸數據及該外部控制訊號，且該上拉數據控制串經由該上拉狀態開關對及該上拉緩衝器輸出該第一上拉控制訊號及該第二上拉控制訊號，該下拉狀態控制對及該下拉緩衝器電性連接該下拉數據控制串，該下拉數據控制串接收該狀態控制訊號、該傳輸數據及該外部控制訊號，且該下拉數據控制串經由該下拉狀態控制對及該下拉緩衝器輸出該第一下拉控制訊號及該第二下拉控制訊號。
如請求項5之輸入輸出緩衝器，其中該上拉數據控制串具有一第一上拉數據控制電晶體、一上拉反相狀態控制電晶體、一上拉狀態控制電晶體、一上拉外部控制電晶體、一第二上拉數據控制電晶體，該第一上拉數據控制電晶體、該上拉反相狀態控制電晶體、該上拉狀態控制電晶體、該上拉外部控制電晶體及該第二上拉數據控制電晶體依序串聯於一系統電壓及一接地端之間，該第一及二上拉數據控制電晶體受該傳輸數據控制，該上拉反相狀態控制電晶體受反相之該狀態控制訊號控制，該上拉狀態控制電晶體受該狀態控制訊號控制，該上拉外部控制電晶體受該外部控制訊號控制，該上拉反相狀態控制電晶體及該上拉狀態控制電晶體電性連接至一上拉數據輸出節點，該上拉狀態開關對具有一第一上拉開關電晶體及一第二上拉開關電晶體，該第一及二上拉開關電晶體接收該系統電壓並電性連接該上拉數據輸出節點，該第一及二上拉開關電晶體分別受反相之該狀態控制訊號及該狀態控制訊號控制，該上拉緩衝器電性連接該上拉數據輸出節點。
如請求項5或6之輸入輸出緩衝器，其中該些製程變異補償驅動單元、該些電壓變異補償驅動單元及該些溫度變異補償驅動單元的電路結構與該輸出電路驅動單元的電路結構相同。
如請求項1之輸入輸出緩衝器，其中其中該製程變異偵測器具有一NMOS F-corner偵測單元、一PMOS S-corner偵測單元、一SF-corner偵測單元及一數位邏輯單元，該NMOS F-corner偵測單元用以偵測NMOS是否位於F-corner而輸出一NF偵測訊號，該PMOS S-corner偵測單元用以偵測PMOS是否位於S-corner而輸出一PS偵測訊號，該SF-corner偵測單元用以偵測NMOS及PMOS是否位在SF-corner而輸出一SF偵測訊號，該數位邏輯單元電性連接該NMOS F-corner偵測單元、該PMOS S-corner偵測單元及該SF-corner偵測單元以接收該NF偵測訊號、該PS偵測訊號及該SF偵測訊號，且該數位邏輯單元輸出一FF偵測訊號、一FS偵測訊號、一SS偵測訊號及一TT偵測訊號，其中該SF偵測訊號、該FF偵測訊號、該FS偵測訊號、該SS偵測訊號及該TT偵測訊號構成該製程變異偵測訊號。
如請求項1或8之輸入輸出緩衝器，其中該電壓變異偵測器具有一偏壓電路、一高電壓變異偵測單元及一低電壓變異偵測單元，該偏壓電路接收一系統電壓，該偏壓電路輸出一PTAT電壓，該高電壓變異偵測單元電性連接該偏壓電路及該製程變異偵測器以接收該PTAT電壓及該製程變異偵測訊號，且該高電壓變異偵測單元輸出一高電壓變異偵測訊號，該低電壓變異偵測單元電性連接該偏壓電路及該製程變異偵測器以接收該PTAT電壓及該製程變異偵測訊號，且該低電壓變異偵測單元輸出一低電壓變異偵測訊號，該高電壓變異偵測訊號及該低電壓變異偵測訊號構成該電壓變異偵測訊號。
如請求項1之輸入輸出緩衝器，其中該溫度變異偵測器具有一高溫偵測單元及一低溫偵測單元，該高溫偵測單元電性連接該製程變異偵測器及該電壓變異偵測器以接收該製程變異偵測訊號及該電壓變異偵測訊號，且該高溫偵測單元輸出一高溫偵測訊號，該低溫偵測單元電性連接該製程變異偵測器及該電壓變異偵測器以接收該製程變異偵測訊號及該電壓變異偵測訊號，且該低溫偵測單元輸出一低溫偵測訊號，該高溫偵測訊號及該低溫偵測訊號構成該溫度變異偵測訊號。
一種具有多供電功能的顯示裝置，包括： <br/>一內部電源； <br/>一第一接口； <br/>一第二接口； <br/>一第一供電控制器，電性連接該第一接口，該第一供電控制器經組態以判斷該第一接口是否具有一供電能力； <br/>一第二供電控制器，電性連接該第二接口，該第二供電控制器經組態以判斷該第二接口是否具有一第一供電需求；以及 <br/>一控制電路，電性連接該第一供電控制器及該第二供電控制器，該控制電路經組態以根據該第一供電控制器的一第一判斷結果、該第二供電控制器的一第二判斷結果、該供電能力及該第一供電需求，選擇性地決定由該內部電源及/或該第一接口進行供電。
如請求項1之顯示裝置，還包括： <br/>一第三接口，電性連接該第二供電控制器， <br/>其中，該第二供電控制器還經組態以判斷該第三接口是否具有一第二供電需求。
如請求項2之顯示裝置，還包括： <br/>一第一電源管理電路，電性連接該第二接口； <br/>一第一開關，電性連接於該第一接口與該第一電源管理電路之間； <br/>一第二開關，電性連接於該內部電源與該第一電源管理電路之間； <br/>一USB模組； <br/>一多通道電力路徑切換電路，電性連接於該內部電源與該USB模組之間，經組態以選擇性地由該內部電源直接供電給該USB模組或切換成由該第一接口供電給該USB模組； <br/>一第三開關，電性連接於該第一接口與該多通道電力路徑切換電路之間； <br/>一第四開關，電性連接於該第一接口與該第三接口之間； <br/>一第五開關，電性連接該第三接口； <br/>一第六開關，電性連接該第一接口； <br/>一第二電源管理電路，電性連接於該第五開關與該第六開關之間； <br/>一第七開關，電性連接於該內部電源與該第二電源管理電路之間；以及 <br/>一第八開關，電性連接於該內部電源與該第二電源管理電路之間， <br/>其中，該第一開關至該第八開關均電性連接該控制電路。
如請求項3之顯示裝置，其中響應於該第一供電控制器的該第一判斷結果為該第一接口具有該供電能力、該第二供電控制器的該第二判斷結果為該第二接口具有該第一供電需求且該第三接口具有該第二供電需求，該控制電路比較該第一接口的該供電能力、該第二接口的該第一供電需求、該第三接口的該第二供電需求及該USB模組的一設計功率，以產生一第一比較結果。
如請求項4之顯示裝置，其中響應於該第一比較結果為該第二接口的該第一供電需求、該第三接口的該第二供電需求與該USB模組的該設計功率均大於該第一接口的該供電能力，該控制電路導通該第二開關、該第五開關及該第八開關並關斷該第一開關、該第三開關、該第四開關、該第六開關及該第七開關。
如請求項4之顯示裝置，其中響應於該第一比較結果為該第一接口的該供電能力大於或等於該USB模組的該設計功率但小於該第三接口的該第二供電需求，該控制電路導通該第二開關、該第三開關、該第五開關及該第八開關並關斷該第一開關、該第四開關、該第六開關及該第七開關。
如請求項4之顯示裝置，其中響應於該第一比較結果為該第一接口的該供電能力大於或等於該第三接口的該第二供電需求但小於該USB模組的該設計功率與一第二特定值之和，該控制電路導通該第二開關及該第四開關並關斷該第一開關、該第三開關、該第五開關、該第六開關、該第七開關及該第八開關，其中該第二特定值為該第三接口的該第二供電需求除以一特定比率而得。
如請求項4之顯示裝置，其中響應於該第一比較結果為該第一接口的該供電能力大於或等於該USB模組的該設計功率與一第二特定值之和但小於該USB模組的該設計功率、一第一特定值與該第二特定值之和，該控制電路導通該第二開關、該第三開關、該第五開關及該第六開關並關斷該第一開關、該第四開關、該第七開關及該第八開關，其中該第一特定值為該第二接口的該第一供電需求除以一特定比率而得且該第二特定值為該第三接口的該第二供電需求除以該特定比率而得。
如請求項4之顯示裝置，其中響應於該第一比較結果為該第一接口的該供電能力大於或等於該USB模組的該設計功率與一第一特定值與一第二特定值之和，該控制電路導通該第一開關、該第三開關、該第五開關及該第六開關並關斷該第二開關、該第四開關、該第七開關及該第八開關，其中該第一特定值為該第二接口的該第一供電需求除以一特定比率而得且該第二特定值為該第三接口的該第二供電需求除以該特定比率而得。
如請求項3之顯示裝置，其中響應於該第一判斷結果為該第一接口具有該供電能力、該第二判斷結果為該第二接口具有該第一供電需求且該第三接口未具有該第二供電需求，該控制電路比較該第一接口的該供電能力、該第二接口的該第一供電需求及該USB模組的一設計功率，以產生一第二比較結果。
如請求項10之顯示裝置，其中響應於該第二比較結果為該第二接口的該第一供電需求與該USB模組的該設計功率均大於該第一接口的該供電能力，該控制電路導通該第二開關、該第五開關及該第八開關並關斷該第一開關、該第三開關、該第四開關、該第六開關及該第七開關；響應於該第二比較結果為該第一接口的該供電能力大於或等於該USB模組的該設計功率但小於該USB模組的該設計功率與一第一特定值之和，該控制電路導通該第二開關、該第三開關、該第五開關及該第八開關並關斷該第一開關、該第四開關、該第六開關及該第七開關；響應於該第二比較結果為該第一接口的該供電能力大於或等於該USB模組的該設計功率與該第一特定值之和，該控制電路導通該第一開關、該第三開關、該第五開關及該第八開關並關斷該第二開關、該第四開關、該第六開關及該第七開關，其中該第一特定值為該第二接口的該第一供電需求除以一特定比率而得。
如請求項3之顯示裝置，其中響應於該第一供電控制器的該第一判斷結果為該第一接口具有該供電能力、該第二供電控制器的該第二判斷結果為該第三接口具有該第二供電需求且該第二接口未具有該第一供電需求，該控制電路比較該第一接口的該供電能力、該第三接口的該第二供電需求及該USB模組的一設計功率，以產生一第三比較結果。
如請求項12之顯示裝置，其中響應於該第三比較結果為該第三接口的該第二供電需求與該USB模組的該設計功率均大於該第一接口的該供電能力，該控制電路導通該第二開關、該第五開關及該第八開關並關斷該第一開關、該第三開關、該第四開關、該第六開關及該第七開關；響應於該第三比較結果為該第一接口的該供電能力大於或等於該USB模組的該設計功率但小於該第三接口的該第二供電需求，該控制電路導通該第二開關、該第五開關及該第八開關並關斷該第一開關、該第三開關、該第四開關、該第六開關及該第七開關；響應於該第三比較結果為該第一接口的該供電能力大於或等於該第三接口的該第二供電需求但小於該USB模組的該設計功率與一第二特定值之和，該控制電路導通該第二開關、該第五開關及該第八開關並關斷該第一開關、該第三開關、該第四開關、該第六開關及該第七開關；響應於該第三比較結果為該第一接口的該供電能力大於或等於該USB模組的該設計功率與該第二特定值之和，該控制電路導通該第二開關、該第五開關及該第八開關並關斷該第一開關、該第三開關、該第四開關、該第六開關及該第七開關，其中該第二特定值為該第三接口的該第二供電需求除以一特定比率而得。
如請求項3之顯示裝置，其中該多通道電力路徑切換電路包括： <br/>一內部電源輸入端，電性連接該內部電源； <br/>一USB模組電源輸入端，電性連接該USB模組； <br/>一第一P型高功率MOSFET，電性連接於該內部電源輸入端與該USB模組電源輸入端之間；以及 <br/>一二極體，電性連接於該第一接口與該USB模組電源輸入端之間。
如請求項14之顯示裝置，其中該多通道電力路徑切換電路還包括： <br/>一第二P型高功率MOSFET，分別電性連接該第一P型高功率MOSFET及一接地端； <br/>一第三P型高功率MOSFET，分別電性連接該第二P型高功率MOSFET及該接地端； <br/>一第一電阻，電性連接該內部電源輸入端； <br/>一第二電阻及一第三電阻，串接於該內部電源輸入端與該接地端之間； <br/>一第四電阻及一第五電阻，串接於該第一接口與該接地端之間； <br/>一第六電阻，電性連接於該第一P型高功率MOSFET與該第二P型高功率MOSFET之間； <br/>一第一電容，電性連接於該內部電源輸入端與該接地端之間； <br/>一第二電容，電性連接於該內部電源輸入端與該第六電阻之間； <br/>一第三電容，電性連接於該USB模組電源輸入端與該接地端之間；以及 <br/>一肖特基二極體，電性連接於該內部電源輸入端與該第六電阻之間。
一種顯示裝置的運作方法，包括： <br/>判斷該顯示裝置的一第一接口是否具有一供電能力，以產生一第一判斷結果； <br/>判斷該顯示裝置的一第二接口是否具有一第一供電需求，以產生一第二判斷結果；以及 <br/>根據該第一判斷結果及該第二判斷結果、該供電能力及該第一供電需求，選擇性地決定由該內部電源及/或該第一接口進行供電。
如請求項16之運作方法，其中該第二判斷結果還包括該顯示裝置的一第三接口是否具有一第二供電需求。
如請求項17之運作方法，還包括： <br/>響應於該第一判斷結果為該第一接口具有該供電能力、該第二判斷結果為該第二接口具有該第一供電需求且該第三接口具有該第二供電需求，比較該第一接口的該供電能力、該第二接口的該第一供電需求、該第三接口的該第二供電需求及該顯示裝置的一USB模組的一設計功率，以產生一第一比較結果；以及 <br/>根據該第一比較結果選擇性地決定由該內部電源及/或該第一接口進行供電。
如請求項17之運作方法，還包括： <br/>響應於該第一判斷結果為該第一接口具有該供電能力、該第二判斷結果為該第二接口具有該第一供電需求且該第三接口未具有該第二供電需求，比較該供電能力、該第一供電需求及該顯示裝置的一USB模組的一設計功率，以產生一第二比較結果；以及 <br/>根據該第二比較結果選擇性地決定由該內部電源及/或該第一接口進行供電。
如請求項17之運作方法，還包括： <br/>響應於該第一判斷結果為該第一接口具有該供電能力、該第二判斷結果為該第三接口具有該第二供電需求且該第二接口未具有該第一供電需求，比較該供電能力、該第二供電需求及該顯示裝置的一USB模組的一設計功率，以產生一第三比較結果；以及 <br/>根據該第三比較結果選擇性地決定由該內部電源及/或該第一接口進行供電。
一種半導體裝置，包含： <br/> 一記憶體單元陣列，用以儲存資料於多個記憶體單元中；以及<br/> 一電路，耦接該記憶體單元陣列並用以在該記憶體單元陣列中執行多個操作，該些操作包含：<br/> 接收指示一要求的一查詢向量；<br/> 取得多個特徵向量的複數個叢集，其中該些叢集的每一叢集關聯於相對應的一質心向量；<br/> 決定該查詢向量及該些叢集的多個質心向量之間的複數個距離；<br/> 從該些叢集中選擇一或多個叢集，基於該查詢向量及該些叢集的該些質心向量之間的該些距離；<br/> 對於該一或多個叢集的每一特徵向量，決定該查詢向量及該特徵向量之間的一距離；以及<br/> 從該一或多個叢集中選擇一或多個特徵向量，基於該查詢向量及該一或多個叢集的多個特徵向量之間的多個距離，<br/> 其中決定該查詢向量及該特徵向量之間的該距離包含：<br/> 決定該特徵向量及該特徵向量所屬的一叢集的一質心向量之間的一距離；以及<br/> 決定該查詢向量及該特徵向量所屬的該叢集的該質心向量之間的一距離。
如請求項1所述之半導體裝置，其中決定該查詢向量及該特徵向量之間的該距離更包含：<br/> 決定該查詢向量及該特徵向量的一點積；以及<br/> 決定該查詢向量及該特徵向量之間的該距離，基於該特徵向量及該質心向量之間的該距離、該查詢向量及該質心向量之間的該距離、及該點積。
如請求項2所述之半導體裝置，其中決定該特徵向量及該特徵向量所屬的該叢集的該質心向量之間的該距離包含：<br/> 使用關聯於該叢集的一查值表決定該特徵向量及該質心向量之間的該距離，其中該查值表指示以以下兩者之間的映射關係：<br/> 該叢集的多個特徵向量；以及<br/> 該些特徵向量及該叢集的該質心向量之間的多個距離。
如請求項2所述之半導體裝置，其中決定該特徵向量及該特徵向量所屬的該叢集的該質心向量之間的該距離包含：<br/> 決定該特徵向量在該特徵向量所屬的該叢集中的一尺度層級；<br/> 決定一第一值，該第一值指示該叢集的多個相鄰尺度層級之間的一間距；<br/> 決定一第二值，該第二值指示該叢集的一最小尺度層級的一幅度；以及<br/> 決定該特徵向量及該質心向量之間的該距離，基於該特徵向量的該尺度層級、該第一值、及該第二值。
如請求項4所述之半導體裝置，其中決定該特徵向量在該特徵向量所屬的該叢集中的該尺度層級包含：<br/> 決定該特徵向量的該尺度層級，基於該特徵向量到該叢集中的該些相鄰尺度層級的接近度。
一種計算距離的系統，包含： <br/> 一半導體裝置；以及<br/> 一控制器，耦接該半導體裝置並用以控制該半導體裝置，<br/> 其中該半導體裝置包含：<br/> 一記憶體單元陣列，用以儲存資料於多個記憶體單元中；以及<br/> 一電路，耦接該記憶體單元陣列並用以在該記憶體單元陣列中執行多個操作，該些操作包含：<br/> 從該控制器接收指示一要求的一查詢向量；<br/> 取得多個特徵向量的複數個叢集，其中該些叢集的每一叢集關聯於相對應的一質心向量；<br/> 決定該查詢向量及該些叢集的多個質心向量之間的複數個距離；<br/> 從該些叢集中選擇一或多個叢集，基於該查詢向量及該些叢集的該些質心向量之間的該些距離；<br/> 對於該一或多個叢集的每一特徵向量，決定該查詢向量及該特徵向量之間的一距離；以及<br/> 從該一或多個叢集中選擇一或多個特徵向量，基於該查詢向量及該一或多個叢集的多個特徵向量之間的多個距離，<br/> 其中決定該查詢向量及該特徵向量之間的該距離包含：<br/> 決定該特徵向量及該特徵向量所屬的一叢集的一質心向量之間的一距離；以及<br/> 決定該查詢向量及該特徵向量所屬的該叢集的該質心向量之間的一距離。
如請求項6所述之系統，其中決定該查詢向量及該特徵向量之間的該距離更包含：<br/> 決定該查詢向量及該特徵向量的一點積；以及<br/> 決定該查詢向量及該特徵向量之間的該距離，基於該特徵向量及該質心向量之間的該距離、該查詢向量及該質心向量之間的該距離、及該點積。
一種計算距離的方法，包含： <br/> 接收指示一要求的一查詢向量；<br/> 取得多個特徵向量的複數個叢集，其中該些叢集的每一叢集關聯於相對應的一質心向量；<br/> 決定該查詢向量及該些叢集的多個質心向量之間的複數個距離；<br/> 從該些叢集中選擇一或多個叢集，基於該查詢向量及該些叢集的該些質心向量之間的該些距離；<br/> 對於該一或多個叢集的每一特徵向量，決定該查詢向量及該特徵向量之間的一距離；以及<br/> 從該一或多個叢集中選擇一或多個特徵向量，基於該查詢向量及該一或多個叢集的多個特徵向量之間的多個距離，<br/> 其中決定該查詢向量及該特徵向量之間的該距離包含：<br/> 決定該特徵向量及該特徵向量所屬的一叢集的一質心向量之間的一距離；以及<br/> 決定該查詢向量及該特徵向量所屬的該叢集的該質心向量之間的一距離。
如請求項8所述之方法，其中決定該查詢向量及該特徵向量之間的該距離更包含：<br/> 決定該查詢向量及該特徵向量的一點積；以及<br/> 決定該查詢向量及該特徵向量之間的該距離，基於該特徵向量及該質心向量之間的該距離、該查詢向量及該質心向量之間的該距離、及該點積。
如請求項9所述之方法，其中決定該特徵向量及該特徵向量所屬的該叢集的該質心向量之間的該距離包含：<br/> 使用關聯於該叢集的一查值表決定該特徵向量及該質心向量之間的該距離，其中該查值表指示以以下兩者之間的映射關係：<br/> 該叢集的多個特徵向量；以及<br/> 該些特徵向量及該叢集的該質心向量之間的多個距離。
一種組合式自黏塗膜電磁鋼片之剪切強度評估方法，包括：<br/> 提供一自黏塗膜電磁鋼片堆疊，其中自黏塗膜電磁鋼片堆疊包含複數個自黏塗膜電磁鋼片，該自黏塗膜電磁鋼片堆疊包含：<br/> 一第一堆疊層，其中該第一堆疊層包含複數個第一長邊電磁鋼片與複數個第一短邊電磁鋼片，該些第一長邊電磁鋼片之一者的一內側邊緣連接該些第一短邊電磁鋼片之一者的一內側邊緣；以及<br/> 一第二堆疊層，其中該第一堆疊層位於該第二堆疊層上方，該第二堆疊層包含複數個第二長邊電磁鋼片與複數個第二短邊電磁鋼片，該些第二長邊電磁鋼片之一者的一內側邊緣連接該些第二短邊電磁鋼片之一者的一內側邊緣，<br/> 其中該些第一長邊電磁鋼片位於該些第二短邊電磁鋼片上方，且該些第一長邊電磁鋼片之每一者的一外側邊緣對齊該些第二短邊電磁鋼片之每一者的一外側邊緣，<br/> 該些第一短邊電磁鋼片位於該些第二長邊電磁鋼片上方，且該些第一短邊電磁鋼片之每一者的一外側邊緣對齊該些第二長邊電磁鋼片之每一者的一外側邊緣，且該自黏塗膜電磁鋼片堆疊之一厚度為1 mm至3 mm；以及<br/> 對該自黏塗膜電磁鋼片堆疊進行一熱壓合步驟，以獲得一組合式自黏塗膜電磁鋼片，其中該熱壓合步驟之一熱壓合時間為至少15分鐘；<br/> 對該組合式自黏塗膜電磁鋼片進行一拉伸試驗，以量測該組合式自黏塗膜電磁鋼片之一剪切強度。
如請求項1所述之組合式自黏塗膜電磁鋼片之剪切強度評估方法，其中該提供該自黏塗膜電磁鋼片堆疊之步驟之前，更包含：<br/> 塗覆一自黏塗膜於一電磁鋼片上；以及<br/> 對該電磁鋼片上的該自黏塗膜進行一烘烤步驟，以獲得該些自黏塗膜電磁鋼片之一者。
如請求項2所述之組合式自黏塗膜電磁鋼片之剪切強度評估方法，其中該自黏塗膜之一厚度為1.5 μm至5 μm。
如請求項2所述之組合式自黏塗膜電磁鋼片之剪切強度評估方法，其中該烘烤步驟之一烘烤溫度為210℃至260℃。
如請求項1所述之組合式自黏塗膜電磁鋼片之剪切強度評估方法，其中該些第一長邊電磁鋼片與該些第二長邊電磁鋼片具有一重疊區域，且該重疊區域的一重疊寬度為10 mm至20 mm。
如請求項1所述之組合式自黏塗膜電磁鋼片之剪切強度評估方法，其中該熱壓合步驟之該熱壓合時間為15分鐘至30分鐘。
如請求項1所述之組合式自黏塗膜電磁鋼片之剪切強度評估方法，其中該熱壓合步驟之一熱壓合溫度為150℃至250℃。
如請求項1所述之組合式自黏塗膜電磁鋼片之剪切強度評估方法，其中該熱壓合步驟之一熱壓合壓力為1 MPa至5 MPa。
如請求項1所述之組合式自黏塗膜電磁鋼片之剪切強度評估方法，其中該拉伸試驗的一測試速度為5 mm/min至50 mm/min。
一種外六角工具頭，其包含有：<br/>一本體，具有至少一作用端；<br/>其中，該作用端具有連接於該本體之根部及配合一工件內孔之端部，該作用端從根部至端部之每一斷面皆係由六個內凹的弧邊連續相接而呈六邊形狀，各斷面之截面積自該作用端之根部向端部漸縮，每二相鄰弧邊末端相接構成一邊角，各斷面之間相對應的邊角相連構成自該作用端之根部斜向端部延伸之直線邊，使每二相鄰直線邊之間自該作用端之根部延伸一內凹的弧形面至端部；<br/>該作用端插入一工件內孔中，任一弧邊與該工件內孔之接觸處定義爲核心施力點，經該核心施力點並與該弧邊相切之直線定義爲切線，經該核心施力點並與該切線相互垂直之直線定義爲垂直線，經該核心施力點並垂直於該工件內孔的孔壁之直線定義爲中心參照線，該中心參照線與該垂直線構成一施力角，該施力角的角度範圍爲3∘〜35∘。
如請求項1所述之外六角工具頭，其中，各斷面位在同一弧形面上的弧邊爲非同心弧。
一種行動式醫療器材租賃系統，包含有：<br/> 一伺服器；<br/> 一資料庫，安裝於該伺服器；<br/> 至少一租借者終端，通訊連接於該伺服器，用以供一租借者在一第一數位裝置上操作；該租借者終端包括一租借者預約模組，用以發出一個人預約指令；<br/> 至少一醫院終端，通訊連接於該伺服器，用以供一醫院工作者在一第二數位裝置上操作；該醫院終端包括一醫院預約模組，用以發出一醫院預約指令；<br/> 一租賃媒合終端，通訊連接於該伺服器、該租借者終端及該醫院終端；該租賃媒合終端包括一醫療車資料庫、一預約媒合模組及一路線規劃模組；該醫療車資料庫儲存有複數個醫療車資料；該預約媒合模組通訊連接於該租借者預約模組及該醫院預約模組，用以透過一預約媒合演算法，根據各該個人預約指令及各該醫院預約指令，搜尋醫療車資料庫中符合條件之該醫療車資料，據以產生一媒合結果；該路線規劃模組通訊連接於該預約媒合模組，用以根據該租借需求訊號，自動規劃出一最佳化租賃路徑；以及<br/> 一醫療車，內部具有複數個醫療器材及複數個輔具；該醫療車通訊連接於該租賃媒合終端，用以根據該租賃媒合終端之該路線規劃模組提供之該最佳化租賃路徑，移動至至少一預約地點提供醫療器材或輔具之租賃服務；<br/> 其中該醫院終端具有一醫院資料庫，儲存有該醫院之一醫療器材庫存資料及一輔具庫存資料；該租賃媒合終端更包含有一需求預測模組，通訊連接於各該醫院終端之各該醫院資料庫，用以分析各該醫院之各該醫療器材庫存資料及各該輔具庫存資料，並與一庫存門檻進行比對，若任一該醫院之該醫療器材庫存資料和/或該輔具庫存資料小於該庫存門檻，則該需求預測模組據以產生一庫存需求訊號。。
如請求項1所述之行動式醫療器材租賃系統，其中該租借者終端更包含有一租借者推播模組，用以在任一該醫療車移動至該租借者終端附近時傳送一提醒訊息至該第一數位裝置上顯示。
如請求項1所述之行動式醫療器材租賃系統，其中該醫院終端更包含有一醫院推播模組，用以在任一該醫療車移動至該醫院終端附近時傳送一提醒訊息至該第二數位裝置上顯示。
如請求項1所述之行動式醫療器材租賃系統，其中該租借者終端更包含有一註冊模組，用以接收該租借者上傳之一個人資料以產生一帳號資訊。
如請求項1所述之行動式醫療器材租賃系統，其中該醫療車更包含有一控制系統，用以供一醫療車工作者在一第三數位裝置上操作；該控制系統具有一處理單元、一供電單元及一交易單元；該處理單元用以控制並處理各式電子設備；該供電單元電性連接於該等醫療器材及該處理單元，用以提供各該醫療器材及該控制系統所需電力；該交易單元電性連接於該處理單元，用以接收該租借者或該醫院工作人員支付之一租賃費用。
如請求項5所述之行動式醫療器材租賃系統，其中該控制系統更包含有一定位單元，安裝於該醫療車並通訊連接於一定位設備，用以定位該醫療車之實時位置，據以產生一位置訊號。
如請求項5所述之行動式醫療器材租賃系統，其中該控制系統更包含有一導航單元，通訊連接於該租賃媒合終端之該路線規劃模組，用以接收該路線規劃模組產生之該最佳化租賃路徑，並根據該預約路徑逐一移動至各該預約地點。
一種外四角工具頭，其包含有：<br/>一本體，具有至少一作用端；<br/>其中，該作用端具有連接於該本體之根部及配合一工件內孔之端部，該作用端從根部至端部之每一斷面包括四個呈內凹弧狀的弧邊，每二相鄰弧邊之延伸末端藉由一直邊相接構成一倒角，並依序相接圈圍呈正方形狀，各斷面之截面積自該作用端之根部向端部漸縮，各斷面之間相對應的倒角相連構成自該作用端之根部斜向端部延伸之直肋，使每二相鄰直肋之間自該作用端之根部延伸一內凹的弧形面至端部；<br/>該作用端插入一工件內孔中，任一弧邊與該工件內孔之接觸處定義爲核心施力點，經該核心施力點並與該弧邊相切之直線定義爲切線，經該核心施力點並與該切線相互垂直之直線定義爲垂直線，經該核心施力點並垂直於該工件內孔的孔壁之直線定義爲中心參照線，該中心參照線與該垂直線構成一施力角，該施力角的角度範圍爲3∘〜35∘。
如請求項1所述之外四角工具頭，其中，各斷面位在同一弧形面上的弧邊爲非同心弧。
一種製程設備狀態預測方法，由一伺服器執行且包含：<br/> 以一歷史狀態時序資料及一歷史操作時序資料輸入一狀態預測模型，其中該狀態預測模型包含一編碼器及一解碼器；<br/> 以該狀態預測模型根據該歷史狀態時序資料及該歷史操作時序資料進行一水平預測並由該解碼器輸出一水平預測狀態時序資料及至少一解碼器隱藏資料；<br/> 以該狀態預測模型根據更新之該歷史狀態時序資料、以及該歷史操作時序資料進行一滾動預測，並由該編碼器輸出至少一編碼器隱藏資料、以及由該解碼器輸出至少一滾動預測狀態時序資料；<br/> 根據該至少一編碼器隱藏資料與該至少一解碼器隱藏資料計算至少一隱藏損失函數，並根據該至少一滾動預測狀態時序資料與該歷史狀態時序資料計算至少一預測損失函數，並基於該至少一隱藏損失函數與該至少一預測損失函數計算一整體損失函數；以及<br/> 根據該整體損失函數訓練該狀態預測模型。
如請求項1所述之製程設備狀態預測方法，更包含：<br/> 將經訓練之該狀態預測模型移除該滾動預測；以及<br/> 將該歷史狀態時序資料、該歷史操作時序資料及一操作時序資料輸入該狀態預測模型以預測並輸出一狀態預測時序資料。
如請求項1所述之製程設備狀態預測方法，其中該歷史狀態時序資料之更新，係將部分該水平預測狀態時序資料加入已輸入該狀態預測模型之該歷史狀態時序資料，並作為更新之該歷史狀態時序資料以進行該滾動預測。
如請求項3所述之製程設備狀態預測方法，其中在更新該歷史狀態時序資料時，加入之該水平預測狀態時序資料所對應之一前端時步接續更新前該歷史狀態時序資料所對應之一末端時步。
如請求項3所述之製程設備狀態預測方法，其中在更新該歷史狀態時序資料時，移除與加入之部分該水平預測狀態時序資料對應相同之一滾動時步數量之部分該歷史狀態時序資料，以使該歷史狀態時序資料更新前後所對應之一輸入時步數量相同。
如請求項1所述之製程設備狀態預測方法，其中用以計算該至少一隱藏損失函數之該至少一編碼器隱藏資料與該至少一解碼器隱藏資料對應於相同之至少一時步。
如請求項1所述之製程設備狀態預測方法，其中用以計算該至少一預測損失函數之該至少一滾動預測狀態時序資料與該歷史狀態時序資料對應於相同之至少一時步。
如請求項2所述之製程設備狀態預測方法，其中該歷史狀態時序資料、該水平預測狀態時序資料、該滾動預測狀態時序資料及該狀態預測時序資料對應於製程設備之品質變數及感測變數中至少一者。
如請求項2所述之製程設備狀態預測方法，其中該歷史操作時序資料及該操作時序資料對應於製程設備之操作變數。
一種製程設備狀態預測系統，包含：<br/> 一歷史資料庫，用以儲存一歷史狀態時序資料及一歷史操作時序資料；<br/> 一操作伺服器，用以儲存一操作時序資料；以及<br/> 一狀態預測伺服器，與該歷史資料庫與該操作伺服器通訊連接以接收該歷史狀態時序資料、該歷史操作時序資料及該操作時序資料，其中該狀態預測伺服器包含：<br/> 一狀態預測模組，包含一編碼器及一解碼器，該狀態預測模組用以根據該歷史狀態時序資料及該歷史操作時序資料進行一水平預測並由該解碼器輸出一水平預測狀態時序資料及至少一解碼器隱藏資料，並且根據更新之該歷史狀態時序資料、以及該歷史操作時序資料進行一滾動預測，並由該編碼器輸出至少一編碼器隱藏資料、以及由該解碼器輸出至少一滾動預測狀態時序資料；以及<br/> 一損失函數模組，用以根據該至少一編碼器隱藏資料與該至少一解碼器隱藏資料計算至少一隱藏損失函數，並根據該至少一滾動預測狀態時序資料與該歷史狀態時序資料計算至少一預測損失函數，並基於該至少一隱藏損失函數與該至少一預測損失函數計算一整體損失函數；<br/> 其中該狀態預測伺服器根據該整體損失函數訓練該狀態預測模組，並將經訓練之該狀態預測模組移除該滾動預測後，將該歷史狀態時序資料、該歷史操作時序資料及該操作時序資料以該狀態預測模組預測並輸出一狀態預測時序資料。
一種通式(IV-1)所示的化合物或其立體異構體、互變異構體或其可藥用的鹽：<br/><br/><img align="absmiddle" height="68px" width="62px" file="ed10278.jpg" alt="ed10278.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中：<br/> W選自N和CH；<br/> R<sup>1</sup>選自<img align="absmiddle" height="23px" width="56px" file="ed10279.jpg" alt="ed10279.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/> 環A選自：<br/> C<sub>7-8</sub>部分不飽和單環烷基；<br/> 7-8元單環雜環基；<br/> 雙環雜芳基或雙環稠合環；<br/><br/> R<sup>A</sup>相同或不同，各自獨立地選自氘原子、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、-NR<sup>6</sup>R<sup>7</sup>，其中R<sup>6</sup>和R<sup>7</sup>各自獨立地選自氫原子，其中所述的C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基任選進一步被1個、2個或3個選自氘原子的取代基所取代；<br/> R<sup>3</sup>選自<img align="absmiddle" height="35px" width="36px" file="ed10280.jpg" alt="ed10280.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="25px" file="ed10281.jpg" alt="ed10281.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="28px" file="ed10282.jpg" alt="ed10282.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="31px" width="18px" file="ed10283.jpg" alt="ed10283.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="20px" file="ed10284.jpg" alt="ed10284.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="31px" width="20px" file="ed10285.jpg" alt="ed10285.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="29px" width="20px" file="ed10286.jpg" alt="ed10286.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="35px" width="30px" file="ed10288.jpg" alt="ed10288.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="24px" file="ed10289.jpg" alt="ed10289.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="35px" width="28px" file="ed10290.jpg" alt="ed10290.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="24px" file="ed10291.jpg" alt="ed10291.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="34px" width="28px" file="ed10292.jpg" alt="ed10292.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="34px" width="36px" file="ed10293.jpg" alt="ed10293.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="29px" width="18px" file="ed10294.jpg" alt="ed10294.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> R<sup>4</sup>選自<img align="absmiddle" height="23px" width="33px" file="ed10295.jpg" alt="ed10295.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="32px" file="ed10296.jpg" alt="ed10296.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="31px" file="ed10298.jpg" alt="ed10298.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="33px" file="ed10300.jpg" alt="ed10300.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="28px" width="33px" file="ed10302.jpg" alt="ed10302.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="23px" width="36px" file="ed10304.jpg" alt="ed10304.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="31px" file="ed10306.jpg" alt="ed10306.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="28px" width="45px" file="ed10308.jpg" alt="ed10308.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="33px" width="44px" file="ed10309.jpg" alt="ed10309.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="19px" width="32px" file="ed10310.jpg" alt="ed10310.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="31px" file="ed10311.jpg" alt="ed10311.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="29px" file="ed10312.jpg" alt="ed10312.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="31px" file="ed10313.jpg" alt="ed10313.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="32px" file="ed10314.jpg" alt="ed10314.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="36px" file="ed10315.jpg" alt="ed10315.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="29px" file="ed10316.jpg" alt="ed10316.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="38px" file="ed10317.jpg" alt="ed10317.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="39px" file="ed10318.jpg" alt="ed10318.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="36px" file="ed10319.jpg" alt="ed10319.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="36px" file="ed10320.jpg" alt="ed10320.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="37px" file="ed10321.jpg" alt="ed10321.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="39px" file="ed10322.jpg" alt="ed10322.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="36px" file="ed10323.jpg" alt="ed10323.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="18px" width="36px" file="ed10324.jpg" alt="ed10324.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="37px" file="ed10325.jpg" alt="ed10325.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="39px" file="ed10326.jpg" alt="ed10326.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="36px" file="ed10327.jpg" alt="ed10327.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="36px" file="ed10328.jpg" alt="ed10328.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="38px" file="ed10329.jpg" alt="ed10329.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="19px" width="30px" file="ed10330.jpg" alt="ed10330.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> m為0或1。
如請求項1所述的化合物或其立體異構體、互變異構體或其可藥用的鹽，其為通式(V-1)所述的化合物或其立體異構體、互變異構體或其可藥用的鹽：<br/><img align="absmiddle" height="66px" width="61px" file="ed10331.jpg" alt="ed10331.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <br/> 其中：W、R<sup>1</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>的定義如請求項1中所述。
如請求項1或2所述的化合物或其立體異構體、互變異構體或其可藥用的鹽，其中R<sup>1</sup>選自以下基團：<br/><img align="absmiddle" height="24px" width="33px" file="ed10332.jpg" alt="ed10332.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="22px" file="ed10334.jpg" alt="ed10334.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="33px" file="ed10336.jpg" alt="ed10336.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="36px" file="ed10338.jpg" alt="ed10338.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="28px" file="ed10350.jpg" alt="ed10350.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="29px" file="ed10362.jpg" alt="ed10362.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="29px" file="ed10374.jpg" alt="ed10374.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="29px" file="ed10386.jpg" alt="ed10386.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="44px" file="ed10398.jpg" alt="ed10398.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="23px" file="ed10400.jpg" alt="ed10400.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="21px" file="ed10402.jpg" alt="ed10402.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="29px" file="ed10404.jpg" alt="ed10404.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="27px" file="ed10406.jpg" alt="ed10406.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="21px" file="ed10408.jpg" alt="ed10408.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="28px" file="ed10410.jpg" alt="ed10410.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="20px" width="28px" file="ed10412.jpg" alt="ed10412.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="29px" file="ed10414.jpg" alt="ed10414.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="29px" file="ed10416.jpg" alt="ed10416.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="30px" file="ed10418.jpg" alt="ed10418.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="30px" file="ed10420.jpg" alt="ed10420.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="29px" file="ed10422.jpg" alt="ed10422.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="17px" width="29px" file="ed10424.jpg" alt="ed10424.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="20px" width="26px" file="ed10426.jpg" alt="ed10426.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="20px" width="31px" file="ed10428.jpg" alt="ed10428.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="20px" width="38px" file="ed10430.jpg" alt="ed10430.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="29px" file="ed10432.jpg" alt="ed10432.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="28px" file="ed10434.jpg" alt="ed10434.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="33px" file="ed10436.jpg" alt="ed10436.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="29px" file="ed10438.jpg" alt="ed10438.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="32px" file="ed10440.jpg" alt="ed10440.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="29px" file="ed10442.jpg" alt="ed10442.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="29px" file="ed10444.jpg" alt="ed10444.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="33px" file="ed10446.jpg" alt="ed10446.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="32px" file="ed10448.jpg" alt="ed10448.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="32px" file="ed10450.jpg" alt="ed10450.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="33px" file="ed10452.jpg" alt="ed10452.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="28px" file="ed10454.jpg" alt="ed10454.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="28px" file="ed10456.jpg" alt="ed10456.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="32px" file="ed10458.jpg" alt="ed10458.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="32px" file="ed10460.jpg" alt="ed10460.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="20px" width="32px" file="ed10462.jpg" alt="ed10462.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="32px" file="ed10464.jpg" alt="ed10464.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="29px" file="ed10466.jpg" alt="ed10466.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="28px" file="ed10468.jpg" alt="ed10468.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="28px" file="ed10470.jpg" alt="ed10470.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="29px" file="ed10472.jpg" alt="ed10472.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="29px" file="ed10474.jpg" alt="ed10474.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="20px" width="35px" file="ed10476.jpg" alt="ed10476.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="35px" file="ed10478.jpg" alt="ed10478.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="26px" width="32px" file="ed10480.jpg" alt="ed10480.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="35px" file="ed10482.jpg" alt="ed10482.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="20px" width="35px" file="ed10484.jpg" alt="ed10484.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="26px" width="32px" file="ed10486.jpg" alt="ed10486.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="30px" file="ed10488.jpg" alt="ed10488.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="28px" width="31px" file="ed10490.jpg" alt="ed10490.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="15px" width="34px" file="ed10492.jpg" alt="ed10492.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="21px" file="ed10494.jpg" alt="ed10494.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="20px" width="26px" file="ed10496.jpg" alt="ed10496.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="30px" file="ed10498.jpg" alt="ed10498.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="28px" file="ed10500.jpg" alt="ed10500.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="29px" file="ed10502.jpg" alt="ed10502.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="23px" width="39px" file="ed10504.jpg" alt="ed10504.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種化合物或其立體異構體、互變異構體或其可藥用的鹽，其中所述的化合物為：<br/><img align="absmiddle" height="71px" width="87px" file="ed10506.jpg" alt="ed10506.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="71px" width="87px" file="ed10508.jpg" alt="ed10508.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="71px" width="87px" file="ed10510.jpg" alt="ed10510.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="71px" width="87px" file="ed10512.jpg" alt="ed10512.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="76px" width="87px" file="ed10514.jpg" alt="ed10514.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="71px" width="87px" file="ed10516.jpg" alt="ed10516.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="71px" width="87px" file="ed10518.jpg" alt="ed10518.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="71px" width="87px" file="ed10520.jpg" alt="ed10520.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="71px" width="87px" file="ed10522.jpg" alt="ed10522.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="71px" width="105px" file="ed10524.jpg" alt="ed10524.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="71px" width="105px" file="ed10526.jpg" alt="ed10526.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="76px" width="94px" file="ed10528.jpg" alt="ed10528.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="76px" width="94px" file="ed10530.jpg" alt="ed10530.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="90px" width="114px" file="ed10532.jpg" alt="ed10532.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="90px" width="114px" file="ed10534.jpg" alt="ed10534.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="76px" width="87px" file="ed10536.jpg" alt="ed10536.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="76px" width="89px" file="ed10538.jpg" alt="ed10538.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="87px" file="ed10540.jpg" alt="ed10540.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="87px" file="ed10542.jpg" alt="ed10542.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="87px" file="ed10544.jpg" alt="ed10544.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="87px" file="ed10546.jpg" alt="ed10546.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="87px" file="ed10548.jpg" alt="ed10548.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="73px" width="87px" file="ed10550.jpg" alt="ed10550.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="73px" width="87px" file="ed10552.jpg" alt="ed10552.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="73px" width="87px" file="ed10554.jpg" alt="ed10554.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="73px" width="87px" file="ed10556.jpg" alt="ed10556.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="89px" file="ed10558.jpg" alt="ed10558.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="92px" file="ed10560.jpg" alt="ed10560.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="82px" file="ed10562.jpg" alt="ed10562.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="87px" file="ed10564.jpg" alt="ed10564.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="97px" file="ed10566.jpg" alt="ed10566.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="97px" file="ed10568.jpg" alt="ed10568.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="93px" file="ed10570.jpg" alt="ed10570.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="94px" file="ed10572.jpg" alt="ed10572.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="94px" file="ed10574.jpg" alt="ed10574.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="93px" file="ed10576.jpg" alt="ed10576.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="86px" file="ed10578.jpg" alt="ed10578.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="90px" file="ed10580.jpg" alt="ed10580.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="94px" file="ed10582.jpg" alt="ed10582.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="73px" width="94px" file="ed10584.jpg" alt="ed10584.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="94px" file="ed10586.jpg" alt="ed10586.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="95px" file="ed10588.jpg" alt="ed10588.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="96px" file="ed10590.jpg" alt="ed10590.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="94px" file="ed10592.jpg" alt="ed10592.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="94px" file="ed10594.jpg" alt="ed10594.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="94px" file="ed10596.jpg" alt="ed10596.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="96px" file="ed10598.jpg" alt="ed10598.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="96px" file="ed10600.jpg" alt="ed10600.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="94px" file="ed10602.jpg" alt="ed10602.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="99px" file="ed10604.jpg" alt="ed10604.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="94px" file="ed10606.jpg" alt="ed10606.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="95px" file="ed10608.jpg" alt="ed10608.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="99px" file="ed10610.jpg" alt="ed10610.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="97px" file="ed10612.jpg" alt="ed10612.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="97px" file="ed10614.jpg" alt="ed10614.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="105px" file="ed10616.jpg" alt="ed10616.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="97px" file="ed10618.jpg" alt="ed10618.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="89px" file="ed10620.jpg" alt="ed10620.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="87px" file="ed10622.jpg" alt="ed10622.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="87px" file="ed10624.jpg" alt="ed10624.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="87px" file="ed10626.jpg" alt="ed10626.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="87px" file="ed10628.jpg" alt="ed10628.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="87px" file="ed10630.jpg" alt="ed10630.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="87px" file="ed10632.jpg" alt="ed10632.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="73px" width="87px" file="ed10634.jpg" alt="ed10634.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="73px" width="87px" file="ed10636.jpg" alt="ed10636.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="73px" width="87px" file="ed10638.jpg" alt="ed10638.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="73px" width="87px" file="ed10640.jpg" alt="ed10640.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="71px" width="87px" file="ed10642.jpg" alt="ed10642.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="89px" file="ed10644.jpg" alt="ed10644.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="92px" file="ed10646.jpg" alt="ed10646.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="82px" file="ed10648.jpg" alt="ed10648.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="87px" file="ed10650.jpg" alt="ed10650.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="71px" width="87px" file="ed10652.jpg" alt="ed10652.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="71px" width="89px" file="ed10654.jpg" alt="ed10654.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="95px" file="ed10656.jpg" alt="ed10656.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="76px" width="97px" file="ed10658.jpg" alt="ed10658.jpg" 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一種藥物組合物，其含有如請求項1至4中任一項所述的化合物或其立體異構體、互變異構體或其可藥用的鹽，以及可藥用的載體。
一種如請求項1至4中任一項所述的化合物或其立體異構體、互變異構體或其可藥用的鹽或如請求項5所述的藥物組合物在製備WRN抑制劑中的用途。
一種如請求項1至4中任一項所述的化合物或其立體異構體、互變異構體或其可藥用的鹽或如請求項5所述的藥物組合物在製備治療由WRN介導的疾病的藥物中的用途。
如請求項1至4中任一項所述的化合物或其立體異構體、互變異構體或其可藥用的鹽或如請求項5所述的藥物組合物在製備治療高度微衛星不穩定型癌症藥物中的用途。
如請求項8所述的用途，其中所述的高度微衛星不穩定型癌症選自結直腸癌、胃癌、子宮內膜癌、直腸腺癌、腎上腺皮質癌、子宮肉瘤、宮頸癌、腎母細胞瘤、間皮瘤、食管癌、乳腺癌、腎透明細胞癌、卵巢漿液性囊腺癌、膽管癌、胸腺瘤、肝癌、頭頸部鱗狀細胞癌、肉瘤、皮膚黑色素瘤、肺鱗狀細胞癌、前列腺癌、肺腺癌、膀胱移行細胞癌、小兒神經母細胞瘤、慢性淋巴細胞白血病和膠質瘤。
如請求項8所述的用途，其中所述的高度微衛星不穩定型癌症為結直腸癌、胃癌或子宮內膜癌。
一種由多個混合高爾夫球艙實現的混合高爾夫球場系統，<br/> 包括由多個混合高爾夫球艙以預定間距排列構成的混合高爾夫球場，<br/> 每個該多個混合高爾夫球艙具備虛擬高爾夫裝置和推桿果嶺，該虛擬高爾夫裝置設於內部空間的一側，在螢幕上投影虛擬的高爾夫球場的影像，使用者向該螢幕進行高爾夫擊球而進行球移動的模擬，由此進行虛擬高爾夫，該推桿果嶺設於另一側，在通過該虛擬高爾夫裝置進行的該虛擬高爾夫之後，進行場地高爾夫，<br/> 該混合高爾夫球場系統包括控制裝置，其以在每個該多個混合高爾夫球艙為了高爾夫比賽實現預定數量的洞中至少一個洞的方式使包括至少一名使用者的高爾夫球隊在每個該多個混合高爾夫球艙之間移動而完成該預定數量的洞，以進行高爾夫比賽。
如請求項1所述的由多個混合高爾夫球艙實現的混合高爾夫球場系統，其中，<br/> 在每個該混合高爾夫球艙的內部具備擊球監測裝置，該擊球監測裝置構成為感測該推桿果嶺上的該高爾夫球隊的各使用者的擊球，感測因該各使用者的擊球而移動的高爾夫球的位置，並且感測是否為進洞並將感測結果傳遞至該控制裝置。
如請求項2所述的由多個混合高爾夫球艙實現的混合高爾夫球場系統，其中，<br/> 該控制裝置構成為識別該高爾夫球隊正在進行打球的混合高爾夫球艙中的虛擬高爾夫球場的洞編號，從該虛擬高爾夫裝置接收該高爾夫球隊進行虛擬高爾夫打球時的各使用者的擊球數，由該推桿果嶺上的該高爾夫球隊的各使用者的擊球監測結果計算進行場地高爾夫打球時的擊球數，並與進行該虛擬高爾夫打球時的各使用者的擊球數相加，以計算出識別到的該編號的洞的該高爾夫球隊的各使用者的得分。
如請求項1所述的由多個混合高爾夫球艙實現的混合高爾夫球場系統，其中，<br/> 每個該混合高爾夫球艙在一側具備入口，在另一側具備出口，在該入口處具備感測該高爾夫球隊入場的入口攝像頭裝置，在該出口處具備對完成相應混合高爾夫球艙中的高爾夫打球後退場的該高爾夫球隊進行感測的出口攝像頭裝置。
如請求項4所述的由多個混合高爾夫球艙實現的混合高爾夫球場系統，其中，<br/> 該控制裝置控制為，隨著由該出口攝像頭裝置的感測結果判斷為該高爾夫球隊已從相應混合高爾夫球艙退場，對在該混合高爾夫球艙進行過打球的洞進行洞結束處理，並使該高爾夫球隊將要入場的下一個混合高爾夫球艙的虛擬高爾夫裝置為實現已進行該洞結束處理的洞的下一個洞的虛擬高爾夫球場做準備。
如請求項4所述的由多個混合高爾夫球艙實現的混合高爾夫球場系統，其中，<br/> 該控制裝置構成為，<br/> 與進行該高爾夫比賽的高爾夫球隊的各使用者的移動終端能夠通信地連接，<br/> 隨著由該出口攝像頭裝置的感測結果判斷為該高爾夫球隊已從相應混合高爾夫球艙退場，對在該混合高爾夫球艙進行過打球的洞進行洞結束處理，<br/> 通過該高爾夫球隊的各使用者的移動終端，輸入該各使用者進行過打球的該混合高爾夫球艙的推桿果嶺上的擊球數，<br/> 並且將通過該高爾夫球隊的各使用者的移動終端輸入的擊球數與從該虛擬高爾夫裝置接收的該高爾夫球隊的各使用者進行虛擬高爾夫打球時的擊球數相加，以計算該高爾夫球隊的各使用者的得分。
如請求項4所述的由多個混合高爾夫球艙實現的混合高爾夫球場系統，其中，<br/> 該控制裝置為在該高爾夫球隊將要入場的混合高爾夫球艙的虛擬高爾夫裝置中實現將要進行該高爾夫球隊的高爾夫比賽的洞的虛擬高爾夫球場做準備，並隨著由該入口攝像頭裝置感測到該高爾夫球隊的入場，特定該洞的洞起始時間點，並且隨著由該出口攝像頭裝置感測到該高爾夫球隊的退場，特定針對該洞的洞結束時間點。
一種混合高爾夫球場系統的控制方法，利用由多個混合高爾夫球艙以預定間距排列構成的混合高爾夫球場使包括至少一名使用者的高爾夫球隊進行高爾夫比賽，該混合高爾夫球艙具備虛擬高爾夫裝置和推桿果嶺，該虛擬高爾夫裝置設於內部空間的一側，在螢幕上投影虛擬的高爾夫球場的影像，使用者向該螢幕進行高爾夫擊球而進行球移動的模擬，由此進行虛擬高爾夫，該推桿果嶺設於另一側，在通過該虛擬高爾夫裝置進行的該虛擬高爾夫之後，進行場地高爾夫，該混合高爾夫球場系統的控制方法，包括：<br/> 由設於該混合高爾夫球艙的入口的入口攝像頭裝置感測該高爾夫球隊的入場的步驟；<br/> 使得在該混合高爾夫球艙的虛擬高爾夫裝置中實現該高爾夫球隊將要進行打球的虛擬高爾夫球場的洞的步驟；<br/> 在該混合高爾夫球艙中進行該洞的虛擬高爾夫打球以及利用該推桿果嶺的場地高爾夫打球的步驟；<br/> 由設於該混合高爾夫球艙的出口的出口攝像頭裝置感測該高爾夫球隊的退場的步驟；以及<br/> 對該高爾夫球隊在該混合高爾夫球艙進行過打球的洞進行洞結束處理，並控制為使該高爾夫球隊將要入場的下一個混合高爾夫球艙的虛擬高爾夫裝置為實現已進行該洞結束處理的洞的下一個洞的虛擬高爾夫球場做準備的步驟。
如請求項8所述的混合高爾夫球場系統的控制方法，其中，<br/> 該混合高爾夫球場系統的控制裝置與進行該高爾夫比賽的高爾夫球隊的各使用者的移動終端能夠通信地連接，<br/> 該混合高爾夫球場系統的控制方法還包括：<br/> 根據該洞結束處理，該控制裝置使得通過該高爾夫球隊的各使用者的移動終端輸入該各使用者進行過打球的相應混合高爾夫球艙的推桿果嶺上的擊球數的步驟；以及<br/> 並且將通過該高爾夫球隊的各使用者的移動終端輸入的擊球數與從該虛擬高爾夫裝置接收的該高爾夫球隊的各使用者進行虛擬高爾夫打球時的擊球數相加，以計算該高爾夫球隊的各使用者的得分的步驟。
一種電源管理部件，用於從一電源接收電能並執行一電源管理功能，包括：<br/> 一第一側，包括一輸入引腳，可連接至一電源； <br/> 一第二側，與該第一側平行，包括一輸出引腳，可連接至一電路板上的一電源軌； <br/> 一電源管理功能電路，耦接於該輸入引腳與該輸出引腳之間；以及 <br/> 一對側邊，垂直於該第一側，該等側邊的每個側邊包括至少一相同的訊號引腳，該至少一相同的訊號引腳可接收由另一相同的訊號引腳傳輸的一輸入訊號，或傳輸來自該電源管理部件的一輸出訊號；其中<br/> 該至少一相同的訊號引腳為複數個相同的訊號引腳之一，每個訊號引腳可連接至一彩虹橋互連，將該等複數個相同的訊號引腳的每個訊號引腳耦接至一另一電源管理部件的一相應訊號引腳，且該另一電源管理部件具有可連接至該電源的一輸入引腳。
如請求項1所述之電源管理部件，其中該電源管理部件為一電子保險絲，並且當檢測到該電源中的一故障時，該電源管理功能電路切斷該輸出引腳的電能。
如請求項1所述之電源管理部件，其中該電源管理部件為一智慧功率級裝置，並且該電源管理功能電路為一降壓轉換器，輸出一脈衝電壓訊號。
如請求項3所述之電源管理部件，其中該至少一相同的訊號引腳接收一脈寬調變訊號，驅動該降壓轉換器。
如請求項4所述之電源管理部件，更包括一相位偏移輸入引腳，可連接至一電阻，其中該電阻的一數值決定提供給該降壓轉換器的該脈寬調變訊號的一相位。
一種印刷電路板，包括：<br/> 一電源平面，可連接至具有一電源供應的一電源架；<br/> 一第一電源管理部件，具有一第一側、一第二側、一電源管理功能電路、以及一對側邊，該第一側包括一輸入引腳，可連接至該電源平面；該第二側與該第一側平行，該第二側包括一輸出引腳；該電源管理功能電路耦接於該輸入引腳與該輸出引腳之間；該對側邊垂直於該第一側，該對側邊的每個側邊包括至少一相同的訊號引腳； <br/> 一第二電源管理部件，具有一第一側、一第二側、一電源管理功能電路、以及一對側邊，該第一側包括一輸入引腳，可連接至該電源平面；該第二側與該第一側平行，該第二側包括一輸出引腳；該電源管理功能電路耦接於該輸入引腳與該輸出引腳之間；該對側邊垂直於該第一側，該對側邊的每個側邊包括至少一相同的訊號引腳；以及<br/> 一第一彩虹橋，直接將該第一電源管理部件的該至少一相同的訊號引腳之一耦接至該第二電源管理部件的該至少一相同的訊號引腳之一。
如請求項6所述之印刷電路板，其中該第一電源管理部件與該第二電源管理部件為智慧功率級裝置，且該電源管理功能電路為一降壓轉換器，輸出一脈衝電壓訊號。
如請求項6所述之印刷電路板，更包括：<br/> 一第三電源管理部件，具有一第一側、一第二側、一電源管理功能電路、以及一對側邊，該第一側包括可連接至該電源平面的一輸入引腳；該第二側與該第一側平行，該第二側包括一輸出引腳；該電源管理功能電路耦接於該輸入引腳與該輸出引腳之間；該對側邊垂直於該第一側，該對側邊的每個側邊包括至少一相同的訊號引腳；以及<br/> 一第二彩虹橋，直接將該第二電源管理部件的該至少一相同的訊號引腳之一耦接至該第三電源管理部件的該至少一相同的訊號引腳之一。
一種智慧功率級裝置，包括：<br/> 一積體電路封裝，具有一第一側、相對的一第二側，以及垂直於該第一側的一對側邊； <br/> 一電壓輸入引腳，在該第一側上，可連接至一電源； <br/> 一輸出引腳，在該相對的第二側上； <br/> 一降壓轉換器，耦接於該電壓輸入引腳與該輸出引腳之間，以提供一脈衝電壓訊號至該輸出引腳； <br/> 一第一脈寬調變訊號引腳，位於該對側邊之一；以及 <br/> 一第二脈寬調變訊號引腳，位於該對側邊之另一側邊，其中接收於該第一脈寬調變訊號引腳的一脈寬調變訊號由該第二脈寬調變訊號引腳輸出，並驅動該降壓轉換器。
一種智慧大眾運輸車輛即時物件偵測與多層級警示系統，其包含訊號連接之一前端偵測模組、一嵌入式裝置及一後台資料分析模組，其中:<br/> 該前端偵測模組包含一攝影裝置，用以設置於一大眾運輸車輛之駕駛前方視角位置，並取得該大眾運輸車輛前方之一影像；<br/> 該嵌入式裝置包含一物件辨識模組，用以擷取該影像中任何停止或移動中之一物件；以及一軌跡生成模組，其包括一生成器與一鑑別器；該生成器生成一對抗網路模型以產生多條預測軌跡，該鑑別器負責判別真實與生成的該預測軌跡，並依演算法輸出最有信心度者為最終預測軌跡；該軌跡生成模組依據時間序列輸入之該物件之該預測軌跡數據後，透過歸一化指數函式演算法操作，計算所有候選之該預測軌跡的交併比，選擇最大信心度的交併比軌跡作為最終輸出；以及<br/> 一風險分析與警示模組，其用以結合該物件之速度、與該大眾運輸車輛距離、移動方向、移動角度及/或該預測軌跡，評估該物件是否進入該大眾運輸車輛危險區域，並輸出警示資訊至該大眾運輸車輛的一駕駛界面。
如請求項1所述的智慧大眾運輸車輛即時物件偵測與多層級警示系統，其中: <br/> 該生成器中包含一編碼器、一池化模組及一解碼器；該編碼器、該解碼器中分別包含數個長短期記憶模型；<br/> 該鑑別器中包含之數個長短期記憶模型；以及<br/> 該生成器產生合理的該預測軌跡序列，再透過該鑑別器負責判斷真實與生成的該預測軌跡。
如請求項2所述的智慧大眾運輸車輛即時物件偵測與多層級警示系統，其中: 設計損失函數驗證該軌跡生成模組，以平均位移誤差衡量整體該預測軌跡誤差和最終位移誤差衡量最終點誤差的準則。
如請求項1所述的智慧大眾運輸車輛即時物件偵測與多層級警示系統，其中: 前述該物件之相對速度為該物件相對於該攝影裝置的速度，利用一連續幀的位置變化，通過每幀之間該物件的像素移動距離計算其相對速度，如下式(1)所示:<br/><img align="absmiddle" height="28px" width="150px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>…式(1)。
如請求項4所述的智慧大眾運輸車輛即時物件偵測與多層級警示系統，其中: 每幀間隔時間可以用攝像頭的幀率計算，如下式(2):<img align="absmiddle" height="22px" width="105px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>…式(2)。
如請求項1所述的智慧大眾運輸車輛即時物件偵測與多層級警示系統，其中: 距離該物件相對於該攝影裝置的距離，以假設該攝影裝置為該大眾運輸車輛的視野中心點；以及該物件中心到該視野中心的像素距離，如下式(3):<img align="absmiddle" height="22px" width="200px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>…式(3)。
如請求項1所述的智慧大眾運輸車輛即時物件偵測與多層級警示系統，其中: 方向與角度為該物件移動方向是否進入該大眾運輸車輛行進方向。
如請求項1所述的智慧大眾運輸車輛即時物件偵測與多層級警示系統，其中:評估是否進入該大眾運輸車輛危險區域以設定該物件之一像素速度及/或一像素距離之一閾值以區分發出不同程度警示及/或行為建議。
一種用於將半導體晶片鍵合到表面上的鍵合位置的方法，其特徵在於，所述方法包括步驟：<br/> 使用夾頭拾取所述半導體晶片；<br/> 將所述夾頭放置在第一相機系統和第二相機系統之間；<br/> 在所述夾頭保持所述半導體晶片時，使用所述第一相機系統觀察所述夾頭和參考板，並確定所述夾頭相對於所述參考板的位置和方向；<br/> 使用所述第二相機系統觀察所述半導體晶片和所述參考板，並確定所述半導體晶片相對於所述參考板的位置和方向；<br/> 將所述夾頭移動到所述鍵合位置上方的位置；<br/> 使用所述第一相機系統觀察所述鍵合位置，並確定所述鍵合位置相對於所述夾頭的位置和方向以及所述半導體晶片的位置和方向的位置和方向；以及<br/> 使用所述夾頭調整所述半導體晶片的位置和方向，並將所述半導體晶片鍵合到所述鍵合位置上。
根據請求項1所述的用於將半導體晶片鍵合到表面上的鍵合位置的方法，其中，所述第一相機系統包括下視相機系統，所述第二相機系統包括上視相機系統。
根據請求項所述的用於將半導體晶片鍵合到表面上的鍵合位置的方法，其中，所述夾頭包括允許光線穿過所述夾頭的主體的透光部分。
根據請求項3所述的用於將半導體晶片鍵合到表面上的鍵合位置的方法，所述透光部分包括透明材料。
根據請求項4所述的用於將半導體晶片鍵合到表面上的鍵合位置的方法，其中，所述透明材料包括透明板，所述透明板在其第一表面上具有二向色塗層，以僅對特定範圍內的波長的光形成反射表面。
根據請求項5所述的用於將半導體晶片鍵合到表面上的鍵合位置的方法，所述透明板包括與所述第一表面相對的第二表面，所述第二表面包括夾頭參考標記。
根據請求項6所述的用於將半導體晶片鍵合到表面上的鍵合位置的方法，其中，所述夾頭參考標記通過在所述第二表面上鍍金屬圖案而形成的。
根據請求項6所述的用於將半導體晶片鍵合到表面上的鍵合位置的方法，其中，所述第二表面佈置在一定高度上，在所述高度上，所述光線通過所述第一表面在所述第二表面與所述第一相機系統之間行進的總距離與所述光線在所述參考板與所述第一相機系統之間行進的總距離相似，使得所述夾頭參考標記和所述參考板都位於所述第一相機系統的景深內。
根據請求項8所述的用於將半導體晶片鍵合到表面上的鍵合位置的方法，其中，所述夾頭參考標記和所述參考板的圖像位於大致相同的高度或水準位置。
根據請求項1所述的用於將半導體晶片鍵合到表面上的鍵合位置的方法，其中，所述參考板包括透明材料片以及形成在所述透明材料片的表面上的參考板標記。
根據請求項10所述的用於將半導體晶片鍵合到表面上的鍵合位置的方法，其中，所述參考板標記包括多個點或其他基準圖案。
根據請求項10所述的用於將半導體晶片鍵合到表面上的鍵合位置的方法，其中，所述透明材料片安裝在所述第二相機系統的頂部，使得所述半導體晶片和所述參考板標記能夠通過所述參考板同時被所述第二相機系統觀察。
根據請求項1所述的用於將半導體晶片鍵合到表面上的鍵合位置的方法，其中，所述第一相機系統可由第一運動系統驅動與所述夾頭一起移動，並且所述夾頭可由第二運動系統驅動來移動，而不移動所述第一相機系統。
根據請求項13所述的用於將半導體晶片鍵合到表面上的鍵合位置的方法，其中，還包括在使用所述第一相機系統觀察所述參考板之前，使用所述第二運動系統驅動所述夾頭以將所述半導體晶片移出所述第一相機系統的視場。
根據請求項14所述的用於將半導體晶片鍵合到表面上的鍵合位置的方法，其中，所述夾頭包括多個透明部分，當所述夾頭位於所述第一相機系統和所述第二相機系統之間時，每個透明部分對應於所述第一相機系統中包括的各個相機的位置。
根據請求項1所述的用於將半導體晶片鍵合到表面上的鍵合位置的方法，其中，所述第一相機系統包括第一相機和第二相機，當所述夾頭位於所述第一相機系統和所述第二相機系統之間時，所述第一相機和所述第二相機分別鄰近所述夾頭的相對的兩個角。
一種用於將半導體晶片鍵合到表面上的鍵合位置的裝置，其特徵在於，所述裝置包括：<br/> 夾頭，用於拾取所述半導體晶片；<br/> 第一相機系統和第二相機系統；以及<br/> 參考板；<br/> 其中，當所述夾頭將所述半導體晶片保持在所述第一相機系統和所述第二相機系統之間時，所述第一相機系統可操作以觀察所述夾頭和所述參考板，以確定所述夾頭相對於所述參考板的位置和方向，所述第二相機系統可操作以觀察所述半導體晶片和所述參考板，以確定所述半導體晶片相對於所述參考板的位置和方向；以及<br/> 其中，當所述夾頭移動到所述鍵合位置上方的位置時，所述第一相機系統還可操作以在使用所述夾頭調整所述半導體晶片的位置和方向並將所述半導體晶片鍵合到所述鍵合位置上之前，觀察所述鍵合位置，以確定所述鍵合位置相對於所述夾頭的位置和方向以及所述半導體晶片的位置和方向的位置和方向。
一種校正裝置，是用於具備接觸式探針的工作機械之校正裝置，其特徵在於具備：<br/> 本體部，固定於前述工作機械；<br/> 軸部，是在前述本體部之內部將軸線方向沿Z軸方向配置之棒形狀的軸部，構成為具有從動件部，被前述本體部導引而可沿該軸線方向進退；<br/> 旋轉環，是沿前述軸部之外周設置於前述本體部且構成為可繞前述軸部之軸線旋轉並且拘束Z軸方向之移動的旋轉環，具有原動件部，前述原動件部形成為與前述軸部之前述從動件部卡合，藉由相對於前述軸部旋轉，而讓前述軸部從動地進退；及<br/> Z校正部，作為基準面形成於前述軸部之前端。
如請求項1之校正裝置，其中，具有XY校正部，前述XY校正部沿前述軸部之外周面、或沿形成於前述軸部的徑方向外側的前述本體部之外筒部的外周面形成。
如請求項1之校正裝置，其中，前述從動件部是沿前述軸部之外周形成為螺旋狀的1條螺紋的外螺紋或多條螺紋的外螺紋，或者圓筒凸輪溝，<br/> 前述原動件部包含：沿前述旋轉環之內周形成為螺旋狀，可分別卡合於前述1條螺紋的外螺紋或前述多條螺紋的外螺紋之1條螺紋的內螺紋或多條螺紋的內螺紋；或者，形成在前述旋轉環的內周側且能夠與前述圓筒凸輪溝卡合的凸輪從動銷。
如請求項1之校正裝置，其中，前述從動件部包含凸輪從動銷，前述凸輪從動銷形成於前述軸部之外周側，可卡合於形成於前述旋轉環之原動件部即圓筒凸輪溝。
如請求項1之校正裝置，其中，前述本體部在底部具有磁鐵，在底部之外周側的一部分或全周，具有朝向前述本體部之外周側且朝向前述Z校正部之側傾斜的傾斜面。
一種工作機械，是可安裝如請求項1之校正裝置的前述工作機械，其特徵在於具備：<br/> 主軸，是用於安裝加工工具之主軸，可改為安裝長度已知之基準工具或前述接觸式探針來取代前述加工工具；<br/> 工作台，供安裝加工對象及前述校正裝置；及<br/> 進給軸部，使前述主軸與前述工作台相對移動。
一種校正方法，是使用如請求項1之校正裝置的前述接觸式探針之校正方法，其特徵在於包含：<br/> 將前述校正裝置配置於前述工作機械；<br/> 在前述工作機械之主軸上安裝長度已知之基準工具，為了使前述基準工具之前端向前述軸部之前述Z校正部的軸方向上方側的位置移動，使前述主軸相對地移動；<br/> 將前述旋轉環相對於前述軸部旋轉，而使前述Z校正部抵接於前述基準工具；<br/> 取得前述被抵接之前述軸部之軸方向的基準座標；<br/> 在前述工作機械之前述主軸上安裝前述接觸式探針；及<br/> 基於前述基準座標來取得前述軸方向之校正值。
一種光罩，其具有穿透性基板、及前述穿透性基板上的導電性圖案和轉印圖案，<br/> 前述導電性圖案的寬度為曝光光的解析極限以下，<br/> 前述轉印圖案的至少一部分位於前述導電性圖案上，且與前述導電性圖案電接觸，<br/> 前述導電性圖案為格子狀圖案。
一種光罩，其具有穿透性基板、及前述穿透性基板上的導電性圖案和轉印圖案，<br/> 前述導電性圖案的寬度為曝光光的解析極限以下，<br/> 前述轉印圖案的至少一部分位於前述導電性圖案上，且與前述導電性圖案電接觸，<br/> 前述導電性圖案具有蜂巢形狀。
一種光罩，其具有穿透性基板、及前述穿透性基板上的導電性圖案和轉印圖案，<br/> 前述導電性圖案形成於光罩的整個表面，<br/> 前述導電性圖案的寬度為曝光光的解析極限以下，<br/> 前述轉印圖案的至少一部分位於前述導電性圖案上，且與前述導電性圖案電接觸。
如請求項1至3中任一項所述之光罩，其中，前述導電性圖案具有半穿透性。
如請求項1至3中任一項所述之光罩，其中，前述轉印圖案是中間膜與形成於前述中間膜上的上層膜的積層，前述中間膜和前述上層膜具有導電性。
如請求項5所述之光罩，其中，前述中間膜相對於前述導電性圖案具有蝕刻選擇性，前述上層膜相對於前述中間膜具有蝕刻選擇性。
如請求項1至3中任一項所述之光罩，其中，前述轉印圖案由上層膜所構成，前述上層膜具有導電性。
如請求項7所述之光罩，其中，前述上層膜相對於前述導電性圖案具有蝕刻選擇性。
如請求項7所述之光罩，其中，前述上層膜為半穿透膜或相位移膜。
如請求項1至3中任一項所述之光罩，其中，前述導電性圖案由下層膜所構成，前述下層膜是相位移膜，前述轉印圖案由上層膜所構成，且形成於前述下層膜上，在前述轉印圖案的外緣部具有由前述下層膜所構成的邊緣部。
一種光罩坯料，其係用於在上層形成曝光用的轉印圖案，<br/> 該光罩坯料的特徵在於，具有穿透性基板、及前述穿透性基板上的具有預先設定的形狀之導電性圖案，<br/> 前述導電性圖案的寬度為曝光光的解析極限以下。
一種光罩的製造方法，其特徵在於，包含以下步驟：<br/> 在穿透性基板上形成導電性膜之步驟；<br/> 對前述導電性膜進行圖案化，而形成具有曝光光的解析極限以下的寬度的導電性圖案之步驟；<br/> 在前述導電性圖案上形成具有導電性的中間膜之步驟；<br/> 在前述中間膜上形成具有導電性的上層膜之步驟；及，<br/> 對前述中間膜和前述上層膜進行圖案化，而形成由前述中間膜與前述上層膜的積層所構成的轉印圖案，並且使前述導電性圖案的一部分露出之步驟。
一種光罩的製造方法，其特徵在於，包含以下步驟：<br/> 在穿透性基板上形成導電性膜之步驟；<br/> 對前述導電性膜進行圖案化，而形成具有曝光光的解析極限以下的寬度的導電性圖案之步驟；<br/> 在前述導電性圖案上形成具有導電性的上層膜之步驟；及，<br/> 對前述上層膜進行圖案化，而形成由前述上層膜所構成的轉印圖案，並且使前述導電性圖案的一部分露出之步驟。
一種可自走之警示牌，其包含：<br/> 一自走平台模組，其係組設至少一輪體；<br/> 一處理單元，其係置設於該自走平台模組，該處理單元係耦接所述輪體；<br/> 一感測器模組，其係耦接該處理單元，該感測器模組係置設於該自走平台模組一側，該感測器模組係偵測一車輛狀態並傳送至該處理單元，以控制該自走平台模組之移動運作；<br/> 一測距模組，其係耦接該處理單元，該測距模組係置設於該自走平台模組一側；該測距模組係偵測一環境之複數障礙物；<br/> 一驅動模組，其係耦接該處理單元與所述輪體，該驅動模組係置設於該自走平台模組對應所述輪體一側；以及<br/> 一警示模組，其係耦接該處理單元，該警示模組係置設於該自走平台模組一側；<br/> 一影像辨識模組，其係耦接該處理單元，該影像辨識模組係辨識一前方車流密度或車道狀況，並傳送結果予該處理單元以調整該自走平台模組部署位置或該警示模組之警示模式；<br/> 藉此，該處理單元係根據該感測器模組所輸入之該車輛狀態資訊，驅動該驅動模組並控制該自走平台模組於一部署位置進行部署，並同時啟動該警示模組。
如請求項1所述之可自走之警示牌，其中，該自走平台模組更組接一電源系統，該電源系統係耦接該處理單元，且該電源系統由一光電模組與至少一鋰電池組成，並透過一電源管理晶片實現日間充電模式與夜間供電模式。
如請求項1所述之可自走之警示牌，其中，該自走平台模組更配置一藍牙遠端控制模組，該藍牙遠端控制模組係耦接該處理單元、一無線控制器及一行動裝置，且該無線控制器與該行動裝置可啟動並控制該藍牙遠端控制模組。
如請求項1所述之可自走之警示牌，其中，該自走平台模組更配置一GPS模組與一通訊模組，以用於定位該警示模組部署位置並將資料同步至一雲端平台，以進行事故記錄與後續分析。
如請求項1至請求項4中任一項所述之可自走之警示牌，其中，該警示模組係可拆組之三角警示標誌模組，該警示模組係置設一反光片與一LED閃燈光源，並可自動展開以進行警示。
如請求項1至請求項4中任一項所述之可自走之警示牌，其中，該處理單元更耦接一返回控制模組，該返回控制模組係記錄該自走平台模組之一初始位置，並於完成部署作業後，控制該自走平台模組返回該初始位置。
如請求項1至請求項4中任一項所述之可自走之警示牌，其中，該自走平台模組更包含一避震模組與一地形適應模組，該避震模組設於所述輪體與該自走平台模組之間，並具備自動調整功能以吸收衝擊與維持該自走平台模組水平。
如請求項1至請求項4中任一項所述之可自走之警示牌，其中，所述輪體係麥克納姆輪結構。
一種發電廠拆解管理裝置，其特徵在於具備： <br/>處置計劃製作部，其基於自發電廠排出之廢棄物之設計資訊及上述廢棄物之放射線量，計劃上述廢棄物自上述發電廠排出之後直至再利用或最終處置為止之步驟表即處置計劃資訊；及 <br/>記憶部，其記憶經計劃之上述處置計劃資訊；且 <br/>上述處置計劃製作部 <br/>將可於複數個反應器間或處理上述廢棄物之複數個主體間共同使用之處理設備之使用可否之資訊記憶至上述記憶部；且 <br/>基於上述廢棄物之臨時保管所需要的保管費用資訊、及上述廢棄物之搬送費用資訊，決定上述處置計劃資訊之一部分即保管方法及搬送業者。
如請求項1之發電廠拆解管理裝置，其中 <br/>上述廢棄物係伴隨原子能發電站之廢爐而產生之使用完畢燃料以外的設備。
如請求項1之發電廠拆解管理裝置，其中 <br/>上述處置計劃製作部在基於已實施處置計劃之實施報告資訊而計劃有變更之情形，將變更後之內容作為處置計劃資訊而覆寫至上述記憶部。
一種發電廠拆解管理裝置之發電廠拆解管理方法，其特徵在於 <br/>發電廠拆解管理裝置之處置計劃製作部基於自發電廠排出之廢棄物之設計資訊及上述廢棄物之放射線量，計劃上述廢棄物自上述發電廠排出之後直至再利用或最終處置為止之步驟表即處置計劃資訊， <br/>上述發電廠拆解管理裝置之記憶部記憶經計劃之上述處置計劃資訊； <br/>上述處置計劃製作部進而 <br/>將可於複數個反應器間或處理上述廢棄物之複數個主體間共同使用之處理設備之使用可否之資訊記憶至上述記憶部；且 <br/>基於上述廢棄物之臨時保管所需要的保管費用資訊、及上述廢棄物之搬送費用資訊，決定上述處置計劃資訊之一部分即保管方法及搬送業者。
一種發電廠拆解管理程式，其特徵在於使電腦作為以下機構發揮功能： <br/>處置計劃製作部，其基於自發電廠排出之廢棄物之設計資訊及上述廢棄物之放射線量，計劃上述廢棄物自上述發電廠排出之後直至再利用或最終處置為止之步驟表即處置計劃資訊；及 <br/>記憶部，其記憶經計劃之上述處置計劃資訊；且 <br/>上述發電廠拆解管理程式進而使上述處置計劃製作部執行以下處理： <br/>將可於複數個反應器間或處理上述廢棄物之複數個主體間共同使用之處理設備之使用可否之資訊記憶至上述記憶部； <br/>基於上述廢棄物之臨時保管所需要的保管費用資訊、及上述廢棄物之搬送費用資訊，決定上述處置計劃資訊之一部分即保管方法及搬送業者。
一種商品配送異常處理方法，透過計算裝置執行，其包括如下步驟： <br/>確認多個配送作業單元中的第一配送作業單元滿足預設的異常處理條件； <br/>向使用者終端發送關於該第一配送作業單元屬於該異常處理目標的內容的通知； <br/>從該使用者終端接收對於該第一配送作業單元的該異常處理的請求以及該異常處理的相關設置資訊； <br/>回應於該異常處理的請求，基於該異常處理的相關設置資訊確定該第一配送作業單元將被移轉到的第二物流中心；以及 <br/>如果可以將該第一配送作業單元移轉到該第二物流中心，則將該第一配送作業單元移轉到該第二物流中心，如果無法將該第一配送作業單元移轉到該第二物流中心，則基於該異常處理的相關設置資訊確定是否取消該第一配送作業單元， <br/>該配送作業單元在第一物流中心視為單個作業目標。
如請求項1所述之商品配送異常處理方法，其中， <br/>確認多個配送作業單元中的第一配送作業單元滿足預設的異常處理條件的步驟包括如下步驟： <br/>計算由於該第一配送作業單元的延遲導致的與該第一配送作業單元對應的訂單的第一預計配送時間； <br/>獲取向該訂單的訂購者事先通知的第二預計配送時間；以及 <br/>確認該第一預計配送時間與該第二預計配送時間不同。
如請求項2所述之商品配送異常處理方法，其中， <br/>確認該第一預計配送時間與該第二預計配送時間不同的步驟包括如下步驟： <br/>確認該第一預計配送時間與該第二預計配送時間的差異大於或等於第一閾值。
如請求項1所述之商品配送異常處理方法，其中， <br/>該預設的條件是該第一配送作業單元的作業時間不包含在該第一物流中心的運營時間內， <br/>確定該第二物流中心的步驟包括如下步驟： <br/>將運營時間包含該第一配送作業單元的作業時間的物流中心確定為該第二物流中心。
如請求項1所述之商品配送異常處理方法，其中， <br/>該預設的條件是該第一配送作業單元的停工。
如請求項1所述之商品配送異常處理方法，其中， <br/>該異常處理的相關設置資訊不包括該第一配送作業單元將被移轉到的物流中心的資訊， <br/>確定該第一配送作業單元將被移轉到的第二物流中心的步驟包括如下步驟： <br/>在多個物流中心中，確定可以使與該第一配送作業單元對應的訂單的第一預計配送時間與向該訂單的訂購者事先通知的第二預計配送時間相同的第二物流中心。
如請求項6所述之商品配送異常處理方法，其中， <br/>確定該第一配送作業單元將被移轉到的第二物流中心的步驟包括如下步驟： <br/>如果該第二物流中心確定為兩個或更多個物流中心，則在該兩個或更多個物流中心中將包括更多商品庫存的物流中心確定為該第二物流中心，其中，該商品是該第一配送作業單元中包含的商品。
如請求項1所述之商品配送異常處理方法，其中， <br/>該異常處理的相關設置資訊包括是否允許自動取消該第一配送作業單元的資訊， <br/>確定是否取消該第一配送作業單元的步驟包括如下步驟： <br/>如果該異常處理的相關設置資訊表示允許自動取消該第一配送作業單元，則自動取消該第一配送作業單元。
如請求項1所述之商品配送異常處理方法，其中， <br/>該異常處理的相關設置資訊包括是否允許自動取消該第一配送作業單元的資訊， <br/>確定是否取消該第一配送作業單元的步驟包括如下步驟： <br/>如果該異常處理的相關設置資訊表示不允許自動取消該第一配送作業單元，則回應於無法將該第一配送作業單元移轉到該第二物流中心，向該使用者終端發送關於不允許自動取消該第一配送作業單元的通知；以及 <br/>回應於從該使用者終端接收到表示允許自動取消該第一配送作業單元的資訊，自動取消該第一配送作業單元。
如請求項1所述之商品配送異常處理方法，其中， <br/>確定是否取消該第一配送作業單元的步驟包括如下步驟： <br/>如果無法將該第一配送作業單元移轉到該第二物流中心，則再次確認預設時間之後是否可以將該第一配送作業單元移轉到該第二物流中心；以及 <br/>如果預設時間之後可以將該第一配送作業單元移轉到該第二物流中心，則將該第一配送作業單元移轉到該第二物流中心， <br/>如果預設時間之後無法將該第一配送作業單元移轉到該第二物流中心，則自動取消該第一配送作業單元。
如請求項1所述之商品配送異常處理方法，其中， <br/>確定是否取消該第一配送作業單元的步驟包括如下步驟： <br/>如果無法將該第一配送作業單元移轉到該第二物流中心，則計算與該第一配送作業單元對應的訂單的第一預計配送時間；以及 <br/>如果該第一預計配送時間與向該訂單的訂購者事先通知的第二預計配送時間的差異大於或等於第二閾值，則自動取消該第一配送作業單元。
如請求項1所述之商品配送異常處理方法，其中， <br/>該異常處理的相關設置資訊不包括是否允許自動取消該第一配送作業單元的資訊， <br/>確定是否取消該第一配送作業單元的步驟包括如下步驟： <br/>回應於該第一配送作業單元中包含的商品中的第一商品無法從包括該第二物流中心的多個物流中心中出庫，自動取消該第一配送作業單元。
一種商品配送異常處理方法，透過計算裝置執行，其包括如下步驟： <br/>確認包括多個配送作業單元的第一配送作業組滿足預設的異常處理條件； <br/>向使用者終端發送關於該第一配送作業組屬於該異常處理目標的內容的通知； <br/>從該使用者終端接收對於該第一配送作業組的該異常處理的請求以及該異常處理的相關設置資訊；以及 <br/>回應於該異常處理的請求，針對該第一配送作業組包括的每個配送作業單元重複執行異常處理流程， <br/>該異常處理流程包括如下步驟： <br/>基於該異常處理的相關設置資訊，在該第一配送作業組包括的多個配送作業單元中確定未移轉且未取消的第一配送作業單元； <br/>自動確定該第一配送作業單元將被移轉到的第二物流中心；以及 <br/>如果可以將該第一配送作業單元移轉到該第二物流中心，則將該第一配送作業單元移轉到該第二物流中心，如果無法將該第一配送作業單元移轉到該第二物流中心，則基於該異常處理的相關設置資訊確定是否取消該第一配送作業單元， <br/>該配送作業單元在第一物流中心視為單個作業目標。
如請求項13所述之商品配送異常處理方法，其中， <br/>該第一配送作業組包括在組成該第一物流中心的多個區域的第一區域中執行作業的所有配送作業單元， <br/>該預設的異常處理條件是該第一區域發生停工。
如請求項13所述之商品配送異常處理方法，其中， <br/>該第一配送作業組包括由在該第一物流中心內部執行配送作業的第一配送作業裝置執行作業的所有配送作業單元， <br/>包括: 在組成該第一物流中心的多個區域的第一區域中由該第一配送作業裝置執行作業的第一配送作業單元，和 <br/>在組成該第一物流中心的多個區域的第二區域中由該第一配送作業裝置執行作業的第二配送作業單元， <br/>該預設的異常處理條件是該第一區域和該第二區域中至少一個區域發生停工。
如請求項13所述之商品配送異常處理方法，其中， <br/>該異常處理流程還包括如下步驟： <br/>接收該第二物流中心的資訊； <br/>基於該第二物流中心的資訊，確定第一商品無法從該第二物流中心出庫； <br/>如果該第一配送作業單元包含該第一商品，則確定無法將該第一配送作業單元移轉到該第二物流中心；以及 <br/>如果該第一配送作業組包括的多個第二配送作業單元包含該第一商品，則自動確定無法將該多個第二配送作業單元移轉到該第二物流中心， <br/>該第二配送作業單元是該第一配送作業組包括的多個配送作業單元中未確定是否移轉以及是否取消的配送作業單元。
如請求項13所述之商品配送異常處理方法，其中， <br/>該異常處理流程還包括如下步驟： <br/>接收作為該第一配送作業單元的候選移轉目標的多個物流中心的資訊； <br/>基於該多個物流中心的資訊，確定第一商品無法從所有的該多個物流中心出庫； <br/>如果該第一配送作業單元包含該第一商品，則確定取消該第一配送作業單元；以及 <br/>如果該第一配送作業組包括的多個第二配送作業單元包含該第一商品，則自動取消該多個第二配送作業單元， <br/>該第二配送作業單元是該第一配送作業組包括的多個配送作業單元中未轉移且未取消的配送作業單元。
如請求項13所述之商品配送異常處理方法，其中， <br/>該異常處理的相關設置資訊不包括是否取消該第一配送作業組包括的每個配送作業單元的資訊， <br/>該異常處理流程包括如下步驟： <br/>如果在包括該第二物流中心的所有作為候選移轉目標的多個物流中心中，無法移轉該第一配送作業單元，則向該使用者終端發送未確定是否允許取消該第一配送作業單元的通知；以及 <br/>回應於從該使用者終端接收到表示允許自動取消該第一配送作業單元的資訊，自動取消該第一配送作業單元。
一種商品配送異常處理系統，包括： <br/>通訊介面； <br/>記憶體，加載電腦程式；以及 <br/>一個或多個處理器，執行該電腦程式， <br/>該電腦程式包括用於執行如下操作的指令（instructions）： <br/>確認多個配送作業單元中的第一配送作業單元滿足預設的異常處理條件； <br/>向使用者終端發送關於該第一配送作業單元屬於該異常處理目標的內容的通知； <br/>從該使用者終端接收對於該第一配送作業單元的該異常處理的請求以及該異常處理的相關設置資訊； <br/>回應於該異常處理的請求，基於該異常處理的相關設置資訊確定該第一配送作業單元將被移轉到的第二物流中心；以及 <br/>如果可以將該第一配送作業單元移轉到該第二物流中心，則將該第一配送作業單元移轉到該第二物流中心，如果無法將該第一配送作業單元移轉到該第二物流中心，則基於該異常處理的相關設置資訊確定是否取消該第一配送作業單元， <br/>該配送作業單元在第一物流中心視為單個作業目標。
一種商品配送異常處理系統，包括： <br/>通訊介面； <br/>記憶體，加載電腦程式；以及 <br/>一個或多個處理器，執行該電腦程式， <br/>該電腦程式包括用於執行如下操作的指令（instructions）： <br/>確認包括多個配送作業單元的第一配送作業組滿足預設的異常處理條件； <br/>向使用者終端發送關於該第一配送作業單元屬於該異常處理目標的內容的通知； <br/>從該使用者終端接收對於該第一配送作業組的該異常處理的請求以及該異常處理的相關設置資訊；以及 <br/>回應於該異常處理的請求，針對該第一配送作業組包括的每個配送作業單元重複執行異常處理流程， <br/>該異常處理流程包括如下步驟： <br/>基於該異常處理的相關設置資訊，在該第一配送作業組包括的多個配送作業單元中確定未移轉且未取消的第一配送作業單元； <br/>自動確定該第一配送作業單元將被移轉到的第二物流中心；以及 <br/>如果該第一配送作業單元可以移轉到該第二物流中心，則將該第一配送作業單元移轉到該第二物流中心，如果該第一配送作業單元無法移轉到該第二物流中心，則基於該異常處理的相關設置資訊確定是否取消該第一配送作業單元， <br/>該配送作業單元在第一物流中心視為單個作業目標。
一種防火材料，由以下組成：<br/> 一纖維基材層，其具有一第一表面及一第二表面；以及<br/> 二防火塗層，各該防火塗層之一表面分別設置於該纖維基材層之該第一表面及該第二表面，且該二防火塗層包含矽膠以及無機奈米填料；<br/> 其中，基於各該防火塗層的總重為100重量百分比，該矽膠的含量為35重量百分比至60重量百分比。
如請求項1所述之防火材料，其中該纖維基材層選自改質壓克力纖維、玻璃纖維、聚酯纖維及陶瓷纖維之一種或及其組合。
如請求項1所述之防火材料，其中該無機奈米填料分散於該矽膠中。
如請求項1所述之防火材料，其中基於各該防火塗層的總重為100重量百分比，該無機奈米填料的含量為40重量百分比至65重量百分比。
如請求項1所述之防火材料，其中該無機奈米填料包含氮化硼、氧化鋁、氮化鋁、氫氧化鋁或氫氧化鎂。
如請求項1所述之防火材料，其中該防火材料的厚度為1毫米。
如請求項2所述之防火材料，其中該改質壓克力纖維包含由聚丙烯腈、瀝青或酚醛樹脂為原料所製成。
一種車用材料，其包含如請求項1至請求項7中任一項所述之防火材料。
一種鋰電池基材，其包含如請求項1至請求項7中任一項所述之防火材料。
一種可折疊式隱形無人機，包括：一機身部分，具有一機頭，一機身延伸柱，及一機尾，該機身延伸柱接合於該機尾之兩側處，且該機身部分從該機頭往該機尾延伸，其橫截面呈多邊形，以反射探測之雷達波；兩個機翼，分別各自該機身部分之左右兩側向外伸展，且各在接合該機身部分之處具有一個第一可鬆動固定螺絲及其螺固孔，並於收藏時鬆動各該固定螺絲以分別水平旋轉各該機翼，以疊置於該機頭之正前方；一尾翼，其為一U型結構體，係由兩個樑柱及一尾舵圍繞而成，各該樑柱分別接合於該機身延伸柱之一端，各該樑柱具有兩個第二可鬆動固定螺絲及其螺固孔，於收藏時垂直向前折疊並疊置於該等機翼上；一引擎(發動機)，設置於該機尾之後端，以提供飛行之動力；以及一螺旋漿，設置於該引擎後端，以於旋轉時帶動該無人機之飛行。
如請求項1之可折疊式隱形無人機，其中該兩機翼之翼身為塑膠材質，其內並設置一長形鋁柱，以為支撐。
如請求項1之可折疊式隱形無人機，其中該尾翼於折疊時，以兩段式垂直向前折疊而疊置於該機翼上。
如請求項1之可折疊式隱形無人機，並進而包含一容置室，用以包覆該引擎，以避免溫度上升時為紅外線偵測。
如請求項1之可折疊式隱形無人機，其中各該機翼長12米，係以無人飛行載具(Unmanned Aerial Vehicle,UAV)折疊設計，其於折疊後長6.5米，寬1.8米，及高0.5米。
如請求項1之可折疊式隱形無人機，其中該機身部分之長度6.5米，高度2.2米，最大起飛重量700公斤，及有效載荷200公斤。
如請求項1之可折疊式隱形無人機，其中該引擎為120馬力，最大速度220公里/小時，巡航速度130公里/小時，，且該機身部分及/或該等機翼設置有複數個掛點可掛載武器。
如請求項1之可折疊式隱形無人機，進而於適當位置設置複數個感測器，包含光電/紅外、雷射指示器，及/或合成孔徑雷達。
如請求項1之可折疊式隱形無人機，其中該機身部分之橫截面為五邊形以上之多邊形。
一種電力設備的裝配結構，包括：<br/> 一機殼，具有一開口部、一容置部、一引導部、一電源電路及一支撐部，所述開口部相鄰於所述容置部；以及<br/> 一蓋板，設置於所述引導部，並沿著所述引導部的一引導方向在所述引導部進行移動，且所述蓋板在所述引導部的移動範圍經過所述開口部；<br/> 其中當所述蓋板沿著所述引導方向的一第一方向往所述機殼內移動，且當所述蓋板移動至所述引導部的一第一引導位置時，所述容置部透過所述開口部外露，且當所述支撐部由所述機殼內部往所述機殼外翻轉時，所述支撐部抵靠所述蓋板一側；<br/> 其中當所述支撐部由所述機殼外部往所述機殼內翻轉而未接觸所述蓋板及當所述蓋板沿著所述引導方向的一第二方向往所述第一方向的反方向移動，且於所述蓋板移動至所述引導部的一第二引導位置時，所述蓋板遮蔽所述開口部。
如請求項1所述的電力設備的裝配結構，其中，所述支撐部包括一翻轉件及一收納件，所述翻轉件透過一轉軸固定於所述收納件，當所述翻轉件透過所述轉軸翻轉於一第一收納位置時，所述翻轉件的一支撐面收納於所述收納件，以及當所述翻轉件透過所述轉軸翻轉於一第二收納位置時，所述翻轉件的所述支撐面凸出於所述收納件且所述支撐面接觸於在所述第一引導位置的所述蓋板的一側。
如請求項2所述的電力設備的裝配結構，其中所述翻轉件更包括一翻轉面，所述翻轉面與所述支撐面設置於所述翻轉件的不同側，當所述翻轉件翻轉於所述第一收納位置時，所述翻轉面外露於所述收納件，所述翻轉面與所述支撐面形成有夾角，所述支撐部設置於一固定座，所述固定座設置於所述機殼內部，所述收納件固定設置於所述固定座。
如請求項3所述的電力設備的裝配結構，其中所述收納件包括一樞接部、一凹槽部及一固定片，所述凹槽部連接於所述樞接部與所述固定片之間，所述翻轉件經由所述轉軸與所述樞接部樞接，所述收納件透過所述固定片固定於所述固定座，當所述翻轉件翻轉於所述第一收納位置時，所述翻轉件收納於所述凹槽部，當所述翻轉件翻轉於所述第二收納位置時，所述翻轉件脫離於所述凹槽部。
如請求項1或2所述的電力設備的裝配結構，其中所述引導部相鄰於所述開口部及所述容置部，且所述引導部包括一第一導槽及一第二導槽，所述第一導槽設置於所述機殼的一第一側，所述第二導槽設置於所述機殼的一第二側，所述機殼的所述第一側平行於所述機殼的所述第二側，所述第一導槽及所述第二導槽的長度大於所述蓋板的長度。
如請求項5所述的電力設備的裝配結構，其中所述支撐部設置於所述第一導槽與所述第二導槽之間，當所述蓋板移動至所述第一引導位置時，所述蓋板位於所述機殼的一面板內部，且所述支撐部透過所述開口部外露，當所述蓋板移動至所述第二引導位置時，所述蓋板外露於所述機殼外且遮蔽所述開口部及所述支撐部。
如請求項5所述的電力設備的裝配結構，其中所述引導部與所述蓋板接觸位置設置有一第一緩衝件，所述蓋板朝向所述容置部的一側設置有一第二緩衝件，所述第一引導位置與所述第二引導位置之間的長度大於所述蓋板在所述引導部方向的長度以及小於所述引導部的長度，所述開口部在所述引導部方向的長度小於所述引導部長度，所述蓋板在所述第二引導位置時遮蔽所述開口部的面積大於所述蓋板在所述第一引導位置時遮蔽所述開口部的面積。
如請求項7所述的電力設備的裝配結構，其中所述第一緩衝件為設置於所述第一導槽的一第一毛刷層及設置於所述第二導槽的一第二毛刷層，所述第二緩衝件為泡棉層，其中所述機殼的底部設置一配線傳輸部，所述配線傳輸部具有一或多個接線頭，所述配線傳輸部與所述機殼內的所述容置部相通。
如請求項5所述的電力設備的裝配結構，更包括：<br/> 一鎖固部，設置於所述機殼的底側，當所述蓋板移動至所述第二引導位置時，所述鎖固部將所述蓋板鎖固於所述機殼時，進而將所述蓋板固定於所述第二引導位置且禁止移動，以及當所述鎖固部鬆脫於所述蓋板時，使得所述蓋板沿著所述引導方向在所述引導部的所述第一引導位置與所述第二引導位置之間進行移動；<br/> 其中所述鎖固部包括一第一鎖固件及一第二鎖固件，所述第一鎖固件設置於所述機殼的所述第一側且相鄰於所述第一導槽，所述第二鎖固件設置於所述機殼的所述第二側且相鄰於所述第二導槽。
如請求項5所述的電力設備的裝配結構，其中所述電源電路設置於所述容置部。
一種提供一產品的一距離參數以供計算一碳足跡的方法，包括： <br/> 提供一第一電子裝置、一第二電子裝置及一雲端伺服器，其中該第一電子裝置具有一第一地理資訊及一第一識別碼，且該第二電子裝置具有一第二地理資訊及一第二識別碼；<br/> 以該第一電子裝置掃描專屬於該產品的一條碼，以連接至該雲端伺服器；<br/> 該雲端伺服器對該第一電子裝置發出一第一地理資訊請求；<br/> 該第一電子裝置回應於該第一地理資訊請求，而將該第一識別碼以及該第一地理資訊發送至該雲端伺服器以供儲存；<br/> 以該第二電子裝置掃描該條碼，以連接至該雲端伺服器；<br/> 該雲端伺服器對該第二電子裝置發出一第二地理資訊請求；<br/> 該第二電子裝置回應於該第二地理資訊請求，而將該第二識別碼及該第二地理資訊發送至該雲端伺服器以供儲存；以及<br/> 該雲端伺服器根據該第一地理資訊和該第二地理資訊得出該距離參數，以用於計算該產品的該碳足跡，其中：<br/> 該第一電子裝置和該第二電子裝置分別為一無線通訊裝置；以及<br/> 該第一和該第二地理資訊分別表明該第一和該第二電子裝置的一當前位置。
如請求項1所述的方法，其中該第一和該第二地理資訊分別包含該第一和該第二電子裝置的一IP位址或一全球衛星定位系統（GPS）地理座標。
如請求項1所述的方法，其中該條碼為一快速響應矩陣碼（QR Code），其包含一連結資訊，且該第一電子裝置具有一第一使用者介面，該第二電子裝置具有一第二使用者介面。
如請求項3所述的方法，其中以該第一電子裝置掃描該條碼以連接至該雲端伺服器的步驟包含：<br/> 透過該第一電子裝置的該第一使用者介面選擇一第一工作模式；<br/> 以該第一電子裝置掃描該條碼，以取得該連結資訊；<br/> 該第一電子裝置依據該連結資訊連接至該雲端伺服器；以及<br/> 該第一電子裝置將一第一工作資訊傳送至該雲端伺服器。
如請求項4所述的方法，其中以該第二電子裝置掃描該條碼以連接至該雲端伺服器的步驟包含：<br/> 透過該第二電子裝置的該第二使用者介面選擇一第二工作模式；<br/> 以該第二電子裝置掃描該條碼，以取得該連結資訊；<br/> 該第二電子裝置依據該連結資訊連接至該雲端伺服器；以及<br/> 該第二電子裝置將一第二工作資訊傳送至該雲端伺服器。
如請求項5所述的方法，其中該連結資訊包含用於連接至該雲端伺服器的一連結網址，該連結網址對應一產品頁面，該方法還包括：<br/> 一消費者使用一第三電子裝置掃描該條碼，以連接至該雲端伺服器，該第三電子裝置具有一第三使用者介面、一第三地理資訊及一第三識別碼；<br/> 於該第三電子裝置的該第三使用者介面上顯示該產品頁面；<br/> 該消費者在該產品頁面上的該碳足跡紀錄意願欄位表明願意紀錄一碳足跡，以觸發該雲端伺服器對該第三電子裝置發出一第三地理資訊請求；<br/> 該第三電子裝置回應於該第三地理資訊請求，而將該第三識別碼及該第三地理資訊發送至該雲端伺服器以供儲存；以及<br/> 該雲端伺服器根據該第二地理資訊和該第三地理資訊得出另一距離參數。
如請求項4所述的方法，其中該連結資訊包含用於連接至該雲端伺服器的一連結網址，該連結網址對應一產品頁面，該產品頁面包含與該產品相關的一產品資訊、一碳足跡紀錄意願欄位及一驗證碼輸入欄位，該產品資訊包括一產品生命週期履歷，以及以該第二電子裝置掃描該條碼以連接至該雲端伺服器的步驟包含：<br/> 一消費者使用該第二電子裝置掃描該條碼，以取得該連結資訊；<br/> 該第二電子裝置依據該連結資訊連接至該雲端伺服器；以及<br/> 在該第二電子裝置的該第二使用者介面上顯示該產品頁面。
如請求項1所述的方法，其中該產品具有一生命週期，該第一電子裝置及該第二電子裝置在該產品的該生命週期中分別掃描專屬於該產品的該條碼，且該生命週期與該產品的一生產地點及一零售地點相關。
如請求項7所述的方法，其中該驗證碼輸入欄位是供該消費者輸入該產品上的一驗證碼以驗證該產品，該產品頁面更包含一行銷活動頁面，該行銷活動頁面包含供一消費者輸入一消費者資訊的一消費者資訊欄位，以供該雲端伺服器根據該消費者資訊進行一行銷活動。
如請求項8所述的方法，其中該行銷活動包含一廣告資訊、一抽獎活動、一答題活動、一優惠券領取活動以及一任務活動的至少其中之一。
一種提供一產品的距離參數以供計算一碳足跡的方法，包括下列步驟：<br/> 提供一雲端伺服器及各自具有一地理資訊的多個電子裝置；<br/> 以該多個電子裝置分別掃描專屬於該產品的一條碼，以使該多個電子裝置分別連接至該雲端伺服器；<br/> 各該電子裝置將該電子裝置的該地理資訊發送至該雲端伺服器；<br/> 該雲端伺服器記錄與各該地理資訊相關的一時間資訊；以及<br/> 該雲端伺服器根據與各該電子裝置的該地理資訊相關的該時間資訊確定在時間上相鄰的兩該時間資訊所代表之任兩個該電子裝置相關的一距離參數，以用於計算該產品的該碳足跡，其中該多個電子裝置為多個無線通訊裝置，且該方法還包括：該雲端伺服器根據該時間資訊對該多個電子裝置進行排序。
一種提供一產品的一距離參數以供計算一碳足跡的系統，包括：<br/> 一雲端伺服器；以及<br/> 各自具有一地理資訊的多個電子裝置，配置以分別掃描專屬於該產品的一條碼，以分別連接至該雲端伺服器，並將該地理資訊發送至該雲端伺服器；<br/> 其中該雲端伺服器是配置以：<br/> 記錄與各該地理資訊相關的一時間資訊，以及<br/> 根據與各該電子裝置的該地理資訊相關的該時間資訊確定在時間上相鄰的兩該時間資訊所代表之任兩個該電子裝置相關的一距離參數，以用於計算該產品的該碳足跡，其中該多個電子裝置為多個無線通訊裝置，其每一者包含：<br/> 一定位模組，配置以取得該地理資訊，各該地理資訊表明各該電子裝置的一當前位置；以及<br/> 一無線傳輸接收模組，與該定位模組電連接，以透過一網際網路將各該地理資訊發送至該雲端伺服器。
如請求項12所述的系統，其中該雲端伺服器包含：<br/> 一無線傳輸接收模組，配置以透過該網際網路接收該地理資訊；<br/> 一資料庫模組，配置以儲存與該產品相關的一產品資訊、該地理資訊以及該時間資訊；以及<br/> 一處理器，與該資料庫模組以及該無線傳輸接收模組電性連接，且該處理器被配置以根據該時間資訊對該多個電子裝置進行排序、解析該無線傳輸接收模組接收之該地理資訊、以及根據該地理資訊及該時間資訊確定時間上相鄰的任兩個電子裝置的該距離參數，以用於計算該產品的該碳足跡。
一種氣體捕捉的設備，包含：<br/> 一氣體微粒化裝置，配置以產生一微粒化氣體；<br/> 一氣體吸收裝置，配置以接收該微粒化氣體，其中該氣體微粒化裝置設置於該氣體吸收裝置內；<br/> 一熱交換器，連接該氣體吸收裝置； <br/> 一氣體解吸裝置，連接該熱交換器，其中該氣體解吸裝置包含一加熱源；<br/> 一內循環管，連接該氣體解吸裝置；<br/> 一加熱裝置，包圍該內循環管的一部分；以及<br/> 一噴灑器，設置於該氣體解吸裝置中並連接該內循環管。
如請求項1所述之氣體捕捉的設備，其中該氣體微粒化裝置包含一靜態混合器及/或一發泡器。
如請求項1所述之氣體捕捉的設備，其中該氣體吸收裝置包含一攪拌器。
如請求項1所述之氣體捕捉的設備，更包含：<br/> 一脫泡裝置，連接該氣體吸收裝置與該熱交換器。
如請求項1所述之氣體捕捉的設備，更包含：<br/> 一吸收劑填充裝置，連接該氣體解吸裝置。
一種氣體捕捉的方法，包含：<br/> 提供一氣體捕捉的設備，其中該氣體捕捉的設備包含：<br/> 一氣體微粒化裝置；<br/> 一氣體吸收裝置，其中該氣體微粒化裝置設置於該氣體吸收裝置內；<br/> 一熱交換器，連接該氣體吸收裝置； <br/> 一氣體解吸裝置，連接該熱交換器，其中該氣體解吸裝置包含一加熱源；<br/> 一內循環管，連接該氣體解吸裝置； <br/> 一加熱裝置，包圍該內循環管的一部分；以及<br/> 一噴灑器，設置於該氣體解吸裝置中並連接該內循環管；<br/> 加入一第一吸收劑至該氣體吸收裝置中，其中該第一吸收劑包含醋酸鉀、乙醇胺或其組合；<br/> 通入一混合氣體至該氣體捕捉的設備的該氣體微粒化裝置中，以產生一微粒化氣體，其中該混合氣體包含二氧化碳，該二氧化碳於該混合氣體中具有一第一濃度，且該第一濃度為4%至20%；<br/> 通入該微粒化氣體至該氣體吸收裝置中，其中該微粒化氣體中的該二氧化碳與該第一吸收劑形成一第一反應溶液；<br/> 通入該第一反應溶液至該熱交換器中，以進行一預熱步驟，而獲得一第二反應溶液； <br/> 通入該第二反應溶液至該氣體解吸裝置中；<br/> 利用該加熱源對該第二反應溶液進行一第一加熱步驟，以獲得一第三反應溶液，其中該第一加熱步驟之加熱溫度為80℃至130℃；<br/> 通入該第三反應溶液至該內循環管中，<br/> 利用該加熱裝置對該第三反應溶液進行一第二加熱步驟，以獲得一第四反應溶液，其中該第二加熱步驟之加熱溫度為150℃至250℃；<br/> 透過該內循環管的該噴灑器通入該第四反應溶液至該氣體解吸裝置中；以及<br/> 進行該二氧化碳的一解吸操作，以使該氣體解吸裝置分離出具有一第二濃度的該二氧化碳，其中該第二濃度大於該第一濃度。
如請求項6所述之氣體捕捉的方法，更包含：<br/> 在該第一反應溶液進入該熱交換器之前，使該第一反應溶液進入一脫泡裝置；以及<br/> 在該脫泡裝置中進行一抽真空步驟及/或一離心步驟。
如請求項6所述之氣體捕捉的方法，更包含：<br/> 在該氣體解吸裝置分離出該二氧化碳後，該第四反應溶液進入該熱交換器中，以進行熱能回收及該第一吸收劑的一再生步驟。
如請求項6所述之氣體捕捉的方法，更包含：<br/> 當該氣體吸收裝置的該第一吸收劑不足時，進行一吸收劑填充步驟，其中該吸收劑填充步驟包含：<br/> 加入一第二吸收劑至一吸收劑填充裝置中，其中該吸收劑填充裝置連接該氣體解吸裝置，且該第一吸收劑與該第二吸收劑為相同或不同； <br/> 該第二吸收劑進入該熱交換器中，以進行一冷卻步驟；以及<br/> 通入冷卻後的該第二吸收劑至該氣體吸收裝置中。
一種具有無線射頻裝置的鋼纜吊環，包含：<br/> 一鋼纜吊環，包含一鋼纜與一鋼纜繩套；該鋼纜形成一繩圈，該鋼纜鄰接於該繩圈的兩個部分並列構成一固定段；該鋼纜繩套係環套於該固定段的周圍且壓接於該固定段；以及<br/> 一無線射頻裝置，包括一固定片、一墊片結構、一鉚釘與一無線射頻識別顆粒；該固定片係金屬片體且包括依序相連的一插片部與一鉚合部，該插片部插入該固定段與該鋼纜繩套的內壁之間，該插片部受該固定段與該鋼纜繩套的內壁緊夾；該鉚合部伸出該鋼纜繩套且具有一鉚合孔；該墊片結構係環狀且貼靠於該鉚合部的表面；該鉚釘具有一嵌槽，且該鉚釘穿過該鉚合孔與該墊片結構而鉚合於該鉚合部與該墊片結構上；該無線射頻識別顆粒包括一載體與一無線射頻識別模組，該載體嵌設於該嵌槽，該無線射頻識別模組包覆於該載體內。
如請求項1所述之具有無線射頻裝置的鋼纜吊環，其中該鉚合部伸出該鋼纜繩套朝向該繩圈的一側。
如請求項1所述之具有無線射頻裝置的鋼纜吊環，其中該墊片結構包括至少二片相疊的墊片，各該墊片具有一穿孔，且該些墊片的該些穿孔相通；該鉚釘包括相連的一頭部與一桿部，該嵌槽形成於該頭部，該桿部穿過該鉚合孔與該些穿孔且於外端形成一擴大部，該頭部抵靠於該鉚合部的表面，該擴大部抵靠於最外側的該墊片的表面，藉此將該鉚釘固定於該鉚合部與該墊片結構之間。
如請求項1所述之具有無線射頻裝置的鋼纜吊環，其中該插片部係沿一直線方向延伸的長條形金屬片體，該鉚合部垂直於該直線方向的寬度等於該插片部垂直於該直線方向的寬度，該鉚合部於背離該插片部一側的邊緣形成一圓弧邊緣。
如請求項1所述之具有無線射頻裝置的鋼纜吊環，其中該插片部係沿一直線方向延伸的長條形金屬片體，該鉚合部係圓形片體且以朝向該插片部的一側連接該插片部，該鉚合部的直徑長度大於該插片部垂直於該直線方向的寬度。
一種鋼纜吊環的無線射頻裝置，包括一固定片、一墊片結構、一鉚釘與一無線射頻識別顆粒，其中：<br/> 該固定片係金屬片體且包括依序相連的一插片部與一鉚合部，該插片部係長條形；該鉚合部具有一鉚合孔；<br/> 該墊片結構係環狀且貼靠於該鉚合部的表面；<br/> 該鉚釘具有一嵌槽，且該鉚釘穿過該鉚合孔與該墊片結構而鉚合於該鉚合部與該墊片結構上；<br/> 該無線射頻識別顆粒包括一載體與一無線射頻識別模組，該載體嵌設於該嵌槽，該無線射頻識別模組包覆於該載體內。
如請求項6所述之鋼纜吊環的無線射頻裝置，其中該墊片結構包括至少二片相疊的墊片，各該墊片具有一穿孔，且該些墊片的該些穿孔相通；該鉚釘包括相連的一頭部與一桿部，該嵌槽形成於該頭部，該桿部穿過該鉚合孔與該些穿孔且於外端形成一擴大部，該頭部抵靠於該鉚合部的表面，該擴大部抵靠於最外側的該墊片的表面，藉此使該鉚釘固定於該鉚合部與該墊片結構之間。
如請求項6所述之鋼纜吊環的無線射頻裝置，其中該嵌槽係圓形槽且形成於該頭部背離該桿部的一側；該載體係塑膠的圓柱體，該載體的外周面抵靠於該嵌槽的內周壁固定。
如請求項6所述之鋼纜吊環的無線射頻裝置，其中該插片部係沿一直線方向延伸的長條形金屬片體，該鉚合部垂直於該直線方向的寬度等於該插片部垂直於該直線方向的寬度，該鉚合部於背離該插片部一側的邊緣形成一圓弧邊緣。
如請求項6所述之鋼纜吊環的無線射頻裝置，其中該插片部係沿一直線方向延伸的長條形金屬片體，該鉚合部係圓形片體且以朝向該插片部的一側連接該插片部，該鉚合部的直徑長度大於該插片部垂直於該直線方向的寬度。
一種燃氣閥之旋把組合結構，包括：<br/> 閥體，於側端面及頂端面分別設有第一閥部及閥控件，該第一閥部上方設有對準部，該閥控件上方縱向設有閥軸；<br/> 定位件，一側表面設有與該閥軸相對應之定位部，該定位部套組於該閥體之閥軸； <br/> 旋把，於側端面及內側面分別設有辨識部及組接部，該辨識部延伸至該旋把上表面形成辨識符號；<br/> 當該組接部套組於該定位件時，該辨識部係對準該第一閥部之對準部。
如請求項1所述之燃氣閥之旋把組合結構，其中該定位部之定位孔的孔形與該閥軸形狀相匹配，該第一閥部之對準部具有第一對準面，該閥控件之閥軸概呈矩形狀，該閥軸貫穿該閥體內部並具有閥孔，且該閥軸具有第二對準面，當該閥控件轉緊時，該閥軸之第二對準面係對齊該對準部之第一對準面。
如請求項1所述之燃氣閥之旋把組合結構，其中該閥體下端面及相反該第一閥部之側端面分別設有彼此相通之第二閥部及第三閥部。
如請求項3所述之燃氣閥之旋把組合結構，其中該第一閥部係用以當該閥體內部之燃氣在流通出現狀況時提供保護效果，該第二閥部及該第三閥部分別做為燃氣入口及燃氣出口，且該第二閥部及該第三閥部於該閥體內部相通。
如請求項3所述之燃氣閥之旋把組合結構，其中轉動該閥控件之閥軸控制該閥體內部之第二閥部與第三閥部導通與否。
如請求項1所述之燃氣閥之旋把組合結構，其中該辨識符號係為凸印製作。
如請求項1所述之燃氣閥之旋把組合結構，其中該辨識符號係對應該閥體內部呈封閉狀態標示有「關 OFF」字。
如請求項1所述之燃氣閥之旋把組合結構，其中該旋把與該定位件之間採用黏合方式。
如請求項1所述之燃氣閥之旋把組合結構，其中進一步包括有組接件，該閥體之閥軸貫穿其內部並具有閥孔，該定位件之定位部具有貫穿該定位件之定位孔，該旋把之組接部具有貫穿該旋把之組接孔，該組接件依序穿組該組接部之組接孔、該定位件之定位孔及該閥軸之閥孔，使該旋把間接地與該閥體形成組接。
一種功能隱形眼鏡製造方法，包含：<br/> 一合模步驟：將一凹模與一凸模進行合模，使得一親水聚合物位於上述凹模與凸模之間；<br/> 一固化步驟：對位於上述凹模與凸模之間的親水聚合物進行固化處理以形成一呈現網狀結構的親水聚合體，而呈現網狀結構的上述親水聚合體形成有複數個初始孔洞；<br/> 一取片步驟：將上述親水聚合體從上述凹模與凸模之間取出；<br/> 一孔擴張步驟：將上述親水聚合體會置放在密閉空間的內部，而密閉空間會注入高溫高壓的蒸氣水以對上述親水聚合體升溫與加壓，使得複數個上述初始孔洞的孔徑會擴大而形成複數個擴張孔洞，其中，蒸氣水的壓力介於0.1~1.0Mpa，而蒸氣水的溫度介於100~180℃；以及<br/> 一水合步驟：將具有複數個上述擴張孔洞的親水聚合體浸泡於一功能性液體，而上述功能性液體會滲透至每一個上述擴張孔洞的內部，並同時吸附在上述親水聚合體的表面，使得上述親水聚合體被一活性包覆體包覆而形成一功能隱形眼鏡。
如請求項1所述功能隱形眼鏡製造方法，其中，上述功能隱形眼鏡製造方法進一步包含：<br/> 一功能載體形成步驟：將一具備功能性作用的功能載體設置在上述凹模或凸模兩者其中之一；以及<br/> 一注料步驟：將一親水性材料注入於一凹模的內部，使得進行上述合模步驟時，上述功能載體與親水性材料兩者共同形成上述親水聚合物；<br/> 其中，於進行上述固化步驟時，上述功能載體經固化處理而形成一活性緩釋層，而上述親水性材料經固化處理而形成一透過化學鍵結而連接上述活性緩釋層一側的鏡片層，使得上述活性緩釋層與鏡片層兩者共同形成上述親水聚合體。
如請求項2所述功能隱形眼鏡製造方法，其中，上述凹模與凸模兩者其中之一主要是由一模具材料與一具備功能性作用的活性成分材料所構成，上述模具材料是同時具有非極性與結晶性的疏水化合物，而上述活性成分材料是同時具有極性與非結晶性的親水化合物，使得上述模具材料與活性成分材料兩者之間的極性差異而產生相分離效應，進而上述活性成分材料滲出至上述凹模與凸模兩者其中之一的表面以形成上述功能載體。
如請求項2所述功能隱形眼鏡製造方法，其中，對上述凹模與凸模兩者其中之一的表面進行表面活化處理以形成一親水性表面，將一具備功能性作用的噴塗材料噴塗於上述親水性表面以形成上述功能載體，而上述功能載體與親水性表面之間會形成表面張力。
如請求項2所述功能隱形眼鏡製造方法，其中，上述功能載體具有一貼附子層與一功能子層，上述貼附子層由一不同於上述親水性材料的貼附子層親水性材料來呈現一貼附子層網狀結構，而呈現上述貼附子層網狀結構的上述貼附子層形成一能吸附於上述凹模或凸模的貼附面、一間隔排列於上述貼附面的連接面與複數個位於上述貼附面與連接面之間的貼附子層孔洞，於進行上述固化步驟時，上述親水性材料經固化處理而形成上述鏡片層，上述鏡片層能呈現一鏡片層網狀結構而構成有複數個鏡片層孔洞大於上述貼附子層孔洞的鏡片層孔洞，使得上述貼附面與上述凹模或凸模之間會形成密集的物理鍵結與化學鍵結，則上述功能子層連接於上述連接面。
如請求項1所述功能隱形眼鏡製造方法，其中，上述取片步驟是先將上述凹模與凸模進行分模，使得上述親水聚合體分離於上述凹模與凸模兩者其中之一，進而上述親水聚合體吸附在上述凹模與凸模兩者其中之另一者，再將上述親水聚合體與上述凹模與凸模兩者其中之另一者進行冷縮處理，使得上述凹模與凸模兩者其中之另一者與上述親水聚合體之間產生不同的收縮率而形成一縫隙，接下來，將上述親水聚合體與上述凹模與凸模兩者其中之另一者進行熱脹處理以擴大上述縫隙，讓上述親水聚合體能脫離於上述凹模與凸模兩者其中之另一者。
如請求項6所述功能隱形眼鏡製造方法，其中，在上述親水聚合體與上述凹模與凸模兩者其中之另一者進行冷縮處理之前，對上述親水聚合體進行紫外光照射，讓上述親水聚合體能產生自由基而增加吸收上述功能性液體的劑量。
如請求項1所述功能隱形眼鏡製造方法，其中，上述功能隱形眼鏡製造方法進一步在上述取片步驟之後設有一清洗步驟：對上述親水聚合體進行清洗以萃取出上述親水聚合體中未完成固化的雜質。
一種功能隱形眼鏡，包含：<br/> 一親水聚合體，具有複數個上述初始孔洞，並包含：<br/> 一鏡片層，於相對兩側形成有一外凸表面與一內凹表面，而上述鏡片層由一親水性材料進行固化處理所構成；以及<br/> 一活性緩釋層，由一具有活性成分材料的功能載體同步與上述親水性材料進行固化處理所構成，使得上述活性緩釋層透過化學鍵結而連接於上述外凸表面與內凹表面兩者其中之一，進而上述活性緩釋層能以一第一釋放速率釋放上述活性緩釋層的活性成分材料；以及<br/> 一活性包覆體，具有活性成分材料，並透過物理鍵結來同時包覆於上述鏡片層與活性緩釋層，進而上述活性包覆體能以一速度快於上述第一釋放速率的第二釋放速率釋放上述活性包覆體的活性成分材料；<br/> 其中，將上述親水聚合體會置放在密閉空間的內部，而密閉空間會注入高溫高壓的蒸氣水以對上述親水聚合體升溫與加壓，使得複數個上述初始孔洞的孔徑會擴大而形成複數個擴張孔洞，其中，蒸氣水的壓力介於0.1~1.0Mpa，而蒸氣水的溫度介於100~180℃。
如請求項9所述功能隱形眼鏡，其中，上述鏡片層能呈現一鏡片層網狀結構而構成有複數個鏡片層孔洞，而上述活性緩釋層呈現一緩釋層網狀結構而構成有複數個緩釋層孔洞，上述鏡片層孔洞與緩釋層孔洞兩者共同形成複數個初始孔洞，而上述活性包覆體的一部分位於每一個上述初始孔洞的內部而形成有複數個結合部，則上述活性包覆體的剩餘部分位於上述初始孔洞的外部而形成一包覆部。
如請求項10所述功能隱形眼鏡，其中，上述功能載體具有一貼附子層與一功能子層，上述貼附子層由一不同於上述親水性材料的貼附子層親水性材料來呈現一貼附子層網狀結構，而呈現上述貼附子層網狀結構的上述貼附子層形成一貼附面、一間隔排列於上述貼附面的連接面與複數個位於上述貼附面與連接面之間的貼附子層孔洞，而上述功能子層呈現功能子層網狀結構以構成有複數個功能子層孔洞，則上述貼附子層孔洞與功能子層孔洞共同形成上述緩釋層孔洞，且上述鏡片層連接於上述功能子層。
如請求項11所述功能隱形眼鏡，其中，當上述活性包覆體同時包覆於上述鏡片層與活性緩釋層時，上述貼附面透過上述物理鍵結而連接於上述活性包覆體，而複數個上述貼附子層孔洞的孔徑小於上述鏡片層孔洞，則上述貼附面與活性包覆體之間形成密集的物理鍵結。
一種多方向輸入裝置，其改良在於，包括：<br/> 殼體，所述殼體內設有容腔，所述殼體上還開設有連通所述容腔的第一開口；<br/> 操作體，至少部分所述操作體可搖動地設於所述容腔內，所述操作體還被配置為沿著所述操作體的軸線方向被按壓，所述操作體包括操作主體和設於所述操作主體周緣的凸伸部，所述操作主體包括第一端，所述第一端自所述第一開口伸出容腔；<br/> 電路板，所述電路板設於所述容腔內；<br/> 磁性感應元件，所述磁性感應元件包括磁性件和磁性感測器，所述磁性件固定於所述凸伸部，所述磁性感測器設置於所述電路板遠離所述凸伸部的一側，所述磁性件被配置為隨著所述操作體在所述容腔內搖動，所述磁性感測器與所述電路板電連接且被配置為感測所述磁性件的磁力變化，所述磁力變化反映所述操作主體的位置變化；<br/> 按壓開關，所述按壓開關設置於所述電路板面向所述凸伸部的一側且與所述電路板電連接，所述按壓開關被配置為當所述操作主體被按壓時觸發所述按壓開關，所述按壓開關包括彈性變形部、固定部和觸點，所述固定部位於所述彈性變形部的周緣且固定於所述電路板，所述觸點設置於所述電路板且與所述電路板電連接，所述觸點位於所述彈性變形部面向所述電路板的一側，所述操作主體被配置為被按壓時抵壓所述彈性變形部，以觸發所述觸點；<br/> 支撐件，所述支撐件設置於所述容腔內並位於所述按壓開關朝向所述凸伸部的一側，所述按壓開關固定於所述支撐件，所述支撐件朝向所述凸伸部的一側開設有第二開口，所述磁性件被配置為穿過所述第二開口以觸發所述按壓開關；<br/> 按壓件，所述按壓件設置於所述支撐件朝向所述凸伸部的一端，所述按壓件包括抵接部和按壓部，所述抵接部與所述凸伸部抵接，所述按壓部固定於所述抵接部並被配置為穿過所述第二開口；及<br/> 復位機構，所述復位機構設於所述容腔內，並彈性抵持於所述凸伸部，所述復位機構被配置為當至少部分所述操作體在所述容腔內搖動時，將所述操作體復位，所述復位機構包括彈性件和壓板，所述彈性件設置於所述容腔內，所述壓板設置於所述彈性件靠近所述第一開口的一端，所述彈性件將所述壓板抵持於所述凸伸部。
如請求項1所述之多方向輸入裝置，其中，所述抵接部的直徑大於所述第二開口的直徑。
如請求項1所述之多方向輸入裝置，其中，還包括限位件，所述限位件設置於所述容腔內，所述限位件上開設有供所述操作主體穿過的限位槽，所述操作主體被配置為在搖動時沿所述限位槽滑動。
如請求項1所述之多方向輸入裝置，其中，所述凸伸部朝向所述電路板的一端設置有凹槽，至少部分所述磁性件固定於所述凹槽。
一種控制手柄，其改良在於，包括如請求項1至4中任一項所述之多方向輸入裝置。
一種操控設備，其改良在於，包括如請求項5中所述之控制手柄。
一種接合裝置，包括： <br/>搬送機構，搬送基板； <br/>接合工具，對所述基板接合電子零件； <br/>抗氧化路，具有沿著所述搬送機構延伸且包圍所述搬送機構的壁部， <br/>所述抗氧化路具有： <br/>導入口，導入所述基板； <br/>開口部，能夠進行所述接合工具與所述基板的接近、隔開； <br/>氣體導入口，向所述壁部的內側導入抗氧化氣體；以及 <br/>電極，在所述壁部的內側具有供所述抗氧化氣體通過的通過孔，且使通過所述通過孔的所述抗氧化氣體在電漿化區域中電漿化， <br/>所述電極包括至少任一者的表面以介電體塗佈的第一電極與第二電極， <br/>所述第一電極具有使所述抗氧化氣體通過的多個第一通過孔、以及朝向所述第二電極延伸出的多個突起部， <br/>所述第二電極 <br/>與所述第一電極平行地相向配置， <br/>且具有與所述多個突起部對應地設置的第二通過孔。
如請求項1所述的接合裝置，其中 <br/>所述第二電極的所述第二通過孔以俯視時與所述多個突起部分別重合的方式設置。
如請求項1所述的接合裝置，其中 <br/>所述第一電極等間隔地設置有多個所述第一通過孔。
如請求項1所述的接合裝置，其中 <br/>所述第二電極等間隔地設置有多個所述第二通過孔。
如請求項1所述的接合裝置，其中 <br/>對所述第一電極與所述第二電極中的設置在所述氣體導入口的附近的電極施加電壓， <br/>所述第一電極與所述第二電極中的設置在所述氣體導入口的遠處的電極與接地電連接。
如請求項1所述的接合裝置，其中 <br/>所述第二電極的至少與所述第一電極相向的表面以所述介電體塗佈。
如請求項1所述的接合裝置，還包括網眼過濾器，所述網眼過濾器設置在所述壁部的內側中的所述電極的所述氣體導入口的一側，在從所述氣體導入口導入到所述壁部的內側的所述抗氧化氣體中產生壓力損失。
如請求項1所述的接合裝置，還包括網眼過濾器，所述網眼過濾器設置在所述壁部的內側中的所述電極的所述氣體導入口的一側，在從所述氣體導入口導入到所述壁部的內側的所述抗氧化氣體中產生壓力損失， <br/>所述第一電極被施加電壓， <br/>所述第二電極與接地電連接， <br/>所述第一電極設置為與所述網眼過濾器之間的第二距離大於與所述第二電極之間的第一距離。
如請求項1至請求項8中任一項所述的接合裝置，其中 <br/>所述氣體導入口向所述壁部的內側導入包含氫的所述抗氧化氣體。
如請求項1至請求項8中任一項所述的接合裝置，其中 <br/>所述接合工具對所述基板加壓所述電子零件並且進行加熱，而使所述電子零件與所述基板共晶接合。
一種球評直播影音架構，包含：<br/>一攝影模組，連續取得包含一球場或一球檯的場域影像；<br/>一收音模組，連續取得該球場或該球檯周遭的場域聲音；<br/>一工作主機，與該攝影模組及該收音模組訊號連接，執行以下作業：<br/>將取得的該場域影像與場域聲音結合一網頁內容程式碼形成隨時間變化的一網頁內容；<br/>與一操作端電腦通過一影音即時通訊規範進行即時影音通訊，通訊內容為該網頁內容；<br/>接收一球評影像資料與一球評聲音並解析該球評影像資料以取得其中的物件影像及其位置資訊；<br/>透過一直播軟體將該球評影像資料中的物件影像依其位置資訊疊加到當下接收的該場域影像的相應位置上，並將該球評聲音疊加於當下接收的該場域聲音中；及<br/>將疊加後的場域影像與場域聲音編碼，通過串流傳輸協定傳送到一直播平台伺服器；<br/>該操作端電腦，具有一螢幕、一收音器、一播音器及一輸入裝置，執行以下作業：<br/>通過一瀏覽器於該螢幕上顯示該些場域影像及透過該播音器播放該些場域聲音，並透過該收音器獲取該球評聲音並傳給該工作主機；及<br/>執行該網頁內容程式碼以在該場域影像上形成與該場域影像有相同解析度且完全覆蓋該場域影像的透明的一虛擬畫布，通過該輸入裝置於該虛擬畫布上增添或改動物件，並定時向外傳送該虛擬畫布上呈現的該物件與其相對該虛擬畫布的一參考基點的該位置資訊；以及<br/>一處理伺服器，透過低延時傳輸協定與該操作端電腦及該工作主機傳輸資料，接收來自該操作端電腦的該物件與其位置資訊，將該物件的該物件影像的資料儲存位址與接收的該位置資訊封裝成該球評影像資料，傳送給該工作主機，透過該資料儲存位址便可獲得該物件影像。
如請求項1所述的球評直播影音架構，其中該虛擬畫布上基於該參考基點建立坐標系，該位置資訊為該物件或該輸入裝置的顯示游標在該坐標系中的座標值。
如請求項1所述的球評直播影音架構，其中當該工作主機沒有接收到該球評影像資料時，將當下接收的場域影像與疊加後的場域聲音編碼，通過該串流傳輸協定傳送到該直播平台伺服器；當該工作主機沒有接收到該球評聲音時，將當下接收的場域聲音與疊加後的場域影像編碼，通過該串流傳輸協定傳送到該直播平台伺服器；當該工作主機沒有接收到該球評影像資料與該球評聲音時，直接將當下接收的場域聲音與場域影像編碼，通過該串流傳輸協定傳送到該直播平台伺服器。
如請求項2所述的球評直播影音架構，其中該物件為線段、靜態影像、動畫、影片或互動式影像。
如請求項4所述的球評直播影音架構，其中該虛擬畫布上同步呈現增添或改動的物件的該物件影像，該物件的該物件影像的資料是透過該網頁內容程式碼，由該物件影像的該資料儲存位址取得。
如請求項4所述的球評直播影音架構，其中該互動式影像為該網頁內容程式碼所控制生成的影像，隨著該輸入裝置發出不同指令而變換不同態樣。
如請求項4所述的球評直播影音架構，其中當該物件為線段時，該線段的物件影像的資料型態為每一次傳送的該輸入裝置的顯示游標在該坐標系中的座標值。
如請求項1所述的球評直播影音架構，其中該網頁內容程式碼執行以允許操作該輸入裝置執行以下作業：<br/>命令該工作主機擷取當下的該場域影像並進行影像處理，將處理後的該場域影像疊加於後續的該場域影像上，將疊加後的該場域影像與場域聲音結合該網頁內容程式碼形成該網頁內容，及編碼通過該串流傳輸協定傳送到該直播平台伺服器；及<br/>解除使用處理後的該場域影像，恢復該工作主機原先的工作。
請求項1所述的球評直播影音架構，其中該影音即時通訊規範為網頁即時通訊（Web Real-Time Communication，WebRTC）、會話發起協議（Session Initiation Protocol， SIP）、即時串流協定（Real-Time Streaming Protocol，RTSP）、HTTP 即時串流（HTTP Live Streaming，HLS）或物件即時通訊（Object Real-Time Communications，ORTC）。
請求項1所述的球評直播影音架構，其中該串流傳輸協定為即時訊息協議（Real Time Messaging Protocol，RTMP）、（Secure Reliable Transport，SRT）、（Real-Time Streaming Protocol，RTSP）或（Reliable Internet Stream Transport，RIST）。
請求項1所述的球評直播影音架構，其中該低延時傳輸協定為WebSocket、WebRTC資料通道（WebRTC Data Channel）、HTTP/2伺服器推送（HTTP/2 Server Push）、訊息佇列遙測傳輸（Message Queuing Telemetry Transport，MQTT）或長輪詢（Long Polling）。
一種用於動態調整顯示面板各顯示區域之刷新率的閘極驅動裝置，包含：<br/> 多個閘極驅動單元，該等閘極驅動單元中的一第n級閘極驅動單元包括：<br/> 一升頻電路，耦接一預充電節點及一下拉節點，經配置以在一升頻驅動期間根據一系統高電壓、一第(n-m)級級聯信號及一升頻指示信號，將該預充電節點的電壓位準及該下拉節點的電壓位準分別調整為具有一高電壓位準及一低電壓位準，該升頻指示信號隨一欲顯示畫面的各影像區域的高速變化而改變，n、m各自為一正整數，且n-m大於或等於1；<br/> 一降頻電路，耦接該預充電節點及該下拉節點，經配置以在一降頻驅動期間根據一遮罩信號及一第(n-m)級時脈信號，將該預充電節點的電壓位準及該下拉節點的電壓位準分別調整為具有該低電壓位準及該高電壓位準，該遮罩信號隨該欲顯示畫面的各影像區域的低速變化而改變；及<br/> 一輸出電路，耦接該預充電節點，且具有該下拉節點，並經配置以根據一第n級時脈信號、一第(n+m)級級聯信號、該預充電節點的電壓位準及該下拉節點的電壓位準，產生一第n級閘極驅動信號及一第n級級聯信號，該第n級閘極驅動信號於一幀顯示週期所具有的一脈波數量隨該第n級時脈信號、該第(n+m)級級聯信號、該預充電節點的電壓位準及該下拉節點的電壓位準的改變而變化。
如請求項1所述的閘極驅動裝置，其中：<br/> 於該升頻驅動期間，該輸出電路根據該第n級時脈信號、該第(n+m)級級聯信號、該預充電節點的電壓位準及該下拉節點的電壓位準，調升該第n級閘極驅動信號於該幀顯示週期的該脈波數量；及<br/> 於該降頻驅動期間，該輸出電路根據該第n級時脈信號、該第(n+m)級級聯信號、該預充電節點的電壓位準及該下拉節點的電壓位準，調降該第n級閘極驅動信號於該幀顯示週期的該脈波數量。
如請求項1所述的閘極驅動裝置，其中，該升頻電路包括：<br/> 一升頻單元，耦接該預充電節點，經配置以在該升頻驅動期間根據該系統高電壓、該第(n-m)級級聯信號及該升頻指示信號，將該預充電節點的電壓位準調整為具有該高電壓位準，以致該下拉節點的電壓位準被調整為具有該低電壓位準；及<br/> 一升頻結束單元，耦接該下拉節點，經配置以在該升頻驅動期間結束時，根據一升頻結束信號及該第(n-m)級時脈信號，將該下拉節點的電壓位準調整為具有該高電壓位準，以致該預充電節點的電壓位準被調整為具有該低電壓位準。
如請求項3所述的閘極驅動裝置，其中，該升頻單元包括：<br/> 一第一電晶體，具有一接收該升頻指示信號的第一端、一第二端，及一接收該第(n-m)級級聯信號的控制端；<br/> 一第二電晶體，具有一耦接該第一電晶體的該第二端的第一端、一第二端，及一接收該第(n-m)級級聯信號的控制端；<br/> 一第三電晶體，具有一耦接該第二電晶體的該第二端的第一端、一第二端，及一接收該升頻指示信號的控制端；<br/> 一第四電晶體，具有一接收該系統高電壓的第一端、一耦接該預充電節點的第二端，及一耦接該第三電晶體的該第二端的控制端；及<br/> 一第一電容，耦接在該第三電晶體的該第一端與一系統低電壓之間。
如請求項3所述的閘極驅動裝置，其中，該升頻結束單元包括：<br/> 一第五電晶體，具有一耦接該下拉節點的第一端、一第二端，及一接收該升頻結束信號的控制端；及<br/> 一第六電晶體，具有一耦接該第五電晶體的該第二端的第一端、一第二端，及一耦接自身該第二端且接收該第(n-m)級時脈信號的控制端。
如請求項1所述的閘極驅動裝置，其中，該降頻電路包括：<br/> 一降頻單元，耦接該下拉節點，經配置以在該降頻驅動期間根據該遮罩信號及該第(n-m)級時脈信號，將該下拉節點的電壓位準調整為具有該高電壓位準，以致該預充電節點的電壓位準被調整為具有該低電壓位準；及<br/> 一降頻結束單元，耦接該預充電節點，經配置以在該降頻驅動期間結束時根據該系統高電壓、該第(n-m)級級聯信號及一降頻結束信號，將該預充電節點的電壓位準調整為具有該高電壓位準。
如請求項6所述的閘極驅動裝置，其中，該降頻單元包括：<br/> 一第七電晶體，具有一第一端、一第二端，及一耦接自身該第二端且接收該第(n-m)級時脈信號的控制端；及<br/> 一第八電晶體，具有一耦接該第七電晶體的該第二端的第一端、一耦接該下拉節點的第二端，及一接收該遮罩信號的控制端。
如請求項6所述的閘極驅動裝置，其中，該降頻結束單元包括：<br/> 一第九電晶體，具有一接收該降頻結束信號的第一端、一第二端，及一接收該第(n-m)級級聯信號的控制端；<br/> 一第十電晶體，具有一耦接該第九電晶體的該第二端的第一端、一第二端，及一接收該第(n-m)級級聯信號的控制端；<br/> 一第十一電晶體，具有一耦接該第十電晶體的該第二端的第一端、一第二端，及一接收該降頻結束信號的控制端；<br/> 一第十二電晶體，具有一耦接該預充電節點的第一端、一接收該系統高電壓的第二端，及一耦接該第十一電晶體的該第二端的控制端；及<br/> 一第二電容，耦接在該第十一電晶體的該第一端與一系統低電壓之間。
如請求項6所述的閘極驅動裝置，還包含：<br/> 一控制單元，耦接該等閘極驅動單元，經配置以根據該欲顯示畫面的圖像資料，產生該升頻指示信號、一升頻結束信號、該遮罩信號及該降頻結束信號。
如請求項1所述的閘極驅動裝置，其中，該第n級閘極驅動單元還包括：<br/> 一電源電路，耦接該預充電節點，經配置以在一正常驅動期間根據該第(n-m)級級聯信號及該系統高電壓，將該預充電節點的一低電壓值充電至一高電壓值。
如請求項1所述的閘極驅動裝置，其中，該輸出電路包括：<br/> 一抗雜訊控制單元，耦接該預充電節點，且具有該下拉節點，該抗雜訊控制單元經配置以根據該系統高電壓及該預充電節點的電壓位準，將該下拉節點的電壓位準調整為具有該低電壓位準或該高電壓位準；<br/> 一抗雜訊單元，耦接該預充電節點及該下拉節點，當該下拉節點的電壓位準具有該高電壓位準時，該抗雜訊單元處於一工作狀態，以致該第n級閘極驅動信號及該第n級級聯信號各自具有一低電位，當該下拉節點的電壓位準具有該低電壓位準時，該抗雜訊單元處於一非工作狀態；<br/> 一下拉單元，耦接該預充電節點，經配置以根據該第(n+m)級級聯信號，將該預充電節點的電壓位準及該第n級閘極驅動信號的電位下拉至一系統低電壓，以致該抗雜訊控制單元將該下拉節點的電壓位準調整為具有該高電壓位準；及<br/> 一輸出單元，耦接該預充電節點、該抗雜訊單元及該下拉單元，經配置以根據該第n級時脈信號、該預充電節點的電壓位準、該抗雜訊單元與該下拉單元各自的導通或不導通狀態，產生該第n級閘極驅動信號及該第n級級聯信號。
一種用於製備一接枝有槲皮素的海膽樣金奈米粒子的方法，其包含下列步驟：<br/>將金奈米球體與對苯二酚以1：200至1：2800的重量比進行混合，繼而進行還原反應以形成海膽樣金奈米粒子；以及<br/>令該海膽樣金奈米粒子與槲皮素在一範圍落在25：1至500：1內的重量比下進行接枝反應，藉此而得到該接枝有槲皮素的海膽樣金奈米粒子。
如請求項1所述的方法，其中，該海膽樣金奈米粒子在進行接枝反應前有使用聚乙二醇來進行修飾。
如請求項1所述的方法，其中，該槲皮素的接枝率是落在30%至100%的範圍內。
一種接枝有槲皮素的海膽樣金奈米粒子，它是藉由使用一如請求項1至3項中任一項所述的方法而被製備。
如請求項4所述的接枝有槲皮素的海膽樣金奈米粒子，其具有一範圍落在-20 mV至-45 mV內的表面ζ電位。
一種如請求項4或5所述的接枝有槲皮素的海膽樣金奈米粒子供應用於製備一用來治療乾眼症之醫藥品的用途。
如請求項6所述的用途，其中該醫藥品是呈一供眼內投藥或局部眼睛投藥的劑型。
一種不定形泛鎂質耐火澆注料之製法，係混合包括：<br/> 一鎂橄欖石骨材，其可供高溫轉變的礦物組成是20~30wt%蛇紋岩相，調配量介於50~64wt%，<br/> 一各類鎂砂原料骨材，調配量介於10~14wt%，<br/> 一各類鎂砂原料粉體，調配量介於15~20wt%，<br/> 一結合劑，調配量介於3~6wt%；<br/> 一分散劑，調配量介於0.1~2.5wt%；<br/> 上述總合計量為100wt%。
如請求項1之製法，其中，該鎂橄欖石骨材係為一種天然資源，經開採、選礦、乾燥、破碎與篩分之後直接當作原料投入耐火材料的生產。
如請求項1或2之製法，其中，該鎂橄欖石骨材在高溫窯爐使用過程中可以轉變成鎂橄欖石。
如請求項1之製法，其中，該各類鎂砂原料骨材係為電熔氧化鎂、重燒氧化鎂、輕燒氧化鎂、海水煅燒氧化鎂、鹽湖煅燒氧化鎂、廢舊鎂鈣磚之再製骨材任一者或其組成物。
如請求項1之製法，其中，該各類鎂砂原料粉體係為電熔氧化鎂、重燒氧化鎂、輕燒氧化鎂、海水煅燒氧化鎂、鹽湖煅燒氧化鎂、活性氧化鎂、鎂橄欖石/橄欖石之耐火原料任一者或其組成物。
如請求項1之製法，其中，該結合劑為水-氧化鎂-矽灰的硬化反應體系，存在於各原料成分中，此一體系亦可搭配鋁質水泥。
如請求項1之製法，其中，該分散劑係為將分散劑塗布在氧化鋁-二氧化矽粉體表面的特殊化學品。
如請求項1之製法，其中，該分散劑係為木質素磺酸鹽類單獨使用、具磷酸鹽單獨使用，亦或是聚磷酸鹽、木質素磺酸鹽的混合物。
如請求項1之製法，其中，更能於調整原調配量後再添加有一防爆纖維，其調配量介於0.04~1wt%；該防爆纖維可以是紙纖維、廢紙漿纖維、聚乙烯纖維、聚丙烯纖維或聚醋酸乙烯纖維其中任一者或其混合物。
如請求項1之製法，其中，更能於調整原調配量後再添加：草酸、蘋果酸、檸檬酸、無水檸檬酸、EDTA酸之抗水化劑；碳酸鋰、檸檬酸鋰之促硬劑；球黏土、火山黏土、皂土、香港土、甲基纖維素、改性澱粉之增黏劑調節施工性能；而耐火材料生產中使用到的相關添加劑：膨脹劑、燒結劑、礦化劑、保濕劑、發泡劑、消泡劑之其中任一者。
一種加速器，其中，具備： <br/> 磁軛； <br/> 導線，係與前述磁軛連接；及 <br/> 水配管，係與前述磁軛連接， <br/> 前述導線和前述水配管一起收納在電纜載體中。
如請求項1的加速器，其中， <br/> 前述導線包括第1導線和第2導線， <br/> 在前述電纜載體中在前述第1導線與前述第2導線之間收納有前述水配管。
如請求項2的加速器，其中， <br/> 前述第1導線為可能成為雜訊的產生源之導線， <br/> 前述第2導線為應避免前述雜訊的影響之導線。
如請求項2的加速器，其中， <br/> 前述第1導線為用於輸送電力之電力線， <br/> 前述第2導線為用於輸送計測用電訊號之計測線。
如請求項2的加速器，其中， <br/> 前述第1導線為額定電流值為既定的臨界值以上的導線， <br/> 前述第2導線為額定電流值小於前述臨界值的導線。
如請求項1的加速器，其中， <br/> 前述磁軛具備能夠分離地相對移動之第1磁軛部和第2磁軛部， <br/> 前述導線及前述水配管連接前述第1磁軛部與前述第2磁軛部。
如請求項1的加速器，其中， <br/> 前述導線包括：電力線，係用於輸送電力；及 <br/> 計測線，係用於輸送計測用電訊號。
如請求項1至7中任一項的加速器，其為迴旋加速器。
一種質子束治療裝置，其具備請求項1至7中任一項的加速器。
一種具陽極處理之鍵盤殼體的製造方法，包含：<br/>對一殼件之至少一加工部進行一沖孔沖壓製程及一半剪沖壓製程，以形成具有一掛點孔的至少一掛點組裝部及位於該至少一掛點組裝部之一側的至少一開孔，該至少一掛點組裝部為半剪結構；對沖壓後之該殼件進行一第一陽極製程，以於該殼件之該至少一加工部及具有一鍵盤區及一非鍵盤區之一非加工部上形成一第一外觀層；以及對陽極處理後之該殼件之該至少一掛點組裝部進行一沖孔沖壓製程，以移除該至少一掛點組裝部並形成一鍵盤殼體。
如請求項1所述之具陽極處理之鍵盤殼體的製造方法，其中在該沖孔沖壓製程中，該至少一開孔的數量為兩個，並分別形成於該至少一掛點組裝部的一天側及一地側。
如請求項1所述之具陽極處理之鍵盤殼體的製造方法，其中在該沖孔沖壓製程中，該至少一開孔的數量為一個，並形成於該至少一掛點組裝部的一天側。
如請求項1所述之具陽極處理之鍵盤殼體的製造方法，其中該至少一掛點組裝部之數量為三個或四個。
如請求項1所述之具陽極處理之鍵盤殼體的製造方法，其中該掛點孔之形狀為圓形及該至少一開孔之形狀為長方形。
如請求項1所述之具陽極處理之鍵盤殼體的製造方法，其中在對沖壓後之該殼件進行該第一陽極製程之後，更包含：<br/>對陽極處理後之該殼件進行一雷射雕刻製程，以移除該殼件之該至少一加工部及該非加工部之該鍵盤區之該第一外觀層。
如請求項6所述之具陽極處理之鍵盤殼體的製造方法，更包含在該雷射雕刻製程之後，對雷射雕刻後之該殼件進行一第二陽極製程，以於該殼件上形成一第二外觀層，並對陽極處理後之該殼件之該至少一掛點組裝部進行該沖孔沖壓製程，以移除該至少一掛點組裝部並形成該鍵盤殼體。
如請求項7所述之具陽極處理之鍵盤殼體的製造方法，其中該第一外觀層之顏色與該第二外觀層之顏色相異。
一種半導體記憶體裝置，其包含：<br/>殼體，其具有第一表面、位於所述第一表面的相反側的第二表面、在第一方向上延伸的第一端部邊緣、位於所述第一端部邊緣的相反側並且在所述第一方向上延伸的第二端部邊緣、在與所述第一方向交叉的第二方向上延伸的第一側邊緣，以及形成了所述第一端部邊緣與所述第一側邊緣之間的凹口的第一角部；<br/>非揮發性記憶體；<br/>控制器，其佈置成控制所述非揮發性記憶體；以及<br/>複數個端子，其設置在所述第一表面上，<br/>其中所述端子包含第一複數個端子、第二複數個端子和第三複數個端子，<br/>所述第一複數個端子在所述第一方向上佈置成在比所述第二端部邊緣更靠近所述第一端部邊緣的位置處具有間隔，<br/>所述第三複數個端子在所述第一方向上佈置成在比所述第一端部邊緣更靠近所述第二端部邊緣的位置處具有間隔，<br/>所述第二複數個端子在所述第一方向上佈置成在所述第一複數個端子與所述第三複數個端子之間具有間隔，<br/>所述第一複數個端子比所述第二複數個端子更靠近所述第一端部邊緣，<br/>所述第一複數個端子包含用於差動資料訊號的至少一對第一訊號端子，所述差動資料訊號符合PCIe標準，<br/>所述第一複數個端子包含分配給接地的第一複數個接地端子，<br/>所述至少一對第一訊號端子中的每對第一訊號端子係位於所述第一複數個接地端子中的兩個接地端子之間，<br/>所述第二複數個端子包含分配給接地的第二複數個接地端子，<br/>所述第三複數個端子包含分配給差動時脈訊號的差動時脈訊號端子、分配給單端訊號的單端訊號端子、分配給第一電源的第一電源端子，以及分配給具有等於或低於所述第一電源的電壓之電壓的第二電源的一或多個第二電源端子，<br/>所述第一電源端子係配置為被供應具有第一複數個設定電流值中之一者的電流，<br/>所述一或多個第二電源端子係配置為被供應具有第二複數個設定電流值中之一者的電流，以及<br/>所述一或多個第二電源端子係在所述第一方向上相鄰地設置。
如請求項1的半導體記憶體裝置，<br/>其中所述複數個端子包含用於訊號傳輸的複數個訊號端子，以及<br/>包含在所述第一複數個端子和所述第二複數個端子中的所述訊號端子中的至少一個的數目比包含在所述第三複數個端子中的所述訊號端子中的至少一個的數目更大。
如請求項1的半導體記憶體裝置，<br/>其中分配給所述差動資料訊號的複數個通道的複數對所述第一訊號端子係包含在所述第一複數個端子中。
如請求項1的半導體記憶體裝置，<br/>其中所述單端訊號端子包含分配給PCIe標準的邊帶訊號的複數個邊帶訊號端子。
如請求項1的半導體記憶體裝置，<br/>其中所述第三複數個端子包含分配給具有等於或低於所述第二電源的電壓之電壓的第三電源的複數個第三電源端子。
如請求項1的半導體記憶體裝置，<br/>其中所述第一方向和所述第二方向係彼此垂直，<br/>所述半導體記憶體裝置在所述第一方向上的長度為14 ± 0.1 mm，以及<br/>所述半導體記憶體裝置在所述第二方向上的長度為18 ± 0.1 mm。
如請求項1的半導體記憶體裝置，<br/>其中所述殼體具有位於所述第一側邊緣的相反側並且在所述第二方向上延伸的第二側邊緣以及在所述第一側邊緣和所述第二側邊緣之間的第二角部，以及<br/>所述第一角部的形狀與所述第二角部的形狀係彼此不同。
如請求項1的半導體記憶體裝置，<br/>其中所述第二複數個端子包含用於訊號傳輸的複數個第二訊號端子，以及<br/>包含在所述第一複數個端子中的所述至少一對第一訊號端子和所述第二複數個端子中的所述複數個第二訊號端子在所述第一方向上的長度彼此相等。
如請求項1的半導體記憶體裝置，<br/>其中所述殼體具有在所述第一端部邊緣和所述第一表面之間以直線形狀延伸的傾斜部。
如請求項1的半導體記憶體裝置，<br/>其中所述半導體記憶體裝置可連接到主機，以及<br/>當所述半導體記憶體裝置連接到所述主機時，所述第一電源的電力係從所述主機供應至所述第一電源端子，而所述第二電源的電力係從所述主機供應至所述一或多個第二電源端子。
一種百香果殼萃取物用於製備作為預防或治療黃斑部病變的眼用組成物之用途，該眼用組成物含有該百香果殼萃取物（<i>Passiflora edulis</i>）之一有效量，其中該百香果殼萃取物係先將百香果殼洗淨後烘乾，再將該百香果殼進行磨碎後添加於水溶液（d<sub>2</sub>H<sub>2</sub>O），即得到該百香果殼萃取物，且該百香果殼萃取物之該有效量介於0.5~4.0mg/ml，將該眼用組成物以口服方式施予一個體，該百香果殼萃取物能提升該個體視網膜色素上皮細胞及感光細胞的活性，其中該個體藉由施予碘酸鈉以誘導眼部黃斑部病變，該百香果殼萃取物能抑制該視網膜色素上皮細胞的遷移，並預防及減緩視網膜產生病變，且該百香果殼萃取物還能降緩該個體視網膜內膜層厚度與視網膜外膜層厚度的縮減。
如請求項1所述之百香果殼萃取物用於製備作為預防或治療黃斑部病變的眼用組成物之用途，其中該百香果殼萃取物之該有效量大於0.5mg/ml。
如請求項1或2所述之百香果殼萃取物用於製備作為預防或治療黃斑部病變的眼用組成物之用途，其中該百香果殼萃取物的DPPH自由基清除活性的IC<sub>50</sub>值介於20~25mg sample/mL。
如請求項1或2所述之百香果殼萃取物用於製備作為預防或治療黃斑部病變的眼用組成物之用途，其中該百香果殼萃取物的ABTS自由基清除活性的IC<sub>50</sub>值介於2.0~3.0mg sample/mL。
如請求項1或2所述之百香果殼萃取物用於製備作為預防或治療黃斑部病變的眼用組成物之用途，其中該百香果殼萃取物含有多酚類化合物的含量介於200~250μmol GAE/g。
如請求項1或2所述之百香果殼萃取物用於製備作為預防或治療黃斑部病變的眼用組成物之用途，其中該百香果殼萃取物含有類黃酮化合物的含量介於2.0~3.0nmol CE/g。
如請求項1所述之百香果殼萃取物用於製備作為預防或治療黃斑部病變的眼用組成物之用途，其中該百香果殼萃取物能抑制視網膜色素上皮細胞的氧化壓力，且減緩視網膜色素上皮細胞粒線體膜電位改變。
一種身體動能感應裝置，由內而外包含有：<br/> 一第一屏蔽層；<br/> 一正摩擦層；<br/> 一間隔層，具有至少一穿孔；<br/> 一負摩擦層，其中含有多數二硫化錫(SnS<sub>2</sub>)奈米粒子，該負摩擦層能透過該間隔層之穿孔接觸該正摩擦層；<br/> 一導電層；<br/> 一絕緣層；以及<br/> 一第二屏蔽層。
如請求項1所述之身體動能感應裝置，其中該第一屏蔽層、該導電層與該第二屏蔽層均為導電布。
如請求項1所述之身體動能感應裝置，其中該正摩擦層之材質包含有聚酯(Polyester)、紙、聚四氟乙烯(PTFE)、聚酰亞胺(KAPTON)、壓克力(PMMA)、六氟丙烯共聚物(FEP)、尼龍(nylon)、棉或丁腈(Nitrile)。
如請求項1所述之身體動能感應裝置，其中該負摩擦層之材質包含有矽膠、橡膠、水凝膠、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物(SEBS)或聚氨酯(PU)。
如請求項4所述之身體動能感應裝置，其中該矽膠為矽橡膠或聚二甲基矽氧烷(PDMS)。
如請求項1所述之身體動能感應裝置，其中該間隔層之材質包含海綿、泡綿、棉、尼龍或聚酯。
如請求項1所述之身體動能感應裝置，其中該絕緣層之材質包含有矽膠、橡膠、聚脂、尼龍或棉。
如請求項1所述之身體動能感應裝置，其中該負摩擦層包含有0.1～1wt%之二硫化錫奈米粒子、金奈米粒子、銀奈米粒子、奈米碳管、石墨稀、氧化石墨稀、碳黑、氧化鋅奈米粒子或氧化鈦奈米粒子。
如請求項1所述之身體動能感應裝置，其中該二硫化錫奈米粒子的直徑介於0.3～3μm。
如請求項1所述之身體動能感應裝置，其中該二硫化錫奈米粒子具有花瓣狀構造。
如請求項1至10中任一項所述之身體動能感應裝置，更包含有一電荷儲存層位於該負摩擦層與該導電層之間，其中該電荷儲存層為碳化布。
如請求項11所述之身體動能感應裝置，其中該電荷儲存層含有多數二硫化錫奈米粒子、金奈米粒子、銀奈米粒子、奈米碳管、石墨稀、氧化石墨稀、碳黑、氧化鋅奈米粒子或氧化鈦奈米粒子。
如請求項1所述之身體動能感應裝置，更包含有一導線連接於該導電層，該導線由內而外包含有一內屏蔽層、一內隔離層、一電極層、一外隔離層、以及一外屏蔽層，其中該電極層與該導電層電性連接。
如請求項13所述之身體動能感應裝置，其中該內屏蔽層、該電極層與該外屏蔽層均為導電布。
如請求項13所述之身體動能感應裝置，其中該內隔離層與該外隔離層之材質包含有矽膠、橡膠、聚酯、尼龍或棉。
一種背光模組，係包含：<br/> 一底板，定義一水平方向，該底板具有一承載部及一側牆，該承載部的其中一側邊定義為一入光側，其餘側邊定義為一非入光側，該側牆由該承載部向上延伸，且位於該入光側而未延伸到該非入光側； <br/> 一導光板，設於該底板上，該導光板具有一入光面、一出光面與至少一非入光面，該導光板的該入光面面向該側牆，該導光板的該出光面設置於該導光板相對於該底板之一側；以及<br/> 一外框，組裝於該底板以容納該導光板，該外框具有複數個側框部，位於該非入光側，該些側框部的至少其中之一設有一彈片結構；<br/> 其中，該至少一非入光面與該外框之間具有一脹縮空間，該彈片結構係由該側框部朝向該脹縮空間且由鄰近該底板之一側向鄰近該導光板之該出光面之一側延伸，並抵頂於該導光板。
如請求項1所述之背光模組，其中該些側框部的至少其中之一垂直延伸有至少一側壁，位於該底板的該非入光側。
如請求項2所述之背光模組，其中該彈片結構具有一平直段及一回鉤段，該至少一側壁設有至少一間隙由該側壁之一底緣向上延伸，以使該平直段由該側壁沿著該間隙朝向該底緣延伸而形成至少一未連接邊，該回鉤段自該平直段朝向該脹縮空間傾斜且向上延伸。
如請求項2所述之背光模組，其中該至少一側壁設有一開口，該彈片結構具有一固定端及一自由端，該固定端固定於該開口的下側，該自由端則朝向該脹縮空間傾斜且向上延伸。
如請求項4所述之背光模組，其中該彈片結構的面積小於該開口的面積。
如請求項4所述之背光模組，其中該至少一側壁具有一底壁部，由該側壁之一底緣朝向該脹縮空間以該水平方向延伸，該至少一側壁設有至少一間隙由該彈片結構的該固定端向下延伸，並且沿著該水平方向延伸至該底壁部。
如請求項1至6其中任一項所述之背光模組，其中該彈片結構沿著該水平方向的彈性變形量大於或等於該導光板沿著該水平方向的脹縮量。
如請求項1至6其中任一項所述之背光模組，其中該彈片結構係一體成型於該側框部。
如請求項1至6其中任一項所述之背光模組，其中該導光板的該至少一非入光面貼附有一保護膜。
一種顯示裝置，係包含：<br/> 一如請求項1至9其中任一項所述之背光模組；以及<br/> 一顯示面板，設置於該背光模組上。
一種功率電感器，包括：<br/>一線圈，包括：<br/>兩外層迴圈線路層，在一厚度方向上彼此堆疊並電性連接，其中各該外層迴圈線路層具有一外部連接端；<br/>多個絕緣間隔層，其中至少一該絕緣間隔層位於該些外層迴圈線路層之間，且該些絕緣間隔層的每一者包括：<br/>多個第一扁平絕緣顆粒，且該些第一扁平絕緣顆粒的每一者具有一第一長軸以及正交於該第一長軸的一第一短軸，其中部分該些第一扁平絕緣顆粒的該些第一長軸正交於該厚度方向；<br/>一感磁體，包覆該線圈，並暴露各該外層迴圈線路層的該外部連接端，其中該感磁體包括多個鐵磁顆粒，而各該鐵磁顆粒包括：<br/>一鐵基合金顆粒；以及<br/>一絕緣膜，包覆該鐵基合金顆粒。
如請求項1所述的功率電感器，其中該些第一扁平絕緣顆粒的該第一長軸與該第一短軸的比值大於1並且小於1000。
如請求項1所述的功率電感器，其中該些第一扁平絕緣顆粒包括一磁性合金材料。
如請求項1所述的功率電感器，還包括：<br/>兩個覆蓋層，分別覆蓋該感磁體與該線圈的相對兩側，並直接接觸該感磁體，且該些覆蓋層的每一者包括：<br/>多個第二扁平絕緣顆粒，且該些第二扁平絕緣顆粒的每一者具有一第二長軸以及正交於該第二長軸的一第二短軸，其中部分該些第二扁平絕緣顆粒的該些第二長軸正交於該厚度方向。
如請求項4所述的功率電感器，其中該些絕緣間隔層的該些第一扁平絕緣顆粒包括一陶瓷材料，而該些覆蓋層的該些第二扁平絕緣顆粒包括一磁性合金材料。
如請求項1所述的功率電感器，其中一該外層迴圈線路層位於相鄰兩該絕緣間隔層之間。
如請求項1所述的功率電感器，還包括：<br/>多個外部電極，部分覆蓋該感磁體的一外表面，並連接該些外層迴圈線路層的該些外部連接端。
如請求項1所述的功率電感器，其中該線圈還包括：<br/>一內層迴圈線路層，設置於該些外層迴圈線路層之間，並電性連接該些外層迴圈線路層，其中該內層迴圈線路層位於其中兩該絕緣間隔層之間。
如請求項8所述的功率電感器，其中各該外層迴圈線路層還具有一相對於該外部連接端的第一內部連接端，而該內層迴圈線路層具有兩個彼此相對的第二內部連接端，其中各該外層迴圈線路層的該第一內部連接端連接其中一該第二內部連接端。
如請求項9所述的功率電感器，其中各該絕緣間隔層的形狀為條狀，該些絕緣間隔層其中兩者分別覆蓋及直接接觸該些外層迴圈線路層，並且分別沿著該些外層迴圈線路層而延伸，其中各該外層迴圈線路層具有一對彼此相對的第一側壁，而分別沿著該些外層迴圈線路層延伸的兩該絕緣間隔層分別凸出於該些外層迴圈線路層的該些第一側壁。
如請求項10所述的功率電感器，其中一該外層迴圈線路層的該第一內部連接端凸出於其中一該絕緣間隔層的末端。
如請求項10所述的功率電感器，其中該些絕緣間隔層其中一者直接接觸該內層迴圈線路層，並沿著該內層迴圈線路層而延伸，其中該內層迴圈線路層具有一對彼此相對的第二側壁，而沿著該內層迴圈線路層延伸的該絕緣間隔層凸出於該些第二側壁。
如請求項12所述的功率電感器，其中該內層迴圈線路層的其中一該第二內部連接端凸出於沿著該內層迴圈線路層延伸的該絕緣間隔層的末端。
如請求項12所述的功率電感器，其中各該絕緣間隔層凸出於該些外層迴圈線路層任一者的邊緣。
一種車載診斷系統，適於應用於一車輛及一故障碼掃描器，該車輛設有經由一車用區域網路相互連接的一方向盤、一轉角感測器、一頭燈機構、一前置攝影機及一車載電腦，該車載診斷系統，包括：<br/>一儲存模組，電性連接該車用區域網路，並用以儲存一故障碼對照表，該故障碼對照表包括一故障碼欄位及一故障內容欄位，該故障碼欄位包括至少一故障碼，該故障內容欄位包括至少一故障內容；以及<br/>一處理器模組，電性連接該車用區域網路；<br/>其中，該車載電腦根據該轉角感測器所感應到的方向盤之一轉動角度控制該頭燈機構同步轉動，並於該頭燈機構完成轉動之後，控制該前置攝影機拍攝該車輛的前方影像，以產生一車前影像，該處理器模組計算該車前影像之左半部和右半部的平均亮度，以取得一左半部平均亮度及一右半部平均亮度，該處理器模組判斷該左半部平均亮度和該右半部平均亮度中的較大者所對應的方向是否與該方向盤的轉動方向相同，若判斷結果為否，該處理器模組判定該故障內容為該頭燈機構之燈座可能出現異常，並取得相對應的故障碼供該故障碼掃描器讀取。
一種車載診斷系統，適於應用於一車輛及一故障碼掃描器，該車輛設有經由一車用區域網路相互連接的一頭燈機構、一前置攝影機、一車載電腦及一車速感測器，該車載診斷系統，包括：<br/>一儲存模組，電性連接該車用區域網路，並用以儲存一故障碼對照表，包括一故障碼欄位及一故障內容欄位，該故障碼欄位包括至少一故障碼，該故障內容欄位包括至少一故障內容；以及<br/>一處理器模組，電性連接該車用區域網路；<br/>其中，該前置攝影機實時拍攝該車輛的前方影像，以產生一車前影像，該車載電腦根據該車速感測器取得該車輛的一車速，該處理器模組計算該車前影像的平均亮度，以取得一整體平均亮度，該處理器模組判斷該整體平均亮度與該車速是否位在同一區間，若判斷結果為否，該處理器模組判定該故障內容為該頭燈機構之燈源可能出現異常，並取得相對應的故障碼供該故障碼掃描器讀取。
一種車載診斷系統，適於應用於一車輛及一故障碼掃描器，該車輛設有經由一車用區域網路相互連接的一頭燈機構、一前置攝影機及一車載電腦，該車載診斷系統，包括：<br/>一儲存模組，電性連接該車用區域網路，並用以儲存一故障碼對照表，包括一故障碼欄位及一故障內容欄位，該故障碼欄位包括至少一故障碼，該故障內容欄位包括至少一故障內容；以及<br/>一處理器模組，電性連接該車用區域網路；<br/>其中，當該車載電腦控制該頭燈機構由近光燈切換成遠光燈時，該車載電腦控制該前置攝影機拍攝該車輛在以近光燈進行照明時的前方影像，以產生一第一車前影像，以及控制該前置攝影機拍攝該車輛在以遠光燈進行照明時的前方影像，以產生一第二車前影像，該處理器模組計算該第一車前影像及該第二車前影像各自的平均亮度，以取得一第一整體平均亮度及一第二整體平均亮度，該處理器模組判斷該第二整體平均亮度是否大於該第一整體平均亮度，若判斷結果為否，該處理器模組判定該故障內容為該頭燈機構之遠光燈或切換開關可能出現異常，並取得相對應的故障碼供該故障碼掃描器讀取。
一種車載診斷系統，適於應用於一車輛及一故障碼掃描器，該車輛設有經由一車用區域網路相互連接的一頭燈機構、一前置攝影機、一車載電腦及一溫度感測器，該車載診斷系統，包括：<br/>一儲存模組，電性連接該車用區域網路，並用以儲存一故障碼對照表，包括一故障碼欄位及一故障內容欄位，該故障碼欄位包括至少一故障碼，該故障內容欄位包括至少一故障內容；以及<br/>一處理器模組，電性連接該車用區域網路；<br/>其中，該前置攝影機實時拍攝該車輛的前方影像，以產生一車前影像，該車載電腦根據該溫度感測器取得該頭燈機構的一燈源溫度，該處理器模組計算該車前影像的平均亮度，以取得一整體平均亮度，該處理器模組判斷該整體平均亮度與該燈源溫度是否位在同一區間，若判斷結果為否，該處理器模組判定該故障內容為該頭燈機構之燈源可能出現異常，並取得相對應的故障碼供該故障碼掃描器讀取。
如請求項1至4中任一項所述之車載診斷系統，其中，該車用區域網路為一控制區域網路匯流排。
如請求項1至4中任一項所述之車載診斷系統，其中，該頭燈機構為一矩陣式LED 頭燈。
一種具瓶蓋收容空間之容器結構，包括：<br/> 一瓶蓋，包括一外頂壁、與該外頂壁相對的一內頂壁、與該內頂壁相鄰的一上環壁、與該上環壁相鄰的一下環壁、及設於該下環壁內側的一內螺紋；以及<br/> 一瓶體，可分離地與該瓶蓋螺合，包括：<br/> 一瓶身，該瓶身內圍繞形成一第一容置空間，該瓶身包括：<br/> 一本體；以及<br/> 一凹陷部，與該本體相連，且朝該本體的一方向凹陷；<br/> 一瓶口部，設置於該瓶身的一頂部且與該瓶身相連，並由該瓶口部圍繞形成一開口，其中該瓶口部包括一第一外螺紋；以及<br/> 一瓶底凹槽，設置於該瓶身的該凹陷部，並朝向該本體的該方向凹陷，該瓶底凹槽包括：<br/> 一頂壁，設置於該凹陷部的一頂部；<br/> 一外壁，環設於該頂壁下，且與該凹陷部之間形成一環繞空間；以及<br/> 一第二外螺紋，設置於該外壁上。
如請求項1所述之容器結構，其中，該瓶蓋的該內螺紋可分離地與該第一外螺紋或該第二外螺紋螺合。
如請求項1所述之容器結構，其中該瓶蓋包括一第二容置空間，且該第二容置空間由該瓶蓋的該內頂壁及該上環壁共同形成，其中該容器結構進一步包括：<br/> 一發光部件，設置於該第二容置空間內，包括：<br/> 一開關，穿設於該瓶蓋的該外頂壁與該內頂壁；<br/> 一電池，與該瓶蓋的該內頂壁相鄰；<br/> 一電路板，設置於該電池的下方；<br/> 一彈簧接點，連接該電池與該電路板；<br/> 至少一發光單元，設置於該電路板下方；以及<br/> 一濾光片，設置於該至少一發光單元下方。
如請求項3所述之容器結構，其中該電池為一可充電電池，及<br/> 其中該電池包括一充電埠，且該充電埠設置該瓶蓋的該上環壁上。
如請求項3所述之容器結構，其中該開關為一觸控式開關。
如請求項3所述之容器結構，其中該瓶身進一步包括一光學花紋，設置於該本體上，且該光學花紋包括複數個幾何圖案，<br/> 其中當該至少一發光單元發光時，該至少一發光單元的一光源進入該瓶身內，並透過該光學花紋使該光源分散與反射，以在任一表面上產生一漣漪狀或該些幾何圖案的投影。
如請求項1所述之容器結構，其中該瓶蓋具有一第一高度，且該瓶底凹槽具有一深度，其中該第一高度小於等於該深度。
如請求項1所述之容器結構，其中該第一外螺紋具有一第一導程，該第二外螺紋具有一第二導程，且該第二導程小於該第一導程。
一種瓶蓋，包括：<br/> 一環壁，包括一上環壁、與該上環壁相鄰的一下環壁、設於該下環壁內側的一內螺紋；<br/> 一頂壁，與該環壁相連，且包括與該上環壁相連的一外頂壁及與該外頂壁相對的一內頂壁；<br/> 一容置空間，由該瓶蓋的該內頂壁及該上環壁共同形成；以及<br/> 一發光部件，設置於該容置空間內，且包括：<br/> 一開關，穿設於該瓶蓋的該外頂壁與該內頂壁；<br/> 一電池，與該瓶蓋的該內頂壁相鄰；<br/> 一電路板，設置於該電池的下方，且包括：<br/> 一彈簧接點，連接該電池與該電路板；<br/> 至少一發光單元，設置於該電路板下方；以及<br/> 一濾光片，設置於該至少一發光單元下方。
如請求項9所述之瓶蓋，其中該開關為一觸控式開關。
一種非暫時性電腦可讀取媒體，其儲存有位元串流，前述位元串流包含使處理器執行解碼方法的資訊，前述解碼方法是將圖片內的區塊利用前述區塊的預測圖像來解碼，前述解碼方法包含以下步驟： 算出複數個參考樣本的平均像素值，前述平均像素值是以下式來算出：<br/><img align="absmiddle" height="145px" width="329px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中(i)w，表示前述區塊的水平方向的樣本數，且對應於前述區塊的水平尺寸；(ii)h，表示前述區塊的垂直方向的樣本數，且對應於前述區塊的垂直尺寸；(iii)x，表示前述水平方向的座標位置，於前述區塊的左端的樣本為0，且就每樣本向右遞增1；(iv)y，表示前述垂直方向的座標位置，於前述區塊的上端的樣本為0，且就每樣本向下遞增1；及(v)p(x,y)，表示座標位置為(x,y)的樣本的像素值，<br/>藉由對包含於前述區塊之要被處理的當前樣本中的內部樣本應用前述平均像素值，來生成前述預測圖像，<br/>其中前述內部樣本構成矩形區域，前述矩形區域是於前述水平方向及前述垂直方向之任一者包含至少2個當前樣本。
一種非暫時性電腦可讀取媒體，其儲存有位元串流，前述位元串流包含由執行編碼方法的處理器所生成的資訊，前述編碼方法是將圖片內的區塊利用前述區塊的預測圖像來編碼，前述編碼方法包含以下步驟：<br/>算出複數個參考樣本的平均像素值，前述平均像素值是以下式來算出：<br/><img align="absmiddle" height="145px" width="329px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中(i)w，表示前述區塊的水平方向的樣本數，且對應於前述區塊的水平尺寸；(ii)h，表示前述區塊的垂直方向的樣本數，且對應於前述區塊的垂直尺寸；(iii)x，表示前述水平方向的座標位置，於前述區塊的左端的樣本為0，且就每樣本向右遞增1；(iv)y，表示前述垂直方向的座標位置，於前述區塊的上端的樣本為0，且就每樣本向下遞增1；及(v)p(x,y)，表示座標位置為(x,y)的樣本的像素值，<br/>藉由對包含於前述區塊之要被處理的當前樣本中的內部樣本應用前述平均像素值，來生成前述預測圖像，<br/>其中前述內部樣本構成矩形區域，前述矩形區域是於前述水平方向及前述垂直方向之任一者包含至少2個當前樣本。
一種用於抑制骨關節炎之組成物之製造方法，包含以下步驟：<br/> （A） 利用一胃蛋白酶萃取鱘龍魚骨之膠原蛋白而獲得一魚骨萃取液，並將該魚骨萃取液之水分去除而製備出一胃蛋白酶溶性膠原蛋白（pepsin-soluble collagen, PSC）乾燥粉末，且該步驟（A）更包含以下步驟：<br/> （A1）將一鱘龍魚軟骨洗淨並切成複數個鱘龍魚軟骨切塊；<br/> （A2）將該些鱘龍魚軟骨切塊之水分去除並研磨成一魚骨粉末；<br/> （A3）將該魚骨粉末浸泡於一鹼性溶液以去除雜質而獲得一膠原蛋白骨粉；<br/> （A4）將該膠原蛋白骨粉脫鈣而獲得一膠原蛋白骨組織粉；<br/> （A5）將該膠原蛋白骨組織粉浸泡於一乙酸溶液中，並將該胃蛋白酶加入該乙酸溶液中進行萃取而獲得一魚骨萃取混合物；<br/> （A6）將該魚骨萃取混合物進行過濾而分離出該魚骨萃取液；<br/> （A7）將該魚骨萃取液利用鹽析法析出一胃蛋白酶溶性膠原蛋白沉澱物；<br/> （A8）將該胃蛋白酶溶性膠原蛋白沉澱物利用透析法析出一胃蛋白酶溶性膠原蛋白；以及<br/> （A9）將該胃蛋白酶溶性膠原蛋白利用冷凍真空乾燥法去除水分而製備出該胃蛋白酶溶性膠原蛋白乾燥粉末；<br/> （B） 將該胃蛋白酶溶性膠原蛋白乾燥粉末利用至少一酵素進行水解，並利用一離心機分離出一上清液，然後將該上清液之水分去除而獲得一鱘龍魚軟骨膠原蛋白胜肽（sturgeon cartilage collagen peptides, SCCP）乾燥粉末；以及<br/> （C） 將該鱘龍魚軟骨膠原蛋白胜肽乾燥粉末利用一薄膜水合法（Thin-film hydration method）製備出一鱘龍魚軟骨膠原蛋白胜肽奈米微脂體，藉以作為上述用於抑制骨關節炎之組成物。
如請求項1所述之用於抑制骨關節炎之組成物之製造方法，其中，該步驟（B）更包含以下步驟：<br/> （B1）將該胃蛋白酶溶性膠原蛋白乾燥粉末溶於去離子水中而產生一胃蛋白酶溶性膠原蛋白水溶液；<br/> （B2）將該胃蛋白酶溶性膠原蛋白水溶液之酸鹼值調整至pH=8；<br/> （B3）加熱該胃蛋白酶溶性膠原蛋白水溶液；<br/> （B4）將該至少一酵素加入該胃蛋白酶溶性膠原蛋白水溶液中進行水解製程；<br/> （B5）加熱該胃蛋白酶溶性膠原蛋白水溶液；<br/> （B6）將該胃蛋白酶溶性膠原蛋白水溶液利用該離心機分離出包含該鱘龍魚軟骨膠原蛋白胜肽之該上清液；以及<br/> （B7）將該上清液利用冷凍真空乾燥法去除水分而製備出該鱘龍魚軟骨膠原蛋白胜肽乾燥粉末。
如請求項1所述之用於抑制骨關節炎之組成物之製造方法，其中，該步驟（C）更包含以下步驟：<br/> （C1）將該鱘龍魚軟骨膠原蛋白胜肽乾燥粉末溶解於一去離子水中而產生一鱘龍魚軟骨膠原蛋白胜肽溶液；<br/> （C2）將1重量份之大豆卵磷脂、0.2重量份之脂肪酸蔗糖酯、0.2重量份之甘油溶於一乙醇中，進而獲得一乳化劑溶液；<br/> （C3）將該乳化劑溶液維持50°C，使該乳化劑溶液中之該乙醇揮發，進而形成一乳化劑；以及<br/> （C4）將該鱘龍魚軟骨膠原蛋白胜肽溶液與該乳化劑均勻混合而產生該鱘龍魚軟骨膠原蛋白胜肽奈米微脂體。
一種資訊處理方法，其特徵在於係由機器系統執行者，該機器系統包含： <br/>第1機器； <br/>相機單元，其作為第2機器，安裝於前述第1機器，產生表示前述第1機器之使用狀態之狀態資訊；及 <br/>資訊處理部，其包含電腦，執行基於產生之前述狀態資訊之規定資訊處理；該資訊處理方法使前述資訊處理部執行： <br/>分類取得過程，其取得前述第1機器之分類資訊；及 <br/>處理態樣設定過程，其基於前述分類資訊而設定前述規定資訊處理之處理態樣；且 <br/>前述狀態資訊係包含拍攝到前述第1機器之圖像資訊者； <br/>前述規定資訊處理包含：基於前述處理態樣設定過程及前述圖像資訊之狀態檢測處理或加工處理，該狀態檢測處理進行作為前述第1機器之狀態檢測之門開角度檢測處理，該加工處理進行前述圖像資訊之加工。
如請求項1之資訊處理方法，其中前述分類資訊包含關於前述第1機器之尺寸或型號之資訊。
如請求項1之資訊處理方法，其中 <br/>前述資訊處理部， <br/>基於前述分類資訊，而進一步執行進行前述圖像資訊之曝光調整之曝光調整過程。
一種程式，其被應用於機器系統，該機器系統包含： <br/>第1機器； <br/>相機單元，其作為第2機器，安裝於前述第1機器，產生表示前述第1機器之使用狀態之狀態資訊；及 <br/>資訊處理部，其包含電腦，執行基於產生之前述狀態資訊之規定資訊處理；且 <br/>前述狀態資訊係包含拍攝到前述第1機器之圖像資訊者； <br/>前述規定資訊處理包含：基於前述處理態樣設定過程及前述圖像資訊之狀態檢測處理或加工處理，該狀態檢測處理進行作為前述第1機器之狀態檢測之門開角度檢測處理，該加工處理進行前述圖像資訊之加工； <br/>該程式用於使前述電腦作為如下機構發揮功能： <br/>分類取得機構，其取得前述第1機器之分類資訊；及 <br/>處理態樣設定機構，其基於前述分類資訊而設定前述規定資訊處理之處理態樣。
一種機器系統，其特徵在於包含： <br/>第1機器； <br/>相機單元，其作為第2機器，安裝於前述第1機器，產生表示前述第1機器之使用狀態之狀態資訊；及 <br/>資訊處理部，其包含電腦，執行基於產生之前述狀態資訊之規定資訊處理；且 <br/>前述資訊處理部包含： <br/>分類取得部，其取得前述第1機器之分類資訊；及 <br/>處理態樣設定部，其基於前述分類資訊而設定前述規定資訊處理之處理態樣； <br/>前述狀態資訊係包含拍攝到前述第1機器之圖像資訊者； <br/>前述規定資訊處理包含：基於前述處理態樣設定過程及前述圖像資訊之狀態檢測處理或加工處理，該狀態檢測處理進行作為前述第1機器之狀態檢測之門開角度檢測處理，該加工處理進行前述圖像資訊之加工。
一種結合AI健康監測與環境模擬之智慧鳥籠系統，包含有：<br/> 一籠體，用以供容置至少一鳥類；<br/> 一感測模組，設於該籠體，具有一影像擷取單元及一聲音擷取單元；該影像擷取單元用以擷取該籠體中之該鳥類的外觀及其行為動作，據以產生一鳥類影像資料；該聲音擷取單元用以擷取該鳥類之鳴叫聲，據以產生一鳥類聲音資料；<br/> 一AI模組，通訊連接於該感測模組，具有一處理器、一鳥類資料庫及一AI鳥類分析單元；該鳥類資料庫安裝於該處理器並儲存有複數個鳥類影像歷史資料及複數個鳥類聲音歷史資料；該AI鳥類分析單元用以根據輸入之該鳥類影像資料與該鳥類聲音資料，據以輸出一鳥類健康資料及一鳥類情緒資料；以及<br/> 一環境模擬模組，設於該籠體並通訊連接於該AI模組，具有第二處理器、一環境資料庫、一燈光單元及一音效單元；該環境資料庫安裝於該第二處理器並儲存有複數個燈光資料及複數個音效資料；該燈光單元用以受該AI模組控制而發出對應於其中一該燈光資料的光線；該音效單元用以受該AI模組控制而發出對應於其中一該音效資料的聲音；<br/> 其中該AI模組具有一AI環境控制單元，通訊連接於該AI鳥類分析單元與該環境模擬模組，根據該AI鳥類分析單元產生之該鳥類健康資料及該鳥類情緒資料，透過一鳥類環境演算法據以輸出一適合環境資料，供該環境模擬模組根據該適合環境資料在該籠體中模擬出相對應之自然環境。
如請求項1所述之結合AI健康監測與環境模擬之智慧鳥籠系統，其中該AI鳥類分析單元係根據一鳥類行為演算法，透過學習該鳥類資料庫之各該鳥類影像歷史資料及各該鳥類聲音歷史資料，進行調整與優化後所訓練完成之一AI模型。
如請求項1所述之結合AI健康監測與環境模擬之智慧鳥籠系統，其中該AI鳥類分析單元用以根據該影像擷取單元擷取之各該鳥類影像資料中關於該鳥類的外觀、行為與該鳥類資料庫中之各該鳥類影像歷史資料比對，進而自動判斷該鳥類是否為健康狀態，據以輸出該鳥類健康資料。
如請求項1所述之結合AI健康監測與環境模擬之智慧鳥籠系統，其中該AI鳥類分析單元用以根據該聲音擷取單元擷取之該鳥類聲音資料之聲音與該鳥類資料庫中之各該鳥類聲音歷史資料比對，進而自動判斷該鳥類之情緒，據以輸出該鳥類情緒資料。
如請求項1所述之結合AI健康監測與環境模擬之智慧鳥籠系統，其中該環境模擬模組更包含有複數個升降顯示單元，環設於該籠體周圍；每一該升降顯示單元具有一顯示部用以受該AI模組控制而顯示儲存於該環境資料庫中之一自然環境影像資料。
如請求項5所述之結合AI健康監測與環境模擬之智慧鳥籠系統，其中該升降顯示單元更包含有一收納部，內部設有一升降機構；該顯示部連接於該收納部中，受該升降機構控制而於一收起位置與一展開位置間移動；當該顯示部受該升降機構控制而上升至該收起位置時，該顯示部容置於該收納部中未覆蓋該籠體之側面；當該顯示部受該升降機構控制而下降至該展開位置時，該顯示部覆蓋該籠體之側面。
如請求項1所述之結合AI健康監測與環境模擬之智慧鳥籠系統，其中該感測模組更包含有一溫濕度感測單元，設於該籠體內，用以感測該籠體內之溫度和濕度，據以產生一溫濕度資料。
如請求項7所述之結合AI健康監測與環境模擬之智慧鳥籠系統，其中該環境模擬模組更包含有一溫濕度調節單元，用以受該AI模組控制而根據該溫濕度資料調整該籠體中之溫濕度。
如請求項7所述之結合AI健康監測與環境模擬之智慧鳥籠系統， 更包含有一顯示螢幕，電性連接於該感測模組及AI模組，用以顯示該鳥類健康資料、該鳥類情緒資料、該溫濕度資料之至少一者。
一種具有防震、隔振功能之音響架，其包含有：一本體單元，該本體單元係由複數個水平方向之橫桿及複數個垂直方向之立桿相互鎖固而成，使該本體單元形成一矩形鏤空之框架，每一該橫桿上方沿其軸向皆凹設有一導槽；複數個碗座，係對應所欲置放之音響設備腳座而分別鎖固於該等橫桿上，其中，該等碗座之外周緣朝上延伸形成有一環形周壁，而於該環形周壁內形成有一開口朝上之圓形凹槽，使得該音響設備之腳座可分別置於該等圓形凹槽內，形成限位，每一該碗座之圓形凹槽底部皆具有至少一穿孔，而可藉由一螺固組件穿過該穿孔及該導槽，進行滑移調整，並進而鎖固該等碗座於該等橫桿之適當位置處。
依據申請專利範圍第1項所述之具有防震、隔振功能之音響架，其中，每一該碗座於該圓形凹槽之穿孔上段處更凹設有一直徑較大之沉孔，使該等螺固組件可埋入於該沉孔內。
依據申請專利範圍第1項所述之具有防震、隔振功能之音響架，其中，每一該圓形凹槽之底面係為平面，且於該等圓形凹槽之底面上由下而上分別設置有一隔振墊片及一止滑墊片。
依據申請專利範圍第1項所述之具有防震、隔振功能之音響架，更包含有：至少一第一調整桿，係可活動地橫向設於該本體單元位於左右側之該等橫桿之間，而使該第一調整桿可前後移動，另該等碗座係鎖固於該第一調整桿上。
依據申請專利範圍第4項所述之具有防震、隔振功能之音響架，更包含有：複數個三角固定架，係分別鎖固於該第一調整桿與該等橫桿之垂直銜接處，使該第一調整桿固定於該等橫桿之間。
依據申請專利範圍第1項所述之具有防震、隔振功能之音響架，更包含有：至少一第二調整桿，係可活動地橫向設於該本體單元位於前後側之該等橫桿之間，而使該第二調整桿可左右移動，另該等碗座係鎖固於該第二調整桿上。
依據申請專利範圍第1項所述之具有防震、隔振功能之音響架，更包含有：至少一個置線架組，係設於該本體單元後方，該置線架組包含有二置線架，該等置線架分別設置於該本體單元之左右二側，並位於同一水平面上，其中，每一該置線架具有一橫向之置放部，該置放部之一端係鎖固於該立桿上，另一端則朝上延伸並形成一縱向之限位部。
依據申請專利範圍第1項所述之具有防震、隔振功能之音響架，更包含有：一承接板，係具有一板體，於該板體底部對應該等碗座朝下凸設有複數個凸柱，使該等凸柱可分別置於該等碗座之圓形凹槽內。
依據申請專利範圍第1項所述之具有防震、隔振功能之音響架，其中該等立桿底部皆設有一隔振塊，該等隔振塊底面皆朝下凸設有複數個平行之止滑條，其中，位於該本體單元前方之止滑條係沿該本體單元前後之方向平行而設，位於該本體單元後方之止滑條則係沿該本體單元之左右方向平行而設。
一種電子裝置，包含：<br/>一第一電路板；<br/>一第二電路板，設置在所述第一電路板上；以及<br/>至少一彈性傳輸結構，具有兩個連接部和一可撓部，其中所述可撓部位於所述兩個連接部之間，所述至少一彈性傳輸結構的所述兩個連接部分別連接所述第一電路板和所述第二電路板，所述至少一彈性傳輸結構包含：<br/>一柔性襯底；以及<br/>一光信號傳輸通道件，位於所述柔性襯底內而由所述柔性襯底包覆，且具有顯露於所述柔性襯底的一第一接口及一第二接口，其中所述光信號傳輸通道件適於傳輸在所述第一電路板和所述第二電路板之間的一光信號。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述至少一彈性傳輸結構還包含：<br/>一線路層，與所述柔性襯底堆疊，且電性連接所述第一電路板和所述第二電路板。
如請求項2所述的電子裝置，還包含：<br/>多個固定件，分別位於所述兩個連接部上，其中所述多個固定件至少一個設置在所述至少一彈性傳輸結構和所述第一電路板之間，所述多個固定件至少另外一個設置在所述至少一彈性傳輸結構和所述第二電路板之間；<br/>其中所述至少一彈性傳輸結構經由所述多個固定件至少一個電性連接並固定所述第一電路板，且經由所述多個固定件至少另外一個電性連接並固定所述第二電路板。
如請求項1所述的電子裝置，還包含：<br/>一第一光電轉換元件，裝設在所述至少一彈性傳輸結構上，且覆蓋所述第一接口，其中所述第一光電轉換元件位於所述光信號的傳遞路徑上；以及<br/>一反射件，設置在所述光信號傳輸通道件內，且位於所述光信號的傳遞路徑上；<br/>其中所述光信號傳輸通道件包含一第一分段及一第二分段，所述第一分段和所述第二分段連接；<br/>其中所述第一光電轉換元件在所述柔性襯底上的垂直投影與所述第一分段在所述柔性襯底上的垂直投影重疊；<br/>其中所述反射件位於所述第一分段和所述第二分段之間，且用於傳輸在所述第一分段和所述第二分段之間的所述光信號。
如請求項1所述的電子裝置，還包含：<br/>一第二光電轉換元件，裝設在所述第一電路板和所述第二電路板中的其中一個上，且鄰接所述第二接口，其中所述第二光電轉換元件位於所述光信號的傳遞路徑上。
如請求項1所述的電子裝置，還包含：<br/>多個金屬支架，沿著所述至少一彈性傳輸結構的至少部分邊緣分布，其中所述多個金屬支架連接在所述至少一彈性傳輸結構和所述第一電路板之間，以及連接在所述至少一彈性傳輸結構和所述第二電路板之間。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述至少一彈性傳輸結構還包含：<br/>多個固化件，間隔地分布在所述可撓部上，且嵌設於所述柔性襯底，其中所述多個固化件未接觸到所述光信號傳輸通道件，所述多個固化件的彈性模數大於所述柔性襯底的彈性模數。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述至少一彈性傳輸結構還包含：<br/>一金屬膜，設置於所述柔性襯底和所述光信號傳輸通道件之間，其中所述金屬膜環繞所述光信號傳輸通道件的外表面，且顯露所述第一接口和所述第二接口。
一種電子裝置，包含：<br/>一第一電路板；<br/>多個第二電路板，間隔地設置在所述第一電路板上；以及<br/>多個彈性傳輸結構，分別連接在所述第一電路板和所述多個第二電路板之間，其中所述多個彈性傳輸結構其中一個包含：<br/>一柔性襯底；以及<br/>一光信號傳輸通道件，位於所述柔性襯底內而由所述柔性襯底包覆，且具有顯露於所述柔性襯底的一第一接口及一第二接口，其中所述光信號傳輸通道件適於傳輸在所述第一電路板和所述多個第二電路板其中一個之間的一光信號。
一種電子裝置，包含：<br/>多個第一電路板；<br/>多個第二電路板，分別設置在所述多個第一電路板上；以及<br/>多個彈性傳輸結構，分別連接在所述多個第一電路板和所述多個第二電路板之間，其中所述多個彈性傳輸結構其中一個包含：<br/>一柔性襯底；以及<br/>一光信號傳輸通道件，位於所述柔性襯底內而由所述柔性襯底包覆，且具有顯露於所述柔性襯底的一第一接口及一第二接口，其中所述光信號傳輸通道件適於傳輸在所述多個第一電路板其中一個和所述多個第二電路板其中一個之間的一光信號。
一種以雷射清潔晶圓治具的方法，包含：<br/> 一晶圓治具的表面累積一汙染物後，一處理單元控制一移動單元帶動一測距單元移動至該晶圓治具上方的一基準高度位置，該基準高度位置係指該晶圓治具表面未累積該汙染物時，自該晶圓治具表面向上延伸一基準高度的位置；<br/> 該處理單元控制該移動單元帶動該測距單元沿一直線路徑水平地自一起點移動至一終點，該測距單元並分別量測從累積該汙染物的該晶圓治具表面至該基準高度位置在該起點的一起點高度及該終點的一終點高度，以及量測該晶圓治具表面從該起點到該終點的一水平距離；<br/> 該處理單元取得該起點高度、該終點高度及該水平距離後，根據該起點高度與該終點高度的一高度差值，以及該水平距離，將該晶圓治具表面在該直線路徑上區分出複數區分區域；<br/> 該處理單元控制該移動單元帶動一雷射單元移動至該基準高度位置，且控制該移動單元帶動該雷射單元沿該直線路徑水平地自該起點開始移動；<br/> 當該雷射單元進入其中一區分區域時，該處理單元根據該高度差值、該水平距離及該其中一區分區域為自該起點開始的第幾個所述區分區域，控制該雷射單元的一雷射功率大小，該雷射單元以該雷射功率朝該晶圓治具發射一雷射，該雷射單元並順著該直線路徑通過該其中一區分區域，而清除該其中一區分區域中的該汙染物。
如請求項1所述之以雷射清潔晶圓治具的方法，進一步，該雷射單元在清除該其中一區分區域中的該汙染物時，該雷射單元係由該其中一區分區域一側的一區分起點移動到另一側的一區分終點，該區分起點靠近該起點，該區分終點靠近該終點；該雷射單元到達該區分終點後，該處理單元控制該雷射單元停止發出該雷射，該處理單元控制該測距單元移動至該其中一區分區域的該區分起點，該測距單元並量測從該晶圓治具表面至該基準高度位置在該區分起點的一區分起點高度；當該區分起點高度與一預設高度的差小於一閾值時，該處理單元控制該雷射單元移動至下一個所述區分區域；當該區分起點高度與該預設高度的差不小於該閾值時，該處理單元控制該雷射單元移動至該其中一區分區域的該區分起點，該處理單元並根據該區分起點高度與該預設高度控制該雷射功率，該雷射單元進而重新發出該雷射並順著該直線路徑再次通過該其中一區分區域，而清除該其中一區分區域中的該汙染物。
如請求項2所述之以雷射清潔晶圓治具的方法，進一步，該預設高度係為該終點高度，或者，該預設高度係為該基準高度。
如請求項1所述之以雷射清潔晶圓治具的方法，進一步，該測距單元即為該雷射單元，該處理單元透過將該雷射功率調整為1至10瓦特之間，該雷射單元而作為該測距單元使用。
如請求項1所述之以雷射清潔晶圓治具的方法，進一步，該測距單元為另一雷射單元。
如請求項1所述之以雷射清潔晶圓治具的方法，進一步，所述區分區域的數量介於3至100個之間。
如請求項1所述之以雷射清潔晶圓治具的方法，進一步，該晶圓治具上有一晶圓加工位置，該起點靠近該晶圓加工位置，該終點遠離該晶圓加工位置。
如請求項1所述之以雷射清潔晶圓治具的方法，進一步，該處理單元係根據該高度差值、該水平距離及該其中一區分區域為自該起點開始的第幾個所述區分區域，計算該其中一區分區域的一平均高度，該處理單元再根據該平均高度控制該雷射功率。
一種托架裝置，包含：一托架具有一側板及一端板連接該側板；一安裝件安排在該托架的端板；一鎖件可相對該托架在一第一位置與一第二位置之間位移；以及一限位件安排在該托架的側板；其中，該限位件能抵扣該鎖件，使該鎖件能夠相對該托架的端板具有一拉伸力；其中，該限位件包含一固定部、一卡勾部以及一彈性部連接在該固定部與該卡勾部之間，該鎖件借助該限位件的卡勾部抵扣而能夠相對該托架的端板具有該拉伸力；其中，該鎖件包含一基部，該基部具有至少一凸出段相對該基部彎折，該限位件的卡勾部抵扣該鎖件的基部的至少一凸出段，使該鎖件能夠相對該托架的端板具有該拉伸力；其中，該托架與該鎖件的其中之一具有一位移區間，該鎖件借助該位移區間能夠相對該托架在該第一位置與該第二位置之間位移；其中，該托架裝置更包含一樞接件穿置該位移區間的一部分，該鎖件借助該樞接件能夠相對該托架樞轉。
如請求項1所述之托架裝置，更包含一彈性件提供一彈力至該鎖件，該鎖件回應該彈性件的彈力而位於一預定位置。
如請求項2所述之托架裝置，其中，該托架的端板與該側板之間大致是呈垂直地連接，該鎖件更包含一鎖部，當該鎖件相對該托架處於該第一位置時，該鎖件的鎖部相對該托架的端板具有一第一距離；當該鎖件的鎖部相對該托架處於該第二位置時，該鎖件的鎖部相對該托架的端板具有一第二距離。
如請求項3所述之托架裝置，其中，該托架具有至少一耳部連接該側板，該至少一耳部具有該位移區間，該樞接件穿置在該鎖件的基部的凸出段與該托架的至少一耳部的位移區間。
如請求項1所述之托架裝置，其中，該托架的側板具有一開口位置對應該鎖件的基部。
如請求項1所述之托架裝置，其中，該鎖件的基部的至少一凸出段具有一抵靠特徵，該限位件的卡勾部包含一抵扣段，該鎖件的基部的至少一凸出段的抵靠特徵與該限位件的卡勾部的抵扣段可相互為導引的斜面。
如請求項1所述之托架裝置，其中，該位移區間為一長孔或一長槽。
如請求項3所述之托架裝置，其中，該鎖件的鎖部具有一安裝孔，該托架裝置包含一鎖固件可借助該安裝孔鎖固至該托架的端板。
一種托架裝置，可安裝至一機柱，該機柱具有一孔，該托架裝置包含：一托架具有一側板及一端板，該托架的端板與該側板之間大致是垂直地連接；一安裝件安排在該托架的端板，該安裝件用以穿置於該機柱的孔；一鎖件安裝在該托架，該鎖件與該托架的其中之一具有一位移區間，該鎖件借助該位移區間能夠相對該托架在一第一位置與一第二位置之間位移；一限位件安排在該托架的側板；一樞接件穿置該位移區間的一部分，該鎖件借助該樞接件能夠相對該托架樞轉；以及一彈性件提供一彈力至該鎖件；其中，該限位件能抵扣該鎖件，使該鎖件能夠相對該機柱具有一拉伸力；其中，該限位件包含一固定部、一卡勾部以及一彈性部連接在該固定部與該卡勾部之間，該鎖件借助該限位件的卡勾部抵扣而能夠相對該機柱具有該拉伸力；其中，該鎖件包含一基部，該基部具有至少一凸出段相對該基部彎折，該限位件的卡勾部抵扣該鎖件的基部的至少一凸出段，使該鎖件能夠相對該機柱具有該拉伸力；其中，該鎖件更包含一鎖部，當該鎖件相對該托架處於該第一位置時，該鎖件的鎖部相對該托架的端板具有一第一距離；當該鎖件的鎖部相對該托架處於該第二位置時，該鎖件的鎖部相對該托架的端板具有一第二距離；其中，該托架具有至少一耳部連接該側板，該至少一耳部具有該位移區間，該樞接件穿置在該鎖件的基部的凸出段與該托架的至少一耳部的位移區間。
如請求項9所述之托架裝置，其中，該托架的側板具有一開口位置對應該鎖件的基部。
如請求項9所述之托架裝置，其中，該位移區間為一長孔或一長槽。
一種托架裝置，可安裝至一機柱，該機柱具有一孔，該托架裝置包含：一托架具有一側板及一端板，該托架的端板與該側板之間大致是垂直地連接；一安裝件安排在該托架的端板，該安裝件用以穿置於該機柱的孔；一鎖件安裝在該托架，該鎖件與該托架的其中之一具有一位移區間，該鎖件借助該位移區間能夠相對該托架在一第一位置與一第二位置之間位移；一限位件安排在該托架的側板；一樞接件穿置該位移區間的一部分，該鎖件借助該樞接件能夠相對該托架樞轉；以及一彈性件提供一彈力至該鎖件；其中，該限位件能抵扣該鎖件，使該鎖件能夠相對該機柱具有一拉伸力；其中，該限位件包含一固定部、一卡勾部以及一彈性部連接在該固定部與該卡勾部之間，該鎖件借助該限位件的卡勾部抵扣而能夠相對該機柱具有該拉伸力；其中，該鎖件包含一基部，該基部具有至少一凸出段相對該基部彎折，該限位件的卡勾部抵扣該鎖件的基部的至少一凸出段，使該鎖件能夠相對該機柱具有該拉伸力；其中，該鎖件的基部的至少一凸出段具有一抵靠特徵，該限位件的卡勾部包含一抵扣段，該鎖件的基部的至少一凸出段的抵靠特徵與該限位件的卡勾部的抵扣段可相互為導引的斜面。
一種虛擬替身建模方法，包含：<br/> 由一處理器提取一輸入影像當中的一前景物件；<br/> 針對該前景物件由該處理器預測一虛擬骨架，該虛擬骨架包含複數個骨架節點；<br/> 根據該複數個骨架節點，由該處理器添加複數個輔助虛擬骨骼；<br/> 根據該虛擬骨架以及該複數個輔助虛擬骨骼，由該處理器將該前景物件分割為複數個身體部位區塊；<br/> 依照該複數個身體部位區塊的分布由該處理器將該前景物件關聯至該虛擬骨架，藉此由該處理器將該前景物件轉換為一虛擬替身。
如請求項1所述之虛擬替身建模方法，其中當該虛擬替身活動時，<br/> 該虛擬替身中對應同一身體部位區塊的一虛擬替身區塊將作為整體同步移動或旋轉，<br/> 該虛擬替身中對應不同身體部位區塊的不同虛擬替身區塊彼此之間可相對移動或旋轉。
如請求項1所述之虛擬替身建模方法，其中該虛擬骨架包含位於一鼻子節點與一胸口節點之間的一虛擬頸椎骨，添加該複數個輔助虛擬骨骼之步驟包含：<br/> 由該處理器添加與該虛擬頸椎骨垂直的至少一第一輔助虛擬骨骼。
如請求項3所述之虛擬替身建模方法，其中該虛擬骨架包含位於一第一肩膀節點與該胸口節點之間的一第一虛擬肩胛骨、位於一第二肩膀節點與該胸口節點之間的一第二虛擬肩胛骨、以及位於該胸口節點與一骨盆中點之間的一虛擬脊椎骨，添加該複數個輔助虛擬骨骼之步驟包含：<br/> 由該處理器添加由該第一肩膀節點連接至該骨盆中點的一第二輔助虛擬骨骼；以及<br/> 由該處理器添加由該第二肩膀節點連接至該骨盆中點的一第三輔助虛擬骨骼。
如請求項3所述之虛擬替身建模方法，其中該虛擬骨架包含位於一第一肩膀節點與該胸口節點之間的一第一虛擬肩胛骨、位於一第二肩膀節點與該胸口節點之間的一第二虛擬肩胛骨、位於一第一髖部節點與一骨盆中點之間的一第一虛擬髖骨、以及位於一第二髖部節點與該骨盆中點之間的一第二虛擬髖骨，添加該複數個輔助虛擬骨骼之步驟包含：<br/> 由該處理器添加由該第一髖部節點向該第一肩膀節點延伸的一第四輔助虛擬骨骼；以及<br/> 由該處理器添加由該第二髖部節點向該第二肩膀節點延伸的一第五輔助虛擬骨骼。
如請求項5所述之虛擬替身建模方法，其中該輔助虛擬骨骼用於輔助更精確地分割該複數個身體部位區塊，<br/> 其中該至少一第一輔助虛擬骨骼用以輔助一頭部區塊與一脖子區塊正確地分割，<br/> 其中該第四輔助虛擬骨骼以及該第五輔助虛擬骨骼用以輔助一軀幹區塊、一左手區塊與一右手區塊正確地分割。
如請求項1所述之虛擬替身建模方法，其中該複數個輔助虛擬骨骼並非對應身體骨骼也並非該虛擬骨架當中的任一虛擬骨骼。
如請求項 1所述之虛擬替身建模方法，其中由該處理器將該前景物件分割為該複數個身體部位區塊的步驟包含：<br/> 藉由從一起始骨架節點開始向外擴散至碰到該虛擬骨架的另一骨架節點或碰到該複數個輔助虛擬骨骼為止，來定義該複數個身體部位區塊其中一者的邊界。
如請求項 1所述之虛擬替身建模方法，其中預測該虛擬骨架的步驟之後，該虛擬替身建模方法更包含：<br/> 根據該複數個骨架節點的分布，由該處理器判斷產生的該虛擬骨架的姿勢是否正確。
如請求項9所述之虛擬替身建模方法，其中判斷產生的該虛擬骨架的姿勢是否正確的步驟包含：<br/> 由該處理器根據該複數個骨架節點決定一上身三角形以及至少一下身三角形；<br/> 由該處理器判斷該上身三角形與該至少一下身三角形是否重疊；<br/> 若該上身三角形與該至少一下身三角形未重疊，由該處理器判斷該虛擬骨架的姿勢正確；以及<br/> 若該上身三角形與該至少一下身三角形重疊，由該處理器判斷該虛擬骨架的姿勢錯誤。
如請求項10所述之虛擬替身建模方法，其中該至少一下身三角形包含由一骨盆中點、一第一膝蓋節點以及一第二膝蓋節點決定的一第一下身三角形，並且包含由該骨盆中點、一第一腳踝節點以及一第二腳踝節點決定的一第二下身三角形，<br/> 若該上身三角形與該第一下身三角形及該第二下身三角形均未重疊，由該處理器判斷該虛擬骨架的姿勢正確，<br/> 若該上身三角形與該第一下身三角形或該第二下身三角形任一者重疊，由該處理器判斷該虛擬骨架的姿勢錯誤。
如請求項9所述之虛擬替身建模方法，其中若判斷該虛擬骨架之姿勢錯誤，該虛擬替身建模方法更包含：<br/> 由該處理器運行一擴散模型基於該前景物件產生一修正後前景物件；以及<br/> 由該處理器對該修正後前景物件預測該修正後前景物件之複數個修正後骨架節點以產生一修正後虛擬骨架。
如請求項12所述之虛擬替身建模方法，其中基於該前景物件，該擴散模型用以重新產生類人(human-like)且姿態為臉朝正面且雙手自然下垂的該修正後前景物件。
如請求項12所述之虛擬替身建模方法，更包含：<br/> 根據該複數個修正後骨架節點的分布，由該處理器判斷該修正後虛擬骨架的姿勢是否正確；以及<br/> 若判斷該修正後虛擬骨架的姿勢仍錯誤，由該處理器運行該擴散模型基於該前景物件再次產生另一修正後前景物件。
一種虛擬替身建模系統，包含：<br/> 一通訊介面，用以接收一輸入影像；<br/> 一儲存單元，用以儲存一物件偵測模型以及一骨架預測模型；<br/> 一處理器，與該通訊介面以及該儲存單元耦接，該處理器用以：<br/> 運行該物件偵測模型以提取該輸入影像當中的一前景物件；<br/> 運行該骨架預測模型針對該前景物件預測複數個骨架節點之位置以產生一虛擬骨架；<br/> 根據該複數個骨架節點，添加複數個輔助虛擬骨骼；<br/> 根據該虛擬骨架以及該複數個輔助虛擬骨骼，將該前景物件分割為複數個身體部位區塊；以及<br/> 依照該複數個身體部位區塊的分布將該前景物件關聯至該虛擬骨架，藉此將該前景物件轉換為一虛擬替身。
如請求項15所述之虛擬替身建模系統，其中該虛擬骨架包含位於一鼻子節點與一胸口節點之間的一虛擬頸椎骨、一第一肩膀節點與該胸口節點之間的一第一虛擬肩胛骨、位於一第二肩膀節點與該胸口節點之間的一第二虛擬肩胛骨、位於一第一髖部節點與一骨盆中點之間的一第一虛擬髖骨、以及位於一第二髖部節點與該骨盆中點之間的一第二虛擬髖骨，該處理器用以：<br/> 添加與該虛擬頸椎骨垂直的至少一第一輔助虛擬骨骼；<br/> 添加由該第一肩膀節點連接至該骨盆中點的一第二輔助虛擬骨骼；<br/> 添加由該第二肩膀節點連接至該骨盆中點的一第三輔助虛擬骨骼；<br/> 添加由該第一髖部節點向該第一肩膀節點延伸的一第四輔助虛擬骨骼；以及<br/> 添加由該第二髖部節點向該第二肩膀節點延伸的一第五輔助虛擬骨骼。
如請求項16所述之虛擬替身建模系統，其中該輔助虛擬骨骼用於輔助更精確地分割該複數個身體部位區塊，<br/> 其中該至少一第一輔助虛擬骨骼用以輔助一頭部區塊與一脖子區塊正確地分割，<br/> 其中該第二輔助虛擬骨骼、該第三輔助虛擬骨骼、該第四輔助虛擬骨骼以及該第五輔助虛擬骨骼用以輔助一軀幹區塊、一左手區塊與一右手區塊正確地分割。
如請求項 15所述之虛擬替身建模系統，其中預測該前景物件之該複數個骨架節點以產生該虛擬骨架的步驟之後，該處理器更用以：<br/> 根據該複數個骨架節點的分布，判斷產生的該虛擬骨架的姿勢是否正確。
如請求項18所述之虛擬替身建模系統，其中關於判斷該虛擬骨架的姿勢是否正確，該處理器更用以：<br/> 根據該複數個骨架節點決定一上身三角形以及至少一下身三角形；<br/> 判斷該上身三角形與該至少一下身三角形是否重疊；<br/> 若該上身三角形與該至少一下身三角形未重疊，判斷該虛擬骨架的姿勢正確；以及<br/> 若該上身三角形與該至少一下身三角形重疊，判斷該虛擬骨架的姿勢錯誤。
如請求項19所述之虛擬替身建模系統，其中若判斷該虛擬骨架之姿勢錯誤，該處理器更用以：<br/> 運行一擴散模型基於該前景物件產生一修正後前景物件；以及<br/> 對該修正後前景物件預測該修正後前景物件之複數個修正後骨架節點以產生一修正後虛擬骨架。
一種浮動連接器，包括固定殼體、可動殼體以及至少一個接觸件組合體，該可動殼體具備於第一方向與配對連接器嵌合的嵌合部，該可動殼體係以可在垂直於該第一方向的平面上相對該固定殼體移動的方式裝配至該固定殼體，<br/> 該至少一個接觸件組合體包含絕緣保持構件及複數個接觸件，該等接觸件係由導電材料製成且在垂直於該第一方向的第二方向上以預定的間距排列，每一個接觸件包含：焊接部、第一保持部、彈簧部、第二保持部及接觸部，<br/> 該第一保持部係由該固定殼體所保持，該第二保持部係由該絕緣保持構件所保持，該第一保持部延續自該焊接部，該彈簧部連接該第一保持部及該第二保持部，該接觸部延續自該第二保持部且被定位在該嵌合部，<br/> 該絕緣保持構件包覆該至少一個接觸件組合體中的每一個接觸件的該第二保持部，使得該複數個接觸件係由該絕緣保持構件所保持，<br/> 該絕緣保持構件係被固定在該可動殼體，使得該絕緣保持構件能夠隨著該可動殼體一起相對於該固定殼體移動，<br/> 其中該可動殼體具有背離該嵌合部的收容開口，該收容開口係構造成允許該絕緣保持構件沿該第一方向插入該收容開口並固定在該收容開口中。
如請求項1所述的浮動連接器，其中該絕緣保持構件係形成有沿該第一方向延伸的複數個導軌，而該可動殼體係在該收容開口的內壁面形成有沿該第一方向延伸的複數個導槽，該複數個導槽係與該複數個導軌對應。
如請求項2所述的浮動連接器，其中該絕緣保持構件係形成有卡合凸起部，該卡合凸起部防止該絕緣保持構件在被插入該收容開口之後脫離該收容開口。
如請求項1至3中任一項所述的浮動連接器，其中該絕緣保持構件該等接觸件係藉由嵌入成形(insert molding)而一體成形。
如請求項1至3中任一項所述的浮動連接器，其中該複數個接觸件包含複數個信號接觸件及複數個接地接觸件。
如請求項5所述的浮動連接器，其中每一個接地接觸件的第二保持部具有第一寬度，每一個信號接觸件的第二保持部具有第二寬度，該第一寬度大於該第二寬度。
如請求項1至3中任一項所述的浮動連接器，其中該嵌合部係構造成公型嵌合部或母型嵌合部。
如請求項1至3中任一項所述的浮動連接器，其中該浮動連接器進一步包含複數個電源接觸件，每一個電源接觸件包含：電源側焊接部、第一電源側保持部、電源側彈簧部、第二電源側保持部及電源側接觸部，該第一電源側保持部係由該固定殼體所保持，該第二電源側保持部係由該可動殼體所保持，該第一電源側保持部延續自該電源側焊接部，該電源側彈簧部連接該第一電源側保持部及該第二電源側保持部，該電源側接觸部延續自該第二電源側保持部且被定位在該嵌合部。
一種浮動板對板連接器總成，包含二個浮動連接器，該二個浮動連接器將分別被安裝在彼此獨立的二個電路板，透過該二個浮動連接器之間的接合，建立該二個電路板之間的電連接，其中每一個浮動連接器係如請求項1至8中任一項所述的浮動連接器，該二個浮動連接器中的一個浮動連接器的嵌合部係構造成公型嵌合部，而該二個浮動連接器中的另一個浮動連接器的嵌合部係構造成母型嵌合部。
一種去除廢水中之全氟/多氟烷基物質的處理劑，係包含添加量為廢水總重量的1%至20%的鐵鋁複合金屬材料(FeAl)，以及濃度為2 mg/L至400 mg/L的二甲基亞碸(DMSO)。
如請求項1所述之去除廢水中之全氟/多氟烷基物質的處理劑，其中，鐵鋁複合金屬材料(FeAl)鐵、鋁配比以重量比值計為15%(w/w)。
如請求項2所述之去除廢水中之全氟/多氟烷基物質的處理劑，其中，所述FeAl的製備步驟包括：<br/> (1)將鹽酸(HCl)加入鋁粉溶液混合反應形成反應溶液；<br/> (2)將氯化鐵(FeCl₃)溶液加入反應溶液中，反應生成FeAl複合金屬；<br/> (3)反應結束，透過水洗及過濾，獲得具有高比表面積的FeAl複合金屬顆粒。
如請求項3所述之去除廢水中之全氟/多氟烷基物質的處理劑，其中，FeAl之鐵、鋁配比以重量比值為15%(w/w)。
一種去除廢水中之全氟/多氟烷基物質的方法，其步驟係包括：<br/> 步驟一：於含有PFAS的廢水中加入添加量為廢水總重量的1%至20% (wt)的鐵鋁複合金屬材料(FeAl)，以及濃度為2 mg/L至400 mg/L的二甲基亞碸(DMSO)，使其與PFAS及DMSO進行氧化還原反應；<br/> 步驟二：該PFAS發生脫羧、脫氟的連鎖循環反應，降解為短鏈氟烷化物，最後礦化為CO<sub>2</sub>與F<sup>-</sup>離子，其中F<sup>-</sup>再與金屬離子結合成為金屬氟化物從水中移除；<br/> 步驟三：該短鏈氟烷化物透過FeAl催化的芬頓(Fenton)氧化作用，生成有機酸，該有機酸除進入脫碳連鎖循環反應外，也可於後續混凝單元中與混凝劑錯合，於沉澱或過濾過程中去除，完成PFAS的降解與去除。
如請求項5所述之去除廢水中之全氟/多氟烷基物質的方法，其中，PFAS的降解過程包含以下步驟：<br/> 步驟一：DMSO形成氧硫葉立德(sulfoxoniumylide)中間體促進PFAS羧基脫離，產生氟烷(C<sub>x</sub>F<sub>2x+1</sub>H)與醇(C<sub>x</sub>F<sub>2x+1</sub>OH)與CO<sub>2</sub>；<br/> 步驟二：氟烷、醇類與DMSO作用依Kornblum或Swern氧化機制生成醯氟、醛或酮；<br/> 步驟三：醯氟、醛或酮氧化為羧酸，進入步驟一的脫酸反應；<br/> 步驟四：FeAl提供的電子使吸附的PFAS發生加氫脫氟反應形成烯類及烯醇類的中間產物；<br/> 步驟五：FeAl催化的水相高級氧化反應將上述的中間產物轉化為醇類與羧酸類等小分子有機物。
如請求項5所述之去除廢水中之全氟/多氟烷基物質的方法，其中，鐵鋁複合金屬材料(FeAl)添加量為廢水總重量的1%至20% (wt)。
如請求項7所述之去除廢水中之全氟/多氟烷基物質的方法，其中，所述FeAl的製備步驟包括：<br/> (1)將鹽酸(HCl)加入鋁粉溶液混合反應形成反應溶液；<br/> (2)將氯化鐵(FeCl₃)溶液加入反應溶液中，反應生成FeAl複合金屬；<br/> (3)反應結束，透過水洗及過濾，獲得具有高比表面積的FeAl複合金屬顆粒。
如請求項8所述之去除廢水中之全氟/多氟烷基物質的方法，其中，鐵鋁複合金屬材料(FeAl)之鐵、鋁配比以重量比值計為15%(w/w)。
如請求項6所述之去除廢水中之全氟/多氟烷基物質的方法，其中，所述水相高級氧化反應為芬頓反應。
一種機架系統，包含：一機架具有位置相對的一第一側及一第二側，該第一側與該第二側皆包含有一預定部；以及一對滑軌總成，該對滑軌總成之每一滑軌總成皆包含：一第一軌具有一外側與一內側；一第二軌可相對該第一軌縱向地位移，且該第二軌位於相鄰該第一軌的內側；及一托架裝置安排在該第一軌，且該托架裝置包含一機架安裝特徵；其中，該對滑軌總成之第一軌的外側皆包含一預定空間，該預定空間皆具有一導引特徵能與該機架的預定部相互導引作用；其中，該對滑軌總成的第一軌透過該托架裝置能夠分別安裝至該機架的第一側與第二側，且該對滑軌總成之第一軌的外側可相對於該托架裝置的機架安裝特徵縱向地在一第一安裝位置或一第二安裝位置間位移。
如請求項1所述之機架系統，其中，當該對滑軌總成之托架裝置的托架相對該第一軌處於該第一安裝位置時，該第一軌之外側的預定空間橫向地直接對應於該托架之機架安裝特徵的側邊；當該對滑軌總成之托架裝置的托架相對該第一軌處於該第二安裝位置時，該第一軌之外側的預定空間不再橫向地直接對應於該托架之機架安裝特徵的側邊。
如請求項2所述之機架系統，其中，當該對滑軌總成之托架裝置的托架相對該第一軌處於該第一安裝位置且分別安裝至該機架的第一側與第二側時，該機架之第一側與第二側的預定部分別橫向地直接對應於該對滑軌總成之第一軌的外側的預定空間內，使該對滑軌總成相對彼此之間具有一第一承載寬度。
如請求項3所述之機架系統，其中，當該對滑軌總成之托架裝置的托架相對該第一軌處於該第二安裝位置且分別安裝至該機架的第一側與第二側時，該機架之第一側與第二側的預定部皆未橫向地直接對應於該對滑軌總成之第一軌的外側的預定空間內，使該對滑軌總成相對彼此之間具有一第二承載寬度。
如請求項4所述之機架系統，其中，該第一承載寬度大於該第二承載寬度。
如請求項4所述之機架系統，其中，該對滑軌總成之每一滑軌總成之第一軌皆包含一第一牆、一第二牆與一縱向牆連接在該第一軌的第一牆與第二牆之間，該縱向牆的外側安排有該預定空間。
如請求項6所述之機架系統，其中，該對滑軌總成之每一滑軌總成之第一軌的第一牆與第二牆的其中之一安排有該預定空間。
如請求項6所述之機架系統，其中，該對滑軌總成之每一滑軌總成之第一軌的縱向牆的外側具有複數個第一表面、一第二表面以及一導引部連接在這些第一表面與該第二表面之間構成該導引特徵，這些第一表面與該第二表面相對彼此具有一橫向間距，使該第二表面上形成有該預定空間。
如請求項8所述之機架系統，其中，該對滑軌總成之每一滑軌總成之第一軌的縱向牆的每一第一表面與該第二表面處於不同的橫向水平上。
如請求項8所述之機架系統，其中，該對滑軌總成之每一滑軌總成之第一軌的縱向牆的導引部包含一凹圓角或一弧面，且圍繞在該第一軌之縱向牆的這些第一表面與該第二表面之間的連接處構成該導引特徵。
如請求項8所述之機架系統，其中，該對滑軌總成之每一滑軌總成之第一軌的縱向牆的第二表面包含貫通該第一軌的外側與內側的一破孔或一開孔。
如請求項1所述之機架系統，其中，該對滑軌總成之每一滑軌總成之第一軌具有位置相對的一第一端部與一第二端部；該預定空間位於該相鄰第一軌的第一端部與第二端部的其中之一。
如請求項1所述之機架系統，其中，該機架的第一側與第二側皆包含至少一機柱，該至少一機柱的其中之一安排有該預定部，且該對滑軌總成的托架裝置用以安裝在該至少一機柱。
一種滑軌總成，包含：一第一軌具有一外側；以及一托架裝置安排在該第一軌，且該托架裝置包含一機架安裝特徵；其中，該第一軌的外側包含一預定空間，該預定空間具有一導引特徵，且該滑軌總成之第一軌的外側可相對於該托架裝置的機架安裝特徵縱向地在一第一安裝位置或一第二安裝位置間位移。
如請求項14所述之滑軌總成，其中，該第一軌更具有位置相對該外側的一內側，該滑軌總成更包含一第二軌可相對該第一軌縱向地位移，且該第二軌位於相鄰該第一軌的內側。
如請求項14所述之滑軌總成，其中，該托架裝置包含一托架，且該托架上安排有該機架安裝特徵；當該托架相對該第一軌處於該第一安裝位置時，該第一軌之外側的預定空間橫向地直接對應於該托架之機架安裝特徵的側邊；當該托架相對該第一軌處於該第二安裝位置時，該第一軌之外側的預定空間不再橫向地直接對應於該托架之機架安裝特徵的側邊。
如請求項14所述之滑軌總成，其中，該第一軌包含一第一牆、一第二牆與一縱向牆連接在該第一軌的第一牆與第二牆之間；該第一軌之縱向牆的外側安排有該預定空間；該第一軌之縱向牆的外側具有複數個第一表面、一第二表面以及一導引部連接在這些第一表面與該第二表面之間構成該導引特徵，這些第一表面與該第二表面相對彼此具有一橫向間距，且該預定空間形成在該第二表面上。
如請求項17所述之滑軌總成，其中，每一第一表面與該第二表面處於不同的橫向水平上。
如請求項17所述之滑軌總成，其中，該第一軌之縱向牆的導引部包含一凹圓角或一弧面，且圍繞在該第一軌之縱向牆的這些第一表面與該第二表面之間的連接處構成該導引特徵。
如請求項19所述之滑軌總成，其中，該第一軌之縱向牆的第二表面包含貫通該第一軌的外側與內側的一破孔或一開孔。
一種具有互動式智能光導系統的爐具，包括：<br/> 一控制電路；<br/> 一加熱器，所述加熱器電連接於所述控制電路；<br/> 一人機操作介面，所述人機操作介面電連接於所述控制電路，所述人機操作介面能用於輸入操作指令；<br/> 一鍋具偵測器，所述鍋具偵測器電連接於所述控制電路，所述鍋具偵測器能用於偵測有無置放鍋具；<br/> 一溫度偵測器，所述溫度偵測器電連接於所述控制電路，所述溫度偵測器能用於偵測所述加熱器的工作溫度；<br/> 一第一顯示器，所述第一顯示器電連接於所述控制電路，所述第一顯示器能提供顯示功能；以及<br/> 一第二顯示器，所述第二顯示器電連接於所述控制電路，所述第二顯示器為光氛顯示模組，而能提供一光氛，而能根據所述鍋具偵測器與所述溫度偵測器的偵測變化所述光氛，而具有互動功能，包含加熱使用時所述鍋具有無偏擺即時狀態反饋，且所述控制電路電連接一效率偵測器，所述效率偵測器能用於偵測鍋具效率，並由所述第二顯示器變化所述光氛，加熱過程中同步以所述效率偵測器偵測分辨所述鍋具是否置中使用，若偵測判定所述鍋具偏擺時，加熱過程以所述光氛提醒。
如請求項1所述的具有互動式智能光導系統的爐具，其中所述爐具為一種IH爐，所述加熱器為一種電磁感應加熱裝置。
如請求項1所述的具有互動式智能光導系統的爐具，其中若偵測判定所述鍋具偏擺時，加熱過程所述光氛以閃爍或漸進亮度提醒。
如請求項1所述的具有互動式智能光導系統的爐具，其中還包括一音效輸出電路，所述音效輸出電路電連接於所述控制電路，所述音效輸出電路能發出提示音效或警示音效。
如請求項1所述的具有互動式智能光導系統的爐具，其中還包括一無線傳輸器，所述無線傳輸器電連接於所述控制電路，所述能用於無線傳輸。
如請求項1所述的具有互動式智能光導系統的爐具，其中當所述鍋具偵測器偵測到無置放所述鍋具時，所述光氛呈冷色調，有置放所述鍋具時，所述光氛呈暖色調。
如請求項1所述的具有互動式智能光導系統的爐具，其中所述鍋具偵測器偵測有無置放所述鍋具時，當有放置所述鍋具時，接著判斷所述加熱器加熱功能是否啟動，若加熱功能有啟動，以所述第二顯示器提供所述光氛變化。
如請求項1所述的具有互動式智能光導系統的爐具，其中所述溫度偵測器能量測監控所述鍋具加熱情形，加熱狀態時，所述光氛呈紅光，倒數狀態時，所述光氛以光珠或光點方式依序亮滅顯示，鎖定狀態時，所述光氛呈綠光且鎖定觸控功能，異常或警示狀態時，所述光氛呈紅光閃爍。
如請求項1所述的具有互動式智能光導系統的爐具，其中所述第二顯示器顯示模式呈現亮暗、漸進、閃爍、色溫變化或定位提醒。
如請求項1所述的具有互動式智能光導系統的爐具，其中所述溫度偵測器量測監控所述鍋具加熱情形，並把對應狀態輸出至所述第二顯示器，啟動加熱區間，所述第二顯示器色溫變化對應所述鍋具溫昇狀態，溫度漸進順序黃、橘、紅，所述光氛漸進提示效果，加熱區間出現異常高溫現象時，所述光氛紅光閃爍，加熱功能關閉後，配合所述人機操作介面的燙手提醒功能，同步顯示所述第二顯示器狀態，所述光氛暖色調閃爍。
一種用於照明之設備，其包括： <br/>一氣體收容容器，其用於收容一氣體，其中該氣體包含至少三原子氧，其中該氣體收容容器經組態以自一泵浦源接收用於使一電漿在該氣體收容容器內持續之泵浦照明，其中該氣體收容容器之一或多個部分透射該泵浦照明及由該電漿發射之寬頻光之一部分。
如請求項1之設備，其進一步包括： <br/>一臭氧產生單元，其包含一或多個照明源，其中該一或多個照明源經組態以產生足以將收容於該氣體收容容器內之雙原子氧(O<sub>2</sub>)之一部分轉換為三原子氧(O<sub>3</sub>)之一能量之一照明光束。
一種用於照明之方法，其包括： <br/>在一氣體收容容器內之一選定位置處使用一或多個照明光束將收容於該氣體收容容器內之雙原子氧之一部分轉換為三原子氧； <br/>產生一或多個泵浦光束； <br/>經由該三原子氧之一部分吸收一或多個能量源之能量來點燃一電漿；及 <br/>收集由該電漿發射之寬頻照明之一部分。
如請求項3之方法，其中在一氣體收容容器內之一選定位置處使用一或多個照明光束將收容於該氣體收容容器內之雙原子氧之一部分轉換為三原子氧包括： <br/>在該氣體收容容器內之一選定位置處使用一或多個照明之光束將收容於該氣體收容容器內之雙原子氧之一部分轉換為三原子氧。
如請求項4之方法，其中使用一或多個放電燈產生該一或多個照明之光束。
如請求項5之方法，其中該一或多個放電燈包括： <br/>一水銀放電燈或氘燈。
如請求項4之方法，其中使用一或多個微波產生器產生該一或多個照明之光束。
如請求項4之方法，其中使用一或多個雷射產生該一或多個照明之光束。
如請求項3之方法，其中該一或多個能量源包括： <br/>一電點火源、一電磁點火源或一雷射點火源之至少一者。
如請求項9之方法，其中該雷射點火源包含一或多個起動雷射。
如請求項10之方法，其中該一或多個起動雷射包括： <br/>一或多個脈衝雷射，其中來自該一或多個脈衝雷射之光由該氣體收容容器內之該三原子氧之該部分吸收以點燃該電漿。
如請求項3之方法，其中該一或多個泵浦光束充當該一或多個能量源以點燃收容於該氣體收容容器內之該氣體內之該電漿。
如請求項12之方法，其中經由一或多個泵浦源產生該一或多個泵浦光束。
如請求項13之方法，其中該一或多個泵浦源包括： <br/>一或多個雷射。
如請求項14之方法，其中該一或多個泵浦源包括： <br/>一或多個紅外雷射。
如請求項15之方法，其中該一或多個泵浦源包括： <br/>一或多個連續波(CW)紅外雷射，其中來自該一或多個CW雷射之紅外光由該氣體收容容器內之該三原子氧之該部分吸收以點燃該電漿。
如請求項3之方法，其中該雙原子氧係包含於一氣體混合物內。
如請求項17之方法，其中該氣體混合物包括： <br/>與雙原子氧混合之氬氣、氪氣、氙氣或三原子氧之至少一者。
如請求項3之方法，其中該氣體收容容器包括： <br/>一電漿球、一電漿單元或一電漿室之至少一者。
如請求項3之方法，其進一步包括： <br/>使用經收集之該寬頻照明執行檢測或度量之至少一者。
一種空調系統，其特徵在於包含：第1單元，其具有第1風扇，該第1風扇自包含用於醫療或醫藥品之製造之無塵室之天花板內部之空間的腔室向前述無塵室進行供氣；及 <br/>第2單元，其具有第2風扇，該第2風扇進行使前述無塵室之空氣經由前述腔室回風、及自前述無塵室排氣之至少一者；及 <br/>控制部，其藉由控制前述第1風扇及前述第2風扇中之至少一者，控制前述無塵室之室壓；且 <br/>複數個前述無塵室各者之天花板內部之前述空間，作為一個共通之空間而包含於前述腔室， <br/>進而，藉由前述第1單元自前述共通之空間將空氣導引至複數個前述無塵室各者， <br/>前述控制部控制前述第1風扇及前述第2風扇中之至少一者，將前述無塵室之室壓調整至目標值， <br/>於複數個前述無塵室中，混存有室壓之目標值不同者， <br/>於複數個前述無塵室之中存在至少一個以上之藉由前述第2風扇至少進行回風之無塵室，且設置有將該等無塵室之空氣向前述腔室導引之通風道豎井， <br/>經由設於前述無塵室之側壁且位於前述通風道豎井之上游之前述第2單元所具備之前述第2風扇，將空氣自前述無塵室導引至前述通風道豎井。
如請求項1之空調系統，其中於複數個前述無塵室之各者設有壓力感測器。
如請求項2之空調系統，其中 <br/>前述控制部基於前述壓力感測器之檢測值，將前述無塵室之室壓調整至前述目標值。
如請求項1之空調系統，其中於複數個前述無塵室中存在複數個藉由前述第2風扇至少進行回風之無塵室。
如請求項1之空調系統，其中 <br/>將溫度經特定調整後之空氣導引至前述腔室內之前述共通之空間。
如請求項1之空調系統，其中 <br/>前述通風道豎井係與複數個前述無塵室之中藉由前述第2風扇至少進行回風之無塵室建立對應地設置。
如請求項1之空調系統，其中前述腔室內並未設置將溫度經特定調整後之空氣導引至前述第1單元之管道。
如請求項1之空調系統， <br/>若前述第2風扇進行前述無塵室之回風及排氣兩者時， <br/>前述第2單元以如下方式配置：經由前述無塵室之門與地板面之間之特定間隙將空氣導引至前述通風道豎井，將所導引之空氣之一部分經由前述通風道豎井返回前述腔室，將其餘之空氣排出， <br/>前述無塵室經由前述第1風扇之吸入側與前述腔室連通，且經由前述第2風扇之吸入側與前述腔室連通。
如請求項1之空調系統， <br/>若前述第2風扇進行前述無塵室之回風時， <br/>前述無塵室經由前述第1風扇之吸入側與前述腔室連通，且經由前述第2風扇之吹出側與前述腔室連通。
如請求項1之空調系統，其中前述第1單元包含從自前述第1風扇朝前述無塵室吹出之空氣中去除塵埃之第1過濾器， <br/>前述第2單元包含從自前述無塵室被前述第2風扇吸入之空氣中去除塵埃之第2過濾器。
如請求項10之空調系統，其中前述第1過濾器及前述第2過濾器分別為HEPA(High Efficiency Particulate Air Filter，高效率空氣微粒過濾器)、或ULPA(Ultra Low Penetration Air Filter，超低滲透空氣過濾器)。
如請求項1之空調系統，其中前述第1風扇及前述第2風扇之驅動源分別為直流馬達。
如請求項1之空調系統，其中前述控制部針對複數之前述無塵室之各者，控制前述第1風扇及前述第2風扇中之至少一者，將前述無塵室之室壓調整至目標值。
一種機械手，用於取放承載舟，其中，該機械手包括基座、第一承托梁、第二承托梁和第一檢測元件， <br/>該第一承托梁和該第二承托梁中的至少一者通過該第一檢測元件與該基座相連；該第一檢測元件包括連接座及設於該連接座上的彈性件和第一檢測件，該彈性件與該第一承托梁或該第二承托梁配合，該連接座與該基座相連； <br/>在該機械手承載有承載舟或承載有預設數量的承載舟時，該第一承托梁或該第二承托梁用於被該承載舟的重力驅使克服該彈性件的彈力而觸發該第一檢測件。
根據請求項1所述的機械手，其中，在該機械手沒有承載該承載舟或承載的該承載舟的數量小於該預設數量時，該第一承托梁或該第二承托梁被該彈性件驅使而與該第一檢測件分離。
根據請求項1所述的機械手，其中，該機械手還包括：至少一個轉接塊，該第一承托梁和該第二承托梁中的至少一者與轉接塊連接並通過該轉接塊與該連接座滑動配合，該轉接塊與該彈性件配合以與該第一檢測件接觸或分離。
根據請求項3所述的機械手，其中，該第一檢測元件還包括蓋體，該連接座為槽狀體，該蓋體與該連接座固定相連並與該連接座圍成容納腔，該轉接塊至少部分伸至該容納腔中，該彈性件的第一端固定於該蓋體，該彈性件的第二端伸至該容納腔中，並與該轉接塊支撐配合。
根據請求項3所述的機械手，其中，該第一檢測元件還包括導向結構，該導向結構設於該連接座中，該彈性件與該導向結構導向配合。
根據請求項5所述的機械手，其中，該導向結構開設有導向孔，該彈性件的部位位於該導向孔中，並與該導向孔導向滑動配合，該第一檢測件固定於該導向結構上。
根據請求項3所述的機械手，其中，該轉接塊與該連接座之間設置有多個滾動體，該轉接塊通過該多個滾動體與該連接座滑動配合。
根據請求項1至7中任一項所述的機械手，其中，該機械手還包括多個轉動銜接件，該多個轉動銜接件均可轉動地設於該基座上，該第一承托梁和該第二承托梁的兩端分別設置有該第一檢測元件並與各自對應的該第一檢測元件的該彈性件配合，該第一承托梁和該第二承托梁的兩端分別與多個該轉動銜接件對應，該第一承托梁和該第二承托梁通過各自對應的該第一檢測元件的該連接座與對應的該轉動銜接件相連。
根據請求項8所述的機械手，其中，該基座包括間隔分佈的第一子座和第二子座，該第一承托梁的第一端和第二承托梁第一端通過與各自相對應的該第一檢測元件和該轉動銜接件連接於該第一子座；該第一承托梁的第二端和第二承托梁的第二端通過與各自相對應的該第一檢測元件和該轉動銜接件連接於該第二子座。
根據請求項9所述的機械手，其中，該機械手還包括驅動機構，連接於該第一子座的該轉動銜接件為主動銜接件，連接於該第二子座的該轉動銜接件為從動銜接件，該驅動機構設於該第一子座，且與該主動銜接件相連，該驅動機構驅動該主動銜接件通過相應的該第一檢測元件分別帶動該第一承托梁和該第二承托梁以轉動的方式相互靠近或相互遠離。
根據請求項10所述的機械手，其中，該驅動機構包括電機、換向器、第一絲杠、第二絲杠、第一螺紋套和第二螺紋套，該電機設於該第一子座上，且與該換向器的輸入端相連； <br/>該換向器的第一輸出端和第二輸出端，該第一輸出端和該第二輸出端分別與該第一絲杠和該第二絲杠相連，以分別用於驅動該第一絲杠和該第二絲杠轉動，該第一螺紋套和該第二螺紋套分別與該第一絲杠和該第二絲杠螺紋配合並形成絲杠機構，該第一螺紋套和該第二螺紋套分別通過第一連接架和第二連接架與相應的該轉動銜接件相連，以通過直線移動來推動相應的該轉動銜接件轉動。
根據請求項9所述的機械手，其中，該機械手還包括第二檢測元件，該第二檢測元件包括第一光線發射器和第一光線接收器，該第一光線發射器和該第一光線接收器分別設於該第一子座和該第二子座上，且相對設置，在該承載舟位置異常時，該第一光線發射器發出的第一檢測光線被遮擋。
根據請求項9所述的機械手，其中，該第一子座和該第二子座中的至少一者上的該轉動銜接件設有觸發部件，該第一子座和該第二子座中的至少一者設有與該觸發部件對應配合的第二檢測件和第三檢測件； <br/>在該機械手處於抓取狀態時，該觸發部件觸發該第二檢測件，並與該第三檢測件分離；或者 <br/>在該機械手處於卸載狀態時，該觸發部件觸發該第三檢測件，並與該第二檢測件分離。
根據請求項1至7中任一項所述的機械手，其中，該第一承托梁和該第二承托梁均包括梁體和沿該梁體的延伸方向間隔分佈的多個舟抓手，該第一承托梁的該舟抓手和該第二承托梁的該舟抓手一一相對，且分別用於支撐該承載舟相背分佈的舟耳。
根據請求項14所述的機械手，其中，該第一承托梁和該第二承托梁的該梁體中的至少一者設有第三檢測元件，該第三檢測元件與該第一承托梁的該舟抓手和該第二承托梁的該舟抓手一一相對。
一種半導體製程設備，其中，包括承載舟和請求項1至15中任一項所述的機械手，該承載舟的相背兩側分別設有舟耳，在該機械手處於抓取狀態時，該第一承托梁和該第二承托梁分別支撐該承載舟相對應的該舟耳。
根據請求項16所述的半導體製程設備，其中，該承載舟為多個，相鄰的兩個承載舟中的至少一者設置有隔開凸起，該隔開凸起用於使得相鄰的兩個該承載舟之間形成過流間隙。
根據請求項16所述的半導體製程設備，其中，該承載舟包括第一端板、第二端板和連接該第一端板和該第二端板、且間隔分佈的多個槽棒，該多個槽棒圍成矽片定位空間，該承載舟還包括至少兩個支撐件，該至少兩個支撐件沿該第一承托梁的延伸方向間隔分佈，每個該支撐件包括兩個分別與該第一端板和該第二端板相對設置的支撐腳，該支撐腳用於與該半導體製程設備的製程腔室的內壁支撐接觸；該支撐腳為與該第一端板或該第二端板垂直的板狀結構件。
根據請求項18所述的半導體製程設備，其中，該支撐件還包括連接板，在每個該支撐件中，該連接板連接兩個該支撐腳，且形成第一定位槽，該支撐件與該第一端板和該第二端板相連，該第一定位槽在該第一承托梁的延伸方向貫通，該半導體製程設備還包括輸送機構，該輸送機構的托槳用於與該第一定位槽配合。
根據請求項16至19中任一項所述的半導體製程設備，其中，該半導體製程設備還包括輸送機構，該輸送機構包括驅動主體和托槳，該托槳可移動地設於該驅動主體上，該驅動主體設有第一感測器和第二感測器，該第一感測器和該第二感測器在該托槳的移動方向間隔分佈；該承載舟的頂部具有檢測配合凸起，該承載舟為多個且沿該托槳的移動方向排列，該第一感測器用於與位於一端的該承載舟的該檢測配合凸起相配合，該第二感測器用於與位於另一端的該承載舟的該檢測配合凸起相配合。
根據請求項16至19中任一項所述的半導體製程設備，其中，該半導體製程設備還包括至少一個舟暫存架，該舟暫存架包括框架和設於該框架上、且成對分佈的支撐單元，每對該支撐單元分別用於支撐該承載舟相背的該舟耳；該支撐單元包括支撐平台、傾斜導向部和定位凸起； <br/>該承載舟的底部設置有第二定位槽，該傾斜導向部與該支撐平台相連，且用於將該承載舟引導至該支撐平台上，並在第一方向定位於該支撐平台上，該定位凸起與該第二定位槽在該承載舟的排列方向定位配合，該第一方向與該排列方向相垂直，該第一方向與該支撐平台的支撐方向相垂直。
一種航拍無人機，包含：<br/>一可分離模組，包含一基座、一支撐臂及一鏡頭模組，其中該支撐臂連接該鏡頭模組及該基座；及<br/>一支撐組件，包含：<br/>一殼體；<br/>一減震架，設置於該殼體內；<br/>一懸吊架，設置於該殼體內並可分離地連接於該可分離模組的該基座；及<br/>複數阻尼件，連接該減震架與該懸吊架。
如請求項1所述之航拍無人機，其中，該殼體具有一安裝板，該減震架具有二減震臂，該二減震臂分別位於該安裝板的相對二側；<br/>其中，該懸吊架包含一懸吊主體及二懸吊臂，該懸吊主體連接該二懸吊臂；以及<br/>其中，該懸吊主體連接該安裝板，該二懸吊臂分別對應該減震架的該二減震臂，該些阻尼件連接該二懸吊臂與該二減震臂。
如請求項2所述之航拍無人機，更包含複數彈性固定件，其中該懸吊架的該懸吊主體具有複數連接柱，該安裝板具有複數連接孔；以及<br/>其中，各該彈性固定件套設於對應的該連接柱並位於對應的該連接孔內，該可分離模組的該基座可分離地連接該懸吊架的該些連接柱。
如請求項3所述之航拍無人機，其中，各該連接柱具有一卡勾及一基柱，該卡勾自該基柱的一側凸伸，各該彈性固定件套設於對應的該連接柱的該基柱，該卡勾卡勾該可分離模組的該基座的一勾孔。
如請求項3所述之航拍無人機，其中，各該連接柱具有一延伸凸部及一基柱，該延伸凸部自該基柱的一側凸伸，該延伸凸部具有一穿孔；以及<br/>其中，各該彈性固定件套設於對應的該連接柱的該基柱，該可分離模組的該基座具有一凸緣，該凸緣卡掣於該穿孔。
如請求項3所述之航拍無人機，其中，於該基座鎖固於該安裝板時，該基座壓迫該彈性固定件。
如請求項2所述之航拍無人機，其中，該殼體包含二側延伸部，該二側延伸部自該安裝板垂直延伸，該減震架的各該二減震臂分別固定於各該二側延伸部的一端面；以及<br/>其中，該懸吊主體實質上垂直於該二懸吊臂，各該二減震臂實質上分別平行於各該二懸吊臂並透過該些阻尼件相連接。
如請求項7所述之航拍無人機，其中，該懸吊架的該懸吊主體具有複數連接柱，該些連接柱包含二頂側連接柱及二底側連接柱，該二頂側連接柱及該二底側連接柱以該二懸吊臂為中心對稱地設置於該懸吊主體；以及<br/>其中，各該二側延伸部具有一第一長度，各該二懸吊臂具有一第二長度，且各該二減震臂具有一第三長度；該第二長度小於該第一長度，且該第一長度小於該第三長度。
如請求項7所述之航拍無人機，其中，該減震架為U型結構；以及其中，該支撐組件包含二飛行鏡頭模組，該二飛行鏡頭模組分別設置於該減震架的該二減震臂並固定於各該二側延伸部的該端面。
如請求項2所述之航拍無人機，更包含一蓋板，該安裝板具有一連接器，其中，該蓋板對應該連接器，該蓋板具有一第一密封件；於該蓋板鎖固於該安裝板時，該第一密封件與該安裝板緊配；以及<br/>其中，該可分離模組的該基座具有一排線口及一第二密封件，該第二密封件環繞該排線口；於該基座鎖固於該安裝板時，該第二密封件與該安裝板緊配。
如請求項1所述之航拍無人機，其中，各該阻尼件包含一阻尼部及二銜接部，該阻尼部連接該二銜接部，該二銜接部分別連接該減震架與該懸吊架。
一種支撐組件，適於可分離地連接一可分離模組，包含：<br/>一殼體；<br/>一減震架，設置於該殼體內並具有二減震臂；<br/>一懸吊架，設置於該殼體內並適於可分離地連接該可分離模組，其中，該懸吊架包含一懸吊主體及二懸吊臂，該懸吊主體實質上垂直連接該二懸吊臂，該二懸吊臂實質上平行於該二減震臂；以及<br/>複數阻尼件，連接該減震架的該二減震臂與該懸吊架的該二懸吊臂。
如請求項12所述之支撐組件，其中，該殼體包含二側延伸部及一安裝板，該二側延伸部自該安裝板垂直延伸；以及<br/>其中，該二減震臂分別位於該安裝板的相對二側，各該二減震臂分別固定於各該二側延伸部的一端面，該懸吊主體連接該安裝板。
如請求項13所述之支撐組件，更包含複數彈性固定件，其中，該懸吊架的該懸吊主體具有複數連接柱，該安裝板具有複數連接孔；以及<br/>其中，各該彈性固定件套設於對應的該連接柱並位於對應的該連接孔內。
如請求項14所述之支撐組件，其中，各該連接柱具有一卡勾及一基柱，該卡勾自該基柱的一側凸伸，各該彈性固定件套設於對應的該連接柱的該基柱。
如請求項14所述之支撐組件，其中，各該連接柱具有一延伸凸部及一基柱，該延伸凸部自該基柱的一側凸伸，各該彈性固定件套設於對應的該連接柱的該基柱。
如請求項14所述之支撐組件，其中，該些連接柱包含二頂側連接柱及二底側連接柱，該二頂側連接柱及該二底側連接柱以該二懸吊臂為中心對稱地設置於該懸吊主體；以及<br/>其中，各該二側延伸部具有一第一長度，各該二懸吊臂具有一第二長度，且各該二減震臂具有一第三長度；該第二長度小於該第一長度，且該第一長度小於該第三長度。
如請求項13所述之支撐組件，更包含二飛行鏡頭模組，其中，該二飛行鏡頭模組分別設置於該減震架的該二減震臂並固定於各該二側延伸部的該端面；以及其中，該減震架為U型結構。
如請求項12所述之支撐組件，其中，各該阻尼件包含一阻尼部及二銜接部，該阻尼部連接該二銜接部，該二銜接部分別連接對應的該減震臂與該懸吊臂。
如請求項12所述之支撐組件，其中，該殼體包含二側延伸部及一安裝板；該二側延伸部自該安裝板垂直延伸；該二減震臂分別位於該安裝板的相對二側；各該二減震臂分別固定於各該二側延伸部的一端面；該懸吊主體連接該安裝板；<br/>其中，該支撐組件更包含複數彈性固定件；該懸吊架的該懸吊主體具有複數連接柱；該安裝板具有複數連接孔；各該彈性固定件套設於對應的該連接柱並位於對應的該連接孔內；<br/>其中，該些連接柱包含二頂側連接柱及二底側連接柱；該二頂側連接柱及該二底側連接柱以該二懸吊臂為中心對稱地設置於該懸吊主體；<br/>其中，各該二側延伸部具有一第一長度，各該二懸吊臂具有一第二長度，且各該二減震臂具有一第三長度；該第二長度小於該第一長度，且該第一長度小於該第三長度；<br/>其中，該支撐組件更包含二飛行鏡頭模組；該二飛行鏡頭模組分別設置於該減震架的該二減震臂並固定於各該二側延伸部的該端面；該減震架為U型結構；以及<br/>其中，各該阻尼件包含一阻尼部及二銜接部；該阻尼部連接該二銜接部；該二銜接部分別連接對應的該減震臂與該懸吊臂。
一種積體晶片，包括：<br/> 第一半導體晶片，包括第一半導體基底；<br/> 光偵測器陣列，位於所述第一半導體基底內；<br/> 第二半導體晶片，接合至所述第一半導體晶片，所述第二半導體晶片包括第二半導體基底；<br/> 第一電晶體，沿著所述第二半導體基底設置；以及<br/> 第一金屬屏蔽結構，包括第一虛設金屬接合墊，所述第一虛設金屬接合墊沿著所述第一半導體晶片與所述第二半導體晶片之間的接合介面設置，<br/> 其中所述接合介面的部分具有與所述光偵測器陣列的周邊垂直對準的周邊，且其中所述第一金屬屏蔽結構沿著至少70%的所述接合介面的所述部分設置。
如請求項1所述的積體晶片，其中所述第一金屬屏蔽結構沿著至多95%的所述接合介面的所述部分設置。
如請求項1所述的積體晶片，其中所述第一虛設金屬接合墊位於所述第一半導體晶片上，所述第一金屬屏蔽結構包括第二虛設金屬接合墊，所述第二虛設金屬接合墊位於所述第二半導體晶片上且接合並耦合至所述第一虛設金屬接合墊，所述第一金屬屏蔽結構包括第三虛設金屬接合墊，所述第三虛設金屬接合墊位於所述第一半導體晶片上且與所述第一虛設金屬接合墊橫向間隔，所述第一金屬屏蔽結構包括第四虛設金屬接合墊，所述第四虛設金屬接合墊位於所述第二半導體晶片上、與所述第二虛設金屬接合墊橫向間隔且接合並耦合至所述第三虛設金屬接合墊。
如請求項1所述的積體晶片，其中所述第一虛設金屬接合墊位於所述第一半導體晶片或所述第二半導體晶片上，其中所述第一虛設金屬接合墊中具有多個第一孔洞，所述多個第一孔洞延伸穿過所述第一虛設金屬接合墊。
如請求項1所述的積體晶片，其中所述第一虛設金屬接合墊位於所述第一半導體晶片上，所述第一金屬屏蔽結構包括位於所述第二半導體晶片上並接合且耦合至所述第一虛設金屬接合墊的第二虛設金屬接合墊，其中所述第一虛設金屬接合墊中具有多個第一孔洞，所述多個第一孔洞延伸穿過所述第一虛設金屬接合墊，其中所述第二虛設金屬接合墊中具有多個第二孔洞，所述多個第二孔洞延伸穿過所述第一虛設金屬接合墊，其中所述多個第二孔洞直接位於所述多個第一孔洞上方。
如請求項1所述的積體晶片，其中所述第一金屬屏蔽結構包括位於所述第一半導體晶片上並耦合至所述光偵測器陣列的第一光偵測器的第一主動金屬接合墊，所述第一金屬屏蔽結構包括位於所述第二半導體晶片上並耦合至所述第一電晶體的第二主動金屬接合墊，所述第二主動金屬接合墊接合並耦合至所述第一主動金屬接合墊，所述第一金屬屏蔽結構包括位於所述第一半導體晶片上的第三主動金屬接合墊和位於所述第二半導體晶片上並接合且耦合至所述第三主動金屬接合墊的第四主動金屬接合墊，其中所述第一虛設金屬接合墊位於所述第一主動金屬接合墊和所述第三主動金屬接合墊之間。
一種形成積體晶片的方法，所述方法包括：<br/> 提供包括第一半導體基底的第一半導體晶片以及包括第二半導體基底的第二半導體晶片；<br/> 在所述第一半導體基底內形成光偵測器陣列；<br/> 沿著所述第二半導體基底形成第一電晶體；<br/> 在所述第一半導體晶片及/或所述第二半導體晶片上形成第一金屬屏蔽結構；以及<br/> 將所述第二半導體晶片接合至所述第一半導體晶片，其中所述第一金屬屏蔽結構沿著所述第二半導體晶片和所述第一半導體晶片之間的接合介面設置，<br/> 其中所述第二半導體晶片和所述第一半導體晶片之間的所述接合介面的部分具有與所述光偵測器陣列的周邊垂直對準的周邊，且其中所述第一金屬屏蔽結構佔據所述第二半導體晶片和所述第一半導體晶片之間的所述接合介面的所述部分的至少70%且至多95%。
如請求項7所述的方法，其中形成所述第一金屬屏蔽結構包括在所述第一半導體晶片及/或所述第二半導體晶片上形成第一虛設金屬接合墊。
一種形成積體晶片的方法，所述方法包括：<br/> 在第一半導體晶片的第一半導體基底內形成光偵測器陣列；<br/> 在所述第一半導體晶片上於所述光偵測器陣列上方形成第一主動金屬接合墊；<br/> 沿著第二半導體晶片的第二半導體基底形成第一電晶體；<br/> 在所述第二半導體晶片上沿著所述第二半導體晶片的第一側形成第二主動金屬接合墊；<br/> 將所述第二主動金屬接合墊和所述第一主動金屬接合墊接合在一起；<br/> 在所述第二半導體晶片上沿著所述第二半導體晶片的第二側形成第三主動金屬接合墊；<br/> 在所述第二半導體晶片上形成第一虛設金屬接合墊，所述第一虛設金屬接合墊與所述第三主動金屬接合墊橫向間隔且位於所述光偵測器陣列上方；<br/> 沿著第三半導體晶片的第三半導體基底形成第二電晶體；<br/> 在所述第三半導體晶片上於所述第二電晶體上方形成第四主動金屬接合墊；<br/> 在所述第三半導體晶片上形成第二虛設金屬接合墊，所述第二虛設金屬接合墊與所述第四主動金屬接合墊橫向間隔；以及<br/> 將所述第四主動金屬接合墊和所述第三主動金屬接合墊接合在一起並將所述第一虛設金屬接合墊和所述第二虛設金屬接合墊接合在一起，其中所述第一虛設金屬接合墊和所述第二虛設金屬接合墊沿著所述第三半導體晶片和所述第二半導體晶片之間的接合介面形成第一金屬屏蔽結構，且其中所述第一金屬屏蔽結構覆蓋所述光偵測器陣列的至少70%。
如請求項9所述的方法，更包括：<br/> 在所述第一半導體晶片上形成第三虛設金屬接合墊，所述第三虛設金屬接合墊與所述第一主動金屬接合墊橫向間隔且位於所述光偵測器陣列上方；<br/> 在所述第二半導體晶片上形成第四虛設金屬接合墊，所述第四虛設金屬接合墊與所述第二主動金屬接合墊橫向間隔；以及<br/> 將所述第三虛設金屬接合墊和所述第四虛設金屬接合墊接合在一起，其中所述第三虛設金屬接合墊、所述第四虛設金屬接合墊、所述第一主動金屬接合墊和所述第二主動金屬接合墊沿著所述第二半導體晶片和所述第一半導體晶片之間的接合介面形成第二金屬屏蔽結構，且其中所述第二金屬屏蔽結構覆蓋所述光偵測器陣列的至少70%。
一種環保止鼾結構，其包括:<br/> 一線材；<br/> 及一夾持件，其包含一插入段、一弧彎段、一外夾段，該插入段的一端連接於該弧彎段的一端，該弧彎段的另一端與該外夾段相連接，且該外夾段與該插入段之間呈間距設置，另設一穿孔由該插入段的一端朝該弧彎段方向貫穿，該線材係活動穿設於該穿孔內且兩端分別外露於該插入段及該外夾段；<br/> 其中，利用該線材於該穿孔內活動的調整長度，將露出於該插入段的一端穿入鼻腔內，以配合止鼾患部的位置，且以該夾持件夾持於鼻孔處，使其能夠隨時拆裝而更換該線材以及防止該線材的脫落。
如請求項1所述之環保止鼾結構，其中該弧彎段在該線材穿出的一端進一步設有一形變部，該形變部受外力壓擠時向穿孔內變形並夾持該線材。
如請求項1所述之環保止鼾結構，其中該夾持件為可溶解之材質所製成。
如請求項1所述之環保止鼾結構，其中該插入段外周面進一步凸設一受力塊，該受力塊同該插入段伸入鼻腔後其貼靠於鼻腔內壁，使該受力塊與該外夾段牢固夾持鼻孔處。
一種用於向活個體或試管內介質施加交流電場的設備，所述交流電場的頻率在100 kHz與500 kHz之間，該設備包含： <br/>撓性電路（25；145），其包括安置於其前側上的複數個導電襯墊（20；140），所述導電襯墊（20；140）之各者具有相應區域，及以與所述導電襯墊（20；140）電接觸之方式安置之至少一個導電跡線，所述至少一個導電跡線經配置以使得該等導電襯墊（20；140）中之各者可由電信號驅動；及 <br/>安置於所述導電襯墊（20；140）中之相應者的上方及前方的複數個彈性聚合物區（30），其中所述聚合物區（30）中之各者在垂直於其前表面之方向上的厚度為20 μm或更小，且在100 kHz與500 kHz之間的至少一個頻率下之介電常數為至少20。
如請求項1之設備，其進一步包含： <br/>經配置以支撐所述撓性電路（25；145）之彈性第三層（40），其中該第三層（40）之前表面的一部分塗佈有黏著劑，該黏著劑黏著至人類皮膚且可易於自該皮膚移除，而該部分相對於所述撓性電路（25；145）朝外安置，使得當該部分壓抵皮膚區域時，該黏著劑將黏著於該皮膚且將所述聚合物區（30）維持鄰接於該皮膚。
如請求項1之設備，其進一步包含： <br/>安置於所述撓性電路（25；145）後方之彈性第三層（40），其中該第三層（40）之前表面之至少一部分塗佈有黏著劑，而該黏著劑之第一區直接安置於所述撓性電路（25；145）後方且支撐所述撓性電路（25；145），且該黏著劑之第二區相對於該第一區朝外安置且經配置以在壓抵皮膚的區域時黏著至該皮膚且將所述聚合物區（30）維持鄰接於該皮膚並且可易於自該皮膚移除。
如請求項2或3之設備，其進一步包含： <br/>安置於所述聚合物區（30）之各者的前表面上的導電水凝膠層（50），其中該導電水凝膠層（50）經安置以在所述聚合物區（30）之各者藉由該黏著劑維持鄰接於該皮膚時接觸該皮膚。
如請求項1之設備，其中所述聚合物區（30）之各者在垂直於其前表面之方向上具有1 μm至20 μm之厚度。
如請求項1之設備，其中所述聚合物區（30）之各者在垂直於其前表面之方向上具有5 μm或更小之厚度，視需要為1 μm至5 μm。
如請求項1之設備，其中所述聚合物區（30）之各者在垂直於其前表面之方向上具有3 μm或更小之厚度，視需要為1 μm至3 μm。
如請求項1之設備，其中所述導電襯墊（20；140）之面積共計為至少25 cm<sup>2</sup>。
如請求項1之設備，其中將所述聚合物區（30）直接印刷、噴塗或澆鑄至所述導電襯墊（20；140）上。
如請求項1之設備，其進一步包含： <br/>安置於所述撓性電路（25；145）之背側上的複數個熱敏電阻（60），其中所述熱敏電阻（60）中之各者與所述導電襯墊（20；140）中之相應者熱接觸，且所述撓性電路（25；145）包括提供接入所述熱敏電阻（60）的複數個導電跡線。
如請求項1之設備，其中所述聚合物區（30）包含至少一種選自以下者的聚合物：聚(VDF-TrFE-CTFE)、聚(VDF-TrFE-CFE)及聚(VDF-TrFE-CFE-CTFE)，視需要所述聚合物包含30莫耳%至80莫耳% VDF及5莫耳%至60莫耳% TrFE，而CFE及/或CTFE構成剩餘莫耳%。
如請求項1之設備，其中所述聚合物區（30）包含混合至其中的陶瓷奈米粒子。
如請求項1之設備，其中所述聚合物區（30）包含混合至聚(VDF-TrFE-CTFE)、聚(VDF-TrFE-CFE)及聚(VDF-TrFE-CFE-CTFE)中之至少一者中的陶瓷奈米粒子。
如請求項1之設備，其中所述聚合物區（30）包含混合至聚(VDF-TrFE)、聚(VDF-HFP)及PVDF中之至少一者中的陶瓷奈米粒子。
如請求項12、13或14之設備，其中所述陶瓷奈米粒子包含鈦酸鋇及鈦酸鋇鍶中之至少一者。
一種HIFU照射裝置，其具備：治療用的多個超音波振動器、用以取得B模式影像資料的超音波探頭、控制多個前述超音波振動器的振動器控制部、透過前述超音波探頭取得前述B模式影像資料的資料取得部，與控制前述振動器控制部及前述資料取得部的控制器；其中前述控制器執行：發送處理，使推動波自多個前述超音波振動器發送至生物組織；以及探索處理，依據前述B模式影像資料，求出自多個前述超音波振動器發出之超音波的焦點相關之焦點資訊；前述焦點資訊表示存在前述焦點的區域及前述焦點的位置之中至少一者；前述探索處理包含：量測因前述推動波而於前述生物組織產生之剪力波的動向並依據前述剪力波的動向來求出前述焦點資訊的處理。
如請求項1所述之HIFU照射裝置，其中前述探索處理包含：求出係為前述剪力波之多個極大點且沿相異之方向前進的多個極大點之各者的位置之變化的處理，以及依據各前述極大點的位置之變化求出產生了前述剪力波的產生區域及產生點之中至少一者並依據前述產生區域及前述產生點之中至少一者求出前述焦點資訊的處理。
如請求項2所述之HIFU照射裝置，其中前述探索處理包含：依據各前述極大點的位置之變化推測在產生了前述剪力波的產生時刻中之各前述極大點的位置並依據所推測之各前述極大點的位置求出前述焦點資訊的處理。
如請求項2所述之HIFU照射裝置，其中前述探索處理包含以下處理：在針對係為前述剪力波之2個前述極大點且沿相異之方向前進的2個前述極大點之各者以近似函數表示位置與時間之關係的情況下，依據「針對沿相異之方向前進之2個前述極大點之中一者的由前述近似函數所示之直線或曲線」與「針對另一者的由前述近似函數所示之直線或曲線」之交點的座標，求出前述焦點資訊。
如請求項2至請求項4之任一項所述之HIFU照射裝置，其中前述控制器針對係為在前述生物組織中的深度且在自發送前述推動波時起算經過指定之時間時之前述剪力波的極大值超過指定之閾值的深度，求出前述焦點資訊。
如請求項2至請求項4之任一項所述之HIFU照射裝置，其中前述控制器針對係為在前述生物組織中的深度且在自發送前述推動波時起算經過指定之時間時之前述剪力波的極大值成為最大值的深度，求出前述焦點資訊，求出在前述剪力波的極大值成為最大值的深度中之前述焦點的位置。
如請求項1至請求項4之任一項所述之HIFU照射裝置，其中多個前述超音波振動器沿著凹面配置，前述超音波探頭配置於前述凹面的中心軸上。
一種指紋辨識解碼及供電之電子鑰匙，至少由一上殼體、一電路板及一下殼體組成，該上殼體及該下殼體併置組成內部具一空間，該電路板組裝於該上殼體及該下殼體間之空間內，該上殼體前端凹設一穿出槽，該下殼體前端凹設一穿出槽，該上殼體的穿出槽與該下殼體的穿出槽併置，該電路板上布列有電子零組件，以形成一控制電路，該電路板上面配置有一組之按鍵，該按鍵穿出該上殼體頂面，該電路板上配置有電池，該電路板前端連接設置一Type C 型態輸出端子，該Type C 型態輸出端子、該按鍵及該電池皆與該控制電路具電性連接關係，該Type C 型態輸出端子穿出該上殼體及該下殼體前端共同併置的穿出槽，其特徵在於，該上殼體由一圍護體及一上蓋體組成，該圍護體前方形成一開槽並向後延伸呈現整體的開空區域，該左、右側板向後延伸做弧形圍覆，該左、右側板的內側各突設有數道的抵塊，該左、右側板的內側於前、後的抵塊處各向下延伸出數道的抵桿；該上蓋體的形體對應該圍護體的開空區域，該上蓋體的前緣向下形成一前圍覆壁，該前圍覆壁的中間凹設該上殼體的穿出槽，該上蓋體的底面二側各突設有數道的定位凹槽，該上蓋體的面上設置有一組之穿孔，該組之穿孔供該電路板上的按鍵穿出，該上蓋體的底面於鄰接邊緣處二側分別設置有數處之接合孔柱；該上蓋體覆罩於該圍護體的開空區域上，該圍護體左、右內側的抵塊對應抵入該上蓋體底面二側的定位凹槽內，同時該上蓋體前緣的前圍覆壁進入該圍護體前方的開槽內。
如請求項1所述之指紋辨識解碼及供電之電子鑰匙，其中，該電路板配置有一解碼器，該解碼器與該控制電路具電性連接關係，該上蓋體的面上開設有一大開空，該大開空供該電路板上的解碼器穿出。
如請求項2所述之指紋辨識解碼及供電之電子鑰匙，其中，該解碼器環周套設一密水膠套，頂面中間範圍外露，該組之按鍵由一密水膠套對應罩套，該電路板自該上蓋體底面往上貼置時，該解碼器套設該密水膠套後由該大開空穿出，該組之按鍵套設該密水膠套後由該組之穿孔穿出。
如請求項 1 所述之指紋辨識解碼及供電之電子鑰匙，其中，該電路板的板面上於鄰接邊緣處二側分別設置有抵接孔及二組分為二側之穿孔，該電路板自該上蓋體底面往上貼置時，該圍護體的左、右側板向下延伸出之抵桿向下抵入該電路板二側之抵接孔內定位，同時該上蓋體的接合孔柱對準該電路板的穿孔，再由接合件穿經該電路板的穿孔後與該上蓋體的接合孔柱接合。
如請求項1 所述之指紋辨識解碼及供電之電子鑰匙，其中，該下殼體內環設有接合孔柱，該下殼體自下往上與該圍護體及該前圍覆壁之周緣併置時，該下殼體內的接合孔柱會與該電路板的穿孔及與該上蓋體的接合孔柱對應，再由接合件穿經該下殼體的接合孔柱及該電路板的穿孔後與該上蓋體的接合孔柱接合。
如請求項 1 所述之指紋辨識解碼及供電之電子鑰匙，其中，該電路板底面上連接設置有一Type C 型態輸入端子，該Type C 型態輸入端子與該控制電路具電性連接關係，該下殼體後端處設有一向下穿出之容置孔槽，該下殼體自下往上與該圍護體及該前圍覆壁之周緣併置時，該電路板底面的Type C 型態輸入端子即容置於該容置孔槽內。
如請求項 1或2或3或4或5或6 所述之指紋辨識解碼及供電之電子鑰匙，更包含一上護罩，該上護罩具一頂上板體，該頂上板體的二側向下各延伸出一弧度狀之側翼，各側翼的內部接近底緣處設置一卡條，該頂上板體上凹設一手推槽，該上護罩橫跨於該上蓋體上方，使二側翼的卡條與該上蓋體的軌條對應卡接，該上護罩與該上蓋體間存一距離，推動該手推槽時可控制該上護罩沿著二側的軌條滑移。
如請求項1或2或3或4或5或6所述之指紋辨識解碼及供電之電子鑰匙，其中，該Type C 型態輸出端子穿出該上殼體及該下殼體前端共同併置的穿出槽後，可由一前保護蓋予以插套保護。
一種鋅離子電池之釩金屬回收方法，其步驟包含:<br/> 萃取劑成分酸化處理：將三烷基胺與硫酸反應生成對應之季銨鹽型陽離子；<br/> 有機相萃取：將所得酸化後三烷基胺與30 vol% N235、5 vol% TBP與65 vol%煤油混合後得到一萃取液，並將一水系鋅離子電池的正極材料浸漬於該萃取液中進行有機相萃取；<br/> 反萃取：萃取後的有機相再加入一反萃劑，經由鹼性反萃取操作，將釩離子轉回至水相中；<br/> 化學沉澱：將反萃取所得釩溶液中加入氯化銨生成偏釩酸銨沉澱，並經過乾燥後形成一偏釩酸銨固態產物；<br/> 高溫鍛燒：將該偏釩酸銨固態產物加熱使其分解並轉化為五氧化二釩。
如請求項1所述的鋅離子電池之釩金屬回收方法，其中:所述的季銨鹽型陽離子包含(R₃NH)₂SO₄，R為烷基。
如請求項1所述的鋅離子電池之釩金屬回收方法，其中:所述有機相萃取操作條件為pH值介於1~4、油水比介於1:4~2:1以及萃取時間為2~10分鐘。
如請求項1或3所述的鋅離子電池之釩金屬回收方法，其中:所述反萃取的操作條件為使用NH₄OH 0.5~2.0M、油水比介於1:4~2:1以及反萃取時間為2~10分鐘。
如請求項1所述的鋅離子電池之釩金屬回收方法，其中:所述五氧化二釩純度至少99%以上。
一種具多模態感測功能之視觸覺模組，包含：一彈性感測皮膚，係由一明膠基複合材料構成，該明膠基複合材料包含一灰色霧面矽膠塗層、一螢光標記層以及一熱致變色顏料層；一感測攝影單元，設置於該彈性感測皮膚下方，用以接收一視觸覺影像資訊，該視觸覺影像資訊包含一變形資訊、一溫度分佈資訊以及一接觸力資訊；以及一照明單元，電性連接於一控制單元並設置於該感測攝影單元周圍，用以提供一多光譜照明，該多光譜照明包含可見光照明以及紫外光照明；其中，該螢光標記層包含複數個螢光色素點，該感測攝影單元係用以依據該彈性感測皮膚與一物體接觸時所產生之形變並結合該多光譜照明進行即時拍攝，並透過一影像重建演算法重建表面輪廓與判定接觸力，該影像重建演算法包含一光度立體法以及一泊松重建模組。
如請求項1所述之具多模態感測功能之視觸覺模組，其中，該些螢光色素點係為紫外螢光色素點，以網格狀配置於該彈性感測皮膚之內部。
如請求項1所述之具多模態感測功能之視觸覺模組，其中，該熱致變色顏料層係配置於該彈性感測皮膚之內部，並用以呈現對應溫度之顏色變化範圍為攝氏負十度至七十五度。
如請求項1所述之具多模態感測功能之視觸覺模組，其中，該感測攝影單元係一數位攝影模組，該數位攝影模組為一可見光與紫外光感測之數位相機模組。
如請求項1所述之具多模態感測功能之視觸覺模組，其中，該照明單元包含複數組光源，該些光源分別為紫外光二極體與多頻可見光發光二極體。
如請求項1所述之具多模態感測功能之視觸覺模組，其中，該光度立體法係接收該視觸覺影像資訊之光強度資訊以推估表面梯度，並配合該泊松重建模組輸出三維表面輪廓資訊。
如請求項1所述之具多模態感測功能之視觸覺模組，其中，該控制單元進一步包含一力覺分類模組，係用以分類來自該些螢光色素點位移之力型態為正向力、滑移力、扭矩力與切應力。
如請求項1所述之具多模態感測功能之視觸覺模組，其中，該控制單元進一步包含一物件識別模組，該物件識別模組係經由深度學習模型訓練以進行即時物件分類與標註。
如請求項1所述之具多模態感測功能之視觸覺模組，其中，該控制單元進一步包含一尺寸估測模組，該尺寸估測模組係根據該感測攝影單元所擷取之圖像進行對比增強與像素轉毫米轉換，以估測物件尺寸並維持誤差於一毫米以內。
如請求項1所述之具多模態感測功能之視觸覺模組，其中，該控制單元進一步包含一腫塊偵測模組，該腫塊偵測模組係透過影像差異分析與輪廓偵測，以判定該彈性感測皮膚下方之一毫米尺度之潛在異常物。
一種滑軌總成，包含：一第一軌；一第二軌可相對該第一軌縱向地位移；以及一驅動裝置安排在該第二軌與該第一軌的其中之一，該驅動裝置包含：一第一預定構件；一第二預定構件與該第一預定構件可相對彼此縱向地位移；一第一彈性件安裝在該第一預定構件與該第二預定構件之間；一鎖件活動地安裝在該第二預定構件與該第一預定構件的其中之一，且該第二預定構件與該第一預定構件的其中之一安排有一預定部；及一同步桿座活動地安裝在該第二預定構件與該第一預定構件的其中之另一，該同步桿座安排有一接觸件與一第二彈性件；其中，當該第二軌相對該第一軌處於一收合位置時，該鎖件處於一鎖定狀態而用以鎖定該第一彈性件的一第一預定彈力，且該預定部壓住該接觸件，使該接觸件處於一第一預定位置，令該第二彈性件累積一第二預定彈力；其中，當該第二軌相對該第一軌從該收合位置往一收合方向位移至一過壓位置時，該鎖件從該鎖定狀態被帶動至一解鎖狀態，用以釋放該第一彈性件的該第一預定彈力以驅動該第二軌往一開啟方向位移；其中，當該第二軌相對該第一軌從該收合位置往該收合方向位移至該過壓位置的過程中，該接觸件往該收合方向越過該預定部而不再被該預定部壓住，使該接觸件回應該第二彈性件釋放該第二預定彈力而從該第一預定位置活動至一第二預定位置，用以讓該接觸件與該預定部於該第二軌往該開啟方向被該第一彈性件釋放的該第一預定彈力驅動的過程中能相互勾抵，使該同步桿座從一第一狀態被驅動至一第二狀態。
如請求項1所述之滑軌總成，其中，該第二預定構件與該第一預定構件的其中之一安排有一凸部，且該第二預定構件與該第一預定構件的其中之另一安排有一縱向槽可供該凸部伸入，用以提供該第一預定構件與該第二預定構件僅可相對彼此在有限度的範圍內縱向地位移。
如請求項1所述之滑軌總成，其中，該第二預定構件與該第一預定構件的其中之另一安排有一擋牆；當該第二軌相對該第一軌處於該收合位置時，該鎖件卡掣至該擋牆而處於該鎖定狀態。
如請求項3所述之滑軌總成，其中，該驅動裝置更包含一工作件以及一第三彈性件安排在該第二預定構件與該第一預定構件的其中之另一；該第三彈性件用以提供彈力至該工作件，且該工作件與該鎖件的其中之一具有一導引特徵；當該第二軌相對該第一軌從該收合位置往該收合方向位移至該過壓位置時，該工作件與該鎖件透過該導引特徵相互推抵，使該鎖件從該鎖定狀態被帶動至該解鎖狀態。
如請求項4所述之滑軌總成，其中，該工作件包含一第一牆、一第二牆以及一縱向空間定義於該第一牆與該第二牆之間，且該同步桿座包含一對應部伸入該縱向空間；當該同步桿座被驅動至該第二狀態，且該第一彈性件繼續釋放該第一預定彈力時，該第一預定構件相對該第二預定構件往該開啟方向位移，使處於該第二預定位置的該接觸件因該同步桿座處於該第二狀態而與該預定部不再相互勾抵，且一旦該接觸件往該開啟方向位越過該預定部，該工作件回應該第三彈性件的彈力而活動，用以能透過該第一牆與第二牆的其中之一推抵該同步桿座的對應部，使該同步桿座從該第二狀態回到該第一狀態。
如請求項5所述之滑軌總成，其中，當該第一彈性件完全地釋放該第一預定彈力而將該第二軌往該開啟方向驅動至一預定延伸位置後，該第二軌可從該預定延伸位置往該開啟方向繼續位移至一完全延伸位置。
如請求項6所述之滑軌總成，更包含一輔助套件安排在該第二軌與該第一軌的其中之另一；該輔助套件包含一基座與一輔助件活動地安裝在該基座；當該第二軌從該完全延伸位置往該收合方向朝該收合位置位移的過程中，處於該解鎖狀態的該鎖件會與該輔助件的一輔助部相互推抵，使該第二預定構件相對該第一預定構件往該開啟方向位移，直到該鎖件再次地卡掣至該擋牆而處於該鎖定狀態而鎖定該第一彈性件的第一預定彈力。
如請求項7所述之滑軌總成，其中，該第二預定構件包含一保持部、一第一導引部、一第二導引部以及一預定路徑；該保持部位於該第一導引部與該第二導引部之間，而該預定路徑環繞於該保持部周圍；該預定路徑用以與該輔助件的輔助部搭配使用，且透過該第一導引部與該第二導引部可用以帶動該輔助件相對該基座活動。
如請求項8所述之滑軌總成，其中，該第二預定構件更包含一容納槽，且該容納槽位於相鄰該第一導引部；當該第二軌相對該第一軌處於該收合位置時，該輔助件的輔助部卡掣至該容納槽內。
如請求項7所述之滑軌總成，其中，該輔助套件可拆卸地安裝在該第二軌與該第一軌的其中之另一。
如請求項1所述之滑軌總成，其中，該驅動裝置固定地連接至該第二軌與該第一軌的其中之一。
如請求項1所述之滑軌總成，其中，該接觸件與該預定部的其中之一包含一導引段；當該第二軌相對該第一軌從該收合位置往該收合方向位移至該過壓位置的過程中，該接觸件透過該導引段與該預定部接觸而往該收合方向越過該預定部而不再被該預定部壓住。
如請求項1所述之滑軌總成，更包含一第三軌活動地安裝在該第一軌與該第二軌之間，該第三軌用以延長該第二軌相對該第一軌的位移行程。
如請求項1所述之滑軌總成，其中，該第一軌用以安裝至一櫃體，且該第二軌用以承載一承載物。
一種驅動裝置，包含：一第一預定構件；一第二預定構件與該第一預定構件可相對彼此縱向地位移；一第一彈性件安裝在該第一預定構件與該第二預定構件之間；一鎖件活動地安裝在該第二預定構件；以及一同步桿座活動地安裝在該第一預定構件；其中，該同步桿座安排有一接觸件與一第二彈性件，且該第二預定構件安排有一預定部；其中，當該鎖件處於一鎖定狀態時，用以鎖定該第一彈性件的一第一預定彈力；其中，當該鎖件從該鎖定狀態轉換至一解鎖狀態時，用以釋放該第一彈性件的該第一預定彈力以驅動該第二預定構件往一第一方向位移，且驅動該第一預定構件往相反該第一方向的一第二方向位移；其中，該接觸件回應該第二彈性件的一第二預定彈力而處於一預定位置，用以讓該接觸件與該預定部於該第一彈性件的該第一預定彈力釋放的過程中能相互勾抵，使該同步桿座從一第一狀態被驅動至一第二狀態。
如請求項15所述之驅動裝置，其中，該第二預定構件安排有一凸部，且該第一預定構件安排有一縱向槽可供該凸部伸入，用以提供該第一預定構件與該第二預定構件僅可相對彼此在有限度的範圍內縱向地位移。
如請求項15所述之驅動裝置，其中，該第一預定構件安排有一擋牆；該鎖件透過卡掣至該擋牆而能處於該鎖定狀態。
如請求項17所述之驅動裝置，其中，該驅動裝置更包含一工作件以及一第三彈性件安排在該第一預定構件；該第三彈性件用以提供彈力至該工作件，且該工作件與該鎖件的其中之一具有一導引特徵；該工作件與該鎖件透過該導引特徵相互推抵，使該鎖件從該鎖定狀態轉換至該解鎖狀態。
如請求項18所述之驅動裝置，其中，該工作件包含一第一牆、一第二牆以及一縱向空間定義於該第一牆與該第二牆之間，且該同步桿座包含一對應部伸入該縱向空間；當該同步桿座被驅動至該第二狀態，且該第一彈性件繼續釋放該第一預定彈力時，該第一預定構件相對該第二預定構件往該第二方向位移，使處於該預定位置的該接觸件與該預定部不再相互勾抵，且一旦該接觸件往該第二方向位越過該預定部，該工作件回應該第三彈性件的彈力而活動，用以能透過該第一牆與第二牆的其中之一推抵該同步桿座的對應部，使該同步桿座從該第二狀態回到該第一狀態。
如請求項15所述之驅動裝置，更包含一殼體可用以固定地連接至一滑軌。
一種托架總成，包含：一第一托架；一第二托架可相對該第一托架縱向地位移；一第一安裝機構安排在該第一托架，用以提供該第一托架安裝之用；一第二安裝機構安排在該第二托架，用以提供該第二托架安裝之用；一支撐件固定地安排在該第一托架；以及一補強件固定地安排在該第二托架；其中，該支撐件與該第一安裝機構共同構成一第一支撐關係，該補強件與該第二安裝機構共同構成一第二支撐關係；其中，該第一支撐關係及該第二支撐關係用以強化該托架總成的支撐強度；其中，該第一托架與該第二托架皆包含一第一牆及一第二牆，該第一托架包含一側板及一端板連接在該側板，該第一托架的側板連接在該第一托架的第一牆與第二牆之間，該第一托架的側板具有一內側與一外側，該第二托架包含一側板及一端板連接在該側板，該第二托架的側板連接在該第二托架的第一牆與第二牆之間，該第一托架的第一牆、第二牆與該第一托架的側板的內側共同定義一通道用以容納該第二托架。
如請求項1所述之托架總成，其中，該支撐件包含一第一支撐部、一第二支撐部以及一側板連接在該第一支撐部與該第二支撐部之間，該支撐件的側板具有一內側與一外側，該第一支撐部與該第二支撐部分別自該支撐件的側板的內側與外側大致呈垂直地延伸，該支撐件的第一支撐部用以抵接該第一托架的第一牆。
如請求項2所述之托架總成，其中，該補強件包含一第一補強部、一第二補強部以及一側板連接在該第一補強部與該第二補強部之間，該補強件的側板具有一內側與一外側，該第一補強部與該第二補強部皆自該補強件的側板的內側大致呈垂直地延伸，該補強件的第一補強部與第二補強部用以分別抵接該第二托架的第一牆與第二牆。
如請求項3所述之托架總成，其中，該第一安裝機構與該第二安裝機構皆具有一安裝座、複數個安裝件安排在該安裝座以及一阻擋部分別自該安裝座的一側延伸突出形成一段差面，以供該支撐件與該補強件分別與該第一安裝機構與該第二安裝機構共同構成該第一支撐關係與該第二支撐關係。
如請求項4所述之托架總成，其中，該支撐件的側板與相鄰該第一安裝機構的安裝座處共同構成該第一支撐關係；當該支撐件之側板的一端與該第一安裝機構的安裝座相抵時，該第一支撐關係用以提供該第一托架的第一支撐力；當該支撐件之側板的內側與該第一安裝機構之安裝座的阻擋部相抵時，該第一支撐關係用以提供該第一托架的第二支撐力，且該第二支撐力的支撐方向不同於該第一支撐力的支撐方向。
如請求項4所述之托架總成，其中，該補強件的側板與相鄰該第二安裝機構的安裝座處共同構成該第二支撐關係；當該補強件之側板的一端與該第二安裝機構的安裝座相抵時，該第二支撐關係用以提供該第二托架的第一支撐力；當該補強件之側板的內側與該第二安裝機構之安裝座的阻擋部相抵時，該第二支撐關係用以提供該第二托架的第二支撐力，且該第二支撐力的支撐方向不同於該第一支撐力的支撐方向。
如請求項4所述之托架總成，更包含一固定件能用以安裝至該第一安裝機構的這些複數安裝件之一，其中，這些複數安裝件皆具有一安裝孔，用以供該固定件鎖固。
如請求項6所述之托架總成，其中，該補強件的第一補強部具有一第一補強段與一第二補強段相對該第一補強段垂直地彎折，該第一補強部用以抱持該第二托架的第一牆。
一種機架系統，包含：一機架具有位置相對的一第一側及一第二側；以及一對托架總成分別安裝至該機架之第一側與第二側，每一托架總成包含：一第一托架與一第二托架可相對彼此縱向地位移，該第一托架與該第二托架皆包含一側板及一端板連接該側板；一第一安裝機構與一第二安裝機構分別安排在該第一托架的端板與該第二托架的端板；一支撐件安排在該第一托架的側板，且該支撐件的一端相鄰該第一安裝機構共同構成一第一支撐關係；及一補強件安排在該第二托架的側板，且該補強件的一端相鄰該第二安裝機構共同構成一第二支撐關係；其中，該對托架總成的第一支撐關係及第二支撐關係用以強化該對托架總成的支撐強度；其中，該每一托架總成的第一托架與第二托架皆包含一第一牆及一第二牆，該第一托架的側板連接在該第一托架的第一牆與第二牆之間，該第一托架的側板具有一內側與一外側，該第二托架的側板連接在該第二托架的第一牆與第二牆之間，該第一托架的第一牆、第二牆與該第二托架的側板的內側共同定義一通道用以容納該第二托架。
如請求項9所述之機架系統，其中，該每一托架總成的支撐件包含一第一支撐部、一第二支撐部以及一側板連接在該第一支撐部與該第二支撐部之間，該支撐件的側板具有一內側與一外側，該第一支撐部與該第二支撐部分別自該支撐件的側板的內側與外側大致呈垂直地延伸，該支撐件的第一支撐部用以抵接該第一托架的第一牆。
如請求項10所述之機架系統，其中，該每一托架總成的補強件包含一第一補強部、一第二補強部以及一側板連接在該第一補強部與該第二補強部之間，該補強件的側板具有一內側與一外側，該第一補強部與該第二補強部皆自該補強件的側板的內側大致呈垂直地延伸，該補強件的第一補強部與第二補強部用以分別抵接該第二托架的第一牆與第二牆。
如請求項11所述之機架系統，其中，該每一托架總成的第一安裝機構與第二安裝機構皆具有一安裝座、複數個安裝件安排在該安裝座以及一阻擋部分別自該安裝座的一側延伸突出形成一段差面，以供該支撐件與該補強件分別與該第一安裝機構與該第二安裝機構共同構成該第一支撐關係與該第二支撐關係。
如請求項12所述之機架系統，其中，該每一托架總成之支撐件的側板相鄰該第一安裝機構的安裝座處構成該第一支撐關係；當該支撐件的側板的一端與該第一安裝機構的安裝座相抵時，該第一支撐關係用以提供該第一托架的第一支撐力；當該支撐件的側板的內側與該第一安裝機構的安裝座的阻擋部相抵時，該第一支撐關係用以提供該第一托架的第二支撐力，且該第二支撐力的支撐方向不同於該第一支撐力的支撐方向。
如請求項12所述之機架系統，其中，該每一托架總成之補強件的側板相鄰該第二安裝機構的安裝座處構成該第二支撐關係；當該補強件的側板的一端與該第二安裝機構的安裝座相抵時，該第二支撐關係用以提供該第二托架的第一支撐力；當該補強件的側板的內側與該第二安裝機構的安裝座的阻擋部相抵時，該第二支撐關係用以提供該第二托架的第二支撐力，且該第二支撐力的支撐方向不同於該第一支撐力的支撐方向。
如請求項12所述之機架系統，更包含一固定件能用以安裝至該每一托架總成之第一安裝機構的這些複數安裝件之一，其中，這些複數安裝件皆具有一安裝孔，用以供該固定件鎖固。
如請求項14所述之機架系統，其中，該每一托架總成之補強件的第一補強部包含一第一補強段與一第二補強段相對該第一補強段垂直地彎折，該第一補強部用以抱持該第二托架的第一牆。
一種吸附載具的物件分離系統，能重複性吸附與卸載一封裝物件，該物件分離系統包含：<br/> 一吸附載具，具有一真空吸附片、一重疊連接於該真空吸附片的金屬磁吸片以及貫穿該真空吸附片與該金屬磁吸片的複數通孔，該真空吸附片具有一吸附層、一第一黏接材、一耐熱層、一第二黏接材以及一黏貼層，該吸附層能接觸吸附該封裝物件，該第一黏接材被設置於該吸附層與該耐熱層之間，該第二黏接材被設置於該耐熱層與該黏貼層之間，且該金屬磁吸片被黏貼在該黏貼層；<br/> 一承載基座，具有一配合該吸附載具的容納槽以及一連通該容納槽的流體通道，該流體通道包含複數連通口、一供液口以及一連通該複數連通口與該供液口的輸送路徑，該複數連通口的配置樣態相同於該複數通孔，使得該吸附載具被安裝到該容納槽時，每一該連通口將對齊且連通每一該通孔，且該承載基座內部設有一位於該容納槽下方的磁吸件；以及<br/> 一供液裝置，連接於該承載基座的該供液口，能將一液體供應至該流體通道，使得該液體能填滿該流體通道以及該複數通孔；<br/> 其中，被定位在該吸附載具的該封裝物件會被該液體推動，使得該封裝物件透過均勻液壓來分離該吸附載具。
如請求項1所述吸附載具的物件分離系統，其中，該真空吸附片構造有一位於邊緣的環繞吸附部以及一位在該環繞吸附部內側的內吸附部，該環繞吸附部由外向內依序形成有一第一環圈區、一第二環圈區以及一第三環圈區，且該內吸附部具有散佈排列的複數吸附圖案區以及放射線狀的複數通孔，且該複數通孔之間形成有一離型圖案區，該第一環圈區以及該第三環圈區設為一呈現光滑表面的吸附區，且該第二環圈區設為一呈現粗糙表面的離型區。
如請求項2所述吸附載具的物件分離系統，其中，該第一環圈區、該第二環圈區以及該第三環圈區的至少一者的環圈厚度為小於10毫米(mm)，且每一該通孔的孔徑為小於5.0毫米(mm)，且該兩通孔之間具有一間隙，該間隙為小於30毫米(mm)。
如請求項1所述吸附載具的物件分離系統，其中，該真空吸附片構造有位於該複數通孔外周的複數流通通道，且該複數流通通道呈現放射線狀排列。
如請求項1所述吸附載具的物件分離系統，其中，該磁吸件能磁吸該金屬磁吸片，使得該吸附載具會被該容納槽阻擋而無法沿著一水平方向來分離於該承載基座，且該吸附載具會被該磁吸件磁吸而無法沿著一垂直方向分離於該承載基座。
如請求項1所述吸附載具的物件分離系統，其中，該供液裝置構造有一手動結構，該手動結構具有一缸筒以及一組接於該缸筒內部的活塞桿件，並持續改變該活塞桿件相對於該缸筒底部的位置，使得設置於該缸筒中的該液體被移出該缸筒來進入該供液口。
如請求項1所述吸附載具的物件分離系統，其中，該吸附載具有一外凸部，而該承載基座有一配合該外凸部形狀的外凸槽，當吸附載具放置於該承載基座時，該承載基座的該複數連通口將會準確地對齊該吸附載具的該複數通孔。
如請求項1所述吸附載具的物件分離系統，其中，該物件分離系統進一步包含一溫控裝置，該溫控裝置連接於該供液裝置，並能加熱或制冷該液體，使得該液體達到一設定溫度，當該封裝物件與該吸附載具接觸到該液體，利用該封裝物件與該吸附載具兩者的熱膨脹係數不同，使得該封裝物件與該吸附載具之間產生一熱釋放應力。
如請求項1所述吸附載具的物件分離系統，其中，該物件分離系統進一步包含一溫控裝置，該溫控裝置連接於該承載基座，能加熱或制冷該承載基座來影響該封裝物件與該吸附載具，利用該封裝物件與該吸附載具兩者的熱膨脹係數不同，使得該封裝物件與該吸附載具之間產生一熱釋放應力。
一種餐盤，其包括一餐盤本體和自所述餐盤本體延伸的至少一個插接件，所述至少一個插接件適於與餐盤支架的至少一個插槽可拆卸地接合； <br/>其中所述餐盤還包括自所述餐盤本體延伸的至少一個卡接件，所述至少一個卡接件適於與所述餐盤支架可拆卸地卡接。
如請求項1所述的餐盤，其中所述至少一個插接件相對於所述餐盤本體傾斜向下延伸。
如請求項1所述的餐盤，其中： <br/>所述至少一個插接件的一下表面與所述餐盤主體之間形成一定位凹部，所述定位凹部適於與所述餐盤支架的一定位凸部接合；和/或 <br/>所述至少一個插接件設置有一第一鎖定部，所述第一鎖定部適於與所述餐盤支架的一第二鎖定部接合；和/或 <br/>所述至少一個插接件與所述餐盤本體一體成型或者附接在一起。
如請求項3所述的餐盤，其中所述第一鎖定部包括形成於所述至少一個插接件的上表面和/或下表面的凸起或凹口。
如請求項1所述的餐盤，其中： <br/>所述插接件呈片狀；和/或 <br/>所述餐盤配置兩個或者更多個所述插接件，所述兩個或者更多個所述插接件位於所述餐盤本體的同一側且沿著所述餐盤本體的一長度方向間隔設置。
如請求項1或2所述的餐盤，其中所述至少一個卡接件與所述至少一個插接件處於不同高度上。
如請求項6所述的餐盤，其中所述至少一個插接件自所述餐盤本體的一第一高度處延伸，所述至少一個卡接件自所述餐盤本體的一第二高度處延伸，所述第一高度處高於所述第二高度處。
如請求項6所述的餐盤，其中所述至少一個卡接件包括一托鉤，所述托鉤適於與所述餐盤支架的底部卡接。
如請求項6所述的餐盤，其中： <br/>所述餐盤配置兩個或者更多個所述插接件，在相鄰的兩個所述插接件之間設置有所述至少一個卡接件；或者 <br/>在所述每個插接件的正下方均設置有所述卡接件。
一種餐盤支架，其中所述餐盤支架包括至少一個插槽，所述至少一個插槽適於與餐盤的至少一個插接件可拆卸地接合； <br/>其中所述餐盤支架包括至少一個卡接部，所述至少一個卡接部適於與所述餐盤的至少一個卡接件可拆卸地卡接。
如請求項10所述的餐盤支架，其中所述至少一個插槽傾斜地向下延伸。
如請求項10所述的餐盤支架，其中： <br/>所述至少一個插槽的槽口下部設置有一定位凸部，所述定位凸部適於與所述餐盤的一定位凹部接合；和/或 <br/>所述至少一個插槽的側壁設置有一第二鎖定部，所述第二鎖定部適於與所述餐盤的一第一鎖定部接合。
如請求項12所述的餐盤支架，其中所述第二鎖定部包括形成於所述至少一個插槽的上側壁和/或下側壁的凹口或凸起。
如請求項12所述的餐盤支架，其中所述定位凸部相對於所述槽口外凸，和/或所述定位凸部具有弧形表面。
如請求項10所述的餐盤支架，其中所述至少一個卡接部包括設置於所述餐盤支架的底部的一凹陷部。
如請求項10所述的餐盤支架，其中： <br/>所述餐盤支架包括一體成型的一支架本體，所述至少一個插槽位於所述支架本體中；或者 <br/>所述餐盤支架包括對接在一起的一上支架和一下支架，所述上支架和所述下支架中的一者具有至少一個容納部，另一者具有至少一個突出部，所述至少一個容納部和所述至少一個突出部相接合；所述至少一個插槽位於所述至少一個突出部中。
如請求項10所述的餐盤支架，其中所述餐盤支架上設置有一活動蓋，所述活動蓋用於在所述餐盤支架未安裝所述餐盤時遮擋所述至少一個插槽。
一種兒童載具，其包括請求項1至9中任一項所述的餐盤和請求項10至17中任一項所述的餐盤支架，其中所述餐盤支架為所述兒童載具的前扶手，所述餐盤借助所述至少一個插接件與所述餐盤支架的所述至少一個插槽的接合而由所述餐盤支架支撐。
一種兒童載具，其中該兒童載具的車架包括請求項10至17中任一項所述的餐盤支架。
一種電能管理方法，適用於管理停放於一場域中之多台電動車的充放電狀態，並藉由一運算裝置來實施，該場域包含一太陽能發電裝置，與多個用於供停放於該場域之該等電動車充放電的電動車充放電裝置，該運算裝置儲存有一相關於該場域之碳排放的碳排放資訊，及一相關於該場域向一電網購電之電網購電資訊，該電能管理方法包含：<br/> (A)獲得一相關於該場域在一管理期間之一當前排程週期中之用電的預測用電資訊，該當前排程週期包含多個時間窗格，該預測用電資訊包含多個對應該等時間窗格的用電預測功率；<br/> (B)獲得一相關於該太陽能發電裝置在該當前排程週期中之太陽能發電的太陽能預測資訊，該太陽能預測資訊包含多個對應該等時間窗格的總發電預測功率；<br/> (C)獲得多筆分別對應在該當前排程週期中停放於該場域之該等電動車的電動車資訊，每一電動車資訊包含所對應之電動車的一入場時間、一離場時間、入場時的一入場電池電量百分比、一期望的離場電池電量百分比、一最大電池電量，及一電池效率損失係數；及<br/> (D)根據該碳排放資訊、該預測用電資訊、該太陽能預測資訊、該等電動車資訊和該電網購電資訊，利用一非線性規劃，獲得每一電動車在該當前排程週期的每一時間窗格所對應的一電動車放電功率、一電動車電網充電功率和一電動車太陽能充電功率。
如請求項1所述的電能管理方法，其中，步驟(D)中，該非線性規劃的一目標函數及該目標函數所滿足的多個限制條件，可被表示為：<br/><img align="absmiddle" height="16px" width="214px" file="ed10048.jpg" alt="ed10048.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/><img align="absmiddle" height="10px" width="51px" file="ed10049.jpg" alt="ed10049.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/> 限制條件1：<img align="absmiddle" height="10px" width="92px" file="ed10062.jpg" alt="ed10062.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/> 限制條件2：<img align="absmiddle" height="8px" width="85px" file="ed10063.jpg" alt="ed10063.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/> 限制條件3：<img align="absmiddle" height="15px" width="121px" file="ed10052.jpg" alt="ed10052.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/> 限制條件4：<img align="absmiddle" height="8px" width="106px" file="ed10053.jpg" alt="ed10053.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/> 限制條件5：當t=<img align="absmiddle" height="9px" width="10px" file="ed10054.jpg" alt="ed10054.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>時，<img align="absmiddle" height="10px" width="57px" file="ed10055.jpg" alt="ed10055.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/> 限制條件6：當t=<img align="absmiddle" height="7px" width="9px" file="ed10056.jpg" alt="ed10056.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>時，<img align="absmiddle" height="8px" width="56px" file="ed10057.jpg" alt="ed10057.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/> 限制條件7：<img align="absmiddle" height="9px" width="112px" file="ed10064.jpg" alt="ed10064.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/> 限制條件8：<img align="absmiddle" height="8px" width="70px" file="ed10061.jpg" alt="ed10061.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/> 其中，T為該管理期間中之所有時間窗格，l為該當前排程週期中之該等時間窗格的數量減1，I為該等電動車之總數，<img align="absmiddle" height="7px" width="10px" file="ed10065.jpg" alt="ed10065.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為在第t個時間窗格的總用電功率，<img align="absmiddle" height="7px" width="9px" file="ed10066.jpg" alt="ed10066.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為在第t個時間窗格的用電成本，<img align="absmiddle" height="7px" width="7px" file="ed10067.jpg" alt="ed10067.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為在第t個時間窗格的碳密度，<img align="absmiddle" height="8px" width="13px" file="ed10068.jpg" alt="ed10068.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為電網峰值權重，<img align="absmiddle" height="7px" width="12px" file="ed10069.jpg" alt="ed10069.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為用電成本權重，<img align="absmiddle" height="7px" width="18px" file="ed10070.jpg" alt="ed10070.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為碳排放權重，<img align="absmiddle" height="7px" width="19px" file="ed10071.jpg" alt="ed10071.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為對一變數x進行正規化的正規化函數，<img align="absmiddle" height="7px" width="12px" file="ed10072.jpg" alt="ed10072.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為變數x在該當前排程週期中之該等時間窗格中的所有數值之最大一者，<img align="absmiddle" height="7px" width="11px" file="ed10073.jpg" alt="ed10073.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為變數x在該當前排程週期中之該等時間窗格中的所有數值之最小一者，<img align="absmiddle" height="9px" width="18px" file="ed10074.jpg" alt="ed10074.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為場域在第t個時間窗格的電網充電功率，<img align="absmiddle" height="10px" width="16px" file="ed10075.jpg" alt="ed10075.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為第i台電動車在第t個時間窗格的電網充電功率，<img align="absmiddle" height="7px" width="14px" file="ed10076.jpg" alt="ed10076.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為太陽能發電裝置在第t個時間窗格的總發電預測功率，<img align="absmiddle" height="7px" width="15px" file="ed10077.jpg" alt="ed10077.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為場域在第t個時間窗格的太陽能充電預測功率，<img align="absmiddle" height="8px" width="13px" file="ed10078.jpg" alt="ed10078.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為第i台電動車在第t個時間窗格的太陽能充電預測功率，<img align="absmiddle" height="8px" width="26px" file="ed10079.jpg" alt="ed10079.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為第i台電動車在第t個時間窗格的電池電量百分比變化，<img align="absmiddle" height="8px" width="14px" file="ed10080.jpg" alt="ed10080.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為第i台電動車在第t個時間窗格的放電功率，<img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10081.jpg" alt="ed10081.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為每一電動車的電池效率損失係數，<img align="absmiddle" height="7px" width="16px" file="ed10082.jpg" alt="ed10082.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為每一電動車的最大儲電量，<img align="absmiddle" height="8px" width="17px" file="ed10083.jpg" alt="ed10083.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為第i台電動車在第t個時間窗格的電池電量百分比，<img align="absmiddle" height="9px" width="10px" file="ed10054.jpg" alt="ed10054.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為第i台電動車之離場時間，<img align="absmiddle" height="10px" width="19px" file="ed10084.jpg" alt="ed10084.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為第i台電動車在第t個時間窗格的入場電池電量百分比，<img align="absmiddle" height="7px" width="9px" file="ed10056.jpg" alt="ed10056.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為第i台電動車之入場時間，<img align="absmiddle" height="8px" width="17px" file="ed10085.jpg" alt="ed10085.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為第i台電動車在第t個時間窗格的期望的離場電池電量百分比，<img align="absmiddle" height="7px" width="9px" file="ed10086.jpg" alt="ed10086.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為場域在第t個時間窗格的用電預測功率。
如請求項1所述的電能管理方法，其中，該場域還包含一儲能電池，該運算裝置儲存有對應於該儲能電池的儲能電池資訊，該儲能電池資訊包含一最大儲能電池電量和一儲能電池效率損失係數，且在步驟(D)中，該運算裝置還根據該儲能電池資訊利用該非線性規劃獲得該儲能電池在該當前排程週期的每一時間窗格所對應的一儲能電池放電功率、一儲能電池電網充電功率和一儲能電池太陽能充電功率。
如請求項3所述的電能管理方法，其中，步驟(D)中，該非線性規劃的一目標函數及該目標函數所滿足的多個限制條件，可被表示為：<br/><img align="absmiddle" height="16px" width="214px" file="ed10048.jpg" alt="ed10048.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/><img align="absmiddle" height="10px" width="51px" file="ed10049.jpg" alt="ed10049.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/> 限制條件1：<img align="absmiddle" height="10px" width="118px" file="ed10050.jpg" alt="ed10050.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/> 限制條件2：<img align="absmiddle" height="8px" width="108px" file="ed10051.jpg" alt="ed10051.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/> 限制條件3：<img align="absmiddle" height="15px" width="121px" file="ed10052.jpg" alt="ed10052.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/> 限制條件4：<img align="absmiddle" height="8px" width="106px" file="ed10053.jpg" alt="ed10053.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/> 限制條件5：當t=<img align="absmiddle" height="9px" width="10px" file="ed10054.jpg" alt="ed10054.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>時，<img align="absmiddle" height="10px" width="57px" file="ed10055.jpg" alt="ed10055.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/> 限制條件6：當t=<img align="absmiddle" height="7px" width="9px" file="ed10056.jpg" alt="ed10056.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>時，<img align="absmiddle" height="8px" width="56px" file="ed10057.jpg" alt="ed10057.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/> 限制條件7：<img align="absmiddle" height="15px" width="116px" file="ed10058.jpg" alt="ed10058.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/> 限制條件8：<img align="absmiddle" height="7px" width="95px" file="ed10059.jpg" alt="ed10059.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/> 限制條件9：<img align="absmiddle" height="9px" width="135px" file="ed10060.jpg" alt="ed10060.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/> 限制條件10：<img align="absmiddle" height="8px" width="70px" file="ed10061.jpg" alt="ed10061.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/> 其中，T為該管理期間中之所有時間窗格，l為該當前排程週期中之該等時間窗格的數量減1，I為該等電動車之總數，<img align="absmiddle" height="7px" width="10px" file="ed10065.jpg" alt="ed10065.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為在第t個時間窗格的總用電功率，<img align="absmiddle" height="7px" width="9px" file="ed10066.jpg" alt="ed10066.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為在第t個時間窗格的用電成本，<img align="absmiddle" height="7px" width="7px" file="ed10067.jpg" alt="ed10067.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為在第t個時間窗格的碳密度，<img align="absmiddle" height="8px" width="13px" file="ed10068.jpg" alt="ed10068.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為電網峰值權重，<img align="absmiddle" height="7px" width="12px" file="ed10069.jpg" alt="ed10069.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為用電成本權重，<img align="absmiddle" height="7px" width="18px" file="ed10070.jpg" alt="ed10070.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為碳排放權重，<img align="absmiddle" height="7px" width="19px" file="ed10071.jpg" alt="ed10071.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為對一變數x進行正規化的正規化函數，<img align="absmiddle" height="7px" width="12px" file="ed10072.jpg" alt="ed10072.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為變數x在該當前排程週期中之該等時間窗格中的所有數值之最大一者，<img align="absmiddle" height="7px" width="11px" file="ed10073.jpg" alt="ed10073.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為變數x在該當前排程週期中之該等時間窗格中的所有數值之最小一者，<img align="absmiddle" height="9px" width="18px" file="ed10074.jpg" alt="ed10074.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為場域在第t個時間窗格的電網充電功率，<img align="absmiddle" height="10px" width="16px" file="ed10075.jpg" alt="ed10075.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為第i台電動車在第t個時間窗格的電網充電功率，<img align="absmiddle" height="9px" width="19px" file="ed10087.jpg" alt="ed10087.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為儲能電池在第t個時間窗格的電網充電功率，<img align="absmiddle" height="7px" width="8px" file="ed10088.jpg" alt="ed10088.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為太陽能發電裝置在第t個時間窗格的總發電預測功率，<img align="absmiddle" height="7px" width="15px" file="ed10077.jpg" alt="ed10077.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為場域在第t個時間窗格的太陽能充電預測功率，<img align="absmiddle" height="8px" width="13px" file="ed10078.jpg" alt="ed10078.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為第i台電動車在第t個時間窗格的太陽能充電預測功率，<img align="absmiddle" height="7px" width="16px" file="ed10089.jpg" alt="ed10089.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為儲能電池在第t個時間窗格的太陽能充電預測功率，<img align="absmiddle" height="8px" width="20px" file="ed10090.jpg" alt="ed10090.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為第i台電動車在第t個時間窗格的電池電量百分比變化，<img align="absmiddle" height="8px" width="14px" file="ed10080.jpg" alt="ed10080.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為第i台電動車在第t個時間窗格的放電功率，<img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10081.jpg" alt="ed10081.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為每一電動車的電池效率損失係數，<img align="absmiddle" height="7px" width="16px" file="ed10082.jpg" alt="ed10082.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為每一電動車的最大儲電量，<img align="absmiddle" height="8px" width="17px" file="ed10083.jpg" alt="ed10083.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為第i台電動車在第t個時間窗格的電池電量百分比，<img align="absmiddle" height="9px" width="10px" file="ed10054.jpg" alt="ed10054.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為第i台電動車之離場時間，<img align="absmiddle" height="10px" width="19px" file="ed10084.jpg" alt="ed10084.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為第i台電動車在第t個時間窗格的入場電池電量百分比，<img align="absmiddle" height="7px" width="9px" file="ed10056.jpg" alt="ed10056.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為第i台電動車之入場時間，<img align="absmiddle" height="8px" width="17px" file="ed10085.jpg" alt="ed10085.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為第i台電動車在第t個時間窗格的期望的離場電池電量百分比，<img align="absmiddle" height="7px" width="22px" file="ed10091.jpg" alt="ed10091.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為儲能電池在第t個時間窗格的電池電量百分比變化，<img align="absmiddle" height="7px" width="16px" file="ed10092.jpg" alt="ed10092.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為儲能電池在第t個時間窗格的放電功率，<img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10093.jpg" alt="ed10093.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為儲能電池的電池效率損失係數，<img align="absmiddle" height="7px" width="18px" file="ed10094.jpg" alt="ed10094.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為儲能電池的最大儲電量，<img align="absmiddle" height="7px" width="19px" file="ed10095.jpg" alt="ed10095.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為儲能電池在第t個時間窗格的電池電量百分比，<img align="absmiddle" height="7px" width="9px" file="ed10086.jpg" alt="ed10086.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為場域在第t個時間窗格的用電預測功率。
如請求項3所述的電能管理方法，在步驟(D)之後，還包含以下步驟：<br/> (E)根據該儲能電池在該當前排程週期的該等時間窗格中的一最早時間窗格的儲能電池放電功率、儲能電池電網充電功率和儲能電池太陽能充電功率，判定該儲能電池是否需進行充電；<br/> (F)當判定出該儲能電池需進行充電時，判定該太陽能發電裝置在該最早時間窗格的一實際太陽能發電功率是否小於該儲能電池太陽能充電功率；及<br/> (G)當判定出該太陽能發電功率小於該儲能電池太陽能充電功率時，根據該太陽能發電功率和該儲能電池太陽能充電功率獲得一儲能電池用電差值功率。
如請求項5所述的電能管理方法，在步驟(G)之後，還包含以下步驟：<br/> (i)獲得一相關於該場域在該當前排程週期中之最後一個時間窗格後的下一時間窗格之用電預測功率；<br/> (ii)獲得一相關於該太陽能發電裝置在該當前排程週期中之最後一個時間窗格後的下一時間窗格之總發電預測功率；及<br/> (iii)將在該當前排程週期中的第二個時間窗格至該當前排程週期中之最後一個時間窗格後的下一時間窗格作為另一當前排程週期，並回到步驟(C)。
如請求項1所述的電能管理方法，在步驟(D)之後，還包含以下步驟：<br/> (H)對於每一電動車，根據該電動車在該當前排程週期的該等時間窗格中的一最早時間窗格的電動車放電功率、電動車電網充電功率和電動車太陽能充電功率，判定該電動車是否需進行充電；<br/> (I)當判定出該電動車需進行充電時，判定該太陽能發電裝置在該最早時間窗格的一實際太陽能發電功率是否小於該電動車太陽能充電功率；<br/> (J)當判定出該太陽能發電功率小於該電動車太陽能充電功率時，根據該太陽能發電功率和該電動車太陽能充電功率獲得一電動車用電差值功率。
如請求項7所述的電能管理方法，在步驟(J)之後，還包含以下步驟：<br/> (iv)獲得一相關於該場域在該當前排程週期中之最後一個時間窗格後的下一時間窗格之用電預測功率；<br/> (v)獲得一相關於該太陽能發電裝置在該當前排程週期中之最後一個時間窗格後的下一時間窗格之總發電預測功率；及<br/> (vi)將在該當前排程週期中的第二個時間窗格至該當前排程週期中之最後一個時間窗格後的下一時間窗格作為另一當前排程週期，並回到步驟(C)。
一種永續智慧型顯示裝置的製造方法，包含：<br/> 一載板開槽步驟，在一載板上開設一定位空間，該定位空間包括一主體區域以及一位於該主體區域邊緣的側端區域；<br/> 一元件設置步驟，將一印刷電路板透過一定位件設置在該定位空間中，該印刷電路板包括一主體、一被設置在該主體的電連接器以及一封蓋在該電連接器的擋件，其中，該主體位於該主體區域中，而該電連接器與該擋件位於該側端區域中；<br/> 一填膠步驟，將一膠體填充至該定位空間內，使得該印刷電路板的該主體、該電連接器以及該擋件三者皆被該膠體完全包覆；<br/> 一蓋板封裝步驟，將至少一蓋板設置在該載板的頂部及底部的至少一者，使得該至少一蓋板與該載板形成一載殼，進而該膠體與該印刷電路板被該蓋板與該載板所封裝；<br/> 一靜置固化步驟，將被該蓋板與該載板封裝的該膠體靜置於一作用時間後，使得該膠體產生固化；<br/> 一餘料去除步驟，在該載板定義出一相鄰該膠體的框體區域以及一位於該框體區域外圍的去除區域，其中，該側端區域相鄰於該去除區域，將該至少一蓋板以及該載板兩者位於該去除區域的多餘材料去除形成一目標外殼，使得該印刷電路板的該擋件能從該目標外殼中外露；以及<br/> 一擋件卸除步驟，將該擋件從該電連接器中拆卸，使得該目標外殼能顯現出該膠體與該電連接器的一插接口。
如請求項1所述永續智慧型顯示裝置的製造方法，其中，該填膠步驟包含一填充手段以及設置於該填充手段之後的一塗佈手段，該填充手段是將該膠體填充至該定位空間，使得該印刷電路板的外周輪廓與該定位空間的內周輪廓之間具有該膠體，而該塗佈手段是將該膠體塗佈於該主體的底部，使得部分該膠體被設置於該定位空間底部。
如請求項2所述永續智慧型顯示裝置的製造方法，其中，於該填膠步驟中，該載板與該主體之間構造有一間隙，使得該膠體被填充至該間隙來設置於該載板以及該主體之間。
如請求項1所述永續智慧型顯示裝置的製造方法，其中，該餘料去除步驟是使用一裁切工具來沿著一裁切輪廓進行裁切，該裁切輪廓被設置於該主體的外圍輪廓與該載板的外圍輪廓之間，且該裁切工具會沿著該裁切輪廓來裁切該擋件，使得該擋件的一部份被分離開。
一種永續智慧型顯示裝置的製造方法，包含：<br/> 一載板開槽步驟，在一載板上開設一定位空間，該定位空間包括一主體區域以及一位於該主體區域邊緣的側端區域；<br/> 一元件設置步驟，將一印刷電路板組接於該定位空間的一定位部來設置在該定位空間中，該印刷電路板包括一主體、一被設置在該主體的電連接器以及一封蓋在該電連接器的擋件，其中，該主體位於該主體區域中，而該電連接器與該擋件位於該側端區域中；<br/> 一填膠步驟，將一膠體填充至該定位空間內，使得該印刷電路板的該主體、該電連接器以及該擋件三者皆被該膠體完全包覆；<br/> 一蓋板封裝步驟，將至少一蓋板設置在該載板的頂部及底部的至少一者，使得該至少一蓋板與該載板形成一載殼，進而該膠體與該印刷電路板被該蓋板與該載板所封裝；<br/> 一靜置固化步驟，將被該蓋板與該載板封裝的該膠體靜置於一作用時間後，使得該膠體產生固化；<br/> 一餘料去除步驟，在該載板定義出一相鄰該膠體的框體區域以及一位於該框體區域外圍的去除區域，其中，該側端區域相鄰於該去除區域，將該至少一蓋板以及該載板兩者位於該去除區域的多餘材料去除形成一目標外殼，使得該印刷電路板的該擋件能從該目標外殼中外露；以及<br/> 一擋件卸除步驟，將該擋件從該電連接器中拆卸，使得該目標外殼能顯現出該膠體與該電連接器的一插接口。
如請求項5所述永續智慧型顯示裝置的製造方法，其中，該定位空間具有一第一開口、一第二開口以及設置於該第一開口與該第二開口之間的該定位部，該定位部構成有一環凸緣，該第一開口的一第一輪廓大於該第二開口的該第二開口輪廓，且該第一輪廓大於該主體的一主體輪廓，該主體輪廓大於該第二開口輪廓，而當該印刷電路板的該主體沿著一垂直方向進入該第一開口時，該主體會被卡合於該環凸緣，使得該主體被定位於該定位空間的該定位部。
如請求項6所述永續智慧型顯示裝置的製造方法，其中，該定位空間被該主體分隔出一定位槽以及一貫通槽，該定位槽連通於該貫通槽，且該定位槽構造有該第一開口，該貫通槽構造有該第二開口，該第一輪廓大於該第二開口輪廓，使得該定位槽與該貫通槽沿著一垂直方向形成一漸縮階梯形狀。
如請求項7所述永續智慧型顯示裝置的製造方法，其中，該定位空間具有一第一開口以及連通該第一開口的定位部，該定位部構成有一凹槽，該第一開口的一第一輪廓大於該主體的一主體輪廓，且該凹槽的一凹槽輪廓大於該主體輪廓，而當該印刷電路板的該主體沿著該垂直方向進入該第一開口時，該主體會通過該第一開口來被組接於該定位部。
一種超音波成像系統，包括： <br/> 個人電腦； <br/> 換能器； <br/> 超音波接收器； <br/> 超音波發射器； <br/> 類比多工器，用於對從所述超音波發射器到所述換能器的訊號以及從所述換能器到所述超音波接收器的訊號進行多工； <br/> 控制邏輯，用於控制所述超音波發射器以產生激勵訊號以用於激勵所述換能器的元件而產生超音波脈衝，控制所述超音波接收器以對來自所述換能器的所述元件的超音波脈衝的回波進行取樣，並通過THUNDERBOLT I/O介面將所述回波的資料流式傳輸到所述個人電腦。
如請求項1所述的超音波成像系統，其中，所述控制邏輯從多個通道接收所述回波的所述資料，所述控制邏輯將由所述多個通道中的第一組通道攜帶的所述回波的所述資料儲存在第一記憶體中，並且所述控制邏輯將由所述多個通道中的第二組通道攜帶的所述回波的所述資料緩衝在第二記憶體中。
如請求項2所述的超音波成像系統，其中，所述控制邏輯將所述第一記憶體中的所述回波的所述資料流式傳輸到所述個人電腦，然後將所述第二記憶體中的所述回波的所述資料流式傳輸到所述個人電腦。
如請求項3所述的超音波成像系統，其中，所述第一記憶體包括資料先入先出(FIFO)記憶體，並且所述控制邏輯還包括資料多工器，用於將來自所述第二記憶體的資料多工到所述資料FIFO記憶體。
如請求項2所述的超音波成像系統，其中，所述控制邏輯包括現場可程式設計閘陣列(FPGA)。
如請求項5所述的超音波成像系統，其中，所述第二記憶體是所述FPGA外部的動態隨機存取記憶體(DRAM)。
如請求項1所述的超音波成像系統，其中，所述個人電腦包括圖形處理單元(GPU)，並且被配置為運行成像模組，以使用所述GPU根據所述回波的所述資料產生超音波圖像。
如請求項1所述的超音波成像系統，還包括： <br/> THUNDERBOLT I/O介面控制器，被配置為通過THUNDERBOLT連接器連接到所述個人電腦的 <br/>THUNDERBOLT埠。
如請求項1所述的超音波成像系統，其中，所述換能器、所述超音波接收器、所述超音波發射器、所述類比多工器和所述控制邏輯被設置於探頭內。
一種產生超音波圖像的方法，所述方法包括： <br/> 由超音波發射器產生激勵訊號； <br/> 利用所述激勵訊號來激勵換能器的元件，以向被成像的目標發射超音波脈衝，其中，所述目標是人體； <br/> 在超音波接收器中接收所述超音波脈衝的回波； <br/> 數位化所述回波以產生回波資料； <br/> 通過THUNDERBOLT I/O介面將所述回波資料流式傳輸到個人電腦；以及 <br/> 由所述個人電腦根據所述回波資料產生超音波圖像。
如請求項10所述的方法，其中，通過所述THUNDERBOLT I/O介面將所述回波資料流式傳輸到所述個人電腦包括： <br/> 通過所述THUNDERBOLT I/O介面將由多個資料通道中的第一組資料通道所攜帶的所述回波的一部分傳輸到所述個人電腦； <br/> 在將由所述第一組資料通道所攜帶的所述回波資料的所述一部分傳輸到所述個人電腦之後，通過所述THUNDERBOLT I/O介面將所述多個資料通道中的第二組資料通道所攜帶的所述回波資料的另一部分傳輸到所述個人電腦。
如請求項10所述的方法，其中，所述超音波圖像是使用所述個人電腦的圖形處理單元(GPU)產生的。
一種電平轉換電路，用以耦接於一上位機與一陣列基板行驅動電路(Gate Driver on Array, GOA)之間，其中，該陣列基板行驅動電路包括對應 Y 條掃描線之Y個閘極驅動單元，且所述電平轉換電路包括：<br/> 一掃描信號產生單元，耦接一上位機所輸出的一模式控制信號與N個輸入掃描信號，且被配置以執行：依據該模式控制信號和該N個輸入掃描信號產生對應的N個輸出掃描信號，並根據所述模式控制信號於一掃描週期內輸出所述N個輸出掃描信號；<br/> 一電平轉換模塊，耦接該掃描信號產生單元，且被配置以對各所述輸出掃描信號執行一電平轉換處理，並對應地輸出N個掃描信號；其中，Y為正整數，N為選自於由6、8、10、12、14、16、18、20、22、和24所組成群組之中的任一者，且所述掃描信號的高電壓準位與低電壓準位分別為一閘極高電壓與一閘極低電壓；以及<br/> 一輸出模塊，耦接該電平轉換模塊，且被配置以在所述掃描週期內將N個所述掃描信號輸出至對應的N個所述閘極驅動單元。
如請求項1所述之電平轉換電路，其中，該掃描信號產生單元包括：<br/> 一模式控制器，耦接該N個輸入掃描信號和所述模式控制信號，並依據該模式控制信號與該N個輸入掃描信號產生一選擇控制信號組與N個輸出取樣控制信號；<br/> N個脈衝信號產生單元，對應耦接N個所述輸入掃描信號，且各所述脈衝信號產生單元同時耦接該模式控制器以接收對應的所述輸出取樣控制信號；以及<br/> 一多工選擇單元，耦接該模式控制器以接收該選擇控制信號組，且同時耦接該N個脈衝信號產生單元；<br/> 其中，各所述脈衝信號產生單元被配置以依據對應的所述輸出取樣控制信號和對應的所述輸入掃描信號產生對應的所述輸出掃描信號傳送至該多工選擇單元；<br/> 其中，該多工選擇單元被配置以依據一選擇控制信號組於所述掃描週期內輸出N個所述輸出掃描信號。
如請求項2所述之電平轉換電路，其中，各所述脈衝信號產生單元皆包括：<br/> 一第一子單元，具有一第一輸入端、一第二輸入端、一第三輸入端、一第四輸入端、與一輸出端，其中，該第一輸入端耦接一第一輸入掃描信號，該第二輸入端耦接一本地時鐘信號，且該第三輸入端和該第四輸入端皆耦接一重置信號；<br/> 一第二子單元，具有一第一輸入端、一第二輸入端與一輸出端，其中，該第一輸入端耦接該第一子單元的該輸出端，且該第二輸入端耦接該重置信號；以及<br/> 一輸出掃描信號產生器，具有一第一輸入端、一第二輸入端、一第三輸入端、與一輸出端，其中，該第一輸入端耦接對應的所述輸出取樣控制信號，該第二輸入端耦接對應的所述輸入掃描信號，且該第三輸入端耦接該第二子單元的該輸出端；<br/> 其中，該第一子單元被配置以基於該本地時鐘信號對該第一輸入掃描信號執行邊緣觸發以產生一脈波結束控制信號傳送至該第二子單元；<br/> 其中，該第二子單元被配置以根據該脈波結束控制信號產生一脈波起始控制信號傳送至該輸出掃描信號產生器；<br/> 其中，該輸出掃描信號產生器被配置以在該脈波起始控制信號的觸發下，根據所述輸入掃描信號和所述輸出取樣控制信號輸出對應的所述輸出掃描信號。
如請求項3所述之電平轉換電路，其中，該第一子單元包括：<br/> 一第一D型正反器，具有一第一輸入端、一第二輸入端、一第三輸入端、一第一輸出端、與一第二輸出端，其中，該第一輸入端、該第二輸入端與該第三輸入端分別作為該第一子單元的該第一輸入端、該第二輸入端與該第三輸入端；<br/> 一第二D型正反器，同樣具有一第一輸入端、一第二輸入端、一第三輸入端、一第一輸出端、與一第二輸出端，其中，該第三輸入端作為該第一子單元的該第四輸入端， 該第一輸入端耦接該第一D型正反器的該第一輸出端，且該第二輸入端耦接該本地時鐘信號；以及<br/> 一第一及閘(AND gate)，具有一第一輸入端、一第二輸入端與一輸出端，其中，該第一輸入端與該第二輸入端分別耦接該第二D型正反器的該第一輸出端與該第二輸出端，且該輸出端耦接至該第二子單元的該第一輸入端。
如請求項4所述之電平轉換電路，其中，該第二子單元包括：<br/> 一反相器，具有一輸入端與一輸出端，其中，該輸入端作為該第二子單元的該第一輸入端；以及<br/> 一第二及閘，具有一第一輸入端、一第二輸入端與一輸出端，其中，該第一輸入端耦接該反相器的該輸出端，該第二輸入端端作為該第二子單元的該第二輸入端，且該輸出端耦接至該輸出掃描信號產生器的該第三輸入端。
如請求項4所述之電平轉換電路，其中，該輸出掃描信號產生器為一D型正反器，且該選擇控制信號組包括K個第一選擇控制信號與一第二選擇控制信號；K為正整數。
如請求項6所述之電平轉換電路，其中，該多工選擇單元包括：<br/> K個第一多工器，其中，各所述第一多工器耦接複數個所述輸出掃描信號以及對應的所述第一選擇控制信號，且被配置以依據該第一選擇控制信號從而選擇一個所述輸出掃描信號予以輸出；以及<br/> 一第二多工器，耦接所述第二選擇控制信號，且耦接該K個第一多工器以接收K個所述輸出掃描信號；其中，該第二多工器被配置以依據該第二選擇控制信號從而選擇一個所述輸出掃描信號予以輸出。
一種平面顯示裝置，包括一顯示面板、整合在該顯示面板側邊的一陣列基板行驅動電路(Gate Driver on Array, GOA)電路、至少一個電平轉換電路、一源極驅動電路、一伽瑪電壓產生電路、一電源供應電路、以及一時序控制器；其特徵在於，該電平轉換電路包括：<br/> 一掃描信號產生單元，耦接一上位機所輸出的一模式控制信號與N個輸入掃描信號，且被配置以執行：基於該N個輸入掃描信號產生對應的N個輸出掃描信號，並根據所述模式控制信號於一掃描週期內輸出所述N個輸出掃描信號；<br/> 一電平轉換模塊，耦接該掃描信號產生單元，且被配置以對各所述輸出掃描信號執行一電平轉換處理，並對應地輸出N個掃描信號；其中，Y為正整數，N為選自於由6、8、10、12、14、16、18、20、22、和24所組成群組之中的任一者，且所述掃描信號的高電壓準位與低電壓準位分別為一閘極高電壓與一閘極低電壓；以及<br/> 一輸出模塊，耦接該電平轉換模塊，且被配置以在所述掃描週期內將N個所述掃描信號輸出至對應的N個所述閘極驅動單元。
如請求項8所述之平面顯示裝置，其中，該掃描信號產生單元包括：<br/> 一模式控制器，耦接該N個輸入掃描信號和所述模式控制信號，並依據該模式控制信號與該N個輸入掃描信號產生一選擇控制信號組與N個輸出取樣控制信號；<br/> N個脈衝信號產生單元，對應耦接N個所述輸入掃描信號，且各所述脈衝信號產生單元同時耦接該模式控制器以接收對應的所述輸出取樣控制信號；<br/> 一多工選擇單元，耦接該模式控制器以接收該選擇控制信號組，且同時耦接該N個脈衝信號產生單元；<br/> 其中，各所述脈衝信號產生單元被配置以依據對應的所述輸出取樣控制信號和對應的所述輸入掃描信號產生對應的所述輸出掃描信號傳送至該多工選擇單元；<br/> 其中，該多工選擇單元被配置以依據一選擇控制信號組於所述掃描週期內輸出所述N個輸出掃描信號。
一種資訊處理裝置，其特徵在於包含至少一個如請求項8至請求項9之中任一項所述之平面顯示裝置。
一種產生超音波圖像的方法，所述方法包括： <br/> 向目標的第一位置發射第一正超音波脈衝，其中，所述目標是人體； <br/> 接收所述第一正超音波脈衝的第一組回波； <br/> 根據所述第一組回波產生第一組掃描線； <br/> 向所述目標的第二位置發射第一負超音波脈衝，所述第一負超音波脈衝是所述第一正超音波脈衝的反相形式； <br/> 接收所述第一負超音波脈衝的第二組回波； <br/> 根據所述第二組回波產生第二組掃描線； <br/> 將所述第一組掃描線和第二組掃描線中的重疊掃描線進行相干複合，以產生相干複合的掃描線；以及 <br/> 至少將所述相干複合的掃描線組合成為超音波圖像。
如請求項1所述的方法，還包括： <br/> 向所述目標的第三位置發射第二正超音波脈衝； <br/> 接收所述第二正超音波脈衝的第三組回波； <br/> 根據所述第三組回波產生第三組掃描線；以及 <br/> 將所述第一組掃描線、所述第二組掃描線和所述第三組掃描線中的重疊掃描線進行相干複合，以產生所述相干複合的掃描線。
如請求項1所述的方法，其中，根據所述第一組回波產生所述第一組掃描線包括： <br/> 從換能器的元件取樣所述第一組回波；以及 <br/> 通過THUNDERBOLE I/O介面將所述第一組回波的資料流式傳輸到個人電腦；以及 <br/> 在所述個人電腦中，對所述第一組回波的所述資料進行並行動態接收聚焦，以產生所述第一組掃描線。
如請求項3所述的方法，其中，根據所述第二組回波產生所述第二組掃描線包括： <br/> 從所述換能器的所述元件取樣所述第二組回波；以及 <br/> 在將所述第一組回波的所述資料流式傳輸到所述個人電腦之後，通過所述THUNDERBOLE I/O介面將所述第二組回波的資料流式傳輸到所述個人電腦；以及 <br/> 在所述個人電腦中，對所述第二組回波的所述資料進行並行動態接收聚焦，以產生所述第二組掃描線。
如請求項1所述的方法，其中，所述第二位置位於所述第一位置的右側，並且所述目標是通過從左向右發射超音波脈衝來掃描的。
一種用於產生超音波圖像的方法，所述方法包括： <br/> 向目標發射多個超音波脈衝，其中，所述目標是人體； <br/> 接收所述超音波脈衝的回波； <br/> 將所述回波的回波資料流式傳輸至個人電腦；以及 <br/> 在所述個人電腦中，根據所述回波資料產生多個掃描線，將所述多個掃描線中的重疊掃描線進行相干複合，以產生相干複合的掃描線；以及至少將所述相干複合的掃描線組合成為超音波圖像。
如請求項6所述的方法，其中，向所述目標發射所述多個超音波脈衝包括： <br/> 向所述目標的間隔位置交替地發射正超音波脈衝和負超音波脈衝。
如請求項6所述的方法，其中，所述回波的所述回波資料是通過THUNDERBOLE I/O介面被流式傳輸到所述個人電腦的。
如請求項8所述的方法，其中，所述超音波圖像是使用所述個人電腦的圖形處理單元GPU來產生的。
如請求項6所述的方法，其中，將所述回波的所述回波資料流式傳輸到所述個人電腦包括： <br/> 將所述超音波脈衝的所述回波進行數位化以產生所述回波資料； <br/> 在多個通道上攜帶所述回波資料； <br/> 緩衝由所述多個通道中的第一組通道攜帶的回波資料； <br/> 將由所述多個通道中的第二組通道攜帶的回波資料發射到所述個人電腦；以及 <br/> 在將由所述第二組通道攜帶的所述回波資料發射到所述個人電腦後，將由所述第一組通道攜帶的所述回波資料發射到所述個人電腦。
一種資訊管理方法，其係於提供電子商務服務之電子裝置中管理售後服務之資訊之方法，該電子商務服務係調解製造商之產品之銷售給顧客，其包括如下步驟： <br/>基於顧客之售後服務請求而產生服務事件； <br/>基於成為上述請求之售後服務之對象之產品之資訊、顧客地址資訊、及服務中心運營資訊中之至少一部分，確認將負責上述服務事件之第1群體，該至少一部分資訊係基於上述產生之服務事件之服務事件資訊而確認； <br/>基於與上述第1群體對應之可用人力及日程之第1資訊，將上述服務事件分配至上述第1群體； <br/>對應於上述分配，更新上述服務事件資訊及上述服務中心運營資訊； <br/>基於零件使用資訊來更新一個以上之零件之庫存之零件庫存資訊，該零件使用資訊係基於上述服務事件資訊而確認； <br/>基於零件訂單資訊來產生訂貨目錄，其中上述零件庫存資訊包括各服務中心之庫存資訊及可補充庫存資訊，該各服務中心之庫存資訊係與提供售後服務之一個以上之服務中心各者之零件庫存有關，該可補充庫存資訊係與對上述一個以上之服務中心各者補充零件之材料中心之零件庫存有關； <br/>基於正常入庫確認資訊來更新零件庫存資訊，該正常入庫確認資訊係基於上述訂貨目錄及入庫資訊而確認； <br/>基於該零件訂單資訊及該零件庫存資訊，向該材料中心請求該零件之一供應； <br/>若該材料中心不具有與該請求對應之該零件的庫存，向該製造商訂購該零件， <br/>確認與可進行售後服務之產品對應之銷售資訊； <br/>確認包括關於由該電子裝置提供之該售後服務之日誌資料之服務歷史資訊； <br/>基於該銷售資訊或該服務歷史資訊中之至少一者，產生與對應於第1期間之售後服務請求之預計需求有關之服務需求預測資訊； <br/>基於上述服務需求預測資訊，產生所預測之零件訂購需求之零件需求預測資訊；及 <br/>基於該零件需求預測資訊，提供零件訂購通知資訊。
如請求項1之資訊管理方法，其中上述第1群體對應於一個以上之作業者，上述第1資訊包括上述第1群體之各日期可用人力之資訊； <br/>上述各日期可用人力之資訊包括第1順位可用人力資訊及第2順位可用人力資訊； <br/>上述分配之步驟包括如下步驟： <br/>於存在與第1日期對應之第1順位可用人力之情形時，將上述服務事件分配至上述第1群體及上述第1日期， <br/>於不存在與上述第1日期對應之第1順位可用人力之情形時，基於與上述第1日期對應之上述第2順位可用人力資訊來分配上述服務事件。
如請求項2之資訊管理方法，其中基於上述第2順位可用人力資訊來分配上述服務事件之步驟包括如下步驟： <br/>於存在上述第2順位可用人力之情形時，將上述服務事件分配至上述第1群體及上述第1日期， <br/>於不存在上述第2順位可用人力之情形時，確認與第2日期對應之各日期可用人力之資訊。
如請求項2之資訊管理方法，其進而包括如下步驟： <br/>於不存在第1群體之與上述第1日期對應之第2順位可用人力之情形時，基於第2群體之各日期可用人力之資訊，將上述服務事件移交至上述第2群體；及 <br/>對應於上述移交，更新上述服務中心運營資訊。
如請求項1之資訊管理方法，其中產生上述零件需求預測資訊之步驟包括如下步驟： <br/>基於一個以上之零件資訊來產生上述零件需求預測資訊，該一個以上之零件資訊係基於上述服務需求預測資訊及映射資訊而確認。
如請求項1之資訊管理方法，其中產生上述零件需求預測資訊之步驟包括如下步驟： <br/>基於服務歷史資訊來產生上述零件需求預測資訊，該服務歷史資訊係基於已完成之服務事件而產生。
一種提供電子商務服務之電子裝置，該電子商務服務係調解製造商之產品之銷售給顧客，該電子裝置包括： <br/>通訊部； <br/>儲存器；及 <br/>處理器； <br/>上述處理器以如下方式設定： <br/>基於顧客之售後服務請求而產生服務事件， <br/>基於成為上述請求之售後服務之對象之產品之資訊、顧客地址資訊、及服務中心運營資訊中之至少一部分，確認將負責上述服務事件之第1群體，該至少一部分資訊係基於上述產生之服務事件之服務事件資訊而確認， <br/>基於與上述第1群體對應之可用人力及日程之第1資訊，將上述服務事件分配至上述第1群體， <br/>對應於上述分配，更新上述服務事件資訊及上述服務中心運營資訊； <br/>基於零件使用資訊來更新一個以上之零件之庫存之零件庫存資訊，該零件使用資訊係基於上述服務事件資訊而確認； <br/>基於零件訂單資訊來產生訂貨目錄，其中上述零件庫存資訊包括各服務中心之庫存資訊及可補充庫存資訊，該各服務中心之庫存資訊係與提供售後服務之一個以上之服務中心各者之零件庫存有關，該可補充庫存資訊係與對上述一個以上之服務中心各者補充零件之材料中心之零件庫存有關； <br/>基於正常入庫確認資訊來更新零件庫存資訊，該正常入庫確認資訊係基於上述訂貨目錄及入庫資訊而確認； <br/>基於該零件訂單資訊及該零件庫存資訊，向該材料中心請求該零件之一供應； <br/>若該材料中心不具有與該請求對應之該零件的庫存，向該製造商訂購該零件，及 <br/>確認與可進行售後服務之產品對應之銷售資訊； <br/>確認包括關於由該電子裝置提供之該售後服務之日誌資料之服務歷史資訊； <br/>基於該銷售資訊或該服務歷史資訊中之至少一者，產生與對應於第1期間之售後服務請求之預計需求有關之服務需求預測資訊； <br/>基於上述服務需求預測資訊，產生所預測之零件訂購需求之零件需求預測資訊；及 <br/>基於該零件需求預測資訊，提供零件訂購通知資訊。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄用以於電腦中執行請求項1之方法之程式。
一種文件生成方法，由一電子裝置執行，該文件生成方法包含：<br/> 取得對應一產品的至少一參考文件，其中該產品對應至少一製造階段，該至少一製造階段包含多個生產要素；<br/> 將該至少一參考文件分成多個文本部分，執行一資訊檢索演算法以從該些文本部分中擷取出一關鍵文本部分；<br/> 建立一結構化提示，該結構化提示包含多個參數欄位；<br/> 將該至少一製造階段以及該些生產要素的其中之一填入該些參數欄位以產生一第一提示；<br/> 將該關鍵文本部分及該第一提示輸入至一語言模型以得到一第一生產文件；以及<br/> 將該至少一製造階段以及該些生產要素的其中之另一填入該些參數欄位的其中之一以產生一另一提示，至少將該另一提示輸入至該語言模型以得到一另一生產文件。
如請求項1所述的文件生成方法，其中該第一生產文件為一失效模式與效益分析報告，該些生產要素包含人員、設備、材料、方法以及環境，<br/> 其中該結構化提示用以生成關聯於該失效模式與效益分析報告的一功能分析報告、失效分析報告、一風險分析報告的其中之一。
如請求項1所述的文件生成方法，其中該至少一參考文件的個數大於1，該些文本部分的每一者為該些參考文件的其中之一，該資訊檢索演算法包含：<br/> 將該些生產要素的每一者和該些參考文件的其中之一輸入至一機器學習模型以得到一相關分數；<br/> 根據該些相關分數從該些參考文件中取得至少一相關參考文件；<br/> 從該至少一相關參考文件中擷取多個字詞；<br/> 將該些字詞的每一者執行一詞性分類以分類為多個詞性的其中之一；<br/> 取得多個預設詞性所對應的該些字詞以作為多個候選字詞；以及<br/> 將該些候選字詞加入該關鍵文本部分。
如請求項3所述的文件生成方法，其中該資訊檢索演算法還包括：<br/> 計算該些候選字詞和該至少一相關參考文件之間的一詞頻-逆文檔頻率以形成一分數矩陣；<br/> 依據該分數矩陣計算該些候選字詞的每一者對於所有的該至少一相關參考文件的一最大詞頻-逆文檔頻率；以及<br/> 響應於該最大詞頻-逆文檔頻率大於一分數臨界值，挑選對應的該候選字詞加入該關鍵文本部分。
如請求項1所述的文件生成方法，其中該資訊檢索演算法包含：<br/> 將該至少一參考文件分為多個區塊；<br/> 將該些區塊分別轉換為多個特徵向量；<br/> 將一使用者提示範本以及該些特徵向量的每一者輸入至一機器學習模型以得到一相關分數；以及<br/> 根據該些相關分數從該些區塊中擷取多個關鍵區塊作為該關鍵文本部分。
如請求項1所述的文件生成方法，還包括：<br/> 建立一次階結構化提示，該次階結構化提示包含多個次階參數欄位；<br/> 至少將該至少一製造階段、該些生產要素的其中之一、以及該第一生產文件中的多個條目填入該些次階參數欄位以產生一第二提示；以及<br/> 將一次階關鍵文本部分及該第二提示輸入至該語言模型以得到一第二生產文件。
如請求項6所述的文件生成方法，其中該第一生產文件和該第二生產文件屬於一失效模式與效益分析報告，該些生產要素包含人員、設備、材料、方法以及環境，<br/> 其中該結構化提示用以生成一功能分析報告，該次階結構化提示用以生成該功能分析報告以及一失效分析報告。
如請求項1所述的文件生成方法，還包括：<br/> 將該關鍵文本部分填入該些參數欄位的其中之一；以及<br/> 將一數字填入該些參數欄位的其中之一，藉此在該第一生產文件中生成出該數字的條目。
如請求項1所述的文件生成方法，其中該第一生產文件包含多個條目，該文件生成方法還包括：<br/> 建立一檢查提示，該檢查提示包含多個檢查欄位；<br/> 將該些條目填入該些檢查欄位以產生一第二提示；以及<br/> 將該第二提示以及該至少一參考文件輸入至該語言模型以產生一檢查表格，該檢查表格用以判斷該些條目是否來自於該至少一參考文件。
如請求項9所述的文件生成方法，還包括：<br/> 響應於該檢查表格指示該些條目的其中之一不來自於該至少一參考文件，刪除對應的該條目。
一種文件生成系統，包括：<br/> 一記憶體，儲存多個指令；以及<br/> 一處理器，電性連接至該記憶體，用以執行該些指令以完成多個步驟：<br/> 取得對應一產品的至少一參考文件，其中該產品對應至少一製造階段，該至少一製造階段包含多個生產要素；<br/> 將該至少一參考文件分成多個文本部分，執行一資訊檢索演算法以從該些文本部分中擷取出一關鍵文本部分；<br/> 建立一結構化提示，該結構化提示包含多個參數欄位；<br/> 至少將該至少一製造階段以及該些生產要素的其中之一填入該些參數欄位以產生一第一提示；<br/> 將該關鍵文本部分及該第一提示輸入至一語言模型以得到一第一生產文件；以及<br/> 將該至少一製造階段以及該些生產要素的其中之另一填入該些參數欄位的其中之一以產生一另一提示，至少將該另一提示輸入至該語言模型以得到一另一生產文件。
如請求項11所述的文件生成系統，其中該第一生產文件為一失效模式與效益分析報告，該些生產要素包含人員、設備、材料、方法以及環境，<br/> 其中該結構化提示用以生成關聯於該失效模式與效益分析報告的一功能分析報告、失效分析報告、一風險分析報告的其中之一。
如請求項11所述的文件生成系統，其中該至少一參考文件的個數大於1，該些文本部分的每一者為該些參考文件的其中之一，該資訊檢索演算法包含：<br/> 將該些生產要素的每一者和該些參考文件的其中之一輸入至一機器學習模型以得到一相關分數；<br/> 根據該些相關分數從該些參考文件中取得至少一相關參考文件；<br/> 從該至少一相關參考文件中擷取多個字詞；<br/> 將該些字詞的每一者執行一詞性分類以分類為多個詞性的其中之一；<br/> 取得多個預設詞性所對應的該些字詞以作為多個候選字詞；以及<br/> 將該些候選字詞加入該關鍵文本部分。
如請求項13所述的文件生成系統，其中該資訊檢索演算法還包括：<br/> 計算該些候選字詞和該至少一相關參考文件之間的一詞頻-逆文檔頻率以形成一分數矩陣；<br/> 依據該分數矩陣計算該些候選字詞的每一者對於所有的該至少一相關參考文件的一最大詞頻-逆文檔頻率；以及<br/> 響應於該最大詞頻-逆文檔頻率大於一分數臨界值，挑選對應的該候選字詞加入該關鍵文本部分。
如請求項11所述的文件生成系統，其中該資訊檢索演算法包含：<br/> 將該至少一參考文件分為多個區塊；<br/> 將該些區塊分別轉換為多個特徵向量；<br/> 將一使用者提示範本以及該些特徵向量的每一者輸入至一機器學習模型以得到一相關分數；以及<br/> 根據該些相關分數從該些區塊中擷取多個關鍵區塊作為該關鍵文本部分。
如請求項11所述的文件生成系統，其中該些步驟還包括：<br/> 建立一次階結構化提示，該次階結構化提示包含多個次階參數欄位；<br/> 至少將該至少一製造階段、該些生產要素的其中之一、以及該第一生產文件中的多個條目填入該些次階參數欄位以產生一第二提示；以及<br/> 將一次階關鍵文本部分及該第二提示輸入至該語言模型以得到一第二生產文件。
如請求項16所述的文件生成系統，其中該第一生產文件和該第二生產文件屬於一失效模式與效益分析報告，該些生產要素包含人員、設備、材料、方法以及環境，<br/> 其中該結構化提示用以生成一功能分析報告，該次階結構化提示用以生成該功能分析報告以及一失效分析報告。
如請求項11所述的文件生成系統，其中該些步驟還包括：<br/> 將該關鍵文本部分填入該些參數欄位的其中之一；以及<br/> 將一數字填入該些參數欄位的其中之一，藉此在該第一生產文件中生成出該數字的條目。
如請求項11所述的文件生成系統，其中該第一生產文件包含多個條目，該些步驟還包括：<br/> 建立一檢查提示，該檢查提示包含多個檢查欄位；<br/> 將該些條目填入該些檢查欄位以產生一第二提示；<br/> 將該第二提示以及該至少一參考文件輸入至該語言模型以產生一檢查表格，該檢查表格用以判斷該些條目是否來自於該至少一參考文件；以及<br/> 響應於該檢查表格指示該些條目的其中之一不來自於該至少一參考文件，刪除對應的該條目。
一種非暫態電腦可讀取儲存媒體，用以儲存多個指令，該些指令被一電腦系統執行以完成多個步驟：<br/> 取得對應一產品的至少一參考文件，其中該產品對應至少一製造階段，該至少一製造階段包含多個生產要素；<br/> 將該至少一參考文件分成多個文本部分，執行一資訊檢索演算法以從該些文本部分中擷取出一關鍵文本部分；<br/> 建立一結構化提示，該結構化提示包含多個參數欄位；<br/> 將該至少一製造階段以及該些生產要素的其中之一填入該些參數欄位以產生一第一提示；<br/> 將該關鍵文本部分及該第一提示輸入至一語言模型以得到一第一生產文件；以及<br/> 將該至少一製造階段以及該些生產要素的其中之另一填入該些參數欄位的其中之一以產生一另一提示，至少將該另一提示輸入至該語言模型以得到一另一生產文件。
一種因應基地台拆除後之基地台規劃方法，包括：<br/> 經由一使用者終端裝置，指定一目標基地台，將該目標基地台視為欲拆除之基地台；<br/> 因應該目標基地台之指定，決定一區域；<br/> 基於該區域，匯入一話務分布落點圖，該話務分布落點圖由多個位置與該等位置關聯的話務統計資訊所構成；<br/> 根據一條件，自該話務分布落點圖中的多個位置，篩選出多個高話務量位置；<br/> 自該等高話務量位置中篩選出多個弱訊位置；<br/> 計算每一個弱訊位置於該目標基地台拆除前後的訊號強度落差；及<br/> 基於一弱訊位置的訊號強度落差滿足一閥值，判斷該弱訊位置為一預測的客訴位置。
如請求項1 所述之方法，其中 ，指定該目標基地台包含，於該使用者終端裝置輸入該目標基地台的一識別資訊。
如請求項1 所述之方法，其中，該區域可經由該使用者終端裝置呈現，該話務分布落點的多個位置可經由該使用者終端裝置呈現。
如請求項1 所述之方法，其中，該條件為該話務分布落點圖的多個位置之中話務量位於排名前5%者。
如請求項1 所述之方法，其中，自該等高話務量位置中篩選出該等弱訊位置包含，根據一弱訊條件自該等高話務量位置中篩選出該等弱訊位置。
如請求項1所述之方法，其中，匯入該話務分布落點圖包含，調用一話務清單，該話務清單包含多筆位於該區域內的話務紀錄，每一筆話務紀錄描述該區域中的一位置在一期間內經統計計算之一話務量。
如請求項1 所述之方法，其中，計算每一個弱訊位置於該目標基地台拆除前後的訊號強度落差，包含：<br/> 自一基地台KPI資料庫及/或一基地台資料庫，獲得該目標基地台拆除之前，每一個弱訊位置的一已知平均訊號強度；<br/> 經由一模擬手段，獲得該目標基地台拆除之後，每一個弱訊位置的一模擬平均訊號強度；及<br/> 針對每一個弱訊位置，計算所述已知平均訊號強度及所述模擬平均訊號強度之落差。
如請求項1所述之方法，其中，該閥值為20dBm。
如請求項1 所述之方法，更包含：<br/> 經由該使用者終端裝置，呈現該預測的客訴位置。
如請求項1 所述之方法，更包含：<br/> 至少基於該預測的客訴位置及該區域中的基地台容量，推薦一既有基地台之調整方案或一基地台之增設方案，所述既有基地台之調整方案或基地台之增設方案可經由該使用者終端裝置以文字或圖像呈現。
一種電動中空迴轉缸，包括：<br/>一個缸體(10)；<br/>一個中心拉管(20)，其配置於該缸體(10)中，並可沿該中心拉管(20)的一個中心軸(22)方向進行往復運動；<br/>一個外牙環(27)，其配置於該中心拉管(20)外側的表面而可轉動；<br/>一個內牙環(32)，其與該外牙環(27)保持嚙接關係；<br/>一個圓筒(30)，其連接於該內牙環(32)與該缸體(10)交界處，使得該內牙環(32)和該缸體(10)可相互轉動；以及<br/>一個齒輪系傳動系統，包括：<br/>一個電機(44)，配置於該缸體(10)外部，該電機(44)的電能轉換為該內牙環(32)旋轉動能，並驅使該外牙環(27)帶動該中心拉管(20)相對於該缸體(10)進行伸出或拉回運動。
如請求項1所述的電動中空迴轉缸，其中，該缸體(10)和該中心拉管(20)之間配置一個直線軸承(21)。
如請求項1所述的電動中空迴轉缸，其中，該齒輪系傳動系統還包括：<br/>一個從動齒輪(33)，其與該內牙環(32)維持同向轉動的聯結關係；<br/>一個主動齒輪(47)，其結合於該電機(44)的一根電機軸(45)，該主動齒輪(47)嚙接於該從動齒輪(33)。
如請求項2所述的電動中空迴轉缸，還包括：<br/>一個端蓋(50)，其通過該中心拉管(20)異於直線軸承(21)的一端，罩住該內牙環(32)伸出該圓筒(30)的端部，該端蓋(50)與該內牙環(32)相互轉動。
如請求項4所述的電動中空迴轉缸，還包括：<br/>至少一根連接桿(52)，其結合該端蓋(50)並位於該中心拉管(20)的一側，該連接桿(52)插入該外牙環(27)，牽引該端蓋(50)隨著該外牙環(27)同向轉動，並引導該外牙環(27)沿著中心軸(22)進行往復運動。
一種具攪拌件之浸泡式咖啡袋，其用以裝設咖啡粉；該具攪拌件之浸泡式咖啡袋具有： 一袋體，其為中空，且具有： <br/> 一袋部，其具有複數濾孔，且用以放置該咖啡粉； <br/> 一開啟部，其可拆卸地設置於該袋部上，當該開啟部自該袋部拆卸後，該袋部形成有一開口，且該開口朝上；該開啟部具有： <br/> 至少一攪拌件，其設置於該開啟部的其中一側面； <br/>二掛架，其設置於該袋部的相對兩面，該開口位於該二掛架之間，且各該掛架具有： <br/> 一基座，其貼合於該袋部的其中一面； <br/> 至少一延伸部，其一端連接於該基座的下方，且向上方延伸； <br/> 至少一掛設部，其一端連接於該至少一延伸部相對於該基座的另一端，且向下方延伸；該至少一掛設部相對於該至少一延伸部的另一端能選擇性地遠離該袋體，且該至少一掛設部遠離該袋體時，能掛設於一杯體的杯緣上。
如請求項1所述之具攪拌件之浸泡式咖啡袋，其中，該至少一攪拌件可拆卸式地連接於其中一該基座。
如請求項1或2所述之具攪拌件之浸泡式咖啡袋，其中，該基座具有： <br/>一主體部，其具有： <br/> 一橫向件，其位於該袋部上並靠近該開啟部，且沿橫向延伸； <br/> 二縱向件，其分別連接該橫向件的兩端，且向下延伸； <br/>一連接部，其設置於該二縱向件之間，且該連接部的一端連接於該橫向件，並向下延伸；該連接部的另一端連接於該至少一延伸部。
如請求項3所述之具攪拌件之浸泡式咖啡袋，其中， <br/>各該掛架具有二該延伸部，且該二延伸部分別連接於該連接部的相對兩側緣； <br/>各該掛架具有二該掛設部，且該二掛設部分別連接於其中一該延伸部的外緣。
如請求項3所述之具攪拌件之浸泡式咖啡袋，其中，該掛設部呈U字型，且當該至少一掛設部貼合該袋體時，該至少一延伸部與該至少一掛設部位於該二縱向件之間。
如請求項1或2所述之具攪拌件之浸泡式咖啡袋，其中，該至少一攪拌件與其中一掛架為一體成形。
如請求項3所述之具攪拌件之浸泡式咖啡袋，其中，該至少一攪拌件與其中一掛架為一體成形，且該至少一攪拌件、該主體部、該連接部、該延伸部以及該掛設部皆為片體；當該掛設部貼合該袋體時，該至少一攪拌件、該主體部、該連接部、該延伸部以及該掛設部位於同一平面。
一種旅行箱儲存架用鎖定裝置，包括旅行箱儲存架，該旅行箱儲存架包括：多個垂直框架，分別沿垂直方向設置；以及多個水平框架，通過連接多個該垂直框架來形成開放的旅行箱儲存空間，該旅行箱儲存架用鎖定裝置設置在該水平框架，以防止儲存在該旅行箱儲存空間的旅行箱被盜，該旅行箱儲存架用鎖定裝置的特徵在於，<br/> 包括：<br/> 卡定部，在該水平框架的垂直部和從該垂直部直角彎曲而成的水平部形成鎖定孔，該鎖定孔從該垂直部連接至該水平部，通過該鎖定孔，在該垂直部和該水平部形成懸臂結構的支撐端；<br/> 鎖定模組，設置在該垂直部，並具備密碼按鈕和鎖定解鎖旋鈕，且具有設置在該垂直部的背面的鎖定解鎖部件，從而通過在設定角度內轉動該鎖定解鎖部件來選擇性地開閉該鎖定孔；以及<br/> 鎖定金屬線，一端固定在該水平框架或該垂直框架，在另一端形成用於使該支撐端貫通的鎖環，該鎖環通過儲存在該旅行箱儲存空間的旅行箱的把手之後，通過該鎖定孔掛在該支撐端，<br/> 在該鎖環掛在該支撐端的狀態下，該鎖定解鎖部件封閉該鎖定孔以維持該鎖定金屬線的鎖定狀態，當該鎖定解鎖部件開放該鎖定孔時，解除該鎖定金屬線的鎖定狀態。<br/> 其中，該鎖定解鎖部件包括：<br/> 結合端，結合在該鎖定模組的旋轉軸端部；以及<br/> 卡定端，從該結合端向該垂直部的背面方向彎曲並靠近該垂直部的背面之後重新向水平方向彎曲，當該鎖定解鎖旋鈕為了鎖上而進行旋轉時，端部區域位於該支撐端的背面。<br/> 其中，在該支撐端的背面或該支撐端的背面和該鎖定解鎖部件設置強制解除防止單元，在該卡定端橫穿該鎖定孔來進行封閉的狀態下，防止該鎖定金屬線從該卡定端與該鎖定孔的邊緣之間通過。
如請求項1所述之旅行箱儲存架用鎖定裝置，其中，<br/> 該強制解除防止單元包括：<br/> 第一彎曲端，由該支撐端的水平支撐端一部分與該支撐端的垂直支撐端平行地彎曲而成；以及<br/> 第一插入卡定槽，形成在該第一彎曲端與該垂直支撐端之間，<br/> 當該鎖定解鎖部件進行鎖定旋轉時，該卡定端插入到該第一插入卡定槽並防止該鎖定金屬線通過。
如請求項1所述之旅行箱儲存架用鎖定裝置，其中，<br/> 該強制解除防止單元包括：<br/> 第二彎曲端，由該支撐端的水平支撐端的一部分以分別與該水平支撐端及垂直支撐端形成直角的方式彎曲而成；以及<br/> 第二插入卡定槽，形成在該第二彎曲端與該支撐端的垂直支撐端之間，<br/> 當該鎖定解鎖部件進行鎖定旋轉時，該卡定端插入到該第二插入卡定槽並防止該鎖定金屬線通過。
一種自行車前叉成型方法，自行車前叉包含一前叉本體(10C)及一豎管(30)，該自行車前叉成型方法包含以下步驟： <br/>(a)取材步驟(S01)，選擇一金屬材料作為毛胚(10)； <br/>(b)鍛造步驟(S02)，將該毛胚(10)加熱至一預定鍛造溫度後，置入一成型模具的模穴中，藉由該成型模具的上模與下模對合，將該毛胚(10)鍛造成具有一預定外形的粗胚(10A)，該粗胚(10A)中段形成一凸座(11)，該凸座(11)兩側各有一水平延伸的圓柱(12)； <br/>(c)擠壓成型步驟(S03)，將該粗胚(10A)加熱至一預定擠壓溫度後，置入一擠壓模具的模穴內，並以該擠壓模具的上模與下模夾持固定該粗胚(10A)；其中該擠壓模具於對應該粗胚(10A)兩側圓柱(12)的位置分別設有一向外延伸的成型通道，且各該成型通道的內徑大於一擠壓桿(20)的外徑；藉由該擠壓桿(20)沿該成型通道穿入並施力，使該粗胚(10)的兩端受擠壓沿該擠壓桿(20)與該成型通道的間隙延伸，進而擠壓成型為兩軸向延伸的直管(12A)，而該兩直管(12A)與該凸座(11)間保留有一彎曲預設部(13)，此時該直管(12A)與該彎曲預設部(13)為圓形斷面； <br/>(d)縮管步驟(S04)，對擠壓成型後的該兩直管(12A)與該兩彎曲預設部(13)進行縮徑處理，以調整其管徑尺寸； <br/>(e)壓扁步驟(S05)，對經縮管處理的該兩直管(12A)與該兩彎曲預設部(13)進行壓扁成型，使其截面由圓形轉變為橢圓形，形成兩橢圓管(12B)； <br/>(f)彎管步驟(S06)，對該兩彎曲預設部(13)進行彎曲加工，使其整體成為概呈∩形的半成品(10B)，該彎曲預設部(13)並成為彎曲部(13A)； <br/>(g)前叉端加工步驟(S07)，對該半成品(10B)的兩下端部進行加工，以形成用於組接車輪軸之前叉端(121)；以及 <br/>(h)組接部加工步驟(S08)，對該半成品(10B)的中段部位的凸座(11)進行加工，以形成用於與該豎管(30)組接的組裝結構(11A)，進而完成前叉本體(10C)之製備，該組裝結構(11A)包含一貫穿的組裝孔(111)，該豎管(30)下端設有一組接部(31)，用於插入該組裝孔(111)組合； <br/>其中，該(h)組接部加工步驟(S08)除了接著於該(g)前叉端加工步驟(S07)之後進行外，亦可選擇性地於該(b)鍛造步驟(S02)、該(c)擠壓成型步驟(S03)、該(d)縮管步驟(S04)、該(e)壓扁步驟(S05)、該(f)彎管步驟(S06)或該(g)前叉端加工步驟(S07)中的任一步驟之後進行； <br/>該組裝結構(11A)的組裝孔(111)下端周緣設有一承置槽(113)，該豎管(30)的組接部(31)底面設有一螺孔(312)；組裝時，於該承置槽(113)內配置一墊塊(32)，該墊塊(32)中心設有一穿孔(321)，再以一螺栓(40)自下而上穿過該墊塊(32)的穿孔(321)，並鎖入該組接部(31)底部的螺孔(312)，完成鎖固。
如請求項1所述之自行車前叉成型方法，其中該組裝結構(11A)的組裝孔(111)上段設有內螺紋(112)，該豎管(30)的組接部(31)外周設有對應該內螺紋(112)的外螺紋(311)；組裝時，透過該外螺紋(311)與該內螺紋(112)的螺合實現固定。
如請求項1或2所述之自行車前叉成型方法，其中該組接部(31)與該組裝結構(11A)的接合界面實施焊接固定。
如請求項1所述之自行車前叉成型方法，其中該墊塊(32)與該承置槽(113)之間實施焊接固定。
如請求項1所述之自行車前叉成型方法，其中該自行車豎管(30)與上述前叉本體(10C)材質不同。
如請求項1所述之自行車前叉成型方法，其中該彎曲預設部(13)為非管形的進行彎曲加工成為實心彎曲部(13A)。
一種伺服器機架，係搭載冷卻裝置於機箱內的伺服器機架，其具備：<br/> 第一作業口，其設置於前述伺服器機架的第一側面，並移入至少一台伺服器；<br/> 第二作業口，其設置於第二側面，且前述第二側面與前述第一作業口相對；<br/> 匯流排，其設置於前述機箱內的前述至少一台伺服器與前述第二作業口之間，且最接近前述至少一台伺服器之位置以提供電力至前述至少一台伺服器而流過高電壓之電流；<br/> 電源分配單元(PDU)，其設置於前述匯流排與前述第二作業口之間，且最接近前述匯流排之位置，並流過相較前述匯流排為低電壓之電流；<br/> 歧管，其設置於最接近前述機箱內的前述第二作業口之位置，並在前述至少一台伺服器與前述冷卻裝置之間輸送冷媒；以及<br/> 開口部，其位於前述機箱的底面，並通過供應冷媒至前述冷卻裝置之管體。
如請求項1所述之伺服器機架，其中，前述歧管係各別一個個配置於前述第二作業口的兩側，且各個歧管各別連接冷卻後的冷媒與冷卻前的冷媒。
如請求項1所述之伺服器機架，其中，前述冷卻裝置係設置於前述機箱內的最底部。
如請求項2所述之伺服器機架，其中，前述伺服器機架係搭載複數個冷卻裝置與複數個伺服器於機箱內；<br/> 各別一個個配置於前述第二作業口的兩側之前述歧管係以在各別不同的前述冷卻裝置之間傳輸冷媒的方式來加以連接；<br/> 前述複數個伺服器係以與任一前述歧管傳輸冷媒的方式來加以連接。
如請求項1所述之伺服器機架，其至少能夠搭載遵循美國電子工業聯盟規範之標準(EIA標準)的伺服器，及遵循開放運算計畫規範之標準(OCP標準)的伺服器之兩者。
一種序列存在檢測（SPD）集線器功能自我檢測方法，適用於一主機板上的一序列存在檢測集線器，所述方法包括：<br/> 定義一穩定電壓位準及一穩定時間長度；<br/> 檢測所述序列存在檢測集線器的一主機端時脈訊號（HSCL）及一主機端資料訊號（HSDA）是否達到所述穩定電壓位準；<br/> 若所述主機端時脈訊號及所述主機端資料訊號達到所述穩定電壓位準，則檢測所述主機端時脈訊號及所述主機端資料訊號達到所述穩定電壓位準的時間長度是否達到所述穩定時間長度；<br/> 若所述主機端時脈訊號及所述主機端資料訊號達到所述穩定電壓位準的時間長度達到所述穩定時間長度，則進行一序列存在檢測集線器功能自我檢測；<br/> 若所述序列存在檢測集線器功能自我檢測通過，則啟用所述序列存在檢測集線器的功能；以及<br/> 若所述序列存在檢測集線器功能自我檢測不通過，則禁用所有與所述序列存在檢測集線器相關的功能。
如請求項1所述的序列存在檢測集線器功能自我檢測方法，其中，所述序列存在檢測集線器更包括一類比/數位轉換器，將所述主機端時脈訊號及所述主機端資料訊號轉換為數位訊號，所述數位訊號與所述穩定電壓位準進行比較，藉此檢測所述主機端時脈訊號及所述主機端資料訊號是否達到所述穩定電壓位準。
如請求項1所述的序列存在檢測集線器功能自我檢測方法，其中，所述主機端時脈訊號及所述主機端資料訊號係由所述主機板上的一系統管理匯流排（SMbus）的一上拉電阻供電。
如請求項1所述的序列存在檢測集線器功能自我檢測方法，其中，所述穩定電壓位準為1.8V。
如請求項1所述的序列存在檢測集線器功能自我檢測方法，其中，所述穩定電壓位準為3.3V。
一種序列存在檢測集線器，位於一主機板上，包括：<br/> 一主機端時脈訊號（HSCL）端子，用以傳輸一主機端時脈訊號；<br/> 一主機端資料訊號（HSDA）端子，用以傳輸一主機端資料訊號；<br/> 其中：<br/> 當所述主機端時脈訊號及所述主機端資料訊號達到一穩定電壓位準時，所述序列存在檢測集線器檢測所述主機端時脈訊號及所述主機端資料訊號達到所述穩定電壓位準的時間長度是否達到一穩定時間長度；<br/> 若所述主機端時脈訊號及所述主機端資料訊號達到所述穩定電壓位準的時間長度達到所述穩定時間長度，則所述序列存在檢測集線器進行一序列存在檢測集線器功能自我檢測；<br/> 若所述序列存在檢測集線器功能自我檢測通過，則所述序列存在檢測集線器啟用其功能；以及<br/> 若所述序列存在檢測集線器功能自我檢測不通過，則所述序列存在檢測集線器禁用所有與其相關的功能。
如請求項6所述的序列存在檢測集線器，更包括一類比/數位轉換器，耦接至所述主機端時脈訊號端子及所述主機端資料訊號端子，將所述主機端時脈訊號及所述主機端資料訊號轉換為數位訊號，所述數位訊號與所述穩定電壓位準進行比較，藉此檢測所述主機端時脈訊號及所述主機端資料訊號是否達到所述穩定電壓位準。
如請求項6所述的序列存在檢測集線器，其中，所述主機端時脈訊號及所述主機端資料訊號係由所述主機板上的一系統管理匯流排（SMbus）的一上拉電阻供電。
如請求項6所述的序列存在檢測集線器，其中，所述穩定電壓位準為1.8V。
如請求項6所述的序列存在檢測集線器，其中，所述穩定電壓位準為3.3V。
一種水中面罩，其具有上下方向、前後方向及橫方向，並具備：面罩本體、連結至前述面罩本體之頭帶、用以調整前述頭帶之長度之帶扣；該水中面罩之特徵為： <br/> 前述帶扣，係與前述面罩本體為不同個體，位於在前述前後方向上分離處，並具有：卡合爪，係卡合在位於前述頭帶之外表面之卡合凹部；以及一對操作部，係於前述上下方向對向， <br/> 藉由使前述帶扣往後方移動，使前述卡合爪卡合於前述頭帶之前述卡合凹部，而限制前述頭帶之長度調整，另一方面，藉由按壓操作前述操作部，使前述限制受到解除。
如請求項1所述之水中面罩，其中， <br/> 前述帶扣，係具有基部構件，以及與前述基部構件為不同個體之罩構件，前述罩構件，係以能夠迴旋之方式安裝於前述基部構件，並具有前述操作部，藉由按壓操作前述操作部，前述罩構件往遠離前述基部構件之方向移動。
如請求項2所述之水中面罩，其中， <br/> 前述罩構件，係具有：具有往橫方向X之外側開口之中央開口之外周壁部、前後側插通孔、位於外周壁部內之卡止構造體，前述卡止構造體，係經由自前述外周壁部延伸之彈性部連結至前述外周壁部，並具有以朝向後方傾斜之方式往前述橫方向延伸之一對兩側部分，以及位於前述兩側部分之間之卡止突起，於位在前述兩側部分之前述橫方向之內方側之內端，存在有尖銳狀之前述卡合爪。
如請求項3所述之水中面罩，其中， <br/> 前述基部構件，係具有：底壁部；兩側壁部，係自前述底壁部豎起，且於前述上下方向Y彼此對向並往前述前後方向延伸；前後插通孔；被卡止構造體，係以連結前述兩側壁部之間之方式，位於與前述底壁部分離處，前述被卡止構造體，係具有前述罩構件之前述卡止突起所卡止之被卡止面。
如請求項4所述之水中面罩，其中， <br/> 於前述基部構件之前述底壁部之內面，存在有位於與前述罩構件之前述卡合爪為對向處之肋條。
一種人力驅動車用控制裝置，上述人力驅動車具備有：用來輸入人力驅動力的曲柄軸、連接於上述曲柄軸的第1旋轉體、車輪、連接於上述車輪的第2旋轉體、卡合於上述第1旋轉體及上述第2旋轉體且用來在上述第1旋轉體與上述第2旋轉體之間傳遞驅動力的傳遞體、用來變更上述車輪的轉速相對於上述曲柄軸的轉速的變速比而操作上述傳遞體的撥鏈器、用來驅動上述傳遞體的馬達、操作裝置； <br/> 上述人力驅動車用控制裝置，具備有用來控制上述馬達的控制部； <br/> 上述操作裝置，包含：用來操作上述撥鏈器的變速用操作部、與可變更上述馬達的輔助等級的輔助用操作部； <br/> 上述控制部，在上述曲柄軸停止的情況，能進行變速動作，藉由上述馬達驅動上述傳遞體，藉由以上述撥鏈器操作上述傳遞體來變更上述變速比； <br/> 上述控制部係執行控制狀態，該控制狀態係包含: <br/> 第4控制狀態，係當對上述變速用操作部進行操作時則執行上述變速動作，當對上述輔助用操作部進行操作時，則驅動上述馬達來輔助上述人力驅動車的推行。
如請求項1的人力驅動車用控制裝置，其中，上述控制部，當操作上述變速用操作部或上述輔助用操作部時，將上述控制狀態轉往上述第4控制狀態。
如請求項1或2的人力驅動車用控制裝置，其中，上述控制部，當操作上述變速用操作部或上述輔助用操作部作為預定時間之第6時間以上時，將上述控制狀態轉往上述第4控制狀態。
如請求項1或2的人力驅動車用控制裝置，其中，上述控制部，在上述第4控制狀態且當操作上述變速用操作部或上述輔助用操作部作為預定時間之第7時間以上時，則解除上述第4控制狀態。
如請求項1或2的人力驅動車用控制裝置，其中，在上述第4控制狀態且在上述變速動作中上述曲柄軸旋轉的情況，上述控制部，不中斷地持續上述變速動作直到上述變速動作完成。
一種電子裝置，其係處理與運動內容提供服務相關之資訊者，其包括： <br/>通信電路，其與用戶終端進行通信； <br/>一個以上之處理器；及 <br/>一個以上之記憶體，其儲存有藉由上述一個以上之處理器而執行之指令； <br/>於藉由上述一個以上之處理器而執行上述指令時，上述一個以上之處理器： <br/>獲得與特定運動內容之屬性對應之色調值及與上述特定運動內容之上述屬性對應之彩度值， <br/>在以色調值、彩度值、及亮度值表示顏色之特定顏色空間中，基於預先確定之特定亮度值，與上述特定運動內容之上述屬性對應之上述色調值及與上述特定運動內容之上述屬性對應之上述彩度值而確定特定顏色， <br/>基於確定之上述特定顏色而生成與上述特定運動內容相關之頁面， <br/>將生成之上述頁面提供至上述用戶終端。
如請求項1之電子裝置，其中上述特定運動內容之上述屬性包括與上述特定運動內容相關之運動聯賽。
如請求項1之電子裝置，其中上述一個以上之處理器自上述用戶終端接收指示亮度值之資訊， <br/>基於指示上述亮度值之上述接收到之資訊而確定上述特定亮度值。
如請求項1之電子裝置，其中上述一個以上之處理器獲得指示於上述用戶終端中設置之用戶介面之主題的資訊， <br/>基於指示上述用戶介面之主題之資訊而確定上述特定亮度值。
如請求項4之電子裝置，其中指示於上述用戶終端中設置之用戶介面之主題之資訊包括指示上述用戶介面之主題是否已設置為黑暗模式的資訊。
如請求項4之電子裝置，其中指示於上述用戶終端中設置之用戶介面之主題之資訊包括色彩溫度設置資訊。
如請求項4之電子裝置，其中指示於上述用戶終端中設置之用戶介面之主題之資訊包括白平衡設置資訊。
如請求項1之電子裝置，其中上述一個以上之處理器獲得指示上述用戶終端之機型之資訊， <br/>基於上述用戶終端之機型而確定上述特定亮度值。
如請求項1之電子裝置，其中上述一個以上之處理器確定與上述特定運動內容之上述屬性對應之RGB形式的第1HEX編碼值， <br/>提取與確定之上述第1HEX編碼值對應之色調值及彩度值，藉此獲得與上述特定運動內容之上述屬性對應之上述色調值及與上述特定運動內容之上述屬性對應之上述彩度值。
如請求項1之電子裝置，其中上述一個以上之處理器確定對應於與上述特定運動內容之上述屬性對應之上述色調值及與上述特定運動內容之上述屬性對應之上述彩度值和上述特定亮度值的第2HEX編碼值， <br/>將與確定之上述第2HEX編碼值對應之顏色確定為上述特定顏色。
如請求項1之電子裝置，其中上述頁面包括複數個區域， <br/>預先確定之上述特定亮度值包括分別與上述複數個區域對應之複數個特定亮度值，上述特定顏色包括分別與上述複數個區域對應之複數個特定顏色， <br/>上述處理器基於分別與上述複數個區域對應之上述複數個特定亮度值和對應於上述特定運動內容之上述屬性之上述色調值及與上述特定運動內容之上述屬性對應之上述彩度值，確定分別與上述複數個區域對應之上述複數個特定顏色， <br/>基於分別與上述複數個區域對應之上述複數個特定顏色而生成上述頁面。
一種電子裝置，其係處理與運動內容提供服務相關之資訊者，其包括： <br/>通信電路，其與用戶終端進行通信； <br/>一個以上之處理器；及 <br/>一個以上之記憶體，其儲存有藉由上述一個以上之處理器而執行之指令； <br/>於藉由上述一個以上之處理器而執行上述指令時，上述一個以上之處理器獲得與特定運動內容之屬性對應之色調值及與上述特定運動內容之上述屬性對應之彩度值， <br/>將與上述特定運動內容之上述屬性對應之上述色調值及與上述特定運動內容之上述屬性對應之上述彩度值發送至上述用戶終端， <br/>將與上述特定運動內容相關之頁面提供至上述用戶終端，上述頁面之至少一部分之顏色，在以色調值、彩度值、及亮度值表示顏色之特定顏色空間中，基於預先確定之特定亮度值，與上述特定運動內容之上述屬性對應之上述色調值及與上述特定運動內容之上述屬性對應之上述彩度值而於上述用戶終端中確定為特定顏色。
一種用於處理與運動內容提供服務相關之資訊且藉由電子裝置進行之方法，其包括： <br/>獲得與特定運動內容之屬性對應之色調值及與上述特定運動內容之上述屬性對應之彩度值之動作； <br/>在以色調值、彩度值、及亮度值表示顏色之特定顏色空間中，基於預先確定之特定亮度值，與上述特定運動內容之上述屬性對應之上述色調值及與上述特定運動內容之上述屬性對應之上述彩度值而確定特定顏色的動作； <br/>基於確定之上述特定顏色而生成與上述特定運動內容相關之頁面之動作；及 <br/>將生成之上述頁面提供至用戶終端之動作。
一種用於處理與運動內容提供服務相關之資訊且藉由電子裝置進行之方法，其包括： <br/>獲得與特定運動內容之屬性對應之色調值及與上述特定運動內容之上述屬性對應之彩度值之動作； <br/>將上述與特定運動內容之上述屬性對應之上述色調值及與上述特定運動內容之上述屬性對應之上述彩度值發送至用戶終端之動作；及 <br/>將與上述特定運動內容相關之頁面提供至上述用戶終端之動作； <br/>上述頁面之至少一部分之顏色，在以色調值、彩度值、及亮度值表示顏色之特定顏色空間中，基於預先確定之特定亮度值，與上述特定運動內容之上述屬性對應之上述色調值及與上述特定運動內容之上述屬性對應之上述彩度值而於上述用戶終端中確定為特定顏色。
一種真空幫浦設備，包含：<br/> 一機台外殼，包含：<br/> 一框體；及<br/> 一側板，可拆卸地連接該框體；<br/> 一真空幫浦主體，容設於該機台外殼內；<br/> 一壓力感測器，設置於該機台外殼；以及<br/> 一控制器，設置於該機台外殼且訊號連接該真空幫浦主體與該壓力感測器，該控制器用以控制該真空幫浦主體開機並控制該壓力感測器開啟，使該壓力感測器持續感測該側板連接於該框體時而產生複數壓力值，且該控制器自該壓力感測器持續接收該些壓力值並判斷該些壓力值是否相同；<br/> 其中，當該些壓力值相同時，該真空幫浦主體保持開機；<br/> 其中，當該些壓力值中的一者與該些壓力值中的另一者相異時，該控制器控制該真空幫浦主體停機。
如請求項1所述之真空幫浦設備，其中該框體包含一鎖部，且該機台外殼更包含：<br/> 一鎖件，用以配合該鎖部，其中該壓力感測器鄰設於該鎖部；<br/> 其中，該壓力感測器感測該鎖件配合該鎖部以將該側板鎖固於該框體時而產生一第一壓力值，且該第一壓力值為該些壓力值中的該者；<br/> 其中，該壓力感測器感測該鎖件自該鎖部鬆脫時而產生一第二壓力值，且該第二壓力值為該些壓力值中的該另一者。
如請求項1所述之真空幫浦設備，更包含：<br/> 一人機介面，訊號連接該控制器；<br/> 其中，當該些壓力值中的該者與該些壓力值中的該另一者相異時，該控制器傳輸一第一控制訊號至該真空幫浦主體並透過該第一控制訊號控制該真空幫浦主體停機，且該控制器傳輸一第二控制訊號至該人機介面並透過該第二控制訊號控制該人機介面上鎖。
如請求項3所述之真空幫浦設備，其中該人機介面輸入一授權密碼至該控制器，且該控制器根據該授權密碼關閉該壓力感測器。
如請求項1所述之真空幫浦設備，其中該壓力感測器的數量為複數個。
一種真空幫浦設備的防護方法，包含：<br/> 將一機台外殼之一側板可拆卸地連接該機台外殼之一框體；<br/> 藉由一控制器控制一真空幫浦主體開機，並控制一壓力感測器開啟；<br/> 藉由該壓力感測器持續感測該側板連接於該框體時而產生複數壓力值；<br/> 藉由該控制器自該壓力感測器持續接收該些壓力值；以及<br/> 藉由該控制器判斷該些壓力值是否相同；<br/> 其中，當該些壓力值相同時，保持該真空幫浦主體開機；<br/> 其中，當該些壓力值中的一者與該些壓力值中的另一者相異時，藉由該控制器控制該真空幫浦主體停機。
如請求項6所述之真空幫浦設備的防護方法，其中將該機台外殼之該側板連接於該機台外殼之該框體的步驟包含：<br/> 藉由該機台外殼之一鎖件配合該框體之一鎖部以將該側板鎖固於該框體；<br/> 其中，該壓力感測器感測該鎖件配合該鎖部以將該側板鎖固於該框體時而產生一第一壓力值，且該第一壓力值為該些壓力值中的該者；<br/> 其中，該壓力感測器感測該鎖件自該鎖部鬆脫時而產生一第二壓力值，且該第二壓力值為該些壓力值中的該另一者。
如請求項6所述之真空幫浦設備的防護方法，其中當該些壓力值中的該者與該些壓力值中的該另一者相異時，藉由該控制器傳輸一第一控制訊號至該真空幫浦主體並透過該第一控制訊號控制該真空幫浦主體停機，且藉由該控制器傳輸一第二控制訊號至一人機介面並透過該第二控制訊號控制該人機介面上鎖。
如請求項8所述之真空幫浦設備的防護方法，其中該人機介面輸入一授權密碼至該控制器，且該控制器根據該授權密碼關閉該壓力感測器。
如請求項6所述之真空幫浦設備的防護方法，其中該壓力感測器的數量為複數個。
一種聚醯胺酸混合溶液，其包括有：聚醯胺酸溶液，其包括聚醯胺酸樹脂及溶劑，該聚醯胺酸溶液之固含量為15~35wt%，使該聚醯胺酸溶液於550nm波長下具有大於84%以上之穿透度；及一造孔劑，係為間苯二甲酸二辛酯(DOIP)，係添加於該聚醯胺酸溶液內，於高溫時將行裂解，其化學式結構為如下，<img align="absmiddle" height="85px" width="373px" file="d10005.TIF" alt="其他非圖式ed10005.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10005.png"/>，其中，該造孔劑與聚醯胺酸樹脂之重量比至少為40phr。
如申請專利範圍第1項所述之聚醯胺酸混合溶液，其中，該聚醯胺酸樹脂係由二胺及二酐聚合而成。
如申請專利範圍第2項所述之聚醯胺酸樹脂，其中，該二酸酐為均苯四甲酸二酐(PMDA)，該二胺為4,4'-二氨基二苯醚(4,4'-ODA)。
如申請專利範圍第1項所述之聚醯胺酸樹脂，其中，室溫下溶液動黏度為1,000~15,000cps。
一種聚醯亞胺膜，其包括有：使用請求項1之聚醯胺酸混合溶液製成之聚醯亞胺膜，該造孔劑於高溫時將裂解使聚醯亞胺膜形成有複數個孔洞，以製成介電常數小於2.6之聚醯亞胺膜。
如申請專利範圍第5項所述之聚醯胺酸樹脂，其中，聚醯亞胺膜的厚度為20~35μm，彈性模數大於160kgf/mm<sup>2</sup>，抗張強度大於3kgf/mm<sup>2</sup>，伸長率3%。
一種肺功能檢查品管檢視與錯誤導引訓練的方法，係依序包括下列步驟：<br/> 一準備步驟，係準備一肺功能檢查系統，其係包括一肺活量計、一處理部及一顯示器；該肺活量計係具有一吹嘴，該吹嘴係用以供一使用者對該肺活量計吹入一氣體，該肺活量計與該處理部間之訊號傳遞可為有線傳輸或無線傳輸其中至少一者；<br/> 一取得吹氣數據步驟，當該使用者吹氣後，該肺活量計係偵測該氣體之流量資訊而獲得一容積時間圖及一流量容積圖，並傳遞至該處理部；該容積時間圖係具有一持續時間及一容積時間變化曲線資訊；該流量容積圖係具有一流量容積變化曲線資訊，該流量容積變化曲線資訊係具有一最大流量值及一是否有咳嗽特徵之邏輯值；<br/> 一吹氣類型判斷步驟，該處理部係依據判斷而將該流量容積變化曲線資訊區分為下列四種類型：一正常類型、一第一種錯誤類型、一第二種錯誤類型及一第三種錯誤類型；其中：<br/> 該正常類型係被定義為：該持續時間≧6秒、滿足一用力吹條件，且該是否有咳嗽特徵之邏輯值係為0；其中，該用力吹條件係被定義為：吹氣時之最大流量峰值位置係落於該流量容積變化曲線資訊之前25%，且該最大流量值<img align="absmiddle" height="7px" width="4px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>X公升/秒；又，該X係為≧0.2之一預設值；<br/> 該第一錯誤類型係被定義為：該持續時間<img align="absmiddle" height="7px" width="4px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>6秒；<br/> 該第二錯誤類型係被定義為：未滿足該用力吹條件； <br/> 該第三錯誤類型係被定義為：該是否有咳嗽特徵之邏輯值係為1；<br/> 一品管檢視與錯誤導引訓練步驟，當前述之該吹氣類型判斷步驟之該處理部之判斷結果為正常類型時，則直接跳至下一步驟；否則進行以下之流程：<br/> 當判斷結果為該第一錯誤類型時，係進行一第一錯誤導引訓練：其中，該顯示器係顯示請該使用者再次吹氣，並於開始吹氣後，該顯示器係顯示一持續吹氣提示畫面，用以提示該使用者持續吹氣且吹氣流量大於一最低流量，當持續吹氣之時間≧6秒且≧該最低流量時，則該持續吹氣提示畫面顯示一持續吹氣成功畫面；之後，再回到前述之該取得吹氣數據步驟； <br/> 當判斷結果為該第二錯誤類型時，係進行一第二錯誤導引訓練；其中，該顯示器係顯示請該使用者再次吹氣，並於開始吹氣後，該顯示器係顯示一用力吹氣提示畫面，當該使用者之吹氣滿足前述之該用力吹條件時，該用力吹氣提示畫面中之一可動模擬標的係持續上移並高於一參考標的，否則該用力吹氣提示畫面中之該可動模擬標的係持續下移，用以提示該使用者之該吹氣力道要≧X公升/秒，使得該可動模擬標的係持續維持高於該參考標的，且≧6秒；之後，再回到前述之取得吹氣數據步驟；<br/> 當判斷結果為該第三錯誤類型時，係進行一第三錯誤導引訓練；其中，該顯示器係提示請該使用者再次吹氣，並於開始吹氣後，該顯示器係顯示「請休息一下、喝口水再進行」之文字意思表示；之後，再回到前述之該取得吹氣數據步驟；及<br/> 再當判斷結果有該第一錯誤類型、該第二錯誤類型及該第三錯誤類型之至少2者時，則分別進行相對應類型之該第一錯誤導引訓練、該第二錯誤導引訓練及該第三錯誤導引訓練；之後，再回到前述之該取得吹氣數據步驟；及<br/> 一完成步驟，即完成肺功能檢查品管檢視與錯誤導引訓練。
如請求項1所述之肺功能檢查品管檢視與錯誤導引訓練的方法，其中，於該完成步驟中，該處理部係統計該使用者進行該第一錯誤導引訓練、該第二錯誤導引訓練、該第三錯誤導引訓練之次數，並將前述之錯誤類型、次數及該肺活量計所測得之一用力吐氣肺活量資訊、一第一秒用力呼氣量資訊，顯示於該顯示器上。
如請求項1所述之肺功能檢查品管檢視與錯誤導引訓練的方法，其中，該顯示器係為螢幕。
如請求項1所述之肺功能檢查品管檢視與錯誤導引訓練的方法，其中：<br/> 該持續吹氣提示畫面係具有複數模擬蠟燭及複數模擬燭火； <br/> 該持續吹氣成功畫面係僅有該複數模擬蠟燭而無該複數模擬燭火；及<br/> 該可動模擬標的係為火箭；該參考標的係為模擬火山。
如請求項1所述之肺功能檢查品管檢視與錯誤導引訓練的方法，其中，當進行第一錯誤導引訓練、該第二錯誤導引訓練、該第三錯誤導引訓練之任一項時，該顯示器係顯示：『判斷吹氣類型；與導引訓練的選擇』之文字資訊。
一種櫃門回復裝置的殼體，包含一具有一容置部的方形殼體，該方形殼體包含沿軸向延伸方向的兩端的一頂抵端以及一相對該頂抵端一端的穿設端，其中，該頂抵端具有貫通該容置部的一上開口，該穿設端具有貫通該容置部的一下開口，以及朝該方形殼體的下端延伸有至少一凸嵌部，該方形殼體於其中一接合面設置至少一卡扣結構，該方形殼體的該接合面藉由該卡扣結構彼此相對地迫抵不脫落和夾持固定。
如請求項1所述的櫃門回復裝置的殼體，其中，該卡扣結構具有位於該方形殼體的該接合面其一側邊的一卡扣凸部，以及位於該方形殼體的該接合面另一側邊並與該卡扣凸部對應卡扣的一凹部，該凹部的形狀係配合該卡扣凸部的形狀設置。
如請求項2所述的櫃門回復裝置的殼體，其中，該卡扣凸部的兩側與該凹部的兩側分別設置一呈倒錐狀的扣接邊，該卡扣凸部深入該凹部內，並以該卡扣凸部的各該扣接邊倒扣於該凹部的各該扣接邊，使該卡扣凸部能夠卡扣抵接於該凹部內。
如請求項2所述的櫃門回復裝置的殼體，其中，該頂抵端具有分別朝該方形殼體的上端延伸有相對朝該方形殼體各向內側折合的二摺板，該二摺板分別朝向與該方形殼體的該接合面同一方向並各朝內側摺疊後，該二摺板的兩側邊分別與該頂抵端的各角落間各具有一凹洞。
如請求項4所述的櫃門回復裝置的殼體，其中，該頂抵端的該上開口係由該二摺板分別設有相對朝內的一半凹弧圓合併形成，而由各該半凹弧圓分別與該二摺板之間相對向下凹設有一凹陷弧圓。
如請求項5所述的櫃門回復裝置的殼體，其中，該方形殼體的該接合面上方與該頂抵端的銜接處設置一嵌接部。
如請求項6所述的櫃門回復裝置的殼體，其中，該嵌接部具有相對的一嵌接凸體以及一與該嵌接凸體對應嵌合的嵌槽。
如請求項7所述的櫃門回復裝置的殼體，其中，該嵌接凸體與該嵌槽的位置係相對配合該卡扣結構的該卡扣凸部與該凹部而設置，該嵌接凸體與該嵌槽設為垂直角形狀。
如請求項1所述的櫃門回復裝置的殼體，其中，該方形殼體的該接合面靠近於該穿設端的一端設置一點焊。
如請求項1所述的櫃門回復裝置的殼體，其中，該方形殼體為金屬材料製成。
一種用於基板處理設備的氣體供應設備，該氣體供應設備包含：一第一氣體供應單元，用於將氣體供應至一第一氣體噴射單元； 一第二氣體供應單元，用於將氣體供應至一第二氣體噴射單元；一控制單元；以及一儲存單元，其中，該第一氣體供應單元包含連接於該第一氣體噴射單元的一第一供應管路、連接於該第一供應管路的多個第一氣體供應模組以及量測該第一供應管路的一第一壓力的一第一量測模組，該第二氣體供應單元包含連接於該第二氣體噴射單元的一第二供應管路、連接於該第二供應管路的多個第二氣體供應模組以及量測該第二供應管路的一第二壓力的一第二量測模組，該第一量測模組檢查該第一壓力是否位於該控制單元所設定的一第一基準值之外，該第二量測模組檢查該第二壓力是否位於該控制單元所設定的一第二基準值之外，該儲存單元累計由該第一量測模組及該第二量測模組中的每一者量測到的壓力資料，並且該控制單元藉由使用累計在該儲存單元中的壓力資料來改變該第一基準值以及該第二基準值。
如請求項1所述之氣體供應設備，其中該第一氣體供應單元包含將一吹除氣體供應至該第一供應管路的一第一吹除模組。
如請求項2所述之氣體供應設備，其中該第一吹除模組持續地將該吹除氣體供應至該第一供應管路。
如請求項2所述之氣體供應設備，其中該第一量測模組在該第一吹除模組以及該些第一氣體供應模組之間連接於該第一供應管路。
如請求項2所述之氣體供應設備，其中，當一製程氣體被供應至該第一供應管路時，該第一量測模組檢查該第一壓力是否位於該第一基準值之外。
如請求項1所述之氣體供應設備，其中該第一量測模組檢查該第一壓力的一第一氣體壓力是否位於該第一基準值之外。
如請求項1所述之氣體供應設備，其中該第一量測模組將該第一壓力與對各該第一氣體供應模組為不同的該第一基準值進行比較。
如請求項1所述之氣體供應設備，其中當檢查出該第一壓力位於該第一基準值之外時，該第一氣體供應模組停止氣體的供應。
如請求項1所述之氣體供應設備，其中該第一氣體供應單元包含一第一偵測模組；其中該第一偵測模組偵測出該些第一氣體供應模組中噴射該第一壓力位於該第一基準值之外的氣體之其中一個該第一氣體供應模組。
如請求項1所述之氣體供應設備，其中，該些第一氣體供應模組的其中一者以及該些第二氣體供應模組的其中一者透過一第一連接模組彼此連接，並且當該第一量測模組基於連接於該第一連接模組的其中一個該第一氣體供應模組所噴射的氣體而檢查出該第一壓力位於該第一基準值之外時，該第一連接模組調整氣體的供應量。
如請求項1所述之氣體供應設備，其中該第一氣體供應單元以及該第二氣體供應單元將氣體供應至安裝在一基板處理設備中包含的一第一製程腔體的該第一氣體噴射單元以及該第二氣體噴射單元。
如請求項1所述之氣體供應設備，其中，該第一氣體供應單元將氣體供應至安裝在一基板處理設備中包含的一第一製程腔體中的該第一氣體噴射單元，並且該第二氣體供應單元將氣體供應至安裝在該基板處理設備中包含的一第二製程腔體的該第二氣體噴射單元。
一種物品清單資訊提供方法，其係於電子裝置中提供物品清單資訊者，其包括： <br/>藉由上述電子裝置之處理器，自服務裝置接收包括第1過濾條件之第1頁面請求之步驟； <br/>對應於上述第1頁面請求，藉由上述處理器，自資料庫獲得第1源物品清單之步驟； <br/>藉由上述處理器，以上述第1過濾條件來過濾上述第1源物品清單之步驟； <br/>藉由上述處理器，自上述資料庫獲得追加之物品清單之步驟； <br/>藉由上述處理器，基於上述過濾及上述追加之物品清單而產生第1結果清單之步驟，上述第1結果清單包含與上述第1頁面請求所請求之每頁物品個數相一致之物品個數；及 <br/>藉由上述處理器，將上述第1結果清單及上述第1結果清單之結果頁面資訊提供至上述服務裝置之步驟， <br/>其中上述第1頁面請求所請求之上述每頁物品個數小於或等於上述資料庫之每頁物品個數， <br/>其中上述方法進而包括： <br/>藉由上述處理器，確認上述第1頁面請求之請求識別資訊之步驟；及 <br/>藉由上述處理器，確認與上述請求識別資訊對應之第1簿記資訊之步驟； <br/>其中上述第1源物品清單係基於上述第1簿記資訊而獲得， <br/>其中上述第1簿記資訊包括上述第1頁面請求之請求頁面資訊、及上述資料庫之源頁面資訊， <br/>其中上述資料庫支持編頁， <br/>其中上述請求頁面資訊包括請求之頁面值資訊、及上述第1頁面請求所請求之每頁物品個數資訊， <br/>其中上述源頁面資訊包括上述資料庫之頁面值資訊、及上述資料庫之每頁物品個數資訊。
如請求項1之物品清單資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>基於上述第1結果清單之結果頁面資訊，藉由上述處理器，更新上述第1簿記資訊而產生第2簿記資訊， <br/>其中上述第2簿記資訊包括上述第1結果清單之最後一個物品之識別資訊。
如請求項2之物品清單資訊提供方法，其進而包括： <br/>藉由上述處理器，自上述服務裝置接收包括上述第1過濾條件之第2頁面請求之步驟； <br/>藉由上述處理器，確認上述第2頁面請求之請求識別資訊之步驟； <br/>於上述第2頁面請求之請求識別資訊與上述第1頁面請求之請求識別資訊相同之情形時，藉由上述處理器，確認上述第2簿記資訊之步驟； <br/>對應於上述第2頁面請求，藉由上述處理器，自上述資料庫獲得第2源物品清單之步驟； <br/>藉由上述處理器，以上述第1過濾條件來過濾上述第2源物品清單而產生第2結果清單之步驟；及 <br/>藉由上述處理器，將上述第2結果清單及上述第2結果清單之結果頁面資訊提供至上述服務裝置之步驟。
如請求項3之物品清單資訊提供方法，其中上述第2結果清單之物品中之至少一部分提供至與上述第1結果清單之物品中之至少一部分相同的頁面。
如請求項1之物品清單資訊提供方法，其中上述資料庫包括以與上述第1過濾條件不同之第2過濾條件來過濾之物品。
如請求項1之物品清單資訊提供方法，其於獲得上述第1源物品清單之步驟與產生上述第1結果清單之步驟之間，進而包括如下步驟：藉由上述處理器，對上述第1源物品清單之各物品追加與上述第1頁面請求對應之過濾對象資訊。
如請求項6之物品清單資訊提供方法，其中追加之上述過濾對象資訊包括價格合理性指標、之前是否應用促銷、及是否可應用促銷中之至少一者。
如請求項1之物品清單資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>藉由上述處理器，儲存上述第1結果清單及上述第1結果清單之結果頁面資訊。
一種非暫時性電腦可讀儲存媒體，其記錄有用以於電腦中執行如請求項1至8任一項之方法之程式。
一種電子裝置，其係提供物品清單資訊者，其包括： <br/>記憶體，其儲存至少一個命令；及 <br/>處理器，其基於上述至少一個命令，自服務裝置接收包括第1過濾條件之第1頁面請求，對應於上述第1頁面請求，自資料庫獲得第1源物品清單，以上述第1過濾條件來過濾上述第1源物品清單，自上述資料庫獲得追加之物品清單，基於上述過濾及上述追加之物品清單而產生第1結果清單，上述第1結果清單包含與上述第1頁面請求所請求之每頁物品個數相一致之物品個數，及將上述第1結果清單及上述第1結果清單之結果頁面資訊提供至上述服務裝置， <br/>其中上述第1頁面請求所請求之上述每頁物品個數小於或等於上述資料庫之每頁物品個數， <br/>其中上述處理器進一步經組態以： <br/>確認上述第1頁面請求之請求識別資訊，及確認與上述請求識別資訊對應之第1簿記資訊之步驟， <br/>其中上述第1源物品清單係基於上述第1簿記資訊而獲得， <br/>其中上述第1簿記資訊包括上述第1頁面請求之請求頁面資訊、及上述資料庫之源頁面資訊， <br/>其中上述資料庫支持編頁， <br/>其中上述請求頁面資訊包括請求之頁面值資訊、及上述第1頁面請求所請求之每頁物品個數資訊， <br/>其中上述源頁面資訊包括上述資料庫之頁面值資訊、及上述資料庫之每頁物品個數資訊。
一種由廢鋰電池製備用於生產生質柴油的鋰基催化劑之方法，包括：<br/> 瀝取步驟，使用包含酸和氧化劑的處理液，從廢鋰電池的正極粉末中選擇性地瀝取出鋰離子；<br/> 第一混合步驟，將碳酸鹽添加到包含該鋰離子的瀝取液中並進行混合，以獲得包含Li<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>的混合物；<br/> 潤洗步驟，將經由該第一混合步驟得到之混合物用去離子水進行潤洗；以及<br/> 第一乾燥步驟，對經過潤洗的該混合物進行乾燥，以獲得Li<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>，<br/> 其中，該酸為乙酸，且該氧化劑為過氧化氫；並且<br/> 該處理液中的乙酸濃度為0.8 mol/L至1.2 mol/L，且該處理液中的過氧化氫濃度為6 vol%至12 vol%。
如請求項1之方法，進一步包括：<br/> 第二混合步驟，將鐵氧化物與經由該第一乾燥步驟得到之Li<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>混合；以及<br/> 煅燒步驟，對經由該第二混合步驟得到之混合物進行煅燒，以獲得包含LiFeO<sub>2</sub>-LiFe<sub>5</sub>O<sub>8</sub>的混合物。
如請求項1或2之方法，其中，該廢鋰電池為廢磷酸鐵鋰電池。
如請求項1或2之方法，該碳酸鹽選自由碳酸鈉、碳酸氫鈉、及碳酸氫鉀所組成的群組中的至少一者。
如請求項1或2之方法，其中，該瀝取步驟的瀝取溫度為40℃至90℃，持續時間為1至3小時。
如請求項2之方法，其中，該鐵氧化物選自由FeO、Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub>所組成的群組中的至少一者。
如請求項2之方法，其中，該煅燒步驟於空氣環境中進行，並且，該煅燒步驟中的煅燒溫度為500℃至900℃，持續時間為1至3小時。
如請求項2之方法，其中，在該第二混合步驟中，Li<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>中的鋰離子與該鐵氧化物中的鐵離子的莫耳比為3：1至1：3。
一種由廢鋰電池製備用於生產生質柴油的鋰基催化劑之方法，包括：<br/> 瀝取步驟，使用包含酸和氧化劑的處理液，從廢鋰電池的正極粉末中選擇性地瀝取出鋰離子；<br/> 濃縮步驟，對經由該瀝取步驟得到之瀝取液進行濃縮，以獲得富鋰離子濃縮液；<br/> 第三混合步驟，將鐵氧化物與經由該濃縮步驟得到之富鋰離子濃縮液混合；以及<br/> 煅燒步驟，對經由該第三混合步驟得到之混合物進行煅燒，以獲得包含LiFeO<sub>2</sub>-LiFe<sub>5</sub>O<sub>8</sub>的混合物，<br/> 其中，該酸為乙酸，且該氧化劑為過氧化氫；並且<br/> 該處理液中的乙酸濃度為0.8 mol/L至1.2 mol/L，且該處理液中的過氧化氫濃度為6 vol%至12 vol%。
一種用於一微影裝置且經組態以支撐一基板的基板固持器，該基板固持器包含： <br/>一主體，其具有一主體表面； <br/>複數個第一瘤節，其自該主體表面突出，每一瘤節具有經組態以支撐該基板之一遠端表面； <br/>一第一密封部件，其在該複數個第一瘤節徑向外側自該主體表面突出，該第一密封部件具有一上部表面； <br/>複數個進氣開口(inlet openings)，其在該第一密封部件徑向外側形成於該主體中，該複數個進氣開口向氛圍(atmosphere)開放或連接至一氣體源； <br/>一第二密封部件，其在該複數個進氣開口徑向外側自該主體表面突出且具有一上部表面； <br/>複數個萃取開口(extraction openings)，其形成於該主體中，以用於自該主體與該基板之間萃取包括液體及氣體之雙相流體(two phase fluid)進入該主體； <br/>一第三密封部件，其在該複數個萃取開口徑向外側自該主體表面突出，該第三密封部件具有一上部表面； <br/>其中該第三密封部件在徑向方向上之寬度大於該第一密封部件之寬度。
如請求項1之基板固持器，其中該複數個萃取開口經組態使得該液體自該萃取開口的外側向下流動，且該氣體在該萃取開口的內側上流動。
如請求項1之基板固持器，其進一步包含複數個第二瘤節，該複數個第二瘤節自該第一密封部件、該第二密封部件、及該第三密封部件之至少一者之該上部表面突出，且每一第二瘤節具有經組態以支撐該基板之一遠端表面。
如請求項3之基板固持器，其中該複數個第二瘤節與該複數個進氣開口或該複數個萃取開口交替地(alternately)配置。
如請求項1之基板固持器，其進一步包含與該複數個萃取開口交替地配置之複數個第三瘤節。
如請求項1至5中任一項之基板固持器，其中該複數個萃取開口經配置於該第二密封部件與該第三密封部件之間之一凹槽(groove)中。
如請求項1至5中任一項之基板固持器，其中該複數個進氣開口經組態使得自該複數個進氣開口徑向向外至該複數個萃取開口之一氣體流經過該第二密封部件之該上部表面與該基板之間的收縮部分(constriction)。
如請求項1至5中任一項之基板固持器，其進一步包含形成於該第一密封部件之該上部表面中之一凹槽，其中該凹槽為氣體提供自該第一密封部件之一徑向外側至該第一密封部件之一徑向內側之一繚繞路徑(tortuous path)。
一種微影裝置，其包括如請求項1至8中任一項之基板固持器。
一種形成微電子組件的方法，所述方法包括： <br/>提供微電子元件，所述微電子元件包括基底部分、導電結構和介電質；以及 <br/>在與所述基底部分相對的一側上製備所述微電子元件的接合表面，其中所述接合表面包括所述導電結構的上表面和所述介電質的上表面，並且其中製備所述微電子元件的所述接合表面包括化學機械拋光所述接合表面， <br/>其中，在所述製備之後，所述導電結構的所述上表面相對於與所述導電結構相鄰的所述介電質的所述上表面的第一部分局部突出，並且相對於遠離所述導電結構的所述介電質的所述上表面的第二部分凹陷。
如請求項1所述之方法，其中所述微電子元件進一步包括在所述導電結構與所述介電質之間的障壁層。
如請求項2所述之方法，其中所述障壁層包含鉭、鈦、鎳、釕、鈷和鎢中的至少一者。
如請求項1所述之方法，其中在所述製備之後，所述導電結構的所述上表面呈凹陷。
如請求項1所述之方法，其中在所述製備之後，所述導電結構的所述上表面具有小於2nm均方根的表面粗糙度。
如請求項1所述之方法，進一步包括在不介入黏著劑的情況下將所述接合表面混合接合到另一元件，使得所述介電質的所述上表面直接接合至所述另一元件的介電區域，且所述導電結構的所述上表面直接接合至所述另一元件的導電區域。
如請求項6所述之方法，其中在不介入所述黏著劑的情況下將所述接合表面混合接合到所述另一元件包括在低於250°C的溫度下對所述微電子元件和所述元件進行熱處理。
如請求項1所述之方法，其中在所述製備後，所述導電結構的所述上表面相對於所述上表面的所述第二部分凹陷小於20nm。
一種使用化學機械拋光製程形成的組件，該組件包括： <br/>第一基板，包括至少第一介電層、至少部分嵌入在所述第一介電層中且具有第一節距的第一多個第一導電結構、以及至少部分嵌入在所述第一介電層中且具有與所述第一節距不同的第二節距的第二多個第二導電結構，其中所述第一基板包括接合表面，所述接合表面包括所述第一介電層的上表面以及所述第一多個第一導電結構和所述第二多個第二導電結構，並且其中所述接合表面包括氮。
如請求項9所述之組件，其中所述第一多個第一導電結構中的至少一個第一導電結構具有沿著所述接合表面的第一輪廓，其中所述第二多個第二導電結構中的至少一個第二導電結構具有沿著所述接合表面的第二輪廓，所述第二輪廓不同於所述第一輪廓。
如請求項10所述之組件，其中所述至少一個第一導電結構具有第一寬度，並且其中所述至少一個第二導電結構具有不同於所述第一寬度的第二寬度。
如請求項11所述之組件，其中所述第一節距是所述第一寬度的至少1.2倍。
如請求項9所述之組件，其中所述第一基板還包括第一區域，所述第一區域沿著所述接合表面位於所述第一基板的與所述第一多個第一導電結構和所述第二多個第二導電結構的同一側上且不具有導電結構。
如請求項13所述之組件，其中所述第一區域位於所述接合表面的中心區域中，且所述中心區域包括小於所述接合表面的面積的一半。
如請求項9所述之組件，還包括混合接合到所述第一基板的第二基板，所述第二基板包括直接接合到所述第一多個導電結構和所述第二多個導電結構的第三多個導電結構和第四多個導電結構。
如請求項9所述之組件，其中所述第一介電層包括氮化矽。
一種使用化學機械拋光製程形成的組件，該組件包括： <br/>第一基板，包括至少第一介電層、至少部分嵌入在所述第一介電層中的第一多個第一導電結構、以及至少部分嵌入在所述第一介電層中的第二多個第二導電結構，其中所述第一多個第一導電結構中的至少一個第一導電結構具有沿著第一基板的第一接合表面的第一輪廓，其中所述第二多個第二導電結構中的至少一個第二導電結構具有沿著所述第一接合表面的第二輪廓，其中所述第二輪廓不同於所述第一輪廓，並且其中所述第一多個第一導電結構和所述第二多個第二導電結構位於所述第一基板的同一側上。
如請求項17所述之組件，其中所述至少一個第一導電結構具有第一寬度，並且其中所述至少一個第二導電結構具有不同於所述第一寬度的第二寬度。
如請求項18所述之組件，其中所述第一多個第一導電結構中的每一個都具有所述第一寬度。
如請求項18所述之組件，其中所述第一多個第一導電結構具有第一節距，並且其中所述第二多個第二導電結構具有與所述第一節距不同的第二節距。
如請求項20所述之組件，其中所述第一節距是所述第一寬度的至少1.2倍。
如請求項17所述之組件，其中所述第一接合表面包括不具有導電結構的第一區域。
如請求項22所述之組件，其中所述第一區域位於所述第一接合表面的中心區域中，且所述中心區域包括小於所述第一接合表面的面積的一半。
如請求項17所述之組件，還包括混合接合到所述第一基板的第二基板，所述第二基板包括直接接合到所述第一多個導電結構和所述第三多個導電結構的第三多個導電結構和第四多個導電結構。
一種使用化學機械拋光製程形成的組件，所述組件包括： <br/>第一基板，包括至少第一平面介電層，所述第一平面介電層包括用以容納第一配置的導電結構的第一開口，其中每個導電結構具有至少5微米的寬度，以及用於容納第二配置的導電結構的第二開口，所述第二配置的導電結構與所述第一配置的導電結構位於所述第一基板的同一側上；以及 <br/>第二基板，所述第二基板直接混合接合到所述第一基板，所述第二基板包括直接接合到所述第一平面介電層的第二平面介電層，所述第二平面介電層包括用以容納第三配置的導電結構的第三開口，其中所述第三配置的導電結構中的至少一個導電結構直接接合至所述第一配置的導電結構中的至少一個導電結構， <br/>其中，所述第一配置的導電結構的節距至少為所述第一配置的導電結構中的至少一個導電結構的寬度的1.2倍； <br/>其中，無導電結構的區域將所述第一配置的導電結構與所述第二配置的導電結構橫向分隔開，分隔距離大於所述第一配置的所述節距； <br/>其中，所述第一基板和所述第二基板之間的接合界面包含氮。
如請求項1所述之組件，其中所述第二基板還包括第四配置的導電結構，其中所述第二接合表面包括所述第四配置的導電結構，並且其中所述第四配置的導電結構中的至少一個導電結構直接接合到所述第二配置的導電結構中的至少一個導電結構。
如請求項2所述之組件，其中所述無導電結構的區域包括小於所述接合界面的面積的一半。
如請求項1所述之組件，其中所述無導電結構的區域是沿著所述接合界面的中心區域。
如請求項1所述之組件，其中所述第一配置的導電結構的所述節距與所述第二配置的導電結構的節距不同。
如請求項5所述之組件，其中所述第一配置的導電結構中的至少一個導電結構的寬度與所述第二配置的導電結構中的至少一個導電結構的寬度不同。
如請求項6所述之組件，其中所述距離與所述第一配置的所述節距或所述第二配置的所述節距不同。
如請求項1所述之組件，其中所述第二配置的導電結構具有不規則圖案。
如請求項1所述之組件，其中所述第二基板包括微電子儲存裝置。
如請求項1所述之組件，其中所述第一配置的導電結構、所述第二配置的導電結構和所述第三配置的導電結構由銅、銅合金或鎳構成。
一種使用化學機械拋光製程形成的組件，所述組件包括： <br/>第一基板，包括至少第一平面介電層且具有第一接合表面，所述第一平面介電層包括用以容納第一配置的第一導電結構的第一開口，以及用於容納第二配置的第二導電結構的第二開口，其中所述第一配置中的所述第一導電結構中的至少一個第一導電結構的寬度不同於所述第二配置中的所述第二導電結構中的至少一個第二導電結構的寬度，所述第一配置和所述第二配置位於所述第一基板的同一側上；以及 <br/>第二基板，所述第二基板直接混合接合到所述第一基板，所述第二基板包括直接接合到所述第一平面介電層的第二平面介電層，所述第二平面介電層包括用以容納第三配置的第三導電結構以及第四配置的第四導電結構的第三開口，所述第三導電結構和所述第四導電結構位於所述第二基板的同一側上，所述第三導電結構中的至少一個第三導電結構直接接合至所述第一導電結構中的至少一個第一導電結構，並且所述第四導電結構中的至少一個第四導電結構直接接合至所述第二導電結構中的至少一個第二導電結構， <br/>其中，所述第一基板和所述第二基板之間的界面包含氮。
如請求項11所述之組件，其中所述第一配置的每個第一導電結構具有至少5微米的寬度。
如請求項12所述之組件，其中所述第一配置的所述第一導電結構的節距與所述第二配置的所述第二導電結構的節距不同。
如請求項11所述之組件，其中所述第一配置的所述第一導電結構的節距為所述第一導電結構的至少一個第一導電結構的寬度的至少1.2倍。
如請求項11所述之組件，其中所述第一配置與所述第二配置以大於所述第一配置的節距或所述第二配置的節距的距離分隔開。
如請求項11所述之組件，其中所述第一配置和所述第二配置各自具有均勻的節距。
如請求項11所述之組件，其中所述第一導電結構中的每個第一導電結構的第一寬度大於所述第二導電結構中的每個第二導電結構的第二寬度，並且其中相鄰第一導電結構之間的第一間距小於相鄰第二導電結構之間的第二間距。
一種使用化學機械拋光製程形成的組件，所述組件包括： <br/>第一基板，包括至少第一平面介電層，所述第一平面介電層包括第一配置的第一導電結構以及第二配置的第二導電結構，其中所述第一配置和所述第二配置位於所述第一基板的同一側上；以及 <br/>第二基板，所述第二基板直接混合接合到所述第一基板，所述第二基板包括直接接合到所述第一平面介電層的第二平面介電層，所述第二平面介電層包括第三配置的第三導電結構以及第四配置的第四導電結構，所述第三導電結構和所述第四導電結構位於所述第二基板的同一側上，所述第三導電結構中的至少一個第三導電結構直接接合至所述第一導電結構中的至少一個第一導電結構，並且所述第四導電結構中的至少一個第四導電結構直接接合至所述第二導電結構中的至少一個第二導電結構。
如請求項18所述之組件，其中所述第一配置的所述第一導電結構的節距為所述第一導電結構中的至少一個第一導電結構的寬度的至少1.2倍。
如請求項18所述之組件，其中所述第一配置與所述第二配置以大於所述第一配置的節距或所述第二配置的節距的距離分隔開。
一種記憶體系統，其包含： <br/>非揮發性記憶體，其包含各自可至少記憶第1位元、第2位元、及第3位元之複數個記憶胞；及 <br/>記憶體控制器，其控制上述非揮發性記憶體；且 <br/>上述非揮發性記憶體係： <br/>基於上述第1位元之第1軟體位元資料、上述第2位元之第2軟體位元資料、及上述第3位元之第3軟體位元資料，依據無損壓縮(lossless compression)產生第4軟體位元資料； <br/>將上述第1位元之第1硬體位元資料、上述第2位元之第2硬體位元資料、上述第3位元之第3硬體位元資料、及上述第4軟體位元資料輸出至上述記憶體控制器； <br/>上述記憶體控制器基於上述第1硬體位元資料、上述第2硬體位元資料、上述第3硬體位元資料、及上述第4軟體位元資料，將第1軟體位元資料、第2軟體位元資料、及第3軟體位元資料復原。
如請求項1之記憶體系統，其中 <br/>上述記憶體控制器使用上述復原之上述第1軟體位元資料執行錯誤訂正。
如請求項1之記憶體系統，其中 <br/>上述第1硬體位元資料之資料尺寸、上述第2硬體位元資料之資料尺寸、上述第3硬體位元資料之資料尺寸、及上述第4軟體位元資料之資料尺寸為同一尺寸。
如請求項1之記憶體系統，其中 <br/>上述非揮發性記憶體基於使用與上述第1位元相關之第1軟體位元資料、與上述第2位元相關之第2軟體位元資料、與上述第3位元相關之第3軟體位元資料之邏輯或運算，算出上述第4軟體位元資料。
如請求項4之記憶體系統，其中 <br/>上述記憶體控制器係： <br/>基於上述第1硬體位元資料與上述第4軟體位元資料，將上述第1軟體位元資料復原； <br/>基於上述第2硬體位元資料與上述第4軟體位元資料，將上述第2軟體位元資料復原； <br/>基於上述第3硬體位元資料與上述第4軟體位元資料，將上述第3軟體位元資料復原。
如請求項4之記憶體系統，其中 <br/>上述第1位元係至少藉由基於第1狀態之第1讀出動作而決定； <br/>上述第1讀出動作包含使用與上述第1狀態對應之第1電壓之第2讀出動作、及使用與上述第1狀態對應且較上述第1電壓高之第2電壓之第3讀出動作； <br/>上述第1硬體位元資料係至少基於上述第2讀出動作而決定； <br/>上述第1軟體位元資料係基於上述第1硬體位元資料與上述第3讀出動作之結果之運算而算出。
如請求項4之記憶體系統，其中 <br/>上述記憶體控制器基於上述第1硬體位元資料、上述第2硬體位元資料、上述第3硬體位元資料、上述第1軟體位元資料、上述第2軟體位元資料、及上述第3軟體位元資料，執行錯誤訂正處理。
如請求項7之記憶體系統，其中 <br/>上述記憶體控制器基於上述第1硬體位元資料執行錯誤訂正處理，於基於上述第1硬體位元資料之錯誤訂正處理失敗之情形時，基於上述第1硬體位元資料與上述第1軟體位元資料執行錯誤訂正處理。
如請求項8之記憶體系統，其中 <br/>基於上述第1硬體位元資料之錯誤訂正處理係硬判定解碼處理； <br/>基於上述第1硬體位元資料與上述第1軟體位元資料之錯誤訂正處理係軟判定解碼處理。
如請求項4之記憶體系統，其中 <br/>上述非揮發性記憶體進而包含：計數器，其計數上述第1軟體位元資料、上述第2軟體位元資料、上述第3軟體位元資料或上述第4軟體位元資料之任一者之第1邏輯位準資料之個數；且 <br/>上述記憶體控制器讀出上述個數，於讀出之上述個數未達預先設定之判定值之情形時，自上述非揮發性記憶體讀出上述第4軟體位元資料。
一種高效率的乳酸濃縮裝置，係包括： <br/>一進料模組，用以進料一濃度範圍介於0.01~30 wt%的乳酸發酵液； <br/>一加熱器，設置於該進料模組之後端，用以將該乳酸發酵液加熱至50~70°C之範圍內，使該乳酸發酵液成為帶有蒸氣之溶液； <br/>一空氣間隙薄膜蒸餾模組（Air Gap Membrane Distillation, AGMD），設置於該加熱器之一側，包含一個或一個以上的多孔疏水性薄膜，及一設置於冷凝側之冷凝板，該多孔疏水性薄膜與該冷凝板之間形成一厚度介於0.4~0.8 mm之空氣間隙，該多孔疏水性薄膜之孔徑介於0.2~0.45 μm，藉此結構可使蒸氣通過，並阻隔液態乳酸發酵液滲透膜孔，該蒸氣透過該多孔疏水性薄膜與該空氣間隙後，在流向該冷凝板時被冷凝液化為水，並收集於一集水桶中；以及 <br/>一冷凝器，設置於該空氣間隙薄膜蒸餾模組之冷凝側，用以提供溫度介於10~30°C之冷凝水至該冷凝板，以進行蒸氣冷凝處理。
依申請專利範圍第1項所述之高效率的乳酸濃縮裝置，其中， <br/>該進料模組所輸入之該乳酸溶液係經前處理以去除固體顆粒或膠體者。
依申請專利範圍第1項所述之高效率的乳酸濃縮裝置，其中， <br/>該加熱器係以工業低階廢熱或太陽能作為熱源。
依申請專利範圍第1項所述之高效率的乳酸濃縮裝置，其中， <br/>該多孔疏水性薄膜為聚四氟乙烯（Polytetrafluoroethylene, PTFE）膜或PTFE/聚丙烯（Polypropylene , PP）複合膜。
依申請專利範圍第1項所述之高效率的乳酸濃縮裝置，其中，該空氣間隙薄膜蒸餾模組之大小係依所配置之該多孔疏水性薄膜之尺寸而構成，其有效薄膜面積可依模組需求進行擴展，並可透過模組並聯方式提升整體 <br/>除水通量。
依申請專利範圍第5項所述之高效率的乳酸濃縮裝置，其中， <br/>該多孔疏水性薄膜之有效薄膜面積為5 cm x 8 cm，並可透過並聯方式擴展至40 x串聯模組數量cm<sup>2</sup>。
依申請專利範圍第1項所述之高效率的乳酸濃縮裝置，其中， <br/>在該加熱器與該空氣間隙薄膜蒸餾模組之間設置一第一泵浦，用以調節該乳酸發酵液之進料流速介於1~1.5 L/min之間。
依申請專利範圍第1項所述之高效率的乳酸濃縮裝置，其中， <br/>在該冷凝器與該空氣間隙薄膜蒸餾模組之間設置一第二泵浦，用以調節該冷凝水之冷凝流速介於1~1.5 L/min之間。
一種滑軌總成，包含：<br/>一第一軌；<br/>一第二軌可相對該第一軌縱向地位移；<br/>一鎖定裝置用以將該第二軌相對該第一軌鎖定在一收合位置；以及<br/>一工作件可操作地連接該鎖定裝置；<br/>其中，該工作件可相對該第二軌自一第一預定位置位移至一第二預定位置；<br/>其中，當該工作件處於該第二預定位置時，能驅動該鎖定裝置解除該第二軌在該收合位置的鎖定，使該第二軌能自該收合位置往一開啟方向位移。
如請求項1所述之滑軌總成，其中，該工作件具有一第一導引路徑，且該第二軌具有或以附加方式設置一第一限位塊；該工作件的第一導引路徑能與該第二軌的第一限位塊相互導引，使該工作件能相對該第二軌於該第一預定位置與該第二預定位置之間位移。
如請求項2所述之滑軌總成，其中，該工作件更具有相對該第一導引路徑部分地傾斜的一第二導引路徑，且該第二軌更具有或以附加方式設置一第二限位塊；該工作件的第二導引路徑能與該第二軌的第二限位塊相互導引，使該工作件能相對該第二軌於該第一預定位置與該第二預定位置之間位移。
如請求項3所述之滑軌總成，其中，當施加一第一力量至該工作件時，該工作件的第一導引路徑及第二導引路徑可分別與該第二軌的第一限位塊及第二限位塊同步相互導引，使該工作件能相對該第二軌自該第一預定位置線性地位移至該第二預定位置。
如請求項4所述之滑軌總成，其中，當施加一第二力量至該工作件時，該工作件的第一導引路徑與該第二軌的第一限位塊相互限位，令該工作件以該第二軌的第一限位塊為軸心偏擺，使該工作件能相對該第二軌自該第一預定位置偏擺地位移至該第二預定位置。
如請求項5所述之滑軌總成，其中，該第一力量與該第二力量的方向互為相反方向。
如請求項3所述之滑軌總成，其中，該工作件的第二導引路徑具有與該工作件的第一導引路徑相互平行的一縱向導引段及相對傾斜的一傾斜導引段。
如請求項7所述之滑軌總成，更包含一操作件，該操作件具有一限位特徵，其中，該工作件的第一導引路徑與第二導引路徑之縱向導引段的其中之一的縱向長度小於或等於該操作件之限位特徵的縱向長度。
如請求項8所述之滑軌總成，其中，當該工作件相對該第二軌自該第一預定位置位移至該第二預定位置時，該工作件能夠透過該操作件驅動該鎖定裝置解除該第二軌在該收合位置的鎖定，使該第二軌能自該收合位置往該開啟方向位移。
如請求項7所述之滑軌總成，其中，該工作件包含一第一端部、一第二端部及一中間部位於該第一端部及該第二端部之間，該工作件的中間部安排有該第一導引路徑與該第二導引路徑，其中，該工作件之第二導引路徑的縱向導引段與傾斜導引段分別位於相鄰該工作件的第一端與第二端。
一種滑軌總成，可安裝至一機架，該滑軌總成包含：<br/>一第一軌包含一安裝特徵，用以能安裝至該機架；<br/>一第二軌可相對該第一軌縱向地位移；<br/>一鎖定裝置用以將該第二軌相對該第一軌鎖定在一收合位置；以及<br/>一工作件安裝在該第二軌，且可操作地連接該鎖定裝置；<br/>其中，當該工作件相對該第二軌自一第一預定位置位移至一第二預定位置時，該工作件能驅動該鎖定裝置解除該第二軌在該收合位置的鎖定，使該第二軌能自該收合位置往一開啟方向位移。
如請求項11所述之滑軌總成，其中，該工作件具有一第一導引路徑，且該第二軌具有或以附加方式設置一第一限位塊；該工作件的第一導引路徑能與該第二軌的第一限位塊相互導引，使該工作件能相對該第二軌於該第一預定位置與該第二預定位置之間位移。
如請求項12所述之滑軌總成，其中，該工作件更具有相對該第一導引路徑部分地傾斜的一第二導引路徑，且該第二軌更具有或以附加方式設置一第二限位塊；該工作件的第二導引路徑能與該第二軌的第二限位塊相互導引，使該工作件能相對該第二軌於該第一預定位置與該第二預定位置之間位移。
如請求項13所述之滑軌總成，其中，當施加一第一力量至該工作件時，該工作件的第一導引路徑及第二導引路徑可分別與該第二軌的第一限位塊及第二限位塊同步相互導引，使該工作件能相對該第二軌自該第一預定位置線性地位移至該第二預定位置。
如請求項14所述之滑軌總成，其中，當施加一第二力量至該工作件時，該工作件的第一導引路徑與該第二軌的第一限位塊相互限位，令該工作件以該第二軌的第一限位塊為軸心偏擺，使該工作件能相對該第二軌自該第一預定位置偏擺地位移至該第二預定位置。
如請求項15所述之滑軌總成，其中，該第一力量與該第二力量的方向互為相反方向。
如請求項13所述之滑軌總成，其中，該工作件的第二導引路徑具有與該工作件的第一導引路徑相互平行的一縱向導引段及相對傾斜的一傾斜導引段。
如請求項17所述之滑軌總成，更包含一操作件，該操作件具有一限位特徵，其中，該工作件的第一導引路徑與第二導引路徑之縱向導引段的其中之一的縱向長度小於或等於該操作件之限位特徵的縱向長度。
如請求項18所述之滑軌總成，其中，當該工作件相對該第二軌自該第一預定位置位移至該第二預定位置時，該工作件能夠透過該操作件驅動該鎖定裝置解除該第二軌在該收合位置的鎖定，使該第二軌能自該收合位置往該開啟方向位移。
如請求項17所述之滑軌總成，其中，該工作件包含一第一端部、一第二端部及一中間部位於該第一端部及該第二端部之間，該工作件的中間部安排有該第一導引路徑與該第二導引路徑，其中，該工作件之第二導引路徑的縱向導引段與傾斜導引段分別位於相鄰該工作件的第一端與第二端。
一種無方向性電磁鋼板，具有含有C：0.0050質量%以下、Si：1.5質量%～5.0質量%、Mn：3.0質量%以下、P：0.2質量%以下、S：0.005質量%以下、Al：3.0質量%以下、N：0.005質量%以下、Cr：3.0質量%以下、Ni：2.0質量%以下、Cu：1.0質量%以下、Co：0.2質量%以下、Ti：0.005質量%以下、Nb：0.002質量%以下、V：0.010質量%以下及O：0.005質量%以下、且剩餘部分包含Fe及不可避免的雜質的成分組成， <br/>鋼板表層的內部氧化物的厚度為1.0 μm以下， <br/>當將在鋼板的內部與鋼板表面平行的面內所存在的圓相當徑為0.5 μm～2.5 μm的範圍的夾雜物的個數密度設為夾雜物個數密度時，自鋼板表面向板厚方向為10 μm的位置的夾雜物個數密度N<sub>S</sub>（個/mm<sup>2</sup>）是板厚中央位置的夾雜物個數密度N<sub>C</sub>（個/mm<sup>2</sup>）的1.10倍以上。
如請求項1所述的無方向性電磁鋼板，其中所述成分組成含有選自 <br/>A群組：Mo：0.0010質量%～0.050質量%、 <br/>B群組：選自Sn及Sb中的至少一種：以合計計為0.001質量%～0.20質量%、 <br/>C群組：選自Ca：0.0001質量%～0.01質量%、Mg：0.0001質量%～0.01質量%及稀土金屬：0.001質量%～0.05質量%中的至少一種、 <br/>D群組：B：0.0001質量%～0.0020質量%、 <br/>E群組：Zn：0.001質量%～0.02質量%、 <br/>F群組：選自Pb：0.0001質量%～0.0020質量%、Zr：0.001質量%～0.010質量%、Ta：0.0001質量%～0.0020質量%、Se：0.0005質量%～0.0050質量%、Bi：0.0001質量%～0.0020質量%及W：0.001質量%～0.050質量%中的至少一種、 <br/>G群組：As：0.001質量%～0.020質量%、及 <br/>H群組：Ge：0.0005質量%～0.030質量%及Ga：0.0005質量%～0.030質量%中的至少一種 <br/>中的至少一群組的成分。
一種無方向性電磁鋼板的製造方法，其中製造具有如請求項1或2所述的無方向性電磁鋼板的成分組成的鋼原材料，對所述鋼原材料進行加熱後，實施熱軋而製成熱軋鋼板，對所述熱軋鋼板實施熱軋板退火而製成熱軋退火板，對所述熱軋退火板實施一次冷軋或隔著中間退火的兩次以上的冷軋而製成冷軋鋼板，對所述冷軋鋼板實施最終退火，所述無方向性電磁鋼板的製造方法的特徵在於： <br/>在所述鋼原材料的製造中，在鑄片的冷卻過程中，將鑄片的寬度方向中央的表面溫度為1400℃至1200℃的範圍的平均冷卻速度設為30℃/s以上， <br/>在所述熱軋前的鋼原材料的加熱中，在1000℃以上且1200℃以下的溫度下保持300 s以上，且將鋼原材料的加熱前的表面溫度與加熱後的表面溫度的差設為200℃以下， <br/>在所述最終退火中，將環境的露點設為-30℃以下， <br/>此處，所述鋼原材料的表面溫度是指鋼原材料的長邊方向中央部且寬度方向中央部的表面溫度，所述鋼原材料的加熱前的表面溫度是指自鋼原材料的製造後至開始鋼原材料的加熱為止的期間內的鋼原材料的表面溫度的最低值，另外，所述鋼原材料的加熱後的表面溫度是指鋼原材料的加熱結束時刻的鋼原材料的表面溫度。
一種壓延工廠之節能化支援系統，係從設於壓延工廠的複數個壓延設備的複數個電動機之中抽出並提示尚有節能化的可能性的候選設備，該節能化支援系統係具備： <br/>資料保存裝置，係保存複數個前述壓延設備各者及複數個前述電動機各者的運轉實績資料，以及複數個前述壓延設備各者及複數個前述電動機各者的規格資料；及 <br/>資料處理裝置，係處理前述運轉實績資料及前述規格資料； <br/>前述資料處理裝置係構成為執行以下處理： <br/>從複數個前述電動機之中確定出進行固定速運轉的複數個對象設備； <br/>從前述資料保存裝置抽出複數個前述對象設備各者的前述運轉實績資料及前述規格資料； <br/>使用複數個前述對象設備各者的前述運轉實績資料及前述規格資料，計算複數個前述對象設備各者的消耗能量實績值； <br/>模擬複數個前述對象設備各者的可變速運轉化，而計算進行前述可變速運轉化時的複數個前述對象設備各者的消耗能量預測值； <br/>對於複數個前述對象設備各者，比較前述消耗能量實績值與前述消耗能量預測值，而判斷是否藉由前述可變速運轉化達成消耗能量削減；及 <br/>將複數個前述對象設備之中判斷為前述可變速運轉化對消耗能量削減有效的認定對象設備提示為前述候選設備； <br/>前述運轉實績資料係包含複數個前述電動機各者的運轉指令實績值； <br/>前述資料處理裝置係構成為更執行以下處理： <br/>依據前述運轉指令實績值，將複數個前述電動機之中不具有前述可變速運轉化的可能性的前述電動機確定為例外設備； <br/>前述模擬的進行對象係排除了前述例外設備的複數個前述對象設備。
如請求項1所述之壓延工廠之節能化支援系統，其中， <br/>前述資料處理裝置係構成為更執行以下處理： <br/>使用前述認定對象設備的前述消耗能量實績值及前述消耗能量預測值，計算前述可變速運轉化所致的消耗能量削減費用； <br/>計算前述對象設備的前述可變速運轉化所需的設備改修費用； <br/>使用前述消耗能量削減費用及前述設備改修費用，計算前述設備改修費用的回收期間；及 <br/>連同前述候選設備一併提示前述消耗能量削減費用、前述設備改修費用及前述回收期間。
如請求項1或2所述之壓延工廠之節能化支援系統，其中， <br/>前述運轉實績資料係包含對於複數個前述電動機的運轉指令值的時序資料之運轉指令實績值； <br/>前述資料處理裝置係構成為更執行以下處理： <br/>從複數個前述電動機之中確定出進行可變速運轉的複數個追加對象設備； <br/>從前述資料保存裝置抽出複數個前述追加對象設備的前述運轉實績資料及前述規格資料； <br/>使用複數個前述追加對象設備各者的前述運轉實績資料及前述規格資料，計算複數個前述追加對象設備各者的消耗能量實績值； <br/>生成與複數個前述追加對象設備各者的前述運轉指令實績值不同的運轉指令值； <br/>以前述運轉指令值模擬複數個前述追加對象設備各者，而計算複數個前述追加對象設備各者的消耗能量預測值； <br/>對於複數個前述追加對象設備各者，比較前述消耗能量實績值與前述消耗能量預測值，而判斷是否藉由複數個前述追加對象設備各者的前述運轉指令值達成消耗能量削減；及 <br/>將複數個前述追加對象設備之中判斷為前述運轉指令值對消耗能量削減有效的追加認定對象設備提示為前述候選設備。
如請求項1或2所述之壓延工廠之節能化支援系統，其中， <br/>前述資料處理裝置係構成為更執行以下處理： <br/>從複數個前述對象設備各者的前述消耗能量實績值的計算時刻起經過預定時間後，再計算複數個前述對象設備各者的現在的前述消耗能量實績值；及 <br/>提示複數個前述對象設備各者的再計算出的前述消耗能量實績值與前次計算出的前述消耗能量實績值的差異量。
一種式<b>XV-a</b>之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、立體異構體、水合物或酯， <br/><img align="absmiddle" height="75px" width="64px" file="ed11702.jpg" alt="ed11702.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><b> </b><br/><b>XV-a</b><b> </b><br/>其中： <br/>R<sup>3</sup>為-C(O)NHR<sup>3A</sup>； <br/>R<sup>3A</sup>為R<sup>B</sup>，且經q個R<sup>C</sup>取代； <br/>R<sup>7</sup>為-NH<sub>2</sub>或-NHR<sup>7A</sup>； <br/>R<sup>7A</sup>係C<sub>1-6</sub>脂族基； <br/>R<sup>B</sup>在每種情況下獨立地為具有1至2個獨立地選自氮、氧及硫之雜原子的6員單環雜芳基環；或4員飽和或部分不飽和碳環； <br/>R<sup>C</sup>在每種情況下獨立地為側氧基、-OR或具有1至2個獨立地選自氮、氧及硫之雜原子的6員雜芳基環；且 <br/>q及r獨立地為1或2。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、立體異構體、水合物或酯，其中R<sup>3A</sup>為4員飽和或部分不飽和碳環。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1或2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、立體異構體、水合物或酯，以及醫藥學上可接受之載劑、佐劑或媒劑。
一種如請求項1或2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、立體異構體、水合物或酯之用途，其係用於製備在患者治療TYK2介導之病症、疾病或病況之藥物。
如請求項4之用途，其中該病症、疾病或病況係選自自體免疫病症、發炎性病症、增生性病症、內分泌病症、神經病症或與移植相關之病症。
如請求項4或5之用途，其中該病症、疾病或病況係選自牛皮癬、牛皮癬性關節炎、皮膚型紅斑狼瘡、全身性紅斑狼瘡、克羅恩氏病(Crohn's disease)、潰瘍性結腸炎及發炎性腸病。
一種多孔載體的燒製方法，步驟如下：<br/> (a) 配料與漿料製備：將三氧化二鋁(Al₂O₃)、二氧化矽(SiO₂)及三氧化二鐵(Fe₂O₃)以接近50：40：1的比例混合後，添加增強燒結性的無機添加劑、助熔劑、結合劑，以及讓燒製過程形成孔隙的發泡劑，再添加水調製成漿料，並研磨至所需細度，經均化處理後備用；<br/> (b) 製粒：將製備完成之漿料通過霧化乾燥設備進行乾燥及過篩後，形成具有10至150微米(µm)的粉體物料；<br/> (c) 陳化處理：將製成之粉體物料靜置於控制溫度與濕度的環境下，使物料內部水分與應力均勻分布；<br/> (d) 熱處理：將陳化後之粉體物料鋪設於耐高溫載具中，並於1200°C至1400°C的高溫環境下進行至少8小時的熱處理，其中發泡劑在此過程中分解，釋放氣體以形成多孔結構；<br/> (e) 冷卻後加工：將燒製完成的該多孔載體進行在室溫進行冷卻，並依需求進行切割、表面處理或加工，以達成所需規格。
如請求項1所述之多孔載體的燒製方法，其中，所述陳化處理的溫度範圍介於20℃至40℃之間。
如請求項1所述之多孔載體的燒製方法，其中，所述陳化處理的濕度介於50%至75%相對溼度(RH)之間。
如請求項1所述之多孔載體的燒製方法，其中，所述無機添加劑為氧化鈣(CaO)、氧化鎂(MgO)或二氧化鈦(TiO₂)的其中之一或其組合。
如請求項1所述之多孔載體的燒製方法，其中，所述助熔劑為氧化鉀(K₂O)或氧化鈉(Na₂O)的其中之一或其組合。
如請求項1所述之多孔載體的燒製方法，其中，所述結合劑為黏土、膨潤土、高嶺土、聚乙烯醇(PVA)或矽酸鹽(Na₂SiO₃)的其中之一或其組合。
如請求項1所述之多孔載體的燒製方法，其中，所述發泡劑為碳酸鈣(CaCO₃)、碳酸氫鈉(NaHCO₃)、尿素或碳酸鋇(BaCO₃)的其中之一或其組合。
一種牛樟樹發酵肥液的製備方法，步驟如下：<br/> (a) 將牛樟樹的樹枝與葉子加入水及醣類，水及醣類的比例為10：1至20：1，形成發酵原料；<br/> (b) 添加發酵菌液於發酵原料中，並保持30°C至40°C的發酵溫度，pH值控制在5.5至7.0，並定期攪拌與通氣；<br/> (c) 至多6個月的發酵，再過濾後即可得到該牛樟樹液態肥液。
如請求項1所述之牛樟樹發酵肥液的製備方法，其中，所述發酵菌液為乳酸菌、酵母菌及枯草芽孢桿菌的其中之一或其組合。
一種半導體處理系統扼流板，該半導體處理系統扼流板包括：<br/> 一凸緣，該凸緣包含一上表面與一下表面，其中：<br/> 該凸緣界定穿過該凸緣的一厚度的一排氣孔隙與一中心孔隙；<br/> 該中心孔隙的一直徑大於該排氣孔隙；以及<br/> 該凸緣界定一淨化入口；以及<br/> 一邊沿，該邊沿從該下表面向下延伸並沿該中心孔隙延伸，該邊沿界定複數個淨化出口，該複數個淨化出口延伸通過該邊沿的一內表面並與該淨化入口流體耦接。
如請求項1所述之半導體處理系統扼流板，其中：<br/> 該邊沿界定該中心孔隙。
如請求項1所述之半導體處理系統扼流板，其中：<br/> 該邊沿的一最底部端部形成該扼流板的一遠端。
如請求項1所述之半導體處理系統扼流板，其中：<br/> 該凸緣與該邊包含一導熱材料。
如請求項1所述之半導體處理系統扼流板，其中：<br/> 該凸緣大抵為水滴形。
如請求項1所述之半導體處理系統扼流板，其中：<br/> 該上表面與該下表面中的一個或兩個包含複數個突起，該複數個突起沿著該中心孔隙與該排氣孔隙中的一個或兩個設置。
如請求項6所述之半導體處理系統扼流板，其中：<br/> 該複數個突起中的每個突起的一高度在0.05 mm至0.5 mm之間。
如請求項6所述之半導體處理系統扼流板，其中：<br/> 該複數個突起中的每個突起的一長度在5 mm至100 mm之間。
如請求項6所述之半導體處理系統扼流板，其中：<br/> 該複數個突起中的每個突起的一寬度在1 mm至10 mm之間。
如請求項1所述之半導體處理系統扼流板，其中：<br/> 該複數個淨化出口設置成一或多列並沿著該邊沿的一圓周延伸。
如請求項1所述之半導體處理系統扼流板，其中：<br/> 該淨化入口延伸通過該凸緣的該下表面。
如請求項1所述之半導體處理系統扼流板，其中：<br/> 該複數個淨化出口以規則的角度間隔沿著該邊沿的一圓周設置。
如請求項1所述之半導體處理系統扼流板，其中：<br/> 該凸緣界定一淨化通道，該淨化通道在該淨化入口與該複數個淨化出口之間延伸。
如請求項13所述之半導體處理系統扼流板，其中：<br/> 該淨化通道包含複數個槍鉆形成的分段。
如請求項13所述之半導體處理系統扼流板，其中：<br/> 該邊沿界定一氣室，該氣室將該淨化通道與該複數個淨化出口流體耦接。
如請求項15所述之半導體處理系統扼流板，其中：<br/> 該氣室包含一環形氣室。
如請求項15所述之半導體處理系統扼流板，其中：<br/> 該複數個淨化出口延伸進入該氣室。
如請求項15所述之半導體處理系統扼流板，其中：<br/> 該邊沿界定一或多個擋板孔，該一或多個擋板孔在該淨化通道與該氣室之間延伸並流體耦接該淨化通道與該氣室。
如請求項18所述之半導體處理系統扼流板，其中：<br/> 該一或多個擋板孔包含鄰近該淨化入口的一或多個第一擋板孔以及較遠離該淨化入口的一或多個第二擋板孔；以及<br/> 該一或多個第二擋板孔中的每個第二擋板孔的一截面積大於該一或多個第一擋板孔中的每個第一擋板孔。
如請求項1所述之半導體處理系統扼流板，其中：<br/> 該複數個淨化出口中的至少一些淨化出口具有不同的直徑。
一種程式化一邏輯多位元單元的方法，該邏輯多位元單元包含各自能夠儲存<i>n</i>個可能值中之一者的<i>i</i>個實體非揮發性記憶體單元，其中，<i>i</i>為大於1之整數且<i>n</i>為大於1之整數，該方法包含： <br/>對該<i>i</i>個實體非揮發性記憶體單元中之<i>j</i>個實體非揮發性記憶體單元執行一程式化操作，其中<i>j</i>小於或等於<i>i</i>，直至實現該邏輯多位元單元之一粗略電流目標為止；及 <br/>對該<i>j</i>個實體非揮發性記憶體單元中之<i>k</i>個實體非揮發性記憶體單元執行一程式化操作，其中<i>k</i>小於或等於<i>j</i>，直至實現該邏輯多位元單元之一精度電流目標為止。
如請求項1之方法，其中，該<i>i</i>個實體非揮發性記憶體單元具有一均勻寬度。
如請求項1之方法，其中，該<i>i</i>個實體非揮發性記憶體單元具有一非均勻寬度。
一種程式化一邏輯多位元單元的方法，該邏輯多位元單元包含具有非均勻寬度之<i>i</i>個實體非揮發性記憶體單元，該<i>i</i>個單元中之每一者能夠儲存<i>n</i>個可能值中之一者，其中，<i>i</i>為大於1之整數且<i>n</i>為大於1之整數，該方法包含： <br/>對該i個實體非揮發性記憶體單元中含有最大寬度之<i>j</i>個實體非揮發性記憶體單元執行一程式化操作，其中<i>j</i>小於或等於<i>i</i>，直至實現該邏輯多位元單元之一粗略電流目標為止；及 <br/>對該<i>j</i>個實體非揮發性記憶體單元中含有最小寬度之<i>k</i>個實體非揮發性記憶體單元執行一程式化操作，其中<i>k</i>小於或等於<i>j</i>，直至實現該邏輯多位元單元之一精度電流目標為止。
一種雷達訊號的處理方法，透過一處理裝置實現，所述處理方法包括：<br/> 取得來自一參考方向的一反射訊號，其中所述反射訊號是由一雷達訊號反射而產生；<br/> 透過所述處理裝置決定所述反射訊號對應的一第一位置資訊，其中所述第一位置資訊對應於一直行延伸條件的所述雷達訊號反射的位置，所述第一位置資訊對應於一偵測距離值，且所述直行延伸條件是所述反射訊號在所述參考方向上直行傳播的所述偵測距離值大於一參考距離值；以及<br/> 將所述第一位置資訊轉換成一第二位置資訊，其中所述第二位置資訊對應於一折射延伸條件的所述雷達訊號反射的位置，且所述折射延伸條件對應於所述反射訊號在對應於所述參考距離值的位置折射所延伸的所述偵測距離值。
如請求項1所述的雷達訊號的處理方法，其中所述參考方向是相對於一電磁波透射器所在位置的方向，且所述參考距離值是相對於所述電磁波透射器所在位置的距離值。
如請求項1所述的雷達訊號的處理方法，其中對應於所述參考距離值的位置為一折射位置，且將所述第一位置資訊轉換成所述第二位置資訊包括：<br/> 將所述第一位置資訊直接作為所述第二位置資訊，其中所述反射訊號在所述折射位置的入射角等於折射角。
如請求項1所述的雷達訊號的處理方法，其中對應於所述參考距離值的位置為一折射位置，且將所述第一位置資訊轉換成所述第二位置資訊包括：<br/> 依據所述雷達訊號在所述折射位置的一折射角修正所述第二位置資訊的方向資訊，其中所述參考方向對應於所述雷達訊號的一入射角，且所述雷達訊號的所述入射角不同於所述雷達訊號的所述折射角。
如請求項4所述的雷達訊號的處理方法，其中依據在所述反射訊號在所述折射位置的所述折射角修正所述第二位置資訊的方向資訊：<br/> 依據所述雷達訊號的所述入射角與所述雷達訊號的所述折射角的角度差決定所述第二位置資訊所指示的座標。
如請求項4所述的雷達訊號的處理方法，更包括：<br/> 產生一調整指令，其中所述調整指令用於指示一電磁波透射器進行所述折射角的調整。
如請求項6所述的雷達訊號的處理方法，其中所述電磁波透射器為一可重構智慧表面（Reconfigurable Intelligent Surface，RIS），且所述折射角的調整為穿透相位延遲。
如請求項7所述的雷達訊號的處理方法，其中所述可重構智慧表面包括負折射率材料的單位晶胞。
如請求項4所述的雷達訊號的處理方法，更包括：<br/> 依據一時間序列關係產生一調整指令，其中所述時間序列關係包括不同的多個所述折射角與多個時間區間的對應關係，且所述調整指令用於控制一電磁波透射器進行所述折射角的調整。
如請求項1所述的雷達訊號的處理方法，其中決定所述反射訊號對應的所述第一位置資訊包括：<br/> 對所述反射訊號依序或選擇性地執行下列處理：<br/> 距離快速傅立葉變換（Range FFT）；<br/> 角度快速傅立葉變換（Angle FFT）；以及<br/> 都卜勒快速傅立葉變換（Doppler FFT）。
一種雷達訊號的處理裝置，包括：<br/> 一記憶體，儲存一程式碼；以及<br/> 一處理器，耦接所述記憶體，載入所述程式碼並執行：<br/> 取得來自一參考方向的一反射訊號，其中所述反射訊號是由一雷達訊號反射而產生；<br/> 決定所述反射訊號對應的一第一位置資訊，其中所述第一位置資訊對應於一直行延伸條件的所述雷達訊號反射的位置，所述第一位置資訊對應於一偵測距離值，且所述直行延伸條件是所述反射訊號在所述參考方向上直行傳播的所述偵測距離值大於一參考距離值；以及<br/> 將所述第一位置資訊轉換成一第二位置資訊，其中所述第二位置資訊對應於一折射延伸條件的所述雷達訊號反射的位置，且所述折射延伸條件對應於所述反射訊號在對應於所述參考距離值的位置折射所延伸的所述偵測距離值。
如請求項11所述的雷達訊號的處理裝置，其中所述參考方向是相對於一電磁波透射器所在位置的方向，且所述參考距離值是相對於所述電磁波透射器所在位置的距離值。
如請求項11所述的雷達訊號的處理裝置，其中對應於所述參考距離值的位置為一折射位置，且所述處理器更執行：<br/> 將所述第一位置資訊直接作為所述第二位置資訊，其中所述反射訊號在所述折射位置的入射角等於折射角。
如請求項13所述的雷達訊號的處理裝置，其中對應於所述參考距離值的位置為一折射位置，且所述處理器更執行：<br/> 依據所述雷達訊號在所述折射位置的一折射角修正所述第二位置資訊的方向資訊，其中所述參考方向對應於所述雷達訊號的一入射角，且所述雷達訊號的所述入射角不同於所述雷達訊號的所述折射角。
如請求項14所述的雷達訊號的處理裝置，其中所述處理器更執行：<br/> 依據所述雷達訊號的所述入射角與所述雷達訊號的所述折射角的角度差決定所述第二位置資訊所指示的座標。
如請求項14所述的雷達訊號的處理裝置，其中所述處理器更執行：<br/> 產生一調整指令，其中所述調整指令用於進行所述折射角的調整。
如請求項16所述的雷達訊號的處理裝置，其中所述折射角的調整為穿透相位延遲。
如請求項17所述的雷達訊號的處理裝置，其中所述穿透相位延遲提供負折射率的調整。
如請求項14所述的雷達訊號的處理裝置，其中所述處理器更執行：<br/> 依據一時間序列關係產生一調整指令，其中所述時間序列關係包括不同的多個所述折射角與多個時間區間的對應關係，且所述調整指令用於進行所述折射角的調整。
如請求項11所述的雷達訊號的處理裝置，其中所述處理器更執行：<br/> 對所述反射訊號依序或選擇性地執行下列處理：<br/> 距離快速傅立葉變換；<br/> 角度快速傅立葉變換；以及<br/> 都卜勒快速傅立葉變換。
一種除靜電膜片閥，係為氟樹脂膜片閥，包含有一閥體、一驅動部、一上蓋、一膜片(PTFE)、一密封機構、一靜電機構、一空心軸；<br/> 該閥體包含有一入口流道、一出口流道、一閥室、一閥座、一環形部；該閥體外部包含有一格狀肋板，該格狀肋板由橫向、垂直向、環形等板狀肋板組成並由該閥體向外伸出成為立方形結構；該環形部具備一外螺牙、一緊鎖螺牙、一密封座；<br/> 該上蓋具備一內螺牙可以緊鎖在該外螺牙；<br/> 該膜片包含有一圓周部、一彈性部、一阻斷部；<br/> 該密封機構包含有一緊鎖螺帽、一迫緊環、該圓周部等構成；該緊鎖螺帽包含有一迫緊螺牙、一迫緊部、一軸孔部；該密封機構之該緊鎖螺帽經由該迫緊螺牙緊鎖在該緊鎖螺牙，用該迫緊部來該迫緊環、該圓周部、該密封座形成一密封面來達成密封；<br/> 該驅動部安裝於杯狀的該環形部內；<br/> 該空心軸穿過該軸孔部用來連結該膜片； <br/> 該靜電機構由導電材料製成，導電材料使用碳纖維、石墨等加入PVDF、PP材料中成為C-PVDF與C-PP等材質再射出成形成所需零件； <br/> 其特徵在於，根據前述特徵進行改良而包括：<br/> 該靜電機構由複數導電板安裝在該格狀肋板的外部構成；每一導電板材質為PVDF或PP添加碳纖維的C-PVDF或C-PP。
如請求項1所述之除靜電膜片閥，其中，每一導電板包含有一基板、複數凸柱等構成；該格狀肋板具有大的靜電電荷散佈面積與更多的尖銳邊緣及尖點來分佈更多靜電電荷，該尖銳邊緣及該尖點都更容易累積更多靜電電荷提高其靜電壓；該複數凸柱相互獨立的垂直伸出該基板，該複數凸柱可以跟該格狀肋板的格子的內表面相耦合貼合；該基板的表面可以貼合該格狀肋板的該尖銳邊緣、該尖點等而相互耦合貼合，更容易將局部數量高的靜電電荷經由該導電板連接接地導線而降低該閥體之外表面的靜電壓。
如請求項1所述之除靜電膜片閥，其中，該導電板包含一側板、一底座板；該側板包含有一平板部、一包覆部，該側板的該包覆部的包覆範圍包括該環形部外側的肋板，該底座板可以用來固定該氟樹脂膜片閥，該側板與該底座板有接地導線連接。
如請求項1所述之除靜電膜片閥，其中，該密封機構的該密封面就位在該環形部的內側，可以避免該導電板在吸收環境酸氣形成酸根離子而透過該密封面做逆向擴散汙染，藉此該膜片產生的靜電電荷將容易的由該環形部傳遞出來，避免過高的內外靜電壓差發生放電現象而擊穿該膜片。
一種鼻腔用雷射照射裝置，其包含：<br/> 一夾鼻件，該夾鼻件具有一變形段、二結合段、複數雷射模組及複數軟塞，該二結合段分別以一端與該變形段的兩端相連接；各雷射模組的部分分別穿組於該二結合段，而各雷射模組的另一部分則分別凸出於該二結合段的端面；各軟塞分別活動套組於對應之各雷射模組分別凸出於該二結合段的一端，且各軟塞分別具有一固定肋；<br/> 一充電裝置，該充電裝置具有一盒體及一蓋體，該蓋體活動蓋合於該盒體，該盒體內具有一容置空間，該容置空間的底面進一步凹設形成對應該夾鼻件之一容置槽，當該夾鼻件置於該容置槽內，該充電裝置傳輸電力至該夾鼻件，用以對該夾鼻件進行充電。
如請求項1所述之鼻腔用雷射照射裝置，其中，各雷射模組分別凸出於該二結合段的一端呈半透明態樣，使各雷射模組分別發出之雷射光得以穿透。
如請求項1所述之鼻腔用雷射照射裝置，其中，各軟塞分別進一步具有一套合部及一外罩，各套合部的一端分別具有一套合孔，各固定肋係分別自對應之各套合部的另一端凸設，各外罩分別套組對應之各套合部及各固定肋；又，各雷射模組分別凸出於該二結合段的一端活動與對應之各套合孔相套組。
如請求項3所述之鼻腔用雷射照射裝置，其中，該二結合段的端面分別進一步凸設有一結合塊，各雷射模組的部分分別穿組於對應之各結合塊，而各雷射模組的另一部分則分別凸出於各結合塊的端面，又，當各軟塞分別套組於對應之各雷射模組分別凸出於該二結合段的一端，各結合塊的部分與對應之各外罩的內表面相貼抵。
如請求項1所述之鼻腔用雷射照射裝置，其中，該二結合段分別進一步具有一第一塊體及一第二塊體，各第一塊體分別與對應之各第二塊體相結合並形成一結合孔，各雷射模組的部分分別穿組於對應之各結合孔，而各雷射模組的另一部分則分別凸出於對應之各結合孔。
如請求項1所述之鼻腔用雷射照射裝置，其中，該盒體進一步具有一第一電路板及一第一儲電單元，該第一電路板與該第一儲電單元相電性連接，該容置槽進一步具有與該第一電路板相電性連接的複數第一接合點，該夾鼻件進一步具有一第二電路板、一第二儲電單元及複數第二接合點，該第二電路板與該第二儲電單元、各第二接合點及各雷射模組相電性連接，當該夾鼻件至於該容置槽內，各第一接合點與各第二接合點相互對應接合，使該充電裝置可將該第一儲電單元儲存之電力，輸送至該夾鼻件之第二儲電單元進行充電。
如請求項6所述之鼻腔用雷射照射裝置，其中，該充電裝置進一步具有一顯示燈，該顯示燈環設於該盒體或該蓋體之端面，且該顯示燈與該第一電路板及該第二電路板相電性連接，該顯示燈係透過不同顏色或閃爍頻率，以顯示該充電裝置正在充電、該充電裝置正在對該夾鼻件進行充電，或是充電作業已完成。
如請求項1所述之鼻腔用雷射照射裝置，其中，該二結合段分別進一步具有一第一磁吸件，該容置槽進一步具有至少一第二磁吸件，各第一磁吸件活動與該至少一第二磁吸件相磁吸，使該夾鼻件可穩定與該充電裝置相結合。
如請求項1所述之鼻腔用雷射照射裝置，其中，該蓋體對應該盒體的一面進一步凹設有一滑槽，該盒體進一步具有一凸塊，該凸塊遠離該盒體的一端具有一橫板，該橫板嵌設於該滑槽內，並可沿該滑槽方向滑動，使該蓋體能相對該盒體開啟或閉合。
如請求項9所述之鼻腔用雷射照射裝置，其中，該滑槽的兩側分別進一步具有一限位槽，該盒體進一步具有二限位塊，該二限位塊分別設於該凸塊的兩側，且分別嵌設於對應之各限位槽，該蓋體相對該盒體的滑動，使該二限位塊可自對應之各限位槽的一端位移至另一端。
一種智能頸掛香氛風扇，包含：<br/> 成對的風扇本體，係透過頸掛線彼此連接，用以產生氣流；<br/> 成對的香氛超音波震盪裝置，分別設置於該風扇本體內部且連通於該風扇本體的出風口，用以使香氛霧化；<br/> 成對的智能控制裝置，分別設置於該風扇本體內部且電連接於該風扇本體及香氛超音波震盪裝置，用以控制該風扇本體及該香氛超音波震盪裝置；及<br/> 無線連接裝置，設置於該風扇本體內部且電連接於該智能控制裝置，用以無線連接外部裝置。
如請求項1所述之智能頸掛香氛風扇，其中該頸掛線為由可撓性材質所構成。
如請求項1所述之智能頸掛香氛風扇，其中更包含成對的可動關節，係設置於該成對的風扇本體各自與該頸掛線的連接處，用以調整該風扇本體的角度。
一種基站裝置，包含：<br/> 一收發介面，通訊連接至一接收端裝置及一傳送端裝置；以及<br/> 一處理器，電性連接至該收發介面，且用以執行以下運作：<br/> 處理一處理佇列中的複數個資料封包，其中該等資料封包是自該傳送端裝置接收，且該等資料封包各者帶有一壅塞通知欄位；<br/> 響應於判斷該處理佇列中出現一資料延遲封包，標記該處理佇列中的該等資料封包的該壅塞通知欄位；<br/> 基於被標記的該等資料封包，更新複數個傳輸流各者對應之一狀態計數，其中該狀態計數至少包含一正常封包計數值及一壅塞封包計數值；<br/> 基於該等傳輸流中之一第一傳輸流所對應之該狀態計數，產生對應該第一傳輸流之一壅塞通知回饋，其中該第一傳輸流由該傳送端裝置傳輸至該接收端裝置之一傳輸路徑；以及<br/> 傳輸該壅塞通知回饋至該傳送端裝置。
如請求項1所述之基站裝置，其中該壅塞通知回饋用以指示該傳送端裝置調整該傳送端裝置對應該第一傳輸流之一傳輸速率。
如請求項1所述之基站裝置，其中該處理器更執行以下運作：<br/> 計算該處理佇列中之該等資料封包各者之一等待時間；<br/> 判斷該等資料封包中是否出現一目標資料封包之該等待時間超過一等待預設值；以及<br/> 響應於出現該目標資料封包之該等待時間超過該等待預設值，判斷該處理佇列出現一延遲資料封包。
如請求項1所述之基站裝置，其中標記該處理佇列中的該等資料封包包含以下運作：<br/> 基於一壅塞標示，更新該處理佇列中該等資料封包各者之該壅塞通知欄位。
如請求項4所述之基站裝置，其中該基站裝置更儲存複數個計數器，該等計數器各者對應至該等傳輸流其中之一，且該處理器更執行以下運作：<br/> 基於該等計數器，記錄該等傳輸流各者對應之一壅塞標示數量；以及<br/> 基於該等傳輸流各者對應之該壅塞標示數量，更新該等傳輸流各者對應之該狀態計數。
如請求項1所述之基站裝置，其中產生對應該第一傳輸流之該壅塞通知回饋更包含以下運作：<br/> 判斷是否自該接收端裝置接收對應至該第一傳輸流之一接收端壅塞通知回饋；以及<br/> 響應於自該接收端裝置接收對應至該第一傳輸流之該接收端壅塞通知回饋，合併該第一傳輸流所對應之該狀態計數及該接收端壅塞通知回饋，以產生對應該第一傳輸流之該壅塞通知回饋。
如請求項1所述之基站裝置，其中產生對應該第一傳輸流之該壅塞通知回饋包含以下運作：<br/> 判斷該第一傳輸流之該狀態計數是否超過一回饋預設值；以及<br/> 響應於該第一傳輸流之該狀態計數超過該回饋預設值，基於該第一傳輸流所對應之該狀態計數，產生對應該第一傳輸流之該壅塞通知回饋。
如請求項1所述之基站裝置，其中響應於該第一傳輸流為一上行資料傳輸，該傳送端裝置為一使用者裝置，該接收端裝置為一應用伺服器。
如請求項1所述之基站裝置，其中響應於該第一傳輸流為一下行資料傳輸，該傳送端裝置為一應用伺服器，該接收端裝置為一使用者裝置。
一種傳輸方法，適用於一基站裝置，其中該基站裝置通訊連接至一接收端裝置及一傳送端裝置，且該傳輸方法包含以下步驟：<br/> 處理一處理佇列中的複數個資料封包，其中該等資料封包是自該傳送端裝置接收，且該等資料封包各者帶有一壅塞通知欄位；<br/> 響應於判斷該處理佇列中出現一資料延遲封包，標記該處理佇列中的該等資料封包的該壅塞通知欄位；<br/> 基於被標記的該等資料封包，更新複數個傳輸流各者對應之一狀態計數，其中該狀態計數至少包含一正常封包計數值及一壅塞封包計數值；<br/> 基於該等傳輸流中之一第一傳輸流所對應之該狀態計數，產生對應該第一傳輸流之一壅塞通知回饋，其中該第一傳輸流由該傳送端裝置傳輸至該接收端裝置之一傳輸路徑；以及<br/> 傳輸該壅塞通知回饋至該傳送端裝置。
如請求項10所述之傳輸方法，其中該壅塞通知回饋用以指示該傳送端裝置調整該傳送端裝置對應該第一傳輸流之一傳輸速率。
如請求項10所述之傳輸方法，其中該傳輸方法更包含以下步驟：<br/> 計算該處理佇列中之該等資料封包各者之一等待時間；<br/> 判斷該等資料封包中是否出現一目標資料封包之該等待時間超過一等待預設值；以及<br/> 響應於出現該目標資料封包之該等待時間超過該等待預設值，判斷該處理佇列出現一延遲資料封包。
如請求項10所述之傳輸方法，其中標記該處理佇列中的該等資料封包包含以下步驟：<br/> 基於一壅塞標示，更新該處理佇列中該等資料封包各者之該壅塞通知欄位。
如請求項13所述之傳輸方法，其中該基站裝置更儲存複數個計數器，該等計數器各者對應至該等傳輸流其中之一，且該傳輸方法更包含以下步驟：<br/> 基於該等計數器，記錄該等傳輸流各者對應之一壅塞標示數量；以及<br/> 基於該等傳輸流各者對應之該壅塞標示數量，更新該等傳輸流各者對應之該狀態計數。
如請求項10所述之傳輸方法，其中產生對應該第一傳輸流之該壅塞通知回饋更包含以下步驟：<br/> 判斷是否自該接收端裝置接收對應至該第一傳輸流之一接收端壅塞通知回饋；以及<br/> 響應於自該接收端裝置接收對應至該第一傳輸流之該接收端壅塞通知回饋，合併該第一傳輸流所對應之該狀態計數及該接收端壅塞通知回饋，以產生對應該第一傳輸流之該壅塞通知回饋。
如請求項10所述之傳輸方法，其中產生對應該第一傳輸流之該壅塞通知回饋包含以下步驟：<br/> 判斷該第一傳輸流之該狀態計數是否超過一回饋預設值；以及<br/> 響應於該第一傳輸流之該狀態計數超過該回饋預設值，基於該第一傳輸流所對應之該狀態計數，產生對應該第一傳輸流之該壅塞通知回饋。
如請求項10所述之傳輸方法，其中響應於該第一傳輸流為一上行資料傳輸，該傳送端裝置為一使用者裝置，該接收端裝置為一應用伺服器。
如請求項10所述之傳輸方法，其中響應於該第一傳輸流為一下行資料傳輸，該傳送端裝置為一應用伺服器，該接收端裝置為一使用者裝置。
一種光學模組，包括：<br/> 第一功能基板，包括一第一基板、形成於所述第一基板的第一面的第一繞射光柵、以及形成於所述第一基板的第二面的第一電致變色層，所述第一面與所述第二面相對；<br/> 第二功能基板，包括一第二基板、形成於所述第二基板的第三面的第二繞射光柵、以及形成於所述第二基板的第四面的第二電致變色層，所述第三面與所述第四面相對，所述第二面與所述第四面間隔且面對面設置；以及<br/> 電解質層，夾置於所述第一電致變色層與所述第二電致變色層之間，以構成一電化學單元；<br/> 其中，藉由向所述電化學單元施加可變電壓，能夠改變所述第二繞射光柵的有效折射率與所述電化學單元的光吸收係數，進而動態調控所述光學模組的耦合角度與透光率。
如請求項1所述的光學模組，其中，所述第一繞射光柵為用於光線耦入的布拉格光柵，所述第二繞射光柵為用於光線耦出的次波長浮雕光柵。
如請求項2所述的光學模組，其中，所述次波長浮雕光柵的光柵週期介於450nm至900nm，深度介於50nm至200nm，且占空比介於0.1至0.6。
如請求項1所述的光學模組，其中，所述第一電致變色層與所述第二電致變色層構成一互補型電致變色系統，所述第一電致變色層包括氧化鎳層，所述第二電致變色層包括氧化鎢層。
如請求項1所述的光學模組，其中，所述第一基板及所述第二基板的材料各自選自剛性玻璃、超薄柔性玻璃或塑膠中的至少一種。
如請求項1至5中任一項所述的光學模組，其中，所述光學模組還包括外鏡片，所述外鏡片設置於所述第一功能基板的所述第一繞射光柵所在的一側；所述外鏡片具有以下至少一項特徵：<br/> 具備屈光度調整功能；<br/> 表面具有多層膜結構，所述多層膜結構包括抗反射膜與/或抗指紋膜；<br/> 經過黃化抑制處理。
一種光學模組的製備方法，包括：<br/> 提供一第一功能基板，所述第一功能基板集成有第一繞射光柵與第一電致變色層；<br/> 提供一第二功能基板，所述第二功能基板集成有第二繞射光柵與第二電致變色層；以及<br/> 藉由對位與貼合製程，將所述第一功能基板與所述第二功能基板組裝，並於所述第一功能基板與所述第二功能基板之間形成電解質層以形成電化學單元。
如請求項7所述的光學模組的製備方法，其中，<br/> 提供所述第一功能基板包括：在第一基板的第一面形成所述第一繞射光柵，在所述第一基板的第二面形成所述第一電致變色層，所述第一面與所述第二面相對；<br/> 提供所述第二功能基板包括：在第二基板的第三面形成所述第二繞射光柵，在所述第二基板的第四面形成所述第二電致變色層，所述第三面與所述第四面相對；<br/> 將所述第一功能基板與所述第二功能基板組裝包括：使所述第一基板的所述第二面與所述第二基板的所述第四面間隔且面對面設置，並於所述第一電致變色層與所述第二電致變色層之間形成所述電解質層。
一種光學系統，包括：<br/> 如請求項1至6中任一項所述的光學模組；以及<br/> 控制單元，所述控制單元與所述電化學單元電性連接，並配置為向所述電化學單元發送所述可變電壓，以協同地調控所述有效折射率與所述光吸收係數。
如請求項9所述的光學系統，其中，<br/> 所述光學系統為增強現實或虛擬實境顯示系統，所述光學系統還包括圖像源，所述光學模組設置於所述圖像源的光路上，用於將所述圖像源發出的圖像光耦合並導向觀察者的眼睛，並調節環境光在所述光學模組中的透射率；<br/> 或者，<br/> 所述光學系統為飛行時間系統或光學雷達系統，所述光學系統還包括光源與感測器，所述光學模組設置於所述光源的出射光路和/或所述感測器的入射光路中，用於對所述光源發出的光束進行角度掃描，和/或調節進入所述感測器的光強度；<br/> 或者，<br/> 所述光學系統為可調光學濾波器，所述控制單元配置為藉由調控所述可變電壓，使得所述光學模組對特定波長或入射角度的光線進行選擇性繞射，並調節透射過所述光學模組的光線的整體強度；<br/> 或者，<br/> 所述光學系統為調光玻璃，所述光學模組構成所述調光玻璃的至少一部分，用於控制穿透所述至少一部分的環境光的透光率，和/或改變穿透所述至少一部分的光線的傳播方向。
一種光源模組，包括： <br/>一基板； <br/>多個發光元件，設置於該基板上；其中每若干數量之相鄰發光元件構成一發光元件組，而該多個發光元件形成多個發光元件組； <br/>多個凸起結構，設置於該基板上；該多個凸起結構包括： <br/>多個第一凸起結構，分別設置於每一該發光元件上且覆蓋該發光元件；以及 <br/>多個第二凸起結構，分別設置於每一該發光元件組，且每一該發光元件組內之該第二凸起結構與該發光元件組內之每一發光元件的該第一凸起結構部分交疊。
如請求項1所述之光源模組，其中該凸起結構是由透光材料所構成，且該凸起結構之表面為曲面。
如請求項1所述之光源模組，其中該凸起結構進一步為膠點狀結構，且每一該第一凸起結構透過於該發光元件上進行點膠而形成，每一該第二凸起結構透過於該發光元件組內進行點膠而形成。
如請求項1所述之光源模組，其中該第二凸起結構大於該第一凸起結構；該第二凸起結構進一步設置於該發光元件組之中央，且遮蓋部分之該第一凸起結構。
如請求項1所述之光源模組，其中該若干數量進一步為四，而每四個相鄰發光元件構成該發光元件組。
如請求項1所述之光源模組，其中每一該第一凸起結構進一步具有一底部；該第一凸起結構之高度為0.9～1.0 mm，而該底部之徑長為2.7～3.0 mm。
如請求項6所述之光源模組，其中該第一凸起結構之高度與該底部之徑長的比值為0.33或接近0.33。
如請求項6所述之光源模組，其中該第二凸起結構之高度為1.6～1.7 mm，徑長為4.5～4.8 mm；該第二凸起結構之徑長方向與該第一凸起結構之該底部平行。
如請求項8所述之光源模組，其中該第二凸起結構之高度與徑長的比值為0.35或接近0.35。
一種光源模組，包括： <br/>一基板； <br/>多個發光元件，設置於該基板上；其中每若干數量之相鄰發光元件構成一發光元件組，而該多個發光元件形成多個發光元件組； <br/>多個凸起結構，設置於該基板上；每一該凸起結構設置於每一該發光元件組，且包括： <br/>多個第一凸起結構，分別位於每一該發光元件上且覆蓋該發光元件；以及 <br/>一第二凸起結構，位於該發光元件組的中央。
一種具智慧感測的自潤式滾珠螺桿，包括：<br/> 一軸桿，表面設有一螺紋槽；<br/> 一滾珠螺帽，設置於該軸桿，並具有複數滾珠滾動於該螺紋槽；<br/> 一振動感測器，設置於該滾珠螺帽，以偵測該滾珠螺帽之振動；以及<br/> 一自潤裝置，設置於該滾珠螺帽之一端部，該自潤裝置包括：<br/> 一蓋件，鎖固於該滾珠螺帽；<br/> 一儲油件，螺鎖至該蓋件相對遠離該滾珠螺帽的一端；<br/> 一潤滑件，設置於該蓋件中並具有一凸部於該螺紋槽處接觸該軸桿；以及<br/> 一吸油件，一端連接於該潤滑件，另一端延伸至該儲油件中。
如請求項1所述之具智慧感測的自潤式滾珠螺桿，其中該滾珠螺帽更包括一套筒及一法蘭，該套筒具有一第一端部及一第二端部，該自潤裝置連接於該套筒之該第一端部，該法蘭連接於該第二端部。
如請求項2所述之具智慧感測的自潤式滾珠螺桿，其中該振動感測器設置於該法蘭。
如請求項3所述之具智慧感測的自潤式滾珠螺桿，其中該振動感測器設置於該法蘭遠離該套筒之一側的表面。
如請求項1所述之具智慧感測的自潤式滾珠螺桿，更包括一控制器，連接該振動感測器，該控制器於所接收到的該滾珠螺帽之一振動值大於一振動預設值時，傳送一振動提示通知。
如請求項5所述之具智慧感測的自潤式滾珠螺桿，更包括一溫度感測器，設置於該軸桿，以偵測該軸桿之溫度，該溫度感測器連接該控制器並傳送一溫度值至該控制器，該控制器於所接收到的該溫度值大於一溫度預設值時，傳送一溫度提示通知。
如請求項6所述之具智慧感測的自潤式滾珠螺桿，其中該溫度感測器設置於該軸桿之一端部。
如請求項5所述之具智慧感測的自潤式滾珠螺桿，更包括一濕度感測器，設置於該軸桿，以偵測環境濕度，該濕度感測器連接該控制器並傳送一濕度值至該控制器，該控制器於所接收到的該濕度值大於一濕度預設值且累計超過一指定時間時，傳送一濕度提示通知。
如請求項1所述之具智慧感測的自潤式滾珠螺桿，其中該儲油件係呈半透明狀，且具有一油口及一孔塞，該孔塞可拆裝地設置於該油口。
如請求項1所述之具智慧感測的自潤式滾珠螺桿，其中該自潤裝置更包括一墊片設置於該蓋件中並封閉該儲油件的一開口端，該吸油件一端穿過該墊片至該儲油件中。
一種人造羽毛球，包括：一球頭包括一頂面、一凸面及複數個插孔，其中該複數個插孔設於該頂面，該頂面具有一外緣；複數毛桿，包括一前端、一毛片區段及一毛桿中段，其中各該複數毛桿的該前端間隔地插設於該頂面對應的各該插孔；一黏著膠設於該複數個插孔內以將該複數毛桿黏固於各該插孔；複數毛片，分別連接於該複數毛桿的該毛片區段；一第一連接件，以環形條狀連接各該複數毛桿的該毛桿中段；一第二連接件，以環形條狀連接各該複數毛桿的該毛桿中段，其中該第一連接件在該第二連接件下方，使該第一連接件較接近該頂面；以及一環形槽，設置於該頂面，其中該環形槽與該外緣間具有一距離，其中該距離大於0.8mm且小於4mm。
如請求項1所述之人造羽毛球，其中該環形槽具有一環形槽寬及一環形槽深度，其中該環形槽寬大於0.4mm且小於1.5mm，該環形槽深度大於0.5mm且小於7mm。
如請求項1或請求項2所述之人造羽毛球，其中該黏著膠設於該環形槽內，且與複數個插孔內的該黏著膠相連。
如請求項3所述之人造羽毛球，其中各該複數毛桿的該插孔沒有接觸該環形槽。
如請求項4所述之人造羽毛球，其中各該複數毛桿的該插孔位於該環形槽的內側。
如請求項4所述之人造羽毛球，其中各該複數毛桿的該插孔位於該環形槽的外側。
如請求項3所述之人造羽毛球，其中各該複數毛桿的該插孔接觸該環形槽。
如請求項7所述之人造羽毛球，其中各該複數毛桿的該插孔穿越該環形槽。
如請求項8所述之人造羽毛球，其中各該複數毛桿的該前端由該環形槽的外側插設並穿越該環形槽。
如請求項1或請求項2所述之人造羽毛球，其中更包括一凹洞，該凹洞設置於該頂面。
如請求項10所述之人造羽毛球，該凹洞包括一凹洞直徑及一凹洞深度，其中該凹洞直徑大於2mm且小於12mm，該凹洞深度大於5mm且小於15mm。
如請求項3所述之人造羽毛球，其中更包括一凹洞，該凹洞設置於該頂面。
一種管內移動機器人，構成為：所述管內移動機器人包括：機器人本體，包括至少三個伸縮單元，各個在被供給流體時朝徑向膨脹並朝軸向收縮，所述伸縮單元以型樣進行蠕動運動，以在管的內部移動，所述管內移動機器人具有： <br/>流體供給源，與多個所述伸縮單元的各個藉由配管個別連接；以及 <br/>控制裝置，與所述流體供給源連接， <br/>所述控制裝置具有： <br/>控制部，控制所述流體供給源的作動；以及 <br/>模式切換部，對藉由所述控制部對所述流體供給源進行的控制模式在正常移動模式與脫出模式之間進行切換， <br/>所述控制部： <br/>在所述正常移動模式中，對所述流體供給源的作動進行以下控制：使多個所述伸縮單元以型樣交替變形為朝徑向膨脹的完全膨脹狀態與不膨脹的自然狀態，以進行所述蠕動運動，以及 <br/>在所述脫出模式中，對所述流體供給源的作動進行以下控制：使多個所述伸縮單元以型樣變形為以比所述完全膨脹狀態低的內部壓力朝徑向膨脹而成為不被所述管的內周面保持的直徑的非完全膨脹狀態，以及以比所述非完全膨脹狀態低的內部壓力朝徑向膨脹的微膨脹狀態或所述自然狀態。
一種管內移動機器人，構成為：所述管內移動機器人包括：機器人本體，包括至少三個伸縮單元，各個在被供給流體時朝徑向膨脹並朝軸向收縮，所述伸縮單元以型樣進行蠕動運動，以在管的內部移動，所述管內移動機器人具有： <br/>流體供給源，與多個所述伸縮單元的各個藉由配管個別連接； <br/>控制裝置，與所述流體供給源連接； <br/>牽引裝置，對連結於所述機器人本體的牽引部件朝從所述管拉出所述機器人本體的方向進行牽引；以及 <br/>牽引力檢測器，測定施加於所述牽引部件的牽引力， <br/>所述控制裝置具有： <br/>控制部，控制所述流體供給源的作動；以及 <br/>模式切換部，對藉由所述控制部對所述流體供給源進行的控制模式在正常移動模式與脫出模式之間進行切換， <br/>所述控制部： <br/>在所述正常移動模式中，對所述流體供給源的作動進行以下控制：使多個所述伸縮單元以型樣交替變形為朝徑向膨脹的完全膨脹狀態與不膨脹的自然狀態，以進行所述蠕動運動， <br/>在所述脫出模式中，對所述流體供給源的作動進行以下控制：使多個所述伸縮單元以型樣變形為以比所述完全膨脹狀態低的內部壓力朝徑向膨脹的非完全膨脹狀態，以及以比所述非完全膨脹狀態低的內部壓力朝徑向膨脹的微膨脹狀態或所述自然狀態，以及 <br/>當藉由所述牽引力檢測器測定的牽引力達到所定數值以上時，藉由所述模式切換部將所述控制模式從所述正常移動模式自動切換至所述脫出模式。
如請求項1所述的管內移動機器人，其中： <br/>所述的管內移動機器人構成為具有：牽引裝置，對連結於所述機器人本體的牽引部件朝從所述管拉出所述機器人本體的方向進行牽引，以及， <br/>當藉由所述模式切換部將所述控制模式從所述正常移動模式切換至所述脫出模式時，所述控制部起動所述牽引裝置。
如請求項2所述的管內移動機器人，其中： <br/>當藉由所述模式切換部將所述控制模式從所述正常移動模式切換至所述脫出模式時，所述控制部起動所述牽引裝置。
一種管內移動機器人，構成為：所述管內移動機器人包括：機器人本體，包括至少三個伸縮單元，各個在被供給流體時朝徑向膨脹並朝軸向收縮，所述伸縮單元以型樣進行蠕動運動，以在管的內部移動，所述管內移動機器人具有： <br/>流體供給源，與多個所述伸縮單元的各個藉由配管個別連接；以及 <br/>控制裝置，與所述流體供給源連接， <br/>所述控制裝置具有： <br/>控制部，控制所述流體供給源的作動；以及 <br/>模式切換部，對藉由所述控制部對所述流體供給源進行的控制模式在正常移動模式與脫出模式之間進行切換， <br/>所述控制部： <br/>在所述正常移動模式中，對所述流體供給源的作動進行以下控制：使多個所述伸縮單元以型樣交替變形為朝徑向膨脹的完全膨脹狀態與不膨脹的自然狀態，以進行所述蠕動運動， <br/>在所述脫出模式中，對所述流體供給源的作動進行以下控制：使多個所述伸縮單元以型樣變形為以比所述完全膨脹狀態低的內部壓力朝徑向膨脹的非完全膨脹狀態，以及以比所述非完全膨脹狀態低的內部壓力朝徑向膨脹的微膨脹狀態或所述自然狀態， <br/>其中管內移動機器人更具有牽引部件，所述牽引部件包括：固定部，固定在所述機器人本體的前端；以及索狀部，其一端連結於所述固定部且另一端通過所述機器人本體的內部從所述機器人本體的後端拉出。
一種雙面使用的框裝置，適用於固定在一門窗框，該門窗框包含一圍繞一軸線的框內周面，及一由該框內周面的周緣沿垂直於該軸線的方向延伸的第一框面，該雙面使用的框裝置包含：<br/> 一圍繞該軸線的框架，包括一第一側面、一沿該軸線的方向與該第一側面相間隔的第二側面，及一連接該第一側面與該第二側面的外周面，該外周面具有一連接該第一側面且遠離開軸線的平面段，及一連接該第二側面與該平面段且鄰近該軸線的導角段；及<br/> 數個栓件，用來將該框架固定在該門窗框，使該框架能夠在一第一固定狀態與一第二固定狀態間變化，當該框架在該第一固定狀態時，該框架的第一側面與該門窗框的第一框面貼合，該等栓件沿該軸線的方向通過該框架且連接於該門窗框，當該框架在該第二固定狀態時，該框架的外周面與該門窗框的框內周面貼合，該等栓件沿垂直於該軸線的方向通過該框架且連接該門窗框。
如請求項1所述的雙面使用的框裝置，其中，該框架還包括數個非貫穿的栓孔，該雙面使用的框裝置還包含數個可卸離的安裝在該框架且覆蓋在該等栓孔上的孔蓋，當該框架在該第一固定狀態時，該等栓件沿該軸線的方向穿破該框架且貫穿該等栓孔，將該框架連接於該門窗框。
如請求項2所述的雙面使用的框裝置，其中，每一該孔蓋具有一形成在朝該框架的一側面的凹部，該凹部與該框架界定一開口朝外的間隙，該間隙適用於供一外物插入而用於自該框架卸離該孔蓋。
如請求項1所述的雙面使用的框裝置，其中，當該框架在該第二固定狀態時，該框架的該第一側面平齊於該門窗框的第一框面。
如請求項4所述的雙面使用的框裝置，其中，該框架還能夠在一第三固定狀態變化，在該第三固定狀態時，該框架的該第二側面與該導角段突出該門窗框的該第一框面。
如請求項5所述的雙面使用的框裝置，其中，當該框架在該第三固定狀態時，該等栓件沿垂直於該軸線的方向貫穿該框架並將該框架連接於該門窗框。
如請求項5所述的雙面使用的框裝置，其中，當該框架在該第三固定狀態時，該等栓件在鄰近該第一側面的位置沿垂直於該軸線的方向貫穿該框架並將該框架連接於該門窗框。
如請求項1所述的雙面使用的框裝置，其中，該框架還包含一相反於該外周面的內周面，及二形成在該內周面且相間隔的軌槽，該等軌槽沿垂直該軸線的方向延伸。
如請求項8所述的雙面使用的框裝置，還包含數個可卸離地連接於該框架且用於封蓋該軌槽的遮蓋。
如請求項1所述的雙面使用的框裝置，其中，該導角段可以是斜面或是弧面。
一種利用生物農業副產物製備用於清除尿毒素組合物之方法；包含有如下步驟：<br/> 清洗裁切：將生物農業副產物清洗乾淨，並將洗淨後的生物農業副產物裁切，使該生物農業副產物形成尺寸2cm * 2cm之大小；<br/> 烘乾：將上述經清洗、裁切後之生物農業副產物以80～100℃之溫度烘乾48小時，以去除該生物農業副產物所含之水分；<br/> 破碎過篩：將上述經烘乾後之生物農業副產物經破碎形成不規則的顆粒，並以20網目的篩網行過篩，以去除粒徑過小的顆粒；<br/> 碳化：將上述經破碎過篩後的生物農業副產物以升溫速率5～20℃/min升溫至300～600℃，使該生物農業副產物碳化，且於碳化過程中加入惰性氣體；<br/> 活化：將上述經碳化後的生物農業副產物停止注入惰性氣體，然後以升溫速率5～20℃/min升溫至700～1000℃，並以100 cm<sup>3</sup>/min之速率注入二氧化碳氣體(CO<sub>2</sub>)，並使整體作用時間為30～60分，藉以使該生物農業副產物活化形成活性碳；<br/> 洗淨：將上述經活化處理後之活性碳以0.1～3M之氯化氫(HCl)、10～500毫莫耳(mM)之乙二胺四乙酸(EDTA)洗除不純物質，再以清水洗淨，使得該洗淨後之活性碳可去除重金屬，且該活性碳之酸鹼值為中性(pH 6.5-7.5)；其中，由於該氯化氫(HCl)可以溶解活性碳中的無機鹽，並可將裸露的重金屬進行破壞，再以乙二胺四乙酸(EDTA)螯合重金屬，使重金屬脫離活性碳；<br/> 混合：將上述洗淨後之活性碳與海藻酸鈉以0.5～3%：1～3%之比例在水中混合均勻，使形成活性碳混合溶液；<br/> 凝珠：將上述活性碳混合溶液滴入1～5%正電離子水溶液形成凝珠，即形成活性碳-海藻酸鈣凝珠：<br/> 冷凍乾燥：將上述經凝珠後之活性碳-海藻酸鈣凝珠以1.3E 1Pa之壓力，溫度為 –80℃冷凍24～48小時，使活性碳-海藻酸鈣凝珠形成乾燥化的活性碳-海藻酸鈣凝珠。
一種用於清除尿毒素之組合物，係由請求項1所述之製備方法所製成。
一種如請求項2所述組合物之用途，其可用以製備清除尿毒素之藥物。
一種利用鳳梨葉製備用於清除尿毒素組合物之方法；包含有如下步驟：<br/> 清洗裁切：將鳳梨葉清洗乾淨，並將洗淨後的鳳梨葉裁切，使鳳梨葉形成尺寸2cm * 2cm之大小；<br/> 烘乾：將上述經清洗、裁切後之鳳梨葉以80～100℃之溫度烘乾48小時，以去除鳳梨葉所含之水分；<br/> 破碎過篩：將上述經烘乾後之鳳梨葉經破碎形成不規則的顆粒，並以20網目的篩網行過篩，以去除粒徑過小的顆粒；<br/> 碳化：將上述經破碎過篩後的鳳梨葉以升溫速率10℃/min升溫至500℃，使該鳳梨葉碳化，且於碳化過程中加入氮氣；<br/> 活化：將上述經碳化後的鳳梨葉停止注入氮氣，然後以升溫速率10℃/min升溫至800℃，並以100 cm<sup>3</sup>/min之速率注入二氧化碳氣體，並使整體作用時間為30分，藉以使該鳳梨葉活化形成鳳梨葉活性碳；<br/> 洗淨：將上述經活化處理後之鳳梨葉活性碳以0.1～3M之氯化氫(HCl)、10～500毫莫耳(mM)之乙二胺四乙酸(EDTA)洗除不純物質，再以清水洗淨，使得該洗淨後之鳳梨葉活性碳可去除重金屬，且該鳳梨葉活性碳之酸鹼值為中性(pH 6.5-7.5)；其中，由於該氯化氫(HCl)可以溶解鳳梨葉活性碳中的無機鹽，並可將裸露的重金屬進行破壞，再以乙二胺四乙酸(EDTA)螯合重金屬，使重金屬脫離鳳梨葉活性碳；<br/> 混合：將上述洗淨後之鳳梨葉活性碳與海藻酸鈉以0.5～3%：1～3%之比例在水中混合均勻，使形成活性碳混合溶液；<br/> 凝珠：將上述活性碳混合溶液滴入1～5%正電離子水溶液形成凝珠，即形成鳳梨葉活性碳-海藻酸鈣凝珠；<br/> 冷凍乾燥：將上述經凝珠後之活性碳-海藻酸鈣凝珠以1.3E 1Pa之壓力，溫度為 –80℃冷凍24～48小時，使活性碳-海藻酸鈣凝珠形成乾燥化的活性碳-海藻酸鈣凝珠。
一種利用鳳梨皮製備用於清除尿毒素組合物之方法；包含有如下步驟：<br/> 清洗裁切：將鳳梨皮清洗乾淨，並將洗淨後的鳳梨皮裁切，使鳳梨皮形成尺寸約2cm * 2cm之大小；<br/> 烘乾：將上述經清洗、裁切後之鳳梨皮以80～100℃之溫度烘乾48小時，以去除鳳梨皮所含之水分；<br/> 破碎過篩：將上述經烘乾後之鳳梨皮經破碎形成不規則的顆粒，並以20網目的篩網行過篩，以去除粒徑過小的顆粒；<br/> 碳化：將上述經破碎過篩後的鳳梨皮以升溫速率10℃/min升溫至500℃，使該鳳梨皮碳化，且於碳化過程中加入氮氣；<br/> 活化：將上述經碳化後的鳳梨皮停止注入氮氣，然後以升溫速率10℃/min升溫至800℃，並以100 cm<sup>3</sup>/min之速率注入二氧化碳氣體，並使整體作用時間為30分，藉以使該鳳梨皮活化形成鳳梨皮活性碳；<br/> 洗淨：將上述經活化處理後之鳳梨皮活性碳以0.1～3M之氯化氫(HCl)、10～500毫莫耳(mM)之乙二胺四乙酸(EDTA)洗除不純物質，再以清水洗淨，使得該洗淨後之鳳梨皮活性碳可去除重金屬，且該鳳梨皮活性碳之酸鹼值為中性(pH 6.5-7.5)；其中，由於該氯化氫(HCl)可以溶解鳳梨皮活性碳中的無機鹽，並可將裸露的重金屬進行破壞，再以乙二胺四乙酸(EDTA)螯合重金屬，使重金屬脫離鳳梨皮活性碳；<br/> 混合：將上述洗淨後之鳳梨皮活性碳與海藻酸鈉以0.5～3%：1～3%之比例在水中混合均勻，使形成活性碳混合溶液；<br/> 凝珠：將上述活性碳混合溶液滴入1～5%正電離子水溶液形成凝珠，即形成鳳梨皮活性碳-海藻酸鈣凝珠；<br/> 冷凍乾燥：將上述經凝珠後之活性碳-海藻酸鈣凝珠以1.3E 1Pa之壓力，溫度為 –80℃冷凍24～48小時，使活性碳-海藻酸鈣凝珠形成乾燥化的活性碳-海藻酸鈣凝珠。
一種用於清除尿毒素之鳳梨葉活性碳-海藻酸鈣複合物，係由請求項4所述之製備方法所製成。
一種用於清除尿毒素之鳳梨皮活性碳-海藻酸鈣複合物，係由請求項5所述之製備方法所製成。
一種如請求項6或7所述複合物之用途，其可用以製備清除尿毒素之藥物。
一種運算裝置，包括：<br/> 一通訊介面，用於接收一第一輸入資料及一第二輸入資料，該通訊介面耦接至一儲存器，其中該儲存器用於儲存對應於包含複數個資料向量的一資料的一讀取資料編號表及一資料指標表，其中該讀取資料編號表具有該些資料向量中，分別對應於複數個維度的複數個非零資料向量的各者的一編號，其中該資料指標表具有該些非零資料向量分佈於該些維度中的各者的一數量及一指標位置，其中該數量及該指標位置具有對應的一查詢位址；<br/> 一記憶體；以及<br/> 一處理單元，耦接至該通訊介面、該儲存器及該記憶體，該處理單元用於執行下列操作：<br/> (1)接收該第一輸入資料及該第二輸入資料，分別轉換該第一輸入資料及該第二輸入資料為一第一查詢向量及一第二查詢向量並儲存於該記憶體；<br/> (2)根據該第一查詢向量及該第二查詢向量的特徵將該第一查詢向量及該第二查詢向量分為複數個特徵片段；<br/> (3)將該些特徵片段的其中一者轉換為一特徵位址，並根據該特徵位址讀取該資料指標表中對應於該特徵位址的該查詢位址中的該數量及該指標位置；<br/> (4)根據該數量及該對應指標位址從該讀取資料編號表得出該些非零資料向量中的至少一對應特徵資料向量的至少一編號；<br/> (5)重複(3)及(4)直到該第一查詢向量及該第二查詢向量的所有該些特徵片段都被使用過，得出該些非零資料向量中的所有對應特徵資料向量的所有編號；以及<br/> (6)將該第一查詢向量中的該些特徵片段及該第二查詢向量中的該些特徵片段分別與該所有對應特徵資料向量的該所有編號進行累加，以得到一比對結果以確定該資料符合該第一輸入資料或符合該第二輸入資料。
如請求項1所述的運算裝置，其中將該第一查詢向量及該第二查詢向量分為該些特徵片段係藉由將該第一查詢向量及該第二查詢向量分別形成複數個元組(Tuple)，該些元組分別對應該第一查詢向量及該第二查詢向量的該些特徵片段，<br/> 其中該些元組的各者具有一來源及對應該些特徵片段的各者的一索引。
如請求項2所述的運算裝置，其中該來源用於記錄該元組中對應的該特徵片段屬於該第一查詢向量或是該第二查詢向量，及該索引記錄該特徵片段於該第一查詢向量或是該第二查詢向量中的位置。
如請求項2所述的運算裝置，其中當根據該特徵位址讀取該查詢位址中的該數量時，判斷該數量是否大於等於一閾值，跳過對應的當前特徵片段，並根據該些元組取得下一特徵片段。
如請求項2所述的運算裝置，其中從該讀取資料編號表得出該些非零資料向量中的該至少一對應特徵資料向量的該至少一編號包括將該至少一對應特徵資料向量的對應編號記錄於位於該記憶體中的一計數雜湊表，及記錄對應於該至少一對應特徵資料向量的該來源於該計數雜湊表，並根據該計數雜湊表配置該記憶體中的儲存位置給已被讀取的該至少一特徵資料向量的該至少一編號。
一種資料比對方法，執行於一運算裝置的一處理單元，包括：<br/> (1)接收從該運算裝置的一通訊介面所輸入的一第一輸入資料及一第二輸入資料，並分別轉換該第一輸入資料及該第二輸入資料為一第一查詢向量及一第二查詢向量並儲存於該運算裝置的一記憶體，其中該通訊介面耦接至一儲存器，其中該儲存器用於儲存對應於包含複數個資料向量的一資料的一讀取資料編號表及一資料指標表，其中該讀取資料編號表具有該些資料向量中，分別對應於複數個維度的複數個非零資料向量的各者的一編號，其中該資料指標表具有該些非零資料向量分佈於該些維度中的各者的一數量及一指標位置，其中該數量及該對應指標位置具有對應的一查詢位址；<br/> (2)根據該第一查詢向量及該第二查詢向量的特徵將該第一查詢向量及該第二查詢向量分為複數個特徵片段；<br/> (3)將該些特徵片段的其中一者轉換為一特徵位址，並根據該特徵位址讀取該資料指標表中對應於該特徵位址的該查詢位址中的該數量及該指標位置；<br/> (4)根據該數量及該對應指標位址從該讀取資料編號表得出該些非零資料向量中的至少一對應特徵資料向量的至少一編號；<br/> (5)重複(3)及(4)直到該第一查詢向量及該第二查詢向量的所有該些特徵片段都被使用過，得出該些非零資料向量中的所有對應特徵資料向量的所有編號；以及<br/> (6)將該第一查詢向量中的該些特徵片段及該第二查詢向量中的該些特徵片段分別與該所有對應特徵資料向量的該所有編號進行累加，以得到一比對結果，表示該資料符合該第一輸入資料，或該資料符合該第二輸入資料。
如請求項6所述的資料比對方法，其中將該第一查詢向量及該第二查詢向量分為該些特徵片段係藉由將該第一查詢向量及該第二查詢向量分別形成複數個元組(Tuple)，該些元組分別對應該第一查詢向量及該第二查詢向量的該些特徵片段，<br/> 其中該些元組的各者具有一來源及對應該些特徵片段的各者的一索引。
如請求項7所述的資料比對方法，其中該來源用於記錄該元組中對應的該特徵片段屬於該第一查詢向量或是該第二查詢向量，及該索引記錄該特徵片段於該第一查詢向量或是該第二查詢向量中的位置。
如請求項7所述的資料比對方法，其中當根據該特徵位址讀取該查詢位址中的該數量時，判斷該數量是否大於等於一閾值，跳過對應的當前特徵片段，並根據該些元組取得下一特徵片段。
如請求項7所述的資料比對方法，其中從該讀取資料編號表得出該些非零資料向量中的該至少一對應特徵資料向量的該至少一編號包括將該至少一對應特徵資料向量的對應編號記錄於位於該記憶體中的一計數雜湊表，及記錄對應於該至少一對應特徵資料向量的該來源於該計數雜湊表，並根據該計數雜湊表配置該記憶體中的儲存位置給已被讀取的該至少一特徵資料向量的該至少一編號。
一種掌上型扳手結構，其係包括：<br/> 二本體，每一該本體係設有二邊面，二個該邊面係分設於該本體之二端，每一該邊面處係設有一第一樞部，該第一樞部係貫穿該邊面；<br/> 一驅動頭組，該驅動頭組係與二個該本體相樞設，該驅動頭組係與二個該本體之相同端之該第一樞部相樞設，該驅動頭組係可以該第一樞部為軸心旋動度，該驅動頭組係於二個該邊面內相對該本體任意調整角度，該驅動頭組係設有一第二樞部，該第二樞部係與該第一樞部相對正及相樞設，該驅動頭組外部係設有一第一周面，該第一周面設於該驅動頭組之外周面，該第一周面係與該邊面相靠抵，或該第一周面與該邊面之間具有一小間隔，該驅動頭組一端設有一第一作用端，該驅動頭組另端設有一第二作用端；<br/> 複數結合件，該複數結合件係使二個該本體與該驅動頭組相樞設；<br/> 一支撐件，該支撐件係與二個該本體另側之該第一樞部相組設，該複數結合件係使二個該本體與該支撐件相組設；<br/> 該驅動頭組樞設於二個該本體之同側邊之該第一樞部處，該支撐件樞設於二個該本體另側邊之該第一樞部，二個該本體、該驅動頭組與該支撐件之間形成一空間，使該驅動頭組可以該第一樞部為軸心旋動度而不與該支撐件相接觸，以該支撐件為軸心，該驅動頭組繞該支撐件旋動時不與該支撐件相接觸，以該驅動頭組為軸心，該支撐件相對該驅動頭組轉動時可繞過該第一作用端及該第二作用端，該驅動頭組及該支撐件均可相對為軸心呈繞設轉動或以本身為軸心轉動。
如請求項1所述之掌上型扳手結構，其中，二個該本體係呈長形塊體狀具有一長度，二個該本體係呈相對狀，每一該本體結構均相同，二個該本體之二該邊面係相對正，二個該邊面相對該本體係呈相對稱狀，每一該邊面係呈平面或斜面狀，該第一樞部係呈圓孔狀，該第一樞部外側邊係設有一第一容槽，該第一容槽係與該第一樞部呈相通狀，該第一樞部及該第一容槽係具有同軸心，該第一容槽係呈圓形槽體狀，該第一容槽之直徑大於該第一樞部之直徑。
如請求項2所述之掌上型扳手結構，其中，該第二樞部內係設有一第一結合部，該第一結合部係呈內螺紋孔狀；該結合件係設有一第二結合部，該第二結合部係與該第一結合部相螺合，使該驅動頭組樞設於該第一樞部處，該第二結合部係呈外螺紋狀，該結合件之頭部係容設於該第一容槽內，該結合件之數目為四個。
如請求項1所述之掌上型扳手結構，其中，該第一作用端係呈凸伸之多角槽狀，該第二作用端係呈凸伸之四角頭狀，該第二作用端之規格係與該第一作用端規格相同，僅是其一為公規格，另一為母規格。
如請求項4所述之掌上型扳手結構，其中，設有該第二作用端之該驅動頭組內係可具有棘輪結構之功效。
如請求項1所述之掌上型扳手結構，其中，二個該結合件係與二個該第一樞部相樞設，該結合件與該第一樞部之間係呈鬆配合狀態，該結合件一端係穿設於該第一樞部與該第二樞部內。
如請求項1所述之掌上型扳手結構，其中，該驅動頭組係以二個該第一樞部為軸心旋轉角度，該驅動頭組係相對二個該邊面而任意調整角度，旋動該本體即可旋動該驅動頭組。
如請求項1所述之掌上型扳手結構，其中，設有複數彈性元件，每一該彈性元件係容設於每一該第一樞部內，該彈性元件係套設於該結合件上，該彈性元件係抵於該驅動頭組與該結合件之間，受該彈性元件之彈力，該驅動頭組轉動時係具有彈性阻力，該彈性元件係為彈簧結構，該彈性元件之數目係與該結合件之數目相同。
如請求項8所述之掌上型扳手結構，其中，二個該結合件及二個該彈性元件相對該驅動頭組係呈相對稱狀。
如請求項8所述之掌上型扳手結構，其中，該支撐件呈圓柱體狀，該支撐件係與二個該本體另側之該第一樞部相組設，或該支撐件係樞設於二個該本體另側之該第一樞部處，該支撐件即以該第一樞部為軸心於二個該邊面內轉動，該支撐件二端係設有一第三結合部，該結合件係穿設於該彈性元件、該第一樞部內與該第三結合部相螺設，該第三結合部係呈內螺紋孔狀。
如請求項4所述之掌上型扳手結構，其中，該第一作用端及該第二作用端係可依需求而更換其狀態，該第一作用端及該第二作用端皆呈四角槽狀、或該第一作用端及該第二作用端皆呈四角頭狀，或其一為四角頭狀，另一為四角槽狀。
如請求項1所述之掌上型扳手結構，其中，設有另一該驅動頭組，二個該本體可選擇組設一個該驅動頭組與一個該支撐件，或二個該本體長度略長，該支撐件係替換成另一該驅動頭組，二個該驅動頭組相對繞設時，一個該驅動頭組係可以另一該驅動頭組為軸心度轉動，二個該驅動頭組之間相對繞設時係不會相踫撞。
如請求項1所述之掌上型扳手結構，其中，該支撐件係具螺鎖功效，該支撐件係穿設於該第一樞部內與另一該結合件相螺設，該支撐件係為具有頭部之細長桿體狀。
一種顯示裝置，包括： <br/>顯示部； <br/>其中，該顯示部包括受光元件、發光元件、分隔壁及彩色層， <br/>該受光元件包括第一像素電極、活性層及共用電極， <br/>該發光元件包括第二像素電極、發光層及該共用電極， <br/>該活性層包括第一有機化合物， <br/>該活性層位於該第一像素電極上， <br/>該發光層包括與該第一有機化合物不同的第二有機化合物， <br/>該發光層位於該第二像素電極上， <br/>該共用電極包括隔著該活性層與該第一像素電極重疊的部分及隔著該發光層與該第二像素電極重疊的部分， <br/>該分隔壁覆蓋該第一像素電極的端部及該第二像素電極的端部， <br/>該分隔壁覆蓋該彩色層的頂面及側面， <br/>該分隔壁電絕緣該彩色層及該受光元件， <br/>並且，該分隔壁電絕緣該彩色層及該發光元件。
一種顯示裝置，包括： <br/>顯示部； <br/>其中，該顯示部包括受光元件、發光元件、分隔壁及彩色層， <br/>該受光元件包括第一像素電極、活性層及共用電極， <br/>該發光元件包括第二像素電極、發光層及該共用電極， <br/>該活性層包括第一有機化合物， <br/>該活性層位於該第一像素電極上， <br/>該發光層包括與該第一有機化合物不同的第二有機化合物， <br/>該發光層位於該第二像素電極上， <br/>該共用電極包括隔著該活性層與該第一像素電極重疊的部分及隔著該發光層與該第二像素電極重疊的部分， <br/>該分隔壁覆蓋該第一像素電極的端部及該第二像素電極的端部， <br/>並且，該彩色層包括與該第一像素電極的頂面接觸的部分及與該分隔壁的側面接觸的部分。
一種顯示裝置，包括： <br/>顯示部； <br/>其中，該顯示部包括受光元件、發光元件、分隔壁、彩色層及絕緣層， <br/>該受光元件包括第一像素電極、活性層及共用電極， <br/>該發光元件包括第二像素電極、發光層及該共用電極， <br/>該活性層包括第一有機化合物， <br/>該活性層位於該第一像素電極上， <br/>該發光層包括與該第一有機化合物不同的第二有機化合物， <br/>該發光層位於該第二像素電極上， <br/>該共用電極包括隔著該活性層與該第一像素電極重疊的部分及隔著該發光層與該第二像素電極重疊的部分， <br/>該分隔壁、該第一像素電極及該第二像素電極包括與該絕緣層的頂面接觸的部分， <br/>該分隔壁包括到達該絕緣層的開口， <br/>並且，該彩色層包括藉由該分隔壁之該開口與該絕緣層接觸的部分及與該分隔壁的頂面接觸的部分。
如請求項1的顯示裝置， <br/>其中該顯示部還包括絕緣層， <br/>並且，該分隔壁、該彩色層、該第一像素電極及該第二像素電極包括與該絕緣層的頂面接觸的部分。
如請求項1至3任一項的顯示裝置， <br/>其中該分隔壁具有吸收該發光元件發射的光的至少一部分的功能。
如請求項1至3任一項的顯示裝置， <br/>其中該彩色層具有吸收該發光元件發射的光的至少一部分的功能。
如請求項1至3任一項的顯示裝置， <br/>其中該顯示部還包括透鏡， <br/>該透鏡包括與該受光元件重疊的部分， <br/>並且，透過該透鏡的光入射到該受光元件。
如請求項7的顯示裝置， <br/>其中該顯示部還包括遮光層， <br/>該遮光層的端部與該透鏡的端部重疊， <br/>並且，該遮光層與該分隔壁重疊。
如請求項1至3任一項的顯示裝置， <br/>其中該顯示部具有撓性。
一種顯示模組，包括： <br/>如請求項1至3任一項的顯示裝置；以及 <br/>連接器和積體電路中的至少一個。
一種電子裝置，包括： <br/>如請求項10的顯示模組；以及 <br/>天線、電池、外殼、攝像頭、揚聲器、麥克風和操作按鈕中的至少一個。
一種醫療影像分析系統，包括由電性連接之複數個硬體電路所組成的複數個硬體模組訊號連接一醫院主機，該些硬體模組包括：<br/> 一影像處理模組，由該醫院主機接收複數個2D黑白醫療影像資訊後，將該2D黑白醫療影像資訊的影像格式轉換為NIfTI格式，並根據該2D黑白醫療影像資訊的類型進行對應的標準化處理後，對該2D黑白醫療影像資訊進行資料增強(Data Augmentation)及重取樣(Resample)，產生一標準建模影像資訊；<br/> 一三維建模模組，通訊連接該影像處理模組，使用一深度學習模型根據功能性解剖學之定義對該標準建模影像資訊進行器官結構之分區處理，並依據所分區之該器官結構進行標記並上色，生成一彩色三維立體模型檔案；<br/> 一前置訓練模組，由該醫院主機取得個別該器官結構的複數個三維立體病灶訓練樣本檔案，基於nnUnet、nnTrans或SwinUNETR分類任務進行資料增強及重取樣以建立個別該器官結構的一病灶辨識深度學習模型，其中該些三維立體病灶樣本檔案大於1000個，並具有複數個病灶特徵體素(Voxel)且在該重取樣中用於標記並計算所有該些三維立體病灶樣本檔案的中位數；以及，<br/> 一比較統計分析模組，將該彩色三維立體模型檔案匯入該病灶辨識深度學習模型，根據擷取相關該器官結構與統計分析計算，在該彩色三維立體模型檔案標記出位置資訊，並生成一分析報告。
如請求項1所述的醫療影像分析系統，其中病灶辨識的方法係基於nnunet 添加分類任務，目前分類任務集中於分辨圖像是正常或異常，其後可延伸至多類別分類。
如請求項1所述的醫療影像分析系統，其中當該2D黑白醫療影像資訊為磁振造影影像時，影像處理模組對磁振造影影像進行的標準化處理為Z-score。
如請求項1所述的醫療影像分析系統，其中當該2D黑白醫療影像資訊為電腦斷層掃描影像時，影像處理模組對電腦斷層掃描影像進行的標準化處理依序為收集所有樣本、去除極端值及Z-score。
如請求項1所述的醫療影像分析系統，其中該2D黑白醫療影像資訊的影像格式為DICOM格式。
如請求項5所述的醫療影像分析系統，其中該2D黑白醫療影像資訊的影像格式用以轉換的數量大於10張。
如請求項1所述的醫療影像分析系統，其中該病灶特徵體素可處理之最小面積為2公分乘以2公分。
如請求項1所述的醫療影像分析系統，還包括一深度學習訓練資料庫，通訊連接該影像處理模組及該三維建模模組，自該影像處理模組接收並儲存該標準建模影像資訊及自該三維建模模組接收並儲存對應的該彩色三維立體模型檔案，提供該深度學習模型所需的訓練資料集和驗證資料集。
如請求項1所述的醫療影像分析系統，其中該彩色三維立體模型檔案為立體光刻格式。
如請求項1所述的醫療影像分析系統，其中該分析報告係將該彩色三維立體模型檔案及所標記之該位置資訊，透過一自然語言模型生成。
一種用於連接塑膠管段的塑膠管接頭系統，該系統包含： <br/>第一管狀套殼連接第一管段，第二管狀套殼連接第二管段，該第一管狀套殼與該第二管狀套殼呈鏡像排列，使預設間隙分離該第一管狀套殼與該第二管狀套殼； <br/>一組橡膠墊圈，用於將該第一管狀套殼與該第二管狀套殼固定於鏡像排列中，該橡膠墊圈包含一凸起部，該凸起部接觸該第一管狀套殼與該第二管狀套殼以完全覆蓋間隙，從而減緩經由管段輸送之液體透過間隙洩漏；以及 <br/>一夾緊環，其配置為環狀延伸覆蓋於該橡膠墊圈、該第一管狀套殼及該第二管狀套殼之上，以密封鏡像排列結構並連接管段； <br/>其中橡膠墊圈包含多個中空空間，使橡膠墊圈在液體加壓時膨脹，從而密封鏡像排列中的接縫。
如請求項1所述之塑膠管接頭系統，其中該第一管狀套殼、該第二管狀套殼及該夾緊環均由塑膠製成。
如請求項1所述之塑膠管接頭系統，其中該第一管狀套殼包含第一法蘭與第一套筒，該第二管狀套殼包含第二法蘭與第二套筒，且該凸起部接觸該第一套筒與該第二套筒。
如請求項1所述之塑膠管接頭系統，其中該第一管狀套殼包含一法蘭，且該法蘭使用一材料製成，其高度是依據關係式h=F/(πDσ<sub>allow</sub>)而定，其中h為高度，F為夾緊力，σ<sub>allow</sub> 為該材料的最大允許接觸應力值。
如請求項1所述的塑膠管接頭系統，其中第一塑膠管段熔接於該第一管狀套殼，第二塑膠管段熔接於該第二管狀套殼。
如請求項1所述之塑膠管接頭系統，其中該第一管狀套殼、該第二管狀套殼及該夾緊環之熱膨脹或收縮率與塑膠管段相近。
如請求項1所述之塑膠管接頭系統，其中該第一管狀套殼與該第二管狀套殼形成一區域，其用以容納管接頭內的橡膠墊圈。
如請求項1所述之塑膠管接頭系統，其中該夾緊環提供空間以容納管接頭內的橡膠墊圈。
一種利用管接頭連接塑膠管段的方法，該方法包含： <br/>將第一管狀套殼連接至第一管段，並將第二管狀套殼連接至第二管段，該第一管狀套殼與該第二管狀套殼呈鏡像排列，使預設間隙分離該第一管狀套殼與該第二管狀套殼； <br/>採用橡膠墊圈維持該第一管狀套殼與該第二管狀套殼的鏡像排列，該橡膠墊圈設有凸起部，該凸起部可觸及該第一管狀套殼與該第二管狀套殼以完全覆蓋間隙，從而減緩經由管段輸送之液體透過間隙洩漏；以及 <br/>採用夾緊環環狀延伸覆蓋橡膠墊圈、該第一管狀套殼及該第二管狀套殼，以密封鏡像排列並連接管段； <br/>其中橡膠墊圈包含多個中空空間，使橡膠墊圈在液體加壓時膨脹，從而密封鏡像排列中的接縫。
如請求項9所述之方法，其中該第一管狀套殼、該第二管狀套殼及該夾緊環均由塑膠製成。
如請求項9所述之方法，其中該第一管狀套殼包含第一法蘭與第一套筒，該第二管狀套殼包含第二法蘭與第二套筒，且該凸起部接觸該第一套筒與該第二套筒。
如請求項9所述之方法，其中該第一管狀套殼包含一法蘭，且該法蘭使用一材料製成，其高度是依據關係式h=F/(πDσ<sub>allow</sub>)而定，其中h為高度，F為夾緊力，σ<sub>allow</sub> 為該材料的最大允許接觸應力值。
如請求項9所述之方法，其中第一塑膠管段熔接於該第一管狀套殼，第二塑膠管段熔接於該第二管狀套殼。
如請求項9所述之方法，其中該第一管狀套殼、該第二管狀套殼及該夾緊環之熱膨脹或收縮率與塑膠管段相近。
如請求項9所述之方法，其中該第一管狀套殼與該第二管狀套殼形成一區域，其用以容納管接頭內的橡膠墊圈。
如請求項9所述之方法，其中該夾緊環提供空間以容納管接頭內的橡膠墊圈。
一種自循環水質淨化系統，係包含一養殖空間本體和一自循環淨化系統，該自循環淨化系統包括：一導流箱、至少一水泵、一防堵棉層、一控制裝置，該控制裝置設置在該養殖空間本體的上部一側，該水泵設置在該導流箱內，該水泵與該控制裝置電性連接；該導流箱設置在該養殖空間本體的內腔底部；其特徵在於：<br/> 該導流箱的頂部形成有與該導流箱的內腔連通的一滲水導流板，該防堵棉層設置在該滲水導流板的上表面；該防堵棉層的上表面鋪設有一菌床層；該滲水導流板的表面設置有複數漏孔；該滲水導流板的下表面與該導流箱的內腔底部之間沿一長度方向設置有複數隔板從而將該導流箱的內腔劃分形成多條流道；各該隔板的一寬度方向的一側與該導流箱的一內側壁連接，該寬度方向的另一側與該導流箱的該內側壁之間形成一間隙，各該流道均與該間隙連通；該水泵安裝在該導流箱的內腔一側，該水泵的進水口設置在該導流箱的內腔，該水泵的出水口延伸出該菌床層的上表面。
如請求項1所述之自循環水質淨化系統，其中該菌床層為花崗石、溪流石、珊瑚石、火山石或陶瓷碎塊中的至少其中一種。
如請求項2所述之自循環水質淨化系統，其中該菌床層內還混合有麥飯石顆粒或活性炭。
如請求項1所述之自循環水質淨化系統，其中該菌床層的厚度為N，N≥1cm。
如請求項1所述之自循環水質淨化系統，其中該滲水導流板的該些漏孔的密度從靠近該水泵的一側至遠離該水泵的一側呈由疏至密漸變。
如請求項1所述之自循環水質淨化系統，其中該滲水導流板的該些漏孔的孔徑從靠向該水泵的一側至遠離該水泵的一側的漏孔呈小至大漸變。
如請求項1所述之自循環水質淨化系統，其中該養殖空間本體為魚缸或景觀魚池。
如請求項1所述之自循環水質淨化系統，其中該至少一水泵的數量為二個或二個以上，該些水泵配置於該導流箱內的不同位置。
一種離子束阻擋裝置，應用於半導體製程設備，包括沿離子運動方向依次設置，且彼此電絕緣的離子篩選件和離子收集件；該離子篩選件和該離子收集件之間形成封閉空間，該離子篩選件具有多個用於供離子通過的篩選孔，該多個篩選孔與該封閉空間連通； <br/>在該離子篩選件和該離子收集件分別被施加正電位和負電位的情況下，在該封閉空間中形成的電場能夠引導離子穿過該多個篩選孔進入該封閉空間中，並向該離子收集件運動。
根據請求項1所述的離子束阻擋裝置，其中，施加在該離子篩選件上的電位為第一電位，該半導體製程設備的柵網結構中第一柵網被施加的正電位為第二電位； <br/>該第一電位小於該第二電位。
根據請求項2所述的離子束阻擋裝置，其中，該第一電位大於等於該第二電位的0.3倍，且小於等於該第二電位的0.9倍。
根據請求項1所述的離子束阻擋裝置，其中，施加在該離子篩選件上的電位的絕對值為第一電位，該離子收集件被施加的負電位的絕對值為第三電位；該第三電位大於等於該第一電位的0.3倍，且小於等於該第一電位的1倍。
根據請求項1-4中任意一項所述的離子束阻擋裝置，其中，所有該多個篩選孔的徑向截面面積之和占該離子篩選件的總表面面積的百分比大於等於60%，且小於等於90%。
根據請求項1-4中任意一項所述的離子束阻擋裝置，其中，該離子收集件的暴露於該封閉空間的表面為弧形凹面，該弧形凹面沿遠離該離子篩選件的方向凹進。
根據請求項6所述的離子束阻擋裝置，其中，還包括第一絕緣件，該第一絕緣件呈環狀，且設置於該離子篩選件和該離子收集件之間； <br/>該離子篩選件和該離子收集件彼此相對的表面以及該第一絕緣件的內周面合圍形成該封閉空間。
根據請求項7所述的離子束阻擋裝置，其中，該弧形凹面與該第一絕緣件的內周面共面設置。
根據請求項1-4中任意一項所述的離子束阻擋裝置，其中，還包括接地件，該接地件呈環狀，且設置於該離子篩選件的遠離該離子收集件一側，並與該離子篩選件電絕緣。
根據請求項9所述的離子束阻擋裝置，其中，該接地件的內周部分相對於該離子篩選件的暴露於該封閉空間的表面邊緣，朝該接地件的軸線凸出。
根據請求項10所述的離子束阻擋裝置，其中，該多個篩選孔分佈在以該離子篩選件的暴露於該封閉空間的表面的中心為圓心的圓形區域中； <br/>該接地件的內周部分的內周直徑等於該圓形區域的直徑。
根據請求項9所述的離子束阻擋裝置，其中，該接地件的內周直徑大於該半導體製程設備的柵網結構的直徑。
根據請求項9所述的離子束阻擋裝置，其中，還包括第二絕緣件，該第二絕緣件呈環狀，且設置於該接地件和該離子篩選件之間。
根據請求項1-4中任意一項所述的離子束阻擋裝置，其中，還包括連接件，該連接件與該離子篩選件和該離子收集件固定連接，且電絕緣； <br/>該連接件中設置有引入通道，用於將施加該正電位和該負電位的線纜分別引入至該離子篩選件和該離子收集件。
根據請求項14所述的離子束阻擋裝置，其中，還包括保護殼體，該保護殼體用於設置於該半導體製程設備的柵網結構的離子輸出一側，且該保護殼體的朝向該柵網結構的一側是敞開的； <br/>該離子篩選件和該離子收集件設置於該保護殼體內部；該連接件貫通該保護殼體設置。
一種半導體製程設備，包括： <br/>具有開口的製程腔室； <br/>載台，設置於該製程腔室中，且具有與該開口相對，用於承載晶圓的承載面； <br/>離子源，設置於該製程腔室的外部，且包括電漿產生裝置和用於將電漿中的離子引出的柵網結構，該柵網結構輸出離子一側與該開口相對； <br/>如請求項1-15中任意一項所述的離子束阻擋裝置，可活動地設置於該製程腔室中，且能夠位於該開口與該承載面之間的阻擋位置，或從該阻擋位置移開。
一種通用型包縫機，包含：<br/> 一本體，其一側面設有一車縫組件，且該側面於該車縫組件下方定義一車縫端面，該車縫端面向外凸設一定位塊；以及<br/> 一第一車縫台和一第二車縫台，分別包含一組接至該車縫端面的針板座以及一水平設置於該針板座上的針板，該第一車縫台的該針板尺寸相異於該第二車縫台的該針板，其中，該第一車縫台和該第二車縫台各自的該針板座包含一供該針板設置的座體以及一連接該座體且平行於該車縫端面的安裝板，該安裝板於面向該車縫端面的一側形成一形狀匹配該定位塊的定位槽，且該本體可選擇性地經由該車縫端面與該第一車縫台和該第二車縫台的其一組接。
如請求項1所述之通用型包縫機，其中，該第二車縫台的該針板的寬度大於第一車縫台的該針板的寬度。
如請求項1所述之通用型包縫機，其中，該第二車縫台的該針板的上表面面積大於第一車縫台的該針板的上表面面積。
如請求項2或3所述之通用型包縫機，其中，該第一車縫台的該針板的前端緣具有一突出端以及一相鄰該突出端的缺口，該第二車縫台的該針板的前端緣則具有二突出端以及一位於該二突出端之間的缺口。
如請求項4所述之通用型包縫機，其中，該第一車縫台和該第二車縫台分別具有一組接該針板座的該座體的內端蓋。
如請求項5所述之通用型包縫機，其中，該內端蓋的一底部包含二間隔設置的組接凸部，該二組接凸部與該座體遠離該車縫端面的一側上的一組接塊組接，且該內端蓋的一頂部為一與該針板位於同一水平面且嵌入該缺口的嵌入板。
如請求項5所述之通用型包縫機，其中，該第一車縫台和該第二車縫台分別具有一組接該內端蓋的外端蓋。
如請求項7所述之通用型包縫機，其中，該內端蓋的一蓋板形成有供至少一螺固件組接的至少一螺孔，該內端蓋和該外端蓋之間則設有一跨置於該螺固件上的支撐件，該支撐件具有一沿一水平方向延伸且供該外端蓋抵靠的支撐面。
如請求項1所述之通用型包縫機，其中，該安裝板的該定位槽單側橫向穿出該安裝板的一側邊而形成一安裝口。
如請求項1所述之通用型包縫機，其中，該通用型包縫機進一步包含一設置於該車縫端面上的延伸工作平台，該延伸工作平台靠近該車縫端面的一端緣具有一輪廓匹配於該第一車縫台或該第二車縫台的該針板的內凹部。
一種動物承載裝置，其中，所述動物承載裝置包括： 本體，具有第一壁和連接所述第一壁的第二壁，所述第一壁上設置有第一開口，所述第二壁上設置有第二開口，以及 <br/>遮擋件，設置有防護結構，所述遮擋件與所述本體活動連接，以使所述遮擋件能夠在第一位置和第二位置之間切換； <br/>其中，當所述遮擋件位於所述第一位置時，所述防護結構至少部分地覆蓋所述第一壁，且允許所述第二開口露出；當所述遮擋件位於所述第二位置時，所述防護結構至少部分地覆蓋所述第二壁，且允許所述第一開口露出。
一種動物承載裝置，其中，所述動物承載裝置包括： <br/>本體，具有第一壁和連接所述第一壁的第二壁，所述第一壁上設置有第一開口，所述第二壁上設置有第二開口，以及 <br/>遮擋件，設置有防護結構，所述遮擋件與所述本體活動連接，以使所述遮擋件能夠在第一位置和第二位置之間切換； <br/>其中，當所述遮擋件位於所述第一位置時，所述遮擋件至少部分地覆蓋所述第一開口，且允許所述第二開口露出；當所述遮擋件位於所述第二位置時，所述遮擋件至少部分地覆蓋所述第二開口，且允許所述第一開口露出。
如請求項1或2所述的動物承載裝置，其中，所述本體還設置有錨固組件，所述錨固組件適於與車輛座椅連接以將所述動物承載裝置固定在車輛座椅上， <br/>當所述動物承載裝置通過所述錨固組件固定在車輛座椅上時，所述第一壁或者所述第二壁設置為靠近車輛的車門。
如請求項1或2所述的動物承載裝置，其中，所述防護結構包括： <br/>第一防護層；以及 <br/>第二防護層，與所述第一防護層層疊設置，所述第一防護層的材料彈性高於所述第二防護層的材料彈性； <br/>其中，所述遮擋件設置為當所述遮擋件連接在所述本體上，所述第二防護層較所述第一防護層更靠近所述本體。
如請求項4所述的動物承載裝置，其中，所述第一防護層的製作材料為泡棉；所述第二防護層為板狀結構，所述第二防護層的製作材料選自聚乙烯、發泡聚丙烯、發泡聚苯乙烯和發泡聚烯烴中的至少一者。
如請求項4所述的動物承載裝置，其中，所述防護結構還包括：第三防護層，所述第三防護層與所述防護結構的所述第一防護層層疊設置，且設置於所述第一防護層和所述第二防護層之間；所述第一防護層的材料彈性高於所述第三防護層的材料彈性， <br/>所述第三防護層為板狀結構，所述第三防護層的製作材料選自聚乙烯、發泡聚丙烯、發泡聚苯乙烯和發泡聚烯烴中的至少一者。
如請求項1或2所述的動物承載裝置，其中，所述遮擋件包括固定端和自由端，所述固定端連接在所述本體並作為樞轉端，以使所述遮擋件能夠在所述第一位置和所述第二位置之間翻轉。
如請求項7所述的動物承載裝置，其中， <br/>所述遮擋件包括遮擋布套，所述防護結構設置於所述遮擋布套內，所述遮擋布套的一端與所述本體通過車縫連接並形成為所述樞轉端。
如請求項1或2中所述的動物承載裝置，其中，所述遮擋件通過固定機構與所述本體可拆卸連接，以允許所述遮擋件選擇性地設置在所述第一位置或者所述第二位置， <br/>所述固定機構包括： <br/>固定件，設置於所述遮擋件；以及 <br/>配合件，設置於所述第一壁和/或所述第二壁，所述配合件適於與所述固定件可拆卸連接，從而將所述遮擋件可拆卸地固定在所述第一位置或所述第二位置。
如請求項1或2中所述的動物承載裝置，其中，所述本體還包括第三壁，所述第三壁與所述第一壁相對設置，所述遮擋件通過固定機構與所述本體可拆卸連接， <br/>所述固定機構包括： <br/>固定件，設置於所述遮擋件；以及 <br/>配合件，設置於所述第一壁、所述第二壁和所述第三壁，所述配合件適於與所述固定件可拆卸連接，從而將所述遮擋件選擇性地設置在所述第一壁、所述第二壁或所述第三壁上。
一種非接觸式心率量測方法，係依序包括：<br/> 一臉部影片取得步驟，一影像擷取單元係執行於一環境中取得一臉部影片之一處理動作，該環境係具有一亮度，該臉部影片係由複數臉部影像組成並可被連續撥放，該臉部影片之撥放時間被定義為一影片時間，該複數臉部影像之數量被定義為(T)；<br/> 一特徵點資訊取得步驟，該臉部影片中之一臉部額頭中心係被定義為一特徵點，於該複數臉部影像中，該特徵點處之水平方向係被定義為X方向、該特徵點處之垂直方向被定義為Y方向、該特徵點處之深度方向被定義為Z方向；藉此，可獲得一第一X方向位移函數、一第一Y方向位移函數及一第一Z方向位移函數之三個訊號；其中：<br/> 該第一X方向位移函數=(x1(t))={x1(1)、x1(2)、…、x1(T)}；<br/> 該第一Y方向位移函數=(y1(t) )={y1(1)、y1(2)、…、y1(T)}；及<br/> 該第一Z方向位移函數=(z1(t) )={z1(1)、z1(2)、…、z1(T)}；<br/> 一濾波處理步驟，係將該第一X方向位移函數(x1(t))、該第一Y方向位移函數(y1(t))及該第一Z方向位移函數(z1(t))中之低於一下限值及高於一上限值的部分濾除，只保留頻率介於該下限值至該上限值之間的部分，而分別成為一第二X方向位移函數(x2(t))、一第二Y方向位移函數(y2(t))及一第二Z方向位移函數(z2(t))；其中，該下限值可為0.75Hz±10%，該上限值可為4Hz±10%；其中：<br/> 該第二X方向位移函數=(x2(t))={x2(1)、x2(2)、…、x2(T)}；<br/> 該第二Y方向位移函數=(y2(t))={y2(1)、y2(2)、…、y2(T)}；及<br/> 該第二Z方向位移函數=(z2(t))={z2(1)、z2(2)、…、z2(T)}；<br/> 一獨立成份分析處理步驟，係將該第二X方向位移函數、該第二Y方向位移函數及該第二Z方向位移函數經獨立成份分析處理，而分別獲得：<br/> 一第一成份時間函數(u1(t))；t=1、2、…T；<br/> 一第二成份時間函數(u2(t))；t=1、2、…T；及<br/> 一第三成份時間函數(u3(t))；t=1、2、…T；<br/> 一時域轉為頻域之處理步驟，係將前一步驟中以獨立成份分析處理後之該第一成份時間函數(u1(t))、該第二成份時間函數(u2(t))及第三成份時間函數(u3(t)）進行快速傅立葉轉換處理，由時域轉為頻域後分別得到相對應之一第一功率譜密度訊號(PSD1)、一第二功率譜密度訊號(PSD2)、一第三功率譜密度訊號(PSD3)；再分別取其最大峰值發生位置及其對應之強度，而分別得到一第一成份最大峰值、一第二成份最大峰值及一第三成份最大峰值；將該第一成份最大峰值、該第二成份最大峰值及該第三成份最大峰值對應前述之功率譜密度，而可分別得到：一第一成份最大強度(P1)、一第二成份最大強度(P2)及一第三成份最大強度(P3)；<br/> 一差分動態建模及計算指標步驟，於該獨立成份分析處理步驟所分離出之生理訊號成分之動態規律性，以基於一階離散時間差分方程式架構，對每一訊號分量建構一自迴歸模型，以近似其時間序列變化趨勢；其中之階數被定義為k=3，所建立之線性自迴歸差分模型可表示為： <br/><img align="absmiddle" height="24px" width="156px" file="ed10027.jpg" alt="ed10027.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> 其中，a1、a2、a3為需估計之差分模型參數；<br/> 先經過一趨勢處理函數scipy.signal.detrend()進行：<br/><img align="absmiddle" height="7px" width="47px" file="ed10028.jpg" alt="ed10028.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> 之後，利用一NumPy函式庫所提供之矩陣運算功能，依據使用者指定之模型階數，進行向量堆疊(numpy.vstack)與索引切片運算，建立一個延遲矩陣及一對應目標輸出；<br/><img align="absmiddle" height="93px" width="228px" file="ed10029.jpg" alt="ed10029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/><img align="absmiddle" height="87px" width="166px" file="ed10030.jpg" alt="ed10030.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> 再利用最小平方法對聯立方程式求解，以估算係數向量，其係可透過線性代數運算模組(NumPy之lstsq()函式)而達成；係數向量係具有a1,a2,a3；<br/><img align="absmiddle" height="14px" width="80px" file="ed10031.jpg" alt="ed10031.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 公式(1)<br/> 其中，i=1,2,3；<br/> 將上列公式(1)解出<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10032.jpg" alt="ed10032.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>後，<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10032.jpg" alt="ed10032.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 共有三個解，其中之一解僅有實部而無虛部，而另二解則為具有相同實部及正負相異之虛部；進而可得到：<br/> 一穩定性指標S=-max Re(λ)；<br/> 一震盪頻率指數F=max(|IM(λ)|)；<br/> 一綜合規律性指標R=S/(1+F)；及<br/> 一品質規律性指標Rq=1/R；<br/> 進而，該第一成份時間函數（u1(t)）、該第二成份時間函數（u2(t)）及該第三成份時間函數（u3(t)）經前述運算後可分別計算出三個品質規律性指標，其分別被定義為一第一品質規律性指標(Rq1)、一第二品質規律性指標(Rq2)及一第三品質規律性指標(Rq3)；<br/> 一模糊邏輯處理步驟，係利用一模糊邏輯處理部，其內設有一模糊邏輯表，其具有二輸入部及一輸出結果，該二輸入部係為一強度及一品質規律性指標，而輸出結果則為一個別權重值；該強度係對應複數強度隸屬函數，該規律性係對應複數規律性隸屬函數；藉此，該第一成份最大強度、一第二成份最大強度及一第三成份最大強度，係分別對應該第一品質規律性指標、該第二品質規律性指標及該第三品質規律性指標，分別進行三次計算，而可計算出一第一權重值、一第二權重值及一第三權重值；<br/> 一輸出心率步驟，選擇該第一權重值、該第二權重值及該第三權重值中之最大者，即為最終選定之訊號，並以該訊號所對應之心率值為最終輸出之心率。
如請求項1所述之非接觸式心率量測方法，其中，該下限值可為0.75Hz±10%，該上限值可為4Hz±10%。
如請求項1所述之非接觸式心率量測方法，其中：<br/> 該亮度係＜10LUX；及<br/> 該特徵點資訊取得步驟中該第一X方向位移函數、該第一Y方向位移函數及該第一Z方向位移函數之三個訊號，係由一影像彈跳心動圖(iBCG)之深度相機而取得。
一種光學構件組，包含偏光構件、第1λ/4構件、第2λ/4構件、反射型偏光構件及吸收型偏光構件；<br/> 前述光學構件組所含各構件係配置成：從顯示元件朝前方射出之光會通過前述偏光構件及前述第1λ/4構件，在前述反射型偏光構件反射後，更通過前述第2λ/4構件後反射至前方側，而通過前述反射型偏光構件及前述吸收型偏光構件；<br/> 前述第2λ/4構件與第一透鏡部呈一體化，前述第一透鏡部係配置在前述顯示元件與前述反射型偏光構件之間的光路上，並且，前述反射型偏光構件及前述吸收型偏光構件係以與配置在前述吸收型偏光構件前方之第二透鏡部呈一體化的形態來使用；<br/> 前述第2λ/4構件與前述反射型偏光構件係分開配置，並且，前述第一透鏡部及前述第2λ/4構件係從前述顯示元件側依序配置。
如請求項1之光學構件組，其中前述反射型偏光構件之反射軸與前述吸收型偏光構件之吸收軸係配置成互相平行。
如請求項1之光學構件組，其中前述偏光構件、前述第1λ/4構件及前述第2λ/4構件係配置成：前述偏光構件之吸收軸與前述第1λ/4構件之慢軸構成的角度為40°~50°，且前述偏光構件之吸收軸與前述第2λ/4構件之慢軸構成的角度為40°~50°。
如請求項1之光學構件組，其中前述第2λ/4構件與前述第一透鏡部係以透過接著層而一體化的形態來使用，並且，前述反射型偏光構件、前述吸收型偏光構件及前述第二透鏡部係以透過接著層而一體化的形態來使用。
一種光學構件組用積層體，係用於如請求項1至4中任一項之光學構件組，該積層體具有前述反射型偏光構件與前述吸收型偏光構件，且以與前述第二透鏡部呈一體化的形態來使用。
如請求項5之光學構件組用積層體，其中前述反射型偏光構件之反射軸與前述吸收型偏光構件之吸收軸係配置成互相平行。
一種光學構件用λ/4構件，係用於如請求項1至4中任一項之光學構件組，且以與前述第一透鏡部呈一體化的形態來使用。
一種玻璃板用間隔紙，其特徵在於： <br/>以纖維素紙漿作為主成分， <br/>基重為10 g/m<sup>2</sup>以上、100 g/m<sup>2</sup>以下，且 <br/>上述玻璃板用間隔紙於將藉由螢光X射線分析測定之矽濃度設為X，將鈣濃度設為Y時， <br/>X為10 ppm以上、200 ppm以下， <br/>矽濃度除以鈣濃度所得之值即X/Y比為4.00以下。
如請求項1之玻璃板用間隔紙，其中上述玻璃板用間隔紙於將藉由螢光X射線分析測定之鎂濃度設為Z時， <br/>矽濃度除以鎂濃度所得之值即X/Z比為3.00以下。
如請求項2之玻璃板用間隔紙，其中上述Z為20 ppm以上、100 ppm以下。
如請求項1至3中任一項之玻璃板用間隔紙，其中上述Y為20 ppm以上、400 ppm以下。
如請求項1至3中任一項之玻璃板用間隔紙，其中關於上述玻璃板用間隔紙，存在於至少一個間隔紙表面之0.5 μm以上50 μm以下之含矽異物之數量為2000個/mm<sup>2</sup>以下。
如請求項1至3中任一項之玻璃板用間隔紙，其中關於上述玻璃板用間隔紙，存在於至少一個間隔紙表面之1 μm以上10 μm以下之含矽異物之數量為1000個/mm<sup>2</sup>以下。
如請求項1至3中任一項之玻璃板用間隔紙，其中關於上述玻璃板用間隔紙，存在於至少一個間隔紙表面之0.5 μm以上50 μm以下之二氧化矽異物之數量為100個/mm<sup>2</sup>以下。
如請求項1至3中任一項之玻璃板用間隔紙，其中關於上述玻璃板用間隔紙，存在於至少一個間隔紙表面之1 μm以上10 μm以下之二氧化矽異物之數量為50個/mm<sup>2</sup>以下。
如請求項1至3中任一項之玻璃板用間隔紙，其中 <br/>上述玻璃板用間隔紙之透氣阻力度為5秒以上。
如請求項1至3中任一項之玻璃板用間隔紙，其中 <br/>上述X為150 ppm以下。
一種玻璃板積層體，其係至少2片以上之玻璃板積層而成者，且 <br/>於相鄰之玻璃板間具有如請求項1至10中任一項之玻璃板用間隔紙。
一種玻璃板捆包體，其具備：如請求項11之玻璃板積層體、及載置上述玻璃板積層體之托板。
一種隨身驅蚊儀結構，其特徵在於，包括︰<br/> 一主體，包括一外殼、一底座、一充電電路板、一霧化控制板、至少一電池及至少一導電彈片；其中，該外殼前端設有一噴孔，該底座係設於該外殼底部且於中央呈向上凹陷形狀並對應該噴孔，該外殼內部設有相互電性連接之該充電電路板及該霧化控制板及該電池，該外殼外側設有與該霧化控制板電性連接之一開關，該充電電路板連接設有一USB口，該底座中央呈向上凹陷形狀且至少一側設有與該霧化控制板電性連接之該導電彈片；<br/> 一儲液罐，係設於該主體下端並對應呈向上內凹形狀之該底座，該儲液罐包括一罐殼、一罐蓋、一罐頂封板、至少一側導電彈片、至少一棉棒及一霧化震盪片；其中，該罐殼上端周圍設有對應該主體之該外殼下端之一內縮嵌緣且於內部具有一容液空間，該罐殼上端設有呈凸形狀之該罐蓋，該罐蓋前端設有一內噴孔且於其上端具有該罐頂封板，該罐蓋至少一側設有該側導電彈片且對應該主體設於該底座之該導電彈片；該儲液罐之該罐殼及該罐蓋設有該棉棒，該棉棒包括呈相交錯結合之一第一棉棒及一第二棉棒，該第一棉棒係橫置設於該罐蓋且前端對應該內噴孔，該第二棉棒設於該罐殼之該容液空間，該罐蓋位於該內噴孔內部設有一螺絲板且於中央具有對應該內噴孔之一中孔，該螺絲板與該棉棒之該第一棉棒前端設有該霧化震盪片；該儲液罐之該罐蓋一側設有多個微孔，該微孔下端內部設有一內座，該內座內部設有一固定環，該固定環與該微孔間設有一微孔片或是由絲線編織成的細網，該罐殼上端位於該罐蓋另側設有一注液孔且具有內螺牙，該注液孔內部設有一封閉螺絲。
如申請專利範圍第1項所述之隨身驅蚊儀結構，其中，所述主體之該底座中央設有一磁性材料片。
如申請專利範圍第1項所述之隨身驅蚊儀結構，其中，所述主體之該外殼中央設有一凹陷槽，該凹陷槽中央設有一中板且具有至少一穿繩孔。
如申請專利範圍第1項所述之隨身驅蚊儀結構，其中，所述外殼所設之該噴孔設有一導風罩。
如申請專利範圍第1項所述之隨身驅蚊儀結構，其中，所述主體之該外殼內部設有一至多個微麥克風，該外殼相對該微麥克風設有貫通之至少一穿孔。
如申請專利範圍第2項所述之隨身驅蚊儀結構，其中，所述儲液罐之該罐蓋頂部設有一磁性材且對應該主體設於呈向上內凹形狀之該底座之該磁性材料片。
如申請專利範圍第1項所述之隨身驅蚊儀結構，其中，所述固定環外側與該內座內側相對應分別有外螺牙及內螺牙。
如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述之隨身驅蚊儀結構，其中，所述螺絲板與該霧化震盪片間設有一隔離膜。
一種試題難度指標估計系統，包含：<br/> 一處理單元，包括一輸入模組、一大語言模型模組、一特徵選擇模組、一預測模型訓練模組及一評估與正規化模組；<br/> 其中，該處理單元執行以下操作來完成一次試題難度指標估計程序：<br/> 該輸入模組提供輸入一新試題和N(≧3)個已定錨試題，每一該已定錨試題對應一定錨值，N是正整數；<br/> 該大語言模型模組將該N個已定錨試題轉換成分別對應的N個向量表徵，並將該新試題轉換成另一向量表徵，每一該向量表徵包含多個維度；<br/> 該特徵選擇模組將該N個向量表徵個別所包含的該等維度進行配對，以過濾出與各該定錨值之間關聯性較高的M個維度，並產生N個包含該M個維度的過濾後向量表徵，並提取該另一向量表徵所包含的該等維度其中的M個，以產生另一包含該M個維度的過濾後向量表徵，M是正整數；<br/> 該預測模型訓練模組將該N個定錨值作為目標變數，該N個過濾後向量表徵作為預測因子，並以一迴歸方法建立一預測模型；及<br/> 該評估與正規化模組將該N個過濾後向量表徵分別輸入該預測模型，以獲得分別對應的N個估計值，並將該另一過濾後向量表徵輸入該預測模型以獲得另一估計值，並判斷該另一估計值與該N個估計值其中的每一個之間的一p值是否皆小於一顯著水準閾值，並在判斷出該另一估計值與該N個估計值其中的每一個之間的該p值皆小於該顯著水準閾值時，根據該N個定錨值所形成的一定錨值範圍，將該另一估計值執行一正規化程序而獲得一預測值。
如請求項1所述的試題難度指標估計系統，<br/> 其中，該處理單元還執行以下操作：<br/> (a)該評估與正規化模組判斷出該另一估計值與該N個估計值其中之一者之間的該p值大於或等於該顯著水準閾值時，該特徵選擇模組重新過濾出與各該定錨值之間關聯性較高的M+i個維度，並產生該N個包含該M+i個維度的過濾後向量表徵，並提取該另一向量表徵所包含的該等維度其中的M+i個，以產生該另一包含該M+i個維度的過濾後向量表徵，i是正整數；<br/> (b)該預測模型訓練模組將該N個定錨值作為目標變數，該N個過濾後向量表徵作為預測因子，並重新訓練該預測模型；<br/> (c)該評估與正規化模組將該N個過濾後向量表徵分別輸入該預測模型，以獲得分別對應的該N個估計值，並將該另一過濾後向量表徵輸入該預測模型以獲得該另一估計值，並再次判斷該另一估計值與該N個估計值其中的每一個之間的該p值是否皆小於該顯著水準閾值；及<br/> (d)若否，則重複操作(a)~(c)，直到該評估與正規化模組判斷出該另一估計值與該N個估計值其中的每一個之間的該p值皆小於該顯著水準閾值為止。
如請求項2所述的試題難度指標估計系統，其中，該定錨值是一正確率、一難度值或一猜對機率。
如請求項3所述的試題難度指標估計系統，其中，該迴歸方法是一線性迴歸法或一多項式迴歸法。
一種試題難度指標估計方法，由一試題難度指標估計系統包含的一處理單元實施，該試題難度指標估計方法包含以下步驟：<br/> (A)提供輸入一新試題和N(≧3)個已定錨試題，每一該已定錨試題對應一定錨值，N是正整數；<br/> (B)將該N個已定錨試題轉換成分別對應的N個向量表徵，並將該新試題轉換成另一向量表徵，每一該向量表徵包含多個維度；<br/> (C)將該N個向量表徵個別所包含的該等維度進行配對，以過濾出與各該定錨值之間關聯性較高的M個維度，並產生N個包含該M個維度的過濾後向量表徵，並提取該另一向量表徵所包含的該等維度其中的M個，以產生另一包含該M個維度的過濾後向量表徵，M是正整數；<br/> (D)將該N個定錨值作為目標變數，該N個過濾後向量表徵作為預測因子，並以一迴歸方法建立一預測模型；<br/> (E)將該N個過濾後向量表徵分別輸入該預測模型，以獲得分別對應的N個估計值，並將該另一過濾後向量表徵輸入該預測模型以獲得另一估計值；<br/> (F)判斷該另一估計值與該N個估計值其中的每一個之間的一p值是否皆小於一顯著水準閾值；及<br/> (G)判斷出該另一估計值與該N個估計值其中的每一個之間的該p值皆小於該顯著水準閾值時，根據該N個定錨值所形成的一定錨值範圍，將該另一估計值執行一正規化程序而獲得一預測值。
如請求項5所述的試題難度指標估計方法，其中，在步驟(F)和步驟(G)之間還包含以下步驟：<br/> (H)判斷出該另一估計值與該N個估計值其中之一者之間的該p值大於或等於該顯著水準閾值時，重新過濾出與各該定錨值之間關聯性較高的M+i個維度，並產生該N個包含該M+i個維度的過濾後向量表徵，並提取該另一向量表徵所包含的該等維度其中的M+i個，以產生該另一包含該M+i個維度的過濾後向量表徵，i是正整數；<br/> (I)將該N個定錨值作為目標變數，該N個過濾後向量表徵作為預測因子，並重新訓練該預測模型；<br/> (J)將該N個過濾後向量表徵分別輸入該預測模型，以獲得分別對應的該N個估計值，並將該另一過濾後向量表徵輸入該預測模型以獲得該另一估計值，並再次判斷該另一估計值與該N個估計值其中的每一個之間的該p值是否皆小於該顯著水準閾值；及<br/> (K)若否，則重複步驟(H)~(J)，直到判斷出該另一估計值與該N個估計值其中的每一個之間的該p值皆小於該顯著水準閾值為止。
如請求項6所述的試題難度指標估計方法，其中，該定錨值是一正確率、一難度值或一猜對機率。
如請求項7所述的試題難度指標估計方法，其中，該迴歸方法是一線性迴歸法或一多項式迴歸法。
一種立體形狀量測裝置，係使用共焦點光學系統，具備： <br/> 具有平板狀的透明基板，且光源的光通過前述透明基板的一面的複數共焦點開口部以具有預定配列週期的方式2維配置而設的開口板； <br/> 使通過前述複數共焦點開口部的各光集光於物體側集光點，並使該集光後的光的被量測體造成的反射光再度集光至分別對應的共焦點開口部的物鏡； <br/> 具有折射率及厚度的至少一者相互不同的複數平行平板形的構件以與前述物鏡的光軸交叉的方式沿旋轉方向配設的旋轉體、及使前述旋轉體以預定速度連續旋轉的驅動部，每當與光軸相交的前述平行平板形的構件伴隨前述旋轉體的旋轉而變化時使前述物體側集光點的位置在光軸方向離散地變更的焦點位置變更部； <br/> 具有複數輸出因應再度通過前述共焦點開口部的前述反射光的強度的信號的光檢測器的光檢測器群； <br/> 以變更前述物體側集光點的位置與前述被量測體的位置的垂直於光軸方向的方向的相對位置關係的方式，使前述開口板在垂直於光軸方向的預定方向等速變位的開口板變位部； <br/> 前述開口板藉由前述開口板變位部在垂直於光軸方向的前述預定方向等速變位的期間使前述光檢測器群進行複數次曝光，並在每個前述平行平板形的構件內包含攝像對象區域的期間進行前述光檢測器群的各曝光，且以前述光檢測器群的曝光時間與前述開口板移動前述預定配列週期乘上2以上的整數n的距離的時間一致的方式，控制前述開口板的移動速度、前述旋轉體的旋轉速度及前述光檢測器群的前述曝光時間及曝光時點的攝像控制部； <br/> 基於在光軸方向離散地變更的前述物體側集光點的每個位置的前述光檢測器的信號，於每個前述光檢測器推定入射前述光檢測器的前述反射光的強度成為最大的前述被量測體的光軸方向的位置的高度決定部； <br/> 設於前述開口板的前述透明基板的前述一面藉由前述開口板變位部與前述開口板一體變位的罩構件，該罩構件具有透過前述光源的光並照射至前述複數共焦點開口部的透明體、及在全周支持前述透明體的周緣部並以包圍前述複數的共焦點開口部的方式設於前述開口板的前述透明基板的前述一面的支持體； <br/> 考慮包含前述罩構件的前述透明體的光學系統全體的光學特性設計，將再度通過前述共焦點開口部的前述反射光導至前述光檢測器的成像光學系統； <br/> 其中， <br/> 前述罩構件， <br/> 以前述複數共焦點開口部在由前述罩構件的前述透明體及前述支持體、及前述開口板的前述透明基板形成的密閉空間內與前述透明體分離配置的方式，且以前述透明體位於前述光源與前述開口板之間的方式，經由前述支持體設於前述開口板的前述一面。
如請求項1記載的立體形狀量測裝置，其中，前述攝像控制部，切換前述光檢測器群的曝光時間與前述開口板移動前述預定配列週期乘上2以上的整數n的距離的時間一致的控制、及前述光檢測器群的曝光時間與前述開口板移動前述預定配列週期乘上1的距離的時間一致的控制。
如請求項2記載的立體形狀量測裝置，其中，前述攝像控制部，使前述光檢測器群的曝光時間與前述開口板移動前述預定配列週期乘上2以上的整數n的距離的時間一致的控制中的曝光時間，一致於前述光檢測器群的曝光時間與前述開口板移動前述預定配列週期乘上1的距離的時間一致的控制中的曝光時間。
如請求項1至3中任1項記載的立體形狀量測裝置，其中，前述罩構件相對於前述開口板裝卸自如。
如請求項1至3中任1項記載的立體形狀量測裝置，其中，前述攝像控制部， <br/> 以前述複數次曝光之中從任意曝光的開始時刻到下個曝光的開始時刻為止的期間，與前述開口板移動前述預定的配列週期乘上比前述2以上的整數n還大的整數k的距離的時間一致的方式，控制前述開口板的移動速度、前述旋轉體的旋轉速度及前述光檢測器群的前述曝光時間及前述曝光時點。
如請求項1至3中任1項記載的立體形狀量測裝置，其中，前述焦點位置變更部， <br/> 以前述複數平行平板形的構件與前述物鏡的前述開口板側的光軸交叉的方式，配設於前述開口板與前述物鏡之間。
如請求項1至3中任1項記載的立體形狀量測裝置，其中，更具備： <br/> 載置前述被量測體的載物台； <br/> 以變更前述物體側集光點的位置與前述被量測體的位置的垂直於光軸方向的方向的相對位置關係的方式，使前述載物台在垂直於光軸方向的方向變位的載物台變位部； <br/> 其中， <br/> 前述載物台變位部， <br/> 在除去前述開口板在垂直於光軸方向的前述預定方向等速變位的期間的期間中，變更前述物體側集光點的位置與前述被量測體的位置的垂直於光軸方向的方向的相對位置關係； <br/> 除去前述開口板在垂直於光軸方向的前述預定方向等速變位的期間的期間， <br/> 是前述開口板藉由前述開口板變位部在前述預定方向加速及減速的期間和前述開口板的移動方向藉由前述開口板變位部在前述預定方向內反轉之時或期間。
如請求項1至3中任1項記載的立體形狀量測裝置，其中，前述開口板變位部，具有： <br/> 載置前述開口板的開口板載置部； <br/> 藉由前述攝像控制部控制，使前述開口板載置部在垂直於光軸方向的前述預定方向變位的線性馬達。
如請求項8記載的立體形狀量測裝置，其中，前述開口板變位部，更具有： <br/> 在垂直於光軸方向的前述預定方向變位的反力機構； <br/> 其中， <br/> 前述攝像控制部， <br/> 以降低隨著前述線性馬達所致的前述開口板載置部的加減速所生的力的影響的方式使前述反力機構動作。
如請求項1至3中任1項記載的立體形狀量測裝置，其中，前述焦點位置變更部，取代前述旋轉體及前述驅動部，藉由： <br/> 設於與前述物鏡的光軸交叉的位置，由具有預定折射率的透明構件形成且前述透明構件的光軸方向的厚度可變的光路長調節構件； <br/> 變更前述透明構件的光軸方向的厚度的調節構件驅動部構成， <br/> 變更與光軸交叉的前述透明構件的光軸方向的厚度來變更光路長藉此使前述物體側集光點的位置在光軸方向變更。
一種電池交換方法，應用於一電池交換站，該電池交換站包含複數個電池槽以及分別上鎖該些電池槽的複數個門板模組，該電池交換方法包含：<br/> 接收一換電請求資訊；<br/> 偵測該些電池槽的一空槽數；以及<br/> 於該換電請求資訊通過驗證且該換電請求資訊所對應的一交換電池數大於該空槽數時執行一第一換電程序，並於該交換電池數不大於該空槽數時執行一第二換電程序；<br/> 其中該第一換電程序包含：透過解鎖為空槽的該門板模組來接收一部份的被歸還電池，透過解鎖為滿槽的該門板模組來提供部份的被提供電池與接收另一部分的該被歸還電池，並透過解鎖為滿槽的另一該門板模組來提供另一部份的該被提供電池；<br/> 其中該第二換電程序包含：透過解鎖為空槽的該些門板模組接收全部的被歸還電池，並透過解鎖為滿槽的該些門板模組來提供相同數量的該些被提供電池，<br/> 其中於接收該被歸還電池後包含：<br/> 自該被歸還電池取得一識別資訊；<br/> 查詢對應該識別資訊的一交換電池數；以及<br/> 於該識別資訊的該交換電池數與該換電請求資訊的該交換電池數不符時，以該識別資訊的該交換電池數更新該換電請求資訊的該交換電池數。
如請求項1所述之電池交換方法，其中該些電池槽分別被設定為空槽、滿槽或停用，該交換電池數為2；<br/> 其中該第一換電程序包含於該空槽數為1時執行以下步驟：<br/> 解鎖該些電池槽中為空槽的一第一電池槽的該門板模組；<br/> 在一第一被歸還電池被歸還至該第一電池槽之後，解鎖該些電池槽中容置一第一被提供電池的一第二電池槽的該門板模組；<br/> 在該第二電池槽中的該第一被提供電池被替換為一第二被歸還電池之後，解鎖該些電池槽中容置一第二被提供電池的一第三電池槽的該門板模組；以及<br/> 在該第二被提供電池被取出時，提醒關閉該門板模組；<br/> 其中該第二換電程序包含於該空槽數大於1時執行以下步驟：<br/> 解鎖該些電池槽中為空槽的該第一電池槽與該第二電池槽的該些門板模組；<br/> 在該第一被歸還電池與該第二被歸還電池分別被歸還至該第一電池槽與該第二電池槽之後，解鎖該些電池槽中分別容置該第一被提供電池與該第二被提供電池的該第三電池槽以及一第四電池槽的該些門板模組；以及<br/> 在該第一被提供電池與該第二被提供電池被取出時，提醒關閉該些門板模組。
如請求項2所述之電池交換方法，其中於該第一換電程序中，解鎖該第二電池槽的該門板模組包含：<br/> 在該第一被歸還電池被歸還至該第一電池槽且該第一電池槽的該門板模組關閉之後，上鎖該第一電池槽的該門板模組；以及<br/> 回應於該第一電池槽的該門板模組上鎖，解鎖該第二電池槽的該門板模組。
如請求項2所述之電池交換方法，其中於該第一換電程序中，解鎖該第三電池槽的該門板模組包含：<br/> 在該第二電池槽中的該第一被提供電池被替換為該第二被歸還電池且該第二電池槽的該門板模組關閉之後，上鎖該第二電池槽的該門板模組；以及<br/> 回應於該第二電池槽的該門板模組上鎖，解鎖該第三電池槽的該門板模組。
如請求項2所述之電池交換方法，其中於該第二換電程序中，解鎖該第三電池槽與該第四電池槽的該些門板模組包含：<br/> 在該第一被歸還電池與該第二被歸還電池分別被歸還至該第一電池槽與該第二電池槽，且該第一電池槽與該第二電池槽的該些門板模組關閉之後，上鎖該第一電池槽與該第二電池槽的該些門板模組；<br/> 回應於該第一電池槽與該第二電池槽的該些門板模組上鎖，解鎖該第三電池槽的該門板模組；<br/> 在該第一被提供電池由該第三電池槽被取出且該第三電池槽的該門板模組關閉之後，上鎖該第三電池槽的該門板模組；以及<br/> 回應於該第三電池槽的該門板模組上鎖，解鎖該第四電池槽的該門板模組。
如請求項2所述之電池交換方法，其中於該第二換電程序中，解鎖該第三電池槽與該第四電池槽的該些門板模組包含：<br/> 在該第一被歸還電池與該第二被歸還電池分別被歸還至該第一電池槽與該第二電池槽，且該第一電池槽與該第二電池槽的該些門板模組關閉之後，上鎖該第一電池槽與該第二電池槽的該些門板模組；以及<br/> 回應於該第一電池槽與該第二電池槽的該些門板模組上鎖，解鎖該第三電池槽與該第四電池槽的該些門板模組。
如請求項2所述之電池交換方法，其中該第二換電程序進一步包含：<br/> 每次電池交換後，更新該些電池槽的複數個累積閒置計數；以及<br/> 從為空槽的該些電池槽中挑選出該些累積閒置計數中最大兩者所分別對應的該些電池槽為該第一電池槽與該第二電池槽。
如請求項2所述之電池交換方法，其中該些電池槽分別對應複數個編號，且該第二換電程序進一步包含：<br/> 從為空槽的該些電池槽中挑選出該些編號中最小兩者所分別對應的該些電池槽為該第一電池槽與該第二電池槽。
如請求項2所述之電池交換方法，其中該接收該換電請求資訊包含以下其中之一：<br/> 利用一QR碼讀取器讀取包含該換電請求資訊之一QR碼；<br/> 利用一NFC讀取器讀取包含該換電請求資訊之一NFC訊號；<br/> 透過一網路接收該換電請求資訊；以及<br/> 利用一輸入裝置接收包含該換電請求資訊之一組密碼。
如請求項1所述之電池交換方法，其中該電池交換方法還包含：<br/> 基於收到的該換電請求資訊向一雲端伺服器或一資料庫進行驗證，並查詢該換電請求資訊所對應的該交換電池數。
一種電池交換站，包含：<br/> 一櫃體；<br/> 複數個電池槽，設置於該櫃體；<br/> 複數個門板模組，設置於該櫃體，並分別上鎖該些電池槽；<br/> 一輸入裝置，設置於該櫃體，並配置以接收一換電請求資訊；<br/> 複數個感測器，分別設置於該些電池槽內，並配置以偵測該些電池槽的一空槽數；以及<br/> 一處理裝置，設置於該櫃體，電性連接該些門板模組、該輸入裝置與該些感測器，並配置驗證該換電請求資訊，其中該處理裝置配置以於該換電請求資訊通過驗證且該換電請求資訊所對應的一交換電池數大於該空槽數時執行一第一換電程序，並於該交換電池數不大於該空槽數時執行一第二換電程序；<br/> 其中該第一換電程序包含：透過解鎖為空槽的該門板模組來接收一部份的被歸還電池，透過解鎖為滿槽的該門板模組來提供部份的被提供電池與接收另一部分的該被歸還電池，並透過解鎖為滿槽的另一該門板模組提供另一部份的該被提供電池；<br/> 其中該第二換電程序包含：透過解鎖為空槽的該些門板模組接收全部的被歸還電池，並透過解鎖為滿槽的該些門板模組來提供相同數量的該些被提供電池，<br/> 其中該處理裝置配置以執行：<br/> 自該被歸還電池取得一識別資訊；<br/> 查詢對應該識別資訊的一交換電池數；以及<br/> 於該識別資訊的該交換電池數與該換電請求資訊的該交換電池數不符時，以該識別資訊的該交換電池數更新該換電請求資訊的該交換電池數。
如請求項11所述之電池交換站，其中該些電池槽分別被設定為空槽、滿槽或停用，該交換電池數為2；<br/> 其中該處理裝置配置以執行該第一換電程序來於該空槽數為1時：<br/> 解鎖該些電池槽中為空槽的一第一電池槽的該門板模組；<br/> 在一第一被歸還電池被歸還至該第一電池槽之後，解鎖該些電池槽中容置一第一被提供電池的一第二電池槽的該門板模組；<br/> 在該第二電池槽中的該第一被提供電池被替換為一第二被歸還電池之後，解鎖該些電池槽中容置一第二被提供電池的一第三電池槽的該門板模組；以及<br/> 在該第二被提供電池被取出時，提醒關閉該門板模組；<br/> 其中該處理裝置配置以執行該第二換電程序來於該空槽數大於1時：<br/> 解鎖該些電池槽中為空槽的該第一電池槽與該第二電池槽的該些門板模組；<br/> 在該第一被歸還電池與該第二被歸還電池分別被歸還至該第一電池槽與該第二電池槽之後，解鎖該些電池槽中分別容置該第一被提供電池與該第二被提供電池的該第三電池槽以及一第四電池槽的該些門板模組；以及<br/> 在該第一被提供電池與該第二被提供電池被取出時，提醒關閉該門板模組。
如請求項12所述之電池交換站，其中該處理裝置配置以：<br/> 於該第一換電程序中，在該第一被歸還電池被歸還至該第一電池槽且該第一電池槽的該門板模組關閉之後，控制該第一電池槽的該門板模組上鎖；以及<br/> 回應於該第一電池槽的該門板模組上鎖，解鎖該第二電池槽的該門板模組。
如請求項12所述之電池交換站，其中該處理裝置配置以：<br/> 於該第一換電程序中，在該第二電池槽中的該第一被提供電池被替換為該第二被歸還電池且該第二電池槽的該門板模組關閉之後，控制該第二電池槽的該門板模組上鎖；以及<br/> 回應於該第二電池槽的該門板模組上鎖，控制該第三電池槽的該門板模組解鎖。
如請求項12所述之電池交換站，其中該處理裝置配置以：<br/> 於該第二換電程序中，在該第一被歸還電池與該第二被歸還電池分別被歸還至該第一電池槽與該第二電池槽，且該第一電池槽與該第二電池槽的該些門板模組關閉之後，控制該第一電池槽與該第二電池槽的該些門板模組上鎖；<br/> 回應於該第一電池槽與該第二電池槽的該些門板模組上鎖，控制該第三電池槽的該門板模組解鎖；<br/> 在該第一被提供電池由該第三電池槽被取出且該第三電池槽的該門板模組關閉之後，控制該第三電池槽的該門板模組上鎖；以及<br/> 回應於該第三電池槽的該門板模組上鎖，控制該第四電池槽的該門板模組解鎖。
如請求項12所述之電池交換站，其中該處理裝置配置以：<br/> 於該第二換電程序中，在該第一被歸還電池與該第二被歸還電池分別被歸還至該第一電池槽與該第二電池槽，且該第一電池槽與該第二電池槽的該些門板模組關閉之後，控制該第一電池槽與該第二電池槽的該些門板模組上鎖；以及<br/> 回應於該第一電池槽與該第二電池槽的該些門板模組上鎖，控制該第三電池槽與該第四電池槽的該些門板模組解鎖。
如請求項12所述之電池交換站，其中該處理裝置配置以：<br/> 於該第二換電程序中，每次電池交換後，更新該些電池槽的複數個累積閒置計數；以及<br/> 從為空槽的該些電池槽中挑選出該些累積閒置計數中最大兩者所分別對應的該些電池槽為該第一電池槽與該第二電池槽。
如請求項12所述之電池交換站，其中該些電池槽分別對應複數個編號，該處理裝置配置以：<br/> 於該第二換電程序中，從為空槽的該些電池槽中挑選出該些編號中最小兩者所分別對應的該些電池槽為該第一電池槽與該第二電池槽。
如請求項11所述之電池交換站，其中該輸入裝置包含一QR碼讀取器、一NFC讀取器與一輸入鍵盤的至少其中之一，並被配置以：<br/> 讀取包含該換電請求資訊之一QR碼；<br/> 讀取包含該換電請求資訊之一NFC訊號；或<br/> 接收包含該換電請求資訊之一組密碼。
如請求項11所述之電池交換站，其中該些門板模組上各自設置有一電池抵靠部，該些電池抵靠部配置以於該些門板模組關閉時各自抵靠該些電池槽中的被歸還電池或被提供電池，而使該些被歸還電池或該些被提供電池穩定地與該些電池槽中的電連接器形成電連接。
一種光學感應裝置，其係包含：<br/> 一光發射器，包括多個光源，配置為向一目標物體發射不同波長之多個光學訊號；<br/> 一第一晶粒，包含一光偵測器，配置為偵測來自該目標物體反射的具有一第一波長的一第一光學訊號和具有不同於該第一波長的一第二波長的一第二光學訊號，其中，該第一光學訊號在一第一時間由該光偵測器偵測，且該第二光學訊號在不同於該第一時間的一第二時間由該光偵測器偵測；<br/> 一絕緣結構，位於該光發射器以及該光偵測器之間用以分隔該光發射器以及該光偵測器； <br/> 一驅動器，耦接於該光發射器，配置為向該光發射器產生一驅動訊號以產生該多個光學訊號；<br/> 一電路系統，耦接於該光偵測器，配置為基於該第一光學訊號而執行一第一功能，以輸出一第一輸出結果，及基於該第二光學訊號而執行一第二功能，以輸出一第二輸出結果；以及<br/> 一處理電路系統，耦接於該電路系統，配置為基於該第一輸出結果及該第二輸出結果執行一預設功能，該預設功能包含用於判定一材料之一或多種特徵之一材料辨識功能，其中，該材料之一或多種特徵包含材料類型。
如請求項1所述之光學感應裝置，還包含一抗反射塗層位於該光偵測器上。
如請求項1所述之光學感應裝置，其中，該第一波長或該第二波長位於SWIR波長範圍內。
如請求項1所述之光學感應裝置，其中，該光偵測器包含一含鍺的光吸收材料，並且該光吸收材料形成在一矽基板上。
如請求項1所述之光學感應裝置，其中，該電路系統形成在一第二晶粒上，並且該第一晶粒接合至該第二晶粒以形成一單一晶片。
如請求項1所述之光學感應裝置，其中，該電路系統形成在一第二晶粒上，該第一晶粒堆疊於該第二晶粒上。
如請求項6所述之光學感應裝置，還包含一接合介面位於該第一晶粒與該第二晶粒之間。
如請求項1所述之光學感應裝置，其中，該光偵測器包含多個感測區域。
如請求項8所述之光學感應裝置，其中，該多個感測區域排列成一陣列。
如請求項1所述之光學感應裝置，其中，該光偵測器包含一像素陣列。
一種超純水製造裝置，其包括二次純水裝置，該二次純水裝置依序包括送水泵、離子交換裝置及超過濾膜裝置，並用以從一次純水除去不純物； <br/>其中，在該超過濾膜裝置的上游側及/或下游側，配置有聲波式微粒子計與光學式微粒子計的第一組合及該聲波式微粒子計與TOC計的第二組合之中的至少一方的組合。
如請求項1所記載之超純水製造裝置，其具有用以控制該超過濾膜裝置的水回收率的處理器。
一種超純水製造方法，其使用如請求項1或2所記載的超純水製造裝置。
一種超純水製造裝置的運轉管理方法，其係包括二次純水裝置之超純水製造裝置的運轉管理方法，該二次純水裝置依序包括送水泵、離子交換裝置及超過濾膜裝置，並用以從一次純水除去不純物；其中，使用配置於該超過濾膜裝置的下游側之聲波式微粒子計與光學式微粒子計的第一組合及該聲波式微粒子計與TOC計的第二組合之中的至少一方的組合，並基於從該組合所取得的量測值來進行運轉管理。
一種膠體粒子的量測方法，其係在二次純水裝置中的膠體粒子的量測方法，該二次純水裝置依序包括送水泵、離子交換裝置及超過濾膜裝置，並用以從一次純水除去不純物；其中，使用配置於該超過濾膜裝置的下游側之聲波式微粒子計與光學式微粒子計的第一組合，或該聲波式微粒子計與TOC計的第二組合的至少一方的組合，並基於從該組合所取得的量測值來量測該膠體粒子。
一種熱塑壓克力碳纖維預浸材，所述碳纖維預浸材包括：一碳纖維材料，以及一分佈於該碳纖維材料上之反應性樹脂組成物，該反應性樹脂組成物包含：(a)至少一種丙烯酸酯類反應性單體，其重量比為65%-85%間；(b)溶解於該丙烯酸酯類反應性單體中，用以提供所述碳纖維預浸材黏性之一熱塑性壓克力樹脂，其重量比為15%-35%間；(c)一介面改性劑，選自矽烷類介面相容劑、N-乙烯基吡咯烷酮(NVP)之一或其混合，其重量比為1%-10%間；(d)一可逆加成-斷裂鏈轉移劑(RAFT試劑)，所述可逆加成-斷裂鏈轉移劑與所述丙烯酸酯類反應性單體的摩爾比為1：1000至1：5000間；及(e)一熱起始劑，其重量比為0.1%-0.5%間。
如請求項1所述之熱塑壓克力碳纖維預浸材，其中，所述丙烯酸酯類反應性單體選自(甲基)丙烯酸酯類反應性單體(MMA)、(甲基)丙烯酸乙酯類反應性單體(EMA)、丙烯酸丁酯類反應性單體(BA)以及(甲基)丙烯酸異丁酯反應性單體(IBMA)至少任一種或其混合。
如請求項1所述之熱塑壓克力碳纖維預浸材，其中，所述熱塑性壓克力樹脂為玻璃轉移溫度(Tg)低於110℃之PMMA及PMMA共聚物之中任一種樹脂者。
如請求項1所述之熱塑壓克力碳纖維預浸材，其中，所述矽烷類介面相容劑為γ-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷(KH-570)以及3-(甲基丙烯酰氧基)丙基三甲氧基硅烷<u>(</u>A-174)之中任一種者。
如請求項1所述之熱塑壓克力碳纖維預浸材，其中，所述N-乙烯基吡咯烷酮(NVP)係通過共聚及氫鍵作用，提升該碳纖維預浸材經固化後之一介面結合強度與韌性。
一種熱塑壓克力碳纖維預浸材之製作方法，包含以下步驟：(i)配製如請求項1至請求項5中任一項所述之反應性樹脂組成物；(ii)將該碳纖維材料含浸該反應性樹脂組成物，該碳纖維材料比例為60%-75%，該反應性樹脂組成物比例為25%-40%；(iii)對含浸該反應性樹脂組成物之碳纖維材料進行乾燥作業形成預聚合狀態，形成半硬化狀態之B-stage碳纖維預浸材。
如請求項6所述之熱塑壓克力碳纖維預浸材之製作方法，其中，該碳纖維預浸材於低溫起始40℃-60℃進行局部(<u>partial)</u>反應，隨著部分丙烯酸酯類反應性單體局部(<u>partial)</u>反應，使得與溶解狀態下之熱塑性壓克力樹脂濃度相對提高，其分子鏈段在室溫下具備足夠的黏彈性，促使該碳纖維預浸材表面形成一層微黏性之聚合物層，從而構成優異黏性但不黏手之B-stage碳纖維預浸材。
一種熱塑壓克力碳纖維預浸材之複合材料，其中，如請求項6或7項所述之製造方法制得一碳纖維預浸材，複數碳纖維預浸材鋪層後，於80℃至150℃下進行熱壓聚合固化形成一碳纖維複合材料，所述丙烯酸酯類反應性單體經由該可逆加成-斷裂鏈轉移劑可控聚合機制進行原位聚合，使該碳纖維複合材料之丙烯酸酯基體之重均分子量(Mw)大於800,000g/mol，從而構成一種高分子量之碳纖維複合材料。
如請求項8所述之熱塑壓克力碳纖維預浸材之複合材料，其中，該碳纖維複合材料之層間剪切強度(ILSS)不低於55MPa。
如請求項8所述之熱塑壓克力碳纖維預浸材之複合材料，其中，該碳纖維複合材料之衝擊韌性不低於20kJ/m<sup>2</sup>。
一種扭力結構，其係包括：<br/> 一第一本體；<br/> 一第二本體，該第二本體係與該第一本體相組設，或該第二本體與該第一本體相樞設，該第二本體部分容設於該第一本體內，該第二本體內具有扭力調整裝置；<br/> 一第一固定座；<br/> 一螺桿組，該螺桿組係與該第二本體及該第一固定座相組設，該螺桿組係可於該第二本體內旋轉以調整所需之扭力值，該螺桿組隱於該第二本體內；<br/> 一第二固定座，該第二固定座係與該第二本體及該螺桿組相組設，該第二固定座相對該第二本體係無法位移或轉動，該第二固定座係位於近該第一固定座處，該第二固定座一端設有一第二穿槽，該第二固定座另端設有一第一容槽，該第一容槽一側設有一第一齒部，該第一齒部係呈環狀排列齒狀，該第一齒部與該第一容槽係呈相通，該第一齒部與該第二穿槽之間設有一第二容槽，該第二容槽係與該第二穿槽及該第一齒部呈相通；<br/> 該第二固定座係設有複數第三容槽，該複數第三容槽係與該第一容槽呈相通，該第二固定座設有複數第四容槽，每一該第四容槽設於每一該第三容槽處，該第四容槽與該第三容槽呈相通；<br/> 一調整組，該調整組係與該螺桿組及該第二固定座相組設，該調整組係可與該第二固定座呈相脫開或相嚙合，藉以控制該調整組與該螺桿組係呈鎖定狀態或非鎖定狀態，該調整組係包括：一調整件、一滑動塊、複數移動件、複數第一彈體及一第二彈體；<br/> 該調整件內係設有一第二套合部，該第二套合部係與該螺桿組相組設，該調整件一端係設有一第二齒部，該第二齒部係與該第一齒部相嚙合或相脫開，該第二齒部呈環狀排列之齒狀，該第二齒部一側係設有一第一斜面，該第一斜面另側邊設有一第一限制部，該第一限制部對向該第一容槽；<br/> 該滑動塊係套設於該調整件上，該滑動塊係可於該調整件上軸向位移一小距離，該滑動塊內係設有一第四穿槽，該第四穿槽係供該調整件相穿設，該滑動塊之外周緣一端係設有一第二斜面，該第二斜面與該第一斜面分別斜向二側邊，該第二斜面另側邊設有一第二限制部，該第二限制部對向該第一限制部；<br/> 每一該移動件係分別容設於該第一容槽、每一該第三容槽及每一該第四容槽處，該移動件係可於該第一容槽、每一該第三容槽及每一該第四容槽處位移，該移動件設有一凸柱，該凸柱容設於該第四容槽處，該移動件設有一第三斜面，該第三斜面對向該第二限制部，該第三斜面抵於該第二限制部上，使該滑動塊端部與該按壓件相靠抵，該第三斜面呈斜面狀，該移動件設有一第三限制部，該第三限制部供該第一限制部靠抵，該第三限制部設於該第三斜面一側；<br/> 該複數第一彈體係分別與該複數移動件相組設，受該第一彈體之彈力，使該移動件係抵於該調整件周面上，且該第三斜面抵於該第二限制部上，該第三限制部供該第一限制部靠抵，該滑動件位移而推動該移動件位移後，該第一彈體係可使該移動件於該第四容槽及該第三容槽處回位；<br/> 該第二彈體容設於該第二容槽內，該螺桿組穿設於該第二固定座及該第二彈體內，該第二彈體彈抵於該第三抵緣與該調整件端部之間，該第二彈體之彈力係可推移該調整件移位，使該第一限制部抵於該第三限制部上，該調整件即受限該移動件。
如請求項1所述之扭力結構，其中，該第一本體係為一圓桿體狀，該第一本體係為一握把體；該第二本體一端係設有一驅動部，該驅動部凸露於該第一本體外，該第二本體係設有一顯示器以顯示扭力值。
如請求項1所述之扭力結構，其中，該第一固定座係與該第二本體相組設，該第一固定座係無法相對該第二本體移位或轉動，該第一固定座係隱於該第二本體內，該第一固定座設有一第一穿槽，該第一穿槽呈貫穿圓孔狀。
如請求項1所述之扭力結構，其中，該螺桿組係可於該第二本體內及該第一穿槽處旋轉以調整所需之扭力值，該螺桿組隱於該第二本體內，該螺桿組包括：一螺桿及一間隔件；該螺桿設有一中間段，該中間段係呈圓柱體狀，該中間段係具有該螺桿之最大直徑，該螺桿一端設有一第一螺合部，該第一螺合部係呈外螺紋狀，該螺桿另端設有一桿體，該中間段係設於該第一螺合部與該桿體之間，該桿體係樞設於該第一穿槽內，該桿體一側係設有一第一套合部，該第一套合部係呈非圓形狀或呈六角柱體狀；該間隔件係呈中空管體狀，該間隔件係與該螺桿相螺設，該間隔件一端內係設有一第二螺合部，該第二螺合部係與該第一螺合部相螺設，該第二螺合部係呈內螺紋孔狀，該間隔件係與該中間段同外徑；該桿體於該第一穿槽處轉動，該第二螺合部與該第一螺合部相螺設，該螺桿係使該間隔件於該第二本體內直線移位以調整扭力值。
如請求項4述之扭力結構，其中，該第二穿槽係對正該第一穿槽，該第二穿槽係呈貫穿孔狀，該第二穿槽係供該螺桿樞設，該第一容槽係呈圓孔槽狀，該第二穿槽、該第一容槽、該第一齒部及該第二容槽具相同軸心，位置依序為：該第二穿槽、該第二容槽、該第一齒部及該第一容槽。
如請求項1所述之扭力結構，其中，該第二穿槽係具有該第二固定座之最小內直徑，該第一容槽係具有該第二固定座之最大內直徑，該第一容槽之內直徑係大於該第一齒部之內直徑，該第一齒部之內直徑係大於該第二容槽之內直徑，內直徑由大至小依序為：該第一容槽、該第一齒部、該第二容槽及該第二穿槽。
如請求項1所述之扭力結構，其中，該第一容槽與該第一齒部之間具有一第一抵緣，該第一齒部與該第二容槽之間具有一第二抵緣，該第二容槽與該第二穿槽之間具有一第三抵緣，依序為該第一抵緣、該第二抵緣及該第三抵緣。
如請求項1所述之扭力結構，其中，該複數第三容槽相對該第一容槽係呈環狀排列狀，該複數第三容槽係設於該第一容槽開口處，該複數第三容槽之數目係為二個，該第三容槽呈方形凹槽狀，該複數第四容槽與該複數第三容槽相同數目，該第四容槽係呈貫穿孔狀。
如請求項1所述之扭力結構，其中，該第二套合部係呈非圓形槽體，該第二套合部係呈六角槽狀，該第一斜面之最大直徑處係大於該第二齒部之齒峰處直徑，該第一斜面係容設於該第一容槽處，該第一限制部呈平面狀，該調整件另端設有一第三螺合部，該第三螺合部呈外螺紋狀。
如請求項4所述之扭力結構，其中，作動該調整件轉動以帶動該螺桿組作動，作動該調整件移位，該第二套合部於該第一套合部上移位，該第二齒部於該第一齒部及該第一容槽處直線位移一距離，該第二齒部與該第一齒部之間可相嚙合而具有鎖固狀態，或該第二齒部與該第一齒部之間相脫開而為非鎖固狀態。
如請求項1所述之扭力結構，其中，該第二限制部係呈平面狀；該第二彈體係為彈簧體。
如請求項1所述之扭力結構，其中，該移動件位移方向係與該調整件位移方向相垂直，該凸柱係呈圓體狀。
如請求項1所述之扭力結構，其中，該第一彈體係套設於該凸柱上，該第一彈體係彈抵於該第三容槽與該移動件之間，該第一彈體為彈簧體。
如請求項9所述之扭力結構，其中，該調整組係設有一按壓件，該按壓件係與該調整件相組設，該按壓件內係設有一第四螺合部，該第四螺合部係與該第三螺合部相螺設，當組設後，該按壓件係部分係凸露於該第一本體外以供按壓，該第四螺合部係呈內螺紋孔狀。
如請求項14所述之扭力結構，其中，該按壓件設有一第四限制部，該第四限制部設於該按壓件之外周緣；設有一扣環，該扣環係扣設於該第一本體內近端部處，該扣環係略彈性外張於該第一本體之扣環槽上，該調整組於該第一本體內軸向位移，該第四限制部係受限於該扣環，而使該調整組不脫出該第一本體外。
如請求項1所述之扭力結構，其中，該扭力結構運用於扭力接桿，該第一本體以自身之軸心轉動時，該第二本體即以相同之軸心旋動而具扭力功效。
如請求項1所述之扭力結構，其中，該移動件係設有一第三齒部，該第三齒部係對向該調整件，該扭力結構於鎖定狀態時，該調整件已移位至最後位置時，該移動件受該第一彈體之彈力，使該第三齒部係可與該第二齒部相嚙合。
一種晶圓載具設備的使用方法，適用於將一晶圓載具的一載具門閉合於一晶圓載具本體，該使用方法包含以下步驟：<br/> 步驟(S1)：一控制裝置控制一推拉件沿一前進方向移動，以閉合該載具門與該晶圓載具本體，該控制裝置預先儲存一關門次數預設值M；<br/> 步驟(S2)：該控制裝置通過一位置感測元件判斷該載具門是否已關門；<br/> 步驟(S3)：當該步驟(S2)的判斷結果為是時，結束流程；<br/> 步驟(S4)：當該步驟(S2)的判斷結果為否時，該控制裝置累計一次關門次數，並控制該推拉件沿一相反於該前進方向的拉回方向移動以分開該載具門與該晶圓載具本體；<br/> 步驟(S5)：該控制裝置依據一判斷條件判斷是否啓動一動作命令，並於判斷結果為是時，啓動該動作命令以重新執行該步驟(S1)至該步驟(S4)，該判斷條件為該關門次數≤M；<br/> 步驟(S6)：當該步驟(S5)的判斷結果為否時，該控制裝置控制一承載件移動以帶動該載具門與該晶圓載具本體沿一垂直於該前進方向的第一方向相對移動一距離；<br/> 步驟(S7)：該控制裝置控制該推拉件沿該前進方向移動，以閉合該載具門與該晶圓載具本體；<br/> 步驟(S8)：該控制裝置通過該位置感測元件判斷該載具門是否已關門；及<br/> 步驟(S9)：當該步驟(S8)的判斷結果為是時，結束流程。
如請求項1所述的晶圓載具設備的使用方法，還包含以下步驟：<br/> 步驟(S10)：該控制裝置還預先儲存一關門次數預設值N，且當該步驟(S8)的判斷結果為否時，該控制裝置累計一次關門次數，並控制該推拉件沿該拉回方向移動以分開該載具門與該晶圓載具本體；及<br/> 步驟(S11)：該控制裝置依據一判斷條件判斷是否啓動一動作命令，並於判斷結果為是時，啓動該動作命令以重新執行該步驟(S7)至該步驟(S10)，該判斷條件為該關門次數≤N；<br/> 步驟(S12)：當該步驟(S11)的判斷結果為否時，該控制裝置控制該承載件沿一相反於該第一方向的第二方向移動兩倍的該距離，以帶動該載具門與該晶圓載具本體相對移動兩倍的該距離；<br/> 步驟(S13)：該控制裝置控制該推拉件沿該前進方向移動以閉合該載具門與該晶圓載具本體；<br/> 步驟(S14)：該控制裝置通過該位置感測元件判斷該載具門是否已關門；及<br/> 步驟(S15)：當該步驟(S14)的判斷結果為是時，該控制裝置控制該推拉件沿該拉回方向移動以脫離該晶圓載具。
如請求項2所述的晶圓載具設備的使用方法，還包含以下步驟：<br/> 步驟(S16)：該控制裝置還預先儲存一關門次數預設值P，且當該步驟(S14)的判斷結果為否時，該控制裝置累計一次關門次數，並控制該推拉件沿該拉回方向移動以分開該載具門與該晶圓載具本體；<br/> 步驟(S17)：該控制裝置依據一判斷條件判斷是否啓動一動作命令，並於判斷結果為是時，啓動該動作命令以重新執行該步驟(S13)至該步驟(S16)，該判斷條件為該關門次數≤P；及<br/> 步驟(S18)：當該步驟(S17)的判斷結果為否時，該控制裝置啓動一通報命令以發出一異常警告。
如請求項1所述的晶圓載具設備的使用方法，其中，2≤M≤3。
如請求項2所述的晶圓載具設備的使用方法，其中，2≤M≤3，2≤N≤3。
如請求項3所述的晶圓載具設備的使用方法，其中，2≤M≤3，2≤N≤3，2≤P≤3。
如請求項6所述的晶圓載具設備的使用方法，其中，M=N=P。
如請求項1所述的晶圓載具設備的使用方法，其中，在該步驟(S3)中：當該步驟(S2)的判斷結果為是時，該控制裝置控制該推拉件沿一相反於該前進方向的拉回方向移動以脫離該晶圓載具，且在該步驟(S9)中：當該步驟(S8)的判斷結果為是時，該控制裝置控制該推拉件沿該拉回方向移動以脫離該晶圓載具。
如請求項1所述的晶圓載具設備的使用方法，其中，該距離不大於1mm。
一種用於執行如請求項1所述的使用方法的晶圓載具設備，適用於接收一晶圓載具，該晶圓載具包括一晶圓載具本體及一能卸離地封閉該晶圓載具本體的載具門，該晶圓載具設備包含：<br/> 一推拉機構，用來帶動該載具門安裝在該晶圓載具本體或自該晶圓載具本體卸離，該推拉機構包括一用來帶動該載具門的推拉件，及一用來帶動該推拉件沿一水平方向移動的推拉驅動器，該推拉驅動器具有至少一用來發送一位置訊號的位置感測元件；<br/> 一移動機構，用來帶動該晶圓載具沿一垂直方向移動，該移動機構包括一供該晶圓載具本體設置的承載件，及一用來帶該承載件沿該垂直方向移動的升降驅動器；及<br/> 一控制單元，包括一訊號連接該推拉驅動器與該升降驅動器並用於接收該位置訊號的控制裝置，該控制裝置還用來控制該推拉驅動器與該升降驅動器。
一種發光裝置，具有發光面板，該發光面板在發光面側設有發光區域、以及圍繞該發光區域的非發光區域，<br/>該發光面板的該發光面側可向內側折疊，其包括：<br/>展開狀態下位於該發光面板的該發光面側的相反側，並且彼此間隔開設置的第一支撐體與第二支撐體；<br/>展開狀態下配置於該發光面板的該發光面側的該非發光區域上，並且隔著該發光面板與該第一支撐體重疊的第三支撐體；<br/>展開狀態下在該發光面板的該發光面側的該非發光區域上與該第三支撐體間隔開配置，並且隔著該發光面板與該第二支撐體重疊的第四支撐體；<br/>展開狀態下位於該發光面板與該第一支撐體之間的部分、以及位於該發光面板與該第二支撐體之間的部分，並且分別與該發光面板的該發光區域以及該非發光區域重疊的第一保護層；<br/>展開狀態下位於該發光面板與該第三支撐體之間的部分、以及位於該發光面板與該第四支撐體之間的部分、與該發光面板的該非發光區域重疊，並且不與該發光區域重疊的第二保護層；<br/>該發光面板，係具有該發光裝置折疊時彎曲的第一區域；<br/>該第一區域，係包含不與該第一支撐體、該第二支撐體、該第三支撐體以及該第四支撐體任何一個重疊，並且該第一保護層與該第二保護層之間夾住的第一部分；<br/>該第一部分，係位於該非發光區域。
一種發光裝置，具有發光面板，該發光面板在發光面側設有發光區域、以及圍繞該發光區域的非發光區域，<br/>該發光面板的該發光面側可向內側折疊，其包括：<br/>展開狀態下位於該發光面板的該發光面側的相反側，並且彼此間隔開設置的第一支撐體與第二支撐體；<br/>展開狀態下配置於該發光面板的該發光面側的該非發光區域上，並且隔著該發光面板與該第一支撐體重疊的第三支撐體；<br/>展開狀態下在該發光面板的該發光面側的該非發光區域上與該第三支撐體間隔開配置，並且隔著該發光面板與該第二支撐體重疊的第四支撐體；<br/>展開狀態下位於該發光面板與該第一支撐體之間的部分、以及位於該發光面板與該第二支撐體之間的部分，並且分別與該發光面板的該發光區域以及該非發光區域重疊的第一保護層；<br/>展開狀態下位於該發光面板與該第三支撐體之間的部分、以及位於該發光面板與該第四支撐體之間的部分、與該發光面板的該非發光區域重疊，並且不與該發光區域重疊的第二保護層；<br/>該發光面板，係具有該發光裝置折疊時彎曲的第一區域；<br/>該第一區域，係包含不與該第一支撐體、該第二支撐體、該第三支撐體以及該第四支撐體任何一個重疊，並且該第一保護層與該第二保護層之間夾住的第一部分；<br/>該第一部分，係位於該非發光區域；<br/>該第一保護層，係比該發光面板有更低撓性。
一種發光裝置，具有發光面板，該發光面板在發光面側設有發光區域、以及圍繞該發光區域的非發光區域，<br/>該發光面板的該發光面側可向內側折疊，其包括：<br/>展開狀態下位於該發光面板的該發光面側的相反側，並且彼此間隔開設置的第一支撐體與第二支撐體；<br/>展開狀態下配置於該發光面板的該發光面側的該非發光區域上，並且隔著該發光面板與該第一支撐體重疊的第三支撐體；<br/>展開狀態下在該發光面板的該發光面側的該非發光區域上與該第三支撐體間隔開配置，並且隔著該發光面板與該第二支撐體重疊的第四支撐體；<br/>展開狀態下位於該發光面板與該第一支撐體之間的部分、以及位於該發光面板與該第二支撐體之間的部分，並且分別與該發光面板的該發光區域以及該非發光區域重疊的第一保護層；<br/>展開狀態下位於該發光面板與該第三支撐體之間的部分、以及位於該發光面板與該第四支撐體之間的部分、與該發光面板的該非發光區域重疊，並且不與該發光區域重疊的第二保護層；<br/>該發光面板，係具有該發光裝置折疊時彎曲的第一區域；<br/>該第一區域，係包含不與該第一支撐體、該第二支撐體、該第三支撐體以及該第四支撐體任何一個重疊，並且該第一保護層與該第二保護層之間夾住的第一部分；<br/>該第一部分，係位於該非發光區域；<br/>該發光面板，在該非發光區域中包括具有第一電晶體的驅動電路部；<br/>該發光面板，在該發光區域中包括第二電晶體、以及與該第二電晶體電連接的發光元件；<br/>該驅動電路部的一部份位於該第一區域。
一種發光裝置，具有發光面板，該發光面板在發光面側設有發光區域、以及圍繞該發光區域的非發光區域，<br/>該發光面板的該發光面側可向內側折疊，其包括：<br/>展開狀態下位於該發光面板的該發光面側的相反側，並且彼此間隔開設置的第一支撐體與第二支撐體；<br/>展開狀態下配置於該發光面板的該發光面側的該非發光區域上，並且隔著該發光面板與該第一支撐體重疊的第三支撐體；<br/>展開狀態下在該發光面板的該發光面側的該非發光區域上與該第三支撐體間隔開配置，並且隔著該發光面板與該第二支撐體重疊的第四支撐體；<br/>展開狀態下位於該發光面板與該第一支撐體之間的部分、以及位於該發光面板與該第二支撐體之間的部分，並且分別與該發光面板的該發光區域以及該非發光區域重疊的第一保護層；<br/>展開狀態下位於該發光面板與該第三支撐體之間的部分、以及位於該發光面板與該第四支撐體之間的部分、與該發光面板的該非發光區域重疊，並且不與該發光區域重疊的第二保護層；<br/>該發光面板，係具有該發光裝置折疊時彎曲的第一區域；<br/>該第一區域，係包含不與該第一支撐體、該第二支撐體、該第三支撐體以及該第四支撐體任何一個重疊，並且該第一保護層與該第二保護層之間夾住的第一部分；<br/>該第一部分，係位於該非發光區域；<br/>該第一保護層，係比該發光面板有更低撓性；<br/>該發光面板，在該非發光區域中包括具有第一電晶體的驅動電路部；<br/>該發光面板，在該發光區域中包括第二電晶體、以及與該第二電晶體電連接的發光元件；<br/>該驅動電路部的一部份位於該第一區域。
如請求項1至4之中任一項之發光裝置，其中，<br/>該第二保護層包含橡膠。
如請求項1至4之中任一項之發光裝置，其中，<br/>該第二保護層包含有機樹脂。
如請求項1至4之中任一項之發光裝置，其中，<br/>該第一保護層包含金屬。
如請求項1至4之中任一項之發光裝置，其中，<br/>該第一保護層具有與該發光面板透過黏合劑黏合的區域。
如請求項1至4之中任一項之發光裝置，其中，<br/>該第一保護層具有分別與該第一支撐體和該第二支撐體透過黏合劑黏合的區域。
如請求項1至4之中任一項之發光裝置，其中，<br/>該第三支撐體以及該第四支撐體的端部位於該發光面板的端部更外側。
如請求項1至4之中任一項之發光裝置，其中，<br/>該發光面板折疊時，該發光面板中的該第一區域曲率半徑的最小值為1mm以上且10mm以下。
如請求項1至4之中任一項之發光裝置，其中，<br/>該發光面板的基板使用聚醯胺-醯亞胺樹脂、聚醯亞胺樹脂或者PET。
如請求項1至4之中任一項之發光裝置，其中，<br/>展開狀態下的該第二保護層，係在與該發光面板的該第一區域重疊的部分中，具有在該發光裝置的表面上露出的區域。
如請求項1至4之中任一項之發光裝置，其中，<br/>該第三支撐體以及該第四支撐體不與該發光面板的該發光區域重疊。
一種環氧樹脂的除氯組成物，包括： 鹼劑，所述鹼劑包括: <br/>聯苯鈉與叔丁醇鉀，其中 <br/>所述叔丁醇鉀與所述聯苯鈉的重量比大於0.1:1。
如請求項1所述的環氧樹脂的除氯組成物，其中所述叔丁醇鉀與所述聯苯鈉的重量比小於0.8:1。
如請求項1所述的環氧樹脂的除氯組成物，其中所述叔丁醇鉀與所述聯苯鈉的重量比介於0.2:1至0.7:1之間。
如請求項1所述的環氧樹脂的除氯組成物，其中所述叔丁醇鉀與所述聯苯鈉的重量比介於0.3:1至0.7:1之間。
如請求項1所述的環氧樹脂的除氯組成物，其中所述鹼劑的總重相對所述環氧樹脂的重量百分比大於4 wt％。
如請求項1所述的環氧樹脂的除氯組成物，其中所述鹼劑的總重相對所述環氧樹脂的重量百分比大於等於5 wt％。
如請求項1所述的環氧樹脂的除氯組成物，尚包括有機溶劑。
如請求項7所述的環氧樹脂的除氯組成物，其中所述有機溶劑包括苯、甲苯、二甲苯、環己酮、甲基異丁基酮中的一種或多種。
如請求項7所述的環氧樹脂的除氯組成物，其中所述有機溶劑相對環氧樹脂的重量百分比大於400 wt％。
如請求項7所述的環氧樹脂的除氯組成物，其中所述有機溶劑相對環氧樹脂的重量百分比介於400 wt％-1100 wt％之間。
一種具L型通道之微型三極式電極，其包含：<br/> 一導電基板，其具有二互相不導通之導電區塊，其一導電區塊具有一切割槽及一長方形區塊，該切割槽係呈L型設置，以形成該長方形區塊；<br/> 一銀/氯化銀（Ag/AgCl）線狀本體，其係對應埋設於該切割槽中，且該切割槽係具有一導電膏體；該銀/氯化銀線狀本體一端貼設有一銅箔，另端貼設有一半透膜；以及<br/> 一銅電極片，其係對應貼設於該導電基板及該銀/氯化銀線狀本體。
一種室內環境管理裝置，包括：一空氣調節機(3)，係設置於建築物內的室內空間，為透過供應電源與接受驅動器(14)之驅動以提供其運行；一偵測模組(1)，係設置該室內空間，包括偵測器(11)、第一控制器(12)、第一介面裝置(13)及驅動器(14)，該偵測器(11)可對該室內空間內環境條件進行相關參數的量測，並由該第一控制器(12)先擷取該參數並轉換為狀態資料，再經由該第一介面裝置(13)進行傳輸，而該驅動器(14)與該空氣調節機(3)連接，使該第一控制器(12)與該驅動器(14)之間形成驅動傳遞的介接；以及一多媒體設備(2)，包含顯示器(21)、第二控制器(22)及第二介面裝置(23)，係由該第二介面裝置(23)與該第一介面裝置(13)進行通訊介接，使該第二控制器(22)能接收來自該第一控制器(12)的狀態資料並顯示於該顯示器(21)，該第二控制器(22)通過該第二介面裝置(23)驅動該第一控制器(12)，以執行對該空氣調節機(3)的運作。
如請求項1所述之室內環境管理裝置，其中該第一介面裝置(13)係為一通用性非同步接收器/傳送器，以執行資料傳輸。
如請求項1所述之室內環境管理裝置，其中該第二介面裝置(23)係為一通用性非同步接收器/傳送器，以執行資料傳輸。
一種用於一自行車管體部件之無鑰匙閂鎖結構，包含：<br/>一殼體；<br/>一鎖舌組件，裝設於該殼體，並配置成可在一可運動方向移動，該鎖舌組件包含：<br/>一基部；<br/>一閂桿通道，位於該基部中，並定義有一通道延伸方向，該可運動方向不同於該通道延伸方向；以及<br/>一鎖舌，安裝於該基部；以及<br/>一閂桿，至少部分容設於該閂桿通道中，並配置成可沿該通道延伸方向於該閂桿通道中移動，其中該閂桿包含一限位部，該閂桿係配置成穿過該自行車管體部件的一槽，該限位部係配置成可插入在該槽中藉以限制該閂桿與該鎖舌組件之移動。
如請求項1的無鑰匙閂鎖結構，其中該閂桿係配置成可在該槽中移動，藉以帶動該鎖舌組件在該可運動方向移動。
如請求項2的無鑰匙閂鎖結構，其中該閂桿係配置成沿該通道延伸方向往外移動後，該限位部可從該槽中脫離，藉以允許該閂桿能在該槽中移動。
如請求項2的無鑰匙閂鎖結構，其中該閂桿係配置成可旋轉，該限位部係配置成從該槽中脫離且旋轉後無法插入在該槽中。
如請求項2的無鑰匙閂鎖結構，其中該限位部係為在該閂桿的一延伸凸部。
如請求項5的無鑰匙閂鎖結構，其中該延伸凸部之輪廓大約匹配於該槽之輪廓。
如請求項1的無鑰匙閂鎖結構，其中該鎖舌組件更包含一旋轉軸，該旋轉軸係裝設在該基部，該鎖舌係一滾輪，可旋轉地裝設在該旋轉軸上。
如請求項1的無鑰匙閂鎖結構，其中該鎖舌係配置成可在該可運動方向提供一向外抵接力。
如請求項1的無鑰匙閂鎖結構，其中該鎖舌組件之該可運動方向與該閂桿通道之該通道延伸方向於空間中形成大致相互垂直的關係。
一種使用無鑰匙閂鎖結構裝配電源之自行車，包含：<br/>一自行車管體部件；<br/>一自行車電池組，裝設於該自行車管體部件；以及<br/>如請求項1所述之無鑰匙閂鎖結構，裝設於該自行車管體部件，其中該無鑰匙閂鎖結構之該鎖舌組件之該鎖舌係用以抵靠該自行車電池組，以使該鎖舌組件鎖住該自行車電池組。
如請求項10的自行車，其中該自行車管體部件係自行車下管，該自行車電池組係裝設於該自行車下管之底側，該無鑰匙閂鎖結構係裝設於該自行車下管之管內周圍。
如請求項11的自行車，更包含：<br/>一電池安裝座，係裝設在該自行車下管相對於該無鑰匙閂鎖結構的另一側，該電池安裝座與該無鑰匙閂鎖結構分別與該自行車電池組結合，透過該無鑰匙閂鎖結構將該自行車電池組鎖固於該自行車下管，或從該自行車下管解鎖。
一種雙向盲插供電與資料傳輸裝置，包含： <br/>一第一連接埠，該第一連接埠具有一雙第一子連接埠； <br/>一第二連接埠，該第二連接埠具有一雙第二子連接埠； <br/>一記憶裝置連接介面； <br/>一第一主控制單元，分別與該第一連接埠、該第二連接埠、及該記憶裝置連接介面連接；以及 <br/>一雙向供電控制單元，該雙向供電控制單元與該第一主控制單元連接，且分別接收該第一連接埠的通道設置信號及該第二連接埠的通道設置信號；其中 <br/>當該記憶裝置連接介面連接一記憶裝置，且該第一連接埠連接一移動通信裝置或一供電裝置中的任一個，且該第二連接埠連接另一移動通信裝置或另一供電裝置中的任一個時，該雙向供電控制單元根據該第一連接埠的該通道設置信號及該第二連接埠的該通道設置信號控制該第一主控制單元，以控制該供電裝置對該記憶裝置及該另一移動通信裝置進行供電、該移動通信裝置對該記憶裝置進行資料存取且該另一移動通信裝置對該記憶裝置與該移動通信裝置進行供電、該另一移動通信裝置對該記憶裝置進行資料存取且該移動通信裝置對該記憶裝置與該另一移動通信裝置進行供電、或該另一供電裝置對該記憶裝置及該移動通信裝置進行供電。
一種雙向盲插供電與資料傳輸裝置，包含： <br/>一第一連接埠，該第一連接埠具有一雙第一子連接埠； <br/>一第二連接埠，該第二連接埠具有一雙第二子連接埠； <br/>一記憶裝置連接介面； <br/>一第一主控制單元，分別與該第一連接埠、該第二連接埠、及該記憶裝置連接介面連接；以及 <br/>一雙向供電控制單元，該雙向供電控制單元與該第一主控制單元連接，且分別接收該第一連接埠的通道設置信號及該第二連接埠的通道設置信號；其中 <br/>當該記憶裝置連接介面連接一記憶裝置，且僅有一供電裝置連接該第一連接埠或該第二連接埠中的任一個時，該雙向供電控制單元根據該第一連接埠的該通道設置信號及該第二連接埠的該通道設置信號控制該第一主控制單元，以控制該供電裝置對該記憶裝置進行供電。
一種雙向盲插供電與資料傳輸裝置，包含： <br/>一第一連接埠，該第一連接埠具有一雙第一子連接埠； <br/>一第二連接埠，該第二連接埠具有一雙第二子連接埠； <br/>一記憶裝置連接介面； <br/>一第一主控制單元，分別與該第一連接埠、該第二連接埠、及該記憶裝置連接介面連接；以及 <br/>一雙向供電控制單元，該雙向供電控制單元與該第一主控制單元連接，且分別接收該第一連接埠的通道設置信號及該第二連接埠的通道設置信號；其中 <br/>當該記憶裝置連接介面連接一記憶裝置，且僅有一移動通信裝置連接該第一連接埠或該第二連接埠中的任一個時，該雙向供電控制單元根據該第一連接埠的該通道設置信號及該第二連接埠的該通道設置信號控制該第一主控制單元，以控制該移動通信裝置對該記憶裝置進行供電或/及資料存取。
一種雙向盲插供電與資料傳輸裝置，包含： <br/>一第一連接埠，該第一連接埠具有一雙第一子連接埠； <br/>一第二連接埠，該第二連接埠具有一雙第二子連接埠； <br/>一記憶裝置連接介面； <br/>一第一信號選擇器，該第一信號選擇器的一端連接該第一連接埠； <br/>一第二信號選擇器，該第二信號選擇器的一端連接該第二連接埠； <br/>一第二主控制單元，具有一左一子連接埠及一右一子連接埠，該第二主控制單元與該記憶裝置連接介面連接，該第二主控制單元的該左一子連接埠與該第一信號選擇器的另一端連接，該第二主控制單元的該右一子連接埠與該第二信號選擇器的另一端連接；以及 <br/>一雙向供電控制單元，該雙向供電控制單元與該第二主控制單元、該第一連接埠、該第二連接埠、該第一信號選擇器、及該第二信號選擇器連接，且分別接收該第一連接埠的通道設置信號及該第二連接埠的通道設置信號，以據以控制該第一信號選擇器使得該第二主控制單元的該左一子連接埠可選擇的與該第一連接埠的該雙第一子連接埠中的任一第一子連接埠連接，以及控制該第二信號選擇器使得該第二主控制單元的該右一子連接埠可選擇的與該第二連接埠的該雙第二子連接埠中的任一第二子連接埠連接；其中 <br/>當該記憶裝置連接介面連接一記憶裝置，且該第一連接埠連接一移動通信裝置或一供電裝置中的任一個，且該第二連接埠連接另一移動通信裝置或另一供電裝置中的任一個時，該雙向供電控制單元根據該第一連接埠的該通道設置信號及該第二連接埠的該通道設置信號控制該第二主控制單元，以控制該供電裝置對該記憶裝置及該另一移動通信裝置進行供電、該移動通信裝置進行資料存取且該另一移動通信裝置對該記憶裝置與該移動通信裝置進行供電、該另一移動通信裝置對該記憶裝置進行資料存取且該移動通信裝置對該記憶裝置與該另一移動通信裝置進行供電、或該另一供電裝置對該記憶裝置及該移動通信裝置進行供電。
一種雙向盲插供電與資料傳輸裝置，包含： <br/>一第一連接埠，該第一連接埠具有一雙第一子連接埠； <br/>一第二連接埠，該第二連接埠具有一雙第二子連接埠； <br/>一記憶裝置連接介面； <br/>一第一信號選擇器，該第一信號選擇器的一端連接該第一連接埠； <br/>一第二信號選擇器，該第二信號選擇器的一端連接該第二連接埠； <br/>一第二主控制單元，具有一左一子連接埠及一右一子連接埠，該第二主控制單元與該記憶裝置連接介面連接，該第二主控制單元的該左一子連接埠與該第一信號選擇器的另一端連接，該第二主控制單元的該右一子連接埠與該第二信號選擇器的另一端連接；以及 <br/>一雙向供電控制單元，該雙向供電控制單元與該第二主控制單元、該第一連接埠、該第二連接埠、該第一信號選擇器、及該第二信號選擇器連接，且分別接收該第一連接埠的通道設置信號及該第二連接埠的通道設置信號，以據以控制該第一信號選擇器使得該第二主控制單元的該左一子連接埠可選擇的與該第一連接埠的該雙第一子連接埠中的任一第一子連接埠連接，以及控制該第二信號選擇器使得該第二主控制單元的該右一子連接埠可選擇的與該第二連接埠的該雙第二子連接埠中的任一第二子連接埠連接；其中 <br/>當該記憶裝置連接介面連接一記憶裝置，且僅有一供電裝置連接該第一連接埠或該第二連接埠中的任一個時，該雙向供電控制單元根據該第一連接埠的該通道設置信號及該第二連接埠的該通道設置信號控制該第二主控制單元，以控制該供電裝置對該記憶裝置進行供電。
一種雙向盲插供電與資料傳輸裝置，包含： <br/>一第一連接埠，該第一連接埠具有一雙第一子連接埠； <br/>一第二連接埠，該第二連接埠具有一雙第二子連接埠； <br/>一記憶裝置連接介面； <br/>一第一信號選擇器，該第一信號選擇器的一端連接該第一連接埠； <br/>一第二信號選擇器，該第二信號選擇器的一端連接該第二連接埠； <br/>一第二主控制單元，具有一左一子連接埠及一右一子連接埠，該第二主控制單元與該記憶裝置連接介面連接，該第二主控制單元的該左一子連接埠與該第一信號選擇器的另一端連接，該第二主控制單元的該右一子連接埠與該第二信號選擇器的另一端連接；以及 <br/>一雙向供電控制單元，該雙向供電控制單元與該第二主控制單元、該第一連接埠、該第二連接埠、該第一信號選擇器、及該第二信號選擇器連接，且分別接收該第一連接埠的通道設置信號及該第二連接埠的通道設置信號，以據以控制該第一信號選擇器使得該第二主控制單元的該左一子連接埠可選擇的與該第一連接埠的該雙第一子連接埠中的任一第一子連接埠連接，以及控制該第二信號選擇器使得該第二主控制單元的該右一子連接埠可選擇的與該第二連接埠的該雙第二子連接埠中的任一第二子連接埠連接；其中 <br/>當該記憶裝置連接介面連接一記憶裝置，且僅有一移動通信裝置連接該第一連接埠或該第二連接埠中的任一個時，該雙向供電控制單元根據該第一連接埠的該通道設置信號及該第二連接埠的該通道設置信號控制該第二主控制單元，以控制該移動通信裝置對該記憶裝置進行供電或/及資料存取。
一種雙向盲插供電與資料傳輸裝置，包含： <br/>一第一連接埠，該第一連接埠具有一雙第一子連接埠； <br/>一第二連接埠，該第二連接埠僅具有一第二子連接埠； <br/>一記憶裝置連接介面； <br/>一第一信號選擇器，該第一信號選擇器的一端連接該第一連接埠； <br/>一第二主控制單元，分別與該第二連接埠、該記憶裝置連接介面、及該第一信號選擇器的另一端連接；以及 <br/>一雙向供電控制單元，該雙向供電控制單元與該第二主控制單元連接，且分別接收該第一連接埠的通道設置信號及該第二連接埠的通道設置信號；其中 <br/>當該記憶裝置連接介面連接一記憶裝置，且該第一連接埠連接一移動通信裝置或一供電裝置中的任一個，且該第二連接埠連接另一移動通信裝置或另一供電裝置中的任一個時，該雙向供電控制單元根據該第一連接埠的該通道設置信號及該第二連接埠的該通道設置信號控制該第二主控制單元，以控制該供電裝置對該記憶裝置及該另一移動通信裝置進行供電、該移動通信裝置對該記憶裝置進行資料存取且該另一移動通信裝置對該記憶裝置與該移動通信裝置進行供電、該另一移動通信裝置對該記憶裝置進行資料存取且該移動通信裝置對該記憶裝置與該另一移動通信裝置進行供電、或該另一供電裝置對該記憶裝置及該移動通信裝置進行供電。
一種雙向盲插供電與資料傳輸裝置，包含： <br/>一第一連接埠，該第一連接埠具有一雙第一子連接埠； <br/>一第二連接埠，該第二連接埠僅具有一第二子連接埠； <br/>一記憶裝置連接介面； <br/>一第一信號選擇器，該第一信號選擇器的一端連接該第一連接埠； <br/>一第二主控制單元，分別與該第二連接埠、該記憶裝置連接介面、及該第一信號選擇器的另一端連接；以及 <br/>一雙向供電控制單元，該雙向供電控制單元與該第二主控制單元連接，且分別接收該第一連接埠的通道設置信號及該第二連接埠的通道設置信號；其中 <br/>當該記憶裝置連接介面連接一記憶裝置，且僅有一供電裝置連接該第一連接埠或該第二連接埠中的任一個時，該雙向供電控制單元根據該第一連接埠的該通道設置信號及該第二連接埠的該通道設置信號控制該第二主控制單元，以控制該供電裝置對該記憶裝置進行供電。
一種雙向盲插供電與資料傳輸裝置，包含： <br/>一第一連接埠，該第一連接埠具有一雙第一子連接埠； <br/>一第二連接埠，該第二連接埠僅具有一第二子連接埠； <br/>一記憶裝置連接介面； <br/>一第一信號選擇器，該第一信號選擇器的一端連接該第一連接埠； <br/>一第二主控制單元，分別與該第二連接埠、該記憶裝置連接介面、及該第一信號選擇器的另一端連接；以及 <br/>一雙向供電控制單元，該雙向供電控制單元與該第二主控制單元連接，且分別接收該第一連接埠的通道設置信號及該第二連接埠的通道設置信號；其中 <br/>當該記憶裝置連接介面連接一記憶裝置，且僅有一移動通信裝置連接該第一連接埠或該第二連接埠中的任一個時，該雙向供電控制單元根據該第一連接埠的該通道設置信號及該第二連接埠的該通道設置信號控制該第二主控制單元，以控制該移動通信裝置對該記憶裝置進行供電或/及資料存取。
一種雙向盲插供電與資料傳輸裝置，包含： <br/>一第一連接埠，該第一連接埠具有一第一子連接埠； <br/>一第二連接埠，該第二連接埠僅具有一第二子連接埠； <br/>一記憶裝置連接介面； <br/>一第二主控制單元，分別與該第一連接埠、第二連接埠、及該記憶裝置連接介面連接；以及 <br/>一雙向供電控制單元，該雙向供電控制單元與該第二主控制單元連接，且分別接收該第一連接埠的通道設置信號及該第二連接埠的通道設置信號；其中 <br/>當該記憶裝置連接介面連接一記憶裝置，且該第一連接埠連接一移動通信裝置或一供電裝置中的任一個，且該第二連接埠連接另一移動通信裝置或另一供電裝置中的任一個時，該雙向供電控制單元根據該第一連接埠的該通道設置信號及該第二連接埠的該通道設置信號控制該第二主控制單元，以控制該供電裝置對該記憶裝置及該另一移動通信裝置進行供電、該移動通信裝置對該記憶裝置進行資料存取且該另一移動通信裝置對該記憶裝置與該移動通信裝置進行供電、該另一移動通信裝置對該記憶裝置進行資料存取且該移動通信裝置對該記憶裝置與該另一移動通信裝置進行供電、或該另一供電裝置對該記憶裝置及該移動通信裝置進行供電。
一種雙向盲插供電與資料傳輸裝置，包含： <br/>一第一連接埠，該第一連接埠具有一第一子連接埠； <br/>一第二連接埠，該第二連接埠僅具有一第二子連接埠； <br/>一記憶裝置連接介面； <br/>一第二主控制單元，分別與該第一連接埠、第二連接埠、及該記憶裝置連接介面連接；以及 <br/>一雙向供電控制單元，該雙向供電控制單元與該第二主控制單元連接，且分別接收該第一連接埠的通道設置信號及該第二連接埠的通道設置信號；其中 <br/>當該記憶裝置連接介面連接一記憶裝置，且僅有一供電裝置連接該第一連接埠或該第二連接埠中的任一個時，該雙向供電控制單元根據該第一連接埠的該通道設置信號及該第二連接埠的該通道設置信號控制該第二主控制單元，以控制該供電裝置對該記憶裝置進行供電。
一種雙向盲插供電與資料傳輸裝置，包含： <br/>一第一連接埠，該第一連接埠具有一第一子連接埠； <br/>一第二連接埠，該第二連接埠僅具有一第二子連接埠； <br/>一記憶裝置連接介面； <br/>一第二主控制單元，分別與該第一連接埠、第二連接埠、及該記憶裝置連接介面連接；以及 <br/>一雙向供電控制單元，該雙向供電控制單元與該第二主控制單元連接，且分別接收該第一連接埠的通道設置信號及該第二連接埠的通道設置信號；其中 <br/>當該記憶裝置連接介面連接一記憶裝置，且僅有一移動通信裝置連接該第一連接埠或該第二連接埠中的任一個時，該雙向供電控制單元根據該第一連接埠的該通道設置信號及該第二連接埠的該通道設置信號控制該第二主控制單元，以控制該移動通信裝置對該記憶裝置進行供電或/及資料存取。
如請求項1至3中任何一項所述的雙向盲插供電與資料傳輸裝置，其中 <br/>該第一主控制單元還包含：串聯連接的一第一開關及一第二開關，該串聯連接的一第一開關及一第二開關的兩端分別連接到該第一連接埠中的電源端子與該第二連接埠中的電源端子； <br/>該雙向供電控制單元根據該第一連接埠的該通道設置信號控制該第一開關的導通，並根據該第二連接埠的該通道設置信號控制該第二開關的導通。
如請求項4至12中任何一項所述的雙向盲插供電與資料傳輸裝置，其中 <br/>該第二主控制單元還包含：串聯連接的一第一開關及一第二開關，該串聯連接的一第一開關及一第二開關的兩端分別連接到該第一連接埠中的電源端子與該第二連接埠中的電源端子； <br/>該雙向供電控制單元根據該第一連接埠的該通道設置信號控制該第一開關的導通，並根據該第二連接埠的該通道設置信號控制該第二開關的導通。
如請求項1所述的雙向盲插供電與資料傳輸裝置，其中 <br/>該雙向供電控制單元根據該第一連接埠的該通道設置信號與該第二連接埠的該通道設置信號產生並輸出一連接埠狀態至該第一主控制單元，該連接埠狀態包含：該第一連接埠是否有該移動通信裝置或該供電裝置連接、該第二連接埠是否有該移動通信裝置或該供電裝置連接、以及已連接所述移動通信裝置或所述供電裝置的該第一連接埠與該第二連接埠二者連接的時間順序。
如請求項4、7、10中任何一項所述的雙向盲插供電與資料傳輸裝置，其中 <br/>該雙向供電控制單元根據該第一連接埠的該通道設置信號與該第二連接埠的該通道設置信號產生並輸出一連接埠狀態至該第二主控制單元，該連接埠狀態包含：該第一連接埠是否有該移動通信裝置或該供電裝置連接、該第二連接埠是否有該移動通信裝置或該供電裝置連接、以及已連接所述移動通信裝置或所述供電裝置的該第一連接埠與該第二連接埠二者連接的時間順序。
如請求項1至12中任何一項所述的雙向盲插供電與資料傳輸裝置，其中 <br/>該雙向盲插供電與資料傳輸裝置與該記憶裝置係共同被設置於一殼體內，該第一連接埠及該第二連接埠皆外露於該殼體的表面，該殼體的一下表面係對稱的設置有複數個永久磁鐵，且該複數個永久磁鐵的共同輪廓形成一圓環的一部份。
如請求項1至3中任何一項所述的雙向盲插供電與資料傳輸裝置，其中 <br/>該記憶裝置連接介面可為該第一主控制單元的一部份。
如請求項4至12中任何一項所述的雙向盲插供電與資料傳輸裝置，其中 <br/>該記憶裝置連接介面為該第二主控制單元的一部份。
如請求項1、4、7、10中任何一項所述的雙向盲插供電與資料傳輸裝置，其中 當該移動通信裝置與該第一連接埠的連接早於該另一該移動通信裝置與該第二連接埠的連接，該移動通信裝置對該記憶裝置進行供電或/及資料存取且該另一該移動通信裝置對該記憶裝置與該移動通信裝置進行供電； <br/>當該另一該移動通信裝置與該第二連接埠的連接早於該移動通信裝置與該第一連接埠的連接，該另一該移動通信裝置對該記憶裝置進行供電或/及資料存取且該移動通信裝置對該記憶裝置與該另一移動通信裝置進行供電。
一種雙向盲插供電與資料傳輸裝置的控制器，包含： <br/>一主控制單元，該主控制單元係用以與一第一連接埠、一第二連接埠、及一記憶裝置連接介面連接； <br/>一雙向供電控制單元，該雙向供電控制單元與該主控制單元連接，且該雙向供電控制單元係用以分別接收該第一連接埠的通道設置信號及該第二連接埠的通道設置信號；其中 <br/>該記憶裝置連接介面係用以連接一記憶裝置，該第一連接埠係用以連接一移動通信裝置或一供電裝置，且該第二連接埠係用以連接另一移動通信裝置或另一供電裝置；其中 <br/>該主控制單元還包含：串聯連接的一第一開關及一第二開關，該串聯連接的一第一開關及一第二開關的兩端分別用以連接到該第一連接埠中的電源端子與該第二連接埠中的電源端子； <br/>當該第一連接埠連接該移動通信裝置或該供電裝置時，該雙向供電控制單元可根據該第一連接埠的該通道設置信號控制該第一開關的導通； <br/>當該第二連接埠連接該另一移動通信裝置或該另一供電裝置時，該雙向供電控制單元可根據該第二連接埠的該通道設置信號控制該第二開關的導通。
如請求項21所述的雙向盲插供電與資料傳輸裝置的控制器，其中 <br/>當僅有該第一連接埠連接該移動通信裝置或該供電裝置時，該雙向供電控制單元可根據該第一連接埠的該通道設置信號產生並輸出一連接埠狀態至該主控制單元，該連接埠狀態包含：該第一連接埠是否有該移動通信裝置或該供電裝置連接。
如請求項21所述的雙向盲插供電與資料傳輸裝置的控制器，其中 <br/>當僅有該第二連接埠連接該移動通信裝置或該供電裝置時，該雙向供電控制單元可根據該第二連接埠的該通道設置信號產生並輸出一連接埠狀態至該主控制單元，該連接埠狀態包含：該第二連接埠是否有該另一移動通信裝置或該另一供電裝置連接。
如請求項21所述的雙向盲插供電與資料傳輸裝置的控制器，其中 <br/>當該第一連接埠連接該移動通信裝置或該供電裝置，且該第二連接埠連接該另一移動通信裝置或該另一供電裝置時，該雙向供電控制單元可根據該第一連接埠及該第二連接埠的該通道設置信號產生並輸出一連接埠狀態至該主控制單元，該連接埠狀態包含：該第一連接埠是否有該移動通信裝置或該供電裝置連接、該第二連接埠是否有該另一移動通信裝置或該另一供電裝置連接、以及已連接所述移動通信裝置或所述供電裝置的該第一連接埠與該第二連接埠二者連接的時間順序。
如請求項21所述的雙向盲插供電與資料傳輸裝置的控制器，其中該主控制單元及該雙向供電控制單元係被整合在一芯片中。
如請求項21所述的雙向盲插供電與資料傳輸裝置的控制器，其中該記憶裝置連接介面可為該主控制單元的一部份。
一種貨幣驗證設備，包含： <br/>一容器，界定一貨幣儲存區域； <br/>一面額鑒別器，與該貨幣儲存區域介接，該面額鑒別器，包含： <br/>一開槽入口，用於接收一貨幣； <br/>一感測器，用於感測經由該開槽入口所接收之該貨幣的一物理特徵； <br/>一處理器，連接該面額鑒別器；及 <br/>一儲存器裝置，連接該處理器，儲存該貨幣的該物理特徵與一可接受的面額尺寸參數及一電腦程式代碼指令，更包含一裝置控制器； <br/>其中，當電腦程式碼指令於該處理器執行時，該裝置控制器根據該物理特徵與該可接受的面額尺寸參數，比對所接收之該貨幣，與比對不符合時，該面額鑒別器拒絕該貨幣；與比對符合時，裝置控制器根據該物理特徵或該可接受的面額尺寸參數，判定該貨幣之一面額，儲存器裝置儲存該面額，裝置控制器透過移動通訊裝置接口將該面額傳輸到一移動通訊裝置。
如請求項1所述的貨幣驗證設備，其中該感測器包含一圖像感測器，用於擷取所接收之該貨幣的一圖像數據，該圖像數據用於驗證該面額。
如請求項1所述的貨幣驗證設備，其中該移動通訊裝置包含一內建的或一後向的一圖像感測器，該內建的該圖像感測器朝向該開槽入口定向以捕獲通過該開槽入口插入的該貨幣的一圖像數據。
如請求項3所述的貨幣驗證設備，其中該移動通訊裝置包含： <br/>一數位顯示器，用於顯示圖形用戶介面； <br/>該移動通訊裝置的一處理器；及 <br/>該移動通訊裝置的一儲存器裝置，連接該數位顯示器與該移動通訊裝置的該處理器，儲存一應用程式碼指令，包含一應用控制器； <br/>其中，當該應用程式碼指令於該移動通訊裝置的該處理器執行時，該應用控制器根據該圖像數據，辨識該貨幣之一視覺特徵，當該圖像數據未符合該視覺特徵時，該面額鑑別器拒絕該貨幣。
如請求項4所述的貨幣驗證設備，其中該移動通訊裝置更包含一廣域網路數據接口，用於透過一廣域網路發送和接收數據。
如請求項5所述的貨幣驗證設備，其中該廣域網路為Bluetooth、Wi-Fi或GSM。
如請求項5所述的貨幣驗證設備，其中該移動通訊裝置根據該視覺特徵辨識該貨幣的一序列號，該移動通訊裝置利用該廣域網路傳送該面額或該序列號至一遠端伺服器。
如請求項5所述的貨幣驗證設備，其中該移動通訊裝置更包含一GPS接收器，用於確定該移動通訊裝置之位置，並限制該貨幣驗證設備的一可操作位置。
如請求項1所述的貨幣驗證設備，更包含一蓋子，鎖定於該面額鑒別器上方，其中該裝置控制器被配置用於在與該移動通訊裝置通訊時允許解鎖該蓋子。
如請求項9所述的貨幣驗證設備，其中該蓋子包含支撐在一桿的一遠端處的一罩蓋，該桿可滑動地接合在該貨幣驗證設備的一主體。
如請求項7所述的貨幣驗證設備，其中該視覺特徵為形狀、尺寸、顏色或字母數字值。
如請求項11所述的貨幣驗證設備，其中該應用控制器包含一圖像處理控制器，用於辨識所接收該貨幣之該視覺特徵，及使用圖像處理辨識該視覺特徵所接收該貨幣的該面額。
如請求項12所述的貨幣驗證設備，其中該圖像處理控制器包含一圖像辨識控制器，用於辨識所接收的該貨幣的該視覺特徵。
如請求項13所述的貨幣驗證設備，其中該圖像辨識控制器用於辨識所接收該貨幣之該面額的該字母數字值。
如請求項5所述的貨幣驗證設備，更包含一觀察口，該移動通訊裝置後向的該圖像感測器透過該觀察口捕獲通過該面額鑒別器的該貨幣的該圖像數據。
如請求項15所述的貨幣驗證設備，其中該移動通訊裝置為內置於該貨幣驗證設備。
如請求項15所述的貨幣驗證設備，更包含一支架，用於接合移動通訊裝置。
如請求項17所述的貨幣驗證設備，其中該支架包含一頂部托架與一底部托架，該移動通訊裝置之對應上邊緣與下邊緣接合在該頂部托架與該底部托架之間。
如請求項1所述的貨幣驗證設備，其中該可接受的面額尺寸參數包含一紙幣之長度或厚度，或一硬幣之長度或厚度。
如請求項1所述的貨幣驗證設備，其中該開槽入口用於接收一紙幣與一硬幣。
如請求項20所述的貨幣驗證設備，其中該開槽入口包含： <br/>一單獨開槽入口，用於接收該紙幣；及 <br/>複數投幣口，用於獲取不同該面額的該硬幣。
如請求項1所述的貨幣驗證設備，更包含一信用卡凹口，用於接收非接觸式卡片支付。
如請求項1所述的貨幣驗證設備，其中該感測器包含沿著該開槽入口的一中斷感測器，該裝置控制器根據該中斷感測器所感測哪些被中斷來檢測該面額。
如請求項23所述的貨幣驗證設備，其中該中斷感測器包含一中心中斷感測器與一橫向中斷感測器；其中，當該中心中斷感測器感測中斷而該橫向中斷感測器感測未中斷時，該裝置控制器檢測為一硬幣插入，當橫向中斷感測器感測中斷時，該裝置控制器檢測為一紙幣插入。
如請求項24所述的貨幣驗證設備，其中該面額鑒別器更包含一滾輪與一旋轉變換器，該旋轉變換器可操作地耦合到該滾輪；其中，該裝置控制器使用該旋轉變換器確定通過該開槽入口插入的該貨幣的長度並且根據該長度確定該面額。
如請求項25所述的貨幣驗證設備，其中該旋轉變換器包含一磁性感測器或一光學感測器，該感測器用於感測相鄰的一圓盤，該圓盤耦接於該滾輪。
如請求項25或26所述的貨幣驗證設備，更包含一位移變換器，與該滾輪連接，以量測透過該開槽入口插入的該貨幣的厚度；其中，裝置控制器被配置用於根據該位移變換器所量測之位移，判定所插入的該貨幣的厚度，厚度用於識別該貨幣的該面額。
一種貨幣驗證系統，包含： <br/>一如請求項4所述的該貨幣驗證設備； <br/>一廣域網路，連接該移動通訊裝置；及 <br/>一遠端伺服器，連接該廣域網路； <br/>其中，當該電腦程式碼指令執行於該處理器時，經由一廣域網路數據接口，傳輸該面額與一序列號其中之一至該遠端伺服器，該遠端伺服器用於將該面額記錄至一捐贈者個人資料，或驗證該序列號以檢測一偽鈔。
一種自行車轉向止擋環(400)，其為環狀並具有一環狀軸線，包含至少二個向外凸出的凸肋(401)，該凸肋(401)適於與一容納元件(500)徑向固定耦接；至少一個檔位凸塊(402)連接至該自行車轉向止擋環(400)，其適於與一旋轉元件(600)接觸以限制該旋轉元件(600)之轉動，該旋轉元件(600)配置用以與自行車前叉同步轉動。
依據申請專利範圍第1項所述之自行車轉向止擋環(400)，其中該容納元件(500)係為一頭碗組碗體或車架頭管(201)。
依據申請專利範圍第1項所述之自行車轉向止擋環(400)，其中該凸肋(401)係環繞該環狀軸線配置，以與形成於該容納元件(500)內之凹陷(501)提供適當之配合。
依據申請專利範圍第1項所述之自行車轉向止擋環(400)，其中該檔位凸塊(402)具有至少一表面，該表面配置用以與該旋轉元件(600)之轉動嚙合特徵(601)進行圓周接觸。
依據申請專利範圍第1項所述之自行車轉向止擋環(400)，其中該環之材料係為金屬。
依據申請專利範圍第1項所述之自行車轉向止擋環(400)，其中該檔位凸塊(402)根據系統之必要配置而軸向或徑向向內定向。
一種自行車頭碗組(100)，其至少包含：依據申請專利範圍第1項所述之自行車轉向止擋環(400)；以及一培林(700)，該培林(700)係容置於該容納元件(500)內，且與該自行車轉向止擋環(400)同軸設置。
一種纖維增強結晶型熱塑複合材料提升結晶均勻性的製造設備，其依序由鄰近設置且以連續纖維連接之：<br/> 一導絲展紗單元，用以將多束之一連續纖維橫向展紗並平整導入後續單元；<br/> 一靜電噴塗單元，用以將粒徑較小、熔點較高之一結晶核粉體靜電噴塗於展紗後該連續纖維表面；<br/> 一第一加熱單元，以熱風或輻射加熱包含有該結晶核粉體的該連續纖維，使該結晶核粉體固定於該連續纖維上；<br/> 一流體化床粉體槽單元，用以將粒徑較大、熔點較低之一熱塑性樹脂粉體流體化後，使導入之該連續纖維含浸該熱塑性樹脂粉體；該結晶核粉體之粒徑小於該熱塑性樹脂粉體，且熔點高於該熱塑性樹脂粉體至少20°C；<br/> 一第二加熱單元，以熱風或輻射加熱至該熱塑性樹脂粉體熔點以上；<br/><b>一</b>雙鋼帶成型單元，用以使該熱塑性樹脂粉體的熔融、壓合、誘導結晶與冷卻成型；以及<br/> 一引取收捲單元，用以將出料後該連續纖維複合材料以張力控制引取並收捲。
如請求項1所述的纖維增強結晶型熱塑複合材料提升結晶均勻性的製造設備，其中：該結晶核粉體與熱塑性樹脂粉體包含不同粒徑與熔點之聚芳醚酮系列材料；以及該連續纖維包含碳纖維及/或玻璃纖維。
如請求項1所述的纖維增強結晶型熱塑複合材料提升結晶均勻性的製造設備，其中：該結晶核粉體之粒徑為10~50%之該熱塑性樹脂粉體粒徑。
如請求項1所述的纖維增強結晶型熱塑複合材料提升結晶均勻性的製造設備，其中：該導絲展紗單元及/或該引取收捲單元包含一張力控制模組。
如請求項1所述的纖維增強結晶型熱塑複合材料提升結晶均勻性的製造設備，其中： 該靜電噴塗單元包含一電壓控制模組。
如請求項1所述的纖維增強結晶型熱塑複合材料提升結晶均勻性的製造設備，其中： 該靜電噴塗單元包括一帶靜電電壓之噴槍與一集塵回收系統，並配置於該連續纖維輸送軌跡之兩側。
如請求項1所述的纖維增強結晶型熱塑複合材料提升結晶均勻性的製造設備，其中：該流體化床粉體槽單元包含一槽體與設置於其中的一氣流通入口、一纖維引導架與一粉體循環單元。
如請求項1所述的纖維增強結晶型熱塑複合材料提升結晶均勻性的製造設備，其中： 該結晶核粉體與該熱塑性樹脂粉體比例為總粉體之1：99 ~ 30：70 wt%。
如請求項1所述的纖維增強結晶型熱塑複合材料提升結晶均勻性的製造設備，其中：該結晶核粉體與該熱塑性樹脂粉體為同質材料；以及該結晶核粉體的粒徑介於10~50μm。
如請求項1所述的纖維增強結晶型熱塑複合材料提升結晶均勻性的製造設備，其中： 該雙鋼帶成型單元至少包含一入口熔融區、一中段成核區與一出口冷卻區的多段控溫區域。
如請求項10所述的纖維增強結晶型熱塑複合材料提升結晶均勻性的製造設備，其中：該入口熔融區溫度設定高於該熱塑性樹脂粉體熔點，該中段成核區溫度控制於成核範圍，該出口冷卻區溫度低於該熱塑性樹脂粉體結晶溫度至少50°C。
如請求項10或11所述的纖維增強結晶型熱塑複合材料提升結晶均勻性的製造設備，其中：該雙鋼帶成型單元施加之壓力為50～100Kg/cm<sup>2</sup>，複合材料滯留時間為6~12分鐘。
一種低溫熱裂解裝置，包括：<br/>一入料元件，係供一廢物料進入；<br/>一加熱裝置，係設於該入料元件一側且與其連接，該加熱裝置包含：<br/>一第一階段加熱空間，係供該廢物料進行預熱，使該廢物料達到一第一溫度；<br/>一第二階段加熱空間，係設於該第一階段加熱空間一側且與其連接，並供經過該第一階段加熱空間之廢物料進行最終加熱，使該廢物料達到一大於該第一溫度之第二溫度；<br/>一出料元件，係設於該第二階段加熱空間一側且與其連接，供排出該廢物料；<br/>一冷卻裝置，係設於該出料元件一側且與其連接，供該廢物料進行冷卻，使該廢物料達到一小於或等於該第一溫度之第三溫度；<br/>一氣體供應裝置，係包括至少一入氣元件及一出氣元件，該入氣元件係與該第二階段加熱空間及該冷卻裝置連接，該出氣元件係與該第一階段加熱空間連通；及<br/>一控制裝置，係與該加熱裝置、該冷卻裝置及該氣體供應裝置資訊連結。
如請求項1所述之低溫熱裂解裝置，其中該冷卻裝置係具有一冷卻液進入元件，該冷卻液進入元件一側設有一冷卻空間，該冷卻空間係與該冷卻液進入元件連接，再該冷卻空間一側設有一冷卻液排出元件，該冷卻液排出元件係與該冷卻空間連接。
如請求項1所述之低溫熱裂解裝置，其中該第一階段加熱空間內係設有一第一氧含量感測元件。
如請求項1所述之低溫熱裂解裝置，其中該冷卻裝置內係設有一第二氧含量感測元件。
如請求項1所述之低溫熱裂解裝置，其中該氣體供應裝置係供應非氧化氣體。
如請求項1所述之低溫熱裂解裝置，其中該第一溫度係為150℃~300℃。
如請求項1所述之低溫熱裂解裝置，其中該第二溫度最高為600℃。
如請求項1所述之低溫熱裂解裝置，其中該第三溫度小於或等於150℃。
如請求項1所述之低溫熱裂解裝置，其中該廢物料依序通過該第一階段加熱空間、該第二階段加熱空間至該冷卻裝置所經時間為1小時至2小時。
如請求項1所述之低溫熱裂解裝置，其中該廢物料於進入該第二階段加熱空間前，該廢物料之氧含量係低於1%。
一種利用滑動式鉸鏈快速拆裝的智慧眼鏡，包括： <br/>一鏡框； <br/>二鏡腳，各該鏡腳的一端內側開設一滑槽，該滑槽的頂部具有一第一結合部，該滑槽的底部具有一第一結合部； <br/>二第一鉸鏈，分別設置於該鏡框的二端； <br/>二第二鉸鏈，各該第二鉸鏈包括一本體、二樞接部、二彈片及二第二結合部，該等樞接部設置於該本體的內側並且分別樞設於該等第一鉸鏈，該等彈片設置於該本體的一端並且分別配置於該等滑槽中，該等第二結合部分別設置於該等彈片的一側並且固定於該等第一結合部； <br/>至少一控制裝置，設置於該等鏡腳的至少一者；以及 <br/>至少一電子裝置，設置於該等鏡腳的至少一者，並且電性連接該至少一控制裝置。
如請求項1所述的利用滑動式鉸鏈快速拆裝的智慧眼鏡，其中，各該第一結合部為一通孔或一凹槽，各該第二結合部為一凸塊。
如請求項1所述的利用滑動式鉸鏈快速拆裝的智慧眼鏡，其中，各該第一結合部為一凸塊，各該第二結合部為一通孔或一凹槽。
如請求項2或3所述的利用滑動式鉸鏈快速拆裝的智慧眼鏡，其中，該凸塊呈半球形。
如請求項1所述的利用滑動式鉸鏈快速拆裝的智慧眼鏡，其中，該滑槽的頂部的外側凸設一擋牆，該滑槽的底部的外側凸設一擋牆，各該第二鉸鏈的該等彈片的外側面分別抵靠於該滑槽的該等擋牆的內側面。
如請求項1所述的利用滑動式鉸鏈快速拆裝的智慧眼鏡，進一步包括至少一充電電池及一至少一蓋體，該等鏡腳的至少一者的另一端的頂部開設至少一電池槽，該至少一充電電池設置於該至少一電池槽中並且電性連接該至少一控制裝置，該至少一蓋體封閉該至少一電池槽。
如請求項1所述的利用滑動式鉸鏈快速拆裝的智慧眼鏡，包括複數個控制裝置及複數個電子裝置，該等控制裝置分別設置於該等鏡腳，該等電子裝置分別設置於該等鏡腳並且電性連接該等控制裝置。
如請求項7所述的利用滑動式鉸鏈快速拆裝的智慧眼鏡，其中，該等電子裝置至少包含一影像擷取單元、一光源、一麥克風、一耳機、一揚聲器、一通訊單元及一滑動開關。
一種數位AI生物能量測裝置，其包含有一量測裝置，其中：<br/>所述量測裝置具有一盒體，該盒體凹設有一容室，該容室內置有一長方體之固定棒，所述盒體後面貫通有一連接孔，該固定棒前面黏有一長條狀之數位AI生物能量測IC板，所述固定棒可卡入該容室內防止其上下面晃動，所述固定棒與該容室內側底面間抵住有一傳輸IC板，所述傳輸IC板背面凸設有一連接埠卡入該連接孔，所述傳輸IC板與該數位AI生物能量測IC板連接以傳輸訊號，所述容室內側上下面各黏有一定位塊抵於該固定棒前方，從而限制所述固定棒的前後及上下方，所述盒體前側凹設有一導溝，一蓋體設有一擋板，所述蓋體下移令該擋板卡嵌入該導溝內並擋住該容室前方而封閉所述容室。
一種數位AI生物能量測裝置，其包含有一量測裝置，其中：<br/>所述量測裝置具有一盒體，該盒體凹設有一容室，該容室內置有一長方體之固定棒，所述盒體後面貫通有一連接孔，該固定棒前面黏有一長條狀之數位AI生物能量測IC板，所述固定棒可卡入該容室內防止其上下面晃動，所述固定棒與該容室內側底面間抵住有一傳輸IC板，所述傳輸IC板背面凸設有一連接埠卡入該連接孔，所述傳輸IC板與該數位AI生物能量測IC板連接以傳輸訊號，所述容室內側上面或下面凸設有一定位部抵於該固定棒前方，而所述容室與該定位部相反一面黏有一定位塊抵於該固定棒前方，從而限制所述固定棒的前後及上下方，所述盒體前側凹設有一導溝，一蓋體設有一擋板，所述蓋體下移令該擋板卡嵌入該導溝內並擋住該容室前方而封閉所述容室。
如請求項1或2所述之數位AI生物能量測裝置，其中，所述盒體更開設有至少一卡孔，該傳輸IC板背面設有至少一電子元件卡入該卡孔內，可以進一步固定所述傳輸IC板的位置。
如請求項1或2所述之數位AI生物能量測裝置，其中，所述數位AI生物能量測IC板及該定位塊皆是以一具黏性之黏性物質進行黏著。
如請求項4所述之數位AI生物能量測裝置，其中，所述黏性物質是雙面膠。
如請求項4所述之數位AI生物能量測裝置，其中，所述黏性物質是三秒膠。
如請求項1或2所述之數位AI生物能量測裝置，其中，所述固定棒與該數位AI生物能量測IC板表面纏有一黏著膠帶將二者黏在一起。
如請求項1或2所述之數位AI生物能量測裝置，其中，所述連接埠是供TYPE-C傳輸線接合的規格。
如請求項1或2所述之數位AI生物能量測裝置，其中，所述容室內側底面凹設有一匹配該傳輸IC板形狀之卡固槽，所述傳輸IC板卡嵌於該卡固槽內令所述傳輸IC板不突出該容室內側底面，使所述固定棒的背面平整貼齊該容室內側底面。
如請求項1或2所述之數位AI生物能量測裝置，其中，所述傳輸IC板是呈正八邊形。
如請求項1或2所述之數位AI生物能量測裝置，其中，所述蓋體與該盒體以黏著方式固定。
如請求項1或2所述之數位AI生物能量測裝置，其中，所述固定棒至少二面為平整用以黏上該數位AI生物能量測IC板與抵住該傳輸IC板。
一種鏈條截斷裝置，適用於截斷包含複數個以鏈結軸樞接之鏈目的鏈條，該鏈目由複數個鏈片組成，該鏈結軸於其兩端形成突出部，該鏈條截斷裝置至少包含：<br/>一軌道，其包含一凹槽通道及一排出孔，其中，該凹槽通道之兩內側壁沿長度方向設有複數個電磁鐵單元，該等電磁鐵單元係可透過電力控制，該排出孔係用於供截斷掉落之該鏈結軸排出；<br/>一固定座，其包含一第一槽座，其供該鏈條移動並承載於其中，該第一槽座進一步包含一下軸孔及一第一通道，該下軸孔用於容納被衝擊脫離之該鏈條的鏈結軸，該第一通道則供該鏈條移動時使其該突出部通過，其中，該固定座設置於該軌道的凹槽通道內；<br/>一移動體，可移動地連接設置於該固定座之一端，並設置於該軌道的凹槽通道內，其中，該移動體進一步包含一第二槽座及複數個磁性單元，其中，該第二槽座可容設並供鏈條通過，該等磁性單元固設於該移動體之兩外側壁並間隔排列，其中，該第二槽座進一步包含一定位檔塊、一第二通道及一定位銷，其中，該定位檔塊用於阻擋該鏈條向前移動，該第二通道則供該鏈條的突出部通過，該定位銷則可使鏈條固定在該移動體上，該移動體的該等磁性單元與該軌道的該等電磁鐵單元相互對應，藉由控制該等電磁鐵單元產生磁力與該等磁性單元相互作用，以驅動該移動體於該軌道上帶著鏈條移動；<br/>一固定蓋，其係組合固定於該軌道上方，其更進一步包含一上軸孔，該上軸孔係上下貫穿該固定蓋，且該上軸孔與該固定座之下軸孔的中心線對齊並位於同一軸線上；<br/>一衝擊單元，其組合固定於該固定蓋上方，其主要用於對該鏈條的鏈結軸施加衝擊力，以迫使該鏈結軸脫離該鏈條；及<br/>一控制系統，其可供輸入欲截斷鏈條之參數資訊，並透過控制該等電磁鐵單元將該移動體移動至預定位置，進而控制該衝擊單元精確地衝擊欲截斷鏈條處之該鏈結軸，以完成鏈條截斷作業。
依據請求項1所述之鏈條截斷裝置，其中，該固定座更進一步包含一固定底座，該第一槽座可拆卸組合於該固定底座。
依據請求項1所述之鏈條截斷裝置，其中，該移動體更進一步包含一移動底座，該第二槽座可拆卸組合於該移動底座。
依據請求項1所述之鏈條截斷裝置，其中，該衝擊單元更進一步包含一衝頭，於衝擊作業時，該衝頭穿過該固定蓋的上軸孔，對該鏈結軸施加衝擊力，以完成鏈條截斷作業。
依據請求項1所述之鏈條截斷裝置，其中，該控制系統至少包含一輸入單元、一輸出單元、一感測單元及一處理單元，其中，該輸入單元可供輸入欲截斷鏈條之參數資訊，該輸出單元至少可對該等電磁鐵單元及該衝擊單元輸出訊號並進行控制，該感測單元至少可分別感測該移動體是否已準確移動至定位及感測該鏈結軸於受衝擊後是否脫離該鏈條，該處理單元則根據輸入單元及感測單元之資訊，進行邏輯運算和控制決策。
依據請求項5所述之鏈條截斷裝置，其中，該感測單元進一步包含一物件感測器及一位置感測器，其中，該物件感測器用於感測該鏈結軸於受衝擊後是否脫離該鏈條，該位置感測器用於精確地回饋該移動體的即時位置，該物件感測器及該位置感測器持續將感測資料傳輸至該控制系統。
依據請求項6所述之鏈條截斷裝置，其中，該物件感測器設置於該固定座下軸孔下方出口處，用於偵測被衝擊掉落之該鏈結軸，以判斷截斷作業是否完成並回饋訊號至該控制系統。
依據請求項6所述之鏈條截斷裝置，其中，至少該位置感測器設置於該移動體之外壁上，藉由該移動體移動過程即時偵測移動距離，並將相關資訊回饋給控制系統，直到移動至設定之距離。
依據請求項1所述之鏈條截斷裝置，其中，至少該軌道及該移動體皆由非磁性材料構成。
依據請求項1所述之鏈條截斷裝置，其中，更包括一工作平台，該工作平台至少可將該軌道、該固定座、該移動體、該固定蓋、該衝擊單元及該控制系統整合為一獨立工作站。
一種濾波器，其包含：<br/>一磁性本體，該磁性本體包含一第一繞線空間及一第二繞線空間；<br/>一第一繞線組，該第一繞線組設於該第一繞線空間中；<br/>一第二繞線組，該第二繞線組設於該第二繞線空間中；<br/>一蓋板，該蓋板覆蓋該第一繞線空間，形成封閉磁路；以及<br/>一接腳組，該接腳組包含至少三支接腳，且該第一繞線組與該第二繞線組共用該接腳組中的一支接腳；<br/>其中，該第二繞線空間未被該蓋板覆蓋，形成開放磁路。
如請求項1所述之濾波器，其中該接腳組包含一第一接腳、一第二接腳及一第三接腳，該第三接腳為共用接腳，該第一繞線組分別電性連接該第一接腳與該第三接腳，該第二繞線組分別電性連接該第二接腳與該第三接腳。
如請求項1所述之濾波器，其中該磁性本體包含彼此間隔設置的一第一磁柱、一第二磁柱與一第三磁柱，該些磁柱共同界定了該第一繞線空間與該第二繞線空間。
如請求項1所述之濾波器，其中該磁性本體與該蓋板係由鐵氧體製成。
一種濾波器，其包含：<br/>一磁性本體，該磁性本體包含一第一繞線空間、一第二繞線空間及一第三繞線空間；<br/>一第一繞線組，該第一繞線組設於該第一繞線空間中；<br/>一第二繞線組，該第二繞線組設於該第二繞線空間中；<br/>一第三繞線組，該第三繞線組設於該第三繞線空間中；<br/>複數個蓋板，該複數個蓋板分別覆蓋該第一繞線空間及該第三繞線空間，形成封閉磁路；以及<br/>一接腳組，該接腳組包含複數個接腳，該接腳組設於該磁性本體；其中，該第二繞線空間未被任一該蓋板覆蓋，形成開放磁路。
如請求項5所述之濾波器，其中該磁性本體與該複數個蓋板係由鐵氧體製成。
一種軟氣槍槍口模擬煙霧與火光裝置，係包含:<br/> 一發射通道，係供玩具子彈通過使用；<br/> 一霧化模組，係連結於發射通道，係用來將產生水霧使用；<br/> 以及<br/> 一閃光元件，係連結於發射通道，用以產生模擬火光之閃光。
如請求項1所述之軟氣槍槍口模擬煙霧與火光裝置，其中，霧化模組包含至少一儲水元件，係用來儲存霧化所使用之水源。
如請求項1所述之軟氣槍槍口模擬煙霧與火光裝置，其中，霧化模組包含至少一霧化元件，係用來將儲水元件所儲之水源進行霧化處理。
如請求項1所述之軟氣槍槍口模擬煙霧與火光裝置，其中，包含至少一控制元件，係用以控制霧化模組及閃光元件之啟動。
如請求項4所述之軟氣槍槍口模擬煙霧與火光裝置，其中，該控制元件可用來接收開啟及關閉訊號。
如請求項4所述之軟氣槍槍口模擬煙霧與火光裝置，其中，該控制元件可用來計算及儲存射擊數據。
如請求項1所述之軟氣槍槍口模擬煙霧與火光裝置，其中，包含至少一感應元件，係用來感測玩具子彈之位置。
一種升降座管開閉閥機構，其係包含：<br/> 一座管，具有一滑動腔室；<br/> 一座桿，可相對該座管於該滑動腔室內伸縮，該座桿具有一中空腔室；<br/> 一閥組，設於該座桿內部之該中空腔室內，使該中空腔室形成一第一腔室及一第二腔室，該閥組具有一閥孔與一閥件，該閥件可選擇性地封閉或開啟該閥孔，以控制該第一腔室與該第二腔室之流體導通；及<br/> 一驅動模組，設於該座管底部，並與該閥組連動，該驅動模組包含有一馬達、一轉筒、一滑座及一導筒，其中該轉筒可被該馬達作動，該轉筒上徑向設置一滾柱，且該滑座套設於該轉筒外，又該滑座周緣具有兩相對之凸輪導溝，供該滾柱兩端滑設，又該滑座可設於該導筒內、且限制該滑座轉動，使該滑座僅能沿軸向升降滑移，令該滑座能夠推動一閥桿，該閥桿可選擇性驅動該閥件開閉該閥孔，藉以控制該座桿之伸縮。
如請求項1所述之升降座管開閉閥機構，其中該座管底部設有一底罩，且該底罩與該座管相對端部之內壁分別形成有相反方向之一第一內螺紋段與一第二內螺紋段，而該導筒之外緣分別形成有對應該第一、二內螺紋段之一第一外螺紋段與一第二外螺紋段，以產生雙向緊固作用。
如請求項1所述之升降座管開閉閥機構，其中該閥組可相對該座桿之該中空腔室產生活塞動作，且於該閥桿復位時，藉由一彈性件回復至原始位置以封閉該閥孔。
如請求項1所述之升降座管開閉閥機構，其中該閥桿底部具有一連結段，該連結段固設一頂針，該頂針上具有一對應該滑座之頂部，而該滑座頂部具有一相對之抵頂面，使該閥桿隨該滑座之位移而同步動作。
如請求項1所述之升降座管開閉閥機構，其中該導筒頂端設有一凸部，該凸部周緣設有至少一流道，並於該凸部外緣套設一洩壓墊，該洩壓墊表面具有至少一凸唇，以便於該閥桿動作過程中提供壓力釋放功能。
如請求項5所述之升降座管開閉閥機構，其中該凸部頂面設有一緩衝墊，該緩衝墊供該座桿下壓時承受衝擊，以避免零件磨耗。
如請求項1所述之升降座管開閉閥機構，其中該閥組與該驅動模組間設有一連結管，而該閥桿可於該連結管內滑動。
如請求項1所述之升降座管開閉閥機構，其中該滑座異於該等凸輪導溝的外壁面形成有兩道相對、且軸向延伸之限位導槽，而該導筒內壁面形成有對應該等限位導槽之限位導部，使得該滑座能被該導筒限制轉動、且僅能沿著軸向升降。
如請求項8所述之升降座管開閉閥機構，其中該等限位導槽相對內緣面分別具有複數凸緣部，以減少該滑座與該導筒之接觸面積。
一種液壓裝置，其包括：<br/> 一液壓閥，該液壓閥包括有一閥本體及一控制元件，該閥本體內具有能夠切換液體流向的閥芯，該控制元件設於該閥本體的一側，該控制元件包括有一控制桿，該控制桿能夠帶動閥芯移動；<br/> 一驅動器，該驅動器為伺服馬達，該驅動器設於該液壓閥的頂部，且該驅動器包括有一轉軸；以及<br/> 一連接機構，該連接機構連接於該液壓閥的該控制桿與該驅動器的該轉軸之間，當該轉軸進行有限角度之轉動時，能夠使該控制桿帶動閥芯移動。
如請求項1所述之液壓裝置，其中，該連接機構包括有一曲柄及一連接桿，該曲柄的前端連接於該驅動器的該轉軸，且使該曲柄沿著該轉軸的半徑方向延伸，該連接桿連接於該曲柄的後端與該控制桿之間。
如請求項2所述之液壓裝置，其中，該控制桿具有一樞接端及一外伸端，該控制桿的該樞接端位於該控制元件內且連接於該閥本體內的閥芯，該控制桿的該外伸端位於該控制元件外，且該控制桿能夠相對於該控制元件產生有限角度的樞擺關係，該連接桿的兩端採用萬向頭結構分別連接於該曲柄的後端與該控制桿的該外伸端。
如請求項3所述之液壓裝置，其中，該液壓裝置具有彼此垂直的X軸、Y軸及Z軸，該閥本體包括有一壓力流道、一芯道、一第一工作流道及一第二工作流道，該壓力流道沿著平行於Y軸方向貫穿該閥本體兩端，該芯道沿著平行於X軸方向延伸且與該壓力流道連通，該芯道內具有能夠於該芯道內軸向移動的閥芯，該第一工作流道沿著平行於Z軸方向設於該閥本體底部且連通於該芯道的一端，該第二工作流道沿著平行於Z軸方向設於該閥本體底部且連通於該芯道遠離於該第一工作流道的一端，該閥本體透過閥芯的移動，能夠切換該壓力流道內的液體流入該第一工作流道或流入該第二工作流道。
如請求項4所述之液壓裝置，其中，該控制元件設於該閥本體的一側且連通於該芯道的一端，該控制桿的該外伸端朝向該控制元件的上方延伸，該轉軸的軸心平行於Z軸方向，且該轉軸的軸心與該芯道的軸心垂直但不相交，該曲柄的長度大致上等於該轉軸的軸心與該芯道的軸心之間的距離。
如請求項5所述之液壓裝置，其中，該驅動器透過一固定架而設於該液壓閥的頂部。
如請求項6所述之液壓裝置，其中，該固定架包括有一矩型固定板及設於該固定板底部的複數固定腳，該固定腳固設於該閥本體的頂面，該固定板開設有一安裝孔以供該驅動器的下段穿置於該安裝孔，並使該驅動器的上段螺固於該固定板的頂部，令該驅動器頂部的該轉軸裸露於該固定板的上方。
如請求項7所述之液壓裝置，其中，以X軸及Y軸構成的XY平面來看時，該曲柄的後端與該連接桿的樞接點的移動軌跡大致上在平行於X軸的方向上來回移動，以X軸及Z軸構成的XZ平面來看時，該控制桿的該外伸端與該連接桿的樞接點的移動軌跡大致上在平行於X軸的方向上來回移動。
如請求項1或8所述之液壓裝置，其中，該驅動器耦接一無線通訊單元，且該無線通訊單元能夠接收一遙控器的控制訊號，用以控制該驅動器的該轉軸轉動。
一種遠端遙控扳機系統，其包含：<br/> 一扣扳機裝置，其架設於一槍械之一側，該扣扳機裝置具有相互連接之一動力源及一操控件，該操控件連接該槍械之一扳機；以及<br/> 一遠端控制裝置，其與該扣扳機裝置無線訊號連接，該遠端控制裝置能夠發送一擊發訊號至該扣扳機裝置之該動力源，該動力源根據該擊發訊號帶動該操控件扣動該槍械之該扳機。
如請求項1所述之遠端遙控扳機系統，其中，該遠端控制裝置能夠連續發送該擊發訊號至該扣扳機裝置之該動力源，該動力源依據連續接收之該擊發訊號帶動該操控件連續扣動該扳機。
如請求項1或2所述之遠端遙控扳機系統，其中，該遠端控制裝置具有一操控介面，該操控介面具有一觸控按鍵，該觸控按鍵提供觸發以發送該擊發訊號至該扣扳機裝置之該動力源。
如請求項3所述之遠端遙控扳機系統，其中，該扣扳機裝置更具有一控制器，該控制器與該動力源耦接且能無線訊號連接該遠端控制裝置，該控制器能夠接收該遠端控制裝置所發送之該擊發訊號，以控制該動力源帶動該操控件扣動該槍械之扳機，該控制器將控制結果以無線訊號回傳至該遠端控制裝置。
如請求項4所述之遠端遙控扳機系統，其中，該操控介面能夠顯示由該控制器回傳之操控結果。
如請求項5所述之遠端遙控扳機系統，其中，該扣扳機裝置更具有一基座，該動力源設置於該基座之一側。
如請求項6所述之遠端遙控扳機系統，其中，該扣扳機裝置更具有一支撐桿，該支撐桿之一端連結於該基座，該支撐桿之另一端連接於一射擊腳架，該槍械能夠架設於該射擊腳架。
如請求項7所述之遠端遙控扳機系統，其中，該操控件與該扳機垂直連接。
如請求項5所述之遠端遙控扳機系統，其中，該遠端控制裝置與該扣扳機裝置之間的無線訊號連接為藍牙、Wi-Fi或無線電訊號之一。
如請求項5所述之遠端遙控扳機系統，其中，該動力源為電動馬達、電磁致動器、氣壓缸或液壓缸之一。
一種帶有折疊袋的多功能包，其包括:<br/> 一主包體和一設在該主包體頂面或底面的折疊袋，該主包體的一端與該折疊袋的一端連接，該折疊袋的兩側分別通過一連接件與該主包體的兩側連接，該連接件包括一連接繩和一調節扣，該連接繩的一端與該主包體連接，該連接繩的另一端穿過該調節扣，該調節扣設在該折疊袋上。
如請求項1所述的帶有折疊袋的多功能包，其中該折疊袋包括一第一面料層和一第二面料層，該第一面料層的一端與該主包體頂面或底面的一側連接，該第二面料層的一端與該主包體頂面或底面的另一側連接，該第一面料層的另一端與該第二面料層的另一端連接；該第一面料層、該第二面料層以及該主包體三者之間形成一容置腔室。
如請求項2所述的帶有折疊袋的多功能包，其中該第二面料層上設有一連通該容置腔室和外界的開口，該開口通過一拉鏈封閉。
如請求項2所述的帶有折疊折疊袋的多功能包，其中該第一面料層的兩側寬度逐漸減小並與該調節扣連接。
如請求項2所述的帶有折疊袋的多功能包，其中該第一面料層與該主包體外層面料相同，該第二面料層為網格布料。
一種帶有折疊袋的多功能包，其中包括一主包體和一設在該主包體頂面或底面的折疊袋，該主包體的一端與該折疊袋的一端連接，該折疊袋的兩側分別通過一連接件與該主包體的兩側連接，該連接件包括一連接繩和一調節扣，該連接繩的一端與該折疊袋連接，該連接繩的另一端穿過該調節扣，該調節扣設在該主包體上。
如請求項6所述的帶有折疊袋的多功能包，其中該折疊袋包括一第一面料層和一第二面料層，該第一面料層的一端與該主包體頂面或底面的一側連接，該第二面料層的一端與該主包體頂面或底面的另一側連接，該第一面料層的另一端與該第二面料層的另一端連接；該第一面料層、該第二面料層以及該主包體三者之間形成一容置腔室。
如請求項7所述的帶有折疊袋的多功能包，其中該第二面料層上設有一連通該容置腔室和外界的開口，該開口通過一拉鏈封閉。
如請求項7所述的帶有折疊袋的多功能包，其中該第一面料層的兩側寬度逐漸減小並與一連接繩的一端連接。
如請求項7所述的帶有折疊袋的多功能包，其中該第一面料層與該主包體外層面料相同，該第二面料層為網格布料。
一種油氣混合式升降裝置，包含：<br/> 一外管單元，包括一外管體；<br/> 一內管單元，可與該外管單元相對軸向移動，並包括一穿設於該外管體中的內管體、一安裝在該內管體伸入該外管體之一端的內封塞，及一安裝在該內管體伸出該外管體之一端的內端件，該內封塞、該內端件與該內管體相配合界定出一鄰近該內封塞的液腔室，及一連通該液腔室且與該內封塞相間隔的氣腔室，該液腔室用於容置一液體，該氣腔室用於容置一氣體；<br/> 一活塞單元，設置於該外管單元中並伸入該內管單元，而能與該內管單元相對軸向移動，該活塞單元包括一穿設於該內封塞的活塞桿，及一連接於該活塞桿伸入該內管體之一端的活塞體，該活塞體具有一可移動地塞置於該內管體內的塞塊部，及一由該塞塊部中央朝該內封塞的方向延伸且逐漸傾斜縮束的導柱部，該活塞體將該液腔室分隔成一位於該塞塊部與該內封塞之間的第一液區，及一位於該塞塊部遠離該導柱部之一側的第二液區；及<br/> 一調節單元，包括一軸向穿伸於該活塞體中且可用於控制該第一液區與該第二液區連通與否的閥桿。
如請求項1所述的油氣混合式升降裝置，其中，該活塞體之該導柱部具有一位於遠離該塞塊部之一端且縱剖面呈圓弧面的尾端。
如請求項1或2所述的油氣混合式升降裝置，其中，該活塞體界定出一連通該第一液區與該第二液區且被該閥桿控制開關的液流通道。
如請求項3所述的油氣混合式升降裝置，其中，該液流通道具有一軸向凹設於該塞塊部且通向該第二液區的直通段，及至少一徑向貫穿該導柱部且由該直通段通向該第一液區的橫通段。
如請求項1所述的油氣混合式升降裝置，其中，該活塞單元還包括一套設於該塞塊部外圍且緊密接觸該內管體的外塞墊圈，及數個套設於該活塞體與該調節單元之間的內塞墊圈。
如請求項1所述的油氣混合式升降裝置，其中，該調節單元還包括一軸向穿伸於該活塞桿中且可被驅動而頂推移動該閥桿的推桿。
如請求項1所述的油氣混合式升降裝置，其中，該外管單元還包括一設置於該外管體供該內管體伸入之一端的外套件，及一安裝在該外管體相反於該外套件之一端且連接該活塞桿的外端件。
一種任一側皆可推或拉開啟的組合門，包含：一大框，該大框包含內側形成一大框止檔及一第一受口，及其上側的一第一橫樑；用於承接一門扇的一中框；該門扇的轉動方向為向第二方向轉動，一第一鎖具結合在該中框，該第一鎖具還包含第一把手和連接該中框內的一第一活動舌片，該第一活動舌片伸縮地凸伸出該中框的一側外緣；一第一鉸鏈，該第一鉸鏈一側連接在該大框，該第一鉸鏈另一側連接在中框，該第一鉸鏈安裝為向第一方向轉動；<br/>該第一活動舌片用以活動地結合或離開該第一受口，及該中框活動地結合或離開該大框止檔；<br/>該中框內側形成一中框止檔，其外側延伸一中框護板，該中框護板用以可分離地遮蔽住該大框止檔；<br/>雙向關門器，包含本體、一第一滑臂、一第二滑臂，該本體結合在該中框，該第一滑臂一側活動地結合於該本體，其另一側活動地結合在第一橫樑，該第二滑臂一側活動地結合於該本體，該第二滑臂另一側活動地結合在該門扇。
如請求項1所述的任一側皆可推或拉開啟的組合門，所述的第一把手用以帶動該第一活動舌片活動地結合或離開該第一受口，該第一把手用以驅動該第一活動舌片離開該第一受口，該第一把手拉動該中框離開該大框止檔，形成向第一方向開啟的該中框。
如請求項1所述的任一側皆可推或拉開啟的組合門，還包含第二鉸鏈，該第二鉸鏈一側連接所述中框，該第二鉸鏈另一側連接在該門扇一側，該第二鉸鏈安裝為向第二方向轉動；該中框的內緣還包含一第二受口；該門扇包含一第二鎖具，該第二鎖具還包含一第二把手連接一第二活動舌片伸縮地凸伸出門扇另一側外緣，該第二活動舌片活動地結合或離開該第二受口。
如請求項3所述的任一側皆可推或拉開啟的組合門，所述的第二把手用以驅動該第二活動舌片離開該第二受口，藉此推動該門扇離開該中框止檔，形成向第二方向開啟的門扇。
如請求項3所述的任一側皆可推或拉開啟的組合門，所述的第二把手用以驅動該第二活動舌片凸伸結合該第二受口，所述的門扇和中框結合形成為一體的組合門，操作該第一把手驅動該第一活動舌片離開該第一受口，拉動第一把手帶動門扇及中框一體，形成為向第一方向開啟的該門扇和中框的組合門。
如請求項3所述的任一側皆可推或拉開啟的組合門，還包含一策動鎖組，該策動鎖組包含一第三把手、一第三活動舌片、一滾輪驅動板；該中框還包含一第三受口，該第三把手設于相對于第一把手的該門扇另一側，其連接該第三活動舌片伸縮地凸伸在該門扇一側外緣，該滾輪驅動板一側在中框的該第三受口內共軸連接該第一鎖具的第一把手自由端，該滾輪驅動板另一側為滾輪活動地外伸出該第三受口外，並鄰接在該第三活動舌片一側。
如請求項6所述的任一側皆可推或拉開啟的組合門，該第三把手用以帶動該第三活動舌片凸伸出該門扇外緣，抵壓推動該滾輪連動該滾輪驅動板移動，以驅動該第一活動舌片在中框外緣縮回解鎖，藉此位於門樘第二方向推動該門扇及中框一體離開該大框止檔，形成為向第一方向開啟該中框及門扇的組合門，或鬆開該第三把手，以釋放該第一活動舌片回歸結合在該大框的該第一受口，形成門扇結合中框及大框為一體的複合組合門樘。
如請求項6所述的任一側皆可推或拉開啟的組合門，該第三把手置換為一第三鎖具，該第三鎖具還包含一鎖孔、一鎖匙，該第三鎖具連接該第三活動舌片，該鎖匙用以結合至該鎖孔中，以操作開啟該第三鎖具連動該第三活動舌片。
如請求項3所述的任一側皆可推或拉開啟的組合門，該門扇相對于第二把手一側還包含一第四把手，該第四把手和該第二把手共軸連接，藉此該第四把手連動該第二活動舌片伸縮地凸伸在該門扇外緣，用以該第二活動舌片活動地結合或離開該第二受口；其中拉動該門扇離開該中框止檔，形成向第二方向開啟的門扇。
如請求項3所述的任一側皆可推或拉開啟的組合門，該第一滑臂還包含第一前端、一第一後端；該第二滑臂還包含第二前端、一第二後端；該第一橫樑包含一第一滑槽，該第一滑臂的第一前端轉動的結合在本體上側，其第一後端滑動地結合在第一滑槽；該門扇結合一第二滑槽，該門扇包含一第二滑槽，該第二滑臂的第二前端轉動的結合在本體下側，其第二後端滑動地結合在該第二滑槽，雙向關門器的本體可以隱藏在該中框內部，該第一滑槽可以開設在該第一橫樑內部，或該第二滑槽可以開設在該門扇內部。
如請求項3所述的任一側皆可推或拉開啟的組合門，該中框包含一輔助鎖具，該輔助鎖具還包含一把手可連動一活動舌片；該大框包含內側形成有一輔助受口，該輔助鎖具的把手轉動以連動該活動舌片結合至該大框內的輔助受口，用以將中框及所結合的門扇一體鎖固在該大框，藉此以控制門扇結合中框的門禁管制。
一種門樘組件，包含：一中框；一第一鎖具結合在該中框，該第一鎖具還包含一第一把手和連接該中框內的一第一活動舌片，該第一活動舌片伸縮地凸伸出該中框的一側外緣；一第一鉸鏈，所述的門樘組件藉該第一鉸鏈一側可用以連接在一個大框，該第一鉸鏈另一側連接在該中框，該第一鉸鏈安裝為向第一方向轉動；該第一活動舌片可用以活動地結合或離開在該大框內側的一第一受口，及該中框可用以活動地結合或離開在該大框的一大框止檔；該中框內側形成一中框止檔，其外側延伸一中框護板，該中框護板可用以分離地遮蔽住該大框止檔；雙向關門器，包含本體、一第一滑臂，該本體結合在該中框，該第一滑臂一側活動地結合於該本體，其另一側可用以活動地結合在該大框的一第一橫樑。
如請求項12所述的門樘組件，還包含第二鉸鏈，該第二鉸鏈一側連接所述中框，該第二鉸鏈另一側可預備用於結合一門扇使用，該第二鉸鏈另一側連接在一門扇一側時，該第二鉸鏈安裝為向第二方向轉動；雙向關門器還包含一第二滑臂，該第二滑臂一側活動地結合於該本體，該第二滑臂另一側可用以活動地結合在該門扇另一側；該中框的內緣還包含一第二受口；該門扇包含一第二鎖具，該第二鎖具還包含一第二把手連接一第二活動舌片伸縮地凸伸出該門扇另一側外緣，該第二活動舌片活動地結合或離開該第二受口。
一種適配器，被配置為附接到設備，以便在所述設備連接到電連接器時機械地支撐所述設備，所述適配器包括： <br/>主體，包括被配置為與所述設備的頂部接合的後部和從所述後部延伸的舌板； <br/>鎖扣，包括樑，所述樑具有連接到所述主體的所述舌板的近端和與所述近端相對的遠端；以及 <br/>臂，連接到所述主體的所述後部並且被配置為附接到所述設備的角。
如請求項1所述的適配器，還包括： <br/>橋，連接到所述主體的所述後部並且包括設置在所述主體的所述後部的部分， <br/>其中，所述樑可移動地設置在所述主體與所述橋的所述部分之間，所述橋的所述部分設置在所述主體的所述後部的上方。
如請求項2所述的適配器，其中： <br/>所述樑包括第一部分和第二部分，所述第二部分設置為比所述第一部分更靠近所述橋的所述部分，所述橋的所述部分設置在所述主體的所述後部的上方；並且 <br/>所述第二部分呈T形。
如請求項3所述的適配器，其中： <br/>所述樑為第一樑； <br/>所述鎖扣包括第二樑，所述第二樑具有連接到所述主體的所述舌板的近端和與所述近端相對的遠端，以及在所述第一樑和所述第二樑之間的通道； <br/>所述第二樑與所述第一樑對稱；並且 <br/>所述鎖扣包括連接所述第一樑和所述第二樑的所述遠端的杆。
如請求項1所述的適配器，其中： <br/>所述臂包括延伸超出所述主體的所述後部的第一部分，並且具有被配置為接收緊固件的開口的第二部分。
如請求項5所述的適配器，其中： <br/>所述臂包括連接所述第一部分和所述第二部分的過渡部分；並且 <br/>所述臂的所述第一部分包括朝向所述主體突出的突起。
如請求項5所述的適配器，其中： <br/>所述主體的所述舌板包括被配置為與所述設備接合的配合部分。
一種電連接器，包括： <br/>外殼，包括上槽、下槽以及沿配合方向延伸超出所述下槽的延伸部； <br/>內殼，設置在所述外殼的所述下槽中並且包括槽；以及 <br/>多個導電元件，設置在所述內殼中，所述多個導電元件中的每個導電元件包括設置在所述內殼的所述槽中的配合端、尾部以及在所述配合端和所述尾部之間的中間部分； <br/>其中，所述電連接器通過適配器與設備連接，所述適配器固定地設置在所述設備上並且包括具有後面的配合部分，所述後面抵靠所述設備的配合面。
如請求項8所述的電連接器，其中： <br/>所述延伸部包括沿所述配合方向拉長並且突入所述上槽中的至少一個突起。
如請求項9所述的電連接器，其中： <br/>所述延伸部包括一對孔和向下突出並且鄰近所述一對孔中的各個孔的一對突出部；並且 <br/>所述至少一個突起設置在所述一對突出部之間。
如請求項8所述的電連接器，其中： <br/>所述多個導電元件的所述尾部包括被配置為安裝到電路板的表面；並且 <br/>所述多個導電元件的所述尾部的所述表面平行於所述配合方向延伸。
如請求項8所述的電連接器，還包括： <br/>多個電纜，包括附接到所述多個導電元件的所述尾部的導線。
如請求項8所述的電連接器，還包括： <br/>構件，包括設置在所述外殼的開口中的下部以及設置在所述內殼的凹槽中的上部。
如請求項13所述的電連接器，其中： <br/>所述構件的所述上部被設計為限制所述內殼與所述外殼之間的相對移動。
如請求項13所述的電連接器，其中： <br/>所述外殼包括被配置為抵靠配合設備的配合面的側延伸部。
一種電子系統，包括: <br/>設備，包括配合面和鄰近所述配合面的卡邊緣；以及 <br/>適配器，固定地設置在所述設備上並且包括具有後面的配合部分，所述後面抵靠所述設備的所述配合面。
如請求項16所述的電子系統，其中所述適配器還包括： <br/>主體，包括舌板，所述舌板包括所述配合部分和後部；以及 <br/>臂，連接到所述後部並且附接到所述設備的角， <br/>其中，所述臂與所述設備的頂部和側面接合。
如請求項16所述的電子系統，還包括： <br/>緊固件，藉由所述適配器的開口延伸到所述設備的開口中。
如請求項17所述的電子系統，其中： <br/>所述臂包括朝向所述主體突出的突起； <br/>所述主體包括向下突出的突起；以及 <br/>所述設備包括： <br/>第一凹槽，從所述設備的側面凹陷並且被配置為接收所述臂的突起，以及 <br/>第二凹槽，從所述設備的頂部凹陷並且被配置為接收所述主體的突起。
如請求項17所述的電子系統，其中所述適配器還包括鎖扣，所述鎖扣包括： <br/>第一樑和第二樑，分別地在近端處連接到所述適配器的所述主體的配合部分並且包括向上的第一突起和第二突起，以及 <br/>通道，在所述第一樑和所述第二樑之間。
一種微氣泡液冷管路控制系統，包括：<br/> 一控制器；<br/> 一第一三通閥，包括一管路系統入口，一第一出口，一第二出口；<br/> 一第一管狀陶瓷多孔元件；<br/> 一第二管狀陶瓷多孔元件；<br/> 一氣泵，可分別提供惰性氣體給該第一管狀陶瓷多孔元件及該第二管狀陶瓷多孔元件<br/> 一第二三通閥，包括一第一入口，一第二入口，一管路系統出口；<br/> 其中，該第一出口，該第一管狀陶瓷多孔元件，及該第一入口依序連通，且和該氣泵共同形成一第一通道；<br/> 其中，該第二出口，該第二管狀陶瓷多孔元件，及該第二入口依序連通，且和該氣泵共同形成一第二通道；<br/> 其中，該控制器電性連接該第一三通閥及該第二三通閥，可根據一溫度參數及一壓力參數，執行一切換功能，其中，該切換功能包括：控制該第一三通閥及該第二三通閥，切換該第一通道或該第二通道，連通該管路系統入口及該管路系統出口。
如請求項1所述的控制系統，其中，該溫度參數包括一晶片溫度。
如請求項1所述的控制系統，其中，該壓力參數包括該第一管狀陶瓷多孔元件相異兩端之一第一壓力差。
如請求項1所述的控制系統，其中，該壓力參數包括該第二管狀陶瓷多孔元件相異兩端之一第二壓力差。
如請求項1所述的控制系統，其中，當該溫度參數大於一第一允許閥值，且該壓力參數大於一第二允許閥值，該控制器執行該切換功能。
一種微氣泡液冷管路控制系統，包括：<br/> 一控制器；<br/> 一冷卻液收集槽，包括一系統入口，一第一出口開關，一第二出口開關；<br/> 一微氣泡生成槽，包括一槽間入口，一離槽入口，一系統出口，一可拆卸微氣泡生成裝置，其中，該槽間入口連通該第一出口開關；<br/> 一管狀陶瓷多孔元件，一端連通該第二出口開關，另一端連通一通道入口；<br/> 一氣泵，可提供惰性氣體給該管狀陶瓷多孔元件；<br/> 其中，該冷卻液收集槽及該微氣泡生成槽藉由該第一出口開關及該槽間入口，形成一第一通道，該冷卻液收集槽及該微氣泡生成槽藉由該第二出口開關、該管狀陶瓷多孔元件、離槽入口，形成一第二通道；<br/> 其中，該控制器電性連接該第一出口開關及該第二出口開關，可根據一溫度參數及一壓力參數，控制該第一出口開關，該第二出口開關，以及該可拆卸微氣泡生成裝置，藉以執行一切換功能，其中，該切換功能包括：該第一出口開關及該第二出口開關不同時開啟，且該第一出口開關及該可拆卸微氣泡生成裝置同時關閉。
如請求項6所述的控制系統，其中，該溫度參數包括一晶片溫度。
如請求項6所述的控制系統，其中，該壓力參數包括該槽間入口及該系統出口之間的一第一壓力差。
如請求項6所述的控制系統，其中，該壓力參數包括該管狀陶瓷多孔元件相異兩端之一第二壓力差。
如請求項6所述的控制系統，其中，當該溫度參數大於一第一允許閥值，且該壓力參數大於一第二允許閥值，該控制器執行該切換功能。
一種串接式多邊形展示盒，其結構包含：<br/> 一多邊形頂蓋，設有至少一第一連接件；<br/> 至少一多邊形展示框，包含複數個展示框側面，並具有兩端，該兩端為開放式結構，其中一端設置有對應於該第一連接件之一第二連接件，另一端設置有至少一第三連接件；<br/> 一多邊形底座，包含複數個底座側面、一底座頂面及一底座底面，該些底座側面各設有一電訊連接端子；以及<br/> 一檯面，該檯面固定於該底座頂面且該檯面之外型略小於至少一多邊形展示框內緣尺寸，且該檯面上設置有對應於該第三連接件之一第四連接件；<br/> 其中，該多邊形頂蓋透過該第一連接件與該第二連接件接合，至少一多邊形展示框透過該第三連接件與該第四連接件接合。
如請求項1所述之串接式多邊形展示盒，該多邊形頂蓋包含至少一缺口，且設置於該多邊形頂蓋邊緣。
如請求項1所述之串接式多邊形展示盒，該第一連接件、該第二連接件、該第三連接件及該第四連接件包含磁鐵、插銷、黏扣帶或其等效物。
如請求項1所述之串接式多邊形展示盒，至少一多邊形展示框之外觀可為透明、半透明或局部透明。
如請求項1所述之串接式多邊形展示盒，該多邊形展示框數量為多個，彼此疊加連接用以展示不同高度之展示品。
如請求項1所述之串接式多邊形展示盒，該多邊形頂蓋具有一頂蓋外緣及一頂蓋中心平面，其中，該頂蓋外緣之厚度小於該頂蓋中心平面之厚度，且該頂蓋外緣之寬度對應於該多邊形展示框之壁厚。
如請求項1所述之串接式多邊形展示盒，該底座側面之該電訊連接端子兩側，貼附有一墊片。
一種串接式多邊形展示盒，其結構包含：<br/> 複數個多邊形底座，該些多邊形底座分別包含複數個底座側面、一底座頂面、一底座底面及一檯面，且該些底座側面各設有一電訊連接端子，藉由該電訊連接端子使該些多邊形底座彼此連接；該些多邊形底座彼此連接的該些底座側面設有一墊片，且該檯面包含複數個第四連接件；<br/> 一多邊形展示框，包含複數個展示框側面，該些展示框側面圍繞著已連接的該些多邊形底座的外圍形狀形成，且該多邊形展示框具有兩端開放式結構，其中一端設有複數個第三連接件，對應位於該些多邊形底座外圍的該些第四連接件，另一端設置有複數個第二連接件；以及<br/> 一多邊形頂蓋，設有複數個第一連接件，對應於該些第二連接件，且該多邊形頂蓋形狀符合該多邊形展示框之該些展示框側面圍繞的外形； <br/> 其中，該多邊形頂蓋透過該些第一連接件與該多邊形展示框之該些第二連接件接合，該多邊形展示框透過該些第三連接件與該些多邊形底座之該些第四連接件接合。
如請求項8所述之串接式多邊形展示盒，該多邊形頂蓋包含至少一缺口，且設置於該多邊形頂蓋邊緣。
如請求項8所述之串接式多邊形展示盒，該些第一連接件、該些第二連接件、該些第三連接件及該些第四連接件包含磁鐵、插銷、黏扣帶或其等效物。
一種剛輪，其中，包括環部和多個傳動齒，多個所述傳動齒形成在所述環部的內圈上，所述環部為等厚度環形。
如請求項1所述的剛輪，其中，所述環部的最大徑向厚度與最小徑向厚度的比值範圍為1~1.5。
如請求項1所述的剛輪，其中，各所述傳動齒的齒頂所在的圓與所述環部同心設置。
如請求項1所述的剛輪，其中，所述傳動齒沿所述環部的徑向凸出於所述環部的內圈，所述傳動齒沿所述環部的軸向延伸，多個所述傳動齒沿所述環部的周向排布，所述傳動齒的齒形相同。
如請求項1所述的剛輪，其中，所述傳動齒的齒面包括第一弧面段和第二弧面段，所述第一弧面段和所述第二弧面段沿從齒根到齒頂的方向排布，所述第一弧面段與所述第二弧面段的彎曲方向不同。
如請求項5所述的剛輪，其中，所述第一弧面段內凹，所述第二弧面段外凸。
如請求項1所述的剛輪，其中，所述環部的第一端面和/或第二端面上設置有止口。
如請求項1至7中任一項所述的剛輪，其中，所述環部的第一端面和/或第二端面上設置有插接部，所述插接部凸出於所在的所述第一端面和/或所述第二端面，以與所述環部的固定載體相插接。
如請求項8所述的剛輪，其中，所述插接部包括至少兩個第一連接柱和至少兩個第二連接柱，所述第二連接柱在所述環部軸向上的長度小於所述第一連接柱在所述環部軸向上的長度。
如請求項9所述的剛輪，其中，當所述第一端面和/或所述第二端面上設置有止口時，所述第一連接柱在所述環部軸向上的長度大於所述止口在所述環部軸向上的長度，所述第二連接柱在所述環部軸向上的長度等於所述止口在所述環部軸向上的長度。
如請求項9所述的剛輪，其中，至少部分所述第一連接柱與至少部分所述第二連接柱在所述環部的周向上交替排布。
如請求項8所述的剛輪，其中，所述第一端面和/或所述第二端面上設置有至少兩個抵接柱，所述抵接柱凸出於所在的所述第一端面和/或所述第二端面，以與所述固定載體的外壁相抵接。
如請求項12所述的剛輪，其中，至少部分所述抵接柱與至少部分所述插接部在所述環部的周向上交替排布。
如請求項12所述的剛輪，其中，所述抵接柱在所述環部軸向上的長度小於所述插接部在所述環部軸向上的長度。
如請求項1所述的剛輪，其中，所述環部的外圈的周向外壁上設置有定位凸起，所述定位凸起用於在所述環部的周向上與所述環部的固定載體的壁面相抵接。
如請求項1所述的剛輪，其中，所述環部的外圈的周向外壁上設置有定位凸起，所述定位凸起用於所述環部的固定載體凹凸配合。
如請求項15或16所述的剛輪，其中，所述定位凸起為至少兩個，至少兩個所述定位凸起沿所述環部的周向排布，且沿所述環部的軸向延伸。
如請求項1所述的剛輪，其中，所述剛輪注塑而成。
如請求項1所述的剛輪，其中，製作所述剛輪的材料包括注塑型工程塑料。
一種諧波減速器，其中，包括如請求項1至19任一項所述的剛輪，所述諧波減速器包括座體，所述剛輪與所述座體相連接。
一種機械臂，其中，包括如請求項1至19中任一項所述的剛輪，所述機械臂包括座體，所述剛輪與所述座體相連接；或，所述機械臂包括如請求項20所述的諧波減速器、機械臂本體和動力件，所述動力件通過所述諧波減速器與所述機械臂本體進行連接。
一種自動清潔設備，其中，自動清潔設備包括如請求項1至19任一項所述的剛輪和座體，所述剛輪與所述座體相連接；或，所述自動清潔設備包括如請求項20所述的諧波減速器、機械臂本體和動力件，所述動力件通過所述諧波減速器與所述機械臂本體進行連接；或，所述自動清潔設備包括如請求項21所述的機械臂和清潔設備本體，機械臂與清潔設備本體相連接。
一種採光罩主支架與側支架結合組合結構，主要係由內面凹槽型主支架、凹槽型主支架、可分離組合側支所組合，其中，<br/> 一內面凹槽型主支架：係一體成型呈倒H型，而延著右側加強板的上方側邊裝設方型板並在下方裝設凹槽，延著左側加強板的上方側邊裝設方型板並在下方裝設凹槽，延著右側加強板的下方側邊裝設方型板並在上方裝設凹槽，延著左側加強板的下方側邊裝設方型板並在上方裝設凹槽，另在右側加強板與左側加強板之間裝設一加強板；<br/> 一凹槽型主支架：係一體成型呈倒H型，延著右側加強板的上方側邊裝設方型板並在上方裝設凹槽，延著右側加強板的上方側邊裝設方型板並在上方裝設凹槽，延著右側加強板的下方側邊裝設方型板並在上方裝設凹槽，延著左側加強板的下方側邊裝設方型板並在上方裝設凹槽，另在右側加強板與左側加強板之間裝設一加強板，而上方端面凹槽與凹槽之間裝設一凹槽；以及<br/> 一可分離組合側支：係由上位蓋板與下位底座結合組合，其中，<br/> 一上位蓋板：上方端面板的中央裝設一凹槽，其下方端面板的中央兩側裝<br/> 設左側夾板與右側夾板，其中左側夾板裝設形成一尖型凸塊<br/> 及凸緣，右側夾板裝設形成一長形體；以及<br/> 一下位底座：係呈倒T型，其中央上方的端面板左、右側末端裝設一凸塊，<br/> 兩側往下形成左側凹型缺口與右側凹型缺口，以供作左側夾<br/> 板與右側夾板插入，左側凹型缺口裝設左側端面板上方，右<br/> 側凹型缺口裝設右側端面板上方，兩側連接左側底座與右側<br/> 底座，並左側底座上方裝設凹型體，右側底座上方裝設凹型<br/> 體，上位蓋板與下位底座相互結合；<br/> 可分離組合側支與內面凹槽型主支架作組合，可分離組合側支與凹槽型主支架作組合，使本新型的產品結構形成易於側支組合拆卸分離與方便組裝採光罩結構體。
一種槽形龍骨與沿邊龍骨之連接件，包括固定連接的第一掛接部與第二掛接部，其中該第一掛接部包括水平部與至少一垂直部，且其中該水平部與該垂直部相互垂直連接並共同插入槽形龍骨，以實現與槽形龍骨的固定連接，且其中該第二掛接部可與沿邊龍骨連接。
如申請專利範圍第1項所述之槽形龍骨與沿邊龍骨之連接件，其中該第一掛接部與該第二掛接部之間經由垂直連接壁固定連接，該第二掛接部與該第一掛接部相互平行且反向延伸。
如申請專利範圍第2項所述之槽形龍骨與沿邊龍骨之連接件，其中該垂直部為兩個，分別設置於該垂直連接壁的左右兩端。
如申請專利範圍第3項所述之槽形龍骨與沿邊龍骨之連接件，其中該垂直連接壁與該垂直部之間形成一空隙。
如申請專利範圍第4項所述之槽形龍骨與沿邊龍骨之連接件，其中該垂直連接壁與該第一掛接部的連接處及該第二掛接部的連接處，分別設有至少一加強筋。
如申請專利範圍第5項所述之槽形龍骨與沿邊龍骨之連接件，其中該第一掛接部的水平部上設有至少一定位孔。
如申請專利範圍第6項所述之槽形龍骨與沿邊龍骨之連接件，其中該第二掛接部之末端設有一導向翻邊。
如申請專利範圍第7項所述之槽形龍骨與沿邊龍骨之連接件，其中該導向翻邊朝上彎折。
如申請專利範圍第8項所述之槽形龍骨與沿邊龍骨之連接件，其中該水平部、該垂直部、該垂直連接壁及該第二掛接部為一整片金屬板一體成形彎折而成。
如申請專利範圍第9項所述之槽形龍骨與沿邊龍骨之連接件，其中該定位孔上具有一錐形凹面，用以容納沉頭螺絲頭，使該螺絲頭與該水平部表面齊平。
一種跨平台農用挑選裝置，其包含：一可沿著一植床位移之跨平台結構，該植床上放置有複數個穴盤，各該穴盤皆具有複數個穴格，各該穴格內分別種植有一苗株；一二軸滑台，具有設置於該跨平台結構上之至少一第一方向滑軌，以及沿該第一方向滑軌移動之一第二方向滑軌；一挑選設備，具有可沿該第二方向滑軌位移作動之一滑座，該滑座組設一升降裝置，該升降裝置底部設一承載座，該承載座面對該植床搭載一定位機構、一影像擷取機構以及一篩選機構；一人機電控系統，安裝於該跨平台結構上，電性連接並雙向通訊、控制該二軸滑台以及該挑選設備，用以規劃該二軸滑台之位移路徑，並利用該定位機構對齊穴格，接著經由該影像擷取機構遍歷該二軸滑台移動範圍中的各該穴格，進一步取得各該穴格中的苗株影像，再透過該人機電控系統進行影像分析辨識、穴格標記及定位作業，取得應淘汰之苗株穴格位置後通訊控制該二軸滑台以及該挑選設備進行篩選作業者。
如請求項1所述之跨平台農用挑選裝置，其中，該跨平台結構具有一框架基座，該框架基座設有至少四腳柱，各該腳柱皆由側邊設有一輪體，並透過所述輪體達到跨平台結構之移動目的，又各該腳柱底部皆設一支撐座。
如請求項2所述之跨平台農用挑選裝置，其中，所述輪體為單向輪以及萬向輪之中任一種形式，亦再針對驅動方式將該輪體配置為電力驅動輪以及人力被動輪之中任一種輪體者。
如請求項2所述之跨平台農用挑選裝置，其中，該框架基座相對稱之二平行邊上皆設有至少二導輪結構，各該導輪結構皆設有一升降軌道以及沿該升降軌道上下調整定位之一導輪座，各該導輪座皆至少設一導輪，從而透過所述導輪結構之導輪抵靠該植床相平行之任兩邊，達到該跨平台結構穩定位移目的。
如請求項1所述之跨平台農用挑選裝置，其中，該篩選機構為抽吸結構具有一吸筒，該吸筒係搭配一抽吸裝置進行篩選作業，該抽吸裝置安裝於該跨平台結構上並設一吸引管與該吸筒連接，該吸筒底部形成一吸嘴，該吸嘴設一接觸墊體，該接觸墊體為軟性、多孔材質所構成，使該接觸墊體能緊密貼覆於該穴格邊緣，達到該吸筒的負壓吸引而確保該苗株的篩選抽吸目的。
如請求項1所述之跨平台農用挑選裝置，其中，該篩選機構為打孔結構具有一錐柱，該錐柱係對應淘汰的穴格下壓打洞，使該穴格內的培養土形成一凹孔，以便於補充放入一該苗株於該穴格內。
如請求項1所述之跨平台農用挑選裝置，其中，該定位機構包含不同定位方向之一第一定位器以及一第二定位器，從而具有十字定位效果。
如請求項1所述之跨平台農用挑選裝置，其中，該人機電控系統搭配一可程式邏輯控制器，其包含：影像處理辨識與通訊模組、二軸運動控制模組、Z軸執行模組、輸入輸出模組以及人機介面模組；其中所述影像處理辨識與通訊模組係用以接收該影像擷取機構傳回之苗株影像並辨識分析，再進行數據以及座標轉換，使應淘汰苗株位置可轉換為對應之該二軸滑台之運動座標；所述二軸運動控制模組用以規劃及控制該二軸滑台之移動路徑；所述Z軸執行模組則控制該挑選設備之上下動作；所述輸入輸出模組則用以接收感測器訊號及輸出控制訊號；該人機介面模組可供操作人員設定該苗株的影像辨識基準、調整抽吸時間及上下行程等，以利針對不同穴盤及作物進行最佳化篩選。
一種擋泥板(土除)線槽纜線拘束結構，包括：<br/>一土除本體，安裝於一自行車的一車架；該土除本體具有一圓弧內壁，該圓弧內壁於左右兩側對稱延伸一卡扣翼片；該卡扣翼片包括一連接端和一自由端，該連接端一體連接於該圓弧內壁，該自由端成型一卡扣部；該卡扣翼片和該圓弧內壁之間區隔出一導線拘束空間，用以容納和拘束一導線；<br/>數個壓扣件，每一該壓扣件包括一橋接部和一體連接於該橋接部兩側的二側壁；該橋接部和該二側壁之間定義一支撐空間，該橋接部的一中間區域往該支撐空間的方向呈圓弧拱形結構；該側壁包括一卡扣端和一抵接端，該卡扣端設一卡扣槽，用以和該卡扣部結合，該抵接端用以抵接於該土除本體的該圓弧內壁；該橋接部兩側與該二側壁採圓弧過渡連接；<br/>該側壁配合該卡扣翼片以及該圓弧內壁，使該導線在該導線拘束空間中獲得多方向的拘束。
如請求項1所述擋泥板(土除)線槽纜線拘束結構，其中，該卡扣翼片從該連接端為始往漸離該圓弧內壁的方向延伸，使該自由端遠離該圓弧內壁。
如請求項2所述擋泥板(土除)線槽纜線拘束結構，其中，該連接端與該圓弧內壁的連接可定義一內角和一外角，該內角相向於該導線拘束空間，該外角背離該導線拘束空間；該外角以一圓弧過渡結構與該圓弧內壁相連。
一種電動割草機刀盤的改良，是一刀盤單元，該刀盤單元是包括被帶動旋轉的一旋轉盤座，該旋轉盤座的相對兩端處分別樞固能夠自由轉擺的一刀翼。
一種智慧型機車儀表板系統，其包含：<br/>一儀表板，安裝於一機車上，該儀表板包含：一殼體、一顯示裝置，由該殼體所承載，以及一控制電路板設置於該殼體內，該控制電路板包含：一無線通訊模組；<br/>一遙控器，係與該儀表板物理分離，並透過該無線通訊模組與該控制電路板進行通訊，所有對該儀表板之使用者輸入操作均透過該遙控器執行；<br/>其中，該儀表板之正面為一無任何實體操作按鈕之平面，該控制電路板透過一第一有線連接方式電性連接至一前攝影機及一後攝影機，以接收該前攝影機與該後攝影機之影像信號，以及該控制電路板透過一第二有線連接方式電性連接至該機車，以自該機車獲取車輛狀態資料及工作電源。
如請求項1之系統，其中，該殼體包含：一儀表前殼、一儀表後殼及一密封墊圈，該密封墊圈設置於該儀表前殼與該儀表後殼之間，且該儀表後殼包含：一第二開口及一第三開口。
如請求項2之系統，其中，該第一有線連接方式係透過一傳輸線構件實現，該傳輸線構件穿過於該第二開口，得以從殼體內部延伸至外部，並藉由一防脫落結構與該第二開口卡合固定，該傳輸線構件之複數個第二連接器分別電性連接該前攝影機及該後攝影機。
如請求項3之系統，其中，該第二有線連接方式係透過一排針連接器實現，該排針連接器穿過該第三開口並暴露於該殼體之外部，用以直接與該機車提供之一對應連接器插接。
如請求項2~4中任一項之系統，其中，該儀表前殼包含：複數個第一螺柱，以及複數個第二螺柱，該控制電路板更包含：複數個通孔，該等通孔分別對應該等第一螺柱，並藉由複數個第一螺絲穿過該等通孔並將該控制電路板鎖固於該等第一螺柱；以及該儀表後殼更包含：複數個第三螺柱，該等第三螺柱分別對應該儀表前殼之該等第二螺柱，並藉由複數個第二螺絲鎖固，當該儀表前殼與該儀表後殼鎖固時，該密封墊圈受壓變形以填滿接合面之縫隙，形成一周緣密封結構，以實現該儀表前殼與該儀表後殼之緊密結合。
如請求項2之系統，其中，該儀表前殼更包含：複數個透明之指示窗口，其形狀為圓形或橢圓形，且其位置對應該顯示裝置之複數個指示燈；以及一第一開口，其位置對應該顯示裝置之一匯流排，該匯流排穿過該第一開口與該控制電路板電性連接。
如請求項1~4、6中任一項之系統，其中，該遙控器係透過一支架安裝於該機車之一左或右後照鏡上，該支架能依使用者慣用手選擇安裝於該左或右後照鏡。
如請求項1之系統，其中，該無線通訊模組具有同時或擇一地與一行動裝置及一胎壓偵測器建立無線連接。
如請求項8之系統，其中，該控制電路板用於控制該顯示裝置，使其能顯示一整合畫面，該整合畫面所顯示之資訊係選自由以下所構成之群組之一或多者：來自該機車之車輛狀態資料、來自該前攝影機或後攝影機之影像、來自該行動裝置之資訊，以及來自該胎壓偵測器之胎壓數據。
如請求項1之系統，其中，更包含：一收音構件，該收音構件包含：一麥克風、一雙絞線及一第一連接器，該收音構件透過該第一連接器與該控制電路板電性連接，且該殼體設有一收音孔，該收音孔之位置對應該麥克風。
一種晶圓夾緊機構，包括： <br/>夾緊組件(1)，至少兩個所述夾緊組件(1)圍合成夾持空間，以夾持晶圓；每個所述夾緊組件(1)均包括安裝板(11)，所述安裝板(11)上設置有沿夾持或鬆開所述晶圓的方向可移動的夾持軸(12)，所述安裝板(11)上設置有旋擰件(13)和鎖定件(14)，所述旋擰件(13)螺接於所述安裝板(11)上，所述旋擰件(13)靠近或遠離所述夾持軸(12)，所述旋擰件(13)靠近所述夾持軸(12)時，所述旋擰件(13)推動所述夾持軸(12)向夾持所述晶圓的方向移動， <br/>所述鎖定件(14)能夠相對所述安裝板(11)鎖定或鬆開所述夾持軸(12)； <br/>驅動組件(2)，所述驅動組件(2)的輸出端連接所述安裝板(11)，所述驅動組件(2)驅動所述夾持軸(12)互相靠近或遠離，以改變所述夾持空間的大小。
如請求項1所述的晶圓夾緊機構，其中，所述夾緊組件(1)還包括移動板(15)，所述夾持軸(12)設置於所述移動板(15)上，所述旋擰件(13)抵頂所述移動板(15)，所述移動板(15)與所述安裝板(11)之間藉由所述鎖定件(14)鎖定。
如請求項2所述的晶圓夾緊機構，其中，所述安裝板(11)包括第一板(111)與第二板(112)，所述驅動組件(2)的輸出端連接所述第一板(111)，所述移動板(15)設置於所述第一板(111)上，所述第二板(112)可拆卸地設置於所述第一板(111)上，所述第二板(112)設置有螺孔，所述旋擰件(13)螺接於所述螺孔，以藉由調整所述旋擰件（13）的旋擰距離，間接調整所述移動板（15）的移動範圍。
如請求項3所述的晶圓夾緊機構，其中，所述第一板(111)或所述移動板(15)中的一個上設置有沿夾持或鬆開所述晶圓的方向分布的刻度線(16)。
如請求項4所述的晶圓夾緊機構，其中，所述第一板(111)或所述移動板(15)中的另一個上設置有配合所述刻度線(16)的指示標記(17)。
如請求項3所述的晶圓夾緊機構，其中，所述第二板(112)呈L型。
如請求項3所述的晶圓夾緊機構，其中，所述移動板(15)上設置有長孔(151)，所述第一板(111)上設置有鎖定孔，所述鎖定件(14)藉由所述長孔(151)與所述鎖定孔鎖定所述移動板(15)。
如請求項3所述的晶圓夾緊機構，其中，所述夾緊組件(1)還包括旋轉驅動件(18)，所述旋轉驅動件(18)設置於所述移動板(15)上，所述旋轉驅動件(18)的輸出端連接所述夾持軸(12)，以驅動所述夾持軸(12)沿自身軸線旋轉，所述第一板(111)上開設有供所述旋轉驅動件(18)穿過的安置孔(113)，所述安置孔(113)的尺寸大於所述旋轉驅動件(18)的尺寸。
如請求項1所述的晶圓夾緊機構，其中，所述驅動組件(2)包括底座(21)，所述底座(21)上設置有移動驅動件(22)和沿夾持或鬆開所述晶圓的方向延伸的導軌(23)，所述移動驅動件(22)的輸出端連接所述安裝板(11)，所述安裝板(11)滑接於所述導軌(23)上。
一種晶圓清洗裝置，包括清洗輥(3)以及如請求項1至9任一項所述的晶圓夾緊機構，所述清洗輥(3)轉動設置於所述夾持空間內。
一種智慧監控系統，包括：<br/> 一監控主機，包括：<br/> 一影像處理電路，用以處理自一或多個攝影機拍攝的連續影像；<br/> 一處理器，電性連接該影像處理電路；<br/> 其中該監控主機以軟體與硬體協同運作的模組包括：<br/> 一影像擷取模組，用以處理由該一或多個攝影機拍攝的連續影像，得出一數位影像數據，並根據該數位影像數據的畫素值與分布得出影像特徵；<br/> 一物件辨識模組，用以從該連續影像中逐幀辨識其中一或多個物件；<br/> 一二維轉三維推估模組，用以推估該連續影像中辨識得到該一或多個物件的三維資訊，其中各物件的三維資訊搭配各物件在該連續影像中平面座標，逐幀得出該連續影像中該一或多個物件的多個關鍵節點的立體座標值；以及<br/> 一物件接觸分析模組，根據該一或多個物件的該多個關鍵節點的立體座標值計算出該多個關鍵節點之間的距離；<br/> 其中，該物件接觸分析模組根據該一或多個物件個別的該多個關鍵節點的立體座標計算出各個物件的該多個關鍵節點與一關鍵區域之間的多個距離，通過比對該多個距離與一距離門檻逐幀判斷是否有一物件接觸事件。
如請求項1所述的智慧監控系統，其中，還包括一結構化模組，其中該結構化模組運行一語言模型，當判斷有該物件接觸事件，運用該語言模型判斷該連續影像中的語意，以生成式人工智慧生成描述該物件接觸事件的一文本。
如請求項2所述的智慧監控系統，其中該文本描述的該物件接觸事件通過結構化處理，轉化為一結構化格式的文本，建檔於一資料庫中。
如請求項1所述的智慧監控系統，其中，還包括一警示模組，其中設有一警示門檻，當該物件接觸事件發生達到該警示門檻時，發出一警示訊息。
如請求項1所述的智慧監控系統，其中該二維轉三維推估模組用一二維轉三維演算法，結合一圖形識別模型識別該一或多個物件，並進行分類，再根據該分類推估出該一或多個物件的深度資訊，以推估該一或多個物件的三維資訊。
如請求項1所述的智慧監控系統，其中該智慧監控系統以多個攝影機用不同視角拍攝同一場景，並各自產生不同視角的連續影像，以通過該物件接觸分析模組針對該不同視角的連續影像確認該物件接觸事件。
如請求項1所述的智慧監控系統，其中，於辨識出該一或多個物件後，根據該一或多個物件所佔據區塊逐幀分離出包括該一或多個物件的一前景與其他區塊形成的一背景。
如請求項7所述的智慧監控系統，其中該前景為逐幀變動的區塊，以及該背景為逐幀不會變動的區塊，其中通過該處理器執行的電腦視覺技術僅執行於該前景的影像上。
如請求項8所述的智慧監控系統，其中該物件辨識模組運用一人形判斷模型，以逐幀取得影像中的一或多人，以逐幀判斷是否有人與人之間或是人與該背景中的一物體之間的該物件接觸事件。
如請求項9所述的智慧監控系統，其中，設定該關鍵區域為一特定受關注區域，即於該特定受關注區域內判斷該一或多人與該背景中的該物體的該物件接觸事件，其中該物件接觸事件為該一或多人碰撞或跌倒。
一種電解裝置，安裝於清潔設備，所述電解裝置包括：<br/> 箱體，設置有進水口和出水口，流出所述出水口的清潔用水的流速為0~300mL/min；以及<br/> 電極組件，設置於所述箱體，所述電極組件包括依次相鄰設置的第一電極元件、第二電極元件和第三電極元件，其中，<br/> 所述第一電極元件與所述第三電極元件的極性相同，所述第一電極元件與所述第二電極元件的極性相反，所述第一電極元件與所述第二電極元件導通，和/或所述第三電極元件與所述第二電極元件導通以對所述清潔用水進行電解。
根據請求項1所述的電解裝置，其中，所述箱體內間隔設置有第一腔室和第二腔室，所述第一腔室內裝配有所述電極組件，所述第二腔室內裝配有配電組件，所述配電組件被配置為在同一時刻控制所述第一電極元件與所述第二電極元件之間，和/或所述第三電極元件與所述第二電極元件之間以電壓範圍為1.5V~36V電導通。
根據請求項1所述的電解裝置，其中，至少部分相鄰的電極元件之間設置有催化層。
根據請求項3所述的電解裝置，其中，所述催化層為催化劑載體元件，或，所述催化層為設置於所述電極元件表面的催化劑塗層或催化劑鍍層。
根據請求項1所述的電解裝置，其中，所述第一電極元件、所述第二電極元件和所述第三電極元件為設有鏤空部的板狀電極，所述鏤空部的面積占所述電極元件的面積的55%~65%，和/或，<br/> 所述電極組件中相鄰的電極元件至少部分設有交錯佈置的肋板。
根據請求項1所述的電解裝置，其中，所述第一電極元件與所述第二電極元件導通對所述清潔用水進行電解的電解產物，與所述第三電極元件與所述第二電極元件導通對所述清潔用水進行電解的電解產物不同。
根據請求項1至6中任一項所述的電解裝置，其中，所述電極元件中至少部分相鄰的電極元件之間設置有絕緣元件。
根據請求項7所述的電解裝置，其中，所述絕緣元件中的至少一個設置有第三流道，所述第三流道的至少部分呈彎曲狀。
根據請求項1至6中任一項所述的電解裝置，其中，相鄰的所述電極元件之間的距離不同。
根據請求項9所述的電解裝置，其中，所述第二電極元件與所述第三電極元件的距離大於等於1.2mm，且小於等於1.8mm。
根據請求項1至6中任一項所述的電解裝置，其中，所述箱體的內壁設置有支撐件，所述支撐件至少部分抵靠於所述電極組件。
根據請求項11所述的電解裝置，其中，所述支撐件的至少部分被設置為第一流道，所述第一流道的至少部分呈彎曲狀。
一種清潔設備，包括:<br/> 如請求項1至12中任一項所述的電解裝置；<br/> 水箱，用於盛裝所述清潔用水，所述水箱與所述電解裝置流體連通；<br/> 泵體，被配置為使所述清潔用水由所述進水口進入所述電解裝置，並使所述清潔用水由所述出水口流出所述電解裝置。
一種腳架樞接結構，用於一眼鏡腳架，該眼鏡腳架具有一第一導向凹槽，且該眼鏡腳架內容置一凸塊及一彈簧抵住該凸塊，且該凸塊部分露出於該第一導向凹槽內，該腳架樞接結構包括：<br/> 一第一固定彎桿；以及<br/> 一第一中空轉接頭連接該第一固定彎桿，其中該第一中空轉接頭具有一弧形外側面，且其中在該眼鏡腳架受外拉力被向外拉開時，該凸塊可以抵接該弧形外側面。
如申請專利範圍第1項所述之腳架樞接結構，其中該第一固定彎桿具有一連接件，且其中該眼鏡腳架受外拉力被向外拉開時，該第一固定彎桿的該連接件與該眼鏡腳架兩者之間夾角最大可以是九十度。
如申請專利範圍第1項所述之腳架樞接結構，更包括一第一鎖固元件，將該第一中空轉接頭鎖固在該第一導向凹槽內。
如申請專利範圍第2項所述之腳架樞接結構，其中該眼鏡腳架不再受外拉力時，該第一固定彎桿的該連接件與該眼鏡腳架兩者可以呈線性排列。
一種腳架樞接結構，用於一眼鏡腳架，該眼鏡腳架具有一第一導向凹槽，且該眼鏡腳架內容置一凸塊及一彈簧抵住該凸塊，且該凸塊部分露出於該第一導向凹槽內，該腳架樞接結構包括：<br/> 一第一固定彎桿；以及<br/> 一第一中空轉接頭連接該第一固定彎桿，其中該第一中空轉接頭具有一內側平面、一弧形外側面、及一轉接面位在該內側平面及該弧形外側面之間，且其中該凸塊可以抵接該內側平面、該弧形外側面、或該轉接面。
如申請專利範圍第5項所述之腳架樞接結構，其中該轉接面具有一淺槽，且其中該凸塊具有一凸點可以抵接該淺槽。
一種安全眼鏡，其包含如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述之腳架樞接結構，其中該安全眼鏡包括二鏡框，且其中每個該些鏡框連接該眼鏡腳架。
如申請專利範圍第7項所述之安全眼鏡，更包括二鼻墊，其中每個該些鼻墊分別連接該些鏡框，且其中每個該些鼻墊包括一葉片和一第二轉接頭連接該葉片。
如申請專利範圍第8項所述之安全眼鏡，更包括二支架，其中每個該些支架包括一第二固定彎桿及一導向頭連接該第二固定彎桿，且其中該導向頭具有一第二導向凹槽容置該第二轉接頭。
如申請專利範圍第9項所述之安全眼鏡，更包括一第二鎖固元件將該第二轉接頭鎖固在該第二導向凹槽。
一種清潔裝置，用於清潔設備，所述清潔裝置包括：<br/> 連接組件，用於與所述清潔設備的機身連接；<br/> 清潔組件，用於清潔承載面；<br/> 調整結構；所述連接組件通過所述調整結構與所述清潔組件在所述清潔組件的周向可活動地連接；在所述機身局部抬升的情況下，所述調整結構用於使所述清潔組件的清潔表面與所述承載面貼合。
如請求項1所述之清潔裝置，其中，所述調整結構包括球頭結構；和/或，所述調整結構包括彈性結構。
如請求項1所述之清潔裝置，其中，所述調整結構包括：球窩部以及與所述球窩部配合的球頭部；所述球窩部和所述球頭部中的一個設置於所述連接組件，所述球窩部和所述球頭部中的另一個設置於所述清潔組件。
如請求項1所述之清潔裝置，其中，所述調整結構包括：<br/> 球頭結構，所述清潔組件通過所述球頭結構與所述連接組件連接；<br/> 第一彈性結構，沿垂直於所述清潔組件的所述清潔表面的方向設置於所述連接組件和所述清潔組件之間，以向所述連接組件提供朝向垂直於所述清潔組件的所述清潔表面的方向運動的恢復力。
如請求項4所述之清潔裝置，其中，所述第一彈性結構呈筒狀，所述第一彈性結構套設於所述球頭結構之外。
如請求項5所述之清潔裝置，其中，所述連接組件開設有限位槽，所述第一彈性結構的一端位於所述限位槽內。
如請求項1所述之清潔裝置，其中，所述調整結構包括第二彈性結構；<br/> 所述連接組件具有相對設置的第一端和第二端；所述連接組件的所述第一端用於與所述機身連接；所述連接組件的所述第二端通過所述第二彈性結構與所述清潔組件連接；<br/> 其中，所述第二彈性結構設置於所述連接組件的所述第二端的端面側；和/或，所述第二彈性結構設置於所述連接組件的所述第二端的周側。
如請求項7所述之清潔裝置，其中，所述第二彈性結構為彈簧；或者，所述第二彈性結構為高分子結構。
如請求項1所述之清潔裝置，其中，所述清潔組件包括：<br/> 清潔支架，具有第一安裝通孔；<br/> 清潔件，設置於所述清潔支架的端面側；<br/> 所述調整結構包括第二彈性結構，所述第二彈性結構設置於所述第一安裝通孔內，所述第二彈性結構具有第二安裝通孔； <br/> 所述連接組件具有相對設置的第一端和第二端；所述連接組件的所述第一端用於與所述機身連接；所述連接組件的所述第二端插設於所述第二安裝通孔內。
如請求項9所述之清潔裝置，其中，所述清潔組件還包括：<br/> 防撞件，環設於所述清潔支架的周側；所述防撞件具有彈性。
如請求項1至10中任一項所述之清潔裝置，其中，所述連接組件包括：<br/> 第一連接件，用於與所述清潔設備的所述機身連接；<br/> 第二連接件，與所述第一連接件在第一方向上可平動地連接、且通過所述調整結構與所述清潔組件連接；其中，所述第一方向與所述機身的底面垂直；<br/> 第三彈性件，分別與所述第一連接件和所述第二連接件連接，以調整所述連接組件在所述第一方向上的長度。
如請求項11所述之清潔裝置，其中，所述第一連接件包括第一筒狀部、以及位於所述第一筒狀部內的第一固定部，所述第二連接件包括第二筒狀部、以及位於所述第二筒狀部內的第二固定部；<br/> 所述第一筒狀部和所述第二筒狀部在所述第一方向插接、且在所述第一連接件和所述第二連接件之間限定出容納腔；所述第一固定部和所述第二固定部位於所述容納腔內；<br/> 所述第三彈性件位於所述容納腔內；所述第三彈性件的兩端分別與所述第一固定部和所述第二固定部連接。
一種清潔設備，其中，包括請求項1至12中任一項所述之清潔裝置和機身；所述清潔裝置的所述連接組件與所述機身連接。
如請求項13所述之清潔設備，其中，還包括：<br/> 驅動輪組件，可運動地設置於所述機身；所述驅動輪組件包括位於所述機身的底部的驅動輪；所述驅動輪組件用於通過相對於所述機身運動而調整所述驅動輪凸出所述機身的所述底部的高度；<br/> 從動輪組件，可運動地設置於所述機身；所述從動輪組件包括位於所述機身的所述底部的從動輪；所述從動輪組件用於通過相對於所述機身運動而調整所述從動輪凸出所述機身的所述底部的高度；<br/> 所述驅動輪組件和/或所述從動輪組件相對於所述機身運動而使所述機身局部抬升的情況下，所述機身帶動所述連接組件通過所述調整結構向所述清潔組件的一側運動，以使所述清潔組件的所述清潔表面與所述承載面貼合。
一種自動送藥裝置，包括：<br/> 一控制器；<br/> 至少一藥物容置部，各藥物容置部內部形成存放一藥物的空間；<br/> 至少一安全控管門鎖，對應設置於所述至少一藥物容置部中，電性連接於所述控制器，各安全控管門鎖的開啟或關閉係受控於所述控制器；<br/> 一移動部，電性連接所述控制器，並受控於所述控制器移動所述自動送藥裝置前往一第一位置或一第二位置； <br/> 一身份辨識裝置，電性連接於所述控制器，並受控於所述控制器以執行身分辨識； <br/> 一讀取器，電性連接於所述控制器，並受控於所述控制器以讀取一藥單的藥物資訊，用以確認該藥單；以及<br/> 一路徑感測器，電性連接於所述控制器，並受控於所述控制器分析周圍環境重複觀測到的環境特徵定位自身位置，再根據自身位置增量式的構建地圖，以構建出可以移動的路徑。
如請求項1所述之自動送藥裝置，其中所述自動送藥裝置通過該控制器執行一放置藥物模式，包括：<br/> 通過所述身份辨識裝置核對一置藥人員的身分；<br/> 啟動一輸入介面，提供該置藥人員輸入一運送藥物資訊至所述控制器；以及<br/> 所述控制器驅動並開啟所述至少一安全控管門鎖，使得所述至少一藥物容置部呈一開啟狀態，以置放該藥物。
如請求項1所述之自動送藥裝置，其中所述自動送藥裝置通過該控制器執行一拿取藥物模式，包括：<br/> 通過所述身份辨識裝置核對一取藥人員的身分；<br/> 控制所述讀取器讀取所述藥單的藥物資訊，提供該取藥人員確認所述自動送藥裝置運送的藥物；以及<br/> 驅動並開啟所述至少一安全控管門鎖，使得所述至少一藥物容置部呈一開啟狀態。
如請求項2所述之自動送藥裝置，其中，於輸入所述藥單的藥物資訊至所述控制器時，設定一藥物放置位置，所述自動送藥裝置抵達一藥物運送位置時，所述控制器除驅動開啟所述至少一安全控管門鎖外，還通過所述輸入介面顯示所述藥物的運送藥物資訊與藥物放置位置。
如請求項2所述之自動送藥裝置，其中所述輸入介面電性連接於控制器，可以是一實體按鈕及一觸控螢幕中一個或多個的組合。
如請求項1所述之自動送藥裝置，其中， 所述讀取器可以是一條碼掃描器、一QRCode掃描器、一RFID讀取器、一NFC讀取器、一磁條卡讀取器、一光學掃描裝置及一電子掃描裝置中一個或多個的組合。
如請求項1所述之自動送藥裝置，其中，還包括一通訊電路，電性連接於所述控制器，並受所述控制器控制，與一伺服器通訊。
如請求項1所述之自動送藥裝置，其中，所述身份辨識裝置可以是一可攜式IC卡、一RFID卡、一智慧卡、一磁條卡、一人臉辨識模組、一指紋辨識模組、一虹膜辨識模組、一靜脈辨識裝置、一聲紋辨識裝置、一行動裝置及一穿戴式裝置中一個或多個的組合。
如請求項1所述之自動送藥裝置，其中，所述移動部可以是一輪組及一履帶中一個或多個的組合。
一種自動送藥系統，包括：<br/> 如請求項1至8的任一項所述之自動送藥裝置；以及<br/> 一伺服器，包括：<br/> 一通訊模組，與所述自動送藥裝置通訊；及<br/> 一處理器，用以驅動所述通訊模組取得所述自動送藥裝置傳遞的資訊。
一種電子設備盒體，其包括：<br/> 一第一殼體和一第二殼體；<br/> 一鎖定裝置和一第二鎖定件，該第二鎖定件設置於該第二殼體，該鎖定裝置包括一第一鎖定件和一第一鎖定組件，該第一鎖定件具有能與該第二鎖定件配合的一鎖定位和能與該第二鎖定件脫離配合的一解鎖位，該第一鎖定組件轉動設置於該第一殼體，該第一鎖定組件轉動時能用於驅動該第一鎖定件自該鎖定位轉換至該解鎖位。
如請求項1所述的電子設備盒體，其中，該第一鎖定組件包括一旋轉件，該旋轉件轉動設置於該第一殼體，該第一鎖定件設置於該旋轉件。
如請求項1所述的電子設備盒體，其中，該第一鎖定組件包括一旋轉件和一移動件，該移動件沿一第一方向滑動設置於該第一殼體，該旋轉件沿一預設方向轉動時，能驅動該移動件沿該第一方向滑動，以使該第一鎖定件轉換至該解鎖位，該第一方向與該預設方向所在的平面平行設置。
如請求項3所述的電子設備盒體，其中，該移動件設置有一配合通孔，該旋轉件設置有一配合部，該配合通孔內設置有一配合平面，在該旋轉件沿該預設方向轉動時，該配合部與該配合平面抵接。
如請求項4所述的電子設備盒體，其中，該配合通孔內設置有兩個以上該配合平面，兩個以上該配合平面均勻間隔設置。
如請求項5所述的電子設備盒體，其中，該第一鎖定組件還設置有一定位件，該定位件能將該旋轉件定位於該第一鎖定件置於該鎖定位的位置，且該定位件與該配合平面的數量相同。
如請求項3所述的電子設備盒體，其中，該第一鎖定組件還設置有一傳動件，該傳動件的一端與該移動件連接，該第一鎖定件與該傳動件的另一端連接。
如請求項7所述的電子設備盒體，其中，該第一鎖定組件還設置有一第一復位件，該第一復位件使該第一鎖定件具有轉動回位的趨勢，該第一鎖定件與該傳動件的另一端轉動連接，該第二鎖定件設置有一導向斜面，該第二殼體相對於該第一殼體扣合時，該導向斜面能驅動該第一鎖定件相對於該傳動件轉動。
如請求項7所述的電子設備盒體，其中，該第一鎖定組件還設置有一第二復位件，該第二復位件使該移動件具有驅動該第一鎖定件置於該鎖定位的趨勢；該移動件沿該第一方向的兩端均設置有該傳動件，該第一鎖定件、該第二復位件、該第一鎖定件與該第二鎖定件一一對應設置。
如請求項1至9中任一項所述的電子設備盒體，其中，該鎖定裝置還具有一第二鎖定組件，該第二鎖定組件能與該第一鎖定件或該第一鎖定組件配合，以使該第一鎖定件固定於該鎖定位或該解鎖位；或與該第一鎖定件或該第一鎖定組件脫離配合，以使該第一鎖定件能移動。
一種可控制氣流狀態的排氣管結構，包括：一排氣管本體，容設有一內氣流道；以及一調節模組，包括一調節桿、一調節頭、二限位桿以及一氣流調節閥片，該調節桿徑向貫穿該內氣流道，該氣流調節閥片設置在該內氣流道內並連接該調節桿，該氣流調節閥片具有對應設置的二調節孔，該調節頭的一外輪廓呈一不規則形狀或一特定形狀並設置在該調節桿的一端且暴露在該排氣管本體外側，該調節頭設置有對應設置的二弧形孔，該二限位桿螺接在該排氣管本體外側並分別設置在該二弧形孔內；其中，該氣流調節閥片還具有一徑向凹槽，該徑向凹槽具有一半圓形凹弧表面，以緊密貼合該調節桿的一半圓形凸弧表面；其中，該氣流調節閥片在該徑向凹槽中穿設有間隔設置的二焊接孔，以利於將該氣流調節閥片透過該二焊接孔而焊接固定到該調節桿；其中，透過轉動該調節頭以同步控制該調節桿轉動，進而調整該氣流調節閥片在該排氣管本體的該內氣流道內的一氣流排出量。
如請求項1所述之可控制氣流狀態的排氣管結構，其中，該二調節孔分別設置該徑向凹槽的兩側，且分別呈鏡像的傾斜的L型，而呈傾斜L型的各該調節孔的一彎折處相互鄰近且對應設置，該二調節孔並未相互連通，使該二調節孔整體呈蝶翼形狀。
如請求項1所述之可控制氣流狀態的排氣管結構，其中，該二調節孔分別設置該徑向凹槽的兩側，且分別呈鏡像的傾斜的L型，而呈傾斜L型的各該調節孔的一彎折處相互鄰近且對應設置，該二調節孔貫穿該徑向凹槽而相互連通，使該二調節孔整體呈X形狀。
如請求項1所述之可控制氣流狀態的排氣管結構，其中，該調節頭的該外輪廓所呈的該不規則形狀或該特定形狀為字母B字型或阿拉伯數字8字型。
如請求項3所述之可控制氣流狀態的排氣管結構，其中，該二焊接孔分別設置在該二調節孔貫穿該徑向凹槽而相互連通之處的不同兩側。
如請求項1所述之可控制氣流狀態的排氣管結構，其中，該排氣管本體包括一殼體、一第一管段、一第二管段、一銜接管以及一固定件，該第一管段、該第二管段、該銜接管以及該固定件均設置在該殼體內，該殼體的兩端分別具有一第一開口以及一第二開口，該第一管段的一端銜接該殼體的該第一開口，該第二管段的一端則銜接該殼體的該第二開口，該銜接管的兩端分別銜接該第一管段遠離該殼體的該第一開口的另一端以及該第二管段遠離該殼體的該第二開口的另一端，該固定件套設在該銜接管外側。
如請求項6所述之可控制氣流狀態的排氣管結構，其中，該排氣管本體還包括一抵擋桿及一套管，該銜接管銜接在該第一管段遠離該殼體的該第一開口的另一端外側，且該套管設置在該銜接管與該第一管段之間，該抵擋桿螺接並貫穿該排氣管本體，使該抵擋桿的一端擋止在該套管外側。
如請求項1所述之可控制氣流狀態的排氣管結構，其中，該調節頭的各該弧形孔內側具有複數個鋸齒，以暫時定位該調節桿的轉動的角度與位置。
如請求項6所述之可控制氣流狀態的排氣管結構，其中，該固定件的一截面呈一階梯狀。
如請求項6所述之可控制氣流狀態的排氣管結構，其中，該第一開口、該第一管段、該銜接管、該第二管段以及該第二開口彼此相互連通，並共同界定出該內氣流道。
一種電連接器，其中，包括：<br/> 殼體，前述殼體設有沿第一方向延伸且配置為收容對接連接器的收容插槽，前述殼體為導電殼體；<br/> 複數導電端子，前述導電端子設於前述殼體，前述導電端子包括第一導電端子以及複數第一板端端子；前述第一板端端子包括第一接地端子以及位於前述第一接地端子的旁側的第一板端附加端子；每一個第一板端端子包括配置為設置於電路板上的第一安裝尾部；前述第一接地端子包括第一抵接部；<br/> 第一線纜，前述第一線纜與前述第一導電端子電性連接；以及<br/> 第一屏蔽片，前述第一屏蔽片與前述第一接地端子的第一抵接部相接觸，使得前述第一屏蔽片能夠藉由前述第一接地端子的第一安裝尾部與前述電路板實現接地。
如請求項1所述的電連接器，其中：每一個第一導電端子包括第一接觸臂以及第一尾部，前述第一接觸臂包括凸伸入前述收容插槽中的第一接觸部；<br/> 前述第一板端附加端子包括第一延伸部以及與前述第一延伸部相連的第一附加接觸臂，前述第一附加接觸臂包括凸伸入前述收容插槽中的第一附加接觸部；<br/> 前述第一線纜與前述第一導電端子的第一尾部電性連接；<br/> 前述第一板端端子還包括第二接地端子，前述第一板端附加端子位於前述第一接地端子和前述第二接地端子之間；前述第二接地端子包括第二抵接部；<br/> 前述第一屏蔽片與前述第二接地端子的第二抵接部相接觸，使得前述第一屏蔽片能夠藉由前述第二接地端子的第一安裝尾部與前述電路板實現接地；<br/> 前述第一屏蔽片與前述第一板端附加端子的第一延伸部不接觸。
如請求項2所述的電連接器，其中：前述第一屏蔽片與前述第一接地端子的第一抵接部以及前述第二接地端子的第二抵接部焊接固定。
如請求項2所述的電連接器，其中：前述第一接地端子以及前述第二接地端子均未設置凸伸入前述收容插槽中且配置為與前述對接連接器電性連接的任何彈性接觸臂。
如請求項2所述的電連接器，其中：前述第一抵接部、前述第二抵接部以及前述第一延伸部相互平行。
如請求項2所述的電連接器，其中：前述第一抵接部與前述第二抵接部沿第二方向位於第一高度，前述第一延伸部沿前述第二方向位於第二高度，前述第一高度與前述第二高度不同。
如請求項2所述的電連接器，其中：前述電連接器包括固定在前述第一延伸部上的至少一個第一絕緣塊，前述第一附加接觸臂延伸凸出前述第一絕緣塊，前述第一屏蔽片至少部分支撐在前述第一絕緣塊上。
如請求項7所述的電連接器，其中：前述第一絕緣塊設有至少一個第一定位凸伸柱，前述第一屏蔽片設有至少一個第一定位穿孔，前述第一定位凸伸柱穿過前述第一定位穿孔。
如請求項2所述的電連接器，其中：前述第一屏蔽片包括與前述殼體相接觸的第一主體部以及自前述第一主體部延伸的第一板狀延伸部，前述第一板狀延伸部與前述第一接地端子的第一抵接部以及前述第二接地端子的第二抵接部相接觸；<br/> 前述第一主體部設有複數第一缺口，前述第一線纜包括第一芯體、包裹在前述第一芯體上的第一絕緣體以及包裹在前述第一絕緣體上第一屏蔽層，前述第一芯體與前述第一導電端子的第一尾部焊接固定，前述第一缺口對應於前述第一屏蔽層，前述第一缺口配置為填充焊料使前述第一主體部與前述第一屏蔽層焊接固定。
如請求項2所述的電連接器，其中：前述第一延伸部沿前述第一方向的長度大於前述第一抵接部沿前述第一方向的長度，且前述第一延伸部沿前述第一方向的長度大於前述第二抵接部沿前述第一方向的長度。
如請求項2所述的電連接器，其中：前述第一接地端子的第一安裝尾部垂直於前述第一接地端子的第一抵接部，前述第二接地端子的第一安裝尾部垂直於前述第二接地端子的第二抵接部，前述第一板端附加端子的第一安裝尾部垂直於前述第一板端附加端子的第一延伸部；<br/> 每一個第一安裝尾部設有第一安裝穿孔，前述第一安裝尾部配置為以彈性變形的方式插入前述電路板的第一導電孔中。
如請求項2所述的電連接器，其中：前述電連接器包括第一模組；前述第一模組包括：<br/> 第一導電殼體；以及<br/> 第一端子模組，前述第一端子模組至少部分設於前述第一導電殼體中，前述第一端子模組包括前述第一導電端子，前述第一導電端子不與前述第一導電殼體相接觸；<br/> 前述殼體包括前述第一導電殼體。
如請求項12所述的電連接器，其中：前述第一端子模組的第一導電端子包括第一訊號端子以及第二訊號端子；<br/> 前述第一模組還包括固定在前述第一訊號端子和前述第二訊號端子上的第一固持塊，前述第一固持塊設有第一定位凸出柱，前述第一屏蔽片設有第一定位貫穿孔，前述第一定位凸出柱穿過前述第一定位貫穿孔。
如請求項12所述的電連接器，其中：前述電連接器包括第二模組；前述第二模組包括：<br/> 第二導電殼體；以及<br/> 第二端子模組，前述第二端子模組至少部分設於前述第二導電殼體中，前述第二端子模組包括複數第二導電端子，前述第二導電端子不與前述第二導電殼體相接觸；<br/> 前述殼體包括前述第二導電殼體；<br/> 前述收容插槽由前述第一導電殼體與前述第二導電殼體共同形成。
一種連接器組件，其中，包括：<br/> 電連接器，前述電連接器為如請求項1至14中任意一項所述的電連接器；<br/> 屏蔽殼體，前述屏蔽殼體配置為設置於電路板上，前述屏蔽殼體包括收容腔體，前述收容腔體與前述收容插槽沿第一方向相連通，前述收容腔體以及前述收容插槽配置成沿前述第一方向共同收容對接連接器；第一線纜穿出前述屏蔽殼體；前述屏蔽殼體設有固持臂；以及<br/> 導光管，前述導光管包括第一管體部以及與前述第一管體部相連的第一連接部，前述第一管體部位於前述第一線纜的一側；前述第一連接部設有安裝開槽，前述固持臂至少部分插入前述安裝開槽中以對前述導光管進行固定。
如請求項15所述的連接器組件，其中：前述固持臂包括第一扣持臂以及與前述第一扣持臂間隔設置的第二扣持臂，前述第一扣持臂設有第一鉤部，前述第二扣持臂設有第二鉤部，前述第一鉤部以及前述第二鉤部均與前述第一連接部相鎖扣。
如請求項16所述的連接器組件，其中：前述第一鉤部與前述第二鉤部的凸出方向相反。
如請求項16所述的連接器組件，其中：前述固持臂還包括位於前述第一扣持臂和前述第二扣持臂之間的插板部，前述第一扣持臂、前述插板部以及前述第二扣持臂依次間隔佈置，前述插板部至少部分插入前述安裝開槽中。
如請求項18所述的連接器組件，其中：前述第一扣持臂、前述插板部以及前述第二扣持臂均自前述安裝開槽穿出前述第一連接部。
如請求項15所述的連接器組件，其中：前述導光管包括與前述第一管體部並排佈置的第二管體部，前述第一連接部連接前述第一管體部和前述第二管體部，前述第一管體部以及前述第二管體部分別位於前述線纜的兩側；<br/> 前述導光管包括連接前述第一管體部和前述第二管體部的第二連接部，前述第二連接部包括沿第二方向凸出的延伸凸起部，前述延伸凸起部包括凸柱部以及與前述凸柱部相連的頸部；前述第二方向垂直於前述第一方向；<br/> 前述屏蔽殼體包括支架部，前述支架部包括第一支架臂、第二支架臂以及位於前述第一支架臂和前述第二支架臂之間的安裝狹槽，前述頸部緊密卡持於前述安裝狹槽中，前述凸柱部沿前述第一方向凸出前述支架部。
如請求項20所述的連接器組件，其中：前述第一支架臂的末端設有第一導引面以及沿前述第二方向位於前述第一導引面的下部的第一凹口，前述第二支架臂的末端設有第二導引面以及沿前述第二方向位於前述第二導引面的下部的第二凹口；前述第一導引面與前述第二導引面形成導引前述頸部的喇叭口；前述第一凹口與前述第二凹口形成緩衝口，前述緩衝口沿第三方向的尺寸大於前述安裝狹槽沿前述第三方向的尺寸，前述第三方向垂直於前述第一方向和前述第二方向。
如請求項15所述的連接器組件，其中：前述屏蔽殼體包括與前述固持臂相連的連接壁，前述連接壁設有至少一個開孔；<br/> 前述電連接器包括固定在前述殼體上的外絕緣殼體，前述外絕緣殼體設有至少一個安裝凸柱，前述安裝凸柱穿過前述開孔；前述安裝凸柱藉由熱熔固定於前述開孔中，使前述連接壁與前述電連接器結合為一個整體。
一種第一插頭連接器，其中，包括：<br/> 第一殼體，前述第一殼體設有第一插入部、沿第一方向位於前述第一插入部的一側的第一抵接部、以及沿前述第一方向位於前述第一插入部和前述第一抵接部之間的第一狹槽；前述第一插入部配置為插入第一插座連接器的第一定位槽中，前述第一抵接部配置為位於前述第一插座連接器的外部，前述第一狹槽配置為收容前述第一插座連接器的一個第一側壁；<br/> 第一舌板，前述第一舌板設有複數第一導電片，前述第一舌板與前述第一插入部沿第二方向間隔佈置，前述第二方向垂直於前述第一方向，前述第一舌板配置為插入前述第一插座連接器的第一收容插槽中，前述第一導電片配置為與前述第一插座連接器的第一導電端子相接觸；以及<br/> 第一防呆凸起，前述第一防呆凸起凸設於前述第一抵接部；<br/> 其中，前述第一防呆凸起配置為，當前述第一插頭連接器與前述第一插座連接器完成連接時，位於前述第一插頭連接器的前述第一定位槽的外部。
如請求項1所述的第一插頭連接器，其中：前述第一防呆凸起沿前述第二方向凸出前述第一抵接部。
如請求項1所述的第一插頭連接器，其中：前述第一防呆凸起與前述第一抵接部一體成型。
如請求項1所述的第一插頭連接器，其中：前述第一防呆凸起配置為阻止前述第一插頭連接器插入不匹配的第二插座連接器中。
如請求項4所述的第一插頭連接器，其中：前述第一抵接部設有第一前端面，前述第一防呆凸起設有第一阻擋面，前述第一阻擋面沿第三方向位於前述第一前端面的後端，前述第三方向垂直於前述第一方向和前述第二方向，前述第一阻擋面配置為與前述第二插座連接器相抵接，以阻止前述第一插頭連接器插入前述第二插座連接器中。
如請求項4所述的第一插頭連接器，其中：前述第一殼體設有第一插板部、沿前述第一方向位於前述第一插板部的一側的第一抵壓部、以及沿前述第一方向位於前述第一插板部和前述第一抵壓部之間的第一開槽；前述第一插板部配置為插入前述第一插座連接器的第一安裝槽中，前述第一抵壓部配置為位於前述第一插座連接器的外部，前述第一開槽配置為收容前述第一插座連接器的一個第一壁部；<br/> 前述第一舌板與前述第一插板部沿前述第二方向間隔佈置，前述第一舌板位於前述第一插入部與前述第一插板部之間；<br/> 其中，前述第一插頭連接器還設有凸出前述第一抵壓部的第二防呆凸起，前述第二防呆凸起配置為阻止前述第一插頭連接器插入不匹配的前述第二插座連接器中。
如請求項6所述的第一插頭連接器，其中：前述第二防呆凸起沿前述第二方向凸出前述第一抵壓部。
如請求項6所述的第一插頭連接器，其中：前述第二防呆凸起與前述第一抵壓部一體成型。
如請求項6所述的第一插頭連接器，其中：前述第一防呆凸起與前述第二防呆凸起的凸起方向相反。
如請求項1所述的第一插頭連接器，其中：前述第一殼體還包括沿前述第一方向位於前述第一插入部和前述第一舌板的一側的第一導引板，前述第一導引板垂直於前述第一抵接部，前述第一導引板配置為位於前述第一插座連接器的外側。
如請求項1所述的第一插頭連接器，其中：前述第一插頭連接器還包括設置於前述第一殼體上的第一鎖扣彈片以及與前述第一鎖扣彈片相連的第一拉帶，其中前述第一鎖扣彈片設有凸出前述第一插入部的至少一個第一鎖扣凸起，前述第一鎖扣凸起配置為與前述第一插座連接器的第一鎖扣孔相配合。
一種連接器組件，其中，包括：<br/> 第一插座連接器，前述第一插座連接器設有第一收容插槽、位於前述第一收容插槽的一側的第一定位槽、以及凸伸入前述第一收容插槽中的複數第一導電端子；<br/> 第二插座連接器，前述第二插座連接器設有第二收容插槽、位於前述第二收容插槽的一側的第二定位槽、以及凸伸入前述第二收容插槽中的複數第二導電端子；前述第二收容插槽的寬度大於前述第一收容插槽的寬度；<br/> 第一插頭連接器，前述第一插頭連接器為如請求項1至11中任意一項所述的第一插頭連接器；以及<br/> 第二插頭連接器，前述第二插頭連接器包括：<br/> 第二殼體，前述第二殼體設有第二插入部、沿第一方向位於前述第二插入部的一側的第二抵接部、以及沿前述第一方向位於前述第二插入部和前述第二抵接部之間的第二狹槽；前述第二插入部配置為插入第二插座連接器的第二定位槽中，前述第二抵接部配置為位於前述第二插座連接器的外部，前述第二狹槽配置為收容前述第二插座連接器的一個第二側壁；以及<br/> 第二舌板，前述第二舌板設有複數第二導電片，前述第二舌板與前述第二插入部沿第二方向間隔佈置，前述第二方向垂直於前述第一方向，前述第二舌板配置為插入前述第二插座連接器的第二收容插槽中，前述第二導電片配置為與前述第二插座連接器的第二導電端子相接觸；前述第二舌板的寬度大於前述第一舌板的寬度；<br/> 其中，前述第一插頭連接器配置為與前述第一插座連接器相配合；<br/> 前述第二插頭連接器配置為與前述第二插座連接器相配合；<br/> 當前述第一插頭連接器插入前述第二插頭連接器時，前述第一插頭連接器的第一防呆凸起配置為阻止前述第一插頭連接器插入不匹配的前述第二插座連接器中。
一種無線耳機連接器，包括：<br/> 絕緣體；<br/> 第一電連接件和第二電連接件，設置於該絕緣體，該第一電連接件和該第二電連接件二者中至少一個設置有第一拾音通道；<br/> 金屬防塵網，與該第一電連接件和/或該第二電連接件焊接並覆蓋該第一拾音通道。
如請求項1所述的無線耳機連接器，其中，該金屬防塵網的焊接區域覆蓋有密封膠。
如請求項2所述的無線耳機連接器，其中，<br/> 該焊接區域包括複數個焊接點，該密封膠覆蓋各該焊接點。
如請求項1所述的無線耳機連接器，其中，還包括支架，該支架設置於該絕緣體內，該支架具有與該金屬防塵網相貼的貼合面。
如請求項4所述的無線耳機連接器，其中，該貼合面內設有覆蓋該金屬防塵網的焊接區域的第一膠體。
如請求項5所述的無線耳機連接器，其中，該貼合面設有容納該第一膠體的容膠部。
如請求項6所述的無線耳機連接器，其中，該容膠部包括若干個第一槽體，該第一槽體在該金屬防塵網上的投影區域，至少部分與該焊接區域重疊。
如請求項7所述的無線耳機連接器，其中，該第一槽體包括連通設置的引流段和覆蓋段，該引流段由該支架的邊緣向該支架的內部延伸，該覆蓋段在該金屬防塵網上的投影區域，至少部分與該焊接區域重疊。
如請求項5所述的無線耳機連接器，其中，該支架與該第一電連接件及該絕緣體之間的至少部分區域，和/或，該支架與該第二電連接件及該絕緣體之間的至少部分區域設有第二膠體。
如請求項9所述的無線耳機連接器，其中，該第一膠體獨立於或連接於該第二膠體。
如請求項4所述的無線耳機連接器，其中，該支架設有與該第一拾音通道連通第二拾音通道。
如請求項1所述的無線耳機連接器，其中，還包括兩個導電端子，設置於該絕緣體，兩個該導電端子分別與該第一電連接件和該第二電連接件連接。
一種無線耳機，包括揚聲器以及如請求項1至12任一項所述的無線耳機連接器，該揚聲器與該無線耳機連接器連接。
一種楔型固定器，係包含有：<br/> 一V型塊，係設有一貫穿孔；<br/> 二側夾制塊，係置於該V型塊的兩側；<br/> 二拉伸彈簧，係設於該二側夾制塊之間；<br/> 一第一下固定塊，係在一塊體的兩側分別設有一第一翼部，又在該塊體的頂端設有一螺孔；及<br/> 一螺栓，係貫穿該V型塊所設該貫穿孔後，再結設於該第一下固定塊所設該螺孔。
如請求項1所述楔型固定器，其中該二拉伸彈簧的外部分別設有一保護管，而該第一下固定塊設為T型塊狀體。
如請求項2所述楔型固定器，其中在該V型塊兩側的斜面與該二側夾制塊之間分別設有一導柱及一導槽。
如請求項1所述楔型固定器，其中在該螺栓的頭部與該貫穿孔之間設有一彈性華司，另在該螺栓的下方設有一壓縮彈簧，且該壓縮彈簧位於該V型塊與該第一下固定塊之間。
一種可變化多種加工工位的中心虎鉗，係包含有：<br/> 一基座，係在一座體的頂端面設有一滑軌，且在該座體的腹部設有一容置槽，又在該容置槽上設有互為相對的二嵌凹槽；<br/> 二夾鉗，係設於該基座的兩側，又該二夾鉗分別更包含有一活動塊、一第二下固定塊及一緊固件，其中該活動塊置放於該基座所設該滑軌上，且該第二下固定塊則置放於該基座所設該容置槽內部，並嵌入於其所設該二嵌凹槽，而該緊固件則貫穿於該活動塊後結合於該第二下固定塊；<br/> 一傳動螺桿，係設於該基座所設該容置槽內部，並將其兩端分別接設於各該夾鉗所設該第二下固定塊；及<br/> 至少一楔型固定器，係使用請求項1至4任一項所述楔型固定器，且該第一下固定塊亦置放於該容置槽內，並將其所設該第一翼部嵌入於該二嵌凹槽內，又藉由該螺栓將該至少一楔型固定器接設於該基座所設該滑軌上。
如請求項5所述可變化多種加工工位的中心虎鉗，其中該第二下固定塊設為具有二第二翼部的十字型塊狀體，且該第一下固定塊的長度短於該第二下固定塊的長度。
如請求項6所述可變化多種加工工位的中心虎鉗，其中該二第二翼部嵌入於該二嵌凹槽。
如請求項5所述可變化多種加工工位的中心虎鉗，其中該傳動螺桿上設有不同傳動方向的一第一外螺紋與一第二外螺紋，且該傳動螺桿兩端均設為一六角部。
如請求項5所述可變化多種加工工位的中心虎鉗，其中另包含一可拆卸式中心塊並將其設於該基座所設該滑軌的中間位置，且該可拆卸式中心塊藉由其所設二螺絲接設於該滑軌中間位置所設二螺孔，又該可拆卸式中心塊底部對應該滑軌則設有一凹槽，而各該活動塊對應該滑軌則設有一滑凹槽。
如請求項5所述可變化多種加工工位的中心虎鉗，其中在該基座的二側面分別設有一尺寸刻度、一長槽與數個結合螺孔，又其中各該結合螺孔則提供裝設一虎鉗定位器。
一種融合多元、平等、共融概念的桌遊系統，其包括： <br/>一遊戲平台(10)，其具有一起點與一終點相連接的一可循環遊戲路徑(11)以及靠近該可循環遊戲路徑(11)的一放置區域(12)，該可循環遊戲路徑(11)包括多個格位(111)，至少部分的該等格位(111)設有一指示文字，該放置區域(12)設有多個放置區，該指示文字包括一多元、一平等、一共融、一機會、一命運及一獎金； <br/>多個機會指示卡(20)，其對應於該指示文字的該機會且放置於一個該放置區(12a)，每個該機會指示卡(20)設有與一第一情境狀態相關的文字或/及圖像； <br/>多個命運指示卡(30)，其對應於該指示文字的該命運且放置於另一個該放置區(12b)，每個該命運指示卡(30)設有與一第二情境狀態相關的文字或/及圖像； <br/>多個積分卡(40)，放置於另一個該放置區(12c)，每個積分卡(40)對應於一位玩家，每個該積分卡(40)包括至少三個欄位(42、43、44)，三個該欄位(42、43、44)分別記錄與多元、平等、共融相關積分的多個計分格(42a、43a、44a)； <br/>一隨機數字顯示器(50)，設置於該遊戲平台(10)旁且隨機地顯示一數字；以及 <br/>多個移動件(60)，根據該隨機數字顯示器(50)顯示的該數字於該可循環遊戲路徑(11)上移動與該數字相符的數量的該格位(111)，每個該移動件(60)對應於一位該玩家。
如請求項1所述之融合多元、平等、共融概念的桌遊系統，其中該可循環遊戲路徑(11)係圍繞該放置區域(12)，且放置該等機會指示卡(20)的該放置區(12a)與放置該等命運指示卡(30)的該放置區(12b)係彼此相鄰設置。
如請求項2所述之融合多元、平等、共融概念的桌遊系統，其中該可循環遊戲路徑(11)係形成一封閉四邊形。
如請求項1所述之融合多元、平等、共融概念的桌遊系統，其中該指示文字還包括一前進及一後退。
如請求項4所述之融合多元、平等、共融概念的桌遊系統，其中該指示文字還包括一情境敘述文字以及一獎懲相關文字。
如請求項1所述之融合多元、平等、共融概念的桌遊系統，其中每個該格位(111)設置的該指示文字與相鄰的該格位(111)設置的該指示文字不同。
如請求項1所述之融合多元、平等、共融概念的桌遊系統，其中每個該積分卡(40)更包括多個積分合計格(42b、43b、44b)，該等積分合計格(42b、43b、44b)分別記錄對應於該多元、該平等及該共融的該等計分格(42a、43a、44a)中的積分的總和。
如請求項7所述之融合多元、平等、共融概念的桌遊系統，其中每個該積分卡(40)更包括一積分加總格(45)，該積分加總格(45)紀錄該等積分合計格(42b、43b、44b)的積分合計的總和。
如請求項8所述之融合多元、平等、共融概念的桌遊系統，其更包括多個加分卡，每個加分卡記錄一積分或獎金，靠近該可循環遊戲路徑(11)設置，當一個該移動件(60)從該可循環遊戲路徑(11)的該起點移動至該終點時，一張該加分卡的積分累加至一積分合計的總和。
如請求項1所述之融合多元、平等、共融概念的桌遊系統，其中該遊戲平台(10)係形成於一片狀構件的一表面，該隨機數字顯示器(50)為一骰子，該等移動件(60)為跳棋的一棋子。
一種具多角度展紗導向與樹脂引流結構之纖維含浸模具，其包含一進紗端、一出紗端及位於兩者之間的一多角度導向模組，該多角度導向模組包含至少二導角單元；其中:<br/> 該導角單元設置於近該進紗端處，並包含一第一導角單元，其頂側設有一第一導角斜面，其相較於水平面具有傾斜角度≤90<sup>o</sup>；以及<br/> 一第二導角單元設置於後側鄰近該第一導角單元，其頂側設有一第二導角斜面，其相較於水平面具有傾斜角度≤90<sup>o</sup>。
如請求項1所述的具多角度展紗導向與樹脂引流結構之纖維含浸模具，其中:各導角單元底部設有一張力調整滑軌。
如請求項1或2所述的具多角度展紗導向與樹脂引流結構之纖維含浸模具，其中:該第一導角單元為包含至少兩個不同傾斜角度的該第一導角斜面之該導角單元，該傾斜角度皆相較於水平面具有傾斜角度≤90<sup>o</sup>，兩個不同傾斜角度逐步自水平傾斜至≤90<sup>o</sup>；另一側的該第二導角單元至少兩個不同傾斜角度的該第二導角斜面之該導角單元，該傾斜角度皆其相較於水平面具有傾斜角度≤90<sup>o</sup>，兩個不同傾斜角度逐步自≤90<sup>o</sup>回復水平。
如請求項1所述的具多角度展紗導向與樹脂引流結構之纖維含浸模具，其中:一纖維束抵靠於該第一導角斜面而轉向為近乎垂直或垂直的方向，該纖維束抵靠於第二導角斜面而回轉於水平；同時一樹脂自該第一導角斜面與該第二導角斜面依重力流下。
如請求項4所述的具多角度展紗導向與樹脂引流結構之纖維含浸模具，其中:該導角單元後段設置一樹脂引流槽；自該第一導角斜面與該第二導角斜面的該樹脂由該樹脂引流槽排出該具多角度展紗導向與樹脂引流結構之纖維含浸模具外。
如請求項4所述的具多角度展紗導向與樹脂引流結構之纖維含浸模具，其中:該纖維束為連續纖維，包含玻璃纖維、碳纖維、芳香族聚醯胺纖維或聚烯烴纖維等。
如請求項4所述的具多角度展紗導向與樹脂引流結構之纖維含浸模具，其中:於該樹脂由該樹脂引流槽排出該具多角度展紗導向與樹脂引流結構之纖維含浸模具外圍或內部設有一加熱單元，使該樹脂在通過該多角度導向模組時受熱熔融並滲透入該纖維束。
一種用於將扁平連接對象物連接於複數個同軸電纜的轉接連接器，該扁平連接對象物包括複數個電極部及一對凸耳或凹口，該複數個電極部形成於該扁平連接對象物的插入端，該對凸耳或凹口係分別形成於該扁平連接對象物的相對的兩個側邊緣且鄰近該插入端，該轉接連接器包括：<br/> 絕緣殼體，包含供該扁平連接對象物插入的嵌合槽以及與該嵌合槽相對的安裝槽；<br/> 操作構件，具有一對閂鎖部，該操作構件配置成可相對於該絕緣殼體繞與該轉接連接器的寬度方向平行的方向在第一位置與第二位置之間樞轉，當該操作構件位於該第一位置時，允許該扁平連接對象物插入該嵌合槽，在該扁平連接對象物插入該轉接連接器的情況下，當該操作構件位於該第二位置時，該對閂鎖部會與該扁平連接對象物的該對凸耳或凹口卡合，防止該扁平連接對象物自該轉接連接器脫離；<br/> 導電外殼，固定於該絕緣殼體；<br/> 接觸件組合體，配置於該安裝槽，該接觸件組合體由第一子組合體及第二子組合體所構成，該第一子組合體包含複數個第一接觸件及第一絕緣體構件，該複數個第一接觸件係沿與該寬度方向排列且由該第一絕緣體構件保持，該第二子組合體包含複數個第二接觸件及第二絕緣體構件，該複數個第二接觸件係沿該寬度方向排列且由該第二絕緣體構件保持；以及<br/> 纜線總成，包含該複數個同軸電纜及接地條，每一個同軸電纜包含中心導體、圍繞該中心導體的介電質、圍繞該介電質的外導體及圍繞該外導體的護套，該接地條共同連接於該複數個同軸電纜的外導體；<br/> 其中， 每一個第一接觸件包含：第一保持部，由該第一絕緣體構件保持；第一接觸臂，自該第一保持部的一端延伸進入該嵌合槽；第一接觸部，形成在該第一接觸臂的端部；及第一連接部，自該第一絕緣體構件露出；<br/> 該複數個第一接觸件的第一接觸部將分別與插入該嵌合槽的該扁平連接對象物的電極部電性接觸，該複數個同軸電纜的中心導體分別焊接至該複數個第一接觸件的第一連接部；<br/> 每一個第二接觸件包含：第二保持部，由該第二絕緣體構件保持；第二接觸臂，自該第二保持部的一端延伸進入該嵌合槽；第二接觸部，形成在該第二接觸臂的端部；及第二連接部，至少一部分的第二接觸件的第二連接部自該第二絕緣體構件露出；<br/> 該至少一部分的第二接觸件與該接地條係藉由該導電外殼而電性連接。
如請求項1所述的轉接連接器，其中，該導電外殼包含主外殼及接地外殼，該主外殼係被固定於該絕緣殼體，以包覆該絕緣殼體及該接觸件組合體的至少一部分，該接地外殼係被固定於該主外殼。
如請求項2所述的轉接連接器，其中，該主外殼係形成有複數個第一接地連接部，該接地外殼係形成有第二接地連接部，該複數個第一接地連接部係與該至少一部分的第二接觸件的第二連接部電性連接，該第二接地連接部係與該接地條電性連接。
如請求項3所述的轉接連接器，其中，該第二接地連接部係形成於該接地外殼的後緣且藉由接觸或焊接而與該接地條電性連接。
如請求項4項所述的轉接連接器，其中，該接地外殼的該第二接地連接部係構造成鋸齒狀。
如請求項1至5中任一項所述的轉接連接器，其中，該扁平連接對象物進一步包含包覆該扁平連接對象物的一部分的導電層，當該扁平連接對象物插入該嵌合槽時，該複數個第二接觸件的第二接觸部會與該扁平連接對象物的該導電層電性接觸。
如請求項1至5中任一項所述的轉接連接器，其中，該操作構件具有樞軸部，該樞軸部係藉由該絕緣殼體可樞轉地支撐，使得該操作構件能繞該樞軸部轉動，該樞軸部係平行於該寬度方向。
如請求項7所述的轉接連接器，其中，該絕緣殼體係形成有樞軸部支撐部，該樞軸部係藉由該樞軸部支撐部可樞轉地支撐。
如請求項8所述的轉接連接器，其中，該導電外殼包含主外殼及接地外殼，該主外殼係被固定於該絕緣殼體，以包覆該絕緣殼體及該接觸件組合體的至少一部分，該接地外殼係被固定於該主外殼，該主外殼的前緣係形成有止擋部，該止擋部延伸至該樞軸部的上方，以防止該操作構件脫離該轉接連接器。
如請求項1至4中任一項所述的轉接連接器，其中，該第一絕緣體構件及該複數個第一接觸件係藉由嵌入成形而一體成形，且該第二絕緣體構件及該複數個第二接觸件係藉由嵌入成形而一體成形。
一種調味保健用晶球，包含有：<br/> 一晶球本體，係包含有一內核層及一保護層，該內核層係為一油脂性物質所構成，該保護層係包覆於該內核層的外表面，而具有可食性。
如請求項1之調味保健用晶球，其中，該油脂性物質係為可調味的一風味油或保健品的一功效性油。
如請求項2之調味保健用晶球，其中，該風味油係包含芥末油、辣椒油、花椒油、藤椒油、麻辣油、花生油、芝麻油、九層塔油、橄欖油、椰子油、堅果油、松露油、蒜香油、葱香油、生薑油、酪梨油、檸檬油、柳橙油的其中之一或其任意組合。
如請求項2之調味保健用晶球，其中，該功效性油係包含魚油、藻油、橄欖油、亞麻仁油、苦茶籽油、薄荷油、大豆油、蝦紅素、葉黃素、玉米黃素、輔酶Q10、維生素的其中之一或其任意組合。
如請求項1之調味保健用晶球，其中，該晶球本體之直徑係介於1.5mm至8mm之間。
如請求項1之調味保健用晶球，其中，該保護層所使用之材料係為海藻酸鈉、果膠、鹿角菜膠、玉米糖膠、明膠、洋菜膠、刺槐豆膠、羧甲基纖維素的其中之一或其任意組合。
如請求項1之調味保健用晶球，其中，該保護層之厚度係介於0.25mm至0.5mm之間。
如請求項1之調味保健用晶球，其中，該晶球本體係密封於一包裝袋內。
如請求項8之調味保健用晶球，其中，該包裝袋的內部具有一容置空間，以供容納複數的該晶球本體。
如請求項1之調味保健用晶球，其中，該保護層係加入具保健作用之一功效性原料。
一種多元層次強化複合牆板，包括：一第一面板；一第二面板；一複合層位於該第一面板及該第二面板之間，並分別連接該第一面板及該第二面板；至少六條垂直鋼筋；以及至少三條水平鋼筋，與該些垂直鋼筋彼此交錯，形成一立體鋼筋結構嵌入在該複合層。
如請求項1所述之多元層次強化複合牆板，其中該複合層包括一第一混合層、一第二混合層、及一第三混合層位在該第一混合層和該第二混合層之間。
如請求項2所述之多元層次強化複合牆板，其中該第三混合層高於該第一混合層，且高於該第二混合層。
如請求項3所述之多元層次強化複合牆板，其中該複合層具有一頂部凸起。
如請求項4所述之多元層次強化複合牆板，其中該複合層具有一底部凹槽。
如請求項1所述之多元層次強化複合牆板，其中該複合層具有陶粒、水泥、及粉煤灰。
如請求項5所述之多元層次強化複合牆板，其中該頂部凸起可以作為一卡榫，且其中該底部凹槽可以作為一榫槽。
如請求項1所述之多元層次強化複合牆板，其中該第一面板與該第二面板平行配置。
如請求項8所述之多元層次強化複合牆板，其中該第一面板具有一高度與一寬度，且其中該高度大於該寬度。
如請求項9所述之多元層次強化複合牆板，其中該第一面板具有一高度與一寬度，其中該高度實質上是該寬度的兩倍。
一種可翻轉收納的戶外桌，其特徵在於：包括相互可分離的桌面和桌腿；桌面包括第一桌板、第二桌板、鉸鏈部；鉸鏈部轉動連接在第一桌板和第二桌板之間，以使第一桌板和第二桌板能以鉸鏈部為中心相對轉動0~180°；桌面翻折打開時，鉸鏈部凸出位於第一桌板和第二桌板的下側；桌腿包括連接部件、第一桌腿和第二桌腿；第一桌腿和第二桌腿由具有可彎曲性的薄板部件製成；連接部件用於連接第一桌腿與第二桌腿的中部區域；在位於第一桌腿和第二桌腿中央上端處固定設置有保持凹部；在使用狀態下，第一桌腿和第二桌腿的端部均鈎接抵壓在對應桌板的外側邊緣，以使第一桌腿和第二桌腿在張開狀態下均從直板狀向外側彎曲形變且對稱設置；保持凹部和鉸鏈部之間可拆卸連接以保持連接固定。
如請求項1所述的可翻轉收納的戶外桌，其中還包括位於桌腿中央處的鎖定部件；鎖定部件包括對稱設置的第一鎖邊和第二鎖邊；第一鎖邊和第二鎖邊的下部均夾在第一桌腿和第二桌腿之間，並受連接部件鎖緊固定；第一鎖邊和第二鎖邊上部對稱彎折以圍設成保持凹部。
如請求項2所述的可翻轉收納的戶外桌，其中第一鎖邊與第二鎖邊由彈性材料構成；第一鎖邊和第二鎖邊均具有被夾持部、底面部、側面部和鎖定部；被夾持部位於第一桌腿和第二桌腿之間，被夾持部設有用於插入連接部件的貫通孔，貫通孔在第一鎖邊中部與第二鎖邊中部連通成型；保持凹部由底面部、側面部和鎖定部圍設而成，且開口具有彈性形變能力；底面部是從被夾持部處直角折彎後向外延伸的；側面部是從底面部處直角折彎後向上延伸的；鎖定部是位於側面部上端，呈鈎型的向內側突出的折彎部分，使保持凹部的上部開口逐漸收窄。
如請求項1所述的可翻轉收納的戶外桌，其中鉸鏈部包括橫向設置的管部以及插設於管部內部的銷釘；管部靠近桌面的方向，兩側外緣內凹形成有凹槽；第一桌板和第二桌板通過管部和銷釘實現轉動連接；在使用狀態下，管部卡設在保持凹部內，凹槽與保持凹部的開口之間具有臺階限位。
如請求項1所述的可翻轉收納的戶外桌，其中桌面的橫向長邊兩端部均設置有鎖定部；鎖定部為一段凹槽或一段臺階；第一桌腿與第二桌腿上邊緣的兩端部，均設有成鈎狀的爪部；在安裝過程中，爪部與鎖定部保持滑動連接；在使用狀態下，爪部抵壓在鎖定部處，以保持第一桌板和第二桌板的彈性形變。
如請求項5所述的可翻轉收納的戶外桌，其中在收納狀態下，第一桌板與第二桌板呈折疊狀態，第一桌腿和第二桌腿呈折疊直板狀態；第一桌板與第二桌板之間形成用於收納桌腿的間隙；除爪部位於折疊後的桌面外側，其餘的桌腿部分均收納於間隙內；而爪部的角部形成有L型的凸部；折疊後的桌面的兩個角部卡在凸部內側。
如請求項5所述的可翻轉收納的戶外桌，其中在安裝過程中，第一桌板與第二桌板呈中部拱起的山形，並具備下壓展開的趨勢；鎖定部始終與爪部抵接，以使第一桌腿和第二桌腿始終具備向外彎折的形變趨勢。
如請求項1所述的可翻轉收納的戶外桌，其中桌面是實心厚板或具有若干孔洞的薄板。
一種上下料裝置，其改良在於，包括：<br/> 挾持機構，所述挾持機構包括機械手、安裝件、第一夾爪與第二夾爪，所述第一夾爪與所述第二夾爪間隔分佈於所述安裝件，所述第一夾爪用於挾持待加工之物料，所述第二夾爪用於挾持加工完畢之物料，所述安裝件與所述機械手連接，所述機械手用於驅動所述安裝件運動，以切換所述第一夾爪與所述第二夾爪之位置，所述機械手還用於驅動所述安裝件帶動所述第一夾爪與所述第二夾爪移動，以使所述第一夾爪挾持或釋放所述待加工之物料，或使所述第二夾爪挾持或釋放所述加工完畢之物料；<br/> 兩個載料機構，其中一個所述載料機構用在於指定高度向所述第一夾爪提供所述待加工之物料，另一個所述載料機構用在於指定高度承載所述第二夾爪所釋放之所述加工完畢之物料。
如請求項1所述之上下料裝置，其中，所述安裝件包括相對之兩端，所述安裝件之兩端之間與所述機械手轉動連接，所述第一夾爪與所述第二夾爪分別與所述安裝件之兩端連接；<br/> 所述挾持機構還包括兩個第一檢測器，兩個所述第一檢測器分別設於所述安裝件之兩端，其中一個所述第一檢測器用於對所述第一夾爪之工作狀態進行檢測並向所述機械手發出第一回饋信號，所述第一回饋信號表徵所述第一夾爪挾持所述物料，另一個第一檢測器用於對所述第二夾爪之工作狀態進行檢測並向所述機械手發出第二回饋信號，所述第二回饋信號表徵所述第二夾爪挾持所述物料。
如請求項2所述之上下料裝置，其中，每一所述載料機構分別包括升降驅動組件、載臺與載料檢測器，所述升降驅動組件之一側設有取放料區域，所述取放料區域用於供所述第一夾爪獲取物料或供所述第二夾爪釋放物料；<br/> 所述載臺用於承載物料，所述載臺與所述升降驅動組件連接，所述升降驅動組件用於驅動所述載臺相對於所述取放料區域升降移動；<br/> 所述載料檢測器用於對所述取放料區域進行檢測，並向所述升降驅動組件發出回饋信號。
如請求項3所述之上下料裝置，其中，每一所述載料機構還包括限位組件，所述限位組件用於對所述載臺上之物料進行限位。
如請求項4所述之上下料裝置，其中，所述限位組件包括複數限位桿，複數所述限位桿呈環狀分佈，複數所述限位桿與所述載臺共同圍合形成用於容納所述物料之容納空間，所述限位桿能夠相對於所述載臺水平移動，以調節所述容納空間之大小。
如請求項3所述之上下料裝置，其中，當所述載料機構之所述載臺用於承載待加工之物料時，所述載料檢測器還用於向所述機械手發出缺料回饋信號。
一種加工設備，其改良在於，包括加工裝置、固定裝置與如請求項1至6中任意一項所述之上下料裝置，所述加工裝置之一側設有加工區域，所述固定裝置設於所述加工區域，所述上下料裝置用在於所述固定裝置釋放或獲取物料，所述固定裝置用於固定所述物料以供所述加工裝置對所述物料進行加工。
如請求項7所述之加工設備，其中，所述固定裝置包括第一限位塊、第二限位塊、第一抵壓件與第二抵壓件，第一限位塊、第二限位塊、第一抵壓件與第二抵壓件圍合形成固定區域，所述固定區域用於容納所述物料，其中所述第一抵壓件與所述第一限位塊相對設置，所述第一抵壓件用於將所述物料壓向所述第一限位塊，所述第二抵壓件與所述第二限位塊相對設置，所述第二抵壓件用於將所述物料壓向所述第二限位塊，所述第一抵壓件與所述第一限位塊相對設置之方向與所述第二抵壓件與所述第二限位塊相對設置之方向垂直。
如請求項8所述之加工設備，其中，所述第二抵壓件設有斜面；<br/> 所述固定裝置還包括固定驅動器、與滾輪，所述滾輪與所述第一抵壓件轉動連接並相對於所述第一抵壓件朝向所述第二抵壓件之所述斜面延伸，所述固定驅動器與所述第一抵壓件連接，所述固定驅動器用於驅動所述第一抵壓件靠近所述第一限位塊移動，並同步帶動所述滾輪移動，所述滾輪朝向所述第二限位塊作用於所述斜面，所述第二抵壓件於所述滾輪之作用下靠近所述第二限位塊移動。
如請求項7所述之加工設備，其中，所述之加工設備包括第二檢測器，所述第二檢測器用於對所述固定裝置上之物料進行檢測，並向所述固定裝置發出第三回饋信號；與或<br/> 所述第二檢測器用於對所述固定裝置上之物料進行檢測，並向所述加工裝置發出第四回饋信號。
一種可調式電子門鎖開孔模具，其主要係係包括有外端面固定片、連結件及側端面固定片；其中：<br/> 該外端面固定片，其中間開設有外端面裝配開孔部，且對應該外端面裝配開孔部上、下端設有外端面固定孔，以供利用外端面固定件經由該外端面固定孔將該外端面固定片固設於門體之外端面，於該外端面固定片兩側相對應開設有數連結件組接孔；<br/> 該連結件，其係對應該外端面固定片兩側設置，該連結件呈L形狀，令該連結件一側對應該外端面固定片之各該連結件組接孔開設有外端面組接孔，使得兩該連結件皆能利用連結件固定件經由該外端面組接孔與該外端面固定片之各該連結件組接孔結合固定，而於該連結件另一側則排列開設有數側端面固定孔；<br/> 該側端面固定片，其係對應設置於該外端面固定片兩側，於該側端面固定片外端對應該連結件之各該側端面固定孔開設有連結件固定孔，使得能利用側端面固定件將該側端面固定孔與該連結件固定孔結合固定，而將兩該側端面固定片夾掣固定於該門體兩側，於兩該側端面固定片開設有門體固定孔，該門體固定孔供利用門體固定件固設於該門體上，而於兩該側端面固定片開設有數相對應的側端面第一裝配孔，另於兩該側端面固定片亦開設有相對應之側端面第二裝配孔。
如請求項1所述可調式電子門鎖開孔模具，其中，該連結件組接孔係為長槽孔，使得能依該門體不同厚度於各該連結件組接孔中進行移動調整固定位置。
如請求項1所述可調式電子門鎖開孔模具，其中，該側端面固定孔係為長槽孔，使得能依所需位置於各該側端面固定孔中進行移動調整固定位置。
如請求項1所述可調式電子門鎖開孔模具，其中，該側端面第一裝配孔底部連接設有排屑槽部。
如請求項4所述可調式電子門鎖開孔模具，其中，該排屑槽部底部裝設承屑容器方便收集碎屑。
如請求項1所述可調式電子門鎖開孔模具，其中，該側端面第二裝配孔內利用定位件定位設置有輔助件。
一種頂板組件，其改良在於，包括：<br/> 固定板；<br/> 活動板；<br/> 導向柱，和所述固定板固定連接，和所述活動板活動連接；<br/> 第一彈性件，位於所述固定板和所述活動板之間，所述第一彈性件用於沿第一方向彈性連接所述固定板和所述活動板；<br/> 卡扣；以及<br/> 第二彈性件，位於所述固定板中，所述第二彈性件用於沿第二方向彈性連接所述固定板和所述卡扣。
如請求項1所述之頂板組件，其中，所述卡扣包括本體部、卡持部和把手部；所述第二彈性件連接所述本體部和所述固定板，所述卡持部固定於所述本體部背離所述第二彈性件的一側；所述把手部固定於所述本體部背離所述活動板的一側，所述把手部凸伸於所述固定板。
如請求項2所述之頂板組件，其中，所述固定板上開設有第一收容槽，所述本體部上開設有第二收容槽，所述第一收容槽和所述第二收容槽連通，所述第二彈性件位於所述第一收容槽和所述第二收容槽中。
如請求項1所述之頂板組件，其中，所述活動板包括主體和導桿，所述導桿固定於所述主體朝向所述固定板的一側，所述第一彈性件套設於所述導桿上；所述固定板朝向所述活動板的表面開設有第一凹槽；所述導桿的部分和所述第一彈性件的部分位於所述第一凹槽中，所述第一彈性件連接所述主體和所述固定板。
如請求項4所述之頂板組件，其中，所述導向柱凸伸於所述固定板朝向所述活動板的表面，所述主體朝向所述固定板的表面開設有第二凹槽，所述導向柱的部分位於所述第二凹槽中。
如請求項5所述之頂板組件，其中，所述固定板上開設有通孔，所述導向柱從所述通孔穿設於所述固定板，並朝向所述活動板凸伸。
如請求項6所述之頂板組件，其中，所述通孔的內壁上設置有螺紋，所述導向柱和所述固定板螺紋連接。
如請求項1所述之頂板組件，其中，所述第一彈性件為彈簧或者碟簧，所述第二彈性件為彈簧或者碟簧。
一種散熱裝置，用於對工作元件進行散熱，其改良在於，所述散熱裝置包括：<br/> 散熱組件；<br/> 殼體組件，以及<br/> 如請求項1至8中任意一項所述的頂板組件；<br/> 其中，所述散熱組件和所述頂板組件裝配於所述殼體組件中，所述頂板組件可拆卸地卡持於所述殼體組件上，所述工作元件用於可拆卸地設置於所述散熱組件和所述頂板組件之間。
如請求項9所述之散熱裝置，其中，所述殼體組件上開設有卡槽，所述卡槽用於卡持所述卡扣。
一種農漁牧場域之智慧型複合光源驅趕系統，其特徵在於包括： 一感知模組，設置於一監控區域，用以擷取該監控區域之影像資訊；一邊緣運算模組，電性連接該感知模組，接收並處理該影像資訊，以偵測該監控區域內是否存在一特定入侵物件，當偵測到該特定入侵物件時，產生一驅趕控制訊號、一告警聲響訊號及一推播通知訊號；一複合光源驅趕模組，電性連接該邊緣運算模組，包含一活動雲台、一雷射發射器及一強力聚光燈，依據該驅趕控制訊號控制該活動雲台轉動，並驅動該雷射發射器或該強力聚光燈投射光束指向該特定入侵物件；一告警音響模組，電性連接該邊緣運算模組，依據該告警聲響訊號發出聲響，該聲響包含用以威嚇該特定入侵物件之威嚇音或用以通知現場人員之警報音；以及一無線通訊單元，電性連接該邊緣運算模組，用以將該推播通知訊號傳送至一遠端手持裝置。
如申請專利範圍第1項所述之農漁牧場域之智慧型複合光源驅趕系統，其中該特定入侵物件包含獼猴、松鼠、鳥類、野狗或野豬。
如申請專利範圍第1項所述之農漁牧場域之智慧型複合光源驅趕系統，其中該感知模組包含一可見光攝影機及一近紅外線(NIR)攝影機，用以於日夜間擷取影像。
如申請專利範圍第1項所述之農漁牧場域之智慧型複合光源驅趕系統，其中該告警音響模組係為一防水揚聲器，可播放預錄之天敵叫聲、高頻噪音或人聲廣播。
如申請專利範圍第1項所述之農漁牧場域之智慧型複合光源驅趕系統，其中該推播通知訊號包含該特定入侵物件之種類資訊及現場影像快照，該遠端手持裝置係透過應用程式(App)或通訊軟體接收該推播通知訊號。
如申請專利範圍第1項所述之農漁牧場域之智慧型複合光源驅趕系統，其中該雷射發射器具投射不同波長或不同大小光點的雷射光束，該強力聚光燈具備頻閃功能。
如申請專利範圍第1項所述之農漁牧場域之智慧型複合光源驅趕系統，更包括一無線通訊模組，電性連接該邊緣運算模組，用以將該影像資訊傳輸至一遠端伺服器，並由該遠端伺服器接收更新之控制參數或模型。
如申請專利範圍第1項所述之農漁牧場域之智慧型複合光源驅趕系統，更包括一防水防塵殼體，該感知模組與該邊緣運算模組容置於該防水防塵殼體內。
一種鎖具之電機式鎖芯裝置，該鎖具由一電機式鎖芯裝置及一鎖掣件所組成，該電機式鎖芯裝置具有一外殼體，該外殼體上設有至少一通槽，該鎖掣件具有至少一段體，該至少一段體可對應該至少一通槽插置進入，該至少一段體上開設有至少一處之凹卡槽，該外殼體由一圍壁、一頂壁及一底壁圍覆組成，該頂壁上設有至少一通槽口，該頂壁下方設有至少一通筒對正該通槽口，該底壁上設有至少一通槽口，該底壁上方設有至少一低通筒對正該底壁之通槽口，該頂壁及該通筒自該圍壁上方容置進入接合，該底壁及該低通筒自該圍壁下方容置進入接合，該低腔室的頂緣並與該腔室的底緣貼接，其特徵在於：該頂壁上開設有一穿孔，該頂壁下方設有一腔室，該腔室外壁底部設有一軸孔，該底壁上開設有一處之穿孔槽位，該底壁上方設有一低腔室，該頂壁下方之腔室內容置入一驅動組，該驅動組具有一支架台，一動力源容置於該支架台內部定位，該動力源之出力軸穿出該支架台後接合一主動齒輪，該主動齒輪與一設於該支架台上的被動齒盤嚙接，該被動齒盤的另端伸出形成一抵接件，該支架台的側邊附設有一電路板，該電路板上設有一電路裝置，該電路板底面上連接設置有一Type C型態輸入端子，該Type C型態輸入端子及該動力源皆與該電路裝置間具電性連接關係，組裝時該Type C型態輸入端子對正該底壁上之穿孔槽位；一卡掣件，係一板狀體，自該頂壁上之穿孔容置入，至該卡掣件尾端開設的一軸孔槽與該腔室外壁底部之軸孔間達成樞接定位，該卡掣件與該驅動組之支架台間架設有一彈性件，可頂推該卡掣件恆向外偏動，該卡掣件背離該彈性件之面上成型有一弧形擋塊，該弧形擋塊伸出該頂壁下方所設之腔室並伸入該頂壁下方所設之通筒內，該弧形擋塊外表面上具有一弧形面及一平直面，該卡掣件的頂端附具一推壓塊。
如請求項1所述之鎖具之電機式鎖芯裝置，其中，該頂壁下方所設之腔室側邊設有至少二卡接桿，該底壁上方所設之低腔室側邊設有至少二卡槽桿，組裝時該底壁上方的卡槽桿與該頂壁下方的卡接桿相互卡接。
如請求項1所述之鎖具之電機式鎖芯裝置，其中，該支架台的前方凸設一定位柱，供該彈性件的一端套置定位，該卡掣件面向該彈性件之中段部位開設有一定位槽，供該彈性件的另一端容置定位。
如請求項1所述之鎖具之電機式鎖芯裝置，其中，該底壁上更開設有一處之定位孔，供一防水遮蓋向外延伸之塞柱塞置入定位，該防水遮蓋為一面體並向上成型一塞體，該塞體可對應塞置入該穿孔槽位內達成遮蔽作用。
一種易鎖中繼連接器，用於將第一扁平連接對象物及第二扁平連接對象物彼此電連接，該第一扁平連接對象物及該第二扁平連接對象物各包括一對凹口及形成於各自扁平連接對象物的插入端的複數個電極部，該對凹口係分別形成於各自扁平連接對象物的相對的兩個側邊緣且鄰近該插入端；<br/> 該易鎖中繼連接器包括：<br/> 絕緣殼體，由第一殼體及第二殼體所構成，該第一殼體及該第二殼體分別形成有第一嵌合開口及第二嵌合開口，該第一殼體及該第二殼體係配置成該第一嵌合開口及該第二嵌合開口彼此背離，該第一嵌合開口及該第二嵌合開口分別供該第一扁平連接對象物及該第二扁平連接對象物沿第一方向插入；<br/> 複數個接觸件，沿與該第一方向垂直的第二方向排列，每一個接觸件包含：第一保持部，由該第一殼體保持；第一接觸臂，自該第一保持部的一端朝該第一嵌合開口延伸；第一接觸部，形成在該第一接觸臂的端部；第二保持部，由該第二殼體保持；第二接觸臂，自該第二保持部背離該第一保持部的一端朝該第二嵌合開口延伸；及第二接觸部，形成在該第二接觸臂的端部；<br/> 二個第一金屬配件及二個第二金屬配件，該二個第一金屬配件及該二個第二金屬配件係被固定於該絕緣殼體；以及<br/> 第一操作構件及第二操作構件，該第一操作構件及該第二操作構件各具有二個閂鎖部以及與該第二方向平行的樞軸部，該第一操作構件配置於該第一殼體且配置成可相對於該第一殼體繞該第一操作構件的樞軸部在該第一操作構件的解鎖位置及鎖定位置之間樞轉，該第二操作構件配置於該第二殼體且配置成可相對於該第二殼體繞該第二操作構件的樞軸部在該第二操作構件的解鎖位置及鎖定位置之間樞轉；<br/> 其中，該二個第一金屬配件及該二個第二金屬配件之每一者係形成有彈性臂，該第一操作構件係藉由該二個第一金屬配件的彈性臂恆常地彈性偏置到該第一操作構件的鎖定位置，該第二操作構件係藉由該二個第二金屬配件的彈性臂恆常地彈性偏置到該第二操作構件的鎖定位置，<br/> 在該第一扁平連接對象物及該該第二扁平連接對象物分別插入該第一嵌合開口及該第二嵌合開口的情況下，該複數個接觸件的第一接觸部會分別與該第一扁平連接對象物的電極部電性接觸，而該複數個接觸件的第二接觸部會分別與該第二扁平連接對象物的電極部電性接觸，藉此建立該第一扁平連接對象物與該第二扁平連接對象物之間的電連接，<br/> 當該第一操作構件及該第二操作構件位於各自的鎖定位置時，該第一操作構件的閂鎖部及該第二操作構件的閂鎖部會分別與該第一扁平連接對象物的凹口及該第二扁平連接對象物的凹口卡合，防止該第一扁平連接對象物及該第二扁平連接對象物自該易鎖中繼連接器脫離，<br/> 藉由使該第一操作構件或該第二操作構件樞轉地偏置到各自的解鎖位置時，該第一操作構件的閂鎖部或該第二操作構件的閂鎖部會離開該第一扁平連接對象物的凹口或該第二扁平連接對象物的凹口，以釋放對該第一扁平連接對象物或該第二扁平連接對象物的鎖定，允許該第一扁平連接對象物或該第二扁平連接對象物自該易鎖中繼連接器移除。
如請求項1所述的易鎖中繼連接器，更包含金屬外殼，裝配於該絕緣殼體，以包覆該絕緣殼體的外周面，使得該第一嵌合開口、該第二嵌合開口、該第一操作構件的一部分及該第二操作構件的一部分自該金屬外殼露出。
如請求項2所述的易鎖中繼連接器，其中，該金屬外殼係形成有第一掣爪，該第一殼體係形成有供該第一掣爪抵頂的凹部或階梯部。
如請求項3所述的易鎖中繼連接器，其中，該金屬外殼係形成有第二掣爪，該第一殼體係形成有供該第二掣爪抵頂的凹部或階梯部，該第一掣爪抵頂該第一殼體的方向係與該第二掣爪抵頂該第一殼體的方向相反。
如請求項4所述的易鎖中繼連接器，其中，該複數個第一掣爪或該複數個第二掣爪是可偏置的。
如請求項1至5中任一項所述的易鎖中繼連接器，其中，該第一殼體係形成有沿該第一方向延伸的導軌槽，該第二殼體係形成有沿該第一方向延伸且與該導軌槽配合的導軌。
如請求項6所述的易鎖中繼連接器，其中，該第二殼體的該導軌係形成有卡合突起。
如請求項1至5中任一項所述的易鎖中繼連接器，其中，每一個接觸件具有限位部，該限位部係形成於該第一保持部與該第二保持部之間。
如請求項1至5中任一項所述的易鎖中繼連接器，其中，該第一殼體及該第二殼體各具有樞軸收容部，該第一殼體的樞軸收容部及該第二殼體的樞軸收容部係分別構造成可轉動地支撐該第一操作構件的樞軸部及該第二操作構件的樞軸部。
如請求項1至5中任一項所述的易鎖中繼連接器，其中，該二個第一金屬配件及該二個第二金屬配件之每一者皆包含上固定臂、下固定臂、及連接該上固定臂及該下固定臂的連接部，該上固定臂及該下固定臂係沿該第一方向延伸且於與該第一方向及該第二方向垂直的第三方向彼此隔開，由該上固定臂、該下固定臂以及該連接部形成U字形壓件，該彈性臂係自該下固定臂之遠離該連接部的端部延伸。
一種擴胸與划船複合健身器，包含：<br/> 一基座件，於一前側設有一抵頂部與一第一連接部，於一後側設有一第二連接部；<br/> 一背靠件，連接於該第二連接部，且該背靠件能相對於該基座件擺動至一收納用的躺下位置或是一健身用的直立位置；<br/> 兩擴胸件，分別安裝在該背靠件的一左側及一右側，每一擴胸件包括一第一形變部以及一第一握把部，該第一形變部連接在該第一握把部以及該背靠件之間，且該第一形變部具有一與該背靠件重疊的組裝長度以及一能自由形變的偏擺長度；以及<br/> 一划船件，包括一第二形變部以及一第二握把部，該第二形變部連接在該第二握把部以及該第一連接部之間，使得該划船件能相對於該第一連接部擺動；<br/> 其中，當該兩擴胸件被朝向該前側彎折時，該偏擺長度將被形變來產生一作用在該第一握把部的形變回復力；當該划船件被朝向該後側擺動時，該第二形變部將會接觸該抵頂部來產生形變，使得另一形變回復力作用在該第二握把部。
如請求項1所述擴胸與划船複合健身器，其中，該擴胸與划船複合健身器進一步包含一支撐架，該支撐架可樞轉地連接於該基座件的該後側，使得該支撐架能相對於該基座件擺動至一平行該基座件的收納位置或一與使用位置。
如請求項2所述擴胸與划船複合健身器，其中，該第二連接部包括一上托座以及一下叉座，該上托座具有兩樞接板以及一阻擋板，該背靠件抵靠於該阻擋板而被保持在該直立位置；該支撐架具有一柱部以及一腳部，該柱部具有一樞接於該下叉座的樞接端，且該樞接端具有一能卡抵該基座件的擋塊，使得該支撐架能被保持在一支撐位置。
如請求項3所述擴胸與划船複合健身器，其中，該柱部設有一套管以及一栓件，該腳部包括一插柱以及一橫管，該插柱能插入該套管後被該栓件定位，使得該支撐架長度能被改變來調整該基座件的後側高度。
如請求項3所述擴胸與划船複合健身器，其中，該擴胸與划船複合健身器進一步包含一鎖固件，可組卸地連接於該背靠件以及該阻擋板，使得該背靠件無法離開該上托座。
如請求項1所述擴胸與划船複合健身器，其中，該擴胸與划船複合健身器進一步包含一座墊以及一靠墊，該座墊被設置在該基座件頂部，並位於該第一連接部以及該第二連接部之間，該靠墊被設置在該背靠件前方；該座墊靠近該第二連接部，且該靠墊遠離開第二連接部，使得該背靠件被擺動到一躺下收納位置時，該靠墊位在該座墊前方彼此間隔排列。
如請求項6所述擴胸與划船複合健身器，其中，該座墊以及該基座件之間具有一第一調整機構，該第一調整機構包括複數第一定位孔以及一第一定位栓，該複數第一定位孔被設置在該基座件來彼此間隔排列，該第一定位栓依序穿入該複數第一定位孔的其中一者以及該座墊，使得該座墊被該第一調整機構固定在該基座件上；且該靠墊與該背靠件之間具有一第二調整機構，該第二調整機構包括複數第二定位孔以及一第二定位栓，該複數第二定位孔被設置在該背靠件彼此間隔排列，該第二定位栓依序穿入該複數第二定位孔的其中一者以及該靠墊，使得該靠墊被第二調整機構固定在該背靠件上。
如請求項1所述擴胸與划船複合健身器，其中，該擴胸件是由該組裝長度的一端來樞接在該背靠件，且該組裝長度另透過一可組卸的栓鎖件來固定在該背靠件，當該栓鎖件從該背靠件卸除後，該擴胸件能被擺轉以方便收納。
如請求項1所述擴胸與划船複合健身器，其中，該擴胸件是由該組裝長度的一端插入該背靠件的一組接通道，且該組裝長度另透過一可組卸的栓鎖件來固定在該背靠件，當該栓鎖件從該背靠件卸除後，該擴胸件能被抽出以方便收納。
一種擴胸與划船複合健身器，包含：<br/> 一基座件，於一前側設有一抵頂部與一第一連接部，於一後側設有一第二連接部；<br/> 一背靠件，連接於該第二連接部，且該背靠件能相對於該基座件擺動至一收納用的躺下位置或是一健身用的直立位置；<br/> 一擴胸件，包括一第一形變部以及兩第一握把部，該第一形變部連接在該兩第一握把部以及該背靠件之間，且該第一形變部具有一與該背靠件重疊的組裝長度以及一能自由形變的偏擺長度；<br/> 一划船件，包括一第二形變部以及一第二握把部，該第二形變部連接在該第二握把部以及該第一連接部之間，使得該划船件能相對於該第一連接部擺動；<br/> 其中，當該兩擴胸件被朝向該前側彎折時，該偏擺長度將被形變來產生一作用在該第一握把部的形變回復力；當該划船件被朝向該後側擺動時，該第二形變部將會接觸該抵頂部來產生形變，使得另一形變回復力作用在該第二握把部。
一種生產線裝置，其中，包括： 傳送帶，用於沿第一方向輸送目標件；<br/> 阻擋件，用於阻擋於所述目標件的一端；<br/> 驅動機構，沿所述第一方向與所述阻擋件間隔設置，所述驅動機構包括驅動件和移動件，所述驅動件傳動連接於所述移動件，以驅動所述移動件沿所述第一方向相對所述驅動件移動；以及，<br/> 止回機構，包括安裝座、擋塊和彈性件，所述安裝座連接於所述移動件，所述擋塊具有允許所述目標件朝靠近所述阻擋件的一側經過所述擋塊的第一位置，以及能夠止抵於所述目標件遠離所述阻擋件的一側的第二位置，所述擋塊可轉動地連接於所述安裝座，以在所述第一位置和所述第二位置之間切換，所述彈性件彈性地抵頂於所述擋塊和所述安裝座之間，以將所述擋塊彈性地限位於所述第二位置。
根據請求項1所述的生產線裝置，其中：<br/> 所述傳送帶包括沿第二方向相對且間隔設置的兩個帶體，兩個所述帶體平行設置，用於一同沿所述第一方向輸送所述目標件；其中，所述第二方向與所述第一方向垂直；<br/> 所述阻擋件和所述止回機構分別設於兩個所述帶體之間。
根據請求項2所述的生產線裝置，其中：<br/> 所述生產線裝置還包括工作臺和頂升機構；<br/> 所述工作臺設於兩個所述帶體之間，並且沿所述第一方向位於所述阻擋件和所述止回機構之間，所述工作臺用於承載所述目標件；<br/> 所述頂升機構傳動連接於所述工作臺，並用於驅動所述工作臺沿第三方向升降，從而使所述工作臺承載所述目標件，或者使所述工作臺與所述目標件間隔設置；其中，所述第三方向分別與所述第一方向和所述第二方向垂直。
根據請求項3所述的生產線裝置，其中：<br/> 所述生產線裝置還包括壓塊組件，用於將所述目標件抵壓於所述工作臺上。
根據請求項4所述的生產線裝置，其中：<br/> 所述壓塊組件有兩個，兩個所述壓塊組件沿所述第二方向間隔設置，並用於分別抵壓於所述目標件的兩側。
根據請求項5所述的生產線裝置，其中：<br/> 兩個所述壓塊組件分別對應於兩個所述帶體；<br/> 所述壓塊組件包括兩個壓塊，兩個所述壓塊位於所述工作臺沿所述第二方向靠近對應的所述帶體的一側，並且沿所述第一方向間隔設置，至少部分所述壓塊位於所述工作臺上方；所述壓塊能夠將所述目標件抵壓於所述工作臺上。
根據請求項6所述的生產線裝置，其中：<br/> 所述壓塊組件的其中一個壓塊位於所述阻擋件沿所述第二方向靠近所述止回機構的一側，另一個所述壓塊位於所述止回機構沿所述第二方向靠近所述阻擋件的一側。
根據請求項3所述的生產線裝置，其中：<br/> 所述生產線裝置還包括定位件，所述定位件沿所述第三方向凸設於所述工作臺，並用於穿設於所述目標件。
根據請求項3所述的生產線裝置，其中：<br/> 所述生產線裝置還包括固定座；<br/> 所述固定座位於所述工作臺沿所述第三方向的下方，所述固定座沿所述第一方向的一端設有所述阻擋件，所述固定座沿所述第一方向的另一端與所述驅動機構間隔設置。
根據請求項1所述的生產線裝置，其中：<br/> 所述止回機構還包括轉軸件，所述轉軸件沿第二方向穿設於所述安裝座，並能夠繞平行於所述第二方向的軸線相對所述安裝座轉動；其中，所述第二方向與所述第一方向垂直；<br/> 所述擋塊具有沿所述第一方向分佈的止擋部和轉動部，所述止擋部連接於所述轉動部沿所述第一方向靠近所述阻擋件的一端；所述轉動部套設於所述轉軸件；<br/> 所述止回機構還包括銷軸，所述銷軸分別穿設於所述轉動部和所述轉軸件，以使所述轉動部相對所述轉軸件固定。
一種扁平式耦合電感，其包括：<br/> 一鐵芯件，相對的側面分別具有一第一開口及至少一第二開口，所述鐵芯件包括：<br/> 一第一鐵芯體；以及<br/> 一第二鐵芯體，與所述第一鐵芯體結合，所述第一鐵芯體與所述第二鐵芯體之間具有一容置空間，所述容置空間分別與所述第一開口、所述第二開口相連通；<br/> 一第一線圈，包括一第一拱門狀本體、一第一引腳、一第二引腳及一第三引腳，所述第一拱門狀本體具有一第一容納空間，所述第一拱門狀本體位於所述容置空間，所述第一引腳連接於所述第一拱門狀本體，且穿出所述第一開口，朝向遠離所述第一鐵芯體的方向延伸；所述第二引腳與所述第三引腳分別連接於所述第一拱門狀本體，且穿出所述第二開口，朝向遠離所述第一鐵芯體的方向延伸；以及<br/> 一第二線圈，包括一第二拱門狀本體及二內側引腳，所述第二拱門狀本體具有一第二容納空間，所述第二拱門狀本體位於所述第一容納空間內，每一所述內側引腳分別連接於所述第二拱門狀本體，且穿出所述第二開口，朝遠離所述第一鐵芯體的方向延伸，所述二內側引腳位於所述第二引腳與所述第三引腳之間。
如請求項1所述的扁平式耦合電感，其中所述第一拱門狀本體包括二側臂段及一連接段，所述連接段的兩端分別連接所述側臂段，所述第一引腳連接在所述連接段的中心。
如請求項1所述的扁平式耦合電感，其中所述第一引腳、所述第二引腳、所述第三引腳及所述二內側引腳朝同一方向延伸。
如請求項1所述的扁平式耦合電感，其中所述第一引腳、所述第二引腳、所述第三引腳及所述二內側引腳中至少一者朝一方向延伸，其他引腳中至少一者朝另一方向延伸。
如請求項1所述的扁平式耦合電感，其中每一所述內側引腳包括一延伸部及一焊墊，所述焊墊連接於所述延伸部且位於所述第二鐵芯體的下方，與所述第二鐵芯體之間具有一間隔。
如請求項1所述的扁平式耦合電感，其中所述第二開口為二個，每一所述內側引腳分別對應凸出於每一所述第二開口外。
如請求項1所述的扁平式耦合電感，其中所述第二引腳與對應的所述內側引腳形成一缺口；所述第三引腳與對應的所述內側引腳形成另一缺口。
如請求項1所述的扁平式耦合電感，其中所述第一鐵芯體包括一第一板塊及一凸塊，所述第一板塊的兩側面對應於所述第一開口及所述第二開口分別定義一第一側面及一第二側面，所述凸塊連接於所述第一板塊朝向所述第二鐵芯體的一表面，且位於所述第二容納空間內。
如請求項8所述的扁平式耦合電感，其中所述第一鐵芯體還包括二壁柱，分別連接於所述表面，自所述第一開口朝所述第二開口延伸，分別位於所述凸塊的兩側，每一所述壁柱的一端與所述第一板塊的所述第一側面平齊。
如請求項7所述的扁平式耦合電感，其中所述第二鐵芯體包括一第二板塊，所述第二板塊的一側具有一洞口，為所述第一開口的一部份，所述第二板塊的另一側具有凸部，位於二所述內側引腳之間。
一種用於紡織織造和染整製程瑕疵檢測及根本原因分析的人工智慧系統，該系統包含:<br/> 一核心模組，該核心模組包含一大型語言模型模組、一問答式平台模組、一AI 模型群組、一生產參數資料庫、一歷史生產數據資料庫與一 NG 標籤資料庫，該大型語言模型模組、該問答式平台模組、該AI 模型群組、該生產參數資料庫、該歷史生產數據資料庫、該 NG 標籤資料庫互相電性連接；<br/> 一分析學習模組，該分析學習模組包含一多參數分析模組、一異常偵測與關聯性分析模組、一瑕疵根本原因分析模組、一歷史數據回溯分析模組、一檢測與分析演算法模組與一模型學習與演算法更新模組，該多參數分析模組、該異常偵測與關聯性分析模組、該瑕疵根本原因分析模組、該歷史數據回溯分析模組、該檢測與分析演算法模組、該模型學習與演算法更新模組互相電性連接；<br/> 一人機介面決策支援模組，該人機介面決策支援模組包含一即時分析與回饋模組、一決策建議與改善指引模組與一操作人員介面模組，該即時分析與回饋模組、該決策建議與改善指引模組、該操作人員介面模組互相電性連接；<br/> 一擴充模組，該擴充模組包含一系統整合管理模組、一AI 模型擴充管理模組與一生產參數與品質標準設定模組，該系統整合管理模組、該AI 模型擴充管理模組、該生產參數與品質標準設定模組互相電性連接；<br/> 其中，該核心模組分別與該分析學習模組、該人機介面決策支援模組、該擴充模組電性連接，<br/> 其中，該生產參數資料庫進一步包含一染料配方組成資料庫、一色彩一致性資料庫、一pH 值資料庫、一產品規格資料庫與一機台設定參數資料庫，<br/> 其中，該核心模組、該分析學習模組、該人機介面決策支援模組及該擴充模組協同運作，以對紡織織造與染整製程之瑕疵進行檢測與根本原因分析。
如請求項1所述之用於紡織織造和染整製程瑕疵檢測及根本原因分析的人工智慧系統，其中，該問答式平台模組用以接收操作人員輸入之自然語言查詢，並將該自然語言查詢傳送至該大型語言模型模組，該大型語言模型模組用以對該自然語言查詢進行語意理解與關鍵資訊抽取，以產生包含時間範圍、布種類別、顏色類別與瑕疵型態之結構化條件，該核心模組則根據該結構化條件，自動組合查詢規則，以自該生產參數資料庫、該染料配方組成資料庫、該色彩一致性資料庫、該pH 值資料庫、該產品規格資料庫、該機台設定參數資料庫、該歷史生產數據資料庫及該 NG 標籤資料庫中檢索與該自然語言查詢相關之多維生產參數與歷史品質結果。
如請求項2所述之用於紡織織造和染整製程瑕疵檢測及根本原因分析的人工智慧系統，其中，該多參數分析模組用以接收該核心模組所提供之多來源資料，對各項生產參數進行前處理與標準化，包括將不同量綱之生產參數轉換為可比較之標準化數值，並依據製程時間軸對 pH 值、溫度及張力等時間序列資料進行對齊，使多個生產批次於相同製程階段下之生產參數得以進行橫向比對，且該多參數分析模組並將染料配方、色彩一致性數據、pH 曲線之統計特徵、機台設定參數與產品規格組合成多維度特徵向量，以建構代表各批次生產條件之特徵空間，並於該特徵空間中辨識出歷史合格批次所形成之穩定生產區域及偏離該穩定生產區域之潛在高風險批次，且將與該穩定生產區域與高風險批次相關之結果輸出至該異常偵測與關聯性分析模組。
如請求項3所述之用於紡織織造和染整製程瑕疵檢測及根本原因分析的人工智慧系統，其中，該異常偵測與關聯性分析模組用以根據該歷史生產數據資料庫中歷史合格批次之分布情形計算各生產參數之正常範圍，並於目前生產批次中，當任一生產參數超出所述正常範圍之預定倍數，或多個生產參數之組合呈現罕見共現模式時，將該生產參數或該生產參數組合標記為異常，且該異常偵測與關聯性分析模組並根據該 NG 標籤資料庫中的標註結果，計算各異常生產參數組合與各瑕疵型態之條件機率，以萃取具統計意義之關聯規則，並將該等關聯規則提供給該瑕疵根本原因分析模組。
如請求項4所述之用於紡織織造和染整製程瑕疵檢測及根本原因分析的人工智慧系統，其中，該瑕疵根本原因分析模組用以接收該多參數分析模組與該異常偵測與關聯性分析模組所輸出之異常生產參數及其與 NG 標籤之關聯資訊，並將該等異常生產參數及關聯資訊轉換為可供該大型語言模型模組解讀之結構化描述，以使該大型語言模型模組依據該結構化描述生成具因果鏈條之文字說明，該文字說明指示於特定瑕疵型態下之生產參數異常組合與瑕疵發生之因果關係，且該瑕疵根本原因分析模組並將該文字說明提供予該決策建議與改善指引模組，該決策建議與改善指引模組據此自動生成包含調整 pH 控制範圍、變更染料配方比例及調整機台線速區間之修正建議。
如請求項5所述之用於紡織織造和染整製程瑕疵檢測及根本原因分析的人工智慧系統，其中，該歷史數據回溯分析模組用以根據歷史生產數據資料庫與該 NG 標籤資料庫之紀錄，將目前生產批次之多維度特徵向量與既往多個生產批次之多維度特徵向量進行相似度比對，以辨識出與目前生產批次最為相近之歷史生產批次，並根據所述相近歷史生產批次之品質結果與瑕疵型態判定是否存在重複瑕疵模式，其中，當所述相近歷史生產批次多數被標記為同一瑕疵型態之 NG 時，該歷史數據回溯分析模組將該模式標記為重複瑕疵模式，並將該重複瑕疵模式回傳給該瑕疵根本原因分析模組與該檢測與分析演算法模組，以供調整對該瑕疵型態之預警閾值或分析權重。
如請求項6所述之用於紡織織造和染整製程瑕疵檢測及根本原因分析的人工智慧系統，其中，該即時分析與回饋模組用於生產過程尚未完成時接收來自該分析學習模組之初步分析結果，以監控目前生產批次之關鍵生產參數是否偏離歷史穩定生產區間，並於偵測到 pH 值、張力或溫度曲線等生產參數顯著偏離過往合格批次分布時，透過該操作人員介面模組主動顯示警示訊息與風險評估，而該決策建議與改善指引模組則依據該瑕疵根本原因分析模組所提供之根本原因診斷文字，自動生成用以即時調整製程條件之修正建議，該操作人員介面模組並以圖像及文字方式呈現該修正建議與目前生產批次相對於歷史合格批次之參數差異，以供操作人員據以進行調整。
一種具透氣結構之鞋底結構，包含有一鞋底，該鞋底由中底及大底組成，該中底具有頂面、底面及側牆部，該底面區分為前掌區、足心區及後跟區，該後跟區設有一容置空間，由該容置空間向外延伸有至少一排氣通道，該側牆部設有排氣孔並於該排氣通道連通，該容置空間向該前掌區方向延伸設有至少一主流通道，該主流通道於該足心區設有複數分流通道，複數該分流通道設有起點處與終點處，該主流通道於該前掌區設有進氣室，該進氣室設有複數進氣孔，複數該進氣孔貫穿該中底之該頂面，該容置空間、該主流通道、複數該分流通道、該進氣室及複數該進氣孔相連通，該大底組設於該中底之該底面。
如請求項1所述之具透氣結構之鞋底結構，其中，複數該分流通道之該起點處與該終點處皆與該主流通道相連通。
如請求項2所述之具透氣結構之鞋底結構，其中，複數該分流通道之該起點處與該主流通道夾角角度位於30度～70度之間。
如請求項1至3任一項所述之具透氣結構之鞋底結構，其中，該排氣通道設有過濾件。
一種具有鏡子之手機支架，包含：一支架本體，該支架本體具有一定位部以及一握持部；一磁吸件，該磁吸件係固定於該支架本體之該定位部外緣，使該定位部形成一容座；以及一鏡子，該鏡子係固定於該容座中。
如申請專利範圍第1項所述之具有鏡子之手機支架，其中該支架本體之定位部以及該握持部間更設有一調整部，該調整部一端與該定位部連接，相對另端與該握持部連接，並可透過該調整部調整支架之位置或角度。
如申請專利範圍第2項所述之具有鏡子之手機支架，其中該調整部係為軟性可撓材質製成，使其可隨意伸縮或者調整角度位置以利於握持或支撐。
如申請專利範圍第1項所述之具有鏡子之手機支架，其中該磁吸件係呈環狀，而該鏡子係呈圓形。
如申請專利範圍第1項所述之具有鏡子之手機支架，其中該磁吸件之頂緣係高於該鏡子之表面，已形成對該鏡子之保護。
一種電腦機殼，包含：多個桿件，該些桿件的相對兩端分別具有一第一組合部；以及多個角落組裝件，每一該角落組裝件具有彼此朝相異方向凸出的三個第二組合部，每一該角落組裝件的該三第二組合部分別與對應的該些桿件的該些第一組合部相組而令該些桿件與該些角落組裝件共同構成一方體框架。
如請求項1所述的電腦機殼，其中，該些桿件包含至少一第一水平桿件、至少一第二水平桿件及至少一垂直桿件，且該至少一第一水平桿件、該至少一第二水平桿件及該至少一垂直桿件的擺放方向彼此相異。
如請求項2所述的電腦機殼，其中，位於該電腦機殼的左側的該些第一水平桿件及該些垂直桿件透過一體壓鑄形成該電腦機殼的左框架，位於該電腦機殼的右側的該些第一水平桿件及該些垂直桿件透過一體壓鑄形成該電腦機殼的右框架。
如請求項2所述的電腦機殼，其中，位於該電腦機殼的前側的該些第二水平桿件及該些垂直桿件透過一體壓鑄形成該電腦機殼的前框架，位於該電腦機殼的後側的該些第二水平桿件及該些垂直桿件透過一體壓鑄形成該電腦機殼的後框架。
如請求項2所述的電腦機殼，其中，位於該電腦機殼的上部的該些第一水平桿件及該些第二水平桿件透過一體壓鑄形成該電腦機殼的上框架，位於該電腦機殼的下部的該些第一水平桿件及該些第二水平桿件透過一體壓鑄形成該電腦機殼的下框架。
如請求項3至5中任一項所述的電腦機殼，其中，該至少一第一水平桿件的數量為多個，且該些第一水平桿件的長度相等。
如請求項3至5中任一項所述的電腦機殼，其中，該至少一第二水平桿件的數量為多個，且該些第二水平桿件的長度相等。
如請求項3至5中任一項所述的電腦機殼，其中，該至少一垂直桿件的數量為多個，且該些垂直桿件的長度相等。
如請求項3至5中任一項所述的電腦機殼，其中，該至少一第一水平桿件及該至少一第二水平桿件的長度彼此相異。
如請求項9所述的電腦機殼，其中，該至少一第一水平桿件的長度大於該至少一第二水平桿件的長度，且該至少一第一水平桿件的長度等於該些垂直桿件的長度。
如請求項3至5中任一項所述的電腦機殼，更包含多個磁性件及至少一側蓋板，其中該些磁性件分別設置於同一側邊的該二第一水平桿件，且該至少一側蓋板透過該些磁性件設置於該二第一水平桿件。
如請求項11所述的電腦機殼，其中，該至少一側蓋板的數量為二個，該二側蓋板分別位於該方體框架的相對兩側。
如請求項3至5中任一項所述的電腦機殼，更包含一底板、一頂板、一前蓋板及一後蓋板，其中該底板、該頂板、該前蓋板及該後蓋板分別設置於該方體框架的相異側。
如請求項13所述的電腦機殼，其中，更包含一前置輸入/輸出面板，其中該前置輸入/輸出面板鄰近於該頂板。
如請求項3至5中任一項所述的電腦機殼，更包含一擴充卡固定架，其中該擴充卡固定架平行於該至少一垂直桿件，且該擴充卡固定架的相對兩端分別固定於位於該機殼的同一側邊的該二第一水平桿件。
如請求項1所述的電腦機殼，其中，該些桿件的橫截面相同。
如請求項1所述的電腦機殼，更包含多個緊固件，其中每一該角落組裝件的該三第二組合部分別透過緊固件與對應的該些桿件的該些第一組合部相組。
如請求項1所述的電腦機殼，其中，每一該角落組裝件的該三第二組合部分別卡合於對應的該些桿件的該些第一組合部。
如請求項1所述的電腦機殼，其中，該些第一組合部與該些第二組合部為相匹配的卡合凹槽與卡合凸塊。
一種上下樓排液完全隔離的樓層結構，包含：<br/>一樓層底板，位在雙層樓空間之間，用以隔離上層空間及下層空間；<br/>一樓層上板，位在該樓層底板的上方，而與該樓層底板相隔一段距離，其中該樓層上板上形成多個縱向穿孔已讓在該樓層上板上方的管路可以通過該樓層上板；<br/>一框圍牆面位在該樓層底板及該樓層上板之間的空間，而直跨該樓層底板及該之間；<br/>因此在該樓層底板、該樓層上板及該框圍牆面之間形成一容置空間；<br/>至少一管道間用於容納樓層的管道；其中在該框圍牆面與該管道間之間形成管道孔，已讓管路可以通過該管道孔而連通該容置空間及該管道間；<br/>至少一排水管(62)向下延伸穿過該樓層上板的該縱向穿孔而進入該容置空間，然後轉折一角度由縱向轉呈橫向，然後穿過該管道孔而連結該管道間內的排水總管(54)；使得水可以經由該排水管達到該排水總管。
如申請專利範圍第1項所述之上下樓排液完全隔離的樓層結構，尚包含一排便管(72)，向下延伸穿過該樓層上板的縱向穿孔而進入該容置空間，然後轉折一角度由縱向轉呈橫向，然後穿過該管道孔而連結該管道間內的一排便總管(74)；使得廢物可以經由該排便管達到該排便總管。
如申請專利範圍第1項所述之上下樓排液完全隔離的樓層結構，尚包含一內視鏡檢修管路(75)，其一端在該上層中，另一端經由該樓層上板的該縱向穿孔進入該容置空間中；可將一內視鏡經由該內視鏡檢修管路深入該容置空間中，所以可以窺知該容置空間內的情況以利檢修之用。
如申請專利範圍第2項所述之上下樓排液完全隔離的樓層結構，尚包含含一管路排氣孔(86)，該管路排氣孔用已聯通該排水管或該排便管，然後將該排水管或該排便管中的氣體排入位在該管道間內的一廢氣總管。
如申請專利範圍第1項所述之上下樓排液完全隔離的樓層結構，其中在該框圍牆面與該管道間之間形成至少一排水孔(80)；該至少一排水孔可令對應的洩水管(85)穿過而連通該容置空間及該管道間內的排水總管，而使得在該容置空間底部的積水可經由該洩水管(85)排到該管道間內的排水總管或另一洩水總管(89)，因此可以防止該容置空間底部積水。
如申請專利範圍第1項所述之上下樓排液完全隔離的樓層結構，其中在該框圍牆面與該管道間之間形成至少一容置空間排氣孔(82)用於聯通該容置空間及該管道間，可以使得該容置空間內的空氣可以順暢的排出。
如申請專利範圍第6項所述之上下樓排液完全隔離的樓層結構，其中該容置空間排氣孔(82)內安裝一容置空間排氣管(83)，該容置空間排氣管(83)連接該管道間內的排氣總管(84)可以使得該容置空間內的空氣可以排出。
如申請專利範圍第1項所述之上下樓排液完全隔離的樓層結構，尚包含一地板排水管路(90)，該地板排水管路的一端在該上層中，另一端經由該樓層上板的該縱向穿孔進入該容置空間中而與該排水管(62)連通；因此可將該上層中的積水，經由該地板排水管路進入該排水管，而隨著該排水管到該排水總管，因此可以排到外部。
如申請專利範圍第1項所述之上下樓排液完全隔離的樓層結構，其中該樓層底板為RC水泥地板；該RC水泥地板上鋪設一層防水層。
如申請專利範圍第1項所述之上下樓排液完全隔離的樓層結構，其中該樓層上板包含一層鋼浪板(24)；一層水泥板貼(26)貼附在該鋼浪板上方；該水泥板上方可視需要鋪設磁磚等防水石材(28)；其中各該縱向穿孔係穿過該鋼浪板，該水泥板及該防水石材。
如申請專利範圍第1項所述之上下樓排液完全隔離的樓層結構，其中該排水管連接一洗手槽。
如申請專利範圍第2項所述之上下樓排液完全隔離的樓層結構，其中該排便管連接一馬桶。
如申請專利範圍第10項所述之上下樓排液完全隔離的樓層結構，尚包含一防水石材下排水管路(95)，該防水石材下排水管路的一端在該防水石材的下方，另一端經由該縱向穿孔進入該容置空間中而與該排水管連通；因此可將該防水石材下方的積水，經由該防水石材下排水管路進入該排水管，而隨著該排水管到該排水總管，因此可以排到外部。
一種穀物乾燥機的電動出穀閘門設備，其安裝於一穀物乾燥機，所述穀物乾燥機包含有一乾燥室、一送料管，以及一出料通道，所述送料管位於所述乾燥室的上方，並且具有一入料口、與所述乾燥室相連通的一分料口，及與所述出料通道相連通的一出料口，所述電動出穀閘門設備用以開啟或關閉所述出料口，該電動出穀閘門設備包含有： <br/>一機座； <br/>一驅動單元，該驅動單元安裝於該機座； <br/>一閘門單元，該閘門單元位於該出料口的下方，並且能被該驅動單元驅動而相對於該機座在一關閉位置及一開啟位置之間旋轉，該閘門單元包含有一定位架及一蓋板，該定位架與該驅動單元連結，而能被該驅動單元驅動以一旋轉軸為中心相對於該機座正向旋轉及逆向旋轉，該蓋板位於該定位架的一側，並且用以遮擋該出料口；當該閘門單元位在該關閉位置時，該蓋板遮擋該出料口；當該閘門單元位在該開啟位置時，該蓋板不遮擋該出料口； <br/>兩動作限位桿，該兩動作限位桿固定設於該機座，並且分別位在該旋轉軸的相對兩側，用以止擋該閘門單元的定位架，使該定位架被限制在該關閉位置及該開啟位置之間旋轉。
如請求項1所述之穀物乾燥機的電動出穀閘門設備，其中 <br/>該驅動單元包含一馬達、一傳動桿，及一感應件； <br/>該傳動桿連結於該馬達與該定位架之間，並且能被該馬達驅動，而帶動該定位架以該旋轉軸為中心旋轉； <br/>該感應件與該傳動桿連結，並且能隨著該傳動桿旋轉； <br/>該電動出穀閘門設備包含有兩限位開關； <br/>該兩限位開關間隔排列地安裝在該機座並且分別對應該開啟位置及該關閉位置； <br/>各限位開關用以偵測該感應件，並且發出一定位訊號； <br/>該馬達能依據所述定位訊號停止運轉。
如請求項2所述之穀物乾燥機的電動出穀閘門設備，其中當該感應件接觸其中一所述限位開關時，該定位架尚未接觸對應的動作限位桿。
如請求項3所述之穀物乾燥機的電動出穀閘門設備，其中 <br/>該電動出穀閘門設備包含有與該馬達及該兩限位開關電性連接的一控制模組； <br/>該馬達能依據該控制模組所輸出的一開啟訊號，帶動該閘門單元朝該開啟位置旋轉； <br/>該馬達能依據該控制模組所輸出的一關閉訊號，帶動該閘門單元朝該關閉位置旋轉。
如請求項4所述之穀物乾燥機的電動出穀閘門設備，其中該控制模組與一計時器及一警報器電性連接。
如請求項1至5中任一項所述之穀物乾燥機的電動出穀閘門設備，其中 <br/>一第一基準面及一第二基準面互相垂直，並且通過該旋轉軸，而劃分出四個象限； <br/>該兩動作限位桿分別位於相對的兩所述象限，並且沿該旋轉軸凸伸； <br/>該定位架包含有位於該蓋板相對兩側的兩側緣，該兩側緣分別朝向該兩動作限位桿，並且能分別被該兩動作限位桿止擋。
一種鋼絲鉗結構，其包含二相對樞設之鉗體，二該鉗體間利用一樞軸樞接結合，使二該鉗體自該樞軸兩端分別形成一夾持段及一握柄段，二該鉗體之夾持段係隨二該握柄段的相對樞擺而相對靠合及遠離，且二該夾持段內側皆具有一靠合面，該靠合面前端部設一第一齒紋段以及二第二齒紋段，該第一齒紋段置中並自該夾持段朝向該握柄段的方向延伸而成，具有複數個連續成形之圓弧齒槽以及介於各該圓弧齒槽間之複數個尖峰齒，二該第二齒紋段對稱成形於該第一齒紋段兩側，具有複數個成形方向異於所述尖峰齒的尖齒，又該第一齒紋段低於該第二齒紋段，使各該尖峰齒於二該夾持段靠合時未接觸。
如請求項1所述之鋼絲鉗結構，其中，該第一齒紋段係自二該第二齒紋段方向凹弧成形，各該圓弧齒槽深度係由中央往兩側漸淺，並使各該尖峰齒端部非等高形成凹弧狀。
如請求項1所述之鋼絲鉗結構，其中，二該第二齒紋段之尖齒端部與該靠合面齊平，使各該尖齒於二該夾持段靠合時相抵觸。
一種藻順EPA複方膠囊，其包含一膠囊體以及容設於該膠囊體內的一組合物，該膠囊體具有相對套合之一第一膠囊殼以及一第二膠囊殼，並於該第一、第二膠囊殼內部封閉形成一容置空間，該組合物係按比例混合有柑橘類黃酮、高純度EPA藻油以及輔酵素Q10，再將該組合物容設於該膠囊體之容置空間內，據此透過該組合物的配方組成，達到心血管循環的三段調節，達到暢通血路、清除堆積物並增強代謝力，從而降低心血管風險因子之目的者。
如請求項1所述之藻順EPA複方膠囊，其中，該第一、第二膠囊殼外徑等同並以靠接方式銜接結合，再利用一液態束帶滾繞包覆於該第一、第二膠囊殼之結合銜接處，提升該膠囊體之結合密封度。
如請求項1所述之藻順EPA複方膠囊，其中，該第一膠囊殼之外徑大於該第二膠囊殼外徑，並使該第一膠囊殼之內徑可緊密套接於該第一膠囊殼外徑，再利用一液態束帶圈套包覆於該第一、第二膠囊殼之結合銜接處，提升該膠囊體之結合密封度。
如請求項1所述之藻順EPA複方膠囊，其中，該膠囊體為不透光者。
如請求項1所述之藻順EPA複方膠囊，其中，該組合物成分更添加有纖維蛋白分解酵素。
如請求項1所述之藻順EPA複方膠囊，其中，該組合物之柑橘類黃酮成分可替換成佛手柑萃取物。
一種點膠機構，其改良在於，包括：<br/> 針筒，具有收容腔；<br/> 導流件，和所述針筒連接，所述導流件具有第一通道，所述第一通道和所述收容腔連通；<br/> 連通件，和所述導流件連接，所述連通件具有第二通道，所述第二通道和所述第一通道連通；<br/> 主閥體；<br/> 針頭，位於所述連通件背離所述主閥體的端部；以及<br/> 撞針，所述撞針的一部分位於所述主閥體中，所述撞針的另一部分位於所述連通件中，所述撞針可移動地設置於所述主閥體和所述連通件中，所述撞針用於導通或者密封所述針頭。
如請求項1所述之點膠機構，其中，所述第二通道具有第一開口、第二開口和第三開口，所述第一開口和所述第二開口位於所述第一通道的兩個端部，所述第三開口開設於所述連通件的中間區域；所述第一開口和所述第一通道連通，所述第二開口和所述針頭連通，所述第三開口用於所述撞針穿過，並朝向所述針頭延伸。
如請求項2所述之點膠機構，其中，所述針頭包括凹槽和注射槽，所述凹槽和所述注射槽連通，所述凹槽的直徑大於所述注射槽的直徑；所述撞針和所述連通件可移動地連接，所述撞針用於從所述第二開口移動至所述凹槽中並抵持所述凹槽的底壁。
如請求項1所述之點膠機構，其中，所述點膠機構還包括驅動組件，所述驅動組件傳動連接所述撞針，所述驅動組件用於驅動所述撞針移動。
如請求項4所述之點膠機構，其中，所述主閥體包括腔體，所述驅動組件位於所述腔體中；所述驅動組件包括復位彈簧、活塞和連桿，所述復位彈簧彈性連接所述活塞和所述主閥體，所述連桿和所述活塞固定連接，所述撞針和所述連桿背離所述活塞的端部連接；所述點膠機構還包括氣源驅動組件，所述氣源驅動組件包括電磁閥和氣體輸入件，所述電磁閥用於開啟閥門，所述氣體輸入件用於向所述收容腔輸入氣體，所述氣體用於驅動所述活塞移動。
如請求項5所述之點膠機構，其中，所述點膠機構還包括行程旋鈕和力螺絲，所述行程旋鈕和所述力螺絲固定連接，所述力螺絲和所述主閥體可活動地連接，所述力螺絲位於所述復位彈簧背離所述撞針的一側，所述力螺絲用於調節所述撞針的最大位移量。
如請求項6所述之點膠機構，其中，所述點膠機構還包括彈簧頂絲，所述彈簧頂絲設置於所述力螺絲和所述復位彈簧之間。
如請求項1所述之點膠機構，其中，所述點膠機構還包括固定件，所述固定件固定於所述主閥體上，所述針筒穿設於所述固定件。
如請求項1所述之點膠機構，其中，所述點膠機構還包括螺母，所述螺母固定連接所述針頭和所述連通件。
如請求項9所述之點膠機構，其中，所述點膠機構還包括密封圈，所述密封圈位於所述螺母中。
一種用於美膚設備之養髮梳狀導頭，包括：<br/> 一上蓋，包含一具內部容置空間之殼體；<br/> 一電極分配組件，具有一基座及電極分配器，卡合於該殼體內部；及<br/> 一卡合組件，可旋轉地與該基座耦合，形成活動式扣合裝置，用於與一外部美膚裝置組合。
如請求項1所述之用於美膚設備之養髮梳狀導頭，其中上述之殼體，具有一頂部平面以及圍繞該頂部平面之牆體，形成具底部開口之該容置空間。
如請求項2所述之用於美膚設備之養髮梳狀導頭，其中上述之卡合組件包括一對按鈕式卡扣，透過一對設置於該牆體相對側之槽口與該基座耦合。
如請求項3所述之用於美膚設備之養髮梳狀導頭，其中該一對按鈕式卡扣更包括個別透過一彈簧與該基座耦合，形成該活動式扣合裝置。
如請求項4所述之用於美膚設備之養髮梳狀導頭，更包含一底部固定環，於組裝該電極分配組件與該卡合組件之後，透過將該底部固定環設置於該基座下方並與該殼體內部固定，以進一步穩固該養髮梳狀導頭整體之結構。
如請求項2所述之用於美膚設備之養髮梳狀導頭，其中上述之頂部平面具有複數個通孔，用以設置複數個電極銷。
如請求項6所述之用於美膚設備之養髮梳狀導頭，其中上述之電極分配器由一個或一個以上電極分配元件所組成，設置於該基座上用於電性連接該複數個電極銷。
如請求項7所述之用於美膚設備之養髮梳狀導頭，其中上述之電極分配器包含複數個底部電極。
如請求項8所述之用於美膚設備之養髮梳狀導頭，其中個別該複數個底部電極透過重新配置形成複數個頂部電極。
如請求項9所述之用於美膚設備之養髮梳狀導頭，其中經過該電極分配器重新分配之該複數個頂部電極，在該養髮梳狀導頭與該美膚裝置組合之後，可以將該美膚裝置之微電流電極分配至該複數個電極銷，增加與頭皮接觸之電極銷數目。
一種雙層組合屋，其包含：<br/> 兩個雙拼組合屋，其中一個所述雙拼組合屋的屋頂設置有多個第一連接結構，另一個所述雙拼組合屋的底部設置有多個第二連接結構；多個所述第二連接結構能與多個所述第一連接結構相互卡合，而兩個所述雙拼組合屋能上下堆疊地設置；<br/> 一連通結構，其用以提供使用者使用，以進入位於上層的所述雙拼組合屋的室內空間；<br/> 各個所述雙拼組合屋包含：<br/> 至少兩個組裝構件，其分別包含：<br/> 一鋼架構，其包含一底層鋼結構、一頂層鋼結構及四個鋼柱，各個所述鋼柱的兩端與所述底層鋼結構與所述頂層鋼結構相固定，而四個所述鋼柱固定於所述底層鋼結構與所述頂層鋼結構的四個邊角位置；所述鋼架構包含四個側開口； <br/> 多個輔助框架，其固定設置於所述鋼架構，多個所述輔助框架的一部份，對應位於至少一個所述側開口；<br/> 多個外牆，其固定於多個所述輔助框架的外側，或，固定於所述鋼架構；<br/> 多個內裝結構，其固定設置於所述底層鋼結構的內側、所述頂層鋼結構的內側及各個所述輔助框架的內側，以於所述組裝構件的內部構成一半室內空間；<br/> 其中，各個所述組裝構件的一端具有兩個連接部，所述連接部未被所述外牆遮蔽，且所述連接部包含所述輔助框架及所述鋼柱；各個所述連接部設置有一定位結構；<br/> 其中，兩個所述組裝構件的定位結構能相互連接，以輔助兩個所述組裝構件進行定位；<br/> 至少一門，其固定於所述組裝構件；<br/> 多個連接組件，各個所述連接組件包含：<br/> 一固定件，其固定於兩個所述組裝構件的兩個所述連接部，以使兩個所述連接部相互固定；<br/> 一共用外牆，其包含多個牆體，所述共用外牆的多個所述牆體相互連接，且所述共用外牆與兩個所述連接部或所述固定件連接，所述共用外牆遮蔽兩個所述連接部；<br/> 其中，兩個所述組裝構件通過多個所述連接組件相互固定，而兩個所述半室內空間的至少一部分相互連通，據以構成一室內空間，所述門能被開啟，以使所述室內空間與外連通。
如請求項1所述的雙層組合屋，其中，各個所述連接組件還包含一阻隔件，其設置於所述固定件及所述共用外牆之間，所述阻隔件為隔熱及防水結構，用以阻擋外部液體進入所述雙拼組合屋中。
如請求項2所述的雙層組合屋，其中，所述阻隔件包含一基座、兩個側牆及一卡合凸部，所述基座的兩個長邊向同一側延伸形成兩個所述側牆，所述凸部位於所述基座的一寬側面，所述卡合凸部及兩個所述側牆之間分別形成有一凹槽；所述凹槽用以提供多個鎖固件固定，而所述阻隔件能通過多個所述鎖固件固定於所述輔助框架；所述共用外牆具有一卡合槽，所述共用外牆的所述卡合槽用以與所述卡合凸部相互卡合，且所述共用外牆能遮蔽各個所述凹槽及設置於所述凹槽中的多個所述鎖固件。
如請求項3所述的雙層組合屋，其中，所述共用外牆還包含一容槽，所述容槽與所述卡合槽相互連通，所述容槽用以容置所述阻隔件的一部份；所述阻隔件還包含兩個第一卡合結構，兩個所述第一卡合結構是由所述卡合凸部的兩長邊，向外延伸形成；所述共用外牆的各個所述牆體，還包含兩個第二卡合結構，所述第二卡合結構鄰近於所述卡合槽的開口設置；所述共用外牆的所述卡合槽與所述阻隔件的所述卡合凸部相互卡合時，兩個所述第二卡合結構位於兩個所述第一卡合結構面對所述基座的一側，而兩個所述第一卡合結構與兩個所述第二卡合結構能共同限制所述的共用外牆與所述阻隔件彼此間的活動範圍，且所述阻隔件的兩個所述側牆，對應位於所述容槽中。
如請求項1所述的雙層組合屋，其中，各個所述外牆包含多個牆體，同一個所述外牆所包含的多個所述牆體是以上下相互抵靠的方式設置，且相鄰的兩個所述牆體之間設置有一防水結構，所述防水結構填充於相鄰的兩個所述牆體之間的一膠槽。
如請求項5所述的雙層組合屋，其中，所述輔助框架還包含多個承靠件，多個所述承靠件彼此間隔地設置於所述底層鋼結構的外側；相鄰的多個所述承靠件用以共同提供至少一個所述外牆或所述共用外牆抵靠。
如請求項5所述的雙層組合屋，其中，至少一個所述外牆的所述牆體的一端面的一部份，向外延伸形成有一梯形結構；上下並排設置的兩個所述牆體的兩個所述梯形結構的斜面相互抵靠，且其中一個所述牆體的所述端面的一部份與另一個所述梯形結構的頂面相互抵靠，且兩個所述牆體遠離所述梯形結構的斜面的一側，形成有所述膠槽；各個所述梯形結構的寬度，是由頂面向底面逐漸遞增；各個所述外牆的牆體是通過固定件，與相鄰的所述輔助框架固定，或與相鄰的所述鋼架構固定。
如請求項7所述的雙層組合屋，其中，至少一個所述外牆的所述牆體的一端具有一缺槽，所述缺槽的底面與相鄰的所述牆體的所述梯形結構的頂面相互抵靠，而所述缺槽與另一個所述牆體的所述端面共同形成有所述膠槽。
如請求項1所述的雙層組合屋，其中，所述雙拼組合屋還包含多個彎角組件，其用以設置於所述雙拼組合屋的多個彎角處，各個所述彎角組件用以遮蔽各個所述彎角處的間隙；各個所述彎角組件包含一彎角固定件及一外觀件，所述彎角固定件包含兩個固定片體及一插接結構，兩個所述固定片體的長邊相互連接，所述插接結構與兩個所述固定片體連接，所述插接結構具有一插接槽；所述外觀件包含一圓弧外壁及一連接結構，所述連接結構用以插設於所述插接槽。
如請求項1所述的雙層組合屋，其中，至少一個所述外牆的牆體具有一穿孔，所述穿孔設置有一窗戶模組，所述窗戶模組包含多個加強件、一窗框及一窗戶本體，多個所述加強件固定於所述穿孔的內側，所述窗框通過多個鎖固件，與多個所述加強件相互配合，以固定於所述穿孔，所述窗戶本體設置於所述窗框中。
一種具有金屬波浪件之連接器，包括：<br/> 一絕緣本體，其設有一對接部，且該對接部呈板體狀，並沿垂直軸方向延伸；<br/> 一金屬中隔件，係設置於該對接部中；<br/> 一端子組，係設於該對接部中，且位於該金屬中隔件之一側，其中，該端子組包含複數支訊號端子與複數支接地端子，且各該訊號端子與各該接地端子沿橫軸方向排列；及<br/> 一金屬波浪件，係設置於該對接部中，且位於該端子組與該金屬中隔件之間，其沿橫軸方向交錯形成複數個波谷部與複數個波峰部，且各該波谷部的內側電氣連接至該金屬中隔件的一側；<br/> 其中，在各該訊號端子與各該接地端子位於該金屬波浪件之外側的情況下，各該波谷部能對應至少一支訊號端子，且不與各該訊號端子相接觸；至少其中一個波峰部能直接接觸其中一支接地端子。
如請求項1所述之連接器，其中，各該波谷部之頂端的水平位置，超過對應之各該訊號端子之頂端的水平位置。
如請求項1所述之連接器，其中，該對接部對應該端子組之一側設有複數個訊號端子槽與複數個接地端子槽，各該訊號端子槽與各該接地端子槽沿橫軸方向排列，且各該訊號端子槽用以容納各該訊號端子，各該接地端子槽用以容納各該接地端子，在各該訊號端子與各該接地端子分別容納至對應之各該訊號端子槽與各該接地端子槽的情況下，各該訊號端子與各該接地端子背對該金屬中隔件之一側的外表面能外露，且實質上保持共面。
如請求項1所述之連接器，其中，該對接部對應於至少其中一個接地端子槽的位置，設有至少一個穿孔，該接地端子透過對應之各該穿孔而直接接觸該波峰部。
如請求項1所述之連接器，其中，二相鄰之接地端子之間設有至少一支該訊號端子。
如請求項1所述之連接器，其中，各該接地端子及該金屬中隔件之底部區域，係向下延伸出該對接部之底部下方。
如請求項6所述之連接器，其中，該對接部設有一底座，該底座上設有複數個容納孔，各該接地端子之底端部分彎折形成一彎折部，該接地端子底端之彎折部容納於對應之各該容納孔中。
如請求項7所述之連接器，其中，該底座覆蓋該對接部底部，使該金屬中隔件之底部不會外露出來。
如請求項1所述之連接器，其中，該對接部頂部設有一保護框體，該保護框體中對應該端子組之一壁面，設有複數個框體訊號端子槽與複數個框體接地端子槽，其中，各該框體訊號端子槽與各該框體接地端子槽沿橫軸方向排列，且各該框體訊號端子槽用以容納各該訊號端子之上端區域，各該框體接地端子槽則用以容納各該接地端子之上端區域，在各該訊號端子之上端區域與各該接地端子之上端區域，分別容納至對應之各該框體訊號端子槽與各該框體接地端子槽的情況下，其背對該金屬中隔件之一側的外表面能外露，且實質上保持共面。
如請求項1所述之連接器，還包括另一端子組與另一金屬波浪件，且該另一端子組與該金屬波浪件之元件配置，相同於該端子組及該金屬波浪件，其中，該另一端子組設置於該對接部中，且位於該金屬中隔件之另一側，該另一金屬波浪件則位於該另一端子組與該金屬中隔件之間，且其另一波谷部能直接接觸該金屬中隔件之另一側。
如請求項1所述之連接器，其中，該接地端子之頂端的水平位置，高於該訊號端子之頂端的水平位置。
如請求項1所述之連接器，其中，該金屬中隔件之頂部區域，係延伸至超出該對接部的頂面。
一種小型化相機模組，包括： <br/>一承載板； <br/>一影像感測器，設置在該承載板上方； <br/>一鏡頭，包含罩蓋在該影像感測器上方的一基座及自該基座向上延伸的一鏡筒，該基座具有完全遮蓋該影像感測器的頂部與前、後側的一頂板、一前板及一後板，該頂板、該前板與該後板的左、右側形成有裸露出該影像感測器的左、右側的二開口；以及 <br/>至少一阻光體，覆蓋在該頂板、該前板與該後板的左、右側及該承載板並完全遮蓋該二開口與該影像感測器的左、右側。
如請求項1所述之小型化相機模組，其中該頂板、該前板與該後板的左、右側突出該影像感測器的左、右側。
如請求項1所述之小型化相機模組，其中該前板與該後板的頂緣自該頂板的前、後側一體延伸，該前板與該後板的底緣抵靠該承載板。
如請求項1所述之小型化相機模組，其中阻光體的數量為一，該阻光體為阻光型膠帶，該阻光型膠帶的中間段覆蓋在該承載板的底壁，該阻光型膠帶的兩端分別覆蓋在該承載板、該頂板、該前板與該後板的左、右側。
如請求項4所述之小型化相機模組，其中該承載板的該底壁設有一凹陷槽，該阻光型膠帶的中間段嵌設於該凹陷槽且覆蓋在該凹陷槽的內底壁。
如請求項1所述之小型化相機模組，其中阻光體的數量為二，該阻光體為阻光型膠帶或阻光型固化黏著劑，該承載板的左、右側突出該頂板、該前板與該後板的左、右側，該二阻光型膠帶或該二阻光型固化黏著劑分別覆蓋在該頂板、該前板與該後板的左、右側及該承載板的頂壁。
如請求項1所述之小型化相機模組，其中阻光體的數量為二，該阻光體為阻光型膠帶或阻光型固化黏著劑，該二阻光型膠帶或該二阻光型固化黏著劑分別覆蓋在該承載板、該頂板、該前板與該後板的左、右側。
如請求項7所述之小型化相機模組，其中該承載板的左、右側突出該頂板、該前板與該後板的左、右側，該承載板的左、右側設有二凹口，各該阻光型膠帶或各該阻光型固化黏著劑的底段嵌設於各該凹口且覆蓋在該凹口的內壁。
如請求項1所述之小型化相機模組，其中該影像感測器包含有一影像感測器本體及覆蓋在該影像感測器本體上方的一防護玻璃，該頂板與該防護玻璃相抵靠。
如請求項1所述之小型化相機模組，其中該頂板與該影像感測器之間形成有一間距。
如請求項1所述之小型化相機模組，其中該鏡頭包含安裝在該鏡筒內的一成像鏡片組，該成像鏡片組包含複數成像透鏡及配置在該複數成像透鏡與該影像感測器之間的一紅外線濾光片。
如請求項1所述之小型化相機模組，其中該承載板為電路板，該影像感測器與該電路板電性連接。
一種運用文字分析技術產製滯繳風險與資金需求之系統，包含：<br/> 一輿情蒐集與文字分析單元，連接至複數個資料來源，以爬取該些資料來源的複數個資料，並將該些資料轉化為複數個結構化資料；<br/> 一資金需求預測模型單元，連接至該輿情蒐集與文字分析單元，該資金需求預測模型單元根據該些結構化資料中的一正面指標的結構化資料產出一客戶資金需求資料；<br/> 一滯繳風險辨識與預警單元，連接至該輿情蒐集與文字分析單元，該滯繳風險辨識與預警單元根據該些結構化資料中的一負面指標的結構化資料產出一滯繳風險警示清單；以及<br/> 一資料整合與派送單元，通過一名單過濾單元連接至該資金需求預測模型單元以及該滯繳風險辨識與預警單元，該資料整合與派送單元配置以將該客戶資金需求資料與該滯繳風險警示清單寄發給一業務單位。
如請求項1所述之運用文字分析技術產製滯繳風險與資金需求之系統，更包含一客戶數據資料庫，與該資金需求預測模型單元與該輿情蒐集與文字分析單元連接，該客戶數據資料庫配置以提供一客戶往來資料至該資金需求預測模型單元與該輿情蒐集與文字分析單元。
如請求項1所述之運用文字分析技術產製滯繳風險與資金需求之系統，其中該名單過濾單元配置以統整與過濾該客戶資金需求資料與該滯繳風險警示清單。
如請求項1所述之運用文字分析技術產製滯繳風險與資金需求之系統，更包含一使用者操作介面，連接至該輿情蒐集與文字分析單元。
如請求項1所述之運用文字分析技術產製滯繳風險與資金需求之系統，其中該輿情蒐集與文字分析單元包含一提取-轉換-載入(extract-transform-load，ETL)模組以及一與該ETL模組連接之一分類模組。
如請求項5所述之運用文字分析技術產製滯繳風險與資金需求之系統，其中該分類模組包含實體分類、事件分類、正面指標分類，以及負面指標分類。
如請求項1所述之運用文字分析技術產製滯繳風險與資金需求之系統，其中該資料整合與派送單元包含一資料分析模組，該資料分析模組配置以根據該客戶資金需求資料與該滯繳風險警示清單進行描繪客戶畫像、資金需求預測，以及風險等級評估。
如請求項7所述之運用文字分析技術產製滯繳風險與資金需求之系統，其中該資料整合與派送單元包含與該資料分析模組連接之一寄送模組，該寄送模組配置以將經由該資料分析模組分析後的資料連同相關新聞內容寄送至該業務單位。
如請求項7所述之運用文字分析技術產製滯繳風險與資金需求之系統，其中該資料整合與派送單元包含與該資料分析模組連接之一資料庫，該資料庫配置以提供一企金洞察平台與一徵授信系統進行查詢。
如請求項1所述之運用文字分析技術產製滯繳風險與資金需求之系統，其中該些資料來源包含新聞首頁網站、主管機關公告網站、重大訊息公告網站、公司財報網站、聯徵資料網站、公開資料網站以及新聞網站。
一種封裝結構，包括： <br/>電路層； <br/>至少一電子元件，設置於該電路層上； <br/>熱介面材料層，設置於該至少一電子元件上； <br/>均溫板結構，用以加強封裝結構之剛性，設置於該至少一電子元件上，並藉由該熱介面材料層與該至少一電子元件接合；以及 <br/>封裝材料層，設置於該電路層上，封裝該至少一電子元件及該均溫板結構。
如請求項1所述之封裝結構，其中該封裝材料層覆蓋該熱介面材料層不與該均溫板結構及該至少一電子元件接觸的表面。
如請求項1所述之封裝結構，其中該均溫板結構包括朝向該電路層的第一表面及相對於該第一表面的第二表面，且該均溫板結構的該第一表面透過該熱介面材料層與該至少一電子元件接合。
如請求項3所述之封裝結構，其中該封裝材料層封裝該均溫板結構，並暴露該均溫板結構的該第二表面。
如請求項3所述之封裝結構，其中該封裝材料層包括朝向該電路層的第一表面及相對於該第一表面的第二表面，其中該封裝材料層的該第一表面與該電路層接合。
如請求項5所述之封裝結構，其中該封裝材料層的該第二表面與該均溫板結構的該第二表面實質上共平面或略低於該均溫板結構的該第二表面。
如請求項5所述之封裝結構，其中該至少一電子元件朝向該電路層的表面與該封裝材料層的該第一表面實質上共平面。
如請求項7所述之封裝結構，其中該至少一電子元件具有與該電路層電性連接的金屬接點，其中該些金屬接點的表面與該封裝材料層的該第一表面實質上共平面。
如請求項1所述之封裝結構，其中該至少一電子元件包括第一電子元件與第二電子元件，且該第一電子元件與該第二電子元件朝向該均溫板結構的表面實質上共平面。
如請求項9所述之封裝結構，其中該熱介面材料層包含第一部分及第二部分，該第一部分設置於該第一電子元件上，該第二部分設置於該第二電子元件上，且該第一部分與該第二部分不連續。
一種保鮮裝置，其包括：<br/>一加工載體，係供對食材加工；<br/>至少一電場生成裝置，係設於該加工載體上，以於該加工載體上形成一振盪區域；<br/>一第一加工區，係位於該振盪區域上；<br/>一入料口，係設於該加工載體一側且連通該第一加工區；<br/>一添加裝置，係設於該第一加工區內，並包含有：<br/>至少一第一儲存件，係供儲存制菌劑；<br/>至少一第二儲存件，係供儲存抗氧化劑；<br/>一第二加工區，係位於該振盪區域上且位於該第一加工區一側；<br/>一真空冷卻裝置，係設於該第二加工區內，並包含有：<br/>一抽氣元件，係於該第二加工區形成低壓密閉腔體；<br/>一壓力控制件，係設於該抽氣元件一側且與其資訊連結，以藉由低壓控制使該食材發生低溫沸騰；<br/>複數感測元件，係設於該壓力控制件一側且與其資訊連結；<br/>一出料口，係設於該加工載體背離該入料口一側且連通該第二加工區；及至少一傳送裝置，係設於該入料口與該出料口之間。
如請求項1所述之保鮮裝置，其中該電場生成裝置係利用低頻電場持續性振盪、利用脈衝電場週期性衝擊振盪、或將該低頻電場及該脈衝電場混合使用。
如請求項1所述之保鮮裝置，其中該加工載體上設有一紫外殺菌裝置。
如請求項1所述之保鮮裝置，其中該真空冷卻裝置一側設有一真空包裝機。
如請求項1所述之保鮮裝置，其中該制菌劑係為抗菌劑、或抑菌劑，且該抗菌劑係為雙醋酸鈉、或山梨酸鉀，該抑菌劑係為乳酸鈉、或乾燥醋酸粉，而該抗氧化劑係為異抗壞血酸鈉、維生素E、或迷迭香萃取物。
一種具多層包埋防護層之加氏乳桿菌（<i>Lactobacillus gasseri</i>）SG121菌株組合物，其包含有：<br/> 一核心，具有一活性成分，來自加氏乳桿菌SG121培養物；<br/> 一抗性層，係設於該核心之表面；<br/> 一包覆層，係設於該抗性層表面；<br/> 一滋養層，係設於該包覆層表面；<br/> 一活芯層，係設於該滋養層表面；<br/> 一防護層，係設於該活芯層表面。
如請求項1所述具多層包埋防護層之加氏乳桿菌SG121菌株組合物，其中，該抗性層、該包覆層、該滋養層、該活芯層及該防護層之厚度係幾乎相同。
如請求項1所述具多層包埋防護層之加氏乳桿菌SG121菌株組合物，其中，該核心係呈球形。
如請求項3所述具多層包埋防護層之加氏乳桿菌SG121菌株組合物，其中，該抗性層、該包覆層、該滋養層、該活芯層及該防護層之厚度總和係等於或小於該核心之直徑。
如請求項1所述具多層包埋防護層之加氏乳桿菌SG121菌株組合物，其中，該核心係呈非球形。
如請求項5所述具多層包埋防護層之加氏乳桿菌SG121菌株組合物，其中，該抗性層、該包覆層、該滋養層、該活芯層及該防護層之厚度總和係等於或小於該核心最長徑之長度。
如請求項1所述具多層包埋防護層之加氏乳桿菌SG121菌株組合物，其更包含有一膠囊，具有一容置空間，用以容置該核心。
如請求項7所述具多層包埋防護層之加氏乳桿菌SG121菌株組合物，其中，該膠囊係由兩半殼體彼此開口相向而對接組成者。
一種製備如請求項1所述具多層包埋防護層之加氏乳桿菌SG121菌株組合物的產製系統，其包含有：<br/> 一菌株培養部，包含有一培養單元，用以培養加氏乳桿菌SG121，得到加氏乳桿菌SG121培養物，一控制單元，以有線或無線地連接該控培養元，用以控制該培養單元之培養環境；<br/> 一包埋處理部，設於該菌株培養部之後，包含有一核心製備單元，用以將來自該培養單元之加氏乳桿菌SG121培養物製備為核心，一包埋單元，設於該核心製備單元之後，用以接收核心並對其進行包埋處理程序。
如請求項9所述產製系統，其中，該包埋處理部係更包含有一加工單元，設於該包埋單元之後，用以將經包埋處理之核心加工為一預定劑型。
一種溫罐結構，其特徵在於，包括︰<br/> 一罐身，該罐身上端設有一內固定部，該罐身下端設有一外固定部，該罐身之該內固定部及該外固定部間設有貫通多個進氣孔；<br/> 一握持部，係設於該罐身上端，該握持部於其下端中央及外側分別設有一中固定部及一外結合部且於其間形成一內凹槽，該中固定部係呈內凹形狀，該握持部頂面向下延伸設有多個透孔且貫穿對應該內凹槽底部，該外結合部係對應該罐身上端之該內固定部；<br/> 一過濾材，係設於該握持部之該內凹槽；<br/> 一艾柱勾座，係設於該握持部之該中固定部，該艾柱勾座係包括相互結合之一座體及一勾針，其中，該座體上端設有一柱固定部且對應該握持部之該中固定部，該座體下端設有一螺孔，該螺孔設有一固定件，該座體中央設有呈內凹之一套孔，該勾針係設於該座體之該套孔，該勾針下端設有一針端部；<br/> 一下蓋，係設於該罐身下端，該下蓋下端有一下內凹部，該下內凹部設有貫穿之多個煙孔，該下蓋上端設有一下內固定部且對應該罐身之該外固定部；<br/> 利用該過濾材過濾煙霧及由該透孔排出，利用該罐身、該握持部、該過濾材、該艾柱勾座及該下蓋為不用工具作直接分解拆卸清潔。
如申請專利範圍第1項所述之溫罐結構，其中，所述艾柱勾座之該固定件係為螺絲。
如申請專利範圍第1項所述之溫罐結構，其中，所述罐身之該外固定部係設有外螺牙；該內固定部係設有內螺牙。
如申請專利範圍第1項所述之溫罐結構，其中，所述握持部之該中固定部係設有內螺牙，該外結合部係設有外螺牙。
如申請專利範圍第1項所述之溫罐結構，其中，所述過濾材係為過濾棉，該過濾棉係為活性碳過濾棉。
如申請專利範圍第1項所述之溫罐結構，其中，所述艾柱勾座之該柱固定部係設有外螺牙。
如申請專利範圍第1項所述之溫罐結構，其中，所述勾針之該針端部形狀係呈ㄈ形狀。
如申請專利範圍第1項所述之溫罐結構，其中，所述下蓋之該下內凹部係呈弧形狀。
如申請專利範圍第1項所述之溫罐結構，其中，所述下蓋之該下內固定部設有內螺牙。
如申請專利範圍第1項所述之溫罐結構，其中，所述該下蓋之該下內固定部外側設有多個壓紋。
如申請專利範圍第1項所述之溫罐結構，其中，所述艾柱勾座設於該握持部之該中固定部外露之長度係等於或小於該罐身設於該握持部之該外結合部外露之長度。
如申請專利範圍第1項至第11項中任一項所述之溫罐結構，其中，所述艾柱勾座之該勾針下端之該針端部設有一艾柱。
一種生成式醫病管理系統，包含：<br/> 一資料庫，包含：<br/> 一病患病歷子資料庫，用以儲存複數個病患之至少一事實資料；<br/> 一大型語言模型；<br/> 一診斷介面，用以供一醫療人員輸入資料及檢視結果；及<br/> 一病患資料分析子系統，與該資料庫、該大型語言模型及該診斷介面資訊相連，該病患資料分析子系統經配置以執行下列步驟：<br/> 自該病患病歷子資料庫檢索該事實資料；<br/> 於將該事實資料傳送至該大型語言模型前，對該事實資料施加一預存標記；<br/> 接收該大型語言模型之一輸出回應；及<br/> 掃描該輸出回應以識別該預存標記，並於該診斷介面上，提供一人工智慧生成診斷建議，且對該人工智慧生成診斷建議中對應於該預存標記之文字內容施加一視覺區隔效果，以供該醫療人員區分該事實資料與該大型語言模型所生成之推論內容。
如請求項1所述之生成式醫病管理系統，其中該病患資料分析子系統另經配置以執行下列步驟：<br/> 在該檢索該事實資料之前，先對該醫療人員所輸入之資料執行一初步分析，以形成一鑑別診斷；及<br/> 其中，該事實資料之檢索係根據該鑑別診斷來被導引及執行。
如請求項1所述之生成式醫病管理系統，其中該資料庫另包含有一醫師個人化子資料庫，用以儲存該醫療人員之一醫師個人化學習模型，該病患資料分析子系統另經配置以執行下列步驟：<br/> 接收該醫療人員透過該診斷介面所修正之一最終醫師診斷結果；<br/> 分析該人工智慧生成診斷建議與該最終醫師診斷結果之間的一差異；及<br/> 依據該差異，更新儲存於該醫師個人化子資料庫中之該醫師個人化學習模型。
如請求項3所述之生成式醫病管理系統，其中該病患資料分析子系統另經配置以執行下列步驟：<br/> 依據該最終醫師診斷結果生成至少一看診總結報告。
如請求項1所述之生成式醫病管理系統，另包含一互動子系統，與該資料庫及該病患資料分析子系統資訊相連。
如請求項5所述之生成式醫病管理系統，其中該互動子系統經配置以執行下列步驟：<br/> 接收一病患輸入資料；<br/> 確認該病患病歷子資料庫中是否有對應該病患輸入資料之一診斷紀錄；<br/> 依據該診斷紀錄之有無，生成一問卷；<br/> 接收該病患對該問卷之一回應；及<br/> 將該回應作為一更新資料傳送至該病患資料分析子系統以供其分析並儲存於該病患病歷子資料庫。
如請求項6所述之生成式醫病管理系統，其中該病患資料分析子系統另經配置以執行下列步驟：<br/> 依據該更新資料或依據該更新資料和該事實資料，生成至少一圖表。
如請求項6所述之生成式醫病管理系統，其另包含一醫療研究佐證子系統，與該病患資料分析子系統資訊相連，且該病患資料分析子系統另經配置以執行下列步驟：<br/> 依據該更新資料和該醫療研究佐證子系統所調取之外部研究佐證內容，生成至少一分析結果。
如請求項8所述之生成式醫病管理系統，其中該醫療研究佐證子系統係連接至少一外部醫學資料庫。
如請求項1所述之生成式醫病管理系統，其另包含一藥物搜尋比對子系統，與該病患資料分析子系統資訊相連，且該藥物搜尋比對子系統經配置以執行下列步驟：<br/> 根據一中文藥物名稱之成分，搜尋相應之一英文學名藥；及<br/> 於該醫療人員修改該人工智慧生成診斷建議中的一處方籤時，自動更新並交叉比對中英文藥物名稱及成分，以提示一警示資訊。
一種具穿扣式提把之紙盒結構，包含有：<br/> 一盒體，其上緣延伸形成一對提把片，其中至少一提把片具有一開口；<br/> 一扣片設置於至少一提把片之內側，該扣片可沿折線翻出並穿過所述開口，使該扣片之至少一部分外露於該提把片之外側，以供固定該提把片並封閉該盒體之開口；以及<br/> 該盒體之兩側各設有一側封片，各該側封片具有一相對設置之扣合緣，藉由將前述側封片相互疊合並使所述扣合緣扣合，以封閉該盒體之一儲存空間。
如請求項1所述之具穿扣式提把之紙盒結構，其中，該扣片具有一折線，以使該扣片得以沿該折線向外翻出。
如請求項1所述之具穿扣式提把之紙盒結構，其中，該開口呈長條形、圓弧形或其組合，以利前述扣片穿過。
如請求項1所述之具穿扣式提把之紙盒結構，其中，該提把片具有一插槽，該插槽設置於所述開口之鄰近位置，以使前述扣片自該開口穿出後可再嵌入該插槽內而形成二段式扣合。
如請求項4所述之具穿扣式提把之紙盒結構，其中，該插槽呈弧形，以提供扣片插入時之導引效果與卡接作用。
如請求項4或5所述之具穿扣式提把之紙盒結構，其中，該扣片插入所述插槽後，可限制該扣片向內回彈，以維持該提把片之固定狀態。
如請求項1所述之具穿扣式提把之紙盒結構，其中，該扣合緣為可卡接之凹凸配合結構。
如請求項1所述之具穿扣式提把之紙盒結構，其中，該盒體之展開片具有多條預折線，以供該提把片、該扣片及該側封片折疊。
如請求項1所述之具穿扣式提把之紙盒結構，其中，該提把片在扣片穿插後可相互靠攏，以封閉該盒體之上方開口。
如請求項1所述之具穿扣式提把之紙盒結構，其中，該盒體之一側具有一觀視開口，以供觀視該盒體內之物品。
如請求項10所述之具穿扣式提把之紙盒結構，其中，該觀視開口呈矩形、弧角矩形或其變形。
如請求項10所述之具穿扣式提把之紙盒結構，其中，該觀視開口設置於前述盒體之前側面。
一種具開關顯示功能之燃氣旋閥，包括： <br/> 閥本體，具有位於頂端之安裝部，該閥本體外側壁鄰近該安裝部下方設有第一固定部；<br/> 閥控件，鎖入該安裝部內且頂端具有凸出於該安裝部的閥桿；<br/> 旋閥，螺鎖於該閥控件之閥桿並與該閥控件呈同軸旋轉，該旋閥具有縱軸向貫穿該旋閥之顯示孔；<br/> 辨視元件，為彈性材質製成並具有固定於該第一固定部之第二固定部，該第二固定部向上延伸有第一彈性掣動部，該第一彈性掣動部朝該閥本體反方向延伸有第二彈性掣動部，該第二彈性掣動部向上略為傾斜且表面凸設有辨視部；<br/> 其中，該旋閥未旋緊時，該辨視元件之辨視部係彈性抵觸於該旋閥之底側面，且該辨視部未顯露於該顯示孔，當該旋閥旋緊時，該顯示孔旋轉至該辨視部上方，使該辨視部向上彈出並卡入該顯示孔。
如請求項1所述具開關顯示功能之燃氣旋閥，其中該閥本體左、右側及底端分別具有輸入部、輸出部及燃料進入部，該輸入部、該輸出部及該燃料進入部相互導通。
如請求項2所述具開關顯示功能之燃氣旋閥，其中該閥控件之閥桿具有第一鎖孔，該旋閥係貫穿有與該第一鎖孔對應的第二鎖孔，該閥控件之閥桿由該旋閥底端插入後，再以鎖接件由該第二鎖孔鎖入該第一鎖孔，使該旋閥與該閥控件相互鎖組且呈同軸旋轉，旋動該旋閥控制該閥控件對該燃料進入部、該輸出部之間的導通、封閉。
如請求項1所述具開關顯示功能之燃氣旋閥，其中該辨視部為弧凸狀且表面印製有OFF的辨識文字。
如請求項1所述具開關顯示功能之燃氣旋閥，其中該第一固定部具有橫軸向貫穿該閥本體之第一固定孔組，該辨視元件之第二固定部具有與該第一固定部之第一固定孔組對應的第二固定孔組，藉由限位組件依序穿入該第二固定孔組及該第一固定孔組，使該辨視元件之第二固定部得以固定於該閥本體之第一固定部。
一種應用自助交易設備的遠端銷售系統，包括：<br/> 一遠端伺服器，驗證一購買憑證、或更新該購買憑證的一活動商品的一兌換數量；以及<br/> 一自助交易設備，具有一指定軌、一通訊單元、一輸入單元與一處理單元，該指定軌配置該活動商品，該處理單元連接於該指定軌、該通訊單元與該輸入單元，該通訊單元網路連接於該遠端伺服器，在該輸入單元接收該購買憑證後，該通訊單元轉發該購買憑證至該遠端伺服器；<br/> 其中，該遠端伺服器驗證該購買憑證為合法後，該遠端伺服器對該兌換數量扣除一出貨數量，並且記錄扣除後的結果為新的該兌換數量，該遠端伺服器驅動該自助交易設備的該指定軌派發該出貨數量的該活動商品。
如請求項1所述之應用自助交易設備的遠端銷售系統，其中該遠端伺服器根據扣除後的該兌換數量產生一確認訊息，該遠端伺服器發送該確認訊息至該自助交易設備，該處理單元驅動該指定軌並派發對應該出貨數量的該活動商品。
如請求項1所述之應用自助交易設備的遠端銷售系統，其中更包括一行動通訊裝置，網路連接於該遠端伺服器，該行動通訊裝置發送一預購要求至該遠端伺服器，該預購要求包括該活動商品與相應的該兌換數量，該遠端伺服器根據該預購要求產生相應的該購買憑證。
如請求項1所述之應用自助交易設備的遠端銷售系統，其中更包括一銷售終端，網路連接於該遠端伺服器，該銷售終端將一儲值要求發送至該遠端伺服器，該遠端伺服器根據該儲值要求調增該兌換數量。
如請求項1所述之應用自助交易設備的遠端銷售系統，其中該自助交易設備更包括一顯示單元，該處理單元連接於該顯示單元，該顯示單元顯示該活動商品與該兌換數量。
一種自助交易設備，包括：<br/> 一指定軌，配置一活動商品與一預售數量；<br/> 一輸入單元，接收一選擇要求，該選擇要求具有該指定軌與一用戶資訊；<br/> 一通訊單元，傳送一購買憑證；以及<br/> 一處理單元，連接於該指定軌、該輸入單元與該通訊單元，該處理單元根據該選擇要求產生該購買憑證，該通訊單元傳送該購買憑證至一遠端伺服器與匹配該用戶資訊的一行動通訊裝置。
如請求項6所述之自助交易設備，其中該活動商品包括一銷售商品或一預購商品，若該活動商品為該銷售商品，該處理單元驅動該指定軌派發一出貨數量的該活動商品，且該處理單元將一兌換數量扣除該出貨數量，該處理單元根據扣除結果產生該購買憑證，若該活動商品為該預購商品，該處理單元根據該預購商品與該預售數量產生該購買憑證。
如請求項7所述之自助交易設備，其中更包括一顯示單元，該處理單元連接於該顯示單元，該顯示單元顯示該購買憑證的該預售數量。
如請求項7所述之自助交易設備，其中該輸入單元接收一支付要求，該通訊單元發送該支付要求至一支付端，該支付端確認該支付要求後，該支付端傳送一已付款訊息至該通訊單元。
如請求項7所述之自助交易設備，其中該處理單元根據一已付款訊息、該預購商品與該預售數量產生該購買憑證。
一種相機模組，包括： <br/>鏡筒，具有從所述鏡筒的端表面延伸的第一空間、以及與所述第一空間不同的第二空間，其中所述第一空間被配置成容納具有光軸的透鏡；以及 <br/>蓋構件，耦接到所述鏡筒且被配置成防止容納在所述鏡筒中的所述透鏡的分離， <br/>其中所述第二空間具有與所述透鏡和所述鏡筒的熱導率不同的熱導率。
如請求項1所述的相機模組，其中所述第二空間在光軸方向上延伸。
如請求項1所述的相機模組，其中所述第二空間在光軸方向上的深度等於或大於所述透鏡的肋部在所述光軸方向上的厚度。
如請求項1所述的相機模組，其中 <br/>所述鏡筒的外周邊表面和所述蓋構件的內側表面各自具有螺紋部分，以及 <br/>所述第二空間配置在所述透鏡與所述鏡筒的所述螺紋部分之間。
如請求項1所述的相機模組，其中所述第二空間的寬度從一端朝向另一端減小。
如請求項1所述的相機模組，其中所述鏡筒具有比所述透鏡的熱膨脹係數更低的熱膨脹係數。
如請求項1所述的相機模組，其中所述蓋構件具有比所述鏡筒的熱膨脹係數更低的熱膨脹係數。
一種相機模組，包括： <br/>鏡筒，具有從所述鏡筒的端表面延伸的第一空間、以及與所述第一空間不同的第二空間，其中所述第一空間被配置成容納透鏡； <br/>蓋構件，被配置成固定並防止所述透鏡的分離； <br/>第一延伸部分，從所述鏡筒的一端延伸；以及 <br/>第二延伸部分，從所述鏡筒的所述一端延伸並與所述第一延伸部分間隔開，且所述第二空間插設於其間。
如請求項8所述的相機模組，其中所述第一延伸部分比所述第二延伸部分更長。
如請求項8所述的相機模組，其中所述第一延伸部分具有可與所述蓋構件螺合的螺紋部分。
如請求項8所述的相機模組，其中所述第二空間的寬度從一端朝向另一端減小。
如請求項8所述的相機模組，其中所述透鏡包括多個透鏡，且所述第一延伸部分被配置成與所述多個透鏡的最前方透鏡接觸。
如請求項12所述的相機模組，其中所述蓋構件耦接到所述第一延伸部分以壓抵所述最前方透鏡的邊緣。
如請求項8所述的相機模組，其中所述透鏡包括多個透鏡，且所述第二延伸部分與所述多個透鏡中的至少一個接觸。
如請求項8所述的相機模組，其中所述第二延伸部分的長度大於與所述第二延伸部分接觸的透鏡的肋部的厚度。
如請求項8所述的相機模組，其中所述第二延伸部分比所述第一延伸部分更具可撓性且更可變形。
一種盤式制動器活塞手動回推收縮工具，係一工具，包括：一可逆棘輪扳手，係在一操作握柄的出力端棘輪件中心位置兩側，分別設有延伸出該操作握柄出力端兩側外部的一第一出力軸及一第二出力軸，該第一出力軸及該第二出力軸的表面，分別形成有不同螺旋方向的第一外螺紋及一第二外螺紋；一第一壓板組，包括一第一壓板，一第一螺帽及一第一螺旋彈簧；該第一壓板，具有一外表面及一內表面；該第一螺帽，係相對於該第一出力軸，固設在該第一壓板的該內表面上，具有與該第一外螺紋螺合的第一內螺孔；該第一螺旋彈簧，係套設在該第一螺帽的外表面，一端固定於該第一螺帽的帽體上，另一端則延伸出該第一螺帽的帽體，朝該第一出力軸的表面曲彎，形成有一第一扣掣端部，且該第一扣掣端部，並嵌入該第一外螺紋的其中一螺牙的部分螺紋牙槽中，對該第一出力軸產生一股富有彈性的限轉夾掣力量；一第二壓板組，包括一第二壓板，一第二螺帽及一第二螺旋彈簧；該第二壓板，具有一外表面及一內表面；該第二螺帽，係相對於該第二出力軸，固設在該第二壓板的該內表面上，具有與該第二外螺紋螺合的第二內螺孔；該第二螺旋彈簧，係套設在該第二螺帽的外表面，一端固定於該第二螺帽的帽體上，另一端則延伸出該第二螺帽的帽體，朝該第二出力軸的表面曲彎，形成有一第二扣掣端部，且該第二扣掣端部，並嵌入該第二外螺紋的其中一螺牙的部分螺紋牙槽中，對該第二出力軸產生一股富有彈性的限轉夾掣力量。
如請求項1所述之盤式制動器活塞手動回推收縮工具，其中，該操作握柄的出力端內部，係設一容置槽樞設該棘輪件及一棘爪件，該棘爪件在該容置槽內，係由一樞設孔樞設在該棘輪件的側緣，該樞設孔的兩端，具有一對延伸出該容置槽的撥推切換部，該對撥推切換部之間的一邊形成有一鼻形凸部，另一邊相對該棘輪件的輪齒間隙形狀，以一間距形成有二凸爪，且該棘爪件的一側邊，並由一裝設在一長槽中的彈簧頂推一擋止件抵靠在該鼻形凸部的一邊表面，使該二凸爪中之一凸爪卡掣在該棘輪件的輪齒間隙上。
如請求項1所述之盤式制動器活塞手動回推收縮工具，其中，該棘輪件兩側同心的各形成有一圓框，並由該圓框將該棘輪件兩側樞設在該操作握柄的出力端上。
如請求項1所述之盤式制動器活塞手動回推收縮工具，其中，該第一壓板及該第二壓板，相對該第一出力軸及該第二出力軸，分別設有一貫穿螺孔，且該第一螺帽及該第二螺帽，相對該第一壓板上的該貫穿螺孔及該第二壓板上的該貫穿螺孔，各形成有一具有外螺紋的圓盤形結合部，並分別將該第一螺帽的該結合部螺合在該第一壓板的該貫穿螺孔上，經表面擠壓形成永久固定，及將該第二螺帽的該結合部螺合在該第二壓板的該貫穿螺孔上，經表面擠壓形成永久固定。
如請求項1所述之盤式制動器活塞手動回推收縮工具，其中，該第一螺帽及該第二螺帽的帽體表面徑向，分別設有一第一固定孔及一第二固定孔，且該第一螺旋彈簧的一端相對該第一固定孔，彎折有一扣入該第一固定孔內的第一扣鉤部，以及，該第二螺旋彈簧的一端相對該第二固定孔，彎折有一扣入該第二固定孔內的第二扣鉤部。
如請求項1所述之盤式制動器活塞手動回推收縮工具，其中，該第一螺旋彈簧的螺旋方向，係呼應於該第一出力軸的該第一外螺紋的螺旋方向，且該第一螺旋彈簧的另一端延伸出該第一螺帽的帽體，係朝該第一出力軸的表面，以一蝸捲曲彎形狀的簧圈作為該第一扣掣端部，並由該第一扣掣端部的尾端一段簧圈嵌入接觸到該第一外螺紋的其中一螺牙的部分螺紋牙槽的槽壁；該第二螺旋彈簧的螺旋方向，係呼應於該第二出力軸的該第二外螺紋的螺旋方向，且該第二螺旋彈簧的另一端延伸出該第二螺帽的帽體，係朝該第二出力軸的表面，以一蝸捲曲彎形狀的簧圈作為該第二扣掣端部，並由該第二扣掣端部的尾端一段簧圈嵌入接觸到該第二外螺紋部的其中一螺牙的部分螺紋牙槽的槽壁。
如請求項6所述之盤式制動器活塞手動回推收縮工具，其中，該第一扣掣端部及該第二扣掣端部的尾端一段簧圈，分別嵌入該第一外螺紋及該第二外螺紋的其中一螺牙的螺紋牙槽內，係與其中一螺牙的一圈螺紋牙槽的1/8至1/4圈槽壁接觸。
一種光學成像系統，包括： <br/>第一透鏡群組，包括第一透鏡、第二透鏡以及第三透鏡； <br/>第二透鏡群組，包括第四透鏡、第五透鏡、第六透鏡以及第七透鏡；以及 <br/>光學路徑折疊元件，設置於所述第一透鏡群組與所述第二透鏡群組之間， <br/>其中所述第一透鏡至所述第七透鏡沿所述光學成像系統的光軸從所述光學成像系統的物側朝向所述光學成像系統的影像平面以數字遞增順序依序設置，且 <br/>所述第一透鏡具有正屈光度。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第一透鏡的物側表面在其近軸區域具有凸面形狀。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第二透鏡的像側表面在其近軸區域具有凹面形狀。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第三透鏡的物側表面在其近軸區域具有凸面形狀。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第四透鏡的物側表面在其近軸區域具有凸面形狀。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第五透鏡的像側表面在其近軸區域具有凹面形狀。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第六透鏡的物側表面在其近軸區域具有凸面形狀。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第七透鏡的物側表面在其近軸區域具有凹面形狀。
如請求項1所述的光學成像系統，其中滿足以下條件式： <br/>0.30 ≤ fG1/fG2 ≤ 2.0， <br/>其中fG1為所述第一透鏡群組的焦距，且fG2為所述第二透鏡群組的焦距。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第四透鏡為D形切割透鏡，具有物側表面，所述物側表面具有最大有效直徑和小於所述最大有效直徑的最小有效直徑，且 <br/>滿足以下條件式： <br/>1.0 ≤ h1/h2 ≤ 3.0， <br/>其中h1為所述第一透鏡的物側表面的有效直徑，且h2為所述第四透鏡的所述物側表面的所述最小有效直徑。
如請求項1所述的光學成像系統，其中滿足以下條件式： <br/>0.30 ≤ SG12/TTL ≤ 1.0， <br/>其中SG12為沿著所述光軸從所述第三透鏡的像側表面至所述第四透鏡的物側表面的距離，且TTL為沿著所述光軸從所述第一透鏡的物側表面至所述影像平面的距離。
一種光學成像系統，包括： <br/>第一透鏡、第二透鏡、第三透鏡、第四透鏡、第五透鏡、第六透鏡及第七透鏡，沿著所述光學成像系統的光軸從所述光學成像系統的物側朝向所述光學成像系統的影像平面以數字遞增順序依序設置， <br/>其中所述第五透鏡的像側表面在其近軸區域中具有凹面形狀，且 <br/>滿足以下條件式： <br/>0.80 ＜ D14/D4I ＜ 1.0， <br/>其中D14為沿著所述光軸從所述第一透鏡的物側表面至所述第四透鏡的物側表面的距離，且D4I為沿著所述光軸從所述第四透鏡的所述物側表面至所述影像平面的距離。
如請求項12所述的光學成像系統，其中所述第一透鏡的所述物側表面在其近軸區域中具有凸面形狀。
如請求項12所述的光學成像系統，其中所述第二透鏡的像側表面在其近軸區域中具有凹面形狀。
如請求項12所述的光學成像系統，其中所述第三透鏡的物側表面在其近軸區域中具有凸面形狀。
如請求項12所述的光學成像系統，其中所述第四透鏡的所述物側表面在其近軸區域中具有凸面形狀。
如請求項12所述的光學成像系統，其中所述第六透鏡的物側表面在其近軸區域中具有凸面形狀。
如請求項12所述的光學成像系統，其中所述第七透鏡的物側表面在其近軸區域中具有凹面形狀。
如請求項12所述的光學成像系統，其中所述第四透鏡為D形切割透鏡， <br/>所述第四透鏡的所述物側表面具有最大有效直徑及小於所述最大有效直徑的最小有效直徑，且 <br/>滿足以下條件式： <br/>1.0 ≤ h1/h2 ≤ 3.0， <br/>其中h1為所述第一透鏡的所述物側表面的有效直徑，且h2為所述第四透鏡的所述物側表面的所述最小有效直徑。
如請求項12所述的光學成像系統，其中滿足以下條件式： <br/>6.0 ＜ TTL/ImgHT ＜ 8.0， <br/>其中TTL為沿著所述光軸自所述第一透鏡的物側表面至所述影像平面的距離，且ImgHT為所述影像平面的對角線長度的一半。
一種智慧型晶圓研磨裝置，係包括： <br/>一環型本體，具有一頂面及一底面； <br/>數個吸取孔，設於該環型本體上且連通該頂面與該底面； <br/>一結合單元，設於該環型本體之該頂面上，其包含有一第一結合環、一設於該第一結合環一側之第二結合環、一設於該第二結合環一側之第三結合環、及一設於該第三結合環一側之第四結合環，其中該第一至第四結合環各具有一緩衝部與一結合部； <br/>數個壓力感測單元，設於該智慧型晶圓研磨裝置上，用以即時偵測晶圓受壓狀態並產生感測數據； <br/>一自動調整模組，與各該壓力感測單元連接，用以依據感測數據調整壓力分布；以及 <br/>一智慧控制單元，與該自動調整模組及一研磨機構之控制端連接，並依據感測數據進行壓力修正。
依請求項1所述之智慧型晶圓研磨裝置，其中，該環型本體之 <br/>該底面上係設置有一抗靜電塗層。
依請求項1所述之智慧型晶圓研磨裝置，其中，各該壓力感測 <br/>單元為壓電感測器或薄膜壓力感測器。
依請求項1所述之智慧型晶圓研磨裝置，其中，該自動調整模 <br/>組包含數個微型致動器，用以改變各該緩衝部或該第一至第四結合環之彈性應力。
依請求項1所述之智慧型晶圓研磨裝置，其中，該智慧控制單 <br/>元依據各該壓力感測單元所產生之感測數據，透過演算法動態修正該研磨機構 <br/>之研磨壓力，以避免局部過磨或欠磨。
依請求項1所述之智慧型晶圓研磨裝置，其中，該第一結合環 <br/>係包含有一座體、一延伸設於該座體端面之該緩衝部、一與該緩衝部連接之扣接部、及一設於該扣接部內面之凸出部。
依請求項1所述之智慧型晶圓研磨裝置，其中，該第二結合環 <br/>係包含有一延伸臂、一與該延伸臂連接之該緩衝部、及一與該緩衝部連接之凸肋，該第二結合環之該延伸臂係以水平方式設於該環型本體之該頂面上，且該第二結合環之該凸肋係與該第一結合環之扣接部反向設置。
依請求項1所述之智慧型晶圓研磨裝置，其中，該第三結合環 <br/>係包含有一延伸臂、一與該延伸臂連接之該緩衝部、及一與該緩衝部連接之凸肋，該第三結合環之該延伸臂係以水平方式設於該環型本體之該頂面上，且該第三結合環之該凸肋係與該第二結合環之該凸肋部呈反向設置。
依請求項1所述之智慧型晶圓研磨裝置，其中，該第四結合環 <br/>係包含有一延伸臂、一與該延伸臂連接之該緩衝部、及一與該緩衝部連接之凸肋，該第四結合環之該延伸臂係以水平方式設於該環型本體之該頂面上，且該第四結合環之該凸肋係與該第三結合環之該凸肋呈反向設置。
一種複合式立體支撐鞋墊結構，該鞋墊結構包含：<br/>以紡織布料製成的一底襯層；<br/>以具有彈性緩衝特性的材料製成的一第一緩衝層，設於該底襯層上；<br/>由硬質材料成型為立體結構的一足弓支撐單元，設置於該第一緩衝層上，包含位於該足弓支撐單元前段的一橫弓支撐部、位於該足弓支撐單元中段內側的一內側縱弓支撐部、位於該足弓支撐單元中段外側的一外側縱弓支撐部，以及位於該足弓支撐單元後段的一杯狀跟窩部；<br/>以具有彈性緩衝特性的材料製成一第二緩衝層，設置於該足弓支撐單元上；以及<br/>以含有石墨烯成分的紡織布料製成的一表層，設置於該第二緩衝層上；<br/>其中，該底襯層、該第一緩衝層、該足弓支撐單元、該第二緩衝層及該表層是經由熱壓成型包覆技術整合構成該鞋墊結構。
如請求項1所述複合式立體支撐鞋墊結構，其中，該足弓支撐單元的中間部位一體成型有複數個結構加強肋。
如請求項1所述複合式立體支撐鞋墊結構，其中，該足弓支撐單元的材質為聚丙烯(Polypropylene,PP)。
如請求項1所述複合式立體支撐鞋墊結構，其中，該足弓支撐單元的縱向長度為該鞋墊結構縱向長度的三分之二，該足弓支撐單元的覆蓋範圍由該鞋墊結構的一足跟部延伸至一蹠骨部。
如請求項1所述複合式立體支撐鞋墊結構，其中，該底襯層的材質選自高密度聚酯纖維(Polyester)織物或尼龍(Nylon)織物其中之一。
如請求項1所述複合式立體支撐鞋墊結構，其中，該第一緩衝層的材質為聚氨酯(PU)泡棉；該第二緩衝層之材質選自乳膠(Latex)、乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)或記憶泡棉(Memory Foam)其中之一。
如請求項1所述複合式立體支撐鞋墊結構，其中，該表層遠離該第二緩衝層的一側表面設有一止滑層，該止滑層的材質為矽膠(Silicone)。
如請求項7所述複合式立體支撐鞋墊結構，其中，該止滑層是呈點狀、波浪狀或蜂巢狀紋路分布。
一種扣合裝置，其改良在於，包括：<br/> 底座；<br/> 安裝基板，與所述底座旋轉連接，所述安裝基板與所述底座之間存在間隙，所述間隙用於容納第一物料；<br/> 扣合基板，與所述安裝基板固定連接，用於固定第二物料，所述扣合基板還用於使所述第二物料與所述第一物料連接；<br/> 夾緊模組，包括第一固定組件、第二固定組件、第一連接件及移動組件，所述第一固定組件與所述移動組件活動連接，所述第二固定組件與所述底座固定連接，所述第一連接件一端與所述安裝基板固定連接，所述第一連接件另一端位於所述第一固定組件與所述第二固定組件之間，所述移動組件用於移動所述第一固定組件，使所述第一連接件與所述第一固定組件及所述第二固定組件夾緊連接，從而固定所述安裝基板及所述扣合基板。
如請求項1所述的扣合裝置，其中，所述第一連接件包括第一水準部、第二水準部及連接於所述第一水準部與所述第二水準部之間的豎直部，所述第一水準部與所述第二水準部的延伸方向相互平行，所述第一水準部的延伸方向與所述豎直部的延伸方向相互垂直；<br/> 所述第一水準部與所述安裝基板固定連接，所述第二水準部位於所述第一固定組件與所述第二固定組件之間，且所述第二水準部與所述第一固定組件及所述第二固定組件夾緊連接。
如請求項1所述的扣合裝置，其中，所述第一固定組件包括第二連接件、第一桿狀件、套設於所述第一桿狀件上的二第一緊固件，所述第二連接件包括相互連接的環狀部及片狀部，所述環狀部圍設形成第一通槽，所述片狀部的延伸方向與所述第一通槽的延伸方向相同，所述片狀部還與所述移動組件連接；<br/> 所述第一桿狀件穿過所述第一通槽且部分位於所述第一通槽內，所述二第一緊固件分別位於所述第一通槽的相對兩側，所述二第一緊固件用於將所述第一桿狀件與所述第二連接件固定連接。
如請求項3所述的扣合裝置，其中，所述移動組件包括第三連接件、扭動軸承及扣合把手，所述扭動軸承位於所述扣合把手與所述第三連接件之間；<br/> 所述第三連接件包括底壁、二連接壁、第一連接桿及第二連接桿，所述底壁與所述第二固定組件固定連接；所述二連接壁位於所述底壁遠離所述第二固定組件的一側，且所述二連接壁相對平行間隔設置，每個所述連接壁上開設有缺口，且每個所述缺口朝向所述底壁凹陷；<br/> 所述第一連接桿及所述第二連接桿位於所述二連接壁之間，且與所述二連接壁固定連接，所述第一連接桿及所述第二連接桿分別位於所述缺口的兩側；<br/> 所述扭動軸承落在所述底壁上的正投影位於所述二連接壁落在所述底壁上的正投影之間，所述扭動軸承的相對兩端分別與所述扣合把手及所述第一連接桿旋轉連接，所述片狀部同時與所述第二連接桿及所述扣合把手旋轉連接；<br/> 所述扣合把手用於帶動所述扭動軸承繞所述第一連接桿轉動，並帶動所述第二連接件繞所述第二連接桿轉動。
如請求項4所述的扣合裝置，其中，所述扭動軸承靠近所述第三連接件的一端開設有第一通孔，所述第一連接桿穿過所述第一通孔與所述扭動軸承旋轉連接；<br/> 所述扭動軸承靠近所述扣合把手的一端設置有二第三連接桿，所述二第三連接桿均與所述扣合把手連接，所述二第三連接桿分別設置於所述扭動軸承的相對兩側，且所述二第三連接桿的軸線位於同一直線上。
如請求項5所述的扣合裝置，其中，所述扣合把手包括相互連接的握持部與移動部，所述握持部用於帶動所述移動部移動；<br/> 所述移動部包括第四連接桿及間隔設置的二移動壁，每個所述移動壁所在的平面與所述連接壁所在的平面相互平行，所述第四連接桿位於所述二移動壁之間，且所述第四連接桿與所述二移動壁固定連接，所述片狀部同時與所述第二連接桿及所述第四連接桿旋轉連接；<br/> 每個所述移動壁靠近所述扭動軸承的一側設置有第一凸起，所述第一凸起位於所述第四連接桿與所述握持部之間，每個所述第一凸起上開設有第二通孔，所述二第三連接桿分別穿過二所述第二通孔與所述二移動壁旋轉連接。
如請求項6所述的扣合裝置，其中，所述片狀部上開設有二第三通孔，所述第四連接桿穿過一個所述第三通孔與所述第二連接件旋轉連接，所述第二連接桿穿過另一個所述第三通孔與所述第二連接件旋轉連接。
如請求項3所述的扣合裝置，其中，所述第二固定組件包括第二桿狀件、套設於所述第二桿狀件上的第二緊固件及底板，<br/> 所述底板與所述底座固定連接，所述底板上開設有第四通孔；<br/> 所述第二桿狀件穿過所述第四通孔且部分位於所述第四通孔內，所述第二緊固件位於所述底板遠離所述第一連接件的一側，所述第二緊固件用於將所述第二桿狀件與所述底板固定連接。
如請求項8所述的扣合裝置，其中，所述第一桿狀件及所述第二桿狀件均為螺栓，所述第二緊固件及所述二第一緊固件均為螺母，所述第一桿狀件與所述二第一緊固件螺紋連接，所述第二桿狀件與所述第二緊固件螺紋連接。
如請求項1所述的扣合裝置，其中，所述扣合裝置還包括相互固定連接的連接塊及限位塊，所述連接塊與所述底座靠近所述安裝基板的一側固定連接，所述限位塊位於所述底座與所述安裝基板之間；所述連接塊遠離所述底座的一側間隔設置有二第二凸起，每個所述第二凸起上開設有第五通孔；<br/> 所述安裝基板靠近所述連接塊的一側開設有第二通槽，所述第二通槽的延伸方向與所述安裝基板的厚度方向垂直，所述安裝基板包括轉軸，所述轉軸部分位於所述第二通槽內，所述轉軸的兩端分別穿過二所述第五通孔與所述連接塊連接，使所述安裝基板與所述連接塊旋轉連接。
一種鹼性電解水生成裝置，包括：<br/> 一電解槽；以及<br/> 一離子交換膜，設置於所述電解槽中，並將所述電解槽分隔成一陰極電解槽及一陽極電解槽；<br/> 一陰極電解板，設置於所述陰極電解槽且位於所述離子交換膜的一側；<br/> 其中，所述陰極電解板內側表面與所述離子交換膜貼近排列，所述陰極電解板的外側表面至所述陰極電解槽的面對所述陰極電解板的槽壁之間形成有一流體槽道，且所述流體槽道的一寬度大於所述陰極電解板與所述離子交換膜之間的一間隙；<br/> 其中，所述陰極電解槽的所述槽壁上形成有複數個凸起排列的擾流元件；當所述陰極電解槽內產生的電解液通過所述流體槽道時，複數個所述擾流元件能對所述電解液形成擾流，並將所述擾流朝著所述陰極電解板傳遞，以降低所述陰極電解板產生的氣體蓄積。
如請求項1所述的鹼性電解水生成裝置，其進一步包括：<br/> 一陽極電解板，設置於所述陽極電解槽且位於所述離子交換膜的另一側；<br/> 一電源供應器，分別電性連接於所述陰極電解板及所述陽極電解板；<br/> 一電解質水溶液儲槽，配置有一電解質水溶液，並通過一循環泵，將所述電解質水溶液自所述陽極電解槽的底部的一陽極入水口通入所述陽極電解槽，而後通過其頂部的一陽極出水口將所述電解質水溶液循環返回至所述電解質水溶液儲槽；<br/> 一供水單元，將原水自所述陰極電解槽的底部的一陰極入水口通入所述陰極電解槽，使所述陰極電解槽中經離子交換反應產生鹼性電解水；<br/> 一鹼性電解水儲槽，用以接收並儲存自所述陰極電解槽頂部的一陰極出水口溢流的所述鹼性電解水；以及<br/> 多個量測元件，包含：<br/> 一導電率量測元件，設置於所述陽極電解槽的所述陽極出水口鄰近處；及<br/> 一流率量測元件以及一酸鹼值量測元件，分別設置於所述陰極電解槽的所述陰極出水口鄰近處。
如請求項1所述的鹼性電解水生成裝置，其中，複數個所述擾流元件以矩陣排列或交錯排列的方式間隔凸起於所述陰極電解槽的所述槽壁上。
如請求項1所述的鹼性電解水生成裝置，其中，每個所述擾流元件的形狀為一菱形錐體、一V形柱體、一U型柱體、或一半圓球體。
如請求項1所述的鹼性電解水生成裝置，其中，每個所述擾流元件具有自所述槽壁朝所述陰極電解板方向面積逐漸內縮的外圍輪廓，且形成有相對於所述槽壁傾斜或呈弧狀的一擾流面。
如請求項1所述的鹼性電解水生成裝置，其中，每個所述擾流元件具有介於5 mm<sup>2</sup>至10 mm<sup>2</sup>的一底面積及介於5 mm至15 mm的一高度；其中，所述流體槽道的所述寬度為所述擾流元件的所述高度的2至10倍。
如請求項6所述的鹼性電解水生成裝置，其中，複數個所述擾流元件的所述底面積的總和，於所述陰極電解板相對的所述槽壁上，扣除底部的一陰極入水口及頂部的一陰極出水口的無效區域後所佔據的面積介於60%至80%之間。
如請求項1所述的鹼性電解水生成裝置，其中，複數個所述擾流元件與所述陰極電解槽的所述槽壁為一體成型的構造，且所述擾流元件及所述槽壁的材質為丙烯腈-丁二烯-苯乙烯（ABS）或聚碳酸酯（PC）。
如請求項1所述的鹼性電解水生成裝置，其中，所述陰極電解板為一穿孔性陰極電解板，其由導電材質構成；其中，所述鹼性電解水生成裝置還包括設置於所述陰極電解板與所述離子交換膜之間的一絕緣間隙物。
一種主機板測試治具，其改良在於，包括：<br/> 底座，具有安裝面；<br/> 移動機構，位於所述安裝面；<br/> 測試機構，與所述移動機構位於所述底座的同一側；以及<br/> 散熱機構，部分固定於所述測試機構的表面；<br/> 所述移動機構用於將待測主機板運送至所述測試機構，所述測試機構用於檢測所述待測主機板，所述散熱機構用於對所述測試機構和所述待測主機板散熱。
如請求項1所述的主機板測試治具，其中，所述移動機構包括移動組件和定位組件，所述移動組件與所述安裝面滑動連接，所述定位組件位於所述移動組件的上方且與所述移動組件連接，所述定位組件用於定位所述待測主機板。
如請求項2所述的主機板測試治具，其中，所述移動組件包括第一驅動件和移動件，所述第一驅動件固定於所述安裝面，所述移動件與所述第一驅動件固定連接，所述移動件與所述安裝面滑動連接。
如請求項3所述的主機板測試治具，其中，所述移動組件還包括滑軌，所述滑軌固定於所述安裝面，所述移動件可滑動地連接於所述滑軌。
如請求項3所述的主機板測試治具，其中，所述定位組件包括第二驅動件、第一滑動件、第二滑動件以及轉動件，所述第二驅動件固定於所述移動件背離所述底座的表面，所述第一滑動件可滑動地連接於所述移動件並且與所述第二驅動件連接，所述第二滑動件與所述第一滑動件相對設置，所述第二滑動件可滑動地連接於所述移動件，所述轉動件連接於所述移動件背離所述底座的一側，所述轉動件的一端與所述第一滑動件連接，所述轉動件的相對另一端與所述第二滑動件連接。
如請求項5所述的主機板測試治具，其中，所述定位組件還包括第一連桿和第二連桿，所述第一連桿與所述第一滑動件連接，所述第一連桿遠離所述第一滑動件的一端與所述轉動件的一端連接，所述第二連桿與所述第一連桿相對設置，所述第二連桿與所述第二滑動件連接，所述第二連桿遠離所述第二滑動件的一端與所述轉動件的相對另一端連接。
如請求項5所述的主機板測試治具，其中，所述定位組件還包括第一支撐件和第二支撐件，所述第一支撐件和所述第二支撐件位於所述轉動件的上方，並且所述第一支撐件和所述第二支撐件位於所述第一滑動件與所述第二滑動件之間，所述第一支撐件與所述第一滑動件固定連接，所述第二支撐件與所述第二滑動件固定連接，所述第一支撐件和所述第二支撐件用於支撐所述待測主機板。
如請求項7所述的主機板測試治具，其中，所述第一支撐件包括第一本體和第一端部，所述第一本體與所述第一滑動件固定連接，所述第一端部連接於所述第一本體遠離所述第一滑動件的一端，所述第二支撐件包括第二本體和第二端部，所述第二本體與所述第二滑動件固定連接，所述第二端部連接於所述第二本體遠離所述第二滑動件的一端，所述第一端部設有凹槽，所述凹槽貫穿所述第一端部朝向所述第二端部的表面，所述第二端部穿插於所述凹槽內。
如請求項5所述的主機板測試治具，其中，所述底座設有進風口，所述進風口貫穿所述底座的至少一表面，所述散熱機構包括風機和散熱組件，所述風機固定於所述底座，所述散熱組件位於所述風機的一側，所述散熱組件包括第一部分、中間部分和第二部分，所述第一部分、所述第二部分連接於所述中間部分的相對兩端，所述第一部分位於所述底座內，所述中間部分穿設於所述底座並朝所述測試機構的方向彎折，所述第二部分固定於所述測試機構，所述第二部分遠離所述中間部分的一端具有出風口，所述出風口朝向所述測試機構。
如請求項7所述的主機板測試治具，其中，所述測試機構朝向所述定位組件的表面設有測試接口，所述測試接口用於與所述待測主機板對接。
一種投影式人工智慧故事播放裝置，包含： <br/>一機體；以及 <br/>一電子單元，設置於該機體且包含： <br/>一投影模組； <br/>一揚聲器； <br/>一儲存器，用以儲存基於一生成式人工智慧模型所產生的一故事內容的語音檔和影像檔；及 <br/>一控制器，電性連接該投影模組、該揚聲器與該儲存器，該控制器分別控制該揚聲器與該投影模組，以播放該儲存器所儲存該故事內容的語音檔和影像檔。
如請求項1所述之投影式人工智慧故事播放裝置，其中，該電子單元包含一通信模組，用以連線一雲端伺服器，該雲端伺服器執行該生成式人工智慧模型、文字轉語音功能和文字轉影像功能以產生該故事內容的語音檔和影像檔； <br/>該控制器電性連接該通信模組以從該雲端伺服器下載該故事內容的語音檔和影像檔並儲存於該儲存器。
如請求項1所述之投影式人工智慧故事播放裝置，其中，所述影像檔為圖片檔或影片檔。
如請求項1至3中任一項所述之投影式人工智慧故事播放裝置，其中，該故事內容包含多個語音檔和多個影像檔，該電子單元包含一輸入模組，該控制器電性連接該輸入模組； <br/>該控制器根據該輸入模組提供的輸入信號決定其中之一語音檔和其中之一影像檔的播放。
如請求項4所述之投影式人工智慧故事播放裝置，其中，該輸入模組包含實體按鈕、觸控按鈕、近場通訊讀取器與收音器中的至少一者。
如請求項1至3中任一項所述之投影式人工智慧故事播放裝置，其中，該故事內容對應單一語音檔與單一影像檔。
如請求項1至3中任一項所述之投影式人工智慧故事播放裝置，其中，該控制器記錄所述語音檔和所述影像檔於被播放當下的時間戳記。
一種具連接器之全身式安全帶，包含：<br/> 一上著，於左右兩側分別形成至少一上套掛部；<br/> 二連接器，係設置於左右兩側且分別包括一環形體與複數個連接件；各該環形體具有一中心軸，且於各該環形體形成複數穿置口，該些穿置口以環繞於各該中心軸的方式排列；該些連接件分別包括一頸部、一頭部與一套環；各該頸部係桿體且分別穿過對應的各該穿置口，各該頭部連接於各該頸部靠近各該中心軸的內端，各該頭部擋止於各該穿置口內端的周緣，各該套環連接於各該頸部背離各該中心軸的外端；該上著左右各側的該至少一上套掛部套掛於各該連接器的至少一連接件的套環；以及<br/> 一下著，包括位於左右兩側的二腿套，各該腿套分別具有至少一下套掛部，各該腿套的該至少一下套掛部套掛於各該連接器的至少一連接件的套環。
如請求項1所述之具連接器之全身式安全帶，其中該上著包含二肩帶，該二肩帶的中間分別彎曲形成一肩部，該二肩帶的後半部交叉形成一交叉部，該上著左右各側的該至少一上套掛部包含二個上套掛部，該上著左右各側的該二上套掛部分別形成於該二肩帶的其中之一的前端與另一肩帶的後端，於該二肩帶的前半部相對處分別連接一胸帶，於該二胸帶之間結合一胸扣具。
如請求項2所述之具連接器之全身式安全帶，其中各該連接器包括三個連接件；各該腿套分別具有的該至少一下套掛部包含一個下套掛部，各該腿套設有環繞為C形的一環狀帶，於該環狀帶的中間連接一連接帶，於該環狀帶的兩端之間結合一腿扣具，各該腿套的該下套掛部形成於各該連接帶的外端。
如請求項2所述之具連接器之全身式安全帶，其中各該連接器包括四個連接件；各該腿套分別具有的該至少一下套掛部包含二個下套掛部；各該腿套具有一腿帶體，各該腿套的該二下套掛部分別形成於各該腿帶體的兩端。
如請求項1所述之具連接器之全身式安全帶，其中該上著包含二肩帶，該二肩帶的中間分別彎曲形成一肩部，該二肩帶的後半部交叉形成一交叉部，該二肩帶中的任一肩帶的前端與另一肩帶的後端連接於一側帶，該上著左右各側的該至少一上套掛部包含一個上套掛部，該上著左右各側的各該上套掛部形成於各該側帶，於該二肩帶的前半部相對處分別連接一胸帶，於該二胸帶之間結合一胸扣具。
如請求項5所述之具連接器之全身式安全帶，其中各該連接器包括兩個連接件，各該腿套分別具有的該至少一下套掛部包含一個下套掛部，各該腿套設有環繞為C形的一環狀帶，於各該環狀帶的中間連接一連接帶，於該環狀帶的兩端之間結合一腿扣具，各該腿套的該下套掛部形成於各該連接帶的外端。
如請求項1所述之具連接器之全身式安全帶，其中各該連接器的各該環形體包含一第一連接環及一第二連接環，各該連接器的該第一連接環與該第二連接環係沿各該中心軸同軸設置；各該第一連接環係由數量相同的複數個第一部與複數個第二部交錯地環繞該中心軸相連而成；各該第二連接環係由數量相同的複數個第三部與複數個第四部交錯地環繞該中心軸相連而成；各該連接器的各該第二部與對應的各該第四部可拆卸地結合，於各該第一部與對應的各該第三部之間形成一穿置口。
如請求項7所述之具連接器之全身式安全帶，其中將各該連接器沿各該中心軸的兩方向定義為一第一方向與一第二方向，於各該第一連接環定義一第一基準面，各該第一基準面垂直於各該中心軸，且各該第一基準面將各該第一連接環分為兩半；各該第一部超過50％的部分沿各該第一方向凸出於各該第一基準面；各該第二部超過50％的部分沿各該第二方向凸出於各該第一基準面；<br/> 於各該第二連接環定義一第二基準面，各該第二基準面垂直於各該中心軸，且各該第二基準面將各該第二連接環分為兩半；各該第三部超過50％的部分沿各該第二方向凸出於各該第二基準面；各該第四部超過50％的部分沿各該第一方向凸出於各該第二基準面。
如請求項7所述之具連接器之全身式安全帶，其中各該第一部的中間部分形成一第一圓弧板，各該第一圓弧板具有二第一端部；各該第二部的中間部分形成一第二圓弧板，各該第二圓弧板具有二第二端部，各該第二端部分別連接於與其對應的各該第一端部，並且各該第一圓弧板的弧長大於各該第二圓弧板的弧長；各該第三部的中間部分形成一第三圓弧板，各該第三圓弧板具有二第三端部；各該第四部的中間部分形成一第四圓弧板，各該第四圓弧板具有二第四端部，各該第四端部分別連接於與其對應的各該第三端部，並且各該第三圓弧板的弧長大於各該第四圓弧板的弧長；各該第一圓弧板的弧長與各該第三圓弧板的弧長相等，並且各該第一圓弧板與各該第三圓弧板係平行地設置；其中各該第二圓弧板具有一第一固定孔，各該第四圓弧板具有一第二固定孔；於各該第一固定孔與對應的各該第二固定孔穿設一第一固定件，以各該第一固定件將各該第二部與各該第四部結合。
如請求項9所述之具連接器之全身式安全帶，其中於各該第二圓弧板向內凸出形成一第一凸部，於各該第四圓弧板向內凸出形成一第二凸部；各該第二凸部與對應的各該第一凸部沿該中心軸方向交疊；相鄰的二個第一凸部及與其對應的二個第二凸部擋止於各該頭部的兩側。
如請求項7所述之具連接器之全身式安全帶，其中配合各該第一連接環設有一第一蓋，各該第一蓋設有一第一蓋板，各該第一蓋板的周緣抵靠於該些第一部，且配合各該第二部於各該第一蓋板的周緣分別連接一第一嵌塊，各該第一嵌塊嵌入與其對應的各該第二部相鄰的二個第一部之間，於各該第一蓋板的中央形成一第一中間孔；配合各該第二連接環設有一第二蓋，各該環形體夾合於各該第一蓋與各該第二蓋之間，各該第二蓋設有一第二蓋板，各該第二蓋板的周緣抵靠於該些第三部，且配合各該第四部於各該第二蓋板的周緣分別連接一第二嵌塊，各該第二嵌塊嵌入與其對應的各該第四部相鄰的二個第三部之間，於各該第二蓋板的中央形成一第二中間孔，於各該第一中間孔與各該第二中間孔穿設一第二固定件，以各該第二固定件將各該第一蓋與各該第二蓋結合於各該環形體沿各該中心軸的兩側。
如請求項11所述之具連接器之全身式安全帶，其中各該頭部係圓盤或圓球，其中於各該第一蓋板對應各該頭部形成一第一球面凹槽；於各該第二蓋板對應各該頭部形成一第二球面凹槽，各該頭部的相對兩側分別容納於各該第一球面凹槽與各該第二球面凹槽，並且各該頭部可沿各該第一球面凹槽的內壁與各該第二球面凹槽的內壁滑動。
一種手搖車，包含：<br/> 一個車體機構，包括一個車架單元、一個可轉動地安裝在該車架單元前部的前輪，及兩個可轉動地安裝在該車架單元後部且左右設置的後輪；<br/> 一個動力機構，安裝在該車架單元與該前輪之間，且可供一使用者以手部進行驅轉而帶動該前輪轉動；及<br/> 一個乘坐機構，安裝在該車架單元且可供該使用者乘坐，並可供操作而相對該車架單元左右轉動。
如請求項1所述的手搖車，其中，該乘坐機構包括一個安裝固定在該車架單元上的連結單元、一個固定安裝在該連結單元上的軸承件，及一個固定安裝在該軸承件上的座椅單元，該座椅單元經由該軸承件而可相對該連結單元左右轉動。
如請求項2所述的手搖車，其中，該軸承件具有間隔的一個第一環部與一個第二環部，該第一環部與該第二環部可相對轉動，且分別供該連結單元與該座椅單元安裝固定。
如請求項2所述的手搖車，其中，該座椅單元包括一個安裝固定在該軸承件且可被該軸承件帶動轉動的基座模組、一個安裝固定在該基座模組的滑軌模組，及一個安裝在該滑軌模組的座椅模組，該座椅模組會經由該滑軌模組而相對該基座模組前後移動。
如請求項4所述的手搖車，其中，該連結單元包括一個供該軸承件固定安裝的連結件，該連結件具有數個凹設在其周側面且上下貫穿的定位槽，該乘坐機構還包括一個安裝在該基座模組的定位單元，該定位單元可相對該基座模組上下樞擺而在一定位位置與一釋放位置間變化，在該定位位置時，該定位單元定位於該等定位槽其中之一，而使該座椅單元不會相對該連結單元轉動，在該釋放位置時，該定位單元未定位於任意一個該定位槽，而使該座椅單元可相對該連結單元轉動。
如請求項5所述的手搖車，其中，該定位單元具有一個樞設在該基座模組而可相對該基座模組上下樞擺的轉動操作桿，及一個自該轉動操作桿朝下突伸而可嵌卡於該等定位槽其中之一的卡塊，該乘坐機構還包括一個安裝在該基座模組與該轉動操作桿間的彈性件，該彈性件恆具有驅使該定位單元變化至該定位位置的彈力。
如請求項5所述的手搖車，其中，該連結單元還包括一個安裝在該車架單元與該連結件之間的升降模組，該升降模組可供操作而帶動該連結件上下移動。
如請求項4所述的手搖車，適用於搭配一電池組使用，該手搖車還包含一個盒體機構，該盒體機構包括一個安裝在該車架單元的底架，及一個安裝在該底架且用以供該電池組可抽換地容置的盒體單元，該盒體單元可供操作而自一躺靠在該底架的收合位置變化至一擺離該底架的展開位置，位在該展開位置的該盒體單元可供操作而抽換該電池組。
如請求項4所述的手搖車，其中，該座椅模組具有一個安裝在該滑軌模組的座椅，及一個自該座椅朝前且朝下延伸的擱腳單元，該擱腳單元具有兩個左右間隔的擱腳件。
一種可使用多種交換電池之移動電源裝置，係包含：<br/> 一逆變器裝置，用以將一電池電能轉換為一交流電源，該逆變器裝置係具有一輸入端部；<br/> 一電池接收座，該電池接收座上係設置有一連接座端，而該電池接收座一側更設置有一連接頭端；<br/> 一連接線，係具有一線材本體，該線材本體一端係為一第一連接頭，而該線材本體另一端係為一第二連接頭，該第一連接頭係與該逆變器裝置之輸入端部相連接，而該第二連接頭係與該連接頭端相連接，該連接線用以傳輸電力與傳輸訊號；以及<br/> 一抽取式電池元件，係連接於該電池接收座之連接座端上，該抽取式電池元件用以提供該電池電能，將該電池電能透過該連接座端及該連接頭端輸出至該連接線，並再透過該連接線傳輸至該逆變器裝置之輸入端部。
如請求項1所述之可使用多種交換電池之移動電源裝置，其中該連接線係具有一電力通道及一訊號通道，該電力通道用以傳輸該電池電能，而該訊號通道用以傳輸一通訊訊號。
如請求項2所述之可使用多種交換電池之移動電源裝置，其中該通訊訊號之內容係為電池電壓資訊、電池容量資訊、放電能力資訊或/及異常警報資訊。
如請求項1所述之可使用多種交換電池之移動電源裝置，其中該電池電能係為一直流電源。
如請求項1所述之可使用多種交換電池之移動電源裝置，其中該逆變器裝置係與一負載端電性連接，該交流電源用以供應給該負載端。
如請求項1所述之可使用多種交換電池之移動電源裝置，其中該逆變器裝置能夠更換不同的電池接收座，其中不同的電池接收座能夠分別對應於不同電池規格之抽取式電池元件。
如請求項1所述之可使用多種交換電池之移動電源裝置，其中該第二連接頭與該連接頭端之間係能夠連接有一直流/直流轉換器。
如請求項1所述之可使用多種交換電池之移動電源裝置，其中該電池接收座內部係內建有一直流/直流轉換器。
一種治具，被配置為檢測穿戴式設備，所述穿戴式設備包括設備主體與旋鈕，所述設備主體與所述旋鈕之間包括測試間隙；其改良在於，所述治具包括拉力模塊、位移模塊與圖像模塊； 所述拉力模塊包括卡鉤部，沿第一方向所述卡鉤部的底面的至少部分為弧面，所述卡鉤部的頂面的至少部分為平面；<br/> 所述位移模塊包括第一位移組件、第二位移組件和固定組件，所述第二位移組件被配置為與所述第一位移組件沿第二方向滑動連接，所述固定組件被配置為與所述第二位移組件沿第三方向滑動連接，所述固定組件被配置為固定所述穿戴式設備，所述卡鉤部被配置為嵌入所述測試間隙；所述第一位移組件設有第一標尺，所述第二位移組件設有第二標尺，所述第一標尺與所述第二標尺被配置為表徵所述卡鉤部嵌入所述測試間隙的深度；其中，所述第一位移組件和所述固定組件相對的方向為所述第一方向；所述第一方向、所述第二方向與所述第三方向相互垂直；<br/> 所述圖像模塊被配置為記錄並放大所述卡鉤部與所述旋鈕的測試狀態。
如請求項1所述之治具，其中，所述拉力模塊包括主體部與設置於所述主體部沿所述第一方向的端部的多個所述卡鉤部；<br/> 多個所述卡鉤部沿所述第一方向對稱分佈，多個所述卡鉤部被配置為分別嵌入所述測試間隙的不同位置。
如請求項1所述之治具，其中，所述第一位移組件包括第一基座、第一滑軌、第一限位板以及第一刻度梁；<br/> 所述第一滑軌被配置為設置於所述第一基座沿所述第一方向的頂部並沿所述第二方向延伸，所述第一滑軌被配置為與所述第二位移組件滑動連接；<br/> 所述第一限位板被配置為與所述第一滑軌沿所述第二方向的兩端連接，且所述第一限位板的至少部分沿所述第三方向延伸至所述第一滑軌外部，所述第一限位板被配置為限制所述第二位移組件沿所述第二方向脫離所述第一滑軌；<br/> 所述第一刻度梁沿所述第二方向延伸設置於所述第一限位板之間，且所述第一刻度梁與所述第一滑軌平行設置，所述第一刻度梁被配置為安裝所述第一標尺。
如請求項3所述之治具，其中，所述第二位移組件包括第二基座、第二滑軌、第二限位板以及第二刻度梁；<br/> 所述第二基座沿所述第一方向的底部設有第一滑槽，所述第一滑槽被配置為與所述第一滑軌滑動連接；所述第二滑軌被配置為設置於所述第二基座沿所述第一方向的頂部並沿所述第三方向延伸，所述第二滑軌被配置為與所述固定組件滑動連接；<br/> 所述第二限位板被配置為與所述第二滑軌沿所述第三方向的兩端連接，且所述第二限位板的至少部分沿所述第二方向延伸至所述第二滑軌外部，所述第二限位板被配置為限制所述固定組件沿所述第三方向脫離所述第二滑軌；<br/> 所述第二刻度梁沿所述第三方向延伸設置於所述第二限位板之間，且所述第二刻度梁與所述第二滑軌平行設置，所述第二刻度梁被配置為安裝所述第二標尺。
如請求項4所述之治具，其中，所述第二位移組件還包括第一驅動件，所述第一限位板上設有第一開孔，所述第一驅動件被配置為穿過所述第一開孔與所述第二基座連接，所述第一驅動件被配置為帶動所述第二位移組件沿所述第二方向滑動。
如請求項4所述之治具，其中，所述固定組件包括第三基座、第三滑軌、第三限位板以及夾具；<br/> 所述第三基座沿所述第一方向的底部設有第二滑槽，所述第二滑槽被配置為與所述第二滑軌滑動連接；所述第三滑軌被配置為設置於所述第三基座沿所述第一方向的頂部並沿所述第三方向延伸；<br/> 所述第三限位板被配置為與所述第三滑軌沿所述第三方向的兩端連接；<br/> 所述夾具沿所述第一方向的底部設有沿所述第三方向延伸的第三滑槽，所述第三滑槽被配置為與所述第三滑軌滑動連接，所述夾具被配置為固定所述穿戴式設備，所述第三限位板被配置為限制所述夾具沿所述第三方向脫離所述第三滑軌。
如請求項6所述之治具，其中，所述固定組件還包括第二驅動件，所述第二限位板上設有第二開孔，所述第二驅動件被配置為穿過所述第二開孔與所述第三基座連接，所述第二驅動件被配置為帶動所述固定組件沿所述第三方向滑動。
如請求項6所述之治具，其中，所述固定組件還包括第三驅動件，所述第三限位板上設有第三開孔，所述第三驅動件被配置為穿過所述第三開孔與所述夾具連接，並帶動所述夾具沿所述第三方向滑動。
如請求項1所述之治具，其中，所述圖像模塊包括圖像採集器、光源以及第三位移組件，所述圖像採集器被配置為記錄並放大所述卡鉤部與所述旋鈕的測試狀態，所述光源被配置為向所述圖像採集器提供光源；<br/> 所述第三位移組件包括第一導向桿、第二導向桿以及第三導向桿，所述第一導向桿沿所述第二方向延伸，所述第二導向桿沿所述第一方向延伸，所述第三導向桿沿所述第三方向延伸； <br/> 所述第一導向桿被配置為帶動所述第二導向桿沿第二方向滑動，所述第二導向桿被配置為帶動第三導向桿沿所述第一方向滑動，並帶動第三導向桿繞所述第三導向桿的軸線旋轉，所述第三導向桿被配置為連接所述圖像採集器並帶動所述圖像採集器沿所述第三方向滑動。
如請求項9所述之治具，其中，所述圖像模塊還包括快鎖螺絲、第一旋轉基座和第二安裝基座，所述第二安裝基座被配置為藉由所述快鎖螺絲連接所述第一導向桿，且所述第二安裝基座被配置為藉由所述快鎖螺絲連接所述第二導向桿，所述第一旋轉基座被配置為藉由所述快鎖螺絲連接所述第二導向桿。
一種檢測裝置，其改良在於，包括：<br/> 支架，設有用於容納待測件之定位槽；<br/> 壓件，轉動設於所述支架；<br/> 移動組件，包括安裝件與電連接件，所述安裝件可移動地設於所述支架，所述電連接件穿設於所述安裝件，並用於電性連接測試設備之線纜；<br/> 驅動件，設於所述支架，所述驅動件用於驅使所述壓件相對所述支架轉動、及驅使所述安裝件移動，使所述壓件轉動以抵壓所述待測件至所述定位槽，所述電連接件部分露出所述定位槽以導通所述線纜與所述待測件。
如請求項1所述之檢測裝置，其中：所述驅動件能相對所述支架沿豎直方向移動，並抵推所述壓件轉動；所述安裝件能於所述驅動件之驅使下沿斜向方向移動，所述斜向方向與所述豎直方向形成夾角α，0°＜α＜90°。
如請求項2所述之檢測裝置，其中：所述安裝件具有斜面，所述斜面抵靠於所述驅動件，並於所述驅動件沿所述豎直方向移動時被抵推，以使所述安裝件沿所述斜向方向移動。
如請求項2或3所述之檢測裝置，其中：所述驅動件包括主體部、推塊及形變部，所述主體部可豎直移動地設於所述支架，所述推塊可豎直移動地設於所述主體部，並用於抵推所述壓件，所述形變部連接所述主體部與所述推塊，並於所述主體部與所述推塊之間傳遞推力。
如請求項3所述之檢測裝置，其中：所述斜面嵌設有可滾動地滾珠，所述滾珠抵靠於所述驅動件，並能沿所述驅動件滾動。
如請求項4所述之檢測裝置，其中：所述主體部設有凹槽，所述凹槽內設有活動塊，所述活動塊用於抵靠所述安裝件，並與所述凹槽之底部連接有緩衝件，所述緩衝件用在於所述活動塊沿所述斜向方向移動時彈性變形。
如請求項1所述之檢測裝置，其中：所述支架與所述安裝件之間設有彈性件，所述彈性件能於所述安裝件移動時彈性形變，所述彈性件回彈能使所述電連接件退出所述定位槽。
如請求項1所述之檢測裝置，其中：所述安裝件包括第一模座與第二模座，所述第一模座用於連接所述驅動件，所述第二模座連接所述電連接件，所述第一模座連接所述第二模座，並挾持所述線纜；<br/> 所述電連接件包括相對之第一端與第二端，所述第一端與所述第二端均伸出所述第二模座，所述第一端電性連接所述線纜，所述第二端用於電接觸所述定位槽內之所述待測件。
如請求項1所述之檢測裝置，其中：所述壓件包括用於抵壓所述待測件至所述定位槽之抵壓面；<br/> 所述壓件連接有扭力件，所述扭力件連接所述支架，所述扭力件用於驅使所述壓件轉動以使所述抵壓面背向所述定位槽移動。
如請求項2或3所述之檢測裝置，其中：所述支架設有第一導向件，所述第一導向件穿設於所述安裝件，所述第一導向件沿所述斜向方向延伸，並引導所述安裝件相對所述支架沿所述斜向方向移動。
一種支架結構，用於支撐手機，其改良在於，所述支架結構包括： 安裝架，所述安裝架設置於所述手機，所述安裝架內設有容置腔；<br/> 支架，所述支架與所述安裝架滑動連接，所述支架可相對所述安裝架旋轉以支撐所述手機；及<br/> 彈出機構，所述彈出機構包括操作件和彈性元件，所述操作件設置於所述安裝架並便於操作，所述彈性元件設置於所述容置腔內，並分別連接所述安裝架和所述支架，所述操作件被配置為朝靠近所述安裝架的方向移動以解鎖所述支架，所述彈性元件被配置為將所述支架彈出所述容置腔。
如請求項1所述之支架結構，其中，所述彈性元件包括<br/> 連接塊，所述連接塊固定於所述支架，所述連接塊卡接於所述操作件的一端，所述操作件朝所述安裝架移動以解鎖所述支架；<br/> 第一彈性件，所述第一彈性件包括第一端和第二端，所述第一端與所述安裝架連接，所述第二端與所述操作件連接；及<br/> 第二彈性件，所述第二彈性件包括第三端和第四端，所述第三端與所述安裝架連接，所述第四端與所述連接塊連接，所述第二彈性件被配置為將所述支架彈出所述容置腔。
如請求項2所述之支架結構，其中，所述安裝架設置有限位塊，所述限位塊朝向所述操作件的方向延伸，所述限位塊被配置為限位所述操作件，所述第二彈性件分別與所述限位塊和所述連接塊連接。
如請求項3所述之支架結構，其中，所述操作件設置有兩個，兩個所述操作件呈對稱設置於所述安裝架的兩側並伸出所述安裝架，所述第一彈性件對應所述操作件設置有兩個，所述第一端連接於所述安裝架內壁，所述第二端連接於所述操作件，以使所述操作件抵接於所述限位塊。
如請求項4所述之支架結構，其中，所述操作件包括按壓部、滑動部和卡持部，所述按壓部由所述滑動部的一端延伸並位於所述安裝架外側，所述滑動部位於所述容置腔，所述卡持部由所述滑動部遠離所述按壓部的一端朝向所述支架延伸，所述卡持部用於卡持所述連接塊。
如請求項5所述之支架結構，其中，所述連接塊設置有兩個，兩個所述連接塊設置有卡勾，所述卡勾與所述卡持部配合卡接，所述滑動部朝靠近所述安裝架的方向移動，帶動所述卡持部遠離所述卡勾以解鎖所述支架。
如請求項5所述之支架結構，其中，所述安裝架設置有開口，所述滑動部穿設於所述開口，以使所述按壓部限位於所述開口。
如請求項2所述之支架結構，其中，所述支架包括<br/> 第一連接板，所述第一連接板固定於所述連接塊；和<br/> 支撐件，所述支撐件鉸接於所述第一連接板，當所述支架滑出所述容置腔，所述支撐件繞鉸接處旋轉以支撐所述手機。
如請求項8所述之支架結構，其中，所述支撐件設置有支撐塊，所述支撐塊呈弧形設置。
一種手機殼，包括手機殼本體，其改良在於，所述手機殼本體背部設置有如請求項1至9任一項所述之支架結構。
一種功率半導體模組之柱狀式散熱封裝結構，包括：<br/> 一散熱基座；<br/> 至少一電路基板，其設置於該散熱基座上，該電路基板包括至少一種晶片，其組成為一功率半導體模組；<br/> 至少一銅螺母端子，其設置於該散熱基座上或該電路基板上，該銅螺母端子用以作為外部電流與該功率半導體模組內部電流之橋梁，其中該晶片透過多條導線電性連接至該銅螺母端子；<br/> 一膠殼側牆，其設置環繞於該散熱基座上，該膠殼側牆之內部形成一填充空間，其中該膠殼側牆之高度低於該銅螺母端子之高度；<br/> 一第一絕緣膠，其注入於該填充空間之一部份以形成第一絕緣層且覆蓋住該電路基板；<br/> 至少一散熱模組，其設置於該第一絕緣膠之上，且該散熱模組為中空長條狀，並且其兩端分別具有一第一開口與一第二開口且其內部具有一容納空間，其中該銅螺母端子對應地穿射過該第一開口與該第二開口，並且該散熱模組用以對該銅螺母端子所產生之熱能進行散熱；<br/> 一第二絕緣膠，其注入於該填充空間之另一部分以形成第二絕緣層，並且該第二絕緣膠之注入高度不超過該膠殼側牆之高度；以及<br/> 一第三絕緣膠，其從該第二開口注入於該散熱模組之該容納空間且包覆著該銅螺母端子之部分表面以形成第三絕緣層，<br/> 其中該銅螺母端子用以作為導通電流的功能。
如請求項1所述之功率半導體模組之柱狀式散熱封裝結構，更包括一柱狀式絕緣層，其設置於該散熱模組的外側表面。
如請求項2所述之功率半導體模組之柱狀式散熱封裝結構，其中該柱狀式絕緣層為絕緣漆、絕緣膏、絕緣膠與絕緣外殼之其中之一。
如請求項1所述之功率半導體模組之柱狀式散熱封裝結構，其中該些種晶片之種類為二極體(Diode)晶片、金屬氧化半導體 (Metal Oxide Semiconductor, MOS)晶片、雙極性接面電晶體 (Bipolar Junction Transistor, BJT)晶片、絕緣閘極雙極性電晶體 (Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)晶片之其中之一種或其各種組合。
如請求項4所述之功率半導體模組之柱狀式散熱封裝結構，其中該些種晶片之金屬氧化半導體 (Metal Oxide Semiconductor, MOS)晶片、雙極性接面電晶體 (Bipolar Junction Transistor, BJT)晶片、絕緣閘極雙極性電晶體 (Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)晶片用以作為開關功能。
如請求項4所述之功率半導體模組之柱狀式散熱封裝結構，其中該種晶片之二極體(Diode)晶片用以作為整流功能。
如請求項4所述之功率半導體模組之柱狀式散熱封裝結構，更包括至少一組控制端子，其用以接收至少一外部控制訊號來決定該些種晶片是否導通。
如請求項4所述之功率半導體模組之柱狀式散熱封裝結構，其中該些銅螺母端子之數量為兩個。
如請求項4所述之功率半導體模組之柱狀式散熱封裝結構，其中該電路基板更包括至少一電子元件，其連接至該晶片，以共同組成為該功率半導體模組。
一種功率半導體模組之柱狀式散熱封裝結構，包括：<br/> 一散熱基座；<br/> 至少一電路基板，其設置於該散熱基座上，該電路基板包括至少一種晶片，其組成為一功率半導體模組；<br/> 至少一銅螺母端子，其設置於該散熱基座上或該電路基板上，該銅螺母端子用以作為外部電流與該功率半導體模組內部電流之橋梁，其中該晶片透過多條導線電性連接至該銅螺母端子；<br/> 一膠殼側牆，其設置環繞於該散熱基座上，該膠殼側牆之內部形成一填充空間，其中該膠殼側牆之高度低於該銅螺母端子之高度；<br/> 一第一絕緣膠，其注入於該填充空間之一部份以形成第一絕緣層且覆蓋住該電路基板；<br/> 至少一散熱模組，其設置於該第一絕緣膠之上，且該散熱模組為中空長條狀，並且其兩端分別具有一第一開口與一第二開口且其內部具有一容納空間，其中該銅螺母端子對應地穿射過該第一開口與該第二開口，並且該散熱模組用以對該銅螺母端子所產生之熱能進行散熱； <br/> 一第二絕緣膠，其注入於該填充空間之另一部分以形成第二絕緣層，並且該第二絕緣膠之注入高度不超過該膠殼側牆之高度；以及<br/> 一第三絕緣膠，其從該第二開口注入於該散熱模組之該容納空間且包覆著該銅螺母端子之部分表面以形成第三絕緣層，<br/> 其中該銅螺母端子用以作為導通電流的功能，並且該種晶片之種類為二極體(Diode)晶片且用以作為整流功能。
一種護理教具組，包含：<br/> 一主體結構，包括一由該主體結構圍繞界定出之容置空間，及一設置於該主體結構上的開口，該開口與該容置空間連通；<br/> 一模型結構，設置於該主體結構之表面；及<br/> 一操作結構，可分離地設置於該模型結構上。
如請求項1所述護理教具組，其中，該模型結構為穿戴式皮膚層。
如請求項1所述護理教具組，其中，該操作結構為氣切造口工具。
如請求項1所述護理教具組，其中，該模型結構的外觀為具有鼻孔的鼻子。
如請求項1所述護理教具組，其中，該操作結構為鼻胃管工具。
如請求項1所述護理教具組，其中，該模型結構的外觀為男性會陰耗材。
如請求項1所述護理教具組，其中，該模型結構的外觀為女性會陰耗材。
如請求項1所述護理教具組，其中，該操作結構為導尿管工具。
如請求項1所述護理教具組，其中，該操作結構為中心靜脈導管工具或引流管工具。
如請求項1所述護理教具組，其中，該操作結構為模擬Port-A相關設備。
一種環場影像安全擷取裝置，係包括： <br/>多數影像擷取器； <br/>一中斷同步單元，係與各影像擷取器連接；以及 <br/>一記憶單元，係與該中斷同步單元連接，並進一步連接有一連接器，該記憶單元包含一加密結構，並與該連接器連接。
依請求項1所述之環場影像安全擷取裝置，其中，該等影像擷 <br/>取器、該中斷同步單元以及該記憶單元係設於一殼體中，且該連接器係對應設於該殼體之另一側緣。
依請求項2所述之環場影像安全擷取裝置，其中，該等影像取 <br/>器係分別具有一輸入埠及一輸出埠，而各該輸入埠係對應設於該殼體之一側緣。
依請求項3所述之環場影像安全擷取裝置，其中，該中斷同步 <br/>單元係與該等影像擷取器之輸出埠連接。
依請求項1所述之環場影像安全擷取裝置，其中，該記憶單元 <br/>係為直接記憶體存取（Direct Memory Access, DMA）。
依請求項2所述之環場影像安全擷取裝置，其中，該加密結構 <br/>係設於該記憶單元內部，並與該連接器相連。
依請求項1所述之環場影像安全擷取裝置，其中，該加密結構 <br/>係以硬體模組形式實現。
依請求項1所述之環場影像安全擷取裝置，其中，該加密結構 <br/>構係以軟體演算法形式實現。
依請求項1所述之環場影像安全擷取裝置，其中，該加密結構 <br/>採用對稱式加密方式。
依請求項1所述之環場影像安全擷取裝置，其中，該加密結構 <br/>採用非對稱式加密方式。
一種花樣出料包裝軟管，包括：<br/> 本體、轉接件和出料蓋；<br/> 所述本體的端面設置有出料孔；<br/> 所述轉接件轉動地套設於所述本體的端部，其端面設置與所述出料孔相對的過料孔，所述過料孔隨著所述轉接件的轉動與所述出料孔連通或不連通；<br/> 所述出料蓋蓋合在所述轉接件的端面，並設置有環繞著所述過料孔的軸線呈等角度間隔分佈的所述出料孔；<br/> 所述本體的端面與所述出料蓋的相對面之間形成使所述過料孔與所述出料孔連通的出料通道，所述出料通道在所述過料孔與所述出料孔之間形成至少一段彎折處。
如請求項1所述的花樣出料包裝軟管，其中，<br/> 所述本體的端面設置有一密封柱，所述出料孔設置在所述密封柱的周圍且數量至少為一個；所述轉接件的軸線位置設置有過料管，所述過料孔設置在所述過料管的軸線處；所述轉接件與所述本體螺紋連接，所述密封柱隨著所述轉接件的轉動封堵或打開所述過料管的內側端部。
如請求項2所述的花樣出料包裝軟管，其中，<br/> 所述本體的周面設置有兩個限位凸塊，對應所述轉接件的打開、關閉狀態；所述轉接件的內壁設置有活動配合在兩個限位凸塊之間的限位凸緣。
如請求項3所述的花樣出料包裝軟管，其中，<br/> 所述本體的周面設置有ON/OFF的指示標識，所述轉接件的周面設置有隨著所述轉接件的轉動指向所述指示標識的指示箭頭。
如請求項2所述的花樣出料包裝軟管，其中，<br/> 所述過料管的周圍凹陷形成有過料環槽，所述出料蓋的相對面在所述出料孔的內側方向凸出形成有一圈導向凸緣；所述導向凸緣嵌入所述過料環槽內，並且與所述過料環槽的內外側壁均不接觸。
如請求項5所述的花樣出料包裝軟管，其中，<br/> 所述出料蓋的相對面在所述出料孔的外側方向凸出形成有一圈第一密封凸緣；所述轉接件的端面設置有凸台，所述過料管及其周圍的過料環槽均是同軸設置在所述凸台的端面上，且所述凸台的周緣凸出形成有一圈第二密封凸緣；所述第一密封凸緣緊配合在所述凸台的周面，所述第二密封凸緣抵接在所述出料蓋的相對面。
如請求項1所述的花樣出料包裝軟管，其中，<br/> 所述出料蓋與所述轉接件卡扣連接。
如請求項7所述的花樣出料包裝軟管，其中，<br/> 所述出料蓋的周面設置有一圈卡鉤，所述轉接件的周面設置有供所述卡鉤卡扣配合的卡槽。
如請求項1所述的花樣出料包裝軟管，還包括螺紋連接地蓋合在所述本體端部的蓋體，以及設置在所述蓋體內的密封墊；所述蓋體處於蓋合狀態時，所述密封墊封堵各出料孔的出料端。
如請求項9所述的花樣出料包裝軟管，其中，<br/> 所述本體的周面凸出形成有若干並列設置的第一止轉凸起，所述蓋體的內壁設置有供所述第一止轉凸起活動配合的若干並列設置的第二止轉凸起；所述密封墊由矽膠材料製成；所述蓋體內設置有供所述密封墊嵌設的安裝槽。
一種自立式花樣出料包裝容器，包括：<br/> 本體、出料蓋、推板和旋鈕；<br/> 所述本體的其一端面設置有過料孔；<br/> 所述出料蓋蓋合在所述本體的端面，並設置有環繞著所述過料孔的軸線呈等角度間隔分佈的出料孔；<br/> 所述本體的端面與所述出料蓋的相對面之間形成使所述過料孔與所述出料孔連通的出料通道，出料通道在所述過料孔與所述出料孔之間形成至少一段彎折處；<br/> 所述推板軸向移動地配合在所述本體內；<br/> 所述旋鈕相對轉動地配合在所述本體的另一端面，並與所述推板傳動連接，用於驅動所述推板進行軸向移動。
如請求項1所述的自立式花樣出料包裝容器，還包括內管和傳動件；所述內管的其一端部密封配合在所述本體內，所述內管的另一端部露出於所述本體；所述推板動密封地配合在所述內管內，所述本體、推板和內管圍成用於盛裝物料的容腔；所述旋鈕轉動地套設於所述內管的另一端；所述傳動件是與所述推板螺紋連接的螺桿，其端部與所述旋鈕鍵連接以實現同步轉動。
如請求項2所述的自立式花樣出料包裝容器，其中，<br/> 所述內管的另一端周面設置有一圈轉動環槽，所述旋鈕的內壁設置有若干活動配合在所述轉動環槽內的活動凸起。
如請求項2所述的自立式花樣出料包裝容器，其中，<br/> 所述傳動件的端部設置有動密封地配合在所述內管內壁的轉動板，所述轉動板的表面設置有若干呈輻射狀的第一卡齒；所述旋鈕的相對面設置有若干呈輻射狀的第二卡齒；所述第一卡齒嵌設在相鄰第二卡齒之間；所述內管的內壁設置有供所述轉動板抵接的限位臺階。
如請求項2所述的自立式花樣出料包裝容器，其中，<br/> 所述內管另一端的周面設置有一擋位彈臂，所述旋鈕的內壁設置有供所述擋位彈臂活動配合的擋位齒。
如請求項1所述的自立式花樣出料包裝容器，其中，<br/> 所述本體呈圓柱狀，其端面的軸線位置設置有過料管，所述過料孔設置在所述過料管的軸線處；所述過料管的周圍凹陷形成有過料環槽，所述出料蓋的相對面在所述出料孔的內側方向凸出形成有一圈導向凸緣；所述導向凸緣嵌入所述過料環槽內，並且與所述過料環槽的內外側壁均不接觸。
如請求項6所述的自立式花樣出料包裝容器，其中，<br/> 所述出料蓋的相對面在所述出料孔的外側方向凸出形成有一圈第一密封凸緣；所述本體的端面設置有凸台，所述過料管及其周圍的過料環槽均是同軸設置在所述凸台的端面上，且所述凸台的周緣凸出形成有一圈第二密封凸緣；所述第一密封凸緣緊配合在所述凸台的周面，所述第二密封凸緣抵接在所述出料蓋的相對面。
如請求項1所述的自立式花樣出料包裝容器，其中，<br/> 所述出料蓋的周面設置有一圈卡鉤，所述本體的周面設置有供所述卡鉤卡扣配合的卡槽。
如請求項1所述的自立式花樣出料包裝容器，還包括可拆卸地蓋合在所述本體端部的蓋體，以及配合在所述蓋體內的密封墊；所述蓋體處於蓋合狀態時，所述密封墊封堵各出料孔的出料端。
如請求項9所述的自立式花樣出料包裝容器，其中，<br/> 所述密封墊由矽膠材料製成；所述蓋體內設置有供所述密封墊嵌設的安裝槽。
一種吸附油脂的膠囊，包括一第一殼體、一第二殼體及複數吸附油脂結構，其中該第一殼體及該第二殼體彼此扣合形成一容置空間，該些吸附油脂結構容置於該容置空間內，各該吸附油脂結構為外形為連續曲面或者由複數曲面與複數平面組合的基體，該基體內部具有由不同尺寸的複數孔洞所構成的孔洞結構，該些孔洞組成完全貫通或者部分貫通的多孔網路，並且該基體及該孔洞結構由幾丁聚醣所構成，其中該基體的孔隙率大於51%。
如請求項1所述之吸附油脂的膠囊，其中該基體的平均孔洞面積大於300µm<sup>2</sup>。
如請求項1所述之吸附油脂的膠囊，其中該基體呈現粉紅色澤。
如請求項1所述之吸附油脂的膠囊，其中該基體的等效直徑在200 µm~460 µm之間。
如請求項1所述之吸附油脂的膠囊，其中該基體的平均等效直徑為342.2 µm。
如請求項1所述之吸附油脂的膠囊，其中該基體於酸中形成正離子NH3+，並與脂肪酸吸引結合。
如請求項6所述之吸附油脂的膠囊，其中該基體於脂肪酸結合後遇鹼後形成包覆體，包覆該脂肪酸。
如請求項7所述之吸附油脂的膠囊，其中該酸是pH值1.5到3.5，該鹼是pH值7到8。
如請求項1所述之吸附油脂的膠囊，其中該吸附油脂結構的吸油量為該吸附油脂結構重量的2.5倍。
一種定位裝置，用於輔助組件安裝於電路板上，其中，所述定位裝置包括：<br/> 載具，設有至少一個凹槽，所述凹槽被配置為容置所述電路板；<br/> 對位模組，包括第一主體與複數限位桿，所述第一主體與所述載具可拆卸地連接，每個所述限位桿連接於所述第一主體，所述限位桿設有限位部，複數所述限位部圍成一容置所述組件之定位區域，所述限位部被配置為抵接所述組件。
如請求項1所述之定位裝置，其中，所述限位桿設有導向部，所述導向部設置於所述限位部之一端，且相對於所述限位部沿遠離所述定位區域之方向傾斜延伸。
如請求項1所述之定位裝置，其中，所述定位裝置還包括第一緊固件，所述限位桿設有滑槽，所述滑槽與所述限位部分別設於所述限位桿之兩端，所述第一緊固件藉由所述滑槽與所述第一主體連接，所述第一緊固件沿所述滑槽滑動，所述第一緊固件壓持於所述限位桿背離所述第一主體之一側。
如請求項1所述之定位裝置，其中，至少一個所述限位桿之所述限位部設有一個定位面，所述定位面被配置為抵接所述組件之一側。
如請求項1所述之定位裝置，其中，至少一個所述限位桿之所述限位部設有兩個定位面，兩個所述定位面相交，且抵持於所述組件之兩側。
如請求項1至5中之任一項所述之定位裝置，其中，所述載具與所述第一主體中之一個設有第一定位柱，所述載具與所述第一主體中之另一個設有第一定位孔，所述第一定位柱與所述第一定位孔互相配合。
如請求項1至5中之任一項所述之定位裝置，其中，所述定位裝置還包括防空焊模組，所述防空焊模組包括第二主體與下壓桿，所述第二主體與所述載具連接，所述下壓桿與所述第二主體連接，所述下壓桿設有壓持部，所述壓持部被配置為沿所述對位模組朝向所述載具之方向壓持於所述組件。
如請求項7所述之定位裝置，其中，所述下壓桿設有避讓部，所述避讓部連接於所述壓持部，且相對於所述壓持部沿遠離所述組件之方向傾斜延伸。
如請求項7所述之定位裝置，其中，所述定位裝置包括彈簧鎖扣，所述彈簧鎖扣設置於所述第二主體，所述載具設有鎖孔，所述彈簧鎖扣扣合於所述鎖孔。
如請求項7所述之定位裝置，其中，所述載具與所述第二主體中之一個設有第二定位柱，所述載具與所述第二主體中之另一個設有第二定位孔，所述第二定位柱與所述第二定位孔互相配合。
一種用於電子設備之漏液導引裝置，供安裝於一機殼以導引一管路之漏液，該機殼放置於一放置參考面上，該機殼具有一側壁，該管路鄰設於該側壁，該漏液導引裝置包含：<br/> 一導引結構，相對兩側具有一第一連結部及一第二連結部，該第一連結部及該第二連結部皆連接於該側壁，該第一連結部相較於該第二連結部設置於較接近該放置參考面的位置，且該導引結構圍繞形成具有兩端開口之一容置空間，該管路設置於該容置空間中且該管路自該兩端開口穿出，該導引結構圍繞該管路之外周設置，於該管路之徑向剖面上該導引結構至少包覆該管路四分之三之外周壁。
如請求項1所述之用於電子設備之漏液導引裝置，其中該導引結構為具有可撓性之一片狀結構。
如請求項1所述之用於電子設備之漏液導引裝置，其中該導引結構為一聚酯薄膜。
如請求項1所述之用於電子設備之漏液導引裝置，包含複數固定件，該第一連結部及該第二連結部分別透過該些固定件連接於該側壁。
如請求項1所述之用於電子設備之漏液導引裝置，其中該導引結構具有相對設置之一第一側緣及一第二側緣，該導引結構自該第二側緣往該第一側緣傾斜，該第二側緣至該放置參考面之最小距離大於該第一側緣至該放置參考面之最小距離。
如請求項5所述之用於電子設備之漏液導引裝置，包含一第一集水結構設置於該第一側緣下方。
如請求項6所述之用於電子設備之漏液導引裝置，其中該第一集水結構包含具有水偵測功能之一軟性電路板。
如請求項5所述之用於電子設備之漏液導引裝置，包含一第二集水結構設置於該第二側緣下方。
如請求項8所述之用於電子設備之漏液導引裝置，其中該第二集水結構包含具有水偵測功能之一軟性電路板。
如請求項1所述之用於電子設備之漏液導引裝置，包含一漏液偵測線設置於該容置空間之底部並自該兩端開口穿出。
一種氣室主氣閥，其包括一閥體，一安裝在該閥體左端的左端蓋，一安裝在該閥體右端的右端蓋，一安裝在該閥體內的一第一閥軸套、一第二閥軸套、一隔離擋圈和一推力軸套，一可在該第一閥軸套和該第二閥軸套內左右移動的閥軸，一可在該推力軸套內左右移動的推力軸，一安裝在該閥軸上與該閥軸一起運動的滑塊，一與該滑塊始終保持平面接觸的換向板；一由該左端蓋、該第一閥軸套和該閥軸的左側面圍組成的第一腔室；一由該閥體、該換向板、該第一閥軸套和該第二閥軸套圍組成的第二腔室；一由該閥軸的右側壁、該第二閥軸套、該隔離擋圈的左側壁和該推力軸圍組成的第三腔室；一由該隔離擋圈的右側壁、該推力軸和該推力軸套圍組成的第四腔室；以及一由該推力軸的右側壁、該推力軸套和右端蓋圍成第五腔室。
如申請專利範圍第1項所述之氣室主氣閥，其中該第二腔室通過該閥體上的一空氣接口，且該空氣接口與一壓縮空氣源相連通；該閥軸上設有一連通槽，該連通槽將第一腔室和第二腔室相連通，因此該第一腔室與該壓縮空氣源相連通；該第一腔室在該閥軸的左側，因此該第一腔室內的壓縮空氣始終對該閥軸產生向右的推力；該第三腔室和第五腔室均在該閥軸的右側，該第三腔室和該第五腔室通過該推力軸上設置的一通孔相連通，該第三腔室和該第五腔室的空氣壓力是相等的，並隨著一氣動雙隔膜泵浦的一氣室換向閥的來回換向，該氣室換向閥對相連通的該第三腔室和該第五腔室充入壓縮空氣或排出壓縮空氣，且充入壓縮空氣和排出壓縮空氣是交替進行的；該第四腔室與該氣動雙隔膜泵浦的一總排氣口相連通，且該第四腔室內的壓力是零(表壓)。
如申請專利範圍第2項所述之氣室主氣閥，其中該閥軸上安裝有一第一密封環，該隔離擋圈上安裝有一第二密封環，以及該推力軸上安裝有一第三密封環。
如申請專利範圍第3項所述之氣室主氣閥，其中該換向板上依次設有一第一工作孔、一排氣孔和一第二工作孔；該第一工作孔和該第二工作孔分別與該氣動雙隔膜泵浦的一左空氣腔和一右空氣腔相連通，交替地向與之相連通的該等左、右空氣腔進行充入或排出壓縮空氣，驅動該氣動雙隔膜泵浦的一左隔膜和一右隔膜來回做往復運動；以及該排氣孔與該氣動雙隔膜泵浦的該總排氣口相連通。
如申請專利範圍第4項所述之氣室主氣閥，其中該滑塊與該換向板均採用陶瓷材質製成，兩者始終保持緊密接觸，該滑塊在該閥軸的帶動下，是在該換向板上做往復滑動，兩者之間形成平面滑動密封；以及該滑塊上設置有一個凹孔。
一種氣動雙隔膜泵浦，其包括一外殼，以及如申請專利範圍第1至5項中任一項所述之氣室主氣閥，該外殼上設有一泵進口、一泵出口和一總排氣口，而該外殼內設置有一左液體腔、一右液體腔、一左空氣腔和一右空氣腔，該左液體腔和該左空氣腔之間設置一左隔膜，該右液體腔和該右空氣腔之間設置一右隔膜；該氣室主氣閥的一第一工作孔連接該左空氣腔，一第二工作孔連接該右空氣腔，以及一排氣孔和一第二連通孔連接至該總排氣口。
一種氣室主氣閥，其包括一閥體，該閥體兩端分別安裝有一左封蓋和一右封蓋，且閥體上另安裝有一換向板，該換向板上設有一第一工作孔、一第二工作孔和位於二者之間的一排氣孔；該閥體內間隔地安裝有一第一閥軸套、一第二閥軸套和一活塞套，一可在該等閥軸套內左右滑動的閥軸，該閥軸的一端設有一可在該活塞套內左右移動的活塞，該閥軸一側安裝有一能隨著該閥軸移動並與該換向板平面接觸的滑塊，該滑塊底部設置一凹孔，當滑塊左右移動時，該凹孔覆蓋該排氣孔和其中一個工作孔；該閥體上另設有一連接壓縮空氣的空氣接口、一連通換向信號的第一連通孔，以及一連接該活塞與該第二閥軸套之間一腔室的第二連通孔；該閥軸上還設有連通一空氣接口和該閥軸與該左封蓋之間另一腔室的連通槽；以及該閥軸與該第二閥軸套之間，以及該活塞與該活塞套之間各自安裝一密封圈。
如申請專利範圍第1項所述之氣室主氣閥，其中各該密封圈的一側設有一V型缺口。
如申請專利範圍第1項所述之氣室主氣閥，其中該滑塊和該換向板均為陶瓷材質製成。
如申請專利範圍第1項所述之氣室主氣閥，其中該活塞和該閥軸為一分體結構。
一種氣動雙隔膜泵浦，其包括一外殼，以及如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之氣室主氣閥，該外殼上設有一泵進口、一泵出口和一總排氣口，而該外殼內設置有一左液體腔、一右液體腔、一左空氣腔和一右空氣腔，該左液體腔和該左空氣腔之間設置一左隔膜，該右液體腔和該右空氣腔之間設置一右隔膜；該氣室主氣閥的該第一工作孔連接該左空氣腔，該第二工作孔連接該右空氣腔，以及該排氣孔和該第二連通孔連接至該總排氣口。
一種手機殼訂製無人販賣機，其特徵在於，包括：機架、手機殼倉儲搬運機構和手機殼列印裝置；<br/> 該機架上設置有多個貨倉；<br/> 該手機殼列印裝置設置在該手機殼倉儲搬運機構的一側，該手機殼倉儲搬運機構將手機殼在該貨倉和該手機殼列印裝置之間搬運；<br/> 其中，該手機殼列印裝置包括印表機構、手機殼整形治具、高度調節機構和輸送機構；<br/> 該印表機構設置在該機架上，用於對手機殼進行列印；<br/> 該手機殼整形治具佈置在該印表機構的下方，用於定位手機殼；<br/> 該高度調節機構與該手機殼整形治具驅動連接，該高度調節機構驅動該手機殼整形治具進行升降以使該手機殼整形治具上的手機殼相對該印表機構處於預設高度。
如請求項1所述之手機殼訂製無人販賣機，其中：該高度調節機構包括：<br/> 升降驅動元件，與該手機殼整形治具驅動連接，用於驅動該手機殼整形治具升降；<br/> 用於檢測手機殼是否達到預設高度的高度檢測元件，該高度檢測元件與該手機殼整形治具或該手機殼整形治具上的手機殼感應配合，並與該升降驅動元件信號連接。
如請求項2所述之手機殼訂製無人販賣機，其中：<br/> 該輸送機構設置在該機架上，與該高度調節機構驅動連接，驅動該高度調節機構相對該印表機構移動至上料位置和列印位置；<br/> 其中，當該輸送機構驅動該高度調節機構從該上料位置移動至該列印位置的過程中，若該高度檢測元件檢測該預設高度處存在手機殼，則該升降驅動元件驅動該手機殼整形治具下降直至該高度檢測元件在該預設高度處未檢測到手機殼，若該高度檢測元件未檢測該預設高度處存在手機殼，則該升降驅動元件驅動該手機殼整形治具上升直至該高度檢測元件檢測該預設高度處存在手機殼，然後該升降驅動元件再驅動該手機殼整形治具下降直至該高度檢測元件在該預設高度處未檢測到手機殼。
如請求項1所述之手機殼訂製無人販賣機，其中：<br/> 該手機殼倉儲搬運機構包括多軸平移驅動元件、旋轉驅動元件和吸附元件；<br/> 該多軸平移驅動元件與該吸附元件驅動連接，用於驅動該吸附元件平移；<br/> 該旋轉驅動元件與該吸附元件驅動連接，用於驅動該吸附元件轉動至該多軸平移驅動元件的兩側；<br/> 該吸附元件用於抓取手機殼；<br/> 多個該貨倉排列佈置在該多軸平移驅動元件的兩側，其中部分該貨倉與該手機殼列印裝置位於該多軸平移驅動元件的同一側，另一部分該貨倉與該手機殼列印裝置分別位於該多軸平移驅動元件的兩側。
如請求項4所述之手機殼訂製無人販賣機，其中：該機架上設置有出料倉，該出料倉和該手機殼列印裝置佈置在該手機殼倉儲搬運機構的同一側，該出料倉的頂部設置有進料倉口；<br/> 該手機殼倉儲搬運機構將手機殼在該貨倉、該印表機構和該出料倉之間搬運。
如請求項1至5中任一項所述之手機殼訂製無人販賣機，其中：<br/> 該機架上設置有支撐梁；<br/> 該印表機構包括列印噴頭元件、噴頭驅動元件和位置檢測元件；<br/> 該支撐梁上設置有噴頭引導軌道；<br/> 該列印噴頭元件與該噴頭引導軌道活動連接，該列印噴頭元件和該位置檢測元件分別設置在該支撐梁的兩側；<br/> 該噴頭驅動元件與該列印噴頭元件驅動連接，其驅使該列印噴頭元件沿該噴頭引導軌道移動。
如請求項6所述之手機殼訂製無人販賣機，其中：該位置檢測元件包括光柵感測器和光柵條，該光柵感測器和該光柵條感應配合，該光柵感測器和該光柵條均佈置在該支撐梁遠離該列印噴頭元件的一側，該光柵感測器與該列印噴頭元件連接，該光柵條設置在該支撐梁遠離該列印噴頭元件的一側。
如請求項6所述之手機殼訂製無人販賣機，其中：該印表機構還包括防護罩，該防護罩圍繞形成一列印空間，該列印空間位於該支撐梁朝向該列印噴頭元件的一側，並且位於該列印噴頭元件的下方；<br/> 在該印表機構列印手機殼時，該手機殼整形治具位於該列印空間內。
如請求項1至5中任一項所述之手機殼訂製無人販賣機，其中：該手機殼整形治具包括手機殼整形座和定位元件；<br/> 該定位元件設置在該手機殼整形座上，用於推動手機殼移動至該手機殼整形座上預設的整形位置；<br/> 該定位元件包括定位驅動元件和四個定位件，四個該定位件設置在該手機殼整形座上，並且分別位於該整形位置的四側；<br/> 該定位驅動元件驅動位於該整形位置相鄰兩側的該定位件與該手機殼整形座相對運動，或者，該定位驅動元件驅動位於該整形位置相鄰三側的該定位件與該手機殼整形座相對運動，或者，該定位驅動元件驅動四個該定位件與該手機殼整形座相對運動，以使對應的該定位件靠近或者遠離該整形位置。
如請求項9所述之手機殼訂製無人販賣機，其中：該定位驅動元件與位於該整形位置相鄰的至少兩側的該定位件驅動連接，其中，與該定位驅動元件連接的定位件為活動定位件，該活動定位件與該手機殼整形座活動連接。
一種樞接系統，用於樞接一鏡腿與一樁頭，該樞接系統包括：<br/> 一垂直樞接軸片，連接該樁頭；<br/> 一垂直墊片，部分配置於該垂直樞接軸片與該鏡腿之間，其中該垂直樞接軸片以可活動的方式，抵接在該垂直墊片上；以及<br/> 至少一水平串接裝置，可在穿過該鏡腿及該垂直墊片後，將該垂直墊片固定於該鏡腿。
如請求項第1項所述之樞接系統，其中該水平串接裝置具有一勾爪，該勾爪以可活動的方式勾住該垂直樞接軸片。
如請求項1所述之樞接系統，其中該垂直樞接軸片具有至少一缺口，且其中該水平串接裝置具有一第一凸起，該第一凸起以可活動的方式部分容置在該缺口中。
如請求項2所述之樞接系統，其中該水平串接裝置具有一定位片，該定位片可在穿過該鏡腿及該垂直墊片後，將該垂直墊片固定於該鏡腿。
如請求項4所述之樞接系統，其中該垂直墊片具有至少一第一短側孔，且其中該定位片可在穿過該第一短側孔後，將該垂直墊片固定於該鏡腿。
如請求項5所述之樞接系統，其中該鏡腿具有至少一第二短側孔，且其中該定位片可在穿過該第二短側孔及該第一短側孔後，將該垂直墊片固定於該鏡腿。
如請求項5所述之樞接系統，其中該垂直墊片具有至少一第一長側孔，與該第一短側孔等高，且其中該水平串接裝置的該勾爪，在穿過該第一長側孔後，該勾爪以可活動的方式勾住該垂直樞接軸片。
如請求項7所述之樞接系統，其中該鏡腿具有至少一第二長側孔，與該第一長側孔共形。
如請求項8所述之樞接系統，其中該水平串接裝置具有一第二凸起，該第二凸起容置在該第一長側孔及該第二長側孔內。
一種使用如請求項1至請求項9中任一項所述之樞接系統之眼鏡，其中該眼鏡包括兩個該鏡腿、兩個該樁頭、兩個該樞接系統、及彼此連接的兩個鏡框，且其中每個該些鏡框分別連接每個該樁頭，且其中每個樞接系統分別用於樞接每個該鏡腿與每個該樁頭。
一種具發熱效能之按摩儀，包含一按摩儀，該按摩儀包含：<br/> 一第一包覆元件與第二包覆元件，該第一包覆元件與第二包覆元件用於包覆、保護按摩儀之內部構件；<br/> 一內部載體，該內部載體於適當處設一用於發熱之發熱單元，且置於第一包覆元件與第二包覆元件內；<br/> 一晶片載體，該晶片載體於適當處設一晶片組，該晶片組用於提升按摩效果，且置於第一包覆元件與第二包覆元件內。
如請求項1所述之具發熱效能之按摩儀，其中該發熱單元連接一USB接孔連接，該USB接孔係與電源連接，以供電於發熱單元之用。
如請求項2所述之具發熱效能之按摩儀，其中該USB接孔與電源連接時可先經由一調節器，該調節器可調整發熱單元之發熱程度。
一種偏振分光膜堆結構，適於設置在一基板上且包含：<br/> 多個膜層，包含多個高折射層和多個低折射層，該些高折射層和該些低折射層交錯地堆疊在該基板上；<br/> 其中，該偏振分光膜堆結構對在一特定波段的第一偏振光在入射角45度的穿透率定義為T1，該偏振分光膜堆結構對在該特定波段的第二偏振光在入射角45度的穿透率定義為T2，該第一偏振光的偏振方向垂直於該第二偏振光的偏振方向，並且符合以下條件式：T2/T1＞1000；以及<br/> 該偏振分光膜堆結構對871nm~927nm的波段中的第一偏振光在入射角45度的穿透率低於0.1%，但對871nm~927nm的波段中的第二偏振光在入射角45度的穿透率高於0.1%。
根據請求項1所述的偏振分光膜堆結構，其中該些高折射層的數量大於該些低折射層的數量。
根據請求項1所述的偏振分光膜堆結構，其中厚度最大的膜層是第二遠離該基板的膜層。
根據請求項1所述的偏振分光膜堆結構，其中厚度最小的膜層是最遠離該基板的膜層。
根據請求項1所述的偏振分光膜堆結構，其中最靠近該基板的膜層的厚度大於最遠離該基板的膜層的厚度。
根據請求項1所述的偏振分光膜堆結構，其中第二靠近該基板的膜層的厚度小於第二遠離該基板的膜層的厚度。
根據請求項1所述的偏振分光膜堆結構，其中在緊鄰的兩個膜層中，靠近該基板的膜層對遠離該基板的膜層的厚度比在0.34~9.10的範圍內。
根據請求項1所述的偏振分光膜堆結構，其中緊鄰的低折射層對高折射層的厚度比在0.41~2.70的範圍內。
根據請求項1所述的偏振分光膜堆結構，其中該些高折射層是二氧化鈦層，該些低折射層是二氧化矽層。
一種偏極化分光元件，包含一基板以及如請求項1至9的任一項所述的偏振分光膜堆結構，該偏振分光膜堆結構設置在該基板上。
一種偏振分光膜堆結構，適於設置在一基板上且包含：<br/> 多個膜層，包含多個高折射層和多個低折射層，該些高折射層和該些低折射層交錯地堆疊在該基板上；<br/> 其中，該偏振分光膜堆結構對在一特定波段的第一偏振光在入射角45度的穿透率定義為T1，該偏振分光膜堆結構對在該特定波段的第二偏振光在入射角45度的穿透率定義為T2，該第一偏振光的偏振方向垂直於該第二偏振光的偏振方向，並且符合以下條件式：T2/T1＞1000；以及<br/> 最靠近該基板的膜層的厚度大於最遠離該基板的膜層的厚度。
根據請求項1所述的偏振分光膜堆結構，其中厚度最大的膜層是第二遠離該基板的膜層。
根據請求項1所述的偏振分光膜堆結構，其中第二靠近該基板的膜層的厚度小於第二遠離該基板的膜層的厚度。
根據請求項1所述的偏振分光膜堆結構，其中在緊鄰的兩個膜層中，靠近該基板的膜層對遠離該基板的膜層的厚度比在0.34~9.10的範圍內。
根據請求項1所述的偏振分光膜堆結構，其中緊鄰的低折射層對高折射層的厚度比在0.41~2.70的範圍內。
根據請求項1所述的偏振分光膜堆結構，其中厚度最小的膜層是最遠離該基板的膜層。
根據請求項1所述的偏振分光膜堆結構，其中厚度最小的膜層是第二遠離該基板的膜層。
根據請求項1所述的偏振分光膜堆結構，其中第二靠近該基板的膜層的厚度大於第二遠離該基板的膜層的厚度。
根據請求項1所述的偏振分光膜堆結構，其中在緊鄰的兩個膜層中，靠近該基板的膜層對遠離該基板的膜層的厚度比在0.30~2.70的範圍內。
根據請求項1所述的偏振分光膜堆結構，其中緊鄰的低折射層對高折射層的厚度比在0.74~2.27的範圍內。
一種偏極化分光元件，包含一基板以及如請求項1至10的任一項所述的偏振分光膜堆結構，該偏振分光膜堆結構設置在該基板上。
一種載具，包括至少一個帶引導機構，其中所述至少一個帶引導機構設置於所述載具的側部、底部和頂部中之至少一者，並配置為引導穿過其中的固定帶組件的帶體，使得所述固定帶組件在所述至少一個帶引導機構所在的位置處與所述載具結合，進而使所述載具能夠通過所述固定帶組件固定至車輛座椅。
如請求項1所述的載具，其中：<br/> 所述固定帶組件包括約束帶組件和延長部件，所述約束帶組件具有第一連接端和至少一個第二連接端，所述第一連接端和所述至少一個第二連接端之間通過一條或多條約束帶連接，所述帶體包括所述約束帶；及所述第一連接端適於通過所述延長部件連接至所述車輛座椅上的相應連接結構，各個所述第二連接端適於通過連接器連接至所述車輛座椅上的相應接口。
如請求項2所述的載具，其中所述延長部件包括延長帶、以及位於所述延長帶兩端的第三連接端和第四連接端，所述帶體還包括所述延長帶，所述第三連接端與所述第一連接端可拆卸地連接，所述第四連接端設置有與所述車輛座椅上的所述相應連接結構連接的連接裝置。
如請求項3所述的載具，其中所述延長部件還包括調節部，所述調節部設置在所述延長帶，用於調節所述延長帶在所述第三連接端和所述第四連接端之間的可用長度。
如請求項2所述的載具，其中所述載具還包括至少一個連接部，所述約束帶經過並固定於對應的連接部。
如請求項5所述的載具，其中每個所述連接部處設置有所述帶引導機構。
如請求項1所述的載具，其中所述載具包括本體和底部支撐件，所述本體設置在所述底部支撐件上，並與所述底部支撐件構成具有容置空間的箱體，所述底部支撐件形成為所述載具的所述底部。
如請求項7所述的載具，其中： <br/> 所述本體通過至少一個第一連接組件能拆卸地連接於所述底部支撐件；及所述本體包括第一支撐件和第二支撐件，所述第一支撐件的一部分不可拆卸地連接於所述第二支撐件，以及所述第一支撐件的另一部分通過至少一連接組件能拆卸地連接於所述第二支撐件；當所述本體與所述底部支撐件分離，且所述第一支撐件的所述另一部分與所述第二支撐件分離時，所述第一支撐件和/或所述第二支撐件能夠收折，以使所述箱體由展開狀態變為收納狀態。
如請求項8所述的載具，其中：<br/> 所述第一支撐件為側支撐件，並且形成所述本體的其中兩個側面；所述第二支撐件為上支撐件，並且形成所述本體的頂面和另外兩個側面的至少一部分；及所述側支撐件的一部分不可拆卸地連接於所述上支撐件，所述側支撐件的另一部分能拆卸地連接於所述上支撐件，當所述側支撐件的所述另一部分與所述上支撐件分離後，所述側支撐件和所述上支撐件能夠相對彼此收折。
如請求項9所述的載具，其中所述上支撐件包括第一片狀件、第二片狀件和第三片狀件，所述第一片狀件和所述第三片狀件具有柔性結構，當所述側支撐件的所述另一部分與所述上支撐件分離後，所述上支撐件能夠通過所述第一片狀件和所述第三片狀件的柔性結構相對於所述側支撐件收折，並收納於所述側支撐件中。
一種結合感測功能之拳擊訓練裝置，其包含有：<br/> 一拳擊座；<br/> 一晃動組件，其設置於該拳擊座；<br/> 一連桿組件，其一端設置於該晃動組件；<br/> 一拳靶，其設置於該連桿組件之另一端；以及<br/> 一晃動感測器，其設置於該連桿組件，該晃動感測器以訊號方式與一終端裝置耦接，該晃動感測器感測該連桿組件的晃動速度、晃動頻率、晃動角度及晃動位移量，該晃動感測器依據感測結果生成一晃動感測數據，並且該晃動感測器將該晃動感測數據發送至該終端裝置。
如請求項1所述之結合感測功能之拳擊訓練裝置，其中，該終端裝置具有一晃動分析模組及一力道判定模組，該晃動分析模組與該力道判定模組耦接，該晃動分析模組接收該晃動感測數據，該晃動分析模組分析該晃動感測數據，並且該晃動分析模組生成一晃動特徵向量；該力道判定模組載入有一力道判定模型，該力道判定模組依據該晃動特徵向量及該力道判定模型進行處理，並且該力道判定模組生成一打擊力道資訊，該打擊力道資訊顯示於該終端裝置的顯示介面。
如請求項2所述之結合感測功能之拳擊訓練裝置，其中，該晃動分析模組依據一預設時間對該晃動感測數據進行分析，該晃動分析模組在該預設時間內分析該晃動感測數據的變化，該晃動分析模組依據該晃動感測數據的變化生成該晃動特徵向量，該晃動特徵向量對應該連桿組件晃動之動態特徵。
如請求項3所述之結合感測功能之拳擊訓練裝置，其中，該終端裝置具有一動作判定模組，該動作判定模組與該晃動分析模組耦接，該動作判定模組載入有一動作型態模型，該動作判定模組依據該晃動特徵向量及該動作型態模型進行處理，並且該動作判定模組生成一打擊型態。
如請求項4所述之結合感測功能之拳擊訓練裝置，其中，該打擊型態為刺拳、直拳、左勾拳、右勾拳及上鉤拳之其中一種或組合。
如請求項2至5中任一項所述之結合感測功能之拳擊訓練裝置，其中，該終端裝置具有一雲端紀錄模組，該雲端紀錄模組與該晃動分析模組耦接，該雲端紀錄模組紀錄該晃動感測數據之歷史數據，該晃動感測數據之歷史數據顯示於該終端裝置的顯示介面。
如請求項2至5中任一項所述之結合感測功能之拳擊訓練裝置，其中，該拳擊座具有一容置槽，該容置槽凹設於該拳擊座表面，該容置槽呈一圓弧形狀；該拳靶具有一拳擊部及一安裝部，該拳擊部呈一圓球形狀，該拳擊部與該安裝部連接，該安裝部可拆卸地設置於該連桿組件之另一端；當該拳靶收納於該拳擊座時，該拳靶的該拳擊部形狀適配於該拳擊座的該容置槽。
如請求項7所述之結合感測功能之拳擊訓練裝置，其中，該拳擊座呈一中空狀，該拳擊座具有一連通口，該連通口連通該拳擊座外部與內部，該晃動組件結合於該連通口。
如請求項8所述之結合感測功能之拳擊訓練裝置，其中，該晃動組件具有一連接座、一晃動彈簧及一連接件，該連接座設置於該拳擊座，該晃動彈簧設置於該連接座與該連接件之間，該連接件套設於該晃動彈簧，該連桿組件以螺設方式設置於該晃動彈簧。
如請求項9所述之結合感測功能之拳擊訓練裝置，其中，該連桿組件具有一第一連桿、一第二連桿與一固定旋鈕，該第一連桿之一端設置於該晃動組件，該第二連桿設置於該第一連桿另一端與該拳靶之間，該第二連桿能伸縮於該第一連桿，該固定旋鈕設置於該第一連桿與該第二連桿，該固定旋鈕能限制該第二連桿的伸縮。
一種石墨塊材玻璃碳塗層製備方法，其中，包括：<br/> 對該石墨塊材表面進行粗糙化處理，得到表面粗糙的該石墨塊材；<br/> 將氣相二氧化矽和異氰酸酯化合物加入酚醛樹脂溶液中，得到改性樹脂溶液；<br/> 基於該改性樹脂溶液與石墨粉末和奈米碳管，分別製備第一塗層材料、第二塗層材料和第三塗層材料，該第一塗層材料、該第二塗層材料和該第三塗層材料中含有該石墨粉末和/或該奈米碳管；<br/> 將該第一塗層材料、該第二塗層材料和該第三塗層材料，依次塗覆在該石墨塊材表面並進行交聯固化，得到多層塗覆結構；<br/> 在氬氣氣氛下對該多層塗覆結構進行分段熱解，得到玻璃碳塗層；以及<br/> 對該玻璃碳塗層進行表面砂磨，浸漬酚醛樹脂溶液後進行熱處理，得到表面改性的該玻璃碳塗層。
如請求項1所述的石墨塊材玻璃碳塗層製備方法，其中，將氣相二氧化矽和異氰酸酯化合物加入酚醛樹脂溶液中，得到該改性樹脂溶液，包括：<br/> 將酚醛樹脂溶解於丙酮中，配製濃度為30wt%至50 wt%的酚醛樹脂溶液；<br/> 向所述酚醛樹脂溶液中，加入1% wt至5 wt%的氣相二氧化矽，在1000轉/分鐘至3000轉/分鐘下剪切混合15分鐘至30分鐘，得到填料分散液；<br/> 向該填料分散液中，加入2 wt%至8 wt%的異氰酸酯化合物，在20千赫茲至40千赫茲下超聲處理15分鐘至30分鐘，得到該改性樹脂溶液。
如請求項1所述的石墨塊材玻璃碳塗層製備方法，其中，基於該改性樹脂溶液與該石墨粉末和該奈米碳管，分別製備該第一塗層材料、該第二塗層材料和該第三塗層材料，包括：<br/> 向第一批次改性樹脂溶液中，加入15 wt%至25 wt%的該石墨粉末，超聲分散15分鐘至25分鐘，得到該第一塗層材料；<br/> 向第二批次改性樹脂溶液中，加入8 wt%至15 wt%的該石墨粉末和2 wt%至5 wt%的該奈米碳管，超聲分散15分鐘至25分鐘，得到該第二塗層材料；以及<br/> 向第三批次改性樹脂溶液中，加入2 wt%至5 wt%的該奈米碳管，超聲分散15分鐘至25分鐘，得到該第三塗層材料。
如請求項3所述的石墨塊材玻璃碳塗層製備方法，其中，將該第一塗層材料、該第二塗層材料和該第三塗層材料，依次塗覆在所述石墨塊材表面並進行交聯固化，得到多層塗覆結構，還包括：<br/> 將該多層塗覆結構，置於80℃至100℃下處理4小時至6小時，得到初步交聯結構；<br/> 將所述初步交聯結構，在150℃至180℃下處理2小時至4小時，得到第二次交聯結構；以及將所述第二次交聯結構，在200℃至250℃下處理1小時至2小時。
如請求項1所述的石墨塊材玻璃碳塗層製備方法，其中，在氬氣氣氛下對該多層塗覆結構進行分段熱解，得到該玻璃碳塗層，包括：<br/> 在氬氣氣氛下，以1℃/分鐘至3℃/分鐘的升溫速率，從20℃升至400℃並保持2小時，得到第一次熱解結構；<br/> 以3℃/分鐘至5℃/分鐘的升溫速率，將所述第一次熱解結構升溫至800℃並保持2小時，得到第二次熱解結構；以及<br/> 以5℃/分鐘至8℃/分鐘的升溫速率，將所述第二次熱解結構升溫至1000℃至1200℃，並保持4小時至6小時，以3℃/分鐘至5℃/分鐘的降溫速率冷卻至300℃，再以0.5℃/分鐘至1℃/分鐘的降溫速率冷卻至20℃，得到該玻璃碳塗層。
如請求項1所述的石墨塊材玻璃碳塗層製備方法，其中，對該玻璃碳塗層進行表面砂磨，浸漬酚醛樹脂溶液後進行熱處理，得到表面改性的該玻璃碳塗層，包括：<br/> 使用1000目至2000目砂紙，對該玻璃碳塗層表面進行砂磨，得到砂磨後的該玻璃碳塗層；<br/> 將所述砂磨後的該玻璃碳塗層，浸泡在濃度為10 wt%至15 wt%的酚醛樹脂溶液中1小時至2小時，在50℃至60℃下處理2小時，得到浸漬處理的該玻璃碳塗層；以及<br/> 在氬氣氣氛下，以1℃/分鐘至3℃/分鐘的升溫速率，從20℃升至400℃並保持2小時，以3℃/分鐘至5℃/分鐘的升溫速率，升溫至800℃並保持2小時，以5℃/分鐘至8℃/分鐘的升溫速率，升溫至900℃至1000℃並保持2小時至3小時，得到表面改性的該玻璃碳塗層。
一種複合材料，其中，使用請求項1-6任一項所述的石墨塊材玻璃碳塗層製備方法製備得到。
一種具位置識別與事件優先覆寫控制功能之彩色太陽能顯示系統（100），其包含：<br/> 複數個彩色太陽能顯示單元（10），每一該彩色太陽能顯示單元（10）包含：<br/> 一太陽能電池模組（11），電性連接一顯示控制單元（13），以提供操作電力；<br/> 一顯示介面構件（12），設置於該太陽能電池模組（11）之前側，用以形成一可視顯示內容；<br/> 該顯示控制單元（13），電性連接該顯示介面構件（12），用以控制該顯示介面構件（12）之顯示內容；<br/> 一通訊模組（14），電性連接該顯示控制單元（13）；<br/> 以及一位置識別單元（15），電性連接該顯示控制單元（13），用以提供一對應於該彩色太陽能顯示單元（10）之場域識別碼及點位識別碼之位置資訊；<br/> 一中央控制單元（20），透過一通訊網路（30）與該些彩色太陽能顯示單元（10）之通訊模組（14）通訊連接，<br/> 其中，該中央控制單元（20）包含：<br/> 一位置資料庫（21），用以儲存各該彩色太陽能顯示單元（10）之場域層級、區域層級及點位層級之位置資訊；<br/> 一內容儲存模組（22），用以儲存至少一一般顯示內容及至少一事件顯示內容；<br/> 以及一事件控制模組（23），<br/> 其中，當該事件控制模組（23）接收一事件觸發訊號時，該事件控制模組（23）係依據一指定之場域識別碼及點位識別碼，自該位置資料庫（21）中選取至少一目標彩色太陽能顯示單元（10），當同時存在複數事件觸發訊號時，依各該事件觸發訊號對應之一顯示優先權等級進行排序，並選取具有最高顯示優先權等級之事件顯示內容；產生一優先覆寫控制指令，該優先覆寫控制指令具有高於一般顯示控制指令之顯示優先權等級；<br/> 經由該通訊網路（30）將該優先覆寫控制指令傳送至該目標彩色太陽能顯示單元（10）之通訊模組（14），以使該顯示控制單元（13）暫時中斷原既定顯示內容，並強制顯示該事件顯示內容，並於判定該事件觸發訊號解除後，產生一恢復控制指令，以使該目標彩色太陽能顯示單元（10）恢復顯示原既定顯示內容。
如請求項1所述之彩色太陽能顯示系統（100），其中，該顯示介面構件（12）為一具有圖案遮蔽率分佈之彩色膜層，該彩色膜層形成於該太陽能電池模組（11）之前側，用以在兼顧入射光透射效率與視覺顯示效果之情況下形成該可視顯示內容。
如請求項1所述之彩色太陽能顯示系統（100），其中，該顯示介面構件（12）為一投影顯示承載層，該投影顯示承載層設置於該太陽能電池模組（11）之前側，用以承載外部投影設備所投射之動態影像內容。
如請求項1所述之彩色太陽能顯示系統（100），其中，該優先覆寫控制指令具有高於一般顯示控制指令之顯示優先權等級，以確保當該事件觸發訊號存在時，該事件顯示內容優先於既定顯示內容被執行。
如請求項1所述之彩色太陽能顯示系統（100），其中，該事件控制模組（23）於判定該事件觸發訊號解除後，產生一恢復控制指令，以使該目標彩色太陽能顯示單元（10）恢復顯示原既定顯示內容。
如請求項1所述之彩色太陽能顯示系統（100），其中，該位置資料庫（21）所儲存之位置資訊包含至少一場域層級、一區域層級及一點位層級，該事件控制模組（23）係依據該場域層級、區域層級或點位層級之一或其組合進行目標彩色太陽能顯示單元（10）之選取。
一種具位置識別與事件優先覆寫控制功能之彩色太陽能顯示控制方法，其特徵在於包含下列步驟：<br/> S1：接收一事件觸發訊號；<br/> S2：取得一指定之場域識別碼及點位識別碼；<br/> S3：比對一位置資料庫，以選取至少一對應之目標顯示單元；<br/> S4：產生一優先覆寫控制指令；<br/> S5：傳送該優先覆寫控制指令至該目標顯示單元；<br/> S6：中斷既定顯示內容並顯示一事件顯示內容。
如請求項7所述之彩色太陽能顯示控制方法，其中，在步驟S6之後進一步包含：<br/> S7：判定該事件觸發訊號是否解除；<br/> S8：當該事件觸發訊號解除時，產生一恢復控制指令，以使該目標顯示單元恢復顯示原既定顯示內容。
如請求項7所述之彩色太陽能顯示控制方法，其中，於步驟S1接收該事件觸發訊號後，當判定同時存在複數事件觸發訊號時，依各該事件觸發訊號對應之一顯示優先權等級進行排序，並選取具有最高顯示優先權等級之事件顯示內容，以作為步驟S4所產生之優先覆寫控制指令之對應內容。
如請求項7所述之彩色太陽能顯示控制方法，其中，在執行步驟S4之前，進一步包含：驗證該事件觸發訊號之一來源識別資訊；當該來源識別資訊符合一預設授權條件時，方執行步驟S4。
一種具有靜電消除部之儲存裝置，係包括：<br/> 一容器殼體，係具有一內表面及至少一凹槽，該至少一凹槽係凹設於該內表面上；且該容器殼體係具有一第一熔點；<br/> 一非金屬內層組件，係設於該內表面上，該非金屬內層組件係包括至少二內襯部與至少一靜電導引部；該至少二內襯部皆係具有一第二熔點，其係低於該第一熔點；該至少一靜電導引部係介於該至少二內襯部之間，並形成一儲存空間，用以儲存一工作流體；該靜電導引部係具有一第三熔點，其係低於該第一熔點；<br/> 至少一電熱元件，係設於該至少一凹槽內，且鄰近該至少二內襯部與該至少一靜電導引部之其接合介面；<br/> 至少一導線，係連接該至少一電熱元件；<br/> 一控制部，係連接該至少一導線及一接地端；該控制部係可控制該至少一電熱元件加熱之溫度高於該第二熔點及該第三熔點，且低於該第一熔點，用以使：<br/> 該至少二內襯部與該至少一靜電導引部熱熔且可變形流入該至少一凹槽內；<br/> 該至少二內襯部與該至少一靜電導引部相互熱熔接合；及<br/> 該至少一靜電導引部、該至少一電熱元件、該至少一導線、該控制部及該接地端係呈電性連結。
一種如請求項1所述之具有靜電消除部之儲存裝置，其中：<br/> 該容器殼體係為金屬結構；<br/> 該至少二內襯部係為含氟熱塑性塑膠；及<br/> 該至少一電熱元件係為電熱絲結構。
一種如請求項2所述之具有靜電消除部之儲存裝置，其中：<br/> 該至少一靜電導引部係為環繞一圈之環狀結構；及<br/> 該環狀結構係為導電材質，其表面電阻率係介於10<sup>12</sup>~10<sup>3</sup>(ohms/sq)之間。
一種如請求項2所述之具有靜電消除部之儲存裝置，其中：<br/> 該至少一靜電導引部係具有複數段導電結構及一支撐結構；<br/> 該複數段導電結構係被該支撐結構固定；<br/> 該複數段導電結構皆係導電材質；及<br/> 該支撐結構係與該至少二內襯部為相同之材質，該支撐結構之表面電阻率係介於10<sup>12</sup>~10<sup>3</sup>(ohms/sq)之間。
一種如請求項2所述之具有靜電消除部之儲存裝置，係又包括：<br/> 一多孔夾層元件，其係夾設於該容器殼體與該非金屬內層組件之間；及<br/> 該多孔夾層元件係為具有複數孔洞之片狀結構。
一種具有靜電消除部之儲存裝置之製法，係依序包括下列步驟：<br/> 一準備步驟，準備該具有靜電消除部之儲存裝置，其係包括一容器殼體、一非金屬內層組件、至少一電熱元件、至少一導線及一控制部；其中，該容器殼體係具有一內表面及至少一凹槽，該至少一凹槽係凹設於該內表面上；且該容器殼體係具有一第一熔點；該非金屬內層組件係設於該內表面上，該非金屬內層組件係包括至少二內襯部與至少一靜電導引部；該至少二內襯部皆係具有一第二熔點，其係低於該第一熔點；該至少一靜電導引部係介於該至少二內襯部之間，並形成一儲存空間，用以儲存一工作流體；該至少一靜電導引部係具有一第三熔點，其係低於該第一熔點；該至少一電熱元件係設於該至少一凹槽內，且鄰近該至少二內襯部與該至少一靜電導引部之其接合介面；該至少一導線係連接該至少一電熱元件；該控制部係用以連接一接地端及該至少一導線；<br/> 一加熱步驟，該控制部係控制該至少一電熱元件加熱之溫度高於該第二熔點及該第三熔點，且低於該第一熔點，使：<br/> 該至少二內襯部與該至少一靜電導引部熱熔且可變形流入該至少一凹槽內；<br/> 該至少二內襯部與該至少一靜電導引部相互熱熔接合；及<br/> 一靜電導引功能產生步驟，係於該加熱步驟之後，使該至少一靜電導引部、該至少一電熱元件、該至少一導線、該控制部及該接地端呈電性連結，藉此，產生靜電導引功能。
一種如請求項6所述之具有靜電消除部之儲存裝置之製法，其中：<br/> 該容器殼體係為金屬結構；<br/> 該至少二內襯部係為含氟熱塑性塑膠；及<br/> 該至少一電熱元件係為電熱絲結構。
一種如請求項6所述之具有靜電消除部之儲存裝置之製法，其中：<br/> 該至少一靜電導引部係為環繞一圈之環狀結構；及<br/> 該環狀結構係為導電材質，其表面電阻率係介於10<sup>12</sup>~10<sup>3</sup>(ohms/sq)之間。
一種如請求項6所述之具有靜電消除部之儲存裝置之製法，其中：<br/> 該至少一靜電導引部係具有複數段導電結構及一支撐結構；<br/> 該複數段導電結構係被該支撐結構固定；<br/> 該複數段導電結構皆係導電材質；及<br/> 該支撐結構係與該至少二內襯部為相同之材質，該支撐結構之表面電阻率係介於10<sup>12</sup>~10<sup>3</sup>(ohms/sq)之間。
一種如請求項6所述之具有靜電消除部之儲存裝置之製法，係又包括：<br/> 一多孔夾層元件，其係夾設於該容器殼體與該非金屬內層組件之間；及<br/> 該多孔夾層元件係為具有複數孔洞之片狀結構。
一種混合高爾夫系統，其特徵在於，包括：<br/> 混合高爾夫球艙，在內部空間實現由多個用戶進行的融合了虛擬高爾夫和場地高爾夫的混合高爾夫打球；<br/> 虛擬高爾夫裝置，其設於所述混合高爾夫球艙的內部的一側，向螢幕上投影虛擬的高爾夫球場的影像，隨著所述多個使用者分別向所述螢幕進行高爾夫擊球而實現球移動的模擬，從而進行所述虛擬高爾夫；<br/> 實際果嶺，其設於所述混合高爾夫球艙的內部的另一側，使所述多個用戶在通過所述虛擬高爾夫裝置進行的所述虛擬高爾夫之後進行所述場地高爾夫；<br/> 果嶺投影儀，其設置於所述混合高爾夫球艙的內部，與所述虛擬高爾夫裝置聯動而向所述實際果嶺上投影影像；以及<br/> 控制部，其根據預定的要求從所述虛擬高爾夫切換為所述場地高爾夫，且控制所述果嶺投影儀，將切換為所述場地高爾夫時的投影到所述螢幕上的所述虛擬高爾夫球場上放置有所述多個用戶各自的虛擬球的影像由所述果嶺投影儀投影到所述實際果嶺上。
如請求項1所述的混合高爾夫系統，其中，還包括：<br/> 所述控制部使切換到所述場地高爾夫時在所述虛擬高爾夫裝置中執行的所述多個用戶的虛擬高爾夫的打球狀態能夠由所述果嶺投影儀以影像投影到所述實際果嶺上，從而使得所述多個用戶能夠在所述虛擬高爾夫之後在所述實際果嶺上進行打球。
如請求項1所述的混合高爾夫系統，其中，<br/> 所述控制部在所述多個用戶各自的虛擬球上到投影到所述螢幕上的虛擬高爾夫球場上的虛擬的果嶺上時，從所述虛擬高爾夫切換到所述場地高爾夫，並且控制所述果嶺投影儀將所述多個用戶的每一個的虛擬球放置在所述虛擬的果嶺上的影像從所述虛擬高爾夫裝置投影到所述實際果嶺上。
如請求項1所述的混合高爾夫系統，其中，<br/> 所述果嶺投影儀構成為，從所述虛擬高爾夫裝置接收所述虛擬高爾夫球場上放置有所述多個用戶各自的虛擬球的影像，按照所述實際果嶺的大小縮放並投影到所述實際果嶺上。
如請求項4所述的混合高爾夫系統，其中，<br/> 所述虛擬高爾夫裝置將形成為使得放置在所述虛擬的果嶺上的多個虛擬球在視覺上能夠相互區分開來的影像傳遞至所述果嶺投影儀，<br/> 根據由所述果嶺投影儀投影到所述實際果嶺上的所述多個虛擬球的視覺區分，使得所述多個用戶中的每一個能夠識別自己的虛擬球，並且使得能夠在各自自己的虛擬球的位置進行所述實際果嶺上的高爾夫打球。
如請求項1所述的混合高爾夫系統，其中，還包括：<br/> 所述控制部在所述虛擬高爾夫之後接著識別所述多個用戶中的每一個在所述實際果嶺上的擊球順序，並且在所述虛擬高爾夫裝置中執行的虛擬高爾夫的打球狀態下按照所述擊球順序使得引導各使用者在所述實際果嶺上的打球的影像由所述果嶺投影儀投影到所述實際果嶺上。
一種混合高爾夫系統的控制方法，其在混合高爾夫球艙內部空間實現由多個用戶進行的融合了虛擬高爾夫和場地高爾夫的混合高爾夫打球，所述混合高爾夫系統的控制方法的特徵在於，包括：<br/> 由設於所述混合高爾夫球艙的內部的一側的虛擬高爾夫裝置向螢幕上投影虛擬的高爾夫球場的影像，隨著所述多個使用者分別向所述螢幕進行高爾夫擊球而進行球移動的模擬，從而進行所述虛擬高爾夫的步驟；<br/> 從所述虛擬高爾夫切換到所述多個用戶在設於所述混合高爾夫球艙的內部的另一側的實際果嶺上進行的所述場地高爾夫的步驟；以及<br/> 通過設置於所述混合高爾夫球艙的內部，且與所述虛擬高爾夫裝置聯動而向所述實際果嶺上投影影像的果嶺投影儀，將切換為所述場地高爾夫時的投影到所述螢幕上的所述虛擬高爾夫球場上放置有所述多個用戶各自的虛擬球的影像投影到所述實際果嶺上，使得所述多個用戶能夠在所述虛擬高爾夫之後在所述實際果嶺上進行打球的步驟。
如請求項7所述的混合高爾夫系統的控制方法，其中，<br/> 使得能夠在所述實際果嶺上進行打球的步驟包括：<br/> 將以使放置在投影到所述螢幕上的虛擬高爾夫球場的虛擬的果嶺上的所述多個用戶各自的虛擬球在視覺上能夠區分的方式形成的影像從所述虛擬高爾夫裝置傳遞至所述果嶺投影儀的步驟；以及<br/> 所述果嶺投影儀將接收到的所述影像按照所述實際果嶺的大小進行縮放並投影到所述實際果嶺上的步驟。
如請求項7所述的混合高爾夫系統的控制方法，其中，<br/> 切換到所述場地高爾夫的步驟包括：<br/> 在所述多個用戶各自的虛擬球上到投影到所述螢幕上的虛擬高爾夫球場上的虛擬的果嶺上時，從所述虛擬高爾夫切換到所述場地高爾夫的步驟，<br/> 在所述實際果嶺上進行打球的步驟包括：<br/> 所述多個用戶的每一個的虛擬球放置在所述虛擬的果嶺上的影像由所述果嶺投影儀投影到所述實際果嶺上的步驟。
一種具有發光單元的手槍，包含：<br/> 一槍身；<br/> 一滑套，可活動地設置於該槍身，並包括一前端部、一設置於該前端部上方的準星及一形成於該前端部且開口朝下的容置孔，該準星具有一連通該容置孔的開口；及<br/> 一發光單元，設置於該滑套，並包括一設置於該容置孔的殼體、一設置於該殼體的電路板、一設置於該電路板的發光件及一穿設該準星位於該開口上方的導光條，該容置孔的深度對應該發光單元的高度。
如請求項1所述的具有發光單元的手槍，其中，該殼體具有一底壁及一自該底壁向上延伸的圍壁，該底壁形成一細長型的穿孔。
如請求項2所述的具有發光單元的手槍，其中，該圍壁外周面具有螺紋以螺接於該容置孔。
如請求項1所述的具有發光單元的手槍，其中，該發光單元還包括一設置於該電路板的磁吸開關。
如請求項1所述的具有發光單元的手槍，其中，該導光條的半徑界於0.73公分~0.75公分。
如請求項1所述的具有發光單元的手槍，其中，該開口的長界於5毫米~9毫米，該開口的寬界於0.8毫米~1.5毫米。
如請求項1所述的具有發光單元的手槍，其中，該開口的面積為4平方毫米~13.5平方毫米。
如請求項1所述的具有發光單元的手槍，其中，該發光單元還包括一連接該電路板下方的電池彈片及一受該電池彈片固持且電連接該電路板的電池。
如請求項8所述的具有發光單元的手槍，其中，該電池彈片具有一底壁部、兩個自該底壁部向上延伸以連接該電路板的側壁部、一自該底壁部水平延伸並向上彎折的側固定部及一設置於該底壁部的彈性部，該側固定部供該電池側緣抵靠，該彈性部抵接該電池底面。
如請求項1所述的具有發光單元的手槍，其中，該導光條為光纖。
一種封裝結構，包括： <br/>電路層； <br/>第一電子元件與第二電子元件，設置於該電路層上； <br/>遮蔽材料層，覆蓋該第一電子元件與該第二電子元件；以及 <br/>封裝材料層，封裝該第一電子元件、該第二電子元件與該遮蔽材料層，且該遮蔽材料層部分暴露於該封裝材料層外。
如請求項1所述之封裝結構，其中該遮蔽材料層的上表面暴露於該封裝材料層外。
如請求項1所述之封裝結構，其中該第一電子元件與該第二電子元件具有與該電路層電性連接的金屬接點，其中該些金屬接點的表面與該封裝材料層的下表面實質上共平面。
如請求項1所述之封裝結構，其中該封裝材料層的上表面與該遮蔽材料層暴露於該封裝材料層外的上表面實質上共平面。
如請求項1所述之封裝結構，其中該第一電子元件的高度與該第二電子元件的高度實質上相同。
如請求項1所述之封裝結構，其中該第一電子元件與該第二電子元件具有不同高度，且該遮蔽材料層的上表面部分暴露於該封裝材料層外。
如請求項6所述之封裝結構，其中該遮蔽材料層覆蓋該第一電子元件的部分的上表面實質上平行於該遮蔽材料層覆蓋該第二電子元件的部分的上表面。
如請求項6所述之封裝結構，其中該第一電子元件的高度大於該第二電子元件的高度，且該遮蔽材料層覆蓋該第一電子元件的部分的上表面暴露於該封裝材料層外。
如請求項8所述之封裝結構，其中該封裝材料層的上表面與該遮蔽材料層覆蓋該第一電子元件的該部分的該上表面實質上共平面。
如請求項1所述之封裝結構，其中該遮蔽材料層接近該電路層的一側具有延伸部，且該延伸部沿著實質上垂直於該第一電子元件或該第二電子元件的側表面朝向該封裝材料層的第一方向延伸。
如請求項10所述之封裝結構，其中該延伸部於該第一方向上的長度大於該遮蔽材料層與該第一電子元件或該第二電子元件接觸的部分的厚度。
如請求項1所述之封裝結構，其中該第一電子元件與該第二電子元件之間具有間隙，且該遮蔽材料層填入該間隙並與該第一電子元件與該第二電子元件直接接觸。
如請求項12所述之封裝結構，其中該遮蔽材料層實質上填滿該間隙。
如請求項12所述之封裝結構，其中該間隙小於15微米，且該間隙之寬深比小於1比5。
如請求項12所述之封裝結構，其中該第一電子元件於該間隙的表面為一斜面，使得填入該間隙之該遮蔽材料層之尺寸以朝向該電路層的方向遞減。
如請求項15所述之封裝結構，其中該第二電子元件於該間隙的表面為一斜面。
如請求項12所述之封裝結構，更包括填入該間隙的間隙材料，其中該遮蔽材料層包繞該間隙材料。
如請求項17所述之封裝結構，其中該第二電子元件接近該電路層的一側具有元件延伸部，其中該元件延伸部朝向該第一電子元件延伸，且該間隙材料設置於該元件延伸部之上方。
如請求項17所述之封裝結構，其中該間隙材料包括矽。
如請求項1所述之封裝結構，其中該遮蔽材料層包括金屬或陶瓷材料。
一種加長式防擠腹病床，包括：<br/> 一主架；<br/> 一上肢板，設置於所述主架，所述上肢板在相對二側分別設有二滑槽；<br/> 一下肢板，相鄰所述上肢板並設置於所述主架，有二滑輪分別樞接在所述下肢板相鄰所述上肢板的一端之相對二側，二個所述滑輪可滑動設置於二個所述滑槽，使所述下肢板鉸接於所述上肢板，所述下肢板樞接有二連桿，二個所述連桿分別相鄰二個所述滑輪設置，二個所述連桿的樞接點連線平行於二個所述滑槽的樞接點連線，二個所述連桿的另一端鉸接在所述主架上；<br/> 當所述下肢板相對所述上肢板轉動時，所述下肢板被二個所述連桿導引，使二個所述滑輪朝遠離所述上肢板的方向滑動，而改變所述下肢板與所述上肢板鉸接的相對位置。
如請求項1所述之加長式防擠腹病床，其中，所述滑槽的末端設有一限位柱，當所述滑輪滑動至所述滑槽的末端時，所述滑輪與所述限位柱相抵接，以限制所述下肢板繼續翻轉。
如請求項1所述之加長式防擠腹病床，其中，所述上肢板所述朝向下肢板的方向形成一凸部，所述凸部的兩側均設有所述滑槽；所述下肢板對應所述凸部而有一凹部，二個所述滑輪和二個所述連桿分別設於所述凹部的兩側，同側的所述滑輪及所述滑槽滑動配合，二個所述連桿的一端分別鉸接在凹部的二側，而形成對稱結構。
如請求項1所述之加長式防擠腹病床，其中，所述下肢板與所述主架間設有一支撐件。
如請求項1所述之加長式防擠腹病床，其中，有一調節驅動組件，所述調節驅動組件用於驅動所述下肢板相對所述上肢板轉動；所述調節驅動組件為一手動調節件或一電動調節件，所述電動調節件包括一電動推桿和一控制器，所述電動推桿的一端與所述下肢板連接，另一端與所述主架連接，所述控制器電性連接所述電動推桿，而用於控制所述電動推桿的伸縮速度與伸縮距離。
一種防夾病床，包括：<br/> 一床架；<br/> 一中間床板，固定於所述床架，所述中間床板有左右二側，在每一側設有二滑槽；<br/> 二滑動組件，分別對稱設置於所述中間床板的左右二側，所述滑動組件包括平行固定於內外二側的二雙層導槽，所述雙層導槽包含上下設置的一上層導槽及一下層導槽，所述滑動組件有二導桿，其中一所述導桿的相對二端分別滑動設置於二個所述雙層導槽的所述上層導槽之間，另一所述導桿的相對二端分別滑動設置於二個所述雙層導槽的所述下層導槽之間；<br/> 二上活動板，每一上活動板有位於前後的相對二側，其中一側鉸鏈連接於其中一所述導桿，而可移動的設置於二個所述雙層導槽的所述上層導槽之間；<br/> 二下活動板，每一下活動板有位於前後的相對二側，其中一側鉸鏈連接於另一所述導桿，而可移動的設置於二個所述雙層導槽的所述下層導槽之間；<br/> 一背板，設置有一滑輪，所述滑輪嵌入其中一滑槽，而可滑動及旋轉的設置於所述中間床板的前側，所述背板靠近所述中間床板的一側鉸鏈連接於二個所述上活動板的另一側；<br/> 一大腿板，設置有一滑輪，所述滑輪嵌入另一滑槽，而可滑動及旋轉的設置於所述中間床板的後側，所述大腿板靠近所述中間床板的一側鉸鏈連接於二個所述下活動板的另一側；<br/> 當所述背板相對所述床架旋轉並滑動遠離所述中間床板時，所述背板拖動二個所述上活動板，使二個所述上活動板滑出而填補所述背板與所述中間床板之間的間隙；<br/> 當所述大腿板相對所述床架旋轉並滑動遠離所述中間床板時，所述大腿板拖動二個所述下活動板，使二個所述下活動板滑出而填補所述大腿板與所述中間床板之間的間隙。
如請求項1所述之防夾病床，其中，所述中間床板為矩形板狀結構，所述中間床板朝向所述背板的一側端緣一體成型有一第一凸型部，朝向所述大腿板的一側端緣一體成型有一第二凸型部，所述背板設有一第一凹型適配部，所述第一凹型適配部一體成型於所述背板朝向所述中間床板的一側端緣；所述第一凹型適配部的凹口形狀、尺寸與所述中間床板的所述第一凸型部完全匹配，且所述第一凹型適配部的寬度與所述第一凸型部的寬度一致，使所述第一凸型部可嵌入所述第一凹型適配部內，所述大腿板設有一第二凹型適配部，所述第二凹型適配部一體成型於所述大腿板朝向所述中間床板的一側端緣；所述第二凹型適配部的凹口形狀、尺寸與所述中間床板的所述第二凸型部完全匹配，且所述第二凹型適配部的寬度與所述第二凸型部的寬度一致，使所述第二凸型部可嵌入所述第二凹型適配部內。
如請求項2所述之防夾病床，其中，所述第一凸型部和所述第二凸型部的兩側沿設置所述滑槽。
如請求項1所述之防夾病床，其中，固定於所述中間床板之內側的其中一所述雙層導槽，與同側設置的所述滑槽位於同一直線上。
如請求項1所述之防夾病床，其中，所述滑輪的外周套設有一彈性緩衝套，所述彈性緩衝套與所述床架的所述滑槽之內壁貼合，且所述彈性緩衝套的厚度適配所述滑槽的寬度。
如請求項1所述之防夾病床，其中，所述上活動板與所述背板、二個所述上層導槽之間的其中一所述導桿之鉸鏈連接處均設有耐磨襯套，所述下活動板與所述大腿板、二個所述下層導槽之間的另一所述導桿之鉸鏈連接處均設有耐磨襯套。
一種螺絲衝壓管組，其包含有： <br/>一外套管，該外套管具有一第一端、一第二端、一組裝通道、以及一定位槽，該組裝通道形成於該外套管內並且沿著該外套管的軸向延伸，該定位槽形成於該外套管內，並位於該第一端與該組裝通道之間，該定位槽的孔徑向該第二端逐漸變大；以及 <br/>一模仁塊，該模仁塊伸入該外套管的組裝通道，該模仁塊包含有一定位凸台、一本體、一強化塊，及一中心通道，該定位凸台凸設於該模仁塊朝向該外套管的第一端的一第一端面，並且伸入該外套管的定位槽，該定位凸台的形狀與尺寸與該定位槽相匹配，且該定位凸台的直徑由該第一端面朝遠離該第一端面的方向逐漸變小，該本體具有一結合槽，該結合槽自該定位凸台的台面的中央沿著該模仁塊的軸向延伸，該強化塊的硬度大於該本體的硬度，該強化塊的直徑小於該定位凸台的台面的直徑，並且嵌入該本體的結合槽而與該本體相結合，該中心通道軸向貫穿該本體及該強化塊。
如請求項1所述之螺絲衝壓管組，其中該外套管包含有一開孔，該開孔貫穿該外套管的第一端並且與該定位槽相連通。
如請求項1所述之螺絲衝壓管組，其中該外套管的開孔的孔徑由該外套管的第一端朝該外套管的第二端逐漸變大。
如請求項1至3中任一項所述之螺絲衝壓管組，其中 <br/>該外套管的定位槽的內周壁與該外套管的中心軸之間的夾角大於等於0.1度並且小於等於60度；以及 <br/>該模仁塊的定位凸台的外周壁與該模仁塊的中心軸之間的夾角大於等於0.1度並且小於等於60度。
一種螺絲衝壓模具，其包含有： <br/>一外套管，該外套管具有一第一端、一第二端、一組裝通道、一定位槽，以及一開孔，該組裝通道形成於該外套管內並且沿著該外套管的軸向延伸，該定位槽形成於該外套管內，並位於該第一端與該組裝通道之間，該定位槽的孔徑向該第二端逐漸變大，該開孔貫穿該第一端並且與該定位槽相連通； <br/>一模仁塊，該模仁塊伸入該外套管的組裝通道，該模仁塊包含有一定位凸台、一本體、一強化塊，及一中心通道，該定位凸台凸設於該模仁塊朝向該外套管的第一端的一第一端面，並且伸入該外套管的定位槽，該定位凸台的形狀與尺寸與該定位槽相匹配，且該定位凸台的直徑由該第一端面朝遠離該第一端面的方向逐漸變小，該本體具有一結合槽，該結合槽的直徑小於該定位凸台的台面的直徑，並且自該定位凸台的台面的中央沿著該模仁塊的軸向延伸，該強化塊的硬度大於該本體的硬度，並且嵌入該本體的結合槽而與該本體相結合，該中心通道軸向貫穿該本體及該強化塊； <br/>一套片，該套片置於該模仁塊的定位凸台，並且伸入該外套管的開孔；以及 <br/>一連接頭，該連接頭連接於該外套管的第二端。
如請求項5所述之螺絲衝壓模具，其中 <br/>該外套管的開孔的孔徑由該外套管的第一端朝該外套管的第二端逐漸變大；以及 <br/>該套片呈錐形片且該套片的外徑朝向該模仁塊逐漸變大。
如請求項6所述之螺絲衝壓模具，其中該套片具有一穿孔，該穿孔軸向貫穿該套片，並且與該模仁塊的中心通道相連通，該套片的穿孔的孔徑大於該模仁塊的中心通道的孔徑。
如請求項7所述之螺絲衝壓模具，其中 <br/>該外套管包含有一螺合段，該螺合段形成於該組裝通道與該第二端之間；以及 <br/>該連接頭具有與該螺合段螺合連接的一螺接部。
如請求項8所述之螺絲衝壓模具，其中 <br/>該連接頭包含有一套接孔，該套接孔軸向延伸；以及 <br/>該模仁塊具有一套接段及一支撐端面，該套接段伸入該連接頭的套接口，該支撐端面形成於該套接段朝向該定位凸台的一端，並且抵靠該連接頭。
如請求項5至9中任一項所述之螺絲衝壓模具，其中 <br/>該外套管的定位槽的內周壁與該外套管的中心軸之間的夾角大於等於0.1度並且小於等於60度；以及 <br/>該模仁塊的定位凸台的外周壁與該模仁塊的中心軸之間的夾角大於等於0.1度並且小於等於60度。
一種導熱帶供應裝置，包括：<br/> 一防護外殼；<br/> 一供料捲軸，樞設於該防護外殼內，以捲繞一離型帶及黏附在該離型帶上的一導熱帶；<br/> 一導輪，樞設於該防護外殼內且位於該離型帶及該導熱帶的行進路徑上，以控制該離型帶之張力來保持該離型帶及該導熱帶的平整；<br/> 一導塊，固設於該防護外殼內且位於該離型帶及該導熱帶的行進路徑上，以導引該導熱帶從該離型帶剝離；<br/> 一裁刀，設置於該導塊的前端，以裁斷該導熱帶從該離型帶剝離的一區段；以及<br/> 一收料捲軸，樞設於該防護外殼內，以捲收來自該導塊的該離型帶。
如請求項1所述的導熱帶供應裝置，其中該導塊具有一通道，且該通道僅允許該離型帶經過。
如請求項1所述的導熱帶供應裝置，更包括：<br/> 一剝離部，固設於該導塊與該裁刀之間，以該導熱帶從該離型帶剝離。
如請求項1所述的導熱帶供應裝置，其中該防護外殼能受力來移動該裁刀，以裁斷該導熱帶的該區段。
如請求項1所述的導熱帶供應裝置，其中該導塊具有一壓貼面，且該防護外殼能受力來移動該導塊，以使該導塊經由該壓貼面施壓在該導熱帶上。
如請求項5所述的導熱帶供應裝置，更包括：<br/> 一對弧形側板，固設於該防護外殼內，其中該對弧形側板分別位於該壓貼面的相對兩側，以讓該導熱帶被平順地貼附於被貼物表面，並排出該導熱帶與被貼物表面之間的空氣。
如請求項1所述的導熱帶供應裝置，更包括：<br/> 一轉動驅動單元，耦接至該收料捲軸，以驅動該供料捲軸捲收該離型帶。
如請求項1所述的導熱帶供應裝置，更包括：<br/> 一預置平台，設置於該導塊的前端並具有一粗糙面，以預留自該離型帶剝離的該導熱帶；以及<br/> 一裁刀驅動單元，耦接至該裁刀，以驅動該裁刀裁斷被預留在該預置平台的該粗糙面上的該導熱帶的一區段。
如請求項8所述的導熱帶供應裝置，更包括：<br/> 一吸嘴單元，設置於該預置平台的上方，以將被裁斷的該導熱帶的該區段從該預置平台的該粗糙面上移動及壓貼至被貼物表面。
一種具冷凝式預熱器的鍋爐，其包括有： <br/>一鍋爐本體，其包括有一鍋爐殼體、一連接管路及一汽水分離器；該連接管路與該鍋爐殼體的內部相連通；該汽水分離器與該鍋爐殼體的內部相連通； <br/>一預熱器殼體； <br/>一熱氣入口法蘭，該熱氣入口法蘭與該預熱器殼體的內部相連通，並且靠近該預熱器殼體的底部，該熱氣入口法蘭與該連接管路相連結，使該預熱器殼體的內部與該鍋爐殼體的內部相連通； <br/>一排出通道，該排出通道與該預熱器殼體的內部相連通，並且設於該預熱器殼體的頂部； <br/>一第一預熱單元，該第一預熱單元設於該預熱器殼體內部，位於該熱氣入口法蘭及該排出通道之間，其包含有一第一熱交換器、與該第一熱交換器相連通的一第一入水管，以及與該第一熱交換器相連通的一第一出水管，該第一出水管與該鍋爐殼體的內部相連通；以及 <br/>至少一第二預熱單元，該至少一第二預熱單元設於該預熱器殼體內部，位於該第一預熱單元與該排出通道之間，各所述的第二預熱單元包含有一第二熱交換器、與該第二熱交換器相連通的一第二入水管，以及與該第二熱交換器相連通的一第二出水管。
如請求項1所述之具冷凝式預熱器的鍋爐，其包括有一電控組，該電控組與該冷凝式預熱器和該鍋爐本體電性連接，以控制該冷凝式預熱器和該鍋爐本體的運作。
如請求項1所述之具冷凝式預熱器的鍋爐，該預熱器殼體包含有一第一殼體及一第二殼體，該第二殼體可拆卸的連結於該第一殼體的頂部，並且與該第一殼體相連通；該熱氣入口法蘭位於該第一殼體，該排出通道位於該第二殼體；該第一預熱單元設於該第一殼體內，該至少一第二預熱單元設於該第二殼體內。
如請求項1所述之具冷凝式預熱器的鍋爐，其中該至少一第二預熱單元包含有上、下間隔排列的多數個所述的第二預熱單元。
如請求項1至4中任一項所述之具冷凝式預熱器的鍋爐，其中該第一熱交換器為鰭片式熱交換器，其包含有多數個第一鰭片及通過該多數個第一鰭片並且與該第一入水管及該第一出水管相連通的一第一流通管路組。
如請求項5所述之具冷凝式預熱器的鍋爐，其中該第一流通管路組包含有多數個第一上流通管、多數個第一下流通管，及一第一連接道；該多數個第一上流通管間隔排列，各第一上流通管反覆彎折地通過該多數個第一鰭片，並且向上延伸；各第一上流通管的入口端與該第一入水管相連通；各第一上流通管的出口端位於各第一上流通管的入口端的上方，並且與該第一連接道相連通；該多數個第一下流通管間隔排列，位於該多數個第一上流通管的下方，各第一下流通管反覆彎折地通過該多數個第一鰭片，並且向上延伸；各第一下流通管的入口端與該第一連接道相連通；各第一下流通管的出口端位於各第一下流通管的入口端的上方，並且與該第一出水管相連通。
如請求項6所述之具冷凝式預熱器的鍋爐，其中各所述的第二熱交換器為鰭片式熱交換器，其包含有多數個第二鰭片及通過該多數個第二鰭片並且與該第二入水管及該第二出水管相連通的一第二流通管路組。
如請求項7所述之具冷凝式預熱器的鍋爐，其中各所述的第二預熱單元的該第二流通管路組包含多數個第二流通管；該多數個第二流通管間隔排列，各第二流通管反覆彎折地通過該多數個第二鰭片，並且向上延伸；各第二流通管的入口端與該第二入水管相連通；各第二流通管的出口端位於各第二流通管的入口端的上方，並且與該第二出水管相連通。
如請求項1至3中任一項所述之具冷凝式預熱器的鍋爐，其中各所述的第二熱交換器為鰭片式熱交換器，其包含有多數個第二鰭片及通過該多數個第二鰭片並且與該第二入水管及該第二出水管相連通的一第二流通管路組。
如請求項8所述之具冷凝式預熱器的鍋爐，其包含有兩儲水單元，該第一預熱單元的第一入水管與其中一所述的儲水單元相連通，各所述的第二預熱單元的第二入水管和第二出水管與另一所述的儲水單元相連通。
如請求項8所述之具冷凝式預熱器的鍋爐，其包含有一儲水單元，該第一預熱單元的第一入水管及各所述的第二預熱單元的第二入水管和第二出水管與該儲水單元相連通。
一種雙相冷卻板 ，包含：<br/> 一底座，具有一本體及複數個鰭片，該本體具有一吸熱側及相對該吸熱側之一導熱側，該些鰭片設置於該導熱側上，且該些鰭片彼此間形成複數條液冷流道；<br/> 一上蓋，設置於該底座上並與該底座界定有一腔室，該上蓋設有與該腔室連通之一入口部、一出口部及位於該入口部與該出口部之間的一接合部，該接合部與該鰭片的頂部接觸；以及<br/> 一導流件，對應於該入口部設置於該鰭片的頂部上。
如請求項1所述的雙相冷卻板，其中該鰭片的頂部上設有一前段區、一中段區及一後段區，該中段區介於該前段區與該後段區之間，該導流件設於該前段區上，該接合部設於該中段區上。
如請求項1所述的雙相冷卻板，其中該導流件包含一導流部及連接於該導流部之一引流部，該導流部將進入該入口部的冷卻流體導流至該引流部，該引流部將該冷卻流體引流入該些液冷流道。
如請求項2所述的雙相冷卻板，其中該導流件包含一前置擋板，覆設於該前段區上，該前置擋板包含一水平部及一垂直部，該水平部係覆設於該前段區上，該垂直部係朝向該入口部延伸。
如請求項2所述的雙相冷卻板，其中該些鰭片的該頂部的該前段區的高度係小於該中段區的高度。
如請求項2所述的雙相冷卻板，其中該些鰭片的該頂部的該後段區的高度係小於該中段區的高度。
如請求項1所述的雙相冷卻板 ，更包含：<br/> 一減速件，設置於該入口部處。
如請求項7所述的雙相冷卻板 ，其中該減速件與該上蓋是一體成形。
如請求項7所述的雙相冷卻板 ，其中該入口部具有一輸入開口，該減速件具有一減速開口，該減速開口的尺寸小於該輸入開口的尺寸。
一種雙相冷卻板 ，包含：<br/> 一底座，具有一本體及複數個鰭片，該本體具有一吸熱側及相對該吸熱側之一導熱側，該些鰭片設置於該導熱側上，且該些鰭片彼此間形成複數條液冷流道；以及<br/> 一上蓋，設置於該底座上並與該底座界定有一腔室，該上蓋設有與該腔室連通之一入口部、一出口部及位於該入口部與該出口部之間的一接合部，該接合部與該些鰭片的頂部接觸，且該上蓋設有一對應於該入口部設置於該些鰭片的頂部上的導流件。
如請求項10所述的雙相冷卻板，其中該些鰭片的頂部上設有一前段區、一中段區及一後段區，該中段區介於該前段區與該後段區之間，該導流件設於該前段區上，該接合部設於該中段區上。
如請求項11所述的雙相冷卻板，其中該些鰭片的該頂部的該前段區的高度係小於該中段區的高度。
如請求項11所述的雙相冷卻板，其中該些鰭片的該頂部的該後段區的高度係小於該中段區的高度。
如請求項10所述的雙相冷卻板，更包含：<br/> 一減速件，設置於該入口部處。
如請求項14所述的雙相冷卻板，其中該減速件與該上蓋是一體成形。
如請求項14所述的雙相冷卻板 ，其中該入口部具有一輸入開口，該減速件具有一減速開口，該減速開口的尺寸小於該輸入開口的尺寸。
一種雙相冷卻板 ，包含：<br/> 一底座，具有一本體、複數個鰭片及一導流件，該本體具有一吸熱側及相對該吸熱側之一導熱側，該些鰭片設置於該導熱側上，且該些鰭片彼此間形成複數條液冷流道，該導流件係成型於該些鰭片的頂部上；以及<br/> 一上蓋，設置於該底座上並與該底座界定有一腔室，該上蓋設有與該腔室連通之一入口部、一出口部及位於該入口部與該出口部之間的一接合部，該接合部與該些鰭片的頂部接觸，該入口部對應於該導流件。
如請求項17所述的雙相冷卻板，其中該些鰭片的頂部上設有一前段區、一中段區及一後段區，該中段區介於該前段區與該後段區之間，該導流件設於該前段區上，該接合部設於該中段區上。
如請求項18所述的雙相冷卻板，其中該些鰭片的該頂部的該前段區的高度係小於該中段區的高度。
如請求項18所述的雙相冷卻板，其中該些鰭片的該頂部的該後段區的高度係小於該中段區的高度。
如請求項17所述的雙相冷卻板 ，更包含：<br/> 一減速件，設置於該入口部處。
如請求項21所述的雙相冷卻板 ，其中該減速件與該上蓋是一體成形。
如請求項21所述的雙相冷卻板 ，其中該入口部具有一輸入開口，該減速件具有一減速開口，該減速開口的尺寸小於該輸入開口的尺寸。
一種機車導風罩結構，包含有：<br/>一導風輪盤，其上環設有若干的導風孔，該導風輪盤後側中央設有凹槽，該凹槽之壁面設有內螺紋；又，該導風輪盤之凹槽中央設有一軸孔；<br/>一軸承座，其前側面設有一定位槽，該定位槽內之中央位置設有一軸孔，該軸承座之外側壁設有外螺紋，該外螺紋係與該導風輪盤所設內螺紋相對應，令該軸承座可螺鎖設於該導風輪盤之凹槽內，且將該軸承座之定位槽隱藏封閉於該導風輪盤之凹槽內；及<br/>一軸承，係承設於該軸承座所設之凹槽內。
如請求項1所述之機車導風罩結構，其中該導風輪盤以環設有五個導風孔而概呈梅花狀為佳。
如請求項2所述之機車導風罩結構，其中該導風輪盤前側面循每一導風孔周緣形成弧狀傾斜收斂而具有高低落差狀為佳。
一種數位化X光機輻射劑量監測通報系統，包含有： <br/>一檢查儀器，拍攝一放射影像，並產生對應該放射影像的一輻射劑量原始數據及一拍攝部位資訊； <br/>一伺服器，連接該檢查儀器，接收該輻射劑量原始數據及該拍攝部位資訊； <br/>一警報裝置，連接該伺服器； <br/>其中，當該伺服器接收到該輻射劑量原始數據時，該伺服器轉換該輻射劑量原始數據為一輻射值； <br/>其中，該伺服器根據該拍攝部位資訊判斷該輻射值是否為一異常輻射值； <br/>其中，當該伺服器判斷該輻射值為該異常輻射值時，該伺服器產生一警報訊號，並傳送該警報訊號至該警報裝置； <br/>其中，當該警報裝置接收到該警報訊號時，該警報裝置根據該警報訊號顯示一警報資訊。
如請求項1所述之數位化X光機輻射劑量監測通報系統，其中，當該伺服器根據該拍攝部位資訊判斷該輻射值是否為該異常輻射值時，該伺服器係判斷該輻射值是否大於或等於一第一輻射閾值； <br/>其中，當該伺服器判斷該輻射值大於或等於該第一輻射閾值時，該伺服器判斷該輻射值為該異常輻射值，且該伺服器所產生的該警報訊號為一輻射過高訊號。
如請求項1所述之數位化X光機輻射劑量監測通報系統，其中，當該伺服器根據該拍攝部位資訊判斷該輻射值是否為該異常輻射值時，該伺服器係判斷該輻射值是否小於一第二輻射閾值； <br/>其中，當該輻射值小於該第二輻射閾值時，該伺服器判斷該輻射值為該異常輻射值，且該伺服器所產生的該警報訊號為一輻射過低訊號。
如請求項1所述之數位化X光機輻射劑量監測通報系統，其中，該伺服器轉換該輻射劑量原始數據為該輻射值後，該伺服器根據該輻射值計算一累加輻射值，且該伺服器判斷該累加輻射值是否大於或等於一累加輻射閾值； <br/>其中，當該伺服器判斷該累加輻射值大於或等於該累加輻射閾值時，該伺服器產生該警報訊號，且該警報訊號為一累加輻射過高訊號。
如請求項1所述之數位化X光機輻射劑量監測通報系統，其中，該伺服器轉換該輻射劑量原始數據為該輻射值後，該伺服器傳送該輻射值至該警報裝置，使該警報裝置顯示該輻射值。
如請求項2所述之數位化X光機輻射劑量監測通報系統，其中，該伺服器包含有一人工智慧模型； <br/>其中，當該伺服器接收到該輻射劑量原始數據前，該伺服器透過該人工智慧模型調整該第一輻射閾值。
如請求項3所述之數位化X光機輻射劑量監測通報系統，其中，該伺服器包含有一人工智慧模型； <br/>其中，當該伺服器接收到該輻射劑量原始數據前，該伺服器透過該人工智慧模型調整該第二輻射閾值。
如請求項1所述之數位化X光機輻射劑量監測通報系統，其中，該伺服器轉換該輻射劑量原始數據為該輻射值後，該伺服器儲存該輻射劑量原始數據及該輻射值； <br/>其中，該伺服器分析該輻射劑量原始數據及該輻射值，並產生一分析結果。
一種教育訓練管理系統，其包含：<br/> 一控制機構，其作為該教育訓練管理系統運作時之運算處理、設定控制與整合；<br/> 一培訓計畫管理機構，其電連接該控制機構，該培訓計畫管理機構至少作為階層式培訓文件架構、策略連結與計畫管理功能之建立；<br/> 一課程與報名管理機構，其電連接該控制機構，該課程與報名管理機構至少作為課程類型分類、功能分群、講師與教材整合、課程管理與出席管理之建立；<br/> 一線上測驗機構，其電連接該控制機構，該線上測驗機構至少作為題型、題庫、測驗範本、作答管控、評分與證書產出之建立；以及<br/> 一培訓成效追蹤與回饋循環機構，其電連接該控制機構，該培訓成效追蹤與回饋循環機構至少作為、人才發展品質管理、成效評估機制、成效分析回饋與教育訓練投資報酬率計算之建立。
如請求項1所述之教育訓練管理系統，其中該控制機構、該培訓計畫管理機構、該課程與報名管理機構、該線上測驗機構與該培訓成效追蹤與回饋循環機構為應用程式、軟體、硬體、中央處理器、AI處理器、邏輯電路或單晶片，並該控制機構、該培訓計畫管理機構、該課程與報名管理機構、該線上測驗機構與該培訓成效追蹤與回饋循環機構為整合至電腦、伺服器、記憶體、硬碟或智慧型手機。
如請求項1所述之教育訓練管理系統，其中該培訓計畫管理機構包括有一階層式培訓文件模組、一策略連結模組及一計畫管理模組。
如請求項3所述之教育訓練管理系統，其中該階層式培訓文件模組至少具有管理層級文件、年度層級文件、常用層級文件與執行層級文件；該策略連結模組至少具有願景使命連結、策略目標對應與職能發展路徑；該計畫管理模組至少建立年度或專案型培訓計畫，且提供多層級核准鏈與版本控制，並顯示執行進度與預算控制儀表板，當文件完成後則備份至一儲存裝置。
如請求項1所述之教育訓練管理系統，其中該課程與報名管理機構作為課程類型分類與功能分群，且整合講師與教材平台，提供講師遴選標準，同時作為課程報名、審核、排程之管理、以及進行課前、課中、課後之文件流程管理，並以電子方式、線上方式或數位方式提供出席簽到與追蹤。
如請求項1所述之教育訓練管理系統，其中該線上測驗機構提供題型與題庫供作答，且建立測驗範本進行搭配組合，並管控作答行為與設立防作弊機制，更依測驗結果提供評分與證書之產出。
如請求項1所述之教育訓練管理系統，其中該培訓成效追蹤與回饋循環機構包括有一人才發展品質管理模組、一成效評估模組、一成效分析與回饋模組及一教育訓練投資報酬率計算模組。
如請求項7所述之教育訓練管理系統，其中該人才發展品質管理模組作為訓練需求分析、訓練計畫擬定與訓練執行紀錄；該成效評估模組作為反應評估、學習評估、行為評估、成果評估與持續改善循環；該成效分析與回饋模組作為測驗結果比較，並產製總結報告書備份至一儲存裝置，以更新員工職能狀態至一職能管理系統，且依據成效生成新訓練提案，而顯示培訓儀表板與成效趨勢；該教育訓練投資報酬率計算模組作為投資成本計算、效益量化分析、提供投資報酬率公式、產製多維度報表與趨勢追蹤。
一種專案管理系統，其包含：<br/> 一控制機構，其作為該專案管理系統運作時之運算處理、設定控制與整合；<br/> 一專案與任務管理機構，其電連接該控制機構，該專案與任務管理機構至少作為專案使用文件管理、工作任務結構分解、設定專案目標、設定專案範疇、設定專案驗收條件、成本追蹤管理、提供視覺化專案管理工具以及隱形成本計算管理；<br/> 一專案協作與進度追蹤機構，其電連接該控制機構，該專案協作與進度追蹤機構至少提供成員協作介面、設定自動提醒與阻礙回報流程、建立報表節點追蹤以及整合績效系統資料作為進度輸入來源；<br/> 一專案績效與毛利機構，其電連接該控制機構，該專案績效與毛利機構至少作為查看權限設定以及專案毛利計算；<br/> 一專案報表與分析機構，其電連接該控制機構，該專案報表與分析機構至少作為專案報告產出、顯示專案圖表、偵測成本偏差與建立預警模型以及產出專案成果摘要；以及<br/> 一專案自動化機構，其電連接該控制機構，該專案自動化機構至少作為建立任務週期重複排程機制、發送預警、整合通知管道以及專案知識與結案報告歸檔。
如請求項1所述之專案管理系統，其中該控制機構、該專案與任務管理機構、該專案協作與進度追蹤機構、該專案績效與毛利機構、該專案報表與分析機構、以及該專案自動化機構為應用程式、軟體、硬體、中央處理器、AI處理器、邏輯電路或單晶片，並該控制機構、該專案與任務管理機構、該專案協作與進度追蹤機構、該專案績效與毛利機構、該專案報表與分析機構、以及該專案自動化機構為整合至電腦、伺服器、記憶體、硬碟或智慧型手機。
如請求項1所述之專案管理系統，其中該專案與任務管理機構之隱形成本計算管理中，可至少進行人力成本評估計算、機會成本評估計算以及管理與協調成本評估計算，並將前述之各評估計算製成總成本可視化儀表板。
如請求項1所述之專案管理系統，其中該專案績效與毛利機構包括有一權限設定模組及一專案毛利計算模組。
如請求項4所述之專案管理系統，其中該權限設定模組將專案目標分解至任務層級，並建立任務、目標與關鍵成果對應邏輯，且提供關鍵績效指標與貢獻度報表；該專案毛利計算模組進行專案收入追蹤、直接成本計算、間接成本計算、毛利率計算、專案獲利排行榜計算以及發送效能異常偏差提醒。
一種捨棄式車刀片，係用於對工件進行切槽加工，該捨棄式車刀片包含：<br/>一刀片本體，其外形大致呈多邊形結構，並具有相對之上表面與下表面，以及連接該上表面與下表面之周緣側面；至少一切削刃部，係形成於該刀片本體之周緣側面與上表面交界處，用以對工件進行切削，其特徵在於：該切削刃部於鄰近該上表面處形成有一排屑導槽，且該排屑導槽係呈L型槽結構，包括一沿該切削刃部延伸之第一槽段，以及一自該第一槽段向內側或向下延伸之第二槽段，使切削所產生之切屑得沿該L型排屑導槽導引並排出。
如請求項1所述之捨棄式車刀片，其中該刀片本體為三角形外形，並具有三個切削刃部，且每一該切削刃部均設有一該L型排屑導槽。
如請求項1所述之捨棄式車刀片，其中該L型排屑導槽係以圓弧過渡方式連接該第一槽段與該第二槽段。
如請求項1所述之捨棄式車刀片，其中該刀片本體中央設有一貫穿孔，用以供緊固件穿設而固定於車刀刀桿上。
一種數位類比轉換電路（Digital-to-Analog Converter, DAC），包括：<br/> 一轉換核心單元（DAC core），包括：<br/> 一第一電晶體；及<br/> 一第一比較放大器，電性連接於該第一電晶體，該第一電晶體及該第一比較放大器形成一第一迴路；以及<br/> 一輸出級單元（Out stage），電性連接於該轉換核心單元，該輸出級單元包括：<br/> 一第二電晶體，電性連接於該第一電晶體；<br/> 一第二比較放大器，電性連接於該第二電晶體；及<br/> 一輸出電阻，電性連接於該第二電晶體及該第二比較放大器，該輸出電阻用以提升一電源抑制比（Power Supply Rejection Ratio, PSRR）。
如請求項1所述之數位類比轉換電路，更包括：<br/> 一導電接墊，用以電性連接至一電路板，該輸出電阻設置於該第二電晶體與該導電接墊之間。
如請求項1所述之數位類比轉換電路，其中該轉換核心單元更包括：<br/> 一第三電晶體，電性連接於第二比較放大器與可控電阻，該第三電晶體、該第一電晶體、該第二電晶體與該第二比較放大器形成一第二迴路。
如請求項1所述之數位類比轉換電路，其中該數位類比轉換電路係為一晶片，該輸出電阻設置於該晶片內。
一種數位類比轉換電路（Digital-to-Analog Converter, DAC），包括：<br/> 一轉換核心單元（DAC core），包括：<br/> 一第一電晶體；及<br/> 一第一比較放大器，電性連接於該第一電晶體，該第一電晶體及該第一比較放大器形成一第一迴路；以及<br/> 一輸出級單元（Out stage），電性連接於該轉換核心單元，該輸出級單元包括：<br/> 一第二電晶體，電性連接於該第一電晶體；<br/> 一第二比較放大器，電性連接於該第二電晶體；<br/> 一輸出電阻，電性連接於該第二電晶體及該第二比較放大器；及<br/> 一輸出電感，電性連接於該輸出電阻，該輸出電阻及該輸出電感用以提升一電源抑制比（Power Supply Rejection Ratio, PSRR）。
如請求項5所述之數位類比轉換電路，更包括：<br/> 一導電接墊，用以電性連接至一電路板，該輸出電阻及該輸出電感設置於該第二電晶體與該導電接墊之間。
如請求項5所述之數位類比轉換電路，其中該轉換核心單元更包括：<br/> 一第三電晶體，電性連接於第二比較放大器與可控電阻，該第三電晶體、該第一電晶體、該第二電晶體與該第二比較放大器形成一第二迴路。
如請求項5所述之數位類比轉換電路，其中該數位類比轉換電路係為一晶片，該輸出電阻及該輸出電感設置於該晶片內。
一種數位類比轉換電路（Digital-to-Analog Converter, DAC），包括：<br/> 一轉換核心單元（DAC core），包括：<br/> 一第一電晶體；及<br/> 一第一比較放大器，電性連接於該第一電晶體，該第一電晶體及該第一比較放大器形成一第一迴路；以及<br/> 一輸出級單元（Out stage），電性連接於該轉換核心單元，該輸出級單元包括：<br/> 一第二電晶體，電性連接於該第一電晶體；<br/> 一第二比較放大器，電性連接於該第二電晶體；及<br/> 一傳輸線，連接於該第二電晶體及該第二比較放大器，該傳輸線用以提升一電源抑制比（Power Supply Rejection Ratio, PSRR）。
一種數位類比轉換電路（Digital-to-Analog Converter, DAC），包括：<br/> 一轉換核心單元（DAC core），包括：<br/> 一第一電晶體；及<br/> 一第一比較放大器，電性連接於該第一電晶體，該第一電晶體及該第一比較放大器形成一第一迴路；以及<br/> 一輸出級單元（Out stage），電性連接於該轉換核心單元，該輸出級單元包括：<br/> 一第二電晶體，電性連接於該第一電晶體；及<br/> 一第二比較放大器，電性連接於該第二電晶體； <br/> 其中該第二電晶體之一汲極的電阻值大於該第二電晶體之一源極的電阻值，以提升一電源抑制比（Power Supply Rejection Ratio, PSRR）。
一種數位類比轉換電路（Digital-to-Analog Converter, DAC），包括：<br/> 一轉換核心單元（DAC core），包括：<br/> 一第一電晶體；及<br/> 一第一比較放大器，電性連接於該第一電晶體，該第一電晶體及該第一比較放大器形成一第一迴路；以及<br/> 一輸出級單元（Out stage），電性連接於該轉換核心單元，該輸出級單元包括：<br/> 一第二電晶體，電性連接於該第一電晶體；<br/> 一第二比較放大器，電性連接於該第二電晶體；及<br/> 一低通濾波器，連接於該第二電晶體及該第二比較放大器，該低通濾波器用以提升一電源抑制比（Power Supply Rejection Ratio, PSRR）。
一種電子裝置，包括：<br/> 一數位類比轉換電路（Digital-to-Analog Converter, DAC），包括：<br/> 一轉換核心單元（DAC core），包括：<br/> 一第一電晶體；及<br/> 一第一比較放大器，電性連接於該第一電晶體，該第一電晶體及該第一比較放大器形成一第一迴路；及<br/> 一輸出級單元（Out stage），電性連接於該轉換核心單元，該輸出級單元包括：<br/> 一第二電晶體，電性連接於該第一電晶體；<br/> 一第二比較放大器，電性連接於該第二電晶體；及<br/> 一輸出電阻，電性連接於該第二電晶體及該第二比較放大器；<br/> 一負載，連接於該數位類比轉換電路之該輸出電阻；以及<br/> 一電容，連接於該數位類比轉換電路之該輸出電阻，該輸出電阻及該電容用以提升一電源抑制比（Power Supply Rejection Ratio, PSRR）。
一種通用型燃油泵浦總成，其包含：<br/>一上蓋總成單元，包含一燃油泵上蓋；<br/>一支撐結構單元，包含一燃油泵支架，該燃油泵支架具有一頂部固定部、一由該頂部固定部向下彎曲之彎折部、一由該彎折部向下延伸之延伸主體，以及一設於該延伸主體末端之第一扣合部；<br/>一泵送與過濾單元，包含一下底座以及一安裝於該下底座內之燃油泵芯；<br/>一管路與調壓單元，包含一連接該燃油泵芯與該燃油泵上蓋之燃油管；<br/>其中，該頂部固定部係固定於該燃油泵上蓋之底面，該第一扣合部扣合於該下底座。
如請求項1之通用型燃油泵浦總成，其中，該燃油泵上蓋具有一朝向下方延伸之環狀凸部。
如請求項2之通用型燃油泵浦總成，其中，該環狀凸部之周緣設有一上蓋密封圈，用以氣密地封閉油箱之開口。
如請求項1之通用型燃油泵浦總成，其中，該上蓋總成單元更包含一上蓋出油管蓋、一出油管蓋密封圈及複數個上蓋固定螺絲，該上蓋出油管蓋藉由該等上蓋固定螺絲鎖固於燃油泵上蓋之頂面，並透過該出油管蓋密封圈與其形成密封。
如請求項1中任一項之通用型燃油泵浦總成，其中，該管路與調壓單元更包含一壓力閥以及一壓力閥底座，該壓力閥係透過該壓力閥底座，固定於該燃油泵上蓋，用於調節供油壓力；該泵送與過濾單元更包含一連接於該燃油泵芯進油口之過濾網。
如請求項1中任一項之通用型燃油泵浦總成，其中，該支撐結構單元更包含複數個支架固定螺絲，該頂部固定部係透過該等支架固定螺絲鎖固於該燃油泵上蓋之底面，使該泵送與過濾單元呈懸吊式固定於油箱內部。
如請求項1項之通用型燃油泵浦總成，其中，該第一扣合部係呈一U型彎折構造，與一該下底座之第二扣合部相互扣合。
一種助拔器(1)，其特徵在於，該助拔器包括：<br/>基座(40)；<br/>第一槓桿(10)，繞第一軸線(A1)樞轉連接到該基座且具有第一樞轉位置和第二樞轉位置；<br/>第二槓桿(20)，繞第二軸線(A2)樞轉連接到該基座，並且與該第一槓桿連動；<br/>限位件(30)，包括抵接件(310)和觸發件(320)，其中，該抵接件繞第三軸線(A3)樞轉連接到該基座，且該觸發件繞第四軸線(A4)樞轉連接到該抵接件，<br/>其中，當該第一槓桿從該第一樞轉位置樞轉到該第二樞轉位置時，該抵接件抵接該第二槓桿從而鎖定該第一槓桿和該第二槓桿的樞轉。
根據請求項1所述的助拔器(1)，其中，該助拔器包括第一復位件(330)，該第一復位件使該抵接件趨向於抵接該第二槓桿。
根據請求項2所述的助拔器(1)，其中，該觸發件具有觸發部(321)，該抵接件和該觸發件之間設有第二復位件(340)，該第二復位件使該觸發部趨向於伸出該基座之外。
根據請求項1所述的助拔器(1)，其中，該第二槓桿具有舌部(230)，<br/>當該第一槓桿處於該第一樞轉位置時，該舌部伸出該基座之外，並且<br/>當該第一槓桿處於該第二樞轉位置時，該舌部縮回到該基座之內。
根據請求項4所述的助拔器(1)，其中，施加在該第一槓桿上的樞轉力以放大的方式傳遞到該舌部。
根據請求項5所述的助拔器(1)，其中，該助拔器固定於第一物體，當將該第一物體插入第二物體內時，該第一槓桿從該第二樞轉位置樞轉到該第一樞轉位置引起該舌部頂推該第二物體，以使該第一物體與該第二物體彼此結合。
根據請求項1所述的助拔器(1)，其中，該第一槓桿包括基部(110)、臂部(120)和解鎖件(130)，該基部位於該基座內，該臂部伸出該基座，該解鎖件能樞轉地設置在該臂部遠離該基部的一端。
根據請求項7所述的助拔器(1)，其中，該臂部具有彎折部(121)，該解鎖件具有鉤部(131)，該鉤部用於與第二物體卡合以將該第一槓桿鎖定在該第一樞轉位置。
根據請求項1所述的助拔器(1)，其中，該第一槓桿具有第一齒(1131)，該第二槓桿具有第二齒(221)，該第一槓桿和該第二槓桿通過該第一齒和該第二齒彼此嚙合，該第一齒到該第一軸線的距離大於或者小於該第二齒到該第二軸線的距離，<br/>該基座包括第一基板(410)和第二基板(420)，該第一基板和該第二基板彼此固定以包圍一容置空間，<br/>該第二槓桿具有抵接部(240)，該抵接部形成為凹陷，<br/>該抵接件包括樞轉孔(311)以及從該抵接件的樞轉孔向外伸出的限位部(312)和連接部(313)，該限位部通過抵接該抵接部而阻止該第一槓桿和該第二槓桿的樞轉，該連接部與該觸發件連接。
根據請求項1所述的助拔器(1)，其中，該觸發件包括彼此相鄰的圓弧部(324)和頂推部(325)，該圓弧部形成為允許該觸發件繞該第四軸線沿一方向相對於該抵接件樞轉，並且該頂推部形成為阻止該觸發件繞該第四軸線沿與該方向相反的方向相對於該抵接件樞轉。
一種助拔器組件，其特徵在於，該助拔器組件包括兩個根據請求項1到10中任一項所述的助拔器，並且該兩個助拔器彼此鏡面對稱。
一種證件照合規智能檢測系統，包含： <br/>一照片資料庫，儲存至少一證件照； <br/>一背景處理模組，電訊連接該照片資料庫，並接收該證件照進行去背程序而形成一人像資訊並取其一alpha圖； <br/>一嬰幼判斷模組，電訊連接該背景處理模組並接收該人像資訊，該嬰幼判斷模組係針對該人像資訊提取人臉特徵後，透過SVM分類模型以二分法區分該人像資訊屬一嬰幼分群或一成人分群； <br/>一歪斜偵測模組，電訊連接該背景處理模組與該嬰幼判斷模組，並計算該人像資訊中之二眼座標及依此計算二眼連線與水平線之一傾斜角度值；其中，當該人像資訊屬於該嬰幼分群時，係對應一第一閥值角度；當該人像資訊屬於該成人分群時，係對應一第二閥值角度，且該第一閥值大於該第二閥值；又該傾斜角度值大於該第一閥值或該第二閥值時，係判定不合規； <br/>一背景顏色偵測模組，電訊連接該背景處理模組而供接收該alpha圖後，將背景範圍之R、G、B取得一平均色碼值並與一第三閥值比較；其中該第三閥值表現為(X,Y,Z)，且X、Y、Z範圍皆落於240~255，而當R、G、B對應之任一色碼低於X、Y、Z時即為判斷為不合規； <br/>一頭位偵測模組，電訊連接該背景處理模組並接收該人像資訊，包含： <br/>一頭頂偵測單元，利用語意分割模型對該人像資訊產生一頭部遮罩，再取該頭部遮罩於垂直方向之最上緣像素作為一頭頂位置；及 <br/>一下巴偵測單元，透過人臉關鍵點偵測模型分析對該人像資訊取得一下巴位置，再與一第四閥值比較判斷人臉是否置中合規； <br/>其中，利用該頭頂位置與該下巴位置計算臉長相較於圖片尺寸比例是否超過限定範圍之一第五閥值而判定是否合規； <br/>一超框偵測模組，電訊連接該背景處理模組，並接收該alpha圖而判斷人像位置之白色區間最上緣碰觸到圖片頂部之像素總量是否超過一第六閥值進而判斷是否合規； <br/>一背景相融偵測模組，電訊連接該背景處理模組與該頭位偵測模組，並接收該 alpha 圖與該頭頂位置及該下巴位置資訊，而利用該頭頂位置及該下巴位置之間的指定範圍內偵測前景像素之分布是否計算超過一第七閥值之區域比例，進而判斷人像是否與背景融合而影響完整性； <br/>一亮度光影偵測模組，電訊連接該背景處理模組，並接收該人像資訊且以排除該人像資訊中非膚色區域，而計算出亮度值是否小於設定的一預設面積比例以判斷是否過暗；或計算出亮度值是否大於設定的該預設面積比例以判斷是否過曝；或透過亮度分佈之峰值表現以判斷亮度是否平均；或取人像兩頰之二區域觀測亮度差異以判斷照明是否均勻之各項合規性檢查；及 <br/>一五官偵測模組，電訊連接該背景處理模組與該嬰幼判斷模組，並接收該人像資訊而利用物件偵測模型判斷該人像資訊五官位置，再進一步根據該人像資訊屬該嬰幼分群或該成人分群而分別擷取不同五官數量進行合規性判斷；其中，該嬰幼分群擷取之五官數量小於該成人分群。
如請求項1所述之證件照合規智能檢測系統，其中，該五官偵測模組接收該人像資訊而利用物件偵測模型判斷該人像資訊五官位置後，依據眼睛與嘴巴尺寸為上、下等量的補白成正方形後送進一比對模型為合規性判斷；依據耳朵尺寸為左、右等量拓寬擷取成正方形後送進該比對模型為合規性判斷；依據眉毛尺寸為上、下等量拓寬擷取形成一第一區域，再針對該第一區域上、下等量補白形成為一第二區域，且該第二區域為正方形，該第一區域為該第二區域面積之一半，並將該第二區域送進該比對模型為合規性判斷。
如請求項2所述之證件照合規智能檢測系統，其中，該亮度光影偵測模組係將各項偵測結果轉換成分數型態呈現，再與對應之預設標準進行比較。
如請求項1或2或3所述之證件照合規智能檢測系統，更包含：一結果整合模組，電訊連接該歪斜偵測模組、該背景顏色偵測模組、該頭位偵測模組、該超框偵測模組、該背景相融偵測模組、該亮度光影偵測模組及該五官偵測模組，該結果整合模組係生成一檢驗圖資，該檢驗圖資呈現內容包括以該證件照各檢測位置附加合規或不合規指示，或不合規項目之快捷圖示。
如請求項1所述之證件照合規智能檢測系統，更包含：一背景雜點偵測模組，電訊連接該背景處理模組而供接收該alpha圖後，於背景區域中對灰階像素進行輪廓偵測，再根據各灰階像素所構成之輪廓區域的顏色深度與面積大小進行判別，以自動識別背景是否存有雜點。
如請求項5所述之證件照合規智能檢測系統，其中，自動識別背景是否存有雜點之判定條件包括，當灰階像素所構成之輪廓區域的顏色太淺，面積太小或太大，皆認定非屬雜點。
如請求項5或6所述之證件照合規智能檢測系統，更包含：一結果整合模組，電訊連接該歪斜偵測模組、該背景顏色偵測模組、該頭位偵測模組、該超框偵測模組、該背景相融偵測模組、該亮度光影偵測模組、該五官偵測模組及該背景雜點偵測模組，該結果整合模組係生成一檢驗圖資，該檢驗圖資呈現內容包括以該證件照各檢測位置附加合規或不合規指示，或不合規項目之快捷圖示。
如請求項5所述之證件照合規智能檢測系統，更包含：一眼鏡折射偵測模組，電訊連接該照片資料庫並接收該證件照，該眼鏡折射偵測模組係利用前階段之物件偵測模型判斷眼鏡存在位置，再透過後階段之分類器判斷是否為眼鏡物件；其中，當分類非為眼鏡物件時，即判定該眼鏡物件具影像折射現象而屬不合規。
如請求項8所述之證件照合規智能檢測系統，更包含：一結果整合模組，電訊連接該歪斜偵測模組、該背景顏色偵測模組、該頭位偵測模組、該超框偵測模組、該背景相融偵測模組、該亮度光影偵測模組、該五官偵測模組、該背景雜點偵測模組及該眼鏡折射偵測模組，該結果整合模組係生成一檢驗圖資，該檢驗圖資呈現內容包括以該證件照各檢測位置附加合規或不合規指示，或不合規項目之快捷圖示。
如請求項8所述之證件照合規智能檢測系統，更包含：一帽體偵測模組，電訊連接該照片資料庫並接收該證件照，該帽體偵測模組係利用前階段之物件偵測模型判斷帽體存在位置，再透過後階段之分類器判斷是否確為帽體。
如請求項10所述之證件照合規智能檢測系統，其中，該帽體偵測模組利用前階段之物件偵測模型，係以搜尋網路圖資為參考基礎進而判斷帽體存在位置。
如請求項10或11所述之證件照合規智能檢測系統，更包含：一結果整合模組，電訊連接該歪斜偵測模組、該背景顏色偵測模組、該頭位偵測模組、該超框偵測模組、該背景相融偵測模組、該亮度光影偵測模組、該五官偵測模組、該背景雜點偵測模組、該眼鏡折射偵測模組及該帽體偵測模組，該結果整合模組係生成一檢驗圖資，該檢驗圖資呈現內容包括以該證件照各檢測位置附加合規或不合規指示，或不合規項目之快捷圖示。
一種雲端藥局營運資訊整合系統，係供至少一藥局使用而設置於至少一終端電子裝置及一雲端伺服器中，其包含： <br/>一銷售作業模組，係設有一會員管理單元，該會員管理單元內存複數個會員資料及其分別關聯之一服務資料，且該銷售作業模組接收輸入具有一寄庫請求之一交易資料時，計算形成包含一現領記錄及一寄庫量之一銷售資料； <br/>一調劑作業模組，係電連接該銷售作業模組，當該調劑作業模組接收輸入之一處方資料時，解析該處方資料並驅動該會員管理單元利用該等會員資料比對獲取對應之一者，以記錄該處方資料至對應之該服務資料中，且該調劑作業模組於該處方資料給藥後，接收輸入之一調劑資料並反饋至對應之該服務資料中；及 <br/>一藥局管理模組，係電連接該銷售作業模組及該調劑作業模組並設有一庫存單元及一採購單元，該藥局管理模組接收該銷售資料及該調劑資料時，該庫存單元依據該銷售資料及該調劑資料調整一陳列庫存量及一倉儲庫存量之其中至少一者，且該採購單元依一庫存需求資料定期分析該陳列庫存量，以於低於一庫存需求值時輸出一低量通知，並定期分析該倉儲庫存量而生成一採購需求報表。
如請求項1所述之雲端藥局營運資訊整合系統，更包含一第一介面模組，其係電連接該銷售作業模組、該調劑作業模組及該藥局管理模組，以提供圖形化操作介面予至少一藥局人員進行操作，且該第一介面模組設有一人員管理單元，以供該藥局人員打卡並於登入時辨識人員身份及權限；該服務資料包含消費記錄、調劑記錄、紅利記錄、量測記錄及第三方機構記錄。
如請求項2所述之雲端藥局營運資訊整合系統，更包含一第二介面模組，其係裝置於至少一消費者之移動電子裝置中並電連接該銷售作業模組、該調劑作業模組及該藥局管理模組，以提供圖形化操作介面並供該消費者掃描處方箋形成該處方資料傳送。
如請求項3所述之雲端藥局營運資訊整合系統，其中，該銷售作業模組係設有一健康量測單元，其電連接至少一生物特徵量測裝置，當該健康量測單元自該生物特徵量測裝置接收至少一量測資料時檢析，以於獲知異常時生成一警示值，並透過該第一介面模組及該第二介面模組之其中至少一者輸出該警示值，同時，儲存該量測資料及該警示值之其中至少一者至對應之該服務資料中。
如請求項2所述之雲端藥局營運資訊整合系統，其中，該藥局管理模組係設有一機構服務單元，其透過API電連接至少一第三方機構之伺服器，當該機構服務單元經授權機制自該第三方機構之伺服器接收至少一該處方資料時，透過該第一介面模組輸出一調劑作業通知；且該第三方機構為長照機構、醫療機構、保險機構或健康管理服務機構。
如請求項2所述之雲端藥局營運資訊整合系統，其中，該調劑作業模組係設有一健保申報單元，其電連接一健保局伺服器，以定時匯整各該調劑資料並自動呈報健保局。
如請求項1所述之雲端藥局營運資訊整合系統，更設有一聯合調配模組，係設置於一雲端伺服器中並電連接該銷售作業模組、該調劑作業模組及該藥局管理模組；當系統供複數型態之該等藥局使用時，該聯合調配模組計算該等藥局之區域位置而形成至少一聯合區域，且匯整該聯合區域中各該藥局之該陳列庫存量及該倉儲庫存量之其中至少一者，以於一個該藥局之該陳列庫存量及該倉儲庫存量之總量低於一進貨需求日時，輸出一調撥訊息來由另一個該藥局調撥藥品。
如請求項7所述之雲端藥局營運資訊整合系統，其中，該聯合調配模組係匯整該聯合區域中對應之各該藥局之該採購需求報表，以分析生成一聯合採購報表，供進行區域聯合的藥品採購作業；且該聯合調配模組定期更新內存之複數個藥品資訊，以供該藥局管理模組下載並更新後儲存於該調劑作業模組中，同時，推薦具較高利潤之替代性藥品。
如請求項1所述之雲端藥局營運資訊整合系統，其中，該銷售作業模組係設有一促銷運算單元，其內存複數個促銷規則並於接收該交易資料時，計算該等促銷規則而獲知金額排序之複數個折扣組合，以供告知而提升銷售滿意度；該等促銷規則包含商品促銷規則、整單促銷規則及會員優惠券規則之其中至少一者。
如請求項9所述之雲端藥局營運資訊整合系統，其中，該採購單元係讀取該銷售作業模組之該銷售資料及該調劑作業模組之該調劑資料，以累計並分析獲知季節性參數、促銷活動參數、慢箋回流率及利潤結構，供以智能調整該採購需求報表而建議最佳採購項目、採購量及採購時點。
一種肌電感測系統，包含：<br/> 一載體，設置有至少一個感測器，各該感測器周圍電性連接一傳輸模組，該感測器用感測一偵測資料，該偵測資料包含一肌力訊號；以及<br/> 一外部系統，與該傳輸模組連接並接受該偵測資料，包含裝載一應用軟體的一顯示裝置，該應用軟體用於分析判斷的該偵測資料。
如請求項1所述之肌電感測系統，該感測器為可撓曲薄片狀。
如請求項2所述之肌電感測系統，該傳輸模組包含一回饋裝置，回饋裝置包含一震動器、一蜂鳴器或一亮燈裝置。
如請求項3所述之肌電感測系統，該傳輸模組可以將該偵測資料傳輸至該外部系統。
如請求項4所述之肌電感測系統，該傳輸模組的傳輸方式包含有線或無線。
如請求項5所述之肌電感測系統，該肌力訊號包含一靜態肌力參數與一動態最大肌力參數。
如請求項6所述之肌電感測系統，該應用軟體包含一控制中心，該控制中心包含：<br/> 一收發單元用以接收該傳輸模組的該偵測資料以及顯示一分析結果於該顯示裝置；<br/> 一處理器，包含一資料庫儲存各肌肉每一次測驗或運動時所取得之該靜態肌力參數與該動態最大肌力參數，透過一個以上的該靜態肌力參數以及一個以上該動態最大肌力參數所形成的一靜態肌力參考值以及一動態最大肌力參考值； <br/> 以及一計算系統可將該傳輸資料與該資料庫作所儲存之該靜態肌力參考值以及該動態最大肌力參考值對比形成該分析結果。
一種影像測距控制裝置，包含：<br/> 一電路板體，該電路板體上設置一微控制器；<br/> 一第一電腦連接埠，設置於該電路板體上；<br/> 一檢知卡連接埠，設置於該電路板體上；<br/> 一影像輸出連接埠，設置於該電路板體上；<br/> 一雷射測距連接埠，設置於該電路板體上；<br/> 一電源供應連接埠，設置於該電路板體上；<br/> 一攝影物鏡組定位訊號連接埠，設置於該電路板體上；<br/> 一攝影物鏡控制連接埠，設置於該電路板體上；<br/> 一攝影影像輸入連接埠，設置於該電路板體上；及<br/> 一攝影物鏡影像信號連接埠，設置於該電路板體上；<br/> 該第一電腦連接埠、該檢知卡連接埠、該影像輸出連接埠、該雷射測距連接埠、該電源供應連接埠、該攝影物鏡組定位訊號連接埠、該攝影物鏡控制連接埠、該攝影影像輸入連接埠，及該攝影物鏡影像信號連接埠分別與該微控制器電性連接。
如請求項1所述影像測距控制裝置，更包含一設置於該電路板體上的第二電腦連接埠。
如請求項2所述影像測距控制裝置，其中，該第一電腦連接埠的傳輸規格使用RS232，該第二電腦連接埠的傳輸規格使用RS422。
如請求項1所述影像測距控制裝置，其中，該電路板體上更包括複數穿孔，該複數穿孔的孔徑為3.20mm，該電路板體的厚度為1.60mm。
如請求項4所述影像測距控制裝置，其中，該複數穿孔其中之二的中心距離為70±0.10mm。
如請求項4所述影像測距控制裝置，其中，該複數穿孔其中之二的中心距離為90±0.10mm。
如請求項2所述影像測距控制裝置，其中，該電路板體包括一第一長邊，該攝影物鏡組定位訊號連接埠，及該攝影物鏡影像信號連接埠設置於該第一長邊。
如請求項7所述影像測距控制裝置，更包含一設置於該電路板體上的紅外線鏡頭操控連接埠，該電路板體更包括一與該第一長邊相反之第二長邊，該紅外線鏡頭操控連接埠設置於該第二長邊。
如請求項8所述影像測距控制裝置，更包含一設置於該電路板體上的彈藥選擇擊發操控連接埠，該電路板體更包括一與該第一長邊和該第二長邊連接之第一短邊，該彈藥選擇擊發操控連接埠、該第二電腦連接埠、該雷射測距連接埠，及該第一電腦連接埠設置於該第一短邊。
如請求項9所述影像測距控制裝置，更包含一設置於該電路板體上的冷卻器連接埠，及一設置於該電路板體上的攝影快門馬達連接埠，該電路板體更包括一與該第一長邊和該第二長邊連接並且與該第一短邊相反之第二短邊，該攝影物鏡控制連接埠、該冷卻器連接埠、該攝影快門馬達連接埠，及該電源供應連接埠設置於該第二短邊。
一種可翻折治具，用於固定產品，所述產品包括第一部件與第二部件；其改良在於，所述可翻折治具包括:<br/> 第一組件，所述第一組件包括第一載座與設於所述第一載座之第一固定件，所述第一固定件被配置為固定所述第一部件；<br/> 第二組件，所述第二組件包括第二載座與設於所述第二載座之第二固定件，所述第二載座與所述第一載座轉動連接，所述第二固定件被配置為固定所述第二部件；<br/> 自鎖組件，所述自鎖組件連接所述第一載座與所述第二載座，所述自鎖組件被配置為固定所述第二載座於所述第一載座。
如請求項1所述之可翻折治具，其中，所述自鎖組件包括第一連接件、第二連接件與鎖固件，所述第一連接件與所述第二連接件沿所述第二載座之轉軸之軸向依次設置，所述第一連接件與所述第一載座與所述第二載座中之其中一者連接，所述第二連接件與所述第一載座與所述第二載座中之另一者連接，所述鎖固件與所述第二連接件螺紋連接，所述鎖固件被配置為與所述第一連接件沿所述第二載座之轉軸之軸向之其中一側之側壁抵接。
如請求項1所述之可翻折治具，其中，所述第一固定件包括複數真空吸盤，所述真空吸盤與所述第一載座連接。
如請求項3所述之可翻折治具，其中，所述第一載座設有複數安裝孔，一個所述安裝孔對應一個所述真空吸盤，所述真空吸盤包括相互連接之對接部與吸附部，所述吸附部被配置為吸附所述第一部件，所述對接部插設於對應之所述安裝孔且所述吸附部之內部與對應之所述安裝孔之內部相通；所述第一載座設有抽氣孔道，所述抽氣孔道連通複數所述安裝孔；所述第一載座設有抽氣管，所述抽氣管與所述抽氣孔道連通。
如請求項3所述之可翻折治具，其中，所述真空吸盤包括相互連接之對接部與吸附部，所述對接部與所述第一載座連接，所述吸附部具有彈性並被配置為吸附所述第一部件；所述第一載座設有支撐件，所述支撐件被配置為支撐所述第一部件。
如請求項1所述之可翻折治具，其中，所述可翻折治具還包括角度定位組件，所述角度定位組件連接所述第一載座與所述第二載座，所述角度定位組件被配置為定位所述第二載座相對於所述第一載座轉動之角度。
如請求項6所述之可翻折治具，其中，所述角度定位組件包括第一定位組件，所述第一定位組件包括角度感應件、回應件與控制件，所述角度感應件連接所述第一載座與所述第二載座，所述角度感應件被配置為感應所述第二載座相對於所述第一載座轉動之角度，所述回應件與所述角度感應件均電連接於所述控制件，所述控制件被配置為於所述第二載座相對於所述第一載座轉動之角度達到預設角度時控制所述回應件回應，以使所述第二載座停止轉動。
如請求項6所述之可翻折治具，其中，所述角度定位組件包括第二定位組件，所述第二定位組件包括刻度盤與指示件，所述刻度盤與所述第一載座與所述第二載座中之其中一者連接，所述指示件與所述第一載座與所述第二載座中之另一者連接；所述刻度盤沿所述第二載座之轉軸之周向依次設有複數刻度線，所述指示件被配置為於所述第二載座相對於所述第一載座轉動時依次指向複數所述刻度線。
如請求項1所述之可翻折治具，其中，所述第一部件與所述第二部件依次連接；所述可翻折治具還包括約束組件，所述約束組件包括第一定位件與第一抵持件，所述第一定位件與所述第一載座連接並被配置為與所述第一部件背離所述第二部件之一端之端壁抵接，所述第一抵持件與所述第二載座連接並被配置為彈性抵持於所述第二部件背離所述第一部件之一端之端壁。
如請求項1所述之可翻折治具，其中，所述可翻折治具還包括限位組件，所述限位組件包括限位件與鎖止件，所述限位件與所述第一載座與所述第二載座中之其中一者轉動連接，所述限位組件被配置為與所述第一載座與所述第二載座中之另一者抵接，以限制所述第二載座之轉動範圍，所述鎖止件連接所述限位件與所述第一載座或所述第二載座，以固定所述限位件。
一種穿隧氧化鈍化接觸太陽能電池，包含：<br/> 一基板，包含一正面和一背面；<br/> 一射極層，設於該基板上的該正面上；<br/> 一正面鈍化層，設於該射極層上；<br/> 一正面抗反射層，設於該正面鈍化層上；<br/> 一正面金屬電極，穿過該正面抗反射層和該正面鈍化層，接觸該射極層；<br/> 一穿隧氧化層，設於該基板上的該背面上；<br/> 一經雷射活化的摻雜半導體層，設於該穿隧氧化層上；<br/> 一背面抗反射層，設於該經雷射活化的摻雜半導體層上；以及<br/> 一背面金屬電極，穿過該背面抗反射層，直接接觸該經雷射活化的摻雜半導體層。
如請求項1所述之穿隧氧化鈍化接觸太陽能電池，其中，該經雷射活化的摻雜半導體層包含至少一圖形化低阻值區域，且該至少一圖形化低阻值區域設於該背面金屬電極正下方。
如請求項2所述之穿隧氧化鈍化接觸太陽能電池，其中，該至少一圖形化低阻值區域為一雷射活化圖形化區域。
如請求項3所述之穿隧氧化鈍化接觸太陽能電池，其中，該經雷射活化的摻雜半導體層另包含至少一未經雷射活化區域，鄰近該雷射活化圖形化區域，該雷射活化圖形化區域的電阻值低於該至少一未經雷射活化區域的電阻值。
如請求項1所述之穿隧氧化鈍化接觸太陽能電池，其中，該基板包含P型矽基板或N型矽基板。
如請求項1所述之穿隧氧化鈍化接觸太陽能電池，其中，該射極層包含硼摻雜矽層或磷摻雜矽層。
如請求項1所述之穿隧氧化鈍化接觸太陽能電池，其中，該穿隧氧化層包含二氧化矽。
如請求項1所述之穿隧氧化鈍化接觸太陽能電池，其中，該經雷射活化的摻雜半導體層整層為經雷射活化的低阻值層。
如請求項1所述之穿隧氧化鈍化接觸太陽能電池，其中，該經雷射活化的摻雜半導體層包含N型多晶矽層。
如請求項1所述之穿隧氧化鈍化接觸太陽能電池，其中，該正面金屬電極和該背面金屬電極包含鋁、銀或其合金。
一種全封閉防塵濾光片切換模組，包括：<br/> 一底座，具有彼此獨立設置的一第一安裝腔和一第二安裝腔；<br/> 一驅動組件，設於所述第一安裝腔；<br/> 一濾光組件，滑動地設於所述第二安裝腔；及<br/> 一傳動組件，設於所述第二安裝腔，所述驅動組件通過所述傳動組件驅動所述濾光組件在所述第二安裝腔內移動。
如請求項1所述之全封閉防塵濾光片切換模組，其中所述傳動組件包括磁石，所述磁石轉動地設於所述第二安裝腔，所述驅動組件包括導磁體及設於所述導磁體的線圈，所述導磁體具有兩個支臂，兩個所述支臂位於所述磁石的兩側，所述磁石位於兩個所述支臂之間，每一所述支臂上繞設有所述線圈。
如請求項2所述之全封閉防塵濾光片切換模組，其中所述底座設有與所述第一安裝腔連通的安裝口，所述安裝口設有遮擋板，所述遮擋板設於所述安裝口用以密封所述第一安裝腔。
如請求項3 所述之全封閉防塵濾光片切換模組，其中所述安裝口的外周凸出設有擋塊，以使得所述遮擋板不突出於所述擋塊；<br/> 其中，所述擋塊與所述底座一體成型。
如請求項3所述之全封閉防塵濾光片切換模組，其中所述遮擋板與所述底座設為可拆卸連接。
如請求項2所述之全封閉防塵濾光片切換模組，其中所述底座具有連接槽，所述全封閉防塵濾光片切換模組還包括銅片，所述銅片的一端設於所述第一安裝腔並與所述線圈導通連接，所述銅片的另一端穿過所述連接槽並伸出所述第一安裝腔外用於與電源線導通，所述銅片具有拱部，所述拱部在所述連接槽內並與所述連接槽內壁抵接。
如請求項6所述之全封閉防塵濾光片切換模組，其中所述傳動組件還包括搖臂，所述搖臂的一端與所述磁石卡接，所述搖臂的另一端設有卡接條，所述濾光組件的一端設置有條形孔，所述卡接條係穿設於所述條形孔，以通過所述搖臂的擺動帶動所述濾光組件的移動。
如請求項7所述之全封閉防塵濾光片切換模組，其中所述底座朝向所述第二安裝腔的一側係設置有扇形滑槽，所述搖臂遠離所述磁石的一端滑動地設於所述滑槽內。
如請求項1-8任一項所述之全封閉防塵濾光片切換模組，其中所述濾光組件包括移動板，在所述移動板上設置有第一濾光片和第二濾光片，所述移動板滑動地設於所述第二安裝腔內。
如請求項9所述之全封閉防塵濾光片切換模組，其中所述底座設有與所述第二安裝腔連通的連接口，所述連接口設有蓋板，所述蓋板開設有透光孔，用於顯露所述第一濾光片或所述第二濾光片。
一種傳動組件，其包含： <br/>一第一傳動桿，其一端用以連接於一馬達，該第一傳動桿能相對該馬達轉動，且該第一傳動桿的轉軸方向與該第一傳動桿的長度方向互相平行；以及 <br/>一第二傳動桿，其連接於該第一傳動桿，藉此該第一傳動桿驅動該第二傳動桿。
如請求項1所述之傳動組件，其中，該第二傳動桿被該第一傳動桿帶動以轉動，該第二傳動桿的轉軸方向與該第二傳動桿的長度方向互相平行，且該第一傳動桿的轉軸方向和該第二傳動桿的轉軸方向不互相平行。
如請求項2所述之傳動組件，其中，該第一傳動桿具有一第一蝸桿部，且該第二傳動桿具有一蝸輪部，該蝸輪部連接於該第一蝸桿部。
如請求項1至3中任一項所述之傳動組件，其進一步具有一從動輪，且該第二傳動桿具有一第二蝸桿部，該從動輪連接於該第二蝸桿部，藉此該第二傳動桿驅動該從動輪轉動。
一種用於列印裝置的動力機構，其包含： <br/>一馬達； <br/>一第一傳動桿，其一端連接於該馬達，該馬達驅動該第一傳動桿轉動，且該第一傳動桿的轉軸方向與該第一傳動桿的長度方向互相平行；以及 <br/>一第二傳動桿，其連接於該第一傳動桿，藉此該第一傳動桿驅動該第二傳動桿。
如請求項5所述之用於列印裝置的動力機構，其中，該第二傳動桿被該第一傳動桿帶動以轉動，該第二傳動桿的轉軸方向與該第二傳動桿的長度方向互相平行，且該第一傳動桿的轉軸方向和該第二傳動桿的轉軸方向不互相平行。
如請求項6所述之用於列印裝置的動力機構，其中，該第一傳動桿具有一第一蝸桿部，且該第二傳動桿具有一蝸輪部，該蝸輪部連接於該第一蝸桿部。
如請求項5至7中任一項所述之用於列印裝置的動力機構，其進一步具有一從動輪，且該第二傳動桿具有一第二蝸桿部，該從動輪連接於該第二蝸桿部，藉此該第二傳動桿驅動該從動輪轉動。
如請求項8所述之用於列印裝置的動力機構，其中，該從動輪能與一列印裝置的一滾筒互相連接。
一種具有定向圖紋設計與配戴舒適性的彩色隱形眼鏡，主要係圖紋與鏡面組合，其圖紋嵌入(或包覆於)鏡面內，其中，<br/> 一配戴後限制旋轉之定向圖紋：係可分為對稱圖紋與非對稱圖紋或其它任意圖紋，其圖紋嵌入(或包覆於)鏡面內，而對稱圖紋呈圓環形帶中央呈空白設計，其彩色隱形眼鏡的對稱圖紋呈放射式圓環形帶對稱設計，使人們配戴後整體為一致性；<br/> 配戴後限制旋轉之非對稱圖紋定向圖紋呈5星芒狀、3星芒狀形或其它任意圖紋中央呈空白設計，即須利用彩色隱形眼鏡定位方式來製作彩色隱形眼鏡，使其能讓彩色圖紋以固定方向呈現在眼睛上；以及<br/> 一鏡面：中央裝設圓形屈光矯正面，上方裝設上削薄面，下方裝設下削薄面，左側裝設上、下左漸近式定位面，右側裝設上、下右漸近式定位面，其中，<br/> 一圓形屈光矯正面:係呈圓形狀裝設在中央位置;<br/> 一上削薄形面:係呈下彎曲形體，下彎曲形體右方為右下彎弧線，左方為左下彎弧線，中央為連接斜率相切圓弧面;<br/> 一下削薄型面:係呈上彎曲形體，上彎曲形體右方為右上彎弧線，左方為左上彎弧線，中央為連接斜率相切圓弧面;以及<br/> 一上左、右漸近式定位面: 由中心線為主，其數根弧線、第一層疊體及第二層疊體組成，形成左、右對稱式結構，上、下非對稱式結構，利用眼瞼夾持及鏡片上、下重量差異使其配戴後，產生特定限制角度，單一方向定位圖紋；<br/> 本創作圖紋嵌入(或包覆於)鏡面內係中央圓形屈光矯正面無圖紋設計，而圖紋設計分佈鏡面上、下、左、右環狀部位位置，而圖紋設計具有方向的控制精度、實現具個性化豐富圖案設計的優點，並能提升產品的美觀性與個性識別度。
如請求項1所述之具有定向圖紋設計與配戴舒適性的彩色隱形眼鏡，其中本創作產品能讓睜眼時將鏡片向上帶起進而改善淚液循環增加眼睛和鏡片間的潤滑度，進而提高配戴舒適性。
一種整合式壓縮空氣系統，包括：<br/> 一整合櫃，具有至少二空間，其中一個該空間為一通風空間，另一個該空<br/> 間為一容納空間，該通風空間及該容納空間之間具有一隔板；<br/> 一風扇，設置於該隔板，該風扇之其中一側係面對該通風空間，該風扇之<br/> 另一側係面對該容納空間；<br/> 一空氣壓縮設備，設置於該容納空間；以及<br/> 一控制單元，與該空氣壓縮設備控制連接。
如請求項1所述之整合式壓縮空氣系統，其中，該整合櫃具有一頂壁、一底壁，該頂壁及該底壁之間具有該隔板，該通風空間位於該頂壁及該隔板之間，該容納空間位於該底壁及該隔板之間。
如請求項1所述之整合式壓縮空氣系統，其中，該通風空間之對二側分別具有一通風口。
如請求項1所述之整合式壓縮空氣系統，其中，該空氣壓縮設備包括，一空壓機、一儲氣筒、複數過濾器、一冷凍式乾燥機、一吸附式乾燥機，另具有一氣體管路及一液體管路，該氣體管路係連接該空壓機、該儲氣筒之一入氣口及一出氣口、該過濾器、該冷凍式乾燥機、該過濾器、該吸附式乾燥機及該過濾器，該液體管路連接於該儲氣筒、該液體管路連接於該儲氣筒、該過濾器、該冷凍式乾燥機、該過濾器、該吸附式乾燥機及該過濾器。
如請求項2所述之整合式壓縮空氣系統，其中，該整合櫃另具有一控制單元容納空間，該控制單元容納空間位於該頂壁及該隔板之間，該控制單元容納空間與該通風空間並排，該控制單元容納空間與該通風空間之間具有一豎直隔板。
如請求項1所述之整合式壓縮空氣系統，其中，該容納空間周圍設置一第一吸音棉。
如請求項1所述之整合式壓縮空氣系統，其中，該通風空間周圍設置一第二吸音棉。
如請求項1所述之整合式壓縮空氣系統，其中，該風扇之其中一側具有一入風口、該風扇之另一側具有一出風口，該入風口係面對該容納空間，該出風口係面對該通風空間。
如請求項1所述之整合式壓縮空氣系統，其中，該整合櫃另具有複數滾輪。
一種快速標示救護區域簡易式組件結構，係至少包含：<br/>一錐體，該錐體可立放置於一平面上；<br/>複數布體，該各布體可套置或黏置於該錐體上，該各布體係具有至少一標示部，該各布體的標示部係分別標示有不同的救護等級。
如請求項1所述之快速標示救護區域簡易式組件結構，其中該錐體係具有一摺疊部，令該錐體可延伸展開或收縮摺疊。
如請求項1所述之快速標示救護區域簡易式組件結構，其中該各布體的標示部所標示之救護等級係至少為輕傷區、重傷區、中傷區、黑傷區、後送區與救護指揮站之其一者。
如請求項1所述之快速標示救護區域簡易式組件結構，其中該各布體的標示部所標示之救護等級係具有不同的顏色。
如請求項1所述之快速標示救護區域簡易式組件結構，其中該各布體係具有不同的顏色。
一種快速標示救護區域簡易式組件結構，係至少包含：<br/>複數錐體，該等錐體可分別立放置於一平面上；<br/>複數布體，該各布體可套置或黏置於該各錐體上，該各布體係具有一標示部，該等標示部係分別標示有不同的救護等級。
如請求項6所述之快速標示救護區域簡易式組件結構，其中該錐體係具有一摺疊部，令該錐體可延伸展開或收縮摺疊。
如請求項6所述之快速標示救護區域簡易式組件結構，其中該各布體的標示部所標示之救護等級係至少為輕傷區、重傷區、中傷區、黑傷區、後送區與救護指揮站之其一者。
如請求項6所述之快速標示救護區域簡易式組件結構，其中該各布體的標示部所標示之救護等級係具有不同的顏色。
如請求項6所述之快速標示救護區域簡易式組件結構，其中該各布體係具有不同的顏色。
一種沙窗，其包含有：一框架；一可沿該框架上下移動的沙簾片；一固定於該沙簾片一端的下桿；一固定於該沙簾片另一端的上桿；以及兩拉繩，分別繞過該框架之底端兩側且其兩端係分別固定於該上桿及該下桿上。
如請求項1所述之沙窗，其中該框架係由一上框架、一下框架及兩側框架所組成，該上框架兩端分別固定於兩上固定座上，並透過該兩上固定座與該兩側框架頂端相固定結合，該下框架兩端分別固定於兩下固定座上，並透過該兩下固定座與該兩側框架底端相固定結合。
如請求項2所述之沙窗，其中於該兩側框架上分別形成有兩相互平行且可供該沙簾片之一相對側邊伸入其中的軌道，並於該沙簾片兩側邊分別設置有一厚度大於該軌道寛度的軌道條。
如請求項3所述之沙窗，其中該各側框架係由一外框架及一內框架所組合而成，該內框架係可滑動地插入於該外框架中，而該側框架的該軌道係形成於該內框架上。
如請求項2至4任一項所述之沙窗，其中該框架包含有一固定於該兩上固定座間的上轉折桿，該沙簾片係繞過於該上轉折桿使該沙簾片兩端均向下延伸且分別可滑動地伸入於該兩側框架內。
如請求項5所述之沙窗，其中該上轉折桿係呈中空狀，於該兩上固定座上可分別凸設有一可插入該上轉折桿兩端開口的固定柱。
如請求項6所述之沙窗，其中於該各下固定座上設置有一可相對該下固定座轉動的滾輪。
如請求項6所述之沙窗，其中於該各下固定座上形成有一略呈U字形的彎折架。
如請求項2至4任一項所述之沙窗，其中於該各下固定座上設置有一可相對該下固定座轉動的滾輪。
如請求項2至4任一項所述之沙窗，其中於該各下固定座上形成有一略呈U字形的彎折架。
一種可調整傾斜度的跑步機，包含有：一跑步台，其具有一前側部與一後側部，該前側部兩側各設有一第一樞接部，該後側部兩側各設有一第二樞接部，可供一使用者跑步或行走；一傾斜架體，其包括一第一橫桿及二第一支撐側架，且該第一橫桿的兩端分別連接該第一支撐側架，各第一支撐側架具有一自由端及一旋轉端，該自由端配置為可支撐於一地面，並適應該跑步台傾斜時的傾斜變化，該旋轉端樞接於該第一樞接部；一支撐架體，其包括一第二橫桿及二第二支撐側架，且該第二橫桿的兩端分別連接該第二支撐側架，各第二支撐側架具有兩端，其中一端設有一可抵靠該地面的固定墊，另一端樞接於該第二樞接部，其中，該固定墊與該第二樞接部之間設有一樞接結構，可允許該第二樞接部進行位移變化；以及一驅動組件，其包括一套筒及一連接桿，該套筒設置於該前側部與該傾斜架體之間，並可進行伸縮移動，而該連接桿的一端樞接於該傾斜架體的第一橫桿，另一端以可位移的方式設置於該第二橫桿；其中，當該套筒進行伸縮移動時，該跑步台可在一第一位置、一第二位置及一第三位置之間位移，並改變該跑步台的傾斜度；在該第一位置時，該前側部與該後側部之間的連線延伸段呈水平狀態，且該前側部與該後側部的高度基本相等；在該第二位置時，該套筒沿其軸向外延伸，且該傾斜架體向上抬升，使得該前側部的高度大於該後側部；在該第三位置時，該套筒沿其軸向內縮回，且該傾斜架體向下傾斜，使得該前側部的高度小於該後側部。
如請求項1所述之可調整傾斜度的跑步機，其中，當該跑步台移動朝向該第二位置時，該套筒沿其軸向外延伸，帶動該跑步台以該樞接結構為軸心進行順時針方向轉動，使該第二樞接部的位置繞該樞接結構順時針偏移，進一步引起該前側部上升及該後側部下降；與此不同，該跑步台由該第一位置移動朝向該第三位置時，該套筒沿其軸向內縮回，帶動該跑步台以該樞接結構為軸心進行逆時針方向轉動，此時，通過該固定墊抵壓於該地面，使該第二樞接部的位置繞該樞接結構順時針偏移，造成該前側部下降及該後側部上升。
如請求項1所述之可調整傾斜度的跑步機，其中，該驅動組件更包括一調節件，其具有一第一端及一第二端，該第一端樞接於該連接桿，該第二端樞接於該第二橫桿，當該跑步台從該第一位置移動朝向該第二位置時，該調節件配置為提供該連接桿一活動空間，並以該第二端作為相對軸心進行適應性移動，以容納該連接桿的位移。
如請求項1所述之可調整傾斜度的跑步機，其中，由該第一位置調整至該第二位置，該跑步台的傾斜度向上最多可達15度。
如請求項1所述之可調整傾斜度的跑步機，其中，由該第一位置調整至該第三位置，該跑步台的傾斜度向下最多可達5度。
如請求項1所述之可調整傾斜度的跑步機，其中，該跑步台的兩側各設有一緩衝部，且各第二支撐側架的一側設有一限位部，當處於該第一位置或該第二位置時，該緩衝部與該限位部形成接觸；當處於該第三位置時，該緩衝部與該限位部之間不再接觸，並進行分離。
如請求項1所述之可調整傾斜度的跑步機，其中，該傾斜架體進一步包括一支撐桿，該支撐桿固定連接於該兩第一支撐側架的自由端附近，且該第一橫桿與該支撐桿之間固設二樞接件，用於樞接該套筒的一端。
如請求項1所述之可調整傾斜度的跑步機，其中，各第一支撐側架的自由端設有一滾輪，該滾輪配置為支撐於該地面，並在該跑步台傾斜變化時相對於該地面沿一縱向方向位移，以適應傾斜變化。
如請求項1所述之可調整傾斜度的跑步機，其中，該跑步機更包括一固定座，該固定座支撐於該地面，其兩側分別延伸設有一第三樞接部，各第一支撐側架的自由端樞接於該第三樞接部，當該跑步台傾斜變化時，各第一支撐側架以該第三樞接部為軸心進行擺動位移，以適應傾斜變化。
如請求項1所述之可調整傾斜度的跑步機，其中，該驅動組件進一步包括一馬達及一螺桿，該套筒內部設有一與該螺桿配合內螺紋，該馬達設置於該套筒的一側，用於驅動該套筒沿著該螺桿軸向伸縮，以調整該跑步台的傾斜度。
一種用於流理台瓦斯爐舊換新之承架結構，包含：<br/> 一本體，係呈片狀，其設有一嵌置孔，於該嵌置孔的周緣設有向下延伸之定位片；<br/> 複數之管柱，係固定於該本體之該定位片，其係設有內螺紋，以供鎖入固定件；俾當流理台更換瓦斯爐時，將該本體置於該流理台，使該定位片伸入該流理台的開孔，使該固定件一端頂持於該開孔緣，用以遮蔽該流理台過大的該開孔，以供不同型式之瓦斯爐嵌置於該嵌置孔，達到更換該瓦斯爐之目的。
如請求項1所述之用於流理台瓦斯爐舊換新之承架結構，其中，該該本體之該定位片，係於適當位置設有由內向外之凹陷部，該管柱係設於該凹陷部。
如請求項2所述之用於流理台瓦斯爐舊換新之承架結構，其中，該管柱係包含一頭部，以及由該頭部延伸適當長度之柱狀部，該頭部係設於該凹陷部的內緣，該柱狀部係穿設於該凹陷部。
如請求項1所述之用於流理台瓦斯爐舊換新之承架結構，其中，該固定件係為螺栓。
一種研磨加工機，包括：<br/> 一底座；<br/> 一定位單元，設於該底座以供定位一工件；<br/> 一研磨單元，包含有一基座與一研磨件，該基座可移動地設於該底座，該研磨件設於該基座以供研磨該工件；及<br/> 一修整單元，包含有一移動模組與一修整器，該移動模組可相對活動地連接於該底座，該修整器設於該移動模組而可相對該研磨件移動地修整該研磨件。
如請求項1所述的研磨加工機，其中該定位單元包含有一旋轉台，該旋轉台設於該底座供令該工件沿一Z軸方向定位並可驅使該工件以一C軸線為軸心旋轉，該C軸線之延伸方向平行於該Z軸方向。
如請求項2所述的研磨加工機，其中該定位單元另包含有一頂針座，該頂針座可沿該Z軸方向移動地設於該底座，該頂針座與該旋轉台於該Z軸方向上呈間隔配置以供夾持定位該工件。
如請求項3所述的研磨加工機，其中該頂針座另包含有一滑座與一主體，該滑座可沿該Z軸方向移動地設於該底座，該主體可沿橫向該Z軸方向移動地設於該滑座。
如請求項3所述的研磨加工機，其中該頂針座另包含有一第一頂針，該定位單元另包含有一轉接頂針模組，該轉接頂針模組包含有一第二頂針，該轉接頂針模組可分離地組接於該頂針座，當該轉接頂針模組組接於該頂針座時，該第一頂針與該第二頂針呈不同軸配置。
如請求項1所述的研磨加工機，其中該研磨件係為砂輪，該研磨件可轉動地設於該基座，該修整器係為修砂滾輪，該修整器可轉動地設於該移動模組，該修整器之轉動軸心平行於該研磨件之轉動軸心。
如請求項1所述的研磨加工機，其中該移動模組包含有一第一進給組件與一第二進給組件，該第一進給組件可沿一Z軸方向移動地連接於該底座，該第二進給組件可沿一Y軸方向移動地設於該第一進給組件，該修整器設於該第二進給組件。
如請求項1至7其中任一項所述的研磨加工機，其中該基座可沿一X軸方向移動，該移動模組設於該基座，使得該修整器與該研磨件於該X軸方向上呈同動關係。
如請求項8所述的研磨加工機，其中該研磨單元另包含有一轉動座，該轉動座可以一A軸線為軸轉動地設於該基座，該修整器與該研磨件設於該轉動座上而呈同轉動關係，該A軸線之延伸方向平行於該X軸方向。
如請求項4所述的研磨加工機，其中該頂針座另包含有一第一頂針，該定位單元另包含有一轉接頂針模組，該轉接頂針模組包含有一第二頂針，該轉接頂針模組可分離地組接於該頂針座，當該轉接頂針模組組接於該頂針座時，該第一頂針與該第二頂針呈不同軸配置；該研磨件係為砂輪，該研磨件可轉動地設於該基座，該修整器係為修砂滾輪，該修整器可轉動地設於該移動模組，該修整器之轉動軸心平行於該研磨件之轉動軸心；該移動模組包含有一第一進給組件與一第二進給組件，該第一進給組件可沿一Z軸方向移動地連接於該底座，該第二進給組件可沿一Y軸方向移動地設於該第一進給組件，該修整器設於該第二進給組件；該基座可沿一X軸方向移動，該移動模組設於該基座，使得該修整器與該研磨件於該X軸方向上呈同動關係；該研磨單元另包含有一轉動座，該轉動座可以一A軸線為軸轉動地設於該基座，該修整器與該研磨件設於該轉動座上而呈同轉動關係，該A軸線之延伸方向平行於該X軸方向；該主體可沿該X軸方向移動地設於該滑座；該轉接頂針模組之一側套接於該第一頂針，該轉接頂針模組之另一側凸伸有該第二頂針；該第一頂針與該第二頂針於該X軸方向上呈平行配置；該C軸線垂直於該A軸線；該底座呈L型；該修整單元之體積小於該研磨單元之體積。
一種匯款防詐驗證系統，包括：一操作裝置，包括多個感測元件，該些感測元件用於在一使用者透過該操作裝置進行一匯款交易期間取得多筆感測資料，該些感測元件包含一環境光感測器及一收音裝置，該些感測資料包括多筆環境光資料及多筆聲音資料；一伺服器，連接於該操作裝置，用於自該些感測資料萃取出多個場景特徵值以產生一場景向量，根據該場景向量及對應於該些場景特徵值的多個權重計算一場景信任指數，並根據該場景信任指數決定是否執行該匯款交易。
如請求項1所述的匯款防詐驗證系統，其中該伺服器更用於：取得該些感測元件於一時間向量的多筆歷史感測資料；根據該些歷史感測資料產生多筆歷史場景向量；以及根據該些歷史場景向量產生於該時間向量的該些權重。
如請求項1所述的匯款防詐驗證系統，其中該環境光感測器於該匯款交易期間藉由大於或等於10赫茲之頻率取得該些環境光資料，以提供該伺服器計算該些環境光資料的光場變化梯度，該些場景特徵值包含該光場變化梯度。
如請求項1所述的匯款防詐驗證系統，其中該收音裝置於該匯款交易期間藉由大於或等於5赫茲之頻率取得多筆聲音資料，以提供該伺服器計算該些聲音資料的聲場能量變化，該些場景特徵值包含該聲場能量變化。
如請求項1所述的匯款防詐驗證系統，其中該些感測元件更包含一慣性測量單元，該慣性測量單元於該匯款交易期間藉由大於或等於50赫茲之頻率取得該操作裝置之運動資料，以提供該伺服器計算該操作裝置的運動向量，該些感測資料包含該操作裝置之運動資料，該些場景特徵值包含該操作裝置的該運動向量。
如請求項1所述的匯款防詐驗證系統，其中該些感測元件更包含一觸控感測器，該觸控感測器用於取得該操作裝置的操作節奏資料，且該伺服器於該匯款交易期間以該操作節奏資料為錨點定義一採樣時間窗口，根據該採樣時間窗口取得該些感測資料，並對該些感測資料進行時間戳記對齊。
如請求項1所述的匯款防詐驗證系統，其中該伺服器根據該場景信任指數決定是否執行該匯款交易包括：當該場景信任指數小於一第一門檻值時，該伺服器將該匯款交易轉送以進行人工覆核；當該場景信任指數大於或等於該第一門檻值且小於一第二門檻值時，進入一觀察延遲期，並向該操作裝置發送一行為挑戰程序；以及當該場景信任指數大於或等於該第二門檻值時，該伺服器允許該匯款交易執行。
如請求項7所述的匯款防詐驗證系統，其中當該場景信任指數大於或等於該第一門檻值且小於該第二門檻值時，該伺服器用於：指示該操作裝置凍結該匯款交易並進入該觀察延遲期；指示該操作裝置顯示一警示視窗，該警示視窗包含一風險揭露訊息及一確認選項；以及當該使用者透過該操作裝置選擇該確認選項時，指示該操作裝置執行該行為挑戰程序。
如請求項8所述的匯款防詐驗證系統，其中該伺服器更用於：根據該行為挑戰程序執行過程中所取得的該操作裝置之運動資料及一操作節奏資料，對該場景信任指數執行一修正計算，以產生一修正後場景信任指數；以及根據該修正後場景信任指數判定是否解除凍結該匯款交易以繼續執行該匯款交易。
一種智慧一站式金融電子帳單系統，該系統包含：<br/> 一資產整合伺服器，所述資產整合伺服器更包含：<br/> 一資產取得模組，依據一客戶識別資訊自一銀行基本業務伺服器取得介於一期間範圍的一基本資產資料，依據所述客戶識別資訊自一貸款業務伺服器取得介於所述期間範圍的一貸款資產資料，依據所述客戶識別資訊自一基金保險業務伺服器取得介於所述期間範圍的一基金保險資產資料；<br/> 一電子帳單生成模組，與所述資產取得模組相連，將所述基本資產資料、所述貸款資產資料以及所述基金保險資產資料進行資料標準化後，生成所述期間範圍的一電子整合資料表單；及<br/> 一電子表單提供模組，與所述電子帳單生成模組相連，透過所述客戶識別資訊對應的一提供方式將所述電子整合資料表單進行提供。
如請求項1所述的智慧一站式金融電子帳單系統，其中所述資產整合伺服器更包含一資料分析模組，所述資料分析模組分別與所述電子帳單生成模組以及所述電子表單提供模組相連，所述資料分析模組對所述期間範圍的所述基本資產資料、所述貸款資產資料以及所述基金保險資產資料進行分析，以基於所述基本資產資料、所述貸款資產資料以及所述基金保險資產資料的比率增減調整所述基本資產資料、所述貸款資產資料以及所述基金保險資產資料的一資料擷取比率，所述電子帳單生成模組再基於所述客戶識別資訊的一歷史交易行為對所述基本資產資料、所述貸款資產資料以及所述基金保險資產資料分別進行排序，將排序後的所述基本資產資料、所述貸款資產資料以及所述基金保險資產資料依據對應的所述資料擷取比率進行資料的擷取以額外生成所述期間範圍的一資產摘要表單，將所述資產摘要表單整合至所述電子整合資料表單。
如請求項1所述的智慧一站式金融電子帳單系統，其中所述資產整合伺服器更包含一資產分析模組，所述資產分析模組與所述電子帳單生成模組相連，所述資產分析模組將所述電子整合資料表單提供至一理財風險模型以生成一理財推薦資訊，透過所述客戶識別資訊對應的所述提供方式提供所述理財推薦資訊以提供對所述客戶識別資訊的主動理財行銷，或是將所述理財推薦資訊整合至所述電子整合資料表單，透過所述客戶識別資訊對應的所述提供方式提供包含所述理財推薦資訊的所述電子整合資料表單以提供對所述客戶識別資訊的主動理財行銷。
如請求項1所述的智慧一站式金融電子帳單系統，其中所述資產整合伺服器更包含一資產分析模組，所述資產分析模組與所述電子帳單生成模組相連，所述資產分析模組將所述電子整合資料表單提供至一理財風險模型以生成一風險警示資訊，透過所述客戶識別資訊對應的所述提供方式提供所述風險警示資訊以提供對所述客戶識別資訊的資產風險警示，或是將所述資產風險警示整合至所述電子整合資料表單，透過所述客戶識別資訊對應的所述提供方式提供包含所述資產風險警示的所述電子整合資料表單以提供對所述客戶識別資訊的資產風險警示。
如請求項1所述的智慧一站式金融電子帳單系統，其中所述電子帳單生成模組是依預先設定之欄位標準化規則，配合所述基本資產資料、所述貸款資產資料以及所述基金保險資產資料中名稱不一致但意義相同的項目進行欄位映射與合併，以將所述基本資產資料、所述貸款資產資料以及所述基金保險資產資料進行資料標準化處理。
一種溢光現象檢測裝置，其改良在於，包括：<br/> 安裝平臺，包括安裝表面；<br/> 物料載台，安裝於所述安裝平臺上，所述物料載台包括用於承載待檢測的物料的承載表面；<br/> 第一拍攝模組，位於所述物料載台的第一側，所述第一拍攝模組包括第一相機模組及第一固定板，所述第一相機模組包括用於獲取包括所述物料的圖像的第一相機，所述第一固定板與所述安裝平臺滑動連接，使得所述第一固定板能夠帶動所述第一相機沿第一方向移動，所述第一相機模組與所述第一固定板滑動連接，使得所述第一相機能夠在垂直於所述第一方向的平面內移動，從而使得所述第一相機的光軸與所述承載表面之間具有不同的第一夾角；以及<br/> 第二拍攝模組，位於所述物料載台的第二側，所述第二拍攝模組包括第二相機模組及第一導軌，所述第二相機模組包括用於獲取包括所述物料的圖像的第二相機，所述第一導軌與所述安裝平臺固定連接，所述第二相機模組與所述第一導軌滑動連接，使得所述第二相機能夠沿第二方向移動，從而使所述第二相機的光軸與所述承載表面之間具有不同的第二夾角，所述第二方向與所述安裝表面相互垂直。
如請求項1所述的溢光現象檢測裝置，其中，所述第一固定板上間隔開設有二第一通槽，所述二第一通槽的延伸方向相互平行；<br/> 所述第一相機模組包括第一底板，所述第一底板位於所述第一固定板與所述第一相機之間，所述第一底板與所述二第一通槽之間設置有複數第一滑塊，每個所述第一滑塊與所述第一底板固定連接，且每個所述第一滑塊與所述二第一通槽卡合連接。
如請求項2所述的溢光現象檢測裝置，其中，所述第一相機模組還包括連接所述第一相機與所述第一底板的第一微調組件，所述第一微調組件用於帶動所述第一相機相對於所述第一底板移動，以改變所述第一相機的拍攝角度。
如請求項1所述的溢光現象檢測裝置，其中，所述溢光現象檢測裝置還包括第三拍攝模組，位於所述物料載台的第三側，所述第三側與所述第一側為相對的兩側；<br/> 所述第三拍攝模組包括第二固定板及複數第三相機模組，每個所述第三相機模組包括用於獲取所述物料的圖像的複數第三相機，所述第二固定板與所述安裝平臺滑動連接，使得所述第二固定板能夠帶動所述第三相機沿所述第一方向移動，所述第三相機模組與所述第二固定板滑動連接，使得所述第三相機能夠在垂直於所述第一方向的平面內移動，從而使得所述第三相機的光軸與所述承載表面具有不同的第三夾角。
如請求項4所述的溢光現象檢測裝置，其中，所述第二固定板上間隔開設有複數第二通槽，所述複數第二通槽中每二所述第二通槽的延伸方向相互平行；<br/> 每個所述第三相機模組包括第二微調組件及第二底板，所述第二微調組件用於帶動所述第三相機相對於所述第二底板移動，以改變所述第三相機的拍攝角度；<br/> 每個所述第二底板位於所述第二固定板與所述第二微調組件之間，每個所述第二底板與二所述第二通槽之間設置有複數第二滑塊，每個所述第二滑塊與所述第二底板固定連接，且每個所述第二滑塊與所述複數第二通槽卡合連接。
如請求項4所述的溢光現象檢測裝置，其中，所述安裝平臺上設置有間隔平行的複數第二導軌，每個所述第二導軌的延伸方向與所述第一方向相互平行；<br/> 部分所述第二導軌位於所述第一側，所述第一固定板與部分所述第二導軌滑動連接，使得所述第一固定板能夠沿所述第一方向移動；另一部分所述第二導軌位於所述第三側，所述第二固定板與另一部分所述第二導軌滑動連接，使得所述第二固定板能夠沿所述第一方向移動。
如請求項1所述的溢光現象檢測裝置，其中，所述第二相機模組還包括第三底板，所述第三底板一側與所述第二相機連接，所述第三底板另一側與所述第一導軌滑動連接，使得所述第三底板能夠帶動所述第二相機沿所述第二方向移動。
如請求項7所述的溢光現象檢測裝置，其中，所述第二相機模組包括第三微調組件，連接於所述第二相機與所述第三底板之間，所述第三微調組件用於帶動所述第二相機相對於所述第三底板移動，以改變所述第二相機的拍攝角度。
如請求項8所述的溢光現象檢測裝置，其中，所述物料載台包括相鄰的第一側邊及第二側邊，所述第一側邊位於所述第一側，所述第二側邊位於所述第二側，所述第三底板遠離所述第一導軌的表面為傾斜表面，使得所述第二相機的光軸與所述第一側邊的延伸方向之間具有第四夾角。
如請求項9所述的溢光現象檢測裝置，其中，所述第一方向與所述第一側邊的延伸方向相互平行。
一種一體式電腦散熱器之扣具，包括：<br/> 主體，具有中間部及由該中間部向外延伸之翼片組，該翼片組具有固定翼片，該固定翼片遠離該中間部一側係外凸有扣接柱，該扣接柱縱軸向剖設有扣接槽；<br/> 固定桿，與該扣接槽同軸向扣組。
如請求項1所述一體式電腦散熱器之扣具，其中該固定桿具有桿身，該桿身設有凸台，該凸台供彈簧套組。
如請求項2所述一體式電腦散熱器之扣具，其中該扣接槽兩端分別設有第一槽口及第二槽口，當該固定桿與該扣接槽同軸向扣組時，該彈簧一端抵設於該第一槽口。
如請求項3所述一體式電腦散熱器之扣具，其中該桿身相反該彈簧一端套設有擋片，當該固定桿與該扣接槽同軸向扣組時，該擋片擋設於該第二槽口。
如請求項1所述一體式電腦散熱器之扣具，其中該扣接槽呈C型狀。
如請求項1所述一體式電腦散熱器之扣具，其中該固定桿為螺絲。
如請求項1所述一體式電腦散熱器之扣具，其中該主體係一體成型。
一種螺帽防鬆脫結構，其包含：<br/> 一第一螺帽，該第一螺帽具有一第一內環面與一第一外環面，該第一內環面與該第一外環面位於該第一螺帽的內外相對兩側，該第一內環面設置一第一內螺紋與一相鄰該第一內螺紋的內錐面，其中該內錐面的內徑朝靠近該第一內螺紋的方向逐漸縮小；以及<br/> 一第二螺帽，該第二螺帽具有一第二內環面、一第二外環面與一剖溝，該第二內環面與該第二外環面位於該第二螺帽的內外相對兩側，該第二內環面設置一匹配該第一內螺紋的第二內螺紋，該第二外環面設置一匹配該內錐面的外錐面，該外錐面由該第二外環面的一邊端朝內延伸且該外錐面的外徑朝靠近該邊端的方向逐漸縮小，該剖溝沿該第二螺帽的一軸向延伸而貫穿該第二螺帽，且該剖溝沿該第二螺帽的一徑向延伸且由該第二外環面貫穿至該第二內環面；其中，該內錐面與該外錐面被配置為，該外錐面伸入該內錐面時，該內錐面壓制該外錐面而迫使該剖溝縮小而使該第二內螺紋的內徑縮小而小於該第一內螺紋。
如請求項1項所述的螺帽防鬆脫結構，其中該第二外環面的該邊端之處具有一相連該第二內環面的端環面，而該第一內螺紋與該內錐面的相鄰處具有一段差環面，該段差環面的徑寬為小於該端環面的徑寬。
如請求項1項所述的螺帽防鬆脫結構，其中該第二外環面設置一遠離該邊端且相連該外錐面的限位環面。
如請求項1項所述的螺帽防鬆脫結構，其中該第一外環面與該第二外環面分別具有一符合六角螺帽規格的六角環面。
一種共生養殖設備，包含：<br/> 一水族養殖模組，包括一水族缸及一連通設置在該水族缸的下游的淨化裝置，該水族缸用於容置一水產動物及做為該水產動物的生長環境的養殖水，該淨化裝置用於對來自於該水族缸的該養殖水進行過濾而得到一淨化水；<br/> 一藻類養殖模組，包括一連通設置在該淨化裝置的一輸出管的下游的藻種液製備器、一連通設置在該藻種液製備器的下游的光合生物反應器，及連通該光合生物反應器的一營養液供應裝置及一氣體供應裝置，該藻種液製備器用於在來自於該淨化裝置的該淨化水中添加藻種而形成一藻種液，該光合生物反應器用於供來自於該藻種液製備器的該藻種液、來自於該營養液供應裝置的一營養液，與來自該氣體供應裝置的二氧化碳進行藻類養殖而形成一養殖產物；<br/> 一收藻處理模組，包括一設置在該光合生物反應器的下游的固液分離裝置、一設置在該固液分離裝置的下游的藻泥壓製裝置，及一設置在該藻泥壓製裝置的下游的自動投餵裝置，該固液分離裝置用於使來自於該光合生物反應器的該養殖產物分離成一回收水及一藻泥，該固液分離裝置還輸送該回收水到該水族缸中，該藻泥壓製裝置用於將來自於該固液分離裝置的該藻泥製成一飼料，該藻泥壓製裝置還將該飼料輸送至該自動投餵裝置，該自動投餵裝置用於將該飼料自動投餵至該水族缸中，其中，該固液分離裝置與該水族缸、該淨化裝置、該輸出管、該藻種液製備器及該光合生物反應器構成一閉合導流循環；及<br/> 一監控模組，包括一裝設在該光合生物反應器的多參數偵測裝置，及一與該多參數偵測裝置訊號連接的遠端控制裝置，該多參數偵測裝置用於監測該光合生物反應器中的藻類生長狀態、水質酸鹼值、溫度及二氧化碳濃度，而對應產生並傳送訊息至該遠端控制裝置，該遠端控制裝置具有一雲端伺服系統，該雲端伺服系統用於同時控制該藻類養殖模組的藻類養殖與該自動投餵裝置的自動投餵的頻率。
如請求項1所述的共生養殖設備，其中，該固液分離裝置具有：<br/> 一固液分離單元，連通於該光合生物反應器且用於將來自於該光合生物反應器中的該養殖產物進行固液分離而獲得相互分離的一藻廢水及該藻泥，及<br/> 一過濾單元，設置在該固液分離單元的下游且該過濾單元具有一連通該水族缸的出水端，該過濾單元用於將來自於該固液分離單元的該藻廢水進行過濾而形成該回收水，且該回收水經由該出水端輸送到該水族缸中。
如請求項2所述的共生養殖設備，其中，該藻泥壓製裝置設置在該固液分離單元的下游，用於將來自於該固液分離單元的該藻泥壓製成該飼料。
如請求項1所述的共生養殖設備，其中，該多參數偵測裝置具有一用來測量該光合生物反應器中的溫度的測溫件，該測溫件偵測到該光合生物反應器中的溫度未符合一設定的溫度時，該測溫件產生並傳送一溫度異常警示訊息至該遠端控制裝置。
如請求項4所述的共生養殖設備，其中，該藻類養殖模組還包括一裝設於該光合生物反應器的控溫裝置，該遠端控制裝置還訊號連接該控溫裝置，該雲端伺服系統根據該溫度異常警示訊息產生並傳送一溫度調節請求至該控溫裝置，該控溫裝置根據該溫度調節請求將該光合生物反應器中的溫度調整至符合該設定的溫度。
如請求項1所述的共生養殖設備，其中，該多參數偵測裝置具有一用來測量該光合生物反應器中的水質酸鹼值的酸鹼值檢測件，該遠端控制裝置還訊號連接該營養液供應裝置，該酸鹼值檢測件偵測到該光合生物反應器中的水質酸鹼值未符合一設定的pH值時，該酸鹼值檢測件產生並傳送一酸鹼值異常警示訊息至該遠端控制裝置，該雲端伺服系統根據該酸鹼值異常警示訊息傳送一酸鹼值調節請求至該營養液供應裝置，該營養液供應裝置根據該酸鹼值調節請求而輸送該營養液至該光合生物反應器中，以將該光合生物反應器中的水質酸鹼值調整至符合該設定的pH值。
如請求項1所述的共生養殖設備，其中，該多參數偵測裝置具有一用來測量該光合生物反應器中的藻類生長狀態的藻濃度檢測件，該藻類生長狀態包括藻濃度，該遠端控制裝置還訊號連接該光合生物反應器，該藻濃度檢測件偵測到該光合生物反應器中的藻濃度達到一收藻標準時，該藻濃度檢測件產生並傳送一收藻訊息至該遠端控制裝置，該雲端伺服系統根據該收藻訊息傳送一採收請求至該光合生物反應器，該光合生物反應器根據該採收請求輸送該養殖產物至該收藻處理模組。
如請求項7所述的共生養殖設備，其中，該遠端控制裝置還訊號連接該藻種液製備器，該藻濃度檢測件偵測到該光合生物反應器中的藻濃度低於一閾值時，該藻濃度檢測件產生並傳送一藻種不足警示訊息至該遠端控制裝置，該雲端伺服系統根據該藻種不足警示訊息傳送一藻種添加請求至該藻種液製備器，該藻種液製備器根據該藻種添加請求輸送該藻種液至該光合生物反應器內。
如請求項1所述的共生養殖設備，其中，該多參數偵測裝置具有一用來測量該光合生物反應器中的二氧化碳濃度的二氧化碳濃度檢測件，該二氧化碳濃度檢測件根據偵測到的二氧化碳濃度，該二氧化碳濃度檢測件產生並傳送一二氧化碳濃度訊息至該遠端控制裝置，該雲端伺服系統讀取該二氧化碳濃度訊息並記錄該二氧化碳濃度訊息中的二氧化碳濃度。
一種用在開關電源中的控制晶片，其特徵在於，所述開關電源包括變壓器和耐壓功率電晶體，所述控制晶片包括：<br/> 功率電晶體，該功率電晶體連接在所述耐壓功率電晶體的閘極和地之間，當所述耐壓功率電晶體和所述功率電晶體均處於導通狀態時，所述變壓器的一次側電感經由所述耐壓功率電晶體和所述功率電晶體接地；<br/> 自供電開關，該自供電開關的第一端連接用於為所述控制晶片供電的晶片供電電容、第二端連接所述耐壓功率電晶體的源極，用於在所述開關電源處於正常工作狀態時控制所述變壓器的一次側電感電流經由所述耐壓功率電晶體對所述晶片供電電容的充電；<br/> 高壓啟動開關，該高壓啟動開關的第一端經由電流設置單元連接所述晶片供電電容、第二端連接所述耐壓功率電晶體的源極，在所述控制晶片剛上電時的預設狀態為導通狀態，用於在所述控制晶片啟動過程中控制所述變壓器的一次側電感電流經由所述耐壓功率電晶體對所述晶片供電電容的充電；以及<br/> 所述電流設置單元，被配置為在所述高壓啟動開關處於導通狀態時，基於所述變壓器的一次側電感電流生成用於對所述晶片供電電容充電的、大小固定的充電電流。
如請求項1所述的控制晶片，其中，所述控制晶片還包括晶片供電二極體，該晶片供電二極體的陽極連接所述耐壓功率電晶體的源極、陰極連接所述自供電開關的第二端，用於防止從所述晶片供電電容到所述功率電晶體的電流反灌。
如請求項1所述的控制晶片，其中，所述控制晶片還包括晶片供電二極體，該晶片供電二極體的陽極連接所述自供電開關的第一端、陰極連接所述晶片供電電容，用於防止從所述晶片供電電容到所述功率電晶體的電流反灌。
如請求項1所述的控制晶片，其中，所述控制晶片還包括供電電壓檢測單元，該供電電壓檢測單元被配置為在所述晶片供電電容上的晶片供電電壓達到所述控制晶片的欠壓保護閾值時，生成用於控制所述高壓啟動開關從導通狀態變為關斷狀態的開關控制信號。
如請求項1所述的控制晶片，其中，所述控制晶片還包括輕載供電開關，該輕載供電開關的第一端經由所述電流設置單元連接所述晶片供電電容、第二端連接所述耐壓功率電晶體的源極，用於在所述開關電源處於輕載工作狀態時控制所述變壓器的一次側電感電流經由所述耐壓功率電晶體對所述晶片供電電容的充電，並且所述電流設置單元還被配置為在所述輕載供電開關處於導通狀態時，基於所述變壓器的一次側電感電流生成用於對所述晶片供電電容充電的、大小固定的充電電流。
如請求項1所述的控制晶片，其中，所述控制晶片還包括自供電控制單元，該自供電控制單元被配置為基於所述晶片供電電容上的晶片供電電壓和用於控制所述開關電源的系統工作頻率的脈寬調變控制信號生成用於控制所述自供電開關的導通與關斷的開關控制信號。
如請求項5所述的控制晶片，其中，所述控制晶片還包括自供電控制單元，該自供電控制單元被配置為基於所述晶片供電電容上的晶片供電電壓和用於控制所述開關電源的系統工作頻率的脈寬調變控制信號生成用於控制所述輕載供電開關的導通與關斷的開關控制信號。
如請求項6所述的控制晶片，其中，所述自供電控制單元包括第一分壓電阻、第二分壓電阻、遲滯比較器、第一二輸入及閘、第二二輸入及閘、以及二輸入反或閘。
如請求項8所述的控制晶片，其中，所述第一分壓電阻和所述第二分壓電阻串聯連接在所述晶片供電電壓和地之間，所述遲滯比較器的正相輸入端連接到所述第一分壓電阻和所述第二分壓電阻之間的連接點、反相輸入端用於接收預設的供電分壓閾值，所述第一二輸入及閘的第一輸入端連接到所述遲滯比較器的輸出端、第二輸入端用於接收最小充電時間指示信號，所述二輸入反或閘的第一輸入端連接到所述第一二輸入及閘的輸出端、第二輸入端用於接收最大充電比值指示信號，所述第二二輸入及閘的第一輸入端連接到所述二輸入反或閘的輸出端、第二輸入端用於接收所述脈寬調變控制信號、輸出端輸出用於所述自供電開關的開關控制信號，所述最小充電時間指示信號指示所述晶片供電電容的充電時間達到預設的最小充電時間，所述最大充電比值指示信號指示所述晶片供電電容的充電時間與所述脈寬調變控制信號為高位準的持續時間的比值達到預設的最大比值。
如請求項7所述的控制晶片，其中，所述自供電控制單元包括第一分壓電阻、第二分壓電阻、遲滯比較器、二輸入及閘、第一反相器、以及第二反相器。
如請求項10所述的控制晶片，其中，所述第一分壓電阻和所述第二分壓電阻串聯連接在所述晶片供電電壓和地之間，所述遲滯比較器的正相輸入端連接到所述第一分壓電阻和所述第二分壓電阻之間的連接點、反相輸入端用於接收預設的輕載供電閾值，所述第一反相器的輸入端連接到所述遲滯比較器的輸出端，所述第二反相器的輸入端用於接收所述脈寬調變控制信號，所述二輸入及閘的第一端連接到所述第一反相器的輸出端、第二端連接到所述第二反相器的輸出端、輸出端輸出用於所述輕載供電開關的開關控制信號。
如請求項1所述的控制晶片，其中，所述控制晶片還包括閘極放電二極體、泄放電阻、以及充電電阻，其中，所述閘極放電二極體和所述泄放電阻串聯連接在所述耐壓功率電晶體的閘極和地之間，所述充電電阻連接在所述耐壓功率電晶體的閘極和地之間並且與所述閘極放電二極體和所述泄放電阻並聯。
如請求項1所述的控制晶片，其中，所述耐壓功率電晶體由D-GaN器件實現。
一種開關電源，包括請求項1至13中任一項所述的控制晶片。
一種電連接器，其中，包括：<br/> 絕緣本體；<br/> 第一端子組，前述第一端子組至少部分設置於前述絕緣本體，前述第一端子組包括第一端子和第二端子，前述第一端子包括第一基部和與前述第一基部相連的複數個第一彈臂，前述第二端子包括第二基部和與前述第二基部相連的複數個第二彈臂，前述第一基部沿第一方向與前述第二基部之間具有第一空間；以及<br/> 第一散熱件，前述第一散熱件至少部分設於前述第一空間。
如請求項1所述的電連接器，其中，前述第一散熱件為金屬材質，前述第一散熱件包括兩個第一散熱部和連接兩個前述第一散熱部的第一安裝部，前述第一安裝部位於前述第一空間內，前述第一散熱部位於前述第一空間外。
如請求項2所述的電連接器，其中，前述第一安裝部沿第二方向的尺寸大於前述第一散熱部的尺寸，前述第二方向與前述第一方向垂直。
如請求項2所述的電連接器，其中，前述第一散熱部包括與前述第一安裝部相連的第一延伸部、間隔設置的複數第一散熱塊和間隔設置的複數第二散熱塊，前述第一散熱塊和前述第二散熱塊連接於前述第一延伸部厚度方向的兩側，且前述第一散熱塊與前述第二散熱塊錯位排佈。
如請求項1所述的電連接器，其中，前述第一基部包括與前述第一彈臂相連的第一固持部和與前述第一固持部相連的第一焊接部，前述第二基部包括與前述第二彈臂相連的第二固持部和與前述第二固持部相連的第二焊接部，前述第一焊接部沿前述第一方向與前述第二焊接部之間具有前述第一空間，前述第一焊接部背向前述第一散熱件的一側、前述第二焊接部背向前述第一散熱件的一側均配置為連接線纜。
如請求項5所述的電連接器，其中，前述第一焊接部自前述第一固持部向遠離前述第二焊接部方向彎折延伸，和/或，前述第二焊接部自前述第二固持部向遠離前述第一焊接部方向彎折延伸。
如請求項5所述的電連接器，其中，前述第一固持部與前述第二固持部藉由緊固件連接，前述緊固件為壓鉚螺柱。
如請求項5所述的電連接器，其中，前述第一固持部和前述第二固持部均位於前述絕緣本體的第一收納腔內，前述第一焊接部和前述第二焊接部位於前述第一收納腔外，<br/> 前述第一固持部設有第一凹口，前述第二固持部設有第二凹口，前述絕緣本體的第一側壁部設有通孔，前述通孔內設有限位件，前述限位件伸入前述第一凹口和前述第二凹口。
如請求項1所述的電連接器，其中，複數個前述第一彈臂和複數個前述第二彈臂排成一排，且前述第一彈臂和前述第二彈臂沿第三方向交替循环設置，前述第一彈臂包括第一接觸部，前述第二彈臂包括第二接觸部，複數個前述第一接觸部和複數個前述第二接觸部沿第二方向錯開設置。
如請求項1所述的電連接器，其中，前述電連接器包括第一接地件和第二接地件，前述第一接地件包括第一殼部、與前述第一殼部兩端垂直連接的兩個第二殼部，前述第一殼部設有第一卡條，前述第二殼部遠離前述第一殼部的一端設有第二卡條，前述第二接地件包括第三殼部、與前述第三殼部兩端垂直連接的兩個第四殼部，前述第三殼部設有第三卡條，前述第四殼部遠離前述第三殼部的一端設有第四卡條，<br/> 前述絕緣本體設有座體，前述座體設有供前述第一卡條卡入的第一卡槽、供前述第二卡條卡入的第二卡槽、供前述第三卡條卡入的第三卡槽和供前述第四卡條卡入的第四卡槽。
一種可拆卸鍋把手，包括上把手以及設置在該上把手上能夠開合的下把手，該上把手上設置有用於夾緊用具的夾緊裝置，且該上把手上設置有用於促使該上把手復原以及該夾緊裝置能夠鬆開的快拆機構，其中該快拆機構包括設置在該上把手上的定位銷，在該上把手內部設置有以該定位銷為支點來回轉動的轉動件，該轉動件上設置有按壓件，該上把手內部設置有沿著該上把手長度方向來回滑動的滑動組件，該上把手內部設置有用於限制該滑動組件前後運動的前固定座和後固定座，該前固定座和後固定座均與該上把手為一體成型。
如請求項1所述的可拆卸鍋把手，其中該轉動件包括設置在所<br/> 述定位銷上的轉動體，所述轉動體的一側下端面設置有推杆，所述轉動體的一<br/> 側上端面設置有凸塊，所述凸塊上設置有所述按壓件，且所述推杆上設置有上斜坡，所述滑動組件包括設置在所述上把手內部來回移動的滑動件，所述前固定座上設置有前通孔，所述後固定座上設置有後通孔，所述滑動件上設置與所述上斜坡相配合的下斜坡，在與所述前固定座相接觸的所述滑動件上設置有複位件。
如請求項2所述的可拆卸鍋把手，其中該滑動件內部開有用於所述推杆來回運動的安裝孔，且在所述安裝孔一側設置有所述下斜坡。
如請求項2所述的可拆卸鍋把手，其中該滑動件上設置有所述下斜坡。
如請求項2或3或4所述的可拆卸鍋把手，其中該轉動體、推杆和凸塊為一體成型。
如請求項1或2或3或4所述的可拆卸鍋把手，其中該夾緊裝置包括與所述下把手前端固定連接在聯杆，所述聯杆上設置有與所述聯杆一體成型的耙體，所述耙體上設置有前鎖座，所述聯杆上設置有定位圓片，所述定位銷穿過所述定位圓片。
如請求項6所述的可拆卸鍋把手，其中該聯杆與所述下把手之間通過緊固件固定連接在一起。
如請求項6所述的可拆卸鍋把手，其中該前鎖座相對應的所述上把手上設置有後鎖座。
如請求項1或2或3或4所述的可拆卸鍋把手，其中該下把手包括與所述夾緊裝置固定連接的柄體，所述柄體後側的上端面設置有限位座，所述滑動組件後端面設置有傾斜面，所述限位座上設置有用於與帶有所述傾斜面的所述滑動組件後端面相配合的卡槽，所述柄體前部的下端面設置有固定杆，而在所述上把手前部的下端面設置有限位杆，所述固定杆與所述限位杆之間通過回位件相連接。
如請求項9所述的可拆卸鍋把手，其中該上把手的前端下方設置有保護蓋。
一種資訊顯示裝置，包含一顯示模組，以及電性連接該顯示模組之一供電模組，其特徵在於：<br/> 該資訊顯示裝置不包含外部電源接口，在無須連接一外部電源的情況下，藉由設置於內部的該供電模組提供能量予該顯示模組進行顯示。
如請求項1所述之資訊顯示裝置，其中該資訊顯示裝置進一步包括包覆該顯示模組與該供電模組之一外殼。
如請求項2所述之資訊顯示裝置，其中該外殼不包含外部電源接口。
如請求項1所述之資訊顯示裝置，其中該供電模組設置於該顯示模組之一側，用以吸收穿透該顯示模組的一環境光，進而對該顯示模組供電。
如請求項1所述之資訊顯示裝置，更包含：<br/> 一通訊模組，訊號連接該顯示模組，並自一外部裝置存取一顯示資訊並顯示。
一種資訊顯示系統，主要應用於一醫療院所，該資訊顯示系統包含：<br/> 一資料庫，包含一顯示資訊；<br/> 一控制器，訊號連接該資料庫，並接收該顯示資訊；以及<br/> 複數個如請求項1至請求項5任一項所述之資訊顯示裝置，訊號連接該控制器，以接收該顯示資訊並顯示。
如請求項6所述之資訊顯示系統，其中每一該些資訊顯示裝置更包含：<br/> 一通訊模組，訊號連接該資料庫，並自該資料庫存取該顯示資訊。
如請求項6所述之資訊顯示系統，其中該些資訊顯示裝置包括一第一資訊顯示裝置、一第二資訊顯示裝置，以及一第三資訊顯示裝置。
如請求項8所述之資訊顯示系統，其中該第一資訊顯示裝置設置於一病床附近，用以顯示一患者資訊，該第二資訊顯示裝置設置於一病房內部或外部，用以顯示一衛教資訊，該第三資訊顯示裝置設置於一液滴供給裝置上，用以顯示一液滴注射資訊。
如請求項9所述之資訊顯示系統，其中該第三資訊顯示裝置進一步包括有顯示該液滴注射資訊之一驗證標籤，而該第一資訊顯示裝置進一步包括有一影像擷取模組與一警示模組，該控制器驅動該影像擷取模組擷取該驗證標籤之該液滴注射資訊並進行判斷，當該控制器判斷該液滴注射資訊與該患者資訊不符時，該控制器驅動該警示模組產生一警示訊號。
一種多功能電源整合應用之電子裝置保護殼，係至少包含：<br/>一保護殼本體，其一面設有一容置部；<br/>一太陽能模組，其設於該保護殼本體之另一面；<br/>一電源管理模組，其設於該保護殼本體且電連接該太陽能模組；<br/>一蓄電模組，其設於該保護殼本體且電連接該電源管理模組；<br/>一連接模組，其設於該保護殼本體且電連接該電源管理模組；以及<br/>一光源模組，其設於該保護殼本體且電連接該電源管理模組。
如請求項1所述之多功能電源整合應用之電子裝置保護殼，其中該太陽能模組為柔性太陽能板。
如請求項1所述之多功能電源整合應用之電子裝置保護殼，其中該電源管理模組包括有一光電轉換器及一電源處理器，該光電轉換器電連接該太陽能模組、該電源處理器與該蓄電模組，該連接模組與該光源模組電連接該電源處理器。
如請求項1所述之多功能電源整合應用之電子裝置保護殼，其中該電源管理模組為晶片、電路板、邏輯電路或其組合。
如請求項1所述之多功能電源整合應用之電子裝置保護殼，其中該蓄電模組為二次電池。
如請求項1所述之多功能電源整合應用之電子裝置保護殼，其中該連接模組包括有至少一板端連接器及至少一線端連接器。
如請求項6所述之多功能電源整合應用之電子裝置保護殼，其中該連接模組更進一步包括有一無線發射線圈。
如請求項1所述之多功能電源整合應用之電子裝置保護殼，其中該光源模組包括有至少一LED燈珠及一開關，該開關電連接該LED燈珠與該電源管理模組。
一種鋁碳化矽金屬與玻璃直接封接之熔封部件，包括：一金屬桿，其係由鋁碳化矽(AlSiC)複合材料所構成，該金屬桿的熱膨脹係數介於6ppm/K至12ppm/K之間；以及一玻璃塊，係由軟化溫度介於450°C至600°C之低熔點玻璃所構成；其中，該玻璃塊直接封接於該金屬桿之表面，且該金屬桿與該玻璃塊之間不具備非自然形成的表面粗化層、預氧化層、金屬活化層或電鍍層。
如請求項1所述的鋁碳化矽金屬與玻璃直接封接之熔封部件，其中該金屬桿之熱傳導係數為150W/m·K至200W/m·K之間。
如請求項2所述的鋁碳化矽金屬與玻璃直接封接之熔封部件，其中該低熔點玻璃係選自氧化鉛系玻璃、氧化鉍系玻璃或錫鋅系玻璃其中之一。
如請求項3所述的鋁碳化矽金屬與玻璃直接封接之熔封部件，其中該金屬桿之熱膨脹係數依據碳化矽(SiC)的含量進行調控，適用該低熔點玻璃的較佳值為9ppm/K。
如請求項1所述的鋁碳化矽金屬與玻璃直接封接之熔封部件，其中該熔封部件係應用於光電模組封裝、微機電系統(MEMS)感測器、功率電子散熱底座或航太級電子元件。
如請求項1所述的鋁碳化矽金屬與玻璃直接封接之熔封部件，其中該金屬桿具有微氧化表面結構，用於與該玻璃塊達成機械咬合與化學鍵結。
一種輕量彈力之拖鞋鞋底結構，其包括: <br/>一拖鞋鞋底，該拖鞋鞋底具有頂面、底面及側牆面，該頂面設有一組接槽，該組接槽設有至少一穿孔，該穿孔貫穿至該底面，該組接槽組設有一支撐板體，該支撐板體具有可繞性，該底面透過該穿孔可視該支撐板體，該側牆面穿設有複數鏤空穿孔；以及<br/> 一鞋墊，該鞋墊組設於該拖鞋鞋底之該頂面，該鞋墊頂面設有複數止滑凸點。
如請求項1所述之輕量彈力之拖鞋鞋底結構，其中，該支撐板體為碳纖維材質製成。
如請求項2所述之輕量彈力之拖鞋鞋底結構，其中，該拖鞋鞋底為超臨界發泡輕量鞋底，由高分子發泡材料製成，該高分子發泡材料為TPU、EVA、PEBA或前述材料兩種以上之混合材料。
如請求項3所述之輕量彈力之拖鞋鞋底結構，其中，該支撐板體之大小，大於該穿孔之大小，小於該組接槽之大小。
如請求項4所述之輕量彈力之拖鞋鞋底結構，其中，該拖鞋鞋底之該底面設有複數凸塊及複數溝槽。
如請求項5所述之輕量彈力之拖鞋鞋底結構，其中，該拖鞋鞋底之該側牆面設有複數凹陷槽體。
一種用於戶外使用的穹頂帳篷，其特徵在於：包括兩根主桿、一根副桿、兩個側面板和外帳；主桿和副桿均呈彎曲狀設置；兩根主桿呈彎曲狀設置，其開口側的兩端位於帳篷與地面安裝的安裝面上，且在俯視安裝面的狀態下彼此交叉設置，以支撐外帳形成自立式穹頂結構；兩個側面板安裝設置於外帳在橫向方向上的兩側；兩個側面板在俯視狀態下夾設於兩根主桿之間；副桿呈彎曲狀設置；副桿架設在外帳上，並與主桿交叉設置，副桿的兩端分別連接於兩個側面板，並沿橫向方向對外帳施加張力。
如請求項1所述的用於戶外使用的穹頂帳篷，其中在俯視狀態下，帳篷整體呈多邊形設置；兩個側面板分別構成多邊形對應的其中兩條邊，並且，側面板所構成的邊的長度大於多邊形中至少一條不由側面板構成的其他邊的長度。
如請求項1所述的用於戶外使用的穹頂帳篷，其中側面板相對於安裝面之間的角度為60度以上90度以下。
如請求項1所述的用於戶外使用的穹頂帳篷，其中側面板包括彎曲部和直線部，直線部安裝設置於安裝面上；彎曲部固定設置於直線部遠離安裝面的一側，彎曲部的兩端和直線部的兩端固定連接，合圍形成進出口；側面板的進出口上鋪設有覆蓋部；覆蓋部為布料或開設有若干網眼的網狀結構的網狀布，形成對應的布料門或網狀門；覆蓋部與側面板或外帳固定連接；或，覆蓋部的局部與側面板或外帳固定連接，其餘部分則與側面板或外帳可拆連接。
如請求項4所述的用於戶外使用的穹頂帳篷，其中還包括側桿；沿側面板的彎曲部的彎曲形狀設置有側套筒；側桿穿設於側套筒內，以用於維持側面板的形狀。
如請求項1所述的用於戶外使用的穹頂帳篷，其中外帳的前側沿橫向方向設置有副套管，副桿穿過副套管設置；外帳在橫向方向的兩側分別固定設置有固定套，固定套設置於側面板的上方；副桿的兩端的端部分別穿設於固定套內，以將副桿的兩端限定在外帳上；副桿相對於安裝面呈傾斜設置，且其與安裝面之間形成的夾角的角度為20度以上。
如請求項1所述的用於戶外使用的穹頂帳篷，其中還包括內帳，內帳可拆設置於外帳內；內帳包括第一內帳部和第二內帳部，以及用於連接第一內帳部和第二內帳部的內帳連接部；其中，第一內帳部和第二內帳部分別沿對應的側面板設置；將位於兩個側面板之間的邊定義為中間邊時，內帳連接部沿所述中間邊設置；第一內帳部與第二內帳部彼此相對設置，在俯視圖中呈V字形設置；內帳連接部內可拆設置有內帳隔斷構件，以用於可選擇地將第一內帳部與第二內帳部彼此隔斷。
如請求項7所述的用於戶外使用的穹頂帳篷，其中第一內帳部和第二內帳部均設置有側窗部，所述側窗部朝向對應的側面板設置，且形狀與側面板的輪廓相匹配；側窗部上可拆或局部可拆設置有網狀門或布料門，以用於通風、保溫或人員進出。
如請求項1所述的用於戶外使用的穹頂帳篷，其中外帳遠離安裝面的頂部開設有開口部，所述開口部可選擇性地鋪設有網狀布料、透明部件或布料；外帳的前側設置有可開啟結構，可開啟結構包括可卷起的卷起部或通過外設的支撐桿向外撐起形成的遮陽部。
如請求項1所述的用於戶外使用的穹頂帳篷，其中外帳上設置有與主桿對應的主套管，兩個主套管交叉呈X形設置；主桿分別穿設於對應的主套管中，以支撐並張緊外帳。
一種AI互動式平台網站系統，其特徵在於，包含：<br/> 一使用者端裝置，其具有至少一多模態輸入介面，用以接收使用者輸入之文字指令、語音訊號或影像訊號，並具有一動態顯示層，用以呈現網頁內容；<br/> 一核心運算平台裝置，電性連接於該使用者端裝置；<br/> 至少一外部資源端裝置，電性連接於該核心運算平台裝置，其包含一外部應用服務模組及一第三方資料庫；其中，<br/> 該核心運算平台裝置包括：<br/> 一意圖解析與語系識別模組，用以對該文字指令或語音訊號進行自然語言分析，以識別使用者之操作意圖及目標語系；<br/> 一動態佈局渲染引擎模組，用以依據所識別之操作意圖與目標語系，即時計算並生成對應之文件物件模型（DOM）結構，以形成自適應之網頁版面；<br/> 一跨平台資源路由閘道模組，用以根據該操作意圖，向該外部應用服務模組或該第三方資料庫發送對應之存取請求，以取得原始業務資料；<br/> 其中該些外部資源端裝置，透過應用程式介面（API）與該跨平台資源路由閘道模組通訊；<br/> 該動態佈局渲染引擎模組係依據所取得之原始業務資料及該操作意圖，於不需重新載入頁面之情況下，動態重構網頁之顯示結構，以呈現符合使用者當下需求之客製化網頁內容。
如請求項1所述之系統，其中該核心運算平台裝置更包含一生成式內容重組模組，用以將該原始業務資料轉譯為至少一多媒體輸出內容。
如請求項2所述之系統，其中該生成式內容重組模組包含一大型語言模型摘要單元，用以對該原始業務資料進行語意摘要，並產生結構化內容。
如請求項2所述之系統，其中該生成式內容重組模組包含一文件渲染單元，用以將該結構化內容映射至預設模板，以生成簡報檔或文件檔。
如請求項2所述之系統，其中該生成式內容重組模組包含一語音合成單元，用以將該結構化內容轉換為語音檔案。
如請求項1所述之系統，其中該核心運算平台裝置更包含一生物特徵驗證模組，用以對該影像訊號進行身分驗證，並於驗證成功時產生一全域存取憑證。
如請求項6所述之系統，其中該跨平台資源路由閘道模組係攜帶該全域存取憑證，向該外部應用服務模組或第三方資料庫發送所述存取請求，以實現跨平台之單一登入存取。
如請求項1所述之系統，其中該意圖解析與語系識別模組係依據該語音訊號之聲學特徵，自動判斷該目標語系，並觸發該動態佈局渲染引擎模組進行語系切換之版面重構。
如請求項2所述之系統，其中該動態佈局渲染引擎模組係依據該操作意圖，於該網頁版面中動態插入對應之功能元件，以呈現與該多媒體輸出內容相對應之播放或顯示介面。
如請求項1所述的系統，其中該使用者端裝置、該外部資源端裝置為自手機、個人電腦、筆記型電腦、桌上型電腦、智能配戴裝置、智能行動裝置、智能交通工具、雲端伺服器、終端機、智慧雲、互動式機器人、AI裝置構成群組中所選出之至少一種或彼等之組合。
一種防滑脫管路連接器，包含：<br/> 一連接公頭，該連接公頭包含一第一入口端、一第一出口端與一限位件，其中該第一入口端與該第一出口端分別設置於該連接公頭之相對兩端，該限位件設置於該連接公頭鄰近該第一入口端之一側；及<br/> 一連接母頭，可選擇性地與該連接公頭進行插接，該連接母頭包含一第二入口端、一第二出口端、一套合槽、一止擋結構與一逆止閥，其中該第二入口端與該第二出口端分別設置於該連接母頭之相對兩端，該止擋結構設置於該套合槽內壁鄰近該第二入口端一側，可選擇性地與該限位件匹配對接，該逆止閥設置於該套合槽內壁，其中，該限位件至該第一出口端之直線距離為a，該止擋結構至該逆止閥距離該第二入口端最遠之直線距離為b，其中a與b的關係為 0≦(a-b)≦5 mm。
如請求項1所述之防滑脫管路連接器，其中該連接公頭由該第一入口端向該第一出口端方向漸縮。
如請求項2所述之防滑脫管路連接器，其中該連接公頭包含圓錐形、探針形、階梯式、圓弧漸縮、楔形、漏斗形、喇叭形或指數形漸縮。
如請求項1所述之防滑脫管路連接器，其中該限位件的截面直徑c與該止擋結構環設包圍出的空心圓截面直徑d，其關係為15＞c＞d＞1 mm。
如請求項1所述之防滑脫管路連接器，其中該限位件包含磁吸、卡勾或定位珠之至少一種。
如請求項1所述之防滑脫管路連接器，該止擋結構包含磁吸、卡槽或定位槽之至少一種，用以適配該限位件。
如請求項1所述之防滑脫管路連接器，其中該逆止閥包含鴨嘴閥、傘狀閥或膜狀閥之至少一種。
如請求項1所述之防滑脫管路連接器，其中該逆止閥包含鴨嘴閥，該鴨嘴閥狹窄處朝向該第二出口端。
如請求項1所述之防滑脫管路連接器，其中該連接母頭還包含一固定片，設置於該連接母頭鄰近該第二出口端之一側。
如請求項9所述之防滑脫管路連接器，其中該固定片寬度介於1 cm至3 cm。
如請求項1所述之防滑脫管路連接器，其中該連接母頭包含彈性高分子或金屬彈性材料中至少一種。
如請求項1所述之防滑脫管路連接器，其中該連接公頭還連接一第一管體，該第一管體連接於該第一入口端。
如請求項1所述之防滑脫管路連接器，其中該連接母頭還連接一第二管體，其中該第二管體連接該第二出口端。
一種屋突支撐結構，其設置於一頂板層上，包含：<br/>複數個第一支撐座，其間隔設置於該頂板層上；<br/>至少二第二支撐座，二該第二支撐座的一端個別與一承重柱連接，各該第二支撐座設於該些第一支撐座的兩側，二該第二支撐座的另一端支撐於與一屋突建築物的一承重結構；以及<br/>複數個支撐體，其與該些第一支撐座相對應，且該些第一支撐座支撐於該些支撐體之一端，該些支撐體的另一端則支撐於該屋突建築物的一樓板層。
如請求項1所述之屋突支撐結構，其包含：<br/>至少一支撐板，其設置於該些第一支撐座上，並位於二該第二支撐座之間，使得該些第一支撐座支撐該支撐板。
如請求項2所述之屋突支撐結構，其中，該支撐板係覆蓋於二該第二支撐座之間圍設的一屋突區域，該些第一支撐座設置於該屋突區域上。
如請求項2或3所述之屋突支撐結構，其中，該支撐板係為鋼承板。
如請求項1所述之屋突支撐結構，其中，各該第二支撐座的另一端支撐於與該屋突建築物的該承重結構，使得該承重結構與該承重柱之間設有一預設提高距離。
如請求項5所述之屋突支撐結構，其中，該預設提高距離係為20至40公分。
如請求項5所述之屋突支撐結構，其中，該頂板層灌漿形成一屋頂層時，二該第二支撐座係埋入該屋頂層內。
如請求項1所述之屋突支撐結構，其中，各該第一支撐座之間設有一預設間距，以間隔設置於該頂板層，該預設間距係為80至100公分。
如請求項1所述之屋突支撐結構，其中，該第一支撐座係為鋼樑，該第二支撐座係為鋼樑或模板材料。
如請求項1所述之屋突支撐結構，其中，該支撐體係為鋼管。
一種工地環境監測看板，其包含：<br/> 一電子顯示面板，具有一電子元件，該電子元件藉由一傳輸線電性連接一感測單元；<br/> 其中，該電子顯示面板具有一抬頭區、一偵測項目區及一數據顯示區，該感測單元用以即時感測工地現場之各項環境數據，並將所感測之各項環境數據即時顯示於該電子顯示面板之該數據顯示區。
如請求項1所述之工地環境監測看板，該電子顯示面板之該偵測項目區至少包含：<br/> PM2.5 細懸浮微粒、PM10 懸浮微粒、噪音、溫度、濕度、熱指數及危害等級；<br/> 且該數據顯示區對應於該偵測項目區之該PM2.5 細懸浮微粒、PM10 懸浮微粒、噪音、溫度、濕度、熱指數及危害等級之各鄰側位置分別設有一對應之數據欄位，並於各該數據欄位之鄰側設有相對應之數據單位。
如請求項2所述之工地環境監測看板，其中該電子顯示面板之該偵測項目區進一步包含風速，且該數據顯示區於對應風速之鄰側位置設有一數據欄位。
如請求項1所述之工地環境監測看板，其中該電子顯示面板進一步設有一日期顯示區，用以顯示當前日期資訊。
如請求項1所述之工地環境監測看板，其中該感測單元包含一感測器，該感測器之外側罩設有一遮罩；<br/> 該遮罩底部設有複數支撐架，所述支撐架連結於一底座，且各該支撐架之末端設有一固定端以固定連結於該底座；<br/> 另該感測器之一端設有一連接部，該連接部電性延伸設有一傳輸線，該底座於對應該連接部之位置貫穿設有一導孔，使該傳輸線穿經該導孔；<br/> 而該電子顯示面板之後側設有一電性接端，以供該傳輸線之末端電性連接。
如請求項5所述之工地環境監測看板，其中該底座之另一端設有一定位部，該定位部設有若干定位孔，並可藉由至少一螺固元件固定於牆面或其他支撐結構上。
如請求項1所述之工地環境監測看板，其中該電子顯示面板於預定位置設有一電源接部，該電源接部連接一電源線，且該電源線之一自由端設有一電源接端。
一種一體式散熱器結構，其包括有：<br/>一用於接觸熱源之導熱組，其包括有多數個平行設置之導熱鰭片，各導熱鰭片之間具有一對流空間，該對流空間於該導熱鰭片之一上側形成有一第一開口，且於該導熱鰭片之一前側形成有一第二開口；<br/>一散熱組，其包括有多數個平行設置之散熱鰭片，該散熱組藉由一熱管與該導熱組相連接；<br/>一軸流式風扇，其設於該導熱組之上側且位於該第一開口外，該軸流式風扇可產生一自該第一開口進入該對流空間之第一氣流；<br/>一離心式風扇，其設於該導熱組之前側且位於該第二開口外，該離心式風扇可產生一自該對流空間流出該第二開口之第二氣流；<br/>一機殼，該導熱組、該散熱組、該軸流式風扇及該離心式風扇係組設於該機殼上。
如請求項1所述之一體式散熱器結構，其中，該離心式風扇包括有一葉輪及一驅動該葉輪轉動之電機組，該機殼對應該離心式風扇設有一進風口及一出風口，其中該進風口與該出風口分別位於該葉輪之徑向上，使該第二氣流沿該葉輪之徑向流動。
如請求項2所述之一體式散熱器結構，其中，該進風口與該出風口分別係位於該葉輪之徑向上的兩相對側。
如請求項1至3任一項所述之一體式散熱器結構，其中，更包括有一設於該散熱組上側之風扇，其可驅動一第三氣流吹向該散熱鰭片。
如請求項4所述之一體式散熱器結構，其中，該風扇係為軸流式風扇。
如請求項5所述之一體式散熱器結構，其中，該風扇係組設於該機殼上。
一種電子裝置，係包括：線路結構，係具有相對之第一表面及第二表面，且包含貫穿該第一表面及該第二表面之複數導熱穿孔；以及電子元件，係具有相對之作用面及非作用面，且於該作用面上形成有複數電性接觸墊以及形成於該作用面的周側之複數散熱墊，其中，各該電性接觸墊與該線路結構之該第一表面電性連接，且各該散熱墊與各該導熱穿孔電性連接。
如請求項1之電子裝置，其中，該線路結構復包含形成於該第二表面且電性接觸各該導熱穿孔之複數接地墊。
如請求項2之電子裝置，復包括形成於該線路結構的該第二表面之複數導電凸塊以及形成於該接地墊上之複數散熱凸塊。
如請求項1之電子裝置，其中，該散熱墊之面積大於該電性接觸墊。
如請求項1之電子裝置，其中，該電子元件係為主動元件或被動元件。
一種一體成型式可回收墊體之製造裝置，其係包含有：<br/> 一輸送單元，其係沿一預定路徑進行移動，該輸送單元係具有至少一下模；<br/> 一第一成型裝置，其係設置於該預定路徑上，該第一成型裝置包含有至少一第一上模，該第一上模與該下模間係界定有一第一成型空間；<br/> 一第一灌注裝置，其係配置於該第一上模之一側，該第一灌注裝置係用以輸出一TPU (Thermoplastic Polyurethane，熱塑性聚胺基甲酸酯)原料並灌注至該第一成型空間內以成型一表皮；<br/> 一第二成型裝置，其係設置於該預定路徑上且設置於該第一成型裝置之後側，該第二成型裝置係包含有一第二上模，該第二上模係配置有一底座，該第二上模及/或該底座與該下模之表皮間係界定有一第二成型空間；<br/> 一第二灌注裝置，其係配置於該第二上模之一側，該第二灌注裝置用以輸出一TPU發泡原料、TPU超臨界發泡原料或PUR (Polyurethane Foam，聚胺酯發泡)發泡原料並灌注至該第二成型空間內以成型一發泡之內層，使該表皮、該底座與該內層結合成一體，以完成為一墊體。
依據請求項1所述之一體成型式可回收墊體之製造裝置，其中，該第一灌注裝置係包含有一容置體，該容置體內係形成有一容室，該容室之一端係連接有一供料機構，該供料機構係裝設有一異氰酸鹽聚合物以及一多元醇，其中，該多元醇以及該異氰酸鹽聚合物之莫爾比為1：2.5至1：10，該容室之另端係連接該第一成型空間，該容置體之一端係設有一馬達，該馬達係連接有一對彼此平行之螺桿並設置於該容室內，並可受該馬達驅轉作動。
依據請求項2所述之一體成型式可回收墊體之製造裝置，其中，該供料機構係為複數個料桶或一料斗。
依據請求項1所述之一體成型式可回收墊體之製造裝置，其中，該第二上模相對該下模之一側係配置有該底座。
依據請求項1所述之一體成型式可回收墊體之製造裝置，其中，該第二灌注裝置係包含有一容置體，該容置體係連接有一供料機構，用以輸入一TPU發泡原料、TPU超臨界發泡原料或PUR(Polyurethane Foam，聚胺酯發泡)發泡原料，該容置體係為高壓混合頭，該供料機構係為複數個料桶，該複數個料桶係分別裝設有一異氰酸鹽聚合物和一多元醇，其中，該異氰酸鹽聚合物以及該多元醇之比例係介於10：100至50：100、10：100至100：100或50：100至100：100，該容置體另端係連接該第二成型空間，用以將該TPU發泡、TPU超臨界發泡或PUR發泡輸出並灌注至該第二成型空間內以成型一發泡之內層，使該表皮、該底座與該內層結合成一體，以完成為一墊體。
依據請求項1所述之一體成型式可回收墊體之製造裝置，其中，該底座之材質係為高硬度TPU。
依據請求項1所述之一體成型式可回收墊體之製造裝置，其中，該第一上模係配置於該下模上方並可相互對合，以使兩者間具備一閉合狀態及一開啟狀態。
依據請求項1所述之一體成型式可回收墊體之製造裝置，其中，該第二上模係配置於該下模上方，並可相互對合，以使兩者間具備一閉合狀態及一開啟狀態。
一種具向量圖形化路徑輸入裝置之製鞋機，其包括：<br/> 一輸入裝置，該輸入裝置包括一檔案接收單元及一輪廓擷取軟體，該檔案接收單元接收向量圖檔之電子檔，該輪廓擷取軟體能夠將向量圖檔中的鞋底輪廓直接取出形成一鞋模圖像；以及<br/> 一製鞋設備，該製鞋設備與該輸入裝置訊號連接用以接收該鞋模圖像，該製鞋設備包括一塗膠單元，該塗膠單元根據該鞋模圖像進行塗膠黏合鞋面。
如請求項1所述之具向量圖形化路徑輸入裝置之製鞋機，其中，該輪廓擷取軟體包括一輪廓選取單元，該輪廓選取單元採用數學公式演算，自動將向量圖檔中的點、直線、曲線進行判斷，直接取出鞋底輪廓，並將鞋底輪廓形成該鞋模圖像。
如請求項2所述之具向量圖形化路徑輸入裝置之製鞋機，其中，該輪廓選取單元供操作者以手動選取方式直接取出鞋底輪廓，並將鞋底輪廓形成該鞋模圖像。
如請求項3所述之具向量圖形化路徑輸入裝置之製鞋機，其中，該檔案接收單元以有線傳輸方式、無線傳輸方式或網路傳輸方式進行接收檔案，該輸入裝置傳送該鞋模圖像至該製鞋設備的方式為藍芽、Wi-Fi、USB傳輸線、無線網路或有線網路，該輸入裝置採用行動通訊裝置、平板、筆電或桌上型電腦，該製鞋設備採用前幫機或中後幫機。
如請求項1所述之具向量圖形化路徑輸入裝置之製鞋機，其中，該輪廓擷取軟體還包括一輪廓調整單元，該輪廓調整單元能夠對該鞋模圖像進行自動調整或手動調整，調整方式包括平移、旋轉、放大、縮小或左右鏡射該鞋模圖像，該製鞋設備還包括一路徑調整單元，該路徑調整單元能夠調整塗膠的路徑，該路徑調整單元能夠對該鞋模圖像進行自動調整或手動調整，調整方式包括平移、旋轉、放大、縮小或左右鏡射該鞋模圖像，該路徑調整單元能夠設定該鞋模圖像的偏移量，進而生成該製鞋設備之塗膠路徑。
如請求項5所述之具向量圖形化路徑輸入裝置之製鞋機，其中，該輪廓調整單元係根據該鞋模圖像的最遠兩個點定義出中心軸線，中心軸線的垂直方向係用以定義出該鞋模圖像的相對長度，中心軸線的兩側係自動產生共60-120個複數標定點，各該標定點能夠手動微調。
如請求項1所述之具向量圖形化路徑輸入裝置之製鞋機，其中，該輪廓擷取軟體還包括一圖檔讀取單元，該圖檔讀取單元能夠讀取向量圖檔。
如請求項1所述之具向量圖形化路徑輸入裝置之製鞋機，其中，該輪廓擷取軟體還包括一設備選取單元，該設備選取單元用以挑選欲傳輸的該製鞋設備，該輪廓擷取軟體還包括一傳送確認單元，該傳送確認單元用以將該鞋模圖像傳送至該製鞋設備，當該設備選取單元選定該製鞋設備後，點選該傳送確認單元用以將該鞋模圖像傳送至選定的該製鞋設備。
一種撐台高度自動化調整裝置，其耦接於製鞋機的電腦控制單元，該自動化調整裝置包括：<br/> 一往復運動機構，其設於製鞋機並連接於撐台的一端，該往復運動機構使撐台產生上升和下降的往復運動；<br/> 一第一驅動總成，其設於製鞋機且耦接於製鞋機的電腦控制單元並能接收其所發送之訊號；以及<br/> 一第一傳動總成，其設於該往復運動機構且連接於該第一驅動總成，該第一傳動總成由該第一驅動總成帶動而自動調整該往復運動機構的行程。
如請求項1所述之撐台高度自動化調整裝置，其中，該第一驅動總成包括一第一馬達及一第一鍊輪，該第一馬達設於製鞋機且耦接於製鞋機的電腦控制單元並能接收其所發送之訊號，該第一鍊輪設於該第一馬達。
如請求項2所述之撐台高度自動化調整裝置，其中，該第一馬達採用伺服馬達、步進馬達、搭配有編碼器之馬達、搭配有電子尺之馬達或搭配有光柵之馬達。
如請求項3所述之撐台高度自動化調整裝置，其中，該第一驅動總成更包括設於該第一馬達及該第一鍊輪之間的一第一聯軸器及一第一軸桿，該第一聯軸器連接於該第一馬達之心軸，該第一軸桿設於該第一聯軸器而能夠由該第一馬達帶動而同步旋轉。
如請求項2所述之撐台高度自動化調整裝置，其中，該往復運動機構包括一缸體、一缸桿及一限位件，該缸體一端設於製鞋機，該缸桿滑動的穿設於該缸體，該缸桿具有伸出該缸體頂端的一工作段及伸出該缸體底端的一限位段，該工作段連接於撐台的底端，該限位件設於該限位段且該限位件於半徑方向上的距離大於該限位段於半徑方向上的距離。
如請求項5所述之撐台高度自動化調整裝置，其中，該往復運動機構更包括一軸套，該軸套一端結合於該缸體下方，且該軸套套設於該限位段，該軸套開設一限位槽，該限位槽供該限位件伸出。
如請求項6所述之撐台高度自動化調整裝置，其中，該第一傳動總成包括一第一底座、一第一調整套、一第一調整座、一第一齒盤及一第一鍊條，該第一底座設於該缸體的一端，該第一調整套轉動的設於該第一底座，該第一調整座設於該第一調整套與該缸桿之間，該第一調整座與該第一調整套之間採用螺紋配合，該第一齒盤設於該第一調整套的外周緣，該第一鍊條安裝於該第一齒盤與該第一鍊輪之間。
如請求項7所述之撐台高度自動化調整裝置，其中，該自動化調整裝置更包括一第二驅動總成及一第二傳動總成，該第二驅動總成設於製鞋機且耦接於製鞋機的電腦控制單元並能接收其所發送之訊號，該第二傳動總成設於該往復運動機構且連接於該第二驅動總成，該第二傳動總成能夠由該第二驅動總成帶動而自動調整該往復運動機構的行程極限，該第一傳動總成位於該限位段靠近該缸體的一端，用以限制該往復運動機構的上升行程極限，該第二傳動總成位於該限位段遠離該缸體的一端，用以限制該往復運動機構的下降行程極限。
如請求項8所述之撐台高度自動化調整裝置，其中，該第二驅動總成包括一第二馬達及一第二鍊輪，該第二馬達設於製鞋機且耦接於製鞋機的電腦控制單元並能接收其所發送之訊號，該第二鍊輪設於該第二馬達且能夠跟著同步旋轉，該第二馬達採用伺服馬達、步進馬達、搭配有編碼器之馬達、搭配有電子尺之馬達或搭配有光柵之馬達，該第二傳動總成包括一第二底座、一第二調整套、一第二調整座、一第二齒盤及一第二鍊條，該第二底座設於該軸套遠離該缸體的一端，該第二調整套轉動的設於該第二底座，該第二調整座設於該第二調整套與該缸桿之間，該第二調整座與該第二調整套之間採用螺紋配合，該第二齒盤設於該第二調整套的外周緣，該第二鍊條安裝於該第二齒盤與該第二鍊輪之間。
如請求項9所述之撐台高度自動化調整裝置，其中，該往復運動機構更包括一設於該缸體外的終點感應器及一設於該限位件一端的壓板，該第一傳動總成更包括一設於該第一調整座的一第一極限感測器，該第二傳動總成更包括一設於該第二調整座的一第二極限感測器。
一種組合件單元，其包含：一中央主板部，其具有一第一平面；至少一對第一斜角端部，該對第一斜角端部分別自該中央主板部的相對兩端向外延伸，且位於該中央主板部兩端的一第一斜對角位置，各該第一斜角端部於距離該中央主板部一第一折彎距離處，朝該第一平面所在的一側折彎形成一第一折彎角度；以及至少一對第二斜角端部，該對第二斜角端部分別自該中央主板部的相對兩端向外延伸，且位於該中央主板部兩端與該第一斜角端部相對應的一第二斜對角位置，各該第二斜角端部於距離該中央主板部一第二折彎距離處，朝該第一平面所在的一側折彎形成一第二折彎角度；其中，該第一折彎距離大於該第二折彎距離。
如申請專利範圍第1項所述之組合件單元，其中各該第一斜角端部與相鄰之各該第二斜角端部之間，因該第一折彎距離大於該第二折彎距離，而形成一向外錯位空間以及一向內錯位空間；當複數個該組合件單元彼此首尾對接時，各該組合件單元係藉由將其中一該第一斜角端部配置於該向外錯位空間以形成一第一疊合部，並將其中一該第二斜角端部配置於該向內錯位空間以形成一第二疊合部，使相鄰的二該組合件單元相互搭接。
如申請專利範圍第2項所述之組合件單元，其中該等第一斜角端部與該等第二斜角端部係呈多邊形或斜切形狀，使相鄰之各該組合件單元於組裝時，藉由形狀設計使該第一疊合部與該第二疊合部呈錯位對應配置，以形成連續之一轉角結構。
如申請專利範圍第2項所述之組合件單元，其中該組合件單元更包含複數個定位件；該等第一斜角端部各設置有一母定位孔，該等第二斜角端部各設置有一子定位孔；當複數個組合件單元相互首尾對接時，該第一斜角端部與該第二斜角端部於該向外錯位空間或該向內錯位空間內互為搭接，且該母定位孔與相鄰之該子定位孔對應配置，並藉由其中一該定位件進行定位。
如申請專利範圍第2項所述之組合件單元，其中該等第一斜角端部各設置有一母定位件，該等第二斜角端部各設置有一子定位件；當複數個組合件單元相接時，其中一該第一斜角端部配置於該向外錯位空間，且該母定位件與相接之該第二斜角端部的該子定位件相互耦合以進行定位；而其中一該第二斜角端部配置於該向內錯位空間，且該子定位件與相接之該第一斜角端部的該母定位件相互耦合以進行定位。
如申請專利範圍第2項所述之組合件單元，其中複數個該組合件單元彼此首尾對接後，沿周向形成封閉之一多邊形框體。
如申請專利範圍第2項所述之組合件單元，其中複數個該組合件單元彼此首尾對接並經鎖固後，形成開放式、封閉式、半封閉式或放射狀之一立體結構。
如申請專利範圍第1項所述之組合件單元，其中該組合件單元更包含至少一個側斜板部，該至少一個側斜板部自該中央主板部的一側向外延伸，並朝該第一平面所在的一側折彎形成一側彎角度，以使該側斜板部與該中央主板部共同形成V字形之一強化結構。
如申請專利範圍第2項所述之組合件單元，其中該組合件單元更包含至少一個側斜板部，該至少一個側斜板部自該中央主板部的一側向外延伸，並朝該第一平面所在的一側折彎形成一側彎角度，使該至少一個側斜板部與該中央主板部共同形成V字形之一強化結構；其中該至少一個側斜板部更包含有複數個連接部，當複數個該組合件單元彼此首尾對接，且使各該側斜板部配置於同一平面區域時，該些連接部係共同用以連接一平板，使該平板以可活動地開啟或關閉、或以可拆卸之方式封閉該平面區域。
如申請專利範圍第8項或第9項所述之組合件單元，其中該至少一個側斜板部遠離該中央主板部的兩端角為斜角形狀，當複數個該組合件單元彼此首尾對接時，各該端角之斜角形狀會相互靠接，以形成端角間之支撐接觸關係。
一種可重組式結構，其包含：複數個如申請專利範圍第1項所述之組合件單元；其中該些組合件單元係沿該可重組式結構之外圍方向彼此首尾相接並相互搭接，以形成具有內部空間之一立體結構。
如申請專利範圍第11項所述之可重組式結構，其中該立體結構係由至少6個該組合件單元所組裝而成。
如申請專利範圍第11項所述之可重組式結構，其中複數個該立體結構可沿垂直及平行方向彼此堆疊擴充。
如申請專利範圍第11項所述之可重組式結構，其中該些組合件單元更包含有：複數個第一組合件單元，該中央主板部沿其長軸方向具有一第一長度；以及複數個第二組合件單元，該中央主板部沿其長軸方向具有一第二長度；其中該第一長度大於該第二長度。
如申請專利範圍第11項所述之可重組式結構，其中該些組合件單元更包含有：複數個第一組合件單元；以及複數個第二組合件單元；其中該些第一組合件單元的該第一折彎角度及該第二折彎角度與該第二組合件單元的該第一折彎角度及該第二折彎角度不同。
一種釣魚天秤，其具有： <br/>一桿體，其具有兩端；以及 <br/>二第一連接組件，其分別可轉動地設置於該桿體的兩端；各該第一連接組件具有： <br/>一套接部，其具有一第一端及一第二端，該第一端套設於該桿體的其中一端部；該套接部具有： <br/>一套筒，其套設於該桿體的其中一端部；該套筒形成該套接部的該第一端；及 <br/>一連接件，其設置於該套筒上並形成該套接部的該第二端；及 <br/>一環形部，其設置於該套接部的該第二端；該連接件連接該套筒及該環形部； <br/>一第二連接組件，該第二連接組件設置於該桿體的兩端之間，該第二連接組件具有一環體。
如請求項1所述之釣魚天秤，其中： <br/>該套筒上形成一套筒插孔； <br/>該連接件上形成一連接件插孔；且 <br/>該套接部更具有一插銷，該插銷同時穿設於該套筒插孔及該連接件插孔，藉此連接該套筒及該連接件。
如請求項1所述之釣魚天秤，其中，該套筒與該連接件透過焊接而相固定。
如請求項1至3中任一項所述之釣魚天秤，其中，各該第一連接組件具有一套膜，其包覆該套接部。
如請求項1至3中任一項所述之釣魚天秤，其中： <br/>至少一該套接部形成一通道，該通道連通該套接部的該第一端及該第二端；該通道形成有一小口徑段及一大口徑段，且該小口徑段較接近該第一端，該大口徑段較接近該第二端；且 <br/>該桿體的至少一端部為扁平狀，該桿體呈扁平狀的該端部位於該大口徑段內。
一種格柵之固定裝置，用以輔助一格柵結構(3)固定於一連接板體(2)，該格柵之固定裝置(1)包含： <br/>一頂抵件(11)，設置於該格柵結構(3)之一格柵頂端(3a)，且該頂抵件(11)用於增加該格柵結構(3)與該連接板體(2)之間的一接觸面積，使該格柵結構(3)更穩固的與該連接板體(2)連接在一起；以及 <br/>兩個延伸板體(12)，自該頂抵件(11)之一頂抵件底部(11b)延伸至該格柵結構(3)之該格柵頂端(3a)的一嵌槽(31)內，並且該頂抵件(11)之該頂抵件底部(11b)與該兩個延伸板體(12)遠離彼此的兩側之間具有兩個卡槽(121)，該兩個卡槽(121)用於使該格柵之固定裝置(1)卡合於該格柵結構(3)之該格柵頂端(3a)，讓該格柵結構(3)穩固地設置於該格柵之固定裝置(1)上。
如請求項1所述之格柵之固定裝置，其中該頂抵件(11)自一頂抵件頂部(11a)到該頂抵件底部(11b)貫穿有複數個孔洞，而該複數個孔洞供複數個固定件(S)設置，且每一該固定件(S)的一部份位於該兩個延伸板體(12)之間，每一該固定件(S)的另一部份穿過每一該孔洞延伸至該連接板體(2)，使該格柵結構(3)、該頂抵件(11)與該連接板體(2)彼此鎖固在一起。
如請求項1所述之格柵之固定裝置，其中該兩個延伸板體(12)與該頂抵件(11)之該頂抵件底部(11b)之間分別具有兩個夾角(θ)，該兩個夾角(θ)使該頂抵件(11)之該頂抵件底部(11b)該兩個延伸板體(12)之間形成該兩個卡槽(121)。
如請求項3所述之格柵之固定裝置，其中該夾角(θ)小於90度，使該兩個延伸板體(12)以弧形的方式向彼此延伸，並呈現圓弧態樣。
如請求項1所述之格柵之固定裝置，其中該格柵結構(3)之該嵌槽(31)的一槽底寬度大於該嵌槽(31)的一槽口寬度，使該嵌槽(31)的兩側於該格柵頂端(3a)向內形成兩個嵌合部(32)，該兩個嵌合部(32)用於卡入該格柵之固定裝置(1)之該兩個卡槽(121)內，且每一該嵌合部(32)位於每一該延伸板體(12)的一上半部(12a)位置。
如請求項5所述之格柵之固定裝置，其中在該格柵之固定裝置(1)設置於該格柵結構(3)之該格柵頂端(3a)時，該格柵頂端(3a)之該兩個嵌合部(32)面相彼此的兩個嵌合部接觸面(321)與該兩個延伸板體(12)遠離彼此的該兩側接觸，以增加該兩個延伸板體(12)與該格柵頂端(3a)之該兩個嵌合部(32)的一接觸面積，使該格柵結構(3)更穩固地設置於該格柵之固定裝置(1)上。
如請求項1所述之格柵之固定裝置，其中該格柵結構(3)之該格柵頂端(3a)具有一容置槽口(33)，該容置槽口(33)的一槽口寬度大於該嵌槽(31)的該槽口寬度，以用於容置該頂抵件(11)，使該頂抵件(11)之一頂抵件頂部(11a)與該格柵結構(3)之該格柵頂端(3a)對齊於同一水平線，以最大化該格柵結構(3)與該連接板體(2)之間的該接觸面積。
一種出料結構改良之軟膠管，該軟膠管包括一軟管頭部及一出料管，其特徵在於：<br/> 該軟管頭部之一開口形成有一環狀凹槽，該出料管之一連接部設於該環狀凹槽內，使該出料管之該連接部與該軟管頭部之該環狀凹槽之間形成複數接觸面，以增加該出料管及該軟管頭部之結合穩定性。
如請求項1所述之出料結構改良之軟膠管，其中該軟管頭部係以射出成形方式形成於該出料管上。
如請求項1所述之出料結構改良之軟膠管，其中該連接部形成有至少一第一凹凸紋結構，且該環狀凹槽於對應位置形成有與該至少一第一凹凸紋結構對應之至少一第二凹凸紋結構。
如請求項3所述之出料結構改良之軟膠管，其中該至少一第一凹凸紋結構及該至少一第二凹凸紋結構係為環狀、波浪狀或齒狀之至少一者。
如請求項1所述之出料結構改良之軟膠管，更包括一隔斷件，設置於該軟管頭部內部，該隔斷件包括：<br/> 一底盤，其外徑與該軟管頭部之內徑相對應；以及<br/> 一出料嘴，自該底盤向前延伸，與該底盤垂直，並伸入該出料管之一出料口。
如請求項5所述之出料結構改良之軟膠管，其中該隔斷件配置於該出料管與該軟管頭部之間，以使該軟膠管內部之內料不直接接觸該出料管之內壁。
如請求項5所述之出料結構改良之軟膠管，其中該隔斷件係透過一卡合結構固定於該軟管頭部內。
如請求項5所述之出料結構改良之軟膠管，其中該隔斷件與該軟管頭部係一體成型。
如請求項5所述之出料結構改良之軟膠管，其中該隔斷件之該底盤內更設置一止回閥，使內料擠入該隔斷件後不會再回流到該軟膠管中。
如請求項9所述之出料結構改良之軟膠管，其中該止回閥為一字槽式止回閥。
如請求項1所述之出料結構改良之軟膠管，其中該連接部之底邊設有複數凹部及複數凸部，該等凹部及該等凸部間隔設置，該等凸部與該環狀凹槽之底部連接，該等凹部與該環狀凹槽底部之間的空隙形成複數通氣孔。
一種用以過濾重金屬鉬之過濾裝置，藉以過濾來自一排放源之一含鉬液體，包括：<br/> 一容液槽體，具有一過濾腔室及連通該過濾腔室之一入液口、以及一出液口，該容液槽體具有一上蓋、一下蓋以及該過濾腔室，其中該上蓋設有該入液口，該下蓋設有該出液口，該過濾腔室一端與該上蓋以法蘭固定方式組設結合，該過濾腔室另一端與該下蓋以法蘭固定方式組設結合，且該出液口及該入液口連通於該過濾腔室；<br/> 一調整板，藉由一高度調整機構設置於靠近該入液口處，且該調整板具有複數個透液孔；<br/> 一固定板，固定於該過濾腔室中靠近該出液口處，且該固定板具有複數個網孔；<br/> 一纖維過濾單元，依序具有互相連結之一第一連接件、複數纖維束以及一第二連接件，該第一連接件連接於該調整板，該第二連接件連接於該固定板，且該纖維束表面具有一吸附膜，使該含鉬液體流經該纖維過濾單元，透過該吸附膜吸附並過濾懸浮於該含鉬液體中的一鉬微細顆粒後，以得到一澄清液；以及<br/> 一自動多向控制閥，其設置於該出液口上，用以控制排出該澄清液；<br/> 其中，透過該自動多向控制閥加入一主劑於該過濾腔室，使該些纖維束浸泡於該主劑中，再加入一固化造膜劑至該過濾腔室，使該些纖維束表面之該主劑與該固化造膜劑交互作用，生成該吸附膜，以於廢液處理過程中吸附並過濾鉬離子及微細顆粒。
如申請專利範圍第1項所述的用以過濾重金屬鉬之過濾裝置，其中該調整板可沿該高度調整機構上下調整位置以改變水流通過該透液孔之流速。
如申請專利範圍第1項所述的用以過濾重金屬鉬之過濾裝置，其中該些纖維束為多股合成纖維材料編織而成。
如申請專利範圍第1項所述的用以過濾重金屬鉬之過濾裝置，其中該些纖維束為但不限於為聚丙烯、聚偏二氟乙烯材料製成。
如申請專利範圍第1項所述的用以過濾重金屬鉬之過濾裝置，其中該些纖維束可替換以延長整體裝置使用壽命。
如申請專利範圍第1項所述的用以過濾重金屬鉬之過濾裝置，其中該些纖維束的纖維單絲直徑為約50微米，長度為300毫米至1500毫米。
如申請專利範圍第1項所述的用以過濾重金屬鉬之過濾裝置，其中該吸附膜為由含有胺基或硫醇官能基之高分子材料或非有機物材料形成。
如申請專利範圍第1項所述的用以過濾重金屬鉬之過濾裝置，其中該自動多向控制閥具有反向導流模式以進行纖維束沖洗。
如申請專利範圍第1項所述的用以過濾重金屬鉬之過濾裝置，其中該主劑與該固化造膜劑之比例為重量比1:0.5至1:2之間。
一種天線模組，包含：<br/> 至少一插座組件，包括一插座及一插座同軸連接器，該插座具有一插座本體、以及一貫通該插座本體的插座對接通道，該插座對接通道的一端設有一插座接口，該插座同軸連接器設置於該插座對接通道，並具有一插座連接端子；以及<br/> 至少一天線組件，包括一外殼、一天線單元、一基座、以及一天線同軸連接器，該外殼定義有一容置空間，並具有一與該容置空間連通的開口及一定位部，該定位部鄰近於該開口處設置，該天線單元設置於該容置空間，該基座具有一基座本體、一貫通該基座本體的天線對接通道及複數個定位槽，該基座本體樞接於該外殼且鄰近於該開口處，該天線對接通道遠離該外殼的一端設有一天線接口，該些定位槽形成於該基座本體的相對兩側面並分別沿不同方向延伸，該天線同軸連接器設置於該天線對接通道，並具有與該天線單元訊號連接的一天線連接端子；<br/> 其中，該基座本體能夠圍繞一第一旋轉軸相對於該外殼轉動，該定位部嵌合於其中一定位槽，使該基座本體相對於該外殼被限位於多個特定角度位置之一；<br/> 其中，當該天線組件接合於該插座組件時，該基座伸入至該插座對接通道，使該天線接口接合於該插座接口，該天線連接端子電性接觸於該插座連接端子，且該天線模組能夠圍繞一第二旋轉軸相對於該插座組件轉動。
如請求項1所述的天線模組，包含複數個插座組件及複數個天線組件，其中一天線組件的該天線單元與該第一旋轉軸之間以一間隔距離間隔，且該間隔距離不同於其中另一天線組件的一間隔距離。
如請求項1所述的天線模組，還包含一支架，用以固定該插座組件。
如請求項1所述的天線模組，其中，該插座組件還包括一插座限位部，該插座限位部設置於該插座本體且鄰近該插座接口處，該天線組件還包括一天線限位部，該天線限位部設置於該基座本體且鄰近於該天線接口處；<br/> 其中，該插座限位部的形狀與該天線限位部的形狀相匹配，當該天線組件接合於該插座組件，該天線限位部與該插座限位部彼此嵌合，使該天線組件能夠圍繞該第二旋轉軸相對於該插座組件轉動時，並被限位於多個特定角度位置之一。
如請求項1所述的天線模組，其中，該插座還具有一止擋部，該止擋部設置於該插座本體鄰近於該插座接口的一側，當該天線組件接合於該插座組件時，該天線模組的該基座抵靠於該止擋部。
如請求項1所述的天線模組，其中，該插座組件還具有一插座同軸訊號線，設置於該插座對接通道，並與該插座同軸連接器訊號連接。
如請求項1所述的天線模組，其中，該天線組件還包括一天線同軸訊號線，該天線同軸訊號線的一端與該天線同軸連接器訊號連接，另一端自該天線對接通道向外延伸至該外殼的該容置空間，並與該天線單元訊號連接。
如請求項1所述的天線模組，其中，該天線組件的該外殼還具有一防干涉部，且該防干涉部鄰近於該開口處設置，且形成於該容置空間內。
如請求項1所述的天線模組，其中，該天線組件的該外殼還具有一防撞部，該防撞部形成於該外殼的外側，且鄰近於該開口處設置。
一種天線模組，包含：<br/> 二插座組件，每一插座組件包括一插座及一插座同軸連接器，該插座具有一插座本體、以及一貫通該插座本體的插座對接通道，該插座對接通道的一端設有一插座接口，該插座同軸連接器設置於該插座對接通道，並具有一插座連接端子； 以及<br/> 二天線組件，每一天線組件包括一外殼、一天線單元、一基座、以及一天線同軸連接器，該外殼定義有一容置空間，並具有一與該容置空間連通的開口及一定位部，該定位部鄰近於該開口處設置，該天線單元設置於該容置空間，該基座具有一基座本體、一貫通該基座本體的天線對接通道及複數個定位槽，該基座本體樞接於該外殼且鄰近於該開口處，該天線對接通道遠離該外殼的一端設有一天線接口，該些定位槽形成於該基座本體的相對兩側面並分別沿不同方向延伸，該天線同軸連接器設置於該天線對接通道，並具有與該天線單元訊號連接的一天線連接端子；<br/> 其中，該基座本體能夠圍繞一第一旋轉軸相對於該外殼轉動，該定位部嵌合於其中一定位槽，使該基座本體相對於該外殼被限位於多個特定角度位置之一；<br/> 其中，當該些天線組件分別接合於該些插座組件時，每一天線模組能夠圍繞一第二旋轉軸相對於相對應的其中一插座組件轉動；<br/> 其中，其中一天線組件的該天線單元與該第一旋轉軸之間以一間隔距離間隔，且該間隔距離不同於其中另一天線組件的一間隔距離。
如請求項10所述的天線模組，還包含一支架，用以固定該些插座組件。
如請求項10所述的天線模組，其中，每一天線組件的該外殼還具有一防撞部，該防撞部形成於該外殼的外側，且鄰近於該開口處設置。
一種天線組件，包含：<br/> 一外殼，定義有一容置空間，包括一與該容置空間連通的開口及一定位部，該定位部鄰近於該開口處設置；<br/> 一天線單元，設置於該容置空間；<br/> 一基座，包括一基座本體、一貫通該基座本體的天線對接通道及複數個定位槽，該基座本體樞接於該外殼且鄰近於該開口處，該天線對接通道遠離該外殼的一端設有一天線接口，該些定位槽形成於該基座本體的相對兩側面並分別沿不同方向延伸；以及<br/> 一天線同軸連接器，設置於該天線對接通道，並包括一與該天線單元訊號連接的天線連接端子；<br/> 其中，該基座本體能夠圍繞一第一旋轉軸相對於該外殼轉動，該定位部嵌合於其中一定位槽，使該基座本體相對於該外殼被限位於多個特定角度位置之一。
如請求項13所述的天線組件，其中，該天線組件還包含一天線限位部，該天線限位部設置於該基座本體且鄰近於該天線接口處，並具有一多邊形結構。
一種花鼓結構，包含一花鼓殼體及一棘輪套筒，該棘輪套筒連接於該花鼓殼體的一軸承座，該花鼓殼體的內部形成有一筒狀容室，該筒狀容室的一端部設有該軸承座，該軸承座的外表面環設有複數內齒；其中，該些內齒係透過一環型插齒刀進行插齒切削加工所製成。
如請求項1所述之花鼓結構，其中該環型插齒刀的內環面設有複數齒刃，該些齒刃沿著一預定方向排列，位於該預定方向上相鄰的該些齒刃具有不同尺寸。
如請求項2所述之花鼓結構，其中該預定方向為該環型插齒刀的一軸向，該些齒刃沿著該軸向排列形成複數層加工齒，各該層加工齒包含複數該些齒刃沿該環型插齒刀的一圓周方向排列，該些層加工齒的該些齒刃的尺寸由上層至下層呈小到大依序設置。
如請求項3所述之花鼓結構，其中每一層加工齒的該些齒刃呈對稱設置。
如請求項2所述之花鼓結構，其中該預定方向為該環型插齒刀的一圓周方向，該環型插齒刀的內環面的一部分區域沿著該圓周方向設有複數齒刃，該些齒刃的尺寸以該些齒刃的一中心位置向兩側由小到大依序設置，且位於該中心位置兩側的該些齒刃呈對稱配置。
如請求項1所述之花鼓結構，其中該棘輪套筒的一端為一連接座，該連接座設有一第一棘輪面齒，該第一棘輪面齒的內環面設有一連接齒部與該軸承座嚙合。
如請求項6所述之花鼓結構，其中該第一棘輪面齒的一外側面設有一外齒部，該外齒部與該棘輪套筒的一第二棘輪面齒嚙合。
如請求項1至7其中任一項所述之花鼓結構，其中該軸承座與該花鼓殼體為一體成型。
如請求項1至7其中任一項所述之花鼓結構，其中該些內齒的末端與該筒狀容室的該端部之間形成有一溝槽。
一種具有電磁屏蔽功能的晶片封裝結構，其包括：<br/> 一晶片承載基板，所述晶片承載基板包括一晶片承載本體、設置在所述晶片承載本體內部的多個屏蔽接地通路結構以及設置在所述晶片承載本體內部的至少一晶片電氣通路結構；<br/> 至少一電子晶片，所述至少一電子晶片設置在所述晶片承載本體上方且電性連接於所述至少一晶片電氣通路結構；<br/> 一絕緣封裝體，所述絕緣封裝體設置在所述晶片承載本體上方且覆蓋所述至少一電子晶片；以及<br/> 一電磁屏蔽層，所述電磁屏蔽層設置在所述絕緣封裝體上且電性連接於多個所述屏蔽接地通路結構；<br/> 其中，每一個所述屏蔽接地通路結構包括設置在所述晶片承載本體的同一側區域內的一接地導電層，且所述接地導電層具有透過所述晶片承載本體的阻隔而彼此分離一預定寬度的多個接地導電部；<br/> 其中，所述接地導電層的多個所述接地導電部電性連接於所述電磁屏蔽層，且每一個所述接地導電部具有從所述晶片承載本體的同一側邊裸露且被所述電磁屏蔽層所覆蓋的一裸露接地面；<br/> 其中，每一個所述接地導電部的所述裸露接地面被配置為通過切割而形成的一切割面。
如請求項1所述的晶片封裝結構，<br/> 其中，所述晶片承載基板包括設置在所述晶片承載本體上且電性連接於所述至少一晶片電氣通路結構的多個被動元件、設置在所述晶片承載本體頂端上的一頂端絕緣層、設置在所述晶片承載本體底端上的一底端絕緣層、從所述頂端絕緣層裸露的多個頂端導電焊墊以及從所述底端絕緣層裸露的多個底端導電焊墊；<br/> 其中，所述至少一電子晶片、所述絕緣封裝體以及多個所述被動元件都設置在所述頂端絕緣層上；<br/> 其中，其中一所述屏蔽接地通路結構的所述接地導電層被配置以用於透過至少一第一導電貫穿結構而電性連接於相對應的所述頂端導電焊墊；<br/> 其中，另外一所述屏蔽接地通路結構的所述接地導電層被配置以用於透過至少一第二導電貫穿結構而電性連接於相對應的所述底端導電焊墊；<br/> 其中，相鄰的兩個所述屏蔽接地通路結構的兩個所述接地導電層被配置以用於透過至少一第三導電貫穿結構而彼此電性連接；<br/> 其中，所述至少一電子晶片被配置為一射頻類晶片、一運算類晶片或者一感測類晶片，且所述至少一電子晶片電性連接於所述屏蔽接地通路結構；<br/> 其中，多個所述被動元件被配置為至少一電阻類元件、至少一電容類元件以及至少一電感類元件；<br/> 其中，所述電磁屏蔽層包括設置在所述絕緣封裝體的頂面上的一頂端屏蔽部、設置在所述絕緣封裝體的第一側面上的一第一側屏蔽部、設置在所述絕緣封裝體的第二側面上的一第二側屏蔽部、設置在所述絕緣封裝體的第三側面上的一第三側屏蔽部以及設置在所述絕緣封裝體的第四側面上的一第四側屏蔽部，且所述第一側屏蔽部、所述第三側屏蔽部、所述第二側屏蔽部以及所述第四側屏蔽部依序相連以圍繞所述絕緣封裝體且連接於所述頂端屏蔽部；<br/> 其中，所述絕緣封裝體的所述第一側面、所述絕緣封裝體的所述第二側面、所述絕緣封裝體的所述第三側面以及所述絕緣封裝體的所述第四側面都是通過切割而形成的絕緣切割面。
如請求項2所述的晶片封裝結構，<br/> 其中，所述屏蔽接地通路結構包括設置在所述晶片承載本體的一第一側區域內的一第一接地導電層，且所述第一接地導電層具有透過所述晶片承載本體的阻隔而彼此分離一第一預定距離的多個第一接地導電部； <br/> 其中，所述屏蔽接地通路結構包括設置在所述晶片承載本體的一第二側區域內的一第二接地導電層，且所述第二接地導電層具有透過所述晶片承載本體的阻隔而彼此分離一第二預定距離的多個第二接地導電部；<br/> 其中，所述第一預定距離以及所述第二預定距離彼此相同或者相異。
如請求項3所述的晶片封裝結構，<br/> 其中，多個所述第一接地導電部電性連接於所述電磁屏蔽層的所述第一側屏蔽部，且每一個所述第一接地導電部具有從所述晶片承載本體的一第一側邊裸露且被所述電磁屏蔽層的所述第一側屏蔽部所覆蓋的一第一裸露接地面；<br/> 其中，多個所述第二接地導電部電性連接於所述電磁屏蔽層的所述第二側屏蔽部，且每一個所述第二接地導電部具有從所述晶片承載本體的一第二側邊裸露且被所述電磁屏蔽層的所述第二側屏蔽部所覆蓋的一第二裸露接地面；<br/> 其中，每一個所述第一接地導電部的所述第一裸露接地面被配置為通過切割而形成的一第一切割面，且每一個所述第二接地導電部的所述第二裸露接地面被配置為通過切割而形成的一第二切割面。
如請求項4所述的晶片封裝結構，<br/> 其中，每一個所述第一接地導電部具有介於50 µm至150 µm之間的一第一預定寬度，且多個所述第一接地導電部的多個所述第一預定寬度的總合大於所述晶片承載本體的所述第一側邊的寬度的百分比介於50%至90%之間；<br/> 其中，每一個所述第二接地導電部具有介於50 µm至150 µm之間的一第二預定寬度，且多個所述第二接地導電部的多個所述第二預定寬度的總合大於所述晶片承載本體的所述第二側邊的寬度的百分比介於50%至90%之間。
如請求項4所述的晶片封裝結構，<br/> 其中，所述屏蔽接地通路結構包括設置在所述晶片承載本體的一第三側區域內的一第三接地導電層，且所述第三接地導電層具有透過所述晶片承載本體的阻隔而彼此分離一第三預定距離的多個第三接地導電部； <br/> 其中，所述屏蔽接地通路結構包括設置在所述晶片承載本體的一第四側區域內的一第四接地導電層，且所述第四接地導電層具有透過所述晶片承載本體的阻隔而彼此分離一第四預定距離的多個第四接地導電部；<br/> 其中，所述第三預定距離以及所述第四預定距離彼此相同或者相異。
如請求項6所述的晶片封裝結構，<br/> 其中，多個所述第三接地導電部電性連接於所述電磁屏蔽層的所述第三側屏蔽部，且每一個所述第三接地導電部具有從所述晶片承載本體的一第三側邊裸露且被所述電磁屏蔽層的所述第三側屏蔽部所覆蓋的一第三裸露接地面；<br/> 其中，多個所述第四接地導電部電性連接於所述電磁屏蔽層的所述第四側屏蔽部，且每一個所述第四接地導電部具有從所述晶片承載本體的一第四側邊裸露且被所述電磁屏蔽層的所述第四側屏蔽部所覆蓋的一第四裸露接地面；<br/> 其中，每一個所述第三接地導電部的所述第三裸露接地面被配置為通過切割而形成的一第三切割面，且每一個所述第四接地導電部的所述第四裸露接地面被配置為通過切割而形成的一第四切割面。
如請求項7所述的晶片封裝結構，<br/> 其中，每一個所述第三接地導電部具有介於50 µm至150 µm之間的一第三預定寬度，且多個所述第三接地導電部的多個所述第三預定寬度的總合大於所述晶片承載本體的所述第三側邊的寬度的百分比介於50%至90%之間；<br/> 其中，每一個所述第四接地導電部具有介於50 µm至150 µm之間的一第四預定寬度，且多個所述第四接地導電部的多個所述第四預定寬度的總合大於所述晶片承載本體的所述第四側邊的寬度的百分比介於50%至90%之間。
一種晶片承載基板，所述晶片承載基板包括一晶片承載本體、設置在所述晶片承載本體內部的多個屏蔽接地通路結構以及設置在所述晶片承載本體內部的至少一晶片電氣通路結構；<br/> 其中，每一個所述屏蔽接地通路結構包括設置在所述晶片承載本體的同一側區域內的一接地導電層，且所述接地導電層具有彼此分離一預定寬度的多個接地導電部；<br/> 其中，每一個所述接地導電部具有從所述晶片承載本體的同一側邊裸露的一裸露接地面；<br/> 其中，每一個所述接地導電部的所述裸露接地面被配置為通過切割而形成的一切割面。
一種電子裝置，所述電子裝置被配置以使用一種具有電磁屏蔽功能的晶片封裝結構，其特徵在於，所述晶片封裝結構包括：<br/> 一晶片承載基板，所述晶片承載基板包括一晶片承載本體、設置在所述晶片承載本體內部的多個屏蔽接地通路結構以及設置在所述晶片承載本體內部的至少一晶片電氣通路結構；<br/> 至少一電子晶片，所述至少一電子晶片設置在所述晶片承載本體上方且電性連接於所述至少一晶片電氣通路結構；<br/> 一絕緣封裝體，所述絕緣封裝體設置在所述晶片承載本體上方且覆蓋所述至少一電子晶片；以及<br/> 一電磁屏蔽層，所述電磁屏蔽層設置在所述絕緣封裝體上且電性連接於多個所述屏蔽接地通路結構；<br/> 其中，每一個所述屏蔽接地通路結構包括設置在所述晶片承載本體的同一側區域內的一接地導電層，且所述接地導電層具有透過所述晶片承載本體的阻隔而彼此分離一預定寬度的多個接地導電部；<br/> 其中，所述接地導電層的多個所述接地導電部電性連接於所述電磁屏蔽層，且每一個所述接地導電部具有從所述晶片承載本體的同一側邊裸露且被所述電磁屏蔽層所覆蓋的一裸露接地面；<br/> 其中，每一個所述接地導電部的所述裸露接地面被配置為通過切割而形成的一切割面。
一種折彎裝置，其改良在於，包括：<br/> 機台；<br/> 第一折彎機構，包括承載組件、壓緊件、第一折彎驅動件及第一折彎件，所述承載組件設於所述機台，所述承載組件開設有限位槽，所述限位槽之槽底開設有吸附孔，所述限位槽用於收納並限位待折彎之工件，所述吸附孔用於吸附固定所述工件，所述壓緊件轉動設於所述承載組件並位於所述限位槽之一側，所述壓緊件用於將所述工件壓緊於所述限位槽，所述第一折彎驅動件設於所述承載組件，所述第一折彎件與所述第一折彎驅動件連接並位於所述限位槽之一側；及<br/> 第二折彎機構，包括支撐組件、第二折彎驅動件、第二折彎件及加熱件，所述支撐組件設於所述機台並位於所述承載組件之一側，所述第二折彎驅動件設於所述支撐組件，所述第二折彎件與所述第二折彎驅動件連接並朝所述第一折彎件延伸，所述第二折彎件與所述第一折彎件分別用於從兩側擠壓所述工件以將所述工件折彎，所述加熱件設於所述第二折彎件，用於在所述第二折彎件擠壓所述工件時對所述第二折彎件進行加熱。
如請求項1所述之折彎裝置，其中，所述壓緊件之至少一部分由磁性材料製成，所述第一折彎機構還包括磁吸件，所述磁吸件設於所述承載組件並位於所述壓緊件之轉動路徑上，所述磁吸件用於磁性吸附所述壓緊件，以使所述壓緊件將所述工件壓緊於所述限位槽。
如請求項1所述之折彎裝置，其中，所述第一折彎機構還包括定位件，所述定位件設於所述承載組件並位於所述壓緊件之轉動路徑上，所述壓緊件上開設有與所述定位件插接定位之定位孔。
如請求項1所述之折彎裝置，其中，所述承載組件開設有調節孔，所述第一折彎機構還包括緊固件，所述緊固件穿設於所述調節孔並與所述機台連接。
如請求項1所述之折彎裝置，其中，所述承載組件包括：<br/> 固定座，設於所述機台；<br/> 承載座，可拆卸地設於所述固定座，所述限位槽開設於所述承載座，所述承載座具有成型部，所述成型部位於所述限位槽之一側，所述成型部與所述第二折彎件凹凸配合以折彎所述工件；及<br/> 裝配座，設於所述固定座並位於所述承載座之一側，所述壓緊件轉動設於所述裝配座。
如請求項1所述之折彎裝置，其中，所述支撐組件包括：<br/> 支撐座，設於所述機台並位於所述承載組件之一側；<br/> 移動調整件，設於所述支撐座；及<br/> 移動座，與所述移動調整件連接，並可在所述移動調整件之帶動下移動，所述第二折彎驅動件設於所述移動座。
如請求項1所述之折彎裝置，其中，所述第二折彎機構還包括：<br/> 連接座，與所述第二折彎驅動件連接；<br/> 緩衝組件，沿所述第二折彎驅動件驅動所述連接座移動之方向滑動設於所述連接座，所述第二折彎件與所述緩衝組件連接，並藉由所述緩衝組件與所述連接座與所述第二折彎驅動件連接；及<br/> 壓力感測器，設於所述連接座並與所述緩衝組件遠離所述第二折彎件之一端抵接。
如請求項7所述之折彎裝置，其中，所述緩衝組件包括：<br/> 滑動件，滑動設於所述連接座，所述壓力感測器與所述滑動件抵接；<br/> 第一浮動件，活動設於所述滑動件並可沿所述滑動件之滑動方向相對於所述滑動件移動，所述滑動件位於所述壓力感測器與所述第一浮動件之間；<br/> 第一彈性件，設於所述滑動件與所述第一浮動件之間且兩端分別與所述滑動件與所述第一浮動件連接；<br/> 第一調節件，設於所述滑動件並位於所述第一浮動件之移動路徑上，用於抵接限位所述第一浮動件；<br/> 第二浮動件，活動設於所述第一浮動件並可沿所述第一浮動件之移動方向相對於所述第一浮動件移動，所述第一浮動件位於所述滑動件與所述第二浮動件之間，所述第二折彎件與所述第二浮動件連接；<br/> 第二彈性件，設於所述第一浮動件與所述第二浮動件之間且兩端分別與所述第一浮動件與所述第二浮動件連接；及<br/> 第二調節件，設於所述第一浮動件並位於所述第二浮動件之移動路徑上，用於抵接限位所述第二浮動件。
如請求項7所述之折彎裝置，其中，所述第二折彎機構還包括：<br/> 導熱件，設於所述第二折彎件朝向所述緩衝組件之一側並與所述第二折彎件連接；<br/> 散熱件，設於所述導熱件與所述緩衝組件之間並與所述導熱件與所述緩衝組件分別連接。
如請求項1至9中任意一項所述之折彎裝置，其中，所述第一折彎件具有第一折彎部，所述第二折彎件具有第二折彎部，所述第一折彎部與所述第二折彎部中之一者開設有擠壓槽，所述第一折彎部與所述第二折彎部中之另一者設有擠壓凸起，所述擠壓凸起與所述擠壓槽凹凸配合以折彎所述工件。
一種櫃體的門板結構，包含：<br/> 一板體，一體成型有一握持凹部及一把手部，該把手部設於該握持凹部內，使該握持凹部形成一位於該把手部一側的第一凹部及一位於該把手部另一側的第二凹部。
如請求項1所述之櫃體的門板結構，其中，該板體還一體成型有一設於該第一凹部的第一氣孔、及一設於該第二凹部的第二氣孔。
如請求項1所述之櫃體的門板結構，其中，該板體具有一樞設側、一反向於該樞設側的把手側，該握持凹部及該把手部設在該樞設側與該把手側之間且較靠近該把手側。
如請求項3所述之櫃體的門板結構，其中，該板體的把手部呈長條狀而具有一長向，該長向通過該樞設側與該把手側。
如請求項3所述之櫃體的門板結構，其中，該板體還一體成型有二設在該樞設側的鉸鏈槽部、及一設在該把手側的磁鐵槽部。
如請求項3所述之櫃體的門板結構，其中，該板體還具有一外側面、及一反向於該外側面的內側面，該握持凹部是由該外側面朝該內側面方向凹設成型。
如請求項6所述之櫃體的門板結構，其中，該板體還具有一連接該樞設側與該把手側之間的第一端側、一反向於該第一端側的第二端側、一凸設於該內側面且朝該第一端側方向彎折的第一掛部、及一凸設於該內側面且朝該第二端側方向彎折的第二掛部。
如請求項6所述之櫃體的門板結構，其中，該板體還一體成型有一由該外側面朝該內側面方向凹設成型的鎖具槽部。
如請求項6所述之櫃體的門板結構，其中，該板體還一體成型有一由該外側面朝該內側面方向凹設成型的銘牌槽部。
如請求項6所述之櫃體的門板結構，其中，該板體還一體成型有複數凸設於該內側面的止擋肋部。
一種櫃體的滑軌結構，適用於組設在一櫃體，該櫃體至少具有一卡孔，該卡孔沿橫向具有一第一孔壁面、一面對該第一孔壁面的第二孔壁面、一連接該第一孔壁面的窄孔段、及一連接該窄孔段與該第二孔壁面之間的寬孔段，該櫃體的滑軌結構包含：<br/> 一滑軌體，其一側包括一軌道槽、其另一側包括至少一卡扣部及一止擋部，該卡扣部設置在該窄孔段且受該第一孔壁面止擋，該止擋部設置在該寬孔段且受該第二孔壁面止擋。
如請求項1所述之櫃體的滑軌結構，其中，該櫃體還具有一側板部，該側板部具有一內側板面及一反向於該內側板面的外側板面，該卡孔設在該側板部；該滑軌體還具有一連接該至少一卡扣部且用以靠抵在該外側板面的外限位部、及一連接該止擋部且用以靠抵在該內側板面的內限位部。
如請求項1所述之櫃體的滑軌結構，其中，該滑軌體還具有一外側面、一反向於該外側面的內側面、一連接該外側面與該內側面之間的第一表面、及一反向於該第一表面的第二表面，該第一表面由該外側面往內側面並朝該第二表面方向傾斜，該第二表面由該外側面往內側面並朝該第一表面方向傾斜。
如請求項3所述之櫃體的滑軌結構，其中，該軌道槽由該內側面朝該外側面方向凹設，並具有一反向於該第一表面的第一槽壁面、一反向於該第二表面的第二槽壁面、至少一由該第一槽壁面凹設的第一限位槽、及至少一由該第二槽壁面凹設的第二限位槽；該櫃體的滑軌結構適用於供一承物板組設，該承物板具有一插置於該軌道槽的板側部、及一設在該板側部且位於該第一限位槽或第二限位槽內的限位凸部。
如請求項3所述之櫃體的滑軌結構，其中，該滑軌體還具有一由該外側面朝該內側面方向凹設的腔室、及複數設在該腔室內的支撐肋部。
一種夾心堅果瓦片，其包括：<br/> 一上層堅果瓦片及一下層堅果瓦片，該上層堅果瓦片與該下層堅果瓦片分別為片狀的堅果瓦片；以及<br/> 一夾心層，其設置於該上層堅果瓦片與該下層堅果瓦片之間，使該上層堅果瓦片與該下層堅果瓦片夾置該夾心層，用以改變堅果瓦片的口感及風味。
如請求項1所述之夾心堅果瓦片，其中該上層堅果瓦片與該下層堅果瓦片係由一種或多種堅果與糖漿基底混合後，經成型並烘焙形成的薄片結構。
如請求項2所述之夾心堅果瓦片，其中該堅果係選自杏仁、核桃、黑芝麻、白芝麻、椰子粉、南瓜子、鷹嘴豆或其任意組合。
如請求項3所述之夾心堅果瓦片，其中該堅果瓦片係由鷹嘴豆經烤熟或煮熟後，與糖、麵粉及油脂混合打製成麵糊，經壓製成片並烘焙而成的鷹嘴豆堅果瓦片中。
如請求項1所述之夾心堅果瓦片，其中該夾心層為一水果層，該水果層係由新鮮水果、果乾或果醬所構成。
如請求項5所述之夾心堅果瓦片，其中該水果層係由水果或果乾打製成泥狀後再加工或塗抹成一片狀結構。
如請求項5所述之夾心堅果瓦片，其中該水果層係由切碎的水果或果乾所構成，且呈丁狀或顆粒狀結構。
如請求項5所述之夾心堅果瓦片，其中該水果層係由水果或果乾經裁切形成條狀或絲狀結構。
如請求項1所述之夾心堅果瓦片，其中該夾心層包括豆沙或全穀雜糧，該豆沙或全穀雜糧選自紅豆沙、棗泥、芋頭、地瓜、南瓜、山藥、紅蘿蔔或其任意組合。
如請求項1所述之夾心堅果瓦片，其中該夾心層添加至少一調味配料，該調味配料選自海苔、肉乾、肉鬆、柴魚、鹹蛋黃、皮蛋、櫻花蝦、茶粉、咖啡粉、可可粉、蔬菜或其任意組合。
一種寵物生物特徵辨識系統，包含：<br/>一中央伺服器，其內駐有該寵物生物特徵辨識系統的各個單元，該中央伺服器連接到至少一會員單元，其中會員可經由該會員單元進入該中央伺服器，而與系統連通；另外，該中央伺服器也連接至少一廠商單元，廠商可經由該廠商單元而與該系統連接；<br/>其中該中央伺服器包含一處理器、及一記憶體，該處理器用於進行該寵物生物特徵辨識系統作業之執行；該記憶體用於該寵物生物特徵辨識系統軟體及資料儲存；<br/>該寵物生物特徵辨識系統的各單元包含：<br/>一會員介面用於接收會員的訊息，會員可以經由會員端進入該系統，進行相關的操作；<br/>一會員資料單元，對每一個會員建立一會員資料庫，該會員資料庫記錄每一會員的個別資料，其中包含會員的寵物資料及會員本身的登錄資料，其中會員的寵物資料包含會員寵物的生物特徵資料；<br/>一生物特徵讀取單元連結該會員資料單元用於讀取寵物的生物特徵並儲存到寵物主的會員資料庫中；<br/>一生物特徵比對單元連結該會員資料單元，用於接收會員寵物的生物特徵，並將會員寵物的生物特徵與會員資料單元中的該會員資料庫內的生物特徵做比對，以確定該會員寵物的生物特徵係對應到會員資料單元中哪個生物特徵，因此可以確定該寵物的身分。
如申請專利範圍第1項所述之寵物生物特徵辨識系統，其中該寵物的生物特徵為寵物的鼻紋、掌紋等。
如申請專利範圍第1項所述之寵物生物特徵辨識系統，其中該寵物的生物特徵為寵物的掌紋。
如申請專利範圍第1項所述之寵物生物特徵辨識系統，尚包含：一廠商介面連結該廠商單元，為系統與廠商單元之間的連結介面；廠商可經由此廠商介面進入該系統進行相關的作業；一廠商作業單元連接該廠商介面及該生物特徵比對單元；該廠商作業單元對每一廠商建立一廠商資料庫，其中記錄每一廠商的作業資料；廠商經由該生物特徵比對元確定一寵物的訊息。
如申請專利範圍第4項所述之寵物生物特徵辨識系統，其中廠商經由該生物特徵比對確定一寵物的訊息後即可以對該寵物提供需要的服務，並將服務的內容記錄在該廠商的廠商資料庫中。
如申請專利範圍第5項所述之寵物生物特徵辨識系統，其中該服務的內容記錄在該寵物主的會員資料單元中，使得寵物主人也可以查詢到相關的訊息。
如申請專利範圍第5項所述之寵物生物特徵辨識系統，尚包含一廠商管理單元連結該廠商作業單元，進行網站系統與廠商之間所有的聯繫及訂定與廠商之間的交易規則，並接受廠商的註冊。
如申請專利範圍第5項所述之寵物生物特徵辨識系統，其中該服務包含寵物金融，寵物保險，寵物醫療、寵物寄養、寵物美容、寵物行銷等。
如申請專利範圍第1項所述之寵物生物特徵辨識系統，尚包含一帳務中心，連結本系統中相關的作業單元，用於管理系統中與帳務有關的作業。
一種制動裝置，包括：<br/> 不可旋轉的一第一制動鼓，包括一個內側面以及一個外側面，所述第一制動鼓進一步包括一個樞柱以及一個穿孔，所述穿孔從所述內側面延伸至所述外側面，所述樞柱從所述內側面凸出；<br/> 一個軸套，與所述穿孔結合，所述軸套包括一個內端以及一個外端，所述內端抵靠於所述內側面，所述外端大致上與所述外側面切齊；<br/> 一個制動凸輪柄，包括一個套接段、一個凸輪段以及一個樞接段，所述樞接段位於所述套接段與所述凸輪段之間，所述凸輪段包括相互隔開的兩個外側，所述樞接段與所述軸套樞接，所述軸套支撐所述制動凸輪柄手動無法搖晃低地穩定地樞轉，所述套接段與所述樞接段的連接處大致上與所述外端切齊，所述凸輪段與所述樞接段的連接處大致上與所述內端切齊；<br/> 兩個剎車蹄，與所述樞柱可樞轉地結合，兩個所述剎車蹄各自包括抵靠於所述凸輪段的一個活動端；<br/> 用來安裝輪胎的一個輪轂，可轉動地設置在兩個所述剎車蹄的外周圍，所述輪轂包括與所述第一制動鼓鄰接的一個第二制動鼓，所述第二制動鼓包括一個制動面；<br/> 一個剎車拉柄，與所述制動凸輪柄的所述套接段一起轉動地結合，所述剎車拉柄被拉動時，所述制動凸輪柄轉動並且連動兩個所述剎車蹄張開與閉合，兩個所述剎車蹄張開係抵壓所述制動面產生制動力，兩個所述剎車蹄閉合係與所述制動面隔開而不產生制動力。
如申請專利範圍第１項所述的制動裝置，其中所述制動凸輪柄的兩個所述外側各自與所述制動凸輪柄包括的一個中心軸隔開的距離相等。
如申請專利範圍第１項所述的制動裝置，其中所述制動凸輪柄的所述凸輪段進一步包括相互隔開的一個內凸部以及一個外凸部，所述內凸部沿著所述制動凸輪柄包括的一個中心軸的方向位於所述軸套的內端與所述外凸部之間並且與所述內端鄰接，兩個所述剎車蹄的所述活動端沿著所述中心軸的方向被限制在所述內凸部與所述外凸部之間。
一種具有前窗之收納櫃抽屜，包括：<br/> 一抽屜盒，具有一前端，該前端具有二側框部及一前框部，該前框部位於<br/> 該二側框部之間，該前框部及該二側框部之間具有一設置空間；以及<br/> 一前窗，設置於該設置空間，該前窗具有一貫孔，該貫孔供以讓使用者裝設一鎖頭。
如請求項1所述之具有前窗之收納櫃抽屜，其中，該二側框部沿著一高度方向具有一第一高度，該前框部沿著該高度方向具有一第二高度，該第一高度大於該第二高度。
如請求項1所述之具有前窗之收納櫃抽屜，其中，該二側框部分別具有一組設溝，該前窗具有相反之一左側及一右側，該左側及該右側分別具有一側凸肋，其中一個該側凸肋設置於其中一個該組設溝，另一個該側凸肋設置於另一個該組設溝。
如請求項3所述之具有前窗之收納櫃抽屜，其中，該二側框部分別具有一容納槽，該容納槽與該組設溝連通，該二側框部相反的二端分別為一頂端及一底端，該容納槽較靠近該頂端，較遠離該底端，其中，該二側凸肋於其中一端另向外延伸一卡扣，其中一個該卡扣係定位於其中一個該容納槽，另一個該卡扣係定位於另一個該容納槽。
如請求項1所述之具有前窗之收納櫃抽屜，其中，該前窗具有相反的一前側及一後側，該後側具有一環形凸柱，該貫孔係貫穿該環形凸柱，該環形凸柱的其中一側具有一第一定位肋，該環形凸柱的另一側具有一第二定位肋。
如請求項1所述之具有前窗之收納櫃抽屜，其中，該前窗係由上下開模方式成形。
如請求項5所述之具有前窗之收納櫃抽屜，其中，另具有一鎖頭組，包括：<br/> 一鎖頭，設置於該貫孔；<br/> 一固定彈片，套設於該鎖頭外，該固定彈片另固定於該環形凸柱，該固定<br/> 彈片卡設於該第一定位肋及該第二定位肋之間。
一種快拆油管接頭結構，其包括：<br/> 一接頭本體，其包括一管壁以及一對接端部，該對接端部形成一對接口，該管壁具有一外周面以及一內周面，該外周面與該內周面係相對設置，該內周面圍繞形成一對接空間，該管壁具有複數個通孔，每個該通孔的軸向是平行於該管壁的徑向；<br/> 複數個鋼珠，分別對應地且可移動地設置於該等通孔，且每個該鋼珠的直徑大於該管壁的厚度；<br/> 一內襯，可移動地設置於該管壁的該內周面，該內襯可抵接於該鋼珠；<br/> 一第一彈簧，設置於該內襯與該接頭本體之間；<br/> 一外殼，可移動地設置於該管壁的該外周面，該外殼可抵接於該鋼珠； <br/> 一第二彈簧，設置於該外殼與該接頭本體之間；以及<br/> 一擋圈，設置於該外周面靠近該對接口處；<br/> 其中當一公端接頭經由該對接口插置於該接頭本體時，該公端接頭推壓該內襯往遠離該對接口的方向移動且該內襯推壓該第一彈簧，該等鋼珠往內周面的方向移動而分別卡合於該公端接頭的一環狀凹部，該外殼往靠近該對接口的方向移動而由該擋圈止擋限位，且該外殼抵接於該等鋼珠，使得該等鋼珠定位於該公端接頭的該環狀凹部；<br/> 其中當該公端接頭從該接頭本體脫離時，該第一彈簧推壓該內襯且該第二彈簧推壓該外殼，使該內襯與該外殼分別從該等鋼珠的相對兩端保持該等鋼珠於該等通孔內。
如請求項1所述的快拆油管接頭結構，其中該接頭本體的該管壁更包括一階梯部，該階梯部鄰接於內表面，該第一彈簧遠離該對接口的一端抵接於該階梯部，該公端接頭的一外周面抵接於該階梯部靠近該接頭本體的一軸心的一周面。
如請求項2所述的快拆油管接頭結構，其更包括複數個密封圈，該等密封圈設置於該階梯部靠近該接頭本體的該軸心的該周面，該公端接頭的該外周面抵接於該等密封圈。
如請求項2所述的快拆油管接頭結構，其中該內襯具有一第一容置凹部，該第一容置凹部形成於該內襯遠離該對接口的一端，該第一彈簧遠離該階梯部的一端容置於該第一容置凹部。
如請求項4所述的快拆油管接頭結構，其中該內襯更具有一第一卡合凹部，該第一卡合凹部形成於該內襯靠近該對接口的一端，當該公端接頭從該接頭本體脫離時，該第一卡合凹部卡合夾持該等鋼珠的一端。
如請求項1或2所述的快拆油管接頭結構，其中該接頭本體的該管壁更包括一凸緣部，該凸緣部鄰接於該外周面，該第二彈簧遠離該對接口的一端抵接於該凸緣部。
如請求項6所述的快拆油管接頭結構，其中該外殼具有一第二容置凹部，該第二容置凹部形成於該外殼遠離該對接口的一端，該第二彈簧遠離該凸緣部的一端容置於該第二容置凹部。
如請求項7所述的快拆油管接頭結構，其中該外殼更具有一第二卡合凹部，該第二卡合凹部形成於該外殼靠近該對接口的一端，當該公端接頭從該接頭本體脫離時，該第二卡合凹部卡合夾持該等鋼珠的一端。
如請求項8所述的快拆油管接頭結構，其中該外殼更包括一套筒部，該套筒部抵接於該凸緣部遠離該管壁的一頂面。
如請求項1所述的快拆油管接頭結構，其中該擋圈位於該對接口與該等鋼珠之間。
一種防翹的層疊基板，包括： 一第一子板，具有一第一電路以及相對的一第一外表面和一第一內表面；其中，該第一電路的複數連接墊與該第一外表面齊平； <br/>一核心板，具有一核心電路以及相對的一第一核心表面和一第二核心表面； <br/>一第二子板，具有一第二電路以及相對的一第二外表面和一第二內表面； <br/>一第一彈性層，具有一第一對接電路；其中，該第一彈性層設置於該第一內表面和該第一核心表面之間，且該第一對接電路對接該第一電路和該核心電路； <br/>一第二彈性層，具有一第二對接電路；其中，該第二彈性層設置於該第二核心表面和該第二內表面之間，且該第二對接電路對接該核心電路和該第二電路； <br/>其中，該第一子板的一第一層數和該第二子板的一第二層數相同； <br/>其中，該第一子板的一第一熱膨脹係數和該第二子板的一第二熱膨脹係數相同； <br/>其中，該第一子板的該第一熱膨脹係數、該第二子板的該第二熱膨脹係數、與該核心板的一核心熱膨脹係數皆小於15ppm/ C。
如請求項1所述之防翹的層疊基板，其中，該第一彈性層和該第二彈性層皆分別為一熱塑性塑膠層。
如請求項1所述之防翹的層疊基板，其中，該第一子板的板材和該第二子板的板材皆為具有低介電常數(low Dk)和低介電損耗因子(low Df)的玻璃纖維布。
如請求項3所述之防翹的層疊基板，其中，該些玻璃纖維布為石英(Q)玻璃纖維布。
如請求項1所述之防翹的層疊基板，其中，該第一電路的該些連接墊供透過複數凸塊電性連接一晶片。
如請求項5所述之防翹的層疊基板，其中，該些凸塊為複數C4凸塊(Controlled Collapse Chip Connection bump)。
如請求項5所述之防翹的層疊基板，其中，該晶片為高頻通訊晶片，且該晶片通過該些凸塊與該第一電路傳輸一高頻通訊訊號。
如請求項1所述之防翹的層疊基板，其中，該第一子板和該第二子板分別為一多層板(MLB)、一高密度連接板(HDI)或是一無芯(coreless)板，該核心板為一多層板(MLB)或是一高密度連接板(HDI)。
如請求項1所述之防翹的層疊基板，其中，該核心板相較於該第一子板和該第二子板更具有剛性。
如請求項1所述之防翹的層疊基板，其中，該核心板相較於該第一子板和該第二子板更具有柔性。
一種微藻養殖及可拆卸收藻系統，包含：<br/> 一微藻養殖模組，包括一光合反應器及一氣體供應裝置，該氣體供應裝置連通該光合反應器且可被操作而提供二氧化碳至該光合反應器中；<br/> 一微藻置換模組，包括二微藻置換槽及四快速接頭單元，其中兩個快速接頭單元各自裝設於其中一個微藻置換槽的一進液口與一出液口，另外兩個快速接頭單元各自裝設於另一個微藻置換槽的一進液口與一出液口，該等快速接頭單元用於使該等微藻置換槽可拆卸地組裝在該光合反應器，且該等微藻置換槽是可互換地單獨組裝在該光合反應器的一養殖原料入口及一養殖產物出口之間，該等微藻置換槽的其中一個組裝在該光合反應器時，該微藻置換槽可被操作而在輸送一含有藻種及營養源的待培養藻液至該光合反應器中與該二氧化碳進行一放大培養以產生一養殖產物，與接收從該光合反應器輸出的該養殖產物之間切換；及<br/> 一收藻處理模組，與該微藻養殖模組互為獨立地設置，當該等微藻置換槽的其中一個裝有該養殖產物而被從該光合反應器拆下時，該收藻處理模組可拆卸地組裝在拆下的該微藻置換槽的該出液口與該進液口之間，該收藻處理模組包括：<br/> 一藻水分離設備，裝設於拆下的該微藻置換槽的該出液口，可被操作來對拆下的該微藻置換槽中的該養殖產物進行處理而獲得相互分離的一回收水及一藻泥，且將該回收水輸送回拆下的該微藻置換槽，及<br/> 一補料設備，連通於拆下的該微藻置換槽的該進液口，可被操作來提供一新鮮的藻種及一新鮮的營養源至拆下的該微藻置換槽中以與該回收水形成一新鮮的待培養藻液，該補料設備具有一營養源儲存槽及一藻種儲存槽。
如請求項1所述的微藻養殖及可拆卸收藻系統，其中，該藻水分離設備具有：<br/> 一固液分離器，可拆卸地裝設在拆下的該微藻置換槽的該出液口，用於將來自於該微藻置換槽中的該養殖產物進行固液分離而獲得相互分離的一藻廢水及該藻泥，及<br/> 一過濾裝置，連通地設置在該固液分離器的下游，且可拆卸地裝設在拆下的該微藻置換槽，用於將來自於該固液分離器的該藻廢水進行過濾而獲得該回收水，且將該回收水輸送到拆下的該微藻置換槽中。
如請求項2所述的微藻養殖及可拆卸收藻系統，其中，該收藻處理模組還包括一乾燥設備，設置在該固液分離器的下游，可被操作來對來自於該固液分離器的該藻泥進行乾燥，且該乾燥設備具有一用於供該藻泥放置的集料盤及一用於對該集料盤提供熱風的加熱風道。
如請求項2所述的微藻養殖及可拆卸收藻系統，其中，該營養源儲存槽設置在該過濾裝置的下游，該營養源儲存槽用來供應該新鮮的營養源到拆下的該微藻置換槽中，及該藻種儲存槽設置在該過濾裝置的下游，該藻種儲存槽用來供應該新鮮的藻種到拆下的該微藻置換槽中。
如請求項1所述的微藻養殖及可拆卸收藻系統，其中，該補料設備還具有：<br/> 一匯流接頭，用於使該營養源儲存槽、該藻種儲存槽及拆下的該微藻置換槽的該進液口相互連通，<br/> 一營養源供應閥門，裝設於該營養源儲存槽，該營養源供應閥門用來使該營養源儲存槽可被控制地提供該新鮮的營養源，及<br/> 一藻種供應閥門，裝設於該藻種儲存槽，該藻種供應閥門用來使該藻種儲存槽可被控制地提供該新鮮的藻種。
如請求項1所述的微藻養殖及可拆卸收藻系統，其中，該微藻養殖模組還包括一監控設備，該監控設備具有：<br/> 一第一偵測裝置裝設於該養殖原料入口，該第一偵測裝置可被操作來測量該放大培養進行中的溫度與酸鹼值，及該放大培養進行前的二氧化碳濃度，<br/> 一第二偵測裝置裝設於該養殖產物出口，該第二偵測裝置可被操作來測量該放大培養進行中的藻濃度，及該放大培養進行後的二氧化碳濃度，及<br/> 一遠端控制裝置，訊號連接該第一偵測裝置及該第二偵測裝置。
如請求項6所述的微藻養殖及可拆卸收藻系統，其中，該微藻養殖模組還包括一可被控制的控溫裝置，該第一偵測裝置具有一用於測量該放大培養進行中的溫度的測溫儀，該遠端控制裝置還訊號連接該控溫裝置，<br/> 該測溫儀根據測量到的該放大培養進行中的溫度，產生並傳送一溫度訊息至該遠端控制裝置，該遠端控制裝置判定該溫度訊息所指示出的溫度是否符合一設定的溫度，<br/> 當該遠端控制裝置判定出該溫度未符合該設定的溫度時，該遠端控制裝置產生並傳送一溫度調節請求至該控溫裝置，該控溫裝置根據該溫度調節請求將該放大培養進行中的溫度調整至符合該設定的溫度。
如請求項6所述的微藻養殖及可拆卸收藻系統，其中，該微藻養殖模組還包括一可被控制而提供一酸鹼調節劑的酸鹼值調節裝置，該第一偵測裝置具有一用於測量該放大培養進行中的酸鹼值的酸鹼值檢測儀，該遠端控制裝置還訊號連接該酸鹼值調節裝置，<br/> 該酸鹼值檢測儀根據偵測到的該放大培養進行中的酸鹼值，產生並傳送一酸鹼值訊息至該遠端控制裝置，該遠端控制裝置判定該酸鹼值訊息所指示出的pH值是否符合一設定的pH值，<br/> 當該遠端控制裝置判定出該pH值未符合該設定的pH值時，該遠端控制裝置產生並傳送一酸鹼值調節請求至該酸鹼值調節裝置，該酸鹼值調節裝置根據該酸鹼值調節請求將該放大培養進行中的酸鹼值調整至符合該設定的pH值。
如請求項6所述的微藻養殖及可拆卸收藻系統，其中，該第二偵測裝置具有一用於測量該放大培養進行中的藻濃度的藻濃度檢測儀，<br/> 該藻濃度檢測儀根據偵測到的該放大培養進行中的藻濃度，產生並傳送一藻濃度訊息至該遠端控制裝置，該遠端控制裝置判定該藻濃度訊息所指示出的藻濃度是否達到一收藻值，<br/> 當該遠端控制裝置判定出該藻濃度達到該收藻值時，該遠端控制裝置產生一可收藻訊息。
如請求項6所述的微藻養殖及可拆卸收藻系統，其中，該第一偵測裝置具有一用於測量該放大培養進行前的二氧化碳濃度的二氧化碳濃度第一檢測儀，該二氧化碳濃度第一檢測儀根據偵測到的二氧化碳濃度，產生並傳送一二氧化碳初始濃度訊息至該遠端控制裝置。
如請求項10所述的微藻養殖及可拆卸收藻系統，其中，該第二偵測裝置具有一用來測量該放大培養進行後的二氧化碳濃度的二氧化碳濃度第二檢測儀，該二氧化碳濃度第二檢測儀根據偵測到的二氧化碳濃度，產生並傳送一二氧化碳最終濃度訊息至該遠端控制裝置。
如請求項11所述的微藻養殖及可拆卸收藻系統，其中，該監控設備還包括一與該遠端控制裝置訊號連接的顯示裝置，該遠端控制裝置根據該二氧化碳初始濃度訊息及該二氧化碳最終濃度訊息，計算產生並傳送一碳捕捉效率訊息至該顯示裝置，該顯示裝置顯示該碳捕捉效率訊息。
一種整合式自助充電系統，包含：<br/> 一管理伺服器；<br/> 一充電樁，電連接於該管理伺服器，並能執行於一充電模式及一待機模式，於該充電模式，該充電樁能被操作而對一待充電對象充電；及<br/> 一自助服務機，電連接於該管理伺服器；<br/> 當該自助服務機接收到由一使用者輸入的一啟動指令，該自助服務機經由該管理伺服器控制該充電樁由該待機模式切換成該充電模式；<br/> 當該自助服務機接收到由該使用者輸入的一結束指令，該自助服務機經由該管理伺服器控制該充電樁由該充電模式切換成該待機模式，並將一充電資料經由該管理伺服器回傳給該自助服務機；<br/> 該自助服務機根據該充電資料計算一充電費用，並顯示該充電資料及該充電費用；<br/> 該自助服務機執行一結帳程序；<br/> 該自助服務機執行一發票開立程序。
如請求項1所述的整合式自助充電系統，其中，該自助服務機接收到由該使用者輸入的一指示多個發票開立方式其中一者的發票開立方式選擇指令；<br/> 該自助服務機係根據該發票開立方式選擇指令執行該發票開立程序。
如請求項2所述的整合式自助充電系統，其中，當該發票開立方式選擇指令指示開立紙本發票，該自助服務機於執行該發票開立程序時列印產生一紙本發票。
如請求項1所述的整合式自助充電系統，其中，該自助服務機接收到由該使用者輸入的一指示多個付款方式其中一者的付款方式選擇指令；<br/> 該自助服務機係根據該付款方式選擇指令執行該結帳程序。
一種禦品移動堡壘，其特徵在於，包括︰<br/> 至少一貨櫃；<br/> 至少一塗層，係設於該貨櫃內面或及外面，該塗層包含一硬化劑及一樹脂；<br/> 利用該塗層之該硬化劑及該樹脂加熱混合快速反應聚合施塗於該貨櫃形成凝膠速乾。
如申請專利範圍第1項所述之禦品移動堡壘，其中，所述塗層之該硬化劑係為高純度聚脲（Polyurea）。
如申請專利範圍第2項所述之禦品移動堡壘，其中，所述高純度聚脲（Polyurea）係由異氰酸酯(Isocyanate)與胺類化合物反生成。
如申請專利範圍第3項所述之禦品移動堡壘，其中，所述高純度聚脲（Polyurea）之該胺類化合物係為端胺基聚醚樹脂。
如申請專利範圍第1項所述之禦品移動堡壘，其中，所述塗層之該硬化劑及該樹脂加熱混合快速反應聚合其溫度係為攝氏60-65℃。
如申請專利範圍第1項所述之禦品移動堡壘，其中，所述塗層係利用一噴塗裝置施塗於該貨櫃形成凝膠。
如申請專利範圍第1項所述之禦品移動堡壘，其中，所述貨櫃係可替換成為建築物、水箱、鐵板、鋁板、牆壁、支柱、橋架、隧道、車輛、車輛零件、農業設備、上下水道、軍艦、油槽、潛水艇、遊艇、防彈背心、防彈板、保險桿、載台、油桶或儲存槽等替換物。
如申請專利範圍第7項所述之禦品移動堡壘，其中，所述貨櫃及替換物材質包含金屬、混凝土、鋁、保麗龍、玻璃纖維、木材或石材。
如申請專利範圍第6項所述之禦品移動堡壘，其中，所述噴塗裝置係包含一補給泵甲、一補給泵乙、一攪拌機主體、一加熱管、一噴槍；其中，該補給泵甲係承裝該塗層之該硬化劑，該補給泵乙係承裝該樹脂，該補給泵甲及該補給泵乙連接該攪拌機主體，該加熱管一端連接該攪拌機主體，該加熱管另端連接該噴槍。
如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述之禦品移動堡壘，其中，所述貨櫃內部室內容置空間設有一空氣清淨機且包含具有相互連接之一顯示面板、一調整鈕、一進氣管、一排氣管、至少一濾芯、一電源、一紀錄器；該空氣清淨機連接設有供電之該電源，該進氣管與該排氣管內端連接於該空氣清淨機，而其外端連接設於該貨櫃外緣所設之一進氣孔及所設一排氣孔，該排氣管內部設有至少一防回流裝置，該空氣清淨機外圍設有該顯示面板顯示該電源是否正常，該濾芯狀態與該進氣管與該排氣管氣流是否正常，並透過所設多個顯示燈所包含綠燈、黃燈與紅燈以分別顯示該濾芯正常、接近壽命與需更換或異常，透過該空氣清淨機所設該調整鈕可依需要調整該進氣管與該排氣管風量、及該空氣清淨機運轉模式及手動/或自動切換，該空氣清淨機另設有該紀錄器以提供檢查該濾芯壓差、該空氣清淨機運轉時數及內部系統各種警示紀錄，該空氣清淨機設有一按鍵於威脅發生時，透過該按鍵一鍵啟動，並以該調整鈕以手動或自動切換防護模式。
一種電動油壓壓接工具結構，其主要是在一外殼內設有一馬達、一本體與一控制裝置，且該控制裝置是由一單向軸承、一凸輪、一彈性件、一頂銷、一控制件與一洩壓閥構成，其中：<br/>所述馬達具有一轉軸、一壓力傳感器、一泵浦與一油壺，利用所述轉軸與所述泵浦的連結，將令所述泵浦能被所述馬達驅動；<br/>所述本體內部設有一流道、一低壓閥、至少一單向閥、一小腔室、一大腔室與一活塞，所述本體一端設有一容槽，外周鄰近該容槽處設有一樞接部、一第一孔與一第二孔，該第一孔是與所述容槽相通，而所述第二孔的末端則貫入所述流道中；<br/>所述單向軸承與所述凸輪是一起放入所述容槽，並在所述凸輪與所述本體間安裝有所述彈性件，當所述馬達的所述轉軸接著穿入所述容槽，以將所述馬達與所述本體結合在一起時，便令所述單向軸承與所述凸輪能由內往外依序套設在該轉軸上，利用所述泵浦、所述油壺、所述流道與所述第二孔的相互導通，還能在運作時以所述泵浦將所述油壺中的液壓油打入所述流道中；<br/>所述控制件具有一叉部與一本體部，該叉部與該本體部的相接轉角處形成有一樞組部，當所述頂銷與所述洩壓閥分別裝入所述第一孔與所述第二孔，讓所述洩壓閥被所述叉部叉住，並以所述控制件與所述頂銷產生靠抵時，就能再利用所述樞組部將所述控制件樞結在所述本體的所述樞接部上。
如請求項1所述之電動油壓壓接工具結構，其中，所述外殼是由二殼體相對合構成。
如請求項1所述之電動油壓壓接工具結構，其中，所述外殼上設有一強制回退鈕。
如請求項1所述之電動油壓壓接工具結構，其中，所述彈性件是一扭力彈簧。
如請求項1所述之電動油壓壓接工具結構，其中，所述凸輪上凸出有一耳部。
一種水龍頭萬向出水管結構，其包含有一水龍頭，其中：<br/>所述水龍頭包含一本體、一樞轉管與一出水部，該本體具有一出水管，所述樞轉管套於該出水管外同軸設置，所述出水管凹設有一組合槽，所述組合槽內卡固有一樞接環，所述樞接環以一螺組件與該樞轉管螺固，令所述樞轉管可相對該出水管進行軸向旋轉，所述出水部包含有一接頭與一出水頭，該接頭與所述樞轉管組接，該出水頭尾端設有一圓球狀之轉動部，所述接頭內側凹設有一圓球狀曲面之轉動槽，該轉動部卡於該轉動槽內，使所述出水頭可以該轉動部的球心相對於該接頭轉動，所述出水管與該樞轉管及該出水部相通。
如請求項1所述之水龍頭萬向出水管結構，其中，所述出水管相對於該本體垂直。
如請求項1所述之水龍頭萬向出水管結構，其中，所述接頭的軸心相對於該樞轉管的軸心傾斜介於40度到90度之間。
如請求項1所述之水龍頭萬向出水管結構，其中，所述接頭是以螺鎖的方式與該樞轉管組接。
如請求項1所述之水龍頭萬向出水管結構，其中，所述出水頭與一起波器樞接，透過轉動該起波器可調整出水量大小。
如請求項1所述之水龍頭萬向出水管結構，其中，所述水龍頭設有數止水圈用以提高各部件間的密封性。
如請求項1所述之水龍頭萬向出水管結構，其中，所述接頭內設有一濾網用以過濾。
如請求項1所述之水龍頭萬向出水管結構，其中，所述樞接環是C字形的半開放環體。
一種快速調高水管支架，其包含有至少一架體與至少一架座，其中：<br/>所述架體具有一圓弧狀之管架，所述管架用以卡固一管體，該管架左右兩側各設有一C字形之夾持件，所述夾持件用以穿過一架桿，該夾持件沿所述架桿軸向移動調整該管架的位置，所述夾持件兩端向側邊分別凸設有一第一夾持部與一第二夾持部，所述第一夾持部與該第二夾持部之間形成一空隙，所述第一夾持部上下方向貫通有一通孔，該第二夾持部上下方向設有一鎖孔，一螺鎖件用以穿過所述通孔與該鎖孔鎖固，透過螺轉所述螺鎖件可以使該第一夾持部與該第二夾持部靠近或遠離調整所述空隙的大小，令所述夾持件夾持固定於該架桿上，所述架桿尾端設有一固定部，該固定部凹設有一卡固槽；<br/>所述架座具有一基座，該基座設有二固定槽並貫通有數固定孔，所述固定槽前側設有一固定口，該架桿向下令所述固定口卡入該卡固槽內，所述固定部卡入該固定槽內，所述固定部的上緣被該基座阻擋，數固定件穿過所述固定孔並固定於一平面，從而將所述架座固定安裝於該平面。
如請求項1所述之快速調高水管支架，其中，所述管架其中一端延伸有一圓弧狀之延伸部，使該管架的開口其左側或右側。
如請求項1所述之快速調高水管支架，其中，所述管架外側水平凸設有數肋條。
如請求項1所述之快速調高水管支架，其中，所述固定件是螺絲。
如請求項1所述之快速調高水管支架，其中，所述固定件是膨脹螺絲。
如請求項1所述之快速調高水管支架，其中，所述固定件是釘子。
一種電子裝置，包括：<br/> 一裝置本體，包括一機殼、一第一樞接部、一第一反射區及一第二反射區，該第一樞接部固定連接該機殼，該第一反射區與該第二反射區位於該機殼內，且分別具有不同之光反射性；以及<br/> 一攝影模組，包括一殼體、一第二樞接部、一電路板、一鏡頭組及一光感測器，該殼體具有一貫穿口，該第二樞接部固定連接該殼體，且可旋轉地連接該第一樞接部，該電路板之一面區分為彼此相連之一第一區段與一第二區段，該第一區段位於該殼體內，且該第二區段位於該機殼內，該鏡頭組固定於該第一區段上，且從該貫穿口所外露，該光感測器固定於該第二區段上，介於該第一反射區及該第二反射區之間，用以發出光線以及感測是否接收到自該第一反射區及該第二反射區其中之一返回的反射光。
如請求項1所述之電子裝置，其中該第一反射區為該機殼內面向該電路板之內壁，該第二反射區為一光反射片體。
如請求項1所述之電子裝置，其中該第一反射區與該第二反射區分別為設置於該機殼之相對內壁之二光反射片，該二光反射片為貼紙、箔片、塗層與鍍層其中之一。
如請求項1所述之電子裝置，其中該第一反射區與該第二反射區分別具有一較暗色階與一較亮色階，該較暗色階與該較亮色階分別具有不同反射係數。
如請求項1所述之電子裝置，其中該第一反射區與該第二反射區分別具有不同表面粗糙度。
如請求項1所述之電子裝置，其中該第一反射區與該光感測器之間距不同於該第二反射區與該光感測器之間距。
如請求項1所述之電子裝置，其中該光感測器為一光反射開關與一反射型光遮斷器其中之一。
如請求項1所述之電子裝置，更包含：<br/> 一顯示螢幕，位於該機殼上，用以顯示該鏡頭組之擷取影像；以及，<br/> 一控制單元，位於該機殼內，且電連接該顯示螢幕、該攝影模組及該光感測器，<br/> 其中當該光感測器從該第一反射區感測到該反射光時，該控制單元不改變顯示於該顯示螢幕上之該擷取影像之成像方位，<br/> 當該光感測器從該第二反射區感測到該反射光時，該控制單元將顯示於該顯示螢幕上之該擷取影像之該成像方位上下顛倒。
一種攝影模組，包括：<br/> 一殼體，具有一貫穿口；<br/> 一樞接部，固定連接該殼體；<br/> 一電路板，該電路板之一面區分為彼此相連之一第一區段與一第二區段，該第一區段位於該殼體內，且該第二區段伸出於該殼體之外；<br/> 一鏡頭組，固定於該第一區段上，且從該貫穿口所外露；以及<br/> 一光感測器，固定於該第二區段上，用以發出光線以及感測是否接收自一反射區返回的反射光。
如請求項9所述之攝影模組，其中該光感測器為一光反射開關與一反射型光遮斷器其中之一。
一種陰道及腸胃道菌株組合包結構，包括：<br/>一包裝袋，係呈一空心體並於內部具有一容置空間；<br/>一好菌體，係設於該包裝袋之該容置空間內；<br/>其特徵在於，該好菌體係包含由一捲曲乳酸桿菌(Lactobacillus crispatus)、一加氏乳酸桿菌(Lactobacillus gasseri)及一鼠李糖乳酸桿菌(Lactobacillus rhamnosus)組成之好菌組合物。
如申請專利範圍第1項所述之陰道及腸胃道菌株組合包結構，其中，所述包裝袋兩端分別形成一開口，該開口並設有封合該開口之一封合緣。
如申請專利範圍第2項所述之陰道及腸胃道菌株組合包結構，其中，所述包裝袋周圍至少一邊設有至少一撕缺角。
如申請專利範圍第3項所述之陰道及腸胃道菌株組合包結構，其中，所述包裝袋之該撕缺角形係呈但不限於波浪形狀或V形狀或U形狀。
如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之陰道及腸胃道菌株組合包結構，其中，所述好菌體之該捲曲乳酸桿菌(Lactobacillus crispatus)、該加氏乳酸桿菌(Lactobacillus gasseri)及該鼠李糖乳酸桿菌(Lactobacillus rhamnosus)形狀，係呈顆粒形狀或粉末形狀。
一種清潔材料，包括：<br/> 支撐層；<br/> 清潔層，設置於所述支撐層上，其中所述清潔層的材質包括第一樹脂材質、多個第一清潔粒子以及第一流平劑；以及 <br/> 研磨層，設置於所述清潔層上，其中所述研磨層的材質包括第二樹脂材質、多個第二清潔粒子、多個研磨粒子以及第二流平劑；<br/> 其中，以所述第一樹脂材質的總重計，所述第一流平劑的含量介於0.05 wt%至3 wt%，且以所述第二樹脂材質的總重計，所述第二流平劑的含量介於0.05 wt%至3 wt%。
如請求項1所述的清潔材料，其中所述清潔材料的總厚度變異（TTV）小於30微米。
如請求項1所述的清潔材料，其中所述清潔層的邵氏硬度A（Shore A）介於40A至90A。
如請求項1所述的清潔材料，其中所述研磨層的邵氏硬度A（Shore A）介於40A至90A。
如請求項1所述的清潔材料，其中所述清潔層的楊氏模數介於40 kg/cm<sup>2</sup>至380 kg/cm<sup>2</sup>。
如請求項1所述的清潔材料，其中所述研磨層的楊氏模數介於40 kg/cm<sup>2</sup>至380 kg/cm<sup>2</sup>。
如請求項1所述的清潔材料，其中所述研磨層的楊氏模數大於所述清潔層的楊氏模數。
如請求項1所述的清潔材料，其中所述第一清潔粒子或所述第二清潔粒子的莫氏硬度小於7，且所述研磨粒子的莫氏硬度大於或等於7。
如請求項1所述的清潔材料，更包括：<br/> 黏著層，設置於所述支撐層遠離所述清潔層的一側。
如請求項9所述的清潔材料，更包括：<br/> 離型層，覆蓋於所述黏著層遠離所述支撐層的一側。
一種視野影像偵測辨識系統，係包括有：<br/>一電路板，該電路板係設有至少一處理器(CPU)及至少一微控制器MCU)，該微控制器(MCU)係連接該處理器(CPU)；以及<br/>一車輛，該車輛係裝設至少一鏡頭，該鏡頭係連接該處理器(CPU)，該鏡頭係用於攝錄一視野範圍，該視野範圍係含至少一視野盲區，該車輛係產生一轉向訊號，該轉向訊號係經由該微控制器(MCU)輸送至該處理器(CPU)，該處理器(CPU)係接收由該鏡頭所攝錄該視野範圍的影像，當該視野範圍出現至少一動態目標時，該動態目標係具有一相對速度及一像素(pixels)解析度，該處理器(CPU)在該動態目標的相對速度中進行辨識該動態目標，其中該動態目標的像素(pixels)解析度需大於一設定值，並在該動態目標進入該視野範圍中的該視野盲區內，該處理器(CPU)係發出一第一警示訊號。
如申請專利範圍第1項所述之視野影像偵測辨識系統，其中該視野範圍係進一步具有一扇形弧線，當該動態目標之行進方向與該視野範圍之扇形弧線成一垂直角度時，該處理器係發出一第二警示訊號。
如申請專利範圍第1項所述之視野影像偵測辨識系統，其中該視野盲區係為該車輛的左側A柱(A-pillar)、左側B柱(B-pillar)、左側C柱C-pillar)、左側D柱(D-pillar)、右側A柱(A-pillar)、右側B柱(B-pillar)、右側C柱(C-pillar)、及右側D柱(D-pillar)之其中任一位置所延伸而出的範圍。
如申請專利範圍第1項所述之視野影像偵測辨識系統，其中該視野範圍係進一步設有一警示距離，該警示距離為1公尺(m)至40公尺(m)之其中任一距離或任二以上距離。
如申請專利範圍第1項所述之視野影像偵測辨識系統，其中該電路板係進一步設於一裝置內，該裝置係裝設於該車輛內，該裝置係具有一蓋體及一盒體，該蓋體係結合於該盒體上，並形成一容置空間來容置該電路板，且該蓋體與該盒體係分別設有至少一螺孔，再透過至少一螺件來進行鎖附。
如申請專利範圍第1項所述之視野影像偵測辨識系統，其中該電路板係進一步設於該鏡頭內，並與該鏡頭形成一攝影鏡頭組。
如申請專利範圍第1項所述之視野影像偵測辨識系統，其中該鏡頭係進一步裝設於該車輛外及該車輛內之其中任一選定位置。
如申請專利範圍第1項所述之視野影像偵測辨識系統，其中該轉向訊號係進一步為該車輛之方向盤、方向燈撥桿及方向燈之其中任一發出，該轉向訊號係傳遞至該微控制器(MCU)。
如申請專利範圍第1項所述之視野影像偵測辨識系統，其中該鏡頭係進一步與一影像解碼器(Video Decoder)連接，並透過該影像解碼器(Video Decoder)進行影像解碼，該處理器(CPU)係進一步與一影像編碼器(Video Encoder)連接，並透過該影像編碼器(Video Encoder)進行影像編碼。
如申請專利範圍第1項所述之視野影像偵測辨識系統，其中該動態目標的像素(pixels)解析度的設定值係進一步需大於44×109，且該動態目標的相對速度為20公里/小時(Km/h)以下，以辨識該動態目標。
如申請專利範圍第1項所述之視野影像偵測辨識系統，其中該動態目標的像素(pixels)解析度的設定值係進一步需大於48×111，且該動態目標的相對速度為30公里/小時(Km/h)以下，以辨識該動態目標。
如申請專利範圍第1項所述之視野影像偵測辨識系統，其中該動態目標的像素(pixels)解析度的設定值係進一步需大於58×49，且該動態目標的相對速度為50公里/小時(Km/h)以下，以辨識該動態目標。
如申請專利範圍第1項所述之視野影像偵測辨識系統，其中該車輛係進一步裝設有至少一發光裝置及至少一聲音裝置之其中任一或其組合，並與該電路板連接。
如申請專利範圍第1項所述之視野影像偵測辨識系統，其中該車輛係進一步裝設一顯示屏，該顯示屏係與該電路板連接，該顯示屏係呈現該鏡頭所攝錄該視野範圍的影像。
如申請專利範圍第14項所述之視野影像偵測辨識系統，其中該顯示屏係進一步於該鏡頭所攝錄該視野範圍的影像旁設有一警示燈符號、一警示符號及一警示音符號之其中任一。
一種蒸氣捕捉裝置，包括：<br/> 一內層坩堝；<br/> 一外層坩堝，環繞該內層坩堝；<br/> 一夾層空間，在該內層坩堝與該外層坩堝之間；及<br/> 一吸附劑，填充於該夾層空間中。
如請求項1所述之蒸氣捕捉裝置，其中該吸附劑的一孔隙度為50%~70%。
如請求項1所述之蒸氣捕捉裝置，其中該吸附劑包括一金屬氧化物、一活性碳或其組合。
如請求項3所述之蒸氣捕捉裝置，其中該金屬氧化物包括氧化鋁、氧化鋅、二氧化鈦、氧化鐵或其組合。
如請求項1所述之蒸氣捕捉裝置，其中該吸附劑的一平均粒徑為10毫米至15毫米。
如請求項1所述之蒸氣捕捉裝置，其中該內層坩堝具有一第一出氣孔，該外層坩堝具有一第二出氣孔。
如請求項1所述之蒸氣捕捉裝置，其中該外層坩堝的一材料是一不鏽鋼材料，該內層坩堝的一材料是一抗腐蝕材料。
如請求項1所述之蒸氣捕捉裝置，其中該外層坩堝及該內層坩堝各自為一柱狀結構，該外層坩堝與該內層坩堝的一直徑差為20毫米至50毫米。
如請求項1所述之蒸氣捕捉裝置，其中該內層坩堝為一柱狀結構，該內層坩堝的一直徑為150毫米至350毫米，該內層坩堝的一長度為700毫米至900毫米。
如請求項1所述之蒸氣捕捉裝置，其中該外層坩堝為一柱狀結構，該外層坩堝的一直徑為200毫米至400毫米，該外層坩堝的一長度為700毫米至900毫米。
一種火鍋自動販賣裝置，包括：<br/> 一交易操作裝置；<br/> 一低溫容置空間，係設於該交易操作裝置一側，以供存儲多個火鍋的食材；<br/> 一驅動裝置，係設於該低溫容置空間一側，係供取得各該食材； <br/> 一出餐平台，係設於該低溫容置空間一側，係供放置經由該驅動裝置取得之食材；<br/> 一處理裝置，係設於該交易操作裝置一側處並與其資訊連結，該處理裝置係包括一供儲存有食材資訊的資料庫、及一與該資料庫資訊連結以供傳達指令給予該驅動裝置之訊號傳送模組；及<br/> 一啟動裝置，係設於該交易操作裝置一側並與該處理裝置資訊連結，藉此，該處理裝置係供接收來自該啟動裝置之啟動指令並進行處理，以控制該驅動裝置將該低溫容置空間內之食材移載至該出餐平台上。
如請求項1所述之火鍋自動販賣裝置，其中該交易操作裝置係為一人機介面之控制面板。
如請求項1所述之火鍋自動販賣裝置，其中該低溫容置空間內係具有一製冷裝置、及數個供置放該些食材之食材載台。
如請求項3所述之火鍋自動販賣裝置，其中各該食材載台上分別設有數個隔件，各該隔件係分別連結該驅動裝置。
如請求項3所述之火鍋自動販賣裝置，其中各該食材為火鍋料類、肉類、蔬菜類、生食類、或海鮮類。
如請求項3所述之火鍋自動販賣裝置，其中各該食材載台上係分別具有一輸送元件，該輸送元件係連結該驅動裝置。
如請求項1所述之火鍋自動販賣裝置，其中該低溫容置空間一側係設有一餐具容置空間，以供存儲多個餐具，又該餐具容置空間內係具有數個供置放該些餐具之餐具載台。
如請求項1所述之火鍋自動販賣裝置，其中該處理裝置係為中央處理單元。
如請求項1所述之火鍋自動販賣裝置，其中該啟動裝置係為電子支付系統、或實體面額支付系統。
一種多模態鍵盤裝置，與一電腦連接，其包含：<br/> 一承載主體，包括一上表面，及一與該上表面鄰接的前側面；<br/> 一鍵盤單元，包括一設置於該承載主體的開關面板，及複數設置於該開關面板並顯露於該上表面的第一按鍵；<br/> 一多模創作單元，設置於該上表面並與該複數第一按鍵間隔設置，並包括複數材質透明的第二按鍵；及<br/> 一控制單元，包括一與該電腦連接的控制器，及一與該控制器連接的記憶體，該控制器分別連接該複數第一按鍵，及該複數第二按鍵。
如請求項1所述多模態鍵盤裝置，其中，該記憶體用於儲存該第一按鍵的輸入指令。
如請求項1所述多模態鍵盤裝置，其中，該記憶體用於儲存該第二按鍵的輸入指令。
如請求項1所述多模態鍵盤裝置，其中，該多模創作單元更包括複數旋鈕模組。
如請求項4所述多模態鍵盤裝置，其中，該複數旋鈕模組與該複數第一按鍵間隔設置。
如請求項4所述多模態鍵盤裝置，其中，該複數旋鈕模組與該複數第二按鍵間隔設置。
如請求項4所述多模態鍵盤裝置，其中，該控制器與該複數旋鈕模組連接。
如請求項7所述多模態鍵盤裝置，其中，該記憶體用於儲存該複數旋鈕模組的輸入指令。
如請求項1所述多模態鍵盤裝置，其中，該多模創作單元更包括一設置於該複數第二按鍵底部的顯示器，一顯示器的顯示畫面透過該複數第二按鍵被看到。
如請求項9所述多模態鍵盤裝置，其中，該控制器與該顯示器連接。
如請求項9所述多模態鍵盤裝置，其中，該記憶體用於儲存該顯示器的顯示畫面。
如請求項9所述多模態鍵盤裝置，其中，該多模創作單元更包括一設置於該顯示器上的阻光板，該阻光板圍繞界定出一第一顯示區，該第一顯示區與該複數第二按鍵間隔設置，該顯示器的顯示畫面透過該第一顯示區被看到，該阻光板材質不透光，用以遮擋該顯示器的顯示畫面。
如請求項12所述多模態鍵盤裝置，其中，該阻光板更圍繞界定出複數按鍵內設置孔，該第一顯示區與該複數按鍵內設置孔間隔設置。
如請求項13所述多模態鍵盤裝置，其中，該複數第二按鍵分別穿設該複數按鍵內設置孔，該複數按鍵內設置孔的孔洞輪廓符合該複數第二按鍵的外圍輪廓，使該複數第二按鍵分別填滿該複數按鍵內設置孔。
如請求項12所述多模態鍵盤裝置，其中，該阻光板更圍繞界定出複數旋鈕內設置孔，該複數旋鈕內設置孔分別提供複數旋鈕模組穿設，該第一顯示區與該複數旋鈕內設置孔間隔設置。
如請求項12所述多模態鍵盤裝置，其中，該多模創作單元更包括一設置於該阻光板外側的外擋板，該外擋板遮蓋住該第一顯示區，該外擋板材質透明，使該顯示器的顯示畫面可以從該第一顯示區被看到。
如請求項16所述多模態鍵盤裝置，其中，該外擋板圍繞界定複數按鍵外設置孔，該複數第二按鍵穿設該複數按鍵外設置孔，該複數按鍵外設置孔的孔洞輪廓符合該複數第二按鍵的外圍輪廓，使該複數第二按鍵分別填滿該複數按鍵外設置孔。
如請求項16所述多模態鍵盤裝置，其中，該外擋板圍繞界定複數旋鈕外設置孔，該複數旋鈕外設置孔分別提供複數旋鈕模組穿設。
如請求項18所述多模態鍵盤裝置，其中，該複數旋鈕模組的外側分別具有一光擴散結構，及一設置於該光擴散結構的中心孔，該複數旋鈕模組分別穿設該複數中心孔，該複數旋鈕外設置孔的孔洞輪廓符合該複數光擴散結構的外圍輪廓，使該複數光擴散結構分別填滿該複數旋鈕外設置孔。
如請求項19所述多模態鍵盤裝置，其中，複數由該阻光板圍繞界定出的旋鈕內設置孔，其孔洞輪廓符合該複數光擴散結構的外圍輪廓，使該複數光擴散結構分別填滿該複數旋鈕內設置孔。
如請求項1所述多模態鍵盤裝置，其中，該複數第二按鍵底部具有一開關電路，用以感應該複數第二按鍵的觸發。
如請求項21所述多模態鍵盤裝置，其中，該複數第二按鍵更具有複數由該開關電路圍繞界定的第二顯示區，該複數第二顯示區位於該複數第二按鍵的底部，一顯示器的顯示畫面可以從該複數第二按鍵與該複數第二顯示區被看到。
如請求項1所述多模態鍵盤裝置，其中，該承載主體側邊更包括一可分離地連接的掌托、一顯露於該上表面的燈條、一設置於該前側面的第一連接埠，及二設置於該前側面的第二連接埠，該第一連接埠與該二第二連接埠間隔設置。
如請求項1所述多模態鍵盤裝置，其中，該鍵盤單元更包括複數自該開關面板側邊向外延伸以與該承載主體連接的橫向支撐結構。
如請求項24所述多模態鍵盤裝置，其中，該複數橫向支撐結構具有彈性，用以緩衝來自該開關面板的力量。
如請求項25所述多模態鍵盤裝置，其中，該鍵盤單元更包括複數固定於該承載主體中的緩衝塊，該複數橫向支撐結構插設於該複數緩衝塊，該複數緩衝塊具有彈性，用以緩衝該複數橫向支撐結構的力量。
如請求項26所述多模態鍵盤裝置，其中，每一緩衝塊具有一由該緩衝塊圍繞界定出的設置槽，及一由該緩衝塊圍繞界定出並與該設置槽間隔設置的變形空間，該複數設置槽提供該複數橫向支撐結構插設，每一緩衝塊上的設置槽與變形空間間隔設置。
如請求項27所述多模態鍵盤裝置，其中，每一緩衝塊更具有二設置於該緩衝塊上並位於該變形空間兩側邊的彈性側壁，該二彈性側壁與該變形空間受到擠壓會變形。
如請求項28所述多模態鍵盤裝置，其中，每一緩衝塊更具有二設置於該二彈性側壁上並位於該變形空間側邊的側壁凸塊，用以避免該二彈性側壁產生過度變形。
如請求項1所述多模態鍵盤裝置，其中，該鍵盤單元更包括設置於該承載主體內的一上緩衝隔離結構、一電路板，及一下緩衝隔離結構，該電路板位於該上緩衝隔離結構與該下緩衝隔離結構之間，該下緩衝隔離結構具有一與該電路板連接的插座緩衝層，及一與該插座緩衝層連接的底部緩衝層。
一種時間序列數據並行壓縮系統，包含有：<br/> 一數據採集模組；<br/> 一數據分段模組，訊號連接該數據採集模組；<br/> 一工作負載評估模組，訊號連接該數據分段模組；<br/> 一三層動態線池模組，訊號連接該工作負載評估模組；<br/> 一並行壓縮引擎，訊號連接該三層動態線池模組；<br/> 一結果合併模組，訊號連接該並行壓縮引擎；<br/> 其中，該數據採集模組接收一時序數據流，該數據分段模組將該時序數據流分割為複數個數據段，該工作負載評估模組依據該數據段的數據量，以評估負載等級，該工作負載評估模組依據該負載等級，以調整該三層動態線池模組，該並行壓縮引擎使用該三層動態線池模組，以對該數據段進行壓縮，而生成一壓縮後數據段，該結果合併模組將該壓縮後數據段按序合併，以生成一合併壓縮後數據段。
如請求項1所述之時間序列數據並行壓縮系統，更包含有一儲存模組，該儲存模組訊號連接該結果合併模組，該儲存模組儲存該合併壓縮後數據段。
如請求項1所述之時間序列數據並行壓縮系統，其中，該三層動態線池模組包含有一核心層、一工作層與一突發層。
如請求項1所述之時間序列數據並行壓縮系統，其中，該負載等級依序為輕量級、正常級、重載級或峰值級。
一種連接器組件，其改良在於，包括：<br/> 連接器，所述連接器包括底壁、第一壁、第二壁及安裝部，所述第一壁與所述第二壁沿第一方向間隔設於所述底壁，並限定收容槽，所述收容槽沿第二方向敞開設置；所述安裝部連接所述第一壁沿第二方向背離所述底壁的一側，所述安裝部限定第一安裝孔，所述第一安裝孔沿第一方向貫穿所述安裝部，所述第一方向與所述第二方向垂直或傾斜相交；<br/> 鎖止件，所述鎖止件包括依次連接的操作部、連接部及鎖止部，所述操作部位於所述安裝部背離所述第二壁的一側，所述連接部可轉動地連接所述連接器的主體結構，所述連接部連接所述操作部，所述鎖止部連接所述連接部背離所述操作部的一端，所述鎖止件具有鎖止位置及釋放位置，在所述鎖止件處於所述鎖止位置，所述鎖止部沿所述第二方向的投影與所述收容槽對應，在所述鎖止件處於所述釋放位置，所述鎖止部沿所述第二方向的投影位於所述第一壁背離所述收容槽的一側。
如請求項1所述的連接器組件，其中：<br/> 所述連接器組件還包括加固件，所述加固件包括加固側壁及加固頂壁，所述加固側壁覆蓋所述第一壁背離所述第二壁的側面、所述第二壁背離所述第一壁的側面以及所述安裝部背離所述第二壁的側面，所述加固頂壁連接所述加固側壁，所述加固頂壁覆蓋所述安裝部沿第二方向背離所述第一壁的一側；所述加固件限定第二安裝孔，所述第二安裝孔與所述第一安裝孔對應設置，且所述第二安裝孔沿第一方向的投影覆蓋所述第一安裝孔。
如請求項2所述的連接器組件，其中：<br/> 所述第一壁限定第一轉動孔，所述安裝部限定第二轉動孔，所述連接部的兩側分別可轉動地連接所述第一轉動孔與所述第二轉動孔；<br/> 所述連接器還包括第一凸出部及第二凸出部，所述第一凸出部凸設於所述第一壁背離所述第二壁的表面，所述第一凸出部與所述第一轉動孔沿第一方向對應設置，所述第二凸出部凸設於所述安裝部背離所述第二壁的表面，所述第二凸出部與所述第二轉動孔對應設置；<br/> 所述加固側壁覆蓋所述第一凸出部和/或所述第二凸出部。
如請求項1所述的連接器組件，其中：<br/> 所述連接器組件還包括複位件，所述複位件的一端連接所述鎖止件，所述複位件的另一端連接所述連接器，所述複位件用於對所述鎖止件施加作用力，以使所述鎖止件保持在所述鎖止位置。
如請求項4所述的連接器組件，其中：<br/> 所述複位件包括彈性件，所述彈性件彈性連接所述鎖止件及所述連接器，所述鎖止件還包括旋轉限位部，在所述鎖止件處於所述鎖止位置，所述旋轉限位部與所述連接器限位配合，在所述鎖止件處於所述釋放位置，所述旋轉限位部與所述連接器脫離限位配合。
如請求項4所述的連接器組件，其中：<br/> 所述連接部包括第一連接壁、第二連接壁及配合部，所述第一連接壁可轉動地連接所述安裝部，所述第二連接壁與所述第一連接壁沿第二方向間隔設置，並限定容置空間，所述第二連接壁可轉動地連接所述第一壁；<br/> 所述配合部連接所述第一連接壁和/或所述第二連接壁，所述複位件套接所述配合部。
如請求項6所述的連接器組件，其中： 所述配合部連接所述第一連接壁，所述配合部背離所述第一連接壁的一端設有防脫限位部，所述防脫限位部凸設於所述配合部的外周面，所述防脫限位部用於限制所述複位件脫離所述配合部。
如請求項1所述的連接器組件，其中：<br/> 所述第二壁包括第一壁段及第二壁段，所述第一壁段具有第一表面，所述第二壁段具有第二表面，所述第二表面連接所述第一表面，沿所述第二方向，所述第二表面與所述鎖止部的間距小於所述第一表面與所述鎖止部的間距。
一種電路板組件，其改良在於，包括：<br/> 電路板；<br/> 如請求項1至8中任一項所述的連接器組件，所述連接器組件的連接器連接所述電路板。
一種電子設備，其改良在於，包括：<br/> 目標件；以及<br/> 如請求項9所述的電路板組件，所述目標件連接所述電路板組件的連接器組件。
一種服務終端裝置，適用於供一使用者操作，並包含：<br/> 一音訊輸出單元；<br/> 一處理單元，電連接該音訊輸出單元；<br/> 一承載結構，設置該處理單元；及<br/> 一支架，設於該承載結構，該支架設置該音訊輸出單元，並用於調整該音訊輸出單元及該使用者的相對位置，使該音訊輸出單元靠近該使用者的耳朵。
如請求項1所述的服務終端裝置，其中，該支架的其中一端設置於該承載結構，該支架的另一端設置該音訊輸出單元。
如請求項2所述的服務終端裝置，該支架包括一第一支臂、一第二支臂及一支臂連接件；<br/> 該第一支臂包括一可轉動地設置於該承載結構的第一端，及一連接於該支臂連接件的第二端；<br/> 該第二支臂包括一連接於該支臂連接件的第一端，及一用於設置該音訊輸出單元的第二端；<br/> 該支臂連接件用於調整該第一支臂及該第二支臂的相對位置。
如請求項3所述的服務終端裝置，該支架還包括一設置於該第二支臂的該第二端的音響安裝件，該音響安裝件設置該音訊輸出單元並用於調整該音訊輸出單元的一出聲面所朝的方向。
如請求項1所述的服務終端裝置，還包含一影像輸出單元，該影像輸出單元電連接該處理單元並設置於該承載結構。
如請求項1所述的服務終端裝置，還包含一操作輸入單元，該操作輸入單元電連接該處理單元並設置於該承載結構。
如請求項1所述的服務終端裝置，還包含一音訊輸入單元，該音訊輸入單元電連接該處理單元並設置於該承載結構。
如請求項1所述的服務終端裝置，還包含一影像輸入單元，該影像輸入單元電連接該處理單元並設置於該承載結構。
如請求項1所述的服務終端裝置，還包含多個設置於該承載結構的底部的輪體。
一種抽水機之雙源啟動機構，其主要係包括有底座、傳動裝置、第一動力裝置及第二動力裝置；其中：<br/> 該底座，其前端上方設有抽水單元，對應該抽水單元後端供設置該傳動裝置，對應該傳動裝置後方設有導軌，該導軌前端開設有第一動力固定孔，於該導軌上設置有第一動力定位座，該第一動力定位座對應該第一動力固定孔設有第一動力定位孔，以能透過該第一動力固定孔及該第一動力定位孔將該第一動力定位座固定於該導軌上，且於該導軌中間設有移動單元，令該第一動力定位座與該移動單元之間利用移動單元固定件予以進行固定，使得該移動單元能帶動該第一動力定位座前、後移動，另於該底座對應該導軌前端兩側則設有第二動力定位座；<br/> 該傳動裝置，其分別設有第一傳動元件及第二傳動元件，該第一傳動元件前端與該底座之該抽水單元相連結，而該第一傳動元件後端則設有第一連接軸，而於該第二傳動元件後端則設有第二連接軸，且令該第一傳動元件與該第二傳動元件之間利用連動件相連接；<br/> 該第一動力裝置，其對應設置於該底座之該第一動力定位座上，而於該第一動力裝置之第一動力出力軸可依使用需求選擇與該傳動裝置之該第一傳動元件的該第一連接軸之間是否以聯軸器相連接；<br/> 該第二動力裝置，其設置於支撐座上，且於該支撐座對應該底座之各該第二動力定位座設有支撐腳，以令該支撐座透過各該支撐腳設置於該第二動力定位座上，使得該第二動力裝置即位於該第一動力裝置上方，而於該第二動力裝置之第二動力出力軸可依使用需求選擇與該傳動裝置之該第二傳動元件的該第二連接軸之間是否以該聯軸器相連接。
如請求項1所述抽水機之雙源啟動機構，其中，該第一動力定位孔為長槽孔。
如請求項1所述抽水機之雙源啟動機構，其中，該移動單元為螺桿。
如請求項1所述抽水機之雙源啟動機構，其中，該連動件為皮帶、鍊條任一種。
如請求項1所述抽水機之雙源啟動機構，其中，該第一動力裝置係以電力驅動。
如請求項5所述抽水機之雙源啟動機構，其中，該第一動力裝置為馬達。
如請求項1所述抽水機之雙源啟動機構，其中，該第二動力裝置係以油料驅動。
如請求項5所述抽水機之雙源啟動機構，其中，該第二動力裝置為引擎。
如請求項1所述抽水機之雙源啟動機構，其中，該第一動力裝置底部四端角與該第一動力定位座之間設置有三軸調整裝置，且該支撐座各該支撐腳與各該第二動力定位座之間亦設置有該三軸調整裝置，該三軸調整裝置設有調整裝置底座，該調整裝置底座上端凹設有容置部，且於該容置部內形成有底座斜面，並於該底座斜面上開設有底座定位孔，該底座定位孔為向兩側延伸之長槽孔，對應該調整裝置底座上端所凹設之該容置部內設有調整滑塊，該調整滑塊底部對應該底座斜面形成有相貼靠之滑塊斜面，而於該調整滑塊上對應該底座定位孔開設有相導通之滑塊定位孔，該滑塊定位孔為向兩端延伸之長槽孔，另於該容置部外端面處向內分別設有上下排列之上調整件及下調整件，該上調整件可供頂推該第一動力裝置及該支撐腳進行移動，該下調整件可供頂推該調整滑塊進行移動，又於該容置部兩側分別向內設有第一調整件及第二調整件，該第一調整件及該第二調整件恰頂推於該調整滑塊兩側，以能利用該第一調整件及該第二調整件調整控制該調整滑塊進行移動。
一種用於鞋中底表面處理智能化研磨裝置，包括：<br/> 一接合座，具一軸向之透孔；<br/> 一接頭，固設於該接合座之透孔位置，中央具一穿孔；<br/> 一軸桿，為直條桿體，二端分別具螺紋部，又該軸桿頂端穿插該接頭之穿孔，並螺合一上螺帽；<br/> 一彈性件，頂端與該接合座接合；<br/> 一馬達座，頂部與該彈性件底端接合，又該馬達座上方設置一可穿插該軸桿底端之穿孔，並於該軸桿底端螺合一下螺帽，並使該接合座及該馬達座可預壓該彈性件； <br/> 一馬達，設於該馬達座上，並具傳輸線、輸出軸；<br/> 一打磨件，設於該馬達座下方並與該馬達之輸出軸組接。
如請求項1所述之用於鞋中底表面處理智能化研磨裝置，其中該接頭為萬向接頭。
如請求項2所述之用於鞋中底表面處理智能化研磨裝置，其中該接合座具一接合塊、一接合板，該透孔設於接合塊上；又該接合板組設於該接合塊下方，中央具一可穿插該軸桿頂端之穿孔及一可接合該彈性件頂端之上容置槽。
如請求項3所述之用於鞋中底表面處理智能化研磨裝置，其中該彈性件為壓縮彈簧。
如請求項4所述之用於鞋中底表面處理智能化研磨裝置，其中該馬達座具一上板、一下板、數組合桿，該上板對應該接合座平行設於該接合座下方位置，該馬達座上方之穿孔設於該上板中央，又該上板設置一可接合該彈性件底端之下容置槽。
如請求項5所述之用於鞋中底表面處理智能化研磨裝置，其中該下板對應該上板平行並由該組合桿組合，中央具一可穿插該馬達輸出軸之穿孔。
一種封印鎖保護構造，該封印鎖包含一鎖體及一固定在該鎖體上防止破壞的掛環，其特徵在於：該鎖體表面設置一具有固定深度的下凹部，該下凹部的表面形成一識別區，該識別區可供至少一識別標記及/或識別元件設置，且該下凹部的深度可供一透明材料填充或嵌入固定後形成一具有適當厚度的透明保護層，該透明保護層的內側面覆蓋該識別區，從而使該至少一識別標記及/或識別元件與外界隔離，提高保護效果。
如請求項1所述之封印鎖保護構造，其中，該識別標記包括但不限於下列其中一種或多種組合：油墨印刷字、燙金印刷字、雷射印刷字；該識別元件包括但不限於下列其中一種或多種組合：QR Code標籤、RFID標籤、NFC 標籤。
如請求項1或2所述之封印鎖保護構造，其中，該透明材料預制成一具有固定形狀的板片狀本體，該板片狀本體的外輪廓與該下凹部內圍大致相同，以供嵌入固定於該下凹部。
如請求項3所述之封印鎖保護構造，其中，該板片狀本體的內側面以高週波融合固定在該識別區表面；或者，該板片狀本體的內側面與該識別區表面之間透過一膠合劑膠合固定。
如請求項3所述之封印鎖保護構造，其中，該至少一識別標記及/或識別元件預設於該下凹部的識別區後安裝該板片狀本體；或者，至少一識別標記及/或識別元件預設於該板片狀本體的內側面後安裝於該下凹部。
如請求項1或2所述之封印鎖保護構造，其中，該至少一識別標記及/或識別元件預設於該下凹部的識別區，該透明材料為一可塑性固化材料，填充於該下凹部後固化形成該具有適當厚度的保護層。
如請求項6所述之封印鎖保護構造，其中，該可塑性固化材料包括但不限於下列其中之一：環氧樹脂 (Epoxy Resin)、UV 樹脂 (UV Resin) 、不飽和聚酯樹脂 (Polyester Resin)。
一種虎爺紙藝結構改良，其包含有一虎爺紙藝結構，其中：<br/>所述虎爺紙藝結構為紙製且包含一虎頭、一鼻部、一頷部、一虎身、一虎尾、一披掛件、一頸掛牌與二金花牌，該虎頭、鼻部、頷部、虎身、虎尾、披掛件、頸掛牌及該金花牌皆可攤平為平面狀之紙板，該虎爺紙藝結構設有數組合部、數插卡部、數狹長狀之插孔，所述組合部兩側各凸設有至少一翼片，將該翼片內折後所述組合部可穿過該插孔，所述翼片外折復位後完成所述組合部與該插孔的組合，所述插卡部可穿過該插孔用以定位固定；<br/>所述虎頭具有一頭部，所述頭部前端設有一面部，該面部前端中間凸設有一圓形之錢母部且左右側各凸設有一向外彎曲之尖牙部，所述面部設有二該插孔，所述面部左右兩側各設有一頰部，該頰部各設有一該插孔，所述頭部左右兩側各設有一虎頭側面，該虎頭側面各設有一該插孔，該頭部後側設有一虎頭後面，該虎頭後面左右各設有一該插孔，所述虎頭後面後側設有一虎頭底面，該虎頭底面左右各設有一該插孔，所述面部、頰部、虎頭側面及該虎頭後面相對於所述頭部向下折，該頰部折到該虎頭側面內，所述虎頭底面向上折動，該虎頭底面左右各設有一該組合部與所述頰部之該插孔組合，完成所述虎頭的組合；<br/>所述鼻部上下各設有一該組合部與所述面部之二該插孔組合，所述鼻部位於該面部外側，所述鼻部左右兩端各設有一該插卡部；<br/>所述頷部左右各設有一該組合部與所述虎頭側面之二該插孔組合，所述頷部位於該面部內側，所述頷部設有二該插孔供所述鼻部之該插卡部穿過固定；<br/>所述虎身具有一虎身頂面，該虎身頂面設有數該插孔，所述虎身頂面切割形成有二該組合部，所述虎身頂面前後分別設有一虎身前面與一虎身後面，該虎身後面設有數該插孔，該虎身頂面左右各設有一虎身側面，所述虎身前面、虎身後面及該虎身側面相對於所述虎身頂面下折，所述虎身側面設有數插卡部穿過該虎身頂面及該虎身後面之所述插孔進行固定，所述虎身側面凸設有二虎掌部，該虎掌部向上折動用以抵於平面上，完成所述虎身的組合；<br/>所述虎尾由二S字形之虎尾單元對稱相連形成，二該虎尾單元各設有一該組合部與所述虎身後面之該插孔組合，而將所述虎尾於該虎身後面上；<br/>所述披掛件彎曲形成環狀並將左右側交錯與該頸掛牌固定，所述披掛件設有一該組合部與所述虎身頂面之該插孔組合，而將所述披掛件組合於該虎身上；<br/>所述虎身頂面之該組合部與所述虎頭底面之該插孔組合，將所述虎身與該虎頭組合，所述金花牌設有一該插卡部穿過所述虎頭後面之該插孔固定。
如請求項1所述的虎爺紙藝結構改良，其中，所述虎頭切割有數浮雕部，該浮雕部有一邊與所述虎頭相連而其餘邊與所述虎頭分離。
如請求項1所述的虎爺紙藝結構改良，其中，所述披掛件彎曲形成環狀並將左右側交錯與該頸掛牌一同使用訂書針固定。
如請求項1所述的虎爺紙藝結構改良，其中，所述披掛件彎曲形成環狀並將左右側交錯以黏膠黏合並與該頸掛牌利用黏膠黏合。
一種建築構造，包含：<br/> 一箱型單元，沿一延伸方向延伸，並包括多片彼此在邊緣執行焊接而共同圍繞為一空心柱狀的鋼板；<br/> 一隔板，設置於該箱型單元沿該延伸方向之一端；及<br/> 一冷彎成型單元，固定於該隔板相反於該箱型單元之一側且沿該延伸方向延伸，並包括一具有二彼此相對而間隔界定出一連接隙縫之待焊邊緣的冷沖壓片，及一執行於該連接隙縫而使該等待焊邊緣相互連結的焊道。
如請求項1所述的建築構造，其中，該箱型單元是位於該冷彎成型單元的下方。
如請求項2所述的建築構造，其中，該箱型單元沿該延伸方向在該隔板上的投影範圍，大於等於該冷彎成型單元沿該延伸方向在該隔板上的投影範圍。
如請求項1所述的建築構造，其中，該隔板包括一位於該箱型單元及該冷彎成型單元沿該延伸方向在該隔板上之投影範圍以外的突伸部，所述的建築構造還包含一以垂直於該延伸方向之一銜接方向連接於該箱型單元的樑體。
如請求項4所述的建築構造，其中，該樑體包括一沿該銜接方向延伸且固定於該箱型單元上的基板、一連接於該基板之一側且與該隔板平行地抵接於該隔板之該突伸部的第一抵接板，及一連接於該基板之另一側且與該第一抵接板平行地抵接於該箱型單元的第二抵接板。
一種建築構造，包含：<br/> 一箱型單元，沿一延伸方向延伸，並包括多片彼此在邊緣執行焊接而共同圍繞為一空心柱狀的鋼板；<br/> 一隔板，設置於該箱型單元沿該延伸方向之一端；及<br/> 一冷彎成型單元，固定於該隔板相反於該箱型單元之一側且沿該延伸方向延伸，並包括多片各自具有具有二待焊邊緣的冷沖壓片，及多個用以使該等冷沖壓片彼此連結的焊道，每一該待焊邊緣皆與另一該冷沖壓片之其中一個該待焊邊緣彼此相對而間隔界定出一連接隙縫，該等焊道是執行於該等連接隙縫而使該等待焊邊緣相互連結。
如請求項6所述的建築構造，其中，該箱型單元是位於該冷彎成型單元的下方。
如請求項7所述的建築構造，其中，該箱型單元沿該延伸方向在該隔板上的投影範圍，大於等於該冷彎成型單元沿該延伸方向在該隔板上的投影範圍。
如請求項6所述的建築構造，其中，該隔板包括一位於該箱型單元及該冷彎成型單元沿該延伸方向在該隔板上之投影範圍以外的突伸部，所述的建築構造還包含一以垂直於該延伸方向之一銜接方向連接於該箱型單元的樑體。
如請求項9所述的建築構造，其中，該樑體包括一沿該銜接方向延伸且固定於該箱型單元上的基板、一連接於該基板之一側且與該隔板平行地抵接於該隔板之該突伸部的第一抵接板，及一連接於該基板之另一側且與該第一抵接板平行地抵接於該箱型單元的第二抵接板。
一種具影像動態顯示效果之散熱風扇裝置，其包括有一散熱風扇，該散熱風扇進一步包括有：<br/>一風扇裝置，包括有一風扇框座、顯示屏底座及顯示屏裝置，該風扇框座外環設有數個風扇葉片，該風扇框座之上、下方內部分別設有一顯示容置空間、傳動容置空間，該顯示屏底座設於該顯示容置空間內，該顯示屏裝置設於該顯示屏底座內，該顯示屏裝置包括有電性連結之一電路板及顯示屏幕；<br/>一風扇座體裝置，包括有一座體框架及軸桿，該座體框架設於該風扇框座之下方，該軸桿呈不旋轉而設於該座體框架之中心部位，該軸桿之頂部固定於該顯示屏底座。
如申請專利範圍第1項所述之具影像動態顯示效果之散熱風扇裝置，其中該顯示容置空間中央部位設有一供該軸桿穿設之軸通孔，該傳動容置空間之內周環係設有一環狀之磁性件。
如申請專利範圍第2項所述之具影像動態顯示效果之散熱風扇裝置，其中該風扇裝置進一步包括有一支撐件，該支撐件設於該顯示容置空間內之該軸通孔處。
如申請專利範圍第3項所述之具影像動態顯示效果之散熱風扇裝置，其中該支撐件中央部位凸出有一支撐環架，該支撐環架之中心部位設有一供該軸桿穿設之支撐通孔，該支撐環架之周圍設有相對應成對之二抵塊，該抵塊之側邊設有一內縮嵌口，該抵塊之下方係形成有一抵槽。
如申請專利範圍第4項所述之具影像動態顯示效果之散熱風扇裝置，其中該顯示屏底座之中央部位設有一底座通孔，該底座通孔之周圍設有相對應成對之二卡制塊，該卡制塊呈向下向內凸伸之塊體構形，該顯示屏底座藉該卡制塊從該內縮嵌口嵌入該支撐環架，並經旋轉使該卡制塊移位至該抵塊之下方，而嵌結定位。
如申請專利範圍第5項所述之具影像動態顯示效果之散熱風扇裝置，其中該散熱風扇具有一電源單元及影像單元，該軸桿具有一軸心孔，該顯示屏裝置連接有一電線組，該電線組穿設於該軸心孔，該電線組連接於該電源單元及該影像單元，用以提供電源及影像訊號。
如申請專利範圍第1項所述之具影像動態顯示效果之散熱風扇裝置，其中該風扇裝置進一步包括有一顯示屏上蓋，該顯示屏上蓋蓋設於該風扇框座之上方部位，該顯示屏上蓋具有透視蓋面。
如申請專利範圍第2項所述之具影像動態顯示效果之散熱風扇裝置，其中該風扇座體裝置進一步包括有一定子構成，該定子構成設於該座體框架上並伸入該傳動容置空間內，使該定子構成與該磁性件呈相對應狀態之設置，該定子構成底部設有一電路板。
如申請專利範圍第4項所述之具影像動態顯示效果之散熱風扇裝置，其中該軸桿先後穿設一第一軸承及第二軸承，該軸桿頂部凸伸出該軸通孔，並以固定件定位於該軸通孔處，繼該軸桿頂端插入固結於該支撐件之該支撐通孔。
一種光學成像系統，包括： <br/>第一透鏡，具有正屈光力； <br/>第二透鏡，具有屈光力； <br/>第三透鏡，具有屈光力； <br/>第四透鏡，具有正屈光力； <br/>第五透鏡，具有屈光力； <br/>第六透鏡，具有屈光力； <br/>第七透鏡，具有屈光力； <br/>第八透鏡，具有屈光力；以及 <br/>第九透鏡，具有負屈光力， <br/>其中所述第一透鏡至所述第九透鏡沿所述光學成像系統的光軸從所述光學成像系統的物側朝向所述光學成像系統的成像面以遞增數字順序依序設置，以及 <br/>滿足0.90 ＜ (TTL/(2×IMG HT))×Fno ＜ 1.00及1.00 ＜ f4/f ＜ 4.00，其中TTL為沿所述光軸從所述第一透鏡的物側表面到所述成像面的距離，IMG HT為所述成像面的對角線長度的一半，Fno為所述光學成像系統的光圈值，f4為所述第四透鏡的焦距，以及f為所述光學成像系統的焦距。
如請求項1所述的光學成像系統，其中在所述第二透鏡和所述第三透鏡之中，具有負屈光力的透鏡具有1.63以上的折射率。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第二透鏡和所述第三透鏡的組合焦距具有正數值。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第一透鏡至所述第三透鏡的組合焦距具有正數值。
如請求項1所述的光學成像系統，其中滿足0 ＜ f1/f ＜ 5.00，其中f1為所述第一透鏡的焦距。
如請求項1所述的光學成像系統，其中滿足0.80 ＜ |f2/f| ＜ 2.20，其中f2為所述第二透鏡的焦距。
如請求項1所述的光學成像系統，其中滿足0.80 ＜ f12/f ＜ 1.50，其中f12為所述第一透鏡和所述第二透鏡的組合焦距。
如請求項1所述的光學成像系統，其中滿足0.10 ＜ |f12/f3| ＜ 0.70，其中f12為所述第一透鏡和所述第二透鏡的組合焦距，以及f3為所述第三透鏡的焦距。
如請求項1所述的光學成像系統，其中滿足1.10 ＜ f123/f ＜ 1.70，其中f123為所述第一透鏡、所述第二透鏡和所述第三透鏡的組合焦距。
如請求項1所述的光學成像系統，其中滿足-0.82 ＜ f9/f ＜ 0，其中f9為所述第九透鏡的焦距。
如請求項1所述的光學成像系統，其中滿足75° ＜ FOV×(IMG HT/f) ＜ 82°及0.55 ＜ TTL/(2×IMG HT) ＜ 0.65，其中FOV為所述光學成像系統的視場角（field of view）。
如請求項1所述的光學成像系統，其中滿足1.00 ＜ ∑CT/∑AT ＜ 2.00，其中∑CT為所述第一透鏡至所述第九透鏡沿所述光軸的厚度總和，以及∑AT為所述第一透鏡至所述第九透鏡的相鄰透鏡之間的空氣間隔總和。
如請求項1所述的光學成像系統，其中滿足0.90 ＜ Td/f ＜ 1.50，其中Td為從所述第一透鏡的所述物側表面至所述第九透鏡的像側表面沿所述光軸的距離。
如請求項1所述的光學成像系統，其中滿足0.15 ＜ Yc92/f ＜ 0.50，其中Yc92為從所述光軸至所述第九透鏡的像側表面的變曲點（inflection point）在垂直於所述光軸的方向上的距離。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第一透鏡的所述物側表面在其近軸區域為凸面，以及所述第三透鏡的像側表面在其近軸區域為凹面。
如請求項15所述的光學成像系統，其中所述第四透鏡至所述第六透鏡中每一者的物側表面為凸面，以及所述第四透鏡至所述第六透鏡中每一者的像側表面為凹面。
如請求項1所述的光學成像系統，其中滿足1.00 ＜ |f3/f| ＜ 15.00，其中f3為所述第三透鏡的焦距。
如請求項1所述的光學成像系統，其中滿足5.00 ＜ TTL/BFL ＜ 10，其中BFL為從所述第九透鏡的像側表面至所述成像面沿所述光軸的距離。
如請求項1所述的光學成像系統，其中滿足1.55 ＜ Fno ＜ 1.75。
如請求項1所述的光學成像系統，其中滿足0.20 ＜ T14/TTL ＜ 0.31，其中T14為從所述第一透鏡的所述物側表面至所述第四透鏡的物側表面沿所述光軸的距離。
一種可自動測重及調節進砂之噴砂機，包含：<br/> 一容器，圍繞界定出一容砂空間、至少一連通該容砂空間的輸出口，及一位於該至少一輸出口相對上方且連通該容砂空間的輸入口；<br/> 一殼座，對應該容器設置且圍繞界定出一內部空間、一對準該輸入口且連通該內部空間的出砂口，及一位於該出砂口相對上方處的進砂口；及<br/> 複數測重機構，固定於該殼座上且各自向下吊接該容器，該等測重機構透過吊接方式承受並檢測該容器的重量。
如請求項1所述的噴砂機，其中，該容器包括一頂緣圍繞出該輸入口的殼壁、一連接該殼壁底緣且開設出該至少一輸出口的底板，及一由該殼壁之頂緣水平向外延伸且圍繞該輸入口的端板，該殼座包括一底緣圍繞出該出砂口的主殼體，及一由該主殼體之底緣水平向外延伸且圍繞該出砂口，並位於該端板上方的設置板，每一測重機構包括一固定於該設置板上的荷重元，及一由該荷重元向下穿伸通過該設置板並吊接該端板的懸吊件。
如請求項2所述的噴砂機，其中，每一測重機構之荷重元具有一鎖設固定於該殼座之設置板上的安裝部，及一由該安裝部水平延伸的形變部，該形變部與該設置板上下相間隔出一間隙。
如請求項3所述的噴砂機，其中，每一測重機構之懸吊件具有一穿設該殼座之設置板及該容器之端板且頂端設置於該形變部上的軸桿部，及一設置於該軸桿部上且位於該端板下方而托住該端板的承托部。
如請求項2所述的噴砂機，還包含一設置於該殼座而位於該內部空間中的導引座，該導引座設置於該主殼體且環繞該出砂口，並向下延伸通過該容器之輸入口而伸置於該容砂空間中，該導引座遮擋於該端板及該設置板內側。
如請求項5所述的噴砂機，其中，該導引座包括一設置於該殼座之主殼體上的嵌壁，及一由該嵌壁向下且向內傾斜延伸而呈斗狀的環壁，該環壁沿水平方向位於該容器之端板及該設置板內側。
如請求項2所述的噴砂機，還包含一連通該進砂口的提升機構。
如請求項7所述的噴砂機，其中，該殼座還包括一由該主殼體朝上凸伸且開設出該進砂口的承接座，該提升機構包括一設置於該承接座而與該進砂口相連通的箱殼，及一設置於該箱殼上的動力源。
如請求項7所述的噴砂機，其中，該殼座還包括複數設置於該主殼體而位於該內部空間中的導板，該等導板沿上下方向彼此間隔排列而將該內部空間區分成一連通該出砂口的送砂區域，及一分篩區域，每一導板靠近該送砂區域的一側低於靠近該分篩區域的一側，任兩相鄰導板相配合界定出一由該送砂區域傾斜地朝上延伸至該分篩區域的濾隙，該殼座還包括一由該主殼體向下延伸且連通該分篩區域的漏砂管。
一種消波塊吊架，包括：<br/> 一支撐板，該支撐板設置複數樞接元件，該複數樞接元件均分地設置於該支撐板的外周圍；<br/> 一吊架，該吊架具有複數數量對應該複數樞接元件的吊臂，該複數吊臂分別樞接於該複數樞接元件上；<br/> 一吊座，該吊座設置於該支撐板上，該吊座具有一外座、一內座與一導向機構，該外座固定於該支撐板上並具有一供該內座套入的穿槽，該導向機構具有一導槽與一插銷，該導槽設置於該外座上，而該插銷設置於該內座上，該插銷插入該導槽而於該導槽上滑移，而使該內座僅能夠相對該外座移動而不能轉動，又該內座具有一吊掛口，而該外座具有一尺寸小於該吊掛口的倒勾，當該內座沿該外座移動至該倒勾對準該吊掛口時，該內座能夠以該插銷為轉動中心而傾斜轉動而具有一讓該倒勾能夠勾入該吊掛口的第一位置與一讓該倒勾能夠脫離該吊掛口的第二位置。
如請求項1所述的消波塊吊架，其中，該導槽具有二長條開口，該二長條開口對應地設置於該外座的相對兩側，而該插銷貫穿該內座並兩端滑動地設置於該二長條開口上。
如請求項2所述的消波塊吊架，其中，該插銷的兩端分別貫穿該二長條開口而凸出於該外座之外，且該插銷於該外座之外的兩端分別設置一尺寸大於該二長條開口的限位環。
如請求項1所述的消波塊吊架，其中，各該吊臂具有一懸吊端、一樞接孔與一勾掛端，各該吊臂的該樞接孔樞接於對應的各該樞接元件上，各該懸吊端與各該勾掛端分別位於各該樞接孔的兩側，且各該吊臂的配重為驅使各該懸吊端朝遠離該支撐板之中心的方向傾斜，而使各該勾掛端朝該支撐板的方向靠攏。
如請求項4所述的消波塊吊架，其中各該樞接元件為一樞接槽，且各該樞接槽依輻射方向排列於該支撐板上。
如請求項5所述的消波塊吊架，其中各該樞接槽設置多個間隔排列穿孔與一穿軸，於各該樞接孔對準該多個穿孔的其一時，各該穿軸同時穿過各該樞接孔與對應的該穿孔。
如請求項4所述的消波塊吊架，其中各該勾掛端具有一朝上且水平設置的支撐面。
如請求項1所述的消波塊吊架，其中該複數樞接元件的數量為三個。
如請求項1所述的消波塊吊架，其中該外座與該支撐板之間設置複數支撐肋板。
如請求項1所述的消波塊吊架，其中該外座與該倒勾之間設置複數倒勾肋板。
一種散熱網編織結構，包含：<br/> 複數條銅絲，沿一第一方向延伸；以及<br/> 複數條銅箔絲，沿一第二方向延伸，且各該銅箔絲包含：<br/> 一耐熱纖維芯；以及<br/> 一銅箔，沿該耐熱纖維芯之一長度方向螺旋纏繞於該耐熱纖維芯的表面，<br/> 其中，該等銅絲與該等銅箔絲係交錯地編織為一網。
如請求項1所述之散熱網編織結構，其中該網具有一平紋結構、一斜紋結構以及一緞紋結構其中之一。
如請求項1或2所述之散熱網編織結構，其中該等銅絲的每一者係選自以下群組：純銅線及合金銅線。
如請求項1或2所述之散熱網編織結構，其中各該耐熱纖維芯之材質係選自以下群組：芳香族聚醯胺纖維、對位芳香族聚醯胺纖維及間位芳香族聚醯胺纖維。
如請求項1或2所述之散熱網編織結構，其中各該耐熱纖維芯之直徑為0.04毫米至0.2毫米。
如請求項1或2所述之散熱網編織結構，其中各該銅箔之寬度為0.06毫米至0.45毫米，且各該銅箔之厚度為0.01毫米至0.03毫米。
一種散熱網編織結構，包含：<br/> 複數條第一銅箔絲，沿一第一方向延伸，且各該第一銅箔絲包含：<br/> 一第一耐熱纖維芯；以及<br/> 一第一銅箔，沿該第一耐熱纖維芯之一第一長度方向螺旋纏繞於該第一耐熱纖維芯的表面；以及<br/> 複數條第二銅箔絲，沿一第二方向延伸，且各該第二銅箔絲包含：<br/> 一第二耐熱纖維芯；以及<br/> 一第二銅箔，沿該第二耐熱纖維芯之一第二長度方向螺旋纏繞於該第二耐熱纖維芯的表面，<br/> 其中，該等第一銅箔絲與該等第二銅箔絲係交錯地編織為一網。
如請求項7所述之散熱網編織結構，其中該網具有一平紋結構、一斜紋結構以及一緞紋結構其中之一。
如請求項7或8所述之散熱網編織結構，其中該等第一耐熱纖維芯及該等第二耐熱纖維芯的每一者之材質係選自以下群組：芳香族聚醯胺纖維、對位芳香族聚醯胺纖維及間位芳香族聚醯胺纖維。
如請求項7或8所述之散熱網編織結構，其中該等第一耐熱纖維芯及該等第二耐熱纖維芯的每一者之直徑為0.04毫米至0.2毫米。
一種資料傳輸裝置，係包括： <br/>一主機板，其上設有一人工智慧（Artificial Intelligence, AI）高速運算元件及一交換器（switch），該交換器連接於該AI高速運算元件，且該AI高速運算元件與該交換器之間透過光訊號介面進行資料傳輸，以支援高速串列訊號交換；以及 <br/>一擴充板，其上設有數個高速介面模組，並可分別連接至獨立驅動器以供資料擴充，該擴充板中該些高速介面模組僅需透過單一線材與該主機板直接連接，該線材支援至少56 Gbps或112 Gbps以上之高速傳輸，且傳輸距離超過60公分。
依請求項1所述之資料傳輸裝置，其中，該交換器為光訊號交 <br/>換器，具備1:N的連接配置，其中N為8或32。
依請求項1所述之資料傳輸裝置，其中，該光訊號介面之電氣 <br/>端為Tx/Rx串列差分介面。
依請求項1所述之資料傳輸裝置，其中，該光訊號介面符合小 <br/>封裝熱插拔（Small Form-factor Pluggable, SFP）、百億位元小封裝熱插拔（10 Gigabit Small Form-factor Pluggable, XFP）或百億位元串列電氣介面（XFI）規格。
依請求項1所述之資料傳輸裝置，其中，該光訊號介面之傳輸 <br/>速率為至少1 Gbps。
依請求項1或5所述之資料傳輸裝置，其中，該光訊號介面可支 <br/>援之速率包含 10 Gbps、25 Gbps、40 Gbps、80 Gbps或100 Gbps。
依請求項1所述之資料傳輸裝置，其中，該些高速介面模組為 <br/>SFP介面、四通道SFP（Quad SFP, QSFP）介面或RJ45介面。
依請求項1所述之資料傳輸裝置，其中，該線材係採用不歸零 <br/>（Non-Return-to-Zero, NRZ）調變方式以支援 56 Gbps。
依請求項1所述之資料傳輸裝置，其中，該線材係採用四階脈 <br/>衝振幅調變（4-level pulse amplitude modulation, PAM4）方式支援112 Gbps。
一種定位壓接治具，包括：<br/> 一底座；<br/> 一支架，位於該底座上，用以承載具有隔絕墊片之一墊片料帶；以及<br/> 一壓合槽，位於該支架相對該底座之一面，該壓合槽之槽底與一攝像頭殼件之一第一外側面具有相同輪廓，<br/> 其中當該隔絕墊片重疊該壓合槽，該攝像頭殼件之該第一外側面移至該隔絕墊片，且將該隔絕墊片彎曲並下壓至該槽底，該隔絕墊片貼附至該攝像頭殼件之該第一外側面。
如請求項1所述之定位壓接治具，其中該壓合槽之該槽底與該第一外側面皆具有一致之彎曲輪廓。
如請求項1所述之定位壓接治具，其中該支架包含：<br/> 一凸起部，位於該支架之該面，並由該壓合槽形成於該凸起部上；以及<br/> 至少一限位銷，位於該支架之該面，用以穿過該墊片料帶之至少一限位孔，其中該隔絕墊片可移除地位於該墊片料帶上。
如請求項1所述之定位壓接治具，更包含：<br/> 一下壓件，包含一板體與一觸壓部，該板體可升降地位於該壓合槽上方，該觸壓部連接該板體，用以將該攝像頭殼件壓入該壓合槽內。
如請求項4所述之定位壓接治具，其中該觸壓部相對該板體之一面具有一下壓面，該下壓面與該攝像頭殼件之第二外側面彼此凹凸互補。
如請求項1所述之定位壓接治具，更包含：<br/> 一容置槽，位於該支架與該底座其中之一，用以容置一光學影像模組，該光學影像模組包含該攝像頭殼件。
如請求項6所述之定位壓接治具，更包含：<br/> 至少一引導部，連接該容置槽，用以將該光學影像模組引導進入該容置槽。
一種組裝系統，包括：<br/> 一定位壓接治具，包括一底座、一支架、一壓合槽及至少一限位銷，該支架位於該底座上，該壓合槽位於該支架相對該底座之一面，該壓合槽之槽底與一光學影像模組之一攝像頭殼件之一第一外側面具有相同輪廓，該至少一限位銷位於該支架之該面；<br/> 一墊片料帶，包含一狹長帶體、至少一限位孔及至少一隔絕墊片，該狹長帶體可移動地位於該定位壓接治具上且覆蓋該壓合槽，該至少一限位孔位於該狹長帶體上，該至少一隔絕墊片可移除地位於該狹長帶體上；<br/> 一光學辨識模組，位於該定位壓接治具上方，用以辨識該至少一限位孔與該至少一限位銷是否對位；以及<br/> 一機器手臂，可升降地位於該定位壓接治具上方，用以將該光學影像模組移至該定位壓接治具上，<br/> 其中當該至少一限位銷穿過該至少一限位孔，使得該隔絕墊片重疊該壓合槽，當該攝像頭殼件之該第一外側面被移至該至少一隔絕墊片之背膠層，且將該至少一隔絕墊片彎曲並下壓至該槽底，使得該隔絕墊片貼附至該攝像頭殼件之該第一外側面。
如請求項8所述之組裝系統，其中該壓合槽之該槽底與該第一外側面皆具有一致之彎曲輪廓。
如請求項8所述之組裝系統，其中該定位壓接治具更包含：<br/> 一下壓件，包含一板體與一觸壓部，該板體位於該壓合槽上方，該觸壓部連接該板體，用以將該攝像頭殼件壓入該壓合槽內，<br/> 其中該觸壓部相對該板體之一面具有一下壓面，該下壓面與該攝像頭殼件之第二外側面彼此凹凸互補。
一種貨櫃連接裝置，包含:<br/> 一固定閂鎖單元，界定出一第一容室與一第二容室，並包括一固定閂塊、一在一上下方向上相對於該固定閂塊的嵌卡凸塊，及一在該上下方向上介於該第一容室與該第二容室之間的分隔壁，該分隔壁形成有一連通該第一容室與該第二容室並沿該上下方向延伸的導引孔；及<br/> 一活動閂鎖單元，包括一沿該上下方向可移動地設置於該第一容室與該第二容室的活動閂鎖模組，及一連接於該活動閂鎖模組與該固定閂鎖單元之間的彈性元件，該活動閂鎖模組包括一位於該第一容室內的活動閂塊、一位於該第二容室內的操作件，及一穿過該導引孔並連接於該活動閂塊與該操作件之間的導桿，該活動閂鎖模組可相對於該固定閂鎖單元在一閂鎖位置與一釋放位置之間移動，當該活動閂鎖模組在該閂鎖位置時，該活動閂塊鄰近於該固定閂塊，當該活動閂鎖模組在該釋放位置時，該活動閂塊遠離於該固定閂塊，該彈性元件具有驅使該活動閂鎖模組朝該閂鎖位置移動的勢能。
如請求項1所述的貨櫃連接裝置，其中，該固定閂鎖單元還包括一沿該上下方向延伸的基壁，該分隔壁與該基壁連接，並沿一前後方向從該基壁朝前延伸出，該基壁具有一在該上下方向上低於該分隔壁的擋止部，當該活動閂鎖模組在該閂鎖位置時，該操作件與該擋止部抵接，當該活動閂鎖模組在該釋放位置時，該操作件脫開該擋止部。
如請求項1所述的貨櫃連接裝置，其中，該固定閂鎖單元還包括一沿該上下方向延伸的基壁、二在一左右方向上間隔地設置於該基壁的兩側並與該分隔壁連接的側壁，及一連接於該等側壁的底端之間的底壁，該固定閂塊設置於該基壁的頂端，該嵌卡凸塊設置於該基壁的底端，該基壁、該分隔壁與該等側壁配合界定出該第一容室，該基壁、該分隔壁、該等側壁與該底壁配合界定出該第二容室。
如請求項3所述的貨櫃連接裝置，其中，該固定閂鎖單元還包括一連接於該等側壁之間的連接壁，該連接壁形成有一在一前後方向上位於該分隔壁之前的分隔槽。
如請求項3所述的貨櫃連接裝置，還包含一拉動單元，其中一側壁形成有一與該第一容室連通的穿繩孔，該拉動單元包括一與該活動閂塊連接的連接頭、一與該連接頭連接並從該穿繩孔穿出的拉索，及一與該拉索相反於該連接頭的其中一端連接的拉動鈕，該拉動單元用於驅使該活動閂鎖模組從該閂鎖位置移動至該釋放位置。
如請求項5所述的貨櫃連接裝置，其中，該活動閂塊與該基壁的前側滑動接觸，該活動閂塊具有一閂塊頂面、一閂塊底面，及一連接於該閂塊頂面與該閂塊底面之間並與該基壁的前側滑動接觸的閂塊後側面，該活動閂塊形成有一從該閂塊頂面延伸至該閂塊底面並貫穿該閂塊後側面的安裝槽，該安裝槽具有一大槽部、一連通該大槽部與該第一容室的小槽部，及一界定於該大槽部與該小槽部之間的肩部，該大槽部的槽寬大於該小槽部的槽寬，該連接頭設置於該大槽部內並與該肩部抵接，該拉索穿過該小槽部，並經由該第一容室，從該穿繩孔穿出。
如請求項1所述的貨櫃連接裝置，其中，該活動閂鎖模組還包括一結合銷，該操作件具有一操作壁，及一設置於該操作壁的底面的擋止頭，該操作壁形成有一穿桿孔，該擋止頭形成有一與該穿桿孔連通並朝下開放的擋槽，該擋止頭具有一界定出該擋槽的頂側的槽頂面，該導桿具有一與該活動閂塊連接的桿頂端部，及一穿過該穿桿孔並延伸至該擋槽內的桿底端部，該桿底端部具有一銷孔，該結合銷設置於該銷孔並與該槽頂面抵接。
如請求項7所述的貨櫃連接裝置，其中，該操作壁形成有二互相間隔並在一左右方向上位於該導桿的兩側的握持凹槽。
如請求項7所述的貨櫃連接裝置，其中，該操作壁具有一水平壁部，及二分別從該水平壁部的相反兩端朝上並朝外延伸出的側壁部，該擋槽的橫截面形狀是呈倒V字形。
如請求項1所述的貨櫃連接裝置，其中，該彈性元件套設於該導桿，並抵接於該分隔壁與該活動閂塊之間，該彈性元件是一種壓縮彈簧。
一種置物框架組接件，包含有：<br/> 一本體，於其一側凹設有二平行並列之第一嵌槽，該二第一嵌槽分別呈直線狀貫穿該本體之兩相對端，並在該二第一嵌槽之間形成有一隔牆，使該二第一嵌槽得分別供一框架之側邊嵌入而相互結合。
如請求項1所述的置物框架組接件，其中，該本體於設有該二第一嵌槽之同一側更設有至少一第二嵌槽，該第二嵌槽與該二第一嵌槽呈平行並列設置而具有相同的開口方向，以供三個框架得分別以其一側邊嵌入於該二第一嵌槽與該第二嵌槽中而相互結合。
如請求項1所述的置物框架組接件，其中，該本體於設有該二第一嵌槽之背側更設有一第二嵌槽，該第二嵌槽與其中一第一嵌槽呈上下平行設置，且該第二嵌槽與該二第一嵌槽具有不同的開口方向，以供另一框架之側邊可相對嵌入於該第二嵌槽中。
如請求項1所述的置物框架組接件，其中，該本體於設有該二第一嵌槽之背側更設有至少二平行並列之第二嵌槽，該二第二嵌槽與該二第一嵌槽呈上下平行設置，且該二第二嵌槽與該二第一嵌槽分別具有不同的開口方向，使該二第二嵌槽得分別供另一框架之側邊相對嵌入而相互結合。
如請求項1所述的置物框架組接件，其中，該隔牆係朝該本體之其中一端向外凸伸形成有一可相對伸入於一框架端角彎折處位置之延伸段。
如請求項1所述的置物框架組接件，其中，該二第一嵌槽分別沿其內凹方向依序形成有由二相對側壁構成之一夾口部及一位於其底部呈圓弧狀之容置部，該夾口部最小之內徑小於該容置部最大之內徑。
如請求項6所述的置物框架組接件，其中，該容置部向下延伸之深度至少大於該框架之側邊外徑的二分之一。
一種刀套，用以收納一刀把，該刀把具有一柄部，該柄部上設有一定位槽；該刀套包括：<br/> 一筒狀本體，具有一套接孔和一側孔，該套接孔係沿著一虛擬的軸線設置，該側孔貫穿該筒狀本體且連通該套接孔；<br/> 一定位鈕，係設置於該側孔中，該定位鈕具有一抵接部突露至該套接孔中；<br/> 藉此，該刀把以其柄部插入該套接孔時，該定位鈕之該抵接部位於該刀把之該定位槽中，該刀把無法以該軸線為中心相對該筒狀本體轉動。
如請求項1所述之刀套，包括有一壓制件，該壓制件固接該筒狀本體，用以限制該定位鈕的位置，以使該定位鈕不會相對該筒狀本體脫離。
如請求項2所述之刀套，其中該筒狀本體之該側孔為具有一大孔徑和一小孔徑的階級孔，該定位鈕包括有一桿身和一頭部，該桿身穿設於該小孔徑中，且該桿身一端構成該抵接部，該頭部抵於該大孔徑上，該壓制件的一部分壓貼在該頭部外側。
如請求項1所述之刀套，其中該筒狀本體之該側孔為一螺孔，該定位鈕具有一螺紋桿身，該螺紋桿身鎖入該螺孔中且一端構成該抵接部。
如請求項1至4任一項所述之刀套，其中該筒狀本體之該套接孔的孔壁是由三段弧面連接構成一個非圓形孔，其中定義該筒狀本體的筒壁厚度在兩兩相鄰之弧面的連接部位為一窄部，在兩個窄部之間構成一厚部，該側孔貫穿該筒狀本體的其中一個厚部。
如請求項5所述之刀套，其中該刀把具有一環垣，該柄部連接該環垣且具有一端面及一周面，該周面係由三個弧面連接構成，該定位槽形成於該端面和其中一個弧面的連接部位；當該刀把之該柄部插入該套接孔，且該環垣抵接該筒狀本體時，該定位鈕之該抵接部位於該刀把之該定位槽中。
如請求項1所述之刀套，其中該筒狀本體為熔融鋁液經注射成型。
一種支撐裝置，主要係針對鏡組或燈組的高度及俯仰角度進行調整，包括：<br/> 支架組件，具有立管，該立管頂端設有萬向結合頭；<br/> 調節組件，具有第一樞接部、第二樞接部及橫軸向樞接於該第一樞接部及該第二樞接部之間的第一擺臂及第二擺臂，該第一樞接部另一端與該立管之萬向結合頭相互樞組，該第一擺臂與該第二擺臂呈上、下間隔設置並分別設有相對應之第一穿孔及第二穿孔，且該第一擺臂與該第二擺臂相鄰之間斜向設置彈性件，透過該彈性件的彈性伸縮，提供該第一擺臂及該第二擺臂上、下樞擺過程之復位行程；<br/> 第一殼體組件，具有第一外殼及第二外殼，該第一外殼及該第二外殼分別具有相對應之第一嵌接部及第二嵌接部，當該第一外殼及該第二外殼分別罩蓋於該第一擺臂及該第二擺臂時，該第一嵌接部及該第二嵌接部分別嵌穿過該第一穿孔及該第二穿孔並相互嵌組，俾使該第一殼體組件罩蓋於該調節組件外側；<br/> 第二殼體組件，具有第三外殼及第四外殼，該第三外殼及該第四外殼分別具有相對應之第三嵌接片、第四嵌接槽及第三嵌接柱、第四嵌接孔柱，當該第三外殼及該第四外殼分別罩蓋於該立管時，該第三嵌接片與該第四嵌接槽相互嵌組，該第三嵌接柱與該第四嵌接孔柱相互嵌組，俾使該第二殼體組件罩蓋於該支架組件外側。
如請求項1所述支撐裝置，其中該立管具有複數貫穿孔，該第三外殼對應該複數貫穿孔設有複數定位孔，且該第三外殼底端及該第四外殼頂端分別設有第一套孔部及第二套孔部，組裝上，該立管底端依序套入該第二套孔部及該第一套孔部後，透過複數定位件依序穿該複數貫穿孔及該複數定位孔，將該立管定位於該第三外殼及該第四外殼內側。
如請求項2所述支撐裝置，其中該立管底端組接底座。
如請求項1所述支撐裝置，其中常態下，該第一擺臂及該第二擺臂呈上傾角度，該彈性件呈未拉伸狀態。
如請求項1所述支撐裝置，其中當該第一擺臂及該第二擺臂受外力向下樞擺至呈水平角度時，該彈性件呈半拉伸狀態。
如請求項1所述支撐裝置，其中當該第一擺臂及該第二擺臂受外力向下樞擺至呈下傾角度時，該彈性件呈完全拉伸狀態。
如請求項1所述支撐裝置，其中該第二樞接部設有安裝部，該安裝部供鏡架組件安裝固定。
如請求項7所述支撐裝置，其中當該調節組件安裝該鏡架組件時，該第一擺臂及該第二擺臂受外力向下樞擺至呈水平的角度時，該鏡架組件的顯示角度能夠定位在水平的角度。
如請求項7所述支撐裝置，其中當該調節組件安裝該鏡架組件時，該第一擺臂及該第二擺臂向上樞擺至呈上傾的角度時，該鏡架組件隨該第一擺臂及該第二擺臂向上移動，且該鏡架組件的顯示角度能夠定位於仰視的角度。
如請求項7所述支撐裝置，其中當該調節組件安裝該鏡架組件時，該第一擺臂及該第二擺臂向下樞擺至呈下傾的角度時，該鏡架組件隨該第一擺臂及該第二擺臂向下移動，且該鏡架組件的顯示角度能夠定位於俯視的角度。
如請求項1所述支撐裝置，其中該調節組件透過該第一樞接部與該立管之萬向結合頭的樞組結構，使其可橫軸向樞擺。
一種桿裝置，被建構用於裝配至框架的第一構件和第二構件，包含： <br/> 第一桿結構，定義一縱向，該第一桿結構包括位於該縱向之兩相反端其中一端的第一端部、和從該第一端部沿著不同於該縱向之方向延伸的第一耳部，該第一耳部被建構用於鈎住該第一構件，以便防止該第一端部脫離該第一構件；和 <br/> 第二桿結構，可滑動地連接至該第一桿結構，該第二桿結構包括位於該縱向兩相反端之其中另一端的第二端部，該第二端部用於裝配至該第二構件。
如請求項1所述桿裝置，另外包含可滑動地連接至該第一桿結構的滑動件，其可在該縱向相對於該第一耳部滑動。
如請求項2所述之桿裝置，另外包含： <br/> 固定件，固定至該第一桿結構；和 <br/> 彈性件，位於該固定件和該滑動件之間，用於推動該滑動件。
如請求項3所述之桿裝置，另外包括第一卡合件，設置在該滑動件，被建構用於卡合該第一構件。
如請求項4所述之桿裝置，其中該滑動件包括操作片，被建構用於供工作人員推動該滑動件。
如請求項5所述之桿裝置，其中該第二桿結構另外包括設置在該第二端部的第二卡合件，其被建構用於卡合該第二構件。
如請求項6所述之桿裝置，其中該彈性件的一端圍繞該第一卡合件的一端。
如請求項7所述之桿裝置，其中該第一桿結構和第二桿結構其中一者包含開槽，以限制該第一桿結構和第二桿結構相對滑動的距離。
如請求項8所述之桿裝置，其中該第一桿結構和第二桿結構其中一者包含溝，用於容置該第一桿結構和第二桿結構其中另一者的一部份。
如請求項9所述之桿裝置，其中該第一桿結構和第二桿結構其中該另一者包含肋部，可滑動地容置在該溝內。
一種注射針筒可控制注射深度結構，適用於一包括針筒本體(11)以及一套合於該針筒本體(11)前端的針頭(13)之注射針筒(10)，其特徵在於包含： <br/>一深度標尺(20)，其上設有一深度刻度(21)，用以指示該針頭(13)的穿刺長度；以及 <br/>一夾持裝置(30)，該夾持裝置(30)設有一深度固定束孔(31)及一針筒夾持環(32)； <br/>其中，該深度標尺(20)穿設於該深度固定束孔(31)內，藉由摩擦力軸向位移並受束結定位； <br/>該針筒夾持環(32)用以外掛夾持並固定於該針筒本體(11)上，使該深度標尺(20)與該針頭(13)平行； <br/>藉由調整該深度標尺(20)的軸向位置，使預設的目標深度刻度與該深度固定束孔(31)的一端對齊，即可設定該針頭(13)相對於皮膚的最大入針深度； <br/>注射時，以該深度標尺(20)的末端接觸皮膚作為穿刺深度停止點。
如請求項1所述之注射針筒可控制注射深度結構，其中該深度標尺(20)在初始校準時，該深度標尺(20)上的零點刻度與該深度固定束孔(31)的該一端對齊，且該深度標尺(20)的末端與該針頭(13)的末端對齊。
如請求項1所述之注射針筒可控制注射深度結構，其中該深度標尺(20)採用ABS或PC塑膠材質。
如請求項1所述之注射針筒可控制注射深度結構，其中該夾持裝置(30)採用具備彈性的TPE或PP材質。
如請求項1所述之注射針筒可控制注射深度結構，其中該深度固定束孔(31)的一端係指其上端邊緣。
一種可快拆散熱模組之顯卡裝置，其包括有：<br/>一顯卡模組，其設有一第一卡扣結構；<br/>一散熱模組，其設有一第二卡扣結構，該散熱模組可透過相對於該顯卡模組之一正向位移，令該第二卡扣結構與該第一卡扣結構相結合，進而使該散熱模組固定於該顯卡模組上；以及該散熱模組可透過相對於該顯卡模組之一逆向位移，令該第二卡扣結構離開該第一卡扣結構，進而自該顯卡模組上卸除該散熱模組。
如請求項1所述之可快拆散熱模組之顯卡裝置，其中，該正向位移及該逆向位移分別平行於該顯卡模組之長度方向。
如請求項1所述之可快拆散熱模組之顯卡裝置，其中，該第一卡扣結構與該第二卡扣結構之數量分別有二個，且兩個該第一卡扣結構之間距係大於兩個該第二卡扣結構之間距。
如請求項1所述之可快拆散熱模組之顯卡裝置，其中，定義一平行於該顯卡模組之長度方向的X方向、一平行於該顯卡模組之寬度方向的Y方向，以及一平行於該顯卡模組之高度方向的Z方向；該第一卡扣結構與該第二卡扣結構之其中一者設有一嵌槽，該嵌槽包括有一沿該Z方向凹入之Z向槽部及一沿該X方向凹入之X向槽部；該第一卡扣結構與該第二卡扣結構之另一者設有一嵌卡塊，該嵌卡塊包括有一沿該Y方向延伸之Y向連接部及一沿該X方向延伸之X向嵌卡部，該嵌卡部可隨該正向位移而嵌入該X向槽部，以及隨該逆向位移而離開該X向槽部。
如請求項4所述之可快拆散熱模組之顯卡裝置，其中，該嵌卡塊之X向嵌卡部自該Y向連接部伸出後往該Z方向形成偏斜。
如請求項5所述之可快拆散熱模組之顯卡裝置，其中，該嵌槽之X向槽部具有一連接該Z向槽部之等徑段及一連接該等徑段之漸縮段。
如請求項4所述之可快拆散熱模組之顯卡裝置，其中，該嵌槽之數量為複數個，且沿該X方向排列；該嵌卡塊之數量與該嵌槽之數量相同，且沿該X方向排列。
如請求項1所述之可快拆散熱模組之顯卡裝置，其中，該顯卡模組設有一連接器模組，其包括有複數個沿平行於該正向位移之方向延伸之探針；該散熱模組設有複數個電氣接點，該散熱模組藉由該正向位移令該第二卡扣結構與該第一卡扣結構相結合時，該探針係可接觸到該電氣接點，進而令該散熱模組與該顯卡模組形成電性連接。
一種相機模組，包括： <br/>第一透鏡群及第二透鏡群，沿光軸依序設置； <br/>鏡筒，經配置以容納所述第一透鏡群及所述第二透鏡群；以及 <br/>吸濕件，設置於所述鏡筒中的凹槽內， <br/>其中所述鏡筒包括第一通孔及第二通孔，所述第一通孔使所述凹槽連接至所述第一透鏡群與所述第二透鏡群之間的空間，所述第二通孔使所述凹槽連接至所述鏡筒的外部空間。
如請求項1所述的相機模組，其中所述第一通孔及所述第二通孔在所述鏡筒的所述光軸的周圍的圓周方向上間隔設置。
如請求項1所述的相機模組，其中所述第一通孔面向與所述鏡筒的所述光軸相交的第一方向，且所述第二通孔面向與所述光軸相交的第二方向。
如請求項1所述的相機模組，其中所述第一通孔的數量與所述第二通孔的數量不同。
如請求項1所述的相機模組，其中所述第一通孔及所述第二通孔具有不同尺寸。
如請求項1所述的相機模組，更包括緩衝件，設置於所述凹槽中。
一種相機模組，包括： <br/>第一透鏡群及第二透鏡群，沿光軸依序設置； <br/>鏡筒，經配置以容納所述第二透鏡群；以及 <br/>蓋件，經配置以將所述第一透鏡群固定至所述鏡筒， <br/>其中所述鏡筒包括凹槽、第一通孔及第二通孔，所述第一通孔使所述凹槽連接至所述第一透鏡群與所述第二透鏡群之間的空間，所述第二通孔使所述凹槽連接至所述鏡筒的外部空間，且 <br/>其中所述蓋件包括連接至所述第二通孔的第三通孔。
如請求項7所述的相機模組，其中所述第一通孔、所述第二通孔及所述第三通孔在所述鏡筒的所述光軸的周圍的圓周方向上間隔設置。
如請求項7所述的相機模組，其中所述第一通孔面向與所述鏡筒的所述光軸相交的第一方向，且所述第二通孔面向與所述光軸相交的第二方向。
如請求項7所述的相機模組，其中所述第一通孔、所述第二通孔及所述第三通孔面向不同方向。
如請求項7所述的相機模組，其中所述第一通孔及所述第二通孔具有不同尺寸。
如請求項7所述的相機模組，其中所述第一通孔、所述第二通孔及所述第三通孔具有不同尺寸。
如請求項7所述的相機模組，其中所述第一通孔比所述第二通孔更靠近所述第一透鏡群。
如請求項7所述的相機模組，更包括設置在所述凹槽中的吸濕件。
如請求項14所述的相機模組，其中在所述光軸的方向上，所述第一通孔及所述第二通孔比所述吸濕件更靠近所述第一透鏡群。
如請求項7所述的相機模組，更包括用於將所述蓋件固定至所述鏡筒的黏合件。
一種路檢警示牌結構，其係包含有：<br/>一本體，該本體之前表面具有一基板，該基板周圍係圍設一邊框，該基板上設置一第一字樣顯示部、一第二字樣顯示部及一第三字樣顯示部，該第一字樣顯示部係由複數第一發光件排列拼組而成，該第二字樣顯示部係設於該第一字樣顯示部之旁側，該第二字樣顯示部係由複數第二發光件排列拼組而成，該第三字樣顯示部係設於該第一字樣顯示部與一第二字樣顯示部之下側，該第三字樣顯示部係由複數第三發光件排列拼組而成；<br/>一控制開關組，該控制開關組係設於該邊框上，該控制開關組包括一第一操作開關、一第二操作開關及一電源開關，該第一操作開關與該第二操作開關係分別電性連接該第一字樣顯示部與該第二字樣顯示部，以供分別控制該等第一發光件或該等第二發光件發亮，該電源開關係用以開啟或關閉電源。
如請求項1所述之路檢警示牌結構，其中，該基板上還設置一警示燈號顯示部，該警示燈號顯示部係設於該第一字樣顯示部與一第二字樣顯示部之上側，該警示燈號顯示部係由複數發光件排列拼組而成。
如請求項2所述之路檢警示牌結構，其中，該控制開關組還包含一功能轉換開關，該功能轉換開關係電性連接該第一字樣顯示部與該第二字樣顯示部、該第三字樣顯示部與該警示燈號顯示部，以供控制各顯示部能同時發亮或接續發亮。
如請求項1所述之路檢警示牌結構，其中，該基板上還設置有一電量顯示件，用以顯示該路檢警示牌結構剩餘之電量。
如請求項1所述之路檢警示牌結構，其中，該控制開關組還包含一充電孔，該充電孔係可透過一電線連接外部電源，以進行充電。
如請求項1所述之路檢警示牌結構，其中，還包含一活動腳架，該活動腳架係組設於該本體之後表面，該活動腳架可相對該本體呈展開或收折之態樣。
如請求項2所述之路檢警示牌結構，其中，該等第一發光件、該等第二發光件、該等第三發光件與該等發光件係均為LED燈。
一種拉伸健身器，包含：<br/> 一橫管，沿著一軸向方向形成一連通道，且該橫管的端部設有一貫通於該連通道的插接通道；<br/> 一套筒，包括一與該連通道同向的安裝通道以及一與該插接通道同向的定位通道，該安裝通道具有一相鄰外側的喇叭部以及一位於內側的階梯部，當該套筒被插入在該橫管的該連通道內，將該定位通道對準該插接通道的位置；<br/> 一定位栓，可組卸地插接於該插接通道以及該定位通道，使得該橫管與該套筒皆被該定位栓阻擋而無法彼此分開：<br/> 一繩體，具有一固定端以及一拉伸端，該固定端被該階梯部限制在該套筒內，且該拉伸端穿出該喇叭部來外露於該套筒之外，該繩體由一彈性材料構成而能從一原始長度被拉長為一拉伸長度；以及<br/> 一握把，被連接在該拉伸端；<br/> 其中，當該定位栓被從該套筒與該橫管拆卸後，該套筒將能從該橫管的連通道中分離。
如請求項1所述拉伸健身器，其中，該套筒具有一位於外側的環凸緣，且該環凸緣的外徑大於該橫管的內徑，當該套筒插入該橫管時，該環凸緣將卡抵在該橫管的一端部。
如請求項1所述拉伸健身器，其中，該插接通道與該定位通道是沿著一垂直方向排設，且該定位栓包括一柱部以及一後擋部，該柱部插接於該插接通道與該定位通道，而該後擋部的輪廓大於該插接通道，使得該後擋部被該橫管阻擋而無法進入該插接通道與該定位通道。
如請求項1所述拉伸健身器，其中，該插接通道與該定位通道是沿著一水平方向排設，且該定位栓包括一柱部、一後擋部以及一前擋部，該柱部具有一位於該橫管與套筒內的卡抵段以及一突出該橫管的外露段，且該外露段具有一凹孔，該前擋部包括一彈簧以及一卡塊，該彈簧與卡塊被限制在該凹孔中，使得該卡塊的一部份突出於該凹孔之外；當該卡塊外露於該凹孔時，該定位栓無法從該橫管與該套筒中分離；當該卡塊內藏於該凹孔時，該定位栓將可從該橫管與該套筒中抽離。
如請求項1所述拉伸健身器，其中，該喇叭部的兩端分別形成一外側開口以及一直徑小於該外側開口的內側開口，且該外側開口以及該內側開口之間形成一漏斗狀壁面，又該階梯部為一直徑大於該內側開口的柱孔，且該柱孔具有一頭段來容納該繩體的固定端以及一尾段來連通該定位通道。
如請求項5所述拉伸健身器，其中，該繩體的固定端是被打結成一橫寬大於該內側開口的繩結，由該繩結來卡固在該柱孔。
一種拉伸健身器，包含：<br/> 一橫管，沿著一軸向方向形成一連通道，且該橫管的端部設有一貫通於該連通道的插接通道；<br/> 一套筒，包括一與該連通道同向的安裝通道以及一與該插接通道同向的定位通道，該安裝通道具有一相鄰外側的喇叭部以及一位於內側的階梯部，當該套筒被插入在該橫管的該連通道內，將該定位通道對準該插接通道的位置；<br/> 一繩體，具有一固定端以及一拉伸端，該固定端被該階梯部限制在該套筒內，且該拉伸端穿出該喇叭部來外露於該套筒之外，該繩體由一彈性材料構成而能從一原始長度被拉長為一拉伸長度；<br/> 一握把，被連接在該拉伸端；<br/> 一副橫管，平行連接於該橫管，具有沿著該軸向方向形成的一副連通道，且該副橫管的端部設有一貫通於副連通道的副插接通道，又該副插接通道同軸於該插接通道；<br/> 一副套筒，包括一與該副連通道同向的副安裝通道以及一與該副插接通道同向的副定位通道，該副安裝通道具有一相鄰外側的副喇叭部以及一位於內側的副階梯部，當該副套筒被插入在該副橫管的該副連通道內，將該副定位通道對準該副插接通道的位置；<br/> 一副繩體，具有一副固定端以及一副拉伸端，該副固定端被該副階梯部限制在該副套筒內，且該副拉伸端穿出該副喇叭部來外露於該副套筒之外，該副繩體由該彈性材料構成而能從一副原始長度被拉長為一副拉伸長度；<br/> 一副握把，被連接在該副拉伸端；以及<br/> 一定位栓，可組卸地插接於該插接通道、該定位通道、該副插接通道以及該副定位通道，使得該橫管與該套筒皆被該定位栓阻擋而無法彼此分開，同時該副橫管與該副套筒亦被該定位栓阻擋而無法彼此分開；<br/> 其中，當該定位栓被從該套筒、該橫管、該副套筒以及該副橫管拆卸後，該套筒與該副套筒將能分別從該橫管與該副橫管中分離。
一種拉伸健身器，包含：<br/> 一橫管，上下兩端各有一沿著軸向方向平行的圓筒部，且該橫管的端部設有一貫通於該圓筒部的插接通道；<br/> 一套筒，包括一與該圓筒部同向的安裝通道以及一與該插接通道同向的定位通道，該安裝通道具有一相鄰外側的喇叭部以及一位於內側的階梯部，當該套筒被插入在該橫管的該圓筒部內，將該定位通道對準該插接通道的位置；<br/> 一定位栓，可組卸地插接於該插接通道以及該定位通道，使得該橫管與該套筒皆被該定位栓阻擋而無法彼此分開：<br/> 一繩體，具有一固定端以及一拉伸端，該固定端被該階梯部限制在該套筒內，且該拉伸端穿出該喇叭部來外露於該套筒之外，該繩體由一彈性材料構成而能從一原始長度被拉長為一拉伸長度；以及<br/> 一握把，被連接在該拉伸端；<br/> 其中，當該定位栓被從該套筒與該橫管拆卸後，該套筒將能從該橫管的連通道中分離。
一種暖光光熱共振裝置，包含： <br/>一裝置本體，包含一輸入單元以及一發射單元，其中 <br/>該輸入單元，包含 <br/>一調控模組及一智能模組，設以產生一操作指令； <br/>該發射單元，耦接於該輸入單元，設以接收並依據該操作指令發射一暖光光波，該暖光光波之波長介於0.03至3.0 mm之間。
如請求項1所述之暖光光熱共振裝置，其中該暖光光波之波長介於0.3至1.0 mm之間。
如請求項1所述之暖光光熱共振裝置，其中該裝置本體更包含一照射口，用以將所發射出的暖光光波照射在一使用者身上的部位。
如請求項1所述之暖光光熱共振裝置，其中 <br/>在該調控模組中，該操作指令包含一時間資訊及一強度資訊；以及 <br/>在該智能模組中，該操作指令更包含一部位資訊，且依據該部位資訊產生一時間資訊及一強度資訊。
如請求項1所述之暖光光熱共振裝置，其中該輸入單元包含一觸控面板、一機械控制面板或一顯示面板。
如請求項1所述之暖光光熱共振裝置，其中該輸入單元更包含一無線通訊單元，電性連接至該輸入單元。
如請求項6所述之暖光光熱共振裝置，其中該無線通訊單元包含一無線熱點(Wi-Fi)、一藍芽接收發射器、一蜂訊(ZigBee)集線器(hub) 或一近距離通訊(Near Field Communication)。
如請求項1所述之暖光光熱共振裝置，其中該發射單元包含一振盪器、一光子積體電路(photonic integrated circuit)、一功率放大器以及一升壓變換器(booster converter)。
一種修整組件，其包括：<br/> 一基座；以及<br/> 一研磨結構件，設置於所述基座上，所述研磨結構件包括一支撐結構層、多個研磨顆粒、以及一熔滲複合層，所述支撐結構層與多個研磨顆粒之間通過一第一結合層來進行結合，所述熔滲複合層與所述支撐結構層之間通過一第二結合層來進行結合，所述基座與所述熔滲複合層通過一第三結合層來進行結合。
如請求項1所述的修整組件，其中，所述支撐結構層為一金屬板件。
如請求項1所述的修整組件，其中，所述第一結合層與所述第二結合層為相同材質，並均由一金屬焊料形成，且所述金屬焊料的熔點至少為900°C。
如請求項3所述的修整組件，其中，所述支撐結構層為被壓縮的金屬多孔結構體。
如請求項4所述的修整組件，其中，所述被壓縮的金屬多孔結構體的孔隙率小於50%。
如請求項4所述的修整組件，其中，形成所述第一結合層的所述金屬焊料於熔融時，一部分熔滲至所述金屬多孔結構體的孔隙中，而其餘未熔滲部分則形成所述第一結合層。
如請求項1所述的修整組件，其中，所述熔滲複合層是由一金屬焊料的其中一部分熔滲至一金屬多孔層中而形成，而所述金屬焊料的其餘部分則形成所述第二結合層。
如請求項7所述的修整組件，其中，其中，所述第三結合層是由一黏合劑形成，當所述黏合劑用於結合所述研磨結構件與所述基座時，所述黏合劑的一部分會滲入所述熔滲複合層；其中，所述熔滲複合層包括上層部位與下層部位，所述上層部位是被所述金屬焊料滲入的部位，所述下層部位是被所述黏合劑滲入的部位。
如請求項8所述的修整組件，其中，所述熔滲複合層為一多層孔隙複合層，所述熔滲複合層的所述上層部位的孔隙率大於所述下層部位的孔隙率。
如請求項8所述的修整組件，其中，所述黏合劑包括高分子結合劑、環氧樹脂、壓克力膠(PMMA)、酚醛樹脂、以及金屬銲料，且所述黏合劑的熔點小於400°C。
如請求項1所述的修整組件，其中，該研磨結構件上設有所述多個研磨顆粒的一研磨面可定義出一有效量測區域，該有效量測區域沿徑向方向等分出一外圈區域與一內圈區域，且該外圈區域之平坦度與該內圈區域之平坦度的差值小於0.05 mm。
一種具雙面封裝水凝膠層之握把帶結構，包括：<br/>一面層，具有供使用者接觸的一第一表面，及相異於該第一表面的一第二表面；<br/>一第一封裝接合層，結合於該第二表面，該第一封裝接合層具有一相異於該面層的第一內側面；該第一封裝接合層的材質是選用與該面層具有同質結合特性的材料；<br/>一水凝膠層，結合於該第一內側面，該水凝膠層具有一相異於該第一封裝接合層的內表面；<br/>一第二封裝接合層，結合於該內表面，該第二封裝接合層具有一相異於該水凝膠層的第二內側面；該第二封裝接合層的材質是選用與該第一封裝接合層為同質特性的材料；以及<br/>一底層，結合於該第二內側面。
如請求項1所述具雙面封裝水凝膠層之握把帶結構，其中，該面層的材料係選自聚氨酯(PU)或不織布含浸聚氨酯(PU)。
如請求項1或2所述具雙面封裝水凝膠層之握把帶結構，其中，該第一封裝接合層與該第二封裝接合層之材料係選自聚氨酯(PU)薄膜或聚氨酯(PU)熱融膠。
如請求項1所述具雙面封裝水凝膠層之握把帶結構，其中，應用於高強度擊球器材時，該面層的厚度介於0.5mm至1.0mm之間；該第一封裝接合層與該第二封裝接合層係選用高抗剪力的聚氨酯(PU)熱融膠。
如請求項1所述具雙面封裝水凝膠層之握把帶結構，其中，應用於高震動手持器材時，該面層的厚度介於0.5mm至10.mm之間；該第一封裝接合層與該第二封裝接合層係選用具有微孔結構的聚氨酯(PU)薄膜。
一種具聲音共鳴放大的聽診器，包含：一聽筒(10)、一導音管(20)及二耳塞(30)； <br/>該聽筒(10)係用於接觸人體體表接收聲音； <br/>該導音管(20)係為一可撓性管體，一端與該聽筒(10)連接，用以傳導由該聽筒(10)所接收之聲音，該導音管(20)由該聽筒(10)延伸後分叉為兩管路(21)延伸出；以及 <br/>該耳塞(30)係一呈球形或近似球形之空心共鳴腔體(31)內形成一共鳴空間(32)及一出聲道(33)，且該共鳴腔體(31)一端與該兩管路(21)末端連接且與該共鳴空間(32)通設，另一端設一出音口(36)，該共鳴腔體(31)係用以接收經由該導音管(20)傳導而來的聲音，並透過聲波於該共鳴腔體(31)與該共鳴空間(32)內之多次反射與共振效應，實現聲音的自然放大而由該出音口(36)導出。
如請求項1所述之具聲音共鳴放大的聽診器，其中，該導音管(20)末端各設有一第一螺紋接合部(22)，該共鳴腔體(31)一端設一第二螺紋接合部(35)，該第二螺紋接合部(35)與該第一螺紋接合部(22)連接，該出聲道(33)由該第二螺紋接合部(35)通向該出音口(36)。
如請求項1所述之具聲音共鳴放大的聽診器，其中，該共鳴腔體(31)內該共鳴空間(32)設有至少一連接帶(34)，該連接帶(34)連接該共鳴腔體(31)與該出聲道(33)。
如請求項1所述之具聲音共鳴放大的聽診器，其中，該出聲道(33)通向該出音口(36)且與該共鳴空間(32)通設。
一種具聲音共鳴放大的聽診器，包含：一聽筒(10)、一導音管(20)及二耳塞(30A)； <br/>該聽筒(10)係用於接觸人體體表接收聲音； <br/>該導音管(20)係為一可撓性管體，一端與該聽筒(10)連接，用以傳導由該聽筒(10)所接收之聲音，該導音管(20)由該聽筒(10)延伸後分叉為兩管路(21)延伸出；以及 <br/>該耳塞(30A)係一呈球形或近似球形之空心共鳴腔體(31A)內形成一共鳴空間(32A)，且該共鳴腔體(31A)一端與該兩管路(21)末端連接且與該共鳴空間(32A)通設，另一端設一出音口(36A)，該共鳴腔體(31A)係用以接收經由該導音管(20)傳導而來的聲音由該出音口(36A)導出。
如請求項5所述之具聲音共鳴放大的聽診器，其中，該導音管(20)末端各設有一第一螺紋接合部(22)，該共鳴腔體(31A)一端設一第二螺紋接合部(35A)，該第二螺紋接合部(35A)與該第一螺紋接合部(22)連接。
如請求項5所述之具聲音共鳴放大的聽診器，其更包含二耳套(40A)，該出音口(36A)末端外緣設置有一卡合凸部(361A)，該二耳套(40A)分別安裝於該二共鳴腔體(31A)的出音口(36A)，各該耳套(40A)的內壁設置有一與該卡合凸部(361A)相對應的卡合凹部(41A)，藉由該卡合凸部(361A)與該卡合凹部(41A)的相互卡合定位。
一種多功能烤肉架，包括：<br/>一工作台架體，係至少由一上橫框架、一下橫框架、二前立架以及二後立架組結而成，各該前立架與後立架之上、下段位置係分別連接該上橫框架與下橫框架，且該前立架及後立架係可折收，其中，各該前立架更進一步包括有相互收折之一前上折桿與一前下折桿，而各該後立架更進一步包括有相互收折之一後上折桿與一後下折桿；<br/>一承置箱體，係設置於該工作台架體內，並具一開放之頂部；<br/>二高度調整組件，係分別設置於該工作台架體左、右二側，並連動該承置箱體且使該承置箱體上下移動，其中，各該高度調整組件係包括有一主連動桿、一從動桿、一固定件以及複數卡件，該複數卡件係排列地設置於該後立架，該固定件係固接於該承置箱體側邊，該從動桿二端係分別樞設於該固定件及前立架之前下折桿，而該主連動桿一端係樞接於該前立架之前下折桿並另端可脫離地卡入該卡件，且其中段位置樞設於該固定件；<br/>一烤架組，係放置於該工作台架體頂部，並至少包括有一ㄇ形框架、二握把以及鄰近相疊之二網片，其中，該ㄇ形框架內邊側沿著該ㄇ形框架凹設有一卡槽，二該網片係以一側相互樞接且另側連接各該握把一端，且二該網片係以相互樞接之一側由該ㄇ形框架之開口側插置入於該ㄇ形框架之卡槽中；<br/>一烤架翻轉機構組件，係設置連接於該工作台架體頂部與烤架組之間，並至少包括有二副擺動桿、二主擺動桿以及一操縱桿，其中，二該副擺動桿以及二該主擺動桿係分設於該烤架組左、右二側，各該副擺動桿之上、下端分別樞接於該ㄇ形框架側邊之前段位置及上橫框架之鄰近中央位置，而各該主擺動桿一端係分別樞接於該ㄇ形框架側邊之鄰近中段位置，並其另端係共同連接該操縱桿，且其鄰近中央位置係樞設於各該後上折桿之上段位置。
依據申請專利範圍第1項所述之多功能烤肉架，其中，各該前上折桿與前下折桿之間更包括有相互樞接摺疊之一前上折副桿及前下折副桿，各該後上折桿與後下折桿之間更包括有相互樞接摺疊之一後上折副桿及後下折副桿。
依據申請專利範圍第1項所述之多功能烤肉架，其中，該承置箱體之邊側剖設有複數氣流穿孔。
依據申請專利範圍第1項所述之多功能烤肉架，其中，該主擺動桿更包括有相互折收之一第一擺動桿及一第二擺動桿。
依據申請專利範圍第1項所述之多功能烤肉架，其中，二該握把另端係利用一卡合件相互可脫離地卡合。
依據申請專利範圍第1項所述之多功能烤肉架，其中，該承置箱體內係更設置有一電熱式熱源裝置，並向外部連接電力以對該烤架組提供熱能。
一種浮動碟盤結構，其包含有一碟盤與數浮動扣，其中：<br/>所述碟盤包含一外碟盤與一內碟盤，所述外碟盤凹設有數外卡固槽，該外卡固槽頂部外擴凹設有一外頂槽，該內碟盤凹設有數內卡固槽，該內卡固槽頂部外擴凹設有一內頂槽，所述浮動扣設置於一所述外卡固槽與一該內卡固槽之間，所述碟盤與該浮動扣之間存在空隙，所述浮動扣為實心圓柱狀且頂部外擴凸設有一頂緣，該頂緣位於所述外頂槽及該內頂槽間，所述浮動扣於該頂緣下方外周凹設有一流動槽，該浮動扣底部外周凹設有一凹槽，所述凹槽內卡入有一扣件，該扣件上方設有一墊圈，所述墊圈與該碟盤間設有至少一緩衝環，所述緩衝環設有三第一接觸部及三第二接觸部，以該第一接觸部與所述碟盤接觸，以該第二接觸部與所述墊圈接觸，所述第一接觸部與該第二接觸部間隔交錯平均分布於所述緩衝環上，所述浮動扣底部中心凹設有一導孔，該導孔更向內凹設有一具錐度之錐孔。
如請求項1所述之浮動碟盤結構，其中，所述第一接觸部與該第二接觸部之間因高度落差而有數夾角，所述夾角介於10度到25度之間。
如請求項1所述之浮動碟盤結構，其中，所述外碟盤與該內碟盤之間具有數碟盤間隙以引導氣流進入該流動槽內。
如請求項1所述之浮動碟盤結構，其中，所述緩衝環壓縮產生之往復運動行程係以該浮動扣中心點為基準，且其行程範圍約為所述浮動扣高度之13%至21%之間。
如請求項1所述之浮動碟盤結構，其中，所述扣件是C形環。
一種電動車用加速把手結構，其包含有一把手基座，所述把手基座可選擇與一第一加速把手或一第二加速把手樞組，其中：<br/>所述把手基座具有一基座本體，該基座本體中央貫通有一軸孔並凹設有一樞接槽，所述軸孔套於一龍頭桿上，該樞接槽內設有一用以感測磁場變化之感知器與一扭力彈簧，所述扭力彈簧兩端分別設有一第一固定端與一第二固定端，該第一固定端卡於所述基座本體上，所述樞接槽凸設有二限位塊；<br/>所述第一加速把手具有一樞轉環，該第二固定端可固定於所述樞轉環上，令所述第一加速把手與該把手基座樞組，所述樞轉環外周上凸設有一加速按壓鍵，該樞轉環內側凸設有一第一限位部，所述第一限位部凹設有一第一安裝槽以安裝一第一磁鐵，該第一限位部位於二所述限位塊間限制該第一加速把手的樞轉範圍；<br/>所述第二加速把手具有一把手套筒套於該龍頭桿外，該把手套筒底部設有一樞轉部，所述第二固定端可固定於該樞轉部上，令所述第二加速把手與該把手基座樞組，該樞轉部內側凸設有一第二限位部，所述第二限位部凹設有一第二安裝槽以安裝一第二磁鐵，該第二限位部位於二所述限位塊間限制該第一加速把手的樞轉範圍。
如請求項1所述之電動車用加速把手結構，其中，所述基座本體於該軸孔外凸設有一組合部，所述樞轉環中心貫通有一第一通孔，該樞轉部中心貫通有一第二通孔，所述組合部穿過該第一通孔或該第二通孔並與一抵擋環組合，以所述抵擋環擋住該第一加速把手或該第二加速把手防止其向外移動。
如請求項1所述之電動車用加速把手結構，其中，所述基座本體設有數按鈕用以控制一電動車的車速、車燈與喇叭。
如請求項1所述之電動車用加速把手結構，其中，所述感知器是霍爾感測器。
一種腋下拐之支撐墊結構，其包含：<br/>一支撐座，其上表面間隔設有二座體，二該座體中心往上設一凸柱，所述凸柱中心皆設一組合螺孔，二壓縮彈簧係分別組套於二該座體之凸柱外，所述壓縮彈簧的放鬆長度大於所述凸柱高度，又該支撐座於二該座體間設有至少一彈性中空柱，該彈性中空柱頂端超過二該座體之凸柱；<br/>一靠墊，由上往下罩設於該支撐座外，並抵靠該彈性中空柱頂端，該靠墊設有二組合孔與二該座體之組合螺孔相對應，再經由二螺栓分別通過二該組合孔與二該凸柱之組合螺孔螺鎖連結，據此將二該壓縮彈簧分別限制於各該組合孔底端以及各該座體間，並使該靠墊可沿二該螺栓升降位移，從而透過該彈性中空柱以及二該壓縮彈簧提供該靠墊的彈性支撐效果，提升該靠墊與腋下頂靠支撐時的舒適度。
如請求項1所述之腋下拐之支撐墊結構，其中，該支撐座包括一底板以及環設於該底板周邊之一環壁，該底板下表面係固設於一腋下拐頂端，該底板上表面設有二第一凸部，二該第一凸部用以限制固定二該座體，二該座體底部皆設有一凹孔與各該第一凸部契合固定。
如請求項2所述之腋下拐之支撐墊結構，其中，該底板於二該第一凸部間設有至少一第二凸部，該第二凸部周邊對稱設有二螺合孔，該彈性中空柱底部具有一環座用以契合固定於該第二凸部，該環座內部射出包覆有一硬質材，並縱向貫穿該環座以及該硬質材設有複數穿孔，所述穿孔與所述螺合孔對齊並通過複數螺合件螺鎖結合。
如請求項3所述之腋下拐之支撐墊結構，其中，該底板於二該第一凸部間設有二該第二凸部，二該第二凸部各組設有一該彈性中空柱。
如請求項2或3所述之腋下拐之支撐墊結構，其中，所述彈性中空柱由下往上漸縮形成錐形狀之中空柱體。
如請求項2所述之腋下拐之支撐墊結構，其中，該靠墊具有一頂板以及環設於該頂板外周之一環邊，該頂板係由上往下設二凹槽，並相對於該頂板下表面形成二凸座，二該凹槽底面各設有一該組合孔，二該螺栓分別通過各該組合孔與各該凸柱之組合螺孔螺鎖結合，並使各該壓縮彈簧抵靠受限於各該座體以及各該凸座間。
如請求項6所述之腋下拐之支撐墊結構，其中，該靠墊之頂板面積大於該支撐座之底板面積，使該靠墊之環邊係環設於該環壁外周，以令該環邊可沿該環壁外徑升降位移。
如請求項6所述之腋下拐之支撐墊結構，其中，該靠墊之二該凸座皆沿外徑往下設有一套筒，所述套筒係延伸包覆至各該座體外，從而將各該壓縮彈簧限制於各該套筒內。
一種硝酸銅轉換為硫酸銅之系統，其包含： <br/>一硝酸銅提濃單元(30)，包含一第一反應槽(31)及一濃縮鍋(32)，該第一反應槽(31)係配置以接收一銅料(s21)及一硝酸銅溶液(33)，並使該硝酸銅溶液(33)溶解該銅料(s21)以消耗游離酸，形成一溶銅反應液(s31)，該濃縮鍋(32)係連接該第一反應槽(31)以接收該溶銅反應液(s31)，並配置以對該溶銅反應液(s31)進行加熱濃縮，形成一硝酸銅濃縮液(s32)； <br/>一硝酸銅結晶單元(40)，係連接該硝酸銅提濃單元(30)，包含一第一結晶槽(41)，該第一結晶槽(41)係連接該濃縮鍋(32)，該第一結晶槽(41)係配置以將該硝酸銅濃縮液(s32)冷卻結晶，並經固液分離以產出一硝酸銅晶體(s42)； <br/>一硫酸置換單元(50)，係連接該硝酸銅結晶單元(40)，包含一第二反應槽(51)，該第二反應槽(51)係配置以接收該硝酸銅晶體(s42)、一硫酸(52)及一銅粉(53)，並在25°C至35°C之溫度條件下進行硫酸置換反應，且利用該銅粉(53)消耗殘餘之酸並終止反應，以形成一硫酸置換反應漿料(s51)；以及 <br/>一硫酸銅結晶單元(70)，係連接該硫酸置換單元(50)，包含一第二結晶槽(71)，該第二結晶槽(71)係連接該第二反應槽(51)，該第二結晶槽(71)係配置以接收該硫酸置換反應漿料(s51)以進行結晶操作，並經固液分離取得一初濾硫酸銅晶體(s71)。
如請求項1所述之硝酸銅轉換為硫酸銅之系統，其中，該硝酸銅轉換為硫酸銅之系統進一步包含一硝酸氣體回收單元(60)，該硝酸氣體回收單元(60)係與該硫酸置換單元(50)之該第二反應槽(51)連接，配置以收集該硫酸置換反應所逸出之一含硝酸氣體，並將該含硝酸氣體冷凝回收為一液態硝酸。
如請求項1所述之硝酸銅轉換為硫酸銅之系統，其中，該硫酸銅結晶單元(70)經固液分離後進一步分離出一第一濾液(s72)；該硝酸銅轉換為硫酸銅之系統進一步包含一結晶濾液回用單元(90)，該結晶濾液回用單元(90)包含一第三反應槽(91)，該第三反應槽(91)係配置以接收該第一濾液(s72)及一銅粉(92)，利用該銅粉(92)消耗該第一濾液(s72)中之殘酸以生成一殘酸消耗反應液(s91)，且該結晶濾液回用單元(90)係配置以將該殘酸消耗反應液(s91)導回至該硫酸銅結晶單元(70)，作為該硫酸置換反應漿料(s51)進行結晶操作時之添加液。
如請求項3所述之硝酸銅轉換為硫酸銅之系統，其中，該硝酸銅轉換為硫酸銅之系統進一步包含一硫酸銅再結晶單元(80)，該硫酸銅再結晶單元(80)包含一第三結晶槽(81)，該第三結晶槽(81)係配置以接收該初濾硫酸銅晶體(s71)及一再結晶用水(83)進行再結晶，並經固液分離以取得一硫酸銅晶體產品(84)及一第二濾液(s81)，且該第二濾液(s81)係被導送至該結晶濾液回用單元(90)之該第三反應槽(91)中與該第一濾液(s72)混合，以生成該殘酸消耗反應液(s91)供回用作為該硫酸銅結晶單元(70)之結晶添加液。
如請求項1所述之硝酸銅轉換為硫酸銅之系統，其中，該硝酸銅轉換為硫酸銅之系統進一步包含一含銅合金前處理單元(10)及一酸浸處理單元(20)；其中， <br/>該含銅合金前處理單元(10)包含一靜置槽(11)及一水洗脫水裝置(12)，該靜置槽(11)係配置以接收一含銅合金(13)及一去油污清潔劑(14)，該水洗脫水裝置(12)係配置以將經清潔之該含銅合金(13)進行清洗脫水，並輸出一去污含銅合金(s11)；以及 <br/>該酸浸處理單元(20)係連接該含銅合金前處理單元(10)，包含一酸浸槽(21)及一水洗脫水裝置(22)，該酸浸槽(21)係配置以接收該去污含銅合金(s11)及一酸浸液(23)進行反應，該水洗脫水裝置(22)係配置以分離出一金屬鹽類溶液(24)及該銅料(s21)，該銅料(s21)係被輸送至該硝酸銅提濃單元(30)。
如請求項5所述之硝酸銅轉換為硫酸銅之系統，其中，該酸浸液(23)係包含濃度為15wt%至35wt%之鹽酸，且該含銅合金(13)係為一廢銅鋅合金，該酸浸處理單元(20)係配置以選擇性去除該廢銅鋅合金中之鋅雜質。
如請求項1所述之硝酸銅轉換為硫酸銅之系統，其中，該濃縮鍋(32)係配置於75°C至85°C之加熱溫度下進行濃縮，以將該硝酸銅濃縮液(s32)之銅濃度提濃至355g/L至367g/L，並避免產生結晶。
如請求項1所述之硝酸銅轉換為硫酸銅之系統，其中，該硫酸置換單元(50)係配置以在不需外加熱源之條件下，利用反應熱維持該硫酸置換反應之溫度於25°C至35°C之間。
如請求項1所述之硝酸銅轉換為硫酸銅之系統，其中，該銅粉(53)係配置以在該硫酸置換反應之後段加入該第二反應槽(51)中，以消耗殘餘之酸並終止反應，進而促使無水硫酸銅（CuSO<sub>4</sub>）轉換為五水硫酸銅（CuSO<sub>4</sub>·5H<sub>2</sub>O）。
如請求項1所述之硝酸銅轉換為硫酸銅之系統，其中，該硝酸銅結晶單元(40)經固液分離後，進一步分離出一硝酸銅結晶母液(s41)，且該硝酸銅結晶單元(40)係配置以將該硝酸銅結晶母液(s41)導回至該硝酸銅提濃單元(30)之該濃縮鍋(32)中進行回用。
一種水龍頭內部組件的調整裝置，包括：<br/> 一固定環，包括一拘束部，該拘束部係扁形的蓋體且中間具有一穿孔，以該穿孔的中心線定義沿上下方向延伸的一中心軸，於該拘束部內形成環繞於該穿孔的一環形槽；於該拘束部的周邊連接一鎖片，該鎖片沿該拘束部的徑向向外延伸，於該鎖片形成複數個固定孔；<br/> 一調整螺帽，設有一螺帽本體，該螺帽本體係圓管體且穿過該穿孔；於該螺帽本體的周向至少形成一側向剖溝，各該側向剖溝的延伸方向平行於該中心軸且至少貫穿該螺帽本體的上端緣及／或下端緣以形成至少一貫通口；於該螺帽本體的上端緣沿周向至少形成一嵌設形狀，用以嵌設於一調整工具；於該螺帽本體的內周面沿周向形成複數內螺紋段；於該螺帽本體的外周面連接一限制環，該限制環包含至少一環形段，該至少一環形段容納於該環形槽內受其限位；以及<br/> 一內部組件，係圓形柱體且受該螺帽本體套合；於該內部組件的外周面形成一外螺紋，該外螺紋螺合於該調整螺帽的該些內螺紋段。
如請求項1所述之水龍頭內部組件的調整裝置，其中該調整螺帽能以該中心軸為旋轉中心相對於該固定環旋轉；該內部組件用以連接至少一水管，各該水管的外端相對於該固定環固定；當該調整螺帽相對於該固定環旋轉時，該內部組件可沿該中心軸相對於該固定環朝上或者朝下移動。
如請求項2所述之水龍頭內部組件的調整裝置，其中該內部組件係閥體組件且頂端具有一閥桿，於該內部組件形成一入水口與一出水口；該至少一水管包括二水管，該二水管的其中一者結合於該入水口，該二水管的另一者結合於該出水口。
如請求項2所述之水龍頭內部組件的調整裝置，其中該內部組件係匯流管組件且包括一出水管，該外螺紋形成於該出水管的外周面，於該出水管的下端部沿周向連接二入水管，該二入水管分別與該出水管相連通；該至少一水管包括二水管，該二水管的其中一者與該二入水管的其中一者連接，該二水管的另一者與該二入水管的另一者連接。
如請求項1所述之水龍頭內部組件的調整裝置，其中該至少一嵌設形狀係凹口的形狀；該調整工具係管體並且於下端緣連接至少一凸片，該調整工具的下端緣用以抵靠於該螺帽本體的上端緣，該至少一凸片分別用以嵌設於該至少一嵌設形狀。
如請求項1所述之水龍頭內部組件的調整裝置，其中於該螺帽本體的周向形成一側向剖溝，該側向剖溝貫穿該螺帽本體沿該中心軸延伸方向的上端緣及下端緣，藉此於該螺帽本體的上端緣及下端緣分別形成一貫通口；該些內螺紋段包括二內螺紋段，該二內螺紋段係相對設置；於該螺帽本體的上端緣沿周向形成一嵌設形狀；該限制環包含一環形段，該環形段為C形片體。
如請求項6所述之水龍頭內部組件的調整裝置，其中該嵌設形狀係凹口的形狀；該調整工具係管體並且於下端緣連接一凸片與一扣片，該調整工具的下端緣用以抵靠於該螺帽本體的上端緣，該凸片用以嵌設於該嵌設形狀，該扣片用以卡合於該側向剖溝。
如請求項1所述之水龍頭內部組件的調整裝置，其中於該螺帽本體的周向形成二側向剖溝，該二側向剖溝係相對設置，各該側向剖溝貫穿該螺帽本體沿該中心軸延伸方向的下端緣，藉此分別於該螺帽本體的下端緣形成一貫通口，各該側向剖溝的上端為一封閉端；該些內螺紋段包括二內螺紋段，該二內螺紋段係相對設置；於該螺帽本體的上端緣沿周向形成二嵌設形狀，該二嵌設形狀係相對設置；該限制環包含二環形段，該二側向剖溝位於該二環形段之間，各該環形段為C形片體。
如請求項8所述之水龍頭內部組件的調整裝置，其中該嵌設形狀係凹口的形狀；該調整工具係管體並且於下端緣連接二凸片，該二凸片係相對設置，該調整工具的下端緣用以抵靠於該螺帽本體的上端緣，各該凸片用以嵌設於各該嵌設形狀。
一種供用於球面之放射狀矩陣力量感測器，係包含： <br/>一放射狀下蓋層； <br/>一第一電極導線層，係對應設置於該放射狀下蓋層上，而具有呈放射狀設置之複數個第一電極單元； <br/>一具孔洞之絕緣構件，係對應設置於該第一電極導線層上，而具有對應該等第一電極單元設置之複數個絕緣單元，各該絕緣單元分別開設有分散之複數孔洞，且該等孔洞之總面積佔比該絕緣單元總面積5%～60%； <br/>一雙面膠間隔層，係對應設置於該具孔洞之絕緣構件上，而具有對應該等絕緣單元設置之複數個通口區域； <br/>一第一力敏電阻層，係對應設置於該雙面膠間隔層上，而具有對應該等通口區域設置之複數個第一電阻單元；及 <br/>一放射狀上蓋層，係對應設置於該第一力敏電阻層上。
如請求項1所述之供用於球面之放射狀矩陣力量感測器，其中，該放射狀上蓋層及該放射狀下蓋層之其中至少一者係採用PET材料或絕緣撓性材料製成，且該放射狀下蓋層設有呈放射狀設置之複數個下分瓣；該放射狀上蓋層設有呈放射狀設置之複數個上分瓣。
如請求項1所述之供用於球面之放射狀矩陣力量感測器，其中，該第一電極導線層係設有一共用導線及分別對應各該第一電極單元設置之複數獨立導線，而使各該第一電極單元形成對應於該共用導線之獨立量測通道，且該共用導線與該等獨立導線共同匯集至一排線輸出端。
如請求項3所述之供用於球面之放射狀矩陣力量感測器，其中，該第一電極導線層係由導電材料印刷形成，且該等第一電極單元之導線圖樣、該共用導線及該等獨立導線之其中至少一者至少一部分覆設一耐磨導電保護層，以提升導線耐磨性及量測穩定性。
如請求項1所述之供用於球面之放射狀矩陣力量感測器，其中，該等孔洞係呈點狀、條狀、網狀、圓形狀及矩形狀之其中一者或其組合之設置態樣。
如請求項1所述之供用於球面之放射狀矩陣力量感測器，其中，各該通口區域係為連通到外部之開放式通口或為使空氣流動於內部之密閉式通口。
如請求項1所述之供用於球面之放射狀矩陣力量感測器，其中，該雙面膠間隔層與該具孔洞之絕緣構件係構成一體結構，而使該雙面膠間隔層於對應該等絕緣單元設置處分別開設有該等孔洞。
如請求項1所述之供用於球面之放射狀矩陣力量感測器，其中，該第一力敏電阻層係為單層設置，或為由不同材料印製形成之多層設置。
如請求項1所述之供用於球面之放射狀矩陣力量感測器，更包含一背膠層，係對應設置於該放射狀上蓋層上或該放射狀下蓋層下，以供貼附於一球面上。
如請求項9所述之供用於球面之放射狀矩陣力量感測器，其中，該背膠層係為無基材之轉移型雙面膠或有基材之雙面膠。
一種供用於球面之放射狀矩陣力量感測器，係包含： <br/>一放射狀下蓋層； <br/>一第一電極導線層，係對應設置於該放射狀下蓋層上，而具有呈放射狀設置之複數個第一電極單元； <br/>一第一力敏電阻層，係對應設置於該第一電極導線層上，而具有對應該等第一電極單元設置之複數個第一電阻單元； <br/>一具孔洞之絕緣構件，係對應設置於該第一力敏電阻層上，而具有對應該等第一電阻單元設置之複數個絕緣單元，各該絕緣單元分別開設有分散之複數孔洞，且該等孔洞之總面積佔比該絕緣單元總面積5%～60%； <br/>一雙面膠間隔層，係對應設置於該具孔洞之絕緣構件上，而具有對應該等絕緣單元設置之複數個通口區域； <br/>一第二力敏電阻層，係對應設置於該雙面膠間隔層上，而具有對應該等通口區域設置之複數個第二電阻單元； <br/>一第二電極導線層，係對應設置於該第二力敏電阻層上，而具有對應該等第二電阻單元設置之複數個第二電極單元；及 <br/>一放射狀上蓋層，係對應設置於該第二電極導線層上。
如請求項11所述之供用於球面之放射狀矩陣力量感測器，其中，該放射狀上蓋層及該放射狀下蓋層之其中至少一者係採用PET材料或絕緣撓性材料製成，且該放射狀下蓋層設有呈放射狀設置之複數個下分瓣；該放射狀上蓋層設有呈放射狀設置之複數個上分瓣。
如請求項11所述之供用於球面之放射狀矩陣力量感測器，其中，該第一電極導線層係設有一連通導線、該第二電極導線層設有一連通點，且該雙面膠間隔層設有至少一導通孔，以供該連通導線透過該導通孔與該連通點電性連接，使該第二電極導線層之該連通點得以電性引出至與該第一電極導線層之一排線輸出端之同側接端。
如請求項13所述之供用於球面之放射狀矩陣力量感測器，其中，該導通孔係藉由導電膠、異方性導電材料、導電膠膜或金屬端子之其中一者或其組合形成該第一電極導線層與該第二電極導線層間之電性導通。
如請求項11所述之供用於球面之放射狀矩陣力量感測器，其中，該等孔洞係呈點狀、條狀、網狀、圓形狀及矩形狀之其中一者或其組合之設置態樣。
如請求項11所述之供用於球面之放射狀矩陣力量感測器，其中，各該通口區域係為連通到外部之開放式通口或為使空氣流動於內部之密閉式通口。
如請求項11所述之供用於球面之放射狀矩陣力量感測器，其中，該雙面膠間隔層與該具孔洞之絕緣構件係構成一體結構，而使該雙面膠間隔層於對應該等絕緣單元設置處分別開設有該等孔洞。
如請求項11所述之供用於球面之放射狀矩陣力量感測器，其中，該第一力敏電阻層與該第二力敏電阻層之其中至少一者係為單層設置，或為由不同材料印製形成之多層設置。
如請求項11所述之供用於球面之放射狀矩陣力量感測器，更包含一背膠層，係對應設置於該放射狀上蓋層上或該放射狀下蓋層下，以供貼附於一球面上。
如請求項19所述之供用於球面之放射狀矩陣力量感測器，其中，該背膠層係為無基材之轉移型雙面膠或有基材之雙面膠。
一種可調音台座，係用以供一音源裝置放置之用；該可調音台座主要包括一側框以及配置於該側框頂、底端呈上下間隔配置的一上蓋板及一下蓋板，該側框與該上蓋板、下蓋板之間相對界定形成一夾層空間；且其中，該夾層空間更配置有間隔排列的若干支撐柱，各該支撐柱均包括有一頂端以及一底端，令各該支撐柱頂端抵靠接觸於該上蓋板，各該支撐柱底端則直接或間接抵靠接觸於該下蓋板，且該等支撐柱係透過一驅動機構的配置，以產生沿著該上蓋板板面延伸方向的位移，而能相對改變該可調音台座的共振頻率，從而達到對該音源裝置所發出的聲音狀態進行調整優化之目的。
如請求項1所述之可調音台座，其中該驅動機構係為統一調整之結構型態，以對該等支撐柱進行一致性的位移驅動。
如請求項1所述之可調音台座，其中該驅動機構係為各別調整之結構型態，以對各該支撐柱進行各別獨立的位移驅動。
如請求項1所述之可調音台座，其中各該支撐柱頂端抵靠接觸於該上蓋板的狀態係為硬接觸，亦即令各該支撐柱頂端為剛硬材質所構成者。
如請求項1所述之可調音台座，其中各該支撐柱頂端抵靠接觸於該上蓋板的狀態係為軟接觸，亦即令各該支撐柱頂端為軟性材質所構成者。
如請求項2所述之可調音台座，其中該驅動機構係為一仿虹膜之多連桿機構型態，包括一固定座、一驅動環、一操控柄以及多數的葉片，其中該固定座具有數個支點，該驅動環具有數個連動部，各該葉片包括一旋支部、一受動部以及一擺動部，以使相對應之各該支撐柱底端係固接於該擺動部，該擺動部則滑靠於該下蓋板，其中該旋支部固定於該固定座上作為支點，該受動部則連接於該驅動環相對應之該連動部，該操控柄則凸設於該側框外部，且該操控柄內端係連接於該驅動環；藉此當該操控柄帶動該驅動環旋轉時，各該葉片之該擺動部均會繞著自己的支點同步擺動，從而帶動各該支撐柱產生同步位移動作。
如請求項3所述之可調音台座，其中該驅動機構係為針對各該支撐柱單獨設置的機構，包括一伸縮臂、一擺動支軸以及一握柄部，其中該伸縮臂包括一內伸端、一外伸端以及介該內伸端與該外伸端之間的一桿身區段，以使該支撐柱設於該內伸端，該握柄部則設於該外伸端且位於該側框外部，該擺動支軸固定於該下蓋板，該桿身區段形成有一長形孔滑套於該擺動支軸；藉此，透過該握柄部能夠控制該伸縮臂進行進退及旋擺運動，從而達到對各該支撐柱進行各別獨立位移驅動之目的。
一種穿帶器，其係包含有：<br/> 一本體，其係包含有一容室以及一固定部，該容室係包含一底面、一側壁、以及一開口，該底面係設置有一受壓件，該側壁係穿設有一穿帶孔，該穿帶孔配置於鄰近該受壓件之一側，該固定部係間隔設置於穿帶孔之一側；<br/> 一擋止部，其係設置於該容室之底面；<br/> 一操作件，其係樞接設置於該容室之開口處，並包含有一按壓部和一壓帶部，該按壓部係設置於遠離該穿帶孔之一相對側，該壓帶部係設置於鄰近該穿帶孔之一相對側；<br/> 一彈性件，其係設置於該按壓部以及該底面之間，且分別抵靠該按壓部和該底面；<br/> 至少一桿身，該桿身之一端部係固定於該本體之固定部；<br/> 一把手，其一端具有一固定部，該把手之固定部係固定於該桿身之另一端部。
依據請求項1所述之穿帶器，其中，該底面係設有一凹槽，該凹槽係設置有該受壓件，該穿帶孔鄰接該受壓件，該底面、該受壓件之表面以及該穿帶孔之底部邊界係大致齊平。
依據請求項1所述之穿帶器，其中，該操作件係包含有一樞接部，該樞接部與該本體係穿設有一樞軸，該按壓部和該壓帶部分別設置於該樞接部兩側。
依據請求項1所述之穿帶器，其中，該擋止部係從該容室之底面朝遠離該底面之方向向上延伸一預定高度，該擋止部將該底面區隔為鄰接該穿帶孔之一第一底面部分以及遠離該穿帶孔之一第二底面部分，且該第二底面部分之高度係高於該第一底面部分之高度，該彈性件係分別抵靠該按壓部和該第二底面部分。
依據請求項1所述之穿帶器，其中，該壓帶部相對該受壓件延伸有一鋸齒塊。
依據請求項1所述之穿帶器，其中，該穿帶孔之截面係實質為矩形。
依據請求項1所述之穿帶器，其中，該彈性件位置實質設置於對應該按壓部之中位區域。
依據請求項1所述之穿帶器，其中，該彈性件係為彈簧。
依據請求項1所述之穿帶器，其中，該本體之固定部係為一固定孔，該把手之固定部係為一固定孔。
依據請求項1所述之穿帶器，其中，該把手之周側係設有一磁性件，該磁性件係為一磁鐵。
一種發光裝置，包含：<br/> 一基板；<br/> 一紅光發光二極體晶片，配置於該基板上，且該紅光發光二極體晶片係經配置以發射波長範圍介於600奈米至750奈米之紅光；<br/> 一透光蓋板，設置於該紅光發光二極體晶片之上方路徑上，且該透光蓋板之材質包含玻璃；以及<br/> 一透光結合層，填充於該紅光發光二極體晶片與該透光蓋板之間；<br/> 其中，該透光結合層之折射率係介於該紅光發光二極體晶片之折射率與該透光蓋板之折射率之間。
如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，更包含：<br/> 一環繞反射壁，配置於該基板上並環繞該紅光發光二極體晶片之側邊，用以定義出一容置空間；<br/> 其中，該紅光發光二極體晶片位於該容置空間內，且該透光結合層填充於該容置空間中。
如申請專利範圍第2項所述之發光裝置，其中該透光蓋板係呈一平板狀結構，且該透光蓋板接觸該環繞反射壁的一內側面，且該透光蓋板之頂面面積大於該紅光發光二極體晶片之發光表面面積。
如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中更包含有一外罩體，該外罩體具有一頂部及自該頂部向下延伸之至少一側壁，藉以定義出一內部容置空間，其中該紅光發光二極體晶片位於該內部容置空間內。
如申請專利範圍第4項所述之發光裝置，其中該外罩體不直接接觸該透光蓋板以及該透光結合層。
如申請專利範圍第4項所述之發光裝置，其中該外罩體之該側壁上設有至少一貫穿之洩壓開口。
如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該透光蓋板具有一頂面及複數個側面，且該複數個側面相對於該基板之一法線方向具有一傾斜角，使得該透光蓋板呈現一倒梯形結構。
如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該透光蓋板遠離該紅光發光二極體晶片之一側具有一出光面，且該出光面上形成有複數個微結構或具有一粗糙面。
如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，更包含一綠光發光二極體晶片以及一藍光發光二極體晶片，配置於該基板上並與該紅光發光二極體晶片相鄰設置；<br/> 其中，僅該紅光發光二極體晶片上方設置有該透光結合層與該透光蓋板之組合結構，而該綠光發光二極體晶片與該藍光發光二極體晶片上方未設置該透光蓋板。
如申請專利範圍第2項所述之發光裝置，其中該透光蓋板之一頂面高度高於該環繞反射壁之一頂緣高度。
一種快拆式裝備檢查帶，係至少包含：<br/>一扣板，其包括有一板體部及一扣接部，該扣接部連通設於該板體部；以及<br/>一扣帶，其可移除地結合於該扣板，該扣帶包括有一對扣部、一連接部、一拉開部、一施力部及一開口部，該對扣部設於該連接部之一端，該施力部設於該連接部之另一端，該拉開部設於該板體部之一側與該連接部之間，該開口部位於該板體部之一側與該施力部之間。
如請求項1所述之快拆式裝備檢查帶，其中該扣板更包括有至少一標示部，該標示部設於該板體部之至少一面上。
如請求項1所述之快拆式裝備檢查帶，其中該扣接部設有一導引孔及一環扣體，該導引孔連通該板體部，該環扣體設於該導引孔之內側周緣。
如請求項1所述之快拆式裝備檢查帶，其中該對扣部設有一導引柱及多數倒勾體，該導引柱設於該對扣部之一端，該各倒勾體相互連接，且最前端之一該倒勾體連接該導引柱，而最末端之一該倒勾體連接至該連接部之一端。
一種NFC近場授權裝置，包括NFC指環本體以及移動終端設備，所述NFC指環本體內部設置有近場通訊晶片以及感應線圈，所述的近場通訊晶片用以發送近場授權訊號，所述移動終端設備內部設置有處理器、近場授權接收模組、無線通訊模組以及存儲單元；<br/> 所述近場授權接收模組與該處理器電連接，用以於該NFC指環本體進入一預設感應距離時接收該近場授權訊號；<br/> 所述移動終端設備還設置有供處理器執行的人工智慧代理模組及授權控制單元；<br/> 所述授權控制單元被配置為：僅在該近場授權接收模組接收到該近場授權訊號並傳送至該處理器時，產生一硬體使能指令，驅動該無線通訊模組對外傳輸付款、訂單或簽署的資料包，以完成不可逆操作。
如請求項1所述的NFC近場授權裝置，所述NFC指環本體為無源裝置，所述感應線圈用於通過近場授權接收模組發出的電磁場感應生電，以驅動該近場通訊晶片發送該近場授權訊號。
如請求項1所述的NFC近場授權裝置，所述近場通訊晶片僅儲存有個人化的唯一識別碼。
如請求項1所述的NFC近場授權裝置，所述移動終端設備還包括人機界面單元，所述人機界面單元為顯示螢幕、揚聲器或振動馬達中的一種或多種的組合；<br/> 所述處理器與無線通訊模組完成資料傳輸後，用於發送回饋訊號至該人機界面單元以產生提示。
如請求項1所述的NFC近場授權裝置，所述人工智慧代理模組係常駐於移動終端設備的後臺線程中，並與該授權控制單元邏輯連接；<br/> 當該近場授權接收模組未感測到該NFC指環本體時，該授權控制單元係鎖定該無線通訊模組針對該不可逆操作的發送許可權。
如請求項1所述的NFC近場授權裝置，所述NFC指環本體為由陶瓷、金屬或矽膠材質製成的環狀結構，所述感應線圈環繞設置於該環狀結構內部，以形成全向性的感應場型。
一種履帶式無人噴灑車構造，包括：<br/> 一載具單元，有一載具本體及一履帶單元，該履帶單元設置於該載具本體的底側；<br/> 一儲液桶，設置於該載具本體；<br/> 一噴灑單元，設置於該載具本體，該噴灑單元包含複數噴頭；<br/> 一動力單元，設置於該載具本體，該動力單元有一空氣壓縮模組及一載具驅動模組，該空氣壓縮模組連通前述噴頭及該儲液桶，該載具驅動模組電性連接該履帶單元；<br/> 一控制單元，設置於該載具本體，並電性連接該動力單元。
如請求項1所述之履帶式無人噴灑車構造，其中，該空氣壓縮模組經由一分流座連通於前述噴頭，自該分流座分歧一洩壓管道而連通該儲液桶，在該洩壓管道設置有一壓力調整閥；當該空氣壓縮模組產生之壓力超過該壓力調整閥所設定的一閾值時，該壓力調整閥自動地導通該洩壓管道而使該空氣壓縮模組經由該洩壓管道連通於該儲液桶。
如請求項2所述之履帶式無人噴灑車構造，其中，自該分流座分歧一攪拌管道而連通該儲液桶，而將回流的液體導回該儲液桶內部，使儲存於該儲液桶內部之液體被攪拌擾動。
如請求項3所述之履帶式無人噴灑車構造，其中，有一手持噴頭連通該攪拌管道。
如請求項3所述之履帶式無人噴灑車構造，其中，該儲液桶的內部設置有一內部管道，該內部管道的一端連接該攪拌管道，該內部管道的末端連接一文丘里噴嘴。
如請求項1所述之履帶式無人噴灑車構造，其中，前述噴頭對稱設置於該載具本體而分成一左側組及一右側組，前述噴頭總數為十二個。
如請求項1所述之履帶式無人噴灑車構造，其中，該噴灑單元包含一噴灑管路，前述噴頭可調整噴射角度的連通於該噴灑管路。
如請求項1所述之履帶式無人噴灑車構造，其中，該噴灑單元包含一噴灑本體，該噴灑本體有一容置空間，有一風扇及一導風件設置於該容置空間的相對二側，該噴灑本體在周緣的位置設置有複數開槽，前述開槽連通該容置空間並分別面對該導風件；前述噴頭逐一設置於前述開槽，前述噴頭有一杯罩，於該杯罩的底部有一出水孔，以及圍繞該出水孔的複數出氣孔；藉驅動該風扇產生一氣流，該氣流經由該導風件導向前述開槽以及前述出氣孔，使該氣流將經由該出水孔噴出的水柱被霧化成水霧。
如請求項1所述之履帶式無人噴灑車構造，其中，該履帶單元包含左右二側的二履帶，該載具驅動模組對該二履帶進行差速控制而使該載具單元能於原地轉向。
如請求項1所述之履帶式無人噴灑車構造，其中，該控制單元有一遙控模組及一接收模組，該遙控模組無線連接該接收模組，該接收模組電性連接該空氣壓縮模組及該載具驅動模組。
一種用於促成一投資資金管理帳戶開立之系統，包含：<br/> 一資料交換處理主機；及<br/> 一台幣主機，連接該資料交換處理主機；<br/> 其中：該資料交換處理主機自一證券商主機接獲一客戶的一身分驗證請求；該台幣主機基於該身分驗證請求進行資料比對以初步驗證該客戶之身分，若該客戶之初步驗證判斷為通過，則該台幣主機觸發一OTP驗證流程；該資料交換處理主機自該證券商主機接獲來自該客戶的一OTP驗證碼，經一OTP模組核驗 該OTP驗證碼無誤後，該資料交換處理主機回覆該證券商主機，該客戶之身分驗證已通過；該客戶之身分驗證通過後，該資料交換處理主機依該證券商主機之請求，向該台幣主機取得該客戶持有的台幣帳戶清單，並傳送予該證券商主機，以供該客戶選擇申請作為該投資資金管理帳戶。
如請求項1所述之用於促成一投資資金管理帳戶開立之系統，其更包含一外幣主機，連接該資料交換處理主機。
如請求項2所述之用於促成一投資資金管理帳戶開立之系統，其中該客戶之身分驗證通過後，該資料交換處理主機依該證券商主機之請求，向該外幣主機取得該客戶持有的外幣帳戶清單，並傳送予該證券商主機，以供該客戶選擇申請作為該投資資金管理帳戶。
如請求項1所述之用於促成一投資資金管理帳戶開立之系統，其中該資料交換處理主機回覆該證券商主機該客戶之身分驗證已通過時，另將該客戶對應的一行動電話號碼提供予該證券商主機。
如請求項1所述之用於促成一投資資金管理帳戶開立之系統，其中該身分驗證請求包括該客戶的身分證字號、存款帳戶帳號、生日或其組合。
如請求項1所述之用於促成一投資資金管理帳戶開立之系統，其中該投資資金管理帳戶為一證券交割帳戶、一複委託約定扣款帳戶或一台幣交易扣款帳戶。
如請求項3所述之用於促成一投資資金管理帳戶開立之系統，其中該投資資金管理帳戶為一證券交割帳戶、一複委託約定扣款帳戶或一外幣交易扣款帳戶。
一種機械手掌，其用於一盒體的摺邊作業，所述盒體具有一第一盒片、相連於所述第一盒片側緣的一插片、及彎折地相連於所述第一盒片的一第二盒片，所述機械手掌包括：<br/> 一掌心件；<br/> 一活動指件，沿一旋轉軸線樞接於所述掌心件、以能於一第一位置與一第二位置之間轉動；其中，所述活動指件包含有：<br/> 一指節部，樞接於所述掌心件且定義有一第一長軸方向；及<br/> 一指腹部，固定於所述指節部；以及<br/> 一承靠指件，固定於所述掌心件且鄰近於所述活動指件，所述承靠指件定義有一第二長軸方向，其與所述第一長軸方向相夾有一運行角度；其中，所述運行角度在所述活動指件由所述第一位置轉動至所述第二位置時逐漸地縮小；<br/> 其中，當所述機械手掌用於所述摺邊作業時，所述承靠指件抵接於所述插片的外表面，所述活動指件以所述指腹部抵靠於所述第一盒片的內表面、並自所述第一位置朝向所述第二位置轉動，以使所述插片相對於所述第一盒片彎折並夾持於所述指腹部與所述承靠指件之間。
如請求項1所述的機械手掌，其中，位在所述第一位置的所述活動指件的所述第一長軸方向垂直於所述第二長軸方向，位在所述第二位置的所述活動指件的所述第一長軸方向平行於所述第二長軸方向。
如請求項2所述的機械手掌，其中，所述活動指件能自所述第一位置轉動經過所述第二位置而至一第三位置，並且位在所述第二位置與所述第三位置的所述活動指件的所述第一長軸方向相夾有一銳角。
如請求項2所述的機械手掌，其中，所述承靠指件與朝向所述第二位置轉動的所述活動指件之間相隔有一間距，其介於所述插片的厚度的95%～120%之間。
如請求項1所述的機械手掌，其中，所述機械手掌包含： <br/> 一致動器，固定於所述掌心件；及<br/> 一連桿，連接所述致動器與所述活動指件的所述指節部；其中，所述致動器能驅動所述連桿，以通過所述連桿帶動所述活動指件以所述旋轉軸線為軸心而相對於所述掌心件轉動。
如請求項1所述的機械手掌，其中，所述機械手掌包含有固定於所述掌心件的一測距件，其測距方向平行於位在所述第一位置的所述活動指件的所述第一長軸方向。
如請求項1所述的機械手掌，其中，所述機械手掌包含有固定於所述掌心件的兩個吸取件，分別位於所述活動指件的相反兩側，並且兩個所述吸取件的吸取方向平行於位在所述第一位置的所述活動指件的所述第一長軸方向。
如請求項1所述的機械手掌，其中，當所述機械手掌用於所述摺邊作業之後的所述盒體的一插接作業時，所述活動指件位於所述第一位置且以所述指腹部抵接於所述插片的所述外表面，所述機械手掌以所述承靠指件抵接於所述第一盒片的外表面、並朝所述第二盒片移動而彎折所述第一盒片，以使所述插片插入所述第二盒片的一插槽之內。
如請求項8所述的機械手掌，其中，所述活動指件包含有連接於所述指節部與所述指腹部之間的一彈性部；其中，當所述機械手掌用於所述插接作業且朝所述第二盒片移動而彎折所述第一盒片時，所述指腹部接觸所述第二盒片的側面而通過所述彈性部朝所述指節部移動，以使所述插片對齊於所述插槽。
如請求項9所述的機械手掌，其中，所述指腹部具有： <br/> 一定位面，其法線方向垂直於所述指節部的所述第一長軸方向；及<br/> 一導引面，傾斜地相連於所述定位面的一端且遠離所述掌心件； <br/> 其中，當所述機械手掌用於所述插接作業且朝所述第二盒片移動而彎折所述第一盒片時，所述指腹部以所述導引面接觸所述第二盒片的所述側面、進而通過所述彈性部朝所述指節部移動，直至所述定位面接觸所述第二盒片的所述側面。
如請求項10所述的機械手掌，其中，所述指腹部具有一凸起，相連於所述定位面的另一端且鄰近於所述掌心件；當所述機械手掌用於所述插接作業，所述指腹部以所述凸起抵接於所述插片的所述外表面。
如請求項11所述的機械手掌，其中，所述凸起相對於所述定位面的一凸出高度介於所述第二盒片的厚度的90%～110%之間。
一種機械手掌，其用於一盒體的插接作業，所述盒體具有一第一盒片、彎折地相連於所述第一盒片側緣的一插片、及彎折地相連於所述第一盒片的一第二盒片，所述機械手掌包括：<br/> 一掌心件；<br/> 一活動指件，沿一旋轉軸線樞接於所述掌心件；其中，所述活動指件包含有：<br/> 一指節部，樞接於所述掌心件且定義有一第一長軸方向；及<br/> 一指腹部，固定於所述指節部；以及<br/> 一承靠指件，固定於所述掌心件且鄰近於所述活動指件，所述承靠指件定義有一第二長軸方向，其與所述第一長軸方向相夾有一運行角度；<br/> 其中，當所述機械手掌用於所述插接作業時，所述活動指件以所述指腹部抵接於所述插片的外表面，所述機械手掌以所述承靠指件抵接於所述第一盒片的外表面、並朝所述第二盒片移動而彎折所述第一盒片，以使所述插片插入所述第二盒片的一插槽之內。
如請求項13所述的機械手掌，其中，所述活動指件包含有連接於所述指節部與所述指腹部之間的一彈性部；其中，當所述機械手掌用於所述插接作業且朝所述第二盒片移動而彎折所述第一盒片時，所述指腹部接觸所述第二盒片的側面而通過所述彈性部朝所述指節部移動，以使所述插片對齊於所述插槽。
如請求項14所述的機械手掌，其中，所述指腹部具有： <br/> 一定位面，其法線方向垂直於所述指節部的所述第一長軸方向；及<br/> 一導引面，傾斜地相連於所述定位面的一端且遠離所述掌心件； <br/> 其中，當所述機械手掌用於所述插接作業且朝所述第二盒片移動而彎折所述第一盒片時，所述指腹部以所述導引面接觸所述第二盒片的所述側面、進而通過所述彈性部朝所述指節部移動，直至所述定位面接觸所述第二盒片的所述側面。
如請求項15所述的機械手掌，其中，所述指腹部具有一凸起，相連於所述定位面的另一端且鄰近於所述掌心件；當所述機械手掌用於所述插接作業，所述指腹部以所述凸起抵接於所述插片的所述外表面。
如請求項16所述的機械手掌，其中，所述凸起相對於所述定位面的一凸出高度介於所述第二盒片的厚度的90%～110%之間。
如請求項13所述的機械手掌，其中，所述機械手掌包含有：<br/> 兩個吸取件，固定於所述掌心件且分別位於所述活動指件的相反兩側；及<br/> 一測距件，固定於所述掌心件；其中，所述測距件的測距方向平行於兩個所述吸取件的吸取方向。
如請求項13所述的機械手掌，其中，所述機械手掌包含： <br/> 一致動器，固定於所述掌心件；及<br/> 一連桿，連接所述致動器與所述活動指件的所述指節部；其中，所述致動器能驅動所述連桿，以通過所述連桿帶動所述活動指件以所述旋轉軸線為軸心而相對於所述掌心件於一第一位置與一第二位置之間轉動。
如請求項19所述的機械手掌，其中，所述機械手掌包含有：<br/> 兩個吸取件，固定於所述掌心件且分別位於所述活動指件的相反兩側；及<br/> 一測距件，固定於所述掌心件；其中，所述測距件的測距方向平行於兩個所述吸取件的吸取方向、也平行於位在所述第一位置的所述活動指件的所述第一長軸方向。
一種氣墊床，包含：<br/> 一基底層，以一高密度聚氨酯製成；<br/> 一充氣層，形成於該基底層上，包括至少一用以充入一能產生緩衝效果之空氣的氣囊；<br/> 一彈性層，形成於該充氣層上，且是以一孔隙率大於該高密度聚氨脂且具回彈性的高回彈聚氨脂製成；及<br/> 一記憶層，形成於該彈性層上，並能在一溫度範圍內開始軟化而產生形變。
如請求項1所述的氣墊床，其中，定義一長度方向，及一與該長度方向垂直的寬度方向，該充氣層包括多個沿該寬度方向延伸，且沿該長度方向彼此平行並列的所述氣囊。
如請求項1所述的氣墊床，其中，定義一長度方向，及一與該長度方向垂直的寬度方向，該充氣層包括多個以該長度方向及該寬度方向呈二維陣列排列的所述氣囊。
如請求項1至3任一項所述的氣墊床，其中，該記憶層能產生形變之該溫度範圍為18~37℃。
一種擋水板組件，配置以設置於一除銹裝置，該除銹裝置包含一噴嘴腔體橫桿與至少一噴嘴，且該至少一噴嘴垂直設於該噴嘴腔體橫桿上，其中該擋水板組件包含：<br/> 至少一固定座，可活動地穿設於該噴嘴腔體橫桿；<br/> 一桿狀支架，包含彼此相對之一第一端與一第二端，該桿狀支架固接該至少一固定座，且該至少一固定座與該第一端之間具有一距離；<br/> 至少一連接件，該至少一連接件之每一者包含彼此相對之一第一側與一第二側，其中該至少一連接件以該第一側連接該至少一固定座；<br/> 一擋水板，包含彼此相對之一上表面與一下表面，且該上表面接合於該第二側，其中該擋水板配置以當該至少一噴嘴噴出水柱時進行一擋水操作；以及<br/> 一手把，固設於該桿狀支架之該第一端。
如請求項1所述之擋水板組件，其中該至少一固定座之每一者具有一通孔，該通孔沿該噴嘴腔體橫桿之一延伸方向貫穿該至少一固定座。
如請求項1所述之擋水板組件，其中該至少一固定座之每一者為一矩形塊狀結構。
如請求項1所述之擋水板組件，其中該至少一固定座之每一者為一圓柱結構。
如請求項1所述之擋水板組件，其中該擋水板為一矩形板狀結構。
如請求項1所述之擋水板組件，其中該擋水板之厚度為1毫米至2毫米。
如請求項1所述之擋水板組件，其中該至少一固定座之數量為二。
如請求項7所述之擋水板組件，其中該至少一連接件之數量與該至少一固定座之數量同樣為二，且該二連接件分別位於該擋水板之相對二側。
如請求項1所述之擋水板組件，其中該手把為一桿狀結構，且該手把之一長度大於或等於15公分。
如請求項1所述之擋水板組件，其中該手把為一環狀結構。
一種全年齡學習整合平台，其係運作於一電子裝置內，該電子裝置連接一網路伺服器，以供複數個用戶端存取，該全年齡學習整合平台係包含：<br/>一課程學習模組，該課程學習模組提供各領域專業人士的講座和課程，以及實境課程，讓各該用戶端能夠更身歷其境的看到更多面向與細節，增加學習的效率；<br/>一虛擬空間模組，該虛擬空間模組係連結該課程學習模組，用以提供虛擬教室、虛擬的模擬實驗空間，進行沉浸式體驗學習；<br/>一競賽資源模組，該競賽資源模組係連結該課程學習模組，用以提供各領域比賽資訊、證照考取、升學或留學資訊，以增進多元表現或履歷；<br/>一生涯規劃模組，該生涯規劃模組係連結該課程學習模組，提供AI生涯諮商之服務，能進行各職業或興趣的測驗施作與晤談，幫助各該用戶端執行生涯探索及規劃分析；<br/>一學習陪伴模組，該學習陪伴模組係連結該課程學習模組，用以提供AI伴讀及AI諮商師之服務，讓各該用戶端在學習之餘達到陪伴的效果；<br/>一社群模組，該社群模組係連結該課程學習模組，用以提供心理測驗協助交友，將各該用戶端分門別類，集合志同道合的朋友，互相激勵學習；<br/>一語言模組，該語言模組係連結該課程學習模組，該語言模組支援多國語言，提供使用介面之間進行不同國家的語言轉換。
如請求項1所述之全年齡學習整合平台，其中，該課程學習模組具有一線上圖書庫，該線上圖書庫包括複數電子書及複數有聲書。
如請求項1所述之全年齡學習整合平台，其中，該生涯規劃模組連接一智能助理，該智能助理係協助各該用戶端生成學習歷程及履歷。
如請求項1所述之全年齡學習整合平台，其中，該學習陪伴模組具有一休憩空間，該休憩空間提供影片觀賞區、遊戲區、AI寵物區及AI農作區的休閒娛樂場所。
一種錢幣分類、收納裝置，其包含有：<br/> 一第一盒體，內部形成有一第一容室，以及該第一盒體具有一第一向上開口及一第一底板，該第一向上開口連通該第一容室，該第一底板具有至少一第一開孔，該至少一第一開孔連通該第一容室，且該至少一第一開孔之孔徑為26.1 mm-27.9 mm之間；<br/> 一第二盒體，可拆卸地連接該第一盒體，並位於該第一盒體的下方，該第二盒體內部形成有一第二容室，以及該第二盒體具有一第二向上開口及一第二底板，該第二向上開口連通該第二容室與該至少一第一開孔，該第二底板具有至少一第二開孔，該至少一第二開孔連通該第二容室，且該至少一第二開孔之孔徑為22.1 mm-25.9 mm之間；<br/> 一第三盒體，可拆卸地連接該第二盒體，並位於該第二盒體的下方，該第三盒體內部形成有一第三容室，以及該第三盒體具有一第三向上開口及一第三底板，該第三向上開口連通該第三容室與該至少一第二開孔，該第三底板具有至少一第三開孔，該至少一第三開孔連通該第三容室，且該至少一第三開孔之孔徑為20.1 mm-21.9 mm之間；以及<br/> 一第四盒體，可拆卸地連接該第三盒體，並位於該第三盒體的下方，該第四盒體內部形成有一第四容室，以及該第四盒體具有一第四向上開口及一第四底板，該第四向上開口連通該第四容室與該至少一第三開孔。
如請求項1所述的錢幣分類、收納裝置，其中該至少一第一開孔之孔徑為27 mm。
如請求項1所述的錢幣分類、收納裝置，其中該至少一第二開孔之孔徑為23 mm。
如請求項1所述的錢幣分類、收納裝置，其中該至少一第三開孔之孔徑為21 mm。
如請求項1所述的錢幣分類、收納裝置，其中該第一、二、三及四底板為平行設置。
如請求項1所述的錢幣分類、收納裝置，其中更包含一頂蓋，該頂蓋可拆卸地設於該第一盒體，並遮蓋該第一向上開口，該頂蓋開設有一缺口，該缺口連通該第一容室。
如請求項6所述的錢幣分類、收納裝置，其中該頂蓋底側凸伸有一凸伸部，該凸伸部與該頂蓋之邊緣相隔一預定距離。
如請求項6所述的錢幣分類、收納裝置，其中該頂蓋設有一彈性片，該彈性片設於該缺口之口緣，並遮蔽至少部分的該缺口。
如請求項6所述的錢幣分類、收納裝置，其中該頂蓋、該第一盒體、該第二盒體、該第三盒體及該第四盒體的長、寬尺寸相同。
如請求項1所述的錢幣分類、收納裝置，其中該第一向上開口之口緣具一第一寬口部及一第一縮口部；該第一底板向下凸伸一第一凸緣，該第一凸緣之內徑與該第一縮口部之內徑寬度相同。
如請求項1所述的錢幣分類、收納裝置，其中該第二向上開口之口緣具一第二寬口部及一第二縮口部；該第二底板向下凸伸一第二凸緣，該第二凸緣之內徑與該第二縮口部之內徑寬度相同。
如請求項1所述的錢幣分類、收納裝置，其中該第三向上開口之口緣具一第三寬口部及一第三縮口部；該第三底板向下凸伸一第三凸緣，該第三凸緣之內徑與該第三縮口部之內徑寬度相同。
如請求項1所述的錢幣分類、收納裝置，其中該第四向上開口之口緣具有一第四寬口部及一第四縮口部。
如請求項1所述的錢幣分類、收納裝置，其中該至少一第一開孔、該至少一第二開孔及該至少一第三開孔皆為分散對齊排列。
如請求項1所述的錢幣分類、收納裝置，其中該至少一第一開孔與該至少一第二開孔位置關係為錯位排列，該至少一第二開孔與該至少一第三開孔位置關係為錯位排列。
如請求項1所述的錢幣分類、收納裝置，其中該第一盒體外側具有一第一標示區；該第二盒體外側具有一第二標示區；該第三盒體外側具有一第三標示區；該第四盒體外側具有一第四標示區。
一種壓力桶氣壓自動開蓋控制結構，其係包括： <br/> 一壓力桶身體、一壓力密封蓋體及數密閉環扣組，所述該壓力密封蓋體頂部設一馬達，該馬達下方連接一中心軸，而該中心軸底部設有一攪拌器，且該壓力密封蓋體周圍設有數扣合座部，其中該數密閉環扣組固設於壓力桶身體周圍，而該壓力密封蓋體蓋合於壓力桶身體開口，且該壓力桶身體所設數密閉環扣組，扣合於壓力密封蓋體所設數扣合座部，使壓力桶身體相對壓力密封蓋體密封，其特徵在於：該壓力桶身體之近底緣側邊設有數固定座，而該數固定座底側分別設有一滑輪，且進一步設有至少一升降氣壓缸組及至少一固定支架體，所述升降氣壓缸組設有能相對升降控制之一氣壓缸本體及一升降氣壓桿，該升降氣壓桿端側設有一固定部，所述固定支架體設有一支架身部及二固定端部，該升降氣壓缸組之氣壓缸本體，係固設於固定支架體所設支架身部上，而該固定支架體之二固定端部，分別固設於壓力桶身體所設固定座間，且該升降氣壓缸組之升降氣壓桿所設固定部，固定設於壓力密封蓋體之側邊。
如請求項1所述之壓力桶氣壓自動開蓋控制結構，其中，該升降氣壓缸組及固定支架體係呈2組、3組或4組狀態設置。
如請求項1或2所述之壓力桶氣壓自動開蓋控制結構，其中，該固定支架體之支架身部係呈L形設置，使升降氣壓缸組之氣壓缸本體，於固設在固定支架體所設支架身部時可進行水平方向與垂直方向之固定。
如請求項3所述之壓力桶氣壓自動開蓋控制結構，其中，該壓力桶身體所設數固定座係呈U形設置，而該U形設置之該固定座一體設有一底板及二立板，其中該二立板係固設於壓力桶身體之近底緣側邊，而該滑輪係設於底板上。
如請求項4所述之壓力桶氣壓自動開蓋控制結構，其中，該固定座底側所固設之滑輪係為具煞車之滑輪。
一種風扇組件，用以設置於一織品，該風扇組件包含：<br/> 一環形扣件，設置於該織品之一側，並包含一環體以及至少一撓性扣合凸塊，該環體具有一第一穿孔，該第一穿孔用以對應於該織品之安裝孔，該至少一撓性扣合凸塊用以自該環體朝遠離該織品之安裝孔的方向凸出，並包含一頭部以及一連接部，該連接部之相對兩端分別連接於該環體與該頭部，且該頭部的直徑大於該連接部的直徑；以及一風扇裝置，設置於該環形扣件，並用以至少部分穿過該第一穿孔與該織品之安裝孔，該風扇裝置具有至少一扣合孔，該至少一扣合孔對應於該至少一撓性扣合凸塊，該至少一扣合孔的直徑大於該連接部的直徑，並小於該頭部的直徑，且透過該頭部與該連接部可拆卸地扣合於該至少一扣合孔，以令該風扇裝置可拆卸地固定於該環形扣件。
如請求項1所述之風扇組件，更包含一環形支撐件，該環形支撐件設置於該織品遠離該環形扣件之一側，並具有一第二穿孔，且該第二穿孔用以對應於該織品之安裝孔與該第一穿孔，且該風扇裝置用以至少部分穿過該第一穿孔、該織品之安裝孔與該第二穿孔。
如請求項2所述之風扇組件，其中該風扇裝置包含一殼體以及一風扇，該殼體包含相連的一底部以及一蓋部，該底部設置於該環形扣件，該蓋部用以穿過該第一穿孔、該織品之安裝孔與該第二穿孔，該底部與該蓋部共同圍繞出一容置空間，該風扇設置於該容置空間，該底部具有一進風口，該蓋部具有一出風口，該進風口與該出風口連通於該容置空間，該底部具有該至少一扣合孔，且該至少一扣合孔與該容置空間相分離。
如請求項3所述之風扇組件，其中該風扇裝置更包含一致冷晶片，該致冷晶片設置於該容置空間，並具有相對的一冷端以及一熱端，該熱端較該冷端靠近該風扇，且該風扇用以產生流經該熱端的散熱氣流，以對該熱端散熱。
如請求項4所述之風扇組件，其中該風扇裝置更包含一導熱板，該導熱板設置於該底部，並覆蓋該容置空間，且該導熱板熱耦合於該致冷晶片之該冷端。
如請求項4所述之風扇組件，其中該風扇裝置更包含一散熱器，該散熱器設置於該容置空間，並熱耦合於該致冷晶片之該熱端。
如請求項4所述之風扇組件，其中該風扇裝置更包含一電路板以及一電源線，該電路板設置於該容置空間，且該電源線透過該電路板而電性連接於該風扇與該致冷晶片。
如請求項3所述之風扇組件，其中該蓋部具有多個定位凸塊，該些定位凸塊設置於該容置空間，且該風扇定位於該些定位凸塊。
如請求項2所述之風扇組件，其中該環形扣件與該環形支撐件的材質為皮革或塑膠。
一種風扇織物，包含：<br/> 一織品，具有一安裝孔；以及一風扇組件，包含：一環形扣件，設置於該織品之一側，並包含一環體以及至少一撓性扣合凸塊，該環體具有一第一穿孔，該第一穿孔對應於該安裝孔，該至少一撓性扣合凸塊自該環體朝遠離該安裝孔的方向凸出，並包含一頭部以及一連接部，該連接部之相對兩端分別連接於該環體與該頭部，且該頭部的直徑大於該連接部的直徑；以及一風扇裝置，設置於該環形扣件，並至少部分穿過該第一穿孔與該安裝孔，該風扇裝置具有至少一扣合孔，該至少一扣合孔對應於該至少一撓性扣合凸塊，該至少一扣合孔的直徑大於該連接部的直徑，並小於該頭部的直徑，且透過該頭部與該連接部可拆卸地扣合於該至少一扣合孔，以令該風扇裝置可拆卸地固定於該環形扣件。
一種防夾機構，其裝設於椅子之一手扶桿之底側，並包圍位於該手扶桿下方的一調整組，其包括：<br/> 一本體，該本體具有相對設置之一第一遮擋壁、一第二遮擋壁、一第三遮擋壁，以及與該第一遮擋壁、該第二遮擋壁、該第三遮擋壁相連之一連接壁，該連接壁與該手扶桿之底側鎖接，且該第一遮擋壁、該第二遮擋壁、該第三遮擋壁及該連接壁形成具有一作動口之一作動空間，又該第一遮擋壁具有一位移槽孔，該位移槽孔與該作動空間相通，該調整組活動於該位移槽孔中位移，且該調整組之部分位於該作動空間內。
如請求項1所述之防夾機構，其中該位移槽孔進一步具有複數定位槽孔、一滑動槽孔，且各定位槽孔分別與該滑動槽孔相通。
如請求項2所述之防夾機構，其中各定位槽孔進一步分別具有一倒勾部，該調整組進入各定位槽孔後，該倒勾部防止該調整組自各定位槽孔滑脫。
如請求項1所述之防夾機構，其中該連接壁之表面貫穿有複數組裝孔，各組裝孔分別與該作動空間相通。
如請求項1所述之防夾機構，該第一遮擋壁連接該第三遮擋壁的一端具有一第一卡接部，該第三遮擋壁對應該第一卡接部具有一第一卡凸部，該第一卡接部與該第一卡凸部相互卡接。
如請求項1所述之防夾機構，其中該第二遮擋壁連接該第三遮擋壁的一端具有一第二卡接部，該第三遮擋壁對應該第二卡接部具有一第二卡凸部，該第二卡接部與該第二卡凸部相互卡接。
如請求項1所述之防夾機構，其中另外包含一單桿外接件，又該第三遮擋壁之表面貫穿有一第一外接孔，該第一外接孔與該作動空間相通，且該單桿外接件活動插設或鎖接於該第一外接孔。
如請求項1所述之防夾機構，其中另外包含一雙桿外接件，又該第三遮擋壁之表面貫穿有一第二外接孔，該第二外接孔與該作動空間相通，且該雙桿外接件活動插設或鎖接於該第二外接孔。
如請求項1所述之防夾機構，其中該第二遮擋壁未與該連接壁相連的一側具有一弧凹部。
一種具下斜式輔助帶的護膝，包含：<br/> 包覆套，為中空筒狀體，用於使用者穿戴包覆於膝關節； <br/> 右斜施壓帶及左斜施壓帶，其中該右斜施壓帶的兩端分別接合於該包覆套且自左上向右下延伸跨過該包覆套之預設的膝關節下方肌群施壓位置的前外側面，該左斜施壓帶的兩端分別接合於該包覆套且自右上向左下延伸跨過該膝關節下方肌群施壓位置的前外側面；以及<br/> 壓掣塊，組裝於位在該包覆套前內側面之預設的臏骨肌腱施壓位置，其中<br/> 在該使用者穿戴該具下斜式輔助帶的護膝時，由該右斜施壓帶以及該左斜施壓帶對於該膝關節下方肌群施壓位置施壓，以對於該膝關節之下方的肌群形成向下的束縛力，以抑制該肌群向上收縮而阻斷該肌群的施力，以及<br/> 該臏骨肌腱施壓位置對應於該膝關節之下方的臏骨肌腱，藉由該包覆套的伸縮彈力對於該膝關節向內施壓而使該壓掣塊抵靠於該臏骨肌腱並對該臏骨肌腱施加壓力，以避免該臏骨肌腱的不當施力。
如請求項1所述的具下斜式輔助帶的護膝，其中該右斜施壓帶的左固定端為固定接合於該包覆套的左側緣，該右斜施壓帶的右連接端以黏扣帶的方式可拆卸地連接於該包覆套的右側緣。
如請求項2所述的具下斜式輔助帶的護膝，其中該右斜施壓帶的該右連接端為黏扣帶中的勾面結構，以及該包覆套的右側緣為黏扣帶中的毛面結構。
如請求項2所述的具下斜式輔助帶的護膝，其中該右斜施壓帶的該右連接端為黏扣帶中的毛面結構，以及該包覆套的右側緣為黏扣帶中的勾面結構。
如請求項1所述的具下斜式輔助帶的護膝，其中該左斜施壓帶的右固定端為固定接合於該包覆套的右側緣，該左斜施壓帶的左連接端以黏扣帶的方式可拆卸地連接於該包覆套的左側緣。
如請求項5所述的具下斜式輔助帶的護膝，其中該左斜施壓帶的該左連接端為黏扣帶中的勾面結構，以及該包覆套的左側緣為黏扣帶中的毛面結構。
如請求項5所述的具下斜式輔助帶的護膝，其中該左斜施壓帶的該左連接端為黏扣帶中的毛面結構，以及該包覆套的左側緣為黏扣帶中的勾面結構。
如請求項1所述的具下斜式輔助帶的護膝，其中該包覆套具有盛裝袋，該盛裝袋以在位置上對應於該臏骨肌腱施壓位置的方式設置於該包覆套的前內側面，以及該壓掣塊安裝於該盛裝袋內以對於該臏骨肌腱施加壓力。
如請求項8所述的具下斜式輔助帶的護膝，更具有輔助壓掣塊，其中該輔助壓掣塊以與該壓掣塊保持間隔距離且相對設置的方式組裝於該包覆套前內側面之預設的膝關節上方肌群施壓位置，其中<br/> 該包覆套的伸縮彈力對於該膝關節向內施壓而使該輔助壓掣塊抵靠於該膝關節之上方的肌群並施加壓力，以避免該肌群的不當施力。
如請求項9所述的具下斜式輔助帶的護膝，其中該包覆套具有輔助盛裝袋，該輔助盛裝袋以在位置上對應於該膝關節上方肌群施壓位置的方式設置於該包覆套的前內側面，以及該輔助壓掣塊組裝於該輔助盛裝袋以對於該膝關節之上方的肌群施加壓力。
一種資訊顯示裝置，包含：<br/> 一顯示器，包含：<br/> 至少一顯示面；<br/> 複數個顯示模組，每一該些顯示模組的一表面互相拼接而形成該至少一顯示面；及<br/> 複數個發電模組，分別電性連接該些顯示模組；以及<br/> 複數個發光模組，設置於該至少一顯示面的周圍；<br/> 其中，該些發電模組相對於該至少一顯示面而設置於每一該些顯示模組的另一表面；<br/> 其中該顯示模組為一具有半穿透半反射特性的液晶顯示器或一膽固醇液晶顯示器。
如請求項1所述之資訊顯示裝置，更包含：<br/> 一接收模組，用以接收一電子裝置的一顯示訊號，且該接收模組訊號連接該顯示器；<br/> 其中，該顯示器根據該顯示訊號顯示至少一畫面。
如請求項2所述之資訊顯示裝置，其中該接收模組以一無線傳輸協定自該電子裝置接收該顯示訊號。
如請求項1所述之資訊顯示裝置，更包含：<br/> 複數個電池模組，分別電性連接該些顯示模組與該些發電模組。
如請求項1所述之資訊顯示裝置，其中每二相鄰的該些顯示模組的至少一側互相重疊，並形成至少一重疊區域。
一種資訊顯示裝置，包含：<br/> 一顯示器，包含：<br/> 至少一顯示面；<br/> 複數個顯示模組，每一該些顯示模組的一表面互相拼接而形成該至少一顯示面；及<br/> 複數個第一發電模組，分別電性連接該些顯示模組；<br/> 一支撐結構，連接該顯示器，並用以支撐該顯示器；以及<br/> 複數個發光模組，設置於該至少一顯示面的周圍；<br/> 其中，該第一發電模組相對於該至少一顯示面而設置於每一該些顯示模組的另一表面；<br/> 其中該顯示模組為一具有半穿透半反射特性的液晶顯示器或一膽固醇液晶顯示器。
如請求項6所述之資訊顯示裝置，更包含：<br/> 一接收模組，用以接收一電子裝置的一顯示訊號，且該接收模組訊號連接該顯示器；<br/> 其中，該顯示器根據該顯示訊號顯示至少一畫面。
如請求項7所述之資訊顯示裝置，其中該接收模組以一無線傳輸協定自該電子裝置接收該顯示訊號。
如請求項6所述之資訊顯示裝置，更包含：<br/> 複數個電池模組，分別連接該些顯示模組與該些第一發電模組，且該些電池模組設置於該支撐結構內。
如請求項9所述之資訊顯示裝置，更包含：<br/> 複數個第二發電模組，設置於該支撐結構的一外壁，且該些第二發電模組分別電性連接該些電池模組。
一種多功能蒸煮機，包含：<br/> 一機體，其具有一容置空間，該容置空間內設有一加熱單元及一承載單元，該加熱單元位於該承載單元的下方，該機體側邊設置一出料件，該出料件穿透該機體並連通該容置空間；<br/> 一容器，其壁面具有複數孔洞，該容器設置於該容置空間並承靠於該承載單元，且該容器連通該出料件；<br/> 一蓋體組件，包括一蓋體及一連動機構，該連動機構連接於該蓋體與該機體之間，用以引導該蓋體選擇性密封該容置空間；及<br/> 一安全防護系統，包括一安全鎖扣及一自動安全洩壓閥，該安全鎖扣設置於該蓋體邊緣用以將該蓋體鎖固於該機體，該自動安全洩壓閥設置於該機體並連通該容置空間。
如請求項1所述之多功能蒸煮機，其中，該安全防護系統更包括一手動排氣閥，該手動排氣閥設置於該蓋體頂部。
如請求項1所述之多功能蒸煮機，其中，更包括一酸洗部，該酸洗部設置於該機體頂部並且連通該容置空間。
如請求項1所述之多功能蒸煮機，其中，該蓋體周緣環設一密封件。
如請求項1所述之多功能蒸煮機，其中，該容器由至少二盛裝容器疊設而成，各該盛裝容器底部設置一過濾盤。
如請求項1所述之多功能蒸煮機，其中，該出料件包括一出料管及一開關把手，該出料管連通該容置空間，該開關把手設置於該機體外側並用以啟閉該出料管。
如請求項1所述之多功能蒸煮機，其中，更包括一控制器，該控制器由一懸臂支架連接於該機體一側，該控制器電連接該加熱單元。
如請求項7所述之多功能蒸煮機，其中，該機體設置一液位感測器，該液位感測器設於該容置空間，該液位感測器電連接該控制器，該液位感測器用於量測該容置空間之液體位面。
如請求項8所述之多功能蒸煮機，其中，該機體更包括一進水部及一排水部，該排水部設置於該機體底部，該進水部連通該容置空間，該進水部設置一電磁閥，該電磁閥電連接該控制器，該容置空間之液體位面低於該液位感測器，進而啟動該電磁閥。
如請求項1所述之多功能蒸煮機，其中，該機體底部設置複數位移單元。
一種均溫板毛細搭接結構，係包含：<br/> 一上板，具有一第一側及一第二側；<br/> 一下板，具有一第三側及一第四側，該第三側向該第四側凸伸一凸台，並在該第三側處形成一凹槽，該凹槽具有一底側，該底側向上延伸一斜面連接該第三側，所述上、下板對應蓋合形成一氣密腔室並填充有一工作液體；<br/> 一第一毛細結構，具有一第一本體設於前述下板之第三側表面，該第一本體向該斜面延伸設置一第一延伸部；及<br/> 一第二毛細結構，具有一第二本體周圍延伸形成一第二延伸部，該第二本體設於該凹槽之底側表面，該第二延伸部設於前述斜面之表面，所述第一、二延伸部於該斜面處相互搭接設置形成一搭接部。
如請求項1所述之均溫板毛細搭接結構，其中該斜面具有一第一段及一第二段及一第三段，該第二段兩端連接該第一、三段，該第一段連接該下板之第三側表面，該第三段連接該凹槽之底側，所述第一、二毛細結構選擇於該第二段或第三段處形成該搭接部。
如請求項1所述之均溫板毛細搭接結構，其中該搭接部厚度較該第一、二毛細結構其它未搭接之部位厚。
如請求項1所述之均溫板毛細搭接結構，其中該第一、二毛細結構係為燒結粉末、編織網目、網格體、纖維體其中任一，並所述第一、二毛細結構可為相同或不相同性質之毛細結構。
如請求項1所述之均溫板毛細搭接結構，其中該上板之第二側與該下板之第三側相對應蓋合形成一氣密腔室。
一種柔性印刷電路板遮蔽組件，包括：<br/> 一固定座，其前側具有一插槽，配置以供一柔性印刷電路板插入；<br/> 複數個導電端子，插設於該固定座的後側； <br/> 一外殼，覆蓋該固定座，且具有複數個導電彈片，其中該些導電彈片延伸至該固定座的該插槽中，該些導電彈片包括至少一上導電彈片與至少一下導電彈片，配置以與該柔性印刷電路板接地；以及<br/> 一推桿，其兩端分別樞接於該固定座的兩側壁，配置以定位該柔性印刷電路板。
如請求項1所述之柔性印刷電路板遮蔽組件，其中該上導電彈片靠近該插槽的一上部，該下導電彈片靠近該插槽的一下部。
如請求項1所述之柔性印刷電路板遮蔽組件，其中該上導電彈片延伸至該插槽中的一端較該下導電彈片延伸至該插槽中的一端靠近該插槽的開口處。
如請求項1所述之柔性印刷電路板遮蔽組件，其中該下導電彈片延伸至該插槽中的一端延伸至該些導電端子下方。
如請求項1所述之柔性印刷電路板遮蔽組件，其中該下導電彈片延伸至該插槽中的一端與該些導電端子其中一者在垂直方向上重疊。
如請求項1所述之柔性印刷電路板遮蔽組件，其中該外殼的相對兩側壁各具有一開槽，且該推桿的該兩端分別通過該兩開槽而連接該固定座。
如請求項1所述之柔性印刷電路板遮蔽組件，其中該外殼覆蓋該固定座的頂面與該兩側壁，且該外殼的底部位於該固定座的該插槽中。
如請求項1所述之柔性印刷電路板遮蔽組件，其中該些導電端子為Z字形。
如請求項1所述之柔性印刷電路板遮蔽組件，其中該些導電端子各具有鄰接的一接觸部、一固定部與一焊接部，該固定部位於該接觸部與該焊接部之間，該接觸部位於該固定座的該插槽中，且該焊接部位於該固定座外。
如請求項9所述之柔性印刷電路板遮蔽組件，其中該固定座具有複數個定位孔，該些導電端子的該些固定部分別固定於該些定位孔。
一種汽車晴雨窗升降順暢裝置，包含一本體，該本體依序包含一具有黏性可將本體黏設於晴雨窗嵌片之黏貼層、一設有隆起弧緣構造之緩衝層、一具有弧度設計之導引層，其特徵在於透過該導引層之弧度，使車窗玻璃上升過程中得以順應該弧度且保持緊密貼合，而不擠壓到本體，並藉由緩衝層之弧緣構造填補車窗玻璃與車窗膠條間之段差縫隙，減少車窗玻璃上升過程中與車窗膠條卡頓、碰觸嵌片產生異音之問題。
如請求項1所述之汽車晴雨窗升降順暢裝置，其中該緩衝層係具有彈性與軟韌之特性。
一種烤漆治具，其改良在於，包括：<br/> 安裝件；<br/> 支撐遮蔽件，所述支撐遮蔽件設於所述安裝件，所述支撐遮蔽件用於承載產品；<br/> 第一遮蔽件，所述第一遮蔽件可活動地設於所述安裝件，所述第一遮蔽件與所述支撐遮蔽件沿第一方向間隔設置；<br/> 第二遮蔽件及第三遮蔽件，所述第二遮蔽件設於所述第一遮蔽件沿第二方向的一側，所述第三遮蔽件位於所述第一遮蔽件沿第二方向的另一側；<br/> 驅動件及傳動組件，所述驅動件設於所述安裝件，所述驅動件傳動連接所述傳動組件，所述傳動組件連接所述第一遮蔽件，所述傳動組件與所述第二遮蔽件、所述第三遮蔽件傳動配合，所述驅動件用於驅動所述傳動組件運動，以帶動所述第一遮蔽件沿第一方向靠近或遠離所述支撐遮蔽件，並帶動所述第二遮蔽件及所述第三遮蔽件沿第二方向相互靠近或遠離。
如請求項1所述的烤漆治具，其中：<br/> 所述產品包括圍壁及烤漆壁，所述圍壁連接所述烤漆壁的邊緣，所述圍壁用於設置於所述安裝件，所述圍壁具有遮蔽面區及烤漆面區，所述烤漆面區連接所述烤漆壁；<br/> 所述烤漆治具具有工作狀態，在所述烤漆治具處於所述工作狀態，所述支撐遮蔽件、所述第一遮蔽件、所述第二遮蔽件及所述第三遮蔽件圍成遮蔽空間，所述遮蔽空間沿其周向封閉設置，所述遮蔽空間背離所述安裝件的一側限定避讓口，所述遮蔽空間用於遮蔽所述遮蔽面區，且所述烤漆面區及所述烤漆壁從所述避讓口外露。
如請求項2所述的烤漆治具，其中：<br/> 所述圍壁包括第一端壁、第二端壁、第一側壁及第二側壁，所述第一端壁與所述第二端壁沿第一方向間隔設置，所述第一側壁與所述第二側壁沿第二方向間隔設置，所述第一側壁連接所述第一端壁的一端與所述第二端壁的一端，所述第二側壁連接所述第一端壁的另一端與所述第二端壁的另一端；<br/> 所述支撐遮蔽件包括支撐部及支撐密封部，所述支撐部連接所述安裝件，所述支撐密封部設於所述支撐部遠離所述安裝件的邊緣，所述支撐密封部用於抵接所述第二端壁遠離所述安裝件的邊緣部分，以遮蔽至少部分所述第二端壁；<br/> 和/或，所述第一遮蔽件包括第一主體部及第一密封部，所述第一主體部沿第一方向可移動地設於所述安裝件，所述第一密封部設於所述第一主體部遠離所述安裝件的邊緣，所述第一密封部用於抵接所述第一端壁遠離所述安裝件的邊緣部分，以遮蔽至少部分所述第一端壁；<br/> 和/或，所述第二遮蔽件包括第二主體部及第二密封部，所述第二主體部沿第二方向可移動地設於所述安裝件，所述第二密封部設於所述第二主體部沿第二方向朝向所述第三遮蔽件的一側，所述第二密封部用於抵接所述第一側壁，以遮蔽至少部分所述第一側壁；<br/> 和/或，所述第三遮蔽件包括第三主體部及第三密封部，所述第三主體部沿第二方向可移動地設於所述安裝件，所述第三密封部設於所述第三主體部沿第二方向朝向所述第二遮蔽件的一側，所述第三密封部用於抵接所述第二側壁，以遮蔽至少部分所述第二側壁。
如請求項1所述的烤漆治具，其中：<br/> 所述烤漆治具還包括第一安裝板及第一遮蔽罩，所述第一安裝板連接所述安裝件，所述第一安裝板位於所述第一遮蔽件沿第一方向背離所述支撐遮蔽件的一側，所述驅動件設於所述第一安裝板，並連接所述第一遮蔽件，所述第一安裝板與所述安裝件限定第一空間，所述第一遮蔽罩連接所述第一安裝板，所述第一遮蔽罩朝向所述第一遮蔽件延伸設置，所述第一遮蔽罩沿第二方向的兩端抵接所述安裝件，所述第一遮蔽罩蓋合所述第一空間；<br/> 和/或，所述烤漆治具還包括第二遮蔽罩，所述第二遮蔽罩連接所述第二遮蔽件，所述第二遮蔽罩的邊緣接觸所述安裝件，所述第二遮蔽罩用於遮蓋所述第二遮蔽件與所述安裝件之間的第一間隙；<br/> 和/或，所述烤漆治具還包括第三遮蔽罩，所述第三遮蔽罩連接所述第三遮蔽件，所述第三遮蔽罩的邊緣接觸所述安裝件，所述第三遮蔽罩用於遮蓋所述第三遮蔽件與所述安裝件之間的第二間隙。
如請求項1所述的烤漆治具，其中：<br/> 所述傳動組件包括第一傳動件、第二傳動件及第三傳動件，所述第一傳動件的延伸方向平行所述第一方向，所述第二傳動件的一端與所述第一傳動件傳動配合，所述第二傳動件的另一端抵接所述第二遮蔽件，所述第二傳動件的延伸方向平行第二方向，所述第三傳動件的一端與所述第一傳動件傳動配合，所述第三傳動件的另一端抵接所述第三遮蔽件，所述第三傳動件的延伸方向平行第二方向；其中，所述第一傳動件傳動連接所述驅動件，並配置為在所述驅動件的帶動下沿第一方向移動，以帶動所述第二傳動件及所述第三傳動件沿第二方向移動。
如請求項5所述的烤漆治具，其中：<br/> 所述第一傳動件限定第一導向槽，所述第一導向槽的延伸方向平行第一方向，所述安裝件包括第一導向部，所述第一導向部配合於所述第一導向槽；<br/> 和/或，所述第二傳動件限定第二導向槽，所述第二導向槽的延伸方向平行第二方向，所述安裝件包括第二導向部，所述第二導向部位於所述第一傳動件靠近所述第二遮蔽件的一側，所述第二導向部配合於所述第二導向槽；<br/> 和/或，所述第三傳動件限定第三導向槽，所述第三導向槽的延伸方向平行第二方向，所述安裝件包括第三導向部，所述第三導向部位於所述第一傳動件靠近所述第三遮蔽件的一側，所述第三導向部配合於所述第三導向槽。
如請求項5所述的烤漆治具，其中： 所述第一傳動件沿第二方向朝向所述第二遮蔽件的一側限定第一斜面，所述第一傳動件沿第二方向朝向所述第三遮蔽件的一側限定第二斜面，所述第一斜面與所述第二斜面的間距在靠近所述支撐遮蔽件的方向上逐漸增大；<br/> 所述第二傳動件靠近所述第一傳動件的一端具有第三斜面，所述第三斜面與所述第一斜面斜楔配合，所述第三傳動件靠近所述第一傳動件的一端具有第四斜面，所述第四斜面與所述第二斜面斜楔配合。
如請求項7所述的烤漆治具，其中：<br/> 所述烤漆治具還包括第一複位件，所述第一複位件連接所述安裝件及所述第二遮蔽件，所述第一複位件用於對所述第二遮蔽件施加沿第二方向朝向所述第一傳動件運動的作用力；<br/> 和/或，所述烤漆治具還包括第二複位件，所述第二複位件連接所述安裝件及所述第三遮蔽件，所述第二複位件用於對所述第三遮蔽件施加沿第二方向朝向所述第一傳動件運動的作用力。
如請求項1所述的烤漆治具，其中：<br/> 所述烤漆治具還包括第一定位件，所述第一定位件設於所述支撐遮蔽件，所述第一定位件用於定位所述產品於所述支撐遮蔽件；<br/> 和/或，所述烤漆治具還包括第二定位件，所述第二定位件設於所述第一遮蔽件，所述第二定位件用於定位所述產品於所述第一遮蔽件；<br/> 和/或，所述烤漆治具還包括第三定位件，所述第三定位件設於所述安裝件，所述第三定位件設於所述支撐遮蔽件與所述第一遮蔽件之間，所述第三定位件用於定位所述產品，以使所述產品沿第一方向的投影、所述第一遮蔽件沿第一方向的投影及所述支撐遮蔽件沿第一方向的投影大致重合。
如請求項1所述的烤漆治具，其中：<br/> 所述支撐遮蔽件包括支撐部，所述支撐部包括第一支撐板、第二支撐板及彈性部；所述第一支撐板連接所述安裝件；所述第二支撐板位於所述第一支撐板朝向所述第一遮蔽件的一側，並用於支撐所述產品；所述彈性部彈性支撐所述第一支撐板與所述第二支撐板之間。
一種供裝載於移動裝置中之行動中動態車牌辨識系統，係包含一攝相模組及一辨識模組，該攝相模組裝載於一車輛上，該辨識模組供裝載於一移動裝置中並電訊連接該攝相模組，且該攝相模組設有至少兩個攝影機，該辨識模組內置一辨識引擎，其特徵在於： <br/>以各該攝影機之光軸為基準，二個該攝影機間係以光軸夾角30～45度為相應設置，使一個該攝影機朝該車輛正前視角方向拍攝時，另一個該攝影機朝與正前視角夾角30～45度之斜側視角方向拍攝；當二個該攝影機分別截取複數個正前影像及複數個斜側影像並分別傳送予該辨識模組時，該辨識模組分別顯示各該正前影像及各該斜側影像，且該辨識模組同時分別辨識該等正前影像及該等斜側影像，以分別獲取至少一正前車牌號及至少一斜側車牌號，並分別顯示該正前車牌號及該斜側車牌號。
如請求項1所述之行動中動態車牌辨識系統，其中，朝斜側視角方向拍攝之該攝影機，係以其光軸之水平面為基準，前傾6～10度擺置於該車輛上而使該攝影機水平朝下6～10度進行拍攝。
如請求項2所述之行動中動態車牌辨識系統，其中，二個該攝影機間係以光軸之垂直面間夾角30度為相應設置，且朝斜側視角方向拍攝之該攝影機更以其光軸之水平面為基準，前傾8度擺置而水平朝下8度進行拍攝。
如請求項1所述之行動中動態車牌辨識系統，其中，朝正前視角方向拍攝之該攝影機係為Horizontal FOV（Horizontal Field of View, 水平視角）約30度且對焦距離約8公尺之全域快門（Global shutter）攝影機。
如請求項1所述之行動中動態車牌辨識系統，其中，朝斜側視角方向拍攝之該攝影機係為Horizontal FOV約60度且對焦距離約3公尺之全域快門攝影機。
如請求項1所述之行動中動態車牌辨識系統，更包含一管理模組，其內建有一警示名單而列表具需關注之複數個警示車牌號碼，且該辨識模組電訊連接該管理模組而下載儲存該警示名單；當該辨識模組獲知該正前車牌號與該斜側車牌號之其中至少一者時，進一步利用該警示名單進行比對，以於獲知該正前車牌號與該斜側車牌號之其中至少一者為一個該警示車牌號時，輸出一警示訊息。
如請求項1所述之行動中動態車牌辨識系統，其中，該攝相模組更設有一視訊轉接盒，其電連接兩個該攝影機並電訊連接該辨識模組，以供接收各該正前影像及各該斜側影像而轉傳送至該辨識模組。
如請求項1所述之行動中動態車牌辨識系統，其中，該攝相模組更設有一補光裝置，係對應二個該攝影機設置，以提供照明光線予二個該攝影機，使提升拍攝影像的截取清晰度。
如請求項1所述之行動中動態車牌辨識系統，其中，該辨識模組係設有至少一種顯示畫面，至少一種該顯示畫面之其中之一者設有兩個顯示區域，以供分別顯示該正前影像及該斜側影像，達同步顯示正前視角畫面及斜側視角畫面。
如請求項1所述之行動中動態車牌辨識系統，更包含一車充電源供應器，係供提供電力而電連接該攝相模組，且允許該移動裝置連接充電。
一種卡扣機構，包括：<br/> 一基座，包括一座體與一限位件，該限位件位於該座體上；<br/> 一轉動手柄，包括一支架與一扣接部，該支架樞接至該座體上，且該扣接部位於該支架上；以及<br/> 一卡固件，包括一卡固本體與一卡勾，該卡固本體樞接至該支架上，該卡勾位於該卡固本體上，且可移除地勾扣至該限位件上，使得該轉動手柄可移除地依附至該基座上。
如請求項1所述之卡扣機構，其中該轉動手柄包括：<br/> 一凸緣部，與該扣接部分別位於該支架之相對側；以及<br/> 一回復組件，分別連接該凸緣部與該卡固本體。
如請求項2所述之卡扣機構，其中該凸緣部上具有一長孔，該長孔之長軸方向正交該支架之長軸方向；以及<br/> 該回復組件包含一螺柱及一彈簧件，該螺柱之一端固定連接該卡固本體，其另一端可移動地位於該長孔內，該彈簧件套接於該螺柱上，介於該凸緣部與該卡固本體之間且分別直接抵接該凸緣部與該卡固本體。
如請求項2所述之卡扣機構，其中該卡固件介於該凸緣部與該扣接部之間。
如請求項1所述之卡扣機構，其中該轉動手柄更包括一樞接部，該樞接部突出於該支架之一側面，且透過一第一樞軸樞接至該座體上，<br/> 其中該扣接部凸出於該樞接部上，且與該支架之該側面之間具有一凹槽。
如請求項5所述之卡扣機構，其中該扣接部之厚度小於該支架之厚度。
如請求項1所述之卡扣機構，其中該座體具有一卡扣槽，該限位件包含一固定栓，該固定栓固定於該卡扣槽內，且該固定栓之長軸方向正交該支架之長軸方向；以及<br/> 該卡固件可移除地位於該卡扣槽內，其中該卡勾可移除地勾扣至該固定栓上。
如請求項7所述之卡扣機構，其中該轉動手柄包括一貫孔，該貫孔位於該支架上且接通該卡扣槽；以及<br/> 該卡固件之該卡固本體穿過該貫孔，且該卡固件在該貫孔內透過一第二樞軸樞接至該支架上。
一種電子設備，包括：<br/> 一機殼，包含一殼體、一開槽與一卡扣口，該開槽與該卡扣口分別位於該殼體上；<br/> 一電子裝置，可移除地位於該開槽；以及<br/> 如請求項1至8中任一項所述之卡扣機構，該座體固定連接該電子裝置，且該扣接部可移除地扣接至該卡扣口。
如請求項9所述之電子設備，更包含：<br/> 一設備主板，包含一第一配線板與一第一連接埠，該第一配線板放置於該開槽內，且該第一連接埠位於該第一配線板上，<br/> 其中該電子裝置包含一第二配線板與一第二連接埠，該第二配線板可移除地位於該開槽內，該第二連接埠位於該第二配線板上，且可插拔地連接該第一連接埠。
一種戶外高可視性顯示裝置，包括：<br/> 一液晶顯示模組，具有一顯示面，該顯示面用以發出一線性偏振光；<br/> 一第一光學黏著層，全面覆蓋貼合於該液晶顯示模組之該顯示面上，以形成一無氣隙之貼合結構；<br/> 一相位延遲層，設置於該第一光學黏著層背向該液晶顯示模組之一側，該相位延遲層具有一光軸，該光軸與該線性偏振光之偏振方向形成一預定夾角；<br/> 一觸控感應層，設置於該相位延遲層上方；以及<br/> 一透光蓋板，設置於該觸控感應層上方。
如請求項1所述之戶外高可視性顯示裝置，其中該相位延遲層為一四分之一波長板，且該預定夾角為45度，該相位延遲層用以將該線性偏振光轉換為一圓偏振光。
如請求項1所述之戶外高可視性顯示裝置，更包括：<br/> 一第二光學黏著層，夾設於該相位延遲層與該觸控感應層之間，該第二光學黏著層將該觸控感應層貼合固定於該相位延遲層上。
如請求項3所述之戶外高可視性顯示裝置，其中該第二光學黏著層為一固態光學膠（OCA）層。
如請求項1所述之戶外高可視性顯示裝置，其中該第一光學黏著層為由液態光學膠（OCR）固化形成之一固化膠層，該液晶顯示模組具有圍繞該顯示面設置之一邊框，該固化膠層填充於該邊框所圍成之區域內並覆蓋該顯示面。
如請求項1所述之戶外高可視性顯示裝置，其中該第一光學黏著層為一固態光學膠（OCA）層，該固態光學膠層平整貼合於該液晶顯示模組之該顯示面上。
如請求項1所述之戶外高可視性顯示裝置，更包括：<br/> 一抗紫外線黏著層，夾設於該觸控感應層與該透光蓋板之間。
如請求項7所述之戶外高可視性顯示裝置，其中該抗紫外線黏著層為一熱熔膠層，經熱壓合固化以連接該觸控感應層與該透光蓋板。
如請求項1所述之戶外高可視性顯示裝置，其中該透光蓋板具有一內表面朝向該觸控感應層，該內表面之周緣設有一環狀遮光油墨層。
如請求項3所述之戶外高可視性顯示裝置，其中，該觸控感應層為一電容式觸控感應層，該第一光學黏著層及該第二光學黏著層構成一電性隔離層以降低於該液晶顯示模組對該電容式觸控感應層之訊號耦合干擾。
一種電連接器，用來沿著一縱向與一互補連接器對接，所述電連接器包括：<br/> 一絕緣本體；<br/> 一鎖扣件，係圍繞一軸線可轉動地安裝至所述絕緣本體；所述軸線沿著所述縱向延伸；所述鎖扣件包括一鎖扣臂，朝向所述互補連接器延伸、且在所述縱向上鎖定或釋放所述互補連接器；<br/> 一操作鍵，係與所述鎖扣件沿著一橫向排列，所述橫向垂直於所述縱向；所述操作鍵用來接受一外力以驅動所述鎖扣件圍繞所述軸線轉動，從而帶動所述鎖扣臂翻轉；以及<br/> 一扭轉彈性元件，係可扭轉地彈性連接所述絕緣本體與所述鎖扣件；<br/> 當所述扭轉彈性元件處於一初始狀態時，所述鎖扣臂處於一初始位置；<br/> 當所述操作鍵接受到所述外力時，所述操作鍵驅動所述鎖扣件轉動，所述鎖扣臂向上翻轉並離開所述初始位置至一翻轉位置，所述扭轉彈性元件被迫扭轉而處於一工作狀態；<br/> 當釋放所述操作鍵時，所述扭轉彈性元件驅動所述鎖扣件反向轉動，使得所述鎖扣臂向下翻轉至所述初始位置，所述扭轉彈性元件恢復至所述初始狀態。
如請求項1所述之電連接器，其中<br/> 所述絕緣本體具有一安裝腔及一樞接部，所述樞接部設置於所述安裝腔；<br/> 所述鎖扣件安裝於所述安裝腔中，且所述鎖扣臂之至少一部分伸出所述安裝腔；<br/> 所述鎖扣件包括一樞接配合部，圍繞所述軸線可轉動地連接至所述樞接部；<br/> 所述操作鍵之至少一部分伸出所述安裝腔。
如請求項2所述之電連接器，其中<br/> 所述樞接部係軸孔和轉軸之其中一個；<br/> 所述樞接配合部係所述軸孔和所述轉軸之另一個；<br/> 所述扭轉彈性元件係一扭簧，可扭轉地套置於所述轉軸；<br/> 所述扭轉彈性元件具有一固定臂及一加載臂；所述固定臂定位至所述絕緣本體，所述加載臂定位至所述鎖扣件。
如請求項2所述之電連接器，其中<br/> 所述操作鍵和所述鎖扣件係一件式或一體式結構；<br/> 所述操作鍵和所述鎖扣臂分別設置於所述鎖扣件之相鄰兩側面；<br/> 所述操作鍵係呈搖杆狀，具有一連接杆及一手柄；所述連接杆沿著所述橫向連接至所述鎖扣件；所述手柄偏離所述軸線且位於所述安裝腔之外，用來接受所述外力而被向上抬起、驅動所述鎖扣件轉動。
如請求項2所述之電連接器，其中<br/> 所述操作鍵和所述鎖扣件係兩個獨立構件；<br/> 所述操作鍵係呈按鈕狀，沿著所述橫向可移動地安裝至所述安裝腔，且抵靠至所述鎖扣件；<br/> 所述操作鍵具有相對設置的一操作面及一驅動面；<br/> 所述操作面係位於所述安裝腔之外、用來接受所述外力而沿著所述橫向移動；<br/> 所述驅動面係位於所述安裝腔之內、抵靠至所述鎖扣件、用來將所述外力傳遞至所述鎖扣件，以驅動所述鎖扣件轉動。
如請求項5所述之電連接器，其中<br/> 所述鎖扣件設置一受力部，所述受力部偏離所述軸線；<br/> 所述操作鍵設置一凸緣，抵靠至所述受力部；所述驅動面為所述凸緣之面對著所述受力部的一表面。
如請求項6所述之電連接器，其中<br/> 所述操作鍵還設置一防脫結構及一導引結構；<br/> 所述防脫結構與所述安裝腔之內側面配合，以防止所述操作鍵脫離所述安裝腔；<br/> 所述導引結構與所述安裝腔之一滑槽配合，以共同限定所述操作鍵的移動路徑。
如請求項7所述之電連接器，其中<br/> 所述防脫結構包括一上擋翼及一下擋翼，在所述鎖扣臂處於所述初始位置時，所述上擋翼及所述下擋翼貼靠在所述安裝腔之內側面；<br/> 所述凸緣鄰近於所述上擋翼。
如請求項7所述之電連接器，其中<br/> 所述導引結構包括一沿著所述縱向突出的突起，所述突起伸入所述安裝腔之所述滑槽中且在所述滑槽中沿著所述橫向移動。
如請求項1所述之電連接器，其中<br/> 所述鎖扣臂係一剛性梁；<br/> 所述鎖扣臂之底面設置一扣鉤，所述扣鉤具有一導引面、一鎖扣接合面、及一扣持邊緣；所述導引面係一傾斜面，所述鎖扣接合面係一垂直於所述縱向的豎直面，所述扣持邊緣係直線型；<br/> 在所述初始位置，所述扣持邊緣係沿著所述橫向延伸；<br/> 在所述翻轉位置，所述扣持邊緣係傾斜於所述橫向。
如請求項2所述之電連接器，其中<br/> 所述鎖扣件包括一主體，所述主體具有依次連接的第一側面、第二側面、第三側面及第四側面；<br/> 所述鎖扣臂設置於所述第一側面；<br/> 所述操作鍵連接至所述第二側面；<br/> 所述樞接配合部係一沿著所述軸線延伸的轉軸，且所述轉軸之前端凸伸出所述第一側面，所述轉軸之後端凸伸出所述第三側面；<br/> 當所述鎖扣臂處於所述初始位置時，所述第一側面、所述第二側面、所述第三側面及所述第四側面均垂直於所述安裝腔之一腔底面；<br/> 當所述鎖扣臂處於所述翻轉位置時，所述第一側面和所述第三側面垂直於所述腔底面，而所述第二側面和所述第四側面則傾斜於所述腔底面。
如請求項11所述之電連接器，其中<br/> 所述鎖扣件還包括一凹腔，自所述第一側面和/或所述第四側面凹入；<br/> 所述轉軸之至少一部分位於所述凹腔中；<br/> 所述扭轉彈性元件位於所述凹腔中。
如請求項2所述之電連接器，其中<br/> 所述安裝腔具有一腔底面、以及圍繞所述腔底面且依次連接的第一壁、第二壁、第三壁及第四壁；<br/> 所述樞接部係一軸孔，設置於所述第一壁和所述第三壁；<br/> 所述第一壁設置一通道，位於所述軸孔之上方、用來供所述鎖扣臂穿過且伸出所述安裝腔；<br/> 所述第二壁設置一窗口，用來供所述操作鍵穿過且伸出所述安裝腔。
如請求項13所述之電連接器，其中<br/> 所述窗口具有一上橫樑，用來防止所述操作鍵脫離所述安裝腔。
如請求項13所述之電連接器，其中<br/> 所述窗口係呈U型；<br/> 所述電連接器還包括一金屬蓋件；<br/> 所述金屬蓋件固定於所述絕緣本體、用來覆蓋所述安裝腔及所述窗口，以防止所述操作鍵脫離所述安裝腔。
如請求項13所述之電連接器，其中<br/> 所述絕緣本體還具有一對接空間及一讓位空間；<br/> 所述對接空間位於所述安裝腔之前方；<br/> 所述讓位空間與所述安裝腔連通，用來為所述鎖扣臂提供一翻轉空間。
一種連接器組件，包括一電連接器和一互補連接器，其中<br/> 所述電連接器係如請求項1所述之電連接器；<br/> 所述互補連接器包括一互補鎖扣臂；<br/> 當所述電連接器與所述互補連接器對接時，所述鎖扣臂處於所述初始位置，所述鎖扣臂與所述互補鎖扣臂沿著所述縱向鎖扣在一起，使得所述電連接器與所述互補連接器被鎖扣；<br/> 當利用所述操作鍵驅動所述鎖扣件轉動時，所述鎖扣臂處於所述翻轉位置而離開所述互補鎖扣臂，所述電連接器與所述互補連接器被解鎖。
如請求項17所述之連接器組件，其中<br/> 所述互補鎖扣臂係一扁平直梁，朝向所述電連接器直線延伸。
一種串燒裝置，包括：<br/> 一底座，包括一外框架；<br/> 一承載架，設於該底座，包括複數內框架及複數支撐件，該複數內框架間隔設置地結合於各該支撐件，且分別設有複數間隔設置之插接孔，各該內框架之一外徑尺寸小於該外框架之一外徑尺寸，各該內框架及該外框架之間形成一外容置空間；及<br/> 至少一第一叉件，包括一結合部及一叉接部，該結合部可叉接於各該內框架之一該插接孔或掛設於其中一該內框架，該叉接部供叉設一食材。
如請求項1所述的串燒裝置，其中該承載架不可相對該底座移動地設於該底座。
如請求項1所述的串燒裝置，其中該底座另包括複數橫桿，各該橫桿徑向延伸地結合於該外框架內，該複數橫桿間隔設置於該外框架內且形成複數鏤空部，該承載架設於至少部分之該複數橫桿上。
如請求項3所述的串燒裝置，其中該至少一第一叉件可穿入其中一該鏤空部。
如請求項1所述的串燒裝置，其中各該內框架另包括複數朝內部凸設之結合件，各該結合件具有一該插接孔。
如請求項1所述的串燒裝置，其中該複數支撐件繞各該內框架之周向間隔設置，該複數支撐件構成複數周向設置之通孔，該複數內框架與該複數支撐件構成一內容室，該複數通孔連通該內容室及該外容置空間。
如請求項1所述的串燒裝置，其中該複數內框架包括沿一軸向間隔設置之一第一底框架、一第二底框架及一頂內框架，該第二底框架設於該頂內框架及該第一底框架之間；於該軸向上，該第一底框架及該第二底框架之間定義一第一間距，該第二底框架及該頂內框架之間定義一第二間距；其中該第二間距大於該第一間距。
如請求項7所述的串燒裝置，其中該頂內框架及該第一底框架之間定義一第三間距，該外框架之該外徑尺寸大於該第三間距。
如請求項1至8其中任一項所述的串燒裝置，另包括至少一第二叉件，各該第一叉件之該結合部呈長桿狀，該結合部可叉接於各該內框架之一該插接孔，該叉接部呈L形狀且連接該結合部，各該第一叉件另包括一握持部，該握持部連接該結合部；各該第二叉件另包括相互連接之一掛設部及一叉設部，各該第二叉件以該掛設部可移動地掛設於其中一該內框架，該叉設部可供叉設該食材。
如請求項8所述的串燒裝置，其中該承載架不可相對該底座移動地設於該底座；該承載架焊接於該底座；該底座另包括複數橫桿，各該橫桿徑向延伸地結合於該外框架內，該複數橫桿間隔設置於該外框架內且形成複數鏤空部，該承載架設於至少部分之該複數橫桿上；該至少一第一叉件可穿入其中一該鏤空部；各該內框架另包括複數朝內部凸設之結合件，各該結合件具有一該插接孔；該串燒裝置另包括至少一第二叉件，各該第一叉件之該結合部呈長桿狀，該結合部可叉接於各該內框架之一該插接孔，該叉接部呈L形狀且連接該結合部，各該第一叉件另包括一握持部，該握持部連接該結合部；各該第二叉件另包括相互連接之一掛設部及一叉設部，各該第二叉件以該掛設部可移動地掛設於其中一該內框架，該叉設部可供叉設該食材；相鄰之二該橫桿之間定義一橫向間距，該橫向間距小於各該內框架之該外徑尺寸；該第二間距大於等於4倍之該第一間距；該複數支撐件繞各該內框架之周向間隔設置，該複數支撐件構成複數周向設置之通孔，該複數內框架與該複數支撐件構成一內容室，該複數通孔連通該內容室及該外容置空間。
一種廚餘粉碎機熱源組合結構，包括：<br/>一機殼；<br/>一攪拌筒，組設於該機殼內，包括：一U形槽壁；<br/>複數側壁，分別設於該U形槽壁兩側，具有至少一組裝孔，係貫穿預設之各該側壁形成；<br/>一油室機構，組設於該U形槽壁外側，包括：<br/>一油槽，對應該U形槽壁外側端面組設，且內部具有一油室，提供一導熱油容置，且該油槽進一步具有：<br/>複數頂孔，分別貫穿該油槽頂面形成，連通該通油室及該油槽外部；<br/>至少一側孔，貫穿該油槽側面形成，連通該油室及該油槽外部；<br/>至少一排氣閥，對應匹配之各該頂孔，組設於該U形槽壁；<br/>一注油組，包括：<br/>一注油管，一端對應預設之各該頂孔組設於該油槽，連通該油室及該油槽外部；<br/>一油蓋，組設於該注油管一端；以及<br/>至少一加熱組，包括：<br/>一加熱器，一端組設於該側壁外側，另端穿伸該側孔與該組裝孔後置於該油室中。
如請求項1所述之廚餘粉碎機熱源組合結構，其中該油槽外周側組設有一外罩。
如請求項2所述之廚餘粉碎機熱源組合結構，其中該外罩與該油槽之間組設有一隔熱材。
如請求項3所述之廚餘粉碎機熱源組合結構，其中該油槽於槽底設有一洩油孔，提供一洩油閥組設，且該洩油閥穿伸該隔熱材及該外罩。
如請求項3所述之廚餘粉碎機熱源組合結構，其中該油槽外側朝外延伸形成有複數鎖片，毗鄰該油槽頂端配置，提供該外罩兩端鎖設。
如請求項1所述之廚餘粉碎機熱源組合結構，其中該油槽匹配該U形槽壁外輪廓，其中：<br/>該U形槽壁，於底端貫穿形成一洩料口，並配合一樞設於該U形槽壁之洩料蓋，選擇性封閉或開放該洩料口；及<br/>該油槽，外輪廓進一步形成有一退讓區，對應該洩料蓋配置。
如請求項1所述之廚餘粉碎機熱源組合結構，其中各該側壁其中之一，對應該組裝孔組設有一鎖座，提供該加熱組組裝，其中：<br/>該鎖座，貫穿該鎖座形成有一鎖座穿孔、及複數鎖座螺孔；<br/>該加熱器，包括：<br/>一電熱棒，一端穿伸該鎖座穿孔、該側孔與該組裝孔後置於該油室中，另端凸伸至各該側壁外側；及<br/>一鎖座鎖片，組設於該電熱棒一端外周側，並對應各該鎖座螺孔鎖設。
如請求項7所述之廚餘粉碎機熱源組合結構，其中該加熱組還包括一設於該鎖座鎖片與該鎖座間之隔熱墊。
如請求項1所述之廚餘粉碎機熱源組合結構，其中該油槽於槽底設有一洩油孔，提供一洩油閥組設。
如請求項1所述之廚餘粉碎機熱源組合結構，其中該油槽組裝有一油尺組，包括：<br/>一尺座，對應預設之各該頂孔組裝，具有一尺座螺孔；及<br/>一油尺，一端穿伸該尺座螺孔至該油室中，另端選擇性與該尺座螺孔螺鎖。
如請求項1所述之廚餘粉碎機熱源組合結構，其中該油槽組裝有一注油組，包括：<br/>一注油管，一端對應預設各該頂孔組設於該油槽；及<br/>一油蓋，組設於該注油管末端。
如請求項1所述之廚餘粉碎機熱源組合結構，其中該U形槽壁於底端，貫穿形成一洩料口，並配合一樞設於該U形槽壁之洩料蓋，選擇性封閉或開放該洩料口。
一種擴香石，其包含： <br/>一多孔性材質之本體，其外周壁係自該本體之頂部的中心朝底部方向弧形延伸； <br/>一螺旋結構，其係設於該本體，且自該本體之頂部的中心沿著該本體之外周壁向下延伸；以及 <br/>一文字單元，其係設於該本體之底部。
如請求項1所述之擴香石，其中，該本體之外徑係自鄰近底部之位置分別朝頂部及底部方向漸小。
如請求項1所述之擴香石，其中，該螺旋結構包含複數凹部以及複數凸部，該複數凹部與該複數凸部係以螺旋結構的中心為軸心間隔旋轉排列並相互連接，且每一所述凹部係位於每二相鄰的所述凸部之間。
如請求項2所述之擴香石，其中，該螺旋結構包含複數凹部以及複數凸部，該複數凹部與該複數凸部係以螺旋結構的中心為軸心間隔旋轉排列並相互連接，且每一所述凹部係位於每二相鄰的所述凸部之間。
如請求項1至4中任一項所述之擴香石，其中，該文字單元係自該本體之底部朝下方凸伸。
如請求項5所述之擴香石，其中，該文字單元係自該本體之底部朝下方凸伸。
一種多層板隔間牆的立柱構造，包含：<br/> 一立柱，係一連續彎折的板材，該立柱沿一Z向延伸，該立柱在一X向與一Y向所構成的一XY平面上連續彎折形成一第一固定部、一連結部及一第二固定部，該X向、該Y向與該Z向彼此互相垂直；<br/> 該連結部具有一隔板，該隔板在該X向上將該連結部區隔為相鄰的一第一容置區及一第二容置區，其中該第一容置區與該第一固定部之間形成開放狀，該第一容置區與該第二固定部之間形成有一第一後擋板，該第二容置區與該第一固定部之間形成有一前擋板與一導板，該第二容置區與該第二固定部之間形成有一第二後擋板，該導板與該第二後擋板形成漸擴的一導引入口。
如請求項1之多層板隔間牆的立柱構造，其中，該導板在該XY平面上係為一斜板或一弧形板。
如請求項1之多層板隔間牆的立柱構造，其中，該導板在該XY平面上係為一斜板，該斜板與該前擋板之間的夾角介於120度至150度之間。
如請求項1之多層板隔間牆的立柱構造，其中，該第一後擋板係在該X向上迴彎而接續該第二後擋板。
如請求項1之多層板隔間牆的立柱構造，其中，該第一固定部包含在該Y向上的一第一連接板及在該X向上的一第一固定板；該第二固定部包含在該Y向上的一第二連接板及在該X向上的一第二固定板。
如請求項5之多層板隔間牆的立柱構造，其中，該第一連接板與該第二連接板在該Y向上對齊，該第一固定板、該第一後擋板、該前擋板、該第二後擋板與該第二固定板在該X向上彼此平行。
如請求項5之多層板隔間牆的立柱構造，其中，該第一固定板係彎折形成有一第一凹部，該第一固定板遠離該第一連接板的一側彎折形成有一第一彎折端；該第二固定板係彎折形成有一第二凹部，該第二固定板遠離該第二連接板的一側彎折形成有一第二彎折端。
一種多層板隔間牆，包含如請求項1至請求項7中任一項所述之多層板隔間牆的立柱構造，並進一步包含：<br/> 至少一上槽桿，沿該X向延伸；<br/> 至少一下槽桿，沿該X向延伸；<br/> 複數該立柱的兩端分別固定於該上槽桿與該下槽桿，該等第一固定部固定有複數第一層板，每一組相對應之該二立柱的該第一容置區及該第二容置區之間固定有複數第二層板，該等第二固定部固定有複數第三層板；該等第一層板、該等第二層板及該等第三層板在該X向上彼此平行。
如請求項8所述之多層板隔間牆，其中，在該等第一層板與該等第二層板之間設置有一隔音材料及/或在該等第二層板與該等第三層板之間設置有該隔音材料。
如請求項8之多層板隔間牆，其中，該等第一層板的兩側以釘接、黏接或緊配合之方式分別固定於該二立柱之該第一固定部，該等第二層板的兩側以釘接、黏接或緊配合之方式分別固定於該二立柱之該連結部，該等第三層板的兩側以釘接、黏接或緊配合之方式分別固定於該二立柱之該第二固定部。
一種多層板隔間牆的快裝式立柱構造，包含：<br/> 一立柱，係一連續彎折的板材，該立柱沿一Z向延伸，該立柱在一X向與一Y向所構成的一XY平面上連續彎折形成一第一固定部及一連結部，該X向、該Y向與該Z向彼此互相垂直；<br/> 該連結部具有一隔板，該隔板在該X向上將該連結部區隔為相鄰的一第一容置區及一第二容置區，其中該第一容置區與該第一固定部之間形成開放狀，該第一容置區遠離該第一固定部的一側形成有一第一後擋板，該第二容置區與該第一固定部之間形成有一前擋板與一導板，該第二容置區遠離該第一固定部的一側形成有一第二後擋板，該導板與該第二後擋板形成漸擴的一導引入口。
如請求項1之多層板隔間牆的快裝式立柱構造，其中，該導板在該XY平面上係為一斜板或一弧形板。
如請求項1之多層板隔間牆的快裝式立柱構造，其中，該導板在該XY平面上係為一斜板，該斜板與該前擋板之間的夾角介於120度至150度之間。
如請求項1之多層板隔間牆的快裝式立柱構造，其中，該第一固定部包含在該Y向上的一第一連接板及在該X向上的一第一固定板。
如請求項4之多層板隔間牆的快裝式立柱構造，其中，該第一後擋板係在該X向上迴彎而接續該第二後擋板，該第二後擋板的一端在該X向上接近該第一固定部迴彎而接續一反折板。
如請求項5之多層板隔間牆的快裝式立柱構造，其中，該第一固定板、該第一後擋板、該前擋板、該第二後擋板與該反折板在該X向上彼此平行。
如請求項4之多層板隔間牆的快裝式立柱構造，其中，該第一固定板係彎折形成有一第一凹部，該第一固定板遠離該第一連接板的一側彎折形成有一第一彎折端。
一種多層板隔間牆，包含如請求項1至請求項7中任一項所述之多層板隔間牆的快裝式立柱構造，並進一步包含：<br/> 至少一上槽桿，沿該X向延伸；<br/> 至少一下槽桿，沿該X向延伸；<br/> 複數該立柱的兩端分別固定於該上槽桿與該下槽桿，該等第一固定部固定有複數第一層板，每一組相對應之該二立柱之間沿該X向固定有複數第二層板，且該等第二層板之兩側分別限位於相對應之該二立柱的該第一容置區與該第二容置區內；該等第一層板及該等第二層板在該X向上彼此平行。
如請求項8所述之多層板隔間牆，其中，在該等第一層板與該等第二層板之間設置有一隔音材料。
如請求項8之多層板隔間牆，其中，該等第一層板的兩側以釘接、黏接或緊配合之方式分別固定於該二立柱之該第一固定部，該等第二層板的兩側以釘接、黏接或緊配合之方式分別固定於該二立柱之該連結部。
一種去識別化客戶金融資料串接系統，包括：<br/> 一儲存單元，其中儲存一客戶資料表、一唯一識別碼映射表及一金融資料表，該客戶資料表記錄一客戶的一客戶識別碼及與該客戶識別碼對應的一個人資料，該唯一識別碼映射表記錄該客戶的該客戶識別碼及與該客戶識別碼對應的一唯一識別碼；及<br/> 一處理單元，其與該儲存單元電連接，以存取該儲存單元；其中<br/> 該處理單元以雜湊演算法對該客戶識別碼進行雜湊運算而產生該唯一識別碼；<br/> 該處理單元根據一包含該個人資料及一金融資料的金融資訊，從該客戶資料表取得與該金融資訊包含的該個人資料對應的該客戶識別碼，且從該唯一識別碼映射表中取得與該客戶識別碼對應的該唯一識別碼，並將該金融資訊包含的該金融資料及該唯一識別碼相互對應地記錄於該金融資料表。
如請求項1所述的去識別化客戶金融資料串接系統，其中，該處理單元以雜湊演算法對該客戶識別碼進行雜湊運算而產生該唯一識別碼。
如請求項2所述的去識別化客戶金融資料串接系統，其中，該處理單元產生一隨機鹽值，並將該隨機鹽值與該客戶識別碼組成一原始字串，再以雜湊演算法對該原始字串進行雜湊運算而產生該唯一識別碼。
一種具有撕線及蛇行線路的電極貼片，包含：<br/> 一貼片；以及一蛇形拉伸片，該蛇形拉伸片之一端連接於該貼片，並包含由多個撕線區分出的多個直線段及連接任二相鄰的該二直線段的多個彎曲段，該些撕線彼此平行，且該些撕線之至少一具有至少一連接部；以及一電極，該電極包含一電極部及一導線部，該電極部設置於該貼片，該導線部設置於該蛇形拉伸片，且該電極部連接於該導線部之一端。
如請求項1所述之具有撕線及蛇行線路的電極貼片，其中該至少一連接部的長度為0.3 mm至0.8 mm。
如請求項1所述之具有撕線及蛇行線路的電極貼片，其中該至少一連接部的長度為0.4 mm至0.5 mm。
如請求項1所述之具有撕線及蛇行線路的電極貼片，其中該至少一連接部的長度為0.45 mm。
如請求項1所述之具有撕線及蛇行線路的電極貼片，其中長度該至少一連接部落在與該撕線的中點相隔一第一距離的範圍內，且該第一距離為該撕線之長度的42%。
如請求項5所述之具有撕線及蛇行線路的電極貼片，其中該至少一連接部的數量為一個，且該第一距離為該撕線之長度的5%長度。
如請求項1所述之具有撕線及蛇行線路的電極貼片，其中該些彎曲段之至少一具有一弧形線，該弧形線分離地位於該些撕線之一者的一端，在該撕線的延伸方向上，該撕線與該弧形線相隔一第二距離，且該第二距離為該弧形線半徑的0.5倍至1.5倍。
如請求項7所述之具有撕線及蛇行線路的電極貼片，其中該弧形線的圓心位於該撕線的延伸方向上，該弧形線對稱於該撕線，且該弧形線的弧度為30度至270度。
如請求項7所述之具有撕線及蛇行線路的電極貼片，其中在該撕線的延伸方向上，設置於該蛇形拉伸片的該導線部與該弧形線相隔的一第三距離為不小於0.8 mm。
如請求項7所述之具有撕線及蛇行線路的電極貼片，其中在垂直於該撕線並通過該弧形線的圓心的方向上，設置於該蛇形拉伸片的該導線部與該弧形線相隔的一第四距離為不小於0.8 mm。
一種廢氣處理設備，包含：<br/> 一上游水洗單元，包括一界定出一第一沖洗空間且具有一連通於該第一沖洗空間並適用於導入一待處理廢氣之導入口的第一腔體、多個設置於該第一沖洗空間中的第一沖洗噴頭，及一連通於該第一沖洗空間並用以將該待處理廢氣往下游排導的導氣管；<br/> 一反應單元，連通於該上游水洗單元下游，並包括一界定出一反應空間且具有一連通於該反應空間底部並用以供該導氣管連接之進氣口的反應腔體、一設置於該反應空間中且自該反應空間頂部向下延伸的加熱器、至少一適用於自該反應空間頂部導入一乾燥空氣的進氣埠，及一設置於該反應空間且用以將該待處理廢氣自該反應空間頂部向下導引的導引管；<br/> 一下游水洗單元，連通於該反應單元下游，並包括一界定出一連通於該導引管之第二沖洗空間的第二腔體，及多個設置於該第二沖洗空間的第二沖洗噴頭；及<br/> 一排氣單元，設置於該下游水洗單元下游，且適用於排除該待處理廢氣。
如請求項1所述的廢氣處理設備，其中，該反應單元之該加熱器為高週波加熱線圈。
如請求項1所述的廢氣處理設備，其中，該反應單元包括多個彼此間隔地圍繞設置於該反應腔體外的所述進氣埠。
如請求項3所述的廢氣處理設備，其中，該反應單元之該等進氣埠導入之該乾燥空氣的流量為每分鐘40~100公升。
如請求項1所述的廢氣處理設備，其中，該上游水洗單元還包括至少一設置於該導氣管的中介沖洗噴頭。
如請求項1所述的廢氣處理設備，還包含一用以導入氧化還原劑的輔助單元，其中，該輔助單元包括至少一個連通該反應空間及該導引管至少其中之一的注入埠。
如請求項6所述的廢氣處理設備，其中，該輔助單元還包括多個連通於該導氣管及該第二沖洗空間的所述注入埠。
如請求項6或7所述的廢氣處理設備，其中，所述注入埠導入之氧化還原劑，是選自臭氧、氨、一氧化碳、過氧化氫，或漂白水。
如請求項1所述的廢氣處理設備，還包含一設置於該上游水洗單元及該下游水洗單元下方，且適用於承接一洗滌廢水的水槽。
一種塑膠軟管的管頭結構，包括管體、支撐蓋、按摩頭和封堵蓋，所述支撐蓋的硬度大於按摩頭的硬度；所述支撐蓋可拆卸地連接在所述管體的管口上，所述支撐蓋遠離所述管體的一側設有一第一出料管，且所述第一出料管連通所述管體的內腔；所述按摩頭連接在所述支撐蓋遠離所述管體的一側，所述按摩頭遠離所述支撐蓋的一端設有一第二出料管、若干支撐柱、若干滾珠和若干梳齒，所述第一出料管插入所述第二出料管的管腔中；所述支撐柱以所述第二出料管為中心圍成至少一圈，所述滾珠與所述支撐柱一一對應，所述支撐柱遠離所述支撐蓋的一端設有安裝槽，所述滾珠轉動連接在所述安裝槽中，且所述安裝槽與所述滾珠止位配合；所述梳齒以所述第二出料管為中心圍成至少一圈；所述封堵蓋罩住所述支撐蓋和所述按摩頭，且所述封堵蓋與所述管體可拆卸連接。
如請求項1所述的塑膠軟管的管頭結構，其中：所述管體的管口外徑小於所述管體的外徑，所述支撐蓋與所述管體的管口螺紋連接，所述封堵蓋與所述管體的外壁螺紋連接。
如請求項2所述的塑膠軟管的管頭結構，其中：所述管體上設有至少一第一止轉部，所述支撐蓋上設有與所述第一止轉部一一對應的第二止轉部，所述支撐蓋旋緊在所述管體的管口上時，所述第一止轉部與所述第二止轉部卡接配合。
如請求項1所述的塑膠軟管的管頭結構，其中：所述第一出料管靠近所述管體一端的管口外周設有一密封沿，所述支撐蓋與所述管體的管口連接時，所述密封沿抵接所述管體的管口。
如請求項1所述的塑膠軟管的管頭結構，其中：所述支撐蓋遠離所述管體的一側設有一圈支撐槽，所述按摩頭遠離所述支撐柱的一端螺紋連接在所述支撐槽中，且所述按摩頭抵貼在所述支撐蓋上。
如請求項1所述的塑膠軟管的管頭結構，其中：所述第二出料管的管腔中設有與所述第一出料管止位配合的台階；所述第一出料管遠離所述管體的管口與所述第二出料管遠離所述管體的管口間隔設置，且所述第二出料管遠離所述管體的管口設置為窄口。
如請求項1所述的塑膠軟管的管頭結構，其中：所述支撐柱遠離所述安裝槽的一端設置有鏤空槽。
一種可擴充空間的鞋子，包含：<br/> 一鞋體，包括一鞋底與一鞋面；其中該鞋面連接於該鞋底鄰近周緣的部分，該鞋面與該鞋底共同圍成一鞋內空間；該鞋面具有一狹縫；<br/> 一拉鍊，結合於該鞋面的內壁鄰接於該狹縫的兩側部分之間；以及<br/> 一彈性結構件，結合於該鞋面的內壁對應該狹縫周圍的部分，該彈性結構件用以彈性延展擴充該鞋內空間並遮蔽該狹縫張開時形成的一開口。
如請求項1所述之可擴充空間的鞋子，其中該拉鍊具有一第一鏈帶和一第二鏈帶及一拉頭，該第一鏈帶與該第二鏈帶分別結合於該鞋面的內壁鄰接於該狹縫的兩側部分；該拉頭可滑動地結合於該第一鏈帶與該第二鏈帶；其中，當該第一鏈帶與該第二鏈帶相互咬合時，該狹縫處於一關閉狀態；且當該第一鏈帶與該第二鏈帶相互分離時，該狹縫處於一開啟狀態。
如請求項2所述之可擴充空間的鞋子，其中該彈性結構件具有二固定側，該二固定側分別固定於該鞋面之內壁鄰近該狹縫的兩側部分，該彈性結構件於該開啟狀態時遮蔽該開口。
如請求項3所述之可擴充空間的鞋子，其中該彈性結構件具有四向彈性延伸且具有複數個透氣孔之透氣布料。
如請求項1所述之可擴充空間的鞋子，其中該鞋面具有一鞋頭部，該狹縫形成於該鞋頭部鄰近該鞋底的部分，且該鞋體包括一鞋口，該鞋口通過該鞋內空間與該狹縫相連通。
一種跨環境動態歸因參數持久化追蹤系統，包含：<br/> 一網頁伺服器，其包含：<br/> 一第一收發器，用以接收一網頁瀏覽請求，並回傳對應之一網頁資源；以及<br/> 一第一處理器，與該第一收發器連接，並用以根據該網頁瀏覽請求產生該網頁資源，該網頁資源包含一深度連結（Deeplink）；<br/> 其中，當該網頁資源於一行動裝置中被載入時，部署於該網頁資源之一標籤管理模組被觸發執行，用以於該深度連結被導向之前，在該深度連結之網址中動態加入一追蹤參數；<br/> 其中，該帶有該追蹤參數之該深度連結，係配置以供該行動裝置觸發而喚回一應用程式，使該應用程式攔截該深度連結並解析出該追蹤參數以寫入一全域暫存區，從而於該應用程式觸發一使用者行為事件而發送一數據封包時，將該追蹤參數自動夾帶至該數據封包中。
如請求項1所述之跨環境動態歸因參數持久化追蹤系統，其中該標籤管理模組為透過一標籤管理器容器部署之 JavaScript 模組，該第一處理器係透過該標籤管理模組於頁面載入後動態執行參數補足。
如請求項1所述之跨環境動態歸因參數持久化追蹤系統，其中該追蹤參數為一 Urchin 追蹤模組（UTM）參數，該第一處理器將該 UTM 參數動態附加於該深度連結之網址後方。
如請求項1所述之跨環境動態歸因參數持久化追蹤系統，其更包含該行動裝置，該行動裝置與該網頁伺服器通訊連接，且該行動裝置包含：<br/> 一第二收發器，用以接收該網頁資源，並發送該數據封包；<br/> 一記憶體，儲存該應用程式，並配置有該全域暫存區；以及<br/> 一第二處理器，與該第二收發器及該記憶體連接，該第二處理器執行該應用程式以進行以下操作：<br/> 於該應用程式被該深度連結喚起時，透過一監聽程式模組攔截一入口網址，並自該入口網址解析提取出該追蹤參數；<br/> 將提取出之該追蹤參數寫入該記憶體之該全域暫存區；以及<br/> 當該應用程式觸發該使用者行為事件並準備透過該第二收發器發送該數據封包時，自動讀取該全域暫存區內之該追蹤參數，並將該追蹤參數封裝至該數據封包中。
如請求項4所述之跨環境動態歸因參數持久化追蹤系統，其中該第二處理器係於該應用程式之一使用者介面載入前之一預處理階段，透過該監聽程式模組攔截該入口網址並解析出該追蹤參數。
如請求項4所述之跨環境動態歸因參數持久化追蹤系統，其中該第二處理器係透過一全域單例模式於該記憶體中配置該全域暫存區，以確保該應用程式於不同介面切換時維持該追蹤參數。
如請求項4所述之跨環境動態歸因參數持久化追蹤系統，其中該第二處理器進一步偵測一使用者登出事件或該應用程式之一關閉事件，並於偵測到該使用者登出事件或該關閉事件時，主動清除該記憶體之該全域暫存區中所儲存之該追蹤參數。
一種電腦的信號接收裝置，其包括：<br/> 安裝部件；<br/> 支撐架，所述支撐架與所述安裝部件連接；<br/> 信號接收元件，所述信號接收元件與所述支撐架連接；<br/> 信號處理元件，所述信號處理元件設置在所述安裝部件或所述支撐架上，所述信號處理元件與所述信號接收元件電連接；<br/> 驅動元件，所述驅動元件分別與所述安裝部件和所述支撐架連接；<br/> 其中，所述信號接收元件具有展開狀態和收納狀態，所述驅動元件通過驅動所述支撐架使所述信號接收元件在展開狀態和收納狀態切換；<br/> 當所述信號接收元件處於所述展開狀態時，所述信號接收元件具有信號反射面，所述信號接收元件的信號反射面正對所述信號處理元件設置。
如請求項1所述的電腦的信號接收裝置，其中，所述安裝部件包括安裝杆，所述安裝杆內設置有容納空間；<br/> 所述驅動元件包括第一驅動件，所述第一驅動件設置在所述容納空間內，且所述第一驅動件的輸出端伸出所述容納空間並與所述支撐架連接，以驅動所述支撐架繞所述安裝杆的軸線轉動。
如請求項2所述的電腦的信號接收裝置，其中，所述安裝杆的兩端均設置有所述容納空間，兩個所述容納空間內均設置有所述第一驅動件，且兩個所述第一驅動件分別穿出對應的所述容納空間並與所述支撐架連接。
如請求項2所述的電腦的信號接收裝置，其中，所述支撐架包括支撐杆、驅動杆和連接杆，所述支撐杆通過所述驅動杆與所述第一驅動件連接，所述連接杆的第一端與所述信號接收元件連接；<br/> 所述驅動元件包括第二驅動件，所述第二驅動件與所述支撐杆連接，所述第二驅動件的輸出端與所述連接杆的第二端連接，以驅動所述連接杆繞所述支撐杆的軸線轉動。
如請求項4所述的電腦的信號接收裝置，其中，所述支撐杆內設置有安裝腔，所述第二驅動件設置在所述安裝腔內，所述第二驅動件的輸出端伸出所述安裝腔並與所述連接杆連接。
如請求項1所述的電腦的信號接收裝置，其中，所述信號接收元件包括多個依次連接的信號反射片，多個所述信號反射片具有所述展開狀態和所述收納狀態。
如請求項5所述的電腦的信號接收裝置，其中，所述支撐架還包括安裝套和拉杆，所述安裝套轉動套設在所述支撐杆上，所述拉杆與所述安裝套的外周壁連接。
如請求項7所述的電腦的信號接收裝置，其中，所述信號處理元件包括多個處理器，多個所述處理器均勻設置所述安裝腔內。
一種電腦，其包括︰<br/> 如請求項1~8任意一項所述的電腦的信號接收裝置，還包括電腦本體，所述電腦本體上設置有用於與所述安裝部件連接的第一連接部，所述安裝部件上設置有第二連接部，所述第一連接部與所述第二連接部連接，以固定所述安裝部件。
如請求項9所述的電腦，其中，所述電腦本體上還設置有收納槽；<br/> 所述信號接收元件處於所述收納狀態時，所述支撐架與所述信號接收元件位於所述收納槽內；所述信號接收元件處於所述展開狀態時，所述支撐架與所述信號接收元件脫離所述收納槽。
一種氣轉式動態水平測量系統，係在檢測晶圓轉動製程時，子盤利用氣轉式轉動時所產生的水平面起伏測量之系統，包含有一感測器、一主機、一顯示螢幕、一基座及一母盤模組組合而成，其中：該感測器，底部設置兩個雷設單元，各為660nm雷射波長及790nm雷射波長，且兩者間隔一距離，並與主機、顯示螢幕相連結；該基座，由一底座、一直立桿、一連結塊、一橫向桿及一固定板組合而成，該底座為一平整面，側端延伸一直立桿；該連結塊，於右側上端設一貫穿孔並往外側開一貫穿溝，並於垂直貫穿溝之兩側板設貫穿孔及鎖固孔，並鎖入一螺栓，於左側前端設一貫穿孔並往外側開一貫穿溝，並於垂直貫穿溝之兩側板設貫穿孔及鎖固孔，並鎖入一螺栓；該橫向桿，於前段設有間距之兩個貫穿孔，並往前端開一貫穿溝，並於垂直貫穿溝之兩側設貫穿孔及鎖固孔，並鎖入一螺栓，另於前端開一鳩尾槽；固定板，上緣延伸一桿體，板體上設有鎖固孔；將連結塊右側之貫穿孔套入直立桿後鎖緊螺栓定位，並將橫向桿尾端穿入連結塊左側之貫穿孔後鎖緊螺栓定位，而後將固定板上緣延伸之桿體，穿入橫向桿前段之貫穿孔後鎖緊螺栓定位，即形成一基座；該母盤模組，其為一平板狀，內部為一凹環槽，凹槽底面中間有一頂針孔，周邊有數道向外放射之螺旋道，其螺旋道底面為一由內往外傾斜之螺旋斜面，螺旋斜面底端開有出氣孔；首先將母盤模組置於底座上方，感測器鎖固於固定板上，並將受測之子盤置入母盤模組之凹環槽內，使感測器底部之雙雷射單元照射到子盤周邊上；當啟動母盤模組氣旋時，氣旋體帶動子盤高速轉動，透過雙雷射單元光源照射，即可感應出子盤旋轉一圈之相對位置的變化並傳輸至主機並由顯示螢幕將結果以波長圖顯示出來，如此可檢測出各式子盤結構於旋轉時及轉速不同時，其動態的水平旋轉穩定性的差異性之目的。
如申請專利範圍第1項所述氣轉式動態水平測量系統，該母盤模組，可依子盤的尺寸大小需求，做出不同尺寸類型之母盤模組。
一種氣轉式動態水平測量系統，係在檢測晶圓轉動製程時，子盤利用氣轉式轉動時所產生的水平面起伏測量之系統，包含有一感測器、一主機、一顯示螢幕、一基座組合而成，其中：該感測器，底部設置兩個雷設單元，各為660nm雷射波長及790nm雷射波長，且兩者間隔一距離，並與主機、顯示螢幕相連結；該基座，由一底座、一直立桿、一連結塊、一橫向桿及一固定板組合而成，該底座為一平整面，側端延伸一直立桿；該連結塊，於右側上端設一貫穿孔並往外側開一貫穿溝，並於垂直貫穿溝之兩側板設貫穿孔及鎖固孔，並鎖入一螺栓，於左側前端設一貫穿孔並往外側開一貫穿溝，並於垂直貫穿溝之兩側板設貫穿孔及鎖固孔，並鎖入一螺栓；該橫向桿，於前段設有間距之兩個貫穿孔，並往前端開一貫穿溝，並於垂直貫穿溝之兩側設貫穿孔及鎖固孔，並鎖入一螺栓，另於前端開一鳩尾槽；固定板，上緣延伸一桿體，板體上設有鎖固孔；將連結塊右側之貫穿孔套入直立桿後鎖緊螺栓定位，並將橫向桿尾端穿入連結塊左側之貫穿孔後鎖緊螺栓定位，而後將固定板上緣延伸之桿體，穿入橫向桿前段之貫穿孔後鎖緊螺栓定位，即形成一基座；首先，將基座放置於工作台母盤周邊上，使感測器置於子盤上方，其雙雷射單元可照射到子盤周邊上，當啟動製程時，氣旋體帶動子盤高速轉動，透過雙雷射單元光源照射，即可感應出子盤旋轉一圈之相對位置的變化並傳輸至主機並由顯示螢幕將結果以波長圖顯示出來，如此可檢測出各式子盤結構於旋轉時及轉速不同時，其動態的水平旋轉穩定性的差異性之目的。
如申請專利範圍第1或第3項所述氣轉式動態水平測量系統，亦可利用鬆開連結塊右側前方之螺栓來調整連結塊帶動感測器之高低位置之目的。
如申請專利範圍第1或第3項所述氣轉式動態水平測量系統，亦可利用鬆開連結塊左側上方之螺栓來調整橫向桿帶動感測器之前後位置之目的。
如申請專利範圍第1或第3項所述氣轉式動態水平測量系統，亦可利用鬆開橫向桿前段之螺栓來調整固定板帶動感測器之高低位置之目的。
如申請專利範圍第1或第3項所述氣轉式動態水平測量系統，亦可將固定板上緣之延伸桿體，做成鳩尾型桿體，穿入橫向桿前端之鳩尾槽內後鎖緊螺栓定位之目的。
一種氣轉式動態水平測量系統，係在檢測晶圓轉動製程時，子盤利用氣轉式轉動時所產生的水平面起伏測量之系統，包含有一感測器、一主機、一顯示螢幕，其中：該感測器，底部設置兩個雷設單元，各為660nm雷射波長及790nm雷射波長，且兩者間隔一距離，並與主機、顯示螢幕相連結；首先，將感測器架設於工作台母盤周邊上方，使感測器位於子盤上方，其雙雷射單元可照射到子盤周邊上，當啟動製程時，氣旋體帶動子盤高速轉動，透過雙雷射單元光源照射，即可感應出子盤旋轉一圈之相對位置的變化並傳輸至主機並由顯示螢幕將結果以波長圖顯示出來，如此可檢測出各式子盤結構於旋轉時及轉速不同時，其動態的水平旋轉穩定性的差異性之目的。
如申請專利範圍第1或第3項或第8項所述氣轉式動態水平測量系統，該感測器，底部設置兩個雷設單元，其雷射波長可依需求而變更。
如申請專利範圍第1或第3項或第8項所述氣轉式動態水平測量系統，該感測器，可測試石墨子盤、碳化矽子盤、碳化矽鍍膜子盤、碳化鉭鍍膜子盤及氮化矽子盤等各種材質之利用氣旋轉動之子盤。
一種香茅掃帚，其係包含有複數個條狀體及一束緊帶，其中各該條狀體分別為一香茅稈，該複數個條狀體裁切成相同尺寸，該複數個條狀體相互貼靠且聚集在一起，將該複數個條狀體分成數個分支，使各個分支具有數個所述的條狀體，將該束緊帶的一端依序纏繞於各該分支，使該複數個條狀體形成為數個束狀結構，並於纏繞各該分支後，該束緊帶的另一端係纏繞於該複數個條狀體的頂部，使該複數個條狀體的頂部聚集成一掃帚的柄部，且各分支位於該束緊帶的下方部位形成該掃帚的一掃帚頭。
如請求項1所述之香茅掃帚，其中該香茅掃帚設有一掛件，該掛件設置於該複數個條狀體的頂部處。
如請求項2所述之香茅掃帚，其中該香茅掃帚於該複數個條狀體纏繞該束緊帶的柄部處包覆有一裝飾件。
如請求項1所述之香茅掃帚，其中該香茅掃帚於該複數個條狀體纏繞該束緊帶的柄部處包覆有一裝飾件。
一種防水阻燃結構，其用以設置於一基材的表面，該基材為室內地板、室外地板或室外屋頂；該防水阻燃結構具有： <br/>一防水層，其具有黏著性，並用以設置於該基材的表面； <br/>至少一中間層，其設置於該防水層相對於該基材的另一面； <br/>一阻燃層，其設置於該至少一中間層相對於該防水層的另一面。
如請求項1所述之防水阻燃結構，其中，該防水層的材料包含丁苯橡膠。
如請求項1所述之防水阻燃結構，其中，該至少一中間層的材料包含有環氧樹脂、聚天冬氨酸酯、聚氨酯、聚脲、丙烯酸、丁苯橡膠、水泥或防水砂漿中任一種。
如請求項3所述之防水阻燃結構，其中，該至少一中間層包含有多個中間層，各該中間層的材料不相同或相同。
如請求項1至4中任一項所述之防水阻燃結構，其中，該阻燃層的材料包含有阻燃劑及抑煙劑。
如請求項5所述之防水阻燃結構，其中，該阻燃層的材料包含有環氧樹脂、聚天冬氨酸酯或聚脲中任一種。
如請求項1至4中任一項所述之防水阻燃結構，其中，該阻燃層具有： <br/>一防滑耐磨表面，其形成於該阻燃層遠離該基材的表面；該防滑耐磨表面為骨材顆粒，並包含有石英砂、金鋼砂、矽砂或陶瓷砂等。
如請求項1至4中任一項所述之防水阻燃結構，其中，當該防水阻燃結構用以設置於該基材與一牆面之交界處，該防水阻燃結構自該基材向上延伸至該牆面，並包覆該交界處。
一種防水阻燃結構，其用以設置於一基材的表面，該基材為室內地板、室外地板或室外屋頂；該防水阻燃結構具有： <br/>至少一防水層，其具有黏著性，並用以設置於該基材的表面； <br/>一阻燃層，其設置於該至少一防水層相對於該基材的另一面。
如請求項9所述之防水阻燃結構，其中，該至少一防水層的材料包含丁苯橡膠。
如請求項9或10所述之防水阻燃結構，其中，該阻燃層的材料包含有阻燃劑及抑煙劑。
如請求項11所述之防水阻燃結構，其中，該阻燃層的材料包含有環氧樹脂、聚天冬氨酸酯或聚脲中任一種。
如請求項9或10所述之防水阻燃結構，其中，該阻燃層具有： <br/>一防滑耐磨表面，其形成於該阻燃層遠離該基材的表面；該防滑耐磨表面為骨材顆粒，並包含有石英砂、金鋼砂、矽砂或陶瓷砂等。
如請求項9或10所述之防水阻燃結構，其中，當該防水阻燃結構用以設置於該基材與一牆面之交界處，該防水阻燃結構自該基材向上延伸至該牆面，並包覆該交界處。
一種專案績效與目標管控系統，用於根據一專案需求管理一敏捷式開發專案之一開發流程，該系統包含：<br/>一伺服器，該伺服器進一步包含：<br/>一清單模組，用以建立一產品待辦清單，該產品待辦清單包含複數個使用者故事，其中每一該等使用者故事包含有一執行狀態以及一優先等級；<br/>一評估模組，連接該清單模組以排序該產品待辦清單中之該等使用者故事；<br/>一產品待辦清單模組，連接該清單模組以接收該產品待辦清單，該產品待辦清單模組係用以將該等使用者故事呈現於一儀表板；<br/>一控制模組，連接該產品待辦清單模組，該控制模組係用以根據每一該等使用者故事之該優先等級以及一敏捷速度，自該儀表板中篩選於一衝刺週期中可被執行之該等使用者故事，以建立一衝刺待辦清單，該衝刺待辦清單包含有一衝刺狀態；以及<br/>一績效管理模組，連接該產品待辦清單模組，該績效管理模組係用以根據至少一績效指標分析該衝刺待辦清單之該衝刺狀態以及該產品待辦清單，以預測一專案完成週期。
如請求項1所述之專案績效與目標管控系統，進一步包含一狀態接收模組連接該產品待辦清單模組，該狀態接收模組係用以輸入一即時狀態，該產品待辦清單模組根據該即時狀態更新每一該等使用者故事之該執行狀態。
如請求項1所述之專案績效與目標管控系統，其中該評估模組用以根據每一該等使用者故事中之該執行狀態與該優先等級排序該等使用者故事。
如請求項1所述之專案績效與目標管控系統，進一步包含一維運監控模組連結該產品待辦清單模組，該維運監控模組係用以整合該衝刺待辦清單中之每一該等使用者故事之該執行狀態，以更新該衝刺待辦清單之該衝刺狀態。
如請求項1所述之專案績效與目標管控系統，進一步包含一需求溝通模組連接清單模組，該需求溝通模組係用以輸入該專案需求，該清單模組根據該專案需求增加或減少該產品待辦清單中之該等使用者故事。
如請求項5所述之專案績效與目標管控系統，其中該需求溝通模組進一步連接控制模組，該控制模組根據該專案需求減少該衝刺待辦清單中之該等使用者故事，或自該產品待辦清單中篩選該等使用者故事並新增至該衝刺待辦清單中。
如請求項1所述之專案績效與目標管控系統，進一步包含一故事輸入模組連接該清單模組，該故事輸入模組係用以將該敏捷式開發專案之一專案目標拆解為該等使用者故事，並將該等使用者故事以及每一該等使用者故事之該執行狀態與該優先等級輸入至該清單模組，以將該等使用者故事儲存至該清單模組之該產品待辦清單中。
如請求項1所述之專案績效與目標管控系統，其中該績效管理模組係根據該至少一績效指標分析該衝刺待辦清單之該衝刺狀態並產生一績效評分。
如請求項8所述之專案績效與目標管控系統，其中該專案績效與目標管控系統進一步包含一歷史資料庫連接於該績效管理模組，該歷史資料庫包含一專案歷史資料，該績效管理模組根據該專案歷史資料以及該績效評分預測該專案完成週期，該專案完成週期包含有一最快完成週期、一最慢完成週期以及一平均完成週期。
如請求項9所述之專案績效與目標管控系統，其中該產品待辦清單模組係用以接收該衝刺待辦清單、該績效評分以及該專案完成週期，並於該儀表板上呈現該衝刺待辦清單之該衝刺狀態，以及根據該績效評分與該專案完成週期所生成之一專案開發趨勢圖表。
一種冷氣室外機護欄，其包括：一護欄本體及一座椅；該護欄本體為具有一底欄、兩側圍欄及一外圍欄組成的矩形護欄，該外圍欄設有一橫桿，該橫桿上具有一座椅空間；該座椅為一柵欄或一板體，其一邊活動樞接在該橫桿上；該座椅能翻轉成水平狀態，提供人員作業時坐在該座椅上，獲得足夠的操作空間；該座椅也能翻轉成垂直狀態成為該外圍欄的部分構造。
如請求項1所述冷氣室外機護欄，其中該外圍欄具有一中柱，該中柱的第一側與其他桿體連接成一固定式圍欄；該橫桿的一端連接在該中柱的第二側，另一端連接在該兩側圍欄其中之一，且該橫桿的高度低於該固定式圍欄的頂邊，以在該橫桿上形成開放的該座椅空間。
如請求項2所述冷氣室外機護欄，其中該座椅的一內側邊通過多數鉸鏈樞接在該橫桿。
如請求項3所述冷氣室外機護欄，其中該座椅為一矩形的柵欄或板體。
如請求項1至4中任一項所述冷氣室外機護欄，更包括一背靠欄，該背靠欄為一柵欄或一板體，其底邊活動樞接在該座椅；該背靠欄能翻轉收折以與該座椅相疊合，也能翻轉成該座椅的背靠。
如請求項5所述冷氣室外機護欄，其中該背靠欄的底邊通過多數鉸鏈樞接在該座椅的一外側邊。
如請求項6所述冷氣室外機護欄，其中該背靠欄為一矩形的柵欄或板體。
如請求項5所述冷氣室外機護欄，更包括一或兩鏈條，該鏈條的一端扣接在該側圍欄或該外圍欄，另一端扣接在該座椅或該背靠欄。
如請求項8所述冷氣室外機護欄，其中該鏈條可為一鋼索所取代。
一種無線電擴增模組，包含：<br/> 一適配器，具有一連接端子來插接一無線對講機，且該適配器包括一第一無線傳輸模組；<br/> 一無線音訊收發器，具有一殼體、一發話開關以及一切換組件，且該殼體內部包括一第二無線傳輸模組、一第三無線傳輸模組、一第一麥克風、一喇叭以及一第一印刷電路板；以及<br/> 一無線音訊發射器，具有一殼部及能連接在一外部物件連接部，且該殼部內包含一第二麥克風以及一第四無線傳輸模組；<br/> 其中，該第一無線傳輸模組已配對於該第二無線傳輸模組，該第三無線傳輸模組已配對於該第四無線傳輸模組；該無線音訊收發器能透過該切換組件選擇該第一麥克風、該第二麥克風和一無線對講機其中一者來接收一音訊，且該音訊將被傳輸至一遠端無線對講機。
如請求項1所述無線電擴增模組，其中，該切換組件具有一第一啟動開關以及一第二啟動開關，該印刷電路板具有一微處理器來電性連接該第二無線傳輸模組、該第三無線傳輸模組、該第一麥克風、該喇叭，該第一啟動開關電性連接於該第二無線傳輸模組，且該第二啟動開關電性連接於該第三無線傳輸模組。
如請求項2所述無線電擴增模組，其中，當該第一啟動開關關閉時，該音訊能被該無線對講機接收來傳輸至該遠端無線對講機；當該第一啟動開關開啟且該第二啟動開關關閉時，該音訊能被該無線音訊收發器接收來傳輸至該遠端無線對講機；當該第一啟動開關開啟且該第二啟動開關開啟時，該音訊能被該無線音訊發射器接收來傳輸至該遠端無線對講機。
如請求項1所述無線電擴增模組，其中，該無線音訊收發器與具無線音訊發射器各具有一提示燈，該提示燈能以啟動/關閉、閃爍與變色來呈現不同的使用狀態。
如請求項1所述無線電擴增模組，其中，該無線音訊收發器進一步具有一充電電池，該充電電池電性連接於該印刷電路板，當該充電電池電量足夠時，該充電電池維持供電，使該印刷電路板呈現一無法關機的運作狀態；當充電電池電量不足時，該充電電池無法供電，使該印刷電路板呈現一無法運作的斷電狀態；當該無線音訊收發器連接一外部電源時，該充電電池維持一充電狀態，且該印刷電路板維持在該運作狀態。
如請求項1所述無線電擴增模組，其中，該連接部包括一夾具以及一位於該夾具上的掛環，該夾具設有一樞接部、一按壓部以及一夾持部；該夾具具有一勾部可夾持於該外部物件，該掛環位於該勾部並使該無線音訊收發器懸掛於一外部物件，該掛環可擺動地安裝在該按壓部。
如請求項1所述無線電擴增模組，其中，該適配器以及該無線對講機分別具有一第一鎖固部以及一第二鎖固部，並透過一栓鎖件來連接該第一鎖固部與該第二鎖固部，使得該適配器與該無線對講機彼此固定無法分開。
一種無線電系統，包含：<br/> 一適配器，具有一連接端子，且該適配器包括一第一無線傳輸模組；<br/> 一無線音訊收發器，具有一殼體、一發話開關以及一切換組件，且該殼體內部包括一第二無線傳輸模組、一第三無線傳輸模組、一第一麥克風以及一喇叭； <br/> 一無線音訊發射器，具有一殼部及能連接在一外部物件連接部，且該殼部內包含一第二麥克風以及一第四無線傳輸模組；以及<br/> 一無線對講機，具有一配合插接該適配器的連接端子槽、一天線、一處理單元與一收發單元，且該收發單元具有一揚聲器、一發話鈕以及一收音器；<br/> 其中，該第一無線傳輸模組已配對於該第二無線傳輸模組，該第三無線傳輸模組已配對於該第四無線傳輸模組；該無線音訊收發器能透過該切換組件來選擇該第一麥克風、該第二麥克風和該無線對講機傳輸至一遠端無線對講機。
一種掛架結構，用於一腳管上，包括: <br/>一環體，可組卸性地套接所述腳管；以及 <br/>一掛勾，連接該環體； <br/>其中該掛勾係能夠相對該環體樞轉或改變位置的其中之一，從而使該掛勾和所述腳管間形成有一夾角的變化。
如請求項1所述之掛架結構，其中該環體設有一缺口及一連通孔，該掛勾包括一端頭及自該端頭延伸出的一扳柄部，該端頭對應於該缺口置設，並透過一鎖固元件穿接該連通孔和該端頭，從而使該掛勾連接在該環體上。
如請求項2所述之掛架結構，其中該缺口下方成型有一擋塊，該端頭成型有一止擋部，該擋塊係用以供該止擋部貼靠。
如請求項2所述之掛架結構，其還包括一對墊圈，各該墊圈係分別設置在該端頭和該環體之間，並供該鎖固元件穿接。
如請求項1所述之掛架結構，其還包括一襯套，該襯套係被夾持在所述腳管和該環體之間。
如請求項5所述之掛架結構，其中該襯套包括兩個半圓弧形板，該環體設有一間隔塊，各該半圓弧形板的一端分別抵貼在該間隔塊的一側邊。
如請求項5所述之掛架結構，其中該襯套為一C形環。
如請求項1所述之掛架結構，其中該環體包括兩個半圓形環片及一插銷，各該半圓形環片的一端透過該插銷穿接，從而使各該半圓形環片能夠相互樞轉。
如請求項1所述之掛架結構，其中該環體設有一縱向插孔及一橫向插孔，該掛勾為一插桿，該插桿係可操作性地插接該縱向插孔或該橫向插孔。
一種相機腳架，包括: <br/>一承載基座； <br/>複數腳管，分別樞接該承載基座，每一該腳管包括彼此相互套接且能夠相對移動的複數管體；以及 <br/>一如請求項1至9中之任一項所述之掛架結構，該掛架結構係可選擇性地連接各該腳管的其中之一。
如請求項10所述之相機腳架，其中該承載基座包括一盤體、一鎖固件及一承放構件，該承放構件係透過該鎖固件固定在該盤體上。
如請求項11所述之相機腳架，其中該承放構件包括一延伸桿、一旋轉座及一承放台，該延伸桿係可移動性地連接該鎖固件，該旋轉座固定在該延伸桿遠離該鎖固件的一端，該承放台則設置在該旋轉座上方。
一種連接裝置，包括：<br/> 一外殼，具有一滑槽、一第一連接器開口與一第一容置空間，該滑槽與該第一連接器開口位於該外殼的相鄰兩側，其中該滑槽貫穿該外殼，使得該滑槽、該第一容置空間與該第一連接器開口相連通； <br/> 一內殼，滑設於該第一容置空間，其中該內殼具有一第一卡合部、一第二連接器開口與一第二容置空間，該第一卡合部與該第二連接器開口位於該內殼的相鄰兩側，其中該第二連接器開口與該第二容置空間相連通，且該第二連接器開口與該第一連接器開口相對；<br/> 一連接器，設置於該第二容置空間中且突伸於該第二連接器開口之外，其中該連接器與該內殼相嵌合；<br/> 一操作鈕，具有一操作部與一第二卡合部，該操作部與該第二卡合部位於該操作鈕的相對兩側，該第二卡合部滑設且穿過該滑槽，其中該第二卡合部與該第一卡合部相卡合；以及<br/> 兩蓋體，樞設於該外殼鄰近該第一連接器開口處且共同覆蓋該第一連接器開口。
如請求項1所述的連接裝置，更包括：<br/> 兩樞軸，設置於該外殼鄰近該第一連接器開口處，其中該兩樞軸分別將該兩蓋體連接至該外殼，使得該兩蓋體分別經由該兩樞軸樞設於該外殼上；以及<br/> 兩第一彈性件，分別設置於該兩樞軸，使得該兩蓋體分別受該兩第一彈性件的彈性力而常態地位於相對該第一連接器開口關閉的位置。
如請求項1所述的連接裝置，其中該外殼包括一第一殼部與一第二殼部，其中該第一殼部具有該滑槽，該第一殼部組裝於該第二殼部，以共同形成該第一連接器開口與該第一容置空間。
如請求項3所述的連接裝置，其中該操作鈕更具有相對的兩第一定位部，該第一殼部更具有相對的兩第一導槽與相對的兩第二定位部，該兩第一定位部分別滑設於該兩第一導槽。
如請求項4所述的連接裝置，其中該操作鈕與該內殼之間維持有一間隙，且該連接裝置更包括：<br/> 一第二彈性件，設置於該間隙中，其中該第二彈性件的彈性力使該操作鈕與該內殼常態地遠離彼此。
如請求項5所述的連接裝置，其中該兩第一定位部分別為一凸起，該兩第二定位部分別為一卡槽。
如請求項1所述的連接裝置，更包括：<br/> 兩第三彈性件，設置於該外殼的相對兩側且位於該外殼與該內殼之間，其中該兩第三彈性件的彈性力使該內殼常態地收納於該第一容置空間。
如請求項1所述的連接裝置，其中該外殼具有一第一纜線開口，位於該外殼相對該第一連接器開口的一側，該內殼具有一第二纜線開口，位於該內殼相對該第二連接器開口的一側，其中該連接裝置更包括：<br/> 一纜線，穿過該第二纜線開口與該第一纜線開口，以與該連接器電性連接。
如請求項1所述的連接裝置，其中該內殼包括一第三殼部與一第四殼部，其中該第三殼部具有該第一卡合部，該第三殼部組裝於該第四殼部，以共同形成該第二連接器開口與該第二容置空間。
如請求項1所述的連接裝置，其中該內殼更具有多個導軌，分別突出於該內殼，且該外殼更具有多個第二導槽，分別與該些導軌相對應，其中該些導軌與該些第二導槽的延伸方向平行於該內殼相對該外殼的移動方向。
如請求項1所述的連接裝置，其中該第一卡合部與該第二卡合部分別包括至少一卡勾。
一種薄型化鉸鍊，包含：<br/> 一基座，成形二弧形軌道；<br/> 四軸桿，分別連接該基座兩相對側且兩兩相對；以及<br/> 二支架，連接該基座，該二支架每一具有一設於該二弧形軌道其中之一的弧形件，一組接該弧形件並被該弧形件帶動的導板，及至少一設於該導板並隨該些軸桿其中之一轉動的轉動件，該導板包含一組裝該弧形件的組裝部，及至少一連接該組裝部並提供該轉動件設置其中的導引部，該導引部包含二相對設置的翼塊，該二翼塊共同形成一提供該轉動件設置其中的導槽，該導槽於該弧形件活動於該二弧形軌道其中之一時允許該轉動件位移其中。
如請求項1所述的薄型化鉸鍊，其中，該基座成形複數分別提供該些軸桿其中之一的部分穿設其中的軸接孔。
如請求項2所述的薄型化鉸鍊，其中，該轉動件具有一對應該些軸接孔其中之一並與該些軸桿其中之一連接的穿孔。
如請求項3所述的薄型化鉸鍊，其中，該基座成形二缺槽，該二缺槽每一具有至少一與該弧形件配合的弧形導引塊，該二缺槽每一以該弧形導引塊形成該二弧形軌道其中之一。
如請求項1至4任一項所述的薄型化鉸鍊，其中，該二支架每一具有二該轉動件。
如請求項5所述的薄型化鉸鍊，其中，該二支架每一的二該轉動件分別設於該基座的兩相對側，該弧形件位於二該轉動件之間。
如請求項6所述的薄型化鉸鍊，其中，該薄型化鉸鍊具有二齒輪組，該二齒輪組的每一包含複數斜齒輪，該些軸桿的每一設有該些斜齒輪其中之一。
如請求項7所述的薄型化鉸鍊，其中，該薄型化鉸鍊具有複數分別連接該些軸桿其中之一的扭力提供組。
如請求項8所述的薄型化鉸鍊，其中，該薄型化鉸鍊具有一設於該些軸桿之間並搭配一雙螢幕電子產品實施的安裝件。
一種數位證物對話線索與軌跡探勘系統，該系統包含：<br/>一地端伺服器，係部署於封閉式內部網路環境，該地端伺服器至少包含互相電性連接之一中央處理單元、一圖形加速運算單元、一資料儲存單元以及一網路傳輸介面；<br/>該資料儲存單元內儲存有電腦可執行指令與資料庫，當由該中央處理單元與圖形加速運算單元執行時，實現以下模組功能：<br/>一資料匯入模組，用以接收行動裝置鑑識軟體匯出之數位證物檔案，並解析其中的對話紀錄、圖片及座標資訊；<br/>一結構化索引模組，連接於該資料匯入模組，用以將前述解析之數位證物檔案的非結構化文字建立全文檢索索引與一向量資料庫；<br/>一地端語言模型分析模組，連接於該結構化索引模組，係載入於該地端伺服器中，用以對前述對話紀錄進行語意理解、自動摘要生成及實體抽取；<br/>一時空線索整合模組，連接於該地端語言模型分析模組，用以識別對話紀錄中提及的時間與地點，並結合圖片的GPS資訊，將對話紀錄轉換為具備時空標記的事件清單；以及<br/>一視覺化操作介面模組，連接於該時空線索整合模組，用以顯示分析結果並提供使用者互動查詢。
如申請專利範圍第1項所述之數位證物對話線索與軌跡探勘系統，其中該地端語言模型分析模組整合有一檢索增強生成(RAG,Retrieval-AugmentedGeneration)單元，該檢索增強生成單元係設定為在生成回答前，先由該向量資料庫檢索相關對話片段作為上下文，再輸入至該地端語言模型分析模組進行生成，以確保產出內容之依據性並降低幻覺。
如申請專利範圍第1項所述之數位證物對話線索與軌跡探勘系統，其中該時空線索整合模組更包含一監控對比單元，該監控對比單元係設定為以對話提及之地點、照片座標或導航紀錄座標為中心，依據一預設半徑範圍，自動搜尋並比對現實世界中該範圍內的車牌辨識(LPR)鏡頭或路口監視器，並產出距離排序之調閱清單。
如申請專利範圍第1項所述之數位證物對話線索與軌跡探勘系統，其中該視覺化操作介面模組具備一可解釋性(XAI)回溯功能，當顯示由語言模型生成之摘要或問答結果時，提供一可點擊之連結，該連結係設定為被觸發時，將介面跳轉並定位至原始對話紀錄之出處位置及時間點。
如申請專利範圍第1項所述之數位證物對話線索與軌跡探勘系統，其中該地端語言模型分析模組更包含一人物互動分析單元，用以鎖定特定嫌疑人或聯絡人代號，自動分析其互動對象頻率、話題主題分布，並擷取涉及犯罪或異常之關鍵對話片段。
如申請專利範圍第1項所述之數位證物對話線索與軌跡探勘系統，其中該資料匯入模組所接收之數位證物檔案，係經過標準化處理，將不同來源之通訊軟體紀錄轉換為統一結構之資料單位，該資料單位至少包含發送時間、傳送者、接收者及訊息內容。
如申請專利範圍第1項所述之數位證物對話線索與軌跡探勘系統，其中該地端伺服器之該中央處理單元採用多核心架構以支援平行運算，且該圖形加速運算單元包含至少兩張以上之高階AI加速卡，以支援大型語言模型之推論運算需求。
如申請專利範圍第1項所述之數位證物對話線索與軌跡探勘系統，其中該時空線索整合模組具備一事件化處理功能，係將原本連續或零散的對話文字，依據語意識別出的關鍵行為、時間與地點，轉化為獨立的事件物件，並依時間序列排列於該視覺化操作介面模組中。
如申請專利範圍第1項所述之數位證物對話線索與軌跡探勘系統，其中該視覺化操作介面模組包含一多維度篩選器，提供使用者依據時間區段、通訊軟體種類、關鍵字及是否包含地點線索等條件，對分析結果進行過濾顯示。
如申請專利範圍第1項所述之數位證物對話線索與軌跡探勘系統，更包含一產出交付模組，用以將分析後之摘要、時空線索清單及監視器調閱建議，匯出為CSV報表或結構化文件格式，以供後續偵查報告使用。
一種自動原子筆，包括：筆具(10)，筆具(10)由筆帽(20)、壓桿(30)、連接件(40)、筆芯(50)和筆桿(60)組成，該筆帽(20)兩端分設有上接口(22)和下接口(23)，該壓桿(30)設有滑槽(31)和呈斜坡面的上齒柱(32)，壓桿(30)上、下端分別套上帽蓋(33)和上彈簧(34)插入筆帽(20)，通過帽蓋(33)與上接口(22)螺固，將壓桿(30)和上彈簧(34)置入筆帽(20)內，該連接件(40)設有帽端螺紋(41)和桿端螺紋(42)，帽端螺紋(41)上設有向中心凸伸的導軌(43)，導軌(43)可供滑槽(31)滑動，通過帽端螺紋(41)和下接口(23)將筆帽(20)和連接件(40)予以螺固，該筆芯(50)上端設有鎖止件(51)，鎖止件(51)開設有下齒柱(52)和卡槽(53)，下齒柱(52)相對上齒柱(32)呈斜坡面，卡槽(53)恰可陷入導軌(43)內，筆芯(50)下端設有下彈簧(54)和筆尖(55)，供筆芯(50)套入的筆桿(60)，該筆桿(60)兩端分設有上開口(61)和筆頭(62)，通過上開口(61)和桿端螺紋(42)，將套入筆芯(50)的筆桿(60)予以螺固，其特徵在於，該筆帽(20)、壓桿(30)、連接件(40)和筆桿(60)由竹木材料製成。
如請求項1所述的自動原子筆，該滑槽(31)、上齒柱(32)、導軌(43)、下齒柱(52)和卡槽(53)為成對設置。
一種具有顯示機制的散熱器，包括: <br/>一風扇； <br/>一水冷排，設置在該風扇的一側邊； <br/>一進水口，連通該水冷排； <br/>一出水口，連通該水冷排； <br/>一外罩，罩蓋該風扇和該水冷排，該外罩包括一圍板；以及 <br/>一顯示螢幕，設置在該圍板上。
如請求項1所述之具有顯示機制的散熱器，其中該顯示螢幕係嵌設在該圍板上。
如請求項1所述之具有顯示機制的散熱器，其中該外罩還包括連接該圍板的一底板，該底板設有複數圓形孔，風扇的數量為複數，各該風扇分別對應於各該圓形孔配置。
如請求項3所述之具有顯示機制的散熱器，其中該外罩還包括一封蓋，在該圍板和該底板設有一缺口，該封蓋對應該缺口封合。
如請求項4所述之具有顯示機制的散熱器，其中該封蓋設有一第一穿孔及一第二穿孔，該第一穿孔對應於該進水口配置，用以提供一第一輸水管穿設，該第二穿孔對應於該出水口配置，用以提供一第二輸水管穿設。
如請求項1所述之具有顯示機制的散熱器，其中該顯示螢幕係可組卸性地固定在該圍板上。
如請求項6所述之具有顯示機制的散熱器，其中該圍板設有一插座及一第一磁吸元件，該顯示螢幕包括一插頭及一第二磁吸元件，該插頭對應於該插座插設，該第二磁吸元件對應於該第一磁吸元件磁性吸附。
一種電腦主機，包括: <br/>一機箱，具有一容置室，在該容置室的上側具有一頂板； <br/>一主機板，設置在該容置室內；以及 <br/>一如請求項1至7中之任一項所述之具有顯示機制的散熱器，該具有顯示機制的散熱器設置在該容置室內並位於該主機板和該頂板之間，該顯示螢幕電性連接該主機板。
一種無人機之機翼旋位結構改良，係應用於無人機之主翼或尾翼於旋位展開時之結構，其包含：一底座、一第一旋翼單元、一扭轉彈簧、一第二旋翼單元及一中心軸所構成；其中<br/>該底座設有一軸座，該軸座內部設有一軸組孔，該軸座外周緣套設有一軸承，該軸承底部抵觸於該底座，且該底座一側設有一限位件；<br/>該第一旋翼單元具有一第一圓環部，該第一圓環部內部形成一容置空間，該第一圓環部中心位置設有一第一連接柱，該第一連接柱對應該底座之軸座位置，該第一圓環部底部中央可抵觸於該軸承之上端；該第一連接柱之一側設有一彈性之凸出件；該容置空間之一側設有一第一卡槽，且該第一圓環部之外側設有二第一定位部，兩該第一定位部彼此呈一預定之旋位角度，兩該第一定位部於該第一旋翼單元展開或收合時可分別抵靠於該限位件兩側；<br/>該扭轉彈簧兩端具有相對之一第一末端與一第二末端，其中該第一末端彎折形成一第一彎折部，使該第一末端端部形成一第一結合段；該第二末端彎折形成一第二彎折部，使該第二末端端部形成一第二結合段；其中該第二結合段卡固定位於該第一圓環部之該第一卡槽內；<br/>該第二旋翼單元具有一第二圓環部，該第二圓環部中心設有一中心貫孔，並於對應該凸出件位置設有一卡固端，使該凸出件得以彈性嵌卡定位於該卡固端；該第二圓環部之一側設有一第二卡槽，供該第一結合段嵌入定位，且該第二圓環部之外側設有二第二定位部，兩該第二定位部彼此亦呈一預定旋位角度；兩該第二定位部於該第二旋翼單元展開或收合時可分別抵靠於該限位件兩側；及<br/>該中心軸末端具有一軸組部，該中心軸依序穿設該第二圓環部之中心貫孔、該第一圓環部之第一連接柱及該軸承，並使該軸組部螺組定位於該軸座之軸組孔內。
如請求項1所述之無人機之機翼旋位結構改良，其中該第一圓環部之容置空間內對應該凸出件位置設有一裝配柱，該裝配柱內部設有一裝配孔，且該凸出件底端抵設一壓縮彈簧。
如請求項1所述之無人機之機翼旋位結構改良，其中該中心軸頂端設有一非圓形驅動槽，該驅動槽可供蓋覆定位一飾蓋。
如請求項1所述之無人機之機翼旋位結構改良，其中該扭轉彈簧之第一末端與該第一結合段之間以及該第二末端與該第二結合段之間分別形成一第一角度，各該第一角度介於30度至45度之間。
如請求項1所述之無人機之機翼旋位結構改良，其中該扭轉彈簧之中心與該第一結合段及該第二結合段間形成一第二角度，該第二角度介於50度至70度之間。
如請求項1所述之無人機之機翼旋位結構改良，其中該底座設有複數組設孔，該限位件設有複數對應該組設孔之組孔，該限位件藉由複數組設件分別穿設於各該組孔與各該組設孔中而將之固定於該底座。
一種用於液冷系統之管體結構，包含至少一中空之管狀單元，其特徵在於：<br/> 該管狀單元於其周向的至少一局部區域設有一厚部位，該厚部位之壁厚大於該管狀單元其餘區域之壁厚，且該厚部位被配置用以形成至少一孔洞，使該至少一孔洞可直接加工成型於該管狀單元上，以供至少一快接件接設。
如申請專利範圍第1項所述之用於液冷系統之管體結構，其中該厚部位係形成於該管狀單元之一面，且該一面為整體或局部加（增）厚，而該管狀單元其餘各面為均勻壁厚。
如申請專利範圍第1項所述之用於液冷系統之管體結構，更包含至少一內壁，該至少一內壁連接於該厚部位以及相對於該厚部位的壁面之間，從而將該管狀單元內部空間分隔為複數個相互獨立之通道。
如申請專利範圍第1項所述之用於液冷系統之管體結構，其中，該至少一快接件具有一連接端。
如申請專利範圍第4項所述之用於液冷系統之管體結構，其中，該至少一孔洞之內壁設有內螺紋，而該至少一快接件的該連接端亦具有螺紋，使該至少一快接件係透過螺紋鎖合固定於該至少一孔洞中。
如申請專利範圍第1項所述之用於液冷系統之管體結構，其中該至少一孔洞之內壁為平滑面，該至少一孔洞係被配置以供該至少一快接件以插塞及緊配合之方式結合。
如申請專利範圍第1項所述之用於液冷系統之管體結構，更包含複數個端蓋，該些端蓋分別固設於該管狀單元之兩相對端部，以封閉該管狀單元之內部空間。
如申請專利範圍第1項所述之用於液冷系統之管體結構，其中，該管體結構可以係多個該管狀單元並列組成，令該管體結構內部空間具有為複數個相互獨立之通道。
一種照明組件，包括：<br/> 一柔性燈條模組；以及<br/> 一柔性固定件，沿該柔性燈條模組的長度方向設置，且包括一覆蓋層與至少一第一感磁件，其中該第一感磁件內嵌於該覆蓋層且由該覆蓋層圍繞，配置以吸附於一承載體，該覆蓋層包括一第一固定部與至少一第二固定部，該第一固定部設置於該柔性燈條模組的一表面上，該第二固定部樞接於該第一固定部的一邊緣，且該第一固定部與該第二固定部內有該第一感磁件。
如請求項1所述之照明組件，其中該柔性燈條模組的內部更包括至少一第二感磁件，配置以供該第一感磁件吸附。
如請求項1所述之照明組件，其中該覆蓋層包括兩個該第二固定部，該兩第二固定部其中一者樞接於該第一固定部的另一邊緣。
如請求項3所述之照明組件，其中該兩第二固定部相對於該第一固定部為對稱設置。
如請求項1所述之照明組件，其中該覆蓋層更包括：<br/> 一延伸部，樞接於該第二固定部；以及<br/> 一第三固定部，樞接於該延伸部遠離該第二固定部的一邊緣。
如請求項5所述之照明組件，其中該第三固定部內有該第一感磁件。
如請求項1所述之照明組件，其中該柔性燈條模組包括：<br/> 一柔性支撐件，具有一容置槽；<br/> 一燈板，位於該容置槽中，且其上設有至少一發光二極體；以及<br/> 一光學件，覆蓋該燈板且具有一出光面。
如請求項7所述之照明組件，其中該燈板與該出光面平行、垂直或夾30度至60度範圍中的夾角。
如請求項7所述之照明組件，其中該柔性燈條模組更包括：<br/> 兩堵頭，分別設置於該柔性支撐件的兩端；以及<br/> 一導線，穿過該兩堵頭其中一者且電性連接該燈板。
如請求項7所述之照明組件，其中該柔性燈條模組的該柔性支撐件與該柔性固定件的該第二固定部每一者具有一裁切視窗，且該第二固定部更包括：<br/> 至少一凸出部，配置以卡合該承載體。
一種具緊急釋放機構之戰術背帶，其包括有：<br/> 一第一帶體，延伸一長度，沿其長度方向之其中一端設有一扣頭；<br/> 一第二帶體，延伸一長度，沿其長度方向之其中一端連接一扣片，該扣片與該扣頭相組接，使該第二帶體連接於該第一帶體；<br/> 其中，該扣頭具有一沿一軸向延伸之本體，該本體具有一連接端及一插接端，以該連接端固定連接於該第一帶體，而該插接端設有一插槽以供該扣片插入；該本體上套設一滑套，該滑套與該本體之間設有一卡掣組件；該卡掣組件配置爲當該滑套朝向該插接端滑移時卡掣固定該扣片，使該第一帶體與該第二帶體相連接，當該滑套朝向該連接端滑移時釋放該扣片，使該第一帶體與該第二帶體分離；鄰近該連接端之本體上設有一結合部，一擋件套設於該結合部且朝向該滑套之一端具有一端面，該擋件可沿該結合部於一第一位置與一第二位置之間移動，當該擋件前移至該第一位置時，該端面緊抵於該滑套，以擋止該滑套退移，使該卡掣組件維持卡掣該扣片；當該擋件退移至該第二位置時，解除該端面對該滑套之限位，使該滑套可朝向該連接端退移而釋放該扣片。
如請求項1所述之具緊急釋放機構之戰術背帶，其中，該擋件之表面佈設防滑花紋。
如請求項2所述之具緊急釋放機構之戰術背帶，其中，該扣片貫穿設有一通孔，用於與該卡掣組件相結合。
如請求項3所述之具緊急釋放機構之戰術背帶，其中，該第二帶體相對遠離該扣片之一端設有一金屬扣件。
如請求項4所述之具緊急釋放機構之戰術背帶，其中，該第一帶體相對遠離該扣頭之一端設有一金屬扣件。
如請求項4所述之具緊急釋放機構之戰術背帶，其中，該第一帶體相對遠離該扣頭之一端透過一公母夾扣連接於一第三帶體。
如請求項5或請求項6所述之具緊急釋放機構之戰術背帶，其中，該第一帶體外套設一減壓肩墊，該減壓肩墊之寬度大於該第一帶體之寬度。
一種具高密封性之薄膜保鮮蓋，包含有：<br/> 一蓋體，係由彈性材質製成，該蓋體具有一位在其頂部之覆蓋面及一環繞該覆蓋面而朝下延伸之環側面；以及<br/> 至少一拉耳，係自該環側面朝下延伸之邊緣一體向外延伸構成，並於該拉耳上開設有一貫穿該拉耳之懸掛孔，該懸掛孔供使用者可吊掛該蓋體以便於瀝水晾乾或收納。
如請求項1所述的具高密封性之薄膜保鮮蓋，其中，該環側面於其外周面上向內凹入成有一施力缺口。
如請求項1所述的具高密封性之薄膜保鮮蓋，其中，該拉耳之外周面上形成有一視覺辨識區，該視覺辨識區係由一具有特定顏色之圖層構成，且該具有特定顏色之圖層係異於該蓋體之顏色。
如請求項1所述的具高密封性之薄膜保鮮蓋，其中，該覆蓋面上設有與該覆蓋面部分相接的一支撐部，使與該支撐部相接之覆蓋面部分的結構剛性大於未與該支撐部相接之覆蓋面部分。
如請求項4所述的具高密封性之薄膜保鮮蓋，其中，該支撐部係由數個自該覆蓋面上一體凸伸之補強肋構成。
如請求項5所述的具高密封性之薄膜保鮮蓋，其中，各個補強肋係呈放射狀或呈網格狀間隔排列於該覆蓋面上。
如請求項5或6所述的具高密封性之薄膜保鮮蓋，其中，各個補強肋分別具有相同的一肋部厚度，且該肋部厚度大於該覆蓋面本身之厚度。
如請求項1所述的具高密封性之薄膜保鮮蓋，其中，在該覆蓋面之內部包覆有一沿著該覆蓋面延伸之硬質嵌件，且該硬質嵌件之材質硬度大於該覆蓋面之材質硬度。
如請求項1所述的具高密封性之薄膜保鮮蓋，其中，在該環側面之內周面上更一體凸設有數個環繞於該環側面之內周面上的凸條結構。
一種縮管器，包括：<br/>一本體，該本體呈圓筒狀，一端為開放端，其相對端為一封閉端，該開放端內設有一第一徑段與一第二徑段，該第一徑段內徑大於該第二徑段內徑，另該第一徑段末端形成有一內縮錐面，藉以配接該第二徑段。
如請求項1所述之縮管器，其中該本體材質為PE。
一種具防爆效果的集塵排風裝置，其包含： <br/> 一裝置本體，其設有依序排列的一入風口、一粉塵分離管道及一排風口，該粉塵分離管道具有圓環形結構，該裝置本體於該粉塵分離管道的頂部設有一連通該粉塵分離管道的內部且朝向上方的洩壓口； <br/> 一風機，其設於該粉塵分離管道，能使氣體受該風機帶動及該粉塵分離管道之圓環形結構的限制而於該粉塵分離管道的內部旋轉地流動； <br/> 一洩壓機構，其設於該粉塵分離管道上，且設有一蓋板，該蓋板遮蓋於該洩壓口，且能相對該粉塵分離管道活動而開啟該洩壓口；以及 <br/> 一回收機構，其包含一導流管及一集塵器，該導流管沿著該粉塵分離管道的一切線方向設於該粉塵分離管道的外周，且連通該粉塵分離管道的內部及該集塵器，該導流管的一端形成一與外界連通的開口，另一端連接於該集塵器。
如請求項1所述之具防爆效果的集塵排風裝置，其中所述洩壓機構包含有一導引桿，該導引桿自該粉塵分離管道的頂部向上延伸，該蓋板設於該導引桿，且能沿著該導引桿相對該粉塵分離管道移動。
如請求項2所述之具防爆效果的集塵排風裝置，其中所述洩壓機構包含有一彈性件，該彈性件設於該導引桿的一端與該蓋板之間，且該彈性件的彈力將該蓋板推向該洩壓口。
如請求項3所述之具防爆效果的集塵排風裝置，其中所述洩壓機構包含有兩華司，該兩華司間隔地設於該導引桿，該彈性件的兩端分別抵靠於該兩華司上。
如請求項1所述之具防爆效果的集塵排風裝置，其中所述蓋板樞設於該粉塵分離管道上，能相對該粉塵分離管道樞擺而開啟該洩壓口。
如請求項5所述之具防爆效果的集塵排風裝置，其中所述洩壓機構設有一配重塊，該配重塊設於該蓋板上，且該配重塊的重量係帶動該蓋板朝向該洩壓口樞擺。
如請求項1至6中任一項所述之具防爆效果的集塵排風裝置，其中所述回收機構包含一回流管，該回流管自該集塵器延伸至該粉塵分離管道接近該入風口處，且連通該集塵器及該粉塵分離管道的內部。
一種程式碼分析裝置，包含：<br/> 一I/O單元，用以提供一使用者介面；<br/> 一儲存器，用以儲存一依賴關係圖；以及<br/> 一處理器，耦接至該I/O單元及該儲存器，包含一呼叫分析模組、一耦合分析模組、及一查詢處理模組，其中，<br/> 該呼叫分析模組，用於解析一程式碼，以建立該依賴關係圖中該程式碼的複數個程式單元間的呼叫關係；<br/> 該耦合分析模組，用於解析該程式碼的該些程式單元中使用一資料存取組件的至少一程式單元，以建立該依賴關係圖中該些程式單元與該資料存取組件之間的耦合關係；<br/> 該查詢處理模組，用以透過該I/O單元接收一檢索條件，根據該檢索條件對該依賴關係圖進行檢索以獲得一檢索結果，並控制該I/O單元透過該使用者介面輸出該檢索結果。
如請求項1所述之程式碼分析裝置，其中該處理器還包括一資料存取分析模組，用於辨識該程式碼中的一資料存取宣告，並偵測該些程式單元中使用該資料存取宣告的至少一程式單元，以建立該依賴關係圖中該程式碼的該些程式單元與該資料存取宣告之間的依賴關係。
如請求項2所述之程式碼分析裝置，其中該處理器還包括一資料庫實體分析模組，用於根據該資料存取宣告獲得一資料存取語句內容，並解析該資料存取語句內容以識別該資料存取語句內容中涉及的一資料庫實體，並建立該依賴關係圖中該資料存取宣告與該資料庫實體之間的依賴關係。
如請求項2所述之程式碼分析裝置，其中該資料存取宣告包含一外部資源指向路徑。
如請求項1所述之程式碼分析裝置，其中該依賴關係圖係儲存於一圖形資料庫中。
如請求項5所述之程式碼分析裝置，其中該圖形資料庫係將該些程式單元及該資料存取組件儲存為複數個節點，並將該些程式單元間的該呼叫關係及該些程式單元與該資料存取組件之間的該耦合關係儲存為連接該些節點的複數個關係邊。
如請求項1所述之程式碼分析裝置，其中該呼叫分析模組是解析該程式碼的結構化表示，以建立該依賴關係圖中該程式碼的該些程式單元間的該呼叫關係。
如請求項1所述之程式碼分析裝置，其中該耦合分析模組是利用一靜態程式碼解析方法以對該程式碼進行解析。
如請求項2所述之程式碼分析裝置，其中該資料存取分析模組是利用一靜態程式碼解析方法以對該程式碼進行解析。
如請求項3所述之程式碼分析裝置，其中該資料庫實體分析模組是利用一靜態資料存取語句解析方法以對該資料存取語句內容進行解析。
一種充氣床墊，其包括：<br/> 一床體，其內部形成有一氣室，並且所述床體形成有連通於所述氣室的一安裝孔；以及<br/> 一氣閥，固定於所述床體的所述安裝孔；其中，所述氣閥包含有：<br/> 一基座，其為能彈性變形的構造，並且所述基座對應所述安裝孔固定在所述床體；其中，所述基座具有連通於所述氣室的一穿孔；<br/> 一止逆閥，其為能彈性變形的構造；其中，所述止逆閥包含有：<br/> 一管狀部，能拆卸地插設於所述穿孔、以使所述止逆閥位於一充氣位置，並且所述管狀部的外壁面與所述穿孔的孔壁之間形成有一第一摩擦力；其中，所述管狀部能自所述穿孔分離、以使所述止逆閥位於一洩氣位置；<br/> 一樞接部，相連於所述管狀部且形成有兩個彎曲軌道；及<br/> 一限位肋，形成於所述樞接部且位於兩個所述彎曲軌道之間；及<br/> 一外蓋，其為無法變形的構造，並且所述外蓋具有一封閉件及彼此間隔地相連於所述封閉件的兩個樞接臂；其中，兩個所述樞接臂沿一旋轉軸線分別樞接於兩個所述彎曲軌道，並且所述限位肋位於兩個所述樞接臂之間；其中，以使所述外蓋能相對於所述止逆閥轉動，並且所述旋轉軸線同步沿兩個所述彎曲軌道移動；<br/> 其中，當所述旋轉軸線位於兩個所述彎曲軌道的一第一末端且遠離所述管狀部時，所述封閉件插設於所述管狀部之內，所述外蓋位於一封閉位置；其中，當所述旋轉軸線位於兩個所述彎曲軌道的一第二末端且鄰近所述管狀部時，所述封閉件遠離所述管狀部，所述外蓋位於一全開位置；<br/> 其中，當所述止逆閥位於所述充氣位置、且所述外蓋位於所述封閉位置時，所述封閉件壓迫所述管狀部形變且彼此之間形成有小於所述第一摩擦力的一第二摩擦力；<br/> 其中，當所述止逆閥位於所述充氣位置、且所述外蓋自所述封閉位置朝所述全開位置的方向轉動時，所述封閉件離開所述管狀部，所述管狀部受限於所述第一摩擦力而維持在所述充氣位置，並且所述外蓋能於所述封閉位置及所述全開位置之間被定位。
如請求項1所述的充氣床墊，其中，通過所述限位肋配置於兩個所述樞接臂之間，以限制兩個所述彎曲軌道向內的形變量，。
如請求項2所述的充氣床墊，其中，當所述止逆閥位於所述充氣位置、且所述外蓋自所述封閉位置轉動30度之後，所述外蓋能通過兩個所述樞接臂朝遠離所述基座的方向拉動所述樞接部，以使所述管狀部自所述穿孔分離、而令所述止逆閥位於所述洩氣位置。
如請求項1所述的充氣床墊，其中，所述基座形成有一容置槽，並且所述容置槽的槽底連通於所述穿孔；其中，當所述止逆閥位於所述充氣位置、且所述外蓋位於所述封閉位置時，所述止逆閥與所述外蓋位於所述容置槽之內且未突伸出所述容置槽的槽口。
如請求項1所述的充氣床墊，其中，所述穿孔定義有一中心軸線，兩個所述彎曲軌道相對於所述限位肋呈鏡像對稱配置，並且每個所述彎曲軌道包含有：<br/> 一第一軌道段，具有所述第一末端；及<br/> 一第二軌道段，具有所述第二末端且相連於所述第一軌道段，所述第一軌道段與所述第二軌道段的彼此相連處定義為一轉折點，並且所述第一末端與所述第二末端遠離所述轉折點；<br/> 其中，兩個所述彎曲軌道的所述第一末端與所述第二末端皆位於垂直所述中心軸線的一預設平面，並且兩個所述彎曲軌道的所述轉折點位於所述預設平面的下方。
如請求項5所述的充氣床墊，其中，於每個所述彎曲軌道之中，所述第一軌道段與所述第二軌道段相夾有一配置角度，其介於60度～150度之間。
如請求項1所述的充氣床墊，其中，所述封閉件具有：<br/> 一蓋板，一端相連於兩個所述樞接臂，並且所述蓋板的另一端具有一受力部，其鄰近於所述管狀部的管口；及<br/> 一封閉柱，相連於所述蓋板的內板面；<br/> 其中，所述氣閥包含有安裝於所述受力部的一拉帶；其中，當所述止逆閥位於所述充氣位置、且所述外蓋位於所述封閉位置時，所述拉帶能用以供一外力拉動而施力於所述蓋板的所述受力部，以使所述外蓋朝所述全開位置的方向轉動。
如請求項7所述的充氣床墊，其中，所述管狀部定義有一中心軸線，並且所述管口相對於所述中心軸線具有一管半徑，所述受力部相對於所述中心軸線具有一配置距離，其介於所述管半徑的100%～130%之間。
如請求項1所述的充氣床墊，其中，所述氣閥包含有一連接帶，其連接於所述基座與所述止逆閥的所述管狀部；其中，所述止逆閥能自遠離所述外蓋的所述穿孔底緣穿入、以位於所述充氣位置。
如請求項9所述的充氣床墊，其中，所述止逆閥包含：<br/> 一本體，具有所述管狀部、所述樞接部、及所述限位肋；及<br/> 一閥瓣，安裝於所述管狀部之內；<br/> 其中，所述基座、所述止逆閥的所述本體、及所述連接帶為一體成形的單件式構造。
如請求項1所述的充氣床墊，其中，每個所述樞接臂具有：<br/> 一第一臂體，自所述封閉件延伸所形成；<br/> 一第二臂體，自所述第一臂體彎折延伸所形成；及<br/> 一樞接柱，相連於所述第二臂體的末端；<br/> 其中，兩個所述第一臂體的內側彼此相向且間隔有一間距，其不小於所述限位肋的厚度；兩個所述樞接柱定義有所述旋轉軸線、並分別可移動地插設於兩個所述彎曲軌道之內；<br/> 其中，當所述止逆閥位於所述充氣位置、且所述外蓋自所述封閉位置朝所述全開位置的方向轉動時，通過所述限位肋配置於兩個所述樞接臂之間，以限制兩個所述彎曲軌道向內的形變量、而維持兩個所述彎曲軌道分別套設於兩個所述樞接柱。
如請求項11所述的充氣床墊，其中，當所述外蓋自所述封閉位置轉動30度直至所述全開位置時，兩個所述第一臂體的所述內側相鄰且間隔於所述限位肋。
一種氣閥，其包括：<br/> 一基座，其為能彈性變形的構造；其中，所述基座具有一穿孔；<br/> 一止逆閥，其為能彈性變形的構造；其中，所述止逆閥包含有：<br/> 一管狀部，能拆卸地插設於所述穿孔、以使所述止逆閥位於一充氣位置，並且所述管狀部的外壁面與所述穿孔的孔壁之間形成有一第一摩擦力；其中，所述管狀部能自所述穿孔分離、以使所述止逆閥位於一洩氣位置；<br/> 一樞接部，相連於所述管狀部且形成有兩個彎曲軌道；及<br/> 一限位肋，形成於所述樞接部且位於兩個所述彎曲軌道之間；以及<br/> 一外蓋，其為無法變形的構造，並且所述外蓋具有一封閉件及彼此間隔地相連於所述封閉件的兩個樞接臂；其中，兩個所述樞接臂沿一旋轉軸線分別樞接於兩個所述彎曲軌道，並且所述限位肋位於兩個所述樞接臂之間；其中，所述外蓋能相對於所述止逆閥轉動，並且所述旋轉軸線同步沿兩個所述彎曲軌道移動；<br/> 其中，當所述旋轉軸線位於兩個所述彎曲軌道的一第一末端且遠離所述管狀部時，所述封閉件插設於所述管狀部之內，所述外蓋位於一封閉位置；其中，當所述旋轉軸線位於兩個所述彎曲軌道的一第二末端且鄰近所述管狀部時，所述封閉件遠離所述管狀部，所述外蓋位於一全開位置；<br/> 其中，當所述止逆閥位於所述充氣位置、且所述外蓋位於所述封閉位置時，所述封閉件壓迫所述管狀部形變且彼此之間形成有小於所述第一摩擦力的一第二摩擦力；<br/> 其中，當所述止逆閥位於所述充氣位置、且所述外蓋自所述封閉位置朝所述全開位置的方向轉動時，所述封閉件離開所述管狀部，所述管狀部受限於所述第一摩擦力而維持在所述充氣位置，並且所述外蓋能於所述封閉位置及所述全開位置之間被定位。
一種氣閥，其包括：<br/> 一基座，其為能彈性變形的構造；其中，所述基座具有一穿孔；<br/> 一止逆閥，其為能彈性變形的構造；其中，所述止逆閥包含有：<br/> 一管狀部，能拆卸地插設於所述穿孔、以使所述止逆閥位於一充氣位置，並且所述管狀部的外壁面與所述穿孔的孔壁之間形成有一第一摩擦力；其中，所述管狀部能自所述穿孔分離、以使所述止逆閥位於一洩氣位置；<br/> 一樞接部，相連於所述管狀部且形成有兩個彎曲軌道；以及<br/> 一外蓋，其為無法變形的構造，並且所述外蓋具有一封閉件及彼此間隔地相連於所述封閉件的兩個樞接臂；兩個所述樞接臂沿一旋轉軸線分別樞接於兩個所述彎曲軌道，以使所述外蓋能相對於所述止逆閥轉動，並且所述旋轉軸線同步沿兩個所述彎曲軌道移動；<br/> 其中，當所述旋轉軸線位於兩個所述彎曲軌道的一第一末端且遠離所述管狀部時，所述封閉件插設於所述管狀部之內，所述外蓋位於一封閉位置；其中，當所述旋轉軸線位於兩個所述彎曲軌道的一第二末端且鄰近所述管狀部時，所述封閉件遠離所述管狀部，所述外蓋位於一全開位置；<br/> 其中，當所述止逆閥位於所述充氣位置、且所述外蓋位於所述封閉位置時，所述封閉件壓迫所述管狀部形變且彼此之間形成有小於所述第一摩擦力的一第二摩擦力；<br/> 其中，當所述止逆閥位於所述充氣位置、且所述外蓋自所述封閉位置朝所述全開位置的方向轉動時，所述封閉件離開所述管狀部，所述管狀部受限於所述第一摩擦力而維持在所述充氣位置。
如請求項14所述的氣閥，其中，所述基座形成有一容置槽，並且所述容置槽的槽底連通於所述穿孔；其中，當所述止逆閥位於所述充氣位置、且所述外蓋位於所述封閉位置時，所述止逆閥與所述外蓋位於所述容置槽之內且未突伸出所述容置槽的槽口。
如請求項14所述的氣閥，其中，所述穿孔定義有一中心軸線，兩個所述彎曲軌道呈鏡像對稱配置，並且每個所述彎曲軌道包含有：<br/> 一第一軌道段，具有所述第一末端；及<br/> 一第二軌道段，具有所述第二末端且相連於所述第一軌道段，所述第一軌道段與所述第二軌道段的彼此相連處定義為一轉折點，並且所述第一末端與所述第二末端遠離所述轉折點；<br/> 其中，兩個所述彎曲軌道的所述第一末端與所述第二末端皆位於垂直所述中心軸線的一預設平面，並且兩個所述彎曲軌道的所述轉折點位於所述預設平面的下方。
如請求項16所述的氣閥，其中，於每個所述彎曲軌道之中，所述第一軌道段與所述第二軌道段相夾有一配置角度，其介於60度～150度之間。
如請求項14所述的氣閥，其中，所述封閉件具有：<br/> 一蓋板，一端相連於兩個所述樞接臂，並且所述蓋板的另一端具有一受力部，其鄰近於所述管狀部的管口；及<br/> 一封閉柱，相連於所述蓋板的內板面；<br/> 其中，所述氣閥包含有安裝於所述受力部的一拉帶；其中，當所述止逆閥位於所述充氣位置、且所述外蓋位於所述封閉位置時，所述拉帶能用以供一外力拉動而施力於所述蓋板的所述受力部，以使所述外蓋朝所述全開位置的方向轉動。
如請求項18所述的氣閥，其中，所述管狀部定義有一中心軸線，並且所述管口相對於所述中心軸線具有一管半徑，所述受力部相對於所述中心軸線具有一配置距離，其介於所述管半徑的100%～130%之間。
如請求項14所述的氣閥，其中，所述止逆閥具有一限位肋，其形成於所述樞接部且位於兩個所述彎曲軌道之間；其中，每個所述樞接臂具有：<br/> 一第一臂體，自所述封閉件延伸所形成；<br/> 一第二臂體，自所述第一臂體彎折延伸所形成；及<br/> 一樞接柱，相連於所述第二臂體的末端；<br/> 其中，兩個所述第一臂體的內側彼此相向且間隔有一間距，其不小於所述限位肋的厚度；兩個所述樞接柱定義有所述旋轉軸線、並分別可移動地插設於兩個所述彎曲軌道之內。
一種枕頭包，用以從一枕心的其中一表面朝向另一該枕心的另一表面作套設，藉此包覆該枕心，該枕頭包包含:<br/> 一布體，形成一面罩部份以及一開口部份位於該面罩部份的邊緣，該開口部份是將該布體的邊緣輪廓折疊固定並形成一條狀空間；<br/> 一伸縮帶，穿入該開口部份的該條狀空間，使該開口部份形成一伸縮束口。
如請求項1所述之枕頭包，其中該枕頭包包覆該枕心時，該伸縮束口與該枕心的其中一表面的外輪廓的距離約8公分至12公分。
如請求項1所述之枕頭包，其中該布體的材質包含棉、聚酯纖維、竹纖維、天絲或包含以上材料的混紡布。
一種旋轉磁場感應式流體加熱裝置，其特徵在於：所述旋轉磁場感應式流體加熱裝置(100)，其至少具有一加熱油桶(1)，其內部容納有一熱交換油媒(10)，且所述加熱油桶(1)具有與被加熱端(200)連接的一進油管道(11)及一回油管道(12)；<br/>至少一感應加熱機構(2)，其設置於所述加熱油桶(1)內，包含一磁柱(21)及一加熱銅管(22)，所述磁柱(21)表面由頂至底排列設有數個永久磁鐵(211)，所述加熱銅管(22)套設於所述磁柱(21)外周並與其保有感應間隙(23)；<br/>一動力源(3)，連結並驅動所述磁柱(21)高速旋轉，使所述永久磁鐵(211)產生的磁力線切割所述加熱銅管(22)，且所述加熱銅管(22)所處磁場呈現週期性高頻率通斷現象，進而使所述加熱銅管(22)感應產生渦流迅速發熱，並與所述加熱油桶(1)內的所述熱交換油媒(10)進行熱交換；<br/>一循環幫浦(4)，其連通於所述進油管道(11)，用以驅動所述熱交換油媒(10)循環流動；以及<br/>一膨脹筒(5)，其連通於所述加熱油桶(1)上方，用以調節所述熱交換油媒(10)受熱的壓力波動。
如請求項1所述的旋轉磁場感應式流體加熱裝置，其中：所述加熱油桶(1)、所述感應加熱機構(2)與所述動力源(3)間，還設有一基座(6)。
如請求項2所述的旋轉磁場感應式流體加熱裝置，其中：所述加熱油桶(1)底端與所述基座(6)間，設有一底板(13)，而所述加熱油桶(1)頂端設有一頂蓋(14)；<br/>另所述底板(13)的各角隅與所述基座(6)間，各設有一墊塊(15)。
如請求項3所述的旋轉磁場感應式流體加熱裝置，其中：所述加熱銅管(22)包含有一銅管主體(221)、及一設於所述銅管主體(221)頂端的銅蓋(222)，所述銅管主體(221)能供所述磁柱(21)穿入，所述銅蓋(222)底端能供定位所述磁柱(21)一端。
如請求項4所述的旋轉磁場感應式流體加熱裝置，其中：所述膨脹筒(5)具有與所述頂蓋(14)連通，設於所述膨脹筒(5)一端的第一連通管(51)、設於所述膨脹筒(5)另一端的第二連通管(52)、及一設於所述膨脹筒(5)頂端並與大氣連通的通氣部(53)。
如請求項5所述的旋轉磁場感應式流體加熱裝置，其中：所述永久磁鐵(211)採N極與S極交錯排列。
如請求項6所述的旋轉磁場感應式流體加熱裝置，其中：所述旋轉磁場感應式流體加熱裝置(100)還具有一溫度監測元件(7)，其設置於所述加熱油桶(1)一側並與其連通。
如請求項7所述的旋轉磁場感應式流體加熱裝置，其中：所述動力源(3)為馬達。
如請求項8所述的旋轉磁場感應式流體加熱裝置，其中：所述基座(6)呈ㄇ字型設置。
如請求項9所述的旋轉磁場感應式流體加熱裝置，其中：所述永久磁鐵(211)選自釹鐵硼磁鐵。
一種保溫容器結構，其包括：<br/> 一容器本體，具有一容置空間及一開口，該容器本體之至少一部分為透明材質製成，且該容器本體之表面設有複數個容量刻度標記，以供觀測該容置空間內之液體水位；以及，<br/> 一蓋體組件，可拆卸地結合於該容器本體之開口，該蓋體組件包括有：<br/> 一溫度感測單元，設於該蓋體組件朝向該容置空間之一側，用以偵測該容置空間內之液體溫度；<br/> 一發光單元，設於該蓋體組件之頂部或側邊，包含至少一種可發出不同顏色光線之發光元件；<br/> 一操作介面，設於該蓋體組件之表面，包含至少一設定按鍵；<br/> 一控制模組，電性連接於該溫度感測單元、該發光單元及該操作介面；<br/> 其中，該控制模組依據該溫度感測單元所傳導之溫度訊號，控制該發光單元發出對應顏色之光線；且該控制模組透過該設定按鍵之操作，記錄一使用者設定溫度，當該溫度訊號符合該使用者設定溫度時，控制該發光單元發出特定之提示燈號。
如請求項1所述之保溫容器結構，其中，該容器本體為雙層中空結構，該雙層中空結構係由透明玻璃或透明耐熱塑膠材質製成，以形成一保溫隔熱層。
如請求項1所述之保溫容器結構，其中，該發光單元之顯示邏輯設定為當偵測溫度低於一第一預設值時，發出藍色光；當偵測溫度介於該第一預設值與一第二預設值之間時，發出黃色光；當偵測溫度高於該第二預設值時，發出紅色光；當偵測溫度等於該使用者設定溫度時，發出綠色光。
如請求項1所述之保溫容器結構，其中，該溫度感測單元為一金屬探針，自該蓋體組件向下延伸至該容器本體之容置空間內。
如請求項1所述之保溫容器結構，其中，該蓋體組件內部更設有一供電單元，該供電單元為可充電電池或替換式電池，用以提供電力予該控制模組、該溫度感測模組及該發光單元。
一種具定位追蹤與智慧語音交互之穿戴式眼鏡裝置，其包括：<br/> 一眼鏡本體，包含一鏡框與連接於該鏡框兩側之二鏡腳；<br/> 一控制單元，設於該二鏡腳之其中一者內部；<br/> 一供電單元，電性連接於該控制單元，以供應運作所需電力；<br/> 一輸入單元，設於該鏡腳之表面並電性連接於該控制單元，用以產生一操作訊號傳送至該控制單元；<br/> 一無線通訊單元，電性連接於該控制單元，用以與一外部行動裝置進行雙向訊號傳輸；<br/> 一定位單元，電性連接於該控制單元，用以接收一地理位置資訊；<br/> 一音訊輸出單元，設於該鏡腳並位於貼合使用者頭部之位置，且電性連接於該控制單元；<br/> 其中，該控制單元依據該操作訊號控制該音訊輸出單元輸出一聲音訊號，且該控制單元依據該無線通訊單元接收之觸發訊號執行一提示動作。
如請求項1所述之具定位追蹤與智慧語音交互之穿戴式眼鏡裝置，其中，該輸入單元為一觸控感測器或一微動開關，該控制單元被配置為依據該輸入單元之觸發時間長短，選擇性地控制該音訊輸出模組播報一時間資訊或該地理位置資訊。
如請求項1所述之具定位追蹤與智慧語音交互之穿戴式眼鏡裝置，其中，該音訊輸出單元為一骨傳導音訊裝置。
如請求項1所述之具定位追蹤與智慧語音交互之穿戴式眼鏡裝置，其中，更包括一發光元件及一蜂鳴器其中至少一者，該發光元件設於該鏡腳表面，該蜂鳴器設於該鏡腳內部；該無線通訊單元接收來自該外部行動裝置之觸發訊號時，該控制單元驅動該發光元件閃爍或驅動該蜂鳴器發出聲響。
如請求項1所述之具定位追蹤與智慧語音交互之穿戴式眼鏡裝置，其中，還包括一收音單元，設置於該二鏡腳之其中一者外側並電性連接至該控制處理單元，且該控制處理單元內建有一語音處理模組，用以辨識使用者之語音指令並進行對應之資訊回饋。
一種智能分類垃圾桶，包含有：<br/> 一垃圾桶本體，具有一頂部投入口及一位於該垃圾桶本體內而與該頂部投入口相通之暫存空間，而一分類通道連接於該暫存空間之下方，且於該暫存空間與該分類通道之間設有一用以控制該暫存空間與該分類通道導通狀態之第一閘門，並於該垃圾桶本體內設有分別與該分類通道連接之一般垃圾容室、資源回收容室及金屬罐容室，且該分類通道與該一般垃圾容室之間設有用以控制該分類通道與該一般垃圾容室導通狀態之第二閘門，該分類通道與該資源回收容室之間設有用以控制該分類通道與該資源回收容室導通狀態之第三閘門，該分類通道與該金屬罐容室之間設有用以控制該分類通道與該金屬罐容室導通狀態之第四閘門；<br/> 一影像擷取單元，設於該暫存空間中而可對位於該暫存空間之垃圾進行拍攝；<br/> 一控制單元，設於該垃圾桶本體上，該控制單元電性連接該影像擷取單元、該第一閘門、該第二閘門、該第三閘門及該第四閘門，且該控制單元內建有一垃圾影像資料庫，該控制單元用以將該影像擷取單元拍攝之影像與該垃圾影像資料庫中之圖像進行比對以辨識其所屬之垃圾種類後，再相對控制該第一閘門、該第二閘門、該第三閘門及該第四閘門作動，使垃圾可向下掉落至相對應之一般垃圾容室、資源回收容室或金屬罐容室中。
如請求項1所述的智能分類垃圾桶，其中，該分類通道更連接有一導風通道，該導風通道之一端與該分類通道相連通，而該導風通道之另一端則連接至該垃圾桶本體上之一出風口，並於該出風口設有一與該控制單元電性連接之排風扇，使該控制單元可控制該排風扇作動。
如請求項1所述的智能分類垃圾桶，其中，該金屬罐容室之底部設有一壓縮機構，該壓縮機構具有一穿伸至該金屬罐容室中之推桿及一可相對驅動該推桿往復移動之油壓缸，該油壓缸與該控制單元電性連接，使該控制單元可相對控制該推桿朝該金屬罐容室之頂部方向推擠。
一種洗衣機結構，包括一機體及一門板，該機體具有一洗滌空間及一衣物取放口，該門板連接於該機體並可開啟地密封該衣物取放口，其特徵在於：<br/> 該機體於其兩相對之側壁分別開設有一通孔，各該通孔中分別架設有一散熱風扇，且該機體之內部設有一電源線收納捲盤，該電源線收納捲盤用以供該機體之一電源線捲繞，使該電源線可自該機體之一側拉出並自動捲回，並於該機體之底部設有數個支撐腳，且每一支撐腳之下方分別接設有一可相對吸附於一承載面上之吸盤腳座。
如請求項1所述的洗衣機結構，其中，該機體於其外周面上設有可分別對應洗衣精種類選擇、靜音模式、洗衣、脫水及烘乾操作設定之功能按鍵。
如請求項1所述的洗衣機結構，其中，該機體之另一側設有一快速排水閥，該快速排水閥可供連接一排水管。
一種機能雨衣，包含有：<br/> 一雨衣本體，具有一外表面及一內表面，該雨衣本體之上端接設有一帽體，且於該雨衣本體之兩相對側接設有一對袖體，該雨衣本體上至少開設有一同時貫穿該外表面與該內表面之通風孔，並於該對袖體之末端分別設有一透明視窗；<br/> 一風扇單元，設於該雨衣本體之通風孔中，而可用以對該雨衣本體之內部進行強制空氣對流，該風扇單元具有一延伸接設至該雨衣本體之外表面上的啟動開關，且該風扇單元與一設於該雨衣本體內之行動電源電性連接，以提供該風扇單元所需之電力來源；<br/> 一保暖層，設於該雨衣本體之內表面，該保暖層由一絨毛材質構成；<br/> 一資訊顯示組，設於該對袖體之末端，該資訊顯示組包含有一用以顯示時間之計時裝置及一用以感側並顯示溫度之溫度顯示裝置，且該計時裝置與該溫度顯示裝置分別嵌設在該對袖體之透明視窗內。
如請求項1所述的機能雨衣，其中，該帽體具有一朝前凸伸之帽簷，並於該帽簷上設有可朝使用者之臉部送風之另一風扇單元。
一種超薄型風扇過濾機結構，係置於一天花板之一格柵上，連通該天花板之頂端與底端，包括：<br/>一濾網層，疊設於該格柵上，包括：<br/>至少一濾網；及<br/>一圍框，沿該濾網外周側配置並組接該濾網；以及<br/>一風機，疊設於該濾網層上，包括：<br/>一風扇馬達；<br/>一機殼，提供該風扇馬達組設，包括：<br/>一罩體件，於下段具有一ㄇ字形截面輪廓，且朝下呈開放之嵌槽，用以套銜該圍框外周側，使該風機與該濾網層彼此形成串接成一體結構，並於該風扇馬達作動時共同承受重量與氣流作用力。
一種超薄型風扇過濾機結構，係置於一天花板之一格柵上，連通該天花板之頂端與底端，包括：<br/>一濾網層，疊設於該格柵上，包括：<br/>至少一濾網；及<br/>一圍框，沿該濾網外周側配置並組接該濾網；以及<br/>一風機，疊設於該濾網層上，包括：<br/>一風扇馬達；<br/>一機殼，提供該風扇馬達組設，包括：<br/>一罩體件，於下段具有一ㄇ字形截面輪廓，且朝下呈開放之嵌槽，用以套銜該圍框外周側；<br/>其中，該嵌槽係由至少一嵌槽件所形成，並讓該嵌槽件組設於該罩體件朝向該濾網層之端面。
如請求項2所述之超薄型風扇過濾機結構，其中該嵌槽件沿該罩體件朝下端面之周向配置，且各該嵌槽件之數量、間距及尺寸係依該圍框之輪廓及尺寸對應設置。
如請求項2所述之超薄型風扇過濾機結構，其中各該嵌槽件對該圍框之兩側形成預壓夾持力或摩擦力。
一種超薄型風扇過濾機結構，係置於一天花板之一格柵上，連通該天花板之頂端與底端，包括：<br/>一濾網層，疊設於該格柵上，具有：<br/>至少一濾網；及<br/>一圍框，沿該濾網外周側配置並組接該濾網；以及<br/>一風機，疊設於該濾網層上，包括：<br/>一風扇馬達；<br/>一機殼，提供該風扇馬達組設，包括：<br/>一罩體件，於下段具有一ㄇ字形截面輪廓，且朝下呈開放之嵌槽，用以套銜該圍框外周側，其中該嵌槽係由該罩體件下段與至少一圍片共同形成，其中：<br/>該罩體件與該濾網層鄰接之下段呈階梯狀，由上至下依序形成有一上罩段、一水平段、與一下罩段；及<br/>該圍片，對應該上罩段組設並配置於該罩體件內側，與該水平段、及該下罩段，共同界定出該嵌槽。
一種電器外接電纜線之防水結構，其中該電器具有一機殼，該電纜線係連接在該機殼之一端子上，該防水結構包括有：<br/>一供收容電纜線之容置空間，其由該機殼之一下凹部所形成，其中該端子係位於該下凹部，該下凹部之一側係具有一開口，另一側係設有至少一個嵌入槽；<br/>一蓋板，其設於該開口上以封閉該容置空間，該蓋板面向該容置空間之一側設有一防水密封環，該蓋板以該防水密封環緊抵該開口之周緣以產生密封效果；<br/>至少一防水扣環，其緊配合地設於該嵌入槽，該防水扣環設有一供穿設電纜線之穿孔，其中該穿孔係與電纜線緊配合。
如請求項1所述之電器外接電纜線之防水結構，其中，該防水扣環包括有一設有該穿孔之本體，該本體設有一自該本體之外側緣延伸至該穿孔之缺縫，令該本體能稍微變形以改變該穿孔之大小，該防水扣環在嵌入該嵌入槽後，該缺縫因該本體受擠壓而閉合，進而令電纜線被該本體緊配合地包覆。
如請求項2所述之電器外接電纜線之防水結構，其中，該防水扣環之本體與該嵌入槽之中，一者設有一導引凹溝，另一者設有一導引凸塊，並藉由該導引凹溝與該導引凸塊緊密嵌合而獲固定。
如請求項1所述之電器外接電纜線之防水結構，其中，該防水密封環包括有一下塊狀體，該下塊狀體之頂面上沿著延伸軸向一體隆起一上突脊，其中該上突脊之寬度係小於該下塊狀體之寬度；該蓋板設有一可供該上突脊緊配合地嵌入之上溝槽；該容置空間之開口周緣設有一可供該下塊狀體緊配合地嵌入之下溝槽。
如請求項1所述之電器外接電纜線之防水結構，其中，該蓋板與該防水密封環為不同材質，且以雙料射出方式一體成形。
如請求項4或5所述之電器外接電纜線之防水結構，其中，該防水密封環更包括有一自該上突脊朝內側一體伸出之防呆定位塊，該防呆定位塊係可容置於一與該蓋板之上溝槽相連通之防呆定位槽中。
如請求項4所述之電器外接電纜線之防水結構，其中，該機殼之下凹部設有一卡固槽，該蓋板設有一鉤耳，該蓋板以該鉤耳卡入該卡固槽固定，進而令該防水密封環與該上溝槽及該下溝槽緊配合。
如請求項1所述之電器外接電纜線之防水結構，其中，該蓋板更包括有一伸出該容置空間之外的外延伸部，該外延伸部係以一鎖固件固定在該機殼上。
一種殼管式熱交換裝置，用於供一第一流體和一第二流體進行熱交換，包括: <br/>一殼體，包括一中空筒體，該中空筒體具有供所述第一流體進出的一容腔、連通該容腔的一入液管及一出液管； <br/>一分隔結構，設置在該容腔中，該分隔結構包括複數軸向板及複數徑向板，各該軸向板係交叉連接，各該徑向板垂直連接各該軸向板且間隔配置，從而在各該軸向板和各該徑向板之間形成有複數液體流道； <br/>複數彎折管，沿著各該軸向板的方向配置在各該液體流道中並且穿接各該徑向板；以及 <br/>一端蓋，封合在該中空筒體的一端，該端蓋具有供所述第二流體進出的一進液通道及一排液通道，各該彎折管連通該進液通道和該排液通道。
如請求項1所述之殼管式熱交換裝置，其中的一該軸向板設有供所述第一流體流通的一缺口，另一該軸向板的一端設有供所述第一流體流通的一連通口，該連通口和該缺口位於該分隔結構的兩相異端。
如請求項1所述之殼管式熱交換裝置，其中每一該徑向板設有一通孔，於該通孔的上下分別設有複數穿孔，各該彎折管呈一U形並穿接各該穿孔，在該徑向板的端部設有供所述第一流體流通的一端口。
如請求項1所述之殼管式熱交換裝置，其中該中空筒體的一端連接有一法蘭，該端蓋包括一外側端蓋和一內側端蓋，該內側端蓋被夾持在該法蘭和該外側端蓋間。
如請求項4所述之殼管式熱交換裝置，其中該外側端蓋背向該內側端蓋的一側連接有一進液管和一排液管，該外側端蓋面向該內側端蓋的一側設有一進液槽、一迂迴槽及一排液槽，該進液管連通該進液槽，該排液管連通該排液槽。
如請求項5所述之殼管式熱交換裝置，其中各該彎折管包括兩組彼此對稱設置，其中一組的各該彎折管的兩端分別連通該進液槽和該迂迴槽，另一組的各該彎折管的兩端分別連通該迂迴槽和該排液槽，其中該進液管、該進液槽、該內側端蓋和該外側端蓋共同圍設出該進液通道，該排液管、該排液槽、該內側端蓋和該外側端蓋共同圍設出該排液通道。
如請求項5所述之殼管式熱交換裝置，其中該端蓋還包括一均流器，該均流器設置在該進液槽內。
如請求項4所述之殼管式熱交換裝置，其中該端蓋還包括一墊圈，該墊圈設置在該外側端蓋和該內側端蓋間。
如請求項4所述之殼管式熱交換裝置，其中該法蘭設有一凹溝，用以供一O型環設置。
如請求項1所述之殼管式熱交換裝置，其中該中空筒體設有一第一嵌槽，該端蓋包括一內側端蓋，該內側端蓋設有一第二嵌槽，該第一嵌槽和該第二嵌槽係供各該軸向板嵌入定位。
一種穿戴式智能安全警示裝置，其包括：<br/>一穿戴本體，其至少具有一背部區域；<br/>一模組載體，其可拆卸地結合設於該穿戴本體之背部區域上；<br/>一檢知控制模組，設置於該模組載體上，且包含一控制單元、一與該控制單元電性連接之姿態感測單元、一與該控制單元電性連接之加速度感測單元及一與該控制單元電性連接之供電單元；以及<br/>一顯示發光模組，設置於該模組載體上並與該控制單元電性連接；<br/>藉以該控制單元可依據該姿態感測單元及該加速度感測單元所產生之感測訊號控制該顯示發光模組發光，以顯示轉向或減速煞車狀態。
如請求項1所述之穿戴式智能安全警示裝置，其中該穿戴本體之背部區域設有至少一第一可拆結合部，該模組載體對應設有至少一第二可拆結合部，該第一可拆結合部與該第二可拆結合部相互扣合，使該模組載體可拆卸式地固定於該穿戴本體上。
如請求項2所述之穿戴式智能安全警示裝置，其中該第一可拆結合部及該第二可拆結合部係為魔鬼氈、拉鏈、鈕扣或卡扣組件之一種或其組合。
如請求項1所述之穿戴式智能安全警示裝置，其中該顯示發光模組包含一LED發光片，且該LED發光片至少設有一轉向顯示燈號及一減速煞車顯示燈號。
如請求項1所述之穿戴式智能安全警示裝置，其中該顯示發光模組為一整體式LED顯示面板。
如請求項1所述之穿戴式智能安全警示裝置，其中該姿態感測單元為慣性測量單元、陀螺儀、傾角感測器或其他動態感測元件之一種或其組合。
如請求項1所述之穿戴式智能安全警示裝置，其中該加速度感測單元用以感測負加速度量值以判定減速或煞車行為。
如請求項1所述之穿戴式智能安全警示裝置，其中該檢知控制模組進一步包含一訊號接收單元，該訊號接收單元用以接收外部控制訊號並將該控制訊號傳送至該控制單元。
如請求項8所述之穿戴式智能安全警示裝置，其中該外部控制訊號係由設置於車把位置之轉向切換開關及減速煞車開關所發出。
如請求項1所述之穿戴式智能安全警示裝置，其中該顯示發光模組為分離式之顯示燈組，該顯示燈組包含至少一轉向燈組及一減速煞車燈組。
一種冷氣室內機之關機顯示模組，包含：<br/>一顯示單元；及<br/>一控制單元，與該顯示單元及一冷氣室內機的一控制電路訊號連接，在該控制電路接收到來自一遙控器的關機訊號時，該控制電路將該冷氣室內機的關機狀態訊息發送給該控制單元，該控制單元依此控制該顯示單元顯示一視覺信號，當該控制電路停止發送該關機狀態訊息時，該控制單元控制該顯示單元停止顯示該視覺信號，<br/>其中，當該視覺信號顯示時，該冷氣室內機執行一延遲關機程序。
如請求項1所述之冷氣室內機之關機顯示模組，其中該延遲關機程序係指送風運轉、蒸發器乾燥運轉或自體清潔運轉之其中一種或其組合。
如請求項1所述之冷氣室內機之關機顯示模組，其中該顯示單元為LED燈、多段顯示器或液晶顯示螢幕。
如請求項1所述之冷氣室內機之關機顯示模組，其中該顯示單元設置於該冷氣室內機的面板上，該控制單元設置於該冷氣室內機內部。
如請求項1所述之冷氣室內機之關機顯示模組，進一步包含一電力單元，與該冷氣室內機的一電力管理模組電連接，也與該顯示單元及該控制單元電連接，將來自該電力管理模組的系統電力轉換為工作電力，提供給該顯示單元及該控制單元。
如請求項1所述之冷氣室內機之關機顯示模組，其中該延遲關機程序之執行時間為5至30分鐘。
如請求項1所述之冷氣室內機之關機顯示模組，其中該視覺信號為特定波長亮光、特定波長閃光或具備進度示意之圖形化進度條。
如請求項7所述之冷氣室內機之關機顯示模組，其中若該視覺信號為圖形化進度條，該控制單元進一步計算完全關機剩餘時間，用以控制該圖形化進度條顯示該延遲關機程序結束之倒數時間。
如請求項1所述之冷氣室內機之關機顯示模組，其中該控制電路偵測蒸發器之溫度或濕度，當該溫度或濕度降至預設值後停止該延遲關機程序進而該控制單元控制該顯示單元停止顯示該視覺信號。
一種結合三維情境建構與人工智慧手勢辨識之心肺復甦訓練輔助系統，係至少包含：<br/>至少一三維急救情境建構模組，係可建立一急救場景並模擬至少一虛擬患者供使用者進行CPR訓練；<br/>至少一硬體感測裝置模組，係偵測取得該使用者的身體動作及手部位置之數據；<br/>至少一人體姿態與手勢辨識模組，係連接該硬體感測裝置模組接收其偵測之數據，該人體姿態與手勢辨識模組依據該數據建構該使用者的人體骨架關節模型，並精準追蹤該使用者的手部位置及身體重心變化；<br/>至少一CPR動作判讀演算模組，係連接該人體姿態與手勢辨識模組，該CPR動作判讀演算模組依據該人體姿態與手勢辨識模組所追蹤之手部位置與身體重心變化，判讀該使用者的CPR動作是否符合標準；<br/>至少一即時回饋與評分模組，係連接該CPR動作判讀演算模組，該即時回饋與評分模組依據該CPR動作判讀演算模組的判讀即時回饋提示該使用者修正CPR動作並進行計分；以及<br/>至少一訓練資料管理模組，係連接該CPR動作判讀演算模組與該即時回饋與評分模組，該訓練資料管理模組儲存該使用者的訓練紀錄並生成一量化報告。
如請求項1所述之一種結合三維情境建構與人工智慧手勢辨識之心肺復甦訓練輔助系統，其中該硬體感測裝置模組至少包含一RGB攝影機、一深度感測器、一紅外線感測器及一慣性感測器，該RGB攝影機係擷取該使用者之可見光動作影像，該深度感測器係取得該使用者的身體與手部在三維空間中之相對位置，該紅外線感測器係在低光源場景下辨識該使用者的動作特徵，該慣性感測器係偵測該使用者手部的加速度與方向變化。
如請求項1或2所述之一種結合三維情境建構與人工智慧手勢辨識之心肺復甦訓練輔助系統，其中該硬體感測裝置模組更包含一壓力感測墊，該壓力感測墊係偵測該使用者的按壓力道。
如請求項1所述之一種結合三維情境建構與人工智慧手勢辨識之心肺復甦訓練輔助系統，其中該三維急救情境建構模組至少包含一環境場景資料庫與一虛擬患者模型，該環境場景資料庫儲存有多個環境場景，該虛擬患者模型儲存有多種患者的生命體徵，該三維急救情境建構模組依據該環境場景資料庫與虛擬患者模型建立該急救場景並模擬該虛擬患者。
如請求項1所述之一種結合三維情境建構與人工智慧手勢辨識之心肺復甦訓練輔助系統，其中該人體姿態與手勢辨識模組至少包含一人體骨架建構單元與一手部動作追蹤單元，該人體骨架建構單元係依據該偵測之數據建構該使用者的人體骨架關節模型，該手部動作追蹤單元係依據該人體骨架關節模型與該偵測數據精確追蹤該使用者的手部位置與身體重心之變化。
如請求項1所述之一種結合三維情境建構與人工智慧手勢辨識之心肺復甦訓練輔助系統，其中該CPR動作判讀演算模組至少包含一按壓位置計算單元、一深度推算單元、一頻率分析單元與一姿勢比對單元，該按壓位置計算單元係依據該使用者的手部位置變化整合計算出該使用者的按壓位置，該深度推算單元係依據該使用者的手肘角度與身體重心變化整合推算出該使用者的按壓深度，該頻率分析單元係依據使用者的手部位置與身體重心變化整合計算出該使用者的按壓頻率，該姿勢比對單元係依據國際CPR急救標準與該使用者的按壓位置、按壓深度及按壓頻率進行比對，判讀該使用者的CPR動作是否符合標準。
如請求項1所述之一種結合三維情境建構與人工智慧手勢辨識之心肺復甦訓練輔助系統，其中該即時回饋與評分模組至少包含一視覺提示單元、一語音指導單元與一分數計算單元，該視覺提示單元係在該使用者的CPR動作不標準時發出提示，該語音指導單元係在該使用者的CPR動作不標準時給予語音指導，該分數計算單元係在該使用者進行CPR訓練時進行計分。
如請求項1所述之一種結合三維情境建構與人工智慧手勢辨識之心肺復甦訓練輔助系統，其中該訓練資料管理模組至少包含一動作紀錄資料庫與一訓練報告產生單元，該動作紀錄資料庫係儲存該使用者的CPR訓練數據，該訓練報告產生單元係將該使用者的CPR訓練數據統整生成該量化報告。
一種指環按摩裝置，包括：<br/> 一指環本體，該指環本體區分有一內環面及一外環面；及<br/> 一作用部，設置於該指環本體，並且，該作用部以一連接部連接該外環面，該作用部包含：<br/> 至少一凸狀物，設置並固定於該作用部，用以對身體部位進行加壓並給予刺激。
如請求項1所述之指環按摩裝置，其中，該指環本體的材質包含：金屬、合金、木頭、塑膠、橡膠、矽膠任一或其任意組合。
如請求項1所述之指環按摩裝置，其中，該凸狀物的材質包含：金屬、合金、木頭、塑膠、橡膠、矽膠任一或其任意組合。
如請求項1所述之指環按摩裝置，其中，該內環面設置有一止滑部。
如請求項1所述之指環按摩裝置，其中，該指環本體包含一加溫模組，該加溫模組設置於該內環面與該外環面構成的一容置空間。
如請求項5所述之指環按摩裝置，其中，該指環本體更包含一充電部，該充電部設置於該容置空間並接觸該外環面。
如請求項1所述之指環按摩裝置，其中，該連接部包含：滾珠、軸承、磁吸件、卡扣件、螺紋緊固件、黏膠任一或其任意組合。
如請求項1所述之指環按摩裝置，其中，該連接部係一滾珠，該作用部環設於該指環本體並相對於該指環本體滾動。
如請求項1所述之指環按摩裝置，其中，該連接部係一軸承，並且該連接部包含一彈簧。
如請求項9所述之指環按摩裝置，其中，該凸狀物設置有一孔洞，並且，該連接部更包含一細管，該細管連接該孔洞至該內環面與該外環面構成的一容置空間內。
一種飾品改良結構，包含有：<br/> 一飾品本體，呈塊體狀而具有間隔設置之一上表面與一下表面，並於該上表面與該下表面的周緣之間連接有一環周面，該上表面及該下表面的周緣分別圈圍構成有一地理區域平面疆域之輪廓形狀，而該環周面於相互遠離的兩相對側上分別形成有一第一造型部與一第二造型部，且該第一造型部與該第二造型部分別由一第一立體字串及一第二立體字串所排列構成。
如請求項1所述的飾品改良結構，其中，該地理區域平面疆域之輪廓形狀係由一國家疆域之輪廓形狀所構成。
如請求項1所述的飾品改良結構，其中，該地理區域平面疆域之輪廓形狀係由台灣島之輪廓形狀所構成。
如請求項1所述的飾品改良結構，其中，該第一立體字串與該第二立體字串分別由不同之英文字串所排列構成。
如請求項4所述的飾品改良結構，其中，該第一立體字串由一「TAIWAN」之英文字串排列構成，而該第二立體字串由一「TEAM」之英文字串排列構成。
如請求項1所述的飾品改良結構，其中，該第一立體字串與該第二立體字串分別由不同之中文字串所排列構成。
如請求項1所述的飾品改良結構，其中，該第一立體字串與該第二立體字串至少其中之一係由文字結合數字所排列構成。
如請求項1所述的飾品改良結構，其中，該環周面上更凸設形成有一具穿孔之掛環部。
如請求項1所述的飾品改良結構，其中，該飾品本體上更開設有一可供鑰匙圈或繩體穿設之開孔。
一種折疊式容器結構，其包括：<br/> 一底板，所述底板具有多個側邊；<br/> 多個側板，所述多個側板的一側分別以一第一折線連接於所述底板的所述多個側邊，使所述多個側板能相對於所述底板擺動；以及<br/> 多個連接板組，所述多個連接板組分別設置於所述多個側板之間，所述多個連接板組的兩側分別以一第二折線與相鄰的兩個所述側板的一側連接，所述多個連接板組各包含多個連接板，相鄰的兩個所述連接板之間各以一第三折線連接，所述多個連接板能以所述第二折線及所述第三折線彎折，使所述連接板組的所述多個連接板能彎折呈曲折狀，每一所述連接板組靠近兩側的所述多個連接板以固定件分別固定於相鄰的兩個所述側板；<br/> 其中所述多個側板能豎立於所述底板上，利用所述多個側板形成容器的多邊，且所述多個連接板組分別疊置於所述多個側板的內側；所述多個側板能向外傾斜翻動，利用所述多個側板及所述多個連接板組形成容器的多邊。
如請求項1所述的折疊式容器結構，其中，所述底板呈四邊形板體，所述多個側板呈方形板體。
如請求項1所述的折疊式容器結構，其中，每一所述連接板組區分為一中間區域及兩側部區域，所述兩側部區域位於所述中間區域的兩側，所述多個連接板分別分布於所述中間區域及所述兩側部區域，位於所述兩側部區域的所述連接板以所述固定件固定於鄰接的所述側板。
如請求項1所述的折疊式容器結構，其中，相鄰的兩個所述側板的一側相互垂直，所述連接板組設置於相鄰的兩個所述側板相互垂直的一側之間。
如請求項1所述的折疊式容器結構，其中，所述連接板的寬度由內向外遞增。
如請求項1所述的折疊式容器結構，其中，所述固定件設置於所述連接板組上遠離所述底板的位置。
如請求項1所述的折疊式容器結構，其中，所述固定件為鉚釘。
如請求項1所述的折疊式容器結構，其中，還包括多個外飾板，所述多個外飾板分別貼設於所述多個側板的外側。
如請求項1所述的折疊式容器結構，其中，還包括一底飾板，所述底飾板貼設於所述底板的外側。
一種折疊式容器結構，其包括：<br/> 一底板，所述底板具有四個側邊；<br/> 四個側板，所述四個側板的一側分別以一第一折線連接於所述底板的所述四個側邊，使所述四個側板能相對於所述底板擺動；以及<br/> 四個連接板組，所述四個連接板組分別設置於所述四個側板之間，所述四個連接板組的兩側分別以一第二折線與相鄰的兩所述側板的一側連接，所述四個連接板組各包含多個連接板，相鄰的兩個所述連接板之間各以一第三折線連接，所述多個連接板能以所述第二折線及所述第三折線彎折，使所述連接板組的所述多個連接板能彎折呈曲折狀，每一所述連接板組靠近兩側的所述多個連接板以固定件分別固定於相鄰的兩個所述側板；<br/> 其中所述四個側板能豎立於所述底板上，利用所述四個側板形成容器的四邊，且所述四個連接板組分別疊置於所述四個側板的內側；所述四個側板能向外傾斜翻動，利用所述四個側板及所述四個連接板組形成容器的多邊。
一種凝膠運動器材，包括：<br/> 一容置體及一載體；<br/> 該容置體具有一外殼、一容置空間及一注入孔，該外殼具有一容置空間，該注入孔設置於該外殼，且該注入孔連通至該容置空間；<br/> 該載體位於該容置空間，該載體包含2~6 wt%的明膠、0.1~0.15 wt%的聚丙烯酸鈉及餘量的水使三者總合為100 wt%。
如請求項1所述之凝膠運動器材，其中，該外殼係呈球體。
如請求項1所述之凝膠運動器材，其中，另具有一把手，該把手設置於該外殼上。
如請求項1所述之凝膠運動器材，其中，水的百分比為93.85~97.9 wt%。
一種軟水控制閥，其包括閥體外殼； <br/>所述閥體外殼上設有控制閥進水口、控制閥出水口、射流器進水口、射流器出水口、射流器吸水口、吸鹽口、排污口、樹脂桶連通口、中心管連通口，射流器通過所述射流器進水口、所述射流器出水口和所述射流器吸水口安裝於閥體外部； <br/>所述閥體外殼內設有控制腔，所述控制腔內設有格柵，所述格柵內設有活塞，所述控制腔通過所述格柵被分隔為出水柵格區、逆流吸鹽柵格區、排污柵格區、順流吸鹽柵格區、進水柵格區，所述吸鹽口與所述射流器吸水口通過吸鹽腔相連通，所述吸鹽腔內配合安裝有與所述活塞相連的吸鹽拉桿，通過所述吸鹽拉桿的運動控制所述吸鹽口與所述射流器吸水口的通斷以及所述吸鹽口與所述進水柵格區的通斷； <br/>所述軟水控制閥的工作狀態包括逆流狀態和/或順流狀態：所述逆流狀態下，所述出水柵格區與所述控制閥出水口以及所述射流器進水口相連通，所述逆流吸鹽柵格區與所述中心管連通口以及所述射流器出水口相連通，所述排污柵格區與所述排污口相連通，所述順流吸鹽柵格區與所述樹脂桶連通口相連通，所述進水柵格區與所述控制閥進水口相連通；所述順流狀態下，所述出水柵格區與所述控制閥出水口相連通，所述逆流吸鹽柵格區與所述中心管連通口相連通，所述排污柵格區與所述排污口相連通，所述順流吸鹽柵格區與所述樹脂桶連通口以及所述射流器出水口相連通，所述進水柵格區與所述控制閥進水口以及所述射流器進水口相連通。
如請求項1所述的軟水控制閥，其中，所述閥體外殼上設置有兩組射流器安裝口，即由第一射流器進水口、第一射流器出水口和所述射流器吸水口組成的第一組射流器安裝口，以及由第二射流器進水口、第二射流器出水口和所述射流器吸水口組成的第二組射流器安裝口；所述第一射流器進水口與所述出水柵格區相連通，所述第一射流器出水口與所述逆流吸鹽柵格區相連通，所述第二射流器進水口與所述進水柵格區相連通，所述第二射流器出水口與所述順流吸鹽柵格區相連通。
如請求項1所述的軟水控制閥，其中，所述格柵與所述控制腔緊密接觸形成若干個連接位置，每個所述連接位置構成一個隔離位，即第一隔離位、第二隔離位、第三隔離位、第四隔離位、第五隔離位、第六隔離位，所述射流器吸水口與所述吸鹽腔的連通處設有補水吸鹽區，所述補水吸鹽區設有第七隔離位和第八隔離位。
如請求項3所述的軟水控制閥，其中，所述吸鹽拉桿上設置有補水凹槽和吸鹽凹槽，所述吸鹽拉桿的凹槽區域與所述第七隔離位、所述第八隔離位配合時流通流體，所述吸鹽拉桿的非凹槽區域與所述第七隔離位、所述第八隔離位配合時阻斷流體。
如請求項4所述的軟水控制閥，其中，所述活塞包括兩端的大徑段，即第一大徑段和第二大徑段，以及兩段所述大徑段之間的小徑段，通過所述大徑段的側壁對部分柵格區進行封堵，通過所述活塞的運動改變封堵的柵格區。
如請求項5所述的軟水控制閥，其中，所述逆流狀態包括逆流工作位置、逆流補水位置、逆流吸鹽位置、逆流反洗位置、逆流正洗位置； <br/>所述逆流工作位置時，所述活塞的所述第一大徑段的側壁與所述第一隔離位抵接，所述活塞的所述第二大徑段的側壁與所述第三隔離位和所述第四隔離位抵接，所述活塞側壁與其他隔離位不抵接，所述第七隔離位、所述第八隔離位均與所述吸鹽拉桿的所述非凹槽區域抵接； <br/>所述逆流補水位置時，所述活塞的所述第一大徑段的側壁與所述第一隔離位抵接，所述活塞的所述第二大徑段的側壁與所述第三隔離位和所述第四隔離位抵接，所述活塞側壁與其他隔離位不抵接，所述第八隔離位與所述吸鹽拉桿的所述吸鹽凹槽正對，且所述第七隔離位與所述吸鹽拉桿的所述非凹槽區域抵接； <br/>所述逆流吸鹽位置時，所述活塞的所述第一大徑段的側壁與所述第二隔離位抵接，所述活塞的所述第二大徑段的側壁與所述第三隔離位和所述第五隔離位抵接，所述活塞側壁與其他隔離位不抵接，所述第八隔離位與所述吸鹽拉桿的所述補水凹槽正對，且所述第七隔離位與所述吸鹽拉桿的所述非凹槽區域抵接； <br/>所述逆流反洗位置時，所述活塞的所述第一大徑段的側壁與所述第三隔離位抵接，所述活塞的所述第二大徑段的側壁與所述第五隔離位抵接，所述活塞側壁與其他隔離位不抵接，所述第八隔離位與所述第七隔離位均與所述吸鹽拉桿的所述非凹槽區域抵接； <br/>所述逆流正洗位置時，所述活塞的所述第一大徑段的側壁與所述第二隔離位抵接，所述活塞的所述第二大徑段的側壁與所述第四隔離位抵接，所述活塞側壁與其他隔離位不抵接，所述第八隔離位與所述第七隔離位均與所述吸鹽拉桿的所述非凹槽區域抵接。
如請求項5所述的軟水控制閥，其中，所述順流狀態包括順流工作位置、順流補水位置、順流吸鹽位置、順流反洗位置、順流正洗位置； <br/>所述順流工作位置時，所述活塞的所述第一大徑段的側壁與所述第一隔離位抵接，所述活塞的所述第二大徑段的側壁與所述第三隔離位和所述第四隔離位抵接，所述活塞側壁與其他隔離位不抵接，所述第七隔離位、所述第八隔離位均與所述吸鹽拉桿的所述非凹槽區域抵接； <br/>所述順流補水位置時，所述活塞的所述第一大徑段的側壁與所述第一隔離位抵接，所述活塞的所述第二大徑段的側壁與所述第三隔離位和所述第四隔離位抵接，所述活塞側壁與其他隔離位不抵接，所述第八隔離位與所述吸鹽拉桿的所述吸鹽凹槽正對，且所述第七隔離位與所述吸鹽拉桿的所述補水凹槽正對； <br/>所述順流吸鹽位置時，所述活塞的所述第一大徑段的側壁與所述第二隔離位抵接，所述活塞的所述第二大徑段的側壁與所述第四隔離位和所述第五隔離位抵接，所述活塞側壁與其他隔離位不抵接，所述第八隔離位與所述吸鹽拉桿的所述補水凹槽正對，且所述第七隔離位與所述吸鹽拉桿的所述非凹槽區域抵接； <br/>所述順流反洗位置時，所述活塞的所述第一大徑段的側壁與所述第三隔離位抵接，所述活塞的所述第二大徑段的側壁與所述第五隔離位抵接，所述活塞側壁與其他隔離位不抵接，所述第八隔離位與所述第七隔離位均與所述吸鹽拉桿的所述非凹槽區域抵接； <br/>所述順流正洗位置時，所述活塞的所述第一大徑段的側壁與所述第二隔離位抵接，所述活塞的所述第二大徑段的側壁與所述第四隔離位抵接，所述活塞側壁與其他隔離位不抵接，所述第八隔離位與所述第七隔離位均與所述吸鹽拉桿的所述非凹槽區域抵接。
如請求項1所述的軟水控制閥，其中，所述閥體外殼上安裝有樹脂桶接頭，所述樹脂桶接頭內通過開設通孔形成所述樹脂桶連通口和所述中心管連通口，所述樹脂桶連通口連通至樹脂桶，所述中心管連通口連通至所述樹脂桶內的中心管。
如請求項1所述的軟水控制閥，其中，所述活塞相對於所述吸鹽拉桿的另一端安裝有傳動拉桿，所述傳動拉桿與傳動機構相連。
一種便攜式麥克風消毒裝置，包含有：<br/> 一袋體，具有一開口及一設於該開口處之封口部，該封口部可用以封閉該開口，使該袋體之內部可形成有一用以容納一麥克風的封閉空間；<br/> 一充填有高壓氣體及滅菌劑之噴罐，該噴罐設有一控制閥及一霧化噴嘴，該控制閥用以控制其內部高壓氣體與滅菌劑可經由該霧化噴嘴之出口端向外噴出，且以該霧化噴嘴之出口端相對接設於該袋體之一側上而與該封閉空間相通，使該控制閥開啟時，位於該噴罐內之滅菌液可受高壓空氣的推擠而相互混合，接著再經由該霧化噴嘴之出口端霧化形成一滅菌煙霧後噴入於該封閉空間中，以可對容納於該封閉空間中的麥克風進行全面無死角的滅菌消毒工作。
如請求項1所述之便攜式麥克風消毒裝置，其中，該袋體於一側上設有一接合件，該接合件之內部形成有一與該封閉空間相互連通的通道，該通道於相對遠離該封閉空間之一端形成有一與外界相通的接合端，且以該霧化噴嘴之出口端相對接設於該接合件之接合端上而與該封閉空間相通。
如請求項2所述之便攜式麥克風消毒裝置，其中，在該接合件之通道中設有一個二級霧化噴嘴，所述二級霧化噴嘴可霧化之粒徑尺寸小於該霧化噴嘴可霧化之粒徑尺寸，使進入於該接合件通道中之滅菌煙霧可進一步被細化後再噴入於該封閉空間中。
如請求項2所述之便攜式麥克風消毒裝置，其中，該霧化噴嘴之出口端與該接合件之接合端上分別設有可相互鎖接或旋扣之對接結構，而使該霧化噴嘴之出口端可拆卸地結合於該接合件之接合端上。
一種便攜式麥克風消毒裝置，包含有：<br/> 一袋體，具有一開口及一設於該開口處之封口部，該封口部可用以封閉該開口，使該袋體之內部可形成有一用以容納一麥克風的封閉空間；<br/> 一充填有高壓氣體及滅菌劑之噴罐，該噴罐設有一控制閥及一霧化噴嘴，該控制閥用以控制其內部高壓氣體與滅菌劑可經由該霧化噴嘴之出口端向外噴出，且該噴罐容設於該封閉空間中，使該控制閥開啟並封閉該袋體之開口時，位於該噴罐內之滅菌液可受高壓空氣的推擠而相互混合，接著再經由該霧化噴嘴之出口端霧化形成一滅菌煙霧後噴入於該封閉空間中，以可對容納於該封閉空間中的麥克風進行全面無死角的滅菌消毒工作。
如請求項1或5所述之便攜式麥克風消毒裝置，其中，該封口部係由夾鏈壓條、魔鬼氈、黏膠層、拉鍊或綁束帶構成。
如請求項1或5所述之便攜式麥克風消毒裝置，其中，該控制閥係由一按壓式控制閥構成，而可透過按壓開啟該控制閥。
如請求項1或5所述之便攜式麥克風消毒裝置，其中，控制閥係由一旋動式控制閥構成，而可透過以旋轉方式開啟該控制閥。
如請求項1或5所述之便攜式麥克風消毒裝置，其中，該袋體係由具可撓性的軟性材質製成。
如請求項1或5所述之便攜式麥克風消毒裝置，其中，該袋體係由塑料材質製成透明袋狀。
一種球網高度快速切換的裝置，包括： <br/>二個球網柱(1)，其至少一個該球網柱(1)設有至少二個固定件(13)以及至少一柱鉤(14)； <br/>一主繩(2)，該主繩(2)形成一主繩左端(2L)及一主繩右端(2R)，且該主繩左端(2L)及該主繩右端(2R)至少一端係由一張力調整組件(3)連接於該至少一個該球網柱(1)； <br/>該張力調整組件(3)，其係設置於該主繩(2)與該球網柱(1)之間，該張力調整組件(3)的一側係連接於該主繩左端(2L)或該主繩右端(2R)，並且該張力調整組件(3)的另一側連接於該球網柱(1)的該固定件(13)； <br/>一球網(4)，係設置於該主繩(2)的該主繩左端(2L)與該主繩右端(2R)之間，且該主繩(2)係穿設於該球網(4)的一上緣部(41)以使該球網(4)懸掛於該主繩(2)，並且該球網(4)的一下緣部(43)與該球網(4)的一球網側(42)所形成的交接處係與該柱鉤(14)連接； <br/>其中，該主繩(2)用以提供該球網(4)的該上緣部(41)支撐，且該張力調整組件(3)用以選擇性地釋放該主繩(2)及將該主繩(2)重新施加張力，以使該球網(4)能夠於該球網柱(1)的固定件(13)進行高度位置的切換； <br/>其中，透過該主繩(2)的一端直接連接或間接連接於該球網柱(1)形成一固定基準側，並由該主繩(2)的另一端透過該張力調整組件(3)連接於該球網柱(1)形成一張力調整側。
如請求項1所述之球網高度快速切換的裝置，其中，當該主繩(2)的一端或該端所設置之該張力調整組件(3)未作用時，該主繩(2)的該端作為該固定基準側，並由該主繩(2)的另一端係作為該張力調整側，且透過該張力調整側的該張力調整組件(3)將該主繩(2)放鬆或拉緊，以使該球網(4)的高度快速切換；其中該固定基準側係將主繩(2)係透過該張力調整組件(3)連接，或者將該主繩(2)直接綁固於該固定件(13)或該球網柱(1)。
如請求項2所述之球網高度快速切換的裝置，其中，該至少二個固定件(13)係彼此呈間隔設置，並且該至少二個固定件(13)的一第一固定件(131)係位於該至少二個固定件(13)的一第二固定件(132)的較高位置，且該第一固定件(131)至該球網柱(1)的一底部的高度形成一第一固定件高度位置(H1)，該第二固定件(132)至該球網柱(1)的該底部的高度形成一第二固定件高度位置(H2)。
如請求項1所述之球網高度快速切換的裝置，其中，該張力調整組件(3)係為任何可選擇性施加或釋放張力之機構，並且該張力調整組件(3)更具有一扣環件(31)以及一自鎖件(32)，該扣環件(31)係設置於該固定件(13)，且由該主繩(2)透過該自鎖件(32)調整該主繩(2)的一張力狀態，使該主繩(2)呈現一緊繃狀態。
如請求項4所述之球網高度快速切換的裝置，其中，該張力調整組件(3)的該自鎖件(32)還具有一釋放件(33)，且透過該釋放件(33)將該主繩(2)鬆弛，使該主繩(2)自該自鎖件(32)拆卸，以及使該張力調整組件(3)能夠於不同的該固定件(13)相互切換。
如請求項1所述之球網高度快速切換的裝置，其中，該固定基準側的該球網柱(1)係為一升降柱，且該升降柱包含一上升段(121)及一底段(122)，該上升段(121)與該底段(122)呈相互套設樣態且能夠呈相對運動，以使該球網柱(1)的高度位置能固定於球類需要的高度位置。
如請求項6所述之球網高度快速切換的裝置，其中，該固定基準側的該主繩(2)係直接綁固於該上升段(121)，並可藉由繩結、扣件或綁帶的固定方式，使該主繩(2)受張力時仍能穩定定位於該上升段(121)，而不致產生鬆脫或位移。
如請求項1、4或7任一項所述之球網高度快速切換的裝置，其中，該球網高度快速切換的裝置(100)還具有至少一個定位繩(5)，其係設置於該球網(4)的一左網側(421)及/或該球網(4)的一右網側(422)，並且該定位繩(5)係與該球網柱(1)連接或間接連接，使該左網側(421)及該右網側(422)貼附於該球網柱(1)；且，該主繩(2)所設置的高度係高於任一該定位繩(5)所設置的高度。
如請求項8所述之球網高度快速切換的裝置，其中，該定位繩(5)係與該固定件(13)連接，或者該定位繩(5)直接綁固於該球網柱(1)，使該定位繩(5)固定於該球網柱(1)。
如請求項7所述之球網高度快速切換的裝置，其中該升降柱還具有一定位結構，該定位結構用以將該升降柱的高度位置固定於球類需要的高度位置。
如請求項10所述之球網高度快速切換的裝置，其中，該定位結構係為一旋轉卡制件。
如請求項1所述之球網高度快速切換的裝置，其中，該固定基準側係透過一連接組件(30)將該主繩(2)與該球網柱(1)直接連接或間接連接。
如請求項1所述之球網高度快速切換的裝置，其中，該固定件(13)具有一環形固定件(1301)及一連接構件(1302)，透過該連接構件(1302)將該環形固定件(1301)固定於該球網柱(1)，以使該張力調整組件(3)能夠掛扣於該環形固定件(1301)，從而使該張力調整組件(3)能於設置於不同高度之該等固定件(13)間進行掛扣切換。
如請求項1所述之球網高度快速切換的裝置，其中，該固定件(13)係為一體成形於該球網柱(1)或為獨立構件設置於該球網柱(1)。
如請求項1所述之球網高度快速切換的裝置，其中，該固定件(13)係為掛扣件、孔洞、卡槽或其他可供該主繩(2)或該張力調整組件(3)連接之結構。
一種電子表單系統，包含：<br/> 一辨識模組，由一影像擷取單元擷取一紙本表單之一影像檔，該辨識模組分析該影像檔產生一原始電子表單；<br/> 一表單建立模組，耦合連接該辨識模組，該表單建立模組定位及分類該原始電子表單的文字及欄位，並設置至少一互動元件，產生一正式電子表單；<br/> 一驗證模組，由一感應單元讀取一使用者之一身分代碼，該驗證模組驗證該身分代碼是否正確，並在確認正確後產生一核准代碼；<br/> 一填表模組，分別耦合連接該表單建立模組及該驗證模組，該填表模組依據該核准代碼提供該使用者填寫該正式電子表單，並在填寫完成後以結構化格式儲存為一數位表單；及<br/> 一加密模組，耦合連接該填表模組，該加密模組對該數位表單建立不可竄改紀錄、生成一數位簽章及嵌入一隱藏浮水印。
如請求項1之電子表單系統，其中，該辨識模組透過影像前處理去除該影像檔中的影像雜訊，及透過光學字元辨識將該影像檔中的文字轉換為系統可讀取及編輯的編碼文字，並定位文字及對應填寫欄位在該原始電子表單的位置。
如請求項1之電子表單系統，其中，該至少一互動元件包括輸入格、下拉選單、勾選格、簽名區的至少其中一種。
如請求項1之電子表單系統，其中，該使用者之該身分代碼以微型晶片設置於識別證，或以行動裝置的軟體形成虛擬卡，由該感應單元透過近場通訊裝置感應取得該身分代碼。
如請求項1之電子表單系統，其中，該表單建立模組包含一人工智慧模型，該人工智慧模型對該原始電子表單進行文字辨識及欄位定位，自動產生該正式電子表單。
如請求項1之電子表單系統，其中，該加密模組以雜湊鏈技術計算該數位表單的資料摘要，並將該身分代碼、該資料摘要、一時間戳記及上一個雜湊值組合為一事件，以一雜湊函式迴圈計算當下的雜湊值，產生不可竄改之一認證識別碼。
如請求項6之電子表單系統，其中，該加密模組將該認證識別碼、該雜湊值、該身分代碼及該時間戳記組成簽章資料，並以一私鑰生成該數位簽章。
如請求項7之電子表單系統，其中，該私鑰不可逆生成之一公鑰用於驗證該數位簽章。
如請求項6之電子表單系統，其中，該加密模組以隱形碼演算法將該認證識別碼、該雜湊值及該身分代碼生成該隱藏浮水印，並放入該數位表單的文件背景。
如請求項1之電子表單系統，另具有一離線驗證模組，該離線驗證模組預先儲存一公鑰，在未連線至伺服器狀態下，掃描該數位表單上的數位簽章或偵測該隱藏浮水印，判斷該數位表單的真偽。
一種投幣器結構，其主要於一投幣器本體內部設有電路基板，該電路基板上架構有控制單元及啟動幣值設定的設定單元，再於該投幣器本體上設有顯示幕，該顯示幕連結該控制單元，其特徵在於：<br/> 該投幣器本體上設有一通道選擇模組，該通道選擇模組包含有多數個通道開關，且對應連結該控制單元，再於該電路基板上設有一發光模組，該發光模組由多數個LED燈所組成，且每一LED燈分別對應其一該通道開關而設；<br/> 其中，在幣種設定下可選擇性啟動至少一個該通道開關。
如請求項1所述投幣器結構，其中該通道選擇模組設有五個通道開關，而該發光模組對應該通道選擇模組設有五個LED燈。
如請求項1或2所述投幣器結構，其中該通道選擇模組之通道開關為採用指撥開關。
如請求項1或2所述投幣器結構，其中該電路基板上設有防止強波干擾的濾波器。
一種底板結構，包含：<br/> 一底座，具有一本體及複數個鰭片，該本體具有一吸熱側及相對該吸熱側之一導熱側，該些鰭片設置於該導熱側上，且該些鰭片與該導熱側之間形成複數條液冷流道，其中該些鰭片的頂端設有一遮蓋部及一外露部，該遮蓋部用於遮蓋該些液冷流道及/或該些鰭片的頂端，該外露部用於形成複數個連通該些液冷流道的開口。
如請求項1所述的底板結構，其中該遮蓋部包含至少一擋止件，覆設於該些鰭片的頂端上，該些鰭片的該外露部未被該擋止件覆蓋而裸露在外，並在該外露部形成該些開口。
如請求項1所述的底板結構，其中該遮蓋部包含至少一折邊，該折邊與該鰭片係一體成形。
如請求項3所述的底板結構，其中該折邊包含一固定端及一自由端，該固定端連接該鰭片，該自由端抵靠或越過相鄰的另一該鰭片。
如請求項2所述的底板結構，其中擋止件具有至少一結合部及一止擋部，該結合部與該些鰭片的頂端結合，該止擋部用以止擋至少一接合材。
如請求項5所述的底板結構，更包含：<br/> 一焊接固定部，設於該結合部與該些鰭片上，以連接該結合部與該些鰭片。
如請求項6所述的底板結構，其中該焊接固定部包含複數個焊接點，該些焊接點係排列成直線狀、斜線狀、曲線狀、鋸齒線狀、波浪線狀或蜿蜒線狀。
一種液冷散熱器，包含：<br/> 一底板結構，包含一底座，具有一本體及複數個鰭片，該本體具有一吸熱側及相對該吸熱側之一導熱側，該些鰭片設置於該導熱側上，且該些鰭片與該導熱側之間形成複數條液冷流道，其中該些鰭片的頂端設有一遮蓋部及一外露部，該遮蓋部用於遮蓋該些液冷流道及/或該些鰭片的頂端，該外露部用於形成複數個連通該些液冷流道的進水開口及出水開口；<br/> 一通道結構，設於該底板結構上並罩蓋該些鰭片，該通道結構與該底板結構共同形成一冷液流通道，該冷液流通道包含設於該通道結構內的至少一進水通道與一出水通道及設於該底板結構的該些液冷流道、該些進水開口與該些出水開口，且該進水通道與該出水通道係分別經由該些進水開口及該些出水開口連通該些液冷流道；以及<br/> 一接合材，設於該通道結構與該遮蓋部之間，以將該通道結構固設於該底板結構上。
如請求項8所述的液冷散熱器，其中該遮蓋部包含至少一擋止件，覆設於該些鰭片的頂端上，該些鰭片的該外露部未被該擋止件覆蓋而裸露在外，並在該外露部形成該些進水開口及該些出水開口，該通道結構具有至少一溝槽以容納該擋止件及該接合材。
如請求項8所述的液冷散熱器，其中該遮蓋部包含至少一折邊，該折邊與該鰭片係一體成形。
如請求項8所述的液冷散熱器，更包含：<br/> 一上蓋結構，設置於該通道結構上，該上蓋結構具有一進水口及一出水口，該進水通道連通該進水口，該出水通道連通該出水口。
一種智慧型霧化天窗玻璃膜，其包括有：<br/> 一調光膜，其係貼附於一汽車天窗的內側，該調光膜包括一第一透明基板、一第二透明基板、一設於該第一透明基板與該第二透明基板之間的透明導電層及一夾設於該透明導電層之間的高分子分散液晶層；以及<br/> 一控制模組，其係與該調光膜及該汽車的電源電性連接，並配置有至少一輸入介面，以接收至少一控制指令，透過該控制指令控制該電源對該調光膜通電或斷電，通電時使該高分子分散液晶層內之液晶分子沿電場方向有序排列，使該調光膜形成透明狀態，斷電時該高分子分散液晶層內之液晶分子呈無序排列，使該調光膜形成霧化不透明狀態。
如請求項1所述之智慧型霧化天窗玻璃膜，其中該輸入介面為一按鍵開關，該按鍵開關提供設置於該汽車內之任一位置，藉由按壓該按鍵開關，產生對應之電信號輸入至該控制模組，以控制該調光膜通電或斷電。
如請求項1所述之智慧型霧化天窗玻璃膜，其中該輸入介面為一無線接收單元及一遙控發射器，該遙控發射器發射一無線控制訊號，該無線接收單元接收並解碼該無線控制訊號，以控制該電源對該調光膜通電或斷電。
如請求項1所述之智慧型霧化天窗玻璃膜，其中該輸入介面為一語音處理單元及一麥克風模組，該麥克風模組提供接一語音指令，該語音處理單元對該語音指令進行語音辨識以產生對應之控制命令，以控制該電源對該調光膜通電或斷電。
如請求項1所述之智慧型霧化天窗玻璃膜，其中該調光膜於斷電時阻隔至少90%的紫外線及紅外線，藉此降低陽光之光線與熱能進入該汽車內。
如請求項1所述之智慧型霧化天窗玻璃膜，其中該調光膜的邊緣更環繞結合有一封邊條，且該封邊條與該汽車天窗的周緣結合。
一種手動耦合器，適於對接型管接頭，該手動耦合器包含：<br/> 數個樁座，設置於一管之管內徑之外側，各該樁座以均等角度分佈於該管之端面外圍之一法蘭；<br/> 數個凸塊，對應地設置於各該樁座上，各該凸塊具有一柱體、一貫孔與一外緣塊，該貫孔貫通該柱體，該外緣塊自該柱體向外突出至該法蘭上方區域，且該外緣塊周緣具有一切面；以及<br/> 數個樁頭，各該樁頭穿過該凸塊之該貫孔後鎖固於該樁座上，使該凸塊能以該樁頭為圓心水平轉動；<br/> 其中，該樁頭具有徑向大於該貫孔之一樁帽，該凸塊之該柱體頂面可頂抵該樁帽底面；當該凸塊轉動使該外緣塊之該切面朝向該法蘭一側時，該外緣塊不遮蔽該法蘭；該外緣塊之底面具有一壓面，該壓面呈一圍繞於該柱體之螺旋斜面，該外緣塊頂面具有至少二組凹槽，用以供一板手工具卡固該凹槽並轉動該凸塊，藉由該螺旋斜面之轉動以縮減或增長該壓面與蓋合於該管內徑之一管蓋板之頂面的距離。
如請求項1所述之手動耦合器，其中，該壓面所呈之該螺旋斜面，係沿著該柱體之周圍，於該外緣塊之底面形成具有不同厚度之斜坡，以隨該凸塊之轉動角度產生漸次之垂直迫緊位移。
如請求項1所述之手動耦合器，其中，該外緣塊之該切面係為該外緣塊側緣之一退縮平面，以在該切面朝向管心時，提供該管蓋板垂直移入或移出該管內徑之讓位空間。
如請求項1所述之手動耦合器，其中，該柱體與該外緣塊係為一體成型之金屬件。
如請求項1所述之手動耦合器，其中，該至少二組凹槽係對稱或等角度環列地凹設於該外緣塊之頂面，用以提供該板手工具旋轉施力之支點。
如請求項1所述之手動耦合器，其中，該數個樁座係為二個，並以180度對稱之方式設置於該管之端面外圍之法蘭上。
如請求項1所述之手動耦合器，其中，該樁頭之下方端部具有螺紋，用以螺合固定於該樁座之內部。
如請求項1所述之手動耦合器，其中，該樁座係與該管端面之該法蘭一體成型或銲接固定。
如請求項1所述之手動耦合器，進一步包含該板手工具，該板手工具之一端部具有至少一凸條，該凸條之形狀與該外緣塊頂面之任一該凹槽之形狀相對應以進行插拔卡固。
如請求項1所述之手動耦合器，進一步包含該管蓋板，該管蓋板之周緣具有一平坦頂面，供該凸塊轉動時，該外緣塊底面之該壓面直接頂抵並滑動於該平坦頂面上。
一種車輛智慧巡查系統，其特徵在於，所述系統包含：<br/> 一車輛端子系統，設置於至少一巡查車輛上，該車輛端子系統包含一車載運算設備、一巡查資料蒐集模組及一車用電源與通訊模組，其中該巡查資料蒐集模組及該車用電源與通訊模組分別電性連接於該車載運算設備；<br/> 以及<br/> 一系統端子系統，其包含一中控端平台、一資料儲存與管理模組及一巡查任務管理平台，其中該中控端平台分別與該資料儲存與管理模組及該巡查任務管理平台電性連接；<br/> 其中，該車輛端子系統係透過該車用電源與通訊模組與該系統端子系統通訊連接，以於巡查車輛行進過程中持續蒐集巡查資料並傳送至該中控端平台進行處理與管理。
如請求項1所述之車輛智慧巡查系統，其中該系統端子系統係與複數個巡查車輛之車輛端子系統通訊連接，以同步接收並管理來自該複數個巡查車輛之巡查資料。
如請求項1所述之車輛智慧巡查系統，其中該巡查資料蒐集模組包含影像蒐集裝置、聲音蒐集裝置及狀態蒐集裝置中之至少一者。
如請求項1所述之車輛智慧巡查系統，其中該巡查任務管理平台採模組化設計，包含巡查任務管理模組、巡查資料與結果管理模組、維修與後續處置管理模組及表單與權限管理模組中之至少一者。
如請求項1所述之車輛智慧巡查系統，其中該車輛端子系統，用以於車輛行進期間對所蒐集之巡查資料進行必要之資料管理或暫存，再透過該車用電源與通訊模組將該巡查資料回傳至該系統端子系統，由該系統端子系統進行集中化管理與整合。
一種椅具之扶手結構，主要在椅具上設有扶手結構，該扶手結構包含有：<br/> 一組設座，係結合在椅具上，其具有一中空室，並分別設有樞接孔、樞定孔及位移槽孔貫穿該中空室；<br/> 一扶手，係設有樞孔對應該組設座之樞接孔，並穿組一樞軸將該扶手樞組在該組設座上，再於該扶手周緣設有一限位槽口；<br/> 一連結件，係對應置入於該組設座的中空室，且該連結件上設有對應該樞定孔的第一孔，及對應該位移槽孔的第二孔，在該第一孔與該樞定孔之間穿組一樞定軸桿，以將該連結件樞組在該組設座內，且該樞定軸桿上套組至少一彈性件，該彈性件一端抵掣在該中空室壁面，而該第二孔與該位移槽孔之間穿組一移動軸桿，且該移動軸桿穿出該位移槽孔並位於該扶手的限位槽口內，而該彈性件另一端抵掣在該移動軸桿上，能抵推該移動軸桿於該位移槽孔內活動位移，且該限位槽口能相對該移動軸桿位移，令該扶手能通過該限位槽口呈往復運動位移或卡掣定位。
如請求項1所述椅具之扶手結構，其中在該樞定軸桿的二端分別套組一彈性件者。
如請求項1或2所述椅具之扶手結構，其中進一步在該連結件位於該第二孔的外側設有扳凸部，而該組設座對應該扳凸部處設有剖槽道，該剖槽道長度對應該位移槽孔而設，該扳凸部位於該剖槽道內，並可於該剖槽道內活動位移。
如請求項3所述椅具之扶手結構，其中在該扶手與該組設座之間設有一覆罩，該覆罩覆蓋在該組設座外部，該覆罩對應該組設座之樞接孔、該樞定孔及該位移槽孔處分別設有罩樞接孔、罩樞定孔及罩位移槽孔，以供該樞軸、該樞定軸桿及移動軸桿穿組定位該覆罩，再於該覆罩對應該組設座之剖槽道處設有一槽口，該槽口可對應嵌組一護蓋，該護蓋可遮蔽該剖槽道。
一種氣浮式軌道輸料裝置，用以氣浮方式來輸送多個物料，該氣浮式軌道輸料裝置包括：<br/> 一基座，其上側表面具有一總進氣孔；<br/> 一供氣裝置，其設置於該基座之旁側，並且該供氣裝置用以提供一氣流至該總進氣孔；<br/> 一第一支撐結構，其設置於該基座上側且其內具有一第一氣室，並且該第一支撐結構之底部開孔連接於該總進氣孔，以讓氣流進入至該第一氣室；<br/> 一第二支撐結構，其設置於該基座上側且其內具有一第二氣室；以及<br/> 一第一導流片，其具有一第一導氣貫孔且與該第二氣室對接以讓氣流流進該第二氣室，該第一導流片設置於該第一支撐結構與該第二支撐結構之間，並且透過多個固定件以將該第一支撐結構與該第二支撐結構進行鎖固，該第一導流片之左側與右側分別具有多個第一氣流溝槽以作為氣流通道，以讓該第一導流片之上側表面形成一氣浮軌道，其中經過該第一氣流溝槽所導引後之該氣流具有一第一向上分量與一第一向左分量，<br/> 其中該氣流透過該第一氣室流動至該第一導流片之左側之該些第一氣流溝槽以作用在該些物料之下表面之左側，並且同時該氣流透過該第二氣室流動至該第一導流片之右側之該些第一氣流溝槽以作用在該些物料之下表面之右側，以讓該些物料向上漂浮且向左前進至出料口。
如請求項1所述之氣浮式軌道輸料裝置，更包括：<br/> 一第一側擋片，其設置於該第一支撐結構之上側；<br/> 一第一外殼，其設置於該第一側擋片之上側；以及<br/> 一第二側擋片，其設置於該第二支撐結構之上側。
如請求項1所述之氣浮式軌道輸料裝置，其中該些第一氣流溝槽為倒反L狀、斜線狀與折線狀之其中之一或其組合，且均勻分布於該第一導流片之左側與右側。
如請求項1所述之氣浮式軌道輸料裝置，其中每一該第一氣流溝槽之寬度為0.05毫米(mm)～0.2mm之間，並且深度為0.01mm~0.1mm之間。
如請求項1所述之氣浮式軌道輸料裝置，其中每一該第一氣流溝槽彼此之間隔距離為0.2mm~1mm之間。
一種氣浮式軌道輸料裝置，用以氣浮方式來輸送多個物料，該氣浮式軌道輸料裝置包括：<br/> 一基座，其上側表面具有一總進氣孔；<br/> 一供氣裝置，其設置於該基座之旁側，並且該供氣裝置用以提供一氣流至該總進氣孔；<br/> 一第一支撐結構，其設置於該基座上側且其內具有一第一氣室，並且該第一支撐結構之底部開孔連接於該總進氣孔，以讓氣流進入至該第一氣室；<br/> 一第二支撐結構，其設置於該基座上側且其內具有一第二氣室；<br/> 一第一導流片，其具有一第一導氣貫孔，該第一導流片設置於該第一支撐結構與該第二支撐結構之間且鄰接於該第一支撐結構，該第一導流片之左側與右側分別具有多個第一氣流溝槽以作為氣流通道，以讓該第一導流片之上側表面形成氣浮效應，其中經過該第一氣流溝槽所導引後之該氣流具有一第一向上分量與一第一向左分量；以及<br/> 一第二導流片，其具有一第二導氣貫孔且與該第二氣室對接以讓氣流流進該第二氣室，該第二導流片設置於該第一支撐結構與該第二支撐結構之間且鄰接於該第二支撐結構，該第二導流片之左側與右側分別具有多個第二氣流溝槽以作為氣流通道，以讓該第二導流片之上側表面形成氣浮效應，其中經過該第二氣流溝槽所導引後之該氣流具有一第二向上分量與一第二向左分量，<br/> 一隔板，其具有一隔板貫孔且左右分別與該第一導氣貫孔與該第二導氣貫孔對接，該隔板設置於該第一導流片與該第二導流片之間，該隔板內具有一第三氣室，並且透過多個固定件以將該第一支撐結構與該第二支撐結構進行鎖固，該隔板具有一預設定寬度，其中該氣流透過該隔板貫孔流入至該第三氣室，<br/> 其中該氣流透過該第一氣室與該第三氣室流動至該第一導流片之左側與右側之該些第一氣流溝槽以作用在該些物料之下表面之左側，並且同時該氣流透過該第二氣室與該第三氣室流動至該第二導流片之左側與右側之該些第二氣流溝槽以作用在該些物料之下表面之右側，以讓該些物料向上漂浮且向左前進至出料口。
如請求項6所述之氣浮式軌道輸料裝置，其中該些第一氣流溝槽為倒反L狀、斜線狀與折線狀之其中之一或其組合，且均勻分布於該第一導流片之左側與右側。
如請求項6所述之氣浮式軌道輸料裝置，其中該些第二氣流溝槽為倒反L狀、斜線狀與折線狀之其中之一或其組合，且均勻分布於該第二導流片之左側與右側。
如請求項6所述之氣浮式軌道輸料裝置，其中每一該第一氣流溝槽與每一該第二氣流溝槽之寬度為0.05毫米(mm)～0.2mm之間，並且深度為0.01mm~0.1mm之間。
如請求項6所述之氣浮式軌道輸料裝置，其中每一該第一氣流溝槽彼此之間隔距離為0.2mm~1mm之間，並且每一該第二氣流溝槽彼此之間隔距離為0.2mm~1mm之間。
一種除垢裝置，係包含有:<br/> 一本體，係該本體設有一第一護蓋及一第二護蓋，且該第一護蓋及該第二護蓋形成一半開放空間；<br/> 一馬達，係該馬達藉由一固定塊接設固定於該本體的該第一護蓋及該第二護蓋之間，且該馬達所設一芯軸設置於該本體的半開放空間；及<br/> 一刷頭，其中該刷頭接設於該馬達的芯軸。
如請求項1所述除垢裝置，其中該本體的第一護蓋及該第二護蓋之其中一端皆設有二固定耳部，使該第一護蓋及該第二護蓋互相接設固定。
如請求項2所述除垢裝置，其中該本體另包含有一固定環組，且該固定環組套設於該第一護蓋及該第二護蓋之外部。
如請求項1所述除垢裝置，其中該本體的該第一護蓋、該第二護蓋及該刷頭的材質設為PFA。
如請求項1所述除垢裝置，另包含有一循環控制器，且該馬達電性連接該循環控制器。
如請求項1所述除垢裝置，另包含有一感測器，且該第一護蓋及該第二護蓋的其中一端接設於該感測器，而該感測器所設一感測頭對應於該刷頭。
如請求項6所述除垢裝置，其中該刷頭更包含有一限位塊，且該限位塊接設於該半開放空間，又該限位塊設有一螺紋孔，且該刷頭設有相對應該螺紋孔之一外螺紋，而該外螺紋於該螺紋孔內旋轉直線移動。
一種具展示多樣圖畫效果的包裝盒結構，係包含有：<br/>一外盒，係具有開放式的一容置空間的盒體；及<br/>數個內盒，係整齊排列置放於該外盒所設該容置空間內，又各該內盒的橫截面設為矩形而具有一第一展示面、一第二展示面、一第三展示面及一第四展示面，且各該第一展示面、各該第二展示面、各該第三展示面及各該第四展示面分別設置有四幅圖案或圖畫的局部畫面或獨立畫面；<br/>藉由翻轉該數個內盒所設該第一展示面、各該第二展示面、各該第三展示面及各該第四展示面的畫面，以變化多個圖案或圖畫來對外展示之。
如請求項1所述具展示多樣圖畫效果的包裝盒結構，其中另包含有一外罩，且該外罩提供穿蓋包覆於該外盒的外部。
如請求項2所述具展示多樣圖畫效果的包裝盒結構，其中藉由翻轉該數個內盒並對齊排列各該第一展示面、各該第二展示面、各該第三展示面及各該第四展示面的局部畫面，以分別拼湊變化出該四幅圖案或圖畫的完整畫面，並對外展示之。
如請求項3所述具展示多樣圖畫效果的包裝盒結構，其中在該容置空間的兩側內壁各設有一第一磁條，而在各該內盒的四周內壁均設有一第二磁條。
如請求項1至4任一項所述具展示多樣圖畫效果的包裝盒結構，其中該外盒設為塑料、紙類、木頭、金屬或玻璃之材料所製成。
如請求項1至4任一項所述具展示多樣圖畫效果的包裝盒結構，其中各該內盒均設為塑料、紙質、木頭、金屬或玻璃之材料所製成。
如請求項2至4任一項所述具展示多樣圖畫效果的包裝盒結構，其中該外罩設為透明或半透明狀的塑料、紙質或玻璃之材料所製成。
一種萃取裁減醫學影像生成裝置，包含： <br/>一資料儲存模組(110)，用以儲存一深度學習模型與連續的複數個錐狀射束電腦斷層掃描影像； <br/>一萃取模組(120)，電性連接該資料儲存模組(110)，且用以利用該深度學習模型對該複數個錐狀射束電腦斷層掃描影像進行萃取運算，以產生具有一感興趣區域的一三維遮罩；以及 <br/>一全景生成模組(140)，電性連接該資料儲存模組(110)與該萃取模組(120)，且用以依據該複數個錐狀射束電腦斷層掃描影像與具有該感興趣區域的該三維遮罩生成一全景影像。
如請求項1所述之萃取裁減醫學影像生成裝置，其中該全景生成模組(140)更用以依據該三維遮罩的該感興趣區域對該複數個錐狀射束電腦斷層掃描影像進行疊加運算以生成該全景影像。
如請求項1所述之萃取裁減醫學影像生成裝置，其中該資料儲存模組(110)儲存的該深度學習模型包含U-Net架構神經網路、ResNet架構神經網路、DenseNet架構神經網路以及Transformer架構神經網路。
如請求項1所述之萃取裁減醫學影像生成裝置，其中該萃取模組(120)更用以利用該深度學習模型對該複數個錐狀射束電腦斷層掃描影像進行萃取運算以產生具有一非感興趣區域的該三維遮罩。
如請求項4所述之萃取裁減醫學影像生成裝置，其中該感興趣區域包含骨骼與鈣化組織，且該非感興趣區域包含空氣、軟組織及金屬偽影。
如請求項4所述之萃取裁減醫學影像生成裝置，更包含： <br/>一裁減模組(130)，電性連接該萃取模組(120)，且用以依據具有該感興趣區域與該非感興趣區域的該三維遮罩對該複數個錐狀射束電腦斷層掃描影像執行一體積裁減程序以輸出一優化體積數據，其中該全景生成模組(140)更用以依據該優化體積數據生成該全景影像。
如請求項6所述之萃取裁減醫學影像生成裝置，其中當該裁減模組(130)執行該體積裁減程序時，該裁減模組(130)更用以將該複數個錐狀射束電腦斷層掃描影像中對應於該三維遮罩之該非感興趣區域的一第一區域像素值替換為一背景數值並保留對應於該感興趣區域的一第二區域像素值以形成該優化體積數據。
如請求項7所述之萃取裁減醫學影像生成裝置，其中該裁減模組(130)將該第一區域像素值替換的該背景數值係對應於空氣的漢斯菲爾德單位數值或為預設最小像素值。
如請求項6所述之萃取裁減醫學影像生成裝置，其中該全景生成模組(140)更具有一牙弓運算單元(142)，該牙弓運算單元(142)用以對該優化體積數據進行識別以擬合出一牙弓路徑，且在擬合該牙弓路徑前，該牙弓運算單元(142)更用以對該優化體積數據執行一最大強度投影運算以產生一正面投影影像，並依據該正面投影影像識別複數個牙冠特徵以擬合出該牙弓路徑。
如請求項9所述之萃取裁減醫學影像生成裝置，其中該全景生成模組(140)更用以沿著該牙弓路徑進行曲面重投影以產生該全景影像。
一種多功能環保提袋結構，係包含有：<br/>一墊體，係具有特定厚度及形體，且由彈性材料所一體成型製造而成；<br/>一中心部，係位於該墊體之中心位置的實體部位；<br/>數層鏤空環圈部，係由數個間隙、數個非間隙部所交錯而成，即該數個間隙與該數個非間隙部均以該中心部為中心，向外地層層往外擴展以成型於該墊體上，又各互為相鄰的兩層鏤空環圈成型有互為交錯的數個第一連結部與數個第二連結部；及<br/>二提把部，係由最外層的間隙環圈局部相連與其相鄰的二非間隙環圈，以成型其寬度較寬且長的部位。
如請求項1所述多功能環保提袋結構，其中該數個第一連結部與該數個第二連結部由內而外，呈輻射向外擴展狀。
如請求項2所述多功能環保提袋結構，其中該數個第一連結部與該數個第二連結部皆設為4個。
如請求項1所述多功能環保提袋結構，其中該中心部的徑向尺寸佔該墊體徑向尺寸的三分之一。
如請求項4所述多功能環保提袋結構，其中該中心部的徑向尺寸設為7mm，且該墊體的徑向尺寸設為18公分、19公分、20公分或21公分。
如請求項5所述多功能環保提袋結構，其中該間隙的寬度尺寸等於該非間隙部的寬度尺寸為3mm，且該數層鏤空環圈部設為二十層環圈。
如請求項1至6任一項所述多功能環保提袋結構，其中該墊體的材質設為矽膠。
一種電動夾爪，包含：<br/> 一殼體，具有一內部容置空間；<br/> 一驅動單元，設置於該內部容置空間內；<br/> 一軌道單元，設置於該殼體的一外表面上；<br/> 一第一磁性部，設置於該內部容置空間內且連接至該驅動單元，並包含至少二第一磁性組件；以及<br/> 一第二磁性部，設置於該軌道單元上，並包含至少二第二磁性組件，<br/> 其中該至少二第一磁性組件與該至少二第二磁性組件彼此數量相同且對應磁吸；以及<br/> 其中該驅動單元驅動該第一磁性部移動，進而帶動與該第一磁性部磁吸的該第二磁性部移動。
如請求項1所述的電動夾爪，其中該殼體包含一第一殼體及一第二殼體，以共同組合形成該內部容置空間，該第一殼體包含用以設置該軌道單元的該外表面，且該第一殼體實施為無貫穿孔結構。
如請求項1所述的電動夾爪，其中該驅動單元包含一馬達及一傳動機構，該馬達與該傳動機構連結且架構於輸出動力至該傳動機構，以機械驅動該第一磁性部移動。
如請求項3所述的電動夾爪，其中該傳動機構包含螺桿或蝸桿。
如請求項3所述的電動夾爪，其中該第一磁性部更包含至少二第一固定座，用以分別設置該至少二第一磁性組件，且該至少二第一固定座機械連接至該傳動機構。
如請求項5所述的電動夾爪，更包含一導引單元，設於該殼體內部，以設置該至少二第一固定座。
如請求項6所述的電動夾爪，其中該導引單元、該軌道單元及該殼體實施為一體成型。
如請求項1所述的電動夾爪，其中該第二磁性部更包含至少二第二固定座，用以分別設置該至少二第二磁性組件以及分別連接至少二夾指。
如請求項8所述的電動夾爪，其中該軌道單元包含至少一軌道，且該至少二第二固定座設置於該至少一軌道內。
如請求項8所述的電動夾爪，更包含至少一滑動元件，設置於該至少二第二固定座之每一者與該軌道單元之間。
一種智能攝像眼鏡之鉸鏈組裝結構，其主要係包括有眼鏡本體、攝像裝置及無線通訊裝置；其中：<br/> 該眼鏡本體，其設有鏡框，其該鏡框後端面上緣處凹設有線槽，且於該鏡框中間位置貫穿開設有與該線槽相連通之組接孔，而於該鏡框兩側對應該線槽外端向外皆凸設有一樞接部，於該鏡框對應該線槽則蓋掣固定有線槽蓋，該線槽蓋於兩側對應該樞接部上、下端凸設有相配合之兩線槽蓋凸耳，對應該鏡框兩側皆樞設結合有鏡腳，該鏡腳前端對應兩該線槽蓋凸耳外側皆凸設有相配合之鏡腳凸耳，對應該鏡腳內側設有鏡腳內蓋，該鏡腳內蓋前端則對應兩該鏡腳凸耳外側皆凸設有相配合之鏡腳內蓋凸耳，而令該鏡腳內側蓋掣固定該鏡腳內蓋並結合於相蓋掣固定之該鏡框及該線槽蓋兩側後，即形成該樞接部上、下端依序為相配合之兩該線槽蓋凸耳、兩該鏡腳凸耳、兩該鏡腳內蓋凸耳，再利用樞軸予以樞設結合，另於該鏡腳與該鏡腳內蓋之間則形成有容置空間；<br/> 該攝像裝置，其對應該眼鏡本體之該鏡框的該線槽設有排線，於該排線中間位置則電性連接有攝像頭，並令該攝像頭組設固定於該組接孔中；<br/> 該無線通訊裝置，其設置於該眼鏡本體之該鏡腳與該鏡腳內蓋之間所形成的該容置空間中，且令該無線通訊裝置與該攝像裝置之該排線兩端電性連接，並於該無線通訊裝置電性連接有供電單元。
如請求項1所述智能攝像眼鏡之鉸鏈組裝結構，其中，該排線之上下寬度小於該樞接部之上下寬度。
如請求項1所述智能攝像眼鏡之鉸鏈組裝結構，其中，該排線兩端對應該樞接部外預留有延伸段，以令該無線通訊裝置與該排線兩端的該延伸段電性連接。
一種植物原料的低濕造粒系統，包含： <br/>一機體； <br/>一造粒室，設於該機體內，用以承載初始狀態為粉體狀之原料； <br/>一進氣過濾單元，與該造粒室底部連通，用以供應一低溫除濕乾燥氣流至該造粒室內，使該粉體狀原料於該造粒室內呈懸浮滾動狀態； <br/>一霧化噴霧單元，包含一液料供應組件、一泵浦及一霧化噴頭，該霧化噴頭配置於該造粒室內，用以將液料霧化並噴灑於懸浮滾動中的該粉體狀原料；以及 <br/>一控制裝置，分別與該進氣過濾單元及該霧化噴霧單元電性連接，用以調控該低溫除濕乾燥氣流與該霧化噴頭噴灑液料之動作達成同步作用，使該粉體狀原料在低溫環境下相互黏附並聚集成型為顆粒。
如請求項1所述之植物原料的低濕造粒系統，更包含一粉體捕集單元，該粉體捕集單元設於該造粒室之上方，用以攔截並使細微原料粉體回落至該造粒室內。
如請求項2所述之植物原料的低濕造粒系統，更包含一抽風單元，該抽風單元設於該機體之排氣端並與該粉體捕集單元連通，且該抽風單元與該控制裝置電性連接，用以提供系統氣流循環之動力。
如請求項1所述之植物原料的低濕造粒系統，其中該控制裝置用以監控並設定一進風溫度於57~60℃之間，且使一排風溫度維持於35~38℃之間。
如請求項1所述之植物原料的低濕造粒系統，更包含一顆粒過篩單元，該顆粒過篩單元設於該造粒室之下游端，用以對造粒後之顆粒進行分級。
如請求項1所述之植物原料的低濕造粒系統，其中該進氣過濾單元於造粒完成後，具備導入一冷空氣對該造粒室內之顆粒進行冷卻降溫之功能。
一種車輛尾門照明裝置，其包含：<br/> 一燈罩，其於一端形成一出光面，並於另端設置有一環接部，該環接部係呈環狀設置，並於相對該燈罩一端形成一開口；該燈罩於該環接部之內緣處形成有一容室，且該環接部之外緣處設置有至少一組接部；而該環接部係設置有至少一組合部；<br/> 一底蓋，其係對應組接於該燈罩之開口，且該底蓋設置有對應於所述組合部之連接部；以及<br/> 至少一發光元件，其係對應於該容室內，並用以朝該燈罩之出光面照射而出光者。
如請求項1所述之車輛尾門照明裝置，其中，該環接部更設有至少一鏤空部，且所述組接部之一端係對應位於該鏤空部處，且所述鏤空部於至少一端處係形成所述組合部者。
如請求項2所述之車輛尾門照明裝置，其中，所述組合部係位於所述組接部之兩側者。
如請求項1至請求項3中任一項所述之車輛尾門照明裝置，其中，該燈罩於該出光面一端係設置有一外環部，該環接部係設置於該外環部一端，且該環接部之外徑係小於該外環部者。
如請求項1至請求項3中任一項所述之車輛尾門照明裝置，其中，該環接部之外緣處，更設置有至少一凸肋。
如請求項1至請求項3中任一項所述之車輛尾門照明裝置，其中，該底蓋於朝該燈罩之一端處，更設置有一對應於該環接部內徑之內環部，且該內環部係設置有所述連接部者。
如請求項6所述之車輛尾門照明裝置，其中，該環接部於相對該出光面一端，更軸向切設有至少一導槽，而該內環部更設有對應於所述導槽之導塊者。
如請求項6所述之車輛尾門照明裝置，更包含一基板，所述發光元件係設置於該基板，且該基板係受該內環部軸向壓抵於該燈罩者。
如請求項8所述之車輛尾門照明裝置，其中，該燈罩內部於出光面處，更凸設有至少一支撐塊，且該基板係受該內環部軸向壓抵於該燈罩之所述支撐塊處者。
如請求項1至請求項3中任一項所述之車輛尾門照明裝置，其中，該底蓋於相對該出光面之一端處，更設置有至少一穿孔。
一種二重釜用蒸架，包含：<br/> 一蒸架本體，包含一底板、一壁板、一蒸煮空間與複數細孔，該底板係呈平板狀，其上方表面係供放置原料，該壁板係呈封閉的環狀，其環繞設置於該底板的邊緣上方，該底板與該壁板之間形成該蒸煮空間，該等細孔係平均地分布於該底板與該壁板上；以及<br/> 複數接合部件，該等接合部件係固設於該壁板外周面，每一個該接合部件包含一第一接合部、一第一接合孔、一第二接合部與一第二接合孔，該第一接合部係固設於該壁板的外周面，該第一接合孔係開設於該第一接合部，該第二接合部係由該第一接合部相對於該壁板的一側向上延伸而成，該第二接合孔係開設於該第二接合部，且該第二接合孔於該第二接合部的位置高於該壁板上方邊緣。
如請求項1之二重釜用蒸架，其中該第一接合部與該第二接合部皆係呈縱向設置，該接合部件還包含一連結部，該連結部係呈橫向設置，而該連結部係連結於該第一接合部的上方以及該第二接合部的下方，使得該第一接合部與該第二接合部呈錯位設置。
一種二重釜用蒸架結構，包含：<br/> 複數蒸架本體，每一個該蒸架本體包含一底板、一壁板、一蒸煮空間與複數細孔，該底板係呈平板狀，其上方表面係供放置原料，該壁板係呈封閉的環狀，其環繞設置於該底板的邊緣上方，該底板與該壁板之間形成該蒸煮空間，該等細孔係平均地分布於該底板與該壁板上； <br/> 複數接合部件，係固設於每一個該蒸架本體的該壁板外周面，每一個該接合部件包含一第一接合部、一第一接合孔、一第二接合部與一第二接合孔，該第一接合部係固設於該壁板的外周面，該第一接合孔係開設於該第一接合部，該第二接合部係由該第一接合部相對於該壁板的一側向上延伸而成，該第二接合孔係開設於該第二接合部，且該第二接合孔於該第二接合部的位置高於該壁板上方邊緣；以及<br/> 複數固定元件；<br/> 其中，該等蒸架本體上、下疊合時，下方的該蒸架本體的該接合部件係與上方的該蒸架本體的該接合部件相接；<br/> 其中，下方的該接合部件的該第二接合部係貼合於上方的該接合部件的該第一接合部，並且，下方的該接合部件的該第二接合孔與上方的該接合部件的該第一接合孔相通，經此，該固定元件係穿過下方的該接合部件的該第二接合孔並固定於上方的該接合部件的該第一接合孔，以將相鄰的兩個該等蒸架本體固定。
如請求項3之二重釜用蒸架結構，其中每一個該接合部件的該第一接合部與該第二接合部皆係呈縱向設置，每一個該接合部件還包含一連結部，該連結部係呈橫向設置，而該連結部係連結於該第一接合部的上方以及該第二接合部的下方，使得該第一接合部與該第二接合部呈錯位設置，而該第一接合部相對於該壁板的一側形成有複數凹部，當下方的該接合部件的該第二接合部係貼合於上方的該接合部件的該第一接合部時，下方的該接合部件的該第二接合部係置入上方的該接合部件的該凹部。
如請求項3之二重釜用蒸架結構，其中該等固定元件係為螺絲，該等第一接合孔係為螺紋孔，該等第二接合孔係為圓孔，該等固定元件係用於分別穿過該等第二接合孔，並與該等第一接合孔的螺紋相螺合。
如請求項3之二重釜用蒸架結構，還包含一吊掛元件，該吊掛元件係被固定於最上方的該蒸架本體上方。
如請求項6之二重釜用蒸架結構，其中該吊掛元件下端係扣合在最上方的該蒸架本體的該第二接合孔，該吊掛元件的上端設置一吊掛部。
一種螢幕的升降支撐裝置，適用於供一螢幕安裝且包含：<br/> 一支撐柱單元，包括一沿一上下方向延伸的支撐柱，該支撐柱界定出一沿該上下方向延伸的滑動空間；<br/> 一升降座單元，能沿該上下方向相對於該支撐柱單元移動，該升降座單元包括一能沿著該滑動空間移動的滑動座，及一設置在該滑動座且適用於供該螢幕安裝的連結座；及<br/> 一彈性變力系統，設置在該支撐柱單元且連接該滑動座，該彈性變力系統用來達成與該螢幕的力平衡且包括：<br/> 一滑輪凸輪單元，設置在該支撐柱單元，且具有能轉動地設置在該支撐柱的一滑輪及一凸輪，該滑輪在該上下方向上高於該凸輪，該凸輪具有一能轉動地安裝在該支撐柱的軸桿，該凸輪還形成有間隔設置的一圓周軌道及一偏心軌道，該偏心軌道具有多個面段，每二相鄰的該面段的中心至該軸桿的中心的距離不相等，及<br/> 一彈性變力單元，設置在該滑輪凸輪單元，且包括一彈性模組及一纜繩組，該彈性模組具有至少一能被拉伸的彈性件，該纜繩組具有一螢幕繩及一連動繩，該螢幕繩的一端固定在該滑動座，且另一端繞過該滑輪後捲繞於該凸輪的偏心軌道，該連動繩的一端固定在該彈性模組，且該連動繩的另一端固定在該凸輪且能被捲繞於該凸輪的圓周軌道，該螢幕繩捲繞於該凸輪的方向相反於該連動繩捲繞於該凸輪的方向。
如請求項1所述的螢幕的升降支撐裝置，其中，該彈性模組還具有一設置在該支撐柱的上座組，及一與該上座組沿該上下方向相反設置的下座，該至少一彈性件具有二個彈性件，且並排設置並連接於該上座組與該下座。
如請求項2所述的螢幕的升降支撐裝置，其中，該上座組具有一供該等彈性件連接的上座，及一定位在該支撐柱且能被轉動地螺接於該上座的調整件，轉動該調整件時，該調整件會帶動該上座沿該上下方向移動，以改變該等彈性件的長度。
如請求項1所述的螢幕的升降支撐裝置，其中，該支撐柱具有一殼座及二個導正滑軌組，該殼座形成該滑動空間，該等導正滑軌組沿一垂直於該上下方向的左右方向間隔設置在該殼座內，該滑動座具有二個分別能相對於該等導正滑軌組移動的滑動片。
如請求項4所述的螢幕的升降支撐裝置，其中，該殼座具有一外殼及一定位板，該外殼具有一沿該上下方向延伸的長槽，該定位板沿該上下方向延伸且設置在該長槽，由該外殼與該定位板共同界定出該滑動空間，該滑動座還具有一固定於該連結座的外座體，及一固定於該外座體且從該定位板與該長槽之間伸入該滑動空間的內座體，該內座體具有該等滑動片。
如請求項5所述的螢幕的升降支撐裝置，其中，該內座體具有一連接該外座體的連接板部，及二個從該連接板部的二相反側延伸出的轉接板部，該等滑動片分別連接於該等轉接板部，由該外座體與該連接板部共同界定出一容納該定位板的槽道。
如請求項1所述的螢幕的升降支撐裝置，其中，該滑輪凸輪單元還具有一供該螢幕繩滑繞的轉向輪，該轉向輪在該上下方向上低於該滑輪且高於該凸輪，該轉向輪的轉動中心在一垂直於該上下方向的左右方向上與該凸輪的軸桿間隔設置，該轉向輪的溝槽在一垂直於該上下方向與該左右方向的前後方向上對齊該凸輪的偏心軌道。
如請求項1所述的螢幕的升降支撐裝置，其中，該凸輪還具有一固定連接該軸桿的凸輪本體，及一與該凸輪本體間隔設置在該軸桿的盤頭，該凸輪本體的外周形成該偏心軌道，由該凸輪本體與該盤頭在該軸桿上界定出該圓周軌道。
如請求項1所述的螢幕的升降支撐裝置，其中，該升降座單元的連結座具有一連接該滑動座的第一接頭、一能轉動地連接於該第一接頭的第二接頭，及一連接該第二接頭且適用於供該螢幕安裝的螢幕連接板，該螢幕連接板具有多個間隔設置且呈鑰匙狀的安裝孔、多個圓孔，及多個U型槽。
如請求項1所述的螢幕的升降支撐裝置，其中，該至少一彈性件是拉伸彈簧，該纜繩組的螢幕繩與該連動繩是包膠鋼纜。
一種租戶共用電錶的電費分攤系統，該系統係應用於一出租單元，該出租單元具有複數個分租單元及一公共區，該出租單元設置有一總電表，該複數個分租單元個別設置有與該總電表連接的分電表，該系統可被一個人電腦、一平板電腦、一手機、一可攜式裝置、一伺服器、或雲端所執行，該系統包含： 一資料輸入記錄模組； <br/>一分租單元電費計算模組，與該資料輸入記錄模組連接； <br/>一公共區電費計算模組，與該資料輸入記錄模組連接； <br/>一退租單元電費計算模組，與該資料輸入記錄模組連接；及 <br/>一綜合計算模組，分別與該資料輸入記錄模組、該分租單元電費計算模組、及該公共區電費計算模組連接； <br/>該資料輸入記錄模組對應的將一筆本期電費帳單新增記錄於一總電表電費記錄表，該筆本期電費帳單係對應於該出租單元的該總電表； <br/>該資料輸入記錄模組對應的將一本期用電度數及本期出租狀態新增記錄於一分租單元用電及出租狀態表，所述本期用電度數及本期出租狀態係對應於該出租單元中的各分租單元的分電表所記錄的本期用電度數及該出租單元中的各分租單元的本期出租狀態； <br/>根據該出租單元中的各分租單元的分電表之本期抄表日期是否早於、等同、或晚於該總電表之本期抄表結算日期，該分租單元電費計算模組、該公共區電費計算模組、及該綜合計算模組計算出該出租單元的一本期分租單元分攤度數及電費表，使得該出租單元中的各分租單元正確的分攤該筆本期電費帳單。
如請求項1所述的租戶共用電錶的電費分攤系統，其中， <br/>該總電表電費記錄表中紀錄有該總電表的：帳期起始日、帳期結束日、帳單電費金額、帳單度數、及帳期天數； <br/>該分租單元用電及出租狀態表中紀錄有各分租單元的：分電表度數、分電表之抄表日期、分電表之用電度數、及出租狀態； <br/>該本期分租單元分攤度數及電費表中紀錄有各分租單元本期的：用電度數、公共電力分攤度數、分攤度數合計、精確電費、及整數化電費。
如請求項1所述的租戶共用電錶的電費分攤系統，其中當一分租單元的分電表之本期抄表日期早於該總電表之本期抄表結算日期時，該分租單元電費計算模組計算該分租單元本期待分攤電費EB的計算步驟如下： <br/>分租單元本期用電度數VT = 分租單元之本期抄表日的分電表值V1 － 分租單元之上期抄表日的分電表值V0； <br/>分租單元本期天數 TD = 分租單元之本期分電表抄表日D1 － 分租單元之上期分電表抄表日D0； <br/>分租單元本期平均每日用電度數 = 分租單元本期用電度數VT ÷ 分租單元本期天數 TD； <br/>總電表抄表帳期天數T = 本期總電表抄表結算日DT1 － 上期總電表抄表結算日DT0； <br/>分租單元本期分電表的預估對齊用電度數VTE1 = 總電表抄表帳期天數T × 分租單元本期平均每日用電度數； <br/>分租單元本期待分攤電費EB = 分租單元本期分電表的預估對齊用電度數VTE1 × 本期電費每度單價P1； <br/>其中所述分租單元本期分電表的預估對齊用電度數VTE1及所述分租單元本期待分攤電費EB皆不含公共區的電費。
如請求項1所述的租戶共用電錶的電費分攤系統，其中當一分租單元的分電表之本期抄表日期早於該總電表之本期抄表結算日期時，該分租單元電費計算模組計算本期分電表抄表日D1早於本期總電表抄表結算日DT1的日數為一過早抄表日ED1，當該過早抄表日ED1大於一最大過早抄表日EDmax時，放棄本期的電費分攤，於下期再一次性的分攤本期與下期共兩期的電費。
如請求項1所述的租戶共用電錶的電費分攤系統，其中當一分租單元的分電表之本期抄表日期晚於該總電表之本期抄表結算日期時，該分租單元電費計算模組放棄本期的電費分攤，於下期再一次性的分攤本期與下期共兩期的電費，該分租單元電費計算模組計算分租單元本期與下期共兩期的兩期待分攤電費EB的計算步驟如下： <br/>分租單元兩期用電度數VT’ = 分租單元之下期抄表日的分電表值V2 － 分租單元之上期抄表日的分電表值V0； <br/>分租單元兩期天數 TD’ = 分租單元之下期分電表抄表日D2 － 分租單元之上期分電表抄表日D0； <br/>分租單元兩期平均每日用電度數 = 分租單元兩期用電度數VT’ ÷ 分租單元兩期天數 TD’； <br/>總電表兩期抄表帳期天數 = 下期總電表抄表結算日DT2 － 上期總電表抄表結算日DT0； <br/>分租單元兩期預估對齊用電度數VTE2 = 總電表兩期抄表帳期天數 × 分租單元兩期平均每日用電度數； <br/>兩期平均單價為Pav = (總電表本期帳單電費金額 + 總電表下期帳單電費金額) ÷ (總電表本期帳單度數 + 總電表下期帳單度數)； <br/>分租單元兩期電費待分攤電費EB’ = 分租單元兩期預估對齊用電度數 VTE2 × 兩期平均電費每度單價Pav； <br/>其中所述分租單元兩期用電度數VT’、所述分租單元兩期平均每日用電度數、所述分租單元兩期預估對齊用電度數VTE2、及所述分租單元兩期電費待分攤電費EB’皆不含公共區的電費。
如請求項1所述的租戶共用電錶的電費分攤系統，其中關於一公共區的公共電費的分攤，該公共區電費計算模組以下列步驟計算各分租單元本期待分攤的公共電費： <br/>本期公共電力度數VC = 總電表110的本期帳單度數V － 本期各分電表度數V1的總和； <br/>本期公共電力分攤度數VCA = 本期公共電力度數VC ÷ 該出租單元的分租單元的數目； <br/>本期各分租單元待分攤的公共電費 = 本期公共電力分攤度數VCA × 各分租單元新入住本期的百分比FR；其中各分租單元為整期居住時，各分租單元新入住本期的百分比FR為100%。
如請求項6所述的租戶共用電錶的電費分攤系統，其中該綜合計算模組以下列方式計算各分租單元的本期分攤的精確電費： <br/>各分租單元的本期分攤的精確電費 = (本期各分租單元之抄表日的分電表值V1 + 本期各分租單元本期待分攤的公共電費) × 本期電費每度單價P1。
如請求項7所述的租戶共用電錶的電費分攤系統，其中該綜合計算模組以下列方式計算各分租單元的本期分攤的整數化電費： <br/>首先計算各分租單元的本期分攤的精確電費捨去小數後的電費總和PSI； <br/>計算一不足餘額 = 本期帳單電費金額P － 捨去小數後的電費和PSI； <br/>然後依序找出捨去最大的小數的分租單元，然後依序由捨去最大的小數的分租單元分別分攤支付該不足餘額中的一元，直到該不足餘額被分攤完。
如請求項8所述的租戶共用電錶的電費分攤系統，其中 <br/>當該綜合計算模組完成該出租單元之本期分租單元分攤度數及電費表時，該綜合計算模組將該出租單元之本期分租單元分攤度數及電費表存到該資料輸入記錄模組。
如請求項1所述的租戶共用電錶的電費分攤系統，其中當該出租單元的一分租單元有退租的情形，且退租日Dm係介於上期總電表抄表結算日DT0與本期總電表抄表結算日DT1之間，則該退租單元電費計算模組計算該分租單元的本期退租待分攤電費EB如下： <br/>本期退租待分攤天數TDm = 退租日Dm － 上期總電表抄表結算日DT0； <br/>該分租單元上期平均每日公電度數 ＝ 該分租單元上期公電度數 ÷ 上期總電表抄表帳期天數Ｔ； <br/>該分租單元本期退租待分攤電費EB = 本期退租待分攤天數TDm × (該分租單元的上期平均每日用電度數 ＋ 該分租單元的上期平均每日公電度數) × 該分租單元的上期電費每度單價。
一種外折式弧軌轉軸之結構，包括：<br/> 一中間支座(1)，具有相對的兩長邊(12)、(13)，該中間支座(1)設有第一內齒條(145)及第二內齒條(146)；<br/> 一第一側支座(2)，設於接近該中間支座(1)之其中一長邊(12)外旁側，該第一側支座(2)設有第一側齒條(233)；<br/> 一第二側支座(3)，設於接近該中間支座(1)之另一長邊(13)外旁側，該第二側支座(3)設有第二側齒條(333)；<br/> 一第一樞轉組件(5)，設有至少一第一樞轉件(50)，該第一樞轉件(50)具有相互反向弧形延伸的第一主翼部(51)及第一副翼部(52)，該第一主翼部(51)上樞設有與第一內齒條(145)相嚙合之第一主齒輪(513)，該第一副翼部(52)上樞設有與第一側齒條(233)相嚙合之第一副齒輪(521)；<br/> 一第二樞轉組件(6)，設有至少一第二樞轉件(60)，該第二樞轉件(60)具有相互反向弧形延伸的第二主翼部(61)及第二副翼部(62)，該第二主翼部(61)上樞設有與第二內齒條(146)相嚙合之第二主齒輪(613)，該第二副翼部(62)上樞設有與第二側齒條(333)相嚙合之第二副齒輪(621)；<br/> 當該第一側支座(2)、第二側支座(3)於一展開位置及一收合位置之間進行往復樞轉，能分別連動該第一樞轉組件(5)、第二樞轉組件(6)，使該第一主齒輪(513)沿該第一內齒條(145)滾動，該第一副齒輪(521)沿該第一側齒條(233)滾動；該第二主齒輪(613)沿該第二內齒條(146)滾動，該第二副齒輪(621)沿該第二側齒條(333)滾動，藉以使該第一樞轉組件(5)、第二樞轉組件(6)能分別隨該第一側支座(2)、第二側支座(3)相對於該中間支座(1)形成穩定的同步樞轉。
如請求項1所述之外折式弧軌轉軸之結構，其中該中間支座(1)設有分別朝向該兩長邊(12)、(13)延伸之一第一內弧通道(15)及一第二內弧通道(16)，該第一內弧通道(15)內設有該第一內齒條(145)，該第二內弧通道(16)內設有該第二內齒條(146)；該第一側支座(2)設有一對應於該第一內弧通道(15)之第一側弧通道(24)，該第一側弧通道(24)內設有該第一側齒條(233)；該第二側支座(3)上設有一對應於該第二內弧通道(16)之第二側弧通道(34)，該第二側弧通道(34)內設有該第二側齒條(333)；該第一主翼部(51)能伸入該第一內弧通道(15)中活動，該第一副翼部(52)能伸入該第一側弧通道(24)中活動，該第二主翼部(61)能伸入該第二內弧通道(16)中活動，該第二副翼部(62)能伸入該第二側弧通道(34)中活動。
如請求項2所述之外折式弧軌轉軸之結構，其中該第一內弧通道(15)及第二內弧通道(16)形成相互錯位且至少局部重合。
如請求項2所述之外折式弧軌轉軸之結構，其中該中間支座(1)上凹設有至少一中間結合部(11)，該中間結合部(11)上組合一中間壓板(14)，該中間結合部(11)與該中間壓板(14)之間形成該第一內弧通道(15)及第二內弧通道(16)；該第一側支座(2)上凹設有至少一第一側結合部(21)，該第一側結合部(21)上組合一第一側壓板(23)，該第一側結合部(21)與該第一側壓板(23)之間形成該第一側弧通道(24)；該第二側支座(3)上凹設有至少一第二側結合部(31)，該第二側結合部(31)上組合一第二側壓板(33)，該第二側結合部(31)與該第二側壓板(33)之間形成該第二側弧通道(34)。
如請求項4所述之外折式弧軌轉軸之結構，其中該中間結合部(11)內設有一第一內凹弧面(111)及一第二內凹弧面(112)；該中間壓板(14)上分別設有對應於該第一內凹弧面(111)之第一內凸弧面(141)及對應於該第二內凹弧面(112)之第二內凸弧面(142)，使該第一內凸弧面(141)與該第一內凹弧面(111)之間形成該第一內弧通道(15)，該第二內凸弧面(142)與該第二內凹弧面(112)之間形成該第二內弧通道(16)。
如請求項5所述之外折式弧軌轉軸之結構，其中該第一側結合部(21)內設有一對應於該第一內凹弧面(111)之第一側凹弧面(211)，該第一側壓板(23)設有對應於該第一側凹弧面(211)之第一側凸弧面(231)，使該第一側凸弧面(231)與該第一側凹弧面(211)之間形成該第一側弧通道(24)；該第二側結合部(31)內設有一對應於該第二內凹弧面(112)之第二側凹弧面(311)，該第二側壓板(33)設有對應於該第二側凹弧面(311)之第二側凸弧面(331)，使該第二側凸弧面(331)與該第二側凹弧面(311)之間形成該第二側弧通道(34)。
如請求項6所述之外折式弧軌轉軸之結構，其中該第一主齒輪(513)、第一副齒輪(521)之間設有相嚙合之兩第一中間齒輪(55)，該第二主齒輪(613)、第二副齒輪(621)之間設有相嚙合之兩第二中間齒輪(65)；該第一內齒條(145)設於該中間壓板(14)之第一內凸弧面(141)表面，該第二內齒條(146)設於該第二內凸弧面(142)表面；該第一側齒條(233)設於該第一側壓板(23)之第一側凸弧面(231)表面；該第二側齒條(333)設於該第二側壓板(33)之第二側凸弧面(331)表面。
如請求項7所述之外折式弧軌轉軸之結構，其中該第一內凹弧面(111)表面設有對應於該第一主齒輪(513)活動路徑之第一內弧槽(113)，該第二內凹弧面(112)表面設有對應於該第二主齒輪(613)活動路徑之第二內弧槽(114)；該第一側凹弧面(211)表面設有對應於該第一副齒輪(521)活動路徑之第一側弧槽(212)，該第二側凹弧面(311)表面設有對應於該第二副齒輪(621)活動路徑之第二側弧槽(312)。
如請求項1或2或3或4或5或6或7或8所述之外折式弧軌轉軸之結構，其中該中間支座(1)上設有一同步扭力組件(4)，該同步扭力組件(4)兩旁側設有能同步樞轉開合之第一側部(41)、第二側部(42)；且該第一側支座(2)係可滑動地組合於該第一側部(41)上，該第二側支座(3)係可滑動地組合於該第二側部(42)上。
如請求項9所述之外折式弧軌轉軸之結構，其中該第一側部(41)兩旁側向外凸設有一第一側凸緣(411)，該第一側支座(2)設有套合該第一側部(41)之第一收容部(22)，該第一收容部(22)兩旁側設有對應於該兩第一側凸緣(411)之第一側凹緣(221)；該第二側部(42)兩旁側向外凸設有一第二側凸緣(421)，該第二側支座(3)設有套合該第二側部(42)之第二收容部(32)，該第二收容部(32)兩旁側分別設有對應於該兩第二側凸緣(421)之第二側凹緣(321)。
如請求項1或2或3或4或5或6或7或8所述之外折式弧軌轉軸之結構，其中該第一樞轉組件(5)具有一第一連動片(53)，該第一連動片(53)結合於該第一樞轉件(50)底部；該第二樞轉組件(6)具有一第二連動片(63)，該第二連動片(63)結合於該第二樞轉件(60)底部。
如請求項9所述之外折式弧軌轉軸之結構，其中該第一樞轉組件(5)具有一第一連動片(53)，該第一連動片(53)結合於該第一樞轉件(50)底部；該第二樞轉組件(6)具有一第二連動片(63)，該第二連動片(63)結合於該第二樞轉件(60)底部。
如請求項10所述之外折式弧軌轉軸之結構，其中該第一樞轉組件(5)具有一第一連動片(53)，該第一連動片(53)結合於該第一樞轉件(50)底部；該第二樞轉組件(6)具有一第二連動片(63)，該第二連動片(63)結合於該第二樞轉件(60)底部。
如請求項11所述之外折式弧軌轉軸之結構，其中該第一樞轉組件(5)遠離該第一連動片(53)的一側組合一第一側飾板(20)；該第二樞轉組件(6)遠離該第二連動片(63)的一側組合一第二側飾板(30)；該中間支座(1)於對應該第一樞轉組件(5)組合第一側飾板(20)及該第二樞轉組件(6)組合第二側飾板(30)的相同一側表面組合一中間飾板(10)。
如請求項12所述之外折式弧軌轉軸之結構，其中該第一樞轉組件(5)遠離該第一連動片(53)的一側組合一第一側飾板(20)；該第二樞轉組件(6)遠離該第二連動片(63)的一側組合一第二側飾板(30)；該中間支座(1)於對應該第一樞轉組件(5)組合第一側飾板(20)及該第二樞轉組件(6)組合第二側飾板(30)的相同一側表面組合一中間飾板(10)。
如請求項13所述之外折式弧軌轉軸之結構，其中該第一樞轉組件(5)遠離該第一連動片(53)的一側組合一第一側飾板(20)；該第二樞轉組件(6)遠離該第二連動片(63)的一側組合一第二側飾板(30)；該中間支座(1)於對應該第一樞轉組件(5)組合第一側飾板(20)及該第二樞轉組件(6)組合第二側飾板(30)的相同一側表面組合一中間飾板(10)。
一種外折式弧軌轉軸結構，包括：<br/> 一中間支座(1)，具有相對的兩長邊(12)、(13)；<br/> 一第一側支座(2)，設於接近該中間支座(1)之其中一長邊(12)外旁側；<br/> 一第二側支座(3)，設於接近該中間支座(1)之另一長邊(13)外旁側；<br/> 一第一樞轉組件(5)，可樞轉地組合於該中間支座(1)與該第一側支座(2)之間；<br/> 一第二樞轉組件(6)，可樞轉地組合於該中間支座(1)與該第二側支座(3)之間；<br/> 使該第一側支座(2)、第二側支座(3)能分別連動該第一樞轉組件(5)、第二樞轉組件(6)於一展開位置及一收合位置之間進行複合軌跡的往復樞轉；且<br/> 該中間支座(1)朝向展開及收合的外側表面設有中間局部撐持面(100)；該第一樞轉組件(5)對應該中間局部撐持面(100)的一旁側設有第一局部側撐持面(500)；該第二樞轉組件(6)對應該中間局部撐持面(100)另一旁側設有第二局部側撐持面(600)；且該第一局部側撐持面(500)、中間局部撐持面(100)與該第二局部側撐持面(600)在收合狀態，能共同組合成一充分支持柔性屏幕(F)彎折部位的接近半全周撐持面。
如請求項1所述之外折式弧軌轉軸結構，其中該中間支座(1)的兩長邊(12)、(13)之間凹設有至少一中間結合部(11)，該中間結合部(11)內設有分別朝向該兩長邊(12)、(13)延伸之一第一內弧通道(15)及一第二內弧通道(16)；該第一側支座(2)上凹設有至少一第一側結合部(21)，該第一側結合部(21)內設有一對應於該第一內弧通道(15)之第一側弧通道(24)；該第二側支座(3)上凹設有至少一第二側結合部(31)，該第二側結合部(31)內設有一對應於該第二內弧通道(16)之第二側弧通道(34)；該第一樞轉組件(5)設有至少一第一樞轉件(50)，該第一樞轉件(50)具有相互反向弧形延伸的第一主翼部(51)及第一副翼部(52)，該第一主翼部(51)能伸入該第一內弧通道(15)中活動，該第一副翼部(52)能伸入該第一側弧通道(24)中活動；該第二樞轉組件(6)設有至少一第二樞轉件(60)，該第二樞轉件(60)具有相互反向弧形延伸的第二主翼部(61)及第二副翼部(62)，該第二主翼部(61)能伸入該第二內弧通道(16)中活動，該第二副翼部(62)能伸入該第二側弧通道(34)中活動；該第一樞轉件(50)連結於該第一內弧通道(15)及該第一側弧通道(24)之間，該第二樞轉件(60)連結於該第二內弧通道(16)及該第二側弧通道(34)之間，並使該第一主翼部(51)及該第二主翼部(61)在收合位置時產生至少局部交錯。
如請求項2所述之外折式弧軌轉軸結構，其中該中間結合部(11)上組合一中間壓板(14)，該中間壓板(14)與該中間局部撐持面(100)之同側表面，設有與該中間局部撐持面(100)相符合之壓板局部撐持面(140)。
如請求項3所述之外折式弧軌轉軸結構，其中該第一樞轉組件(5)具有一第一連動片(53)，該第一連動片(53)結合於該第一樞轉件(50)底部，且該第一局部側撐持面(500)設於該第一連動片(53)上；該第二樞轉組件(6)具有一第二連動片(63)，該第二連動片(63)結合於該第二樞轉件(60)底部，且該第二局部側撐持面(600)設於該第二連動片(63)上。
如請求項4所述之外折式弧軌轉軸結構，其中該中間支座(1)遠離該中間結合部(11)的一側表面組合一中間飾板(10)；該第一樞轉組件(5)遠離該第一連動片(53)的一側組合一第一側飾板(20)；該第二樞轉組件(6)遠離該第二連動片(63)的一側組合一第二側飾板(30)。
如請求項3或4或5所述之外折式弧軌轉軸結構，其中該中間結合部(11)內設有一第一內凹弧面(111)及一第二內凹弧面(112)；該中間壓板(14)上分別設有對應於該第一內凹弧面(111)之第一內凸弧面(141)及對應於該第二內凹弧面(112)之第二內凸弧面(142)，使該第一內凸弧面(141)與該第一內凹弧面(111)之間形成該第一內弧通道(15)，該第二內凸弧面(142)與該第二內凹弧面(112)之間形成該第二內弧通道(16)。
如請求項6所述之外折式弧軌轉軸結構，其中該第一側結合部(21)內設有一對應於該第一內凹弧面(111)之第一側凹弧面(211)，該第一側結合部(21)上組合一第一側壓板(23)，該第一側壓板(23)設有對應於該第一側凹弧面(211)之第一側凸弧面(231)，使該第一側凸弧面(231)與該第一側凹弧面(211)之間形成該第一側弧通道(24)；該第二側結合部(31)內設有一對應於該第二內凹弧面(112)之第二側凹弧面(311)，該第二側結合部(31)上組合一第二側壓板(33)，該第二側壓板(33)設有對應於該第二側凹弧面(311)之第二側凸弧面(331)，使該第二側凸弧面(331)與該第二側凹弧面(311)之間形成該第二側弧通道(34)。
如請求項7所述之外折式弧軌轉軸結構，其中該第一內弧通道(15)與第二內弧通道(16)形成至少局部交錯；該第一樞轉件(50)之第一主翼部(51)外端部設有至少一第一主凹部(511)及至少一第一主凸部(512)，該第二樞轉件(60)之第二主翼部(61)設有對應於該第一主凹部(511)之第二主凸部(612)及對應於該第一主凸部(512)之第二主凹部(611)，使該第一樞轉件(50)、第二樞轉件(60)相對樞轉時，該第一主凸部(512)能伸入該第二主凹部(611)，且第二主凸部(612)能伸入該第一主凹部(511)中形成相互局部交錯。
如請求項1或2或3或4或5所述之外折式弧軌轉軸結構，其中該中間支座(1)上設有一同步扭力組件(4)，該同步扭力組件(4)兩旁側設有能同步樞轉開合之第一側部(41)、第二側部(42)；且該第一側支座(2)係可滑動地組合於該第一側部(41)上，該第二側支座(3)係可滑動地組合於該第二側部(42)上。
如請求項6所述之外折式弧軌轉軸結構，其中該中間支座(1)上設有一同步扭力組件(4)，該同步扭力組件(4)兩旁側設有能同步樞轉開合之第一側部(41)、第二側部(42)；且該第一側支座(2)係可滑動地組合於該第一側部(41)上，該第二側支座(3)係可滑動地組合於該第二側部(42)上。
如請求項7所述之外折式弧軌轉軸結構，其中該中間支座(1)上設有一同步扭力組件(4)，該同步扭力組件(4)兩旁側設有能同步樞轉開合之第一側部(41)、第二側部(42)；且該第一側支座(2)係可滑動地組合於該第一側部(41)上，該第二側支座(3)係可滑動地組合於該第二側部(42)上。
如請求項8所述之外折式弧軌轉軸結構，其中該中間支座(1)上設有一同步扭力組件(4)，該同步扭力組件(4)兩旁側設有能同步樞轉開合之第一側部(41)、第二側部(42)；且該第一側支座(2)係可滑動地組合於該第一側部(41)上，該第二側支座(3)係可滑動地組合於該第二側部(42)上。
如請求項9所述之外折式弧軌轉軸結構，其中該第一側部(41)兩旁側分別向外凸設有一第一側凸緣(411)，該第二側部(42)兩旁側分別向外凸設有一第二側凸緣(421)；該第一側支座(2)設有套合該第一側部(41)之第一收容部(22)，於該第一收容部(22)兩旁側分別設有對應於該兩第一側凸緣(411)之第一側凹緣(221)，該第二側支座(3)設有套合該第二側部(42)之第二收容部(32)，於該第二收容部(32)兩旁側分別設有對應於該兩第二側凸緣(421)之第二側凹緣(321)。
如請求項10所述之外折式弧軌轉軸結構，其中該第一側部(41)兩旁側分別向外凸設有一第一側凸緣(411)，該第二側部(42)兩旁側分別向外凸設有一第二側凸緣(421)；該第一側支座(2)設有套合該第一側部(41)之第一收容部(22)，於該第一收容部(22)兩旁側分別設有對應於該兩第一側凸緣(411)之第一側凹緣(221)，該第二側支座(3)設有套合該第二側部(42)之第二收容部(32)，於該第二收容部(32)兩旁側分別設有對應於該兩第二側凸緣(421)之第二側凹緣(321)。
如請求項11所述之外折式弧軌轉軸結構，其中該第一側部(41)兩旁側分別向外凸設有一第一側凸緣(411)，該第二側部(42)兩旁側分別向外凸設有一第二側凸緣(421)；該第一側支座(2)設有套合該第一側部(41)之第一收容部(22)，於該第一收容部(22)兩旁側分別設有對應於該兩第一側凸緣(411)之第一側凹緣(221)，該第二側支座(3)設有套合該第二側部(42)之第二收容部(32)，於該第二收容部(32)兩旁側分別設有對應於該兩第二側凸緣(421)之第二側凹緣(321)。
如請求項12所述之外折式弧軌轉軸結構，其中該第一側部(41)兩旁側分別向外凸設有一第一側凸緣(411)，該第二側部(42)兩旁側分別向外凸設有一第二側凸緣(421)；該第一側支座(2)設有套合該第一側部(41)之第一收容部(22)，於該第一收容部(22)兩旁側分別設有對應於該兩第一側凸緣(411)之第一側凹緣(221)，該第二側支座(3)設有套合該第二側部(42)之第二收容部(32)，於該第二收容部(32)兩旁側分別設有對應於該兩第二側凸緣(421)之第二側凹緣(321)。
一種外折式轉軸之翻折順暢結構，包括：<br/> 一中間支座(1)，設有一基座(11)；<br/> 兩側支座(2)，組設於該中間支座(1)兩旁側，且能於一展開位置及一收合位置之間進行往復翻折活動；<br/> 一側推模組(3)，具有至少一活動座(31)、至少一樞轉件(32)；該活動座(31)可位移地組合於該側支座(2)，且該活動座(31)上組合一彈性件(33、330)，該樞轉件(32)結合於該活動座(31)接近該基座(11)之一端，且該樞轉件(32)可樞轉地組合於該基座(11)中；當該兩側支座(2)翻折於相對接近之收合位置時，該彈性件(33、330)能抵頂於該側支座(2)上預設之一擋部(24)，該彈性件(33、330)受壓縮而產生一輔助彈力，藉以推動該樞轉件(32)朝向該基座(11)，消除該樞轉件(32)與基座(11)滑動部位的樞轉間隙，以避免該樞轉件(32)與基座(11)之間，在初始展開翻折操作時產生卡頓現象。
如請求項1所述之外折式轉軸之翻折順暢結構，其中該活動座(31)朝向該擋部(24)的一端設有一凹孔(312)；該彈性件(33)為一彈簧，該彈簧的一端收容於該凹孔(312)內，該彈簧的另一端凸伸於該凹孔(312)外。
如請求項1所述之外折式轉軸之翻折順暢結構，其中該彈性件(330)為一固定於該活動座(31)上之彈片，且該彈片朝向該擋部(24)的一端凸伸於該活動座(31)端部外。
如請求項1或2或3所述之外折式轉軸之翻折順暢結構，其中該基座(11)上設有至少一朝向該中間支座(1)旁側延伸之凹弧部(111)，該樞轉件(32)上設有一能組合位移於該凹弧部(111)之凸弧部(321)，該彈性件(33、330)受壓縮所產生之輔助彈力能驅動該活動座(31)，帶動該樞轉件(32)朝向該基座(11)方向活動。
如請求項4所述之外折式轉軸之翻折順暢結構，其中該凸弧部(321)兩旁側邊緣設有外凸之凸弧緣(322)；該凹弧部(111)兩旁側邊緣對應設有能套合該凸弧緣(322)之凹弧槽(112)，使該凸弧部(321)能保持貼合於該凹弧部(111)上位移。
如請求項1或2或3所述之外折式轉軸之翻折順暢結構，其中該兩側支座(2)上設有能收容該活動座(31)之導滑槽(23)，該擋部(24)設於該導滑槽(23)遠離該中間支座(1)的一端；該導滑槽(23)兩旁側分別設有一導滑凹緣(231)，該活動座(31)兩旁側設有能伸入各該導滑凹緣(231)之導滑凸緣(311)。
如請求項4所述之外折式轉軸之翻折順暢結構，其中該兩側支座(2)上設有能收容該活動座(31)之導滑槽(23)，該擋部(24)設於該導滑槽(23)遠離該中間支座(1)的一端；該導滑槽(23)兩旁側分別設有一導滑凹緣(231)，該活動座(31)兩旁側設有能伸入各該導滑凹緣(231)之導滑凸緣(311)。
一種外折式轉軸之翻折順暢結構，包括：<br/> 一中間支座(1)，設有一基座(11)；<br/> 兩側支座(2)，組設於該中間支座(1)兩旁側，且能於一展開位置及一收合位置之間進行往復翻折活動；<br/> 一側推模組(3)，具有至少一活動座(31)、至少一樞轉件(32)；該活動座(31)可位移地組合於至少一側支座(2)，該樞轉件(32)樞接於該活動座(31)接近該中間支座(1)的一端，且彼此間形成容許產生微量樞轉之組合結構。
如請求項8所述之外折式轉軸之翻折順暢結構，其中該樞轉件(32)朝向該活動座(31)的一端面設有樞轉側面(323)，該活動座(31)朝向該樞轉件(32)的一端面設有活動側面(313)，且該樞轉件(32)可樞轉地組合於該基座(11)，該樞轉側面(323)與活動側面(313)之間具有一間隙(X)；當該兩側支座(2)於展開位置及收合位置之間進行翻折時，該間隙(X)提供該活動座(31)與樞轉件(32)形成一可微量樞轉之組合結構，藉以避免該活動座(31)與側支座(2)因為同時依各自不同旋轉中心進行轉動及位移量之差異，而造成相互卡制阻礙之滑行卡頓現象。
如請求項8所述之外折式轉軸之翻折順暢結構，其中該基座(11)上設有至少一朝向該中間支座(1)旁側延伸之凹弧部(111)，該樞轉件(32)上設有一能組合位移於該凹弧部(111)之凸弧部(321)，且該樞轉件(32)能以該凸弧部(321)沿該基座(11)之凹弧部(111)位移活動。
如請求項10所述之外折式轉軸之翻折順暢結構，其中該凸弧部(321)兩旁側邊緣設有外凸之凸弧緣(322)；該凹弧部(111)兩旁側邊緣對應設有能套合該凸弧緣(322)之凹弧槽(112)，使該凸弧部(321)能保持貼合於該凹弧部(111)上位移。
如請求項1或2或3或8或9或10或11所述之外折式轉軸之翻折順暢結構，其中該中間支座(1)結合一同步扭力機構(4)及一樞轉連接機構(5)，該同步扭力機構(4)具有能同步開合之兩側部(41)，該兩側支座(2)分別可位移地組合於該兩側部(41)上，該兩側支座(2)分別以一邊側連結於該樞轉連接機構(5)，使該兩側支座(2)能受該樞轉連接機構(5)連動樞轉，且在上述樞轉過程中，該樞轉連接機構(5)能驅動該兩側支座(2)分別於該兩側部(41)上位移。
如請求項4所述之外折式轉軸之翻折順暢結構，其中該中間支座(1)結合一同步扭力機構(4)及一樞轉連接機構(5)，該同步扭力機構(4)具有能同步開合之兩側部(41)，該兩側支座(2)分別可位移地組合於該兩側部(41)上，該兩側支座(2)分別以一邊側連結於該樞轉連接機構(5)，使該兩側支座(2)能受該樞轉連接機構(5)連動樞轉，且在上述樞轉過程中，該樞轉連接機構(5)能驅動該兩側支座(2)分別於該兩側部(41)上位移。
如請求項12所述之外折式轉軸之翻折順暢結構，其中該兩側部(41)上分別於垂直該中間支座(1)的兩旁側延伸設有凸緣(42)；該兩側支座(2)上分別設有收容各該側部(41)之收容部(21)，且各該收容部(21)邊側設有套合各該凸緣(42)之側凹緣(22)。
如請求項14所述之外折式轉軸之翻折順暢結構，其中該兩側支座(2)上分別設有平行於該側凹緣(22)之導滑槽(23)，能收容該活動座(31)；該導滑槽(23)兩旁側分別設有一導滑凹緣(231)，該活動座(31)兩旁側設有能伸入各該導滑凹緣(231)之導滑凸緣(311)。
一種起子工具束頭，包含：<br/> 一套管，包含一安裝孔，其貫穿於該套管的一端；<br/> 一工具頭，與該套管的另一端連接；以及<br/> 一蓋體，罩設於該工具頭，並與該套管可拆卸地相連接。
如請求項1所述之起子工具束頭，其中該套管更包含一扭力止滑結構，其位於該套管的一外環面。
如請求項2所述之起子工具束頭，其中該扭力止滑結構包含複數斜紋部，該些斜紋部環繞設置於該外環面。
如請求項2所述之起子工具束頭，其中該扭力止滑結構包含複數波紋部及複數手持部，該些波紋部從該套管與該工具頭連接的該端往該套管包含該安裝孔的該端延伸設置，每一該些手持部位於每二該些波紋部之間。
如請求項1所述之起子工具束頭，其中該起子工具束頭的一長度大於等於12 mm。
如請求項1所述之起子工具束頭，其中該安裝孔用以與一繩體連接。
如請求項1所述之起子工具束頭，其中該工具頭包含：<br/> 一連接部，其一端與該套管連接；及<br/> 一起子部，設置於該連接部的另一端。
如請求項7所述之起子工具束頭，其中該蓋體包含一接合部，環設於該蓋體的一內環面，並用以與該連接部可拆卸地接合。
如請求項7所述之起子工具束頭，其中該起子部為六角型、十字型或一字型螺絲起子。
如請求項1所述之起子工具束頭，其中該蓋體的一管壁厚度小於等於1.4 mm，該套管的一管壁厚度小於等於1.5 mm。
一種造型杯，包含有：<br/> 一杯身，該杯身之內部具有一容裝空間，該杯身之頂面具有一連通該容裝空間至外界之開口；<br/> 一杯蓋，該杯蓋之頂面上具有一拉環部，該拉環部為一易開罐之拉環造型，該杯蓋係以可拆離之方式結合於該杯身之開口中。
如請求項1所述之造型杯，其中，該杯身包含有一內膽及一外殼，該內膽具有一內膽本體及一套接環，該容裝空間係位於該內膽本體之內部，該開口係位於該內膽本體之頂面，該套接環係自該內膽本體之頂緣向外向下翻折，使該套接環與該內膽本體間形成有一朝下呈透空之套接槽，該外殼係包覆於該內膽之內膽本體外周面上，該外殼之頂端係插接套入於該內膽本體之套接槽內。
如請求項2所述之造型杯，其中，該內膽係由不銹鋼材質所一體製成，該外殼係由塑膠所一體製成。
如請求項2所述之造型杯，其中，該外殼在靠近頂緣之外周面上形成有多數往上漸縮外徑之環圈。
如請求項1所述之造型杯，其中，該拉環部係以貼紙、蝕刻、研磨、繪製、 雷紙雕刻、模具成形中之任一種方式形成於該杯蓋之頂面上。
如請求項1所述之造型杯，更包含有一防漏環；該杯蓋外周面上形成有一環狀之束槽，該防漏環係結合於該束槽中，使當該杯蓋與該杯身結合時，係由該防漏環抵接於該容裝空間之內壁面上。
如請求項6所述之造型杯，其中，該防漏環係由矽膠所一體製成。
如請求項6所述之造型杯，其中，該防漏環具有一結合環及一抵接環，該結合環係環繞結合於該杯蓋之束槽中，該抵接環係自該結合環之外周面所一體伸出而成，當該杯蓋以可拆離之方式結合於該杯身之開口中時，係由該抵接環與該容裝空間之內壁面抵接。
如請求項1所述之造型杯，更包含有一底座，該底座係以可拆離之方式結合於該杯身之底部。
如請求項9所述之造型杯，其中，該底座具有一外凸部，該杯身之底部具有一內凹部，由該外凸部與該內凹部進行可拆離之結合。
一種座椅扶手升降結構， 包括：<br/> 一連結桿，具一立桿部；<br/> 一定位板，設於該立桿部頂部，具一定位孔，該定位孔為長條形體，並其二長邊外側分別具一支撐部；<br/> 一套管，套合該立桿部並可對應該立桿部升降動作；<br/> 一定位桿，為直條桿體，中央具一定位段，該定位段頂端連結一作動端，又該定位段於不同高度位置設置複數定位體，相鄰定位體間具略大於該定位板厚度之環槽，又該定位體穿插該定位孔，其長度小於該定位孔長度並大於該定位孔二長邊間距，並其長邊二側為可與該支撐部抵靠之抵靠部；又該作動端直徑大於該定位段，中央上方設置一軸柱，該軸柱一側偏心位置設置一可帶動該定位桿旋轉之作動柱；<br/> 一接合座，設於該套管上，中央設置一可穿插該軸柱之軸孔，對應該作動柱位置設置可穿插該作動柱之弧形作動槽，該作動槽二側分別具一鎖定抵靠端、一不鎖定抵靠端；<br/> 一按鈕，設於該接合座位置，並可對應該接合座位移，具一按壓部，該按壓部一側具一作動部，該作動部對應該軸柱位置設置一可穿插該軸柱之長條透孔，又該作動部與該作動柱接合；<br/> 一彈性件，提供該按鈕作動彈性；<br/> 一墊體，設於該套管上方；<br/> 並且未按壓該按鈕時該作動柱可與該鎖定抵靠端抵靠並使該抵靠部與該支撐部抵靠；又按壓該按鈕時可令該作動柱與該非鎖定抵靠端抵靠，並使該定位體方向對應該定位孔。
如請求項1所述之座椅扶手升降結構，其中該定位桿之定位段底端連結一擋止體，該擋止體可穿插該定位孔，其長度小於該定位孔長度並大於該定位孔二長邊間距，又該擋止體與該定位體呈垂直方向設置。
如請求項1所述之座椅扶手升降結構，其中該接合座具一上座、一下座對接組合，該上座及該下座分別具一上板、一下板，該下板二側向上設置凸緣，並使該上座及該下座對接組合後該上板與該下板間具可容置該按鈕之作動部直向位移之插槽。
如請求項3所述之座椅扶手升降結構，其中該上板及該下板內側設置一容置槽，又該按鈕之該作動部於相對該按壓部一側設置一凸體；又該彈性件為伸縮彈簧，並設於該容置槽內，並一端與該按鈕之凸體接合，另一端與該套管抵靠。
如請求項1所述之座椅扶手升降結構，其中該連結桿下方具一接合段，該接合段向上連結該立桿部，該立桿部上方對應該定位孔位置具一上、下方向可穿插該定位桿之槽孔。
如請求項5所述之座椅扶手升降結構，其中該槽孔為圓形。
如請求項1所述之座椅扶手升降結構，其中該套管具一外環部，該外環部中央具一內環部，該內環部中央具一上、下方向可套合該立桿部之套孔。
如請求項7所述之座椅扶手升降結構，其中該外環部設置可穿伸該按鈕之該按壓部之穿孔。
一種散熱裝置，包括： <br/>一液冷排，包括一第一水箱、一第二水箱及複數鰭片通道組，各該鰭片通道組相互平行且連接在該第一水箱及該第二水箱之間；及 <br/>一氣冷模組，對應各該鰭片通道組設置，該氣冷模組包括一第一殼體、一第二殼體及至少兩個風扇，該第一殼體包括一外框、至少兩個內環、至少兩個支承部及至少一個連接肋，各該內環並列連接在該外框內，各該支承部分別連接在各該內環內，該連接肋連接在各該內環之間，該第一殼體具有連接該外框及各該支承部的一走線槽道，該第二殼體具有對應各該內環的複數通孔，每一該風扇包括一LED燈座及一扇輪，各該LED燈座分別設置在各該支承部，各該扇輪可轉動地連接於各該LED燈座並配置為對各該鰭片通道組作氣冷散熱。
如請求項1所述之散熱裝置，其中該走線槽道設置在該第一殼體遠離該第二殼體的一側，該走線槽道包括至少一個出線通道及至少一個串線通道，該出線通道自該外框的一側延伸至其中一該支承部，該串線通道自其中一該支承部延伸至另一該支承部。
如請求項2所述之散熱裝置，其中每一該支承部包括一基座及複數連接臂，每一該基座通過對應的各該連接臂連接至對應的該內環，該出線通道自該外框的一側經由其中一該支承部的其中一該連接臂延伸至對應的該基座，其中一該支承部的其中一該連接臂與相鄰的另一該支承部的其中一該連接臂相連接且形成有該走線槽道。
如請求項3所述之散熱裝置，其中該外框具有一槽口，具有該出線通道的該連接臂在與對應的該基座的交接處形成有一出線缺口，該出線通道的兩端分別連通該槽口及該出線缺口，具有該串線通道的各該連接臂分別在與對應的該基座的交接處形成有一串線缺口，該串線通道的兩端分別連通各該串線缺口。
如請求項3所述之散熱裝置，其中每一該內環具有複數強化支撐結構，每一該內環的各該強化支撐結構設置在該內環的外壁且與各該連接臂錯位配置。
如請求項1所述之散熱裝置，其中該走線槽道的兩端分別位於該外框的相異側。
如請求項1所述之散熱裝置，其還包括一液冷頭及一對輸液管，各該輸液管連接在該液冷排及該液冷頭之間而構成一封閉迴路以供一冷卻液於其中單向流動。
如請求項7所述之散熱裝置，其還包括一屏幕，該屏幕可滑動地設置於該液冷頭。
如請求項8所述之散熱裝置，其中該屏幕具有一第一磁吸件，該液冷頭具有一第二磁吸件，該第一磁吸件與該第二磁吸件相互吸附以使該屏幕可滑動地連接該液冷頭。
如請求項8所述之散熱裝置，其中該屏幕具有一第一限位結構，該液冷頭具有一第二限位結構，該第一限位結構與該第二限位結構相配合以限制該屏幕相對於液冷頭沿單一方向來回滑動。
一種泛用薄膜化探針清潔片，主要用以清潔一探針表面的異物，其包括:<br/> 一緩衝基底層，其具有一第一料件，以及在該第一料件內部所形成的複數緩衝孔，各緩衝孔之間以間距排列，又該緩衝基底層的厚度為50~250um；<br/> 一緩衝層，其疊設於該緩衝基底層的一端面，又該緩衝層的厚度為15~100um；<br/> 一清潔層，其疊設於該緩衝層的一端面並相反於該緩衝基底層，又該清潔層係以一第二料件及複數研磨粒相互混合形成，而該清潔層的厚度為15~60um；<br/> 及一背膠層，其疊設於該緩衝基底層的另一端面並相反於該緩衝層，該背膠層的厚度為10~140um；<br/> 其中，透過該緩衝層及該緩衝基底層的設置，當探針的移動為垂直方向插入該清潔層進行清潔時，以該緩衝層的減緩該探針所穿刺的力量，反之當該探針的移動為水平橫向清潔時，探針的尖端位置會於該清潔層表面進行橫向移動，以該緩衝基底層中的各緩衝孔設置下，各緩衝孔能夠分散該探針橫向移動時所產生的力量，並使該探針能夠滑順的在清潔片上進行清潔。
如請求項1所述之泛用薄膜化探針清潔片，其中該緩衝基底層的該第一料件可為薄膜材料。
如請求項1所述之泛用薄膜化探針清潔片，其中該緩衝層為自修復材料。
如請求項1所述之泛用薄膜化探針清潔片，其中該清潔層的該第二料件可為矽膠材質，又矽膠材質選自一環氧樹脂、一聚氨酯樹脂及一壓克力樹脂中任一種。
如請求項1所述之泛用薄膜化探針清潔片，其中該清潔層的各研磨粒可選自一氧化鋁、一氮化矽、一氮化硼、一碳化矽、一碳化硼及一金剛石組成的至少一種無機細粉。
如請求項5所述之泛用薄膜化探針清潔片，其中各研磨粒的粒徑為1um至5um的細磨料粉末。
如請求項1所述之泛用薄膜化探針清潔片，其中該清潔層的厚度最佳為40um。
如請求項1所述之泛用薄膜化探針清潔片，其中該緩衝層的厚度最佳為15um。
如請求項1所述之泛用薄膜化探針清潔片，其中該緩衝基底層的厚度最佳為75um。
如請求項1所述之泛用薄膜化探針清潔片，其中該背膠層的最佳厚度為10um。
如請求項1所述之泛用薄膜化探針清潔片，其中另設一離型膜活動貼附於該背膠層，且該離型膜相反於該緩衝基底層。
如請求項1所述之泛用薄膜化探針清潔片，其中各研磨粒之部分研磨粒其顯露於該清潔層之表面。
一種結合部分生成式影像與引導式人為彩繪之混合式繪畫創作與教學系統，由一電子設備介接至少一大型語言模型，包括：<br/> 一基礎創作模組，用以執行繪畫半成品生成及教學導引之創作流程，包括：<br/> 一使用者輸入單元，依據一使用者輸入之文字提示詞(Prompt)或/與輸入至少一影像資料及至少一風格參數；<br/> 一影像前處理單元 ，接收該影像資料，並對該影像進行結構化分析處理，以生成一結構化影像資料；<br/> 一生成式影像單元，根據該使用者輸入之該文字提示詞(Prompt)或/與所述結構化影像資料及該風格參數，透過一生成模型產生一繪畫風格影像；<br/> 一完成度控制單元 ，根據一完成度參數對該影像資料進行處理，以控制影像之完成程度，使影像保留部分未完成區域，以生成一半成品繪畫影像；<br/> 一未完成區域識別單元，用以分析該半成品繪畫影像，以識別其中之未完成區域，以產生一未完成區域集合； <br/> 一教學導引生成單元，根據該未完成區域集合，針對各未完成區域產生對應之一教學導引資訊；<br/> 一輸出整合單元，用以整合該半成品繪畫影像及該教學導引資訊，並將其轉換為可供顯示或輸出之形式；以及<br/> 一使用者互動彩繪單元，提供該使用者依據該教學導引資訊進行人工彩繪之操作介面，對該半成品繪畫影像進行上色、補強筆觸及調整光影，從而完成一畫作；<br/> 一作品回傳分析模組 ，用以於該使用者完成該畫作後，透過影像擷取、對齊比對及差異分析，產生對應之一教學回饋資訊，包括：<br/> 一完成畫作上傳單元 ，透過一掃描輸入/列印輸出裝置 ，以拍照、掃描或其他影像擷取方式，以取得該畫作之數位影像資料；<br/> 一畫作校正與標準化單元，用以對該畫作影像進行前處理，以使該畫作影像符合預設之標準化格式；<br/> 一底稿對齊比對單元，用以將上述處理後之該畫作影像與對應之半成品繪畫影像進行對齊，使兩者於空間座標上建立對應關係；<br/> 一差異分析單元 ，用以對該畫作影像與該半成品繪畫影像進行比較分析，並產生對應之一差異資訊；<br/> 一回饋報告生成單元，用以將該差異資訊轉換為具教學意義之回饋內容；以及<br/> 一視覺化差異顯示單元，用以將該差異資訊轉換為一視覺化呈現形式；<br/> 一教師專業介入模組，用以於該使用者完成畫作後導入專業教師之審閱、標註與修正機制，包括：<br/> 一教師端登入與權限管理單元 ，提供一教師進行身份驗證，以取得對應該使用者之存取權限；<br/> 一教師作品檢視單元，接收並顯示該使用者之該畫作影像、該半成品繪畫影像以及該差異資訊；<br/> 一教師標註評論單元，提供該教師於該畫作影像上進行區域標註與文字說明 ，以生成一教師標註評論；<br/> 一教師數位代筆修正單元，提供該教師於該畫作影像上進行模擬筆觸修正，以形成一教師修正圖層；<br/> 一實體代筆對應單元，提供該教師於數位端所標示或修正之區域對應至實體畫布之具體位置，生成一實體代筆對應資訊，以供線下教學時進行實際代筆示範或指導；<br/> 一教師整合輸出單元 ，用以整合該使用者之該畫作、該差異資訊、該教師標註評論、該教師修正圖層以及該實體代筆對應資訊，以形成一多層次教學輸出內容；以及<br/> 一教師回饋與學生報告整合單元，將上述整合內容轉換為一完整之教學報告。
如請求項1之結合部分生成式影像與引導式人為彩繪之混合式繪畫創作與教學系統，其中該使用者互動彩繪單元更可透過一掃描輸入/列印輸出裝置 將該半成品繪畫影像輸出。
如請求項1之結合部分生成式影像與引導式人為彩繪之混合式繪畫創作與教學系統，其中更包括一創作履歷與權利驗證模組，用以於繪畫創作過程中對多階段之創作行為進行記錄、結構化處理與鏈上存證，並生成對應之非同質化代幣（NFT），以確保創作過程之不可竄改性與權利歸屬之可驗證性。
如請求項1之結合部分生成式影像與引導式人為彩繪之混合式繪畫創作與教學系統，其中更包括一個人化學習模組，用以根據該使用者於多次創作過程中所累積之畫作資料及分析結果，建立其個人化繪畫能力模型，並提供迭代式教學建議與學習路徑，以提升學習效果與創作能力。
如請求項1之結合部分生成式影像與引導式人為彩繪之混合式繪畫創作與教學系統，其中該繪畫創作可以選自油畫、潑墨山水畫、水彩、色鉛、素描等創作中任選其中一種。
一種垂直分區型模組化發電系統，包含：<br/> 一模組化殼體組件，包含：<br/> 一主殼體，係具有彼此相對之一進風端與一排風端，並且設有一容置空間；<br/> 一進風殼體，係在該進風端固定於該主殼體之上方，設有連通於該容置空間之一進風空間，並且設有連通於該進風空間之至少一進風口；以及<br/> 一排風殼體，係在該排風端固定於該主殼體之側方，設有連通於該容置空間之一排風空間，並且設有連通於該排風空間之至少一排風口；以及<br/> 一發電機組，包含：<br/> 一發電機本體，係設置於該容置空間；以及<br/> 一散熱模組，係鄰近該發電機本體而設，用以產生一散熱氣流；<br/> 其中，該散熱氣流係自上述進風口流入該進風空間，並流向該容置空間對該發電機本體加以散熱後，流向該排風空間並自上述排風口排出。
如請求項1所述之垂直分區型模組化發電系統，其中，該發電機組係為一燃油發電機組，且該垂直分區型模組化發電系統更包含一油箱，該油箱係固定於該主殼體之下方，用以儲存燃油並供該發電機組抽取使用。
如請求項1所述之垂直分區型模組化發電系統，其中，該發電機組更包含複數個隔震器，該些隔震器係設置於該發電機本體與該主殼體之間，用以支撐該發電機本體並吸收其運作時之震動。
如請求項1所述之垂直分區型模組化發電系統，更包含一消音組件，該消音組件包含設置於該進風空間之一進風消音器，以及設置於該排風空間之一排風消音器。
如請求項4所述之垂直分區型模組化發電系統，其中，該進風消音器與該排風消音器係分別包含彼此間隔設置之複數個V型消音片。
如請求項1所述之垂直分區型模組化發電系統，其中，該進風殼體係於上述進風口設有至少一進風百葉窗，且該排風殼體係於上述排風口設有至少一排風百葉窗；其中，該散熱氣流係經由上述進風百葉窗流入該進風空間，並經由上述排風百葉窗流出該排風空間。
如請求項6所述之垂直分區型模組化發電系統，其中，上述進風百葉窗與上述排風百葉窗分別包含有沿水平方向延伸且彼此間隔設置之複數個葉片。
如請求項1所述之垂直分區型模組化發電系統，其中，該排風殼體包含：<br/> 一側部排風殼體，係固定於該主殼體之側方，並且設有連通於該容置空間之一垂直導風空間；以及<br/> 一頂部排風殼體，係固定於該側部排風殼體之上方，設有上述排風口，並且設有連通於該垂直導風空間與上述排風口之一水平導風空間；<br/> 其中，該垂直導風空間與該水平導風空間係共同形成該排風空間；該散熱氣流係自該容置空間水平流入該垂直導風空間並轉向為垂直流動後，流入該水平導風空間並再次轉向為水平流動，而後自上述排風口排出。
如請求項8所述之垂直分區型模組化發電系統，其中，該側部排風殼體係在該垂直導風空間內設有一垂直弧形導風板，用以引導該散熱氣流由水平流動轉向為垂直流動，該頂部排風殼體係在該水平導風空間內設有一水平弧形導風板，用以引導該散熱氣流由垂直流動再次轉向為水平流動。
如請求項1所述之垂直分區型模組化發電系統，其中，該發電機組更包含一排煙組件，該排煙組件包含：<br/> 一排煙管，係連通於該發電機本體，並且具有垂直穿出該主殼體之一垂直延伸段，以及自該垂直延伸段彎折延伸之一水平延伸段；<br/> 一排煙消音器，係連通於該水平延伸段遠離該垂直延伸段之一端，並且固定於該排風殼體之外部；以及<br/> 一排煙防雨罩，係設置於該排煙消音器遠離該水平延伸段之一端。
一種送料裝置，適用於應用於一金爐，並適用於將該金爐內部的一爐灰運送出該金爐，該送料裝置包含：<br/> 一主螺桿單元，包括一主桿，及一螺旋圍繞設置於該主桿的主螺旋葉片，該主桿呈中空而界定一適用於流通一冷媒的冷卻管道及一連通該冷卻管道的開口，該主桿具有一靠近該開口的出料端，及一遠離該開口的運料端；<br/> 一主傳動單元，連接該主桿；及<br/> 一主驅動單元，包括一連接該主傳動單元的主馬達模組，該主馬達模組用以驅動該主傳動單元而連動該主桿旋轉，使該主螺旋葉片被連動旋轉，而用以將該爐灰由該運料端往該出料端運送，而使該爐灰被運送出該金爐。
如請求項1所述的送料裝置，還包含一冷卻單元，該冷卻單元包括一水塔、一連通該水塔與該開口的入水管、一連通該開口與該水塔的出水管，及一設置於該入水管的加壓馬達。
如請求項2所述的送料裝置，其中，該冷卻單元還包括一連接該出料端的旋轉接頭模組，該旋轉接頭模組連通該開口、該入水管與該出水管。
如請求項1所述的送料裝置，還包含一外罩單元，該主桿還具有一位於鄰近該出料端處的出料段，該外罩單元包括一籠罩該出料段的罩體，及一由該罩體界定且位於該出料段下方的出料口。
如請求項1所述的送料裝置，其中，該主馬達模組具有一主出力軸，該主傳動單元包括一連接於該出料端的主驅動輪、一連接該主出力軸與該主驅動輪的主傳動帶，該主傳動帶用以受該主出力軸帶動而連動該主驅動輪帶動該主桿轉動。
如請求項4所述的送料裝置，還包含一副螺桿單元、一副傳動單元及一副驅動單元，該副螺桿單元包括一副桿、一螺旋圍繞設置於該副桿上的副螺旋葉片，及一容置該副桿與該副螺旋葉片的外管，該外管具有一對應於該出料口而用以承接該爐灰的進料口，及一副出料口，該副傳動單元連接該副桿，該副驅動單元包括一連接該副傳動單元的副馬達模組，該副馬達模組用以驅動該副傳動單元而連動該副桿旋轉，使該副螺旋葉片被連動旋轉，而用以將該爐灰由該進料口處運送至該副出料口處。
如請求項6所述的送料裝置，其中，該副出料口之高度高於該出料口之高度。
如請求項4所述的送料裝置，其中，該外罩單元還包括一設置在該罩體上的觀察口。
一種金爐，包含：<br/> 一爐體，界定出一燃燒室；<br/> 複數進紙口，形成於該爐體且連通該燃燒室與外界；<br/> 一排氣口，設置於該爐體頂端，並連通該燃燒室與外界；及<br/> 一如請求項1至8中任一項所述的送料裝置，該主螺桿單元設置於該燃燒室底部，且該出料端突出至該爐體外側。
如 請求項9所述的金爐，還包含一濾網，該濾網設置於該燃燒室，高度低於該等進紙口並高於該主螺桿單元。
如 請求項9所述的金爐，還包含一集灰槽，用以承接該爐灰。
一種抗輻射發光二極體燈具模組，其包括：<br/> 一照明光產生結構，所述照明光產生結構包括一電路基板以及設置在所述電路基板上的多個發光二極體元件；以及<br/> 一光反射罩體結構，所述光反射罩體結構設置在所述照明光產生結構的上方，以用於與所述照明光產生結構相互配合；<br/> 其中，所述光反射罩體結構包括一金屬承載板以及設置在所述金屬承載板上的一可視標示層；<br/> 其中，所述光反射罩體結構具有電導性與熱導性；<br/> 其中，當所述光反射罩體結構暴露於具有至少500 kGy的累積伽瑪輻射劑量時，所述光反射罩體結構的所述可視標示層具有小於2的色差值。
如請求項1所述的抗輻射發光二極體燈具模組，<br/> 其中，所述金屬承載板被配置為具有連續導電路徑的不鏽鋼、鋁或者金屬合金；<br/> 其中，所述可視標示層被配置為一白色顏料塗層或者一紅色顏料塗層；<br/> 其中，當所述可視標示層被配置為所述白色顏料塗層時，所述白色顏料塗層包含黏結劑以及分散於黏結劑內的二氧化鈦（TiO₂）、氧化鋅（ZnO）、氧化鋁（Al₂O₃）或者硫酸鋇（BaSO₄）；<br/> 其中，當所述可視標示層被配置為所述紅色顏料塗層時，所述紅色顏料塗層包含黏結劑以及分散於黏結劑內的三氧化二鐵（Fe₂O₃）、四氧化三鐵（Fe₃O₄）、鐵鉻氧化物、鐵錳氧化物或者尖晶石型複合金屬氧化物。
如請求項1所述的抗輻射發光二極體燈具模組，<br/> 其中，所述累積伽瑪輻射劑量介於500 kGy至1000 kGy之間；<br/> 其中，當所述光反射罩體結構暴露於具有1000 kGy的累積伽瑪輻射劑量時，所述光反射罩體結構的所述可視標示層具有小於1的色差值；<br/> 其中，當所述光反射罩體結構暴露於具有至少500 kGy的累積伽瑪輻射劑量時，所述可視標示層經由與所述金屬承載板之電性與熱性耦合，建立有效之電荷耗散與能量導離通道，藉此以改變輻射誘發缺陷之動態平衡，抑制色心之穩定形成與累積，從而維持所述可視標示層之顏色穩定性。
如請求項1所述的抗輻射發光二極體燈具模組，還進一步包括：<br/> 一頂部抗輻射結構，所述頂部抗輻射結構包括設置在所述照明光產生結構上方的一頂部抗輻射元件；<br/> 一抗輻射透光結構，所述抗輻射透光結構包括設置在所述照明光產生結構上方的一第一抗輻射透光元件以及設置在所述第一抗輻射透光元件上方的一第二抗輻射透光元件；<br/> 一底部抗輻射結構，所述底部抗輻射結構包括設置在所述照明光產生結構下方的一底部抗輻射元件；以及<br/> 一周圍抗輻射結構，所述周圍抗輻射結構包括設置在所述照明光產生結構周圍的一周圍抗輻射元件。
如請求項4所述的抗輻射發光二極體燈具模組，<br/> 其中，所述抗輻射透光結構被配置以與所述照明光產生結構彼此分離，且所述底部抗輻射結構被配置以接觸所述照明光產生結構的所述電路基板；<br/> 其中，所述第一抗輻射透光元件被配置為可拆卸地設置在所述照明光產生結構上方的一第一含鉛透光元件或者一第一含硼透光元件，且所述第二抗輻射透光元件被配置為可拆卸地設置在所述照明光產生結構上方的一第二含鉛透光元件或者一第二含硼透光元件；<br/> 其中，所述照明光產生結構被所述頂部抗輻射元件、所述第一抗輻射透光元件、所述底部抗輻射元件以及所述周圍抗輻射元件所完全包覆。
如請求項5所述的抗輻射發光二極體燈具模組，<br/> 其中，所述照明光產生結構還進一步包括設置在所述電路基板上的多個電子元件以及設置在所述電路基板上以覆蓋多個所述電子元件的一抗輻射絕緣覆蓋體；<br/> 其中，每一個所述發光二極體元件被配置為一交流電發光二極體晶片，每一個所述電子元件被配置為一電容元件、一電感元件、一電阻元件、一限流元件以及一整流元件中的一者，且所述抗輻射絕緣覆蓋體被配置為一含鈦絕緣覆蓋體；<br/> 其中，每一個所述發光二極體元件的一垂直投影完全落在所述第一抗輻射透光元件以及所述底部抗輻射結構上，且每一個所述電子元件的一垂直投影完全落在所述頂部抗輻射元件以及所述底部抗輻射結構上；<br/> 其中，所述第一抗輻射透光元件被配置以可拆卸地設置在一承載基座上，且所述第二抗輻射透光元件被配置以可拆卸地設置在一燈具殼體上。
如請求項6所述的抗輻射發光二極體燈具模組，<br/> 其中，當所述第一抗輻射透光元件被配置為所述第一含鉛透光元件時，所述第一含鉛透光元件被配置為可拆卸地設置在所述承載基座上的一第一含鉛玻璃板或者一第一含鉛塑膠板；<br/> 其中，當所述第一抗輻射透光元件被配置為所述第一含硼透光元件時，所述第一含硼透光元件被配置為可拆卸地設置在所述承載基座上的一第一含硼玻璃板或者一第一含硼塑膠板；<br/> 其中，當所述第二抗輻射透光元件被配置為所述第二含鉛透光元件時，所述第二含鉛透光元件被配置為可拆卸地設置在所述燈具殼體上的一第二含鉛玻璃板或者一第二含鉛塑膠板；<br/> 其中，當所述第二抗輻射透光元件被配置為所述第二含硼透光元件時，所述第二含硼透光元件被配置為可拆卸地設置在所述燈具殼體上的一第二含硼玻璃板或者一第二含硼塑膠板；<br/> 其中，所述第一抗輻射透光元件被配置為沒有貫穿孔的一第一抗輻射透光板，且所述第二抗輻射透光元件被配置為沒有貫穿孔的一第二抗輻射透光板； <br/> 其中，所述第一抗輻射透光元件被配置以透過一第一限位結構而可拆卸地設置在所述照明光產生結構的上方，且所述第二抗輻射透光元件被配置以透過一第二限位結構而可拆卸地設置在所述第一抗輻射透光元件的上方；<br/> 其中，所述第二抗輻射透光元件的一外圍繞區域被配置以用於提供一抗輻射等級資訊。
如請求項5所述的抗輻射發光二極體燈具模組，<br/> 其中，所述第一抗輻射透光元件與所述第二抗輻射透光元件被配置以彼此分離一預定距離或者彼此相互堆疊設置；<br/> 其中，所述光反射罩體結構設置所述頂部抗輻射元件與所述第一抗輻射透光元件之間；<br/> 其中，所述光反射罩體結構包括設置在所述頂部抗輻射元件上的一承載基座以及圍繞地連接於所述承載基座的多個反光元件，且多個所述反光元件依序彼此相連且圍繞所述承載基座；<br/> 其中，所述頂部抗輻射元件被配置以用於承載所述承載基座，且所述承載基座被配置以用於承載所述第一抗輻射透光元件；<br/> 其中，所述頂部抗輻射元件具有用於裸露多個所述發光二極體元件的一貫穿開口，且所述承載基座具有用於裸露多個所述發光二極體元件的一貫穿開口；<br/> 其中，當多個所述發光二極體元件被配置以用於產生一照明光束時，多個所述發光二極體元件所產生的所述照明光束依序穿過所述頂部抗輻射元件的所述貫穿開口、所述承載基座的所述貫穿開口、所述第一抗輻射透光元件以及所述第二抗輻射透光元件。
如請求項5所述的抗輻射發光二極體燈具模組，<br/> 其中，所述抗輻射發光二極體燈具模組還進一步包括：一抗輻射燈具承載結構，所述抗輻射燈具承載結構包括一燈具殼體、可拆卸地設置在所述燈具殼體上的一不鏽鋼承載座、可拆卸地設置在所述燈具殼體內的一含石墨基板以及可拆卸地設置在所述含石墨基板上的一含鋁基板；<br/> 其中，所述燈具殼體被配置以可拆卸地且可活動地設置在一天花板支架結構上，且所述含鋁基板被配置以用於承載所述底部抗輻射元件以及所述周圍抗輻射元件；<br/> 其中，所述頂部抗輻射元件被配置為可拆卸地設置在所述照明光產生結構上的一含鉛圍繞蓋板，所述底部抗輻射元件被配置為可拆卸地接觸所述電路基板的一抗輻射散熱元件，且所述周圍抗輻射元件被配置為可拆卸圍繞所述頂部抗輻射元件、所述照明光產生結構以及所述底部抗輻射元件的一含鎢圍繞蓋體。
如請求項9所述的抗輻射發光二極體燈具模組，其中，所述頂部抗輻射元件的厚度介於1000 μm至5000 μm之間，所述第一抗輻射透光元件的厚度介於1000 μm至5000 μm之間，所述第二抗輻射透光元件的厚度介於1000 μm至5000 μm之間，所述底部抗輻射元件的厚度介於1000 μm至5000 μm之間，所述周圍抗輻射元件的厚度介於1000 μm至5000 μm之間，所述不鏽鋼承載座的厚度介於1000 μm至5000 μm之間，所述含石墨基板的厚度介於1000 μm至5000 μm之間，且所述含鋁基板的厚度介於3000 μm至7000 μm之間。
一種茶酵素飲品製造系統，包含： <br/>一原料淨化單元，用以對一茶菁進行清潔處理； <br/>一活性維持蔭乾裝置，銜接於該原料淨化單元之輸出端，用以接收清潔後之該茶菁，並進行恆溫蔭乾以維持葉面活性； <br/>一複合式攪拌發酵設備，設置於該活性維持蔭乾裝置之後端路徑，該複合式攪拌發酵設備包含： <br/>一發酵桶體，其內部具有一容置空間，用以盛裝經該活性維持蔭乾裝置處理後之該茶菁及一預設比例之糖漿混合物； <br/>一密封頂蓋，蓋合於該發酵桶體之上方開口； <br/>一動力驅動組件，固定裝設於該密封頂蓋之上表面； <br/>一攪拌機構，設置於該發酵桶體之該容置空間內，且該攪拌機構之頂端穿設該密封頂蓋後，與該動力驅動組件相互連結；以及 <br/>一單向平衡排氣管路，其一端連通該發酵桶體之該容置空間，另一端穿設出該密封頂蓋並呈彎曲狀導向外部環境； <br/>藉此，透過各設備單元間之銜接配合與動力傳遞，使該茶菁在保持自然活性之狀態下進入該發酵桶體進行熟成，並由該動力驅動組件驅動該攪拌機構混合該糖漿混合物，且發酵過程中產生之氣體經由該單向平衡排氣管路排出，以確保發酵品質。
如請求項1所述之茶酵素飲品製造系統，其中該發酵桶體之該容置空間內更盛裝有一發酵粉，該發酵粉係與該茶菁及該糖漿混合物經由該攪拌機構進行混合。
如請求項1所述之茶酵素飲品製造系統，其中該原料淨化單元具有一自動化清洗機構，該自動化清洗機構設有複數噴頭用以對該茶菁進行噴淋處理。
如請求項1所述之茶酵素飲品製造系統，其中該活性維持蔭乾裝置具有一避光控溫構造，該避光控溫構造係由一不透光外殼及一設置於該不透光外殼內部之恆溫空調模組所組成。
如請求項1所述之茶酵素飲品製造系統，其中該單向平衡排氣管路之該彎曲狀構造係形成一物理障壁，用以阻隔外部雜質、異味或生物侵入該發酵桶體。
一種複合式充電樁系統，適於提供一第一停車位及一第二停車位充電服務，並適於與一行動通訊裝置通訊，並包含：<br/> 一第一充電樁，設置於該第一停車位，並能切換於一關閉狀態及一啟動狀態，且於該啟動狀態下能對車輛充電；<br/> 一第二充電樁，設置於該第二停車位，並能切換於該關閉狀態及該啟動狀態，且於該啟動狀態下能對車輛充電；<br/> 一地磁感測裝置，設置於該第二停車位，並產生多個地磁感測結果；<br/> 一第一地鎖裝置，設置於該第一停車位；<br/> 一第二地鎖裝置，設置於該第二停車位；<br/> 一影像拍攝裝置，設置於該第一停車位，並用於拍攝進出該第一停車位的車輛以產生多個拍攝影像；<br/> 一管理主機，電連接於該第一充電樁、該第二充電樁、該地磁感測裝置、該第一地鎖裝置、該第二地鎖裝置及該影像拍攝裝置，並儲存分別對應於多位會員的多筆會員資料，各該會員資料包含一車牌號碼；<br/> 當該管理主機根據該等拍攝影像判斷出該第一停車位未停放車輛且一第一車輛欲進入該第一停車位，該管理主機根據該等拍攝影像辨識該第一車輛的一車牌號碼，且判斷該第一車輛的該車牌號碼是否與該等會員資料其中一者的該車牌號碼相符；<br/> 當該管理主機判斷出該第一車輛的該車牌號碼與該等會員資料其中一者的該車牌號碼相符，該管理主機控制該第一地鎖裝置下降，並控制該第一充電樁處於該啟動狀態；<br/> 當該管理主機根據該等拍攝影像判斷出該第一車輛離開該第一停車位，該管理主機控制該第一地鎖裝置升起，並控制該第一充電樁處於該關閉狀態；<br/> 當該管理主機自該行動通訊裝置接收到對應於該第二停車位及該等會員資料其中一者的一停車請求，該管理主機控制該第二地鎖裝置下降；<br/> 當該管理主機根據該等地磁感測結果判斷出一第二車輛駛入該第二停車位，該管理主機控制該第二充電樁處於該啟動狀態；<br/> 當該管理主機根據該等地磁感測結果判斷出該第二車輛離開該第二停車位，該管理主機控制該第二地鎖裝置升起，並控制該第二充電樁處於該關閉狀態。
如請求項1所述的複合式充電樁系統，其中，該第一充電樁及該第二充電樁於充電結束時產生一充電結束時間及一充電電量；<br/> 當該管理主機根據該等拍攝影像判斷出該第一車輛離開該第一停車位，該管理主機還根據該第一充電樁產生的該充電電量計算一充電費用，並根據該第一充電樁產生的該充電結束時間及該第一車輛離開該第一停車位的一第一離開時間計算一佔用費用；<br/> 當該管理主機根據該等地磁感測結果判斷出該第二車輛離開該第二停車位，該管理主機還根據該第二充電樁產生的該充電電量計算該充電費用，並根據該第二充電樁產生的該充電結束時間及該第二車輛離開該第二停車位的一第二離開時間計算該佔用費用。
如請求項2所述的複合式充電樁系統，其中，於計算出該充電費用及該佔用費用後，該管理主機根據該充電費用及該佔用費用執行一扣款程序。
如請求項1所述的複合式充電樁系統，其中，各該會員資料還包含一付款方式及對應於該付款方式的一有效狀態；<br/> 當該管理主機判斷出該第一車輛的該車牌號碼與該等會員資料其中一者的該車牌號碼相符，該管理主機判斷相符的該會員資料的該有效狀態是否指示有效；<br/> 當該管理主機判斷出相符的該會員資料的該有效狀態指示有效，該管理主機控制該第一地鎖裝置下降，並控制該第一充電樁處於該啟動狀態；<br/> 當該管理主機自該行動通訊裝置接收到對應於該第二停車位及該等會員資料其中一者的該停車請求，該管理主機判斷對應的該會員資料的該有效狀態是否指示有效；<br/> 當該管理主機判斷出對應的該會員資料的該有效狀態指示有效，該管理主機控制該第二地鎖裝置下降。
一種建築鋁模板之水平調整結構，其設置於一建築地面上，係包含：<br/> 一基座，設於該建築地面上；<br/> 一調整底座，透過複數調節組件鎖固於該基座；以及<br/> 一鋁模板結構，透過複數鎖固件固定於該調整底座，使該鋁模板結構與該調整底座形成連動結構。
如請求項1所述之建築鋁模板之水平調整結構，其中各該調節組件包含一螺釘、一螺母及一螺絲，該螺釘之螺紋範圍界定為該調整底座相對於該基座之可調整之位移距離。
如請求項2所述之建築鋁模板之水平調整結構，其中該螺釘為中空螺釘，以供該螺絲穿設。
如請求項3所述之建築鋁模板之水平調整結構，其中該些調節組件的數量為二，並鎖固於該調整底座的相對二側。
如請求項1所述之建築鋁模板之水平調整結構，其中該基座為一木板片或一塑膠板。
如請求項1所述之建築鋁模板之水平調整結構，其中該調整底座的橫斷面為L型。
一種自行車之貨架快拆組件，適用於固定一貨架至一自行車之一中管或一座管，該自行車之貨架快拆組件包括：<br/> 一定位件；<br/> 一扳桿件，樞設於該定位件；以及<br/> 一彈性件，可分離地套設於該扳桿件及該定位件並至少部分地環繞該中管或該座管，以透過該彈性件與該定位件之間的彈性張緊配合，使該彈性件對該中管或該座管施加一束緊力。
如請求項1所述的自行車之貨架快拆組件，其中該定位件具有一安裝部、一第一支撐部及一第二支撐部，且該第一支撐部及該第二支撐部係自該安裝部延伸而出。
如請求項2所述的自行車之貨架快拆組件，其中該第一支撐部及該第二支撐部共同形成一雙面支撐結構，該雙面支撐結構係抵靠該中管或該座管，並確保該中管或該座管之管周上具有至少二個接觸路徑。
如請求項3所述的自行車之貨架快拆組件，其中該雙面支撐結構包括二個平面、二個弧面或至少一個平面與至少一個弧面的組合。
如請求項2所述的自行車之貨架快拆組件，其中該扳桿件具有一偏心部及一扳動部，其中該偏心部樞設於該定位件之該第二支撐部並可往復轉動於一釋放位置及一鎖定位置之間，且該扳動部延伸自該偏心部。
如請求項5所述的自行車之貨架快拆組件，其中當該扳動部受扳動使該偏心部自該釋放位置轉動至該鎖定位置時，該偏心部改變該彈性件之一端點位移，使該束緊力提升。
如請求項5所述的自行車之貨架快拆組件，其中當該偏心部位於該鎖定位置時，該彈性件施加於該偏心部之一張緊力係施加於該偏心部樞設之一轉動軸相對於該定位件的內側，使該張緊力對該偏心部產生趨向該鎖定位置之一鎖定力矩。
如請求項5所述的自行車之貨架快拆組件，其中該偏心部具有一溝槽，且該定位件之該第一支撐部具有一卡勾部。
如請求項8所述的自行車之貨架快拆組件，其中該彈性件包括一帶體，該帶體具有一第一端部及自該第一端部沿該帶體之長度方向延伸之複數個調節孔；其中，該第一端部係套設於該偏心部之該溝槽，且該複數個調節孔之其中一者選擇性地套設並扣合於該第一支撐部之該卡勾部。
如請求項2所述的自行車之貨架快拆組件，其中該安裝部具有一結合介面，該結合介面設有複數個定位孔或一桿件，用以供該貨架鎖固。
一種自行車卡鞋之防滑扣片，適用於與一自行車卡鞋及一卡式踏板相匹配，該自行車卡鞋之防滑扣片包括：<br/> 一本體，具有一第一結合部；以及<br/> 一止滑件，以一高分子彈性體材料澆鑄成型後安裝於該第一結合部，且具有一第一表面、一第二表面、一結合介面以及複數個溝槽，其中該第一表面及該第二表面形成於該止滑件的相對兩側，該結合介面形成於該第一表面並與該第一結合部相結合，且該複數個溝槽形成於該第二表面。
如請求項1所述的自行車卡鞋之防滑扣片，更包括至少一輔助止滑件，其中該本體更具有至少一第二結合部，且每一個該輔助止滑件與一個該第二結合部對應且相結合。
如請求項2所述的自行車卡鞋之防滑扣片，其中該輔助止滑件與該第二結合部之數量均為二個，該二個輔助止滑件各自與該二個第二結合部之其中一者對應且相結合。
如請求項3所述的自行車卡鞋之防滑扣片，其中該本體更具有一第一端部及與該第一端部相對之一第二端部，該第一結合部形成於該第一端部，該二個第二結合部形成於該第二端部的相對兩側，以使該二個輔助止滑件與該止滑件分別作為三個支撐頂點以呈現一三角支撐配置。
如請求項2所述的自行車卡鞋之防滑扣片，其中該本體更具有一第一卡合槽及至少一第二卡合槽，該第一卡合槽及該第二卡合槽與該自行車卡鞋或該卡式踏板相匹配，該第一結合部至少部分地環繞該第一卡合槽形成，且每一個該第二結合部分別鄰近該至少一第二卡合槽中之其中一者形成。
如請求項2所述的自行車卡鞋之防滑扣片，其中該結合介面具有至少一第一突出部，每一個該輔助止滑件具有一第二突出部，該本體之該第一結合部具有至少一第一容置槽，且每一個該第二結合部具有一第二容置槽，其中每一個該第一突出部對應容收於該至少一第一容置槽之其中一者，且該第二突出部容收於該第二容置槽。
如請求項6所述的自行車卡鞋之防滑扣片，其中該結合介面與該第一結合部以一黏著劑彼此接合，該第一突出部與該第一容置槽以該黏著劑彼此接合，且該結合介面或該第一容置槽具有至少一第一流體排除結構，用以排除氣體及溢出之該黏著劑。
如請求項7所述的自行車卡鞋之防滑扣片，其中該第一流體排除結構為鄰設於該第一突出部之一流體流通槽或貫穿該第一容置槽之一貫通孔。
如請求項6所述的自行車卡鞋之防滑扣片，其中該輔助止滑件與該第二結合部以一黏著劑彼此接合，該第二突出部與該第二容置槽以該黏著劑彼此接合，且該第二容置槽具有一第二流體排除結構，用以排除氣體及溢出之該黏著劑。
如請求項9所述的自行車卡鞋之防滑扣片，其中該第二流體排除結構為貫穿該第二容置槽之一貫通孔。
一種節能開關，其包含： <br/> 一外殼，其呈中空，且貫設有一滑槽； <br/> 複數個端子，該複數個端子設於該外殼上； <br/> 一繼電器，其設於該外殼的內部，且設有一可滑動的滑動開關； <br/> 一滑塊，其結合於該滑動開關上，且能與該滑動開關一同於一接通位置及一斷開位置之間滑動； <br/> 一手動鎖，其包含有相連接的一本體及一操作部，該本體設於該外殼內，該操作部凸伸至該滑槽內，且能沿著滑槽滑動而帶動該本體擋止該滑塊，使該滑塊不能滑動至該接通位置； <br/> 一按鈕，其設於該外殼上，且能受按壓而發出一設定訊號；以及 <br/> 一控制電路板，其電性連接該複數個端子、該繼電器及該按鈕，該控制電路板能接收所述設定訊號並據以設定一延遲時間，且能於接收一斷開訊號後等待所述延遲時間，再控制該繼電器使該滑動開關滑動。
如請求項1所述之節能開關，其中所述外殼於內部設有一限位槽道，該手動鎖的本體可滑動地設於該限位槽道內。
如請求項2所述之節能開關，其中所述限位槽道設有一開口，該手動鎖的本體設有一擋止塊，該擋止塊自該開口凸出該限位槽道外，從而能擋止該滑塊。
如請求項2所述之節能開關，其中所述限位槽道設有相間隔的兩定位孔，該手動鎖包含有一定位凸部，該定位凸部凸設於該本體，且能隨該本體滑動而插入其中一該定位孔。
如請求項1至4中任一項所述之節能開關，其中所述手動鎖的操作部包含相間隔的兩凸塊，該兩凸塊之間形成一操作間隙。
如請求項1至4中任一項所述之節能開關，其包含有一延遲指示燈，該延遲指示燈與該控制電路板電性連接，該控制電路板接收該按鈕發出的設定訊號時，發出電訊號控制該延遲指示燈。
如請求項1至4中任一項所述之節能開關，其包含有一開閉指示燈，該開閉指示燈與該控制電路板電性連接，該滑塊滑動至該接通位置時，該控制電路板發出一電訊號控制該開閉指示燈；該滑塊滑動至該斷開位置時，該控制電路板發出另一電訊號控制該開閉指示燈。
如請求項1至4中任一項所述之節能開關，其中所述外殼貫設有一滑塊滑槽，該滑塊滑槽與該滑槽相間隔，該滑塊設有一操作部，該操作部凸伸至該滑塊滑槽內而能沿著該滑塊滑槽滑動。
一種天線結構，包括：<br/> 一饋入輻射部，具有一饋入點；<br/> 一接地輻射部，耦接至一接地電位；<br/> 一第一輻射部，耦接至該饋入輻射部；<br/> 一第二輻射部，耦接至該接地輻射部；<br/> 一連接輻射部，其中該第二輻射部更經由該連接輻射部耦接至該第一輻射部；以及<br/> 一載體元件，其中該饋入輻射部、該接地輻射部、該第一輻射部、該第二輻射部，以及該連接輻射部皆設置於該載體元件上。
如請求項1所述之天線結構，其中該接地輻射部包括一末端矩形增寬部份。
如請求項1所述之天線結構，其中該第一輻射部包括一第一區段和一第二區段，而該第二區段係大致垂直於該第一區段。
如請求項3所述之天線結構，其中該第二輻射部包括一第三區段和一第四區段，該第四區段係大致垂直於該第三區段，而該第四區段係大致平行於該第二區段。
如請求項1所述之天線結構，其中該連接輻射部界定出一缺口區域，而該接地輻射部係延伸進入該缺口區域之內。
如請求項1所述之天線結構，其中該饋入輻射部、該接地輻射部，以及該連接輻射部係共同包圍住具有一蜿蜒形狀之一單極槽孔。
如請求項1所述之天線結構，其中該天線結構涵蓋一操作頻帶，而該操作頻帶係介於2400MHz至2500MHz之間。
如請求項7所述之天線結構，其中該第一輻射部之長度係小於或等於該操作頻帶之中心頻率之0.25倍波長。
如請求項7所述之天線結構，其中該第二輻射部之長度係小於或等於該操作頻帶之中心頻率之0.25倍波長。
如請求項7所述之天線結構，其中該連接輻射部之長度係介於該操作頻帶之中心頻率之0.25倍至0.5倍波長之間。
一種快速螺母，其係包含有：<br/> 一本體，該本體係具有一貫孔和一開口，該本體於該開口之兩側係分別延伸有一延伸部，該等延伸部係分別設有一第一限位部；<br/> 一操作件，該操作件可動地配置於該等延伸部之間，該操作件係具有一扳動部、一螺紋部和一第一定位部，該螺紋部係選擇性地穿設於該貫孔內，該螺紋部具有一穿設於該貫孔之第一狀態和一未穿設於該貫孔之第二狀態，該第一限位部和該第一定位部係為相對設置，於第一狀態時，該第一定位部係定位於該第一限位部；<br/> 至少一把手，其係設於該本體之外周面。
依據請求項1所述之快速螺母，其中，該等延伸部更分別設有一第二限位部，該操作件更具有一第二定位部，該第二定位部和該第二限位部係為相對設置，於第二狀態時，該第二定位部係定位於該第二限位部。
依據請求項2所述之快速螺母，其中，該延伸部係為延伸板，該等延伸部之內表面係分別設有一限位塊，該限位塊係包含有該第一限位部和該第二限位部，該第一限位部、該第一定位部和該第二定位部係為平面，該第二限位部係為凸部。
依據請求項1所述之快速螺母，其中，該本體係具有一端面，該操作件係具有一第二定位部，該操作件之第二定位部係與該本體之端面位於同一平面上。
依據請求項1所述之快速螺母，其中，該扳動部係位於遠離該貫孔之一側，並朝遠離該本體方向延伸，該螺紋部係位於面對該貫孔之一側。
依據請求項1所述之快速螺母，其中，該操作件更具有一定位缺口，該定位缺口係位於面對該貫孔之一側面並鄰接該螺紋部，該定位缺口係包含該第一定位部。
依據請求項1所述之快速螺母，其中，該操作件係以一樞軸樞接於該等延伸部。
依據請求項1所述之快速螺母，其中，該貫孔之截面係呈圓形。
一種按壓拆卸式輪組，其包含：<br/> 一底座，其具有一容納室、一按壓孔及一固定孔，該按壓孔及該固定孔貫穿設置於該容納室的相對兩端且連通該容納室；<br/> 一輪體，其具有一連接部，該連接部能夠穿設於該固定孔；以及<br/> 一固定裝置，其設於該容納室，該固定裝置包含一傳動件、一卡接件、一彈性件及一按壓件，該卡接件設於該傳動件靠近該固定孔的一端，該彈性件設於該傳動件遠離該固定孔的另一端，該按壓件穿設於該按壓孔並抵接於該傳動件，該按壓件能夠於一初始位置及一按壓位置之間切換；<br/> 其中，當該按壓件於該初始位置時，該傳動件受該彈性件支撐以使該卡接件常態性地位於一夾持位置，用以鎖定該連接部；當該按壓件於該按壓位置時，該傳動件受該按壓件驅動而朝向該彈性件移動，以使該卡接件移動至一釋放位置，並使該連接部能夠自該固定孔脫離。
如請求項1所述之按壓拆卸式輪組，其中，該底座具有一蓋件，該蓋件蓋設於該容納室上。
如請求項1所述之按壓拆卸式輪組，其中，該傳動件靠近該固定孔的一端具有一第一連接部，該卡接件對應該第一連接部具有一第二連接部，該第一連接部連接於該第二連接部。
如請求項3所述之按壓拆卸式輪組，其中，該第一連接部凸設有一連接塊，該第二連接部穿設有一連接孔，該連接塊嵌合於該連接孔。
如請求項1所述之按壓拆卸式輪組，其中，該卡接件對應該固定孔設置有一卡接環，該卡接環的內緣具有一卡接面，該連接部具有一被卡接面，當該卡接件於該夾持位置時，該卡接面施力於該被卡接面以固定該連接部。
如請求項5所述之按壓拆卸式輪組，其中，該連接部環繞凹設有一卡接槽，該被卡接面設於該卡接槽。
如請求項1所述之按壓拆卸式輪組，其中，該傳動件遠離該固定孔的另一端設有一第一凹槽，該容納室的內緣對應該第一凹槽設有一第二凹槽，該第一凹槽與該第二凹槽共同界定出一設置空間，該彈性件設於該設置空間中。
如請求項7所述之按壓拆卸式輪組，其中，該第一凹槽具有一支撐面，該彈性件施力於該支撐面以使該卡接件常態性地位於該夾持位置。
如請求項1所述之按壓拆卸式輪組，其中，該按壓件設有一抵推部，該傳動件對應該抵推部設有一被抵推部，當該按壓件自該初始位置移動至該按壓位置時，該抵推部推頂該被抵推部，並驅動該傳動件朝向該彈性件移動。
如請求項9所述之按壓拆卸式輪組，其中，該抵推部具有呈斜向設置的一抵推面，該被抵推部具有呈斜向設置的一被抵推面，該抵推面能夠抵推該被抵推面。
一種穿戴式手部動作訓練裝置，包含：<br/> 一彈性背板，上端形成手部形狀的表現部；<br/> 一殼體，與該彈性背板結合，該殼體內部形成一通道，下方與側方開通，供人體手掌由該殼體下方伸入該通道中，側方開通處間形成一夾持桿，該夾持桿供人體手掌以虎口處夾持；<br/> 多個引導管，沿著該表現部的手指形狀處固定，或是固定於由該表現部的該手指形狀處延伸的手掌形狀處；以及<br/> 五條束線帶魔鬼氈，每一束線帶魔鬼氈的一端固定於該表現部的特定手指形狀末端處，另一端分別通過該特定手指形狀處及該手掌形狀處的該表現部上的多個引導管，延伸至該通道中，並捲曲成一手指套環，用於固定於人體手掌的一個手指。
如請求項1所述之穿戴式手部動作訓練裝置，其中該些手指形狀包含拇指形狀、食指形狀、中指形狀、無名指形狀與小指形狀。
如請求項2所述之穿戴式手部動作訓練裝置，其中當人體手掌的拇指活動時，固定於拇指的該手指套環受拉扯，進而彎曲或復原該拇指形狀處的該表現部。
如請求項2所述之穿戴式手部動作訓練裝置，其中當人體手掌的食指活動時，固定於食指的該手指套環受拉扯，進而彎曲或復原該食指形狀處的該表現部。
如請求項2所述之穿戴式手部動作訓練裝置，其中當人體手掌的中指活動時，固定於中指的該手指套環受拉扯，進而彎曲或復原該中指形狀處的該表現部。
如請求項2所述之穿戴式手部動作訓練裝置，其中當人體手掌的無名指活動時，固定於無名指的該手指套環受拉扯，進而彎曲或復原該無名指形狀處的該表現部。
如請求項2所述之穿戴式手部動作訓練裝置，其中當人體手掌的小指活動時，固定於小指的該手指套環受拉扯，進而彎曲或復原該小指形狀處的該表現部。
如請求項1所述之穿戴式手部動作訓練裝置，其中該彈性背板的材質為瓦楞紙板、聚醯亞胺（Polyimide，PI）、熱塑性彈性體（Thermoplastic Elastomers，TPE）或彈簧鋼板。
如請求項1所述之穿戴式手部動作訓練裝置，其中該殼體的材質為瓦楞紙板、塑膠、木材或金屬。
如請求項1所述之穿戴式手部動作訓練裝置，其中該引導管的材質為聚丙烯（Polypropylene，PP）、低密度聚乙烯（Low Density Polyethylene，LDPE）或聚氯乙烯（Polyvinyl Chloride，PVC）。
一種鞋體彎曲檢測機，包含： <br/> 一機台主體，包括一底板； <br/> 一鞋載裝置，包括一第一線性驅動器及一鞋載台，該第一線性驅動器的中心線垂直於該底板且結合於該底板上，該鞋載台結合於該第一線性驅動器的上端而可受其驅動而升降；<br/> 一固定裝置，包括一第一線性導引組與一第二線性導引組，該第一線性導引組與該第二線性導引組結合於該底板上且分別位於該鞋載裝置的兩側，該第一線性導引組與該第二線性導引組分別沿一夾持方向延伸，於該第一線性導引組與該第二線性導引組上共同結合一平移平台，該平移平台可沿該夾持方向移動；於該平移平台結合一插銷座，於該插銷座結合可相對於該插銷座上下移動的一定位插銷，對應該定位插銷於該底板上結合一孔板，該孔板包含至少一排插銷孔，每一排插銷孔包括複數個沿該夾持方向排列的插銷孔，該定位插銷可選擇性地插入其中一插銷孔，藉此固定該平移平台；於該平移平台上結合一力量感測器座，於該力量感測器座連接一力量感測器，於該力量感測器連接一第一夾持件，該第一夾持件具有一第一凹弧面；以及<br/> 一壓縮裝置，包括一支架，該支架結合於該底板上且與該平移平台分別位於該鞋載裝置沿該夾持方向上的兩側，於該支架上結合一第二線性驅動器，於該第二線性驅動器朝向該第一夾持件的一端結合一第二夾持件，該第二夾持件具有一第二凹弧面，該第二凹弧面與該第一凹弧面於該夾持方向上相對設置。
如請求項1所述之鞋體彎曲檢測機，其中該機台主體包含一外殼，該外殼設置於該底板上，該鞋載裝置、該固定裝置及該壓縮裝置位於該外殼內，該固定裝置的部分穿出該外殼，該外殼包含一放置口及一穿口，該放置口設置於該外殼頂部，該穿口設置於該外殼一側，該穿口供該固定裝置穿置。
如請求項1所述之鞋體彎曲檢測機，其中該壓縮裝置包含一擋塊，該第二線性驅動器包含一第二本體部及由該第二本體部伸出的一第二軸部，該擋塊包含至少一套槽，該至少一套槽可拆卸地套合於該第二軸部，使該擋塊受該第二本體部及該第二夾持件夾合，藉此改變該第二夾持件沿該夾持方向行程移動之距離。
如請求項1所述之鞋體彎曲檢測機，其中該第一線性導引組包含一導螺桿、一螺帽座、一第一底座、二螺桿固定座及一旋柄，該第一底座的底部結合於該底板，該第一底座的頂部結合沿該夾持方向相對設置的該二螺桿固定座，該導螺桿一端可自轉地設置於一該螺桿固定座，該導螺桿另一端可自轉地穿設於另一該螺桿固定座並結合該旋柄，該螺帽座螺合於該導螺桿上並位於該二螺桿固定座之間，該螺帽座結合於該平移平台的一側。
如請求項4所述之鞋體彎曲檢測機，其中該第二線性導引組包含一滑桿、一滑塊座、一第二底座及二滑桿固定座，該第二底座的底部結合於該底板，該第二底座的頂部結合沿該夾持方向相對設置的該二滑桿固定座，該滑桿沿該夾持方向延伸且兩端分別設置於各該滑桿固定座，該滑塊座可滑動地套合於該滑桿上並位於該二滑桿固定座之間，該滑塊座結合於該平移平台的另一側。
如請求項1所述之鞋體彎曲檢測機，其中該插銷座包含二穿置孔，該二穿置孔的中心線垂直於該底板，且該二穿置孔沿垂直於該夾持方向的方向並列設置，該至少一排插銷孔包含二排插銷孔，該二排插銷孔的其中一排對應於該二穿置孔的其中一者，該二排插銷孔的另一排對應於該二穿置孔的另一者，該二排插銷孔的該些插銷孔係沿該夾持方向交錯設置。
如請求項2所述之鞋體彎曲檢測機，其中該機台主體包含一控制器，該控制器訊號連接該第一線性驅動器、該第二線性驅動器及該力量感測器。
如請求項7所述之鞋體彎曲檢測機，其中該機台主體包含一觸控面板，該觸控面板設置於該外殼一側的外壁，該觸控面板訊號連接該控制器，該觸控面板傳送一控制訊號至該控制器，令該控制器控制該第一線性驅動器驅動該鞋載台升降或控制結合於該第二線性驅動器的該第二夾持件向該第一夾持件的方向進退。
如請求項7所述之鞋體彎曲檢測機，其中該機台主體包含一開關及一緊急停止鈕，該開關及該緊急停止鈕設置於該外殼一側的外壁，該開關及該緊急停止鈕訊號連接該控制器，該開關用於啟動或關閉該控制器，該緊急停止鈕傳送一停止訊號至該控制器，令該控制器停止該第一線性驅動器及該第二線性驅動器運作。
如請求項7所述之鞋體彎曲檢測機，其中該機台主體包含一顯示面板，該顯示面板設置於該外殼一側的外壁並且與該控制器訊號連接，該力量感測器測量當前壓力並傳送一壓力訊號至該控制器，並且該控制器將該壓力訊號代表的數值顯示於該顯示面板。
如請求項7所述之鞋體彎曲檢測機，其中該機台主體包含一蜂鳴器，該力量感測器測量當前壓力並傳送一壓力訊號至該控制器，當該壓力訊號達到一預設夾持力閾值時，該控制器驅動該蜂鳴器發出警報。
一種頭皮保養梳，包含：一板梳體，包含了一手持部與一安裝部，該安裝部形成一容置凹槽；及一彈性梳針體，包含用於容置頭皮保養液的可受壓變形之一空心部，以及由該空心部一側表面向外延伸形成的多個梳針結構，該彈性梳針體透過該空心部以彈性卡合方式可拆卸地安裝於該容置凹槽中，其中該梳針結構內部形成一通道，該空心部內的頭皮保養液可通過該通道而由該梳針結構的末端流出該彈性梳針體；該梳針結構的末端向外膨脹形成一按摩部，用以按摩頭皮。
如請求項1所述之頭皮保養梳，其中該空心部進一步形成一注入口，用以補充該空心部內的頭皮保養液。
如請求項2所述之頭皮保養梳，進一步包含一封塞，用以可取下地密封該注入口。
如請求項1所述之頭皮保養梳，其中該彈性梳針體的材質為尼龍、熱塑性聚醯胺彈性體或聚氨酯。
如請求項1所述之頭皮保養梳，其中該板梳體的材質為塑膠、木材、象牙、竹子、金屬或碳纖維。
如請求項1所述之頭皮保養梳，其中該容置凹槽的周圍向內凸出，用以防止該彈性梳針體滑脫。
如請求項1所述之頭皮保養梳，其中該按摩部的形狀為圓球體或半球體。
一種承載裝置，用於承載AED，所述承載裝置包括：<br/> 一底座；<br/> 一支撐架，所述支撐架的下端連接於所述底座，所述支撐架豎立於所述底座上，所述支撐架為組合式設計，所述支撐架至少包含兩架體，所述兩架體沿著一直立方向相互連接，而形成一立式架體結構；以及<br/> 一容置部，所述容置部組裝於所述支撐架的上端，所述述容置部能用以容置所述AED。
如請求項1所述的承載裝置，其中，所述底座具有一底面及一頂面，所述底面及所述頂面位於所述底座相對的兩面，所述頂面位於所述底面的上方，所述頂面設有一連接部，所述支撐架的下端與所述連接部相互連接。
如請求項2所述的承載裝置，其中，所述連接部為一凹槽，所述支撐架的下端能嵌入所述連接部中，所述支撐架的下端以螺絲鎖固固定於所述底座。
如請求項1所述的承載裝置，其中，所述兩架體的上端及下端分別設有至少一第一連接件及至少一第二連接件，所述至少一第一連接件及所述至少一第二連接件為相對應的凹凸結構，所述至少一第一連接件及所述至少一第二連接件能相互插接配合。
如請求項4所述的承載裝置，其中，所述支撐架的上端通過一平台連接於所述容置部。
如請求項4所述的承載裝置，其中，所述兩架體相鄰接的一面為平面，所述至少一第一連接件及所述至少一第二連接件分別突出及凹陷於所述兩架體相鄰接的一面。
如請求項1所述的承載裝置，其中，所述容置部具有一本體及一蓋體，所述本體內具有一容置空間，所述容置空間能用以容置所述AED，所述蓋體可開闔的設置於所述本體上，所述蓋體具有一透明視窗。
如請求項1所述的承載裝置，其中，所述兩架體各具有兩斜面，所述兩斜面傾斜設置於所述架體，所述兩斜面由所述兩架體的兩側往中間突出，使所述架體的前側形成三角狀。
如請求項1所述的承載裝置，其中，所述容置部上設置一燈號。
如請求項1所述的承載裝置，其中，所述容置部的一側設置一顯示器，所述顯示器電連接於所述容置部。
一種後視鏡結構，係包含：<br/> 一後視鏡主體，乃於該後視鏡主體成型有一容腔；<br/> 一鏡片組立板，係使該鏡片組立板對應組設於該後視鏡主體之該容腔，該鏡片組立板為具透光性板材，該鏡片組立板係形成相對內面及外面，該鏡片組立板之內面係朝向該後視鏡主體之該容腔，又於該鏡片組立板的外面成型有一鏡片嵌槽，且於該鏡片嵌槽的槽底設有一凹陷部；<br/> 一發光單元，乃使該發光單元組設於該鏡片組立板的內面；<br/> 一驅動單元，係使該驅動單元設置於該鏡片組立板其外面所設該凹陷部中，該驅動單元係包含有一基板，並於該基板上耦接有一微動開關及一微處理器，另使該發光單元與該驅動單元之該基板相耦接；<br/> 一鏡片，係使該鏡片組設於該鏡片組立板之該鏡片嵌槽，該鏡片內面係與該驅動單元之該微動開關相接觸。
如請求項1所述之後視鏡結構，其中，該鏡片組立板的內面係於相對該凹陷部的位置處形成一突出部，又該發光單元係包含有至少一LED燈條，為LED燈條之該發光單元係圍繞組設於該鏡片組立板之該突出部周側。
如請求項1所述之後視鏡結構，其中，該驅動單元之該基板上係耦接有一計時器。
如請求項1所述之後視鏡結構，其中，該鏡片係為可撓性鏡片。
一種相框式支撐結構，局部地容設於一顯示器的一背殼，該相框式支撐結構包括：<br/>一固接模組，包含一內殼件、一外殼件、一軸桿及一穿孔，該內殼件固設於該背殼，該外殼件設於該背殼外側，該軸桿固設於該外殼件，該穿孔貫設於該內殼件並供該軸桿沿一第一軸線穿設；<br/>一旋轉模組，設於該內殼件及該外殼件之間，並包含一主板件、二桿件及至少一貫孔，所述桿件分別沿垂直該第一軸線的一第二軸線設於該主板件的相對兩側，所述貫孔沿該第二軸線貫設於其中之一所述桿件，該主板件套設於該軸桿，藉此該旋轉模組能以該軸桿為軸心沿該第一軸線相對該固接模組樞轉；<br/>一傾轉模組，包含二傾轉片及一電池件，所述傾轉片分別套設於所述桿件，藉此該傾轉模組能以所述桿件為軸心沿該第二軸線相對該旋轉模組傾轉；以及<br/>一線材，電性連接該電池件及該顯示器，並部分穿設所述貫孔，藉此該傾轉模組相對於該旋轉模組傾轉時不受該線材影響。
如請求項1所述之相框式支撐結構，其中，該旋轉模組更包含一卡扣件、一通道空間及一通孔，該卡扣件卡扣於該主板件，該通道空間由該卡扣件與該主板件共同圍繞界定，該通孔貫設於該主板件，並鄰近所述貫孔及該通道空間。
如請求項2所述之相框式支撐結構，其中，該線材包含依序相連的一第一末段、一彎折段、一餘裕段及一第二末段，該第一末段容設於傾轉模組內並電性連接該電池件，該彎折段彎折地穿設於所述貫孔、該通孔及該通道空間，該餘裕段設於該內殼件外側，並呈弧狀而繞過該軸桿，該第二末段電性連接該顯示器。
如請求項3所述之相框式支撐結構，其中，該內殼件具有彼此相間隔的一弧狀槽及一固定部，該彎折段穿設該弧狀槽後連接該餘裕段，該餘裕段固接於該固定部後連接該第二末段，且該餘裕段的長度大於該弧狀槽及該固定部的直線距離。
如請求項4所述之相框式支撐結構，其中，該固接模組更包含一蓋件及一容置空間，該蓋件固接於該內殼件，並與該內殼件共同圍繞界定該容置空間，該餘裕段活動地設於該容置空間。
如請求項5所述之相框式支撐結構，其中，該傾轉模組更包含一前殼件、一後殼件、一電池槽及一印刷電路板，該前殼件與該後殼件相互組配，該電池槽由該後殼件圍繞界定並供該電池件容設，該印刷電路板固接於該後殼件並電性連接該第一末段及該電池件。
如請求項6所述之相框式支撐結構，其中，該前殼件及該後殼件相互組配後共同定義一連接段、一容置段及一把手段，該容置段位於該連接段及該把手段之間，該連接段連接所述桿件並匹配地部分環繞該旋轉模組，所述傾轉片固接於該後殼件並對應位於該連接段，該電池槽對應位於該容置段，該把手段遠離該旋轉模組。
如請求項7所述之相框式支撐結構，其中，所述桿件具有依序相連的一頭段及一延伸段，該頭段固接於該主板件，該延伸段的截面為具有四圓角的四邊形。
如請求項1至8中任一項所述之相框式支撐結構，其中，該固接模組更包括一接頭及二電連接端子台，該接頭設於該外殼件並面向該內殼件，所述電連接端子台設置並外露於該外殼件，且電性連接該接頭。
如請求項9所述之相框式支撐結構，其中，該內殼件具有一開口，該主板件具有一U形口，該開口對應該U形口，且該接頭對應位於該U形口及該開口。
如請求項10所述之相框式支撐結構，更包含一電源線，該電源線穿設該開口及該U形口而電性連接該接頭及該顯示器。
一種水晶花藝結構，其包含： <br/>一花盆容器(1)，其具有一花盆底壁(11)及一花盆側壁(12)，並由該花盆底壁(11)及該花盆側壁(12)形成一花盆容置空間(S)，且透過該花盆側壁(12)的頂部至該花盆底壁(11)的垂直距離形成一花盆側壁高度(H1)； <br/>一填充層(2)，其係設置於該花盆容置空間(S)，且該填充層(2)係由複數個礦石顆粒(21)堆疊而成，並且該填充層(2)的厚度不超過該花盆側壁高度(H1)； <br/>複數條金屬線(3)，其係由該填充層(2)往上且非直線的方式延伸， 該複數條金屬線(3)還具有一轉折段(31)、一左金屬線段(32)以及一右金屬線段(33)，該左金屬線段(32)連接於該轉折段(31)的一端，且該右金屬線段(33)連接於該轉折段(31)的另一端，並且該複數條金屬線(3)中至少一條該金屬線(3)兩側的端點皆設置於該填充層(2)；以及 <br/>至少一個裝飾件(4)，其係設置於該金屬線(3)上，且由該左金屬線段(32)穿設於該至少一個裝飾件(4)，並且該右金屬線段(33)貼抵於至少一個裝飾件(4)的外表面，以使該等裝飾件(4)能固定於該金屬線(3)。
如請求項1所述的水晶花藝結構，其中，該至少一個裝飾件(4)係為複數個裝飾件(4)。
如請求項2所述的水晶花藝結構，其中，該複數個裝飾件(4)之間係以非連續排列的方式依序設置於該金屬線(3)上。
如請求項3所述的水晶花藝結構，其中，該左金屬線段(32)與該右金屬線段(33)係以相互螺旋纏繞的方式形成一雙股螺旋結構，且該雙股螺旋結構係設置於該複數個裝飾件(4)之間。
如請求項3所述的水晶花藝結構，其中，該複數個裝飾件(4)的外表面係為一弧面、複數個切面或其組合。
如請求項1所述的水晶花藝結構，其中，該複數個礦石顆粒(21)係為一水晶顆粒或一玉髓顆粒，並且該複數個礦石顆粒(21)之間係具有一黏膠層(5)，該黏膠層(5)係為一保麗龍膠固化後所形成的保麗龍膠層。
如請求項5所述的水晶花藝結構，其中，該複數個裝飾件(4)係為一水晶顆粒、一玉髓顆粒、一金屬塊及/或其任一組合。
如請求項7所述的水晶花藝結構，其中，該水晶顆粒係為一花朵形水晶結構、一心形水晶結構、一多邊形水晶結構及/或一葫蘆形水晶結構。
如請求項1所述的水晶花藝結構，其中，該金屬線(3)係為一銅線。
如請求項2所述的水晶花藝結構，其中，該複數條金屬線(3)的其中一條該金屬線(3)的該轉折段(31)係設置於另一條該金屬線(3)上相鄰的兩個該裝飾件(4)之間。
如請求項4所述的水晶花藝結構，其中，該複數條金屬線(3)穿設於該裝飾件(4)，並且該複數條金屬線(3)的各該轉折段(31)設置於該裝飾件(4)。
一種具有多層安全防護與智慧診斷功能的升降平台系統，包括：<br/> 一基座；<br/> 一馬達，設置於該基座；<br/> 一滾珠螺桿組，包括：<br/> 一軸桿，沿一第一方向設置於該基座，且一端連接該馬達，該軸桿表面設有一螺紋槽；<br/> 一滾珠螺帽，可往復移動地設置於該軸桿，並具有複數滾珠滾動於該螺紋槽；<br/> 一安全螺帽，與該滾珠螺帽同軸設置於該軸桿，並鎖固於該滾珠螺帽之端部，該安全螺帽於內側表面凸設有一凸螺紋，該凸螺紋滑移於該螺紋槽中，當該滾珠螺帽之一瞬間加速度大於一預設值時將產生一軸向作用力，該安全螺帽接收該軸向作用力致使該凸螺紋部分接觸該螺紋槽，以產生並提供該滾珠螺帽一減速停止作用力；<br/> 一殼體，與該安全螺帽同軸設置於該軸桿，並鎖固於該安全螺帽遠離該滾珠螺帽之端部，該殼體於內側具有一容置空間；以及<br/> 一監控模組，設置於該殼體之該容置空間，以監控該滾珠螺帽之一運行狀態；<br/> 一載物模組，組設於該滾珠螺帽，在該滾珠螺帽帶動下沿該第一方向往復移動；以及<br/> 一伺服器，儲存一異常查找表並通訊連接該監控模組，該伺服器於接收該運行狀態後，以該運行狀態比對該異常查找表，當一比對結果為異常時，傳送一提示通知。
如請求項1所述之具有多層安全防護與智慧診斷功能的升降平台系統，其中該監控模組包括一振動感測器、一溫度感測器及一傳輸模組，該振動感測器及該溫度感測器連接該傳輸模組；該傳輸模組通訊連接該伺服器，且將接收的一振動值及一溫度值作為該運行狀態，並傳送該運行狀態至該伺服器；該異常查找表包括至少一振動表現、至少一溫度表現以及複數異常狀態，該至少一振動表現及該至少一溫度表現分別對應於該些異常狀態的至少其中之一；該伺服器比對該運行狀態及該異常查找表後，結果為對應至該些異常狀態的至少其中之一時，確定該比對結果為異常。
如請求項2所述之具有多層安全防護與智慧診斷功能的升降平台系統，其中該監控模組更包括一濕度感測器，該濕度感測器連接該傳輸模組並傳送一濕度值至該傳輸模組；該傳輸模組將接收的該濕度值作為該運行狀態，並傳送至該伺服器；該異常查找表更包括至少一濕度表現及一期間，該至少一濕度表現及該期間對應於該些異常狀態的至少其中之一；該伺服器比對該運行狀態及該異常查找表後，結果為對應至該些異常狀態的至少其中之一時，確定該比對結果為異常。
如請求項2所述之具有多層安全防護與智慧診斷功能的升降平台系統，其中該監控模組更包括一加速度感測器，該加速度感測器連接該傳輸模組並傳送對應該滾珠螺帽之該瞬間加速度的一瞬間加速度值至該傳輸模組；該傳輸模組將接收的該瞬間加速度值作為該運行狀態，並傳送至該伺服器；該異常查找表更包括至少一瞬間加速度表現，該至少一瞬間加速度表現對應於該些異常狀態的至少其中之一；該伺服器比對該運行狀態及該異常查找表後，結果為對應至該些異常狀態的至少其中之一時，確定該比對結果為異常。
如請求項1所述之具有多層安全防護與智慧診斷功能的升降平台系統，更包括二線性滑軌及一線性尺，該二線性滑軌平行於該軸桿設置於該基座，且位於該軸桿的二側；該線性尺設置於該二線性滑軌的其中之一；該載物模組滑設於該二線性滑軌，且該載物模組對應於該線性尺處設置有一讀取頭，該讀取頭連接該伺服器，並傳送一位置資訊至該伺服器，以偵測該載物模組的移動位置。
如請求項5所述之具有多層安全防護與智慧診斷功能的升降平台系統，更包括一另一振動感測器，設置於該二線性滑軌的其中之一並連接該監控模組，該監控模組將接收的一另一振動值作為該運行狀態，並傳送至該伺服器；該異常查找表包括至少一另一振動表現及複數異常狀態，該至少一另一振動表現對應於該些異常狀態的至少其中之一；該伺服器比對該運行狀態及該異常查找表後，結果為對應至該些異常狀態的至少其中之一時，確定該比對結果為異常。
如請求項1所述之具有多層安全防護與智慧診斷功能的升降平台系統，其中以該滾珠螺帽可承載的靜額定值乘以120%設定為一安全係數，並依據該安全係數改變該凸螺紋之圈數或該凸螺紋之外螺牙的牙頂之曲面弧度，以使該安全螺帽所產生之該減速停止作用力大於等於該安全係數。
如請求項1所述之具有多層安全防護與智慧診斷功能的升降平台系統，其中該載物模組包括：<br/> 一第一移動構件，組設於該滾珠螺帽；以及<br/> 二第二移動構件，組設於該第一移動構件並沿一第二方向往復移動，該第二方向與該第一方向垂直，該二第二移動構件分別包括：<br/> 一驅動件，設置於該第一移動構件；以及<br/> 一承載件，一端組設於該驅動件，以在該驅動件帶動下沿該第二方向移動。
一種廢紙再利用的擴香石，包含：一擴香塊體，包含一石膏塊及分佈在該石膏塊內的紙纖維，該紙纖維是由回收廢紙製成。
根據請求項1所述的廢紙再利用的擴香石，其中該擴香塊體的表面具有一凹槽。
根據請求項2所述的廢紙再利用的擴香石，其中該擴香塊體為容器。
一種智能變光燈，包含：<br/> 一燈體，具有一發光模組，用以提供照明光源；<br/> 一控制電路，設置於該燈體的內部並電連接於該發光模組，用以控制該發光模組之發光顏色；以及<br/> 一設定構件，設置於該燈體上並電連接於該控制電路，使該發光模組之發光模式選擇性地在變色模式及定色模式之間切換；<br/> 其中，在該設定構件設定為該變色模式時，該控制電路偵測設置於該燈體之外部並電連接於該控制電路的一開關構件之通斷電操作，使該發光模組發出之光依序切換至複數個預設發光顏色中的另一顏色，<br/> 在該設定構件設定為該定色模式時，該控制電路偵測該開關構件之通斷電操作，使該發光模組發出所選定之該預設發光顏色的光。
如請求項1所述之智能變光燈，其中該預設發光顏色為冷白光、自然光及暖白光。
如請求項1所述之智能變光燈，其中在該設定構件設定為該變色模式時，該控制電路偵測該開關構件斷電後於預定時間內再通電，則使該發光模組發出之光依序切換至複數個該預設發光顏色中的另一顏色，該控制電路偵測該開關構件斷電後超過該預定時間再通電，則使該發光模組發出與前次發光的該預設發光顏色為相同的光。
如請求項3所述之智能變光燈，其中該預定時間為一秒內。
如請求項1所述之智能變光燈，其中該燈體為面板燈、燈泡或燈管。
如請求項5所述之智能變光燈，其中該面板燈為方形面板燈或圓形面板燈。
一種保安錐，其包含： <br/>一基座；以及 <br/>一中空之錐體，其係設置於該基座上，該錐體內部形成有一空間，該錐體的頂部形成有一組設孔，且該錐體之下段形成間隔環繞之複數開孔，該組設孔及該複數開孔係連通該空間。
如請求項1所述之保安錐，其中該保安錐包含一外套膜，該外套膜為透明材質，該外套膜能套設於該錐體上，並外覆於該錐體下段的開孔。
如請求項2所述之保安錐，其中該外套膜為聚氯乙烯(PVC)材質。
如請求項1至3中任一項所述之保安錐，其中該錐體之該複數開孔係呈上下雙排交錯排列，且每二相鄰的開孔之間的間距為90mm~125mm。
如請求項1至3中任一項所述之保安錐，其中該保安錐包含至少一反光條，所述反光條係環繞設置該錐體的上段位置。
如請求項4所述之保安錐，其中該保安錐包含至少一反光條，所述反光條係環繞設置該錐體的上段位置。
如請求項1至3中任一項所述之保安錐，其中該保安錐的錐體頂部形成有一止滑部。
如請求項4所述之保安錐，其中該保安錐的錐體頂部形成有一止滑部。
如請求項5所述之保安錐，其中該保安錐的錐體頂部形成有一止滑部。
如請求項6所述之保安錐，其中該保安錐的錐體頂部形成有一止滑部。
一種自行車踏板改良結構，係包括：<br/> 一本體，係頂面及底面分別一體凸設有複數止滑柱及複數防滑套；<br/> 以及<br/> 複數防滑螺栓，係分別螺鎖結合於該複數防滑套之中，每一防滑螺<br/> 栓具有一頭部，且該頭部略凸伸出該防滑套的端面一高度以配合該防滑<br/> 套形成一防滑柱。
如請求項1所述之自行車踏板改良結構，其中該頭部凸伸出該防滑套<br/> 的端面0.5mm。
如請求項1所述之自行車踏板改良結構，更包括有複數螺帽，每一防<br/> 滑套之端面形成有一容槽供該頭部嵌設，該容槽中具有貫穿之一穿孔供該防滑螺栓穿過，使其於該本體的另一側與該螺帽相螺合。
如請求項3所述之自行車踏板改良結構，其中該本體對應該複數防滑套之另一側面分別設有複數六角槽，該複數螺帽係呈六角形且分別嵌設於該複數六角槽之中。
如請求項1所述之自行車踏板改良結構，更包括有複數防塵塞，該防滑螺栓之該頭部的端面具有一凹槽，該凹槽中設有一工具槽可供一工具插嵌以將其旋動，該複數防塵塞係分別嵌設於該複數防滑螺栓之該凹槽之中且塞入相對應之該工具槽。
如請求項5所述之自行車踏板改良結構，該工具槽呈六角形可供一六角扳手插嵌。
一種防滑螺絲改良結構，係包括：<br/> 一螺鎖部；以及<br/> 一頭部，係形成於該螺鎖部上，且外徑大於該螺鎖部，該頭部的端<br/> 面係形成較小內徑之一凹槽，使端面形成具適當寬度之一環形平面，該凹<br/> 槽中具有一工具槽可供一工具插嵌以將其旋動。
如請求項1所述之防滑螺絲改良結構，其中該螺鎖部上設有外螺紋。
如請求項1所述之防滑螺絲改良結構，其中該工具槽為一六角槽，使可供一六角扳手插嵌。
如請求項1所述之防滑螺絲改良結構，其中該環形平面之寬度為0.6mm。
如請求項1所述之防滑螺絲改良結構，其中該防滑螺絲為金屬材質。
一種機車油氣輔助回收裝置，包括：<br/> 一引擎，具有一引擎主體，該引擎主體連通一機油加注道，該引擎主體並開設有一引擎出氣孔；<br/> 一油氣回收器，具有一集氣盒，該集氣盒開設有一盒孔，該集氣盒並設有複數往盒內呈凸出構造的阻油部，該集氣盒另連通一集氣管與一回油管，該集氣管同時連通該引擎出氣孔，該回油管則連通該機油加注道者。
如請求項1所述之機車油氣輔助回收裝置，其中，該集氣盒使用金屬材質製成者。
一種NPO光學耦光光引擎之製造設備，至少包含：<br/> 工作平台；<br/> 陣列光源載台，配置於該工作平台上用以承載陣列光源，其係連接一動力件，可帶動該陣列光源載台沿第一方向線性位移，該陣列光源包含第一載板、複數微型點光源以及分別配置於該複數微型點光源之出光路徑上的透鏡，其中該微型點光源與該透鏡共同界定一光源結構中心軸線，該陣列光源載台係具有支撐組件使該第一載板可相對於該陣列光源載台在板面的平面方向浮動；<br/> 陣列光纖載台，配置於該工作平台上用以承載陣列光纖；<br/> 至少二點膠裝置，係配置於該工作平台一側；<br/> 致動裝置，係配置於該工作平台一側，且連接於該複數微型點光源，於該點膠裝置在該陣列光源與該陣列光纖之間引入透明膠後，致動點亮該陣列光源；<br/> 固化裝置，係配置於該工作平台一側，於該點膠裝置在該陣列光源與該陣列光纖之間塗佈固定膠後，固化該透明膠以及該固定膠；以及<br/> 控制機構，分別與該動力件、點膠裝置、致動裝置以及固化裝置連接。
如請求項1所述NPO光學耦光光引擎之製造設備，其中，該透鏡係以封裝方式設置於該微型點光源之該出光路徑；或者，該透鏡係以另一透明膠固定於該微型點光源之該出光路徑。
如請求項1或2所述NPO光學耦光光引擎之製造設備，其中，該透明膠之厚度係為10μm至30μm，其折射率係介於1.2至1.55之間，黏度係為200cp至2000cp。
如請求項1或2所述NPO光學耦光光引擎之製造設備，其中，該第一載板之邊側形成傾斜邊，該傾斜邊自底面向上延伸，且其截面尺寸沿向上方向朝第一載板內側逐漸減小。
如請求項4所述NPO光學耦光光引擎之製造設備，其中，該第一載板具有第一、第二面及複數第一導電部件，該些第一導電部件形成於該第二面上，該複數微型點光源係為陣列狀設置於該第一面之局部區域且電耦接該些第一導電部件。
如請求項5所述NPO光學耦光光引擎之製造設備，其中，該陣列光源係設置於一第二載板且藉由複數第二導電部件電連接一矽光子積體電路。
如請求項5所述NPO光學耦光光引擎之製造設備，其中，該第一、第二面係相鄰設置；或者，該第一、第二面係相對設置。
如請求項1或2所述NPO光學耦光光引擎之製造設備，其中，該陣列光纖具有複數呈陣列狀排列之纖芯，且可共同定位於一光纖束接頭，該複數纖芯分別具有一中心軸線，該陣列光纖載台係具有一夾具，該夾具係用以夾持該光纖束接頭。
如請求項8所述NPO光學耦光光引擎之製造設備，其中，該製造設備所製造之NPO光學耦光光引擎中，該光源結構中心軸線與該中心軸線於軸向彼此對位。
如請求項1或2所述NPO光學耦光光引擎之製造設備，其中，該微型點光源係為微發光二極體(Micro LED)，其光發散角角度係為120度至150度；或者，該微型點光源係為垂直共振腔面射型雷射(VCSEL)。
如請求項1或2所述NPO光學耦光光引擎之製造設備，其中，該支撐組件包括用以支撐該第一載板之支撐部以及一浮動單元，該浮動單元配置成在該支撐部與該第一載板之間形成低摩擦或非接觸之支撐狀態，以使該第一載板於該板面的平面方向具有可響應外力之微位移能力，並於該透明膠未固化期間允許該第一載板響應光學作用力而產生位移。
一種晶片散熱裝置，包括：<br/> 一晶粒，具有一晶粒本體，該晶粒本體其中一面凹設有複數凹孔；<br/> 複數導熱柱，分別固設於各該凹孔，並各該導熱柱一端皆露出於該晶粒本體；<br/> 一散熱器，具有一中介層片，該中介層片其中一面固設有一散熱層片，該散熱層片設有一進液流道與一出液流道，該進液流道與該出液流道皆設為漩渦道狀，並該進液流道與該出液流道為同心配置，且該進液流道與該出液流道於中心處相連通，該進液流道與該出液流道末端則延伸至該散熱層片側面，而該散熱層片內部為中空而界定出一冷卻腔，該冷卻腔抵貼於該中介層片，該散熱層片相反於該中介層片的另一面則固設有一封蓋層片，該中介層片相反於該散熱層片的一面是對應於該晶粒本體設有該導熱柱的一面，且各該導熱柱之露出端皆連接該中介層片者。
如請求項1所述之晶片散熱裝置，其中，該導熱柱使用金屬、鑽石或石墨烯材質製成者。
如請求項1所述之晶片散熱裝置，其中，該中介層片使用金屬材質製成者。
如請求項1所述之晶片散熱裝置，其中，位於該進液流道與該出液流道之間的該冷卻腔區段為漩渦道狀而使該冷卻腔整體呈下寬上窄者。
如請求項1所述之晶片散熱裝置，其中，該中介層片抵貼於該晶粒本體者。
如請求項1所述之晶片散熱裝置，其中，還包含一液態金屬散熱總成，該液態金屬散熱總成具有一整合有泵浦驅動與熱交換功能的液金散熱機，該液金散熱機連通一輸液管與一回液管，而該晶粒本體內並設有同時連通該輸液管與該回液管的微流道者。
一種頭戴式耳機，其係包含一頭帶及兩耳罩組件，該兩耳罩組件分別連結於該頭帶的兩側，其中該頭帶包含： <br/>一座組件，其包含一支架及一座體，該支架沿一長度方向設有多個槽結構，該座體的內部具有一呈弧形且能容設該支架的容置腔，該座體設有兩包覆緣及多個座體凸部，該兩包覆緣壓抵於該支架的兩側，藉以將該支架定位在該容置腔內，所述座體凸部自一對應的所述包覆緣朝該容置腔延伸，並伸入一對應的所述槽結構；以及 <br/>一外殼，其能與該座組件相結合，該外殼包含多個外殼凸部，當該外殼與該座組件相結合時，該外殼壓抵於該兩包覆緣上，且所述外殼凸部伸入一對應的所述槽結構，並緊鄰對應的所述座體凸部，使所述座體凸部不易脫離該槽結構。
如請求項1所述之頭戴式耳機，其中該支架於各所述槽結構沿該長度方向的兩側分別設有一限位結構，使所述座體凸部被限制在所述槽結構兩側的限位結構之間。
如請求項2所述之頭戴式耳機，其中該限位結構為一支架扣部，該外殼設有多個外殼扣部，當該外殼與該座組件相結合時，所述外殼扣部與一對應的所述支架扣部相卡扣，藉以阻止該外殼與該座組件分離。
如請求項1所述之頭戴式耳機，其中該支架的兩側沿該長度方向設有多個定位凸部，該兩包覆緣的內側對應設有匹配地套合於所述定位凸部的多個定位凹部。
如請求項1所述之頭戴式耳機，其中所述槽結構具有兩階級，對應的該外殼凸部及對應的該座體凸部分別位於其中一所述階級上。
如請求項1至5中任一項所述之頭戴式耳機，其中各所述槽結構由具有相同形狀的兩卡鉤所組成，且對應的該外殼凸部及對應的該座體凸部係橫跨於該兩卡鉤上。
如請求項6所述之頭戴式耳機，其中該支架包含多個側緣段及多個承托部，該多個側緣段共同構成該支架的兩側，各所述側緣段透過至少一所述卡鉤連接至少一對應的所述承托部，相鄰的兩所述側緣段的相鄰所述卡鉤共同構成一所述槽結構，使該支架形成由所述側緣段、所述卡鉤及所述承托部相互連接的一鏈狀結構。
一種複合式化學研磨與拋光系統，可應用於對一第一晶圓進行加工，該複合式化學研磨與拋光系統包含：<br/> 一承載單元，包括一底座、一設置於該底座的研磨盤驅動模組，及一設置於該底座並可受該研磨盤驅動模組驅動而繞一第一軸線轉動的研磨盤，該第一軸線沿一上下方向延伸；及<br/> 一第一加工單元，包括一設置於該底座的第一移動總成、一設置於該第一移動總成的第一升降總成、一設置於該第一升降總成的第二升降總成、一設置於該第二升降總成並用於夾持該第一晶圓的第一夾持總成，及一設置於該第二升降總成及該第一升降總成的第一承重氣缸，該第一移動總成具有一沿一第一方向與該研磨盤相間隔地設置於該底座的第一基座、一設置於該第一基座的第一移動模組，及一設置於該第一基座並可受該第一移動模組驅動而沿該第一方向移動的第一滑座，該第一方向垂直該上下方向，該第一升降總成具有一設置於該第一滑座的第二基座、一設置於該第二基座的第一升降模組，及一設置於該第二基座並可受該第一升降模組驅動而沿該上下方向移動的第二滑座，該第一升降模組具有一可記錄運轉行程的第一伺服馬達，該第二升降總成具有一設置於該第二滑座的第三基座、一設置於該第三基座的第二升降模組，及一可受該第二升降模組驅動而沿該上下方向移動的第一連接架，該第一連接架的移動精度大於該第二滑座的移動精度，該第二升降模組具有一可記錄運轉行程的第二伺服馬達，該第一夾持總成具有一連接該第一連接架的第一支撐架，及一設置於該第一支撐架並可相對該第一支撐架擺動的第一夾具盤，該第一夾具盤可沿該上下方向朝下固定該第一晶圓，該第一連接架朝下移動時，連動使該第一承重氣缸對該該第一連接架施加朝上的抵抗力。
如請求項1所述的複合式化學研磨與拋光系統，其中，該第二升降總成還具有一設置於該第一支撐架並可沿該第二滑座移動的第一滑台，該第一承重氣缸具有一設置於該第一滑台的第一缸體、一設置於該第二滑座的第一端件，及一連接該第一端件且沿該上下方向穿設於該第一缸體的第一活塞桿組。
如請求項1所述的複合式化學研磨與拋光系統，還可應用於對一第二晶圓進行加工，該複合式化學研磨與拋光系統還包含一第二加工單元，該第二加工單元包括一設置於該底座的第二移動總成、一設置於該第二移動總成的第三升降總成、一設置於該第三升降總成的第四升降總成、一設置於該第四升降總成並用於夾持該第二晶圓的第二夾持總成，及一設置於該第三升降總成及該第四升降總成的第二承重氣缸，該第二移動總成具有一沿一第二方向與該研磨盤相間隔地設置於該底座的第四基座、一設置於該第四基座的第二移動模組，及一設置於該第四基座並可受該第二移動模組驅動而沿該第二方向移動的第三滑座，該第二方向垂直該上下方向，該第三升降總成具有一設置於該第三滑座的第五基座、一設置於該第五基座的第三升降模組，及一設置於該第五基座並可受該第三升降模組驅動而沿該上下方向移動的第四滑座，該第三升降模組具有一可記錄運轉行程的第三伺服馬達，該第四升降總成具有一設置於該第四滑座的第六基座、一設置於該第六基座的第四升降模組，及一可受該第四升降模組驅動而沿該上下方向移動的第二連接架，該第二連接架的移動精度大於該第四滑座的移動精度，該第四升降模組具有一可記錄運轉行程的第四伺服馬達，該第二夾持總成具有一連接該第二連接架的第二支撐架、一設置於該第二支撐架的夾具驅動模組，及一設置於該第二支撐架並可受該夾具驅動模組驅動而繞一第二軸線轉動的第二夾具盤，該第二軸線沿該上下方向延伸，該第二夾具盤可沿該上下方向朝下固定該第二晶圓，該第二連接架朝下移動時，連動使該第二承重氣缸對該第二連接架施加朝上的抵抗力。
如請求項3所述的複合式化學研磨與拋光系統，其中，該第二升降總成還具有一設置於該第一支撐架並可沿該第二滑座移動的第一滑台，該第一承重氣缸具有一設置於該第一滑台的第一缸體、一設置於該第二滑座的第一端件，及一連接該第一端件且沿該上下方向穿設於該第一缸體的第一活塞桿組，該第四升降總成還具有一設置於該第二支撐架並可沿該第四滑座移動的第二滑台，該第二承重氣缸具有一設置於該第二滑台的第二缸體、一設置於該第四滑座的第二端件，及一連接該第二端件且沿該上下方向穿設於該第二缸體的第二活塞桿組。
如請求項3所述的複合式化學研磨與拋光系統，還包含一修整單元，該修整單元包括一設置於該底座的第三移動總成、一設置於該第三移動總成的第五升降總成，及一設置於該第五升降總成的砂輪總成，該第三移動總成具有一與該研磨盤相間隔地設置於該底座的第七基座、一設置於該第七基座的第三移動模組，及一設置於該第七基座並可受該第三移動模組驅動而沿一第三方向移動的第五滑座，該第五升降總成具有一設置於該第五滑座的第八基座、一設置於該第八基座的第五升降模組，及一可受該第五升降模組驅動而沿該上下方向移動的第六滑座，該第三方向垂直該上下方向，該砂輪總成具有一設置於該第六滑座的第九基座、一設置於該第九基座的砂輪馬達，及一可受該砂輪馬達連動而繞一第三軸線轉動且用於修整該研磨盤的砂輪件，該第三軸線沿該第三方向延伸。
如請求項5所述的複合式化學研磨與拋光系統，其中，該修整單元還包括複數設置於該第五滑座及該第六滑座的第三承重氣缸，該第六滑座朝下移動時，連動使該等第三承重氣缸對該第六滑座施加朝上的抵抗力。
如請求項6所述的複合式化學研磨與拋光系統，其中，該第二升降總成還具有一設置於該第一支撐架並可沿該第二滑座移動的第一滑台，該第一承重氣缸具有一設置於該第一滑台的第一缸體、一設置於該第二滑座的第一端件，及一連接該第一端件且沿該上下方向穿設於該第一缸體的第一活塞桿組，該第四升降總成還具有一設置於該第二支撐架並可沿該第四滑座移動的第二滑台，該第二承重氣缸具有一設置於該第二滑台的第二缸體、一設置於該第四滑座的第二端件，及一連接該第二端件且沿該上下方向穿設於該第二缸體的第二活塞桿組，每一該第三承重氣缸具有一設置於該第六滑座的第三缸體、一設置於該第五滑座的第三端件，及一連接該第三端件且沿該上下方向穿設於該第三缸體的第三活塞桿組。
如請求項5所述的複合式化學研磨與拋光系統，其中，該第二方向與第三方向相同，該第一夾具盤可受連動而沿該第一方向移動至該研磨盤的範圍，該第二夾具盤可受連動而沿該第二方向移動至該研磨盤的範圍，該砂輪件可受連動而沿該第三方向移動至該研磨盤的範圍。
如請求項5所述的複合式化學研磨與拋光系統，其中，該砂輪總成還具有一可翻轉地設置於該第九基座的轉動臂、一設置於該轉動臂的鑽石碟馬達，及一受該鑽石碟馬達驅動的鑽石碟。
一種動態調整傳輸資料的感測裝置，傳輸一目標對象的一偵測資料至一伺服器，該動態調整傳輸資料的感測裝置包括：<br/> 一感測單元，獲取該目標對象的該偵測資料；<br/> 一第一電力單元，提供一運作電力；<br/> 一第二電力單元，提供一備援電力；<br/> 一第一通訊單元，傳輸一第一資料；<br/> 一第二通訊單元，傳輸一第二資料；<br/> 一狀態感知單元，連接於該第一電力單元與該第二電力單元，該狀態感知單元根據系統資源狀態產生一切換訊號；以及<br/> 一處理單元，連接於該感測單元、該第一電力單元、該第二電力單元、該狀態感知單元、該第一通訊單元與該第二通訊單元，該處理單元根據該切換訊號選擇該第一電力單元或該第二電力單元，該處理單元選擇該運作電力運作，該處理單元將該偵測資料封裝為該第一資料並驅動該第一通訊單元傳輸該第一資料，該處理單元選擇該備援電力運作，該處理單元將該偵測資料封裝為該第二資料並驅動該第二通訊單元傳輸該第二資料。
如請求項1所述的動態調整傳輸資料的感測裝置，其中更包括一儲存單元，該處理單元連接於該儲存單元，該儲存單元儲存一第一影像識別模型與一第二影像識別模型，該處理單元於該運作電力運作時，該處理單元選擇該第一影像識別模型，該處理單元於該備援電力運作時，該處理單元選擇該第二影像識別模型。
如請求項2所述的動態調整傳輸資料的感測裝置，其中該第一影像識別模型根據該偵測資料產生一多媒體資料，該第二影像識別模型根據該偵測資料產生一語意特徵資料，該處理單元將該多媒體資料與一外部資料封裝為該第一資料，該處理單元將該語意特徵資料與該外部資料封裝為該第二資料，其中該語意特徵資料為語意標籤、物件座標、特徵向量或至少一之組合。
如請求項3所述的動態調整傳輸資料的感測裝置，其中該第一影像識別模型的解析精度高於該第二影像識別模型的解析精度。
如請求項2所述的動態調整傳輸資料的感測裝置，其中該第一影像識別模型為YOLO Large模型，該第二影像識別模型為YOLO Nano模型。
如請求項2所述的動態調整傳輸資料的感測裝置，其中該目標對象為水位高度、壁面瑕疵、車牌號碼、車斗裝載物、穿戴設備、地表高度、坡面高度、煙霧、火源、滲水水漬或馬達偏移量。
如請求項1所述的動態調整傳輸資料的感測裝置，其中一外部資料為時戳資料、全球定位系統資料、影像特徵資料或其組合。
如請求項1所述的動態調整傳輸資料的感測裝置，其中該狀態感知單元於判斷該第一電力單元所提供該運作電力低於一電力閾值或一可用頻寬低於一頻寬閾值時，該狀態感知單元發送該切換訊號至該處理單元，使該處理單元接收該第二電力單元的該備援電力，並控制該第一通訊單元切換至該第二通訊單元。
如請求項1所述的動態調整傳輸資料的感測裝置，其中該第一通訊單元與該第二通訊單元網路連接於該伺服器，該第一通訊單元傳輸該第一資料至該伺服器，或該第二通訊單元傳輸該第二資料至該伺服器。
如請求項9所述的動態調整傳輸資料的感測裝置，其中該伺服器接獲該第二資料，該伺服器輸出一警報通知至一指定客戶端。
一種資訊傳輸路徑的處理系統，包括：<br/> 一主監測設備，具有一第一電力單元、一第一主通訊單元與一第一處理單元，該第一處理單元連接於該第一電力單元與該第一主通訊單元，該第一電力單元提供一運作電力，該第一主通訊單元發送一廣播要求或接收至少一回覆響應；以及<br/> 多個從監測設備，各自具有一第二電力單元、一第二主通訊單元與一第二處理單元，每一該第二處理單元連接於相應的該第二電力單元與該第二主通訊單元，每一該第二電力單元各自具有一可供應電量，該第二主通訊單元接收該廣播要求，該第二處理單元根據該廣播要求與該可供應電量產生相應的該回覆響應，該第二處理單元驅動該第二主通訊單元傳送該回覆響應；<br/> 其中，該第一處理單元根據該運作電力與該些回覆響應建立一路徑權重表，該第一處理單元從該路徑權重表中選擇權重最高的該從監測設備，並發送一第一資料至受選的該從監測設備。
如請求項1所述的資訊傳輸路徑的處理系統，其中該主監測設備更包括一感測單元，該第一處理單元連接於該感測單元，該感測單元獲取一監測資料，該第一處理單元根據該監測資料產生該第一資料。
如請求項1所述的資訊傳輸路徑的處理系統，其中該第一電力單元的電力來源為一市電、一電池或其組合，該第二電力單元的電力來源為另一該市電、另一該電池或其組合。
如請求項3所述的資訊傳輸路徑的處理系統，其中該電池更連接一外部發電單元，該外部發電單元的發電種類為太陽能發電、風力發電、水力發電、火力發電或地熱發電。
如請求項3所述的資訊傳輸路徑的處理系統，其中該第二處理單元根據該第二電力單元的種類產生一第一權重，該第二處理單元根據該可供應電量產生一第二權重，該第二處理單元根據與該主監測設備之間的一通訊品質量測值產生一第三通訊權重，該第二處理單元將該第一權重、該第二權重與該第三通訊權重記錄至該回覆響應，該第一處理單元根據該第一權重、該第二權重與該第三通訊權重建立該路徑權重表。
如請求項1所述的資訊傳輸路徑的處理系統，其中該主監測設備更包括一第一從通訊單元，該第一處理單元連接於該第一從通訊單元，每一該從監測設備更包括一第二從通訊單元，每一該第二處理單元連接於相應的該第二從通訊單元，該第一從通訊單元連接於該第二從通訊單元。
如請求項6所述的資訊傳輸路徑的處理系統，其中該第一處理單元根據受選的該從監測設備對該第一資料執行一資料降級處理以產生一第二資料，該第一處理單元通過該第一從通訊單元將該第二資料發送至該第二從通訊單元，該第一資料的資料量大於該第二資料的資料量。
如請求項6所述的資訊傳輸路徑的處理系統，其中該第一主通訊單元與該第二主通訊單元的通訊種類為一無線網路協議、一行動通訊協議或一衛星通訊協議，該第一從通訊單元與該第二從通訊單元的通訊種類係為一藍芽通訊協議、一長距離無線通訊協議、一紫蜂無線通訊協議或一超寬頻通訊協議。
如請求項1所述的資訊傳輸路徑的處理系統，其中將接獲該第一資料的該從監測設備設定為新的該主監測設備，新的該主監測設備建立相應的該路徑權重表，並選出新的該從監測設備。
如請求項9所述的資訊傳輸路徑的處理系統，其中新的該主監測設備以逐跳轉發選擇另一該從監測設備，直至新選的該主監測設備連接於一伺服器為止。
一種具有背部中央風扇配置之散熱服飾，其包含： <br/>一服飾本體； <br/>至少一風扇設置區域設置於該服飾本體之背部； <br/>以及至少一風扇設置於該風扇設置區域內； <br/>其中，該風扇設置區域之中心點與該服飾本體兩側腋下之距離相等，使該風扇設置區域配置於背部中央位置，以使風扇所產生之氣流可均勻流動於服飾本體內部。
如請求項1所述的具有背部中央風扇配置之散熱服飾，其中該風扇設置區域為一圓形開口。
如請求項1所述的具有背部中央風扇配置之散熱服飾，其中該風扇設置區域設置於服飾本體背部之肩胛骨區域。
如請求項1所述的具有背部中央風扇配置之散熱服飾，其中該服飾本體之背部設置兩個風扇設置區域。
如請求項1所述的具有背部中央風扇配置之散熱服飾，其中兩風扇設置區域分別設置於背部中央線左右兩側。
如請求項5所述的具有背部中央風扇配置之散熱服飾，其中該風扇設置區域內設置一風扇安裝結構，以固定該風扇。
如請求項1所述的具有背部中央風扇配置之散熱服飾，其中該服飾本體之下擺設置有鬆緊帶，以限制冷空氣由服飾本體底部流出。
如請求項1所述的具有背部中央風扇配置之散熱服飾，其中該風扇設置區域設置於服飾本體內側。
如請求項1所述的具有背部中央風扇配置之散熱服飾，其中該風扇設置區域設置有濾網結構。
如請求項1所述的具有背部中央風扇配置之散熱服飾，其中該服飾本體為外套、背心或工作服。
一種智能工地安全監控系統，其包含：<br/> 一環境感測器，其裝設於工地區域，該環境感測器能獲取工地區域之一環境參數；<br/> 一檢測攝影裝置，其裝設於工地區域之入口處，該檢測攝影裝置能擷取一人員影像；<br/> 一監控終端，其具有一通訊模組、一處理模組及一監控介面，該通訊模組與該環境感測器及該檢測攝影裝置無線訊號連接，該通訊模組接收該環境參數及該人員影像並傳送至該處理模組，該處理模組將該環境參數經運算處理為一環境監測指數，該處理模組將該環境監測指數傳送至該監控介面顯示；該處理模組將該人員影像進行影像處理，並判斷該人員影像是否與一安全佩帶模型匹配，當該處理模組判斷該人員影像與該安全佩帶模型匹配，該處理模組產生一允許訊號；以及<br/> 一門控裝置，其裝設於工地區域之入口處且鄰近該檢測攝影裝置，該門控裝置與該監控終端耦接，該門控裝置能控制工地門之啟閉，當該門控裝置接收該監控終端傳送之該允許訊號，該門控裝置能控制工地門開啟。
如請求項1所述之智能工地安全監控系統，更具有一監控攝影裝置，其與該監控終端之該通訊模組無線訊號連接，該監控攝影裝置裝設於工地區域，該監控攝影裝置拍攝一工地即時影像，該監控攝影裝置將該工地即時影像傳送至該通訊模組，該通訊模組將該工地即時影像傳送至該處理模組，該處理模組將該工地即時影像顯示於該監控介面。
如請求項2所述之智能工地安全監控系統，其中，該監控終端之該通訊模組與管理者之終端裝置的一通訊應用程式耦接；該處理模組利用深度學習判斷該工地即時影像是否有違規行為，當該處理模組判斷該工地即時影像出現違規行為時，該處理模組產生並將一警告訊號傳送至該通訊應用程式。
如請求項2或3所述之智能工地安全監控系統，其中，該監控終端具有一資料庫，該處理模組將該環境參數、該人員影像及該工地即時影像依據時序分類儲存。
如請求項4所述之智能工地安全監控系統，其中，該監控終端具有一人員模組，該人員模組提供管理者註冊一管理者帳號，該人員模組提供對應該管理者帳號設定一權限資訊，該人員模組將該管理者帳號及對應之該權限資訊整合為一管理者資料，該人員模組將該管理者資料儲存至該資料庫。
如請求項4所述之智能工地安全監控系統，其中，該門控裝置具有一門禁模組及一出勤模組，該門禁模組控制工地門之啟閉，該門禁模組依據該允許訊號控制工地門開啟；該出勤模組將該人員影像與擷取該人員影像的時間記錄為一出勤資訊，該出勤模組將該出勤資訊傳送至該監控終端之該資料庫儲存。
如請求項4所述之智能工地安全監控系統，其中，該處理模組判斷該人員影像無法與該安全佩帶模型匹配，該處理模組產生一違規訊號，該處理模組將該人員影像及對應之該違規訊號整合為一違規資訊，該處理模組依據時序將該違規資訊儲存至該資料庫；該處理模組將具有違規行為之該工地即時影像依據時序儲存至該資料庫。
如請求項7所述之智能工地安全監控系統，其中，該處理模組將該人員影像、該環境監測指數、該允許訊號、該違規訊號其中之二或及其組合同時顯示於該監控介面。
如請求項8所述之智能工地安全監控系統，其中，該環境感測器為溫溼度感測器、粉塵感測器其中之一或及其組合；該環境參數為溫度、濕度、粉塵濃度其中之一或及其組合。
如請求項1所述之智能工地安全監控系統，其中，該安全佩帶模型為人員穿戴安全帽與反光背心。
一種適用多規格匯流排之機架安裝結構，可選擇地相容於一第一匯流排與一第二匯流排；包括： <br/>一機架本體，具有一機架補強件；以及 <br/>一安裝結構，設於該機架本體內並相對於該機架補強件的下方處，包含一高度補強件、一第一固定件與一第二固定件，該高度補強件具有一第一平置面與一第一垂置面並相互連接設置，且於該第一平置面上設有一直向貫孔，並於該第一垂置面上設有一橫向凹孔，該直向貫孔與該橫向凹孔係於該第一平置面與該第一垂置面之間呈相交而連通，而該第一固定件與該第二固定件中係可選擇地組設於該高度補強件上； <br/>其中，該第一固定件具有一平置板與一垂置板，該平置板疊置於該第一平置面並對應該直向貫孔作鎖設，而該垂置板則貼靠於該第一垂置面並對應該橫向凹孔作鎖設，以供所述第一匯流排之一端位於該直向貫孔與該橫向凹孔內而與該第一固定件作組設； <br/>其中，該第二固定件具有一側框板與二側翼板，該二側翼板疊置於該第一垂置面並分別對應該橫向凹孔的二側處，而該側框板則框圍於該直向貫孔相對該橫向凹孔的一側外，以供所述第二匯流排通過該直向貫孔而使其一端與該機架補強件作組設。
如請求項１所述之適用多規格匯流排之機架安裝結構，其中所述第一匯流排為48U之規格，而所述第二匯流排為52U之規格。
如請求項１所述之適用多規格匯流排之機架安裝結構，其中該該第一固定件之該平置板與該垂置板係呈一「L」形。
如請求項１至３任一項所述之適用多規格匯流排之機架安裝結構，其中所述第一匯流排之該端係具有一第一鎖設端、以及二第一插固端並分別由該第一鎖設端二側延伸而出，且該二第一插固端上分別向上延伸設置有一第一插板，而該第一固定件之該平置板上則具有二第一插固孔，並供該二第一插板插入而定位。
如請求項４所述之適用多規格匯流排之機架安裝結構，其中該垂置板上還具有一第一鎖固部，並供該第一鎖設端對應而相互鎖設連結。
如請求項１所述之適用多規格匯流排之機架安裝結構，其中該第二固定件之該側框板係呈一「U」形，且該二側翼板由該側框板二側分別延伸而出。
如請求項１、２及６任一項所述之適用多規格匯流排之機架安裝結構，其中該第二固定件之該側框板係將該第二匯流排抵靠於該直向貫孔內。
如請求項１、２及６任一項所述之適用多規格匯流排之機架安裝結構，其中該機架補強件係具有一第二平置面與一第二垂置面並相互連接設置，並於該第二平置面上設有二第二插固孔，而所述第二匯流排之該端係具有一第二鎖設端、以及二第二插固端並分別由該第二鎖設端二側延伸而出，且該二第二插固端上分別向上延伸設置有一第二插板，該二第二插板分別插入該二第二插固孔而定位。
如請求項８所述之適用多規格匯流排之機架安裝結構，其中該第二垂置面上還具有一第二鎖固部，並供該第二鎖設端對應而相互鎖設連結。
如請求項８所述之適用多規格匯流排之機架安裝結構，其中該第二垂置面相對於該二第二插固孔的下方處係預留有供所述第二匯流排通過的一安裝孔或安裝通道。
一種具柔塑定型功效之胸罩，其包含： <br/>一胸罩本體，其包含有二罩杯，各該罩杯的一端相互連接，各該罩杯的另一端分別連接於一肩帶的一端，各該罩杯形成有一下緣，該下緣位於各該罩杯之下方邊緣位置； <br/>二裡布，其分別連接於各該罩杯的該下緣； <br/>二邊布，其分別具有一布內面，該布內面為貼靠於人體皮膚的一側面，各該邊布的一端以該布內面與各該裡布相重疊結合，各該邊布為具有橫向布紋之彈性布料，該肩帶的另一端連接該邊布； <br/>二柔塑片，其分別設置於各該裡布相對於各該邊布的另一側面，各該柔塑片的一端部與各該裡布相重疊，各該柔塑片的另一端部與各該邊布相重疊，各該柔塑片為具有縱向布紋之彈性布料，且各該柔塑片及各該邊布的彈性大於各該裡布的彈性。
如請求項1所述之具柔塑定型功效之胸罩，其中各該柔塑片為五邊形片體，其依序包含一內弧邊、上斜邊、一外直邊、一下直邊及一斜側邊，該上斜邊及該下直邊分別位於上下相對的二側邊，該內弧邊及該斜側邊位於鄰近於該罩杯的一側邊，該外直邊位於相對的另一側邊，該內弧邊的形狀對應於該罩杯的該下緣的形狀，各該柔塑片自各該裡布相對於各該邊布的另一側面蓋設並車縫固定於部分之裡布及部分之邊布。
如請求項2所述之具柔塑定型功效之胸罩，其中該邊布為長條形片體，該邊布的上方位置具有一上端邊，該上端邊與該上斜邊相重合。
如請求項1至3中任一項所述之具柔塑定型功效之胸罩，其中各該裡布為具有六個邊的片體，其依序包含一內斜邊、一下杯邊、一外斜邊、一長車縫邊、一底邊及一內直邊，該長車縫邊及該內直邊分別位於左右相對的二側，該內斜邊、該下杯邊及該外斜邊位於上側，該底邊位於下側，該下杯邊的形狀對應於該罩杯的該下緣的形狀，該裡布以該內斜邊、該下杯邊及該內直邊與該罩杯相車縫固定。
如請求項4所述之具柔塑定型功效之胸罩，其進一步包含一長加強布及一短加強布，該長加強布車縫固定於該柔塑片相對於該裡布的該長車縫邊的位置，該短加強布車縫固定於該柔塑片。
如請求項3所述之具柔塑定型功效之胸罩，其中該柔塑片的該上斜邊的長度範圍為該邊布的該上端邊的長度的1/3~2/3。
如請求項2所述之具柔塑定型功效之胸罩，其中各該裡布為具有六個邊的片體，其依序包含一內斜邊、一下杯邊、一外斜邊、一長車縫邊、一底邊及一內直邊，該長車縫邊及該內直邊分別位於左右相對的二側，該內斜邊、該下杯邊及該外斜邊位於上側，該底邊位於下側，該下杯邊的形狀對應於該罩杯的該下緣的形狀，該裡布以該內斜邊、該下杯邊及該內直邊與該罩杯相車縫固定，該長車縫邊與該柔塑片的該外直邊之間的距離範圍為1~3cm。
一種曲屏電子裝置的鉸鍊，該曲屏電子裝置具有一第一部分及一樞接該第一部分的第二部分，該第二部分包含複數板件及至少一設於該些板件二相鄰者之間的鉸鍊，該些板件之間於該第二部分相對該第一部分開啟時形成夾角，該鉸鍊特徵在於：<br/> 該鉸鍊具有一基座及二設於該基座的同動轉軸，該基座具有一座本體及二設於該座本體並組接該些板件其中之一的弧形件，該座本體成形二分別提供該二弧形件其中之一活動其中的弧形槽，該二弧形件的每一具有一導槽，該二同動轉軸的每一具有一軸桿，及一隨該軸桿轉動而活動於該導槽內進而帶動該二弧形件其中之一的帶動件。
如請求項1所述的曲屏電子裝置的鉸鍊，其中，該二同動轉軸的每一具有一設於該軸桿的齒輪部，該鉸鍊具有至少一與二該齒輪部嚙合的傳動齒輪。
如請求項2所述的曲屏電子裝置的鉸鍊，其中，該鉸鍊具有至少一連接該基座並提供該二同動轉軸的二該軸桿套設其中的基板。
如請求項3所述的曲屏電子裝置的鉸鍊，其中，該二弧形件的每一成形一凹槽，該座本體具有二分別設於該二凹槽其中之一並沿該導槽位移的滑塊。
如請求項4所述的曲屏電子裝置的鉸鍊，其中，該帶動件具有一套接於該軸桿上的軸接孔，及一與該軸接孔相對並伸入該導槽內的滑動桿。
如請求項5所述的曲屏電子裝置的鉸鍊，其中，該軸桿成形至少一與該軸接孔配合的切平面。
如請求項6所述的曲屏電子裝置的鉸鍊，其中，該曲屏電子裝置具有複數樞接該第一部分與該第二部分的樞接器，該些樞接器的每一設於該些板件的其中之一，並帶動該些板件其中之一相對該些板件相鄰的其中另一樞轉。
一種膽固醇液晶顯示器，包括：<br/> 至少一膽固醇液晶面板，包括：<br/> 一第一基板，包括一資料線及一掃描線，該資料線及該掃描線位於該第一基板的上側，並交錯設置；<br/> 一黑色金屬層，該資料線上及該掃描線上分別設置該黑色金屬層，其中，該黑色金屬層的厚度範圍為10nm至50nm，對應該掃描線的該黑色金屬層位於該掃描線及該資料線之間；<br/> 一膽固醇液晶層，設置於該第一基板上，其中，對應該資料線的該黑色金屬層位於該資料線及該膽固醇液晶層之間；以及<br/> 一第二基板，設置於該膽固醇液晶層上；<br/> 其中，該資料線具有一第一上表面以及一第一側表面，該第一側表面位於該第一上表面的一側，該第一上表面朝向該膽固醇液晶層，對應該資料線的該黑色金屬層覆蓋該第一上表面，並延伸覆蓋該第一側表面；該掃描線具有一第二上表面以及一第二側表面，該第二側表面位於該第二上表面的一側，該第二上表面朝向該膽固醇液晶層，對應該掃描線的該黑色金屬層覆蓋該第二上表面，並延伸覆蓋該第二側表面。
如請求項1所述的膽固醇液晶顯示器，其中，該至少一膽固醇液晶面板包括一顯示區及一非顯示區，該資料線的至少一端及該掃描線的至少一端分別位於該顯示區及該非顯示區的交界；對應該資料線的該黑色金屬層進一步覆蓋該資料線的至少一端，對應該掃描線的該黑色金屬層進一步覆蓋該掃描線的至少一端。
如請求項1所述的膽固醇液晶顯示器，其中，該黑色金屬層為第一黑色金屬層；該膽固醇液晶顯示器更包括一第二黑色金屬層，該第一基板更包括一第一底材，該資料線更具一第一下表面，該掃描線更具有一第二下表面，該第一下表面及該第二下表面朝向該第一底材；該第一下表面及該第二下表面分別設置該第二黑色金屬層，對應該資料線的該第二黑色金屬層位於該資料線與對應該掃描線的該第一黑色金屬層之間，對應該掃描線的該第二黑色金屬層位於該第一底材與該掃描線之間，該第二黑色金屬層的厚度範圍為10nm至50nm。
如請求項3所述的膽固醇液晶顯示器，其中，該第一黑色金屬層的層數或該第二黑色金屬層的層數為複數層；或者，該第一黑色金屬層的層數及該第二黑色金屬層的層數皆為複數層。
如請求項3所述的膽固醇液晶顯示器，其中，該第一側表面的數目為複數個，該複數個第一側表面位於該第一上表面的該複數側，對應該資料線的該第一黑色金屬層沿該複數個第一側表面延伸，以部分接觸對應該資料線的該第二黑色金屬層；該第二側表面的數目為複數個，該複數個第二側表面位於該第二上表面的該複數側，對應該掃描線的該第一黑色金屬層沿該複數個第二側表面延伸，以部分接觸對應該掃描線的該第二黑色金屬層。
如請求項1所述的膽固醇液晶顯示器，其中，該第一基板更包括一第一底材及一電晶體，該資料線及該掃描線設置於該第一底材上；該電晶體設置於該第一底材及該膽固醇液晶層之間，並與該資料線及該掃描線相鄰設置，該電晶體包括：<br/> 一閘極，設置於該第一底材上，並與該掃描線電性連接；<br/> 一第一絕緣層，設置於該閘極上，並覆蓋該閘極；<br/> 一通道層，設置於該第一絕緣層上；<br/> 一汲極，設置於該第一絕緣層上，並位於該通道層的一側；以及<br/> 一源極，設置於該第一絕緣層上，並位於該通道層的另一側，且與該資料線電性連接；以及<br/> 一金屬遮蔽層，該閘極上、該汲極上以及該源極上分別設置該金屬遮蔽層，其中，該金屬遮蔽層的厚度範圍為10nm至50nm；<br/> 其中，該閘極具有一第三上表面以及複數個第三側表面，該複數個第三側表面位於該第三上表面的複數側，該第三上表面朝向該膽固醇液晶層；對應該閘極的該金屬遮蔽層覆蓋該第三上表面，並延伸覆蓋該複數個第三側表面；<br/> 其中，該汲極具有一第四上表面以及複數個第四側表面，該複數個第四側表面位於該第四上表面的複數側，該第四上表面朝向該膽固醇液晶層；對應該汲極的該金屬遮蔽層覆蓋該第四上表面，並延伸覆蓋該複數個第四側表面；<br/> 其中，該源極具有一第五上表面以及複數個第五側表面，該複數個第五側表面位於該第五上表面的複數側，該第五上表面朝向該膽固醇液晶層；對應該源極的該金屬遮蔽層覆蓋該第五上表面，並延伸覆蓋該複數個第五側表面。
如請求項6所述的膽固醇液晶顯示器，其中，該至少一膽固醇液晶面板的數目與該電晶體的數目的關係為一對多關係或多對多關係，該至少一膽固醇液晶面板的數目與該資料線的數目的關係為一對多關係或多對多關係，該至少一膽固醇液晶面板的數目與該掃描線的數目的關係為一對多關係或多對多關係。
如請求項6所述的膽固醇液晶顯示器，其中，覆蓋該汲極的該金屬遮蔽層在該第一底材的投影及覆蓋該源極的該金屬遮蔽層在該第一底材的投影與覆蓋該閘極的該金屬遮蔽層在該第一底材的投影部分重疊。
如請求項6所述的膽固醇液晶顯示器，其中，覆蓋該汲極的該金屬遮蔽層及覆蓋該源極的該金屬遮蔽層分別與該通道層部分接觸。
如請求項6所述的膽固醇液晶顯示器，其中，該金屬遮蔽層為一第一金屬遮蔽層，該膽固醇液晶顯示器更包括一第二金屬遮蔽層；該閘極及該第一底材之間、該汲極及該第一絕緣層之間以及該源極及該第一絕緣層之間分別設置該第二金屬遮蔽層，該第二金屬遮蔽層的厚度範圍為10nm至50nm； 對應該閘極的該第一金屬遮蔽層沿該複數個第三側表面延伸，以部分接觸對應該閘極的該第二金屬遮蔽層 ，對應該汲極的該第一金屬遮蔽層沿該複數個第四側表面延伸，以部分接觸對應該汲極的該第二金屬遮蔽層，對應該源極的該第一金屬遮蔽層沿該複數個第五側表面延伸，以部分接觸對應該源極的該第二金屬遮蔽層。
如請求項10所述的膽固醇液晶顯示器，其中，覆蓋該汲極的該第二金屬遮蔽層在該第一底材的投影及覆蓋該源極的該第二金屬遮蔽層在該第一底材的投影與覆蓋該閘極的該第二金屬遮蔽層在該第一底材的投影部分重疊。
如請求項10所述的膽固醇液晶顯示器，其中，覆蓋該汲極的該第二金屬遮蔽層及覆蓋該源極的該第二金屬遮蔽層分別與該通道層部分接觸。
如請求項6所述的膽固醇液晶顯示器，其中，該電晶體更包括一第二絕緣層，該第二絕緣層設置於該通道層上，並覆蓋該通道層、對應該汲極的該金屬遮蔽層以及對應該源極的該金屬遮蔽層，該膽固醇液晶顯示器更包括：<br/> 一第一透明導電層，設置於該第二絕緣層及該膽固醇液晶層之間；以及<br/> 一第二透明導電層，設置於該第二基板及該膽固醇液晶層之間；<br/> 其中，該第二絕緣層具有一連接孔，該第一透明導電層透過該連接孔與覆蓋該汲極的該金屬遮蔽層電性連接，覆蓋該汲極的該金屬遮蔽層延伸至該連接孔的底部；<br/> 其中，該汲極透過該連接孔及該金屬遮蔽層與該第一透明導電層電性連接。
如請求項13所述的膽固醇液晶顯示器，其中，在該連接孔中，該第一透明導電層與覆蓋該汲極的該金屬遮蔽層部分接觸。
如請求項1所述的膽固醇液晶顯示器，其中，該至少一膽固醇液晶面板包括依序設置的一第一膽固醇液晶面板、一第二膽固醇液晶面板以及一第三膽固醇液晶面板，該第二膽固醇液晶面板的該第一基板設置於該第一膽固醇液晶面板的該第二基板上，該第三膽固醇液晶面板的該第一基板設置於該第二膽固醇液晶面板的該第二基板上。
如請求項15所述的膽固醇液晶顯示器，其中，該第一膽固醇液晶面板的該膽固醇液晶層為一第一膽固醇液晶層，該第一膽固醇液晶面板反射一第一光線，該第一光線的波長範圍為一第一波長範圍；該第二膽固醇液晶面板的該膽固醇液晶層為一第二膽固醇液晶層，該第二膽固醇液晶面板反射一第二光線，該第二光線的波長範圍為一第二波長範圍；該第三膽固醇液晶面板的該膽固醇液晶層為一第三膽固醇液晶層，該第三膽固醇液晶面板反射一第三光線，該第三光線的波長範圍為一第三波長範圍；該第一波長範圍、該第二波長範圍及該第三波長範圍彼此相異。
一種鏡腳限位系統，包括：<br/> 一鏡框；<br/> 一樁頭，連接該鏡框，其中該樁頭具有一上側部、一下側部、及一限位器連接該上側部及該下側部；<br/> 一鏡腳，具有一末端，該末端位在該上側部及該下側部之間；以及<br/> 一螺絲，依序穿過該上側部、該末端、及該下側部，使該鏡腳得以向外翻摺至該鏡腳與該鏡框之間形成一第一展開角度。
如請求項第1項所述之鏡腳限位系統，其中該末端具有一第一虎口結構，且其中該鏡腳向外翻摺至該鏡腳與該鏡框之間形成該第一展開角度時，該第一虎口結構卡設於該限位器。
如請求項2所述之鏡腳限位系統，其中該上側部、該限位器、該下側部共同形成一第二虎口結構。
如請求項3所述之鏡腳限位系統，其中該鏡腳向外翻摺至該鏡腳與該鏡框之間形成該第一展開角度時，該第一虎口結構卡設於該第二虎口結構。
如請求項4所述之鏡腳限位系統，其中從上方觀察，該樁頭具有一內環圍住該螺絲。
如請求項5所述之鏡腳限位系統，其中從上方觀察，該第二虎口結構具有一C形環包圍該內環，且其中該C形環與該內環兩者之間具有一間距，且其中該鏡腳向外翻摺至該鏡腳與該鏡框之間形成一第二展開角度大於該第一展開角度時，該間距逐漸縮小，至該C形環接觸該內環為止。
如請求項6所述之鏡腳限位系統，更包括一螺絲帽蓋從上方蓋住該C形環及該內環。
一種使用兩個如請求項1至請求項7中任一項所述之鏡腳限位系統之眼鏡，其中該兩個鏡腳限位系統彼此連接。
如請求項8所述之眼鏡，其中各該鏡腳包括一塑膠本體及一金屬芯配置於該塑膠本體內部。
如請求項9所述之眼鏡，其中各該鏡腳包括一凹槽及一填充材料，且其中該填充材料填充於該凹槽，以遮蔽該金屬芯。
一種可穩固定位的出水刀具組，其包含： <br/> 一筒夾，其包含有 <br/> 一本體，其呈中空筒狀，且具有位置相對的一前端及一後端，以及一外周面、一內周面； <br/> 一導引槽，其設於該本體的內周面，且自該本體的前端朝向後端延伸而成； <br/> 一定位道，其自該本體的外周面貫穿至該內周面，且包含一延伸槽及一卡槽，該延伸槽自該導引槽沿著該本體的圓周方向延伸而成，該卡槽自該延伸槽沿著該本體的軸方向延伸而成，且自該本體的外周面朝內周面漸縮； <br/> 複數個剖溝，各該剖溝貫設於該本體，且朝向該本體的前端及後端延伸，該複數個剖溝環繞該本體的軸心排列；以及 <br/> 複數個出水道，各該出水道位於該本體的外周面與內周面之間，且自對應的其中一所述剖溝朝該內周面傾斜地延伸至該本體的前端； <br/> 一刀具，其自該筒夾之本體的前端插入該本體； <br/> 一定位鍵，其凸設於該刀具的外周，且於該刀具插入該本體時沿著該導引槽移動，該定位鍵能隨著該刀具與該筒夾相對轉動而自該導引槽進入該定位道的延伸段，並沿著該延伸段移動；以及 <br/> 一操作件，其結合於該筒夾的本體，且能沿著該本體的軸方向推抵該刀具而帶動該定位鍵，使該定位鍵卡入該定位道的卡槽。
如請求項1所述之可穩固定位的出水刀具組，其中各所述出水道包含有一出水孔及一出水槽，該出水槽凹設於該本體的前端，該出水孔自對應的所述剖溝延伸至該出水槽的槽底，且連通該出水槽的內部，該出水槽之內部的截面積大於該出水孔的截面積。
如請求項2所述之可穩固定位的出水刀具組，其中各所述出水道包含有兩凹部，該兩凹部凹設於該出水槽的槽底，且自該出水孔的兩側朝相反方向延伸。
如請求項1至3中任一項所述之可穩固定位的出水刀具組，其中所述筒夾包含有複數個引水孔，該複數個引水孔貫設於該本體，且相對靠近該本體的後端，各該引水孔連通對應的其中一所述剖溝。
如請求項1至3中任一項所述之可穩固定位的出水刀具組，其中所述筒夾的本體包含有相連接的一直筒部及一法蘭部，該法蘭部位於該本體的前端，且該法蘭部的外徑大於該直筒部的外徑，該複數個剖溝貫設於該直筒部，該複數個出水道自該直筒部延伸而貫穿該法蘭部。
如請求項1至3中任一項所述之可穩固定位的出水刀具組，其中所述刀具於其軸方向上設有一刀具流道，該操作件包含有一蓋體及一螺絲，該蓋體結合於該筒夾的本體，該螺絲螺合於該蓋體，且貫設有一銜接道，該螺絲能相對該蓋體移動而頂抵該刀具，使該銜接道與該刀具流道相連通。
一種加壓清洗裝置，適用於容納並加壓清洗一工件，該加壓清洗裝置包含：<br/> 一壓艙單元，包括一第一艙體，及一用來密封連接於該第一艙體的第二艙體，該第一艙體具有一開口朝向該第二艙體的凹部，及至少一支撐塊，由該第一艙體的凹部與該第二艙體共同界定出一適用於容置該工件的清洗腔，該工件適用於設置在該支撐塊，該第二艙體具有多個空間連通於該清洗腔的流通孔；<br/> 一壓力感測器，設置在該壓艙單元且用來感測該清洗腔的壓力；及<br/> 一管路單元，連接該壓艙單元且用來對該清洗腔輸入及/或輸出流體，該管路單元包括至少一第一管、至少一第二管，及一第三管，該至少一第一管與該至少一第二管分別連接該等流通孔且空間連通於該清洗腔，該第三管連接於該第一艙體且連通於該清洗腔。
如請求項1所述的加壓清洗裝置，其中，該管路單元包括二個第一管及二個第二管，該第二艙體具有四個流通孔且在一第一方向及一垂直於該第一方向的第二方向上間隔設置，該等第一管連接於其中二該流通孔，該等第二管連接於另二該流通孔，該第一艙體還具有一在一頂底方向貫穿該凹部且空間連通於該清洗腔的開孔，該開孔供該第三管連接。
如請求項2所述的加壓清洗裝置，其中，該等第一管用來對該清洗腔輸入氣體，該等第二管用來對該清洗腔輸入液體，該第三管用來排出該清洗腔內的液體。
如請求項1所述的加壓清洗裝置，其中，該等支撐塊設置在該凹部，該第一艙體還具有多個設置在該凹部的輔撐塊，該等輔撐塊環繞在該支撐塊外。
如請求項4所述的加壓清洗裝置，其中，該第一艙體具有多個支撐塊，且該等支撐塊在一第一方向及一垂直於該第一方向的第二方向上間隔設置，該等輔撐塊分成四組，且在該第一方向及該第二方向上間隔設置。
如請求項5所述的加壓清洗裝置，其中，該第一艙體具有一基壁及一圍繞該基壁的圍壁，由該基壁與該圍壁界定出該凹部，該等支撐塊與該等輔撐塊形成在該基壁，每一該輔撐塊的一側連接於該圍壁，且另一側朝向其中一該支撐塊。
如請求項5所述的加壓清洗裝置，其中，俯視下，每一該支撐塊呈矩形，每一該輔撐塊呈長條狀。
如請求項1所述的加壓清洗裝置，其中，該第二艙體包括一主體件及一視窗，該等流通孔形成於該主體件，該主體件的中央還形成有一開窗，該視窗密封連接於該開窗，且具有一能透光的窗片。
如請求項8所述的加壓清洗裝置，其中，該窗片密封連接於該開窗，該視窗還具有一環繞該窗片的壓框，該壓框在一頂底方向抵壓在該窗片的頂側。
如請求項1所述的加壓清洗裝置，其中，在垂直剖視中，該清洗腔呈細長形，且適用於容納單一該工件。
如請求項1所述的加壓清洗裝置，還包含一連動單元，該連動單元用來閉合及分開該第一艙體與該第二艙體，該連動單元包括一固定在該第一艙體與該第二艙體的其中一者的本體，及一固定在該第一艙體與該第二艙體的另一者的移動件，該移動件能相對於該本體移動。
如請求項1所述的加壓清洗裝置，其中，該第一艙體還具有環繞在該凹部外的至少一環槽，該壓艙單元還包括至少一設置在該環槽且供該第二艙體抵壓的密封圈，俯視下，該凹部呈矩形。
如請求項1所述的加壓清洗裝置，還包含一加熱單元，該加熱單元設置在該壓艙單元且用來加熱該壓艙單元。
一種可滑動安裝之太陽能模組桁架結構，係包括：<br/> 一頂部滑軌結構，係具有複數工字型滑軌部，該複數工字型滑軌部中之每一該工字型滑軌部之斷面係呈工字型，而形成二容納槽；該複數工字型滑軌部彼此平行而形成M個長條狀容納空間；M係為≧2之正整數，該二容納槽係分別位於相對應之該長條狀容納空間內；<br/> 該M個長條狀容納空間中之每一該長條狀容納空間係用以滑入而容納N片太陽能模組，N係為≧2之正整數；<br/> 一底部支架結構，係具有複數支撐部，該複數支撐部係分別用以將該複數工字型滑軌部固定於一工作表面上；及<br/> 一輔助斜撐結構，係具有複數斜撐部，該複數斜撐部係分別用以固定於該底部支架結構中之位於二外側之該複數支撐部；<br/> 其中，該N片太陽能模組中之每一該太陽能模組係具有二表面、二橫向邊緣及二縱向邊緣；該二橫向邊緣恰可供該太陽能模組與相對應之該二容納槽相對滑移，並限制該太陽能模組不可由該二表面之垂直方向移出；<br/> 藉此，該M個長條狀容納空間可以滑動安裝方式，供MxN片之該太陽能模組容納於該頂部滑軌結構中。
如請求項1所述之可滑動安裝之太陽能模組桁架結構，其中：<br/> 該複數工字型滑軌部之數量係為2；<br/> 該工作表面係為建築物之屋頂；及<br/> 該複數支撐部係將該複數工字型滑軌部固定於該建築物之屋頂。
如請求項2所述之可滑動安裝之太陽能模組桁架結構，係又包括：<br/> 一維修通道部，係連結並固定於該底部支架結構；該維修通道部係具有一維修走道及複數固定架，該複數固定架係用以將該維修走道固定連結於該底部支架結構。
如請求項3所述之可滑動安裝之太陽能模組桁架結構，係又包括：<br/> 一中間補強肋部，其係與該底部支架結構固定為一體，該中間補強肋部係橫貫該底部支架結構中之該二外側，且該中間補強肋部係平行該維修通道部。
一種鋼構夾，適用於連接一立柱及一鋼構，並包含：<br/> 一本體，呈中空狀圍繞界定出一沿一參考軸線延伸的穿伸槽，且具有一沿垂直該參考軸線之一貫通方向呈貫穿狀而與該穿伸槽相連通的通孔，及一與該通孔彼此位於沿該貫通方向之相反側，且沿該貫通方向呈貫穿狀而和該穿伸槽連通並且徑寬小於該通孔的可視孔，該本體包括一形成該可視孔的底壁，及一圍繞界定出該穿伸槽且形成該通孔的主體壁，其中，該通孔沿平行該貫通方向之徑寬漸縮而適用於配合該可視孔調整並定位該立柱；及<br/> 一固定件，銜接該本體，並包括二自該底壁彼此間隔地以遠離該主體壁之方向平行延伸，且適用於夾固該鋼構的翼板。
如請求項1所述的鋼構夾，其中，該等翼板之其中一者界定出至少一適用於供對應數量之螺栓鎖固該鋼構的螺孔。
如請求項1所述的鋼構夾，其中，該底壁具有共同界定出該可視孔且彼此位於相反側的一第一壁面與一第二壁面，且該第一壁面具有一與該可視孔相連通且適用於供該立柱抵靠而定位的環狀槽。
如請求項1所述的鋼構夾，其中，該固定件之該等翼板的端部呈弧形狀。
一種電子裝置，包括： <br/>一射頻系統；以及 <br/>一天線系統，包括： <br/>至少一第一天線單元，具有一第一輻射方向； <br/>至少一第二天線單元，具有一第二輻射方向； <br/>至少一第三天線單元，具有一第三輻射方向； <br/>至少一第四天線單元，具有一第四輻射方向，其中該第一輻射方向、該第二輻射方向、該第三輻射方向及該第四輻射方向彼此不同；以及 <br/>一切換組件，耦接於該至少一第一天線單元、該至少一第二天線單元、該至少一第三天線單元和該至少一第四天線單元的每一者與該射頻系統之間，並適以依據基地台負載、用戶分布或網路容量需求動態切換該射頻系統連接至該至少一第一天線單元、該至少一第二天線單元、該至少一第三天線單元和該至少一第四天線單元中的至少一者。
如請求項1所述的電子裝置，其中該至少一第一天線單元、該至少一第二天線單元、該至少一第三天線單元和該至少一第四天線單元中設置於一殼體內，且以該殼體的一軸線為中心，等角度地配置。
如請求項1所述的電子裝置，其中該至少一第一天線單元、該至少一第二天線單元、該至少一第三天線單元和該至少一第四天線單元中相鄰的任兩者所朝向的角度差為90度±2度。
如請求項1所述的電子裝置，其中該至少一第一天線單元、該至少一第二天線單元、該至少一第三天線單元和該至少一第四天線單元的每一者的數量為多個。
如請求項4所述的電子裝置，其中該切換組件包括多個功率分配器及各該功率分配器所連接的四個開關，各該功率分配器所連接的該四個開關分別連接於對應的該第一天線單元、該第二天線單元、該第三天線單元及該第四天線單元。
如請求項4所述的電子裝置，其中該些第一天線單元、該些第二天線單元、該些第三天線單元及該些第四天線單元的每一者激發出一頻段，該些第一天線單元中相鄰的任兩者之間的中心距離、該些第二天線單元中相鄰的任兩者之間的中心距離、該些第三天線單元中相鄰的任兩者之間的中心距離及該些第四天線單元中相鄰的任兩者之間的中心距離的每一者介於該頻段的0.4倍至0.7倍波長之間。
如請求項1所述的電子裝置，其中該至少一第一天線單元、該至少一第二天線單元、該至少一第三天線單元和該至少一第四天線單元的每一者所激發的頻段包括n78（3300-3800 MHz）、n79（4400-5000 MHz）、n41（2496-2690 MHz）或n77（3300-4200 MHz）頻段。
如請求項1所述的電子裝置，其中各該第一天線單元、各該第二天線單元、各該第三天線單元及各該第四天線單元的每一者包括垂直於彼此擺放的一第一輻射體及一第二輻射體。
如請求項1所述的電子裝置，其中該切換組件切換，以使該射頻系統連接至各該第一天線單元、各該第二天線單元、各該第三天線單元和各該第四天線單元中的任兩者。
如請求項1所述的電子裝置，其中該切換組件切換，以使該射頻系統連接至各該第一天線單元、各該第二天線單元、各該第三天線單元和各該第四天線單元中的任三者。
如請求項1所述的電子裝置，其中該切換組件切換，以使該射頻系統連接至各該第一天線單元、各該第二天線單元、各該第三天線單元和各該第四天線單元。
一種磁吸式連接裝置，包括： <br/>一第一連接器，包括一第一絕緣本體及一第一磁吸件，該第一絕緣本體沿一垂向凸出有一中空凸環，該第一磁吸件設置在該中空凸環內，在該中空凸環的內壁形成有一容置凹槽； <br/>一第二連接器，包括一第二絕緣本體及一第二磁吸件，該第二絕緣本體沿該垂向凸出有一插接部，該第二磁吸件設置在該插接部內，在該插接部的外壁形成有一定位溝槽；及 <br/>一彈性卡扣，設置在該容置凹槽且可沿一徑向於一鎖定位置及一釋放位置之間脹縮，該徑向與該垂向相互垂直，該彈性卡扣的內壁具有沿該徑向凸出該容置凹槽的一夾箝凸緣； <br/>其中當該第一連接器與該第二連接器沿該垂向對接時，部分的該插接部插接於該中空凸環內，該插接部的外壁將該彈性卡扣撐開而朝該定位溝槽潰縮至該釋放位置； <br/>其中當該第一連接器與該第二連接器沿該垂向對接後，該插接部插接於該中空凸環內，該第一磁吸件與該第二磁吸件相互磁吸，該彈性卡扣位於該鎖定位置而使該夾箝凸緣卡合於該定位溝槽。
如請求項1所述之磁吸式連接裝置，其中該彈性卡扣呈C字型而具有一缺口，該彈性卡扣通過該缺口而能夠膨脹或收縮。
如請求項1所述之磁吸式連接裝置，其中該彈性卡扣位於該釋放位置時的外徑大於該彈性卡扣位於該鎖定位置時的外徑。
如請求項1所述之磁吸式連接裝置，其中該夾箝凸緣具有一第一斜面、一第二斜面及一連接面，該第一斜面朝向該第一磁吸件，該第二斜面朝向該第二磁吸件，該連接面連接在該第一斜面與該第二斜面之間，該第一斜面的長度小於該第二斜面的長度。
如請求項4所述之磁吸式連接裝置，其中當該彈性卡扣位於該鎖定位置時，該第一斜面與該定位溝槽的最短距離小於該第二斜面與該定位溝槽的最短距離。
如請求項4所述之磁吸式連接裝置，其中該彈性卡扣具有平行於該徑向的一上端面及一下端面，該第一斜面與該下端面所形成的一第一夾角小於該第二斜面與該上端面所形成的一第二夾角。
如請求項4所述之磁吸式連接裝置，其中該連接面為弧面，該定位溝槽沿該垂向的剖面形狀為圓弧形，該連接面的曲率大於該定位溝槽的曲率。
如請求項1所述之磁吸式連接裝置，其中該定位溝槽沿該垂向的剖面形狀為圓弧形。
如請求項1所述之磁吸式連接裝置，其中該中空凸環具有一第一內壁、一第二內壁及一傾斜內壁，該第一內壁的內徑小於該第二內壁的內徑，該容置凹槽形成在該第一內壁且位於該第二內壁與該第一磁吸件之間，該傾斜內壁傾斜地連接該第一內壁與該第二內壁。
如請求項9所述之磁吸式連接裝置，其還包括一密封套環，在該插接部的外壁形成有一環狀嵌槽，該密封套環包括一本體、一第一凸環及一第二凸環，該本體嵌入固定在該環狀嵌槽內，該第一凸環與該第二凸環分別自該本體朝不同角度傾斜延伸而使該第二凸環的外徑大於該第一凸環的外徑，當該彈性卡扣位於該鎖定位置時，該第一凸環彈性抵接於該傾斜內壁，該第二凸環彈性抵接於該第二內壁。
一種舉牌機，包含：<br/> 一座體；<br/> 一驅動單元，設置於該座體；<br/> 一辨識物件，可拆離地設置於該驅動單元，且可被該驅動單元驅動而相對該座體在一個非辨識位置與一突出於該座體的辨識位置間位移變化；及<br/> 一控制單元，包括一設置於該座體外表面的第一按鈕，及一設置於該座體內且電訊號連接該驅動單元與該第一按鈕的控制模組，該控制模組會受到被按壓的該第一按鈕的觸發，而控制該驅動單元驅動該辨識物件從該非辨識位置變化至該辨識位置。
如請求項1所述的舉牌機，其中，該辨識物件位於該非辨識位置時，位於該座體的側邊，該辨識物件位於該辨識位置時，位於該座體的上方。
如請求項1所述的舉牌機，其中，該驅動單元包括一個設置於該座體內且電訊號連接該控制模組的驅動件，及一個設置於該驅動件且供該辨識物件可拆離地設置的擺動件，該控制模組會被受到按壓的該第一按鈕的觸發，而控制該驅動件傳動該擺動件相對該座體樞擺，使該擺動件從一個呈橫躺狀的第一位置擺動變化至一個呈豎立狀的第二位置，而帶動該辨識物件向上突出於該座體。
如請求項3所述的舉牌機，其中，該辨識物件包括一可拆離地設置於該擺動件的桿體，及一個設置於該桿體相反於該擺動件的一端且可供視覺辨識的板體。
如請求項4所述的舉牌機，其中，該擺動件具有一相反於該驅動件的第一結合端部，該桿體具有一相反於該板體且可拆離地結合於該第一結合端部的第二結合端部。
如請求項3所述的舉牌機，其中，該控制單元還包括一個設置於該座體內且電訊號連接該控制模組的第一感測件，該第一感測件可用以感測位移至該第二位置的該擺動件，該控制模組會於該第一感測件偵測到該擺動件時被觸發，而控制該驅動件停止運作。
如請求項3或6所述的舉牌機，其中，該控制單元還包括一設置於該座體外表面的第二按鈕，該控制模組會被受到按壓的該第二按鈕觸發，而驅動該驅動件傳動該擺動件從該第二位置變化至該第一位置。
如請求項7所述的舉牌機，其中，該控制單元還包括一個設置於該座體內且電訊號連接該控制模組的第二感測件，該第二感測件可用以感測位移至該第一位置的該擺動件，該控制模組會於該第二感測件偵測到該擺動件時被觸發，而控制該驅動件停止運作。
如請求項1所述的舉牌機，還包含一個設置於該座體且電訊號連接該控制模組的揚聲器，該控制單元還包括一電訊號連接該控制模組的儲存模組，該儲存模組可用以儲存一聲音檔，該控制模組會受到被按壓的該第一按鈕觸發，而透過該揚聲器播放該聲音檔。
如請求項9所述的舉牌機，還包含一設置於該座體且電訊號連接該控制模組的錄音裝置，該控制單元還包括一個電訊號連接該控制模組的錄音按鈕，該控制模組會於該錄音按鈕被按壓期間，控制該錄音裝置進行收音以得到一音訊，該控制模組會將該音訊儲存於該儲存模組作為一個該聲音檔，或者是以該音訊取代該儲存模組原儲存之該聲音檔。
如請求項3所述的舉牌機，其中，該座體內部界定一個容裝該控制模組與該驅動件的安裝空間，該安裝空間具有一個連通外界的開口，該擺動件穿設於該開口。
如請求項11所述的舉牌機，其中，該開口具有一個上下延伸且前後貫通的側口部，及一個前後延伸且上下貫通的頂口部，該擺動件位於該第一位置時，會穿設於該側口部，該擺動件位於該第二位置時，會穿設於該頂口部。
一種咬口器，其主要包含有：<br/> 一管體單元，係沿該管體單元之軸向貫設形成有一通道；<br/> 一彈性調整模組，係沿該管體單元外週側之軸向交錯形成至少二彈性調整凹槽與至少二彈性調整凸肋，其中，該等彈性調整凹槽係各設有一貫孔而連通該通道；以及<br/> 二咬合單元，係沿其中一該彈性調整凹槽所相鄰接之二該等彈性調整凸肋之週側相對設置，而每一該咬合單元係由複數咬合凸塊與複數咬合凹槽交錯設置於一該彈性調整凸肋，其中，每一該咬合單元之該等咬合凸塊與該等咬合凹槽係沿該管體單元之軸向設置；<br/> 其中，二該彈性調整凸肋處所形成之該等咬合凸塊與該等咬合凹槽係沿該管體單元之軸向對稱設置；<br/> 其中，至少一該彈性調整凹槽之該貫孔係設於該等咬合單元之間。
如請求項1所述之咬口器，進一步地，該管體單元於鄰接該等咬合單元端設有一氣管定位單元，而該氣管定位單元沿其軸向而分別設有一組設部與至少一氣管限位部，而該等氣管限位部係鄰接該組設部。
如請求項2所述之咬口器，進一步地，該管體單元沿其軸向依序設有一壓舌段、一咬合段、一結合段與一口外段，而該氣管定位單元係設組於該結合段，且該咬合段係設有該等咬合單元。
如請求項3所述之咬口器，其中，該管體單元之外週側係自該壓舌段其一端所鄰接之該咬合段沿其軸向朝另一端漸縮。
如請求項3所述之咬口器，其中，該氣管定位單元於鄰接該口外段之側面係設有複數定位柱，該等定位柱係自該氣管定位單元端朝該口外段方向凸設形成。
如請求項1所述之咬口器，進一步地，每一該咬合凹槽係設有二導引斜面與一底面，而該底面係設於該等導引斜面之間，且每一該導引斜面一端係自鄰接之該咬合凸塊朝另端之該底面傾斜設置。
如請求項6所述之咬口器，其中，每一該導引斜面係自該底面端朝該咬合凸塊端漸縮。
如請求項6所述之咬口器，其中，每一該導引斜面與鄰接之該底面係形成有一導引角，該導引角係介於150度至90度之間。
如請求項5所述之咬口器，進一步地，每一該定位柱係包含有一定位頭部與一定位頸部，而該定位頸部設於該定位頭部與該氣管定位單元之間。
如請求項2所述之咬口器，其中，該氣管定位單元係朝該等咬合單元方向呈彎曲狀。
一種捆綁裝置，其包括：<br/> 一第一帶體，該第一帶體具有一第一環部及一第一圈部；<br/> 一第二帶體，該第二帶體結合於該第一帶體且構成交叉狀，該第二帶體具有一第二環部及一第二圈部；<br/> 一第一捲收器，該第一捲收器內側捲收儲存一第一綁帶，該第一綁帶遠離於該第一捲收器的一端設一第一鈎件，該第一鈎件能夠選擇性連接於該第一環部，該第一捲收器的外側設一第一連接部連接於該第一圈部；以及<br/> 一第二捲收器，該第二捲收器內側捲收儲存一第二綁帶，該第二綁帶遠離於該第二捲收器的一端設一第二鈎件，該第二鈎件能夠選擇性連接於該第二環部，該第二捲收器的外側設一第二連接部連接於該第二圈部。
如請求項1所述之捆綁裝置，其中，該第二帶體的中間處結合於該第一帶體的中間處，該第二帶體無法分離該第一帶體且呈十字形狀。
如請求項1所述之捆綁裝置，其中，該第二帶體的中間處結合於該第一帶體的中間處，該第二帶體與該第一帶體之間採用車縫方式結合固定且呈十字形狀。
如請求項1所述之捆綁裝置，其中，該第二帶體的中間處結合於該第一帶體的中間處，該第二帶體與該第一帶體之間採用熱融合方式結合固定且呈十字形狀。
如請求項1所述之捆綁裝置，其中，該第二帶體的中間處設有一吊掛帶，該吊掛帶兩端分別車縫於該第二帶體靠近中間處。
如請求項5所述之捆綁裝置，其中，該第二帶體於該吊掛帶處更設有一吊掛扣，該吊掛扣為呈三角狀的金屬材質結構。
如請求項1所述之捆綁裝置，其中，該第二連接部由一固定帶及一第三鈎件構成，該第三鈎件設於該固定帶遠離該第二連接部的一端，該第三鈎件能夠選擇性連接於該第二圈部。
如請求項1所述之捆綁裝置，其中，該第一帶體為長條尼龍織帶結構，該第一環部由該第一帶體的尼龍織帶反折車縫而成，該第一圈部由該第一帶體的尼龍織帶反折車縫而成，該第二帶體為長條尼龍織帶結構，該第二環部由該第二帶體的尼龍織帶反折車縫而成，該第二圈部由該第二帶體的尼龍織帶反折車縫而成。
如請求項1所述之捆綁裝置，其中，該第一綁帶能夠拉出該第一捲收器或回捲於該第一捲收器內，並由該第一捲收器咬合鎖定後而防止該第一綁帶移動，該第二綁帶能夠拉出該第二捲收器或回捲於該第二捲收器內，並由該第二捲收器咬合鎖定後而防止該第二綁帶移動。
一種面板延伸裝置，係設置於一控制面板與一牆面之間，其中該面板延伸裝置具有一本體，其特徵在於：該本體係為一平面板體，該平面板體之中央具有一簍空區域，該平面板體相對於該簍空區域之一側邊設有一供線路通過之通道，且該平面板體相對於該簍空區域之相對兩側皆設有一孔洞。
如請求項1所述之面板延伸裝置，其中該簍空區域之形狀係大致與該控制面板相同。
如請求項1所述之面板延伸裝置，其中該平面板體之一端設有一凸面，該凸面與該通道係位於該簍空區域之相對兩側。
如請求項3所述之面板延伸裝置，其中該平面板體與該凸面係呈垂直設置。
如請求項4所述之面板延伸裝置，其中該凸面更設有至少一穿孔，係可供一載台鎖固於該凸面。
如請求項5所述之面板延伸裝置，其中該凸面兩側更設有至少一支撐部。
如請求項1所述之面板延伸裝置，其中該平面板體相對於該簍空區域之一邊設有複數掛勾部。
如請求項7所述之面板延伸裝置，其中該些掛勾部係與該通道位於相同邊。
如請求項1至8中任一項所述之面板延伸裝置，其中該平面板體之一端更設有一延伸板，且該延伸板係與該平面板體位於相同平面。
如請求項9所述之面板延伸裝置，其中該延伸板具有磁性。
一種收納盒，包括：<br/> 一盒蓋，該盒蓋的內側設置有一卡扣；<br/> 一盒體；<br/> 一鎖定件，該鎖定件移動設置於該盒體以具有一鎖定位置和一解鎖位置，該鎖定件的側面凸設有一限位柱；<br/> 一切換套筒，轉動設置於該盒體，該切換套筒套設於該鎖定件，該切換套筒包括一切換環，該切換環朝向該鎖定件的一側間隔設置有一限位部和一避讓部；<br/> 當該限位柱位於該切換環的外側並與該限位部抵接時，該鎖定件被限制在該鎖定位置，以與該卡扣卡接；當該限位柱位於該切換環的內側時，該鎖定件處於該解鎖位置，以與該卡扣分離。
如請求項1所述的收納盒，其中，該切換環開設有一通孔，該鎖定件穿設於該通孔，該限位部和該避讓部沿該通孔的內壁間隔設置，該避讓部配置為至少一個避讓槽，該切換環未設置該避讓槽的部分形成該限位部。
如請求項2所述的收納盒，其中，該避讓部配置為兩個該避讓槽，兩個該避讓槽沿該切換環的徑向相對設置，該切換環位於兩個該避讓槽之間的部分形成該限位部。
如請求項2所述的收納盒，其中，該限位柱可伸縮設置於該鎖定件，該通孔位於該限位部的內壁設置有一滑動斜面，該鎖定件從該解鎖位置向該鎖定位置移動時，該滑動斜面與該限位柱滑動抵接以使該限位柱縮入該鎖定件。
如請求項4所述的收納盒，其中，該鎖定件的側壁開設有一滑槽，該滑槽內設置有一第一彈性件，該限位柱設置於該滑槽內並與該第一彈性件抵接，該第一彈性件驅動該限位柱伸出該滑槽。
如請求項4所述的收納盒，其中，該限位柱包括一柱體和一球頭，該滑動斜面與該鎖定件之間徑向的最小距離小於該柱體伸出該鎖定件的距離，該滑動斜面與該鎖定件之間徑向的最大距離大於該柱體伸出該鎖定件的距離。
如請求項1所述的收納盒，其中，該切換套筒還包括一第一轉動部和一第二轉動部，該第一轉動部和該第二轉動部分別位於該切換環的兩側並與該切換環固定連接。
如請求項7所述的收納盒，其中，該第一轉動部與該切換環之間具有一第一限位槽，該第一限位槽沿該切換套筒的周向延伸，該第一限位槽至少連通該限位部與該避讓部；和/或，<br/> 該第二轉動部與該切換環之間具有一第二限位槽，該第二限位槽沿該切換套筒的周向延伸，該第二限位槽至少連通該限位部與該避讓部。
如請求項1至8中任一項所述的收納盒，其中，該收納盒還包括一第二彈性件，該第二彈性件的一端抵接於該盒體，該第二彈性件的另一端抵接於該鎖定件，該第二彈性件驅動該鎖定件由該鎖定位置向該解鎖位置移動。
如請求項1至8中任一項所述的收納盒，其中，該收納盒還包括一第三彈性件，該第三彈性件的一端與該盒體相連接，該第三彈性件的另一端與該切換套筒相連接，該第三彈性件驅動該切換套筒轉動至平衡位置。
一種排氣管前管改良結構，係用以安裝至一機車，該排氣管前管改良結構係包括：<br/> 一管體，該管體具有一氣流通道且未設有觸媒轉換器，該氣流通道具有一入口及一出口，該氣流通道之入口係用以接收來自該機車引擎之廢氣，而該氣流通道之出口係用以將該廢氣排入至一排氣管本體；以及<br/> 一阻漏環，該阻漏環係設置於該管體內且靠近該出口之處，係用以防止該廢氣洩漏。
如請求項1所述之排氣管前管改良結構，其中該阻漏環係為一石墨環。
如請求項1或2所述之排氣管前管改良結構，更包括一束環，該束環係設置於該管體末端與該排氣管本體相結合之處。
一種具有冷藏功能的飲水機，包括：製冰模組（100）和製冷模組（200），該製冷模組（200）用於為該製冰模組（100）輸送製冷劑；其特徵在於，還包括： <br/>冷水箱（300），該冷水箱（300）通過製冰進水管（104）與該製冰模組（100）連通，用於為該製冰模組（100）供水，並通過製冰回流管（106）與該製冰模組（100）連通，用於承接該製冰模組（100）中的殘餘冰水；該冷水箱（300）內還設有水箱換熱器（301）； <br/>冷藏室（400），該冷藏室（400）內設有冷藏換熱器（401），該冷藏換熱器（401）與該冷水箱（300）內部的該水箱換熱器（301）連通形成閉式循環換熱管路，該冷藏室（400）內還設有風機（402），以吹過該冷藏換熱器（401）向該冷藏室（400）內提供冷風。
如請求項1所述的具有冷藏功能的飲水機，其中該水箱換熱器（301）出口通過換熱進管（302）與該冷藏換熱器（401）入口連通，且該換熱進管（302）上設有動力泵B（303），該冷藏換熱器（401）出口通過換熱回管（304）與該水箱換熱器（301）入口連通。
如請求項1所述的具有冷藏功能的飲水機，其中該冷水箱（300）上還設有補水管（305），該補水管（305）用於與淨水水源連通，為該冷水箱（300）補充淨水。
如請求項1所述的具有冷藏功能的飲水機，其中該冷水箱（300）上還設有出水管（306），用於直接排出冷水。
如請求項1所述的具有冷藏功能的飲水機，其中該冷藏室（400）呈嵌入式安裝在飲水機內，並與飲水機可拆卸配合安裝。
如請求項1至5任一項所述的具有冷藏功能的飲水機，其中該製冰模組（100）內部設有製冰蒸發器（101），該製冰蒸發器（101）與該製冷模組（200）連通形成閉式循環供冷系統。
如請求項6所述的具有冷藏功能的飲水機，其中該製冷模組（200）包括壓縮機（201），該壓縮機（201）出口通過製冷劑進管（204）與該製冰蒸發器（101）進口連通，且該製冷劑進管（204）上還依次設有冷凝器（202）和毛細管（205）；該製冰蒸發器（101）出口通過製冷劑出管（208）連通至該壓縮機（201）入口。
如請求項7所述的具有冷藏功能的飲水機，其中該壓縮機（201）的排氣出口還通過脫冰管道（207）與該製冰蒸發器（101）連通，該脫冰管道（207）上設有脫冰閥（206）。
如請求項6所述的具有冷藏功能的飲水機，其中還包括冰盒（102），該冰盒（102）與該製冰模組（100）連通，用於存放製取的冰塊，該冰盒（102）設有回水管（103）與該冷水箱（300）連通。
如請求項6所述的具有冷藏功能的飲水機，其中該製冰模組（100）上還連通有擾動循環管路（107），該擾動循環管路（107）上設有擾動泵（108）。
一種液冷用熱交換器結構，包括： <br/>複數冷卻管，以一橫向作間隔排列； <br/>二匯流箱，連通於該等冷卻管二端，各該匯流箱具有一內接面、以及相鄰於該內接面的至少一第一外側面與至少一第二外側面，該第一外側面與該第二外側面相鄰，且該內接面上設有複數插接孔並分別供該等冷卻管二端插入連接；以及 <br/>複數鰭片，設於任二所述冷卻管之間； <br/>其中，該二匯流箱上係連通有一第一管接頭與一第二管接頭，該第一管接頭設於任一所述匯流箱的第一外側面上，而該第二管接頭設於任一所述匯流箱的第二外側面上，且該第一管接頭與該第二管接頭間形成一高度差。
如請求項１所述之液冷用熱交換器結構，其中各該冷卻管係為一中空的鋁管或銅管。
如請求項１或２所述之液冷用熱交換器結構，其中各該冷卻管係呈扁平狀。
如請求項１所述之液冷用熱交換器結構，其中所述鰭片係呈連續彎折之波浪狀。
如請求項１所述之液冷用熱交換器結構，其中該二匯流箱係為一第一匯流箱與一第二匯流箱，且該第一管接頭與該第二管接頭皆設於該第二匯流箱。
如請求項５所述之液冷用熱交換器結構，其中該第一匯流箱內係設有一隔板以將其內區分為一第一匯流區與一第二匯流區，且該第一管接頭連通該第一匯流區，而該第二管接頭連通該第二匯流區。
如請求項１所述之液冷用熱交換器結構，其中該二匯流箱係為一第一匯流箱與一第二匯流箱，且該第一管接頭設於該第一匯流箱，而該第二管接頭設於該第二匯流箱。
如請求項７所述之液冷用熱交換器結構，其中該第一匯流箱內係以一隔板區隔為一第一匯流區與一第二匯流區，而該第二匯流箱內亦以另一隔板區隔為另一第一匯流區與另一第二匯漲區，且該第一匯流箱內的該隔板係與該第二匯流箱內的另一該隔板錯位設置。
如請求項１所述之液冷用熱交換器結構，其中該第一管接頭具有一第一接頭座、以及設於該第一接頭座上的一第一接口，而該第二管接頭具有一第二接頭座、以及設於該第二接頭座上的一第二接口。
如請求項９所述之液冷用熱交換器結構，其中所述高度差係由該第一接口的中心至該第二接口的中心之間的投影距離。
一種醫療攝影輔助器材，其係包含有：<br/> 一本體模組，其係包含有一第一支撐單元、一第二支撐單元、一第三支撐單元與一插槽單元，而該第一支撐單元、該第二支撐單元與第三支撐單元係沿一第一方向設置，且該第三支撐單元沿該第一方向之其中一側邊係連接該第一支撐單元，而其另一側邊係連接該第二支撐單元，且該第三支撐單元係自該第二支撐單元側沿一第二方向凸設形成該插槽單元，該插槽單元並形成一容置空間；<br/> 複數限位單元，其係貫設於該第三支撐單元，且該等限位單元係沿一第三方向而兩兩相對間隔設置於該第三支撐單元之兩側；以及<br/> 一擋板模組，其係組設於該第三支撐單元，且其一側設有沿該第 二方向凸設之複數定位單元；<br/> 其中，該第一方向、該第二方向與該第三方向彼此相交；<br/> 其中，該等定位單元係組設於對應之二相對設置之該等限位單元，並使該擋板模組與該插槽單元間形成一間隔距離。
如請求項1所述之醫療攝影輔助器材，進一步地，該擋板模組係包含有一底板單元與相連接之一擋板單元，該底板單元一側邊係朝該第二方向凸設形成該擋板單元，且於鄰接該等限位單元側沿該第二方向凸設成該等定位單元。
如請求項2所述之醫療攝影輔助器材，進一步地，該等定位單元係各包含有一鎖固件與一定位柱，每一該鎖固件穿設通過該第三支撐單元而鎖設固定一該定位柱，並使該等定位單元之該等鎖固件組設於對應之該等限位單元。
如請求項2所述之醫療攝影輔助器材，進一步地，該底板單元係由其一側面朝該第三支撐單元方向一體成型複數定位柱，而該等定位柱並組設於對應之該等限位單元。
如請求項1所述之醫療攝影輔助器材，進一步地，該第三支撐單元於鄰接該等限位單元之兩側並間隔凹設複數導引槽。
如請求項1所述之醫療攝影輔助器材，進一步地，該本體模組沿該第三方向並設有至少一輔助支撐單元，其中，每一該輔助支撐單元係設於該第一支撐單元、該第二支撐單元與該第三支撐單元之間。
如請求項1所述之醫療攝影輔助器材，進一步地，該第一支撐單元與該第三支撐單元間係設有倒角部，該倒角部之剖面係呈圓弧狀。
如請求項1所述之醫療攝影輔助器材，進一步地，該第二支撐單元其一側朝該第三方向凸設形成一支撐腳。
一種眼鏡，包含：<br/> 一鏡框，包括一框體，及二由該框體的左右兩側朝後延伸的鉸接體；<br/> 二結合件，沿上下方向分別穿設該等鉸接體上，且固定於該等鉸接體上；<br/> 二彈接件，分別可樞轉地套設於該等結合件上，每一彈接件包括一樞設於相對應結合件上的樞設部，及一由該樞設部向外繞捲而呈渦卷狀的彈片部，該彈片部具可撓性及彈性；及<br/> 二鏡腳，分別連接該等彈片部。
如請求項1所述的眼鏡，其中，該鏡框之每一鉸接體具有一連接該框體且向後延伸的延伸部，及二彼此上下相間隔地且由該延伸部朝後凸伸的定位部，該等定位部界定出一樞接空間，每一結合件包括一穿設相對應鉸接體之其中一定位部而伸置於該樞接空間中的樞轉襯套，及一穿設另一定位部且同軸鎖設於該樞轉襯套上的螺絲，每一彈接件之該樞設部位於相對應鉸接體之該樞接空間中，且該樞設部可樞轉地套設於相對應結合件之該樞轉襯套上。
如請求項1所述的眼鏡，其中，每一鏡腳包括一連接相對應彈接件之該彈片部的端壁部，及一由該端壁部朝後延伸的佩掛部，該鏡腳可相對於該鏡框收折及展開，當該鏡腳展開時，該端壁部沿左右方向位於相鄰鉸接體的外側且彼此相間隔出一間隙。
如請求項3所述的眼鏡，其中，每一彈接件之彈片部以相對應結合件之中心軸線為旋轉軸線地朝外彎弧繞轉延伸，且該彈片部環繞出一連通該間隙的環槽。
如請求項1所述的眼鏡，其中，每一彈接件之彈片部以相對應結合件之中心軸線為旋轉軸線地朝外彎弧繞轉延伸。
一種工地管理系統，包含：<br/> 一入場閘道機，包含一入口閘門及一入場身分識別裝置，該入口閘門配置為依據一入場訊號開啟，該入場身分識別裝置包含一入口生物辨識單元及一觸控顯示單元，該觸控顯示單元配置為顯示一危害告知單內容，且響應於接收到該危害告知單內容的一回覆訊號而觸發該入口生物辨識單元識讀一入場人員資訊，該入口生物辨識單元於確認該入場人員資訊符合一入場條件而產生該入場訊號，其中該入場條件包含該入場人員資訊具有一通行權限；<br/> 一出場閘道機，包含一出口閘門及一出場身分識別裝置，該出口閘門配置為依據一出場訊號開啟，該出場身分識別裝置配置為包含一出口生物辨識單元，該出口生物辨識單元配置為識讀一出場人員資訊，並於確認該出場人員資訊符合一出場條件而產生該出場訊號，其中該出場條件包含該出場人員資訊具有該通行權限；以及<br/> 一管理主機，通訊連接該入場閘道機及該出場閘道機，配置為從該入場閘道機獲得對應該入場訊號的一進場人數異動資訊，且從該出場閘道機獲得對應該出場訊號的一出場人數異動資訊，以依據該進場人數異動資訊及該出場人數異動資訊統計一工地場域的一留容人數資訊。
如請求項1所述之工地管理系統，更包含一環境偵測設備，通訊連接該管理主機，該環境偵測設備配置為測量對應該工地場域的一環境資訊，並傳送該環境資訊到該管理主機。
如請求項2所述之工地管理系統，更包含一環境資訊顯示設備，通訊連接該環境偵測設備，並配置為接收並顯示該環境資訊。
如請求項1所述之工地管理系統，其中該入場身分識別裝置更包含一酒測器，通訊連接該入口生物辨識單元，並配置為取得一酒測結果並傳送該酒測結果至該入口生物辨識單元，其中該入場條件還包含該酒測結果符合一酒測規範。
如請求項1所述之工地管理系統，其中該入場身分識別裝置更包含一工服識別設備，通訊連接該入口生物辨識單元，並配置為透過影像識別取得一工服識別結果並傳送該工服識別結果至該入口生物辨識單元，其中該入場條件還包含該工服識別結果符合一著裝規範。
如請求項1所述之工地管理系統，其中該管理主機儲存有對應具有該通行權限的一人員名單，並將該人員名單更新至該入場身分識別裝置與該出場身分識別裝置。
如請求項6所述之工地管理系統，其中該人員名單中的每一人員關聯一包商分類標記，該包商分類標記用以指示該人員所屬之一包商分類。
如請求項7所述之工地管理系統，其中該管理主機統計的該留容人數資訊包含對應各該包商分類的一在場人數。
如請求項8所述之工地管理系統，其中更包含一人數資訊顯示設備，通訊連接該管理主機，配置以接收並顯示一總出場人數、一總進場人數、一總在場人數及各該包商分類的該在場人數。
如請求項6所述之工地管理系統，其中該人員名單還包含對應該人員的一證件資料，該證件資料包含一有效日期，該管理主機配置為於該有效日期屆滿前之一預定時間點產生一補件提醒訊息。
如請求項10所述之工地管理系統，其中該入場條件還包含該有效日期尚未屆滿，該入場身分識別裝置響應於該有效日期屆滿而顯示一警示提醒訊息於該觸控顯示單元。
如請求項1所述之工地管理系統，其中該管理主機配置為根據該入場人員資訊與對應的該入場訊號記錄一到班時間，根據該出場人員資訊與對應的該出場訊號記錄一離班時間，並根據該到班時間與該離班時間作成一出勤記錄，以根據該出勤記錄計算薪資。
一種能抑塵之水霧設備，其包含： <br/>一機台； <br/>一風機，其係樞設於該機台之頂部，且具有一出風側； <br/>一輸水管，其係設於該風機； <br/>一噴嘴，其係設於該輸水管之一端，且位於該風機之出風側，並具有一噴霧方向，該噴霧方向係朝向前方，且與該風機之出風方向平行； <br/>一閥件，其係設於該輸水管，並能將該輸水管區分成一第一輸水段以及一第二輸水段；以及 <br/>二壓力錶，其係分別設於該第一輸水段以及該第二輸水段。
如請求項1所述之能抑塵之水霧設備，其中，該風機能樞轉，並使該噴霧方向與該機台之頂部形成有一噴霧角度，該噴霧角度係介於15°至45°之間。
如請求項1或2所述之能抑塵之水霧設備，其中，所述能抑塵之水霧設備包含複數腳輪，該複數腳輪係設於該機台之底部。
一種能快速旋轉之取樣裝置，其能於一預備狀態以及一舀取狀態之間切換，所述能快速旋轉之取樣裝置包含： <br/>一支架，其包含一座體以及一桿體，該桿體係設於該座體，並朝該座體之上方延伸，該桿體之周壁形成有一限位塊； <br/>一觸發構件，其包含一作動件以及一第一彈性件，該作動件係套設於該桿體，且位於該座體之頂部，並能相對該桿體作線性移動，該作動件之一側形成有一擋板部，該擋板部係朝遠離該作動件之方向延伸，該第一彈性件係套設於該桿體，且位於該作動件以及該限位塊之間，並能帶動該作動件復位；以及 <br/>一翻轉構件，其包含一殼體以及一第二彈性件，該殼體係能拆組地樞設於該座體，且內部形成有開口朝上的一取樣空間，該殼體之一端形成有一抵止塊，該抵止塊係朝座體之方向凸伸，且位於相對該擋板部之一側的位置，該第二彈性件係設於該座體以及該殼體之間，並能帶動該殼體旋轉復位； <br/>於該預備狀態下，該作動件能受力朝上移動，使該殼體能被樞轉至開口朝下，且該抵止塊能位於該擋板部之下方，該作動件能復位並使該擋板部能抵靠該抵止塊；於切換至舀取狀態時，該作動件能受力朝上移動，並使該擋板部能脫離該抵止塊，該殼體能旋轉復位至開口朝上。
如請求項1所述之能快速旋轉之取樣裝置，其中，該座體之一端形成有一軸桿，該軸桿係朝該殼體之方向延伸，並能穿設該第二彈性件以及該殼體，該翻轉構件包含一鎖定件，該鎖定件係能拆組地套設於該軸桿之端部並抵靠該殼體。
如請求項1所述之能快速旋轉之取樣裝置，其中，該座體之相對兩側分別形成一第一抵接部以及一第二抵接部，該第一抵接部以及該第二抵接部係分別朝遠離該座體之方向延伸，該殼體之抵止塊能抵靠該第一抵接部，該第二彈性件之相對兩端能分別連接該抵止塊以及該第二抵接部。
如請求項2所述之能快速旋轉之取樣裝置，其中，該座體之相對兩側分別形成一第一抵接部以及一第二抵接部，該第一抵接部以及該第二抵接部係分別朝遠離該座體之方向延伸，該殼體之抵止塊能抵靠該第一抵接部，該第二彈性件之相對兩端能分別連接該抵止塊以及該第二抵接部。
如請求項1至4中任一項所述之能快速旋轉之取樣裝置，其中，該觸發構件包含一握把以及一拉繩，該握把係設於該桿體之端部，該拉繩之兩端係分別連接該握把以及該作動件，透過操作該握把能拉動或釋放該拉繩，使該作動件能朝上移動或復位。
如請求項1至4中任一項所述之能快速旋轉之取樣裝置，其中，該殼體係呈半圓弧形。
如請求項5所述之能快速旋轉之取樣裝置，其中，該殼體係呈半圓弧形。
如請求項1至4中任一項所述之能快速旋轉之取樣裝置，其中，該桿體包含一基段以及一延長段，該基段係設於該座體，該延長段係連接該基段並與該基段之間形成一夾角。
如請求項5所述之能快速旋轉之取樣裝置，其中，該桿體包含一基段以及一延長段，該基段係設於該座體，該延長段係連接該基段並與該基段之間形成一夾角。
如請求項6所述之能快速旋轉之取樣裝置，其中，該桿體包含一基段以及一延長段，該基段係設於該座體，該延長段係連接該基段並與該基段之間形成一夾角。
如請求項7所述之能快速旋轉之取樣裝置，其中，該桿體包含一基段以及一延長段，該基段係設於該座體，該延長段係連接該基段並與該基段之間形成一夾角。
一種捲線裝置，適於收納一線材，包括：<br/> 一外殼，包括一外殼開口，該線材適於穿過該外殼開口，該外殼開口沿一第一方向延伸；以及<br/> 一捲線主體，在該第一方向上可轉動地設置於該外殼，且包括一捲線桿，<br/> 該捲線主體適於受力而相對於該外殼轉動，使該線材纏繞於該捲線桿。
如請求項1所述的捲線裝置，其中該捲線主體更包括一操作部，該操作部連接該捲線桿，該操作部適於受力使該捲線桿相對於該外殼轉動。
如請求項2所述的捲線裝置，其中該操作部包括一固線槽，當該捲線裝置收納該線材時，該線材的一部分卡合於該固線槽。
如請求項1所述的捲線裝置，更包括一支架及一輔助模組，該外殼可拆卸地設置於該支架，該輔助模組包括一連動件及一輔助件，該連動件包括相連的一第一部分及一第二部分，該第一部分在該第一方向上可轉動地連接該支架且連動於該捲線主體，該輔助件可動地連接於該支架且連動於該第二部分，該輔助件包括一輔助開口，該線材適於穿過該輔助開口。
如請求項4所述的捲線裝置，當該捲線主體受力而相對於該外殼轉動時，該連動件被驅動而轉動，以帶動該輔助件沿該第一方向或相反於該第一方向的一第二方向相對於該連動件移動。
如請求項4所述的捲線裝置，其中該輔助件包括一輔助主體及一輔助轉動件，該輔助主體可滑動地連接於該支架，該輔助轉動件可轉動地設置於該輔助主體，該輔助開口位於該輔助主體。
如請求項6所述的捲線裝置，其中該連動件包括一第一軌道及一第二軌道，該第一軌道及該第二軌道形成於該第二部分，當該輔助轉動件位於該第一軌道內時，該輔助件適於沿該第一方向相對於該支架滑動，當該輔助轉動件位於該第二軌道內時，該輔助件適於沿相反於該第一方向的一第二方向相對於該支架滑動。
如請求項4所述的捲線裝置，其中該捲線主體包括一第一齒結構，該連動件包括一第二齒結構，該第二齒結構設置於該第一部分，該第一齒結構嚙合於該第二齒結構。
如請求項8所述的捲線裝置，其中該捲線主體包括一連接部，該連接部連接於該捲線桿，該第一齒結構設置於該連接部。
如請求項1所述的捲線裝置，其中該捲線桿具有一螺旋導槽，當該捲線裝置收納該線材時，至少部分的該線材位於該螺旋導槽內。
一種捲線系統，包括：<br/> 一線材；以及<br/> 一捲線裝置，包括：<br/> 一外殼，適於收納該線材且包括一外殼開口，該線材適於穿過該外殼開口，該外殼開口沿一第一方向延伸；以及<br/> 一捲線主體，在該第一方向上可轉動地設置於該外殼，且包括一捲線桿，<br/> 該捲線主體適於受力而相對於該外殼轉動，使該線材纏繞於該捲線桿。
如請求項11所述的捲線系統，其中該捲線主體更包括一操作部，該操作部連接該捲線桿，該操作部適於受力使該捲線桿相對於該外殼轉動。
如請求項12所述的捲線系統，更包括一工具，該工具適於連接於該操作部以施力。
如請求項11所述的捲線系統，其中該捲線裝置更包括一支架及一輔助模組，該外殼可拆卸地設置於該支架，該輔助模組包括一連動件及一輔助件，該連動件包括相連的一第一部分及一第二部分，該第一部分在該第一方向上可轉動地連接該支架且連動於該捲線主體，該輔助件可動地連接於該支架且連動於該第二部分，該輔助件包括一輔助開口，該線材適於穿過該輔助開口。
如請求項14所述的捲線系統，當該捲線主體受力而相對於該外殼轉動時，該連動件被驅動而轉動，以帶動該輔助件沿該第一方向或相反於該第一方向的一第二方向相對於該連動件移動。
如請求項14所述的捲線系統，其中該輔助件包括一輔助主體及一輔助轉動件，該輔助主體可滑動地連接於該支架，該輔助轉動件可轉動地設置於該輔助主體，該輔助開口位於該輔助主體。
如請求項16所述的捲線系統，其中該連動件包括一第一軌道及一第二軌道，該第一軌道及該第二軌道形成於該第二部分，當該輔助轉動件位於該第一軌道內時，該輔助件適於沿該第一方向相對於該支架滑動，當該輔助轉動件位於該第二軌道內時，該輔助件適於沿相反於該第一方向的一第二方向相對於該支架滑動。
如請求項14所述的捲線系統，其中該捲線主體包括一第一齒結構，該連動件包括一第二齒結構，該第二齒結構設置於該第一部分，該第一齒結構嚙合於該第二齒結構。
如請求項18所述的捲線系統，其中該捲線主體包括一連接部，該連接部連接於該捲線桿，該第一齒結構設置於該連接部。
一種具有致冷功能之杯墊結構，包含有：<br/> 一主體，具有一朝上之頂面，該頂面設有一承載部，並於該主體之內部形成有一容置空間，該承載部具有一朝上呈弧凸狀之承載面及一與該承載面相反而位在該容置空間中之安裝面，且於該承載部中設有一重量感測單元，並於該主體之頂面上凸設有數個彼此呈相隔設置且圍繞於該承載面周緣之擋塊，該各擋塊圈圍形成有一杯底置放區，且每一相鄰的擋塊之間分別形成有一排水槽道；<br/> 一致冷模組，設於該容置空間中，該致冷模組具有一致冷端及一散熱端，且以該致冷端相對抵接於該安裝面上；<br/> 一控制模組，設於該容置空間中，且該致冷模組與該重量感測單元分別與該控制模組電性連接，該重量感測單元用以在該承載部達一承載重量時傳遞一啟動訊號至該控制模組，使該控制模組於接收到該啟動訊號時可相對控制該致冷模組之致冷端進行致冷工作。
如請求項1所述的具有致冷功能之杯墊結構，其中，該承載面係由一彈性高導熱材料構成，使該承載面於承接一杯底時可相對變形而緊貼於杯底。
如請求項2所述的具有致冷功能之杯墊結構，其中，該彈性高導熱材料係由一導熱矽膠墊片構成。
如請求項2或3所述之具有致冷功能之杯墊結構，其中，由該彈性高導熱材料構成的承載面中更添加有感溫變色粒子，使該承載面之顏色會隨著其本身的溫度變化而改變。
如請求項1所述之具有致冷功能之杯墊結構，其中，在該容置空間鄰近該安裝面之一主體內壁上更設有一可用以戴動該主體產生振動之振動模組，該振動模組與該控制模組電性連接，且該控制模組於接收到該啟動訊號時，將一併控制該振動模組開始作動。
如請求項5所述之具有致冷功能之杯墊結構，其中，該控制模組設有一用以提供該重量感測單元、該致冷模組與該振動模組作動時所需電源之供電單元。
如請求項6所述之具有致冷功能之杯墊結構，其中，該供電單元可由一次電池、二次電池或外部市電轉接器其中一種構成。
如請求項1所述之具有致冷功能之杯墊結構，其中，在該致冷模組之散熱端處接設有一可對該散熱端執行一降溫工作之散熱模組，該散熱模組與該控制模組電性連結，且在該控制模組接收到由該重量感測單元發出的啟動訊號後，該控制模組即會相對控制該致冷模組與該散熱模組與同時開始作動。