一種用於經由光導光學元件從長度L和寬度W的有效孔徑向觀看者的眼睛傳送與圖像相對應的照明的投影儀配置，所述投影儀配置包括：至少三個相鄰的光學佈置，每個光學佈置包括：(a)空間光調製器部件，所述空間光調製器部件生成與所述圖像的至少一部分相對應的輸出圖像；以及(b)准直光學器件，所述准直光學器件被佈置用於經由所述光導光學元件向所述觀看者的眼睛投影所述輸出圖像作為准直圖像，所述准直光學器件具有出口孔徑，其中，所述光學佈置的所述出口孔徑協作以跨越所述有效孔徑的所述長度L，並且將用於向觀看者顯示所述圖像所需的全部所述照明傳送到所述光導光學元件中，其特徵在於，所述光學佈置與平行光軸對準，所述光學佈置中的至少一些光學佈置包括相應的光束偏轉光學元件，所述相應的光束偏轉光學元件被佈置成偏轉由所述相應的光學佈置投影的光束的傾斜度，使得與由所述相應的光學佈置投影的場的中心相對應的主光線位於所述准直光學器件的光軸上。
如申請專利範圍第1項所述的投影儀配置，其中，所述光學佈置中的至少一個的所述輸出圖像僅對應於要顯示的所述圖像的一部分。
一種用於向觀看者顯示投影圖像的光學系統，所述光學系統包括：(a)光導光學元件，所述光導光學元件具有兩個主要平行表面，並且被配置用於通過在所述主要平行表面上的內反射將與准直至無限遠的投影圖像相對應的照明從耦入區域引導至耦出區域，在所述耦出區域中，所述照明的至少一部分被朝向所述觀察者的眼睛耦出；其中，所述光導光學元件包括所述耦入區域和所述耦出區域；以及(b)與所述光導光學元件的所述耦入區域相關聯的投影儀配置，所述投影儀配置根據申請專利範圍1或2。
如申請專利範圍第3項所述的光學系統，其中，所述多個相鄰的光學佈置的所述空間光調製器部件由共用的空間光調製器裝置的對應區域提供。
如申請專利範圍第3至4項中任一項所述的光學系統，其中，所述多個光學佈置中的每一個的所述准直光學器件包括至少第一透鏡和至少第二透鏡，並且其中，用於所述多個光學佈置的所述第一透鏡一體地形成為第一透鏡陣列並且用於所述多個光學佈置的所述第二透鏡一體地形成為第二透鏡陣列。
如申請專利範圍第5項所述的光學系統，其中，所述投影儀配置還包括由多個不透明擋板形成的擋板佈置，所述擋板佈置介於所述第一透鏡陣列和所述第二透鏡陣列之間，以減少所述多個光學佈置的所述准直光學器件之間的串擾。
如申請專利範圍第3項所述的光學系統，其中，所述光束偏轉光學元件包括多個光束偏轉棱鏡。
如申請專利範圍第3、4和7項中任一項所述的光學系統，其中，所有所述多個光學佈置的所述准直光學器件都是相同的。
如申請專利範圍第5項所述的光學系統，其中，所有所述多個光學佈置的所述准直光學器件都是相同的。
如申請專利範圍第6項所述的光學系統，其中，所有所述多個光學佈置的所述准直光學器件都是相同的。
如申請專利範圍第3、4和7項中任一項所述的光學系統，其中，所述多個光學佈置中的每一個具有至少為2的f數。
如申請專利範圍第5項所述的光學系統，其中，所述多個光學佈置中的每一個具有至少為2的f數。
如申請專利範圍第6項所述的光學系統，其中，所述多個光學佈置中的每一個具有至少為2的f數。
如申請專利範圍第8項所述的光學系統，其中，所述多個光學佈置中的每一個具有至少為2的f數。
如申請專利範圍第3、4和7項中任一項所述的光學系統，其中，所述多個光學佈置中的每一個具有至少為4的f數。
如申請專利範圍第5項所述的光學系統，其中，所述多個光學佈置中的每一個具有至少為4的f數。
如申請專利範圍第6項所述的光學系統，其中，所述多個光學佈置中的每一個具有至少為4的f數。
如申請專利範圍第8項所述的光學系統，其中，所述多個光學佈置中的每一個具有至少為4的f數。
如申請專利範圍第11項所述的光學系統，其中，所述多個光學佈置中的每一個具有至少為4的f數。
如申請專利範圍第3、4和7項中任一項所述的光學系統，其中，所述光學系統被結合到頭戴式支承結構中，所述頭戴式支承結構被配置為以與所述觀看者的眼睛間隔開的關係支承所述光學系統，使得所述眼睛從限定眼動框的位置範圍觀看所述光導光學元件，並且其中，所述耦出區域被配置為在所述眼動框內的所有位置處向所述觀看者的眼睛傳送視場，並且其中，所述光學佈置中的相鄰光學佈置對所述視場的交疊但非相同的部分進行投影。
如申請專利範圍第5項所述的光學系統，其中，所述光學系統被結合到頭戴式支承結構中，所述頭戴式支承結構被配置為以與所述觀看者的眼睛間隔開的關係支承所述光學系統，使得所述眼睛從限定眼動框的位置範圍觀看所述光導光學元件，並且其中，所述耦出區域被配置為在所述眼動框內的所有位置處向所述觀看者的眼睛傳送視場，並且其中，所述光學佈置中的相鄰光學佈置對所述視場的交疊但非相同的部分進行投影。
如申請專利範圍第6項所述的光學系統，其中，所述光學系統被結合到頭戴式支承結構中，所述頭戴式支承結構被配置為以與所述觀看者的眼睛間隔開的關係支承所述光學系統，使得所述眼睛從限定眼動框的位置範圍觀看所述光導光學元件，並且其中，所述耦出區域被配置為在所述眼動框內的所有位置處向所述觀看者的眼睛傳送視場，並且其中，所述光學佈置中的相鄰光學佈置對所述視場的交疊但非相同的部分進行投影。
如申請專利範圍第8項所述的光學系統，其中，所述光學系統被結合到頭戴式支承結構中，所述頭戴式支承結構被配置為以與所述觀看者的眼睛間隔開的關係支承所述光學系統，使得所述眼睛從限定眼動框的位置範圍觀看所述光導光學元件，並且其中，所述耦出區域被配置為在所述眼動框內的所有位置處向所述觀看者的眼睛傳送視場，並且其中，所述光學佈置中的相鄰光學佈置對所述視場的交疊但非相同的部分進行投影。
如申請專利範圍第11項所述的光學系統，其中，所述光學系統被結合到頭戴式支承結構中，所述頭戴式支承結構被配置為以與所述觀看者的眼睛間隔開的關係支承所述光學系統，使得所述眼睛從限定眼動框的位置範圍觀看所述光導光學元件，並且其中，所述耦出區域被配置為在所述眼動框內的所有位置處向所述觀看者的眼睛傳送視場，並且其中，所述光學佈置中的相鄰光學佈置對所述視場的交疊但非相同的部分進行投影。
如申請專利範圍第15項所述的光學系統，其中，所述光學系統被結合到頭戴式支承結構中，所述頭戴式支承結構被配置為以與所述觀看者的眼睛間隔開的關係支承所述光學系統，使得所述眼睛從限定眼動框的位置範圍觀看所述光導光學元件，並且其中，所述耦出區域被配置為在所述眼動框內的所有位置處向所述觀看者的眼睛傳送視場，並且其中，所述光學佈置中的相鄰光學佈置對所述視場的交疊但非相同的部分進行投影。
如申請專利範圍第3項所述的光學系統，其中，所述輸出圖像對應於從所述耦入區域的子區域投影的整個所述圖像。
如申請專利範圍第3項所述的光學系統，其中，所述光學佈置中的至少一個光學佈置的所述輸出圖像對應於所述圖像的僅一部分。
如申請專利範圍第3、4、7、26和27項中任一項所述的光學系統，其中，所述耦出區域包括與所述主要平行表面成傾斜角度佈置的多個部分反射表面。
如申請專利範圍第5項所述的光學系統，其中，所述耦出區域包括與所述主要平行表面成傾斜角度佈置的多個部分反射表面。
如申請專利範圍第6項所述的光學系統，其中，所述耦出區域包括與所述主要平行表面成傾斜角度佈置的多個部分反射表面。
如申請專利範圍第8項所述的光學系統，其中，所述耦出區域包括與所述主要平行表面成傾斜角度佈置的多個部分反射表面。
如申請專利範圍第11項所述的光學系統，其中，所述耦出區域包括與所述主要平行表面成傾斜角度佈置的多個部分反射表面。
如申請專利範圍第15項所述的光學系統，其中，所述耦出區域包括與所述主要平行表面成傾斜角度佈置的多個部分反射表面。
如申請專利範圍第20項所述的光學系統，其中，所述耦出區域包括與所述主要平行表面成傾斜角度佈置的多個部分反射表面。
如申請專利範圍第3、4、7、26和27項中任一項所述的光學系統，其中，所述耦出區域包括與所述主要平行表面中的一個相關聯的至少一個衍射光學元件。
如申請專利範圍第5項所述的光學系統，其中，所述耦出區域包括與所述主要平行表面中的一個相關聯的至少一個衍射光學元件。
如申請專利範圍第6項所述的光學系統，其中，所述耦出區域包括與所述主要平行表面中的一個相關聯的至少一個衍射光學元件。
如申請專利範圍第8項所述的光學系統，其中，所述耦出區域包括與所述主要平行表面中的一個相關聯的至少一個衍射光學元件。
如申請專利範圍第11項所述的光學系統，其中，所述耦出區域包括與所述主要平行表面中的一個相關聯的至少一個衍射光學元件。
如申請專利範圍第15項所述的光學系統，其中，所述耦出區域包括與所述主要平行表面中的一個相關聯的至少一個衍射光學元件。
如申請專利範圍第20項所述的光學系統，其中，所述耦出區域包括與所述主要平行表面中的一個相關聯的至少一個衍射光學元件。
一種具有下式之化合物1或其醫藥學上可接受之鹽之用途， <br/><img align="absmiddle" height="111px" width="212px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>化合物1 <br/>其係用於製備在有需要之個體治療產後抑鬱症之醫藥品，其中化合物1或其醫藥學上可接受之鹽適於以治療有效量每日一次投與該個體，持續約兩週。
如請求項1之用途，其中該個體在基線時具有大於或等於26之漢密爾頓抑鬱症評定量表(Hamilton Rating Scale for Depression，HAM-D)總分。
一種具有下式之化合物1或其醫藥學上可接受之鹽之用途， <br/><img align="absmiddle" height="111px" width="212px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>化合物1 <br/>其係用於製備在有需要之個體治療產後抑鬱症之醫藥品，其中化合物1或其醫藥學上可接受之鹽適於以治療有效量每日一次投與該個體，持續約兩週；其中該個體在基線時具有大於或等於26之漢密爾頓抑鬱症評定量表(Hamilton Rating Scale for Depression，HAM-D)總分；且其中該個體呈現反應，其中該反應係藉由HAM-D總分自基線降低大於或等於約50%來指示。
如請求項1或3之用途，其中該治療未使認知功能發生實質變化。
如請求項1或3之用途，其中在完成化合物1或其醫藥學上可接受之鹽之兩週投與後，該治療未使該個體之認知功能發生實質變化。
一種具有下式之化合物1或其醫藥學上可接受之鹽之用途， <br/><img align="absmiddle" height="111px" width="212px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>化合物1 <br/>其係用於製備在有需要之個體治療產後抑鬱症之醫藥品，其中化合物1或其醫藥學上可接受之鹽適於以治療有效量每日一次投與該個體，持續約兩週；且其中該治療未使認知功能發生實質變化。
如請求項6之用途，其中該個體在基線時具有大於或等於26之漢密爾頓抑鬱症評定量表(Hamilton Rating Scale for Depression，HAM-D)總分。
如請求項6或7之用途，其中該個體對該治療呈現反應，其中該反應係藉由HAM-D總分自基線降低大於或等於約50%來指示。
如請求項1、3或6中任一項之用途，其中該個體係投與約10 mg至約50 mg之化合物1，或其中該個體係投與相當於約10 mg至約50 mg之化合物1之量之化合物1之醫藥學上可接受之鹽。
如請求項1、3或6中任一項之用途，其中在出現嚴重不良反應時減少向該個體投與之化合物1或其醫藥學上可接受之鹽的量。
如請求項1、3或6中任一項之用途，其中化合物1或其醫藥學上可接受之鹽係在晚上投與。
如請求項1、3或6中任一項之用途，其中化合物1或其醫藥學上可接受之鹽係與食物一起投與。
如請求項1、3或6中任一項之用途，其中化合物1或其醫藥學上可接受之鹽係在膠囊中。
一種抗體或其抗原結合片段，該抗體或其抗原結合片段如藉由生物層干涉術或表面電漿子共振為主之結合分析所量測，係以<img align="absmiddle" height="13px" width="10px" file="d10280.TIF" alt="其他非圖式ed10280.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10280.png"/>5nM之KD結合以下抗原複合物中之每一者：i)人類LTBP1-前TGFβ1；ii)人類LTBP3-前TGFβ1；iii)人類GARP-前TGFβ1；及，iv)人類LRRC33-前TGFβ1；其中該抗體或其抗原結合片段抑制TGFβ1活化；其中該抗體或其抗原結合片段係完全人類或人類化抗體或其抗原結合片段；其中該抗體或其抗原結合片段包含：SEQ ID NO：107所載之H-CDR1；SEQ ID NO：103所載之H-CDR2；SEQ ID NO：6所載之H-CDR3；SEQ ID NO：105所載之L-CDR1；SEQ ID NO：106所載之L-CDR2；及SEQ ID NO：12所載之L-CDR3。
一種抗體或其抗原結合片段，該抗體或其抗原結合片段如藉由生物層干涉術或表面電漿子共振為主之結合分析所量測，係以<img align="absmiddle" height="13px" width="10px" file="d10281.TIF" alt="其他非圖式ed10281.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10281.png"/>5nM之KD結合以下抗原複合物中之每一者：i)人類LTBP1-前TGFβ1；ii)人類LTBP3-前TGFβ1；iii)人類GARP-前TGFβ1；及，iv)人類LRRC33-前TGFβ1；其中該抗體或其抗原結合片段抑制TGFβ1活化；其中該抗體或其抗原結合片段係完全人類或人類化抗體或其抗原結合片段；其中該抗體或其抗原結合片段包含：SEQ ID NO：107所載之H-CDR1；SEQ ID NO：111所載之H-CDR2；SEQ ID NO：110所載之H-CDR3；SEQ ID NO：105所載之L-CDR1；SEQ ID NO：106所載之L-CDR2；及SEQ ID NO：12所載之L-CDR3。
一種抗體或其抗原結合片段，該抗體或其抗原結合片段如藉由生物層干涉術或表面電漿子共振為主之結合分析所量測，係以<img align="absmiddle" height="13px" width="10px" file="d10282.TIF" alt="其他非圖式ed10282.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10282.png"/>5nM之KD結合以下抗原複合物中之每一者：i)人類LTBP1-前TGFβ1；ii)人類LTBP3-前TGFβ1；iii)人類GARP-前TGFβ1；及，iv)人類LRRC33-前TGFβ1；其中該抗體或其抗原結合片段抑制TGFβ1活化；其中該抗體或其抗原結合片段係完全人類或人類化抗體或其抗原結合片段；其中該抗體或其抗原結合片段包含：SEQ ID NO：114所載之H-CDR1；SEQ ID NO：103所載之H-CDR2；SEQ ID NO：110所載之H-CDR3；SEQ ID NO：105所載之L-CDR1；SEQ ID NO：106所載之L-CDR2；及SEQ ID NO：12所載之L-CDR3。
一種抗體或其抗原結合片段，該抗體或其抗原結合片段如藉由生物層干涉術或表面電漿子共振為主之結合分析所量測，係以<img align="absmiddle" height="13px" width="10px" file="d10283.TIF" alt="其他非圖式ed10283.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10283.png"/>5nM之KD結合以下抗原複合物中之每一者：i)人類LTBP1-前TGFβ1；ii)人類LTBP3-前TGFβ1；iii)人類GARP-前TGFβ1；及，iv)人類LRRC33-前TGFβ1；其中該抗體或其抗原結合片段抑制TGFβ1活化；其中該抗體或其抗原結合片段係完全人類或人類化抗體或其抗原結合片段；其中該抗體或其抗原結合片段包含：SEQ ID NO：116所載之H-CDR1；SEQ ID NO：111所載之H-CDR2；SEQ ID NO：110所載之H-CDR3；SEQ ID NO：105所載之L-CDR1；SEQ ID NO：106所載之L-CDR2；及SEQ ID NO：12所載之L-CDR3。
一種抗體或其抗原結合片段，該抗體或其抗原結合片段如藉由生物層干涉術或表面電漿子共振為主之結合分析所量測，係以<img align="absmiddle" height="13px" width="10px" file="d10284.TIF" alt="其他非圖式ed10284.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10284.png"/>5nM之KD結合以下抗原複合物中之每一者：i)人類LTBP1-前TGFβ1；ii)人類LTBP3-前TGFβ1；iii)人類GARP-前TGFβ1；及，iv)人類LRRC33-前TGFβ1；其中該抗體或其抗原結合片段抑制TGFβ1活化；其中該抗體或其抗原結合片段係完全人類或人類化抗體或其抗原結合片段；其中該抗體或其抗原結合片段包含：SEQ ID NO：107所載之H-CDR1；SEQ ID NO：111所載之H-CDR2；SEQ ID NO：110所載之H-CDR3；SEQ ID NO：105所載之L-CDR1；SEQ ID NO：106所載之L-CDR2；及SEQ ID NO：12所載之L-CDR3。
一種抗體或其抗原結合片段，該抗體或其抗原結合片段如藉由生物層干涉術或表面電漿子共振為主之結合分析所量測，係以<img align="absmiddle" height="13px" width="10px" file="d10285.TIF" alt="其他非圖式ed10285.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10285.png"/>5nM之KD結合以下抗原複合物中之每一者：i)人類LTBP1-前TGFβ1；ii)人類LTBP3-前TGFβ1；iii)人類GARP-前TGFβ1；及，iv)人類LRRC33-前TGFβ1；其中該抗體或其抗原結合片段抑制TGFβ1活化；其中該抗體或其抗原結合片段係完全人類或人類化抗體或其抗原結合片段；其中該抗體或其抗原結合片段包含：SEQ ID NO：119所載之H-CDR1；SEQ ID NO：120所載之H-CDR2；SEQ ID NO：121所載之H-CDR3；SEQ ID NO：105所載之L-CDR1；SEQ ID NO：106所載之L-CDR2；及SEQ ID NO：12所載之L-CDR3。
一種抗體或其抗原結合片段，該抗體或其抗原結合片段如藉由生物層干涉術或表面電漿子共振為主之結合分析所量測，係以<img align="absmiddle" height="13px" width="10px" file="d10286.TIF" alt="其他非圖式ed10286.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10286.png"/>5nM之KD結合以下抗原複合物中之每一者：i)人類LTBP1-前TGFβ1；ii)人類LTBP3-前TGFβ1；iii)人類GARP-前TGFβ1；及，iv)人類LRRC33-前TGFβ1；其中該抗體或其抗原結合片段抑制TGFβ1活化；其中該抗體或其抗原結合片段係完全人類或人類化抗體或其抗原結合片段；其中該抗體或其抗原結合片段包含：SEQ ID NO：114所載之H-CDR1；SEQ ID NO：103所載之H-CDR2；SEQ ID NO：125所載之H-CDR3；SEQ ID NO：105所載之L-CDR1；SEQ ID NO：106所載之L-CDR2；及SEQ ID NO：12所載之L-CDR3。
如請求項1之抗體或其抗原結合片段，其中該抗體或其抗原結合片段包含與SEQ ID NO：13具有至少90%序列一致性之重鏈可變域(VH)以及與SEQ ID NO：15具有至少90%序列一致性之輕鏈可變域(VL)。
如請求項8之抗體或其抗原結合片段，其中該抗體或其抗原結合片段包含：包含SEQ ID NO：13之重鏈可變域(VH)以及包含SEQ ID NO：15之輕鏈可變域(VL)。
如請求項2之抗體或其抗原結合片段，其中該抗體或其抗原結合片段包含與SEQ ID NO：129具有至少90%序列一致性之重鏈可變域(VH)以及與SEQ ID NO：15具有至少90%序列一致性之輕鏈可變域(VL)。
如請求項10之抗體或其抗原結合片段，其中該抗體或其抗原結合片段包含：包含SEQ ID NO：129之重鏈可變域(VH)以及包含SEQ ID NO：15之輕鏈可變域(VL)。
如請求項3之抗體或其抗原結合片段，其中該抗體或其抗原結合片段包含與SEQ ID NO：131具有至少90%序列一致性之重鏈可變域(VH)以及與SEQ ID NO：15具有至少90%序列一致性之輕鏈可變域(VL)。
如請求項12之抗體或其抗原結合片段，其中該抗體或其抗原結合片段包含：包含SEQ ID NO：131之重鏈可變域(VH)以及包含SEQ ID NO：15之輕鏈可變域(VL)。
如請求項4之抗體或其抗原結合片段，其中該抗體或其抗原結合片段包含與SEQ ID NO：133具有至少90%序列一致性之重鏈可變域(VH)以及與SEQ ID NO：15具有至少90%序列一致性之輕鏈可變域(VL)。
如請求項14之抗體或其抗原結合片段，其中該抗體或其抗原結合片段包含：包含SEQ ID NO：133之重鏈可變域(VH)以及包含SEQ ID NO：15之輕鏈可變域(VL)。
如請求項5之抗體或其抗原結合片段，其中該抗體或其抗原結合片段包含與SEQ ID NO：134具有至少90%序列一致性之重鏈可變域(VH)以及與SEQ ID NO：15具有至少90%序列一致性之輕鏈可變域(VL)。
如請求項16之抗體或其抗原結合片段，其中該抗體或其抗原結合片段包含：包含SEQ ID NO：134之重鏈可變域(VH)以及包含SEQ ID NO：15之輕鏈可變域(VL)。
如請求項6之抗體或其抗原結合片段，其中該抗體或其抗原結合片段包含與SEQ ID NO：137具有至少90%序列一致性之重鏈可變域(VH)以及與SEQ ID NO：15具有至少90%序列一致性之輕鏈可變域(VL)。
如請求項18之抗體或其抗原結合片段，其中該抗體或其抗原結合片段包含：包含SEQ ID NO：137之重鏈可變域(VH)以及包含SEQ ID NO：15之輕鏈可變域(VL)。
如請求項7之抗體或其抗原結合片段，其中該抗體或其抗原結合片段包含與SEQ ID NO：141具有至少90%序列一致性之重鏈可變域(VH)以及與SEQ ID NO：15具有至少90%序列一致性之輕鏈可變域(VL)。
如請求項20之抗體或其抗原結合片段，其中該抗體或其抗原結合片段包含：包含SEQ ID NO：141之重鏈可變域(VH)以及包含SEQ ID NO：15之輕鏈可變域(VL)。
如請求項1至7中任一項之抗體或其抗原結合片段，其如藉由生物層干涉術所量測，係以<img align="absmiddle" height="13px" width="10px" file="d10287.TIF" alt="其他非圖式ed10287.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10287.png"/>1nM之KD結合該等抗原複合物中之每一者。
如請求項22之抗體或其抗原結合片段，其如藉由生物層干涉術所量測，係以<img align="absmiddle" height="13px" width="10px" file="d10288.TIF" alt="其他非圖式ed10288.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10288.png"/>0.5nM之KD結合該等抗原複合物中之每一者。
如請求項1至21中任一項之抗體或其抗原結合片段，其結合抗原決定基，該抗原決定基包含SEQ ID NO：169之一或多個胺基酸殘基。
如請求項1至21中任一項之抗體或其抗原結合片段，其中該抗體或其該抗原結合片段進一步結合生長因子域之一部分。
如請求項1之抗體或其抗原結合片段，其包含如SEQ ID NO：13之VH以及如SEQ ID NO：15之VL。
如請求項1至21中任一項之抗體或其抗原結合片段，其具有人類IgG4或IgG1次型。
一種組合物，其包含如請求項1至27中任一項之抗體或其抗原結合片段及賦形劑。
一種如請求項1至27中任一項之抗體或其抗原結合片段或如請求項28之組合物之用途，其係用於製備治療個體之增生性及/或纖維性病症的醫藥品。
如請求項29之用途，其中該病症係癌症。
如請求項29之用途，其中該病症係骨髓纖維化。
如請求項30之用途，其中該個體具有對癌症療法之原發抗性或後天抗性。
如請求項32之用途，其中該癌症療法係檢查點抑制療法、化學療法及/或放射療法。
如請求項32或33之用途，其中該治療包含投與如請求項28之組合物及選自由以下組成之群的額外癌症療法之組合：檢查點抑制劑、化學療法及放射療法及/或癌症疫苗。
一種製造醫藥組合物之方法，該方法包含：i)提供如請求項1至27中任一項之抗體或其抗原結合片段；ii)將該抗體或其抗原結合片段調配成具有醫藥學上可接受之載劑之醫藥組合物。
一種用於使流體再循環的系統，該系統包含： <br/>一儲存滾筒，其含有一半導體漿料；及 <br/>一設備，其包括： <br/>一基座部分； <br/>一入口部分，其耦接至該基座部分之一第一末端，該入口部分與該儲存滾筒流體連通且經配置以自該儲存滾筒接收該半導體漿料；及 <br/>一噴嘴，其耦接至該基座部分之一第二末端且經定位以使該半導體漿料再循環至該儲存滾筒中； <br/>其中該噴嘴包含： <br/>一噴嘴基座部分； <br/>一噴嘴入口，其在該基座部分之一第一末端處；及 <br/>一噴嘴部分，其在該噴嘴基座部分之該第一末端與一第二末端之間遠離該噴嘴基座部分之一外部表面而延伸；且 <br/>其中該噴嘴部分包含一螺旋槽，其自該噴嘴基座部分附近之一位置延伸至該噴嘴部分之一尖端附近之一位置， <br/>其中該基座部分包含： <br/>一第一部分； <br/>耦接至該第一部分之一第二部分，其中該第一部分相對於該第二部分成一角度， <br/>其中該第一部分相對於該第二部分之該角度係介於90度與160度之間。
如請求項1之系統，其中該基座部分進一步包含： <br/>一連接器，其在一第一末端上耦接至該第一部分且在一第二末端上耦接至該第二部分。
如請求項2之系統，其中該基座部分在該連接器處成角度。
如請求項1之系統，其中該入口部分包含： <br/>一第一入口部分； <br/>一第二入口部分；及 <br/>具有一第一末端及一第二末端之一入口連接器，其中該第一末端被收納於該第一入口部分內且該第二末端被收納於該第二入口部分內，以使該第一入口部分耦接至該第二入口部分。
如請求項4之系統，其中該第一入口部分自一第一末端至一第二末端逐漸變窄。
如請求項4之系統，其中該入口連接器之一外徑小於該第一入口部分之一外徑及該第二入口部分之一外徑。
如請求項1之系統，其中該噴嘴部分在其遠離該噴嘴基座部分之該第二末端延伸至一尖端時逐漸變窄。
如請求項1之系統，其中該螺旋槽自一外部表面延伸通過該噴嘴部分而到達該噴嘴部分之一內部表面。
如請求項1之系統，其進一步包含： <br/>一耦接器，其在一第一末端上耦接至該第二入口部分且在一第二末端上耦接至該基座部分之該第一部分。
如請求項9之系統，其中該耦接器包含： <br/>一第一耦接器部分； <br/>一第二耦接器部分；及 <br/>具有一第一末端及一第二末端之一連接器，其中該第一末端被收納於該第一耦接器部分內且該第二末端被收納於該第二耦接器部分內，以使該第一耦接器部分耦接至該第二耦接器部分。
一種使用一設備之方法，其包含： <br/>將一第一設備耦接至一半導體再循環系統，其中該第一設備包含： <br/>一第一基座部分； <br/>耦接至該第一基座部分之一第一末端之一第一入口部分；及 <br/>耦接至該第一基座部分之一第二末端之一第一噴嘴，其中該第一噴嘴包括一螺旋槽；以及 <br/>使一漿料傳遞通過該第一設備之該第一基座部分且離開該第一噴嘴而進入含有一半導體漿料的一儲存容器； <br/>其中該第一入口部分與該儲存容器流體連通且經配置以自該儲存容器接收該半導體漿料；且 <br/>其中該噴嘴經定位以使該半導體漿料再循環至該儲存容器中；且 <br/>其中該噴嘴包含： <br/>一噴嘴基座部分； <br/>一噴嘴入口，其在該基座部分之一第一末端處；及 <br/>一噴嘴部分，其在該噴嘴基座部分之該第一末端與一第二末端之間遠離該噴嘴基座部分之一外部表面而延伸；且 <br/>其中該噴嘴部分包含一螺旋槽，其自該噴嘴基座部分附近之一位置延伸至該噴嘴部分之一尖端附近之一位置， <br/>至少一個第二設備，其中該至少一個第二設備包含： <br/>一第二基座部分； <br/>耦接至該第二基座部分之一第一末端之一第二入口部分；及 <br/>耦接至該第二基座部分之一第二末端之一第二噴嘴，其中該第二噴嘴包括一螺旋槽。
如請求項11之方法，其中該半導體再循環系統包含： <br/>用於保留該漿料之該儲存容器； <br/>包括一流體管線之一再循環迴路；及 <br/>一泵，其用於通過該流體管線及該第一噴嘴將該漿料自該儲存容器抽出且返回至該儲存容器中以混合該漿料。
如請求項12之方法，其中該第一噴嘴在一噴嘴基座部分與一噴嘴尖端之間逐漸變窄。
如請求項11之方法，其中該螺旋槽自一外部表面延伸通過該第一噴嘴而到達一內部表面。
如請求項14之方法，其進一步包含： <br/>使用一樣本閥自該再循環迴路中之該流體管線獲取該漿料之週期性樣本。
如請求項14之方法，其進一步包含： <br/>運用一壓力計監測該流體管線中之該漿料之流體壓力；及 <br/>使用一轉子流量計監測體積流量。
如請求項12之方法，其中該儲存容器係一日用貯槽；且其中該再循環系統耦接至該日用貯槽且該第一噴嘴定位於該日用貯槽內部。
如請求項11之方法，其中該至少一個第二設備耦接至該再循環系統；其中該第二噴嘴定位於該日用貯槽內部；且其中該第二噴嘴與該第一噴嘴徑向地間隔開。
一種經分離或經純化之T細胞受體(TCR)，其中該TCR對於在位置12之甘胺酸經精胺酸取代之突變人類RAS胺基酸序列具有抗原特異性，其中該突變人類RAS胺基酸序列係突變人類Kirsten大鼠肉瘤病毒致癌基因同系物(KRAS)、突變人類Harvey大鼠肉瘤病毒致癌基因同系物(HRAS)，或突變人類神經母細胞瘤大鼠肉瘤病毒致癌基因同系物(NRAS)胺基酸序列，其中位置12係分別參照野生型人類KRAS蛋白、野生型人類HRAS蛋白或野生型人類NRAS蛋白定義，且其中該TCR包含具有SEQ ID NO：1之胺基酸序列之α鏈互補決定區(CDR)1、具有SEQ ID NO：2之胺基酸序列之α鏈CDR2、具有SEQ ID NO：3之胺基酸序列之α鏈CDR3、具有SEQ ID NO：4之胺基酸序列之β鏈CDR1、具有SEQ ID NO：5之胺基酸序列之β鏈CDR2及具有SEQ ID NO：6之胺基酸序列之β鏈CDR3。
如請求項1之TCR，其中該突變人類RAS胺基酸序列係SEQ ID NO：39。
如請求項1或2之TCR，其中該TCR對SEQ ID NO：40之野生型人類RAS胺基酸序列不具有抗原特異性。
如請求項1或2之TCR，其中該突變人類RAS胺基酸序列係由人類白血球抗原(HLA)第II類分子呈現。
如請求項4之TCR，其中該HLA第II類分子係HLA-DQ異二聚體。
如請求項4之TCR，其中該HLA第II類分子係HLA-DQA1：HLA-DQB1異二聚體。
如請求項4之TCR，其中該HLA第II類分子係HLA-DQA1*05：05：HLA-DQB1*03：01異二聚體。
如請求項1或2之TCR，其包括以下胺基酸序列：(i)SEQ ID NO：13，(ii)SEQ ID NO：14，(iii)SEQ ID NO：13及14二者，(iv)SEQ ID NO：43，(v)SEQ ID NO：44，或(vi)SEQ ID NO：43及44二者。
如請求項1或2之TCR，其進一步包括：(a)包括SEQ ID NO：26之胺基酸序列之α鏈恆定區，其中：(i)SEQ ID NO：26之位置48之X係Thr或Cys；(ii)SEQ ID NO：26之位置112之X係Ser、Ala、Val、Leu、Ile、Pro、Phe、Met或Trp；(iii)SEQ ID NO：26之位置114之X係Met、Ala、Val、Leu、Ile、Pro、Phe或Trp；且(iv)SEQ ID NO：26之位置115之X係Gly、Ala、Val、Leu、Ile、Pro、Phe、Met或Trp；(b)包括SEQ ID NO：27之胺基酸序列之β鏈恆定區，其中SEQ ID NO：27之位置57之X係Ser或Cys；或(c)(a)及(b)二者。
如請求項1或2之經分離或經純化之TCR，其包括：(a)包括SEQ ID NO：30之胺基酸序列之α鏈，其中：(i)SEQ ID NO：30之位置180之X係Thr或Cys；(ii)SEQ ID NO：30之位置244之X係Ser、Ala、Val、Leu、Ile、Pro、Phe、Met或Trp；(iii)SEQ ID NO：30之位置246之X係Met、Ala、Val、Leu、Ile、Pro、Phe或Trp；且(iv)SEQ ID NO：30之位置247之X係Gly、Ala、Val、Leu、Ile、Pro、Phe、Met或Trp；(b)包括SEQ ID NO：31之胺基酸序列之β鏈，其中SEQ ID NO：31之位置198之X係Ser或Cys；(c)(a)及(b)二者；(d)包括SEQ ID NO：45之胺基酸序列之α鏈，其中：(i)SEQ ID NO：45之位置161之X係Thr或Cys；(ii)SEQ ID NO：45之位置225之X係Ser、Ala、Val、Leu、Ile、Pro、Phe、Met或Trp；(iii)SEQ ID NO：45之位置227之X係Met、Ala、Val、Leu、Ile、Pro、Phe或Trp；且(iv)SEQ ID NO：45之位置228之X係Gly、Ala、Val、Leu、Ile、Pro、Phe、Met或Trp；(e)包括SEQ ID NO：46之胺基酸序列之β鏈，其中SEQ ID NO：46之位置178之X係Ser或Cys；或(f)(d)及(e)二者。
一種經分離或經純化之多肽，其包括如請求項1至10中任一項之TCR之功能部分，其中該功能部分包括具有SEQ ID NO：1之胺基酸序列之α鏈CDR1、具有SEQ ID NO：2之胺基酸序列之α鏈CDR2、具有SEQ ID NO：3之胺基酸序列之α鏈CDR3、具有SEQ ID NO：4之胺基酸序列之β鏈CDR1、具有SEQ ID NO：5之胺基酸序列之β鏈CDR2及具有SEQ ID NO：6之胺基酸序列之β鏈CDR3。
如請求項11之經分離或經純化之多肽，其中該功能部分包括以下胺基酸序列：(i)SEQ ID NO：13，(ii)SEQ ID NO：14，(iii)SEQ ID NO：13及14二者，(iv)SEQ ID NO：43，(v)SEQ ID NO：44，或(vi)SEQ ID NO：43及44二者。
如請求項11或12之經分離或經純化之多肽，其進一步包括：(a)SEQ ID NO：26之胺基酸序列，其中：(i)SEQ ID NO：26之位置48之X係Thr或Cys；(ii)SEQ ID NO：26之位置112之X係Ser、Ala、Val、Leu、Ile、Pro、Phe、Met或Trp；(iii)SEQ ID NO：26之位置114之X係Met、Ala、Val、Leu、Ile、Pro、Phe或Trp；且(iv)SEQ ID NO：26之位置115之X係Gly、Ala、Val、Leu、Ile、Pro、Phe、Met或Trp；(b)SEQ ID NO：27之胺基酸序列，其中SEQ ID NO：27之位置57之X係Ser或Cys；或(c)(a)及(b)二者。
如請求項11或12之經分離或經純化之多肽，其包括：(a)SEQ ID NO：30之胺基酸序列，其中：(i)SEQ ID NO：30之位置180之X係Thr或Cys；(ii)SEQ ID NO：30之位置244之X係Ser、Ala、Val、Leu、Ile、Pro、Phe、Met或Trp；(iii)SEQ ID NO：30之位置246之X係Met、Ala、Val、Leu、Ile、Pro、Phe或Trp；且(iv)SEQ ID NO：30之位置247之X係Gly、Ala、Val、Leu、Ile、Pro、Phe、Met或Trp；(b)SEQ ID NO：31之胺基酸序列，其中SEQ ID NO：31之位置198之X係Ser或Cys；(c)(a)及(b)二者；(d)SEQ ID NO：45之胺基酸序列，其中：(i)SEQ ID NO：45之位置161之X係Thr或Cys；(ii)SEQ ID NO：45之位置225之X係Ser、Ala、Val、Leu、Ile、Pro、Phe、Met或Trp；(iii)SEQ ID NO：45之位置227之X係Met、Ala、Val、Leu、Ile、Pro、Phe或Trp；且(iv)SEQ ID NO：45之位置228之X係Gly、Ala、Val、Leu、Ile、Pro、Phe、Met或Trp；(e)SEQ ID NO：46之胺基酸序列，其中SEQ ID NO：46之位置178之X係Ser或Cys；或(f)(d)及(e)二者。
一種經分離或經純化之蛋白質，其包括第一多肽鏈及第二多肽鏈，該第一多肽鏈包含具有SEQ ID NO：1之胺基酸序列之α鏈CDR1、具有SEQ ID NO：2之胺基酸序列之α鏈CDR2及具有SEQ ID NO：3之胺基酸序列之α鏈CDR3，且該第二多肽鏈包含具有SEQ ID NO：4之胺基酸序列之β鏈CDR1、具有SEQ ID NO：5之胺基酸序列之β鏈CDR2及具有SEQ ID NO：6之胺基酸序列之β鏈CDR3。
如請求項15之經分離或經純化之蛋白質，其包括：(i)包括SEQ ID NO：13之胺基酸序列之第一多肽鏈及包括SEQ ID NO：14之胺基酸序列之第二多肽鏈；或(ii)包括SEQ ID NO：43之胺基酸序列之第一多肽鏈及包括SEQ ID NO：44之胺基酸序列之第二多肽鏈。
如請求項15之經分離或經純化之蛋白質，其進一步包括：(a)包括SEQ ID NO：26之胺基酸序列之第一多肽鏈，其中：(i)SEQ ID NO：26之位置48之X係Thr或Cys；(ii)SEQ ID NO：26之位置112之X係Ser、Ala、Val、Leu、Ile、Pro、Phe、Met或Trp；(iii)SEQ ID NO：26之位置114之X係Met、Ala、Val、Leu、Ile、Pro、Phe或Trp；且(iv)SEQ ID NO：26之位置115之X係Gly、Ala、Val、Leu、Ile、Pro、Phe、Met或Trp；(b)包括SEQ ID NO：27之胺基酸序列之第二多肽鏈，其中SEQ ID NO：27之位置57之X係Ser或Cys；或(c)(a)及(b)二者。
如請求項15之經分離或經純化之蛋白質，其包括：(a)包括SEQ ID NO：30之胺基酸序列之第一多肽鏈，其中：(i)SEQ ID NO：30之位置180之X係Thr或Cys；(ii)SEQ ID NO：30之位置244之X係Ser、Ala、Val、Leu、Ile、Pro、Phe、Met或Trp；(iii)SEQ ID NO：30之位置246之X係Met、Ala、Val、Leu、Ile、Pro、Phe或Trp；且(iv)SEQ ID NO：30之位置247之X係Gly、Ala、Val、Leu、Ile、Pro、Phe、Met或Trp；(b)包括SEQ ID NO：31之胺基酸序列之第二多肽鏈，其中SEQ ID NO：31之位置198之X係Ser或Cys；(c)(a)及(b)二者；(d)包括SEQ ID NO：45之胺基酸序列之第一多肽鏈，其中：(i)SEQ ID NO：45之位置161之X係Thr或Cys；(ii)SEQ ID NO：45之位置225之X係Ser、Ala、Val、Leu、Ile、Pro、Phe、Met或Trp；(iii)SEQ ID NO：45之位置227之X係Met、Ala、Val、Leu、Ile、Pro、Phe或Trp；且(iv)SEQ ID NO：45之位置228之X係Gly、Ala、Val、Leu、Ile、Pro、Phe、Met或Trp；(e)包括SEQ ID NO：46之胺基酸序列之第二多肽鏈，其中SEQ ID NO：46之位置178之X係Ser或Cys；或(f)(d)及(e)二者。
一種經分離或經純化之核酸，其包括編碼如請求項1至10中任一項之TCR、如請求項11至14中任一項之多肽或如請求項15至18中任一項之蛋白質之核苷酸序列。
一種經分離或經純化之核酸，其自5’至3’包括第一核酸序列及第二核苷酸序列，其中該第一核苷酸序列及該第二核苷酸序列分別編碼以下胺基酸序列：SEQ ID NO：13及14；14及13；30及31；31及30；34及35；35及34；43及44；44及43；45及46；46及45；49及50；或50及49。
如請求項20之經分離或經純化之核酸，其進一步包括第三核苷酸序列插入該第一核苷酸序列及該第二核苷酸序列之間，其中該第三核苷酸序列編碼可裂解連接肽。
如請求項21之經分離或經純化之核酸，其中該可裂解連接肽包括SEQ ID NO：38之胺基酸序列。
一種重組表現載體，其包括如請求項19至22中任一項之核酸。
如請求項23之重組表現載體，其係轉位子或慢病毒載體。
一種經分離或經純化之多肽，其係由如請求項21或22之核酸編碼。
一種產生表現對於SEQ ID NO：39之肽具有抗原特異性之TCR之宿主細胞的方法，該方法包括使細胞與如請求項23或24之載體在容許該載體引入該細胞中之條件下接觸。
一種經分離或經純化之宿主細胞，其包括如請求項19至22中任一項之核酸或如請求項23或24之重組表現載體。
如請求項27之宿主細胞，其中該細胞係人類淋巴球。
如請求項27或28之宿主細胞，其中該細胞係選自由以下組成之群：T細胞、天然殺手T(NKT)細胞、不變(invariant)之天然殺手T(iNKT)細胞，及天然殺手(NK)細胞。
一種經分離或經純化之細胞群體，其包括如請求項27至29中任一項之宿主細胞。
一種產生如請求項1至10中任一項之TCR、如請求項11至14及25中任一項之多肽或如請求項15至18中任一項之蛋白質之方法，該方法包括培養如請求項27至29中任一項之宿主細胞或如請求項30之細胞群體，從而產生該TCR、該多肽或該蛋白質。
一種醫藥組合物，其包括(a)如請求項1至10中任一項之TCR、如請求項11至14及25中任一項之多肽或如請求項15至18中任一項之蛋白質、如請求項19至22中任一項之核酸、如請求項23或24之重組表現載體、如請求項27至29中任一項之宿主細胞或如請求項30之細胞群體，及(b)醫藥上可接受之載劑。
一種檢測哺乳動物中癌症存在之方法，該方法包括：(a)使包括癌細胞之試樣與如請求項1至10中任一項之TCR、如請求項11至14及25中任一項之多肽或如請求項15至18中任一項之蛋白質、如請求項19至22中任一項之核酸、如請求項23或24之重組表現載體、如請求項27至29中任一項之宿主細胞、如請求項30之細胞群體或如請求項32之醫藥組合物接觸，由此形成複合物；及(b)檢測該複合物，其中該複合物之檢測指示該哺乳動物中存在癌症。
如請求項33之方法，其中該癌症表現在位置12之甘胺酸經精胺酸取代之突變人類RAS胺基酸序列，其中該突變人類RAS胺基酸序列係突變人類Kirsten大鼠肉瘤病毒致癌基因同系物(KRAS)、突變人類Harvey大鼠肉瘤病毒致癌基因同系物(HRAS)或突變人類神經母細胞瘤大鼠肉瘤病毒致癌基因同系物(NRAS)胺基酸序列，且其中位置12係分別參照野生型人類KRAS蛋白、野生型人類HRAS蛋白或野生型人類NRAS蛋白定義。
如請求項34之方法，其中該突變人類RAS胺基酸序列係突變人類Kirsten大鼠肉瘤病毒致癌基因同系物(KRAS)胺基酸序列。
如請求項34之方法，其中該突變人類RAS胺基酸序列係突變人類神經母細胞瘤大鼠肉瘤病毒致癌基因同系物(NRAS)胺基酸序列。
如請求項34之方法，其中該突變人類RAS胺基酸序列係突變人類Harvey大鼠肉瘤病毒致癌基因同系物(HRAS)胺基酸序列。
如請求項33至37中任一項之方法，其中該癌症係胰臟癌、結腸直腸癌、肺癌、子宮內膜癌、卵巢癌或前列腺癌。
一種如請求項1至10中任一項之TCR、如請求項11至14及25中任一項之多肽或如請求項15至18中任一項之蛋白質、如請求項19至22中任一項之核酸、如請求項23或24之重組表現載體、如請求項27至29中任一項之宿主細胞、如請求項30之細胞群體或如請求項32之醫藥組合物之用途，其用以製造用於在哺乳動物中誘導針對癌症之免疫反應之藥劑。
一種如請求項1至10中任一項之TCR、如請求項11至14及25中任一項之多肽或如請求項15至18中任一項之蛋白質、如請求項19至22中任一項之核酸、如請求項23或24之重組表現載體、如請求項27至29中任一項之宿主細胞、如請求項30之細胞群體或如請求項32之醫藥組合物之用途，其用以製造用於治療或預防哺乳動物之癌症之藥劑。
如請求項39或40之用途，其中該癌症表現在位置12之甘胺酸經精胺酸取代之突變人類RAS胺基酸序列，其中該突變人類RAS胺基酸序列係突變人類Kirsten大鼠肉瘤病毒致癌基因同系物(KRAS)、突變人類Harvey大鼠肉瘤病毒致癌基因同系物(HRAS)或突變人類神經母細胞瘤大鼠肉瘤病毒致癌基因同系物(NRAS)胺基酸序列，且其中位置12係分別參照野生型人類KRAS蛋白、野生型人類HRAS蛋白或野生型人類NRAS蛋白定義。
如請求項41之用途，其中該突變人類RAS胺基酸序列係突變人類Kirsten大鼠肉瘤病毒致癌基因同系物(KRAS)胺基酸序列。
如請求項41之用途，其中該突變人類RAS胺基酸序列係突變人類神經母細胞瘤大鼠肉瘤病毒致癌基因同系物(NRAS)胺基酸序列。
如請求項41之用途，其中該突變人類RAS胺基酸序列係突變人類Harvey大鼠肉瘤病毒致癌基因同系物(HRAS)胺基酸序列。
如請求項39或40之用途，其中該癌症係胰臟癌、結腸直腸癌、肺癌、子宮內膜癌、卵巢癌或前列腺癌。
一種抗體或其抗原結合片段，其特異性結合人類LTBP1-TGFβ1複合物及/或人類LTBP3-TGFβ1複合物，其包含以下六個CDR：<br/>a) CDR-H1，其包含SEQ ID NO: 166之胺基酸序列；<br/>b) CDR-H2，其包含SEQ ID NO: 167之胺基酸序列；<br/>c) CDR-H3，其包含SEQ ID NO: 168之胺基酸序列；<br/>d) CDR-L1，其包含SEQ ID NO: 169之胺基酸序列；<br/>e) CDR-L2，其包含SEQ ID NO: 170之胺基酸序列；及<br/>f) CDR-L3，其包含SEQ ID NO: 171之胺基酸序列。
如請求項1之抗體或其抗原結合片段，其包含：<br/>具有與SEQ ID NO: 318至少90%一致之胺基酸序列的重鏈可變區；及<br/>具有與SEQ ID NO: 319至少90%一致之胺基酸序列的輕鏈可變區。
如請求項2之抗體或其抗原結合片段，其包含：<br/>具有如SEQ ID NO: 318所示之胺基酸序列的重鏈可變區；及<br/>具有如SEQ ID NO: 319所示之胺基酸序列的輕鏈可變區。
如請求項1至3中任一項之抗體或其抗原結合片段，其在與用於量測與人類LTBP1-前TGFβ1複合物及人類LTBP3-TGFβ1複合物之結合相同的分析條件下，未顯示與人類GARP-前TGFβ1複合物之可偵測結合。
如請求項1至3中任一項之抗體或其抗原結合片段，其結合人類LTBP1-前TGFβ1複合物及/或人類LTBP3-TGFβ1複合物，其中在相同分析條件下，K<sub>D</sub>比結合於人類GARP-前TGFβ1複合物時的K<sub>D</sub>低至少50倍。
如請求項1至3中任一項之抗體或其抗原結合片段，其在與用於量測與人類LTBP1-前TGFβ1複合物及人類LTBP3-TGFβ1複合物之結合相同的分析條件下，未顯示與LRRC33-前TGFβ1複合物之可偵測結合。
如請求項1至3中任一項之抗體或其抗原結合片段，其中該抗體或其抗原結合片段對於hLTBP1-前TGFβ1及hLTBP3-前TGFβ1複合物中之每一者具有至少45分鐘之單價半結合時間(t½)，根據藉由SPR之量測。
如請求項7之抗體或其抗原結合片段，其對於hGARP-前TGFβ1及hLRRC33-前TGFβ1複合物中之每一者具有小於5分鐘之單價t½，根據藉由SPR之量測。
如請求項1至3中任一項之抗體或其抗原結合片段，其結合人類LTBP1-前TGFβ1複合物及人類LTBP3-TGFβ1複合物，其中根據藉由生物層干涉術(Bio-Layer Interferometry，BLI)之量測，K<sub>D</sub>＜5 nM。
如請求項1至3中任一項之抗體或其抗原結合片段，其結合人類LTBP1-前TGFβ1複合物及人類LTBP3-TGFβ1複合物，其中根據藉由生物層干涉術(Bio-Layer Interferometry，BLI)之量測，K<sub>D</sub>＜1 nM。
如請求項1至3中任一項之抗體或其抗原結合片段，其對小鼠LTBP1-前TGFβ1具有交叉反應性。
如請求項1至3中任一項之抗體或其抗原結合片段，其對小鼠LTBP3-前TGFβ1具有交叉反應性。
如請求項1至3中任一項之抗體或其抗原結合片段，其中該抗體或其抗原結合片段結合小鼠LTBP1-前TGFβ1複合物，其中根據藉由生物層干涉術(BLI)之量測，K<sub>D</sub>＜10 nM。
如請求項1至3中任一項之抗體或其抗原結合片段，其中該抗體或其抗原結合片段結合小鼠LTBP3-前TGFβ1複合物，其中根據藉由生物層干涉術(BLI)之量測，K<sub>D</sub>＜10 nM。
如請求項1至3中任一項之抗體或其抗原結合片段，其中該抗體或其抗原結合片段與人類及鼠類LTBP1-前TGFβ1及LTBP3-前TGFβ1複合物交叉反應，其各自K<sub>D</sub>＜5 nM。
如請求項1至3中任一項之抗體或其抗原結合片段，其中該抗體或其抗原結合片段與人類及鼠類LTBP1-前TGFβ1及LTBP3-前TGFβ1複合物交叉反應，其各自K<sub>D</sub>＜1 nM。
如請求項1至3中任一項之抗體或其抗原結合片段，其中該抗體或其抗原結合片段為IgG4或IgG1亞型。
如請求項17之抗體或其抗原結合片段，其中該抗體或其抗原結合片段為人類IgG4亞型且包含Ser至Pro之主鏈取代，其產生類IgG1鉸鏈。<b/>
一種醫藥組合物，其包含如請求項1至18中任一項之抗體或其抗原結合片段及醫藥學上可接受之賦形劑。
如請求項19之醫藥組合物，其經製備用於靜脈內投與或皮下投與。
一種醫藥產物，其包含含有如請求項19或20之醫藥組合物的多劑量小瓶。
一種醫藥產物，其包含含有如請求項19或20之醫藥組合物的單劑量注射器。
如請求項22之醫藥產物，其中該注射器為拋棄式注射器。
一種如請求項19或20之醫藥組合物或如請求項21至23中任一項之醫藥產物之用途，其用於製備用以治療人類個體之與TGFβ活化相關之纖維化病況之藥劑。
如請求項24之用途，其中該與TGFβ活化相關之纖維化病症為器官纖維化。
如請求項25之用途，其中該器官纖維化為晚期器官纖維化。
如請求項25之用途，其中該器官纖維化係選自由以下組成之群：<br/>腎臟纖維化、肝纖維化、肺纖維化、心臟纖維化、胰臟纖維化、皮膚纖維化、硬皮病、肌肉纖維化、子宮纖維化及子宮內膜異位。
如請求項27之用途，其中該肺纖維化為特發性肺纖維化(idiopathic pulmonary fibrosis，IPF)。
如請求項27之用途，其中該個體患有慢性腎病(chronic kidney disease，CKD)。
如請求項27之用途，其中該腎纖維化係選自由以下組成之群：<br/>IgA腎病變、局部及區段性腎小球硬化、新月體性型絲球體腎炎、狼瘡性腎炎及糖尿病性腎病變。
如請求項27之用途，其中該肌肉纖維化與肌肉萎縮症相關。
如請求項31之用途，其中該肌肉萎縮症為杜興氏肌肉失養症(DMD)。
如請求項27之用途，其中該肝纖維化與非酒精性脂肪變性肝炎(nonalcoholic steatohepatitis，NASH)相關。
如請求項24至33中任一項之用途，其中該抗體用於以0.1與30 mg/kg之間的劑量向該個體投與。
如請求項34之用途，其中該抗體用於一週兩次、一週一次、每2週一次、每3週一次、每月一次或每隔一個月一次投與。
如請求項34之用途，其中該藥劑用於治療方案中，該治療方案包含療法之初期及該療法之後期，<br/>其中該個體在該初期期間接受速效劑量，隨後在該後期期間接受維持劑量。
如請求項36之用途，其中該速效劑量在2-30 mg/kg之間，且該維持劑量在0.1-20 mg/kg之間。
如請求項36之用途，其中該速效劑量一週兩次或一週一次向該個體投與。
如請求項36之用途，其中該維持劑量用於每2-8週一次向該個體投與。
如請求項24至33中任一項之用途，其中該治療進一步包含測試或證實自該個體收集之生物樣品中的TGFβ1、LTBP1或LTBP3之表現。
一種用於製成如請求項19或20之醫藥組合物如請求項21至23中任一項之醫藥產物的方法，該組合物包含專一性結合人類LTBP1-前TGFβ複合物及/或人類LTBP3-前TGFβ複合物的抗體或其抗原結合片段，該方法包含以下步驟：<br/>i) 選擇以至少45分鐘之t½與人類LTBP1-前TGFβ複合物及/或人類LTBP3-前TGFβ複合物解離之抗體或其抗原結合片段，及<br/>ii) 將該抗體或片段調配成醫藥組合物，藉此製成包含該抗體或片段之該組合物。
如請求項41之方法，其進一步包含以下步驟：選擇根據藉由基於細胞之分析之量測，IC<sub>50</sub>＜5 nM之抗體或抗原結合片段。
如請求項41之方法，其進一步包含以下步驟：選擇根據藉由基於細胞之分析之量測，IC<sub>50</sub>＜2 nM之抗體或抗原結合片段。
如請求項41至43中任一項之方法，其中該抗體或其抗原結合片段之功效在活體內臨床前模型中得到證實。
如請求項44之方法，其中該臨床前模型為肝纖維化模型、腎臟纖維化模型或心臟纖維化模型。
如請求項41之方法，其中該方法進一步包含以下步驟：<br/>選擇對人類及嚙齒動物抗原具有交叉反應性之抗體或其抗原結合片段。
如請求項41之方法，其中該方法進一步包含以下步驟：<br/>使存在於抗體之第一集合及抗體之第二集合中之該抗體或其抗原結合片段經受親和力成熟及/或最佳化，以便提供經親和力成熟及/或最佳化之抗體或片段。
一種式I化合物或其鹽， <br/><img align="absmiddle" height="179px" width="290px" file="ed10277.jpg" alt="ed10277.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中： <br/>L為L1： <br/><img align="absmiddle" height="167px" width="227px" file="ed10278.jpg" alt="ed10278.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>R<sup>1</sup>為經取代或未經取代之C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、經取代或未經取代之C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、具有1至4個氧、硫或氮雜原子之經取代或未經取代之3員至6員單環雜環基、經取代或未經取代之C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基羰基；或-NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>，其中R<sup>a</sup>及R<sup>b</sup>獨立地為H或經取代或未經取代之C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基；或R<sup>a</sup>及R<sup>b</sup>可與其所連接之氮一起形成3員、4員、5員或6員雜環基，該雜環基可包括一至三個選自由N、O及S組成之群之額外雜原子且可經取代或未經取代； <br/>R<sup>2</sup>為氫或經取代或未經取代之C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基； <br/>R<sup>3</sup>為經取代或未經取代之C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、經取代或未經取代之C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、經取代或未經取代之C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烯基、具有1至3個氧、硫或氮雜原子之經取代或未經取代之3員至7員單環雜環基、經取代或未經取代之苯基、經取代或未經取代之5員或6員雜芳基、螺環碳環基-碳環基，其中各碳環基為3員至8員環；或-NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>，其中R<sup>a</sup>及R<sup>b</sup>可與其所連接之氮一起形成3員、4員、5員或6員雜環基，該雜環基可包括一至三個選自由N、O及S組成之群之額外雜原子且可經取代或未經取代； <br/>R<sup>4</sup>在每次出現時獨立地為氫或鹵素； <br/>R<sup>5</sup>在每次出現時獨立地為氫或鹵素； <br/>其中當基團被標記為經取代，其可經一或多個鹵素、羥基或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基取代； <br/>R<sup>10</sup>為氫； <br/>X為S； <br/>Q為O； <br/>Y<sup>1</sup>為N； <br/>Y<sup>2</sup>及Y<sup>3</sup>各自獨立地為-N-或-CR<sup>4</sup>-； <br/>Y<sup>1'</sup>及Y<sup>6'</sup>各自獨立地為C； <br/>Y<sup>2'</sup>、Y<sup>3'</sup>、Y<sup>4'</sup>、Y<sup>5'</sup>各自獨立地為S或-CR<sup>5</sup>-； <br/>W為CR<sup>6</sup>R<sup>7</sup>； <br/>Z為CR<sup>6</sup>R<sup>7</sup>或O； <br/>其中 <br/>R<sup>6</sup>及R<sup>7</sup>為氫； 且 <br/>其中Y<sup>1'</sup>、Y<sup>2'</sup>、Y<sup>3'</sup>、Y<sup>4'</sup>、Y<sup>5'</sup>及Y<sup>6'</sup>中之至多三者為雜原子； <br/>a為0或1； <br/>q為0或1；且 <br/>虛線鍵(<img align="absmiddle" height="11px" width="42px" file="ed10279.jpg" alt="ed10279.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>)表示單鍵或雙鍵。
如請求項1之式(I)化合物或其鹽，其中： <br/>R<sup>1</sup>為C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、羥基-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基羰基、具有1至3個氧、硫或氮雜原子之經取代或未經取代之4員至6員雜環基；或-NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>，其中R<sup>a</sup>及R<sup>b</sup>獨立地為H或經取代或未經取代之C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基；或R<sup>a</sup>及R<sup>b</sup>可與其所連接之氮一起形成5員或6員雜環基，該雜環基可包括1或2個選自由N、O及S組成之群之額外雜原子且可經取代或未經取代； <br/>R<sup>2</sup>為氫或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基；且 <br/>R<sup>3</sup>為C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、經取代或未經取代之C<sub>5</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、經取代或未經取代之C<sub>5</sub>-C<sub>6</sub>環烯基、含有一至三個選自由N、O及S組成之群之雜原子的經取代或未經取代之4員至6員雜環基、經取代或未經取代之苯基、含有1或2個氮雜原子的經取代或未經取代之6員雜芳基；或-NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>，其中R<sup>a</sup>及R<sup>b</sup>可與其所連接之氮一起形成4員至6員雜環基，該雜環基可包括1或2個選自由N、O及S組成之群之額外雜原子且可經取代或未經取代。
如請求項1之式(I)化合物或其鹽，其中： <br/>R<sup>1</sup>為經取代或未經取代之C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、經取代或未經取代之C<sub>2</sub>-C<sub>4</sub>烯基、具有1至3個氧、硫或氮雜原子之經取代或未經取代之5員或6員單環雜環基、經取代或未經取代之C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基羰基；或-NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>，其中R<sup>a</sup>及R<sup>b</sup>獨立地為經取代或未經取代之C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基；或R<sup>a</sup>及R<sup>b</sup>可與其所連接之氮一起形成具有1或2個額外氧、硫或氮雜原子之5員或6員雜環基，該雜環基可經取代或未經取代； <br/>R<sup>2</sup>為氫或C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基；且 <br/>R<sup>3</sup>為C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、苯基、具有1或2個氮雜原子之6員雜芳基、C<sub>5</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、C<sub>5</sub>-C<sub>6</sub>環烯基；其中之每一者可未經取代或經1、2或3個取代基取代；或-NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>，其中R<sup>a</sup>及R<sup>b</sup>可與其所連接之氮一起形成5員或6員雜環基，該雜環基可包括1或2個選自由N、O及S組成之群之額外雜原子且可經取代或未經取代。
如請求項1或2之式(I)化合物或其鹽，其中a為1且q為1。
如請求項1或2之式(I)化合物或其鹽，其中a為0且q為0。
如請求項1之式(I)化合物或其鹽，其中： <br/>R<sup>1</sup>為C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>鹵烷基、羥基-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>4</sub>烯基、含有1至3個N、S或O雜原子的經取代或未經取代之6員雜環基；或-NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>，其中R<sup>a</sup>及R<sup>b</sup>獨立地為H、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基或C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>鹵烷基；或R<sup>a</sup>及R<sup>b</sup>可與其所連接之氮一起形成5員或6員雜環基，該雜環基可包括1或2個選自由N、O及S組成之群之額外雜原子且可經取代或未經取代； <br/>R<sup>2</sup>為氫或C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基；且 <br/>R<sup>3</sup>為C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、經取代或未經取代之C<sub>5</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、經取代或未經取代之C<sub>5</sub>-C<sub>6</sub>環烯基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基羰基、含有一至三個選自由N、O及S組成之群之雜原子的經取代或未經取代之6員雜環基、經取代或未經取代之苯基、經取代或未經取代之吡啶基；或-NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>，其中R<sup>a</sup>及R<sup>b</sup>可與其所連接之氮一起形成5員或6員雜環基，該雜環基可包括1或2個選自由N、O及S組成之群之額外雜原子且可經取代或未經取代。
如請求項6之式(I)化合物或其鹽，其中a為1且q為1。
如請求項6之式(I)化合物或其鹽，其中a為0或1且q為0。
如請求項6之式(I)化合物或其鹽，其中該化合物由下方之式(IC)結構表示： <br/><img align="absmiddle" height="201px" width="296px" file="ed10280.jpg" alt="ed10280.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中： <br/>R<sup>9</sup>獨立地為鹵素或C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基； <br/>R<sup>1</sup>為C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>鹵烷基、羥基-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>4</sub>烯基、含有1或2個N、S或O雜原子的經取代或未經取代之6員雜環基；或-NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>，其中R<sup>a</sup>及R<sup>b</sup>獨立地為H或C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基；或R<sup>a</sup>及R<sup>b</sup>可與其所連接之氮一起形成6員雜環基，該雜環基可包括1個選自由N、O及S組成之群之額外雜原子且可經取代或未經取代； <br/>R<sup>4</sup>在每次出現時獨立地為氫或鹵素； <br/>R<sup>5</sup>在每次出現時獨立地為鹵素； <br/>W為CR<sup>6</sup>R<sup>7</sup>； <br/>R<sup>2</sup>為氫； <br/>R<sup>10</sup>為氫； <br/>o為0、1或2；且 <br/>m為0、1、2或3。
如請求項6之式(I)化合物或其鹽，其中該化合物由以下結構表示： <br/><img align="absmiddle" height="177px" width="259px" file="ed10281.jpg" alt="ed10281.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中： <br/>R<sup>9</sup>獨立地為鹵素或C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基； <br/>R<sup>1</sup>為C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>鹵烷基、羥基-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>4</sub>烯基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基羰基、含有1或2個N、S或O雜原子的經取代或未經取代之6員雜環基；或-NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>，其中R<sup>a</sup>及R<sup>b</sup>獨立地為H或C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基；或R<sup>a</sup>及R<sup>b</sup>可與其所連接之氮一起形成6員雜環基，該雜環基可包括1個選自由N、O及S組成之群之額外雜原子且可經取代或未經取代； <br/>R<sup>4</sup>在每次出現時獨立地為氫或鹵素； <br/>R<sup>5</sup>在每次出現時獨立地為氫或鹵素； <br/>R<sup>2</sup>為氫； <br/>R<sup>10</sup>為氫； <br/>Z為CR<sup>6</sup>R<sup>7</sup>； <br/>Y<sup>1'</sup>及Y<sup>6'</sup>各自獨立地為C； <br/>Y<sup>3'</sup>及Y<sup>4</sup>獨立地為CR<sup>5</sup>； <br/>Y<sup>5'</sup>為CR<sup>5</sup>或S； <br/>虛線鍵(<img align="absmiddle" height="11px" width="42px" file="ed10282.jpg" alt="ed10282.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>)表示單鍵或雙鍵； <br/>a為0或1；且 <br/>m為0、1、2或3。
如請求項10之式(I)化合物或其鹽，其中 <br/>Y<sup>3'</sup>及Y<sup>4'</sup>獨立地為CR<sup>5</sup>；且 <br/>Y<sup>5'</sup>為S。
如請求項6之式(I)化合物或其鹽，其中該化合物由以下結構表示： <br/><img align="absmiddle" height="177px" width="263px" file="ed10283.jpg" alt="ed10283.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中： <br/>R<sup>9</sup>獨立地為鹵素、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基或C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>鹵烷基； <br/>R<sup>1</sup>為C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>鹵烷基、羥基-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>4</sub>烯基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基羰基、含有1至3個N、S或O雜原子的經取代或未經取代之6員雜環基；或-NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>，其中R<sup>a</sup>及R<sup>b</sup>獨立地為H、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基或C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>鹵烷基；或R<sup>a</sup>及R<sup>b</sup>可與其所連接之氮一起形成6員雜環基，該雜環基可包括1個選自由N、O及S組成之群之額外雜原子且可經取代或未經取代； <br/>R<sup>5</sup>在每次出現時獨立地為氫或鹵素； <br/>R<sup>2</sup>為氫； <br/>R<sup>10</sup>為氫； <br/>D為-N-、-CH-或-C-鹵素， <br/>D<sup>1</sup>為-NH-、-O-、-S-、-CH<sub>2</sub>-或-C-(鹵素)<sub>2</sub>；或 <br/>D<sup>1</sup>鍵結至不含或含有N、O或S雜原子之2員至5員鏈，以形成螺環雜環基-雜環基； <br/>m為0、1、2或3；且 <br/>b為0或1。
如請求項9之式(I)化合物或其鹽，其中： <br/>R<sup>1</sup>為C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>4</sub>烯基、二(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)胺基、N-嗎啉基、哌喃基、四氫哌喃基或二氫哌喃基。
如請求項10之式(I)化合物或其鹽，其中： <br/>R<sup>1</sup>為C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>4</sub>烯基、二(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)胺基、N-嗎啉基、哌喃基、四氫哌喃基或二氫哌喃基。
如請求項12之式(I)化合物或其鹽，其中： <br/>R<sup>1</sup>為C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>4</sub>烯基、二(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)胺基、N-嗎啉基、哌喃基、四氫哌喃基或二氫哌喃基。
如請求項1或2之式(I)化合物或其鹽，其中Y<sup>1</sup>、Y<sup>2</sup>及Y<sup>3</sup>中之每一者為-C-R<sup>4</sup>。
如請求項1或2之式(I)化合物或其鹽，其中Y<sup>1</sup>及Y<sup>3</sup>為N；且Y<sup>2</sup>為-CR<sup>4</sup>。
如請求項1或2之式(I)化合物或其鹽，其中Y<sup>1</sup>及Y<sup>2</sup>為N；且Y<sup>3</sup>為-CR<sup>4</sup>。
一種式(I)化合物或其鹽， <br/><img align="absmiddle" height="53px" width="105px" file="ed10284.jpg" alt="ed10284.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(I) <br/>其中Y<sup>1</sup>、Y<sup>2</sup>、Y<sup>3</sup>、L、X、R<sup>1</sup>及R<sup>3</sup>如下表所呈； <br/>L1為<img align="absmiddle" height="53px" width="59px" file="ed10285.jpg" alt="ed10285.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(L1)，其中R<sup>2</sup>為氫且Q為氧；且 <br/>基團<img align="absmiddle" height="99px" width="107px" file="ed10286.jpg" alt="ed10286.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>在該表中縮寫為「環系統」，且表示以下環系統： <br/><img align="absmiddle" height="94px" width="98px" file="ed10287.jpg" alt="ed10287.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>環系統A； <br/><img align="absmiddle" height="125px" width="97px" file="ed10288.jpg" alt="ed10288.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>環系統B； <br/><img align="absmiddle" height="83px" width="88px" file="ed10289.jpg" alt="ed10289.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>環系統D；及 <br/><img align="absmiddle" height="114px" width="94px" file="ed10290.jpg" alt="ed10290.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>環系統E： <br/><br/>。
一種獸醫學組合物，其包含如請求項1至19中任一項之化合物或其鹽及獸醫學上可接受之載劑，其中該鹽為醫藥學上或獸醫學上可接受之鹽。
一種獸醫學組合物，其包含如請求項1至19中任一項之化合物或其鹽、一或多種其他活性劑及獸醫學上可接受之載劑，其中該鹽為醫藥學上或獸醫學上可接受之鹽。
一種如請求項1至19中任一項之化合物或其鹽的用途，其係用於製備用以治療、控制或預防動物之寄生蟲感染或侵擾的藥劑，其中該鹽為醫藥學上或獸醫學上可接受之鹽。
一種用於生產重組腺相關病毒（Adeno-Associated Virus, AAV）載體之方法，所述方法包括以下步驟： <br/>a) 用超大質體載體和至少一個輔助質體載體共轉染合適的細胞培養物，其中該超大質體載體係如SEQ ID NO: 2中列出的pcohSgsh-900，該輔助質體載體係如SEQ ID NO: 5中列出的pRepCap-809或如SEQ ID NO: 6中列出的pAdHelper-861； <br/>b) 在允許病毒複製和包裝的條件下培養所述細胞； <br/>c) 回收步驟 b) 中產生的病毒載體並在允許進一步分裂和生長的條件下將該細胞保留在該細胞培養物中； <br/>d) 用根據步驟 a) 之質體載體再轉染根據步驟 c) 之細胞；和 <br/>e) 重複步驟 b) 至 c)。
如請求項1所述之方法，其中在步驟 b) 中，AAV分泌到該細胞培養物之上清液中。
如請求項1所述之方法，其中，在步驟 d) 之前更換該細胞培養物之細胞培養基。
如請求項3所述之方法，其中藉由灌注進行細胞培養基更換。
如請求項1所述之方法，其中在回收步驟 c) 之後，將步驟 d)、b) 和 c) 至少再重複一次。
如請求項1所述之方法，其中在攪拌的液體培養基中懸浮培養所述細胞來進行步驟 b)。
一種用於生產重組腺相關病毒（Adeno-Associated Virus, AAV）載體之方法，所述方法包括以下步驟： <br/>a) 用以下質體載體共轉染合適的細胞 <br/>i) 第一質體載體係如SEQ ID NO: 2中列出的pcohSgsh-900； <br/>ii) 第二質體載體係如SEQ ID NO: 5中列出的pRepCap-809；以及 <br/>iii) 第三質體載體係如SEQ ID NO: 6中列出的pAdHelper-861； <br/>b) 在允許AAV複製和包裝的條件下培養所述細胞；和 <br/>c) 回收步驟 b) 中產生的AAV。
一種質體載體，該質體載體係如SEQ ID NO: 2中列出的pcohSgsh-900。
一種質體載體，該質體載體係如SEQ ID NO: 6中列出的pAdHelper-861。
一種製造一經組合之燒結就緒銀膜與載體之方法，其包含以下步驟：a)產生包含經設計開口的一載體；b)將一銀膜層澆鑄至該等經設計開口中；c)乾燥該載體及銀膜層以形成該經組合之燒結就緒銀膜與載體；及d)將該經組合之燒結就緒銀膜與載體滾軋或切割成就緒用於工業用途的個別片材。
如請求項1之方法，其中該載體係藉由永久黏合兩個塑膠膜而產生。
如請求項1或2之方法，其中該載體包含一模版層及一背襯層。
如請求項3之方法，其中該模版層界定該等經設計開口。
如請求項3之方法，其中該背襯層經組態用於密封該等經設計開口之一底部。
如請求項3之方法，其中在步驟b)開始時，該等經設計開口之一頂部為開放以用於接收該澆鑄銀膜層。
如請求項1或2之方法，其中澆鑄該銀膜層包含澆鑄銀膏。
一種經組合之燒結就緒銀膜與載體，其包含：包含經設計開口的一載體；及經澆鑄至該等經設計開口中的一銀膜層，該經組合之燒結就緒銀膜與載體可藉由如請求項1至7中任一項之方法來獲得，其中該載體包含兩個永久黏合之塑膠膜。
如請求項8之經組合之燒結就緒銀膜與載體，其中該載體包含一模版層及一背襯層。
如請求項9之經組合之燒結就緒銀膜與載體，其中該模版層界定該等經設計開口。
如請求項9之經組合之燒結就緒銀膜與載體，其中該模版層具有100至200微米之一厚度。
一種組裝一組件至一基材的方法，其包含以下步驟：a)將屬於包含一載體及一銀膜層之類型的一經組合之燒結就緒銀膜與載體定位在該基材之頂部上，使得該銀膜層面向下，該載體包含經設計開口，該銀膜層經澆鑄至該等經設計開口中；b)藉由層疊將該銀膜層轉移至該基材上；c)移除該經組合之燒結就緒銀膜與載體的該載體；d)置放該組件至該基材上而接觸該經轉移銀膜層以形成一總成；及e)燒結該總成以在該組件與該基材之間產生一銀接合面。
如請求項12之方法，其中在步驟b)中，該層壓使用在3至8MPa之壓力下及130至150℃之溫度的一層壓機。
如請求項12之方法，其中在步驟e)中，該燒結係在10MPa之壓力及250℃之溫度進行。
如請求項12至14中任一項之方法，其中該基材包含一直接黏合銅(DBC)、引線框架、夾子或夾子陣列、晶圓或用於組裝電子裝置且具有一金屬化表面的任何其他部件。
如請求項12至14中任一項之方法，其中該組件包含一Si或SiC裝置及/或一晶粒。
如請求項12至14中任一項之方法，其中該經組合之燒結就緒銀膜與載體係如請求項8至11中任一項所述。
一種鑄造系統，包括： <br/>一鑄造模具（casting mould）（200; 304; 702; 802; 902; 1200; 1300），包括： <br/>一無機模具，設置成接收原料，該原料包括金屬的粉末、顆粒、微粒（granule）、絲線（wire）、鑄錠（ingot）或前述混合物，其中該無機模具經3D印刷而成；以及 <br/>一基座（302; 402; 502; 1302），位在該無機模具的一內表面上或該無機模具中，該基座設置成用於原位加熱以熔融該原料；以及 <br/>一無線電源（110），該無線電源在該鑄造模具外部，其中該原位加熱是由該無線電源提供。
如請求項1所述之鑄造系統，其中該基座是一3D印刷基座。
如請求項1所述之鑄造系統，其中該基座是一塗漆基座或在3D印刷該無機模具之後沉積的一基座。
如請求項1至3中任一項所述之鑄造系統，其中該無線電源選自由下述各項組成之群組：一微波傳輸器、感應電力傳輸器、電容或介電電力傳輸器、RF（射頻）電力傳輸器、及上述各項之任何組合。
一種鑄造零件的方法，包括以下步驟： <br/>接收一鑄造模具（200; 304; 702; 802; 902; 1200; 1300），該鑄造模具包括： <br/>一無機模具，設置成接收原料；以及 <br/>一基座（302; 402; 502; 1302），位在該無機模具的一內表面上或該無機模具中； <br/>選擇該原料的量，該原料包括金屬的粉末、顆粒、微粒（granule）、絲線（wire）、鑄錠（ingot）或前述混合物； <br/>以該原料填充該無機模具；及 <br/>原位加熱該原料以形成該零件，其中該基座是由一無線電源所供電，以當暴露於該無線電源所傳輸的無線能量時，生成能夠原位熔融該原料的多個溫度。
一種製備超吸收劑之方法，其包含聚合包含以下各項之單體水溶液：a)至少一種烯系不飽和單體，其具有酸基團且視情況至少部分地呈鹽形式，b)至少一種交聯劑，c)至少一種起始劑，d)視情況一或多種可與a)下所提及之該等單體共聚合之烯系不飽和單體，及e)視情況一或多種水溶性聚合物，乾燥該所得聚合物，視情況碾磨該經乾燥聚合物及篩分該經碾磨聚合物，視情況表面後交聯該經乾燥且視情況經碾磨並篩分之聚合物，在乾燥、碾磨或篩分後，且若實施表面後交聯則在此表面後交聯期間或之後，添加x-射線非晶形氫氧化鋁粉末，基於在添加該x-射線非晶形氫氧化鋁粉末之前之聚合物的量，在添加x-射線非晶形氫氧化鋁粉末之後，添加0.1重量%至10重量%之水，其中該水係以至少三部分添加至該超吸收劑。
如請求項1之方法，其中水之第二及任何連續部分係在前一部分之該添加之後至少1秒之時間之後添加。
如請求項1或2之方法，其中基於添加前聚合物之量，添加0.01重量%至1重量%之x-射線非晶形氫氧化鋁。
如請求項3之方法，其中基於添加前聚合物之量，添加0.1重量%至0.5重量%之x-射線非晶形氫氧化鋁。
如請求項1或2之方法，其中該經乾燥且視情況經碾磨並篩分之聚合物利用後交聯劑進行表面後交聯，該等後交聯劑與該等超吸收劑顆粒表面處之極性基團形成共價鍵。
一種超吸收劑，其可藉由如請求項1至5中任一項之方法獲得。
一種用於吸收流體之物品，其包含如請求項6中定義之超吸收劑。
一種製備用於吸收流體之物品的方法，其中該等物品之該製備涉及添加如請求項6中定義之超吸收劑。
一種設計具有一共振層之一有機發光二極體(OLED)裝置之電腦實施方法，其包含下列步驟：計算該OLED裝置之紅色光譜的一反射率，以產生一紅色反射率值；計算該OLED裝置之綠色光譜的一反射率，以產生一綠色反射率值；計算該OLED裝置之藍色光譜的一反射率，以產生一藍色反射率值；及選擇該共振層之一厚度，使得該紅色反射率值、該綠色反射率值、及該藍色反射率值係實質上彼此相等或在彼此的一特定偏差(deviation)內，其中該選擇之步驟包含選擇導致該紅色反射率值、該綠色反射率值、及該藍色反射率值的一最低rms偏差的該厚度。
如請求項1之方法，其中該選擇步驟包含選擇該共振層之一厚度及一材料，使得該紅色反射率值、該綠色反射率值、及該藍色反射率值係實質上彼此相等或在彼此的一特定偏差內。
如請求項2之方法，其中該選擇步驟包含基於該材料之一折射率而選擇該材料。
如請求項1之方法，其中該OLED裝置具有另一共振層，且該選擇步驟包含選擇該共振層及該另一共振層之厚度，使得該紅色反射率值、該綠色反射率值、及該藍色反射率值係實質上彼此相等或在彼此之一特定偏差內。
如請求項1之方法，其中該OLED裝置具有另一共振層，且該選擇步驟包含選擇該共振層及該另一共振層之厚度及材料，使得該紅色反射率值、該綠色反射率值、及該藍色反射率值係實質上彼此相等或在彼此之一特定偏差內。
如請求項5之方法，其中該選擇步驟包含基於該等材料之折射率而選擇該等材料。
如請求項1之方法，其中該等計算步驟包含計算分別在625nm、515nm、及455nm之波長下的該紅色反射率、該綠色反射率、及該藍色反射率。
一種有機發光二極體(OLED)裝置，其包含以下列順序配置之組件：一基材；一第一電極；一腔，其包括一發射層；一第二電極；一共振層；及一封裝材料層，其中該共振層具有一厚度，使得該OLED裝置之紅色反射率、綠色反射率、及藍色反射率係實質上彼此相等或在彼此之一特定偏差內，其中該共振層之該厚度導致該紅色反射率、該綠色反射率、及該藍色反射率的一最低rms偏差。
一種有機發光二極體(OLED)堆疊，其包含以下列順序配置之組件：一第一電極；一腔，其包括一發射層；一第二電極；及一共振層，其中該共振層係藉由計算該OLED堆疊的紅色反射率值、綠色反射率值、及藍色反射率值並選擇該共振層之一厚度來組態，使得該紅色反射率值、該綠色反射率值、及該藍色反射率值係實質上彼此相等或在彼此之一特定偏差內，其中該共振層之該厚度導致該紅色反射率值、該綠色反射率值、及該藍色反射率值的一最低rms偏差。
一種5G系統，其包含至少一種天線元件，該天線元件經組態以發射且接收5G射頻信號；及至少一種電子組件，其中該天線元件、該電子組件或兩者包含包括液晶聚合物之聚合物組合物，該液晶聚合物含有量為約10mol%或更大之衍生自萘羥基羧酸及/或萘二羧酸的重複單元，且進一步其中該聚合物組合物在2GHz之頻率下展現約1至4.2的介電常數及約0.05或更小的耗散因子。
如請求項1之5G系統，其中該聚合物組合物具有約200℃至約400℃之熔融溫度。
如請求項1之5G系統，其中液晶聚合物構成該聚合物組合物之約40wt%至約99wt%。
如請求項1之5G系統，其中該液晶聚合物含有衍生自一或多種芳族二羧酸、一或多種芳族羥基羧酸或其組合之重複單元。
如請求項4之5G系統，其中該等芳族羥基羧酸包括4-羥基苯甲酸、6-羥基-2-萘甲酸或其組合。
如請求項4之5G系統，其中該等芳族二羧酸包括對苯二甲酸、間苯二甲酸、2,6-萘二甲酸或其組合。
如請求項4之5G系統，其中該液晶聚合物進一步含有衍生自一或多種芳族二醇之重複單元。
如請求項7之5G系統，其中該等芳族二醇包括對苯二酚、4,4'-聯苯酚或其組合。
如請求項1至8中任一項之5G系統，其中該液晶聚合物為完全芳族。
如請求項1至8中任一項之5G系統，其中該液晶聚合物含有量為約30mol%或更大的衍生自6-羥基-2-萘甲酸之重複單元。
如請求項10之5G系統，其中該液晶聚合物含有量為約50mol%或更大的衍生自6-羥基-2-萘甲酸之重複單元。
如請求項10之5G系統，其中該液晶聚合物含有量為約70mol%或更大的衍生自6-羥基-2-萘甲酸之重複單元。
如請求項10之5G系統，其中該液晶聚合物含有莫耳比為約0.1至約40的衍生自6-羥基-2-萘甲酸及4-羥基苯甲酸之重複單元。
如請求項10之5G系統，其中該液晶聚合物含有莫耳比為約1至約5的衍生自6-羥基-2-萘甲酸及4-羥基苯甲酸之重複單元。
如請求項1至8中任一項之5G系統，其中該液晶聚合物含有量為約10mol%或更大的衍生自2,6-萘二甲酸之重複單元。
如請求項1至8中任一項之5G系統，其中根據ISO 62-1：2008浸沒於水中24小時之後，該液晶聚合物展現約0.015%或更小的吸水性。
如請求項1至8中任一項之5G系統，其中根據ISO 62-4：2008在23℃的溫度下暴露於50%相對濕度之後，該液晶聚合物展現約0.01%或更小的吸濕性。
如請求項1至8中任一項之5G系統，其中液晶聚合物構成該組合物之100wt%。
如請求項1至8中任一項之5G系統，其中添加劑構成該聚合物組合物之約1wt%至約60wt%且液晶聚合物構成該聚合物組合物之約40wt%至約99wt%。
如請求項1至8中任一項之5G系統，其中該聚合物組合物進一步包含纖維性填料。
如請求項20之5G系統，其中該纖維性填料包括玻璃纖維。
如請求項20之5G系統，其中該纖維性填料具有約2或更大的縱橫比。
如請求項1至8中任一項之5G系統，其中該聚合物組合物進一步包含微粒填料。
如請求項23之5G系統，其中該微粒填料包括雲母。
如請求項1至8中任一項之5G系統，其中該聚合物組合物進一步包含可雷射活化添加劑。
如請求項1至8中任一項之5G系統，其中該聚合物組合物進一步包含中空無機填料。
如請求項1至8中任一項之5G系統，其中該聚合物組合物在2GHz之頻率下展現約1.5至約4之介電常數。
如請求項1至8中任一項之5G系統，其中該聚合物組合物在2GHz之頻率下展現約0.0009或更小之耗散因子。
如請求項1至8中任一項之5G系統，其中該天線元件安置於基板上，其中該基板包含該聚合物組合物。
如請求項1至8中任一項之5G系統，其中該電子組件為含有安置於導電層上之膜的電路板，其中該膜包含該聚合物組合物。
如請求項1至8中任一項之5G系統，其中該電子組件為聲學濾波器，其含有支撐壓電材料之基板及上覆於該壓電材料之殼體，其中該基板、該殼體或兩者含有該聚合物組合物。
如請求項1至8中任一項之5G系統，其中該電子組件為腔室濾波器，其包括限定其中容納介電材料之腔室的殼體，其中該殼體含有該聚合物組合物。
如請求項1至8中任一項之5G系統，其中該天線元件具有小於約1,500微米之特徵大小。
如請求項1至8中任一項之5G系統，其中該等5G射頻信號具有大於約28GHz之頻率。
如請求項1至8中任一項之5G系統，其中該至少一種天線元件包含經配置呈天線陣列形式之複數個天線元件。
如請求項35之5G系統，其中該複數個天線元件以小於約1,500微米之間隔距離間隔開。
如請求項35之5G系統，其中該複數個天線元件包含至少16個天線元件。
如請求項35之5G系統，其中該複數個天線元件配置呈柵格形式。
如請求項35之5G系統，其中該天線陣列經組態以用於至少8個發射通道及至少8個接收通道。
如請求項35之5G系統，其中該天線陣列具有每平方公分大於1,000個天線元件之平均天線元件密集度。
如請求項1至8中任一項之5G系統，其進一步包含基地台，且其中該基地台包含該天線元件。
如請求項1至8中任一項之5G系統，其進一步包含使用者運算裝置或中繼器中之至少一者，且其中該使用者運算裝置或該中繼器基地台中之至少一者包含該天線元件。
一種雜環化合物，由以下化學式1表示： <br/>[化學式1] <br/><img align="absmiddle" height="252px" width="561px" file="ed10200.jpg" alt="ed10200.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，在化學式1中， <br/>L<sub>1</sub>為直接鍵； <br/>L<sub>2</sub>為直接鍵；伸苯基；或伸萘基； <br/>L<sub>3</sub>為直接鍵；伸苯基；或伸聯苯基； <br/>L<sub>4</sub>為直接鍵；或伸苯基； <br/>Ar<sub>1</sub>為聯苯基；聯三苯基；萘基；二甲基芴基；二苯基芴基；螺聯芴基；二苯并呋喃基；或二苯并噻吩基； <br/>Ar<sub>2</sub>為未經取代或經氰基取代之苯基；聯三苯基；萘基；菲基；二甲基芴基；二苯基芴基；螺[芴-9,9'-二苯并哌喃]基團；未經取代或經苯基或萘基取代之咔唑基；二苯并呋喃基；或二苯并噻吩基； <br/>R<sub>1</sub>以及R<sub>2</sub>彼此相同或不同，且各自獨立地為甲基、苯基、或兩個或多於兩個相鄰基團彼此鍵合形成螺聯芴基； <br/>X<sub>1</sub>至X<sub>3</sub>為氫； <br/>k、l、m以及n各自獨立地為1至3的整數； <br/>a為1至6的整數； <br/>b為1至3的整數； <br/>c為1至4的整數；以及 <br/>當k、l、m、n、a、b以及c為2或大於2時，括弧中的取代基彼此相同或不同。
如請求項1所述的雜環化合物，其中化學式1由以下化學式2至化學式5中的任一者表示： <br/>[化學式2] <br/><img align="absmiddle" height="248px" width="446px" file="ed10201.jpg" alt="ed10201.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式3] <br/><img align="absmiddle" height="214px" width="444px" file="ed10202.jpg" alt="ed10202.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式4] <br/><img align="absmiddle" height="205px" width="444px" file="ed10203.jpg" alt="ed10203.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式5] <br/><img align="absmiddle" height="205px" width="440px" file="ed10204.jpg" alt="ed10204.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>在化學式2至化學式5中， <br/>各取代基具有與化學式1中相同的定義。
如請求項1所述的雜環化合物，其中化學式1由以下化合物中的任一者表示： <br/><img align="absmiddle" height="292px" width="230px" file="ed10220.jpg" alt="ed10220.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="62px" width="66px" file="ed10221.jpg" alt="ed10221.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/><img align="absmiddle" height="205px" width="204px" file="ed10222.jpg" alt="ed10222.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="222px" width="230px" file="ed10223.jpg" alt="ed10223.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/><br/><img align="absmiddle" height="207px" width="209px" file="ed10224.jpg" alt="ed10224.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="238px" width="265px" file="ed10225.jpg" alt="ed10225.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/><img align="absmiddle" height="206px" width="203px" file="ed10226.jpg" alt="ed10226.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種有機發光元件，包括： <br/>第一電極； <br/>第二電極；以及 <br/>一或多個有機材料層，設置於所述第一電極與所述第二電極之間， <br/>其中所述有機材料層中的一或多個層包含如請求項1至請求項3中任一項所述的雜環化合物。
如請求項4所述的有機發光元件，其中所述有機材料層包含電洞傳輸層，且所述電洞傳輸層包含所述雜環化合物。
如請求項4所述的有機發光元件，其中所述有機材料層包含一或多個電洞輔助層，且所述電洞輔助層包含所述雜環化合物。
如請求項4所述的有機發光元件，其中所述有機材料層包含發光層，且所述發光層包含所述雜環化合物作為發光材料的主體材料。
如請求項7所述的有機發光元件，其中所述發光層包含兩種或多於兩種主體材料，且所述主體材料中的至少一者包含所述雜環化合物作為所述發光材料的所述主體材料。
如請求項4所述的有機發光元件，包括： <br/>陽極； <br/>第一疊層，設置於所述陽極上且包含第一發光層； <br/>電荷產生層，設置於所述第一疊層上； <br/>第二疊層，設置於所述電荷產生層上且包含第二發光層；以及 <br/>陰極，設置於所述第二疊層上。
一種電性部件，其包括： <br/>基板，其限定第一表面和與所述第一表面相對的第二表面，以及內表面，所述內表面限定從所述第一表面延伸至所述第二表面的孔； <br/>導電塗覆，其沿著所述基板的所述內表面延伸，所述導電塗覆包含被沉積到所述內表面上的金屬黏著層，以及接合至所述金屬黏著層的第二金屬層；及 <br/>硬化的非導電聚合物，其被設置在所述孔中。
如請求項1所述的電性部件，其中所述基板是玻璃基板。
如請求項1或2所述的電性部件，還包括被設置在所述孔中的燒結的金屬性顆粒。
如請求項3所述的電性部件，其中大多數所述顆粒基本上是非緻密化燒結的。
如請求項1或2所述的電性部件，其中所述顆粒在由壓力差、離心力和靜電力之一所限定的力下被迫使進入所述孔中。
如請求項1或2所述的電性部件，還包括設置在所述孔中的導電填充物，其中所述導電填充物包括主體填充物和鄰近所述主體填充物的最終填充物。
如請求項6所述的電性部件，還包括被設置在所述孔中的多個薄片顆粒。
如請求項7所述的電性部件，其中所述最終填充物包括所述薄片顆粒。
如請求項7所述的電性部件，其中所述薄片顆粒的比表面積在每克約0.3平方米至每克約1.5平方米的範圍內。
如請求項7所述的電性部件，其中大多數所述薄片顆粒的平均尺寸比在約2∶1至約10∶1的範圍內。
如請求項6所述的電性部件，其中所述導電塗覆將所述導電填充物接合到所述內表面。
如請求項11所述的電性部件，其中所述導電塗覆將所述最終填充物接合到所述內表面。
如請求項11所述的電性部件，其中所述導電塗覆包含至少一金屬。
如請求項12所述的電性部件，其中所述第二金屬層接合至所述黏著層與所述最終填充物兩者。
如請求項14所述的電性部件，其中所述第一金屬包括黏著層。
如請求項15所述的電性部件，其中所述第二金屬包括接合層。
如請求項15所述的電性部件，其中所述第二金屬層包括過渡金屬。
如請求項15所述的電性部件，其中所述第二金屬層是銀可混溶金屬。
如請求項11所述的電性部件，其中所述導電塗覆通過氣相沉積製程施加到所述內表面。
如請求項19所述的電性部件，其中所述氣相沉積製程是物理氣相沉積(PVD)。
如請求項1或2所述的電性部件，還包括重新分佈層，其設置在所述基板的所述第一表面和所述基板的所述第二表面中的至少一個上。
如請求項21所述的電性部件，其中所述重新分佈層包含氣相沉積的導電塗覆。
如請求項21所述的電性部件，其中，所述重新分佈層包括接合至所述基板的第一層和接合至所述第一金屬的第二層。
如請求項23所述的電性部件，其中所述第一層包括黏著層。
如請求項23所述的電性部件，其中所述第二層包括金屬。
如請求項25所述的電性部件，還包括設置在所述第二層上的由電性導體組成的第三層。
如請求項26所述的電性部件，其中所述第三層被電化學沉積到所述第二層上。
如請求項26所述的電性部件，還包括設置在所述第二層上的抗反射金屬性第三層。
如請求項28所述的電性部件，還包括設置在所述抗反射層上的由電性導體組成的第四層。
如請求項29所述的電性部件，其中所述第四層被電化學沉積到所述第二層上。
如請求項6所述的電性部件，其中，所述基板的所述第一表面和所述第二表面沿一方向彼此相對，並且所述基板限定具有基底的溝槽，所述基底限定了所述第一表面的第一部分，所述第一部分沿著朝向所述第二表面的所述方向偏離所述第一表面的第二部分。
如請求項31所述的電性部件，其中所述孔、所述導電塗覆和所述硬化的非導電聚合物定義導電通孔，所述導電通孔終止於所述溝槽。
如請求項31所述的電性部件，還包括至少一個電性導體，其設置在所述溝槽中與所述導電通孔電性連通。
如請求項33所述的電性部件，其中所述至少一個電性導體基本上填充所述溝槽。
如請求項1或2所述的電性部件，其中所述基板的所述第一表面和所述第二表面沿一方向彼此相對，並且所述基板限定具有基底的溝槽，所述基底限定了所述第一表面的第一部分，所述第一部分沿著朝向所述第二表面的所述方向偏離所述第一表面的第二部分。
如請求項6所述的電性部件，還包括設置在所述最終填充物的空隙中的金屬。
如請求項36所述的電性部件，其中所述金屬包括可電鍍的金屬。
如請求項1或2所述的電性部件，其中所述孔是沙漏形的。
如請求項38所述的電性部件，其中所述導電塗覆包括接合至所述內表面的導電黏著層和接合至所述導電黏著層的電性導體，其中所述導電填充物被燒結接合至所述電性導體。
如請求項39所述的電性部件，其中所述導電黏著層無電式鍍製在所述內表面上。
如請求項39所述的電性部件，其中所述電性導體被電化學沉積到所述黏著層上。
如請求項38所述的電性部件，其中所述導電塗覆沿著基本上整個所述內表面延伸。
如請求項6所述的電性部件，其中所述最終填充物在其外端包括至少一個基本上無孔性的雷射熔化的端蓋。
如請求項6所述的電性部件，其中所述最終填充物在其相對的外端的每一者處包括基本上無孔性的雷射熔化的端蓋。
如請求項6所述的電性部件，其中所述主體填充物包括第一導電顆粒，且所述最終填充物包括第二導電顆粒。
如請求項45所述的電性部件，其中所述第二導電顆粒具有第一平均顆粒大小，所述第二導電顆粒具有第二平均顆粒大小，以及所述第一平均顆粒大小和所述第二平均顆粒大小限定在約1.5：1至約12：1的範圍內的比率，包括約1.5：1到約3.5：1。
如請求項46所述的電性部件，其中所述第一平均顆粒大小在約1微米至約6微米之間。
如請求項46所述的電性部件，其中所述第二平均顆粒大小在約0.3微米至約1微米之間。
如請求項45所述的電性部件，還包括在所述內表面上的導電塗覆。
如請求項49所述的電性部件，其中所述第二導電顆粒燒結接合到所述導電塗覆。
如請求項3所述的電性部件，還包括聚合物，所述聚合物設置在由所述燒結的金屬性顆粒限定的至少一個細孔中。
如請求項51所述的電性部件，其中所述燒結的金屬性顆粒包括主體填充物和鄰近所述主體填充物的最終填充物。
如請求項51所述的電性部件，其中所述導電塗覆將所述燒結的金屬性顆粒接合到所述內表面。
如請求項53所述的電性部件，其中所述導電塗覆將所述最終填充物接合到所述內表面。
如請求項51所述的電性部件，其中所述至少一個細孔包括多個細孔。
如請求項55所述的電性部件，其中所述細孔包含由相鄰的所述燒結的金屬性顆粒限定的空隙。
如請求項55所述的電性部件，其中所述細孔限定了設置在所述導電塗覆和所述導電填充物之間的至少一個孔隙。
如請求項53所述的電性部件，其中所述導電塗覆和所述聚合物結合以對於氣體滲透進入所述通孔的氣體限定阻隔物。
如請求項53所述的電性部件，其中所述導電塗覆和所述聚合物結合以對於液體滲透進入所述通孔的液體限定阻隔物。
如請求項1或2所述的電性部件，其中所述孔是沙漏形的。
一種填充孔的方法，所述孔由玻璃或藍寶石基板的內表面限定，所述內表面從所述玻璃或藍寶石基板的第一表面延伸到所述玻璃或藍寶石基板的第二表面，所述第二表面沿一方向與所述第一表面相對，所述方法包括以下步驟： <br/>執行至少一填充步驟，以便用多個導電顆粒過量填充所述孔，使得所述顆粒延伸超過所述玻璃或藍寶石基板的所述第一表面和所述第二表面； <br/>在所述至少一填充步驟之後，燒結導電顆粒以形成燒結的導電填充物，其延伸穿過所述孔並且具有延伸超過所述玻璃或藍寶石基板的所述第一表面的第一部分和延伸超過所述玻璃或藍寶石基板的所述第二表面的第二部分； <br/>在所述燒結步驟之後，向所述燒結的導電填充物的所述第一部分和所述第二部分施加壓縮力，以密封在所述燒結的導電填充物和所述玻璃或藍寶石基板之間的界面。
如請求項61所述的方法，其中所述顆粒不會受到在所述執行步驟和所述燒結步驟之間的按壓操作。
如請求項61或62所述的方法，其中所述施加步驟包括使第一平坦剛性按壓表面和第二平坦剛性按壓表面抵靠所述燒結的導電填充物的所述第一部分和所述第二部分，以將所述燒結的導電填充物壓縮抵靠所述玻璃或藍寶石基板並密封所述界面。
如請求項61或62所述的方法，其中所述界面包括在所述燒結的導電填充物與所述玻璃或藍寶石基板的所述第一表面和所述第二表面的每一者之間限定的第一界面。
如請求項61或62所述的方法，其中所述玻璃或藍寶石基板具有限定所述孔的內表面，並且在沿著所述內表面至所述第一表面並且進一步沿著所述內表面至所述第二表面的位置處，所述界面包括在所述玻璃或藍寶石基板與所述燒結的導電填充物之間的第二界面。
如請求項61或62所述的方法，其中所述施加步驟在室溫下執行。
如請求項61或62所述的方法，其中所述施加步驟在室溫以上的提高的溫度下執行。
如請求項67所述的方法，其中所述提高的溫度在約120℃至約250℃的範圍內。
如請求項63所述的方法，其中所述按壓表面由硬按壓機的相應壓板限定，並且所述施加步驟包括使所述按壓表面單軸地與所述燒結的導電填充物的所述第一部分和所述第二部分接觸。
如請求項63所述的方法，其中所述按壓表面由硬按壓機的相應壓板所攜載的按壓構件所限定，並且所述施加步驟包括使所述按壓構件單軸地與所述燒結的導電填充物的所述第一部分和所述第二部分接觸。
如請求項63所述的方法，其中所述按壓表面由設置在真空密封的外殼中的剛性平坦按壓構件限定，並且施加步驟包括使第一壓板和第二壓板單軸地與所述外殼接觸，從而使所述按壓表面抵靠所述燒結的導電填充物的所述部分。
如請求項61或62所述的方法，其中所述第一部分和所述第二部分限定分別沿著所述第一表面和所述第二表面延伸的鈕扣件，並且限定基本上平坦的外表面。
如請求項72所述的方法，其中所述基本上平坦的外表面分別基本上平行於所述玻璃或藍寶石基板的所述第一表面和所述第二表面延伸。
如請求項63所述的方法，其中所述施加步驟包括向所述燒結的導電填充物的所述第一部分和所述第二部分施加等靜壓（isostatic pressure）。
如請求項74所述的方法，其中所述按壓表面由真空密封的外殼的第一結構和第二結構限定，並且施加步驟包括向所述外殼施加所述等靜壓，以使所述第一結構符合所述第一外表面以及所述燒結的導電填充物的所述第一部分，以及使所述第二結構符合所述第二外表面以及所述燒結的導電填充物的所述第二部分。
如請求項74所述的方法，其中所述按壓表面由設置在真空密封的外殼中的第一可展性層和第二可展性層限定，並且施加步驟包括向所述外殼施加等靜壓，以使所述第一可展性層符合所述第一外表面以及所述燒結的導電填充物的所述第一部分，以及使所述第二可展性層符合所述第二外表面以及所述燒結的導電填充物的所述第二部分。
如請求項74所述的方法，其中所述等靜壓沿著基本上正交於所述第一部分和所述第二部分的相應的第一端和第二端的方向分別施加到相應的所述第一端和所述第二端。
如請求項61或62所述的方法，其中在所述施加步驟之後，所述燒結的導電填充物的所述第一部分和所述第二部分限定了基本上呈圓頂的表面。
如請求項61或62所述的方法，其中所述施加步驟使所述燒結的導電填充物的所述第一部分和所述第二部分緻密化。
如請求項61或62所述的方法，其中所述施加步驟將所述燒結的導電填充物氣密地密封以抵靠所述玻璃或藍寶石基板。
如請求項61或62所述的方法，還包括用CeO<sub>2</sub>製成的基板對過度填充的顆粒進行表面加工的步驟。
一種通式(IV-A)所示的化合物、其立體異構體或其藥學上可接受鹽：<figure><img align="absmiddle" height="134px" width="288px" file="d10170.TIF" alt="化學式ed10170.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10170.png"/></figure>其中：R<sub>2</sub>選自氫、氰基、鹵素、C<sub>1-3</sub>烷基、C<sub>1-3</sub>鹵烷基或C<sub>3-6</sub>環烷基；R<sub>3</sub>選自氫、鹵素或C<sub>1-3</sub>烷基；R<sub>4</sub>選自氫或C<sub>1-3</sub>烷基；R<sub>5</sub>選自-(CH<sub>2</sub>)<sub>n1</sub>R<sub>aa</sub>、-C(O)R<sub>aa</sub>或-C(O)NR<sub>aa</sub>R<sub>bb</sub>；R<sub>aa</sub>選自胺基、C<sub>1-3</sub>烷基、C<sub>1-3</sub>鹵烷基、C<sub>1-3</sub>烷氧基、C<sub>3-6</sub>環烷基或含1-2個選自N、O或S的5-6員雜芳基，該胺基、C<sub>1-3</sub>烷基、C<sub>1-3</sub>鹵烷基、C<sub>1-3</sub>烷氧基、C<sub>3-6</sub>環烷基和含1-2個選自N、O或S的5-6員雜芳基，任選進一步被選自鹵素、羥基、氰基、側氧基、C<sub>1-3</sub>烷基、C<sub>1-3</sub>鹵烷基、C<sub>1-3</sub>烷氧基、C<sub>3-6</sub>環烷基中的一個或多個取代基所取代；R<sub>bb</sub>選自氫、C<sub>1-3</sub>烷基、C<sub>1-3</sub>鹵烷基或C<sub>1-3</sub>烷氧基；或者，R<sub>aa</sub>和R<sub>bb</sub>與相鄰的氮原子形成4-6員雜環基，任選進一步被選自鹵素、羥基C<sub>1-3</sub>烷基、C<sub>1-3</sub>鹵烷基、C<sub>1-3</sub>烷氧基中的一個或多個取代基所取代；m為1；n1為0；y為0或1；z為0或1；其中，通式(IV-A)不包含化合物<img align="absmiddle" height="84px" width="170px" file="d10208.TIF" alt="其他非圖式ed10208.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10208.png"/>和<figure><img align="absmiddle" height="86px" width="216px" file="d10171.TIF" alt="化學式ed10171.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10171.png"/></figure>
如請求項1所述的化合物、其立體異構體或其藥學上可接受鹽，其中，該化合物進一步如通式(IX-B)所示：<figure><img align="absmiddle" height="134px" width="282px" file="d10172.TIF" alt="化學式ed10172.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10172.png"/></figure>
如請求項1或2所述的化合物、其立體異構體或其藥學上可接受鹽，其中，R<sub>2</sub>選自氫、氰基、氟、氯、溴、甲基、乙基、三氟甲基或環丙基；R<sub>3</sub>選自氫、氟、氯、溴、甲基或乙基；R<sub>4</sub>選自氫或甲基；R<sub>5</sub>選自-R<sub>aa</sub>、-C(O)R<sub>aa</sub>或-C(O)NR<sub>aa</sub>R<sub>bb</sub>；R<sub>aa</sub>選自C<sub>1-3</sub>烷基、C<sub>1-3</sub>氟代烷基、C<sub>1-3</sub>烷氧基、環丙基、呋喃基或噁唑基，任選進一步被選自鹵素、羥基、氰基、C<sub>1-3</sub>烷基、C<sub>1-3</sub>烷氧基中的一個或多個取代基所取代；R<sub>bb</sub>選自氫、C<sub>1-3</sub>烷基、C<sub>1-3</sub>氟代烷基或C<sub>1-3</sub>烷氧基；或者，R<sub>aa</sub>和R<sub>bb</sub>與相鄰的氮原子形成氮雜環丁基、吡咯烷基或哌啶基，任選進一步被選自鹵素、羥基、C<sub>1-3</sub>烷基、C<sub>1-3</sub>鹵烷基、C<sub>1-3</sub>烷氧基中的一個或多個取代基所取代。
如請求項1或2所述的化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽，其中，<img align="absmiddle" height="57px" width="57px" file="d10209.TIF" alt="其他非圖式ed10209.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10209.png"/>選自如下基團：<img align="absmiddle" height="58px" width="74px" file="d10210.TIF" alt="其他非圖式ed10210.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10210.png"/>、<img align="absmiddle" height="61px" width="95px" file="d10211.TIF" alt="其他非圖式ed10211.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10211.png"/>、<img align="absmiddle" height="71px" width="79px" file="d10212.TIF" alt="其他非圖式ed10212.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10212.png"/>、<figure><img align="absmiddle" height="229px" width="662px" file="d10173.TIF" alt="化學式ed10173.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10173.png"/></figure>
如請求項1所述的化合物、其立體異構體或其藥學上可接受鹽，其中，該化合物進一步如通式(XII)所示：<figure><img align="absmiddle" height="119px" width="370px" file="d10174.TIF" alt="化學式ed10174.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10174.png"/></figure>其中：環B選自環丙基、氮雜環丁烷基、呋喃基或噁唑基；R<sub>2</sub>選自氫、氰基、鹵素、C<sub>1-3</sub>烷基、C<sub>1-3</sub>鹵烷基或C<sub>3-6</sub>環烷基；R<sub>4</sub>選自氫或甲基；R<sub>6</sub>選自氫或鹵素；R<sub>17</sub>選自氫、胺基、鹵素、胺基、羥基、氰基、C<sub>1-3</sub>烷基、C<sub>1-3</sub>鹵烷基或C<sub>1-3</sub>烷氧基；v為0、1或2。
如請求項5所述的化合物、其立體異構體或其藥學上可接受鹽，其中，R<sub>2</sub>選自氫或三氟甲基；R<sub>6</sub>選自氫或氟；R<sub>17</sub>選自氫、氟、氯、羥基、氰基、甲基或甲氧基。
如請求項1或2所述的化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽，其中，該化合物的具體結構如下：<figure><img align="absmiddle" height="627px" width="609px" file="d10175.TIF" alt="化學式ed10175.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10175.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="364px" width="617px" file="d10177.TIF" alt="化學式ed10177.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10177.png"/></figure>
一種製備如請求項2所述的通式(IX-B)所示的化合物或其立體異構體及其藥學上可接受鹽的方法，其特徵在於，包含以下步驟，<figure><img align="absmiddle" height="83px" width="532px" file="d10176.TIF" alt="化學式ed10176.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10176.png"/></figure>通式(IX-B3)脫保護得到通式(IX-B1)所示化合物或其立體異構體及其藥學上可接受鹽；通式(IX-B1)與通式(II-2)反應，得到通式(VIII)所示化合物或其立體異構體及其藥學上可接受鹽；通式(II-2)表示R<sub>5</sub>X、R<sub>5</sub>OH或R<sub>5</sub>NH<sub>2</sub>；X為鹵素；Pg為胺基保護基，選自烯丙氧羰基、三氟乙醯基、2,4-二甲氧基苄基、硝基苯磺醯基、三苯甲基、笏甲氧羰基、對甲苯磺醯基、甲酸酯、乙醯基、苄氧羰基、第三丁氧羰基、苄基或對甲氧苯基。
如請求項8所述的製備方法，其中，Pg為第三丁氧羰基。
一種醫藥組成物，其包括治療有效劑量的如請求項1至7中任一項所述的化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽以及一種或多種藥學上可接受的載體或賦形劑。
一種如請求項1至7中任一項所述的化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽或如請求項10所述的醫藥組成物在製備G蛋白耦聯受體調節劑藥物中的應用。
如請求項11所述的應用，其進一步在多巴胺D3受體調節劑和5-HT2A受體調節劑藥物中的應用。
一種如請求項1至7中任一項所述的化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽或如請求項10所述的醫藥組成物在製備治療或預防中樞神經系統疾病和/或精神疾病的藥物中的用途。
如請求項13所述的用途，其中，所述神經系統疾病和/或精神疾病選自睡眠障礙、思覺失調症譜系障礙、痙攣性障礙、記憶障礙和/或認知障礙、運動障礙、人格障礙、自閉症譜系障礙、外傷性腦損傷、物質濫用障礙和/或戒斷綜合症、耳鳴、抑鬱症、癲癇發作、神經痛或狂躁症疾病。
一種感光性組合物，其包含基材成分(A)及光聚合起始劑(B)，且 <br/>上述基材成分(A)包含樹脂(A1)及光聚合性單體(A2)中之至少一者， <br/>於上述基材成分(A)不含上述光聚合性單體(A2)之情形時，上述樹脂(A1)包含具有乙烯性不飽和雙鍵之光聚合性樹脂(A1-1)， <br/>於上述基材成分(A)含上述光聚合性單體(A2)之情形時，上述樹脂(A1)包含選自由Cardo樹脂、丙烯酸系樹脂及具有甲基丙烯酸基之甲基丙烯酸基改性聚矽氧樹脂所組成之群中之一者， <br/>上述光聚合起始劑(B)組合包含氧化膦化合物(B1)與肟酯化合物(B2)， <br/>上述氧化膦化合物(B1)為雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基氧化膦， <br/>上述肟酯化合物(B2)係為下述式OE1所表示之化合物、或者包含下述式OE1所表示之化合物及下述式OE2所表示之化合物之組合， <br/>上述肟酯化合物(B2)之質量W2相對於上述氧化膦化合物(B1)質量W1與上述肟酯化合物(B2)質量W2之合計的質量比率為35質量%以上， <br/><img align="absmiddle" height="214px" width="440px" file="ed10059.jpg" alt="ed10059.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之感光性組合物，其中上述基材成分(A)包含上述樹脂(A1)及上述光聚合性單體(A2)。
如請求項1之感光性組合物，其中上述基材成分(A)包含上述樹脂(A1)， <br/>上述樹脂(A1)具有鹼可溶性。
一種硬化物，其係如請求項1至3中任一項之感光性組合物之硬化物。
一種硬化物之製造方法，其包括以下步驟： <br/>使如請求項1至3中任一項之感光性組合物根據所要形成之硬化物之形狀來成形；及 <br/>對成形後之上述感光性組合物進行曝光。
一種用於操作一充電裝置之方法，其包括： <br/>使用該充電裝置之至少一個線圈透過至少一次被動回音(passive ping)來偵測接近該充電裝置之一表面之一物體； <br/>使用來自該至少一個線圈之一或多個主動回音(active ping)來回音檢查(pinging)該所偵測之物體； <br/>判定是否使用該至少一個線圈自該物體接收到回應於來自該至少一個線圈之該一或多個主動回音之一回音回應；及 <br/>在來自該至少一個線圈連續(successively)發出之主動回音之一計數超過一預定數目之後該至少一個線圈中沒有接收到回音回應時，封鎖使用來自該至少一個線圈之主動回音來回音檢查該所偵測之物體， <br/>其中當使用主動回音來回音檢查該所偵測之物體被封鎖時，使用該至少一個線圈發射一或多個類比回音(analog ping)， <br/>其中當使用主動回音來回音檢查該所偵測之物體被封鎖時，不透過該至少一個線圈發射主動回音。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>在封鎖使用主動回音來回音檢查該所偵測之物體之後，透過被動回音來週期性地偵測該物體是否接近該充電裝置之該表面；及 <br/>當透過被動回音來週期性地偵測該物體是否接近該充電裝置之該表面而不再偵測到該物體時，重設連續發出之主動回音之該計數。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>在使用該充電裝置之至少一個線圈透過至少一次被動回音偵測接近該充電裝置之該表面之該物體之移動(movement)之後，重設連續發出之主動回音之該計數。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>當回應於來自該至少一個線圈之該一或多個被動回音而沒有偵測到物體時，重設連續發出之主動回音之該計數。
如請求項1之方法，其中該物體包括一接收器裝置，該接收器裝置包含至少一個接收線圈部分，其可操作以回應於主動回音，及至少一個部分，其可用被動回音偵測且不回應(unresponsive)於該等主動回音。
一種充電裝置，其包括： <br/>一充電電路；及 <br/>一控制器，其耦合至該充電電路，該控制器經組態以： <br/>使用該充電裝置之至少一個線圈透過至少一次被動回音來偵測接近該充電裝置之一表面之一物體； <br/>使用來自該至少一個線圈之一或多個主動回音來回音檢查該所偵測之物體； <br/>判定是否使用該至少一個線圈自該物體接收到回應於來自該至少一個線圈之該一或多個主動回音之一回音回應；且 <br/>在來自該至少一個線圈連續發出之主動回音之一計數超過一預定數目之後該至少一個線圈中沒有接收到回音回應時，封鎖使用來自該至少一個線圈之主動回音來回音檢查該所偵測之物體， <br/>其中當使用主動回音來回音檢查該所偵測之物體被封鎖時，使用該至少一個線圈發射一或多個類比回音， <br/>其中當使用主動回音來回音檢查該所偵測之物體被封鎖時，不透過該至少一個線圈發射主動回音。
如請求項6之充電裝置，其中該控制器經組態以： <br/>在封鎖使用主動回音來回音檢查該所偵測之物體之後，透過被動回音來週期性地偵測該物體是否接近該充電裝置之該表面；且 <br/>當透過被動回音來週期性地偵測該物體是否接近該充電裝置之該表面而不再偵測到該物體時，重設連續發出之主動回音之該計數。
如請求項6之充電裝置，其中該控制器經組態以： <br/>在使用該充電裝置之至少一個線圈透過至少一次被動回音偵測接近該充電裝置之該表面之該物體之移動之後，重設連續發出之主動回音之該計數。
如請求項6之充電裝置，其中該控制器經組態以當回應於來自該至少一個線圈之該一或多個被動回音而沒有偵測到物體時，重設連續發出之主動回音之該計數。
如請求項6之充電裝置，其中該物體包括一接收器裝置，該接收器裝置包含至少一個接收線圈部分，其可操作以回應於主動回音，及至少一個部分，其可用被動回音偵測且不回應於該等主動回音。
一種包括碼(code)之處理器可讀儲存媒體，該碼在由一處理器執行時使一或多個處理器執行： <br/>使用一充電裝置之至少一個線圈透過至少一次被動回音來偵測接近該充電裝置之一表面之一物體； <br/>使用來自該至少一個線圈之一或多個主動回音來回音檢查該所偵測之物體； <br/>判定是否使用該至少一個線圈自該物體接收到回應於來自該至少一個線圈之該一或多個主動回音之一回音回應；且 <br/>在來自該至少一個線圈連續發出之主動回音之一計數超過一預定數目之後該至少一個線圈中沒有接收到回音回應時，封鎖使用來自該至少一個線圈之主動回音來回音檢查該所偵測之物體， <br/>其中當使用主動回音來回音檢查該所偵測之物體被封鎖時，使用該至少一個線圈發射一或多個類比回音， <br/>其中當使用主動回音來回音檢查該所偵測之物體被封鎖時，不透過該至少一個線圈發射主動回音。
如請求項11之處理器可讀儲存媒體，其進一步包括碼以使該一或多個處理器執行： <br/>在封鎖使用主動回音來回音檢查該所偵測之物體之後，透過被動回音來週期性地偵測該物體是否接近該充電裝置之該表面；且 <br/>當透過被動回音來週期性地偵測該物體是否接近該充電裝置之該表面而不再偵測到該物體時，重設連續發出之主動回音之該計數。
如請求項11之處理器可讀儲存媒體，其進一步包括碼以使該一或多個處理器執行： <br/>在使用該充電裝置之至少一個線圈透過至少一次被動回音偵測接近該充電裝置之該表面之該物體之移動之後，重設連續發出之主動回音之該計數。
如請求項11之處理器可讀儲存媒體，其進一步包括碼以使該一或多個處理器執行： <br/>當回應於來自該至少一個線圈之該一或多個被動回音而沒有偵測到物體時，重設連續發出之主動回音之該計數。
如請求項11之處理器可讀儲存媒體，其中該物體包括一接收器裝置，該接收器裝置包含至少一個接收線圈部分，其可操作以回應於主動回音，及至少一個部分，其可用被動回音偵測且不回應於該等主動回音。
一種組成物的用途，其是應用於散熱材料，<br/> 前述組成物含有由下述式（1）表示之化合物，<br/> [化學式1]<br/><img align="absmiddle" height="47px" width="104px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式（1）中，R<sup>11</sup>及R<sup>12</sup>分別獨立地表示氫原子或甲基，R<sup>13</sup>表示具有聚氧化烯鏈之2價的基，<br/> 前述聚氧化烯鏈中的氧伸烷基的數量為100以上。
如請求項1所述之組成物的用途，其中<br/> 前述聚氧化烯鏈含有氧伸乙基。
如請求項1所述之組成物的用途，其中<br/> 前述聚氧化烯鏈含有氧伸丙基。
如請求項1所述之組成物的用途，其中<br/> 前述聚氧化烯鏈為含有氧伸乙基及氧伸丙基之共聚合鏈。
如請求項4所述之組成物的用途，其中<br/> 前述共聚合鏈為無規共聚合鏈。
如請求項1至請求項5之任一項所述之組成物的用途，其中<br/> 前述由式（1）表示之化合物的重量平均分子量為5000以上。
如請求項1至請求項5之任一項所述之組成物的用途，其中<br/> 前述由式（1）表示之化合物的25℃時的黏度為200Pa·s以下。
一種用於在一風力機塔區段(100)中安裝一或多個電纜(60)之方法，該方法包含下列步驟：<br/> 在一實質上水平定向上設置該風力機塔區段(100)，<br/> 在該風力機塔區段(100)內部，將一滑索(20)安裝在該風力機塔區段(100)之一第一端(120)與一第二端(130)之間，<br/> 在該風力機塔區段(100)之該第一端(120)附近之一位置處，將該等電纜(60)之一第二端耦接至該滑索(20)，<br/> 沿著該滑索(20)抽拉該等電纜(60)之該第二端穿過該風力機塔區段(100)，<br/> 自該滑索(20)去耦該等電纜(60)之該第二端，<br/> 在鄰近該風力機塔區段(100)之該第一端(120)之一位置處，將該等電纜(60)之一第一端錨定至該風力機塔區段(100)，<br/> 在鄰近該風力機塔區段(100)之該第二端(130)之一位置處，將該等電纜(60)之該第二端錨定至該風力機塔區段(100)，以及<br/> 自該風力機塔區段(100)移除該滑索(20)。
如請求項1所述之方法，進一步包含以下一步驟：在該等電纜(60)之該第二端穿過該風力機塔區段(100)之該抽拉步驟後，在該等電纜(60)之該第一端與該第二端之間的一或多個位置處將該等電纜(60)錨定至該風力機塔區段(100)之一內部。
如請求項1或2所述之方法，其中將該等電纜(60)之該第一端及/或該第二端錨定至該風力機塔區段(100)之步驟包含將該電纜(60)之該第一端及/或該第二端中之各別一端固定連接至設置於該風力機塔區段(100)中之一纜線端連接器。
如請求項1或2所述之方法，其中該等電纜(60)之該第二端錨定於在該風力機塔區段(100)之一外壁之一內表面附近的一徑向位置處，且其中該等電纜(60)之該第一端錨定於在該風力機塔區段(100)之一中心附近的一徑向位置處。
如請求項1或2所述之方法，進一步包含以下一步驟：將多個纜線導管(80、84)安裝於該風力機塔區段(100)內部以用於當經抽拉穿過該風力機塔區段(100)時導引該等電纜(60)。
如請求項5所述之方法，其中該纜線導管(80)經組配以將該等電纜(60)自一更中心徑向位置朝向在該風力機塔區段(100)之一外壁之一內表面附近的一較低且徑向更向外位置導引，該纜線導管(80)包含：一上擺區段(82)，其經組配以使該等電纜(60)更靠近該滑索(20)；及一下擺區段，其經組配以將該等電纜(60)引向在該風力機塔區段(100)之該外壁之該內表面附近的該較低且徑向更向外位置。
如請求項5所述之方法，進一步包含以下一步驟：在抽拉該等電纜(60)穿過該風力機塔區段(100)後，自該風力機塔區段(100)移除該等纜線導管(80、84)。
如請求項1或2所述之方法，進一步包含創造該等電纜(60)之一束之一步驟，且其中藉由將該束之一第二端耦接至該滑索(20)來實現該等電纜(60)之該第二端至該滑索(20)之該耦接。
如請求項1或2所述之方法，進一步包含以下一步驟：鄰近該風力機塔區段(100)之該第一端將多個纜線導管(31)設置於該風力機塔區段(100)外，以用於當被抽拉穿過該風力機塔區段(100)時導引該等電纜(60)。
如請求項1或2所述之方法，進一步包含在該等電纜(60)之該第一端與該第二端之間的一或多個位置處將該等電纜(60)耦接至該滑索(20)，同時抽拉該等電纜(60)之該第二端穿過該風力機塔區段(100)。
如請求項1或2所述之方法，其中該等電纜(60)至滑索(20)之該耦接係經由一滑輪系統(24)建立。
如請求項1或2所述之方法，其中該一或多個電纜(60)包括以下中之至少一者：<br/> 一DC電力生產纜線(60)，<br/> 一內部電源供應器纜線，以及<br/> 一通訊纜線。
一種用於經由一風力機塔區段(100)之至少一部分輸送一或多個風力機組件(60)之方法，該方法包含下列步驟：<br/> 在一實質上水平定向上設置該風力機塔區段(100)，<br/> 在該風力機塔區段(100)內部，將一滑索(20)安裝在該風力機塔區段(100)之一第一端(120)與一第二端(130)之間，<br/> 在該風力機塔區段(100)之該第一端(120)或該第二端(130)附近之一位置處，將該一或多個風力機組件(60)耦接至該滑索(20)，<br/> 沿著該滑索(20)抽拉該一或多個風力機組件(60)穿過該風力機塔區段(100)之至少一部分，<br/> 自該滑索(20)去耦該一或多個風力機組件(60)，以及<br/> 自該風力機塔區段(100)移除該滑索(20)。
一種風力機塔區段(100、101、102)，其使用請求項1至13中任一項所述之方法生產。
一種風力機塔(14)，其包含如請求項14所述之至少一個風力機塔區段。
一種風力機(10)，其包含如請求項15所述之一風力機塔。
一種用以將3D場景在資料流中編碼之方法，該方法包括：- 從用於3D場景彩現獲得之第一多視角加深度(MVD)內容中產生一組第一修補，一修補係該MVD內容之其中一個視圖之一部分；- 從為了提供資料以用於3D場景彩現之預處理或後處理用途而獲得之第二MVD內容中產生一組第二修補；- 產生包括該第一修補與該第二修補之圖集，圖集係根據圖集布局以緊縮修補之影像，及該圖集係與元資料相關聯，用於該圖集中每一修補，該元資料指示是否該修補係第一修補或第二修補；及- 將該圖集編碼在該資料流中。
如申請專利範圍第1項之方法，其中以比第一MVD之解析度低之解析度獲得第二MVD。
如申請專利範圍第1或2項之方法，其中在藉由移除一MVD之視圖間之資訊冗餘得到之MVD中，一修補係其中一個視圖之一部分。
一種用以將3D場景從資料流中解碼之方法，該方法包括：- 將該資料流解碼以擷取一圖集及關聯之元資料，圖集係根據圖集布局以緊縮修補之影像，在從一3D場景區域獲得之MVD內容中，一修補係其中一個視圖之一部分，及用於該圖集中每一修補，該元資料包括指示是否該修補係第一修補或第二修補之資料；- 藉由使用元資料中指示為第一修補之修補，從3D場景內之一視點彩現一視埠影像；及- 使用在元資料中指示為第二修補之修補以進行該視埠影像之預處理及/或後處理。
如申請專利範圍第4項之方法，其中第二MVD具有一解析度比第一MVD之解析度低。
一種用以將3D場景在資料流中進行編碼之裝置，該裝置包括與一處理器關聯之記憶體，該處理器係配置用以：- 從用於3D場景彩現獲得之第一多視角加深度(MVD)內容中產生一組第一修補，在該MVD內容之視圖中，一修補係其中一個視圖之一部分；- 從為了提供資料以用於3D場景彩現之預處理或後處理用途而獲得之第二MVD內容中產生一組第二修補；- 產生包括該第一修補與該第二修補之圖集，圖集係根據圖集布局以緊縮修補之影像，及該圖集係與元資料相關聯，用於該圖集中每一修補，該元資料指示是否該修補係第一修補或第二修補；及- 將該圖集編碼在該資料流中。
如申請專利範圍第6項之裝置，其中以比第一MVD之解析度低之解析度獲得第二MVD。
如申請專利範圍第6或7項之裝置，其中在藉由移除一MVD之視圖間之資訊冗餘得到之MVD中，一修補係其中一個視圖之一部分。
一種用以將3D場景從資料流中解碼之裝置，該裝置包括一處理器，係配置用以：- 將該資料流解碼以擷取一圖集及關聯之元資料，圖集係根據圖集布局以緊縮修補之影像，在從一3D場景區域獲得之MVD內容中，一修補係其中一個視圖之一部分，及用於該圖集中每一修補，該元資料包括指示是否該修補係第一修補或第二修補之資料；- 藉由使用元資料中指示為第一修補之修補，從3D場景內之一視點彩現一視埠影像；及- 使用在元資料中指示為第二修補之修補以進行該視埠影像之預處理及/或後處理。
如申請專利範圍第4項之方法，其中第二MVD具有一解析度比第一MVD之解析度低。
一種代表3D場景之資料流，該資料流包括：- 一根據圖集布局以緊縮第一修補及第二修補之圖集影像，在用於3D場景彩現獲得之第一MVD內容中，第一修補係其中一個視圖之一部分，在為了提供資料以用於3D場景彩現之預處理或後處理而獲得之第二MVD內容中，第二修補係其中一個視圖之一部分，及- 與該圖集相關聯之元資料，用於圖集中每一修補，該元資料包括指示是否該修補係第一修補或第二修補之資料。
如申請專利範圍第11項之資料流，其中第二MVD具有一解析度比第一MVD之解析度低。
如申請專利範圍第4或5項之方法，其中3D場景彩現的預處理及/或後處理屬於以下處理群組之一，該群組至少包括下列之一：碰撞檢測，互動及場景重新照明。
如申請專利範圍第4或5項之方法，其中元資料指示該圖集中的第二修補之預處理及/或後處理。
一種半導體裝置的製造方法，包括如下步驟：沉積第一絕緣體；在該第一絕緣體上沉積氧化膜；進行第一加熱處理；在該氧化膜上依次沉積第一導電膜及第一絕緣膜；將該氧化膜、該第一導電膜及該第一絕緣膜加工為島狀，形成氧化物、導電層及絕緣層；在該第一絕緣體、該氧化物、該導電層及該絕緣層上沉積第二絕緣體；在該第二絕緣體上沉積第三絕緣體；在該導電層、該絕緣層、該第二絕緣體及該第三絕緣體中形成到達該氧化物的開口，從該導電層形成第一導電體及第二導電體，從該絕緣層形成第四絕緣體及第五絕緣體；進行第二加熱處理；在該第三絕緣體上及該開口上沉積第二絕緣膜；在該第二絕緣膜上沉積第三絕緣膜；穿過該第二絕緣體及該第三絕緣體，進行微波處理；在該第三絕緣膜上沉積第二導電膜；對該第二絕緣膜、該第三絕緣膜及該第二導電膜直到該第三絕緣體的頂面露出為止進行CMP處理，形成第六絕緣體、第七絕緣體及第三導電體；以及該第二絕緣膜利用PEALD法使用包含矽且不包含烴的第一氣體及氧化性氣體即第二氣體沉積；該微波處理，在含氧氛圍下，以10%以上30%以下的氧流量比(O<sub>2</sub>/(O<sub>2</sub>+Ar))進行。
一種半導體裝置的製造方法，包括如下步驟：沉積第一絕緣體；在該第一絕緣體上沉積氧化膜；進行第一加熱處理；在該氧化膜上依次沉積第一導電膜及第一絕緣膜；將該氧化膜、該第一導電膜及該第一絕緣膜加工為島狀，形成氧化物、導電層及絕緣層；在該第一絕緣體、該氧化物、該導電層及該絕緣層上沉積第二絕緣體；在該第二絕緣體上沉積第三絕緣體；在該導電層、該絕緣層、該第二絕緣體及該第三絕緣體中形成到達該氧化物的開口，從該導電層形成第一導電體及第二導電體，從該絕緣層形成第四絕緣體及第五絕緣體；進行第二加熱處理；在該第三絕緣體上及該開口上沉積第二絕緣膜；在該第二絕緣膜上沉積第三絕緣膜；進行微波處理；在該第三絕緣膜上沉積第二導電膜；對該第二絕緣膜、該第三絕緣膜及該第二導電膜直到該第三絕緣體的頂面露出為止進行CMP處理，形成第六絕緣體、第七絕緣體及第三導電體；以及該第二絕緣膜利用PEALD法使用包含矽且不包含烴的第一氣體及氧化性氣體即第二氣體沉積；其中該第二絕緣膜的沉積包括：將該第一氣體及該第二氣體導入反應室的第一步驟；停止該第一氣體的導入，對該反應室中殘留的該第一氣體進行吹掃的第二步驟；施加高頻電力來產生該第二氣體的電漿的第三步驟；以及停止該高頻電力的施加的第四步驟，以該第一步驟至該第四步驟作為1循環時，進行1循環至500循環。
如請求項1或2之半導體裝置的製造方法，其中該第一氣體包含SiH<sub>4</sub>、Si<sub>2</sub>H<sub>6</sub>、SiF<sub>4</sub>、SiCl<sub>4</sub>、SiBr<sub>4</sub>、SiH<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>和SiH<sub>2</sub>I<sub>2</sub>中的任一個或多個，並且該第二氣體包含O<sub>2</sub>、O<sub>3</sub>、N<sub>2</sub>O、NO<sub>2</sub>和H<sub>2</sub>O中的一個或多個。
如請求項1或2之半導體裝置的製造方法，其中該第一氣體包含SiH<sub>4</sub>，且該第二氣體包含N<sub>2</sub>O。
如請求項2之半導體裝置的製造方法，其中該第一步驟的該反應室的壓力為400Pa以上且1000Pa以下。
如請求項1或2之半導體裝置的製造方法，其中該第一加熱處理的溫度比該第二加熱處理的溫度高。
如請求項1或2之半導體裝置的製造方法，其中該微波處理，在60Pa以上的壓力下進行。
一種被覆氧化鋯微粒子，其係含有氧化鋯微粒子及被覆該微粒子之表面之被覆層者， <br/>被覆層包含選自Mg、Ca、Al及稀土類元素中之1種以上之金屬元素，且上述金屬元素至少含有Y， <br/>平均粒徑為3～50 nm，且 <br/>比表面積為20～500 m<sup>2</sup>/g。
如請求項1之被覆氧化鋯微粒子，其中被覆層含有包含選自Mg、Ca、Al及稀土類元素中之1種以上之金屬元素的化合物，且上述金屬元素至少含有Y。
如請求項1或2之被覆氧化鋯微粒子，其中被覆層含有從選自Mg、Ca、Al及稀土類元素中之1種以上之金屬元素之氫氧化物、上述金屬元素之碳酸鹽以及上述金屬元素之氧化物中選擇的1種以上之化合物，且上述金屬元素至少含有Y。
如請求項1或2之被覆氧化鋯微粒子，其中被覆層相對於氧化鋯微粒子之氧化鋯含有3～45 mol%之包含選自Mg、Ca、Al及稀土類元素中之1種以上之金屬元素的化合物，且上述金屬元素至少含有Y。
一種被覆氧化鋯微粒子之製造方法，其係使選自Mg、Ca、Al及稀土類元素中之1種以上之金屬元素之離子和與上述離子反應而生成水不溶性化合物之添加劑於含有氧化鋯微粒子之水分散液中進行反應，使包含上述金屬元素之化合物於氧化鋯微粒子之表面析出而獲得被覆氧化鋯微粒子，其中上述金屬元素至少含有Y， <br/>上述氧化鋯微粒子之平均粒徑為3～50 nm，且 <br/>上述氧化鋯微粒子之比表面積為20～500 m<sup>2</sup>/g。
如請求項5之被覆氧化鋯微粒子之製造方法，其中上述添加劑為鹼劑。
如請求項5或6之被覆氧化鋯微粒子之製造方法，其中獲得被覆氧化鋯微粒子後，自該被覆氧化鋯微粒子中去除上述添加劑。
如請求項5或6之被覆氧化鋯微粒子之製造方法，其中獲得被覆氧化鋯微粒子後，對該被覆氧化鋯微粒子進行水洗。
如請求項5或6之被覆氧化鋯微粒子之製造方法，其中於200℃以下的溫度下對所獲得之被覆氧化鋯粒子進行乾燥。
如請求項5或6之被覆氧化鋯微粒子之製造方法，其中將上述水分散液、包含上述金屬元素之化合物之水溶液及上述添加劑加以混合。
一種氧化鋯燒結體之製造方法，其具有如下步驟：利用如請求項5至10中任一項之方法製造被覆氧化鋯微粒子；及對所製得之被覆氧化鋯微粒子進行燒結。
一種被覆氧化鋯微粒子分散液之製造方法，其具有使如請求項1至4中任一項之被覆氧化鋯微粒子分散於分散介質中之步驟。
一種奈米複合材料之製造方法，其具有使如請求項1至4中任一項之被覆氧化鋯微粒子分散於分散介質中之步驟。
一種用於控制一浸入冷卻系統之操作之方法，該浸入冷卻系統包括一浸入冷卻箱，該浸入冷卻箱經調適以含納用於浸入冷卻含納於其中之一熱產生物件之一傳熱流體，該方法包括： <br/>在該物件保持在一操作狀態中之同時，對一定體積之該傳熱流體進行取樣； <br/>測量該經取樣傳熱流體體積之至少一個性質或參數； <br/>產生測量資料並將其傳輸至一控制單元； <br/>使用該控制單元來比較測量資料與各別臨限值資料；及 <br/>基於該比較而利用該控制單元控制該浸入冷卻系統之操作， <br/>其中該取樣包括將該經取樣體積之該傳熱流體自該浸入冷卻箱泵送至一樣本室中。
如請求項1之方法，其中該傳熱流體使用單相浸入冷卻或兩相浸入冷卻中之至少一者來冷卻該物件。
如請求項1之方法，其進一步包括：當測量資料超出臨限值資料時，藉由該控制單元來產生並傳輸該浸入冷卻箱中之該傳熱流體之不適合性之一信號。
如請求項1之方法，其進一步包括藉由該控制單元來產生並傳輸要補救該浸入冷卻系統之信號。
如請求項4之方法，其中該等信號啟動一乾燥風扇以補救該浸入冷卻箱中之過高濕度。
如請求項4之方法，其中當電阻率測量值低於各別臨限電阻率值時，該等信號啟動一泵以迫使該傳熱流體穿過一過濾部件，從而移除含納於該傳熱流體中之水、未經溶解雜質或經溶解雜質中之至少一者。
如請求項4之方法，其中該等信號關斷該浸入冷卻系統。
如請求項1之方法，其中該取樣係週期性地或連續地發生。
如請求項1之方法，其進一步包括在測量之前過濾該經取樣體積之該傳熱流體。
一種浸入冷卻系統，該浸入冷卻系統用於冷卻浸入於一浸入冷卻箱中之至少一個物件，該浸入冷卻箱經調適以含納一傳熱流體，該浸入冷卻系統包括： <br/>一取樣及測試系統，其進一步包括： <br/>至少一個樣本室，其被安置在接近該浸入冷卻箱中之該傳熱流體之一充氣室空間中；<br/>一泵，其用於經由至少一個導管將該傳熱流體之一樣本自該浸入冷卻箱輸送至該樣本室中；及<br/>一測試單元，其含納用於測量該經取樣傳熱流體之至少一個性質或參數且用於產生並用於傳輸含納測量資料之至少一個信號的至少一個感測裝置；及<br/>一控制單元，其經結構化並經配置以接收含納該測量資料之該信號且基於該信號而控制該浸入冷卻系統之操作， <br/>其中取樣及測試係在安置在該浸入冷卻系統中之該物件保持在一操作狀態中之同時發生。
如請求項10之浸入冷卻系統，其進一步包括一熱交換器，該熱交換器與該浸入冷卻箱流體連通以用於自該傳熱流體移除熱。
如請求項10之浸入冷卻系統，其進一步包括一冷凝裝置，該冷凝裝置用於冷凝在該充氣室空間中處於一蒸汽狀態之該傳熱流體。
如請求項10之浸入冷卻系統，其進一步包括一過濾部件，該過濾部件與該泵流體連通。
如請求項13之浸入冷卻系統，其中該過濾部件選自包括以下各項之群組：一碳過濾器、一離子交換聚合物過濾器、一陶瓷過濾器或其組合。
如請求項10之浸入冷卻系統，其進一步包括一乾燥風扇，該乾燥風扇被安置在該充氣室空間中。
如請求項10之浸入冷卻系統，其中該感測裝置選自包括以下各項之群組：一電阻率感測器、一相對電容率感測器、一溫度感測器或一含水量感測器。
如請求項10之浸入冷卻系統，其中該控制單元進一步經調適以執行措施來補救該浸入冷卻箱中之該傳熱流體。
如請求項17之浸入冷卻系統，其中該控制單元經調適以啟動一乾燥風扇來改良該充氣室空間中之一濕度。
如請求項17之浸入冷卻系統，其中該控制單元經調適以啟動該泵來迫使該傳熱流體穿過一過濾部件，從而自該傳熱流體移除水、未經溶解流體及經溶解流體中之至少一者。
一種偏光膜的製造方法，係由聚乙烯醇系樹脂膜製造偏光膜，該製造方法包含： <br/>以含有碘的染色處理液處理聚乙烯醇系樹脂膜的步驟； <br/>將溶氧量為2.0mg / L以下的水添加至含有交聯劑及碘化物鹽的溶液中，獲得第1交聯處理液的步驟；以及 <br/>將以上述染色處理液進行處理的步驟後之聚乙烯醇系樹脂膜浸漬於包含上述第1交聯處理液之交聯處理液中的步驟； <br/>上述水為純水。
如請求項1所述之偏光膜的製造方法，其中，上述純水為離子交換水、蒸餾水或逆滲透膜水。
如請求項1所述之偏光膜的製造方法，其中，上述水為經進行脫氧處理之脫氧水。
如請求項3所述之偏光膜的製造方法，其中，上述脫氧處理係選自由膜脫氣處理、減壓處理、使用惰性氣體的鼓泡處理、熱處理以及添加脫氧劑的處理所組成的群組中之一種以上。
如請求項3或4所述之偏光膜的製造方法，其中，上述脫氧處理至少包含膜脫氣處理。
如請求項1至4中任一項所述之偏光膜的製造方法，其中，在獲得上述第1交聯處理液的步驟中添加的上述水的溫度為5℃以上70℃以下。
如請求項1至4中任一項所述之偏光膜的製造方法，其中，上述浸漬之步驟為將以上述染色處理液進行處理的步驟後之聚乙烯醇系樹脂膜浸漬於容納上述交聯處理液的交聯槽中的步驟；上述獲得第1交聯處理液的步驟係於位在上述交聯槽之外部的外部槽進行。
如請求項7所述之偏光膜的製造方法，其中，含有上述交聯劑及碘化物鹽的溶液為自上述交聯槽內的上述交聯處理液中抽取出的至少一部分的交聯處理液， <br/>該製造方法更包含： <br/>將上述抽取出的至少一部分的交聯處理液供給至上述外部槽中的步驟；以及 <br/>將上述第1交聯處理液自上述外部槽供給至上述交聯槽中的步驟。
一種偏光膜的製造裝置，係使用聚乙烯醇系樹脂膜製造偏光膜，該製造裝置係包含： <br/>以含有碘的染色處理液處理上述聚乙烯醇系樹脂膜之染色處理部； <br/>將溶氧量為2.0mg/L以下的水添加至含有交聯劑及碘化物鹽的溶液中，獲得第1交聯處理液之第1交聯處理液調製部；以及 <br/>將在上述染色處理部中處理過的聚乙烯醇系樹脂膜浸漬於包含上述第1交聯處理液之交聯處理液中的交聯槽； <br/>上述水為純水。
如請求項9所述之偏光膜的製造裝置，更包含進行用以獲得上述水的脫氧處理之脫氧部。
如請求項9或10所述之偏光膜的製造裝置，更包含調整上述水的溫度之溫度調整部。
如請求項9或10所述之偏光膜的製造裝置，其中，上述第1交聯處理液調製部係設置於上述交聯槽的外部。
如請求項9或10所述之偏光膜的製造裝置，其中，含有上述交聯劑及碘化物鹽之溶液為自上述交聯槽內的交聯處理液中抽取出至少一部分的交聯處理液， <br/>該製造裝置更包含： <br/>將上述抽取出的至少一部分的交聯處理液供給至上述第1交聯處理液調製部之第1供給部；以及 <br/>將上述第1交聯處理液自上述第1交聯處理液調製部供給至上述交聯槽之第2供給部。
一種用於顯示螢幕下指紋感測的準直器，包括： <br/>一基板，具有相對的第一側和第二側； <br/>一微透鏡陣列，設置在該第一側上，用於將來自一指紋表面的光聚焦到位於該微透鏡陣列和該基板的該第二側之間的一焦點平面上，使得由該微透鏡陣列投射的該光在從該基板的該第二側射出時發散； <br/>一孔陣列，在該微透鏡陣列和該基板之間，每個孔與該微透鏡陣列中對應的一個微透鏡對準並配合以形成一視場受限透鏡，該視場受限透鏡具有與該指紋表面的各局部部分相對應的視場； <br/>其中該孔陣列包含由不透明材料的單層錐形孔陣列所形成之錐形孔陣列；以及 <br/>其中靠近該第一側的孔配合相應的微透鏡建立該視場受限透鏡的主視場，並且靠近該微透鏡陣列的孔配合上述相應的微透鏡建立該視場受限透鏡的數值孔徑。
如請求項1所述用於顯示螢幕下指紋感測的準直器，其中上述第一側和上述第二側之間的上述基板的厚度至少為50微米。
如請求項2所述用於顯示螢幕下指紋感測的準直器，其中上述厚度不大於300微米。
如請求項2所述用於顯示螢幕下指紋感測的準直器，每個該微透鏡的焦距處於15微米和90微米之間。
如請求項1所述用於顯示螢幕下指紋感測的準直器，相對於上述視場受限透鏡的一光軸，上述視場的跨度至少從-1.0度到+1.0度，且相對於該視場受限透鏡的該光軸，該視場的跨度不超過-5度到+5度。
如請求項1所述用於顯示螢幕下指紋感測的準直器，上述微透鏡陣列的間距處於10微米和35微米之間。
如請求項1所述用於顯示螢幕下指紋感測的準直器，上述基板至少能透射具有430奈米和580奈米之間的波長的光，上述準直器還包括用於阻擋至少在近紅外光譜帶中的紅外光的波長濾光片。
一種光學指紋成像器，包括： <br/>請求項1之準直器；以及 <br/>一影像感測器，設置在該基板的該第二側上並且包括一光敏像素陣列，該光敏像素陣列用於捕獲從該基板的該第二側射出的該光的影像； <br/>其中該光敏像素陣列的間距與該微透鏡陣列的間距不同； <br/>其中該光敏像素陣列的間距不大於該微透鏡陣列中的每個微透鏡投射到該影像感測器上的該光之光斑尺寸。
根據請求項8所述的光學指紋成像器，上述影像感測器具有面向該準直器並包括電連接焊墊的光接收表面，該光接收表面的表面積超過該準直器在該影像感測器上的覆蓋區，該電連接焊墊處於該覆蓋區之外。
如請求項8所述的光學指紋成像器，還包括將上述準直器接合到光接收表面的黏合劑。
如請求項8所述的光學指紋成像器，上述光敏像素陣列相對於上述微透鏡陣列旋轉傾斜旋轉角度。
一種用於製造光學指紋成像器的方法，包括： <br/>在一公共基板上形成多個準直器以產生一準直器片狀材料，以及切割該準直器片狀材料以從該準直器片狀材料分離該準直器； <br/>將一分離的該準直器接合到一影像感測器的一光接收表面，使得該準直器在該影像感測器上的一覆蓋區在該影像感測器的光敏像素陣列的至少一部分上方，該準直器包括一透鏡陣列，每個該透鏡被配置為收集來自一指紋表面的各局部部分的光並將該光投射到該影像感測器； <br/>在上述形成多個準直器步驟中： <br/>在上述接合步驟之後，在上述公共基板的背離上述影像感測器的第一側上沉積形成錐形孔陣列，該錐形孔陣列由不透明材料的單層錐形孔陣列所形成，以及 <br/>在上述沉積形成錐形孔陣列的步驟之後，在該第一側的該錐形孔陣列上方沉積一微透鏡層，該微透鏡層包括位於該錐形孔陣列上方的多個微透鏡陣列；以及 <br/>在上述接合步驟中，將上述準直器接合到該影像感測器的該光接收表面，其中該準直器的第一側背離該圖像感測器。
如請求項12所述的方法，上述形成步驟還包括：在上述公共基板的上述第一側或一第二側上沉積用於阻擋至少在近紅外光譜帶中的紅外光的波長濾光片。
如請求項12所述的方法，上述準直器包括用於阻擋至少在近紅外光譜帶中的紅外光的波長濾光片。
如請求項12所述的方法，上述接合步驟包括：將上述準直器接合到上述影像感測器，使得上述透鏡陣列相對於上述光敏像素陣列呈傾斜角度。
一種用於在輔助用戶設備（UE）處執行無線通信的方法，包括： <br/>在該輔助UE與目標UE之間的側鏈路上從該目標UE接收執行定位程序的請求，其中該輔助UE和該目標UE兩者都在網路覆蓋之外； <br/>至少基於該請求來決定在其上傳送用於該定位程序的一個或多個定位參考信號的時間資源集、頻率資源集、或兩者，其中該時間資源集、該頻率資源集、或兩者係基於一個或多個參數的確定性函數來決定的；以及 <br/>經由該時間資源集、該頻率資源集、或兩者來向該目標UE傳送該一個或多個定位參考信號。
如請求項1所述的方法，進一步包括： <br/>經由該側鏈路來向該目標UE傳送該時間資源集、該頻率資源集、或兩者的指示。
如請求項2所述的方法，進一步包括： <br/>在該時間資源集、該頻率資源集、或兩者的該指示被傳送至該目標UE之前，導出相對於時間資源、頻率資源、或兩者的該一個或多個參數，該時間資源集、該頻率資源集、或兩者的該指示在該時間資源、該頻率資源、或兩者上被傳送至該目標UE。
如請求項3所述的方法，進一步包括： <br/>在第一側鏈路控制資訊（SCI-1）訊息、第二側鏈路控制資訊（SCI-2）訊息、或兩者中向該目標UE傳送該時間資源集、該頻率資源集、或兩者的該指示。
如請求項1所述的方法，進一步包括： <br/>相對於執行該定位程序的該請求在其上被接收的時間資源、頻率資源、或兩者來導出該一個或多個參數。
如請求項1所述的方法，進一步包括： <br/>基於該一個或多個參數來決定該時間資源集、該頻率資源集、或兩者的時域資源。
如請求項1所述的方法，其中該一個或多個參數中之一者包括執行該定位程序的該請求在其上被接收到的實體側鏈路控制信道（PSCCH）或實體側鏈路共享信道（PSSCH）的子信道。
如請求項1所述的方法，其中該一個或多個參數中之一者包括該目標UE的來源識別符。
如請求項1所述的方法，其中該一個或多個參數中之一者包括執行該定位程序的該請求在其上被接收到的PSCCH的目的地識別符。
如請求項9所述的方法，其中該目的地識別符與單播、群播或廣播相關聯。
如請求項1所述的方法，其中該一個或多個參數中之一者包括虛擬隨機變數或加擾種子。
如請求項11所述的方法，其中該虛擬隨機變數或該加擾種子是由該輔助UE的較高層配置的。
如請求項1所述的方法，其中該一個或多個參數中之該一者的選擇是由該輔助UE的較高層配置的。
如請求項1所述的方法，其中執行該定位程序的該請求包括專用於信令該時間資源集、該頻率資源集、或兩者的頻域資源的一個或多個頻域分配字段。
如請求項14所述的方法，其中執行該定位程序的該請求是經由在SCI-2訊息中的該側鏈路接收。
如請求項1所述的方法，其中與執行該定位程序的該請求相關聯的側鏈路控制資訊（SCI）信道的頻域分配字段僅被用來排程用於該一個或多個定位參考信號的該時間資源集、該頻率資源集、或兩者的頻域資源。
如請求項1所述的方法，其中： <br/>與執行該定位程序的該請求相關聯的SCI信道的第一頻域分配字段集被用來排程資料，並且 <br/>與執行該定位程序的該請求相關聯的該SCI信道的第二頻域分配字段集被用來排程用於該一個或多個定位參考信號的該時間資源集、該頻率資源集、或兩者的頻域資源。
如請求項17所述的方法，其中該第二頻域分配字段集以相對於由該第一頻域分配字段集排程該資料的差分方式提供用於該一個或多個定位參考信號的排程。
如請求項1所述的方法，其中執行該定位程序的該請求是在該側鏈路的實體側鏈路控制信道（PSCCH）、實體側鏈路共享信道（PSSCH）、或兩者上被接收。
如請求項1所述的方法，其中該定位程序包括往返時間（RTT）定位程序。
一種用於在目標用戶設備（UE）處執行無線通信的方法，包括： <br/>在至少一個輔助UE與該目標UE之間的側鏈路上向該至少一個輔助UE傳送執行定位程序的請求，其中該目標UE和該至少一個輔助UE兩者都在網路覆蓋之外； <br/>至少基於該請求來決定在其上從該至少一個輔助UE傳送用於該定位程序的一個或多個定位參考信號的時間資源集、頻率資源集、或兩者，其中該時間資源集、該頻率資源集、或兩者係基於一個或多個參數的確定性函數來決定的；以及 <br/>經由該時間資源集、該頻率資源集、或兩者來向該至少一個輔助UE傳送該一個或多個定位參考信號。
如請求項21所述的方法，進一步包括： <br/>經由該側鏈路來向該至少一個輔助UE傳送該時間資源集、該頻率資源集、或兩者的指示。
如請求項22所述的方法，進一步包括： <br/>在該時間資源集、該頻率資源集、或兩者的該指示被傳送至該至少一個輔助UE之前，導出相對於時間資源、頻率資源、或兩者的該一個或多個參數，該時間資源集、該頻率資源集、或兩者的該指示在該時間資源、該頻率資源、或兩者上被傳送至該至少一個輔助UE。
如請求項23所述的方法，進一步包括： <br/>在第一側鏈路控制資訊（SCI-1）訊息、第二側鏈路控制資訊（SCI-2）訊息、或兩者中向該至少一個輔助UE傳送該時間資源集、該頻率資源集、或兩者的該指示。
如請求項21所述的方法，進一步包括： <br/>相對於執行該定位程序的該請求在其上被傳送的時間資源、頻率資源、或兩者來導出該一個或多個參數。
如請求項21所述的方法，進一步包括： <br/>基於該一個或多個參數來決定該時間資源集、該頻率資源集、或兩者的時域資源。
如請求項21所述的方法，其中該一個或多個參數中之一者包括執行該定位程序的該請求在其上被傳送的PSCCH或PSSCH的子信道。
如請求項21所述的方法，其中該一個或多個參數中之一者包括該目標UE的來源識別符。
如請求項21所述的方法，其中該一個或多個參數中之一者包括執行該定位程序的該請求在其上被傳送的PSCCH的目的地識別符。
如請求項29所述的方法，其中該目的地識別符與單播、群播或廣播相關聯。
如請求項21所述的方法，其中該一個或多個參數中之一者包括虛擬隨機變數或加擾種子。
如請求項31所述的方法，其中該虛擬隨機變數或該加擾種子是由該目標UE的較高層配置的。
如請求項21所述的方法，其中該一個或多個參數中之該一者的選擇是由該目標UE的較高層配置的。
如請求項21所述的方法，其中執行該定位程序的該請求包括專用於信令該時間資源集、頻率資源集、或兩者的頻域資源的一個或多個頻域分配字段。
如請求項34所述的方法，其中執行該定位程序的該請求是在SCI-2訊息中經由該側鏈路傳送。
如請求項21所述的方法，其中與執行該定位程序的該請求相關聯的側鏈路控制資訊（SCI）信道的頻域分配字段僅被用來排程用於該一個或多個定位參考信號的該時間資源集、頻率資源集、或兩者的頻域資源。
如請求項21所述的方法，其中： <br/>與執行該定位程序的該請求相關聯的SCI信道的第一頻域分配字段集被用來排程資料，並且 <br/>與執行該定位程序的該請求相關聯的該SCI信道的第二頻域分配字段集被用來排程用於該一個或多個定位參考信號的該時間資源集、頻率資源集、或兩者的頻域資源。
如請求項37所述的方法，其中該第二頻域分配字段集以相對於由該第一頻域分配字段集排程該資料的差分方式提供用於該一個或多個定位參考信號的排程。
如請求項21所述的方法，進一步包括： <br/>在該側鏈路的實體側鏈路控制信道（PSCCH）、實體側鏈路共享信道（PSSCH）、或兩者上傳送執行該定位程序的該請求。
如請求項21所述的方法，其中該定位程序包括往返時間（RTT）定位程序。
一種輔助用戶設備（UE），包括： <br/>記憶體； <br/>至少一個收發機；以及 <br/>通信地耦接至該記憶體和該至少一個收發機的至少一個處理器，該至少一個處理器被配置成： <br/>在該輔助UE與目標UE之間的側鏈路上從該目標UE接收執行定位程序的請求，其中該輔助UE和該目標UE兩者都在網路覆蓋之外； <br/>至少基於該請求來決定在其上傳送用於該定位程序的一個或多個定位參考信號的時間資源集、頻率資源集、或兩者，其中該時間資源集、該頻率資源集、或兩者係基於一個或多個參數的確定性函數來決定的；以及 <br/>使該至少一個收發機經由該時間資源集、該頻率資源集、或兩者來向該目標UE傳送該一個或多個定位參考信號。
如請求項41所述的輔助UE，其中該至少一個處理器被進一步配置成： <br/>使該至少一個收發機經由該側鏈路來向該目標UE傳送該時間資源集、該頻率資源集、或兩者的指示。
如請求項42所述的輔助UE，其中該至少一個處理器被進一步配置成： <br/>在該時間資源集、該頻率資源集、或兩者的該指示被傳送至該目標UE之前，導出相對於時間資源、頻率資源、或兩者的該一個或多個參數，該時間資源集、該頻率資源集、或兩者的該指示在該時間資源、該頻率資源、或兩者上被傳送至該目標UE。
如請求項43所述的輔助UE，其中該至少一個處理器被進一步配置成： <br/>使該至少一個收發機在第一側鏈路控制資訊（SCI-1）訊息、第二側鏈路控制資訊（SCI-2）訊息、或兩者中向該目標UE傳送該時間資源集、該頻率資源集、或兩者的該指示。
如請求項41所述的輔助UE，其中該至少一個處理器被進一步配置成： <br/>導出相對於時間資源、頻率資源、或兩者的該一個或多個參數，執行該定位程序的該請求在該時間資源、該頻率資源、或兩者上被接收。
如請求項41所述的輔助UE，其中該至少一個處理器被進一步配置成： <br/>基於該一個或多個參數來決定該時間資源集、該頻率資源集、或兩者的時域資源。
如請求項41所述的輔助UE，其中該一個或多個參數中之一者包括執行該定位程序的該請求在其上被接收到的PSCCH或PSSCH的子信道。
如請求項41所述的輔助UE，其中該一個或多個參數中之一者包括該目標UE的來源識別符。
如請求項41所述的輔助UE，其中該一個或多個參數中之一者包括執行該定位程序的該請求在其上被接收到的PSCCH的目的地識別符。
如請求項49所述的輔助UE，其中該目的地識別符與單播、群播或廣播相關聯。
如請求項41所述的輔助UE，其中該一個或多個參數中之一者包括虛擬隨機變數或加擾種子。
如請求項51所述的輔助UE，其中該虛擬隨機變數或該加擾種子是由該輔助UE的較高層配置的。
如請求項41所述的輔助UE，其中該一個或多個參數中之該一者的選擇是由該輔助UE的較高層配置的。
如請求項41所述的輔助UE，其中執行該定位程序的該請求包括專用於信令該時間資源集、該頻率資源集、或兩者的頻域資源的一個或多個頻域分配字段。
如請求項54所述的輔助UE，其中執行該定位程序的該請求是經由在SCI-2訊息中的該側鏈路接收。
如請求項41所述的輔助UE，其中與執行該定位程序的該請求相關聯的側鏈路控制資訊（SCI）信道的頻域分配字段僅被用來排程用於該一個或多個定位參考信號的該時間資源集、該頻率資源集、或兩者的頻域資源。
如請求項41所述的輔助UE，其中： <br/>與執行該定位程序的該請求相關聯的SCI信道的第一頻域分配字段集被用來排程資料，並且 <br/>與執行該定位程序的該請求相關聯的該SCI信道的第二頻域分配字段集被用來排程用於該一個或多個定位參考信號的該時間資源集、該頻率資源集、或兩者的頻域資源。
如請求項57所述的輔助UE，其中該第二頻域分配字段集以相對於由該第一頻域分配字段集排程該資料的差分方式提供用於該一個或多個定位參考信號的排程。
如請求項41所述的輔助UE，其中執行該定位程序的該請求是在該側鏈路的實體側鏈路控制信道（PSCCH）、實體側鏈路共享信道（PSSCH）、或兩者上接收的。
如請求項41所述的輔助UE，其中該定位程序包括往返時間（RTT）定位程序。
一種目標用戶設備（UE），包括： <br/>記憶體； <br/>至少一個收發機；以及 <br/>通信地耦接至該記憶體和該至少一個收發機的至少一個處理器，該至少一個處理器被配置成： <br/>使該至少一個收發機在至少一個輔助UE與該目標UE之間的側鏈路上向該至少一個輔助UE傳送執行定位程序的請求，其中該目標UE和該至少一個輔助UE兩者都在網路覆蓋之外； <br/>至少基於該請求來決定在其上從該至少一個輔助UE傳送用於該定位程序的一個或多個定位參考信號的時間資源集、頻率資源集、或兩者，其中該時間資源集、該頻率資源集、或兩者係基於一個或多個參數的確定性函數來決定的；以及 <br/>使該至少一個收發機經由該時間資源集、該頻率資源集、或兩者來向該至少一個輔助UE傳送該一個或多個定位參考信號。
如請求項61所述的目標UE，其中該至少一個處理器被進一步配置成： <br/>使該至少一個收發機經由該側鏈路來向該至少一個輔助UE傳送該時間資源集、該頻率資源集、或兩者的指示。
如請求項62所述的目標UE，其中該至少一個處理器被進一步配置成： <br/>在該時間資源集、該頻率資源集、或兩者的該指示被傳送至該至少一個輔助UE之前，導出相對於時間資源、頻率資源、或兩者的該一個或多個參數，該時間資源集、該頻率資源集、或兩者的該指示在該時間資源、該頻率資源、或兩者上被傳送至該至少一個輔助UE。
如請求項63所述的目標UE，其中該至少一個處理器被進一步配置成： <br/>使該至少一個收發機在第一側鏈路控制資訊（SCI-1）訊息、第二側鏈路控制資訊（SCI-2）訊息、或兩者中向該至少一個輔助UE傳送該時間資源集、該頻率資源集、或兩者的該指示。
如請求項61所述的目標UE，其中該至少一個處理器被進一步配置成： <br/>導出相對於時間資源、頻率資源、或兩者的該一個或多個參數，執行該定位程序的該請求在該時間資源、該頻率資源、或兩者上被傳送。
如請求項61所述的目標UE，其中該至少一個處理器被進一步配置成： <br/>基於該一個或多個參數來決定該時間資源集、該頻率資源集、或兩者的時域資源。
如請求項61所述的目標UE，其中該一個或多個參數中之一者包括執行該定位程序的該請求在其上被傳送的PSCCH或PSSCH的子信道。
如請求項61所述的目標UE，其中該一個或多個參數中之一者包括該目標UE的來源識別符。
如請求項61所述的目標UE，其中該一個或多個參數中之一者包括執行該定位程序的該請求在其上被傳送的PSCCH的目的地識別符。
如請求項69所述的目標UE，其中該目的地識別符與單播、群播或廣播相關聯。
如請求項61所述的目標UE，其中該一個或多個參數中之一者包括虛擬隨機變數或加擾種子。
如請求項71所述的目標UE，其中該虛擬隨機變數或該加擾種子是由該目標UE的較高層配置的。
如請求項61所述的目標UE，其中該一個或多個參數中之該一者的選擇是由該目標UE的較高層配置的。
如請求項61所述的目標UE，其中執行該定位程序的該請求包括專用於信令該時間資源集、該頻率資源集、或兩者的頻域資源的一個或多個頻域分配字段。
如請求項74所述的目標UE，其中執行該定位程序的該請求是經由在SCI-2訊息中的該側鏈路傳送。
如請求項61所述的目標UE，其中與執行該定位程序的該請求相關聯的側鏈路控制資訊（SCI）信道的頻域分配字段僅被用來排程用於該一個或多個定位參考信號的該時間資源集、該頻率資源集、或兩者的頻域資源。
如請求項61所述的目標UE，其中： <br/>與執行該定位程序的該請求相關聯的SCI信道的第一頻域分配字段集被用來排程資料，並且 <br/>與執行該定位程序的該請求相關聯的該SCI信道的第二頻域分配字段集被用來排程用於該一個或多個定位參考信號的該時間資源集、該頻率資源集、或兩者的頻域資源。
如請求項77所述的目標UE，其中該第二頻域分配字段集以相對於由該第一頻域分配字段集排程該資料的差分方式提供用於該一個或多個定位參考信號的排程。
如請求項61所述的目標UE，其中執行該定位程序的該請求是在該側鏈路的實體側鏈路控制信道（PSCCH）、實體側鏈路共享信道（PSSCH）、或兩者上接收的。
如請求項61所述的目標UE，其中該定位程序包括往返時間（RTT）定位程序。
一種輔助用戶設備（UE），包括： <br/>用於在該輔助UE與目標UE之間的側鏈路上從該目標UE接收執行定位程序的請求的構件，其中該輔助UE和該目標UE兩者都在網路覆蓋之外； <br/>用於至少基於該請求來決定在其上傳送用於該定位程序的一個或多個定位參考信號的時間資源集、頻率資源集、或兩者的構件，其中該時間資源集、該頻率資源集、或兩者係基於一個或多個參數的確定性函數來決定的；以及 <br/>用於經由該時間資源集、該頻率資源集、或兩者來向該目標UE傳送該一個或多個定位參考信號的構件。
一種目標用戶設備（UE），包括： <br/>用於在至少一個輔助UE與該目標UE之間的側鏈路上向該至少一個輔助UE傳送執行定位程序的請求的構件，其中該目標UE和該至少一個輔助UE兩者都在網路覆蓋之外； <br/>用於至少基於該請求來決定在其上傳送用於該定位程序的一個或多個定位參考信號的時間資源集、頻率資源集、或兩者至該至少一個輔助UE的構件，其中該時間資源集、該頻率資源集、或兩者係基於一個或多個參數的確定性函數來決定的；以及 <br/>用於經由該時間資源集、該頻率資源集、或兩者來向該至少一個輔助UE傳送該一個或多個定位參考信號的構件。
一種儲存指令集的非暫時性計算機可讀媒體，該指令集包括一條或多條指令，當該一條或多條指令被輔助用戶設備（UE）的一個或多個處理器執行時，使該輔助UE： <br/>在該輔助UE與目標UE之間的側鏈路上從該目標UE接收執行定位程序的請求，其中該輔助UE和該目標UE兩者都在網路覆蓋之外； <br/>至少基於該請求來決定在其上傳送用於該定位程序的一個或多個定位參考信號的時間資源集、頻率資源集、或兩者，其中該時間資源集、該頻率資源集、或兩者係基於一個或多個參數的確定性函數來決定的；以及 <br/>經由該時間資源集、該頻率資源集、或兩者來向該目標UE傳送該一個或多個定位參考信號。
一種儲存指令集的非暫時性計算機可讀媒體，該指令集包括一條或多條指令，當該一條或多條指令被目標用戶設備（UE）的一個或多個處理器執行時，使該目標UE： <br/>在至少一個輔助UE與該目標UE之間的側鏈路上向該至少一個輔助UE傳送執行定位程序的請求，其中該目標UE和該至少一個輔助UE兩者都在網路覆蓋之外； <br/>至少基於該請求來決定在其上從該至少一個輔助UE傳送用於該定位程序的一個或多個定位參考信號的時間資源集、頻率資源集、或兩者，其中該時間資源集、該頻率資源集、或兩者係基於一個或多個參數的確定性函數來決定的；以及 <br/>經由該時間資源集、該頻率資源集、或兩者來向該至少一個輔助UE傳送該一個或多個定位參考信號。
一種在一基板之一表面上形成介電材料之方法，包括以下步驟：<br/> 在一反應器系統之一反應室內設置該基板；<br/> 向該反應室提供一或者多種前驅物；<br/> 向該反應室提供一反應物；<br/> 向該反應室提供一第一氧化劑；<br/> 在該反應室內提供經脈衝電漿功率，以聚合該一或者多種前驅物；以及<br/> 執行一熱固化步驟，該熱固化步驟包括提供一惰性氣體和一第二氧化劑，該第二氧化劑包括CO<sub>x</sub>、異丙醇、N<sub>2</sub>O<sub>4</sub>和H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>中的一或多者，在該熱固化之該步驟期間，一基板之一溫度為低於500°C，其中在該熱固化步驟期間，該基板不暴露於電漿，<br/> 其中，該反應物包括氮原子及氫原子中之一或者二者，<br/> 其中，該反應物與該一或者多種前驅物之體積比為3至5。
如請求項1之方法，其中，該反應物包括以下中之一或者多者：呈任何組合形式之氨氣、氮氣、氫氣及胺基家族反應物。
如請求項1之方法，其中，該反應物包括氧化劑。
如請求項3之方法，其中，該氧化劑與該一或者多種前驅物之體積比為小於10。
如請求項3之方法，其中，該氧化劑係選自由以下中之一或者多者組成之群：呈任何組合形式之O<sub>2</sub>、O<sub>3</sub>、N<sub>2</sub>O、N<sub>2</sub>O<sub>4</sub>、N<sub>x</sub>O<sub>y</sub>、CO、CO<sub>2</sub>、H<sub>2</sub>O及H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>，以及由以下化學式表示之含氧化合物：C<sub>x</sub>H<sub>y</sub>O<sub>z</sub>，其中，x係在1與5之間，y係在4與16之間，且Z係在1與4之間。
如請求項1之方法，其中，該方法包括電漿增強型化學氣相沉積法。
如請求項1之方法，其中，製程溫度為低於450°C。
如請求項1之方法，其中，用以產生該經脈衝電漿功率之功率為小於2000瓦。
如請求項1之方法，其中，用於提供該經脈衝電漿功率之步驟之功率之一頻率為在單一或者雙射頻電源之情況下的1千赫茲至200百萬赫茲的一射頻頻率。
如請求項9之方法，其中，該經脈衝電漿功率之一脈衝斷路時間為該脈衝通路時間之大於2倍，或者射頻工作中循環為小於50%。
如請求項1之方法，其中，用於提供該經脈衝電漿功率之一步驟之功率之一頻率包括超過1百萬赫茲之一高射頻頻率或低於500千赫茲之一低射頻頻率。
如請求項1之方法，其中，該一或者多種前驅物包括含矽之一化合物。
如請求項1之方法，其中，該一或者多種前驅物包括含碳之一化合物。
如請求項1之方法，其中，該一或者多種前驅物包括含環狀結構之一化合物。
如請求項14之方法，其中，該環狀結構包括矽。
如請求項14之方法，其中，該環狀結構包括矽及氧。
如請求項1之方法，其中，該一或者多種前驅物包括含Si-O鍵之一化合物。
如請求項1之方法，其中，該一或者多種前驅物包括有包括有機矽化合物之一化合物。
如請求項1之方法，其中，該一或者多種前驅物包括以下中之一或者多者：八甲基環四矽氧烷（OMCTS）、四甲基環四矽氧烷（TMCTS）、八甲氧基十二矽氧烷（OMODDS）、八甲氧基環矽氧烷、二甲基二甲氧基矽烷（DM-DMOS）、二乙氧基甲基矽烷（DEMS）、二甲氧基甲基矽烷（DMOMS）、苯氧基二甲基矽烷（PODMS）、二甲基二側氧基矽基環己烷（DMDOSH）、1,3-二甲氧基四甲基二矽氧烷（DMOTMDS）、二甲氧基二苯基矽烷（DMDPS）及二環戊基二甲氧基矽烷（DcPDMS）。
如請求項1之方法，其中，該一或者多種前驅物包括一胺烷基矽氧烷前驅物。
如請求項20之方法，其中，該胺烷基矽氧烷前驅物包括1,3-雙（3胺丙基）四甲基二矽氧烷。
如請求項1之方法，其中，該一或者多種前驅物中之至少一者包括有包括由以下表示之一化學式之一環結構：-(Si(R<sub>1</sub>,R<sub>2</sub>)-O)<sub>n</sub>-，其中，n範圍係從3到10，其中R<sub>1</sub>及R<sub>2</sub>包括烴基。
如請求項22之方法，其中，n = 4，且R<sub>1</sub> = R<sub>2</sub> = CH<sub>3</sub>。
如請求項22之方法，其中，n = 4，R<sub>1</sub> = H，R<sub>2</sub> = CH<sub>3</sub>。
如請求項1之方法，其中，該一或者多種前驅物中之至少一者包括有包括由以下表示之一化學式之一線性結構：R<sub>3</sub>-(Si(R<sub>1</sub>,R<sub>2</sub>)<sub>m</sub>-O<sub>(m-1)</sub>)-R<sub>4</sub>，其中，m範圍可從1到7，其中R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>、R<sub>3</sub>及R<sub>4</sub>包括烴基。
如請求項25之方法，其中，m = 1，R<sub>1</sub> = R<sub>2</sub> = CH<sub>3</sub>，且R<sub>3</sub> = R<sub>4</sub> = OCH<sub>3</sub>。
如請求項25之方法，其中，m = 2，R<sub>1</sub> = R<sub>2</sub> = CH<sub>3</sub>，且R<sub>3</sub>= R<sub>4</sub> = OCH<sub>3</sub>。
如請求項25之方法，其中，m = 2，R<sub>1</sub> = C<sub>3</sub>H<sub>6</sub>-NH<sub>2</sub>，R<sub>2</sub> = CH<sub>3</sub>，且R<sub>3</sub> = R<sub>4</sub> = CH<sub>3</sub>。
如請求項1之方法，更包括執行一沉積後處理，該沉積後處理包括使用以下中之一或者多者：電容耦接式電漿（CCP）、微波激發、極高頻（VHF）激發及具有/利用惰性氣體之紫外線（UV）激發。
如請求項29之方法，其中，在執行該沉積後處理期間，該基板之一溫度為低於500°C。
一種半導體結構，包括根據如請求項1至30中任一項之方法所形成之該介電材料。
如請求項31之半導體結構，其中，該介電材料之介電常數係小於10。
如請求項31之半導體結構，其中，該半導體結構包括有包括Ru、Co、Cu、Ta、TaN、Ti、TiN、W中之一或者多者之金屬間特徵，且其中，該介電材料在該等特徵中之兩個或者更多個之間形成一金屬間填隙層。
一種鰭式場效電晶體構件，包括一淺溝槽隔離層，該淺溝槽隔離層包括根據如請求項1至30中任一項之方法所形成之該介電材料。
一種環繞式閘極奈米線場效電晶體構件，包括根據如請求項1至30中任一項之方法形成之該介電材料。
一種交叉點構件，包括根據如請求項1至30中任一項之方法形成之該介電材料。
一種記憶體或者邏輯構件，包括在包括後段工藝製程 金屬間介電質填隙之介電質上介電層（DOD）結構，該介電質上介電層結構包括根據如請求項1至30中任一項之方法形成之該介電材料。
一種反應器系統，用於執行如請求項1至30中任一項之方法之步驟。
一種多射束光柵單元，諸如一多孔單元或一多射束偏轉器或多射束像差補償器，其經組態以用於在使用期間形成複數個靜電元件，用於影響複數個帶電粒子之傳輸射束分支，其包含 <br/>一第一多孔板，其具有一內區、一射束入射側及一射束出射側，該內區形成具有第一厚度L1且具有複數個第一孔徑的一膜， <br/>該第一多孔板之該膜包含至少一第一區段，其具有一第一區段厚度L1.1，以及在該射束入射側具有一第一直徑D1之複數個圓柱形孔徑，及一第二區段，其具有在該射束出射側具有一第二直徑D2之複數個孔徑， <br/>一第二多孔板，其具有一內區及一射束入射側，其中該內區形成具有複數個第二孔徑的一膜，且該複數個孔徑在該射束入射側具有第三直徑D3， <br/>在第一多孔板及第二多孔板之該等膜之間之厚度為L2的一間隙， <br/>至少第一電極，其經組態靠近在該第一多孔板之該射束出射側處的該第一多孔板之至少一第一孔徑，及 <br/>至少複數個第二電極，其經組態靠近在該第二多孔板之該射束入射側處的該第二多孔板之該複數個第二孔徑，其用於在使用期間在該第一多孔板及該第二多孔板之該複數個第一孔徑及第二孔徑間形成該複數個靜電元件， <br/>其中該第二直徑D2大於該第一直徑D1，及其中該第二直徑D2在第二厚度L2及兩倍該第二厚度L2之間的範圍內，因此L2 ＜ D2 ＜ 2*L2，及 <br/>其中該第一區段厚度L1.1小於10µm，較佳地小於5µm，及 <br/>其中該第一電極及該複數個第二電極各者經組態以用於在使用期間形成該等靜電元件，以用於影響複數個帶電粒子之傳輸射束分支。
如請求項1之多射束光柵單元，其中在該等第二區段中之該複數個孔徑之至少一孔徑的一內側壁表面具有從一帶電粒子之傳輸射束分支傾斜遠離之一表面形狀。
如請求項2之多射束光柵單元，其中該表面形狀在該等帶電粒子之傳輸射束分支之方向上為一彎曲表面形狀。
如請求項1至3中任一項之多射束光柵單元，其中在該等第二區段中之該複數個孔徑之至少一個孔徑的一內側壁表面具有一表面形狀，使得一孔徑開口之直徑隨著增加之z-座標而持續地增加。
如請求項3之多射束光柵單元，其中在該等帶電粒子之傳輸射束分支之方向上之該表面形狀為藉由各向同性蝕刻形成之一球面形狀。
如請求項1至3中任一項之多射束光柵單元，更包含多個蝕刻停止環，在該第一多孔板之該射束出射側之該等孔徑處或在第二多孔板之該射束入射側。
如請求項1至3中任一項之多射束光柵單元，其中在該複數個帶電粒子之傳輸射束分支之方向上，該第一多孔板係配置在該第二多孔板之射束-路徑上游。
如請求項1至3中任一項之多射束光柵單元，其中在該複數個帶電粒子之傳輸射束分支之方向上，至少一第三多孔板係配置在該第一多孔板及該第二多孔板之射束-路徑上游。
如請求項1至3中任一項之多射束光柵單元，其中在該第一區段中之該複數個孔徑之至少一個孔徑之一內側壁表面的表面粗糙度係低於50nm rms，較佳地低於25nm rms，甚至更佳地低於10nm rms。
如請求項1至3中任一項之多射束光柵單元，其中該第二直徑D2係在第一區段厚度L1.1及4倍第一區段厚度L1.1之間的範圍中，因此L1.1 ≤ D2 ≤ 4* L1.1，較佳地L1.1 ≤ D2 ≤ 3* L1.1，及甚至更佳地L1.1 ≤ D2 ≤ 2* L1.1。
如請求項1至3中任一項之多射束光柵單元，其中該第三直徑D3大於該第一直徑D1。
如請求項1至3中任一項之多射束光柵單元，其中該第三直徑D3係在該第一直徑D1及該第二直徑D2之間的範圍中。
如請求項1至3中任一項之多射束光柵單元，其中該第一多孔板（73.1）包含在該射束入射側（74）上之一吸收層（99），其中在使用期間該吸收層（99）係連接至地平面。
如請求項1至3中任一項之多射束光柵單元，其中該第一多孔板（73.1）包含在該射束出射側（107）上之一傳導層（108），該傳導層（108）形成該等第一電極。
如請求項1至3中任一項之多射束光柵單元，其中該第一多孔板（73.1）之該射束出射側（107）包含在直徑為D2之該等孔徑周圍或附近之多個環形傳導層或電極（114），其在使用期間係連接至一恆電壓電位，該等環形傳導層或電極（114）形成該等第一電極。
如請求項1至3中任一項之多射束光柵單元，其中該第一多孔板（73.1）之該射束出射側（107）不包含一屏蔽電極。
如請求項1至3中任一項之多射束光柵單元，其中該第二多孔板（73.2）包含配置在該等第二孔徑周圍之多個環形電極（79），其中在使用期間一驅動電壓施加於該等環形電極（79）上，該等環形電極（79）形成該等第二電極。
如請求項17之多射束光柵單元，其中該等環形電極基本上延伸通過第二多孔板（73.2）。
如請求項1至3中任一項之多射束光柵單元，其中該第二多孔板之該射束入射側係由一屏蔽層覆蓋，該屏蔽層之至少一個縱轉延伸件伸進該第二多孔板之該等孔徑之至少一個內。
如請求項1至3中任一項之多射束光柵單元，其中該第一區段及該第二區段係彼此貼附之分開區段。
如請求項20之多射束光柵單元，包含用於該第一多孔板之該第一區段及該第二區段之相互對準及調整的一固持器。
如請求項1至3中任一項之多射束光柵單元，包含用於該第一多孔板及該第二多孔板之相互對準及調整的一固持器。
如請求項1至3中任一項之多射束光柵單元，其中一多孔板之至少該膜包含具有預定厚度之一層，該層導致該膜之一應力引致變形。
如請求項1至3中任一項之多射束光柵單元，其中該等多孔板各更包含一支撐區，其具有＞50μm之厚度，更佳地＞ 100 μm之厚度，該厚度之最大偏差少於10%。
如請求項24之多射束光柵單元，其中該等多孔板更包含具有不同之孔徑直徑A1及孔徑直徑A2之多個通孔，以用於該第一多孔板及該第二多孔板之相互對準。
如請求項25之多射束光柵單元，其中至少一個多孔板包含在一第一通孔處之消減或降低，以形成至相鄰多孔板之一對應通孔的一z-距離，其中該z-距離低於30µm以達成該等多孔板之相互對準。
如請求項1至3中任一項之多射束光柵單元，其中該複數個傳輸射束分支在一第一方向上傳播通過複數個多孔板之複數個孔徑，多個高電壓供應接線連接由垂直於該第一方向之一第二方向提供於在該等多孔板之至少一個中之多個第一電極，及多個低電壓供應接線連接由垂直於該第一方向及該第二方向之一第三方向提供於在該等多孔板之至少一個中之多個第二電極。
一種多射束帶電粒子顯微鏡，其包含如請求項1至27中任一項之多射束光柵單元。
一種仿神經型態計算裝置，包括： <br/>第一記憶體單元陣列，包括多個電阻式記憶體單元且被配置成經由多條位元線或多條源極線輸出多個讀取電流； <br/>第二記憶體單元陣列，包括多個參考電阻式記憶體單元且被配置成經由至少一條參考位元線或至少一條參考源極線輸出至少一個參考電流； <br/>電流至電壓轉換電路，被配置成輸出分別與所述多個讀取電流對應的多個訊號電壓並輸出與所述至少一個參考電流對應的至少一個參考電壓；以及 <br/>類比至數位轉換電路，被配置成使用所述至少一個參考電壓將所述多個訊號電壓轉換成多個數位訊號並輸出所述多個數位訊號， <br/>其中所述至少一個參考電流中的每一者是基於與相應的一條所述參考位元線或一條所述參考源極線連接的至少一個參考電阻式記憶體單元中的每一者的電阻狀態，以及 <br/>其中所述至少一條參考位元線的數目與藉由自2的所述多個數位訊號中的每一者的位元數目次方減去1而獲得的數目相同。
如請求項1所述的仿神經型態計算裝置，其中所述多個參考電阻式記憶體單元與所述多個電阻式記憶體單元包含相同的電阻材料。
如請求項1所述的仿神經型態計算裝置，其中所述至少一條參考位元線包括第一參考位元線及第二參考位元線，且 <br/>其中所述多個參考電阻式記憶體單元之中連接至所述第一參考位元線的第一參考記憶體單元的處於高電阻狀態的記憶體單元的數目對處於低電阻狀態的記憶體單元的數目的比率不同於所述多個參考電阻式記憶體單元之中連接至所述第二參考位元線的第二參考記憶體單元的處於所述高電阻狀態的記憶體單元的數目對處於所述低電阻狀態的記憶體單元的數目的比率。
如請求項1所述的仿神經型態計算裝置，其中所述至少一個參考電壓對所述類比至數位轉換電路的操作電壓範圍進行均等地量化，且 <br/>其中連接至所述至少一條參考位元線中的每一者的參考電阻式記憶體單元具有用於形成所述至少一個參考電壓之中的對應的參考電壓的電阻狀態分佈。
如請求項1所述的仿神經型態計算裝置，其中所述至少一個參考電壓對所述類比至數位轉換電路的操作電壓範圍進行不均等地量化，其中與操作電壓範圍的中心相鄰的量化間隔窄於與所述操作電壓範圍的邊相鄰的量化間隔，且 <br/>其中連接至所述至少一條參考位元線中的每一者的參考電阻式記憶體單元具有用於形成所述至少一個參考電壓之中的對應的參考電壓的電阻狀態分佈。
如請求項1所述的仿神經型態計算裝置，其中所述類比至數位轉換電路包括多個類比至數位轉換器，所述多個類比至數位轉換器對應於所述多個訊號電壓中的每一者且被配置成將對應的訊號電壓轉換成數位訊號。
如請求項1所述的仿神經型態計算裝置，更包括多工電路，所述多工電路被配置成自所述多個訊號電壓之中選擇訊號電壓並輸出所選擇的所述訊號電壓， <br/>其中所述類比至數位轉換電路包括多個類比至數位轉換器，所述多個類比至數位轉換器被配置成將所選擇的所述訊號電壓轉換成數位訊號，其中類比至數位轉換器的數目小於訊號電壓的數目。
如請求項1所述的仿神經型態計算裝置，其中所述類比至數位轉換電路包括多個類比至數位轉換器，所述多個類比至數位轉換器被配置成將所述多個訊號電壓之中的對應的訊號電壓轉換成數位訊號，且 <br/>其中所述多個類比至數位轉換器中的每一者被配置成藉由將所述對應的訊號電壓與所述至少一個參考電壓進行比較而輸出與所述對應的訊號電壓對應的數位訊號。
如請求項8所述的仿神經型態計算裝置，其中所述多個類比至數位轉換器中的每一者包括： <br/>比較電路，被配置成藉由將所述對應的訊號電壓與所述至少一個參考電壓進行比較而輸出至少一個比較訊號；以及 <br/>編碼電路，被配置成基於所述至少一個比較訊號而輸出與所述對應的訊號電壓對應的所述數位訊號。
如請求項1所述的仿神經型態計算裝置，其中在所述至少一條參考源極線與接地節點之間，連接有負載電阻器，所述負載電阻器具有處於所述多個參考電阻式記憶體單元的低電阻狀態與高電阻狀態之間的電阻值。
如請求項1所述的仿神經型態計算裝置，更包括字元線驅動器，所述字元線驅動器被配置成對連接至所述第一記憶體單元陣列的多條字元線進行驅動，對連接至所述第二記憶體單元陣列的多條參考字元線進行驅動，並將所述多條參考字元線驅動成使得在所述仿神經型態計算裝置的運算操作的期間中所有所述多條參考字元線被啟動。
如請求項11所述的仿神經型態計算裝置，其中與在所述仿神經型態計算裝置的所述運算操作中使用的權重矩陣的元素對應的狀態被寫入至所述多個電阻式記憶體單元，且 <br/>其中所述字元線驅動器被配置成根據所述仿神經型態計算裝置的所述運算操作中的輸入特徵向量的元素值來啟動所述多條字元線之中的至少一條字元線。
如請求項12所述的仿神經型態計算裝置，更包括加法器電路，所述加法器電路被配置成藉由使用所述多個數位訊號實行累加及/或求和操作而產生輸出資料。
一種仿神經型態計算裝置的操作方法，所述仿神經型態計算裝置包括第一記憶體單元陣列及第二記憶體單元陣列，所述第一記憶體單元陣列包括主電阻式記憶體單元，所述第二記憶體單元陣列包括設置於多條參考字元線與多條參考位元線相交的區中的參考電阻式記憶體單元，所述方法包括： <br/>啟動連接至所述第二記憶體單元陣列的所有所述多條參考字元線； <br/>基於自所述第二記憶體單元陣列輸出的至少一個參考電流而獲得至少一個參考電壓值；以及 <br/>藉由使用所述至少一個參考電壓值對與自所述第一記憶體單元陣列輸出的讀取電流對應的訊號電壓值進行轉換而輸出多個數位訊號， <br/>其中所述至少一個參考電流中的每一者是基於與相應的一條所述參考位元線連接的至少一個參考電阻式記憶體單元中的每一者的電阻狀態，以及 <br/>其中所述多條參考位元線的數目與藉由自2的所述多個數位訊號中的每一者的位元數目次方減去1而獲得的數目相對應。
如請求項14所述的方法，其中所述參考電阻式記憶體單元中的每一者包含與所述主電阻式記憶體單元的材料相同的電阻材料。
如請求項14所述的方法，其中輸出所述多個數位訊號包括： <br/>藉由將所述訊號電壓值之中的第一訊號電壓值與所述至少一個參考電壓值進行比較而產生至少一個比較訊號；以及 <br/>基於所述至少一個比較訊號而輸出與所述第一訊號電壓值對應的第一數位訊號。
如請求項14所述的方法，更包括：藉由使用所述多個數位訊號實行累加及/或求和操作而產生輸出資料。
一種仿神經型態計算裝置，包括： <br/>第一電阻式記憶體單元陣列，包括設置於多條字元線與多條位元線相交的區中的多個電阻式記憶體單元； <br/>第二電阻式記憶體單元陣列，包括設置於多條參考字元線與多條參考位元線相交的區中的多個參考電阻式記憶體單元； <br/>字元線驅動器，被配置成對所述多條字元線及所述多條參考字元線進行驅動，根據輸入特徵向量的元素值啟動所述多條字元線之中的至少一條所選擇的字元線，並啟動所有所述多條參考字元線； <br/>電流至電壓轉換電路，被配置成經過包括所述多條參考位元線的電性路徑將自所述第二電阻式記憶體單元陣列輸出的多個參考電流轉換成多個參考電壓，並根據所述至少一條所選擇的字元線的啟動而經過包括所述多條位元線的電性路徑將自所述第一電阻式記憶體單元陣列輸出的多個讀取電流轉換成多個訊號電壓； <br/>類比至數位轉換電路，被配置成使用所述多個參考電壓作為進行類比至數位轉換的參考來將所述多個訊號電壓轉換成多個數位訊號並輸出所述多個數位訊號；以及 <br/>加法器電路，被配置成藉由使用所述多個數位訊號實行累加及/或求和操作而產生至少一個輸出資料， <br/>其中所述多個參考電流彼此不同，所述多個參考電流中的每一者是基於與相應的一條所述參考位元線連接的至少一個參考電阻式記憶體單元中的每一者的電阻狀態。
如請求項18所述的仿神經型態計算裝置，其中所述多個參考電阻式記憶體單元中的每一者包含與所述多個電阻式記憶體單元的材料相同的電阻材料，且 <br/>其中參考位元線的數目對應於藉由自2的所述多個數位訊號中的每一者的位元數目次方減去1而獲得的數目。
一種著色硬化性樹脂組合物，其包含著色劑(A)、樹脂(B)、聚合性化合物(C)、聚合起始劑(D)、及溶劑(E)， <br/>上述樹脂(B)包含樹脂[K2]，上述樹脂[K2]係具有源自選自由不飽和羧酸及不飽和羧酸酐所組成之群中之至少1種(a)之結構單元、源自具有碳數2～4之環狀醚結構與乙烯性不飽和鍵之單體(b)之結構單元、及源自能夠與上述(a)共聚之單體(c)(其不同於上述(a)及上述(b))之結構單元之共聚物， <br/>上述聚合性化合物(C)包含式(1)所表示之第1化合物、及式(2)所表示之第2化合物， <br/>上述第1化合物與上述第2化合物之質量比(第1化合物/第2化合物)為5/95～90/10， <br/><img align="absmiddle" height="77px" width="236px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[式(1)中，R<sup>1a</sup>～R<sup>3a</sup>之任意1個表示氫原子，其餘分別獨立地表示(甲基)丙烯醯基] <br/><img align="absmiddle" height="76px" width="238px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[式(2)中，R<sup>1b</sup>～R<sup>3b</sup>分別獨立地表示(甲基)丙烯醯基]。
如請求項1之著色硬化性樹脂組合物，其中上述聚合性化合物(C)亦可進而具有式(3)所表示之第3化合物，且 <br/>第1化合物、第2化合物、及第3化合物之合計100質量%中，第1化合物之含量為5～75質量%，第2化合物之含量為5～95質量%，第3化合物之含量為0～20質量%， <br/><img align="absmiddle" height="77px" width="238px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[式(3)中，R<sup>1c</sup>～R<sup>3c</sup>之任意2個表示氫原子，其餘表示(甲基)丙烯醯基]。
如請求項1之著色硬化性樹脂組合物，其中上述聚合性化合物(C)亦可進而具有式(3)所表示之第3化合物，且 <br/>第1化合物、第2化合物、及第3化合物之合計100質量%中，第1化合物之含量未達70質量%， <br/><img align="absmiddle" height="77px" width="238px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[式(3)中，R<sup>1c</sup>～R<sup>3c</sup>之任意2個表示氫原子，其餘表示(甲基)丙烯醯基]。
如請求項1至3中任一項之著色硬化性樹脂組合物，其能夠形成膜厚為2.00 μm以下，且使用C光源進行測色時CIE之XYZ表色系統中之色度座標在x＝0.170～0.300、y＝0.600～0.800之範圍內的硬化膜。
如請求項1至3中任一項之著色硬化性樹脂組合物，其能夠形成膜厚未達2.00 μm，且使用C光源進行測色時CIE之XYZ表色系統中之色度座標在x＝0.640～0.710、y＝0.290～0.330之範圍內的硬化膜。
如請求項1至3中任一項之著色硬化性樹脂組合物，其能夠形成膜厚未達2.00 μm，且使用C光源進行測色時CIE之XYZ表色系統中之色度座標在x＝0.130～0.160、y＝0.035～0.080之範圍內的硬化膜。
一種彩色濾光片，其由如請求項1至6中任一項之著色硬化性樹脂組合物所形成。
一種有機EL顯示裝置，其包含如請求項7之彩色濾光片。
一種可撓性顯示器，其包含如請求項7之彩色濾光片。
一種感光性樹脂組成物，其含有黏合劑聚合物、光聚合性化合物、光聚合起始劑、蒽系增感劑及聚合抑制劑，<br/> 前述黏合劑聚合物包含聚合物（a），<br/> 前述聚合物（a）具有（甲基）丙烯酸羥烷基酯單元、及苯乙烯或苯乙烯衍生物單元且前述苯乙烯或苯乙烯衍生物單元的含量為40質量%以上，<br/> 前述聚合抑制劑包含第三丁基鄰苯二酚。
如請求項1所述之感光性樹脂組成物，其中<br/> 前述光聚合性化合物包含多官能單體，<br/> 前述多官能單體具有2個以上的藉由自由基而反應之反應基、且具有合計2～40個氧伸乙基和/或氧伸丙基。
如請求項1或請求項2所述之感光性樹脂組成物，其中<br/> 前述光聚合性化合物包含氧伸乙基的數量為10個以上之2,2-雙（4-（（甲基）丙烯醯氧基聚乙氧基）苯基）丙烷。
如請求項1或請求項2所述之感光性樹脂組成物，其中<br/> 前述光聚合性化合物包含氧伸乙基的數量小於10個之2,2-雙（4-（（甲基）丙烯醯氧基聚乙氧基）苯基）丙烷。
如請求項1或請求項2所述之感光性樹脂組成物，其中<br/> 前述光聚合性化合物包含氧伸乙基的數量為10個以上之2,2-雙（4-（（甲基）丙烯醯氧基聚乙氧基）苯基）丙烷、及氧伸乙基的數量小於10個之2,2-雙（4-（（甲基）丙烯醯氧基聚乙氧基）苯基）丙烷。
如請求項1或請求項2所述之感光性樹脂組成物，其中<br/> 前述聚合物（a）的重量平均分子量為30000～40000。
如請求項1或請求項2所述之感光性樹脂組成物，其中<br/> 前述蒽系增感劑的含量相對於前述黏合劑聚合物及前述光聚合性化合物的總量100質量份為0.2質量份以上且小於0.8質量份。
一種感光性元件，其具備支撐體、及使用請求項1至請求項7之任一項所述之感光性樹脂組成物形成於該支撐體上之感光性樹脂層。
一種配線基板的製造方法，其具備：<br/> 使用請求項1至請求項7之任一項所述之感光性樹脂組成物或請求項8所述之感光性元件將感光性樹脂層設置於基板上之步驟；<br/> 使前述感光性樹脂層的一部分光固化之步驟；<br/> 去除前述感光性樹脂層的未固化部分而形成光阻圖案之步驟；及<br/> 在前述基板的未形成前述光阻圖案之部分形成配線層之步驟。
一種水性藥物配製物，其包含： <br/>(a) 與人Aβ原纖維(protofibril)結合的分離的抗Aβ原纖維抗體，其濃度為80 mg/mL至300 mg/mL， <br/>(b) 100 mM至400 mM的精胺酸、精胺酸鹽酸鹽、或其組合， <br/>(c) 0.01% w/v至0.1% w/v的聚山梨酯80，和 <br/>(d) 藥學上可接受的緩衝劑， <br/>其中該藥物配製物具有範圍為4.5至5.5的pH， <br/>其中該分離的抗Aβ原纖維抗體為lecanemab。
如請求項1之藥物配製物，其中該分離的抗Aβ原纖維抗體以100 mg/mL至200 mg/mL的濃度存在。
如請求項1之藥物配製物，其中該分離的抗Aβ原纖維抗體以100 mg/mL的濃度存在。
如請求項1之藥物配製物，其中該分離的抗Aβ原纖維抗體以200 mg/mL的濃度存在。
如請求項1至4中任一項之藥物配製物，其進一步包含甲硫胺酸。
如請求項1至4中任一項之藥物配製物，其中該藥學上可接受的緩衝劑為檸檬酸鹽緩衝劑或組胺酸緩衝劑。
如請求項1至4中任一項之藥物配製物，其包含10至100 mM的檸檬酸鹽緩衝劑或10至100 mM的組胺酸緩衝劑。
如請求項1至4中任一項之藥物配製物，其包含125至350 mM的精胺酸、精胺酸鹽酸鹽、或其組合。
如請求項1至4中任一項之藥物配製物，其包含200 mM的精胺酸鹽酸鹽。
如請求項1至4中任一項之藥物配製物，其包含200 mM的精胺酸鹽酸鹽和25 mM的組胺酸緩衝劑。
如請求項6之藥物配製物，其中該組胺酸緩衝劑為組胺酸及組胺酸鹽酸鹽之組合。
如請求項6之藥物配製物，其中該組胺酸緩衝劑為組胺酸及組胺酸鹽酸鹽一水合物之組合。
一種水性藥物配製物，其包含： <br/>(a) 80 mg/mL至240 mg/mL的分離的抗Aβ原纖維抗體， <br/>(b) 140 mM至260 mM的精胺酸鹽酸鹽， <br/>(c) 0.02% w/v至0.08% w/v的聚山梨酯80，和 <br/>(d) 15 mM至35 mM的組胺酸緩衝劑， <br/>其中該藥物配製物具有範圍為4.5至5.5的pH， <br/>其中該分離的抗Aβ原纖維抗體為lecanemab。
一種水性藥物配製物，其包含： <br/>(a) 80 mg/mL至120 mg/mL的分離的抗Aβ原纖維抗體， <br/>(b) 240 mM至360 mM的精胺酸、精胺酸鹽酸鹽、或其組合， <br/>(c) 0.02% w/v至0.08% w/v的聚山梨酯80，和 <br/>(d) 30 mM至50 mM的檸檬酸鹽緩衝劑， <br/>其中該藥物配製物具有範圍為4.5至5.5的pH， <br/>其中該分離的抗Aβ原纖維抗體為lecanemab。
如請求項1之藥物配製物，其包含： <br/>(a) 100 mg/mL或200 mg/mL的該分離的抗Aβ原纖維抗體， <br/>(b) 190 mM至210 mM的精胺酸鹽酸鹽， <br/>(c) 0.04% w/v至0.06% w/v的聚山梨酯80，和 <br/>(d) 15 mM至35 mM的組胺酸緩衝劑。
如請求項1之藥物配製物，其包含： <br/>(a) 100 mg/mL的該分離的抗Aβ原纖維抗體， <br/>(b) 200 mM的精胺酸鹽酸鹽， <br/>(c) 0.05% w/v的聚山梨酯80，和 <br/>(d) 25 mM的組胺酸緩衝劑。
如請求項1之藥物配製物，其包含： <br/>(a) 200 mg/mL的該分離的抗Aβ原纖維抗體， <br/>(b) 200 mM的精胺酸鹽酸鹽， <br/>(c) 0.05% w/v的聚山梨酯80，和 <br/>(d) 25 mM的組胺酸緩衝劑。
如請求項15至17中任一項之藥物配製物，其中該組胺酸緩衝劑為組胺酸及組胺酸鹽酸鹽之組合。
如請求項15至17中任一項之藥物配製物，其中該組胺酸緩衝劑為組胺酸及組胺酸鹽酸鹽一水合物之組合。
如請求項15至17中任一項之藥物配製物，其中該藥物配製物具有5.0之pH。
一種半導體裝置製造用片，具備基材、黏著劑層、中間層、以及膜狀接著劑；<br/>係於前述基材上依序積層前述黏著劑層、前述中間層、以及前述膜狀接著劑所構成；<br/>前述中間層含有重量平均分子量為20000至100000之非矽系樹脂(β1)作為主成分；<br/>前述非矽系樹脂(β1)選自由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、以及聚烯烴所構成之群組中1種或是2種以上；<br/>進而至少前述膜狀接著劑含有成分(α2)、或是前述黏著劑層含有成分(γ2)；<br/>前述成分(α2)在溫度23℃為液狀，不具有和前述膜狀接著劑所含有之主成分進行反應之官能基，且選自由環氧樹脂、熱硬化劑、硬化促進劑、偶合劑、交聯劑、光聚合起始劑、可塑劑、抗靜電劑、抗氧化劑、著色劑、以及吸氣劑所構成之群組中1種或是2種以上；<br/>前述成分(γ2)在溫度23℃為液狀，不具有和前述黏著劑層所含有之主成分進行反應之官能基，且選自由能量線硬化性化合物、交聯劑、光聚合起始劑、抗靜電劑、抗氧化劑、軟化劑、填充材、防鏽劑、著色劑、增感劑、黏著賦予劑、反應延遲劑、以及交聯促進劑所構成之群組中1種或是2種以上；<br/>將由前述非矽系樹脂(β1)所構成之厚度10μm之膜狀的第1試片之霧度定為H(β)，當前述膜狀接著劑含有前述成分(α2)之情況，若將由100質量份之前述非矽系樹脂(β1)與10質量份之前述成分(α2)之混合物所構成之厚度10μm之膜狀的第2試片之霧度定為H(βα)時，前述H(βα)以及前述H(β)滿足下述式(X1)：<br/>(X1) H(βα)-H(β)＞7%；<br/>當前述黏著劑層含有前述成分(γ2)之情況，若將由100質量份之前述非矽系樹脂(β1)與10質量份之前述成分(γ2)之混合物所構成之厚度10μm之膜狀的第3試片之霧度定為H(βγ)時，前述H(βγ)以及前述H(β)滿足下述式(X2)：<br/>(X2) H(βγ)-H(β)＞7%。
如請求項1所記載之半導體裝置製造用片，進而至少前述膜狀接著劑含有於溫度23℃為固體狀之成分(α1)作為主成分、或是前述黏著劑層含有於溫度23℃為固體狀之成分(γ1)作為主成分；<br/>前述成分(α1)以及前述成分(γ1)為具有由(甲基)丙烯酸酯所衍生之構成單元的丙烯酸樹脂。
如請求項1或2所記載之半導體裝置製造用片，其中前述中間層含有乙烯-乙酸乙烯酯共聚物作為前述非矽系樹脂(β1)；<br/>前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物中，由乙酸乙烯酯所衍生之構成單元之質量相對於全部構成單元之合計質量的比例為30質量%以下。
如請求項1或2所記載之半導體裝置製造用片，其中前述半導體裝置製造用片係藉由將前述膜狀接著劑加以冷卻並進行擴展，來切斷前述膜狀接著劑。
一種半導體裝置製造用片之製造方法，係用以製造如請求項1至4中任一項所記載之半導體裝置製造用片；<br/>前述製造方法具有下述兩步驟之其中一者或兩者：膜狀接著劑製作步驟，係製作含有前述成分(α2)之前述膜狀接著劑；黏著劑層製作步驟，係製作含有前述成分(γ2)之前述黏著劑層。
一種具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法，係使用有如請求項1至4中任一項所記載之半導體裝置製造用片；<br/>前述具膜狀接著劑之半導體晶片具備半導體晶片、以及設置於前述半導體晶片之內面的膜狀接著劑；<br/>前述具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法具備下述步驟：<br/>一邊加熱前述半導體裝置製造用片、一邊將半導體裝置製造用片中之前述膜狀接著劑貼附於半導體晶圓之內面之步驟；<br/>將貼附有前述膜狀接著劑之前述半導體晶圓自電路形成面側切入厚度方向之全區域來進行分割，藉此製作前述半導體晶片，並將前述半導體裝置製造用片在厚度方向上自前述膜狀接著劑側切入至前述中間層之中途區域為止，來切斷前述膜狀接著劑，且不切入至前述黏著劑層，藉此獲得複數個前述具膜狀接著劑之半導體晶片處於整齊排列在前述中間層上之狀態的具膜狀接著劑之半導體晶片群之步驟；以及<br/>自前述中間層扯離前述具膜狀接著劑之半導體晶片來進行拾取之步驟。
一種具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法，係使用有如請求項1至4中任一項所記載之半導體裝置製造用片；<br/>前述具膜狀接著劑之半導體晶片具備半導體晶片、以及設置於前述半導體晶片之內面的膜狀接著劑；<br/>前述具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法具有下述步驟：<br/>以聚焦於在半導體晶圓之內部所設定之焦點的方式來照射雷射光，藉此於前述半導體晶圓之內部形成改質層之步驟；<br/>將形成了前述改質層後之前述半導體晶圓之內面加以磨削，並利用施加於前述半導體晶圓上之磨削時的力，於前述改質層之形成部位分割前述半導體晶圓，獲得複數個前述半導體晶片處於整齊排列狀態之半導體晶片群之步驟；<br/>一邊加熱前述半導體裝置製造用片、一邊將半導體裝置製造用片中之前述膜狀接著劑貼附於前述半導體晶片群中所有的前述半導體晶片之內面之步驟；<br/>一邊將貼附於前述半導體晶片之後的前述半導體裝置製造用片加以冷卻、一邊相對於前述膜狀接著劑之表面朝平行方向上進行拉伸，藉此將前述膜狀接著劑沿著前述半導體晶片之外周進行切斷，獲得複數個前述具膜狀接著劑之半導體晶片處於整齊排列在前述中間層上之狀態的具膜狀接著劑之半導體晶片群之步驟；以及<br/>自前述中間層扯離前述具膜狀接著劑之半導體晶片來進行拾取之步驟。
一種整合被動器件，包括： <br/>玻璃基板； <br/>第一器件，在所述玻璃基板的第一側上； <br/>金屬化結構，直接地在所述玻璃基板的所述第一側上，所述金屬化結構被熱耦接至所述第一器件； <br/>鈍化層，在所述玻璃基板的所述第一側上，其中所述鈍化層包括多層不同材料且所述不同材料的每一材料包括大於3瓦/公尺·度（W/mK）的導熱材料； <br/>一個或多個焊球，被熱耦接至所述金屬化結構，所述金屬化結構位於所述玻璃基板與所述一個或多個焊球之間； <br/>多個連接，透過所述一個或多個焊球熱耦接至所述金屬化結構，所述一個或多個焊球位於所述金屬化結構與所述多個連接之間； <br/>封裝基板，被熱耦接至所述封裝基板的第一側上的所述多個連接；以及 <br/>多個封裝連接，在相對於所述封裝基板的所述第一側的所述封裝基板的第二側上， <br/>其中，所述鈍化層熱耦接至所述多個封裝連接以及透過所述多個連接熱耦接至所述封裝基板。
根據請求項1所述的整合被動器件，其中所述導熱材料是非聚醯胺。
根據請求項1所述的整合被動器件，其中所述導熱材料是聚對伸苯基苯雙㗁唑材料。
根據請求項1所述的整合被動器件，其中所述導熱材料是大於9W/mK的導熱材料。
根據請求項1所述的整合被動器件，其中所述第一器件是被動器件。
根據請求項1所述的整合被動器件，其中所述封裝基板在所述金屬化結構與所述玻璃基板相對的一側被熱耦接至所述金屬化結構。
根據請求項1所述的整合被動器件， <br/>其中所述封裝基板在所述多個連接與所述金屬化結構相對的一側被熱耦接至所述多個連接，以及 <br/>其中所述金屬化結構和所述多個連接被配置為將熱量傳導離開所述第一器件。
根據請求項1所述的整合被動器件，其中所述整合被動器件被併入如下設備，所述設備選自包括以下項目的群組：音樂播放機、視頻播放機、娛樂單元、導航設備、通信設備、行動設備、行動電話、智慧型電話、個人數位助理、固定位置終端、平板電腦、電腦、可穿戴設備、膝上型電腦、伺服器以及機動車輛中的設備。
一種整合被動器件，包括： <br/>玻璃基板； <br/>第一器件，在所述玻璃基板的第一側上； <br/>用於路由信號的構件，直接地在所述玻璃基板的所述第一側上，所述用於路由信號的構件被熱耦接至所述第一器件； <br/>用於鈍化的構件，在所述玻璃基板的所述第一側上，其中所述用於鈍化的構件包括多層不同材料且所述不同材料的每一材料包括大於3W/mK的導熱材料； <br/>一個或多個焊球，被熱耦接至所述用於路由信號的構件，所述用於路由信號的構件位於所述玻璃基板與所述一個或多個焊球之間； <br/>多個連接，透過所述一個或多個焊球熱耦接至所述用於路由信號的構件，所述一個或多個焊球位於所述用於路由信號的構件與所述多個連接之間； <br/>封裝基板，被熱耦接至所述封裝基板的第一側上的所述多個連接；以及 <br/>多個封裝連接，在相對於所述封裝基板的所述第一側的所述封裝基板的第二側上， <br/>其中，所述用於鈍化的構件熱耦接至所述多個封裝連接以及透過所述多個連接熱耦接至所述封裝基板。
根據請求項9所述的整合被動器件，其中所述導熱材料是非聚醯胺。
根據請求項9所述的整合被動器件，其中所述導熱材料是聚對伸苯基苯雙㗁唑材料。
根據請求項9所述的整合被動器件，其中所述導熱材料是大於9W/mK的導熱材料。
根據請求項9所述的整合被動器件，其中所述第一器件是被動器件。
根據請求項9所述的整合被動器件，其中所述封裝基板在所述用於路由信號的構件與所述玻璃基板相對的一側被熱耦接至所述用於路由信號的構件。
根據請求項9所述的整合被動器件， <br/>其中所述封裝基板在所述多個連接與所述用於路由信號的構件相對的一側被熱耦接至所述多個連接，以及 <br/>其中所述用於路由信號的構件和所述多個連接被配置為將熱量傳導離開所述第一器件。
根據請求項9所述的整合被動器件，其中所述整合被動器件被併入如下設備，所述設備選自包括以下項目的群組：音樂播放機、視頻播放機、娛樂單元、導航設備、通信設備、行動設備、行動電話、智慧型電話、個人數位助理、固定位置終端、平板電腦、電腦、可穿戴設備、膝上型電腦、伺服器以及機動車輛中的設備。
一種用於製造整合被動器件的方法，所述方法包括： <br/>提供玻璃基板； <br/>在所述玻璃基板的第一側上安裝第一器件； <br/>直接地在所述玻璃基板的所述第一側上形成金屬化結構； <br/>將所述金屬化結構耦接至所述第一器件； <br/>在所述玻璃基板的所述第一側上形成鈍化層，其中所述鈍化層包括多層不同材料且所述不同材料的每一材料包括大於3W/mK的導熱材料； <br/>形成被熱耦接至所述金屬化結構的一個或多個焊球，所述金屬化結構位於所述玻璃基板與所述一個或多個焊球之間； <br/>形成透過所述一個或多個焊球熱耦接至所述金屬化結構的多個連接，所述一個或多個焊球位於所述金屬化結構與所述多個連接之間； <br/>形成被熱耦接至所述封裝基板的第一側上的所述多個連接的封裝基板；以及 <br/>在相對於所述封裝基板的所述第一側的所述封裝基板的第二側上形成多個封裝連接， <br/>其中，所述鈍化層熱耦接至所述多個封裝連接以及透過所述多個連接熱耦接至所述封裝基板。
根據請求項17所述的方法，其中所述導熱材料是非聚醯胺。
根據請求項17所述的方法，其中所述導熱材料是聚對伸苯基苯雙㗁唑材料。
根據請求項17所述的方法，其中所述導熱材料是大於9W/mK的導熱材料。
根據請求項17所述的方法，其中所述第一器件是被動器件。
根據請求項17所述的方法，其中所述封裝基板在所述金屬化結構與所述玻璃基板相對的一側被熱耦接至所述金屬化結構。
根據請求項17所述的方法，其中所述封裝基板在所述多個連接與所述金屬化結構相對的一側被熱耦接至所述多個連接，以及 <br/>其中所述金屬化結構和所述多個連接被配置為將熱量傳導離開所述第一器件。
根據請求項17所述的方法，還包括將所述整合被動器件併入如下設備，所述設備選自包括以下項目的群組：音樂播放機、視頻播放機、娛樂單元、導航設備、通信設備、行動設備、行動電話、智慧型電話、個人數位助理、固定位置終端、平板電腦、電腦、可穿戴設備、膝上型電腦、伺服器以及機動車輛中的設備。
一種半導體處理液，其由高純度異丙醇所組成，其中，<br/> 前述高純度異丙醇係根據使用了氣相層析的質譜分析(GC/MS)，當以去除水後的濃度表示時，異丙醇的濃度為99.99%以上，<br/> 前述高純度異丙醇含有以質量基準計為0.1～100ppm的水分，<br/> 在SUS304製容器內於50℃、氮氣氣氛下儲存60天時，相對於異丙醇，由下述式(1)表示的氧雜環戊烷化合物的濃度以質量基準計為10ppb以下：<br/><img align="absmiddle" height="28px" width="42px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式(1)中，R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>各自獨立地表示氫原子或碳數1～3的烷基，其中，R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>的碳數合計為3以下，R<sup>3</sup>表示氫原子或異丙基。
如請求項1所述之半導體處理液，其中，前述式(1)中的R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>的碳數合計為1～3。
如請求項1所述之半導體處理液，其中，前述由式(1)表示的氧雜環戊烷化合物是4,5,5-三甲基四氫呋喃-2-醇或2-異丙氧基-4,5,5-三甲基四氫呋喃。
如請求項1～3中任一項所述之半導體處理液，其中，異丙醇是根據丙烯的直接水合法而獲得。
一種半導體處理液的製造方法，是製造請求項1～3中任一項所述之半導體處理液的方法，其中，該製造方法包含下述步驟：<br/> 低沸蒸餾步驟，以低沸蒸餾塔來蒸餾含水量為80質量%以上的粗異丙醇水溶液，將沸點比異丙醇更低的低沸雜質從前述低沸蒸餾塔的塔頂餾除，同時從前述低沸蒸餾塔的塔底獲得經去除低沸雜質後的異丙醇水溶液；<br/> 共沸蒸餾步驟，以共沸蒸餾塔來蒸餾前述異丙醇水溶液，將異丙醇與水之共沸混合物從前述共沸蒸餾塔的塔頂餾除，同時從前述共沸蒸餾塔的塔底排出沸點比異丙醇更高的高沸雜質；及，<br/> 脫水步驟，對前述共沸混合物進行脫水，而獲得高純度異丙醇；<br/> 前述低沸蒸餾步驟中，從該低沸蒸餾塔的上段起算10～50%的位置以相對於對該低沸蒸餾塔供給的前述粗異丙醇水溶液為0.1體積%以上的比例來提取在前述低沸蒸餾塔的塔內流下的液體作為側流，將實質總量的該側流排出至系外。
如請求項5所述之半導體處理液的製造方法，其中，前述粗異丙醇水溶液是根據丙烯的直接水合法而獲得。
一種在一電子設備中處理資訊之方法，該方法包括： <br/>自一使用者獲取一點數查詢輸入； <br/>回應於該點數查詢輸入，產生第一查詢識別資訊； <br/>獲取包含該第一查詢識別資訊且用於識別該使用者之使用者資訊； <br/>將包含該使用者資訊之一點數查詢請求傳輸至一或多個合作夥伴之伺服器； <br/>回應於該點數查詢請求自該一或多個合作夥伴中之一第一合作夥伴獲取對應於該使用者之一第一點數之餘額資訊； <br/>將該第一點數之該餘額資訊提供給該使用者；及 <br/>當自該使用者獲取包含用於在該第一點數與關於該電子設備之一服務之一第二點數之間轉換之一轉換請求之資訊時，處理對應於該轉換請求之一業務， <br/>其中該第一查詢識別資訊之該產生包含： <br/>獲取包含關於該第一查詢識別資訊之一產生之一時間點之第一資訊、包含對應於產生該第一查詢識別資訊之該電子設備之一伺服器裝置之一序號之第二資訊，以及包含對應於一序數位置之一序列號之第三資訊，在該序數位置處基於關於該第一查詢識別資訊之該產生之該時間點在該電子設備中產生之複數條識別資訊中產生該第一查詢識別資訊；及 <br/>轉換一序列之數值位元成字母數字字元，其中該序列之數值位元包括藉由連接以一預定順序表示該第一資訊、該第二資訊及該第三資訊之數值位元而產生之48或更小位元，且 <br/>該業務之該處理包含： <br/>回應於該轉換請求，產生基於該業務之第二查詢識別資訊；及 <br/>傳輸該第二查詢識別資訊至該第一合作夥伴之一伺服器。
如請求項1之方法，其中該使用者資訊包含用於在該一或多個合作夥伴中識別該使用者之連接資訊(CI)。
如請求項1之方法，其中該序列之數值位元包含表示具有至多32位元之一大小之該第一資訊之數值位元、表示具有8位元之一大小之該第二資訊之數值位元，及表示具有至多8位元之一大小之該第三資訊之數值位元。
如請求項1之方法，其中該業務之該處理包括： <br/>改變該第二點數之餘額資訊以對應於該第二查詢識別資訊。
如請求項1之方法，其中該業務之該處理包括在回應於該轉換請求自該第一合作夥伴接收核可資訊時改變該第二點數之該餘額資訊。
如請求項1之方法，其中對應於該轉換請求之該業務之該處理進一步包括： <br/>藉由儲存該第二查詢識別資訊來記錄該業務之處理。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>自該使用者獲取關於與該使用者有關之一合作夥伴之資訊， <br/>其中基於關於與該使用者有關之該合作夥伴之該資訊來判定該一或多個合作夥伴。
如請求項1之方法，其中在自該使用者獲取與對應於該第一合作夥伴之點數轉換有關之預先核可資訊時，可基於該預先核可資訊將該第一點數轉換成該第二點數，同時省略包含該轉換請求之資訊之一獲取。
如請求項1之方法，其中自該使用者獲取與對應於該第一合作夥伴之一點數查詢有關之預先核可資訊，省略該點數查詢請求之傳輸，且基於該預先核可資訊來獲取該第一點數之該餘額資訊。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>當回應於該點數查詢請求自該一或多個合作夥伴中之一第二合作夥伴接收指示該使用者並非該第二合作夥伴之一會員時，自該一或多個合作夥伴排除該第二合作夥伴。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>獲取包含該第一點數與該第二點數之間的一轉換比率之資訊， <br/>其中基於包含該轉換比率之該資訊來執行該業務。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>將對應於該轉換請求之該第一點數之該餘額資訊或該第二點數之餘額資訊之至少一者提供給該使用者。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>自該使用者獲取對一或多個物品之一支付請求， <br/>其中基於該支付請求來傳輸該點數查詢請求。
如請求項13之方法，其進一步包括： <br/>將用於基於對應於該轉換請求之該第二點數之餘額資訊來支付該一或多個物品的一介面提供給該使用者。
如請求項13之方法，其進一步包括： <br/>當對應於該支付請求之一支付金額小於或等於自該一或多個合作夥伴之至少一者傳輸之對應於該使用者之一點數之一總餘額時，建議點數轉換。
如請求項1之方法，其中該點數查詢請求至該一或多個合作夥伴之該伺服器之該傳輸包括： <br/>識別關於該一或多個合作夥伴之資訊；及 <br/>將包含對應於該一或多個合作夥伴之各者之資訊之該點數查詢請求傳輸至該一或多個合作夥伴之各伺服器。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>當該第一點數對應於待轉換成現金並提取之一點數時，取代處理對應於該轉換請求之一業務，回應於該轉換請求而向該使用者提供指示該第一點數與該第二點數之間的該轉換不可用之資訊。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其包括用於執行如請求項1之方法之一電腦程式。
一種用於處理資訊之電子設備，該電子設備包括： <br/>一收發器； <br/>其中儲存指令之一記憶體；及 <br/>一處理器， <br/>其中該處理器連接至該收發器及該記憶體且經組態以： <br/>自一使用者獲取一點數查詢輸入； <br/>回應於該點數查詢輸入，產生第一查詢識別資訊； <br/>獲取包含該第一查詢識別資訊且用於識別該使用者之使用者資訊； <br/>將包含該使用者資訊之一點數查詢請求傳輸至一或多個合作夥伴之伺服器； <br/>回應於該點數查詢請求自該一或多個合作夥伴中之一第一合作夥伴獲取對應於該使用者之一第一點數之餘額資訊； <br/>將該第一點數之該餘額資訊提供給該使用者；及 <br/>當自該使用者獲取包含用於在該第一點數與關於該電子設備之一服務之一第二點數之間轉換之一轉換請求之資訊時，處理對應於該轉換請求之一業務， <br/>其中該處理器經組態以藉由以下方式產生該第一查詢識別資訊： <br/>獲取包含關於該第一查詢識別資訊之一產生之一時間點之第一資訊、包含對應於產生該第一查詢識別資訊之該電子設備之一伺服器裝置之一序號之第二資訊，以及包含對應於一序數位置之一序列號之第三資訊，在該序數位置處基於關於該第一查詢識別資訊之該產生之該時間點在該電子設備中產生之複數條識別資訊中產生該第一查詢識別資訊；及 <br/>轉換一序列之數值位元成字母數字字元，其中該序列之數值位元包括藉由連接以一預定順序表示該第一資訊、該第二資訊及該第三資訊之數值位元而產生之48或更小位元，且 <br/>其中該處理器經組態以經由以下方式處理該業務： <br/>回應於該轉換請求，產生基於該業務之第二查詢識別資訊；及 <br/>傳輸該第二查詢識別資訊至該第一合作夥伴之一伺服器。
一種高電子遷移率電晶體(HEMT)，包括：<br/>緩衝層，在基板上方；<br/>障壁層，在所述緩衝層上方；<br/>二維電子氣體層(2DEG)傳導通道，在所述緩衝層與所述障壁層的底表面之間的異質接面處；<br/>源極和汲極，各自電耦合到所述2DEG傳導通道；<br/>第一閘極，包括底表面，所述底表面與在所述源極與所述汲極之間的所述障壁層直接接觸，並且所述第一閘極的長度在從所述源極到所述汲極的方向上延伸；以及<br/>第二閘極，在所述第一閘極與所述汲極之間，所述第二閘極包括第二底表面，所述第二底表面與所述障壁層直接接觸並且被凹陷所述障壁層中比所述第一閘極的所述底表面更深的深度，並且所述第二閘極的長度在所述方向上延伸。
根據請求項1所述的HEMT，其中所述第一閘極的所述底表面與所述障壁層的頂表面直接接觸。
根據請求項1所述的HEMT，其中所述第一閘極的所述底表面在所述障壁層的頂表面下方被凹陷到所述障壁層中。
根據請求項1所述的HEMT，其中：<br/>所述障壁層包括頂表面，並且所述障壁層的厚度是所述障壁層的所述頂表面與所述障壁層的所述底表面之間的距離；以及<br/>所述第二閘極的所述第二底表面被凹陷所述障壁層中的所述深度是在所述障壁層的所述頂表面下方的具有如下範圍的距離：所述障壁層的所述厚度的5％至100％。
根據請求項1所述的HEMT，其中所述第二閘極在所述方向上的所述長度等於所述第一閘極的所述長度。
根據請求項1所述的HEMT，其中所述第一閘極的所述長度和所述第二閘極的所述長度各自在0.03微米至2.0微米的範圍內。
根據請求項1所述的HEMT，其中在所述方向上所述第一閘極與所述第二閘極之間的距離等於所述第一閘極的所述長度。
根據請求項5所述的HEMT，其中在所述方向上從所述第一閘極到所述第二閘極的距離在0微米至2.0微米之間的範圍內。
根據請求項5所述的HEMT，其中：<br/>所述第一閘極的所述長度和所述第二閘極的所述長度各自為約0.2微米；以及<br/>在所述方向上從所述第一閘極到所述第二閘極的距離在0.2微米至0.8微米的範圍內。
根據請求項1所述的HEMT，其中所述障壁層包括氮化鋁鎵(AlGaN)，並且所述緩衝層包括氮化鎵(GaN)。
根據請求項1所述的HEMT，被整合在積體電路IC中。
根據請求項1所述的HEMT，被集成到選自由以下各項組成的組：機上盒；娛樂單元；導航設備；通訊設備；固定位置資料單元；移動位置資料單元；全球定位系統GPS設備；行動電話；蜂巢式電話；智慧型電話；會話發起協定SIP電話；平板電腦；平板手機；伺服器；電腦；可擕式電腦；行動計算裝置；可穿戴計算設備；臺式電腦；個人數位助理PDA；顯示器；電腦顯示器；電視；調諧器；收音機；衛星廣播；音樂播放機；數位音樂播放機；可擕式音樂播放機；數位視訊播放機；視頻播放機；數位視訊光碟DVD播放機；可擕式數位視訊播放機；汽車；交通工具組件；航空電子系統；無人機；以及多旋翼飛行器。
一種高電子遷移率電晶體(HEMT)，包括：<br/>緩衝層，在基板上，所述緩衝層包括頂表面；<br/>源極和汲極直接相鄰所述緩衝層；<br/>障壁層，直接相鄰所述源極和所述汲極以及從所述源極延伸至直接相鄰所述緩衝層的所述頂表面的所述汲極，所述障壁層包括與所述源極和所述汲極各自的底表面位於同一水平面的底表面；<br/>二維電子氣體層(2DEG)傳導通道，在所述緩衝層與所述障壁層的底表面之間的異質接面處，所述異質接面處從所述源極延伸至所述汲極；<br/>第一閘極，包括底表面，所述底表面在絕緣層的頂表面上及在所述源極與所述汲極之間的所述障壁層的頂表面之上方，並且所述第一閘極的長度在從所述源極到所述汲極的第一方向上延伸；以及<br/>第二閘極，在所述第一閘極與所述汲極之間，所述第二閘極包括第二底表面，其中：<br/>所述第二底表面凹陷到所述障壁層中；<br/>所述第二閘極和所述緩衝層之間的所述障壁層的厚度比所述第一閘極和所述緩衝層之間的所述障壁層厚度更薄；以及<br/>所述第二閘極的長度沿所述第一方向延伸；<br/>其中，所述絕緣層包括位於所述第一閘極的所述底表面和所述障壁層之間的第一閘極絕緣體、以及位於所述第二閘極的所述第二底表面和所述障壁層之間的第二閘極絕緣體，並且所述第一閘極和所述源極之間的第一距離小於所述第一閘極和所述汲極之間的第二距離。
根據請求項13所述的HEMT，其中所述第一閘極絕緣體設置在所述障壁層的所述頂表面上。
根據請求項13所述的HEMT，其中所述第二閘極絕緣體凹陷到所述障壁層的所述頂表面下方。
根據請求項13所述的HEMT，其中所述第二閘極的所述長度等於所述第一閘極的所述長度。
根據請求項13所述的HEMT，其中所述第一閘極的所述長度和所述第二閘極的所述長度各自在0.03微米至2.0微米的範圍內。
根據請求項13所述的HEMT，其中在所述第一方向上從所述第一閘極到所述第二閘極的距離等於所述第一閘極的所述長度。
根據請求項16所述的HEMT，其中在所述第一方向上所述第一閘極與所述第二閘極之間的距離在0微米至2.0微米之間的範圍內。
根據請求項16所述的HEMT，其中：<br/>所述第一閘極的所述長度和所述第二閘極的所述長度各自為約0.2微米；以及<br/>在所述第一方向上從所述第一閘極到所述第二閘極的距離在約0.2微米至約0.8微米的範圍內。
根據請求項13所述的HEMT，其中所述障壁層包括氮化鋁鎵(AlGaN)，並且所述緩衝層包括氮化鎵(GaN)。
一種高電子遷移率電晶體(HEMT)，包括：<br/>緩衝層，在基板上方；<br/>障壁層，在所述緩衝層上方；<br/>二維電子氣體層(2DEG)傳導通道，在所述緩衝層與所述障壁層的底表面之間的異質接面處；<br/>源極和汲極，各自電耦合到所述2DEG傳導通道；<br/>第一閘極，包括底表面，所述底表面與在所述源極與所述汲極之間的所述障壁層直接接觸，並且所述第一閘極的長度在從所述源極到所述汲極的方向上延伸；<br/>第二閘極，在所述第一閘極與所述汲極之間，所述第二閘極包括第二底表面，所述第二底表面與所述障壁層直接接觸並且被凹陷所述障壁層中比所述第一閘極的所述底表面更深的深度，並且所述第二閘極的長度在所述方向上延伸；以及<br/>第三閘極，在所述第二閘極與所述汲極之間，所述第三閘極包括第三底表面，所述第三底表面與所述障壁層直接接觸並且被凹陷所述障壁層中一定深度，所述一定深度與所述第二閘極的所述第二底表面在所述障壁層中的所述深度相比相等或更深，並且所述第三閘極的長度在所述方向上延伸。
根據請求項22所述的HEMT，其中所述第一閘極的所述底表面與所述障壁層的頂表面直接接觸。
根據請求項22所述的HEMT，其中所述第一閘極的所述底表面在所述障壁層的頂表面下方被凹陷所述障壁層中。
根據請求項22所述的HEMT，其中：<br/>所述障壁層包括頂表面，並且所述障壁層的厚度是所述障壁層的所述頂表面與所述障壁層的所述底表面之間的距離；<br/>所述第二閘極的所述第二底表面被凹陷所述障壁層中的所述深度是在所述障壁層的所述頂表面下方的具有如下範圍的距離：所述障壁層的所述厚度的5％至100％；以及<br/>所述第三閘極的所述第三底表面，被凹陷所述障壁層中的所述深度是在所述障壁層的所述頂表面下方的具有如下範圍的距離：所述障壁層的所述厚度的5％至100％。
根據請求項22所述的HEMT，其中：<br/>所述第二閘極的所述長度等於所述第一閘極的所述長度；以及<br/>所述第三閘極的所述長度等於所述第二閘極的所述長度。
根據請求項22所述的HEMT，其中所述第一閘極的所述長度、所述第二閘極的所述長度，以及所述第三閘極的所述長度各自在0.03微米至2.0微米的範圍內。
根據請求項22所述的HEMT，其中：<br/>在所述方向上從所述第一閘極到所述第二閘極的距離等於所述第一閘極的所述長度；以及<br/>在所述方向上從所述第二閘極到所述第三閘極的距離等於所述第一閘極的所述長度。
根據請求項22所述的HEMT，其中在所述方向上從所述第一閘極到所述第二閘極的距離和在所述方向上從所述第二閘極到所述第三閘極的距離每個在約0微米至約2.0微米的範圍內。
根據請求項22所述的HEMT，其中所述緩衝層包括氮化鋁鎵(AlGaN)，並且所述障壁層包括氮化鎵(GaN)。
一種製造HEMT的方法，所述方法包括：<br/>在基板上方形成緩衝層；<br/>在所述緩衝層上方設置障壁層以形成二維電子氣體層2DEG傳導通道；<br/>從所述緩衝層去除所述障壁層在所述2DEG傳導通道的每個端部處的一部分；<br/>在去除了所述障壁層在所述2DEG傳導通道的相應端部處的所述一部分的所述緩衝層上，形成源極和汲極；<br/>使所述障壁層凹陷以形成凹陷的閘極位置；<br/>在所述障壁層上的第一閘極位置中形成第一閘極；<br/>在所述障壁層上的所述凹陷的閘極位置中形成第二閘極；以及<br/>在所述障壁層上沉積鈍化層。
一種樹脂成形體之製造方法，其係包含樹脂組合物之樹脂成形體之製造方法，上述樹脂成形體之製造方法包括如下步驟：將上述樹脂組合物於料筒溫度為220℃以上270℃以下、滯留時間為100秒以上1000秒以下之條件下射出成形， <br/>上述樹脂組合物係包含芳香族聚碳酸酯樹脂及抗氧化劑者， <br/>上述抗氧化劑之含量相對於上述芳香族聚碳酸酯樹脂100質量份，為0.005質量份以上0.5質量份以下， <br/>上述抗氧化劑包含亞磷酸酯系抗氧化劑或酚系抗氧化劑之至少1種， <br/>於使用包含上述樹脂組合物，且具備光入射之入射部、使入射之光出射之出射部、及將自上述入射部入射之光導引至上述出射部之導光部，並且上述導光部具有使入射之光全反射之曲率之光路，且將上述樹脂組合物於料筒溫度為260℃、模具溫度為80℃、循環時間為40秒、滯留時間為415秒之條件下射出成形所獲得的光學特性測定用成形體，以白色發光二極體作為光源進行測色時， <br/>上述光學特性測定用成形體的導光路之距離上述入射部125 mm之位置之CIE 1931表色系統中之y(Y1)、與導光路之距離上述入射部525 mm之位置之CIE 1931表色系統中之y(Y2)的差(Y2－Y1)為0.055以下，並且導光路之距離上述入射部525 mm之位置之CIE 1931表色系統中之y(Y2)為0.40以下。
如請求項1之樹脂成形體之製造方法，其中將上述樹脂組合物於料筒溫度為260℃、模具溫度為80℃、循環時間為50秒、滯留時間為230秒之條件下射出成形所獲得之5 mm厚平板含有源自上述抗氧化劑之著色源化合物，上述著色源化合物之共軛數為10以下，上述5 mm厚平板中之上述著色源化合物之含量為1 ppm以下。
如請求項1或2之樹脂成形體之製造方法，其中上述芳香族聚碳酸酯樹脂之黏度平均分子量為10,000以上30,000以下。
如請求項1或2之樹脂成形體之製造方法，其中上述樹脂組合物進而含有脂肪酸酯，該脂肪酸酯之含量相對於上述芳香族聚碳酸酯樹脂100質量份，為0.01質量份以上0.5質量份以下。
如請求項1或2之樹脂成形體之製造方法，其中將上述樹脂組合物於料筒溫度為260℃、模具溫度為80℃、循環時間為50秒、滯留時間為230秒之條件下射出成形所獲得之5 mm厚平板的全光線透過率為80%以上。
如請求項1或2之樹脂成形體之製造方法，其中將上述樹脂組合物於料筒溫度為260℃、模具溫度為80℃、循環時間為50秒、滯留時間為230秒之條件下射出成形所獲得之5 mm厚平板的YI為1.2以下。
如請求項1或2之樹脂成形體之製造方法，其中將上述樹脂組合物於料筒溫度為260℃、模具溫度為80℃、循環時間為50秒、滯留時間為230秒之條件下射出成形所獲得之5 mm厚平板於波長340～400 nm下之平均分光光線透過率為85.5%以上。
如請求項1或2之樹脂成形體之製造方法，其中上述樹脂組合物進而含有脂環式環氧化合物，該脂環式環氧化合物之含量相對於上述芳香族聚碳酸酯樹脂100質量份，為0.01質量份以上0.5質量份以下。
如請求項1或2之樹脂成形體之製造方法，其中上述樹脂成形體係光學用零件。
如請求項1或2之樹脂成形體之製造方法，其中上述樹脂成形體含有源自上述抗氧化劑之著色源化合物，上述著色源化合物之共軛數為10以下，上述樹脂成形體中之上述著色源化合物之含量為1 ppm以下。
一種樹脂成形體之製造方法，其包括藉由將包含芳香族聚碳酸酯樹脂及抗氧化劑之樹脂組合物於料筒溫度為220℃以上270℃以下、滯留時間為100秒以上1000秒以下之條件下射出成形而獲得樹脂成形體的步驟， <br/>上述抗氧化劑之含量相對於上述芳香族聚碳酸酯樹脂100質量份，為0.005質量份以上0.5質量份以下， <br/>上述抗氧化劑包含亞磷酸酯系抗氧化劑或酚系抗氧化劑之至少1種， <br/>上述樹脂成形體含有源自上述抗氧化劑之著色源化合物，上述著色源化合物之共軛數為10以下，上述樹脂成形體中之上述著色源化合物之含量未達0.0003 ppm。
如請求項11之樹脂成形體之製造方法，其中上述樹脂成形體中之上述著色源化合物之含量為0.0002 ppm以下。
一種用於經口投予之醫藥組成物，其包含：15至40wt%的N-(5-(4-(4-((二甲基胺基)甲基)-3-苯基-1H-吡唑-1-基)嘧啶-2-基胺基)-4-甲氧基-2-N-嗎啉基苯基)丙烯醯胺甲磺酸鹽作為活性成分；55至80wt%的微晶纖維素與甘露醇之組合；2至3wt%的交聯羧甲基纖維素鈉；及0.5至2wt%的硬脂酸鎂，其中該微晶纖維素及該甘露醇係以1：0.20至1：0.30之重量比存在於該醫藥組成物中，其中該組合係該微晶纖維素及該甘露醇之不存在溶劑之乾燥摻合物。
如請求項1所述之醫藥組成物，其中該微晶纖維素及該甘露醇係以1：0.20至1：0.25之重量比存在於該醫藥組成物中。
如請求項1所述之醫藥組成物，其中N-(5-(4-(4-((二甲基胺基)甲基)-3-苯基-1H-吡唑-1-基)嘧啶-2-基胺基)-4-甲氧基-2-N-嗎啉基苯基)丙烯醯胺甲磺酸鹽係具有在5.614、12.394、14.086、17.143、18.020、19.104、21.585、22.131、及22.487°2θ±0.2°2θ處具有峰的PXRD圖案之晶形。
如請求項1所述之醫藥組成物，其中N-(5-(4-(4-((二甲基胺基)甲基)-3-苯基-1H-吡唑-1-基)嘧啶-2-基胺基)-4-甲氧基-2-N-嗎啉基苯基)丙烯醯胺甲磺酸鹽係具有在210至230℃處具有吸熱峰的微差掃描熱量計(DSC)熱分析圖之晶形。
如請求項1所述之醫藥組成物，其進一步包含膠態二氧化矽。
如請求項5所述之醫藥組成物，其中該膠態二氧化矽係疏水性膠態二氧化矽。
如請求項5或請求項6所述之醫藥組成物，其中以該醫藥組成物之總重量計，該膠態二氧化矽係以0.50wt%的量存在。
如請求項1所述之醫藥組成物，其中N-(5-(4-(4-((二甲基胺基)甲基)-3-苯基-1H-吡唑-1-基)嘧啶-2-基胺基)-4-甲氧基-2-N-嗎啉基苯基)丙烯醯胺甲磺酸鹽係具有在217±2℃處具有吸熱峰的微差掃描熱量計(DSC)熱分析圖之晶形。
如請求項1所述之醫藥組成物，其中相對於微晶纖維素與甘露醇之該組合，該活性成分係以1：1.5至1：4的重量比存在於該醫藥組成物中。
如請求項1所述之醫藥組成物，其中相對於微晶纖維素與甘露醇之該組合，該活性成分係以1：1.8至1：3.9的重量比存在於該醫藥組成物中。
如請求項1所述之醫藥組成物，其中相對於該醫藥組成物之總重量，該活性成分係以15至35wt%的量存在。
如請求項1所述之醫藥組成物，其中相對於該醫藥組成物之總重量，該活性成分係以18至35wt%的量存在。
如請求項1所述之醫藥組成物，其中相對於該醫藥組成物之總重量，該活性成分係以20wt%的量存在。
如請求項1所述之醫藥組成物，其中相對於該醫藥組成物之總重量，該活性成分係以25wt%的量存在。
一種具有以下結構(I)之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、立體異構體或水合物， <br/><img align="absmiddle" height="168px" width="193px" file="ed10228.jpg" alt="ed10228.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/><br/>其中： <br/>A為視情況經一或多個R<sup>6</sup>取代之苯基或吡啶基； <br/>X為N； <br/>Y為NH； <br/>R<sup>1</sup>為H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基； <br/>R<sup>2</sup>為C<sub>3</sub>-C<sub>4</sub>環烷基、3員至8員雜環基，或5員或6員雜芳基，其中之每一者視情況經一或多個選自以下之取代基取代：鹵基、羥基、氰基、胺基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基及3員至8員雜環基； <br/>R<sup>3</sup>為H、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基、3員至8員雜環基或5員或6員雜芳基，其中之每一者視情況經一或多個選自以下之取代基取代：鹵基、羥基、氰基、胺基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基及C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基； <br/>R<sup>4</sup>為選自以下之雜芳基：㗁唑基、異㗁唑基、1,2,3-㗁二唑基、1,2,4-㗁二唑基、1,2,5-㗁二唑基、1,3,4-㗁二唑基、1,2,3-三唑基、1,2,4-三唑基、噻唑基、異噻唑基、1,2,3-噻二唑基、1,2,4-噻二唑基、1,2,5-噻二唑基及1,3,4-噻二唑基，其中之每一者視情況經一或多個選自以下之取代基取代：鹵基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基、氰基、胺基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>羥烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>氰烷基、3員至8員雜環基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>鹵烷基環烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>胺基烷基環烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>烷基環烷基、3員至8員雜環基烷基、3員至8員烷基雜環基環烷基、3員至8員鹵雜環基烷基及C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>鹵環烷基； <br/>R<sup>5</sup>為H、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基、3員至8員雜環基、C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基或5員或6員雜芳基，其中之每一者視情況經一或多個選自以下之取代基取代：鹵基、羥基、氰基、胺基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基及C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基；及 <br/>R<sup>6</sup>在每次出現時獨立地為鹵基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、氰基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>羥烷基或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、立體異構體或水合物，其中R<sup>1</sup>為H。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、立體異構體或水合物，其中R<sup>2</sup>為環丙基、環丁基、吡咯啶基、哌啶基或氧呾基(oxetanyl)，其中之每一者視情況經一或多個選自以下之取代基取代：鹵基、羥基、氰基、胺基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基及3員至8員雜環基。
如請求項3之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、立體異構體或水合物，其中R<sup>2</sup>未經取代。
如請求項1至4中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、立體異構體或水合物，其中R<sup>2</sup>具有以下結構中之一者： <br/><img align="absmiddle" height="67px" width="303px" file="ed10229.jpg" alt="ed10229.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="60px" width="39px" file="ed10230.jpg" alt="ed10230.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1至4中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、立體異構體或水合物，其中R<sup>3</sup>為H。
如請求項1至4中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、立體異構體或水合物，其中R<sup>4</sup>為㗁唑基、異㗁唑基、1,2,3-㗁二唑基、噻唑基、異噻唑基、1,2,4-噻二唑基、1,3,4-噻二唑基、1,2,4-三唑基或1,3,4-㗁二唑基，其中之每一者視情況經一或多個選自以下之取代基取代：鹵基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基、氰基、胺基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>羥烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>氰烷基、3員至8員雜環基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>鹵烷基環烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>胺基烷基環烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>烷基環烷基、3員至8員雜環基烷基、3員至8員烷基雜環基環烷基、3員至8員鹵雜環基烷基及C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>鹵環烷基，以及其組合。
如請求項7之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、立體異構體或水合物，其中R<sup>4</sup>為視情況經一或多個選自以下之取代基取代的異㗁唑基：鹵基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基、氰基、胺基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>羥烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>氰烷基、3員至8員雜環基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>鹵烷基環烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>胺基烷基環烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>烷基環烷基、3員至8員雜環基烷基、3員至8員烷基雜環基環烷基、3員至8員鹵雜環基烷基及C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>鹵環烷基，以及其組合。
如請求項1至4中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、立體異構體或水合物，其中R<sup>4</sup>經C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基、氰基、胺基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>羥烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>氰烷基、3員至8員雜環基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>鹵烷基環烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>胺基烷基環烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>烷基環烷基、3員至8員雜環基烷基、3員至8員烷基雜環基環烷基、3員至8員鹵雜環基烷基或C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>鹵環烷基，或其組合取代。
如請求項1至4中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、立體異構體或水合物，其中R<sup>4</sup>具有以下結構中之一者： <br/><img align="absmiddle" height="422px" width="632px" file="ed10231.jpg" alt="ed10231.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="82px" width="367px" file="ed10232.jpg" alt="ed10232.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1至4中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、立體異構體或水合物，其中R<sup>5</sup>為H。
如請求項1至4中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、立體異構體或水合物，其中A未經取代。
如請求項1至4中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、立體異構體或水合物，其中A經一或多個選自鹵基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>羥烷基、氰基或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基之取代基取代。
如請求項13之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、立體異構體或水合物，其中鹵基為氯基或氟基。
如請求項13之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、立體異構體或水合物，其中C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>羥烷基為-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>OH。
如請求項13之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、立體異構體或水合物，其中C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基為甲氧基。
如請求項1至4中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、立體異構體或水合物，其中A具有以下結構中之一者： <br/><img align="absmiddle" height="20px" width="27px" file="ed10233.jpg" alt="ed10233.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<img align="absmiddle" height="24px" width="27px" file="ed10234.jpg" alt="ed10234.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<img align="absmiddle" height="19px" width="41px" file="ed10235.jpg" alt="ed10235.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<img align="absmiddle" height="30px" width="41px" file="ed10236.jpg" alt="ed10236.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<img align="absmiddle" height="22px" width="41px" file="ed10237.jpg" alt="ed10237.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <img align="absmiddle" height="18px" width="27px" file="ed10238.jpg" alt="ed10238.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<img align="absmiddle" height="20px" width="32px" file="ed10239.jpg" alt="ed10239.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<img align="absmiddle" height="20px" width="27px" file="ed10240.jpg" alt="ed10240.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<img align="absmiddle" height="22px" width="27px" file="ed10241.jpg" alt="ed10241.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<img align="absmiddle" height="22px" width="27px" file="ed10242.jpg" alt="ed10242.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <img align="absmiddle" height="26px" width="28px" file="ed10243.jpg" alt="ed10243.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<img align="absmiddle" height="27px" width="27px" file="ed10244.jpg" alt="ed10244.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<img align="absmiddle" height="27px" width="27px" file="ed10245.jpg" alt="ed10245.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="20px" width="27px" file="ed10246.jpg" alt="ed10246.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1至4中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、立體異構體或水合物，其中該化合物具有以下結構(IA)： <br/><img align="absmiddle" height="221px" width="175px" file="ed10247.jpg" alt="ed10247.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>，其中： <br/>R<sup>2a</sup>為視情況經一或多個選自以下之取代基取代的C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基：鹵基、羥基、氰基、胺基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基及3員至8員雜環基； <br/>R<sup>4a</sup>具有以下結構中之一者： <br/><img align="absmiddle" height="35px" width="41px" file="ed10248.jpg" alt="ed10248.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="36px" width="49px" file="ed10249.jpg" alt="ed10249.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="36px" width="48px" file="ed10250.jpg" alt="ed10250.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="37px" width="40px" file="ed10251.jpg" alt="ed10251.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="36px" width="40px" file="ed10252.jpg" alt="ed10252.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="27px" width="31px" file="ed10253.jpg" alt="ed10253.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="26px" width="32px" file="ed10254.jpg" alt="ed10254.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="37px" width="40px" file="ed10255.jpg" alt="ed10255.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="37px" width="40px" file="ed10256.jpg" alt="ed10256.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="36px" width="48px" file="ed10257.jpg" alt="ed10257.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="37px" width="45px" file="ed10258.jpg" alt="ed10258.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="26px" width="33px" file="ed10259.jpg" alt="ed10259.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="24px" width="27px" file="ed10260.jpg" alt="ed10260.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="27px" width="28px" file="ed10261.jpg" alt="ed10261.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="20px" width="27px" file="ed10262.jpg" alt="ed10262.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="24px" width="37px" file="ed10263.jpg" alt="ed10263.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="24px" width="31px" file="ed10264.jpg" alt="ed10264.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="28px" width="32px" file="ed10265.jpg" alt="ed10265.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="24px" width="27px" file="ed10266.jpg" alt="ed10266.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="25px" width="27px" file="ed10267.jpg" alt="ed10267.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="24px" width="32px" file="ed10268.jpg" alt="ed10268.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="19px" width="32px" file="ed10269.jpg" alt="ed10269.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="24px" width="27px" file="ed10270.jpg" alt="ed10270.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="25px" width="38px" file="ed10271.jpg" alt="ed10271.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="20px" width="43px" file="ed10272.jpg" alt="ed10272.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 或 <img align="absmiddle" height="25px" width="27px" file="ed10273.jpg" alt="ed10273.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項18之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、立體異構體或水合物，其中R<sup>2a</sup>具有以下結構： <br/><img align="absmiddle" height="66px" width="43px" file="ed10274.jpg" alt="ed10274.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項18之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、立體異構體或水合物，其中R<sup>4a</sup>具有以下結構中之一者： <br/><img align="absmiddle" height="81px" width="223px" file="ed10275.jpg" alt="ed10275.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、立體異構體或水合物，其係具有下列結構中之一者之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="66px" width="64px" file="ed10276.jpg" alt="ed10276.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="63px" width="65px" file="ed10277.jpg" alt="ed10277.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>;<img align="absmiddle" height="63px" width="65px" file="ed10278.jpg" alt="ed10278.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <br/><img align="absmiddle" height="64px" width="64px" file="ed10279.jpg" alt="ed10279.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>;<img align="absmiddle" height="63px" width="70px" file="ed10280.jpg" alt="ed10280.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>;<img align="absmiddle" height="64px" width="64px" file="ed10281.jpg" alt="ed10281.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <br/><img align="absmiddle" height="58px" width="58px" file="ed10282.jpg" alt="ed10282.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="58px" width="58px" file="ed10283.jpg" alt="ed10283.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="64px" width="64px" file="ed10284.jpg" alt="ed10284.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <br/><img align="absmiddle" height="64px" width="69px" file="ed10285.jpg" alt="ed10285.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="64px" width="69px" file="ed10286.jpg" alt="ed10286.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <br/><img align="absmiddle" height="95px" width="103px" file="ed10287.jpg" alt="ed10287.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="94px" width="97px" file="ed10288.jpg" alt="ed10288.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="63px" width="65px" file="ed10289.jpg" alt="ed10289.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="73px" width="73px" file="ed10290.jpg" alt="ed10290.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="66px" width="77px" file="ed10291.jpg" alt="ed10291.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="73px" width="73px" file="ed10292.jpg" alt="ed10292.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <br/><img align="absmiddle" height="73px" width="73px" file="ed10293.jpg" alt="ed10293.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="72px" width="74px" file="ed10294.jpg" alt="ed10294.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <br/><img align="absmiddle" height="66px" width="77px" file="ed10295.jpg" alt="ed10295.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="79px" width="80px" file="ed10296.jpg" alt="ed10296.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <br/><img align="absmiddle" height="80px" width="80px" file="ed10297.jpg" alt="ed10297.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="87px" width="80px" file="ed10298.jpg" alt="ed10298.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <br/><img align="absmiddle" height="76px" width="74px" file="ed10299.jpg" alt="ed10299.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="68px" width="72px" file="ed10300.jpg" alt="ed10300.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <br/><img align="absmiddle" height="72px" width="84px" file="ed10301.jpg" alt="ed10301.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="73px" width="78px" file="ed10302.jpg" alt="ed10302.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <br/><img align="absmiddle" height="77px" width="79px" file="ed10303.jpg" alt="ed10303.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="73px" width="73px" file="ed10304.jpg" alt="ed10304.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <br/><img align="absmiddle" height="66px" width="73px" file="ed10305.jpg" alt="ed10305.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="74px" width="73px" file="ed10306.jpg" alt="ed10306.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <br/><img align="absmiddle" height="72px" width="78px" file="ed10307.jpg" alt="ed10307.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="59px" width="69px" file="ed10308.jpg" alt="ed10308.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <br/><img align="absmiddle" height="74px" width="80px" file="ed10309.jpg" alt="ed10309.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>;<img align="absmiddle" height="74px" width="79px" file="ed10310.jpg" alt="ed10310.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <br/><img align="absmiddle" height="83px" width="80px" file="ed10311.jpg" alt="ed10311.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="74px" width="79px" file="ed10312.jpg" alt="ed10312.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <br/><img align="absmiddle" height="79px" width="82px" file="ed10313.jpg" alt="ed10313.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="73px" width="79px" file="ed10314.jpg" alt="ed10314.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <br/><img align="absmiddle" height="78px" width="81px" file="ed10315.jpg" alt="ed10315.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="72px" width="80px" file="ed10316.jpg" alt="ed10316.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <br/><img align="absmiddle" height="75px" width="74px" file="ed10317.jpg" alt="ed10317.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <br/><img align="absmiddle" height="72px" width="80px" file="ed10318.jpg" alt="ed10318.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="72px" width="80px" file="ed10319.jpg" alt="ed10319.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <br/><img align="absmiddle" height="70px" width="82px" file="ed10320.jpg" alt="ed10320.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="67px" width="82px" file="ed10321.jpg" alt="ed10321.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="67px" width="82px" file="ed10322.jpg" alt="ed10322.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="74px" width="82px" file="ed10323.jpg" alt="ed10323.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <br/><img align="absmiddle" height="75px" width="80px" file="ed10324.jpg" alt="ed10324.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="75px" width="80px" file="ed10325.jpg" alt="ed10325.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="64px" width="69px" file="ed10326.jpg" alt="ed10326.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="64px" width="69px" file="ed10327.jpg" alt="ed10327.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <br/><img align="absmiddle" height="64px" width="69px" file="ed10328.jpg" alt="ed10328.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="82px" width="79px" file="ed10329.jpg" alt="ed10329.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="74px" width="79px" file="ed10330.jpg" alt="ed10330.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>; <img align="absmiddle" height="73px" width="86px" file="ed10331.jpg" alt="ed10331.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="67px" width="92px" file="ed10332.jpg" alt="ed10332.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>或其醫藥學上可接受之鹽、立體異構體或水合物。
如請求項1至4及21中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、立體異構體或水合物，其中該化合物為NLRP3炎性小體之調節劑、NEK7之抑制劑或兩者。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1至22中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、立體異構體或水合物，及醫藥學上可接受之載劑、稀釋劑或賦形劑。
一種如請求項1至22中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、立體異構體或水合物或如請求項23之醫藥組合物之用途，其係用於製造用於治療NLRP3介導之病症之藥物。
如請求項24之用途，其中該病症係選自自體免疫發炎性病症、心血管疾病、神經退化性病症、細菌及病毒感染、過敏、哮喘、胰臟炎、多器官衰竭、腎病、血小板凝集、癌症、移植、精子活力、紅血球缺乏症、移植排斥、肺損傷、呼吸道疾病及缺血性病狀。
如請求項24或25之用途，其中該病症係選自II型糖尿病、動脈粥樣硬化、阿茲海默氏症(Alzheimer's disease)、衰老、脂肪肝、代謝症候群、哮喘、牛皮癬、肥胖、由感染引起之急性及慢性組織損傷、痛風、關節炎、黃斑變性、腸炎、肝炎、腹膜炎、矽肺病、UV誘導之皮膚曬傷、接觸過敏、敗血症、癌症、神經退化性疾病、多發性硬化症及穆-韋二氏症候群(Muckle-Wells syndrome)。
一種聚醯亞胺樹脂，具有來自四羧酸二酐之構成單元A、及來自二胺之構成單元B， <br/>構成單元A係由來自下式(a1)表示之化合物之構成單元(A1)及來自下式(a2)表示之化合物之構成單元(A2)構成，構成單元(A1)相對於構成單元A之比例為30~65莫耳%，構成單元(A2)相對於構成單元A之比例為35~70莫耳%； <br/><img align="absmiddle" height="29px" width="200px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之聚醯亞胺樹脂，其中，該構成單元B含有來自下列通式(b1)表示之化合物之構成單元(B1)； <br/><img align="absmiddle" height="43px" width="120px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(b1)中，X為單鍵或氧原子。
如請求項1或2之聚醯亞胺樹脂，其中，該構成單元B更含有來自下式(b2)表示之化合物之構成單元(B2)； <br/><img align="absmiddle" height="25px" width="58px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項2之聚醯亞胺樹脂，其中，該構成單元(B1)相對於該構成單元B之比例為70莫耳%以上。
一種聚醯亞胺清漆，係將如請求項1至4中任一項之聚醯亞胺樹脂溶解於有機溶劑中而成。
一種聚醯亞胺薄膜，含有如請求項1至4中任一項之聚醯亞胺樹脂。
一種式I之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、互變異構物、立體異構物或立體異構物混合物， <br/><img align="absmiddle" height="161px" width="253px" file="ed10517.jpg" alt="ed10517.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中： <br/>X<sup>1</sup>、X<sup>2</sup>、X<sup>3</sup>及X<sup>4</sup>係CR<sup>4</sup>或N，其中X<sup>1</sup>、X<sup>2</sup>、X<sup>3</sup>及X<sup>4</sup>中之至少兩個但不超過三個係N； <br/>各R<sup>4</sup>獨立地係氫、鹵基、羥基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基或C<sub>1-6</sub>烷氧基； <br/>Y<sup>1</sup>係CR<sup>5</sup>或N； <br/>R<sup>5</sup>係氫、氰基、鹵基、羥基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、C<sub>1-6</sub>烷硫基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵烷氧基、雜環基、-NH<sub>2</sub>、-NHR<sup>17</sup>或-N(R<sup>17</sup>)<sub>2</sub>，且在可用氮原子上視情況經C<sub>1-6</sub>烷基或C<sub>1-6</sub>鹵烷基取代； <br/>Y<sup>2</sup>係CR<sup>6</sup>或N； <br/>R<sup>6</sup>係氫、氰基、鹵基、羥基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、C<sub>1-6</sub>烷硫基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵烷氧基、雜環基、-NH<sub>2</sub>、-NHR<sup>17</sup>或-N(R<sup>17</sup>)<sub>2</sub>，且在可用氮原子上視情況經C<sub>1-6</sub>烷基或C<sub>1-6</sub>鹵烷基取代；且 <br/>Y<sup>3</sup>係CR<sup>3</sup>或N； <br/>R<sup>3</sup>係氫、氰基、鹵基、羥基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、C<sub>1-6</sub>烷硫基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵烷氧基、雜環基、-NH<sub>2</sub>、-NHR<sup>17</sup>或-N(R<sup>17</sup>)<sub>2</sub>，且在可用氮原子上視情況經C<sub>1-6</sub>烷基或C<sub>1-6</sub>鹵烷基取代； <br/>各R<sup>17</sup>獨立地係C<sub>1-4</sub>烷基或兩個R<sup>17</sup>與任何插入原子接合形成3至6員雜環基； <br/>Z<sup>1</sup>及Z<sup>2</sup>各自為C； <br/>環A及環B一起形成含有1至3個環氮原子之9員雙環雜芳基； <br/>環B係<img align="absmiddle" height="55px" width="48px" file="ed10518.jpg" alt="ed10518.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>R<sup>8</sup>係C<sub>1-6</sub>烷基； <br/>R<sup>1</sup>係-L<sup>1</sup>-R<sup>11</sup>，其中L<sup>1</sup>係-O-、-S-、-S(O)-、-S(O)<sub>2</sub>-、-N(R<sup>12</sup>)-、-C<sub>1-3</sub>伸烷基-、-O-C<sub>1-3</sub>伸烷基-、-N(R<sup>12</sup>)-C<sub>1-3</sub>伸烷基-或不存在，且R<sup>11</sup>係視情況經1至4個R<sup>13</sup>基團取代之雜環基； <br/>R<sup>12</sup>係氫或C<sub>1-6</sub>烷基； <br/>各R<sup>13</sup>獨立地選自鹵基、氰基、羥基、視情況經R<sup>16</sup>取代之C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、C<sub>1-6</sub>羥基烷基、視情況經R<sup>16</sup>取代之C<sub>3-10</sub>環烷基、視情況經R<sup>16</sup>取代之C<sub>3-10</sub>環烷基-C<sub>1-6</sub>烷基、視情況經R<sup>16</sup>取代之C<sub>6-10</sub>芳基、視情況經R<sup>16</sup>取代之C<sub>6-10</sub>芳基-C<sub>1-6</sub>烷基、視情況經R<sup>16</sup>取代之雜芳基、視情況經R<sup>16</sup>取代之雜芳基-C<sub>1-6</sub>烷基、視情況經R<sup>16</sup>取代之雜環基、視情況經R<sup>16</sup>取代之雜環基-C<sub>1-6</sub>烷基、OR<sup>14</sup>、-NH<sub>2</sub>、-NHR<sup>14</sup>、-N(R<sup>14</sup>)<sub>2</sub>、-C<sub>1-6</sub>伸烷基-NH<sub>2</sub>、-C<sub>1-6</sub>伸烷基-NHR<sup>14</sup>、-C<sub>1-6</sub>伸烷基-N(R<sup>14</sup>)<sub>2</sub>、-C(O)R<sup>15</sup>、-C(O)OR<sup>15</sup>、-C(O)NHR<sup>15</sup>、-C(O)N(C<sub>1-4</sub>烷基)R<sup>15</sup>、-S(O)<sub>2</sub>R<sup>15</sup>、-S(O)R<sup>15</sup>、-NHC(O)R<sup>15</sup>、-N(C<sub>1-4</sub>烷基)C(O)R<sup>15</sup>、-NHS(O)R<sup>15</sup>、-N(C<sub>1-4</sub>烷基)S(O)R<sup>15</sup>、-NHS(O)<sub>2</sub>R<sup>15</sup>及-N(C<sub>1-4</sub>烷基)S(O)<sub>2</sub>R<sup>15</sup>； <br/>各R<sup>14</sup>獨立地選自C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-10</sub>環烷基、C<sub>6-10</sub>芳基、雜芳基及雜環基；且各R<sup>14</sup>視情況經一至六個鹵基、C<sub>1-3</sub>烷基、C<sub>1-3</sub>烷氧基、C<sub>3-10</sub>環烷基或-NHSO<sub>2</sub>-芳基-N(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>取代； <br/>各R<sup>15</sup>獨立地係氫、-OH、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、C<sub>3-10</sub>環烷基、C<sub>6-10</sub>芳基、雜芳基或雜環基； <br/>各R<sup>16</sup>獨立地係鹵基、氰基、羥基、-NH<sub>2</sub>、-NHR<sup>21</sup>、-N(R<sup>21</sup>)<sub>2</sub>、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、OR<sup>21</sup>或C<sub>3-10</sub>環烷基； <br/>各R<sup>21</sup>獨立地選自C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-10</sub>環烷基、C<sub>6-10</sub>芳基、雜芳基及雜環基，且各R<sup>21</sup>視情況經一至六個鹵基或C<sub>1-3</sub>烷氧基取代；且 <br/>R<sup>2</sup>係氫或C<sub>1-6</sub>烷基。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、互變異構物、立體異構物或立體異構物混合物，其中該化合物具有式Ia： <br/> <img align="absmiddle" height="161px" width="258px" file="ed10519.jpg" alt="ed10519.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；或 <br/>具有式Ib： <br/> <img align="absmiddle" height="163px" width="260px" file="ed10520.jpg" alt="ed10520.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；或 <br/>具有式Ic： <br/> <img align="absmiddle" height="161px" width="260px" file="ed10521.jpg" alt="ed10521.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種化合物或其醫藥學上可接受之鹽、互變異構物、立體異構物或立體異構物混合物，其中該化合物具有式IIa： <br/> <img align="absmiddle" height="177px" width="264px" file="ed10522.jpg" alt="ed10522.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>其中R<sup>8</sup>係鹵基、羥基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基或C<sub>1-6</sub>烷氧基； <br/>X<sup>1</sup>、X<sup>2</sup>、X<sup>3</sup>及X<sup>4</sup>係CR<sup>4</sup>或N，其中X<sup>1</sup>、X<sup>2</sup>、X<sup>3</sup>及X<sup>4</sup>中之至少兩個但不超過三個係N； <br/>各R<sup>4</sup>獨立地係氫、鹵基、羥基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基或C<sub>1-6</sub>烷氧基； <br/>Y<sup>1</sup>係CR<sup>5</sup>或N； <br/>R<sup>5</sup>係氫、氰基、鹵基、羥基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、C<sub>1-6</sub>烷硫基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵烷氧基、雜環基、-NH<sub>2</sub>、-NHR<sup>17</sup>或-N(R<sup>17</sup>)<sub>2</sub>，且在可用氮原子上視情況經C<sub>1-6</sub>烷基或C<sub>1-6</sub>鹵烷基取代； <br/>R<sup>3</sup>係氫、氰基、鹵基、羥基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、C<sub>1-6</sub>烷硫基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵烷氧基、雜環基、-NH<sub>2</sub>、-NHR<sup>17</sup>或-N(R<sup>17</sup>)<sub>2</sub>，且在可用氮原子上視情況經C<sub>1-6</sub>烷基或C<sub>1-6</sub>鹵烷基取代； <br/>各R<sup>17</sup>獨立地係C<sub>1-4</sub>烷基或兩個R<sup>17</sup>與任何插入原子接合形成3至6員雜環基； <br/>R<sup>1</sup>係-L<sup>1</sup>-R<sup>11</sup>，其中L<sup>1</sup>係-O-、-S-、-S(O)-、-S(O)<sub>2</sub>-、-N(R<sup>12</sup>)-、-C<sub>1-3</sub>伸烷基-、-O-C<sub>1-3</sub>伸烷基-、-N(R<sup>12</sup>)-C<sub>1-3</sub>伸烷基-或不存在，且R<sup>11</sup>係視情況經1至4個R<sup>13</sup>基團取代之雜環基； <br/>R<sup>12</sup>係氫或C<sub>1-6</sub>烷基； <br/>各R<sup>13</sup>獨立地選自鹵基、氰基、羥基、視情況經R<sup>16</sup>取代之C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、C<sub>1-6</sub>羥基烷基、視情況經R<sup>16</sup>取代之C<sub>3-10</sub>環烷基、視情況經R<sup>16</sup>取代之C<sub>3-10</sub>環烷基-C<sub>1-6</sub>烷基、視情況經R<sup>16</sup>取代之C<sub>6-10</sub>芳基、視情況經R<sup>16</sup>取代之C<sub>6-10</sub>芳基-C<sub>1-6</sub>烷基、視情況經R<sup>16</sup>取代之雜芳基、視情況經R<sup>16</sup>取代之雜芳基-C<sub>1-6</sub>烷基、視情況經R<sup>16</sup>取代之雜環基、視情況經R<sup>16</sup>取代之雜環基-C<sub>1-6</sub>烷基、OR<sup>14</sup>、-NH<sub>2</sub>、-NHR<sup>14</sup>、-N(R<sup>14</sup>)<sub>2</sub>、-C<sub>1-6</sub>伸烷基-NH<sub>2</sub>、-C<sub>1-6</sub>伸烷基-NHR<sup>14</sup>、-C<sub>1-6</sub>伸烷基-N(R<sup>14</sup>)<sub>2</sub>、-C(O)R<sup>15</sup>、-C(O)OR<sup>15</sup>、-C(O)NHR<sup>15</sup>、-C(O)N(C<sub>1-4</sub>烷基)R<sup>15</sup>、-S(O)<sub>2</sub>R<sup>15</sup>、-S(O)R<sup>15</sup>、-NHC(O)R<sup>15</sup>、-N(C<sub>1-4</sub>烷基)C(O)R<sup>15</sup>、-NHS(O)R<sup>15</sup>、-N(C<sub>1-4</sub>烷基)S(O)R<sup>15</sup>、-NHS(O)<sub>2</sub>R<sup>15</sup>及-N(C<sub>1-4</sub>烷基)S(O)<sub>2</sub>R<sup>15</sup>； <br/>各R<sup>14</sup>獨立地選自C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-10</sub>環烷基、C<sub>6-10</sub>芳基、雜芳基及雜環基；且各R<sup>14</sup>視情況經一至六個鹵基、C<sub>1-3</sub>烷基、C<sub>1-3</sub>烷氧基、C<sub>3-10</sub>環烷基或-NHSO<sub>2</sub>-芳基-N(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>取代； <br/>各R<sup>15</sup>獨立地係氫、-OH、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、C<sub>3-10</sub>環烷基、C<sub>6-10</sub>芳基、雜芳基或雜環基； <br/>各R<sup>16</sup>獨立地係鹵基、氰基、羥基、-NH<sub>2</sub>、-NHR<sup>21</sup>、-N(R<sup>21</sup>)<sub>2</sub>、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、OR<sup>21</sup>或C<sub>3-10</sub>環烷基； <br/>各R<sup>21</sup>獨立地選自C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-10</sub>環烷基、C<sub>6-10</sub>芳基、雜芳基及雜環基，且各R<sup>21</sup>視情況經一至六個鹵基或C<sub>1-3</sub>烷氧基取代；且 <br/>R<sup>2</sup>係氫或C<sub>1-6</sub>烷基。
一種化合物或其醫藥學上可接受之鹽、互變異構物、立體異構物或立體異構物混合物，其中該化合物具有式IIb： <br/><img align="absmiddle" height="178px" width="268px" file="ed10523.jpg" alt="ed10523.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>其中： <br/>R<sup>10</sup>係氫、C<sub>1-6</sub>烷基或C<sub>1-6</sub>鹵烷基； <br/>X<sup>1</sup>係N；X<sup>2</sup>係CH；X<sup>3</sup>係N；且X<sup>4</sup>係CH；或 <br/>X<sup>1</sup>係CH；X<sup>2</sup>係N；X<sup>3</sup>係CH；且X<sup>4</sup>係N； <br/>R<sup>3</sup>係氫、氰基、鹵基、羥基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、C<sub>1-6</sub>烷硫基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵烷氧基、雜環基、-NH<sub>2</sub>、-NHR<sup>17</sup>或-N(R<sup>17</sup>)<sub>2</sub>，且在可用氮原子上視情況經C<sub>1-6</sub>烷基或C<sub>1-6</sub>鹵烷基取代； <br/>Y<sup>1</sup>係CR<sup>5</sup>或N； <br/>R<sup>5</sup>係氫、氰基、鹵基、羥基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、C<sub>1-6</sub>烷硫基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵烷氧基、雜環基、-NH<sub>2</sub>、-NHR<sup>17</sup>或-N(R<sup>17</sup>)<sub>2</sub>，且在可用氮原子上視情況經C<sub>1-6</sub>烷基或C<sub>1-6</sub>鹵烷基取代； <br/>各R<sup>17</sup>獨立地係C<sub>1-4</sub>烷基或兩個R<sup>17</sup>與任何插入原子接合形成3至6員雜環基； <br/>R<sup>1</sup>係-L<sup>1</sup>-R<sup>11</sup>，其中L<sup>1</sup>係-O-、-S-、-S(O)-、-S(O)<sub>2</sub>-、-N(R<sup>12</sup>)-、-C<sub>1-3</sub>伸烷基-、-O-C<sub>1-3</sub>伸烷基-、-N(R<sup>12</sup>)-C<sub>1-3</sub>伸烷基-或不存在，且R<sup>11</sup>係視情況經1至4個R<sup>13</sup>基團取代之雜環基； <br/>R<sup>12</sup>係氫或C<sub>1-6</sub>烷基； <br/>各R<sup>13</sup>獨立地選自鹵基、氰基、羥基、視情況經R<sup>16</sup>取代之C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、C<sub>1-6</sub>羥基烷基、視情況經R<sup>16</sup>取代之C<sub>3-10</sub>環烷基、視情況經R<sup>16</sup>取代之C<sub>3-10</sub>環烷基-C<sub>1-6</sub>烷基、視情況經R<sup>16</sup>取代之C<sub>6-10</sub>芳基、視情況經R<sup>16</sup>取代之C<sub>6-10</sub>芳基-C<sub>1-6</sub>烷基、視情況經R<sup>16</sup>取代之雜芳基、視情況經R<sup>16</sup>取代之雜芳基-C<sub>1-6</sub>烷基、視情況經R<sup>16</sup>取代之雜環基、視情況經R<sup>16</sup>取代之雜環基-C<sub>1-6</sub>烷基、OR<sup>14</sup>、-NH<sub>2</sub>、-NHR<sup>14</sup>、-N(R<sup>14</sup>)<sub>2</sub>、-C<sub>1-6</sub>伸烷基-NH<sub>2</sub>、-C<sub>1-6</sub>伸烷基-NHR<sup>14</sup>、-C<sub>1-6</sub>伸烷基-N(R<sup>14</sup>)<sub>2</sub>、-C(O)R<sup>15</sup>、-C(O)OR<sup>15</sup>、-C(O)NHR<sup>15</sup>、-C(O)N(C<sub>1-4</sub>烷基)R<sup>15</sup>、-S(O)<sub>2</sub>R<sup>15</sup>、-S(O)R<sup>15</sup>、-NHC(O)R<sup>15</sup>、-N(C<sub>1-4</sub>烷基)C(O)R<sup>15</sup>、-NHS(O)R<sup>15</sup>、-N(C<sub>1-4</sub>烷基)S(O)R<sup>15</sup>、-NHS(O)<sub>2</sub>R<sup>15</sup>及-N(C<sub>1-4</sub>烷基)S(O)<sub>2</sub>R<sup>15</sup>； <br/>各R<sup>14</sup>獨立地選自C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-10</sub>環烷基、C<sub>6-10</sub>芳基、雜芳基及雜環基；且各R<sup>14</sup>視情況經一至六個鹵基、C<sub>1-3</sub>烷基、C<sub>1-3</sub>烷氧基、C<sub>3-10</sub>環烷基或-NHSO<sub>2</sub>-芳基-N(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>取代； <br/>各R<sup>15</sup>獨立地係氫、-OH、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、C<sub>3-10</sub>環烷基、C<sub>6-10</sub>芳基、雜芳基或雜環基； <br/>各R<sup>16</sup>獨立地係鹵基、氰基、羥基、-NH<sub>2</sub>、-NHR<sup>21</sup>、-N(R<sup>21</sup>)<sub>2</sub>、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、OR<sup>21</sup>或C<sub>3-10</sub>環烷基； <br/>各R<sup>21</sup>獨立地選自C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-10</sub>環烷基、C<sub>6-10</sub>芳基、雜芳基及雜環基，且各R<sup>21</sup>視情況經一至六個鹵基或C<sub>1-3</sub>烷氧基取代；且 <br/>R<sup>2</sup>係氫或C<sub>1-6</sub>烷基。
如請求項3之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、互變異構物、立體異構物或立體異構物混合物，其中該化合物具有式IIIa： <br/><img align="absmiddle" height="182px" width="265px" file="ed10524.jpg" alt="ed10524.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；或 <br/>具有式IIIb： <br/><img align="absmiddle" height="176px" width="268px" file="ed10525.jpg" alt="ed10525.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；或 <br/>具有式IIIc： <br/><img align="absmiddle" height="178px" width="268px" file="ed10526.jpg" alt="ed10526.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1至4中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、互變異構物、立體異構物或立體異構物混合物，其中R<sup>11</sup>係雜環基，其視情況經1至4個獨立地選自以下之基團取代：鹵基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、C<sub>3-10</sub>環烷基、雜芳基、雜環基、雜環基-C<sub>1-6</sub>烷基、-NH<sub>2</sub>、-NHR<sup>14</sup>、-N(R<sup>14</sup>)<sub>2</sub>、-C<sub>1-6</sub>伸烷基-NH<sub>2</sub>、-C<sub>1-6</sub>伸烷基-NHR<sup>14</sup>、-C<sub>1-6</sub>伸烷基-N(R<sup>14</sup>)<sub>2</sub>及-C(O)OR<sup>15</sup>；其中各R<sup>14</sup>獨立地選自C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-10</sub>環烷基及雜環基，且各R<sup>14</sup>視情況經一至三個鹵基取代；且其中R<sup>15</sup>係C<sub>1-6</sub>烷基。
如請求項1至4中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、互變異構物、立體異構物或立體異構物混合物，其中R<sup>11</sup>係<img align="absmiddle" height="74px" width="82px" file="ed10527.jpg" alt="ed10527.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中環C係含有0、1或2個額外環氮原子且視情況經1至4個R<sup>13</sup>基團取代的3至10員雜環基。
如請求項1至4中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、互變異構物、立體異構物或立體異構物混合物，其中R<sup>11</sup>係選自<img align="absmiddle" height="43px" width="140px" file="ed10528.jpg" alt="ed10528.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="171px" width="601px" file="ed10529.jpg" alt="ed10529.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="265px" width="613px" file="ed10530.jpg" alt="ed10530.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="65px" width="91px" file="ed10531.jpg" alt="ed10531.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其各自視情況經1至4個R<sup>13</sup>基團取代。
如請求項1至4中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、互變異構物、立體異構物或立體異構物混合物，其中R<sup>11</sup>視情況經1至4個獨立地選自以下之基團取代：氟、甲基、乙基、甲氧基乙氧基、三氟甲基、2,2-二氟乙基胺基甲基、N-甲基-2,2-二氟乙基胺基甲基、(3,3,3-三氟丙-1-基胺基)甲基、環丙基、1-(環丙基胺基)-1-環丙基、1-吡咯基、N-<img align="absmiddle" height="26px" width="20px" file="d10007.TIF" alt="ed10007.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10007.png"/>啉基、N-吡咯啶基、N-吡咯啶基甲基、2-吡咯啶基、1-甲基-2-吡咯啶基、1-甲基-2-哌啶基、1-環丙基-2-哌啶基、環丙基胺基、N-環丙基胺基甲基、(1-甲基-1-環丙基胺基)甲基、1-(N-環丙基胺基)乙基、N,N-二環丙基胺基甲基、N-甲氧基乙基-N-環丙基胺基甲基、N-環丙基-N-甲基胺基、N-環丙基-N-甲基胺基甲基、胺基、胺基甲基、甲基胺基、乙基胺基、異丙基胺基、異丙基胺基甲基、N-異丙基-N-胺基甲基、三級丁基胺基、正丁基胺基、N-甲基胺基甲基、N,N-二甲基胺基甲基、3,3-二氟環丁基胺基、四氫哌喃基胺基、氧雜環丁烷基胺基、(3-甲氧基-1-氮雜環丁烷基)甲基、(3-甲氧基-1-吡咯啶基)甲基、(3-氟-1-吡咯啶基)甲基、(3-氟-3-甲基-1-吡咯啶基)甲基、4-<img align="absmiddle" height="26px" width="20px" file="d10007.TIF" alt="ed10007.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10007.png"/>啉基甲基及三級丁氧基羰基。
如請求項1至4中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、互變異構物、立體異構物或立體異構物混合物，其中R<sup>3</sup>係鹵基；或 <br/>其中R<sup>3</sup>係甲基；或 <br/>其中R<sup>3</sup>係甲氧基。
如請求項1或3之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、互變異構物、立體異構物或立體異構物混合物，其中各R<sup>4</sup>係氫。
如請求項1至4中任一項之化合物或醫藥學上可接受之鹽、互變異構物、立體異構物或立體異構物混合物，其中R<sup>5</sup>係氫；或 <br/>其中R<sup>5</sup>係C<sub>1-6</sub>烷氧基。
如請求項1至4中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、互變異構物、立體異構物或立體異構物混合物，其中L<sup>1</sup>不存在。
如請求項1至4中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、互變異構物、立體異構物或立體異構物混合物，其中Y<sup>1</sup>係CR<sup>5</sup>。
如請求項1至3中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、互變異構物、立體異構物或立體異構物混合物，其中Y<sup>1</sup>係N。
如請求項1至2中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、互變異構物、立體異構物或立體異構物混合物，其中Y<sup>2</sup>係CR<sup>6</sup>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、互變異構物、立體異構物或立體異構物混合物，其中Y<sup>3</sup>係CR<sup>3</sup>。
一種化合物或其醫藥學上可接受之鹽、互變異構物、立體異構物或立體異構物混合物，其係選自： <br/>或其醫藥學上可接受之鹽、互變異構物、立體異構物或立體異構物混合物。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1至18中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、互變異構物、立體異構物或立體異構物混合物，及醫藥學上可接受之賦形劑。
一種如請求項1至18中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、互變異構物、立體異構物或立體異構物混合物或如請求項19之醫藥組合物之用途，其係用以製備用於治療亨汀頓舞蹈症(Huntington's disease)之藥物。
如請求項20之用途，其中該藥物進一步包含第二活性劑或係與第二活性劑併用。
一種由一電子設備提供關於一訂單之資訊之方法，該方法包括： <br/>在當前日期，經由一電腦介面自一遠端計算系統接收第一物品資訊，該第一物品資訊識別在一履行中心中於截至一第一未來日期要遞送的第一物品數量，其中該第一物品資訊進一步包含識別與該第一物品數量相關聯之物品為生鮮物品，被分類為一冷藏儲存類型，及包含該第一物品數量的銷售截止日期； <br/>在該當前日期經由該電腦介面接收第二物品資訊，該第二物品資訊識別在該履行中心的物品數量，並且訂單履行依照第一物品數量的最早銷售截止日期的順序執行； <br/>在該當前日期在一處理器上確認從該當前日期到該第一未來日期的一物品估計消費量； <br/>在該當前日期在一處理器上確認從該第一未來日期到一第二未來日期的一物品估計需求量，其中該第一未來日期和該第二未來日期之間的時間間隔包括一參考週期； <br/>基於該第一物品資訊中待遞送的物品數量、該第二物品資訊中在該履行中心中的物品數量、該物品的估計消費量以及物品的估計需求量，於該處理器計算一第三物品數量；以及 <br/>基於該第三物品數量的一計算，從該處理器向該遠端計算系統輸出表示與該第三物品數量相關的短缺的一值； <br/>其中，基於該第二物品資訊，從截至第一未來日期的將銷售的一估計銷售量和截至第一未來日期的將發生的一估計棄置量中選擇一個較大值以確認該物品的估計消費量。
如請求項1之方法，其中該第一物品資訊包含關於該訂購物品在該履行中心中之一當前庫存量之資訊；及 <br/>其中該第二物品資訊包含根據該物品之既有訂單在截至該第一未來日期之一預定補貨數量之資訊。
如請求項1之方法，其中物品之該估計消費資訊包含： <br/>關於該物品在該履行中心中之一當前庫存量中截至該第一未來日期將被銷售之一估計銷售量之資訊；及 <br/>關於該當前庫存量中截至該第一未來日期將發生之一估計棄置量之資訊； <br/>其中關於該估計棄置量的資訊，係基於從每個物品的儲存資料和該當前庫存數量的一相關棄置日期確定該當前庫存數量中即將超過相應物品之棄置日期的一部分而確認。
如請求項3之方法，其中該估計銷售量基於該物品之一既有銷售歷史判定。
如請求項3之方法，其中該估計棄置量包含其銷售截止日期或到期日期超過該第一未來日期之該物品之一數量。
如請求項1之方法，其中該物品之該估計需求包含： <br/>關於該參考週期內之該物品之一估計消費者需求量之資訊；及 <br/>關於該參考週期內該物品之安全庫存之一需求量之資訊。
如請求項6之方法，其中該估計消費者需求量基於該物品之一價格判定。
如請求項6之方法，其中該估計消費者需求量基於該物品之一既有需求歷史判定。
如請求項6之方法，其中該估計消費者需求量基於該物品之一銷售特性判定。
如請求項9之方法，其中該銷售特性包含該物品在一特定週期期間銷售之一特性。
如請求項9之方法，其中該銷售特性包含其中對該物品之一價格應用一折扣之一特性。
如請求項6之方法，其中安全庫存之該需求量基於該物品之一既有需求歷史判定。
如請求項6之方法，其中安全庫存之該需求量係一預設值。
如請求項6之方法，其中進一步包含： <br/>基於該第一物品資訊，該第二物品資訊、及該物品之估計需求，估計在該第一未來日期的一估計庫存量； <br/>確認在該第一未來日期之該庫存量大於該估計消費者需求量； <br/>確認該估計庫存量與該估計消費者需求量之間的一差小於或等於一臨限值；及 <br/>基於確認該估計庫存量大於該估計消費者需求量及基於確認該估計庫存量與該估計消費者需求量之間的一差小於或等於一臨限值時，修改物品的估計需求以包含安全庫存之該需求量。
如請求項1之方法，其中該物品對應於一特定儲存類型。
如請求項1之方法，其中代表該物品之短缺的該值基於以下而計算： <br/>一第一值，其包含該物品在該參考週期內之一估計消費者需求量與該參考週期內之安全庫存之該需求量之總和； <br/>一第二值，其包含將該物品之一當前庫存量與該物品截至該第一未來日期之一預定入庫數量之總和；及 <br/>一第三值，其確認為截至該第一未來日期之將銷售的該估計銷售量及截至該第一未來日期將發生的該估計棄置量之中的該物品之該估計消費。
如請求項16之方法，其中一第四值代表自該第二值減去該第三值； <br/>其中一第五值大於0及該第四值； <br/>其中代表該物品之短缺之該值經計算為大於0及藉由自該第一值減去該第五值來獲得之一值之一較大者。
一種用於提供關於一訂單之資訊之電子設備，該電子設備包括： <br/>一電腦介面； <br/>一連接至該電腦介面之處理器；及 <br/>一或多個記憶體，其等經組態以儲存一或多個指令， <br/>其中當執行該一或多個指令時，該一或多個指令控制該處理器執行以下操作： <br/>在當前日期，經由一電腦介面自一遠端計算系統接收第一物品資訊，該第一物品資訊識別在一履行中心中於截至一第一未來日期要遞送的第一物品數量，其中該第一物品資訊進一步包含識別與該第一物品數量相關聯之物品為生鮮物品，被分類為一冷藏儲存類型，及包含該第一物品數量的銷售截止日期； <br/>在該當前日期經由該電腦介面接收第二物品資訊，該第二物品資訊識別在該履行中心的物品數量，並且訂單履行依照第一物品數量的最早銷售截止日期的順序執行； <br/>在該當前日期確認從該當前日期到該第一未來日期的一物品估計消費量； <br/>在該當前日期確認從該第一未來日期到一第二未來日期的一物品估計需求量，其中該第一未來日期和該第二未來日期之間的時間間隔包括一參考週期； <br/>基於該第一物品資訊中待遞送的物品數量、該第二物品資訊中在該履行中心中的物品數量、該物品的估計消費量以及物品的估計需求量，計算一第三物品數量；以及 <br/>基於該第三物品數量的一計算，向該遠端計算系統輸出表示與該第三物品數量相關的短缺的一值； <br/>其中，基於該第二物品資訊，從截至第一未來日期的將銷售的一估計銷售量和截至第一未來日期的將發生的一估計棄置量中選擇一個較大值以確認該物品的估計消費量。
一種半導體晶片，所述半導體晶片包括： 主體部分，所述主體部分具有前表面和後表面； <br/>信號貫穿電極及兩個電源貫穿電極，所述信號貫穿電極及所述兩個電源貫穿電極貫穿所述主體部分； <br/>佈線部分，所述佈線部分設置在所述主體部分的所述前表面上方； <br/>信號後連接電極及電源後連接電極，所述信號後連接電極及所述電源後連接電極設置在所述主體部分的所述後表面上方；以及 <br/>信號前連接電極及電源前連接電極，所述信號前連接電極及所述電源前連接電極設置在所述佈線部分上方， <br/>其中，所述電源後連接電極同時連接至所述兩個電源貫穿電極， <br/>其中，所述電源前連接電極透過所述佈線部分同時電連接至所述兩個電源貫穿電極，並且 <br/>其中，所述電源後連接電極的寬度大於所述電源前連接電極的寬度。
根據請求項1所述的半導體晶片，其中，所述電源後連接電極的寬度大於所述信號後連接電極的寬度。
根據請求項1所述的半導體晶片，所述半導體晶片還包括： <br/>虛設後連接電極，所述虛設後連接電極未連接至所述信號貫穿電極及所述兩個電源貫穿電極，並且 <br/>其中，所述電源後連接電極的寬度大於所述虛設後連接電極的寬度。
根據請求項1所述的半導體晶片，其中，多個後連接電極之間的節距是恆定的。
根據請求項1所述的半導體晶片，其中，所述兩個電源貫穿電極被佈置成一排。
根據請求項1所述的半導體晶片，其中，所述兩個電源貫穿電極中的每一個被設置在多邊形的頂點。
根據請求項1所述的半導體晶片，其中，所述電源後連接電極包括： <br/>邊緣電源後連接電極，所述邊緣電源後連接電極設置在所述主體部分的所述後表面的邊緣區域中，及 <br/>中央電源後連接電極，所述中央電源後連接電極設置在所述主體部分的所述後表面的中央區域中， <br/>其中所述邊緣電源後連接電極的寬度大於所述中央電源後連接電極的寬度。
一種半導體晶片，所述半導體晶片包括： <br/>主體部分，所述主體部分具有前表面和後表面； <br/>信號貫穿電極及兩個電源貫穿電極，所述信號貫穿電極及所述兩個電源貫穿電極貫穿所述主體部分； <br/>信號後連接電極及電源後連接電極，所述信號後連接電極及所述電源後連接電極設置在所述主體部分的所述後表面上方；以及 <br/>信號前連接電極及電源前連接電極，所述信號前連接電極及所述電源前連接電極設置在所述主體部分的所述前表面上方， <br/>其中，所述電源後連接電極同時連接至所述兩個電源貫穿電極， <br/>其中，所述電源前連接電極同時電連接至所述兩個電源貫穿電極，並且 <br/>其中，所述電源後連接電極的寬度大於所述信號後連接電極的寬度。
根據請求項8所述的半導體晶片，其中，所述信號後連接電極連接至所述信號貫穿電極。
根據請求項8所述的半導體晶片，所述半導體晶片還包括： <br/>虛設後連接電極，所述虛設後連接電極未連接至所述信號貫穿電極及所述兩個電源貫穿電極，並且 <br/>其中，所述電源後連接電極的寬度大於所述虛設後連接電極的寬度。
根據請求項8所述的半導體晶片，其中，多個後連接電極之間的節距是恆定的。
根據請求項8所述的半導體晶片，其中，所述兩個電源貫穿電極被佈置成一排。
根據請求項8所述的半導體晶片，其中，所述兩個電源貫穿電極中的每一個被設置在多邊形的頂點。
根據請求項8所述的半導體晶片，其中，所述電源後連接電極包括： <br/>邊緣電源後連接電極，所述邊緣電源後連接電極設置在所述主體部分的所述後表面的邊緣區域中，以及 <br/>中央電源後連接電極，所述中央電源後連接電極設置在所述主體部分的所述後表面的中央區域中， <br/>其中所述邊緣電源後連接電極的寬度大於所述中央電源後連接電極的寬度。
一種個體認證用構造體，於合成石英玻璃基板的表面部之至少一部分，被形成含以合成石英玻璃形成的複數奈米柱之柱圖案區域，於前述柱圖案區域，藉由奈米壓痕法測定的前述奈米柱的推壓彈性率為35~100GPa，前述奈米柱被推壓至塑性變形。
如請求項1之個體認證用構造體，前述奈米柱的高度H為20~1,500nm，寬幅W為10~500nm，高寬比(H/W)為0.5~6。
一種製造請求項1或2之個體認證用構造體的個體認證用構造體之製造方法，包含：在合成石英玻璃基板的被形成前述柱圖案區域之面上形成無機膜之步驟，於前述無機膜上形成有機膜之步驟，圖案化前述有機膜，於前述無機膜上形成有機膜圖案之步驟，把前述有機膜之圖案作為蝕刻遮罩，蝕刻前述無機膜形成無機膜圖案之步驟，把前述有機膜圖案及無機膜圖案，或者無機膜圖案作為蝕刻遮罩，蝕刻前述合成石英玻璃基板的表面部，形成前述柱圖案區域之步驟，以及除去前述有機膜圖案及無機膜圖案，或無機膜圖案之步驟。
一種製造請求項1或2之個體認證用構造體的個體認證用構造體之製造方法，包含：在前述合成石英玻璃基板的被形成前述柱圖案區域之面上形成有機膜之步驟，將前述有機膜圖案化，於前述合成石英玻璃基板的被形成前述柱圖案區域之面上形成上形成有機膜圖案之步驟，於前述有機膜圖案及露出的合成石英玻璃基板的面上形成無機膜之步驟，把前述有機膜圖案，與被形成於該有機膜的圖案之上的無機膜一起除去之步驟，把藉由被形成於前述合成石英玻璃基板的面上的無機膜形成的無機膜圖案作為蝕刻遮罩，蝕刻前述合成石英玻璃基板的表面部，形成前述柱圖案區域之步驟，以及除去前述無機膜圖案之步驟。
如請求項3或4之個體認證用構造體之製造方法，於形成前述有機膜圖案之步驟，藉由電子線微影術、光蝕刻法或奈米壓印微影，形成有機膜圖案。
一種個體認證方法，將被形成於請求項1或2之個體認證用構造體的柱圖案區域之至少一部分的奈米柱在高度方向推壓使塑性變形，識別包含變形的奈米柱之柱圖案。
一種製造催化劑之方法，其包含： <br/>用水不溶金化合物及水不溶鈀化合物浸漬多孔載體以藉由在該多孔載體存在下使水溶性金化合物及水溶性鈀化合物沉澱來產生沉澱載體； <br/>洗滌該沉澱載體； <br/>使該水不溶金化合物及該水不溶鈀化合物於該沉澱載體上還原以產生金屬浸漬載體； <br/>用鹼金屬促進劑浸漬該金屬浸漬載體以產生金屬/促進劑浸漬載體；及 <br/>在160℃至250℃之溫度下乾燥該金屬/促進劑浸漬載體以產生催化劑。
如請求項1之方法，其中該多孔載體之浸漬在多個步驟中進行，該等步驟包含： <br/>用對應於該水不溶金化合物或該水不溶鈀化合物之第一水溶性化合物與該多孔載體混合； <br/>在該多孔載體存在下使該第一水溶性化合物沉澱； <br/>用對應於該水不溶金化合物或該水不溶鈀化合物之第二水溶性化合物與該多孔載體混合，其中該第一及第二水溶性化合物不同；及 <br/>在該多孔載體存在下使該第二水溶性化合物沉澱。
<b> </b> <br/>如請求項1之方法，其中該催化劑中該金與該鈀之莫耳比為約0.01:1至約0.7:1。
如請求項1之方法，其中該鹼金屬促進劑之鹼金屬以按乾重計為該催化劑之約0.1 wt%至約10 wt%存在。
如請求項1之方法，其中該鹼金屬促進劑選自由以下組成之群：甲酸、乙酸、丙酸、丁酸之鈉鹽、鉀鹽或銫鹽及其任何組合。
如請求項1之方法，其中該還原係在包含氫氣及/或烴之氣相中進行。
如請求項6之方法，其中該烴為乙烯。
如請求項6之方法，其中該氣相進一步包含惰性載氣。
如請求項6之方法，其中該還原係在約50℃至約250℃下持續約1小時至約24小時。<b> </b>
如請求項1之方法，其中該還原係在液相中使用水合肼進行。
如請求項10之方法，其中該還原係在約20℃至約50℃下持續約1小時至約24小時。
如請求項1之方法，其中該金屬/促進劑浸漬載體之乾燥係在約200℃至約250℃下進行。
如請求項12之方法，其中該金屬/促進劑浸漬載體之乾燥持續約10分鐘至約1天。
如請求項1之方法，其中該金屬/促進劑浸漬載體之乾燥係在包含氮氣、氬氣及/或空氣之氣體存在下進行。
如請求項1之方法，其中該催化劑具有38.6°至39.2°之38°與40°之間的峰值x射線繞射強度之2θ值。
一種催化劑，其包含： <br/>(a)金、鈀及/或金-鈀合金，(b)鹼金屬促進劑，及(c)多孔載體，其中該催化劑具有38.6°至39.2°之38°與40°之間的峰值x射線繞射強度之2θ值。
如請求項16之催化劑，其中該催化劑中累積作為元素金屬及合金之該金與該鈀之莫耳比為約0.01:1至約0.7:1。
如請求項16之催化劑，其中該鹼金屬促進劑之鹼金屬以按乾重計為該催化劑之約0.1 wt%至約10 wt%存在。
如請求項16之催化劑，其中該鹼金屬促進劑選自由以下組成之群：甲酸、乙酸、丙酸、丁酸之鈉鹽、鉀鹽或銫鹽及其任何組合。
如請求項16之催化劑，其中該多孔載體選自由以下組成之群：二氧化矽、氧化鋁、矽酸鋁、二氧化鈦、氧化鋯、尖晶石、碳及其任何組合。
一種覆晶器件，包括： <br/>晶粒，具有多個凸塊下金屬化部（UBM）；以及 <br/>封裝基板，具有多個接合銲墊； <br/>其中該多個UBM包括具有第一尺寸和第一最小間距的第一組UBM和具有第二尺寸和第二最小間距的第二組UBM，該第一尺寸小於該第二尺寸； <br/>其中該第一組UBM和該第二組UBM每個透過銲墊上接合連接而電耦接到該封裝基板，以及 <br/>其中該第二組UBM中的至少一個UBM比該第一組UBM中的至少一個UBM距離該晶粒的周邊更遠，其中該第一組UBM和該第二組UBM以非均勻圖案跨該晶粒的表面分佈。
根據請求項1所述的覆晶器件，其中該多個接合銲墊形成在該封裝基板的第一金屬層中。
根據請求項2所述的覆晶器件，其中該封裝基板被阻焊劑覆蓋，該阻焊劑在該多個接合銲墊之上具有阻焊劑開口。
根據請求項3所述的覆晶器件，其中該多個接合銲墊還包括： <br/>第一組接合銲墊，被配置為匹配該第一組UBM的該第一尺寸；以及 <br/>第二組接合銲墊，被配置為匹配該第二組UBM的該第二尺寸。
根據請求項4所述的覆晶器件，其中該阻焊劑開口還包括： <br/>第一組阻焊劑開口，被調整尺寸以匹配該第一組接合銲墊；以及 <br/>第二組阻焊劑開口，被調整尺寸以匹配該第一組接合銲墊。
根據請求項1所述的覆晶器件，其中該第一組UBM的該第一尺寸和該第一最小間距通常一致並且小於該第二組UBM的該第二尺寸和該第二最小間距。
根據請求項6所述的覆晶器件，其中該第一組UBM每個具有大約60μm的尺寸和130μm的最小間距，並且該第二組UBM每個具有大約75μm的尺寸和140μm的最小間距。
根據請求項6所述的覆晶器件，其中該第一組UBM每個具有大約84μm的尺寸，並且該第二組UBM每個具有大約94μm的尺寸。
根據請求項1所述的覆晶器件，其中該多個UBM每個通常具有圓柱形、柱狀或柱形狀。
根據請求項9所述的覆晶器件，其中該多個UBM每個由銅（Cu）柱形成，該銅（Cu）柱具有由錫銀（SnAg）焊料形成的凸塊。
根據請求項1所述的覆晶器件，其中緊鄰凸塊排除區域（KOZ）的UBM大於遠離該KOZ的UBM，該KOZ 定義了沒有UBM的區域。
一種覆晶器件，包括： <br/>晶粒，具有多個凸塊下金屬化部（UBM）；以及 <br/>封裝基板，具有多個接合銲墊； <br/>其中該多個UBM包括具有第一尺寸和第一最小間距的第一組UBM和具有第二尺寸和第二最小間距的第二組UBM，該第一尺寸小於該第二尺寸； <br/>其中該第一組UBM和該第二組UBM每個透過銲墊上接合連接而電耦接到該封裝基板，以及 <br/>其中該第二組UBM中的至少一個UBM比該第一組UBM中的至少一個UBM距離該晶粒的周邊更遠，緊鄰凸塊排除區域（KOZ）的UBM大於遠離該KOZ的UBM，該KOZ定義了沒有UBM的區域。
一種用於製造覆晶的方法，該方法包括： <br/>提供具有多個凸塊下金屬化部（UBM）的晶粒； <br/>提供具有多個接合銲墊的封裝基板； <br/>形成該多個UBM中的具有第一尺寸和第一最小間距的第一組UBM； <br/>形成該多個UBM中的具有第二尺寸和第二最小間距的第二組UBM，該第一尺寸小於該第二尺寸；以及 <br/>透過銲墊上接合連接將該第一組UBM和該第二組UBM中的每個電耦接到該封裝基板， <br/>其中該第二組UBM中的至少一個UBM比該第一組UBM中的至少一個UBM距離該晶粒的周邊更遠，該第一組UBM和該第二組UBM以非均勻圖案跨該晶粒的表面分佈。
根據請求項13所述的方法，其中該多個接合銲墊形成在該封裝基板的第一金屬層中。
根據請求項14所述的方法，其中該封裝基板被阻焊劑覆蓋，該阻焊劑在該多個接合銲墊之上具有阻焊劑開口。
根據請求項15所述的方法，其中該多個接合銲墊還包括： <br/>第一組接合銲墊，被配置為匹配該第一組UBM的該第一尺寸；以及 <br/>第二組接合銲墊，被配置為匹配該第二組UBM的該第二尺寸。
根據請求項16所述的方法，其中該阻焊劑開口還包括： <br/>第一組阻焊劑開口，被調整尺寸以匹配該第一組接合銲墊；以及 <br/>第二組阻焊劑開口，被調整尺寸以匹配該第一組接合銲墊。
根據請求項13所述的方法，其中該第一組UBM的該第一尺寸和該第一最小間距通常一致並且小於該第二組UBM的該第二尺寸和該第二最小間距。
根據請求項18所述的方法，其中該第一組UBM每個具有大約60μm的尺寸和130μm的最小間距，並且該第二組UBM每個具有大約75μm的尺寸和140μm的最小間距。
根據請求項18所述的方法，其中該第一組UBM每個具有大約84μm的尺寸，並且該第二組UBM每個具有大約94μm的尺寸。
根據請求項13所述的方法，其中該多個UBM每個通常具有圓柱形、柱狀或柱形狀。
根據請求項21所述的方法，其中該多個UBM每個由銅（Cu）柱形成，該銅（Cu）柱具有由錫銀（SnAg）焊料形成的凸塊。
根據請求項13所述的方法，其中緊鄰凸塊排除區域（KOZ）的UBM大於遠離該KOZ的UBM，該KOZ定義了沒有UBM的區域。
一種用於製造覆晶的方法，該方法包括： <br/>提供具有多個凸塊下金屬化部（UBM）的晶粒； <br/>提供具有多個接合銲墊的封裝基板； <br/>形成該多個UBM中的具有第一尺寸和第一最小間距的第一組UBM； <br/>形成該多個UBM中的具有第二尺寸和第二最小間距的第二組UBM，該第一尺寸小於該第二尺寸；以及 <br/>透過銲墊上接合連接將該第一組UBM和該第二組UBM中的每個電耦接到該封裝基板， <br/>其中該第二組UBM中的至少一個UBM比該第一組UBM中的至少一個UBM距離該晶粒的周邊更遠，緊鄰凸塊排除區域（KOZ）的UBM大於遠離該KOZ的UBM，該KOZ定義了沒有UBM的區域。
一種通信裝置，其具備： <br/>實體層，其安裝CCI(Camera Control Interface，相機控制介面)協定作為上位層，與其他通信裝置間收發包含擴展標頭及擴展注腳之資料；及 <br/>處理部，其將上述擴展標頭所包含之Destination ID(目的地ID)與上述通信裝置所具有之Source ID(源ID)進行比較，判別是否為對上述通信裝置之存取；其中 <br/>上述實體層具有點對點拓樸之非對稱上位層，且設計成可由高速資料傳輸、控制資料、電力共享同一實體配線。
如請求項1之通信裝置，其中 <br/>上述擴展標頭之標頭尺寸依上述擴展標頭內之field(欄位)值而可變。
如請求項1之通信裝置，其中 <br/>上述擴展標頭於上述擴展標頭內之field值中包含表示封包順序之資訊。
如請求項1之通信裝置，其中 <br/>上述擴展標頭於上述擴展標頭內之field值中包含表示CCI協定之資訊，並使用該資訊進行路由處理。
如請求項1之通信裝置，其中 <br/>上述擴展標頭於上述擴展標頭內之field值中包含表示CCI協定之發送源之資訊，並基於該資訊進行響應處理。
如請求項1之通信裝置，其中 <br/>上述擴展標頭於上述擴展標頭內之field值中包含表示資料長度之資訊。
如請求項1之通信裝置，其中 <br/>上述擴展標頭於上述擴展標頭內之field值中包含表示CCI協定之標頭長度之資訊。
如請求項1之通信裝置，其中 <br/>上述擴展標頭於上述擴展標頭內之field值中包含CCI協定之ID資訊，可基於該ID資訊進行指令之開始、重新開始及結束資訊之參照。
如請求項1之通信裝置，其中 <br/>上述擴展標頭於上述擴展標頭內之field值中包含表示CCI協定之發送目的地之資訊，基於該資訊進行路由，並且進行通信路徑之參照。
如請求項1之通信裝置，其中 <br/>上述擴展注腳之尺寸根據上述擴展注腳內之field值而可變。
如請求項1之通信裝置，其中 <br/>上述擴展注腳包含保全資料。
如請求項11之通信裝置，其中 <br/>上述保全資料係雜湊計算值。
如請求項1之通信裝置，其中 <br/>上述實體層為MIPI(Mobile Industry Processor Interface，行動產業處理器介面)A-PHY。
一種通信方法，其包括如下步驟： <br/>由通信裝置 <br/>藉由安裝CCI(Camera Control Interface)協定作為上位層之實體層，而與其他通信裝置間收發包含擴展標頭及擴展注腳之資料；及 <br/>將上述擴展標頭所包含之Destination ID與上述通信裝置所具有之Source ID(源ID)進行比較，判別是否為對上述通信裝置之存取；其中 <br/>上述實體層具有點對點拓樸之非對稱上位層，且設計成可由高速資料傳輸、控制資料、電力共享同一實體配線。
一種電腦程式產品，其係用以使通信裝置之電腦執行處理者，該處理包括如下步驟： <br/>藉由安裝CCI(Camera Control Interface)協定作為上位層之實體層，而與其他通信裝置間收發包含擴展標頭及擴展注腳之資料；及 <br/>將上述擴展標頭所包含之Destination ID與上述通信裝置所具有之Source ID(源ID)進行比較，判別是否為對上述通信裝置之存取；其中 <br/>上述實體層具有點對點拓樸之非對稱上位層，且設計成可由高速資料傳輸、控制資料、電力共享同一實體配線。
一種圖像顯示裝置之製造方法，其具備如下步驟：<br/>準備第2基板，該第2基板係於第1基板上形成包含發光層之半導體層而成；<br/>於第3基板上形成第1金屬層；<br/>於上述第1金屬層貼合上述半導體層；<br/>去除上述第1基板；<br/>對上述半導體層進行蝕刻，形成發光元件，該發光元件包含上述第1金屬層上之底面及與上述底面對向設置之發光面；<br/>形成覆蓋上述第3基板及上述發光元件之第1絕緣膜；<br/>於上述第1絕緣膜上形成電路元件；<br/>形成覆蓋上述電路元件及上述第1絕緣膜之第2絕緣膜；<br/>去除上述第1絕緣膜之一部分及上述第2絕緣膜之一部分，使包含上述發光面之面露出；及<br/>於上述第2絕緣膜上形成配線層。
如請求項1之圖像顯示裝置之製造方法，其進而具備如下步驟，即，<br/>於形成上述發光元件之後，對上述第1金屬層進行加工，形成具有導電性及光反射性之第1部分；<br/>上述發光元件設置於上述第1部分上，<br/>於俯視下，上述第1部分之外周在投影上述發光元件時包含上述發光元件之外周。
如請求項2之圖像顯示裝置之製造方法，其進而具備如下步驟，即，<br/>形成第1導通孔，該第1導通孔貫通上述第1絕緣膜及上述第2絕緣膜而設置，且將上述第1部分與上述配線層電連接。
一種圖像顯示裝置之製造方法，其具備如下步驟：<br/>準備第2基板，該第2基板係於第1基板上形成包含發光層之半導體層而成；<br/>於上述第2基板上形成第2金屬層；<br/>於第3基板隔著上述第2金屬層而貼合上述半導體層；<br/>去除上述第1基板；<br/>對上述半導體層進行蝕刻，形成發光元件，該發光元件包含上述第2金屬層上之底面及與上述底面對向設置之發光面；<br/>形成覆蓋上述第3基板及上述發光元件之第1絕緣膜；<br/>於上述第1絕緣膜上形成電路元件；<br/>形成覆蓋上述電路元件及上述第1絕緣膜之第2絕緣膜；<br/>去除上述第1絕緣膜之一部分及上述第2絕緣膜之一部分，使包含上述發光面之面露出；及<br/>形成配線層，該配線層形成於上述第2絕緣膜上。
如請求項4之圖像顯示裝置之製造方法，其進而具備如下步驟，即，<br/>於形成上述第2金屬層之前，在上述半導體層上形成具有電洞注入性之層；<br/>上述半導體層貼合於上述第3基板時，從上述第3基板之側起依序積層第1導電型之第1半導體層、上述發光層及與上述第1導電型不同之第2導電型之第2半導體層，<br/>上述第1導電型為p型，<br/>上述第2導電型為n型。
如請求項4之圖像顯示裝置之製造方法，其進而具備如下步驟，即，<br/>於形成上述發光元件之後，對上述第2金屬層進行加工，形成具有導電性及光反射性之第2部分；<br/>上述發光元件設置於上述第2部分上，<br/>於俯視下，上述第2部分之外周在投影上述發光元件時包含上述發光元件之外周。
如請求項6之圖像顯示裝置之製造方法，其進而具備如下步驟，即，<br/>形成第2導通孔，該第2導通孔貫通上述第1絕緣膜及上述第2絕緣膜而設置，且將上述第2部分與上述配線層電連接。
如請求項1之圖像顯示裝置之製造方法，其中於上述第3基板貼合上述半導體層之步驟包含如下情形，即，於1個上述第3基板貼合複數個上述第2基板。
如請求項1之圖像顯示裝置之製造方法，其中上述第3基板包含透光性基板。
如請求項9之圖像顯示裝置之製造方法，其中上述第3基板進而包含設置於上述透光性基板上之具有可撓性之第4基板，且<br/>該圖像顯示裝置之製造方法進而具備如下步驟，即，於在上述第3基板貼合上述半導體層之步驟中將上述半導體層貼合於上述第4基板之後，去除上述透光性基板。
如請求項1之圖像顯示裝置之製造方法，其進而具備如下步驟，即，於露出之上述發光面形成透光性電極。
如請求項1之圖像顯示裝置之製造方法，其中上述半導體層包含氮化鎵系化合物半導體。
如請求項1之圖像顯示裝置之製造方法，其進而具備如下步驟，即，於上述發光元件上形成波長轉換構件。
一種圖像顯示裝置，其具備：<br/>基板，其具有第1面；<br/>導電層，其設置於上述第1面上，且包含具有導電性及光反射性之第1部分即連接板；<br/>發光元件，其於上述導電層上具有底面，且包含作為與上述底面對向之面之發光面；<br/>第1絕緣膜，其覆蓋上述發光元件之側面及上述導電層；<br/>電路元件，其設置於上述第1絕緣膜上；<br/>第2絕緣膜，其覆蓋上述電路元件及上述第1絕緣膜；及<br/>配線層，其設置於上述第2絕緣膜上；且<br/>上述發光元件係設置於上述第1部分之上，<br/>於俯視下，上述第1部分之外周在將上述發光元件投影於上述第1部分時包含上述發光元件之外周。
如請求項14之圖像顯示裝置，其中上述發光元件從上述第1部分之側往向上述發光面之側，依序積層第1導電型之第1半導體層、發光層及與上述第1導電型不同之第2導電型之第2半導體層，<br/>上述第1導電型為p型，<br/>上述第2導電型為n型，且<br/>於上述第1部分與上述第1半導體層之間進而具備具有電洞注入性之層。
如請求項15之圖像顯示裝置，其進而具備導通孔，該導通孔貫通上述第1絕緣膜及上述第2絕緣膜而設置，且將上述第1部分與上述配線層之間電連接。
如請求項16之圖像顯示裝置，其中上述配線層包含連接於上述導通孔之第1配線、及連接於包含上述發光面之面之第2配線，<br/>上述第1半導體層經由上述第1部分及上述導通孔而電連接於上述第1配線，<br/>上述第2半導體層經由包含上述發光面之面及上述第2配線而電連接於上述電路元件。
如請求項16之圖像顯示裝置，其中上述配線層包含連接於上述導通孔之第3配線、及連接於包含上述發光面之面之第4配線，<br/>上述第1半導體層經由上述第1部分、上述導通孔及上述第3配線而電連接於上述電路元件，<br/>上述第2半導體層經由包含上述發光面之面而電連接於上述第4配線。
如請求項14之圖像顯示裝置，其中上述基板包含透光性基板。
如請求項14之圖像顯示裝置，其中上述基板包含具有可撓性之基板。
如請求項14之圖像顯示裝置，其進而具備設置於上述發光面上之透光性電極，<br/>上述發光元件經由上述透光性電極而連接於上述配線層。
如請求項14之圖像顯示裝置，其中上述發光元件包含氮化鎵系化合物半導體。
如請求項14之圖像顯示裝置，其中上述電路元件包含薄膜電晶體。
如請求項14之圖像顯示裝置，其中於上述發光元件上進而具備波長轉換構件。
一種圖像顯示裝置，其具備：<br/>基板，其具有第1面；<br/>導電層，其設置於上述第1面上，且包含具有導電性及光反射性之第1部分即連接板；<br/>半導體層，其於上述導電層上具有底面，且與上述底面對向之面中包含複數個發光面；<br/>第1絕緣膜，其覆蓋上述半導體層之側面及上述導電層；<br/>複數個電晶體，其等設置於上述第1絕緣膜上；<br/>第2絕緣膜，其覆蓋上述複數個電晶體及上述第1絕緣膜；及<br/>配線層，其設置於上述第2絕緣膜上；且<br/>上述半導體層係設置於上述第1部分之上，<br/>於俯視下，上述第1部分之外周在將上述半導體層投影於上述第1部分時包含上述半導體層之外周。
如請求項25之圖像顯示裝置，其中上述半導體層從上述導電層往向上述複數個發光面，依序積層第1導電型之第1半導體層、發光層及與上述第1導電型不同之第2導電型之第2半導體層，<br/>上述第2半導體層被上述第1絕緣膜分離。
一種光學積層體，具有：<br/> 導光板；<br/> 以俯視點圖案配置於該導光板之接著層；<br/> 配置於該導光板之沿著導光方向之兩端部的包含低折射率部的低折射率補強部；及<br/> 經由該接著層及該低折射率補強部積層於該導光板之光學構件；<br/> 該接著層形成點密度從該導光板之入光側起沿著導光方向變大的圖案；<br/> 於該導光板與該光學構件之間的未配置有該接著層及該低折射率補強部的區域中，以與該導光板之接著層側之面及該光學構件之接著層側之面中之至少一面接觸之方式配置有低折射率層；<br/> 該低折射率部及該低折射率層之折射率為1.30以下。
如請求項1之光學積層體，其中上述低折射率層以與前述導光板之接著層側之面及前述光學構件之接著層側之面兩面接觸之方式配置。
如請求項2之光學積層體，其中前述低折射率層係填滿前述導光板與前述光學構件之間的未配置有前述接著層及前述低折射率補強部的整個區域。
如請求項1至3中任一項之光學積層體，其中前述低折射率部及前述低折射率層之折射率為1.25以下。
如請求項1至3中任一項之光學積層體，其中前述低折射率部及前述低折射率層係藉由微細孔粒子彼此化學鍵結而形成的空隙層。
如請求項1至3中任一項之光學積層體，其中前述低折射率補強部具有基材、形成於該基材之低折射率部及作為最外層設置於兩面的黏著劑層。
如請求項1至3中任一項之光學積層體，其中前述低折射率補強部之合計寬度為前述導光板之寬度的10%以下。
如請求項1至3中任一項之光學積層體，其中前述低折射率補強部之總透光率為85%以上。
如請求項1至3中任一項之光學積層體，其中於前述導光板之與入光側為相反側的端部，進一步設置有低折射率補強部。
一種飲食提供系統，其用於在具有顧客用的複數個座席的店鋪中對顧客提供飲食，該飲食提供系統具備：<br/> 入店服務部，其接收來自顧客的待位的要求，並將該要求作為服務資訊加以記憶；<br/> 空席處理部，其將前述複數個座席的任一者已成為空席的情形，與關於該座席的座席資訊附加上關連性來加以設定；<br/> 座席設定部，其當藉由前述空席處理部設定成前述顧客用的座席的任一者為空席時，在規定的條件下，將前述服務資訊以規定的順序與前述關於空席的座席資訊附加上關連性；及，<br/> 開始設定部，其一旦藉由前述座席設定部使前述服務資訊與前述座席資訊附加上關連性，便將表示飲食已開始的飲食開始資訊與前述座席資訊附加上關連性並加以記錄；<br/> 前述飲食提供系統被構成為，基於從以前述飲食開始資訊為根據的飲食開始到開始結帳為止的期間在前述座席中被消費的飲食量，來產生結帳資訊。
一種飲食提供系統，其用於在具有顧客用的複數個座席的店鋪中對顧客提供飲食，該飲食提供系統具備：<br/> 預約服務部，其記憶與來自前述顧客的預約相關的預約資訊，並將與前述預約資訊附加上關連性的預約識別資訊給予前述顧客；<br/> 空席處理部，其將前述複數個座席的任一者已成為空席的情形，與關於該座席的座席資訊附加上關連性來加以設定；<br/> 入店服務部，其一旦在前述店鋪中被輸入前述預約識別資訊，便記憶為關於前述預約資訊的顧客已入店；<br/> 座席設定部，其當藉由前述空席處理部設定成前述顧客用的座席的任一者為空席時，在規定的條件下，將前述已入店的顧客的前述預約資訊以規定的順序與前述關於空席的座席資訊附加上關連性；及，<br/> 開始設定部，其一旦藉由前述座席設定部使前述預約資訊與前述座席資訊附加上關連性，便將表示飲食已開始的飲食開始資訊與前述座席資訊附加上關連性並加以記錄；<br/> 前述飲食提供系統被構成為，基於從以前述飲食開始資訊為根據的飲食開始到開始結帳為止的期間在前述座席中被消費的飲食量，來產生結帳資訊。
如請求項1或2所述之飲食提供系統，更具備：<br/> 結帳開始部，其設於前述各座席且用於開始該座席的結帳；及，<br/> 結帳資訊產生部，其算出在前述飲食開始到前述結帳開始為止的期間中，在該座席中消費過的飲食的數量，並基於該飲食的數量來產生結帳資訊。
如請求項3所述之飲食提供系統，更具備：<br/> 點餐處理部，其設於前述各座席且接受飲食物的點餐；<br/> 其中，前述結帳資訊產生部被構成為，基於前述點餐處理部已接受過的點餐，來產生前述結帳資訊。
如請求項3所述之飲食提供系統，更具備：<br/> 搬送路徑，其沿著前述複數個座席通過，並搬送載放有飲食物的盤子；<br/> 投入部，其設於前述各座席，可讓自前述搬送路徑取出且已消費掉前述飲食物後的前述盤子投入；及，<br/> 投入處理部，其對被投入前述投入部的前述盤子的數量加以計數；<br/> 其中，前述結帳資訊產生部被構成為，基於藉由前述投入處理部所計數的前述盤子的數量，來產生前述結帳資訊。
如請求項4所述之飲食提供系統，更具備：<br/> 搬送路徑，其沿著前述複數個座席通過，並搬送載放有飲食物的盤子；<br/> 投入部，其設於前述各座席，可讓自前述搬送路徑取出且已消費掉前述飲食物後的前述盤子投入；及，<br/> 投入處理部，其對被投入前述投入部的前述盤子的數量加以計數；<br/> 其中，前述結帳資訊產生部被構成為，基於藉由前述投入處理部所計數的前述盤子的數量，來產生前述結帳資訊。
如請求項3所述之飲食提供系統，更具備：<br/> 搬送路徑，其沿著顧客用的座席通過，並搬送支持體，該支持體可載放盤子，且飲食物載放於盤子上；<br/> 第1資訊取得部，其配置於前述座席的上游側，取得關於前述搬送路徑上的前述支持體的資訊；<br/> 第2資訊取得部，其配置於前述座席的下游側，取得關於前述搬送路徑上的前述支持體的資訊；及，<br/> 計數部，其算出被自前述搬送路徑取出到前述座席的前述盤子的數量；<br/> 其中，在前述各支持體上設有用來識別前述各支持體的識別資訊；<br/> 前述各支持體被構成為可處於載放有前述盤子的第1狀態或未載放有前述盤子的第2狀態；<br/> 並且，前述計數部被構成為執行以下步驟：<br/> 第1判定步驟，其藉由前述第1資訊取得部來判定前述支持體處於哪一個狀態；<br/> 第2判定步驟，其藉由前述第2資訊取得部來判定前述支持體處於哪一個狀態；<br/> 第1記憶步驟，其將藉由前述第1資訊取得部所取得的前述支持體的識別資訊，與該支持體的狀態附加上關連性來加以記憶；<br/> 第2記憶步驟，其將藉由前述第2資訊取得部所取得的前述支持體的識別資訊，與該支持體的狀態附加上關連性來加以記憶；及，<br/> 計數步驟，當前述支持體被前述第1資訊取得部判定是處於前述第1狀態，且被判定成處於該第1狀態的前述支持體被前述第2資訊取得部判定成處於第2狀態時，便將該支持體所支持的飲食物計數成已在餐桌中被消費；<br/> 並且，前述結帳資訊產生部被構成為，基於藉由前述計數部所計數的前述盤子的數量，來產生前述結帳資訊。
如請求項4所述之飲食提供系統，更具備：<br/> 搬送路徑，其沿著顧客用的座席通過，並搬送支持體，該支持體可載放盤子，且飲食物載放於盤子上；<br/> 第1資訊取得部，其配置於前述座席的上游側，取得關於前述搬送路徑上的前述支持體的資訊；<br/> 第2資訊取得部，其配置於前述座席的下游側，取得關於前述搬送路徑上的前述支持體的資訊；及，<br/> 計數部，其算出被自前述搬送路徑取出到前述座席的前述盤子的數量；<br/> 其中，在前述各支持體上設有用來識別前述各支持體的識別資訊；<br/> 前述各支持體被構成為可處於載放有前述盤子的第1狀態或未載放有前述盤子的第2狀態；<br/> 並且，前述計數部被構成為執行以下步驟：<br/> 第1判定步驟，其藉由前述第1資訊取得部來判定前述支持體處於哪一個狀態；<br/> 第2判定步驟，其藉由前述第2資訊取得部來判定前述支持體處於哪一個狀態；<br/> 第1記憶步驟，其將藉由前述第1資訊取得部所取得的前述支持體的識別資訊，與該支持體的狀態附加上關連性來加以記憶；<br/> 第2記憶步驟，其將藉由前述第2資訊取得部所取得的前述支持體的識別資訊，與該支持體的狀態附加上關連性來加以記憶；及，<br/> 計數步驟，當前述支持體被前述第1資訊取得部判定是處於前述第1狀態，且被判定成處於該第1狀態的前述支持體被前述第2資訊取得部判定成處於第2狀態時，便將該支持體所支持的飲食物計數成已在餐桌中被消費；<br/> 並且，前述結帳資訊產生部被構成為，基於藉由前述計數部所計數的前述盤子的數量，來產生前述結帳資訊。
如請求項1或2所述之飲食提供系統，其中：<br/> 前述座席設定部被構成為，在進行與關於前述空席的座席資訊的關連性附加之後，對前述顧客通知關於前述空席的座席資訊。
一種蓄電系統，具有構成為能夠搭載複數個蓄電裝置的基座和其他基座，其特徵在於，所述基座和所述其他基座具有相同的結構，且具備分別安裝複數個所述蓄電裝置的複數個安裝部，複數個所述安裝部分別具有與複數個所述蓄電裝置各自的電端子電連接的第一電端子，所述基座和所述其他基座具備對複數個所述安裝部各自的所述第一電端子與配置於所述基座的電路被電切斷的狀態和兩者被電連接的狀態進行切換的複數個斷接裝置，所述基座和所述其他基座還具備將所述基座與其他基座電連接的第二電端子和控制複數個所述蓄電裝置的充放電的控制裝置，所述基座和所述其他基座在被連接時作為主託盤和從託盤被控制，所述基座和所述其他基座中的至少一方，還具備能夠與外部的資訊處理裝置通信的通信裝置，所述基座和所述其他基座中的至少一方，管理所述基座和所述其他基座的蓄電裝置，所述基座或者構成為能夠與所述基座通信的遠端裝置具備運算裝置，所述運算裝置獲取總電量，所述總電量系安裝於所述基座和所述其他基座的所述蓄電裝置的電量的合計。
根據請求項1所述的蓄電系統，其中，所述基座物理連接於所述其他基座。
根據請求項1所述的蓄電系統，其中，所述複數個安裝部分別具有檢測所述蓄電裝置的裝卸的檢測感測器。
根據請求項1所述的蓄電系統，其中，複數個所述斷接裝置分別配置在複數個所述安裝部各自的附近。
根據請求項1所述的蓄電系統，其中，還具備供外部的電力裝置電連接的第三電端子。
根據請求項1所述的蓄電系統，其中，所述運算裝置基於所述總電量來計算所述基座的輸入輸出電量。
根據請求項6所述的蓄電系統，其中，所述運算裝置基於所述輸入輸出電量來計算複數個所述蓄電裝置各自的輸入輸出電量。
根據請求項1所述的蓄電系統，其中，所述運算裝置在獲取到安裝於所述基座的所述蓄電裝置的脫離時，將所述基座的輸入輸出電量設定成預先設定的值。
根據請求項1所述的蓄電系統，其中，複數個所述蓄電裝置分別具有管理各蓄電裝置的充放電次數的控制電路或者電腦，所述運算裝置從複數個所述蓄電裝置各自的所述控制電路或者所述電腦獲取各蓄電裝置的充放電次數，並以充放電次數少的蓄電裝置比充放電次數多的蓄電裝置優先進行充放電的方式，控制複數個所述蓄電裝置各自的充放電。
根據請求項1所述的蓄電系統，其中，複數個所述蓄電裝置分別是可擕式的蓄電裝置。
根據請求項1所述的蓄電系統，其中，複數個所述蓄電裝置的至少一個是在劣化程度超過預先設定的基準之前被用作移動體的電源的蓄電裝置。
一種蓄電裝置元件，其特徵在於，具備：請求項1所述的蓄電系統；以及複數個所述蓄電裝置。
一種蓄電裝置容納系統，其特徵在於，具備：請求項1所述的蓄電系統；以及將所述蓄電系統容納於內部的殼體。
一種IL-15突變體的多肽， <br/>所述多肽包含下述突變組合： <br/>Asp8Ser和His105Lys； <br/>並且，所述多肽介導CD8+T和/或NK細胞增殖/擴增的活性低於野生型IL-15；其中所述野生型IL-15的胺基酸序列如SEQ ID NO.1所示。
如請求項1所述的多肽，其中所述IL-15突變體的胺基酸序列如SEQ ID NO.45所示。
如請求項1所述的多肽，其中所述多肽具有如下特性： <br/>（1）介導人CD8+T細胞的增殖； <br/>（2）介導人NK細胞的增殖；和/或， <br/>（3）抑制腫瘤生長。
一種蛋白，其中所述蛋白包含如請求項1或2所述的多肽；還包含與所述IL-15突變體融合的：（1）免疫球蛋白分子或其部分，和/或（2）IL-15Rα；其中 <br/>所述免疫球蛋白分子為抗體或抗原結合片段；所述免疫球蛋白分子部分為免疫球蛋白Fc區。
如請求項4所述的蛋白，所述抗體或抗原結合片段選自： <br/>（1）嵌合抗體或其片段； <br/>（2）人源化抗體或其片段；或， <br/>（3）全人源抗體或其片段； <br/>其中所述抗體或抗原結合片段選自F(ab)2、Fab’、Fab、Fv、scFv、雙特異抗體、納米抗體和抗體最小識別單位中的一種或多種。
如請求項4所述的蛋白，所述免疫球蛋白Fc區選自的胺基酸序列如SEQ ID NO.73所示。
如請求項4所述的蛋白，IL-15突變體通過連接肽與免疫球蛋白分子或其部分融合，或IL-15突變體通過連接肽與IL-15Rα融合；其中所述連接肽如SEQ ID NO.65、 SEQ ID NO.67 、SEQ ID NO.69或SEQ ID NO.71所示連接肽。
如請求項4所述的蛋白，IL-15突變體通過連接肽與IL-15Rα融合，再與免疫球蛋白分子或其部分融合；其中所述連接肽如SEQ ID NO.65、SEQ ID NO.69或SEQ ID NO.71所示連接肽。
如請求項4所述的蛋白，其中各結構域的連接順序自N端至C端為： <br/>（1）免疫球蛋白分子或其部分、IL-15Rα、IL-15突變體； <br/>（2）免疫球蛋白分子或其部分、IL-15突變體、IL-15Rα； <br/>（3）IL-15突變體、IL-15Rα、免疫球蛋白分子或其部分；或， <br/>（4）IL-15Rα、IL-15突變體、免疫球蛋白分子或其部分； <br/>其中當IL-15Rα或IL-15突變體與免疫球蛋白分子融合時，融合於免疫球蛋白分子重鏈可變區的N端或免疫球蛋白Fc區的C端；當IL-15Rα或IL-15突變體與免疫球蛋白Fc區融合時，融合於免疫球蛋白Fc區的N端或C端； <br/>其中所述IL-15Rα選自IL-15Rα-sushi；所述IL-15Rα-sushi的胺基酸序列如SEQ ID NO.49、SEQ ID NO.51、SEQ ID NO.53、或SEQ ID NO.55所示。
一種蛋白，其包含如下4個部分： <br/>（1）免疫球蛋白重鏈； <br/>（2）免疫球蛋白輕鏈； <br/>（3）IL-15Rα；和， <br/>（4）如請求項1或2所述的IL-15突變體多肽； <br/>其中所述蛋白是包含由（1）-（4）部分所構成的單體的同源二聚體。
一種蛋白，其包含如下3個部分： <br/>（1）免疫球蛋白Fc區； <br/>（2）IL-15Rα；和， <br/>（3）如請求項1或2所述的IL-15突變體多肽； <br/>其中所述蛋白是包含由（1）-（3）部分構成的單體的同源二聚體。
如請求項4或10所述的蛋白，其中所述免疫球蛋白選自抗PD-L1抗體； <br/>所述抗PD-L1抗體包含重鏈可變區和輕鏈可變區，所述重鏈可變區和輕鏈可變區分別具有SEQ ID NO: 99和SEQ ID NO: 100所示序列；或， <br/>所述重鏈可變區和輕鏈可變區分別具有SEQ ID NO: 97和SEQ ID NO: 98所示序列； <br/>其中所述IL-15Rα選自IL-15Rα-sushi；所述IL-15Rα-sushi的胺基酸序列如SEQ ID NO.49、SEQ ID NO.51、SEQ ID NO.53、或SEQ ID NO.55所示。
一種分離的核酸分子，其編碼如請求項1或2所述的多肽、或如請求項3-12中任一項所述的蛋白。
一種表達載體，其中所述表達載體包含如請求項13所述分離的核酸分子。
一種宿主細胞，其中所述宿主細胞包含如請求項13所述的分離的核酸分子、或如請求項14所述的表達載體；其中所述宿主細胞選自中國倉鼠卵巢細胞（CHO）。
一種多肽或蛋白的製備方法，在適當的條件下培養如請求項15所述的宿主細胞，並分離所述多肽或蛋白。
一種藥物組合物，其中所述組合物包含如請求項1或2所述的多肽、如請求項3-12中任一項所述的蛋白、如請求項13所述的分離的核酸分子、如請求項14所述的表達載體，或如請求項15所述的細胞；以及藥學上可接受的載體；其中所述藥物組合物還包含額外的抗腫瘤劑。
一種如請求項1或2所述的多肽、如請求項3-12中任一項所述的蛋白、如請求項13所述的分離的核酸分子、如請求項14所述的表達載體，或請求項15所述的細胞在製備治療個體中的疾病的藥物中的用途；所述疾病為腫瘤。
一種柴式用坩堝，用以藉由CZ法來生長出單晶矽晶棒；<br/>前述柴式用坩堝，包含：有底筒狀的石墨坩堝、及配置於該石墨坩堝的內部之有底筒狀的石英玻璃坩堝；<br/>該柴式用坩堝的特徵在於，在前述柴式用坩堝的中心軸上的前述石墨坩堝的底部的內面與前述石英玻璃坩堝的底部的外面之間具有間隙，該間隙使得前述石墨坩堝的底部的內面與前述石英玻璃坩堝的底部的外面成為非接觸；<br/>其中，前述石英玻璃坩堝具有：圓筒狀的直身部；第一彎曲部，連續於該直身部的下端且具有第一曲率半徑R1；第二彎曲部，連續於該第一彎曲部且具有第二曲率半徑R2；及，底部，連續於該第二彎曲部；<br/>前述第一曲率半徑R1與前述第二曲率半徑R2具有R1＜R2的關係；<br/>前述底部的外面，具有正交於前述石英玻璃坩堝的中心軸之平坦面形狀。
如請求項1所述之柴式用坩堝，其中，前述柴式用坩堝的中心軸上的前述中心軸方向的前述間隙的高度為0.5～5.0mm。
如請求項1或2所述之柴式用坩堝，其中，正交於前述柴式用坩堝的中心軸之方向的前述間隙的大小為直徑60mm以上。
一種半導體裝置，包括：基板；主動圖案，在所述基板上在第一方向上延伸；閘電極，在所述主動圖案上在第二方向上延伸，所述第二方向與所述第一方向相交；閘極間隔件，沿所述閘電極的側壁在所述第二方向上延伸；層間絕緣層，接觸所述閘極間隔件的側壁；溝槽，在所述層間絕緣層中形成於所述閘電極上；第一頂蓋圖案，沿所述溝槽的側壁設置，所述第一頂蓋圖案的至少一個側壁具有傾斜輪廓；以及第二頂蓋圖案，在所述溝槽中設置於所述第一頂蓋圖案上，其中所述第一頂蓋圖案的至少一個側壁的第一側壁與所述第二頂蓋圖案接觸，且所述第一頂蓋圖案不與所述閘電極接觸，其中所述第二頂蓋圖案接觸所述閘電極。
如請求項1所述的半導體裝置，其中所述第一頂蓋圖案包含碳氧化矽(SiOC)，且所述第二頂蓋圖案包含氮化矽(SiN)。
如請求項1所述的半導體裝置，其中所述第一頂蓋圖案包含氮化矽(SiN)，且所述第二頂蓋圖案包含碳氧化矽(SiOC)。
如請求項1所述的半導體裝置，其中所述第一頂蓋圖案及所述第二頂蓋圖案中的每一者包含碳氧化矽(SiOC)，所述第一頂蓋圖案包含第一原子比的第一碳，且所述第二頂蓋圖案包含較所述第一原子比小的第二原子比的第二碳。
如請求項4所述的半導體裝置，其中所述第一原子比為18%至24%，且所述第二原子比為12%至18%。
如請求項4所述的半導體裝置，更包括：第三頂蓋圖案，在所述溝槽中設置於所述第二頂蓋圖案上，所述第三頂蓋圖案包含與所述第一頂蓋圖案的材料及所述第二頂蓋圖案的材料不同的材料。
如請求項4所述的半導體裝置，更包括：第三頂蓋圖案，在所述溝槽中設置於所述第二頂蓋圖案上，其中所述第三頂蓋圖案包含碳氧化矽(SiOC)，且所述第三頂蓋圖案包含較所述第二原子比小的第三原子比的第三碳。
如請求項1所述的半導體裝置，其中所述第一頂蓋圖案的上表面與所述第二頂蓋圖案的上表面在同一平面上。
如請求項1所述的半導體裝置，其中所述層間絕緣層的上表面與所述第一頂蓋圖案的上表面在同一平面上。
如請求項1所述的半導體裝置，其中所述閘電極的上表面與所述閘極間隔件的上表面在同一平面上。
如請求項1所述的半導體裝置，其中與所述第一側壁相對的第二側壁接觸所述層間絕緣層。
如請求項1所述的半導體裝置，更包括：第一奈米線及第二奈米線，在垂直於所述第一方向及所述第二方向的第三方向上依序堆疊於所述基板上，其中所述閘電極環繞所述第一奈米線及所述第二奈米線中的每一者。
一種半導體裝置，包括：基板；主動圖案，在所述基板上在第一方向上延伸；閘電極，在所述主動圖案上在第二方向上延伸，所述第二方向與所述第一方向相交；閘極間隔件，沿所述閘電極的側壁在所述第二方向上延伸；層間絕緣層，接觸所述閘極間隔件的側壁；溝槽，在所述層間絕緣層中形成於所述閘電極上；第一頂蓋圖案，沿所述溝槽的壁設置，所述第一頂蓋圖案包含碳氧化矽(SiOC)，且包含第一原子比的碳；以及第二頂蓋圖案，在所述溝槽中設置於所述第一頂蓋圖案上，所述第二頂蓋圖案包含碳氧化矽(SiOC)，且包含較所述第一原子比小的第二原子比的碳。
如請求項13所述的半導體裝置，其中所述第一頂蓋圖案的至少一個側壁具有傾斜輪廓。
如請求項13所述的半導體裝置，更包括：第三頂蓋圖案，在所述溝槽中設置於所述第二頂蓋圖案上，所述第三頂蓋圖案包含碳氧化矽(SiOC)，其中所述第三頂蓋圖案包含較所述第二原子比小的第三原子比的碳。
如請求項15所述的半導體裝置，其中所述第一原子比為18%至24%，所述第二原子比為12%至18%，且所述第三原子比為6%至12%。
如請求項13所述的半導體裝置，其中所述第一頂蓋圖案的下表面接觸所述閘極間隔件的上表面。
如請求項13所述的半導體裝置，其中所述第一頂蓋圖案包含與所述閘極間隔件的材料不同的材料。
一種半導體裝置，包括：基板；主動圖案，在所述基板上在第一方向上延伸；閘電極，在所述主動圖案上在第二方向上延伸，所述第二方向與所述第一方向相交；閘極間隔件，沿所述閘電極的側壁在所述第二方向上延伸；層間絕緣層，接觸所述閘極間隔件的側壁；溝槽，在所述層間絕緣層中形成於所述閘電極上；第一頂蓋圖案，沿所述溝槽的側壁設置，所述第一頂蓋圖案包括第一側壁及與所述第一側壁相對的第二側壁，所述第一側壁具有傾斜輪廓，所述第二側壁接觸所述層間絕緣層，且所述第一頂蓋圖案包含碳氧化矽(SiOC)，其中所述第一頂蓋圖案不與所述閘電極接觸；第二頂蓋圖案，在所述溝槽中設置於所述第一頂蓋圖案上，所述第二頂蓋圖案接觸所述第一頂蓋圖案的所述第一側壁，所述第二頂蓋圖案包含與所述第一頂蓋圖案的材料不同的材料，其中所述第二頂蓋圖案接觸所述閘電極；源極/汲極區，設置於所述閘電極的至少一個側上；以及源極/汲極接觸件，在垂直於所述第一方向及所述第二方向的第三方向上穿透所述層間絕緣層，所述源極/汲極接觸件連接至所述源極/汲極區。
一種通式(IIG)所示的化合物或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其可藥用的鹽：<figure><img align="absmiddle" height="152px" width="348px" file="d10106.TIF" alt="化學式ed10106.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10106.png"/></figure>其中，G<sup>1</sup>、G<sup>2</sup>和G<sup>3</sup>相同或不同，且各自獨立地為碳原子或氮原子；Y為CH<sub>2</sub>或C(O)；R<sup>1</sup>相同或不同，且各自獨立地選自氫原子、鹵素、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基和C<sub>1-6</sub>鹵烷氧基；R<sup>2</sup>為氫原子；R<sup>3</sup>相同或不同，且各自獨立地選自氫原子、鹵素、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基和C<sub>1-6</sub>鹵烷氧基；R<sup>4a</sup>為6員芳基，該6員芳基視需要被選自鹵素、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷氧基和氰基中的一個或多個取代基所取代；R<sup>4b</sup>相同或不同，且各自獨立地選自氫原子、鹵素和C<sub>1-6</sub>烷基；r為0、1或2；J為0或1；k為0或1；n為0、1、2或3；p為0、1、2、3或4。
如請求項1所述的通式(IIG)所示的化合物或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其可藥用的鹽，其為通式(IIG-1)或通式(IIG-2)所示的化合物或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其可藥用的鹽：<figure><img align="absmiddle" height="134px" width="597px" file="d10108.TIF" alt="化學式ed10108.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10108.png"/></figure>其中，G<sup>1</sup>、G<sup>2</sup>、G<sup>3</sup>、Y、R<sup>1</sup>至R<sup>3</sup>、R<sup>4a</sup>、R<sup>4b</sup>、J、k、n、p和r如請求項1中所定義。
如請求項1所述的通式(IIG)所示的化合物或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其可藥用的鹽，其中G<sup>2</sup>為氮原子，G<sup>1</sup>和G<sup>3</sup>為碳原子；或者G<sup>1</sup>為氮原子，G<sup>2</sup>和G<sup>3</sup>為碳原子；或者G<sup>1</sup>、G<sup>2</sup>和G<sup>3</sup>均為碳原子；或者G<sup>2</sup>和G<sup>3</sup>均為氮原子，G<sup>1</sup>為碳原子。
如請求項1所述的通式(IIG)所示的化合物或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其可藥用的鹽，其為通式(III)所示的化合物或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其可藥用的鹽：<figure><img align="absmiddle" height="125px" width="318px" file="d10107.TIF" alt="化學式ed10107.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10107.png"/></figure>其中，R<sup>4a</sup>、R<sup>4b</sup>、r、Y、R<sup>1</sup>至R<sup>3</sup>、n和p如請求項1中所定義。
如請求項1所述的通式(IIG)所示的化合物或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其可藥用的鹽，其為通式(III-1)或通式(III-2)所示的化合物或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其可藥用的鹽：<figure><img align="absmiddle" height="128px" width="559px" file="d10109.TIF" alt="化學式ed10109.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10109.png"/></figure>其中，R<sup>4a</sup>、R<sup>4b</sup>、r、Y、R<sup>1</sup>至R<sup>3</sup>、n和p如請求項4中所定義。
如請求項1所述的通式(IIG)所示的化合物或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其可藥用的鹽，其中Y為CH<sub>2</sub>。
如請求項1所述的通式(IIG)所示的化合物或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其可藥用的鹽，其中R<sup>4a</sup>為<img align="absmiddle" height="69px" width="68px" file="d10150.TIF" alt="其他非圖式ed10150.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10150.png"/>；R<sup>4b</sup>為氫原子。
如請求項1所述的通式(IIG)所示的化合物或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其可藥用的鹽，其中R<sup>1</sup>相同或不同，且各自獨立地選自氫原子、鹵素和C<sub>1-6</sub>烷基。
如請求項1所述的通式(IIG)所示的化合物或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其可藥用的鹽，其中R<sup>1</sup>為氫原子。
如請求項1所述的通式(IIG)所示的化合物或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其可藥用的鹽，其中R<sup>3</sup>相同或不同，且各自獨立地選自氫原子、鹵素和C<sub>1-6</sub>烷基。
如請求項1所述的通式(IIG)所示的化合物或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其可藥用的鹽，其中R<sup>3</sup>為氫原子。
如請求項1所述的通式(IIG)所示的化合物或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其可藥用的鹽，其選自以下化合物：<figure><img align="absmiddle" height="960px" width="700px" file="d10110.TIF" alt="化學式ed10110.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10110.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="962px" width="694px" file="d10111.TIF" alt="化學式ed10111.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10111.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="935px" width="709px" file="d10112.TIF" alt="化學式ed10112.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10112.png"/></figure>
一種通式(IIGA)所示的化合物或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其鹽，<figure><img align="absmiddle" height="107px" width="228px" file="d10113.TIF" alt="化學式ed10113.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10113.png"/></figure>其中，G<sup>1</sup>、G<sup>2</sup>、G<sup>3</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>4a</sup>、R<sup>4b</sup>、J、k、p和r如請求項1中所定義。
如請求項13所述的通式(IIGA)所示的化合物或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其鹽，其選自以下化合物：<figure><img align="absmiddle" height="369px" width="693px" file="d10114.TIF" alt="化學式ed10114.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10114.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="255px" width="675px" file="d10115.TIF" alt="化學式ed10115.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10115.png"/></figure>
一種通式(IIGC)所示的化合物或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其鹽，<figure><img align="absmiddle" height="128px" width="338px" file="d10116.TIF" alt="化學式ed10116.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10116.png"/></figure>其中，R<sup>m</sup>為C<sub>1-6</sub>烷基；G<sup>1</sup>、G<sup>2</sup>、G<sup>3</sup>、Y、R<sup>1</sup>至R<sup>3</sup>、R<sup>4a</sup>、R<sup>4b</sup>、J、k、r、n和p如請求項1中所定義。
如請求項15所述的化合物或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其鹽，其中R<sup>m</sup>為第三丁基。
如請求項15所述的化合物或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其鹽，其選自以下化合物：<figure><img align="absmiddle" height="759px" width="689px" file="d10117.TIF" alt="化學式ed10117.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10117.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="484px" width="697px" file="d10118.TIF" alt="化學式ed10118.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10118.png"/></figure>
一種化合物或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其鹽，其選自以下化合物：<figure><img align="absmiddle" height="213px" width="479px" file="d10119.TIF" alt="化學式ed10119.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10119.png"/></figure>
一種製備如請求項1所述的通式(IIG)所示的化合物或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其可藥用的鹽的方法，該方法包括：<figure><img align="absmiddle" height="131px" width="581px" file="d10120.TIF" alt="化學式ed10120.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10120.png"/></figure>通式(IIGA)的化合物和通式(IB)的化合物發生反應，得到通式(IIG)的化合物，其中，G<sup>1</sup>、G<sup>2</sup>、G<sup>3</sup>、Y、R<sup>1</sup>至R<sup>3</sup>、R<sup>4a</sup>、R<sup>4b</sup>、J、k、n、p和r如請求項1中所定義。
一種製備如請求項1所述的通式(IIG)所示的化合物或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其可藥用的鹽的方法，該方法包括：<figure><img align="absmiddle" height="131px" width="561px" file="d10121.TIF" alt="化學式ed10121.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10121.png"/></figure>通式(IIGC)的化合物發生分子內關環反應，得到通式(IIG)的化合物，其中，R<sup>m</sup>為C<sub>1-6</sub>烷基；G<sup>1</sup>、G<sup>2</sup>、G<sup>3</sup>、Y、R<sup>1</sup>至R<sup>3</sup>、R<sup>4a</sup>、R<sup>4b</sup>、J、k、n、p和r如請求項1中所定義。
如請求項20所述的方法，其中R<sup>m</sup>為第三丁基。
一種醫藥組成物，所述醫藥組成物含有如請求項1至12中任一項所述的通式(IIG)所示的化合物或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其可藥用的鹽，以及一種或多種藥學上可接受的載體、稀釋劑或賦形劑。
一種如請求項1至12中任一項所述的通式(IIG)所示的化合物或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其可藥用的鹽或者如請求項22所述的醫藥組成物在製備用於治療和/或預防與CRBN蛋白相關疾病的藥物中的用途。
一種如請求項1至12中任一項所述的通式(IIG)所示的化合物或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其可藥用的鹽或者如請求項22所述的醫藥組成物在製備用於治療和/或預防癌症、與血管生成相關的病症、疼痛、黃斑部病變或相關症候群、皮膚病、肺部疾病、石棉相關疾病、寄生蟲病、免疫缺陷疾病、CNS疾病、CNS損傷、動脈粥樣硬化或相關病症、睡眠障礙或相關病症、感染性疾病、異常血紅素症或相關病症、或TNFα相關病症的藥物中的用途。
一種如請求項1至12中任一項所述的通式(IIG)所示的化合物或其互變異構體、內消旋體、外消旋體、對映異構體、非對映異構體、或其混合物形式、或其可藥用的鹽或者如請求項22所述的醫藥組成物在製備用於治療和/或預防癌症或CNS損傷的藥物中的用途。
如請求項24所述的用途，其中，該癌症選自白血病、骨髓瘤、淋巴瘤、黑色素瘤、皮膚癌、肝癌、腎癌、肺癌、鼻咽癌、胃癌、食道癌、結腸直腸癌、膽囊癌、膽管癌、絨毛膜上皮癌、胰腺癌、真性紅細胞增多症、兒科腫瘤、子宮頸癌、卵巢癌、乳腺癌、膀胱癌、尿路上皮癌、輸尿管腫瘤、前列腺癌、精原細胞瘤、睾丸腫瘤、頭頸瘤、頭頸鱗狀細胞癌、子宮內膜癌、甲狀腺癌、肉瘤、骨瘤、成神經細胞瘤、神經內分泌癌、腦瘤、CNS癌、星形細胞瘤和膠質瘤。
如請求項26所述的用途，其中所述肝癌為肝細胞癌；所述結腸直腸癌為結腸癌或直腸癌；所述肉瘤為骨肉瘤或軟組織肉瘤；所述膠質瘤為膠質母細胞瘤。
如請求項26所述的用途，其中，該骨髓瘤為多發性骨髓瘤(MM)和骨髓增生異常綜合症(MDS)。
如請求項28所述的用途，其中，該多發性骨髓瘤是復發性的、難治性的或抗性的。
如請求項28所述的用途，其中，該多發性骨髓瘤是來那度胺或泊馬度胺難治性的或抗性的。
如請求項26所述的用途，其中，該淋巴瘤為小淋巴細胞淋巴瘤、邊緣帶淋巴瘤、濾泡性淋巴瘤、套細胞淋巴瘤、非何杰金氏淋巴瘤(NHL)、淋巴質漿細胞淋巴瘤、結外邊緣區淋巴瘤、T細胞淋巴瘤、B細胞淋巴瘤或彌漫性大B細胞淋巴瘤。
一種背面研磨用黏著性膜，包括基材層以及設置於所述基材層的其中一面側的紫外線硬化型的黏著性樹脂層，並且用於保護電子零件的表面，其中，藉由下述方法測定的、紫外線硬化後的所述黏著性膜的60°剝離強度為0.4N/25mm以上且5.0N/25mm以下，所述黏著性樹脂層包含(甲基)丙烯酸系樹脂，所述(甲基)丙烯酸系樹脂包含結構單元，所述結構單元衍生自選自由丙烯酸乙酯及丙烯酸正丁酯所組成之群組中的至少一種的單體，(方法)以所述黏著性樹脂層與矽鏡面晶圓相接的方式將所述黏著性膜貼附於所述矽鏡面晶圓上；繼而，於25℃的環境下使用高壓水銀燈以照射強度100mW/cm<sup>2</sup>對所述黏著性膜照射紫外線量為1080mJ/cm<sup>2</sup>的主波長365nm的紫外線，使所述黏著性樹脂層紫外線硬化；繼而，使用拉伸試驗機將所述黏著性膜於23℃、速度150mm/分鐘的條件下自所述矽鏡面晶圓沿60°方向剝離，將此時的強度(N/25mm)作為60°剝離強度。
如請求項1所述的背面研磨用黏著性膜，其中，所述黏著性樹脂層包含分子中具有聚合性碳-碳雙鍵的(甲基)丙烯酸系樹脂以及光起始劑。
如請求項2所述的背面研磨用黏著性膜，其中，所述黏著性樹脂層包含分子中具有聚合性碳-碳雙鍵的(甲基)丙烯酸系樹脂、光起始劑以及交聯劑，當以所述黏著性樹脂層中之所述(甲基)丙烯酸系樹脂為100質量份時，所述黏著性樹脂層中之所述光起始劑的含量為1質量份以上且10質量份以下，所述交聯劑包含異氰酸酯系化合物，當以所述黏著性樹脂層中之所述(甲基)丙烯酸系樹脂為100質量份時，所述黏著性樹脂層中之所述交聯劑的含量為0.5質量份以上且5質量份以下，當以所述黏著性樹脂層中之所述(甲基)丙烯酸系樹脂為100質量份時，所述黏著性樹脂層中之分子內具有兩個以上的聚合性碳-碳雙鍵的低分子量化合物的含量為20質量份以下。
如請求項1或請求項2所述的背面研磨用黏著性膜，其中，所述電子零件被半切或形成有改質層。
如請求項1或請求項2所述的背面研磨用黏著性膜，其中，所述黏著性樹脂層的厚度為5μm以上且300μm以下。
如請求項1或請求項2所述的背面研磨用黏著性膜，其中，構成所述基材層的樹脂包含選自聚烯烴、聚酯、聚醯胺、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚丙烯腈、聚碳酸酯、聚苯乙烯、離子聚合物、聚碸、聚醚碸及聚苯醚中的一種或兩種以上。
如請求項1或請求項2所述的背面研磨用黏著性膜，其中，所述基材層為單層。
一種電子裝置的製造方法，至少包括：步驟(A)，準備結構體，所述結構體包括具有電路形成面的電子零件以及貼合於所述電子零件的所述電路形成面側的黏著性膜；步驟(B)，對所述電子零件的與所述電路形成面側為相反側的面進行背面研磨；以及步驟(C)，對所述黏著性膜照射紫外線之後自所述電子零件除去所述黏著性膜；其中，所述黏著性膜為如請求項1至請求項7中任一項所述的背面研磨用黏著性膜。
如請求項8所述的電子裝置的製造方法，其中，所述步驟(A)包括：步驟(A1)，選自對所述電子零件進行半切的步驟(A1-1)及對於所述電子零件照射雷射而於所述電子零件上形成改質層的步驟(A1-2)中的至少一種。
一種電池裝置，其特徵在於包括：連接至包含電容的負載的二次電池；控制器，相對於所述二次電池與所述負載並聯連接，輸出轉變為電源切斷狀態的電源切斷控制訊號；放電控制場效電晶體，阻斷或開放自所述二次電池到所述負載及所述控制器的共同放電路徑；以及充放電控制電路，相對於所述二次電池而與所述負載及所述控制器並聯連接，其中所述充放電控制電路包括控制電路，所述控制電路當自所述控制器被輸入所述電源切斷控制訊號時，將所述電源切斷控制訊號鎖存，同時輸出用於將所述放電控制場效電晶體關斷的放電禁止信號，藉此阻斷自所述二次電池到所述負載及所述控制器的所有放電路徑。
如請求項1所述的電池裝置，其中所述控制電路更包括：鎖存部，將自所述控制器輸入的所述電源切斷控制訊號鎖存，輸出與鎖存的所述電源切斷控制訊號相應的鎖存訊號；以及驅動器，當自所述鎖存部被輸入所述鎖存訊號時，輸出所述放電禁止訊號。
如請求項2所述的電池裝置，更包括：VM檢測器，檢測充電器的連接，當檢測到所述充電器的連接時，輸出用於重置所述鎖存部的解除信號。
一種投影曝光裝置，包含一投影物鏡，該投影物鏡包含一光學裝置，該光學裝置包含具有一光學有效表面的一光學元件以及至少一電致伸縮致動器，該至少一電致伸縮致動器藉由所施加的一控制電壓而可變形，其中該電致伸縮致動器係功能性地連接到該光學元件以影響該光學有效表面的表面形狀，且其中一控制裝置係設置以提供該控制電壓給該電致伸縮致動器，其中提供了一量測裝置，其組態以至少在該電致伸縮致動器影響該光學元件的該光學有效表面時決定該電致伸縮致動器及/或其周圍環境的溫度及/或溫度變化，以在由該控制裝置驅動該電致伸縮致動器的過程中考慮一溫度相關影響； 其中該光學元件鄰近於該投影曝光裝置的一中間焦平面。
如請求項1所述之裝置，其中該量測裝置組態以直接地量測及/或間接地決定該電致伸縮致動器及/或其周圍環境的溫度及/或溫度變化。
如請求項1或2所述之裝置，其中該量測裝置量測以下變量的其中至少一者，以間接地決定溫度及/或溫度變化： - 該電致伸縮致動器的溫度相關特性，及/或 - 在向該電致伸縮致動器施加一特定控制電壓的情況下，該光學元件的至少一表面的表面形狀的變化。
如請求項1所述之裝置，其中該量測裝置在該電致伸縮致動器的操作期間連續地量測及/或決定溫度及/或溫度變化。
如請求項1到2所述之裝置，其中該電致伸縮致動器係實施使得施加該控制電壓將導致該電致伸縮致動器在該電致伸縮致動器的平面中的一橫向變形。
如請求項1到2的其中任一項所述之裝置，其中該控制裝置係組態為基於由該量測裝置所確定的資料，來調整特徵化橫向電致伸縮效應的一m31-或d31-係數的一數值，用於驅動該電致伸縮致動器，以考慮該溫度相關影響。
如請求項1到2的其中任一項所述之裝置，其中該控制裝置組態以考慮該電致伸縮致動器內的材料參數及/或該電致伸縮致動器的周圍環境中的組件的熱變化。
如請求項1到2的其中任一項所述之裝置，其中該電致伸縮致動器藉由一黏著劑或一焊接連接來固定到該光學元件，且該控制裝置組態以在該電致伸縮致動器的驅動過程中考慮該黏著劑或該焊接連接的剛度及/或膨脹的熱變化。
如請求項1到2的其中任一項所述之裝置，其中該電致伸縮致動器係配置在該光學元件背離該光學有效表面的一後側。
如請求項1到2的其中任一項所述之裝置，其中該電致伸縮致動器係配置在該光學元件於一光區域外的該光學有效表面上或在該光學元件的一側面上。
如請求項1到2的其中任一項所述之裝置，其中該電致伸縮致動器具有複數個電致伸縮組件。
如請求項1到2的其中任一項所述之裝置，其中該量測裝置量測該電致伸縮致動器的一電容及/或一電阻及/或一頻率相關阻抗，以決定溫度及/或溫度變化。
如請求項1到2的其中任一項所述之裝置，其中該量測裝置具有用於溫度偵測的一紅外線相機及/或用於量測該電致伸縮致動器的溫度相關特性的一電橋電路。
如請求項1到2的其中任一項所述之裝置，其中該量測裝置包含溫度感測器，其量測該電致伸縮致動器及/或其周圍環境的溫度及/或溫度變化及/或溫度分佈。
如請求項14所述之裝置，其中該溫度感測器配置在該電致伸縮致動器背離該光學元件的一後側。
如請求項14所述之裝置，其中該溫度感測器配置於該電致伸縮致動器的電致伸縮組件之間的該光學元件的一側。
如請求項14所述之裝置，其中該溫度感測器組態以量測0.1K或更大、較佳為0.03K或更大、更佳為0.01K或更大的一溫度變化。
如請求項14所述之裝置，其中用於為該電致伸縮致動器提供該控制電壓的電源線以及用於為該溫度感測器提供操作電壓的電源線至少部分地共同佈線、及/或在功能上及/或在實體上組合以形成一均勻導電軌道、及/或為相同。
如請求項1到2的其中一項所述之裝置，其中該控制裝置基於該量測裝置的該資料來確定由於表面形狀的變化及/或折射率的變化而產生的一預期波前效應，並在驅動該電致伸縮致動器及/或至少一補償構件的過程中考慮該波前效應。
如請求項19所述之裝置，其中該補償構件係實現為可在光方向上或在與其垂直的方向上位移的元件、及/或可繞光方向或繞與其垂直的軸旋轉的元件、及/或可變形元件、及/或可局部加熱的元件、及/或可局部冷卻的元件、及/或較佳為非球面板的可相對於彼此位移的元件、及/或可更換的元件。
如請求項1到2的其中一項所述之裝置，其中該光學元件為一反射鏡。
一種用以校正如請求項1至21的其中任一項中所述的一投影曝光裝置中的溫度的方法，其藉由影響設置在該投影曝光裝置中的一光學元件的一光學有效表面的表面形狀，其中該光學元件在功能上連接至一電致伸縮致動器，其中該電致伸縮致動器在被供應一控制電壓時適合用於影響該光學有效表面的表面形狀，其中至少在該電致伸縮致動器影響該光學元件的該光學有效表面時，直接地量測及/或間接地決定該電致伸縮致動器及/或其周圍環境的溫度及/或溫度變化，以在驅動該電致伸縮致動器的過程中考慮一溫度相關影響； 其中該光學元件鄰近於該投影曝光裝置的一中間焦平面。
如請求項22所述之方法，其中該量測的資料用以決定對該光學有效表面的表面形狀的一寄生效應及/或該光學元件的一折射率變化。
如請求項22或23所述之方法，其中施加該控制電壓導致該電致伸縮致動器在該電致伸縮致動器的平面中的一橫向變形，且該量測的資料用於調整特徵化橫向電致伸縮效應的一m31-或d31-係數的一數值，用於以考慮該溫度相關影響的方式來驅動該電致伸縮致動器。
如請求項24所述之方法，其中在施加一特定控制電壓到該電致伸縮致動器的情況下，來確定該光學元件的至少一表面的表面形狀的變化，並由此決定該m31-或d31-係數。
如請求項24所述之方法，其中決定該電致伸縮致動器的至少一溫度相關變量，並由此決定該電致伸縮致動器的該m31-或d31-係數。
如請求項22到23的其中一項所述之方法，其中該方法用於校正一投影物鏡的成像像差，該投影物鏡為一投影曝光裝置的一部分。
一種式(I)化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中：<figure><img align="absmiddle" height="108px" width="293px" file="d12466.TIF" alt="化學式ed12466.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12466.png"/></figure>各R<sup>1</sup>獨立地選自H、鹵基、-CN、-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、-OR<sup>a1</sup>及-N(R<sup>a1</sup>)<sub>2</sub>；各R<sup>2</sup>獨立地選自鹵基、-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-C<sub>3</sub>-C<sub>9</sub>環烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷氧基、3-6員雜環基、-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、-OR<sup>a2</sup>及-C(=O)N(R<sup>a2</sup>)<sub>2</sub>；各R<sup>3</sup>獨立地選自H、鹵基、-CN、-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基及-N(R<sup>a3</sup>)<sub>2</sub>；各R<sup>4</sup>獨立地選自H、鹵基、-CN、-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基及-N(R<sup>a4</sup>)<sub>2</sub>；各R<sup>6</sup>獨立地不存在或選自H、-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>雜烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、-C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>碳環基、3-10員雜環基、雜環基烷基、C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基、5-10員雜芳基、雜芳基烷基、芳基烷基及環烷基烷基，其中各烷基、環烷基、雜環基、環烷基烷基、雜環基烷基、芳基、雜芳基、芳基烷基及雜芳基烷基在任一可用位置經R<sup>10</sup>之0、1、2或3個實例取代；各R<sup>7</sup>獨立地不存在或選自H、鹵基、-CN、-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、5員雜芳基、-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>羥基烷基、-C<sub>3</sub>-C<sub>9</sub>環烷基及-OR<sup>a7</sup>；各R<sup>8</sup>獨立地選自H、-D、鹵基、-CN、-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、芳基烷基、-OR<sup>a8</sup>、-N(R<sup>a8</sup>)<sub>2</sub>、-C(=O)R<sup>a8</sup>、-C(=O)OR<sup>a8</sup>、-NR<sup>a8</sup>C(=O)R<sup>a8</sup>及-CH<sub>2</sub>C(=O)N(R<sup>a8</sup>)<sub>2</sub>，其中R<sup>8</sup>之兩個實例連同其所連接之一或多個原子可一起形成3-10員螺環烷基；四氫哌喃基、四氫硫哌喃基；3-10員稠合環烷基；3-10員稠合雜環基環或含有橋聯哌啶之雜環基環；各R<sup>10</sup>獨立地選自-D、=O、-CN、鹵基、-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>雜烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、-C<sub>3</sub>-C<sub>9</sub>環烷基、3-10員雜環基、C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基、5-10員雜芳基、環烷基烷基、芳基烷基、雜芳基烷基、雜環基烷氧基、雜環基烷基、-OR<sup>b10</sup>、-N(R<sup>b10</sup>)<sub>2</sub>、-C(=O)R<sup>b10</sup>、-C(=O)OR<sup>b10</sup>、-NR<sup>b10</sup>C(=O)R<sup>b10</sup>、-NR<sup>b10</sup>C(=O)OR<sup>b10</sup>、-C(=O)N(R<sup>b10</sup>)<sub>2</sub>、-OC(=O)R<sup>b10</sup>、-OC(=O)N(R<sup>b10</sup>)<sub>2</sub>、-S(=O)R<sup>b10</sup>、-S(=O)<sub>2</sub>R<sup>b10</sup>、-SR<sup>b10</sup>、-S(=O)(=NR<sup>b10</sup>)R<sup>b10</sup>、-NR<sup>b10</sup>S(=O)<sub>2</sub>R<sup>b10</sup>及-S(=O)<sub>2</sub>N(R<sup>b10</sup>)<sub>2</sub>，其中R<sup>10</sup>之各烷基、環烷基、雜烷基、雜環基、芳基、雜芳基、環烷基烷基、雜環基烷基、芳基烷基及雜芳基烷基經以下之0、1、2、3、4或5個實例取代：-Me、-Et、-<sup>i</sup>Pr、環丙基、氧呾-3-基、-OH、=O、-OMe、-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>F、-CH<sub>2</sub>CHF<sub>2</sub>、-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CF<sub>3</sub>、-C(=O)Me、-N(Me)<sub>2</sub>、-CH<sub>2</sub>N(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>、-CH<sub>2</sub>N(CH<sub>3</sub>)CH<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>、-N(<sup><i>i</i></sup>Pr)(Et)、-N(<sup><i>i</i></sup>Pr)(Me)、-N(Et)<sub>2</sub>、-N(CH<sub>3</sub>)(Et)、-NHC(=O)Me或其組合；且其中：各R<sup>b10</sup>獨立地選自H；-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基；-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基；經=O之0或1個實例取代之-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>雜烷基；C<sub>3</sub>-C<sub>9</sub>環烷基；及經=O、-Me或其組合之0或1個實例取代之3-10員雜環基；各R<sup>a1</sup>、R<sup>a2</sup>、R<sup>a3</sup>、R<sup>a4</sup>、R<sup>a6</sup>、R<sup>a7</sup>及R<sup>a8</sup>獨立地選自H、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>雜烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>9</sub>環烷基、3-7員雜環基、環烷基烷基、雜環基烷基、芳基、5-6員雜芳基、芳基烷基及雜芳基烷基，其中各烷基、環烷基、雜環基、環烷基烷基、雜環基烷基、芳基、雜芳基、芳基烷基及雜芳基烷基係獨立地經R<sup>9</sup>之0、1、2或3個實例取代，其中各R<sup>9</sup>獨立地選自=O、鹵基、-CN、-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>雜烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、-C<sub>3</sub>-C<sub>9</sub>環烷基、3-10員雜環基、C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基、5-10員雜芳基、環烷基烷基、雜環基烷基、芳基烷基、雜芳基烷基、-OR<sup>b</sup>、-N(R<sup>b</sup>)<sub>2</sub>、-C(=O)R<sup>b</sup>、-C(=O)OR<sup>b</sup>、-NR<sup>b</sup>C(=O)R<sup>b</sup>、-NR<sup>b</sup>C(=O)OR<sup>b</sup>、-C(=O)N(R<sup>b</sup>)<sub>2</sub>、-OC(=O)N(R<sup>b</sup>)<sub>2</sub>、-S(=O)R<sup>b</sup>、-S(=O)<sub>2</sub>R<sup>b</sup>、-SR<sup>b</sup>、-S(=O)(=NR<sup>b</sup>)R<sup>b</sup>、-NR<sup>b</sup>S(=O)<sub>2</sub>R<sup>b</sup>及-S(=O)<sub>2</sub>N(R<sup>b</sup>)<sub>2</sub>，其中各R<sup>b</sup>獨立地選自H、-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基及C<sub>3</sub>-C<sub>9</sub>環烷基；且n為0、1、2或3其中「環烷基烷基」係指經C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>單環環烷基取代之C<sub>1</sub>-C<sub>2</sub>烷基；「雜環基烷基」係指經3-10員雜環基取代之C<sub>1</sub>-C<sub>2</sub>烷基；「芳基烷基」係指經C<sub>6</sub>或C<sub>10</sub>芳基取代之C<sub>1</sub>-C<sub>2</sub>烷基；「雜芳基烷基」係指經5-10員雜芳基取代之C<sub>1</sub>-C<sub>2</sub>烷基；前提條件為：(i)當R<sup>1</sup>為H時，R<sup>2</sup>不為鹵基、-OPr或-CF<sub>3</sub>；(ii)當R<sup>1</sup>為OR<sup>a1</sup>時，R<sup>2</sup>不為-OR<sup>a2</sup>；(iii)當R<sup>1</sup>為H且R<sup>2</sup>為-CH<sub>3</sub>時，R<sup>8</sup>基團不可一起形成環且R<sup>6</sup>並非不存在或為H，且不為噻唑基、呋喃基或吡咯基；(iv)該化合物不為：A.5-(2-(5-甲基-2-(對甲苯基)哌啶-1-基)-2-側氧基乙醯胺基)菸鹼醯胺或其任何鏡像異構物或非鏡像異構物；B.2-(2-(4-(2H-四唑-5-基)苯基)-5-甲基哌啶-1-基)-N-(5,6-二甲基吡啶-3-基)-2-側氧基乙醯胺或其任何鏡像異構物或非鏡像異構物；C.2-氰基-5-(2-(5-甲基-2-苯基哌啶-1-基)-2-側氧基乙醯胺基)菸鹼醯胺或其任何鏡像異構物或非鏡像異構物。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>6</sup>及R<sup>7</sup>不為H且呈反式相對組態。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>6</sup>及R<sup>7</sup>不為H且呈順式相對組態。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中表示為<img align="absmiddle" height="98px" width="106px" file="d12658.TIF" alt="其他非圖式ed12658.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed12658.png"/>之部分選自：<figure><img align="absmiddle" height="110px" width="532px" file="d12467.TIF" alt="化學式ed12467.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12467.png"/></figure>
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中表示為<img align="absmiddle" height="97px" width="106px" file="d12657.TIF" alt="其他非圖式ed12657.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed12657.png"/>之部分選自：<figure><img align="absmiddle" height="114px" width="300px" file="d12468.TIF" alt="化學式ed12468.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12468.png"/></figure>
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中表示為<img align="absmiddle" height="96px" width="103px" file="d12659.TIF" alt="其他非圖式ed12659.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed12659.png"/>之部分選自：<figure><img align="absmiddle" height="106px" width="275px" file="d12469.TIF" alt="化學式ed12469.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12469.png"/></figure>
如請求項5之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為式(Ia)化合物<figure><img align="absmiddle" height="106px" width="338px" file="d12470.TIF" alt="化學式ed12470.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12470.png"/></figure>
如請求項5之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為式(Ib)化合物<figure><img align="absmiddle" height="108px" width="315px" file="d12471.TIF" alt="化學式ed12471.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12471.png"/></figure>
如請求項6之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為式(Ic)化合物<figure><img align="absmiddle" height="113px" width="309px" file="d12472.TIF" alt="化學式ed12472.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12472.png"/></figure>
如請求項6之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為式(Id)化合物<figure><img align="absmiddle" height="114px" width="351px" file="d12473.TIF" alt="化學式ed12473.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12473.png"/></figure>
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中各R<sup>8</sup>獨立地選自H、-D、鹵基、-CN、-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、芳基烷基、-OR<sup>a8</sup>、-N(R<sup>a8</sup>)<sub>2</sub>、-C(=O)R<sup>a8</sup>、-C(=O)OR<sup>a8</sup>、-NR<sup>a8</sup>C(=O)R<sup>a8</sup>及-CH<sub>2</sub>C(=O)N(R<sup>a8</sup>)<sub>2</sub>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>1</sup>選自H、-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、-OR<sup>a1</sup>及-N(R<sup>a1</sup>)<sub>2</sub>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中各R<sup>a1</sup>獨立地選自H、-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基及-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>1</sup>選自H、-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、-OH、-O-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)、-O-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基)、-NH<sub>2</sub>、-NH-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)及-N-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)<sub>2</sub>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>1</sup>選自H、-Me、-Et、-CHF<sub>2</sub>、-OMe、-OEt、-OCHF<sub>2</sub>、-OCF<sub>3、</sub>-OH及-NH<sub>2</sub>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>1</sup>選自H、-Et、-OMe、-OEt、-OCHF<sub>2</sub>、-OCF<sub>3</sub>及-OH。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>1</sup>選自H及-OMe。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>1</sup>為H。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>1</sup>為-OMe。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>1</sup>選自H、-Me、-CHF<sub>2</sub>及-NH<sub>2</sub>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>1</sup>選自-Me及-NH<sub>2</sub>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>1</sup>為-Me。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>1</sup>為-NH<sub>2</sub>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中各R<sup>a2</sup>獨立地選自H及-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>2</sup>選自鹵基、-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷氧基、-C<sub>3</sub>-C<sub>9</sub>環烷基、3-6員雜環基、-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷氧基、-OMe、-C(=O)H、-C(=O)NHOH及-C(=O)NH<sub>2</sub>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>2</sup>選自-Cl、-Me、-Et、-<sup><i>i</i></sup>Pr、-CF<sub>3</sub>、-CHF<sub>2</sub>、-OCHF<sub>2</sub>、-OCF<sub>3</sub>、環丙基、氧呾-3-基、四氫呋喃-3-基、-OMe、-C(=O)H、-C(=O)NHOH及-C(=O)NH<sub>2</sub>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>2</sup>選自-C(=O)NH<sub>2</sub>及-C(=O)H。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>2</sup>為-C(=O)NH<sub>2</sub>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>2</sup>選自-Cl、-Me、-Et、-<sup><i>i</i></sup>Pr、-CF<sub>3</sub>、-CHF<sub>2</sub>、-OCHF<sub>2</sub>、-OCF<sub>3</sub>、氧呾-3-基、四氫呋喃-3-基及環丙基。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>2</sup>選自環丙基、-Me及-Et。
如請求項1化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>1</sup>選自H、-OMe、-OEt、-OCF<sub>3</sub>、-OCHF<sub>2</sub>、-CHF<sub>2</sub>、-Me、-Et、-OH及-NH<sub>2</sub>，且R<sup>2</sup>選自-Cl、-Me、-Et、-<sup><i>i</i></sup>Pr、-CF<sub>3</sub>、-CHF<sub>2</sub>、-OCHF<sub>2</sub>、-OCF<sub>3</sub>、環丙基、-C(=O)NH<sub>2</sub>及-C(=O)H，前提條件為當R<sup>2</sup>為-Me時，R<sup>1</sup>為NH<sub>2</sub>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>1</sup>選自H、-CHF<sub>2</sub>、-Me及-NH<sub>2</sub>，且R<sup>2</sup>選自-Cl、-Me、-Et、-CF<sub>3</sub>、-CHF<sub>2</sub>、-OCHF<sub>2</sub>及環丙基，前提條件為當R<sup>2</sup>為-Me時，R<sup>1</sup>為NH<sub>2</sub>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>1</sup>選自-NH<sub>2</sub>及-Me，且R<sup>2</sup>選自環丙基、-Me及-Et。
如請求項33之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>1</sup>為-NH<sub>2</sub>，且R<sup>2</sup>選自環丙基、-Me或-Et。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>1</sup>選自H、-OMe、-OEt,-OCF<sub>3</sub>、-OCHF<sub>2</sub>、-Et及-OH，且R<sup>2</sup>選自-C(=O)NH<sub>2</sub>及-C(=O)H。
如請求項35之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>1</sup>選自H及-OMe且R<sup>2</sup>為-C(=O)NH<sub>2</sub>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>a3</sup>選自H及C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>3</sup>選自-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-OH、-O-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)、-NH<sub>2</sub>、-NH-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)及-N-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)<sub>2</sub>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>3</sup>選自H、-Me及-NH<sub>2</sub>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>3</sup>選自H及-Me。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>3</sup>為-Me。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中各R<sup>a4</sup>獨立地選自H及-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>4</sup>選自-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-OH、-O-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)、-NH<sub>2</sub>、-NH-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)及-N-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)<sub>2</sub>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>4</sup>為H。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中各R<sup>6</sup>獨立地選自-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>雜烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、-C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>碳環基、3-10員雜環基、雜環基烷基、C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基、5-10員雜芳基、雜芳基烷基、芳基烷基及環烷基烷基，其中各烷基、環烷基、雜環基、環烷基烷基、雜環基烷基、芳基、雜芳基、芳基烷基及雜芳基烷基在任一可用位置經R<sup>10</sup>之0、1、2或3個實例取代。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中各R<sup>6</sup>獨立地選自-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>單環或雙環碳環基、3-10員單環或雙環雜環基、C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>單環或雙環芳基、5-6員單環雜芳基、8-10員雙環雜芳基，其中各烷基、碳環基、雜環基、芳基及雜芳基經R<sup>10</sup>之0、1、2或3個實例取代。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>6</sup>為8-10員雙環雜芳基，其中雙環雜芳基經R<sup>10</sup>之0、1、2或3個實例取代。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>6</sup>獨立地選自H、-Me、-Et、-Pr、-<sup><i>i</i></sup>Pr、-<sup><i>i</i></sup>Bu、<i>sec</i>-Bu、-<sup><i>t</i></sup>Bu、環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、雙環[1.1.1]戊-基、4,5,6,7-四氫-1H-吲唑基、螺[3.3]庚基、氧呾基、氮雜環庚烷基、哌啶基、吡咯啶基、四氫呋喃基、四氫哌喃基、1,2-二氫吡啶基、嗎啉基、苯基、萘基、1,2,3,4-四氫萘基、2,3-二氫-1H-茚基、1,2,3,4-四氫喹啉基、1,2-二氫喹啉基、1,2-二氫異喹啉基、1,2,3,4-四氫異喹啉基、色原烷基、吲哚啉基、異吲哚啉基、3,4-二氫-2H-苯并[b][1,4]噁嗪基、2,3-二氫苯并呋喃基、苯并[<i>d</i>][1,3]二氧雜環戊烯基、2,3-二氫-1H-苯并[d]咪唑基、噻吩基、噻唑基、吡唑基、咪唑基、噁唑基、吡啶基、嘧啶基、苯并[d]異噻唑基、吲哚基、苯并呋喃基、1H-吲唑基、2H-吲唑基、苯并[b]噻吩基、喹啉基、1,5-萘啶基、1,2-二氫-1,5-萘啶基、1,2,3,4-四氫-1,8-萘啶基、異喹啉基、苯并[<i>d</i>]咪唑基、苯并[<i>d</i>]噻唑基、苯并[<i>d</i>]噁唑基、[1,2,4]三唑并[4,3-<i>a</i>]吡啶基、咪唑并[1,2-<i>a</i>]吡啶基、咪唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶基、1H-吡唑并[4,3-<i>b</i>]吡啶基)、1H-吡唑并[3,4-b]吡啶基、1H-噻吩并[2,3-c]吡唑基、1H-噻吩并[3,2-c]吡唑基、噻唑并[5,4-b]吡啶基，其各自經R<sup>10</sup>之0、1、2或3個實例取代。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中各R<sup>6</sup>獨立地選自H、-Me、-<sup><i>i</i></sup>Pr、-<sup><i>i</i></sup>Bu、<i>sec</i>-Bu、環丁基、環戊基、環己基、雙環[1.1.1]戊烷-1-基、螺[3.3]庚-2-基、4,5,6,7-四氫-1H-吲唑-6-基、哌啶-4-基、哌啶-3-基、吡咯啶-3-基、1,2-二氫吡啶-4-基、苯基、萘-2-基、1,2,3,4四氫喹啉-6-基、1,2,3,4-四氫萘-6-基、色原烷-6-基、1,5-萘啶-6-基、1,2,3,4-四氫-1,8-萘啶-6-基、2,3-二氫-1H-茚-5-基、吲哚啉-5-基、吲哚啉-4-基、2,3-二氫-1H-苯并[d]咪唑-5-基、2,3-二氫苯并呋喃-5-基、2,3-二氫苯并呋喃-6-基、苯并[<i>d</i>][1,3]二氧雜環戊烯-5-基]、異吲哚啉-5-基、異吲哚啉-6-基、3,4-二氫-2H-苯并[b][1,4]噁嗪-7-基、1,2-二氫喹啉-6-基、1,2-二氫異喹啉-7-基、噻吩-2-基、噻吩-3-基、噻唑-2-基、噻唑-4-基、噻唑-5-基、吡唑-1-基、吡唑-5-基、吡唑-3-基、吡唑-4-基、吡啶-2-基、吡啶-3-基、吡啶-4-基、嘧啶-5-基、吲哚-4-基、吲哚-5-基、苯并呋喃-5-基、苯并呋喃-6-基、1<i>H</i>吲唑-5-基、1<i>H</i>-吲唑-4-基、2H-吲唑-6-基、2H-吲唑-5-基、苯并[<i>b</i>]噻吩-3-基、苯并[<i>b</i>]噻吩-5-基、喹啉-6-基、喹啉-3-基、異喹啉-6-基、苯并[<i>d</i>]咪唑并-5-基、1H-苯并[d]咪唑-4-基、苯并[<i>d</i>]噻唑-5-基、苯并[d]噻唑-6-基、苯并[d]噻唑-4-基、苯并[d]異噻唑-5-基、苯并[<i>d</i>]噁唑-4-基、苯并[<i>d</i>]噁唑-5-基、[1,2,4]三唑并[4,3-<i>a</i>]吡啶-6-基、咪唑并[1,2-<i>a</i>]吡啶-6-基、咪唑并[1,2-a]吡啶-7-基、咪唑并[1,5-a]吡啶-6-基、吡唑并[4,3-<i>b</i>]吡啶-6-基、1H-吡唑并[3,4-b]吡啶-5-基、1H-吡唑并[4,3-b]吡啶-5-基、1H-吡唑并[4,3-b]吡啶-6-基、1H-噻吩并[2,3-c]吡唑-5-基、1H-噻吩并[3,2-c]吡唑-5-基、噻唑并[5,4-b]吡啶-6-基)，其各自經R<sup>10</sup>之0、1、2或3個實例取代。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中各R<sup>6</sup>獨立地選自-Me、-<sup><i>i</i></sup>Pr、-<sup><i>i</i></sup>Bu、<i>sec</i>-Bu、環丁基、環戊基、環己基、雙環[1.1.1]戊烷-1-基、螺[3.3]庚-2-基、4,5,6,7-四氫-1H-吲唑-6-基、哌啶-4-基、哌啶-3-基、吡咯啶-3-基、1,2-二氫吡啶-4-基、苯基、萘-2-基、1,2,3,4四氫喹啉-6-基、1,2,3,4-四氫萘-6-基、色原烷-6-基、1,5-萘啶-6-基、1,2,3,4-四氫-1,8-萘啶-6-基、2,3-二氫-1H-茚-5-基、吲哚啉-5-基、吲哚啉-4-基、2,3-二氫-1H-苯并[d]咪唑-5-基、2,3-二氫苯并呋喃-5-基、2,3-二氫苯并呋喃-6-基、苯并[<i>d</i>][1,3]二氧雜環戊烯-5-基]、異吲哚啉-5-基、異吲哚啉-6-基、3,4-二氫-2H-苯并[b][1,4]噁嗪-7-基、1,2-二氫喹啉-6-基、1,2-二氫異喹啉-7-基、噻吩-2-基、噻吩-3-基、噻唑-2-基、噻唑-4-基、噻唑-5-基、吡唑-1-基、吡唑-5-基、吡唑-3-基、吡唑-4-基、吡啶-2-基、吡啶-3-基、吡啶-4-基、嘧啶-5-基、吲哚-4-基、吲哚-5-基、苯并呋喃-5-基、苯并呋喃-6-基、1<i>H</i>吲唑-5-基、1<i>H</i>吲唑-4-基、2H-吲唑-6-基、2H-吲唑-5-基、苯并[<i>b</i>]噻吩-3-基、苯并[<i>b</i>]噻吩-5-基、喹啉-6-基、喹啉-3-基、異喹啉-6-基、苯并[<i>d</i>]咪唑并-5-基、1H-苯并[d]咪唑-4-基、苯并[<i>d</i>]噻唑-5-基、苯并[d]噻唑-6-基、苯并[<i>d</i>]噻唑-4-基、苯并[<i>d</i>]異噻唑-5-基、苯并[<i>d</i>]噁唑-4-基、苯并[<i>d</i>]噁唑-5-基、[1,2,4]三唑并[4,3-<i>a</i>]吡啶-6-基、咪唑并[1,2-<i>a</i>]吡啶-6-基、咪唑并[1,2-<i>a</i>]吡啶-7-基、咪唑并[1,5-a]吡啶-6-基、吡唑并[4,3-<i>b</i>]吡啶-6-基、1H-吡唑并[3,4-b]吡啶-5-基、1H-吡唑并[4,3-b]吡啶-5-基、1H-吡唑并[4,3-b]吡啶-6-基、1H-噻吩并[2,3-c]吡唑-5-基、1H-噻吩并[3,2-c]吡唑-5-基、噻唑并[5,4-b]吡啶-6-基，其各自經R<sup>10</sup>之0、1、2或3個實例取代。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>6</sup>選自經R<sup>10</sup>之0、1、2或3個實例取代之吡啶-2-基、吡啶-3-基、吡啶-4-基、嘧啶-5-基及苯基。
如請求項51之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>6</sup>選自經R<sup>10</sup>之一個實例取代之苯基、吡啶-2-基、吡啶-3-基、吡啶-4-基及嘧啶-5-基。
如請求項51之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>6</sup>選自：<figure><img align="absmiddle" height="80px" width="262px" file="d12474.TIF" alt="化學式ed12474.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12474.png"/></figure>
如請求項51之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>6</sup>為<figure><img align="absmiddle" height="81px" width="71px" file="d12475.TIF" alt="化學式ed12475.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12475.png"/></figure>
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>6</sup>為經R<sup>10</sup>之0、1、2或3個實例取代之苯基。
如請求項55之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>6</sup>為<figure><img align="absmiddle" height="85px" width="71px" file="d12476.TIF" alt="化學式ed12476.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12476.png"/></figure>
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>6</sup>係經R<sup>10</sup>之0、1、2或3個實例取代之雙環雜芳基。
如請求項57之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>6</sup>選自1<i>H</i>-吲唑-5-基、2<i>H</i>-吲唑-5-基、苯并[d]異噻唑-5-基、苯并[d]噻唑-5-基、苯并[b]噻吩-5-基、苯并[<i>d</i>]噁唑-4-基、苯并[<i>d</i>]噁唑-5-基、喹啉-7-基、1H-噻吩并[2,3-c]吡唑-5-基、咪唑并[1,2-a]吡啶-7-基及咪唑并[1,5-a]吡啶-6-基，其經R<sup>10</sup>之0、1、2或3個實例取代。
如請求項58之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>6</sup>為經R<sup>10</sup>之0、1、2或3個實例取代之苯并[d]噻唑-5-基。
如請求項58之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>6</sup>為<figure><img align="absmiddle" height="86px" width="450px" file="d12477.TIF" alt="化學式ed12477.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12477.png"/></figure>
如請求項59之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>6</sup>為<figure><img align="absmiddle" height="62px" width="170px" file="d12478.TIF" alt="化學式ed12478.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12478.png"/></figure>
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中各R<sup>10</sup>獨立地選自-D、=O、鹵基、-CN、-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>雜烷基、-CH<sub>2</sub>CH(CH<sub>3</sub>)(NMe<sub>2</sub>)、-CH<sub>2</sub>OH、-CH(OH)(CH<sub>3</sub>)、-C(OH)(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>、-CH<sub>2</sub>NH<sub>2</sub>)、-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、-C<sub>3</sub>-C<sub>9</sub>環烷基、3-10員雜環基、5-10員雜芳基、環烷基烷基、雜環基烷基、雜環基烷氧基、雜芳基烷基、-OR<sup>b10</sup>、-N(R<sup>b10</sup>)<sub>2</sub>、-NR<sup>b10</sup>C(=O)R<sup>b10</sup>、-C(=O)N(R<sup>b10</sup>)<sub>2</sub>、-OC(=O)R<sup>b10</sup>、-S(=O)R<sup>b10</sup>、-NR<sup>b10</sup>S(=O)<sub>2</sub>R<sup>b10</sup>及-S(=O)<sub>2</sub>N(R<sup>b10</sup>)<sub>2</sub>，其中各烷基、環烷基、雜環基、芳基、雜芳基、環烷基烷基、雜環基烷基、芳基烷基及雜芳基烷基經-Me、-Et、-<sup>i</sup>Pr、環丙基、氧呾-3-基、-OH、=O、-F、-OMe、-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>F、-CH<sub>2</sub>CHF<sub>2</sub>、-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CF<sub>3</sub>、-C(=O)Me、-N(Me)<sub>2</sub>、-CH<sub>2</sub>N(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>、-CH<sub>2</sub>N(CH<sub>3</sub>)CH<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>、-N(<sup><i>i</i></sup>Pr)(Et)、-N(<sup><i>i</i></sup>Pr)(Me)、-N(Et)<sub>2</sub>、-N(CH<sub>3</sub>)(Et)、-NHC(=O)Me或其組合之0、1、2、3、4或5個實例取代，且其中：各R<sup>b10</sup>獨立地選自H、-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、經=O之0或1個實例取代之-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>雜烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>9</sub>環烷基及經=O、-Me或其組合之0或1個實例取代之3-10員雜環基。
如請求項62之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中各R<sup>b10</sup>獨立地選自H、-Me、-Et、-Pr、-<sup><i>i</i></sup>Pr、-<i>sec</i>-Bu、-<sup><i>t</i></sup>Bu、-CF<sub>3</sub>、-CHF<sub>2</sub>、-CH<sub>2</sub>CF<sub>3</sub>、-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe<sub>2</sub>、-CH<sub>2</sub>C(=O)NMe<sub>2</sub>、-CH(CH<sub>3</sub>)CH<sub>2</sub>NMe<sub>2</sub>、-CH(CH<sub>3</sub>)C(=O)NMe<sub>2</sub>)、四氫呋喃-3-基、四氫哌喃-4-基、氧呾-4-基、N-Me-2-側氧基吡咯啶-3-基及哌啶-4-基。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>10</sup>為3-6員單環雜環基或6-10員雙環雜環基，其各自經以下之0、1、2、3、4或5個實例取代：-Me、-Et、-<sup>i</sup>Pr、環丙基、氧呾-3-基、-OH、=O、-OMe、-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>F、-CH<sub>2</sub>CHF<sub>2</sub>、-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CF<sub>3</sub>、-C(=O)Me、-N(Me)<sub>2</sub>、-CH<sub>2</sub>N(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>、-CH<sub>2</sub>N(CH<sub>3</sub>)CH<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>、-N(<sup><i>i</i></sup>Pr)(Et)、-N(<sup><i>i</i></sup>Pr)(Me)、-N(Et)<sub>2</sub>、-N(CH<sub>3</sub>)(Et)、-NHC(=O)Me或其組合。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>10</sup>為-D、-Cl、-F、-Me、-CH<sub>2</sub>-OH、<figure><img align="absmiddle" height="265px" width="694px" file="d12479.TIF" alt="化學式ed12479.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12479.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1016px" width="731px" file="d12480.TIF" alt="化學式ed12480.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12480.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="90px" width="172px" file="d12481.TIF" alt="化學式ed12481.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12481.png"/></figure>
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中各R<sup>a7</sup>獨立地選自H及-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中各R<sup>7</sup>獨立地選自H及甲基。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中各R<sup>7</sup>為H。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中各R<sup>7</sup>為甲基。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中各R<sup>8</sup>獨立地選自H、-D、鹵基、-CN、-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷氧基、芳基烷基、-C(=O)R<sup>a8</sup>、-N(R<sup>a8</sup>)<sub>2</sub>、-NR<sup>a8</sup>C(=O)R<sup>a8</sup>、-CH<sub>2</sub>C(=O)N(R<sup>a8</sup>)<sub>2</sub>及-OR<sup>a8</sup>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中各R<sup>a8</sup>獨立地選自H、-CF<sub>3</sub>及-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中各R<sup>8</sup>獨立地選自H、-D、-F、-Me,-Et、-<i>sec</i>-Bu、-CN、-OMe、-O<sup><i>i</i></sup>Pr、-OCF<sub>3</sub>、苯甲基、-NHC(=O)Me、-NMe<sub>2</sub>、-CH<sub>2</sub>C(=O)NH<sub>2</sub>、-C(=O)<sup><i>i</i></sup>Pr及-OH。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中各R<sup>8</sup>獨立地選自H、-D、-F、-Me、-Et及-CN。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中各R<sup>8</sup>獨立地選自H、-D、-F及-Me。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中n為0。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中n為1。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中n為2。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中n為3。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中表示為<img align="absmiddle" height="95px" width="110px" file="d12660.TIF" alt="其他非圖式ed12660.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed12660.png"/>之部分選自：<figure><img align="absmiddle" height="396px" width="670px" file="d12482.TIF" alt="化學式ed12482.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12482.png"/></figure>
如請求項79之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中表示為<img align="absmiddle" height="100px" width="109px" file="d12661.TIF" alt="其他非圖式ed12661.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed12661.png"/>之部分選自：<figure><img align="absmiddle" height="295px" width="615px" file="d12483.TIF" alt="化學式ed12483.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12483.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="611px" width="681px" file="d12484.TIF" alt="化學式ed12484.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12484.png"/></figure>
如請求80之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中n為2。
如請求項80之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中各R<sup>6</sup>及R<sup>7</sup>獨立地選自H及-CH<sub>3</sub>。
如請求項80之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>6</sup>為H。
如請求項80之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>6</sup>為-CH<sub>3</sub>。
如請求項80中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>7</sup>為H。
如請求項80中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>7</sup>為-CH<sub>3</sub>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物選自：<figure><img align="absmiddle" height="844px" width="719px" file="d12485.TIF" alt="化學式ed12485.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12485.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="985px" width="734px" file="d12486.TIF" alt="化學式ed12486.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12486.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1025px" width="713px" file="d12487.TIF" alt="化學式ed12487.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12487.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="974px" width="707px" file="d12488.TIF" alt="化學式ed12488.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12488.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1003px" width="695px" file="d12489.TIF" alt="化學式ed12489.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12489.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1004px" width="713px" file="d12490.TIF" alt="化學式ed12490.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12490.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="989px" width="699px" file="d12491.TIF" alt="化學式ed12491.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12491.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="964px" width="718px" file="d12492.TIF" alt="化學式ed12492.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12492.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1018px" width="709px" file="d12493.TIF" alt="化學式ed12493.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12493.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1008px" width="732px" file="d12494.TIF" alt="化學式ed12494.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12494.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1001px" width="718px" file="d12495.TIF" alt="化學式ed12495.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12495.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1004px" width="703px" file="d12496.TIF" alt="化學式ed12496.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12496.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1013px" width="703px" file="d12497.TIF" alt="化學式ed12497.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12497.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1014px" width="710px" file="d12498.TIF" alt="化學式ed12498.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12498.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="992px" width="707px" file="d12499.TIF" alt="化學式ed12499.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12499.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1018px" width="716px" file="d12500.TIF" alt="化學式ed12500.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12500.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1002px" width="719px" file="d12501.TIF" alt="化學式ed12501.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12501.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1021px" width="716px" file="d12502.TIF" alt="化學式ed12502.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12502.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="996px" width="732px" file="d12503.TIF" alt="化學式ed12503.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12503.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1011px" width="739px" file="d12504.TIF" alt="化學式ed12504.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12504.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="987px" width="720px" file="d12505.TIF" alt="化學式ed12505.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12505.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1017px" width="725px" file="d12506.TIF" alt="化學式ed12506.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12506.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1018px" width="708px" file="d12507.TIF" alt="化學式ed12507.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12507.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1005px" width="715px" file="d12508.TIF" alt="化學式ed12508.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12508.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1020px" width="719px" file="d12509.TIF" alt="化學式ed12509.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12509.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1022px" width="717px" file="d12510.TIF" alt="化學式ed12510.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12510.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1017px" width="722px" file="d12511.TIF" alt="化學式ed12511.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12511.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1012px" width="697px" file="d12512.TIF" alt="化學式ed12512.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12512.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1013px" width="713px" file="d12513.TIF" alt="化學式ed12513.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12513.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1019px" width="737px" file="d12514.TIF" alt="化學式ed12514.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12514.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1024px" width="707px" file="d12515.TIF" alt="化學式ed12515.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12515.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1024px" width="712px" file="d12516.TIF" alt="化學式ed12516.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12516.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1039px" width="731px" file="d12517.TIF" alt="化學式ed12517.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12517.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1029px" width="733px" file="d12518.TIF" alt="化學式ed12518.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12518.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1036px" width="727px" file="d12519.TIF" alt="化學式ed12519.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12519.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1000px" width="707px" file="d12520.TIF" alt="化學式ed12520.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12520.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1019px" width="717px" file="d12521.TIF" alt="化學式ed12521.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12521.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1015px" width="715px" file="d12522.TIF" alt="化學式ed12522.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12522.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1001px" width="708px" file="d12523.TIF" alt="化學式ed12523.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12523.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="969px" width="737px" file="d12524.TIF" alt="化學式ed12524.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12524.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="972px" width="726px" file="d12525.TIF" alt="化學式ed12525.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12525.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1008px" width="703px" file="d12526.TIF" alt="化學式ed12526.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12526.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="996px" width="727px" file="d12527.TIF" alt="化學式ed12527.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12527.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1000px" width="716px" file="d12528.TIF" alt="化學式ed12528.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12528.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1028px" width="722px" file="d12529.TIF" alt="化學式ed12529.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12529.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1017px" width="694px" file="d12530.TIF" alt="化學式ed12530.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12530.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="987px" width="707px" file="d12531.TIF" alt="化學式ed12531.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12531.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="987px" width="726px" file="d12532.TIF" alt="化學式ed12532.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12532.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1017px" width="711px" file="d12533.TIF" alt="化學式ed12533.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12533.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1008px" width="711px" file="d12534.TIF" alt="化學式ed12534.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12534.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1021px" width="713px" file="d12535.TIF" alt="化學式ed12535.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12535.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="990px" width="688px" file="d12536.TIF" alt="化學式ed12536.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12536.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="983px" width="744px" file="d12537.TIF" alt="化學式ed12537.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12537.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1017px" width="715px" file="d12538.TIF" alt="化學式ed12538.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12538.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="987px" width="713px" file="d12539.TIF" alt="化學式ed12539.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12539.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1032px" width="719px" file="d12540.TIF" alt="化學式ed12540.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12540.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="989px" width="707px" file="d12541.TIF" alt="化學式ed12541.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12541.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="948px" width="704px" file="d12542.TIF" alt="化學式ed12542.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12542.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1015px" width="720px" file="d12543.TIF" alt="化學式ed12543.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12543.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="948px" width="707px" file="d12544.TIF" alt="化學式ed12544.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12544.png"/></figure>
如請求項87之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其係<img align="absmiddle" height="142px" width="151px" file="d12662.TIF" alt="其他非圖式ed12662.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed12662.png"/>或其醫藥學上可接受之鹽。
如請求項87之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其係<figure><img align="absmiddle" height="125px" width="184px" file="d12545.TIF" alt="化學式ed12545.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12545.png"/></figure>
如請求項87之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其係<img align="absmiddle" height="189px" width="152px" file="d12663.TIF" alt="其他非圖式ed12663.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed12663.png"/>或其醫藥學上可接受之鹽。
如請求項87之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其係<figure><img align="absmiddle" height="193px" width="195px" file="d12546.TIF" alt="化學式ed12546.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed12546.png"/></figure>
一種醫藥組成物，其包含如請求項1至91中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽及醫藥學上可接受之載劑。
如請求項92之醫藥組成物，其進一步包含第二治療劑。
一種如請求項1至91中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽於製備藥物之用途，該藥物係用於治療有需要之個體之MTAP缺乏及/或MTA累積疾病。
如請求項94之用途，其中該化合物與第二治療劑組合投與。
一種如請求項92之醫藥組成物於製備藥物之用途，該藥物係用於治療有需要之個體之MTAP缺乏及/或MTA累積疾病。
如請求項96之用途，其中該醫藥組成物與第二治療劑組合投與。
一種如請求項93之醫藥組成物於製備藥物之用途，該藥物係用於治療有需要之個體之MTAP缺乏及/或MTA累積疾病。
如請求項96之用途，其中該疾病為增殖性疾病。
如請求項94之用途，其中該疾病為MTAP缺乏及/或MTA累積癌症。
如請求項100之用途，其中該癌症為神經膠質母細胞瘤、惡性周邊神經鞘瘤(MPNST)、食道癌、膀胱癌、胰臟癌、間皮瘤、黑素瘤、非小細胞肺癌(NSCLC)、星細胞瘤、未分化多形性肉瘤、瀰漫性大B細胞淋巴瘤(DLBCL)、白血病、頭頸癌、黏液性纖維肉瘤、膽管癌、腦癌、胃癌、腎癌、乳癌、子宮內膜癌、尿路癌、肝癌、軟組織癌、胸膜癌、大腸癌或肉瘤。
如請求項100之用途，其中該癌症為神經膠質母細胞瘤、惡性周邊神經鞘瘤(MPNST)、食道鱗狀細胞癌、食道腺癌、膀胱尿路上皮癌、胰臟癌、間皮瘤、黑素瘤、肺鱗狀、肺腺癌、星細胞瘤、未分化多形性肉瘤、瀰漫性大B細胞淋巴瘤(DLBCL)、白血病、頭頸癌、黏液性纖維肉瘤、膽管癌、腦癌、腎癌、乳癌、子宮內膜癌、尿路癌、肝癌、軟組織癌、胸膜癌、大腸癌或肉瘤。
如請求項96之用途，其中該疾病為MTAP缺乏及/或MTA累積癌症。
如請求項103之用途，其中該癌症為神經膠質母細胞瘤、惡性周邊神經鞘瘤(MPNST)、食道癌、膀胱癌、胰臟癌、間皮瘤、黑素瘤、非小細胞肺癌(NSCLC)、星細胞瘤、未分化多形性肉瘤、瀰漫性大B細胞淋巴瘤(DLBCL)、白血病、頭頸癌、黏液性纖維肉瘤、膽管癌、腦癌、胃癌、腎癌、乳癌、子宮內膜癌、尿路癌、肝癌、軟組織癌、胸膜癌、大腸癌或肉瘤。
如請求項103之用途，其中該癌症為神經膠質母細胞瘤、惡性周邊神經鞘瘤(MPNST)、食道鱗狀細胞癌、食道腺癌、膀胱尿路上皮癌、胰臟癌、間皮瘤、黑素瘤、肺鱗狀、肺腺癌、星細胞瘤、未分化多形性肉瘤、瀰漫性大B細胞淋巴瘤(DLBCL)、白血病、頭頸癌、黏液性纖維肉瘤、膽管癌、腦癌、腎癌、乳癌、子宮內膜癌、尿路癌、肝癌、軟組織癌、胸膜癌及大腸癌或肉瘤。
如請求項97之用途，其中該疾病為MTAP缺乏及/或MTA累積癌症。
如請求項106之用途，其中該癌症為神經膠質母細胞瘤、惡性周邊神經鞘瘤(MPNST)、食道癌、膀胱癌、胰臟癌、間皮瘤、黑素瘤、非小細胞肺癌(NSCLC)、星細胞瘤、未分化多形性肉瘤、瀰漫性大B細胞淋巴瘤(DLBCL)、白血病、頭頸癌、黏液性纖維肉瘤、膽管癌、腦癌、胃癌、腎癌、乳癌、子宮內膜癌、尿路癌、肝癌、軟組織癌、胸膜癌、大腸癌或肉瘤。
如請求項106之用途，其中該癌症為神經膠質母細胞瘤、惡性周邊神經鞘瘤(MPNST)、食道鱗狀細胞癌、食道腺癌、膀胱尿路上皮癌、胰臟癌、間皮瘤、黑素瘤、肺鱗狀、肺腺癌、星細胞瘤、未分化多形性肉瘤、瀰漫性大B細胞淋巴瘤(DLBCL)、白血病、頭頸癌、黏液性纖維肉瘤、膽管癌、腦癌、腎癌、乳癌、子宮內膜癌、尿路癌、肝癌、軟組織癌、胸膜癌及大腸癌或肉瘤。
如請求項98之用途，其中該疾病為MTAP缺乏及/或MTA累積癌症。
如請求項109之用途，其中該癌症為神經膠質母細胞瘤、惡性周邊神經鞘瘤(MPNST)、食道癌、膀胱癌、胰臟癌、間皮瘤、黑素瘤、非小細胞肺癌(NSCLC)、星細胞瘤、未分化多形性肉瘤、瀰漫性大B細胞淋巴瘤(DLBCL)、白血病、頭頸癌、黏液性纖維肉瘤、膽管癌、腦癌、胃癌、腎癌、乳癌、子宮內膜癌、尿路癌、肝癌、軟組織癌、胸膜癌、大腸癌或肉瘤。
如請求項109之用途，其中該癌症為神經膠質母細胞瘤、惡性周邊神經鞘瘤(MPNST)、食道鱗狀細胞癌、食道腺癌、膀胱尿路上皮癌、胰臟癌、間皮瘤、黑素瘤、肺鱗狀、肺腺癌、星細胞瘤、未分化多形性肉瘤、瀰漫性大B細胞淋巴瘤(DLBCL)、白血病、頭頸癌、黏液性纖維肉瘤、膽管癌、腦癌、腎癌、乳癌、子宮內膜癌、尿路癌、肝癌、軟組織癌、胸膜癌及大腸癌或肉瘤。
一種如請求項1至91中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽於製備藥物之用途，該藥物係用於治療有需要之個體之癌症，其中選擇該個體進行治療係藉由包含以下步驟之方法：a)評定自該個體獲得之測試樣品中MTAP及/或MTA之水準，其中該MTA水準可直接或間接評定；b)將該測試樣品與參考物相比較；c)當該測試樣品中與該參考物相比已確認出MTAP缺乏及/或MTA累積時，選擇該個體進行治療。
一種如請求項92之醫藥組成物於製備藥物之用途，該藥物係用於治療有需要之個體之癌症，其中選擇該個體進行治療係藉由包含以下步驟之方法：a)評定自該個體獲得之測試樣品中MTAP及/或MTA之水準，其中該MTA水準可直接或間接評定；b)將該測試樣品與參考物相比較；c)當該測試樣品中與該參考物相比已確認出MTAP缺乏及/或MTA累積時，選擇該個體進行治療。
一種如請求項93之醫藥組成物於製備藥物之用途，該藥物係用於治療有需要之個體之癌症，其中選擇該個體進行治療係藉由包含以下步驟之方法：a)評定自該個體獲得之測試樣品中MTAP及/或MTA之水準，其中該MTA水準可直接或間接評定；b)將該測試樣品與參考物相比較；c)當該測試樣品中與該參考物相比已確認出MTAP缺乏及/或MTA累積時，選擇該個體進行治療。
一種蒸氣渦輪(15)，其包含： 一外殼(17)，其環繞至少一渦輪壓力部分固定式導流片(18)，該等固定式導流片係耦合至該外殼(17)及轉子葉片(19)； <br/>一靜輪葉環(22)，其附接至該外殼(17)且包含多個噴嘴區段(30)，其中各該噴嘴區段(30)包含一第一環區段(31)、平行於該第一環區段(31)延伸的一第二環區段(32)、及在該第一環區段(31)與該第二環區段(32)之間延伸的多個翼形片(33)； <br/>其中各該噴嘴區段(30)具有一核心(37)，該核心(37)包含麻田散式鋼，且其中各該噴嘴區段(30)的熱膨脹係數與該蒸氣渦輪(15)之該外殼(17)的熱膨脹係數在至多600℃的一溫度範圍中相差至多5%。
如請求項1之蒸氣渦輪，其中該麻田散式鋼具有一最小潛變破壞強度，該最小潛變破壞強度在580℃之溫度下滿足下列條件：在至少100 MPa的一拉伸應力下至少10<sup>5</sup>小時不破裂。
如請求項1或2之蒸氣渦輪，其中該等翼形片(33)、該第一環區段(31)、及該第二環區段(32)係以相同的固體材料工件來一體式加工而成，而無接縫或接點。
如請求項1或2之蒸氣渦輪，其中該等翼形片(33)、該第一環區段(31)、及該第二環區段(32)經個別地製成，且隨後彼此連接。
如請求項4之蒸氣渦輪，其中該核心(37)係由X17CrMoVNbB9-1製成。
如請求項1之蒸氣渦輪，其中該噴嘴區段(30)之至少一表面區域具有一表面塗層(38)，且該表面塗層(38)包含鉻、碳、及鎳群組中之至少一者，或包含鈦、鋁、及氮群組中之至少一者。
如請求項6之蒸氣渦輪，其中該表面塗層(38)包含碳化鉻(Cr<sub>3</sub>C<sub>2</sub>)、鎳鉻(NiCr)、及氮化鋁鈦(TiAlN)中之至少一者。
如請求項6或7之蒸氣渦輪，其中該表面塗層(38)具有一抗性，使得在625℃至650℃之溫度下配置在一蒸汽流內，在該噴嘴區段之一預定壽命內的一材料損失係小於200微米。
如請求項1或2之蒸氣渦輪，其中該等噴嘴區段(40)係配置在兩個相對的外殼溝槽(24、25)中。
如請求項9之蒸氣渦輪，其中至少支撐該靜輪葉環(22)之包含該等外殼溝槽(24、25)之該外殼(17)的支撐結構係由不同於該等噴嘴區段(30)之材料的一材料製成。
如請求項10之蒸氣渦輪，其中該等噴嘴區段(30)之該材料的一潛變破壞強度係大於該外殼(17)之該支撐結構之該材料的一破壞潛變強度。
如請求項1、2、6及7中任一項之蒸氣渦輪，其中該外殼(17)包含一第一外殼半部(17a)及一第二外殼半部(17b)，且其中附接至該第一外殼半部(17a)之該等噴嘴區段(30)的群組形成一第一靜輪葉環部分(22a)，且附接至該第二外殼半部(17b)之該等噴嘴區段(30)的群組形成一第二靜輪葉環部分(22b)。
一種用於將一靜輪葉環(22)組裝至一蒸氣渦輪(15)之一外殼(17)的方法，其包含下列步驟： <br/>(a) 提供多個單塊噴嘴區段(30)，其等各自包含一第一環區段(31)、平行於該第一環區段(31)延伸的一第二環區段(32)、及在該第一環區段(31)與該第二環區段(32)之間延伸的多個翼形片(33)，其中各該噴嘴區段(30)的熱膨脹係數與該蒸氣渦輪(15)之該外殼(17)的熱膨脹係數在至多600℃的一溫度範圍中相差至多5%， <br/>(b) 提供該外殼(17)之一第一外殼半部(17a)及一第二外殼半部(17b)，其等各自具有彼此相對配置的一半圓第一外殼溝槽(24)及一半圓第二外殼溝槽(25)， <br/>(c) 將該等噴嘴區段(30)之一者插入該第一外殼半部(17a)之一者該第一外殼溝槽(24)及該第二外殼溝槽(25)中，並藉由配置在該等外殼溝槽(24、25)之一者中之至少一夾持元件(44)的手段夾持經插入之該噴嘴區段(30)， <br/>(d) 對其他該噴嘴區段(30)重複先前步驟(c)，以自該第一外殼半部(17a)中之多個該噴嘴區段(30)形成一第一半圓靜輪葉環部分(22a)， <br/>(e) 對該第二外殼半部(17b)重複先前步驟(c)、步驟(d)，以自該第二外殼半部(17a)中之多個該噴嘴區段(30)形成一第二半圓靜輪葉環部分(22b)。
一種用於黏合兩種可生物降解材料的方法，包含：<br/> 安置一載體，該載體含有具有獨立衍生之植物纖維的原纖化纖維素之一複合材料，該複合材料一般不含有毒化學添加劑，該有毒化學添加劑是用於改善乾抗強度、增強的油阻、氣體和／或液體不滲透性、乾拉伸模量、或乾拉伸指數；<br/> 其中該複合材料包含下列特性：<br/> 約8000立方公分每平方公尺每24小時（cm<sup>3</sup>m<sup>-2</sup>24h<sup>-1</sup>）或更少的氧氣穿透率；<br/> 3000克每平方公尺每24小時（gm<sup>-2</sup>24 h<sup>-1</sup>）或更少的水蒸氣傳輸速率； <br/> 約 30 MPa 或更高的乾拉伸強度；<br/> 約4 GPa 或更高的乾拉伸模量；<br/> 約45 Nm g<sup>-1</sup>或更高的乾拉伸指數;<br/> 其中該載體包括在一端連接到基部以限定體積的壁，所述載體進一步包括從該壁的另一端延伸的唇緣；構造一蓋，使其一部分在接合區接合該載體的該唇緣； 在該接合區注入填充物；以及<br/> 經由密封該蓋來封閉由該載體限定的該體積，該載體使注入的該填充物透過機械互鎖設計與一個或多個突起或舌狀物黏合而與該接合區中的孔呈摩擦配合，<br/> 其中該填充物包括原纖化纖維素的複合材料但不包含黏合劑。
如請求項1所述的方法，其中該載體包括碗、膠囊、杯子或托盤。
如請求項1所述的方法，其中該蓋包括蓋子、膜或薄膜。
如請求項1所述的方法，進一步包括向該接合區施加負壓或正壓。
如請求項1所述的方法，其中該蓋的該部分包含一個或多個突起，用於裝配到該載體的該唇緣上的一個或多個孔中。
如請求項1所述的方法，其中該載體的該唇緣包括一個或多個突起，用於裝配到該蓋的該部分的一個或多個孔中。
如請求項1所述的方法，進一步包含在將該填充物注入該接合區以封閉由該載體限定的該體積之前將可食用物品插入到該載體的該體積中。
一種積體電路結構，包括： <br/> 半導體基板上的半導體島部； <br/> 在從該半導體基板突出之第一鰭部上方的第一垂直排列的水平奈米線，該第一垂直排列的水平奈米線之通道區域與該鰭部電隔離；以及 <br/> 在從該半導體基板突出之第二鰭部上方的第二垂直排列的水平奈米線，該第二垂直排列的水平奈米線之通道區域與該第二鰭部電隔離，其中，該半導體島部係在該第一垂直排列的水平奈米線與該第二垂直排列的水平奈米線之間，且其中，該半導體島部具有在該第一垂直排列的水平奈米線的最上表面之上方以及在該第二垂直排列的水平奈米線的最上表面之上方的最上表面。
如請求項1之積體電路結構，其中，該半導體島部和該第一及第二垂直排列的水平奈米線包括相同的半導體材料。
如請求項2之積體電路結構，其中，該相同的半導體材料為矽。
如請求項1、2或3之積體電路結構，另包括： <br/> 在該第一垂直排列的水平奈米線之上的第一閘極堆疊；以及 <br/> 在該第二垂直排列的水平奈米線之上的第二閘極堆疊。
如請求項1、2或3之積體電路結構，另包括： <br/> 在該第一垂直排列的水平奈米線之第一及第二末端的第一對磊晶的源極或汲極結構；以及 <br/> 在該第二垂直排列的水平奈米線之第一及第二末端的第二對磊晶的源極或汲極結構。
如請求項5之積體電路結構，另包括： <br/> 在該第一對磊晶的源極或汲極結構上的第一對導電接觸部； <br/> 在該第二對磊晶的源極或汲極結構上的第二對導電接觸部；以及 <br/> 在該半導體島部上的導電接觸部。
如請求項5之積體電路結構，另包括： <br/> 在該第一對磊晶的源極或汲極結構上的第一對導電接觸部； <br/> 在該第二對磊晶的源極或汲極結構上的第二對導電接觸部；以及 <br/> 在該半導體島部上的閘極堆疊。
如請求項5之積體電路結構，其中，該第一對和第二對磊晶的源極或汲極結構為第一對和第二對非分離之磊晶的源極或汲極結構。
如請求項5之積體電路結構，其中，該第一對和第二對磊晶的源極或汲極結構為第一對和第二對分離之磊晶的源極或汲極結構。
如請求項1、2或3之積體電路結構，其中，該第一和第二鰭部係電耦接至該半導體島部。
一種積體電路結構，包括： <br/> 半導體基板上的半導體島部； <br/> 在從該半導體基板突出之鰭部上方的垂直排列的水平奈米線，該垂直排列的水平奈米線之通道區域與該鰭部電隔離，其中，該半導體島部具有在該垂直排列的水平奈米線的最上表面之上方的最上表面； <br/> 在該基板上並且橫向接近該鰭部的隔離結構；以及 <br/> 在該隔離結構上的鰭部結構。
如請求項11之積體電路結構，其中，該半導體島部和該垂直排列的水平奈米線包括相同的半導體材料。
如請求項12之積體電路結構，其中，該相同的半導體材料為矽。
如請求項11、12或13之積體電路結構，其中，該鰭部結構包括非晶矽。
如請求項11、12或13之積體電路結構，另包括： <br/> 在該垂直排列的水平奈米線之第一及第二末端的一對磊晶的源極或汲極結構。
如請求項15之積體電路結構，另包括： <br/> 在該對磊晶的源極或汲極結構上的一對導電接觸部。
如請求項15之積體電路結構，其中，該對磊晶的源極或汲極結構為一對非分離之磊晶的源極或汲極結構。
如請求項15之積體電路結構，其中，該對磊晶的源極或汲極結構為一對分離之磊晶的源極或汲極結構。
如請求項11、12或13之積體電路結構，其中，該隔離結構包括在電介質填充部的底部上和側邊上的電介質襯裡。
如請求項11、12或13之積體電路結構，其中，該鰭部係電耦接至該半導體島部。
一種計算裝置，包括： <br/> 一板；以及 <br/> 耦接至該板的組件，該組件包含積體電路結構，包括： <br/> 半導體基板上的半導體島部； <br/> 在從該半導體基板突出之第一鰭部上方的第一垂直排列的水平奈米線，該第一垂直排列的水平奈米線之通道區域與該鰭部電隔離；以及 <br/> 在從該半導體基板突出之第二鰭部上方的第二垂直排列的水平奈米線，該第二垂直排列的水平奈米線之通道區域與該第二鰭部電隔離，其中，該半導體島部係在該第一垂直排列的水平奈米線與該第二垂直排列的水平奈米線之間，且其中，該半導體島部具有在該第一垂直排列的水平奈米線的最上表面之上方以及在該第二垂直排列的水平奈米線的最上表面之上方的最上表面。
如請求項21之計算裝置，另包括： <br/> 耦接至該板的記憶體。
如請求項21或22之計算裝置，另包括： <br/> 耦接至該板的通訊晶片。
如請求項21或22之計算裝置，其中，該組件為封裝之積體電路晶粒。
如請求項21或22之計算裝置，其中，該組件係選自由處理器、通訊晶片、和數位訊號處理器組成的群組中。
一種積體電路結構，包括： <br/> 半導體基板上的半導體島部； <br/> 在從該半導體基板突出之第一鰭部上方的第一垂直排列的水平奈米線，該第一垂直排列的水平奈米線之通道區域與該鰭部電隔離； <br/> 在從該半導體基板突出之第二鰭部上方的第二垂直排列的水平奈米線，該第二垂直排列的水平奈米線之通道區域與該第二鰭部電隔離，其中，該半導體島部係在該第一垂直排列的水平奈米線與該第二垂直排列的水平奈米線之間，且其中，該半導體島部具有在該第一垂直排列的水平奈米線的最上表面之上方以及在該第二垂直排列的水平奈米線的最上表面之上方的最上表面； <br/> 在該第一垂直排列的水平奈米線之第一及第二末端的第一對磊晶的源極或汲極結構；以及 <br/> 在該第二垂直排列的水平奈米線之第一及第二末端的第二對磊晶的源極或汲極結構，其中，該第一及第二對磊晶的源極或汲極結構為第一及第二對分離之磊晶的源極或汲極結構。
一種積體電路結構，包括： <br/> 半導體基板上的半導體島部； <br/> 在從該半導體基板突出之鰭部上方的垂直排列的水平奈米線，該垂直排列的水平奈米線之通道區域與該鰭部電隔離，其中，該半導體島部具有在該垂直排列的水平奈米線的最上表面之上方的最上表面； <br/> 在該垂直排列的水平奈米線之第一及第二末端的一對磊晶的源極或汲極結構，其中，該對磊晶的源極或汲極結構為一對分離之磊晶的源極或汲極結構； <br/> 在該基板上並且橫向接近該鰭部的隔離結構；以及 <br/> 在該隔離結構上的鰭部結構。
一種積體電路結構，包括： <br/> 半導體基板上的半導體島部； <br/> 在從該半導體基板突出之鰭部上方的垂直排列的水平奈米線，該垂直排列的水平奈米線之通道區域與該鰭部電隔離； <br/> 在該基板上並且橫向接近該鰭部的隔離結構，其中，該隔離結構包括在電介質填充部的底部上和側邊上的電介質襯裡；以及 <br/> 在該隔離結構上的鰭部結構。
一種莫匹羅星的提取方法，其包括以下步驟：<br/> a.樹脂提取：在預處理罐中投入樹脂莫匹羅星發酵液進行攪拌吸附，過濾發酵液並淋洗後收集樹脂；其中，所述的樹脂為非極性大孔吸附樹脂為H103樹脂；所述樹脂的投料量為0.01~0.05克莫匹羅星/每克樹脂；所述樹脂提取的pH為5.5~6.5；<br/> b.解析濃縮：將步驟a中收集到的樹脂裝入解析柱，使用乙酸乙酯或丙酮浸泡後解析，收集並濃縮解析液；<br/> c.萃取：在萃取罐中對步驟b中的濃縮解析液進行萃取，分出溶劑相；所述的萃取為多步萃取，所述的多步萃取包括第一次的酯類溶劑提取、鹼水提取與第二次的酯類溶劑提取；<br/> d. 脫水脫色：將步驟c中收集到的溶劑相依次進行脫水與脫色；<br/> 所述的酯類溶劑為乙酸乙酯，所述第一次的酯類溶劑提取與所述第二次的酯類溶劑提取的pH為3.0~5.0；<br/> 所述的鹼水係選自碳酸氫鈉、碳酸氫銨或氫氧化鈉溶液，所述鹼水的pH為7.0-10.0；<br/> 所述脫水時所使用之脫水劑選自無水硫酸鈉、無水硫酸鎂或無水硫酸鈣；所述脫水劑的用量為0.02~0.08千克每升溶劑相。
如請求項1所述的莫匹羅星的提取方法，其中，所述第一次的酯類溶劑提取與所述第二次的酯類溶劑提取的提取的pH為3.0~4.5。
如請求項1所述的莫匹羅星的提取方法，其中，在步驟b的解析過程中，乙酸乙酯或丙酮的用量為樹脂體積的2~5倍；<br/> 和/或所述的解析流速為1/5-6/5樹脂體積/小時。
如請求項1所述的莫匹羅星的提取方法，其中，所述鹼水的pH為7.5~9.0。
如請求項1所述的莫匹羅星的提取方法，其中，所述的鹼水提取係重複操作一次或重複操作兩次，並將每次萃取分出的鹼水相合併做第二次酯類溶劑提取備用。
如請求項1所述的莫匹羅星的提取方法，其中，所述第一次的酯類溶劑提取係重複操作一次或重複操作兩次，並將每次萃取分出的酯類溶劑相合併。
如請求項1所述的莫匹羅星的提取方法，其中，所述第二次的酯類溶劑提取係重複操作一次或重複操作兩次，並將每次萃取分出的酯類溶劑相合併。
如請求項1所述的莫匹羅星的提取方法，其中，所述脫色時所使用之脫色劑選自活性炭或活性白土；所述脫色劑的用量為1~6克每克脫水後的溶劑相。
一種蒸餾液，其係包含啤酒花之麥汁煮沸液之啤酒酵母醱酵液之蒸餾液，且<br/>具有10%(v/v)以上之乙醇濃度、及10 ppb以上且未達500 ppb之沉香醇濃度。
如請求項1之蒸餾液，其中上述乙醇濃度為10～40%(v/v)。
如請求項1或2之蒸餾液，其中上述麥汁之原料中之麥芽比率為50～100%(w/w)。
如請求項1或2之蒸餾液，其具有50 ppm以上之異丁醇濃度、及100 ppm以上之異戊醇濃度。
如請求項1或2之蒸餾液，其具有65～200 ppm之異丁醇濃度。
如請求項1或2之蒸餾液，其具有200～800 ppm之異戊醇濃度。
如請求項1或2之蒸餾液，其蒸餾時之壓力為40～150 mbar。
如請求項1或2之蒸餾液，其蒸餾時之溫度為35～70℃。
一種啤酒風味飲料用香味改善劑，其包含如請求項1至8中任一項之蒸餾液。
一種啤酒風味飲料，其包含：如請求項9之啤酒風味飲料用香味改善劑、及欲改善香味之啤酒風味飲料，<br/>相對於啤酒風味飲料，如請求項1至8中任一項之蒸餾液之濃度為0.01～30%(v/v)。
如請求項10之啤酒風味飲料，其中欲改善香味之啤酒風味飲料之麥芽比率未達50%(w/w)。
如請求項10或11之啤酒風味飲料，其中相對於啤酒風味飲料，如請求項1至8中任一項之蒸餾液之濃度為0.03～20%(v/v)。
一種啤酒風味飲料之製造方法，其包括下述步驟：藉由向欲改善香味之啤酒風味飲料中添加如請求項9之啤酒風味飲料用香味改善劑而賦予或增強似啤酒香味，<br/>上述啤酒風味飲料用香味改善劑係以如下量進行添加，即，如請求項1至8中任一項之蒸餾液之濃度相對於欲改善香味之啤酒風味飲料成為0.01～30%(v/v)。
如請求項13之啤酒風味飲料之製造方法，其中欲改善香味之啤酒風味飲料之麥芽比率未達50%(w/w)。
如請求項13或14之啤酒風味飲料之製造方法，其中上述啤酒風味飲料用香味改善劑係以如下量進行添加，即，如請求項1至8中任一項之蒸餾液之濃度相對於欲改善香味之啤酒風味飲料成為0.03～20%(v/v)。
一種處理液，其為半導體器件用處理液，其含有水、去除劑及樹脂， <br/>前述樹脂具有第1重複單元及與上述第1重複單元不同之第2重複單元， <br/>前述第1重複單元具有選自包括一級胺基、二級胺基、三級胺基及四級銨陽離子之群組中之至少1個， <br/>前述第2重複單元含有磺醯基或由下述式（2a）表示之重複單元， <br/>pH為8.6~14， <br/><br/><img align="absmiddle" height="100px" width="154px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式（2a）中，A<sub>21</sub>、A<sub>22</sub>及A<sub>23</sub>分別獨立地表示氫原子、碳數1～4的直鏈狀或支鏈狀的烷基或-L<sub>2</sub>-X<sub>21</sub>，X<sub>21</sub>表示親水性基，L<sub>2</sub>表示2價的連接基，當X<sub>21</sub>及L<sub>2</sub>分別存在2個以上之情況下，可以相同亦可以不同。
如請求項1所述之處理液，其中 <br/>前述第1重複單元具有一級胺基。
如請求項1所述之處理液，其中 <br/>前述親水性基為選自包括羥基、羧基、一級胺基、二級胺基、三級胺基、醯胺基、聚氧伸烷基、磺酸基及磺醯基之群組中之基團。
如請求項1或請求項2所述之處理液，其中 <br/>前述樹脂具有選自包括由下述及（P-12）～（P-14）表示之骨架結構之群組中之至少1個， <br/><br/><img align="absmiddle" height="167px" width="275px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/><img align="absmiddle" height="65px" width="141px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="84px" width="275px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/><img align="absmiddle" height="87px" width="135px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <br/>式（P-1）～（P-7）及（P-12）～（P-14）中，前述第1重複單元的莫耳數m與前述第2重複單元的莫耳數n之比率m:n為1:20～20:1， <br/>式（P-7）中，l表示1～30的整數。
如請求項1或請求項2所述之處理液，其中 <br/>前述樹脂所具有之前述第1重複單元的莫耳數m與前述第2重複單元的莫耳數n之比率m:n為5:1～1:5。
如請求項1或請求項2所述之處理液，其中 <br/>前述樹脂的重量平均分子量為1000～150,000。
如請求項1或請求項2所述之處理液，其中 <br/>前述樹脂的含量相對於前述處理液的總質量為10～10000質量ppm。
如請求項1或請求項2所述之處理液，其中 <br/>前述去除劑含有選自包括氫氟酸、氟化銨、氟化四甲基銨、羥胺化合物、氫氧化銨、水溶性胺、四級銨化合物、硫酸、鹽酸、磷酸、羧酸、磺酸及膦酸之群組中之至少1個。
如請求項1或請求項2所述之處理液，其中 <br/>前述去除劑含有水溶性胺以及選自包括羧酸、磺酸及膦酸之群組中之至少1個有機酸。
如請求項9所述之處理液，其中 <br/>前述水溶性胺為選自包括甲胺、乙胺、丙胺、丁胺、戊胺、甲氧基乙胺、甲氧基丙胺、2-胺基-2-甲基-1-丙醇及烯丙胺之群組中之至少1個， <br/>前述有機酸為選自包括乙酸、丙酸、甲磺酸、乙磺酸、丙烯基甘胺酸、順丁烯二酸、檸康酸、反丁烯二酸及衣康酸之群組中之至少1個。
如請求項1或請求項2所述之處理液，其還含有氧化劑。
如請求項11所述之處理液，其中 <br/>前述氧化劑含有選自包括過氧化氫、硝酸、過乙酸、過碘酸、過氯酸、氯酸、次氯酸、硝酸鈰銨鹽、硝酸鐵及過硫酸銨之群組中之至少1個。
如請求項1或請求項2所述之處理液，其還含有防腐蝕劑。
如請求項13所述之處理液，其中 <br/>前述防腐蝕劑含有選自包括由下述式（A）表示之化合物、由下述式（B）表示之化合物、由下述式（C）表示之化合物及經取代或未經取代的四唑之群組中之至少1個化合物， <br/><br/><img align="absmiddle" height="69px" width="167px" file="ed10012.jpg" alt="ed10012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式（A）中，R<sup>1A</sup>～R<sup>5A</sup>分別獨立地表示氫原子、經取代或未經取代的烴基、羥基、羧基或者經取代或未經取代的胺基，其中，在結構中包含至少一個選自羥基、羧基及經取代或未經取代的胺基之基團， <br/>式（B）中，R<sup>1B</sup>～R<sup>4B</sup>分別獨立地表示氫原子或者經取代或未經取代的烴基， <br/>式（C）中，R<sup>1C</sup>、R<sup>2C</sup>及R<sup>N</sup>分別獨立地表示氫原子或者經取代或未經取代的烴基，又，R<sup>1C</sup>可以與R<sup>2C</sup>鍵結而形成環。
如請求項1或請求項2所述之處理液，其還含有界面活性劑。
如請求項15所述之處理液，其中 <br/>前述界面活性劑為選自包括磷酸酯系界面活性劑、羧酸系界面活性劑、磺酸系界面活性劑及硫酸酯系界面活性劑之群組中之至少1個。
如請求項16所述之處理液，其中 <br/>前述磷酸酯系界面活性劑為選自包括烷基磷酸酯、單或聚氧烷基醚磷酸酯及該等的鹽之群組中之至少1個。
如請求項16所述之處理液，其中 <br/>前述羧酸系界面活性劑為聚氧化烯烷基醚羧酸。
如請求項18所述之處理液，其中 <br/>前述磺酸系界面活性劑為烷基二苯基醚二磺酸，前述硫酸酯系界面活性劑為聚氧化烯醚硫酸酯或其鹽。
如請求項1或請求項2所述之處理液，其還含有有機溶劑。
如請求項1或請求項2所述之處理液，其還含有消泡劑。
如請求項21所述之處理液，其中 <br/>前述消泡劑為聚矽氧系消泡劑。
如請求項1或請求項2所述之處理液，其中 <br/>前述處理液為具有含金屬之物質之基板用處理液， <br/>前述含金屬之物質含有選自包括銅、鈷、鈷合金、鎢、鎢合金、釕、釕合金、鉭、鉭合金、氧化鋁、氮化鋁、氮氧化鋁、鈦鋁、鈦、氮化鈦、氧化鈦、氧化鋯、氧化鉿、氧化鉭、氧化鑭及釔合金之群組中之至少1種成分。
如請求項1或請求項2所述之處理液，其中 <br/>其用作用於去除蝕刻殘渣之清洗液、用於去除圖案形成中所使用之光阻膜之溶液、用於從化學機械研磨後的基板去除殘渣之清洗液或蝕刻液。
一種處理液，其為半導體器件用處理液，其含有水、去除劑及樹脂， <br/>前述樹脂具有第1重複單元及與上述第1重複單元不同之第2重複單元， <br/>前述第1重複單元具有選自包括一級胺基、二級胺基、三級胺基及四級銨陽離子之群組中之至少1個， <br/>前述第2重複單元含有磺醯基或由下述式（2a）表示之重複單元， <br/>前述去除劑含有水溶性胺， <br/>前述處理液用作用於去除蝕刻殘渣之清洗液、用於去除圖案形成中所使用之光阻膜之溶液或用於從化學機械研磨後的基板去除殘渣之清洗液， <br/><img align="absmiddle" height="100px" width="154px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式（2a）中，A<sub>21</sub>、A<sub>22</sub>及A<sub>23</sub>分別獨立地表示氫原子、碳數1～4的直鏈狀或支鏈狀的烷基或-L<sub>2</sub>-X<sub>21</sub>，X<sub>21</sub>表示親水性基，L<sub>2</sub>表示2價的連接基，當X<sub>21</sub>及L<sub>2</sub>分別存在2個以上之情況下，可以相同亦可以不同。
一種基板的處理方法，其包括：使用請求項1至請求項25之任一項所述之處理液去除基板上的含金屬之物質之步驟A。
如請求項26所述之基板的處理方法，其包括： <br/>在前述步驟A之後，進而使用沖洗液對在前述步驟A中獲得之前述基板進行沖洗處理之步驟C。
一種基板的處理方法，其對在表面具有含金屬之層之基板進行處理，前述基板的處理方法包括： <br/>步驟P，實施液處理、使臭氧氣體與前述基板接觸之臭氧處理、對前述基板的在氧氣環境下的加熱處理或使用氧氣之前述基板的電漿處理，使前述含金屬之層的表層氧化而形成氧化金屬層，前述液處理係使選自包括水、過氧化氫水、氨水與過氧化氫水的混合水溶液、氟酸與過氧化氫水的混合水溶液、硫酸與過氧化氫水的混合水溶液、鹽酸與過氧化氫水的混合水溶液、溶氧水以及溶臭氧水之群組中之藥液與前述基板的表面接觸之處理；及 <br/>步驟Q，使請求項1至請求項25之任一項所述之處理液與在前述步驟P中形成之前述氧化金屬層的表面接觸而去除前述氧化金屬層。
如請求項28所述之處理方法，其反覆實施前述步驟P及前述步驟Q。
如請求項28或請求項29所述之處理方法，其中 <br/>前述含金屬之層含有選自包括鈷、銅、鎢、鈦及鋁之群組中之至少1個。
一種使用機器學習偵測及校正基板處理漂移的系統，包括：<br/> 一記憶體，儲存一受訓練的機器學習模型；及<br/> 一處理裝置，耦接至該記憶體，該處理裝置用於：<br/> 提供與根據一處理配方在一製造系統中處理一第一組基板中的每一個基板相關聯的資料，作為對一受訓練的機器學習模型的輸入；<br/> 從該受訓練的機器學習模型獲得一或更多個輸出，其中該一或更多個輸出包括：<br/> 對該第一組基板的一第一組計量量測值相對於一目標計量量測值的一漂移量的一指示，<br/> 對提供所指示的該漂移量的該製造系統的一部件的一指示，及<br/> 處理配方修改資料，辨識對所指示的該部件或該處理配方中的至少一者的一或更多個修改，及對於每個修改，對該處理配方的一相應修改滿足一第二組基板的一漂移準則的一置信位準的一指示；及<br/> 回應於辨識該相應修改具有滿足一置信位準準則的一置信位準，基於該相應的修改更新該處理配方。
如請求項1所述的系統，其中該處理裝置進一步用於：<br/> 從一基板量測子系統接收該第一組基板中的每一個基板的一第一組量測結果，該第一組量測結果包括與該第一組基板的一相應基板的一輪廓相關聯的光譜資料或非光譜資料中的至少一者，其中與該處理該第一組基板中的每一個基板相關聯的該資料包括該第一組量測結果的該光譜資料或該非光譜資料中的至少一者。
如請求項2所述的系統，其中該處理裝置進一步用於：<br/> 接收針對該第一組基板中的每一個基板的一第二組量測結果，該第二組量測結果從該製造系統的一處理腔室、一移送腔室、一裝載閘、一工廠介面或一基板儲存容器中的至少一者的一或更多個感測器處接收。
如請求項1所述的系統，其中該處理裝置進一步用於：<br/> 提供該第一組基板的該第一組計量量測值，作為該受訓練的機器學習模型的額外輸入。
如請求項1所述的系統，其中，回應於決定該相應修改被預測會導致該第二組基板的一組預測計量量測值的一漂移量低於一臨限量，對該處理配方的一相應修改滿足該第二組基板的該漂移準則。
如請求項1所述的系統，其中基於該相應修改來更新該處理配方包括修改該處理配方的一操作或產生終止該第二組基板的該處理配方的執行的一指令中的至少一者。
如請求項6所述的系統，其中，為基於該相應修改來更新該處理配方，該處理裝置進一步用於：<br/> 向連接至該製造系統的一用戶端裝置發送修改該第二組基板的該處理配方的一請求；及<br/> 從該用戶端裝置接收修改該第二組基板的該處理配方的一指令，其中根據該接收的指令更新該處理配方。
如請求項1所述的系統，其中回應於決定該置信位準超過一臨限置信位準值，該相應修改的該置信位準滿足該置信位準準則。
一種用於訓練一機器學習模型以預測對一製造系統中正在處理的一當前基板的一特定處理配方的一修改的方法，該方法包括以下步驟：<br/> 為該機器學習模型產生第一訓練資料，其中該第一訓練資料包括與根據一第一處理配方在該製造系統處先前處理的一第一組先前基板相關聯的歷史資料、與該第一組先前基板中的每一個基板相關聯的一第一組歷史計量量測值、及表示該第一組先前基板的處理期間的該製造系統的一或更多個部件的一第一狀況的資料；<br/> 為該機器學習模型產生第二訓練資料，其中該第二訓練資料包括與根據一第二處理配方在該製造系統中先前處理的一第二組先前基板相關聯的歷史資料、與該第二組先前基板中的每一個基板相關聯的一第二組歷史計量量測值、及表示該第二組先前基板的處理期間的該製造系統的該一或更多個部件的一第二狀況的資料；<br/> 為該機器學習模型產生第三訓練資料，其中該第三訓練資料包括該第一處理配方與該第二處理配方之間的一差異的一指示；及<br/> 提供該第一訓練資料、該第二訓練資料及該第三訓練資料，以訓練該機器學習模型，從而對於在該製造系統中處理的該當前基板的該特定處理配方，預測在該當前基板的處理期間提供計量漂移的該製造系統的一部件以及對該處理配方的哪個修改將滿足在該當前基板之後待處理的一組後續基板的一漂移準則。
如請求項9所述的方法，其中產生該第一訓練資料之步驟包括以下步驟：<br/> 對於該第一組先前基板的每個先前基板，基於為該先前基板的一或更多個部分產生的歷史光譜資料或歷史非光譜資料中的至少一者，決定一相應歷史量測值。
如請求項10所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 從該製造系統的一基板量測子系統接收該第一組先前基板的一第一先前基板的一部分的一第一組量測結果，該第一組量測結果包括為該第一先前基板的該部分產生的相應歷史光譜資料或相應歷史非光譜資料中的至少一者。
如請求項9所述的方法，其中產生該第一訓練資料之步驟包括以下步驟：<br/> 從通信耦接至該製造系統的一計量系統接收與該第一組先前基板中的每一個基板相關聯的第一組歷史測量值。
如請求項9所述的方法，其中產生該第一訓練資料之步驟包括以下步驟：基於該相應先前基板的一或更多個部分的歷史光譜資料或歷史非光譜資料中的至少一者，為該第一組先前基板的該每個先前基板決定一相應的歷史量測值，且其中產生該第二訓練資料之步驟包括以下步驟：從連接至該製造系統的一用戶端裝置或連接至該製造系統的一計量量測工具中的至少一者接收與該第二組先前基板中每一個基板相關聯的該第二組歷史量測值。
如請求項9所述的方法，其中產生該第一訓練資料之步驟包括以下步驟：<br/> 從該製造系統的一處理腔室、一移送腔室、一裝載閘、一工廠介面或一基板儲存容器中至少一者的一或更多個感測器接收一組量測值，該組量測值是在執行該第一組先前基板的每一個基板的該第一處理配方期間產生的，其中與該第一組先前基板相關聯的該歷史資料包括接收到的該組量測值。
一種非暫時性電腦可讀取儲存媒體，包括指令，當由一處理裝置執行時，該等指令使得該處理裝置：<br/> 提供與根據一處理配方在一製造系統中處理一第一組基板中的每一個基板相關聯的資料，作為對一受訓練的機器學習模型的輸入；<br/> 從該受訓練的機器學習模型獲得一或更多個輸出，其中該一或更多個輸出包括：<br/> 對該第一組基板的一第一組計量量測值相對於一目標計量量測值的一漂移量的一指示，<br/> 對提供所指示的該漂移量的該製造系統的一部件的一指示，及<br/> 處理配方修改資料，辨識對所指示的該部件或該處理配方中的至少一者的一或更多個修改，及對於每個修改，對該處理配方的一相應修改滿足一第二組基板的一漂移準則的一置信位準的一指示；及<br/> 回應於辨識該相應修改具有滿足一置信位準準則的一置信位準，基於該相應的修改更新該處理配方。
如請求項15所述的非暫時性電腦可讀取儲存媒體，其中，該處理裝置進一步用於：<br/> 從一基板量測子系統接收該第一組基板中的一第一基板的一第一組量測結果，該第一組量測結果包括與該每一第一基板的一輪廓相關聯的光譜資料或非光譜資料中至少一者，其中與處理該第一組基板中每一基板相關聯的該資料包括該第一組量測結果的該光譜資料或非光譜資料中的至少一者。
如請求項16所述的非暫時性電腦可讀取儲存媒體，其中，該處理裝置進一步用於：<br/> 從該製造系統的一處理腔室、一移送腔室、一裝載閘、一工廠介面或一基板儲存容器中的至少一者的一或更多個感測器接收該第一基板的一第二組量測結果。
如請求項15所述的非暫時性電腦可讀取儲存媒體，其中，該處理裝置進一步用於：<br/> 提供該第一組基板的該第一組計量量測值，作為該受訓練的機器學習模型的額外輸入。
如請求項15所述的非暫時性電腦可讀取儲存媒體，其中，回應於決定該相應修改被預測會導致該第二組基板的一組預測估計計量量測值的一漂移量低於一臨限量，對該處理配方的一相應修改滿足該第二組基板的該漂移準則。
如請求項15所述的非暫時性電腦可讀取儲存媒體，其中基於該相應修改來更新該處理配方包括修改該處理配方的一操作或產生終止該第二組基板的該處理配方的執行的一指令中的至少一者。
一種電源電路，包括：<br/> 具有一開關電晶體的一開關轉換器，該開關電晶體具有耦合至一第一電壓軌的一源極；及<br/> 具有耦合到該開關電晶體的一閘極的一輸出的一閘極驅動器，該閘極驅動器包括：<br/> 耦合在該閘極驅動器的該輸出與該第一電壓軌之間的一第一開關元件；<br/> 耦合在該閘極驅動器的該輸出與該閘極驅動器的一電壓節點之間的一第二開關元件；<br/> 耦合在該閘極驅動器的該電壓節點與一第二電壓軌之間的一第三開關元件；及<br/> 與一第四開關元件串聯地耦合的一電壓鉗，該電壓鉗和該第四開關元件耦合在一第三電壓軌與該電壓節點之間，其中，<br/> 該開關電晶體為一p型電晶體；<br/> 該第一電壓軌具有一第一電壓；<br/> 該第二電壓軌具有低於該第一電壓的一第二電壓；及<br/> 該第三電壓軌具有低於該第二電壓的一第三電壓。
根據請求項1之電源電路，其中：<br/> 該第一開關元件包括另一p型電晶體；及<br/> 該第二、該第三和該第四開關元件包括n型電晶體。
根據請求項1之電源電路，其中該開關轉換器包括一反相buck-boost轉換器，並且其中該開關電晶體包括該反相buck-boost轉換器中的一高邊p型電晶體。
根據請求項1之電源電路，其中該開關轉換器包括帶有該開關電晶體的一電荷泵。
根據請求項1之電源電路，其中該第三開關元件包括一n型電晶體，該n型電晶體具有耦合到該第二電壓軌的一汲極和耦合到該電壓節點的一源極。
一種電源管理積體電路（PMIC），包括根據請求項1之該電源電路的至少一部分。
一種電池模組，包括：多個電池胞元，分別具有電極端子且被配置成豎立於上下方向上；上部蓋，被配置成在水平方向上延伸以覆蓋所述多個電池胞元的上部部分且具有多個暴露孔，所述多個暴露孔被形成為至少部分地將所述多個電池胞元中的每一者的所述上部部分暴露於外面；下部蓋，被配置成在所述水平方向上延伸以覆蓋所述多個電池胞元的下部部分且具有多個暴露孔，所述多個暴露孔被形成為至少部分地將所述多個電池胞元中的每一者的所述下部部分暴露於外面；以及填充部件，具有電絕緣性且填充於形成於所述上部蓋及所述下部蓋中的至少一者中的所述多個暴露孔中以密封所述多個暴露孔，其中所述多個電池胞元的側面部分及所述下部部分塗佈有電性絕緣塗層材料，但所述多個電池胞元的所述上部部分除外，其中所述電性絕緣塗層材料被配置成當所述多個電池胞元被加熱至高於預定溫度時熔融並沿著所述多個電池胞元的所述側面部分向下流動且具有帶狀部分，所述帶狀部分被形成為具有較其餘部分相對大的厚度。
如請求項1所述的電池模組，其中所述填充部件被塗佈成環繞所述多個電池胞元的所述上部部分的上表面、所述多個電池胞元的所述下部部分的下表面及所述多個電池胞元的側面部分的側表面的一部分中的至少一者。
如請求項1所述的電池模組，其中所述上部蓋及所述下部蓋中的至少一者包括填充部分，所述填充部分在形成有所述多個暴露孔的區中向內凹陷以形成容納空間，所述容納空間填充有所述填充部件。
如請求項1所述的電池模組，其中所述上部蓋包括多個容納部分，所述多個容納部分具有在所述上下方向上延伸的管形狀以使得所述多個電池胞元中的每一者的所述上部部分插入於所述多個容納部分中，所述下部蓋包括多個容納部分，所述多個容納部分具有在所述上下方向上延伸的管形狀以使得所述多個電池胞元中的每一者的所述下部部分插入於所述多個容納部分中，且所述上部蓋及所述下部蓋中的至少一者包括引導部分，所述引導部分被配置成自所述多個容納部分朝向插入至所述多個容納部分中的所述多個電池胞元的所述側面部分突出，以部分地環繞插入至所述多個容納部分中的所述多個電池胞元的所述側面部分。
如請求項4所述的電池模組，其中所述多個容納部分具有容納凹槽，所述容納凹槽向內凹陷以使得將所述填充部件部分地引入於所述容納凹槽中。
如請求項4所述的電池模組，其中所述上部蓋及所述下部蓋中的至少一者具有至少一個輸入凹槽，所述至少一個輸入凹槽是藉由部分地給所述多個暴露孔的外周界打孔來形成，以使得將所述填充部件引入至所述多個容納部分中。
一種電池組，包括至少一個如請求項1至6中任一項所述的電池模組。
一種載具，包括至少一個如請求項1至6中任一項所述的電池模組。
一種用於經組態以遞送靶材(target material)至一極紫外(EUV)光源的一腔室之一靶材供應系統之壓力釋放設備(pressure relief apparatus)，該壓力釋放設備包含： <br/>一壓力釋放組件，其由一可壓縮材料形成且安置於一結構之一內表面處，該內表面界定該靶材供應系統內之一空腔，該結構由一剛性材料形成且經組態以在該空腔內含有該靶材， <br/>其中該壓力釋放組件經組態以被動地防止該空腔中之一壓力超過一最大所允許值。
如請求項1之壓力釋放設備，其中該壓力釋放組件為覆蓋該結構之該內表面之至少一部分的一襯套(liner)。
如請求項2之壓力釋放設備，其中該結構為一中空圓柱管，該空腔為圓柱形，且該襯套覆蓋該中空圓柱管之該內表面的至少一部分。
如請求項3之壓力釋放設備，其中該壓力釋放組件具有一圓柱形形狀，在該圓柱形形狀之一側處具有一或多個凹槽，該等凹槽沿著該圓柱形形狀軸向地延伸，且該壓力釋放組件裝配至該中空圓柱管之該圓柱形空腔中。
如請求項2之壓力釋放設備，其中該壓力釋放組件具有一矩形桿形狀、一六邊形桿形狀或一多邊形桿形狀，且該壓力釋放組件填充該結構之至少一部分。
如請求項1之壓力釋放設備，其中該結構為連接兩個分開且相異的流體裝置之一可拆卸連接件，且該壓力釋放設備為至少部分地在該可拆卸連接件上方延伸之一襯套或一套筒。
如請求項1之壓力釋放設備，其中該可壓縮材料在大於該靶材之熔融範圍之溫度下保持處於一彈性工作狀態，使得該可壓縮材料在高於該靶材之該熔融範圍的情況下且在大於20兆帕斯卡(MPa)之壓力，直至一最大所允許壓力下與該靶材相容。
如請求項1之壓力釋放設備，其中該可壓縮材料具有在操作溫度下保持低於6 GPa之一彈性模數(elastic modulus)。
如請求項1之壓力釋放設備，其中該可壓縮材料之一體積與該結構之該空腔內所含有的該靶材之一體積的一比率係與該可壓縮材料之一彈性模數有關。
如請求項1之壓力釋放設備，其中該可壓縮材料之該彈性模數小於該結構之一彈性模數。
如請求項1之壓力釋放設備，其中該可壓縮材料在被反覆地壓縮及解壓縮之後保持處於一線性彈性工作狀態。
如請求項1之壓力釋放設備，其中該可壓縮材料經組態以在該可壓縮材料被壓縮及解壓縮時變形，且該可壓縮材料之該變形係非永久性的。
如請求項1之壓力釋放設備，其中該可壓縮材料係一聚合物材料。
如請求項13之壓力釋放設備，其中該聚合物材料為聚醯亞胺、聚四氟乙烯、聚苯并咪唑或聚醚醚酮。
如請求項1之壓力釋放設備，其中該壓力釋放組件為覆蓋該結構之該內表面之至少一部分的一襯套，且覆蓋該結構之該內表面的該襯套之一體積與該結構之該空腔內所含有的該靶材之一體積的一比率至少為1。
如請求項15之壓力釋放設備，其中該可壓縮材料係聚醯亞胺使得該襯套由聚醯亞胺形成，該結構由鉬形成，且該襯套之該體積佔據該結構之該空腔的至少80%，且該靶材之該體積佔據該結構之該空腔的其餘部分，且其中該聚醯亞胺襯套經歷彈性變形且不經歷永久性或塑性變形。
如請求項1之壓力釋放設備，其中該可壓縮材料為具有封閉氣室之一剛性發泡材料。
如請求項1之壓力釋放設備，其中該可壓縮材料係由聚醯亞胺形成。
一種經組態以將一靶材之粒子遞送至一極紫外(EUV)光源的一腔室內部之一標靶空間的靶材供應系統，該靶材供應系統包含： <br/>一或多個結構，每一結構經組態以將該靶材保留在由該結構之一內表面界定的一空腔內；及 <br/>一壓力釋放設備，其與該等結構中之至少一者相關聯，該壓力釋放設備包含一被動壓力釋放裝置，該被動壓力釋放裝置包含與該空腔流體連通且經組態以被動地改變該空腔中之壓力的一可壓縮機構； <br/>其中該可壓縮機構擴展該空腔之一有效體積(effective volume)，以補償該空腔中之靶材之體積的一增加。
如請求項19之靶材供應系統，其中該空腔中之該靶材之該體積的該增加係由該靶材之溫度之一改變造成。
如請求項20之靶材供應系統，其中該靶材經組態以在處於一電漿狀態中時輻射極紫外光。
如請求項19之靶材供應系統，其中該可壓縮機構為覆蓋與該壓力釋放設備相關聯的該結構之該內表面之至少一部分的一襯套。
如請求項22之靶材供應系統，其中與該壓力釋放設備相關聯的該結構為具有一圓柱形空腔之一中空圓柱管，且該襯套覆蓋該中空圓柱管之該內表面的至少一部分。
如請求項22之靶材供應系統，其中該襯套佔據與該壓力釋放設備相關聯的該結構之該空腔的約90%。
如請求項19之靶材供應系統，其中該可壓縮機構係一聚合物材料。
如請求項19之靶材供應系統，其中該可壓縮機構為不與該靶材反應且經形成為與該靶材實體接觸的一惰性氣體。
如請求項26之靶材供應系統，其中該惰性氣體為氬氣(Ar)、氙氣(Xe)、氦氣(He)、氮氣(N<sub>2</sub>)、氫氣(H<sub>2</sub>)或一氧化碳(CO)。
如請求項26之靶材供應系統，其中該惰性氣體佔據與該壓力釋放設備相關聯的該結構之該空腔的約2%至約10%。
如請求項19之靶材供應系統，其中該被動壓力釋放裝置係一壓力釋放閥，且該可壓縮機構係經組態以被動地改變該空腔中之該有效體積的一機械彈簧，該壓力釋放閥隨著該空腔之該有效體積改變而保持閉合。
如請求項29之靶材供應系統，其中該壓力釋放閥及該機械彈簧各自由一材料製成，該材料在高於該靶材之熔融範圍的關聯溫度及壓力下與該靶材相容。
如請求項30之靶材供應系統，其中該材料係一耐火金屬或一陶瓷材料。
如請求項19之靶材供應系統，其中該靶材為錫、鋰、氙或一錫合金。
如請求項19之靶材供應系統，其中一壓力釋放設備係與複數個圓柱形結構相關聯，每一圓柱形結構為一中空圓柱管，該中空圓柱管具有傳送呈一流體之形式之該靶材的一圓柱形空腔。
如請求項33之靶材供應系統，其中該等圓柱形結構中之每一者藉由一可拆卸連接件連接至該等結構中之另一或多者。
如請求項34之靶材供應系統，其中該可拆卸連接件係與包含另一被動壓力釋放裝置之另一壓力釋放設備相關聯，該另一被動壓力釋放裝置包含另一可壓縮機構。
如請求項19之靶材供應系統，其進一步包含：一靶材源，其經組態以自一固體靶材產生該靶材；及一噴嘴設備，其經組態以引導該靶材之該等粒子與一光束相互作用，該等粒子與該光束之該相互作用會產生該靶材之一電漿且產生極紫外光。
一種用於經組態以遞送一靶材之粒子至一極紫外(EUV)光源的一腔室之一靶材供應系統的設備，該設備包含： <br/>一壓力釋放裝置，其包含與該靶材供應系統之一結構內之一空腔之一內部流體連通的一可壓縮機構，該空腔經組態以在該空腔之該內部內含有該靶材； <br/>其中該壓力釋放裝置之該可壓縮機構經組態以藉由吸收或釋放與該空腔中之壓力相關聯的能量來被動地改變該空腔中之一有效體積。
一種用於調節一靶材供應系統中之一靶材之一壓力的方法，該靶材供應系統包含：一或多個非受限制分區(unconfined zones)，每一非受限制分區係由未流體密封之一敞開空腔界定；及一或多個受限制分區，每一受限制分區係由一封閉空腔界定，該方法包含： <br/>識別該等非受限制分區中之一或多者； <br/>熔融經識別之該等非受限制分區中之至少一者中的該靶材，使得該至少一個非受限制分區具有大於該靶材之熔融範圍之一溫度；及 <br/>僅在具有小於該靶材之該熔融範圍之一溫度的每一受限制分區鄰近於具有大於該靶材之該熔融範圍之一溫度的該等非受限制分區中之至少一者時才熔融該受限制分區中之該靶材，以藉此調節該受限制分區中之該靶材的該壓力。
如請求項38之方法，其中熔融該非受限制分區中之該靶材包含加熱該靶材使得該靶材擴展至該非受限制分區之該敞開空腔中。
如請求項38之方法，其中熔融該受限制分區中之該靶材包含加熱該靶材使得該靶材擴展至該至少一個鄰近非受限制分區中，以藉此調節該靶材之該壓力。
如請求項38之方法，其中該一或多個受限制分區及該一或多個非受限制分區中之每一者被界定為一分開且相異的結構。
如請求項41之方法，其中作為一受限制分區的每一結構為以下各者中之至少一者： <br/>一管道，其經組態以在其他結構之間傳送該靶材； <br/>一冷凍閥，其經組態以分離該等其他結構中之兩者或多於兩者； <br/>一小滴產生器總成，其經組態以產生呈該靶材之小滴之形式的粒子；及 <br/>一噴嘴，其經組態以引導該靶材之該等粒子與一光束相互作用，該光束將該等粒子輻照成一電漿狀態，藉此產生紫外光。
如請求項41之方法，其中作為一非受限制分區的該等結構中之至少一者為經組態以固持該靶材之一靶材儲集器。
如請求項38之方法，其進一步包含僅在具有小於該靶材之該熔融範圍之一溫度的一或多個其他受限制分區鄰近於具有大於該靶材之該熔融範圍之一溫度的該等受限制分區中之至少一者時才熔融該其他受限制分區中之該靶材。
如請求項44之方法，其中熔融該等受限制分區中之靶材包含按一序列加熱具有小於該靶材之該熔融範圍之一溫度的該一或多個受限制分區中之每一者中的該靶材，使得每一受限制分區在該序列之每一步驟處鄰近於具有大於該靶材之該熔融範圍之一溫度的該等非受限制分區及/或受限制分區中之至少一者。
一種噴霧乾燥之固體分散體，其包含： <br/>(a) 3-[4-(4-胺基-六氫吡啶-1-基)-3-(3,5-二氟-苯基)-喹啉-6-基]-2-羥基-苯甲腈或其醫藥上可接受之鹽；及 <br/>(b) 醫藥上可接受之聚合物； <br/>其中3-[4-(4-胺基-六氫吡啶-1-基)-3-(3,5-二氟-苯基)-喹啉-6-基]-2-羥基-苯甲腈或其醫藥上可接受之鹽分散於自該醫藥上可接受之聚合物形成之聚合物基質中；及 <br/>其中該醫藥上可接受之聚合物係乙酸琥珀酸羥丙基甲基纖維素(HPMCAS)、或聚乙烯基吡咯啶酮聚乙酸乙烯酯共聚物(PVP/VA)；及 <br/>3-[4-(4-胺基-六氫吡啶-1-基)-3-(3,5-二氟-苯基)-喹啉-6-基]-2-羥基-苯甲腈或其醫藥上可接受之鹽對該醫藥上可接受之聚合物之重量比係1:10至10:1。
如請求項1之噴霧乾燥之固體分散體，其中3-[4-(4-胺基-六氫吡啶-1-基)-3-(3,5-二氟-苯基)-喹啉-6-基]-2-羥基-苯甲腈或其醫藥上可接受之鹽係3-[4-(4-胺基-六氫吡啶-1-基)-3-(3,5-二氟-苯基)-喹啉-6-基]-2-羥基-苯甲腈單鹽酸鹽。
如請求項1之噴霧乾燥之固體分散體，其中： <br/>3-[4-(4-胺基-六氫吡啶-1-基)-3-(3,5-二氟-苯基)-喹啉-6-基]-2-羥基-苯甲腈或其醫藥上可接受之鹽對該醫藥上可接受之聚合物之重量比係1:1至1:10。
如請求項1之噴霧乾燥之固體分散體，其中： <br/>3-[4-(4-胺基-六氫吡啶-1-基)-3-(3,5-二氟-苯基)-喹啉-6-基]-2-羥基-苯甲腈或其醫藥上可接受之鹽對該醫藥上可接受之聚合物之重量比係1:4至1:6。
如請求項1之噴霧乾燥之固體分散體，其中： <br/>3-[4-(4-胺基-六氫吡啶-1-基)-3-(3,5-二氟-苯基)-喹啉-6-基]-2-羥基-苯甲腈或其醫藥上可接受之鹽對該醫藥上可接受之聚合物之重量比係1:5至1:6。
如請求項1之噴霧乾燥之固體分散體，其中： <br/>該醫藥上可接受之聚合物係HPMCAS。
如請求項6之噴霧乾燥之固體分散體，其中： <br/>該HPMCAS具有7-11%的乙醯基含量。
如請求項1之噴霧乾燥之固體分散體，其中： <br/>該醫藥上可接受之聚合物係PVP/VA。
如請求項8之噴霧乾燥之固體分散體，其中： <br/>該PVA/VA具有聚乙烯基吡咯啶酮對乙酸乙烯酯為6:4之重量比率(PVP/VA 64)。
如請求項9之噴霧乾燥之固體分散體，其中： <br/>該噴霧乾燥之固體分散體包含15/85重量比率之3-[4-(4-胺基-六氫吡啶-1-基)-3-(3,5-二氟-苯基)-喹啉-6-基]-2-羥基-苯甲腈單鹽酸鹽對PVP/VA 64，其中該15/85重量比率係基於3-[4-(4-胺基-六氫吡啶-1-基)-3-(3,5-二氟-苯基)-喹啉-6-基]-2-羥基-苯甲腈游離鹼之重量計算。
如請求項9之噴霧乾燥之固體分散體，其中： <br/>該噴霧乾燥之固體分散體包含35/65重量比率之3-[4-(4-胺基-六氫吡啶-1-基)-3-(3,5-二氟-苯基)-喹啉-6-基]-2-羥基-苯甲腈單鹽酸鹽對PVP/VA 64，其中該35/65重量比率係基於3-[4-(4-胺基-六氫吡啶-1-基)-3-(3,5-二氟-苯基)-喹啉-6-基]-2-羥基-苯甲腈游離鹼之重量計算。
一種錠劑，其包含： <br/>如請求項1之噴霧乾燥之固體分散體； <br/>一或多種醫藥上可接受之成分，其選自由一或多種稀釋劑、一或多種崩解劑、一或多種潤滑劑、一或多種助流劑組成之群；及 <br/>視情況一或多種膜塗佈劑。
如請求項12之錠劑，其中： <br/>該一或多種醫藥上可接受之成分包含微晶纖維素、甘露醇、預糊化澱粉、交聯羧甲基纖維素鈉、交聚維酮、氯化鈉、1:1氯化鈉:氯化鉀、膠體二氧化矽及硬脂酸鎂。
如請求項12之錠劑，其中： <br/>該錠劑包含2重量%至20重量%之3-[4-(4-胺基-六氫吡啶-1-基)-3-(3,5-二氟-苯基)-喹啉-6-基]-2-羥基-苯甲腈單鹽酸鹽，其中%量係基於3-[4-(4-胺基-六氫吡啶-1-基)-3-(3,5-二氟-苯基)-喹啉-6-基]-2-羥基-苯甲腈游離鹼之重量計算。
如請求項12之錠劑，其中該錠劑包含： <br/>20重量%至40%之3-[4-(4-胺基-六氫吡啶-1-基)-3-(3,5-二氟-苯基)-喹啉-6-基]-2-羥基-苯甲腈單鹽酸鹽之噴霧乾燥分散體，其分散於自醫藥上可接受之聚合物形成之聚合物基質中，其中%量係基於3-[4-(4-胺基-六氫吡啶-1-基)-3-(3,5-二氟-苯基)-喹啉-6-基]-2-羥基-苯甲腈游離鹼之重量計算； <br/>60重量%至80重量%之一或多種醫藥上可接受之成分，其選自由一或多種稀釋劑、一或多種崩解劑、一或多種崩解助劑、一或多種潤滑劑、一或多種助流劑組成之群；及 <br/>視情況小於5重量%之一或多種膜塗佈劑。
如請求項12之錠劑，其中該錠劑包含： <br/>20重量%至35重量%之3-[4-(4-胺基-六氫吡啶-1-基)-3-(3,5-二氟-苯基)-喹啉-6-基]-2-羥基-苯甲腈單鹽酸鹽之噴霧乾燥分散體，其分散於自醫藥上可接受之聚合物形成之聚合物基質中； <br/>其中該噴霧乾燥分散體包含15/85至35/65比率之3-[4-(4-胺基-六氫吡啶-1-基)-3-(3,5-二氟-苯基)-喹啉-6-基]-2-羥基-苯甲腈單鹽酸鹽對乙酸琥珀酸羥丙基甲基纖維素(HPMCAS)或聚乙烯基吡咯啶酮聚乙酸乙烯酯共聚物(PVP/VA)之聚合物基質，其中該15/85至35/65重量比率係基於3-[4-(4-胺基-六氫吡啶-1-基)-3-(3,5-二氟-苯基)-喹啉-6-基]-2-羥基-苯甲腈游離鹼之重量計算；及 <br/>60重量%至80重量%之一或多種醫藥上可接受之成分，其選自由微晶纖維素、甘露醇、預糊化澱粉、交聯羧甲基纖維素鈉、交聚維酮、氯化鈉、1:1氯化鈉:氯化鉀、二氧化矽及硬脂酸鎂組成之群；及 <br/>視情況小於5重量%之一或多種膜塗佈劑。
如請求項12之錠劑，其中： <br/>該錠劑包含5 mg至80 mg之3-[4-(4-胺基-六氫吡啶-1-基)-3-(3,5-二氟-苯基)-喹啉-6-基]-2-羥基-苯甲腈單鹽酸鹽，其中該含量係基於3-[4-(4-胺基-六氫吡啶-1-基)-3-(3,5-二氟-苯基)-喹啉-6-基]-2-羥基-苯甲腈游離鹼之重量計算。
如請求項12之錠劑，其中： <br/>該錠劑包含10 mg、20 mg、30 mg、40 mg、50 mg、60 mg、70 mg或80 mg之3-[4-(4-胺基-六氫吡啶-1-基)-3-(3,5-二氟-苯基)-喹啉-6-基]-2-羥基-苯甲腈單鹽酸鹽，其中該含量係基於3-[4-(4-胺基-六氫吡啶-1-基)-3-(3,5-二氟-苯基)-喹啉-6-基]-2-羥基-苯甲腈游離鹼之重量計算。
一種如請求項12至18中任一項之錠劑之用途，用於製備治療人類之肢端肥大症或神經內分泌腫瘤或二者之藥劑，其中該治療包含向患有肢端肥大症或神經內分泌腫瘤之該人類經口投與每日一次一或多個該錠劑。
如請求項19之用途，其中：該一或多個錠劑係在餐前至少30分鐘或至少60分鐘投與。
一種如請求項1至11中任一項之噴霧乾燥之固體分散體之用途，用於製備治療人類之肢端肥大症或神經內分泌腫瘤或二者之藥劑。
一種黏著薄片，其係具有包含黏著劑層(X1)、與基材層(Y)之層合構造， <br/> 前述黏著劑層(X1)及前述基材層(Y)之至少任一層為含有熱膨脹性粒子之熱膨脹性層， <br/>前述基材層(Y)為層合含有熱膨脹性粒子之熱膨脹性基材層(Y1)、與非熱膨脹性基材層(Y2)而成之基材層合體，並具有依序配置有前述黏著劑層(X1)、與前述熱膨脹性基材層(Y1)、與前述非熱膨脹性基材層(Y2)之層合構造， <br/> 前述黏著劑層(X1)不包含前述熱膨脹性粒子，或在含有熱膨脹性粒子時的含量相對於黏著劑層(X1)之全質量(100質量%)，未滿3質量%， <br/> 前述黏著劑層(X1)之與相對於前述基材層(Y)之面為相反側的面(S<sub>X1</sub>)之依據JISB0601:2013所測定之算術平均波紋度(Wa)為0.090μm以下，並在隔斷值100μm、振幅傳達率50%之高斯濾波器處理。
如請求項1之黏著薄片，其中，前述熱膨脹性基材層(Y1)在熱膨脹前的厚度為30～300μm。
如請求項1或2之黏著薄片，其中，在前述熱膨脹性基材層(Y1)中之前述熱膨脹性粒子的含量相對於前述熱膨脹性層的全質量(100質量%)，為1～25質量%。
如請求項1或2之黏著薄片，其中，前述熱膨脹性粒子之膨脹起始溫度(t)為50℃以上且未滿125℃。
如請求項1或2之黏著薄片，其中，前述熱膨脹性粒子在23℃的膨脹前之平均粒徑為3～50μm。
如請求項1或2之黏著薄片，其係進一步具有黏著劑層(X2)，並具有依序配置有前述黏著劑層(X1)、與前述基材層(Y)、與前述黏著劑層(X2)之層合構造。
如請求項6之黏著薄片，其中，前述黏著劑層(X2)係藉由照射能量線而硬化，來降低黏著力之能量線硬化性黏著劑層。
一種半導體裝置之製造方法，其係使用如請求項6或7之黏著薄片，並包含下述之步驟1A、步驟2A、第一分離步驟及第二分離步驟； <br/> 步驟1A：於前述黏著薄片所具有之前述黏著劑層(X2)貼附加工對象物，並於前述黏著薄片所具有之前述黏著劑層(X1)貼附支持體之步驟 <br/> 步驟2A：對於前述加工對象物，實施選自研削處理及個片化處理中之1以上的處理之步驟 <br/> 第一分離步驟：將前述黏著薄片加熱至前述熱膨脹性粒子之膨脹起始溫度(t)以上，分離前述黏著劑層(X1)與前述支持體之步驟 <br/> 第二分離步驟：分離前述黏著劑層(X2)與前述加工對象物之步驟。
如請求項8之半導體裝置之製造方法，其中，前述熱膨脹性粒子之膨脹起始溫度(t)為50℃以上且未滿125℃， <br/> 包含於前述步驟2A後，於實施前述處理之加工對象物之與前述黏著劑層(X2)相反之一側的面，貼附熱硬化性薄膜之步驟3A， <br/> 前述第一分離步驟係將前述黏著薄片加熱至前述膨脹起始溫度(t)以上且未滿125℃，分離前述黏著劑層(X1)與前述支持體之步驟。
如請求項8或9之半導體裝置之製造方法，其中，前述步驟1A之於前述黏著薄片所具有之前述黏著劑層(X1)，貼附前述支持體之步驟，係在維持前述黏著劑層(X1)的面(S<sub>X1</sub>)、與前述支持體之貼附黏著薄片的面(S<sub>s</sub>)大致平行之狀態的同時，並於前述黏著劑層(X1)的面(S<sub>X1</sub>)貼附前述支持體的面(S<sub>s</sub>)之步驟。
一種半導體裝置之製造方法，其係使用如請求項6或7之黏著薄片，並包含下述之步驟1B、步驟2B、第一分離步驟及第二分離步驟； <br/> 步驟1B：於前述黏著薄片所具有之前述黏著劑層(X1)貼附加工對象物，並於前述黏著薄片所具有之前述黏著劑層(X2)貼附支持體之步驟 <br/> 步驟2B：對於前述加工對象物，實施選自研削處理及個片化處理中之1以上的處理之步驟 <br/> 第一分離步驟：將前述黏著薄片加熱至前述熱膨脹性粒子之膨脹起始溫度(t)以上，分離前述黏著劑層(X1)與前述加工對象物之步驟 <br/> 第二分離步驟：分離前述黏著劑層(X2)與前述支持體之步驟。
如請求項11之半導體裝置之製造方法，其中，前述熱膨脹性粒子之膨脹起始溫度(t)為50℃以上且未滿125℃， <br/> 包含於前述步驟2B後，於實施前述處理之加工對象物之與前述黏著劑層(X1)相反之一側的面，貼附熱硬化性薄膜之步驟3B， <br/> 前述第一分離步驟係將前述黏著薄片加熱至前述膨脹起始溫度(t)以上且未滿125℃，分離前述黏著劑層(X1)與前述加工對象物之步驟。
如請求項11或12之半導體裝置之製造方法，其中，前述步驟1B之於前述黏著薄片所具有之前述黏著劑層(X1)，貼附前述加工對象物之步驟，係在維持前述黏著劑層(X1)的面(S<sub>X1</sub>)與前述加工對象物之貼附黏著薄片的面(S<sub>w</sub>)大致平行之狀態的同時，並於前述黏著劑層(X1)的面(S<sub>X1</sub>)，貼附前述加工對象物的面(S<sub>w</sub>)之步驟。
一種圖像顯示裝置，其具備： <br/>基板； <br/>第1配線，其沿著第1方向形成於上述基板上； <br/>第1發光元件，其設置於上述第1配線上，且具有第1發光面； <br/>第1透光性電極，其沿著與上述第1方向交叉之第2方向形成，且設置於上述第1發光面上； <br/>第1各向異性導電構件，其設置於上述第1配線上； <br/>第1端子，其經由上述第1各向異性導電構件，電性連接於上述第1配線； <br/>第2各向異性導電構件，其設置於上述第1透光性電極上； <br/>第2端子，其經由上述第2各向異性導電構件，電性連接於上述第1透光性電極； <br/>第2發光元件，其鄰接於上述第1發光元件設置於上述第1配線上，具有第2發光面； <br/>第2透光性電極，其沿著上述第2方向形成且設置於上述第2發光面上； <br/>透光性基板，其設置於上述第1透光性電極上及上述第2透光性電極上；及 <br/>第3各向異性導電構件，其設置於上述第1發光面與上述第1透光性電極之間，將上述第1發光面與上述第1透光性電極電性連接，且設置於上述第2發光面與上述第2透光性電極之間，將上述第2發光面與上述第2透光性電極電性連接；且 <br/>上述第1發光元件於上述第1配線上具有第1底面，上述第1發光面設置於上述第1底面之相反側； <br/>上述第2發光元件於上述第1配線上具有第2底面，上述第2發光面設置於上述第2底面之相反側。
如請求項1之圖像顯示裝置，其進而具備絕緣膜，該絕緣膜設置於上述第1發光元件之側面、上述第1配線及上述基板上， <br/>上述第2端子介隔上述絕緣膜、上述第1透光性電極及上述第2各向異性導電構件設置於上述基板上。
如請求項2之圖像顯示裝置，其中上述絕緣膜具有光反射性。
如請求項1之圖像顯示裝置，其進而具備金屬層，該金屬層設置於上述第1配線與上述第1發光元件之間。
如請求項1之圖像顯示裝置，其進而具備： <br/>第3透光性電極，其設置於上述第1發光面與上述第3各向異性導電構件之間；及 <br/>第4透光性電極，其設置於上述第2發光面與上述第3各向異性導電構件之間； <br/>上述第1發光面經由上述第3透光性電極及上述第3透光性電極上之上述第3各向異性導電構件而電性連接於上述第1透光性電極， <br/>上述第2發光面經由上述第4透光性電極及上述第4透光性電極上之上述第3各向異性導電構件而電性連接於上述第2透光性電極。
如請求項1之圖像顯示裝置，其進而具備第3端子，該第3端子經由上述第2各向異性導電構件連接於上述第2透光性電極， <br/>上述第2端子經由上述第2端子與上述第1透光性電極之間之上述第2各向異性導電構件連接於上述第1透光性電極， <br/>上述第3端子經由上述第3端子與上述第2透光性電極之間之上述第2各向異性導電構件連接於上述第2透光性電極。
如請求項1之圖像顯示裝置，其中上述透光性基板包含玻璃基板。
如請求項1之圖像顯示裝置，其中上述透光性基板包含具有可撓性之基板。
如請求項1之圖像顯示裝置，其中上述第1發光元件包含第1半導體層、第1發光層及第2半導體層， <br/>上述第1半導體層、上述第1發光層及上述第2半導體層從上述第1底面朝向上述第1發光面依序積層， <br/>上述第2發光元件包含第3半導體層、第2發光層及第4半導體層， <br/>上述第3半導體層、上述第2發光層及上述第4半導體層從上述第2底面朝向上述第2發光面依序積層， <br/>上述第1半導體層及上述第3半導體層為n型，上述第2半導體層及上述第4半導體層為p型。
如請求項1之圖像顯示裝置，其中上述第1發光元件包含氮化鎵化合物。
如請求項1之圖像顯示裝置，其於上述第1發光元件上進而具備波長轉換構件。
一種圖像顯示裝置，其具備： <br/>基板； <br/>第1配線，其沿著第1方向形成於上述基板上； <br/>第1半導體層，其設置於上述第1配線上； <br/>第1發光層，其設置於上述第1半導體層上； <br/>第2發光層，其沿著上述第1方向與上述第1發光層分開地設置於上述第1半導體層上； <br/>第2半導體層，其係導電型與上述第1半導體層不同之半導體層，設置於上述第1發光層上，包含第1發光面； <br/>第3半導體層，其係導電型與上述第2半導體層相同之半導體層，設置於上述第2發光層上，包含第2發光面； <br/>第1透光性電極，其沿著與上述第1方向交叉之第2方向形成，且設置於上述第1發光面上； <br/>第2透光性電極，其沿著上述第2方向形成且設置於上述第2發光面上； <br/>第1各向異性導電構件，其設置於上述第1配線； <br/>第1端子，其經由上述第1各向異性導電構件，電性連接於上述第1配線； <br/>第2各向異性導電構件，其設置於上述第1透光性電極上及上述第2透光性電極上； <br/>第2端子，其經由上述第2各向異性導電構件，電性連接於上述第1透光性電極；及 <br/>第3端子，其經由上述第2各向異性導電構件，電性連接於上述第2透光性電極；且 <br/>上述第1發光面設置於與上述第1發光層相接之面之相反側， <br/>上述第2發光面設置於與上述第2發光層相接之面之相反側。
一種圖像顯示裝置之製造方法，其包含如下步驟： <br/>準備於第1基板上形成包含發光層之半導體層而成之第2基板； <br/>於第3基板之第1面上形成第1導電層； <br/>介隔上述第1導電層將上述半導體層與上述第3基板接合； <br/>去除上述第1基板； <br/>對上述第1導電層進行加工而形成沿著第1方向之第1配線； <br/>對上述半導體層進行加工，而形成具有第1發光面之第1發光元件及具有第2發光面之第2發光元件； <br/>形成覆蓋上述第1面、上述第1配線、上述第1發光元件及上述第2發光元件之絕緣膜； <br/>去除上述絕緣膜之一部分，使上述第1發光面及上述第2發光面露出； <br/>於上述第1發光面上，形成沿著與上述第1方向交叉之第2方向設置之第1透光性電極，於上述第2發光面上，形成沿著上述第2方向設置之第2透光性電極； <br/>於第1端子與上述第1配線之間設置第1各向異性導電構件，藉由施加至上述第1端子與上述第1配線之間之壓力，將上述第1端子與上述第1配線電性連接；及 <br/>經由第2各向異性導電構件將上述第1透光性電極與第2端子電性連接，經由上述第2各向異性導電構件將上述第2透光性電極與第3端子電性連接；且 <br/>上述第1發光元件具有與上述第1配線連接之第1底面，上述第1發光面設置於上述第1底面之相反側， <br/>上述第2發光元件具有與上述第1配線連接之第2底面，上述第2發光面設置於上述第2底面之相反側。
一種圖像顯示裝置之製造方法，其包含如下步驟： <br/>準備於第1基板上形成包含發光層之半導體層而成之第2基板； <br/>於上述半導體層上形成第2導電層； <br/>準備具有第1面之第3基板； <br/>介隔上述第2導電層將上述半導體層與上述第1面接合； <br/>去除上述第1基板； <br/>對上述第2導電層進行加工而形成沿著第1方向之第1配線； <br/>對上述半導體層進行加工，而形成具有第1發光面之第1發光元件及具有第2發光面之第2發光元件； <br/>形成覆蓋上述第1面、上述第1配線、上述第1發光元件及上述第2發光元件之絕緣膜； <br/>去除上述絕緣膜之一部分，使上述第1發光面及上述第2發光面露出； <br/>於上述第1發光面上，形成沿著與上述第1方向交叉之第2方向設置之第1透光性電極，於上述第2發光面上，形成沿著上述第2方向設置之第2透光性電極； <br/>於第1端子與上述第1配線之間設置第1各向異性導電構件，藉由施加至上述第1端子與上述第1配線之間之壓力，將上述第1端子與上述第1配線電性連接；及 <br/>經由第2各向異性導電構件將上述第1透光性電極與第2端子電性連接，經由上述第2各向異性導電構件將上述第2透光性電極與第3端子電性連接；且 <br/>上述第1發光元件具有與上述第1配線連接之第1底面，上述第1發光面設置於上述第1底面之相反側， <br/>上述第2發光元件具有與上述第1配線連接之第2底面，上述第2發光面設置於上述第2底面之相反側。
如請求項13之圖像顯示裝置之製造方法，其中將上述第1透光性電極與上述第2端子電性連接，將上述第2透光性電極與上述第3端子電性連接之步驟包含如下步驟： <br/>將上述第2各向異性導電構件設置於上述第1透光性電極與上述第2端子之間，並且設置於上述第2透光性電極與上述第3端子之間，藉由施加至上述第2端子與上述第1透光性電極之間之壓力而將上述第2端子與上述第1透光性電極電性連接，藉由施加至上述第2透光性電極與上述第3端子之間之壓力而將上述第3端子與上述第2透光性電極電性連接。
如請求項13之圖像顯示裝置之製造方法，其中形成上述第1透光性電極及上述第2透光性電極之步驟包含如下步驟： <br/>於具有透光性之第4基板之第2面上形成第1透光性電極及第2透光性電極；及 <br/>介隔第3各向異性導電構件，以與上述第2面對向之方式配置上述第1發光面及上述第2發光面，藉由施加至上述第4基板與上述第3基板之間之壓力，將上述第1發光面與上述第1透光性電極電性連接，並且將上述第2發光面與上述第2透光性電極電性連接。
如請求項13之圖像顯示裝置之製造方法，其進而具備如下步驟： <br/>於使上述第1發光面及上述第2發光面露出之步驟之後，在上述第1發光面上形成第3透光性電極，在上述第2發光面上形成第4透光性電極。
如請求項16之圖像顯示裝置之製造方法，其中將上述第1透光性電極與上述第2端子電性連接，將上述第2透光性電極與上述第3端子電性連接之步驟包含： <br/>將上述第2各向異性導電構件設置於上述第1透光性電極與上述第2端子之間，並且設置於上述第2透光性電極與上述第3端子之間，藉由施加至上述第2端子與上述第4基板之間之壓力而將上述第2端子與第1透光性電極電性連接，並且藉由施加至上述第4基板與上述第3端子之間之壓力而將上述第3端子與第2透光性電極電性連接。
如請求項16之圖像顯示裝置之製造方法，其中上述第4基板包含玻璃層。
如請求項19之圖像顯示裝置之製造方法，其中上述第4基板進而包含上述玻璃層上所設置之有機樹脂層， <br/>上述圖像顯示裝置之製造方法進而具備如下步驟：介隔第3各向異性導電構件，以與上述第4基板之第2面對向之方式配置上述第1發光面及上述第2發光面，藉由施加至上述第4基板與上述第3基板之間之壓力，將上述第1發光面與上述第1透光性電極電性連接，並且將上述第2發光面與上述第2透光性電極電性連接之步驟之後，去除上述玻璃層。
如請求項13之圖像顯示裝置之製造方法，其中形成上述第1配線之步驟係於將上述半導體層貼合於上述第3基板之步驟之後執行。
如請求項13之圖像顯示裝置之製造方法，其進而具備如下步驟： <br/>於上述第1發光元件上及上述第2發光元件上形成波長轉換構件。
如請求項22之圖像顯示裝置之製造方法，其中形成上述波長轉換構件之步驟包含如下步驟：於包含上述第1發光元件及上述第2發光元件之複數個發光元件上形成上述波長轉換構件。
一種用於儲存資料之設備，其包含：<br/> 一非依電性(NV)儲存媒體，其要藉由用以規劃一胞元之操作而被寫入，然後進行該胞元之規劃驗證，該NV儲存媒體要以一胞元分頁而被寫入；以及<br/> 一控制器，其用以針對該胞元分頁之一第一寫入使用用於SSPC(選擇性慢速規劃收斂)胞元偵測之一第一字線(WL)選擇電壓來進行規劃驗證，以偵測一預期數量之SSPC胞元，運算用以捕獲接近該預期數量之SSPC胞元之一增高電壓，並且針對該胞元分頁之後續寫入使用高於該第一WL選擇電壓之一第二WL選擇電壓來進行規劃驗證，以針對標準胞元進行規劃驗證，然後使用所運算之用以捕獲接近該預期數量之SSPC胞元之該增高電壓來進行SSPC規劃驗證。
如請求項1之設備，其中該第一WL選擇電壓包含比一WL規劃電壓低接近一規劃步級電壓的一半之一電壓。
如請求項1或2之設備，其進一步包含：<br/> 一升壓電路，其用以產生該增高電壓，包括用以產生一SSPC增高電壓序列以判定用以捕獲接近該預期數量之SSPC胞元之該增高電壓。
如請求項3之設備，其中該SSPC增高電壓序列包含一線性搜尋序列。
如請求項3之設備，其中該SSPC增高電壓序列包含一二元搜尋序列。
如請求項1或2之設備，其中該控制器係用以針對該NV儲存媒體基於針對一經變更條件之該預期數量之SSPC胞元來運算用以捕獲接近該預期數量之SSPC胞元之該增高電壓。
如請求項6之設備，其中該經變更條件包含一溫度變化。
如請求項6之設備，其中該經變更條件包含一不同的字線位置。
如請求項6之設備，其中該經變更條件包含在一循環計數方面之變更。
如請求項1或2之設備，其中該胞元包含一3D(三維)NAND記憶體胞元。
一種用於規劃驗證儲存之系統，其包含：<br/> 一處理器；<br/> 一固態驅動器(SSD)，其耦接至該處理器，該SSD包括<br/> 一非依電性(NV)儲存媒體，其要藉由用以規劃一胞元之一操作而被寫入，然後進行該胞元之規劃驗證，該NV儲存媒體要以一胞元分頁而被寫入；以及<br/> 一控制器，其用以針對該胞元分頁之一第一寫入使用用於SSPC(選擇性慢速規劃收斂)胞元偵測之一第一字線(WL)選擇電壓來進行規劃驗證，以偵測一預期數量之SSPC胞元，運算用以捕獲接近該預期數量之SSPC胞元之一增高電壓，並且針對該胞元分頁之後續寫入使用高於該第一WL選擇電壓之一第二WL選擇電壓來進行規劃驗證，以針對標準胞元進行規劃驗證，然後使用所運算之用以捕獲接近該預期數量之SSPC胞元之該增高電壓來進行SSPC規劃驗證。
如請求項11之系統，其中該第一WL選擇電壓包含比一WL規劃電壓低接近一規劃步級電壓的一半之一電壓。
如請求項11或12之系統，該SSD進一步包括：<br/> 一升壓電路，其用以產生該增高電壓，包括用以產生一SSPC增高電壓序列以判定用以捕獲接近該預期數量之SSPC胞元 之該增高電壓。
如請求項13之系統，其中該SSPC增高電壓序列包含一線性搜尋序列。
如請求項13之系統，其中該SSPC增高電壓序列包含一二元搜尋序列。
如請求項11或12之系統，其中該控制器係用以針對該NV儲存媒體基於針對一溫度變化、一不同字線位置、或在一循環計數方面之變更之該預期數量之SSPC胞元來運算用以捕獲接近該預期數量之SSPC胞元之該增高電壓。
如請求項11或12之系統，其中該胞元包含一3D(三維)NAND記憶體胞元。
一種用於規劃驗證一胞元之方法，其包含：<br/> 針對一非依電性(NV)儲存媒體之一胞元分頁之一第一寫入使用用於SSPC(選擇性慢速規劃收斂)胞元偵測之一第一字線(WL)選擇電壓來進行規劃驗證，以偵測一預期數量之SSPC胞元；以及<br/> 運算用以捕獲接近該預期數量之SSPC胞元之一增高電壓，以及<br/> 針對該胞元分頁之後續寫入使用高於該第一WL選擇電壓之一第二WL選擇電壓來進行規劃驗證，以針對標準胞元進行規劃驗證，然後使用從所運算之用以捕獲接近該預期數量之SSPC胞元之該增高電壓來進行SSPC規劃驗證。
如請求項18之方法，其進一步包含：<br/> 產生該增高電壓，包括產生一SSPC增高電壓序列以判定用以捕獲接近該預期數量之SSPC胞元之該增高電壓。
如請求項18或19之方法，其進一步包含：<br/> 針對該NV儲存媒體基於針對一溫度變化、一不同字線位置、或在一循環計數方面之變更之該預期數量之SSPC胞元來運算用以捕獲接近該預期數量之SSPC胞元之該增高電壓。
如請求項20之方法，其中運算該增高電壓包含進行一線性搜尋序列或進行一二元搜尋序列。
一種藉由第一裝置相對於第二裝置執行測距的方法，所述方法包括：藉由所述第一裝置接收包含第一時戳及第二時戳的多個時戳，所述第一時戳指示到達所述第二裝置處的第一無線信號的到達時間(TOA)，所述第一時戳的最大可能值為<i>T</i><sub><i>max1</i></sub>，且所述第二時戳指示離開所述第二裝置的第二無線信號的離開時間(TOD)，所述第二時戳的最大可能值為<i>T</i><sub><i>max2</i></sub>且大於<i>T</i><sub><i>max1</i></sub>；以及基於所述第一時戳及所述第二時戳而由所述第一裝置藉由計算所述第一無線信號及所述第二無線信號的平均飛行時間(TOF)來判定相對於所述第二裝置的距離<i>R</i>，其中所述距離R是基於所述平均飛行時間以及所述最大可能值<i>T</i><sub><i>max1</i></sub>來判定的。
如請求項1所述的方法，更包括：藉由所述第一裝置將所述第一無線信號發送到所述第二裝置；以及藉由所述第一裝置自所述第二裝置接收所述第二無線信號，其中所述距離R對應於所述第一裝置與所述第二裝置之間的所量測距離。
如請求項2所述的方法，更包括：基於所述最大可能值<i>T</i><sub><i>max1</i></sub>而藉由所述第一裝置來判定距離含糊度<i>R</i><sub><i>amb</i></sub>，其中判定所述距離<i>R</i>包含：基於所述第一時戳及所述第二時戳而計算所計算距離<i>R</i><sub><i>calc</i></sub>，以及識別整數<i>k</i>，使得<i>R</i>=<i>k</i>*<i>R</i><sub><i>amb</i></sub>+<i>R</i><sub><i>calc</i></sub>在區間[-<i>R</i><sub><i>err</i></sub>,<i>R</i><sub><i>amb</i></sub>-<i>R</i><sub><i>err</i></sub>]內，其中<i>R</i><sub><i>err</i></sub>為與所述方法相關聯的最大量測誤差。
如請求項2所述的方法，更包括：基於所述最大可能值<i>T</i><sub><i>max1</i></sub>而藉由所述第一裝置來判定距離含糊度<i>R</i><sub><i>amb</i></sub>；藉由所述第一裝置來估計所述第一裝置與第三裝置之間的距離<i>R</i><sub><i>C</i></sub>；藉由所述第一裝置來判定所述第三裝置離得太遠以使得不能針對所估計距離<i>R</i><sub><i>est</i></sub>=<i>k</i>*<i>R</i><sub><i>amb</i></sub>+<i>R</i><sub><i>C</i></sub>唯一地求解整數<i>k</i>，其中<i>R</i><sub><i>est</i></sub>在區間[-<i>R</i><sub><i>err</i></sub>,<i>R</i><sub><i>amb</i></sub>-<i>R</i><sub><i>err</i></sub>]內，其中<i>R</i><sub><i>err</i></sub>為與所述方法相關聯的最大量測誤差；以及藉由所述第一裝置來避免與所述第三裝置的進一步測距。
如請求項4所述的方法，其中所述第一裝置基於所述第三裝置的已知位置及所述第一裝置的近似位置估計而估計所述距離<i>R</i><sub><i>C</i></sub>。
如請求項4所述的方法，其中所述第一裝置基於自所述第三裝置接收到的信號的信號強度而估計距離<i>R</i><sub><i>C</i></sub>。
如請求項1所述的方法，其中：所述多個時戳更包含第三時戳及第四時戳，所述第三時戳指示離開第三裝置的所述第一無線信號的TOD，所述第四時戳指示到達所述第三裝置處的所述第二無線信號的TOA，且所述距離<i>R</i>為對應於自所述第一裝置至所述第二裝置的距離與自所述第一裝置至所述第三裝置的距離之間的差的差分距離。
如請求項7所述的方法，更包括：藉由所述第一裝置及基於所述最大可能值<i>T</i><sub><i>max1</i></sub>而判定第一距離含糊度<i>R</i><sub><i>amb1</i></sub>及第二距離含糊度<i>R</i><sub><i>amb2</i></sub>；其中判定所述距離<i>R</i>包含：基於所述第一時戳、所述第二時戳、所述第三時戳以及所述第四時戳而計算所計算距離<i>R</i><sub><i>calc</i></sub>；以及基於近似值而針對所述距離<i>R</i>=<i>k</i><sub><i>1</i></sub>*<i>R</i><sub><i>amb1</i></sub>+<i>k</i><sub><i>2</i></sub>*<i>R</i><sub><i>amb2</i></sub>+<i>R</i><sub><i>calc</i></sub>估計整數<i>k</i><sub><i>1</i></sub>及<i>k</i><sub><i>2</i></sub>，所述近似值：將到達所述第一裝置處的所述第一無線信號的TOA與到達所述第二裝置處的所述第一無線信號的所述TOA及與離開所述第三裝置的所述第一無線信號的所述TOD等同，且將到達所述第一裝置處的所述第二無線信號的TOA與離開所述第二裝置的所述第二無線信號的所述TOD及與到達第三裝置處的所述第二無線信號的所述TOA等同。
如請求項7所述的方法，更包括：藉由所述第一裝置及基於所述最大可能值<i>T</i><sub><i>max1</i></sub>而判定第一距離含糊度<i>R</i><sub><i>amb1</i></sub>及第二距離含糊度<i>R</i><sub><i>amb2</i></sub>；藉由所述第一裝置來估計所述第一裝置與第四裝置之間的第一距離<i>R</i><sub><i>C1</i></sub>、所述第一裝置與第五裝置之間的第二距離<i>R</i><sub><i>C2</i></sub>以及所述第四裝置與所述第五裝置之間的第三距離<i>R</i><sub><i>C3</i></sub>；藉由所述第一裝置來判定所述第四裝置及所述第五裝置由於距離<i>R</i><sub><i>C1</i></sub>、距離<i>R</i><sub><i>C2</i></sub>以及距離<i>R</i><sub><i>C3</i></sub>中的一或多者大於<i>R</i><sub><i>max</i></sub>=min(R<sub><i>amb1</i></sub>,<i>R</i><sub><i>amb2</i></sub>)-<i>R</i><sub><i>margin</i></sub>而不為用於測距的適合一對，其中<i>R</i><sub><i>margin</i></sub>為考慮到距離<i>R</i><sub><i>C1</i></sub>、距離<i>R</i><sub><i>C2</i></sub>以及距離<i>R</i><sub><i>C3</i></sub>中的一或多者的量測值的誤差的容限值；以及藉由所述第一裝置來避免與作為一對的所述第四裝置及所述第五裝置的進一步測距。
如請求項9所述的方法，其中所述第一裝置基於所述第四裝置及所述第五裝置的已知位置及所述第一裝置的近似位置估計而估計所述第一距離<i>R</i><sub><i>C1</i></sub>以及所述第二距離<i>R</i><sub><i>C2</i></sub>及所述第三距離<i>R</i><sub><i>C3</i></sub>。
如請求項1所述的方法，更包括：藉由所述第一裝置自所述第二裝置接收最大測距交換持續時間<i>T</i><sub><i>dur</i></sub>的指示；以及藉由所述第一裝置來判定所述<i>T</i><sub><i>max1</i></sub>><i>T</i><sub><i>dur</i></sub>，其中判定所述距離<i>R</i>包含：判定所述多個時戳中的兩個時戳之間的差的絕對值超出<i>T</i><sub><i>dur</i></sub>，以及使所述兩個時戳的較晚者遞增<i>T</i><sub><i>max1</i></sub>的非整數倍。
一種相對於第二裝置執行測距的第一裝置，所述第一裝置包括：天線，接收包含多個時戳的無線信號，所述多個時戳包含第一時戳及第二時戳，所述第一時戳指示到達所述第二裝置處的第一無線信號的到達時間(TOA)，所述第一時戳的最大可能值為<i>T</i><sub><i>max1</i></sub>，且所述第二時戳指示離開所述第二裝置的第二無線信號的離開時間(TOD)，所述第二時戳的最大可能值為<i>T</i><sub><i>max2</i></sub>且大於<i>T</i><sub><i>max1</i></sub>；以及測距處理器，基於所述第一時戳及所述第二時戳而藉由計算所述第一無線信號及所述第二無線信號的平均飛行時間(TOF)來判定相對於所述第二裝置的距離<i>R</i>，其中所述距離R是基於所述平均飛行時間以及所述最大可能值<i>T</i><sub><i>max1</i></sub>來判定的。
如請求項12所述的第一裝置，其中所述天線經配置以：將所述第一無線信號發送至所述第二裝置；以及自所述第二裝置接收所述第二無線信號，其中所述距離<i>R</i>對應於所述第一裝置與所述第二裝置之間的所量測距離。
如請求項13所述的第一裝置，其中所述測距處理器經配置以：基於所述最大可能值<i>T</i><sub><i>max1</i></sub>而判定距離含糊度<i>R</i><sub><i>amb</i></sub>，其中判定所述距離<i>R</i>包含：基於所述第一時戳及所述第二時戳而計算所計算距離<i>R</i><sub><i>calc</i></sub>，以及識別整數<i>k</i>，使得<i>R</i>=<i>k</i>*<i>R</i><sub><i>amb</i></sub>+<i>R</i><sub><i>calc</i></sub>在區間[-<i>R</i><sub><i>err</i></sub>,<i>R</i><sub><i>amb</i></sub>-<i>R</i><sub><i>err</i></sub>]內，其中<i>R</i><sub><i>err</i></sub>為與所述測距相關聯的最大量測誤差。
如請求項13所述的第一裝置，其中所述測距處理器經配置以：基於所述最大可能值<i>T</i><sub><i>max1</i></sub>而判定距離含糊度<i>R</i><sub><i>amb</i></sub>；估計所述第一裝置與另一裝置之間的距離<i>R</i><sub><i>C</i></sub>；判定所述另一裝置離得太遠以使得不能針對所估計距離<i>R</i><sub><i>est</i></sub>=<i>k</i>*<i>R</i><sub><i>amb</i></sub>+<i>R</i><sub><i>C</i></sub>唯一地求解整數<i>k</i>，其中<i>R</i><sub><i>est</i></sub>在區間[-<i>R</i><sub><i>err</i></sub>,<i>R</i><sub><i>amb</i></sub>-<i>R</i><sub><i>err</i></sub>]內，其中<i>R</i><sub><i>err</i></sub>為與所述測距相關聯的最大量測誤差；以及避免與所述另一裝置的進一步測距。
如請求項12所述的第一裝置，其中：所述多個時戳更包含第三時戳及第四時戳，所述第三時戳指示離開第三裝置的所述第一無線信號的TOD，所述第四時戳指示到達所述第三裝置處的所述第二無線信號的TOA，且所述距離<i>R</i>為對應於自所述第一裝置至所述第二裝置的距離與自所述第一裝置至所述第三裝置的距離之間的差的差分距離。
如請求項16所述的第一裝置，其中所述測距處理器經配置以：基於所述最大可能值<i>T</i><sub><i>max1</i></sub>而判定第一距離含糊度<i>R</i><sub><i>amb1</i></sub>及第二距離含糊度<i>R</i><sub><i>amb2</i></sub>；其中判定所述距離<i>R</i>包含：基於所述第一時戳、所述第二時戳、所述第三時戳以及所述第四時戳而計算所計算距離<i>R</i><sub><i>calc</i></sub>；以及基於近似值而針對所述距離<i>R</i>=<i>k</i><sub><i>1</i></sub>*<i>R</i><sub><i>amb1</i></sub>+<i>k</i><sub><i>2</i></sub>*<i>R</i><sub><i>amb2</i></sub>+<i>R</i><sub><i>calc</i></sub>估計整數<i>k</i><sub><i>1</i></sub>及<i>k</i><sub><i>2</i></sub>，其中：將到達所述第一裝置處的所述第一無線信號的TOA與到達所述第二裝置處的所述第一無線信號的所述TOA及與離開所述第三裝置的所述第一無線信號的所述TOD等同，且將到達所述第一裝置處的所述第二無線信號的TOA與離開所述第二裝置的所述第二無線信號的所述TOD及與到達所述第三裝置處的所述第二無線信號的所述TOA等同。
如請求項16所述的第一裝置，其中所述測距處理器經配置以：基於所述最大可能值<i>T</i><sub><i>max1</i></sub>而判定第一距離含糊度<i>R</i><sub><i>amb1</i></sub>及第二距離含糊度<i>R</i><sub><i>amb2</i></sub>；估計所述第一裝置與第四裝置之間的第一距離<i>R</i><sub><i>C1</i></sub>、所述第一裝置與第五裝置之間的第二距離<i>R</i><sub><i>C2</i></sub>以及所述第四裝置與所述第五裝置之間的第三距離<i>R</i><sub><i>C3</i></sub>；判定<i>R</i><sub><i>C1</i></sub>、<i>R</i><sub><i>C2</i></sub>以及<i>R</i><sub><i>C3</i></sub>中的一或多者大於<i>R</i><sub><i>max</i></sub>=min(<i>R</i><sub><i>amb1</i></sub>,<i>R</i><sub><i>amb2</i></sub>)-<i>R</i><sub><i>margin</i></sub>，其中<i>R</i><sub><i>margin</i></sub>為考慮到距離<i>R</i><sub><i>C1</i></sub>、距離<i>R</i><sub><i>C2</i></sub>以及距離<i>R</i><sub><i>C3</i></sub>中的一或多者的量測值的誤差的容限值；以及避免與作為一對的所述第四裝置及所述第五裝置的進一步測距。
如請求項18所述的第一裝置，其中所述測距處理器經配置以：基於所述第四裝置及所述第五裝置的已知位置及所述第一裝置的近似位置估計而估計所述第一距離<i>R</i><sub><i>C1</i></sub>、所述第二距離<i>R</i><sub><i>C2</i></sub>以及所述第三距離<i>R</i><sub><i>C3</i></sub>。
如請求項12所述的第一裝置，其中所述測距處理器經配置以：自所述第二裝置接收最大測距交換持續時間<i>T</i><sub><i>dur</i></sub>的指示；以及判定所述<i>T</i><sub><i>max1</i></sub>><i>T</i><sub><i>dur</i></sub>，其中判定所述距離<i>R</i>包含：判定所述多個時戳中的兩個時戳之間的差的絕對值超出<i>T</i><sub><i>dur</i></sub>，以及使所述兩個時戳的較晚者遞增<i>T</i><sub><i>max1</i></sub>的非整數倍。
一種積體電路(IC)結構，包含：基材，其包含複數個電晶體；以及互連結構，其耦接至該等電晶體，其中該互連結構包含：第一互連特徵列，其中在該等第一互連特徵之相鄰對之間的第一端空間在相對於該IC結構之下方特徵的第一橫向維度中具有第一偏移；以及第二互連特徵列，其與該等第一互連特徵共面，其中：該等第二互連特徵列之各者係在該等第一互連特徵列之各者之間並與之平行；以及在該等第二互連特徵之相鄰對之間的第二端空間在相對於該IC結構之該下方特徵的該第一橫向維度中具有第二偏移；以及介電質材料層，其在該等第一和第二互連特徵之間；第一帽材料，其在該等第一互連特徵上方，其中該第一帽材料具有第一組成物；以及第二帽材料，其在該等第二互連特徵上方，其中該第二帽材料具有不同於該第一組成物的第二組成物。
如請求項1之IC結構，其中：該等第一互連特徵之各者的該頂部寬度係大於該等第一互連特徵之相應各者的該底部寬度；該等第二互連特徵之各者的該頂部寬度係大於該等第二互連特徵之相應各者的該底部寬度。
如請求項2之IC結構，其中：該等第一互連特徵包含第一金屬；以及該等第二互連特徵包含該第一金屬。
如請求項1之IC結構，其中該第一組成物包含第一介電質材料並且該第二組成物包含第二介電質材料。
如請求項4之IC結構，其中該等第一互連特徵係第一互連線，該等第二互連特徵係第二互連線；以及其中該結構更包含：第一通孔，其在該等第一互連線之一者上方並與之實體接觸，其中該第一通孔延伸通過該第一帽材料；以及第二通孔，其在該等第二互連線之一者上方並與之實體接觸，其中該第二通孔延伸通過該第二帽材料。
如請求項5之IC結構，其中該第一通孔在相對於該基材之該下方結構之該第一橫向維度中具有第三偏移，並且其中該第二通孔在相對於該基材之該下方結構之該第一橫向維度中具有第四偏移。
如請求項4-6中任一項之IC結構，其中該第一組成物包含不同於該第一金屬之第二金屬，並且該第二組成物包含不同於該等第一和第二金屬的第三金屬。
如請求項1-6中任一項之IC結構，其中該第一金屬係Ru、Co、Mo、W、Ir、Rh、Pt或Cu中的至少一者。
如請求項1-6中任一項之IC結構，其中該等第一互連特徵之各者包含與第一互連線接觸的第一互連通孔，以及該等第二互連特徵之各者包含與第二互連線接觸的第二互連通孔。
如請求項9之IC結構，其中該第一互連通孔或該第二互連通孔之底部橫向寬度係等於該第一互連線或該第二互連線之下方一者的頂部橫向寬度。
如請求項9之IC結構，其中在該第一互連通孔或該第二互連通孔與該第一互連線或該第二互連線之該下方一者之間的介面係實質上矩形。
如請求項9之IC結構，其中該等第一和第二通孔包含該第一金屬。
如請求項11之IC結構，更包含在該等互連通孔與該等互連線之間的蝕刻停止層，其中該蝕刻停止層具有與該等互連通孔不同的組成物。
如請求項8之IC結構，其中該等第一和第二互連通孔包含與該第一金屬不同的第二金屬。
如請求項1-6中任一項之IC結構，其中該等第一互連特徵包含第一互連線並且該基材包含在該等第一互連線下方的第一通孔；以及其中該等互連結構更包含在該等第一互連線上方的第二通孔。
如請求項15之IC結構，其中該等第一和第二通孔皆包含第二金屬。
如請求項15之IC結構，其中：該等第一通孔之各者具有頂部直徑和底部直徑；以及該頂部直徑係大於該底部直徑。
如請求項15之IC結構，其中該等第一通孔包含填充金屬即在該填充金屬之側壁上的阻障金屬。
如請求項18之IC結構，其中該等第一互連線之側壁不存在該阻障金屬。
如請求項15之IC結構，其中該等第一互連線係在基材介電質材料上方，並且其中該等第一通孔或第二通孔中的至少一者延伸通過該基材介電質材料並且係與該等第一互連線之一端接觸。
如請求項9之IC結構，其中該等第一和第二互連線係在第一介電質材料上方，並且其中第二介電質材料係在該等通孔之側壁與該第一介電質材料之相鄰側壁之間。
如請求項1-6項中任一項之IC結構，其中該等第一互連特徵與該等第二互連特徵皆在正交於該第一維度之第二維度內相對於該IC結構之該下方特徵具有相同偏移。
如請求項1-6項中任一項之IC結構，更包含與該第一帽材料之側壁和該等第一互連特徵接觸、以及與該第二帽材料之側壁和該等第二互連特徵接觸的介電質材料。
如請求項1-6項中任一項之IC結構，其中該等第一互連特徵係第一通孔，該等第二互連特徵係第二通孔。
一種電腦平台，包含：電源供應；以及耦接至該供電單元之請求項1-6中任一項之IC結構。
一種形成積體電路(IC)互連結構的方法，其包含：在基材上方沉積金屬；在該金屬上方形成第一線，其中該等第一線具有第一組成物；在該金屬上方並且在該等第一線之各者之間形成第二線，其中該等第二線具有不同於該第一組成物的第二組成物；將該等第一線之各者分割成複數個共線的第一特徵；將該等第二線之各者分割成複數個共線的第二特徵；藉由移除在該等第一特徵之相鄰端之間露出的該金屬，分割共線的第一互連特徵；藉由移除在該等第二特徵之相鄰端之間露出的該金屬，分割共線的第二互連特徵；藉由移除在該等第一特徵與該等第二特徵之間露出的該金屬，將該等第一互連特徵與該等第二互連特徵分開；以及在該等第一和第二互連特徵上方沉積介電質材料；其中分割該等第一或第二特徵中的至少一者係在將該等共線的第一互連特徵與該等共線的第二互連特徵分開之後進行。
如請求項26之方法，其中：一對該等共線的第一互連特徵之相鄰第一端係間隔開第一端間距；以及一對該等共線的第二互連特徵之相鄰第二端係間隔開第二端間距。
如請求項27之方法，其中該第一端間距從該第二端間距橫相偏置並且該等第一端中的至少一者係相鄰於該對共線的第二互連特徵之一者的部分。
如請求項26-28中任一項之方法，其中將該等共線的第一互連特徵與該等共線的第二互連特徵分開係在分割該等第一或第二特徵中的至少一者之後進行。
一種化合物或其藥學上可接受的鹽，所述化合物為如下任一化合物：<br/><img align="absmiddle" height="52px" width="48px" file="ed10898.jpg" alt="ed10898.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="52px" width="48px" file="ed10900.jpg" alt="ed10900.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="63px" width="39px" file="ed10901.jpg" alt="ed10901.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="83px" width="49px" file="ed11064.jpg" alt="ed11064.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="63px" width="39px" file="ed10902.jpg" alt="ed10902.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="67px" width="52px" file="ed10903.jpg" alt="ed10903.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="74px" width="57px" file="ed11066.jpg" alt="ed11066.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="68px" width="40px" file="ed10904.jpg" alt="ed10904.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="64px" width="40px" file="ed10905.jpg" alt="ed10905.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="64px" width="40px" file="ed10906.jpg" alt="ed10906.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="55px" width="52px" file="ed11125.jpg" alt="ed11125.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種化合物或其藥學上可接受的鹽，所述化合物具有如下結構：<br/><img align="absmiddle" height="52px" width="48px" file="ed10907.jpg" alt="ed10907.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種化合物或其藥學上可接受的鹽，所述化合物具有如下结構：<br/><img align="absmiddle" height="52px" width="48px" file="ed10908.jpg" alt="ed10908.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，所述化合物具有如下結構：<br/><img align="absmiddle" height="63px" width="39px" file="ed10901.jpg" alt="ed10901.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，所述化合物具有如下結構：<br/><img align="absmiddle" height="83px" width="49px" file="ed11064.jpg" alt="ed11064.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，所述化合物具有如下結構：<br/><img align="absmiddle" height="63px" width="39px" file="ed10910.jpg" alt="ed10910.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，所述化合物具有如下結構：<br/><img align="absmiddle" height="67px" width="52px" file="ed10911.jpg" alt="ed10911.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，所述化合物具有如下結構：<br/><img align="absmiddle" height="74px" width="57px" file="ed11066.jpg" alt="ed11066.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，所述化合物具有如下結構：<br/><img align="absmiddle" height="68px" width="40px" file="ed10904.jpg" alt="ed10904.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，所述化合物具有如下結構：<br/><img align="absmiddle" height="64px" width="40px" file="ed10905.jpg" alt="ed10905.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，所述化合物具有如下結構：<br/><img align="absmiddle" height="64px" width="40px" file="ed10906.jpg" alt="ed10906.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，所述化合物具有如下結構：<br/><img align="absmiddle" height="55px" width="52px" file="ed11125.jpg" alt="ed11125.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種藥物組合物，其包括如請求項1至12中任一項所述的化合物或其藥學上可接受的鹽，以及藥用輔料。
一種如請求項1至12中任一項所述的化合物或其藥學上可接受的鹽，或如請求項13所述藥物組合物在製備預防和/或治療增殖性疾病的藥物中的應用。
如請求項14所述的應用，其中，所述的增殖性疾病為癌症、良性贅生物、與血管生成相關的疾病、炎性疾病和自身免疫性疾病。
如請求項15所述的應用，其中，所述的癌症為白血病、乳腺癌、卵巢癌、腦癌、肺癌、肝癌、黑素瘤、膀胱癌、結腸癌、食道癌、骨癌、神經母細胞瘤、胰腺癌、前列腺癌、睾丸癌上皮肉瘤、軟組織肉瘤或多發性骨髓瘤。
如請求項15所述的應用，其中，所述的癌症為急性髓系白血病、急性淋巴細胞白血病或小細胞肺癌。
如請求項15所述的應用，其中，所述的增殖性疾病為自身炎性疾病。
一種處理視訊資料的方法，該方法包括以下步驟： <br/>獲得經編碼的視訊資料； <br/>決定用於該經編碼的視訊資料的一第一包裹的一第一終止位元組的值與用於該經編碼的視訊資料的一第二包裹的一第二終止位元組的值之間的一值交集； <br/>決定用於該第一包裹的該第一終止位元組和該第二包裹的該第二終止位元組的一聯合終止位元組，其中用於該聯合終止位元組的值是基於該值交集的；及 <br/>產生經熵譯碼的資料，該經熵譯碼的資料包括用於該第一包裹和該第二包裹的該聯合終止位元組。
根據請求項1之方法，其中該經熵譯碼的資料是使用算術譯碼來產生的。
根據請求項2之方法，其中用於該第一終止位元組的該值包括允許解碼的一第一範圍的終止位元組值，其中用於該第二終止位元組的該值包括允許解碼的一第二範圍的終止位元組值，並且其中該值交集包括在該第一範圍和該第二範圍中的值。
根據請求項1之方法，其中該經熵譯碼的資料是使用二進位譯碼來產生的。
根據請求項4之方法，其中用於該第一終止位元組的該值包括一第一數量的位元，其中用於該第二終止位元組的該值包括一第二數量的位元，並且其中該值交集包括：在該第一數量的位元和該第二數量的位元中的公共值、以及來自該第一數量的位元的一值子集和來自該第二數量的位元的一值子集中的至少一者。
根據請求項5之方法，其中與該第一終止位元組中的該第一數量的位元的一順序和該第二終止位元組中的該第二數量的位元的一順序相比，在該聯合終止位元組中，該第一數量的位元的一順序和該第二數量的位元的一順序不改變。
根據請求項1之方法，其中產生該經熵譯碼的資料包括執行對該第一包裹和該第二包裹的並行熵編碼。
根據請求項7之方法，其中該第一包裹是使用一第一編碼器來進行編碼的，並且其中該第二包裹是使用一第二編碼器來進行編碼的。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟： <br/>使用用於該第一包裹和該第二包裹的該聯合終止位元組來執行對該第一包裹和該第二包裹的並行熵解碼。
根據請求項9之方法，亦包括以下步驟： <br/>以一正向順序來讀取該第一包裹；及 <br/>以一反向順序來讀取該第二包裹。
根據請求項10之方法，亦包括以下步驟： <br/>將該第二包裹的位元組轉換為一相反順序。
根據請求項1之方法，其中該聯合終止位元組是用於處理的該第一包裹和該第二包裹的一最終終止位元組。
根據請求項1之方法，其中該經編碼的視訊資料包括一視訊位元串流的一或多個語法元素。
根據請求項13之方法，其中該一或多個語法元素指示定義用於對該經編碼的視訊資料進行解碼的一神經網路的一或多個參數。
根據請求項14之方法，其中定義該神經網路的該一或多個參數包括該神經網路的權重和該神經網路的一啟動函數中的至少一者。
一種用於處理視訊資料的裝置，包括： <br/>一記憶體，其被配置為儲存視訊資料；及 <br/>一或多個處理器，其耦合到該記憶體並且被配置為進行以下操作： <br/>獲得經編碼的視訊資料； <br/>決定用於該經編碼的視訊資料的一第一包裹的一第一終止位元組的值與用於該經編碼的視訊資料的一第二包裹的一第二終止位元組的值之間的一值交集； <br/>決定用於該第一包裹的該第一終止位元組和該第二包裹的該第二終止位元組的一聯合終止位元組，其中用於該聯合終止位元組的值是基於該值交集的；及 <br/>產生經熵譯碼的資料，該經熵譯碼的資料包括用於該第一包裹和該第二包裹的該聯合終止位元組。
根據請求項16之裝置，其中該一或多個處理器被配置為使用算術譯碼來產生該經熵譯碼的資料。
根據請求項17之裝置，其中用於該第一終止位元組的該值包括允許解碼的一第一範圍的終止位元組值，其中用於該第二終止位元組的該值包括允許解碼的一第二範圍的終止位元組值，並且其中該值交集包括在該第一範圍和該第二範圍中的值。
根據請求項16之裝置，其中該一或多個處理器被配置為使用二進位譯碼來產生該經熵譯碼的資料。
根據請求項19之裝置，其中用於該第一終止位元組的該值包括一第一數量的位元，其中用於該第二終止位元組的該值包括一第二數量的位元，並且其中該值交集包括：在該第一數量的位元和該第二數量的位元中的公共值、以及來自該第一數量的位元的一值子集和來自該第二數量的位元的一值子集中的至少一者。
根據請求項20之裝置，其中與該第一終止位元組中的該第一數量的位元的一順序和該第二終止位元組中的該第二數量的位元的一順序相比，在該聯合終止位元組中，該第一數量的位元的一順序和該第二數量的位元的一順序不改變。
根據請求項16之裝置，其中為了產生該經熵譯碼的資料，該一或多個處理器被配置為執行對該第一包裹和該第二包裹的並行熵編碼。
根據請求項22之裝置，亦包括： <br/>一第一編碼器，其被配置為對該第一包裹進行編碼；及 <br/>一第二編碼器，其被配置為對該第二包裹進行編碼。
根據請求項16之裝置，其中該一或多個處理器被配置為進行以下操作： <br/>使用用於該第一包裹和該第二包裹的該聯合終止位元組來執行對該第一包裹和該第二包裹的並行熵解碼。
根據請求項24之裝置，其中該一或多個處理器被配置為進行以下操作： <br/>以一正向順序來讀取該第一包裹；及 <br/>以一反向順序來讀取該第二包裹。
根據請求項16之裝置，其中該聯合終止位元組是用於處理的該第一包裹和該第二包裹的一最終終止位元組。
根據請求項16之裝置，其中該經編碼的視訊資料包括一視訊位元串流的一或多個語法元素。
根據請求項27之裝置，其中該一或多個語法元素指示定義用於對該經編碼的視訊資料進行解碼的一神經網路的一或多個參數。
根據請求項28之裝置，其中定義該神經網路的該一或多個參數包括該神經網路的權重和該神經網路的一啟動函數中的至少一者。
根據請求項16之裝置，其中該裝置是一行動設備、一擴展現實設備或一電視機中的一者，並且其中該裝置亦包括以下各項中的至少一項：一顯示器，以及被配置為捕捉一或多個視訊訊框的一照相機。
一種電漿處理裝置，其具有： <br/>電漿處理腔室； <br/>主線圈，其設置於上述電漿處理腔室之上部或上方； <br/>RF電力供給部，其構成為對上述主線圈供給RF電力；及 <br/>副線圈組件，其設置於上述主線圈之徑向內側或徑向外側，上述副線圈組件感應耦合至上述主線圈且未連接於上述RF電力供給部，上述副線圈組件包含具有1匝以上之第1螺旋狀線圈及具有1匝以上之第2螺旋狀線圈，上述第1螺旋狀線圈之各匝及上述第2螺旋狀線圈之各匝沿鉛直方向交替地配置，上述第1螺旋狀線圈於上端具有第1上側端子，於下端具有第1下側端子，上述第1上側端子經由1個以上之電容器連接於接地電位，上述第1下側端子連接於接地電位，上述第2螺旋狀線圈於上端具有第2上側端子，於下端具有第2下側端子，上述第2上側端子經由上述1個以上之電容器連接於接地電位，上述第2下側端子連接於接地電位。
如請求項1之電漿處理裝置，其中上述主線圈構成為，構成該主線圈之線路之兩端開放，自上述RF電力供給部對上述線路之中點或該中點附近饋電，於上述中點之附近接地，且以自上述RF電力供給部供給之RF電力之1/2波長進行共振。
如請求項1或2之電漿處理裝置，其具有氣體導入部，該氣體導入部構成為，設置於上述電漿處理腔室之上部中央，且將處理氣體導入至上述電漿處理腔室內， <br/>上述副線圈組件設置於上述氣體導入部與上述主線圈之間。
如請求項1或2之電漿處理裝置，其中上述1個以上之電容器包含電容可變電容器。
如請求項1或2之電漿處理裝置，其中上述第2上側端子經由上述1個以上之電容器連接於接地電位。
如請求項1或2之電漿處理裝置，其中上述副線圈組件之下表面具有包含上述第1螺旋狀線圈之下表面之第1下表面部分、及包含上述第2螺旋狀線圈之下表面之第2下表面部分，上述第1下表面部分與上述第2下表面部分相互對稱地配置。
如請求項1或2之電漿處理裝置，其中上述副線圈組件之上表面具有包含上述第1螺旋狀線圈之上表面之第1上表面部分、及包含上述第2螺旋狀線圈之上表面之第2上表面部分，上述第1上表面部分與上述第2上表面部分相互對稱地配置。
如請求項1或2之電漿處理裝置，其中上述第1螺旋狀線圈之各匝之直徑相同，上述第2螺旋狀線圈之各匝之直徑相同。
如請求項1或2之電漿處理裝置，其中上述副線圈組件包含具有1匝以上之第3螺旋狀線圈， <br/>上述第1螺旋狀線圈之各匝、上述第2螺旋狀線圈之各匝及上述第3螺旋狀線圈之各匝係沿鉛直方向依序配置， <br/>上述第3螺旋狀線圈於上端具有第3上側端子，於下端具有第3下側端子，上述第3上側端子經由上述1個以上之電容器或1個以上之其他電容器連接於接地電位，上述第3下側端子連接於接地電位。
如請求項1或2之電漿處理裝置，其中上述第1螺旋狀線圈之各匝及上述第2螺旋狀線圈之各匝為板狀。
如請求項1或2之電漿處理裝置，其中於鉛直方向上相鄰之上述第1螺旋狀線圈之匝與上述第2螺旋狀線圈之匝的間隔為1 mm～10 mm。
如請求項1或2之電漿處理裝置，其中於上述第1螺旋狀線圈中將匝之間連接之連接構件沿鉛直方向延伸， <br/>於上述第2螺旋狀線圈中將匝之間連接之連接構件沿鉛直方向延伸。
如請求項1之電漿處理裝置，其中上述主線圈未連接於上述1個以上之電容器。
一種天線組件，其係於電漿處理裝置中使用者，具有： <br/>主線圈，其具有與RF電力供給部之連接點且構成為連接於上述RF電力供給部；及 <br/>副線圈組件，其設置於上述主線圈之徑向內側或徑向外側，上述副線圈組件感應耦合至上述主線圈且未連接於上述RF電力供給部，上述副線圈組件包含具有1匝以上之第1螺旋狀線圈及具有1匝以上之第2螺旋狀線圈，上述第1螺旋狀線圈之各匝及上述第2螺旋狀線圈之各匝沿鉛直方向交替地配置，上述第1螺旋狀線圈於上端具有第1上側端子，於下端具有第1下側端子，上述第1上側端子經由1個以上之電容器連接於接地電位，上述第1下側端子連接於接地電位，上述第2螺旋狀線圈於上端具有第2上側端子，於下端具有第2下側端子，上述第2上側端子經由上述1個以上之電容器連接於接地電位，上述第2下側端子連接於接地電位；其中 <br/>上述副線圈組件構成為不直接連接於上述RF電力供給部。
如請求項14之天線組件，其中上述1個以上之電容器包含電容可變電容器。
如請求項14或15之天線組件，其中上述第2上側端子經由上述1個以上之電容器連接於接地電位。
如請求項14或15之天線組件，其中上述副線圈組件之下表面具有包含上述第1螺旋狀線圈之下表面之第1下表面部分、及包含上述第2螺旋狀線圈之下表面之第2下表面部分，上述第1下表面部分與上述第2下表面部分相互對稱地配置。
如請求項14之天線組件，其中上述主線圈未連接於上述1個以上之電容器。
如請求項14之天線組件，其中上述第1螺旋狀線圈之各匝及上述第2螺旋狀線圈之各匝為板狀。
一種毛髮用清潔劑組合物，其含有下述成分(A)～(C)： <br/>(A)將平均雙鍵位置為4.0位以上4.3位以下之碳數16之原料烯烴磺化而成之碳數16之內部烯烴磺酸或其鹽 <br/>(B)兩性界面活性劑 <br/>(C)非離子界面活性劑， <br/>成分(A)之含量與成分(B)之含量之質量比((A)/(B))為1.2以上8以下，成分(A)之含量與成分(C)之含量之質量比((A)/(C))為0.1以上9以下。
如請求項1之毛髮用清潔劑組合物，其中成分(B)之含量與成分(C)之含量之質量比((B)/(C))為0.01以上50以下。
如請求項1或2之毛髮用清潔劑組合物，其中成分(B)之含量與成分(C)之含量之合計為0.01質量%以上10質量%以下。
如請求項1或2之毛髮用清潔劑組合物，其中成分(B)為選自羰基甜菜鹼、及磺基甜菜鹼之1種或2種以上。
如請求項1或2之毛髮用清潔劑組合物，其中成分(C)為選自聚氧伸烷基烷基醚、脂肪酸烷醇醯胺、烷基糖苷、及烷基甘油醚之1種或2種以上。
如請求項1或2之毛髮用清潔劑組合物，其中磺酸基存在於1位以上4位以下之內部烯烴磺酸或其鹽之含量於成分(A)中為40質量%以上75質量%以下。
如請求項1或2之毛髮用清潔劑組合物，其中磺酸基存在於2位之內部烯烴磺酸或其鹽之含量於成分(A)中為10質量%以上35質量%以下。
如請求項1或2之毛髮用清潔劑組合物，其中磺酸基存在於3位之內部烯烴磺酸或其鹽之含量於成分(A)中為5質量%以上30質量%以下。
如請求項1或2之毛髮用清潔劑組合物，其中成分(A)之含量為0.01質量%以上30質量%以下。
如請求項1或2之毛髮用清潔劑組合物，其中成分(A)中，內部烯烴磺酸或其鹽之羥基體之含量與內部烯烴磺酸或其鹽之烯烴體之含量的質量比(羥基體/烯烴體)為50/50～100/0。
如請求項1或2之毛髮用清潔劑組合物，其中成分(B)之含量為0.01質量%以上30質量%以下。
一種製造包含核酸之脂質奈米顆粒(lipid nanoparticle comprising a nucleic acid，以下稱為「naLNP」)的方法，該方法包括以下步驟： <br/>a. 提供包含自1至3mg/ml的一核酸濃度之至少一種核酸的一核酸溶液； <br/>b. 提供包含自50mM至100mM的一脂質濃度之至少一種脂質的一脂質溶液；及 <br/>c. 將該核酸溶液之一部分及該脂質溶液之一部分組合以便建置包含混合氮-磷酸鹽比率及脂質:核酸比率的混合溶液；及 <br/>d. 自該混合溶液獲得該等naLNP；及 <br/>其中該等naLNP具有比一參考脂質奈米顆粒(reference lipid nanoparticle，以下稱為「refLNP」)更大之效力，其中該refLNP包含至少一種脂質及至少一種核酸並且是藉由一參考LNP製造方法(reference LNP manufacturing method)所製得。
如請求項1所述之方法，進一步包含在步驟c之後、步驟d之前，將最終的該混合溶液中之pH調整至生理pH以便獲得一pH調整混合溶液。
如請求項1所述之方法，其中核酸溶液之該部分及該脂質溶液之該部分在步驟(c)中以選自由以下組成之群的體積比來組合：1:1、2:1、3:1、4:1、5:1、6:1及7:1。
如請求項1所述之方法，其中該等naLNP具有40至150奈米範圍內之平均直徑。
如請求項1所述之方法，其中該等naLNP具有40%至100%之核酸囊封效率。
如請求項1所述之方法，其中該naLNP具有低於該refLNP之較低核酸囊封率。
如請求項1所述之方法，其中該至少一種核酸為DNA或RNA。
如請求項1所述之方法，其中該至少一種核酸為RNA。
如請求項1所述之方法，其中該至少一種核酸為mRNA。
如請求項1所述之方法，其中該至少一種核酸為編碼至少一個開放解讀碼組(open reading frame)之mRNA。
如請求項1所述之方法，其中該至少一種核酸為編碼至少一個開放解讀碼組之mRNA，該開放解讀碼組編碼一免疫原。
如請求項1所述之方法，其中該核酸溶液包含緩衝液。
如請求項1所述之方法，其中該脂質溶液包含選自由以下組成之群的有機溶劑：甲醇、乙醇、丙酮、苯及甲苯。
如請求項1所述之方法，其中該脂質溶液中之至少一種脂質選自由以下組成之群：MC3、KC2、DLin、DODMA、DODAP、 <br/><img align="absmiddle" height="42px" width="244px" file="ed10034.jpg" alt="ed10034.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式I、 <br/><br/><img align="absmiddle" height="40px" width="170px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式II、 <br/><br/><img align="absmiddle" height="33px" width="267px" file="ed10032.jpg" alt="ed10032.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式III、 <br/><br/><img align="absmiddle" height="64px" width="212px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式IV <br/>及其組合。
如請求項1所述之方法，其中該混合溶液具有比該refLNP中之脂質之pKa低0至2個pH單位的pH。
如請求項1所述之方法，其中該混合溶液具有比該refLNP中之脂質之pKa低0.75至1.25個pH單位的pH。
如請求項1所述之方法，其中該混合溶液脂質:核酸重量比為1:1、2:1、3:1、4:1、5:1、6:1、7:1、8:1、9:1、10:1、11:1、12:1、15:1、17:1、18:1、20:1、25:1、30:1、35:1、40:1或50:1。
如請求項1所述之方法，其中該refLNP是使用小於0.21mg/ml之參考核酸濃度來產生。
如請求項1所述之方法，其中該refLNP是使用小於10.5 mM之參考脂質濃度來產生。
如請求項1所述之方法，其中該refLNP是使用小於0.21mg/ml之參考核酸濃度及小於10.5mM之參考脂質濃度來產生。
如請求項1所述之方法，其中該效力比該refLNP高1.25、1.50、1.75、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30、35、40、45或50倍。
如請求項1所述之方法，其中該脂質溶液中之該脂質濃度為75 mM。
如請求項1所述之方法，其中該核酸溶液中之該核酸濃度為1.5 mg/ml。
一種製備1,2-丙二醇之方法，其包含：a)令丙烯與過氧化氫在包含相轉移觸媒及雜多鎢酸鹽(heteropolytungstate)之觸媒混合物的存在下於包含具有最大表觀pH為6的水相及有機相之液體反應混合物中反應；b)令反應混合物分離成包含1,2-丙二醇之水相(P<sub>a</sub>)及有機相(P<sub>o</sub>)；c)令至少部分的該經分離之有機相(P<sub>o</sub>)再循環至該反應步驟a)；及d)自該經分離之水相(P<sub>a</sub>)回收1,2-丙二醇；其中在步驟d)中，1,2-丙二醇係藉由蒸餾而自該水相(P<sub>a</sub>)分離，其中該經分離之水相(P<sub>a</sub>)在該蒸餾前未經脫鹽和除雜步驟之前處理，且在該蒸餾前，將該經分離之水相(P<sub>a</sub>)的表觀pH調整至至少9之值。
如請求項1之方法，其中在該蒸餾前，將該經分離之水相(P<sub>a</sub>)的該表觀pH調整至10至14之範圍內。
如請求項1之方法，其中該經分離之水相(P<sub>a</sub>)的該表觀pH之調整係藉由添加鹼金屬氫氧化物或鹼金屬碳酸鹽至該水相(P<sub>a</sub>)。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該蒸餾係以多步驟蒸餾實施，其中在第一蒸餾步驟中，分離為塔頂產物的水且令塔底產物接受第二蒸餾步驟，其中令該第一蒸餾步驟的該塔底產物分離成包含1,2-丙二醇之塔頂產物及塔底產物。
如請求項4之方法，其中令該第二蒸餾步驟的該塔底產物接受至少一個另外的蒸餾步驟。
如請求項1至3中任一項之方法，其中在步驟d)中，在調整該經分離之水相(P<sub>a</sub>)的該表觀pH前，令該水相(P<sub>a</sub>)接受催化氫化作用。
如請求項1至3中任一項之方法，其中步驟a)係連續進行，且在步驟a)中，在該水相中的過氧化氫濃度為0.1至5重量(wt)%。
如請求項1至3中任一項之方法，其中步驟a)係在管狀區段中包含固定的內部構件之環流反應器中連續進行，且該液體反應混合物係以足以在該固定的內部構件中提供渦流之流速下通過該環流反應器。
如請求項1至3中任一項之方法，其中步驟a)係在磷酸的存在下進行。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該雜多鎢酸鹽為自磷酸與鎢酸鈉於原位所形成之多鎢磷酸鹽。
如請求項1至3中任一項之方法，其中在步驟a)中該有機相包含在大氣壓力下具有超過100℃之沸點及在20℃下於水中具有少於250mg/kg之溶解度的有機溶劑，該有機溶劑選自具有8至12個碳原子的烷化芳香族烴。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該相轉移觸媒係選自三級胺及三級或四級銨鹽，且包含總計至少12個碳原子。
如請求項12之方法，其中該相轉移觸媒包含具有結構R<sup>1</sup>R<sup>2</sup>R<sup>3</sup>NR<sup>4+</sup>之三級或四級銨離子，其中R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>和R<sup>3</sup>為相同或不同且分別選自具有8至10個碳原子的烷基，且R<sup>4</sup>為氫或甲基。
一種缺陷檢查裝置，其係基於被檢查體之圖像而檢查上述被檢查體中產生之缺陷的缺陷檢查裝置，其中具備： <br/>複數個缺陷判別器，該缺陷判別器基於上述圖像，使用特定之機械學習模型判別各不相同之上述缺陷之種類； <br/>各個缺陷判別器所判別之上述缺陷之種類，為上述缺陷檢查裝置設為判別對象之特定數量之缺陷之種類之一部分；且 <br/>上述缺陷判別器使用對上述被檢查體之攝像條件不同之複數個圖像間之每個像素之亮度值之加權和作為輸入值，判別上述缺陷之種類； <br/>根據缺陷之種類，將與容易檢測該種類之缺陷之攝像條件下之圖像相對之權重係數，設為較與其他圖像相對之權重係數大之值。
如請求項1之缺陷檢查裝置，其中 <br/>複數個上述缺陷判別器之各者無論其他缺陷判別器之判定結果如何，並行判別上述被檢查體中產生之缺陷之種類。
如請求項1之缺陷檢查裝置，其中 <br/>上述缺陷判別器之個數為N個； <br/>第n(n為1以上且N-1以下之整數)個缺陷判別器判定上述被檢查體中產生之缺陷之種類是否符合第n個缺陷之種類； <br/>於第n個缺陷判別器判定上述被檢查體中產生之缺陷之種類不符合第n個缺陷之種類時，第n+1個缺陷判別器開始進行判定上述被檢查體中產生之缺陷之種類是否符合第n+1個缺陷之種類之處理。
如請求項3之缺陷檢查裝置，其中 <br/>上述n按照第n個缺陷之種類之產生頻率或風險大小之降序來確定。
如請求項1至4中任一項之缺陷檢查裝置，其中 <br/>複數個上述缺陷判別器分別判定上述被檢查體中產生之缺陷之種類是否符合特定之1種缺陷。
如請求項1至4中任一項之缺陷檢查裝置，其具備： <br/>模型學習部，其確定模型參數，該模型參數用以對表示包含特定種類之缺陷之圖像的圖像資料，使用上述機械學習模型而判別該特定種類之缺陷。
如請求項1至4中任一項之缺陷檢查裝置，其具備： <br/>新種類判定部，其算出表示缺陷特徵之特徵量於空間中之距離，即按上述缺陷之每個種類預先確定之代表特徵量、與自上述圖像擷取之特徵量即擷取特徵量之距離；且 <br/>於算出之距離相對於上述缺陷之種類之任一者皆大於特定距離之閾值時，將自上述圖像檢測出之缺陷之種類判定為新種類。
如請求項1至4中任一項之缺陷檢查裝置，其具備： <br/>新種類判定部，其於不存在成功地判別出缺陷種類之缺陷判別器時，將自上述圖像檢測出之缺陷之種類判定為新種類。
如請求項1至4中任一項之缺陷檢查裝置，其進而具備： <br/>製造步驟管理部，其基於複數個上述缺陷判別器判別出之缺陷之狀態，確定用以修正上述被檢查體之製造條件的修正條件。
如請求項1至4中任一項之缺陷檢查裝置，其具備： <br/>特徵分析部，其根據圖像資料分析缺陷之特徵量； <br/>第2缺陷判別器，其使用表示缺陷之特徵量與該缺陷之種類之關係的判定資料，根據上述特徵分析部分析出之缺陷之特徵量，確定該缺陷之種類；及 <br/>判定輸入部，其將上述被檢查體中產生之缺陷之種類，確定為所取得之操作輸入所示之缺陷之種類。
如請求項10之缺陷檢查裝置，其中 <br/>在由複數個上述缺陷判別器確定上述被檢查體中產生之缺陷之種類之前，由上述第2缺陷判別器或上述判定輸入部確定上述被檢查體中產生之缺陷。
一種缺陷檢查方法，其係基於被檢查體之圖像而檢查上述被檢查體中產生之缺陷者，且具備： <br/>複數個缺陷判別步驟，其基於上述圖像，使用特定之機械學習模型而判別各不相同之上述缺陷之種類；且 <br/>於各個缺陷判別步驟中判別之上述缺陷之種類，為於上述缺陷檢查方法中設為判別對象之特定數量之缺陷種類之一部分；且 <br/>於上述缺陷判別步驟，使用對上述被檢查體之攝像條件不同之複數個圖像間之每個像素之亮度值之加權和作為輸入值，判別上述缺陷之種類； <br/>根據缺陷之種類，將與容易檢測該種類之缺陷之攝像條件下之圖像相對之權重係數，設為較與其他圖像相對之權重係數大之值。
一種玻璃之製造方法，其係使用請求項12之缺陷檢查方法者，且 <br/>上述被檢查體為玻璃。
一種玻璃之製造方法，其具有使用請求項1至11中任一項之缺陷檢查裝置之檢查步驟，且 <br/>上述被檢查體為玻璃。
一種膠囊的方向管制機構，具備：<br/> 供給路，將在囊體外嵌有帽蓋的膠囊供給至預定位置；<br/> 管制裝置，管制被供給至前述預定位置的膠囊的方向；及<br/> 排出路，將被前述管制裝置管制方向的膠囊排出至外部，<br/> 前述管制裝置具備：按壓構件，朝寬度方向按壓前述預定位置的膠囊，使其朝向前述排出路移動；及狹縫狀的姿勢變化部，設在前述預定位置與前述排出路之間，使膠囊的姿勢發生變化，<br/> 前述姿勢變化部構成為當膠囊通過時，帽蓋滑動而產生摩擦力，藉此囊體會相對於帽蓋位在前方，<br/> 前述按壓構件具備：突出部，按壓膠囊的軸方向中央部；及帽蓋按壓部，設在前述突出部的兩側，按壓姿勢在前述姿勢變化部發生了變化的膠囊的帽蓋，<br/> 前述供給路形成為從上部開口朝軸方向且鉛直下方導入膠囊，並藉由在側面視下中央部形成為彎曲狀，將膠囊以傾斜姿勢供給至前述預定位置，<br/> 前述按壓構件相對於水平方向朝向斜下方來按壓前述預定位置之膠囊，並使其通過前述姿勢變化部。
如請求項1之膠囊的方向管制機構，其中水平方向與前述按壓構件的按壓方向所成角度為30~60度。
如請求項1之膠囊的方向管制機構，其中前述排出路形成為使膠囊朝軸方向移動而從下部開口排出。
如請求項3之膠囊的方向管制機構，其中前述上部開口及下部開口被配置在同一鉛直線上。
如請求項1之膠囊的方向管制機構，其中前述帽蓋按壓部具備按壓帽蓋時朝向該帽蓋噴射空氣的空氣噴射部。
如請求項1之膠囊的方向管制機構，其中前述供給路形成為可將複數個膠囊朝前述預定位置排列供給，<br/> 前述管制裝置藉由前述按壓構件同時按壓排列的複數個膠囊，使其在前述姿勢變化部個別地變化姿勢，藉此管制各膠囊的方向。
如請求項1之膠囊的方向管制機構，其中前述供給路、管制裝置及排出路是以左右對稱的方式各配置一對。
一種蓋構件，係含有發光元件之封裝體所使用之玻璃製的蓋構件，其特徵在於， <br/> 係具備：板狀的框部、及從前述框部突出之突出部， <br/> 前述框部具有第一主面及第二主面， <br/> 前述突出部具備基部及頂部， <br/> 前述頂部的厚度比前述基部的厚度更薄， <br/> 在剖面視下，畫出前述頂部的法線作為第一線，沿著前述框部的前述第二主面畫出直線作為第二線，從前述第一線和前述第二線的交點畫出相對於前述第二線形成5°角度的直線作為第三線，前述基部是前述第三線和前述突出部相交的部分， <br/> 前述頂部的厚度(Tmin)和前述基部的厚度(Tmax)之比(Tmin/Tmax)為0.3~0.9。
如請求項1所述之蓋構件，其中， <br/> 前述突出部具有內表面及外表面， <br/> 前述內表面的表面粗糙度Ra為1nm以下。
如請求項1或2所述之蓋構件，其中， <br/> 前述突出部具有內表面及外表面， <br/> 前述外表面的表面粗糙度Ra為1nm以下。
如請求項1或2所述之蓋構件， <br/> 其係具備：用於連結前述基部和前述框部之彎曲形狀的連結部。
如請求項4所述之蓋構件，其中， <br/> 前述連結部具有用於連結前述基部和前述框部之第一曲面及第二曲面， <br/> 前述第一曲面的曲率半徑為0.5mm~5mm， <br/> 前述第二曲面的曲率半徑為0.5mm~5mm。
如請求項1或2所述之蓋構件，其中， <br/> 在前述第一主面形成有金屬層。
如請求項6所述之蓋構件，其中， <br/> 在前述框部的前述第一主面和前述金屬層之間形成有緩衝膜。
如請求項7所述之蓋構件，其中， <br/> 在前述金屬層中之與前述緩衝膜接觸的部位之相反側的部位形成有接合部。
一種封裝體，係具備： <br/> 支承發光元件之基體、及如請求項1或2所述之蓋構件。
一種玻璃基板，係用於製造含有發光元件之封裝體用的蓋構件之玻璃基板，其特徵在於， <br/> 係具備：板狀的框部、及從前述框部突出之複數個突出部， <br/> 前述框部具有第一主面及第二主面， <br/> 前述突出部具備基部及頂部， <br/> 前述頂部的厚度比前述基部的厚度更薄， <br/> 在剖面視下，畫出前述頂部的法線作為第一線，沿著前述框部的前述第二主面畫出直線作為第二線，從前述第一線和前述第二線的交點畫出相對於前述第二線形成5°角度的直線作為第三線，前述基部是前述第三線和前述突出部相交的部分， <br/> 前述頂部的厚度(Tmin)和前述基部的厚度(Tmax)之比(Tmin/Tmax)為0.3~0.9。
一種電漿腔室，包括：<br/> 一腔室主體，該腔室主體具有在該腔室主體內的一處理區域；<br/> 一襯墊，該襯墊設置於該腔室主體上，該襯墊圍繞該處理區域；<br/> 一基板支撐件，該基板支撐件設置於該襯墊內；<br/> 一磁體組件，該磁體組件包括設置於該襯墊周圍的複數個磁體；及<br/> 一磁性材料屏蔽件，該磁性材料屏蔽件設置於該襯墊周圍，該磁性材料屏蔽件封裝靠近該基板支撐件的該處理區域；<br/> 其中該磁性材料屏蔽件為在該腔室主體的一長度的一方向上延伸的一圓柱形，且該磁性材料屏蔽件在該腔室主體的該長度的該方向上具有2吋及10吋之間的一長度；<br/> 其中在該腔室主體的該長度的該方向上將該磁性材料屏蔽件放置於與該磁體組件相距一距離處；及<br/> 其中該磁性材料屏蔽件為可移動的，以提供針對該處理區域中的一電漿密度剖面的額外可調性。
如請求項1所述之電漿腔室，其中該磁性材料屏蔽件包括具有50,000或更高的一相對磁導率的高磁導率磁性材料。
如請求項2所述之電漿腔室，其中該高磁導率磁性材料包括鎳鉬合金。
如請求項1所述之電漿腔室，進一步包括：<br/> 一套筒，在該磁體組件周圍形成該套筒以將該複數個磁體所產生的磁場限制於該處理區域。
一種使用於一電漿腔室的屏蔽件，包括：<br/> 一高磁導率磁性材料，該高磁導率磁性材料具有50,000或更高的一相對磁導率，其中<br/> 該高磁導率磁性材料經配置以放置於一襯墊周圍，該襯墊設置於一電漿腔室的一腔室主體內；<br/> 該高磁導率磁性材料被塑形為在該電漿腔室的一長度的一方向上延伸的圓柱；<br/> 該高磁導率磁性材料經配置以封裝該電漿腔室的一處理區域；及<br/> 該高磁導率磁性材料經配置以相對於該電漿腔室的該處理區域為可移動的，以提供針對該處理區域中的一電漿密度剖面的額外可調性。
如請求項5所述之屏蔽件，其中該高磁導率磁性材料包括鎳鉬合金。
如請求項5所述之屏蔽件，其中該高磁導率磁性材料被塑形以在該腔室主體的該長度的該方向上具有2吋及10吋之間的一長度。
如請求項5所述之屏蔽件，其中在該腔室主體的該長度的該方向上將該高磁導率磁性材料放置於與一磁體組件相距一距離處，該磁體組件設置於該襯墊周圍。
一種處理腔室，包括：<br/> 一蓋組件；<br/> 一腔室主體，該腔室主體藉由一間隔器耦合至該蓋組件，該間隔器及該腔室主體界定一處理區域；<br/> 一可旋轉磁體組件，該可旋轉磁體組件在該處理區域外部耦合至該間隔器；<br/> 一基板支撐件，該基板支撐件設置於且可移動於該處理區域內，其中該基板支撐件耦合至一致動器，該致動器經配置以升高及降低該基板支撐件；及<br/> 一磁性材料屏蔽件，該磁性材料屏蔽件設置於該間隔器周圍，該磁性材料屏蔽件封裝靠近該基板支撐件的該處理區域。
如請求項9所述之處理腔室，其中該蓋組件包括一熱交換器。
如請求項9所述之處理腔室，其中該間隔器包括複數個加熱器元件。
如請求項9所述之處理腔室，其中該間隔器包括圍繞該處理區域的一襯墊。
如請求項9所述之處理腔室，其中該可旋轉磁體組件包括複數個磁體。
如請求項9所述之處理腔室，其中該磁性材料屏蔽件包括具有50,000或更高的一相對磁導率的高磁導率磁性材料。
如請求項9所述之處理腔室，其中該磁性材料屏蔽件在該腔室主體的一長度的一方向上具有2吋及10吋之間的一長度。
如請求項9所述之處理腔室，其中在該腔室主體的一長度的一方向上將該磁性材料屏蔽件放置於與該可旋轉磁體組件相距一距離處。
一種藥物配製物，其包含 <br/>a) 活性藥物成分，其中該活性藥物成分係登革熱病毒複製抑制劑，其係具有式(I)之化合物 <br/><img align="absmiddle" height="100px" width="129px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (I) <br/>其立體異構形式、藥學上可接受的鹽、溶劑化物或同質異像物；所述化合物選自下組，其中： <br/>R<sub>1</sub>係H，R<sub>2</sub>係F並且R<sub>3</sub>係H或CH<sub>3</sub>， <br/>R<sub>1</sub>係H、CH<sub>3</sub>或F，R<sub>2</sub>係OCH<sub>3</sub>，並且R<sub>3</sub>係H，並且 <br/>R<sub>1</sub>係H，R<sub>2</sub>係OCH<sub>3</sub>並且R<sub>3</sub>係CH<sub>3</sub>， <br/>R<sub>1</sub>係CH<sub>3</sub>，R<sub>2</sub>係F並且R<sub>3</sub>係H， <br/>R<sub>1</sub>係CF<sub>3</sub>或OCF<sub>3</sub>，R<sub>2</sub>係H並且R<sub>3</sub>係H， <br/>R<sub>1</sub>係OCF<sub>3</sub>，R<sub>2</sub>係OCH<sub>3</sub>，並且R<sub>3</sub>係H，並且 <br/>R<sub>1</sub>係OCF<sub>3</sub>，R<sub>2</sub>係H並且R<sub>3</sub>係CH<sub>3</sub>；以及 <br/>b1) 甲基丙烯酸共聚物、或 <br/>b2) 羥丙基甲基纖維素。
如請求項1所述之藥物配製物，其中該藥物配製物係固體配製物。
如請求項1或2中任一項所述之藥物配製物，其中該活性藥物成分與該甲基丙烯酸共聚物或該羥丙基甲基纖維素中的一種以4 : 1至1 : 5的比率存在於所述配製物中。
如請求項1或2中任一項所述之藥物配製物，其中該甲基丙烯酸共聚物選自包含以下的組：甲基丙烯酸與甲基丙烯酸甲酯的共聚物；甲基丙烯酸和丙烯酸乙酯的共聚物及其混合物。
如請求項1或2中任一項所述之藥物配製物，其中該羥丙基甲基纖維素的2%的水溶液在25°C的黏度範圍為3與5000 mPa.s之間，並且選自包含以下的組：HPMC E5、HPMC E6、HPMC E15、HPMC E50、HPMC K4M和HPMC-AS。
如請求項1或2中任一項所述之藥物配製物，其中該配製物包含相對於該配製物的總重量至多40 wt%的該活性藥物成分。
如請求項1或2中任一項所述之藥物配製物，其中該配製物進一步包含選自以下的一或多種藥學上可接受的賦形劑：崩散劑、黏合劑、稀釋劑、潤滑劑、穩定劑、潤濕劑、助流劑、滲透劑、著色劑、塑化劑和包衣。
如請求項1或2中任一項所述之藥物配製物，其中該配製物包含形成該配製物顆粒內相的多個顆粒和形成該配製物顆粒外相的一或多種賦形劑。
如請求項1所述之藥物配製物，其中該具有式 (I) 之化合物係： <br/><img align="absmiddle" height="79px" width="125px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>或其立體異構形式、藥學上可接受的鹽、溶劑化物或同質異像物。
一種固體劑型，其包含如請求項1至9中任一項所述之藥物配製物。
如請求項10所述之固體劑型，其中該配製物包含從0.5至1000 mg的該活性藥物成分。
如請求項1或2中任一項所述之藥物配製物，用於在治療或預防登革病毒感染中使用。
一種用於製備如請求項1至9中任一項所述之藥物配製物之方法，該方法包括以下步驟： <br/>a) 將該活性藥物成分溶解在溶劑中以形成溶液，其中該活性藥物成分係具有式(I)之化合物 <br/><img align="absmiddle" height="100px" width="129px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(I) <br/>其立體異構形式、藥學上可接受的鹽、溶劑化物或同質異像物；所述化合物選自下組，其中： <br/>R<sub>1</sub>係H，R<sub>2</sub>係F並且R<sub>3</sub>係H或CH<sub>3</sub>， <br/>R<sub>1</sub>係H、CH<sub>3</sub>或F，R<sub>2</sub>係OCH<sub>3</sub>，並且R<sub>3</sub>係H，並且 <br/>R<sub>1</sub>係H，R<sub>2</sub>係OCH<sub>3</sub>並且R<sub>3</sub>係CH<sub>3</sub>， <br/>R<sub>1</sub>係CH<sub>3</sub>，R<sub>2</sub>係F並且R<sub>3</sub>係H， <br/>R<sub>1</sub>係CF<sub>3</sub>或OCF<sub>3</sub>，R<sub>2</sub>係H並且R<sub>3</sub>係H， <br/>R<sub>1</sub>係OCF<sub>3</sub>，R<sub>2</sub>係OCH<sub>3</sub>，並且R<sub>3</sub>係H，並且 <br/>R<sub>1</sub>係OCF<sub>3</sub>，R<sub>2</sub>係H並且R<sub>3</sub>係CH<sub>3</sub>； <br/>b) 將該甲基丙烯酸共聚物或羥丙基甲基纖維素與 (a) 中形成的溶液混合從而獲得混合物； <br/>c) 將該混合物噴霧乾燥以獲得固體分散體； <br/>d) 視需要將該固體分散體與至少一種藥學上可接受的賦形劑共混； <br/>以提供如請求項1至9中任一項所述之藥物配製物。
一種製備式(I)的化合物或其鹽的方法， <br/><img align="absmiddle" height="54px" width="102px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(I)； <br/>該方法包括： <br/>(1) 將式(II)的化合物或其鹽的水溶液及金屬氧化劑的水溶液分別以恆定速率同時加入到含有質子受體的水溶液的容器中，並混合，其中該式(II)的化合物或其鹽的水溶液的恆定速率及該金屬氧化劑的水溶液的恆定速率可以相同或不同，或 <br/>(2) 將包含質子受體的式(II)的化合物或其鹽的水溶液及金屬氧化劑的水溶液分別以恆定速率同時加入到容器中，並混合，其中該式(II)的化合物或其鹽的水溶液的恆定速率及該金屬氧化劑的水溶液的恆定速率可以相同或不同， <br/>以使該式(II)的化合物或其鹽與該金屬氧化劑及該質子受體在該容器中同時接觸以形成該式(I)的化合物或其鹽： <br/><img align="absmiddle" height="59px" width="78px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(II)， <br/>其中X<sub>1</sub><sup>+</sup>及X<sub>2</sub><sup>+</sup>獨立地選自H<sup>+</sup>、Li<sup>+</sup>、Na<sup>+</sup>、K<sup>+</sup>、Rb<sup>+</sup>、Cs<sup>+</sup>、NH<sub>4</sub><sup>+</sup>、Be<sup>2+</sup>、Mg<sup>2+</sup>、Ca<sup>2+</sup>、Sr<sup>2+</sup>及Ba<sup>2+</sup>。
如請求項1之方法，其中以下條件(1)至(6)中任一者均適用： <br/>(1)X<sub>1</sub><sup>+</sup>及X<sub>2</sub><sup>+</sup>獨立地選自Na<sup>+</sup>、K<sup>+</sup>及NH<sub>4</sub><sup>+</sup>； <br/>或者 <br/>(2)該質子受體選自Li<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>、LiOH、Na<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>、NaOH、K<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>、KOH、Rb<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>、RbOH、Cs<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>、CsOH、NH<sub>4</sub>OH、BeCO<sub>3</sub>、Be(OH)<sub>2</sub>、MgCO<sub>3</sub>、Mg(OH)<sub>2</sub>、CaCO<sub>3</sub>、Ca(OH)<sub>2</sub>、SrCO<sub>3</sub>、Sr(OH)<sub>2</sub>、BaCO<sub>3</sub>及Ba(OH)<sub>2</sub>； <br/>或者 <br/>(3)該質子受體與該式(II)的化合物或其鹽的莫耳比為3.5∶1.0至6.0∶1.0； <br/>或者 <br/>(4)該金屬氧化劑包含Fe(III)或Mn(III)； <br/>或者 <br/>(5)該金屬氧化劑與該式(II)的化合物或其鹽的莫耳比為2.8∶1.0至3.5∶1.0； <br/>或者 <br/>(6)該方法在-6°C至25°C的溫度下進行。
如請求項2之方法，其中以下條件(1)至(5)中任一者均適用： <br/>(1)該質子受體選自Na<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>、NaOH、K<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>、KOH及NH<sub>4</sub>OH； <br/>或者 <br/>(2)該質子受體與該式(II)的化合物或其鹽的莫耳比為4.0∶1.0至4.2∶1.0； <br/>或者 <br/>(3)該金屬氧化劑選自鐵氰化鉀、鐵氰化鋰、鐵氰化鈉、氯化鐵、溴化鐵、乙醯丙酮錳(III)、乙酸錳(III)、五氰基一羰基鐵酸鈉(Na<sub>2</sub>[Fe(CN)<sub>5</sub>(CO)])及五氰基氨鐵鈉鹽(Na<sub>3</sub>[Fe(CN)<sub>5</sub>NH<sub>3</sub>])； <br/>或者 <br/>(4)該金屬氧化劑與該式(II)的化合物或其鹽的莫耳比為3.0∶1.0至3.2∶1.0； <br/>或者 <br/>(5)該方法在-6°C至0°C的溫度下進行。
如請求項3之方法，其中以下條件(1)至(2)中任一者均適用： <br/>(1)該質子受體是KOH； <br/>或者 <br/>(2)該金屬氧化劑為鐵氰化鉀。
如請求項1之方法，其中該質子受體選自Li<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>、LiOH、Na<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>、NaOH、K<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>、KOH、Rb<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>、RbOH、Cs<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>、CsOH、NH<sub>4</sub>OH、BeCO<sub>3</sub>、Be(OH)<sub>2</sub>、MgCO<sub>3</sub>、Mg(OH)<sub>2</sub>、CaCO<sub>3</sub>、Ca(OH)<sub>2</sub>、SrCO<sub>3</sub>、Sr(OH)<sub>2</sub>、BaCO<sub>3</sub>及Ba(OH)<sub>2</sub>；該金屬氧化劑包含Fe(III)或Mn(III)；該質子受體與該式(II)的化合物或其鹽的莫耳比為3.5∶1.0至6.0∶1.0；該金屬氧化劑與該式(II)的化合物或其鹽的莫耳比為2.8∶1.0至3.5∶1.0；並且該方法在-6°C至25°C的溫度下進行。
如請求項5之方法，其中該質子受體與該式(II)的化合物或其鹽的莫耳比為4.0∶1.0至4.2∶1.0；該金屬氧化劑與該式(II)的化合物或其鹽的莫耳比為3.0∶1.0至3.2∶1.0；並且該方法在-6°C至0°C的溫度下進行。
如請求項1之方法，其中該質子受體選自Na<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>、NaOH、K<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>、KOH及NH<sub>4</sub>OH；該金屬氧化劑選自鐵氰化鉀、鐵氰化鋰、鐵氰化鈉、氯化鐵、溴化鐵、乙醯丙酮錳(III)或乙酸錳(III)；該質子受體與該式(II)的化合物或其鹽的莫耳比為3.5∶1.0至6.0∶1.0；該金屬氧化劑與該式(II)的化合物或其鹽的莫耳比為2.8∶1.0至3.5∶1.0；並且該方法在-6°C至25°C的溫度下進行。
如請求項7之方法，其中該質子受體與該式(II)的化合物或其鹽的莫耳比為4.0∶1.0至4.2∶1.0；該金屬氧化劑與該式(II)的化合物或其鹽的莫耳比為3.0∶1.0至3.2∶1.0；並且該方法在-6°C至0°C的溫度下進行。
如請求項1之方法，其中該質子受體為KOH；該金屬氧化劑為鐵氰化鉀；KOH與該式(II)的化合物或其鹽的莫耳比為3.5∶1.0至6.0∶1.0；鐵氰化鉀與該式(II)的化合物或其鹽的莫耳比為2.8∶1.0至3.5∶1.0；並且該方法在-6°C至25°C的溫度下進行。
如請求項9之方法，其中KOH與該式(II)的化合物或其鹽的莫耳比為4.0∶1.0至4.2∶1.0；鐵氰化鉀與該式(II)的化合物或其鹽的莫耳比為3.0∶1.0至3.2∶1.0；並且該方法在-6°C至0°C的溫度下進行。
如請求項1之方法，其中以下條件(1)至(3)中任一者均適用： <br/>(1)該式(I)的化合物在該式(II)的化合物或其鹽、質子受體及金屬氧化劑同時接觸的數秒內形成； <br/>或者 <br/>(2)其中該式(I)的化合物具有至少90%、或至少95%的百分比收率； <br/>或者 <br/>(3)該式(I)的化合物具有大於98%的純度。
如請求項1至11中任一項之方法，其中該式(II)的化合物或其鹽的水溶液及該金屬氧化劑的水溶液分別以恆定速率同時加入到含有該質子受體的水溶液的該容器中並混合，以使該式(II)的化合物或其鹽與該金屬氧化劑及該質子受體在該容器中同時接觸以形成該式(I)的化合物或其鹽，其中該式(II)的化合物或其鹽的水溶液的恆定速率及該金屬氧化劑的水溶液的恆定速率可以相同或不同。
如請求項1至11中任一項之方法，其中將包含該質子受體的該式(II)的化合物或其鹽的水溶液及該金屬氧化劑的水溶液分別以恆定速率同時加入到容器中，並混合，以使該式(II)的化合物或其鹽與該金屬氧化劑及該質子受體在該容器中同時接觸以形成該式(I)的化合物或其鹽，其中該式(II)的化合物或其鹽的水溶液的恆定速率及該金屬氧化劑的水溶液的恆定速率可以相同或不同。
如請求項1至11中任一項之方法，其中該式(II)的化合物或其鹽的水溶液的速率及該金屬氧化劑的水溶液的速率之比是1:10至1:1、1:8至1:1.5、1:6至1:2或1:4至1:3； <br/>及/或 <br/>其中該式(II)的化合物或其鹽的水溶液及該金屬氧化劑的水溶液分別通過恆流控制設備同時加入到該容器中； <br/>及/或 <br/>其中該式(II)的化合物或其鹽的水溶液的速率及該金屬氧化劑的水溶液的速率分別不超過1000 mL/min，或者不超過900、800 mL/min、700 mL/min、600 mL/min、500 mL/min、400 mL/min、300 mL/min、200 mL/min或100 mL/min，或者不超過90 mL/min、80 mL/min、60 mL/min、50 mL/min或30 mL/min，或者不超過25 mL/min、不超過20 mL/min或不超過15 mL/min； <br/>及/或 <br/>其中該容器為微反應器；或者 <br/>該容器為普通反應器。
如請求項14之方法，其中該式(II)的化合物或其鹽的水溶液的速率及該金屬氧化劑的水溶液的速率分別為2至30 mL/min、4至25 mL/min、8至20 mL/min或10至15 mL/min； <br/>及/或 <br/>該恆流控制設備為蠕動泵或注射泵； <br/>及/或 <br/>其中該容器為微通道反應器或微混合器；或者該容器為管式反應器或釜式反應器。
一種製備式(I’)的嘧啶并[4,5-g]喋啶-2,4,7,9(1H,3H,6H,8H)-四酮的方法，其中該方法包括如下步驟： <br/><img align="absmiddle" height="90px" width="245px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(S2) 使以溶液A形式的式(II’)的5-胺基尿嘧啶與以溶液B形式的氧化劑在鹼的存在下在反應器中反應，得到式(I’)的嘧啶并[4,5-g]喋啶-2,4,7,9(1H,3H,6H,8H)-四酮，其中該溶液A及該溶液B分別以恆定流速同時加入到該反應器中並混合，並且其中該溶液A的恆定流速及該溶液B的恆定流速可以相同或不同。
如請求項16之方法，其中該鹼及該式(II’)的5-胺基尿嘧啶一起包含在該溶液A中； <br/>及/或 <br/>其中該溶液A及該溶液B分別通過恆流控制設備同時加入到該反應器中； <br/>及/或 <br/>其中該溶液A的流速及該溶液B的流速之比是1:10至1:1，或1:1，或1:10至小於1:1，或1:8至1:1.5、1:6至1:2或1:4至1:3，或1:3至1:1； <br/>及/或 <br/>其中該溶液A的流速及該溶液B的流速分別不超過1000 mL/min，或者不超過900、800 mL/min、700 mL/min、600 mL/min、500 mL/min、400 mL/min、300 mL/min、200 mL/min或100 mL/min，或者不超過90 mL/min、80 mL/min、60 mL/min、50 mL/min或30 mL/min，或者不超過25 mL/min或不超過20 mL/min； <br/>及/或 <br/>其中該溶液A的流速及該溶液B的流速分別不超過15 mL/min， <br/>及/或 <br/>其中該鹼與該式(II’)的5-胺基尿嘧啶的莫耳比為3.0∶1.0至6.0∶1.0； <br/>及/或 <br/>其中該氧化劑與該式(II’)的5-胺基尿嘧啶的莫耳比為3.0∶1.0至3.5∶1.0； <br/>及/或 <br/>其中 <br/>該溶液A中的溶劑及該溶液B中的溶劑各自是極性溶劑； <br/>及/或 <br/>其中該溶液A及該溶液B各自具有0至8℃的溫度； <br/>及/或 <br/>其中步驟S2中所述的反應是在-20至20℃的溫度下進行的； <br/>及/或 <br/>其中相對於該式(II’)的5-胺基尿嘧啶，使用3至5當量的該氧化劑； <br/>及/或 <br/>其中該氧化劑為包含鐵(III)或Mn(III)的試劑； <br/>及/或 <br/>其中步驟S2中的該鹼是選自氫氧化鈉、碳酸氫鈉、碳酸鈉、氫氧化鉀、碳酸氫鉀、碳酸鉀、氫氧化鋰、氨水、Li<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>、Rb<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>、RbOH、Cs<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>、CsOH、BeCO<sub>3</sub>、Be(OH)<sub>2</sub>、MgCO<sub>3</sub>、Mg(OH)<sub>2</sub>、CaCO<sub>3</sub>、Ca(OH)<sub>2</sub>、SrCO<sub>3</sub>、Sr(OH)<sub>2</sub>、BaCO<sub>3</sub>及Ba(OH)<sub>2</sub>中的一種或多種。
如請求項17之方法，其中該恆流控制設備為蠕動泵或注射泵； <br/>及/或 <br/>其中該溶液A的流速及該溶液B的流速之比為1:2、1:3或1:1； <br/>及/或 <br/>其中該溶液A的流速及該溶液B的流速分別為2至30 mL/min、4至25 mL/min、8至20 mL/min或10至15 mL/min； <br/>及/或 <br/>其中該溶液A的流速及該溶液B的流速分別為2至15 mL/min、3至12 mL/min或6至10 mL/min； <br/>及/或 <br/>其中該鹼與該式(II’)的5-胺基尿嘧啶的莫耳比為3.0∶1.0至5.5∶1.0； <br/>及/或 <br/>其中該金屬氧化劑與該式(II’)的5-胺基尿嘧啶的莫耳比為3.0∶1.0至3.4∶1.0； <br/>及/或 <br/>其中該溶液A中的溶劑及該溶液B中的溶劑各自是選自水、甲醇、乙醇、乙腈及四氫呋喃中的一種、兩種或更多種； <br/>及/或 <br/>其中該溶液A及該溶液B各自具有0至4℃或2至6℃的溫度； <br/>及/或 <br/>其中步驟S2中所述的反應是在-10至10℃或-5至5℃的溫度下進行的； <br/>及/或 <br/>其中該氧化劑是選自鐵氰化鉀、五氰基一羰基鐵酸鈉(Na<sub>2</sub>[Fe(CN)<sub>5</sub>(CO)])、五氰基氨鐵鈉鹽(Na<sub>3</sub>[Fe(CN)<sub>5</sub>NH<sub>3</sub>])、鐵氰化鋰、鐵氰化鈉、氯化鐵、溴化鐵、乙醯丙酮錳(III)及乙酸錳(III)中的一種或多種； <br/>及/或 <br/>其中步驟S2中的該鹼是氫氧化鉀。
如請求項18之方法，其中該溶液A的流速是2至10 mL/min、或者2、3、4、5、6、7、8、9或10 mL/min；該溶液B的流速是2至15 mL/min、或者2、3、4、6、8、10、12、14或15 mL/min； <br/>及/或 <br/>其中該溶液A中的溶劑及該溶液B中的溶劑各自是水； <br/>及/或 <br/>其中步驟S2中所述的反應是在-10、-5、0或5℃的溫度下進行的； <br/>及/或 <br/>其中該氧化劑是鐵氰化鉀。
如請求項16至19中任一項之方法，其中該反應器為微反應器。
如請求項20之方法，其中該微反應器為微通道反應器或微混合器。
如請求項20之方法，其中該方法包括如下步驟： <br/>(S2) 將式(II’)的5-胺基尿嘧啶及氫氧化鈉或氫氧化鉀在水中的0至4℃的溶液以及0至4℃的鐵氰化鉀水溶液以相同的恆定流速同時加入到微反應器中以混合，並在-5至5℃的溫度下反應，得到式(I’)的嘧啶并[4,5-g]喋啶-2,4,7,9(1H,3H,6H,8H)-四酮。
如請求項22之方法，其中該恆定流速是3至10 mL/min。
如請求項16至19中任一項之方法，其中該反應器為普通反應器。
如請求項24之方法，其中該普通反應器為管式反應器或釜式反應器。
如請求項24之方法，其中該反應器已被預冷至0℃至-20℃、-5℃至-15℃或-10℃至-15℃的溫度； <br/>及/或 <br/>其中通過以100至1000轉/分鐘、200至900轉/分鐘、300至800轉/分鐘、400至700轉/分鐘或500至600轉/分鐘的速度攪拌該溶液A及該溶液B來進行混合； <br/>及/或 <br/>其中該方法包括如下步驟： <br/>(S2) 在以200至600轉/分鐘、或300至500轉/分鐘的速度攪拌下，將式(II’)的5-胺基尿嘧啶及氫氧化鈉或氫氧化鉀在水中的0至4℃的溶液以及0至4℃的鐵氰化鉀水溶液分別以恆定流速同時加入到預冷至0℃至-20℃、或-10℃的溫度的該反應器中以混合，得到式(I’)的嘧啶并[4,5-g]喋啶-2,4,7,9(1H,3H,6H,8H)-四酮，其中該5-胺基尿嘧啶的溶液與該鐵氰化鉀的溶液的流速比為1:2。
一種製備式4的3,6-二胺基吡嗪-2,5-二羧酸的方法，其中該方法包括如下步驟： <br/><img align="absmiddle" height="84px" width="389px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(S2’) 通過如請求項16至26中任一項之方法，由式(II’)的5-胺基尿嘧啶製備式(I’)的嘧啶并[4,5-g]喋啶-2,4,7,9(1H,3H,6H,8H)-四酮；及 <br/>(S3) 使式(I’)的嘧啶并[4,5-g]喋啶-2,4,7,9(1H,3H,6H,8H)-四酮在鹼的存在下水解，得到式4的3,6-二胺基吡嗪-2,5-二羧酸。
如請求項27之方法，其中： <br/>步驟S3中所述的水解在極性溶劑中進行；及/或 <br/>步驟S3中所述的鹼是選自氫氧化鈉、碳酸氫鈉、碳酸鈉、氫氧化鉀、碳酸氫鉀、碳酸鉀及氫氧化鋰中的一種或多種；及/或 <br/>步驟S3中所述的水解是在150至200℃的溫度下進行；及/或 <br/>步驟S3中所述的水解進行4至8小時。
如請求項28之方法，其中： <br/>該極性溶劑是選自水、甲醇、乙醇、乙腈、四氫呋喃、二乙二醇二甲醚及甲基異丁基酮中的一種或多種；及/或 <br/>步驟S3中所述的鹼是氫氧化鈉；及/或 <br/>步驟S3中所述的水解是在170至180℃的溫度下進行。
如請求項29之方法，其中該極性溶劑是水。
如請求項16或27之方法，其中該方法還包括如下步驟： <br/><img align="absmiddle" height="99px" width="216px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(S1) 使式(III)的5-硝基尿嘧啶及還原劑在無機鹼的存在下反應，得到式(II’)的5-胺基尿嘧啶，其中該無機鹼不是氨。
如請求項31之方法，其中： <br/>該無機鹼是選自氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鋰、碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸氫鈉及碳酸氫鉀中的一種或多種；及/或 <br/>在步驟S1中，相對於該式(III)的5-硝基尿嘧啶，使用1至6當量的該還原劑；及/或 <br/>該還原劑是選自Na<sub>2</sub>S<sub>2</sub>O<sub>4</sub>、氫氣、鐵粉及鋅粉中的一種或多種；及/或 <br/>步驟S1中的反應溫度為60至90℃，或70至85℃，或75至85℃；及/或 <br/>步驟S1中的反應時間為1至10小時，或2至8小時，或3至6小時。
如請求項32之方法，其中： <br/>該無機鹼是碳酸氫鈉；及/或 <br/>在步驟S1中，相對於該式(III)的5-硝基尿嘧啶，使用4-6當量的該還原劑；及/或 <br/>該還原劑是Na<sub>2</sub>S<sub>2</sub>O<sub>4</sub>；及/或 <br/>步驟S1中的反應溫度為75至80℃或80至85℃；及/或 <br/>步驟S1中的反應時間為3、4、5或6小時。
一種使一光學元件熱變形之方法，該光學元件包含熱膨脹係數為溫度依賴性(temperature dependent)之一材料，該方法包含： <br/>轉移熱至該光學元件或自該光學元件轉移熱以建立該光學元件之一溫度設定點(temperature set point)，使得該熱膨脹係數具有一非零值，及 <br/>加熱該光學元件以產生該光學元件之一熱變形， <br/>其中加熱該光學元件包含選擇性地加熱該光學元件， <br/>其中選擇性地加熱該光學元件包含選擇性地加熱該光學元件之複數個區中之一或多者，以在該光學元件之該複數個區中之該一或多者處產生該熱變形，且 <br/>其中該熱膨脹係數之一正負號(sign)在該加熱器之一加熱啟動範圍的大部分或全部內對於該光學元件之該複數個區中之該一或多者的該材料之大部分或全部係相同的。
如請求項1之方法，其中一熱交換器經應用以轉移熱至該光學元件或自該光學元件轉移熱，且其中一加熱器經應用以加熱該光學元件。
如請求項1或2之方法，其中該熱膨脹係數在一零交叉溫度下實質上為零及/或具有隨溫度而變的一局部最小值。
如請求項2之方法，其中該熱交換器至少部分整合於該光學元件中。
如請求項4之方法，其中該熱交換器包含整合於該光學元件中之一通道，該通道經組態以接納一流體以用於與該光學元件交換熱。
如請求項1之方法，其進一步包含建立該溫度設定點，使得來自該加熱器的該熱之一變化在該加熱器之該加熱啟動範圍的大部分或全部內導致該光學元件之該複數個區中之該一或多者在-10 nm至+10 nm之一範圍內的該熱變形之一變化。
如請求項1或2之方法，其進一步包含建立該溫度設定點，使得該熱膨脹係數具有一值，該值在該加熱器之一加熱啟動範圍的大部分或全部內對於該光學元件之複數個區實質上類似。
如請求項1或2之方法，其進一步包含在距該材料之一零交叉溫度的1至8℃之一範圍內建立該溫度設定點。
如請求項1或2之方法，其中該材料之一零交叉溫度包含對於該光學元件之該複數個區中之該一或多者的局部零交叉溫度或對於該光學元件之一平均零交叉溫度。
如請求項1或2之方法，其中該溫度設定點大於該材料之一零交叉溫度或該溫度設定點小於該材料之該零交叉溫度。
如請求項1或2之方法，其中該光學元件包含一光學表面且其中該光學元件之複數個區界定於該光學表面與該熱交換器之間，且其中該光學表面包含對應於該複數個區之複數個局部區段。
如請求項11之方法，其進一步包含判定自該加熱器提供至該光學元件之該複數個區中之該一或多者的熱與該光學元件之該光學表面之該對應一或多個局部區段的該所得熱變形之間的關係。
如請求項2之方法，其進一步包含使用藉由一光學量測裝置獲得之對應光學量測校準該加熱器。
如請求項13之方法，其進一步包含使用藉由一波前感測器獲得之對應波前像差量測校準該加熱器。
如請求項13或14之方法，其進一步包含在該光學元件之EUV輻射曝光期間使用該經校準加熱器以在一微影裝置之操作期間操縱波前。
如請求項1或2之方法，其進一步包含基於所提供或判定之零交叉溫度來判定該溫度設定點。
如請求項2之方法，其進一步包含設定該熱交換器之一調節流體之一溫度以建立該光學元件之該溫度設定點。
如請求項11之方法，其進一步包含加熱對應於該光學元件之該複數個區中之該一或多者的該光學元件之該光學表面之一或多個局部區段。
如請求項2之方法，其中該加熱器包含具有經配置以對應地加熱該光學元件之該複數個區中之該一或多者之複數個分區的一分區加熱器。
一種用於使光學元件熱變形之裝置，其包含： <br/>至少一個光學元件，該至少一個光學元件包含熱膨脹係數為溫度依賴性之一材料， <br/>一熱交換器，其經配置以轉移熱至該光學元件或自該光學元件轉移熱以建立該光學元件之一溫度設定點，使得該熱膨脹係數具有一非零值， <br/>一加熱器，其經配置以加熱該光學元件以產生該光學元件之一熱變形， <br/>其中該加熱器經配置以藉由選擇性地加熱該光學元件之複數個區中之一或多者而選擇性地加熱該光學元件，以在該光學元件之該複數個區中之該一或多者處產生該熱變形，且 <br/>其中該熱膨脹係數之一正負號在該加熱器之一加熱啟動範圍的大部分或全部內對於該光學元件之該複數個區中之該一或多者的該材料之大部分或全部係相同的。
如請求項20之裝置，其中該熱膨脹係數在一零交叉溫度下實質上為零及/或具有隨溫度而變的一局部最小值。
如請求項20或21之裝置，其中該溫度設定點經建立以使得來自該加熱器的熱之一變化在該加熱器之該加熱啟動範圍的大部分或全部內導致該光學元件之該複數個區中之該一或多者在-10至+10 nm之一範圍內的該熱變形之一變化。
如請求項20或21之裝置，其中該光學元件包含一光學表面且其中複數個區界定於該光學表面與該熱交換器之間，且其中該光學表面包含對應於該複數個區之複數個局部區段，且其中該加熱器經配置以加熱對應於該光學元件之該複數個區中之該一或多者的該光學表面之該複數個局部區段中之一或多個局部區段。
如請求項20或21之裝置，其中該加熱器包括產生該光學元件之該複數個區中之該一或多者之該熱變形的一電磁波源。
如請求項20或21之裝置，其中該熱交換器包含用於通過該光學元件中之至少一個通道的調節流體。
如請求項25之裝置，其中該光學元件之該複數個區界定於該光學元件之該光學表面與用於該調節流體的該光學元件中之該至少一個通道之間。
如請求項20或21之裝置，其中該加熱器包含具有經配置以對應地加熱該光學元件之該複數個區中之該一或多者之複數個分區的一分區加熱器。
如請求項20或21之裝置，其中該光學元件為一鏡面。
一種微影裝置，其包含經組態以投影一輻射光束以將一圖案自一圖案化器件投影至一基板上之一投影系統，其中該微影裝置包含如請求項20至28中任一項之裝置。
如請求項29之微影裝置，其中該微影裝置為一EUV微影裝置且該投影系統包含鏡面。
一種用於識別及補償在匹配網路之間的變異之系統，其包括： <br/>產生器； <br/>匹配網路u，其包括： <br/>耦接至所述產生器的輸入； <br/>被配置以用於電性耦合至電漿室之內的電漿負載的輸出；以及 <br/>具有藉由狀態C<sub>1</sub>至C<sub>K</sub>描述的可變位置的可變電抗構件； <br/>操作模型E_u(C,f)，其描述所述匹配網路u在其操作範圍上與標稱的偏差的特徵，所述操作模型E_u(C,f)具有參數p1至pL，其經由利用一或多個典範負載器具、所述狀態C1至CK、以及一或多個產生器之頻率f的校準而被判斷出； <br/>校正構件，其被配置以在所述產生器以及所述匹配網路u的處理條件期間： <br/>存取所述產生器的操作頻率f’； <br/>在所述匹配網路u已經針對於所述電漿負載而被調諧之後存取所述狀態C<sub>1</sub>至C<sub>K</sub>； <br/>輸入所述操作頻率f’以及所述狀態C<sub>1</sub>至C<sub>K</sub>至所述操作模型E_u(C,f)，以產生校正因數ε；以及 <br/>指示所述產生器及/或所述匹配網路u根據所述校正因數ε來進行調整。
如請求項1之系統，其中所述校正構件被配置在所述匹配網路u之內。
如請求項2之系統，其中所述操作模型E_u(C,f)被配置在所述匹配網路u之內。
如請求項2之系統，其中所述操作模型E_u(C,f)被配置在所述匹配網路u的外部。
如請求項1之系統，其中所述校正構件被配置在所述匹配網路u的外部。
如請求項5之系統，其中所述操作模型E_u(C,f)被配置在所述匹配網路u之內。
如請求項5之系統，其中所述操作模型E_u(C,f)被配置在所述匹配網路u的外部。
如請求項7之系統，其中所述校正構件以及所述操作模型E_u(C,f)被配置在所述產生器中。
如請求項1之系統，其中所述一或多個典範負載器具是具有可變電抗構件的單一典範負載器具。
如請求項1之系統，其中預處理校準牽涉到對於所述一或多個典範負載器具以及測試產生器的頻率f的M個組合開發一組M個限制，其藉由對於所述M個組合的每一個： <br/>在所述頻率f中的所選頻率下，從所述測試產生器透過所述匹配網路u來施加電力至所選典範負載器具； <br/>調諧所述匹配網路u至所選典範負載器具； <br/>量測在所述產生器以及所述匹配網路u之間的輸入特徵； <br/>量測在所選典範負載器具之後的輸出特徵； <br/>給定所選典範負載器具的已知電阻及電抗以及所述匹配網路u的所述操作模型E_u(C,f)，外插在所述匹配網路u以及所選典範負載器具之間的中間特徵； <br/>針對於所述M個組合中之所選組合，根據所述輸入特徵、所述中間特徵、以及所述輸出特徵來計算所述匹配網路u的特徵；以及 <br/>針對於所述M個組合的所述所選組合，利用所述匹配網路u的所述特徵以形成所述一組M個限制中的限制。
如請求項10之系統，其中所述測試產生器是所述產生器。
如請求項10之系統，其中所述匹配網路u的所述特徵從包含以下之群組所選出：功率、效率、電阻、電抗、電壓、以及電流。
如請求項1之系統，其中額外的所述校正因數ε隨著所述匹配網路u持續調諧而從所述操作模型E_u(C,f)被判斷出。
一種用於識別及補償在匹配網路之間的變異之方法，其包括： <br/>針對於典範負載器具以及測試產生器之頻率f的M個組合來產生一組M個限制，其中M等於或大於L，其藉由： <br/>在所述頻率f中的所選頻率下，透過匹配網路以從所述測試產生器施加電力至所述典範負載器具中的所選一個； <br/>調諧所述匹配網路至與參考負載串聯的所述典範負載器具中的所述所選一個； <br/>量測在所述測試產生器以及所述匹配網路之間的輸入特徵； <br/>量測在所述典範負載器具中的所述所選一個之後的輸出特徵； <br/>利用所述輸入特徵與所述輸出特徵以外推在所述匹配網路以及所述典範負載器具中的所述所選一個之間的中間特徵； <br/>針對於所述M個組合的所選組合，根據所述輸入特徵、所述中間特徵、以及所述輸出特徵來計算所述匹配網路的一或多個特徵；以及 <br/>針對於所述M個組合的所述所選組合，利用所述匹配網路的所述一或多個特徵以形成所述M個限制中的限制；以及 <br/>根據所述M個限制來估計廣義模型E(p,C,f)的參數p<sub>1</sub>至p<sub>L</sub>，以給予就所述參數p<sub>1</sub>至p<sub>L</sub>而論的操作模型E_u(C,f)，並且具有輸入之狀態C<sub>1</sub>至C<sub>K</sub>以及製程產生器的頻率f，所述操作模型E_u(C,f)描述所述匹配網路在其操作範圍上與標稱的偏差。
如請求項14之方法，其中所述匹配網路的所述一或多個特徵是功率傳輸的效率。
如請求項15之方法，其進一步包括補償所述製程產生器的電力輸出，以補償所述匹配網路的所述效率。
如請求項14之方法，其中所述匹配網路的所述一或多個特徵從包含以下之群組所選出：功率、電阻、電抗、電壓、以及電流。
如請求項14之方法，其進一步包括調整所述製程產生器的功率及/或頻率，以補償藉由所述操作模型E_u(C,f)所決定的校正因數ε。
如請求項14之方法，其中所述測試產生器是所述製程產生器。
如請求項14之方法，其進一步包括開始製造條件、調諧所述匹配網路、輸入所述製程產生器的所述頻率f以及所述匹配網路之所述狀態C<sub>1</sub>至C<sub>K</sub>至所述操作模型E_u(C,f)以給出校正因數ε、以及利用所述校正因數ε來調整所述製程產生器及/或所述匹配網路。
一種非暫態實體的電腦可讀取儲存媒體，其被編碼有處理器可讀取指令以執行用於識別M個限制之方法，所述M個限制被利用以形成匹配網路的考量與標稱的變異的操作模型，所述方法包括針對於典範負載器具以及測試產生器之頻率f的M個組合產生一組所述M個限制，其中M等於或是大於L，其藉由： <br/>在所述頻率f中的所選頻率下，透過所述匹配網路以從所述測試產生器施加電力至所述典範負載器具中的所選一個； <br/>調諧所述匹配網路至所述典範負載器具的所述所選一個以及參考負載； <br/>量測在所述測試產生器以及所述匹配網路之間的輸入特徵； <br/>量測在所述典範負載器具的所述所選一個之後的輸出特徵； <br/>利用所述輸入特徵與所述輸出特徵以外推在所述匹配網路以及所述典範負載器具的所述所選一個之間的中間特徵； <br/>針對於所述M個組合的所選組合，根據所述輸入特徵、所述中間特徵、以及所述輸出特徵來計算所述匹配網路的一或多個特徵。
一種用於生長SiC晶體的爐設備(100)，包含：爐單元(102)，其中該爐單元(102)包含具有外表面(242)及內表面(240)之爐殼體(108)，至少一個坩堝單元(106)，其中該坩堝單元(106)配置在該爐殼體(108)內側，其中該坩堝單元(106)包含坩堝殼體(110)，其中該殼體(110)具有外表面(112)及內表面(114)，其中該內表面(114)至少部分地界定坩堝體積(116)，其中用於收容固體SiC源材料(120)的收容空間(118)配置或形成在該坩堝體積(116)內側，其中用於固持所界定之晶種晶圓(18)的晶種夾具單元(122)配置在該坩堝體積(116)內側，其中該爐殼體內壁(240)及該坩堝殼體外壁(112)界定爐體積(104)，至少一個加熱單元(124)，用於加熱該源材料(120)，其中用於收容該源材料(120)之收容空間(118)至少部分地配置在該加熱單元(124)上方及該晶種夾具單元(122)下方，其特徵在於，提供坩堝氣體流動單元(170)，用於造成氣體沿著該坩堝體積內側的氣體流動路徑流動，其中該氣體流動單元(170)包含用於將氣體導入該坩堝體積(116)之坩堝氣體入口管(172)，及用於經從由該坩堝氣體入口管(172)將導入該坩堝體積(116)的氣體從該坩堝體積(116)移除之坩堝氣體出口管(174)，及過濾器單元(130)配置在該坩堝氣體入口管(172)與該坩堝氣體出口管(174)之間的坩堝體積內側，用於至少捕獲Si<sub>2</sub>C昇華蒸氣、SiC<sub>2</sub>昇華蒸氣及Si昇華蒸氣。
如請求項1的爐設備，其中該氣體流動路徑延伸經過該過濾器單元。
如請求項2的爐設備，其中該過濾器單元(130)包含過濾器本體(138)，其中該過濾器本體(138)包含用於將包含Si<sub>2</sub>C蒸氣、SiC<sub>2</sub>蒸氣、Si蒸氣以及載體氣體及/或摻雜氣體、尤其是氬氣及/或氮氣之昇華蒸氣輸入該過濾器本體(138)的過濾器輸入表面(140)、及用於輸出經過濾之載體及摻雜氣體的輸出表面(142)，其中過濾器元件(144)配置在該過濾器輸入表面(140)與該輸出表面(142)之間，其中該過濾器元件(144)形成用於吸附及凝結Si蒸氣的截留區段(146)。
如請求項2或3的爐設備，其中該過濾器元件(144)形成從該過濾器輸入表面(140)至該輸出表面(142)之過濾器單元-氣體流動路徑(147)，其中該過濾器氣體流動路徑係該坩堝氣體入口管(172)與該坩堝氣體出口管(174)之間的氣體流動路徑之一部分，其中該過濾器元件(144)具有高度S1，且其中經過該過濾器元件(144)的過濾器單元-氣體流動路徑(147)具有長度S2，其中S2與S1相比為較長至少2倍、尤其是10倍。
如請求項2或3的爐設備，其中該過濾器單元(130)配置在坩堝下殼體(152)與坩堝上殼體(154)之間，其中該過濾器本體(138)形成過濾器外表面(156)，其中該過濾器外表面(156)連接該坩堝下殼體(152)及該坩堝上殼體(154)，其中該過濾器外表面(156)形成坩堝殼體(110)的外表面(112)之一部分。
如請求項5的爐設備，其中該過濾器外表面(156)包含過濾器外表面覆蓋元件(158)，其中該過濾器外表面覆蓋元件(158)係密封元件(134)，其中該密封元件(134)係過濾器塗層(135)，其中該過濾器塗層(135)於該過濾器表面(156)產生或附著至該過濾器表面(156)或形成該過濾器表面(156)。
如請求項5的爐設備，其中該過濾器本體(138)形成過濾器內表面(162)，其中該過濾器內表面(162)形成過濾器通孔。
如請求項7的爐設備，其中該過濾器內表面(162)包含另一過濾器內表面覆蓋元件(164)，其中該另一過濾器內表面覆蓋元件(164)係密封元件(134)，其中該密封元件(134)係過濾器塗層(134)，其中該過濾器塗層(134)於該過濾器表面(156)產生或附著至該過濾器表面(156)或形成該過濾器表面(156)。
如請求項8的爐設備，其中該過濾器通孔配置在該晶種夾具單元上方，其中該過濾器通孔之通孔中心軸線較佳係與晶種夾具單元軸線(AS)平行、尤其是同軸配置。
如請求項9的爐設備，其中該通孔中心軸線配置於至該晶種夾具單元中心軸線之晶種夾具單元的直徑或平均直徑或最大直徑之小於50%的距離中，且該過濾器通孔之直徑或平均直徑或最大直徑比該晶種夾具單元的直徑或平均直徑或最大直徑大20%以上。
如請求項2或3的爐設備，其中該收容空間位於該坩堝氣體入口管與該晶種夾具單元之間，用於引導氣體流動環繞該收容空間及/或經過該收容空間。
如請求項11的爐設備，其中提供源材料固持板，其中該源材料固持板包含形成該收容空間之底部區段的上表面及形成源材料固持板-氣體流動路徑-邊界區段之下表面。
如請求項12的爐設備，其中該源材料固持板包含多數個通孔，其中該多數個通孔從該源材料固持板之上表面延伸經過該源材料固持板的主要本體至該源材料固持板之下表面，其中至少大部分該多數個通孔具有小於12mm。
如請求項13的爐設備，其中經過該源材料固持板之主要本體的通孔數量取決於該源材料固持板之上表面的表面尺寸大小，其中該上表面之每10cm<sup>2</sup>表面尺寸大小提供至少一個通孔。
如請求項14的爐設備，其中與該源材料固持板之徑向內區段相比，每10cm<sup>2</sup>的通孔數量在該源材料固持板之徑向外區段中更高，其中該徑向內區段延伸直至該源材料固持板的徑向延伸部之20%或30%或40%或50%，其中該源材料固持板的徑向外區段延伸於該徑向內區段與該源材料固持板的徑向端部之間。
如請求項15的爐設備，其中該源材料固持板之下表面與該坩堝殼體的底部壁面區段一起形成氣體導引間隙或氣體導引通道，用於將氣體從該坩堝氣體入口管導引至該收容空間或環繞該收容空間、尤其是至該源材料固持板之通孔。
如請求項16的爐設備，其中提供用於在該坩堝體積(116)內側設置坩堝體積壓力(P1)之壓力單元(132)，其中該壓力單元(132)構造來造成坩堝體積壓力(P1)高於2666.45Pa，或在2666.45Pa與50000.00Pa之間的範圍中。
一種用於生產SiC材料的方法，至少包含以下步驟：提供至少一個如請求項1至17中任一項的爐設備，將源材料配置在該坩堝殼體內的收容空間中，加熱該源材料，將載體氣體饋送進入該坩堝殼體。
如請求項18的方法，其中經由坩堝氣體出口管(174)將該載體氣體從該坩堝殼體移除。
如請求項18或19的方法，其中至少50%(質量)之源材料係提供作為碎片，其具有超過0.5cm<sup>3</sup>。
如請求項18或19的方法，其中該源材料係固體SiC材料，其中該源材料包含小於99.999999%(ppm wt)之以下物質B(硼)、Al(鋁)、P(磷)、Ti(鈦)、V(釩)、Fe(鐵)、Ni(鎳)的一種、多數種或全部。
如請求項21的方法，其特徵在於以下步驟：在該坩堝體積內側產生高於2666.45Pa或在2666.45Pa與50000.00Pa之間的範圍中的坩堝體積壓力(P1)。
一種三次元模型生成方法，藉由電腦來執行，前述三次元模型生成方法進行以下步驟：<br/> 取得藉由從第1視點拍攝被攝體而得到之第1圖像、與藉由從第2視點拍攝前述被攝體而得到之第2圖像；<br/> 至少在前述第1圖像中檢測出第1線，前述第1線由連續之邊緣所構成且和前述被攝體的輪廓對應；<br/> 依據前述第1圖像、前述第2圖像以及前述第1線，生成在前述電腦內的三次元空間中表現前述輪廓之複數個第1三次元點，<br/> 前述三次元模型生成方法為了前述複數個第1三次元點的生成而執行：<br/> (i)依據前述第1線，來對依據前述第1圖像及前述第2圖像而取得的複數個第2三次元點當中和前述輪廓對應的複數個第3三次元點的位置進行補正，前述複數個第2三次元點表現前述被攝影體；或<br/> (ii)使用前述第1線以及前述第2圖像中之與前述輪廓對應的第2線，來對前述第1圖像及前述第2圖像的每一個圖像進行補正，並在補正後之前述第1圖像以及補正後之前述第2圖像中進行搜尋相互的類似點之匹配。
如請求項1之三次元模型生成方法，其中前述第1線可用比前述第1圖像的像素單位更小的單位來表現。
如請求項1之三次元模型生成方法，其進一步藉由在前述第1圖像以及前述第2圖像中進行搜尋相互的類似點之匹配，來生成在前述三次元空間中表現前述被攝體之複數個第2三次元點。
如請求項1之三次元模型生成方法，其為了前述複數個第1三次元點的生成，而藉由對前述複數個第3三次元點進行主成分分析來特定出平面，並以使前述複數個第3三次元點接近於前述平面之方式來補正前述複數個第3三次元點的位置。
如請求項4之三次元模型生成方法，其為了前述複數個第1三次元點的生成，而將第1平面以及第2平面當中的自前述複數個第3三次元點起算之距離的總和較小的平面作為前述平面來生成，其中前述第1平面是通過前述複數個第3三次元點的重心，且以在前述主成分分析中所得到的第1主成分作為法線之平面，前述第2平面是通過前述重心，且以在前述主成分分析中所得到的第2主成分作為法線之平面。
如請求項1之三次元模型生成方法，其為了前述複數個第1三次元點的生成，而藉由對前述複數個第3三次元點進行最小平方法來生成近似線，並以使前述複數個第3三次元點接近於前述近似線之方式來補正前述複數個第3三次元點的位置。
如請求項1之三次元模型生成方法，其為了前述複數個第1三次元點的生成，而將位在自前述第1視點起算之距離比預定的距離更近的位置之三次元點從前述複數個第1三次元點排除。
如請求項1之三次元模型生成方法，其為了前述複數個第1三次元點的生成，不使用在前述第1圖像以及前述第2圖像當中從預定之解析度以上的圖像所檢測出之邊緣。
如請求項1之三次元模型生成方法，其中在前述檢測中，是在前述第2圖像中檢測出前述第2線，前述第2線由連續之邊緣所構成且和前述被攝體的輪廓對應。
一種三次元模型生成裝置，具備處理器及記憶體，前述記憶體記憶程式，前述程式可由前述處理器執行而使前述三次元模型生成裝置執行以下步驟：<br/><br/> 取得藉由從第1視點拍攝被攝體而得到之第1圖像、與藉由從第2視點拍攝前述被攝體而得到之第2圖像；<br/> 至少在前述第1圖像中檢測出第1線，前述第1線由連續之邊緣所構成且和前述被攝體的輪廓對應；<br/> 依據前述第1圖像、前述第2圖像以及前述第1線，生成在電腦內的三次元空間中表現前述輪廓之複數個第1三次元點，<br/> 前述三次元模型生成裝置為了前述複數個第1三次元點的生成而執行：<br/> (i)依據前述第1線，來對依據前述第1圖像及前述第2圖像而取得的複數個第2三次元點當中和前述輪廓對應的複數個第3三次元點的位置進行補正，前述複數個第2三次元點表現前述被攝影體；或<br/> (ii)使用前述第1線以及前述第2圖像中之與前述輪廓對應的第2線，來對前述第1圖像及前述第2圖像的每一個圖像進行補正，並在補正後之前述第1圖像以及補正後之前述第2圖像中進行搜尋相互的類似點之匹配。
一種記錄媒體，其是非暫時性之電腦可讀取的記錄媒體，且儲存程式，前述程式可由處理器執行而使資訊處理裝置執行以下步驟：<br/> 取得藉由從第1視點拍攝被攝體而得到之第1圖像、與藉由從第2視點拍攝前述被攝體而得到之第2圖像；<br/> 至少在前述第1圖像中檢測出第1線，前述第1線由連續之邊緣所構成且和前述被攝體的輪廓對應；<br/> 依據前述第1圖像、前述第2圖像以及前述第1線，生成在前述電腦內的三次元空間中表現前述輪廓之複數個第1三次元點，<br/> 前述資訊處理裝置為了前述複數個第1三次元點的生成而執行：<br/> (i)依據前述第1線，來對依據前述第1圖像及前述第2圖像而取得的複數個第2三次元點當中和前述輪廓對應的複數個第3三次元點的位置進行補正，前述複數個第2三次元點表現前述被攝影體；或<br/> (ii)使用前述第1線以及前述第2圖像中之與前述輪廓對應的第2線，來對前述第1圖像及前述第2圖像的每一個圖像進行補正，並在補正後之前述第1圖像以及補正後之前述第2圖像中進行搜尋相互的類似點之匹配。
一種用於支援由行動設備執行的衛星定位系統（SPS）操作的方法，所述方法包括： <br/>從衛星載具（SV）接收第一定位信號； <br/>從與所述第一定位信號的相同所述SV接收第二定位信號； <br/>在第一時間處測量所述第一定位信號的第一載波相位（CP）測量和在第二時間處測量所述第一定位信號的第二CP測量； <br/>在第三時間處執行所述第二定位信號的第三CP測量和在第四時間處執行所述第二定位信號的第四CP測量；以及 <br/>利用所述第二定位信號的所述第三CP測量與所述第四CP測量之間的差來選擇校正的第二CP測量的整數值，並選擇所述第二CP測量的小數值為所述校正的第二CP測量的小數值，以估計所述第一定位信號的所述校正的第二CP測量。
根據請求項1所述的方法，其中選擇所述校正的第二CP測量的所述整數值至少部分地基於所述第二定位信號在所述第三時間處和所述第四時間處的所述第三CP測量和所述第四CP測量的投影。
根據請求項1所述的方法，其中所述第一時間等於所述第三時間，並且所述第二時間等於所述第四時間。
根據請求項1所述的方法，其中所述校正的第二CP測量是響應於在所述第一時間與所述第二時間之間在所述第一定位信號的CP中偵測到週期式滑脫而估計的。
根據請求項1所述的方法，其中所述校正的第二CP測量是響應於決定用於接收所述第一定位信號的一個或多個電路在所述第一時間與所述第二時間之間處於低功率狀態而估計的。
根據請求項1所述的方法，其中所述校正的第二CP測量是響應於決定在所述第一時間與所述第二時間之間存在對所述第一定位信號的接收的干擾而估計的。
根據請求項6所述的方法，其中所述第一定位信號是伽利略E1信號，並且其中決定存在對所述第一定位信號的接收的干擾包括：決定在所述第一時間與所述第二時間之間所述行動設備在B13或B14波段中對一個或多個信號的蜂巢式發送或接收對所述伽利略E1信號的接收造成干擾。
根據請求項6所述的方法，其中所述第一定位信號是GPS L1信號，並且其中決定存在對所述第一定位信號的接收的干擾包括：決定在所述第一時間與所述第二時間之間另一衛星信號對所述GPS L1信號的接收造成干擾。
根據請求項1所述的方法，其中所述第一定位信號是資料調變的全球導航衛星系統（GNSS）信號，並且其中估計所述第一定位信號在所述第二時間處的所述校正的第二CP測量包括：解決在失鎖後所述資料調變的GNSS信號中的半週期模糊。
根據請求項1所述的方法，其中所述第一定位信號是GPS L1信號，並且其中所述第二定位信號是GPS L5信號。
根據請求項1所述的方法，其中所述第一定位信號是GPS L5信號，並且其中所述第二定位信號是GPS L1信號。
根據請求項1所述的方法，其中所述第一定位信號是伽利略E1信號，並且其中所述第二定位信號是伽利略E5信號。
根據請求項1所述的方法，其中所述第一定位信號是伽利略E5信號，並且其中所述第二定位信號是伽利略E1信號。
一種被配置為支援衛星定位系統（SPS）操作的行動設備，所述行動設備包括： <br/>衛星定位系統（SPS）接收器，其被配置為在多個頻段上接收SPS信號； <br/>處理器，其被耦接到所述SPS接收器並且被配置為： <br/>從衛星載具（SV）接收第一定位信號； <br/>從與所述第一定位信號的相同所述SV接收第二定位信號； <br/>在第一時間處測量所述第一定位信號的第一載波相位（CP）測量和在第二時間處測量所述第一定位信號的第二CP測量； <br/>在第三時間處執行所述第二定位信號的第三CP測量和在第四時間處執行所述第二定位信號的第四CP測量；以及 <br/>利用所述第二定位信號的所述第三CP測量與所述第四CP測量之間的差來選擇校正的第二CP測量的整數值，並選擇所述第二CP測量的小數值為所述校正的第二CP測量的小數值，以估計所述第一定位信號的所述校正的第二CP測量。
根據請求項14所述的行動設備，其中所述處理器被配置為至少部分地基於所述第二定位信號在所述第三時間處和所述第四時間處的所述第三CP測量和所述第四CP測量的投影，來選擇所述校正的第二CP測量的所述整數值。
根據請求項14所述的行動設備，其中所述第一時間等於所述第三時間，並且所述第二時間等於所述第四時間。
根據請求項14所述的行動設備，其中所述處理器被配置為響應於在所述第一時間與所述第二時間之間在所述第一定位信號的CP中偵測到週期式滑脫而估計所述校正的第二CP測量。
根據請求項14所述的行動設備，其中所述處理器被配置為響應於決定用於接收所述第一定位信號的一個或多個電路在所述第一時間與所述第二時間之間處於低功率狀態而估計所述校正的第二CP測量。
根據請求項14所述的行動設備，其中所述處理器被配置為響應於決定在所述第一時間與所述第二時間之間存在對所述第一定位信號的接收的干擾而估計所述校正的第二CP測量。
根據請求項19所述的行動設備，其中所述第一定位信號是伽利略E1信號，並且其中所述處理器配置為透過決定在所述第一時間與所述第二時間之間所述行動設備在B13或B14波段中對一個或多個信號的蜂巢式發送或接收對所述伽利略E1信號的接收造成干擾，而決定存在對所述第一定位信號的接收的干擾。
根據請求項19所述的行動設備，其中所述第一定位信號是GPS L1信號，並且其中所述處理器被配置為透過決定在所述第一時間與所述第二時間之間另一衛星信號對所述GPS L1信號的接收造成干擾，而決定存在對所述第一定位信號的接收的干擾。
根據請求項14所述的行動設備，其中所述第一定位信號是資料調變的全球導航衛星系統（GNSS）信號，並且其中所述處理器被配置為透過解決在失鎖後所述資料調變的GNSS信號中的半週期模糊，而估計所述第一定位信號在所述第二時間處的所述校正的CP。
根據請求項14所述的行動設備，其中所述第一定位信號是GPS L1信號，並且其中所述第二定位信號是GPS L5信號。
根據請求項14所述的行動設備，其中所述第一定位信號是GPS L5信號，並且其中所述第二定位信號是GPS L1信號。
根據請求項14所述的行動設備，其中所述第一定位信號是伽利略E1信號，並且其中所述第二定位信號是伽利略E5信號。
一種被配置為支援衛星定位系統（SPS）操作的行動設備，所述行動設備包括： <br/>用於從衛星載具（SV）接收第一定位信號的構件； <br/>用於從與所述第一定位信號的相同所述SV接收第二定位信號的構件； <br/>用於在第一時間處測量所述第一定位信號的第一載波相位（CP）測量和在第二時間處測量所述第一定位信號的第二CP測量的構件； <br/>用於在第三時間處執行所述第二定位信號的第三CP測量和在第四時間處執行所述第二定位信號的第四CP測量的構件；以及 <br/>用於利用所述第二定位信號的所述第三CP測量與所述第四CP測量之間的差來選擇校正的第二CP測量的整數值，並選擇所述第二CP測量的小數值為所述校正的第二CP測量的小數值，以估計所述第一定位信號的所述校正的第二CP測量的構件。
一種包括儲存於其上的程式碼的非暫時性儲存媒體，所述程式碼可操作地配置行動設備中的至少一個處理器以支援衛星定位系統（SPS）操作，包括： <br/>用於從衛星載具（SV）接收第一定位信號的程式碼； <br/>用於從與所述第一定位信號相同的所述SV接收第二定位信號的程式碼； <br/>用於在第一時間處測量所述第一定位信號的第一載波相位（CP）測量和在第二時間處測量所述第一定位信號的第二CP測量的程式碼； <br/>用於在第三時間處執行所述第二定位信號的第三CP測量和在第四時間處執行所述第二定位信號的第四CP測量的程式碼；以及 <br/>用於利用所述第二定位信號的所述第三CP測量與所述第四CP測量之間的差來選擇校正的第二CP測量的整數值，並選擇所述第二CP測量的小數值為所述校正的第二CP測量的小數值，以估計所述第一定位信號的所述校正的第二CP測量的程式碼。
一種用於減少傳送和接收路徑資源之分時雙工（TDD）無線電組態之系統，其包含： <br/>一RF系統單晶片（RFSOC），其包含基頻帶通信電路系統以及用於傳送無線信號之增頻轉換器及用於接收無線信號之降頻轉換器； <br/>一傳送開關，其經由單一傳送線接收來自該RFSOC之複數個傳送信號，且用以隨時間推移一次一個地將該複數個傳送信號中的每一者連續地連接至複數個天線中之一者； <br/>一接收開關，其接收來自該複數個天線之複數個接收信號，且用以隨時間推移一次一個地將該複數個接收信號中的每一者在一單一接收線上連續地連接至該RFSOC；以及 <br/>一第一天線模組，該第一天線模組包含一循環器和一第一模組開關，其中該循環器經組態以將該傳送開關之一第一傳送信號耦接至該複數個天線中之一第一天線，且將該複數個天線中之該第一天線的一第一接收信號耦接至該第一模組開關； <br/>其中該複數個天線中之每一個天線正在傳送或正在接收。
如請求項1之系統，其中該第一模組開關經組態以在一第一時段期間將至該第一模組開關之一輸入連接至一匹配阻抗，且在一第二時段期間將該複數個天線中之該第一天線的該第一接收信號連接至該接收開關。
如請求項2之系統，其進一步包含一第二天線模組，該第二天線模組包含： <br/>一第二循環器，其經組態以將該傳送開關之一第二傳送信號耦接至該複數個天線中之一第二天線，且將該複數個天線中之該第二天線的一第二接收信號耦接至一第二模組開關； <br/>該第二模組開關，其經組態以在該第二時段期間將至該第二模組開關之一輸入連接至一匹配阻抗，且在該第一時段期間將該複數個天線中之該第二天線的該第二接收信號連接至該接收開關。
如請求項3之系統，其中該傳送開關經組態以在該第一時段期間經由該第一天線模組將該第一傳送信號連接至該第一天線，且經組態以在該第二時段期間經由該第二天線模組將該第二傳送信號連接至該第二天線。
如請求項3之系統，其中該接收開關經組態以在該第一時段期間將該第二天線模組的該第一接收信號連接至該RFSOC，且經組態以在該第二時段期間將該第一天線模組之該第二接收信號連接至該RFSOC。
如請求項1之系統，其進一步包含： <br/>複數個傳送開關，其包括該傳送開關； <br/>複數個接收開關，其包括該接收開關； <br/>一或多個傳送多工器； <br/>一或多個接收多工器； <br/>其中該一或多個傳送多工器中之每一者經由一單一傳送線接收來自該RFSOC的傳送信號並且經由多個傳送線產生用於該複數個傳送開關之子複數個傳送開關之傳送信號，其中該些傳送信號包括多個傳送頻帶；並且 <br/>其中該一或多個接收多工器中之每一者經由多個接收線接收來自該複數個接收開關之子複數個接收開關的接收信號並且經由一單一接收線將該些接收信號提供至該RFSOC，其中該些接收信號包括多個接收頻帶。
如請求項6之系統，其中該RFSOC在一足夠高的頻率下操作以處理具有該多個傳送頻帶之該些傳送信號及具有該多個接收頻帶之該些接收信號。
如請求項6之系統，其中該些傳送信號產生用於該多個傳送頻帶中之每一者及該多個接收頻帶中之一對應一者的一個別傳送波束。
如請求項6之系統，其中該些傳送多工器中之每一者包括用於在該多個傳送頻帶中之每一者處進行頻率匹配的電子電路系統。
如請求項6之系統，其中該些接收多工器中之每一者包括用於在該多個接收頻帶中之每一者處進行頻率匹配的電子電路系統。
如請求項6之系統，其中該多個傳送頻帶中之每一者具有該多個接收頻帶中的一對應一者。
如請求項6之系統，其中當該系統經組態以在大部分時間內傳送無線通信時，該系統包含比接收多工器更多的傳送多工器，且其中當該系統經組態以在大部分時間內接收無線通信時，該系統包含比傳送多工器更多之接收多工器。
如請求項11之系統，其中該些傳送開關中之一者用以經由該多個傳送頻帶中的一者傳送一無線信號，同時該些接收開關中之一者用以經由該多個接收頻帶中之一者接收一無線信號。
一種用於減少傳送和接收路徑資源之分時雙工（TDD）無線電組態之方法，其包含： <br/>藉由一RF系統單晶片（RFSOC）對傳送及接收無線信號進行增頻轉換及降頻轉換； <br/>藉由一傳送開關經由單一傳送線接收來自該RFSOC之複數個傳送信號，隨時間推移一次一個地將該複數個傳送信號中的每一者連續地連接至複數個天線中之一者； <br/>藉由一接收開關接收來自該複數個天線之複數個接收信號，且隨時間推移一次一個地將該複數個接收信號中的每一者在一單一接收線上連續地連接至該RFSOC；以及 <br/>藉由一第一天線模組之一循環器將該傳送開關的一第一傳送信號耦接至該複數個天線中之一第一天線，且藉由該循環器將該複數個天線中之該第一天線的一第一接收信號耦接至一第一模組開關； <br/>其中該複數個天線中之每一個天線正在傳送或正在接收。
如請求項14之方法，其進一步包含： <br/>藉由該第一模組開關在一第一時段期間將至該第一模組開關之一輸入連接至一匹配阻抗，且藉由該第一模組開關在一第二時段期間將該複數個天線中之該第一天線的該第一接收信號連接至該接收開關。
如請求項15之方法，其進一步包含： <br/>藉由一第二天線模組之一第二循環器將該傳送開關的一第二傳送信號耦接至該複數個天線中之一第二天線，且藉由該第二循環器將該複數個天線中之該第二天線的一第二接收信號耦接至一第二模組開關； <br/>藉由該第二模組開關在該第二時段期間將至該第二模組開關之一輸入連接至一匹配阻抗，且藉由該第二模組開關在該第一時段期間將該複數個天線中之該第二天線的該第二接收信號連接至該接收開關。
如請求項16之方法，其中該傳送開關經組態以在該第一時段期間經由該第一天線模組將該第一傳送信號連接至該第一天線，且經組態以在該第二時段期間經由該第二天線模組將該第二傳送信號連接至該第二天線。
如請求項17之方法，其中該接收開關經組態以在該第一時段期間將該第二天線模組的該第一接收信號連接至該RFSOC，且經組態以在該第二時段期間將該第一天線模組之該第二接收信號連接至該RFSOC。
如請求項14之方法，其中複數個傳送開關包括該傳送開關，且複數個接收開關包括該接收開關，且該方法進一步包含： <br/>藉由一或多個傳送多工器中之每一者經由一單一傳送線接收來自該RFSOC的傳送信號並且藉由該一或多個傳送多工器中之每一者經由多個傳送線產生用於該複數個傳送開關之子複數個傳送開關的傳送信號，其中該些傳送信號包括多個傳送頻帶；以及 <br/>藉由一或多個接收多工器中之每一者經由多個接收線接收來自該複數個接收開關之子複數個接收開關的接收信號並且藉由該一或多個接收多工器中之每一者經由一單一接收線將該些接收信號提供至該RFSOC，其中該些接收信號包括多個接收頻帶。
如請求項19之方法，其中當在大部分時間內傳送無線通信時，該一或多個傳送多工器的數目大於該一或多個接收多工器的數目，且其中當在大部分時間內接收無線通信時，該一或多個接收多工器的數目大於該一或多個傳送多工器的數目。
一種半導體記憶體裝置，包括：位元線，在第一方向上延伸；通道圖案，位於所述位元線上，所述通道圖案包含接觸所述位元線的第一氧化物半導體層及所述第一氧化物半導體層上的第二氧化物半導體層，所述第一氧化物半導體層及所述第二氧化物半導體層中的每一者包含平行於所述位元線的水平部分及自所述水平部分豎直地突出的第一豎直部分及第二豎直部分；第一字元線及第二字元線，位於所述第二氧化物半導體層的所述第一豎直部分與所述第二豎直部分之間且位於所述第二氧化物半導體層的所述水平部分上，所述第一字元線及所述第二字元線延行跨越所述位元線；以及閘極介電圖案，位於所述通道圖案與所述第一字元線及所述第二字元線之間，其中所述第二氧化物半導體層的厚度大於所述第一氧化物半導體層的厚度，其中所述第一氧化物半導體層和所述第二氧化物半導體層彼此接觸，並且其中所述第一氧化物半導體層中的鎵(Ga)的濃度大於所述第二氧化物半導體層中的鎵(Ga)的濃度。
如請求項1所述的半導體記憶體裝置，其中所述第一氧化物半導體層及所述第二氧化物半導體層中的每一者包含氧化銦鎵鋅(IGZO)。
如請求項1所述的半導體記憶體裝置，其中所述第一氧化物半導體層的帶隙大於所述第二氧化物半導體層的帶隙。
如請求項1所述的半導體記憶體裝置，其中所述第一氧化物半導體層的功函數小於所述第二氧化物半導體層的功函數。
如請求項1所述的半導體記憶體裝置，其中所述第一字元線及所述第二字元線中的任一者的頂部表面位於比所述第二氧化物半導體層的所述第一豎直部分及所述第二豎直部分中的任一者的頂部表面的最低位準更低的位準處。
如請求項1所述的半導體記憶體裝置，其中所述通道圖案的厚度在約4奈米至約10奈米的範圍內。
如請求項6所述的半導體記憶體裝置，其中所述第一氧化物半導體層的所述厚度在約1奈米至約3奈米的範圍內，且所述第二氧化物半導體層的所述厚度在約3奈米至約7奈米的範圍內。
如請求項1所述的半導體記憶體裝置，其中所述通道圖案包含平行於所述位元線的水平部分，及自所述通道圖案的所述水平部分豎直地突出的第一豎直部分及第二豎直部分，所述通道圖案的所述水平部分包含所述第一氧化物半導體層的所述水平部分及所述第二氧化物半導體層的所述水平部分，所述通道圖案的所述第一豎直部分包含所述第一氧化物半導體層的所述第一豎直部分及所述第二氧化物半導體層的所述第一豎直部分，且所述通道圖案的所述第二豎直部分包含所述第一氧化物半導體層的所述第二豎直部分及所述第二氧化物半導體層的所述第二豎直部分。
如請求項8所述的半導體記憶體裝置，其中所述通道圖案的所述第一豎直部分連接至第一資料儲存圖案，且所述通道圖案的所述第二豎直部分連接至第二資料儲存圖案。
一種光學積層體之製造方法，包含以下步驟：<br/> 分離件貼合步驟，其係透過形成於分離件上之黏著劑層，將前述分離件貼合於偏光板上；及<br/> 複數次之分離件剝離・貼合步驟，其係在將前述分離件從前述黏著劑層剝離後，透過前述黏著劑層將分離件貼合於前述偏光板上；<br/> 複數次之前述分離件剝離・貼合步驟包含：<br/> 分離件換貼步驟，其係透過前述黏著劑層將與前述已剝離之分離件不同之新分離件貼合於前述偏光板上；及<br/> 透過前述黏著劑層將與前述已剝離之分離件相同之分離件貼合於前述偏光板上的步驟。
如請求項1之光學積層體之製造方法，其在進行前述分離件換貼步驟之後，進行透過前述黏著劑層將與前述已剝離之分離件相同之分離件貼合於前述偏光板上的步驟。
如請求項1或2之光學積層體之製造方法，其中複數次之前述分離件剝離・貼合步驟中，至少1次之前述分離件剝離・貼合步驟係兼作檢查步驟，該檢查步驟係在剝離分離件後，檢查前述偏光板。
如請求項1或2之光學積層體之製造方法，其包含表面保護薄膜貼合步驟，該表面保護薄膜貼合步驟係在前述分離件換貼步驟之後，於前述偏光板貼合表面保護薄膜。
如請求項1或2之光學積層體之製造方法，其中前述分離件貼合步驟包含黏著劑層形成步驟，該黏著劑層形成步驟係於分離件塗佈黏著劑，並將前述已塗佈之黏著劑加熱使其硬化而形成前述黏著劑層。
如請求項5之光學積層體之製造方法，其中前述分離件換貼步驟中，要貼合於前述偏光板之前述新分離件的彈性模數高於前述黏著劑層形成步驟後之分離件的彈性模數。
如請求項1或2之光學積層體之製造方法，其中前述分離件換貼步驟中，剝離前述分離件後至貼合前述新分離件為止之時間為1分鐘以內。
如請求項1或2之光學積層體之製造方法，其中前述分離件換貼步驟中，係藉由貼合滾筒貼合前述新分離件與前述偏光板；<br/> 前述分離件或前述新分離件進入前述貼合滾筒之進入角度小於90°，且前述偏光板進入前述貼合滾筒之進入角度小於90°。
如請求項8之光學積層體之製造方法，其中前述貼合滾筒係由接觸前述分離件之第1滾筒與接觸前述偏光板之第2滾筒構成，並且<br/> 前述第1滾筒及前述第2滾筒中，其中一者之表面係由樹脂形成，另一者之表面係由金屬形成。
如請求項9之光學積層體之製造方法，其中前述第1滾筒之表面係由金屬形成，<br/> 前述第2滾筒之表面係由樹脂形成。
一種道路上的車輛的車道映射和定位的方法，所述方法包括： <br/>在第一時間處將參考系設定為包括第一參考系的第一錨座標系； <br/>當所述參考系為所述第一錨座標系： <br/>相對於所述參考系決定表示被追蹤的車道邊界的車道邊界狀態的第一參數值集合； <br/>沿著所述道路的第一部分偵測第一候選車道邊界； <br/>根據所述第一候選車道邊界與所述被追蹤的車道邊界的關聯來更新所述被追蹤的車道邊界；以及 <br/>決定所述車輛相對於所述被追蹤的車道邊界的位置； <br/>在決定所述車輛的所述位置之後的第二時間處響應觸發事件，將所述參考系變為包括第二參考系的第二錨座標系；以及 <br/>當所述參考系為所述第二錨座標系： <br/>相對於所述參考系決定所述車道邊界狀態的第二參數值集合； <br/>沿著所述道路的第二部分偵測第二候選車道邊界；以及 <br/>根據所述第二候選車道邊界與所述被追蹤的車道邊界的關聯來更新所述被追蹤的車道邊界。
根據請求項1所述的方法，其中，所述觸發事件包括： <br/>自所述第一時間以來已經經過的時間長度， <br/>自所述第一時間以來所述車輛行駛的距離，或 <br/>自所述第一時間以來已經增長的不確定度值， <br/>或其任何組合。
根據請求項1所述的方法，還包括：提供輸出資訊，所述輸出資訊包括指示所決定的所述車輛的位置、所述第二參數值集合、或兩者的資訊。
根據請求項3所述的方法，其中，提供所述輸出資訊包括將所述輸出資訊提供給： <br/>所述車輛的先進駕駛員輔助系統（ADAS），或 <br/>所述車輛的用戶介面，或 <br/>兩者。
根據請求項1所述的方法，其中，所述道路的所述第一部分與所述道路的所述第二部分至少部分地重疊。
根據請求項1所述的方法，其中，所述第一參數值集合和所述第二參數值集合包括參數的值，所述參數包括： <br/>所述車道邊界的前進方向， <br/>所述車道邊界的曲率， <br/>所述車道邊界的偏移，或 <br/>所述車道邊界上的點，或 <br/>其任何組合。
根據請求項1所述的方法，其中，所述決定所述車輛的所述位置包括： <br/>獲得指示所述車輛沿著所述道路的移動的感測器資訊，以及 <br/>使用所述感測器資訊來決定所述車輛的所述位置。
根據請求項7所述的方法，其中，所述感測器資訊包括來自以下各者的移動資訊： <br/>位於所述車輛上的慣性測量單元（IMU）感測器， <br/>位於所述車輛上的輪速感測器， <br/>無線信號測量， <br/>位於所述車輛上的GNSS感測器，或 <br/>位於所述車輛上的相機感測器，或 <br/>其任何組合。
根據請求項1所述的方法，其中，所述第一參數值集合和所述第二參數值集合以兩個維度描述所述車道邊界，使得所述車道邊界從所述錨座標系的平面到位於所述車輛上的相機的圖像平面上的投影與所述車道邊界從所述錨座標系的平面到所述圖像平面上的投影重疊。
一種行動設備，包括： <br/>感測器； <br/>記憶體；以及 <br/>與所述感測器和所述記憶體通信地耦接的一個或多個處理單元，所述一個或多個處理單元被配置為： <br/>在第一時間處將參考系設定為包括第一參考系的第一錨座標系； <br/>當所述參考系為所述第一錨座標系： <br/>相對於所述參考系決定表示被追蹤的車道邊界的車道邊界狀態的第一參數值集合； <br/>沿著所述道路的第一部分偵測第一候選車道邊界； <br/>根據所述第一候選車道邊界與所述被追蹤的車道邊界的關聯來更新所述被追蹤的車道邊界；以及 <br/>決定所述車輛相對於所述被追蹤的車道邊界的位置； <br/>在決定所述車輛的所述位置之後的第二時間處響應觸發事件，將所述參考系變為包括第二參考系的第二錨座標系；以及 <br/>當所述參考系為所述第二錨座標系： <br/>相對於所述參考系決定所述車道邊界狀態的第二參數值集合； <br/>沿著所述道路的第二部分偵測第二候選車道邊界；以及 <br/>根據所述第二候選車道邊界與所述被追蹤的車道邊界的關聯來更新所述被追蹤的車道邊界。
根據請求項10所述的行動設備，其中，所述一個或多個處理單元還被配置為偵測所述觸發事件，所述觸發事件包括： <br/>自所述第一時間以來已經經過的時間長度， <br/>自所述第一時間以來所述車輛行駛的距離，或 <br/>自所述第一時間以來已經增長的不確定度值， <br/>或者其任何組合。
根據請求項10所述的行動設備，其中，所述一個或多個處理單元還被配置為提供輸出資訊，所述輸出資訊指示所決定的所述車輛的位置、所述第二參數值集合、或兩者。
根據請求項12所述的行動設備，其中，所述一個或多個處理單元被配置為將所述輸出資訊提供給： <br/>所述車輛的先進駕駛員輔助系統（ADAS），或 <br/>所述車輛的用戶介面，或 <br/>兩者。
根據請求項10所述的行動設備，其中，所述道路的所述第一部分與所述道路的所述第二部分至少部分地重疊。
根據請求項10所述的行動設備，其中，所述第一參數值集合和所述第二參數值集合包括參數的值，所述參數包括： <br/>所述車道邊界的前進方向， <br/>所述車道邊界的曲率， <br/>所述車道邊界的偏移，或 <br/>所述車道邊界上的點，或 <br/>其任何組合。
根據請求項10所述的行動設備，其中，為了決定所述車輛的所述位置，所述一個或多個處理單元被配置為： <br/>從所述感測器獲得感測器資訊，所述感測器資訊指示所述車輛沿著所述道路的移動，以及 <br/>使用所述感測器資訊來決定所述車輛的所述位置。
根據請求項16所述的行動設備，其中，為了獲得所述感測器資訊，所述一個或多個處理單元被配置為：從所述感測器獲得移動資訊，所述移動資訊包括： <br/>位於所述車輛上的慣性測量單元（IMU）感測器， <br/>位於所述車輛上的輪速感測器， <br/>無線信號測量， <br/>位於所述車輛上的GNSS感測器，或 <br/>位於所述車輛上的相機感測器，或 <br/>其任何組合。
根據請求項10所述的行動設備，其中，所述第一參數值集合和所述第二參數值集合以兩個維度描述所述車道邊界，使得所述車道邊界從所述錨座標系的平面到位於所述車輛上的相機的圖像平面上的投影與所述車道邊界從所述錨座標系的平面到所述圖像平面上的投影重疊。
一種用於道路上的車輛的車道映射和定位的設備，包括： <br/>用於在第一時間處將參考系設定為包括第一參考系的第一錨座標系的單元； <br/>當所述參考系為所述第一錨座標系： <br/>用於相對於所述參考系決定表示被追蹤的車道邊界的車道邊界狀態的第一參數值集合的單元； <br/>用於沿著所述道路的第一部分偵測第一候選車道邊界的單元； <br/>用於根據所述第一候選車道邊界與所述被追蹤的車道邊界的關聯來更新所述被追蹤的車道邊界的單元；以及 <br/>用於決定所述車輛相對於所述被追蹤的車道邊界的位置的單元； <br/>用於在決定所述車輛的所述位置之後的第二時間處響應觸發事件，將所述參考系變為包括第二參考系的第二錨座標系的單元；以及 <br/>當所述參考系為所述第二錨座標系： <br/>用於相對於所述參考系決定所述車道邊界狀態的第二參數值集合的單元； <br/>用於沿著所述道路的第二部分偵測第二候選車道邊界的單元；以及 <br/>用於根據所述第二候選車道邊界與所述被追蹤的車道邊界的關聯來更新所述被追蹤的車道邊界的單元。
根據請求項19所述的設備，其中，所述觸發事件包括： <br/>自所述第一時間以來已經經過的時間長度， <br/>自所述第一時間以來所述車輛行駛的距離，或 <br/>自所述第一時間以來已經增長的不確定度值， <br/>或者其任何組合。
根據請求項19所述的設備，還包括：用於提供輸出資訊的單元，所述輸出資訊指示所決定的所述車輛的位置、所述第二參數值集合、或兩者。
根據請求項21所述的設備，其中，所述用於提供所述輸出資訊的單元包括：用於將所述輸出資訊提供給以下各者的單元： <br/>所述車輛的先進駕駛員輔助系統（ADAS），或 <br/>所述車輛的用戶介面，或 <br/>兩者。
根據請求項19所述的設備，其中，所述道路的所述第一部分與所述道路的所述第二部分至少部分地重疊。
根據請求項19所述的設備，其中，所述第一參數值集合和所述第二參數值集合包括參數的值，所述參數包括： <br/>所述車道邊界的前進方向， <br/>所述車道邊界的曲率， <br/>所述車道邊界的偏移，或 <br/>所述車道邊界上的點，或 <br/>其任何組合。
根據請求項19所述的設備，其中，所述用於決定所述車輛的所述位置的單元包括： <br/>用於獲得指示所述車輛沿著所述道路的移動的感測器資訊的單元，以及 <br/>用於使用所述感測器資訊來決定所述車輛的所述位置的單元。
根據請求項25所述的設備，其中，所述用於獲得所述感測器資訊的單元包括：用於從以下各者獲得移動資訊的單元： <br/>位於所述車輛上的慣性測量單元（IMU）感測器， <br/>位於所述車輛上的輪速感測器， <br/>無線信號測量， <br/>位於所述車輛上的GNSS感測器，或 <br/>位於所述車輛上的相機感測器，或 <br/>其任何組合。
根據請求項19所述的設備，其中，所述第一參數值集合和所述第二參數值集合以兩個維度描述所述車道邊界，使得所述車道邊界從所述錨座標系的平面到位於所述車輛上的相機的圖像平面上的投影與所述車道邊界從所述錨座標系的平面到所述圖像平面上的投影重疊。
一種儲存用於道路上的車輛的車道映射和定位的指令的非暫時性計算機可讀媒體，所述指令包括用於進行以下操作的碼： <br/>在第一時間處將參考系設定為包括第一參考系的第一錨座標系； <br/>當所述參考系為所述第一錨座標系： <br/>相對於所述參考系決定表示被追蹤的車道邊界的車道邊界狀態的第一參數值集合； <br/>沿著所述道路的第一部分偵測第一候選車道邊界； <br/>根據所述第一候選車道邊界與所述被追蹤的車道邊界的關聯來更新所述被追蹤的車道邊界；以及 <br/>決定所述車輛相對於所述被追蹤的車道邊界的位置； <br/>在決定所述車輛的所述位置之後的第二時間處響應觸發事件，將所述參考系變為包括第二參考系的第二錨座標系；以及 <br/>當所述參考系為所述第二錨座標系： <br/>相對於所述參考系決定所述車道邊界狀態的第二參數值集合； <br/>沿著所述道路的第二部分偵測第二候選車道邊界；以及 <br/>根據所述第二候選車道邊界與所述被追蹤的車道邊界的關聯來更新所述被追蹤的車道邊界。
根據請求項28所述的非暫時性計算機可讀媒體，其中，所述指令還包括用於進行以下操作的碼：偵測所述觸發事件，其中，所述觸發事件包括： <br/>自所述第一時間以來已經經過的時間長度， <br/>自所述第一時間以來所述車輛行駛的距離，或 <br/>自所述第一時間以來已經增長的不確定度值， <br/>或其任何組合。
根據請求項28所述的非暫時性計算機可讀媒體，其中，所述指令還包括用於進行以下操作的碼：提供輸出資訊，所述輸出資訊指示所決定的所述車輛的位置、所述第二參數值集合、或兩者。
一種用於耦合到調諧電容器的器件，包括： <br/>主電容器，包括由第一後段製程（BEOL）金屬化層構成的第一板、在所述第一板上的主絕緣層、以及在所述主絕緣層上並且由第二BEOL金屬化層構成的第二板； <br/>第一調諧電容器，包括第一BEOL互連跡線的第一部分、在所述第一BEOL互連跡線的所述第一部分的表面和側壁上的第一絕緣層，以及在所述第一絕緣層的表面和側壁上的第二BEOL互連跡線，所述第一BEOL互連跡線通過第一BEOL邊線跡線耦合到所述主電容器的所述第一板，每條所述第一BEOL邊線跡線在所述第一板的平面內垂直延伸到所述第一BEOL互連跡線的第一部分；以及 <br/>第一導孔捕獲焊墊，耦合到所述第一調諧電容器的所述第二BEOL互連跡線。
根據請求項1所述的器件，其中所述第一BEOL互連跡線與所述第二BEOL互連跡線正交。
根據請求項1所述的器件，其中所述第一BEOL互連跡線通過所述第一BEOL邊線跡線耦合到所述主電容器的所述第一板的一側。
根據請求項1所述的器件，還包括： <br/>第二調諧電容器，包括所述第一BEOL互連跡線的第二部分、在所述第一BEOL互連跡線的所述第二部分的表面和側壁上的第二絕緣層，以及在所述第二絕緣層的表面和側壁上的第三BEOL互連跡線；以及 <br/>第二導孔捕獲焊墊，耦合到所述第二調諧電容器的所述第三BEOL互連跡線。
根據請求項4所述的器件，其中所述第二調諧電容器的所述第三BEOL互連跡線的寬度比所述第一調諧電容器的所述第二BEOL互連跡線的寬度大。
根據請求項4所述的器件，其中所述第二調諧電容器的所述第一BEOL互連跡線的所述第二部分的寬度比所述第一調諧電容器的所述第一BEOL互連跡線的所述第一部分的寬度大，或者 <br/>第一導孔，耦合到所述主電容器的所述第二板； <br/>第二導孔，耦合到所述第二導孔捕獲焊墊；以及 <br/>第三BEOL金屬化層，在所述第一導孔和所述第二導孔上。
根據請求項1所述的器件，還包括： <br/>第一導孔，耦合到所述主電容器的所述第二板； <br/>第二導孔，耦合到所述第一導孔捕獲焊墊；以及 <br/>第三BEOL金屬化層，在所述第一導孔和所述第二導孔上。
根據請求項1所述的器件，其中所述第一絕緣層的第一寬度比所述第一調諧電容器的所述第一BEOL互連跡線的所述第一部分的寬度大，並且所述第一絕緣層的第二寬度比所述第一調諧電容器的所述第二BEOL互連跡線的寬度大。
根據請求項1所述的器件，其中所述器件包括積體電路（IC）。
根據請求項1所述的器件，其中所述器件包括整合被動器件（IPD）。
根據請求項10所述的器件，其中所述整合被動器件（IPD）包括射頻（RF）濾波器，或者其中所述IPD被整合在射頻（RF）模組中。
一種用於製造耦合到調諧電容器的主電容器的方法，包括： <br/>形成所述主電容器的第一板，所述主電容器的第一板由第一後段製程（BEOL）金屬化層構成； <br/>沉積通過第一BEOL邊線跡線以形成耦合到所述主電容器的所述第一板的第一BEOL互連跡線的所述調諧電容器的第一板，每條所述第一BEOL邊線跡線在所述第一板的平面內垂直延伸到所述調諧電容器的所述第一板； <br/>在所述主電容器的所述第一板和所述調諧電容器的所述第一板上沉積絕緣層； <br/>在所述絕緣層上沉積第二BEOL金屬化層，以形成所述主電容器的第二板，並且在所述絕緣層上沉積第二BEOL互連跡線以形成所述調諧電容器的第二板；以及 <br/>形成耦合到所述主電容器的所述第二板的第一導孔和形成耦合到導孔捕獲焊墊的第二導孔，所述導孔捕獲焊墊耦合到所述第二BEOL互連跡線。
根據請求項12所述的方法，其中所述調諧電容器包括： <br/>第一調諧電容器，包括所述第一BEOL互連跡線的第一部分、在所述第一BEOL互連跡線的所述第一部分的表面和側壁上的第一絕緣層，以及在所述第一絕緣層的表面和側壁上的第二BEOL互連跡線； <br/>第一導孔捕獲焊墊，耦合到所述第一調諧電容器的所述第二BEOL互連跡線； <br/>第二調諧電容器，包括所述第一BEOL互連跡線的第二部分、在所述第一BEOL互連跡線的所述第二部分的表面和側壁上的第二絕緣層，以及在所述第二絕緣層的表面和側壁上的第三BEOL互連跡線；以及 <br/>第二導孔捕獲焊墊，耦合到所述第二調諧電容器的所述第三BEOL互連跡線。
根據請求項13所述的方法，其中所述第二調諧電容器的所述第三BEOL互連跡線的寬度比所述第一調諧電容器的所述第二BEOL互連跡線的寬度大。
根據請求項13所述的方法，其中所述第二調諧電容器的所述第一BEOL互連跡線的所述第二部分的寬度比所述第一調諧電容器的所述第一BEOL互連跡線的所述第一部分的寬度大，或者 <br/>形成耦合到所述第一導孔捕獲焊墊的第二導孔；以及 <br/>在所述第一導孔和所述第二導孔上形成第三BEOL金屬化層，或者 <br/>形成耦合到所述第二導孔捕獲焊墊的第二導孔；以及 <br/>在所述第一導孔和所述第二導孔上形成第三BEOL金屬化層，或者 <br/>其中所述第一絕緣層的第一寬度比所述第一調諧電容器的所述第一BEOL互連跡線的所述第一部分的寬度大，並且所述第一絕緣層的第二寬度比所述第一調諧電容器的所述第二BEOL互連跡線的寬度大。
一種半導體處理方法，包括： <br/>將一基板提供至一處理腔室，該基板具有一第一材料鄰近且覆蓋一第二材料之一表面； <br/>透過使一第一製程氣體流至該基板上來改質一層該第一材料，並因此形成該第一材料之一經改質層； <br/>透過使一第二製程氣體流至該基板上來去除該第一材料之該經改質層；以及 <br/>當該第二材料之該表面經由去除該經改質層而露出時，透過使一第三製程氣體流動至該基板上而將該表面轉化成該第二材料之一經轉化層，其中該第一與第二製程氣體對該經轉化層比對該第一材料及該第二材料較不具反應性。
如請求項1所述之方法，進一步包括： <br/>在該轉化步驟之後，透過使一第四製程氣體流至該基板上而將該經轉化層改質成材料之一經改質轉化層；以及 <br/>透過使一第五製程氣體流至該基板上來去除該經改質轉化層。
如請求項1所述之方法，其中使該第三製程氣體流動的操作發生於該改質步驟之前。
如請求項1所述之方法，其中使該第三製程氣體流動的操作發生於該改質之後。
如請求項4所述之方法，其中使該第三製程氣體流動的操作發生於該去除步驟之前。
如請求項5所述之方法，進一步包括在使該第三製程氣體流動之後且在該去除步驟之前使一沖洗氣體流動。
如請求項4所述之方法，其中使該第三製程氣體流動的操作發生於該去除步驟之後。
如請求項1所述之方法，其中使該第三製程氣體流動至該基板上的操作係與使該第一製程氣體流至該基板上的操作至少部分重疊。
如請求項1所述之方法，其中使該第三製程氣體流至該基板上的操作係與使該第二製程氣體流至該基板上的操作至少部分重疊。
如請求項1所述之方法，其中使該第三製程氣體流至該基板上的操作係與使該第一製程氣體流至該基板上的操作以及與使該第二製程氣體流至該基板上的操作至少部分重疊。
如請求項1所述之方法，其中該轉化操作發生在該第二材料之該表面於該第一材料之該去除期間或之後露出時。
如請求項1所述之方法，其中： <br/>在該去除期間，該第二製程氣體以第一蝕刻速率去除該第一材料之該經改質層；以及 <br/>在該去除期間，該第二製程氣體以大約等於或小於該第一蝕刻速率之50%的第二蝕刻速率去除該經轉化層。
如請求項12所述之方法，其中該第二蝕刻速率大約等於或小於該第一蝕刻速率之15%。
如請求項12所述之方法，其中在該去除期間，該第二製程氣體能夠以高於該第一蝕刻速率之第三蝕刻速率去除該第二材料。
如請求項1所述之方法，其中： <br/>該第一製程氣體包括改質分子， <br/>該第二製程氣體包括去除分子，以及 <br/>該第三製程氣體包括轉化分子。
如請求項1所述之方法，其中該第三製程材料包括一前驅物。
如請求項1所述之方法，其中該經轉化層為該第二材料之單原子層。
如請求項1所述之方法，其中該第一材料與該第二材料為氧化物。
如請求項1所述之方法，其中該第一材料及/或該第二材料為半導體氧化物。
如請求項1所述之方法，其中該經轉化層對於該第二製程氣體呈鈍態。
如請求項1所述之方法，其中該經轉化層與該第二製程氣體之間的反應不產生副產物。
如請求項1所述之方法，進一步包括： <br/>重複該改質操作及該去除操作以在該轉化操作之前去除一定量之該第一材料。
如請求項1所述之方法，其中： <br/>該第一材料包括氧化鋁， <br/>該第二材料包括氧化鋅， <br/>該第一製程氣體包括氟化氫， <br/>該第二製程氣體包括三甲基鋁， <br/>該第三製程氣體包括四氯化鋯，以及 <br/>該經轉化層包括氧化鋯。
如請求項1所述之方法，進一步包括： <br/>透過使一第四製程氣體流至該基板上來去除該經轉化層，其中該第四製程氣體包括二甲基氯化鋁。
如請求項1所述之方法，其中該轉化操作包括該第三製程氣體中一元素與該第二材料之間的陽離子交換。
如請求項1所述之方法，其中該改質操作與該去除操作發生在該基板保持於相同或實質上相同溫度時。
如請求項1所述之方法，其中： <br/>該改質操作發生在該基板保持於第一溫度時，以及； <br/>該去除操作發生在該基板保持於不同於該第一溫度之第二溫度時。
如請求項1所述之方法，其中該轉化操作期間，水蒸氣未被提供至該基板。
一種半導體處理方法，包括： <br/>將一基板提供至一處理腔室，該基板具有一第一材料鄰近且覆蓋一第二材料之一表面； <br/>透過使一第一製程氣體流至該基板上來改質一層該第一材料，並因此形成該第一材料之一經改質層； <br/>透過使一第二製程氣體流至該基板上來去除該第一材料之該經改質層；以及 <br/>當該第二材料之該表面經由去除該經改質層而露出時，選擇性地將該第二材料之該表面轉化成一層蝕刻停止材料，其中該層蝕刻停止材料僅位於該第二材料上，使得在該去除期間，該第一材料之該經改質層及該層蝕刻停止材料暴露於該第二製程氣體且該第二製程氣體對該層蝕刻停止材料比對該第一材料之該經改質層及該第二材料較不具反應性。
一種用於半導體處理之設備，該設備包括： <br/>一處理腔室，其包括一內部及配置成支撐該內部中一基板之一基板支撐件； <br/>一製程氣體單元，配置成使包含有一改質分子之一第一製程氣體流至該處理腔室中之該基板上、使包含有一去除分子之一第二製程氣體流至該處理腔室中之該基板上、以及使包含有一轉化分子之一第三製程氣體流至該處理腔室中之該基板上；以及 <br/>一控制器，具有指令，其配置成： <br/>令該第一製程氣體流至該基板上並因此在該基板上形成一第一材料之一經改質層，其中該基板具有該第一材料鄰近且覆蓋一第二材料之一表面， <br/>令該第二製程氣體流至該基板上並因此去除該第一材料之該經改質層，以及 <br/>令該第三製程氣體流至該基板上，以在該第二材料之該表面露出時將該表面轉化成該第二材料之一經轉化層，其中該第一與第二製程氣體對該經轉化層比對該第一材料及該第二材料較不具反應性。
一種對視訊資料進行解碼的方法，該方法包括以下步驟：<br/> 獲得一變換塊；<br/> 至少部分地基於對該變換塊的一分析來決定一或多個非零經解碼變換係數；<br/> 基於該一或多個非零經解碼變換係數的至少一部分來決定該變換塊的一歷史更新值；<br/> 至少部分地經由將該變換塊的該歷史更新值與一現有歷史參數值進行組合來更新該現有歷史參數值，該現有歷史參數值至少部分地基於從一系列先前經分析的變換塊決定的一系列非零經解碼變換係數；及<br/> 基於該現有歷史參數值或經更新的現有歷史參數值來對該變換塊的至少一個取樣進行解碼。
根據請求項1之方法，其中將該變換塊的該歷史更新值與該現有歷史參數值進行組合包括以下步驟：對該變換塊的該歷史更新值與該現有歷史參數值求平均。
根據請求項1之方法，其中將該變換塊的該歷史更新值與該現有歷史參數值進行組合包括以下步驟：決定該變換塊的該歷史更新值與該現有歷史參數值之間的一指數加權移動平均值。
根據請求項3之方法，亦包括以下步驟：將一第一權重指派給該變換塊的該歷史更新值且將一第二權重指派給該現有歷史參數值，其中決定該指數加權移動平均值是至少部分地基於該第一權重和該第二權重的。
根據請求項1之方法，其中基於在對該變換塊的分析中決定的一第一非零經解碼變換係數來決定該變換塊的該歷史更新值。
根據請求項5之方法，其中基於該變換塊在反方向上的一執行掃瞄順序來決定該第一非零經解碼變換係數。
根據請求項5之方法，其中至少部分地經由決定該第一非零經解碼變換係數的一二進位碼長來決定該變換塊的該歷史更新值。
根據請求項1之方法，其中：<br/> 該變換塊和該先前經分析的變換塊與一第一切片相關聯；及<br/> 基於針對與同一切片相關聯的連續經分析的變換塊決定的連續歷史更新值，反覆運算地更新該現有歷史參數值。
根據請求項8之方法，亦包括以下步驟：將該現有歷史參數值初始化為一預定值，其中在分析該第一切片的一第一變換塊並決定該第一變換塊的一歷史更新值之前執行該初始化。
根據請求項1之方法，其中基於該變換塊的該非零經解碼變換係數中的所有非零經解碼變換係數來決定該變換塊的該歷史更新值。
根據請求項10之方法，其中至少部分地經由對該變換塊的該非零經解碼變換係數中的所有非零經解碼變換係數求平均來決定該歷史更新值。
根據請求項1之方法，其中該現有歷史參數值是一現有歷史rice參數值。
根據請求項1之方法，其中對該變換塊的該至少一個取樣進行解碼包括以下步骤：基於該現有歷史參數值或該經更新的現有歷史參數值來對指示該至少一個取樣的一語法元素進行解碼。
根據請求項1之方法，其中對該變換塊的該至少一個取樣進行解碼包括以下步骤：使用該現有歷史參數值或該經更新的現有歷史參數值來對一Golomb-Rice碼進行解碼。
一種用於對視訊資料進行解碼的裝置，包括：<br/> 至少一個記憶體； 以及<br/> 至少一個處理器，其耦接到該至少一個記憶體，該至少一個處理器被配置為進行以下操作：<br/> 獲得一變換塊；<br/> 至少部分地基於對該變換塊的一分析來決定一或多個非零經解碼變換係數；<br/> 基於該一或多個非零經解碼變換係數的至少一部分來決定該變換塊的一歷史更新值；<br/> 至少部分地經由將該變換塊的該歷史更新值與一現有歷史參數值進行組合來更新該現有歷史參數值，該現有歷史參數值至少部分地基於從一系列先前經分析的變換塊決定的一系列非零經解碼變換係數；及<br/> 基於該現有歷史參數值或經更新的現有歷史參數值來對該變換塊的至少一個取樣進行解碼。
根據請求項15之裝置，其中為了將該變換塊的該歷史更新值與該現有歷史參數值進行組合，該至少一個處理器被配置為進行以下操作：<br/> 對該變換塊的該歷史更新值與該現有歷史參數值求平均。
根據請求項15之裝置，其中為了將該變換塊的該歷史更新值與該現有歷史參數值進行組合，該至少一個處理器被配置為進行以下操作：<br/> 決定該變換塊的該歷史更新值與該現有歷史參數值之間的一指數加權移動平均值。
根據請求項17之裝置，其中該至少一個處理器被配置為進行以下操作：<br/> 將一第一權重指派給該變換塊的該歷史更新值且一將第二權重指派給該現有歷史參數值；及<br/> 至少部分地基於該第一權重和該第二權重來決定該指數加權移動平均值。
根據請求項18之裝置，其中該至少一個處理器被配置為進行以下操作：基於在對該變換塊的分析中決定的一第一非零經解碼變換係數來決定該變換塊的該歷史更新值。
根據請求項19之裝置，其中該至少一個處理器被配置為進行以下操作：基於該變換塊在反方向上的一執行掃瞄順序來決定該第一非零經解碼變換係數。
根據請求項19之裝置，其中該至少一個處理器被配置為進行以下操作：至少部分地經由決定該第一非零經解碼變換係數的一二進位碼長來決定該變換塊的該歷史更新值。
根據請求項18之裝置，其中：<br/> 該變換塊和該先前經分析的變換塊與一第一切片相關聯；及<br/> 該至少一個處理器被配置為進行以下操作：基於針對與同一切片相關聯的連續經分析的變換塊決定的連續歷史更新值，反覆運算地更新該現有歷史參數值。
根據請求項22之裝置，其中該至少一個處理器被配置為進行以下操作：將該現有歷史參數值初始化為一預定值，其中在分析該第一切片的一第一變換塊並決定該第一變換塊的一歷史更新值之前執行該初始化。
根據請求項18之裝置，其中該至少一個處理器被配置為進行以下操作：基於該變換塊的該非零經解碼變換係數中的所有非零經解碼變換係數來決定該變換塊的該歷史更新值。
根據請求項24之裝置，其中該至少一個處理器被配置為進行以下操作：至少部分地經由對該變換塊的該非零經解碼變換係數中的所有非零經解碼變換係數求平均來決定該歷史更新值。
根據請求項18之裝置，其中該現有歷史參數值是一現有歷史rice參數值。
根據請求項15之裝置，其中為了解碼該變換塊的該至少一個取樣，該至少一個處理器被配置為進行以下操作：<br/> 基於該現有歷史參數值或該經更新的現有歷史參數值來對指示該至少一個取樣的一語法元素進行解碼。
根據請求項15之裝置，其中為了解碼該變換塊的該至少一個取樣，該至少一個處理器被配置為進行以下操作：<br/> 使用該現有歷史參數值或該經更新的現有歷史參數值來解碼一Golomb-Rice碼。
一種電池模組，包括：圓柱形電池胞元，被配置成直立，使得所述圓柱形電池胞元的頂蓋面朝上；匯流條單元，被配置成對所述圓柱形電池胞元進行串聯連接及並聯連接；以及胞元殼體，其中所述圓柱形電池胞元包括：第一排胞元組，其中第一圓柱形電池胞元排列成二或更多列；以及第二排胞元組，其中第二圓柱形電池胞元在與所述第一排胞元組平行的第一方向上排列成二或更多列，其中所述匯流條單元包括：第一端子匯流條，設置於所述第一排胞元組上且電性連接至所述第一圓柱形電池胞元中的每一者的正電極；第二端子匯流條，設置於所述第二排胞元組上且電性連接至所述第二圓柱形電池胞元中的每一者的負電極；以及魚骨形匯流條，設置於所述第一排胞元組及所述第二排胞元組上且電性連接至所述第一圓柱形電池胞元中的每一者的負電極及所述第二圓柱形電池胞元中的每一者的正電極，其中所述胞元殼體包括：底部框架，具有在上下方向上穿孔的經穿孔孔洞，使得所述圓柱形電池胞元的底端裝配於所述底部框架中；以及頂部框架，耦合至所述底部框架的上部部分且被配置成覆蓋所述圓柱形電池胞元，其中所述頂部框架包括上部板，所述上部板被配置成覆蓋所述圓柱形電池胞元的上部部分，且其中所述上部板包括：正電極連接孔洞，藉由對所述上部板的下方定位有所述圓柱形電池胞元中的每一者的所述頂蓋的區進行穿孔而形成；以及負電極連接孔洞，藉由對所述上部板的下方定位有所述圓柱形電池胞元中的每一者的電池罐的頂部邊緣的區進行穿孔而形成。
如請求項1所述的電池模組，其中所述魚骨形匯流條包括：框架部分，被配置成在所述第一排胞元組與所述第二排胞元組之間在所述第一方向上延伸；多個第一分支部分，彼此間隔開預定距離且被配置成在與所述第一方向相交的方向上自所述框架部分延伸；以及多個第二分支部分，彼此間隔開預定距離且被配置成在與所述多個第一分支部分相反的方向上自所述框架部分延伸。
如請求項2所述的電池模組，其中所述第一端子匯流條包括多個第三分支部分，所述多個第三分支部分被配置成在所述第一圓柱形電池胞元的所述列之間與所述多個第一分支部分交替地延伸，且所述第二端子匯流條包括多個第四分支部分，所述多個第四分支部分被配置成在所述第二圓柱形電池胞元的所述列之間與所述多個第二分支部分交替地延伸。
如請求項3所述的電池模組，其中所述第一圓柱形電池胞元中的每一者的頂蓋引線結合至所述多個第三分支部分，且所述第一圓柱形電池胞元中的每一者的電池罐的頂端引線結合至所述多個第一分支部分，且所述第二圓柱形電池胞元中的每一者的頂蓋引線結合至所述多個第二分支部分，且所述第二圓柱形電池胞元中的每一者的電池罐的頂端引線結合至所述多個第四分支部分。
如請求項1所述的電池模組，其中所述頂部框架包括匯流條安裝引導件，所述匯流條安裝引導件形成於所述上部板的表面上以向上突出，所述匯流條安裝引導件在所述第一圓柱形電池胞元及所述第二圓柱形電池胞元上在所述第一方向上排列成二或更多列，且所述匯流條安裝引導件中的至少一個匯流條安裝引導件分別設置於與所述正電極連接孔洞及所述負電極連接孔洞相同的列中。
如請求項1所述的電池模組，其中所述底部框架及所述頂部框架中的每一者包括：襯套孔洞，分別在所述上下方向上穿過所述底部框架及所述頂部框架中的每一者的隅角區及中心區而形成；以及襯套，插入於所述襯套孔洞中。
如請求項1所述的電池模組，更包括：散熱單元，設置於所述底部框架下方，其中所述散熱單元包括：冷卻板，由金屬材料製成且設置於所述底部框架下方；絕緣片材，設置於所述冷卻板的上表面上；結合片材，插入於所述絕緣片材與所述圓柱形電池胞元中的每一者的下表面之間；以及導熱材料，設置於所述冷卻板的下表面上。
一種電池模組堆疊，包括兩個如請求項7所述的電池模組以及具有供冷卻水在其中流動的流動路徑的散熱器，其中所述兩個電池模組以在垂直方向上對稱的方式分層排列，所述散熱器插入所述兩個電池模組之間，且所述兩個電池模組中的位於上部側處的電池模組的所述散熱單元被設置成接觸所述散熱器的上表面，且所述兩個電池模組中的位於下部側處的電池模組的所述散熱單元被設置成接觸所述散熱器的下表面。
一種電池組，包括至少一個如請求項1至請求項7中的任一項所述的電池模組。
一種噴墨頭，具備有頭本體及複數個壓電元件單元，前述頭本體具有：複數個噴嘴孔，配置於直線上且吐出墨水；複數個墨水室，各別連通於前述複數個噴嘴孔；及振動板件，藉由振動來加壓前述複數個墨水室內的前述墨水，<br/> 前述複數個壓電元件單元具有使前述振動板件振動的壓電元件，沿著前述直線且夾著前述直線配置成鋸齒狀，並接合於前述振動板件，<br/> 對應於前述複數個墨水室的複數個壓電元件是互相連結而一體化。
一種噴墨頭，具備有頭本體及複數個壓電元件單元，前述頭本體具有：複數個噴嘴孔，配置於直線上且吐出墨水；複數個墨水室，各別連通於前述複數個噴嘴孔；及振動板件，藉由振動來加壓前述複數個墨水室內的前述墨水，<br/> 前述複數個壓電元件單元具有使前述振動板件振動的壓電元件，沿著前述直線且夾著前述直線配置成鋸齒狀，並接合於前述振動板件，<br/> 前述複數個墨水室被區分為複數個墨水室的群，且是沿著前述直線且夾著前述直線配置成鋸齒狀，以使得前述複數個墨水室的群分別與前述複數個壓電元件單元的一個對應。
一種噴墨頭，具備有頭本體及複數個壓電元件單元，前述頭本體具有：複數個噴嘴孔，配置於直線上且吐出墨水；複數個墨水室，各別連通於前述複數個噴嘴孔；及振動板件，藉由振動來加壓前述複數個墨水室內的前述墨水，<br/> 前述複數個壓電元件單元具有使前述振動板件振動的壓電元件，沿著前述直線且夾著前述直線配置成鋸齒狀，並接合於前述振動板件，<br/> 前述複數個墨水室沿著前述直線且夾著前述直線配置成鋸齒狀，以與前述複數個壓電元件單元對應，<br/> 前述頭本體更具有從前述複數個墨水室排出前述墨水的複數個排出路，<br/> 前述複數個排出路沿著前述直線且夾著前述直線配置成鋸齒狀，<br/> 前述複數個排出路各別連通於夾著前述直線配置於相反側的前述複數個墨水室。
如請求項1至3中任一項之噴墨頭，其中前述頭本體是積層噴嘴板件、墨水室板件及前述振動板件而構成，前述噴嘴板件形成有前述複數個噴嘴孔，前述墨水室板件形成有前述複數個墨水室。
如請求項1至3中任一項之噴墨頭，其中前述複數個壓電元件單元的1個是配置成在與前述直線正交的方向上，與前述複數個壓電元件單元的另1個局部地相向。
如請求項1至3中任一項之噴墨頭，其具備複數個前述振動板件，<br/> 複數個前述振動板件沿著前述直線且夾著前述直線配置成鋸齒狀，以與前述複數個壓電元件單元對應。
如請求項6之噴墨頭，其中前述複數個振動板件的1個是配置成在沿著前述直線的方向上，與前述複數個振動板件的另1個局部地相向。
如請求項6之噴墨頭，其中前述複數個振動板件的1個是配置成在與前述直線正交的方向上，與前述複數個振動板件的另1個局部地相向。
如請求項1至3中任一項之噴墨頭，其中前述複數個墨水室是在與前述直線正交的方向上，從前述複數個噴嘴孔隔開而設置。
如請求項1至3中任一項之噴墨頭，其中前述頭本體中的構成前述複數個噴嘴孔及前述複數個墨水室之部位的線膨脹係數與前述振動板件及前述複數個壓電元件單元的線膨脹係數不同。
如請求項1至3中任一項之噴墨頭，其中前述頭本體中的構成前述複數個噴嘴孔及前述複數個墨水室之部位以及前述振動板件的線膨脹係數比前述複數個壓電元件單元的線膨脹係數更大。
如請求項3之噴墨頭，其更具有殼體構件，前述殼體構件接合於前述頭本體，且具有使從前述複數個排出路排出之前述墨水匯流而排出的共通排出路。
如請求項12之噴墨頭，其中前述頭本體更具有對前述複數個墨水室供給墨水的複數個供給路，<br/> 前述複數個供給路沿著前述直線且夾著前述直線配置成鋸齒狀，<br/> 前述複數個供給路各別連通於從前述直線來看配置於相同側的前述複數個墨水室。
如請求項13之噴墨頭，其中前述殼體構件更具有使前述墨水分流而供給至前述複數個供給路的共通供給路，<br/> 前述共通排出路及前述共通供給路是在與前述直線正交的方向上，夾著前述直線各別配置於兩側。
一種具備晶片及基板的元件，具備透過複數個凸塊而接合的晶片，及與前述晶片相向的基板，前述具備晶片及基板的元件具備：<br/> 複數個貫通電極，貫通前述晶片及前述基板的至少一者，且各自具有第1端部及第2端部，前述第1端部連接於前述複數個凸塊之對應的1個，前述第2端部與前述第1端部為相反；<br/> 應變感測器，設置於前述晶片，並與前述複數個貫通電極電連接；及<br/> 複數個外部連接電極，連接於前述複數個貫通電極的每一個的前述第2端部，並且接觸對前述應變感測器施加電壓的探針。
如請求項1之具備晶片及基板的元件，其具備4個前述外部連接電極。
一種元件製造裝置，製造具備晶片及基板的元件，前述晶片透過複數個凸塊而接合，前述基板與前述晶片相向，前述元件製造裝置具備：<br/> 載台，保持前述基板；<br/> 保持部，保持前述晶片；<br/> 加壓部，藉由驅動前述保持部，將前述晶片按壓於前述基板；及<br/> 測定部，在藉由前述加壓部將前述晶片按壓於前述基板時，透過與複數個外部連接電極接觸的探針來測定應變感測器的應變，前述複數個外部連接電極連接於複數個貫通電極的每一個的第2端部，前述複數個貫通電極與設置於前述晶片的前述應變感測器電連接，並貫通前述晶片及前述基板的至少一者，且各自具有第1端部及前述第2端部，前述第1端部連接於前述複數個凸塊之對應的1個，前述第2端部與前述第1端部為相反。
如請求項3之元件製造裝置，其中前述探針插入貫通孔，前述貫通孔形成於前述載台及前述保持部的至少一者，<br/> 在前述探針的表面與形成有前述貫通孔的壁面之間形成有間隙。
一種元件製造方法，製造具備晶片及基板的元件，前述晶片透過複數個凸塊而接合，前述基板與前述晶片相向，前述元件製造方法包含以下步驟：<br/> 藉由驅動保持前述晶片的保持部，將前述晶片按壓於已保持在載台的前述基板；及<br/> 在將前述晶片按壓於前述基板時，透過與複數個外部連接電極接觸的探針來測定應變感測器的應變，前述複數個外部連接電極連接於複數個貫通電極的每一個的第2端部，前述複數個貫通電極與設置於前述晶片的前述應變感測器電連接，並貫通前述晶片及前述基板的至少一者，且各自具有第1端部及前述第2端部，前述第1端部連接於前述複數個凸塊之對應的1個，前述第2端部與前述第1端部為相反。
一種操作用戶設備（UE）的方法，包括： <br/>接收位置輔助資料，所述位置輔助資料包括指示與無線網路節點和所述UE之間的第一傳播路徑相關聯的視線（LOS）條件的資訊，其中所述第一傳播路徑與用於定位的參考信號（RS-P）的一個或多個資源的識別碼相關聯，以及其中所述第一傳播路徑是所述無線網路節點與所述UE之間的多個路徑之一，並且所述LOS條件是針對所述第一傳播路徑專門指示的；以及 <br/>部分地基於所述第一傳播路徑上的所述RS-P相關聯的一個或多個定位測量和指示的LOS條件，來確定所述UE的位置估計， 其中與所述RS-P相關聯的一個或多個測量是在接收到所述位置輔助資料後進行的， <br/>其中所述指示的LOS條件指示所述第一傳播路徑為LOS傳播路徑的概率或置信水平。
如請求項1所述的方法，還包括： <br/>至少基於傳播路徑互易性，將與所述第一傳播路徑相關聯的所述指示的LOS條件映射到第二傳播路徑， <br/>其中所述位置估計基於映射的LOS條件。
如請求項1所述的方法，其中所述資訊與所述RS-P的所述一個或多個資源的所述識別碼相關聯。
如請求項1所述的方法，其中所述RS-P的所述一個或多個資源的所述識別碼與定位參考信號（PRS）資源或PRS資源集合的識別碼相關聯。
如請求項1所述的方法，其中所述UE的所述位置估計至少部分地基於與所述RS-P相關聯的所述一個或多個定位測量。
如請求項5所述的方法，其中所述一個或多個定位測量包括到達時間（ToA）、參考信號時間差（RSTD）、參考信號接收功率（RSRP）、到達角（AoA）、離去角（AoD）、或它們的組合。
如請求項1所述的方法，其中所述位置估計包括所述UE的定位估計、所述UE的多普勒估計、所述UE的速度估計、所述UE的軌跡估計、或它們的組合。
如請求項1所述的方法，其中所述位置輔助資料經由長期演進定位協定（LPP）信令被傳送。
如請求項1所述的方法，其中所述位置輔助資料經由無線電資源控制（RRC）信令、下行鏈路或側鏈路媒體存取控制命令元素（MAC-CE）、下行鏈路控制資訊（DCI）、側鏈路控制資訊（SCI）、或它們的組合被傳送。
如請求項1所述的方法，其中所述RS-P對應於下行鏈路定位參考信號（PRS）。
如請求項1所述的方法，其中所述位置輔助資料被廣播。
如請求項11所述的方法，其中所述位置輔助資料在與針對去往和/或來自所述無線網路節點的傳播路徑的已知LOS條件相關聯的特定區域中被廣播。
一種用戶設備，包括： <br/>記憶體； <br/>至少一個收發器；以及 <br/>至少一個處理器，所述至少一個處理器通信地耦合到所述記憶體和所述至少一個收發器，所述至少一個處理器被配置為： <br/>經由所述至少一個收發器接收位置輔助資料，所述位置輔助資料包括指示與無線網路節點和所述UE之間的第一傳播路徑相關聯的視線（LOS）條件的資訊，其中所述第一傳播路徑與用於定位的參考信號（RS-P）的一個或多個資源的識別碼相關聯，以及其中所述第一傳播路徑是所述無線網路節點與所述UE之間的多個路徑之一，並且所述LOS條件是針對所述第一傳播路徑專門指示的；以及 <br/>部分地基於所述第一傳播路徑上的所述RS-P相關聯的一個或多個定位測量和指示的LOS條件，來確定所述UE的位置估計，其中與所述RS-P相關聯的一個或多個測量是在接收到所述位置輔助資料後進行的， <br/>其中所述指示的LOS條件指示所述第一傳播路徑為LOS傳播路徑的概率或置信水平。
如請求項13所述的UE，其中所述至少一個處理器進一步被配置為： <br/>至少基於傳播路徑互易性，將與所述第一傳播路徑相關聯的所述指示的LOS條件映射到第二傳播路徑， <br/>其中所述位置估計基於映射的LOS條件。
如請求項13所述的UE，其中所述資訊與所述RS-P的所述一個或多個資源的所述識別碼相關聯。
如請求項13所述的UE，其中所述RS-P的所述一個或多個資源的所述識別碼與定位參考信號（PRS）資源或PRS資源集合的識別碼相關聯。
如請求項13所述的UE，其中所述UE的所述位置估計至少部分地基於與所述RS-P相關聯的所述一個或多個定位測量。
如請求項17所述的UE，其中所述一個或多個定位測量包括到達時間（ToA）、參考信號時間差（RSTD）、參考信號接收功率（RSRP）、到達角（AoA）、離去角（AoD）、或它們的組合。
如請求項13所述的UE，其中所述位置估計包括所述UE的定位估計、所述UE的多普勒估計、所述UE的速度估計、所述UE的軌跡估計、或它們的組合。
如請求項13所述的UE，其中所述位置輔助資料經由長期演進定位協定（LPP）信令被傳送。
如請求項13所述的UE，其中所述位置輔助資料經由無線電資源控制（RRC）信令、下行鏈路或側鏈路媒體存取控制命令元素（MAC-CE）、下行鏈路控制資訊（DCI）、側鏈路控制資訊（SCI）、或它們的組合被傳送。
如請求項13所述的UE，其中所述RS-P對應於下行鏈路定位參考信號（PRS）。
如請求項13所述的UE，其中所述位置輔助資料被廣播。
如請求項23所述的UE，其中所述位置輔助資料在與針對去往和/或來自所述無線網路節點的傳播路徑的已知LOS條件相關聯的特定區域中被廣播。
一種用戶設備（UE），包括： <br/>用於經由所述至少一個收發器接收位置輔助資料，所述位置輔助資料包括指示與無線網路節點和所述UE之間的第一傳播路徑相關聯的視線（LOS）條件的資訊，其中所述第一傳播路徑與用於定位的參考信號（RS-P）的一個或多個資源的識別碼相關聯，以及其中所述第一傳播路徑是所述無線網路節點與所述UE之間的多個路徑之一，並且所述LOS條件是針對所述第一傳播路徑專門指示的構件；以及 <br/>用於部分地基於所述第一傳播路徑上的所述RS-P相關聯的一個或多個定位測量和指示的LOS條件，來確定所述UE的位置估計的構件，其中與所述RS-P相關聯的一個或多個測量是在接收到所述位置輔助資料後進行的， <br/>其中所述指示的LOS條件指示所述第一鏈路為LOS傳播路徑的概率或置信水平。
一種儲存指令集的非暫態計算機可讀媒體，當所述非暫態計算機可讀媒體被用戶設備執行時，導致所述UE <br/><br/>經由所述至少一個收發器接收位置輔助資料，所述位置輔助資料包括指示與無線網路節點和所述UE之間的第一傳播路徑相關聯的視線（LOS）條件的資訊，其中所述第一傳播路徑與用於定位的參考信號（RS-P）的一個或多個資源的識別碼相關聯，以及其中所述第一傳播路徑是所述無線網路節點與所述UE之間的多個路徑之一，並且所述LOS條件是針對所述第一傳播路徑專門指示的；以及 <br/>部分地基於所述第一傳播路徑上的所述RS-P相關聯的一個或多個定位測量和指示的LOS條件，來確定所述UE的位置估計，其中與所述RS-P相關聯的一個或多個測量是在接收到所述位置輔助資料後進行的， <br/>其中所述指示的LOS條件指示所述第一傳播路徑為LOS傳播路徑的概率或置信水平。
一種用於在至少一個反應器中將用於芳族物種之環氫化之催化劑再生的方法，其中該再生如下進行： <br/>藉由使含氧量為100 ppm至20000 ppm之氣流通過待再生之該催化劑 <br/>在15℃至170℃之溫度下；及 <br/>不將該催化劑自該至少一個反應器移出。
如請求項1之方法，其中該氣流之含氧量為250 ppm至13000 ppm。
如請求項1之方法，其中該氣流之含氧量為380 ppm至9000 ppm。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該再生係在25℃至150℃之溫度下進行。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該催化劑包含載體材料上之至少一種過渡金屬。
如請求項5之方法，其中該至少一種過渡金屬係選自由以下組成之群的金屬：鐵、釕、鎳、銠、鉑、鈀及其混合物。
如請求項5之方法，其中該載體材料係選自由以下組成之群：活性炭、碳化矽、氧化鋁、二氧化矽、鋁矽酸鹽、二氧化鈦、二氧化鋯、氧化鎂、氧化鋅或其混合物。
如請求項5之方法，其中所用催化劑係蛋殼催化劑。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該氣流係具有如請求項1之含氧量的惰性氣體。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該芳族物種係芳族酯。
如請求項10之方法，其中該芳族酯係苯甲酸、苯二甲酸、苯三甲酸或苯四甲酸之酯。
如請求項11之方法，其中該芳族酯係鄰苯二甲酸之C8至C10烷基酯或對苯二甲酸之C8至C10烷基酯。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該再生係在0.5至200巴範圍內之壓力下進行。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該再生之持續時間為至少24小時。
如請求項1至3中任一項之方法，其中基於該氫化中之流動方向，以相同或反向流動方向引導該再生中之該氣流通過該催化劑。
一種在至少一個反應器中將催化劑再生之方法，該催化劑係用於芳族物質(species)之環氫化，其中該方法包含下列步驟：˙以惰性氣體吹洗存在所使用之催化劑的至少一個反應器，其中以惰性氣體的吹洗是在50至100℃的溫度下開始進行；接著˙在該反應器的吹洗期間，向惰性氣體逐步添加空氣，直到空氣在總體積中的比例為10體積%至90體積%之間；且隨後˙在該反應器的吹洗期間，減少惰性氣體的量，直到僅有空氣流通該反應器，其中再生期間反應器中的溫度比在芳族物質之氫化中進料芳族物質之反應器的溫度高不超過10℃，其中所述催化劑包含載體材料上的至少一種過渡金屬，所述過渡金屬選自以下者組成之群：鐵、釕、鎳、銠、鉑、鈀及其混合物；所述載體材料選自以下者組成之群：活性炭、碳化矽、氧化鋁、二氧化矽、鋁矽酸鹽、二氧化鈦、二氧化鋯、氧化鎂、氧化鋅及其混合物。
如請求項1之方法，其中在逐步添加空氣之期間及/或減少惰性氣體的量之期間，監測該至少一個反應器中的溫度。
如請求項2之方法，其中在逐步添加空氣之期間該至少一個反應器中的溫度比在逐步添加空氣之各別步驟起始時的溫度高不超過20℃。
如請求項2或3之方法，其中當逐步添加空氣之期間該至少一個反應器中的溫度比在逐步添加空氣之各別步驟起始溫度高20℃時，至少暫時停止(進一步)添加空氣。
如請求項4之方法，其中在所述停止的期間計量添加惰性氣體。
如請求項1至3中任一項之方法，其中在以氮氣吹洗該反應器之前，進行下列步驟：˙將至少一個反應器減壓至小於10巴(bar)的壓力；˙藉由注入惰性氣體至超過10巴的壓力來置換該至少一個反應器中的剩餘氫氣，且隨後將該至少一個反應器減壓至小於10巴的壓力。
如請求項6之方法，其中惰性氣體的注入以及隨後的減壓進行至少兩次。
如請求項1至3中任一項之方法，其中整體再生(即所有步驟的進行)期間為至少24小時。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該惰性氣體係選自以下者組成之群：氮氣、氦氣、氖氣、氬氣、二氧化碳及其混合物。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該芳族物質為芳族酯。
如請求項10之方法，其中該芳族酯係苯甲酸的酯、苯二甲酸的酯、苯三甲酸的酯或苯四甲酸的酯。
如請求項10之方法，其中該芳族酯係鄰苯二甲酸C8至C10烷基酯或對苯二甲酸C8至C10烷基酯。
一種大環化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該大環化合物具有式IVa <br/><img align="absmiddle" height="287px" width="267px" file="ed10372.jpg" alt="ed10372.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中 <br/>環A為選自5員至10員伸雜芳基或C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>伸芳基之環； <br/>X<sup>1</sup>為C(R<sup>3</sup>)； <br/>Y為O、N(R<sup>5</sup>)C(O)、S、S(O)或S(O)<sub>2</sub>； <br/>各Y<sup>1</sup>獨立地為O、S、S(O)或S(O)<sub>2</sub>； <br/>各L獨立地為C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>伸烷基，其中C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>伸烷基中之各氫原子獨立地視情況經氘取代； <br/>L<sup>1</sup>不存在或L<sup>1</sup>為C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>伸烷基，其中C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>伸烷基中之各氫原子獨立地視情況經氘或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基取代； <br/>環B為5員至10員伸雜芳基或C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>伸芳基，其中5員至10員伸雜芳基或C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>伸芳基中之各氫原子獨立地視情況經以下取代：氘、鹵素、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、3員至7員雜環烷基、C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基、5員至10員雜芳基、-OR<sup>c</sup>、-OC(O)R<sup>c</sup>、-OC(O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-OS(O)R<sup>c</sup>、-OS(O)<sub>2</sub>R<sup>c</sup>、-OS(O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-OS(O)<sub>2</sub>NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-SR<sup>c</sup>、-S(O)R<sup>c</sup>、-S(O)<sub>2</sub>R<sup>c</sup>、-S(O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-S(O)<sub>2</sub>NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>c</sup>C(O)R<sup>d</sup>、-N(C(O)R<sup>c</sup>)(C(O)R<sup>d</sup>)、-NR<sup>c</sup>C(O)OR<sup>d</sup>、-NR<sup>c</sup>C(O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>c</sup>S(O)R<sup>d</sup>、-NR<sup>c</sup>S(O)<sub>2</sub>R<sup>d</sup>、-NR<sup>c</sup>S(O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>c</sup>S(O)<sub>2</sub>NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-C(O)R<sup>c</sup>、-C(O)OR<sup>c</sup>、-C(O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-PR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-P(O)R<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-P(O)<sub>2</sub>R<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-P(O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-P(O)<sub>2</sub>NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-P(O)OR<sup>c</sup>、-P(O)<sub>2</sub>OR<sup>c</sup>、-CN或-NO<sub>2</sub>； <br/>各R<sup>1</sup>獨立地為氘、鹵素、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基、5員至10員雜芳基、-OR<sup>a</sup>、-OC(O)R<sup>a</sup>、-OC(O)NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、-OS(O)R<sup>a</sup>、-OS(O)<sub>2</sub>R<sup>a</sup>、-SR<sup>a</sup>、-S(O)R<sup>a</sup>、-S(O)<sub>2</sub>R<sup>a</sup>、-S(O)NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、-S(O)<sub>2</sub>NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、-OS(O)NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、-OS(O)<sub>2</sub>NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、-NR<sup>a</sup>C(O)R<sup>b</sup>、-NR<sup>a</sup>C(O)OR<sup>b</sup>、-NR<sup>a</sup>C(O)NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、-NR<sup>a</sup>S(O)R<sup>b</sup>、-NR<sup>a</sup>S(O)<sub>2</sub>R<sup>b</sup>、-NR<sup>a</sup>S(O)NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、-NR<sup>a</sup>S(O)<sub>2</sub>NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、-C(O)R<sup>a</sup>、-C(O)OR<sup>a</sup>、-C(O)NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、-PR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、-P(O)R<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、-P(O)<sub>2</sub>R<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、-P(O)NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、-P(O)<sub>2</sub>NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、-P(O)OR<sup>a</sup>、-P(O)<sub>2</sub>OR<sup>a</sup>、-CN或-NO<sub>2</sub>，其中C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、3員至7員雜環烷基、C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基或5員至10員雜芳基中之各氫原子獨立地視情況經以下取代：氘、鹵素、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、-OR<sup>e</sup>、-OC(O)R<sup>e</sup>、-OC(O)NR<sup>e</sup>R<sup>f</sup>、-OS(O)R<sup>e</sup>、-OS(O)<sub>2</sub>R<sup>e</sup>、-OS(O)NR<sup>e</sup>R<sup>f</sup>、-OS(O)<sub>2</sub>NR<sup>e</sup>R<sup>f</sup>、-SR<sup>e</sup>、-S(O)R<sup>e</sup>、-S(O)<sub>2</sub>R<sup>e</sup>、-S(O)NR<sup>e</sup>R<sup>f</sup>、-S(O)<sub>2</sub>NR<sup>e</sup>R<sup>f</sup>、-NR<sup>e</sup>C(O)R<sup>f</sup>、-NR<sup>e</sup>C(O)OR<sup>f</sup>、-NR<sup>e</sup>C(O)NR<sup>e</sup>R<sup>f</sup>、-NR<sup>e</sup>S(O)R<sup>f</sup>、-NR<sup>e</sup>S(O)<sub>2</sub>R<sup>f</sup>、-NR<sup>e</sup>S(O)NR<sup>e</sup>R<sup>f</sup>、-NR<sup>e</sup>S(O)<sub>2</sub>NR<sup>e</sup>R<sup>f</sup>、-C(O)R<sup>e</sup>、-C(O)OR<sup>e</sup>、-C(O)NR<sup>e</sup>R<sup>f</sup>、-PR<sup>e</sup>R<sup>f</sup>、-P(O)R<sup>e</sup>R<sup>f</sup>、-P(O)<sub>2</sub>R<sup>e</sup>R<sup>f</sup>、-P(O)NR<sup>e</sup>R<sup>f</sup>、-P(O)<sub>2</sub>NR<sup>e</sup>R<sup>f</sup>、-P(O)OR<sup>e</sup>、-P(O)<sub>2</sub>OR<sup>e</sup>、-CN或-NO<sub>2</sub>； <br/>若存在，R<sup>3</sup>各獨立地為H、氘、鹵素、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、3員至7員雜環烷基、C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基、5員至10員雜芳基、-OR<sup>a</sup>、-OC(O)R<sup>a</sup>、-OC(O)NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、-OS(O)R<sup>a</sup>、-OS(O)<sub>2</sub>R<sup>a</sup>、-SR<sup>a</sup>、-S(O)R<sup>a</sup>、-S(O)<sub>2</sub>R<sup>a</sup>、-S(O)NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、-S(O)<sub>2</sub>NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、-OS(O)NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、-OS(O)<sub>2</sub>NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、-NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、-NR<sup>a</sup>C(O)R<sup>b</sup>、-NR<sup>a</sup>C(O)OR<sup>b</sup>、-NR<sup>a</sup>C(O)NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、-NR<sup>a</sup>S(O)R<sup>b</sup>、-NR<sup>a</sup>S(O)<sub>2</sub>R<sup>b</sup>、-NR<sup>a</sup>S(O)NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、-NR<sup>a</sup>S(O)<sub>2</sub>NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、-C(O)R<sup>a</sup>、-C(O)OR<sup>a</sup>、-C(O)NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、-PR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、-P(O)R<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、-P(O)<sub>2</sub>R<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、-P(O)NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、-P(O)<sub>2</sub>NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、-P(O)OR<sup>a</sup>、-P(O)<sub>2</sub>OR<sup>a</sup>、-CN或-NO<sub>2</sub>，其中C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、3員至7員雜環烷基、C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基及5員至10員雜芳基中之各氫原子獨立地視情況經以下取代：氘、鹵素、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、-OR<sup>e</sup>、-OC(O)R<sup>e</sup>、-OC(O)NR<sup>e</sup>R<sup>f</sup>、-OS(O)R<sup>e</sup>、-OS(O)<sub>2</sub>R<sup>e</sup>、-OS(O)NR<sup>e</sup>R<sup>f</sup>、-OS(O)<sub>2</sub>NR<sup>e</sup>R<sup>f</sup>、-SR<sup>e</sup>、-S(O)R<sup>e</sup>、-S(O)<sub>2</sub>R<sup>e</sup>、-S(O)NR<sup>e</sup>R<sup>f</sup>、-S(O)<sub>2</sub>NR<sup>e</sup>R<sup>f</sup>、-NR<sup>e</sup>R<sup>f</sup>、-NR<sup>e</sup>C(O)R<sup>f</sup>、-NR<sup>e</sup>C(O)OR<sup>f</sup>、-NR<sup>e</sup>C(O)NR<sup>e</sup>R<sup>f</sup>、-NR<sup>e</sup>S(O)R<sup>f</sup>、-NR<sup>e</sup>S(O)<sub>2</sub>R<sup>f</sup>、-NR<sup>e</sup>S(O)NR<sup>e</sup>R<sup>f</sup>、-NR<sup>e</sup>S(O)<sub>2</sub>NR<sup>e</sup>R<sup>f</sup>、-C(O)R<sup>e</sup>、-C(O)OR<sup>e</sup>、-C(O)NR<sup>e</sup>R<sup>f</sup>、-PR<sup>e</sup>R<sup>f</sup>、-P(O)R<sup>e</sup>R<sup>f</sup>、-P(O)<sub>2</sub>R<sup>e</sup>R<sup>f</sup>、-P(O)NR<sup>e</sup>R<sup>f</sup>、-P(O)<sub>2</sub>NR<sup>e</sup>R<sup>f</sup>、-P(O)OR<sup>e</sup>、-P(O)<sub>2</sub>OR<sup>e</sup>、-CN或-NO<sub>2</sub>； <br/>若存在，R<sup>5</sup>及R<sup>11</sup>各獨立地為H、氘、鹵素、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、3員至7員雜環烷基、C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基、5員至10員雜芳基、-OR<sup>c</sup>、-OC(O)R<sup>c</sup>、-OC(O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-OS(O)R<sup>c</sup>、-OS(O)<sub>2</sub>R<sup>c</sup>、-OS(O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-OS(O)<sub>2</sub>NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-SR<sup>c</sup>、-S(O)R<sup>c</sup>、-S(O)<sub>2</sub>R<sup>c</sup>、-S(O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-S(O)<sub>2</sub>NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>c</sup>C(O)R<sup>d</sup>、-N(C(O)R<sup>c</sup>)(C(O)R<sup>d</sup>)、-NR<sup>c</sup>C(O)OR<sup>d</sup>、-NR<sup>c</sup>C(O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>c</sup>S(O)R<sup>d</sup>、-NR<sup>c</sup>S(O)<sub>2</sub>R<sup>d</sup>、-NR<sup>c</sup>S(O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>c</sup>S(O)<sub>2</sub>NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-C(O)R<sup>c</sup>、-C(O)OR<sup>c</sup>、-C(O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-PR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-P(O)R<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-P(O)<sub>2</sub>R<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-P(O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-P(O)<sub>2</sub>NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-P(O)OR<sup>c</sup>、-P(O)<sub>2</sub>OR<sup>c</sup>、-CN或-NO<sub>2</sub>； <br/>各R<sup>a</sup>、R<sup>b</sup>、R<sup>c</sup>、R<sup>d</sup>、R<sup>e</sup>及R<sup>f</sup>獨立地選自由以下組成之群：H、氘、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、3員至7員雜環烷基、C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>伸烷基-C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基、5員至10員雜芳基及C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>伸烷基-5員至10員雜芳基，或R<sup>a</sup>及R<sup>b</sup>或R<sup>c</sup>及R<sup>d</sup>或R<sup>e</sup>及R<sup>f</sup>與其所連接之原子一起形成3員至7員雜環烷基，其中C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、3員至7員雜環烷基、C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>伸烷基-C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基、5員至10員雜芳基或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>伸烷基-5員至10員雜芳基中之各氫原子獨立地視情況經以下取代：氘、鹵素、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、-OH、-OC<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-OC(O)-(H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)、-OC(O)N(H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)<sub>2</sub>、-OC(O)N(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>伸烷基)、-OS(O)-(H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)、-OS(O)<sub>2</sub>-(H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)、-OS(O)N(H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)<sub>2</sub>、-OS(O)N(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>伸烷基)、-OS(O)<sub>2</sub>N(H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)<sub>2</sub>、-OS(O)<sub>2</sub>N(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>伸烷基)、-S(H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)-、-S(O) (H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)-、-S(O)<sub>2</sub>(H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)-、-S(O)N(H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)<sub>2</sub>、-S(O)N(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>伸烷基)、-S(O)<sub>2</sub>N(H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)<sub>2</sub>、-S(O)<sub>2</sub>N(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>伸烷基)、-N(H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)<sub>2</sub>、-N(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>伸烷基)、-N(H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)C(O)-(H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)、-N(H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)C(O)O(H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)、-N(H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)C(O)N(H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)<sub>2</sub>、-N(H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)C(O)N(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>伸烷基)、-N(H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)S(O)-(H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)、-N(H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)S(O)<sub>2</sub>(H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)、-N(H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)S(O)N(H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)<sub>2</sub>、-N(H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)S(O)N(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>伸烷基)、-N(H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)S(O)<sub>2</sub>N(H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)<sub>2</sub>、-N(H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)S(O)<sub>2</sub>N(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>伸烷基)、-C(O)-(H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)、-C(O)O(H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)、-C(O)N(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>伸烷基)、-P(H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)<sub>2</sub>、-P(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>伸烷基)、-P(O)(H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)<sub>2</sub>、-P(O)(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>伸烷基)、-P(O)<sub>2</sub>(H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)<sub>2</sub>、-P(O)<sub>2</sub>(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>伸烷基)、-P(O)N(H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)<sub>2</sub>、-P(O)N(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>伸烷基)、-P(O)<sub>2</sub>N(H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)<sub>2</sub>、-P(O)<sub>2</sub>N(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>伸烷基)、-P(O)O(H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)、-P(O)<sub>2</sub>O(H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)、-CN或-NO<sub>2</sub>； <br/>n為0、1、2、3或4；且 <br/>o為0、1、2或3。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物具有式Va、VIa、VIIa、VIIIa或IXa <br/><img align="absmiddle" height="88px" width="90px" file="ed10374.jpg" alt="ed10374.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/> Va <br/> <img align="absmiddle" height="88px" width="90px" file="ed10376.jpg" alt="ed10376.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>VIa <br/><img align="absmiddle" height="88px" width="90px" file="ed10378.jpg" alt="ed10378.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/> VIIa <br/><img align="absmiddle" height="88px" width="90px" file="ed10380.jpg" alt="ed10380.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>VIIIa <br/>或 <br/><img align="absmiddle" height="88px" width="90px" file="ed10382.jpg" alt="ed10382.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>IXa 。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中環B為5員至10員伸雜芳基，其中5員至10員伸雜芳基中之各氫原子獨立地視情況經以下取代：氘、鹵素、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、3員至7員雜環烷基、C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基、5員至10員雜芳基、-OR<sup>c</sup>、-OC(O)R<sup>c</sup>、-OC(O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-OS(O)R<sup>c</sup>、-OS(O)<sub>2</sub>R<sup>c</sup>、-OS(O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-OS(O)<sub>2</sub>NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-SR<sup>c</sup>、-S(O)R<sup>c</sup>、-S(O)<sub>2</sub>R<sup>c</sup>、-S(O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-S(O)<sub>2</sub>NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>c</sup>C(O)R<sup>d</sup>、-N(C(O)R<sup>c</sup>)(C(O)R<sup>d</sup>)、-NR<sup>c</sup>C(O)OR<sup>d</sup>、-NR<sup>c</sup>C(O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>c</sup>S(O)R<sup>d</sup>、-NR<sup>c</sup>S(O)<sub>2</sub>R<sup>d</sup>、-NR<sup>c</sup>S(O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>c</sup>S(O)<sub>2</sub>NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-C(O)R<sup>c</sup>、-C(O)OR<sup>c</sup>、-C(O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-PR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-P(O)R<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-P(O)<sub>2</sub>R<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-P(O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-P(O)<sub>2</sub>NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-P(O)OR<sup>c</sup>、-P(O)<sub>2</sub>OR<sup>c</sup>、-CN或-NO<sub>2</sub>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中環B為選自由以下組成之群之5員至10員伸雜芳基： <br/><img align="absmiddle" height="85px" width="594px" file="ed10384.jpg" alt="ed10384.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="87px" width="209px" file="ed10386.jpg" alt="ed10386.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中環B中之各氫原子獨立地視情況經以下取代：氘、鹵素、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、3員至7員雜環烷基、C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基、5員至10員雜芳基、-OR<sup>c</sup>、-OC(O)R<sup>c</sup>、-OC(O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-OS(O)R<sup>c</sup>、-OS(O)<sub>2</sub>R<sup>c</sup>、-OS(O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-OS(O)<sub>2</sub>NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-SR<sup>c</sup>、-S(O)R<sup>c</sup>、-S(O)<sub>2</sub>R<sup>c</sup>、-S(O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-S(O)<sub>2</sub>NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>c</sup>C(O)R<sup>d</sup>、-N(C(O)R<sup>c</sup>)(C(O)R<sup>d</sup>)、-NR<sup>c</sup>C(O)OR<sup>d</sup>、-NR<sup>c</sup>C(O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>c</sup>S(O)R<sup>d</sup>、-NR<sup>c</sup>S(O)<sub>2</sub>R<sup>d</sup>、-NR<sup>c</sup>S(O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>c</sup>S(O)<sub>2</sub>NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-C(O)R<sup>c</sup>、-C(O)OR<sup>c</sup>、-C(O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-PR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-P(O)R<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-P(O)<sub>2</sub>R<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-P(O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-P(O)<sub>2</sub>NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-P(O)OR<sup>c</sup>、-P(O)<sub>2</sub>OR<sup>c</sup>、-CN或-NO<sub>2</sub>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中環B為 <br/><img align="absmiddle" height="79px" width="586px" file="ed10388.jpg" alt="ed10388.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="80px" width="85px" file="ed10390.jpg" alt="ed10390.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中 <br/><img align="absmiddle" height="103px" width="158px" file="ed10392.jpg" alt="ed10392.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>為5員至10員伸雜芳基，且n為0、1、2、3或4。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中 <br/><img align="absmiddle" height="104px" width="158px" file="ed10394.jpg" alt="ed10394.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>為選自由以下組成之群的5員至10員伸雜芳基： <br/><img align="absmiddle" height="69px" width="541px" file="ed10396.jpg" alt="ed10396.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="77px" width="419px" file="ed10398.jpg" alt="ed10398.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>且n為0、1或2。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中n為0、1或2。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中若存在，各R<sup>1</sup>獨立地為氟、氯、甲基、乙基、甲氧基、乙氧基、-C(O)OR<sup>a</sup>、-C(O)NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、-CN或4-哌啶基。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中 <br/><img align="absmiddle" height="102px" width="157px" file="ed10400.jpg" alt="ed10400.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>為選自由以下組成之群的5員至10員伸雜芳基： <br/><img align="absmiddle" height="108px" width="480px" file="ed10402.jpg" alt="ed10402.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="104px" width="559px" file="ed10404.jpg" alt="ed10404.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中L為伸乙基、伸丙基或伸丁基，其中伸乙基、伸丙基及伸丁基中之各氫原子獨立地視情況經氘取代。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中Y為N(R<sup>5</sup>)C(O)。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中若存在，R<sup>5</sup>為H或甲基。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中若存在，R<sup>5</sup>為甲基。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中Y<sup>1</sup>為O。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中至少一個L<sup>1</sup>為亞甲基、伸乙基或伸丙基，其中亞甲基、伸乙基及伸丙基中之各氫原子獨立地視情況經氘或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基取代。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>2</sup>為H。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>3</sup>為H。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>11</sup>為H。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其選自由以下組成之群： <br/><img align="absmiddle" height="181px" width="186px" file="ed10406.jpg" alt="ed10406.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="168px" width="186px" file="ed10408.jpg" alt="ed10408.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及<img align="absmiddle" height="184px" width="200px" file="ed10410.jpg" alt="ed10410.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，或其醫藥學上可接受之鹽。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1至20中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽及視情況選用之一或多種賦形劑。
如請求項21之醫藥組合物，其進一步包含一或多種額外活性成分。
一種如請求項1至20中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽之用途，其用於製造用於治療癌症之藥劑。
如請求項23之用途，其中該癌症係ALCL、NSCLC、神經母細胞瘤、發炎性肌纖維母細胞瘤、成人腎細胞癌、小兒腎細胞癌、乳癌、ER<sup>+</sup>乳癌、結腸腺癌、神經膠母細胞瘤、多形性膠質母細胞瘤、退行性甲狀腺癌、膽管癌、卵巢癌、胃腺癌、結腸直腸癌、發炎性肌纖維母細胞瘤、血管肉瘤、上皮狀血管內皮瘤、肝內膽管癌、甲狀腺乳頭狀癌、類施皮茨贅瘤、肉瘤、星形細胞瘤、腦較低級別神經膠質瘤、分泌性乳癌、乳腺類似癌、急性骨髓白血病、先天性中胚層腎瘤、先天性纖維肉瘤、Ph樣急性淋巴母細胞性白血病、甲狀腺癌、皮膚黑色素瘤、頭頸部鱗狀細胞癌、小兒神經膠質瘤CML、前列腺癌、肺鱗狀癌、卵巢漿液性囊腺癌、皮膚黑色素瘤、去勢耐藥性前列腺癌、霍奇金淋巴瘤(Hodgkin lymphoma)或漿液性及透明細胞子宮內膜癌。
如請求項23之用途，其中該癌症係肺癌、結腸癌、乳癌、前列腺癌、肝細胞癌、腎細胞癌、胃及食道-胃癌、神經膠母細胞瘤、頭頸癌、發炎性肌纖維母細胞腫瘤或退行性大細胞淋巴瘤。
一種用於推動一兒童載具之推車，該推車包含： <br/>一框架，其被配置為在一展開配置與一摺疊配置之間轉變，該框架包含： <br/>一上端，其被配置為可移除地耦接至該兒童載具； <br/>一第一支腿組件，其包含彼此可樞轉地耦接之一第一前支腿及一第一後支腿； <br/>一第一連桿組，其附接至該第一前支腿及該第一後支腿，以便隨著該框架在該展開配置與該摺疊配置之間轉變而導引該第一前支腿及該第一後支腿之移動，該第一連桿組界定一第一支撐表面，該第一支撐表面被配置為當該兒童載具耦接至該框架時支撐該兒童載具之一下側； <br/>一第二支腿組件，其包含彼此可樞轉地耦接之一第二前支腿及一第二後支腿；及 <br/>一第二連桿組，其附接至該第二前支腿及該第二後支腿，以便隨著該框架在該展開配置與該摺疊配置之間轉變而導引該第二前支腿及該第二後支腿之移動，該第二連桿組界定一第二支撐表面，該第二支撐表面被配置為當該兒童載具耦接至該框架時支撐該兒童載具之一下側；及 <br/>複數個輪子，其附接至該第一支腿組件及該第二支腿組件之下端。
如請求項1之推車，其中： <br/>該第一連桿組包含可樞轉地連接至該第一前支腿之一第一連桿、可樞轉地連接至該第一後支腿之一第二連桿，該第一連桿及該第二連桿彼此可樞轉地耦接；且 <br/>該第二連桿組包含可樞轉地連接至該第二前支腿之一第一連桿、可樞轉地連接至該第二後支腿之一第二連桿，該第二連桿組之該第一連桿及該第二連桿彼此可樞轉地耦接。
如請求項2之推車，其中該第一連桿組之該第一連桿及該第二連桿界定該第一支撐表面，且該第二連桿組之該第一連桿及該第二連桿界定該第二支撐表面。
如請求項3之推車，其中該第一連桿組及該第二連桿組中之每一者包含一座椅耦接器，該座椅耦接器被配置為耦接至該兒童載具之一對應耦接器以便防止該兒童載具相對於該推車一向上方向移動。
如請求項4之推車，其中每一連桿組之該座椅耦接器包含一桿，該桿被配置為由該兒童載具之一可移動式閂鎖接合。
如請求項4之推車，其中該第一連桿組及該第二連桿組被配置為當該推車自該展開配置轉變為該摺疊配置時縮回其各別座椅耦接器。
如請求項1至6中任一項之推車，其包含自該第一連桿組伸展至該第二連桿組之一手柄，其中該手柄沿著豎直方向之移動使該第一連桿組及該第二連桿組將該推車自該展開配置轉變為該摺疊配置。
如請求項1至6中任一項之推車，其中該推車不具有任何伸展至該兒童載具上方之推動式手柄，且該推車被配置為當該兒童載具耦接至該推車時由該兒童載具之一手柄推動。
如請求項4至6中任一項之推車，其中每一座椅耦接器被配置為可移除地耦接至安置於該兒童載具之一下側處之至少一個可移動式閂鎖。
如請求項4至6中任一項之推車，其中該推車包含安置於該推車之該等座椅耦接器前方或後方之一對座椅耦接器，且該對座椅耦接器被配置為可移除地耦接至該兒童載具之相對側。
如請求項10之推車，其中該推車之該等座椅耦接器將該兒童載具耦接至該推車，以便當將一力施加至該兒童載具之該手柄時限制施加至該對座椅耦接器之力矩。
如請求項10之推車，其中該對座椅耦接器包含一對卡口，該對卡口被配置為可移除地耦接至該兒童載具之相對側。
如請求項12之推車，其中每一卡口在其一內側上界定一凹部，該凹部被配置為收納該兒童載具之一可移動式閂鎖。
一種用於推動一兒童載具之推車，該推車包含： <br/>一框架，其被配置為在一展開配置與一摺疊配置之間轉變，該框架包含： <br/>一上端，其被配置為可移除地耦接至該兒童載具； <br/>一第一支腿組件，其包含彼此可樞轉地耦接之一第一前支腿及一第一後支腿； <br/>一第一連桿組，其具有可樞轉地連接至該第一前支腿之一第一連桿及可樞轉地連接至該第一後支腿及該第一連桿之一第二連桿，該第一連桿組被配置為隨著該框架在該展開配置與該摺疊配置之間轉變而導引該第一前支腿及該第一後支腿之移動； <br/>一第二支腿組件，其包含彼此可樞轉地耦接之一第二前支腿及一第二後支腿；及 <br/>一第二連桿組，其具有可樞轉地連接至該第二前支腿之一第一連桿及可樞轉地連接至該第二後支腿及該第二連桿組之該第一連桿之一第二連桿，該第二連桿組被配置為隨著該框架在該展開配置與該摺疊配置之間轉變而導引該第二前支腿及該第二後支腿之移動； <br/>用於該第一連桿組及該第二連桿組中之每一者之一摺疊閂鎖，每一閂鎖被配置為可釋放地接合該第一連桿組及該第二連桿組中之各別一者之該第一連桿及該第二連桿中之一者或兩者，以防止該第一連桿組及該第二連桿組中之該各別一者之該第一連桿及該第二連桿相對於彼此樞轉；及 <br/>複數個輪子，其附接至該第一支腿組件及該第二支腿組件之下端； <br/>其中該推車不具有任何伸展至該兒童載具上方之推動式手柄，且該推車被配置為當該兒童載具耦接至該推車時由該兒童載具之一手柄推動。
如請求項14之推車，其中每一摺疊閂鎖被配置為接合該第一連桿組及該第二連桿組中之各別一者之該第一連桿及該第二連桿中之一者或兩者的鄰近該第一連桿及該第二連桿之一樞軸的一端。
如請求項14之推車，其中每一摺疊閂鎖具有一可移動式突起部，該可移動式突起部被配置為在一鎖定位置與一解鎖位置之間轉變，在該鎖定位置中，防止該第一連桿組及該第二連桿組中之各別一者之該第一連桿及該第二連桿相對於彼此樞轉，在該解鎖位置中，准許該第一連桿組及該第二連桿組中之該各別一者之該第一連桿及該第二連桿相對於彼此樞轉。
如請求項14之推車，其包含自該第一連桿組伸展至該第二連桿組之一橫桿，其中該橫桿沿著一豎直方向之移動使該第一連桿組及該第二連桿組將該推車自該展開配置轉變為該摺疊配置。
如請求項17之推車，其包含一致動器，該致動器由該橫桿支撐且被配置為由一照護者接合以使該等摺疊閂鎖中之每一者在一鎖定位置與一解鎖位置之間移動。
如請求項18之推車，其中該致動器包含可移動式致動器本體，該可移動式致動器本體被配置為當由該照護者接合時相對於該橫桿移動。
如請求項19之推車，其中該致動器包含一連桿，該連桿附接至該可移動式致動器本體及每一摺疊閂鎖，使得該可移動式致動器本體之移動被轉換為該摺疊閂鎖在該鎖定位置與該解鎖位置之間的移動。
如請求項18之推車，其中該致動器之移動使每一摺疊閂鎖圍繞一樞軸在該鎖定位置與該解鎖位置之間旋轉。
如請求項17之推車，其中每一摺疊閂鎖包含被配置為容納該摺疊閂鎖之一突起部之一閂鎖外殼，且每一閂鎖外殼圍繞一各別樞軸軸線將該橫桿可樞轉地耦接至該第一連桿組及該第二連桿組中之各別一者。
如請求項22之推車，其中該框架被配置為藉由使該第一支腿組件及該第二支腿組件圍繞該各別樞軸軸線朝向彼此樞轉而在該摺疊配置與一第二摺疊配置之間轉變。
如請求項22之推車，其中當該推車展開配置及該摺疊配置時，每一閂鎖外殼至少部分地安置於該第一連桿組及該第二連桿組中之各別一者之一連桿內。
如請求項24之推車，其中每一閂鎖外殼佔據該橫桿之一端與該第一連桿組及該第二連桿組中之各別一者之該第一連桿及該第二連桿中之一者之間的一空間，以便限制該空間中之夾點。
一種式I-D化合物或其醫藥學上可接受之鹽， <br/><img align="absmiddle" height="54px" width="123px" file="ed11667.jpg" alt="ed11667.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>I-D <br/>其中 <br/>W為CR<sup>w</sup>或N； <br/>X為CR<sup>x</sup>或N； <br/>Y為CR<sup>y</sup>或N； <br/>Z為-O-或-NR<sup>z</sup>-； <br/>R<sup>w</sup>、R<sup>x</sup>及R<sup>y</sup>各自獨立地為氫、鹵素、-OR<sup>2</sup>、-N(R<sup>2</sup>)<sub>2</sub>、-SR<sup>2</sup>、視情況經取代之C<sub>1-6</sub>脂肪族或-CN； <br/>R<sup>z</sup>為氫或視情況經取代之C<sub>1-6</sub>脂肪族； <br/>R<sup>1</sup>為視情況經取代之C<sub>1-6</sub>脂肪族； <br/>每一R<sup>2</sup>獨立地為氫或視情況經取代之C<sub>1-6</sub>脂肪族； <br/>環B係選自由以下組成之群：<img align="absmiddle" height="33px" width="36px" file="ed12338.jpg" alt="ed12338.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="33px" width="36px" file="ed12339.jpg" alt="ed12339.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="27px" width="44px" file="ed12340.jpg" alt="ed12340.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="27px" width="44px" file="ed12341.jpg" alt="ed12341.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="27px" width="44px" file="ed12342.jpg" alt="ed12342.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="38px" width="30px" file="ed12343.jpg" alt="ed12343.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="38px" width="28px" file="ed12344.jpg" alt="ed12344.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="38px" width="28px" file="ed12345.jpg" alt="ed12345.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="40px" file="ed12346.jpg" alt="ed12346.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="40px" file="ed12347.jpg" alt="ed12347.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="29px" width="40px" file="ed12348.jpg" alt="ed12348.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="40px" file="ed12349.jpg" alt="ed12349.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="42px" file="ed12350.jpg" alt="ed12350.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="40px" file="ed12351.jpg" alt="ed12351.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="42px" file="ed12352.jpg" alt="ed12352.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="28px" width="40px" file="ed12353.jpg" alt="ed12353.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及<img align="absmiddle" height="28px" width="42px" file="ed12354.jpg" alt="ed12354.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>環B1為視情況經取代之環，其選自苯基、具有1-3個獨立地選自氮、氧及硫之雜原子之5員至6員單環雜芳基、5員至6員飽和或部分不飽和單環碳環基及具有1-3個獨立地選自氮、氧及硫之雜原子之5員至6員飽和或部分不飽和單環雜環基； <br/>環B2為視情況經取代之環，其選自苯基、具有1-3個獨立地選自氮、氧及硫之雜原子之5員至6員單環雜芳基、5員至6員飽和或部分不飽和單環碳環基及具有1-3個獨立地選自氮、氧及硫之雜原子之5員至6員飽和或部分不飽和單環雜環基； <br/>其中環B2視情況(i)進一步與環B3稠合， <br/>或(ii)環B2與環B3組合形成螺環；且 <br/>環B3當存在時為視情況經取代之環，其選自苯基、具有1-3個獨立地選自氮、氧及硫之雜原子之5員至6員單環雜芳基、3員至7員飽和或部分不飽和單環碳環基及具有1-3個獨立地選自氮、氧及硫之雜原子之3員至7員飽和或部分不飽和單環雜環基； <br/>L為共價鍵或二價C<sub>1-3</sub>直鏈或具支鏈烴鏈； <br/>R<sup>a</sup>為氫、鹵素、視情況經取代之C<sub>1-6</sub>脂肪族、視情況經取代之苯基、具有1-4個獨立地選自氮、氧及硫之雜原子的視情況經取代之5員至6員單環雜芳基、視情況經取代之3員至7員飽和或部分不飽和單環碳環基、具有1-3個獨立地選自氮、氧及硫之雜原子的視情況經取代之3員至7員飽和或部分不飽和單環雜環基或具有1-4個獨立地選自氮、氧及硫之雜原子的視情況經取代之7員至10員飽和或部分不飽和雙環雜環基； <br/>R<sup>b</sup>為氫、鹵素、-CN、-OR、-O(CH<sub>2</sub>)<sub>n</sub>R、-SR、-N(R)<sub>2</sub>、-NO<sub>2</sub>、-C(O)R’、-C(O)OR、-C(O)N(R)<sub>2</sub>、-OC(O)R’、-OC(O)N(R)<sub>2</sub>、-OC(O)OR、-OSO<sub>2</sub>R、-OSO<sub>2</sub>N(R)<sub>2</sub>、-N(R)C(O)R’、-N(R)SO<sub>2</sub>R’、-SO<sub>2</sub>R’、-SO<sub>2</sub>N(R)<sub>2</sub>、-SO<sub>3</sub>R’、視情況經取代之C<sub>1-6</sub>脂肪族、視情況經取代之3員至6員飽和或部分不飽和單環碳環基、具有1-3個獨立地選自氮、氧及硫之雜原子的視情況經取代之3員至6員飽和或部分不飽和單環雜環基或具有1-4個獨立地選自氮、氧及硫之雜原子的視情況經取代之5員至6員單環雜芳基； <br/>每一R獨立地為氫、視情況經取代之C<sub>1-6</sub>脂肪族、視情況經取代之苯基、具有1-3個獨立地選自氮、氧及硫之雜原子的視情況經取代之5員至6員單環雜芳基、視情況經取代之3員至7員飽和或部分不飽和碳環基或具有1-3個獨立地選自氮、氧及硫之雜原子的視情況經取代之3員至7員飽和或部分不飽和單環雜環基，或兩個R在連接至同一氮原子時一起形成具有0-2個獨立地選自氮、氧及硫之額外雜原子的視情況經取代之3員至7員飽和或部分不飽和單環雜環基； <br/>每一R’獨立地為視情況經取代之C<sub>1-6</sub>脂肪族或視情況經取代之3員至7員飽和或部分不飽和碳環基；且 <br/>n為1、2或3。
一種式I-E化合物或其醫藥學上可接受之鹽， <br/><img align="absmiddle" height="53px" width="115px" file="ed11669.jpg" alt="ed11669.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>I-E <br/>其中 <br/>W為CR<sup>w</sup>或N； <br/>X為CR<sup>x</sup>或N； <br/>Y為CR<sup>y</sup>或N； <br/>Z為-O-或-NR<sup>z</sup>-； <br/>R<sup>w</sup>、R<sup>x</sup>及R<sup>y</sup>各自獨立地為氫、鹵素、-OR<sup>2</sup>、-N(R<sup>2</sup>)<sub>2</sub>、-SR<sup>2</sup>、視情況經取代之C<sub>1-6</sub>脂肪族或-CN； <br/>R<sup>z</sup>為氫或視情況經取代之C<sub>1-6</sub>脂肪族； <br/>R<sup>1</sup>為視情況經取代之C<sub>1-6</sub>脂肪族； <br/>每一R<sup>2</sup>獨立地為氫或視情況經取代之C<sub>1-6</sub>脂肪族； <br/><img align="absmiddle" height="24px" width="48px" file="ed11927.jpg" alt="ed11927.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>係<img align="absmiddle" height="31px" width="46px" file="ed12117.jpg" alt="ed12117.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="36px" width="44px" file="ed12089.jpg" alt="ed12089.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="33px" width="44px" file="ed12134.jpg" alt="ed12134.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="31px" width="46px" file="ed12145.jpg" alt="ed12145.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="31px" width="46px" file="ed12156.jpg" alt="ed12156.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="38px" width="46px" file="ed12167.jpg" alt="ed12167.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="41px" width="46px" file="ed12100.jpg" alt="ed12100.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="45px" width="46px" file="ed12184.jpg" alt="ed12184.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="41px" width="46px" file="ed12195.jpg" alt="ed12195.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="41px" width="46px" file="ed12206.jpg" alt="ed12206.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="41px" width="49px" file="ed12217.jpg" alt="ed12217.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="44px" width="58px" file="ed12228.jpg" alt="ed12228.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="44px" width="58px" file="ed12239.jpg" alt="ed12239.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="43px" width="60px" file="ed12250.jpg" alt="ed12250.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；L為共價鍵或二價C<sub>1-3</sub>直鏈或具支鏈烴鏈； <br/>R<sup>a</sup>為氫、鹵素、視情況經取代之C<sub>1-6</sub>脂肪族、視情況經取代之苯基、具有1-4個獨立地選自氮、氧及硫之雜原子的視情況經取代之5員至6員單環雜芳基、視情況經取代之3員至7員飽和或部分不飽和單環碳環基、具有1-3個獨立地選自氮、氧及硫之雜原子的視情況經取代之3員至7員飽和或部分不飽和單環雜環基或具有1-4個獨立地選自氮、氧及硫之雜原子的視情況經取代之7員至10員飽和或部分不飽和雙環雜環基； <br/>每一R<sup>b</sup>獨立地為氫、鹵素、-CN、-OR、-O(CH<sub>2</sub>)<sub>n</sub>R、-SR、-N(R)<sub>2</sub>、-NO<sub>2</sub>、-C(O)R’、-C(O)OR、-C(O)N(R)<sub>2</sub>、-OC(O)R’、-OC(O)N(R)<sub>2</sub>、-OC(O)OR、-OSO<sub>2</sub>R、-OSO<sub>2</sub>N(R)<sub>2</sub>、-N(R)C(O)R’、-N(R)SO<sub>2</sub>R’、-SO<sub>2</sub>R’、-SO<sub>2</sub>N(R)<sub>2</sub>、-SO<sub>3</sub>R’、視情況經取代之C<sub>1-6</sub>脂肪族、視情況經取代之3員至6員飽和或部分不飽和單環碳環基、具有1-3個獨立地選自氮、氧及硫之雜原子的視情況經取代之3員至6員飽和或部分不飽和單環雜環基或具有1-4個獨立地選自氮、氧及硫之雜原子的視情況經取代之5員至6員單環雜芳基； <br/>每一R獨立地為氫、視情況經取代之C<sub>1-6</sub>脂肪族、視情況經取代之苯基、具有1-3個獨立地選自氮、氧及硫之雜原子的視情況經取代之5員至6員單環雜芳基、視情況經取代之3員至7員飽和或部分不飽和碳環基或具有1-3個獨立地選自氮、氧及硫之雜原子的視情況經取代之3員至7員飽和或部分不飽和單環雜環基，或兩個R在連接至同一氮原子時一起形成具有0-2個獨立地選自氮、氧及硫之額外雜原子的視情況經取代之3員至7員飽和或部分不飽和單環雜環基； <br/>每一R’獨立地為視情況經取代之C<sub>1-6</sub>脂肪族或視情況經取代之3員至7員飽和或部分不飽和碳環基；且 <br/>每一n獨立地為1、2或3。
一種化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其係選自： <br/>或其醫藥學上可接受之鹽。
如請求項1或2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>a</sup>為氫、鹵素、視情況經取代之C<sub>1-6</sub>脂肪族、具有1-4個獨立地選自氮、氧及硫之雜原子的視情況經取代之5員至6員單環雜芳基、視情況經取代之3員至7員飽和或部分不飽和單環碳環基、具有1-3個獨立地選自氮、氧及硫之雜原子的視情況經取代之3員至7員飽和或部分不飽和單環雜環基或具有1-4個獨立地選自氮、氧及硫之雜原子的視情況經取代之7員至10員飽和或部分不飽和雙環雜環基。
如請求項1或2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>a</sup>為具有1-3個獨立地選自氮、氧及硫之雜原子的視情況經取代之3員至7員飽和或部分不飽和單環雜環基。
如請求項1或2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>a</sup>為具有1-4個獨立地選自氮、氧及硫之雜原子的視情況經取代之7員至10員飽和或部分不飽和雙環雜環基。
如請求項1或2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>a</sup>為視情況經取代之C<sub>1-4</sub>烷基。
如請求項1或2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中每一R<sup>b</sup>獨立地為視情況經取代之C<sub>1-4</sub>烷基或視情況經取代之C<sub>3</sub>-C<sub>4</sub>環烷基。
如請求項1或2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中每一R<sup>b</sup>獨立地為視情況經一或多個鹵素取代之C<sub>1-4</sub>烷基。
如請求項1或2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中L為共價鍵。
如請求項1或2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中L為-CH<sub>2</sub>-。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中環B選自由以下組成之群： <br/><img align="absmiddle" height="33px" width="36px" file="ed12338.jpg" alt="ed12338.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="33px" width="36px" file="ed12339.jpg" alt="ed12339.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="27px" width="44px" file="ed12340.jpg" alt="ed12340.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="27px" width="44px" file="ed12341.jpg" alt="ed12341.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及<img align="absmiddle" height="27px" width="44px" file="ed12342.jpg" alt="ed12342.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中環B選自由以下組成之群： <br/><img align="absmiddle" height="38px" width="30px" file="ed12343.jpg" alt="ed12343.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="38px" width="28px" file="ed12344.jpg" alt="ed12344.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="38px" width="28px" file="ed12345.jpg" alt="ed12345.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="40px" file="ed12346.jpg" alt="ed12346.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="40px" file="ed12347.jpg" alt="ed12347.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="29px" width="40px" file="ed12348.jpg" alt="ed12348.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="40px" file="ed12349.jpg" alt="ed12349.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="42px" file="ed12350.jpg" alt="ed12350.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="40px" file="ed12351.jpg" alt="ed12351.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="42px" file="ed12352.jpg" alt="ed12352.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="28px" width="40px" file="ed12353.jpg" alt="ed12353.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及<img align="absmiddle" height="28px" width="42px" file="ed12354.jpg" alt="ed12354.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1或2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>1</sup>為C<sub>1-4</sub>烷基。
如請求項1或2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中W為CH且Y為N。
如請求項1或2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中X為CR<sup>x</sup>且R<sup>x</sup>為氫、鹵素、-CN、-OR<sup>2</sup>或視情況經取代之C<sub>1-6</sub>脂肪族。
如請求項1或2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中Z為-NH-。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物係式IV-D化合物： <br/><img align="absmiddle" height="54px" width="123px" file="ed11668.jpg" alt="ed11668.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>IV-D。
如請求項2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物係式IV-E化合物： <br/><img align="absmiddle" height="53px" width="115px" file="ed11670.jpg" alt="ed11670.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>IV-E。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1至19中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽以及醫藥學上可接受之載劑。
一種如請求項1至19中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或如請求項20之醫藥組合物之用途，其係用以製備用於治療與JAK2相關之疾病、病症或疾患之藥物。
如請求項21之用途，其中該疾病、病症或疾患係癌症。
如請求項21之用途，其中該疾病、病症或疾患係血液惡性病。
如請求項23之用途，其中該血液惡性病為白血病或淋巴瘤。
如請求項21之用途，其中該疾病、病症或疾患係骨髓增殖性贅瘤。
如請求項25之用途，其中該骨髓增殖性贅瘤為真性紅血球過多症、原發性血小板減少症或骨髓纖維化。
一種光學測定系統，包括： <br/>光源； <br/>影像感測器；以及 <br/>光學系統，包含光分束器，將來自前述光源的光分支為第1光以及第2光； <br/>前述光學系統被配置為藉由前述影像感測器，記錄將前述第1光照明樣本得到的光，以作為發散光的前述第2光所調變過的第1全像圖； <br/>前述光學系統包含限制部，將前述第1光照明前述樣本得到的光的傳播限制在特定範圍； <br/>在前述影像感測器記錄之全像圖之空間頻率區域中，前述第1光照明前述樣本的範圍大小被決定以使對應前述第1光之成分與對應前述第1光之成分以外的成分不重複。
如請求項1之光學測定系統，其中，前述限制部將前述第1光照明前述樣本的範圍，限制在前述特定範圍中。
如請求項1之光學測定系統，其中，前述限制部將前述第1光照明前述樣本得到的光所通過的範圍，限制於前述特定範圍中。
如請求項1至3中任一項之光學測定系統，其中，前述限制部包含在遮蔽元件形成對應前述特定範圍的開口圖型的遮罩。
如請求項4之光學測定系統，其中，前述限制部被配置為可變更前述開口圖型的大小。
如請求項1至3中任一項之光學測定系統，其中，前述光學系統為離軸全像(off-axis holography)之光學系統。
如請求項1至3中任一項之光學測定系統，其中： <br/>前述光學系統由前述第1光照明前述樣本得到的透射光生成前述第1全像圖； <br/>在前述光學系統中，代替前述樣本，由以前述第1光照明前述樣本中包含之測定對象外的基板得到的透射光記錄第2全像圖。
如請求項1至3中任一項之光學測定系統，其中： <br/>前述光學系統由前述第1光照明前述樣本得到的反射光生成前述第1全像圖； <br/>在前述光學系統中，代替前述樣本，由以前述第1光照明基準參考面得到的透射光記錄第2全像圖。
如請求項7之光學測定系統，更包括處理裝置，基於前述第1全像圖以及前述第2全像圖算出前述樣本的形狀。
一種光學測定方法，利用光學系統包含的光分束器將來自光源的光分支為第1光以及第2光，包括： <br/>第1全像圖記錄步驟，藉由影像感測器，記錄將前述第1光照明樣本得到的光，以作為發散光的前述第2光所調變過的第1全像圖； <br/>第2全像圖記錄步驟，在前述樣本不存在的狀態下，藉由前述影像感測器，記錄將前述第1光以作為發散光的前述第2光所調變過的第2全像圖；以及 <br/>算出步驟，基於前述第1全像圖以及前述第2全像圖算出前述樣本的形狀； <br/>其中，藉由前述影像感測器記錄前述第2全像圖的步驟係，包含以下的步驟：在前述影像感測器記錄之前述第2全像圖之空間頻率區域中，以對應前述第1光之成分與對應前述第1光之成分以外的成分不重複的方式，使前述第1光照明前述樣本得到的光的傳播被限制在特定範圍。
一種電連接器，其係安裝於基板者，且具備： <br/>信號接點，其具有：接觸部，其於自上述基板離開之方向延伸；及端子部，其以自上述接觸部引出之方式沿上述基板延伸； <br/>接地接點，其具有：立壁部，其無接縫包圍上述接觸部之周圍；及基板連接部，其與上述立壁部一體形成，沿上述基板向外側延伸並無接縫包圍上述立壁部之周圍；及 <br/>絕緣性之殼體，其配置於上述信號接點與上述接地接點之間，保持上述信號接點與上述接地接點；且 <br/>上述接地接點具有自上述立壁部之自上述基板離開之方向之端部即前端部，朝被上述立壁部包圍之區域突出，使上述殼體相對於上述接地接點卡止的突起狀之卡止部； <br/>於上述殼體形成有卡止於上述卡止部之凹部。
一種電連接器，其係安裝於基板者，且具備： <br/>信號接點，其具有：接觸部，其於自上述基板離開之方向延伸；及端子部，其以自上述接觸部引出之方式沿上述基板延伸； <br/>接地接點，其具有：立壁部，其無接縫包圍上述接觸部之周圍；及基板連接部，其與上述立壁部一體形成，沿上述基板向外側延伸並無接縫包圍上述立壁部之周圍；及 <br/>絕緣性之殼體，其配置於上述信號接點與上述接地接點之間，保持上述信號接點與上述接地接點；且 <br/>上述接地接點具有自上述立壁部之自上述基板離開之方向之端部即前端部，朝被上述立壁部包圍之區域突出，使上述殼體相對於上述接地接點卡止的突起狀之卡止部； <br/>上述卡止部以隔著上述接觸部彼此對向之方式設置一對。
如請求項1或2之電連接器，其中上述殼體具有沿上述立壁部之內周面延伸之柱狀部。
如請求項1或2之電連接器，其中上述立壁部之上述前端部以朝被上述立壁部包圍之區域彎曲之方式形成。
如請求項1或2之電連接器，其中上述接地接點與上述殼體分開形成； <br/>上述殼體具有與上述立壁部之內周面對向之凸狀面之壓入部。
如請求項1或2之電連接器，其中上述殼體以內包上述卡止部之周圍之方式，藉由嵌入成形與上述接地接點一體形成。
如請求項1或2之電連接器，其中上述接地接點藉由引伸加工而將上述立壁部與上述基板連接部一體形成。
一種研磨墊，其係具備具有細孔之樹脂薄片的研磨墊，其特徵為 <br/> 在藉由定為接觸角130°、水銀表面張力485dyn/cm之水銀壓入法所測定之前述樹脂薄片的細孔分布，於0.010 μm以上1.0μm以下之細孔徑的範圍之累積細孔容積V為0.21cm<sup>3</sup>/g以上1.00cm<sup>3</sup>/g以下， <br/> 前述樹脂薄片的密度為0.3g/cm<sup>3</sup>以上0.9g/cm<sup>3</sup>以下。
如請求項1之研磨墊，其中，在前述樹脂薄片之前述細孔分布，前述累積細孔容積V相對於在0.010 μm以上360μm以下之細孔徑的範圍之累積細孔容積V<sub>0</sub>的比例為50%以上。
如請求項1或2之研磨墊，其中，將在前述樹脂薄片之10μm以上的開孔作為對象測定之平均開孔徑為50μm以上200μm以下。
如請求項1或2之研磨墊，其中，在前述樹脂薄片之前述細孔分布，在0.010μm以上360 μm以下之細孔徑的範圍之最大峰值的峰值位置在0.010μm以上1.0μm以下之細孔徑的範圍內。
如請求項1或2之研磨墊，其中，前述樹脂薄片具有微相分離結構。
如請求項1或2之研磨墊，其中，前述樹脂薄片包含聚胺基甲酸酯。
一種研磨墊之製造方法，其係製造如請求項1～6中任一項之研磨墊之方法，其特徵為包含： <br/> 藉由硬化至少1種的預聚物與至少2種的硬化劑的混合液，而得到具有微相分離結構的樹脂薄片之步驟。
如請求項7之研磨墊之製造方法，其中，前述硬化劑包含NH<sub>2</sub>當量為100以上300以下之第1硬化劑、與OH當量為1000以上2000以下之第2硬化劑。
一種研磨加工物之製造方法，其係具有：於研磨漿料的存在下，使用如請求項1～6中任一項之研磨墊，研磨被研磨物之研磨步驟。
一種研磨墊，其係具備具有細孔之樹脂薄片的研磨墊，其特徵為 <br/> 在藉由定為接觸角130°、水銀表面張力485dyn/cm之水銀壓入法所測定之前述樹脂薄片的細孔分布，於0.100 μm以上10.0μm以下之細孔徑的範圍之累積細孔容積V為0.020cm<sup>3</sup>/g以上0.100cm<sup>3</sup>/g以下， <br/> 前述樹脂薄片的密度為0.9g/cm<sup>3</sup>以上1.3g/cm<sup>3</sup>以下。
如請求項10之研磨墊，其中，在前述樹脂薄片之前述細孔分布，於0.050μm以上且未滿0.100μm的細孔徑的範圍之累積細孔容積V’為0.000cm<sup>3</sup>/g以上0.120 cm<sup>3</sup>/g以下。
如請求項10或11之研磨墊，其中，在前述樹脂薄片之前述細孔分布，前述累積細孔容積V相對於在0.100μm以上360μm以下之細孔徑的範圍之累積細孔容積V<sub>0</sub>的比例為50%以上。
如請求項10或11之研磨墊，其中，在前述樹脂薄片之前述細孔分布，前述累積細孔容積V相對於在0.050μm以上360μm以下之細孔徑的範圍之累積細孔容積V<sub>0</sub>’的比例為50%以上。
如請求項10或11之研磨墊，其中，在前述樹脂薄片之前述細孔分布，在0.100μm以上360 μm以下之細孔徑的範圍之最大峰值的峰值位置在0.100μm以上10.0μm以下之細孔徑的範圍內。
如請求項10或11之研磨墊，其中，在前述樹脂薄片之前述細孔分布，在0.050μm以上360 μm以下之細孔徑的範圍之最大峰值的峰值位置在0.050μm以上10.0μm以下之細孔徑的範圍內。
如請求項10或11之研磨墊，其中，在前述樹脂薄片之前述細孔分布，於0.100μm以上360 μm以下之細孔徑的範圍之累積細孔容積V<sub>0</sub>為0.040cm<sup>3</sup>/g以上0.120cm<sup>3</sup>/g以下。
如請求項10或11之研磨墊，其中，在前述樹脂薄片之前述細孔分布，於0.050μm以上360 μm以下之細孔徑的範圍之累積細孔容積V<sub>0</sub>’為0.040cm<sup>3</sup>/g以上0.200cm<sup>3</sup>/g以下。
如請求項10或11之研磨墊，其中，前述樹脂薄片具有微相分離結構。
如請求項10或11之研磨墊，其中，前述樹脂薄片包含聚胺基甲酸酯。
一種研磨墊，其係具備具有細孔之樹脂薄片的研磨墊，其特徵為 <br/> 在藉由定為接觸角130°、水銀表面張力485dyn/cm之水銀壓入法所測定之前述樹脂薄片的細孔分布，於0.050 μm以上10.0μm以下之細孔徑的範圍之累積細孔容積V”為0.020cm<sup>3</sup>/g以上0.140cm<sup>3</sup>/g以下， <br/> 前述樹脂薄片的密度為0.9g/cm<sup>3</sup>以上1.3g/cm<sup>3</sup>以下。
一種研磨墊之製造方法，其係製造如請求項10～20中任一項之研磨墊之方法，其特徵為包含： <br/> 藉由硬化至少1種的預聚物與至少2種的硬化劑的混合液，而得到具有微相分離結構的樹脂薄片之步驟。
如請求項21之研磨墊之製造方法，其中，前述硬化劑包含NH<sub>2</sub>當量為100以上300以下之第1硬化劑、與OH當量為200以上500以下之第2硬化劑、與OH當量為1000以上2000以下之第3硬化劑。
一種研磨加工物之製造方法，其係具有：於研磨漿料的存在下，使用如請求項10～20中任一項之研磨墊，研磨被研磨物之研磨步驟。
一種包覆墊，其係具備具有細孔之樹脂薄片的包覆墊，其特徵為 <br/> 在藉由定為接觸角130°、水銀表面張力485dyn/cm之水銀壓入法所測定之前述樹脂薄片的細孔分布，於0.010 μm以上1.0μm以下之細孔徑的範圍之累積細孔容積V為0.21cm<sup>3</sup>/g以上1.00cm<sup>3</sup>/g以下， <br/> 前述樹脂薄片的密度為0.3g/cm<sup>3</sup>以上0.9g/cm<sup>3</sup>以下。
如請求項24之包覆墊，其中，在前述樹脂薄片之前述細孔分布，前述累積細孔容積V相對於在0.010μm以上360μm以下之細孔徑的範圍之累積細孔容積V<sub>0</sub>的比例為50%以上。
如請求項24或25之包覆墊，其中，將在前述樹脂薄片之10μm以上的開孔作為對象測定之平均開孔徑為50μm以上200μm以下。
如請求項24或25之包覆墊，其中，在前述樹脂薄片之前述細孔分布，在0.010μm以上360 μm以下之細孔徑的範圍之最大峰值的峰值位置在0.010μm以上1.0μm以下之細孔徑的範圍內。
如請求項24或25之包覆墊，其中，前述樹脂薄片具有微相分離結構。
如請求項24或25之包覆墊，其中，前述樹脂薄片包含聚胺基甲酸酯。
一種包覆墊之製造方法，其係製造如請求項24～29中任一項之包覆墊之方法，其特徵為包含： <br/> 藉由硬化至少1種的預聚物與至少2種的硬化劑的混合液，而得到具有微相分離結構的樹脂薄片之步驟。
如請求項30之包覆墊之製造方法，其中，前述硬化劑包含NH<sub>2</sub>當量為100以上300以下之第1硬化劑、與OH當量為1000以上2000以下之第2硬化劑。
一種包覆加工物之製造方法，其係具有：於漿料的存在下，使用如請求項24～29中任一項的包覆墊，包覆加工被加工物之包覆步驟。
一種包覆墊，其係具備具有細孔之樹脂薄片的包覆墊，其特徵為 <br/> 在藉由定為接觸角130°、水銀表面張力485dyn/cm之水銀壓入法所測定之前述樹脂薄片的細孔分布，於0.100 μm以上10.0μm以下之細孔徑的範圍之累積細孔容積V為0.020cm<sup>3</sup>/g以上0.100cm<sup>3</sup>/g以下， <br/> 前述樹脂薄片的密度為0.9g/cm<sup>3</sup>以上1.3g/cm<sup>3</sup>以下。
如請求項33之包覆墊，其中，在前述樹脂薄片之前述細孔分布，於0.050μm以上且未滿0.100μm的細孔徑的範圍之累積細孔容積V’為0.000cm<sup>3</sup>/g以上0.120 cm<sup>3</sup>/g以下。
如請求項33或34之包覆墊，其中，在前述樹脂薄片之前述細孔分布，前述累積細孔容積V相對於在0.100μm以上360μm以下之細孔徑的範圍之累積細孔容積V<sub>0</sub>的比例為50%以上。
如請求項33或34之包覆墊，其中，在前述樹脂薄片之前述細孔分布，前述累積細孔容積V相對於在0.050μm以上360μm以下之細孔徑的範圍之累積細孔容積V<sub>0</sub>’的比例為50%以上。
如請求項33或34之包覆墊，其中，在前述樹脂薄片之前述細孔分布，在0.100μm以上360 μm以下之細孔徑的範圍之最大峰值的峰值位置在0.100μm以上10.0μm以下之細孔徑的範圍內。
如請求項33或34之包覆墊，其中，在前述樹脂薄片之前述細孔分布，在0.050μm以上360 μm以下之細孔徑的範圍之最大峰值的峰值位置在0.050μm以上10.0μm以下之細孔徑的範圍內。
如請求項33或34之包覆墊，其中，在前述樹脂薄片之前述細孔分布，於0.100μm以上360 μm以下之細孔徑的範圍之累積細孔容積V<sub>0</sub>為0.040cm<sup>3</sup>/g以上0.120cm<sup>3</sup>/g以下。
如請求項33或34之包覆墊，其中，在前述樹脂薄片之前述細孔分布，於0.050μm以上360 μm以下之細孔徑的範圍之累積細孔容積V<sub>0</sub>’為0.040cm<sup>3</sup>/g以上0.200cm<sup>3</sup>/g以下。
如請求項33或34之包覆墊，其中，前述樹脂薄片具有微相分離結構。
如請求項33或34之包覆墊，其中，前述樹脂薄片包含聚胺基甲酸酯。
一種包覆墊，其係具備具有細孔之樹脂薄片的包覆墊，其特徵為 <br/> 在藉由定為接觸角130°、水銀表面張力485dyn/cm之水銀壓入法所測定之前述樹脂薄片的細孔分布，於0.050 μm以上10.0μm以下之細孔徑的範圍之累積細孔容積V”為0.020cm<sup>3</sup>/g以上0.140cm<sup>3</sup>/g以下， <br/> 前述樹脂薄片的密度為0.9g/cm<sup>3</sup>以上1.3g/cm<sup>3</sup>以下。
一種包覆墊之製造方法，其係製造如請求項33～43中任一項之包覆墊之方法，其特徵為包含： <br/> 藉由硬化至少1種的預聚物與至少2種的硬化劑的混合液，而得到具有微相分離結構的樹脂薄片之步驟。
如請求項44之包覆墊之製造方法，其中，前述硬化劑包含NH<sub>2</sub>當量為100以上300以下之第1硬化劑、與OH當量為200以上500以下之第2硬化劑、與OH當量為1000以上2000以下之第3硬化劑。
一種包覆加工物之製造方法，其係具有：於漿料的存在下，使用如請求項33～43中任一項之包覆墊，包覆加工被加工物之包覆步驟。
一種用於對視訊資料進行解碼的設備，該設備包括：<br/> 一記憶體，被配置為儲存該視訊資料；<br/> 在電路系統中實現並被配置為進行如下操作的一或多個處理器：<br/> 決定一當前圖片的一當前區塊是以一訊框間預測模式被編碼的；<br/> 基於該訊框間預測模式來決定針對該當前區塊的一運動向量；<br/> 決定針對該運動向量的一運動向量精度；<br/> 辨識該當前圖片內的一當前區塊範本；<br/> 在一搜尋區域內搜尋對應於該當前區塊範本的一最終參考區塊範本，其中為了在該搜尋區域內搜尋，該一或多個處理器亦被配置為：<br/> 基於該運動向量來辨識一初始參考區塊範本，<br/> 使用被設置為一初始步長的一步長搜尋在該初始參考區塊範本周圍的其他參考區塊範本，以及<br/> 從該初始步長反覆運算地減小該步長，直到該步長被設置為等於該運動向量精度的一最終步長，其中為了從該初始步長反覆運算地減小該步長，直到該步長被設置為等於該運動向量精度的該最終步長，該一或多個處理器亦被配置為：<br/> 決定該步長等於該運動向量精度；及<br/> 回應於決定該步長等於該運動向量精度，終止該反覆運算地減小該步長；<br/> 基於該最終參考區塊範本來決定針對該當前區塊的一預測區塊；<br/> 基於所決定的該預測區塊來對該當前圖片進行解碼；及<br/> 輸出該當前圖片的一經解碼版本。
根據請求項1之設備，其中為了反覆運算地減小該初始步長，直到該最終步長等於該運動向量精度，該一或多個處理器亦被配置為：<br/> 使用該初始步長搜尋在該初始參考區塊範本周圍的該等其他參考區塊範本，以決定一第一被細化運動向量；<br/> 將該步長從該初始步長反覆運算地減小到一較精細的步長；<br/> 基於該第一被細化運動向量來辨識一新的初始參考區塊範本；及<br/> 使用該較精細的步長搜尋在該新的初始參考區塊範本周圍的一第二組其他參考區塊範本，以決定一第二被細化運動向量。
根據請求項1之設備，其中該初始步長等於n-圖元，並且為了從該初始步長反覆運算地減小該步長，直到該步長被設置為等於該運動向量精度的該最終步長，該一或多個處理器亦被配置為將該步長從n-圖元減小到n/2-圖元。
根據請求項1之設備，其中被用於在該搜尋區域內搜尋的所有步長值皆大於或等於該運動向量精度。
根據請求項1之設備，其中為了反覆運算地減小該步長，該一或多個處理器亦被配置為將該步長減小一1/2倍。
根據請求項1之設備，其中為了反覆運算地減小該初始步長直到該最終步長等於該運動向量精度，該一或多個處理器亦被配置為：<br/> 使用該初始步長和一第一搜尋圖案搜尋在該初始參考區塊範本周圍的該等其他參考區塊範本，以決定一第一被細化運動向量；<br/> 基於該第一被細化運動向量來辨識一新的初始參考區塊範本；及<br/> 使用該初始步長和一第二搜尋圖案搜尋在該新的初始參考區塊範本周圍的一第二組其他參考區塊範本，以決定一第二被細化運動向量。
根據請求項1之設備，其中該運動向量辨識一參考圖片中的一參考區塊的一左上取樣，並且該搜尋區域是在該左上取樣的一x方向上的8個取樣內並且在該左上取樣的一y方向上的8個取樣內的一區域。
根據請求項1之設備，其中該運動向量精度和該最終步長大於1/8圖元。
根據請求項1之設備，其中該訊框間預測模式包括一AMVP模式，並且決定針對該當前區塊的該運動向量精度包括在一位元串流中接收指示該運動向量精度的一語法元素。
根據請求項1之設備，其中該訊框間預測模式包括一合併模式，並且決定針對該當前區塊的該運動向量精度包括根據一合併列表中的一候選決定該運動向量精度。
根據請求項1之設備，其中為了輸出該當前圖片的該經解碼版本，該一或多個處理器亦被配置為輸出該當前圖片的該經解碼版本以供顯示。
根據請求項1之設備，其中用於進行解碼的該設備被配置為作為對該當前圖片執行一編碼程序的一部分對該當前圖片的該當前區塊進行解碼，並且其中為了輸出該當前圖片的該經解碼版本，該一或多個處理器亦被配置為儲存該等當前圖片的該經解碼版本以用於編碼該視訊資料的後續區塊。
根據請求項1之設備，其中該設備包括一無線通訊設備，亦包括被配置為接收經編碼的視訊資料的一接收器。
根據請求項13之設備，其中該無線通訊設備包括一電話手機，並且其中該接收器被配置為根據一無線通訊標準對包括該經編碼的視訊資料的一信號進行解調。
根據請求項1之設備，亦包括：一顯示器，被配置為顯示經解碼的視訊資料。
根據請求項1之設備，其中該設備包括一電腦、一行動設備、一廣播接收器設備或一機上盒中的一或多個。
根據請求項1之設備，其中該設備包括被配置為擷取該視訊資料的一相機。
一種對視訊資料進行解碼的方法，該方法包括以下步驟：<br/> 決定一當前圖片的一當前區塊是以一訊框間預測模式被編碼的；<br/> 基於該訊框間預測模式來決定針對該當前區塊的一運動向量；<br/> 決定針對該運動向量的一運動向量精度；<br/> 辨識該當前圖片內的一當前區塊範本；<br/> 在一搜尋區域內搜尋對應於該當前區塊範本的一最終參考區塊範本，其中在該搜尋區域內搜尋之步驟包括以下步驟：<br/> 基於該運動向量來辨識一初始參考區塊範本，<br/> 使用被設置為一初始步長的一步長搜尋在該初始參考區塊範本周圍的其他參考區塊範本，以及<br/> 從該初始步長反覆運算地減小該步長，直到該步長被設置為等於該運動向量精度的一最終步長，其中從該初始步長反覆運算地減小該步長，直到該步長被設置為等於該運動向量精度的該最終步長，包括以下步驟：<br/> 決定該步長等於該運動向量精度；及<br/> 回應於決定該步長等於該運動向量精度，終止反覆運算地減小該步長；<br/> 基於該最終參考區塊範本來決定針對該當前區塊的一預測區塊；<br/> 基於所決定的該預測區塊來對該當前圖片進行解碼；及<br/> 輸出該當前圖片的一經解碼版本。
根據請求項18之方法，其中反覆運算地減小該初始步長，直到該最終步長等於該運動向量精度，包括以下步驟：<br/> 使用該初始步長搜尋在該初始參考區塊範本周圍的該等其他參考區塊範本，以決定一第一被細化運動向量；<br/> 將該步長從該初始步長反覆運算地減小到一較精細的步長；<br/> 基於該第一被細化運動向量來辨識一新的初始參考區塊範本；及<br/> 使用該較精細的步長搜尋在該新的初始參考區塊範本周圍的一第二組其他參考區塊範本，以決定一第二被細化運動向量。
根據請求項18之方法，其中該初始步長等於n-圖元，並且從該初始步長反覆運算地減小該步長，直到該步長被設置為等於該運動向量精度的該最終步長，包括以下步驟：將該步長從n-圖元減小到n/2-圖元。
根據請求項18之方法，其中被用於在該搜尋區域內搜尋的所有步長值皆大於或等於該運動向量精度。
根據請求項18之方法，其中該反覆運算地減小該步長之步驟包括以下步驟：將該步長減小一1/2倍。
根據請求項18之方法，其中反覆運算地減小該初始步長直到該最終步長等於該運動向量精度，包括以下步驟：<br/> 使用該初始步長和一第一搜尋圖案搜尋在該初始參考區塊範本周圍的該等其他參考區塊範本，以決定一第一被細化運動向量；<br/> 基於該第一被細化運動向量來辨識一新的初始參考區塊範本；及<br/> 使用該初始步長和一第二搜尋圖案搜尋在該新的初始參考區塊範本周圍的一第二組其他參考區塊範本，以決定一第二被細化運動向量。
根據請求項18之方法，其中該運動向量辨識一參考圖片中的一參考區塊的一左上取樣，並且該搜尋區域是在該左上取樣的一x方向上的8個取樣內並且在該左上取樣的一y方向上的8個取樣內的一區域。
根據請求項18之方法，其中該運動向量精度和該最終步長大於1/8圖元。
根據請求項18之方法，其中該訊框間預測模式包括一AMVP模式，並且決定針對該當前區塊的該運動向量精度之步驟包括以下步驟：在一位元串流中接收指示該運動向量精度的一語法元素。
根據請求項18之方法，其中該訊框間預測模式包括一合併模式，並且決定針對該當前區塊的該運動向量精度之步驟包括以下步驟：根據一合併列表中的一候選決定該運動向量精度。
根據請求項18之方法，其中輸出該當前圖片的該經解碼版本之步驟包括以下步驟：輸出該當前圖片的該經解碼版本以供顯示。
根據請求項18之方法，其中用於進行解碼的該方法作為一視訊編碼處理的一部分執行，並且其中輸出該當前圖片的該經解碼版本之步驟包括以下步驟：儲存該等當前圖片的該經解碼版本以用於編碼該視訊資料的後續區塊。
一種儲存指令的電腦可讀取儲存媒體，該等指令在由一或多個處理器執行時使該一或多個處理器進行如下操作：<br/> 決定一當前圖片的一當前區塊是以一訊框間預測模式被編碼的；<br/> 基於該訊框間預測模式來決定針對該當前區塊的一運動向量；<br/> 決定針對該運動向量的一運動向量精度；<br/> 辨識該當前圖片內的一當前區塊範本；<br/> 在一搜尋區域內搜尋對應於該當前區塊範本的一最終參考區塊範本，其中為了在該搜尋區域內搜尋，該等指令使該一或多個處理器進行如下操作：<br/> 基於該運動向量來辨識一初始參考區塊範本，<br/> 使用被設置為一初始步長的一步長搜尋在該初始參考區塊範本周圍的其他參考區塊範本，以及<br/> 從該初始步長反覆運算地減小該步長，直到該步長被設置為等於該運動向量精度的一最終步長，其中為了從該初始步長反覆運算地減小該步長，直到該步長被設置為等於該運動向量精度的該最終步長，該一或多個處理器亦被配置為：<br/> 決定該步長等於該運動向量精度；及<br/> 回應於決定該步長等於該運動向量精度，終止該反覆運算地減小該步長；<br/> 基於該最終參考區塊範本來決定針對該當前區塊的一預測區塊；<br/> 基於所決定的該預測區塊來對該當前圖片進行解碼；及<br/> 輸出該當前圖片的一經解碼版本。
根據請求項30之電腦可讀取儲存媒體，其中為了反覆運算地減小該初始步長，直到該最終步長等於該運動向量精度，該一或多個處理器亦被配置為：<br/> 使用該初始步長搜尋在該初始參考區塊範本周圍的該等其他參考區塊範本，以決定一第一被細化運動向量；<br/> 將該步長從該初始步長反覆運算地減小到一較精細的步長；<br/> 基於該第一被細化運動向量來辨識一新的初始參考區塊範本；及<br/> 使用該較精細的步長搜尋在該新的初始參考區塊範本周圍的一第二組其他參考區塊範本，以決定一第二被細化運動向量。
根據請求項30之電腦可讀取儲存媒體，其中該初始步長等於n-圖元，並且為了從該初始步長反覆運算地減小該步長，直到該步長被設置為等於該運動向量精度的該最終步長，該一或多個處理器亦被配置為將該步長從n-圖元減小到n/2-圖元。
根據請求項30之電腦可讀取儲存媒體，其中被用於在該搜尋區域內搜尋的所有步長值皆大於或等於該運動向量精度。
根據請求項30之電腦可讀取儲存媒體，其中為了反覆運算地減小該步長，該一或多個處理器亦被配置為將該步長減小一1/2倍。
根據請求項30之電腦可讀取儲存媒體，其中為了反覆運算地減小該初始步長直到該最終步長等於該運動向量精度，該一或多個處理器亦被配置為：<br/> 使用該初始步長和一第一搜尋圖案搜尋在該初始參考區塊範本周圍的該等其他參考區塊範本，以決定一第一被細化運動向量；<br/> 基於該第一被細化運動向量來辨識一新的初始參考區塊範本；及<br/> 使用該初始步長和一第二搜尋圖案搜尋在該新的初始參考區塊範本周圍的一第二組其他參考區塊範本，以決定一第二被細化運動向量。
根據請求項30之電腦可讀取儲存媒體，其中該運動向量辨識一參考圖片中的一參考區塊的一左上取樣，並且該搜尋區域是在該左上取樣的一x方向上的8個取樣內並且在該左上取樣的一y方向上的8個取樣內的一區域。
根據請求項30之電腦可讀取儲存媒體，其中該運動向量精度和該最終步長大於1/8圖元。
根據請求項30之電腦可讀取儲存媒體，其中該訊框間預測模式包括一AMVP模式，並且決定針對該當前區塊的該運動向量精度包括在一位元串流中接收指示該運動向量精度的一語法元素。
根據請求項30之電腦可讀取儲存媒體，其中該訊框間預測模式包括一合併模式，並且決定針對該當前區塊的該運動向量精度包括根據一合併列表中的一候選決定該運動向量精度。
根據請求項30之電腦可讀取儲存媒體，其中為了輸出該當前圖片的該經解碼版本，該一或多個處理器亦被配置為輸出該當前圖片的該經解碼版本以供顯示。
根據請求項30之電腦可讀取儲存媒體，其中用於進行解碼的該設備被配置為作為對該當前圖片執行一編碼程序的一部分對該當前圖片的該當前區塊進行解碼，並且其中為了輸出該當前圖片的該經解碼版本，該一或多個處理器亦被配置為儲存該等當前圖片的該經解碼版本以用於編碼該視訊資料的後續區塊。
一種用於對視訊資料進行解碼的設備，該設備包括：<br/> 用於決定一當前圖片的一當前區塊是以一訊框間預測模式被編碼的構件；<br/> 用於基於該訊框間預測模式來決定針對該當前區塊的一運動向量的構件；<br/> 用於決定針對該運動向量的一運動向量精度的構件；<br/> 用於辨識該當前圖片內的一當前區塊範本的構件；<br/> 用於在一搜尋區域內搜尋對應於該當前區塊範本的一最終參考區塊範本的構件，其中該用於在該搜尋區域內搜尋的構件包括：<br/> 用於基於該運動向量來辨識一初始參考區塊範本的構件，<br/> 用於使用被設置為一初始步長的一步長搜尋在該初始參考區塊範本周圍的其他參考區塊範本的構件，以及<br/> 用於從該初始步長反覆運算地減小該步長，直到該步長被設置為等於該運動向量精度的一最終步長的構件，其中用於從該初始步長反覆運算地減小該步長，直到該步長被設置為等於該運動向量精度的一最終步長的構件亦包括：<br/> 用於決定該步長等於該運動向量精度的構件；及<br/> 用於回應於決定該步長等於該運動向量精度，終止反覆運算地減小該步長的構件；<br/> 用於基於該最終參考區塊範本來決定針對該當前區塊的一預測區塊的構件；<br/> 用於基於所決定的該預測區塊來對該當前圖片進行解碼的構件；及<br/> 用於輸出該當前圖片的一經解碼版本的構件。
一種全固體電池用負極，包含負極活性物質與固體電解質，所述負極活性物質包含藉由X射線繞射而測定的面間隔(d<sub>002</sub>)為0.336nm以上且未滿0.350nm且回彈率為13%以上的碳材料，所述回彈率是透過以下方式測定：於直徑15.0mm的圓筒形的粉末成形模具中填充3.000±0.005g的所述碳材料，使用自動古拉夫對填充至所述粉末成形模具中的所述碳材料進行單軸加壓，直至所述碳材料的密度達到1.65g/cm<sup>3</sup>為止，於所述碳材料的密度達到1.65g/cm<sup>3</sup>後，將除壓至壓力達到0N為止，於該0N的狀態下保持30秒鐘，於保持30秒鐘後，使用所述自動古拉夫對所述碳材料進行加壓，測定壓力達到2N時的所述碳材料的密度ρ<sub>後</sub>(g/cm<sup>3</sup>)，根據所獲得的值，利用以下的公式來算出回彈率：回彈率(%)={(1.65-ρ<sub>後</sub>)/1.65}×100。
如請求項1所述的全固體電池用負極，其中所述碳材料是體積平均粒子徑為5μm~30μm的粒子。
如請求項1或請求項2所述的全固體電池用負極，其中所述碳材料的基於氮吸附能力的布厄特比表面積為0.5m<sup>2</sup>/g~10m<sup>2</sup>/g。
如請求項1或請求項2所述的全固體電池用負極，其中所述負極活性物質與所述固體電解質的質量比例(負極活性物質：固體電解質)為5：95~70：30。
如請求項1或請求項2所述的全固體電池用負極，其中所述固體電解質為硫化物固體電解質。
一種全固體電池，包括：如請求項1至請求項5中任一項所述的全固體電池用負極、正極、以及配置於所述全固體電池用負極與所述正極之間的固體電解質層。
一種全固體電池用負極活性物質，所述負極活性物質用於包含負極活性物質與固體電解質的電極中，且是X射線繞射測定中的面間隔(d<sub>002</sub>)為0.336nm以上且未滿0.350nm且回彈率為13%以上的碳材料，所述回彈率是透過以下方式測定：於直徑15.0mm的圓筒形的粉末成形模具中填充3.000±0.005g的所述碳材料，使用自動古拉夫對填充至所述粉末成形模具中的所述碳材料進行單軸加壓，直至所述碳材料的密度達到1.65g/cm<sup>3</sup>為止，於所述碳材料的密度達到1.65g/cm<sup>3</sup>後，將除壓至壓力達到0N為止，於該0N的狀態下保持30秒鐘，於保持30秒鐘後，使用所述自動古拉夫對所述碳材料進行加壓，測定壓力達到2N時的所述碳材料的密度ρ<sub>後</sub>(g/cm<sup>3</sup>)，根據所獲得的值，利用以下的公式來算出回彈率：回彈率(%)={(1.65-ρ<sub>後</sub>)/1.65}×100。
一種控制搖桿，其包括：<br/> 搖桿組件，其包括：<br/> 外管狀不透明壁，其中心軸線在第一端和第二端之間延伸，所述外管狀不透明壁具有外壁表面和內壁表面；<br/> 環形光導結構，其以同心的方式設置在所述外管狀不透明壁的內部，以便襯靠於所述外管狀不透明壁的內壁表面，其中，所述環形光導結構的環形端表面齊平於所述外管狀不透明壁的第一端；以及<br/> 細長的中心軸部件，其經安裝在所述環形光導結構的內部，並由所述環形光導結構保持在與所述外管狀不透明壁的所述中心軸線縱向對齊的方向，其中，所述細長的中心軸部件的第一軸端經導向為與所述外管狀不透明壁的所述第一端在相同的第一方向上，且所述細長的中心軸部件的第二軸端經導向為與所述外管狀不透明壁的所述第二端在相同的第二方向上，其中，所述細長的中心軸部件的所述第二軸端包括控制接合元件，其用於與控制搖桿機構接合；以及<br/> 至少一個光源，其經設置以使得所述環形光導結構將光導向到所述環形光導結構的所述環形端表面之方式，將光傳輸至所述環形光導結構。
如請求項1所述之控制搖桿，其中，所述環形光導結構固定地附接到所述外管狀不透明壁上，且所述細長的中心軸部件固定地附接到所述環形光導結構上。
如請求項1所述之控制搖桿，其中，所述至少一個光源以使得光沿朝向所述環形光導結構的所述環形端表面的方向傳輸進入所述環形光導結構之方式，經耦接至所述環形光導結構。
如請求項1所述之控制搖桿，其中，所述環形光導結構包括沿所述環形光導結構的所述內壁表面的凸部。
如請求項4所述之控制搖桿，其中，所述至少一個光源經耦接至所述環形光導結構的所述凸部且可操作的以將光傳輸進入所述環形光導結構，從而使光被所述環形光導結構導向到所述環形光導結構的所述環形端表面。
如請求項1所述之控制搖桿，其進一步包括控制搖桿帽，其經耦接至所述搖桿組件，<br/> 其中，所述搖桿組件的所述細長的中心軸部件的所述第一軸端包括用於與所述控制搖桿帽接合的帽接合元件，<br/> 其中，所述控制搖桿帽包括：<br/> 板狀結構，其具有主表面和與所述主表面相對的下表面；<br/> 透光環，其以使得所述透光環的第一環形表面通過所述板狀結構的所述主表面暴露且所述透光環的第二環形表面通過所述板狀結構的所述下表面暴露之方式，嵌入所述板狀結構，其中，所述第一環形表面和所述第二環形表面是所述透光環的相對表面；以及<br/> 搖桿接合元件，其設置於所述板狀結構的所述下表面對應於所述透光環的所述第二環形表面的中心的位置處，<br/> 其中，所述控制搖桿帽的所述搖桿接合元件與所述搖桿組件的所述帽接合元件接合，且<br/> 其中，所述透光環的所述第二環形表面抵靠所述環形光導結構的所述環形端表面。
如請求項6所述之控制搖桿，其中，所述透光環的所述第二環形表面的外周圍部分維持暴露，且不被所述搖桿組件所覆蓋。
如請求項1所述之控制搖桿，其進一步包括控制搖桿帽，其經耦接至所述搖桿組件，<br/> 其中，所述搖桿組件的所述細長的中心軸部件的所述第一軸端包括用於與所述控制搖桿帽接合的帽接合元件，<br/> 其中，所述控制搖桿帽包括：<br/> 帽體，其包括板狀部分，其具有主表面和與所述主表面相對的下表面、以及從所述板狀部分的所述下表面延伸的柄部分；<br/> 透光環形結構，其以使得所述透光環形結構的第一環形表面通過所述板狀部分的所述主表面暴露且所述透光環形結構的第二環形表面通過所述柄部分的底部表面暴露之方式，嵌入所述帽體，其中，所述第一環形表面和所述第二環形表面是所述透光環形結構的相對端表面；以及<br/> 搖桿接合元件，其設置於對應於所述透光環形結構的所述第二環形表面的中心的位置處，<br/> 其中，所述控制搖桿帽的所述搖桿接合元件與所述搖桿組件的所述帽接合元件接合，且<br/> 其中，所述透光環形結構的所述第二環形表面抵靠所述環形光導結構的所述環形端表面。
如請求項8所述之控制搖桿，其中，所述透光環形結構包括：<br/> 所述帽體的所述板狀部分中的環形部分；以及<br/> 所述帽體的所述柄部分中的中空圓柱形部分，<br/> 其中，所述透光環形結構的所述環形部分在所述帽體的所述板狀部分和所述柄部分之間的過渡處之外徑大於所述透光環形結構的所述中空圓柱形部分在所述帽體的所述板狀部分和所述柄部分之間的過渡處之外徑，以便形成通過所述帽體的所述板狀部分的所述下表面暴露並圍繞所述帽體的所述柄部分的懸伸環形表面。
如請求項6所述之控制搖桿，其中，所述搖桿組件的所述帽接合元件和所述控制搖桿帽的所述搖桿接合元件對彼此為可移除的可耦接。
如請求項6所述之控制搖桿，其中，所述搖桿組件進一步包括設置在所述外管狀不透明壁的帽端部分處的鎖定元件，以將所述控制搖桿帽鎖定到所述搖桿組件。
如請求項11所述之控制搖桿，其中，所述鎖定元件包括磁鐵，且抵靠所述搖桿組件的所述控制搖桿帽的至少一部分是由磁性材料製成。
如請求項12所述之控制搖桿，其中，所述搖桿組件進一步包括保持部件，其用於將所述磁鐵保持在所述搖桿組件內。
如請求項13所述之控制搖桿，其中，所述保持部件固定地附接到具有所述至少一個光源的電路板上，以便協調地將磁鐵保持在搖桿組件內。
如請求項11所述之控制搖桿，其中，所述控制搖桿帽包括對應的鎖定元件，其設置在所述控制搖桿帽對應於所述搖桿組件的所述鎖定元件的部分處，以便與所述搖桿組件的所述鎖定元件接合，從而將所述控制搖桿帽鎖定到所述搖桿組件上。
如請求項8所述之控制搖桿，其中，所述搖桿組件的所述帽接合元件和所述控制搖桿帽的所述搖桿接合元件對彼此為可移除的可耦接。
如請求項8所述之控制搖桿，其中，所述搖桿組件進一步包括設置在所述外管狀不透明壁的帽端部分處的鎖定元件，以將所述控制搖桿帽鎖定到所述搖桿組件。
如請求項17所述之控制搖桿，其中，所述鎖定元件包括磁鐵，且抵靠所述搖桿組件的所述控制搖桿帽的至少一部分是由磁性材料製成。
如請求項18所述之控制搖桿，其中，所述搖桿組件進一步包括保持部件，其用於將所述磁鐵保持在所述搖桿組件內。
如請求項19所述之控制搖桿，其中，所述保持部件固定地附接到具有所述至少一個光源的電路板上，以便協調地將磁鐵保持在搖桿組件內。
如請求項17所述之控制搖桿，其中，所述控制搖桿帽包括對應的鎖定元件，其設置在所述控制搖桿帽對應於所述搖桿組件的鎖定元件的部分處，以便與所述搖桿組件的所述鎖定元件接合，從而將所述控制搖桿帽鎖定到所述搖桿組件上。
如請求項1所述之控制搖桿，其中，所述搖桿組件的所述環形光導結構從所述外管狀不透明壁的所述第一端延伸到所述第二端，以便襯於所述外管狀不透明壁的所述內壁表面。
如請求項22所述之控制搖桿，其中，所述搖桿組件的所述外管狀不透明壁包括從所述第一端延伸的圓柱形部分，接著是圓頂狀部分，所述圓頂狀部分的底部是所述外管狀不透明壁的所述第二端。
如請求項23所述之控制搖桿，其中，所述搖桿組件的所述環形光導結構包括從所述外管狀不透明壁的所述第一端延伸的對應的圓柱形部分，接著是對應的圓頂狀部分，所述對應的圓頂狀部分的底部終止於所述外管狀不透明壁的所述第二端處，其中，所述至少一個光源設置在所述環形光導結構的所述對應的圓柱形部分與所述對應的圓頂狀部分之間的過渡處。
如請求項1所述之控制搖桿，其進一步包括至少一個連接器，其與所述至少一個光源電性連接，其中，所述至少一個連接器的一端從所述外管狀不透明壁的所述第二端暴露。
一種積層體，其係依下述順序具備基材膜、接著劑層、及密封劑膜且具備接著於該接著劑層之靜電印墨組成物的印刷面之積層體，其中該接著劑層係由含多元醇、聚異氰酸酯及環氧化合物的接著劑組成物及其硬化物之至少一者構成，且將該密封劑膜以溫度220℃、壓力0.2MPa、時間1.5秒鐘的熱封條件加熱及加壓之前與後，該印刷面上以下述式(A)所求出的色差(ΔE)小於3.0，<figure><img align="absmiddle" height="38px" width="343px" file="d10002.TIF" alt="數學式ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/></figure>[上述式(A)中，ΔL<sup>*</sup>表示以熱封條件加熱及加壓之前與後的明度之差，Δa<sup>*</sup>、Δb<sup>*</sup>表示以熱封條件加熱及加壓之前與後的色相與彩度之差]。
如請求項1之積層體，其中藉由利用該熱封條件之加熱及加壓而於該印刷面產生的具有20μm以上之大小的變色點的數量，係每1mm<sup>2</sup>為10個以下。
一種積層體，其係依下述順序具備基材膜、接著劑層、及密封劑膜且具備接著於該接著劑層之靜電印墨組成物的印刷面之積層體，其中該接著劑層係由含多元醇、聚異氰酸酯及環氧化合物的接著劑組成物及其硬化物之至少一者構成，且於將該密封劑膜以溫度220℃、壓力0.2MPa、時間1.5秒鐘的熱封條件加熱及加壓之時，該印刷面上所產生的具有20μm以上之大小的變色點的數量係每1mm<sup>2</sup>為10個以下。
如請求項1至3中任一項之積層體，其中該多元醇包含脂肪族聚酯多元醇，且該環氧化合物包含兩末端具有環氧基者。
如請求項1至3中任一項之積層體，其中該環氧化合物包含2官能的脂環式環氧化合物。
如請求項1至3中任一項之積層體，其中該聚異氰酸酯包含伸苯二甲基二異氰酸酯衍生物。
一種包裝袋，其具備一對積層體、於該一對積層體之間收容被包裝物的收容部、及該一對積層體之各自的密封劑膜彼此被熱封而構成的封口部，其中該一對積層體包含請求項1至6中任一項之積層體。
一種包裝體，其具備如請求項7之包裝袋、與由該包裝袋所包裝的被包裝物。
一種積層體的製造方法，其具有於基材膜的一方之面側印刷靜電印墨組成物而得到印刷面之步驟、及使用含多元醇、聚異氰酸酯及環氧化合物的接著劑組成物接著該印刷面與含密封劑膜的基材而得到積層體之步驟，且將該密封劑膜以溫度220℃、壓力0.2MPa、時間1.5秒鐘的熱封條件加熱及加壓之前與後，該印刷面上以下述式(A)所求出的色差(ΔE)小於3.0，<figure><img align="absmiddle" height="43px" width="356px" file="d10003.TIF" alt="數學式ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/></figure>[上述式(A)中，ΔL<sup>*</sup>表示以熱封條件加熱及加壓之前與後的明度之差，Δa<sup>*</sup>、Δb<sup>*</sup>表示以熱封條件加熱及加壓之前與後的色相與彩度之差]。
一種積層體的製造方法，其具有於基材膜的一方之面側印刷靜電印墨組成物而得到印刷面之步驟、及使用含多元醇、聚異氰酸酯及環氧化合物的接著劑組成物接著該印刷面與含密封劑膜的基材而得到積層體之步驟，且於將該密封劑膜以溫度220℃、壓力0.2MPa、時間1.5秒鐘的熱封條件加熱及加壓之時，該印刷面上所產生的具有20μm以上之大小的變色點的數量係每1mm<sup>2</sup>為10個以下。
一種積層體，其係帶嘴袋(pouch with spout)用之積層體，其依下述順序具備基材膜、接著劑層、及被熔接在嘴部(spout)的密封劑層，且具備接著於該接著劑層之靜電印墨層的，其中該接著劑層係由含多元醇、聚異氰酸酯及環氧化合物的接著劑組成物及其硬化物之至少一者構成。
如請求項11之積層體，其中於該基材膜與該靜電印墨層之間具有底漆層。
如請求項11或12之積層體，其中該多元醇包含脂肪族聚酯多元醇，且該環氧化合物包含兩末端具有環氧基者。
如請求項11或12之積層體，其中該環氧化合物包含2官能的脂環式環氧化合物。
如請求項11或12之積層體，其中該聚異氰酸酯包含伸苯二甲基二異氰酸酯衍生物。
一種帶嘴袋用的包裝材料，其具備至少一個積層體、該至少一個積層體中的密封劑層彼此被熱封而構成的封口部、及該密封劑層彼此互相對向且熔接該嘴部的非封口部，其中該至少一個積層體包含如請求項11至15中任一項之積層體。
一種帶嘴袋，其係具備袋本體與嘴部的帶嘴袋，其中該袋本體具有至少一個積層體、該至少一個積層體中的密封劑層彼此經貼合的封口部、及收容被包裝物的收容部，且該嘴部被熔接在該袋本體中之該積層體的該密封劑層，而該至少一個積層體包含如請求項11至15中任一項之積層體。
一種包裝體，其具備如請求項17之帶嘴袋、及被此收容的被包裝物。
一種帶嘴袋的製造方法，其具有製作至少一個積層體之步驟、設置該至少一個積層體的密封劑層彼此被熱封而構成的封口部、與該密封劑層彼此對向的非封口部而得到包裝材料之步驟、及將嘴部的熔接部插入該包裝材料的該非封口部且將該熔接部、與該非封口部中的該密封劑層熔接之步驟，其中該至少一個積層體依下述順序具備基材膜、由含多元醇、聚異氰酸酯及環氧化合物的接著劑組成物及其硬化物之至少一者構成的接著劑層、以及密封劑層，且具備接著於該接著劑層之靜電印墨層。
如請求項19之帶嘴袋的製造方法，其中加熱至150℃以上而進行該熔接部與該非封口部中的該密封劑層的熔接。
一種包裝袋，其係由依下述順序具有基材膜、底漆層、靜電印墨層、接著劑層、及密封劑層之積層體構成的包裝袋，其中該接著劑層係由含多元醇、聚異氰酸酯及環氧化合物的接著劑組成物及其硬化物之至少一者構成，該靜電印墨層的印墨被覆率為500%以下，該積層體的接著強度為2.0N/15mm以上。
一種包裝袋，其係由依下述順序具有基材膜、底漆層、靜電印墨層、接著劑層、及密封劑層之積層體構成的包裝袋，其中該接著劑層係由含多元醇、聚異氰酸酯及環氧化合物的接著劑組成物及其硬化物之至少一者構成，該靜電印墨層的印墨被覆率為100~400%，於使該積層體的接著強度為X，且使120℃、30分鐘的高溫高壓蒸煮(retort)熱處理之後的該積層體的接著強度為Y之情形，100(Y-X)/X之值超過-30%。
如請求項21或22之包裝袋，其中該多元醇包含脂肪族聚酯多元醇，且該環氧化合物包含兩末端具有環氧基者。
如請求項21或22之包裝袋，其中該環氧化合物包含2官能的脂環式環氧化合物。
如請求項21或22包裝袋，其中該聚異氰酸酯包含伸苯二甲基二異氰酸酯衍生物。
如請求項21或22之包裝袋，其中該底漆層之該密封劑層側的主面上的印墨塗布量為0.5g/m<sup>2</sup>以上。
如請求項21或22之包裝袋，其中該積層體於該接著劑層及該密封劑層之間進一步具有阻隔層。
一種在不接收物項的情況下處理部分退款以將網路負載最小化的電腦實施的系統，所述電腦實施的系統包括：至少一個非暫時性電腦可讀取媒體，被配置成儲存指令；以及至少一個處理器，被配置成執行所述指令以實行包括以下的操作：自使用者裝置接收要求退返物項的退返的退返應用程式設計介面(API)調用；對照網路化資料庫的資料記錄驗證所述退返應用程式設計介面調用；確定所述退返物項包括多個各別的物項；對所述退返應用程式設計介面調用的退返碼進行分析，以判斷所述多個各別的物項的子集是否存在缺陷；確定所述多個各別的物項的所述子集的所述退返應用程式設計介面調用是否有資格作為第一退返過程；當所述所述多個各別的物項的所述子集的所述退返應用程式設計介面調用不具有資格作為所述第一退返過程，產生第二退返過程的應用程式設計介面調用；當所述所述多個各別的物項的所述子集的所述退返應用程式設計介面調用有資格作為所述第一退返過程：確定所述退返物項的價格的與所述多個各別的物項的所述子集對應的一部分；產生退款應用程式設計介面調用，以將所述退返物項的所述價格的所述一部分作為退款發出；更新所述網路化資料庫的所述資料記錄以記錄所述退款；以及向所述使用者裝置發射關於批準所述退返應用程式設計介面調用的通知。
如請求項1所述的電腦實施的系統，其中驗證所述退返應用程式設計介面調用是基於儲存於集中式儲存庫中的系統規則來實行。
如請求項2所述的電腦實施的系統，其中驗證所述退返應用程式設計介面調用包括證實所述退返應用程式設計介面調用符合所述系統規則中的至少一者。
如請求項1所述的電腦實施的系統，其中確定所述退返物項包括所述多個各別的物項包括對照所述網路化資料庫的所述資料記錄查找與所述退返物項相關聯的類別辨識符。
如請求項1所述的電腦實施的系統，其中確定所述退返物項的所述價格的所述一部分包括確定與所述多個各別的物項的所述子集的量對所述多個各別的物項成比例的金額。
如請求項1所述的電腦實施的系統，其中確定所述退返物項的所述價格的所述一部分包括確定與所述多個各別的物項的所述子集對所述多個各別的物項的比率乘以乘數成比例的金額。
如請求項1所述的電腦實施的系統，其中產生所述退款應用程式設計介面調用包括將所述退款應用程式設計介面調用發射至支付管理系統。
如請求項1所述的電腦實施的系統，其中所述操作更包括基於對所述退返碼進行分析的結果產生要求擷取所述退返物項的擷取應用程式設計介面調用。
如請求項8所述的電腦實施的系統，其中產生所述退款應用程式設計介面調用進一步因應於確定出所述擷取應用程式設計介面調用被處理而進行。
如請求項9所述的電腦實施的系統，其中所述操作更包括修改所述退款應用程式設計介面調用，以將所述退返物項的全額價格作為退款發出。
一種在不接收物項的情況下處理部分退款以將網路負載最小化的電腦實施的方法，所述電腦實施的方法包括：自使用者裝置接收要求退返物項的退返的退返應用程式設計介面(API)調用；對照網路化資料庫的資料記錄驗證所述退返應用程式設計介面調用；確定所述退返物項包括多個各別的物項；對所述退返應用程式設計介面調用的退返碼進行分析，以判斷所述多個各別的物項的子集是否存在缺陷；確定所述多個各別的物項的所述子集的所述退返應用程式設計介面調用是否有資格作為第一退返過程；當所述所述多個各別的物項的所述子集的所述退返應用程式設計介面調用不具有資格作為所述第一退返過程，產生第二退返過程的應用程式設計介面調用；當所述所述多個各別的物項的所述子集的所述退返應用程式設計介面調用有資格作為所述第一退返過程：確定所述退返物項的價格的與所述多個各別的物項的所述子集對應的一部分；產生退款應用程式設計介面調用，以將所述退返物項的所述價格的所述一部分作為退款發出；更新所述網路化資料庫的所述資料記錄以記錄所述退款；以及向所述使用者裝置發射關於批準所述退返應用程式設計介面調用的通知。
如請求項11所述的電腦實施的方法，其中驗證所述退返應用程式設計介面調用是基於儲存於集中式儲存庫中的系統規則來實行。
如請求項12所述的電腦實施的方法，其中驗證所述退返應用程式設計介面調用包括證實所述退返應用程式設計介面調用符合所述系統規則中的至少一者。
如請求項11所述的電腦實施的方法，其中確定所述退返物項包括所述多個各別的物項包括對照所述網路化資料庫的所述資料記錄查找與所述退返物項相關聯的類別辨識符。
如請求項11所述的電腦實施的方法，其中確定所述退返物項的所述價格的所述一部分包括確定與所述多個各別的物項的所述子集的量對所述多個各別的物項成比例的金額。
如請求項11所述的電腦實施的方法，其中確定所述退返物項的所述價格的所述一部分包括確定與所述多個各別的物項的所述子集對所述多個各別的物項的比率乘以乘數成比例的金額。
如請求項11所述的電腦實施的方法，更包括基於對所述退返碼進行分析的結果產生要求擷取所述退返物項的擷取應用程式設計介面調用。
如請求項17所述的電腦實施的方法，其中產生所述退款應用程式設計介面調用進一步因應於確定出所述擷取應用程式設計介面調用被處理而進行。
如請求項18所述的電腦實施的方法，更包括：修改所述退款應用程式設計介面調用，以將所述退返物項的全額價格作為退款發出。
一種在不接收物項的情況下處理部分退款以將網路負載最小化的電腦實施的系統，所述電腦實施的系統包括：至少一個非暫時性電腦可讀取媒體，被配置成儲存指令；以及至少一個處理器，被配置成執行所述指令以實行包括以下的操作：自使用者裝置接收要求退返物項的一部分的退返應用程式設計介面(API)調用；對所述退返應用程式設計介面調用進行剖析以確定所述物項的所述一部分與所述物項整體之間的比率；將與所述物項的所述一部分相關聯的類別辨識符與所述退返應用程式設計介面調用中所包括的原因碼進行比較；若所述類別辨識符相對於所述原因碼是能夠接受的，則：向支付管理系統發射退款應用程式設計介面調用，基於所述比率更新網路化資料庫的資料記錄以記錄退款，以及向所述使用者裝置發射關於批準所述退返應用程式設計介面調用的通知；以及若所述類別辨識符相對於所述原因碼不能接受，則：產生要求擷取所述物項的所述一部分的擷取應用程式設計介面調用，在所述擷取所述物項的所述一部分時俘獲所述物項的所述一部分的物項辨識符，更新所述網路化資料庫的所述資料記錄以記錄所述擷取所述物項的所述一部分，向所述支付管理系統發射所述退款應用程式設計介面調用，基於所述比率更新所述網路化資料庫的所述資料記錄以記錄所述退款，以及向所述使用者裝置發射關於所述批準所述退返應用程式設計介面調用的所述通知。
一種蒸氣腔室，其包括：<br/> 密封外殼，其包括：<br/> 主腔室；<br/> 第一細長腔室，其從所述主腔室的第一側側向延伸；以及<br/> 第二細長腔室，其從所述主腔室的相對的第二側側向延伸；<br/> 第一毛細管結構，其襯於所述密封外殼的第一內表面；以及<br/> 第二毛細管結構，其襯於所述密封外殼的相對的第二內表面；<br/> 其中，所述第一細長腔室和所述第二細長腔室的遠端部分經設置為貯器，當熱源處於第一操作狀態時，所述貯器將工作流體的過剩容積儲存為液態，且當所述熱源處於第二操作狀態時，所述貯器向所述主腔室釋放所述工作流體的所述過剩容積；<br/> 其中，所述第一細長腔室和所述第二細長腔室的所述遠端部分設置在散熱結構的覆蓋區之外，所述散熱結構設置在所述蒸氣腔室的外表面。
如請求項1所述之蒸氣腔室，其中，所述熱源包括處理器，且所述第一操作狀態是所述處理器的穩定狀態功率模式，且所述第二操作狀態是所述處理器的加速功率模式。
如請求項1所述之蒸氣腔室，其中，設置在所述第一細長腔室和所述第二細長腔室的所述遠端部分的所述第一毛細管結構和所述第二毛細管結構的部分經設置為所述貯器。
如請求項3所述之蒸氣腔室，其中，所述工作流體的所述過剩容積被儲存在及釋放自設置在所述第一細長腔室和所述第二細長腔室的所述遠端部分的所述第一毛細管結構和所述第二毛細管結構的所述部分中。
如請求項1所述之蒸氣腔室，其中，所述第一毛細管結構和所述第二毛細管結構中的每一個包括燒結的含金屬粉末、一層或多層含金屬網、一層或多層含金屬泡沫、或含金屬纖維結構中的至少一種。
如請求項1所述之蒸氣腔室，其中，所述散熱結構包括設置在所述第一細長腔室的部分上方的第一鰭片結構，且其中，所述第一細長腔室的所述遠端部分位於所述第一鰭片結構的所述覆蓋區之外。
如請求項1所述之蒸氣腔室，其中，所述散熱結構包括設置在所述第二細長腔室的部分上方的第二鰭片結構，且其中，所述第二細長腔室的所述遠端部分位於所述第二鰭片結構的所述覆蓋區之外。
如請求項1所述之蒸氣腔室，其進一步包括附接到所述第一毛細管結構的第三毛細管結構，其中，所述第三毛細管結構定位於所述第一毛細管結構和所述第二毛細管結構之間。
如請求項8所述之蒸氣腔室，其中，所述主腔室中所述密封外殼的所述第一內表面和所述密封外殼的所述第二內表面之間的距離小於所述貯器中所述密封外殼的所述第一內表面和所述密封外殼的所述第二內表面之間的距離。
如請求項9所述之蒸氣腔室，其進一步包括設置在每個所述貯器中的貯器毛細管結構，所述貯器毛細管結構定位於所述第三毛細管結構和所述第二毛細管結構之間。
一種蒸氣腔室，其包括：<br/> 蓋板部分，其固定在底座部分上以形成密封外殼，所述密封外殼包括：<br/> 主腔室；<br/> 第一細長腔室，其從所述主腔室的第一側沿第一方向側向延伸；以及<br/> 第二細長腔室，其從所述主腔室的相對的第二側沿相對的第二方向側向延伸，其中，所述主腔室的寬度大於所述第一細長腔室的寬度和所述第二細長腔室的寬度；<br/> 第一毛細管結構，其設置在所述主腔室、所述第一細長腔室、和所述第二細長腔室中，所述第一毛細管結構襯於所述密封外殼的第一內表面；以及<br/> 第二毛細管結構，其設置在所述主腔室、所述第一細長腔室、和所述第二細長腔室中，所述第二毛細管結構襯於所述密封外殼的相對的第二內表面；<br/> 其中，設置在所述第一細長腔室和所述第二細長腔室的遠端部分的所述第一毛細管結構和所述第二毛細管結構的部分經設置為貯器，所述貯器基於熱源的操作狀態調節在所述蒸氣腔室中循環的工作流體的容積；<br/> 其中，所述第一細長腔室和所述第二細長腔室的所述遠端部分設置在散熱結構的覆蓋區之外，所述散熱結構設置在所述蒸氣腔室的外表面。
如請求項11所述之蒸氣腔室，其中，所述貯器經配置為：<br/> 當所述熱源處於第一操作狀態時，將所述工作流體的過剩容積儲存為液態；以及<br/> 當所述熱源處於第二操作狀態時，向所述主腔室釋放所述工作流體的所述過剩容積。
如請求項12所述之蒸氣腔室，其中，<br/> 在所述熱源的所述第一操作狀態下，所述工作流體的標稱容積經配置以在所述蒸氣腔室中循環；以及<br/> 在所述熱源的所述第二操作狀態下，所述工作流體的所述標稱容積和所述工作流體的所述過剩容積經配置以在所述蒸氣腔室中循環。
如請求項13所述之蒸氣腔室，其中，所述工作流體的所述標稱容積實質相等於所述工作流體的所述過剩容積。
如請求項12所述之蒸氣腔室，其中，所述熱源包括處理器，且所述第一操作狀態是所述處理器的穩定狀態功率模式，且所述第二操作狀態是所述處理器的加速功率模式。
如請求項11所述之蒸氣腔室，其中，所述第一毛細管結構和所述第二毛細管結構中的每一個包括燒結的含金屬粉末、一層或多層含金屬網、一層或多層含金屬泡沫、或含金屬纖維結構中的至少一種。
如請求項11所述之蒸氣腔室，其中，所述散熱結構包括形成在所述蓋板部分上並設置在所述第一細長腔室的部分上方的第一鰭片結構，且其中，所述第一細長腔室的所述遠端部分位於所述第一鰭片結構的所述覆蓋區之外。
如請求項11所述之蒸氣腔室，其中，所述散熱結構包括形成在所述蓋板部分上並設置在所述第二細長腔室的部分上方的第二鰭片結構，且其中，所述第二細長腔室的所述遠端部分位於所述第二鰭片結構的所述覆蓋區之外。
如請求項11所述之蒸氣腔室，其進一步包括附接到所述第一毛細管結構的第三毛細管結構，其中，所述第三毛細管結構定位於所述第一毛細管結構和所述第二毛細管結構之間。
如請求項19所述之蒸氣腔室，其中，所述主腔室中所述密封外殼的所述第一內表面和所述密封外殼的所述第二內表面之間的距離小於所述貯器中所述密封外殼的所述第一內表面和所述密封外殼的所述第二內表面之間的距離。
如請求項20所述之蒸氣腔室，其進一步包括設置在每個所述貯器中的貯器毛細管結構，所述貯器毛細管結構定位於所述第三毛細管結構和所述第二毛細管結構之間。
一種具有蒸氣腔室之系統，其包括：<br/> 處理器；以及<br/> 所述蒸氣腔室，其中，所述處理器物理接觸所述蒸氣腔室的表面，所述蒸氣腔室包括：<br/> 密封外殼，其包括：<br/> 主腔室；<br/> 第一細長腔室，其從所述主腔室的第一側側向延伸；以及<br/> 第二細長腔室，其從所述主腔室的相對的第二側側向延伸；<br/> 第一毛細管結構，其襯於所述密封外殼的第一內表面；以及<br/> 第二毛細管結構，其襯於所述密封外殼的相對的第二內表面；<br/> 其中，所述第一細長腔室和所述第二細長腔室的遠端部分經設置為貯器，所述貯器基於所述處理器的操作狀態調節在所述蒸氣腔室中循環的工作流體的容積；<br/> 其中，所述第一細長腔室和所述第二細長腔室的所述遠端部分設置在散熱結構的覆蓋區之外，所述散熱結構設置在所述蒸氣腔室的外表面。
如請求項22所述之系統，其中，設置在所述第一細長腔室和所述第二細長腔室的所述遠端部分的所述第一毛細管結構和所述第二毛細管結構的部分經設置為所述貯器。
如請求項22所述之系統，其進一步包括電路板，其中，所述處理器附接到所述電路板上且定位於所述電路板和所述蒸氣腔室之間。
如請求項22所述之系統，其中，<br/> 在所述處理器的第一操作狀態下，所述工作流體的標稱容積經配置以在所述蒸氣腔室中循環；以及<br/> 在所述處理器的第二操作狀態下，所述工作流體的所述標稱容積和過剩容積經配置以在所述蒸氣腔室中循環。
如請求項25所述之系統，其中，所述工作流體的所述標稱容積實質相等於所述工作流體的所述過剩容積。
如請求項25所述之系統，其中，所述貯器經配置為：<br/> 當所述處理器處於所述第一操作狀態時，將所述工作流體的所述過剩容積儲存為液態；以及<br/> 當所述處理器處於所述第二操作狀態時，向所述主腔室釋放所述工作流體的所述過剩容積。
如請求項25所述之系統，其中，所述第一操作狀態是所述處理器的穩定狀態功率模式，且所述第二操作狀態是所述處理器的加速功率模式。
如請求項22所述之系統，其中，所述第一毛細管結構和所述第二毛細管結構中的每一個包括燒結的含金屬粉末、一層或多層含金屬網、一層或多層含金屬泡沫、或含金屬纖維結構中的至少一種。
如請求項22所述之系統，其中，所述蒸氣腔室進一步包括附接到所述第一毛細管結構的第三毛細管結構，其中，所述第三毛細管結構定位於所述第一毛細管結構和所述第二毛細管結構之間。
如請求項30所述之系統，其中，所述主腔室中所述密封外殼的所述第一內表面與所述密封外殼的所述第二內表面之間的距離小於所述貯器中所述密封外殼的所述第一內表面與所述密封外殼的所述第二內表面之間的距離。
如請求項31所述之系統，其中，所述蒸氣腔室進一步包括設置在每個所述貯器中的貯器毛細管結構，所述貯器毛細管結構位於所述第三毛細管結構和所述第二毛細管結構之間。
一種式(I)之化合物或其立體異構體或水合物或前述任一者之醫藥學上可接受之鹽， <br/><img align="absmiddle" height="220px" width="230px" file="ed10549.jpg" alt="ed10549.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中 <br/>n= 1、2或3； <br/>m = 0、1、2或3； <br/>各R <sup>1</sup>獨立地為H、CN或視情況經取代之C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基； <br/>各R <sup>2</sup>獨立地為H、CN或視情況經取代之C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基； <br/>或連接至同一碳原子之兩個R <sup>1</sup>基團，連同其兩者連接之該碳原子一起形成視情況經取代之3-7員螺環烷基環或視情況經取代之3-7員螺雜環烷基環； <br/>或連接至同一碳原子之兩個R <sup>1</sup>基團，連同彼碳原子一起表示羰基(C=O)； <br/>或連接至同一碳原子之兩個R <sup>2</sup>基團，連同其兩者連接之該碳原子一起形成視情況經取代之3-7員螺環烷基環或視情況經取代之3-7員螺雜環烷基環； <br/>或連接至同一碳原子之兩個R <sup>2</sup>基團，連同彼碳原子一起表示羰基(C=O)； <br/>或連接至不同碳原子之兩個R <sup>1</sup>基團，連同其所連接之該等碳原子一起形成3-7員環烷基環； <br/>或連接至不同碳原子之兩個R <sup>2</sup>基團，連同其所連接之該等碳原子一起形成3-7員環烷基環； <br/>或R <sup>1</sup>基團及R <sup>2</sup>基團經連接形成6-9員橋接雙環； <br/>A = N或CH； <br/>Z = S(O) <sub>2</sub>；S(O)；O、NR <sup>3</sup>或CR <sup>4</sup>R <sup>4</sup><sup>'</sup>； <br/>R <sup>3</sup>為H；視情況經取代之C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基、3-5員環烷基、3-5員雜環烷基、-C(O)NR <sup>a</sup>R <sup>b</sup>；-C(O)OR <sup>c</sup>；-C(O)R <sup>c</sup>；-S(O) <sub>2</sub>R <sup>c</sup>；或-S(O) <sub>2</sub>NR <sup>a</sup>R <sup>b</sup>； <br/>或R <sup>3</sup>連同R <sup>1</sup>或R <sup>2</sup>一起形成視情況經取代之3員至7員雜環烷基環； <br/>R <sup>a</sup>為H或C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基； <br/>R <sup>b</sup>為H或C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基； <br/>或R <sup>a</sup>及R <sup>b</sup>連同其兩者連接之N原子一起形成視情況經取代之3至7員雜環烷基環； <br/>R <sup>c</sup>為視情況經取代之C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基或環烷基； <br/>R <sup>4</sup>為H、-F或視情況經取代之C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基； <br/>R <sup>4</sup><sup>'</sup>為H、-F、-OH、-CN、-NH <sub>2</sub>、-NH(C <sub>1</sub>-C <sub>3</sub>烷基)、-N(C <sub>1</sub>-C <sub>3</sub>烷基) <sub>2</sub>、-N(C <sub>1</sub>-C <sub>3</sub>烷基)-SO <sub>2</sub>(C <sub>1</sub>-C <sub>3</sub>烷基)、-C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>鹵烷基、視情況經取代之C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基或視情況經取代之C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷氧基； <br/>或R <sup>4</sup>及R <sup>4'</sup>連同其兩者連接之C原子一起形成視情況經取代之3至7員雜環烷基環或視情況經取代之3至7員環烷基環； <br/>或R <sup>4</sup>及R <sup>4'</sup>連同其兩者連接之該碳原子一起形成側氧基； <br/>或R <sup>4'</sup>連同R <sup>1</sup>或R <sup>2</sup>一起形成視情況經取代之4員至7員雜環烷基環或視情況經取代之4員至7員環烷基環； <br/>Y為5員或6員雜芳基環或6員芳基環； <br/>Q <sup>5</sup>、Q <sup>6</sup>、Q <sup>7</sup>、Q <sup>8</sup>及Q <sup>9</sup>各自獨立地為N或CR <sup>5</sup>，其中Q <sup>5</sup>、Q <sup>6</sup>、Q <sup>7</sup>、Q <sup>8</sup>及Q <sup>9</sup>中之一者或兩者為N且其餘部分為CR <sup>5</sup>； <br/>R <sup>5</sup>為H、鹵素、C <sub>1</sub>-C <sub>3</sub>烷基；C <sub>1</sub>-C <sub>3</sub>烷氧基或環烷基； <br/>X = O、S或NR，其中R為H或C <sub>1</sub>-C <sub>3</sub>烷基； <br/>R <sup>6</sup>為C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基； <br/>R <sup>7</sup>為H、鹵素、-C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基；-C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷氧基或-環烷基；及 <br/>R <sup>8</sup>為H、鹵素、-C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基；-C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷氧基或-環烷基。
如請求項1之化合物或其立體異構體或水合物或前述任一者之醫藥學上可接受之鹽， <br/>其中 <br/>n = 1、2或3； <br/>m = 1、2或3； <br/>各R <sup>1</sup>獨立地為H或視情況經取代之C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基； <br/>各R <sup>2</sup>獨立地為H或視情況經取代之C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基； <br/>或連接至同一碳原子之兩個R <sup>1</sup>基團，連同其兩者連接之該碳原子一起形成視情況經取代之3-7員螺環烷基環或視情況經取代之3-7員螺雜環烷基環； <br/>或連接至同一碳原子之兩個R <sup>1</sup>基團，連同彼碳原子一起表示羰基(C=O)； <br/>或連接至同一碳原子之兩個R <sup>2</sup>基團，連同其兩者連接之該碳原子一起形成視情況經取代之3-7員螺環烷基環或視情況經取代之3-7員螺雜環烷基環； <br/>或連接至同一碳原子之兩個R <sup>2</sup>基團，連同彼碳原子一起表示羰基(C=O)； <br/>或連接至不同碳原子之兩個R <sup>1</sup>基團，連同其所連接之該等碳原子一起形成3-7員環烷基環； <br/>或連接至不同碳原子之兩個R <sup>2</sup>基團，連同其所連接之該等碳原子一起形成3-7員環烷基環； <br/>或R <sup>1</sup>基團及R <sup>2</sup>基團係經連接形成6-9員橋接雙環； <br/>A = N或CH； <br/>Z = S(O) <sub>2</sub>；S(O)；O、NR <sup>3</sup>或CR <sup>4</sup>R <sup>4</sup><sup>'</sup>； <br/>R <sup>3</sup>為H；視情況經取代之C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基、3-5員環烷基、3-5員雜環烷基、-C(O)NR <sup>a</sup>R <sup>b</sup>；-C(O)OR <sup>c</sup>；-C(O)R <sup>c</sup>；-S(O) <sub>2</sub>R <sup>c</sup>；或-S(O) <sub>2</sub>NR <sup>a</sup>R <sup>b</sup>； <br/>R <sup>a</sup>為H或C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基； <br/>R <sup>b</sup>為H或C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基； <br/>或R <sup>a</sup>及R <sup>b</sup>連同其兩者連接之該N原子一起形成視情況經取代之3至7員雜環烷基環； <br/>R <sup>c</sup>為視情況經取代之C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基或環烷基； <br/>R <sup>4</sup>為H或視情況經取代之C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基； <br/>R <sup>4'</sup>為H、-OH或視情況經取代之C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基； <br/>或R <sup>4</sup>及R <sup>4'</sup>連同其兩者連接之該C原子一起形成視情況經取代之3至7員雜環烷基環； <br/>Y為5員或6員雜芳基環； <br/>Q <sup>5</sup>、Q <sup>6</sup>、Q <sup>7</sup>、Q <sup>8</sup>及Q <sup>9</sup>各自獨立地為N或CR <sup>5</sup>，其中Q <sup>5</sup>、Q <sup>6</sup>、Q <sup>7</sup>、Q <sup>8</sup>及Q <sup>9</sup>中之一者或兩者為N且該其餘部分為CR <sup>5</sup>； <br/>R <sup>5</sup>為H、鹵素、C <sub>1</sub>-C <sub>3</sub>烷基；C <sub>1</sub>-C <sub>3</sub>烷氧基或環烷基； <br/>X = O、S或NR，其中R為H或C <sub>1</sub>-C <sub>3</sub>烷基； <br/>R <sup>6</sup>為C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基； <br/>R <sup>7</sup>為H、鹵素、-C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基；-C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷氧基或-環烷基；及 <br/>R <sup>8</sup>為H、鹵素、-C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基；-C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷氧基或-環烷基。
如請求項1或2之化合物或其立體異構體或水合物或前述任一者之醫藥學上可接受之鹽，其中Y為6員雜芳基環。
如請求項3之化合物或其立體異構體或水合物或前述任一者之醫藥學上可接受之鹽，其中該式(I)之化合物為式(IA)之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="216px" width="251px" file="ed10550.jpg" alt="ed10550.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中Q <sup>1</sup>、Q <sup>2</sup>、Q <sup>3</sup>、Q <sup>4</sup>中之一或兩者為N且其餘者各自獨立地為CR <sup>5a</sup>，其中R <sup>5a</sup>為H、鹵素、-CN或C <sub>1</sub>-C <sub>3</sub>烷基。
如請求項1或2之化合物或其立體異構體或水合物或前述任一者之醫藥學上可接受之鹽，其中X為O。
如請求項1或2之化合物或其立體異構體或水合物或前述任一者之醫藥學上可接受之鹽，其中 <br/>(a) Q <sup>5</sup>及Q <sup>9</sup>各自為CR <sup>5</sup>，其中各R <sup>5</sup>為鹵素；Q <sup>6</sup>及Q <sup>8</sup>各自為CR <sup>5</sup>，其中各R <sup>5</sup>為H；且Q <sup>7</sup>為N；或 <br/>(b) Q <sup>5</sup>及Q <sup>9</sup>各自為CR <sup>5</sup>，其中各R <sup>5</sup>為鹵素；Q <sup>6</sup>為CR <sup>5</sup>，其中R <sup>5</sup>為H；Q <sup>8</sup>為CR <sup>5</sup>，其中R <sup>5</sup>為C <sub>1</sub>-C <sub>3</sub>烷基；且Q <sup>7</sup>為N；或 <br/>(c) Q <sup>5</sup>及Q <sup>9</sup>各自為CR <sup>5</sup>，其中各R <sup>5</sup>為-Cl；Q <sup>6</sup>為CR <sup>5</sup>，其中R <sup>5</sup>為H；Q <sup>8</sup>為CR <sup>5</sup>，其中R <sup>5</sup>為-CH <sub>3</sub>；且Q <sup>7</sup>為N；或 <br/>(d) Q <sup>5</sup>及Q <sup>9</sup>各自為CR <sup>5</sup>，其中各R <sup>5</sup>為鹵素；Q <sup>6</sup>為CR <sup>5</sup>，其中R <sup>5</sup>為H；Q <sup>8</sup>為N；且Q <sup>7</sup>為CR <sup>5</sup>，其中R <sup>5</sup>為H；或 <br/>(e) Q <sup>5</sup>及Q <sup>9</sup>各自為CR <sup>5</sup>，其中各R <sup>5</sup>為-Cl；Q <sup>6</sup>為CR <sup>5</sup>，其中R <sup>5</sup>為H；Q <sup>8</sup>為N；且Q <sup>7</sup>為CR <sup>5</sup>，其中R <sup>5</sup>為H；或 <br/>(f) Q <sup>5</sup>及Q <sup>9</sup>各自為CR <sup>5</sup>，其中各R <sup>5</sup>為鹵素；Q <sup>6</sup>為CR <sup>5</sup>，其中R <sup>5</sup>為H；Q <sup>8</sup>為N；且Q <sup>7</sup>為N；或 <br/>(g) Q <sup>5</sup>及Q <sup>9</sup>各自為CR <sup>5</sup>，其中各R <sup>5</sup>為-Cl；Q <sup>6</sup>為CR <sup>5</sup>，其中R <sup>5</sup>為H；Q <sup>8</sup>為N；且Q <sup>7</sup>為N；或 <br/>(h) Q <sup>5</sup>及Q <sup>9</sup>各自為CR <sup>5</sup>，其中各R <sup>5</sup>為C <sub>1</sub>-C <sub>3</sub>烷基；Q <sup>6</sup>為CR <sup>5</sup>，其中R <sup>5</sup>為H；Q <sup>8</sup>為N；且Q <sup>7</sup>為N；或 <br/>(i) Q <sup>5</sup>及Q <sup>9</sup>各自為CR <sup>5</sup>，其中各R <sup>5</sup>為-CH <sub>3</sub>；Q <sup>6</sup>為CR <sup>5</sup>，其中R <sup>5</sup>為H；Q <sup>8</sup>為N；且Q <sup>7</sup>為N；或 <br/>(j) Q <sup>5</sup>、Q <sup>8</sup>及Q <sup>9</sup>各自獨立地為CR <sup>5</sup>，其中各R <sup>5</sup>為鹵素；Q <sup>6</sup>為CR <sup>5</sup>，其中R <sup>5</sup>為H；且Q <sup>7</sup>為N；或 <br/>(k) Q <sup>5</sup>及Q <sup>9</sup>各自獨立地為CR <sup>5</sup>，其中各R <sup>5</sup>為-Cl；Q <sup>6</sup>為CR <sup>5</sup>，其中R <sup>5</sup>為H；Q <sup>8</sup>為CR <sup>5</sup>，其中R <sup>5</sup>為-F；且Q <sup>7</sup>為N。
如請求項4之化合物或其立體異構體或水合物或前述任一者之醫藥學上可接受之鹽，其中該式(IA)之化合物為式(IA-1)之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="218px" width="249px" file="ed10551.jpg" alt="ed10551.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1或2之化合物或其立體異構體或水合物或前述任一者之醫藥學上可接受之鹽，其中R <sup>6</sup>為-CH <sub>3</sub>。
如請求項4之化合物或其立體異構體或水合物或前述任一者之醫藥學上可接受之鹽，其中Q <sup>3</sup>為CR <sup>5a</sup>，視情況其中R <sup>5a</sup>為鹵素，視情況其中該鹵素為-F。
如請求項7之化合物或其立體異構體或水合物或前述任一者之醫藥學上可接受之鹽，其中該式(IA-1)之化合物為式(IA-2)之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="231px" width="261px" file="ed10552.jpg" alt="ed10552.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1或2之化合物或其立體異構體或水合物或前述任一者之醫藥學上可接受之鹽，其中n = 2且m = 2，或其中n = 1且m = 1，或其中n = 1且m = 2，或其中n = 3且m = 2。
如請求項10之化合物或其立體異構體或水合物或前述任一者之醫藥學上可接受之鹽，其中該式(IA-2)之化合物為 <br/>(a) 式(IA-3)之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="231px" width="249px" file="ed10553.jpg" alt="ed10553.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>視情況其中： <br/>(i) 各R <sup>1</sup>及各R <sup>2</sup>獨立地為H或視情況經取代之C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基；或 <br/>(ii) 各R <sup>1</sup>及各R <sup>2</sup>為H；或 <br/>(iii) 各R <sup>1</sup>為H，且連接至同一碳原子之兩個R <sup>2</sup>基團，連同其兩者連接之該碳原子一起形成3-7員螺環烷基環，視情況其中該3-7員螺環烷基環為3員螺環烷基環；或 <br/>(iv) 一個R <sup>1</sup>基團及一個R <sup>2</sup>基團係經連接形成6-9員橋接雙環，另一R <sup>1</sup>為H，且另一R <sup>2</sup>為H，視情況其中該6-9員橋接雙環為7員橋接雙環；或 <br/>(v) 如請求項27之化合物，其中各R <sup>1</sup>為H，且連接至同一碳原子之兩個R <sup>2</sup>基團表示羰基(C=O)。 <br/>(b) 式(IA-4)之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="223px" width="232px" file="ed10554.jpg" alt="ed10554.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>視情況其中連接至同一碳原子之該等兩個R <sup>2</sup>基團表示羰基(C=O)；或 <br/>(c) 式(IA-5)之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="193px" width="221px" file="ed10555.jpg" alt="ed10555.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>視情況其中： <br/>(i) 各R <sup>1</sup>及各R <sup>2</sup>獨立地為H或視情況經取代之C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基；或 <br/>(ii) 各R <sup>1</sup>及各R <sup>2</sup>為H；或 <br/>(iii) 各R <sup>1</sup>為H，且連接至同一碳原子之兩個R <sup>2</sup>基團，連同其兩者連接之該碳原子一起形成3-7員螺環烷基環，視情況其中該3-7員螺環烷基環為3員螺環烷基環；或 <br/>(iv) 一個R <sup>1</sup>基團及一個R <sup>2</sup>基團係經連接形成6-9員橋接雙環，另一R <sup>1</sup>為H，且另一R <sup>2</sup>為H，視情況其中該6-9員橋接雙環為7員橋接雙環。 <br/>(d) 式(IA-6)之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="213px" width="230px" file="ed10556.jpg" alt="ed10556.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>視情況其中： <br/>(i) 連接至同一碳原子之該等兩個R <sup>1</sup>基團表示羰基(C=O)；或 <br/>(ii) 連接至同一碳原子之該等兩個R <sup>2</sup>基團，連同其兩者連接之該碳原子一起形成視情況經取代之3-7員螺環烷基環或視情況經取代之3-7員螺雜環烷基環，視情況其中連接至同一碳原子之該等兩個R <sup>2</sup>基團，連同其兩者連接之該碳原子一起形成視情況經取代之3-7員螺雜環烷基環，視情況其中該視情況經取代之3-7員螺雜環烷基環為視情況經取代之氮雜環丁烯基環、視情況經取代之吡咯啶基環或視情況經取代之哌啶基環，視情況其中該視情況經取代之3-7員螺雜環烷基環為氮雜環丁烯基環、吡咯啶基環、哌啶基環、N-甲基哌啶基環或N-(甲基磺醯基)哌啶基環；或 <br/>(e) 式(IA-7)之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="224px" width="218px" file="ed10557.jpg" alt="ed10557.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。 <br/>視情況其中： <br/>(i) 各R <sup>1</sup>為H；或 <br/>其中連接至同一碳原子之該等兩個R <sup>1</sup>基團表示羰基(C=O)；及/或 <br/>(ii) 各R <sup>2</sup>為H；或連接至同一碳原子之該等兩個R <sup>2</sup>基團表示羰基(C=O)。
如請求項1或2之化合物或其立體異構體或水合物或前述任一者之醫藥學上可接受之鹽，其中該式(I)之化合物為式(IA-8)之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="269px" width="252px" file="ed10558.jpg" alt="ed10558.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中R <sup>9</sup>為-C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基、-C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>鹵烷基、-C(O)C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>鹵烷基、-C(O)OC <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基、-C(O)C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基、-C(O)N(C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基) <sub>2</sub>或-SO <sub>2</sub>-C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基，視情況其中R <sup>9</sup>為-CH <sub>2</sub>CF <sub>3</sub>、-CH <sub>2</sub>CHF <sub>2</sub>、-C(O)CF <sub>3</sub>、-C(O)OCH <sub>3</sub>、-C(O)OCH <sub>2</sub>CH <sub>3</sub>、-SO <sub>2</sub>CH <sub>2</sub>CH <sub>3</sub>或-SO <sub>2</sub>CH(CH <sub>3</sub>) <sub>2</sub>。
如請求項7之化合物或其立體異構體或水合物或前述任一者之醫藥學上可接受之鹽，其中： <br/>(a) Q <sup>2</sup>為N；或 <br/>(b) Q <sup>4</sup>為N；或 <br/>Q <sup>4</sup>為CR <sup>5a</sup>，視情況其中 <br/>(i) R <sup>5a</sup>為H；或 <br/>(ii) R <sup>5a</sup>為鹵素，視情況其中該鹵素為-F。
如請求項1之化合物或其立體異構體或水合物或前述任一者之醫藥學上可接受之鹽，其中Y為5員雜芳基環。
如請求項15之化合物或其立體異構體或水合物或前述任一者之醫藥學上可接受之鹽，其中： <br/>(a) 該式(I)之化合物為式IB之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="277px" width="178px" file="ed10559.jpg" alt="ed10559.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；及/或 <br/>(b) X為O；及/或 <br/>(c) Q <sup>5</sup>及Q <sup>9</sup>各自獨立地為CR <sup>5</sup>，其中各R <sup>5</sup>為鹵素；Q <sup>6</sup>及Q <sup>8</sup>為CR <sup>5</sup>，其中R <sup>5</sup>為H；且Q <sup>7</sup>為N；或 <br/>(d) Q <sup>5</sup>及Q <sup>9</sup>各自獨立地為CR <sup>5</sup>，其中各R <sup>5</sup>為鹵素；Q <sup>6</sup>為CR <sup>5</sup>，其中R <sup>5</sup>為H；Q <sup>8</sup>為CR <sup>5</sup>，其中R <sup>5</sup>為C <sub>1</sub>-C <sub>3</sub>烷基；且Q <sup>7</sup>為N；或 <br/>(e) Q <sup>5</sup>及Q <sup>9</sup>各自獨立地為CR <sup>5</sup>，其中各R <sup>5</sup>為-Cl；Q <sup>6</sup>為CR <sup>5</sup>，其中R <sup>5</sup>為H；Q <sup>8</sup>為CR <sup>5</sup>，其中R <sup>5</sup>為-CH <sub>3</sub>；且Q <sup>7</sup>為N；或 <br/>(f) Q <sup>5</sup>及Q <sup>9</sup>各自獨立地為CR <sup>5</sup>，其中各R <sup>5</sup>為鹵素；Q <sup>6</sup>為CR <sup>5</sup>，其中R <sup>5</sup>為H；Q <sup>8</sup>為N；且Q <sup>7</sup>為CR <sup>5</sup>，其中R <sup>5</sup>為H；或 <br/>(g) Q <sup>5</sup>及Q <sup>9</sup>各自獨立地為CR <sup>5</sup>，其中各R <sup>5</sup>為-Cl；Q <sup>6</sup>為CR <sup>5</sup>，其中R <sup>5</sup>為H；Q <sup>8</sup>為N；且Q <sup>7</sup>為CR <sup>5</sup>，其中R <sup>5</sup>為H；或 <br/>(h) Q <sup>5</sup>及Q <sup>9</sup>各自獨立地為CR <sup>5</sup>，其中各R <sup>5</sup>為鹵素；Q <sup>6</sup>為CR <sup>5</sup>，其中R <sup>5</sup>為H；Q <sup>8</sup>為N；且Q <sup>7</sup>為N；或 <br/>(i) Q <sup>5</sup>及Q <sup>9</sup>各自獨立地為CR <sup>5</sup>，其中各R <sup>5</sup>為-Cl；Q <sup>6</sup>為CR <sup>5</sup>，其中R <sup>5</sup>為H；Q <sup>8</sup>為N；且Q <sup>7</sup>為N；或 <br/>(j) Q <sup>5</sup>及Q <sup>9</sup>各自獨立地為CR <sup>5</sup>，其中各R <sup>5</sup>為C <sub>1</sub>-C <sub>3</sub>烷基；Q <sup>6</sup>為CR <sup>5</sup>，其中R <sup>5</sup>為H；Q <sup>8</sup>為N；且Q <sup>7</sup>為N；或 <br/>(k) Q <sup>5</sup>及Q <sup>9</sup>各自獨立地為CR <sup>5</sup>，其中各R <sup>5</sup>為-CH <sub>3</sub>；Q <sup>6</sup>為CR <sup>5</sup>，其中R <sup>5</sup>為H；Q <sup>8</sup>為N；且Q <sup>7</sup>為N；或 <br/>(l) Q <sup>5</sup>、Q <sup>8</sup>及Q <sup>9</sup>各自獨立地為CR <sup>5</sup>，其中各R <sup>5</sup>為鹵素；Q <sup>6</sup>為CR <sup>5</sup>，其中R <sup>5</sup>為H；且Q <sup>7</sup>為N；或 <br/>(m) Q <sup>5</sup>及Q <sup>9</sup>各自獨立地為CR <sup>5</sup>，其中各R <sup>5</sup>為-Cl；Q <sup>6</sup>為CR <sup>5</sup>，其中R <sup>5</sup>為H；Q <sup>8</sup>為CR <sup>5</sup>，其中R <sup>5</sup>為-F；且Q <sup>7</sup>為N。
如請求項16之化合物或其立體異構體或水合物或前述任一者之醫藥學上可接受之鹽，其中該式(IB)之化合物為式IB-1之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="274px" width="188px" file="ed10560.jpg" alt="ed10560.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>視情況其中該式(IB-1)之化合物為式IB-2之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="255px" width="179px" file="ed10561.jpg" alt="ed10561.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>視情況其中n = 2且m = 2；或其中n = 1且m = 1；或其中n = 1且m = 2；或其中n = 3且m = 2；或其中各R <sup>1</sup>為H，且各R <sup>2</sup>為H。
如請求項1或2中任一項之化合物或其立體異構體或水合物或前述任一者之醫藥學上可接受之鹽，其中A為N，或A為CH。
如請求項1或2之化合物或其立體異構體或水合物或前述任一者之醫藥學上可接受之鹽，其中： <br/>(a) Z為S(O) <sub>2</sub>；或 <br/>(b) Z為S(O) ；或 <br/>(c) Z為O；或 <br/>(d) Z為NR <sup>3</sup>，視情況其中 <br/>(i) R <sup>3</sup>為H；或 <br/>(ii) R <sup>3</sup>為-C(O)NR <sup>a</sup>R <sup>b</sup>；或 <br/>(iii) R <sup>3</sup>為-S(O) <sub>2</sub>NR <sup>a</sup>R <sup>b</sup>，視情況其中R <sup>a</sup>為H且R <sup>b</sup>為H；或R <sup>a</sup>為H且R <sup>b</sup>為C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基；或R <sup>a</sup>為C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基且R <sup>b</sup>為C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基；或R <sup>a</sup>及R <sup>b</sup>連同其兩者連接之該N原子一起形成視情況經取代之3至7員雜環烷基環； <br/>視情況其中該視情況經取代之3至7員雜環烷基環為視情況經取代之哌啶基、視情況經取代之哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>基或視情況經取代之嗎啉基環； <br/>視情況其中該視情況經取代之3至7員雜環烷基環為4-甲基哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-1-基或嗎啉基環；或 <br/>(iv) R <sup>3</sup>為-C(O)OR <sup>c</sup>，視情況R <sup>c</sup>為-CH <sub>3</sub>或-CH <sub>2</sub>CH <sub>3</sub>；或 <br/>(v) R <sup>3</sup>為-C(O)R <sup>c</sup>，視情況R <sup>c</sup>為-CH <sub>3</sub>或-CH <sub>2</sub>CH <sub>3</sub>；或 <br/>(vi) R <sup>3</sup>為-S(O) <sub>2</sub>R <sup>c</sup>，視情況R <sup>c</sup>為-CH <sub>3</sub>或-CH <sub>2</sub>CH <sub>3</sub>；或 <br/>(vii) R <sup>3</sup>為C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基，視情況其中該C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基為-CH <sub>3</sub>；或 <br/>(viii) R <sup>3</sup>為3-5員雜環烷基，視情況其中該3-5員雜環烷基為氧雜環丁烷基。
如請求項1或2之化合物或其立體異構體或水合物或前述任一者之醫藥學上可接受之鹽，其中Z為CR <sup>4</sup>R <sup>4'</sup>，視情況其中： <br/>(a) R <sup>4</sup>及R <sup>4'</sup>各自為H；或 <br/>(b) R <sup>4</sup>及R <sup>4'</sup>各自為視情況經取代之C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基；或 <br/>(c) R <sup>4</sup>為H且R <sup>4'</sup>為-OH；或 <br/>(d) R <sup>4</sup>及R <sup>4'</sup>連同其兩者連接之該C原子一起形成視情況經取代之3至7員雜環烷基環； <br/>視情況其中該視情況經取代之3至7員雜環烷基環為視情況經取代之4員雜環烷基環； <br/>視情況其中該視情況經取代之4員雜環烷基環為氮雜環丁烷基環； <br/>視情況其中該氮雜環丁烷基環未經取代；或 <br/>視情況其中該氮雜環丁烷基環係為經N-取代的， <br/>視情況其中： <br/>(i) N-取代基為-C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基、-C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>鹵烷基、-C(O)C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>鹵烷基、-C(O)OC <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基、-C(O)C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基、-C(O)N(C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基) <sub>2</sub>或-SO <sub>2</sub>-C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基；或 <br/>(ii) 視情況其中該N-取代基為-CH <sub>2</sub>CF <sub>3</sub>、-CH <sub>2</sub>CHF <sub>2</sub>、-C(O)CF <sub>3</sub>、-C(O)OCH <sub>3</sub>、-C(O)OCH <sub>2</sub>CH <sub>3</sub>、-SO <sub>2</sub>CH <sub>2</sub>CH <sub>3</sub>、-SO <sub>2</sub>CH(CH <sub>3</sub>) <sub>2</sub>、-CH <sub>3</sub>、-CH(CH <sub>3</sub>) <sub>2</sub>、-C(O)N(CH <sub>3</sub>) <sub>2</sub>或-SO <sub>2</sub>CH <sub>3</sub>；或 <br/>(iii) 視情況其中該N-取代基為-CH <sub>3</sub>、-CH(CH3) <sub>2</sub>、-C(O)OCH <sub>2</sub>CH <sub>3</sub>、-C(O)N(CH <sub>3</sub>) <sub>2</sub>、-SO <sub>2</sub>CH <sub>3</sub>、-SO <sub>2</sub>CH(CH <sub>3</sub>) <sub>2</sub>或-SO <sub>2</sub>CH <sub>2</sub>CH <sub>3</sub>；或 <br/>視情況其中該視情況經取代之4員雜環烷基環為視情況經取代之硫雜環丁烷1,1-二氧化物環； <br/>視情況其中該視情況經取代之3至7員雜環烷基環為視情況經取代之5員雜環烷基環； <br/>視情況其中該視情況經取代之5員雜環烷基環為未經取代之吡咯啶基環、N-取代之吡咯啶基環、未經取代之吡咯啶基-2-酮環、N-取代之吡咯啶基-2-酮環、未經取代之吡咯并-2,5-二酮環、N-取代之吡咯并-2,5-二酮環、未經取代之咪唑啶基-2-酮環、N-取代之咪唑啶基-2-酮環、四氫呋喃基環或四氫噻吩-1,1-二氧化物環； <br/>視情況其中該N-取代基為-C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基、-C(O)OC <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基、-C(O)C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基或-SO <sub>2</sub>C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基， <br/>視情況其中該N-取代基為-CH <sub>3</sub>、-C(O)OCH <sub>3</sub>、-C(O)OCH <sub>2</sub>CH <sub>3</sub>、-C(O)OCH(CH <sub>3</sub>) <sub>2</sub>或-SO <sub>2</sub>CH <sub>3</sub>；或 <br/>視情況其中該視情況經取代之3至7員雜環烷基環為視情況經取代之6員雜環烷基環； <br/>視情況其中該視情況經取代之6員雜環烷基環為未經取代之哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>基-2-酮環、N-取代之哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>基-2-酮環、N-取代或未經取代之哌啶環或四氫-2H-硫代哌喃1,1-二氧化物環； <br/>視情況其中該N-取代基為-C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基、-C(O)OC <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基、-C(O)C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基或-SO <sub>2</sub>C <sub>1</sub>-C <sub>6</sub>烷基； <br/>視情況其中該N-取代基為-CH <sub>3</sub>、-C(O)OCH <sub>3</sub>、-C(O)OCH <sub>2</sub>CH <sub>3</sub>、-C(O)OCH(CH <sub>3</sub>) <sub>2</sub>、-SO <sub>2</sub>CH <sub>2</sub>CH <sub>3</sub>或-SO <sub>2</sub>CH <sub>3</sub>；或 <br/>視情況其中該N-取代基為-SO <sub>2</sub>CH <sub>2</sub>CH <sub>3</sub>。
一種化合物或其立體異構體或水合物或前述任一者之醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為： <br/>4-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-1,4-噻<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>烷1,1-二氧化物； <br/>(R)-5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-3-(6-(哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-1-基)吡啶-3-基)-1H-吲唑二鹽酸鹽； <br/>[4-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-1-基]-嗎啉-甲酮； <br/>[4-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-1-基]-(4-甲基哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-1-基)甲酮； <br/>4-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-N,N-二甲基-哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-1-甲醯胺； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-3-[6-(4-甲基磺醯基哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-1-基)-3-吡啶基]-1H-吲唑； <br/>4-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-1-羧酸甲酯； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-3-[6-[4-(4-甲基哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-1-基)磺醯基哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-1-基]-3-吡啶基]-1H-吲唑； <br/>1-[4-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-1-基]丙-1-酮； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-3-(5-氟-6-哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-1-基-3-吡啶基)-1H-吲唑； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-3-(2-哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-1-基嘧啶-5-基)-1H-吲唑； <br/>4-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-1-甲醯胺； <br/>[4-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-3-氟-2-吡啶基]哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-1-基]-(4-甲基哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-1-基)甲酮； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-3-[2-(4-甲基磺醯基哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-1-基)嘧啶-5-基]-1H-吲唑； <br/>[4-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]嘧啶-2-基]哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-1-基]-(4-甲基哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-1-基)甲酮； <br/>3-[6-(3,6-二氮雜二環[3.1.1]庚烷-3-基)-3-吡啶基]-5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-3-[5-氟-6-(4-甲基磺醯基-哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-1-基)-3-吡啶基]-1H-吲唑； <br/>3-(6-氯-3-吡啶基)-5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑； <br/>4-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]嘧啶-2-基]-N,N-二甲基-哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-1-甲醯胺； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-3-[6-(6-甲基磺醯基-3,6-二氮雜二環[3.1.1]庚烷-3-基)-3-吡啶基]-1H-吲唑； <br/>3-[6-(4,7-二氮雜螺[2.5]辛烷-7-基)-3-吡啶基]-5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-3-[6-(4-甲基磺醯基-4,7-二氮雜螺[2.5]辛烷-7-基)-3-吡啶基]-1H-吲唑； <br/>(R)-7-(5-(5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)吡啶-2-基)-N,N-二甲基-4,7-二氮雜螺[2.5]辛烷-4-甲醯胺； <br/>7-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-4,7-二氮雜螺[2.5]辛烷-4-甲醯胺； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-3-(6-氟-3-吡啶基)-1H-吲唑； <br/>8-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-1-氧雜-8-氮雜螺[4.5]癸烷； <br/>8-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-2,8-二氮雜螺[4.5]癸-1-酮； <br/>8-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-2-氧雜-8-氮雜螺[4.5]癸烷； <br/>8-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-1,8-二氮雜螺[4.5]癸-2-酮； <br/>1-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-1,4-二氮雜庚烷-5-酮； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-3-[6-(2-異丙基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)-3-吡啶基]-1H-吲唑； <br/>8-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-2-甲基-2,8-二氮雜螺[4.5]癸烷； <br/>8-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-1-甲基-1,8-二氮雜螺[4.5]癸烷； <br/>9-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-1-甲基-1,4,9-三氮雜螺[5.5]十一烷-5-酮； <br/>4-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-1,4-二氮雜庚烷-2-酮； <br/>4-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-2-酮； <br/>1-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-2-酮； <br/>1-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-4-甲基-哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-2-酮； <br/>1-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-4-甲基磺醯基-哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-2-酮； <br/>8-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-1-甲基-1,8-二氮雜螺[4.5]癸-2-酮； <br/>8-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-3-氟-2-吡啶基]-1,8-二氮雜螺[4.5]癸-2-酮； <br/>8-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-3-氟-2-吡啶基]-1,8-二氮雜螺[4.5]癸-2-酮； <br/>8-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-3-氟-2-吡啶基]-1-甲基-1,8-二氮雜螺[4.5]癸-2-酮； <br/>9-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-3-氟-2-吡啶基]-1-甲基-1,4,9-三氮雜螺[5.5]十一烷-5-酮； <br/>3-[6-(2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-基)-3-吡啶基]-5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-3-[6-(2-甲基磺醯基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)-3-吡啶基]-1H-吲唑； <br/>6-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-N,N-二甲基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-甲醯胺； <br/>8-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]嘧啶-2-基]-1,8-二氮雜螺[4.5]癸-2-酮； <br/>8-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]嘧啶-2-基]-2,8-二氮雜螺[4.5]癸-3-酮； <br/>8-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]嘧啶-2-基]-2,8-二氮雜螺-[4.5]癸烷-1,3-二酮； <br/>8-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]嘧啶-2-基]-2-甲基-2,8-二氮雜螺[4.5]癸-1-酮； <br/>8-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]嘧啶-2-基]-1-甲基-1,8-二氮雜螺[4.5]癸烷； <br/>8-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]嘧啶-2-基]-1,3,8-三氮雜螺-[4.5]癸-2-酮； <br/>8-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]嘧啶-2-基]-1-甲基-1,8-二氮雜螺[4.5]癸-2-酮； <br/>8-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]嘧啶-2-基]-2,8-二氮雜螺-[4.5]癸-1-酮； <br/>8-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]嘧啶-2-基]-1,8-二氮雜螺[4.5]癸烷； <br/>8-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]嘧啶-2-基]-2λ <sup>6</sup>-硫雜-8-氮雜螺[4.5]癸烷2,2-二氧化物； <br/>9-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]嘧啶-2-基]-1-甲基-1,4,9-三氮雜螺[5.5]十一烷-5-酮； <br/>3-(2-氯嘧啶-5-基)-5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-3-[2-[4-(氧雜環丁烷-3-基)-1,4-二氮雜庚烷-1-基]嘧啶-5-基]-1H-吲唑； <br/>3-[2-(1,4-二氮雜環庚烷-1-基)嘧啶-5-基]-5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑； <br/>4-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]嘧啶-2-基]-1,4-二氮雜環庚烷-1-甲醯胺； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-3-[2-(4-甲基磺醯基-1,4-二氮雜庚烷-1-基)嘧啶-5-基]-1H-吲唑； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-3-[1-(4-哌啶基)吡唑-4-基]-1H-吲唑； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-3-[1-(1-甲基-4-哌啶基)吡唑-4-基]-1H-吲唑； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-3-[1-(1-甲基磺醯基-4-哌啶基)吡唑-4-基]-1H-吲唑； <br/>4-[4-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]吡唑-1-基]-N,N-二甲基-哌啶-1-甲醯胺； <br/>4-[4-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]吡唑-1-基]哌啶-1-甲醯胺； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-3-[6-(4-哌啶基)-3-吡啶基]-1H-吲唑； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-3-[6-(1-甲基磺醯基-4-哌啶基)-3-吡啶基]-1H-吲唑； <br/>4-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-N,N-二甲基-哌啶-1-甲醯胺； <br/>4-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]哌啶-1-甲醯胺； <br/>7-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-5-氧雜-2,7-二氮雜螺[3.4]辛-6-酮； <br/>3-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-1-氧雜-3,8-二氮雜螺[4.5]癸-2-酮； <br/>3-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-8-甲基-1-氧雜-3,8-二氮雜螺[4.5]癸-2-酮； <br/>3-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-8-甲基磺醯基-1-氧雜-3,8-二氮雜螺[4.5]癸-2-酮； <br/>8-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-3-氟-2-吡啶基]-2λ <sup>6</sup>-硫雜-8-氮雜螺[4.5]癸烷2,2-二氧化物； <br/>8-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]--2-吡啶基]-2λ <sup>6</sup>-硫雜-8-氮雜螺[4.5]癸烷2,2-二氧化物； <br/>2-[4-[4-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]吡唑-1-基]-1-哌啶基]乙醇； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-3-[1-(1-甲基-4-哌啶基)吡唑-4-基]-1H-吲唑； <br/>1-[4-[4-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]吡唑-1-基]-1-哌啶基]-2-(二甲基胺基)乙酮； <br/>1-[4-[4-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]吡唑-1-基]-1-哌啶基]-3-(二甲基胺基)丙-1-酮； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-3-[1-(1-異丙基-4-哌啶基)吡唑-4-基]-1H-吲唑； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-3-[(1R)-1-(1-異丙基吡咯啶-3-基)吡唑-4-基]-1H-吲唑； <br/>3-[1-(氮雜環丁烷-3-基)吡唑-4-基]-5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-3-[1-(1-異丙基氮雜環丁烷-3-基)吡唑-4-基]-1H-吲唑； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-3-[1-[1-(氧雜環丁烷-3-基)-4-哌啶基]吡唑-4-基]-1H-吲唑； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-3-[1-[(3S)-吡咯啶-3-基]吡唑-4-基]-1H-吲唑； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-3-[1-[(3S)-1-乙基吡咯啶-3-基]吡唑-4-基]-1H-吲唑； <br/>3-[1-(1-環丁基-4-哌啶基)吡唑-4-基]-5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-3-[1-[(3R)-1-乙基吡咯啶-3-基]吡唑-4-基]-1H-吲唑； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-3-[1-(4-哌啶基)吡唑-4-基]-1H-吲唑； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-3-[1-(1-異丙基-4-哌啶基)吡唑-4-基]-1H-吲唑； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-3-[1-[1-(氧雜環丁烷-3-基)-4-哌啶基]吡唑-4-基]-1H-吲唑； <br/>3-[1-(1-環丁基-4-哌啶基)吡唑-4-基]-5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-3-[6-(1-甲基-1,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)-3-吡啶基]-1H-吲唑； <br/>9-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-4-甲基-1,4,9-三氮雜螺[5.5]十一烷-2-酮； <br/>9-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-1,4-二甲基-1,4,9-三氮雜螺[5.5]十一烷-2-酮； <br/>3-[6-(1,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)-3-吡啶基]-5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-3-[6-(1-甲基磺醯基-1,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)-3-吡啶基]-1H-吲唑； <br/>4-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-3-甲基-2-吡啶基] 嗎啉； <br/>5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-嗎啉-吡啶-3-甲腈； <br/>4-[6-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-3-吡啶基] 嗎啉； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-3-(1-四氫哌喃-4-基吡唑-4-基)-1H-吲唑； <br/>4-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-3-甲氧基-2-吡啶基] 嗎啉； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-3-(1-四氫哌喃-4-基吡唑-4-基)-1H-吲唑； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-3-[6-(2-甲基磺醯基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)-3-吡啶基]-1H-吲唑； <br/>5-[1-(2,4-二氯-3-吡啶基)乙氧基]-3-[1-[1-(氧雜環丁烷-3-基)-4-哌啶基]吡唑-4-基]-1H-吲唑； <br/>5-[1-(2,4-二氯-3-吡啶基)乙氧基]-3-[6-(2-甲基磺醯基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)-3-吡啶基]-1H-吲唑； <br/>3-[6-(2,7-二氮雜螺[3.5]壬烷-2-基)-3-吡啶基]-5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-3-[6-(7-甲基磺醯基-2,7-二氮雜螺[3.5]壬烷-2-基)-3-吡啶基]-1H-吲唑； <br/>6-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-2λ <sup>6</sup>-硫雜-6-氮雜螺[3.3]庚烷2,2-二氧化物； <br/>2-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-7λ <sup>6</sup>-硫雜-2-氮雜螺[3.5]壬烷7,7-二氧化物； <br/>4-[4-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]吡唑-1-基]噻吩1,1-二氧化物； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-3-[6-(7-甲基磺醯基-2,7-二氮雜螺[3.4]辛烷-2-基)-3-吡啶基]-1H-吲唑； <br/>4-[4-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]吡唑-1-基]噻吩1,1-二氧化物； <br/>2-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-6λ <sup>6</sup>-硫雜-2-氮雜螺[3.4]辛烷6,6-二氧化物； <br/>3-[2-(2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-基)嘧啶-5-基]-5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-3-[2-(2-甲基磺醯基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)嘧啶-5-基]-1H-吲唑； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-3-[2-(2-異丙基磺醯基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)嘧啶-5-基]-1H-吲唑； <br/>6-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-羧酸乙基酯； <br/>2-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]嘧啶-2-基]-6λ <sup>6</sup>-硫雜-2-氮雜螺[3.4]辛烷6,6-二氧化物； <br/>6-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-羧酸甲基酯； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-3-[6-(2-乙基磺醯基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)-3-吡啶基]-1H-吲唑； <br/>2-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-2,7-二氮雜螺[3.5]壬烷-7-羧酸甲基酯； <br/>2-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]嘧啶-2-基]-2,7-二氮雜螺[3.5]壬烷-7-羧酸乙基酯； <br/>7-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]嘧啶-2-基]-2λ <sup>6</sup>-硫雜-7-氮雜螺[4.4]壬烷2,2-二氧化物； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-3-[2-(2-乙基磺醯基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)嘧啶-5-基]-1H-吲唑； <br/>2-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]嘧啶-2-基]-6λ <sup>6</sup>-硫雜-2-氮雜螺[3.5]壬烷6,6-二氧化物； <br/>2-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-2,7-二氮雜螺[3.5]壬烷-7-羧酸乙基酯； <br/>2-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]嘧啶-2-基]-2,8-二氮雜螺[3.5]壬烷-8-羧酸乙基酯； <br/>3-[2-(2,8-二氮雜螺[3.5]壬烷-2-基)嘧啶-5-基]-5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑； <br/>3-[2-(2,7-二氮雜螺[3.5]壬烷-2-基)嘧啶-5-基]-5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-3-[2-(8-甲基磺醯基-2,8-二氮雜螺[3.5]壬烷-2-基)嘧啶-5-基]-1H-吲唑； <br/>2-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]嘧啶-2-基]-2,8-二氮雜螺[3.5]壬烷-8-羧酸異丙基酯； <br/>2-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]嘧啶-2-基]-2,7-二氮雜螺[3.5]壬烷-7-羧酸甲基酯； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-3-[2-(7-甲基磺醯基-2,7-二氮雜螺[3.5]壬烷-2-基)嘧啶-5-基]-1H-吲唑； <br/>2-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]嘧啶-2-基]-2,8-二氮雜螺[3.5]壬烷-8-羧酸甲基酯； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二甲基-4-吡啶基)乙氧基]-3-[6-(2-甲基磺醯基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)-3-吡啶基]-1H-吲唑； <br/>5-[(1S)-1-(3,5-二甲基-4-吡啶基)乙氧基]-3-[6-(2-甲基磺醯基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)-3-吡啶基]-1H-吲唑； <br/>2-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]嘧啶-2-基]-6λ <sup>6</sup>-硫雜-2-氮雜螺[3.4]辛烷6,6-二氧化物； <br/>6-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-羧酸乙基酯； <br/>6-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]嘧啶-2-基]-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-羧酸甲基酯； <br/>2-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-6λ <sup>6</sup>-硫雜-2-氮雜螺[3.4]辛烷6,6-二氧化物； <br/>2-[5-[5-[(1S)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-6λ <sup>6</sup>-硫雜-2-氮雜螺[3.4]辛烷6,6-二氧化物； <br/>6-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]嘧啶-2-基]-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-羧酸乙基酯； <br/>2-[5-[5-[(1S)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]嘧啶-2-基]-6λ <sup>6</sup>-硫雜-2-氮雜螺[3.4]辛烷6,6-二氧化物； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基]-3-[6-(2-甲基磺醯基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)-3-吡啶基]-1H-吲唑； <br/>5-[(1S)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基]-3-[6-(2-甲基磺醯基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)-3-吡啶基]-1H-吲唑； <br/>6-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-羧酸甲基酯； <br/>6-[5-[5-[(1S)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-羧酸乙基酯； <br/>8-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]嘧啶-2-基]-2λ <sup>6</sup>-硫雜-8-氮雜螺[4.5]癸烷2,2-二氧化物； <br/>6-[5-[5-[(1S)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-羧酸甲基酯； <br/>8-[5-[5-[(1S)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]嘧啶-2-基]-2λ <sup>6</sup>-硫雜-8-氮雜螺[4.5]癸烷2,2-二氧化物； <br/>5-[(1S)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基]-3-[2-(2-甲基磺醯基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)嘧啶-5-基]-1H-吲唑； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基]-3-[2-(2-甲基磺醯基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)嘧啶-5-基]-1H-吲唑； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-3-[2-(7-甲基磺醯基-2,7-二氮雜螺[3.4]辛烷-2-基)嘧啶-5-基]-1H-吲唑； <br/>3-[2-(2,7-二氮雜螺[3.4]辛烷-2-基)嘧啶-5-基]-5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑； <br/>2-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-6λ <sup>6</sup>-硫雜-2-氮雜螺[3.5]壬烷6,6-二氧化物； <br/>5-[(1S)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-3-[6-(2-甲基磺醯基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)-3-吡啶基]-1H-吲唑； <br/>3-[6-(2,8-二氮雜螺[3.5]壬烷-2-基)-3-吡啶基]-5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-3-[6-(8-甲基磺醯基-2,8-二氮雜螺[3.5]壬烷-2-基)-3-吡啶基]-1H-吲唑； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-3-[6-(7-甲基磺醯基-2,7-二氮雜螺[3.4]辛烷-2-基)-3-吡啶基]-1H-吲唑； <br/>3-[6-(2,7-二氮雜螺[3.4]辛烷-2-基)-3-吡啶基]-5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑； <br/>2-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-2,8-二氮雜螺[3.5]壬烷-8-羧酸甲基酯； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氟苯基)乙氧基]-3-[1-(4-哌啶基)吡唑-4-基]-1H-吲唑； <br/>3-[1-(1-環丁基-4-哌啶基)吡唑-4-基]-5-[(1R)-1-(3,5-二氟苯基)乙氧基]-1H-吲唑； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氟苯基)乙氧基]-3-[1-[1-(氧雜環丁烷-3-基)-4-哌啶基]吡唑-4-基]-1H-吲唑； <br/>3-[6-(2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-基)-3-吡啶基]-5-[(1R)-1-(3,5-二氟苯基)乙氧基]-1H-吲唑； <br/>5-[(1R)-1-(2,6-二氯苯基)乙氧基]-3-[6-(2-甲基磺醯基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)-3-吡啶基]-1H-吲唑； <br/>4-[4-[5-[(1R)-1-(3,5-二氟苯基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]吡唑-1-基]噻吩1,1-二氧化物； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氟苯基)乙氧基]-3-[6-(2-甲基磺醯基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)-3-吡啶基]-1H-吲唑； <br/>5-[5-[(1R)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡咯啶-1-基-吡啶-3-甲腈； <br/>3-[6-[(8aS)-3,4,6,7,8,8a-六氫-1H-吡咯并[1,2-a]吡<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-2-基]-3-吡啶基]-5-[(1R)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基]-1H-吲唑； <br/>3-[6-[(8aR)-3,4,6,7,8,8a-六氫-1H-吡咯并[1,2-a]吡<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-2-基]-3-吡啶基]-5-[(1R)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基]-1H-吲唑； <br/>(7R,8aS)-2-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-3,4,6,7,8,8a-六氫-1H-吡咯并[1,2-a]吡<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-7-醇； <br/>3-[6-(2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-基)-3-吡啶基]-5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑； <br/>(7R,8aS)-2-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-3,4,6,7,8,8a-六氫-1H-吡咯并[1,2-a]吡<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-7-醇； <br/>3-[2-(2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-基)嘧啶-5-基]-5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-3-[6-(2-乙基磺醯基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)-3-吡啶基]-1H-吲唑； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-3-[2-(2-乙基磺醯基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)嘧啶-5-基]-1H-吲唑； <br/>2-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-2,8-二氮雜螺[3.5]壬烷-8-羧酸乙基酯； <br/>3-[6-[(8aS)-3,4,6,7,8,8a-六氫-1H-吡咯并[1,2-a]吡<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-2-基]-3-吡啶基]-5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑； <br/>3-[6-[(8aR)-3,4,6,7,8,8a-六氫-1H-吡咯并[1,2-a]吡<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-2-基]-3-吡啶基]-5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑； <br/>6-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]嘧啶-2-基]-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-羧酸乙基酯； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基]-3-[6-(8-乙基磺醯基-2,8-二氮雜螺[3.5]壬烷-2-基)-3-吡啶基]-1H-吲唑； <br/>2-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-2,8-二氮雜螺[3.5]壬烷-8-羧酸甲基酯； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基]-3-[6-(8-甲基磺醯基-2,8-二氮雜螺[3.5]壬烷-2-基)-3-吡啶基]-1H-吲唑； <br/>2-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-2,8-二氮雜螺[3.5]壬烷-8-羧酸異丙基酯； <br/>6-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-羧酸乙基酯； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-6-甲氧基-3-[6-(2-甲基磺醯基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)-3-吡啶基]-1H-吲唑； <br/>5-[(1S)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基]-6-甲氧基-3-[6-(2-甲基磺醯基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)-3-吡啶基]-1H-吲唑； <br/>6-[5-[5-[(1S)-1-(3,5-二氯-2-氟-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-羧酸乙基酯； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基]-6-甲氧基-3-[6-(2-甲基磺醯基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)-3-吡啶基]-1H-吲唑； <br/>6-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-氟-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-羧酸甲基酯； <br/>6-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-氟-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-羧酸乙基酯； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-氟-4-吡啶基)乙氧基]-3-[6-(2-甲基磺醯基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)-3-吡啶基]-1H-吲唑； <br/>6-[5-[5-[(1S)-1-(3,5-二氯-2-氟-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-羧酸甲基酯； <br/>5-[(1S)-1-(3,5-二氯-2-氟-4-吡啶基)乙氧基]-3-[6-(2-甲基磺醯基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)-3-吡啶基]-1H-吲唑； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基]-4-甲氧基-3-[6-(2-甲基磺醯基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)-3-吡啶基]-1H-吲唑； <br/>6-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-2-氧雜-6-氮雜螺[3.3]庚烷； <br/>6-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基]-6-甲氧基-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-2-氧雜-6-氮雜螺[3.3]庚烷； <br/>6-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-氟-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-2-氧雜-6-氮雜螺[3.3]庚烷； <br/>(R)-2-(5-(5-(1-(3,5-二氯-2-氟吡啶-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)吡啶-2-基)-6-氧雜-2-氮雜螺[3.4]辛烷； <br/>6-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-2-氧雜-6-氮雜螺[3.3]庚烷； <br/>(R)-2-(5-(5-(1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)吡啶-2-基)-6-氧雜-2-氮雜螺[3.4]辛烷； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-6-甲氧基-3-[6-(2-甲基磺醯基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)-3-吡啶基]-1H-吲唑； <br/>1-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-6-甲氧基-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]氮雜環丁烷-3-醇； <br/>(3R)-1-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-6-甲氧基-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]吡咯啶-3-醇； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-3-[6-(3-甲氧基-3-甲基-氮雜環丁烷-1-基)-3-吡啶基]-1H-吲唑； <br/>6-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-6-甲氧基-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-2-氧雜-6-氮雜螺[3.3]庚烷； <br/>3-[6-(2-氮雜螺[3.3]-庚烷-2-基)-3-吡啶基]-5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑； <br/>3-(5-(5-((R)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-6-甲氧基-1H-吲唑-3-基)吡啶-2-基)-6-乙基-3,6-二氮雜二環[3.1.1]庚烷； <br/>1-(3-(5-(5-((R)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-6-甲氧基-1H-吲唑-3-基)-3-甲基吡啶-2-基)-3,6-二氮雜二環[3.1.1]庚烷-6-基)-2-甲基丙-2-醇； <br/>2-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-6-甲氧基-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-1,3,4,7,8,8a-六氫吡咯并[1,2-a]吡<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-6-酮； <br/>2-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-6-氧雜-2-氮雜螺[3.4]辛烷； <br/>2-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-3-甲基-2-吡啶基]-6-氧雜-2-氮雜螺[3.4]辛烷； <br/>(R)-5-(5-(1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-6-甲氧基-1H-吲唑-3-基)-2-(2-氧雜-6-氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)菸鹼甲腈； <br/>(R)-6-(5-(5-(1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-6-甲氧基-1H-吲唑-3-基)-3-甲基吡啶-2-基)-2-氧雜-6-氮雜螺[3.3]庚烷； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-6-甲氧基-3-(6-吡咯啶-1-基-3-吡啶基)-1H-吲唑； <br/>(3S)-1-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-6-甲氧基-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]吡咯啶-3-醇； <br/>1-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-3-甲基-氮雜環丁烷-3-醇； <br/>(R)-2-(5-(5-(1-(3,5-二氯嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)吡啶-2-基)-6-氧雜-2-氮雜螺[3.4]辛烷； <br/>(R)-5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-3-(6-(6-(2,2,2-三氟乙基)-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-基)吡啶-3-基)-1H-吲唑； <br/>2-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-1,3,4,7,8,8a-六氫吡咯并[1,2-a]吡<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-6-酮； <br/>2-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-5-氧雜-2-氮雜螺[3.4]辛烷； <br/>2-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-2-氮雜螺[3.3]庚烷-6-醇； <br/>7-(5-(5-((R)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-6-甲氧基-1H-吲唑-3-基)吡啶-2-基)六氫咪唑并[1,5-a]吡<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-3(2H)-酮； <br/>(R)-6-(5-(5-(1-(3,5-二氯嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)吡啶-2-基)-2-氧雜-6-氮雜螺[3.3]庚烷； <br/>(R)-5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-3-(6-(6-(2,2-二氟乙基)-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-基)吡啶-3-基)-1H-吲唑； <br/>7-(5-(5-((R)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)-3-甲基吡啶-2-基)六氫咪唑并[1,5-a]吡<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-3(2H)-酮； <br/>[(2R)-1-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]吡咯啶-2-基]甲醇； <br/>(R)-5-(1-(3,5-二氯嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-3-(6-(6-(甲基磺醯基)-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-基)吡啶-3-基)-1H-吲唑； <br/>[1-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-3-甲基-2-吡啶基]-3-(羥基甲基)氮雜環丁烷-3-基]甲醇； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-3-[5-甲基-6-(2-甲基磺醯基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)-3-吡啶基]-1H-吲唑； <br/>((R)-1-(5-(5-((R)-1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)吡啶-2-基)吡咯啶-2-基)甲醇； <br/>((S)-1-(5-(5-((R)-1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)吡啶-2-基)吡咯啶-2-基)甲醇； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-3-[6-(6-甲氧基-2-氮雜螺[3.3]庚烷-2-基)-3-吡啶基]-1H-吲唑； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-6-甲氧基-3-[2-(2-甲基磺醯基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)嘧啶-5-基]-1H-吲唑； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-6-甲氧基-3-[2-(2-甲基磺醯基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)嘧啶-5-基]-1H-吲唑； <br/>[(2S)-1-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]吡咯啶-2-基]甲醇； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-3-[5-氟-6-(2-甲基磺醯基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)-3-吡啶基]-6-甲氧基-1H-吲唑； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-3-[5-氟-6-(2-甲基磺醯基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)-3-吡啶基]-6-甲氧基-1H-吲唑； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-3-[5-氟-6-(2-甲基磺醯基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)-3-吡啶基]-1H-吲唑； <br/>1-[6-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-基]-2,2,2-三氟-乙酮； <br/>(R)-5-(1-(3,5-二氯嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-3-(6-(6-(甲基磺醯基)-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-基)吡啶-3-基)-1H-吲唑； <br/>2-[5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡啶基]-2-氮雜螺[3.4]辛烷-6-醇； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-3-[5-甲基-6-(2-甲基磺醯基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)-3-吡啶基]-1H-吲唑； <br/>(R)-5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-3-(6-(3-(三氟甲基)氮雜環丁烷-1-基)吡啶-3-基)-1H-吲唑； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-6-甲氧基-3-[5-甲基-6-(2-甲基磺醯基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)-3-吡啶基]-1H-吲唑； <br/>(R)-5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-6-甲基-3-(6-(6-(甲基磺醯基)-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-基)吡啶-3-基)-1H-吲唑； <br/>(R)-5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-3-(6-(3-(二氟甲基)氮雜環丁烷-1-基)吡啶-3-基)-1H-吲唑； <br/>(R)-1-(5-(5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)吡啶-2-基)氮雜環丁烷-3-甲腈； <br/>(S)-5-(1-(3,5-二氯嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-3-(5-氟-6-(6-(甲基磺醯基)-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-基)吡啶-3-基)-6-甲基-1H-吲唑； <br/>(R)-5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-6-氟-3-(6-(6-(甲基磺醯基)-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-基)吡啶-3-基)-1H-吲唑； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-6-氟-3-[5-氟-6-(2-甲基磺醯基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)-3-吡啶基]-1H-吲唑； <br/>(R)-1-(5-(5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)吡啶-2-基)-3-甲基氮雜環丁烷-3-胺； <br/>(R)-5-(1-(3,5-二氯嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-6-氟-3-(5-氟-6-(6-(甲基磺醯基)-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-基)吡啶-3-基)-1H-吲唑； <br/>(R)-5-(1-(3,5-二氯嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-3-(5-氟-6-(6-(甲基磺醯基)-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-基)吡啶-3-基)-6-甲基-1H-吲唑； <br/>(R)-6-氯-5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-3-(6-(6-(甲基磺醯基)-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-基)吡啶-3-基)-1H-吲唑； <br/>(R)-5-(1-(3,5-二氯嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-6-甲氧基-3-(6-(6-(甲基磺醯基)-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-基)吡啶-3-基)-1H-吲唑； <br/>(R)-5-(1-(3,5-二氯嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-6-氟-3-(6-(6-(甲基磺醯基)-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-基)吡啶-3-基)-1H-吲唑； <br/>(R)-6-氯-5-(1-(3,5-二氯嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-3-(6-(6-(甲基磺醯基)-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-基)吡啶-3-基)-1H-吲唑； <br/>(R)-6-氯-5-(1-(3,5-二氯嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-3-(5-氟-6-(6-(甲基磺醯基)-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-基)吡啶-3-基)-1H-吲唑； <br/>(R)-1-(5-(5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)-3-氟吡啶-2-基)-3-甲基氮雜環丁烷-3-胺； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-6-氟-3-[6-(2-甲基磺醯基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)-3-吡啶基]-1H-吲唑； <br/>5-((R)-1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-3-(5-氟-6-((R)-2-甲基氮雜環丁烷-1-基)吡啶-3-基)-6-甲氧基-1H-吲唑； <br/>(R)-3-(6-(氮雜環丁烷-1-基)-5-氟吡啶-3-基)-5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-6-甲氧基-1H-吲唑； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-6-氟-3-[5-氟-6-(2-甲基磺醯基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)-3-吡啶基]-1H-吲唑； <br/>6-氯-5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-3-[5-氟-6-(2-甲基磺醯基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)-3-吡啶基]-1H-吲唑； <br/>5-((R)-1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-3-(5-氟-6-((S)-2-甲基氮雜環丁烷-1-基)吡啶-3-基)-6-甲氧基-1H-吲唑； <br/>6-氯-5-((R)-1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-3-(5-氟-6-((R)-2-甲基氮雜環丁烷-1-基)吡啶-3-基)-1H-吲唑； <br/>5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-3-[5-氟-6-(2-甲基磺醯基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)-3-吡啶基]-6-甲基-1H-吲唑； <br/>3-[6-(氮雜環丁烷-1-基)-5-氟-3-吡啶基]-6-氯-5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑； <br/>1-[5-[6-氯-5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-3-氟-2-吡啶基]-N,3-二甲基-氮雜環丁烷-3-胺； <br/>(R)-5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-3-(6-(3,3-二甲基氮雜環丁烷-1-基)-5-氟吡啶-3-基)-6-甲氧基-1H-吲唑； <br/>6-氯-5-((R)-1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-3-(5-氟-6-((S)-2-甲基氮雜環丁烷-1-基)吡啶-3-基)-1H-吲唑； <br/>(R)-3-(6-(氮雜環丁烷-1-基)-5-氟吡啶-3-基)-6-氯-5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-1H-吲唑； <br/>(R)-5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-3-(3,5-二氟-4-(6-(甲基磺醯基)-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-基)苯基)-6-甲氧基-1H-吲唑； <br/>(R)-3-(4-(氮雜環丁烷-1-基)-3,5-二氟苯基)-5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-6-甲氧基-1H-吲唑； <br/>(R)-1-(5-(5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-6-甲氧基-1H-吲唑-3-基)-3-氟吡啶-2-基)-N,N,3-三甲基氮雜環丁烷-3-胺； <br/>(R)-N-(1-(5-(5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-6-甲氧基-1H-吲唑-3-基)-3-氟吡啶-2-基)-3-甲基氮雜環丁烷-3-基)-N-甲基甲磺醯胺； <br/>(S)-2-(氮雜環丁烷-1-基)-5-(5-(1-(3,5-二氯-2-氟吡啶-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)菸鹼甲腈； <br/>5-(5-((R)-1-(3,5-二氯-2-氟吡啶-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)-2-((R)-3-羥基吡咯啶-1-基)菸鹼甲腈； <br/>5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-吡咯啶-1-基-吡啶-3-甲腈； <br/>(R)-2-(氮雜環丁烷-1-基)-5-(5-(1-(3,5-二氯-2-氟吡啶-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)菸鹼甲腈； <br/>(R)-5-(5-(1-(3,5-二氯-2-氟吡啶-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)-2-(3-羥基氮雜環丁烷-1-基)菸鹼甲腈； <br/>5-(5-((R)-1-(3,5-二氯-2-氟吡啶-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)-2-((S)-3-羥基吡咯啶-1-基)菸鹼甲腈； <br/>2-(氮雜環丁烷-1-基)-5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]吡啶-3-甲腈； <br/>5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-[(3S)-3-(1-羥基-1-甲基-乙基)吡咯啶-1-基]吡啶-3-甲腈； <br/>(S)-5-(5-(1-(3,5-二氯-2-氟吡啶-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)-2-(3-羥基氮雜環丁烷-1-基)菸鹼甲腈； <br/>(R)-5-(5-(1-(3,5-二氯-2-氟吡啶-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)-2-(吡咯啶-1-基)菸鹼甲腈； <br/>5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-[(3S)-3-羥基吡咯啶-1-基]吡啶-3-甲腈； <br/>5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-[(3R)-3-(1-羥基-1-甲基-乙基)吡咯啶-1-基]吡啶-3-甲腈； <br/>5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-[3-(2,2,2-三氟乙基)氮雜環丁烷-1-基]吡啶-3-甲腈； <br/>5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-[3-(2,2,2-三氟乙基)氮雜環丁烷-1-基]吡啶-3-甲腈； <br/>5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-[(3R)-3-羥基吡咯啶-1-基]吡啶-3-甲腈； <br/>5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-(4-羥基-1-哌啶基)吡啶-3-甲腈； <br/>2-(3,6-二氮雜二環[3.1.1]庚烷-3-基)-5-(5-((R)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)菸鹼甲腈； <br/>3-(5-(5-((R)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)-3-甲氧基吡啶-2-基)-3,6-二氮雜二環[3.1.1]庚烷； <br/>5-(5-((R)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)-2-((S)-3-(2-羥基丙烷-2-基)吡咯啶-1-基)菸鹼甲腈； <br/>5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-(3-羥基氮雜環丁烷-1-基)吡啶-3-甲腈； <br/>5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-[4-(1-羥基-1-甲基-乙基)-1-哌啶基]吡啶-3-甲腈； <br/>(R)-3-(6-(氮雜環丁烷-1-基)-5-甲氧基吡啶-3-基)-5-(1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-1H-吲唑； <br/>(R)-5-(1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-3-(5-甲氧基-6-(吡咯啶-1-基)吡啶-3-基)-1H-吲唑； <br/>5-(5-((R)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)-2-((S)-3-羥基吡咯啶-1-基)菸鹼甲腈； <br/>5-(5-((R)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)-2-((R)-3-(2-羥基丙烷-2-基)吡咯啶-1-基)菸鹼甲腈； <br/>5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-(3-羥基氮雜環丁烷-1-基)吡啶-3-甲腈； <br/>2-(氮雜環丁烷-1-基)-5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]吡啶-3-甲腈； <br/>(R)-3-(6-(氮雜環丁烷-1-基)吡啶-3-基)-5-(1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-6-甲氧基-1H-吲唑； <br/>5-(5-((R)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-6-甲氧基-1H-吲唑-3-基)-2-((S)-3-羥基吡咯啶-1-基)菸鹼甲腈； <br/>5-(5-((R)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)-2-(6-(2-羥基-2-甲基丙基)-3,6-二氮雜二環[3.1.1]庚烷-3-基)菸鹼甲腈； <br/>5-(5-((R)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)-2-((R)-3-羥基吡咯啶-1-基)菸鹼甲腈； <br/>3-(5-(5-((R)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-6-甲氧基-1H-吲唑-3-基)吡啶-2-基)-3,6-二氮雜二環[3.1.1]庚烷； <br/>(R)-5-(1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-6-甲氧基-3-(6-(吡咯啶-1-基)吡啶-3-基)-1H-吲唑； <br/>5-(5-((R)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-6-甲氧基-1H-吲唑-3-基)-2-((S)-3-(2-羥基丙烷-2-基)吡咯啶-1-基)菸鹼甲腈； <br/>3-(5-(5-((R)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-6-甲氧基-1H-吲唑-3-基)-3-甲基吡啶-2-基)-3,6-二氮雜二環[3.1.1]庚烷； <br/>(R)-5-(5-(1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)-2-(3-羥基氮雜環丁烷-1-基)菸鹼甲腈； <br/>5-(5-((R)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-6-甲氧基-1H-吲唑-3-基)-2-((R)-3-羥基吡咯啶-1-基)菸鹼甲腈； <br/>(R)-5-(5-(1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-6-甲氧基-1H-吲唑-3-基)-2-(3-羥基氮雜環丁烷-1-基)菸鹼甲腈； <br/>5-(5-((R)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-6-甲氧基-1H-吲唑-3-基)-2-((R)-3-(2-羥基丙烷-2-基)吡咯啶-1-基)菸鹼甲腈； <br/>(R)-2-(氮雜環丁烷-1-基)-5-(5-(1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-6-甲氧基-1H-吲唑-3-基)菸鹼甲腈； <br/>1-(3-(5-(5-((R)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)-3-甲氧基吡啶-2-基)-3,6-二氮雜二環[3.1.1]庚烷-6-基)-2-甲基丙-2-醇； <br/>(R)-5-(5-(1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-6-甲氧基-1H-吲唑-3-基)-2-(2-氧雜-6-氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)菸鹼甲腈； <br/>5-(5-((R)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)-2-(3-氧代六氫咪唑并[1,5-a]吡<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-7(1H)-基)菸鹼甲腈； <br/>5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-6-甲氧基-1H-吲唑-3-基]-2-(3-羥基氮雜環丁烷-1-基)吡啶-3-甲腈； <br/>5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-6-甲氧基-1H-吲唑-3-基]-2-[(3S)-3-羥基吡咯啶-1-基]吡啶-3-甲腈； <br/>7-(5-(5-((R)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)-3-甲氧基吡啶-2-基)六氫氧代六氫咪唑并[1,5-a]吡<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-3(2H)-酮； <br/>(R)-5-(5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)-2-(6-(2,2,2-三氟乙基)-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-基)菸鹼甲腈； <br/>(R)-5-(5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)-2-(6-(2,2-二氟乙基)-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-基)菸鹼甲腈； <br/>5-(5-((R)-1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)-2-(6-羥基-3-氮雜二環[3.1.0]己烷-3-基)菸鹼甲腈； <br/>5-(5-((R)-1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)-2-((R)-2-(羥基甲基)吡咯啶-1-基)菸鹼甲腈； <br/>5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-6-甲氧基-1H-吲唑-3-基]-2-吡咯啶-1-基-吡啶-3-甲腈； <br/>5-(5-((R)-1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)-2-((S)-2-(羥基甲基)吡咯啶-1-基)菸鹼甲腈； <br/>5-(5-((R)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)-2-((R)-2-(羥基甲基)吡咯啶-1-基)菸鹼甲腈； <br/>5-(5-((R)-1-(3,5-二甲基嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)-2-((S)-2-(羥基甲基)吡咯啶-1-基)菸鹼甲腈； <br/>(R)-5-(5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)-2-(6-(甲基磺醯基)-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-基)菸鹼甲腈； <br/>(R)-5-(5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)-2-(6-(甲基磺醯基)-2,6-二氮雜螺[3.5]壬烷-2-基)菸鹼甲腈； <br/>(R)-5-(5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-6-甲氧基-1H-吲唑-3-基)-2-(6,6-二氧離子基-6-硫雜-2-氮雜螺[3.4]辛烷-2-基)菸鹼甲腈； <br/>(R)-5-(5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)-2-(6,6-二氧離子基-6-硫雜-2-氮雜螺[3.5]壬烷-2-基)菸鹼甲腈； <br/>5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-6-甲氧基-1H-吲唑-3-基]-2-(2-甲基磺醯基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)吡啶-3-甲腈； <br/>5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-6-甲氧基-1H-吲唑-3-基]-2-(2-甲基磺醯基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)吡啶-3-甲腈； <br/>(R)-5-(5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)-2-(6,6-二氧離子基-6-硫雜-2-氮雜螺[3.4]辛烷-2-基)菸鹼甲腈； <br/>(R)-5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-3-(5-甲氧基-6-(6-(甲基磺醯基)-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-基)吡啶-3-基)-1H-吲唑； <br/>(R)-5-(5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)-2-(3-(二氟甲基)氮雜環丁烷-1-基)菸鹼甲腈； <br/>(R)-5-(5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-6-甲氧基-1H-吲唑-3-基)-2-(6,6-二氧離子基-6-硫雜-2-氮雜螺[3.5]壬烷-2-基)菸鹼甲腈； <br/>(R)-5-(5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)-2-(3-(三氟甲基)氮雜環丁烷-1-基)菸鹼甲腈； <br/>(R)-2-(3-氰基氮雜環丁烷-1-基)-5-(5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)菸鹼甲腈； <br/>5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-(6,6-二氧代-6λ <sup>6</sup>-硫雜-2-氮雜螺[3.5]壬烷-2-基)吡啶-3-甲腈； <br/>5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]-2-(8-甲基磺醯基-2,8-二氮雜螺[3.5]壬烷-2-基)吡啶-3-甲腈； <br/>5-(5-((R)-1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)-2-((R)-2-(羥基甲基)氮雜環丁烷-1-基)菸鹼甲腈； <br/>(R)-5-(5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-6-甲基-1H-吲唑-3-基)-2-(6-(甲基磺醯基)-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-基)菸鹼甲腈； <br/>(R)-5-(5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)-2-(3,3-二氟氮雜環丁烷-1-基)菸鹼甲腈； <br/>5-(5-((R)-1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)-2-((S)-2-(羥基甲基)氮雜環丁烷-1-基)菸鹼甲腈； <br/>(R)-5-(5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-6-氟-1H-吲唑-3-基)-2-(6-(甲基磺醯基)-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-基)菸鹼甲腈； <br/>(R)-1-(5-(5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)-2-(6-(甲基磺醯基)-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-基)吡啶-3-基)-N,N-二甲基甲胺； <br/>(R)-1-(5-(5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-6-甲氧基-1H-吲唑-3-基)-2-(6-(甲基磺醯基)-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-基)吡啶-3-基)-N,N-二甲基甲胺； <br/>(R)-2-(3-胺基-3-甲基氮雜環丁烷-1-基)-5-(5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)菸鹼甲腈； <br/>(R)-5-(6-氯-5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)-2-(6-(甲基磺醯基)-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-基)菸鹼甲腈； <br/>(R)-2-(氮雜環丁烷-1-基)-5-(5-(1-(3,5-二氯嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-6-甲氧基-1H-吲唑-3-基)菸鹼甲腈； <br/>(R)-2-(氮雜環丁烷-1-基)-5-(5-(1-(3,5-二氯嗒<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)菸鹼甲腈； <br/>5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-6-氟-1H-吲唑-3-基]-2-(6,6-二氧代-6λ <sup>6</sup>-硫雜-2-氮雜螺[3.5]壬烷-2-基)吡啶-3-甲腈； <br/>5-(5-((R)-1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)-2-(2-((二甲基胺基)甲基)氮雜環丁烷-1-基)菸鹼甲腈； <br/>(R)-5-(6-氯-5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)-2-(3,3-二甲基氮雜環丁烷-1-基)菸鹼甲腈； <br/>5-(6-氯-5-((R)-1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)-2-((S)-2-甲基氮雜環丁烷-1-基)菸鹼甲腈； <br/>(R)-1-(2-(氮雜環丁烷-1-基)-5-(6-氯-5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)吡啶-3-基)-N,N-二甲基甲胺； <br/>(R)-3-(6-(氮雜環丁烷-1-基)-5-(甲基磺醯基)吡啶-3-基)-5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-6-甲氧基-1H-吲唑； <br/>(R)-1-(5-(5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)-2-(6-(甲基磺醯基)-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-基)吡啶-3-基)-N-甲基甲胺； <br/>(R)-1-(5-(5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-6-甲氧基-1H-吲唑-3-基)-2-(6-(甲基磺醯基)-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-基)吡啶-3-基)-N-甲基甲胺； <br/>(R)-3-(6-(氮雜環丁烷-1-基)-5-(甲基磺醯基)吡啶-3-基)-6-氯-5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-1H-吲唑； <br/>(R)-1-(5-(6-氯-5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)-2-(3,3-二甲基氮雜環丁烷-1-基)吡啶-3-基)-N,N-二甲基甲胺； <br/>5-((R)-1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-6-甲氧基-3-(6-((R)-2-甲基氮雜環丁烷-1-基)-5-(甲基磺醯基)吡啶-3-基)-1H-吲唑； <br/>5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-6-氟-1H-吲唑-3-基]-2-(2-甲基磺醯基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)吡啶-3-甲腈； <br/>5-(6-氯-5-((R)-1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)-2-((R)-2-甲基氮雜環丁烷-1-基)菸鹼甲腈； <br/>5-((R)-1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-6-甲氧基-3-(6-((S)-2-甲基氮雜環丁烷-1-基)-5-(甲基磺醯基)吡啶-3-基)-1H-吲唑； <br/>(R)-5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-3-(6-(3,3-二甲基氮雜環丁烷-1-基)-5-(甲基磺醯基)吡啶-3-基)-6-甲氧基-1H-吲唑； <br/>2-(氮雜環丁烷-1-基)-5-[6-氯-5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-1H-吲唑-3-基]吡啶-3-甲腈； <br/>5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-6-氟-1H-吲唑-3-基]-2-(6,6-二氧代-6λ <sup>6</sup>-硫雜-2-氮雜螺[3.4]辛烷-2-基)吡啶-3-甲腈； <br/>5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-2-甲基-4-吡啶基)乙氧基]-6-氟-1H-吲唑-3-基]-2-(2-甲基磺醯基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)吡啶-3-甲腈； <br/>5-[5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-6-氟-1H-吲唑-3-基]-2-(8-甲基磺醯基-2,8-二氮雜螺[3.5]壬烷-2-基)吡啶-3-甲腈； <br/>(R)-6-氯-5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-3-(6-(3,3-二甲基氮雜環丁烷-1-基)-5-(甲基磺醯基)吡啶-3-基)-1H-吲唑； <br/>(R)-1-(2-(氮雜環丁烷-1-基)-5-(6-氯-5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)吡啶-3-基)-N-甲基甲胺； <br/>(R)-3-(6-(氮雜環丁烷-1-基)-5-(三氟甲基)吡啶-3-基)-6-氯-5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-1H-吲唑； <br/>6-氯-5-((R)-1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-3-(6-((S)-2-甲基氮雜環丁烷-1-基)-5-(三氟甲基)吡啶-3-基)-1H-吲唑； <br/>(R)-1-(5-(6-氯-5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)-3-(三氟甲基)吡啶-2-基)-N,N,3-三甲基氮雜環丁烷-3-胺； <br/>6-氯-5-((R)-1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-3-(6-((R)-2-甲基氮雜環丁烷-1-基)-5-(三氟甲基)吡啶-3-基)-1H-吲唑；或 <br/>(R)-1-(5-(6-氯-5-(1-(3,5-二氯吡啶-4-基)乙氧基)-1H-吲唑-3-基)-3-(甲基磺醯基)吡啶-2-基)-N,N,3-三甲基氮雜環丁烷-3-胺。
如請求項21之化合物或其立體異構體或水合物或前述任一者之醫藥學上可接受之鹽，其為5-[(1R)-1-(3,5-二氯-4-吡啶基)乙氧基]-3-[6-(2-甲基磺醯基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)-3-吡啶基]-1H-吲唑或其水合物或前述任一者之醫藥學上可接受之鹽。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1至22中任一項之化合物或其立體異構體或水合物或前述任一者之醫藥學上可接受之鹽，及醫藥學上可接受之賦形劑。
一種如請求項1至22中任一項之化合物或其立體異構體或水合物或前述任一者之醫藥學上可接受之鹽之用途，其係用於製備治療有需要個體之癌症的藥劑，視情況其中該癌症為尿道上皮癌、乳癌、子宮內膜腺癌、卵巢癌、原發性神經膠質瘤、膽管癌、胃腺癌、非小細胞肺癌、胰臟外分泌癌、口腔癌、前列腺癌、膀胱癌、大腸直腸癌、腎細胞癌、神經內分泌癌、骨髓增生性贅瘤、頭頸(鱗狀)癌、黑色素瘤、平滑肌肉瘤及/或肉瘤，視情況其中該癌症為肝內膽管癌，或視情況其中該癌症為FGFR突變型癌症。
一種如請求項1至22中任一項之化合物或其立體異構體或水合物或前述任一者之醫藥學上可接受之鹽之用途，其係用於製備治療有需要個體之軟骨發育不全、軟骨發育不良症候群、季肋發育不全(Hch)、伴有發育遲緩和黑棘皮病的嚴重軟骨發育不全(SADDAN)或致死性發育不良(TD)的藥劑。
一種改善光阻劑分辨能力的方法，其包括：a)提供包含籽晶層的基材；b)視需要將包含含硫促進劑的水性處理溶液選擇性地施用至該籽晶層，其中該水性處理溶液的pH係低於3、或高於9；c)提供銅電鍍組成物，其包含銅離子源、促進劑、酸、氯化物源、在該銅電鍍組成物在工作電極上之伏安圖的陰極波中產生α-峰曲線的抑制劑和整平劑，其中該整平劑係咪唑、丁基二縮水甘油醚與苯基咪唑的反應產物的共聚物，其中，該抑制劑包含具有1000-6000g/mol的重量平均分子量的聚乙二醇、具有1000-5000g/mol的重量平均分子量的EO/PO嵌段共聚物、具有1000-5000g/mol的重量平均分子量的EO/PO無規共聚物或具有重量平均分子量範圍為1000-10000g/mol二胺核EO/PO嵌段共聚物；d)使包含該籽晶層的該基材與該銅電鍍組成物接觸；和e)在該基材的該籽晶層上各向異性地電鍍銅。
如請求項1所述之方法，其中，該二胺核EO/PO嵌段共聚物具有以下式：<figure><img align="absmiddle" height="167px" width="570px" file="d10001.TIF" alt="化學式ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/></figure>其中變數x、x”.x”、x’’’、y、y’、y”和y’’’係大於或等於1的整數以提供1000-10,000g/mol的分子量範圍。
如請求項1所述之方法，其中，該二胺核EO/PO嵌段共聚物具有以下式：<figure><img align="absmiddle" height="158px" width="570px" file="d10002.TIF" alt="化學式ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/></figure>其中變數x、x”.x”、x’’’、y、y’、y”和y’’’係大於或等於1的整數以提供1000-10,000g/mol的分子量範圍。
如請求項1所述之方法，其中，該二胺核EO/PO嵌段共聚物具有以下式：<figure><img align="absmiddle" height="178px" width="638px" file="d10003.TIF" alt="化學式ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/></figure>其中變數x、x”.x”、x’’’、y、y’、y”和y’’’係大於或等於1的整數以提供1000-10,000g/mol的分子量範圍。
一種改善光阻劑分辨能力的方法，其包括：a)提供包含籽晶層的基材；b)用光阻劑塗覆該籽晶層；c)使該光阻劑成像以在該基材上形成圖案並選擇性地暴露籽晶層；d)視需要將包含含硫促進劑的水性處理溶液施用至該暴露的籽晶層，其中該水性處理溶液具有低於3的pH、或高於9的pH；e)提供銅電鍍組成物，其包含銅離子源、促進劑、酸、氯化物源、在該銅電鍍組成物在工作電極上之伏安圖的陰極波中產生α-峰曲線的抑制劑和整平劑，其中該整平劑係咪唑、丁基二縮水甘油醚與苯基咪唑的反應產物的共聚物，其中，該抑制劑包含具有1000-6000g/mol的重量平均分子量的聚乙二醇、具有1000-5000g/mol的重量平均分子量的EO/PO嵌段共聚物、具有1000-5000g/mol的重量平均分子量的EO/PO無規共聚物或具有重量平均分子量範圍為1000-10000g/mol二胺核EO/PO嵌段共聚物；f)使包含該籽晶層的該基材與該銅電鍍組成物接觸；和g)在該基材的該籽晶層上電鍍各向異性銅。
一種由請求項1或5所述之方法製備的製品，其包含高於周圍光阻劑的高度至少2μm的銅沈積物，並且包含相對於基材的平面以80°-90°取向的非共格晶界，並且包含相對於該基材的平面以40°-50°取向的並行孿晶晶界。
一種磁結構，包括： <br/>磁層，包含豪斯勒（Heusler）化合物，所述磁層具有超出平面外的去磁能的垂直磁各向異性能量； <br/>電阻性插入層，經組態以減小所述豪斯勒化合物的磁阻尼且允許對所述豪斯勒化合物進行模板化；以及 <br/>模板結構，具有經組態以使所述豪斯勒化合物及所述電阻性插入層中的至少一者模板化的晶體結構，所述磁層駐存於所述模板結構上， <br/>其中所述電阻性插入層位於所述磁層上，使得所述磁層位於所述模板結構與所述電阻性插入層之間，且 <br/>所述模板結構是磁性的。
如請求項1所述的磁結構，其中所述磁結構更包含： <br/>穿隧障壁層，所述模板結構駐存於所述穿隧障壁層上；且其中所述模板結構具有不超過二十埃的厚度。
如請求項2所述的磁結構，其中所述模板結構包含Co<sub>(1-x)</sub>Al<sub>x</sub>，其中x小於0.4且所述厚度不超過十埃。
一種磁裝置，包括： <br/>自由層，包含豪斯勒化合物，所述自由層具有超出平面外的去磁能的垂直磁各向異性能量； <br/>電阻性插入層，經組態以減小所述豪斯勒化合物的磁阻尼且允許對所述豪斯勒化合物進行模板化； <br/>模板結構，具有經組態以使所述豪斯勒化合物及所述電阻性插入層中的至少一者模板化的晶體結構，所述自由層駐存於所述模板結構上； <br/>非磁性分隔層；以及 <br/>參考層，所述非磁性分隔層位於所述自由層與所述參考層之間， <br/>其中所述電阻性插入層位於所述模板結構的頂部上，且位於所述模板結構與所述自由層之間；且 <br/>其中所述電阻性插入層針對所述豪斯勒化合物具有不超過百分之十的晶格失配。
如請求項4所述的磁裝置，其中所述非磁性分隔層具有非磁性分隔層電阻； <br/>其中所述電阻性插入層具有（001）紋理以及不超過所述非磁性分隔層電阻的百分之十的電阻；且 <br/>其中所述豪斯勒化合物具有至少五奈米的豪斯勒厚度。
請求項4所述的磁裝置，其中所述豪斯勒化合物包含Mn<sub>3</sub>Ge、Mn<sub>3</sub>Al、Mn<sub>3</sub>Sb、Mn<sub>3</sub>Ga、Mn<sub>3</sub>Sn、Mn<sub>3</sub>In以及Mn<sub>2</sub>CoSn中的至少一者； <br/>其中所述電阻性插入層包含MgO、Mg-Al氧化物、Mg-Ti氧化物、Mg-Fe氧化物、Mg-Zn氧化物、Mg-Mn氧化物、MgAl<sub>2</sub>O<sub>4</sub>、CaTiO<sub>3</sub>、SrTiO<sub>3</sub>、BaTiO<sub>3</sub>、LaAlO<sub>3</sub>、BaSnO<sub>3</sub>、NaCl、LiF、GaAs、ZnSe、Cu(In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>)Se<sub>2</sub>、AlN以及ScN中的至少一者；且 <br/>其中所述模板結構包含Ta、Ru、Fe、Ir、CoFeB、MgO、Ta-N、Ti-N、Mn-N、VN、Cu-N、Sc-N、CoSn、CoGa、CoGe、NiAl、FeAl、CoAl、RuAl、IrAl、CuZn、AgZn、Cr、Ag-Mg以及Cr-Ru中的至少一者。
一種用於提供磁結構的方法，包括： <br/>提供具有晶體結構的模板結構，所述晶體結構經組態以使豪斯勒化合物及電阻性插入層中的至少一者模板化； <br/>提供所述電阻性插入層，所述電阻性插入層經組態以減小所述豪斯勒化合物的磁阻尼且允許對所述豪斯勒化合物進行模板化；以及 <br/>在所述模板結構上提供包含所述豪斯勒化合物的磁層，所述磁層具有超出平面外的去磁能垂直磁各向異性能量， <br/>其中所述模板結構位於所述電阻性插入層和所述磁層之間，並且 <br/>其中所述電阻性插入層包括Mg-Fe氧化物、Mg-Zn氧化物、Mg-Mn氧化物、CaTiO<sub>3</sub>、SrTiO<sub>3</sub>、BaTiO<sub>3</sub>、LaAlO<sub>3</sub>、BaSnO<sub>3</sub>、NaCl、LiF、GaAs、ZnSe、Cu(In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>)Se<sub>2</sub>、AlN以及ScN中的至少一者。
如請求項7所述的用於提供磁結構的方法，其中： <br/>所述電阻性插入層針對豪斯勒化合物具有不超過百分之十的晶格失配，且所述模板結構的厚度不超過二十埃。
如請求項7所述的用於提供磁結構的方法，其中所述模板結構的厚度至少為一埃且不超過十埃。
如請求項7所述的用於提供磁結構的方法，更包含： <br/>在所述電阻性插入層下方設置額外模板結構，所述電阻性插入層位於所述模板結構和所述額外模板結構之間。
如請求項10所述的用於提供磁結構的方法，更包含： <br/>提供晶種層，所述額外模板結構位於所述晶種層上並與所述晶種層共用介面。
一種保護膜形成劑，其係於半導體晶圓之切割中，用於在半導體晶圓之表面形成保護膜之保護膜形成劑， <br/> 包含水溶性樹脂(A)、吸光劑(B)與溶劑(S)， <br/> 前述水溶性樹脂(A)包含水溶性樹脂(A1)， <br/> 前述水溶性樹脂(A1)具有芳香環與水溶性基， <br/> 前述溶劑(S)為水或有機溶劑之水溶液， <br/> 前述有機溶劑為乙二醇、丙二醇、乙二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚、丙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚、乙二醇單甲基醚乙酸酯、乙二醇單乙基醚乙酸酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯及丙二醇單乙基醚乙酸酯所選擇之至少一種。
如請求項1之保護膜形成劑，其中前述水溶性樹脂(A1)具有苯環作為芳香族單環。
如請求項1之保護膜形成劑，其中前述水溶性樹脂(A1)為酚樹脂或聚苯乙烯樹脂。
如請求項1之保護膜形成劑，其中前述水溶性樹脂(A)包含纖維素系樹脂。
如請求項1之保護膜形成劑，其中前述保護膜形成劑之總固體成分中的前述水溶性樹脂(A1)之含量為1質量%以上60質量%以下。
如請求項1～5中任一項之保護膜形成劑，其中前述溶劑(S)為前述有機溶劑之水溶液。
一種半導體晶片之製造方法，其係加工半導體晶圓的半導體晶片之製造方法，包含： <br/> 在前述半導體晶圓上，塗佈如請求項1～6中任一項之保護膜形成劑而形成保護膜；與 <br/> 對前述半導體晶圓上之包含前述保護膜之1個以上之層的特定位置照射雷射光，使前述半導體晶圓之表面露出，且形成對應於半導體晶片形狀之圖型的加工溝。
一種積體電路結構，包含： <br/>複數閘極線，在單元邊界(cell boundary)內的複數半導體奈米線堆疊通道結構上方延伸，該等閘極線具有間距(pitch)； <br/>複數溝槽接點，在該單元邊界內的複數源極或汲極結構上方延伸，該等溝槽接點中的個別多者與該等閘極線中的個別多者相交替； <br/>第一訊號線、第二訊號線、第三訊號線及第四訊號線，在該單元邊界內的該等閘極線及該等溝槽接點上方，該第一訊號線、該第二訊號線、該第三訊號線及該第四訊號線具有該間距之1.5倍的最小間距；以及 <br/>背面供電線，在該等半導體奈米線堆疊通道結構及該等源極或汲極結構下方，該背面供電線耦合至該單元邊界內的該等溝槽接點其中之一。
如請求項1之積體電路結構，其中，該背面供電線藉由矽穿孔耦合至該等溝槽接點其中之該一或多者。
如請求項1或2之積體電路結構，其中，從平面圖的角度觀之，該第一訊號線、該第二訊號線、該第三訊號線及該第四訊號線其中之一在該等半導體奈米線堆疊通道結構其中之一上方耦合至該等閘極線其中之一。
如請求項1或2之積體電路結構，更包含： <br/>在該單元邊界內之該第一訊號線、該第二訊號線、該第三訊號線及該第四訊號線上方的複數導線，該等導線具有該間距。
如請求項1或2之積體電路結構，其中，該單元邊界的端至端(end-to-end，ETE)以該等閘極線為中心。
如請求項1或2之積體電路結構，其中，該單元邊界的端至端(ETE)以該等溝槽接點為中心。
一種積體電路結構，包含： <br/>複數閘極線，在單元邊界(cell boundary)內的複數半導體鰭狀通道結構上方延伸，該等閘極線具有間距(pitch)； <br/>複數溝槽接點，在該單元邊界內的複數源極或汲極結構上方延伸，該等溝槽接點中的個別多者與該等閘極線中的個別多者相交替； <br/>第一訊號線、第二訊號線、第三訊號線及第四訊號線，在該單元邊界內的該等閘極線及該等溝槽接點上方，該第一訊號線、該第二訊號線、該第三訊號線及該第四訊號線具有該間距之1.5倍的最小間距；以及 <br/>背面供電線，在該等半導體鰭狀通道結構及該等源極或汲極結構下方，該背面供電線耦合至該單元邊界內的該等溝槽接點其中之一。
如請求項7之積體電路結構，其中，該背面供電線藉由矽穿孔耦合至該等溝槽接點其中之該一或多者。
如請求項7或8之積體電路結構，其中，從平面圖的角度觀之，該第一訊號線、該第二訊號線、該第三訊號線及該第四訊號線其中之一在該等半導體鰭狀通道結構其中之一上方耦合至該等閘極線其中之一。
如請求項7或8之積體電路結構，更包含： <br/>在該單元邊界內之該第一訊號線、該第二訊號線、該第三訊號線及該第四訊號線上方的複數導線，該等導線具有該間距。
如請求項7或8之積體電路結構，其中，該單元邊界的端至端(end-to-end，ETE)以該等閘極線為中心。
如請求項7或8之積體電路結構，其中，該單元邊界的端至端(ETE)以該等溝槽接點為中心。
一種計算裝置，包含： <br/>一板體；以及 <br/>耦合至該板體的組件，該組件包含積體電路結構，該積體電路結構包含： <br/>複數閘極線，在單元邊界(cell boundary)內的複數半導體奈米線堆疊通道結構上方延伸，該等閘極線具有間距(pitch)； <br/>複數溝槽接點，在該單元邊界內的複數源極或汲極結構上方延伸，該等溝槽接點中的個別多者與該等閘極線中的個別多者相交替； <br/>第一訊號線、第二訊號線、第三訊號線及第四訊號線，在該單元邊界內的該等閘極線及該等溝槽接點上方，該第一訊號線、該第二訊號線、該第三訊號線及該第四訊號線具有該間距之1.5倍的最小間距；以及 <br/>背面供電線，在該等半導體奈米線堆疊通道結構及該等源極或汲極結構下方，該背面供電線耦合至該單元邊界內的該等溝槽接點其中之一。
如請求項13之計算裝置，更包含： <br/>耦合至該板體之記憶體。
如請求項13或14之計算裝置，更包含： <br/>耦合至該板體之通訊晶片。
如請求項13或14之計算裝置，更包含： <br/>耦合至該板體之相機。
如請求項13或14之計算裝置，其中，該組件為封裝的積體電路晶粒。
一種計算裝置，包含： <br/>一板體；以及 <br/>耦合至該板體的組件，該組件包含積體電路結構，該積體電路結構包含： <br/>複數閘極線，在單元邊界(cell boundary)內的複數半導體鰭狀通道結構上方延伸，該等閘極線具有間距(pitch)； <br/>複數溝槽接點，在該單元邊界內的複數源極或汲極結構上方延伸，該等溝槽接點中的個別多者與該等閘極線中的個別多者相交替； <br/>第一訊號線、第二訊號線、第三訊號線及第四訊號線，在該單元邊界內的該等閘極線及該等溝槽接點上方，該第一訊號線、該第二訊號線、該第三訊號線及該第四訊號線具有該間距之1.5倍的最小間距；以及 <br/>背面供電線，在該等半導體鰭狀通道結構及該等源極或汲極結構下方，該背面供電線耦合至該單元邊界內的該等溝槽接點其中之一。
如請求項18之計算裝置，更包含： <br/>耦合至該板體之記憶體。
如請求項18或19之計算裝置，更包含： <br/>耦合至該板體之通訊晶片。
如請求項18或19之計算裝置，更包含： <br/>耦合至該板體之相機。
如請求項18或19之計算裝置，其中，該組件為封裝的積體電路晶粒。
一種用於操作踏板推進式車輛齒輪系統的電腦實施方法，其中該齒輪系統(100)包括： <br/>一多速齒輪(110、290)，組構成在一齒輪輸入元件(111)與一齒輪輸出元件(112)之間提供變化的齒輪比； <br/>一曲柄驅動器(130)及一馬達驅動器(140)，兩者組構成傳輸扭矩至該齒輪輸入元件(111)；以及 <br/>一可移動的換檔元件(10、210)，組構成在多個齒輪比之間進行該多速齒輪之換檔， <br/>其中，此方法包括： <br/>接收指示應該執行一次換檔的一換檔控制信號(172)； <br/>提供一上升控制信號(153)至馬達驅動器(140)，以在一上升扭矩(bT)下運轉達一上升扭矩時段(tbT)；以及 <br/>提供一下降控制信號(154)至馬達驅動器，以在一下降扭矩(dT)下運轉達一下降扭矩時段(tdT)，其中，該上升扭矩係高於該下降扭矩； <br/>其中，該齒輪系統具有一當前的換檔扭矩臨界值(STT)，其係被界定為可在該多速齒輪中執行齒輪比之變換的該齒輪輸入元件(111)與該齒輪輸出元件(112)之間的最大扭矩。
如請求項1之方法，其中，該當前的換檔扭矩臨界值(STT)係在等於或大於一最小換檔扭矩臨界值(STT)且等於或小於一最大換檔扭矩臨界值(STT)的範圍內。
如請求項2之方法，其中，該最大換檔扭矩臨界值(STT)係以最壞情況換檔扭矩為基礎的一預定值。
如請求項2或3之方法，其中，該最小換檔扭矩臨界值(STT)係以例如表現最佳的工作溫度、保養期間的開始、磨合齒輪組件等的最佳情況換檔扭矩為基礎的一預定值。
如請求項2或3之方法，其中，該最大及/或最小換檔扭矩臨界值(STT)對於換檔為具特定性。
如請求項1至3中任一項之方法，其中，此方法包括： <br/>從一曲柄扭矩感測器(131)接收一曲柄扭矩信號(132)，代表作為該曲柄驅動器(130)與該齒輪輸入元件(111)之間的扭矩差的曲柄扭矩；以及 <br/>從該馬達驅動器接收一馬達扭矩信號(142)，代表作為該馬達驅動器(140)與該齒輪輸入元件(111)之間的扭矩差的馬達扭矩，其中 <br/>該上升扭矩與來自該曲柄扭矩信號的一曲柄扭矩之和係高於該當前的換檔扭矩臨界值(STT)；以及 <br/>該下降扭矩與來自該曲柄扭矩信號的該曲柄扭矩之和係低於該當前的換檔扭矩臨界值(STT)。
如請求項6之方法，其中，此方法包括： <br/>在接收一換檔控制信號之後且在提供一控制信號至該馬達驅動器(140)以在該上升扭矩(bT)下運轉之前，提供一預上升控制信號(152)至該馬達驅動器(140)，以在一預上升扭矩(pbT)下運轉達一預上升扭矩時段(tpbT)，其中，該預上升扭矩係低於該上升扭矩且高於該下降扭矩。
如請求項7之方法，其中，此方法包括： <br/>將一總扭矩計算為該曲柄扭矩與該馬達扭矩之和；以及 <br/>僅當該總扭矩低於一預上升扭矩臨界值時，才提供該預上升控制信號(152)。
如請求項1至3中任一項之方法，其中，該多速齒輪包括被組構成移動換檔元件(10、210)的一換檔致動器(121、201、202)，且此方法包括： <br/>在提供上升控制信號至該馬達驅動器(140)之前，傳送一第一換檔信號(143)至該換檔致動器。
如請求項9之方法，其中，此方法包括： <br/>在提供預上升控制信號之後，傳送該第一換檔信號(143)至該換檔致動器。
如請求項1至3中任一項之方法，其中，此方法包括： <br/>測量一系列換檔之成功率； <br/>如果該成功率高於一預定的高成功率臨界值，則增加所設定的換檔扭矩臨界值(STT)及/或減少致動器施力/扭矩； <br/>如果該成功率低於一預定的低成功率臨界值，則減少所設定的換檔扭矩臨界值(STT)及/或增加致動器施力/扭矩。
如請求項9之方法，其中，該換檔致動器包括： <br/>一能量源(20、220)；以及 <br/>一能量儲存元件(30、230)， <br/>其中，該可移動的換檔元件(10、210)係組構成在該多速齒輪中進行換檔；以及 <br/>其中，該能量源係組構成以位能對該能量儲存元件進行加載或充載，而其中，其換檔扭矩臨界值由該位能來決定，並且，該能量儲存元件係組構成移動該換檔元件。
如請求項12之方法，其中，該能量儲存元件係組構成從一平衡位置朝兩個相對立方向移動該換檔元件，而其中，該能量儲存元件未充載或加載有來自該能量源的能量。
如請求項13之方法，其中，此方法包括： <br/>在一開始時間(t0)開始實施從該能量源至該能量儲存元件的能量傳遞；以及 <br/>在該開始時間之後的一預定時間間隔(ts1)結束能量傳遞，或者，當該能量儲存元件已經獲得一特定位置或旋轉角度時，結束能量傳遞。
如請求項1至3中任一項之方法，其中，該齒輪輸入元件(111)係組構成由該曲柄驅動器(130)及該馬達驅動器(140)兩者所驅動。
一種資料處理控制系統，包括：用於執行請求項1至15中任一項之方法的手段。
一種電腦程式，包括：多個指令，當由一電腦執行此程式時，該等指令係使該電腦執行請求項1至15中任一項之方法。
一種電腦可讀取的媒體，包括：多個指令，當由一電腦執行時，該等指令係使該電腦執行請求項1至15中任一項之方法。
一種踏板推進式車輛齒輪系統，包括： <br/>一多速齒輪(110、290)，組構成在一齒輪輸入元件(111)與一齒輪輸出元件(112)之間提供變化的齒輪比；以及 <br/>一控制系統(150)，組構成包括有請求項1至15中任一項之任一方法步驟及特徵。
一種用於在一使用者設備（UE）處的無線通訊的方法，包括： <br/>監測彼此關聯的複數個下行鏈路控制通道候選，該複數個下行鏈路控制通道候選至少包括一第一傳輸時間間隔中的一第一下行鏈路控制通道候選和在該第一傳輸時間間隔之後的一第二傳輸時間間隔中的一最後的下行鏈路控制通道候選； <br/>從一基地台並且至少部分地基於該監測，來接收在該第一下行鏈路控制通道候選或該最後的下行鏈路控制通道候選中的一者內的下行鏈路控制資訊的至少一個重複，該下行鏈路控制資訊排程在該基地台與該UE之間的一傳輸； <br/>至少部分地基於該最後的下行鏈路控制通道候選的一時序來應用與該傳輸相關聯的一排程偏移；及 <br/>至少部分地基於該排程偏移來經由該傳輸與該基地台進行通訊； <br/>其中至少部分地基於該最後的下行鏈路控制通道候選的該時序來應用該排程偏移包括以下步驟： <br/> 應用該排程偏移，而不考慮以下情況：是否在該第一下行鏈路控制通道候選內偵測到該下行鏈路控制資訊的一第一重複，是否在該最後的下行鏈路控制通道候選內偵測到該下行鏈路控制資訊的一第二重複，或是否分別在該第一下行鏈路控制通道候選和該最後的下行鏈路控制通道候選內偵測到該第一重複和該第二重複兩者。
根據請求項1之方法，其中由該下行鏈路控制資訊排程的該傳輸包括一通道狀態資訊參考信號，其中經由該傳輸與該基地台進行通訊包括： <br/>根據該排程偏移來接收該通道狀態資訊參考信號，該排程偏移是至少部分地基於該最後的下行鏈路控制通道候選的該時序來應用的。
根據請求項2之方法，還包括： <br/>從該基地台接收指示一觸發狀態配置集合的一無線電資源控制訊息；及 <br/>經由該下行鏈路控制資訊的該至少一個重複，來接收對在該觸發狀態配置集合內包括的一觸發狀態配置的一指示，其中接收該通道狀態資訊參考信號是至少部分地基於該觸發狀態配置的。
根據請求項2之方法，其中該排程偏移包括在該最後的下行鏈路控制通道候選的一最後的符號與該通道狀態資訊參考信號的一第一符號之間的一偏移。
根據請求項2之方法，還包括： <br/>至少部分地基於該排程偏移和該UE的一波束切換閥值的一比較，來決定用於接收該通道狀態資訊參考信號的一准共址配置，其中該通道狀態資訊參考信號是根據該准共址配置來接收的。
根據請求項5之方法，還包括： <br/>至少部分地基於該排程偏移大於或等於該UE的該波束切換閥值，來決定至少部分地基於一或多個傳輸配置指示狀態的該准共址配置，該一或多個傳輸配置指示狀態是至少部分地基於該下行鏈路控制資訊來決定的。
根據請求項5之方法，還包括： <br/>在與該通道狀態資訊參考信號相關聯的一資源集合內從該基地台接收一下行鏈路傳輸；及 <br/>至少部分地基於該排程偏移小於該UE的該波束切換閥值，來決定至少部分地基於一或多個傳輸配置指示狀態的該准共址配置，該一或多個傳輸配置指示狀態是至少部分地基於該下行鏈路傳輸來決定的。
根據請求項5之方法，還包括： <br/>至少部分地基於該排程偏移小於該UE的該波束切換閥值，來決定與在由該UE監測的一搜尋空間集的一最後的傳輸時間間隔內的一控制資源集相關聯的該准共址配置。
根據請求項5之方法，還包括： <br/>至少部分地基於該排程偏移小於該UE的該波束切換閥值，來決定與一服務細胞的一最低啟動傳輸配置指示狀態相關聯的該准共址配置，該服務細胞與該通道狀態資訊參考信號相關聯。
根據請求項5之方法，還包括： <br/>向該基地台發送對該UE的該波束切換閥值的一指示；及 <br/>至少部分地基於該排程偏移和該波束切換閥值的該比較，來決定與該通道狀態資訊參考信號的接收相關聯的一或多個參數，其中該通道狀態資訊參考信號是至少部分地基於該一或多個參數來接收的。
根據請求項5之方法，還包括： <br/>至少部分地基於在其內接收到一下行鏈路控制資訊的該至少一個重複的一下行鏈路控制通道的一次載波間隔，來決定與該通道狀態資訊參考信號的接收相關聯的一時序延遲； <br/>至少部分地基於該時序延遲來決定該UE的一經調整的波束切換閥值；及 <br/>至少部分地基於該排程偏移和該經調整的波束切換閥值的該比較，來決定與該通道狀態資訊參考信號的接收相關聯的一或多個參數，其中該通道狀態資訊參考信號是至少部分地基於該一或多個參數來接收的。
根據請求項1之方法，其中由該下行鏈路控制資訊排程的該傳輸包括一下行鏈路共享通道傳輸、一通道狀態資訊參考信號、或兩者，其中經由該傳輸與該基地台進行通訊包括： <br/>根據一最小排程延遲來從該基地台接收該下行鏈路共享通道傳輸、該通道狀態資訊參考信號、或兩者，該最小排程延遲小於或等於該排程偏移，該排程偏移是至少部分地基於該最後的下行鏈路控制通道候選的該時序來應用的。
根據請求項12之方法，還包括： <br/>決定與在其上接收到該下行鏈路控制資訊的該至少一個重複的一下行鏈路控制通道相關聯的一第一次載波間隔；及 <br/>決定與要在其上執行由該下行鏈路控制資訊排程的該傳輸的一通道相關聯的一第二次載波間隔，其中該最小排程延遲是至少部分地基於該第一次載波間隔和該第二次載波間隔的一比較的。
根據請求項1之方法，其中由該下行鏈路控制資訊排程的該傳輸包括一探測參考信號集合，其中經由該傳輸與該基地台進行通訊包括： <br/>在該排程偏移之後向該基地台發送該探測參考信號集合，該排程偏移是至少部分地基於該最後的下行鏈路控制通道候選的該時序來應用的。
根據請求項1之方法，其中由該下行鏈路控制資訊排程的該傳輸包括一探測參考信號集合，該方法還包括： <br/>從該基地台接收包括對該排程偏移的一指示的一無線電資源控制訊息。
根據請求項1之方法，其中由該下行鏈路控制資訊排程的該傳輸包括一探測參考信號集合，並且該排程偏移包括在該第二傳輸時間間隔與該傳輸的傳輸時間間隔之間的一傳輸時間間隔的一數量。
根據請求項1之方法，其中由該下行鏈路控制資訊排程的該傳輸包括一探測參考信號集合，該方法還包括： <br/>從該基地台接收一通道狀態資訊參考信號； <br/>針對該通道狀態資訊參考信號執行一或多個測量； <br/>至少部分地基於該一或多個測量來決定與該探測參考信號集合的傳輸相關聯的一或多個參數；及 <br/>至少部分地基於該一或多個參數來發送該探測參考信號集合。
根據請求項1之方法，其中由該下行鏈路控制資訊排程的該傳輸包括一探測參考信號集合，該方法還包括： <br/>從該基地台接收對與一通道狀態資訊參考信號的接收相關聯的一傳輸時間間隔偏移的一指示； <br/>至少部分地基於該傳輸時間間隔偏移和該第二傳輸時間間隔來決定用於該通道狀態資訊參考信號的接收的一資源； <br/>在該資源內接收該通道狀態資訊參考信號；及 <br/>至少部分地基於該通道狀態資訊參考信號來發送該探測參考信號集合。
根據請求項1之方法，還包括： <br/>經由該下行鏈路控制資訊接收該下行鏈路控制資訊的一最小排程偏移指示符欄位的一或多個值的改變；及 <br/>決定要在該排程偏移之後應用該最小排程偏移指示符欄位的該一或多個值的該改變，該排程偏移是至少部分地基於該最後的下行鏈路控制通道候選的該時序來應用的。
根據請求項19之方法，還包括： <br/>從該基地台接收指示與由該下行鏈路控制資訊排程的該傳輸相關聯的一第一最小排程偏移和一第二最小排程偏移的無線電資源控制訊息，其中該最小排程偏移指示符欄位的該一或多個值的該改變是至少部分地基於該第一最小排程偏移和該第二最小排程偏移的。
根據請求項1之方法，其中由該下行鏈路控制資訊排程的該傳輸包括一實體下行鏈路共享通道傳輸、一實體上行鏈路共享通道傳輸、或兩者，並且該排程偏移包括與該實體下行鏈路共享通道傳輸相關聯一的最小K0值、與該實體上行鏈路共享通道傳輸相關聯的一最小K2值、或兩者。
一種用於在一基地台處的無線通訊的方法，包括： <br/>在彼此關聯的複數個下行鏈路控制通道候選內向一使用者設備（UE）發送在該複數個下行鏈路控制通道候選中的一第一下行鏈路控制通道候選或該複數個下行鏈路控制通道候選中的一最後的下行鏈路控制通道候選內的下行鏈路控制資訊的至少一個重複，該第一下行鏈路控制通道候選在一第一傳輸時間間隔中，並且該最後的下行鏈路控制通道候選在該第一傳輸時間間隔之後的一第二傳輸時間間隔中，該下行鏈路控制資訊排程在該基地台與該UE之間的一傳輸； <br/>至少部分地基於該最後的下行鏈路控制通道候選的一時序來應用與該傳輸相關聯的一排程偏移；及 <br/>至少部分地基於該排程偏移來經由該傳輸與該UE進行通訊； <br/>其中至少部分地基於該最後的下行鏈路控制通道候選的該時序來應用該排程偏移包括以下步驟： <br/> 應用該排程偏移，而不考慮以下情況：是否在該第一下行鏈路控制通道候選內偵測到該下行鏈路控制資訊的一第一重複，是否在該最後的下行鏈路控制通道候選內偵測到該下行鏈路控制資訊的一第二重複，或是否分別在該第一下行鏈路控制通道候選和該最後的下行鏈路控制通道候選內偵測到該第一重複和該第二重複兩者。
根據請求項22之方法，其中由該下行鏈路控制資訊排程的該傳輸包括一通道狀態資訊參考信號，其中經由該傳輸與該UE進行通訊包括： <br/>根據該排程偏移來發送該通道狀態資訊參考信號，該排程偏移是至少部分地基於該最後的下行鏈路控制通道候選的該時序來應用的。
根據請求項23之方法，其中該排程偏移包括在該最後的下行鏈路控制通道候選的一最後的符號與該通道狀態資訊參考信號的一第一符號之間的一偏移。
根據請求項23之方法，還包括： <br/>至少部分地基於該排程偏移和該UE的一波束切換閥值的一比較來決定用於發送該通道狀態資訊參考信號的一准共址配置，其中該通道狀態資訊參考信號是根據該准共址配置來發送的。
根據請求項22之方法，其中由該下行鏈路控制資訊排程的該傳輸包括一下行鏈路共享通道傳輸、一通道狀態資訊參考信號、或兩者，其中經由該傳輸與該UE進行通訊包括： <br/>根據一最小排程延遲來向該UE發送該下行鏈路共享通道傳輸、該通道狀態資訊參考信號、或兩者，該最小排程延遲小於或等於該排程偏移，該排程偏移是至少部分地基於該最後的下行鏈路控制通道候選的該時序來應用的。
根據請求項26之方法，還包括： <br/>決定與在其上接收到該下行鏈路控制資訊的該至少一個重複的一下行鏈路控制通道相關聯的一第一次載波間隔；及 <br/>決定與要在其上執行由該下行鏈路控制資訊排程的該傳輸的一通道相關聯的一第二次載波間隔，其中該最小排程延遲是至少部分地基於該第一次載波間隔和該第二次載波間隔的一比較的。
一種用於在一使用者設備（UE）處的無線通訊的裝置，包括： <br/>至少一個處理器；及 <br/>耦合到該至少一個處理器的記憶體，該記憶體儲存由該至少一個處理器可執行以使得該裝置進行以下操作的指令： <br/>監測彼此關聯的複數個下行鏈路控制通道候選，該複數個下行鏈路控制通道候選至少包括一第一傳輸時間間隔中的一第一下行鏈路控制通道候選和在該第一傳輸時間間隔之後的一第二傳輸時間間隔中的一最後的下行鏈路控制通道候選； <br/>從一基地台並且至少部分地基於該監測，來接收在該第一下行鏈路控制通道候選或該最後的下行鏈路控制通道候選中的一者內的下行鏈路控制資訊的至少一個重複，該下行鏈路控制資訊排程在該基地台與該UE之間的一傳輸； <br/>至少部分地基於該最後的下行鏈路控制通道候選的一時序來應用與該傳輸相關聯的一排程偏移；及 <br/>至少部分地基於該排程偏移來經由該傳輸與該基地台進行通訊； <br/>其中至少部分地基於該最後的下行鏈路控制通道候選的該時序來應用該排程偏移包括以下步驟： <br/> 應用該排程偏移，而不考慮以下情況：是否在該第一下行鏈路控制通道候選內偵測到該下行鏈路控制資訊的一第一重複，是否在該最後的下行鏈路控制通道候選內偵測到該下行鏈路控制資訊的一第二重複，或是否分別在該第一下行鏈路控制通道候選和該最後的下行鏈路控制通道候選內偵測到該第一重複和該第二重複兩者。
一種用於在一基地台處的無線通訊的裝置，包括： <br/>至少一個處理器；及 <br/>耦合到該至少一個處理器的記憶體，該記憶體儲存由該至少一個處理器可執行以使得該裝置進行以下操作的指令： <br/>在彼此關聯的複數個下行鏈路控制通道候選內向一使用者設備（UE）發送在該複數個下行鏈路控制通道候選中的一第一下行鏈路控制通道候選或該複數個下行鏈路控制通道候選中的一最後的下行鏈路控制通道候選內的下行鏈路控制資訊的至少一個重複，該第一下行鏈路控制通道候選在一第一傳輸時間間隔中，並且該最後的下行鏈路控制通道候選在該第一傳輸時間間隔之後的一第二傳輸時間間隔中，該下行鏈路控制資訊排程在該基地台與該UE之間的一傳輸； <br/>至少部分地基於該最後的下行鏈路控制通道候選的一時序來應用與該傳輸相關聯的一排程偏移；及 <br/>至少部分地基於該排程偏移來經由該傳輸與該UE進行通訊； <br/>其中至少部分地基於該最後的下行鏈路控制通道候選的該時序來應用該排程偏移包括以下步驟： <br/> 應用該排程偏移，而不考慮以下情況：是否在該第一下行鏈路控制通道候選內偵測到該下行鏈路控制資訊的一第一重複，是否在該最後的下行鏈路控制通道候選內偵測到該下行鏈路控制資訊的一第二重複，或是否分別在該第一下行鏈路控制通道候選和該最後的下行鏈路控制通道候選內偵測到該第一重複和該第二重複兩者。
一種用於無線通訊的使用者設備（UE），包括：<br/> 一記憶體；及<br/> 耦合到該記憶體的一或多個處理器，該一或多個處理器被配置為：<br/> 從一基地站接收對以一時域資源區塊（RB）為一單位或以一時域RB群組為一單位的用於要使用一時域波形的一通訊的一時域資源分配（TDRA）的一指示，<br/> 其中該時域RB的該單位或該時域RB群組的該單位是一子符號單位；及<br/> 至少部分地基於用於該通訊的該TDRA，使用該時域波形與該基地站進行通訊。
根據請求項1之UE，其中該時域波形是一單載波正交幅度調制波形。
根據請求項1之UE，其中該時域RB的該單位包括複數個時域資源元素。
根據請求項1之UE，其中該TDRA包括連續時域RB或連續時域RB群組。
根據請求項1之UE，其中該時域RB群組的該單位的一大小是至少部分地基於一頻寬部分的一大小的。
根據請求項1之UE，其中該TDRA是至少部分地基於被包括在一時槽中的符號的一數量、被包括在該數量的符號中的一符號中的時域RB的一數量、用於該TDRA的一起始時域RB，以及用於該TDRA的連續時域RB的一數量的。
根據請求項1之UE，其中該TDRA是至少部分地基於被包括在一時槽中的時域RB群組的一數量、用於該TDRA的一起始時域RB群組以及用於該TDRA的連續時域RB群組的一數量的。
根據請求項1之UE，其中該TDRA由用於該TDRA的一起始和長度指示符值來指示，該起始和長度指示符值指示一起始時域RB或一起始時域RB群組以及連續時域RB的一數量或連續時域RB群組的一數量。
根據請求項1之UE，其中對以該時域RB為該單位或以該時域RB群組為該單位的該TDRA的該指示是至少部分地基於該TDRA的一長度小於一閾值的。
根據請求項1之UE，其中該一或多個處理器亦被配置為：<br/> 至少部分地基於用於該TDRA的一起始和長度指示符值是否滿足一閾值，來決定該TDRA是以該時域RB為該單位或以該時域RB群組為該單位還是以一符號單位來指示的。
根據請求項1之UE，其中該TDRA包括映射到非連續實體時域RB或非連續實體時域RB群組的連續虛擬時域RB或連續虛擬時域RB群組。
根據請求項1之UE，其中該時域RB的該單位或該時域RB群組的該單位不包括循環字首調制符號。
根據請求項1之UE，其中該時域RB的該單位或該時域RB群組的該單位包括保護間隔調制符號。
根據請求項1之UE，其中用於該通訊的一傳輸塊大小是至少部分地基於被包括在該時域RB的該單位中的時域資源元素的一數量和由該TDRA指示的時域RB的一數量或時域RB群組的一數量的。
根據請求項1之UE，其中該TDRA包括用於一符號內的該子符號單位的一或多個循環字首或用於一符號內的該子符號單位的一或多個保護間隔。
根據請求項1之UE，其中用於該通訊的一傳輸塊大小是至少部分地基於用於一符號內的該子符號單位的一或多個循環字首或用於一符號內的該子符號單位的一或多個保護間隔的。
一種用於無線通訊的基地站，包括：<br/> 一記憶體；及<br/> 耦合到該記憶體的一或多個處理器，該一或多個處理器被配置為：<br/> 向一使用者設備（UE）傳輸對以一時域資源區塊（RB）為一單位或以一時域RB群組為一單位的用於要使用一時域波形的一通訊的一時域資源分配（TDRA）的一指示，<br/> 其中該時域RB的該單位或該時域RB群組的該單位是一子符號單位；及<br/> 至少部分地基於用於該通訊的該TDRA，使用該時域波形與該UE進行通訊。
根據請求項17之基地站，其中該時域波形是一單載波正交幅度調制波形。
根據請求項17之基地站，其中該時域RB的該單位包括複數個時域資源元素。
根據請求項17之基地站，其中該TDRA包括連續時域RB或連續時域RB群組。
根據請求項17之基地站，其中該時域RB群組的該單位的一大小是至少部分基於一頻寬部分的一大小的。
根據請求項17之基地站，其中該TDRA是至少部分地基於被包括在一時槽中的符號的一數量、被包括在該數量的符號中的一符號中的時域RB的一數量、用於該TDRA的一起始時域RB，以及用於該TDRA的連續時域RB的一數量的。
根據請求項17之基地站，其中該TDRA是至少部分地基於被包括在一時槽中的時域RB群組的一數量、用於該TDRA的一起始時域RB群組以及用於該TDRA的連續時域RB群組的一數量的。
根據請求項17之基地站，其中該TDRA由用於該TDRA的一起始和長度指示符值來指示，該起始和長度指示符值指示一起始時域RB或一起始時域RB群組以及連續時域RB的一數量或連續時域RB群組的一數量。
根據請求項17之基地站，其中對以該時域RB為該單位或以該時域RB群組為該單位的該TDRA的該指示是至少部分地基於該TDRA的一長度小於一閾值的。
根據請求項17之基地站，其中該TDRA包括映射到非連續實體時域RB或非連續實體時域RB群組的連續虛擬時域RB或連續虛擬時域RB群組。
根據請求項17之基地站，其中該時域RB的該單位或該時域RB群組的該單位不包括循環字首調制符號。
根據請求項17之基地站，其中該時域RB的該單位或該時域RB群組的該單位包括保護間隔調制符號。
根據請求項17之基地站，其中用於該通訊的一傳輸塊大小是至少部分地基於被包括在該時域RB的該單位中的時域資源元素的一數量和由該TDRA指示的時域RB的一數量或時域RB群組的一數量的。
根據請求項17之基地站，其中該TDRA包括用於一符號內的該子符號單位的一或多個循環字首或用於一符號內的該子符號單位的一或多個保護間隔。
根據請求項17之基地站，其中用於該通訊的一傳輸塊大小是至少部分地基於用於一符號內的該子符號單位的一或多個循環字首或用於一符號內的該子符號單位的一或多個保護間隔的。
一種由一使用者設備（UE）執行的無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 從一基地站接收對以一時域資源區塊（RB）為一單位或以一時域RB群組為一單位的用於要使用一時域波形的一通訊的一時域資源分配（TDRA）的一指示，<br/> 其中該時域RB的該單位或該時域RB群組的該單位是一子符號單位；及<br/> 至少部分地基於用於該通訊的該TDRA，使用該時域波形與該基地站進行通訊。
根據請求項32之方法，其中該TDRA是至少部分地基於被包括在一時槽中的符號的一數量、被包括在該數量的符號中的一符號中的時域RB的一數量、用於該TDRA的一起始時域RB，以及用於該TDRA的連續時域RB的一數量的。
根據請求項32之方法，其中該TDRA是至少部分地基於被包括在一時槽中的時域RB群組的一數量、用於該TDRA的一起始時域RB群組以及用於該TDRA的連續時域RB群組的一數量的。
根據請求項32之方法，亦包括以下步驟：<br/> 至少部分地基於用於該TDRA的一起始和長度指示符值是否滿足一閾值，來決定該TDRA是以該時域RB為該單位或以該時域RB群組為該單位還是以一符號單位來指示的。
根據請求項32之方法，其中該TDRA包括映射到非連續實體時域RB或非連續實體時域RB群組的連續虛擬時域RB或連續虛擬時域RB群組。
根據請求項32之方法，其中該TDRA包括用於一符號內的該子符號單位的一或多個循環字首或用於一符號內的該子符號單位的一或多個保護間隔。
一種由一基地站執行的無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 向一使用者設備（UE）傳輸對以一時域資源區塊（RB）為一單位或以一時域RB群組為一單位的用於要使用一時域波形的一通訊的一時域資源分配（TDRA）的一指示，<br/> 其中該時域RB的該單位或該時域RB群組的該單位是一子符號單位；及<br/> 至少部分地基於用於該通訊的該TDRA，使用該時域波形與該UE進行通訊。
根據請求項38之方法，其中該TDRA是至少部分地基於被包括在一時槽中的符號的一數量、被包括在該數量的符號中的一符號中的時域RB的一數量、用於該TDRA的一起始時域RB，以及用於該TDRA的連續時域RB的一數量的。
根據請求項38之方法，其中該TDRA是至少部分地基於被包括在一時槽中的時域RB群組的一數量、用於該TDRA的一起始時域RB群組以及用於該TDRA的連續時域RB群組的一數量的。
根據請求項38之方法，其中該TDRA包括映射到非連續實體時域RB或非連續實體時域RB群組的連續虛擬時域RB或連續虛擬時域RB群組。
根據請求項38之方法，其中該TDRA包括用於一符號內的該子符號單位的一或多個循環字首或用於一符號內的該子符號單位的一或多個保護間隔。
一種研磨用組成物，其係使用於矽晶圓之預備研磨步驟之研磨用組成物，且 <br/> 係由研磨粒、鹼性化合物、螯合劑、界面活性劑、含氮水溶性高分子及水所成， <br/>前述界面活性劑之重量濃度(S)為1.0×10<sup>-4</sup>重量%以上， <br/> 前述鹼性化合物之重量濃度(B)相對於前述界面活性劑之重量濃度(S)的比(B/S)為50以上。
如請求項1之研磨用組成物，其中前述含氮水溶性高分子之重量濃度(P)相對於前述界面活性劑之重量濃度(S)的比(P/S)大於0.5。
如請求項1或2之研磨用組成物，其中前述界面活性劑包含非離子性界面活性劑。
如請求項3之研磨用組成物，其中前述非離子性界面活性劑係聚氧伸烷基烷基醚。
如請求項1或2之研磨用組成物，其中前述研磨粒包含二氧化矽粒子。
一種如請求項1至5中任一項之研磨用組成物的濃縮液。
一種用於半導體微影的投影曝光設備（1），其包含一用於確定光學元件（25、25.1）區域內的電漿（29）中之原子氫濃度的裝置，其中該裝置包含一感測器（32、32.1、32.2、32.3、32.4），其特徵在於： <br/>該裝置更包含一濾光元件（31、31.1、31.2、31.3、31.4），其配置在該電漿（29）的該區域與該感測器（32、32.1、32.2、32.3、32.4）之間，其中該濾光元件（31、31.1、31.2、31.3、31.4）構造成主要允許原子氫從該電漿通過到該感測器（32、32.1、32.2、32.3、32.4）； <br/>該濾光元件（31、31.1、31.2、31.3、31.4）包含一通道型區域（33、33.1~33.8），用於通過原子氫。
如請求項1所述之投影曝光設備（1），其特徵在於該通道型區域（33、33.1~33.8）的多個內側至少部分形成為當原子氫入射其上時具有一低重組可能性。
如請求項1或2所述之投影曝光設備（1），其特徵在於該通道型區域（33、33.1~33.8）之長度與最小直徑的比率範圍係介於20：1至4：1之間的大小。
如請求項1所述之投影曝光設備（1），其特徵在於該通道型區域（33）係在相對於入射在該光學元件（25、25.1）上之該所用輻射（16）的極化方向之＞30°角度處對準。
如請求項1所述之投影曝光設備（1），其特徵在於該通道型區域（33.1~33.8）具有一呈角度的實施例。
如請求項5所述之投影曝光設備（1），其特徵在於該通道型區域（33、33.1~33.8）係由該光學元件（25、25.1）的一主體與一外殼（27.1）相互作用所形成。
如請求項1所述之投影曝光設備（1），其特徵在於該光學元件（25、25.1）為該投影曝光裝置（1）的一非致動反射鏡。
如請求項1所述之投影曝光設備（1），其特徵在於一用於產生電場或磁場的裝置係配置在該電漿（29）的該區域與該感測器（32、32.1、32.2、32.3、32.4）之間。
如請求項1所述之投影曝光設備（1），其特徵在於該感測器（32、32.1、32.2、32.3、32.4）設計成一熱通量感測器。
如請求項1所述之投影曝光設備（1），其特徵在於該感測器（32、32.1、32.2、32.3、32.4）包含一犧牲性材料，當其暴露於多個H自由基時經歷蝕刻移除。
如請求項10所述之投影曝光設備（1），其特徵在於該犧牲性材料包含多個物質Zn、Sn、Pb、In、P之一或多者，較佳為C或Si。
如請求項10所述之投影曝光設備（1），其特徵在於存在一用於確定蝕刻移除的裝置。
如請求項12所述之投影曝光設備（1），其特徵在於該裝置構造成實現一傳輸測量、一橢圓量測或一石英晶體微量天平之頻率偏移的測量。
一種晶片連接器，包括本體，具有上表面與下表面以及貫穿所述上、下表面的端子孔；及複數端子，係收容於對應所述端子孔內且呈矩陣排列，包括固定於端子孔內的固定部、自所述固定部向上延伸的第一彈性部及自所述第一彈性部繼續延伸且凸伸出所述本體上表面的第一接觸部；所述端子包括至少兩相鄰的接地端子及至少兩相鄰的訊號端子；其中，定義所述端子的第一接觸部、第一彈性部均具有虛擬中心線，相鄰所述接地端子的第一接觸部的虛擬中心線之間的距離與相鄰所述訊號端子的第一接觸部的虛擬中心線之間的距離相同，且相鄰所述接地端子的第一彈性部的虛擬中心線的距離大於相鄰所述訊號端子的第一彈性部的虛擬中心線之間的距離。
如請求項1所述之晶片連接器，其中相鄰所述接地端子的第一接觸部的虛擬中心線之間的距離與相鄰所述接地端子的第一彈性部的虛擬中心線的距離相同。
如請求項1所述之晶片連接器，其中所述端子還包括自所述固定部向下延伸的第二彈性部及自所述第二彈性部繼續延伸且凸伸出所述本體上表面的第二接觸部，所述第二彈性部、第二接觸部與所述第一彈性部、第一彈性部關於所述固定部呈對稱設置。
如請求項1所述之晶片連接器，其中所述接地端子的第一彈性部由自所述固定部向上延伸的一對傾斜懸臂構成，所述第一接觸部自所述傾斜懸臂向內偏折一定距離而形成，兩所述傾斜懸臂之間的距離大於其所對應的兩所述第一接觸部之間的距離。
如請求項1所述之晶片連接器，其中所述訊號端子的第一彈性部由自所述固定部向上延伸的一傾斜懸臂構成，其所對應的第一接觸部則自所述傾斜懸臂向外偏折而形成。
如請求項5所述之晶片連接器，其中每一所述訊號端子的第一接觸部的寬度大於其對應的第一彈性部的寬度，所述訊號端子的第一接觸部開設有開口而使得所述第一接觸部具有兩接觸點。
如請求項1所述之晶片連接器，其中從垂直於所述端子的角度看，所述訊號端子的第一接觸部的開口的內側邊與其對應的所述第一彈性部的外側邊於一條豎直線上。
如請求項1所述之晶片連接器，其中所述訊號端子的固定部包括橫條部、自橫條部一端的上下兩側分別豎直延伸的第一肋條，以及自橫條部另一端的下側向下豎直延伸的第二肋條；所述本體設有位於端子孔兩側的干涉孔，所述第一、第二肋條分別干涉固定於所述干涉孔內。
如請求項8所述之晶片連接器，其中所述第一肋條的寬度小於所述第二肋條的寬度。
如請求項1所述之晶片連接器，其中所述接地端子的固定部包括橫條部、自橫條部兩端的上、下側分別豎直延伸的上肋條與下肋條，所述本體設有位於端子孔兩側的干涉孔，所述上、下肋條分別干涉固定於所述干涉孔內。
如請求項1所述之晶片連接器，其中相鄰兩訊號端子構成一差分對端子對，複數所述接地端子則分別設置於所述差分端子對同排的左右兩側與前、後排，且前、後排設置三接地端子而與所述訊號端子於前後方向上呈彼此偏移設置。
如請求項10所述之晶片連接器，其中收容所述接地端子的端子孔與收容所述訊號端子的端子孔結構相同。
一種流體移送裝置，其具備有： <br/>外筒； <br/>定子，其外周面以密合之方式被設於上述外筒之內周面，並具有母螺紋形狀之貫通孔即插通孔；及 <br/>公螺紋形狀之轉子，其連接於轉子驅動部，一面與上述定子之內周面抵接一面偏心旋轉； <br/>藉由使插通於上述插通孔的上述轉子偏心旋轉，可在上述定子與上述轉子所構成的搬送路徑中移送流體； <br/>該流體移送裝置之特徵在於： <br/>上述定子係具備有自上述搬送路徑之流入口在長度方向佔有一定範圍的流入口部分、自上述搬送路徑之流出口在長度方向佔有一定範圍的流出口部分、及位於上述流入口部分及上述流出口部分之間的中央部分， <br/>藉由上述轉子所產生在上述定子之上述流入口部分及上述流出口部分的密合力，被構成為小於藉由上述轉子所產生在上述中央部分的密合力。
如請求項1之流體移送裝置，其中，藉由將藉由上述轉子所產生在上述定子之上述流入口部分及上述流出口部分的干涉量構成為小於藉由上述轉子所產生在上述中央部分的干涉量，而使藉由上述轉子所產生在上述定子之上述流入口部分及上述流出口部分的密合力小於藉由上述轉子所產生在上述中央部分的密合力。
如請求項2之流體移送裝置，其中，藉由上述轉子所產生之干涉量係以自上述中央部分朝向流出口或流入口逐漸變小之方式所構成。
如請求項1之流體移送裝置，其中，於上述中央部分，藉由上述轉子所產生之密合力係在長度方向為均等。
如請求項4之流體移送裝置，其中，當(A)在上述搬送路徑之流入口的上述轉子與上述定子之密合力為A1，在上述轉子自上述搬送路徑之流入口1圈量之位置的上述轉子與上述定子之密合力為A2，在上述搬送路徑之流入口與上述轉子自上述搬送路徑之流入口1圈量之位置之間的位置的上述轉子與上述定子之密合力為A3，在上述搬送路徑之長度方向中央部分的上述轉子與上述定子之密合力為A4之情形下，其具有A4＞A2＞A3＞A1之關係； <br/>當(B)在上述搬送路徑之流出口的上述轉子與上述定子之密合力為B1，在上述轉子自上述搬送路徑之流出口1圈量之位置的上述轉子與上述定子之密合力為B2，在上述搬送路徑之流出口與上述轉子自上述搬送路徑之流出口1圈量之位置之間的位置的上述轉子與上述定子之密合力為B3，在上述搬送路徑之長度方向中央部分的上述轉子與上述定子之密合力為B4之情形下，其具有B4＞B2＞B3＞B1之關係。
如請求項2之流體移送裝置，其中，於上述插通孔之長度方向之中央部分，其藉由上述轉子所產生之干涉量在長度方向係均等者。
如請求項6之流體移送裝置，其中，當(A)在上述搬送路徑之流入口的上述轉子與上述定子之干涉量為A1，在上述轉子自上述搬送路徑之流入口1圈量之位置的上述轉子與上述定子之干涉量為A2，在上述搬送路徑之流入口與上述轉子自上述搬送路徑之流入口1圈量之位置之間的位置的上述轉子與上述定子之干涉量為A3，在上述搬送路徑之長度方向中央部分的上述轉子與上述定子之干涉量為A4之情形下，其具有A4＞A2＞A3＞A1之關係； <br/>當(B)在上述搬送路徑之流出口的上述轉子與上述定子之干涉量為B1，在上述轉子自上述搬送路徑之流出口1圈量之位置的上述轉子與上述定子之干涉量為B2，在上述搬送路徑之流出口與上述轉子自上述搬送路徑之流出口1圈量之位置之間的位置的上述轉子與上述定子之干涉量為B3，在上述搬送路徑之長度方向中央部分的上述轉子與上述定子之干涉量為B4之情形下，其具有B4＞B2＞B3＞B1之關係。
如請求項4至7中任一項之流體移送裝置，其中，上述插通孔之長度方向的中央部分係為上述轉子之2圈量以上之範圍。
如請求項4至7中任一項之流體移送裝置，其中， <br/>上述流入口部分係超出上述轉子自上述搬送路徑之流入口1圈量之範圍， <br/>上述流出口部分係超出上述轉子自上述搬送路徑之流出口1圈量之範圍。
如請求項4至7中任一項之流體移送裝置，其中，上述定子的上述中央部分之長度方向的範圍，係較上述流入口部分及上述流出口部分的各個長度方向之範圍為長。
如請求項4至7中任一項之流體移送裝置，其中，藉由上述轉子所產生在上述定子之上述流入口部分及上述流出口部分的干涉、與藉由上述轉子所產生在上述定子之上述中央部分的干涉的干涉量之比率為0.4〜0.7：1。
如請求項1至7中任一項之流體移送裝置，其中，以上述定子在上述流入口部分及上述流出口部分與上述轉子之密合力小於上述定子在上述中央部分與上述轉子之密合力之方式，將在上述流入口部分及上述流出口部分的形狀及/或材料特性設定為與上述中央部分不同之規格。
如請求項1至7中任一項之流體移送裝置，其中，以上述定子在流入口部分與上述轉子之密合力小於上述定子在上述中央部分與上述轉子之密合力之方式，在上述搬送路徑之流入口部分，將上述定子之材料特性及厚度中之任一個要素，與上述定子之干涉量共同，設定為與上述插通孔之中央部分不同之規格，且 <br/>以上述定子在流出口部分與上述轉子之密合力小於上述定子在上述中央部分與上述轉子之密合力之方式，在上述搬送路徑之流出口部分，將上述定子之材料特性及厚度中之任一個要素，與上述定子之干涉量共同，設定為與上述插通孔之中央部分不同之規格。
如請求項1至7中任一項之流體移送裝置，其中，上述定子之長度方向的中央部分，係藉由彈性力較構成上述定子之流入口部分及/或流出口部分的材料為強的材料所構成。
如請求項1之流體移送裝置，其中，與上述外筒之長度方向的中央部分比較，上述外筒在上游端部分及下游端部分的內周面被擴徑。
如請求項15之流體移送裝置，其中，上述外筒之長度方向的中央部分具有同徑的內周面。<u> </u>
如請求項16之流體移送裝置，其中，上述外筒之長度方向的中央部分，具有與上述定子相同節距之母螺紋形狀的內周面。
如請求項17之流體移送裝置，其中，於上述外筒之外周面，在與上述母螺紋形狀之內周面對應的位置，被施加有凹凸形狀。
如請求項15至18中任一項之流體移送裝置，其中，上述外筒在上游端部分的內周面係藉由朝向上述外筒之上游端擴徑的錐面所構成，上述外筒在下游端部分的內周面係藉由朝向上述外筒之下游端擴徑的錐面所構成。
如請求項15至18中任一項之流體移送裝置，其中，上述外筒具有：上游端部分內周面，其具有同徑之內周面；流入側錐面，其連絡該上游端部分內周面與上述中央部分；下游端部分內周面，其具有同徑之內周面；及流出側錐面，其連絡該下游端部分內周面與上述中央部分。
如請求項15至18中任一項之流體移送裝置，其中，上述外筒在上游端部分的被擴徑之內周面之範圍，係較上述外筒之在下游端部分的被擴徑之內周面之範圍為長。
如請求項4至7中任一項之流體移送裝置，其中，上述定子之上述流入口部分之長度方向之範圍與上述定子之上述中央部分之長度方向之範圍的比率為3：5〜10，且上述定子之上述流出口部分之長度方向之範圍與上述定子之上述中央部分之長度方向之範圍的比率為2：5〜10。
如請求項1至7中任一項之流體移送裝置，其中，上述定子係由具有藉由上述轉子所形成之干涉的搬送作用區域、及較上述搬送作用區域位於上游側且不與上述轉子抵接而不具有干涉的非搬送作用區域所構成。
如請求項23之流體移送裝置，其中，構成上述非搬送作用區域的上述插通孔之內周面，係藉由自上述插通孔之中央部側朝向流入口側擴徑的錐面所構成。
如請求項23之流體移送裝置，其中，上述非搬送作用區域之容積，係小於位於上述搬送作用區域且藉由上述轉子之偏心旋轉而開閉之上述插通孔內的搬送空間任一者之容積。
如請求項1至7中任一項之流體移送裝置，其中，當上述轉子位於最上方位置及最下方位置時，上述定子在流入口部分及/或流出口部分與上述轉子之密合力最弱。
如請求項1至7中任一項之流體移送裝置，其中，上述流體移送裝置係液體材料吐出裝置，該液體材料吐出裝置更進一步具備有噴嘴構件，該噴嘴構件具有吐出自上述搬送路徑之流出口所流出之流體的吐出口。
如請求項1至7中任一項之流體移送裝置，其中，上述定子係以不因藉由上述轉子之旋轉動作而與上述外筒的相對位置產生偏移之方式被固定在上述外筒。
如請求項28之流體移送裝置，其中，上述外筒與上述定子被黏著固定。
一種塗佈裝置，其具備有： <br/>如請求項27之流體移送裝置；及 <br/>相對移動裝置，其使上述流體移送裝置與被塗佈物相對移動。
一種塗佈方法，其使用請求項30之塗佈裝置，於工件表面進行均等線寬之線描繪。
一種動態可調整共振結構，包括： <br/>一平面層，包含一第一導電材料，且用於形成一外殼； <br/>一空腔，在所述第一導電材料中形成，延伸穿過在所述第一導電材料的一第一平坦表面和相對的一第二平坦表面之間的所述第一導電材料； <br/>一第二導電材料，在所述空腔內形成芯，並且在所述第一導電材料的所述第一平坦表面和相對的所述第二平坦表面之間延伸；以及 <br/>一液晶，填充在所述空腔內，所述液晶的折射率響應於所述第二導電材料的所述芯和所述第一導電材料之間的所施加的一電壓差的變化而變化。
根據請求項1所述的動態可調整共振結構，其中，所述第一導電材料和所述第二導電材料是相同的導電材料。
根據請求項1所述的動態可調整共振結構，其中，所述第一導電材料和所述第二導電材料各自包含選自包括銅、錫、金、銀、鈦、鋁、鋅、鎳、鉑、鈹、銠、鎂和銥的群組中的至少一種金屬。
根據請求項1-3中任一項所述的動態可調整共振結構，其中，形成在所述第一導電材料中的所述空腔是圓筒形的。
根據請求項1-3中任一項所述的動態可調整共振結構，其中，形成於所述第一導電材料中的所述空腔為具有N個邊的一多棱柱，其中N為整數。
根據請求項1-3中任一項所述的動態可調整共振結構，其中，所述第二導電材料是一圓柱體，並且其中所述圓柱體具有垂直於所述第一導電材料的所述第一平坦表面排列的軸線。
根據請求項1-3中任一項所述的動態可調整共振結構，其中，所述第二導電材料是具有N個邊的一多棱柱，其中N是整數，並且所述多棱柱的軸線垂直於所述第一導電材料的所述第一平坦表面排列。
根據請求項1-3中任一項所述的動態可調整共振結構，其中，所述第二導電材料與所述空腔同軸。
根據請求項1-3中任一項所述的動態可調整共振結構，其中，所述第一導電材料的所述第一平坦表面與相對的所述第二平坦表面之間的長度介於50奈米和500奈米之間。
根據請求項1-3中任一項所述的動態可調整共振結構，其中，形成在所述第一導電材料中的所述空腔是圓筒形的， <br/>其中，所述第二導電材料是圓柱形的，且與圓筒形的所述空腔同軸， <br/>其中，所述第一導電材料的所述第一平坦表面和相對的所述第二平坦表面之間的長度介於50和500奈米之間， <br/>其中，距空腔的中心的最大距離 <br/>其中，所述空腔的半徑介於25和225奈米之間，並且 <br/>其中，包含所述第二導電材料的所述圓柱體的半徑小於所述空腔的半徑，並且所述圓柱體的半徑介於24奈米至224奈米之間。
根據請求項1-3中任一項所述的動態可調整共振結構，還包括在相對的所述第二平坦表面上的一光隔離結構，所述光隔離結構防止光輻射穿過呈環形的所述空腔。
根據請求項11所述的動態可調整共振結構，其中，所述光隔離結構包括一介電材料。
根據請求項11所述的動態可調整共振結構，其中，所述光隔離結構包括介電質和金屬材料的組合。
一種超穎表面，其包括： <br/>多個動態可調整共振結構，其中，每個動態可調整共振結構包括： <br/>一第一導電材料，用於形成外殼， <br/>一空腔，在所述第一導電材料中形成，延伸穿過在所述第一導電材料的一第一表面和相對的一第二表面之間的所述第一導電材料； <br/>一第二導電材料，其軸線平行於所述空腔的軸線，並且所述第二導電材料在所述第一導電材料的所述第一表面和相對的所述第二表面之間延伸，以及 <br/>一液晶，填充在所述空腔內，所述液晶的折射率響應於所述第二導電材料和所述第一導電材料之間的所施加的一電壓差的變化而變化；以及 <br/>一控制器，其用於： <br/>識別要在超穎表面上生成的一表面電流的圖案，以在接近所述超穎表面的一空間區域內實現目標場，以及 <br/>選擇性地向每個相應的動態可調整共振結構的所述第二導電材料中的至少一些施加不同電壓的圖案，以產生所識別的所述表面電流的圖案，從而在接近所述超穎表面的所述空間區域內產生目標場。
根據請求項14所述的超穎表面，其中，每個動態可調整共振結構的所述第一導電材料和所述第二導電材料是相同的材料。
根據請求項14所述的超穎表面，其中，每個動態可調整共振結構的所述第一導電材料和所述第二導電材料各自包含選自包括銅、錫、金、銀、鈦、鋁、鋅、鎳、鉑、鈹、銠、鎂和銥的金屬群組中的至少一種金屬。
一種可調整共振結構，其包括： <br/>一第一共振層，包括： <br/>一導電外殼， <br/>一空腔，填充有一液晶，且在所述導電外殼中形成的，以及 <br/>一導電芯，在所述空腔內，並且所述導電芯的軸線平行於所述空腔的軸線；以及 <br/>一第二光隔離層，包括至少部分地與所述空腔中的所述液晶重疊的一環形介電質。
根據請求項17所述的可調整共振結構，其中，所述空腔為環形的。
根據請求項18所述的可調整共振結構，其中，所述第二光隔離層的所述環形介電質具有比所述環形空腔更大的半徑並且與呈環形的所述空腔同軸，使得所述環形介電質的一部分與所述導電外殼重疊，並且所述環形介電質的另一部分與呈環形的所述空腔中的所述液晶重疊。
根據請求項17所述的可調整共振結構，還包括一偏壓層，所述偏壓層通過所述第二光隔離層的一導電部分電耦合到所述導電芯。
根據請求項17所述的可調整共振結構，其中，所述導電外殼和所述導電芯包括銅。
根據請求項17-21中任一項所述的可調整共振結構，其中，在所述導電芯和所述導電外殼之間施加一電壓差導致所述液晶在呈環形的所述空腔內旋轉。
根據請求項22所述的可調整共振結構，其中，所述液晶在呈環形的所述空腔內的旋轉，改變了所述可調整共振結構的一共振特性，使得所施加的所述電壓差的變化，對應於所述可調整共振結構的所述共振特性的變化。
一種雙軸共振器結構，其包括： <br/>一外部導電殼，具有穿過其中形成的一孔，所述孔從所述外部導電殼的一第一表面延伸到相對的一第二表面； <br/>一芯，具有一第一半徑R1的，從所述外部導電殼的所述第一表面延伸穿過所述孔，且到達相對的所述第二表面； <br/>一第一環形共振空腔，延伸穿過所述孔，並且具有由所述第一半徑R1到一第二半徑R2所限定的寬度，所述第一環形共振空腔填充有一液晶並且與所述芯同軸； <br/>一環形導體，延伸穿過所述孔，並且具有由所述第二半徑R2到一第三半徑R3所限定的寬度，其中所述環形導體與所述芯同軸；以及 <br/>一第二環形共振空腔，延伸穿過孔，並且具有由所述第三半徑R3到所述外部導電殼的所述孔的半徑限定的寬度，所述第二環形共振空腔填充有所述液晶，並且與所述環形導體同軸。
根據請求項24所述的雙軸共振器結構，其中，所述芯為圓柱形，並且所述第一環形共振空腔、所述環形導體和所述第二環形共振空腔各自都包括同心圓環形形狀。
根據請求項24所述的雙軸共振器結構，其中，所述芯為矩形，並且所述第一環形共振空腔、所述環形導體和所述第二環形共振空腔各自都包括同心矩形環形形狀。
根據請求項24所述的雙軸共振器結構，其中，該些空腔和導體通過同胚關係與所述雙軸共振器結構相關。
根據請求項24所述的雙軸共振器結構，其中，所述芯、所述外部導電殼和所述環形導體各自都包含金屬。
根據請求項24所述的雙軸共振器結構，其中，所述芯和所述環形導體通過去除材料而形成所述第一環形共振空腔和所述第二環形共振空腔。
根據請求項24所述的雙軸共振器結構，還包括一基板，所述芯、所述外部導電殼和所述環形導體中的每一個都定位於所述基板上。
根據請求項24所述的雙軸共振器結構，還包括一光隔離結構，防止光輻射經由填充有所述液晶的所述第一環形共振空腔和所述第二環形共振空腔穿過所述雙軸共振器結構。
根據請求項24所述的雙軸共振器結構，還包括一電壓控制器，用以將一第一電壓施加到所述芯，並且將一第二電壓施加到所述環形導體，使得所述第一環形共振空腔內的所述液晶的折射率，被修改為不同於所述第二環形共振空腔內的所述液晶的折射率。
一種基於干擾素的治療劑之用途，其係用於製備在對象中預防癌症的復發的藥物，其中所述藥物包含額外的抗癌劑，<br/>其中所述額外的抗癌劑是吉西他濱，且所述癌症是肝癌或結直腸癌。
如請求項1的用途，其中所述預防包括給所述對象施用至少1個連續療程的基於干擾素的治療劑。
如請求項1的用途，其中所述預防包括給所述對象間隔地施用多個連續療程的基於干擾素的治療劑。
如請求項1的用途，其中所述對象已經被診斷為患有癌症，但已經歷抗癌治療並獲得緩解。
如請求項4的用途，其中所述抗癌治療是外科手術、化療、放療、免疫治療，或其組合。
如請求項4的用途，其中所述緩解是完全緩解，其中所述對象中已經檢測不出可見病灶(腫瘤)。
如請求項1-6中任一項的用途，其中所述基於干擾素的治療劑包含干擾素或其突變體或衍生物，或包含編碼干擾素或其突變體或衍生物的核酸分子，或包含促進內源干擾素產生的物質。
如請求項7的用途，其中所述干擾素是干擾素α、干擾素β、干擾素γ或干擾素λ。
如請求項7的用途，其中所述基於干擾素的治療劑包含干擾素α 2a、干擾素α 2b、干擾素α 1b、干擾素λ，或其突變體或衍生物。
如請求項7的用途，其中所述干擾素或其突變體或衍生物是PEG化修飾的。
如請求項7的用途，其中所述基於干擾素的治療劑選自P1101、派格賓、派羅欣、佩樂能、干複津、樂複能、甘樂能、羅蕘素、運德素、派益生和聚乙二醇干擾素λ。
如請求項7的用途，其中所述基於干擾素的治療劑包括TLRs、RLRs及STINGs信號通路的激動劑。
如請求項12的用途，其中所述基於干擾素的治療劑選自GS-9620、GS-9688、RO7020531、RO6864018、TQ-A3334、JNJ-4964、SB9200、MIW815、DMXAA、MK-1454和diABZI。
如請求項2或3的用途，其中在所述連續療程中，所述基於干擾素的治療劑的施用使得基本上在整個療程期間，對象體內新喋呤的濃度高於首次施用前的新喋呤濃度。
如請求項2或3的用途，其中所述連續療程的長度為第一次施用至最後一次施用的時間，再加上所述治療劑的大約5個體內半衰期。
如請求項2或3的用途，所述連續療程的長度為大約1週-大約24週。
如請求項2或3的用途，其中各連續療程之間間隔大約1週-大約24週。
如請求項2或3的用途，其中每個連續療程的長度為大約1週-大約8週，且其中各療程之間間隔大約1週-大約8週。
如請求項2或3的用途，其中每個連續療程的長度為大約2週-大約6週，且其中各療程之間間隔大約2週-大約6週。
如請求項2或3的用途，所述基於干擾素的治療劑施用2個-25個或以上的連續療程。
如請求項2或3的用途，其中所述多個連續療程的長度基本上相同。
如請求項2或3的用途，所述各療程之間具有基本上相同的時間間隔。
一種在對象中預防癌症的復發的藥物組合，其包含基於干擾素的治療劑和額外的抗癌劑，其用於通過如請求項1-22中任一項的用途在對象中預防癌症的復發，其中所述額外的抗癌劑是吉西他濱，且所述癌症是肝癌或結直腸癌。
如請求項23的藥物組合，其中所述基於干擾素的治療劑包含干擾素或其突變體或衍生物，或包含編碼干擾素或其突變體或衍生物的核酸分子，或包含促進內源干擾素產生的物質。
如請求項24的藥物組合，其中所述干擾素是干擾素α、干擾素β、干擾素γ或干擾素λ。
如請求項24的藥物組合，其中所述基於干擾素的治療劑包含干擾素α 2a、干擾素α 2b、干擾素α 1b、干擾素λ，或其突變體或衍生物。
如請求項24的藥物組合，其中所述干擾素或其突變體或衍生物是PEG化修飾的。
如請求項24的藥物組合，其中所述基於干擾素的治療劑選自P1101、派格賓、派羅欣、佩樂能、干複津、樂複能、甘樂能、羅蕘素、運德素、派益生和聚乙二醇干擾素λ。
如請求項24的藥物組合，其中所述基於干擾素的治療劑包括TLRs、RLRs及STINGs信號通路的激動劑。
如請求項29的藥物組合，其中所述基於干擾素的治療劑選自GS-9620、GS-9688、RO7020531、RO6864018、TQ-A3334、JNJ-4964、SB9200、MIW815、DMXAA、MK-1454和diABZI。
一種密封總成(140)，其包含： <br/>複數個第一密封構件(142)，其等經組態以在一渦輪(100，111)之相鄰旋轉葉片級(124)之間彼此相鄰地定位，其中各第一密封構件(142)包括： <br/>一第一密封基底(162)，其包括可操作以將該等第一密封構件(142)緊固至一級間支撐結構(164)的一第一緊固機構(166)； <br/>一第一軸向延伸密封部分(144)，其耦接至該第一密封基底(162)，該第一軸向延伸密封部分(144)具有一第一軸向端(146)及一相對第二軸向端(148)、以及一第一板狀面(170)及一相對第二板狀面(172)，其中各板狀面(170，172)延伸於該第一軸向端(146)與該相對第二軸向端(148)之間； <br/>一第一花鍵密封件槽(174)，其經界定在該第一板狀面(170)中，該第一花鍵密封件槽(174)包括經界定穿過該第一軸向延伸密封部分(144)之該第一軸向端(146)的一第一花鍵密封件進入開口(182)；及 <br/>一第二花鍵密封件槽(176)，其經界定在該第二板狀面(172)中，該第二花鍵密封件槽(176)包括經界定穿過該第一軸向延伸密封部分(144)之該第一軸向端(146)的一第二花鍵密封件進入開口(184)， <br/>其中該第一花鍵密封件進入開口(182)位於一第一徑向位置，該第一徑向位置與該第二花鍵密封件進入開口(184)之一第二徑向位置不同，且 <br/>其中相鄰第一密封構件(142)之該第一花鍵密封件槽(174)與該第二花鍵密封件槽(176)協作以在一操作位置中於其中留置一花鍵密封件(180)。
如請求項1之密封總成(140)，其中在該第一板狀面(170)中之該第一花鍵密封件槽(174)包括在該第一軸向延伸密封部分(144)之該第二軸向端(148)處的一閉合端(190)。
如請求項1之密封總成(140)，其中在該第二板狀面(172)中之該第二花鍵密封件槽(176)包括經界定穿過該第一軸向延伸密封部分(144)之該第二軸向端(148)的一花鍵密封件直通開口(192)，其中該花鍵密封件直通開口(192)與在該第一板狀面(170)中界定的該第一花鍵密封件槽(174)徑向地對準。
如請求項1之密封總成(140)，其中在該第一板狀面(170)中之該第一花鍵密封件槽(174)包括在該第一軸向延伸密封部分(144)之該第一軸向端(146)中的一第一花鍵密封件端留置座(196)、及在該第一軸向延伸密封部分(144)之該第二軸向端(148)中的一第二花鍵密封件端留置座(198)，其中該第一花鍵密封件進入開口(182)與該第一花鍵密封件端留置座(196)連續。
如請求項4之密封總成(140)，其中在該第二板狀面(172)中之該第二花鍵密封件槽(176)包括在該第一軸向延伸密封部分(144)之該第二軸向端(148)中的一第三花鍵密封件端留置座(200)。
如請求項5之密封總成(140)，其中藉由在該第二板狀面(172)中所界定的連續彎曲槽部分(186)，將該第二板狀面(172)中之該第二花鍵密封件進入開口(184)耦接至在該第二板狀面(172)中所界定的該第二花鍵密封件槽(176)之一其餘部分。
如請求項6之密封總成(140)，其中該彎曲槽部分(186)與在該第一軸向延伸密封部分(144)之該第一軸向端(146)中的該第一花鍵密封件端留置座(196)周向地對齊。
如請求項4之密封總成(140)，其進一步包含在相鄰第一密封構件(142)之該花鍵密封件槽(174，176)內的一花鍵密封件(180)，每一花鍵密封件(180)包括一平坦本體(218)，該平坦本體具有在一鬆弛狀態中相對於該平坦本體(218)成角度的相對端(194，195)，其中在該鬆弛狀態中，該等相對端(194，195)之至少一者留置在該等第一及第二花鍵密封件端留置座(196，198)之一者中。
如請求項8之密封總成(140)，其中在該第一板狀面(170)中之該第一花鍵密封件進入開口(182)與在該第一板狀面(170)中所界定的該第一花鍵密封件槽(174)之一其餘部分以一線性連續方式耦接。
如請求項1之密封總成(140)，其進一步包含： <br/>一第二密封構件(210)，其經組態以位於相鄰於該等第一密封構件(142)中之一者，該第二密封構件(210)包括： <br/>一第二密封基底(162)，其包括可操作以緊固至該級間支撐結構(164)的一第二緊固機構(166)； <br/>一第二軸向延伸密封部分(144)，其耦接至該第二密封基底(162)，該第二軸向延伸密封部分(144)具有一第三軸向端(146)及一相對第四軸向端(148)、以及一第三板狀面(170)及一相對第四板狀面(172)，其中該第三及第四板狀面(170，172)之各者延伸於該第三軸向端(146)與該相對第四軸向端(148)之間；及 <br/>一第三花鍵密封件槽(174)，其經界定在該第三板狀面(170)中，該第三花鍵密封件槽(174)包括經界定穿過該第二軸向延伸密封部分(144)之該第三軸向端(146)的一第三花鍵密封件進入開口(182)； <br/>一第四花鍵密封件槽(176)，其經界定在該第四板狀面(172)中，該第四花鍵密封件槽(176)包括經界定穿過該第二軸向延伸密封部分(144)之該第三軸向端(146)的一第四花鍵密封件進入開口(182)， <br/>其中該第三花鍵密封件進入開口(182)及該第四花鍵密封件進入開口(182)在該第一徑向位置，該第一徑向位置與該第二花鍵密封件進入開口(184)之該第二徑向位置不同，且 <br/>其中該第三花鍵密封件槽(174)及該第四花鍵密封件槽(176)之一者與相鄰的該等第一密封構件(142)之各別第二花鍵密封件槽(176)協作以在一操作位置中於其中留置一花鍵密封件(180)。
如請求項10之之密封總成(140)，其進一步包含： <br/>一第三密封構件(212)，其經組態以位於該等第一密封構件(142)之一者與該第二密封構件(210)之間，該第三密封構件(212)包括： <br/>一第三密封基底(162)，其包括可操作以緊固至該級間支撐結構(164)的一第三緊固機構(166)； <br/>一第三軸向延伸密封部分(144)，其耦接至該第三密封基底(162)，該第三軸向延伸密封部分(144)具有一第五軸向端(146)及一相對第六軸向端(148)、以及一第五板狀面(170)及一相對第六板狀面(172)，其中該第五及第六板狀面(170，172)之各者延伸在該第五軸向端(146)與該相對第六軸向端(148)之間；及 <br/>一第五花鍵密封件槽(174)，其經界定在該第五板狀面(170)中，該第五花鍵密封件槽(174)包括經界定穿過該第三軸向延伸密封部分(144)之該第五軸向端(146)的一第五花鍵密封件進入開口(184)； <br/>一第六花鍵密封件槽(176)，其經界定在該第六板狀面(172)中，該第六花鍵密封件槽(176)包括經界定穿過該第三軸向延伸密封部分(144)之該第五軸向端(146)的一第六花鍵密封件進入開口(184)， <br/>其中該第五花鍵密封件進入開口(184)及該第六花鍵密封件進入開口(184)在該第二花鍵密封件進入開口(184)之該第二徑向位置，且 <br/>其中該第五花鍵密封件槽(174)及該第六花鍵密封件槽(176)之一者與相鄰的該等第一密封構件(142)之各別第一花鍵密封件槽(174)協作以在一操作位置中於其中留置一花鍵密封件(180)。
一種基於處理器的裝置，包括：<br/> 一處理元件(PE)，包括：<br/> 一應用程式入口，其包括一應用程式入口控制電路且經配置為在邏輯上作為一訊息存儲操作，該應用程式入口暴露為一位址空間內的一應用程式入口位址，該位址空間對於經通訊耦合到該基於處理器的裝置的一周邊裝置是可見的；及<br/> 該應用程式入口控制電路經配置成作為一原子操作的方式來執行以下操作：<br/> 從該周邊裝置接收指向該應用程式入口位址的一第一訊息；<br/> 將該第一訊息入列(enqueue)至該應用程式入口中；<br/> 確定與該應用程式入口相關聯的一應用程式當前處於一等待狀態；及<br/> 回應於確定與該應用程式入口相關聯的該應用程式當前處於該等待狀態，向一特權級應用程式發送指示將該第一訊息入列至該應用程式入口中的一通知。
如請求項1所述的基於處理器的裝置，其中該應用程式入口控制電路經進一步配置為執行以下操作：<br/> 回應於接收到指向該應用程式入口位址的該第一訊息，確定該應用程式入口未滿；及<br/> 在將該第一訊息入列至該應用程式入口中之後，向該周邊裝置發送一成功通知；<br/> 其中該應用程式入口控制電路經配置為回應於確定該應用程式入口未滿而將該第一訊息入列。
如請求項1所述的基於處理器的裝置，其中，該應用程式入口控制電路經進一步配置為執行以下操作：<br/> 確定與該應用程式入口相關聯的該應用程式當前處於一運行狀態；及<br/> 回應於確定與該應用程式入口相關聯的該應用程式當前處於該運行狀態，向該應用程式發出一使用者級中斷，該使用者級中斷指示將該第一訊息入列至該應用程式入口中。
如請求項1所述的基於處理器的裝置，其中：<br/> 該PE的一指令集架構(ISA)定義一出列(dequeue)指令，以從該應用程式入口原子地出列一頂部元素；<br/> 與該應用程式入口相關聯的該應用程式包括該出列指令；及<br/> 該PE經進一步配置成執行該應用程式的該出列指令。
如請求項4所述的基於處理器的裝置，其中藉由將該PE配置為執行以下操作，來將該PE配置為執行該應用程式的該出列指令，該等以下操作為：<br/> 確定該應用程式入口不為空的；及<br/> 回應於確定該應用程式入口不為空的：<br/> 使用該應用程式入口控制電路，來從該應用程式入口出列一頂部元素；及<br/> 將該頂部元素和一成功通知發送到該應用程式。
如請求項4所述的基於處理器的裝置，其中藉由將該PE配置為執行以下操作，來將該PE配置為執行該應用程式的該出列指令，該等以下操作為：<br/> 確定該應用程式入口為空的；及<br/> 回應於確定該應用程式入口為空的，向該周邊裝置發送一失敗通知。
如請求項4所述的基於處理器的裝置，其中藉由將該PE配置為執行以下操作，來將該PE配置為執行該應用程式的該出列指令，該等以下操作為：<br/> 確定該應用程式入口為空的；及<br/> 回應於確定該應用程式入口為空的，阻止完成該出列指令。
如請求項4所述的基於處理器的裝置，其中藉由將該PE配置為執行以下操作，來將該PE配置為執行該應用程式的該出列指令，該等以下操作為：<br/> 確定該應用程式入口為空的；及<br/> 回應於確定該應用程式入口為空的，向一特權級應用程式發出一中斷以請求將該應用程式轉換到一等待狀態。
如請求項1所述的基於處理器的裝置，其中該應用程式入口控制電路經進一步配置為執行以下操作：<br/> 從該周邊裝置接收指向該應用程式入口位址的一第二訊息；<br/> 回應接收到該第二訊息，確定該應用程式入口已滿；及<br/> 回應於確定該應用程式入口已滿，向該周邊裝置發送一失敗通知。
如請求項1所述的基於處理器的裝置，其中：<br/> 該應用程式入口控制電路經進一步配置為執行以下操作：接收該周邊裝置的一識別；及<br/> 該應用程式入口控制電路經進一步配置為執行以下操作：藉由將該應用程式入口電路配置為將該周邊裝置的該識別存儲在與該第一訊息相關聯的該應用程式入口中而將該第一訊息入列至該應用程式入口中。
一種通過基於處理器的裝置中的應用程式入口啟用周邊裝置訊息傳遞的方法，包括以下步驟：<br/> 藉由一基於處理器的裝置的一處理元件(PE)的一應用程式入口的一應用程式入口控制電路從一周邊裝置接收指向到一應用程式入口位址的一第一訊息，該周邊裝置通訊耦合到該基於處理器的裝置，其中：<br/> 該應用程式入口位址對應至該應用程式入口；<br/> 該應用程式入口經配置為在邏輯上作為一訊息存儲操作；及<br/> 該應用程式入口暴露為一位址空間內的該應用程式入口位址，該位址空間對於該周邊裝置是可見的；<br/> 將該第一訊息入列至該應用程式入口中；<br/> 由該應用程式入口控制電路確定與該應用程式入口相關聯的一應用程式當前處於一等待狀態；及<br/> 回應於確定與該應用程式入口相關聯的該應用程式當前處於該等待狀態，由該應用程式入口控制電路向一特權級應用程式發送指示將該第一訊息入列至該應用程式入口中的一通知。
如請求項11所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 回應於接收到指向到該應用程式入口位址的該第一訊息，確定該應用程式入口未滿；及<br/> 在將該第一訊息入列至該應用程式入口之後，向該周邊裝置發送一成功通知；<br/> 其中將該第一訊息入列是回應於確定該應用程式入口未滿。
如請求項11所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 確定與該應用程式入口相關聯的該應用程式當前處於一運行狀態；及<br/> 回應於確定與該應用程式入口相關聯的該應用程式當前處於該運行狀態，向該應用程式發出一使用者級中斷，該使用者級中斷指示將該第一訊息入列至該應用程式入口中。
如請求項11所述的方法，其中：<br/> 該PE的一指令集架構(ISA)定義一出列指令，以從該應用程式入口原子地出列一頂部元素；<br/> 與該應用程式入口相關聯的該應用程式包括該出列指令；及<br/> 該方法進一步包括以下步驟：由該PE的一執行流水線電路執行該應用程式的該出列指令。
如請求項14所述的方法，其中執行該應用程式的該出列指令之步驟包括以下步驟：<br/> 確定該應用程式入口不為空；及<br/> 回應確定該應用程式入口不為空：<br/> 使用該應用程式入口控制電路，來從該應用程式入口出列一頂部元素；及<br/> 將該頂部元素和一成功通知發送到該應用程式。
如請求項14所述的方法，其中執行該應用程式的該出列指令之步驟包括以下步驟：<br/> 確定該應用程式入口為空；及<br/> 回應於確定應用程式入口為空，向該周邊裝置發送一失敗通知。
如請求項14所述的方法，其中執行該應用程式的該出列指令之步驟包括以下步驟：<br/> 確定該應用程式入口為空；及<br/> 回應於確定該應用程式入口為空，阻止該出列指令的完成。
一種非暫態電腦可讀取媒體，其上存儲有電腦可執行指令，當執行該等電腦可執行指令時，使一基於處理器的裝置執行以下操作：<br/> 從經通訊耦合到該基於處理器的裝置的一周邊裝置接收指向一應用程式入口位址的一第一訊息，其中：<br/> 該應用程式入口位址對應至一應用程式入口；<br/> 該應用程式入口經配置為在邏輯上作為一訊息存儲操作；及<br/> 該應用程式入口暴露為一位址空間內的該應用程式入口位址，該位址空間對於該周邊裝置是可見的；<br/> 將該第一訊息入列至該應用程式入口中；<br/> 由該應用程式入口控制電路確定與該應用程式入口相關聯的一應用程式當前處於一等待狀態；及<br/> 回應於確定與該應用程式入口相關聯的該應用程式當前處於該等待狀態，由該應用程式入口控制電路向一特權級應用程式發送指示將該第一訊息入列至該應用程式入口中的一通知。
一種預測用於投射一輻射射束之一投影系統的熱致像差之方法，該方法包含： <br/>自該輻射射束之一功率及照明源光瞳計算該投影系統之至少一個光學元件的一輻照度輪廓； <br/>使用該投影系統之該至少一個光學元件之該所計算之輻照度輪廓估計該投影系統之該至少一個光學元件中隨時間變化的一溫度分佈； <br/>基於與該投影系統之該至少一個光學元件相關聯的該所估計溫度分佈及一熱膨脹參數映射計算該投影系統的該等熱致像差，其中該熱膨脹參數映射為指示該投影系統之該至少一個光學元件中熱膨脹參數之空間變化的一空間映射或一均一映射；及 <br/>將該投影系統中之壓力量測值用於回饋校正該溫度分佈之該估計及該等熱致像差的該預測。
如請求項1之方法，其進一步包含使用該輻射射束在一圖案化裝置處之一經繞射圖案計算該輻照度輪廓，該投影系統自該圖案化裝置投射輻射。
如請求項2之方法，其進一步包含使用該輻射射束之該功率、該輻射射束之該照明源光瞳及該圖案化裝置的一表徵來計算該繞射圖案。
如請求項2或3中任一項之方法，其進一步包含基於第一原理使用一光學模型來計算該繞射圖案。
如請求項1至3中任一項之方法，其進一步包含使用線性或非線性微分等式計算該溫度分佈。
如請求項1至3中任一項之方法，其進一步包含基於第一原理使用一熱動態模型估計該溫度分佈。
如請求項1至3中任一項之方法，其進一步包含：使用一靜態非線性函數計算該等熱致像差；自該所估計溫度分佈計算該投影系統之該至少一個光學元件中的結構應變；基於該投影系統之該至少一個光學元件中的該所計算之結構應變計算該投影系統的該等熱致像差；使用該所計算之結構應變計算該投影系統之該至少一個光學元件的結構變形且使用該投影系統之該至少一個光學元件之該所計算之結構變形計算該投影系統的該等熱致像差；及使用朝向該等熱致像差的一映射計算該等熱致像差。
如請求項1至3中任一項之方法，其進一步包含將該投影系統之該至少一個光學元件的溫度量測值用於該所估計溫度分佈及針對熱漂移、熱干擾、模型化誤差、熱邊界條件之改變及校準誤差中的至少一者的該等熱致像差之該預測的回饋校正。
如請求項8之方法，其中該等溫度量測值為即時或取樣溫度量測值。
如請求項8之方法，其進一步包含將該投影系統之該至少一個光學元件的溫度量測值用於估計該至少一個光學元件之熱邊界條件的一改變，且基於該至少一個光學元件之熱邊界條件之效應的估計來估計該溫度分佈並計算該投影系統的該等熱致像差。
如請求項8之方法，其中該回饋校正係基於該等溫度量測值與所估計溫度之間的差。
如請求項8之方法，其進一步包含：將該投影系統之該至少一個光學元件的溫度量測值用於估計該至少一個光學元件之該輻照度輪廓與該實際輻照度輪廓之間的一失配，該輻照度輪廓獨立於該圖案化裝置之該表徵來計算且使用複數個輻照度形狀的係數來計算；及基於該輻照度輪廓失配估計該溫度分佈及該投影系統之該等熱致像差。
如請求項12之方法，其進一步包含將複數個光學元件之溫度量測值且將該複數個輻照度形狀之該等係數中的一個係數用於該投影系統的複數個光學元件。
如請求項12之方法，其進一步包含使用複數個光學元件的溫度量測值且針對該至少一個光學元件估計該複數個輻照度形狀之該等係數中的一個係數或一係數子集，且接著將該複數個輻照度形狀之該所估計係數或係數子集饋送至至少一個其他光學元件作為一標稱輸入。
如請求項13之方法，其進一步包含將一單一回饋增益用於估計該複數個光學元件之該複數個輻照度形狀之該等係數。
如請求項13之方法，其進一步包含估計一或多個扇區加熱器或冷卻器之所施加功率上的不確定性。
如請求項1至3中任一項之方法，其進一步包含基於該投影系統中之該等預測熱致像差來校正熱致像差。
如請求項17之方法，其中該校正該等預測熱致像差包括以下各項中之至少一者：平移及旋轉至少一個光學元件、該圖案化裝置或一基板；調適該照明源光瞳設定；源光罩最佳化；改變一或多個扇區加熱器或冷卻器的功率；或調適一可變形操縱器的形狀。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該至少一個光學元件包含一鏡面或一透鏡。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該輻射射束包含一EUV輻射射束。
一種經組態以預測用於投射一輻射射束之一投影系統的熱致像差之系統，該系統經組態以： <br/>自該輻射射束之一功率及照明源光瞳計算該投影系統之至少一個光學元件的一輻照度輪廓， <br/>使用該投影系統之該至少一個光學元件之該所計算之輻照度輪廓估計該投影系統之該至少一個光學元件中隨時間變化的一溫度分佈； <br/>基於與該投影系統之該至少一個光學元件相關聯的該所計算溫度分佈及一熱膨脹參數映射計算該投影系統的該等熱致像差，其中該熱膨脹參數映射為指示該投影系統之該至少一個光學元件中熱膨脹參數之空間變化的一空間映射或一均一映射；及 <br/>將該投影系統中之壓力量測值用於回饋校正該溫度分佈之該估計及該等熱致像差的該預測。
如請求項21之系統，其中該系統包含至少一個溫度感測器，該至少一個溫度感測器用於進行該投影系統之該至少一個光學元件之溫度量測，從而進行該所估計溫度分佈及針對熱漂移、熱干擾、模型化誤差及校準誤差中至少一者之該等熱致像差之該預測的回饋校正。
如請求項22之系統，其中該至少一個溫度感測器包含以下各項中之至少一者：一光學元件加熱控制溫度感測器、扇區加熱器控制溫度感測器、環境溫度感測器、出口及/或入口冷卻通道溫度感測器。
如請求項22之系統，其中該系統經組態以： <br/>將該投影系統之該至少一個光學元件的溫度量測值用於估計該至少一個光學元件之該輻照度輪廓與該實際輻照度輪廓之間的一失配，該輻照度輪廓獨立於該圖案化裝置之該表徵計算，且使用複數個輻照度形狀的係數計算；及 <br/>基於該輻照度輪廓失配估計該溫度分佈及該投影系統之該等熱致像差。
如請求項24之系統，其中該系統經組態以：將複數個光學元件之溫度量測值且將該複數個輻照度形狀之該等係數中的一個係數用於該投影系統的複數個光學元件。
如請求項25之系統，其中該系統每光學元件包含低於九個溫度感測器及/或對於該複數個光學元件包含超過五個溫度感測器。
如請求項21至26中任一項之系統，其中該系統經組態以基於該投影系統中之該等經預測熱致像差來校正與該投影系統相關聯的熱致像差。
如請求項21至26中任一項之系統，其中該至少一個光學元件包含一鏡面或一透鏡。
一種微影設備，其包含經組態以投射一輻射射束以將一圖案自一圖案化裝置投射至一基板上的一投影系統，其中該微影設備包含如請求項21至28中任一項之系統。
一種包含電腦可讀指令之電腦程式，該等電腦可讀指令經組態以使一處理器進行如請求項1至20中任一項之一方法。
一種電腦可讀媒體，其攜載如請求項30之一電腦程式。
一種電腦設備，其包含： <br/>一記憶體，其儲存處理器可讀指令；及 <br/>一處理器，其經配置以讀取及執行儲存於該記憶體中之指令； <br/>其中該等處理器可讀指令包含經配置以控制該電腦進行如請求項1至20中任一項之一方法之指令。
一種合成樹脂蓋，其特徵在於包括： <br/>篡改易顯帶，嵌入至容器口部之外周面中；以及 <br/>蓋本體，包括裙壁及頂面板，經由弱化部及狹條部而與上述篡改易顯帶連結，且於上述裙壁上包括較上述裙壁更往徑向外側突出之固定凸肋； <br/>上述固定凸肋由朝下方逐漸擴展之第1傾斜部以及設置於上述第1傾斜部之下方的突出部形成；並且 <br/>於開蓋時，上述容器口部之側面與上述突出部接觸，並且設置於上述容器口部之下方且於徑向上延長之側方延長部之上表面與上述頂面板接觸，藉此維持上述蓋本體之開蓋時之姿勢。
一種合成樹脂蓋，其特徵在於包括： <br/>篡改易顯帶，嵌入至容器口部之外周面中；以及 <br/>蓋本體，包括裙壁及頂面板，經由弱化部及狹條部而與上述篡改易顯帶連結，且於上述裙壁上包括較上述裙壁更往徑向外側突出之固定凸肋； <br/>上述固定凸肋包括突出部，其至少包含：向上述徑向外側延伸之中間段部、於上述中間段部之外側端部朝下方彎曲之肩部、以及自上述肩部連續且朝下方逐漸縮徑之彎曲部； <br/>於開蓋時，設置於上述容器口部之顎部沿著上述彎曲部滑動後，上述容器口部之側面與上述突出部接觸，並且設置於上述容器口部之下方且於徑向上延長之側方延長部之上表面與上述頂面板接觸，藉此維持上述蓋本體之開蓋時之姿勢；並且 <br/>上述突出部更包括第1傾斜部，其配置於上述中間段部之上方，且自上述頂面板朝下方逐漸擴展。
如請求項2之合成樹脂蓋，其中 <br/>上述彎曲部以於上述蓋本體將上述容器口部密封之狀態下向上凸起的彎曲面構成，以使於上述開蓋時，經由上述狹條部之上述蓋本體之反轉所必需之開蓋力逐漸增加。
如請求項1至3中任一項之合成樹脂蓋，其中 <br/>上述蓋本體於自未開蓋狀態起使上述狹條部於基端回旋超過180°之狀態下，維持上述開蓋時之姿勢。
如請求項4之合成樹脂蓋，其中 <br/>上述突出部係以上述蓋本體可回旋超過上述180°之方式，來設定自上述固定凸肋之下端起之設置高度。
如請求項1至3中任一項之合成樹脂蓋，其中 <br/>於上述開蓋時，藉由上述第1傾斜部於上述側方延長部之側面上滑動，而以向上述側方延長部之上表面中潛入之方式來引導上述頂面板之上緣部。
如請求項1之合成樹脂蓋，其中 <br/>上述突出部包括：自上述第1傾斜部之下端朝徑向外側延伸之中間段部、於上述中間段部之外側端部朝下方彎曲之肩部、以及自上述肩部起連續且向上述徑向外側突出之外側面部；並且 <br/>為於上述開蓋時抑制與上述篡改易顯帶之干涉，而於上述外側面部之下端設置朝下方越來越窄之第2傾斜部。
如請求項1至3、7中任一項之合成樹脂蓋，其中 <br/>上述狹條部包括至少2個連結狹條，並且 <br/>上述固定凸肋係以介於上述2個連結狹條之間之方式來配設。
如請求項1至3、7中任一項之合成樹脂蓋，其中 <br/>上述蓋本體更包括設置於與上述固定凸肋相反之側之凸緣部。
如請求項1至3中任一項之合成樹脂蓋，其中 <br/>上述突出部至少包含：向上述徑向外側延伸之中間段部、於上述中間段部之外側端部朝下方彎曲之肩部、以及自上述肩部連續且朝下方逐漸縮徑之彎曲部；並且 <br/>於設置於上述容器口部之顎部跨越上述彎曲部後，上述固定凸肋與上述容器口部之側面接觸而發出聲音。
一種合成樹脂蓋，其特徵在於包括： <br/>篡改易顯帶，嵌入至容器口部之外周面中； <br/>蓋本體，包括裙壁及頂面板，經由弱化部及狹條部而與上述篡改易顯帶連結，且於上述裙壁上包括較上述裙壁更往徑向外側突出之固定凸肋； <br/>上述固定凸肋包括突出部，其至少包含：向上述徑向外側延伸之中間段部、於上述中間段部之外側端部朝下方彎曲之肩部、以及自上述肩部連續且朝下方逐漸縮徑之彎曲部；並且 <br/>於開蓋時，設置於上述容器口部之顎部沿著上述彎曲部滑動後，上述容器口部之側面與上述突出部接觸，並且設置於上述容器口部之下方且於徑向上延長之側方延長部之上表面與上述頂面板接觸，藉此維持上述蓋本體之開蓋時之姿勢。
一種用以處理神經網路中的資料的裝置，包括： <br/>記憶體；以及 <br/>耦接到所述記憶體的一個或多個處理器，所述一個或多個處理器被配置為進行以下操作： <br/>獲得輸入資料，所述輸入資料包括對所述輸入資料進行邏輯地分段的條帶，所述輸入資料的每個條帶包括至少一個資料列； <br/>由所述神經網路的每個層處理所述資料輸入的第一條帶中的一資料列，其中，所述資料列是在水平方向上並且按照逐層順序來依次處理的，其中所述神經網路的每個前面的層在所述神經網路的每個後續層之前處理特定的資料列，其中針對所述神經網路的特定層的輸入是基於所述神經網路的前一層針對所述第一條帶中的所述資料列中的一個或多個區塊所產生的儲存輸出及來自所述第一條帶中的所述資料列中的所述一個或多個區塊的一行或多行儲存的資料的組合產生的，並且其中額外輸出是由所述神經網路的所述特定層基於所述前一層所產生的所述輸出產生的，以供所述神經網路的後續層進行處理； <br/>在對所述第一條帶中的所述資料列進行處理之後，由所述神經網路的每個層在逐列基礎上處理所述第一條帶中的後續資料列，其中，每個後續資料列是在所述水平方向上並且按照所述逐層順序來依次處理的； <br/>由所述神經網路基於對所述資料列和所述後續資料列的處理來產生第一輸出條帶； <br/>在對所述第一條帶進行處理之後，由所述神經網路的每個層在逐列基礎上處理所述輸入資料的第二條帶中的資料列，其中，所述第二條帶中的每個資料列是在所述水平方向上並且按照所述逐層順序來處理的；以及 <br/>基於對所述第二條帶的處理來產生第二輸出條帶。
根據請求項1所述的裝置，其中，為了在所述水平方向上順序地處理所述第一條帶中的所述資料列，所述一個或多個處理器被配置為： <br/>由所述神經網路的每個層依次處理所述列中的多個資料區塊，其中，所述神經網路的每個層在沿著所述水平方向處理後續區塊之前，沿著深度方向處理每個前面的資料區塊。
根據請求項2所述的裝置，其中，為了處理所述後續列，所述一個或多個處理器被配置為： <br/>由所述神經網路的每個層依次處理每個後續列中的相應的多個資料區塊，其中，所述神經網路的每個層在處理後續列中的後續資料區塊之前，沿著所述深度方向處理所述後續列中的前面的資料區塊。
根據請求項1所述的裝置，其中，所述神經網路包括像素對像素神經網路，並且其中，所述輸入資料包括與圖像相關聯的像素。
根據請求項1所述的裝置，其中，為了獲得所述輸入資料，所述一個或多個處理器被配置為： <br/>將所述輸入資料邏輯地分段為所述條帶，其中，每個條帶包括所述輸入資料的相應部分。
根據請求項1所述的裝置，其中，所述一個或多個處理器被配置為進行以下操作： <br/>在第一記憶體中，儲存由所述神經網路的所述前一層針對所述第一條帶中的所述資料列中的所述一個或多個區塊產生的所述輸出；以及 <br/>在與所述神經網路的所述特定層相關聯的第二記憶體中，儲存來自所述資料列中的所述一個或多個區塊的所述一行或多行資料，其中，所述一行或多行資料包括所述神經網路的所述特定層的資料輸入在前一條帶區塊列上的一部分。
根據請求項6所述的裝置，其中，所述一個或多個處理器被配置為進行以下操作： <br/>決定針對所述特定層的所述輸入的一部分；以及 <br/>將所述輸入的所述部分儲存在與所述神經網路的所述特定層相關聯的第三記憶體中。
根據請求項7所述的裝置，其中，所述一個或多個處理器被配置為進行以下操作： <br/>基於所述特定層的所述額外輸出和針對後續層的所述輸入的來自所述後續層的前一條帶區塊列的所述部分的組合來產生針對所述神經網路的所述後續層的額外輸入；以及 <br/>由所述神經網路的所述後續層基於針對所述後續層的所述額外輸入來產生第二額外輸出。
根據請求項8所述的裝置，其中，所述一個或多個處理器被配置為： <br/>將所述第二額外輸出儲存在第四記憶體中，其中，所述第二記憶體和所述第三記憶體包括行儲存記憶體中的行儲存，並且其中，所述第一記憶體和所述第四記憶體包括暫存記憶體中的緩衝區。
根據請求項1所述的裝置，其中，所述一個或多個處理器被配置為進行以下操作： <br/>在與所述神經網路的特定層相關聯的第一記憶體中，儲存由所述神經網路的前一層針對每個後續資料列中的一個或多個區塊產生的輸出；以及 <br/>在第二記憶體中，儲存來自每個後續資料列中的所述一個或多個區塊的一行或多行資料，其中，所述一行或多行資料包括所述神經網路的所述特定層的一個或多個資料輸入的一個或多個部分。
根據請求項10所述的裝置，其中，所述一個或多個處理器被配置為進行以下操作： <br/>基於由所述前一層產生的所述輸出和所述一行或多行資料的組合來產生針對所述神經網路的所述特定層的輸入，所述一行或多行資料包括針對前一條帶區塊列的所述特定層的所述一個或多個資料輸入的所述一個或多個部分；以及 <br/>由所述神經網路的所述特定層基於來自所述前一層的所述輸出和所述前一條帶區塊列上的所述特定層的所述輸入的子集來產生額外輸出。
根據請求項11所述的裝置，其中，所述一個或多個處理器被配置為進行以下操作： <br/>決定針對所述特定層的所述輸入的部分； <br/>將所述輸入的所述部分儲存在與所述神經網路的後續層相關聯的第三記憶體中；以及 <br/>將所述額外輸出儲存在第四記憶體中，其中，所述第二記憶體和所述第四記憶體包括記憶體緩衝區。
根據請求項1所述的裝置，其中，為了處理所述資料列，所述一個或多個處理器被配置為： <br/>由所述神經網路的每個後續層處理所述神經網路的前面的層的輸出，所述輸出對應於所述資料列。
根據請求項1所述的裝置，其中，為了處理所述後續的資料列，所述一個或多個處理器被配置為： <br/>由所述神經網路的每個後續層處理所述神經網路的前面的層的輸出，所述輸出對應於所述第一條帶中的後續資料列。
根據請求項1所述的裝置，其中，所述裝置包括照相機裝置。
根據請求項1所述的裝置，其中，所述裝置包括行動設備。
一種用以處理神經網路中的資料的方法，包括： <br/>獲得輸入資料，所述輸入資料包括對所述輸入資料進行邏輯地分段的條帶，所述輸入資料的每個條帶包括至少一個資料列； <br/>由所述神經網路的每個層對所述資料輸入的第一條帶中的一資料列進行處理，其中，所述資料列是在水平方向上並且按照逐層順序來依次處理的，其中所述神經網路的每個前面的層在所述神經網路的每個後續層之前處理特定的資料列，其中針對所述神經網路的特定層的輸入是基於所述神經網路的前一層針對所述第一條帶中的所述資料列中的一個或多個區塊所產生的儲存輸出及來自所述第一條帶中的所述資料列中的所述一個或多個區塊的一行或多行儲存的資料的組合產生的，並且其中額外輸出是由所述神經網路的所述特定層基於所述前一層所產生的所述輸出產生的，以供所述神經網路的後續層進行處理； <br/>在對所述第一條帶的所述資料列進行處理之後，由所述神經網路的每個層在逐列基礎上處理所述第一條帶中的後續資料列，其中，每個後續資料列是在所述水平方向上並且按照逐層順序來依次處理的； <br/>由所述神經網路基於對所述資料列和所述後續資料列的處理來產生第一輸出條帶； <br/>在對所述第一條帶進行處理之後，由所述神經網路的每個層在逐列基礎上處理所述輸入資料的第二條帶中的資料列，其中，所述第二條帶中的每個資料列是在所述水平方向上並且按照所述逐層順序來處理的；以及 <br/>基於對所述第二條帶的處理來產生第二輸出條帶。
根據請求項17所述的方法，其中，在所述水平方向上順序地處理所述第一條帶中的所述資料列包括： <br/>由所述神經網路的每個層依次處理所述列中的多個資料區塊，其中，所述神經網路的每個層在沿著所述水平方向處理後續區塊之前，沿著深度方向處理每個前面的資料區塊。
根據請求項18所述的方法，其中，處理所述後續列包括： <br/>由所述神經網路的每個層依次處理每個後續列中的相應的多個資料區塊，其中，所述神經網路的每個層在處理後續列中的後續資料區塊之前，沿著所述深度方向處理所述後續列中的前面的資料區塊。
根據請求項17所述的方法，其中，所述神經網路包括像素對像素神經網路，並且其中，所述輸入資料包括與圖像相關聯的像素。
根據請求項17所述的方法，其中，獲得所述輸入資料包括： <br/>將所述輸入資料邏輯地分段為所述條帶，其中，每個條帶包括所述輸入資料的相應部分。
根據請求項17所述的方法，還包括： <br/>在第一記憶體中，儲存由所述神經網路的所述前一層針對所述第一條帶中的所述資料列中的一個或多個區塊產生的所述輸出；以及 <br/>在與所述神經網路的所述特定層相關聯的第二記憶體中，儲存來自所述資料列中的一個或多個區塊的所述一行或多行資料，其中，所述一行或多行資料包括所述神經網路的所述特定層的資料輸入在前一條帶區塊列上的一部分。
根據請求項22所述的方法，還包括： <br/><br/>決定針對所述特定層的所述輸入的一部分；以及 <br/>將所述輸入的所述一部分儲存在與所述神經網路的所述特定層相關聯的第三記憶體中。
根據請求項23所述的方法，還包括： <br/>基於所述特定層的所述額外輸出和針對後續層的所述輸入的來自所述後續層的前一條帶區塊列的所述部分的組合來產生針對所述神經網路的所述後續層的額外輸入；以及 <br/>由所述神經網路的所述後續層基於針對所述後續層的所述額外輸入來產生第二額外輸出。
根據請求項24所述的方法，還包括： <br/>將所述第二額外輸出儲存在第四記憶體中，其中，所述第二記憶體和所述第三記憶體包括行儲存記憶體中的行儲存，並且其中，所述第一記憶體和所述第四記憶體包括暫存記憶體中的緩衝區。
根據請求項17所述的方法，還包括： <br/>在與所述神經網路的特定層相關聯的第一記憶體中，儲存由所述神經網路的前一層針對每個後續資料列中的一個或多個區塊產生的輸出；以及 <br/>在第二記憶體中，儲存來自每個後續資料列中的所述一個或多個區塊的一行或多行資料，其中，所述一行或多行資料包括所述神經網路的所述特定層的一個或多個資料輸入的一個或多個部分。
根據請求項26所述的方法，還包括： <br/>基於由所述前一層產生的所述輸出和所述一行或多行資料的組合來產生針對所述神經網路的所述特定層的輸入，所述一行或多行資料包括針對前一條帶區塊列的所述特定層的所述一個或多個資料輸入的所述一個或多個部分；以及 <br/>由所述神經網路的所述特定層基於來自所述前一層的所述輸出和所述前一條帶區塊列上的來自所述特定層的所述輸入的子集來產生額外輸出。
根據請求項27所述的方法，還包括： <br/>決定針對所述特定層的所述輸入的部分； <br/>將所述輸入的所述部分儲存在與所述神經網路的後續層相關聯的第三記憶體中；以及 <br/>將所述額外輸出儲存在第四記憶體中，其中，所述第二記憶體和所述第四記憶體包括記憶體緩衝區。
根據請求項17所述的方法，其中，處理所述資料列包括：由所述神經網路的每個後續層處理所述神經網路的前一層的輸出，所述輸出對應於所述資料列，並且其中，處理所述後續的資料列包括：由所述神經網路的每個後續層處理所述神經網路的前一層的輸出，所述輸出對應於所述第一條帶中的後續資料列。
一種具有儲存在其上的指令的非暫時性計算機可讀媒體，所述指令在被一個或多個處理器執行時，使所述一個或多個處理器進行以下操作： <br/>獲得輸入資料，所述輸入資料包括對所述輸入資料進行邏輯地分段的條帶，所述輸入資料的每個條帶包括至少一個資料列； <br/>由神經網路的每個層對所述資料輸入的第一條帶中的一資料列進行處理，其中，所述資料列是在水平方向上並且按照逐層順序來依次處理的，其中所述神經網路的每個前面的層在所述神經網路的每個後續層之前處理特定的資料列，其中針對所述神經網路的特定層的輸入是基於所述神經網路的前一層針對所述第一條帶中的所述資料列中的一個或多個區塊所產生的儲存輸出及來自所述第一條帶中的所述資料列中的所述一個或多個區塊的一行或多行儲存的資料的組合產生的，並且其中額外輸出是由所述神經網路的所述特定層基於所述前一層所產生的所述輸出產生的，以供所述神經網路的後續層進行處理； <br/>在對所述第一條帶中的所述資料列進行處理之後，由所述神經網路的每個層在逐列基礎上處理所述第一條帶中的後續資料列，其中，每個後續資料列是在所述水平方向上並且按照所述逐層順序來依次處理的； <br/>由所述神經網路基於對所述資料列和所述後續資料列的處理來產生第一輸出條帶； <br/>在對所述第一條帶進行處理之後，由所述神經網路的每個層在逐列基礎上處理所述輸入資料的第二條帶中的資料列，其中，所述第二條帶中的每個資料列是在所述水平方向上並且按照所述逐層順序來處理的；以及 <br/>基於對所述第二條帶的處理來產生第二輸出條帶。
一種工件與片材的一體化方法，係在具備上腔室與下腔室之腔室的內部空間，使工件與片材一體化，<br/>該工件與片材的一體化方法的特徵為具備：<br/>上下空間形成過程，藉由前述上腔室與前述下腔室夾住前述片材，而將前述腔室的內部空間劃分成供配置前述工件之下空間、與隔介前述片材而與前述下空間對向之上空間；<br/>第1一體化過程，以前述下空間的壓力變得比前述上空間的壓力低之方式使前述腔室的內部減壓，利用形成於前述腔室內的上空間與下空間之間的差壓使前述片材與前述工件接觸，藉此使前述片材附著於前述工件；<br/>壓力差調整過程，在第1一體化過程後，調整前述腔室內的上空間與下空間之間的壓力差；及<br/>第2一體化過程，在調整了前述壓力差的狀態下，藉由將前述腔室的內部空間的壓力提升到大氣壓以上的壓力，而使前述片材密接於前述工件。
如請求項1之工件與片材的一體化方法，其中，<br/>前述壓力差調整過程係藉由使貫通孔形成於前述片材，而使前述上空間與前述下空間透過前述貫通孔連通。
如請求項1之工件與片材的一體化方法，其中，<br/>前述壓力差調整過程係藉由控制成使至少前述上空間及前述下空間中之一者的壓力階段性地上升，來維持前述壓力差。
如請求項1之工件與片材的一體化方法，其中，<br/>前述腔室具備：<br/>第1變壓機構，調整前述上空間的壓力；<br/>第2變壓機構，調整前述下空間的壓力；及<br/>控制部，獨立地控制前述第1變壓機構及前述第2變壓機構，<br/>前述壓力差調整過程係藉由前述控制部獨立地控制前述第1變壓機構及前述第2變壓機構，而一邊維持前述壓力差一邊使前述上空間及前述下空間的壓力上升。
如請求項1至4中任一項之工件與片材的一體化方法，其中，<br/>在前述第1一體化過程中，藉由使前述片材朝向前述工件變形成凸狀，而使前述片材與前述工件接觸。
如請求項1至4中任一項之工件與片材的一體化方法，其中，<br/>前述片材係具有與前述工件對應的既定形狀。
如請求項1至4中任一項之工件與片材的一體化方法，其中，<br/>前述片材係保持在長形的搬送用片，<br/>具備配設於前述上腔室的內部之片狀彈性體，<br/>在前述上下空間形成過程中利用前述上腔室與前述下腔室將前述搬送用片夾住，藉此以前述片狀彈性體抵接於前述搬送用片中未保持前述片材的面之方式配設前述片狀彈性體。
如請求項1至4中任一項之工件與片材的一體化方法，其中，<br/>前述工件係在一面的外周具有環狀凸部，<br/>前述片材係密接於前述工件中形成有前述環狀凸部之面。
如請求項1至4中任一項之工件與片材的一體化方法，其中，<br/>前述工件係搭載有光學元件之基板，<br/>前述片材係密接於前述工件中搭載有前述光學元件的面。
一種工件與片材的一體化裝置，係在具備上腔室與下腔室之腔室的內部空間，使工件與片材一體化，<br/>該工件與片材的一體化裝置的特徵為具備︰<br/>保持台，保持前述工件；<br/>腔室，收容前述保持台，藉由前述上腔室與前述下腔室將前述片材夾住而形成，且隔介前述片材被劃分成上空間與下空間；<br/>供給機構，供給前述片材；<br/>第1一體化機構，以使前述下空間的壓力變得比前述上空間的壓力低之方式使前述腔室的內部減壓，利用形成於前述腔室內的上空間與下空間之間的差壓使前述片材與前述工件接觸，藉此使前述片材附著於前述工件；<br/>差壓調整機構，在前述片材附著於前述工件後，調整前述腔室內的上空間與下空間之間的壓力差；及<br/>第2一體化機構，在調整了前述壓力差的狀態，藉由將前述腔室的內部空間的壓力提升到大氣壓以上的壓力，而使前述片材密接於前述工件。
一種半導體製品的製造方法，係藉由在具備上腔室與下腔室之腔室的內部空間，使工件與片材一體化，來製造半導體製品，<br/>該半導體製品的製造方法的特徵為具備：<br/>上下空間形成過程，藉由前述上腔室與前述下腔室將前述片材夾住，而將前述腔室的內部空間劃分成供配置前述工件之下空間、與隔介前述片材而與前述下空間對向之上空間；<br/>第1一體化過程，以前述下空間的壓力變得比前述上空間的壓力低之方式使前述腔室的內部減壓，利用形成於前述腔室內的上空間與下空間之間的差壓，使前述片材與前述工件接觸，藉此使前述片材附著於前述工件；<br/>壓力差調整過程，在第1一體化過程後，調整前述腔室內的壓力，以使前述腔室內的上空間與下空間之間的壓力差降低；及<br/>第2一體化過程，在調整了前述壓力差的狀態下，藉由將前述腔室的內部空間的壓力提升到大氣壓以上的壓力，而使前述片材與前述工件密接。
一種曝光裝置，包括： <br/>光源，射出光； <br/>曝光圖案形成裝置，配置於所述光源射出的光的至少一部分的光路上；以及 <br/>控制單元，與所述曝光圖案形成裝置電性連接， <br/>所述曝光圖案形成裝置包括多個元件， <br/>所述曝光圖案形成裝置設置成來自所述多個元件的至少一個元件的光照射到工件的曝光區域， <br/>所述控制單元藉由將所述多個元件的各個切換為第一狀態或第二狀態，在所述第一狀態下，來自元件的光向所述工件照射，在所述第二狀態下，來自元件的光向所述工件以外的區域照射， <br/>使所述工件對所述曝光圖案形成裝置相對移動，從而使來自透過所述多個元件中的所述第一狀態下的第一元件的所述光源的光的一部分，向所述曝光區域的規定區域照射，然後使來自透過所述多個元件中與所述第一元件不同的在第一狀態下的第二元件的所述光源的光的一部分，向所述規定區域照射，藉此累積所述規定區域的曝光量。
如請求項1所述的曝光裝置，其中 <br/>所述多個元件呈二次元排列， <br/>所述第一元件與所述第二元件是所述多個元件中的相同行的互不相同的元件。
如請求項1或請求項2所述的曝光裝置，其中 <br/>所述控制單元通過控制伴隨著所述工件與所述曝光圖案形成裝置的相對移動而對所述規定區域照射來自所述光源的光的一部分的、所述多個元件中的所述第一狀態下的元件的數量，來控制所述規定區域內的累積曝光量。
如請求項3所述的曝光裝置，其中 <br/>所述控制單元基於所述數量來控制所述規定區域內的累積曝光時間。
如請求項1或請求項2所述的曝光裝置，其中 <br/>所述控制單元藉由控制所述規定區域內的累積曝光量，從而對所述規定區域的圖案的寬度進行控制。
如請求項1或請求項2所述的曝光裝置，其中 <br/>在所述曝光區域，經由所述元件的所述光源射出的光的一部分照射至第一區域內的中心部分的光量大於所述第一區域內的周邊部分的光量。
如請求項6所述的曝光裝置，其中 <br/>所述曝光圖案形成裝置為數位微鏡裝置， <br/>所述元件是具有對來自所述光源的光的一部分進行反射的反射面的鏡元件。
如請求項1或請求項2所述的曝光裝置，其中 <br/>所述控制單元使所述工件與所述曝光圖案形成裝置相對移動，且使經由所述第一狀態下的所述第一元件的來自所述光源的光的一部分與經由所述第一狀態下的所述第二元件的來自所述光源的光的一部分依序照射至所述規定區域，藉此來使所述規定區域內的曝光量累積。
如請求項1或請求項2所述的曝光裝置，更包括： <br/>準直光學系統，對來自所述曝光圖案形成裝置的來自所述光源的光的至少一部分進行準直； <br/>物端光學系統，使自所述準直光學系統射出的來自所述光源的光的至少一部分朝向所述工件聚光；以及 <br/>驅動裝置，使所述準直光學系統的一部分光學構件沿著與所述物端光學系統的光軸交叉的軸位移。
如請求項9所述的曝光裝置，其中 <br/>所述控制單元使所述工件相對於所述曝光圖案形成裝置沿第一方向移動， <br/>使來自經由所述第一狀態下的所述第一元件的所述光源的光的一部分，向所述規定區域照射，然後使來自經由所述第一狀態下的所述第二元件的所述光源的光的一部分，向所述規定區域照射，藉此來使所述規定區域內的曝光量累積， <br/>並經由所述多個元件的至少一個元件的來自所述光源的光的至少一部分相對於所述規定區域照射沿著與所述第一方向交叉的第二方向的所述曝光區域的一部分區域而使所述一部分光學構件沿著與所述光軸交叉的軸位移的方式，來控制所述驅動裝置。
如請求項9所述的曝光裝置，其中 <br/>所述曝光圖案形成裝置的所述多個元件呈二次元排列， <br/>所述驅動裝置以使來自所述光源的光的至少一部分光的照射位置以較與呈二次元排列的彼此相鄰的元件的間隔對應的所述曝光區域內的來自所述光源的光的至少一部分光的照射間隔小的照射間隔而位移的方式，使所述一部分光學構件沿著與所述光軸交叉的軸位移。
如請求項9所述的曝光裝置，其中 <br/>所述第二方向是與所述第一方向正交的軸， <br/>所述控制單元分別重覆沿著與所述光軸交叉的軸的所述一部分光學構件的位移、以及沿著所述第一方向的所述工件與所述曝光圖案形成裝置的相對移動，並且 <br/>使分別經由互不相同的多個所述第一狀態的所述元件的來自所述光源的光的至少一部分伴隨著所述工件與所述曝光圖案形成裝置的所述相對移動而依序分別照射至所述曝光區域內的多個區域，藉此，在所述多個區域，分別藉由經由互不相同的多個所述第一狀態的所述元件的所述光的照射來使曝光量累積，從而沿著與所述第一方向和所述第二方向交叉的軸形成曝光區域。
如請求項1或請求項2所述的曝光裝置，其中 <br/>所述控制單元使所述工件與所述曝光圖案形成裝置沿著第一方向相對移動， <br/>使所述工件與所述曝光圖案形成裝置沿著與所述第一方向交叉的第二方向相對移動， <br/>使分別經由互不相同的多個所述第一狀態的所述元件的來自所述光源的光的至少一部分伴隨著所述工件與所述曝光圖案形成裝置的沿著所述第二方向的相對移動，而依序針對所述規定區域照射至沿著所述第二方向的所述曝光區域的一部分區域，藉此來使曝光量累積。
如請求項12所述的曝光裝置，其中 <br/>所述第二方向是與所述第一方向正交的軸， <br/>所述控制單元分別重覆沿著所述第一方向的所述工件與所述曝光圖案形成裝置的相對移動、以及沿著所述第二方向的所述工件與所述曝光圖案形成裝置的相對移動，並且 <br/>使分別經由互不相同的多個所述第一狀態的所述元件的所述光的至少一部分伴隨著所述工件與所述曝光圖案形成裝置的所述相對移動而依序分別照射至所述曝光區域內的多個區域，藉此，在所述多個區域，分別藉由經由互不相同的多個所述第一狀態的所述元件的所述光的照射來使曝光量累積，從而沿著與所述第一方向和所述第二方向交叉的軸形成曝光區域。
如請求項1或請求項2所述的曝光裝置，其中 <br/>所述控制單元使所述工件與所述曝光圖案形成裝置沿著第一方向相對移動， <br/>使分別經由互不相同的多個所述第一狀態的所述元件的來自所述光源的光的至少一部分伴隨著所述工件與所述曝光圖案形成裝置的所述相對移動，依序照射至所述曝光區域內沿著所述第一方向而與所述規定區域相鄰的區域，藉此，使沿著所述第一方向而與所述規定區域相鄰的區域內的曝光量累積。
如請求項15所述的曝光裝置，其中 <br/>所述控制單元對所述規定區域和沿著所述第一方向而與所述規定區域相鄰的區域的累積曝光量進行控制，藉此，對經過借助來自所述光源的光對沿著所述第一方向而與所述規定區域相鄰的區域進行的曝光步驟而形成於所述規定區域的圖案與形成於沿著所述第一方向而與所述規定區域相鄰的區域中的圖案在所述第一方向上的間隔進行控制。
如請求項15所述的曝光裝置，其中 <br/>所述控制單元使所述工件與所述曝光圖案形成裝置進行所述相對移動，且使分別經由互不相同的多個所述第一狀態的所述元件的來自所述光源的光的至少一部分依序照射至沿著所述第一方向而與所述規定區域相鄰的區域，藉此，使沿著所述第一方向而與所述規定區域相鄰的區域內的曝光量累積。
如請求項1或請求項2所述的曝光裝置，其中 <br/>所述控制單元使所述工件與所述曝光圖案形成裝置沿著第一方向相對移動，並且 <br/>分別經由互不相同的多個所述第一狀態的所述元件的來自所述光源的光的至少一部分伴隨著所述工件與所述曝光圖案形成裝置的所述相對移動而依序照射至所述曝光區域中的與沿著所述第一方向的所述規定區域不同的多個區域，藉此，在所述多個區域中，分別藉由經由所述互不相同的多個所述第一狀態的所述元件的所述光的照射來使曝光量累積，從而沿著所述第一方向形成曝光區域。
如請求項18所述的曝光裝置，其中 <br/>所述控制單元使所述工件與所述曝光圖案形成裝置沿著所述第一方向相對移動，且使分別經由互不相同的多個所述第一狀態的所述元件的來自所述光源的光的至少一部分依序照射至所述曝光區域內的沿著所述第一方向的所述多個區域，藉此，在所述多個區域中，分別藉由經由所述互不相同的多個所述第一狀態的所述元件的所述光的照射來使曝光量累積，從而沿著所述第一方向形成曝光區域。
如請求項1或請求項2所述的曝光裝置，其中 <br/>所述控制單元使所述工件與所述曝光圖案形成裝置沿著第一方向相對移動，並且 <br/>使經由所述多個元件中的所述第一狀態的第三元件的來自所述光源的光的一部分與經由所述多個元件中的所述第一狀態的所述第四元件的來自所述光源的光的一部分伴隨著所述工件與所述曝光圖案形成裝置的沿著所述第一方向的相對移動而依序在所述曝光區域內沿著與所述第一方向正交的第二方向進行照射，藉此，使與所述規定區域相鄰的區域內的曝光量累積， <br/>所述第三元件和所述第四元件分別是與所述第一元件和所述第二元件不同的元件。
如請求項20所述的曝光裝置，其中 <br/>所述控制單元對所述規定區域和沿著所述第二方向而與所述規定區域相鄰的區域的累積曝光量進行控制，藉此，對經過借助來自所述光源的光對所述規定區域和沿著所述第二方向而與所述規定區域相鄰的區域進行的曝光步驟而形成於所述規定區域的圖案與形成於沿著所述第二方向而與所述規定區域相鄰的區域的圖案在所述第二方向上的間隔進行控制。
如請求項1或請求項2所述的曝光裝置，其中 <br/>所述控制單元基於曝光圖案資訊，伴隨著所述工件與所述曝光圖案形成裝置的所述相對移動，將所述多個元件中的至少一部分元件切換為所述第一狀態或所述第二狀態，所述曝光圖案資訊包含與所述工件上的所述曝光區域的位置相關的資訊以及與所述曝光區域的各區域內的累積曝光量相關的資訊。
如請求項1或請求項2所述的曝光裝置，其中 <br/>所述控制單元基於所述多個元件中的缺陷元件的資訊，以使所述曝光區域的所述規定區域的累積曝光量成為規定的曝光量的方式，使經由所述多個元件中的所述缺陷元件以外的所述第一狀態的元件的來自所述光源的光的一部分伴隨著所述工件與所述曝光圖案形成裝置的相對移動而照射至所述規定區域。
如請求項23所述的曝光裝置，其中 <br/>在所述曝光圖案形成裝置中所含的所述多個元件中的第一部分元件的至少一個元件為所述缺陷元件的情況下，所述多個元件中的與所述第一部分不同的第二部分的元件取代所述缺陷元件而被用於曝光，以使所述規定區域的累積曝光量成為所述規定的曝光量。
如請求項23所述的曝光裝置，其中 <br/>所述多個元件呈二次元排列， <br/>所述多個元件中的相同行中包含所述第一部分的一部分與所述第二部分的一部分， <br/>所述控制單元在所述行中的所述第一部分的一部分所述元件中的至少一個所述元件為所述缺陷元件的情況下，使取代所述缺陷元件而經由所述行中的所述第二部分的一部分所述元件中的至少一個所述元件的來自所述光源的光的一部分伴隨著所述工件與所述曝光圖案形成裝置的相對移動而照射至所述規定區域。
如請求項23所述的曝光裝置，其中 <br/>所述多個元件呈二次元排列， <br/>所述曝光裝置更包括光檢測單元，所述光檢測單元對經由所述多個元件的至少一部分的來自所述光源的光的至少一部分的強度分布進行檢測， <br/>所述控制單元基於由所述光檢測單元所檢測出的所述光的強度分布，來生成所述缺陷元件的資訊，所述缺陷元件的資訊包含與所述二次元排列中的所述缺陷元件的位置相關的資訊。
如請求項1或請求項2所述的曝光裝置，更包括： <br/>第一曝光頭，包含所述曝光圖案形成裝置與至少一個光學元件；以及 <br/>第二曝光頭，包含所述曝光圖案形成裝置與至少一個光學元件， <br/>所述第一曝光頭中的所述曝光圖案形成裝置的多個元件中的至少一個元件，被用於使來自所述光源的光的至少一部分照射至工件的第一曝光區域， <br/>所述第二曝光頭中的曝光圖案形成裝置的多個元件中的至少一個元件，被用於使來自所述光源的光的至少一部分照射至工件的第二曝光區域， <br/>所述控制單元分別重覆沿著第一方向的所述工件與所述第一曝光頭及所述第二曝光頭的相對移動、以及沿著與所述第一方向正交的軸即第二方向的所述工件與所述第一曝光頭及所述第二曝光頭的相對移動， <br/>伴隨著所述工件與所述第一曝光頭及所述第二曝光頭的所述相對移動，依序使經由所述第一曝光頭中的所述曝光圖案形成裝置的多個元件中的至少一個元件的來自所述光源的光的至少一部分照射至所述第一曝光區域，使經由所述第二曝光頭中的所述曝光圖案形成裝置的多個元件中的至少一個元件的來自所述光源的光的至少一部分照射至所述第二曝光區域，藉此， <br/>沿著所述第二方向而交替地排列形成第一曝光區域與第二曝光區域。
如請求項27所述的曝光裝置，其中 <br/>所述第一曝光區域與所述第二曝光區域分別為多個，且 <br/>任一個所述第二曝光區域位於兩個所述第一曝光區域之間。
如請求項27所述的曝光裝置，其中 <br/>所述第一曝光區域與所述第二曝光區域分別為多個， <br/>所述一個第一曝光區域與所述另一個第一曝光區域相鄰而形成第一曝光區域群，且任一個第一曝光區域群位於兩個所述第二曝光區域之間。
一種黏合劑組合物，其包括：<br/> （A）丙烯酸乳液聚合物，其中丙烯酸乳液聚合物係(甲基)丙烯酸丁酯/苯乙烯/(甲基)丙烯酸共聚物；及<br/> （B）乙烯基芳族單體-順丁烯二酸酐共聚物，<br/> 其中按該黏合劑組合物之總固體重量計，（B）乙烯基芳族單體-順丁烯二酸酐共聚物以0.1重量%至6.0重量%之量存在。
如請求項1之黏合劑組合物，其中按該丙烯酸乳液聚合物之重量計，該丙烯酸乳液聚合物包括<br/> 30重量%至50重量%苯乙烯之結構單元，<br/> 50-70重量% (甲基)丙烯酸丁酯之結構單元，及<br/> 0.1重量%至8重量% (甲基)丙烯酸之結構單元。
如請求項1之黏合劑組合物，其中該乙烯基芳族單體-順丁烯二酸酐共聚物包括（a）一或多種乙烯基芳族單體之結構單元及（b）順丁烯二酸酐之結構單元。
如請求項1之黏合劑組合物，其中按該黏合劑組合物之總固體重量計，該乙烯基芳族單體-順丁烯二酸酐共聚物（B）以0.5重量%或更多且同時6.0重量%或更少之量存在。
如請求項1之黏合劑組合物，其中該黏合劑組合物為單組分基於水之黏合劑組合物。
一種使用所描述之黏合劑組合物生產層製品之方法，其包括：<br/> （a）提供如請求項1至5中任一項之黏合劑組合物；<br/> （b）將該黏合劑組合物施用於基板之表面之第一部分上以形成該黏合劑組合物之層；<br/> （d）使基板之表面之第二部分與該黏合劑組合物之該層接觸，以使得該黏合劑組合物之該層夾於該第一部分與該第二部分之間；及<br/> （e）乾燥該黏合劑組合物，<br/> 其中該第二部分不同於該第一部分。
一種層製品，其係藉由使用如請求項6之生產層製品之方法來製備。
一種層製品，其包括基板之表面之第一部分、如請求項1至5中任一項之黏合劑組合物之層及相同或不同基板之表面之第二部分，其中該黏合劑組合物之該層夾於該第一部分與該第二部分之間且與其等接觸。
一種乙烯基芳族單體-順丁烯二酸酐共聚物之用途，其用於改善包括丙烯酸乳液聚合物之黏合劑組合物之黏結強度及/或熱封效能，其中丙烯酸乳液聚合物係(甲基)丙烯酸丁酯/苯乙烯/(甲基)丙烯酸共聚物。
如請求項9之用途，其中按該黏合劑組合物之總固體重量計，該乙烯基芳族單體-順丁烯二酸酐共聚物以0.1重量%至6重量%之量存在。
一種由一使用者設備（UE）執行的無線通訊的方法，該方法包括以下步驟：<br/> 從一網路節點接收標識用於報告該UE的一位置的一未來時間T1的一無時延的定時位置請求，其中該無時延的定時位置請求包括具有一回應服務品質（QoS）屬性指示無時延的一定時位置請求；<br/> 在時間T1之前出現的一時間T2決定用於該UE在時間T1的一預期位置的位置資訊，該位置資訊包括一位置量測、基於一位置量測決定的一決定的位置、或其組合；及<br/> 在時間T1向該網路節點報告如在時間T2決定的用於該UE在時間T1的該預期位置的該位置資訊。
根據請求項1之方法，其中用於該UE在時間T1的該預期位置的該位置資訊包括該UE在時間T2的該位置，該UE預測該UE在時間T2的該位置亦將是它在時間T1的位置。
根據請求項1之方法，其中用於該UE在時間T1的該預期位置的該位置資訊包括該UE在時間T1的一預測位置，該UE在時間T1的該預測位置不同於該UE在時間T2的該位置。
根據請求項1之方法，其中用於該UE在時間T1的該預期位置的該位置資訊在時間T1向該網路節點報告。
根據請求項1之方法，其中用於該UE在時間T1的該預期位置的該位置資訊在時間T1之前向該網路節點報告。
一種由一使用者設備（UE）執行的無線通訊的方法，該方法包括以下步骤：<br/> 從一網路節點接收標識用於報告該UE的一位置的一未來時間T1的一無時延的定時位置請求，其中該無時延的定時位置請求包括具有一回應服務品質（QoS）屬性指示無時延的一定時位置請求；<br/> 在時間T1決定該UE的一位置尚未知曉；及以下的其中一者：<br/> 決定用於該UE的位置資訊，該位置資訊包括一位置量測、基於一位置量測決定的一決定的位置、或其組合，並且以非零時延向該網路節點報告用於該UE的該位置資訊；或者<br/> 以零時延向該網路節點報告一錯誤。
根據請求項6之方法，其中以零時延向該網路節點報告一錯誤亦包括向該網路節點提供該錯誤的一或多個原因。
根據請求項6之方法，其中以零時延向該網路節點報告一錯誤亦包括向該網路節點提供一最後已知的位置和該UE處於該最後已知的位置的一時間。
根據請求項6之方法，其中基於與該UE、該無時延的定位位置請求、或其組合關聯的一服務品質（QoS）等級，該UE決定用於該UE的該位置資訊並且以非零時延向該網路節點報告用於該UE的該位置資訊，或者以零時延向該網路報告該錯誤。
根據請求項9之方法，其中若該QoS等級是一保證等級，該UE決定用於該UE的該位置資訊並且以非零時延向該網路節點報告用於該UE的該位置資訊，並且其中若該QoS等級是一盡力等級，該UE以零時延向該網路報告該錯誤。
一種由一網路節點執行的無線通訊的方法，該方法包括以下步骤：<br/> 決定一使用者設備（UE）在一未來時間T1的一位置是期望的；及<br/> 向該UE發出標識用於報告該UE的一位置的一未來時間T1的一無時延的定時位置請求，其中該無時延的定時位置請求包括具有一回應服務品質（QoS）屬性指示無時延的一定時位置請求。
根據請求項11之方法，亦包括：<br/> 從該UE接收對於該無時延的定時位置請求的一回應。
根據請求項12之方法，其中該回應在時間T1之前出現的一時間T2接收並且包括該UE在時間T1的一預測位置。
根據請求項12之方法，其中該回應在時間T1之前出現的一時間T2接收並且包括該UE在時間T2的一實際位置，該實際位置亦被預測是該UE在時間T1的該位置。
根據請求項12之方法，其中該回應在時間T1接收並且包括該UE在時間T1的一實際位置。
根據請求項12之方法，其中該回應在時間T1接收並且報告指示該UE在時間T1的該位置是未知的的一錯誤。
根據請求項16之方法，其中該回應亦指示該錯誤的一或多個原因。
根據請求項16之方法，其中該回應亦提供該UE的一最後已知的位置和該UE處於該最後已知的位置的一時間。
根據請求項12之方法，其中該回應在時間T1之後出現的時間T3接收並且包括該UE在時間T1的一實際位置。
根據請求項11之方法，其中該網路節點包括一位置管理功能（LMF）。
根據請求項11之方法，其中該網路節點包括一閘道行動位置中心（GMLC）。
根據請求項11之方法，亦包括以下步骤：<br/> 從該UE接收針對該UE在該未來時間T1的該位置的一請求，其中該決定該UE在該未來時間T1的該位置是期望的，是基於從該UE接收該請求。
一種由一網路節點執行的無線通訊的方法，該方法包括以下步骤：<br/> 決定一使用者設備（UE）在一未來時間T1的一位置是期望的；<br/> 決定標識用於報告該UE的一位置的該未來時間T1的一無時延的定時位置請求可能不能在時間T1之前完成；及<br/> 執行其中之一：<br/> 向該UE發出針對時間T1的一有時延的定時位置請求；<br/> 向該UE發出針對時間T1的一有時延的非定時位置請求；<br/> 向該UE發出針對時間T1的一無時延的非定時位置請求；<br/> 向該UE發出針對在時間T1之後出現的一時間T3的一無時延的定時位置請求；或者<br/> 等待直至時間T1，並且隨後向該UE發出一有時延的非定時位置請求；<br/> 其中該無時延的定時位置請求或該無時延的非定時位置請求包括具有一回應服務品質（QoS）屬性指示無時延的一定時或非定時位置請求，並且其中該有時延的定時位置請求或該有時延的非定時位置請求包括具有一回應服務品質（QoS）屬性指示低時延或時延容忍的一定時或非定時位置請求。
根據請求項23之方法，亦包括以下步骤：<br/> 從該UE接收對於位置請求的一回應。
根據請求項23之方法，其中該網路節點包括一位置管理功能（LMF）。
根據請求項23之方法，其中該網路節點包括一閘道行動位置中心（GMLC）。
一種使用者設備（UE），包括：<br/> 一記憶體；<br/> 一通訊介面；及<br/> 至少一個處理器，通訊地耦接到該記憶體和該通訊介面，該至少一個處理器配置為：<br/> 經由該通訊介面從一網路節點接收標識用於報告該UE的一位置的一未來時間T1的一無時延的定時位置請求，其中該無時延的定時位置請求包括具有一回應服務品質（QoS）屬性指示無時延的一定時位置請求；<br/> 在時間T1之前出現的時間T2決定用於該UE在時間T1的一預期位置的位置資訊，該位置資訊包括一位置量測、基於一位置量測決定的一決定的位置、或其組合；及<br/> 在時間T1向該網路節點報告如在時間T2決定的用於該UE在時間T1的該預期位置的該位置資訊。
根據請求項27之UE，其中用於該UE在時間T1的該預期位置的該位置資訊包括該UE在時間T2的該位置，該UE預測該UE在時間T2的該位置亦將是它在時間T1的位置。
根據請求項27之UE，其中用於該UE在時間T1的該預期位置的該位置資訊包括該UE在時間T1的一預測位置，該UE在時間T1的該預測位置不同於該UE在時間T2的該位置。
根據請求項27之UE，其中用於該UE在時間T1的該預期位置的該位置資訊在時間T1向該網路節點報告。
根據請求項27之UE，其中用於該UE在時間T1的該預期位置的該位置資訊在時間T1之前向該網路節點報告。
一種使用者設備（UE），包括：<br/> 一記憶體；<br/> 一通訊介面；及<br/> 至少一個處理器，通訊地耦接到該記憶體和該通訊介面，該至少一個處理器配置為：<br/> 經由該通訊介面從一網路節點接收標識用於報告該UE的一位置的一未來時間T1的一無時延的定時位置請求，其中該無時延的定時位置請求包括具有一回應服務品質（QoS）屬性指示無時延的一定時位置請求；<br/> 在時間T1決定該UE的一位置尚未知曉；及以下的其中一者：<br/> 決定用於該UE的位置資訊，該位置資訊包括一位置量測、基於一位置量測決定的一決定的位置、或其組合，並且以非零時延向該網路節點報告用於該UE的該位置資訊；或者<br/> 以零時延向該網路節點報告一錯誤。
根據請求項32之UE，其中該至少一個處理器配置為以零時延向該網路節點報告一錯誤包括該至少一個處理器配置為向該網路節點提供該錯誤的一或多個原因。
根據請求項32之UE，其中該至少一個處理器配置為以零時延向該網路節點報告一錯誤包括該至少一個處理器配置為向該網路節點提供一最後已知的位置和該UE處於該最後已知的位置的一時間。
根據請求項32之UE，其中基於與該UE、該無時延的定位位置請求、或其組合關聯的一服務品質（QoS）等級，該UE決定用於該UE的該位置資訊並且以非零時延向該網路節點報告用於該UE的該位置資訊，或者以零時延向該網路報告該錯誤。
根據請求項35之UE，其中若該QoS等級是一保證等級，該UE決定用於該UE的該位置資訊並且以非零時延向該網路節點報告用於該UE的該位置資訊，並且其中若該QoS等級是一盡力等級，該UE以零時延向該網路報告該錯誤。
一種網路節點，包括：<br/> 一記憶體；<br/> 一通訊介面；及<br/> 至少一個處理器，通訊地耦接到該記憶體和該通訊介面，該至少一個處理器配置為：<br/> 決定一使用者設備（UE）在一未來時間T1的一位置是期望的；及<br/> 使該通訊介面向該UE發送標識用於報告該UE的一位置的該未來時間T1的一無時延的定時位置請求，其中該無時延的定時位置請求包括具有一回應服務品質（QoS）屬性指示無時延的一定時位置請求。
根據請求項37之網路節點，其中該至少一個處理器亦配置為：<br/> 經由該通訊介面從該UE接收對於該無時延的定時位置請求的一回應。
根據請求項38之網路節點，其中該回應在時間T1之前出現的一時間T2接收並且包括該UE在時間T1的一預測位置。
根據請求項38之網路節點，其中該回應在時間T1之前出現的一時間T2接收並且包括該UE在時間T2的一實際位置，該實際位置亦被預測是該UE在時間T1的該位置。
根據請求項38之網路節點，其中該回應在時間T1接收並且包括該UE在時間T1的一實際位置。
根據請求項38之網路節點，其中該回應在時間T1接收並且報告指示該UE在時間T1的該位置是未知的的一錯誤。
根據請求項42之網路節點，其中該回應亦指示該錯誤的一或多個原因。
根據請求項42之網路節點，其中該回應亦提供該UE的一最後已知的位置和該UE處於該最後已知的位置的一時間。
根據請求項38之網路節點，其中該回應在時間T1之後出現的時間T3接收並且包括該UE在時間T1的實際位置。
根據請求項37之網路節點，其中該網路節點包括一位置管理功能（LMF）。
根據請求項37之網路節點，其中該網路節點包括一閘道行動位置中心（GMLC）。
根據請求項37之網路節點，其中該至少一個處理器亦配置為：<br/> 經由該通訊介面從該UE接收針對該UE在該未來時間T1的該位置的一請求，其中該至少一個處理器配置為基於從該UE接收該請求決定該UE在該未來時間T1的該位置是期望的。
一種網路節點，包括：<br/> 一記憶體；<br/> 一通訊介面；及<br/> 至少一個處理器，通訊地耦接到該記憶體和該通訊介面，該至少一個處理器配置為：<br/> 決定一使用者設備（UE）在一未來時間T1的一位置是期望的；<br/> 決定標識用於報告該UE的位置的該未來時間T1的一無時延的定時位置請求可能不能在時間T1之前完成；及<br/> 執行其中之一：<br/> 向該UE發出一有時延的定時位置請求；<br/> 向該UE發出一有時延的非定時位置請求；<br/> 向該UE發出一無時延的非定時位置請求；或者<br/> 等待直至時間T1，並且隨後向該UE發出一有時延的非定時位置請求；<br/> 其中該無時延的定時位置請求或該無時延的非定時位置請求包括具有一回應服務品質（QoS）屬性指示無時延的一定時或非定時位置請求，並且其中該有時延的定時位置請求或該有時延的非定時位置請求包括具有一回應服務品質（QoS）屬性指示低時延或時延容忍的一定時或非定時位置請求。
根據請求項49之網路節點，其中該至少一個處理器亦配置為：<br/> 經由該通訊介面從該UE接收對於位置請求的一回應。
根據請求項49之網路節點，其中該網路節點包括一位置管理功能（LMF）。
根據請求項49之網路節點，其中該網路節點包括一閘道行動位置中心（GMLC）。
一種使用者設備（UE），包括：<br/> 用於從一網路節點接收標識用於報告該UE的一位置的一未來時間T1的一無時延的定時位置請求的部件，其中該無時延的定時位置請求包括具有一回應服務品質（QoS）屬性指示無時延的一定時位置請求；<br/> 用於在時間T1之前出現的一時間T2決定用於該UE在時間T1的一預期位置的位置資訊的部件，該位置資訊包括一位置量測、基於一位置量測決定的一決定的位置、或其組合；及<br/> 用於在時間T1向該網路節點報告如在時間T2決定的用於該UE在時間T1的該預期位置的該位置資訊的部件。
一種使用者設備（UE），包括：<br/> 用於從一網路節點接收標識用於報告該UE的一位置的一未來時間T1的一無時延的定時位置請求的部件，其中該無時延的定時位置請求包括具有一回應服務品質（QoS）屬性指示無時延的一定時位置請求；<br/> 用於在時間T1決定該UE的一位置尚未知曉的部件；及<br/> 用於或者：<br/> 決定用於該UE的位置資訊，該位置資訊包括一位置量測、基於一位置量測決定的一決定的位置、或其組合，並且以非零時延向該網路節點報告用於該UE的該位置資訊；或者<br/> 以零時延向該網路節點報告一錯誤的部件。
一種網路節點，包括：<br/> 用於決定一使用者設備（UE）在一未來時間T1的一位置是期望的的部件；及<br/> 用於向該UE發送標識用於報告該UE的一位置的該未來時間T1的一無時延的定時位置請求的部件，其中該無時延的定時位置請求包括具有一回應服務品質（QoS）屬性指示無時延的一定時位置請求。
一種網路節點，包括：<br/> 用於決定一使用者設備（UE）在一未來時間T1的一位置是期望的的部件；<br/> 用於決定標識用於報告該UE的一位置的該未來時間T1的一無時延的定時位置請求不能在時間T1之前完成的部件；及<br/> 用於執行其中之一：<br/> 向該UE發送針對時間T1的一有時延的定時位置請求；<br/> 向該UE發送針對時間T1的一有時延的非定時位置請求；<br/> 向該UE發送針對時間T1的一無時延的非定時位置請求；<br/> 向該UE發送針對在時間T1之後出現的一時間T3的一無時延的定時位置請求；或者<br/> 等待直至時間T1，並且隨後向該UE發送一有時延的非定時位置請求的部件；<br/> 其中該無時延的定時位置請求或該無時延的非定時位置請求包括具有一回應服務品質（QoS）屬性指示無時延的一定時或非定時位置請求，並且其中該有時延的定時位置請求或該有時延的非定時位置請求包括具有一回應服務品質（QoS）屬性指示低時延或時延容忍的一定時或非定時位置請求。
一種儲存電腦可執行指令的非暫時性電腦可讀取媒體，當該等電腦可執行指令由一使用者設備（UE）執行時，使該UE：<br/> 從一網路節點接收標識用於報告該UE的一位置的一未來時間T1的一無時延的定時位置請求，其中該無時延的定時位置請求包括具有一回應服務品質（QoS）屬性指示無時延的一定時位置請求；<br/> 在時間T1之前出現的一時間T2決定用於該UE在時間T1的一預期位置的位置資訊，該位置資訊包括一位置量測、基於一位置量測決定的一決定的位置、或其組合；及<br/> 在時間T1向該網路節點報告如在時間T2決定的用於該UE在時間T1的該預期位置的該位置資訊。
一種儲存電腦可執行指令的非暫時性電腦可讀取媒體，當該等電腦可執行指令由一UE執行時，使該UE：<br/> 從一網路節點接收標識用於報告該UE的一位置的一未來時間T1的一無時延的定時位置請求，其中該無時延的定時位置請求包括具有一回應服務品質（QoS）屬性指示無時延的一定時位置請求；<br/> 在時間T1決定該UE的一位置尚未知曉；及或者：<br/> 決定用於該UE的該位置資訊並且以非零時延向該網路節點報告用於該UE的該位置資訊；或者<br/> 以零時延向該網路節點報告一錯誤。
一種儲存電腦可執行指令的非暫時性電腦可讀取媒體，當該等電腦可執行指令由一網路節點執行時，使該網路節點：<br/> 決定一使用者設備（UE）在一未來時間T1的一位置是期望的；及<br/> 向該UE發送標識用於報告該UE的一位置的該未來時間T1的一無時延的定時位置請求，其中該無時延的定時位置請求包括具有一回應服務品質（QoS）屬性指示無時延的一定時位置請求。
一種儲存電腦可執行指令的非暫時性電腦可讀取媒體，當該等電腦可執行指令由一網路節點執行時，使該網路節點：<br/> 決定一使用者設備（UE）在一未來時間T1的一位置是期望的；<br/> 決定標識用於報告該UE的一位置的該未來時間T1的一無時延的定時位置請求不能在時間T1之前完成；及<br/> 執行其中之一：<br/> 向該UE發送針對時間T1的一有時延的定時位置請求；<br/> 向該UE發送針對時間T1的一有時延的非定時位置請求；<br/> 向該UE發送針對時間T1的一無時延的非定時位置請求；<br/> 向該UE發送針對在時間T1之後出現的一時間T3的一無時延的定時位置請求；或者<br/> 等待直至時間T1，並且隨後向該UE發送一有時延的非定時位置請求；<br/> 其中該無時延的定時位置請求或該無時延的非定時位置請求包括具有一回應服務品質（QoS）屬性指示無時延的一定時或非定時位置請求，並且其中該有時延的定時位置請求或該有時延的非定時位置請求包括具有一回應服務品質（QoS）屬性指示低時延或時延容忍的一定時或非定時位置請求。
一種結合補體C3上之抗原決定基之抗原結合蛋白或其片段，其包含可變重鏈(VH)及可變輕鏈(VL)， <br/>其中該VH包含SEQ ID NO:7之CDR-H1序列、SEQ ID NO:8之CDR-H2序列及SEQ ID NO:9之CDR-H3序列；及 <br/>其中該VL包含SEQ ID NO:10之CDR-L1序列、SEQ ID NO:11之CDR-L2序列及SEQ ID NO:12之CDR-L3序列。
如請求項1之抗原結合蛋白或其片段，其中該VH包含SEQ ID NO:27之胺基酸序列且該VL包含SEQ ID NO:28之胺基酸序列。
一種結合補體C3上之抗原決定基之抗原結合蛋白或其片段，其包含可變重鏈(VH)及可變輕鏈(VL)， <br/>其中該VH包含SEQ ID NO:19之CDR-H1序列、SEQ ID NO:20之CDR-H2序列及SEQ ID NO:21之CDR-H3序列；及 <br/>其中該VL包含SEQ ID NO:22之CDR-L1序列、SEQ ID NO:23之CDR-L2序列及SEQ ID NO:24之CDR-L3序列。
如請求項3之抗原結合蛋白或其片段，其中該VH包含SEQ ID NO:31之胺基酸序列且該VL包含SEQ ID NO:32之胺基酸序列。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1至4中任一項之抗原結合蛋白或其片段及醫藥學上可接受之載劑。
一種經分離之核酸分子，其編碼如請求項1至4中任一項之抗原結合蛋白或其片段。
一種表現載體，其包含如請求項6之核酸分子。
一種宿主細胞，其包含如請求項7之表現載體。
一種用於製造如請求項1至4中任一項之抗原結合蛋白或其片段之方法，其包含以下步驟： <br/>(i) 如請求項8之宿主細胞在允許表現如請求項1至4中任一項之抗原結合蛋白或其片段之條件下培養；及 <br/>(ii) 回收該抗原結合蛋白或其片段。
一種如請求項1至4中任一項之抗原結合蛋白或其片段之用途，其係用於製備用以抑制個體中的補體經典途徑、替代途徑及凝集素途徑之活性之醫藥組合物。
如請求項10之用途，其中該抗原結合蛋白或其片段係經由局部、結膜下、玻璃體內、眼球後及/或前房內投藥來投與。
如請求項10之用途，其中該個體患有選自由以下組成之群的疾病或病症：年齡相關之黃斑變性、地圖狀萎縮、新生血管性青光眼、糖尿病性視網膜病變、早產兒視網膜病變、晶狀體後纖維組織形成、自體免疫葡萄膜炎、脈絡膜視網膜炎、視網膜炎、類風濕性關節炎、牛皮癬及動脈粥樣硬化。
如請求項10之用途，其中該抗原結合蛋白或其片段與醫藥學上可接受之載劑混合。
一種用於偵測生物樣品中C3及C3b中之一或兩者之方法，其包含以下步驟： <br/>(a) 使該樣品與至少一種如請求項1至4中任一項之抗原結合蛋白或其片段接觸； <br/>(b) 允許該樣品中C3及C3b中之一或兩者與該抗原結合蛋白或其片段之間形成複合物；及 <br/>(c) 偵測該抗原結合蛋白或其片段。
如請求項14之方法，其中該抗原結合蛋白或其片段係藉由可偵測信號來偵測。
如請求項14之方法，其中該生物樣品為組織樣品。
如請求項16之方法，其中該組織樣品包含視網膜組織。
一種用於偵測C3之套組，其包含如請求項1至4中任一項之抗原結合蛋白或其片段及使用說明書。
一種抗原結合蛋白或其片段，其包含VH及VL，其中該VH包含SEQ ID NO:27之胺基酸序列且該VL包含SEQ ID NO:28之胺基酸序列。
一種如請求項19之抗原結合蛋白或其片段之用途，其係用於製備用以抑制個體中的補體經典途徑、替代途徑及凝集素途徑之活性之醫藥組合物。
如請求項20之用途，其中該抗原結合蛋白或其片段係經由局部、結膜下、玻璃體內、眼球後及/或前房內投藥來投與。
如請求項20之用途，其中該個體患有選自由以下組成之群的疾病或病症：年齡相關之黃斑變性、地圖狀萎縮、新生血管性青光眼、糖尿病性視網膜病變、早產兒視網膜病變、晶狀體後纖維組織形成、自體免疫葡萄膜炎、脈絡膜視網膜炎、視網膜炎、類風濕性關節炎、牛皮癬及動脈粥樣硬化。
如請求項20之用途，其中該抗原結合蛋白或其片段與醫藥學上可接受之載劑混合。
一種用於偵測生物樣品中C3及C3b中之一或兩者之方法，其包含以下步驟： <br/>(a) 使該樣品與至少一種如請求項19之抗原結合蛋白或其片段接觸； <br/>(b) 允許該樣品中C3及C3b中之一或兩者與該抗原結合蛋白或其片段之間形成複合物；及 <br/>(c) 偵測該抗原結合蛋白或其片段。
如請求項24之方法，其中該抗原結合蛋白或其片段係藉由可偵測信號來偵測。
如請求項24之方法，其中該生物樣品為組織樣品。
如請求項26之方法，其中該組織樣品包含視網膜組織。
一種用於偵測C3之套組，其包含如請求項19之抗原結合蛋白或其片段及使用說明書。
一種著色樹脂組合物，其含有著色劑及樹脂，且著色劑包含式(I)所表示之化合物， <br/><img align="absmiddle" height="155px" width="243px" file="ed10075.jpg" alt="ed10075.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[式(I)中， <br/>R<sup>1</sup>為-SO<sub>2</sub>-R<sup>8a</sup>，且R<sup>2</sup>為氫原子或-R<sup>8a</sup>； <br/>R<sup>1</sup>與R<sup>2</sup>可與各自鍵結之氮原子一起形成可具有取代基之環，構成該環之-CH<sub>2</sub>-可被取代為-O-、-CO-、-S-、-S(O)<sub>2</sub>-、-NH-、或-NR<sup>8g</sup>-； <br/>R<sup>3</sup>～R<sup>7</sup>彼此獨立地表示氫原子、-R<sup>8c</sup>、-O-R<sup>8d</sup>、-CO-O-R<sup>8e</sup>、-O-CO-R<sup>8f</sup>、鹵素原子、羥基、羧基、磺基、或硝基； <br/>R<sup>8a</sup>、R<sup>8b</sup>、R<sup>8c</sup>、R<sup>8d</sup>、R<sup>8e</sup>、R<sup>8f</sup>、及R<sup>8g</sup>彼此獨立地表示可具有取代基之碳數1～20之烴基； <br/>於R<sup>8a</sup>、R<sup>8b</sup>、R<sup>8c</sup>、R<sup>8d</sup>、R<sup>8e</sup>、R<sup>8f</sup>、及R<sup>8g</sup>存在複數個之情形時，其等可相同，亦可不同]。
如請求項1之著色樹脂組合物，其進而含有聚合性化合物、及聚合起始劑。
一種彩色濾光片，其係由如請求項1或2之著色樹脂組合物形成。
一種顯示裝置，其包含如請求項3之彩色濾光片。
一種式(IA)所表示之化合物， <br/><img align="absmiddle" height="163px" width="251px" file="ed10076.jpg" alt="ed10076.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[式(IA)中， <br/>R<sup>11</sup>表示可具有取代基之碳數1～20之烴基； <br/>R<sup>2</sup>表示氫原子、-R<sup>8a</sup>、或-SO<sub>2</sub>-R<sup>8b</sup>； <br/>R<sup>3</sup>～R<sup>7</sup>彼此獨立地表示氫原子、-R<sup>8c</sup>、-O-R<sup>8d</sup>、-CO-O-R<sup>8e</sup>、-O-CO-R<sup>8f</sup>、鹵素原子、羥基、羧基、磺基、或硝基； <br/>R<sup>8a</sup>、R<sup>8b</sup>、R<sup>8c</sup>、R<sup>8d</sup>、R<sup>8e</sup>、及R<sup>8f</sup>彼此獨立地表示可具有取代基之碳數1～20之烴基； <br/>於R<sup>8c</sup>、R<sup>8d</sup>、R<sup>8e</sup>、及R<sup>8f</sup>存在複數個之情形時，其等可相同，亦可不同]。
一種乾式真空泵(1)，其具有： <br/>定子(2)，其具有至少第一和第二互補的半殼(3、4)及第一和第二末端件(5、6)，該半殼(3、4)和該末端件(5、6)接合在一起以致形成泵送級(T1~T6)的至少一泵送室， <br/>二轉子軸桿，其建構成在該至少一泵送級(T1~T6)中旋轉， <br/>第一密封(14)，其包含： <br/>第一和第二環狀末端部(14a)，其插置在個別的末端件(5、6)和該半殼(3、4)之間，以及 <br/>二側軌(14b)，其連接該環狀末端部(14a)，該側軌(14b)插置在該半殼(3、4)之間， <br/>該乾式真空泵(1)的特徵在於：第一半殼(3)具有至少一密封溝槽(16)，其設於該半殼(3、4)的接合表面(10)中而容納該第一密封(14)的側軌(14b)；該密封溝槽(16)的底部具有至少一介接表面(17)，其在該半殼(3、4)之間開啟而造形成「鞍形」(saddle)以致形成用於該第一密封(14)的平滑過渡。
根據請求項1的乾式真空泵(1)，其中該第二半殼(4)具有至少一介接表面(18)，其從該半殼(3、4)開啟而面對該第一半殼(3)的介接表面(17)，該介接表面(18)造形成圓弧以致形成用於該第一密封(14)的平滑過渡。
根據請求項2的乾式真空泵(1)，其中造形成圓弧之該介接表面(18)的曲率半徑(R2)大於或等於2毫米。
根據請求項2或3的乾式真空泵(1)，其中造形成圓弧之該介接表面(18)的曲率半徑(R2)小於或等於5毫米。
根據請求項1至3中任一項的乾式真空泵(1)，其中該半殼(3、4)具有至少一個別的半凹陷(13)，其造形成以致與末端件(5、6)的鼻部(12)偕同運作，該至少一介接表面(17、18)則開放至該半凹陷(13)中。
根據請求項2或3的乾式真空泵(1)，其中造形成圓弧的二介接表面(18)藉由與該第二半殼(4)之半凹陷(13)的機械加工連續的輪廓銑削而實現。
根據請求項5的乾式真空泵(1)，其中造形成圓弧的二介接表面(18)藉由與該第二半殼(4)之半凹陷(13)的機械加工連續的輪廓銑削而實現。
根據請求項1至3中任一項的乾式真空泵(1)，其中造形成鞍形的二介接表面(17)藉由與密封溝槽(16)的機械加工連續的輪廓銑削而實現。
根據請求項1至3中任一項的乾式真空泵(1)，其中造形成鞍形的該介接表面(17)之截面的曲率半徑(R1)大於或等於2毫米。
根據請求項1至3中任一項的乾式真空泵(1)，其中造形成鞍形的該介接表面(17)之截面的曲率半徑(R1)小於或等於5毫米。
根據請求項1至3中任一項的乾式真空泵(1)，其中它具有至少一第二密封(15)，其包含： <br/>第一和第二環狀末端部(15a)，其插置在個別的末端件(5、6)和該半殼(3、4)之間，以及 <br/>二側軌(15b)，其連接該環狀末端部(15a)，該側軌(15b)插置在該半殼(3、4)之間，該第一密封(14)則配置在該第二密封(15)裡，使得該第一和至少一第二密封(14、15)形成用於氣體之至少二接續的密封阻障。
根據請求項1至3中任一項的乾式真空泵(1)，其中它具有加熱裝置(11)，其建構成加熱該定子(2)至大於150℃的溫度。
根據請求項1至3中任一項的乾式真空泵(1)，其中該定子(2)的該半殼(3、4)形成至少二泵送級(T1~T6)，其串聯安裝在該真空泵(1)的吸入孔口(7)和遞送孔口(8)之間。
一種頻率合成器系統，包含： <br/>第一壓控振盪器（VCO）電路，包含電感-電容VCO； <br/>第二VCO電路，包含環形振盪器； <br/>多工電路裝置，被組態以：回應於模式選擇信號，選擇該第一VCO電路之輸出及該第二VCO電路之輸出中的一者；以及 <br/>分頻器電路，該分頻器電路具有被耦合到該第一VCO電路之輸出的輸入，並且具有被耦合到該多工電路裝置之輸入的輸出，其中該多工電路裝置被組態以：回應於該模式選擇信號，選擇該分頻器電路之該輸出及該第二VCO電路之該輸出中的一者。
如請求項1之頻率合成器系統，其中： <br/>該第一VCO電路被包括在第一鎖相迴路（PLL）電路中；並且 <br/>該第二VCO電路被包括在第二PLL電路中。
如請求項2之頻率合成器系統，進一步包含混頻器，其中該多工電路裝置之輸出被耦合到該混頻器之輸入。
如請求項2之頻率合成器系統，其中該第一VCO電路及該第二VCO電路被包括在RF接收器本地振盪器（LO）電路中。
如請求項4之頻率合成器系統，其中該模式選擇信號之第一狀態指示該RF接收器之較低功率操作模式，並且該模式選擇信號之第二狀態指示該RF接收器之較高功率操作模式。
如請求項1之頻率合成器系統，其中該分頻器電路之該輸出包含相位彼此不同的第一複數個相位信號。
如請求項6之頻率合成器系統，其中： <br/>該第一VCO電路被包括在第一鎖相迴路（PLL）電路中；並且 <br/>該第二VCO電路被包括在第二PLL電路中。
如請求項7之頻率合成器系統，其中該環形振盪器之輸出包含相位彼此不同的第二複數個相位信號，並且該多工電路裝置被組態以：回應於該模式選擇信號，選擇該第一複數個相位信號及該第二複數個相位信號中的一者。
如請求項8之頻率合成器系統，進一步包含混頻器，其中該多工電路裝置被組態以：選擇性地將該第一複數個相位信號的全部或該第二複數個相位信號的全部耦合到該混頻器之輸入。
如請求項6之頻率合成器系統，其中該分頻器電路之該輸入包含少於該第一複數個相位信號的信號數目。
一種用於在射頻接收器中選擇頻率合成器的方法，包含： <br/>接收模式選擇信號； <br/>回應於該模式選擇信號，選擇第一壓控振盪器（VCO）電路之輸出及第二VCO電路之輸出中的一者，該第一VCO電路包含電感-電容VCO，並且該第二VCO電路包含環形振盪器；以及 <br/>對該第一VCO電路之輸出之頻率進行分頻以提供分頻輸出，其中選擇該第一VCO電路之該輸出及該第二VCO電路之該輸出中的一者包含：回應於該模式選擇信號，選擇該分頻輸出及該第二VCO電路之該輸出中的一者。
如請求項11之方法，其中選擇該第一VCO電路之該輸出及該第二VCO電路之該輸出中的一者包含：選擇第一鎖相迴路（PLL）電路之輸出及第二PLL電路之輸出中的一者。
如請求項12之方法，進一步包含：將該第一VCO電路之該輸出及該第二VCO電路之該輸出中的選中輸出耦合到混頻器之輸入。
如請求項12之方法，其中選擇該第一VCO電路之該輸出及該第二VCO電路之該輸出中的一者包含：將選中的VCO電路輸出提供在RF接收器本地振盪器（LO）電路中。
如請求項14之方法，其中選擇該第一VCO電路之該輸出及該第二VCO電路之該輸出中的一者包含：當該模式選擇信號之狀態指示該RF接收器之較高功率操作模式時，選擇該第一VCO電路之該輸出，以及當該模式選擇信號之該狀態指示該RF接收器之較低功率操作模式時，選擇該第二VCO電路之該輸出。
如請求項11之方法，其中對該第一VCO電路之該輸出之該頻率進行分頻以提供分頻輸出包含：提供相位彼此不同的第一複數個相位信號。
如請求項16之方法，其中選擇該第一VCO電路之該輸出及該第二VCO電路之該輸出中的一者包含：選擇第一鎖相迴路（PLL）電路之輸出及第二PLL電路之輸出中的一者。
如請求項17之方法，其中該環形振盪器之輸出包含相位彼此不同的第二複數個相位信號，並且選擇該第一VCO電路之該輸出及該第二VCO電路之該輸出中的一者包含：回應於該模式選擇信號，選擇該第一複數個相位信號及該第二複數個相位信號中的一者。
一種用於在射頻接收器中選擇頻率合成器的器具，包含： <br/>用於接收模式選擇信號的構件； <br/>用於回應於該模式選擇信號而選擇第一壓控振盪器（VCO）電路之輸出及第二VCO電路之輸出中的一者的構件，該第一VCO電路包含電感-電容VCO，並且該第二VCO電路包含環形振盪器；以及 <br/>用於對該第一VCO電路之輸出之頻率進行分頻並且將分頻輸出提供給用於選擇該第一VCO電路之該輸出及該第二VCO電路之該輸出中的一者的該構件之輸入的構件，其中用於選擇該第一VCO電路之該輸出及該第二VCO電路之該輸出中的一者的該構件包含：用於回應於該模式選擇信號而選擇該分頻輸出及該第二VCO電路之該輸出中的一者的構件。
如請求項19之器具，其中用於選擇該第一VCO電路之該輸出及該第二VCO電路之該輸出中的一者的該構件包含：用於選擇第一鎖相迴路（PLL）電路之輸出及第二PLL電路之輸出中的一者的構件。
如請求項20之器具，進一步包含用於將用於選擇該第一VCO電路之該輸出及該第二VCO電路之該輸出中的一者的該構件之輸出耦合到混頻器之輸入的構件。
如請求項20之器具，其中用於選擇該第一VCO電路之該輸出及該第二VCO電路之該輸出中的一者的該構件包含：用於將選中的VCO電路輸出提供在RF接收器本地振盪器（LO）電路中的構件。
如請求項19之器具，其中用於分頻及提供的該構件包含：用於提供相位彼此不同的第一複數個相位信號的構件。
如請求項23之器具，其中用於選擇該第一VCO電路之該輸出及該第二VCO電路之該輸出中的一者的該構件包含：用於選擇第一鎖相迴路（PLL）電路之輸出及第二PLL電路之輸出中的一者的構件。
一種用於處理通信信號的器具，包含： <br/>混頻器，被組態以將通信信號與具有第一頻率的本地振盪器信號混頻；以及 <br/>本地振盪器，包含： <br/>第一壓控振盪器（VCO）電路，被組態以輸出在該第一頻率的第一信號， <br/>第二VCO電路，被組態以輸出在第二頻率的第二信號，該第二頻率高於該第一頻率， <br/>分頻器電路，被組態以：接收在該第二頻率的該第二信號，並且輸出在該第一頻率的第三信號，以及 <br/>多工電路裝置，被組態以：回應於模式選擇信號，選擇性地將該第一信號或該第三信號耦合到該本地振盪器之輸出。
如請求項25之器具，其中： <br/>該第一VCO電路被包括在第一鎖相迴路（PLL）電路中；並且 <br/>該第二VCO電路被包括在第二PLL電路中。
如請求項25之器具，進一步包含被耦合在該多工電路裝置之輸出和該本地振盪器之該輸出之間的工作週期生成器，該工作週期生成器被組態以：基於該第一信號或該第三信號，提供該本地振盪器信號。
如請求項25之器具，其中該混頻器及該本地振盪器被包括在射頻（RF）接收器中，其中該模式選擇信號之第一狀態指示該RF接收器之較低功率操作模式，並且該模式選擇信號之第二狀態指示該RF接收器之較高功率操作模式。
如請求項28之器具，其中該多工電路裝置被組態以：回應於該選擇信號處於該第一狀態，將該第一信號耦合到該本地振盪器之該輸出，並且其中該多工電路裝置被組態以：回應於該選擇信號處於該第二狀態，將該第三信號耦合到該本地振盪器之該輸出。
一種燃料氣化設備，其使液化燃料氣化，其特徵在於包括： <br/>開架式氣化器，藉由使海水沿著供給所述液化燃料的多個導熱管的外表面流動，使所述液化燃料氣化； <br/>海水供給線，用於將冷凝器中作為冷媒使用後的海水供向所述開架式氣化器，所述冷凝器用於將自用以驅動發電機的蒸汽渦輪機排出的蒸汽冷卻； <br/>冷海水供給線，將冷海水供向利用所述冷海水的冷熱的冷熱利用設備，所述冷海水於所述開架式氣化器中用於所述液化燃料的氣化，因與所述液化燃料的熱交換而溫度降低； <br/>循環線，用於將自所述開架式氣化器排出的所述冷海水的一部分再次供給至所述開架式氣化器，以使所述冷海水的溫度降低至預先設定的溫度； <br/>冷海水凹坑，所述冷海水凹坑承收自所述開架式氣化器排出的冷海水，所述冷海水供給線向所述冷熱利用設備供給所述冷海水凹坑內的冷海水，所述循環線將所述冷海水凹坑內的冷海水再次供給至所述開架式氣化器；以及 <br/>海水供給凹坑，所述海水供給凹坑以如下方式構成：介設於所述海水供給線，供流過所述海水供給線的海水流入，並且隔著間隔壁與所述冷海水凹坑鄰接設置，承收自所述間隔壁的上端溢出的所述冷海水；作為冷海水自所述冷海水凹坑流入所述海水供給凹坑的區域的所述間隔壁的上端面構成所述循環線，且藉由增減所述海水流入所述海水供給凹坑的流量，而增減自所述冷海水凹坑起經由所述海水供給凹坑而再次供給至所述開架式氣化器的冷海水的流量，對所述冷海水的溫度進行調節。
如請求項1所述的燃料氣化設備，其中所述冷熱利用設備是利用所述冷海水的冷熱進行魚貝類的養殖用水的溫度調節的養殖槽、或者利用所述冷熱對植物的成長環境、成長土壤或培養水的至少一者進行溫度調節的植物工場。
如請求項1所述的燃料氣化設備，其中所述液化燃料為液化天然氣或液化氫。
如請求項1所述的燃料氣化設備，其中所述開架式氣化器包括接收槽部，所述接收槽部接收沿著所述導熱管的外表面流動後的海水，所述冷海水供給線將所述接收槽部內的冷海水供向所述冷熱利用設備，所述循環線將所述接收槽部內的冷海水再次供給至所述開架式氣化器。
如請求項1所述的燃料氣化設備，包括未冷卻海水供給線，所述未冷卻海水供給線將所述冷凝器中用作冷媒、未經所述開架式氣化器冷卻的海水供向所述冷熱利用設備。
如請求項1所述的燃料氣化設備，其中所述蒸汽渦輪機由驅動發電機的氣體渦輪機的排熱鍋爐中所產生的蒸汽所驅動。
如請求項6所述的燃料氣化設備，包括燃料氣體供給線，所述燃料氣體供給線將所述開架式氣化器中氣化所獲得的氣體供向所述氣體渦輪機。
一種燃料氣化設備，其使液化燃料氣化，其特徵在於包括： <br/>開架式氣化器，藉由使海水沿著供給所述液化燃料的多個導熱管的外表面流動，使所述液化燃料氣化； <br/>海水供給線，用於將冷凝器中作為冷媒使用後的海水供向所述開架式氣化器，所述冷凝器用於將自用以驅動發電機的蒸汽渦輪機排出的蒸汽冷卻； <br/>冷海水供給線，將冷海水供向利用所述冷海水的冷熱的冷熱利用設備，所述冷海水於所述開架式氣化器中用於所述液化燃料的氣化，因與所述液化燃料的熱交換而溫度降低； <br/>循環線，用於將自所述開架式氣化器排出的冷海水的一部分再次供給至所述開架式氣化器，以使所述冷海水的溫度降低至預先設定的溫度；以及 <br/>冷海水凹坑，所述冷海水凹坑承收自所述開架式氣化器排出的冷海水，所述冷海水供給線向所述冷熱利用設備供給所述冷海水凹坑內的冷海水，所述循環線將所述冷海水凹坑內的冷海水再次供給至所述開架式氣化器，且所述冷海水在由所述冷海水供給線供給至所述冷熱利用設備之前，一部分重新供應至所述開架式氣化器。
一種切割裝置（1），其包含： <br/>- 饋送構件，其用於饋送容器帽（2）； <br/>- 切割構件（3），其用於在由該饋送構件饋送之每一容器帽（2）上製作一保證帶； <br/>- 一控制單元，其具有用於偵測每一容器帽（2）之一定向的感測器構件（13）、用於使每一容器帽（2）之一定向變化的致動器構件（10）及經組態以基於對該感測器構件（13）之一偵測來控制該致動器構件（10）的控制構件； <br/>其中該饋送構件包含至少一個饋送單元（4），該至少一個饋送單元可沿著配置該切割構件（3）之一路徑移動，該至少一個饋送單元（4）經組態以饋送至少一個容器帽（2）且包含可圍繞一心軸旋轉軸旋轉之一心軸（6），該心軸（6）經組態以在該等容器帽在該切割構件（3）上滾動時與該等容器帽（2）接合； <br/>其特徵在於，該控制單元經組態以便在該等容器帽到達該切割構件（3）之前使每一容器帽（2）之該定向變化，以使得該等容器帽（2）以相對於該切割構件（3）之一所要方向到達該切割構件； <br/>且其中該饋送構件包含馬達構件（7），該馬達構件經組態以當該心軸（6）在該等容器帽在該切割構件（3）上滾動的同時與該等容器帽（2）接合時使該心軸旋轉軸旋轉。
如請求項1之裝置，其中該心軸（6）經組態以與該等容器帽（2）之面朝上之一內表面接合。
如請求項1或2之裝置，其中該饋送構件包含一迴轉料架（5），該迴轉料架可圍繞一迴轉料架旋轉軸旋轉且經配置以支撐該至少一個饋送單元（4），該裝置包含運動傳動構件（8），該運動傳動構件經組態以使得該馬達構件（7）之一旋轉軸之一旋轉引起該心軸旋轉軸之一旋轉。
如請求項3之裝置，其中該運動傳動構件（8）包含一或多個撓性構件及/或一或多個齒輪，該一或多個撓性構件及/或一或多個齒輪經配置以將該馬達構件（7）之該旋轉軸及該心軸旋轉軸連接在一起。
如請求項1之裝置，其中該饋送構件包含至少一個饋送單元（4），該饋送單元經組態以饋送至少一個容器帽（2），該至少一個饋送單元（4）包含可圍繞一支撐件旋轉軸旋轉的一支撐件（9），該支撐件（9）經組態以接合該等容器帽（2）且接收來自該致動器構件（10）之一旋轉運動以在該等容器帽（2）到達該切割構件（3）之前使該等容器帽（2）相對於該支撐件旋轉軸之一定向變化，以使得該等容器帽（2）以相對於該切割構件（3）的一所要定向與該切割構件相交。
如請求項5之裝置，其中該支撐件（9）經組態以用吸力固持構件接合該等容器帽（2）；該支撐件（9）經組態以接合該等容器帽之面朝下之一外表面。
如請求項5或6之裝置，其中該至少一個饋送單元（4）包含可圍繞一心軸旋轉軸旋轉的一心軸（6），該支撐件（9）能夠在兩個方向上相對於該心軸（6）執行一軸向運動以便接近及移動遠離該心軸（6）；特定而言，該支撐件（9）之該軸向運動藉由凸輪構件導引。
如請求項1之裝置，其中該饋送構件包含兩個或多於兩個饋送單元（4），該等饋送單元中之每一者經組態以饋送至少一個容器帽（2），該兩個或多於兩個饋送單元（4）可沿著一閉環路徑移動。
如請求項1之裝置，其中該饋送構件包含一迴轉料架（5），該迴轉料架可圍繞一迴轉料架旋轉軸旋轉，該迴轉料架（5）經配置以支撐兩個或多於兩個饋送單元（4），該等饋送單元中之每一者經組態以將至少一個容器帽（2）饋送至該切割構件（3），該兩個或多於兩個饋送單元（4）中之每一者包含一心軸（6），該心軸可圍繞一心軸旋轉軸旋轉，該心軸（6）經組態以在該等容器帽在該切割構件（3）上滾動的同時與該等容器帽（2）接合，該心軸（6）經組態以與該等容器帽（2）之面朝上之一內表面接合，該致動器構件（10）對於該兩個或多於兩個饋送單元（4）中之每一者包含由該迴轉料架（5）承載之至少一個馬達，該兩個或多於兩個饋送單元（4）中之每一者包含可圍繞一支撐件旋轉軸旋轉之一支撐件（9），該支撐件（9）經組態以接合該等容器帽（2）及接收來自各別該馬達之一旋轉運動以在該等容器帽（2）到達該切割構件（3）之前使該等容器帽（2）相對於該支撐件旋轉軸之一定向變化，以使得該等容器帽以相對於該切割構件（3）之一所要定向與該切割構件相交，該支撐件（9）經組態以接合該等容器帽（2）之面朝下之一外表面。
如請求項9之裝置，其包含運動傳動構件（8），該運動傳動構件經組態以使得在該等容器帽（2）在該切割構件（3）上滾動的同時，馬達構件（7）之一旋轉軸之一旋轉引起該心軸旋轉軸之一旋轉，該支撐件（9）經組態以使得在該等容器帽（2）在該切割構件（3）上滾動的同時，該支撐件旋轉軸係固定的或可以一空轉方式旋轉。
如請求項9之裝置，其中該兩個或多於兩個饋送單元（4）中之每一者經組態以使得在該等容器帽（2）在該切割構件（3）上滾動的同時，各別該馬達驅動該支撐件旋轉支撐軸，而該心軸旋轉軸可以一空轉方式旋轉。
如請求項1之裝置，其中該感測器構件（13）包含光學構件及/或其中該致動器構件（10）包含至少一個馬達，該至少一個馬達與該等容器帽（2）一起由該饋送構件沿著一路徑驅動，及/或其中該控制構件包含可程式化電子構件及在該可程式化電子構件上實施之電腦指令。
一種切割方法，該切割方法包含以下步驟： <br/>- 將一容器帽（2）置放在一支撐件（9）上； <br/>- 藉由致動器構件（10）使該支撐件（9）圍繞一支撐件旋轉軸旋轉以使該容器帽自身旋轉； <br/>- 藉由與該致動器構件（10）不同的馬達構件（7）來使一心軸（6）圍繞一心軸旋轉軸旋轉； <br/>- 使該支撐件（9）及該心軸（6）靠得更近，以使得該容器帽（2）接合在該支撐件（9）與該心軸（6）之間； <br/>- 致動該致動器構件（10）及該馬達構件（7），以使得當該容器帽（2）開始接合在該支撐件（9）與該心軸（6）之間時，該容器帽（2）具有圍繞該支撐件旋轉軸之一旋轉速度，該旋轉速度等於該心軸（6）圍繞該心軸旋轉軸之旋轉速度； <br/>- 使該容器帽（2）與切割構件（3）滾動接觸以在該容器帽（2）上形成一保證帶。
如請求項13之方法，其包含將該支撐件（9）之至少一部分與該致動器構件（10）解耦的步驟。
如請求項14之方法，其中該將該支撐件（9）與該致動器構件（10）解耦的步驟在該容器帽（2）接合在該支撐件（9）與該心軸（6）之間之後發生。
如請求項14或15之方法，其中該將該支撐件（9）與該致動器構件（10）解耦的步驟在該容器帽（2）與該切割構件（3）滾動接觸之前發生。
如請求項13之方法，其包含藉由感測器構件（13）讀取該容器帽（2）之一角位置的一初始步驟及處理來自該感測器構件（13）之一信號以判定該容器帽（2）適合於在開始一切割操作的時刻獲得相對於該切割構件（3）之一所要定向的一所要旋轉的一後續步驟。
如請求項13之方法，其包含在該支撐件（9）與該心軸（6）之間相互接近的一步驟，其中在相互接近的該步驟期間，該容器帽（2）由該支撐件（9）承載，該支撐件校正該容器帽（2）相對於一參考定向的一角定向以獲得相對於該切割構件（3）之一所要定向。
如請求項18之方法，其中當該容器帽（2）與該心軸（6）接觸時終止該校正，藉此該心軸將該容器帽（2）輸送至該切割構件（3）而無需執行進一步的定向校正動作。
如請求項13之方法，其中該致動器構件（10）重複地執行一操作循環，在藉由感測器構件（13）讀取一容器帽（2）之一角位置的一初步步驟之後，該操作循環包括：該支撐件（9）之角加速度的至少一初始步驟，在此期間該致動器構件（10）將一旋轉運動傳動至該支撐件（9）以使該支撐件（9）以該心軸（6）之相同角速度旋轉；處於恆定角速度之至少一中間步驟，在此期間該致動器構件（10）自該支撐件（9）釋放，以使得該致動器構件（10）不再將一旋轉運動傳動至該支撐件（9）且該容器帽（2）藉由該心軸（6）旋轉；以及至少一最終減速度階段。
如請求項20之方法，其包含校正該容器帽（2）相對於一參考定向之一角定向以獲得相對於該切割構件（3）之一所要定向的一步驟，該校正步驟在該加速度階段期間執行。
一種切割裝置，該裝置包含：用於饋送容器帽（2）的饋送構件及用於在由該饋送構件饋送之每一容器帽（2）上製作一保證帶的切割構件（3），其中該饋送構件包含至少一個饋送單元（4），該至少一個饋送單元可沿著配置該切割構件（3）之一路徑移動，該至少一個饋送單元（4）經組態以饋送至少一個容器帽（2）且包含可圍繞一支撐件旋轉軸旋轉之一支撐件（9）及可圍繞一心軸旋轉軸旋轉之一心軸（6），該支撐件（9）及該心軸（6）經組態以使得該容器帽（2）首先與該支撐件（9）接合且隨後接合在該支撐件（9）與該心軸（6）之間，該心軸經組態以在該容器帽在該切割構件（3）上旋轉的同時接合該容器帽（2），其中該裝置包含：用於使該支撐件（9）圍繞該支撐件旋轉軸旋轉的致動器構件（10）、與用於使該心軸（6）圍繞該心軸旋轉軸旋轉的該致動器構件（10）不同的馬達構件（7），以及控制構件，該控制構件經組態以致動該致動器構件（10）及該馬達構件（7），以使得當該容器帽（2）接合在該支撐件（9）與該心軸（6）之間時，該支撐件（9）圍繞該支撐件旋轉軸之旋轉速度等於該心軸（6）圍繞該心軸旋轉軸之旋轉速度。
如請求項22之裝置，其包含解耦構件（23；25），該解耦構件經組態以將該支撐件（9）之一第一部分（24）與該支撐件（9）之一第二部分（26）解耦，該第二部分（26）承載該容器帽（2）且該第一部分（24）連接至該致動器構件（10），以中斷自該致動器構件（10）至該第二部分（26）之運動傳動，在該容器帽（2）接合在該支撐件（9）與該心軸（6）之間之後及/或在該容器帽（2）與該切割構件（3）滾動接觸之前。
如請求項23之裝置，其中該解耦構件包含至少一個栓槽聯軸器（23）。
如請求項23或24之裝置，其中該解耦構件包含至少一個具有磁體（25）之器件。
如請求項22之裝置，其中該控制構件經組態以基於對該感測器構件（13）之一偵測來控制該致動器構件（10）以使每一容器帽（2）之定向變化，以使得該容器帽（2）以相對於該切割構件（3）之一所要定向到達該切割構件（3）。
如請求項22之裝置，其中該饋送構件包含一迴轉料架（5），該迴轉料架可圍繞一迴轉料架旋轉軸旋轉且經配置以支撐該至少一個饋送單元（4），該馬達構件（7）經組態以使該迴轉料架（5）圍繞該迴轉料架旋轉軸旋轉，該裝置包含具有一或多個齒輪（22）之運動傳動構件（8），該一或多個齒輪經組態以將該迴轉料架旋轉軸與該心軸旋轉軸連接。
如請求項22之裝置，其中該支撐件（9）經組態以用吸力固持構件接合該容器帽（2）。
一種提供用於雷射蒸發系統(100)的反應腔體(10)的方法，該反應腔體(10)包括至少一個具有內表面(22)面向該雷射蒸發系統(100)的反應體積(12)的壁面(20)，該方法包括以下步驟：a)使用該至少一個壁面(20)組裝該反應腔體(10)，以及b)處理該至少一個壁面(20)以增強該內表面(22)的色散反射率和/或增強該內表面(22)的吸收能力，其中，在該步驟b)中對該至少一個壁面(20)的處理包括提高該內表面(22)的粗糙度(30)，其中，提高該內表面(22)的粗糙度(30)包括對該內表面(22)進行噴珠處理，以及其中，該噴珠處理係使用尺寸在90μm和150μm之間的剛玉Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>珠。
如請求項1所述的方法，其中，在該步驟a)之前和/或同時至少部分進行該步驟b)。
如請求項1或2所述的方法，其中，在該步驟b)中對該至少一個壁面(20)的處理包含在該內表面(22)上塗上吸收層(40)。
如請求項3所述的方法，其中，該吸收層(40)係由該至少一個壁面(20)之材料與反應性流體之材料的反應產物所形成者。
如請求項4所述的方法，其中，該反應性流體含有氧氣且該吸收層(40)係該至少一個壁面(20)之材料的氧化物。
如請求項5所述的方法，其中，該反應性流體包括分子氧(O<sub>2</sub>)和/或氧等離子體和/或臭氧(O<sub>3</sub>)。
如請求項6所述的方法，其中，該反應性流體由分子氧(O<sub>2</sub>)和/或氧等離子體和/或臭氧(O<sub>3</sub>)組成。
如請求項6所述的方法，其中，該反應性流體包括體積比為9：1的分子氧(O<sub>2</sub>)和臭氧(O<sub>3</sub>)。
如請求項4所述的方法，其中，該內表面(22)的塗佈是在該步驟a)之後進行，並且包含用該反應性流體填充該反應體積(12)。
如請求項9所述的方法，其中，該反應體積(12)係完全以該反應性流體填充，尤其是以氣體反應性流體填充。
如請求項9所述的方法，其中，該反應體積(12)係部分地(尤其是低於50%，較佳地低於10%)填充該反應性流體(尤其是液態的反應性流體)，且較佳地其中，該內表面(22)的該塗佈包含移動該反應腔體(10)以用該反應性流體浸泡整個該內表面(22)。
如請求項9所述的方法，其中，在該反應體積(12)為充滿反應性流體下，一靶材材料係藉由雷射加熱，尤其是為藉由該雷射蒸發系統(100)的雷射加熱。
如請求項1所述的方法，其中，在該步驟a)中提供該反應腔體(10)，包含為反應壁選擇一種包括導熱率>50Wm<sup>-1</sup>K<sup>-1</sup>(較佳地>200Wm<sup>-1</sup>K<sup>-1</sup>)的材料。
如請求項13所述的方法，其中，在該步驟a)中選擇鋁或鋁合金(尤其是鋁合金60826或6082T6或ENAW-5083)作為該至少一個壁面(20)的材料。
如請求項13或14所述的方法，其中，該至少一個壁面(20)的選擇至少包括部分厚度>1cm，較佳地厚度>4cm。
如請求項15所述的方法，其中，該至少一個壁面(20)的選擇係連續厚度>1cm，較佳地連續厚度>4cm。
如請求項1所述的方法，其中，該反應腔體(10)設有冷卻裝置(50)，其用於對該至少一個壁面(20)進行主動冷卻。
如請求項17所述的方法，其中，在該反應腔體(10)的組裝過程中，該冷卻裝置(50)係於該步驟a)之前和/或在該步驟a)中提供。
如請求項17或18所述的方法，其中，在該步驟b)中提供該冷卻裝置(50)作為對該至少一個壁面(20)的處理，以增強該內表面(22)的吸收能力。
如請求項17或18所述的方法，其中，該冷卻裝置(50)包括使用液體和/或氣體冷卻劑(54)的冷卻管道(52)。
如請求項20所述的方法，其中，該冷卻管道(52)係適用於將水作為該冷卻劑(54)。
如請求項20所述的方法，其中，該冷卻管道(52)係配置在該反應腔體(10)的該至少一個壁面(20)之內。
如請求項17或18所述的方法，其中，在該雷射蒸發系統(100)的操作過程中，於該至少一個壁面(20)之該內表面(22)的預計雷射輻射會衝擊到之位置處配置該冷卻裝置(50)。
一種用於雷射蒸發系統(100)的反應腔體(10)，該反應腔體(10)包括：至少一個具有內表面(22)的壁面(20)，其包圍著一反應體積(12)，其中，該反應腔體(10)係藉由應用如請求項1至23中任一項所述的方法所提供者。
如請求項24所述的反應腔體(10)，其中，該反應腔體(10)包括如請求項1至23中任一項所述的方法的步驟b)中處理的兩個或多個壁面(20)，尤其是其中，該反應腔體(10)係至少基本上由如請求項1至23中任一項所述的方法的步驟b)中處理的壁面(20)組成。
一種用於雷射蒸發系統(100)的反應腔體(10)(可選擇使用如請求項1至23中任一項所述的方法獲得)，該反應腔體(10)包括：至少一個具有內表面(22)的壁面(20)，其包圍著一反應體積(12)，該至少一個壁面(20)係由鋁、鋁合金、鋁合金60826、鋁合金6082T6和鋁合金ENAW-5083中的一種形成，該內表面(22)具有選自1μm至500μm範圍內的平均表面粗糙度(30)和/或內表面(22)塗佈有氧化層(尤其是包括Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>，較佳地由Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>組成)，該氧化層的厚度選自10nm至10μm的範圍。
一種雷射蒸發系統(100)，其包括如請求項24至26中任一項所構造的反應腔體(10)。
一種形成一磷矽酸鹽玻璃層之方法，該方法包含下列步驟：<br/> 在一反應室內提供一基板；<br/> 使用一循環製程形成覆蓋該基板的一含矽層；以及 <br/> 沉積覆蓋該基板的一含磷層，<br/> 其中形成該含矽層之該循環製程包含將一矽前驅物流動至該反應室及將該矽前驅物暴露於一惰性氣體電漿，且該矽前驅物流動至該反應室的步驟及將該矽前驅物暴露於一惰性氣體電漿的步驟不重疊，<br/> 其中沉積該含磷層的步驟包含將一含磷前驅物流動至該反應室，<br/> 其中形成該含矽層及沉積該含磷層的步驟係用以形成一沉積的磷矽酸鹽玻璃層，以及<br/> 其中沉積的該含磷層包含P<sub>2</sub>O<sub>3</sub>。
如請求項1所述之方法，其中在沉積該含磷層的步驟的期間，一額外氧化劑不流動至該反應室。
如請求項1所述之方法，其中重複形成該含矽層及沉積該含磷層的步驟，以形成該沉積的磷矽酸鹽玻璃層。
如請求項1所述之方法，其中形成該含矽層的步驟包含CVD、ALD、PECVD、PEALD中之一或多者。
如請求項1所述之方法，其中該矽前驅物選自BDEAS、DIPAS所組成的群組。
如請求項1所述之方法，其中在形成該含矽層的步驟的期間，一額外氧化劑不流動至該反應室。
如請求項1至6中任一項所述之方法，其中沉積該含磷層的步驟進一步包含將該含磷前驅物暴露於一惰性氣體電漿。
如請求項7所述之方法，其中將該含磷前驅物流動至該反應室的步驟及將該含磷前驅物暴露於該惰性氣體電漿的步驟不重疊。
如請求項1至6中任一項所述之方法，其中將該含磷前驅物流動至該反應室的步驟包含將TMPI、TEPO、TMPO中之一或多者流動至該反應室。
如請求項1至6中任一項所述之方法，其中沉積該含磷層的步驟包含CVD、ALD、PEALD、PECVD中之一或多者。
如請求項7所述之方法，其中該惰性氣體電漿係使用選自氬氣、氦氣、氮氣之一或多者的一惰性氣體而形成。
如請求項11所述之方法，其中在形成該含矽層及沉積該含磷層的步驟的期間，連續提供該惰性氣體至該反應室。
如請求項1至6中任一項所述之方法，其中沉積的該含磷層的一熔化溫度係小於500°C。
如請求項1至6中任一項所述之方法，其進一步包含在一非氧化環境中加熱該基板的步驟，以使該沉積的磷矽酸鹽玻璃層流動以形成一流動的磷矽酸鹽玻璃層。
如請求項14所述之方法，其中加熱步驟的期間的一溫度係小於或等於500°C。
如請求項14所述之方法，其進一步包含氧化該流動的磷矽酸鹽玻璃層的步驟。
一種形成一磷矽酸鹽玻璃層之方法，該方法包含下列步驟：<br/> 在一反應室內提供一基板；<br/> 使用一循環製程形成覆蓋該基板的一含矽層；以及<br/> 沉積覆蓋該基板的一含磷層，<br/> 其中形成該含矽層之該循環製程包含將一矽前驅物流動至該反應室及將該矽前驅物暴露於一惰性氣體電漿，且該矽前驅物流動至該反應室的步驟及將該矽前驅物暴露於一惰性氣體電漿的步驟不重疊，<br/> 其中形成該含矽層及沉積該含磷層的步驟係用以形成一沉積的磷矽酸鹽玻璃層，以及<br/> 其中沉積的該含磷層的一熔化溫度係小於或等於500°C。
一種如請求項1至17中任一項所述之方法形成的包括一磷矽酸鹽玻璃層的結構。
一種形成一磷矽酸鹽玻璃層的系統，其包含：<br/> 一反應室；<br/> 一氣體注入系統，其流體耦接至該反應室；<br/> 一第一氣體源，其用於引入一含矽前驅物及可選的一載體氣體至該反應室；<br/> 一第二氣體源，其用於引入一含磷前驅物及可選的一載體氣體至該反應室；<br/> 一惰性氣體源，用於引入一惰性氣體至該反應室；<br/> 一電漿電源，用於形成一惰性氣體電漿；<br/> 一排氣源；以及<br/> 一控制器，其中該控制器係配置以控制進入該氣體注入系統的氣體流量，並用於使該系統執行如請求項1至17中任一項所述之方法。
一種光學透鏡組，由一第一側至一第二側沿一光軸依序包含一第一透鏡、一第二透鏡、一第三透鏡、一第四透鏡、一第五透鏡及一第六透鏡，該第一側為一出光側，該第二側為一入光側，該光學透鏡組用於投影，多個成像光線經由該第二側依序通過該第六透鏡、該第五透鏡、該第四透鏡、該第三透鏡、該第二透鏡及該第一透鏡後，於該第一側產生該些成像光線射出，該第一透鏡至該第六透鏡各自包括一朝向該第一側且使該些成像光線通過的第一側面及一朝向該第二側且使該些成像光線通過的第二側面，且該光學透鏡組的透鏡只有該第一透鏡、該第二透鏡、該第三透鏡、該第四透鏡、該第五透鏡及該第六透鏡，其中<br/> 該第一透鏡具有負屈光率；<br/> 該第四透鏡的該第二側面的一圓周區域為凸面；<br/> 該第五透鏡的該第二側面的一光軸區域為凸面；<br/> 該光學透鏡組滿足以下的條件式：TL/BFL≧8.500，其中TL為該第一透鏡的該第一側面到該第六透鏡的該第二側面在該光軸上的距離，BFL為該第六透鏡的該第二側面到一參考面在該光軸上的距離，且該參考面為一發光面。
一種光學透鏡組，由一第一側至一第二側沿一光軸依序包含一第一透鏡、一第二透鏡、一第三透鏡、一第四透鏡、一第五透鏡及一第六透鏡，該第一側為一出光側，該第二側為一入光側，該光學透鏡組用於投影，多個成像光線經由該第二側依序通過該第六透鏡、該第五透鏡、該第四透鏡、該第三透鏡、該第二透鏡及該第一透鏡後，於該第一側產生該些成像光線射出，該第一透鏡至該第六透鏡各自包括一朝向該第一側且使該些成像光線通過的第一側面及一朝向該第二側且使該些成像光線通過的第二側面，且該光學透鏡組的透鏡只有該第一透鏡、該第二透鏡、該第三透鏡、該第四透鏡、該第五透鏡及該第六透鏡，其中<br/> 該第三透鏡的該第一側面的一光軸區域為凹面；<br/> 該第四透鏡的該第二側面的一圓周區域為凸面；<br/> 該第五透鏡的該第二側面的一光軸區域為凸面；<br/> 該光學透鏡組滿足以下的條件式：TL/BFL≧8.500，其中TL為該第一透鏡的該第一側面到該第六透鏡的該第二側面在該光軸上的距離，BFL為該第六透鏡的該第二側面到一參考面在該光軸上的距離，且該參考面為一發光面。
如請求項1及請求項2中任一項所述的光學透鏡組，其中該光學透鏡組更滿足以下的條件式：<br/> (EFL+AAG)/(T3+T5)≦3.500，其中EFL為該光學透鏡組的有效焦距，AAG為該第一透鏡到該第六透鏡在該光軸上的五個空氣間隙的總和，T3為該第三透鏡在該光軸上的厚度，且T5為該第五透鏡在該光軸上的厚度。
一種光學透鏡組，由一第一側至一第二側沿一光軸依序包含一第一透鏡、一第二透鏡、一第三透鏡、一第四透鏡、一第五透鏡及一第六透鏡，該第一側為一出光側，該第二側為一入光側，該光學透鏡組用於投影，多個成像光線經由該第二側依序通過該第六透鏡、該第五透鏡、該第四透鏡、該第三透鏡、該第二透鏡及該第一透鏡後，於該第一側產生該些成像光線射出，該第一透鏡至該第六透鏡各自包括一朝向該第一側且使該些成像光線通過的第一側面及一朝向該第二側且使該些成像光線通過的第二側面，且該光學透鏡組的透鏡只有該第一透鏡、該第二透鏡、該第三透鏡、該第四透鏡、該第五透鏡及該第六透鏡，其中<br/> 該第一透鏡具有負屈光率；<br/> 該第四透鏡的該第二側面的一圓周區域為凸面；<br/> 該第五透鏡的該第二側面的一光軸區域為凸面；<br/> 該光學透鏡組滿足以下的條件式：EFL/BFL≧3.800，其中EFL為該光學透鏡組的有效焦距，BFL為該第六透鏡的該第二側面到一參考面在該光軸上的距離，且該參考面為一發光面。
一種光學透鏡組，由一第一側至一第二側沿一光軸依序包含一第一透鏡、一第二透鏡、一第三透鏡、一第四透鏡、一第五透鏡及一第六透鏡，該第一側為一出光側，該第二側為一入光側，該光學透鏡組用於投影，多個成像光線經由該第二側依序通過該第六透鏡、該第五透鏡、該第四透鏡、該第三透鏡、該第二透鏡及該第一透鏡後，於該第一側產生該些成像光線射出，該第一透鏡至該第六透鏡各自包括一朝向該第一側且使該些成像光線通過的第一側面及一朝向該第二側且使該些成像光線通過的第二側面，且該光學透鏡組的透鏡只有該第一透鏡、該第二透鏡、該第三透鏡、該第四透鏡、該第五透鏡及該第六透鏡，其中<br/> 該第三透鏡的該第一側面的一光軸區域為凹面；<br/> 該第四透鏡的該第二側面的一圓周區域為凸面；<br/> 該第五透鏡的該第二側面的一光軸區域為凸面；<br/> 該光學透鏡組滿足以下的條件式：EFL/BFL≧3.800，其中EFL為該光學透鏡組的有效焦距，BFL為該第六透鏡的該第二側面到一參考面在該光軸上的距離，且該參考面為一發光面。
如請求項1至請求項2及請求項4至請求項5中任一項所述的光學透鏡組，其中該光學透鏡組更滿足以下的條件式：<br/> ALT/(AAG+BFL)≧2.000，其中ALT為該第一透鏡到該第六透鏡在該光軸上的六個透鏡厚度的總和，且AAG為該第一透鏡到該第六透鏡在該光軸上的五個空氣間隙的總和。
如請求項1至請求項2及請求項4至請求項5中任一項所述的光學透鏡組，其中該光學透鏡組更滿足以下的條件式：<br/> TTL/(G12+G23+G34)≧13.500，其中TTL為該第一透鏡的該第一側面到該參考面在該光軸上的距離，G12為該第一透鏡與該第二透鏡在該光軸上的空氣間隙，G23為該第二透鏡與該第三透鏡在該光軸上的空氣間隙，且G34為該第三透鏡與該第四透鏡在該光軸上的空氣間隙。
如請求項1至請求項2及請求項4至請求項5中任一項所述的光學透鏡組，其中該光學透鏡組更滿足以下的條件式：<br/> TTL/(T5+G56+T6)≦3.000，其中TTL為該第一透鏡的該第一側面到該參考面在該光軸上的距離，T5為該第五透鏡在該光軸上的厚度，G56為該第五透鏡與該第六透鏡在該光軸上的空氣間隙，且T6為該第六透鏡在該光軸上的厚度。
如請求項1至請求項2及請求項4至請求項5中任一項所述的光學透鏡組，其中該光學透鏡組更滿足以下的條件式：<br/> TTL/AAG≧4.800，其中TTL為該第一透鏡的該第一側面到該參考面在該光軸上的距離，且AAG為該第一透鏡到該第六透鏡在該光軸上的五個空氣間隙的總和。
如請求項4至請求項5中任一項所述的光學透鏡組，其中該光學透鏡組更滿足以下的條件式：<br/> TL/(T2+G23)≧8.200，其中TL為該第一透鏡的該第一側面到該第六透鏡的該第二側面在該光軸上的距離，T2為該第二透鏡在該光軸上的厚度，且G23為該第二透鏡與該第三透鏡在該光軸上的空氣間隙。
如請求項1至請求項2及請求項4至請求項5中任一項所述的光學透鏡組，其中該光學透鏡組更滿足以下的條件式：<br/> ALT/AAG≧3.300，其中ALT為該第一透鏡到該第六透鏡在該光軸上的六個透鏡厚度的總和，且AAG為該第一透鏡到該第六透鏡在該光軸上的五個空氣間隙的總和。
如請求項1至請求項2及請求項4至請求項5中任一項所述的光學透鏡組，其中該光學透鏡組更滿足以下的條件式：<br/> (T2+T3+T4)/T1≧6.400，其中T2為該第二透鏡在該光軸上的厚度，T3為該第三透鏡在該光軸上的厚度，T4為該第四透鏡在該光軸上的厚度，且T1為該第一透鏡在該光軸上的厚度。
如請求項1至請求項2及請求項4至請求項5中任一項所述的光學透鏡組，其中該光學透鏡組更滿足以下的條件式：<br/> (T5+T6)/T1≧4.700，其中T5為該第五透鏡在該光軸上的厚度，T6為該第六透鏡在該光軸上的厚度，且T1為該第一透鏡在該光軸上的厚度。
如請求項1至請求項2及請求項4至請求項5中任一項所述的光學透鏡組，其中該光學透鏡組更滿足以下的條件式：<br/> ALT/(T3+T6)≦3.600，其中ALT為該第一透鏡到該第六透鏡在該光軸上的六個透鏡厚度的總和，T3為該第三透鏡在該光軸上的厚度，且T6為該第六透鏡在該光軸上的厚度。
如請求項1至請求項2及請求項4至請求項5中任一項所述的光學透鏡組，其中該光學透鏡組更滿足以下的條件式：<br/> AAG/(G45+G56)≦1.700，其中AAG為該第一透鏡到該第六透鏡在該光軸上的五個空氣間隙的總和，G45為該第四透鏡與該第五透鏡在該光軸上的空氣間隙，且G56為該第五透鏡與該第六透鏡在該光軸上的空氣間隙。
如請求項1至請求項2及請求項4至請求項5中任一項所述的光學透鏡組，其中該光學透鏡組更滿足以下的條件式：<br/> (T4+G45+T5)/(T1+G12)≧2.800，其中T4為該第四透鏡在該光軸上的厚度，G45為該第四透鏡與該第五透鏡在該光軸上的空氣間隙，T5為該第五透鏡在該光軸上的厚度，T1為該第一透鏡在該光軸上的厚度，且G12為該第一透鏡與該第二透鏡在該光軸上的空氣間隙。
一種用於將一層從一異質結構(H)移轉到一受體底材(3)之方法，該方法依序包括以下步驟：<br/> 提供第一材料製之一供體底材(1)及第二材料製之一載體底材(2)，<br/> 將該供體底材(1)鍵合至該載體底材(2)，<br/> 薄化該供體底材(1)以形成該異質結構(H)，該異質結構包括該載體底材(2)上之被薄化供體底材(10)，<br/> 形成該異質結構(H)更包括從該供體底材(1, 10)移除一外圍部分之一步驟，<br/> 在該被薄化供體底材(10)中形成一弱化區(12)，以界定出待移轉之一第一材料層(11)，<br/> 將該異質結構(H)鍵合至一受體底材(3)，待移轉之該第一材料層(11)此時位於該鍵合界面，<br/> 沿着該弱化區(12)分離該被薄化供體底材(10)，以將該第一材料層(11)移轉至該受體底材(3)。
如請求項1之方法，其中從該供體底材(1)移除該外圍部分之步驟，係在該供體底材(1)鍵合至該載體底材(2)之前進行。
如請求項1之方法，其中從該供體底材(1)移除該外圍部分之步驟，係在該供體底材鍵合至該載體底材之後進行。
如請求項3之方法，其中從該供體底材移除該外圍部分更包括從該載體底材(2)去除面向該供體底材(1)之外圍部分。
如請求項3或4之方法，其中從該供體底材(1)移除該外圍部分之步驟，係在該供體底材已至少部分薄化之後進行。
如請求項1之方法，其中該供體底材(1, 10)係經由一聚合物鍵合層(4)而鍵合至該載體底材(2)。
如請求項1之方法，其中從該供體底材(1)被移除之該外圍部分的寬度，距離該供體底材邊緣300至1000微米之間，優選在300至500微米之間。
如請求項1之方法，其中該供體底材(1, 10)係經由分子黏附而鍵合至該載體底材(2)。
如請求項7之方法，其中從該供體底材被移除之該外圍部分的寬度，距離該供體底材邊緣1至3毫米之間，優選在2至3毫米之間。
如請求項1之方法，其中移除該外圍部分包括：<br/> 將該供體底材(1, 10)置於可圍繞一第一軸線(X1)旋轉移動之一承載件上；<br/> 使用圍繞著平行於該第一軸線(X1)之一第二軸線(X2)旋轉之一研磨輪加工該供體底材，該研磨輪進一步被驅動成沿該第二軸線(X2)平移。
如請求項1之方法，其中移除該外圍部分包括：<br/> 將該供體底材(1, 10)置於可圍繞一第一軸線(X1)旋轉移動之一承載件上；<br/> 使用圍繞著垂直於該第一軸線(X1)之一第二軸線(Y1)旋轉之一研磨輪加工該供體底材。
如請求項1之方法，其更包括在移除該外圍部分之後拋光該供體底材(1, 10)之一步驟。
如請求項1之方法，其中該供體底材(1, 10)包括一壓電材料或一半導體材料。
如請求項1之方法，其中該被薄化供體底材(10)之厚度在10至100微米之間，優選在10至50微米之間。
如請求項1之方法，其中該載體底材(2)包括矽、玻璃、石英、藍寶石、陶瓷，及/或多晶氮化鋁。
如請求項1之方法，其中在將該異質結構(H)鍵合至該受體底材(3)之前，形成一中間層在該供體底材(1)上及/或該受體底材(3)上。
如請求項16之方法，其中該中間層包括氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氮化鋁(AlN)及/或氧化鉭(Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>)，或由至少兩種前述材料形成之層堆疊。
如請求項1之方法，其中該受體底材包括矽、玻璃、石英、藍寶石、陶瓷，及/或多晶氮化鋁。
如請求項18之方法，其中該受體底材爲包含一電荷捕捉層之一矽底材，該矽底材包括多晶矽、碳化矽、非晶矽及/或多孔矽。
如請求項1之方法，其中該載體底材(2)及該受體底材(3)包括之材料所表現之熱膨脹係數差異之絕對值小於或等於5%。
如請求項20之方法，其中該載體底材(2)及該受體底材(3)由一種相同材料形成。
如請求項1之方法，其中被移轉之該第一材料層(11)的厚度在30奈米至1.5微米之間。
一種基板支撐組件，包含：<br/> 一陶瓷底板；<br/> 一陶瓷頂板；<br/> 一黏合層，在該陶瓷頂板及該陶瓷底板之間，該陶瓷頂板與該黏合層直接接觸，且該黏合層與該陶瓷底板直接接觸；及<br/> 一金屬桿，在相對於該黏合層的該陶瓷底板的一側處耦合至該陶瓷底板，<br/> 其中該陶瓷底板在其一頂部表面中包括氣體溝槽，及/或<br/> 其中該陶瓷頂板在其一底部表面中包括氣體溝槽。
如請求項1所述之基板支撐組件，其中該陶瓷底板在其中具有加熱元件，且該陶瓷頂板在其中具有一電極。
如請求項1所述之基板支撐組件，其中該陶瓷頂板在其中具有加熱元件及一電極。
如請求項1所述之基板支撐組件，進一步包含：<br/> 一O形環，在該金屬桿及該陶瓷底板之間。
如請求項1所述之基板支撐組件，進一步包含：<br/> 一覆蓋環，在該陶瓷頂板上，該覆蓋環包含一金屬或一陶瓷材料。
如請求項1所述之基板支撐組件，其中該黏合層為一鋁箔。
如請求項6所述之基板支撐組件，其中該鋁箔包含矽，該矽具有在該鋁箔的2%-20%的範圍中的一原子濃度。
如請求項6所述之基板支撐組件，其中該鋁箔具有在50-500微米的範圍中的一厚度。
一種用於處理基板之系統，包含：<br/> 一腔室；<br/> 一電漿源，在該腔室之中或耦合至該腔室；及<br/> 一靜電卡盤，在該腔室之中，該靜電卡盤包含：<br/> 一陶瓷底板；<br/> 一陶瓷頂板；<br/> 一黏合層，在該陶瓷頂板及該陶瓷底板之間，該陶瓷頂板與該黏合層直接接觸，且該黏合層與該陶瓷底板直接接觸；及<br/> 一金屬桿，在相對於該黏合層的該陶瓷底板的一側處耦合至該陶瓷底板，<br/> 其中該陶瓷底板在其一頂部表面中包括氣體溝槽，及/或<br/> 其中該陶瓷頂板在其一底部表面中包括氣體溝槽。
如請求項9所述之系統，其中該靜電卡盤的該陶瓷底板在其中具有加熱元件，且該陶瓷頂板在其中具有一電極。
如請求項9所述之系統，其中該靜電卡盤的該陶瓷頂板在其中具有加熱元件及一電極。
如請求項9所述之系統，該靜電卡盤進一步包含：<br/> 一O形環，在該金屬桿及該陶瓷底板之間。
如請求項9所述之系統，該靜電卡盤進一步包含：<br/> 一覆蓋環，在該陶瓷頂板上，該覆蓋環包含一金屬或一陶瓷材料。
如請求項9所述之系統，其中該靜電卡盤的該黏合層為一鋁箔。
如請求項14所述之系統，其中該鋁箔包含矽，該矽具有在該鋁箔的2%-20%的範圍中的一原子濃度。
如請求項14所述之系統，其中該鋁箔具有在50-500微米的範圍中的一厚度。
一種樹脂組成物，其係包含(A)環氧樹脂及(B)活性酯化合物之樹脂組成物， <br/> (A)成分包含： <br/> (A-1)以式(1)表示之環氧當量為1000g/eq.~5000g/eq.之環氧樹脂： <br/><img align="absmiddle" height="241px" width="1225px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [式(1)中， <br/> R<sup>1</sup>各自獨立表示氫原子、可具有取代基之烷基-羰基、可具有取代基之烯基-羰基或可具有取代基之芳基-羰基，且R<sup>1</sup>之至少1個以上為選自可具有取代基之烷基-羰基、可具有取代基之烯基-羰基及可具有取代基之芳基-羰基之基； <br/> Ar各自獨立表示以式(X)表示之基： <br/><img align="absmiddle" height="262px" width="593px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (式(X)中， <br/> R<sup>2</sup>及R<sup>3</sup>各自獨立表示取代基； <br/> X表示單鍵或有機基； <br/> a及b各自獨立表示0、1、2、3或4； <br/> *表示鍵結部位)； <br/> n係1以上之整數，且表示重複單位數]，及 <br/> (A-2)環氧當量為200g/eq.以下之環氧樹脂； <br/> (B)成分相對於(A)成分之質量比((B)成分/(A)成分)為0.5以上； <br/> (A-1)成分之含量，於將(A)成分設為100質量%時，為50質量%以下。
如請求項1之樹脂組成物，其中Ar各自獨立，且為以式(X-1)表示之基： <br/><img align="absmiddle" height="326px" width="673px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (式(X-1)中， <br/> R<sup>11</sup>、R<sup>12</sup>、R<sup>13</sup>、R<sup>14</sup>、R<sup>15</sup>、R<sup>16</sup>、R<sup>17</sup>、R<sup>18</sup>各自獨立表示氫原子或烷基，且該等中至少1個為烷基； <br/> X<sup>1</sup>表示單鍵、-C(R<sup>x</sup>)<sub>2</sub>-、-O-、-CO-、-S-、-SO-、-SO<sub>2</sub>-、-CONH-，或-NHCO-； <br/> R<sup>x</sup>各自獨立表示氫原子、可具有取代基之烷基、可具有取代基之烯基或可具有取代基之芳基，或同一碳原子上之2個R<sup>x</sup>一起鍵結形成可具有取代基之非芳香環； <br/> *表示鍵結部位) <br/> 或以式(X-2)表示之基： <br/><img align="absmiddle" height="327px" width="656px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (式(X-2)中， <br/> X<sup>2</sup>表示單鍵、-C(R<sup>x</sup>)<sub>2</sub>-、-O-、-CO-、-S-、-SO-、-SO<sub>2</sub>-、-CONH-、或-NHCO-； <br/> R<sup>x</sup>各自獨立表示氫原子、可具有取代基之烷基、可具有取代基之烯基或可具有取代基之芳基，或同一碳原子上之2個R<sup>x</sup>一起鍵結形成可具有取代基之非芳香環； <br/> *表示鍵結部位)， <br/> 且分別至少各包含1個以式(X-1)表示之基的Ar及以式(X-2)表示之基的Ar。
如請求項2之樹脂組成物，其中X<sup>1</sup>及X<sup>2</sup>為單鍵。
如請求項1之樹脂組成物，其中(A-1)成分之含量，於將(A)成分設為100質量%時，為3質量%~20質量%。
如請求項1之樹脂組成物，其中(A-1)成分相對於(A-2)成分之質量比((A-1)成分/(A-2)成分)為0.01~1。
如請求項1之樹脂組成物，其中(A)成分之含量，於將樹脂組成物中之不揮發成分設為100質量%時，為1質量%~30質量%。
如請求項1之樹脂組成物，其中(B)成分之含量，於將樹脂組成物中之不揮發成分設為100質量%時，為10質量%以上。
如請求項1樹脂組成物，其中(B)成分相對於(A)成分之質量比((B)成分/(A)成分)為0.5~3.0。
如請求項1之樹脂組成物，其中進而包含(C)無機填充材。
如請求項9之樹脂組成物，其中(C)成分為氧化矽。
如請求項9之樹脂組成物，其中(C)成分之含量，於將樹脂組成物中之不揮發成分設為100質量%時，為40質量%以上。
如請求項1之樹脂組成物，其中進而包含(D)有機填充材。
如請求項12之樹脂組成物，其中(D)成分包含核殼型橡膠粒子。
如請求項1之樹脂組成物，其中樹脂組成物之硬化物之介電損耗因數(Df)，於5.8GHz、23℃測定時為0.0040以下。
一種如請求項1至14中任一項之樹脂組成物的硬化物。
一種片狀層合材料，其含有如請求項1至14中任一項之樹脂組成物。
一種樹脂薄片，其具有支撐體及設置於該支撐體上之由如請求項1至14中任一項之樹脂組成物形成的樹脂組成物層。
一種印刷配線板，其具備由如請求項1至14中任一項之樹脂組成物的硬化物所成之絕緣層。
一種半導體裝置，其包含如請求項18之印刷配線板。
一種2-(異吲哚啉-2-基甲基)-5-((1-(甲基磺醯基)哌啶-4-基)甲氧基)-4H-哌喃-4-酮之對甲苯磺酸鹽。
如請求項1之鹽，其係結晶的。
如請求項2之鹽，其為結晶形式1，其X射線粉末繞射圖的特徵在於在4.4、15.2、18.4、19.1、20.8及22.4處以°2-θ (±0.2)表示的峰。
如請求項3之鹽，其中該結晶形式1的X射線粉末繞射圖的特徵在於在4.4、8.8、11.4、15.2、16.5、17.1、18.4、19.1、20.8及22.4處以°2-θ (±0.2)表示的峰。
如請求項2至4中任一項之鹽，其中該結晶形式1在T=293(2) K下具有以下晶胞參數： <br/>
一種製備如請求項2至4中任一項之結晶鹽之方法，其包含將化合物2-(異吲哚啉-2-基甲基)-5-((1-(甲基磺醯基)哌啶-4-基)甲氧基)-4H-哌喃-4-酮及對甲苯磺酸溶解在乙腈及水的混合物中，冷卻該混合物並分離結晶產物。
一種醫藥組成物，其包含如請求項1至4中任一項之鹽作為活性成分以及一種或多種賦形劑。
如請求項7之醫藥組成物，其呈錠劑、膠囊、顆粒劑、散劑或懸浮劑的形式。
如請求項8之醫藥組成物，其呈錠劑或膠囊形式。
如請求項9之醫藥組成物，其呈錠劑形式。
如請求項2至4中任一項之鹽，其用於治療激素調節之癌症。
如請求項11之鹽，其中該癌症選自前列腺癌及乳癌。
一種摩擦體單元，係具備摩擦體及保持部，前述摩擦體構成為可產生為了使熱變色性墨水的筆跡熱變色的摩擦熱，前述保持部保持前述摩擦體，並且構成為可在熱變色性書寫筆具的軸筒或筆蓋拆裝， <br/>前述保持部具有形成至少向下方形成開口的內部空間的筒狀的側壁， <br/>在前述側壁形成有通到前述內部空間的至少一個透氣孔，該透氣孔係在相較於前述側壁的最大外徑部偏靠內側的位置開口， <br/>空氣可在前述透氣孔、前述內部空間及向下方形成的前述開口之間流通。
如請求項1所述之摩擦體單元，其中， <br/>前述保持部的筒狀的側壁包含外徑較大的部分及外徑較小的部分， <br/>前述透氣孔具有形成在前述側壁的外表面的第1開口及形成在前述側壁的內表面的第2開口，至少前述第1開口位於比前述最大外徑部更上方。
如請求項2所述之摩擦體單元，其中，在前述保持部的筒狀的側壁的至少一部分設有外徑由下往上縮小的錐部，前述透氣孔的前述第1開口形成在前述錐部。
如請求項3所述之摩擦體單元，其中，前述保持部的筒狀的側壁包含位於前述最大外徑部上方的第1錐部以及位於前述第1錐部上方的第2錐部；前述第1錐部的外徑從前述最大外徑部的上端往上縮小，前述第2錐部的外徑從前述第1錐部的上端往上縮小，前述第2錐部的傾斜角比第1錐部的傾斜角大，前述透氣孔的前述第1開口形成在前述第2錐部。
如請求項3所述之摩擦體單元，其中，前述保持部的筒狀的側壁當中從前述透氣孔的前述第2開口的上端開始上表面的部分的外徑為前述第2開口的上端的外徑以下。
如請求項2至5中任一項所述之摩擦體單元，其中，在前述摩擦體的下側的外表面設有環狀的外向突起， <br/>在前述保持部的筒狀的側壁的內表面設有環狀的內向突起，並且前述側壁向下方及上方形成開口， <br/>前述透氣孔的至少前述第2開口位於比前述內向突起更下方， <br/>前述摩擦體的下側從前述側壁的向上方形成的前述開口被插入於前述內部空間的狀態下，前述外向突起與前述內向突起卡止， <br/>在前述外向突起與前述內向突起卡止的狀態下，在前述外向突起的外表面與前述側壁的內表面之間形成間隙，前述間隙與前述透氣孔相通。
如請求項1至5中任一項所述之摩擦體單元，其中，沿著前述保持部的筒狀的側壁的下端形成有複數個凹部。
如請求項6所述之摩擦體單元，其中，沿著前述保持部的筒狀的側壁的下端形成有複數個凹部。
一種熱變色性書寫筆具，係具備請求項1至5或請求項8中任一項所述之摩擦體單元， <br/>在前述熱變色性書寫筆具的軸筒或筆蓋設有第1結合部， <br/>在前述摩擦體單元設有構成為可在前述第1結合部拆裝的第2結合部。
一種熱變色性書寫筆具，係具備請求項6所述之摩擦體單元， <br/>在前述熱變色性書寫筆具的軸筒或筆蓋設有第1結合部， <br/>在前述摩擦體單元設有構成為可在前述第1結合部拆裝的第2結合部。
一種熱變色性書寫筆具，係具備請求項7所述之摩擦體單元， <br/>在前述熱變色性書寫筆具的軸筒或筆蓋設有第1結合部， <br/>在前述摩擦體單元設有構成為可在前述第1結合部拆裝的第2結合部。
一種熱變色性書寫筆具，係具備請求項6所述之摩擦體單元， <br/>在前述熱變色性書寫筆具的軸筒或筆蓋設有第1結合部， <br/>在前述摩擦體單元設有構成為可在前述第1結合部拆裝的第2結合部， <br/>當前述第2結合部與前述第1結合部結合時，前述第1結合部位在形成於前述外向突起的外表面與前述側壁的內表面之間的前述間隙。
一種光檢測元件，其具備： <br/>基板，其設置有：排列檢測紅外光之有效像素之有效像素區域、較上述有效像素區域設置於更外側且排列虛設像素之虛設像素區域、及較上述虛設像素區域設置於更外側且排列遮光像素之遮光像素區域； <br/>濾光片，其於上述基板上，形成於上述有效像素區域、上述虛設像素區域及上述遮光像素區域之整面，截斷可見光且透過紅外光； <br/>第1遮光膜，其形成於上述遮光像素區域且形成於較上述濾光片更靠上述基板側，並將上述遮光像素遮光；及 <br/>第2遮光膜，其形成於上述遮光像素區域且形成於較上述濾光片更靠與上述基板相反側，並至少將紅外光截斷。
如請求項1之光檢測元件，其中 <br/>上述濾光片由將截斷可見光之色料分散於有機樹脂中之有機樹脂組成物構成。
如請求項1之光檢測元件，其中 <br/>上述第2遮光膜截斷可見光及紅外光。
如請求項3之光檢測元件，其中 <br/>上述第2遮光膜由將截斷可見光之色料分散於有機樹脂中之有機樹脂組成物構成。
一種電漿處理裝置，包含： <br/>電漿處理腔室； <br/>電漿生成部，在該電漿處理腔室內生成電漿； <br/>基板支撐部，配置於該電漿處理腔室內； <br/>第1導電性環，以包圍該基板支撐部上之基板之方式配置； <br/>絕緣環，以包圍該第1導電性環之方式配置；以及， <br/>第2導電性環，以包圍該絕緣環之方式配置並連接於接地電位； <br/>該第2導電性環，配置成使該第2導電性環的頂面在高於該絕緣環的頂面之位置。
如請求項1所述之電漿處理裝置，其中， <br/>該第2導電性環，配置於該絕緣環之外周側壁。
如請求項1或2所述之電漿處理裝置，其中， <br/>該絕緣環係由石英或氧化鋁形成。
如請求項1或2所述之電漿處理裝置，其中， <br/>該第1導電性環係由矽(Si)、碳化矽(SiC)、氧化矽中的任一者形成。
如請求項1或2所述之電漿處理裝置，其中， <br/>該第2導電性環係由矽(Si)、碳化矽(SiC)、氧化矽中的任一者形成。
如請求項1或2所述之電漿處理裝置，其中， <br/>該第2導電性環具有縱長矩形之剖面形狀。
如請求項1或2所述之電漿處理裝置，其中， <br/>該第2導電性環具有該第2導電性環之頂部向內突出之L形之剖面形狀。
如請求項1或2所述之電漿處理裝置，更包含： <br/>致動器，使該第2導電性環向縱方向移動。
如請求項1或2所述之電漿處理裝置，更包含： <br/>第3導電性環，配置於該第2導電性環之下並連接於接地電位； <br/>該第2導電性環係經由該第3導電性環而連接於接地電位。
如請求項9所述之電漿處理裝置，其中， <br/>該第3導電性環係由鋁(Al)形成。
如請求項9所述之電漿處理裝置，更包含： <br/>致動器，使該第2導電性環及該第3導電性環向縱方向移動。
如請求項1或2所述之電漿處理裝置，更包含： <br/>導電性擋板，配置於該基板支撐部之周圍並連接於接地電位； <br/>該第2導電性環係經由該導電性擋板而連接於接地電位。
如請求項1或2所述之電漿處理裝置，其中， <br/>該第2導電性環，包含具有上側部份及下側部份之導體及形成於該導體之該上側部份上之耐電漿塗覆； <br/>該導體之該下側部份連接於接地電位。
如請求項13所述之電漿處理裝置，其中， <br/>該導體係由鋁(Al)形成； <br/>該耐電漿塗覆含有釔(Y)。
一種用於鑑定未知化合物之方法，其包含： <br/>(a) 藉由一或多個電腦處理器接收該未知化合物的拉曼光譜及模擬拉曼光譜之庫，該未知化合物的拉曼光譜擷取自對該未知化合物的實驗性拉曼光譜儀測量，其中該模擬拉曼光譜之庫之每個模擬拉曼光譜係經由對已知化合物的量子力學計算電腦模擬(<i>in silico</i>)所產生； <br/>(b) 基於至少部分之該拉曼光譜的峰的強度級，產生對應於該拉曼光譜的該等峰的拉曼條碼及模擬拉曼條碼之庫，其中該模擬拉曼條碼之庫之每個模擬拉曼條碼對應於每個模擬拉曼光譜的峰，且其中每個模擬拉曼條碼係基於至少部分之每個模擬拉曼光譜的該等峰的強度級； <br/>(c) 將該拉曼光譜與每個模擬拉曼光譜進行比較直至發現相符，其中該比較包括將該拉曼條碼與每個模擬拉曼條碼進行比較；以及 <br/>(d) 基於該相符對該未知化合物進行鑑定。
如請求項 1 之方法，其中該模擬拉曼光譜之庫排除實驗獲得的化合物的拉曼光譜。
如請求項 1 之方法，其中該比較包括將縮放演算法應用於該拉曼光譜及/或該每個模擬拉曼光譜，以校正該拉曼光譜及/或該每個模擬拉曼光譜之間的波數偏移。
如請求項 1 之方法，其中該鑑定包括當該拉曼條碼與該每個模擬拉曼條碼之間的條碼重疊程度超出條碼重疊閾值時，確定該未知化合物與從中計算出該每個模擬拉曼光譜的化合物相符。
如請求項 4 之方法，其中該條碼重疊程度指示位於該產生的拉曼條碼的第一波數位置及該參考模擬拉曼條碼的第二波數位置的條數，該第一波數位置與該第二波數位置約彼此相同。
如請求項 1 之方法，其中該量子力學計算係基於密度泛函理論 (DFT)。
如請求項 1 之方法，其中該產生包括當每個峰的強度級超出峰強度閾值時，將對應於該等峰的每個峰的條包括在該拉曼條碼中。
如請求項 7 之方法，其中該峰強度閾值為該等峰的強度級的平均值。
如請求項 1 之方法，其中該產生包括至少部分基於該拉曼光譜的該等峰的波數位置產生該拉曼條碼。
一種用於鑑定未知化合物之系統，其包含： <br/>非暫時性記憶體，其儲存指令；以及 <br/>一個或多個硬體處理器，其耦接至該非暫時性記憶體且經組態以從該非暫時性記憶體讀取該等指令以使該系統執行包含以下的操作： <br/>(a) 藉由一或多個電腦處理器接收該未知化合物的拉曼光譜及模擬拉曼光譜之庫，該拉曼光譜擷取自對該未知化合物的實驗性拉曼光譜儀測量，其中該模擬拉曼光譜之庫之每個模擬拉曼光譜係經由對已知化合物的量子力學計算電腦模擬(<i>in silico</i>)所產生； <br/>(b) 基於至少部分之該拉曼光譜的峰的強度級，產生對應於該拉曼光譜的該等峰的拉曼條碼及模擬拉曼條碼之庫，其中該模擬拉曼條碼之庫之每個模擬拉曼條碼對應於每個模擬拉曼光譜的峰，且其中每個模擬拉曼條碼係基於至少部分之每個模擬拉曼光譜的該等峰的強度級； <br/>(c) 將該拉曼光譜與每個模擬拉曼光譜進行比較直至發現相符，其中該比較包括將該拉曼條碼與每個模擬拉曼條碼進行比較；以及 <br/>(d) 基於該相符對該未知化合物進行鑑定。
如請求項 10 之系統，其中該模擬拉曼光譜之庫排除實驗獲得的化合物的拉曼光譜。
如請求項 10 之系統，其中該比較包括將縮放演算法應用於該拉曼光譜及/或該每個模擬拉曼光譜，以校正該拉曼光譜及/或該每個模擬拉曼光譜之間的波數偏移。
如請求項 10 之系統，其中該鑑定包括當該拉曼條碼與該每個模擬拉曼條碼之間的條碼重疊程度超出條碼重疊閾值時，確定該未知化合物與從中計算出該每個模擬拉曼光譜的化合物相符。
如請求項 13 之系統，其中該條碼重疊程度指示位於該產生的拉曼條碼的第一波數位置及該參考模擬拉曼條碼的第二波數位置的條數，該第一波數位置與該第二波數位置約彼此相同。
如請求項 10 之系統，其中該量子力學計算係基於密度泛函理論 (DFT)。
如請求項 10 之系統，其中該產生包括當每個峰的強度級超出峰強度閾值時，將對應於該等峰之每個峰的條包括在該條碼中。
如請求項 16 之系統，其中該峰強度閾值為該等峰的強度級的平均值。
如請求項 10 之系統，其中該產生包括至少部分基於該拉曼光譜的該等峰的波數位置產生該拉曼條碼。
一種非暫時性電腦可讀取媒體 (CRM)，其上儲存電腦可讀取指令，可執行該等電腦可讀取指令以使得執行包含以下的操作： <br/>(a) 藉由一或多個電腦處理器接收未知化合物的拉曼光譜及模擬拉曼光譜之庫，該拉曼光譜擷取自對該未知化合物的實驗性拉曼光譜儀測量，其中該模擬拉曼光譜之庫之每個模擬拉曼光譜係經由對已知化合物的量子力學計算電腦模擬(<i>in silico</i>)所產生； <br/>(b) 基於至少部分之該拉曼光譜的峰的強度級，產生對應於該拉曼光譜的該等峰的拉曼條碼及產生模擬拉曼條碼之庫，其中該模擬拉曼條碼之庫之每個模擬拉曼條碼對應於每個模擬拉曼光譜的峰，且其中每個模擬拉曼條碼係基於至少部分之每個模擬拉曼光譜的該等峰的強度級； <br/>(c) 將該拉曼光譜與每個模擬拉曼光譜進行比較直至發現相符，其中該比較包括將該拉曼條碼與每個模擬拉曼條碼進行比較；以及 <br/>(d) 基於該相符而對該未知化合物進行鑑定。
如請求項 19 之非暫時性 CRM，其中該模擬拉曼光譜之庫排除實驗獲得的化合物的拉曼光譜。
如請求項 19 之非暫時性 CRM，其中該比較包括將縮放演算法應用於該拉曼光譜及/或該每個模擬拉曼光譜，以校正該拉曼光譜及/或該每個模擬拉曼光譜之間的波數偏移。
如請求項 19 之非暫時性 CRM，其中該鑑定包括當該拉曼條碼與該每個模擬拉曼條碼之間的條碼重疊程度超出條碼重疊閾值時，確定該未知化合物與從中計算出該每個模擬拉曼光譜的化合物相符。
如請求項 22 之非暫時性 CRM，其中該條碼重疊程度指示位於該產生的拉曼條碼的第一波數位置及該參考模擬拉曼條碼的第二波數位置的條數，該第一波數位置與該第二波數位置約彼此相同。
如請求項 19 之非暫時性 CRM，其中該量子力學計算係基於密度泛函理論 (DFT)。
如請求項 19 之非暫時性 CRM，其中該產生包括當每個峰的強度級超出峰強度閾值時，將對應於該等峰的一峰的條包括在該條碼中。
如請求項 25 之非暫時性 CRM，其中該峰強度閾值為該等峰的強度級的平均值。
如請求項 19 之非暫時性 CRM，其中該產生包括至少部分基於該拉曼光譜的該等峰的波數位置產生該拉曼條碼。
一種緊固工具，其包括： <br/>旋轉導引構件，呈筒狀，在一方向上延伸，可旋轉地被支撐； <br/>保持構件，具有螺絲起子頭可裝卸地被插入之開口，在沿著該旋轉導引構件之延伸方向之軸向上，移動於該旋轉導引構件的內部，同時與該旋轉導引構件一同旋轉；以及 <br/>移動構件，使該保持構件沿著該旋轉導引構件，在前後方向上移動； <br/>其中該移動構件係包括： <br/>第1移動構件，其內徑比該旋轉導引構件之外徑還要大若干，由進入該旋轉導引構件之外側之圓筒狀之構件所構成，與該保持構件相連結，且與該保持構件及該旋轉導引構件一同旋轉，同時沿著該旋轉導引構件，在軸向上移動；以及 <br/>第2移動構件，透過軸承，可旋轉地支撐該第1移動構件，該第2移動構件係透過該軸承，使該第1移動構件在軸向上移動。
如請求項1之緊固工具，其中該旋轉導引構件，其包括在軸向上延伸之溝部， <br/>該保持構件與該第1移動構件，其透過進入該溝部之連結構件以被連結， <br/>該連結構件，其沿著該旋轉導引構件之軸向，可移動地被該溝部所支撐，同時 <br/>藉該旋轉導引構件旋轉之動作，對應該旋轉導引構件之旋轉方向，被該溝部的一邊側面或另一邊側面所推動，自該旋轉導引構件承受圓周方向之力。
如請求項1或2中任一項之緊固工具，其中包括： <br/>第1驅動部，具有旋轉該旋轉導引構件之第1馬達；以及 <br/>第2驅動部，具有使該第2移動構件沿著軸向移動之第2馬達。
如請求項2之緊固工具，其中該連結構件，其自該保持構件，在徑向上貫穿，自該保持構件突出。
如請求項3之緊固工具，其中該第1馬達係被自第1電池供給之電力所驅動，該第2馬達係被自該第1電池供給之電力所驅動。
如請求項1之緊固工具，其中， <br/>該保持構件係，包括拆裝保持機構； <br/>該旋轉導引構件，其包括在軸向上延伸之溝部， <br/>該保持構件與該旋轉導引構件，其透過進入該溝部之連結構件以被連結， <br/>該拆裝保持機構係包括：球體，露出到該開口內；以及按壓構件，在露出到該開口內之方向上，按壓該球體， <br/>該保持構件，其該連結構件與該球體，被設於沿著該旋轉導引構件之軸向之同軸上。
如請求項6之緊固工具，其中該拆裝保持機構，其該球體被設成對合到該旋轉導引構件的該溝部之位置。
如請求項7之緊固工具，其中藉該螺絲起子頭在該保持構件的該開口被插拔之動作，往該保持構件之外圓周方向後退之該球體，其進入該旋轉導引構件的該溝部。
如請求項6之緊固工具，其中該連結構件，其自該保持構件在徑向上貫穿，自該保持構件突出。
一種熱膨脹性接著劑組成物，其特徵為含有熱硬化性樹脂(A)、熱膨脹性粒子(B)、與無機填料(C)， <br/> 前述無機填料(C)之平均粒徑(D<sub>50</sub>)為200nm以下， <br/> 前述無機填料(C)為藉由矽烷偶合劑進行表面處理之二氧化矽。
如請求項1之熱膨脹性接著劑組成物，其中前述無機填料(C)的含量，相對於前述熱膨脹性接著劑組成物的有效成分全部質量(100質量%)，為1~50質量%。
如請求項1或2之熱膨脹性接著劑組成物，其中前述熱膨脹性粒子(B)的最大膨脹溫度為50~250℃。
如請求項1或2之熱膨脹性接著劑組成物，其中前述熱膨脹性粒子(B)之平均粒徑(D<sub>50</sub>)為1~50μm。
如請求項1或2之熱膨脹性接著劑組成物，其中前述熱膨脹性粒子(B)的含量，相對於前述熱膨脹性接著劑組成物的有效成分全部質量(100質量%)，為10~60質量%。
如請求項1或2之熱膨脹性接著劑組成物，其中前述熱硬化性樹脂(A)為環氧樹脂。
如請求項1或2之熱膨脹性接著劑組成物，其中，進一步含有硬化劑(D)。
如請求項1或2之熱膨脹性接著劑組成物，其中，進一步含有硬化觸媒(E)。
如請求項1或2之熱膨脹性接著劑組成物，其中，進一步含有熱可塑性樹脂(F)。
一種熱膨脹性接著薄片，其係由請求項1~9中任1項之熱膨脹性接著劑組成物所構成。
一種光學積層體，特徵在於：係配置在構成光學構件之構件的層間以用於光之全反射用途；<br/> 包含空隙層與形成於前述空隙層上之低透濕層；<br/> 前述低透濕層包含選自於由金屬、金屬氧化物、矽、矽氧化物及有機無機混合材料所構成群組中之至少一者，且前述低透濕層之水蒸氣透過率為35g/m<sup>2</sup>・day以下，前述水蒸氣透過率係使用於丙烯酸基材30µm上積層低透濕層而得之積層體試樣，並藉由JIS Z 0208-1976中規定之透濕杯法測定。
如請求項1之光學積層體，其中前述空隙層在波長550nm下之折射率為1.25以下。
如請求項1或2之光學積層體，其中前述空隙層之空隙率為30體積%以上。
如請求項1或2之光學積層體，其中前述低透濕層包含選自於由以下所構成群組中之至少一者：矽、鋁、二氧化矽、氧化鋁、鋅錫複合氧化物(ZTO)、銦錫複合氧化物(ITO)、銦鋅複合氧化物(IZO)、鎵鋅複合氧化物(GZO)及聚矽氧烷。
如請求項1或2之光學積層體，其中前述低透濕層之厚度為5nm以上。
如請求項1或2之光學積層體，其中前述低透濕層係藉由選自於由真空蒸鍍法、濺鍍法及化學氣相沉積法(CVD)所構成群組中之至少一種方法而形成之層。
如請求項1或2之光學積層體，其中前述空隙層係矽化合物之微細孔粒子彼此行化學鍵結之多孔體。
如請求項1或2之光學積層體，其更包含黏接著層，且前述黏接著層係設於前述低透濕層之與前述空隙層相反側之面上。
如請求項1或2之光學積層體，前述光學積層體在加熱加濕耐久試驗前之折射率n<sub>a</sub>與前述光學積層體在前述試驗後之折射率n<sub>b</sub>之差為0.010以下，該加熱加濕耐久試驗係在溫度60℃且相對濕度90%下維持240小時之試驗。
如請求項1或2之光學積層體，其霧度值小於10%。
一種光學積層體之製造方法，係製造如請求項1至10中任一項之光學積層體的方法，該製造方法之特徵在於：<br/> 包含低透濕層形成步驟，其係於前述空隙層之至少一面上形成前述低透濕層；並且<br/> 前述低透濕層形成步驟中，係以選自於由真空蒸鍍法、濺鍍法及化學氣相沉積法(CVD)所構成群組中之至少一種方法來形成前述低透濕層。
一種光學構件，特徵在於包含如請求項1至10中任一項之光學積層體。
一種光學裝置，特徵在於包含如請求項12之光學構件。
一種光學構件之製造方法，係製造如請求項12之光學構件的方法，該製造方法之特徵在於包含光學積層體製造步驟，其係藉由如請求項11之製造方法來製造如請求項1至10中任一項之光學積層體。
一種光學裝置之製造方法，係製造如請求項13之光學裝置的方法，該製造方法之特徵在於包含光學構件製造步驟，其係藉由如請求項14之製造方法來製造如請求項12之光學構件。
一種光學積層體，特徵在於： <br/>包含空隙層與形成於前述空隙層上之硬質層； <br/>前述空隙層之空隙率為30體積%以上； <br/>前述硬質層包含選自於由金屬、金屬氧化物、矽、矽氧化物及有機無機混合材料所構成群組中之至少一者；且，使用奈米壓痕儀將壓頭對硬質層壓入20nm所測定之硬度大於前述空隙層。
如請求項1之光學積層體，其使用奈米壓痕儀將壓頭對前述硬質層壓入20nm所測定之硬度為0.04GPa以上。
如請求項1或2之光學積層體，其中前述硬質層包含選自於由以下所構成群組中之至少一者：矽、鋁、二氧化矽、氧化鋁、鋅錫複合氧化物(ZTO)、銦錫複合氧化物(ITO)、銦鋅複合氧化物(IZO)、鎵鋅複合氧化物(GZO)及聚矽氧烷。
如請求項1或2之光學積層體，其中前述硬質層之厚度為5nm以上。
如請求項1或2之光學積層體，其中前述硬質層係藉由選自於由真空蒸鍍法、濺鍍法及化學氣相沉積法(CVD)所構成群組中之至少一種方法而形成之層。
如請求項1或2之光學積層體，其中前述空隙層係矽化合物之微細孔粒子彼此行化學鍵結之多孔體。
如請求項1或2之光學積層體，其更包含黏接著層，且前述黏接著層係設於前述硬質層之與前述空隙層相反側之面上。
一種光學積層體之製造方法，係製造如請求項1至7中任一項之光學積層體的方法，該製造方法之特徵在於： <br/>包含硬質層形成步驟，其係於前述空隙層之至少一面上形成前述硬質層；並且 <br/>前述硬質層形成步驟中，係以選自於由真空蒸鍍法、濺鍍法及化學氣相沉積法(CVD)所構成群組中之至少一種方法來形成前述硬質層。
一種光學構件，特徵在於包含如請求項1至7中任一項之光學積層體。
一種光學裝置，特徵在於包含如請求項9之光學構件。
一種光學構件之製造方法，係製造如請求項9之光學構件的方法，該製造方法之特徵在於包含光學積層體製造步驟，其係藉由如請求項8之製造方法來製造如請求項1至7中任一項之光學積層體。
一種光學裝置之製造方法，係製造如請求項10之光學裝置的方法，該製造方法之特徵在於包含光學構件製造步驟，其係藉由如請求項11之製造方法來製造如請求項9之光學構件。
一種對視訊資料進行解碼的方法，該方法包括以下步驟：<br/> 決定一當前變換係數的相鄰變換係數的一絕對值之和；<br/> 基於該絕對值之和來決定一移位值，包括以下步驟：<br/> 根據該絕對值之和來決定一範圍id，包括以下步驟：<br/> 將該絕對值之和與一閥值陣列進行比較；及<br/> 基於該絕對值之和落入該閥值陣列中的哪兩個閥值之間，來決定該範圍id；及<br/> 根據該範圍id來決定該移位值；<br/> 基於該絕對值之和與該移位值，決定用於對用於該當前變換係數的一語法元素進行解碼的一瑞斯參數值；及<br/> 使用該瑞斯參數值對用於該當前變換係數的該語法元素進行解碼。
如請求項1所述的方法，其中將該絕對值之和與該閥值陣列進行比較包括以下步驟：<br/> 將該絕對值之和與該閥值陣列中的所有閥值並行地進行比較。
如請求項1所述的方法，其中根據該範圍id來決定該移位值包括以下步驟：<br/> 使用該範圍id作為一比例因數陣列的一輸入，來決定該移位值。
如請求項1所述的方法，其中基於該絕對值之和與該移位值來決定用於對用於該當前變換係數的該語法元素進行解碼的該瑞斯參數值，包括以下步驟：<br/> 使用該移位值，對該絕對值之和進行正規化，以產生一正規化的絕對值之和；<br/> 基於該正規化的絕對值之和，決定一初始瑞斯參數值；及<br/> 將該移位值加到該初始瑞斯參數值以決定該瑞斯參數值。
如請求項4所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 對該正規化的絕對值之和進行裁剪。
如請求項4所述的方法，其中基於該正規化的絕對值之和來決定該初始瑞斯參數包括以下步驟：<br/> 使用該正規化的絕對值之和作為一查閱資料表的一輸入，來決定該初始瑞斯參數值。
如請求項1所述的方法，其中使用該瑞斯參數值對用於該當前變換係數的該語法元素進行解碼包括以下步驟：<br/> 基於該瑞斯參數，對該語法元素進行逆二值化。
如請求項1所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 至少部分地基於該語法元素來重構一殘差區塊；<br/> 至少部分地基於該殘差區塊來重構一圖片；及<br/> 顯示該圖片。
一種被配置為對視訊資料進行解碼的裝置，該裝置包括：<br/> 被配置為儲存視訊資料的一記憶體；及<br/> 利用電路來實現並且與該記憶體相通訊的一或多個處理器，該一或多個處理器被配置為：<br/> 決定一當前變換係數的相鄰變換係數的一絕對值之和；<br/> 基於該絕對值之和來決定一移位值其中為了基於該絕對值之和來決定該移位值，該一或多個處理器進一步被配置為：<br/> 根據該絕對值之和來決定一範圍id，其中為了根據該絕對值之和來決定該範圍id，該一或多個處理器進一步被配置為：<br/> 將該絕對值之和與一閥值陣列進行比較；及<br/> 基於該絕對值之和落入該閥值陣列中的哪兩個閥值之間，來決定該範圍id；及<br/> 根據該範圍id來決定該移位值；<br/> 基於該絕對值之和與該移位值，決定用於對用於該當前變換係數的一語法元素進行解碼的一瑞斯參數值；及<br/> 使用該瑞斯參數值對用於該當前變換係數的該語法元素進行解碼。
如請求項9所述的裝置，其中為了將該絕對值之和與該閥值陣列進行比較，該一或多個處理器進一步被配置為：<br/> 將該絕對值之和與該閥值陣列中的所有閥值並行地進行比較。
如請求項9所述的裝置，其中為了根據該範圍id來決定該移位值，該一或多個處理器進一步被配置為：<br/> 使用該範圍id作為一比例因數陣列的一輸入，來決定該移位值。
如請求項9所述的裝置，其中為了基於該絕對值之和與該移位值來決定用於對用於該當前變換係數的該語法元素進行解碼的該瑞斯參數值，該一或多個處理器進一步被配置為：<br/> 使用該移位值，對該絕對值之和進行正規化，以產生一正規化的絕對值之和；<br/> 基於該正規化的絕對值之和，決定一初始瑞斯參數值；及<br/> 將該移位值加到該初始瑞斯參數值以決定該瑞斯參數值。
如請求項12所述的裝置，其中該一或多個處理器進一步被配置為：<br/> 對該正規化的絕對值之和進行裁剪。
如請求項12所述的裝置，其中為了基於該正規化的絕對值之和來決定該初始瑞斯參數，該一或多個處理器進一步被配置為：<br/> 使用該正規化的絕對值之和作為一查閱資料表的一輸入，來決定該初始瑞斯參數值。
如請求項9所述的裝置，其中為了使用該瑞斯參數值對用於該當前變換係數的該語法元素進行解碼，該一或多個處理器進一步被配置為：<br/> 基於該瑞斯參數，對該語法元素進行逆二值化。
如請求項9所述的裝置，其中該一或多個處理器進一步被配置為：<br/> 至少部分地基於該語法元素來重構一殘差區塊；<br/> 至少部分地基於該殘差區塊來重構一圖片；及<br/> 顯示該圖片。
一種被配置為對視訊資料進行解碼的裝置，該裝置包括：<br/> 用於決定一當前變換係數的相鄰變換係數的一絕對值之和的構件；<br/> 用於基於該絕對值之和來決定一移位值的構件，其中用於基於該絕對值之和來決定該移位值的構件包括：<br/> 用於根據該絕對值之和來決定一範圍id的構件，其中用於根據該絕對值之和來決定該範圍id的構件包括：<br/> 用於將該絕對值之和與一閥值陣列進行比較的構件；及<br/> 用於基於該絕對值之和落入該閥值陣列中的哪兩個閥值之間，來決定該範圍id的構件；及<br/> 用於根據該範圍id來決定該移位值的構件；<br/> 用於基於該絕對值之和與該移位值，決定用於對用於該當前變換係數的一語法元素進行解碼的一瑞斯參數值的構件；及<br/> 用於使用該瑞斯參數值對用於該當前變換係數的該語法元素進行解碼的構件。
一種儲存指令的非暫時性電腦可讀取儲存媒體，該等指令在被執行時使得被配置為對視訊資料進行解碼的一或多個處理器執行以下操作：<br/> 決定一當前變換係數的相鄰變換係數的一絕對值之和；<br/> 基於該絕對值之和來決定一移位值，其中為了基於該絕對值之和來決定該移位值，該等指令進一步使得該一或多個處理器執行以下操作：<br/> 根據該絕對值之和來決定一範圍id，其中為了根據該絕對值之和來決定該範圍id，該等指令進一步使得該一或多個處理器執行以下操作：<br/> 將該絕對值之和與一閥值陣列進行比較；及<br/> 基於該絕對值之和落入該閥值陣列中的哪兩個閥值之間，來決定該範圍id；及<br/> 根據該範圍id來決定該移位值；<br/> 基於該絕對值之和與該移位值，決定用於對用於該當前變換係數的一語法元素進行解碼的一瑞斯參數值；及<br/> 使用該瑞斯參數值對用於該當前變換係數的該語法元素進行解碼。
一種對視訊資料進行編碼的方法，該方法包括以下步驟：<br/> 決定一當前變換係數的相鄰變換係數的一絕對值之和；<br/> 基於該絕對值之和來決定一移位值，其中基於該絕對值之和來決定該移位值包括以下步驟：<br/> 根據該絕對值之和來決定一範圍id，其中根據該絕對值之和來決定該範圍id包括以下步驟：<br/> 將該絕對值之和與一閥值陣列進行比較；及<br/> 基於該絕對值之和落入該閥值陣列中的哪兩個閥值之間，來決定該範圍id；及<br/> 根據該範圍id來決定該移位值；<br/> 基於該絕對值之和與該移位值，決定用於對用於該當前變換係數的一語法元素進行編碼的一瑞斯參數值；及<br/> 使用該瑞斯參數值，對用於該當前變換係數的該語法元素進行編碼。
如請求項19所述的方法，其中將該絕對值之和與該閥值陣列進行比較包括以下步驟：<br/> 將該絕對值之和與該閥值陣列中的所有閥值並行地進行比較。
如請求項19所述的方法，其中根據該範圍id來決定該移位值包括以下步驟：<br/> 使用該範圍id作為一比例因數陣列的一輸入，來決定該移位值。
如請求項19所述的方法，其中基於該絕對值之和與該移位值來決定用於對用於該當前變換係數的該語法元素進行編碼的該瑞斯參數值，包括以下步驟：<br/> 使用該移位值，對該絕對值之和進行正規化，以產生一正規化的絕對值之和；<br/> 基於該正規化的絕對值之和，決定一初始瑞斯參數值；及<br/> 將該移位值加到該初始瑞斯參數值以決定該瑞斯參數值。
如請求項22所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 對該正規化的絕對值之和進行裁剪。
如請求項22所述的方法，其中基於該正規化的絕對值之和來決定該初始瑞斯參數包括以下步驟：<br/> 使用該正規化的絕對值之和作為一查閱資料表的一輸入，來決定該初始瑞斯參數值。
如請求項19所述的方法，其中使用該瑞斯參數值對用於該當前變換係數的該語法元素進行編碼，包括以下步驟：<br/> 基於該瑞斯參數，對該語法元素進行二值化。
如請求項19所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 擷取視訊資料的一圖片；<br/> 根據視訊資料的該圖片，產生一殘差區塊；及<br/> 對該殘差區塊進行變換，以產生包括該當前變換係數的一變換區塊。
一種硬塗覆膜積層體，其為具有： <br/>具有基材膜及形成於該基材膜的一面側的硬塗覆層之硬塗覆膜、 <br/>層積於該硬塗覆膜的該基材膜側的面之製程膜、以及 <br/>積層於該硬塗覆膜的該硬塗覆層側的面之保護膜之硬塗覆膜積層體， <br/>其特徵在於， <br/>該製程膜對該硬塗覆膜的剝離強度A為500mN／50mm以下， <br/>該保護膜對該硬塗覆膜的剝離強度B為500mN／50mm以下， <br/>從該保護膜對該硬塗覆膜的剝離強度B減去該製程膜對該硬塗覆膜的剝離強度A的差值為50mN／50mm以上、400mN／50mm以下。
如請求項1所述之硬塗覆膜積層體，其中，該製程膜對該硬塗覆膜的剝離強度A為50mN／50mm以上。
如請求項1所述之硬塗覆膜積層體，其中，該保護膜對該硬塗覆膜的剝離強度B為200mN／50mm以上。
如請求項1所述之硬塗覆膜積層體，其中，在該硬塗覆膜的該基材膜的厚度為0.5μm以上、15μm以下。
如請求項1~4任一項所述之硬塗覆膜積層體，其中，在該硬塗覆膜的該基材膜具有光學等方性。
一種具黏著劑層的硬塗覆膜積層體，其為具有： <br/>具有基材膜及形成於該基材膜的一面側的硬塗覆層之硬塗覆膜、 <br/>層積於該硬塗覆膜的該基材膜側的面之黏著劑層、 <br/>層積於與該黏著劑層的該硬塗覆膜側的面相反側的面之剝離片、以及 <br/>積層於該硬塗覆膜的該硬塗覆層側的面之保護膜之具黏著劑層的硬塗覆膜積層體， <br/>其特徵在於， <br/>該保護膜對該硬塗覆膜的剝離強度B為500mN／50mm以下， <br/>該剝離片對該黏著劑層的剝離強度C為500mN／50mm以下， <br/>從該保護膜對該硬塗覆膜的剝離強度B減去該剝離片對該黏著劑層的剝離強度C的差值為50mN／50mm以上、400mN／50mm以下。
如請求項6所述之具黏著劑層的硬塗覆膜積層體，其中，該剝離片對該黏著劑層的剝離強度C為50mN／50mm以上。
一種硬塗覆膜積層體的製造方法，其為具有： <br/>在製程膜上形成基材膜之步驟； <br/>在與該基材膜的該製程膜側的面相反的面側，形成硬塗覆層之步驟；以及 <br/>在與該硬塗覆層的該基材膜側的面相反的面側，層積保護膜之步驟； <br/>其中含有該基材膜及該硬塗覆層的積層體構成硬塗覆膜之硬塗覆膜積層體的製造方法， <br/>其特徵在於， <br/>該製程膜對該硬塗覆膜的剝離強度A為500mN／50mm以下， <br/>該保護膜對該硬塗覆膜的剝離強度B為500mN／50mm以下， <br/>從該保護膜對該硬塗覆膜的剝離強度B減去該製程膜對該硬塗覆膜的剝離強度A的差值為50mN／50mm以上、400mN／50mm以下。
一種具黏著劑層的硬塗覆膜積層體的製造方法，具有： <br/>在製程膜上形成基材膜之步驟； <br/>在與該基材膜的該製程膜側的面相反的面側，形成硬塗覆層之步驟； <br/>在與該硬塗覆層的該基材膜側的面相反的面側，層積保護膜之步驟； <br/>從該基材膜剝離該該製程膜，使該基材膜露出之步驟；以及 <br/>對該露出的基材膜，貼附具有黏著劑層及剝離片的黏著片的該黏著劑層側之步驟； <br/>其中含有該基材膜及該硬塗覆層的積層體構成硬塗覆膜之具黏著劑層的硬塗覆膜積層體的製造方法， <br/>其特徵在於， <br/>該製程膜對該硬塗覆膜的剝離強度A為500mN／50mm以下， <br/>該保護膜對該硬塗覆膜的剝離強度B為500mN／50mm以下， <br/>該剝離片對該黏著劑層的剝離強度C為500mN／50mm以下， <br/>從該保護膜對該硬塗覆膜的剝離強度B減去該製程膜對該硬塗覆膜的剝離強度A的差值為50mN／50mm以上、400mN／50mm以下， <br/>從該保護膜對該硬塗覆膜的剝離強度B減去該剝離片對該黏著劑層的剝離強度C的差值為50mN／50mm以上、400mN／50mm以下。
一種記憶體，包括： <br/>複數個位元單元，每一者位元單元被配置為儲存一儲存位元，具有連接到一輸出節點的一對開關，並且具有耦合到該輸出節點的一電容器； <br/>一第一儲存元件和複數個附加儲存元件，該第一儲存元件被配置為儲存用於一有符號輸入字的一有符號輸入位元，且該複數個附加儲存元件被配置為儲存用於該有符號輸入字的複數個幅度位元；及 <br/>一控制器，其被配置為：從該第一儲存元件選擇一第一位元以在用於該記憶體的一第一操作階段期間回應於該第一位元來控制該對開關，並且被配置為：從該複數個附加儲存元件選擇一第二位元以在用於該記憶體的一第二操作階段期間回應於該第二位元來控制該對開關； <br/>其中該控制器進一步被配置為：在該第一操作階段期間，回應於該第一位元具有一第一二進位值，接通（close）該對開關中的一第一開關並且斷開（open）該對開關中的一第二開關，該第一開關耦合於用於該儲存位元的一第一節點及該輸出節點之間，該第二開關耦合於用於該儲存位元的一互補的一第二節點及該輸出節點之間，以及回應於該第一位元具有一第二二進位值，斷開該第一開關並且接通該第二開關，該第二二進位值是該第一二進位值的一互補； <br/>其中該控制器進一步被配置為：在該第二操作階段期間，回應於該第二位元具有該第一二進位值，反轉該第一開關和該第二開關的一開關狀態，以及回應於該第二位元具有該第二二進位值，保持該第一開關和該第二開關的該開關狀態。
如請求項1所述之記憶體，進一步包括： <br/>一位元線，其中該電容器包括：耦合到該輸出節點的一第一端和耦合到該位元線的一第二端。
如請求項1所述之記憶體，其中該控制器包括一多工器，該多工器被配置為在該第一操作階段期間選擇該第一位元並且在該第二操作階段期間選擇該第二位元。
如請求項1所述之記憶體，其中該位元單元包括與一第二反相器交叉耦合的一第一反相器，並且其中該第一開關耦合在該第一反相器的一輸出節點與該輸出節點之間，並且該第二開關耦合在該第二反相器的一輸出節點與該輸出節點之間。
如請求項4所述之記憶體，其中該第一開關包括一第一傳輸閘極，並且其中該第二開關包括一第二傳輸閘極。
如請求項4所述之記憶體，其中該第一開關和該第二開關是耦合到該輸出節點的僅有的該等開關。
如請求項4所述之記憶體，進一步包括：在該輸出節點和接地之間耦合的一第三開關。
如請求項7所述之記憶體，其中該控制器進一步被配置為：在該第一操作階段之前的一預充電操作階段期間導通(switch on)該第三開關，並且在該第一操作階段期間和該第二操作階段期間關斷(switch off)該第三開關。
如請求項7所述之記憶體，其中該第一開關是一第一p型金屬氧化物半導體（PMOS）電晶體，該第二開關是一第二PMOS電晶體，並且該第三開關是一n型金屬氧化物半導體（NMOS）電晶體。
如請求項4所述之記憶體，進一步包括：在用於共模電壓的一節點和該位元線之間耦合的一第三開關，其中該控制器進一步被配置為：在該第一操作階段期間接通該第三開關並且在該第二操作階段期間斷開該第三開關。
如請求項10所述之記憶體，其中該第三開關是一第一PMOS電晶體。
一種包括如請求項1到11中任一項所述之記憶體的蜂巢式電話。
一種操作如請求項1到11中任一項所述之記憶體以將一儲存位元與用於該有符號輸入字的一有符號輸入位元相乘的方法，包括以下步驟： <br/>在一第一操作階段期間並且回應於該有符號輸入位元的一符號具有一第一二進位值，接通在用於該儲存位元的該第一開關，並且斷開在用於該儲存位元的該互補的該第二開關； <br/>在該第一操作階段期間並且回應於該有符號輸入位元的該符號具有一第二二進位值，斷開該第一開關並且接通該第二開關； <br/>在一第二操作階段期間並且回應於該有符號輸入位元的一幅度具有該第一二進位值，反轉在該第一操作階段期間建立的該第一開關和該第二開關的一開關狀態；及 <br/>在該第二操作階段期間並且回應於該有符號輸入位元的該幅度具有該第二二進位值，維持在該第一操作階段期間建立的該第一開關和該第二開關的該開關狀態。
如請求項13所述之方法，進一步包括以下步驟： <br/>在該第一操作階段期間，將一位元線連接到用於一共模電壓的一節點，其中該位元線經由該電容器耦合到該輸出節點。
如請求項14所述之方法，進一步包括以下步驟： <br/>在該第二操作階段期間，將該位元線與用於該共模電壓的該節點斷開。
一種磊晶成長用種基板，其具備 <br/> 支撐基板、 <br/> 設於前述支撐基板的上面之0.5~3μm的平坦化層、及 <br/> 設於前述平坦化層的上面之種晶層； <br/> 前述支撐基板包含 <br/> III族氮化物之多晶陶瓷之核，與 <br/> 密封前述核的0.05~1.5μm之密封層； <br/> 前述種晶層係藉由薄膜轉印0.1~1.5μm之氧化誘導堆疊缺陷(oxidation induced stacking fault：OSF)為10個/cm<sup>2</sup>以下的Si＜111＞單晶的表層而設置， <br/> 於前述支撐基板之最下面具備應力調整層，該應力調整層具有可矯正因形成前述平坦化層所產生之前述磊晶成長用種基板之翹曲的熱膨脹率及厚度， <br/> 前述應力調整層係於前述支撐基板下面之正下方，介隔SiO<sub>2</sub>及/或氧氮化矽(Si<sub>x</sub>O<sub>y</sub>N<sub>z</sub>)作為多晶Si而設者。
一種磊晶成長用種基板，其具備 <br/> 支撐基板、 <br/> 設於前述支撐基板的上面之0.5~3μm的平坦化層、及 <br/> 設於前述平坦化層的上面之種晶層； <br/> 前述支撐基板包含 <br/> III族氮化物之多晶陶瓷之核，與 <br/> 密封前述核的0.05~1.5μm之密封層； <br/> 前述種晶層係氧化誘導堆疊缺陷為10個/cm<sup>2</sup>以下，且厚度為0.1~ 1.5μm， <br/> 於前述支撐基板之最下面具備應力調整層，該應力調整層具有可矯正因形成前述平坦化層所產生之前述磊晶成長用種基板之翹曲的熱膨脹率及厚度， <br/> 前述應力調整層係於前述支撐基板下面之正下方，介隔SiO<sub>2</sub>及/或氧氮化矽(Si<sub>x</sub>O<sub>y</sub>N<sub>z</sub>)作為多晶Si而設者。
如請求項1或2之磊晶成長用種基板，其中成為前述核之III族氮化物之多晶陶瓷係AlN陶瓷。
如請求項1或2之磊晶成長用種基板，其中前述密封層至少包含Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>之層。
如請求項1或2之磊晶成長用種基板，其中前述平坦化層係由SiO<sub>2</sub>及/或氧氮化矽(Si<sub>x</sub>O<sub>y</sub>N<sub>z</sub>)或AlAs而成。
如請求項1之磊晶成長用種基板，其中成為前述種晶層之Si＜111＞之電阻率(室溫)為1kΩ‧cm以上。
如請求項1或2之磊晶成長用種基板，其中前述應力調整層係至少由藉由選自濺鍍法、電漿CVD法及LPCVD法之方法作成之多晶Si而成。
如請求項1或2之磊晶成長用種基板，其中前述密封層係藉由LPCVD法成膜。
如請求項1或2之磊晶成長用種基板，其中前述平坦化層係於前述支撐基板之上面單側或全面藉由電漿CVD法、LPCVD法、低壓MOCVD法之任一者成膜SiO<sub>2</sub>及/或氧氮化矽(Si<sub>x</sub>O<sub>y</sub>N<sub>z</sub>)或AlAs者。
如請求項1或2之磊晶成長用種基板，其中前述種晶層係藉由對氧化誘導堆疊缺陷為10個/cm<sup>2</sup>以下，且電阻率(室溫)為1kΩ‧cm以上的Si＜111＞單晶離子注入氫及/或He後，藉由450℃以下之物理手段轉印0.1~1.5μm之薄膜而設置。
一種半導體基板，其係於如請求項1至10中任一項之磊晶成長用種基板的上面成膜III-V族半導體薄膜而成。
如請求項11之半導體基板，其中前述III-V族半導體薄膜係包含Ga及/或Al之氮化物半導體薄膜。
一種磊晶成長用種基板之製造方法，其係具備下述步驟： <br/> 準備由III族氮化物之多晶陶瓷之核而成的核之步驟， <br/> 以包埋前述核之方式成膜厚度0.05μm以上1.5μm以下之密封層成為支撐基板之步驟， <br/> 於前述支撐基板之上面成膜厚度0.5μm以上3.0μm以下之平坦化層之步驟， <br/> 於前述支撐基板之下面成膜SiO<sub>2</sub>及/或氧氮化矽(Si<sub>x</sub>O<sub>y</sub>N<sub>z</sub>)之步驟， <br/> 於前述支撐基板之最下面進而設置應力調整層之步驟， <br/> 於前述平坦化層之上面，藉由薄膜轉印0.1~1.5μm之氧化誘導堆疊缺陷為10個/cm<sup>2</sup>以下的Si＜111＞單晶的表層而設置種晶層之步驟； <br/> 前述應力調整層係於具備前述平坦化層之後，具有可進而矯正其翹曲之熱膨脹率及厚度。
如請求項13之磊晶成長用種基板之製造方法，其中前述密封層係藉由LPCVD法成膜。
如請求項13或14之磊晶成長用種基板之製造方法，其中前述平坦化層係於前述支撐基板之上面單側或全面藉由電漿CVD法、LPCVD法、低壓MOCVD法之任一者成膜SiO<sub>2</sub>及/或氧氮化矽(Si<sub>x</sub>O<sub>y</sub>N<sub>z</sub>)或AlAs者。
如請求項13或14之磊晶成長用種基板之製造方法，其中於前述設置種晶層之步驟中，藉由對氧化誘導堆疊缺陷為10個/cm<sup>2</sup>以下，且電阻率(室溫)為1kΩ‧cm以上的Si＜111＞單晶離子注入氫及/或He後，藉由450℃以下之物理手段轉印0.1~1.5μm之薄膜而設置前述種晶層。
如請求項13之磊晶成長用種基板之製造方法，其中前述應力調整層係至少由藉由選自濺鍍法、電漿CVD法及LPCVD法之方法作成之多晶Si而成。
一種半導體基板之製造方法，其係具備如下步驟：藉由如請求項13至17中任一項之磊晶成長用種基板之製造方法製造磊晶成長用種基板之步驟，及 <br/> 於前述磊晶成長用種基板之上面成膜III-V族半導體薄膜之步驟。
一種製造方法，其製造具有蒸發體的熱交換器，所述蒸發體自外部吸收熱，藉由毛細管力使液相的作動流體移動，並且使其蒸發為氣相， <br/>所述製造方法包括： <br/>於作為板狀構件的第一板構件的板面形成凹部的步驟； <br/>於所述凹部中的預先確定的區域塗佈包含粉體的材料的步驟； <br/>使塗佈於所述預先確定的區域的所述材料固化而形成所述蒸發體的步驟；以及 <br/>以作為板狀構件的第二板構件覆蓋設置有所述蒸發體的凹部，而將所述第一板構件與所述第二板構件固定的步驟， <br/>其中所述熱交換器具備接合部，所述接合部設置於所述第二板構件與所述蒸發體之間，用以接合所述第二板構件與所述蒸發體，以抑制所述液相的作動流體流動。
如請求項1所述的製造方法，其包括： <br/>將覆蓋構件配置於所述第一板構件的步驟，所述覆蓋構件於覆蓋所述第一板構件的面設置有所述預先確定的區域的形狀且供所述材料通過的孔；以及 <br/>經由所述覆蓋構件的所述孔進行所述材料的塗佈的步驟。
如請求項2所述的製造方法，其中所述蒸發體具有： <br/>基體，沿著與所述蒸發體內的液相的作動流體移動的方向交叉的方向延伸；以及 <br/>多個下游體，位於自所述基體起進行所述移動的方向的下游側， <br/>所述孔為與所述基體及所述多個下游體相對應的形狀。
如請求項2或請求項3所述的製造方法，其中所述覆蓋構件根據所述蒸發體內的液相的作動流體移動的方向上的位置而厚度不同。
如請求項1所述的製造方法，其中塗佈於所述預先確定的區域的所述材料於與液相的作動流體在所述蒸發體內移動的方向交叉的方向上的兩端處與所述凹部的內側側面接觸。
如請求項1所述的製造方法，其中於塗佈所述材料的步驟中所塗佈的所述材料伴隨向所述蒸發體內的液相的作動流體移動的方向的下游側行進而厚度變薄。
如請求項1所述的製造方法，其包括： <br/>對塗佈於所述預先確定的區域的所述材料中的一部分區域進行按壓的步驟。
如請求項1所述的製造方法，其中形成所述凹部的步驟是藉由對所述第一板構件的板面進行蝕刻而形成所述凹部。
一種製造方法，其製造具有蒸發體的熱交換器，所述蒸發體自外部吸收熱，藉由毛細管力使液相的作動流體移動，並且使其蒸發為氣相， <br/>所述製造方法包括： <br/>於作為板狀構件的第一板構件的板面形成凹部的步驟； <br/>於所述凹部中的預先確定的區域塗佈包含粉體的材料的步驟； <br/>使塗佈於所述預先確定的區域的所述材料固化而形成所述蒸發體的步驟；以及 <br/>以作為板狀構件的第二板構件覆蓋設置有所述蒸發體的凹部，而將所述第一板構件與所述第二板構件固定的步驟， <br/>其中塗佈於所述預先確定的區域的所述材料於與液相的作動流體在所述蒸發體內移動的方向交叉的方向上的兩端處與所述凹部的內側側面接觸， <br/>其中塗佈於所述預先確定的區域的所述材料於較與所述凹部的內側側面接觸的部分更靠所述移動的方向的上游側的位置與所述凹部的內側側面分離。
一種製造方法，其製造具有蒸發體的熱交換器，所述蒸發體自外部吸收熱，藉由毛細管力使液相的作動流體移動，並且使其蒸發為氣相， <br/>所述製造方法包括： <br/>於作為板狀構件的第一板構件的板面形成凹部的步驟； <br/>於所述凹部中的預先確定的區域塗佈包含粉體的材料的步驟； <br/>使塗佈於所述預先確定的區域的所述材料固化而形成所述蒸發體的步驟；以及 <br/>以作為板狀構件的第二板構件覆蓋設置有所述蒸發體的凹部，而將所述第一板構件與所述第二板構件固定的步驟， <br/>其中塗佈所述材料的步驟包括：第一塗佈步驟，塗佈第一材料；以及第二塗佈步驟，與所述第一材料重疊而塗佈第二材料， <br/>根據所述蒸發體內的液相的作動流體移動的方向的位置，所述第一材料及所述第二材料的厚度不同。
一種製造方法，其製造具有蒸發體的熱交換器，所述蒸發體自外部吸收熱，藉由毛細管力使液相的作動流體移動，並且使其蒸發為氣相， <br/>所述製造方法包括： <br/>於作為板狀構件的第一板構件的板面形成凹部的步驟； <br/>於所述凹部中的預先確定的區域塗佈包含粉體的材料的步驟； <br/>使塗佈於所述預先確定的區域的所述材料固化而形成所述蒸發體的步驟； <br/>以作為板狀構件的第二板構件覆蓋設置有所述蒸發體的凹部，而將所述第一板構件與所述第二板構件固定的步驟；以及 <br/>於所述作動流體的流路中的所述預先確定的區域以外的其他位置塗佈所述材料的步驟； <br/>於形成所述蒸發體的步驟中，將塗佈於所述其他位置的所述材料燒結而形成燒結體， <br/>所述燒結體於所述其他位置由所述第一板構件與所述第二板構件所夾持。
一種製造方法，其製造設置有發熱組件及熱交換器的裝置，所述熱交換器具有蒸發體，所述蒸發體自所述發熱組件吸收熱，藉由毛細管力使液相的作動流體移動，並使其蒸發為氣相， <br/>所述製造方法包括： <br/>於作為板狀構件的第一板構件的板面形成凹部的步驟； <br/>於所述凹部中的預先確定的區域塗佈包含粉體的材料的步驟； <br/>使塗佈於所述預先確定的區域的所述材料固化而形成所述蒸發體的步驟； <br/>以作為板狀構件的第二板構件覆蓋設置有所述蒸發體的凹部，而將所述第一板構件與所述第二板構件固定的步驟；以及 <br/>將所述發熱組件固定於所述第一板構件及所述第二板構件的至少一者的步驟 <br/>其中所述熱交換器具備接合部，所述接合部設置於所述第二板構件與所述蒸發體之間，用以接合所述第二板構件與所述蒸發體，以抑制所述液相的作動流體流動。
一種製造方法，其製造具有設置有蒸發體的蒸發器的熱交換器，所述蒸發體自外部吸收熱，藉由毛細管力使液相的作動流體移動，並使其蒸發為氣相，所述熱交換器使自所述蒸發器導出的氣相的作動流體冷凝，使其作為液相的作動流體於所述蒸發器中環流， <br/>所述蒸發器具有設置有所述蒸發體的本體及覆蓋所述本體的蓋體， <br/>所述製造方法包括： <br/>將配置於所述本體的第一材料燒結而形成所述蒸發體的步驟； <br/>將配置於所述蓋體的第二材料燒結而形成燒結體的步驟；以及 <br/>使所述蒸發體與所述燒結體接觸並進行加熱，而將所述蒸發體與所述燒結體接合的步驟。
如請求項13所述的製造方法，其中所述燒結體覆蓋所述蒸發體內的液相的作動流體移動的方向上的包括所述蒸發體的上游側的部分。
如請求項14所述的製造方法，其中所述蒸發體具有：基體，沿著與所述移動的方向交叉的方向延伸；以及多個突起部，自所述基體向所述移動的方向的下游側突出， <br/>所述燒結體於較所述突起部的根部更靠所述移動的方向的下游側的位置未覆蓋所述蒸發體，於較所述突起部的根部更靠上游側的位置覆蓋所述蒸發體。
如請求項15所述的製造方法，其中所述蒸發體具有與所述移動的方向交叉的方向上的兩端和所述本體的內側側面接觸的部分， <br/>所述燒結體覆蓋所述接觸的部分。
如請求項13至請求項16中任一項所述的製造方法，其中所述第二材料包含與所述蒸發體及所述蓋體共通的組成物。
如請求項17所述的製造方法，其中所述第二材料的熔點低於所述蒸發體及所述蓋體。
如請求項13所述的製造方法，其中於所述作動流體的流路中的預先確定的位置配置所述第一材料並燒結，形成於所述預先確定的位置處由所述本體與所述蓋體所夾持的其他燒結體。
一種製造方法，其製造設置有發熱組件及熱交換器的裝置，所述熱交換器具有設置有蒸發體的蒸發器，所述蒸發體自所述發熱組件吸收熱，藉由毛細管力使液相的作動流體移動，並且使其蒸發為氣相，所述熱交換器將自所述蒸發器導出的氣相的作動流體冷凝，使其作為液相的作動流體於所述蒸發體環流， <br/>所述蒸發器具有設置有所述蒸發體的本體及覆蓋所述本體的蓋體， <br/>所述製造方法包括： <br/>將配置於所述本體的第一材料燒結而形成所述蒸發體的步驟； <br/>將配置於所述蓋體的第二材料燒結而形成燒結體的步驟； <br/>使所述蒸發體與所述燒結體接觸並進行加熱，而將所述蒸發體與所述燒結體接合的步驟；以及 <br/>將所述發熱組件固定於所述本體及所述蓋體的至少一者的步驟。
一種動態釉面，其包括一光調變器，該光調變器包括： <br/>一第一基板及一第二基板，其等面向彼此，第一多個交錯網狀電極以一二維圖案跨面向該第二基板之該第一基板之一表面延伸，且第二多個交錯網狀電極以一二維圖案跨面向該第一基板之該第二基板之一表面延伸，該第一基板上之該第一多個網狀電極包括在跨該第一基板散佈之複數個交叉點處交叉之兩個網狀電極，該第二基板上之該第二多個網狀電極包括在跨該第二基板散佈之複數個交叉點處交叉之兩個網狀電極， <br/>一光學層，其介於該第一基板與該第二基板之間，該光學層包括含粒子之一流體，其中該等粒子帶電或可充電； <br/>一控制器，其經組態以將一電位施加於該第一多個網狀電極及該第二多個網狀電極而在該第一多個網狀電極及該第二多個網狀電極之間獲得一電磁場以提供該等粒子朝向或自該第一多個網狀電極及該第二多個網狀電極之一者之電泳移動，從而引起該光調變器之光學性質之調變。
如請求項1之動態釉面，其中該控制器自該基板上之一連接區域電連接至一個或多個基板上之該第一多個網狀電極及/或該第二多個網狀電極以最小化該第一多個網狀電極及/或該第二多個網狀電極之間的電位差。
如請求項1或2之動態釉面，其中一基板上之至少兩個網狀電極各包括在一第一方向上跨該基板延伸之多個主線，該至少兩個網狀電極之該多個主線相對於彼此交替地配置於該基板上，該至少兩個網狀電極之各者包括 <br/>多個互連線，其等將該網狀電極之該等主線電連接在一起，該網狀電極之多個主線透過多個互連連接至該網狀電極之其他主線，一互連線與另一網狀電極交叉以形成一交叉點。
如請求項3之動態釉面，其中 <br/>該電極中之數個主線包括至少兩個互連線，其中該數目係至少兩個、至少10個、該主線數目之至少一半、該等主線之至少90%或實質上所有主線，及/或 <br/>一主線連接至至少2個、至少4個、至少8個或至少16個互連線，及/或 <br/>一主線連接至該基板之邊緣之一距離內之一互連，該距離小於該主線之長度之10%。
如請求項1或2之動態釉面，其中該複數個交叉點跨該基板隨機分佈。
如請求項3之動態釉面，其中該等主線及/或互連線之一或多者係直線或波浪形。
如請求項1或2之動態釉面，其中跨該基板之一網狀電極之該二維圖案包括一正三角形磚片、方形磚片或六角形磚片之任一者。
如請求項1或2之動態釉面，其中該基板被切割成一非矩形形狀。
如請求項1或2之動態釉面，其中該基板包括一交叉點處之一電流控制組件，其中 <br/>該電流控制組件包括位於一交叉點處之一介電質，在該交叉點處將該基板上之該兩個交叉網狀電極彼此電隔離，或 <br/>該電流控制組件經組態以在該交叉點處之該基板上之該第一網狀電極與該第二網狀電極之間傳遞正負電壓之一高臨限值之電流，或阻擋該第一網狀電極與該第二網狀電極之間的電流。
如請求項1或2之動態釉面，其包括該第一基板上之一第一網狀電極與該第二基板上之一第二網狀電極之間的一電流控制組件，該電流控制組件控制該第一網狀電極與該第二網狀電極之間的一電流。
如請求項10之動態釉面，其中該電流控制組件 <br/>係一間隔件，其將該第一基板及該第二基板彼此間隔，及/或 <br/>定位於一交叉點之頂部上。
如請求項1或2之動態釉面，其中 <br/>將至少三個網狀電極施加於該第一基板及該第二基板之至少一者，或 <br/>將至少三個網狀電極施加於該第一基板及該第二基板兩者。
如請求項1或2之動態釉面，其中該第一基板及/或第二基板上之該等網狀電極配置於該基板之一第一側上且包括將該等網狀電極連接至該基板之一第二側之多個通孔，該等通孔可連接至該控制器。
如請求項13之動態釉面，其中該等通孔配置於跨該基板之多組通孔中，該基板上之該等網狀電極之各者連接至一組通孔中之一通孔，一組通孔中之該等通孔在至多該間距下界限之一距離處，該組通孔在至少一間距上界限之一距離處。
如請求項1或2之動態釉面，其中該第一基板上之一個或多個網狀電極透過一導電間隔件連接至該第二基板上之一連接點，且自該連接點連接至該控制器。
如請求項1或2之動態釉面，其具有一透明狀態及一不透明狀態，或具有一反射狀態及一非反射狀態，該光調變器經組態以 <br/>藉由在該第一基板及該第二基板之至少一者上產生一交流電壓而在該第一基板上之至少一第一網狀電極與一第二網狀電極之間及/或在該第二基板上之一第一網狀電極與一第二網狀電極之間施加一交流電流而切換至該不透明狀態或該非反射狀態， <br/>藉由在該第一基板與該第二基板之間產生一交流電壓而在該第一基板上之一第一網狀電極與該第二基板上之一第一網狀電極之間及/或在該第一基板上之一第二網狀電極與該第二基板上之一第二網狀電極之間施加一交流電流而切換至該透明狀態或該反射狀態。
一種光調變器，該光調變器包括： <br/>一第一基板及一第二基板，其等面向彼此，第一多個交錯網狀電極以一二維圖案跨面向該第二基板之該第一基板之一表面延伸，且第二多個交錯網狀電極以一二維圖案跨面向該第一基板之該第二基板之一表面延伸，該第一基板上之該第一多個網狀電極包括在跨該第一基板散佈之複數個交叉點處交叉之兩個網狀電極，該第二基板上之該第二多個網狀電極包括在跨該第二基板散佈之複數個交叉點處交叉之兩個網狀電極， <br/>一光學層，其介於該第一基板與該第二基板之間，該光學層包括含粒子之一流體，其中該等粒子帶電或可充電； <br/>一控制器，其經組態以將一電位施加於該第一多個網狀電極及該第二多個網狀電極而在該第一多個網狀電極及該第二多個網狀電極之間獲得一電磁場以提供該等粒子朝向或自該第一多個網狀電極及該第二多個網狀電極之一者之電泳移動，從而引起該光調變器之光學性質之調變。
一種用於一光調變器中之基板，多個交錯網狀電極以一二維圖案跨該基板之一表面延伸，該基板上之該多個網狀電極之兩個網狀電極在跨該基板散佈之複數個交叉點處交叉，該多個網狀電極經組態以使施加於該多個網狀電極之一電位在該多個網狀電極之間獲得一電磁場以提供粒子之電泳移動。
一種製造用於一光調變器中之一基板之方法 <br/>提供一基板且在該基板之一表面上施加多個交錯網狀電極，該多個交錯網狀電極以一二維圖案跨該基板延伸，該基板上之該多個網狀電極之兩個網狀電極在跨該基板散佈之複數個交叉點處交叉。
如請求項19之製造一基板之方法， <br/>該多個網狀電極各包括多個主線，該方法包括將該多個網狀電極之該多個主線施加於該基板，該多個電極之該多個主線相對於彼此交替地配置於該基板上， <br/>在該基板上施加電連接該多個主線之多個互連線，該多個電極之一網狀電極包括將該網狀電極之該等主線電連接在一起之多個互連，其中該電極之多個主線透過多個互連連接至其他主線。
如請求項20之製造一基板之方法，其包括 <br/>在施加該多個主線之前，在該基板上圖案化多個導電互連，且使用一介電質塗佈該基板，及 <br/>將一網狀電極之該多個導電主線連接至該等導電互連。
如請求項20之製造一基板之方法，其包括 <br/>在該多個導電主線上施加電流控制組件， <br/>在該等電流控制組件之頂部上施加多個互連線，將該多個導電主線連接至該基板上之該多個交錯網狀電極中。
如請求項19之製造一基板之方法，其包括 <br/>在該基板上施加一第一網狀電極 <br/>在該第一網狀電極上施加電流控制組件， <br/>在該基板上施加一第二網狀電極，該第二網狀電極透過該等電流組件與該第一網狀電極隔離。
如請求項19之製造一基板之方法，其包括 <br/>使用一第一導電層塗佈該基板，且圖案化該第一導電層以形成互連， <br/>使用一介電質沈積塗佈該基板且圖案化以在該等互連之頂部上形成隔離補片， <br/>使用一第二導電層塗佈該基板，及 <br/>圖案化該第一導電層及該第二導電層以形成該多個網狀電極。
如請求項19之製造用於一光調變器中之一基板之方法，其包括 <br/>自該基板切割一形狀。
一種製造一光調變器之方法，其包括 <br/>提供 <br/>一第一基板及一第二基板，其等面向彼此，第一多個交錯網狀電極以一二維圖案跨面向該第二基板之該第一基板之一表面延伸，且第二多個交錯網狀電極以一二維圖案跨面向該第一基板之該第二基板之一表面延伸，該第一基板上之該第一多個網狀電極包括在跨該第一基板散佈之複數個交叉點處交叉之兩個網狀電極，該第二基板上之該第二多個網狀電極包括在跨該第二基板散佈之複數個交叉點處交叉之兩個網狀電極， <br/>一光學層，其介於該第一基板與該第二基板之間，該光學層包括含粒子之一流體，其中該等粒子帶電或可充電。
如請求項26之製造一光調變器之方法，其包括 <br/>將一電連接器提供至一連接區域處之一基板上之兩個網狀電極。
如請求項26或27之製造一光調變器之方法，其包括： <br/>自已裝配的該第一基板、該第二基板及該光學層切割一形狀，及 <br/>閉合經切割之該形狀之邊緣。
如請求項28之製造一光調變器之方法，其中切割一形狀包括在該總成中切割一孔。
一種動態釉面化方法，其包括： <br/>提供一光調變器，其包括： <br/>一第一基板及一第二基板，其等面向彼此，第一多個交錯網狀電極以一二維圖案跨面向該第二基板之該第一基板之一表面延伸，且第二多個交錯網狀電極以一二維圖案跨面向該第一基板之該第二基板之一表面延伸，該第一基板上之該第一多個網狀電極包括在跨該第一基板散佈之複數個交叉點處交叉之該第一基板上之兩個網狀電極，該第二多個網狀電極包括在跨該第二基板散佈之複數個交叉點處交叉之該第二基板上之兩個網狀電極， <br/>一光學層，其介於該第一基板與該第二基板之間，該光學層包括含粒子之一流體，其中該等粒子帶電或可充電； <br/>一控制器，其經組態以將一電位施加於該第一多個網狀電極及該第二多個網狀電極而在該第一多個網狀電極及該第二多個網狀電極之間獲得一電磁場以提供該等粒子朝向或自該第一多個網狀電極及該第二多個網狀電極之一者之電泳移動，從而引起該光調變器之光學性質之調變 <br/>選擇一交流電流或電壓，且將該交流電流或電壓施加於該等電極而在該等電極之間獲得一電磁場以提供該等粒子朝向或自一電極之電泳移動，從而引起該光調變器之光學性質之調變。
一種暫時性或非暫時性電腦可讀媒體，其包括表示指令之資料，當由一處理器系統執行時，該等指令引起該處理器系統執行如請求項30之方法。
一種具有式 (I’’) 的化合物或其藥學上可接受的鹽、水合物、立體異構物、或互變異構物，其中： <br/><img align="absmiddle" height="87px" width="143px" file="ed10916.jpg" alt="ed10916.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(I’’) <br/><img align="absmiddle" height="5px" width="12px" file="ed10855.jpg" alt="ed10855.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>係單鍵或雙鍵； <br/>X選自X選自CH、CF和N； <br/>R<sup>x</sup>選自氫、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、鹵代、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基和C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基； <br/>R’選自氫和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基； <br/>R<sup>1</sup>選自氫和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基； <br/>每個R<sup>2</sup>獨立地選自C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、鹵代和側氧基，其中該C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基被0-1次出現的R<sup>2a</sup>取代；或者不相鄰碳原子上的2個R<sup>2</sup>與它們所附接的不相鄰碳原子一起形成橋環； <br/>R<sup>2a</sup>選自C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基和羥基； <br/>R<sup>3</sup>選自氫、C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、-SO<sub>2</sub>R<sup>4</sup>、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、-C(=O)-O-(R<sup>5</sup>)、-C(=O)-(R<sup>6</sup>)、C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基以及包含1-2個獨立地選自N、O和S的雜原子的4員至10員雜環基，其中該C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基各自獨立地被0-3次出現的R<sup>3a</sup>取代，並且其中該C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基和4員至10員雜環基各自獨立地被0-3次出現的R<sup>3b</sup>取代； <br/>或者 <br/>R<sup>3</sup>與其所附接的氮原子以及R<sup>2</sup>與其所附接的碳原子一起形成包含0-1個選自N、O和S的另外的雜原子的5員或6員雜環基，其中5員或6員雜環基被0-2次出現的側氧基基團取代； <br/>每個R<sup>3a</sup>獨立地選自C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基，包含1-2個獨立地選自N、O和S的雜原子的4員至10員雜環基，包含1-4個獨立地選自N、O和S的雜原子的5員至10員雜芳基，C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基，C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基，羥基和-C(=O)-NR<sup>7</sup>R<sup>8</sup>，其中該C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基、4員至6員雜環基、5員至10員雜芳基和C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基被0-4次出現的R<sup>3b</sup>取代； <br/>每個R<sup>3b</sup>獨立地選自C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、鹵代、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-CN、-SO<sub>2</sub>NR<sup>7</sup>R<sup>8</sup>、-SO<sub>2</sub>R<sup>4</sup>和羥基； <br/>R<sup>4</sup>選自C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基，C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基，包含1-2個獨立地選自N、O和S的雜原子的4員至6員雜環基，C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基和-NR<sup>4b</sup>R<sup>4c</sup>，其中該C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基被0-1次出現的R<sup>4a</sup>取代； <br/>R<sup>4a</sup>選自C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基、C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基； <br/>R<sup>4b</sup>選自氫和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基； <br/>R<sup>4c</sup>選自氫、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基和C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基； <br/>R<sup>5</sup>選自C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基和C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基； <br/>R<sup>6</sup>選自C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基，C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基，C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基，包含1-2個獨立地選自N、O和S的雜原子的4員至10員雜環基，以及-NR<sup>4b</sup>R<sup>4c</sup>，其中該C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基被0-1次出現的R<sup>6a</sup>取代，該C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基被0-1次出現的R<sup>6b</sup>取代，並且該4員至10員雜環基被0-1次出現的C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基取代； <br/>R<sup>6a</sup>選自C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基和C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基； <br/>R<sup>6b</sup>選自鹵代、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷氧基和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基； <br/>R<sup>7</sup>選自氫和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基； <br/>R<sup>8</sup>選自氫和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基； <br/>或者 <br/>R<sup>7</sup>和R<sup>8</sup>與它們所附接的氮原子一起形成包含0-1個選自N、O和S的另外的雜原子的5員或6員雜環基； <br/>n係0、1、2、3或4； <br/>m係0、1或2；並且 <br/>p係0或1。
如請求項1之化合物或其藥學上可接受的鹽、水合物、立體異構物、或互變異構物，其中R<sup>x</sup>選自氫、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基和鹵代。
如請求項1和2中任一項之化合物或其藥學上可接受的鹽、水合物、立體異構物、或互變異構物，其中該化合物具有式 (I’)，其中： <br/><img align="absmiddle" height="87px" width="125px" file="ed10918.jpg" alt="ed10918.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(I’) <br/><img align="absmiddle" height="5px" width="12px" file="ed10855.jpg" alt="ed10855.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>係單鍵或雙鍵； <br/>X選自CH、CF和N； <br/>R’選自氫和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基； <br/>R<sup>1</sup>選自氫和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基； <br/>每個R<sup>2</sup>獨立地選自C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、鹵代和側氧基，其中該C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基被0-1次出現的R<sup>2a</sup>取代；或者不相鄰碳原子上的2個R<sup>2</sup>與它們所附接的不相鄰碳原子一起形成橋環； <br/>R<sup>2a</sup>選自C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基和羥基； <br/>R<sup>3</sup>選自氫、C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、-SO<sub>2</sub>R<sup>4</sup>、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、-C(=O)-O-(R<sup>5</sup>)和-C(=O)-(R<sup>6</sup>)，其中該C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基獨立地被0-3次出現的R<sup>3a</sup>取代； <br/>或者 <br/>R<sup>3</sup>與其所附接的氮原子以及R<sup>2</sup>與其所附接的碳原子一起形成包含0-1個選自N、O和S的另外的雜原子的5員或6員雜環基； <br/>每個R<sup>3a</sup>獨立地選自C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基，包含1-2個獨立地選自N、O和S的雜原子的4員至6員雜環基，包含1-4個獨立地選自N、O和S的雜原子的5員至10員雜芳基，C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基，C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基，羥基和-C(=O)-NR<sup>7</sup>R<sup>8</sup>，其中該C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基、4員至6員雜環基、5員至10員雜芳基和C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基被0-4次出現的R<sup>3b</sup>取代； <br/>每個R<sup>3b</sup>獨立地選自C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、鹵代、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-CN、-SO<sub>2</sub>NR<sup>7</sup>R<sup>8</sup>、-SO<sub>2</sub>R<sup>4</sup>和羥基； <br/>R<sup>4</sup>選自C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基，C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基，包含1-2個獨立地選自N、O和S的雜原子的4員至6員雜環基，以及C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基，其中該C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基被0-1次出現的R<sup>4a</sup>取代； <br/>R<sup>4a</sup>選自C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基、C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基； <br/>R<sup>5</sup>選自C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基和C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基； <br/>R<sup>6</sup>選自C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基和C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基，其中該C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基被0-1次出現的R<sup>6a</sup>取代，並且該C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基被0-1次出現的R<sup>6b</sup>取代； <br/>R<sup>6a</sup>選自C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基和C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基； <br/>R<sup>6b</sup>選自鹵代、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷氧基和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基； <br/>R<sup>7</sup>選自氫和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基； <br/>R<sup>8</sup>選自氫和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基； <br/>或者 <br/>R<sup>7</sup>和R<sup>8</sup>與它們所附接的氮原子一起形成包含0-1個選自N、O和S的另外的雜原子的5員或6員雜環基； <br/>n係0、1、2、3或4； <br/>m係0、1或2；並且 <br/>p係0或1。
如請求項1及2中任一項之化合物或其藥學上可接受的鹽、水合物、立體異構物、或互變異構物，其中該化合物具有式 (I)，其中： <br/><img align="absmiddle" height="87px" width="125px" file="ed10919.jpg" alt="ed10919.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(I) <br/>X選自CH、CF和N； <br/>R’選自氫和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基； <br/>R<sup>1</sup>選自氫和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基； <br/>每個R<sup>2</sup>獨立地選自C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、鹵代和側氧基，其中該C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基被0-1次出現的R<sup>2a</sup>取代；或者不相鄰碳原子上的2個R<sup>2</sup>與它們所附接的不相鄰碳原子一起形成橋環； <br/>R<sup>2a</sup>選自C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基和羥基； <br/>R<sup>3</sup>選自氫、C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、-SO<sub>2</sub>R<sup>4</sup>、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、-C(=O)-O-(R<sup>5</sup>)和-C(=O)-(R<sup>6</sup>)，其中該C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基獨立地被0-3次出現的R<sup>3a</sup>取代； <br/>或者 <br/>R<sup>3</sup>與其所附接的氮原子以及R<sup>2</sup>與其所附接的碳原子一起形成包含0-1個選自N、O和S的另外的雜原子的5員或6員雜環基； <br/>每個R<sup>3a</sup>獨立地選自C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基，包含1-2個獨立地選自N、O和S的雜原子的4員至6員雜環基，包含1-4個獨立地選自N、O和S的雜原子的5員至10員雜芳基，C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基，C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基，羥基和-C(=O)-NR<sup>7</sup>R<sup>8</sup>，其中該C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基、4員至6員雜環基、5員至10員雜芳基和C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基被0-4次出現的R<sup>3b</sup>取代； <br/>每個R<sup>3b</sup>獨立地選自C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、鹵代、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-CN、-SO<sub>2</sub>NR<sup>7</sup>R<sup>8</sup>、-SO<sub>2</sub>R<sup>4</sup>和羥基； <br/>R<sup>4</sup>選自C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基，C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基，包含1-2個獨立地選自N、O和S的雜原子的4員至6員雜環基，以及C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基，其中該C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基被0-1次出現的R<sup>4a</sup>取代； <br/>R<sup>4a</sup>選自C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基、C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基； <br/>R<sup>5</sup>選自C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基和C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基； <br/>R<sup>6</sup>選自C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基和C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基，其中該C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基被0-1次出現的R<sup>6a</sup>取代，並且該C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基被0-1次出現的R<sup>6b</sup>取代； <br/>R<sup>6a</sup>選自C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基和C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基； <br/>R<sup>6b</sup>選自鹵代、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷氧基和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基； <br/>R<sup>7</sup>選自氫和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基； <br/>R<sup>8</sup>選自氫和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基； <br/>或者 <br/>R<sup>7</sup>和R<sup>8</sup>與它們所附接的氮原子一起形成包含0-1個選自N、O和S的另外的雜原子的5員或6員雜環基； <br/>n係0、1、2、3或4； <br/>m係0、1或2；並且 <br/>p係0或1。
如請求項1及2中任一項之化合物或其藥學上可接受的鹽、水合物、立體異構物、或互變異構物，其中 <br/>X選自CH、CF和N； <br/>R’選自氫和C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基； <br/>R<sup>1</sup>選自氫和C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基； <br/>每個R<sup>2</sup>獨立地選自未經取代的C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基和鹵代；或者不相鄰碳原子上的2個R<sup>2</sup>與它們所附接的不相鄰碳原子一起形成橋環； <br/>R<sup>3</sup>選自氫、C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、-SO<sub>2</sub>R<sup>4</sup>、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、-C(=O)-O-(R<sup>5</sup>)和-C(=O)-(R<sup>6</sup>)，其中該C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基獨立地被0-3次出現的R<sup>3a</sup>取代； <br/>或者 <br/>R<sup>3</sup>與其所附接的氮原子以及R<sup>2</sup>與其所附接的碳原子一起形成包含0-1個選自N和O的另外的雜原子的5員或6員雜環基； <br/>每個R<sup>3a</sup>獨立地選自C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基，包含1-2個獨立地選自N、O和S的雜原子的4員至6員雜環基，包含1-4個獨立地選自N、O和S的雜原子的5員至10員雜芳基，C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基，C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基，羥基和-C(=O)-NR<sup>7</sup>R<sup>8</sup>，其中該C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基、4員至6員雜環基、5員至10員雜芳基和C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基被0-4次出現的R<sup>3b</sup>取代； <br/>每個R<sup>3b</sup>獨立地選自C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、鹵代、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-CN、-SO<sub>2</sub>NR<sup>7</sup>R<sup>8</sup>、-SO<sub>2</sub>R<sup>4</sup>和羥基； <br/>R<sup>4</sup>選自C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基，C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基，包含1-2個獨立地選自N、O和S的雜原子的4員至6員雜環基，以及C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基，其中該C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基被0-1次出現的R<sup>4a</sup>取代； <br/>R<sup>4a</sup>選自C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基、C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基； <br/>R<sup>5</sup>選自C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基和C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基； <br/>R<sup>6</sup>選自C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基和C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基，其中該C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基被0-1次出現的R<sup>6a</sup>取代，並且該C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基被0-1次出現的R<sup>6b</sup>取代； <br/>R<sup>6a</sup>選自C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基和C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基； <br/>R<sup>6b</sup>選自氯、氟、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷氧基和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基； <br/>R<sup>7</sup>選自氫和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基； <br/>R<sup>8</sup>選自氫和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基； <br/>或者 <br/>R<sup>7</sup>和R<sup>8</sup>與它們所附接的氮原子一起形成包含0-1個選自N、O和S的另外的雜原子的5員或6員雜環基； <br/>n係0、1、2或3； <br/>m係0、1或2；並且 <br/>p係0或1。
如請求項1及2中任一項之化合物或其藥學上可接受的鹽、水合物、立體異構物、或互變異構物，其中 <br/>X選自CH和N； <br/>R’選自氫和甲基； <br/>R<sup>1</sup>選自氫和甲基； <br/>每個R<sup>2</sup>獨立地選自未經取代的C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基和鹵代；或者不相鄰碳原子上的2個R<sup>2</sup>與它們所附接的不相鄰碳原子一起形成C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>伸烷基橋環； <br/>R<sup>3</sup>選自氫、C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、-SO<sub>2</sub>R<sup>4</sup>、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、-C(=O)-O-(R<sup>5</sup>)和-C(=O)-(R<sup>6</sup>)，其中該C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基獨立地被0-3次出現的R<sup>3a</sup>取代； <br/>或者 <br/>R<sup>3</sup>與其所附接的氮原子以及R<sup>2</sup>與其所附接的碳原子一起形成包含0-1個另外的O雜原子的5員或6員雜環基； <br/>每個R<sup>3a</sup>獨立地選自C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基，包含1-2個獨立地選自N、O和S的雜原子的4員至6員雜環基，包含1-4個獨立地選自N、O和S的雜原子的5員至10員雜芳基，以及苯基，其中該C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基、4員至6員雜環基、5員至10員雜芳基和苯基被0-4次出現的R<sup>3b</sup>取代； <br/>每個R<sup>3b</sup>獨立地選自C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、鹵代、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、-CN、-SO<sub>2</sub>NR<sup>7</sup>R<sup>8</sup>、-SO<sub>2</sub>R<sup>4</sup>和羥基； <br/>R<sup>4</sup>選自C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基，C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基，包含1-2個獨立地選自N、O和S的雜原子的4員至6員雜環基，以及C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基，其中該C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基被1次出現的R<sup>4a</sup>取代； <br/>R<sup>4a</sup>選自C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基、C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基； <br/>R<sup>5</sup>選自C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基和C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基； <br/>R<sup>6</sup>選自C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基和C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基，其中該C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基被0-1次出現的R<sup>6a</sup>取代，並且該C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基被0-1次出現的R<sup>6b</sup>取代； <br/>R<sup>6a</sup>選自C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基和C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基； <br/>R<sup>6b</sup>選自氯、氟、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷氧基和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基； <br/>R<sup>7</sup>選自氫和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基； <br/>R<sup>8</sup>選自氫和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基； <br/>或者 <br/>R<sup>7</sup>和R<sup>8</sup>與它們所附接的氮原子一起形成包含0-1個選自N、O和S的另外的雜原子的5員或6員雜環基； <br/>n係0、1、2或3； <br/>m係0、1或2；並且 <br/>p係0或1。
如請求項1及2中任一項之化合物或其藥學上可接受的鹽、水合物、立體異構物、或互變異構物，其中 <br/>X選自CH和N； <br/>R’係氫； <br/>R<sup>1</sup>係氫； <br/>每個R<sup>2</sup>獨立地選自未經取代的C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基和氟；或者不相鄰碳原子上的2個R<sup>2</sup>與它們所附接的不相鄰碳原子一起形成C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>伸烷基橋環； <br/>R<sup>3</sup>選自C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、-SO<sub>2</sub>R<sup>4</sup>和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基，其中該C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基被0-2次出現的R<sup>3a</sup>取代，並且該C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基被0-1次出現的R<sup>3a</sup>取代； <br/>每個R<sup>3a</sup>獨立地選自C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基，包含1-2個獨立地選自N和O的雜原子的4員至6員雜環基，包含1-3個獨立地選自N、O和S的雜原子的5員至6員雜芳基，以及苯基，其中該C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基、4員至6員雜環基、5員至6員雜芳基和苯基被0-4次出現的R<sup>3b</sup>取代； <br/>每個R<sup>3b</sup>獨立地選自鹵代、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基和羥基； <br/>R<sup>4</sup>選自C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基，C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基，包含1-2個獨立地選自N、O和S的雜原子的4員至6員雜環基，以及C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基，其中該C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基被1次出現的R<sup>4a</sup>取代； <br/>R<sup>4a</sup>選自C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基、C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基； <br/>n係0、1、2或3； <br/>m係1或2；並且 <br/>p係0或1。
如請求項1及2中任一項之化合物或其藥學上可接受的鹽、水合物、立體異構物、或互變異構物，其中 <br/>X選自CH和N； <br/>R’係氫； <br/>R<sup>1</sup>係氫； <br/>每個R<sup>2</sup>獨立地選自未經取代的C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基；或者不相鄰碳原子上的2個R<sup>2</sup>與它們所附接的不相鄰碳原子一起形成C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>伸烷基橋環； <br/>R<sup>3</sup>選自C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、-SO<sub>2</sub>R<sup>4</sup>和未經取代的C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基，其中該C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基被0-2次出現的R<sup>3a</sup>取代； <br/>每個R<sup>3a</sup>獨立地選自C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基，包含1-2個獨立地選自N和O的雜原子的4員至6員雜環基，包含1-3個獨立地選自N、O和S的雜原子的5員至6員雜芳基，以及苯基，其中該C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基、4員至6員雜環基、5員至6員雜芳基和苯基被0-3次出現的R<sup>3b</sup>取代； <br/>每個R<sup>3b</sup>獨立地選自鹵代、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基和羥基； <br/>R<sup>4</sup>選自C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基，C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基，包含1-2個獨立地選自N、O和S的雜原子的4員至6員雜環基，以及C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基，其中該C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基被1次出現的R<sup>4a</sup>取代； <br/>R<sup>4a</sup>選自C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基、C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基； <br/>n係0、1或2； <br/>m係1或2；並且 <br/>p係1。
如請求項1及2中任一項之化合物或其藥學上可接受的鹽、水合物、立體異構物、或互變異構物，其中 <br/>X選自CH和N； <br/>R’係氫； <br/>R<sup>1</sup>係氫； <br/>每個R<sup>2</sup>獨立地選自未經取代的C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基； <br/>R<sup>3</sup>選自C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、-SO<sub>2</sub>R<sup>4</sup>和未經取代的C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基，其中該C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基被0-2次出現的R<sup>3a</sup>取代； <br/>每個R<sup>3a</sup>獨立地選自C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基、包含1個O雜原子的4員至6員雜環基、包含1-2個N雜原子的6員雜芳基、以及苯基，其中該C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基、4員至6員雜環基、6員雜芳基和苯基被0-2次出現的R<sup>3b</sup>取代； <br/>每個R<sup>3b</sup>獨立地選自氯、氟、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷氧基和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基； <br/>R<sup>4</sup>選自C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、包含1個O雜原子的4員至6員雜環基、以及苯基，其中該C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基被1次出現的R<sup>4a</sup>取代； <br/>R<sup>4a</sup>選自C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基和苯基； <br/>n係0、1或2； <br/>m係1或2；並且 <br/>p係1。
如請求項1及2中任一項之化合物或其藥學上可接受的鹽、水合物、立體異構物、或互變異構物，其中R<sup>3</sup>選自C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基和-CH<sub>2</sub>-R<sup>3a</sup>。
如請求項1及2中任一項之化合物或其藥學上可接受的鹽、水合物、立體異構物、或互變異構物，其中該化合物具有式 (Ia)： <br/><img align="absmiddle" height="85px" width="123px" file="ed10921.jpg" alt="ed10921.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(Ia)。
如請求項1及2中任一項之化合物或其藥學上可接受的鹽、水合物、立體異構物、或互變異構物，其中X係CH。
如請求項1及2中任一項之化合物或其藥學上可接受的鹽、水合物、立體異構物、或互變異構物，其中R<sup>2</sup>係未經取代的C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基，並且n係1。
如請求項1及2中任一項之化合物或其藥學上可接受的鹽、水合物、立體異構物、或互變異構物，其中m係1。
如請求項1及2中任一項之化合物或其藥學上可接受的鹽、水合物、立體異構物、或互變異構物，其中R<sup>3</sup>係C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基，其中該C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基被0至1次出現的R<sup>3a</sup>取代。
如請求項1及2中任一項之化合物或其藥學上可接受的鹽、水合物、立體異構物、或互變異構物，其中R<sup>3</sup>選自甲基、乙基、正丙基、異丙基、2-丙烷基、丁基、異丁基、2-丁烷基、3-甲基-2-丁烷基、異戊基、3-戊烷基、新戊基、2,4-二甲基戊烷基和-CH<sub>2</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>0-1</sub>-R<sup>3a</sup>。
如請求項1及2中任一項之化合物或其藥學上可接受的鹽、水合物、立體異構物、或互變異構物，其中R<sup>3a</sup>係C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基，其中該C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基被0-4次出現的R<sup>3b</sup>取代，其中每個R<sup>3b</sup>獨立地選自C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、氯、氟、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷氧基和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基。
如請求項1及2中任一項之化合物或其藥學上可接受的鹽、水合物、立體異構物、或互變異構物，其中R<sup>3a</sup>係被0-2次出現的氟取代的C<sub>3</sub>-C<sub>7</sub>環烷基。
如請求項1及2中任一項之化合物或其藥學上可接受的鹽、水合物、立體異構物、或互變異構物，其中R<sup>3a</sup>選自環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、金剛烷基、<img align="absmiddle" height="23px" width="39px" file="ed10856.jpg" alt="ed10856.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="27px" width="33px" file="ed10857.jpg" alt="ed10857.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="30px" width="33px" file="ed10858.jpg" alt="ed10858.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="29px" width="36px" file="ed10859.jpg" alt="ed10859.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="27px" width="36px" file="ed10860.jpg" alt="ed10860.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="25px" width="40px" file="ed10861.jpg" alt="ed10861.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="25px" width="44px" file="ed10862.jpg" alt="ed10862.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="43px" width="56px" file="ed10863.jpg" alt="ed10863.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1及2中任一項之化合物或其藥學上可接受的鹽、水合物、立體異構物、或互變異構物，其中<img align="absmiddle" height="5px" width="12px" file="ed10855.jpg" alt="ed10855.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>係單鍵。
一種化合物或其藥學上可接受的鹽、水合物、立體異構物、或互變異構物，其係選自： <br/>或其藥學上可接受的鹽、水合物、或互變異構物。
如請求項1及2中任一項之化合物或其藥學上可接受的鹽、水合物、立體異構物、或互變異構物，其中該藥學上可接受的鹽係酸加成鹽。
如請求項1之化合物或其藥學上可接受的鹽、水合物、立體異構物、或互變異構物，其係選自： <br/><img align="absmiddle" height="51px" width="61px" file="ed10946.jpg" alt="ed10946.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="40px" width="81px" file="ed10947.jpg" alt="ed10947.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="46px" width="73px" file="ed10891.jpg" alt="ed10891.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="44px" width="81px" file="ed10892.jpg" alt="ed10892.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="40px" width="80px" file="ed11108.jpg" alt="ed11108.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、及<img align="absmiddle" height="60px" width="63px" file="ed11110.jpg" alt="ed11110.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>或其藥學上可接受的鹽、水合物、或互變異構物。
如請求項1之化合物或其藥學上可接受的鹽、水合物、立體異構物、或互變異構物，其係 <br/><img align="absmiddle" height="40px" width="81px" file="ed10948.jpg" alt="ed10948.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或其藥學上可接受的鹽、水合物、或互變異構物。
如請求項1之化合物或其藥學上可接受的鹽、水合物、立體異構物、或互變異構物，其係 <br/><img align="absmiddle" height="46px" width="73px" file="ed10891.jpg" alt="ed10891.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或其藥學上可接受的鹽、水合物、或互變異構物。
如請求項1之化合物或其藥學上可接受的鹽、水合物、立體異構物、或互變異構物，其係 <br/><img align="absmiddle" height="51px" width="61px" file="ed10946.jpg" alt="ed10946.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或其藥學上可接受的鹽、水合物、或互變異構物。
如請求項1之化合物或其藥學上可接受的鹽、水合物、立體異構物、或互變異構物，其係 <br/><img align="absmiddle" height="60px" width="63px" file="ed11110.jpg" alt="ed11110.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或其藥學上可接受的鹽、水合物、或互變異構物。
一種藥物組成物，該藥物組成物包含治療有效量的如請求項1至27中任一項所述之化合物或其藥學上可接受的鹽、水合物、立體異構物、或互變異構物，以及藥學上可接受的載體或賦形劑。
如請求項1或2之化合物或其藥學上可接受的鹽、水合物、立體異構物、或互變異構物，用作藥物。
一種如請求項1至27中任一項之化合物或其藥學上可接受的鹽、水合物、立體異構物、或互變異構物之用途，其係用於製備用於在治療選自鐮形血球貧血症和β-地中海型貧血的疾病或障礙中使用的藥物。
一種如請求項1至27中任一項之化合物或其藥學上可接受的鹽、水合物、立體異構物、或互變異構物之用途，其係用於製備用於在治療或預防受以下影響之障礙的藥物： <br/>(a) WIZ蛋白水平之抑制； <br/>(b) WIZ蛋白水平之降低； <br/>(c) WIZ蛋白之降解； <br/>(d) 胎兒血紅素表現之增加； <br/>(e) WIZ蛋白的活性之抑制、降低、或消除或WIZ蛋白之表現； <br/>(f) 胎兒血紅素之誘導或促進；或 <br/>(g) 胎兒血紅素產生或表現之重新激活。
一種如請求項1至27中任一項之化合物或其藥學上可接受的鹽、水合物、立體異構物、或互變異構物之用途，其係用於製備用於以下之藥物： <br/>(a) 抑制、降低、或消除有需要的受試者的WIZ蛋白活性或WIZ蛋白表現； <br/>(b) 誘導或促進有需要的受試者的胎兒血紅素； <br/>(c) 重新激活有需要的受試者的胎兒血紅素產生或表現；或 <br/>(d) 增加有需要的受試者的胎兒血紅素表現。
一種如請求項1至27中任一項所述之化合物或其藥學上可接受的鹽、水合物、立體異構物、或互變異構物之用途，其係用於製備用於在治療血色素病變之藥物。
一種如請求項1至27中任一項所述之化合物或其藥學上可接受的鹽、水合物、立體異構物、或互變異構物之用途，其係用於製備用於在治療β-血色素病變之藥物。
一種如請求項1至27中任一項所述之化合物或其藥學上可接受的鹽、水合物、立體異構物、或互變異構物之用途，其係用於製備用於在治療鐮形血球貧血症之藥物。
一種如請求項1至27中任一項所述之化合物或其藥學上可接受的鹽、水合物、立體異構物、或互變異構物之用途，其係用於製備用於在治療β-地中海型貧血之藥物。
一種如請求項1至27中任一項所述之化合物或其藥學上可接受的鹽、水合物、立體異構物、或互變異構物之用途，其係用於製備用於在抑制或降解有需要的受試者的WIZ蛋白表現之藥物。
一種藥物組合，該藥物組合包含如請求項1至27中任一項所述之化合物或其藥學上可接受的鹽、水合物、立體異構物、或互變異構物，以及一種或多種另外的治療劑。
一種具有式 (X-1) 的化合物或其鹽， <br/><img align="absmiddle" height="93px" width="155px" file="ed11274.jpg" alt="ed11274.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(X-1) <br/>其中： <br/><img align="absmiddle" height="5px" width="12px" file="ed10855.jpg" alt="ed10855.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>係單鍵或雙鍵； <br/>X選自CH、CF和N； <br/>Z選自氫和2,4-二甲氧基苄基（DMB）； <br/>R<sup>x</sup>選自氫、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、鹵代、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基和C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基； <br/>R<sup>N</sup>選自氫和氮保護基團PG）； <br/>R’選自氫和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基； <br/>R<sup>1</sup>選自氫和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基； <br/>每個R<sup>2</sup>獨立地選自C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵代烷基、鹵代和側氧基，其中該C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基被0-1次出現的R<sup>2a</sup>取代；或者不相鄰碳原子上的2個R<sup>2</sup>與它們所附接的不相鄰碳原子一起形成橋環； <br/>R<sup>2a</sup>選自C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基和羥基； <br/>n係0、1、2、3或4； <br/>m係0、1或2；並且 <br/>p係0或1。
一種用於處理一基材之設備，其包含：<br/> 一反應室，其設有一第一壁及相對該第一壁的一第二壁，其中該第一壁包含一通路；<br/> 一第一壁加熱器，設置於該第一壁；<br/> 一閘閥，其提供在該第一壁之該通路中；<br/> 一基材轉移室，其操作地連接至該閘閥；<br/> 一基材轉移機器人，其設置於該基材轉移室內，用於將該基材通過該閘閥在該反應室與該基材轉移室之間轉移；<br/> 一基材支撐件，其設有設置於該反應室內的一加熱器；及<br/> 一急冷器，其提供至該第二壁。
如請求項1所述之設備，其中該急冷器設有一冷卻通道。
如請求項2所述之設備，其中該設備經建構及配置以提供通過該冷卻通道的一冷卻流體。
如請求項3所述之設備，其中該設備經建構及配置以提供一冷卻液體作為通過該冷卻通道的該冷卻流體。
如請求項4所述之設備，其中該設備經建構及配置以提供通過該冷卻通道的該冷卻液體，該冷卻液體包含水及一全氟聚醚中之一者。
如請求項3所述之設備，其中該設備經建構及配置以提供一冷卻氣體作為通過該冷卻通道的該冷卻流體。
如請求項6所述之設備，其中該設備經建構及配置以提供通過該冷卻通道的該冷卻氣體，該冷卻氣體包含空氣、氮、及惰性氣體中之至少一者。
如請求項1所述之設備，其進一步包含設置於該急冷器與該第二壁之一內表面之間的一空間。
如請求項8所述之設備，其中該空間接觸該急冷器及該第二壁之該內表面。
如請求項1所述之設備，其進一步包含設置於該反應室下方並橫跨在該第一壁與該第二壁之間的一第三壁及提供至該第三壁的一第二壁加熱器。
如請求項10所述之設備，其進一步包含提供至該第二壁之一第三壁加熱器。
如請求項11所述之設備，其進一步包含一控制器，以控制該急冷器的一溫度及該第一壁加熱器、該第二壁加熱器及該第三壁加熱器中之至少一者的一溫度。
如請求項12所述之設備，其中該控制器經組態以控制該第二壁之一第一部分之溫度與該第一壁之一部分之溫度達到相同溫度。
如請求項13所述之設備，其進一步包含設置於該急冷器與該第二壁之一內表面之間的一絕緣器，其中該急冷器設有一冷卻通道。
如請求項11所述之設備，其進一步包含一控制器，以控制該急冷器、該第一壁加熱器、該第二壁加熱器及該第三壁加熱器之溫度。
如請求項1所述之設備，其進一步包含一氣體供應單元，該氣體供應單元經建構及配置以面向該基材支撐件並橫跨在該第一壁與該第二壁之間。
如請求項16所述之設備，其中該氣體供應單元包含一噴淋頭，該噴淋頭設有用於供應氣體至該基材的複數個孔洞。
如請求項1所述之設備，其進一步包含設置於該急冷器與該第二壁之一內表面之間的一絕緣器。
如請求項1所述之設備，其進一步包含在該第二壁中的一冷卻通道。
一種框架系統(10)，其在一基板(20)之一化學及/或電解表面處理期間用於固持該基板(20)，其包括： <br/>一框架元件(30)，及 <br/>若干指部單元(60)，該等單元配置在該框架元件(30)處， <br/>其中該框架元件(30)經組態以至少部分地圍繞該基板(20)之側邊緣(23)，且留出該基板(20)之至少一第一表面(21)或一第二表面(22)，以便於用於該表面處理， <br/>其中該等若干指部單元(60)之各指部單元包括一第一指部(61)及一第二指部(62)， <br/>其中該第一指部(61)經組態以接觸該基板(20)之該第一表面(21)，及該第二指部(62)經組態以接觸與該基板(20)之該第一表面(21)相對之該基板(20)之該第二表面(22)，及 <br/>其中該第一指部(61)相對於該框架元件(30)移動，以將該基板(20)夾緊在該第一指部(61)與該第二指部(62)之間。
如請求項1之框架系統(10)，其中該第二指部(62)係不可移動的。
如請求項1之框架系統(10)，其中該第二指部(62)可相對於該框架元件(30)移動。
如請求項1至3中任一項之框架系統(10)，其中該等若干指部單元(60)沿該框架元件(30)分佈，與該等若干指部單元(60)之相鄰指部單元之間具有一定距離。
如請求項1至3中任一項之框架系統(10)，其進一步包括一致動單元(40)，該致動單元(40)經組態以在用於接納及/或釋放該基板(20)之一打開位置與用於固持該基板(20)之一閉合位置之間移動該第一指部(61)。
如請求項5之框架系統(10)，其進一步包括一預張力單元(50)，該預張力單元(50)經組態成將該第一指部(61)保持在一靜止位置，即該閉合位置。
如請求項1至3中任一項之框架系統(10)，其中該第一指部(61)及/或該第二指部(62)包括一彈性指尖元件(63) 以接觸該基板(20)。
如請求項1至3中任一項之框架系統(10)，其中該等若干指部單元(60)之至少一者包括用於該基板(20)之一電接地之一導電接地路徑(65)。
如請求項7之框架系統(10)，其中該彈性指尖元件(63)係可交換的。
如請求項1至3中任一項之框架系統(10)，其中該等若干指部單元(60)之至少一者、該第一指部(61)、及/或該第二指部(62)係可交換的。
如請求項1至3中任一項之框架系統(10)，其中該框架元件(30)之一底部框架(33)之一外邊緣係尖的，且其中該底部框架(33)之該外邊緣較佳地經指向該框架系統(10)之一底部。
如請求項1至3中任一項之框架系統(10)，其中該框架元件(30)及/或該等若干指部單元(60)之至少一者包括一流體導引系統，該流體導引系統經組態以導引一流體遠離該基板(20)，較佳地沿著至該框架系統(10)之一底部之一方向。
如請求項1至3中任一項之框架系統(10)，其中該框架元件(30)及/或該等指部單元(60)設計為不帶一底切。
如請求項1至3中任一項之框架系統(10)，其中該框架元件(30)及/或該等若干指部單元(60)為疏水性或親水性。
如請求項1至3中任一項之框架系統(10)，其僅包括該基板(20)之每500mm長度之該等若干指部單元(60)之一個或兩個指部單元。
如請求項1至3中任一項之框架系統(10)，其中該框架元件(30)進一步包括至少一個靜態單元(70)，該靜態單元(70)配置在該框架元件(30)之一下邊緣處，且經組態以支撐該基板(20)。
如請求項1至3中任一項之框架系統(10)，其僅包括一個單式框架元件(30)。
一種配線基板，其具備： <br/>基板，其具有透明性； <br/>底塗層，其設置於上述基板上；及 <br/>網格配線層，其配置於上述底塗層上，包含複數條第1方向配線、及連結上述複數條第1方向配線之複數條第2方向配線；且 <br/>上述底塗層包含高分子材料； <br/>於上述第1方向配線與上述第2方向配線之交點，形成於上述第1方向配線與上述第2方向配線間之4個角部中之至少1個角部於俯視時帶圓； <br/>於俯視時帶圓之上述角部之背面係：於俯視時，相較於表面不往遠離上述交點之側突出。
一種配線基板，其具備： <br/>基板，其具有透明性； <br/>底塗層，其設置於上述基板上；及 <br/>網格配線層，其配置於上述底塗層上，包含複數條第1方向配線、及連結上述複數條第1方向配線之複數條第2方向配線；且 <br/>上述底塗層包含高分子材料； <br/>於上述第1方向配線與上述第2方向配線之交點，形成於上述第1方向配線與上述第2方向配線間之4個角部中之至少1個角部於俯視時帶圓； <br/>其中形成俯視時帶圓之上述角部之上述第1方向配線之中心線與上述第2方向配線之中心線所成之角於俯視時為銳角。
如請求項1或2之配線基板，其中上述底塗層之厚度為0.05 μm以上0.5 μm以下。
如請求項1或2之配線基板，其中上述底塗層包含丙烯酸系樹脂或聚酯系樹脂。
如請求項1或2之配線基板，其中上述高分子材料交聯。
如請求項1或2之配線基板，其進而具備：虛設配線層，其配置於上述網格配線層之周圍，包含與上述第1方向配線電性獨立之複數條虛設配線。
如請求項1或2之配線基板，其具有電波收發功能。
如請求項1或2之配線基板，其具有毫米波收發功能，上述網格配線層構成為陣列天線。
一種配線基板之製造方法，其具備如下步驟： <br/>準備具有透明性之基板； <br/>於上述基板上形成底塗層；及 <br/>於上述底塗層上，形成包含複數條第1方向配線、及連結上述複數條第1方向配線之複數條第2方向配線之網格配線層；且 <br/>上述底塗層包含高分子材料； <br/>於上述第1方向配線與上述第2方向配線之交點，形成於上述第1方向配線與上述第2方向配線間之4個角部中之至少1個角部於俯視時帶圓； <br/>於俯視時帶圓之上述角部之背面係：於俯視時，相較於表面不往遠離上述交點之側突出。
如請求項9之配線基板之製造方法，其中於形成上述網格配線層之步驟中，於上述底塗層上形成虛設配線層，該虛設配線層配置於上述網格配線層周圍，包含與上述第1方向配線電性獨立之複數條虛設配線。
一種食用油脂的製造方法，其對於由油脂原料所得之粗油進行純化處理以製造食用油脂，其中， <br/>前述食用油脂為拌炒烹調用； <br/>前述純化處理包含脫酸步驟及脫臭步驟； <br/>前述脫酸步驟中，相對於欲實施該脫酸步驟的油脂所包含的酸性物質之中和當量，鹼性物質的添加倍率為1.0以上、1.3以下； <br/>前述酸性物質包含磷酸； <br/>前述脫臭步驟滿足下述1)至3)的所有條件而進行： <br/>1)溫度在210℃以上、220℃以下 <br/>2)真空度超過2.1Torr且在4.0Torr以下 <br/>3)對於欲實施該脫臭步驟的油脂所供給的水蒸氣量在0.5質量%以上且小於2.5質量%。
如請求項1所述之食用油脂的製造方法，其中前述脫臭步驟之前述真空度的條件為超過2.5Torr且在4.0Torr以下。
如請求項1或2所述之食用油脂的製造方法，其中前述油脂原料為大豆或菜籽。
一種將由如請求項1至3中任一項所述之食用油脂的製造方法所製造的食用油脂用於加熱烹調的用途，其中，前述加熱烹調為拌炒烹調。
一種抑制食材附著於加熱烹調器具的方法，包含下述步驟：使用如請求項1至3中任一項之食用油脂的製造方法所製造的食用油脂，並以加熱烹調器具將食材進行拌炒烹調。
一種著色組成物，其含有著色劑、聚合性化合物、光聚合起始劑及溶劑，<br/> 前述著色劑包含有機顏料，前述著色組成物在總固體成分中的前述著色劑的含量為55質量%以上，<br/> 前述光聚合起始劑包含肟化合物，<br/> 前述溶劑包含環狀酮溶劑，並且前述溶劑中的前述環狀酮溶劑的含量為1～15質量%，<br/> 前述有機顏料包含選自喹吖酮顏料、蒽醌顏料、偶氮顏料、二酮吡咯并吡咯顏料、異吲哚啉顏料、喹啉黃顏料、蝶啶顏料及甲亞胺顏料中之至少1種。
如請求項1所述之著色組成物，其中<br/> 前述環狀酮溶劑為環戊酮。
如請求項1或請求項2所述之著色組成物，其中<br/> 前述溶劑中的前述環狀酮溶劑的含量為5～13質量%。
如請求項1或請求項2所述之著色組成物，其中<br/> 前述溶劑還包含酯系溶劑及醇系溶劑。
如請求項1或請求項2所述之著色組成物，其中<br/> 前述有機顏料包含選自二酮吡咯并吡咯顏料及異吲哚啉顏料中之至少1種。
如請求項1或請求項2所述之著色組成物，其中<br/> 前述有機顏料包含二酮吡咯并吡咯顏料。
如請求項1或請求項2所述之著色組成物，其中<br/> 前述有機顏料包含2種以上的二酮吡咯并吡咯顏料。
如請求項1或請求項2所述之著色組成物，其中<br/> 前述有機顏料包含選自比色指數顏料紅254及比色指數顏料紅272中之至少1種。
一種膜之製造方法，其包括將請求項1至請求項8之任一項所述之著色組成物塗佈於支撐體之步驟。
一種濾色器之製造方法，其包括請求項9所述之膜之製造方法。
一種固體攝像元件之製造方法，其包括請求項9所述之膜之製造方法。
一種圖像顯示裝置之製造方法，其包括請求項9所述之膜之製造方法。
一種水性水懸劑組成物，其包含： <br/>(i) 100至500克/升作為活性成分的環丁氟侖（cyclobutrifluram）； <br/>(ii) 1至30克/升的磺基琥珀酸酯潤濕劑； <br/>(iii) 5至50克/升的丁基聚環氧烷嵌段共聚物；以及 <br/>(iv) 2.5至35克/升的木質磺酸鈉。
如請求項1之水性水懸劑組成物，其進一步包含 <br/>(v) 1至55克/升的丙烯酸接枝共聚物。
如請求項1或2之水性水懸劑組成物，其中該水性水懸劑組成物包含200至500克/升的環丁氟侖。
如請求項1或2之水性水懸劑組成物，其中 <br/>該丁基聚環氧烷嵌段共聚物係丁醇聚氧乙烯-聚氧丙烯嵌段共聚物。
如請求項2之水性水懸劑組成物，其中 <br/>該丙烯酸接枝共聚物包含甲基丙烯酸主鏈。
如請求項1或2之水性水懸劑組成物，其進一步包含從5至120克/升的顏料。
如請求項1或2之水性水懸劑組成物，其包含 <br/>(i) 150至500克/升的作為活性成分的環丁氟侖； <br/>(ii) 5至15克/升的磺基琥珀酸酯潤濕劑； <br/>(iii) 5至35克/升的丁基聚環氧烷嵌段共聚物； <br/>(iv) 5至20克/升的木質磺酸鈉；以及 <br/>(v) 2至35克/升的丙烯酸接枝共聚物。
如請求項1或2之水性水懸劑組成物，其進一步包含一種或多種選自以下者的另外的成分：防凍劑、消泡劑、增稠劑、防腐劑、緩衝劑、和/或穩定劑。
如請求項1或2之水性水懸劑組成物，其進一步包含一種或多種輔助劑或載體。
一種減少或防止在植物中的線蟲或真菌損害之方法，該方法包括將如請求項1至9中任一項之組成物施用至植物的種子。
如請求項10之方法，其中該植物選自大麥、蕓薹屬植物葉球（head）和莖菜類蔬菜、豆、胡蘿蔔、鷹嘴豆、玉米、棉花、豇豆、瓜類、乾豆（dry beans）、紅花豌豆、菜豆、大蒜、扁豆、萵苣、粟、燕麥、洋蔥、花生、豌豆、馬鈴薯、稻、黑麥、高粱、大豆、甜菜、向日葵、黑小麥和小麥。
一種減少或防止在植物中的線蟲或真菌損害之方法，該方法包括將如請求項1至9中任一項之組成物施用至該植物或其場所。
如請求項12之方法，其中該植物選自秘魯胡蘿蔔（arracacha）、香蕉、豆類、黑胡椒、蕓薹屬植物葉球和莖菜類蔬菜、青花菜、高麗菜、胡蘿蔔、花椰菜、芹菜、大白菜、柑橘類水果、咖啡豆、棉花、黃瓜、甜瓜、西瓜、香瓜、筍瓜、火龍果、茄子、果菜類（fruiting vegetables）、大蒜、薑、人參、葡萄、辣椒、芥藍、萵苣、菠菜、芥菜、堅果、秋葵、洋蔥、日本蘿蔔、觀賞植物、木瓜、花生、胡椒、鳳梨、仁果、馬鈴薯、大豆、核果、草莓、甜菜、甘蔗、甘薯、煙草、番茄、樹堅果（tree nuts）和草皮。
如請求項10或12之方法，其中如請求項1至9中任一項之組成物包含另外的殺有害生物活性成分。
一種應用於電源模組極大化散熱的改良結構，係包括電路板、電子元件、絕緣片、擠型框架以及L型隔板；<br/> 所述電路板係提供不同電子元件以插件的方式連接，並且提供各個電子元件的線路連接；<br/> 所述電子元件係包括有主動元件以及被動元件，該主動元件係以插件的方式設置在電路板下方，被動元件以插件的方式設置在電路板上方，使電子元件係能於不同方向進行散熱，提高散熱性；<br/> 所述絕緣片係設於電子元件以及電路板下方，用於杜絕電子元件的導電性，其內部的形狀能依照主動元件放置的位置在進行切割；<br/> 所述擠型框架係設於絕緣片下方，係將電路板、電子元件以及絕緣片接合後，固定於擠型框架的上方；<br/> 所述L型隔板，其厚度係依照安全絕緣距離以及擠型框架與電路板之間的間距進行設置，在插入至電路板以及擠型框架之間，係會完全貼合使其間距密合，在此密閉空間填入散熱膠，提高其散熱性。
一種應用於電源模組極大化散熱的改良結構，係包括電路板、電子元件、絕緣散熱層以及擠型框架；<br/> 所述電路板係提供不同電子元件以插件的方式連接，並且提供各個電子元件的線路連接；<br/> 所述電子元件係包括有主動元件以及被動元件，該主動元件係以插件的方式設置在電路板下方，被動元件以插件的方式設置在電路板的上方，使電子元件係能於不同方向進行散熱，提高散熱性；<br/> 所述絕緣散熱層係為方型框架，其剖面係為L型，<br/> 並且設置於電路板下方；<br/> 所述擠型框架係將電路板、電子元件以及絕緣散熱層固定於其上方，形成外殼保護層；<br/> 據此，絕緣散熱層係將電路板以及擠型框架之間的間距完全密合，在此密閉空間填入散熱膠，提高其散熱性，並且此其均勻的散熱，使本發明能將散熱極大化。
一種應用於電源模組極大化散熱的改良結構，係包括電路板、電子元件以及擠型框架；<br/> 所述電路板係提供不同電子元件以插件的方式連接，並且提供各個電子元件的線路連接；<br/> 所述電子元件係包括有主動元件以及被動元件，該主動元件係以插件的方式設置在電路板下方，被動元件以插件的方式設置在電路板的上方，使電子元件係能於不同方向進行散熱，提高散熱性；<br/> 所述擠型框架係由底層上方連接方型框架所構成，前述底層以及方型框架結合為一體，所以當電路板以及電子元件接合後，固定於擠型框架的上方，而電路板與擠型框架的間距係依照安全絕緣距離所設置，其內部為完全密合，在此密閉空間填入散熱膠，提高其散熱性。
如請求項1所述之應用於電源模組極大化散熱的改良結構，其中，L型隔板可以為塑膠材質。
如請求項2所述之應用於電源模組極大化散熱的改良結構，其中，絕緣散熱層可以為塑膠材質。
如請求項3所述之應用於電源模組極大化散熱的改良結構，其中，擠型框架的底層係為金屬材質。
如請求項3所述之應用於電源模組極大化散熱的改良結構，其中，擠型框架的方型框架係為塑膠材質。
如請求項1或2所述之應用於電源模組極大化散熱的改良結構，其中，擠型框架可以為金屬材質。
如請求項8所述之應用於電源模組極大化散熱的改良結構，其中，擠型框架為鋁材質為較佳。
一種線性運動機構，包括： <br/>長形之軸，沿著預定之軸線延伸； <br/>驅動機構，使該軸依據預定之行程在該軸線方向移動； <br/>外殼，收容該驅動機構，且具備開口，該開口使該軸之至少一端部能夠向外部前進後退地突出；以及 <br/>筒狀之保護罩，一端固定於該外殼，且另一端固定於該軸之該端部；且 <br/>該保護罩，係包圍住該開口及該軸從該開口向外側突出的部分，對應該軸相對於該外殼所進行之該軸線方向的移動而在該軸線方向上伸縮，同時係將包含該驅動機構的該軸突出之端面的部分配置於内側； <br/>當該保護罩為最壓縮狀態時，相對於該一端與該驅動機構的該端面在該軸線方向上的距離，該另一端與該端面在該軸線方向上的距離較小。
如請求項1所述之線性運動機構，其中，該軸為花鍵軸， <br/>該驅動機構包括滾珠花鍵螺母，藉由繞著該軸線的旋轉來使該軸繞著該軸線進行旋轉；並且 <br/>該保護罩，在該滾珠花鍵螺母之至少一部分配置於内側的位置上，固定於該外殼。
如請求項1或2所述之線性運動機構，其中，該軸為滾珠螺桿花鍵軸， <br/>該驅動機構包括滾珠絲桿螺母，藉由繞著該軸線的旋轉來使該軸在該軸線的延伸方向上移動；並且 <br/>該保護罩，在該滾珠絲桿螺母之至少一部分配置於内側的位置上，固定於該外殼。
一種水平多關節機器人，包括： <br/>如請求項1至3中任一項所述之線性運動機構；以及 <br/>以能夠水平旋轉之方式受支撐的機械臂；且 <br/>該機械臂係搭載該驅動機構，並以能夠在垂直方向移動之方式支撐該軸； <br/>該外殼具備：該機械臂、及在與該機械臂之間的空間內收容該驅動機構之機械臂罩； <br/>該保護罩係配置在將從該機械臂之下表面的該開口向垂直下方突出的該軸之端部、及從該機械臂罩之上表面的該開口向垂直上方突出的該軸之端部中至少一者包圍的位置。
一種曝光裝置，其係將形成於引出電極之上層之感光層進行曝光者，上述引出電極設置於排列在基板上之複數個半導體晶片上；上述曝光裝置包括： <br/>基板平台，載置沿著單軸方向而排列有上述複數個半導體晶片之上述基板； <br/>曝光部，朝向在上述半導體晶片上設置於沿著上述單軸方向而延伸之電極形成區域中的上述引出電極照射曝光用光； <br/>圖案決定部，決定上述曝光部於上述感光層上曝光之曝光圖案；以及 <br/>控制部，至少控制上述基板平台及上述曝光部； <br/>上述圖案決定部使用來自測量部之輸出而將使上述引出電極與相對於上述基板之既定位置連結之轉接配線之圖案決定為上述曝光圖案，上述測量部對設置於上述基板上之複數個半導體晶片之位置進行測量而求出上述複數個半導體晶片之位置偏移；並且 <br/>上述控制部一邊藉由上述基板平台而使上述基板自上述單軸方向之一側向另一側移動，一邊藉由上述曝光部而將上述轉接配線之圖案於上述感光層上曝光於在上述單軸方向上延伸之曝光區域中。
如請求項1之曝光裝置，其中， <br/>上述複數個半導體晶片中之至少2個半導體晶片中之上述電極形成區域，與在上述單軸方向上延伸之上述曝光區域重疊。
如請求項1或2之曝光裝置，其中， <br/>當將上述曝光區域設為第1曝光區域時， <br/>上述控制部於對上述第1曝光區域之曝光後，使用上述基板平台而使設置有上述複數個半導體晶片之上述基板在與上述單軸方向交叉之方向上移動； <br/>一邊藉由上述基板平台而使上述基板自上述單軸方向之上述另一側向上述一側移動，一邊藉由上述曝光部而使上述轉接配線之圖案於上述感光層上曝光於第2曝光區域中，上述第2曝光區域於上述交叉方向上自上述第1曝光區域分離。
如請求項3之曝光裝置，其中， <br/>上述第1及第2曝光區域與上述複數個半導體晶片之各自之中央部不重疊。
如請求項1或2之曝光裝置，其中， <br/>上述電極形成區域在與上述單軸方向交叉之方向上自上述半導體晶片之中央分離而局部存在。
如請求項1或2之曝光裝置，其中， <br/>上述圖案決定部包括： <br/>存儲部，存儲複數種之上述位置偏移與複數種之轉接配線之圖案的對應關係；以及 <br/>決定部，基於來自上述測量部之輸出及上述對應關係，來決定上述轉接配線之圖案。
如請求項6之曝光裝置，其中， <br/>上述存儲部存儲上述複數種之轉接配線之圖案，且 <br/>上述決定部自上述複數種之轉接配線之圖案中選擇至少一個轉接配線之圖案。
如請求項6之曝光裝置，其中， <br/>上述轉接配線之圖案包括：自上述引出電極延伸至第1位置之第1轉接配線之圖案、以及自上述第1位置延伸至第2位置之第2轉接配線之圖案。
如請求項8之曝光裝置，其中， <br/>上述存儲部存儲複數種之上述第1及第2轉接配線之圖案， <br/>上述決定部係以上述第2位置成為上述既定位置之方式，自上述複數種之上述第1及第2轉接配線之圖案中選擇至少一個第1轉接配線之圖案及至少一個第2轉接配線之圖案。
如請求項1或2之曝光裝置，其中， <br/>上述曝光部包括形成與上述曝光圖案之一部分對應之光圖案的光圖案形成構件；並且 <br/>由上述光圖案形成構件所形成之光圖案，於上述基板上隨著向上述單軸方向之移動而變化。
如請求項1或2之曝光裝置，其中， <br/>上述轉接配線之圖案係於一方向上延伸存在之圖案。
如請求項1或2之曝光裝置，其中， <br/>上述測量部對設置於上述基板上之基板對準標記以及設置於上述複數個半導體晶片之每一個上之晶片對準標記進行測量。
如請求項1或2之曝光裝置，其包括上述測量部。
如請求項1或2之曝光裝置，其包括接收部，接收來自設置於外部之上述測量部之輸出，且向上述圖案決定部傳送。
如請求項13之曝光裝置，其中， <br/>當將設置於外部之上述測量部設為第1測量部時， <br/>上述第1測量部對設置於上述基板上之基板對準標記以及設置於上述複數個半導體晶片之每一個上之晶片對準標記進行測量；並且 <br/>上述曝光裝置包括對設置於上述基板上之上述基板對準標記進行測量之第2測量部。
如請求項1或2之曝光裝置，其中， <br/>當將上述曝光區域設為第1曝光區域時， <br/>上述控制部於對上述第1曝光區域之曝光後，一邊使用上述基板平台而使設置有上述複數個半導體晶片之上述基板在與上述單軸方向交叉之方向上移動，一邊利用上述曝光部而將上述轉接配線之圖案於上述感光層上，曝光於與上述第1曝光區域交叉之第2曝光區域。
如請求項16之曝光裝置，其中， <br/>上述第1及第2曝光區域與上述複數個半導體晶片之各自之中央部不重疊。
如請求項1或2之曝光裝置，其中， <br/>上述曝光部包括可變圖案生成構件，其將與由上述圖案決定部所決定之上述曝光圖案相應之光圖案形成於上述感光層上。
如請求項1或2之曝光裝置，其中， <br/>上述既定位置係上述引出電極之設計位置。
一種曝光方法，其係將形成於引出電極之上層之感光層進行曝光者，上述引出電極設置於排列在基板上之複數個半導體晶片上； <br/>上述曝光方法使用如請求項1至19中任一項之曝光裝置，將上述感光層進行曝光。
一種曝光方法，其係將形成於引出電極之上層之感光層進行曝光者，上述引出電極設置於在基板上沿著單軸方向而排列之複數個半導體晶片上；上述曝光方法包括： <br/>對設置於上述基板上之複數個半導體晶片之位置進行測量而求出上述複數個半導體晶片之位置偏移； <br/>朝向在上述複數個半導體晶片上設置於沿著上述單軸方向而延伸之電極形成區域中的上述引出電極照射曝光用光； <br/>使用上述所求出之上述複數個半導體晶片之位置偏移，將使上述引出電極與相對於上述基板之既定位置連結之轉接配線之圖案決定為曝光圖案；以及 <br/>一邊使上述基板自上述單軸方向之一側向另一側移動，一邊將上述轉接配線之圖案於上述感光層上曝光於在上述單軸方向上延伸之曝光區域中。
如請求項20或21之曝光方法，其中， <br/>當將上述曝光區域設為第1曝光區域時，進而包括： <br/>於對上述第1曝光區域之曝光後，使設置有上述複數個半導體晶片之上述基板在與上述單軸方向交叉之方向上移動；以及 <br/>一邊使上述基板自上述單軸方向之上述另一側向上述一側移動，一邊將上述轉接配線之圖案於上述感光層上曝光於第2曝光區域中，上述第2曝光區域於上述交叉方向上自上述第1曝光區域分離。
如請求項22之曝光方法，其中， <br/>上述第1及第2曝光區域與上述複數個半導體晶片之各自之中央部不重疊。
如請求項20或21之曝光方法，其中， <br/>上述測量包括對設置於上述基板上之基板對準標記以及設置於上述複數個半導體晶片之每一個上之晶片對準標記進行測量。
如請求項21之曝光方法，其中， <br/>上述既定位置係上述引出電極之設計位置。
一種元件製造方法，其係製造如下元件者，上述元件包括：包含引出電極之複數個半導體晶片、一端與上述引出電極電性連接之轉接配線、以及與上述轉接配線之另一端電性連接之輸出配線；上述元件製造方法包括： <br/>於上述複數個半導體晶片上形成感光層； <br/>使用如請求項20至25中任一項之曝光方法，將上述轉接配線之圖案曝光於上述感光層上； <br/>將上述經曝光之上述感光層進行顯影而形成感光層之圖案；以及 <br/>使用所形成之上述感光層之圖案來形成上述轉接配線。
如請求項26之元件製造方法，其包括： <br/>於形成有上述轉接配線之轉接配線層上形成第2感光層；以及 <br/>藉由經由具有上述輸出配線之至少一部分遮罩圖案之光罩的曝光用光，將上述輸出配線之圖案之至少一部分曝光於上述第2感光層上。
一種機器人程式編寫裝置，具備：<br/> 模型配置部，可在以三維方式表現出作業空間之虛擬空間內配置機器人之機器人模型、具有軸的第1作業對象物模型、具有孔的第2作業對象物模型；<br/> 特徵取得部，取得前述第1作業對象物模型以及前述第2作業對象物模型的形狀上的特徵；<br/> 教示點設定部，依據前述形狀上的特徵，設定藉由前述機器人模型來讓前述第1作業對象物模型的軸與前述第2作業對象物模型的孔嵌合用之教示點；及<br/> 程式製作部，使用經設定之前述教示點，來製作用於使前述機器人進行讓前述第1作業對象物模型的軸與前述第2作業對象物模型的孔嵌合之嵌合作業的動作程式，<br/> 前述特徵取得部會取得前述第1作業對象物模型的前述軸的第1稜線、以及前述第2作業對象物模型的前述孔的第2稜線，來作為前述形狀上的特徵，<br/> 前述教示點設定部在讓前述機器人模型移動以使前述第1稜線與前述第2稜線一致之位置，設定前述教示點。
一種機器人程式編寫裝置，具備：<br/> 模型配置部，在以三維方式表現出作業空間之虛擬空間內配置機器人之機器人模型、具有軸的第1作業對象物模型、具有孔的第2作業對象物模型；<br/> 特徵取得部，取得前述第1作業對象物模型以及前述第2作業對象物模型的形狀上的特徵；<br/> 教示點設定部，依據前述形狀上的特徵，設定藉由前述機器人模型來讓前述第1作業對象物模型的軸與前述第2作業對象物模型的孔嵌合用之教示點；及<br/> 程式製作部，使用經設定之前述教示點，來製作用於使前述機器人進行讓前述第1作業對象物模型的軸與前述第2作業對象物模型的孔嵌合之嵌合作業的動作程式，<br/> 前述特徵取得部會取得以預定的間隔來分割前述第1作業對象物模型的前述軸而成之截面的複數條第1稜線、以及以預定的間隔來分割前述第2作業對象物模型的前述孔而成之截面的複數條第2稜線，來作為前述形狀上的特徵，<br/> 前述教示點設定部在讓前述機器人模型移動以使前述第1稜線與前述第2稜線一致之位置，設定前述教示點。
一種機器人程式編寫裝置，具備：<br/> 模型配置部，在以三維方式表現出作業空間之虛擬空間內配置機器人之機器人模型、具有軸的第1作業對象物模型、具有孔的第2作業對象物模型；<br/> 特徵取得部，取得前述第1作業對象物模型以及前述第2作業對象物模型的形狀上的特徵；<br/> 教示點設定部，依據前述形狀上的特徵，設定藉由前述機器人模型來讓前述第1作業對象物模型的軸與前述第2作業對象物模型的孔嵌合用之教示點；及<br/> 程式製作部，使用經設定之前述教示點，來製作用於使前述機器人進行讓前述第1作業對象物模型的軸與前述第2作業對象物模型的孔嵌合之嵌合作業的動作程式，<br/> 前述特徵取得部會取得以預定的間隔來分割前述第1作業對象物模型的前述軸而成之截面的複數條第1稜線、以及以預定的間隔來分割前述第2作業對象物模型的前述孔而成之截面的複數條第2稜線，來作為前述形狀上的特徵，<br/> 前述教示點設定部在讓前述機器人模型移動以使前述第1稜線與前述第2稜線一致之位置，設定前述教示點，<br/> 前述教示點設定部會在使前述機器人模型朝通過前述軸及前述孔的截面的圖心之直線方向移動後之位置上，設定接近之教示點以及遠離之教示點。
如請求項1至3中任一項之機器人程式編寫裝置，其中前述教示點設定部在前述機器人模型於前述教示點上可採取的擺姿存在複數種擺姿之情況下，會從前述複數種擺姿中選擇及設定1種擺姿。
如請求項1至3中任一項之機器人程式編寫裝置，其中前述第1作業對象物模型被前述機器人模型所把持，<br/> 且前述第2作業對象物模型已被固定。
如請求項1至3中任一項之機器人程式編寫裝置，其中前述第1作業對象物模型已被固定，<br/> 且前述第2作業對象物模型被前述機器人模型所把持。
如請求項1至3中任一項之機器人程式編寫裝置，其中前述模型配置部將2個前述機器人之前述機器人模型配置於前述虛擬空間內，<br/> 2個前述機器人模型分別把持前述第1作業對象物模型以及前述第2作業對象物模型。
如請求項1至3中任一項之機器人程式編寫裝置，其中前述模型配置部將前述機器人的手部之手部模型和前述機器人模型一起配置於前述虛擬空間內。
一種用於多個浮動風力渦輪機的操作及維護安排，包括其上設置有至少一個風力渦輪機單元的一浮動子結構、一伺服操作船舶、及一攜帶型起重機，該浮動子結構具有能夠容納該攜帶型起重機且將該攜帶型起重機固定鎖定至該浮動子結構的一介面，該伺服操作船舶具有能夠將該攜帶型起重機自該伺服操作船舶提升至該浮動子結構上的一船用起重機，其中該安排進一步包括一支撐件，以容納待安裝在該風力渦輪機上的包括多個風力渦輪機葉片或多個齒輪單元的多個元件，該支撐件具有與該浮動子結構上的一介面配合及固定鎖定的一介面。
如請求項1所述的安排，其中該支撐件包括多個支架的至少一個集合以容納至少一個風力渦輪機葉片。
如請求項2所述的安排，其中至少三個風力渦輪機葉片堆疊在該支撐件上的多個支架中。
如請求項1至3中任一項所述的安排，其中該支撐件包括一桁架梁。
如請求項1所述的安排，其中該浮動子結構包括至少兩個浮筒，每一浮筒具有用於容納該攜帶型起重機及該支撐件中的相應一者的一介面。
一種替換一浮動風力渦輪機的包括多個風力渦輪機葉片或多個齒輪單元的多個元件的方法，該方法包括以下步驟：<br/> a. 在一浮動風力渦輪機旁邊部署一伺服操作船舶，<br/> b. 使用該伺服操作船舶上的一船用起重機將一攜帶型起重機自該伺服操作船舶提升至該浮動風力渦輪機的一子結構上，<br/> c. 將該攜帶型起重機固定鎖定至該子結構，<br/> d. 將一元件支撐件提升至該子結構上，<br/> e. 將該元件支撐件固定鎖定至該子結構，<br/> f. 使用該攜帶型起重機將一待替換的元件自該浮動風力渦輪機提升至該元件支撐件上，<br/> g. 將一元件自該元件支撐件提升至該伺服操作船舶上，<br/> h. 將一新元件提升至該元件支撐件上，<br/> i. 將該新元件提升至該浮動風力渦輪機上且將其附接至該待替換的元件曾經所在的位置，<br/> j. 將空的該元件支撐件提升至該伺服操作船舶上，及<br/> k. 使用該船用起重機將該攜帶型起重機提升至該伺服操作船舶上。
如請求項6所述的方法，其中該元件為多個風力渦輪機葉片的一集合，其中<br/> l. 該根據點f.定義的提升之步驟包括使用該攜帶型起重機將多個磨損的葉片自該浮動風力渦輪機的一轉子一個接一個地提升至該元件支撐件上之步驟，<br/> m. 該根據點g.定義的提升之步驟包括將該些磨損的葉片的一堆疊自該元件支撐件提升至該伺服操作船舶上之步驟，<br/> n. 該根據點h.定義的提升之步驟包括將多個新葉片的一堆疊提升至該元件支撐件上之步驟，及<br/> o. 該根據點i.定義的提升之步驟包括使用該攜帶型起重機將該些新葉片一個接一個地提升至該轉子之步驟。
一種用於填充一間隙特徵之方法，該方法依給定順序包含：<br/> 在一反應室中將一基材定位在一基材支撐件上的一步驟，該基材包含一基材表面，該基材表面包含一或多個間隙特徵，該一或多個間隙特徵包含一近端部分及一遠端部分，該近端部分包含一近端表面且該遠端部分包含一遠端表面；<br/> 使該基材經受一電漿處理之一步驟，藉此相對於該遠端表面選擇性地抑制該近端表面；及<br/> 在該遠端表面上選擇性地沉積一金屬氮化物之一步驟，<br/> 其中該電漿處理包含使該基材經受一鈍氣電漿。
如請求項1之方法，其中執行複數個超循環，一超循環包含使該基材經受該電漿處理之該步驟，及在該遠端表面上選擇性地沉積該金屬氮化物之該步驟。
如請求項1之方法，其中在該電漿處理之前的一電漿預處理包含使該基材暴露至一氮電漿。
如請求項1之方法，其中在該遠端表面上選擇性地沉積該金屬氮化物的該步驟包含一循環製程，該循環製程包含複數個子循環，一子循環依給定順序包含：<br/> 使該基材暴露至一金屬前驅物的一步驟，藉此在該遠端表面上形成一化學吸附金屬前驅物；及，<br/> 使該基材暴露至一氮反應物的一步驟；<br/> 藉此允許該氮反應物與該化學吸附金屬前驅物起反應，因此在該遠端表面上形成該金屬氮化物。
如請求項4之方法，其中使該基材暴露至該金屬前驅物之該步驟及使該基材暴露至該氮反應物之該步驟係由一子循環內沖洗來分開。
如請求項4之方法，其中後續子循環係由一子循環間沖洗來分開。
如請求項4之方法，其中該金屬前驅物包含一過渡金屬。
如請求項7之方法，其中該過渡金屬包含鈦。
如請求項4之方法，其中該金屬前驅物包含一或多個烷基胺配位子。
如請求項4至9中任一項之方法，其中該金屬前驅物具有M(NR<sub>2</sub>)<sub>n</sub>之一通式，其中M係一金屬，R係一直鏈或支鏈C1至C4烷基，且係從至少2到至多5之一整數。
如請求項10之方法，其中R係甲基。
如請求項10之方法，其中n係4。
如請求項4至8中任一項之方法，其中該金屬前驅物包含一金屬鹵化物。
如請求項13之方法，其中該金屬鹵化物包含一氯化物。
如請求項14之方法，其中該金屬鹵化物包含TiCl<sub>4</sub>。
如請求項4至9中任一項之方法，其中該氮反應物包含NH<sub>3</sub>。
如請求項1至9中任一項之方法，其中該基材維持在至少50 ⁰C到至多300 ⁰C之一溫度。
如請求項1至9中任一項之方法，其中在該遠端表面上選擇性地沉積一材料之該步驟係以每子循環至少0.01 Å至每子循環至多1.0 Å之一生長速率完成。
如請求項1至9中任一項之方法，其中使該基材經受該電漿處理之該步驟及在該遠端表面上選擇性地沉積該金屬氮化物之該步驟係由一電漿後沖洗來分開。
一種半導體處理設備，其包含：<br/> 一反應室，其包含一基材支撐件，用於支撐一包含一或多個間隙特徵的一基材；<br/> 一加熱器，其經建構且配置以在該反應室中加熱該基材；<br/> 一電漿氣體源，其經由一電漿閥與該反應室流體連通；<br/> 一電漿模組，其包含一射頻功率源，該射頻功率源經建構且配置以在該反應室中生成一電漿；<br/> 一金屬前驅物源，其經由一或多個金屬前驅物閥與該反應室流體連接；<br/> 一氮反應物源，其經由一或多個氮反應物閥與該反應室流體連接；及，<br/> 一控制器，其經組態用於致使該半導體處理設備進行如請求項1至19中任一項之一方法。
一種粉末床雷射加工裝置，係具備：<br/> 第一掃描部，係對粉末床掃描並照射第一雷射光；<br/> 第二掃描部，係對前述粉末床掃描並照射第二雷射光；<br/> 第一驅動部，係以使得前述第一雷射光能夠照射至第一照射區域的方式而使前述第一掃描部移動；及<br/> 第二驅動部，係以使得前述第二雷射光能夠照射至包括前述第一照射區域的一部分之第二照射區域且前述第二掃描部與前述第一掃描部間的相對位置能夠改變的方式而使前述第二掃描部移動；<br/> 前述第一驅動部及前述第二驅動部係包括：<br/> 第一搬運部，係沿著與前述粉末床的表面平行的第一方向而分別搬運前述第一掃描部及前述第二掃描部；及<br/> 第二搬運部，係沿著與前述粉末床的表面平行且與前述第一方向不同的第二方向個別地搬運前述第一掃描部及前述第二掃描部。
如請求項1所記載之粉末床雷射加工裝置，其中進一步具有：<br/> 一個雷射光源， 係發射雷射光；及<br/> 部分反射鏡，係從前述雷射光源接收前述雷射光，並將前述雷射光分歧至前述第一掃描部及前述第二掃描部。
如請求項1所記載之粉末床雷射加工裝置，其中前述第一掃描部及前述第二掃描部係分別具有：<br/> 兩個振鏡單元，係具有鏡子以及鏡子驅動部，前述鏡子係反射前述雷射光，前述鏡子驅動部係以預定軸為中心而於預定角度範圍內使前述鏡子往返轉動；及<br/> 透鏡，係接收前述振鏡單元所掃描之前述雷射光並將前述雷射光照射至前述粉末床。
如請求項1所記載之粉末床雷射加工裝置，其中前述第一驅動部及前述第二驅動部係分別使前述第一掃描部及前述第二掃描部於共通的移動面中移動。
如請求項1所記載之粉末床雷射加工裝置，其中前述第一驅動部及前述第二驅動部係分別於前述第一方向及前述第二方向具有導軌之高架機構。
如請求項1至5中任一項所記載之粉末床雷射加工裝置，其中進一步具備：<br/> 位置監視部，係監視前述第一掃描部及前述第二掃描部的位置；及<br/> 驅動控制部，係與前述位置監視部協作而控制前述第一驅動部及前述第二驅動部的動作。
一種粉末積層造形裝置，係具備：<br/> 如請求項1所記載之粉末床雷射加工裝置；<br/> 粉末床支撐部，係支撐前述粉末床；及<br/> 重塗機，係將粉末鋪設於前述粉末床。
如請求項7所記載之粉末積層造形裝置，其中前述第一驅動部及前述第二驅動部係於前述粉末床支撐部使前述粉末床下降或是前述重塗機驅動的期間使前述第一掃描部及前述第二掃描部移動。
一種加工方法，係電腦執行：<br/> 第一驅動步驟，係以使得第一雷射光能夠照射至第一照射區域的方式而使第一掃描部移動；<br/> 第二驅動步驟，係以使得第二雷射光能夠照射至包括前述第一照射區域的一部分之第二照射區域且第二掃描部與前述第一掃描部間的相對位置能夠改變的方式而使前述第二掃描部移動；<br/> 第一掃描步驟，係對前述第一照射區域掃描並照射前述第一雷射光；及<br/> 第二掃描步驟，係對前述第二照射區域掃描並照射前述第二雷射光；<br/> 於前述第一驅動步驟及前述第二驅動步驟中：<br/> 沿著與前述粉末床的表面平行的第一方向而分別搬運前述第一掃描部及前述第二掃描部；及<br/> 沿著與前述粉末床的表面平行且與前述第一方向不同的第二方向個別地搬運前述第一掃描部及前述第二掃描部。
一種電腦可讀取媒體，係儲存有使電腦執行加工方法之程式，前述加工方法係具有：<br/> 第一驅動步驟，係以使得第一雷射光能夠照射至第一照射區域的方式而使第一掃描部移動；<br/> 第二驅動步驟，係以使得第二雷射光能夠照射至包括前述第一照射區域的一部分之第二照射區域且第二掃描部與前述第一掃描部間的相對位置能夠改變的方式而使前述第二掃描部移動；<br/> 第一掃描步驟，係對前述第一照射區域掃描並照射前述第一雷射光；及<br/> 第二掃描步驟，係對前述第二照射區域掃描並照射前述第二雷射光；<br/> 於前述第一驅動步驟及前述第二驅動步驟中：<br/> 沿著與前述粉末床的表面平行的第一方向而分別搬運前述第一掃描部及前述第二掃描部；及<br/> 沿著與前述粉末床的表面平行且與前述第一方向不同的第二方向個別地搬運前述第一掃描部及前述第二掃描部。
一種玩具槍，是包括彈夾和槍主體的氣體式玩具槍，其特徵在於， <br/>前述彈夾包括氣體容納部、閥、BB彈容納部、推彈桿、以及連桿零件， <br/>前述氣體容納部容納氣體， <br/>前述閥被設置於槍主體側的撞針推壓，使前述氣體容納部內的氣體向前述槍主體側放出， <br/>前述BB彈容納部容納BB彈， <br/>前述推彈桿在被收納於前述BB彈容納部的最後一顆子彈被向前述槍主體側供給時，向終端位置移動， <br/>前述連桿零件從不避免前述撞針引起的前述閥的推壓的第一位置，向避免前述撞針引起的前述閥的推壓的第二位置移動， <br/>前述槍主體包括內槍管、腔、噴嘴、以及協作部件， <br/>前述腔將被從前述彈夾供給的BB彈送入前述內槍管， <br/>前述噴嘴在頂端包括移動部件，前述移動部件在前述腔內裝填有前述BB彈的狀態下，向使用者側的退避位置移動，在前述腔內未殘留前述BB彈的狀態下，向槍口側移動， <br/>前述協作部件使前述連桿零件與前述移動部件從前述退避位置向前述槍口側的移動聯動地，從前述第一位置向前述第二位置移動； <br/>前述槍主體包括至少兩根前述內槍管， <br/>前述腔使被從彈夾供給的BB彈分岔，送入前述內槍管的每一個， <br/>前述移動部件在前述腔內裝填有一個前述BB彈的狀態下，都向使用者側的退避位置移動，在前述腔內未殘留前述BB彈的狀態下，向槍口側移動； <br/>前述腔包括與前述內槍管的每一個連通的至少兩個裝填空間， <br/>前述移動部件包括被插入前述裝填空間的每一個的棒狀部、將前述棒狀部向前述槍口的方向偏壓的彈性部件， <br/>前述移動部件在某個前述裝填空間裝填有BB彈的情況下，抵抗前述彈性部件的作用力，向使用者側的退避位置移動。
如請求項1所述的玩具槍，其中， <br/>前述協作部件通過前述移動部件向前述退避位置移動而使前述連桿零件從前述第一位置向前述第二位置移動。
一種彈夾，其特徵在於， <br/>能夠用於請求項1所述的玩具槍， <br/>包括氣體容納部、閥、BB彈容納部、推彈桿、以及連桿零件， <br/>前述氣體容納部容納氣體， <br/>前述閥被設置於槍主體側的撞針推壓，使前述氣體容納部內的氣體向前述槍主體側放出， <br/>前述BB彈容納部容納BB彈， <br/>前述推彈桿在被收納於前述BB彈容納部的最後一顆子彈被向前述槍主體側供給時，向終端位置移動， <br/>前述連桿零件與前述推彈桿向前述終端位置的移動聯動，從不避免前述撞針引起的前述閥的推壓的第一位置，向避免前述撞針引起的前述閥的推壓的第二位置移動。
一種用於估計層析機理模型不確定性的方法，該方法包含： <br/>接收包含多個參數的層析機理模型； <br/>基於該等多個參數的值之間的基於共變異數(covariance-based)關係，針對該等多個參數中的每個參數，識別對應的值區域； <br/>在針對每個參數的該對應的值區域內，對該等多個參數中的每個參數進行抽樣，以形成多個模擬集；以及 <br/>使用該等多個模擬集量化該機理模型的不確定性。
如請求項 1 之方法，其中針對該等多個參數中的每個參數識別該對應的值區域包含： <br/>基於選定的損失函數計算該機理模型的共變異數矩陣。
如請求項 2 之方法，其中該選定的損失函數包含負對數似然演算法、最大對數似然演算法或最大似然演算法中之至少一者。
如請求項 2 之方法，其中基於該選定的損失函數計算該機理模型的該共變異數矩陣包含： <br/>使用該選定的損失函數或另一損失函數中之至少一者來識別搜尋區；以及 <br/>計算該選定的損失函數之相對於該搜尋區的局部極值。
如請求項 4 之方法，其中基於該選定的損失函數計算該機理模型的該共變異數矩陣進一步包含： <br/>計算該局部極值的共變異數矩陣。
如請求項 1 之方法，其中針對該等多個參數中的每個參數識別該對應的值區域包含： <br/>對該等多個參數進行抽樣，以形成多個參數集；從該等多個參數集中，為該機理模型選擇初始參數集；以及 <br/>基於使用該初始參數集之選定的損失函數，計算該機理模型的共變異數矩陣。
如請求項 1 之方法，其中量化該不確定性包含： <br/>使用該等多個模擬集產生該機理模型的模型預測分佈。
如請求項 7 之方法，其中量化該不確定性進一步包含： <br/>使用該模型預測分佈識別該機理模型之信賴區間。
如請求項 1 之方法，該方法進一步包含： <br/>接收實驗資料；以及 <br/>使用該實驗資料產生該機理模型。
一種用於估計層析機理模型不確定性之系統，該系統包含： <br/>資料源，該資料源經組態為獲得層析機理模型；和 <br/>處理器，該處理器經組態為從該資料源接收該層析機理模型，其中該機理模型包含多個參數，並且其中該處理器進一步經組態為： <br/>基於該等多個參數的值之間的基於共變異數關係，針對該等多個參數中的每個參數，識別對應的值區域； <br/>在針對每個參數的該對應的值區域內，對該等多個參數中的每個參數進行抽樣，以形成多個模擬集；以及 <br/>使用該等多個模擬集量化該機理模型的不確定性。
如請求項 10 之系統，其中該處理器進一步經組態為基於選定的損失函數計算該機理模型的共變異數矩陣。
如請求項 11 之系統，其中該選定的損失函數包含負對數似然演算法、最大對數似然演算法或最大似然演算法中之至少一者。
如請求項 10 之系統，其中該處理器進一步經組態為：使用該選定的損失函數或另一損失函數中之至少一者來識別搜尋區；以及計算該選定的損失函數之相對於該搜尋區的局部極值。
如請求項 13 之系統，其中該處理器進一步經組態為基於該選定的損失函數藉由計算該局部極值之共變異數矩陣，從而計算該機理模型的該共變異數矩陣。
如請求項 10 之系統，其中該處理器進一步經組態為：對該等多個參數進行抽樣，以形成多個參數集；從該等多個參數集中，為該機理模型選擇初始參數集；以及基於使用該初始參數集之選定的損失函數，計算該機理模型的共變異數矩陣。
如請求項 15 之系統，其中該處理器進一步經組態為：使用該等多個模擬集產生該機理模型的模型預測分佈；以及使用該模型預測分佈識別該機理模型的信賴區間。
如請求項 10 之系統，其中該處理器進一步經組態為：接收實驗資料；以及使用該實驗資料產生該機理模型。
一種其中儲存程式的非暫時性電腦可讀媒體，該程式經組態用於使電腦進行用於估計層析機理模型不確定性的方法，該方法包含： <br/>接收包含多個參數的層析機理模型； <br/>基於該等多個參數的值之間的基於共變異數關係，針對該等多個參數中的每個參數，識別對應的值區域； <br/>在針對每個參數的該對應的值區域內，對該等多個參數中的每個參數進行抽樣，以形成多個模擬集；以及 <br/>使用該等多個模擬集量化該機理模型的不確定性。
如請求項 18 之非暫時性電腦可讀媒體，其中該方法進一步包含： <br/>基於選定的損失函數計算該機理模型的共變異數矩陣。
如請求項 19 之非暫時性電腦可讀媒體，其中該選定的損失函數包含負對數似然演算法、最大對數似然演算法或最大似然演算法中之至少一者。
如請求項 19 之非暫時性電腦可讀媒體，其中該方法進一步包含： <br/>使用該選定的損失函數或另一損失函數中之至少一者來識別搜尋區；以及 <br/>計算該選定的損失函數之相對於該搜尋區的局部極值。
如請求項 21 之非暫時性電腦可讀媒體，其中該方法進一步包含： <br/>計算該局部極值的共變異數矩陣。
如請求項 18 之非暫時性電腦可讀媒體，其中該方法進一步包含： <br/>對該等多個參數進行抽樣，以形成多個參數集； <br/>從該等多個參數集中，為該機理模型選擇初始參數集；以及 <br/>基於使用該初始參數集之選定的損失函數，計算該機理模型的共變異數矩陣。
如請求項 18 之非暫時性電腦可讀媒體，其中該方法進一步包含： <br/>使用該等多個模擬集產生該機理模型的模型預測分佈。
如請求項 24 之非暫時性電腦可讀媒體，其中該方法進一步包含： <br/>使用該模型預測分佈識別該機理模型之信賴區間。
一種半導體裝置之製造方法，其具備： <br/>提供具備具有半導體元件之第1半導體基板和具有第1絕緣膜及第1電極且設置於前述第1半導體基板的一面之第1配線層之第1積體電路要素之步驟； <br/>提供具備具有半導體元件之第2半導體基板和具有第2絕緣膜及第2電極且設置於前述第2半導體基板的一面之第2配線層之第2積體電路要素之步驟； <br/>將前述第1積體電路要素的前述第1絕緣膜和前述第2積體電路要素的前述第2絕緣膜相互接合之步驟；及 <br/>將前述第1積體電路要素的前述第1電極和前述第2積體電路要素的前述第2電極相互接合之步驟， <br/>前述第1絕緣膜具有包含無機絕緣材料之第1無機絕緣層和包含有機絕緣材料之第1有機絕緣層，前述第1有機絕緣層在前述第1積體電路要素中位於與前述第1半導體基板相反的一側的第1接合面側， <br/>前述第2絕緣膜具有包含無機絕緣材料之第2無機絕緣層和包含有機絕緣材料之第2有機絕緣層，前述第2有機絕緣層在前述第2積體電路要素中位於與前述第2半導體基板相反的一側的第2接合面側， <br/>前述第1有機絕緣層的厚度比前述第1無機絕緣層薄， <br/>前述第2有機絕緣層的厚度比前述第2無機絕緣層薄。
如請求項1所述之半導體裝置之製造方法，其中 <br/>前述第1有機絕緣層及前述第2有機絕緣層的至少一方的有機絕緣層中所包含之前述有機絕緣材料的楊格模數為7.0GPa以下。
如請求項2所述之半導體裝置之製造方法，其中 <br/>前述第1有機絕緣層及前述第2有機絕緣層的至少一方的有機絕緣層中所包含之前述有機絕緣材料的楊格模數為3.0GPa以下。
如請求項1至請求項3之任一項所述之半導體裝置之製造方法，其中 <br/>前述第1有機絕緣層及前述第2有機絕緣層的至少一方的有機絕緣層中所包含之前述有機絕緣材料包含聚醯亞胺、聚醯亞胺前驅物、聚醯胺醯亞胺、苯并環丁烯（BCB）、聚苯并㗁唑（PBO）或PBO前驅物。
如請求項1至請求項4之任一項所述之半導體裝置之製造方法，其中 <br/>前述第1無機絕緣層由複數個層形成， <br/>前述第1有機絕緣層由單層形成， <br/>前述第2無機絕緣層由複數個層形成， <br/>前述第2有機絕緣層由單層形成。
如請求項1至請求項5之任一項所述之半導體裝置之製造方法，其中 <br/>前述第1有機絕緣層及前述第2有機絕緣層的至少一方的有機絕緣層的厚度為10μm以下。
如請求項1至請求項6之任一項所述之半導體裝置之製造方法，其還具備： <br/>對前述第1積體電路要素的前述第1有機絕緣層及前述第1電極進行研磨之步驟；及 <br/>對前述第2積體電路要素的前述第2有機絕緣層及前述第2電極進行研磨之步驟。
如請求項7所述之半導體裝置之製造方法，其中 <br/>在對前述第1積體電路要素進行研磨之步驟中，以前述第1有機絕緣層的表面與前述第1電極的表面成為同等的高度或前述第1有機絕緣層的表面相對於前述第1電極成為凹陷之位置之方式，使用化學機械研磨法對前述第1有機絕緣層及前述第1電極進行研磨， <br/>在對前述第2積體電路要素進行研磨之步驟中，以前述第2有機絕緣層的表面與前述第2電極的表面成為同等的高度或前述第2有機絕緣層的表面相對於前述第2電極成為凹陷之位置之方式，使用化學機械研磨法對前述第2有機絕緣層及前述第2電極進行研磨。
如請求項7或請求項8所述之半導體裝置之製造方法，其中 <br/>在對前述第1積體電路要素進行研磨之步驟中，以前述第1有機絕緣層的前述表面的表面粗糙度成為2nm以下之方式進行研磨， <br/>在對前述第2積體電路要素進行研磨之步驟中，以前述第2有機絕緣層的前述表面的表面粗糙度成為2nm以下之方式進行研磨。
一種半導體裝置，其具備： <br/>第1積體電路要素，具備具有半導體元件之第1半導體基板和具有第1絕緣膜及第1電極且設置於前述第1半導體基板的一面之第1配線層；及 <br/>第2積體電路要素，具備具有半導體元件之第2半導體基板和具有第2絕緣膜及第2電極且設置於前述第2半導體基板的一面之第2配線層，並與前述第1積體電路要素接合， <br/>前述第1絕緣膜具有包含無機絕緣材料之第1無機絕緣層和包含有機絕緣材料之第1有機絕緣層，前述第1有機絕緣層在前述第1積體電路要素中位於與前述第1半導體基板相反的一側的第1接合面側， <br/>前述第2絕緣膜具有包含無機絕緣材料之第2無機絕緣層和包含有機絕緣材料之第2有機絕緣層，前述第2有機絕緣層在前述第2積體電路要素中位於與前述第2半導體基板相反的一側的第2接合面側， <br/>前述第1有機絕緣層與前述第2有機絕緣層接合， <br/>前述第1電極與前述第2電極接合， <br/>前述第1有機絕緣層的厚度比前述第1無機絕緣層薄， <br/>前述第2有機絕緣層的厚度比前述第2無機絕緣層薄。
一種積體電路要素，其用於與其他積體電路要素接合而製作半導體裝置，所述積體電路要素具備： <br/>半導體基板，具有第1面及第2面且在前述第1面上及內部的至少一方形成有半導體元件；及 <br/>配線層，設置於前述半導體基板的前述第2面上， <br/>前述配線層具備： <br/>無機絕緣層，設置於前述半導體基板的前述第2面上； <br/>有機絕緣層，設置於前述無機絕緣層上且露出於前述配線層之外；及 <br/>電極，與前述半導體基板的前述半導體元件電連接，貫通前述無機絕緣層及前述有機絕緣層而從前述有機絕緣層向外露出， <br/>前述有機絕緣層的厚度比前述無機絕緣層薄， <br/>前述有機絕緣層中所包含之有機絕緣材料的楊格模數為7.0GPa以下。
一種積體電路要素之製造方法，其用於與其他積體電路要素接合而製造半導體裝置，所述積體電路要素之製造方法具備： <br/>提供具有第1面及第2面且在前述第1面上及內部的至少一方形成有半導體元件之半導體基板之步驟；及 <br/>在前述半導體基板的前述第2面上形成配線層之步驟， <br/>形成前述配線層之步驟具備： <br/>在前述半導體基板的前述第2面上形成無機絕緣層之步驟； <br/>形成以與前述半導體元件電連接之方式貫通前述無機絕緣層之內層電極之步驟； <br/>在前述無機絕緣層上形成有機絕緣層之步驟；及 <br/>形成以與前述內層電極電連接之方式貫通前述有機絕緣層之外層電極之步驟， <br/>前述有機絕緣層的厚度比前述無機絕緣層薄， <br/>前述有機絕緣層中所包含之有機絕緣材料的楊格模數為7.0GPa以下。
如請求項12所述之積體電路要素之製造方法，其中 <br/>在形成前述外層電極之後形成前述有機絕緣層。
一種用於一光學互聯的設備，包括： <br/>一基板； <br/>一電子晶粒； <br/>一光子晶粒，其中該電子晶粒的一第一部分設置於該光子晶粒的頂部，且該電子晶粒的一第二部分設置於該基板的頂部，其中該光子晶粒位於該電子晶粒的該第一部分與該基板之間且配置以產生一光訊號； <br/>一基座，設置於該基板下方； <br/>一板件，設置於該基座下方； <br/>至少一波導，形成在該板件中； <br/>至少一第一微鏡片，形成在該光子晶粒下方，且從該光子晶粒的一底表面延伸到形成在基板和該基座中的一孔洞中； <br/>至少一第二微鏡片，形成在該板件的一頂表面上且設置在該基座的一底表面下方，其中該至少一第一微鏡片及該至少一第二微鏡片係經由形成在該基板及該基座中的該孔洞而光學地耦合；以及 <br/>至少一鏡面，形成在該板件的該頂表面下方，且光學地對齊該至少一第二微鏡片，且光學地對齊該至少一波導； <br/>其中，分別地，該至少一第一微鏡片光學地耦合至該至少一第二微鏡片，而該至少一第二微鏡片光學地耦合至該至少一鏡面，而該至少一鏡面光學地耦合至該至少一波導。
如請求項1之設備，其中該至少一第一微鏡片係製造於一絕緣層上矽或矽基板上。
如請求項1之設備，其中形成在基板及基座中的該孔洞填充有至少一有機材料，對於藉由該光子晶粒產生的該光訊號的一所選波長為透明的。
如請求項1之設備，其中該至少一鏡面係藉由將一第二孔洞形成在該板件中，接著將該至少一鏡面放置且以黏膠固定至該板件的該第二孔洞內而安裝在該板件的該頂表面下方。
如請求項1之設備，其中該至少一鏡面係以相對於從該至少一第二微鏡片及嵌設的該至少一波導接收到的該光訊號呈45度角放置。
如請求項1之設備，其中該至少一鏡面係以金屬塗佈的矽來製造。
如請求項1之設備，其中該光子晶粒配置以基於來自該電子晶粒的一輸入來產生該光訊號，其中該光訊號透過該至少一第一微鏡片及該至少一第二微鏡片傳遞，且接著經由該至少一鏡面反射至該至少一波導。
一種用於一光學互聯的設備，包括： <br/>一第一光學互聯結構； <br/>一第二光學互聯結構；以及 <br/>一光纖陣列，將該第一光學互聯結構光學地耦合至該第二光學互聯結構， <br/>其中該第一光學互聯結構和該第二光學互聯結構的每一者包括： <br/>一基板； <br/>一電子晶粒； <br/>一光子晶粒，，其中該電子晶粒的一第一部分設置於該光子晶粒的頂部，且該電子晶粒的一第二部分設置於該基板的頂部，其中該光子晶粒位於該電子晶粒的該第一部分與該基板之間且配置以產生一光訊號； <br/>一基座，設置於該基板下方； <br/>一板件，設置於該基座下方； <br/>至少一波導，形成在該板件中； <br/>至少一第一微鏡片，形成在該光子晶粒下方，且從該光子晶粒的一底表面延伸到形成在基板和該基座中的一孔洞中； <br/>至少一第二微鏡片，形成在該板件的一頂表面上且設置在該基座的一底表面下方，其中該至少一第一微鏡片及該至少一第二微鏡片係經由形成在該基板及該基座中的該孔洞而光學地耦合；以及 <br/>至少一鏡面，形成在該板件的該頂表面下方，且光學地對齊該至少一第二微鏡片，且光學地對齊該至少一波導。
如請求項8之設備，其中該第一光學互聯結構及該第二光學互聯結構的每一者更包括至少一光纖連接件，耦接至該至少一波導，且其中該至少一光纖連接件係耦接至該光纖陣列的至少一光纖。
一種用於一光學互聯的設備，包括： <br/>一基板； <br/>一電子晶粒； <br/>一光子晶粒，設置在該電子晶粒下方； <br/>一熱傳播件，設置於電子晶粒上方，且附接至該基板； <br/>一基座，設置於該基板下方； <br/>一板件，設置於該基座下方； <br/>至少一波導，形成在該板件中； <br/>至少一第一微鏡片，形成在該光子晶粒下方，且從該光子晶粒的一底表面延伸到形成在基板和該基座中的一孔洞中； <br/>至少一第二微鏡片，形成在該板件的一頂表面上且設置在該基座的一底表面下方，其中該至少一第一微鏡片及該至少一第二微鏡片係經由形成在該基板及該基座中的該孔洞而光學地耦合；以及 <br/>至少一鏡面，形成在該板件的該頂表面下方，且光學地對齊該至少一第二微鏡片，且光學地對齊該至少一波導， <br/>其中，分別地，該至少一第一微鏡片光學地耦合至該至少一第二微鏡片，而該至少一第二微鏡片光學地耦合至該至少一鏡面，而該至少一鏡面光學地耦合至該至少一波導。
一種催產素受體促效劑於製造藥物之用途，其中該藥物係用於治療或預防至少一歲且罹患有下視丘功能障礙之遺傳性神經發育病症的個體之吞嚥困難。
如請求項1之用途，其中該吞嚥困難之特徵係食道運動功能障礙。
如請求項1或2之用途，其中該吞嚥困難與固體及/或液體有關。
如請求項1或2之用途，其中該遺傳性神經發育病症係選自由以下組成之群：普瑞德-威利症候群(Prader-Willi syndrome)及普瑞德-威利類似症候群、X染色體脆折症(fragile-X syndrome)、迪喬治(DiGeorge)/22q11.2缺失症候群、唐氏症候群(Down syndrome)、瑞特氏症候群(Rett syndrome)、努南氏症候群(Noonan syndrome)、CHARGE症候群、歌舞伎症候群(Kabuki syndrome)、特洛伊症候群(Troyer syndrome)、克里斯蒂安森症候群(Christianson syndrome)、史密斯-馬吉利症候群(Smith-Magenis syndrome)、阿爾斯特倫氏症候群(Alstrom syndrome)、症狀性肥胖、家族性自主神經失調症及威廉姆斯症候群(Williams syndrome)。
如請求項1或2之用途，其中該個體為2至18歲。
如請求項1或2之用途，其中吞嚥困難之特徵在於以下臨床徵兆中之至少一者： <br/>-食道淤滯， <br/>- 食道殘留， <br/>- 食道括約肌之異常閉合， <br/>- 食道膨大， <br/>- 推進不順， <br/>- 與呼吸循環不同步， <br/>- 穿刺或吸入， <br/>- 延長或緩慢食道運送， <br/>- 蠕動降低，及 <br/>-食道逆流 <br/>且其中該等臨床徵兆視需要可藉由電視螢光透視檢查評估。
如請求項1或2之用途，其中該個體已經歷、經歷以下一者或數者病症，或處於經歷以下一者或數者病症之風險：食道食物食團阻塞、肺部吸入、復發性肺部感染、吸入性肺炎、窒息、反胃、鼻回流及反芻症(meryscism)。
如請求項1或2之用途，其中該藥物係用於改善或正規化該個體之食道運動。
如請求項1或2之用途，其中該催產素受體促效劑選自由催產素、卡貝縮宮素(carbetocin)、[Thr<sup>4</sup>]OT、HO[Thr<sup>4</sup>]OT、[Thr<sup>4</sup>, Gly<sup>7</sup>]OT、HO[Thr<sup>4</sup>, Gly<sup>7</sup>]OT、脂-催產素-1 (LOT-1)、去胺縮宮素(demoxytocin)、麥角新素(merotocin)、脂-催產素-1 (LOT-1)、TC OT 39及WAY-26746.LIT-001組成之群。
如請求項1或2之用途，其中該藥物係用於藉由鼻內途徑進行投與。
如請求項1或2之用途，其中該催產素受體促效劑為催產素或其醫藥鹽。
如請求項11之用途，其中該神經發育病症為普瑞德-威利症候群或普瑞德-威利類似病症。
如請求項12之用途，其中該個體為2至18歲。
如請求項12之用途，其中該個體罹患沉默吞嚥困難。
如請求項12之用途，其中該藥物藉由鼻內途徑進行投與。
如請求項12之用途，其中該藥物以每日劑量2 IU至48 IU藉由鼻內途徑進行投與。
一種無基材之雙面黏著薄片，其包含：黏著劑層、積層於前述黏著劑層之一面的輕剝離膜、及積層於前述黏著劑層之另一面的重剝離膜； <br/>其中，前述黏著劑層的輕剝離膜側表面中的Si元素量Si<sub>A</sub>與前述黏著劑層的重剝離膜側表面中的Si元素量Si<sub>B</sub>係滿足下式： <br/>前述Si<sub>A</sub>係6.1至15[atom%]， <br/>前述Si<sub>B</sub>係6.7至45[atom%]， <br/>3.0≧Si<sub>B</sub>/Si<sub>A</sub>＞0.6。
如請求項1所述之無基材之雙面黏著薄片，其中，前述重剝離膜係在塑膠膜上形成有包含重剝離添加劑之脫模處理層的膜； <br/>前述輕剝離膜係在塑膠膜上形成有不包含重剝離添加劑之脫模處理層的膜； <br/>前述重剝離添加劑為分子中具有1個以上之反應性部位的聚有機矽氧烷。
一種積層體，其依序包含：光學構件、黏著劑層及重剝離膜；其中， <br/>前述黏著劑層的光學構件側表面的Si元素量Si<sub>C</sub>與前述黏著劑層的重剝離膜側表面的Si元素量Si<sub>D</sub>係滿足下式： <br/>前述Si<sub>C</sub>係6.1至15[atom%]， <br/>前述Si<sub>D</sub>係6.7至45[atom%]， <br/>3.0≧Si<sub>D</sub>/Si<sub>C</sub>＞0.6。
如請求項3所述之積層體，其中，前述重剝離膜係在塑膠膜上形成有包含重剝離添加劑之脫模處理層的膜； <br/>前述重剝離添加劑為分子中具有1個以上之反應性部位的聚有機矽氧烷。
一種噴墨用接著劑，其包含具有(甲基)丙烯醯基或乙烯基且不具有環狀醚基之光硬化性化合物、及 <br/>光聚合起始劑， <br/>不含或包含熱硬化性化合物，上述熱硬化性化合物不具有(甲基)丙烯醯基且具有環狀醚基， <br/>於噴墨用接著劑包含上述熱硬化性化合物之情形時，上述熱硬化性化合物之含量為5重量%以下， <br/>在以波長365 nm下之照度成為100 mW/cm<sup>2</sup>之方式對噴墨用接著劑照射累計光量1000 mJ/cm<sup>2</sup>之光而獲得B-階段化接著劑X時，上述B-階段化接著劑X於25℃下之彈性模數為1×10<sup>5</sup> Pa以上2×10<sup>9</sup> Pa以下。
如請求項1之噴墨用接著劑，其包含具有(甲基)丙烯醯基且具有環狀醚基之光及熱硬化性化合物，且 <br/>上述光及熱硬化性化合物之含量為20重量%以上60重量%以下。
如請求項1或2之噴墨用接著劑，其中在以波長365 nm下之照度成為2000 mW/cm<sup>2</sup>之方式對噴墨用接著劑照射累計光量20000 mJ/cm<sup>2</sup>之光而獲得B-階段化接著劑Y時，上述B-階段化接著劑Y於40℃下之黏度為80 Pa･s以上8000 Pa･s以下。
如請求項1或2之噴墨用接著劑，其不含上述熱硬化性化合物。
如請求項1或2之噴墨用接著劑，其包含上述熱硬化性化合物，且 <br/>上述熱硬化性化合物為具有2個以上環氧基之環氧化合物。
如請求項1或2之噴墨用接著劑，其中上述光硬化性化合物包含具有1個(甲基)丙烯醯基之第1光硬化性化合物及具有2個以上(甲基)丙烯醯基之第2光硬化性化合物。
如請求項6之噴墨用接著劑，其中上述第2光硬化性化合物包含具有6個以上(甲基)丙烯醯基之光硬化性化合物。
如請求項1或2之噴墨用接著劑，其包含有色材料，且 <br/>噴墨用接著劑之透過率為10%以下。
如請求項1或2之噴墨用接著劑，其係於第1構件之表面上以框狀塗佈而使用之接著劑。
如請求項1或2之噴墨用接著劑，其係用於將第1構件與第2構件之周緣部接著之接著劑。
一種電子零件之製造方法，其包括：塗佈步驟，其係使用噴墨裝置於第1構件之表面上塗佈如請求項1至10中任一項之噴墨用接著劑，從而形成接著劑層； <br/>光硬化步驟，其係藉由照射光而使上述接著劑層硬化，從而形成B-階段化接著劑層； <br/>配置步驟，其係於上述B-階段化接著劑層之與上述第1構件側相反之表面上配置第2構件；及 <br/>熱硬化步驟，其係藉由加熱而使上述B-階段化接著劑層熱硬化；且 <br/>於上述配置步驟中，在形成為框狀之上述B-階段化接著劑層之表面上配置上述第2構件。
如請求項11之電子零件之製造方法，其中上述第1構件為半導體元件，且 <br/>上述第2構件為透明構件。
如請求項11或12之電子零件之製造方法，其中上述第2構件為透明玻璃構件。
一種電子零件，其具備：第1構件、 <br/>第2構件、及 <br/>將上述第1構件與上述第2構件之周緣部接著之接著劑之硬化物層，且 <br/>上述接著劑之硬化物層為如請求項1至10中任一項之噴墨用接著劑之硬化物層。
一種電子零件，其具備：第1構件、 <br/>第2構件、及 <br/>將上述第1構件之上表面與上述第2構件之側面或下表面接著之接著劑之硬化物層， <br/>上述接著劑之硬化物層為如請求項1至10中任一項之噴墨用接著劑之硬化物層，且 <br/>由上述第1構件、上述第2構件及上述接著劑之硬化物層形成內部空間。
如請求項14或15之電子零件，其中上述第1構件為半導體元件，且 <br/>上述第2構件為透明構件。
如請求項14或15之電子零件，其中上述第2構件為透明玻璃構件。
一種電路基板之製造方法，包含下列步驟(X)、(Y)及(Z)： <br/> (X)在附金屬層的基材之該金屬層上，形成第1導體電路的步驟， <br/> (Y)以埋入被形成於前述金屬層上的第1導體電路的方式藉由樹脂組成物形成樹脂組成物層，使該樹脂組成物層硬化形成絕緣層之步驟， <br/> (Z)除去附金屬層的基材，形成具有第1導體電路露出之第1主面的電路基板之步驟； <br/> 附金屬層的基材中的金屬層的厚度未滿0.5μm， <br/> 樹脂組成物，包含環氧樹脂，硬化劑及無機填充材，若將樹脂組成物中的不揮發成分設為100質量%，則無機填充材的含量為20質量%以上。
一種電路基板之製造方法，包含下列步驟(X)、(Y)及(Z)： <br/> (X)在附金屬層的基材之該金屬層上，形成第1導體電路的步驟（但使用金屬層表面的最大峰高度Sp為0.400μm以上1.600μm以下的附金屬層的基材的情況下除外）， <br/> (Y)以埋入被形成於前述金屬層上的第1導體電路的方式藉由樹脂組成物形成樹脂組成物層，使該樹脂組成物層硬化形成絕緣層之步驟， <br/> (Z)除去附金屬層的基材，形成具有第1導體電路露出之第1主面的電路基板之步驟； <br/> 樹脂組成物，包含環氧樹脂，硬化劑及無機填充材，若將樹脂組成物中的不揮發成分設為100質量%，則無機填充材的含量為20質量%以上。
如請求項1或2之方法，其中在前述樹脂組成物中的不揮發成分為100質量%的場合，前述樹脂組成物中的前述無機填充材之含量在40質量%以上75質量%以下。
如請求項3之方法，其中若將樹脂組成物中的不揮發成分設為100質量%，則樹脂組成物中的無機填充材的含量為50質量%以上。
如請求項1或2之方法，其中前述無機填充材的平均粒徑為0.6μm以下。
如請求項1或2之方法，其中前述無機填充材為二氧化矽。
如請求項1之方法，其中前述樹脂組成物的最低熔融黏度為5000poise以下。
如請求項2之方法，其中前述金屬層的厚度未滿0.5μm。
如請求項1或2之方法，其中金屬層的厚度未滿0.3μm。
如請求項1或2之方法，其中前述金屬層表面的算術平均粗糙度Ra為200nm以下，在附金屬層的基板的厚度方向測定之該金屬層表面的高度的最大值與最小值之差TTV為50μm以下。
如請求項1或2之方法，其中於附金屬層的基板，基材由與金屬層的組成不同的金屬基材、無機基材及有機基材來選擇。
如請求項1或2之方法，其中前述步驟(Z)，藉由除去基材後，除去前述金屬層而進行。
如請求項1或2之方法，其中前述步驟(X)，包含 <br/> (X-1)在前述金屬層上設光阻，曝光/顯影該光阻，對應於應形成的第1導體電路的電路圖案使金屬層露出，以及 <br/> (X-2)在露出的金屬層上形成導體層，形成第1導體電路。
如請求項1或2之方法，其中前述第1導體電路包含溝渠型導體電路。
如請求項1或2之方法，其中前述步驟(Y)，包含把包含支撐膜與設於該支撐膜上的樹脂組成物層之樹脂薄板，以該樹脂組成物層與第1導體電路接合的方式，層積於基板。
如請求項1或2之方法，其中前述步驟(Y)之後，包含 <br/> (i)在絕緣層表面上，形成第2導體電路之步驟，及 <br/> (ii)以埋入第2導體電路的方式形成樹脂組成物層，使該樹脂組成物層硬化形成絕緣層之步驟。
如請求項1或2之方法，其中前述電路基板為半導體封裝用。
一種電路基板，其係具有第1主面及第2主面； <br/> 於第1主面包含溝渠型的導體電路， <br/> 前述溝渠型導體電路之最小線/間隔比(L/S)為2/2μm以下， <br/> 在垂直於第1主面且對溝渠型導體電路的延伸方向也垂直的方向Y之剖面，溝渠型導體電路的側壁劃定的直線的方向y1與方向Y的角度差為20°以下， <br/> 與溝渠型導體電路一起劃定第1主面的絕緣層，由包含環氧樹脂、硬化劑及無機填充材的樹脂組成物之硬化物所構成，若將該樹脂組成物中的不揮發成分設為100質量%，則無機填充材的含量為40質量%以上，且硬化劑包含活性酯系硬化劑。
如請求項18之電路基板，其中與溝渠型導體電路一起劃定第1主面的絕緣層，由包含環氧樹脂、活性酯系硬化劑及無機填充材的樹脂組成物之硬化物所構成，若將該樹脂組成物中的樹脂成分設為100質量%，則活性酯系硬化劑的含量為10質量%以上。
如請求項18或19之電路基板，其中溝渠型導體電路的最小線/間隔比(L/S)為1.5/1.5μm以下。
如請求項18之電路基板，其中前述溝渠型導體電路，具有寬幅由第1主面朝向電路基板的深度方向增大的逆圓錐形狀。
如請求項18之電路基板，其中於垂直於前述第1主面且也垂直於溝渠型導體電路的延伸方向的方向Y之剖面，溝渠型導體電路的厚度T與寬幅W之比(T/W)為1.5以上。
如請求項18之電路基板，其中於垂直於前述第1主面且也垂直於溝渠型導體電路的延伸方向的方向Y之剖面，溝渠型導體電路的露出面，比與溝渠型導體電路一起劃定第1主面的絕緣層的露出面還低窪0.05W以上。
如請求項18之電路基板，其中具有電路層數為2以上的多層構造。
一種半導體封裝，其中包含請求項18～24之任一之電路基板，及以與該電路基板的溝渠型導體電路導電連接的方式設於第1主面上之半導體晶片。
如請求項25之半導體封裝，其為扇出(Fan-Out)型封裝。
一種研磨方法，其包含將包含研磨粒A1的研磨用組成物S1與包含研磨粒A2的研磨用組成物S2依序供給至相同的研磨定盤上，將研磨對象物研磨之研磨步驟， <br/> 前述研磨粒A1，藉由動態光散射法所測得的平均粒徑(D2<sub>A1</sub>)相對於由藉由BET法所測得的比表面積換算出的粒徑(D1<sub>A1</sub>)之比(D2<sub>A1</sub>/D1<sub>A1</sub>)為1.5以上， <br/> 前述研磨粒A2，藉由動態光散射法所測得的平均粒徑(D2<sub>A2</sub>)相對於由藉由BET法所測得的比表面積換算出的粒徑(D1<sub>A2</sub>)之比(D2<sub>A2</sub>/D1<sub>A2</sub>)未達1.5。
如請求項1的研磨方法，其中前述D1<sub>A1</sub>為5nm以上100nm以下。
如請求項1或2之研磨方法，其中前述D1<sub>A2</sub>為5nm以上100nm以下。
如請求項1或2之研磨方法，其中前述研磨用組成物S1中的前述研磨粒A1的含量為0.01重量%以上1重量%以下。
如請求項1或2之研磨方法，其中前述研磨用組成物S2中的前述研磨粒A2的含量為0.01重量%以上1重量%以下。
如請求項1或2之研磨方法，其中前述研磨用組成物S2進一步包含水溶性高分子。
如請求項1或2之研磨方法，其中前述研磨用組成物S1進一步包含水溶性高分子。
如請求項1或2之研磨方法，其中前述研磨粒A1及前述研磨粒A2皆為二氧化矽粒子。
如請求項1或2之研磨方法，其中前述研磨粒A1及前述研磨粒A2皆為膠體二氧化矽。
如請求項1或2之研磨方法，其中供給前述研磨用組成物S1進行研磨的時間t1與供給前述研磨用組成物S2進行研磨的時間t2的關係滿足t2/t1＜1。
如請求項1或2之研磨方法，其係可使用於由矽所形成的表面的研磨。
一種研磨用組成物套組，其係可使用於如請求項1至11中任一項之研磨方法之研磨用組成物套組，並且包含： <br/> 前述研磨用組成物S1或其濃縮液的第1組成物、及 <br/> 前述研磨用組成物S2或其濃縮液的第2組成物， <br/> 前述第1組成物與前述第2組成物係互相分開保存。
一種研磨墊，係具有研磨層、和被設置在該研磨層之開口處之終點檢測窗， <br/> 前述研磨層，係包含聚胺基甲酸酯樹脂P、和分散於該聚胺基甲酸酯樹脂P中之中空微粒子， <br/> 前述終點檢測窗，係包含聚胺基甲酸酯樹脂WI， <br/> 前述聚胺基甲酸酯樹脂WI，係包含來自於脂環族異氰酸酯及/或脂肪族異氰酸酯之構成單位、來自於具有3個以上的羥基之化合物之構成單位以及來自於聚醚多元醇之構成單位， <br/> 在以拉張模式、頻率1.0Hz、10~100℃之條件下所進行的前述終點檢測窗之動態黏彈性測定中，於90℃時之儲存模數E’<sub>W90</sub>，係為1.0×10<sup>7</sup>Pa以上， <br/> 前述終點檢測窗之在80℃時的D硬度(D<sub>W80</sub>)，係為40以上， <br/> 前述終點檢測窗之在20℃時的D硬度(D<sub>W20</sub>)，係為40~90。
如請求項1所記載之研磨墊，其中， <br/> 在前述終點檢測窗之動態黏彈性測定中，於30℃時之儲存模數E’<sub>W30</sub>，係為60×10<sup>7</sup>~100×10<sup>7</sup>Pa。
如請求項1或2所記載之研磨墊，其中， <br/> 在前述終點檢測窗之動態黏彈性測定中，tanδ之峰值溫度係為70~100℃。
一種研磨墊，係具有研磨層、和被設置在該研磨層之開口處之終點檢測窗， <br/> 前述研磨層，係包含聚胺基甲酸酯樹脂P、和分散於該聚胺基甲酸酯樹脂P中之中空微粒子， <br/> 前述終點檢測窗，係包含聚胺基甲酸酯樹脂WI， <br/> 前述聚胺基甲酸酯樹脂WI，係包含來自於脂環族異氰酸酯及/或脂肪族異氰酸酯之構成單位、來自於具有3個以上的羥基之化合物之構成單位以及來自於聚醚多元醇之構成單位， <br/> 在以拉張模式、頻率1.0Hz、10~100℃之條件下所進行的動態黏彈性測定中，前述終點檢測窗之於30℃時之儲存模數E’<sub>W30</sub>與前述研磨層之於30℃時的儲存模數E’<sub>P30</sub>之間之比(E’<sub>P30</sub>/E’<sub>W30</sub>)，係為0.60~1.50。
如請求項4所記載之研磨墊，其中， <br/> 在前述動態黏彈性測定中，前述終點檢測窗之於50℃時之儲存模數E’<sub>W50</sub>與前述研磨層之於50℃時的儲存模數E’<sub>P50</sub>之間之比(E’<sub>P50</sub>/E’<sub>W50</sub>)，係為0.70~2.00。
如請求項4或5所記載之研磨墊，其中， <br/> 在前述終點檢測窗之動態黏彈性測定中，於30℃時之儲存模數E’<sub>W30</sub>，係為10×10<sup>7</sup>~60×10<sup>7</sup>Pa。
如請求項4或5所記載之研磨墊，其中， <br/> 前述終點檢測窗之於20℃時之D硬度(D<sub>W20</sub>)，係為40~70。
一種研磨墊，係具有研磨層、和被設置在該研磨層之開口處之終點檢測窗， <br/> 前述研磨層，係包含聚胺基甲酸酯樹脂P、和分散於該聚胺基甲酸酯樹脂P中之中空微粒子， <br/> 前述終點檢測窗，係包含聚胺基甲酸酯樹脂WI， <br/> 前述聚胺基甲酸酯樹脂WI，係包含來自於脂環族異氰酸酯及/或脂肪族異氰酸酯之構成單位、來自於具有3個以上的羥基之化合物之構成單位以及來自於聚醚多元醇之構成單位， <br/> 在將使用脈衝NMR而藉由Solid Echo法來進行測定一事所得到的1H之自旋間弛豫(spin-spinrelaxation)的自由感應衰減曲線，以弛豫時間為短之順序來波形分離成來自於結晶相、中間相以及非晶相之3成分的3個的曲線時， <br/> 於20℃時之前述終點檢測窗之非晶相之存在比Lw20與前述研磨層之非晶相之存在比Lp20之比(Lp20/Lw20)，係為0.5~2.0， <br/> 於80℃時之前述終點檢測窗之結晶相之存在比Sw80與前述研磨層之結晶相之存在比Sp80之比(Sp80/Sw80)，係為0.5~2.0。
如請求項8所記載之研磨墊，其中， <br/> 於20℃時之前述終點檢測窗之中間相之存在比Mw20與前述研磨層之中間相之存在比Mp20之比(Mp20/Mw20)，係為0.7~1.5。
如請求項8或9所記載之研磨墊，其中， <br/> 於80℃時之前述終點檢測窗之中間相之存在比Mw80與前述研磨層之中間相之存在比Mp80之比(Mp80/Mw80)，係為0.5~1.5。
如請求項8或9所記載之研磨墊，其中， <br/> 前述存在比Lw20與前述存在比Lp20之差(|Lp20-Lw20|)，係為10以下。
如請求項8或9所記載之研磨墊，其中， <br/> 前述存在比Sw80與前述存在比Sp80之差(|Sp80-Sw80|)，係為15以下。
如請求項8或9所記載之研磨墊，其中， <br/> 前述聚胺基甲酸酯樹脂P，係包含來自於芳香族異氰酸酯之構成單位。
一種研磨加工物之製造方法，係具有： <br/> 研磨工程，係於研磨漿料之存在下，使用如請求項1~13中之任一項所記載之研磨墊，來對於被研磨物進行研磨並得到研磨加工物；和 <br/> 終點檢測工程，係在該研磨中，使用光學式終點檢測方式來進行終點檢測。
一種偏光鏡保護用聚酯薄膜，其係包含二羧酸成分為75莫耳%以上的對苯二甲酸、二醇成分為75莫耳%以上的乙二醇之聚酯薄膜，30℃至70℃的溫度範圍的薄膜的平面方向的熱線膨脹係數為70ppm/℃以下，平面方向的最小折射率與厚度方向的折射率的差為0.09以下，厚度為40μm以下，薄膜的固有黏度為0.80dl/g以上。
如請求項1之偏光鏡保護用聚酯薄膜，其中平面相位差為400nm～3000nm。
如請求項1之偏光鏡保護用聚酯薄膜，其中薄膜的寬度方向的厚度不均為10%以下。
如請求項1之偏光鏡保護用聚酯薄膜，其中共聚合成分為3莫耳%以上25莫耳%以下，至少包含選自己二酸、間苯二甲酸、環己烷二甲醇之成分。
如請求項1之偏光鏡保護用聚酯薄膜，其中偏光鏡的吸收軸與聚酯薄膜的慢軸形成之角度為5°以下。
如請求項1之偏光鏡保護用聚酯薄膜，其係A層/B層/A層的3層積層，A層的厚度為1μm以下。
一種偏光板，其具備偏光鏡、與配置於偏光鏡的一側之如請求項1至6中任一項之聚酯薄膜。
如請求項7之偏光板，其中該偏光鏡的厚度為20μm以下。
如請求項7之偏光板，其進一步包含配置於該聚酯薄膜的該偏光鏡側之易接著層。
如請求項9之偏光板，其中該易接著層包含微粒子。
如請求項9之偏光板，其中該易接著層的厚度為0.35μm以下。
如請求項9之偏光板，其中該易接著層的折射率為1.6以下。
一種濺射預處理方法，其為用於在除了半導體材料的底面以外的剩餘區域形成電磁波遮罩層的濺射預處理方法，所述方法包括：<br/> 準備形成有待粘接所述半導體材料的底面的粘合層的半導體材料粘接部件的步驟；<br/> 設定從待粘接所述半導體材料的底面的粘合區域向外側方向隔開預定間隔的粘合層加工區域的步驟；<br/> 沿著所述粘合層加工區域的內側邊緣照射鐳射，從而加工所述粘合層的第一切割線的步驟；<br/> 沿著所述粘合層加工區域的外側邊緣照射鐳射，從而加工所述粘合層的第二切割線的步驟；以及<br/> 向所述粘合層加工區域照射鐳射，從而使所述粘合層硬化的步驟。
一種濺射預處理方法，其為用於在除了半導體材料的底面以外的剩餘區域形成電磁波遮罩層的濺射預處理方法，所述方法包括：<br/> 準備形成有待粘接所述半導體材料的底面的粘合層的半導體材料粘接部件的步驟；<br/> 設定從待粘接所述半導體材料的底面的粘合區域向外側方向隔開預定間隔的粘合層加工區域的步驟；<br/> 沿著所述粘合層加工區域的內側邊緣和外側邊緣中的一個以上的邊緣照射鐳射，從而加工所述粘合層的切割線以使照射的鐳射的熱能間接傳遞到待粘接所述半導體材料的粘合區域的步驟；以及<br/> 向所述粘合層加工區域照射鐳射，從而使所述粘合層硬化的步驟。
根據請求項1至2中任一項所述的濺射預處理方法，其中，<br/> 向所述內側邊緣照射的鐳射的每個單位面積照射的能量的強度大於向所述外側邊緣照射的鐳射的每個單位面積照射的能量的強度。
根據請求項3所述的濺射預處理方法，其中，<br/> 控制向所述內側邊緣照射的鐳射相比向所述外側邊緣照射的鐳射，鐳射的移動速度慢或者提高鐳射的反復率或者控制鐳射的照射強度強。
根據請求項1至2中任一項所述的濺射預處理方法，其中，<br/> 使所述粘合層硬化的步驟是從所述粘合層加工區域的內側向外側以連續的四邊形的螺旋形軌跡圖案照射鐳射。
根據請求項1至2中任一項所述的濺射預處理方法，其中，所述半導體材料粘接部件是，<br/> 在上部塗布有粘合層的框架；或者<br/> 具備粘合層的膠帶。
根據請求項6所述的濺射預處理方法，其中，<br/> 在所述框架或者所述膠帶形成有用於容納形成在所述半導體材料的底面的錫球的穿孔或者容納槽。
一種式(I)化合物的製備方法，其特徵在於，其藉由如下步驟製備： <br/><img align="absmiddle" height="55px" width="48px" file="ed10036.jpg" alt="ed10036.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(I) <br/> 步驟(C')：於有機溶劑中，(I-4)與鹵代試劑發生鹵代反應得到(I-5)，所述的鹵代試劑是三氯氧磷、氯化亞碸、磺醯氯、三氯化膦、五氯化膦、三溴化磷、三溴氧磷、三光氣、草醯氯中的一種或幾種，(I-4)和鹵代試劑的莫耳比為1:(1-3)： <br/><img align="absmiddle" height="537px" width="1261px" file="ed10037.jpg" alt="ed10037.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 步驟(D')：於有機溶劑中，(I-5)與(I-6)和鹼發生親核取代反應得(I)： <br/><img align="absmiddle" height="646px" width="1231px" file="ed10038.jpg" alt="ed10038.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中，X為鹵素原子；M為鹼金屬離子； <br/> X<sub>1</sub>為CH，X<sub>2</sub>為N，X<sub>3</sub>為CR<sub>3</sub>，X<sub>4</sub>為CH； <br/> R<sub>3</sub>選自氫、胺基、氰基、鹵素、羧基、C<sub>1-4</sub>烷基、 C<sub>1-4</sub>烷氧基、C<sub>1-4</sub>烷基胺基、(C<sub>1-4</sub>烷基)<sub>2</sub>胺基、嗎啉基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>1-4</sub>烷羰基、C<sub>1-4</sub>烷胺羰基、(C<sub>1-6</sub>烷基)<sub>2</sub>胺羰基、C<sub>1-4</sub>烷基磺醯基、C<sub>1-4</sub>烷基硫基、胺基羰基、環丙基、氮雜環丁烷基和哌嗪基， <br/> a)其中所述C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>1-4</sub>烷氧基、C<sub>1-4</sub>烷基胺基、(C<sub>1-4</sub>烷基)<sub>2</sub>胺基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>1-4</sub>烷羰基、C<sub>1-4</sub>烷胺羰基、(C<sub>1-6</sub>烷基)<sub>2</sub>胺羰基、C<sub>1-4</sub>烷基磺醯基、C<sub>1-4</sub>烷基硫基、胺基羰基是未被取代的或任選被1、2、3、4或5個，在滿足化合價平衡的條件下，獨立選自羥基、胺基、鹵素、C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>1-4</sub>烷氧基、C<sub>1-4</sub>烷基胺基、(C<sub>1-4</sub>烷基)<sub>2</sub>胺基、環丙基、C<sub>1-4</sub>烷羰氧基和未被取代或被C<sub>1-4</sub>烷基取代的4-6元雜環基的基團取代， <br/> b)其中所述環丙基、氮雜環丁烷基、嗎啉基和哌嗪基是未被取代的或任選被1、2、3、4或5個，在滿足化合價平衡的條件下，獨立選自羥基、鹵素、C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>1-4</sub>烷氧基、環丙基、胺基、C<sub>1-4</sub>烷基胺基、(C<sub>1-4</sub>烷基)<sub>2</sub>胺基和C<sub>1-4</sub>烷羰氧基的基團取代； <br/> L為鍵； <br/> 環A為4-7元單雜環基或7-12元螺雜環基，所述4-7元單雜環基的雜原子選自N，7-12元螺雜環基的雜原子選自O、N中的一種或兩種的組合，且7-12元螺雜環基至少含有一個N，環A透過N原子與L相連接； <br/> 每個R<sub>1</sub>分別獨立地選自氫、羥基、氰基、鹵素、C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>1-4</sub>烷氧基、吡唑基、噻唑基和三唑基，基中所述C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>1-4</sub>烷氧基、吡唑基、噻唑基和三唑基未被取代或被羥基取代； <br/> m為0、1或2； <br/> R<sub>2</sub>選自氫。
如請求項1所述的製備方法，其特徵在於， <br/> 在步驟(C')中，所述的鹵代試劑為三氯氧磷；和/或 <br/> 在步驟(C')中，(I-4)和鹵代試劑的莫耳比為1:(1.2-2.3)；和/或 <br/> 在步驟(D')中，所述的鹼是三乙胺、N,N-二異丙基乙胺、甲醇鈉、乙醇鈉、三級丁醇鈉、三級丁醇鉀中的一種或幾種；和/或 <br/> 在步驟(D')中，(I-5)、(I-6)和鹼的莫耳比為1:(0.5-2):(1-3)。
如請求項1-2中任一項所述的製備方法，其特徵在於， <br/> 在步驟(C')中，所述的有機溶劑是乙腈、四氫呋喃、2-甲基四氫呋喃、氯仿、1,2-二氯乙烷中的一種或幾種；和/或 <br/> 在步驟(D')中，所述的有機溶劑是乙醇、四氫呋喃、2-甲基四氫呋喃、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺中的一種或幾種；和/或 <br/> 在步驟(C')中，有機溶劑的用量為式(I'-4)的4-10倍體積；和/或 <br/> 在步驟(D')中，有機溶劑的用量為式(I'-5)的10-20倍體積。
如請求項1-2中任一項所述的製備方法，其特徵在於， <br/> R<sub>3</sub>選自氫、鹵素、C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>1-4</sub>烷氧基、嗎啉基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>1-4</sub>烷胺羰基、(C<sub>1-4</sub>烷基)<sub>2</sub>胺羰基和胺基羰基；和/或 <br/> 環A為4-7元單雜環基，所述4-7元單雜環基的雜原子選自N，環A通過N原子與L相連接；和/或 <br/> 每個R<sub>1</sub>分別獨立地選自氫、C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>1-4</sub>烷氧基、吡唑基、噻唑基和三唑基，其中所述C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>1-4</sub>烷氧基、吡唑基、噻唑基和三唑基未被取代或被羥基取代；和/或 <br/> 在步驟(C')中，(I-4)和鹵代試劑的莫耳比為1:1.5；和/或 <br/> 在步驟(D')中，所述的鹼為三乙胺或N,N-二異丙基乙胺；和/或 <br/> 在步驟(C')中，所述的有機溶劑是乙腈；和/或 <br/> 在步驟(D')中，所述的有機溶劑是乙醇。
如請求項1-2中任一項所述的製備方法，其特徵在於， <br/> R<sub>3</sub>選自氫、鹵素、C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>1-4</sub>烷氧基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>1-4</sub>烷胺羰基和胺基羰基；和/或 <br/> 环A選自<img align="absmiddle" height="24px" width="16px" file="ed10039.jpg" alt="ed10039.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="27px" width="17px" file="ed10040.jpg" alt="ed10040.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="29px" width="22px" file="ed10041.jpg" alt="ed10041.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種式(I')化合物的製備方法，其特徵在於，其藉由如下步驟製備： <br/><img align="absmiddle" height="46px" width="43px" file="ed10042.jpg" alt="ed10042.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(I') <br/> 步驟(C)：於有機溶劑中，(I'-4)與鹵代試劑發生鹵代反應得到(I'-5)，所述的鹵代試劑是三氯氧磷、氯化亞碸、磺醯氯、三氯化膦、五氯化膦、三溴化磷、三溴氧磷、三光氣、草醯氯中的一種或幾種，(I'-4)和鹵代試劑的莫耳比為1:(1-3)： <br/><img align="absmiddle" height="306px" width="751px" file="ed10043.jpg" alt="ed10043.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 步驟(D)：於有機溶劑中，(I'-5)與(I'-6)和鹼發生親核取代反應得(I')： <br/><img align="absmiddle" height="54px" width="142px" file="ed10044.jpg" alt="ed10044.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/> 其中，R<sub>1</sub>為C<sub>1-6</sub>烷基； <br/> X為鹵素原子； <br/> M為鹼金屬離子。
如請求項6所述的製備方法，其特徵在於， <br/> 在步驟(C)中，所述的鹵代試劑為三氯氧磷；和/或 <br/> 在步驟(C)中，(I'-4)和鹵代試劑的莫耳比為1:(1.2-2.3)；和/或 <br/> 在步驟(D)中，所述的鹼是三乙胺、N,N-二異丙基乙胺、甲醇鈉、乙醇鈉、三級丁醇鈉、三級丁醇鉀中的一種或幾種；和/或 <br/> 在步驟(D)中，(I'-5)、(I'-6)和鹼的莫耳比為1:(0.5-2):(1-3)。
如請求項6-7中任一項所述的製備方法，其特徵在於， <br/> 在步驟(C)中，(I'-4)和鹵代試劑的莫耳比為1:1.5； <br/> 在步驟(D)中，所述的鹼為三乙胺或N,N-二異丙基乙胺。
如請求項6-7中任一項所述的製備方法，其特徵在於， <br/> 在步驟(C)中，所述的有機溶劑是乙腈、四氫呋喃、2-甲基四氫呋喃、氯仿、1,2-二氯乙烷中的一種或幾種；和/或 <br/> 在步驟(D)中，所述的有機溶劑是乙醇、四氫呋喃、2-甲基四氫呋喃、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺中的一種或幾種；和/或 <br/> 在步驟(C)中，有機溶劑的用量為式(I'-4)的4-10倍體積；和/或 <br/> 在步驟(D)中，有機溶劑的用量為式(I'-5)的10-20倍體積。
如請求項6-7中任一項所述的製備方法，其特徵在於， <br/> 在步驟(C)中，所述的有機溶劑是乙腈；和/或 <br/> 在步驟(D)中，所述的有機溶劑是乙醇。
如請求項6所述的製備方法，其特徵在於，還包括步驟(B)， <br/> 於有機溶劑中，(I'-3)與鹼發生縮合反應得到(I'-4)： <br/><img align="absmiddle" height="59px" width="171px" file="ed10045.jpg" alt="ed10045.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/> R<sub>1</sub>為C<sub>1-6</sub>烷基； <br/> R<sub>2</sub>為C<sub>1-6</sub>烷基； <br/> M為K<sup>+</sup>、Na<sup>+</sup>、Li<sup>+</sup>、Cs<sup>+</sup>。
如請求項11所述的製備方法，其特徵在於， <br/> 在步驟(B)中，所述的鹼是氫氧化鉀、氫氧化鈉、甲醇鈉、乙醇鈉、三級丁醇鈉、三級丁醇鉀、甲醇鉀中的一種或幾種；和/或 <br/> 在步驟(B)中，(I'-3)和鹼的莫耳比為1:(1-5)。
如請求項11-12中任一項所述的製備方法，其特徵在於， <br/> 在步驟(B)中，所述的有機溶劑是乙醇、四氫呋喃、2-甲基四氫呋喃、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺中的一種或幾種；和/或 <br/> 在步驟(B)中，所述的有機溶劑的用量為式(I'-3)的3-12倍體積。
如請求項11-12中任一項所述的製備方法，其特徵在於， <br/> 在步驟(B)中，所述的鹼是甲醇鉀和乙醇鈉中的一種或幾種； <br/> 所述的有機溶劑是四氫呋喃。
如請求項11-12中任一項所述的製備方法，其特徵在於，還包括步驟(A)， <br/> 於有機溶劑中，式(I'-1)、(I'-2)和偶聯試劑發生縮合反應得到(I'-3)： <br/><img align="absmiddle" height="41px" width="132px" file="ed10046.jpg" alt="ed10046.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/> R<sub>1</sub>為C<sub>1-6</sub>烷基； <br/> R<sub>2</sub>為C<sub>1-6</sub>烷基。
如請求項15所述的製備方法，其特徵在於， <br/> R<sub>1</sub>為甲基或乙基； <br/> R<sub>2</sub>為甲基或乙基。
如請求項15所述的製備方法，其特徵在於， <br/> 在步驟(A)中，所述的偶聯試劑是1-(3-二甲胺基丙基)-3-乙基碳二亞胺鹽酸鹽、2-(7-氧化苯並三氮唑)-N,N,N',N'-四甲基脲六氟磷酸鹽、苯並三氮唑-1-基氧基三(二甲基胺基)磷鎓六氟磷酸鹽、二環己基碳二亞胺中的一種或幾種；和/或 <br/> 在步驟(A)中，(I'-1)、(I'-2)和偶聯試劑的莫耳比為1:(0.5-2):(1-2)。
如請求項15所述的製備方法，其特徵在於， <br/> 在步驟(A)中，所述的有機溶劑是二氯甲烷、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、四氫呋喃中的一種或幾種；和/或 <br/> 在步驟(A)中，所述的有機溶劑的用量為式(I'-1)的5-12倍體積。
一種式(I')化合物的製備中間體，其特徵在於，具有以下結構式： <br/><img align="absmiddle" height="53px" width="65px" file="ed10047.jpg" alt="ed10047.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> R<sub>1</sub>為C<sub>1-6</sub>烷基； <br/> M為K<sup>+</sup>、Na<sup>+</sup>、Li<sup>+</sup>、Cs<sup>+</sup>。
如請求項19所述的製備中間體，其特徵在於， <br/> R<sub>1</sub>為甲基或乙基。
如請求項19所述的製備中間體，其特徵在於，其結構如下： <br/><img align="absmiddle" height="42px" width="59px" file="ed10048.jpg" alt="ed10048.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="42px" width="59px" file="ed10049.jpg" alt="ed10049.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="42px" width="59px" file="ed10050.jpg" alt="ed10050.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="42px" width="59px" file="ed10051.jpg" alt="ed10051.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種化合物，其具有由下述式(1)所表示之結構： <br/>[化1] <br/><img align="absmiddle" height="112px" width="369px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式中， <br/>R<sup>1</sup>表示碳原子數1～30之烷基、碳原子數3～30之環烷基、碳原子數2～30之烯基、碳原子數6～30之芳基、或碳原子數2～30之烷氧基烷基， <br/>R<sup>2</sup>表示由OR<sup>3</sup>所表示之基或由下述式(2)所表示之基， <br/>R<sup>3</sup>表示碳原子數3～30之環烷基、碳原子數2～30之烯基、碳原子數6～30之芳基、碳原子數2～30之烷氧基烷基、碳原子數5～30之烷基乙醯乙酸基、2,4-戊二酮酸基、或2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酸基， <br/>n1及n2分別獨立地表示0以上之整數，其中n1＋2×n2係由L之種類決定之價數， <br/>L表示鋁、鎵、釔、鈦、鋯、鉿、鉍、錫、釩或鉭， <br/>＊表示鍵結鍵) <br/>[化2] <br/><img align="absmiddle" height="94px" width="217px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式中，R<sup>4</sup>及R<sup>5</sup>表示可具有氧原子之碳原子數1～30之烷基、碳原子數3～30之環烷基、碳原子數2～30之烯基、碳原子數6～30之芳基、或碳原子數2～30之烷氧基烷基)。
如請求項1之化合物，其中上述化合物由下述式(3)表示： <br/>[化3] <br/><img align="absmiddle" height="107px" width="362px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式中，R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、n1、n2及L如上所述，R<sup>6</sup>及R<sup>7</sup>分別獨立地表示碳原子數1～30之烷基、碳原子數3～30之環烷基、碳原子數2～30之烯基、碳原子數6～30之芳基、碳原子數2～30之烷氧基烷基或由L(R<sup>2</sup>)<sub>n1</sub>(O)<sub>n2</sub>所表示之基)。
如請求項1或2之化合物，其中上述化合物由下述式(30)表示： <br/>[化4] <br/><img align="absmiddle" height="107px" width="375px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式中，R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、n1、n2及L如上所述，R<sup>60</sup>及R<sup>70</sup>表示碳原子數1～30之烷基、碳原子數3～30之環烷基、碳原子數2～30之烯基、碳原子數6～30之芳基、或碳原子數2～30之烷氧基烷基)。
一種粒子，其於表面具有由下述式(1)所表示之結構： <br/>[化5] <br/><img align="absmiddle" height="115px" width="368px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式中， <br/>R<sup>1</sup>表示碳原子數6～30之烷基、碳原子數3～30之環烷基、碳原子數2～30之烯基、碳原子數6～30之芳基、或碳原子數2～30之烷氧基烷基， <br/>R<sup>2</sup>表示由OR<sup>3</sup>所表示之基或由下述式(2)所表示之基， <br/>R<sup>3</sup>表示碳原子數1～30之烷基、碳原子數3～30之環烷基、碳原子數2～30之烯基、碳原子數6～30之芳基、碳原子數2～30之烷氧基烷基、碳原子數5～30之烷基乙醯乙酸基、2,4-戊二酮酸基、或2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酸基， <br/>n1及n2分別獨立地表示0以上之整數，其中n1＋2×n2係由L之種類決定之價數， <br/>L表示鋁、鎵、釔、鈦、鋯、鉿、鉍、錫、釩或鉭， <br/>＊表示鍵結鍵) <br/>[化6] <br/><img align="absmiddle" height="95px" width="219px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式中，R<sup>4</sup>及R<sup>5</sup>表示可具有氧原子之碳原子數1～30之烷基、碳原子數3～30之環烷基、碳原子數2～30之烯基、碳原子數6～30之芳基、或碳原子數2～30之烷氧基烷基)。
一種分散組合物，其包含如請求項4之粒子。
一種製造方法，其係表面具有由下述式(1)所表示之結構之粒子之製造方法， <br/>上述製造方法包含粒子被覆步驟，使表面具有羥基之粒子與由下述式(30)所表示之化合物反應，而獲得表面具有由下述式(1)所表示之結構之粒子， <br/>或者，上述製造方法包含： <br/>第一反應步驟，使表面具有羥基之粒子與由下述式(4)所表示之化合物反應，而獲得表面具有由下述式(5)所表示之結構之粒子；及 <br/>第二反應步驟，使於第一反應步驟中獲得之粒子與由下述式(6)所表示之化合物反應，而獲得表面具有由下述式(1)所表示之結構之粒子； <br/>[化7] <br/><img align="absmiddle" height="116px" width="367px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式中， <br/>R<sup>1</sup>表示碳原子數6～30之烷基、碳原子數3～30之環烷基、碳原子數2～30之烯基、碳原子數6～30之芳基、或碳原子數2～30之烷氧基烷基， <br/>R<sup>2</sup>表示由OR<sup>3</sup>所表示之基或由下述式(2)所表示之基， <br/>R<sup>3</sup>表示碳原子數1～30之烷基、碳原子數3～30之環烷基、碳原子數2～30之烯基、碳原子數6～30之芳基、碳原子數2～30之烷氧基烷基、碳原子數5～30之烷基乙醯乙酸基、2,4-戊二酮酸基、或2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酸基， <br/>n1及n2分別獨立地表示0以上之整數，其中n1＋2×n2係由L之種類決定之價數， <br/>L表示鋁、鎵、釔、鈦、鋯、鉿、鉍、錫、釩或鉭， <br/>＊表示鍵結鍵) <br/>[化8] <br/><img align="absmiddle" height="98px" width="215px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式中，R<sup>4</sup>及R<sup>5</sup>表示可具有氧原子之碳原子數1～30之烷基、碳原子數3～30之環烷基、碳原子數2～30之烯基、碳原子數6～30之芳基、或碳原子數2～30之烷氧基烷基) <br/>[化9] <br/><img align="absmiddle" height="107px" width="374px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式中，R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、n1、n2及L如上所述，R<sup>60</sup>及R<sup>70</sup>表示碳原子數1～30之烷基、碳原子數3～30之環烷基、碳原子數2～30之烯基、碳原子數6～30之芳基、或碳原子數2～30之烷氧基烷基) <br/>[化10] <br/><img align="absmiddle" height="105px" width="241px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式中，R<sup>1</sup>、R<sup>60</sup>及R<sup>70</sup>如上所述，R<sup>8</sup>表示碳原子數1～30之烷基、碳原子數3～30之環烷基、碳原子數2～30之烯基、碳原子數6～30之芳基、或碳原子數2～30之烷氧基烷基) <br/>[化11] <br/><img align="absmiddle" height="106px" width="231px" file="ed10026.jpg" alt="ed10026.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式中，R<sup>1</sup>及R<sup>8</sup>如上所述) <br/>R<sup>9</sup>O-L(R<sup>2</sup>)<sub>n1</sub>(O)<sub>n2</sub> (6)<b> </b><br/>(式中，R<sup>2</sup>、n1、n2及L如上所述，R<sup>9</sup>表示碳原子數1～30之烷基、碳原子數3～30之環烷基、碳原子數2～30之烯基、碳原子數6～30之芳基、或碳原子數2～30之烷氧基烷基)。
一種減速或增速裝置，其係使第一面齒輪以與第二面齒輪咬合之方式傾斜，且使上述第一面齒輪以使咬合部分於圓周方向移行之方式擺動；該減速或增速裝置具備有： <br/>滾珠花鍵部，其對上述第一面齒輪以可傾斜之方式予以支撐； <br/>上述滾珠花鍵部係具有外輪、內輪、可沿著上述外輪之滾珠溝與上述內輪之滾珠溝所滾動的滾珠、及形成有供上述滾珠所組入之袋部的保持器；且容許上述第一面齒輪之軸向的位移， <br/>將輸入部之旋轉運動轉換為上述第一面齒輪之歲差運動的運動轉換部係配置在外殼與上述第一面齒輪之間。
如請求項1之減速或增速裝置，其中， <br/>上述滾珠花鍵部之上述外輪及上述內輪的上述滾珠溝之至少一部分係與上述軸向平行地形成為直線狀。
如請求項1或2之減速或增速裝置，其中， <br/>上述第一面齒輪與上述第二面齒輪之齒輪接觸線所伸展的圓錐面之頂點係與上述滾珠花鍵部的結合中心一致。
如請求項1或2之減速或增速裝置，其中， <br/>形成在上述保持器之外面的部分球面之曲率中心與形成在上述保持器之內面的部分球面之曲率中心，係相對於上述滾珠花鍵部的結合中心而偏移於軸向之左右。
如請求項1或2之減速或增速裝置，其中， <br/>上述運動轉換部係具有傾斜凸輪、介存於上述傾斜凸輪與被固定在上述第一面齒輪的環之間的複數個第一滾動體、及介存於上述傾斜凸輪與被固定在上述外殼的環之間的複數個第二滾動體。
一種減速或增速裝置，其係使第一面齒輪以與第二面齒輪咬合之方式傾斜，且使上述第一面齒輪以使咬合部分於圓周方向移行之方式擺動；該減速或增速裝置具備有： <br/>滾珠花鍵部，其對上述第一面齒輪以可傾斜之方式予以支撐，而將上述第一面齒輪之旋轉傳遞至輸出部；及 <br/>軸承部，其對上述輸出部以可旋轉之方式予以支撐； <br/>上述滾珠花鍵部係具有外輪、內輪、及可沿著上述外輪之滾珠溝與上述內輪之滾珠溝所滾動的滾珠， <br/>上述軸承部係具有於內面形成有朝圓周方向延伸之滾動體溝的外輪、於外面形成有朝圓周方向延伸之滾動體溝的內輪、及可沿著上述外輪之滾動體溝與上述內輪之滾動體溝所滾動的滾動體， <br/>上述滾珠花鍵部之上述外輪與上述軸承部之上述內輪係形成為一體， <br/>於上述第一面齒輪之與上述第二面齒輪的對向面，呈放射狀地形成有複數個齒， <br/>於上述第二面齒輪之與上述第一面齒輪的對向面，呈放射狀地形成有複數個齒， <br/>上述第一面齒輪之齒與上述第二面齒輪之齒係直接地咬合。
如請求項6之減速或增速裝置，其中， <br/>上述輸出部係與上述滾珠花鍵部之上述外輪及上述軸承部之上述內輪形成為一體。
如請求項6或7之減速或增速裝置，其中， <br/>於上述軸承部之上述外輪，一體地形成有凸緣，上述凸緣係具有用以將上述外輪連結在上述減速或增速裝置之外殼的通孔。
如請求項6或7之減速或增速裝置，其中， <br/>上述第一面齒輪之齒係使以齒輪接觸線所伸展的圓錐面之頂點於軸向上較上述第一面齒輪之齒面更靠近上述軸承部之方式傾斜， <br/>上述第二面齒輪之齒係以使齒輪接觸線所伸展的圓錐面之頂點於軸向上較上述第二面齒輪之齒面更靠近上述軸承部之方式傾斜。
一種減速或增速裝置，其係使第一面齒輪以與第二面齒輪咬合之方式傾斜，且使上述第一面齒輪以使咬合部分於圓周方向移行之方式擺動；該減速或增速裝置具備有： <br/>滾珠花鍵部，其對上述第一面齒輪以可傾斜之方式予以支撐； <br/>上述滾珠花鍵部係具有外輪、內輪、可沿著上述外輪之滾珠溝與上述內輪之滾珠溝所滾動的滾珠、及形成有供上述滾珠所組入之袋部的保持器， <br/>上述第一面齒輪與上述滾珠花鍵部之上述內輪係形成為一體， <br/>於上述第一面齒輪之與上述第二面齒輪的對向面，呈放射狀地形成有複數個齒， <br/>於上述第二面齒輪之與上述第一面齒輪的對向面，呈放射狀地形成有複數個齒， <br/>上述第一面齒輪之齒與上述第二面齒輪之齒係直接地咬合。
如請求項10之減速或增速裝置，其中， <br/>以在將上述保持器之軸線與上述內輪之軸線對準的狀態下可將上述內輪插入至上述保持器之方式，於上述保持器被形成有容許上述內輪之滾珠溝間之突部通過的缺口部。
一種氟化物粒子之分散液，其係含有：氟化物粒子、作為前述氟化物粒子之分散劑的陰離子性界面活性劑、和有機溶媒之氟化物粒子之分散液； <br/> 前述氟化物粒子為從Na<sub>3</sub>AlF<sub>6</sub>、Na<sub>5</sub>Al<sub>3</sub>F<sub>14</sub>、 <br/>Na<sub>3</sub>Li<sub>3</sub>Al<sub>2</sub>F<sub>12</sub>、Na<sub>2</sub>MgAlF<sub>7</sub>、K<sub>2</sub>NaAlF<sub>6</sub>、LiCaAlF<sub>6</sub>及 <br/>LiSrAlF<sub>6</sub>所成之群組中選出之至少一種之氟化物粒子，且分散於前述有機溶媒中， <br/> 前述陰離子性界面活性劑，為以下的化學式(1)所表示的陰離子性烴界面活性劑、及陰離子性碳化氟界面活性劑之至少任一者， <br/> 進而前述陰離子性烴界面活性劑為庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、及這些的銨鹽；庚磺酸、辛磺酸、癸磺酸、月桂基磺酸、及這些的銨鹽；烷基苯磺酸、及月桂基苯磺酸的銨鹽；聚氧乙烯月桂基醚硫酸、及其銨鹽；聚氧乙烯月桂基醚磺酸、及其銨鹽；以及聚氧乙烯十三烷基醚磷酸酯、聚氧乙烯月桂基醚磷酸、及這些的銨鹽之至少任一種， <br/> 前述陰離子性碳化氟界面活性劑為3H-四氟丙酸、5H-八氟戊酸、7H-十二氟庚酸及9H-十六氟壬酸之至少任一種， <br/> 前述有機溶媒為醇溶媒、酮溶媒及醚溶媒之至少任一者， <br/> 前述陰離子性界面活性劑的含有量，係相對於前述氟化物粒子100質量%為0.2質量%～8質量%之範圍內， <br/> 前述氟化物粒子之含有量，係相對於前述氟化物粒子之分散液100質量%為1質量%～30質量%之範圍內， <br/> 前述氟化物粒子的平均分散粒子徑為1nm～100nm之範圍內； <br/> <img align="absmiddle" height="63px" width="332px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中的R係表示碳數2～18之烷基、碳數2～18之芳基、碳數2～18之聚氧化烯烷基醚基、碳數為2～18之範圍且至少1個氫原子被取代成氟原子的烷基、碳數為2～18之範圍且至少1個氫原子被取代成氟原子的芳基、或碳數為2～18之範圍且至少1個氫原子被取代成氟原子的聚氧化烯烷基醚基；X係表示-COO<sup>-</sup>、-PO<sub>4</sub><sup>-</sup>、-SO<sub>3</sub><sup>-</sup>或-SO<sub>4</sub><sup>-</sup>；M係表示質子或鎓離子。
如請求項1所記載之氟化物粒子之分散液，其中，前述氟化物粒子之分散液的使用脈衝NMR所測定到的Rsp值為5以上。
一種光學膜形成用組成物，係含有如請求項1所記載之氟化物粒子之分散液。
一種光學膜，係由如請求項3所記載之光學膜形成用組成物的硬化膜所成。
一種用於無線通訊的使用者設備（UE），包括：<br/> 一記憶體；及<br/> 一或多個處理器，其耦合到該記憶體並且被配置為進行以下操作：<br/> 接收對用於在一多時槽傳輸時機中的一傳輸塊的傳輸的一或多個連續時域資源集合的一指示，其中該多時槽傳輸時機跨越多個時槽；<br/> 對於該多個時槽之每一者時槽，從包括一碼塊的複數個經譯碼的位元選擇經譯碼的位元，其中選擇該等經譯碼的位元是至少部分地基於該多個時槽中的所述每一時槽中可用於該傳輸塊的傳輸的經譯碼的位元的一總數；<br/> 在該多個時槽中的每一時槽中對所選擇的該等經譯碼的位元進行交錯，其中該交錯之操作包括以下操作：對所選擇的該等經譯碼的位元中的每一位元進行交錯，以形成一或多個經交錯的經編碼的位元序列；及<br/> 在該多時槽傳輸時機中的該多個時槽中的所述每一時槽中發送該一或多個經交錯的經編碼的位元序列。
根據請求項1之UE，其中為了選擇該等經譯碼的位元，該一或多個處理器被配置為進行以下操作：<br/> 為該多時槽傳輸時機的一第一時槽選擇該複數個經譯碼的位元的一第一子集；及<br/> 為該多時槽傳輸時機的一第二時槽選擇該複數個經譯碼的位元的一第二子集，其中該第一時槽和該第二時槽是連續的。
根據請求項2之UE，其中用於該多時槽傳輸時機的該一或多個連續時域資源集合由跨越該第一時槽和該第二時槽的一單個連續時域資源集合組成，其中該第一時槽和該第二時槽彼此連續。
根據請求項2之UE，其中該複數個經譯碼的位元的該第一子集是至少部分地基於該第一時槽中可用於該傳輸塊的傳輸的經譯碼的位元的一總數進行選擇的，並且其中該複數個經譯碼的位元的該第二子集是至少部分地基於該第二時槽中可用於該傳輸塊的傳輸的經譯碼的位元的一總數進行選擇的。
根據請求項1之UE，其中該通訊是包括一單個傳輸塊的一實體上行鏈路共享通道（PUSCH）傳輸，並且其中該多時槽傳輸時機是一多時槽PUSCH傳輸時機。
根據請求項1之UE，其中該一或多個連續時域資源集合在一每時槽的基礎上與冗餘版本索引相關聯。
根據請求項1之UE，其中該一或多個連續時域資源集合在一每傳輸時機的基礎上與冗餘版本索引相關聯。
根據請求項1之UE，其中該一或多個連續時域資源集合在一每段的基礎上與冗餘版本索引相關聯。
根據請求項1之UE，其中該碼塊是該通訊的多個碼塊中的一個碼塊，並且其中選擇該等經譯碼的位元是至少部分地基於該碼塊跨越兩個時槽或兩個段的。
根據請求項1之UE，其中該交錯是至少部分地基於該通訊與滿足一閥值的一調制和譯碼方案（MCS）相關聯來執行的，其中交錯被配置為針對與未能滿足該閥值的一MCS相關聯的通訊被去啟動。
根據請求項1之UE，其中選擇該等經譯碼的位元還是至少部分地基於要在所述每一時槽中發送的該碼塊的經譯碼的位元的一數量的。
根據請求項1之UE，其中該一或多個處理器亦被配置為進行以下操作：<br/> 發送指示以下各項中的至少一項的能力訊號傳遞：<br/> 是否支援多時槽傳輸時機，<br/> 是否支援每時槽速率匹配，<br/> 是否支援每段速率匹配，或者<br/> 是否能夠動態地打開或關閉交錯。
根據請求項1之UE，其中該一或多個處理器亦被配置為進行以下操作：<br/> 在一每時槽的基礎上觸發位元選擇或速率匹配或者接收觸發位元選擇或速率匹配的訊號傳遞。
根據請求項13之UE，其中觸發該位元選擇或該速率匹配或者接收觸發該位元選擇的訊號傳遞是至少部分地基於對每時槽或每段速率匹配的一限制的。
根據請求項1之UE，其中該一或多個處理器亦被配置為進行以下操作：<br/> 跨越該多時槽傳輸時機發送該傳輸塊。
根據請求項1之UE，其中該一或多個處理器亦被配置為進行以下操作：<br/> 在該多個時槽中的每一時槽中發送該碼塊的一部分。
根據請求項1之UE，其中該傳輸塊包括複數個碼塊，該複數個碼塊包括該碼塊。
根據請求項1之UE，其中該選擇與該交錯是至少部分地基於跨越多個時槽的該多時槽傳輸時機的。
根據請求項1之UE，為了選擇該等經譯碼的位元，該一或多個處理器被配置為進行以下操作：<br/> 在一每時槽的基礎上對該等經譯碼的位元進行速率匹配。
根據請求項1之UE，其中該等經譯碼的位元之操作亦包括以下操作：<br/> 在一每時槽的基礎上對該等經譯碼的位元進行速率匹配。
一種用於無線通訊的基地台，包括：<br/> 一記憶體；及<br/> 一或多個處理器，其耦合到該記憶體並且被配置為進行以下操作：<br/> 發送對用於跨越多個時槽的一多時槽傳輸時機的一或多個連續時域資源集合的一指示；<br/> 在該多時槽傳輸時機上接收包括一或多個經速率匹配的碼塊的一或多個經交錯的經編碼的位元序列的一通訊，其中該一或多個經速率匹配的碼塊在一每時槽的基礎上進行選擇和速率匹配的；<br/> 對該通訊進行解映射以獲得用於複數個接收位元之每一者接收位元的軟資訊；<br/> 至少部分地基於一給定的時槽中可用於一傳輸塊的經譯碼的位元的一總數來在一每時槽的基礎上對用於該複數個接收位元之每一者接收位元的該軟資訊進行解交錯，以獲得經解交錯的軟資訊；<br/> 將該經解交錯的軟資訊串接以獲得經串接的軟資訊；及<br/> 對該經串接的軟資訊進行解碼以推斷該通訊的一或多個碼塊。
一種由一使用者設備（UE）執行的無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 接收對用於在一多時槽傳輸時機中的一傳輸塊的傳輸的一或多個連續時域資源集合的一指示，其中該多時槽傳輸時機跨越多個時槽；<br/> 對於該多個時槽之每一者時槽，從包括一碼塊的複數個經譯碼的位元選擇經譯碼的位元，其中選擇該等經譯碼的位元是至少部分地基於該多個時槽中的所述每一時槽中可用於該傳輸塊的傳輸的經譯碼的位元的一總數；<br/> 在該多個時槽中的每一時槽中對所選擇的該等經譯碼的位元進行交錯，其中該交錯之操作包括以下操作：對所選擇的該等經譯碼的位元中的每一位元進行交錯，以形成一或多個經交錯的經編碼的位元序列；及<br/> 在該多時槽傳輸時機中的該多個時槽中的所述每一時槽中發送該一或多個經交錯的經編碼的位元序列。
根據請求項22之方法，其中選擇該等經譯碼的位元包括以下步驟：<br/> 為該多時槽傳輸時機的一第一時槽選擇該複數個經譯碼的位元的一第一子集；及<br/> 為該多時槽傳輸時機的一第二時槽選擇該複數個經譯碼的位元的一第二子集，其中該第一時槽和該第二時槽是連續的。
根據請求項23之方法，其中用於該多時槽傳輸時機的該一或多個連續時域資源集合由跨越該第一時槽和該第二時槽的一單個連續時域資源集合組成，其中該第一時槽和該第二時槽彼此連續。
根據請求項23之方法，其中該複數個經譯碼的位元的該第一子集是至少部分地基於該第一時槽中可用於該傳輸塊的傳輸的經譯碼的位元的一總數的，並且其中該複數個經譯碼的位元的該第二子集是至少部分地基於該第二時槽中可用於該傳輸塊的傳輸的經譯碼的位元的一總數的。
根據請求項22之方法，亦包括以下步驟：<br/> 跨越該多時槽傳輸時機發送該傳輸塊。
根據請求項22之方法，亦包括以下步驟：<br/> 在該多個時槽中的每一時槽中發送該碼塊的一部分。
根據請求項22之方法，其中該傳輸塊包括複數個碼塊，該複數個碼塊包括該碼塊。
根據請求項22之方法，其中該選擇與該交錯是至少部分地基於跨越多個時槽的該多時槽傳輸時機的。
一種由一基地台執行的無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 發送對用於跨越多個時槽的一多時槽傳輸時機的一或多個連續時域資源集合的一指示；<br/> 在該多時槽傳輸時機上接收包括一或多個經速率匹配的碼塊的一或多個經交錯的經編碼的位元序列的一通訊，其中該一或多個經速率匹配的碼塊在一每時槽的基礎上進行選擇和速率匹配的；<br/> 對該通訊進行解映射以獲得用於複數個接收位元之每一者接收位元的軟資訊；<br/> 至少部分地基於一給定的時槽中可用於一傳輸塊的經譯碼的位元的一總數來在一每時槽的基礎上對用於該複數個接收位元之每一者接收位元的該軟資訊進行解交錯，以獲得經解交錯的軟資訊；<br/> 將該經解交錯的軟資訊串接以獲得經串接的軟資訊；及<br/> 對該經串接的軟資訊進行解碼以推斷該通訊的一或多個碼塊。
一種化合物或其藥學上所容許之鹽，該化合物係由式I所表示， <br/>[化1] <br/><img align="absmiddle" height="204px" width="206px" file="ed10168.jpg" alt="ed10168.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[式中， <br/>X為氧原子、硫原子或NR， <br/>n為0或1， <br/>R<sup>1</sup>為氫原子、可經取代之C<sub>1-6</sub>烷基或可經取代之C<sub>3-6</sub>烯基， <br/>R<sup>2a</sup>、R<sup>2b</sup>、R<sup>2c</sup>、及R<sup>2d</sup>分別獨立地為氫原子、鹵素原子、可經取代之C<sub>1-6</sub>烷基、或可經取代之C<sub>6-10</sub>芳基，或者R<sup>2a</sup>、R<sup>2b</sup>、R<sup>2c</sup>、及R<sup>2d</sup>中之2個與其等所鍵結之碳原子或氮原子一同形成3～6員之飽和碳環或飽和雜環， <br/>R為氫原子， <br/>R<sup>3a</sup>、R<sup>3b</sup>、及R<sup>3c</sup>分別獨立地為氫原子、可經取代之C<sub>1-6</sub>烷基、鹵素原子、-OR<sup>4</sup>、或可經取代之C<sub>6-10</sub>芳基， <br/>R<sup>4</sup>為可經取代之C<sub>1-6</sub>烷基或可經取代之3～6員之飽和碳環， <br/>R<sup>5a</sup>及R<sup>5b</sup>分別獨立地為氫原子或甲基， <br/>此處， <br/>該可經取代之C<sub>1-6</sub>烷基及可經取代之C<sub>3-6</sub>烯基可經鹵素原子、羥基或C<sub>1-6</sub>烷氧基取代， <br/>該可經取代之C<sub>6-10</sub>芳基及可經取代之3～6員之飽和碳環可經鹵素原子、羥基、C<sub>1-6</sub>烷基或C<sub>1-6</sub>烷氧基取代； <br/>或者 <br/>X為CR'R"， <br/>n為0或1， <br/>R<sup>1</sup>為氫原子、可經取代之C<sub>1-6</sub>烷基或可經取代之C<sub>3-6</sub>烯基， <br/>R<sup>2a</sup>、R<sup>2b</sup>、R<sup>2c</sup>、R<sup>2d</sup>、R'及R"分別獨立地為氫原子、鹵素原子、可經取代之C<sub>1-6</sub>烷基、或可經取代之C<sub>6-10</sub>芳基，或者R<sup>2a</sup>、R<sup>2b</sup>、R<sup>2c</sup>、R<sup>2d</sup>、R'及R"中之2個與其等所鍵結之碳原子或氮原子一同形成3～6員之飽和碳環或飽和雜環， <br/>R<sup>3a</sup>、R<sup>3b</sup>、及R<sup>3c</sup>分別獨立地為氫原子、可經取代之C<sub>1-6</sub>烷基、鹵素原子、-OR<sup>4</sup>、或可經取代之C<sub>6-10</sub>芳基， <br/>R<sup>4</sup>為可經取代之C<sub>1-6</sub>烷基或可經取代之3～6員之飽和碳環， <br/>R<sup>5a</sup>及R<sup>5b</sup>分別獨立地為氫原子或甲基， <br/>此處， <br/>該可經取代之C<sub>1-6</sub>烷基及可經取代之C<sub>3-6</sub>烯基可經鹵素原子、羥基或C<sub>1-6</sub>烷氧基取代， <br/>該可經取代之C<sub>6-10</sub>芳基及可經取代之3～6員之飽和碳環可經鹵素原子、羥基、C<sub>1-6</sub>烷基或C<sub>1-6</sub>烷氧基取代； <br/>其中，以下之(1)～(19)除外： <br/>(1)n為0，X為氧原子，且R<sup>2a</sup>及R<sup>2b</sup>為氫原子之化合物； <br/>(2)n為1，X為氧原子，且R<sup>2a</sup>、R<sup>2b</sup>、R<sup>2c</sup>、R<sup>2d</sup>、R<sup>3a</sup>、R<sup>3b</sup>及R<sup>3c</sup>為氫原子之化合物； <br/>(3)n為1，X為CH<sub>2</sub>，R<sup>1</sup>、R<sup>2a</sup>、R<sup>2b</sup>、R<sup>2c</sup>、R<sup>2d</sup>、R<sup>3b</sup>、R<sup>3c</sup>、R<sup>5a</sup>及R<sup>5b</sup>為氫原子，且R<sup>3a</sup>為氫原子或CH<sub>3</sub>之化合物； <br/>(4)n為1，X為氧原子，R<sup>1</sup>、R<sup>2a</sup>、R<sup>2b</sup>、R<sup>2c</sup>、R<sup>2d</sup>、R<sup>3b</sup>、R<sup>3c</sup>、R<sup>5a</sup>及R<sup>5b</sup>為氫原子，且R<sup>3a</sup>為CH<sub>3</sub>之化合物； <br/>(5)n為1，X為氧原子，R<sup>1</sup>、R<sup>2a</sup>、R<sup>2b</sup>、R<sup>3a</sup>、R<sup>3b</sup>、R<sup>3c</sup>、R<sup>5a</sup>及R<sup>5b</sup>為氫原子，且R<sup>2c</sup>及R<sup>2d</sup>為CH<sub>3</sub>之化合物； <br/>(6)n為1，X為氧原子，R<sup>1</sup>、R<sup>2a</sup>、R<sup>2b</sup>、R<sup>2c</sup>、R<sup>2d</sup>、R<sup>3a</sup>、R<sup>3c</sup>、R<sup>5a</sup>及R<sup>5b</sup>為氫原子，且R<sup>3b</sup>為CH<sub>3</sub>之化合物； <br/>(7)n為1，X為氧原子，R<sup>1</sup>、R<sup>2a</sup>、R<sup>2b</sup>、R<sup>2d</sup>、R<sup>3a</sup>、R<sup>3b</sup>、R<sup>3c</sup>、R<sup>5a</sup>及R<sup>5b</sup>為氫原子，且R<sup>2c</sup>為CH<sub>3</sub>之化合物； <br/>(8)n為0，X為CH<sub>2</sub>，R<sup>1</sup>、R<sup>2a</sup>、R<sup>2b</sup>、R<sup>3b</sup>、R<sup>3c</sup>、R<sup>5a</sup>及R<sup>5b</sup>為氫原子，且R<sup>3a</sup>為CH<sub>3</sub>之化合物； <br/>(9)n為1，X為CH<sub>2</sub>，R<sup>1</sup>、R<sup>2a</sup>、R<sup>2b</sup>、R<sup>2d</sup>、R<sup>3a</sup>、R<sup>3b</sup>、R<sup>3c</sup>、R<sup>5a</sup>及R<sup>5b</sup>為氫原子，且R<sup>2c</sup>為CH<sub>3</sub>之化合物； <br/>(10)n為1，X為CH<sub>2</sub>，R<sup>1</sup>、R<sup>2a</sup>、R<sup>2b</sup>、R<sup>2c</sup>、R<sup>2d</sup>、R<sup>3a</sup>、R<sup>3c</sup>、R<sup>5a</sup>及R<sup>5b</sup>為氫原子，且R<sup>3b</sup>為CH<sub>3</sub>及溴原子之化合物； <br/>(11)n為1，X為氧原子，R<sup>1</sup>、R<sup>2a</sup>、R<sup>2b</sup>、R<sup>3a</sup>、R<sup>3b</sup>、R<sup>3c</sup>、R<sup>5a</sup>及R<sup>5b</sup>為氫原子，且R<sup>2c</sup>及R<sup>2d</sup>與其等所鍵結之碳原子一同形成環丁基環之化合物； <br/>(12)n為1，X為氧原子，R<sup>2a</sup>、R<sup>2b</sup>、R<sup>2c</sup>、R<sup>2d</sup>、R<sup>3a</sup>、R<sup>3b</sup>、R<sup>3c</sup>、R<sup>5a</sup>及R<sup>5b</sup>為氫原子，且R<sup>1</sup>為CH<sub>3</sub>之化合物； <br/>(13)n為0，X為CH<sub>2</sub>，R<sup>2a</sup>、R<sup>2b</sup>、R<sup>3a</sup>、R<sup>3b</sup>、R<sup>3c</sup>、R<sup>5a</sup>及R<sup>5b</sup>為氫原子，且R<sup>1</sup>為氫原子、可經取代之C<sub>1-6</sub>烷基或可經取代之C<sub>3-6</sub>烯基之化合物； <br/>(14)n為1，X為CH<sub>2</sub>，R<sup>2a</sup>、R<sup>2b</sup>、R<sup>2c</sup>、R<sup>2d</sup>、R<sup>3a</sup>、R<sup>3b</sup>、R<sup>3c</sup>、R<sup>5a</sup>及R<sup>5b</sup>為氫原子，且R<sup>1</sup>為氫原子、可經取代之C<sub>1-6</sub>烷基或可經取代之C<sub>3-6</sub>烯基之化合物； <br/>(15)n為0，X為CH<sub>2</sub>，R<sup>2a</sup>、R<sup>3a</sup>、R<sup>3b</sup>、R<sup>3c</sup>、R<sup>5a</sup>及R<sup>5b</sup>為氫原子，R<sup>2b</sup>為氫原子及CH<sub>3</sub>，且R<sup>1</sup>為氫原子及CH<sub>3</sub>之化合物； <br/>(16)n為1，X為CH<sub>2</sub>，R<sup>2c</sup>、R<sup>2d</sup>、R<sup>3a</sup>、R<sup>3b</sup>、R<sup>3c</sup>、R<sup>5a</sup>及R<sup>5b</sup>為氫原子，R<sup>2a</sup>及/或R<sup>2b</sup>為CH<sub>3</sub>，且R<sup>1</sup>為氫原子及CH<sub>3</sub>之化合物； <br/>(17)n為1，X為CH<sub>2</sub>，R<sup>2c</sup>、R<sup>2d</sup>、R<sup>3a</sup>、R<sup>3b</sup>、R<sup>3c</sup>、R<sup>5a</sup>及R<sup>5b</sup>為氫原子，R<sup>2a</sup>及R<sup>2b</sup>與碳原子一同形成環丙烷，且R<sup>1</sup>為氫原子及CH<sub>3</sub>之化合物； <br/>(18)n為0或1，X為CH<sub>2</sub>，且R<sup>5a</sup>或R<sup>5b</sup>為甲基之化合物； <br/>(19)n為0，X為CH<sub>2</sub>，R<sup>1</sup>、R<sup>2a</sup>、R<sup>2b</sup>、R<sup>3a</sup>、R<sup>3c</sup>、R<sup>5a</sup>及R<sup>5b</sup>為氫原子，且R<sup>3b</sup>為溴原子之化合物]。
如請求項1之化合物或其藥學上所容許之鹽，該化合物係由以下式表示， <br/>[化2] <br/><img align="absmiddle" height="171px" width="207px" file="ed10169.jpg" alt="ed10169.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其藥學上所容許之鹽，該化合物係由以下式表示， <br/>[化3] <br/><img align="absmiddle" height="174px" width="202px" file="ed10170.jpg" alt="ed10170.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1至3中任一項之化合物或其藥學上所容許之鹽，其中R<sup>1</sup>為氫原子或可經鹵素原子取代之C<sub>1-6</sub>烷基。
如請求項4之化合物或其藥學上所容許之鹽，其中R<sup>1</sup>為甲基。
如請求項1至3中任一項之化合物或其藥學上所容許之鹽，其中R<sup>2a</sup>及R<sup>2b</sup>分別獨立地為氫原子、可經取代之C<sub>1-6</sub>烷基，或者R<sup>2a</sup>及R<sup>2b</sup>與其等所鍵結之碳原子一同形成3～6員之飽和碳環。
如請求項1至3中任一項之化合物或其藥學上所容許之鹽，其中R<sup>2a</sup>為氫原子，且R<sup>2b</sup>為可經取代之C<sub>1-6</sub>烷基。
如請求項1至3中任一項之化合物或其藥學上所容許之鹽，其中X為CR'R"，且R'及R"分別獨立地為氫原子或可經取代之C<sub>1-6</sub>烷基。
如請求項1之化合物或其藥學上所容許之鹽，其中n為1，且R<sup>2c</sup>及R<sup>2d</sup>分別獨立地為氫原子、可經取代之C<sub>1-6</sub>烷基，或者R<sup>2c</sup>及R<sup>2d</sup>與其等所鍵結之碳原子一同形成3～6員之飽和碳環。
如請求項1至3中任一項之化合物或其藥學上所容許之鹽，其中R<sup>3a</sup>、R<sup>3b</sup>、及R<sup>3c</sup>分別獨立地為氫原子、可經取代之C<sub>1-6</sub>烷基、或鹵素原子。
如請求項1至3中任一項之化合物或其藥學上所容許之鹽，其中R<sup>3a</sup>、R<sup>3b</sup>、及R<sup>3c</sup>分別為氫原子。
如請求項1至3中任一項之化合物或其藥學上所容許之鹽，其中R<sup>3a</sup>、R<sup>3b</sup>、及R<sup>3c</sup>中之至少1個為可經取代之C<sub>1-6</sub>烷基或鹵素原子。
如請求項1至3中任一項之化合物或其藥學上所容許之鹽，其中R<sup>5a</sup>為氫原子，R<sup>5b</sup>為甲基。
如請求項1至3中任一項之化合物或其藥學上所容許之鹽，其中X為氧原子。
如請求項1至3中任一項之化合物或其藥學上所容許之鹽，其中 <br/>R<sup>1</sup>為可經鹵素原子取代之C<sub>1-6</sub>烷基，且 <br/>R<sup>3a</sup>、R<sup>3b</sup>、及R<sup>3c</sup>中之至少1個為可經取代之C<sub>1-6</sub>烷基或鹵素原子。
如請求項15之化合物或其藥學上所容許之鹽，其中 <br/>R<sup>1</sup>為甲基，且 <br/>R<sup>3a</sup>、R<sup>3b</sup>、及R<sup>3c</sup>中之至少1個為甲基、氟原子、或氯原子。
如請求項1之化合物或其藥學上所容許之鹽，其中 <br/>X為氧原子， <br/>n為0， <br/>R<sup>1</sup>為可經鹵素原子取代之C<sub>1-6</sub>烷基， <br/>R<sup>2a</sup>為氫原子，R<sup>2b</sup>為可經取代之C<sub>1-6</sub>烷基， <br/>R<sup>3a</sup>、R<sup>3b</sup>、及R<sup>3c</sup>中之至少1個為可經取代之C<sub>1-6</sub>烷基或鹵素原子，且 <br/>R<sup>5a</sup>及R<sup>5b</sup>分別為氫原子。
如請求項1之化合物或其藥學上所容許之鹽，該化合物係選自以下之化合物群： <br/>1-[(2R,3S)-6-氟-2-甲基-2,3-二氫呋喃并[3,2-b]吡啶-3-基]甲胺、 <br/>1-[(2R,3S)-2-甲基-2,3-二氫呋喃并[3,2-b]吡啶-3-基]甲胺、 <br/>N-甲基-1-[(2R,3S)-2-甲基-2,3-二氫呋喃并[3,2-b]吡啶-3-基]甲胺、 <br/>1-[(2R,3S)-6-氟-2-甲基-2,3-二氫呋喃并[3,2-b]吡啶-3-基]-N-甲基甲胺、 <br/>1-[(2R,3S)-6-氟-2-甲基-2,3-二氫呋喃并[3,2-b]吡啶-3-基]-N-(<sup>2</sup>H<sub>3</sub>)甲基甲胺、 <br/>rel-1-[(3'S)-5'-甲基-3'H-螺[環丙烷-1,2'-呋喃并[3,2-b]吡啶]-3'-基]甲胺、 <br/>rel-1-[(3'S)-5'-氟-3'H-螺[環丙烷-1,2'-呋喃并[3,2-b]吡啶]-3'-基]甲胺、 <br/>rel-1-[(3S)-2,2,5-三甲基-2,3-二氫呋喃并[3,2-b]吡啶-3-基]甲胺、 <br/>rel-1-[(3'S)-3'H-螺[環丙烷-1,2'-呋喃并[3,2-b]吡啶]-3'-基]甲胺、及 <br/>rac-1-(5-氟-2,2-二甲基-2,3-二氫呋喃并[3,2-b]吡啶-3-基)甲胺。
一種如請求項1至18中任一項之化合物或其藥學上所容許之鹽之用途，其係用於製造神經或精神障礙之治療劑。
如請求項19之用途，其中上述神經或精神障礙係抑鬱症、思覺失調症、強迫症、焦慮障礙、阿茲海默症/帕金森氏症之精神病、情感疾病、或者伴隨阿茲海默症之焦躁、興奮或攻擊性。
如請求項19之用途，其中上述神經或精神障礙係抑鬱症、思覺失調症、阿茲海默症之精神病、或者伴隨阿茲海默症之焦躁、興奮或攻擊性。
一種治具，其特徵在於包含： <br/>側面體，形成用於內插收納有多晶矽的收納袋的內插空間； <br/>吊起部，配置於前述側面體，用於吊起前述側面體；及 <br/>承接盤，可拆卸地配置於前述側面體的底部，支撐前述收納袋，其中， <br/>前述側面體被吊起，前述承接盤從前述側面體底部脫離時，於前述側面體的前述底部形成開口部，將前述收納袋從上方投入收納前述收納袋的收納空間時，經由前述開口部形成前述收納袋從前述內插空間到前述收納空間的投入路徑。
如請求項1所述之治具，其中，前述開口部能夠容納在以大致平行於水平面的面將前述收納空間切斷的截面中。
一種多晶矽裝箱體的製造方法，其特徵在於，使用如請求項1所述之治具，將前述收納袋裝入形成有前述收納空間的箱內，得到多晶矽裝箱體，包含以下步驟： <br/>將內插在前述治具中的前述收納袋與前述治具一起吊起的吊起步驟；及 <br/>將被吊起的前述治具與前述收納袋移動至預定的前述收納空間的上方，將前述收納袋從前述收納空間的上方投入前述收納空間內的投入步驟。
一種基板液處理方法，包含： <br/> 準備具有凹部的基板，且在上述凹部之表面形成有種子層的基板之工程； <br/> 使含有還原劑、pH調整劑及促進或抑制無電解鍍敷反應的添加劑之第1前處理液接觸於上述種子層之工程； <br/> 於使上述第1前處理液接觸於上述種子層之後，對上述凹部供給第1無電解電鍍液，在上述凹部使鍍敷金屬析出之工程；以及 <br/>於使上述種子層接觸於上述第1前處理液之前，先對上述凹部供給第2無電解鍍敷液，而在上述凹部析出鍍敷金屬的工程。
如請求項1之基板液處理方法，其中 <br/> 上述第1前處理液中之還原劑之濃度高於上述第1無電解鍍敷液中之還原劑之濃度。
如請求項1或2之基板液處理方法，其中 <br/> 包含於對上述凹部供給上述第2無電解鍍敷液之前，先對上述凹部供給含有還原劑及pH調整劑的第2前處理液的工程， <br/> 還原劑之濃度在上述第1前處理液和上述第2前處理液之間不同。
一種電腦可讀取的記錄媒體，記錄使電腦實行下述步驟： <br/> 準備具有凹部的基板，且在上述凹部之表面形成有種子層的基板之步驟； <br/> 使含有還原劑、pH調整劑及促進或抑制無電解鍍敷反應的添加劑之第1前處理液接觸於上述種子層之步驟； <br/> 於使上述第1前處理液接觸於上述種子層之後，對上述凹部供給第1無電解電鍍液，在上述凹部使鍍敷金屬析出之步驟；以及 <br/> 於使上述種子層接觸於上述第1前處理液之前，先對上述凹部供給第2無電解鍍敷液，而在上述凹部析出鍍敷金屬之步驟。
一種散裝供料器，包括： <br/>供料器本體部； <br/>軌道構件，以能夠相對於所述供料器本體部振動的方式設置，包括搬送自料盒排出的多個供給品的、槽狀的搬送路； <br/>激振裝置，對所述軌道構件進行激振，將所述多個供給品搬送至採集部，所述採集部設於所述槽狀的所述搬送路的底部中的、對基板作業機能夠採集所述多個供給品的供給區域；以及 <br/>導引構件，於將作為經搬送至一對空餘空間的至少一個供給品的對象物於沿著所述槽狀的所述搬送路的延伸方向的方向進一步搬送時，將所述對象物向所述採集部之側導引，所述一對空餘空間設於沿著所述延伸方向延伸的一對側壁面與所述採集部之間。
如請求項1所述的散裝供料器，其中所述導引構件包括：一對角部傾斜面，將一對角部分別倒角而成，所述一對角部由設於所述槽狀的所述搬送路的所述延伸方向的頂端側的頂端側壁面、與所述一對側壁面所形成， <br/>將於所述搬送路中自所述料盒之側向所述採集部之側沿著所述延伸方向搬送所述多個供給品之情形設為前進搬送，將於所述搬送路中自所述採集部之側向所述料盒之側沿著所述延伸方向搬送所述多個供給品之情形設為後退搬送時， <br/>所述一對角部傾斜面將藉由所述前進搬送而到達的所述對象物導引至所述採集部之側的既定區域， <br/>所述既定區域為能夠藉由所述後退搬送將經所述一對角部傾斜面導引的所述對象物搬送至所述採集部的區域。
如請求項2所述的散裝供料器，其中所述一對角部傾斜面於所述搬送路的所述延伸方向上之較設有所述採集部的第一範圍更靠所述頂端側的區域，設有與所述側壁面連接的第一連接部，於與所述延伸方向正交的所述搬送路的寬度方向，於設有所述採集部的第二範圍，設有與所述頂端側壁面連接的第二連接部。
如請求項2或請求項3所述的散裝供料器，其中所述導引構件包括：突出部，於與所述延伸方向正交的所述搬送路的寬度方向，自所述頂端側壁面的兩端部越朝向中央部，越向所述採集部之側突出。
如請求項1至請求項3中任一項所述的散裝供料器，其中所述導引構件包括以下述方式形成的一對側壁面傾斜部：於所述搬送路的所述延伸方向上之較設有所述採集部的第一範圍更靠所述延伸方向的頂端側的區域的、所述一對側壁面之間的距離，越靠所述延伸方向的頂端側則越變短。
如請求項1至請求項3中任一項所述的散裝供料器，其中所述導引構件包括：一對底部傾斜面，所述一對空餘空間的所述搬送路的底部向較所述一對側壁面的下端部更低的所述採集部傾斜。
如請求項6所述的散裝供料器，其中越靠所述搬送路的所述延伸方向的頂端側，所述一對底部傾斜面相對於所述採集部的傾斜角度設定得越大。
如請求項1至請求項3中任一項所述的散裝供料器，其中於所述一對空餘空間藉由所述對基板作業機採集所述多個供給品及辨識所述多個供給品的狀態時，設定所述一對側壁面與所述採集部之間的距離，使得所述一對側壁面不成為障礙。
如請求項1至請求項3中任一項所述的散裝供料器，其中所述採集部包括：孔腔單元，包括多個應收容所述多個供給品中的一個供給品的孔腔。
如請求項1至請求項3中任一項所述的散裝供料器，其中所述多個供給品為對基板供給的零件或焊料球。
一種半導體設備，其包含： <br/>一天線，其形成於一多層封裝基板之一裝置側表面上之一第一導體層中，該多層封裝基板包含藉由介電材料彼此間隔且藉由導電垂直連接層彼此耦合之導體層，該多層封裝基板具有與該裝置側表面對置之一板側表面；及 <br/>一半導體晶粒，其安裝至該多層封裝基板之該裝置側表面，與該天線間隔，且耦合至該天線，其中該天線進一步包含一第一蝴蝶結及一第二蝴蝶結，其等形成為該第一導體層中之開口。
如請求項1之設備，其中該第一蝴蝶結及該第二蝴蝶結經定向為面向相反方向；及一饋送輸入，其包含該第一導體層中之狹槽，耦合至該第一蝴蝶結及該第二蝴蝶結。
如請求項1之設備，且進一步包含形成於該多層封裝基板中之另一導體層上之一反射器，該另一導體層更靠近該多層封裝基板之該板側表面，該反射器與該天線對準及間隔。
如請求項1之設備，其中該半導體晶粒經覆晶安裝至該多層封裝基板之該裝置側表面，該半導體晶粒具有自該半導體晶粒延伸之導電柱連接，該等導電柱連接具有該半導體晶粒上之一接合墊上之一近端且遠離該半導體晶粒延伸至一遠端，且在該等導電柱連接之該遠端上具有一焊料凸塊，該等焊料凸塊形成至該多層封裝基板之接合。
如請求項1之設備，其中該半導體晶粒使用一晶粒附著安裝至該封裝基板之該裝置側表面，且該半導體晶粒具有背向該多層封裝基板之該裝置側表面之接合墊，該半導體晶粒藉由形成於該等接合墊與該裝置側面之間的導線接合來耦合至該多層封裝基板。
如請求項1之設備，其中該半導體晶粒用模製化合物覆蓋。
如請求項1之設備，其中該半導體晶粒用模製化合物覆蓋且該天線自該模製化合物暴露。
如請求項1之設備，其中該多層封裝基板進一步包含該等導體層之間的介電材料，該介電材料係丙烯腈丁二烯苯乙烯(ABS)、丙烯腈苯乙烯丙烯酸酯(ASA)或環氧樹脂模製化合物。
如請求項1之設備，其中該多層封裝基板中之該等導體層係銅、金、鋁、銀或其等之一合金。
如請求項1之設備，其中該多層封裝基板中之該等垂直連接層係銅、金、鋁、銀或其等之一合金。
如請求項1之裝置，其中該反射器形成於該多層封裝基板中之一導體層中，該反射器與該第一導體層中之該天線間隔對應於一預定信號之波長之1/4之一距離。
如請求項1之設備，其中該天線經組態以依30 GHz至300 GHz之間的頻率輻射信號。
如請求項1之設備，其中該天線經組態以輻射140 GHz至220 GHz之間的信號。
如請求項1之設備，其中該天線在該第一導體層中形成為一矩形圖案，該矩形圖案具有1毫米至4毫米之間的一寬度且具有1毫米至4毫米之間的一長度。
一種用於製造一半導體設備之方法，其包含： <br/>在一多層封裝基板之一裝置側表面上之一第一導體層中形成一天線，該多層封裝基板包含藉由介電材料彼此間隔之導體層及延伸穿過該等導體層之間的該介電材料且使該等導體層之部分彼此耦合之垂直連接層，該多層封裝基板具有與該裝置側表面對置之一板側表面； <br/>在該多層封裝基板之另一導體層中形成一反射器，該反射器與該天線對準且藉由該介電材料與該天線間隔；及 <br/>將一半導體晶粒安裝於該多層封裝基板之該裝置側表面上，該半導體晶粒耦合至該天線，其中形成該天線進一步包含在該第一導體之一矩形部分中圖案化一蝶形領結天線，該蝶形領結天線包含形成一第一蝴蝶結之一第一開口及形成一第二蝴蝶結之一第二開口，該第一及第二蝴蝶結面向相反方向。
如請求項15之方法，且進一步包含用模製化合物覆蓋該半導體晶粒及該多層封裝基板之該裝置側表面之一部分。
如請求項16之方法，且進一步包含用該模製化合物覆蓋該天線。
如請求項16之方法，其中該天線自該模製化合物暴露。
如請求項15之方法且進一步包含形成該蝶形領結天線之一饋送輸入，該饋送輸入包含該第一導體層中之一對狹槽，耦合至該第一蝴蝶結及該第二蝴蝶結。
如請求項15之方法，其中在該第一導體層中形成該天線進一步包含在一晶種層上鍍覆一導體層，該導體層包含銅、金或此等之一合金。
如請求項15之方法，其中該多層封裝基板包含介電材料，該介電材料係丙烯腈丁二烯苯乙烯(ABS)、丙烯腈苯乙烯丙烯酸酯(ASA)或環氧樹脂模製化合物。
一種微電子裝置封裝，其包含： <br/>一多層封裝基板，其包含藉由介電材料彼此間隔之導體層且包含延伸穿過該等導體層之間的該介電材料且使該等導體層之部分彼此耦合之垂直連接層，該多層封裝基板具有一裝置側表面及一對置板側表面； <br/>一蝶形領結天線，其包含形成於該多層封裝基板之該裝置側表面處之該導體層之一第一者中之形成一第一蝴蝶結之一第一開口及形成一第二蝴蝶結之一第二開口； <br/>一反射器，其形成於該多層封裝基板之該等導體層之另一者中且藉由該介電材料與該蝶形領結天線間隔；及 <br/>一半導體晶粒，其安裝至該多層封裝基板之該裝置側表面且耦合至該蝶形領結天線。
一種數值控制裝置，其具備：分析部，其分析數值控制程式中之機器人用數值控制指令； <br/>機器人指令訊號生成部，其因應以前述分析部分析過的前述機器人用數值控制指令，來生成發送給機器人控制裝置的機器人指令訊號； <br/>負載設定選擇部，其因應以前述分析部分析過的前述機器人用數值控制指令，從複數個負載資訊之中，選擇要設定於機器人的負載設定；及 <br/>發送部，其將以前述負載設定選擇部選擇的負載設定，透過前述機器人指令訊號生成部，發送給前述機器人控制裝置的負載設定更新控制部，藉此使其反映在要輸入於前述機器人的扭矩的逆動力學計算。
如請求項1之數值控制裝置，其中前述負載設定是藉由負載資訊來設定，前述負載資訊包含負載的重量、負載的重心位置及負載的慣性。
如請求項1或2之數值控制裝置，其中前述負載設定是因應工件而設定。
如請求項1或2之數值控制裝置，其中前述負載設定是因應加工前後的工件而設定。
一種數值控制系統，其具備：如請求項1至4中任一項之數值控制裝置、及機器人控制裝置， <br/>前述機器人控制裝置具備： <br/>接收部，其接收以前述負載設定選擇部選擇，並從前述發送部發送的前述負載設定； <br/>負載設定更新控制部，其更新為以前述接收部接收到的前述負載設定；及 <br/>逆動力學計算部，其根據以前述負載設定更新控制部更新後的負載設定，藉由逆動力學計算來計算要輸入於前述機器人的扭矩。
一種用於解碼神經網路之參數之解碼器(100, 100b)，<br/> 其中該解碼器組配來基於一經編碼位元流獲得該神經網路之一或多個神經網路參數(104, 104b, 204, 304, 512, 522, 532, 542, 552, 562, 572, 582, 592, 602 ,612, 622, 652, 720, 740, 812)；<br/> 其中該解碼器組配來獲得描述一參數更新樹之一節點的一節點資訊(112, 112b)，<br/> 其中該節點資訊包含一父節點識別符(114, 524, 534, 544, 554, 564, 574, 584, 594, 604, 614, 624)，且<br/> 其中該節點資訊包含一參數更新資訊(116, 526, 536, 546, 556, 566, 576, 586, 596, 606, 616, 626)；<br/> 其中該解碼器組配來使用由該父節點識別符識別出的一父節點之參數資訊且使用該參數更新資訊導出該一或多個神經網路參數(104, 104b, 204, 304, 512, 522, 532, 542, 552, 562, 572, 582, 592, 602 ,612, 622, 652, 720, 740, 812)。
一種用於編碼神經網路之參數以便獲得經編碼位元流之編碼器(200, 300, 300b, 400)，<br/> 其中該編碼器組配來提供描述一參數更新樹(500)之一節點的一節點資訊(212, 312, 312b, 412)，<br/> 其中該節點資訊包含一父節點識別符(214, 314, 524, 534, 544, 554, 564, 574, 584, 594, 604, 614, 624)，且<br/> 其中該節點資訊包含一參數更新資訊(216, 316, 416, 526, 536, 546, 556, 566, 576, 586, 596, 606, 616, 626)；<br/> 其中該參數更新資訊描述與該父節點識別符所界定之一父節點相關聯之神經網路參數與當前神經網路參數之間的差異。
一種神經網路控制器(800)，<br/> 其中該神經網路控制器組配來訓練一神經網路，以基於初始神經網路參數獲得經更新神經網路參數(812)，且<br/> 其中該神經網路控制器組配來基於參考神經網路參數(822)及該等經更新神經網路參數決定一參數更新資訊(832)，<br/> 其中該參數更新資訊包含描述如何自該等初始神經網路參數至少近似地導出該等經更新神經網路參數之一或多個更新指令，且<br/> 其中該神經網路控制器組配來提供一節點資訊(112, 112b, 212, 312, 312b, 412, 802)，該節點資訊包含一父節點識別符及該參數更新資訊，<br/> 其中該父節點識別符界定一父附註，該父附註之參數資訊充當該參數更新資訊之應用的一起點。
一種神經網路聯合學習控制器(900)，<br/> 其中該神經網路聯合學習控制器組配來接收多個神經網路之節點資訊(112, 112b, 212, 312, 312b, 412, 802, 902)，其中該節點資訊包含一父節點識別符，且<br/> 其中該節點資訊包含一參數更新資訊；且<br/> 其中該神經網路聯合學習控制器組配來組合不同神經網路之若干對應節點之參數更新資訊，以獲得一組合參數更新資訊(912)，且<br/> 其中該神經網路聯合學習控制器組配來分佈該組合參數更新資訊。
一種用於解碼神經網路之參數之方法(1000)，該方法包含：<br/> 基於一經編碼位元流獲得(1010)該神經網路之一或多個神經網路參數；<br/> 獲得(1020)描述一參數更新樹之一節點的一節點資訊，<br/> 其中該節點資訊包含一父節點識別符，且<br/> 其中該節點資訊包含一參數更新資訊；及<br/> 使用該父節點識別符所識別出的一父節點之參數資訊及使用該參數更新資訊導出(1030)該一或多個神經網路參數。
一種用於編碼神經網路之參數以便獲得經編碼位元流之方法(1100)，該方法包含：<br/> 提供(1110)描述一參數更新樹之一節點的一節點資訊，<br/> 其中該節點資訊包含一父節點識別符，且<br/> 其中該節點資訊包含一參數更新資訊；<br/> 其中該參數更新資訊描述與該父節點識別符所界定之一父節點相關聯之神經網路參數與當前神經網路參數之間的差異。
一種用於控制神經網路之方法(1200)，該方法包含：<br/> 訓練(1210)一神經網路，來基於初始神經網路參數獲得經更新神經網路參數，及<br/> 基於參考神經網路參數及該等經更新神經網路參數決定(1220)一參數更新資訊，<br/> 其中該參數更新資訊包含描述如何自該等初始神經網路參數至少近似地導出該等經更新神經網路參數之一或多個更新指令，及<br/> 提供(1230)包含一父節點識別符及該參數更新資訊之一節點資訊，<br/> 其中該父節點識別符界定一父附註，該父附註之參數資訊充當該參數更新資訊之應用的一起點。
一種用於控制神經網路聯合學習之方法(1300)，該方法包含：<br/> 接收(1310)多個神經網路之節點資訊，其中該節點資訊包含一父節點識別符，且<br/> 其中該節點資訊包含一參數更新資訊；及<br/> 組合(1320)不同神經網路之若干對應節點之參數更新資訊，以獲得一組合參數更新資訊，及<br/> 分佈(1330)該組合參數更新資訊。
一種電腦程式，其用於在該電腦程式於一電腦上運行時進行如請求項5、或請求項6、或請求項7、或請求項8之方法。
一種數位儲存媒體，其包含有神經網路參數之經編碼表示型態，<br/> 其中該經編碼表示型態包含描述一參數更新樹之一節點的一節點資訊，<br/> 其中該節點資訊包含一父節點識別符及一參數更新資訊。
一種用於解碼神經網路之參數之解碼器(100, 100b)，<br/> 其中該解碼器組配來基於一經編碼位元流獲得該神經網路之一或多個神經網路參數(104, 104b, 204, 304, 512, 522, 532, 542, 552, 562, 572, 582, 592, 602 ,612, 622, 652, 720, 740, 812)；<br/> 其中該解碼器組配來獲得描述一參數更新樹之一節點的一節點資訊(112, 112b)，該參數更新樹包含呈一階層式次序之節點；<br/> 其中該節點資訊包含一父節點識別符(114, 524, 534, 544, 554, 564, 574, 584, 594, 604, 614, 624)，且<br/> 其中該節點資訊包含一參數更新資訊(116, 526, 536, 546, 556, 566, 576, 586, 596, 606, 616, 626)；<br/> 其中該解碼器組配來使用由該父節點識別符識別出的一父節點之參數資訊且使用該參數更新資訊導出該一或多個神經網路參數(104, 104b, 204, 304, 512, 522, 532, 542, 552, 562, 572, 582, 592, 602 ,612, 622, 652, 720, 740, 812)；<br/> 其中該父節點包含一自身父節點識別符及一自身參數更新資訊，且<br/> 其中該解碼器組配來遞迴地導出該父節點之前置節點，直至達到數個神經網路參數可用之一節點為止，且<br/> 其中該解碼器組配來基於所導出節點、該父節點之參數更新資訊及該節點資訊之該參數更新資訊來更新該等神經網路參數。
一種用於編碼神經網路之參數以便獲得經編碼位元流之編碼器(200, 300, 300b, 400)，<br/> 其中該編碼器組配來提供描述一參數更新樹(500)之一節點的一節點資訊(212, 312, 312b, 412)，該參數更新樹包含呈一階層式次序之節點；<br/> 其中該節點資訊包含一父節點識別符(214, 314, 524, 534, 544, 554, 564, 574, 584, 594, 604, 614, 624)，且<br/> 其中該節點資訊包含一參數更新資訊(216, 316, 416, 526, 536, 546, 556, 566, 576, 586, 596, 606, 616, 626)；<br/> 其中該參數更新資訊描述與該父節點識別符所界定之一父節點相關聯之神經網路參數與一或多個當前神經網路參數之間的差異；<br/> 其中該編碼器組配來決定由該父節點識別符(214, 314, 524, 534, 544, 554, 564, 574, 584, 594, 604, 614, 624)所識別出的該父節點所界定之一或多個神經網路參數與該一或多個當前神經網路參數之間的差異，以便獲得該參數更新資訊(216, 316, 416, 526, 536, 546, 556, 566, 576, 586, 596, 606, 616, 626)；<br/> 其中該編碼器組配來提供該節點資訊(212, 312, 312b, 412)，使得能夠使用與一當前所考慮節點相關聯之該參數更新資訊(216, 316, 416, 526, 536, 546, 556, 566, 576, 586, 596, 606, 616, 626)、使用與一根節點(510)相關聯之一參數資訊、且使用與該更新樹中位於該根節點與該當前所考慮節點之間的一或多個中間節點相關聯之參數更新資訊，來獲得與該當前所考慮節點相關聯之一或多個神經網路參數。
一種用於解碼神經網路之參數之方法(1000)，該方法包含：<br/> 基於一經編碼位元流獲得(1010)該神經網路之一或多個神經網路參數；<br/> 獲得(1020)描述一參數更新樹之一節點的一節點資訊，該參數更新樹包含呈一階層式次序之節點；<br/> 其中該節點資訊包含一父節點識別符，且<br/> 其中該節點資訊包含一參數更新資訊；及<br/> 使用該父節點識別符所識別出的一父節點之參數資訊及使用該參數更新資訊導出(1030)該一或多個神經網路參數；<br/> 其中該父節點包含一自身父節點識別符及一自身參數更新資訊，且<br/> 其中該方法進一步包含<br/> 遞迴地導出該父節點之前置節點，直至達到數個神經網路參數可用之一節點為止，及<br/> 基於所導出節點、該父節點之參數更新資訊及該節點資訊之該參數更新資訊來更新該等神經網路參數。
一種用於編碼神經網路之參數以便獲得經編碼位元流之方法(1100)，該方法包含：<br/> 提供(1110)描述一參數更新樹之一節點的一節點資訊，該參數更新樹包含呈一階層式次序之節點；<br/> 其中該節點資訊包含一父節點識別符，且<br/> 其中該節點資訊包含一參數更新資訊；<br/> 其中該參數更新資訊描述與該父節點識別符所界定之一父節點相關聯之神經網路參數與一或多個當前神經網路參數之間的差異；<br/> 其中該方法進一步包含<br/> 決定由該父節點識別符(214, 314, 524, 534, 544, 554, 564, 574, 584, 594, 604, 614, 624)所識別出的該父節點所界定之一或多個神經網路參數與該一或多個當前神經網路參數之間的差異，以便獲得該參數更新資訊(216, 316, 416, 526, 536, 546, 556, 566, 576, 586, 596, 606, 616, 626)；及<br/> 提供該節點資訊(212, 312, 312b, 412)，使得能夠使用與一當前所考慮節點相關聯之該參數更新資訊(216, 316, 416, 526, 536, 546, 556, 566, 576, 586, 596, 606, 616, 626)、使用與一根節點(510)相關聯之一參數資訊、且使用與該更新樹中位於該根節點與該當前所考慮節點之間的一或多個中間節點相關聯之參數更新資訊，來獲得與該當前所考慮節點相關聯之一或多個神經網路參數。
一種電腦程式，其用於在該電腦程式於一電腦上運行時進行如請求項13至14中任一項之方法。
一種雷射加工裝置的調整方法，該雷射加工裝置具備：卡盤台，其保持被加工物；雷射照射單元，其對保持於該卡盤台之該被加工物照射雷射光線；以及進給機構，其將該卡盤台與該雷射照射單元相對地進行加工進給， <br/>該雷射照射單元包含：雷射振盪器，其射出雷射光線；聚光器，其將該雷射振盪器射出之雷射光線進行聚光；空間光調變器，其配設於該雷射振盪器與該聚光器之間；分光器，其配設於該聚光器與該空間光調變器之間；以及攝影機，其配設於被該分光器分光之側，<br/>該雷射加工裝置的調整方法具備：<br/>晶圓準備步驟，其準備藉由雷射光線的照射而形成加工痕之晶圓作為該被加工物；<br/>保持步驟，其將該晶圓保持於該卡盤台；<br/>空間光調變器調整步驟，其調整該空間光調變器，以成為期望的位置關係之方式，使該雷射振盪器射出之雷射光線成為可照射多個雷射光線之狀態；<br/>加工痕形成步驟，其運作該雷射振盪器，對保持於該卡盤台之該晶圓照射雷射光線，而形成多個加工痕；<br/>攝像步驟，其停止該雷射振盪器的運作，並藉由該攝影機而拍攝保持於該卡盤台之該晶圓所形成之該加工痕；以及<br/>像差修正步驟，其將在該空間光調變器調整步驟中成為調整的基準之該期望的位置關係與在該攝像步驟中所拍攝之多個加工痕的位置關係進行比較，以該加工痕的俯視下之位置關係成為該期望的位置關係之方式調整該空間光調變器，而修正該聚光器的像差。
如請求項1之雷射加工裝置的調整方法，其中，在該空間光調變器調整步驟中，將雷射光線的聚光點進行調整而定位於該晶圓的正面。
如請求項1之雷射加工裝置的調整方法，其中，在該攝像步驟中，藉由該攝影機而拍攝藉由形成於該晶圓的正面之該加工痕所形成之位置關係。
一種雷射加工裝置，其具備： <br/>卡盤台，其保持被加工物；<br/>雷射照射單元，其對保持於該卡盤台之該被加工物照射雷射光線； <br/>進給機構，其將該卡盤台與該雷射照射單元相對地進行加工進給；以及 <br/>控制單元， <br/>該雷射照射單元包含： <br/>雷射振盪器，其射出雷射光線；<br/>聚光器，其將該雷射振盪器射出之雷射光線進行聚光；<br/>空間光調變器，其配設於該雷射振盪器與該聚光器之間；<br/>分光器，其配設於該聚光器與該空間光調變器之間；以及<br/>攝影機，其配設於被該分光器分光之側，<br/>該控制單元包含： <br/>空間光調變器調整指示部，其調整該空間光調變器，以成為期望的位置關係之方式，使該雷射振盪器射出之雷射光線成為可照射多個雷射光線之狀態；<br/>加工痕形成指示部，其運作該雷射振盪器，對保持於該卡盤台之作為該被加工物之晶圓照射雷射光線，而形成多個加工痕；<br/>攝像指示部，其停止該雷射振盪器的運作，並藉由該攝影機而拍攝保持於該卡盤台之該晶圓所形成之該加工痕；以及<br/>像差修正指示部，其將藉由該空間光調變器調整指示部所指示之該期望的位置關係與藉由該攝影機所拍攝之實際的加工痕的位置關係進行比較，以該加工痕的俯視下之位置關係成為該期望的位置關係之方式調整該空間光調變器，而修正該聚光器的像差。
一種室溫硬化性矽膠塗佈劑組成物，其係下述(A)~(D)成分： <br/> (A)三次元網狀構造之有機聚矽氧烷樹脂，其包含R<sub>3</sub>SiO<sub>1/2</sub>單位(式中，R獨立表示非取代或取代之碳原子數1~6之1價烴基或羥基)及SiO<sub>4/2</sub>單位，R<sub>3</sub>SiO<sub>1/2</sub>單位相對於SiO<sub>4/2</sub>單位之莫耳比為0.5~1.5，進而以相對於SiO<sub>4/2</sub>單位分別為0~1之莫耳比含有R<sub>2</sub>SiO<sub>2/2</sub>單位及RSiO<sub>3/2</sub>單位(前述各式中，R如前述)，且具有0.005~0.15莫耳/100g之鍵結於矽原子之羥基(矽醇基)，分子量為2,000~10,000：100質量份， <br/> (B)於1分子中具有3個以上水解性基之水解性(有機)矽烷化合物及/或其部分水解縮合物：(B)成分相對於(A)成中之矽醇基的莫耳比成為0.2~2之量， <br/> (C)分子鏈兩末端以矽醇基封端之直鏈狀二有機聚矽氧烷：10~100質量份， <br/> (D)由有機鈦化合物之寡聚物所成之水分硬化起始劑：0.1~5質量份的混合物，且 <br/> 可賦予以JIS K 6249規定之A型蕭氏硬度計測定之硬度為50以上之硬化物。
如請求項1之室溫硬化性矽膠塗佈劑組成物，其中(A)成分之鍵結於矽原子之羥基(矽醇基)含量為0.11~0.15莫耳/100g。
如請求項1或2之室溫硬化性矽膠塗佈劑組成物，其中(D)成分係鈦酸酯化合物之寡聚物及/或鈦螯合化合物之寡聚物。
如請求項1或2之室溫硬化性矽膠塗佈劑組成物，其中(D)成分為四正丙氧基鈦之寡聚物、四異丙氧基鈦之寡聚物、四正丁氧基鈦之寡聚物、四異丁氧基鈦之寡聚物、四第二丁氧基鈦之寡聚物、四(2-乙基己氧基)鈦之寡聚物、異丙氧基辛二醇鈦之寡聚物、二異丙氧基雙(乙醯基丙酮酸)鈦之寡聚物或二異丙氧基雙(乙基乙醯丙酮酸)鈦之寡聚物。
如請求項1或2之室溫硬化性矽膠塗佈劑組成物，其於250℃環境下放置5分鐘而賦予未產生氣泡之硬化物。
如請求項1或2之室溫硬化性矽膠塗佈劑組成物，其賦予厚度1mm之硬化物之透光率於450~800nm之波長區域為70%以上之硬化物。
如請求項1或2之室溫硬化性矽膠塗佈劑組成物，其係電氣‧電子零件及/或其基板之塗佈用。
一種選自液晶週邊及電源電路基板、經撥水塗佈之車載用基板的物品，其係以如請求項1至7中任一項之室溫硬化性矽膠塗佈劑組成物之硬化物塗佈者。
一種磨刀板，使用於切削刀片的形狀之修正，前述磨刀板的特徵在於：<br/> 包含：<br/> 第1層，包含第1磨粒、與固定該第1磨粒之第1結合材；及<br/> 複數個第2層，以夾著該第1層的方式積層於該第1層，<br/> 該第1層的厚度比該切削刀片的寬度更小，<br/> 該第2層包含平均粒徑比該第1磨粒更小之第2磨粒、與固定該第2磨粒之第2結合材，<br/> 該切削刀片的下表面會接觸於該第1層，且該切削刀片的前端部的兩側面會接觸於該第2層，藉此使該切削刀片的前端部的形狀被修正成該切削刀片的下表面會接近平直的形狀。
如請求項1之磨刀板，其中該第1磨粒以及該第2磨粒是綠碳化矽或白剛鋁石，<br/> 該第1結合材以及該第2結合材是樹脂結合劑。
如請求項1或2之磨刀板，其中該第1磨粒的平均粒徑是1μm以上且200μm以下，<br/> 該第2磨粒的平均粒徑是0.1μm以上且20μm以下。
一種磨刀板，使用於切削刀片的形狀之修正，前述磨刀板的特徵在於：<br/> 包含：<br/> 第1層，包含磨粒、與固定該磨粒之結合材；及<br/> 複數個第2層，以夾著該第1層的方式積層於該第1層，<br/> 該第1層的厚度比該切削刀片的寬度更小，<br/> 該第2層不包含磨粒，<br/> 該切削刀片的下表面會接觸於該第1層，且該切削刀片的前端部的兩側面會接觸於該第2層，藉此使該切削刀片的前端部的形狀被修正成該切削刀片的下表面會接近平直的形狀。
一種切削刀片之修整方法，使用磨刀板來修正切削刀片的形狀，前述切削刀片之修整方法的特徵在於：<br/> 該磨刀板包含第1層與複數個第2層，前述第1層包含第1磨粒與固定該第1磨粒之第1結合材，前述複數個第2層以夾著該第1層的方式積層於該第1層，<br/> 該第1層的厚度比該切削刀片的寬度更小，<br/> 該第2層包含平均粒徑比該第1磨粒更小之第2磨粒、與固定該第2磨粒之第2結合材，<br/> 前述切削刀片之修整方法包含以下步驟：<br/> 保持之步驟，以該第1層以及該第2層露出之面成為上表面之方式來藉由工作夾台保持該磨刀板；及<br/> 修正之步驟，使該切削刀片與該磨刀板相對地移動而使該切削刀片的前端部沿著該第1層朝該磨刀板的上表面側切入，藉此使該切削刀片的下表面接觸於該第1層，並且使該切削刀片的前端部的兩側面接觸於該第2層，來將該切削刀片的前端部的形狀修正成該切削刀片的下表面會接近平直的形狀。
一種切削刀片之修整方法，使用磨刀板來修正切削刀片的形狀，前述切削刀片之修整方法的特徵在於：<br/> 該磨刀板包含第1層與複數個第2層，前述第1層包含磨粒與固定該磨粒之結合材，前述複數個第2層以夾著該第1層的方式積層於該第1層，<br/> 該第1層的厚度比該切削刀片的寬度更小，<br/> 該第2層不包含磨粒，<br/> 前述切削刀片之修整方法包含以下步驟：<br/> 保持之步驟，以該第1層以及該第2層露出之面成為上表面之方式來藉由工作夾台保持該磨刀板；及<br/> 修正之步驟，使該切削刀片與該磨刀板相對地移動而使該切削刀片的前端部沿著該第1層朝該磨刀板的上表面側切入，藉此使該切削刀片的下表面接觸於該第1層，並且使該切削刀片的前端部的兩側面接觸於該第2層，來將該切削刀片的前端部的形狀修正成該切削刀片的下表面會接近平直的形狀。
一種使用網際網路協定網路於蜂巢式資料封包路由的方法，包含：<br/> 提供一網路，包含：<br/> 一無線電天線；<br/> 一第一元件，耦合到該無線電天線並被配置為使用一封包無線電協定進行通訊；<br/> 一第二元件，被配置為使用該無線電天線管理通訊並使用該封包無線電協定進行通訊；<br/> 一非封包無線電網路，實施一非封包無線電協定；<br/> 一第一轉換模塊，連接到該第一元件和該非封包無線電網路；<br/> 一第二轉換模塊，連接到該第二元件和該非封包無線電網路；<br/> 一運算設備，根據該封包無線電協定獲取描述該第一元件和該第二元件之間連接的一隧道資訊； 以及<br/> 由該運算設備進行程式編程，使該第一轉換模塊和該第二轉換模塊根據該隧道資訊執行該無線電協定和該非封包無線電協定之間的封包轉換；<br/> 提供將該非封包無線電網路連接到一外部網路的一路由模塊；<br/> 由該運算設備接收定義該外部網路中一外部位址之路由的一外部路由；以及<br/> 由該運算設備進行程式編程，使該第一轉換模塊：<br/> 從該第一元件接收複數個第一封包：<br/> 將定址到該外部位址的每個所述第一封包路由到該路由模塊。
如請求項1所述之使用網際網路協定網路於蜂巢式資料封包路由的方法，更包含：<br/> 通過該運算設備獲得從該第一元件到該第二元件的一路由路線；以及<br/> 由該運算設備對具有該路由路線的該第一元件進行程式編程。
一種使用網際網路協定網路於蜂巢式資料封包路由的方法，包含：<br/> 提供一網路，包含：<br/> 一無線電天線；<br/> 一第一元件，耦合到該無線電天線並被配置為使用一封包無線電協定進行通訊；<br/> 一第二元件，被配置為使用該無線電天線管理通訊並使用該封包無線電協定進行通訊；<br/> 一非封包無線電網路，實施一非封包無線電協定；<br/> 一第一轉換模塊，連接到該第一元件和該非封包無線電網路；<br/> 一第二轉換模塊，連接到該第二元件和該非封包無線電網路；<br/> 一運算設備，根據該封包無線電協定獲取描述該第一元件和該第二元件之間連接的一隧道資訊； 以及<br/> 由該運算設備進行程式編程，使該第一轉換模塊和該第二轉換模塊根據該隧道資訊執行該無線電協定和該非封包無線電協定之間的封包轉換；<br/> 通過該運算設備獲得從該第一元件到該第二元件的一路由路線；以及<br/> 由該運算設備對具有該路由路線的該第一元件進行程式編程，其中使用該路由路線對該第一元件進行程式編程包括使用一虛擬專用網路(VPN) v4/v6更新對該第一元件進行程式編程。
如請求項3所述之使用網際網路協定網路於蜂巢式資料封包路由的方法，其中使用該路由路線對該第一元件進行程式編程包括對該第一元件進行程式編程以使用一虛擬路由功能(VRF)路由區分符來執行到該第二元件的封包路由。
如請求項1所述之使用網際網路協定網路於蜂巢式資料封包路由的方法，其中對該第一轉換模塊進行程式編程以執行該封包無線電協定和該非封包無線電協定之間的轉換包括將該第一轉換模塊程式編程為：<br/> 對從該第一個元件接收到的每個第一封包，將每個所述第一封包轉換為具有包含一隧道資訊的一分段路由標頭 (SRH)欄位的一分段路由(SR)封包，並通過該非封包無線電網路將該SR 封包傳輸到該第二元件。
如請求項5所述之使用網際網路協定網路於蜂巢式資料封包路由的方法，其中對該第二轉換模塊進行程式編程以執行該封包無線電協定和該非封包無線電協定之間的轉換包括將該第二轉換模塊程式編程為將從該第二元件接收的每個所述SR封包：<br/> 根據該封包無線電協定，使用該SR封包中的該SRH欄位將該SR封包轉換成一第二封包；以及<br/> 將該第二封包轉發給該第二元件。
如請求項6所述之使用網際網路協定網路於蜂巢式資料封包路由的方法，其中該封包無線電協定是通用封包無線電服務 (GPRS) 隧道協定 (GTP)。
如請求項7所述之使用網際網路協定網路於蜂巢式資料封包路由的方法，其中該非封包無線電協定是一通過網際網路分段路由協定(segment routing over internet protocol)。
如請求項1所述之使用網際網路協定網路於蜂巢式資料封包路由的方法，其中該路由模塊被配置為一路由反射器，該運算設備被配置為該路由反射器客戶端。
如請求項1所述之使用網際網路協定網路於蜂巢式資料封包路由的方法，其中該路由模塊根據邊界閘道協定(BGP)被配置為一路由反射器，該運算設備根據該BGP被配置為一路由反射器客戶端。
如請求項1所述之使用網際網路協定網路於蜂巢式資料封包路由的方法，更包含該運算設備對該路由模塊進行程式編程，使該路由模塊對於從該外部網路接收並被定址到連接到該無線電天線的一使用者設備的每個所述第二封包：<br/> 將該第二封包封裝在一分段路由(SR)封包中，該SR封包的一標頭包括該隧道資訊。
如請求項11所述之使用網際網路協定網路於蜂巢式資料封包路由的方法，其中該SR封包的該標頭包括一個或多個分段標識符，所述分段標識符包括該隧道資訊以及標識用於根據該封包無線電協定使用該隧道資訊將該SR封包轉換為一封包之功能的一定位符。
如請求項12所述之使用網際網路協定網路於蜂巢式資料封包路由的方法，其中該隧道資訊包括該第二元件的一隧道端點標識符(TEID)、一服務質量流標識符(QFI)和該第二元件的一位址。
如請求項1所述之使用網際網路協定網路於蜂巢式資料封包路由的方法，更包含由該運算設備將該第一轉換模塊程式編程為：<br/> 將具有一第一訊息類型的所述第一封包路由到該第二轉換模塊； 以及<br/> 將具有不同於該第一訊息類型的一第二訊息類型的所述第一封包路由到該路由模塊。
如請求項14所述之使用網際網路協定網路於蜂巢式資料封包路由的方法，其中該第一訊息類型是與創建或維護該第一元件和該第二元件之間之連接有關的一控制訊息類型，是用於在該第一元件和該第二元件之間之連接上攜帶一有效負載資料的一資料訊息類型。
如請求項14所述之使用網際網路協定網路於蜂巢式資料封包路由的方法，更包括由該運算設備將該第一轉換模塊程式編程為：<br/> 將具有該第一訊息類型的該第一封包轉換為具有包括一隧道資訊的一SR標頭的所述分段路由(SR)封包；以及<br/> 將具有該第二訊息類型的該第一封包轉換為所述SR封包，而不在該 SR標頭中包含該隧道資訊。
如請求項16所述之使用網際網路協定網路於蜂巢式資料封包路由的方法，其中對該第一轉換模塊進行程式編程包括提供一服務分段標識符(SID)並將該服務SID綁定於到該第一元件的接口。
如請求項17所述之使用網際網路協定網路於蜂巢式資料封包路由的方法，其中對該第一轉換模塊進行程式編程包括將一SR策略與該服務 SID進行關聯。
如請求項1所述之使用網際網路協定網路於蜂巢式資料封包路由的方法，其中該運算設備實現邊界閘道協定(BGP)。
一種半導體封裝設備，包含： 一裝載單元，具有進行將一遮罩件設置在包含多個半導體元件的一晶圓上的一製程的一空間； 一沉積單元，具有進行將該晶圓及該遮罩件從該裝載單元輸送來以在該晶圓上形成一導電圖案層的一製程的一空間，且該沉積單元連接至該裝載單元； 一卸載單元，具有進行將該晶圓及該遮罩件從該沉積單元輸送來以將該遮罩件與該晶圓分離的一製程的一空間，且該卸載單元連接至該沉積單元；以及 一輸送單元，用於將該卸載單元連接至該裝載單元以使該遮罩件從該卸載單元被卸載並被裝載到該裝載單元中， 其中該輸送單元包含用於清潔從該卸載單元被卸載的該遮罩件之一清潔部。
如請求項1所述的半導體封裝設備，其中該裝載單元連接至該沉積單元的一側，且該卸載單元連接至該沉積單元中與該沉積單元的該側相對的另一側。
如請求項1所述的半導體封裝設備，其中該裝載單元包含： 一第一負載鎖定部，連接至該沉積單元； 一第一晶圓儲存部，具有供儲存該晶圓的一空間，且該第一晶圓儲存部連接至該第一負載鎖定部； 一第一遮罩儲存部，具有供儲存有該遮罩件的一空間，且該第一遮罩儲存部連接至該第一負載鎖定部；以及 一對齊部，具有該晶圓及該遮罩件分別從該第一晶圓儲存部及該第一遮罩儲存部輸送來以將該遮罩件在該晶圓上對齊並固定的一空間，且該對齊部連接至該第一負載鎖定部。
如請求項1所述的半導體封裝設備，其中該沉積單元包含： 一沉積腔體，用於提供進行將該導電圖案層形成於該晶圓上的一製程的該空間的至少一部分； 一支持部，安裝於該沉積腔體內部以支撐被輸送的該晶圓及該遮罩件； 一濺鍍標靶部，安裝於沉積腔體內部以面對該支持部；以及 一電源供應部，用於將電源提供給該濺鍍標靶部。
如請求項4所述的半導體封裝設備，其中該支持部包含用於移動被輸送的該晶圓及該遮罩件之一移動件。
如請求項5所述的半導體封裝設備，其中該移動件包含一滾輪板或一傳輸皮帶。
如請求項4所述的半導體封裝設備，其中該支持部具有供該晶圓設置的一設置面。
如請求項1所述的半導體封裝設備，其中該沉積單元包含： 一第一沉積部，連接至該裝載單元以在於該晶圓上形成的一鈍化層上形成一底導電圖案層； 一第二沉積部，連接至該第一沉積部以在該底導電圖案層上形成由不同於該底導電圖案層之材料的材料形成的一頂導電圖案層。
如請求項8所述的半導體封裝設備，其中該第二沉積部是被提供為多個以彼此互相連接。
如請求項1所述的半導體封裝設備，其中該卸載單元包含： 一第二負載鎖定部，連接至該沉積單元； 一第二晶圓儲存部，具有供儲存該晶圓的一空間且連接至該第二負載鎖定部； 一第二遮罩儲存部，具有供儲存該遮罩件的一空間且連接至該第二負載鎖定部；以及 一分離部，具有該晶圓及該遮罩件從該第二負載鎖定部被輸送來以將該遮罩件從該晶圓分離的一空間，且該分離部連接至該第二負載鎖定部。
如請求項1所述的半導體封裝設備，其中該裝載單元包含具有供儲存該遮罩件的一空間之一第一遮罩儲存部， 該卸載單元包含具有供儲存該遮罩件的一空間之一第二遮罩儲存部，並且 該輸送單元用於將第一遮罩儲存部連接至該第二遮罩儲存部。
一種基板處理方法，其包含以下工序： <br/>a1)對腔室內提供含有含矽膜之基板； <br/>a2)對上述腔室內供給含有HF氣體之處理氣體； <br/>a3)藉由自上述處理氣體產生之電漿對上述含矽膜進行蝕刻而於上述含矽膜形成凹部；及 <br/>a4)以伴隨上述凹部之縱橫比之增加而降低上述HF氣體之分壓之方式進行控制。
如請求項1之基板處理方法，其中 <br/>上述工序a4)中，藉由降低上述腔室內之壓力而降低上述HF氣體之分壓。
如請求項1之基板處理方法，其中 <br/>上述工序a4)中，藉由將稀釋氣體添加至上述腔室內而降低上述HF氣體之分壓。
如請求項1之基板處理方法，其中 <br/>上述工序a4)中，將與上述HF氣體之分子中包含之元素反應而清除上述HF氣體之分子之反應性氣體供給至上述腔室內，藉此降低上述腔室內之上述HF氣體之分壓。
如請求項4之基板處理方法，其中 <br/>上述反應性氣體為含氯氣體。
如請求項5之基板處理方法，其中 <br/>上述含氯氣體係選自由Cl<sub>2</sub>氣體、HCl氣體、CHCl<sub>3</sub>氣體、CH<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>氣體、CH<sub>3</sub>Cl氣體、CCl<sub>4</sub>氣體、BCl<sub>3</sub>氣體、SiCl<sub>4</sub>氣體、SiH<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>氣體、及Si<sub>2</sub>Cl<sub>6</sub>氣體所組成之群中之至少1種氣體。
如請求項1之基板處理方法，其中 <br/>上述工序a4)中，藉由使供給至上述腔室內之HF氣體之流量減少，而降低上述腔室內之上述HF氣體之分壓。
如請求項1至7中任一項之基板處理方法，其中 <br/>上述工序a3)中，將上述HF氣體之分壓控制為第1分壓， <br/>上述工序a4)中，將上述HF氣體之分壓控制為較上述第1分壓低之第2分壓， <br/>上述工序a3)與上述工序a4)交替重複執行。
如請求項8之基板處理方法，其中 <br/>與上述工序a4)交替重複執行之上述工序a3)中， <br/>以伴隨上述凹部之縱橫比之增加而使上述第1分壓慢慢變小之方式進行控制。
如請求項1至7中任一項之基板處理方法，其中 <br/>上述處理氣體含有含碳氣體。
如請求項10之基板處理方法，其中 <br/>上述含碳氣體係選自由氟碳氣體及氫氟碳氣體所組成之群中之至少1種氣體。
如請求項11之基板處理方法，其中 <br/>上述氟碳氣體係選自由CF<sub>4</sub>氣體、C<sub>2</sub>F<sub>2</sub>氣體、C<sub>2</sub>F<sub>4</sub>氣體、C<sub>3</sub>F<sub>8</sub>氣體、C<sub>4</sub>F<sub>6</sub>氣體、C<sub>4</sub>F<sub>8</sub>氣體、及C<sub>5</sub>F<sub>8</sub>氣體所組成之群中之至少1種氣體。
如請求項11之基板處理方法，其中 <br/>上述氫氟碳氣體係選自由CHF<sub>3</sub>氣體、CH<sub>2</sub>F<sub>2</sub>氣體、CH<sub>3</sub>F氣體、C<sub>2</sub>HF<sub>5</sub>氣體、C<sub>2</sub>H<sub>2</sub>F<sub>4</sub>氣體、C<sub>2</sub>H<sub>3</sub>F<sub>3</sub>氣體、C<sub>2</sub>H<sub>4</sub>F<sub>2</sub>氣體、C<sub>3</sub>HF<sub>7</sub>氣體、C<sub>3</sub>H<sub>2</sub>F<sub>2</sub>氣體、C<sub>3</sub>H<sub>2</sub>F<sub>6</sub>氣體、C<sub>3</sub>H<sub>2</sub>F<sub>4</sub>氣體、C<sub>3</sub>H<sub>3</sub>F<sub>5</sub>氣體、C<sub>4</sub>H<sub>5</sub>F<sub>5</sub>氣體、C<sub>4</sub>H<sub>2</sub>F<sub>6</sub>氣體、C<sub>4</sub>H<sub>2</sub>F<sub>8</sub>氣體、C<sub>5</sub>H<sub>2</sub>F<sub>6</sub>氣體、C<sub>5</sub>H<sub>2</sub>F<sub>10</sub>氣體、及C<sub>5</sub>H<sub>3</sub>F<sub>7</sub>氣體所組成之群中之至少1種氣體。
如請求項1至7中任一項之基板處理方法，其中 <br/>上述處理氣體包含選自由含磷氣體、含硫氣體、及含硼氣體所組成之群中之至少1種氣體。
如請求項14之基板處理方法，其中 <br/>上述含磷氣體係選自由PF<sub>3</sub>氣體、PF<sub>5</sub>氣體、POF<sub>3</sub>氣體、HPF<sub>6</sub>氣體、PCl<sub>3</sub>氣體、PCl<sub>5</sub>氣體、POCl<sub>3</sub>氣體、PBr<sub>3</sub>氣體、PBr<sub>5</sub>氣體、POBr<sub>3</sub>氣體、PI<sub>3</sub>氣體、P<sub>4</sub>O<sub>10</sub>氣體、P<sub>4</sub>O<sub>8</sub>氣體、P<sub>4</sub>O<sub>6</sub>氣體、PH<sub>3</sub>氣體、Ca<sub>3</sub>P<sub>2</sub>氣體、H<sub>3</sub>PO<sub>4</sub>氣體、及Na<sub>3</sub>PO<sub>4</sub>氣體所組成之群中之至少1種氣體。
如請求項14之基板處理方法，其中 <br/>上述含硫氣體係選自由SF<sub>6</sub>氣體、SO<sub>2</sub>氣體、及COS氣體所組成之群中之至少1種氣體。
如請求項14之基板處理方法，其中 <br/>上述含硼氣體係選自由BCl<sub>3</sub>氣體、BF<sub>3</sub>氣體、BBr<sub>3</sub>氣體、及B<sub>2</sub>H<sub>6</sub>氣體所組成之群中之至少1種氣體。
如請求項1至7中任一項之基板處理方法，其中 <br/>上述含矽膜包含選自由氧化矽膜、氮化矽膜及多晶矽膜所組成之群中之至少1種膜。
如請求項1至7中任一項之基板處理方法，其中 <br/>上述含矽膜係氧化矽膜、氧化矽膜與氮化矽膜之多層膜、或氧化矽膜與多晶矽化膜之多層膜。
如請求項1至7中任一項之基板處理方法，其中 <br/>上述工序a4)中，藉由監視電漿之發光狀態而推定上述HF氣體之分壓，且以降低上述推定之HF氣體之分壓之方式進行控制。
一種基板處理方法，其包含以下工序： <br/>b1)對腔室內提供含有含矽膜之基板； <br/>b2)對上述腔室內供給包含能夠產生HF種之氣體之處理氣體； <br/>b3)藉由自上述處理氣體產生之電漿對上述含矽膜進行蝕刻，而於上述含矽膜形成凹部；及 <br/>b4)以伴隨上述凹部之縱橫比之增加而降低上述HF種之分壓之方式進行控制。
一種基板處理方法，其包含以下工序： <br/>c1)對腔室內提供含有含矽膜之基板； <br/>c2)對上述腔室內供給包含如下蝕刻劑之處理氣體，該蝕刻劑係選自由含有氟原子之氣體、含有碳及氟之氣體、以及含有碳、氫、及氟原子之氣體所組成之群中之至少1種氣體； <br/>c3)藉由自上述處理氣體產生之電漿對上述含矽膜進行蝕刻，而於上述含矽膜形成凹部；及 <br/>c4)伴隨上述凹部之縱橫比之增加而變更上述蝕刻劑之分壓。
一種基板處理裝置，其具備： <br/>腔室，其具有氣體供給口及氣體排出口； <br/>基板支持部，其設置於上述腔室內； <br/>電漿產生部，其自供給至上述腔室內之處理氣體產生電漿；及 <br/>控制部；且 <br/>上述控制部以執行包含以下工序之處理之方式構成，即， <br/>d1)於上述基板支持部配置含有含矽膜之基板； <br/>d2)對上述腔室內供給含有HF氣體之處理氣體； <br/>d3)自上述處理氣體產生電漿，藉由所產生之上述電漿對上述含矽膜進行蝕刻，而於上述含矽膜形成凹部；及 <br/>d4)以伴隨上述凹部之縱橫比之增加而降低上述HF氣體之分壓之方式進行控制。
一種氟矽橡膠組成物，其含有：<br/> 100質量份的(A)直鏈狀有機聚矽氧烷生橡膠，其在一分子中具有2個以上的鍵結於矽原子的烯基，該直鏈狀有機聚矽氧烷生橡膠中，具有氟烷基之矽氧烷單元的數量相對於總矽氧烷單元的合計個數成為60莫耳%以上的數量，且由重量平均分子量計算出的平均聚合度為2000以上；<br/> 5～100質量份的(B)補強性二氧化矽，其具有50m<sup>2</sup>/g以上的基於BET法的比表面積；<br/> 0.1～20質量份的(C)直鏈狀三氟丙基甲基聚矽氧烷，其兩末端以三氟丙基甲基羥基矽基封端而成且由下述平均組成式(2)表示，<br/><img align="absmiddle" height="93px" width="201px" file="ed10002.jpg" alt="ed10002.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 平均組成式(2)中，x是3～15的正數；<br/> 0.01～5質量份的(D)直鏈狀的含氟氧伸烷基聚合物，其係由下述通式(5)表示者，<br/> HOCH<sub>2</sub>CF<sub>2</sub>O(CF<sub>2</sub>CF<sub>2</sub>O)<sub>n3</sub>(CF<sub>2</sub>O)<sub>m3</sub>CF<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>OH (5)<br/> 通式(5)中，m3、n3是滿足數量平均分子量為1000～5000的範圍的數；及，<br/> 硬化有效量的(E)硬化劑。
如請求項1所述之氟矽橡膠組成物，其中，前述(A)成分的直鏈狀有機聚矽氧烷生橡膠的分子鏈兩末端為選自三甲基矽氧基、二甲基乙烯基矽氧基、二甲基羥基矽氧基、甲基二乙烯基矽氧基及三乙烯基矽氧基的基。
如請求項1所述之氟矽橡膠組成物，其中，前述(E)成分的硬化劑為組合有機氫聚矽氧烷與矽氫化觸媒而成者。
如請求項2所述之氟矽橡膠組成物，其中，前述(E)成分的硬化劑為組合有機氫聚矽氧烷與矽氫化觸媒而成者。
如請求項1所述之氟矽橡膠組成物，其中，前述(E)成分的硬化劑為有機過氧化物。
如請求項2所述之氟矽橡膠組成物，其中，前述(E)成分的硬化劑為有機過氧化物。
一種硬化成型物，其是由請求項1～6中任一項所述之氟矽橡膠組成物的硬化物所構成。
一種合成的核糖核酸(RNA)分子，其中該合成的RNA分子包含：包含如SEQ ID NO:19所示的核苷酸序列的有義鏈，惟該有義鏈的長度不多於23個核苷酸；和包含如SEQ ID NO:20所示的核苷酸序列的反義鏈，惟該反義鏈的長度不多於23個核苷酸，且其中該合成的RNA分子減少人VEGF-C之表現。
如請求項1之合成的RNA分子，其中該RNA是小髮夾RNA (shRNA)或人工微RNA (miRNA)。
如請求項2之合成的RNA分子，其中該RNA是包含環的shRNA，該環包含序列CTCGAG或與其有至少90％同一性的序列。
如請求項2之合成的RNA分子，其中該RNA是包含以下的人工miRNA：包含與如SEQ ID NO:46或47所示的序列的至少90%序列同一性的RNA，其中，(X)<sub>n</sub>包含如SEQ ID No: 19所示的核苷酸序列，以及(Y)<sub>n</sub>包含反義序列，該反義序列包含如SEQ ID No: 20所示的核苷酸序列。
如請求項1之合成的RNA分子，其中該有義鏈包含如SEQ ID NO:19所示的核苷酸序列且在SEQ ID NO:19的5’端為G並在SEQ ID NO:19的3’端帶有或未有T。
一種核酸，其包含待轉錄成RNA的核苷酸序列，其中該RNA包含至少一種如請求項1-5中任一項之合成的RNA分子。
如請求項6之核酸，其中該核酸包含(i)待轉錄成人工miRNA之核苷酸序列，該人工miRNA包含與如SEQ ID NO:46或47所示的序列至少90%序列同一性之RNA，其中(X)<sub>n</sub>包含有義序列，該有義序列包含如SEQ ID No: 19所示的核苷酸序列，以及(Y)<sub>n</sub>包含反義序列，該反義序列包含如SEQ ID No: 20所示的核苷酸序列，且進一步包含(ii)編碼抑制VEGF-A活性的第一種抗血管生成多肽的核苷酸序列，其中(i)和(ii)的該核苷酸序列可操作地連接至表現控制序列。
如請求項7之核酸，其中該第一種抗血管生成多肽是阿柏西普(aflibercept)。
如請求項8之核酸，其中該編碼阿柏西普的核苷酸序列包含SEQ ID NO:50的核苷酸序列或與其有至少90％同一性的序列。
如請求項8之核酸，其中該編碼第一種抗血管生成多肽的核苷酸序列和該待轉錄成該人工miRNA的核苷酸序列在相同表現控制序列的控制下。
如請求項10之核酸，其中該表現控制序列包含遍在啓動子(ubiquitous promoter)。
如請求項11之核酸，其中該啓動子是CAG啓動子或CBA啓動子。
如請求項12之核酸，其中該啓動子是CAG啓動子且其中該待轉錄成該人工miRNA的核苷酸序列位於CAG啓動子的雜合雞β-肌動蛋白和兔β-珠蛋白內含子內。
如請求項13之核酸，其中該核酸包含SEQ ID No: 69所示的核苷酸序列或與其有至少90%同一性的序列。
一種藥物組合物，其包含如請求項1-5中任一項之合成的RNA和藥學上可接受的載體。
一種藥物組合物，其包含如請求項6至14中任一項之核酸和藥學上可接受的載體。
一種載體，其包含如請求項1-5中任一項之合成的RNA分子或如請求項6至14中任一項之核酸。
如請求項17之載體，其中該載體為表現質體。
如請求項17或18之載體，其中該載體為病毒載體。
如請求項19之載體，其中該病毒載體是重組腺相關病毒(rAAV)載體。
如請求項20之載體，其中該rAAV載體包含血清型2、5或8的AAV衣殼或其變體。
如請求項21之載體，其中該rAAV載體具有包含衣殼蛋白的衣殼，該衣殼蛋白包含相對於相應親本AAV衣殼蛋白，共價地插入衣殼蛋白的GH環中的具有7、8、9、10或11個胺基酸長度的異源肽插入，其中該肽插入包含胺基酸序列ISDQTKH (SEQ ID NO:74)。
如請求項22之載體，其中該肽插入在胺基酸序列ISDQTKH (SEQ ID NO:74)的胺基末端和/或羧基末端具有1個至3個間隔胺基酸(Y<sub>1</sub>-Y<sub>3</sub>)。
如請求項23之載體，其中該肽插入是LAISDQTKHA (SEQ ID NO:49)。
如請求項22之載體，其中插入位點在AAV2的VP1的胺基酸570和611之間的位置或另一種AAV血清型的衣殼蛋白中的相應位置的兩個相鄰胺基酸之間定位。
如請求項25之載體，其中插入位點在相應於AAV2的VP1的胺基酸587和588的胺基酸之間或相應於AAV2的VP1的胺基酸588和589的胺基酸之間或另一種AAV血清型的衣殼蛋白中的相應位置定位。
如請求項22之載體，其中該衣殼蛋白包含一個或多個相對於AAV2的VP1的胺基酸置換或一個或多個在另一種AAV血清型的衣殼蛋白中的相應置換。
如請求項27之載體，其中該衣殼蛋白包含一個或多個相對於AAV2的VP1的以下胺基酸置換或一個或多個在另一種AAV血清型的衣殼蛋白中的相應置換：M1L、L15P、P34A、N57D、N66K、R81Q、Q101R、S109T、R144K、R144M、Q164K、T176P、L188I、S196Y、G226E、G236V、I240T、P250S、N312K、P363L、D368H、N449D、T456K、S463Y、D472N、R484C、A524T、P535S、N551S、A593E、1698V、V708I、V719M、S721L和L735Q。
如請求項28之載體，其中該衣殼蛋白包含相對於AAV2的VP1的V708I胺基酸置換或另一種的衣殼蛋白中的相應位置。
如請求項29之載體，其中該rAAV載體包含衣殼蛋白，該衣殼蛋白包含與SEQ ID NO:48有至少90%同一性的胺基酸序列。
如請求項30之載體，其中該rAAV載體包含衣殼蛋白，該衣殼蛋白包含如SEQ ID NO: 48所示的胺基酸序列。
如請求項30之載體，其中該rAAV載體包含衣殼蛋白及核酸，該衣殼蛋白包含與SEQ ID NO:48有至少95%同一性的胺基酸序列，且該核酸包含如SEQ ID No: 69所示的序列或與其有至少90%同一性的序列。
如請求項32之載體，其中該rAAV載體包含衣殼蛋白及異源核酸，該衣殼蛋白包含SEQ ID NO:48所示的胺基酸序列，且該核酸包含如SEQ ID No: 69所示的序列或與其有至少95%同一性的序列。
如請求項33之載體，其中該核酸序列包含如SEQ ID No: 69所示的序列。
一種宿主細胞，其包含如請求項17-34中任一項之載體。
一種藥學組合物，其包含如請求項17-34中任一項之載體及藥學上可接受的載體。
一種如請求項6-14中任一項之核酸、如請求項16之藥物組合物、如請求項17-34中任一項之載體或如請求項36之藥物組合物用於製造供治療與VEGF-A相關的眼部疾病的藥物之用途。
如請求項37之用途，其中該藥物係眼內施用。
如請求項37之用途，其中該藥物係通過玻璃體內、脉絡膜上及/或視網膜下注射來施用。
如請求項37至39中任一項之用途，其中該藥物包含1 x 10<sup>8</sup>至1 x 10<sup>15</sup>個載體顆粒。
如請求項37至39中任一項之用途，其中該藥物包含1 x 10<sup>10</sup>至5 x 10<sup>13</sup>個載體顆粒。
如請求項37至39中任一項之用途，其中該與VEGF-A相關的眼部疾病選自濕性年齡相關性黃斑變性、視網膜靜脈阻塞後的黃斑水腫、由視網膜靜脈阻塞造成的視網膜新血管形成、糖尿病性黃斑水腫、糖尿病性視網膜病變、近視性黃斑變性、視網膜分支靜脈阻塞、半側視網膜靜脈阻塞和中央視網膜靜脈阻塞、早產兒視網膜病變、特發性脈絡膜新血管形成、近視黃斑變性和繼發性視網膜和脈絡膜新血管形成、視網膜毛細血管擴張、新生血管性青光眼、玻璃體出血、繼發於視網膜疾病的視網膜和脈絡膜新血管形成。
如請求項37至39中任一項之用途，其中該與VEGF-A相關的眼部疾病選自葡萄膜炎、損傷、視網膜變性病症、遺傳性視網膜和/或脈絡膜疾病、眼腫瘤、角膜和虹膜新血管形成。
如請求項37至39中任一項之用途，其中該與VEGF-A相關的眼部疾病選自濕性年齡相關性黃斑變性、糖尿病性黃斑水腫、視網膜靜脈阻塞後的黃斑水腫、糖尿病性視網膜病變；和近視性脈絡膜新血管形成。
如請求項37至39中任一項之用途，其中該與VEGF-A相關的眼部疾病是濕性年齡相關性黃斑變性。
一種如請求項15之藥物組合物用於製造供遞送合成的RNA至視網膜細胞的藥物之用途。
一種濺鍍裝置，其具備： <br/>a）第1靶架及第2靶架，其等分別保持第1靶及第2靶使其等之表面相互對向； <br/>b）基板保持具，其設於作為分別保持於上述第1靶架及上述第2靶架之第1靶及第2靶之間之區域亦即電漿生成區域之一側方； <br/>c）第1主磁場生成部及第2主磁場生成部，其等分別隔著上述第1靶設於上述電漿生成區域之相反側，及隔著上述第2靶設於上述電漿生成區域之相反側，以相互相反之極對向之方式配置有磁鐵，於該第1靶及該第2靶之表面分別生成第1主磁場及第2主磁場； <br/>d）電源，其藉由對上述第1靶架及上述第2靶架分別賦予特定電位而於上述電漿生成區域內生成電場； <br/>e）高頻電磁場生成部，其設於上述電漿生成區域之隔著該電漿生成區域與上述基板保持具對向之側方，於該電漿生成區域內生成高頻電磁場； <br/>f）電漿原料氣體導入部，其將電漿原料氣體導入至上述電漿生成區域內；及 <br/>g）輔助磁場生成部，其設於上述第1靶架及上述第2靶架之上述基板保持具側之端部，生成自上述第1靶架與上述第2靶架之一側朝向另一側之輔助磁場，上述輔助磁場為將陽離子及電子封閉於上述電漿生成區域內之磁場；且 <br/>於上述第1靶架及上述第2靶架之上述高頻電磁場生成部側之端部不存在生成磁場之手段。
如請求項1之濺鍍裝置，其中， <br/>上述第1靶架及上述第2靶架分別保持上述第1靶及第2靶使其等之表面相互傾斜對向。
如請求項2之濺鍍裝置，其中， <br/>上述基板保持具設於上述電漿生成區域之間隔較寬之側方。
如請求項1之濺鍍裝置，其中， <br/>上述第1靶架及上述第2靶架之任一者或兩者係於圓筒狀構件之側面保持圓筒狀靶之圓筒狀構件，且係可以該圓筒之軸為中心旋轉之靶架； <br/>上述第1主磁場生成部及上述第2主磁場生成部中對應之靶架為上述圓筒狀靶架者配置於上述圓筒狀構件之內側。
如請求項4之濺鍍裝置，其進而具備： <br/>屏蔽板，其設於上述第1靶架及上述第2靶架之外側，且於與上述基板保持具對向之位置具有開口； <br/>上述輔助磁場生成部具有第1輔助磁鐵及第2輔助磁鐵，其等以隔著上述開口且彼此對向之方式配置。
如請求項1至5中任一項之濺鍍裝置，其中， <br/>上述高頻電磁場生成部為感應耦合型高頻天線。
如請求項1至5中任一項之濺鍍裝置，其中， <br/>於上述第1主磁場生成部及上述第2主磁場生成部中，一者具備1個或複數個永久磁鐵且該1個或複數個第1永久磁鐵之一極朝向上述電漿生成區域側，另一者具備1個或複數個永久磁鐵且該1個或複數個第2永久磁鐵之另一極朝向上述電漿生成區域側。
如請求項1至5中任一項之濺鍍裝置，其中， <br/>自上述第1靶架與上述第2靶架之一者中之上述基板保持具側之端部朝向另一者中之上述基板保持具側之端部之磁通密度之成分大小為0.03 T以上， <br/>自上述第1靶架與上述第2靶架之一者中之上述高頻電磁場生成部側之端部朝向另一者中之上述高頻電磁場生成部側之端部之磁通密度之成分大小為0.015 T以下。
如請求項1至3中任一項之濺鍍裝置，其中， <br/>上述輔助磁場生成部具有：第1輔助磁鐵，其設於上述第1靶架之靠近上述基板保持具之端部；及第2輔助磁鐵，其設於上述第2靶架之靠近上述基板保持具之端部。
一種原子筆，係具備有：<br/>軸筒；<br/>至少一部分配設於前述軸筒內，且於前端具有向內的前端緣部之筒狀的筆尖；<br/>配置於前述前端緣部的後方，且在前述筆尖內被收容成至少一部分可前後動之筒狀體；<br/>形成於前述筒狀體的前端部之圓珠承座；<br/>可轉動地被抱持於前述前端緣部與前述圓珠承座之間之圓珠；<br/>配置於前述筒狀體的後方，限制該筒狀體往後方的移動之限制部；以及<br/>將前述筒狀體往前方彈壓之彈性部件；其中，<br/>前述筒狀體係具有以合成樹脂形成的彈性變形部、以及沿著軸向一樣地形成之墨水通路，並且，<br/>在將前述彈性變形部的外徑設為X，將在軸向中與前述彈性變形部相對的位置的前述筆尖的內周部的最小內徑設為Y時，滿足1.02X<Y<1.30X之關係式。
如請求項1所述之原子筆，係具備有：安裝於前述筆尖的後部之外筒體；以及安裝於前述外筒體的內側，可相對於前述外筒體在軸向相對地移動之內筒體；並且，<br/>在前述內筒體的外表面，設有為了安裝成可相對於前述外筒體在軸向相對地移動而設置的卡接部；<br/>在前述外筒體的內表面，設有為了與前述內筒體卡接而設置的被卡接部；<br/>在前述內筒體的前部設有前述限制部。
如請求項2所述之原子筆，其中，<br/>前述卡接部為公螺牙部；<br/>前述被卡接部為母螺牙部。
如請求項2所述之原子筆，其中，<br/>在前述內筒體的外表面，設有為了與前述外筒體之間氣密地密封而設置的內筒體密封部；<br/>在前述外筒體的內表面，設有為了與前述內筒體之間氣密地密封而設置的外筒體密封部；並且，<br/>在前述內筒體密封部與前述外筒體密封部之間設有氣密密封件。
如請求項4所述之原子筆，其中，<br/>前述氣密密封件為O型環；<br/>前述外筒體密封部為圓筒面狀；<br/>在前述內筒體密封部設有收容前述O型環之環狀溝槽。
如請求項1所述之原子筆，其中，<br/>前述筒狀體的至少一部分係藉由擠出成形而形成。
如請求項1至6中任一項所述之原子筆，其中，<br/>前述墨水通路係在橫斷面具有中央內孔及設成與該中央內孔相連且呈放射狀延伸之複數個溝狀部。
一種用於將光遞送至一關注區以將至少一最小光強度提供至該關注區之全部的光輸出系統，其特徵在於該系統包含： <br/>一第一數目之光源(10、24)，該第一數目之光源各遞送一各別操作光輸出通量，其中當在該操作光輸出通量且在100%工作循環下操作時，一較小第二數目之該等光源將足以將該最小光強度提供至該關注區之全部，且該第一數目係該第二數目的一倍數α；及 <br/>一控制器(12)，其用於在一光輸出時段期間以一工作循環操作該第一數目之光源之各者，從而將在該關注區內提供之一最低光強度朝向該最小光強度減小，其中該工作循環比率β小於1/α。
如請求項1之光輸出系統，其中該第一數目之光源橫跨一區域或在一體積各處分布，使得該關注區內之該最低光強度出現在對應於光源之間之一空間的一或多個位置處。
如請求項1或2之光輸出系統，其包含一工業光輸出系統。
如請求項1或2之光輸出系統，其中： <br/>該工作循環比率小於1/2α或小於1/5α或小於1/10α；及/或 <br/>該倍數α在範圍1.1至2中。
如請求項1或2之光輸出系統，其用於將防生物污損光遞送至沒入水中之一關注表面。
如請求項5之光輸出系統，其中該工作循環時段在1秒至1週之範圍中。
如請求項1或2之光輸出系統，其用於將可見光照明提供至一關注區域，例如其中該光輸出系統包含一街道光輸出系統。
如請求項7之光輸出系統，其中該工作循環時段低於10ms。
一種將光遞送至一關注區以將至少一最小光強度提供至該關注區之全部的方法，其特徵在於該方法包含： <br/>操作一第一數目之光源，該第一數目之光源各遞送一各別操作光輸出通量，其中當在該操作光輸出通量且在100%工作循環下操作時，一較小第二數目之該等光源將足以將該最小光強度提供至該關注區之全部，且該第一數目係該第二數目的一倍數α， <br/>其中該方法包含在一光輸出時段期間以一工作循環操作該第一數目之光源之各者，從而將在該關注區內提供之一最低光強度朝向該最小光強度減小，其中該工作循環比率β小於1/α。
一種設計用於將光提供至一關注區之一光輸出系統的電腦實施方法，其特徵在於該方法包含： <br/>(110)設定一最小光強度以到達該關注區之全部； <br/>對於遞送一操作光輸出通量之光源，(112)判定當在該操作光輸出通量且在100%工作循環下操作時將足以將該最小光強度提供至該關注區之全部的該等光源之一最小數目， <br/>(113)選擇一第一數目之光源，該第一數目之光源各遞送該各別操作光輸出通量，其中該第一數目係該最小數目的大於1之一倍數α；及 <br/>(114)選擇用於該第一數目之光源之操作的一工作循環，從而將該關注區內提供之一最低光強度朝向該最小光強度減小，其中該工作循環比率β小於1/α。
如請求項10之方法，其包含(111)設定用於該光輸出系統的一目標使用壽命，其中選擇該第一數目之光源及該工作循環考慮到該目標使用壽命。
如請求項11之方法，其中該工作循環導致該等光源具有等於或超過該目標使用壽命的一使用壽命。
如請求項11或12之方法，其包含判定用於該光輸出系統之一安裝成本、用於運行該光輸出系統之一能量成本、及用於在該目標使用壽命期間維修該光輸出系統之一維修成本，其中選擇該第一數目之光源及該工作循環係基於該安裝成本、該能量成本、及該維修成本。
如請求項12之方法，其中該方法包含選擇該第一數目之光源及該工作循環以最佳化一總成本。
一種包含電腦程式代碼構件之電腦程式，當該程式在一電腦上運行時，該電腦程式代碼構件經調適以實施如請求項11至14中任一項之方法。
一種用於人力車輛(2)的栓塞裝置(12；212；312)，包括： <br/> 栓塞(54；254；354)，被建構成可拆卸地附接到液壓裝置(14)的附接孔(32；333)，以封閉該附接孔(32；333)；以及 <br/> 保持器(56；256；356)，被建構成將該栓塞(54；254；354)可拆卸地耦接到該液壓裝置(14)，以維持其中該栓塞(54；254；354)關閉該附接孔(32；333)的關閉狀態。
根據請求項1所述的用於人力車輛(2)的栓塞裝置(12；212；312)，其中，該附接孔(32；333)為軟管附接孔(32)。
根據請求項1或2所述的用於人力車輛(2)的栓塞裝置(12；212；312)，其中，該保持器(56；256；356)包括第一接觸表面(58；258、259)，該第一接觸表面(58；258、259)在保持狀態中可與該液壓裝置(14)的接合部件(38)接觸，在該保持狀態下該保持器(56；256；356)將該栓塞(54；254；354)耦接到該液壓裝置(14)以保持該關閉狀態。
根據請求項3所述的用於人力車輛(2)的栓塞裝置(12；212；312)，其中，該栓塞(54；254；354)具有縱向中心軸線並沿該縱向中心軸線延伸，該栓塞(54；254；354)被建構成在沿著該縱向中心軸線所定義的第一方向上從該軟管附接孔(32)移除， <br/> 該栓塞(54；254；354)被建構成在沿著該縱向中心軸線所定義的第二方向上插入該軟管附接孔(32)中，該第二方向是該第一方向的相反方向，以及 <br/> 該第一接觸表面(58；258、259)被建構成在該保持狀態下面向該第一方向。
根據請求項4所述的用於人力車輛(2)的栓塞裝置(12；212；312)，其中，該保持器(56；256；356)包括第一接合部件(60；260、261)，該第一接合部件(60；260、261)被建構成在該保持狀態下與該液壓裝置(14)的該接合部件(38)接合，並且 <br/> 該第一接合部件(60；260、261)包括該第一接觸表面(58；258、259)。
根據請求項5所述的用於人力車輛(2)的栓塞裝置(12；212；312)，其中，該第一接合部件(60；260、261)包括第一開口(60A)，該栓塞(54；254；354)在該保持狀態下提供在該第一開口(60A)中。
根據請求項5所述的用於人力車輛(2)的栓塞裝置(12；212；312)，其中，該第一接合部件(60；260、261)周向地延伸以定義該第一開口(60A)。
根據請求項7所述的用於人力車輛(2)的栓塞裝置(12；212；312)，其中，該第一接合部件(60；260、261)包括第一周向端(60B)及第一附加周向端(60c)，並且 <br/> 該第一接合部件(60；260、261)在該第一周向端(60B)及該第一附加周向端(60c)之間周向延伸以定義該第一開口(60A)。
根據請求項8所述的用於人力車輛(2)的栓塞裝置(12；212；312)，其中，該第一周向端(60B)與該第一附加周向端(60c)間隔開以在該第一周向端(60B)及該第一附加周向端(60c)之間定義第一空間(60S)。
根據請求項9所述的用於人力車輛(2)的栓塞裝置(12；212；312)，其中，該第一開口(60A)具有第一內徑， <br/> 該第一空間(60S)具有定義在該第一周向端(60B)及該第一附加周向端(60c)之間的第一距離，並且 <br/> 該第一距離小於或等於該第一內徑。
根據請求項10所述的用於人力車輛(2)的栓塞裝置(12；212；312)，其中，該第一接合部件(60；260、261)被建構成可彈性變形以改變該第一距離。
根據請求項4所述的用於人力車輛(2)的栓塞裝置(12；212；312)，其中，該保持器(56；256；356)包括在該保持狀態下可與該栓塞(54；254；354)接觸的第二接觸表面(62)，並且 <br/> 該栓塞(54；254；354)包括在該保持狀態下可與該第二接觸表面(62)接觸的第三接觸表面(64)。
根據請求項12所述的用於人力車輛(2)的栓塞裝置(12；212；312)，其中，該第二接觸表面(62)被建構成在該保持狀態下面向該第二方向， <br/> 該第三接觸表面(64)被建構成在該保持狀態下面向該第一方向。
根據請求項12所述的用於人力車輛(2)的栓塞裝置(12；212；312)，其中，該第一接觸表面(58；258、259)被建構成在該保持狀態下在該第一方向上面朝該第二接觸表面(62)，並且 <br/> 該第二接觸表面(62)被建構成在該保持狀態下在該第二方向上面朝該第一接觸表面(58；258、259)。
根據請求項12所述的用於人力車輛(2)的栓塞裝置(12；212；312)，其中，該保持器(56；256；356)包括第二接合部件(66)，該第二接合部件(66)被建構成在該保持狀態下與該栓塞(54；254；354)接合，並且 <br/> 該第二接合部件(66)包括該第二接觸表面(62)。
根據請求項15所述的用於人力車輛(2)的栓塞裝置(12；212；312)，其中，該第二接合部件(66)包括第二開口(66A)，該栓塞(54；254；354)在該保持狀態下提供在該第二開口(66A)中。
根據請求項15所述的用於人力車輛(2)的栓塞裝置(12；212；312)，其中，該第二接合部件(66)周向地延伸以定義該第二開口(66A)。
根據請求項17所述的用於人力車輛(2)的栓塞裝置(12；212；312)，其中，該第二接合部件(66)包括第二周向端(66B)及第二附加周向端(66C)，並且 <br/> 該第二接合部件(66)在該第二周向端(66B)及該第二附加周向端(66C)之間周向延伸以定義該第二開口(66A)。
根據請求項18所述的用於人力車輛(2)的栓塞裝置(12；212；312)，其中，該第二周向端(66B)與該第二附加周向端(66C)間隔開，以在該第二周向端(66B)及該第二附加周向端(66C)之間定義第二空間(66S)。
根據請求項19所述的用於人力車輛(2)的栓塞裝置(12；212；312)，其中，該第二開口(66A)具有第二內徑， <br/> 該第二空間(66S)具有定義在該第二周向端(66B)及該第二附加周向端(66C)之間的第二距離，並且 <br/> 該第二距離小於或等於該第二內徑。
根據請求項15所述的用於人力車輛(2)的栓塞裝置(12；212；312)，其中，該保持器(56；256；356)包括中間部件(75；280、281)，該中間部件被建構成將該第一接合部件(60；260、261)耦接到該第二接合部件(66)。
根據請求項21所述的用於人力車輛(2)的栓塞裝置(12；212；312)，其中，該保持器(56；256；356)包括凸片(76)，該凸片(76)從該中間部件(75；280、281)遠離該縱向中心軸線而突出。
根據請求項12所述的用於人力車輛(2)的栓塞裝置(12；212；312)，其中，該栓塞(54；254；354)包括： <br/> 沿該縱向中心軸線延伸的栓塞體(70)，以及 <br/> 接合突起(72)，相對於該縱向中心軸線從該栓塞體(70)徑向向外延伸，且 <br/> 該接合突起(72)包括該第三接觸表面(64)。
根據請求項23所述的用於人力車輛(2)的栓塞裝置(12；212；312)，其中，該接合突起(72)圍繞該縱向中心軸線周向地延伸。
根據請求項23所述的用於人力車輛(2)的栓塞裝置(12；212；312)，其中，該接合突起(72)具有環形形狀。
根據請求項1或2所述的用於人力車輛(2)的栓塞裝置(12；212；312)，其中，該保持器(56；256；356)是與該栓塞(54；254；354)分開的構件。
根據請求項1或2所述的用於人力車輛(2)的栓塞裝置(12；212；312)，其中，該保持器(56；256；356)與該栓塞(54；254；354)一體地提供為一件式整體構件。
根據請求項27所述的用於人力車輛(2)的栓塞裝置(12；212；312)，其中，該保持器(56；256；356)包括中間部件(75；280、281)，該中間部件被建構成將該第一接合部件(60；260、261)耦接到該栓塞體(70)。
根據請求項28所述的用於人力車輛(2)的栓塞裝置(12；212；312)，其中，該第一接合部件(60；260、261)相對於該縱向中心軸線提供在該栓塞體(70)的徑向外側，並且 <br/> 該中間部件(75；280、281)從該栓塞體(70)徑向向外延伸到該第一接合部件(60；260、261)。
根據請求項28所述的用於人力車輛(2)的栓塞裝置(12；212；312)，其中，該第一接合部件(60；260、261)與該栓塞體(70)間隔開，以定義該第一接合部件(60；260、261)及該栓塞體(70)之間所定義的距離，並且 <br/> 該第一接合部件(60；260、261)及該中間部件(75；280、281)中的至少一個被建構成可彈性變形，以改變定義在該第一接合部件(60；260、261)及該栓塞體(70)之間的該距離。
根據請求項28所述的用於人力車輛(2)的栓塞裝置(12；212；312)，其中，該保持器(56；256；356)包括凸片(76)，該凸片(76)從該第一接合部件(60；260、261)及該中間部件(75；280、281)中的至少一個遠離該第一接觸表面(58；258、259)突出。
根據請求項1或2所述的用於人力車輛(2)的栓塞裝置(12；212；312)，進一步包括密封構件(74)，附接到該栓塞(54；254；354)。
根據請求項31所述的用於人力車輛(2)的栓塞裝置(12；212；312)，其中，該栓塞(54；254；354)包括環形槽(54A)，及 <br/> 該密封構件(74)被建構成提供在該環形槽(54A)內。
根據請求項1或2所述的用於人力車輛(2)的栓塞裝置(12；212；312)，其中，該栓塞(54；254；354)具有縱向中心軸線並沿該縱向中心軸線延伸， <br/> 該保持器(56；256；356)具有在沿該縱向中心軸線所定義的軸向上定義的軸向長度， <br/> 參考平面被定義為在該軸向上二分該軸向長度， <br/> 該保持器(56；256；356)相對於垂直於該縱向中心軸線的該參考平面具有不對稱形狀。
一種用於人力車輛(2)的液壓設備，包括： <br/> 根據請求項1至34中任一項的該栓塞裝置(12；212；312)，以及 <br/> 該液壓裝置(14)。
一種吸收衝擊或吸收振動減震器之組件，其包含： 具有一頂表面之一金屬基底及一底表面，該金屬基底在該頂表面及該底表面之間有一厚度，該頂表面具有自該金屬基底之該頂表面延伸並通過該金屬基底的該厚度之一第一部分，至在該頂表面下方之至少一個中空腔室的至少一個孔口，該中空腔室延伸通過該金屬基底的該厚度之一第二部分，並佔據整個該金屬基底的該厚度的該第二部分、平行於該頂表面之該金屬基底的一平面面積，其大於整個該金屬基底的該厚度之該第一部分中，由該孔口佔據的該金屬基底之一平面面積，使得該孔口及該中空腔室形成一幾何組態，該幾何組態在整個該金屬基底的該厚度的該第一部分中被該孔口佔據的該平面面積，與在整個金屬基底的該厚度的該第二部分中被該中空腔室佔據的該平面面積之間具有一階段；及<br/>一吸收衝擊或吸收振動之彈性減震器材料，其歸因於使該彈性材料填充該金屬基底之該孔口及該中空腔室，且使該彈性材料填充該金屬基底之該頂表面上方的一區域而固定至該金屬基底，該區域具有平行於該金屬基底之該頂表面的一截面積，其大於整個該金屬基底的該厚度之該第一部分中，由該孔口在佔據的該金屬基底之該平面面積。
如請求項1之組件，其中該金屬基底為一板。
如請求項1之組件，其中該金屬基底之該頂表面為實質上平面的。
如請求項1之組件，其中該金屬基底之該底表面為實質上平面的。
如請求項1之組件，其中該中空腔室自該孔口延伸至該金屬基底之該底表面。
如請求項5之組件，其中該中空腔室內之該彈性材料具有與該金屬基底之該底表面齊平之一底表面。
如請求項1之組件，其中該至少一個孔口為一複數個孔口且該至少一個中空腔室為一複數個中空腔室，且其中該複數個孔口自該金屬基底之該頂表面延伸至該複數個中空腔室中之各別一者。
一種吸收衝擊或吸收振動之組件，其包含：<br/>具有一頂表面之一金屬基底，該頂表面具有自該金屬基底之該頂表面延伸至在該頂表面下方之至少一個中空腔室的至少一個孔口，該中空腔室佔據平行於該頂表面之該金屬基底的一平面面積，其大於由該孔口在該頂表面處佔據的該金屬基底之一平面面積；及<br/>一吸收衝擊或吸收振動之彈性材料，其歸因於使該彈性材料填充該金屬基底之該孔口及該中空腔室，且使該彈性材料填充該金屬基底之該頂表面上方的一區域而固定至該金屬基底，該區域具有平行於該金屬基底之該頂表面的一截面積，其大於由該孔口在該金屬基底之該頂表面處佔據的該金屬基底之該平面面積；<br/>其中由該孔口在該金屬基底之該頂表面處佔據的該金屬基底之該平面面積具有一橢圓形狀，且由該中空腔室佔據之平行於該頂表面的該金屬基底之該平面面積具有一更大的橢圓形狀。
如請求項1之組件，其中該金屬基底包含用於將該金屬基底固定在一固定位置的至少一個緊固孔。
如請求項1之組件，其中由該孔口佔據之該平面面積及由該中空腔室佔據之該平面面積經選擇，以使得位於該中空腔室中之該彈性材料將不會穿過該孔口或由於該彈性材料之拉伸強度，不會因在該組件所經歷之撞擊或振動力下發生斷裂而剪切斷。
一種將一吸收衝擊或吸收振動之彈性減震器材料固定至一金屬基底之方法，其包含：<br/>提供具有一頂表面之一金屬基底及一底表面，該金屬基底在該頂表面及該底表面之間有一厚度，該頂表面具有自該金屬基底之該頂表面延伸並通過該金屬基底的該厚度之一第一部分，至在該頂表面下方之至少一個中空腔室的至少一個孔口，該中空腔室延伸通過該金屬基底的該厚度之一第二部分，並佔據整個該金屬基底的該厚度的該第二部分、平行於該頂表面之該金屬基底的一平面面積，其大於整個該金屬基底的該厚度之該第一部分中，由該孔口佔據的該金屬基底之一平面面積，使得該孔口及該中空腔室形成一幾何組態，該幾何組態在整個該金屬基底的該厚度的該第一部分中被該孔口佔據的該平面面積，與在整個該金屬基底的該厚度的該第二部分中被該中空腔室佔據的該平面面積一階段；<br/>提供具有待填充有吸收衝擊或吸收振動之彈性減震器材料的一中空空間之一模具；<br/>抵靠該模具置放該金屬基底；<br/>將該彈性材料注射至該金屬基底之該中空腔室及孔口中且注射至該模具之該中空空間中；及<br/>自該金屬基底移除該模具，以使得該彈性材料歸因於使該彈性材料填充該金屬基底之該孔口及該中空腔室，且使該彈性材料填充該金屬基底之該頂表面上方的一區域而固定至該金屬基底，該區域對應於該模具之該中空空間且具有平行於該金屬基底之該頂表面的一截面積，其大於整個該金屬基底的該厚度之該第一部分中，由該孔口在佔據的該金屬基底之該平面面積。
如請求項11之方法，其中該金屬基底具有一底表面，且該中空腔室自該孔口延伸至該金屬基底之該底表面。
一種將吸收衝擊或吸收振動之彈性材料固定至金屬基底之方法，其進一步包含：<br/>具有一頂表面之一金屬基底，該頂表面具有自該金屬基底之該頂表面延伸至在該頂表面下方之至少一個中空腔室的至少一個孔口，該中空腔室佔據平行於該頂表面之該金屬基底的一平面面積，其大於由該孔口在該頂表面處佔據的該金屬基底之一平面面積；<br/>提供具有待填充有吸收衝擊或吸收振動之彈性材料的一中空空間之一模具；<br/>抵靠該模具置放該金屬基底；<br/>將該彈性材料注射至該金屬基底之該中空腔室及孔口中且注射至該模具之該中空空間中；<br/>自該金屬基底移除該模具，以使得該彈性材料歸因於使該彈性材料填充該金屬基底之該孔口及該中空腔室，且使該彈性材料填充該金屬基底之該頂表面上方的一區域而固定至該金屬基底，該區域對應於該模具之該中空空間且具有平行於該金屬基底之該頂表面的一截面積，其大於由該孔口在該金屬基底之該頂表面處佔據的該金屬基底之該平面面積；及<br/>提供具有一中空通道之一注射澆流工具，經由該中空通道可注射該彈性材料；<br/>其中抵靠該模具置放該金屬基底之步驟包含將該金屬基底置放於該模具與該注射澆流工具之間；<br/>其中注射該彈性材料的步驟包含經由該注射澆流工具中的一通道將該彈性材料注射至該金屬基底之該中空腔室及孔口中且注射至該模具之該中空空間中；及<br/>其中自該金屬基底移除該模具的步驟進一步包含自該金屬基底移除該注射澆流工具。
如請求項13之方法，其進一步包含在該注射澆流工具已自該金屬基底移除之後移除該彈性材料之一填充澆口部分。
如請求項14之方法，其中該金屬基底具有一底表面，且該中空腔室自該孔口延伸至該金屬基底之該底表面，且其中在移除該填充澆口部分之步驟之後，該中空腔室中之該彈性材料具有與該金屬基底之該底表面齊平的一底表面。
一種將吸收衝擊或吸收振動之彈性材料固定至金屬基底之方法，其包含：<br/>具有一頂表面之一金屬基底，該頂表面具有自該金屬基底之該頂表面延伸至在該頂表面下方之至少一個中空腔室的至少一個孔口，該中空腔室佔據平行於該頂表面之該金屬基底的一平面面積，其大於由該孔口在該頂表面處佔據的該金屬基底之一平面面積；<br/>提供具有待填充有吸收衝擊或吸收振動之彈性材料的一中空空間之一模具；<br/>抵靠該模具置放該金屬基底；<br/>將該彈性材料注射至該金屬基底之該中空腔室及孔口中且注射至該模具之該中空空間中；及<br/>自該金屬基底移除該模具，以使得該彈性材料歸因於使該彈性材料填充該金屬基底之該孔口及該中空腔室，且使該彈性材料填充該金屬基底之該頂表面上方的一區域而固定至該金屬基底，該區域對應於該模具之該中空空間且具有平行於該金屬基底之該頂表面的一截面積，其大於由該孔口在該金屬基底之該頂表面處佔據的該金屬基底之該平面面積；<br/>其中該模具包含一通風通道。
如請求項11之方法，其中該金屬基底為一板。
如請求項11之方法，其中該至少一個孔口為一複數個孔口且該至少一個中空腔室為一複數個中空腔室，且其中該複數個孔口自該金屬基底之該頂表面延伸至該複數個中空腔室中之各別一者。
如請求項11之方法，其中由該孔口在該金屬基底之該頂表面處佔據的該金屬基底之該平面面積具有一橢圓形狀，且由該中空腔室佔據之平行於該頂表面的該金屬基底之該平面面積具有一更大的橢圓形狀。
如請求項11之組件，其中由該孔口佔據之該平面面積及由該中空腔室佔據之該平面面積經選擇，以使得位於該中空腔室中之該彈性材料將不會穿過該孔口或由於該彈性材料之拉伸強度，不會因在該組件所經歷之撞擊或振動力下發生斷裂而剪切斷。
一種毛髮化妝料，其含有下述成分(A)～(C)，且上述成分(C)包含下述成分(C1)及(C2)這兩者，上述成分(A)相對於上述成分(B)之質量比((A)/(B))為0.04以上且1.2以下： <br/>(A)選自交聯型聚丙烯酸及(丙烯酸酯/丙烯酸烷基(C10-30)酯)交聯聚合物中之至少一種陰離子性聚合物 <br/>(B)陰離子性界面活性劑 <br/>(C)具有纖維素骨架之陽離子性聚合物 <br/>(C1)疏水性陽離子化羥乙基纖維素 <br/>(C2)上述(C1)以外之具有纖維素骨架之陽離子性聚合物。
如請求項1之毛髮化妝料，其中上述成分(C2)相對於上述成分(C1)之質量比((C2)/(C1))為0.20以上且2.5以下。
如請求項1或2之毛髮化妝料，其中上述成分(A)之含量為0.01質量%以上且5.0質量%以下。
如請求項1或2之毛髮化妝料，其中上述成分(B)之含量為0.1質量%以上且10質量%以下。
如請求項1或2之毛髮化妝料，其中上述成分(C)之含量為0.05質量%以上且10.0質量%以下。
如請求項1或2之毛髮化妝料，其中上述成分(A)相對於上述成分(C)之質量比((A)/(C))為0.05以上且2.5以下。
如請求項6之毛髮化妝料，其中上述成分(A)相對於上述成分(C)之質量比((A)/(C))為0.1以上且1.2以下。
一種毛髮處理方法，其具有：將如請求項1至7中任一項之毛髮化妝料應用於毛髮之步驟；及用水清洗應用了上述毛髮化妝料之毛髮之步驟。
一種式II所示的化合物或其可藥用鹽，<figure><img align="absmiddle" height="197px" width="243px" file="d10027.TIF" alt="化學式ed10027.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10027.png"/></figure>其中，R<sup>2</sup>各自獨立地選自C<sub>1-6</sub>烷基或C<sub>1-6</sub>烷氧基，該C<sub>1-6</sub>烷基和C<sub>1-6</sub>烷氧基視需要被一個或多個R<sup>A2</sup>所取代；R<sup>A2</sup>各自獨立地選自氘、鹵素、羥基、硝基、胺基、氰基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>3-7</sub>環烷基、3至7員雜環烷基、C<sub>3-7</sub>環烷氧基、3至7員雜環烷氧基、C<sub>6-10</sub>芳基和5至10員雜芳基，該烷基、烷氧基、環烷基、雜環烷基、環烷氧基、雜環烷氧基、芳基和雜芳基各自獨立地視需要被選自氘、鹵素、羥基、側氧、硝基、氰基和胺基的一個或多個取代基所取代；R<sup>3</sup>各自獨立地選自C<sub>1-6</sub>烷基，該烷基各自獨立地視需要被選自氘、鹵素、羥基、側氧、硝基、氰基和胺基的一個或多個取代基所取代；o選自0、1、2、3和4；E<sup>1</sup>為-(CH<sub>2</sub>)<sub>q</sub>-；q選自1、2、3和4；E<sup>2</sup>為單鍵；m選自0、1、2、3和4；n選自0、1、2、3和4；L選自-N(R<sup>6</sup>)-、-N(R<sup>6</sup>)C(O)-、-C(O)N(R<sup>6</sup>)-、-S-、-OC(O)-、-C(O)O-、-C(O)N(R<sup>6</sup>)CH<sub>2</sub>-、-N(R<sup>6</sup>)C(O)CH<sub>2</sub>-、-NHS(O)<sub>2</sub>-、-S(O)<sub>2</sub>NH-和單鍵；R<sup>6</sup>選自氫、羥基和C<sub>1-3</sub>烷基，該烷基視需要被選自氘、鹵素、羥基、側氧、硝基、胺基和氰基的一個或多個取代基所取代；環Cy為<img align="absmiddle" height="68px" width="73px" file="d10081.TIF" alt="其他非圖式ed10081.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10081.png"/>，該<img align="absmiddle" height="64px" width="72px" file="d10082.TIF" alt="其他非圖式ed10082.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10082.png"/>視需要被一個或多個R<sup>A3</sup>所取代；R<sup>A3</sup>各自獨立地選自氘、鹵素、羥基、硝基、氰基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-7</sub>環烷基、3至7員雜環烷基、6至10員芳基、5至10員雜芳基、SR'、SOR'、SO<sub>2</sub>R'、SO<sub>2</sub>NR'(R")、NR'(R")、COOR'和CONR'(R")，該烷基、環烷基、雜環烷基、芳基和雜芳基各自獨立地視需要被選自氘、鹵素、羥基、側氧、硝基、氰基和胺基的一個或多個取代基所取代；並且R'和R"各自獨立地選自氫、氘、羥基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-7</sub>環烷基、3至7員雜環烷基、C<sub>6-10</sub>芳基和5至10員雜芳基，該烷基、環烷基、雜環烷基、芳基和雜芳基各自獨立地視需要被選自氘、鹵素、羥基、側氧、硝基、氰基和胺基的一個或多個取代基所取代。
如請求項1所述的化合物或其可藥用鹽，其中E<sup>1</sup>為-(CH<sub>2</sub>)q-，q為1或2；並且E<sup>2</sup>為單鍵。
如請求項1所述的化合物或其可藥用鹽，其中m為1或2。
如請求項1所述的化合物或其可藥用鹽，其中R<sup>A3</sup>各自獨立地選自氘、鹵素、羥基、胺基和C<sub>1-6</sub>烷基，該烷基視需要被選自氘、鹵素、羥基、側氧、硝基、氰基和胺基的一個或多個取代基所取代。
如請求項1所述的化合物或其可藥用鹽，其中L選自-N(R<sup>6</sup>)-、-N(R<sup>6</sup>)C(O)-、-C(O)N(R<sup>6</sup>)-、-NHS(O)<sub>2</sub>-和單鍵，R<sup>6</sup>如請求項1中所定義。
如請求項1所述的化合物或其可藥用鹽，其中L選自-N(R<sup>6</sup>)C(O)-、-C(O)N(R<sup>6</sup>)-和單鍵，R<sup>6</sup>如請求項1中所定義。
如請求項1所述的化合物或其可藥用鹽，其為式IV所示的化合物或其可藥用鹽，<figure><img align="absmiddle" height="202px" width="244px" file="d10028.TIF" alt="化學式ed10028.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10028.png"/></figure>其中，R<sup>4</sup>選自氫、C<sub>1-6</sub>烷基和C<sub>3-7</sub>環烷基，該烷基和環烷基各自獨立地視需要被選自氘、鹵素、羥基、側氧、硝基、氰基和胺基的一個或多個取代基所取代；R<sup>5</sup>各自獨立地選自氘、鹵素、羥基、硝基、氰基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-7</sub>環烷基、3至7員雜環烷基、6至10員芳基和5至10員雜芳基，該烷基、環烷基、雜環烷基、芳基和雜芳基各自獨立地視需要被選自氘、鹵素、羥基、側氧、硝基、氰基和胺基的一個或多個取代基所取代；p選自0、1、2、3和4；R<sup>2</sup>、m和n如請求項1中所定義，並且R<sup>3</sup>和o如請求項1中所定義。
如請求項7所述的化合物或其可藥用鹽，其中R<sup>4</sup>為氫或C<sub>1-6</sub>烷基，該烷基視需要被選自鹵素、羥基和胺基的一個或多個取代基所取代；並且R<sup>5</sup>各自獨立地選自氘、鹵素、羥基、硝基和氰基。
如請求項1所述的化合物或其可藥用鹽，其為式V所示的化合物或其可藥用鹽，<figure><img align="absmiddle" height="193px" width="270px" file="d10029.TIF" alt="化學式ed10029.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10029.png"/></figure>其中，R<sup>7</sup>選自C<sub>1-6</sub>烷基，該C<sub>1-6</sub>烷基視需要被一個或多個R<sup>A4</sup>所取代；R<sup>A4</sup>選自氘、鹵素、羥基、側氧、硝基、胺基、氰基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>3-7</sub>環烷基、3至7員雜環烷基、C<sub>6-10</sub>芳基和5至10員雜芳基，該烷基、烷氧基、環烷基和雜環烷基各自獨立地視需要被選自氘、鹵素、羥基、側氧、硝基、氰基和胺基的一個或多個取代基所取代；R<sup>8</sup>選自C<sub>1-6</sub>烷基，該烷基視需要被一個或多個R<sup>A5</sup>所取代；R<sup>A5</sup>選自氘、鹵素、羥基、側氧、硝基、胺基、氰基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>3-7</sub>環烷基、3至7員雜環烷基、C<sub>6-10</sub>芳基和5至10員雜芳基，該烷基、烷氧基、環烷基和雜環烷基各自獨立地視需要被選自氘、鹵素、羥基、側氧、硝基、氰基和胺基的一個或多個取代基所取代；m如請求項1中所定義；R<sup>3</sup>和o如請求項1中所定義；R<sup>4</sup>選自氫、C<sub>1-6</sub>烷基和C<sub>3-7</sub>環烷基，該烷基和環烷基各自獨立地視需要被選自氘、鹵素、羥基、側氧、硝基、氰基和胺基的一個或多個取代基所取代；R<sup>5</sup>各自獨立地選自氘、鹵素、羥基、硝基、氰基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-7</sub>環烷基、3至7員雜環烷基、6至10員芳基和5至10員雜芳基，該烷基、環烷基、雜環烷基、芳基和雜芳基各自獨立地視需要被選自氘、鹵素、羥基、側氧、硝基、氰基和胺基的一個或多個取代基所取代；並且p選自0、1、2、3和4。
如請求項1所述的化合物或其可藥用鹽，其中該化合物選自：<figure><img align="absmiddle" height="524px" width="634px" file="d10030.TIF" alt="化學式ed10030.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10030.png"/></figure>
一種醫藥組成物，其包含至少一種治療有效量的如請求項1至10中任一項所述的化合物或其可藥用鹽以及藥學上可接受的賦形劑。
一種如請求項1至10中任一項所述的化合物或其可藥用鹽或如請求項11所述的醫藥組成物在製備用於預防和/或治療與PDE相關病症的藥物中的用途。
一種如請求項1至10中任一項所述的化合物或其可藥用鹽或如請求項11所述的醫藥組成物在製備用於預防和/或治療氣喘、阻塞性肺病、敗血病、腎炎、糖尿病、變應性鼻炎、變應性結膜炎、潰瘍性腸炎或風濕病的藥物中的用途。
一種攝像裝置，其具備：複數個像素，其等各自具有光電轉換部； <br/>浮動擴散區，其輸出與由上述像素內之上述光電轉換部進行光電轉換後之電荷對應之電壓； <br/>電流放大部，其將與上述浮動擴散區之電壓對應之電流放大； <br/>記憶部，其記憶與由上述電流放大部放大之電流對應之信號； <br/>類比-數位轉換器，其設置於包含上述複數個像素內之2個以上之上述像素之每個區域像素，將與上述區域像素內之上述2個以上之像素對應之2個以上之上述記憶部中記憶之信號轉換為數位信號； <br/>積層之複數個區域，其等供配置上述複數個像素內之複數個上述光電轉換部、複數個上述類比-數位轉換器、複數個上述浮動擴散區、複數個上述電流放大部及複數個上述記憶部；及 <br/>信號傳送部，其於上述複數個區域之間進行信號之收發；且 <br/>上述複數個區域中配置上述複數個光電轉換部之區域與配置上述複數個電流放大部之區域分開設置； <br/>上述區域像素內之配置上述複數個光電轉換部之區域、與配置上述複數個電流放大部之區域經由各自對應之上述信號傳送部收發上述複數個浮動擴散區之電壓； <br/>其中上述複數個電流放大部、上述複數個記憶部及上述複數個類比-數位轉換器配置於上述複數個區域中之同一區域； <br/>其中上述複數個電流放大部、上述複數個記憶部及上述複數個類比-數位轉換器配置於上述同一區域內之同一層； <br/>其中屬於同一上述區域像素之2個以上之上述電流放大部與2個以上之上述記憶部沿對應之上述類比-數位轉換器之對向之兩條邊對稱配置。
一種攝像裝置，其具備：複數個像素，其等各自具有光電轉換部； <br/>浮動擴散區，其輸出與由上述像素內之上述光電轉換部進行光電轉換後之電荷對應之電壓； <br/>電流放大部，其將與上述浮動擴散區之電壓對應之電流放大； <br/>記憶部，其記憶與由上述電流放大部放大之電流對應之信號； <br/>類比-數位轉換器，其設置於包含上述複數個像素內之2個以上之上述像素之每個區域像素，將與上述區域像素內之上述2個以上之像素對應之2個以上之上述記憶部中記憶之信號轉換為數位信號； <br/>積層之複數個區域，其等供配置上述複數個像素內之複數個上述光電轉換部、複數個上述類比-數位轉換器、複數個上述浮動擴散區、複數個上述電流放大部及複數個上述記憶部；及 <br/>信號傳送部，其於上述複數個區域之間進行信號之收發；且 <br/>上述複數個區域中配置上述複數個光電轉換部之區域與配置上述複數個電流放大部之區域分開設置； <br/>上述區域像素內之配置上述複數個光電轉換部之區域、與配置上述複數個電流放大部之區域經由各自對應之上述信號傳送部收發上述複數個浮動擴散區之電壓； <br/>其中上述複數個電流放大部、上述複數個記憶部及上述複數個類比-數位轉換器配置於上述複數個區域中之同一區域； <br/>其中上述複數個電流放大部及上述複數個類比-數位轉換器、與上述複數個記憶部配置於上述同一區域內之互不相同之層。
如請求項2之攝像裝置，其中上述複數個記憶部配置於上述同一區域內之配線層。
一種攝像裝置，其具備：複數個像素，其等各自具有光電轉換部； <br/>浮動擴散區，其輸出與由上述像素內之上述光電轉換部進行光電轉換後之電荷對應之電壓； <br/>電流放大部，其將與上述浮動擴散區之電壓對應之電流放大； <br/>記憶部，其記憶與由上述電流放大部放大之電流對應之信號； <br/>類比-數位轉換器，其設置於包含上述複數個像素內之2個以上之上述像素之每個區域像素，將與上述區域像素內之上述2個以上之像素對應之2個以上之上述記憶部中記憶之信號轉換為數位信號； <br/>積層之複數個區域，其等供配置上述複數個像素內之複數個上述光電轉換部、複數個上述類比-數位轉換器、複數個上述浮動擴散區、複數個上述電流放大部及複數個上述記憶部；及 <br/>信號傳送部，其於上述複數個區域之間進行信號之收發；且 <br/>上述複數個區域中配置上述複數個光電轉換部之區域與配置上述複數個電流放大部之區域分開設置； <br/>上述區域像素內之配置上述複數個光電轉換部之區域、與配置上述複數個電流放大部之區域經由各自對應之上述信號傳送部收發上述複數個浮動擴散區之電壓；且 <br/>其更具有：第1區域，其供上述複數個光電轉換部配置；及 <br/>第2區域，其供上述複數個電流放大部、上述複數個記憶部及上述複數個類比-數位轉換器配置；且 <br/>上述第1區域與上述第2區域對每個上述像素，經由互不相同之上述信號傳送部收發上述複數個浮動擴散區之電壓。
如請求項4之攝像裝置，其更具備：第1基板，其具有上述第1區域；及 <br/>第2基板，其具有上述第2區域；且 <br/>上述第1基板與上述第2基板對每個上述像素，經由互不相同之上述信號傳送部收發上述浮動擴散區之電壓。
一種攝像裝置，其具備：複數個像素，其等各自具有光電轉換部； <br/>浮動擴散區，其輸出與由上述像素內之上述光電轉換部進行光電轉換後之電荷對應之電壓； <br/>電流放大部，其將與上述浮動擴散區之電壓對應之電流放大； <br/>記憶部，其記憶與由上述電流放大部放大之電流對應之信號； <br/>類比-數位轉換器，其設置於包含上述複數個像素內之2個以上之上述像素之每個區域像素，將與上述區域像素內之上述2個以上之像素對應之2個以上之上述記憶部中記憶之信號轉換為數位信號； <br/>積層之複數個區域，其等供配置上述複數個像素內之複數個上述光電轉換部、複數個上述類比-數位轉換器、複數個上述浮動擴散區、複數個上述電流放大部及複數個上述記憶部；及 <br/>信號傳送部，其於上述複數個區域之間進行信號之收發；且 <br/>上述複數個區域中配置上述複數個光電轉換部之區域與配置上述複數個電流放大部之區域分開設置； <br/>上述區域像素內之配置上述複數個光電轉換部之區域、與配置上述複數個電流放大部之區域經由各自對應之上述信號傳送部收發上述複數個浮動擴散區之電壓； <br/>其中上述複數個光電轉換部、上述複數個電流放大部及上述複數個記憶部、上述複數個類比-數位轉換器配置於上述複數個區域中互不相同之區域。
如請求項6之攝像裝置，其中上述複數個區域具有： <br/>第1區域，其供上述複數個光電轉換部配置； <br/>第2區域，其供上述複數個電流放大部及上述複數個記憶部配置；及 <br/>第3區域，其供上述複數個類比-數位轉換器配置；且 <br/>上述第1區域與上述第2區域對每個上述像素，經由互不相同之上述信號傳送部收發上述複數個浮動擴散區之電壓。
如請求項7之攝像裝置，其中上述複數個電流放大部及上述複數個記憶部配置於上述第2區域內之同一層。
如請求項7之攝像裝置，其更具備：第1基板，其供上述第1區域及上述第2區域積層；及 <br/>第2基板，其具有上述第3區域；且 <br/>上述第1基板與上述第2基板對每個上述像素，經由互不相同之上述信號傳送部，收發記憶於上述複數個記憶部之信號。
一種攝像裝置，其具備：複數個像素，其等各自具有光電轉換部； <br/>浮動擴散區，其輸出與由上述像素內之上述光電轉換部進行光電轉換後之電荷對應之電壓； <br/>電流放大部，其將與上述浮動擴散區之電壓對應之電流放大； <br/>記憶部，其記憶與由上述電流放大部放大之電流對應之信號； <br/>類比-數位轉換器，其設置於包含上述複數個像素內之2個以上之上述像素之每個區域像素，將與上述區域像素內之上述2個以上之像素對應之2個以上之上述記憶部中記憶之信號轉換為數位信號； <br/>積層之複數個區域，其等供配置上述複數個像素內之複數個上述光電轉換部、複數個上述類比-數位轉換器、複數個上述浮動擴散區、複數個上述電流放大部及複數個上述記憶部；及 <br/>信號傳送部，其於上述複數個區域之間進行信號之收發；且 <br/>上述複數個區域中配置上述複數個光電轉換部之區域與配置上述複數個電流放大部之區域分開設置； <br/>上述區域像素內之配置上述複數個光電轉換部之區域、與配置上述複數個電流放大部之區域經由各自對應之上述信號傳送部收發上述複數個浮動擴散區之電壓； <br/>其中上述複數個光電轉換部、上述複數個電流放大部、上述複數個記憶部、及上述複數個類比-數位轉換器配置於上述複數個區域中互不相同之區域。
如請求項10之攝像裝置，其中上述複數個區域具有： <br/>第1區域，其供上述複數個光電轉換部配置； <br/>第2區域，其供上述複數個電流放大部配置； <br/>第3區域，其供上述複數個記憶部配置；及 <br/>第4區域，其供上述複數個類比-數位轉換器配置；且 <br/>上述第1區域與上述第2區域對每個上述像素，經由互不相同之上述信號傳送部收發上述複數個浮動擴散區之電壓。
如請求項11之攝像裝置，其更具備：第1基板，其供上述第1區域、上述第2區域及上述第3區域積層；及 <br/>第2基板，其具有上述第4區域；且 <br/>上述第1基板與上述第2基板對每個上述像素，經由互不相同之上述信號傳送部，收發記憶於上述複數個記憶部之信號。
如請求項11之攝像裝置，其更具備：第1基板，其供上述第1區域及上述第2區域積層；及 <br/>第2基板，其具有上述第3區域及上述第4區域；且 <br/>上述第1基板與上述第2基板對每個上述像素，經由互不相同之上述信號傳送部，收發由上述複數個電流放大部放大之電流。
一種攝像裝置，其具備：複數個像素，其等各自具有光電轉換部； <br/>浮動擴散區，其輸出與由上述像素內之上述光電轉換部進行光電轉換後之電荷對應之電壓； <br/>電流放大部，其將與上述浮動擴散區之電壓對應之電流放大； <br/>記憶部，其記憶與由上述電流放大部放大之電流對應之信號； <br/>類比-數位轉換器，其設置於包含上述複數個像素內之2個以上之上述像素之每個區域像素，將與上述區域像素內之上述2個以上之像素對應之2個以上之上述記憶部中記憶之信號轉換為數位信號； <br/>積層之複數個區域，其等供配置上述複數個像素內之複數個上述光電轉換部、複數個上述類比-數位轉換器、複數個上述浮動擴散區、複數個上述電流放大部及複數個上述記憶部；及 <br/>信號傳送部，其於上述複數個區域之間進行信號之收發；且 <br/>上述複數個區域中配置上述複數個光電轉換部之區域與配置上述複數個電流放大部之區域分開設置； <br/>上述區域像素內之配置上述複數個光電轉換部之區域、與配置上述複數個電流放大部之區域經由各自對應之上述信號傳送部收發上述複數個浮動擴散區之電壓； <br/>其中上述複數個光電轉換部、上述複數個電流放大部、上述複數個記憶部及上述複數個類比-數位轉換器配置於上述複數個區域中互不相同之區域。
如請求項14之攝像裝置，其中上述複數個區域具有： <br/>第1區域，其供上述複數個光電轉換部配置； <br/>第2區域，其供上述複數個電流放大部配置；及 <br/>第3區域，其供上述複數個記憶部及上述複數個類比-數位轉換器配置；且 <br/>上述第1區域與上述第2區域對每個上述像素，經由互不相同之上述信號傳送部收發上述複數個浮動擴散區之電壓。
如請求項15之攝像裝置，其更具備：第1基板，其供上述第1區域及上述第2區域積層；及 <br/>第2基板，其具有上述第3區域；且 <br/>上述第1基板與上述第2基板對每個上述像素，經由互不相同之上述信號傳送部，收發由上述複數個電流放大部放大之電流。
如請求項15之攝像裝置，其中上述第1區域、上述第2區域及上述第3區域積層於同一基板上。
一種攝像裝置，其具備：複數個像素，其等各自具有光電轉換部； <br/>浮動擴散區，其輸出與由上述像素內之上述光電轉換部進行光電轉換後之電荷對應之電壓； <br/>電流放大部，其將與上述浮動擴散區之電壓對應之電流放大； <br/>記憶部，其記憶與由上述電流放大部放大之電流對應之信號； <br/>類比-數位轉換器，其設置於包含上述複數個像素內之2個以上之上述像素之每個區域像素，將與上述區域像素內之上述2個以上之像素對應之2個以上之上述記憶部中記憶之信號轉換為數位信號； <br/>積層之複數個區域，其等供配置上述複數個像素內之複數個上述光電轉換部、複數個上述類比-數位轉換器、複數個上述浮動擴散區、複數個上述電流放大部及複數個上述記憶部；及 <br/>信號傳送部，其於上述複數個區域之間進行信號之收發；且 <br/>上述複數個區域中配置上述複數個光電轉換部之區域與配置上述複數個電流放大部之區域分開設置； <br/>上述區域像素內之配置上述複數個光電轉換部之區域、與配置上述複數個電流放大部之區域經由各自對應之上述信號傳送部收發上述複數個浮動擴散區之電壓； <br/>其中上述複數個光電轉換部、上述複數個電流放大部及上述複數個類比-數位轉換器，與上述複數個記憶部配置於上述複數個區域中互不相同之區域。
如請求項1、2、4、6、10、14、18中任一項之攝像裝置，其中上述光電轉換部具有以矽為材料之半導體層、或以矽以外者為材料之半導體層。
如請求項1、2、4、6、10、14、18中任一項之攝像裝置，其中上述信號傳送部以通道、凸塊、Cu-Cu接合而收發上述信號。
一種電子機器，其具備：攝像裝置，其輸出經光電轉換之每個像素之數位信號；及 <br/>信號處理部，其對上述數位信號進行信號處理；且 <br/>上述攝像裝置係如請求項1、2、4、6、10、14、18中任一項之攝像裝置。
一種光檢測裝置，其包含：基板； <br/>複數個光電轉換部，其等設置於前述基板內；及 <br/>遮光膜，其在前述基板內至少設置於前述光電轉換部間；且 <br/>前述遮光膜包含：第1膜，其設置於前述基板內；及第2膜，其在前述基板內隔著前述第1膜而設置； <br/>前述第2膜之光之吸收率，高於前述第1膜之光之吸收率；其中 <br/>前述第1膜包含金屬膜。
如請求項1之光檢測裝置，其中前述第1膜含有Al(鋁)或Cu(銅)。
如請求項1之光檢測裝置，其中前述第1膜之膜厚為5 nm以上。
如請求項1之光檢測裝置，其中前述第2膜包含金屬膜。
如請求項4之光檢測裝置，其中前述第2膜含有W(鎢)、Ti(鈦)、或Cr(鉻)。
如請求項1之光檢測裝置，其中前述第2膜在前述基板內設置於前述第1膜之上表面及側面。
如請求項1之光檢測裝置，其中前述遮光膜以貫通前述基板之方式設置於前述基板內。
如請求項1之光檢測裝置，其中前述遮光膜以不貫通前述基板之方式設置於前述基板內。
如請求項1之光檢測裝置，其中前述遮光膜進一步包含設置於前述第1膜與前述第2膜之間之第3膜。
如請求項9之光檢測裝置，其中前述第3膜包含絕緣膜或金屬膜。
如請求項1之光檢測裝置，其中前述遮光膜進一步包含第4膜及第5膜， <br/>前述第1膜在前述基板內隔著前述第4膜而設置， <br/>前述第5膜設置於前述第1膜與前述第2膜之間。
如請求項11之光檢測裝置，其中前述第4膜及前述第5膜各者，作為障壁金屬膜發揮功能。
如請求項1之光檢測裝置，其中前述基板包含：第1區域，其包含前述複數個光電轉換部；及第2區域，其環狀包圍前述第1區域；且 <br/>前述遮光膜進一步包含：第1部分，其在前述基板內設置於前述第1區域與前述第2區域之間；及第2部分，其在前述基板外設置於前述第2區域上。
如請求項13之光檢測裝置，其中前述第1部分包含：前述第1膜，其設置於前述基板內；及前述第2膜，其在前述基板內隔著前述第1膜而設置；且 <br/>前述第2部分包含：前述第1膜，其設置於前述基板上；及前述第2膜，其在前述基板上隔著前述第1膜而設置。
一種光檢測裝置之製造方法，其包含：在基板內形成複數個光電轉換部，及 <br/>在前述基板內至少於前述光電轉換部間形成遮光膜，且 <br/>前述遮光膜係藉由在前述基板內形成第1膜，在前述基板內隔著前述第1膜形成第2膜而形成， <br/>前述第2膜之光之吸收率，高於前述第1膜之光之吸收率；其中 <br/>前述第1膜包含金屬膜。
如請求項15之光檢測裝置之製造方法，其中前述遮光膜形成於以貫通前述基板之方式形成於前述基板內之溝渠內。
如請求項15之光檢測裝置之製造方法，其中前述遮光膜形成於以不貫通前述基板之方式形成於前述基板內之溝渠內。
如請求項15之光檢測裝置之製造方法，其中前述遮光膜藉由在前述基板內依序形成前述第1膜、第3膜、及前述第2膜而形成。
如請求項15之光檢測裝置之製造方法，其中前述遮光膜藉由在前述基板內依序形成第4膜、前述第1膜、第5膜、及前述第2膜而形成。
一種熱塑性樹脂組成物，其包含： <br/> 接枝聚合物，其包含(甲基)丙烯酸酯系單體單元和乙烯基芳族單體單元接枝於其上之二烯系橡膠聚合物； <br/> 非接枝聚合物，其包含(甲基)丙烯酸酯系單體單元和乙烯基芳族單體單元；及 <br/> 3至30重量%的廢人造大理石，其中該廢人造大理石包含(甲基)丙烯酸酯系單體單元。
如請求項1之熱塑性樹脂組成物，其包含10至30重量%的該廢人造大理石。
如請求項1之熱塑性樹脂組成物，其包含10至50重量%的該接枝聚合物。
如請求項1之熱塑性樹脂組成物，其中丙烯腈系單體單元接枝於該二烯系橡膠聚合物上。
如請求項1之熱塑性樹脂組成物，其中該接聚合物包含含括(甲基)丙烯酸酯系單體單元和乙烯基芳族單體單元未接枝於該二烯系橡膠聚合物上的游離聚合物。
如請求項1之熱塑性樹脂組成物，其中該二烯系橡膠聚合物的平均粒徑為200至500 nm。
如請求項1之熱塑性樹脂組成物，其包含30至80重量%的該非接枝聚合物。
如請求項1之熱塑性樹脂組成物，其中該非接枝聚合物包含丙烯腈系單體單元。
如請求項1之熱塑性樹脂組成物，其中該熱塑性樹脂組成物包含： <br/> 5至20重量%的該二烯系橡膠聚合物； <br/> 20至70重量%的該(甲基)丙烯酸酯系單體單元； <br/> 10至30重量%的該乙烯基芳族單體單元，及 <br/> 3至30重量%的該廢人造大理石， <br/>其中該(甲基)丙烯酸酯系單體單元為包含在該接枝聚合物和該非接枝聚合物中之所有(甲基)丙烯酸酯系單體單元，以及 <br/>其中該乙烯基芳族單體單元為包含在該接枝聚合物和該非接枝聚合物中之所有乙烯基芳族單體單元。
一種用於在一發送器處的無線通訊的裝置，包括：<br/> 一記憶體；及<br/> 一或多個處理器，耦合到該記憶體，被配置為：<br/> 監視用於與該發送器相關聯的一主頻寬的一閒置通道評估（CCA）；<br/> 至少部分地基於追蹤該主頻寬內的封包丟棄來決定一干擾源是否位於該主頻寬內，其中該封包丟棄至少部分地基於該CCA；<br/> 監視用於與該發送器相關聯的一或多個輔頻寬的一或多個額外CCA；及<br/> 至少部分地基於追蹤該一或多個輔頻寬內的封包發送，決定一干擾源是否位於該一或多個輔頻寬中的至少一個頻寬內，其中該等封包發送至少部分地基於該一或多個額外CCA。
根據請求項1之裝置，其中監視用於該主頻寬的該CCA的該一或多個處理器被配置為在多個時間點量測射頻能級。
根據請求項1之裝置，其中至少部分地基於連續封包丟棄的一量滿足一閾值來決定該干擾源位於該主頻寬內。
根據請求項1之裝置，其中亦至少部分地基於一頻譜掃瞄來決定該干擾源位於該主頻寬內。
根據請求項1之裝置，其中至少部分地基於偵測指示該等封包發送中的持續頻寬下降的一訊符來決定該干擾源位於該一或多個輔頻寬內。
根據請求項1之裝置，其中至少部分地基於排除該一或多個輔頻寬中的該至少一個頻寬的連續封包發送的一量滿足一閾值，來決定該干擾源位於該一或多個輔頻寬內。
根據請求項1之裝置，其中用於追蹤該等封包發送的該一或多個處理器被配置為使用一有限狀態機來對該等封包發送建模。
根據請求項1之裝置，其中亦至少部分地基於一頻譜掃瞄來決定該干擾源位於該一或多個輔頻寬內。
根據請求項1之裝置，其中該一或多個處理器亦被配置為：<br/> 至少部分地基於基本服務集監視來偵測一假陽性。
根據請求項1之裝置，其中該一或多個處理器亦被配置為：<br/> 至少部分地基於一媒體佔用率未能滿足閾值來偵測一假陽性。
一種由一無線通訊發送器執行的無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 監視用於與該發送器相關聯的一主頻寬的一閒置通道評估（CCA）；<br/> 至少部分地基於追蹤該主頻寬內的封包丟棄來決定一干擾源是否位於該主頻寬內，其中該封包丟棄至少部分地基於該CCA；<br/> 監視用於與該發送器相關聯的一或多個輔頻寬的一或多個額外CCA；及<br/> 至少部分地基於追蹤該一或多個輔頻寬內的封包發送，決定一干擾源是否位於該一或多個輔頻寬中的至少一個頻寬內，其中該等封包發送至少部分地基於該一或多個額外CCA。
根據請求項11之方法，其中監視用於該主頻寬的該CCA之步驟包括以下步驟：在多個時間點量測射頻能級。
根據請求項11之方法，其中至少部分地基於連續封包丟棄的一量滿足一閾值來決定該干擾源位於該主頻寬內。
根據請求項11之方法，其中亦至少部分地基於一頻譜掃瞄來決定該干擾源位於該主頻寬內。
根據請求項11之方法，其中至少部分地基於偵測指示該等封包發送中的持續頻寬下降的一訊符來決定該干擾源位於該一或多個輔頻寬內。
根據請求項11之方法，其中至少部分地基於排除該一或多個輔頻寬中的該至少一個頻寬的連續封包發送的一量滿足一閾值，來決定該干擾源位於該一或多個輔頻寬內。
根據請求項11之方法，其中追蹤該等封包發送包括使用一有限狀態機來對該等封包發送建模。
根據請求項11之方法，其中亦至少部分地基於一頻譜掃瞄來決定該干擾源位於該一或多個輔頻寬內。
根據請求項11之方法，亦包括以下步驟：<br/> 至少部分地基於基本服務集監視來偵測一假陽性。
根據請求項11之方法，亦包括以下步驟：<br/> 至少部分地基一於媒體佔用率未能滿足一閾值來偵測一假陽性。
一種附反射層之基板，其係於基板上依序形成有反射EUV光之反射層、及該反射層之保護層者，且 <br/>上述反射層係使低折射率層與高折射率層交替地積層複數次而成者， <br/>若將上述低折射率層中含量最多之金屬原子設為金屬X，將除了組成上述基板之構成成分之金屬、組成上述低折射率層之構成成分之金屬、組成上述高折射率層之構成成分之金屬、組成上述保護層之構成成分之金屬以外之金屬設為金屬Y，則當藉由螢光X射線分析對上述附反射層之基板進行測定時，歸屬於上述金屬Y之峰值相對於歸屬於上述金屬X之峰值之強度比(歸屬於金屬Y之峰值之強度/歸屬於金屬X之峰值之強度)為0.0060以下。
如請求項1之附反射層之基板，其中上述金屬Y係選自由Al、Fe、Cr、Ni、Y、Cu、Mn、Zn、Si、Mg、V、Sn、Mo及Zr所組成之群中之至少1種元素。
如請求項1之附反射層之基板，其中上述低折射率層包含Mo。
如請求項3之附反射層之基板，其中上述金屬Y係選自由Al、Fe、Cr、Ni、Y、Cu、Mn、Zn、Si、Mg、V、Sn及Zr所組成之群中之至少1種元素。
如請求項1至4中任一項之附反射層之基板，其中上述高折射率層包含Si。
一種反射型光罩基底，其係於如請求項1至5中任一項之附反射層之基板之上述保護層上形成吸收EUV光之吸收層而成者。
如請求項6之反射型光罩基底，其中於上述吸收層上形成有用於檢查光罩圖案之檢查光下之低反射層。
一種反射型光罩，其係對如請求項6或7之反射型光罩基底實施圖案化而成者。
一種控制裝置，是人力驅動車用的控制裝置， <br/> 前述人力驅動車，是包含：人力驅動力被輸入的曲柄軸、及與前述曲柄軸連接的第1旋轉體、及車輪、及與前述車輪連接的第2旋轉體、及卡合於前述第1旋轉體及前述第2旋轉體且在前述第1旋轉體及前述第2旋轉體之間將驅動力傳達用的傳達體、及為了將前述車輪的旋轉速度對於前述曲柄軸的旋轉速度的變速比率變更而將前述傳達體操作用的撥鏈器、及將前述傳達體驅動用的馬達， <br/> 前述控制裝置，具備控制部，可進行變速控制，若滿足有關於踩踏的第1條件的情況時，將前述馬達控制將前述傳達體驅動，將前述撥鏈器控制將前述傳達體操作來變更前述變速比率， <br/> 滿足前述第1條件的情況，是：前述人力驅動力是第1驅動力以下的情況、前述曲柄軸的旋轉速度是第1旋轉速度以下的情況、及前述曲柄軸是擺動的情況的至少1個， <br/> 前述控制部的控制狀態具有：第1控制狀態、及與前述第1控制狀態相比前述馬達的動作被限制的第2控制狀態， <br/> 在前述變速控制中，在由前述撥鏈器所進行的前述傳達體的操作完成之前，由前述第1控制狀態及前述第2控制狀態的至少1個將前述馬達控制， <br/> 將前述控制狀態以前述第1控制狀態、前述第2控制狀態、及前述第1控制狀態的順序移動。
如請求項1的控制裝置，其中， <br/> 前述控制部，是將前述控制狀態移動至前述第2控制狀態之後經過了第1時間的情況時，將前述控制狀態從前述第2控制狀態移動至前述第1控制狀態。
如請求項1或2的控制裝置，其中， <br/> 前述控制部，是在前述第2控制狀態中，在前述馬達規定負荷以上的負荷未施加的狀態是延續了第2時間的情況時，將前述控制狀態從前述第2控制狀態移動至前述第1控制狀態。
如請求項1的控制裝置，其中， <br/> 前述控制部，是 <br/> 在前述第1控制狀態中前述馬達的負荷被檢出的情況時，將前述控制狀態從前述第1控制狀態移動至前述第2控制狀態， <br/> 在前述第2控制狀態中，在前述第1控制狀態下被檢出的前述馬達的負荷是未滿規定負荷的情況時，將前述控制狀態移動至前述第1控制狀態， <br/> 在前述第2控制狀態中，在前述第1控制狀態下被檢出的前述馬達的負荷是前述規定負荷以上的情況時，將前述控制狀態維持在前述第2控制狀態。
如請求項3的控制裝置，其中， <br/> 前述人力驅動車，是進一步包含馬達負荷檢出部，可將前述馬達的負荷檢出。
如請求項1的控制裝置，其中， <br/> 前述控制部，是藉由滿足前述第1條件而將前述控制狀態移動至前述第1控制狀態的情況時，若滿足第2條件的話，將前述控制狀態從前述第1控制狀態移動至前述第2控制狀態， <br/> 滿足前述第2條件的情況，是：前述人力驅動力是比第2驅動力更大的情況、前述曲柄軸的旋轉速度是比第2旋轉速度更大的情況、及前述曲柄軸是旋轉第1旋轉角度以上的情況的至少1個。
如請求項1、2、4中任一項的控制裝置，其中， <br/> 前述控制部，是在前述第1控制狀態中，若衝擊被施加在前述人力驅動車的情況時，將前述控制狀態從前述第1控制狀態移動至前述第2控制狀態。
如請求項7的控制裝置，其中， <br/> 前述控制部，是在前述第2控制狀態中經過了第3時間的情況時，將前述控制狀態從前述第2控制狀態移動至前述第1控制狀態。
如請求項7的控制裝置，其中， <br/> 前述人力驅動車，是進一步包含懸吊裝置， <br/> 前述控制部，是對應被施加在前述懸吊裝置的衝擊，將前述控制狀態從前述第1控制狀態移動至前述第2控制狀態。
如請求項1、2、4中任一項的控制裝置，其中， <br/> 前述控制部，是在前述第2控制狀態將前述馬達的驅動停止。
如請求項1、2、4中任一項的控制裝置，其中， <br/> 前述控制部，是藉由滿足前述第1條件而藉由前述馬達將前述傳達體驅動，且變速段數是變更2段以上的情況時，將前述馬達控制使前述第1控制狀態中的前述馬達的旋轉速度被維持在規定範圍內。
一種控制裝置，是人力驅動車用的控制裝置， <br/> 前述人力驅動車，是包含：人力驅動力被輸入的曲柄軸、及與前述曲柄軸連接的第1旋轉體、及車輪、及與前述車輪連接的第2旋轉體、及卡合於前述第1旋轉體及前述第2旋轉體且在前述第1旋轉體及前述第2旋轉體之間將驅動力傳達用的傳達體、及為了將前述車輪的旋轉速度對於前述曲柄軸的旋轉速度的變速比率變更而將前述傳達體操作用的撥鏈器、及將前述傳達體驅動用的馬達， <br/> 前述控制裝置，具備控制部，可進行變速控制，若滿足有關於踩踏的第1條件的情況時，將前述馬達控制將前述傳達體驅動，將前述撥鏈器控制將前述傳達體操作來變更前述變速比率， <br/> 滿足前述第1條件的情況，是：前述人力驅動力是第1驅動力以下的情況、前述曲柄軸的旋轉速度是第1旋轉速度以下的情況、及前述曲柄軸是擺動的情況的至少1個， <br/> 前述控制部，是滿足前述第1條件的情況時，將前述馬達控制使前述變速控制中的前述馬達的旋轉速度對應有關於前述人力驅動車的行走狀態的估計值而變化。
如請求項12的控制裝置，其中， <br/> 前述控制部，若滿足前述第1條件的情況時，前述變速控制中的前述馬達的旋轉速度，是將前述馬達控制使不超過前述估計值。
如請求項12或13的控制裝置，其中， <br/> 前述控制部，是 <br/> 滿足前述第1條件的情況，在前述變速控制中，若前述估計值是第1估計值的情況時，將前述馬達驅動使前述馬達的旋轉速度成為第3旋轉速度， <br/> 滿足前述第1條件的情況，在前述變速控制中，若前述估計值是第2估計值的情況時，將前述馬達驅動使前述馬達的旋轉速度成為第4旋轉速度， <br/> 滿足前述第1條件的情況，在前述變速控制中，對應前述第1估計值，將前述馬達驅動使前述馬達的旋轉速度成為前述第3旋轉速度之後，在由前述撥鏈器所進行的前述傳達體的操作完成之前，前述估計值是從前述第1估計值朝前述第2估計值變化的情況時，不將前述馬達的旋轉速度朝前述第4旋轉速度變更，而是藉由將前述馬達驅動維持前述第3旋轉速度的狀態，完成由前述撥鏈器所進行的前述傳達體的操作。
如請求項14的控制裝置，其中， <br/> 前述估計值是從前述第1估計值朝前述第2估計值變化的情況，是包含前述人力驅動車的加速度是第1加速度以上的情況。
如請求項14的控制裝置，其中， <br/> 前述估計值是從前述第1估計值朝前述第2估計值變化的情況，是包含前述人力驅動車的加速度是第2加速度以下的情況。
如請求項14的控制裝置，其中， <br/> 前述控制部，若前述第3旋轉速度超過前述第2估計值的情況時，中止前述第3旋轉速度的維持，將前述馬達控制使前述馬達的旋轉速度不超過前述第2估計值。
如請求項12或13的控制裝置，其中， <br/> 前述估計值，是前述曲柄軸的旋轉速度的估計值。
一種控制裝置，是人力驅動車用的控制裝置， <br/> 前述人力驅動車，是包含：人力驅動力被輸入的曲柄軸、及與前述曲柄軸連接的第1旋轉體、及車輪、及與前述車輪連接的第2旋轉體、及卡合於前述第1旋轉體及前述第2旋轉體且在前述第1旋轉體及前述第2旋轉體之間將驅動力傳達用的傳達體、及為了將前述車輪的旋轉速度對於前述曲柄軸的旋轉速度的變速比率變更而將前述傳達體操作用的撥鏈器、及將前述傳達體驅動用的馬達， <br/> 前述控制裝置，具備控制部，可進行變速控制，若滿足有關於踩踏的第1條件的情況時，將前述馬達控制將前述傳達體驅動，將前述撥鏈器控制將前述傳達體操作來變更前述變速比率， <br/> 滿足前述第1條件的情況，是：前述人力驅動力是第1驅動力以下的情況、前述曲柄軸的旋轉速度是第1旋轉速度以下的情況、及前述曲柄軸是擺動的情況的至少1個， <br/> 前述控制部，是在收到第1變速指示且開始前述馬達的驅動之後開始前述變速控制，且由前述撥鏈器所進行的前述傳達體的操作完成之前收到與前述第1變速指示不同的第2變速指示的情況時，依據前述第2變速指示在開始前述馬達的驅動之後實行前述變速控制。
如請求項1、2、4、12、13、19中任一項的控制裝置，其中， <br/> 滿足前述第1條件的情況，是前述曲柄軸的旋轉速度是前述第1旋轉速度以下的情況， <br/> 前述第1旋轉速度，是實質上為0rpm。
一種控制裝置，是人力驅動車用的控制裝置， <br/> 前述人力驅動車，是包含：人力驅動力被輸入的曲柄軸、及與前述曲柄軸連接的第1旋轉體、及車輪、及與前述車輪連接的第2旋轉體、及卡合於前述第1旋轉體及前述第2旋轉體且在前述第1旋轉體及前述第2旋轉體之間將驅動力傳達用的傳達體、及為了將前述車輪的旋轉速度對於前述曲柄軸的旋轉速度的變速比率變更而將前述傳達體操作用的撥鏈器、及將前述傳達體驅動用的馬達， <br/> 前述控制裝置，具備控制部，可進行變速控制，若滿足有關於踩踏的第1條件的情況時，將前述馬達控制將前述傳達體驅動，將前述撥鏈器控制將前述傳達體操作來變更前述變速比率， <br/> 滿足前述第1條件的情況，是：前述人力驅動力是第1驅動力以下的情況、前述曲柄軸的旋轉速度是第1旋轉速度以下的情況、及前述曲柄軸是擺動的情況的至少1個， <br/> 前述控制部，是滿足前述第1條件、且具有變速指示的情況、滿足第3條件的情況時，在前述變速控制中開始前述馬達的驅動，實行前述變速控制， <br/> 滿足前述第3條件的情況，是：從收到前述變速指示之後經過了第1期間的情況、及前述人力驅動車的振動是第1振動數以下的情況的至少1個。
一種以下述結構式表示的有機化合物：<br/><img align="absmiddle" height="110px" width="133px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種阻燃劑，含有如請求項1之有機化合物。
一種河川氾濫預測方法，其特徵在於其係於降雨時預測廣域之河川氾濫者，且具備： <br/>準備步驟，其進行準備； <br/>溢流部位特定步驟，其基於實時之河川觀測影像，判定有無因降雨引起之河川氾濫，特定出河川之上游至下游之間之河水溢出堤壩的部位即溢流部位；及 <br/>浸水區域特定步驟，其基於上述溢流部位特定步驟中特定出之上述溢流部位，特定出因自上述溢流部位溢出之水而浸水之區域即浸水區域；及 <br/>浸水通知步驟，其通知有浸水；且 <br/>上述準備步驟預先將任意位置與希望獲取在該位置開始浸水之通知之人的電性通信機器建立關聯， <br/>上述浸水通知步驟對與上述浸水區域中包含之位置建立關聯之希望獲取在該位置開始浸水之通知之人的電性通信機器通知有浸水、及基於河川之堤壩與河濱之相對關係與河川附近區域之實時降雨量算出之自當前起至河川氾濫之時間即餘裕時間或對當前時刻加上餘裕時間之氾濫時刻， <br/>於降雨時重複執行上述溢流部位特定步驟，於上述溢流部位特定步驟中判定為有因降雨引起之河川氾濫時，執行上述浸水區域特定步驟與上述浸水通知步驟； <br/>上述準備步驟與複數個上述堤壩特定部位建立關聯而準備地圖資料即複數個災害圖，該等災害圖預先描繪出河川之上游至下游之間設置於河川兩岸之1對堤壩之特定部位即堤壩特定部位成為上述溢流部位時預料之浸水區域， <br/>上述浸水區域特定步驟基於與成為特定出之上述溢流部位之堤壩特定部位建立關聯之災害圖，特定出浸水區域。
如請求項1之河川氾濫預測方法，其中 <br/>上述準備步驟分別與複數個降雨量及複數個上述堤壩特定部位之組合即複數個降雨量/堤壩特定部位組合建立關聯而準備地圖資料即複數個災害圖，該等災害圖預先描繪出河川流過之地域之該降雨量持續、且河川之上游至下游之間設置於河川兩岸之1對堤壩之特定部位即堤壩特定部位成為上述溢流部位時預料之浸水區域， <br/>上述浸水區域特定步驟基於與河川流過之地域之實時降雨量、及成為特定出之上述溢流部位之堤壩特定部位之組合的降雨量/堤壩特定部位組合建立關聯之災害圖，特定出浸水區域。
如請求項2之河川氾濫預測方法，其中 <br/>上述準備步驟分別與複數個降雨量及複數個上述堤壩特定部位之組合即複數個降雨量/堤壩特定部位組合建立關聯而準備地圖資料即複數個災害圖，該等災害圖預先描繪出河川附近區域之該降雨量持續、且河川之上游至下游之間設置於河川兩岸之1對堤壩之特定部位即堤壩特定部位成為上述溢流部位時預料之浸水區域，及浸水區域中包含之任意位置之浸水高度， <br/>上述浸水區域特定步驟基於與河川流過之地域之實時降雨量、及成為特定出之上述溢流部位之堤壩特定部位之組合的降雨量/堤壩特定部位組合建立關聯之災害圖，特定出浸水區域與浸水高度。
一種河川氾濫預測方法，其特徵在於其係於降雨時預測廣域之河川氾濫者，且具備： <br/>準備步驟，其預先準備包含河川與設置於河川兩岸之1對堤壩之廣域之地理資料；及 <br/>溢流部位特定步驟，其基於實時之河川觀測影像，判定有無因降雨引起之河川氾濫，特定出河川之上游至下游之間之河水溢出堤壩的部位即溢流部位；且 <br/>於降雨時重複執行上述溢流部位特定步驟； <br/>上述溢流部位特定步驟於河川之上游至下游之間之複數個位置之各個位置處，算出自預先準備之上述地理資料讀取之之1對上述堤壩之至少一上述堤壩之位置、與自實時之河川觀測影像讀取之1對河濱中與一堤壩之位置為相同側之河濱的位置之間之水平距離即餘裕水平距離，基於河川之上游至下游之間之上述餘裕水平距離與河川附近區域之實時降雨量，算出河川之上游至下游之間之複數個位置處之、自當前起至河川氾濫之時間即餘裕時間，且基於算出之餘裕時間特定出溢流部位。
一種河川氾濫預測方法，其特徵在於其係於降雨時預測廣域之河川氾濫者，且具備： <br/>準備步驟，其進行準備；及 <br/>溢流部位特定步驟，其基於實時之河川觀測影像，判定有無因降雨引起之河川氾濫，特定出河川之上游至下游之間之河水溢出堤壩的部位即溢流部位；且 <br/>於降雨時重複執行上述溢流部位特定步驟； <br/>上述準備步驟準備資料組，該資料組記錄有於河川之上游至下游之間之複數個位置之各個位置處，設置於河川兩岸之1對堤壩之至少一堤壩之位置、與河川之1對河濱中與一堤壩之位置為相同側之河濱之位置的水平距離即複數個餘裕水平距離與複數個降雨量之組合、即複數個餘裕水平距離/降雨量組合，與降雨量持續時自當前起至河川氾濫之時間即複數個餘裕時間之對應關係， <br/>上述溢流部位特定步驟於河川之上游至下游之間之複數個位置之各個位置，算出設置於河川兩岸之1對堤壩之至少一堤壩之位置、與自實時之河川觀測影像讀取之河川之1對河濱中與一堤壩之位置為相同側之河濱之位置之間之水平距離即餘裕水平距離，基於河川之上游至下游之間之上述餘裕水平距離與河川附近區域之實時降雨量，參照預先準備之上述資料組，算出河川之上游至下游之間之複數個位置之、自當前起至河川氾濫之時間即餘裕時間，且基於算出之餘裕時間特定出溢流部位。
一種河川氾濫預測方法，其特徵在於其係於降雨時預測廣域之河川氾濫者，且具備： <br/>準備步驟，其預先準備包含河川與設置於河川兩岸之1對堤壩之廣域之地理資料；及 <br/>溢流部位特定步驟，其基於實時之河川觀測影像，判定有無因降雨引起之河川氾濫，特定出河川之上游至下游之間之河水溢出堤壩的部位即溢流部位；且 <br/>於降雨時重複執行上述溢流部位特定步驟； <br/>上述溢流部位特定步驟於河川之上游至下游之間之複數個位置之各個位置，算出從自預先準備之上述地理資料讀取之之1對上述堤壩之寬度距離即堤壩寬度距離，減去自實時之河川觀測影像讀取之河川之1對河濱之寬度距離即河濱寬度距離而得的餘裕寬度距離，基於河川之上游至下游之間之上述餘裕寬度距離與河川附近區域之實時降雨量，算出河川之上游至下游之間之複數個位置之、自當前起至河川氾濫之時間即餘裕時間，且基於算出之餘裕時間特定出溢流部位。
一種河川氾濫預測方法，其特徵在於其係於降雨時預測廣域之河川氾濫者，且具備： <br/>準備步驟，其進行準備；及 <br/>溢流部位特定步驟，其基於實時之河川觀測影像，判定有無因降雨引起之河川氾濫，特定出河川之上游至下游之間之河水溢出堤壩的部位即溢流部位；且 <br/>於降雨時重複執行上述溢流部位特定步驟； <br/>上述準備步驟準備資料組，該資料組記錄有於河川之上游至下游之間之複數個位置之各個位置處，自設置於河川兩岸之1對堤壩之寬度距離即堤壩寬度距離，減去河川之1對河濱之寬度距離即河濱寬度距離而得的複數個餘裕寬度距離與複數個降雨量之組合、即複數個餘裕寬度距離/降雨量組合，與降雨量持續時自當前起直至河川氾濫之時間即複數個餘裕時間的對應關係， <br/>上述溢流部位特定步驟於河川之上游至下游之間之複數個位置之各個位置處，算出自設置於河川兩岸之1對堤壩之寬度距離即堤壩寬度距離，減去自實時之河川觀測影像讀取之河川之1對河濱之寬度距離即河濱寬度距離而得的餘裕寬度距離，基於河川之上游至下游之間之上述餘裕寬度距離與河川附近區域之實時降雨量，參照預先準備之上述資料組，算出河川之上游至下游之間之複數個位置之、自當前起至河川氾濫之時間即餘裕時間，且基於算出之餘裕時間特定出溢流部位。
一種河川氾濫預測方法，其特徵在於其係於降雨時預測廣域之河川氾濫者，且具備： <br/>準備步驟，其進行準備；及 <br/>溢流部位特定步驟，其基於實時之河川觀測影像，判定有無因降雨引起之河川氾濫，特定出河川之上游至下游之間之河水溢出堤壩的部位即溢流部位；且 <br/>於降雨時重複執行上述溢流部位特定步驟； <br/>上述準備步驟預先準備包含河川與設置於河川兩岸之1對堤壩之廣域之3維地理資料， <br/>上述3維地理資料包含河川之河床高程， <br/>上述溢流部位特定步驟於河川之上游至下游之間之複數個位置之各個位置處，算出自上述3維地理資料讀取之河川堤壩之高度即堤壩高度，減去自實時之河川觀測影像讀取之河川之水面高度的高度、即餘裕高度，當河川之上游至下游之間最小之上述餘裕高度小於預設之設定高度之位置時，判定為有河川氾濫，將河川之上游至下游之間之最小餘裕高度之位置的堤壩部位特定為溢流部位。
一種河川氾濫預測方法，其特徵在於其係於降雨時預測廣域之河川氾濫者，且具備： <br/>準備步驟，其進行準備；及 <br/>溢流部位特定步驟，其基於實時之河川觀測影像，判定有無因降雨引起之河川氾濫，特定出河川之上游至下游之間之河水溢出堤壩的部位即溢流部位；且 <br/>於降雨時重複執行上述溢流部位特定步驟； <br/>上述準備步驟預先準備包含河川與設置於河川兩岸之1對堤壩之廣域之3維地理資料， <br/>上述3維地理資料包含河川之河床高程， <br/>上述溢流部位特定步驟於河川之上游至下游之間之複數個位置之各個位置處，算出自從上述3維地理資料讀取之河川堤壩之高度即堤壩高度，減去自實時之河川觀測影像讀取之河川之水面高度的高度、即餘裕高度，基於河川之上游至下游之間之上述餘裕高度與河川附近區域之實時降雨量，算出河川之上游至下游之間之複數個位置之、自當前起至河川氾濫之時間即餘裕時間，且基於算出之餘裕時間特定出溢流部位。
一種河川氾濫預測方法，其特徵在於其係於降雨時預測廣域之河川氾濫者，且具備： <br/>準備步驟，其進行準備；及 <br/>溢流部位特定步驟，其基於實時之河川觀測影像，判定有無因降雨引起之河川氾濫，特定出河川之上游至下游之間之河水溢出堤壩的部位即溢流部位；且 <br/>於降雨時重複執行上述溢流部位特定步驟； <br/>上述準備步驟預先準備包含河川與設置於河川兩岸之1對堤壩之廣域之3維地理資料， <br/>上述3維地理資料包含河川之河床高程，及 <br/>上述準備步驟準備資料組，該資料組記錄有於河川之上游至下游之間之複數個位置之各個位置處，自河川堤壩之高度即堤壩高度減去河川之水面高度的高度即複數個餘裕高度與複數個降雨量之組合、即複數個餘裕高度/降雨量組合，與河川之上游至下游之間之降雨量持續時自當前起至河川氾濫之複數個餘裕時間的對應關係， <br/>上述溢流部位特定步驟於河川之上游至下游之間之複數個位置之各個位置處，算出自從上述3維地理資料讀取之河川堤壩之高度即堤壩高度，減去自實時之河川觀測影像讀取之河川之水面高度的高度、即餘裕高度，基於河川之上游至下游之間之上述餘裕高度與河川附近區域之實時降雨量，參照預先準備之上述資料組，算出河川之上游至下游之間之複數個位置之、自當前起至河川氾濫之時間即餘裕時間，且基於算出之餘裕時間特定出溢流部位。
一種樹脂組成物，其特徵在於含有分子中具有苯環之馬來醯亞胺化合物(A)與烴系化合物(B)，<br/> 前述馬來醯亞胺化合物(A)包含馬來醯亞胺基當量為400g/mol以下之馬來醯亞胺化合物(A-1)，<br/> 前述烴系化合物(B)含有下述式(2)所示烴系化合物(B1)，<br/> 相對於前述馬來醯亞胺化合物(A)與前述烴系化合物(B)之合計質量100質量份，前述馬來醯亞胺化合物(A)之含量為20~80質量份，<br/> [化學式1]<br/><br/><img align="absmiddle" height="165px" width="305px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [n表示1~10之整數]。
如請求項1之樹脂組成物，其中前述馬來醯亞胺化合物(A-1)包含苯環當量為200g/mol以下之馬來醯亞胺化合物(A-2)。
如請求項1之樹脂組成物，其包含與前述馬來醯亞胺化合物(A)及前述烴系化合物(B)之至少一者進行反應之反應性化合物(C)。
如請求項3之樹脂組成物，其中前述反應性化合物(C)包含選自於不含苯環或包含苯環且馬來醯亞胺基當量大於400g/mol之馬來醯亞胺化合物(D)、環氧化合物、甲基丙烯酸酯化合物、丙烯酸酯化合物、乙烯基化合物、氰酸酯化合物、活性酯化合物、烯丙基化合物、苯并㗁𠯤化合物、酚化合物、聚苯醚化合物之群組中之至少一者。
如請求項3之樹脂組成物，其中相對於前述馬來醯亞胺化合物(A)、前述烴系化合物(B)及前述反應性化合物(C)之合計100質量份，前述烴系化合物(B)之含量為5~50質量份。
如請求項3之樹脂組成物，其中相對於前述馬來醯亞胺化合物(A)、前述烴系化合物(B)及前述反應性化合物(C)之合計100質量份，前述反應性化合物(C)之含量為1~40質量份。
如請求項1之樹脂組成物，其包含無機充填劑。
如請求項1之樹脂組成物，其包含磷系阻燃劑。
如請求項1之樹脂組成物，其硬化物在動態黏彈性測定中，令25℃下之儲存彈性模數為Z1、260℃下之儲存彈性模數為Z2時，Z2/Z1為0.7以上。
一種預浸體，具有：如請求項1至9中任一項之樹脂組成物或前述樹脂組成物之半硬化物；及纖維質基材。
一種附樹脂之薄膜，具有：樹脂層，包含如請求項1至9中任一項之樹脂組成物或前述樹脂組成物之半硬化物；及支持薄膜。
一種附樹脂之金屬箔，具有：樹脂層，包含如請求項1至9中任一項之樹脂組成物或前述樹脂組成物之半硬化物；及金屬箔。
一種覆金屬積層板，具有：絕緣層，包含如請求項1至9中任一項之樹脂組成物之硬化物；及金屬箔。
一種配線基板，具有：絕緣層，包含如請求項1至9中任一項之樹脂組成物之硬化物；及配線。
一種覆金屬積層板，具有：絕緣層，包含如請求項10之預浸體之硬化物；及金屬箔。
一種配線基板，具有：絕緣層，包含如請求項10之預浸體之硬化物；及配線。
一種放電裝置，具備電壓施加電路，前述電壓施加電路藉由對包含保持液體之放電電極的負載施加輸出電壓，而在前述放電電極產生放電，<br/> 前述電壓施加電路具有以下功能：<br/> 使前述輸出電壓的大小變動；及<br/> 將使前述輸出電壓的大小變動之週期即放電週期，根據經過時間來切換為複數個週期的任一個週期。
如請求項1之放電裝置，其中前述複數個週期的平均包含在預定範圍內，前述預定範圍包含因為前述輸出電壓的變動而產生之前述液體的振動的振幅成為最大之共振週期。
如請求項1或2之放電裝置，其中前述複數個週期的每一個是在第1值以下且第2值以上，前述第1值是在因為週期地變動的前述輸出電壓而產生之前述液體的振動的振幅成為最大之共振週期加上前述共振週期的半值後之值，前述第2值是從前述共振週期減去前述半值後之值。
如請求項1或2之放電裝置，其更具備對前述放電電極供給前述液體之液體供給部。
如請求項1或2之放電裝置，其中前述液體藉由前述放電而被靜電霧化。
如請求項1或2之放電裝置，其中前述電壓施加電路每將前述放電週期重複預定次數，將前述放電週期切換成前述複數個週期的任一個週期。
如請求項1或2之放電裝置，其中前述電壓施加電路將前述放電週期隨機地切換成前述複數個週期的任一個週期。
如請求項1或2之放電裝置，其中前述複數個週期包含具有第1長度之第1週期、以及具有和前述第1長度不同的第2長度之第2週期，<br/> 前述電壓施加電路是在前述第1週期之期間使前述輸出電壓的大小變動，並接續於前述第1週期而在前述第2週期之期間使前述輸出電壓的大小變動。
一種芳香族聚合物的氫化方法，所述芳香族聚合物含有芳環，該方法包括在氫化催化劑存在下，將芳香族聚合物與氫化試劑接觸，將芳香族聚合物中的至少部分芳環氫化，得到氫化芳香族聚合物，所述氫化催化劑含有載體以及負載在所述載體上的鉑元素、第IVA族元素和稀土金屬元素，所述載體爲氧化鋁，所述氫化催化劑中，以元素計，所述第IVA族元素與所述鉑元素的莫耳比爲不高於10。
如請求項1所述的氫化方法，其中，所述氫化催化劑中，以元素計，所述第IVA族元素與所述鉑元素的莫耳比爲3-7：1；所述第IVA族元素爲錫。
如請求項1或2所述的氫化方法，其中，所述氫化催化劑中，以元素計，所述稀土金屬元素與所述鉑元素的莫耳比爲1-6：1；所述稀土金屬元素爲鈰。
如請求項1所述的氫化方法，其中，所述氫化催化劑還含有鹼金屬元素和鹼土金屬元素；所述氫化催化劑中，以元素計，所述鹼金屬元素和所述鉑元素的莫耳比爲7-20：1；所述氫化催化劑中，以元素計，所述鹼土金屬元素和所述鉑元素的莫耳比爲10-35：1。
如請求項4所述的氫化方法，其中，所述鹼金屬元素爲鉀。
如請求項4所述的氫化方法，其中，所述鹼土金屬元素爲鎂。
如請求項1所述的氫化方法，其中，所述氫化催化劑還含有第IVB族金屬元素、鹵族元素或其組合。
如請求項7所述的氫化方法，其中，所述氫化催化劑中，以元素計，所述第IVB族金屬元素與所述鉑元素的莫耳比爲2-10：1，所述第IVB族金屬元素爲鋯。
如請求項7或8所述的氫化方法，其中，所述氫化催化劑中，以元素計，所述鹵族元素與所述鉑元素的莫耳比爲2-8：1；所述鹵族元素爲氯。
如請求項1、2、4、5、7和8中任意一項所述的氫化方法，其中，以所述氫化催化劑的總量爲基準，所述鉑元素的含量爲0.1-0.8重量%。
如請求項1、2、4、5、7和8中任意一項所述的氫化方法，其中，所述氧化鋁爲γ-氧化鋁。
如請求項1、2、4、5、7和8中任意一項所述的氫化方法，其中，以所述芳香族聚合物的總量爲基準，所述芳香族聚合物中衍生自含有芳環的芳香族單體的芳香族結構單元的含量爲65-85重量%；所述芳香族結構單元爲衍生自單乙烯基芳烴的單乙烯基芳烴結構單元，所述單乙烯基芳烴爲選自由式I所示的化合物組成的組中的一種或兩種以上， <img align="absmiddle" height="27px" width="40px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>（式I）<br/> 式I中，R<sub>1</sub>爲C<sub>6</sub>-C<sub>20</sub>的取代或未取代的芳基。
如請求項1、2、4、5、7和8中任意一項所述的氫化方法，其中，所述芳香族聚合物含有衍生自共軛二烯烴的共軛二烯烴結構單元；以所述芳香族聚合物的總量爲基準，所述共軛二烯烴結構單元的含量爲15-35重量%；所述芳香族聚合物中，所述共軛二烯烴的氫化度爲97莫耳%以上。
如請求項1、2、4、5、7和8中任意一項所述的氫化方法，其中，所述芳香族聚合物含有至少兩個單乙烯基芳烴的均聚段、至少一個共軛二烯烴的均聚段和至少兩個單乙烯基芳烴和共軛二烯烴的無規共聚段，所述芳香族聚合物的兩個端嵌段各自獨立地爲單乙烯基芳烴的均聚段，與所述端嵌段直接鍵合的嵌段爲內嵌段，所述內嵌段各自獨立地爲單乙烯基芳烴和共軛二烯烴的無規共聚段；以所述芳香族聚合物的總量爲基準，衍生自單乙烯基芳烴的單乙烯基芳烴結構單元的含量爲40-95重量%，衍生自共軛二烯烴的共軛二烯烴結構單元的含量爲5-60重量%，所述無規共聚段中衍生自單乙烯基芳烴的單乙烯基芳烴結構單元的含量爲15-20重量%；所述芳香族聚合物中，以共軛二烯烴結構單元的總量爲基準，側基含量爲40-60重量%。
如請求項1、2、4、5、7和8中任意一項所述的氫化方法，其中，所述芳香族聚合物爲選自由具有式II所示的結構的五嵌段共聚物和具有式III所示的結構的七嵌段共聚物組成的組中的一種或兩種以上：S51-(S52/B51)-B52-(S53/B53)-S54 （式II）式II中，S51嵌段和S54嵌段各自獨立地爲單乙烯基芳烴的均聚段；S52/B51嵌段和S53/B53嵌段各自獨立地爲單乙烯基芳烴和共軛二烯烴的無規共聚段，B52嵌段爲共軛二烯烴的均聚段；S71-(S72/B71)-B72-(S73/B73)-B74-(S75/B75)-S76 （式III）式III中，S71嵌段和S76嵌段各自獨立地爲單乙烯基芳烴的均聚段，S72/B71嵌段、S73/B73嵌段和S75/B75嵌段各自獨立地爲單乙烯基芳烴和共軛二烯烴的無規共聚段，B72嵌段和B74嵌段各自獨立地爲共軛二烯烴的均聚段。
如請求項15所述的氫化方法，其中，B52嵌段中的共軛二烯烴爲異戊二烯，B51嵌段中的共軛二烯烴和B53嵌段中的共軛二烯烴爲丁二烯；S51嵌段的數均分子量爲0.5萬至5萬，S51嵌段的數均分子量與S54嵌段的數均分子量的比值爲1：2-10；S52/B51嵌段的數均分子量爲2萬至5萬，S52/B51嵌段的數均分子量與S53/B53嵌段的數均分子量的比值爲1：0.9-1.25；B52嵌段的數均分子量爲0.2萬至2萬。
如請求項15所述的氫化方法，其中，B72嵌段中的共軛二烯烴爲異戊二烯，B71嵌段中的共軛二烯烴、B73嵌段中的共軛二烯烴和B75嵌段中的共軛二烯烴爲丁二烯；S71嵌段的數均分子量爲0.5萬至5萬，S71嵌段的數均分子量與S76嵌段的數均分子量的比值爲1：1.5-5；S72/B71嵌段的數均分子量爲2萬至5萬，S72/B71嵌段的數均分子量、S73/B73嵌段的數均分子量和S75/B75的數均分子量的比值爲1：1-1.2：1-1.25；B72嵌段的數均分子量爲0.2萬至2萬，B72嵌段的數均分子量與B74嵌段的數均分子量的比值爲1：0.9-1.2。
如請求項1、2、4、5、7和8中任意一項所述的氫化方法，其中，所述接觸的溫度爲50-200℃；相對於100重量份芳香族聚合物，所述氫化催化劑的用量爲1-20重量份；所述氫化試劑爲氫氣；所述氫氣的壓力爲0.1-10MPa，所述壓力爲表壓。
如請求項1、2、4、5、7和8中任意一項所述的氫化方法，其中，所述芳環的氫化度爲95莫耳%以上；所述芳香族聚合物的數均分子量爲M<sub>n</sub>1，所述氫化芳香族聚合物的數均分子量爲M<sub>n</sub>2，將[(M<sub>n</sub>1 - M<sub>n</sub>2)/ M<sub>n</sub>1] × 100%定義爲降解率，所述降解率爲不高於2.5%。
一種由請求項1-19中任意一項所述的氫化方法製備的氫化芳香族聚合物。
如請求項20所述的氫化芳香族聚合物，其中，所述氫化芳香族聚合物為一種氫化的嵌段共聚物，所述嵌段共聚物含有衍生自單乙烯基芳烴的單乙烯基芳烴結構單元和衍生自共軛二烯烴的共軛二烯烴結構單元，所述氫化的嵌段共聚物中，單乙烯基芳烴結構單元中的芳環的加氫度爲98莫耳%以上，共軛二烯烴結構單元中的不飽和雙鍵的加氫度爲99莫耳%以上，所述氫化的嵌段共聚物的缺口衝擊强度爲20-30kJ/m<sup>2</sup>，斷裂伸長率爲200-400%，透光率爲88-92%，霧度爲1-5。
如請求項21所述的氫化芳香族聚合物，其中，所述氫化的嵌段共聚物的維卡軟化點爲110-150℃。
如請求項21-22中任意一項所述的氫化芳香族聚合物，其中，所述氫化的嵌段共聚物係用於製備包裝材料或者光電子産品。
一種半導體裝置的製造方法，包括：<br/>形成一開口穿過一多膜層堆疊並穿至一基板之中；<br/>沉積一第一半導體材料，該第一半導體材料包括一第一鍺體積百分比；<br/>沉積一第二半導體材料相鄰於該第一半導體材料，該第二半導體材料被沉積至該第一半導體材料的一最底表面下方，該第二半導體材料包括大於該第一鍺體積百分比的一第二鍺體積百分比；<br/>移除該多膜層堆疊的多個犧牲層，該第二半導體材料電性地耦合至一奈米結構堆疊；<br/>在沉積該第一半導體材料的步驟之前，沉積一介電材料於該開口中；<br/>自該介電材料形成一內間隔物於該奈米結構堆疊的一第一奈米結構與一第二奈米結構之間；以及<br/>在沉積該第一半導體材料的步驟之後，使用該第一半導體材料保護該內間隔物來移除位於該開口的該底部的多餘介電材料。
如請求項1之半導體裝置的製造方法，更包括在沉積該第一半導體材料的步驟之前，形成一底間隔物於該開口的一底部，其中該第二半導體材料與該底間隔物形成一界面。
一種半導體裝置的製造方法，包括：<br/>形成一多膜層結構於一基板上方；<br/>形成一開口於該多膜層結構中並沿著該開口的一側壁露出該多膜層結構的一第一層；<br/>形成一第一源極∕汲極結構相鄰於該第一層；<br/>形成一第二源極∕汲極結構於該第一源極∕汲極結構上方，該第二源極∕汲極結構包括大於該第一源極∕汲極結構的鍺體積百分比，該第二源極∕汲極結構的一部份位於該第一源極∕汲極結構的一最底部分與該基板之間；<br/>在形成該第一源極∕汲極結構的步驟之前，沉積一介電材料於該開口中；<br/>自該介電材料形成一內間隔物，該內間隔物位於該多膜層結構的該第一層與一第二層之間；以及<br/>在形成該第一源極∕汲極結構的步驟之後，移除位於該開口的該底部的該介電材料。
如請求項3之半導體裝置的製造方法，其中該第二源極∕汲極結構與該介電材料形成一界面。
一種半導體裝置，包括：<br/>一第一多膜層通道，於一基板上方；以及<br/>一源極∕汲極區，其中該源極∕汲極區包括：<br/>一第一結構，與該第一多膜層通道交界，該第一結構包括具有一第一鍺體積濃度的一第一半導體層；以及<br/>一第二結構，與該第一結構交界，該第二結構包括具有一第二鍺體積濃度的一第二半導體材料，該第二鍺體積濃度大於該第一鍺體積濃度，且其中該第二結構的一底部位於該第一結構的一最底表面下方，其中該第一結構與該第一多膜層通道的一第一通道交界，且亦與該第一多膜層通道的一第二通道交界。
如請求項5之半導體裝置，更包括：一第三結構，與該第一多膜層通道的一第二通道交界，該第二結構位於該第一結構與該第三結構之間。
一種半導體裝置，包括：<br/>一多膜層結構，於一基板上方，該多膜層結構具有一第一層；<br/>一第一源極∕汲極結構，相鄰於該第一層，其中該第一源極∕汲極結構與該多膜層結構的該第一層及一第二層交界；以及<br/>一第二源極∕汲極結構，於該第一源極∕汲極結構上方，該第二源極∕汲極結構包括大於該第一源極∕汲極結構的鍺體積百分比，該第二源極∕汲極結構的一部份位於該第一源極∕汲極結構的一最底部分與該基板之間。
如請求項7之半導體裝置，其中該第一源極∕汲極結構與該多膜層結構的一第三層交界。
一種半導體裝置，包括：<br/>一第一源極∕汲極結構，於一半導體基板上方，該第一源極∕汲極結構具有一第一鍺體積百分比；<br/>一第二源極∕汲極結構，於該第一源極∕汲極結構正上方，該第二源極∕汲極結構具有小於該第一鍺體積百分比的一第二鍺體積百分比；<br/>一第一奈米結構，與該第二源極∕汲極結構實體接觸；以及<br/>一第二奈米結構，與該第二源極∕汲極結構實體接觸，該第二奈米結構不同於該第一奈米結構。
一種半導體裝置，包括：<br/>一第一剖面，具有一第一半導體基板及一第一源極∕汲極區；<br/>一第二剖面，具有該第一半導體基板、該第一源極∕汲極區、及一第二源極∕汲極區，該第二源極∕汲極區具有較大的鍺體積濃度；以及<br/>一第三剖面，具有該第一半導體基板、該第二源極∕汲極區、一第一奈米結構、及一第二奈米結構，其中該第二源極∕汲極區與該第一奈米結構及該第二奈米結構兩者實體接觸。
一種氣體容器搬送用台車，係具備：<br/>框架，係具備用以在載置有氣體容器的狀態下行進的車輪；<br/>載置台，係設置在前述框架，且在以縱向置放姿勢載置有前述氣體容器的狀態下，藉由升降機構而在鉛直方向移動，藉此使前述氣體容器升降移動；及<br/>滾輪，係用以使前述氣體容器沿著前述載置台朝水平方向滑行移動；其中，<br/>前述載置台係具有在供載置前述氣體容器的底板呈開口的孔部；<br/>前述滾輪係具有用以沿著前述載置台朝水平方向移動的滑行機構；且<br/>在前述滾輪位於前述載置台的下方時，前述滾輪會因為前述載置台之下降而從前述孔部突出至前述底板上。
如請求項1所述之氣體容器搬送用台車，其中<br/>在前述載置台配置有複數個前述孔部；且<br/>前述滾輪係以與前述孔部對應的方式配置有複數個。
如請求項1或2所述之氣體容器搬送用台車，其中，<br/>在前述滾輪滑行移動至從前述載置台的下方的位置偏離的位置時，前述載置台係下降而接觸地面。
如請求項1或2所述之氣體容器搬送用台車，係具備：<br/>阻尼器，係吸收在前述載置台藉由前述升降機構而下降之際所產生之衝撃。
如請求項1或2所述之氣體容器搬送用台車，更具備：<br/>制動器，係限制前述氣體容器搬送用台車之行進。
如請求項5所述之氣體容器搬送用台車，其中，前述制動器為腳踏式。
如請求項1或2所述之氣體容器搬送用台車，更具備：<br/>防止傾倒輔助具，係保持前述氣體容器。
如請求項7所述之氣體容器搬送用台車，其中，前述防止傾倒輔助具係具有：固定桿，係將前述氣體容器之側部以圍繞的方式予以保持；及螺桿，係螺入於設置在該固定桿的螺孔，且以使前端抵接於前述氣體容器之側部的方式設置。
如請求項7所述之氣體容器搬送用台車，其中，<br/>前述防止傾倒輔助具係具備：勾部，用以在取下前述防止傾倒輔助具的至少一部分時使前述防止傾倒輔助具的至少一部分卡住前述勾部。
如請求項1或2所述之氣體容器搬送用台車，更具備：把手，係用以利用手動方式使前述氣體容器搬送用台車行進。
如請求項1或2所述之氣體容器搬送用台車，其中，在前述框架具備使該框架的至少一部分升降的調整器。
如請求項1或2所述之氣體容器搬送用台車，更具備將前述車輪旋轉驅動的旋轉驅動機構，使該氣體容器搬送用台車可進行自力行進。
一種成型裝置，其使用模具使在基板上的組合物成型，該成型裝置包括： <br/>排出單元，配置來排出該組合物的液滴，以將該液滴布置在該基板上； <br/>測量單元，配置來測量藉由使用該模具使被布置在該基板上的該組合物的該液滴成型而被形成在該基板上的該組合物的膜的膜厚度；以及 <br/>控制單元，配置來基於由該測量單元所測量的該膜厚度而獲得已從該排出單元被排出的該組合物的該液滴的體積，以及基於該體積控制該排出單元，使得從該排出單元被排出的該組合物的該液滴的該體積的波動落在允許範圍內。
如請求項1的成型裝置，其中， <br/>該測量單元測量該測量單元與在布置該組合物的該液滴之前的該基板的表面之間的第一距離、以及該測量單元與被形成在該基板上的該組合物的該膜的上表面之間的第二距離，並使用該第一距離與該第二距離之間的差作為該膜厚度。
如請求項2的成型裝置，其中， <br/>該測量單元針對該基板的該表面上的第一複數個部分中的每一者測量該第一距離， <br/>針對該第一複數個部分上方之該組合物的該膜的第二複數個部分中的每一者測量該第二距離，並且 <br/>使用在該第一複數個部分處之該等第一距離的平均值和在該第二複數個部分處之該等第二距離的平均值之間的差作為該膜厚度。
如請求項1的成型裝置，其中， <br/>該測量單元測量該測量單元與被形成在該基板上之該組合物的該膜之在該基板的一側上的第一表面之間的第一距離、以及該測量單元與在該組合物的該膜的該第一表面的相反側上的第二表面之間的第二距離，並基於該第一距離、該第二距離及該組合物的折射率獲得該膜厚度。
如請求項4的成型裝置，其中， <br/>該測量單元 <br/>針對該第一表面的第一複數個部分中的每一者測量該第一距離， <br/>針對該第一複數個部分上方之該第二表面的第二複數個部分中的每一者測量該第二距離，並且 <br/>基於在該第一複數個部分處之該等第一距離的平均值、在該第二複數個部分處之該等第二距離的平均值、以及該組合物的該折射率獲得該膜厚度。
如請求項1的成型裝置，其中， <br/>該控制單元控制從該排出單元被排出的該組合物的該液滴的該體積，使得從該排出單元被排出的該組合物的該液滴的該體積的該波動落在該允許範圍內。
如請求項1的成型裝置，其中， <br/>該控制單元還基於從在該基板上布置該組合物的該液滴到在該基板上形成該組合物的該膜之該組合物的揮發量來控制從該排出單元被排出的該組合物的該液滴的該體積，使得從該排出單元被排出的該組合物的該液滴的該體積的該波動落在該允許範圍內。
如請求項1的成型裝置，其中， <br/>該控制單元事先取得指示從在該基板上布置該組合物的該液滴到在該基板上形成該組合物的該膜的時間與被形成在該基板上的該組合物的該膜的該膜厚度之間的關係的資料，並還基於該資料控制從該排出單元被排出的該組合物的該液滴的該體積，使得從該排出單元被排出的該組合物的該液滴的該體積的該波動落在該允許範圍內。
如請求項1的成型裝置，還包括 <br/>台，配置來保持該基板以及相對於該模具定位該基板， <br/>其中，該測量單元在該基板由該台所保持的狀態下測量被形成在該基板上的該組合物的該膜的該膜厚度。
如請求項9的成型裝置，其中， <br/>該測量單元在該組合物的該膜被形成在由該台所保持的該基板上之後且在該基板被從該台卸載之前的時期測量該組合物的該膜的該膜厚度。
如請求項1的成型裝置，其中， <br/>該模具包括圖案，並且 <br/>該成型裝置藉由使該模具的該圖案與該基板上的該組合物的該液滴接觸來在該基板上的該組合物的該膜中形成圖案。
如請求項1的成型裝置，其中， <br/>該模具包括平面部分，並且 <br/>該成型裝置藉由使該模具的該平面部分與該基板上的該組合物的該液滴接觸來使該基板上的該組合物的該膜平面化。
如請求項1的成型裝置，其中，該膜為具有不均勻厚度的連續膜，該不均勻厚度是由存在於該基板或該模具的至少一者上的不均勻所造成的。
如請求項1的成型裝置，其中， <br/>該測量單元配置來測量藉由使用該模具使在該基板上被布置為第一液滴圖案的被排出的該液滴成型而被形成在該基板上的該組合物的該膜的該膜厚度，並且 <br/>該控制單元配置來基於所獲得的該體積而控制該排出單元去調整每一個被排出的液滴的該體積，並在該基板上布置第二液滴圖案，使得其體積不會超過在該基板上形成該膜的允許範圍的±5%。
一種成型方法，其使用模具使在基板上的組合物成型，該成型方法包括： <br/>排出步驟，從排出單元排出該組合物的液滴，以將該液滴布置在該基板上； <br/>測量步驟，測量藉由使用該模具使被布置在該基板上的該組合物的該液滴成型而被形成在該基板上的該組合物的膜的膜厚度；以及 <br/>獲得步驟，基於在該測量中所測量的該膜厚度而獲得已在該排出中從該排出單元被排出的該組合物的該液滴的體積，以及控制步驟，基於該體積控制該排出單元，使得從該排出單元被排出的該組合物的該液滴的該體積的波動落在允許範圍內。
如請求項15的成型方法，其中，該膜為具有不均勻厚度的連續膜，該不均勻厚度是由存在於該基板或該模具的至少一者上的不均勻所造成的。
如請求項15的成型方法，其中， <br/>該測量步驟係測量藉由使用該模具使在該基板上被布置為第一液滴圖案的被排出的該液滴成型而被形成在該基板上的該膜的該膜厚度，並且 <br/>該控制步驟係基於所獲得的該體積，控制該排出單元去調整每一個被排出的該液滴的該體積，並在該基板上布置第二液滴圖案，使得其體積不會超過在該基板上形成該膜的允許範圍的±5%。
一種物品製造方法，包括： <br/>使用如請求項11的成型裝置使被布置在基板上的未固化組合物成型； <br/>處理該組合物已在該成型中被成型於其上的該基板；以及 <br/>從被處理過的該基板製造出物品。
一種封裝，包括：<br/> 一基板，該基板包括：<br/> 至少一個介電層；<br/> 複數個互連，該複數個互連包括複數個突出焊盤互連；及<br/> 位於該至少一個介電層之上的一阻焊層，該阻焊層的一厚度大於該複數個突出焊盤互連的一厚度； <br/> 其中該複數個突出焊盤互連包括一第一突出焊盤互連，該第一突出焊盤互連包括一第一焊盤部分以及耦合到該第一焊盤部分的一第二焊盤部分，其中該第一焊盤部分相對於該第二焊盤部分係居中且直接位於該第二焊盤部分之下方，並且位於該至少一個介電層之中；及<br/> 耦合到該基板的一第一整合裝置。
如請求項1之封裝，其中該第一焊盤部分具有一第一寬度，而該第二焊盤部分具有一第二寬度。
如請求項2之封裝，其中該第一寬度大於該第二寬度。
如請求項1之封裝，<br/> 其中該第二焊盤部分位於該至少一個介電層的一表面之上。
如請求項1之封裝，其中該第一焊盤部分和該第二焊盤部分是同一焊盤的部分。
如請求項1之封裝，其中該阻焊層包括位於該第一突出焊盤互連之上的一第一開口。
如請求項6之封裝，其中該第一開口的一寬度等於或小於該第一焊盤部分的一寬度。
如請求項6之封裝，其中該第一開口僅暴露該第一突出焊盤互連的該第二焊盤部分。
如請求項1之封裝，<br/> 其中該複數個突出焊盤互連包括一第二突出焊盤互連，其中該第二突出焊盤互連毗鄰於該第一突出焊盤互連，並且<br/> 其中該第一突出焊盤互連與該第二突出焊盤互連之間的一最小節距約為80微米。
如請求項1之封裝，<br/> 其中該第一焊盤部分具有在一約40-48微米範圍內的一寬度，並且<br/> 其中該第二焊盤部分具有在一約10-40微米範圍內的一寬度。
如請求項1之封裝，進一步包括耦合到該基板的一第二整合裝置。
如請求項11之封裝，其中一第一整合裝置被配置成經由該複數個突出焊盤互連耦合到該第二整合裝置。
如請求項11之封裝，<br/> 其中該複數個突出焊盤互連包括第一複數個突出焊盤互連和第二複數個突出焊盤互連，並且<br/> 其中該第一整合裝置被耦合到該第一複數個突出焊盤互連，並且<br/> 其中該第二整合裝置被耦合到該第二複數個突出焊盤互連。
如請求項1之封裝，其中該基板包括一埋線基板（ETS）或一有芯基板。
如請求項1之封裝，其中該第一焊盤部分具有一頂側，該頂側面向該第二焊盤部分，且具有一背側，該背側面向與該第二焊盤部分相反的方向，其中該背側直接接觸該介電層。
如請求項15之封裝，其中該第一焊盤部分具有位於該頂側與該背側之間的側壁，該側壁直接接觸該介電層。
如請求項1之封裝，其中該第一焊盤部分僅具有單一寬度。
一種封裝，包括：<br/> 一基板，該基板包括：<br/> 至少一個介電層；<br/> 複數個互連，該複數個互連包括複數個突出焊盤互連； <br/> 位於該至少一個介電層之上的一阻焊層，該阻焊層的一厚度大於該複數個突出焊盤互連的一厚度；<br/> 其中該複數個突出焊盤互連包括一第一突出焊盤互連，該第一突出焊盤互連包括一第一焊盤部分以及耦合到該第一焊盤部分的一第二焊盤部分；並且<br/> 其中該第一焊盤部分相對於該第二焊盤部分係居中且直接位於該第二焊盤部分之下方，並且位於該至少一個介電層之中。
如請求項18之封裝，<br/> 其中該第一焊盤部分具有一第一寬度，而該第二焊盤部分具有一第二寬度，並且<br/> 其中該第一寬度大於該第二寬度。
如請求項18之封裝，<br/> 其中該第二焊盤部分位於該至少一個介電層的一表面之上。
如請求項18之封裝，其中該第一焊盤部分和該第二焊盤部分是同一焊盤的部分。
如請求項18之封裝，其中該阻焊層包括位於該第一突出焊盤互連之上的一第一開口。
如請求項22之封裝，其中該第一開口的寬度等於或小於該第一焊盤部分的一寬度。
如請求項22之封裝，其中該第一開口僅暴露該第一突出焊盤互連的該第二焊盤部分。
如請求項18之封裝，<br/> 其中該複數個突出焊盤互連包括一第二突出焊盤互連，<br/> 其中該第二突出焊盤互連毗鄰於該第一突出焊盤互連，並且<br/> 其中該第一突出焊盤互連與該第二突出焊盤互連之間的一最小節距約為80微米。
如請求項18之封裝，<br/> 其中該第一焊盤部分具有在一約40-48微米範圍內的一寬度，並且<br/> 其中該第二焊盤部分具有在一約10-40微米範圍內的一寬度。
如請求項18之封裝，其中該基板包括一埋線基板（ETS）或一有芯基板。
如請求項18之封裝，其中該第一焊盤部分具有一頂側，該頂側面向該第二焊盤部分，且具有一背側，該背側面向與該第二焊盤部分相反的方向，其中該背側直接接觸該介電層。
一種用於一封裝的方法，包括以下步驟：<br/> 提供一基板，該基板包括：<br/> 至少一個介電層；<br/> 複數個互連，該複數個互連包括複數個突出焊盤互連；及<br/> 位於該至少一個介電層之上的一阻焊層，該阻焊層的一厚度大於該複數個突出焊盤互連的一厚度； <br/> 其中該複數個突出焊盤互連包括一第一突出焊盤互連，該第一突出焊盤互連包括一第一焊盤部分以及耦合到該第一焊盤部分的一第二焊盤部分，其中該第一焊盤部分相對於該第二焊盤部分係居中且直接位於該第二焊盤部分之下方，並且位於該至少一個介電層之中；並且<br/> 其中該阻焊層在該第一突出焊盤互連之上具有一開口；及<br/> 將一整合裝置耦合到該基板。
如請求項29之方法，其中該第一焊盤部分具有一第一寬度，而該第二焊盤部分具有一第二寬度。
如請求項30之方法，其中該第一寬度大於該第二寬度。
如請求項31之方法，<br/> 其中該阻焊層在該第一突出焊盤互連之上具有一開口，並且<br/> 其中該開口具有等於或小於該第一寬度的一開口寬度。
如請求項31之方法，<br/> 其中該開口具有等於該第二寬度的一開口寬度。
如請求項31之方法，<br/> 其中該阻焊層在該第一突出焊盤互連之上具有一開口，<br/> 其中該開口具有大於該第二寬度的一開口寬度，並且<br/> 其中該開口寬度小於該第一寬度。
一種封裝，包括： <br/>一基板，該基板包括： <br/>至少一個介電層； <br/>複數個互連，該複數個互連包括一第一互連和一第二互連； <br/>一電容器，該電容器至少部分地位於該基板中，該電容器包括一第一端子和一第二端子； <br/>其中該電容器的一部分直接接觸該基板的該至少一個介電層， <br/>其中該第一端子包括一第一頂表面、一第一底表面及一第一側表面，且 <br/>其中該第二端子包括一第二頂表面、一第二底表面及一第二側表面； <br/>一第一焊料互連，該第一焊料互連被耦合到該第一端子的該第一側表面和該第一互連的一第一側壁，其中該第一端子的該第一側表面面向該第一互連的該第一側壁；及 <br/>一第二焊料互連，該第二焊料互連被耦合到該第二端子的該第二側表面和該第二互連的一第二側壁，其中該第二端子的該第二側表面面向該第二互連的該第二側壁； <br/>其中該基板包括一第一表面及一第二表面， <br/>其中該電容器經由該基板的該第二表面被部分嵌入至該基板中，以及 <br/>一整合裝置，該整合裝置被耦合到該基板的該第一表面，其中該整合裝置在垂直方向上與該電容器的至少一部分重疊。
如請求項1之封裝，其中該第一端子的該第一側表面的一中心部分與該基板的一金屬層共享一水平平面。
如請求項2之封裝，其中該第一端子的該第一側表面的該中心部分與該基板的一底部金屬層、一頂部金屬層、或一中間金屬層共享一水平平面。
如請求項1之封裝， <br/>其中該第一互連沿該基板的一金屬層水平延伸，並且 <br/>其中該第二互連沿該基板的該金屬層水平延伸。
如請求項1之封裝，其中該電容器包括： <br/>一電容器介電層； <br/>第一複數個極板，該第一多個極板被耦合到該第一端子；及 <br/>第二複數個極板，該第二複數個極板被耦合到該第二端子。
如請求項5之封裝，其中該第一複數個極板和該第二複數個極板沿平行於該基板的一或多個金屬層的至少一個水平平面對準。
如請求項1之封裝，其中該整合裝置和該電容器是用於該封裝的一功率分配網路（PDN）的一部分。
如請求項1之封裝， <br/>其中該第一端子的第一側表面垂直於該第一複數個極板，並且 <br/>其中該第二端子的第二側表面垂直於該第二複數個極板。
如請求項1之封裝， <br/>其中該第一互連及該第二互連為在該基板的同一水平金屬層上的不同互連。
如請求項1之封裝，其中該電容器穿過該基板的一第一表面或該基板的一第二表面至少部分地位於該基板中。
如請求項1之封裝，進一步包括： <br/>一第二電容器，該第二電容器穿過該基板的第一表面至少部分地位於該基板中，其中該第二電容器包括一第三端子和一第四端子； <br/>一第三焊料互連，該第三焊料互連被耦合到該第三端子的一第一側表面以及來自該複數個互連的一第三互連；及 <br/>一第四焊料互連，該第四焊料互連被耦合到該第四端子的一第二側表面以及來自該複數個互連的一第四互連。
如請求項11之封裝， <br/>其中該第三端子的一第一側表面面向該第三互連的一側壁，並且 <br/>其中該第四端子的一第二側表面面向該第四互連的一側壁。
一種用於製造封裝的方法，包括以下步驟： <br/>提供一基板，該基板包括： <br/>至少一個介電層； <br/>複數個互連，該複數個互連包括一第一互連和一第二互連；及 <br/>至少一個腔，該至少一個腔位於該基板中； <br/>將一電容器至少部分地放置在該基板的該腔中，該電容器包括一第一端子和一第二端子， <br/>其中該電容器被放置成使得該電容器的一部分直接接觸該基板的該至少一個介電層， <br/>其中該第一端子包括一第一頂表面、一第一底表面及一第一側表面，且 <br/>其中該第二端子包括一第二頂表面、一第二底表面及一第二側表面； <br/>將一第一焊料互連耦合到該第一端子的該第一側表面和該第一互連的一第一側壁，其中該第一端子的該第一側表面面向該第一互連的該第一側壁； <br/>將一第二焊料互連耦合到該第二端子的該第二側表面和該第二互連的一第二側壁，其中該第二端子的該第二側表面面向該第二互連的該第二側壁；及 <br/>將一整合裝置耦合到該基板的一第一表面，其中該整合裝置在垂直方向上與該電容器的至少一部分重疊。
如請求項13之方法，其中該電容器被至少部分地放置在該基板的該腔中以使得該第一端子的該第一側表面的一中心部分與該基板的一金屬層共享一水平平面。
如請求項13之方法，其中該第一端子的該第一側表面的該中心部分與該基板的一底部金屬層、一頂部金屬層、或一中間金屬層共享一水平平面。
如請求項13之方法，其中該第一焊料互連被耦合到該第一端子的該第一側表面及該第一互連的該第一側壁，使得該第一焊料互連的一部分位於該第一端子的該第一側表面與該第一互連的該第一側壁之間，且其中該第二焊料互連被耦合到該第二端子的該第二側表面及該第二互連的該第二側壁，使得該第二焊料互連的一部分位於該第二端子的該第二側表面與該第二互連的該第二側壁之間。
如請求項13之方法，其中該電容器被至少部分地放置在該基板的該腔中以使得該電容器穿過該基板的一第一表面或該基板的一第二表面至少部分地位於該基板中。
如請求項13之方法，進一步包括以下步驟： <br/>穿過該基板的一第一表面將一第二電容器至少部分地放置在該基板的一第二腔中，其中該第二電容器包括一第三端子和一第四端子； <br/>將一第三焊料互連耦合到該第三端子的一第一側表面以及來自該複數個互連的一第三互連；及 <br/>將一第四焊料互連耦合到該第四端子的一第二側表面以及來自該複數個互連的一第四互連。
如請求項13之方法，其中位於該基板中的該至少一個腔是經由選擇性地移除該基板的各部分在該基板中形成的。
一種原子筆用水性墨水組合物，其係含有著色顏料、光澤性顏料、微膠囊粒子、剪切稀化性賦予劑及水者， <br/>上述著色顏料包含碳黑及有機顏料，且 <br/>以上述墨水組合物總質量為基準，上述碳黑之含有率為0.1～2.0質量%，上述有機顏料之含有率為2～10質量%，上述光澤性顏料之含有率為0.1～2.0質量%， <br/>以上述墨水組合物總質量為基準，上述碳黑之含有率(X)、上述有機顏料之含有率(Y)及上述光澤性顏料之含有率(A)的關係滿足0.1≦[(X)＋(A)]/(Y)≦1， <br/>上述微膠囊粒子之含有率相對於上述光澤性顏料之含有率為1.5倍以上10倍以下。
如請求項1之原子筆用水性墨水組合物，其中以上述墨水組合物總質量為基準，上述有機顏料之含有率相對於上述碳黑之含有率為等倍以上15倍以下。
如請求項1或2之原子筆用水性墨水組合物，其中以上述墨水組合物總質量為基準，上述碳黑之含有率、上述有機顏料之含有率、上述光澤性顏料之含有率及上述微膠囊粒子之含有率的總和為5質量%以上20質量%以下。
如請求項1或2之原子筆用水性墨水組合物，其進而包含聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚。
如請求項4之原子筆用水性墨水組合物，其中上述著色顏料包含具有酞菁骨架或二㗁𠯤骨架之有機顏料。
如請求項4之原子筆用水性墨水組合物，其中上述光澤性顏料與上述著色顏料之質量比為1：1～1：10。
如請求項4之原子筆用水性墨水組合物，其中上述聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚之HLB值為10以上且未達15。
如請求項4之原子筆用水性墨水組合物，其中以上述墨水組合物總質量為基準，上述聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚之含有率為0.1質量%以上且未達4.0質量%。
如請求項4之原子筆用水性墨水組合物，其中上述聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚之至少一部分存在於上述著色顏料之表面。
如請求項1或2之原子筆用水性墨水組合物，其中上述微膠囊粒子內包有常溫常壓下為液體或固體之親油性化合物。
如請求項10之原子筆用水性墨水組合物，其中上述親油性化合物係選自由芳香族烴類、酯類、酮類、高級醇類及醚類所組成之群中之一種以上。
一種原子筆，其內置有如請求項1或2之原子筆用水性墨水組合物。
一種原子筆替換筆芯，其內置有如請求項1或2之原子筆用水性墨水組合物。
一種紫外線硬化性組成物，其含有：包含（甲基）丙烯酸酯單體及交聯成分之硬化成分、以及紫外線硬化劑；且特徵在於： <br/>上述紫外線硬化性組成物進而含有具有乙烯基之醯胺化合物， <br/>上述（甲基）丙烯酸酯單體在上述硬化成分100重量%中包含均聚物之玻璃轉移溫度為-70℃～-30℃之單體50～85重量%， <br/>上述交聯成分在上述硬化成分100重量%中含有0.1～25重量%， <br/>於將上述組成物以150 μm之厚度塗佈於基材上且不密封塗佈上表面之情況下，於大氣環境下以放射照度90 mW/cm<sup>2</sup>、照射量1350 mJ/cm<sup>2</sup>之條件照射波長315 nm～480 nm之紫外線，藉此獲得之硬化物其凝膠分率為0.4～78%，玻璃轉移溫度為-35℃～10℃，反應率為83%以上，且大氣側之面相對於上述基材側之面之反應進行率為93%以上。
如請求項1之紫外線硬化性組成物，其進而含有對上述硬化成分不具有反應性之非反應性成分。
如請求項2之紫外線硬化性組成物，其以相對於上述硬化成分100重量份為0.1～140重量份之比率含有上述非反應性成分。
如請求項2或3之紫外線硬化性組成物，其中，上述非反應性成分包含熱塑性樹脂及賦黏劑之至少一者。
如請求項1至3中任一項之紫外線硬化性組成物，其中，上述硬化物之大氣側之面及上述基材側之面之反應率均為80%以上。
如請求項2或3之紫外線硬化性組成物，其中，上述交聯成分係對上述硬化成分具有反應性者、或與上述硬化成分及上述非反應性成分反應者。
如請求項1至3中任一項之紫外線硬化性組成物，其中，上述交聯成分具有選自由異氰酸酯基、環氧基、醛基、羥基、胺基、（甲基）丙烯酸酯基、乙烯基所組成之群中之至少1種鍵結性官能基。
如請求項1至3中任一項之紫外線硬化性組成物，其中，上述交聯成分包含均聚物之凝膠分率為80%以上之（甲基）丙烯酸酯單體。
如請求項1至3中任一項之紫外線硬化性組成物，其中，上述交聯成分係在25℃之黏度為10000 cps以上之（甲基）丙烯酸酯單體。
如請求項1至3中任一項之紫外線硬化性組成物，其中，相對於上述硬化成分100重量份，上述紫外線硬化劑之含量為0.2～10重量份。
如請求項10之紫外線硬化性組成物，其中，相對於上述硬化成分100重量份，上述紫外線硬化劑之含量為0.4～5重量份。
如請求項1至3中任一項之紫外線硬化性組成物，其中，上述硬化成分包含含氮單體， <br/>上述含氮單體至少包含上述具有乙烯基之醯胺化合物。
如請求項12之紫外線硬化性組成物，其中，上述含氮單體之含量在上述硬化成分100重量%中為5～33重量%。
如請求項12之紫外線硬化性組成物，其中，上述含氮單體包含具有內醯胺結構之單體。
如請求項1至3中任一項之紫外線硬化性組成物，其中，上述硬化物之凝膠分率為15～67%。
如請求項1至3中任一項之紫外線硬化性組成物，其為印刷用紫外線硬化性組成物。
如請求項16之紫外線硬化性組成物，其用於網版印刷或噴墨印刷。
一種黏著片，其特徵在於具備：基材、及設置於上述基材之至少單面且由請求項1至17中任一項之紫外線硬化性組成物所構成之黏著層。
如請求項18之黏著片，其中，上述黏著層局部配置於上述基材上。
一種積層體，其特徵在於：係第一被黏著體與第二被黏著體經由請求項18或19之黏著片中所含之上述黏著層貼合而成。
一種積層體之製造方法，其特徵在於：藉由將請求項1至17中任一項之紫外線硬化性組成物塗佈於第一被黏著體上並進行曝光而形成黏著層，藉由將第二被黏著體貼附於上述黏著層上而製作積層體。
如請求項21之積層體之製造方法，其中，塗佈上述紫外線硬化性組成物之方法為噴墨印刷、網版印刷、噴塗、旋轉塗佈、凹版膠版（gravure offset）或反向膠版（reverse offset）印刷，且上述紫外線硬化性組成物局部塗佈於上述第一被黏著體上。
一種導電性糊，其含有： <br/>導電性填充劑（a）；及 <br/>黏結劑（b）， <br/>黏結劑（b）包含 <br/>下述通式（1）所表示之末端含有羥基之聚烯烴二醇（甲基）丙烯酸酯（b1）、以及 <br/>選自（甲基）丙烯酸酯化合物（b2）（前述（b1）除外）及丙烯酸樹脂（b3）中之至少1種， <br/><img align="absmiddle" height="50px" width="156px" file="ed10002.jpg" alt="ed10002.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>通式（1）中，R表示氫原子或甲基，m表示1～40的整數，n表示0～10的整數。
如請求項1之導電性糊，其中， <br/>前述通式（1）所表示之末端含有羥基之聚烯烴二醇（甲基）丙烯酸酯（b1）的基於羥基值換算之數量平均分子量為400以上。
如請求項1之導電性糊，其中， <br/>前述通式（1）所表示之末端含有羥基之聚烯烴二醇（甲基）丙烯酸酯（b1）係 <br/>R：甲基、m：9、n：0所表示之聚氧化丙烯單甲基丙烯酸酯、 <br/>R：甲基、m：17、n：0所表示之聚氧化丙烯單甲基丙烯酸酯、 <br/>R：甲基、m：34、n：0所表示之聚氧化丙烯單甲基丙烯酸酯、 <br/>R：氫原子、m：17、n：0所表示之聚氧化丙烯單甲基丙烯酸酯、或 <br/>R：甲基、m：1、n：6所表示之丙二醇聚丁二醇單甲基丙烯酸酯。
如請求項1之導電性糊，其中， <br/>前述通式（1）所表示之末端含有羥基之聚烯烴二醇（甲基）丙烯酸酯（b1）係n為0的化合物，並且該化合物的基於羥基值換算之數量平均分子量為800以上。
如請求項1之導電性糊，其中， <br/>（甲基）丙烯酸酯化合物（b2）含有選自單官能丙烯酸單體及多官能丙烯酸單體中之至少1種， <br/>前述單官能丙烯酸單體係選自（甲基）丙烯酸2-苯氧乙酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸正丁酯、（甲基）丙烯酸異丁酯、（甲基）丙烯酸三級丁酯、（甲基）丙烯酸異戊酯、（甲基）丙烯酸2-乙基己酯、（甲基）丙烯酸異癸酯、（甲基）丙烯酸正月桂酯、（甲基）丙烯酸正十三烷基酯、（甲基）丙烯酸正硬脂酯、（甲基）丙烯酸異硬脂酯、乙氧基二乙二醇（甲基）丙烯酸酯、丁氧基二乙二醇（甲基）丙烯酸酯、甲氧基三乙二醇（甲基）丙烯酸酯、2-乙基己基二乙二醇（甲基）丙烯酸酯、甲氧基聚乙二醇（甲基）丙烯酸酯、甲氧基二丙二醇（甲基）丙烯酸酯、（甲基）丙烯酸環己酯、（甲基）丙烯酸四氫糠酯、（甲基）丙烯酸苄酯、（甲基）丙烯酸苯氧乙酯、苯氧基二乙二醇（甲基）丙烯酸酯、苯氧基聚乙二醇（甲基）丙烯酸酯、壬基酚環氧乙烷改質（甲基）丙烯酸酯、苯基苯酚環氧乙烷改質（甲基）丙烯酸酯、（甲基）丙烯酸異莰酯、（甲基）丙烯酸二甲胺乙酯、（甲基）丙烯酸二乙胺乙酯、（甲基）丙烯酸二甲胺乙酯四級化合物、（甲基）丙烯酸環氧丙酯、新戊二醇（甲基）丙烯酸苯甲酸酯、1,4-環己烷二甲醇單（甲基）丙烯酸酯、（甲基）丙烯酸2-羥乙酯、（甲基）丙烯酸2-羥丙酯、（甲基）丙烯酸2-羥丁酯、（甲基）丙烯酸2-羥基-3-苯氧丙酯、2-（甲基）丙烯醯氧乙基丁二酸、2-（甲基）丙烯醯氧乙基六氫酞酸、2-（甲基）丙烯醯氧乙基酞酸、2-（甲基）丙烯醯氧乙基-2-羥乙基酞酸及2-（甲基）丙烯醯氧乙基酸性磷酸酯中之至少1種， <br/>前述多官能丙烯酸單體係選自乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三（甲基）丙烯酸酯、丙氧基化雙酚A二（甲基）丙烯酸酯、1,6-己二醇二甲基丙烯酸酯、4,4’-亞異丙基二苯酚二（甲基）丙烯酸酯、1,3-丁二醇二（甲基）丙烯酸酯、1,6-雙（（甲基）丙烯醯氧基）-2,2,3,3,4,4,5,5-八氟己烷、1,4-雙（（甲基）丙烯醯氧基）丁烷、1,6-雙（（甲基）丙烯醯氧基）己烷、三乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、新戊二醇二（甲基）丙烯酸酯、N,N’-二（甲基）丙烯醯基乙二胺、N,N’-（1,2-二羥基伸乙基）雙（甲基）丙烯醯胺及1,4-雙（（甲基）丙烯醯基）哌𠯤中之至少1種。
如請求項5之導電性糊，其中， <br/>丙烯酸樹脂（b3）係前述丙烯酸單體之聚合物或前述丙烯酸單體與其他單體之共聚物， <br/>前述其他單體係選自乙烯、碳數3～20的直鏈狀α-烯烴、及碳數8～20的芳香族乙烯基化合物中之至少1種。
如請求項1之導電性糊，其中， <br/>黏結劑（b）含有末端含有羥基之聚烯烴二醇（甲基）丙烯酸酯（b1）、（甲基）丙烯酸酯化合物（b2）及丙烯酸樹脂（b3）。
如請求項1之導電性糊，其中， <br/>黏結劑（b）（100質量%）含有5質量%以上且60質量%以下的量的末端含有羥基之聚烯烴二醇（甲基）丙烯酸酯（b1）。
如請求項1之導電性糊，其中， <br/>黏結劑（b）（100質量%）含有20質量%以上且70質量%以下的量的（甲基）丙烯酸酯化合物（b2）。
如請求項1之導電性糊，其中， <br/>黏結劑（b）（100質量%）含有5質量%以上且50質量%以下的量的丙烯酸樹脂（b3）。
一種硬化物，其是將請求項1至10中任一項之導電性糊硬化而獲得。
一種半導體裝置，其具備： <br/>基材；及 <br/>半導體元件，經由接著層裝載於前述基材上， <br/>前述接著層是將請求項1至10中任一項之導電性糊硬化而成。
一種液晶配向劑，含有聚醯亞胺，所述聚醯亞胺包含：結構單元（I），具有下述式（1）所表示的部分結構；以及結構單元（II），其中，所述結構單元（I）除外，具有碳數5以上的伸烷基結構或碳數5以上的伸烷基結構所具有的至少一個伸甲基以相互不相鄰的條件經選自由-COO-、-OCO-、-O-、-CO-NR <sup>4</sup>-、-NR <sup>4</sup>-CO-、-NR <sup>4</sup>-及-CO-所組成的群組中的相同或不同的基取代而成的部分結構，R <sup>4</sup>為氫原子或一價有機基， <br/><br/><img align="absmiddle" height="24px" width="188px" file="ed10030.jpg" alt="ed10030.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>式（1）中，Ar <sup>1</sup>及Ar <sup>2</sup>分別獨立地為二價芳香環基；X <sup>1</sup>及X <sup>2</sup>分別獨立地為-NR <sup>2</sup>-、-O-、-S-、* <sup>1</sup>-NR <sup>2</sup>-CO-或* <sup>1</sup>-O-CO-；「* <sup>1</sup>」表示與Ar <sup>1</sup>或Ar <sup>2</sup>鍵結的鍵結鍵；R <sup>1</sup>為碳數2以上的烷二基或在碳數2以上的烷二基的碳-碳鍵間包含-NR <sup>3</sup>-、-O-、-S-、-CO-NR <sup>3</sup>-、-NR <sup>3</sup>-CO-、-COO-或-OCO-的二價基；R <sup>2</sup>及R <sup>3</sup>分別獨立地為氫原子或一價有機基；「*」表示鍵結鍵。
如請求項1所述的液晶配向劑，其中，所述聚醯亞胺的醯亞胺化率為30%以上。
如請求項1所述的液晶配向劑，其中，所述結構單元（II）具有碳數5以上的伸烷基結構或碳數5以上的伸烷基結構所具有的至少一個伸甲基以相互不相鄰的條件經選自由-COO-、-OCO-、-O-、-CO-NR <sup>4a</sup>-、-NR <sup>4a</sup>-CO-、-NR <sup>4</sup>-及-CO-所組成的群組中的相同或不同的基取代而成的部分結構，R <sup>4</sup>為氫原子或一價有機基；R <sup>4a</sup>為一價熱脫離性基。
如請求項1所述的液晶配向劑，還含有包含具有下述式（3）所表示的部分結構的結構單元、且與所述聚醯亞胺不同的聚合體， <br/><br/><img align="absmiddle" height="32px" width="144px" file="ed10031.jpg" alt="ed10031.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>式（3）中，Ar <sup>3</sup>、Ar <sup>4</sup>及R <sup>5</sup>滿足以下的（i）、（ii）或（iii）， <br/>（i）Ar <sup>3</sup>及Ar <sup>4</sup>分別獨立地為二價芳香環基；R <sup>5</sup>為氫原子或一價有機基； <br/>（ii）Ar <sup>3</sup>及Ar <sup>4</sup>表示它們相互結合並與Ar <sup>3</sup>所具有的芳香環、-NR <sup>5</sup>-及Ar <sup>4</sup>所具有的芳香環一起構成的含氮縮合環結構；R <sup>5</sup>為氫原子或一價有機基； <br/>（iii）Ar <sup>3</sup>及R <sup>5</sup>表示它們相互結合並與Ar <sup>3</sup>所具有的芳香環、R <sup>5</sup>及R <sup>5</sup>所鍵結的氮原子一起構成的含氮縮合環結構；Ar <sup>4</sup>為二價芳香環基； <br/>「*」表示鍵結鍵。
如請求項1所述的液晶配向劑，更含有選自由聚醯胺酸及聚醯胺酸酯所組成的群組中的至少一種聚合體（Q）。
如請求項5所述的液晶配向劑，含有包含具有下述式（3）所表示的部分結構的結構單元的聚合體作為所述聚合體（Q）， <br/><br/><img align="absmiddle" height="28px" width="141px" file="ed10032.jpg" alt="ed10032.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>式（3）中，Ar <sup>3</sup>、Ar <sup>4</sup>及R <sup>5</sup>滿足以下的（i）、（ii）或（iii）， <br/>（i）Ar <sup>3</sup>及Ar <sup>4</sup>分別獨立地為二價芳香環基；R <sup>5</sup>為氫原子或一價有機基； <br/>（ii）Ar <sup>3</sup>及Ar <sup>4</sup>表示它們相互結合並與Ar <sup>3</sup>所具有的芳香環、-NR <sup>5</sup>-及Ar <sup>4</sup>所具有的芳香環一起構成的含氮縮合環結構；R <sup>5</sup>為氫原子或一價有機基； <br/>（iii）Ar <sup>3</sup>及R <sup>5</sup>表示它們相互結合並與Ar <sup>3</sup>所具有的芳香環、R <sup>5</sup>及R <sup>5</sup>所鍵結的氮原子一起構成的含氮縮合環結構；Ar <sup>4</sup>為二價芳香環基； <br/>「*」表示鍵結鍵。
一種液晶配向膜，使用如請求項1至請求項6中任一項所述的液晶配向劑而形成。
一種液晶元件，包括如請求項7所述的液晶配向膜。
一種光增強晶圓處理系統，其包含： <br/>處理本體，其具有配置以支撐及選擇性地旋轉至少一個晶圓之可旋轉夾具； <br/>至少一個處理頭，其與至少一種光分解材料之至少一個源連通，該處理頭配置以選擇性地使該至少一種光分解材料流動至該至少一個晶圓之一表面上；及 <br/>至少一個光學輻射源，其配置以將光學輻射提供至該至少一個晶圓之至少一部分，該至少一個晶圓具有施加至其上之至少一種光分解材料，該光學輻射配置以使得形成與施加至該至少一個晶圓之至少一種材料具有增強之反應性的光學誘導之自由基， <br/>其中該至少一個處理頭以非水平方向可選擇性地接近於該至少一個晶圓而定位且以非水平方向選擇性地自該至少一個晶圓向遠端縮回。
如請求項1之光增強晶圓處理系統，其中該至少一個處理頭可相對於該可旋轉夾具移動。
如請求項1之光增強晶圓處理系統，其中該至少一個處理頭配置以在該至少一個晶圓之一表面上產生該至少一種光分解材料之至少一個擾流。
如請求項1之光增強晶圓處理系統，其中該至少一個處理頭配置以在該至少一個晶圓之一表面上產生該至少一種光分解材料之至少一個層流。
如請求項1之光增強晶圓處理系統，其中該至少一種光分解材料包含臭氧化去離子水。
如請求項5之光增強晶圓處理系統，其中該臭氧化去離子水之濃度為30 ppm至300 ppm。
如請求項1之光增強晶圓處理系統，其中該至少一種光分解材料包含氣態臭氧。
如請求項7之光增強晶圓處理系統，其中該氣態臭氧之濃度為10 g/m³至600 g/m³。
如請求項1之光增強晶圓處理系統，其中該至少一種光分解材料包含臭氧化去離子水及氣態臭氧。
如請求項1之光增強晶圓處理系統，其中該至少一個光學輻射源配置以輸出具有200 nm至300 nm之波長的光學輻射。
如請求項1之光增強晶圓處理系統，其中該至少一個光學輻射源配置以輸出具有250 nm至275 nm之波長的光學輻射。
如請求項1之光增強晶圓處理系統，其中該至少一個光學輻射源配置以輸出具有1 W至30 W之功率的光學輻射。
如請求項1之光增強晶圓處理系統，其中該至少一個光學輻射源配置以輸出具有6 W至10 W之功率的光學輻射。
如請求項1之光增強晶圓處理系統，其中該至少一個光學輻射源包含配置以輸出具有250 nm至275 nm之波長的光學輻射之至少一個二極體泵固態雷射。
如請求項1之光增強晶圓處理系統，其中該至少一個光學輻射源包含配置以輸出具有250 nm至275 nm之波長的光學輻射之一或多個雷射二極體。
如請求項1之光增強晶圓處理系統，其中該至少一個光學輻射源包含配置以輸出具有250 nm至275 nm之波長的光學輻射之一或多個LED。
如請求項1之光增強晶圓處理系統，其中該至少一個光學輻射源包含配置以輸出具有250 nm至275 nm之波長的光學輻射之一或多個光纖雷射。
如請求項1之光增強晶圓處理系統，其進一步包含配置以選擇性地將該光學輻射之至少一部分引導至該至少一個晶圓的至少一個掃描頭。
如請求項1之光增強晶圓處理系統，其中這些光學誘導之自由基與施加至該至少一個晶圓之至少一種光阻材料具有增強之反應性。
一種光增強晶圓處理系統，其包含： <br/>處理本體，其具有配置以支撐及選擇性地旋轉至少一個晶圓之可旋轉夾具； <br/>至少一個處理頭，其具有與至少一種光分解材料之至少一個源連通的至少一個分配器本體，該至少一個分配器本體配置以將至少一種光分解材料選擇性地流動至該至少一個晶圓之一表面上；及 <br/>至少一個光學輻射源，其配置以將光學輻射提供至該至少一個晶圓之至少一部分，該至少一個晶圓具有施加至其上之光分解材料，該光學輻射配置以使得形成與施加至該至少一個晶圓之至少一種材料具有增強之反應性的光學誘導之自由基， <br/>其中該至少一個處理頭以非水平方向可選擇性定位成接近於該至少一個晶圓且以非水平方向選擇性地自該至少一個晶圓向遠端縮回。<b> </b>
如請求項20之光增強晶圓處理系統，其中該至少一個處理頭可相對於該可旋轉夾具移動。
如請求項20之光增強晶圓處理系統，其進一步包含形成於該至少一個分配器本體內之至少一個本體接收器，該至少一個本體接收器配置以使該光學輻射在其中傳播。
如請求項20之光增強晶圓處理系統，其進一步包含形成於該至少一個分配器本體內之至少一個本體接收器，該至少一個本體接收器配置以具有定位於其中之該至少一個光學輻射源。
如請求項20之光增強晶圓處理系統，其中該處理頭配置以在該至少一個晶圓之一表面上產生光分解材料之至少一個擾流。
如請求項20之光增強晶圓處理系統，其中該光分解材料包含臭氧化去離子水。
如請求項25之光增強晶圓處理系統，其中該臭氧化去離子水之濃度為30 ppm至300 ppm。
如請求項20之光增強晶圓處理系統，其中該光分解材料包含氣態臭氧。
如請求項27之光增強晶圓處理系統，其中氣態臭氧之濃度為10 g/m³至600 g/m³。
如請求項20之光增強晶圓處理系統，其中該光分解材料包含臭氧化去離子水及氣態臭氧。
如請求項20之光增強晶圓處理系統，其中該光學輻射源配置以輸出具有250 nm至275 nm之波長的光學輻射。
如請求項20之光增強晶圓處理系統，其中該光學輻射源配置以輸出具有6 W至10 W之功率的光學輻射。
如請求項20之光增強晶圓處理系統，其中該光學輻射源包含配置以輸出具有250 nm至275 nm之波長的光學輻射之二極體泵固態雷射。
如請求項20之光增強晶圓處理系統，其中該光學輻射源包含配置以輸出具有250 nm至275 nm之波長的光學輻射之一或多個雷射二極體。
如請求項20之光增強晶圓處理系統，其中該光學輻射源包含配置以輸出具有250 nm至275 nm之波長的光學輻射之一或多個LED。
如請求項20之光增強晶圓處理系統，其中該光學輻射源包含配置以輸出具有250 nm至275 nm之波長的光學輻射之一或多個光纖雷射。
如請求項20之光增強晶圓處理系統，其中該光學輻射源包含配置以輸出具有250 nm至275 nm之波長的光學輻射之一或多個二極體雷射。
如請求項20之光增強晶圓處理系統，其中這些光學誘導之自由基與施加至該至少一個晶圓之至少一種光阻材料具有增強之反應性。
一種光增強臭氧晶圓處理系統，其包含： <br/>可旋轉夾具，其配置以支撐及選擇性地旋轉至少一個晶圓； <br/>至少一個分配器本體，其配置以將至少一種光分解材料選擇性地流動至該至少一個晶圓之一表面上； <br/>至少一個光學輻射源，其配置以將光學輻射提供至該至少一個晶圓之至少一部分，該至少一個晶圓具有施加至其上之光分解材料，該光學輻射配置以使得形成與施加至該至少一個晶圓之至少一種材料具有增強之反應性的光學誘導之臭氧自由基；及 <br/>至少一個處理頭，其配置以非水平方向可選擇性定位成接近於該至少一個晶圓且以非水平方向選擇性地自該至少一個晶圓向遠端縮回。
一種製備式(I)所示的阿尼芬淨衍生物的方法，其特徵在於，包括如下步驟：將阿尼芬淨與式(II)化合物反應得到產物，<figure><img align="absmiddle" height="206px" width="626px" file="d10016.TIF" alt="化學式ed10016.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10016.png"/></figure>
如請求項1所述的方法，其中，該反應在酸A1和A2存在下進行。
如請求項2所述的方法，其中，該酸A1為苯硼酸或3,4-二甲氧基苯硼酸。
如請求項2所述的方法，其中，該酸A1為3,4-二甲氧基苯硼酸。
如請求項2所述的方法，其中，該酸A2為對甲苯磺酸、樟腦磺酸或三氟乙酸。
如請求項2所述的方法，其中，該酸A2為樟腦磺酸或三氟乙酸。
如請求項2所述的方法，其中，該酸A2為三氟乙酸。
如請求項1或2所述的方法，其中，該反應是在溶劑S1中進行；該溶劑S1為無水二噁烷或乙腈。
如請求項8所述的方法，其中，該溶劑S1為乙腈。
如請求項1或2所述的方法，其中，該阿尼芬淨與式(II)化合物的莫耳比為1：1-50。
如請求項1或2所述的方法，其中，該阿尼芬淨與式(II)化合物的莫耳比為1：1-30。
如請求項1或2所述的方法，其中，該阿尼芬淨與式(II)化合物的莫耳比為1：1-6。
如請求項1或2所述的方法，其中，該阿尼芬淨與式(II)化合物的莫耳比為1：30或1：6。
如請求項2所述的方法，其中，該阿尼芬淨與酸A1的莫耳比為1：1-10。
如請求項2所述的方法，其中，該阿尼芬淨與酸A1的莫耳比為1：1-5。
如請求項2所述的方法，其中，該阿尼芬淨與酸A1的莫耳比為1：1-2。
如請求項2所述的方法，其中，該阿尼芬淨與酸A1的莫耳比為1：1.3。
如請求項2所述的方法，其中，該阿尼芬淨與酸A2的莫耳比為1：1-10。
如請求項2所述的方法，其中，該阿尼芬淨與酸A2的莫耳比為1：1-5。
如請求項2所述的方法，其中，該阿尼芬淨與酸A2的莫耳比為1：5。
如請求項2所述的方法，其中，該阿尼芬淨與酸A2的重量體積比，以g/mL計，為1：1-5。
如請求項2所述的方法，其中，該阿尼芬淨與酸A2的重量體積比，以g/mL計，為1：1-2.5。
如請求項2所述的方法，其中，該阿尼芬淨與酸A2的重量體積比，以g/mL計，為1：2.5。
如請求項1或2所述的方法，其中，該反應溫度為0-50℃。
如請求項1或2所述的方法，其中，該反應溫度為10-40℃。
如請求項1或2所述的方法，其中，該反應溫度為20-30℃。
如請求項1或2所述的方法，其中，該反應溫度為常溫。
如請求項1或2所述的方法，其中，其進一步包括以下步驟：N-甲基脯胺醇與對甲基苯磺酸甲酯反應得到產物，<figure><img align="absmiddle" height="91px" width="286px" file="d10017.TIF" alt="化學式ed10017.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10017.png"/></figure>
如請求項28所述的方法，其中，該N-甲基脯胺醇和對甲基苯磺酸甲酯的莫耳比為1：1-5。
如請求項28所述的方法，其中，該N-甲基脯胺醇和對甲基苯磺酸甲酯的莫耳比為1：1-3。
如請求項28所述的方法，其中，該N-甲基脯胺醇和對甲基苯磺酸甲酯的莫耳比為1：1。
如請求項28所述的方法，其中，該製備式(II)化合物的反應是在溶劑S3中進行，該溶劑S3為丙酮。
如請求項28所述的方法，其中，該製備式(II)化合物的反應的溫度為0-80℃。
如請求項28所述的方法，其中，該製備式(II)化合物的反應的溫度為10-70℃。
如請求項28所述的方法，其中，該製備式(II)化合物的反應的溫度為30-60℃。
如請求項28所述的方法，其中，該製備式(II)化合物的反應的溫度為50-60℃。
如請求項1或2所述的方法，其中，該式(II)化合物為<img align="absmiddle" height="94px" width="112px" file="d10025.TIF" alt="其他非圖式ed10025.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10025.png"/>，式(I)化合物為<img align="absmiddle" height="198px" width="241px" file="d10026.TIF" alt="其他非圖式ed10026.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10026.png"/>。
一種式(II)所示的中間體化合物，<figure><img align="absmiddle" height="95px" width="129px" file="d10018.TIF" alt="化學式ed10018.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10018.png"/></figure>
一種由一無線通訊設備執行的無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 在一第一通道上在一信標間隔內的一第一時間處，廣播一第一信標訊框，該第一信標訊框攜帶與一第一多基本服務集辨識符（BSSID）集合的一第一複數個非傳輸BSSID相關聯的BSSID資訊，其中該第一多BSSID集合的該第一複數個非傳輸BSSID與該無線通訊設備的一第一虛擬存取點（VAP）相關聯，該第一VAP對應於該第一多BSSID集合的一第一傳輸BSSID；及<br/> 在該第一通道上在該信標間隔內的一第二時間處，廣播一第二信標訊框，該第二信標訊框攜帶與一第二多BSSID集合的一第二複數個非傳輸BSSID相關聯的BSSID資訊，該第二多BSSID集合不同於該第一多BSSID集合，其中該第二多BSSID集合的該第二複數個非傳輸BSSID與該無線通訊設備的一第二VAP相關聯，該第二VAP對應於該第二多BSSID集合的一第二傳輸BSSID。
根據請求項1之方法，其中該第一信標訊框包括指示該第一多BSSID集合的該第一傳輸BSSID的一第一發射器位址，並且該第二信標訊框包括指示該第二多BSSID集合的該第二傳輸BSSID的一第二發射器位址。
根據請求項1之方法，其中該第一信標訊框和該第二信標訊框中的每一者包括一各自的多BSSID配置元素，該多BSSID配置元素具有被設置為等於1的一值的一全集接收週期欄位。
根據請求項1之方法，其中該第一信標訊框包括具有被設置為一第一值的一第一全集接收週期欄位的一第一多BSSID配置元素，並且該第二信標訊框包括具有被設置為一第二值的一第二全集接收週期欄位的一第二多BSSID配置元素。
根據請求項1之方法，其中該第一多BSSID集合中的BSSID跨越一有序值序列中的一第一範圍的值，並且該第二多BSSID集合中的BSSID跨越該有序值序列中與該第一範圍的值不重疊的一第二範圍的值。
根據請求項1之方法，其中該第一多BSSID集合和該第二多BSSID集合包括分別被設置為一值（n）和一值（m）的各自的最大BSSID指示符欄位，其中n是基於該第一多BSSID集合中的BSSID的一數量（N），並且m是基於該第二多BSSID集合中的BSSID的一數量（M）。
根據請求項6之方法，其中2<sup>n</sup> ≧ N並且2<sup>m</sup> ≧ M，其中n和m為相同的或不同的，並且其中N和M為相同的或不同的。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟：<br/> 在該第一通道上，廣播攜帶與該第一多BSSID集合的該第一複數個非傳輸BSSID相關聯的該BSSID資訊的一第三信標訊框，該第三信標訊框是在該第一信標訊框之後的一個信標間隔廣播的；及<br/> 在該第一通道上，廣播攜帶與該第二多BSSID集合的該第二複數個非傳輸BSSID相關聯的該BSSID資訊的一第四信標訊框，該第四信標訊框是在該第二信標訊框之後的一個信標間隔廣播的。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟：<br/> 在該第一通道上，廣播一第三信標訊框，該第三信標訊框攜帶與該第一多BSSID集合的一或多個非傳輸BSSID相關聯的BSSID資訊，該一或多個非傳輸BSSID不同於與該第一信標訊框中攜帶的該BSSID資訊相關聯的該一或多個非傳輸BSSID，該第三信標訊框是在該第一信標訊框之後的一信標間隔內廣播的。
根據請求項9之方法，其中將該第一信標訊框和該第三信標訊框作為一短脈衝傳輸進行廣播。
根據請求項9之方法，亦包括以下步驟：<br/> 在該第一通道上，廣播一第四信標訊框，該第四信標訊框攜帶與該第二多BSSID集合的一或多個非傳輸BSSID相關聯的BSSID資訊，該一或多個非傳輸BSSID不同於與該第二信標訊框中攜帶的該BSSID資訊相關聯的該一或多個非傳輸BSSID，該第四信標訊框是在該第二信標訊框之後的一信標間隔內廣播的。
根據請求項1之方法，其中該信標間隔與該第一多BSSID集合的該第一傳輸BSSID相關聯。
根據請求項6之方法，其中2<sup>n</sup> ≧ N+M。
根據請求項1之方法，其中該第一多BSSID集合的第一BSSID與該第二多BSSID集合的第二BSSID無相關。
根據請求項1之方法，其中該第一多BSSID集合的第一BSSID與該第二多BSSID集合的第二BSSID相關，並且其中該第一多BSSID集合和該第二多BSSID集合與一相同的BSS顏色相關聯。
一種無線通訊設備，包括：<br/> 至少一個數據機；<br/> 與該至少一個數據機通訊耦合的至少一個處理器；及<br/> 與該至少一個處理器通訊耦合並儲存處理器可讀代碼的至少一個記憶體，當該處理器可讀代碼被該至少一個處理器結合該至少一個數據機執行時，其被配置為：<br/> 在一第一通道上在一信標間隔內的一第一時間處，廣播一第一信標訊框，該第一信標訊框攜帶與一第一多基本服務集辨識符（BSSID）集合的一第一複數個非傳輸BSSID相關聯的BSSID資訊，其中該第一多BSSID集合的該第一複數個非傳輸BSSID與該無線通訊設備的一第一虛擬存取點（VAP）相關聯，該第一VAP對應於該第一多BSSID集合的一第一傳輸BSSID；及<br/> 在該第一通道上在該信標間隔內的一第二時間處，廣播一第二信標訊框，該第二信標訊框攜帶與一第二多BSSID集合的一第二複數個非傳輸BSSID相關聯的BSSID資訊，該第二多BSSID集合不同於該第一多BSSID集合，其中該第二多BSSID集合的該第二複數個非傳輸BSSID與該無線通訊設備的一第二VAP相關聯，該第二VAP對應於該第二多BSSID集合的一第二傳輸BSSID。
根據請求項16之無線通訊設備，其中該第一信標訊框和該第二信標訊框中的每一者包括一各自的多BSSID配置元素，該多BSSID配置元素具有被設置為等於1的一值的一全集接收週期欄位。
根據請求項16之無線通訊設備，其中該第一多BSSID集合中的BSSID跨越一有序值序列中的一第一範圍的值，並且該第二多BSSID集合中的BSSID跨越該有序值序列中與該第一範圍的值不重疊的一第二範圍的值。
根據請求項16之無線通訊設備，其中該第一多BSSID集合和該第二多BSSID集合包括分別被設置為一值（n）和一值（m）的各自的最大BSSID指示符欄位，其中n是基於該第一多BSSID集合中的BSSID的一數量（N），並且m是基於該第二多BSSID集合中的BSSID的一數量（M），其中2<sup>n</sup> ≧ N並且2<sup>m</sup> ≧ M，其中n和m為相同的或不同的，並且其中N和M為相同的或不同的。
根據請求項16之無線通訊設備，其中該處理器可讀代碼的執行亦被配置為：<br/> 在該第一通道上，廣播攜帶與該第一多BSSID集合的該第一複數個非傳輸BSSID相關聯的該BSSID資訊的一第三信標訊框，該第三信標訊框是在該第一信標訊框之後的一個信標間隔廣播的；及<br/> 在該第一通道上，廣播攜帶與該第二多BSSID集合的該第二複數個非傳輸BSSID相關聯的該BSSID資訊的一第四信標訊框，該第四信標訊框是在該第二信標訊框之後的一個信標間隔廣播的。
根據請求項16之無線通訊設備，其中該信標間隔與該第一多BSSID集合的該第一傳輸BSSID相關聯。
根據請求項19之無線通訊設備，其中2<sup>n</sup> ≧ N+M。
根據請求項16之無線通訊設備，其中該第一多BSSID集合的第一BSSID與該第二多BSSID集合的第二BSSID無相關。
根據請求項16之無線通訊設備，其中該第一多BSSID集合的第一BSSID與該第二多BSSID集合的第二BSSID相關，並且其中該第一多BSSID集合和該第二多BSSID集合與一相同的BSS顏色相關聯。
一種由一無線通訊設備執行的無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 在一第一通道上在一第一信標間隔內的一第一時間處，廣播一第一信標訊框，該第一信標訊框攜帶與一多基本服務集辨識符（BSSID）集合的一或多個第一非傳輸BSSID相關聯的BSSID資訊，並且在該第一信標間隔內的一第二時間處，廣播一第二信標訊框，該第二信標訊框攜帶與該多BSSID集合的一或多個第二非傳輸BSSID相關聯的BSSID資訊，該一或多個第二非傳輸BSSID不同於該一或多個第一非傳輸BSSID；及<br/> 在該第一通道上在該第一信標訊框之後的一個信標間隔，廣播一第三信標訊框，該第三信標訊框攜帶與該多BSSID集合的該一或多個第一非傳輸BSSID相關聯的該BSSID資訊，並且在該第二信標訊框之後的一個信標間隔，廣播一第四信標訊框，該第四信標訊框攜帶與該多BSSID集合的該一或多個第二非傳輸BSSID相關聯的該BSSID資訊，該一或多個第二非傳輸BSSID不同於該一或多個第一非傳輸BSSID。
根據請求項25之方法，其中將該第一信標訊框和該第二信標訊框作為一短脈衝傳輸進行廣播。
根據請求項25之方法，其中該第一信標訊框包括指示該多BSSID集合的一傳輸BSSID的一相應發射器位址，該第二信標訊框包括指示該多BSSID集合的該傳輸BSSID的一相應發射器位址，該第三信標訊框包括指示該多BSSID集合的該傳輸BSSID的一相應發射器位址，並且該第四信標訊框包括指示該多BSSID集合的該傳輸BSSID的一相應發射器位址。
一種無線通訊設備，包括：<br/> 至少一個數據機；<br/> 與該至少一個數據機通訊耦合的至少一個處理器；及<br/> 與該至少一個處理器通訊耦合並儲存處理器可讀代碼的至少一個記憶體，當該處理器可讀代碼被該至少一個處理器結合該至少一個數據機執行時，其被配置為：<br/> 在一第一通道上在一第一信標間隔內的一第一時間處，廣播一第一信標訊框，該第一信標訊框攜帶與一多基本服務集辨識符（BSSID）集合的一或多個第一非傳輸BSSID相關聯的BSSID資訊，並且在該第一信標間隔內的一第二時間處，廣播一第二信標訊框，該第二信標訊框攜帶與該多BSSID集合的一或多個第二非傳輸BSSID相關聯的BSSID資訊，該一或多個第二非傳輸BSSID不同於該一或多個第一非傳輸BSSID；及<br/> 在該第一通道上在該第一信標訊框之後的一個信標間隔，廣播一第三信標訊框，該第三信標訊框攜帶與該多BSSID集合的該一或多個第一非傳輸BSSID相關聯的該BSSID資訊，並且在該第二信標訊框之後的一個信標間隔，廣播一第四信標訊框，該第四信標訊框攜帶與該多BSSID集合的該一或多個第二非傳輸BSSID相關聯的該BSSID資訊，該一或多個第二非傳輸BSSID不同於該一或多個第一非傳輸BSSID。
根據請求項28之無線通訊設備，其中將該第一信標訊框和該第二信標訊框作為一短脈衝傳輸進行廣播。
根據請求項28之無線通訊設備，其中該第一信標訊框、該第二信標訊框、該第三信標訊框、和該第四信標訊框中的每一者包括一各自的多BSSID配置元素，該多BSSID配置元素具有被設置為大於1的一值的一全集接收週期欄位，該第一信標訊框的該全集接收週期欄位被設置為與該第二信標訊框的該全集接收週期欄位相同的一值。
一種研磨工具，可研磨晶圓，前述研磨工具的特徵在於：<br/> 包含基台與固定在該基台之研磨層，<br/> 該研磨層包含結合材，前述結合材分散有導電性材料，前述導電性材料用於去除該研磨層接觸於該晶圓時產生之靜電，<br/> 該導電性材料是碳纖維，<br/> 該碳纖維的含有率為3wt%以上且15wt%以下，<br/> 該碳纖維形成從該結合材的上表面至下表面的導電路徑。
如請求項1之研磨工具，其中該碳纖維的含有率為5wt%以上。
一種聚碳酸酯共聚物，其包含： <br/> 由下式1所表示之重複單元；及 <br/> 由下式2所表示之重複單元， <br/> 其中，該由下式2所表示之重複單元的重量平均分子量為1,000 g/mol至30,000 g/mol： <br/>[式1] <br/><img align="absmiddle" height="273px" width="618px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 在式1中， <br/> R<sub>1</sub>至R<sub>4</sub>各自獨立地係氫、C<sub>1-10</sub>烷基、C<sub>1-10</sub>烷氧基、或鹵素，及 <br/> Z係未經取代或經苯基取代之C<sub>1-10</sub>伸烷基、未經取代或經C<sub>1-10</sub>烷基取代之C<sub>3-15</sub>伸環烷基， <br/>[式2] <br/><img align="absmiddle" height="263px" width="623px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 在式2中， <br/> Y係由下式2-1或2-2所表示之二價有機基團， <br/><br/><br/>[式2-1] <br/><img align="absmiddle" height="218px" width="396px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[式2-2] <br/><img align="absmiddle" height="291px" width="386px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之聚碳酸酯共聚物，其中，該由式1所表示之重複單元係衍生自選自由下列所組成之群組中之任何一或多種芳族二醇化合物：雙(4-羥基苯基)甲烷、雙(4-羥基苯基)醚、雙(4-羥基苯基)碸、雙(4-羥基苯基)亞碸、雙(4-羥基苯基)硫醚、雙(4-羥基苯基)酮、1,1-雙(4-羥基苯基)乙烷、2,2-雙(4-羥基苯基)丙烷(雙酚A)、2,2-雙(4-羥基苯基)丁烷、1,1-雙(4-羥基苯基)環己烷(雙酚Z)、2,2-雙(4-羥基-3,5-二溴苯基)丙烷、2,2-雙(4-羥基-3,5-二氯苯基)丙烷、2,2-雙(4-羥基-3-溴苯基)丙烷、2,2-雙(4-羥基-3-氯苯基)丙烷、2,2-雙(4-羥基-3-甲基苯基)丙烷(雙酚C)、2,2-雙(4-羥基-3,5-二甲基苯基)丙烷、及1,1-雙(4-羥基苯基)-1-苯基乙烷。
如請求項1之聚碳酸酯共聚物，其中，該由式1所表示之重複單元係由下式1-1所表示： <br/><br/><br/>[式1-1] <br/><img align="absmiddle" height="265px" width="600px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之聚碳酸酯共聚物，其中，相對於該由式1所表示之重複單元，該由式2所表示之重複單元的含量係5重量%至95重量%。
如請求項1之聚碳酸酯共聚物，其中，該聚碳酸酯共聚物的重量平均分子量係10,000 g/mol至100,000 g/mol。
如請求項1之聚碳酸酯共聚物，其中，根據ASTM D256 (1/8英寸，凹口艾氏衝擊試驗(Notched Izod))在23℃下所測量，該聚碳酸酯共聚物在室溫下之艾氏衝擊強度(Izod impact strength)係500 J/m至1,000 J/m。
如請求項1之聚碳酸酯共聚物，其中，根據ASTM D3363所測量，該聚碳酸酯共聚物之鉛筆硬度係HB或更高。
一種製備如請求項1之聚碳酸酯共聚物之方法，該方法包含下列步驟： <br/> 製備該由式2所表示之重複單元(步驟1)；及 <br/> 使該由式2所表示之重複單元與該由式1所表示之重複單元共聚(步驟2)。
如請求項8之方法，其中，該步驟1包括使雙酚C與由下式3-1及式3-2所表示之化合物聚合的步驟： <br/>[式3-1] <br/><img align="absmiddle" height="255px" width="326px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[式3-2] <br/><img align="absmiddle" height="155px" width="353px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 在式3-1及式3-2中， <br/> X係鹵素。
如請求項9之方法，其中，該由式3-1及式3-2所表示之化合物的用量相對於雙酚C之當量分別係0.1當量至1當量。
一種雙軸配向積層聚丙烯膜，係至少包含基材層A以及表面層B，前述基材層A以及前述表面層B係以聚丙烯樹脂為主成分，且滿足下述1)至7)之要件：<br/> 1)前述基材層A之厚度相對於前述雙軸配向積層聚丙烯膜之厚度的比率為70%以上至98%以下；<br/> 2)構成前述基材層A之聚丙烯樹脂的內消旋五元組分率為97.0%以上至99.9%以下；<br/> 3)構成前述表面層B之聚丙烯樹脂的內消旋五元組分率為80.0%以上至96.5%以下；<br/> 4)前述雙軸配向積層聚丙烯膜之長度方向之於23℃以拉伸速度200mm／分鐘伸長5%時的應力為35MPa以上；<br/> 5)前述雙軸配向積層聚丙烯膜之寬度方向之於23℃以拉伸速度200mm／分鐘伸長5%時的應力為95MPa以上；<br/> 6)前述雙軸配向積層聚丙烯膜之長度方向之在150℃加熱5分鐘後的熱收縮率為6.0%以下；<br/> 7)前述雙軸配向積層聚丙烯膜之寬度方向之在150℃加熱5分鐘後的熱收縮率為5.0%以下。
如請求項1所記載之雙軸配向積層聚丙烯膜，其中前述雙軸配向積層聚丙烯膜之表面層B之膜表面之濕潤張力為38mN／m以上。
如請求項1或2所記載之雙軸配向積層聚丙烯膜，其中前述雙軸配向積層聚丙烯膜之霧度為5.0%以下。
如請求項1或2所記載之雙軸配向積層聚丙烯膜，其中前述雙軸配向積層聚丙烯膜整體之厚度為5.3μm以上至202μm以下。
一種積層體，係含有如請求項1至4中任一項所記載之雙軸配向積層聚丙烯膜與無延伸聚丙烯膜。
如請求項5所記載之積層體，其中以前述積層體進行90°(T字)剝離時之剝離強度所表示之層壓強度在前述積層體之長度方向以及寬度方向皆為1.9N／15mm以上至10N／15mm以下。
一種工作台驅動裝置，具備：第1固定座，其延伸於軸向上，且形成有與前述軸向垂直之截面為圓形的第1座孔及第2座孔，前述第1座孔及前述第2座孔在前述軸向上彼此分開且中心軸重合；第1軸承，其可嵌入前述第1座孔；軸構件，其延伸於前述軸向上，可插入前述第1軸承及前述第2座孔；第2固定座，其插入在環繞前述第2座孔之內周面與前述軸構件之外周面之間，並包含沿著前述內周面的圓環狀部；第2軸承，其嵌入在前述圓環狀部之內周面與前述軸構件之外周面之間；馬達，使前述軸構件繞軸旋轉；支架，其配置在前述馬達與前述第2固定座之間；及工作台，其藉由前述軸構件之繞軸旋轉而驅動；在前述支架之內部，前述馬達之輸出軸的端部與前述軸構件之端部連接；在與前述圓環狀部之外周面中心軸重合的圓筒狀內周面與前述軸構件之外周面之間，形成有一圓環狀空間，該圓環狀空間係於前述軸向上相對於前述第2軸承鄰接在前述支架側且環繞前述軸構件之外周面；前述支架包含基底部及第1突出部，前述第1突出部係自前述基底部突出於前述第2固定座側而插入前述圓環狀空間中且沿著前述圓環狀部之內周面；前述第1突出部與前述第2軸承之前述軸向上的端面接觸，並且前述第1突出部係以沿前述軸向觀看時，前述圓環狀部之中心位在三角形內側的方式，與前述圓環狀部之內周面的至少一部分接觸，前述三角形係由自與前述圓環狀部之內周面接觸部分之主點連結而成。
如申請專利範圍第1項之工作台驅動裝置，其中前述第1突出部與前述圓環狀部之內周面在整個圓周方向上接觸。
如申請專利範圍第1項或第2項之工作台驅動裝置，其中在前述基底部形成有第1支架孔及與前述軸向垂直之截面為圓形的第2支架孔，前述第1支架孔被前述第1突出部環繞且其與前述軸向垂直之截面為圓形，前述第1支架孔及前述第2支架孔在前述軸向上彼此分開且中心軸重合；前述馬達包含本體部及第2突出部，前述第2突出部係自前述本體部突出於前述支架側而插入前述第2支架孔中且沿著環繞前述第2支架孔之內周面，前述第2突出部係以沿前述軸向觀看時，前述第2支架孔之中心位在三角形內側的方式，與環繞前述第2支架孔之內周面的至少一部分接觸，前述三角形係由自與環繞前述第2支架孔之內周面接觸部分之三點連結而成。
如申請專利範圍第3項之工作台驅動裝置，其中前述第2突出部與環繞前述第2支架孔之內周面在整個圓周方向上接觸。
一種片貼附裝置，係具備：<br/> 拉出單元，係用於拉出由接著片暫時接著於剝離片而成的原料片；<br/> 剝離單元，係藉由折返部將由前述拉出單元所拉出的前述原料片中的前述剝離片折返，並從前述剝離片將前述接著片剝離；以及<br/> 按壓單元，係使被接著體的被接著面位於預定的貼附平面內，並將由前述剝離單元所剝離的前述接著片按壓並貼附至與前述折返部相對移動的前述被接著體的被接著面；<br/> 前述片貼附裝置係在自動地將前述接著片貼附至前述被接著體之自動操作中且於前述折返部中於前述剝離片形成了鬆弛；<br/> 於前述片貼附裝置中，前述折返部中與前述貼附平面間的最短距離係於前述剝離片的厚度加上允許鬆弛間隔之距離；<br/> 前述允許鬆弛間隔係設定為0.1mm以上至30mm以下。
一種片貼附方法，係實施：<br/> 拉出工序，係拉出由接著片暫時接著於剝離片而成的原料片；<br/> 剝離工序，係藉由折返部將於前述拉出工序中所拉出的前述原料片中的前述剝離片折返，並從前述剝離片將前述接著片剝離；以及<br/> 按壓工序，係使被接著體的被接著面位於預定的貼附平面內，並將於前述剝離工序中所剝離的前述接著片按壓並貼附至與前述折返部相對移動的前述被接著體的被接著面；<br/> 前述片貼附方法係使用了片貼附裝置，前述片貼附裝置係在自動地將前述接著片貼附至前述被接著體之自動操作中且於前述折返部中於前述剝離片形成了鬆弛；<br/> 於前述片貼附方法中，前述折返部中與前述貼附平面間的最短距離係於前述剝離片的厚度加上允許鬆弛間隔之距離；<br/> 前述允許鬆弛間隔係設定為0.1mm以上至30mm以下。
一種光可固化組成物，其包含可聚合材料、富勒烯或富勒烯衍生物(fullerene derivative)、和光引發劑，其中 <br/> 該富勒烯或富勒烯衍生物之量，以該光可固化組成物之總重為基準計，為至少0.1 wt%且不超過1 wt%； <br/> 該光可固化組成物之黏度不大於60 mPa s； <br/> 該可聚合材料包含以該可聚合材料之總重為基準計為至少45 wt%之量的至少一種多官能苯乙烯(multi-functional vinylbenzene)；以及 <br/> 該可聚合材料之量，以該光可固化組成物之總重為基準計，為至少70 wt%。
如請求項1之光可固化組成物，其中，該富勒烯或富勒烯衍生物包含C60富勒烯(C60)、苯基-C61-丁酸甲酯(PCBM)、或其組合。
如請求項1之光可固化組成物，其中，該可聚合材料進一步包含至少一種多官能丙烯酸酯單體。
如請求項1之光可固化組成物，其中，該至少一種多官能苯乙烯包含二乙烯苯(divinylbenzene)。
如請求項3之光可固化組成物，其中，該可聚合材料包含至少一種多官能苯乙烯和至少一種多官能丙烯酸酯單體。
如請求項3之光可固化組成物，其中，該可聚合材料包含以該可聚合材料之總重為基準計為至少45 wt%之該多官能苯乙烯和以該可聚合材料之總重為基準計為至少30 wt%之該多官能丙烯酸酯單體。
如請求項3之光可固化組成物，其中，該多官能苯乙烯對該多官能丙烯酸酯單體之重量%比的範圍為1：3至3：1。
如請求項3之光可固化組成物，其中，該可聚合材料包含至少一種二官能苯乙烯(difunctional vinylbenzene)和至少一種三官能丙烯酸酯單體(trifunctional acrylate monomer)。
如請求項8之光可固化組成物，其中，該可聚合材料包含二乙烯苯和三羥甲丙烷三丙烯酸酯(trimethylolpropane triacrylate)。
如請求項1之光可固化組成物，其中，該光可固化組成物適於在光固化之後轉化成固態材料，且於光固化之後的重量損失(weight loss)不超過10 wt%。
如請求項1之光可固化組成物，其中，該光可固化組成物基本上不含溶劑。
如請求項1之光可固化組成物，其中， <br/> 該可聚合材料之量，以該光可固化組成物之總重為基準計，為至少90 wt%。
一種積層物(laminate)，其包含基板以及在該基板上之光固化層，其中，該光固化層係由請求項1之光可固化組成物形成。
如請求項13之積層物，其中，該光固化層之初始降解溫度(initial degradation temperature) T<sub>f</sub>(X)係比比較光固化層之初始降解溫度T<sub>c</sub>(X)還高至少10℃，該比較光固化層(comparative photo-cured layer)係由含有與該光可固化組成物相同之可聚合材料和光引發劑但不含富勒烯或富勒烯衍生物的比較光可固化組成物(comparative photocurable composition)所製成。
如請求項14之積層物，其中，該光固化層之初始降解溫度T(X)為至少320℃。
一種於基板上形成光固化層之方法，其包含： <br/> 於該基板上施加一層光可固化組成物，其中，該光可固化組成物包含可聚合材料、富勒烯或富勒烯衍生物、和光引發劑，以及其中，該富勒烯或富勒烯衍生物之量，以該光可固化組成物之總重為基準計，為至少0.1 wt%且不超過1 wt%；該光可固化組成物之黏度不大於60 mPa s；該可聚合材料包含以該可聚合材料之總重為基準計為至少45 wt%之量的至少一種多官能苯乙烯；以及該可聚合材料之量，以該光可固化組成物之總重為基準計，為至少70 wt%； <br/> 使該光可固化組成物與覆板(superstrate)或壓印模板(imprint template)接觸； <br/> 以光照射該光可固化組成物以形成光固化層；以及 <br/> 從該光固化層移除該覆板或該壓印模板。
如請求項16之方法，其中，該富勒烯化合物包含C60富勒烯(C60)、苯基-C61-丁酸甲酯(PCBM)、或其組合。
如請求項16之方法，其中，該光固化層之初始降解溫度T<sub>f</sub>(X)為至少320℃。
如請求項16之方法，其中， <br/> 該可聚合材料之量，以該光可固化組成物之總重為基準計，為至少90 wt%。
一種製造物件之方法，其包含： <br/> 於基板上施加一層光可固化組成物，其中，該光可固化組成物包含可聚合材料、富勒烯或富勒烯衍生物、和光引發劑，以及其中，該富勒烯或富勒烯衍生物之量，以該光可固化組成物之總重為基準計，為至少0.1 wt%且不超過1 wt%；該光可固化組成物之黏度不大於60 mPa s；該可聚合材料包含以該可聚合材料之總重為基準計為至少45 wt%之量的至少一種多官能苯乙烯；以及該可聚合材料之量，以該光可固化組成物之總重為基準計，為至少70 wt%； <br/> 使該光可固化組成物與覆板或壓印模板接觸； <br/> 以光照射該光可固化組成物以形成光固化層； <br/> 從該光固化層移除該覆板或該壓印模板； <br/> 於該基板上形成圖案； <br/> 處理在該形成中已於其上形成該圖案的該基板；以及 <br/> 由在該處理中處理之該基板製造物件。
如請求項20之方法，其中， <br/> 該可聚合材料之量，以該光可固化組成物之總重為基準計，為至少90 wt%。
一種下述通式(I)所示的化合物的用途，其係用於製造治療慢性腎臟病的貓的製劑，<br/><img align="absmiddle" height="284px" width="630px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [式中，R表示鈉離子或鉀離子]，<br/> 其中將含有該通式(I)所示的化合物作為有效成分的製劑，於R為鈉離子的情形以該通式(I)所示的化合物成為12.6～57.7μg/kg體重/日的方式，於R為鉀離子的情形以該通式(I)所示的化合物成為13.1～59.9μg/kg體重/日的方式，投予至國際獸醫腎臟病研究組織的嚴重度分類(IRIS分期)之第4期的慢性腎臟病的貓，而抑制慢性腎臟病的貓的腎死。
一種下述通式(I)所示的化合物的用途，其係用於製造治療慢性腎臟病的貓的製劑，<br/><img align="absmiddle" height="284px" width="630px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [式中，R表示鈉離子或鉀離子]，<br/> 其中將含有該通式(I)所示的化合物作為有效成分的製劑，於R為鈉離子的情形以該通式(I)所示的化合物成為12.6～57.7μg/kg體重/日的方式，於R為鉀離子的情形以該通式(I)所示的化合物成為13.1～59.9μg/kg體重/日的方式，投予至國際獸醫腎臟病研究組織的嚴重度分類(IRIS分期)之第4期的慢性腎臟病的貓，而改善慢性腎臟病的貓的整體存活率或實測存活率。
一種下述通式(I)所示的化合物的用途，其係用於製造治療慢性腎臟病的貓的製劑，<br/><img align="absmiddle" height="284px" width="630px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [式中，R表示鈉離子或鉀離子]，<br/> 其中將含有該通式(I)所示的化合物作為有效成分的製劑，於R為鈉離子的情形以該通式(I)所示的化合物成為12.6～57.7μg/kg體重/日的方式，於R為鉀離子的情形以該通式(I)所示的化合物成為13.1～59.9μg/kg體重/日的方式，投予至國際獸醫腎臟病研究組織的嚴重度分類(IRIS分期)之第3期的慢性腎臟病的貓，而改善慢性腎臟病的貓的整體存活率或實測存活率。
一種下述通式(I)所示的化合物的用途，其係用於製造治療慢性腎臟病的貓的製劑，<br/><img align="absmiddle" height="284px" width="630px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [式中，R表示鈉離子或鉀離子]，<br/> 其中將含有該通式(I)所示的化合物作為有效成分的製劑，於R為鈉離子的情形以該通式(I)所示的化合物成為12.6～57.7μg/kg體重/日的方式，於R為鉀離子的情形以該通式(I)所示的化合物成為13.1～59.9μg/kg體重/日的方式，投予至併發有慢性心臟衰竭、糖尿病、胰臟炎、惡性腫瘤、甲狀腺功能亢進症、高血壓症、蛋白尿症、低鉀血症、高磷血症、或貧血症之國際獸醫腎臟病研究組織的嚴重度分類(IRIS分期)之第3期的慢性腎臟病的貓，而改善慢性腎臟病的貓的整體存活率或實測存活率。
一種下述通式(I)所示的化合物的用途，其係用於製造治療慢性腎臟病的貓的製劑，<br/><img align="absmiddle" height="284px" width="630px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [式中，R表示鈉離子或鉀離子]，<br/> 其中將含有該通式(I)所示的化合物作為有效成分的製劑，於R為鈉離子的情形以該通式(I)所示的化合物成為12.6～57.7μg/kg體重/日的方式，於R為鉀離子的情形以該通式(I)所示的化合物成為13.1～59.9μg/kg體重/日的方式，投予至顯示體重小於4.2kg之體重減少的國際獸醫腎臟病研究組織的嚴重度分類(IRIS分期)之第3期或第4期的慢性腎臟病的貓，而改善慢性腎臟病的貓的整體存活率或實測存活率。
如請求項1至5中任一項之用途，其中該通式(I)所示的化合物為貝前列素鈉(beraprost sodium)。
如請求項1至4中任一項之用途，其中該IRIS分期之第3期或第4期的慢性腎臟病的貓為顯示體重小於4.2kg之體重減少的貓。
如請求項3至5中任一項之用途，其中該IRIS分期之第3期的慢性腎臟病的貓係血清肌酸酐值為2.9mg/dL以上5.0mg/dL以下且血清SDMA值為9.0μg/dL以上。
如請求項1、2及5中任一項之用途，其中該IRIS分期之第4期的慢性腎臟病的貓係血清肌酸酐值超過5.0mg/dL且血清SDMA值為9.0μg/dL以上。
如請求項5之用途，其中將該製劑投予至該IRIS分期之第3期的慢性腎臟病的貓。
如請求項1至5及10中任一項之用途，其中該IRIS分期之第3期或第4期的慢性腎臟病的貓為滿足IRIS分期之基準中的依據血清肌酸酐值的基準的貓。
如請求項1至5及10中任一項之用途，其中對該慢性腎臟病的貓的投予係藉由1日2次的投予而進行。
如請求項1至5及10中任一項之用途，其中對該慢性腎臟病的貓的投予係藉由進食中投予或進食後投予而進行。
如請求項1至5及10中任一項之用途，其中對該慢性腎臟病的貓的投予係藉由在對貓的慢性腎臟病的標準療法上追加的投予而進行。
如請求項14之用途，其中該標準療法為國際貓科醫學會或國際獸醫腎臟病研究組織的指南所規定的治療法。
如請求項1至3、5及10中任一項之用途，其中該慢性腎臟病的貓併發有慢性心臟衰竭、糖尿病、胰臟炎、惡性腫瘤、甲狀腺功能亢進症、高血壓症、蛋白尿症、低鉀血症、高磷血症、或貧血症。
一種偏差測量裝置，測量基板中心與標準中心之間的偏差，包括基準臂、運動臂和第一直線模組，所述運動臂上設有第一定位爪，所述第一定位爪用於與基板邊緣上的兩個點抵接，所述基準臂上設有第二定位爪，所述第二定位爪用於與基板邊緣上的兩個點抵接，所述運動臂與所述基準臂相對設置，第一定位爪的中心和第二定位爪的中心的連線為直線L，直線L經過標準中心，所述第一直線模組與運動臂連接，所述運動臂可在第一直線模組的驅動下，沿著直線L平移，所述第一定位爪將基板推動，直到第一定位爪和第二定位爪同時與基板邊緣接觸，此時基板中心便位於直線L上，基板中心與標準中心之間的偏差可根據基準臂和運動臂的座標來計算，所述基板為圓形基板或橢圓形基板，所述運動臂的座標為：<br/> 第一定位爪中心點的座標，或<br/> 根據運動臂的初始座標和運動臂在第一直線模組上的位移量計算得到。
根據請求項1所述的偏差測量裝置，其中，所述基板帶有缺口或平邊。
根據請求項1所述的偏差測量裝置，其中，所述運動臂上設有壓力感測器，所述壓力感測器與第一定位爪連接，用於測量基板邊緣與第一定位爪之間的壓力。
根據請求項3所述的偏差測量裝置，其中，所述第一定位爪與壓力感測器之間通過彈簧連接。
根據請求項4所述的偏差測量裝置，其中，所述第一定位爪兩側各設有一個條形突起，運動臂上設有兩個平行的軌道，兩個條形突起與兩個軌道一一對應連接，第一定位爪可沿軌道滑動。
根據請求項1所述的偏差測量裝置，其中，所述第一定位爪和第二定位爪上各設有兩個滾動件，所述滾動件的滾動面用於與基板邊緣抵接。
根據請求項6所述的偏差測量裝置，其中，所述滾動件為滾輪。
根據請求項1所述的偏差測量裝置，其中，還包括第二直線模組，所述第二直線模組與基準臂連接，所述基準臂可在第二直線模組的驅動下，沿著直線L平移，所述基準臂和運動臂可與基板同步移動，使基板的中心與標準中心對準。
根據請求項8所述的偏差測量裝置，其中，所述運動臂在第一直線模組上的位移量和基準臂在第二直線模組上的位移量均可直接讀取。
根據請求項8所述的偏差測量裝置，其中，所述第一直線模組上固定裝有位移感測器，所述位移感測器與運動臂相對設置，用於測量運動臂的移動距離，所述第二直線模組上固定裝有位移感測器，所述位移感測器與基準臂相對設置，用於測量基準臂的移動距離。
一種偏差測量裝置，測量基板中心與標準中心之間的偏差，包括基準臂、運動臂和第一直線模組，所述基準臂上設有定位爪，所述定位爪用於與基板邊緣上的兩個點抵接，所述運動臂上設有接觸頭和壓力感測器，所述接觸頭用於與基板邊緣的一個點抵接，所述壓力感測器與接觸頭連接，壓力感測器測量基板邊緣與接觸頭之間的壓力，所述運動臂與所述基準臂相對設置，定位爪的中心和接觸頭的中心的連線為直線L，直線L經過標準中心，所述第一直線模組與運動臂連接，所述運動臂可在第一直線模組的驅動下，沿著直線L平移，測量時，所述運動臂從初始座標出發，將基板推動，直到定位爪和接觸頭同時與基板邊緣接觸，此時基板中心位於直線L上，運動臂位於結束座標，然後計算基板的直徑d1，從而獲取基板中心與標準中心之間的偏差n，計算式如下：<br/><br/><img align="absmiddle" height="24px" width="103px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/><img align="absmiddle" height="17px" width="41px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中，d0為標準直徑，定位爪為V形，<img align="absmiddle" height="16px" width="4px" file="ed10012.jpg" alt="ed10012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為定位爪的張角的一半，m<img align="absmiddle" height="16px" width="35px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<img align="absmiddle" height="16px" width="9px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為運動臂在初始座標與結束座標之間的平移距離，<img align="absmiddle" height="16px" width="9px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為運動臂的標準平移距離，標準平移距離是預先獲取好的，獲取方法為：將具有標準直徑d0的基板作為測量時的基板進行測量，得到的運動臂在初始座標與結束座標之間的平移距離即為標準平移距離。
根據請求項11所述的偏差測量裝置，其中，所述接觸頭與壓力感測器之間通過彈簧連接。
根據請求項11所述的偏差測量裝置，其中，所述運動臂上設有滑槽，所述接觸頭可沿滑槽滑動。
根據請求項11所述的偏差測量裝置，其中，所述接觸頭上設有滾動件，所述滾動件的滾動面用於與基板邊緣抵接。
根據請求項14所述的偏差測量裝置，其中，所述滾動件為滾輪。
根據請求項11所述的偏差測量裝置，其中，還包括第二直線模組，所述第二直線模組與基準臂連接，所述基準臂可在第二直線模組的驅動下，沿著直線L平移，所述基準臂和運動臂可與基板同步移動，使基板的中心與標準中心對準。
根據請求項16所述的偏差測量裝置，其中，所述運動臂在第一直線模組上的位移量和基準臂在第二直線模組上的位移量均可直接讀取。
根據請求項16所述的偏差測量裝置，其中，所述第一直線模組上固定裝有位移感測器，所述位移感測器與運動臂相對設置，用於測量運動臂的移動距離，所述第二直線模組上固定裝有位移感測器，所述位移感測器與基準臂相對設置，用於測量基準臂的移動距離。
一種用於提供用於CVD反應器(1、1'、1")之製程氣體的裝置，該裝置包括：氣體源，其具有入口質量流量調節器(10、11)，該入口質量流量調節器用於提供由載氣輸送之氣態起始材料的質量流量，該起始材料由製程氣體饋送管線(9、9'、9")輸送至該CVD反應器(1、1'、1")，其中，在該製程氣體饋送管線(9、9'、9")中設有用於測量總壓力之壓力測量裝置以及用於測量該起始材料在該載氣中之濃度或分壓的測量裝置(14、14'、14")；調節裝置(21)，藉由該調節裝置使該製程氣體饋送管線(9、9'、9")中之該起始材料的該濃度或該分壓保持恆定值；以及載氣饋送管線(7)，用於將補償氣體送入該製程氣體饋送管線(9、9'、9")，其特徵在於：該壓力測量裝置具有用於提供該補償氣體之壓力調節器(8)，在該測量裝置(14、14'、14")下游設有製程氣體質量流量調節器(13、13'、13")，並且該調節裝置(21)被設置為：在總壓力藉由該壓力調節器(8)而保持恆定值之情況下，藉由該製程氣體質量流量調節器(13、13'、13")來調節流入該CVD反應器之起始材料的質量流量。
如請求項1之裝置，其中，由該製程氣體饋送管線(9、9'、9")輸送的反應性氣體穿過該入口質量流量調節器(10、11)，並且該氣體源為儲存該反應性氣體之容器或提供在載氣中被輸送之蒸氣的蒸氣源(19)，或者，由該入口質量流量調節器(10、11)提供的載氣流量穿過蒸發裝置(2、2'、2")之蒸發容器(4)，並且該蒸發裝置(2、2'、2")中所產生的蒸氣在該製程氣體饋送管線(9、9'、9")中由該載氣輸送。
如請求項1之裝置，其中，該壓力調節器(8)之出口透過數條氣體饋送管線(12、12'、12")分別與一條各對應一個不同的CVD反應器(1、1'、1")之製程氣體饋送管線(9、9'、9")連接。
如請求項1之裝置，其中，穿過該製程氣體饋送管線(9)且藉由該壓力調節器(8)保持預定總壓力的製程氣體流量被分成數個分流量。
如請求項1之裝置，其中，兩個製程氣體質量流量調節器(13、13')並聯連接，並且/或者，製程氣體流量透過兩個不同的進氣開口(15、15')分別以質量流量經調節之方式被送入該CVD反應器(1)之製程室(18)。
如請求項1之裝置，其中，該壓力調節器(8)之出口與數條分別通往不同氣體源之氣體饋送管線(12、12'、12")連接，藉由該等氣體源提供不同的反應性氣體，該等氣體源透過製程氣體饋送管線(9、9'、9")與一個或數個CVD反應器(1、1'、1")連接。
如請求項1之裝置，其中，該調節裝置(21)為該入口質量流量調節器(11)規定目標值，以使該製程氣體饋送管線(9、9'、9")中之該起始材料的濃度或分壓保持恆定值。
一種CVD反應器裝置，具有至少一個載氣源及CVD反應器(1、1'、1")，其特徵在於具有請求項1或2中任一項之用於提供製程氣體的裝置，該製程氣體被送入該CVD反應器(1、1'、1")。
一種在請求項1至8中任一項之裝置中提供製程氣體之方法，其中，藉由壓力測量裝置及測量裝置(14、14'、14")測量起始材料之濃度或分壓以及製程氣體饋送管線(9、9'、9")中的總壓力，使流入CVD反應器(1、1'、1")之起始材料的質量流量保持恆定值，並且將補償氣體送入該製程氣體饋送管線(9、9'、9")，其特徵在於：藉由饋送補償氣體，使該製程氣體饋送管線(9、9'、9")中的總壓力保持恆定值，並且藉由佈置在該測量裝置（14、14'、14"）下游的製程氣體質量流量調節器（13、13'、13"），使流入該CVD反應器（1、1'、1"）之起始材料的質量流量保持恆定值。
如請求項9之方法，其中，藉由該測量裝置(14、14'、14")測量該製程氣體饋送管線(9、9'、9")中之該起始材料的該濃度或該分壓，藉由以此方式獲得的測量值來修正該製程氣體質量流量調節器之目標值，並且/或者，藉由以此方式獲得的該測量值使該濃度或該分壓保持恆定值。
如請求項9之方法，其中，自該壓力調節器(8)之出口流出的載氣之質量流量被分成數個質量流量，該等質量流量分別進入彼此不同的製程氣體饋送管線(9、9'、9")，透過該等製程氣體饋送管線，各有一個製程氣體質量流量自蒸發裝置(2、2'、2")流向該CVD反應器(1、1'、1")。
如請求項9之方法，其中，由來源提供的製程氣體質量流量被分成數個分流量，該等分流量分別經該製程氣體質量流量調節器(13、13')調節後透過不同的進氣開口(15、15')流入該CVD反應器(1、1'、1")之製程室(18)，或者流入不同的CVD反應器(1、1'、1")。
一種液晶聚合物組合物，其特徵在於含有液晶聚合物(A)、半芳香族聚醯胺樹脂(B)、硫酸鋇(C)、及補強材料(D)， <br/>上述補強材料(D)經疏水性表面處理劑處理， <br/>上述疏水性表面處理劑為下述通式(I)所表示之烷氧基矽烷，且 <br/>上述半芳香族聚醯胺樹脂(B)之含量於上述液晶聚合物組合物總量100質量%中為1.0質量%～4.0質量%； <br/>R<sup>1</sup><sub>n</sub>Si(OR<sup>2</sup>)<sub>4</sub><sub>－</sub><sub>n</sub> 式(I) <br/>[通式(I)中，n表示選自1～3之任意之整數，R<sup>1</sup>表示烷基、烯基或芳基，R<sup>2</sup>表示烷基]。
如請求項1之液晶聚合物組合物，其中構成上述半芳香族聚醯胺樹脂(B)之全部結構單元中之源自芳香族單體之結構單元之比率為20莫耳%以上。
如請求項1或2之液晶聚合物組合物，其中上述半芳香族聚醯胺樹脂(B)之熔點為230℃～350℃。
如請求項1或2之液晶聚合物組合物，其中上述液晶聚合物(A)為全芳香族液晶聚合物。
如請求項1或2之液晶聚合物組合物，其中上述補強材料(D)之平均纖維長度為1 μm～未達300 μm。
如請求項1或2之液晶聚合物組合物，其中上述補強材料(D)為鈦酸鉀纖維及矽灰石纖維中之至少一者。
如請求項1或2之液晶聚合物組合物，其中上述補強材料(D)之含量於上述液晶聚合物組合物總量100質量%中為0.1質量%～40質量%。
如請求項1或2之液晶聚合物組合物，其係用於相機模組。
一種液晶聚合物成形體，其特徵在於：其係如請求項1至8中任一項之液晶聚合物組合物之成形體。
一種顯影裝置，用以將基板顯影，具有： <br/>旋轉支撐部，使基板繞該基板的中心部旋轉； <br/>顯影噴嘴，供給顯影液至該旋轉支撐部上的該基板的表面； <br/>噴嘴移動機構，使該顯影噴嘴至少水平地在該基板上方移動；以及 <br/>控制部，控制來自該顯影噴嘴的該顯影液之供給、該旋轉支撐部及該噴嘴移動機構； <br/>該控制部係構成為反覆實行下列的步驟A和步驟B； <br/>步驟A：在使該基板以第1速度旋轉的狀態下，在偏離該基板的中心部的第1位置從該顯影噴嘴供給該顯影液，而在該基板的表面形成環狀的該顯影液的液膜的步驟；以及 <br/>步驟B：在使該基板以比該第1速度還慢的第2速度旋轉的狀態下，使該顯影噴嘴在該第1位置供給該顯影液，並藉由向該基板供給時的該顯影液之在該基板上的蔓延來覆蓋該基板的中心部的步驟。
如請求項1所述之顯影裝置，其中， <br/>在該步驟A之後實行該步驟B。
如請求項1所述之顯影裝置，其中， <br/>在該步驟B之後實行該步驟A。
如請求項1至3中任一項所述之顯影裝置，其中， <br/>在反覆實行該步驟A和該步驟B的情況下，該顯影噴嘴，係在與最初供給的第1位置相異的第2位置供給該顯影液。
如請求項1至3中任一項所述之顯影裝置，其中， <br/>該第1速度係在500rpm以下。
如請求項1至3中任一項所述之顯影裝置，其中， <br/>在該步驟A或該步驟B，一邊從該顯影噴嘴供給該顯影液，一邊使該顯影噴嘴從該第1位置向該基板的周緣部側移動。
如請求項6所述之顯影裝置，其中， <br/>該移動係階段性的或連續的。
如請求項1至3中任一項所述之顯影裝置，更具有： <br/>清洗噴嘴，供給清洗液至該基板的表面；以及 <br/>清洗噴嘴移動機構，使該清洗噴嘴至少水平地在該基板上方移動； <br/>該控制部，控制來自該清洗噴嘴的該清洗液的供給、及該清洗噴嘴移動機構； <br/>該控制部係構成為實行以下步驟：在實行了該步驟A或該步驟B後，且在使該基板以比該第1速度還慢的第2速度旋轉的狀態下，該清洗噴嘴在偏離該基板的中心部的位置向該基板供給該清洗液。
一種顯影方法，使用顯影液將基板顯影，具有並反覆實行以下各步驟： <br/>在使該基板以第1速度旋轉的狀態下，在偏離該基板的中心部的第1位置供給顯影液，而在該基板的表面形成環狀的該顯影液的液膜的步驟；以及 <br/>在使該基板以比該第1速度還慢的第2速度旋轉的狀態下，在該第1位置供給該顯影液，並藉由向該基板供給時的該顯影液之在該基板上的蔓延來覆蓋該基板的中心部的步驟。
一種基板處理裝置，其包括： <br/>杯體，為了處理基板，可儲存處理液； <br/>桌台，可沿著在鉛直方向上延伸之昇降軸，在該杯體內昇降； <br/>載置座，被設於該桌台上，載置該基板；以及 <br/>旋轉構件，相對於該載置座而言，被安裝為沿著以該昇降軸為中心之圓周方向，可繞著旋轉軸旋轉， <br/>該旋轉構件係具有：保持部，位於比該旋轉軸還要靠近徑向之內側；以及抵接部，位於比該旋轉軸還要靠近徑向之外側， <br/>伴隨著該桌台之下降，該抵接部係抵接到該杯體，藉此，該旋轉構件係旋轉以夾持該基板，而該保持部與該載置座之間隔係縮小。
如請求項1之基板處理裝置，其中該杯體，其藉繞著該昇降軸旋轉，排出該處理液到徑向外邊。
如請求項1之基板處理裝置，其中該杯體係具有：上端部；側面部，連接到該上端部；以及底面部，連接於該側面部之下方， <br/>該底面部的全部，其沿著鉛直方向觀之，被包含於該上端部的內側。
如請求項3之基板處理裝置，其中該抵接部係抵接到該上端部。
如請求項3之基板處理裝置，其中該抵接部係抵接到該側面部。
如請求項4之基板處理裝置，其中該抵接部係具有：延伸部，自該旋轉軸延伸；以及突起部，結合到被設於該延伸部之調整部， <br/>該突起部係抵接到該上端部。
如請求項3之基板處理裝置，其中該抵接部係具有：延伸部，自該旋轉軸延伸；以及突起部，螺合到被設於該延伸部之調整部， <br/>伴隨著該桌台之下降，在該延伸部抵接到該上端部之後，該突起部係抵接到該側面部。
如請求項1～7中任一項之基板處理裝置，其中在處理該基板時，該處理液的液面係位於比該基板還要上方。
如請求項1～7中任一項之基板處理裝置，其中該昇降軸，其於該杯體內，被波紋管構件所覆蓋。
一種用於處理複數個基板之設備，包括；<br/> 一製程管，創建一製程室；<br/> 一加熱器，圍繞該製程管，用於加熱該製程室；<br/> 一凸緣，用於支撐該製程管，並設有一凸緣開口，該凸緣開口給予對該製程管的一開口之可及性；<br/> 一門，配置以支撐該製程室中具有複數個基板之一晶圓晶舟，並密封該製程室；以及<br/> 一排氣件，經可操作連接至該製程室，以經由一第一排氣管道從該製程室移除氣體；其中該設備設有一抽取器室，該抽取器室在其連接至該製程室處圍繞該第一排氣管道，並連接至一第二排氣管道，以自該抽取器室移除氣體，<br/> 其中該抽取器室設有一抽取器門，用於給予對一製程氣體製造單元、該第一排氣管道、及該抽取器室中之任何其他裝置中之至少一者的可及性。
如請求項1之設備，其中該抽取器室設有經可操作連接至該製程室之一氣體注入管，用以將製程氣體提供至該製程室中。
如請求項2之設備，其中該抽取器室設有經可操作連接至該氣體注入管及該製程室之該製程氣體製造單元，用以製造製程氣體並將其提供至該製程室中。
如請求項3之設備，其中該製程氣體製造單元經可操作連接至一第一製造氣體管線。
如請求項3之設備，其中該製程氣體製造單元設有第一製造氣體管線及第二製造氣體管線。
如請求項4之設備，其中該第一製造氣體管線經建構及配置以提供氫。
如請求項5之設備，其中該第二製造氣體管線經建構及配置以提供氧。
如請求項3之設備，其中該製程氣體製造單元經建構及配置以製造水作為該製程氣體，並將其提供至該製程室中。
如請求項1之設備，其中該抽取器室設有複數個開口，以在該抽取器室及該第二排氣管道中創建一流動。
如請求項9之設備，其中該等開口至少在以下連接中之至少一者附近提供：<br/> 該第一排氣管道與該製程室；以及<br/> 該抽取器室與該第二排氣管道。
如請求項1之設備，其中該設備設有用以限制對該設備之可及性的一側壁。
如請求項11之設備，其中該設備設有複數個側壁，以創建一開放箱結構。
如請求項11之設備，其中該設備在該側壁中設有一門，該門給予用於維護的可及性。
如請求項1之設備，其中該設備設有一量測裝置，且該量測裝置至少連接至該製程室之部分被提供在該抽取器室中。
如請求項1之設備，其中該設備設有一閥，且該閥之至少一部分提供在該抽取器室中。
如請求項15之設備，其中該閥之一部分提供於一氣體注入管、該第一排氣管道或該第二排氣管道、或一製造氣體管線中。
如請求項15之設備，其中該閥之另一部分延伸通過該抽取器室至該抽取器室之外。
如請求項1之設備，其中該製程室係操作在介於0.9大氣壓與1.1大氣壓之間的一壓力之一大氣製程室。
一種光學測量照明裝置（500），用於照射形成有旋轉對稱的非球面且佈置在測量平面（505）內的光學試樣（100），其中該測量照明裝置（500）具有以下特徵： <br/>用於提供至少一個光束（515）的照明裝置（510）； <br/>用於將該至少一個光束（515）整形成貝塞爾光束（305）的光束整形裝置（300），其中該貝塞爾光束（305）的形狀在公差範圍內可用貝塞爾函數描述；以及 <br/>用於將該貝塞爾光束（305）轉變為環形焦點光束（530）的光學元件（525），該環形焦點光束在該光學試樣（100）的該測量平面（505）內和/或在偵測平面（550）內環形聚焦或可環形聚焦， <br/>其中，該光學元件（525）被進一步設計為將該貝塞爾光束（305）整形成環形焦點光束（530），使得可以基於在該測量平面（505）內和/或在該偵測平面（550）內的該環形焦點光束（530）的位置推斷該光學試樣（100）的偏心程度。
如請求項1所述之光學測量照明裝置（500），其中該光束整形裝置（300）包括錐透鏡（400）。
如請求項1或請求項2所述之光學測量照明裝置（500），其中該光束整形裝置（300）包括分劃板（610）和凸透鏡元件（605），其中該分劃板（610）在公差範圍內佈置於該透鏡元件（605）的焦平面內且/或垂直於該透鏡元件（605）的光軸佈置，特別地，其中該分劃板（610）是可替換且/或可改變的。
如請求項1或請求項2所述之光學測量照明裝置（500），其中該光束整形裝置（300）被設計為以數個基本同心的環的形式提供該貝塞爾光束（305）。
如請求項1或請求項2所述之光學測量照明裝置（500），其中該照明裝置（510）包括至少部分呈環形的孔徑光闌（315、910），特別地，其中該孔徑光闌（315、910）是可替換且/或可改變的。
如請求項1或請求項2所述之光學測量照明裝置（500），其中該照明裝置（510）包括同調光源且/或被設計為提供經準直的該光束（515）且/或具有至少一個顯示器。
如請求項1或請求項2所述之光學測量照明裝置（500），具有用於偵測被該試樣（100）反射的光束（540）的偵測裝置（545），其中該偵測裝置（545）被設計為提供代表該反射光束（540）的信號（555）。
如請求項7所述之光學測量照明裝置（500），其中該偵測裝置（545）包括至少一個影像感測器，其中該反射光束（540）可成像於該影像感測器上。
如請求項1或請求項2所述之光學測量照明裝置（500），具有分束器（520），該分束器被設計為允許該貝塞爾光束（305）通過並使該反射光束（540）偏轉。
如請求項7所述之光學測量照明裝置（500），具有評估單元（560），該評估單元被設計為利用該信號（555）計算該試樣（100）相對於該光學測量照明裝置（500）的位置。
一種操作如請求項1至10中任一項所述之測量照明裝置（500）的方法（1100），其中該方法（1100）包括以下步驟（1105、1110、1115）： <br/>提供（1105）至少一個光束（515）； <br/>將該至少一個光束（515）整形（1110）成貝塞爾光束（305），其中該貝塞爾光束（305）的形狀在公差範圍內可用貝塞爾函數描述；以及 <br/>將該貝塞爾光束（305）轉變（1115）為環形焦點光束（530），該環形焦點光束在該光學試樣（100）的該測量平面（505）內和/或在偵測平面（550）內環形聚焦或可環形聚焦，使得可以基於在該測量平面（505）內和/或在該偵測平面（550）內的該環形焦點光束（530）的該位置推斷該光學試樣（100）的偏心程度。
如請求項11所述之方法（1100），包括偵測被該試樣（100）反射的光束（540）並提供代表該反射光束（540）的信號的步驟（1120）。
如請求項11或12所述之方法（1100），包括計算該試樣（100）的球面區域的至少一個曲率中心（105、110）之位置的步驟（1125）。
如請求項11或請求項12所述之方法（1100），包括旋轉該試樣（100）的步驟（1130），以便在該旋轉後重新實施該方法（1100）的該等步驟（1105、1110、1115），其中在該旋轉步驟（1130）中，該試樣（100）圍繞該試樣（100）的旋轉軸旋轉，該旋轉軸在公差範圍內對應該測量照明裝置（500）的光軸。
一種電腦程式，其被設計為實施和/或控制如請求項11至14中任一項所述之方法（1100）的步驟。
一種硬化物的製造方法，其包括：<br/> 膜形成步驟，將包含環化樹脂的前驅物之樹脂組成物適用於基材上來形成膜；<br/> 加熱步驟，在180℃以下的加熱溫度下加熱前述膜；及<br/> 在氮氣環境下，以10℃/分鐘的升溫速度升溫來加熱，以獲得硬化物，<br/> 將前述硬化物以10℃/分鐘的速度從25℃升溫至260℃，在260℃維持15分鐘，以10℃/分鐘的速度從260℃升溫至300℃時的由下述式A表示之質量減少率為15%以下，<br/> 所獲得之前述硬化物中的、從前述環化樹脂的前驅物獲得之環化樹脂的環化率為95%以上，<br/> 式A：質量減少率（%）=｛1-（300℃下加熱後的膜的質量）/（25℃下的膜的質量）｝×100。
如請求項1所述之硬化物的製造方法，其中<br/> 前述加熱步驟中的加熱溫度超過150℃。
如請求項1或請求項2所述之硬化物的製造方法，其中<br/> 前述質量減少率為10%以下。
如請求項1或請求項2所述之硬化物的製造方法，其中<br/> 前述質量減少率為5%以下。
如請求項1或請求項2所述之硬化物的製造方法，其中<br/> 前述環化率為98%以上。
如請求項1或請求項2所述之硬化物的製造方法，其中<br/> 前述加熱步驟後的膜為聚醯亞胺膜。
如請求項1或請求項2所述之硬化物的製造方法，其在前述膜形成步驟與前述加熱步驟之間進一步包括對膜進行選擇性曝光之曝光步驟。
如請求項7所述之硬化物的製造方法，其在前述曝光步驟與前述加熱步驟之間，進一步包括藉由顯影液對前述曝光後的膜進行顯影來形成圖案之顯影步驟。
如請求項8所述之硬化物的製造方法，其中<br/> 前述顯影液包含有機溶劑。
如請求項8所述之硬化物的製造方法，其中<br/> 前述顯影步驟為形成負型圖案之步驟。
如請求項8所述之硬化物的製造方法，其中<br/> 前述顯影液包含鹼。
如請求項8所述之硬化物的製造方法，其在前述顯影步驟與前述加熱步驟之間包括使包含鹼之處理液與前述圖案接觸之處理步驟。
如請求項1或請求項2所述之硬化物的製造方法，其中<br/> 前述樹脂組成物包含感光劑。
如請求項1或請求項2所述之硬化物的製造方法，其中<br/> 前述樹脂組成物包含溶劑，前述環化樹脂的前驅物的含量相對於樹脂組成物的總固體成分為70質量%以上。
如請求項1或請求項2所述之硬化物的製造方法，其中<br/> 前述樹脂組成物包含1氣壓下的沸點為270℃以上的聚合性化合物。
如請求項15所述之硬化物的製造方法，其中<br/> 前述1氣壓下的沸點為270℃以上的聚合性化合物為具有3個以上（甲基）丙烯酸酯基之化合物。
如請求項1或請求項2所述之硬化物的製造方法，其中<br/> 分子量為1000以下且與溶劑不同的成分的含量相對於樹脂組成物的總固體成分為30質量%以下。
如請求項1或請求項2所述之硬化物的製造方法，其中<br/> 前述環化樹脂的前驅物包含具有由下述式（1-1）表示之重複單元及由下述式（1-2）表示之重複單元中的至少1個之樹脂，<br/> [化學式1]<br/><img align="absmiddle" height="136px" width="481px" file="ed10064.jpg" alt="ed10064.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式（1-1）或式（1-2）中，W<sup>1</sup>表示2價有機基團，X<sup>1</sup>表示4價有機基團，R<sup>1</sup>～R<sup>3</sup>分別獨立地表示由下述式（3-1）表示之基團或由式（3-2）表示之基團，W<sup>2</sup>表示2價有機基團，X<sup>2</sup>表示3價有機基團，前述樹脂包含選自包括由式（1-1）表示且R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>中的至少1個為由式（3-1）表示之基團之重複單元、以及由式（1-2）表示且R<sup>3</sup>為由式（3-1）表示之基團之重複單元之群組中之至少1種重複單元，<br/> [化學式2]<br/><img align="absmiddle" height="94px" width="203px" file="ed10065.jpg" alt="ed10065.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式（3-1）、式（3-2）中，Z<sup>1</sup>及Z<sup>2</sup>分別獨立地表示有機基團，Z<sup>1</sup>與Z<sup>2</sup>可以鍵結而形成環結構，A<sup>2</sup>表示氧原子或-NH-，R<sup>113</sup>表示氫原子或一價有機基團，*表示與其他結構的鍵結部位。
一種積層體的製造方法，其包括重複複數次請求項1至請求項18之任一項所述之硬化物的製造方法。
一種半導體裝置的製造方法，其包括請求項1至請求項18之任一項所述之硬化物的製造方法或請求項19所述之積層體的製造方法。
一種樹脂組成物，其包含環化樹脂的前驅物，其中<br/> 在下述測定條件1下進行熱質量測定時厚度不同的3個膜中至少1個的質量減少率為15質量%以下，<br/> 測定條件1：<br/> 將前述樹脂組成物在矽基板上分別以5μm、10μm或20μm的厚度塗佈，在100℃下乾燥5分鐘之後藉由180℃、2小時的加熱而獲得硬化物，將冷卻至25℃的前述硬化物以10℃/分鐘的速度從25℃升溫至260℃，在260℃維持15分鐘，以10℃/分鐘的速度從260℃升溫至300℃並測定此時前述硬化物的質量減少率，<br/> 前述質量減少率藉由下述式A計算，<br/> 式A：質量減少率（%）=｛1-（300℃下加熱後的膜的質量）/（25℃下的膜的質量）｝×100。
一種硬化物，其藉由硬化請求項21所述之樹脂組成物而成。
一種積層體，其包含2層以上由藉由硬化包含環化樹脂的前驅物之樹脂組成物而成之硬化物構成之層，<br/> 由前述硬化物構成之層中至少1層為由請求項22所述之硬化物構成之層。
一種半導體裝置，其包含請求項22所述之硬化物或請求項23所述之積層體。
一種光學檢測裝置，其包括： <br/>檢測光學器件，其包括： <br/>一照明總成，其包括含有一預界定圖案之一倍縮光罩及經組態以發射照明該倍縮光罩之光學輻射之一輻射源； <br/>聚光光學器件，其具有含一給定光瞳區域之一光瞳且經組態以將包含該經照明倍縮光罩之該圖案之該發射光學輻射投射於一工件上； <br/>一偏轉元件，其定位於該聚光光學器件之該光瞳中且延伸於該光瞳區域之一第一部分上但不延伸於該光瞳區域之一第二部分上；及 <br/>一成像總成，其經組態以捕捉該工件之一影像，該影像包含透過該光瞳區域之該第一部分投射之一第一複製品及透過該光瞳區域之該第二部分投射之一第二複製品；及 <br/>一處理器，其經組態以處理所捕捉之影像以量測該圖案之該第一複製品與該第二複製品之間的一差異且根據經量測之差異來評估該檢測光學器件與該工件之間的一距離。
如請求項1之裝置，其中該偏轉元件包括一透明光楔。
如請求項2之裝置，其中延伸於該光瞳區域之該第一部分上之該光楔係具有一第一光楔方向之一第一光楔，且該檢測光學器件包括延伸於該光瞳區域之該第二部分上且具有與該第一光楔方向相反之一第二光楔方向之一第二光楔。
如請求項1之裝置，其中該偏轉元件包括一繞射光學元件。
如請求項4之裝置，其中延伸於該光瞳區域之該第一部分上之該繞射光學元件係具有一第一偏轉方向之一第一繞射光學元件，且該檢測光學器件包括延伸於該光瞳區域之該第二部分上且具有與該第一偏轉方向相反之一第二偏轉方向之一第二繞射光學元件。
如請求項1之裝置，其中該偏轉元件包括一鏡面。
如請求項6之裝置，其中延伸於該光瞳區域之該第一部分上之該鏡面係具有圍繞一軸之一第一傾斜角之一第一鏡面，且該檢測光學器件包括延伸於該光瞳區域之該第二部分上具有相對於該第一傾斜角之圍繞該軸之一第二傾斜角之一第二鏡面。
如請求項1之裝置，且包括一運動總成，其經組態以調整該檢測光學器件與該工件之間的該距離，其中該處理器經組態以回應於該量測差異而驅動該運動總成。
如請求項1之裝置，其中該預定圖案包括安置於該倍縮光罩上之不同位置中之多個子圖案。
如請求項9之裝置，其中該多個子圖案定位於該倍縮光罩上之一週期性配置中，且其中該第一及第二複製品之該等各自子圖案在該工件之該影像中交錯。
如請求項9之裝置，其中該多個子圖案包括具有不同第一及第二圖案特性之至少第一及第二子圖案。
如請求項1之裝置，其中該圖案之該第二複製品在一第一方向上自該圖案之該第一複製品偏移，且其中該等複製品之至少一者回應於該量測差異而在正交於該第一方向之一第二方向上位移。
一種光學檢測裝置，其包括： <br/>檢測光學器件，其包括： <br/>一照明總成，其包括含有一預界定圖案之一倍縮光罩及經組態以發射照明該倍縮光罩之光學輻射之一輻射源； <br/>聚光光學器件，其經組態以將包含該經照明倍縮光罩之該圖案之該發射光學輻射投射於一工件上； <br/>一成像總成，其包括一影像感測器及具有含一給定光瞳區域且經組態以將該工件成像於該影像感測器上之一光瞳之物鏡；及 <br/>一偏轉元件，其定位於該物鏡之該光瞳中且延伸於該光瞳區域之一第一部分上但不延伸於該光瞳區域之一第二部分上；及 <br/>一處理器，其經組態以處理由該影像感測器捕捉之一影像以偵測透過該光瞳區域之該第一部分成像之該圖案之一第一複製品及透過該光瞳區域之該第二部分成像之該圖案之一第二複製品、量測該圖案之該第一與第二複製品之間的一差異及回應於該量測差異而評估該檢測光學器件與該工件之間的一距離。
如請求項13之裝置，其中具有定位於該物鏡之該光瞳中之該偏轉元件之該成像總成係具有一第一光軸之一第一成像總成，且 <br/>其中該檢測光學器件包括經組態以沿一第二光軸捕捉該工件上之結構之影像之一第二成像總成及經定位以在該第一光軸與該第二光軸之間以分裂自該工件反射之該光學輻射之一分束器。
如請求項13之裝置，其中該偏轉元件包括一透明光楔。
如請求項15之裝置，其中延伸於該光瞳區域之該第一部分上之該光楔係具有一第一光楔方向之一第一光楔，且該檢測光學器件包括延伸於該光瞳區域之該第二部分上且具有與該第一光楔方向相反之一第二光楔方向之一第二光楔。
如請求項13之裝置，其中該偏轉元件包括一繞射光學元件。
如請求項17之裝置，其中延伸於該光瞳區域之該第一部分上之該繞射光學元件係具有一第一偏轉方向之一第一繞射光學元件，且該檢測光學器件包括延伸於該光瞳區域之該第二部分上且具有與該第一偏轉方向相反之一第二偏轉方向之一第二繞射光學元件。
如請求項13之裝置，其中該偏轉元件包括一鏡面。
如請求項19之裝置，其中延伸於該光瞳區域之該第一部分上之該鏡面係具有圍繞一軸之一第一傾斜角之一第一鏡面，且該檢測光學器件包括延伸於該光瞳區域之該第二部分上且具有相對於該第一傾斜角之圍繞該軸之一第二傾斜角之一第二鏡面。
如請求項13之裝置，且包括一運動總成，其經組態以調整該檢測光學器件與該工件之間的該距離，其中該處理器經組態以回應於該量測差異而驅動該運動總成。
如請求項13之裝置，其中該預定圖案包括安置於該倍縮光罩上之不同位置中之多個子圖案。
如請求項22之裝置，其中該多個子圖案定位於該倍縮光罩上之一週期性配置中，且其中該第一及第二複製品之該等各自子圖案在該工件之該影像中交錯。
如請求項22之裝置，其中該多個子圖案包括具有不同第一及第二圖案特性之至少第一及第二子圖案。
如請求項13之裝置，其中該圖案之該第二複製品在一第一方向上自該圖案之該第一複製品偏移，且其中該等複製品之至少一者回應於該量測差異而在正交於該第一方向之一第二方向上位移。
一種用於光學檢測之方法，其包括： <br/>提供檢測光學器件，該光學器件包括： <br/>一照明總成，其包括含有一預界定圖案之一倍縮光罩及經組態以發射照明該倍縮光罩之光學輻射之一輻射源； <br/>聚光光學器件，其具有含一給定光瞳區域之一光瞳且經組態以將包含該經照明倍縮光罩之該圖案之該發射光學輻射投射於一工件上；及 <br/>一成像總成； <br/>將一偏轉元件定位於該聚光光學器件之該光瞳中且延伸於該光瞳區域之一第一部分上而非該光瞳區域之一第二部分上；及 <br/>使用該成像總成，捕捉該工件之一影像，其包含透過該光瞳區域之該第一部分投射之該圖案之一第一複製品及透過該光瞳區域之該第二部分投射之該圖案之一第二複製品； <br/>處理該捕捉影像以量測該圖案之該第一與第二複製品之間的一差異；及 <br/>回應於該量測差異而評估該檢測光學器件與該工件之間的一距離。
如請求項26之方法，其中定位該偏轉元件包括將一透明光楔定位於該光瞳中。
如請求項27之方法，其中定位該透明光楔包括定位具有一第一光楔方向之一第一光楔以延伸於該光瞳區域之該第一部分上，及將具有與該第一光楔方向相反之一第二光楔方向之一第二光楔定位於該光瞳區域之該第二部分上。
如請求項26之方法，其中定位該偏轉元件包括將一繞射光學元件定位於該光瞳中。
如請求項29之方法，其中定位該繞射光學元件包括定位具有一第一偏轉方向之一第一繞射光學元件以延伸於該光瞳區域之該第一部分上，及將具有與該第一偏轉方向相反之一第二偏轉方向之一第二繞射光學元件定位於該光瞳區域之該第二部分上。
如請求項26之方法，其中定位該偏轉元件包括將一鏡面定位於該光瞳中。
如請求項31之方法，其中定位該鏡面包括定位具有圍繞一軸之一第一傾斜角度之一第一鏡面以延伸於該光瞳區域之該第一部分上，及將具有與該第一傾斜角度相對之圍繞該軸之一第二傾斜角度之一第二鏡面定位於該光瞳區域之該第二部分上。
如請求項26之方法，且包括回應於該量測差異而調整該檢測光學器件與該工件之間的該距離。
如請求項26之方法，其中該預界定圖案包括安置於該倍縮光罩上之不同位置中之多個子圖案。
如請求項34之方法，且包括將該多個子圖案定位於該倍縮光罩上之一週期性配置中，且其中定位該偏轉元件引起該第一及第二複製品之該等各自子圖案在該工件之該影像中交錯。
如請求項34之方法，其中該多個子圖案包括具有不同第一及第二圖案特性之至少第一及第二子圖案。
如請求項26之方法，其中該圖案之該第二複製品在一第一方向上自該圖案之該第一複製品偏移，且其中該等複製品之至少一者回應於該量測差異而在正交於該第一方向之一第二方向上位移。
一種用於光學檢測之方法，其包括： <br/>提供檢測光學器件，該檢測光學器件包括： <br/>一照明總成，其包括含有一預界定圖案之一倍縮光罩及經組態以發射照明該倍縮光罩之光學輻射之一輻射源； <br/>聚光光學器件，其經組態以將包含該經照明倍縮光罩之該圖案之該發射光學輻射投射於一工件上；及 <br/>一成像總成，其包括一影像感測器及物鏡，該成像總成具有含一給定光瞳區域之一光瞳；及 <br/>將一偏轉元件定位於該物鏡之該光瞳中且延伸於該光瞳區域之一第一部分上而不延伸於該光瞳區域之一第二部分上； <br/>使用該成像總成，捕捉該工件之一影像，其包含透過該光瞳區域之該第一部分成像之該圖案之一第一複製品及透過該光瞳區域之該第二部分投射之該圖案之一第二複製品； <br/>處理該捕捉影像以量測該圖案之該第一與第二複製品之間的一差異；及 <br/>回應於該量測差異而評估該檢測光學器件與該工件之間的一距離。
如請求項38之方法，其中具有定位於該物鏡之該光瞳中之該偏轉元件之該成像總成係具有一第一光軸之一第一成像總成，且 <br/>其中提供該檢測光學元件包括提供經組態以沿一第二光軸捕捉該工件上之結構之影像之一第二成像總成，及經定位以在該第一光軸與該第二光軸線之間分裂自該工件反射之該光學輻射之一分束器。
如請求項38之方法，其中定位該偏轉元件包括將一透明光楔定位於該光瞳中。
如請求項40之方法，其中定位該透明光楔包括定位具有一第一光楔方向之一第一光楔以延伸於該光瞳區域之該第一部分上，及將具有與該第一光楔方向相反之一第二光楔方向之一第二光楔定位於該光瞳區域之該第二部分上。
如請求項38之方法，其中定位該偏轉元件包括將一繞射光學元件定位於該光瞳中。
如請求項42之方法，其中定位該繞射光學元件包括定位具有一第一偏轉方向之一第一繞射光學元件以延伸於該光瞳區域之該第一部分上，及將具有與該第一偏轉方向相反之一第二偏轉方向之一第二繞射光學元件定位於該光瞳區域之該第二部分上。
如請求項38之方法，其中定位該偏轉元件包括將一鏡面定位於該光瞳中。
如請求項44之方法，其中定位該鏡面包括定位具有圍繞一軸之一第一傾斜角度之一第一鏡面以延伸於該光瞳區域之該第一部分上，及將具有與該第一傾斜角度相對之圍繞該軸之一第二傾斜角度之一第二鏡面定位於該光瞳區域之該第二部分上。
如請求項39之方法，且包括回應於該量測差異而調整該檢測光學器件與該工件之間的該距離。
如請求項39之方法，其中該預界定圖案包括安置於該倍縮光罩上之不同位置中之多個子圖案。
如請求項47之方法，且包括將該多個子圖案定位於該倍縮光罩上之一週期性配置中，且其中定位該偏轉元件引起該第一及第二複製品之該等各自子圖案在該工件之該影像中交錯。
如請求項47之方法，其中該多個子圖案包括具有不同第一及第二圖案特性之至少第一及第二子圖案。
如請求項38之方法，其中該圖案之該第二複製品在一第一方向上自該圖案之該第一複製品偏移，且其中該等複製品之至少一者回應於該量測差異而在正交於該第一方向之一第二方向上位移。
一種磁性記憶體，包括：<br/> 基底；<br/> 自旋軌道力矩層，位在所述基底上方；<br/> 磁性穿隧接面堆疊，位在所述自旋軌道力矩層上；以及<br/> 第一保護層與第二保護層，位在所述磁性穿隧接面堆疊的側壁上，其中<br/> 所述第一保護層位在所述第二保護層與所述磁性穿隧接面堆疊之間，<br/> 在所述第二保護層與所述自旋軌道力矩層之間具有凹槽，且<br/> 所述凹槽的頂部高於所述磁性穿隧接面堆疊的底部。
如請求項1所述的磁性記憶體，其中所述凹槽更位在所述第一保護層與所述自旋軌道力矩層之間。
如請求項1所述的磁性記憶體，其中所述第一保護層的剖面形狀包括直線形。
如請求項1所述的磁性記憶體，其中所述第一保護層的剖面形狀包括L形。
如請求項1所述的磁性記憶體，更包括：<br/> 氧化物層，位在所述第一保護層與所述自旋軌道力矩層之間。
如請求項1所述的磁性記憶體，其中所述第一保護層具有突出部，且所述突出部的頂部高於所述磁性穿隧接面堆疊的頂面。
如請求項1所述的磁性記憶體，其中所述第二保護層具有突出部，且所述突出部的頂部高於所述磁性穿隧接面堆疊的頂面。
如請求項1所述的磁性記憶體，其中所述磁性穿隧接面堆疊包括：<br/> 自由層，位在所述自旋軌道力矩層上；<br/> 釘紮層，位在所述自由層上；以及<br/> 穿隧阻障層，位在所述釘紮層與所述自由層之間。
如請求項1所述的磁性記憶體，更包括：<br/> 第一內連線結構，電性連接於所述自旋軌道力矩層；以及<br/> 第二內連線結構，電性連接於所述自旋軌道力矩層。
如請求項9所述的磁性記憶體，其中<br/> 所述第一內連線結構位在所述自旋軌道力矩層下方且位在所述磁性穿隧接面堆疊的一側，且<br/> 所述第二內連線結構位在所述自旋軌道力矩層下方且位在所述磁性穿隧接面堆疊的另一側。
一種磁性記憶體的製造方法，包括：<br/> 提供基底；<br/> 在所述基底上方形成自旋軌道力矩層；<br/> 在所述自旋軌道力矩層上形成磁性穿隧接面堆疊；以及<br/> 在所述磁性穿隧接面堆疊的側壁上形成第一保護層與第二保護層，其中<br/> 所述第一保護層位在所述第二保護層與所述磁性穿隧接面堆疊之間，<br/> 在所述第二保護層與所述自旋軌道力矩層之間具有凹槽，且<br/> 所述凹槽的頂部高於所述磁性穿隧接面堆疊的底部。
如請求項11所述的磁性記憶體的製造方法，其中所述第一保護層與所述第二保護層的形成方法包括：<br/> 在所述磁性穿隧接面堆疊與所述自旋軌道力矩層上共形地形成第一保護材料層；<br/> 在所述第一保護材料層上共形地形成第二保護材料層；<br/> 對所述第二保護材料層進行乾式蝕刻製程，而形成所述第二保護層；以及<br/> 對所述第一保護材料層進行濕式蝕刻製程，而形成所述第一保護層與所述凹槽，且暴露出部分所述自旋軌道力矩層與所述磁性穿隧接面堆疊的頂面。
如請求項11所述的磁性記憶體的製造方法，其中所述磁性穿隧接面堆疊包括：<br/> 自由層，位在所述自旋軌道力矩層上；<br/> 釘紮層，位在所述自由層上；以及<br/> 穿隧阻障層，位在所述釘紮層與所述自由層之間。
如請求項13所述的磁性記憶體的製造方法，其中所述磁性穿隧接面堆疊的形成方法包括：<br/> 在所述自旋軌道力矩層上依序形成自由材料層、穿隧阻障材料層與釘紮材料層；以及<br/> 對所述釘紮材料層、所述穿隧阻障材料層與所述自由材料層進行圖案化，而形成所述釘紮層、所述穿隧阻障層與所述自由層，且暴露出部分所述自旋軌道力矩層。
如請求項13所述的磁性記憶體的製造方法，其中所述磁性穿隧接面堆疊、所述第一保護層與所述第二保護層的形成方法包括：<br/> 在所述自旋軌道力矩層上依序形成自由材料層、穿隧阻障材料層與釘紮材料層；<br/> 對所述釘紮材料層、所述穿隧阻障材料層與所述自由材料層進行圖案化，而形成所述釘紮層、所述穿隧阻障層與所述自由層，其中所述自由層包括：<br/> 主體部，位在所述穿隧阻障層下方；以及<br/> 側部，位在所述主體部的旁邊且連接於所述主體部，其中所述主體部的厚度大於所述側部的厚度；<br/> 在所述釘紮層、所述穿隧阻障層、所述自由層與所述自旋軌道力矩層上共形地形成第一保護材料層，其中在形成所述第一保護材料層的步驟中，所述側部被氧化成氧化物層；<br/> 在所述第一保護材料層上共形地形成第二保護材料層；<br/> 對所述第二保護材料層進行乾式蝕刻製程，而形成所述第二保護層；以及<br/> 對所述第一保護材料層與所述氧化物層進行濕式蝕刻製程，而形成所述第一保護層與所述凹槽，且暴露出部分所述自旋軌道力矩層與所述釘紮層的頂面。
如請求項15所述的磁性記憶體的製造方法，其中在所述濕式蝕刻製程中，完全移除所述氧化物層。
如請求項15所述的磁性記憶體的製造方法，其中在所述濕式蝕刻製程中，移除部分所述氧化物層，且殘留的所述氧化物層位在所述第一保護層與所述自旋軌道力矩層之間。
如請求項11所述的磁性記憶體的製造方法，更包括：<br/> 形成第一內連線結構與第二內連線結構，其中所述第一內連線結構與所述第二內連線結構電性連接於所述自旋軌道力矩層。
如請求項11所述的磁性記憶體的製造方法，其中所述凹槽更位在所述第一保護層與所述自旋軌道力矩層之間。
如請求項11所述的磁性記憶體的製造方法，其中所述第二保護層具有突出部，且所述突出部的頂部高於所述磁性穿隧接面堆疊的頂面。
一種塗佈容器，其包含： <br/>筒狀之內塞構件，其安裝於容器本體之口部，且形成有連通於前述容器本體內之連通孔、及連通於前述連通孔且噴出前述容器本體之內容液之噴出孔，且沿上下方向延伸； <br/>保持具，其具有：有底筒狀之收容部，沿著上下方向可移動地受支持於前述內塞構件之內側；及塞體，其在前述容器本體內將前述連通孔自前述連通孔之下方可閉塞地開放；在與前述內塞構件之間形成有連通前述收容部內與前述容器本體內之連通路徑； <br/>塗佈構件，其配置於前述收容部內，自前述保持具向上方突出； <br/>彈推構件，其將前述保持具相對於前述內塞構件向上方彈推； <br/>罩蓋，其安裝於前述容器本體之口部，在規制前述保持具之上升之狀態下將前述噴出孔閉塞；及 <br/>密封部，其在前述罩蓋自前述口部脫離且前述塞體將前述連通孔閉塞之狀態下，遮斷經由前述內塞構件之內周面與前述收容部之外周面之間的前述連通路徑與外部之連通。
如請求項1之塗佈容器，其中前述密封部包含： <br/>第1密封凸部，其設置於前述內塞構件之內周面；及 <br/>第2密封凸部，其設置於前述收容部之外周面，相對於前述第1密封凸部位於下方；且 <br/>在前述罩蓋自前述口部脫離且前述塞體將前述連通孔閉塞之狀態下，藉由前述第1密封凸部與前述第2密封凸部抵接，而將前述內塞構件之內周面與前述收容部之外周面之間密封。
如請求項1或2之塗佈容器，其進一步包含：第1規制凸部，其設置於前述內塞構件之內周面；及 <br/>第2規制凸部，其設置於前述收容部之外周面；且 <br/>在前述罩蓋自前述口部脫離、且前述塞體將前述連通孔閉塞、並且前述密封部遮斷前述連通路徑與外部之連通之狀態下，前述第1規制凸部與前述第2規制凸部在上下方向上抵接。
一種飲食品用造粒物，其特徵在於：其係含有選自麥類、羽衣甘藍、番薯、桑、明日葉、艾草、長命草及山白竹中之至少一種之綠葉之粉碎粉末者，且其比重未達0.300 g/cm<sup>3</sup>。
如請求項1之飲食品用造粒物，其中上述綠葉為麥類之綠葉。
如請求項1或2之飲食品用造粒物，其中上述造粒物中之粒徑為500 μm以上之粒度分佈為10%以下。
一種飲食品用造粒物之製造方法，其特徵在於：其係製造含有選自麥類、羽衣甘藍、番薯、桑、明日葉、艾草、長命草及山白竹中之至少一種之綠葉之粉碎粉末之飲食品用造粒物之方法， <br/>該方法具有如下步驟：將包含上述綠葉之粉碎粉末之原料投入至流動層造粒機，藉由供給空氣而使上述原料流動化並以噴霧之方式噴水後，進行乾燥而獲得造粒物； <br/>上述造粒物之比重未達0.300 g/cm<sup>3</sup>。
一種液晶聚合物薄膜，其包含液晶聚合物， <br/>露出沿前述液晶聚合物薄膜的厚度方向剖切之剖面，浸漬於甲胺之後，當從使用電子顯微鏡而得到的前述剖面的觀察圖像抽取空隙區域時，前述空隙區域的寬度的平均值為0.01～0.1μm，且 <br/>前述剖面的觀察圖像中之前述空隙區域的面積率為20%以下， <br/>其中 <br/>前述液晶聚合物具有選自包括來自於對羥基苯甲酸之重複單元及來自於6-羥基-2-萘甲酸之重複單元之群組中之至少1個， <br/>所述液晶聚合物薄膜進一步包含聚烯烴， <br/>前述聚烯烴的含量相對於前述液晶聚合物薄膜的總質量為40質量%以下。
如請求項1所述之液晶聚合物薄膜，其中 <br/>前述空隙區域的平均長度為3～5μm。
如請求項1或請求項2所述之液晶聚合物薄膜，其厚度為15μm以上，且滿足下述要件A， <br/>要件A：在前述剖面中，當將從前述液晶聚合物薄膜的一個表面的距離在5μm以內的區域設為第1表層區域，將從前述液晶聚合物薄膜的另一個表面的距離在5μm以內的區域設為第2表層區域，將距離從前述液晶聚合物薄膜的兩個表面處於等距離之中心線在2.5μm以內的區域設為中央層區域時，前述中央層區域中之空隙區域的面積率大於前述第1表層區域中之空隙區域的面積率，且大於前述第2表層區域中之空隙區域的面積率。
如請求項1或請求項2所述之液晶聚合物薄膜，其中 <br/>前述液晶聚合物的熔點為250℃以上。
一種積層體，其具有請求項1至請求項4之任一項所述之液晶聚合物薄膜、及至少1層含金屬層。
如請求項5所述之積層體，其具有至少兩層前述含金屬層，依序積層有前述含金屬層、前述聚合物薄膜及前述含金屬層。
如請求項5所述之積層體，其中 <br/>前述含金屬層的與前述聚合物薄膜相對向之一側的表面的表面粗糙度Ra為5μm以下。
如請求項5所述之積層體，其中 <br/>前述含金屬層為銅層。
如請求項5所述之積層體，其進一步具有配置於前述含金屬層與前述聚合物薄膜之間之接著層。
如請求項9所述之積層體，其中 <br/>前述接著層為使用包含具有環氧基之交聯劑之接著劑組成物而形成之層。
一種基板處理系統，其具備： <br/>複數個腔室群，其等包含用以於所需之處理氣體中對基板進行處理之複數個腔室； <br/>複數個氣體箱群，其等包含將上述處理氣體供給至上述複數個腔室之各者之複數個氣體箱； <br/>流量測定裝置，其測定從上述複數個氣體箱群中之一個氣體箱群供給之上述處理氣體之流量；及 <br/>排氣裝置，其與上述腔室群及上述流量測定裝置連接； <br/>上述流量測定裝置包含測定器、及與上述複數個氣體箱群之各者及上述測定器連接且供上述處理氣體流通之複數個測定配管， <br/>一個上述測定配管包含：複數個分支管，其等與對應之一個上述氣體箱群之上述複數個氣體箱之各者連接；主管，其與上述複數個分支管之各者及上述測定器連接；及主管閥，其設置於上述主管； <br/>上述測定器包含：一個以上之壓力感測器，其以對該測定器之內部壓力進行測定之方式構成；溫度感測器，其以對該測定器之內部溫度進行測定之方式構成；測定器初級閥，其設置於該測定器中與上述測定配管連接之側之端部且上述主管閥之下游側；及測定器次級閥，其設置於該測定器中與上述排氣裝置連接之側之端部。
如請求項1之基板處理系統，其中上述排氣裝置包含：與上述腔室連接且具備閥之排氣配管、及與上述流量測定裝置連接且與上述複數個氣體箱群對應之複數個排氣配管， <br/>上述複數個排氣配管包含：具備閥之排氣主管、及與該排氣主管連接且具備閥之複數個排氣分支管， <br/>連接於上述腔室之上述排氣配管與上述排氣分支管合流。
如請求項1或2之基板處理系統，其進而具備控制部，該控制部以如下方式控制上述氣體箱群，即，於一個上述氣體箱群中，當從一個上述氣體箱輸出上述處理氣體時，不從其他氣體箱輸出上述處理氣體。
一種基板處理方法，其係基板處理系統之基板處理方法， <br/>上述基板處理系統具備： <br/>複數個腔室群，其等包含用以於所需之處理氣體中對基板進行處理之複數個腔室； <br/>複數個氣體箱群，其等包含將上述處理氣體供給至上述複數個腔室之各者之複數個氣體箱； <br/>流量測定裝置，其測定從上述複數個氣體箱群中之一個氣體箱群供給之上述處理氣體之流量；及 <br/>排氣裝置，其與上述腔室群及上述流量測定裝置連接； <br/>上述流量測定裝置包含測定器、及與上述複數個氣體箱群之各者及上述測定器連接且供上述處理氣體流通之複數個測定配管， <br/>一個上述測定配管包含：複數個分支管，其等與對應之一個上述氣體箱群之上述複數個氣體箱之各者連接；主管，其與上述複數個分支管之各者及上述測定器連接；及主管閥，其設置於上述主管； <br/>上述測定器包含：一個以上之壓力感測器，其以對該測定器之內部壓力進行測定之方式構成；溫度感測器，其以對該測定器之內部溫度進行測定之方式構成；測定器初級閥，其設置於該測定器中與上述測定配管連接之側之端部且上述主管閥之下游測；測定器次級閥，其設置於該測定器中與上述排氣裝置連接之側之端部； <br/>上述排氣裝置包含：與上述腔室連接且具備閥之排氣配管、及與上述流量測定裝置連接且與上述複數個氣體箱群對應之複數個排氣配管， <br/>上述複數個排氣配管包含具備閥之排氣主管、及與該排氣主管連接且具備閥之複數個排氣分支管，且設置為連接於上述腔室之上述排氣配管與上述排氣分支管合流， <br/>上述方法包括如下步驟： <br/>形成除了包含供給要測定流量之處理氣體之一氣體箱的一氣體箱群以外，將與其他氣體箱群連接之上述測定配管之上述主管閥關閉之狀態；及 <br/>於上述狀態下，測定從供給要測定流量之處理氣體之上述一氣體箱供給之上述處理氣體之流量。
一種N通道金屬氧化物半導體結構，應用於影像傳感器的影像信號處理單元，所述N通道金屬氧化物半導體結構包含： <br/>半導體基底，具有深N型阱及P型阱； <br/>介電結構，形成於所述半導體基底，在所述半導體基底定義主動區，其中，所述介電結構環繞於所述主動區； <br/>源極摻雜區、汲極摻雜區及通道區，形成於所述主動區，所述源極摻雜區及所述汲極摻雜區以所述通道區分隔，其中，所述通道區包含相對的兩個第一側及相對的兩個第二側，所述兩個第一側延伸至所述介電結構，所述源極摻雜區及所述汲極摻雜區分別形成於所述兩個第二側與所述介電結構之間； <br/>閘極結構，設置於所述半導體基底上，所述閘極結構對應所述通道區設置，且所述閘極結構並覆蓋所述通道區的所述兩個第一側旁的部分所述介電結構；以及 <br/>兩個隔離P型阱，形成於未被所述閘極結構覆蓋的部分所述介電結構，所述兩個隔離P型阱的其中一個環繞於所述源極摻雜區的周邊且截止於所述通道區的所述兩個第二側的其中之一，所述兩個隔離P型阱的另一個環繞於所述汲極摻雜區的周邊且截止於所述通道區的所述兩個第二側的其中另一。
如請求項1所述的N通道金屬氧化物半導體結構，其中，所述N通道金屬氧化物半導體結構應用於所述影像信號處理單元的低噪音放大器。
如請求項1所述的N通道金屬氧化物半導體結構，其中，所述介電結構爲淺溝槽隔離結構、場氧化物結構或其組合。
如請求項1所述的N通道金屬氧化物半導體結構，其中，所述兩個隔離P型阱的深度大於所述介電結構的深度。
如請求項1所述的N通道金屬氧化物半導體結構，其中，所述介電結構呈框狀，包含間隔且相對的兩個第一隔離部及間隔且相對的兩個第二隔離部，所述兩個第一隔離部界定所述通道區的所述兩個第一側，且所述閘極結構還覆蓋於一部分的所述兩個第一隔離部上。
如請求項5所述的N通道金屬氧化物半導體結構，其中，所述兩個隔離P型阱形成於未被所述閘極結構覆蓋的另一部分的所述兩個第一隔離部以及所述兩個第二隔離部。
如請求項1所述的N通道金屬氧化物半導體結構，其中，所述兩個隔離P型阱與所述源極摻雜區的周邊及所述汲極摻雜區的周邊之間以部分所述介電結構隔開。
一種N通道金屬氧化物半導體結構的製作方法，所述N通道金屬氧化物半導體結構應用於影像傳感器的影像信號處理單元，所述N通道金屬氧化物半導體結構的製作方法包含： <br/>提供半導體基底，具有深N型阱及介電結構，所述介電結構於所述半導體基底定義主動區且所述介電結構環繞於所述主動區； <br/>經由第一光罩於所述主動區定義源極圖案區、汲極圖案區及通道區，所述通道區位於所述源極圖案區及所述汲極圖案區之間，所述通道區包含相對的兩個第一側及相對的兩個第二側，所述兩個第一側延伸至所述介電結構； <br/>提供第二光罩，所述第二光罩預先至少定義有閘極遮蔽圖案及兩個隔離圖案開口，所述閘極遮蔽圖案涵蓋所述通道區與所述通道區的所述兩個第一側旁的部分所述介電結構，所述兩個隔離圖案開口由所述閘極遮蔽圖案分隔開； <br/>進行第一摻雜製程，在所述主動區形成P型阱； <br/>經由所述第二光罩的所述兩個隔離圖案開口於所述介電結構進行第二摻雜製程，以在所述介電結構形成兩個隔離P型阱，所述兩個隔離P型阱分別環繞所述源極圖案區及所述汲極圖案區且截止於所述閘極遮蔽圖案； <br/>形成閘極結構於所述半導體基底上，所述閘極結構覆蓋於所述通道區及所述通道區的所述兩個第一側旁的部分所述介電結構；以及 <br/>在所述源極圖案區及所述汲極圖案區進行第三摻雜製程，以於所述源極圖案區及所述汲極圖案區分別形成源極摻雜區及汲極摻雜區。
如請求項8所述的N通道金屬氧化物半導體結構的製作方法，其中，所述N通道金屬氧化物半導體結構應用於所述影像信號處理單元的低噪音放大器。
如請求項8所述的N通道金屬氧化物半導體結構的製作方法，其中，所述介電結構爲淺溝槽隔離結構、場氧化物結構或其組合。
如請求項8所述的N通道金屬氧化物半導體結構的製作方法，其中，所述兩個隔離P型阱的深度大於所述介電結構的深度。
一種凸塊製造方法，在對象物上製造凸塊，前述凸塊製造方法之特徵在於具備以下步驟：<br/> 準備對象物，前述對象物具備電極焊盤及在該電極焊盤上具有開口部之光阻層；<br/> 將具有比前述開口部的開口徑更小之直徑的針以接觸到前述電極焊盤的方式插入前述開口部；<br/> 沿著前述針將金屬粒子分散液充填於前述開口部；及<br/> 將已充填於前述開口部之前述金屬粒子分散液燒結。
如請求項1之凸塊製造方法，其中前述金屬粒子分散液之充填是一邊將前述針從前述開口部拉出一邊進行。
如請求項1或2之凸塊製造方法，其中前述針是設置在壓印模，<br/> 前述壓印模在前述針的根部附近具備導入路，前述導入路用於將前述金屬粒子分散液導入至前述針。
如請求項1或2之凸塊製造方法，其中前述針是設置在壓印模，<br/> 前述壓印模具備用於將前述金屬粒子分散液導入至前述針之多孔體。
如請求項1或2之凸塊製造方法，其中在插入前述針的步驟中，使前述對象物與前述針的至少一者在平行於前述對象物的表面的方向上振動。
如請求項1之凸塊製造方法，其中前述對象物為半導體元件。
如請求項1之凸塊製造方法，其中前述對象物為電路基板。
如請求項1之凸塊製造方法，其中前述對象物具備複數個前述電極焊盤。
一種壓印模，其特徵在於具備：針、及將液體供給至前述針之導入路。
如請求項9之壓印模，其中前述針是組裝在針基部的一面，<br/> 前述導入路以在前述針的附近貫穿前述針基部的方式設置。
如請求項9之壓印模，其具備複數個前述針。
一種晶圓之分割方法，將在正面呈格子狀地設定有複數條分割預定線，且在藉由該複數條分割預定線所區劃出的複數個區域的每一個區域中形成有器件之晶圓，沿著各分割預定線來分割，前述晶圓之分割方法的特徵在於具備以下步驟：<br/> 分割起點形成步驟，沿著各分割預定線形成機械性強度比形成有該器件之區域更低之成為該晶圓的分割之起點的分割起點；<br/> 保護薄膜密合步驟，在該分割起點形成步驟之後，將以烯烴系樹脂形成且具有未設置有黏著劑的一面之保護薄膜的該一面以推壓體朝該晶圓的正面側推壓，藉此使其密合；<br/> 支撐步驟，在該保護薄膜密合步驟之後，以已使該晶圓的正面側與支撐工作台相向的狀態，在該支撐工作台支撐該晶圓；及<br/> 分割步驟，在該支撐步驟之後，在該保護薄膜的該一面密合於該晶圓的正面側之狀態下，從該晶圓的背面側對該晶圓賦與外力，而從該分割起點分割該晶圓。
如請求項1之晶圓之分割方法，其中在該支撐步驟中是以具有彈性之該支撐工作台來支撐該晶圓。
如請求項1或2之晶圓之分割方法，其中在該分割起點形成步驟中，是在已將具有會穿透該晶圓之波長的脈衝狀的雷射光束的聚光點定位在該晶圓的內部的狀態下，使該雷射光束的聚光點與該晶圓沿著各分割預定線相對地移動，藉此沿著各分割預定線形成作為該分割起點而發揮功能之改質層。
一種檢查裝置，檢查被加工物，前述檢查裝置具備：<br/> 工作台，支撐該被加工物；<br/> 光照射單元，對已支撐在該工作台之該被加工物照射光；及<br/> 光接收器，接收從該被加工物反射之反射光，<br/> 該光接收器包含相機、與配設在該被加工物和該相機之間的擴散板，<br/> 該被加工物是起因於形成在前述晶圓的內部之改質層而在表面形成有微小的凹凸的晶圓，<br/> 藉由該光照射單元照射的光是選擇以下波長的光：與起因於形成在該晶圓的改質層而形成於表面的凹凸的形狀、及凹凸的尺寸相應之波長的光，<br/> 根據由該相機透過該擴散板所拍攝之形成在該被加工物的表面之起因於該改質層之凹凸的形狀，來檢查形成於該晶圓的內部之改質層的有無。
如請求項1之檢查裝置，其中該光照射單元包含：<br/> 白色光源；<br/> 繞射光柵，對該白色光源所發出之白色光進行分光；及<br/> 光篩選組件，從經該繞射光柵所分光之複數個波長之光篩選特定的波長之光，<br/> 將篩選出之特定的波長之光照射於該被加工物。
如請求項2之檢查裝置，其中該光篩選組件是藉由針孔遮罩來篩選經該繞射光柵所分光之複數個波長之光。
如請求項3之檢查裝置，其中該光篩選組件包含：<br/> 第一聚光鏡，將經該繞射光柵所分光之複數個波長之光反射；<br/> 第二聚光鏡，具有和該第一聚光鏡相同的焦點距離且以焦點作為對稱的中心而配設在點對稱的位置；<br/> 光路轉換鏡，對已定位在該第二聚光鏡的焦點之光路進行轉換；及<br/> 該針孔遮罩，對已在該光路轉換鏡轉換光路之複數個波長之光進行篩選。
如請求項4之檢查裝置，其中該光篩選組件更包含配設在該光路轉換鏡與該針孔遮罩之間的第三聚光鏡，且該第三聚光鏡的焦點定位在該針孔遮罩。
如請求項2至5中任一項之檢查裝置，其中該白色光源是選自於由SLD光源、ASE光源、LED光源、超連續光譜光源、鹵素光源、氙光源、水銀光源、金屬鹵化物光源所構成之群組中。
一種製造半導體封裝的方法，包括： <br/>提供基底，所述基底具有第一切割區及第二切割區以及安裝區，所述第一切割區及所述第二切割區分別沿著彼此相對的第一側部分與第二側部分設置，所述安裝區位於所述第一切割區與所述第二切割區之間，所述基底包括位於所述第二切割區中的減黏接墊； <br/>在所述基底的所述安裝區上設置至少一個半導體晶片； <br/>在所述基底上形成成型構件，所述成型構件包括密封部分、虛設捲曲部分、以及多個虛設流道部分，所述密封部分位於所述基底的所述安裝區上且覆蓋所述至少一個半導體晶片，所述虛設捲曲部分位於所述基底的所述第二側部分外側，所述多個虛設流道部分位於所述第二切割區上以連接所述密封部分與所述虛設捲曲部分，所述多個虛設流道部分位於所述減黏接墊上以減小所述基底與所述多個虛設流道部分之間的黏合力；以及 <br/>自所述成型構件移除所述虛設捲曲部分及所述虛設流道部分的至少部分。
如請求項1所述的製造半導體封裝的方法，其中所述減黏接墊中的每一者包括彼此堆疊的至少兩個金屬層。
如請求項2所述的製造半導體封裝的方法，其中所述減黏接墊的所述金屬層中的每一者包含鎳（Ni）及金（Au）。
如請求項1所述的製造半導體封裝的方法，其中所述減黏接墊中的至少一者的厚度處於2微米至10微米的範圍內。
如請求項1所述的製造半導體封裝的方法，其中所述減黏接墊包括有機塗層。
如請求項5所述的製造半導體封裝的方法，其中所述有機塗層包括有機焊罩（Organic Solderability Preservative，OSP）。
如請求項5所述的製造半導體封裝的方法，其中所述有機塗層的厚度處於0.1微米至0.3微米的範圍內。
如請求項1所述的製造半導體封裝的方法，其中所述減黏接墊中的至少一者的寬度處於1毫米至3毫米的範圍內。
如請求項1所述的製造半導體封裝的方法，其中所述成型構件更包括捲曲部分以及多個澆口流道部分，所述捲曲部分位於所述基底的所述第一側部分外側，所述多個澆口流道部分設置於所述第一切割區上以將所述密封部分與所述捲曲部分連接。
如請求項1所述的製造半導體封裝的方法，更包括： <br/>移除所述基底的所述第一切割區及所述第二切割區。
一種製造半導體封裝的方法，包括： <br/>提供基底，所述基底具有彼此相對的第一側部分與第二側部分以及沿著所述第二側部分彼此間隔開的多個減黏接墊； <br/>在所述基底上設置至少一個半導體晶片； <br/>將所述基底設置於模具中，所述模具對彼此流體連通的空腔、多個虛設流道及虛設捲曲進行界定，所述空腔被配置成接收用於對所述至少一個半導體晶片進行密封的密封材料，所述多個虛設流道被配置成用作所述密封材料藉由其自所述空腔排出的路徑，且所述虛設捲曲被配置成用於收集藉由所述虛設流道排出的所述密封材料； <br/>藉由將所述密封材料注射至所述模具的所述空腔中且使用用於收集藉由所述多個虛設流道自所述空腔排出的所述密封材料的所述虛設捲曲來形成所述基底的成型構件，所述成型構件包括覆蓋所述至少一個半導體晶片的密封部分、位於所述基底的所述第二側部分外側的虛設捲曲部分、以及連接所述密封部分與所述虛設捲曲部分的多個虛設流道部分，所述多個虛設流道部分分別接觸所述減黏接墊的部分；以及 <br/>自所述成型構件移除所述虛設捲曲部分及所述多個虛設流道部分的至少部分。
如請求項11所述的製造半導體封裝的方法，其中所述模具更包括彼此流體連通的捲曲與多個澆口流道以及所述空腔， <br/>所述捲曲被配置成藉由注射接收所述密封材料，且 <br/>所述多個澆口流道被配置成用作供所述密封材料藉由其自所述捲曲引入至所述空腔的路徑。
如請求項12所述的製造半導體封裝的方法，其中所述成型構件更包括捲曲部分及多個澆口流道部分， <br/>所述捲曲部分位於所述基底的所述第一側部分外側，且 <br/>所述多個澆口流道部分連接所述密封部分與所述捲曲部分。
如請求項13所述的製造半導體封裝的方法，更包括： <br/>自所述成型構件移除所述捲曲部分及所述多個澆口流道部分的至少部分。
如請求項11所述的製造半導體封裝的方法，其中所述減黏接墊中的每一者包括彼此堆疊的至少兩個金屬層。
如請求項11所述的製造半導體封裝的方法，其中所述減黏接墊包括有機塗層。
如請求項16所述的製造半導體封裝的方法，其中所述有機塗層包括有機焊罩（OSP）。
如請求項11所述的製造半導體封裝的方法，其中所述減黏接墊中的至少一者的寬度處於1毫米至3毫米的範圍內。
如請求項11所述的製造半導體封裝的方法，更包括： <br/>於在所述基底上設置所述至少一個半導體晶片之後，在所述至少一個半導體晶片上設置中介層基底。
如請求項19所述的製造半導體封裝的方法，更包括： <br/>在所述中介層基底上設置至少一個第二半導體晶片。
一種積層體，其係具有：金屬層、與前述金屬層的至少一側表面接觸之樹脂層，其中， <br/>前述樹脂層的溫度23℃及頻率28GHz下的介電損耗正切小於0.002， <br/>在沿厚度方向的剖面中之前述金屬層與前述樹脂層的界面的粗糙度曲線要素的平均長度RSm為1.2μm以下， <br/>前述樹脂層從前述金屬層的一側依序具有密接樹脂層與包含液晶聚合物之聚合物層， <br/>前述聚合物層的厚度為5～1000μm， <br/>前述密接樹脂層的厚度為1μm以下。
如請求項1所述之積層體，其中 <br/>前述液晶聚合物包含2種以上來自於二羧酸之重複單元。
如請求項1所述之積層體，其中 <br/>前述液晶聚合物具有選自包括來自於6-羥基-2-萘甲酸之重複單元、來自於芳香族二醇之重複單元、來自於對苯二甲酸之重複單元及來自於2,6-萘二羧酸之重複單元之群組中之至少1個。
如請求項1所述之積層體，其中 <br/>前述聚合物層包含聚烯烴。
如請求項4所述之積層體，其中 <br/>前述聚烯烴的含量相對於前述聚合物層的總質量為0.1～40質量%。
如請求項4所述之積層體，其中 <br/>在前述聚合物層中形成有包含前述聚烯烴之分散相， <br/>觀察前述聚合物層的沿厚度方向的剖面而得到之觀察圖像中之前述分散相的平均分散直徑為0.01～10μm。
如請求項1所述之積層體，其中 <br/>前述密接樹脂層的彈性模數為0.8GPa以上。
如請求項1所述之積層體，其中 <br/>前述密接樹脂層中所包含之溶劑的含量相對於前述密接樹脂層的總質量為0～200質量ppm。
如請求項1所述之積層體，其中 <br/>前述金屬層為銅層。
一種半導體封裝，包括：基底，包含所述基底的頂表面上的多個基底襯墊；第一上部半導體晶片，位於所述基底上且包含多個導電晶片襯墊；以及多個接合線，耦接至所述基底襯墊及所述第一上部半導體晶片，其中所述接合線包含彼此鄰近的第一接合線及第二接合線，其中，在以平面圖查看時，所述基底具有第一區，位於所述導電晶片襯墊與所述基底襯墊之間；以及第二區，位於所述第一區與所述基底襯墊之間，其中所述第一接合線及所述第二接合線將所述第一區與所述第二區之間的邊界界定為距所述多個導電晶片襯墊的水平距離，在所述水平距離處，所述第一接合線及所述第二接合線在所述基底上具有相同豎直位準，其中所述第二接合線在所述基底的所述第一區上具有最大豎直位準，其中，在所述基底的所述第一區上，所述第一接合線處於比所述第二接合線的位準高的位準處，且其中，在所述基底的所述第二區上，所述第二接合線處於比所述第一接合線的位準高的位準處。
如請求項1所述的半導體封裝，其中所述基底的所述第二區上的所述第一接合線與所述第二接合線之間的豎直位準差等於或大於所述基底的所述第二區上的所述第一接合線的直徑。
如請求項1所述的半導體封裝，更包括所述第一上部半導體晶片與所述第二接合線之間的柱形凸塊，其中所述導電晶片襯墊包含第一導電晶片襯墊及第二導電晶片襯墊，其中所述第一接合線與所述第一導電晶片襯墊直接接觸，且其中所述第二接合線經由所述柱形凸塊電連接至所述第二導電晶片襯墊。
如請求項1所述的半導體封裝，更包括所述多個基底襯墊中的第一基底襯墊上的固定凸塊，其中所述第一接合線位於所述第一基底襯墊與所述固定凸塊之間。
如請求項1所述的半導體封裝，更包括：下部半導體晶片，位於所述基底與所述第一上部半導體晶片之間，所述下部半導體晶片包含所述下部半導體晶片的頂表面上的多個下部晶片襯墊；以及多個下部接合線，耦接至所述基底及所述下部晶片襯墊，其中，在所述基底的所述第二區上，所述下部接合線之間的豎直位準差小於所述第一接合線與所述第二接合線之間的豎直位準差。
如請求項5所述的半導體封裝，其中在以平面圖查看時，所述第一上部半導體晶片在第一方向上自所述下部半導體晶片偏移，所述第一方向平行於所述基底的所述頂表面，在以平面圖查看時，所述第一上部半導體晶片具有與所述下部半導體晶片間隔開的懸垂區域，且所述第一上部半導體晶片暴露所述下部晶片襯墊。
如請求項1所述的半導體封裝，更包括：第二上部半導體晶片，位於所述第一上部半導體晶片上且具有多個上部晶片襯墊；以及多個第三接合線，耦接至所述上部晶片襯墊及所述導電晶片襯墊。
如請求項7所述的半導體封裝，其中所述多個第三接合線之間的豎直位準差小於所述基底的所述第二區上的所述第一接合線與所述第二接合線之間的豎直位準差。
如請求項1所述的半導體封裝，其中在以平面圖查看時，所述導電晶片襯墊以第一水平間隔與所述基底襯墊間隔開，所述基底的所述第一區以大於所述第一水平間隔的0%且等於或小於所述第一水平間隔的30%的距離與所述導電晶片襯墊間隔開，且所述基底的所述第二區以大於所述第一水平間隔的30%且等於或小於所述第一水平間隔的80%的距離與所述導電晶片襯墊間隔開。
一種半導體封裝，包括：基底，包含所述基底的頂表面上的第一基底襯墊及第二基底襯墊；上部半導體晶片，位於所述基底上且包含所述上部半導體晶片的頂表面上的多個導電晶片襯墊，所述導電晶片襯墊包含彼此鄰近的第一導電晶片襯墊及第二導電晶片襯墊；第一上部接合線，耦接至所述第一導電晶片襯墊及所述第一基底襯墊；第二上部接合線，耦接至所述第二導電晶片襯墊及所述第二基底襯墊；柱形凸塊，位於所述第二導電晶片襯墊與所述第二上部接合線之間；以及固定凸塊，位於所述第一上部接合線的末端部分上，其中所述第一上部接合線的所述末端部分位於所述第一基底襯墊與所述固定凸塊之間，且其中所述第一上部接合線與所述第一導電晶片襯墊直接接觸。
如請求項10所述的半導體封裝，其中所述柱形凸塊包含與所述第一導電晶片襯墊的金屬不同的金屬。
如請求項10所述的半導體封裝，更包括模製層，所述模製層位於所述基底上且覆蓋所述上部半導體晶片，其中所述第二上部接合線的末端部分耦接至所述第二基底襯墊，且其中所述第二上部接合線的所述末端部分由所述模製層覆蓋。
如請求項10所述的半導體封裝，更包括：下部半導體晶片，位於所述基底與所述上部半導體晶片之間，所述下部半導體晶片包含所述下部半導體晶片的頂表面上的多個下部晶片襯墊；以及多個下部接合線，耦接至所述基底及所述下部晶片襯墊，其中所述下部接合線與所述下部晶片襯墊直接接觸。
如請求項13所述的半導體封裝，其中所述基底具有：第一區，位於所述導電晶片襯墊與所述第一基底襯墊及所述第二基底襯墊之間；以及第二區，位於所述第一區與所述第一基底襯墊及所述第二基底襯墊之間，其中所述下部接合線之間的豎直位準差小於所述基底的所述第二區上的所述第一上部接合線與所述第二上部接合線之間的豎直位準差。
如請求項10所述的半導體封裝，其中在以平面圖查看時，所述基底具有：第一區，位於所述導電晶片襯墊與所述第一基底襯墊及所述第二基底襯墊之間；以及第二區，位於所述第一區與所述第一基底襯墊及所述第二基底襯墊之間，其中，在所述基底的所述第一區上，所述第一上部接合線處於比所述第二上部接合線的位準高的位準處，且其中，在所述基底的所述第二區上，所述第二上部接合線處於比所述第一上部接合線的位準高的位準處。
一種半導體封裝，包括：基底，包含第一基底襯墊、第二基底襯墊以及多個第三基底襯墊，所述第一基底襯墊、所述第二基底襯墊以及所述多個第三基底襯墊位於所述基底的頂表面上；多個焊料球，位於所述基底的底表面上；下部半導體晶片，位於所述基底的所述頂表面上；第一上部半導體晶片，位於所述下部半導體晶片的頂表面上且包含多個導電晶片襯墊，所述導電晶片襯墊包含彼此鄰近的第一導電晶片襯墊及第二導電晶片襯墊；多個下部接合線，耦接至所述下部半導體晶片及所述第三基底襯墊，所述下部接合線彼此鄰近；第一上部接合線，耦接至所述第一導電晶片襯墊及所述第一基底襯墊；第二上部接合線，耦接至所述第二導電晶片襯墊及所述第二基底襯墊；以及模製層，位於所述基底的所述頂表面上，所述模製層覆蓋所述下部半導體晶片、所述第一上部半導體晶片、所述下部接合線、所述第一上部接合線以及所述第二上部接合線，其中，在以平面圖查看時，所述基底具有第一區，位於所述第一導電晶片襯墊與所述第一基底襯墊之間以及位於所述第二導電晶片襯墊與所述第二基底襯墊之間；以及第二區，位於所述第一區與所述第一基底襯墊及所述第二基底襯墊之間，其中所述第一上部接合線及所述第二上部接合線將所述第一區與所述第二區之間的邊界界定為距所述多個導電晶片襯墊的水平距離，在所述水平距離處，所述第一上部接合線及所述第二上部接合線在所述基底上具有相同豎直位準，其中，在所述基底的所述第一區上，所述第一上部接合線處於比所述第二上部接合線的位準高的位準處，其中，在所述基底的所述第二區上，所述第二上部接合線處於比所述第一上部接合線的位準高的位準處，且其中，在所述基底的所述第二區上，所述下部接合線之間的豎直位準差小於所述第一上部接合線與所述第二上部接合線之間的豎直位準差。
如請求項16所述的半導體封裝，其中所述第一上部接合線在所述基底的所述第一區上具有最大豎直位準，且所述第二上部接合線在所述基底的所述第一區上具有最大豎直位準。
如請求項16所述的半導體封裝，更包括：第二上部半導體晶片，位於所述第一上部半導體晶片上且具有所述第二上部半導體晶片的頂表面上的多個上部晶片襯墊；以及多個第三上部接合線，耦接至所述上部晶片襯墊及所述導電晶片襯墊。
如請求項18所述的半導體封裝，其中所述基底的所述第二區上的所述多個第三上部接合線之間的豎直位準差小於所述基底的所述第二區上的所述第一上部接合線與所述第二上部接合線之間的所述豎直位準差。
如請求項16所述的半導體封裝，其中在所述基底的所述第二區上，所述第一上部接合線與所述第二上部接合線之間的所述豎直位準差等於或大於所述第一上部接合線的直徑，且在所述基底的所述第二區上，所述第一上部接合線與所述第二上部接合線之間的所述豎直位準差等於或大於所述第二上部接合線的直徑。
一種光硬化性黏著片，其特徵在於：具有藉由放射線照射而硬化之黏著劑層，且 <br/>用以形成上述黏著劑層之黏著劑組合物含有側鏈具有二苯甲酮結構之聚合物， <br/>上述黏著劑層之高壓水銀燈照射後之180°剝離力為11 N/20 mm以下。
如請求項1之光硬化性黏著片，其中上述黏著劑層於UV-LED照射前後之180°剝離力之變化率為10%以內。
如請求項1或2之光硬化性黏著片，其中上述黏著劑層之高壓水銀燈照射後之25℃下之拉伸儲存彈性模數(E'a25)為400 kPa以上。
如請求項1或2之光硬化性黏著片，其中上述黏著劑層之波長200～400 nm之透過率之最大值為5%以上。
如請求項1或2之光硬化性黏著片，其中上述黏著劑層之高壓水銀燈照射後之25℃下之拉伸儲存彈性模數(E'a25：kPa)相對於厚度(μm)之比(kPa/μm)為1～50。
如請求項1或2之光硬化性黏著片，其中上述高壓水銀燈所照射之光包含波長200～280 nm之放射線。
如請求項2之光硬化性黏著片，其中上述UV-LED所照射之光係波長350 nm以上之放射線。
一種光半導體裝置，其具備基板、配置於上述基板上之1個以上之光半導體元件、及如請求項1至7中任一項之光硬化性黏著片，且 <br/>上述光硬化性黏著片對上述光半導體元件進行密封。
如請求項8之光半導體裝置，其係自發光型顯示裝置。
一種圖像顯示裝置，其具備如請求項9之自發光型顯示裝置。
一種剝離方法，其係將上述光硬化性黏著片自如請求項8至10中任一項之光半導體裝置之上述基板及配置於上述基板上之1個以上之光半導體元件剝離的方法，該剝離方法包括： <br/>對上述光硬化性黏著片照射包含波長200～280 nm之光之放射線之步驟；及 <br/>將藉由上述放射線之照射而硬化之光硬化性黏著片自上述基板及配置於上述基板上之1個以上之光半導體元件剝離之步驟。
如請求項11之剝離方法，其中包含上述波長200～280 nm之光之放射線係藉由高壓水銀燈之照射而產生之放射線。
一種記憶體裝置，包含： <br/> 一基板；<br/> 複數個記憶體單元，該些記憶體單元各自包括彼此串聯耦合的一存取電晶體及一電阻器，其中該些記憶體單元各自包括一一次性可程式電子熔絲；及<br/> 複數個控制電晶體，該些控制電晶體沿著該基板形成；<br/> 其中該存取電晶體與該些控制電晶體分開；<br/> 其中該些記憶體單元中的一記憶體單元中的該電阻器可用以從一第一電組狀態程式轉變為一第二電組狀態以及形成為設置於該基板上方的複數個金屬結構中之一；<br/> 其中該些記憶體單元中的該記憶體單元中的該存取電晶體設置相對於一第一金屬化層，該第一金屬化層含有來自該基板的該些金屬結構；<br/> 其中該電阻器與該些控制電晶體分開，並配置在該些控制電晶體的一對應者及該存取電晶體之間。
一種記憶體裝置的製造方法，其包含以下步驟：<br/> 沿著一記憶體裝置的一基板的一主表面形成該記憶體裝置的複數個控制電晶體；<br/> 在該些控制電晶體上方形成一第一金屬化層，其中該第一金屬化層包括可操作地分別用做複數個電阻器的複數個第一互連結構；及<br/> 在該第一金屬化層上方形成不同於該些控制電晶體的該記憶體裝置的複數個存取電晶體，其中該些電阻器的一對應者與該些控制電晶體分開，並配置在該記憶體裝置的該些控制電晶體的一對應者及該些存取電晶體中的一對應者之間；<br/> 其中該些存取電晶體與該些控制電晶體分開；<br/> 其中該些電阻器的該對應者串聯耦合至該些存取電晶體中的該對應者，進而形成一一次性可程式記憶體單元。
一種記憶體裝置，包含：<br/> 一基板；<br/> 複數個控制電晶體，該些控制電晶體沿著該基板的一主表面：<br/> 複數個第一互連結構，該些第一互連結構設置於該些控制電晶體上方的複數個金屬化層中的一第一層；及<br/> 複數個存取電晶體，與該些控制電晶體分開，該些存取電晶體設置於該些金屬化層中的該第一層上方；<br/> 其中該些第一互連結構的一對應者及該些存取電晶體的一對應者可操作地分别用作一一次性可程式電子熔絲中的一電阻器及一存取電晶體；<br/> 其中該電阻器與該些控制電晶體分開，並配置在該些控制電晶體的一對應者及該存取電晶體之間；<br/> 其中該一次性可程式電子熔絲的該電阻器及該存取電晶體彼此串聯耦合。
一種記憶體裝置，包含：<br/> 一基板；<br/> 一第一記憶體陣列，包括複數個第一記憶體單元，其中該些第一記憶體單元各自包括一電阻器及一存取電晶體，該存取電晶體串聯耦合至該電阻器；及<br/> 複數個第一控制電路，用以存取該第一記憶體陣列，其中該些第一控制電路各自包括多個控制電晶體，該些控制電晶體沿著該基板；<br/> 其中該存取電晶體與該些控制電晶體分開；其中在該些第一記憶體單元中的一記憶體單元中的該存取電晶體垂直設置於該些第一記憶體單元中的該記憶體單元中的該電阻器上方，且該電阻器與該些第一控制電路的該些控制電晶體分開，並垂直設置於該些第一控制電路的該些控制電晶體上方。
一種記憶體裝置，包含：<br/> 一基板；<br/> 複數個第一互連結構，該些第一互連結構設置於該基板上方的複數個金屬化層中的一第一金屬化層；<br/> 複數個存取電晶體，該些存取電晶體設置於該第一金屬化層上方及耦合複數個熔絲電阻器，其中該些存取電晶體各自形成為一背閘極電晶體，該背閘極電晶體包括一源極端、一汲極端及一閘極端，該閘極端設置於比該源極端及該汲極端更靠近該基板的位置；及<br/> 複數個控制電晶體，與該些存取電晶體分開，該些控制電晶體沿著該基板形成；<br/> 其中該些熔絲電阻器的一對應者串聯耦合該些存取電晶體中的一對應者，可操作地用作一一次性可程式電子熔絲；<br/> 其中該些熔絲電阻器的該對應者與該些控制電晶體分開，並配置在該些控制電晶體的一對應者及該些存取電晶體的該對應者之間。
一種記憶體裝置，包含：<br/> 一基板；<br/> 複數個存取電晶體，該些存取電晶體的一對應者設置於複數個金屬化層的一第一金屬化層上方及耦合複數個熔絲電阻器的一對應者，其中該些存取電晶體各自形成為一背閘極電晶體，該背閘極電晶體包括一源極端、一汲極端及一閘極端，該閘極端設置於比該源極端及該汲極端更靠近該基板的位置；<br/> 複數個控制電晶體，與該些存取電晶體分開，該些控制電晶體沿著該基板形成；及<br/> 複數個第一互連結構的一對應者串聯耦合該些存取電晶體中的一對應者，可操作地用作一一次性可程式電子熔絲；<br/> 其中該些熔絲電阻器的該對應者與該些控制電晶體分開，並配置在該些控制電晶體的一對應者及該些存取電晶體的該對應者之間。
一種記憶體裝置的製造方法，包含以下步骤：<br/> 沿著一記憶體裝置的一基板形成該記憶體裝置的複數個控制電晶體；<br/> 形成該記憶體裝置的複數個第一互連結構，該些第一互連結構設置於一第一金屬化層上方；及<br/> 在該第一金屬化層上方形成不同於該些控制電晶體的該記憶體裝置的複數個存取電晶體及分别耦合該些第一互連結構及該記憶體裝置的複數個熔絲電阻器，其中該些存取電晶體各自形成為一背閘極電晶體，該背閘極電晶體包括一源極端、一汲極端及一閘極端，該閘極端設置於比該源極端及該汲極端更靠近一基板的位置；<br/> 其中該些存取電晶體與該些控制電晶體分開；<br/> 其中該些熔絲電阻器的一對應者與該些控制電晶體分開，並配置在該些控制電晶體的一對應者及該些存取電晶體的一對應者之間。
一種記憶體裝置，包含：<br/> 一基板；<br/> 複數個記憶體單元，該些記憶體單元各自包括一電阻器及一存取電晶體，該存取電晶體各自串聯耦合至該電阻器；<br/> 複數個控制電晶體，與該存取電晶體分開，該些控制電晶體沿著該基板形成；及<br/> 一存取電晶體串聯耦合至該電阻器；<br/> 其中該些記憶體單元中的該些電阻器各自形成為設置於該基板上方的複數個互連結構中之一；<br/> 其中該電阻器與該些控制電晶體分開，並配置在該些控制電晶體的一對應者及該存取電晶體之間。
一種記憶體裝置，包含：<br/> 一基板；<br/> 複數個第一互連結構，該些第一互連結構設置於該基板上方的複數個金屬化層中的一第一金屬化層；<br/> 複數個存取電晶體，該些存取電晶體設置於該第一金屬化層上方；及<br/> 一感測放大器，包括在該基板上方形成的複數個感測放大器電晶體；<br/> 其中該些感測放大器電晶體與該些存取電晶體分開；<br/> 其中該些第一互連結構的一對應者串聯耦合該些存取電晶體中的一對應者，可操作地用作一一次性可程式電子熔絲；<br/> 其中該些第一互連結構的該對應者與該些感測放大器電晶體分開，並配置在該些感測放大器電晶體的一對應者及該些存取電晶體的一對應者之間。
一種記憶體裝置的製造方法，包含以下步骤：<br/> 沿著一記憶體裝置的一基板的一表面形成該記憶體裝的複數個感測放大器電晶體；<br/> 在該些感測放大器電晶體上方形成複數個第一互連結構，該些第一互連結構設置於一第一金屬化層上方；及<br/> 在該第一金屬化層上方形成不同於該些感測放大器電晶體的該記憶體裝置中的複數個存取電晶體及分别耦合該些第一互連結構；<br/> 其中該些感測放大器電晶體與該些存取電晶體分開；<br/> 其中該些第一互連結構的一對應者與該些感測放大器電晶體分開，並配置在該些感測放大器電晶體的一對應者及該些存取電晶體的一對應者之間。
一種球狀氧化矽粉末，其中值粒徑d50為0.5~20µm，比表面積A(m<sup>2</sup>/g)與前述中值粒徑d50(µm)之積A×d50為2.7~5.0µm・m<sup>2</sup>/g；<br/> 前述球狀氧化矽粉末包含30~1500ppm之Ti；<br/> 前述球狀氧化矽粉末表面之源自鍵結矽烷醇基且位於3300~3700cm<sup>-1</sup>的最大IR波峰強度為0.2以下；<br/> 前述最大IR波峰強度係將IR光譜在800cm<sup>-1</sup>規格化並在3800cm<sup>-1</sup>合併基線後，從位於3300~3700cm<sup>-1</sup>中的最大波峰求出鍵結Si-OH波峰強度之相對值而獲得者。
如請求項1之球狀氧化矽粉末，其中前述球狀氧化矽粉末之介電正切在頻率1GHz下為0.0020以下。
如請求項1或2之球狀氧化矽粉末，其中包含前述球狀氧化矽粉末之捏合物藉由下述測定方法測定之黏度為5000mPa・s以下；<br/> (測定方法)<br/> 將熟亞麻仁油6質量份與前述球狀氧化矽粉末8質量份混合，在2000rpm下捏合3分鐘，使用旋轉式流變儀在剪切速度1s<sup>-1</sup>下對所得捏合物測定30秒，求出在30秒時間點之黏度。
一種球狀氧化矽粉末之製造方法，係製造如請求項1至3中任一項之球狀氧化矽粉末的方法，該製造方法包含藉由濕式法形成球狀之氧化矽前驅物。
如請求項4之球狀氧化矽粉末之製造方法，其遵循JIS K0067：1992而將前述氧化矽前驅物1g在850℃下加熱乾燥0.5小時，此時前述氧化矽前驅物之質量減量為5.0~15.0質量%。
如請求項4或5之球狀氧化矽粉末之製造方法，其中前述氧化矽前驅物之細孔容積為0.3~2.2ml/g。
一種樹脂組成物，包含5~90質量%之如請求項1至3中任一項之球狀氧化矽粉末。
一種漿料組成物，包含1~50質量%之如請求項1至3中任一項之球狀氧化矽粉末。
一種發光二極體裝置，包括：<br/> 一電流源；<br/> 一發光二極體串列；以及<br/> 一輸入端穩壓電路，電性連接於該電流源與該發光二極體串列之間，以穩定一驅動電流，該輸入端穩壓電路包括：<br/> 一常開型電晶體；<br/> 一第一電阻，連接該常開型電晶體；及<br/> 一補償電容，電性連接該常開型電晶體及該發光二極體串列，以補償該驅動電流。
如請求項1所述之發光二極體裝置，其中該常開型電晶體、該第一電阻及該發光二極體串列串聯，該常開型電晶體之一閘極連接於該發光二極體串列之一輸入端。
如請求項2所述之發光二極體裝置，其中該補償電容並聯於該常開型電晶體之一汲極及該發光二極體串列之一輸出端。
如請求項2所述之發光二極體裝置，更包括：<br/> 一輸出端穩壓電路，電性連接於該發光二極體串列之一輸出端。
如請求項4所述之發光二極體裝置，其中該輸出端穩壓電路包括：<br/> 一NPN型電晶體，用以調整該發光二極體串列之亮度。
如請求項2所述之發光二極體裝置，其中該輸入端穩壓電路更包括：<br/> 一第二電阻，連接於該電流源；<br/> 一第三電阻，連接於該第二電阻；以及<br/> 一PNP型電晶體，該PNP型電晶體之一發射極連接於該第一電阻，該PNP型電晶體之一集極連接於該發光二極體串列，該PNP型電晶體之一閘極連接於該第二電阻與該第三電阻之間的節點。
如請求項6所述之發光二極體裝置，其中該第三電阻連接該PNP型電晶體之該集極。
如請求項6所述之發光二極體裝置，其中該第三電阻接地。
如請求項2所述之發光二極體裝置，更包含另一發光二極體串列，該些發光二極體串列並聯。
如請求項9所述之發光二極體裝置，更包括：<br/> 二輸出端穩壓電路，各該輸出端穩壓電路分別電性連接於各該發光二極體串列之一輸出端。
如請求項10所述之發光二極體裝置，其中各該輸出端穩壓電路包括一NPN型電晶體，以調整各該發光二極體串列之亮度。
如請求項10所述之發光二極體裝置，其中該輸入端穩壓電路更包括：<br/> 一第二電阻，連接於該第一電阻與該發光二極體串列之一輸出端之間，該常開型電晶體之一閘極連接於該第一電阻與該第二電阻之間的節點，該發光二極體串列之一輸入端連接於該常開型電晶體之一源極。
如請求項12所述之發光二極體裝置，其中該發光二極體串列之一輸出端接地。
如請求項12所述之發光二極體裝置，更包括：<br/> 一輸出端穩壓電路，電性連接於該發光二極體串列之一輸出端。
如請求項14所述之發光二極體裝置，其中該輸出端穩壓電路包括一NPN型電晶體，以調整該發光二極體串列之亮度。
如請求項1所述之發光二極體裝置，更包含另一個或多個輸入端穩壓電路，以及另一個或多個發光二極體串列，各該輸入端穩壓電路電性連接該電流源與各該發光二極體串列之間。
如請求項16所述之發光二極體裝置，其中該些發光二極體串列之其中之一的輸入端連接該些發光二極體串列之其中之另一的一輸出端。
如請求項16所述之發光二極體裝置，其中部分之該些輸入端穩壓電路更包括：<br/> 一PNP型電晶體，設置於該常開型電晶體及該第一電阻之間；以及<br/> 一稽納二極體，連接該PNP型電晶體之一閘極。
如請求項16所述之發光二極體裝置，其中該些發光二極體串列之其中之一的一輸出端接地。
如請求項16所述之發光二極體裝置，更包括：<br/> 一輸出端穩壓電路，電性連接於該些發光二極體串列之其中之一的一輸出端。
如請求項20所述之發光二極體裝置，更包括：<br/> 一脈衝寬度調變電路，連接於該輸出端穩壓電路，以調整該些發光二極體串列之亮度。
一種用於口服之液體醫藥組成物，其包含具有根據化學式1所示之化學結構的舒緩肽（BK）B2受體拮抗劑，或其立體異構物、鹽或溶劑合物：<br/><img align="absmiddle" height="146px" width="135px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> （化學式1）<br/> 其中，R為氘或氫；<br/> 其中，該BK B2受體拮抗劑溶解於液體載體中，該液體載體包含丙二醇單辛酸酯、聚氧乙烯蓖麻油及丙二醇。
如請求項1所述之液體醫藥組成物，其中，該BK B2受體拮抗劑為根據化學式1之化合物或其鹽或溶劑合物，其中，R為氘。
如請求項1或2所述之液體醫藥組成物，其中，基於該液體載體之重量，該液體載體中之該丙二醇單辛酸酯的量為40至60wt.%。
如請求項1或2所述之液體醫藥組成物，其中，基於該液體載體之重量，該液體載體中之該聚氧乙烯蓖麻油的量為30至50wt.%。
如請求項1或2所述之液體醫藥組成物，其中，基於該液體載體之重量，該丙二醇的量為2.5至15wt.%。
如請求項1或2所述之液體醫藥組成物，其中，基於該液體載體之重量，該液體載體中之該丙二醇單辛酸酯的量為40至60wt.%，該液體載體中之該聚氧乙烯蓖麻油的量為30至50wt.%，且該丙二醇的量為2.5至15wt.%。
如請求項1或2所述之液體醫藥組成物，其中，該丙二醇單辛酸酯為丙二醇單辛酸酯II型（USP/NF）。
如請求項1或2所述之液體醫藥組成物，其中，該聚氧乙烯蓖麻油為聚氧乙烯40氫化蓖麻油（USP/NF）。
如請求項6所述之液體醫藥組成物，其中，該丙二醇單辛酸酯為丙二醇單辛酸酯II型（USP/NF）；及/或其中，該聚氧乙烯蓖麻油為聚氧乙烯40氫化蓖麻油（USP/NF）。
如請求項1或2所述之液體醫藥組成物，其中，基於該液體載體中的丙二醇單辛酸酯、聚氧乙烯蓖麻油及丙二醇之組合重量，該丙二醇單辛酸酯之含量為50wt.%、該聚氧乙烯蓖麻油之含量為40wt.%及該丙二醇之含量為10wt.%。
如請求項1或2所述之液體醫藥組成物，其中，顯示該液體醫藥組成物之該BK B2受體拮抗劑的含量在每克5毫克至100毫克之間。
如請求項1或2所述之液體醫藥組成物，其中，該液體醫藥組成物基本上由下述組成：<br/> (a)基於該液體醫藥組成物之總重量，0.5至6.5wt.%的根據化學式1之化合物或其立體異構物、鹽或溶劑合物，其中，R為氘；<br/> (b)基於該液體醫藥組成物之總重量，93.5至99.5wt.%的液體載體，該液體載體基本上由下述組成：<br/> (i)50份（重量）丙二醇單辛酸酯；<br/> (ii)40份（重量）聚氧乙烯蓖麻油；<br/> (iii)5至10份（重量）丙二醇；及可選地<br/> (iv)不大於5份（重量）的水；<br/> 及可選地<br/> (c)剩餘份為溶解或分散在該液體載體中之一或多種進一步之賦形劑。
一種用於口服之膠囊，其包含如請求項1至12中任一項所述之液體醫藥組成物。
如請求項13所述之膠囊，其中，該膠囊為軟膠囊。
如請求項14所述之膠囊，其中，該軟膠囊包含一膠囊壁，其包含明膠、水及選自丙二醇、甘油、山梨糖醇、山梨醇酐、山梨糖醇系塑化劑混合物或其任何組合中之至少一種塑化劑。
一種如請求項1至12中任一項所述之液體醫藥組成物或如請求項13至15中任一項所述之膠囊之用途，該液體醫藥組成物或該膠囊用於製造治療或預防對BK B2受體調節有反應的疾病或狀況之藥物中。
如請求項16所述之用途，其中，該對BK B2受體調節有反應的疾病或狀況為水腫。
如請求項16所述之用途，其中，該對BK B2受體調節有反應的疾病或狀況為遺傳性血管水腫（HAE）或後天血管性水腫（AAE）。
一種多層發泡粒子，其係具有發泡芯層與被覆該發泡芯層之被覆層之多層發泡粒子，其特徵為 <br/> 該發泡芯層係由乙烯成分含有率2.5質量%以上3.5質量%以下之乙烯-丙烯無規共聚物(A)構成， <br/> 該被覆層係由聚烯烴系樹脂(B)構成， <br/> 該聚烯烴系樹脂(B)包含聚丙烯系樹脂、聚乙烯系樹脂，或該等之混合物， <br/> 藉由示差掃描熱量測定(DSC)所測定之該聚烯烴系樹脂(B)之DSC曲線具有一個以上之熔解波峰，該熔解波峰中之至少一個熔解波峰的熔解波峰溫度比該乙烯-丙烯無規共聚物(A)之熔點(Tm)低， <br/> 該乙烯-丙烯無規共聚物(A)之重量平均分子量(Mw)為20萬以上30萬以下，該乙烯-丙烯無規共聚物(A)之該重量平均分子量(Mw)相對於數平均分子量(Mn)的比(Mw/Mn)為3.5以上5以下。
如請求項1之多層發泡粒子，其中前述乙烯-丙烯無規共聚物(A)之Z平均分子量(Mz)相對於該乙烯-丙烯無規共聚物(A)之數平均分子量(Mn)的比(Mz/Mn)為9.5以上且未達13。
如請求項1或2之多層發泡粒子，其中前述乙烯-丙烯無規共聚物(A)之熔點(Tm)為130℃以上150℃以下。
如請求項1或2之多層發泡粒子，其中前述乙烯-丙烯無規共聚物(A)之結晶化溫度(Tc)與該乙烯-丙烯無規共聚物(A)之熔點(Tm)滿足下述(1)式： <br/><img align="absmiddle" height="70px" width="804px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (但，式中之Tmc、Tc之單位均為℃)。
如請求項1或2之多層發泡粒子，其中前述乙烯-丙烯無規共聚物(A)之Z平均分子量(Mz)為50萬以上100萬以下。
如請求項5之多層發泡粒子，其中前述乙烯-丙烯無規共聚物(A)之Z平均分子量(Mz)相對於該乙烯-丙烯無規共聚物(A)之重量平均分子量(Mw)之比(Mz/Mw)為2以上5以下。
如請求項1或2之多層發泡粒子，其中前述乙烯-丙烯無規共聚物(A)之撓曲彈性模數為750MPa以上。
如請求項1或2之多層發泡粒子，其中前述乙烯-丙烯無規共聚物(A)之熔體流動速率為1g/10分鐘以上20g/10分鐘以下。
如請求項1或2之多層發泡粒子，其中前述多層發泡粒子之體密度為10kg/m<sup>3</sup>以上300kg/m<sup>3</sup>以下。
如請求項1或2之多層發泡粒子，其中構成前述多層發泡粒子之發泡芯層之平均氣泡徑為20μm以上400μm以下。
一種發泡粒子成形體，其係將如請求項1至10中任一項之多層發泡粒子進行模內成形而成。
如請求項11之發泡粒子成形體，其中前述發泡粒子成形體之50%變形時壓縮應力為100kPa以上500kPa以下。
一種用於動態耦合之裝置，其包括： <br/>一上構件，其具有自其向下延伸之一銷； <br/>一下構件，其安置於該上構件下方且具有經結構設計以接收該銷之一自由端之一座部，該下構件經結構設計以在一加載狀態下承載一負載且在一卸載狀態下釋放該負載；及 <br/>一彈簧，其安置於該上構件與該下構件之間且具有連接至該上構件之一上端和連接至該下構件之一下端，使得該彈簧包圍該銷，該彈簧具有小於該銷之長度之一自由長度； <br/>其中在該卸載狀態下，該銷之該自由端接觸該座部，且使用該彈簧來防止該上構件與該下構件之間的相對橫向移動； <br/>其中在該加載狀態下，該負載將在該銷之該自由端和該座部之間形成一間隙之一拉力施加於該彈簧，其允許該上構件與該下構件之間的相對橫向移動。
如請求項1之裝置，其進一步包括： <br/>一基座構件，其安置於該下構件下方且經結構設計以耦合至該下構件； <br/>其中當該基座構件耦合至該下構件時，該基座構件將該負載施加於該下構件以引起該下構件自該卸載狀態過渡至該加載狀態；且 <br/>其中當該基座構件與該下構件脫開時，該基座構件自該下構件釋放該負載以引起該下構件自該加載狀態過渡至該卸載狀態。
如請求項2之裝置，其中該基座構件包括自其向上延伸之一柱，該柱之一自由端具有一球形，該球形之一直徑大於該柱之一直徑； <br/>其中該下構件包括一開口； <br/>其中當該基座構件耦合至該下構件時，該柱之該自由端接收於該開口中。
如請求項3之裝置，其中該開口包括： <br/>一第一部分，其具有大於該球形之該直徑之一寬度；及 <br/>一第二部分，其具有大於該柱之該直徑且小於該球形之該直徑之一寬度； <br/>其中當該基座構件耦合至該下構件時，該柱之該自由端接收於該第一部分中且該柱至少部分地接收於該第二部分中。
如請求項4之裝置，其中該下構件進一步包括該開口內部之一對內部鄰接面；且 <br/>其中當該基座構件耦合至該下構件時，該球形接觸該對內部鄰接面。
如請求項5之裝置，其中該對內部鄰接面由連接該開口之該第一部分和該第二部分之錐形表面界定。
如請求項5之裝置，其中該對內部鄰接面係平面，使得該球形接觸各內部鄰接面上之一個點。
如請求項1之裝置，其中在該加載狀態下，該銷之該自由端至少部分地自該座部抽出。
如請求項1之裝置，其中該銷之該自由端具有一傾斜邊緣且該座部包括一埋頭孔，使得在該卸載狀態下，該銷之該自由端接收於該座部中且在該傾斜邊緣與該埋頭孔之間具有一環形接觸表面。
如請求項1之裝置，其進一步包括： <br/>一伸縮管，其安置於該上構件與該下構件之間且具有連接至該上構件之一上端和連接至該下構件之一下端，其中該伸縮管包圍該彈簧。
如請求項10之裝置，其中該伸縮管經結構設計以將該伸縮管之一內部與該伸縮管之一外部氣密密封。
如請求項10之裝置，其中該伸縮管彈性變形大於或等於該間隙之長度之一長度。
如請求項1之裝置，其中該上構件包括一固定約束。
如請求項1之裝置，其中該上構件具有自其向下延伸之至少三個銷，該至少三個銷等距隔開； <br/>其中該下構件包括至少三個下構件，各下構件之該座部經結構設計以接收該至少三個銷之一者之該自由端；且 <br/>其中該彈簧包括安置於該上構件與該至少三個下構件之各者之間的至少三個彈簧且各彈簧包圍該至少三個銷之一者。
如請求項14之裝置，其進一步包括： <br/>一基座構件，其安置於該下構件下方且可經結構設計以耦合至該下構件之各者； <br/>其中當該基座構件耦合至該等下構件之各者時，該基座構件將該負載施加於該等下構件之各者以引起該等下構件之各者自該卸載狀態過渡至該加載狀態；且 <br/>其中當該基座構件與該等下構件之各者脫開時，該基座構件自該等下構件之各者釋放該負載以引起該等下構件之各者自該加載狀態過渡至該卸載狀態。
如請求項15之裝置，其中該基座構件包括自其向上延伸之至少三個柱，該至少三個柱等距隔開，各柱之一自由端具有一球形，該球形之一直徑大於該柱之一直徑； <br/>其中該等下構件之各者包括一開口； <br/>其中當該基座構件耦合至該等下構件之各者時，該等柱之各者之該等自由端接收於該開口中。
一種用於動態耦合之裝置，其包括： <br/>一上構件，其具有自其向下延伸之一銷，該上構件經結構設計以在一加載狀態下承載一負載且在一卸載狀態下釋放該負載； <br/>一下構件，其安置於該上構件下方且可具有經結構設計以接收該銷之一自由端之一座部；及 <br/>一彈簧，其安置於該上構件與該下構件之間且可具有連接至該上構件之一上端和連接至該下構件之一下端，使得該彈簧包圍該銷且該彈簧具有大於該銷之長度之一自由長度； <br/>其中在該卸載狀態下，該銷之該自由端接觸該座部，且使用該彈簧來防止該上構件與該下構件之間的相對橫向移動； <br/>其中在該加載狀態下，該負載將在該銷之該自由端與該座部之間形成一間隙之一壓縮力施加於該彈簧，其允許該上構件與該下構件之間的相對橫向移動。
如請求項17之裝置，其進一步包括： <br/>一基座構件，其安置於該上構件上且經結構設計以耦合至該上構件； <br/>其中當該基座構件耦合至該上構件時，該基座構件將該負載施加於該上構件以引起該上構件自該卸載狀態過渡至該加載狀態；且 <br/>其中當該基座構件與該上構件脫開時，該基座構件自該上構件釋放該負載以引起該上構件自該加載狀態過渡至該卸載狀態。
如請求項18之裝置，其中該基座構件包括自其向下延伸之一柱，該柱之一自由端具有一球形，該球形之一直徑大於該柱之一直徑； <br/>其中該上構件之一上表面包括一溝槽； <br/>其中當該基座構件耦合至該上構件時，該柱之該自由端接觸該上構件之該溝槽。
一種用於動態耦合之方法，其包括： <br/>提供一懸置總成，該懸置總成包括： <br/>一上構件，其具有自其向下延伸之一銷； <br/>一下構件，其安置於該上構件下方且可具有經結構設計以接收該銷之一自由端之一座部，該下構件經結構設計以在一加載狀態下承載一負載且在一卸載狀態下釋放該負載；及 <br/>一彈簧，其安置於該上構件與該下構件之間且具有連接至該上構件之一上端和連接至該下構件之一下端，使得該彈簧包圍該銷，該彈簧具有小於該銷之長度之一自由長度； <br/>其中在該卸載狀態下，該銷之該自由端接觸該座部，且使用該彈簧來防止該上構件與該下構件之間的相對橫向移動； <br/>其中在該加載狀態下，該負載將在該銷之該自由端與該座部之間形成一間隙之一拉力施加於該彈簧，其允許該上構件與該下構件之間的相對橫向移動； <br/>將一基座構件耦合至該懸置總成下方之該下構件，其中該基座構件將該負載施加於該下構件以引起該下構件自該卸載狀態過渡至該加載狀態。
一種染色織物黏扣帶，其包含由經紗與緯紗構成的織物製基布及從該基布之一表面立起的多數個扣合元件，<br/> 前述扣合元件為圈形扣合元件、鉤形扣合元件或其兩者，<br/> 前述鉤形扣合元件係由與經紗平行地織入前述基布內的鉤形扣合元件用紗所形成，<br/> 前述圈形扣合元件係由與經紗平行地織入前述基布內的圈形扣合元件用紗所形成，<br/> 前述經紗包含聚對苯二甲酸乙二酯系聚酯，<br/> 前述鉤形扣合元件用紗包含聚對苯二甲酸乙二酯系聚酯或聚對苯二甲酸丁二酯系聚酯，<br/> 前述圈形扣合元件用紗包含聚對苯二甲酸乙二酯系聚酯或聚對苯二甲酸丁二酯系聚酯，<br/> 前述圈形扣合元件的結晶化度為75～87%，<br/> 前述緯紗包含以熱熔接性低熔點聚酯樹脂作為鞘成分且以聚對苯二甲酸乙二酯系聚酯作為芯成分之芯鞘型熱熔接性纖維，<br/> 前述扣合元件的根部係與經熔融的鞘成分熔接，並固定於前述基布，<br/> 前述經紗、緯紗的鞘成分與芯成分及扣合元件係被分散染料所染色，<br/> 該染色織物黏扣帶進一步滿足以下之條件(1)～(3)；<br/> (1)於前述芯鞘型熱熔接性纖維的芯成分內部，存在分散染料，<br/> (2)前述鉤形扣合元件的斷裂伸度為27～41%，<br/> (3)前述圈形扣合元件的斷裂伸度為35～45%。
如請求項1之染色織物黏扣帶，其中前述鉤形扣合元件的斷裂伸度為27～38%。
如請求項1或2之染色織物黏扣帶，其中前述圈形扣合元件的斷裂伸度為35～40%。
如請求項1或2之染色織物黏扣帶，其中前述扣合元件為鉤形扣合元件，該扣合元件的結晶化度為62～72%。
如請求項1或2之染色織物黏扣帶，其中前述扣合元件為鉤形扣合元件，該扣合元件的斷裂強度為4.29～4.47cN/dtex。
如請求項1或2之染色織物黏扣帶，其中前述扣合元件為圈形扣合元件，該扣合元件的斷裂強度為2.01～2.07cN/dtex。
如請求項1或2之染色織物黏扣帶，其中前述芯鞘型熱熔接性纖維的鞘成分(熱熔接部)之穿透率為70%以下。
一種織物黏扣帶之染色法，其係在超臨界CO<sub>2</sub>中使用分散染料將織物黏扣帶染色，其中織物黏扣帶包含由經紗與緯紗構成的織物製基布及從該基布之一表面立起的多數個扣合元件，<br/> 前述扣合元件為圈形扣合元件、鉤形扣合元件或其兩者，<br/> 前述鉤形扣合元件係由與經紗平行地織入前述基布內的鉤形扣合元件用紗所形成，<br/> 前述圈形扣合元件係由與經紗平行地織入前述基布內的圈形扣合元件用紗所形成，<br/> 前述經紗包含聚對苯二甲酸乙二酯系聚酯，<br/> 前述鉤形扣合元件用紗包含聚對苯二甲酸乙二酯系聚酯或聚對苯二甲酸丁二酯系聚酯，<br/> 前述圈形扣合元件用紗包含聚對苯二甲酸乙二酯系聚酯或聚對苯二甲酸丁二酯系聚酯，<br/> 前述緯紗包含以熱熔接性低熔點聚酯樹脂作為鞘成分且以聚對苯二甲酸乙二酯系聚酯作為芯成分之芯鞘型熱熔接性纖維，<br/> 前述扣合元件的根部係與經熔融的鞘成分熔接，並固定於前述基布。
一種製作高電子遷移率電晶體(high electron mobility transistor, HEMT)的方法，其特徵在於，包含：<br/>形成一緩衝層於一基底上；<br/>形成一阻障層於該緩衝層上；<br/>形成一P型半導體層於該阻障層上；<br/>形成一第一層包含一負電荷區設於該P型半導體層一第一側；以及<br/>形成一第二層包含一正電荷區設於該P型半導體層一第二側，其中該第一層僅位於該P型半導體層的該第一側而不位於該第二側。
如申請專利範圍第1項所述之方法，另包含：<br/>形成一保護層於該P型半導體層上；<br/>形成一介電層於該保護層上，其中該介電層包含該正電荷區；<br/>進行一離子佈植製程以形成該負電荷區；<br/>形成一閘極電極於該P型半導體層上；以及<br/>形成一源極電極以及一汲極電極於該閘極電極兩側。
如申請專利範圍第2項所述之方法，另包含進行該離子佈植製程將氟離子植入該第一層以形成該負電荷區。
如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該介電層包含一氧基介電層。
如申請專利範圍第1項所述之方法，另包含：<br/>形成一保護層於該P型半導體層上；<br/>形成一第一介電層於該保護層上；<br/>進行一離子佈植製程以形成該負電荷區；<br/>形成一第二介電層於該P型半導體層上，其中該第二介電層包含該正電荷區；<br/>形成一閘極電極於該P型半導體層上；以及<br/>形成一源極電極以及一汲極電極於該閘極電極兩側。
如申請專利範圍第5項所述之方法，其中該第一介電層包含一含氮層。
如申請專利範圍第5項所述之方法，其中該第二介電層包含一含氧層。
如申請專利範圍第5項所述之方法，另包含進行該離子佈植製程將氟離子植入該第一介電層以形成該負電荷區。
如申請專利範圍第5項所述之方法，另包含於形成該第一介電層之前形成一凹槽於該阻障層內。
一種高電子遷移率電晶體(high electron mobility transistor, HEMT)，其特徵在於，包含：<br/>一緩衝層設於一基底上；<br/>一阻障層設於該緩衝層上；<br/>一P型半導體層設於該阻障層上；<br/>一第一層包含一負電荷區設於該P型半導體層一第一側；以及<br/>一第二層包含一第一正電荷區設於該P型半導體層一第二側，其中該第一層僅位於該P型半導體層的該第一側而不位於該第二側。
如申請專利範圍第10項所述之高電子遷移率電晶體，另包含：<br/>一保護層設於該P型半導體層上；<br/>一閘極電極設於該保護層上；以及<br/>一源極電極以及一汲極電極設於該閘極電極兩側。
如申請專利範圍第10項所述之高電子遷移率電晶體，另包含一第三層具有一第二正電荷區設於該第一層以及該阻障層上。
如申請專利範圍第12項所述之高電子遷移率電晶體，其中該第三層側壁切齊該第一層側壁。
如申請專利範圍第12項所述之高電子遷移率電晶體，其中該第三層包含一氧基介電層。
如申請專利範圍第10項所述之高電子遷移率電晶體，其中該第一層底表面低於該阻障層頂表面。
一種半導體裝置，包括： <br/>基底，包括在第一方向上延伸的主動區； <br/>閘極電極，在第二方向上延伸，與所述基底上的所述主動區相交； <br/>源極/汲極區，設置於所述主動區在所述閘極電極的兩側上凹陷的區中； <br/>掩埋內連線走線，設置於所述基底中； <br/>第一下部接觸插塞，穿透所述基底的一部分，且連接所述源極/汲極區中的至少一者與所述掩埋內連線走線中的至少一者； <br/>第二下部接觸插塞，穿透所述基底的一部分，且連接所述閘極電極中的至少一者與所述掩埋內連線走線中的至少一者；以及 <br/>上部接觸插塞，連接至所述基底上的所述源極/汲極區的一部分及所述閘極電極的一部分， <br/>其中所述第一下部接觸插塞的上表面的水平高度及所述第二下部接觸插塞的上表面的水平高度低於所述閘極電極的上表面的水平高度。
如請求項1所述的半導體裝置，其中所述第一下部接觸插塞的所述上表面的所述水平高度及所述第二下部接觸插塞的所述上表面的所述水平高度低於所述上部接觸插塞的上表面的水平高度。
如請求項1所述的半導體裝置， <br/>其中所述主動區包括主動鰭，且 <br/>其中所述掩埋內連線走線的上表面的水平高度低於所述主動鰭的下部端部的水平高度。
如請求項1所述的半導體裝置，其中所述第一下部接觸插塞的所述上表面的所述水平高度高於所述源極/汲極區的下表面的水平高度。
如請求項1所述的半導體裝置，其中所述第一下部接觸插塞垂直穿過連接至所述第一下部接觸插塞的所述源極/汲極區中的所述至少一者整體。
如請求項1所述的半導體裝置，其中所述第一下部接觸插塞的所述上表面的所述水平高度低於所述源極/汲極區的上表面的水平高度。
如請求項1所述的半導體裝置，其中所述第二下部接觸插塞與連接至所述第二下部接觸插塞的所述閘極電極中的所述至少一者的側表面接觸。
如請求項7所述的半導體裝置，其中所述閘極電極中的所述至少一者具有自連接至所述第二下部接觸插塞的區移除所述閘極電極的一部分的形狀。
如請求項1所述的半導體裝置，其中自所述基底的上表面至所述掩埋內連線走線的上表面的深度介於10奈米至200奈米的範圍內。
如請求項1所述的半導體裝置，更包括： <br/>基底絕緣層，設置於所述基底中以環繞所述掩埋內連線走線。
如請求項10所述的半導體裝置， <br/>其中所述基底絕緣層在所述掩埋內連線走線的外部在水平方向上延伸，且 <br/>其中所述半導體裝置更包括位於所述基底絕緣層上的接合絕緣層。
如請求項1所述的半導體裝置，其中所述上部接觸插塞的上表面的寬度大於所述上部接觸插塞的下表面的寬度。
如請求項1所述的半導體裝置，更包括： <br/>第三下部接觸插塞，連接至所述掩埋內連線走線中的至少一者，且具有設置於較所述第一下部接觸插塞的所述上表面的所述水平高度及所述第二下部接觸插塞的所述上表面的所述水平高度高的水平高度上的上表面。
如請求項13所述的半導體裝置，更包括： <br/>通孔，位於所述上部接觸插塞及所述第三下部接觸插塞上；以及 <br/>上部內連線走線，位於所述通孔上， <br/>其中所述第三下部接觸插塞連接至所述通孔中的一者。
如請求項1所述的半導體裝置，更包括： <br/>多個通道層，設置於所述主動區中的每一者上，以在與所述基底的上表面垂直的第三方向上彼此間隔開且被所述閘極電極中的每一者環繞。
一種半導體裝置，包括： <br/>基底，包括彼此間隔開且在第一方向上延伸的主動區； <br/>閘極電極，在第二方向上延伸，與所述基底上的所述主動區相交； <br/>源極/汲極區，設置於所述主動區在所述閘極電極的兩側上凹陷的區中，且包括第一源極/汲極區及第二源極/汲極區； <br/>第一掩埋內連線走線，設置於所述基底中； <br/>第一下部接觸插塞，穿透所述基底的一部分，且接觸所述第一源極/汲極區與所述第一掩埋內連線走線；以及 <br/>上部接觸插塞，連接至所述基底上的所述第二源極/汲極區， <br/>其中所述第一下部接觸插塞的上表面的水平高度低於所述閘極電極的上表面的水平高度，且所述上部接觸插塞的上表面的水平高度高於所述閘極電極的所述上表面的所述水平高度。
如請求項16所述的半導體裝置，更包括： <br/>第二掩埋內連線走線，設置於所述基底中，以及 <br/>第二下部接觸插塞，穿透所述基底的一部分，且連接所述閘極電極中的至少一者與所述第一掩埋內連線走線及所述第二掩埋內連線走線中的至少一者。
如請求項16所述的半導體裝置， <br/>其中所述主動區包括向上突出的主動鰭， <br/>其中所述半導體裝置更包括填充所述主動鰭之間的空間的裝置隔離層，且 <br/>其中所述第一掩埋內連線走線的上表面的水平高度低於所述主動鰭的下部端部的水平高度。
一種半導體裝置，包括： <br/>基底，包括在第一方向上延伸的主動區； <br/>閘極電極，在第二方向上延伸，與所述基底上的所述主動區相交； <br/>源極/汲極區，設置於所述主動區在所述閘極電極的兩側上凹陷的區中； <br/>掩埋內連線走線，設置於所述基底中； <br/>上部內連線走線，設置於所述基底上且包括電源傳輸線； <br/>第一下部接觸插塞，穿透所述基底的一部分，且連接所述源極/汲極區中的至少一者與所述掩埋內連線走線中的至少一者； <br/>第二下部接觸插塞，穿透所述基底的一部分，且連接所述閘極電極中的至少一者與所述掩埋內連線走線中的至少一者； <br/>第三下部接觸插塞，穿透所述基底的一部分，且連接所述電源傳輸線以及連接所述掩埋內連線走線中的至少一者；以及 <br/>上部接觸插塞，連接至所述基底上的所述源極/汲極區的一部分及所述閘極電極的一部分， <br/>其中所述第一下部接觸插塞的上表面的水平高度及所述第二下部接觸插塞的上表面的水平高度低於所述第三下部接觸插塞的上表面的水平高度。
如請求項19所述的半導體裝置， <br/>其中所述第一下部接觸插塞的所述上表面的所述水平高度及所述第二下部接觸插塞的所述上表面的所述水平高度低於所述上部接觸插塞的上表面的水平高度，且 <br/>其中所述第三下部接觸插塞的所述上表面設置於所述上部接觸插塞的所述上表面與所述第一下部接觸插塞的所述上表面及所述第二下部接觸插塞的所述上表面之間。
一種製作半導體元件的方法，其特徵在於，包含：<br/> 提供一基底包含一單次可程式化元件區；<br/> 形成一淺溝隔離於該基底內；<br/> 去除部分該淺溝隔離以於該基底角落形成一第一階梯部；<br/> 形成一第一閘極氧化層於該基底上；<br/> 去除該第一閘極氧化層以於該基底角落形成一第二階梯部；<br/> 形成一第二閘極氧化層於該基底上；以及<br/> 形成一第一閘極結構於該基底以及該淺溝隔離上。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該基底包含一輸入/輸出區、該單次可程式化元件區以及一核心區，該方法另包含：<br/> 形成該第一閘極氧化層於該輸入/輸出區、該單次可程式化元件區以及該核心區之該基底上；<br/> 去除該單次可程式化元件區以及該核心區之該第一閘極氧化層以於該單次可程式化元件區之該基底角落形成該第二階梯部；以及<br/> 形成該第二閘極氧化層於該單次可程式化元件區以及該核心區之該基底上。
如申請專利範圍第2項所述之方法，另包含：<br/> 形成該第一閘極結構於該單次可程式化元件區以及一第二閘極結構於該輸入/輸出區；<br/> 形成一層間介電層環繞該第一閘極結構以及該第二閘極結構；<br/> 進行一金屬閘極置換製程將該第一閘極結構以及該第二閘極結轉換為第一金屬閘極以及第二金屬閘極。
如申請專利範圍第3項所述之方法，其中該第一金屬閘極另包含：<br/> 一第一高介電常數介電層設於該單次可程式化元件區之該淺溝隔離上；<br/> 一第一功函數金屬層設於該第一高介電常數介電層上；以及<br/> 一第一低阻抗金屬層設於該第一功函數金屬層上。
如申請專利範圍第4項所述之方法，其中該第二金屬閘極另包含：<br/> 一第二高介電常數介電層設於該輸入/輸出區之該基底上；<br/> 一第二功函數金屬層設於該第二高介電常數介電層上；以及<br/> 一第二低阻抗金屬層設於該第二功函數金屬層上。
如申請專利範圍第5項所述之方法，其中該第一高介電常數介電層底表面低於該第二高介電常數介電層底表面。
如申請專利範圍第5項所述之方法，其中該第一高介電常數介電層頂表面切齊該第二高介電常數介電層頂表面。
如申請專利範圍第4項所述之方法，其中該第一高介電常數介電層包含一第三階梯部以及一第四階梯部於該淺溝隔離旁之該基底上。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第二閘極氧化層包含一第五階梯部以及一第六階梯部於該淺溝隔離旁之該基底上。
一種圖案化製程，包括： <br/>於基底上形成材料層； <br/>使用壓印模仁對所述材料層進行壓印製程，以形成具有多個圖案部分的圖案化材料層； <br/>於相鄰的所述圖案部分之間形成硬罩幕層； <br/>使用所述硬罩幕層作為蝕刻罩幕來進行蝕刻製程，以移除所述圖案部分與一部分的所述基底；以及 <br/>移除所述硬罩幕層， <br/>其中在移除所述硬罩幕層之後，所述基底處的圖案與所述壓印模仁的圖案相同。
如請求項1所述的圖案化製程，其中所述圖案化材料層還包括位於相鄰的所述圖案部分之間的殘留部分。
如請求項2所述的圖案化製程，其中在移除所述硬罩幕層時，所述殘留部分被移除。
如請求項1所述的圖案化製程，其中所述硬罩幕層包括氧化矽層、氮化矽層或其組合。
如請求項1所述的圖案化製程，其中形成所述硬罩幕層的方法包括： <br/>形成硬罩幕材料層以覆蓋所述圖案化材料層，其中所述硬罩幕材料層填滿所述圖案化材料層的相鄰的所述圖案部分之間的區域；以及 <br/>移除所述圖案化材料層上的所述硬罩幕材料層。
如請求項5所述的圖案化製程，其中移除所述圖案化材料層上的所述硬罩幕材料層的方法包括進行化學機械研磨製程或回蝕刻製程。
一種圖案化製程，包括： <br/>於壓印模仁基底上形成第一材料層； <br/>使用壓印模具對所述第一材料層進行第一壓印製程，以形成具有多個第一圖案部分的第一圖案化材料層； <br/>於相鄰的所述第一圖案部分之間形成第一硬罩幕層； <br/>使用所述第一硬罩幕層作為蝕刻罩幕來進行第一蝕刻製程，以移除所述第一圖案部分與一部分的所述壓印模仁基底； <br/>移除所述第一硬罩幕層，以形成壓印模仁； <br/>於基底上形成第二材料層； <br/>使用所述壓印模仁對所述第二材料層進行壓印製程，以形成具有多個第二圖案部分的第二圖案化材料層； <br/>使用第二圖案化材料層作為蝕刻罩幕來進行蝕刻製程，以移除一部分的所述基底；以及 <br/>移除所述第二圖案化材料層。
如請求項7所述的圖案化製程，其中所述第一圖案化材料層還包括位於相鄰的所述第一圖案部分之間的第一殘留部分。
如請求項8所述的圖案化製程，其中在移除所述第一硬罩幕層時，所述第一殘留部分被移除。
如請求項7所述的圖案化製程，其中所述第一硬罩幕層包括氧化矽層、氮化矽層或其組合。
如請求項7所述的圖案化製程，其中形成所述第一硬罩幕層的方法包括： <br/>形成硬罩幕材料層以覆蓋所述第一圖案化材料層，其中所述硬罩幕材料層填滿所述第一圖案化材料層的相鄰的所述第一圖案部分之間的區域；以及 <br/>移除所述第一圖案化材料層上的所述硬罩幕材料層。
如請求項11所述的圖案化製程，其中移除所述第一圖案化材料層上的所述硬罩幕材料層的方法包括進行化學機械研磨製程或回蝕刻製程。
如請求項7所述的圖案化製程，還包括： <br/>在形成所述第二圖案化材料層之後，於相鄰的所述第二圖案部分之間形成第二硬罩幕層； <br/>使用所述第二硬罩幕層作為蝕刻罩幕來進行第二蝕刻製程，以移除所述第二圖案部分與一部分的所述基底；以及 <br/>移除所述第二硬罩幕層。
如請求項13所述的圖案化製程，其中所述第二圖案化材料層還包括位於相鄰的所述第二圖案部分之間的第二殘留部分。
如請求項14所述的圖案化製程，其中在移除所述第二硬罩幕層時，所述第二殘留部分被移除。
如請求項13所述的圖案化製程，其中所述第二硬罩幕層包括氧化矽層、氮化矽層或其組合。
如請求項13所述的圖案化製程，其中形成所述第二硬罩幕層的方法包括： <br/>形成硬罩幕材料層以覆蓋所述第二圖案化材料層，其中所述硬罩幕材料層填滿所述第二圖案化材料層的相鄰的所述第二圖案部分之間的區域；以及 <br/>移除所述第二圖案化材料層上的所述硬罩幕材料層。
如請求項17所述的圖案化製程，其中移除所述第二圖案化材料層上的所述硬罩幕材料層的方法包括進行化學機械研磨製程或回蝕刻製程。
一種半導體元件，其特徵在於，包含：<br/> 一基底包含一主動區，該主動區包含一第一凹口；<br/> 一第一閘極線沿著第一方向延伸於該主動區上；以及<br/> 一第一閘極線延伸部設於該第一閘極線旁並設於該主動區外之一淺溝隔離上，且該第一閘極線延伸部重疊該第一凹口。
如申請專利範圍第1項所述之半導體元件，另包含：<br/> 一第二閘極線沿著該第一方向延伸於該主動區上並設於該第一閘極線旁；以及<br/> 一第二閘極線延伸部設於該第二閘極線旁並設於該主動區外。
如申請專利範圍第2項所述之半導體元件，其中該主動區另包含一第二凹口。
如申請專利範圍第3項所述之半導體元件，其中該第二閘極線延伸部重疊該第二凹口。
如申請專利範圍第2項所述之半導體元件，另包含：<br/> 一第一摻雜區沿著第二方向延伸於該第一閘極線以及該第二閘極線之間；以及<br/> 一第二摻雜區環繞該第一摻雜區並重疊該主動區。
如申請專利範圍第5項所述之半導體元件，其中該第一摻雜區以及該第二摻雜區包含不同導電型式。
一種半導體元件，其特徵在於，包含：<br/> 一基底包含一第一主動區以及一第二主動區；<br/> 一第一閘極線以及一第二閘極線沿著第一方向延伸於該第一主動區上，該第一主動區包含一第一凹口；<br/> 一第三閘極線以及一第四閘極線沿著該第一方向延伸於該第二主動區上；以及<br/> 一第一閘極線延伸部設於該第二閘極線以及該第三閘極線之間之一淺溝隔離上，且該第一閘極線延伸部重疊該第一凹口。
如申請專利範圍第7項所述之半導體元件，其中該第一閘極線延伸部接觸該第二閘極線以及該第三閘極線。
如申請專利範圍第7項所述之半導體元件，另包含：<br/> 一第五閘極線沿著該第一方向延伸於該第一閘極線旁；<br/> 一第六閘極線沿著該第一方向延伸於該第四閘極線旁；<br/> 一第二閘極線延伸部設於該第五閘極線以及該第一閘極線之間；以及<br/> 一第三閘極線延伸部設於該第四閘極線以及該第六閘極線之間。
如申請專利範圍第9項所述之半導體元件，其中該第二閘極線延伸部連接該第五閘極線以及該第一閘極線。
如申請專利範圍第9項所述之半導體元件，其中該第三閘極線延伸部連接該第四閘極線以及該第六閘極線。
如申請專利範圍第9項所述之半導體元件，其中該第一主動區及該第二主動區包含：<br/> 該第一凹口設於該第二閘極線以及該第三閘極線之間；<br/> 一第二凹口設於該第五閘極線以及該第一閘極線之間；以及<br/> 一第三凹口設於該第四閘極線以及該第六閘極線之間。
如申請專利範圍第12項所述之半導體元件，其中該第二閘極線延伸部重疊該第二凹口。
如申請專利範圍第12項所述之半導體元件，其中該第三閘極線延伸部重疊該第三凹口。
如申請專利範圍第7項所述之半導體元件，另包含：<br/> 一第一摻雜區沿著第二方向延伸於該第一閘極線以及該第二閘極線之間；以及<br/> 一第二摻雜區沿著該第二方向延伸於該第三閘極線以及該第四閘極線之間。
如申請專利範圍第15項所述之半導體元件，其中該第一摻雜區以及該第二摻雜區包含相同導電型式。
一種由以下化學式1表示的雜環化合物： <br/>[化學式1] <br/><br/><img align="absmiddle" height="89px" width="175px" file="ed10266.jpg" alt="ed10266.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>其中，在化學式1中， <br/>X為O；或者S， <br/>R1至R8中的一者是以下化學式A，其餘者中的一者是以下化學式B，並且其餘者彼此相同或不同，並且各自獨立地選自由氫；氘；鹵素基；氰基；具有1至60個碳原子的經取代或未經取代的烷基；具有6至60個碳原子的經取代或未經取代的芳基；及具有2至60個碳原子的經取代或未經取代的雜芳基組成的群組， <br/>[化學式A] <br/><br/><img align="absmiddle" height="96px" width="238px" file="ed10271.jpg" alt="ed10271.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>[化學式B] <br/><br/><img align="absmiddle" height="96px" width="238px" file="ed10272.jpg" alt="ed10272.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>在化學式A及化學式B中， <br/>Rp為氫；氘；鹵素基；氰基；具有1至60個碳原子的經取代或未經取代的烷基；具有6至60個碳原子的經取代或未經取代的芳基；或者具有2至60個碳原子的經取代或未經取代的雜芳基，p為0至8的整數，且當p為2或大於2時，括弧中的Rp彼此相同或不同， <br/>L、L1及L2彼此相同或不同，並且各自獨立地為直接鍵；具有6至60個碳原子的經取代或未經取代的伸芳基；或者具有2至60個碳原子的經取代或未經取代的伸雜芳基， <br/>R9與R10彼此相同或不同，並且各自獨立地為具有6至60個碳原子的經取代或未經取代的芳基；或者具有2至60個碳原子的經取代或未經取代的雜芳基， <br/>n為0至3的整數，且當n為2或大於2時，括弧中的L彼此相同或不同， <br/>*為化學式1、化學式A及化學式B各自鍵合的位置，並且 <br/>當R1為化學式A時，X為S。
如請求項1所述的雜環化合物，其中化學式1由以下化學式2至化學式5中的任一者表示： <br/>[化學式2] <br/><br/><img align="absmiddle" height="102px" width="246px" file="ed10273.jpg" alt="ed10273.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>[化學式3] <br/><br/><img align="absmiddle" height="96px" width="238px" file="ed10275.jpg" alt="ed10275.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>[化學式4] <br/><br/><img align="absmiddle" height="138px" width="217px" file="ed10277.jpg" alt="ed10277.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>[化學式5] <br/><br/><img align="absmiddle" height="96px" width="238px" file="ed10279.jpg" alt="ed10279.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>在化學式2至化學式5中， <br/>R11至R14及Rm彼此相同或不同，並且各自獨立地為氫；氘；鹵素基；氰基；具有1至60個碳原子的經取代或未經取代的烷基；具有6至60個碳原子的經取代或未經取代的芳基；或者具有2至60個碳原子的經取代或未經取代的雜芳基，m為0至3的整數，並且當m為2或大於2時，括弧中的Rm彼此相同或不同，並且 <br/>X、L、L1、L2、R9、R10、Rp、n及p的定義與化學式1中的定義相同。
如請求項1所述的雜環化合物，其中化學式1由以下化學式6至化學式9中的任一者表示： <br/>[化學式6] <br/><br/><img align="absmiddle" height="71px" width="108px" file="ed10267.jpg" alt="ed10267.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>[化學式7] <br/><br/><img align="absmiddle" height="96px" width="238px" file="ed10281.jpg" alt="ed10281.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>[化學式8] <br/><br/><img align="absmiddle" height="141px" width="166px" file="ed10282.jpg" alt="ed10282.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>[化學式9] <br/><br/><img align="absmiddle" height="96px" width="238px" file="ed10283.jpg" alt="ed10283.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>在化學式6至化學式9中， <br/>R15至R18及Ro彼此相同或不同，並且各自獨立地為氫；氘；鹵素基；氰基；具有1至60個碳原子的經取代或未經取代的烷基；具有6至60個碳原子的經取代或未經取代的芳基；或者具有2至60個碳原子的經取代或未經取代的雜芳基，o為0至3的整數，並且當o為2或大於2時，括弧中的Ro彼此相同或不同，並且 <br/>X、L、L1、L2、R9、R10、Rp、n及p的定義與化學式1中的定義相同。
如請求項1所述的雜環化合物，其中R1至R8中的一者為化學式A，其餘者中的一者為化學式B，並且其餘者為氫；或者氘。
如請求項1所述的雜環化合物，其中由化學式1表示的所述化合物的氘含量為10%或大於10%及100%或小於100%。
如請求項1所述的雜環化合物，其中R9與R10彼此相同或不同，並且各自獨立地為具有6至40個碳原子的經取代或未經取代的芳基；或者具有2至40個碳原子的經取代或未經取代的雜芳基。
如請求項1所述的雜環化合物，其中化學式1由以下化合物中的任一者表示： <br/><img align="absmiddle" height="414px" width="328px" file="ed10284.jpg" alt="ed10284.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="419px" width="333px" file="ed10286.jpg" alt="ed10286.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="422px" width="332px" file="ed10288.jpg" alt="ed10288.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="386px" width="333px" file="ed10290.jpg" alt="ed10290.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="95px" width="238px" file="ed10292.jpg" alt="ed10292.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="417px" width="323px" file="ed10294.jpg" alt="ed10294.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="419px" width="321px" file="ed10296.jpg" alt="ed10296.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="438px" width="334px" file="ed10298.jpg" alt="ed10298.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="433px" width="338px" file="ed10300.jpg" alt="ed10300.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="96px" width="238px" file="ed10302.jpg" alt="ed10302.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="418px" width="334px" file="ed10304.jpg" alt="ed10304.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="436px" width="334px" file="ed10306.jpg" alt="ed10306.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="422px" width="327px" file="ed10308.jpg" alt="ed10308.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="393px" width="324px" file="ed10310.jpg" alt="ed10310.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="392px" width="327px" file="ed10312.jpg" alt="ed10312.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="416px" width="331px" file="ed10314.jpg" alt="ed10314.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="95px" width="238px" file="ed10316.jpg" alt="ed10316.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="423px" width="330px" file="ed10318.jpg" alt="ed10318.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="430px" width="321px" file="ed10320.jpg" alt="ed10320.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="446px" width="328px" file="ed10322.jpg" alt="ed10322.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="423px" width="325px" file="ed10324.jpg" alt="ed10324.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="443px" width="334px" file="ed10326.jpg" alt="ed10326.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="435px" width="322px" file="ed10328.jpg" alt="ed10328.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="405px" width="332px" file="ed10330.jpg" alt="ed10330.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="420px" width="333px" file="ed10332.jpg" alt="ed10332.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="425px" width="331px" file="ed10334.jpg" alt="ed10334.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="441px" width="330px" file="ed10336.jpg" alt="ed10336.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="445px" width="333px" file="ed10338.jpg" alt="ed10338.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="435px" width="332px" file="ed10340.jpg" alt="ed10340.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="416px" width="330px" file="ed10342.jpg" alt="ed10342.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="407px" width="334px" file="ed10344.jpg" alt="ed10344.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="438px" width="318px" file="ed10346.jpg" alt="ed10346.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="403px" width="340px" file="ed10348.jpg" alt="ed10348.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="441px" width="329px" file="ed10350.jpg" alt="ed10350.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="436px" width="324px" file="ed10352.jpg" alt="ed10352.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="440px" width="343px" file="ed10354.jpg" alt="ed10354.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="372px" width="337px" file="ed10356.jpg" alt="ed10356.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="416px" width="341px" file="ed10358.jpg" alt="ed10358.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="198px" width="341px" file="ed10359.jpg" alt="ed10359.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種有機發光元件，包括第一電極、第二電極及有機材料層，所述有機材料層具有設置於所述第一電極與所述第二電極之間的一或多個層，其中所述有機材料層的所述一或多個層包含如請求項1至7中任一項所述的雜環化合物。
如請求項8所述的有機發光元件，其中所述有機材料層包括電洞傳輸層，並且所述電洞傳輸層包含所述雜環化合物。
如請求項8所述的有機發光元件，其中所述有機材料層包括電子阻擋層，並且所述電子阻擋層包含所述雜環化合物。
如請求項8所述的有機發光元件，更包括選自由發光層、電洞注入層、電洞傳輸層、電子阻擋層、電子注入層、電子傳輸層、電洞輔助層及電洞阻擋層組成的群組中的一或二或更多個層。
一種纖維積層構造體，其係於至少在縱向或橫向之任一者中具有伸縮性的織物之單面上，透過接著劑A存在不織布網，且具有撥水性者，該不織布網使用纖維直徑小於1μm的包含聚胺基甲酸酯系聚合物之纖維，膨鬆度為1.5～2.5cm <sup>3</sup>/g，且厚度為20～60μm。
如請求項1之纖維積層構造體，其中該纖維積層構造體之伸長率為5%以上。
如請求項1或2之纖維積層構造體，其中該不織布網為由3層以上的積層體製成的複合積層網。
如請求項1或2之纖維積層構造體，其中該接著劑A係在該不織布網之厚度方向中含浸10%以上90%以下，該織物與該不織布網之剝離強力為120cN/cm以上。
如請求項1或2之纖維積層構造體，其JIS L 1092-1998靜水壓法的耐水度為80kPa以上。
如請求項1或2之纖維積層構造體，其JIS L 1099-1998A-1法的透濕度為8000g/m <sup>2</sup>・24小時以上。
如請求項1或2之纖維積層構造體，其中該織物所用的纖維之總纖度為65dtex以下，該織物之覆蓋係數為2100以下； <br/>・CF={(D1) <sup>1/2</sup>×M}+{(D2) <sup>1/2</sup>×N} <br/>此處，CF：覆蓋係數、 <br/>D1：經紗的纖度(dtex)、 <br/>M：經紗密度(條/2.54cm)、 <br/>D2：緯紗的纖度(dtex)、 <br/>N：緯紗密度(條/2.54cm)。
如請求項1或2之纖維積層構造體，其中該接著劑A係在該不織布網面中的接著劑塗布面積中，以70%以下之比例，且以點狀、線狀或格子狀存在。
如請求項1或2之纖維積層構造體，其厚度為0.30mm以下。
如請求項1或2之纖維積層構造體，其JIS L 1099-1998B-1法的透濕度為30000g/m <sup>2</sup>・24小時以上。
如請求項1或2之纖維積層構造體，其中在該不織布網之與該織物的接觸面相反之面上，具有在縱向及橫向之任一個或二個方向中皆具有伸縮性的襯料，於該不織布網與該襯料之間存在接著劑B。
如請求項11之纖維積層構造體，其中該接著劑B係以點狀、線狀或格子狀存在，於該不織布網之厚度方向中含浸10%以上。
如請求項1或2之纖維積層構造體，其中在該不織布網之與該織物的接觸面相反之面上，具有樹脂層或無孔膜樹脂層。
一種纖維積層構造體之製造方法，其係藉由接著劑A接著織物與不織布網後，施予撥水加工，該織物係至少在縱向或橫向之任一者中具有伸縮性，該不織布網由纖維直徑小於1μm的聚胺基甲酸酯系聚合物製成，膨鬆度1.5～2.5cm <sup>3</sup>/g，厚度為20～60μm。
如請求項14之纖維積層構造體之製造方法，其中該接著劑A為熱熔樹脂或溶劑系接著劑，對於該不織布網面或織物之賦予方法為凹版塗布方式。
一種用於將氣體分配至反應室之氣體分配總成，其包含：<br/> 一排氣管，其包含一外表面及一頂表面；<br/> 一噴淋板，其包含一邊緣，其中該邊緣包含一外表面及一底表面，且其中該邊緣的該底表面係相鄰於該排氣管的該頂表面；以及<br/> 五或更多個定位裝置，其連接至相鄰於該邊緣的該外表面之該排氣管，<br/> 其中該等定位裝置係經構型以減少該噴淋板與該排氣管之間的失準。
如請求項1所述之氣體分配總成，其包含五個與八個之間的定位裝置，其在該排氣管周圍大約均等地間隔開。
如請求項1所述之氣體分配總成，其包含八個定位裝置，其在該排氣管周圍大約均等地間隔開。
如請求項1所述之氣體分配總成，其中該等定位裝置連接至該排氣管的該頂表面。
如請求項1所述之氣體分配總成，其中當該氣體分配總成處於一標準溫度及壓力時，該噴淋板與該排氣管之間的一偏心度係0.73±0.46 mm。
如請求項1所述之氣體分配總成，其中當該氣體分配總成處於一製程溫度及壓力時，該噴淋板與該排氣管之間的一偏心度係0.18±0.46 mm。
一種用於將氣體分配至反應室之氣體分配總成，其包含：<br/> 一排氣管，其包含一外表面及一頂表面；<br/> 一噴淋板，其包含一邊緣，其中該邊緣包含一外表面及一底表面，且其中該邊緣的該底表面係相鄰於該排氣管的該頂表面；以及<br/> 一或多個定位裝置，其中該一或多個定位裝置之每一者包含一止動件及一附接裝置，<br/> 其中該一或多個定位裝置係連接至相鄰於該邊緣的該外表面之該排氣管的該外表面，<br/> 其中該一或多個定位裝置係經構型以減少該噴淋板與該排氣管之間的失準。
如請求項7所述之氣體分配總成，其中該排氣管之該外表面包含一外周緣及一縫隙，<br/> 其中該縫隙之一表面比該外周緣更靠近該邊緣之該外表面，及 <br/> 其中該止動件藉由該附接裝置附接至該縫隙之該表面。
如請求項7所述之氣體分配總成，其中該止動件包含一矩形截面，且其中該附接裝置為一螺絲。
如請求項7所述之氣體分配總成，其包含二或更多個定位裝置，其在該排氣管周圍大約均等地間隔開。
如請求項7所述之氣體分配總成，其包含八個定位裝置，其在該排氣管周圍大約均等地間隔開。
如請求項7所述之氣體分配總成，其中當該氣體分配總成處於一標準溫度和壓力時，該噴淋板和該排氣管之間的一偏心度係0.79±0.05 mm。
如請求項7所述之氣體分配總成，其中當該氣體分配總成處於一製程溫度和壓力時，該噴淋板和該排氣管之間的一偏心度係0.07±0.05 mm。
一種促進一氣體分配總成中的一噴淋板與一排氣管之間的對準之方法，該方法包含：<br/> 提供一排氣管，該排氣管包含一外表面及一頂表面；<br/> 提供一噴淋板，該噴淋板包含一邊緣，其中該邊緣包含一外表面和一底表面，且其中該邊緣的該底表面相鄰於該排氣管的該頂表面；以及<br/> 將一或多個定位裝置附接至相鄰於該邊緣的該外表面之該排氣管的該外表面，其中該一或多個定位裝置包含一止動件及一附接裝置；<br/> 其中附接該一或多個定位裝置促進該噴淋板與該排氣管之間的對準。
如請求項14所述之方法，其中附接該一或多個定位裝置包含以大約均等間隔開的間隔將二或更多個定位裝置附接至該排氣管中。
如請求項14所述之方法，其中附接該一或多個定位裝置包含以大約均等間隔開的間隔將八個定位裝置附接至該排氣管中。
如請求項14所述之方法，其中該排氣管之該外表面包含一外周緣及一縫隙，<br/> 其中該縫隙之一表面比該外周緣更靠近該邊緣之該外表面，及 <br/> 其中附接該一或多個定位裝置包含附接該一或多個定位裝置至該縫隙之該表面。
如請求項14所述之方法，其中該止動件包含一矩形截面。
如請求項14所述之方法，其中該附接裝置是一螺絲。
如請求項14所述之方法，其更包含藉由緊固或鬆開該附接裝置來調整該定位裝置。
一種用於製造半導體裝置的系統，該系統包含： <br/> 反應室之一個以上的壁面； <br/> 該一個以上的壁面中之可調整間隙，其中該可調整間隙係形成於第一間隙表面與面向該第一間隙表面的第二間隙表面之間，且其中該第一間隙表面與該第二間隙表面之間的距離係可調整的； <br/> 複數個止動件，其中該複數個止動件之每一個止動件係定位於該第一間隙表面或該第二間隙表面上，其中該複數個止動件確保該可調整間隙的最小距離，其中該複數個止動件之總長度係小於該第一間隙表面的長度之1%；及 <br/> 在該第一間隙表面或該第二間隙表面中的一個以上之真空口， <br/> 其中該一個以上之真空口的位於該第一間隙表面中之真空口面向該第二間隙表面，及 <br/> 其中該一個以上的真空口之位於該第二間隙表面中的真空口面向該第一間隙表面。
如請求項1的系統，其中該第一間隙表面之長度係該第一間隙表面於該一個以上的壁面與該第一間隙表面之相交處的邊緣之長度；及 <br/> 其中該複數個止動件的每一個止動件之各自長度係平行於該邊緣的長度。
如請求項1的系統，其中該最小距離係5-50μm。
如請求項1的系統，其中該可調整間隙外接該反應室； <br/> 其中該複數個止動件包括三個以上之止動件；及 <br/> 其中該三個以上的止動件係均勻地分佈外接環繞該反應室。
如請求項1的系統，更包含： <br/> 在該第一間隙表面中或該第二間隙表面中之一個以上的通氣口。
如請求項1的系統，更包含： <br/> 於該第一間隙表面中或該第二間隙表面中之一個以上的通氣口，其中該一個以上之通氣口將氣體供應至該可調整間隙。
如請求項1的系統，其中該當工件被裝載進入該反應室時，該可調整間隙能被調整至大於1 mm之距離。
如請求項1的系統，更包含： <br/> 一個以上之通氣口，其中該一個以上的通氣口之每一個通氣口係坐落於該第一間隙表面或該第二間隙表面中，且其中每一個通氣口界定將該間隙連接至該反應室的外部之通道。
如請求項1的系統，其中該複數個止動件之總面積係小於該第一間隙表面的總面積之1%，且小於該第二間隙表面的總面積之1%。
如請求項1的系統，其中該一個以上之真空口的每一個真空口包括在該第一間隙表面或該第二間隙表面中之各自溝槽。
如請求項10的系統，其中該複數個止動件之至少一些止動件係定位於該第一間隙表面或該第二間隙表面上，使得該複數個止動件之至少一些止動件各自與該反應室的內部之間的距離係小於該等真空口各自與該反應室的內部之間的距離。
如請求項10的系統，其中該複數個止動件之至少一些止動件係定位在該第一間隙表面或該第二間隙表面上，使得該複數個止動件之至少一些止動件各自與該反應室的內部之間的距離係大於該等真空口各自與該反應室的內部之間的距離。
如請求項1的系統，其中該第一間隙表面及該第二間隙表面外接該反應室。
如請求項13的系統，其中該複數個止動件係均勻地分佈外接環繞該反應室。
如請求項1的系統，其中每一個止動件具有5至50μm之高度。
如請求項1的系統，其中該複數個止動件之總面積係小於該第一間隙表面的總面積之5%或小於該第二間隙表面的總面積之5%。
如請求項16的系統，其中該複數個止動件之總面積係小於該第一間隙表面的總面積之1%或小於該第二間隙表面的總面積之1%。
一種用於製造半導體裝置的系統，該系統包含： <br/> 反應室之一個以上的壁面； <br/> 該一個以上的壁面中之可調整間隙，其中該可調整間隙係形成於第一間隙表面與面向該第一間隙表面的第二間隙表面之間，且其中該第一間隙表面與該第二間隙表面之間的距離係可調整的； <br/> 複數個止動件，其中該複數個止動件之每一個止動件係定位於該第一間隙表面或該第二間隙表面上，其中該複數個止動件確保該可調整間隙的最小距離；及 <br/> 在該第一間隙表面或該第二間隙表面中的一個以上之真空口， <br/> 其中該一個以上之真空口的位於該第一間隙表面中之真空口面向該第二間隙表面，及 <br/> 其中該一個以上的真空口之位於該第二間隙表面中的真空口面向該第一間隙表面。
一種用於側鏈通訊的裝置，包括： <br/>收發器，被配置成使用側鏈通道對通訊網路進行存取；以及 <br/>裝置控制器，被配置成： <br/>實行先監聽後發射（LBT）感測操作；以及 <br/>基於相對於槽邊界的所述先監聽後發射感測操作，使用所述側鏈通道實行發射，其中所述發射佔用第一槽的至少一部分， <br/>其中所述先監聽後發射感測操作佔用先監聽後發射間隙的至少一部分且所述先監聽後發射間隙的所述至少一部分佔用第二槽的至少一部分。
如請求項1所述的裝置，其中所述先監聽後發射間隙佔用所述第二槽的一或多個符號。
如請求項1所述的裝置，其中： <br/>所述第二槽包括側鏈控制通道部分；且 <br/>所述裝置控制器被配置成對所述側鏈控制通道部分的至少一部分實行解碼操作。
如請求項3所述的裝置，其中所述解碼操作的至少一部分與所述先監聽後發射感測操作的至少一部分重疊。
如請求項1所述的裝置，其中所述第二槽與所述第一槽相鄰。
如請求項1所述的裝置，其中所述先監聽後發射間隙佔用第三槽的至少一部分。
一種用於側鏈通訊的裝置，包括： <br/>收發器，被配置成使用側鏈通道對通訊網路進行存取；以及 <br/>裝置控制器，被配置成： <br/>使用所述側鏈通道發射對用於所述發射的先監聽後發射（LBT）感測操作的資源的指示； <br/>使用所述資源實行所述先監聽後發射感測操作； <br/>基於相對於槽邊界的所述先監聽後發射感測操作，使用所述側鏈通道實行發射，其中所述發射佔用第一槽的至少一部分，且其中所述先監聽後發射感測操作佔用第二槽的至少一部分；以及 <br/>基於所述先監聽後發射感測操作發射預留訊號，其中所述預留訊號佔用所述第二槽的至少一部分。
如請求項7所述的裝置，其中所述預留訊號佔用所述第二槽的處於所述先監聽後發射感測操作的完成與所述第二槽的防護週期之間的一部分。
如請求項8所述的裝置，其中所述先監聽後發射感測操作的所述完成是基於倒回時間的逾期。
如請求項9所述的裝置，其中所述倒回時間的所述逾期是基於倒回計數器。
如請求項7所述的裝置，其中所述裝置控制器被配置成基於所述先監聽後發射感測操作來實行資源重新選擇操作。
如請求項11所述的裝置，其中所述裝置控制器被配置成基於佔用所述第一槽的至少一部分的所述先監聽後發射感測操作的至少一部分來實行所述資源重新選擇操作。
一種用於側鏈通訊的裝置，包括： <br/>收發器，被配置成使用側鏈通道對通訊網路進行存取；以及 <br/>裝置控制器，被配置成： <br/>選擇用於所述發射的先監聽後發射（LBT）感測操作的資源；以及 <br/>基於相對於槽邊界的所述先監聽後發射感測操作，選擇用於使用所述側鏈通道進行的發射的資源。
如請求項13所述的裝置，其中： <br/>用於所述發射的所述資源包括第一頻率範圍；且 <br/>用於所述先監聽後發射感測操作的所述資源包括第二頻率範圍，其中所述第二頻率範圍與所述第一頻率範圍至少局部地重疊。
如請求項13所述的裝置，其中： <br/>所述發射佔用第一槽的至少一部分；且 <br/>所述先監聽後發射感測操作佔用第二槽的至少一部分。
如請求項15所述的裝置，其中所述第二槽與所述第一槽相鄰。
如請求項13所述的裝置，其中所述裝置控制器被配置成： <br/>針對用於所述發射的所述資源確定選擇窗口； <br/>自所述選擇窗口選擇用於所述發射的所述資源；以及 <br/>自所述選擇窗口選擇用於所述先監聽後發射感測操作的所述資源。
如請求項13所述的裝置，其中用於所述先監聽後發射感測操作的所述資源是基於用於所述先監聽後發射感測操作的先監聽後發射間隙。
如請求項18所述的裝置，其中所述裝置控制器被配置成基於側鏈控制資訊（SCI）來確定所述先監聽後發射間隙。
如請求項13所述的裝置，其中所述裝置控制器被配置成： <br/>使用處理操作選擇用於所述發射的所述資源；以及 <br/>使用所述處理操作選擇用於所述先監聽後發射感測操作的所述資源。
一種窗開閉系統，具備：<br/> 窗本體，具有旋轉端部及自由端部，該自由端部以可旋轉地設置於窗框之該旋轉端部為中心，於上下方向旋繞；<br/> 旋繞條，連結於該窗本體的自由端部，使該窗本體由關閉狀態旋繞至開啟狀態，並使該窗本體由開啟狀態旋繞至關閉狀態；及<br/> 旋轉機構，使該旋繞條往一方向輸出，使該窗本體由關閉狀態旋繞至開啟狀態，或者，使該旋繞條往另一方向捲取，使該窗本體由開啟狀態旋繞至關閉狀態，<br/> 該旋轉機構包含旋轉桿、旋轉力賦予手段、滾筒及第一扭力彈簧，該旋轉桿可旋轉地設置於該窗框且於橫向延伸，該旋轉力賦予手段使該旋轉桿往順時鐘方向或逆時鐘方向旋轉，該滾筒設置於該旋轉桿且連結該旋繞條，隨著該旋轉桿旋轉，輸出該旋繞條並捲取該旋繞條，該第一扭力彈簧設置於該旋轉桿，且往捲繞方向或捲繞方向之反方向扭轉的情況下，展現往扭轉之相反方向與扭轉之角度成比例的扭矩，<br/> 該窗開閉系統中，該旋轉桿往輸出該旋繞條之方向旋轉時，該第一扭力彈簧往捲繞方向或捲繞方向之反方向扭轉，該第一扭力彈簧往該滾筒捲繞該旋繞條之方向展現捲取扭矩，藉由該第一扭力彈簧的捲取扭矩，該滾筒之旋轉係往該旋繞條之捲取方向被施力，該等窗本體由開啟狀態旋繞至關閉狀態的情況下，作用於該旋轉桿之旋轉負荷被該捲取扭矩減輕。
如請求項1之窗開閉系統，其中，該窗開閉系統中，該第一扭力彈簧的扭矩被調整為該窗本體的自由端部往上下方向之下方旋繞，該窗本體由關閉狀態開啟，開啟該窗本體時，藉由該窗本體的本身重量，該自由端部自動地往上下方向之下方旋繞。
如請求項2之窗開閉系統，其中，該窗開閉系統中，使該旋繞條往另一方向捲取，使該窗本體由開啟狀態旋繞至全關之關閉狀態時，該第一扭力彈簧的扭轉還原，該第一扭力彈簧的捲取扭矩消失。
如請求項1或2之窗開閉系統，其中，該窗開閉系統中，使該旋繞條往另一方向捲取，使該窗本體由開啟狀態旋繞至全關之關閉狀態時，該第一扭力彈簧的扭轉還原，該第一扭力彈簧的捲取扭矩消失後，該第一扭力彈簧往捲繞方向或捲繞方向之反方向扭轉，在該窗本體旋繞至全關之關閉狀態下，該第一扭力彈簧往該滾筒輸出該旋繞條之方向展現輸出扭矩，藉由該第一扭力彈簧的輸出扭矩，該滾筒之旋轉係往該旋繞條之輸出方向被施力，該第一扭力彈簧的輸出扭矩係於使該窗本體由全關之關閉狀態旋繞至開啟狀態之初始動作時作用。
如請求項4之窗開閉系統，其中，該窗開閉系統中，經過該初始動作後的時間點，該第一扭力彈簧的扭轉還原，該第一扭力彈簧的輸出扭矩消失，由經過該初始動作後的時間點，該旋轉桿往輸出該旋繞條之方向旋轉時，該第一扭力彈簧往捲繞方向或與捲繞方向之反方向扭轉，該第一扭力彈簧往該滾筒捲取該旋繞條之方向展現捲取扭矩，藉由該第一扭力彈簧的捲取扭矩，該滾筒之旋轉係往該旋繞條之捲繞方向被施力。
如請求項1之窗開閉系統，其中，該旋轉機構包含第二扭力彈簧，該第二扭力彈簧設置於該旋轉桿，且往捲繞方向或捲繞方向之反方向扭轉的情況下，展現往扭轉之相反方向與扭轉之角度成比例的扭矩，該窗開閉系統中，該旋轉桿往捲取該旋繞條之方向旋轉，使該窗本體由開啟狀態旋繞至關閉位置時，該第二扭力彈簧往該滾筒輸出該旋繞條之方向展現輸出扭矩，藉由該第二扭力彈簧的輸出扭矩，該滾筒之旋轉係往該旋繞條之輸出方向被施力，該第二扭力彈簧的輸出扭矩係於使該窗本體由全關之關閉狀態旋繞至開啟狀態之初始動作時作用。
如請求項6之窗開閉系統，其中，該旋轉機構包含該第二扭力彈簧的扭轉圈數第一調整機構，該窗開閉系統中，使該窗本體由全開之開啟狀態往關閉位置旋繞時，該旋轉桿僅以被該扭轉圈數第一調整機構設定之次數旋轉後，該第二扭力彈簧開始扭轉。
如請求項7之窗開閉系統，其中，該扭轉圈數第一調整機構係由第一旋轉傳遞板及第二旋轉傳遞板形成，該第一旋轉傳遞板設於該旋轉桿且被該旋轉桿之旋轉帶動而旋轉，該第二旋轉傳遞板係於該第一旋轉傳遞板的軸向鄰接配置，且設置於該第二扭力彈簧的一端部，該第一旋轉傳遞板具有將其旋轉傳遞至第二旋轉傳遞板之旋轉傳遞手段，該第二旋轉傳遞板具有接受該第一旋轉傳遞板之旋轉的旋轉接受手段，該扭轉圈數第一調整機構中，使該窗本體由全開之開啟狀態往關閉位置旋繞，該旋轉桿旋轉時，該第一旋轉傳遞板一邊旋轉，該第一旋轉傳遞板之旋轉由該旋轉傳遞手段經過該旋轉接受手段傳遞至第二旋轉傳遞板，藉由該第一旋轉傳遞板與第二旋轉傳遞板一併旋轉，該旋轉桿之旋轉傳遞至該第二扭力彈簧，該第二扭力彈簧開始扭轉。
如請求項8之窗開閉系統，其中，該扭轉圈數第一調整機構包含第一～第n旋轉板，該第一～第n旋轉板配置於該第一旋轉傳遞板與第二旋轉傳遞板之間，且於該第一旋轉傳遞板之軸向鄰接，該第一～第n旋轉板具有接受該第一旋轉傳遞板之旋轉的旋轉接受手段，該扭轉圈數第一調整機構中，使該窗本體由全開之開啟狀態往關閉位置旋繞，該旋轉桿旋轉時，該第一旋轉傳遞板一邊旋轉，該第一旋轉傳遞板之旋轉由該旋轉傳遞手段經過該旋轉接受手段傳遞至第一旋轉板，接著，該第一～第n旋轉板之旋轉係由該第一旋轉板朝向該第n旋轉板依序傳遞，以使該第一旋轉傳遞板及該第一旋轉板一邊一併旋轉，該第一旋轉板之旋轉經由該旋轉接受手段，由該第一旋轉板傳遞至第二旋轉板，接著，該第一旋轉傳遞板及該第二旋轉板一邊一併旋轉，該第二旋轉板之旋轉經由該旋轉接受手段，由該第二旋轉板傳遞至第三旋轉板，該旋轉桿之旋轉由該第一旋轉傳遞板朝向該第n旋轉板依序傳遞後，該第n旋轉板之旋轉經由該旋轉接受手段傳遞至該第二旋轉傳遞板，藉由該第一旋轉傳遞板、該第一～第n旋轉板及該二旋轉傳遞板一併旋轉，該旋轉桿之旋轉傳遞至該第二扭力彈簧，該第二扭力彈簧開始扭轉。
如請求項9之窗開閉系統，其中，該扭轉圈數第一調整機構的第一～第n旋轉板的片數，係依照該旋繞條相對於該滾筒之捲繞圈數來決定。
如請求項1之窗開閉系統，其中，該旋轉機構包含該第一扭力彈簧的扭轉圈數第二調整機構，該窗開閉系統中，使該窗本體由全關之關閉狀態往開啟位置旋繞時，該旋轉桿僅以被該扭轉圈數第二整機構設定之次數旋轉後，該第一扭力彈簧開始扭轉。
如請求項11之窗開閉系統，其中，該扭轉圈數第二調整機構係由第一旋轉傳遞板及第二旋轉傳遞板形成，該第一旋轉傳遞板設於該旋轉桿且被該旋轉桿之旋轉帶動而旋轉，該第二旋轉傳遞板係於該第一旋轉傳遞板的軸向鄰接配置，且設置於該第一扭力彈簧的一端部，該第一旋轉傳遞板具有將其旋轉傳遞至第二旋轉傳遞板之旋轉傳遞手段，該第二旋轉傳遞板具有接受該第一旋轉傳遞板之旋轉的旋轉接受手段，該扭轉圈數第二調整機構中，使該窗本體由全開之開啟狀態往關閉位置旋繞，該旋轉桿旋轉時，該第一旋轉傳遞板一邊旋轉，該第一旋轉傳遞板之旋轉由該旋轉傳遞手段經過該旋轉接受手段傳遞至第二旋轉傳遞板，藉由該第一旋轉傳遞板與第二旋轉傳遞板一併旋轉，該旋轉桿之旋轉傳遞至該第一扭力彈簧，該第一扭力彈簧開始扭轉。
如請求項12之窗開閉系統，其中，該扭轉圈數第二調整機構包含第一～第n旋轉板，該第一～第n旋轉板配置於該第一旋轉傳遞板與第二旋轉傳遞板之間，且於該第一旋轉傳遞板之軸向鄰接，該第一～第n旋轉板具有接受該第一旋轉傳遞板之旋轉的旋轉接受手段，該扭轉圈數第二調整機構中，使該窗本體由全開之開啟狀態往關閉位置旋繞，該旋轉桿旋轉時，該第一旋轉傳遞板一邊旋轉，該第一旋轉傳遞板之旋轉由該旋轉傳遞手段經過該旋轉接受手段傳遞至第一旋轉板，接著，該第一～第n旋轉板之旋轉係由該第一旋轉板朝向該第n旋轉板依序傳遞，以使該第一旋轉傳遞板及該第一旋轉板一邊一併旋轉，該第一旋轉板之旋轉經由該旋轉接受手段，由該第一旋轉板傳遞至第二旋轉板，接著，該第一旋轉傳遞板及該第二旋轉板一邊一併旋轉，該第二旋轉板之旋轉經由該旋轉接受手段，由該第二旋轉板傳遞至第三旋轉板，該旋轉桿之旋轉由該第一旋轉傳遞板朝向該第n旋轉板依序傳遞後，該第n旋轉板之旋轉經由該旋轉接受手段傳遞至該第二旋轉傳遞板，藉由該第一旋轉傳遞板、該第一～第n旋轉板及該二旋轉傳遞板一併旋轉，該旋轉桿之旋轉傳遞至該第一扭力彈簧，該第一扭力彈簧開始扭轉。
如請求項13之窗開閉系統，其中，該扭轉圈數第二調整機構的第一～第n旋轉板的片數，係依照該旋繞條相對於該滾筒之捲繞圈數來決定。
一種用於成像的裝置，該裝置包括：<br/> 至少一個記憶體；及<br/> 耦合到該至少一個記憶體的至少一個處理器，該至少一個處理器被配置為：<br/> 使一圖像感測器將該圖像感測器的複數個光電偵測器暴露於來自一場景的光，其中該複數個光電偵測器中的每一個光電偵測器被配置為回應於暴露於來自該場景的該光而將來自該場景的該光轉換成一電荷，其中該複數個光電偵測器包括彼此不同的至少一第一組圖像光電偵測器和一第二組圖像光電偵測器，其中該複數個光電偵測器代表該圖像感測器的一圖元陣列；<br/> 使該圖像感測器在一儲存陣列中儲存與來自該複數個光電偵測器中的每一個光電偵測器的該電荷相對應的複數個類比光電偵測器信號；<br/> 使用至少一個類比數位轉換器（ADC）從該儲存陣列從與該第一組圖像光電偵測器相對應的該複數個類比光電偵測器信號的一第一子集讀取第一數位圖元資料，而不從與該第二組圖像光電偵測器相對應的該複數個類比光電偵測器信號的一第二子集讀取第二數位圖元資料，其中該第一組圖像光電偵測器跨該像素陣列上以一規則圖案佈置，該規則圖案包含在對應於該第一組圖像光電偵測器的每個圖元之間的與該第二組圖像光電偵測器相對應的至少一個圖元；及<br/> 至少使用該第一數位圖元資料產生該場景的一圖像。
如請求項1所述的裝置，其中該至少一個處理器使用成像電路來選擇性地對該複數個類比光電偵測器信號的該第一子集應用一修改，而不對該複數個類比光電偵測器信號的該第二子集應用該修改，以從與該第一組圖像光電偵測器相對應的該複數個類比光電偵測器信號的該第一子集讀取該第一數位圖元資料，而不從與該第二組圖像光電偵測器相對應的該複數個類比光電偵測器信號的該第二子集讀取該第二數位圖元資料。
如請求項1所述的裝置，其中該複數個類比光電偵測器信號中的一類比光電偵測器信號指示與來自該複數個光電偵測器中的一個光電偵測器的該電荷相對應的一電壓。
如請求項1所述的裝置，進一步包括：<br/> 該圖像感測器。
如請求項1所述的裝置，其中該至少一個處理器被配置為使至少一個放大器使用該至少一個放大器從該複數個類比光電偵測器信號的該第一子集讀取該第一數位圖元資料，以將與該第一組圖像光電偵測器相對應的該複數個類比光電偵測器信號的該第一子集中的每一個類比光電偵測器信號放大成複數個放大的類比光電偵測器信號，其中該第一數位圖元資料基於該複數個放大的類比光電偵測器信號。
如請求項5所述的裝置，進一步包括：<br/> 該至少一個放大器。
如請求項1所述的裝置，其中該至少一個處理器被配置為使該至少一個ADC使用該至少一個ADC從該複數個光電偵測器信號的該第一子集讀取該第一數位圖元資料，以將基於與該第一組圖像光電偵測器相對應的該複數個類比光電偵測器信號的該第一子集的複數個類比信號轉換為數位信號，其中該第一數位圖元資料基於該等數位信號。
如請求項1所述的裝置，進一步包括：<br/> 該至少一個ADC。
如請求項7所述的裝置，其中至少一個放大器放大與該第一組圖像光電偵測器相對應的該複數個類比光電偵測器信號的該第一子集來產生該複數個放大的類比光電偵測器信號。
如請求項1所述的裝置，該至少一個處理器被配置為：<br/> 在產生該圖像之後並且基於該圖像，決定是否從與該第二組圖像光電偵測器相對應的該複數個類比光電偵測器信號的該第二子集讀取該第二數位圖元資料。
如請求項1所述的裝置，該至少一個處理器被配置為：<br/> 在從與該第一組圖像光電偵測器相對應的該複數個類比光電偵測器信號的該第一子集讀取該第一數位圖元資料之後，從與該第二組圖像光電偵測器相對應的該複數個類比光電偵測器信號的該第二子集讀取該第二數位圖元資料，其中讀取該第二數位圖元資料是基於該複數個類比光電偵測器信號的儲存；及<br/> 至少使用該第一數位圖元資料和該第二數位圖元資料產生該場景的一第二圖像，其中該第二圖像的一第二解析度高於該圖像的一第一解析度。
如請求項11所述的裝置，其中該至少一個處理器被配置為在從與該第一組圖像光電偵測器相對應的該複數個類比光電偵測器信號的該第一子集讀取該第一數位圖元資料之後，從與該第二組圖像光電偵測器相對應的該複數個類比光電偵測器信號的該第二子集讀取該第二數位圖元資料。
如請求項11所述的裝置，該至少一個處理器被配置為：<br/> 辨識該圖像包括一顯著性超過一顯著性閾值的一區域，其中該至少一個處理器被配置為回應於辨識該圖像包括該顯著性超過該顯著性閾值的該區域，從與該第二組圖像光電偵測器相對應的該複數個類比光電偵測器信號的該第二子集讀取該第二數位圖元資料。
如請求項11所述的裝置，該至少一個處理器被配置為：<br/> 辨識該圖像描繪相對於由該圖像感測器擷取的該場景的一先前圖像的一移動並且超過一移動閾值，其中該至少一個處理器被配置為回應於辨識該圖像描繪相對於由該圖像感測器擷取的該場景的該先前圖像的該移動並且超過該移動閾值，從與該第二組圖像光電偵測器相對應的該複數個類比光電偵測器信號的該第二子集讀取該第二數位圖元資料。
如請求項11所述的裝置，該至少一個處理器被配置為：<br/> 在產生該第二圖像之後並且基於該第二圖像，決定是否從與一第三組圖像光電偵測器相對應的該複數個類比光電偵測器信號的一第三子集讀取第三數位圖元資料，其中該複數個光電偵測器包括與該第一組圖像光電偵測器和該第二組圖像光電偵測器不同的該第三組圖像光電偵測器，其中該圖像和該第二圖像是在沒有該第三數位圖元資料的情況下產生的。
如請求項11所述的裝置，該至少一個處理器被配置為：<br/> 在從與該第二組圖像光電偵測器相對應的該複數個類比光電偵測器信號的該第二子集讀取該第二數位圖元資料之後，從與一第三組圖像光電偵測器相對應的該複數個類比光電偵測器信號的一第三子集讀取第三數位圖元資料，其中讀取該第三數位圖元資料是基於該複數個類比光電偵測器信號的儲存，其中該複數個光電偵測器包括與該第一組圖像光電偵測器和該第二組圖像光電偵測器不同的該第三組圖像光電偵測器，其中該圖像和該第二圖像是在沒有該第三數位圖元資料的情況下產生的；及<br/> 至少使用該第一數位圖元資料和該第二數位圖元資料以及該第三數位圖元資料產生該場景的一第三圖像，其中該第三圖像的一第三解析度高於該第二圖像的該第二解析度。
如請求項11所述的裝置，該至少一個處理器被配置為：<br/> 辨識該圖像包括一對象的一描繪，其中該至少一個處理器被配置為回應於辨識該圖像包括該對象的該描繪，從與該第二組圖像光電偵測器相對應的該複數個類比光電偵測器信號的該第二子集讀取該第二數位圖元資料。
如請求項17所述的裝置，其中該對象是光學地編碼資訊的一字形，其中該字形包括一線性條碼和一二維碼中的至少一個。
如請求項17所述的裝置，其中該對象包括一人的一部分、一車輛的一部分和一數碼元字元中的至少一個。
如請求項1所述的裝置，其中該圖像感測器的該圖元陣列根據區塊的一網格佈置，每個區塊包含該圖元陣列的一相應圖元子集，其中該區塊的網格中的每一個區塊包括該第一組圖像光電偵測器中的至少一個光電偵測器和該第二組圖像光電偵測器中的至少一個光電偵測器。
如請求項1所述的裝置，其中該第二組圖像光電偵測器根據一第二圖案跨該圖像感測器佈置，其中該規則圖案和該第二圖案對應於跨該圖元陣列上的圖元的至少一個區塊的網格。
如請求項1所述的裝置，其中該圖像感測器包括該儲存陣列，其中該儲存陣列具有複數個儲存單元，其中為了儲存與來自該複數個光電偵測器中的每一個光電偵測器的該電荷相對應的該複數個類比光電偵測器信號中的每一個類比光電偵測器信號，該圖像感測器被配置為將該複數個類比光電偵測器信號中的每一個類比光電偵測器信號儲存在該儲存陣列的該複數個儲存單元中的一個儲存單元中。
如請求項1所述的裝置，其中該圖像感測器被配置為：<br/> 在擷取該圖像之後，重置該圖像感測器的該複數個光電偵測器和該儲存陣列的複數個儲存單元。
如請求項23所述的裝置，該至少一個處理器被配置為：<br/> 使用一對象偵測演算法來分析該圖像，其中為了在擷取該圖像之後重置該圖像感測器的該複數個光電偵測器和該儲存陣列的該複數個儲存單元，該圖像感測器被配置為回應於藉由該對象偵測演算法沒有偵測到該圖像中的一或多個對象，自動重置該圖像感測器的該複數個光電偵測器和該儲存陣列的該複數個儲存單元。
如請求項1所述的裝置，其中該圖像感測器被配置為：<br/> 在將該複數個光電偵測器暴露於來自該場景的該光之前，重置該圖像感測器的該複數個光電偵測器中的每一個光電偵測器。
如請求項25所述的裝置，其中該圖像感測器被配置為：<br/> 以一預定速度從該圖像感測器的一第一側到該圖像感測器的一第二側跨複數個重置指標位置移動一重置指標，其中為了重置該複數個光電偵測器中的每一個光電偵測器，該圖像感測器被配置為回應於該重置指標到達該複數個光電偵測器中的該第一光電偵測器所位於的該複數個重置指標位置中的一個重置指標位置，重置該複數個光電偵測器中的一第一光電偵測器；及<br/> 以該預定速度從該圖像感測器的該第一側到該圖像感測器的該第二側跨複數個讀出指標位置移動一讀出指標，其中為了從與該第一組圖像光電偵測器相對應的該複數個類比光電偵測器信號的該第一子集讀取該第一數位圖元資料，該圖像感測器被配置為回應於該讀出指標到達該第一組圖像光電偵測器的該第二光電偵測器所位於的該複數個重置指標位置中的一個重置指標位置，讀取與該第一組圖像光電偵測器相對應的一第二光電偵測器的第三數位圖元資料，其中該預定速度與一滾動快門相關聯。
如請求項1所述的裝置，該至少一個處理器被配置為：<br/> 輸出該圖像。
如請求項27所述的裝置，進一步包括：<br/> 一顯示器，該顯示器被配置為顯示該圖像以輸出該圖像。
如請求項1所述的裝置，其中該圖像感測器的該複數個光電偵測器包括複數個圖像光電二極體和複數個聚焦光電二極體，其中該複數個聚焦光電二極體被配置用於相位偵測自動聚焦（PDAF），其中該第一組圖像光電偵測器包括該複數個圖像光電二極體的一第一子集，其中該第二組圖像光電偵測器包括該複數個圖像光電二極體的一第二子集。
如請求項1所述的裝置，其中該規則圖案水平地且垂直地跨該圖元陣列上重複。
一種用於成像的方法，該方法包括以下步驟：<br/> 使一圖像感測器將該圖像感測器的複數個光電偵測器暴露於來自一場景的光，其中該複數個光電偵測器中的每一個光電偵測器被配置為回應於暴露於來自該場景的該光而將來自該場景的該光轉換成一電荷，其中該複數個光電偵測器包括彼此不同的至少一第一組圖像光電偵測器和一第二組圖像光電偵測器，其中該複數個光電偵測器代表該圖像感測器的一圖元陣列；<br/> 使該圖像感測器在一儲存陣列中儲存與來自該複數個光電偵測器中的每一個光電偵測器的該電荷相對應的複數個類比光電偵測器信號；<br/> 使用至少一個類比數位轉換器（ADC）從該儲存陣列從與該第一組圖像光電偵測器相對應的該複數個類比光電偵測器信號的一第一子集讀取第一數位圖元資料，而不從與該第二組圖像光電偵測器相對應的該複數個類比光電偵測器信號的一第二子集讀取第二數位圖元資料，其中該第一組圖像光電偵測器跨該像素陣列上以一規則圖案佈置，該規則圖案包含在對應於該第一組圖像光電偵測器的每個圖元之間的與該第二組圖像光電偵測器相對應的至少一個圖元；及<br/> 至少使用該第一數位圖元資料產生該場景的一圖像。
一種電漿蝕刻裝置，對基板進行電漿蝕刻，具備： <br/>處理室； <br/>基板支持部，設置於該處理室內，並具有支持基板之區域、及設置於該區域之周圍的邊緣環，在該邊緣環之內側支持該基板； <br/>電漿產生部，於該處理室內產生電漿； <br/>升降桿，於該處理室內，控制該基板支持部與該基板之距離；及 <br/>控制部； <br/>該控制部執行以下控制： <br/>藉由該升降桿，使該基板位於距離該基板支持部為第一距離之第一位置； <br/>於該基板在該第一位置之狀態下，以該電漿產生部在該處理室內產生電漿； <br/>於該處理室內產生該電漿後之狀態下，藉由該升降桿，將該基板從該第一位置，在該邊緣環之內側載置於該基板支持部。
如請求項1之電漿蝕刻裝置，更具備： <br/>搬入裝置，將該基板搬入該處理室內； <br/>該控制部更執行以下控制：藉由該搬入裝置，將該基板搬入該處理室內之距離該基板支持部為第二距離之第二位置； <br/>該第一位置，即為該第二位置，或較該第二位置更靠近該基板支持部。
如請求項1之電漿蝕刻裝置，其中， <br/>該第一距離在1.3mm以上3mm以下。
如請求項1之電漿蝕刻裝置，更具備： <br/>搬入裝置，將該基板搬入該處理室內； <br/>該控制部更執行以下控制：藉由該搬入裝置，將該基板搬入該處理室內之距離該基板支持部為第二距離處； <br/>該第一距離為該第二距離之6.8%以上16%以下。
如請求項1之電漿蝕刻裝置，更具備： <br/>電極，於該處理室內，設置在距離該基板支持部為第三距離處； <br/>該控制部執行控制，以對該基板支持部或該電極供給射頻電力，而產生該電漿； <br/>該第一距離為該第三距離之3.3%以上7.5%以下。
如請求項1至5中任一項之電漿蝕刻裝置，其中， <br/>該基板支持部具有靜電吸附該基板之靜電吸附部； <br/>該控制部更執行以下控制：藉由該靜電吸附部，使載置於該基板支持部之該基板靜電吸附於該基板支持部。
如請求項1至5中任一項之電漿蝕刻裝置，其中， <br/>該控制部執行控制，以使該處理室內之壓力成為250mTorr以下。
如請求項1至5中任一項之電漿蝕刻裝置，其中， <br/>該電漿產生部以射頻電力在該處理室內產生電漿； <br/>該控制部更執行控制，以使該射頻電力成為50W以上1000W以下。
如請求項1至5中任一項之電漿蝕刻裝置，更具備： <br/>氣體供給部，將用以產生該電漿之氣體供給至該處理室內； <br/>該控制部，依據該基板支持部與該基板之距離，控制由該氣體供給部供給至該處理室內之氣體的流量。
如請求項9之電漿蝕刻裝置，其中， <br/>當該基板位在該第一位置時，該控制部控制該氣體供給部，俾使該氣體之流量為第一流量；當該基板位在較該第一位置更靠近該基板支持部之位置時，該控制部控制該氣體供給部，俾使該氣體之流量在該第一流量以上。
一種電漿蝕刻裝置，對基板進行電漿蝕刻，具備： <br/>處理室； <br/>基板支持部，設置於該處理室內，支持該基板； <br/>電漿產生部，於該處理室內產生電漿； <br/>升降桿，於該處理室內，控制該基板支持部與該基板之距離；及 <br/>控制部； <br/>該控制部執行以下控制： <br/>藉由該升降桿，使該基板從遠離該基板支持部之位置朝向該基板支持部移動； <br/>在該基板之移動中，以該電漿產生部在該處理室內產生電漿； <br/>於該處理室內已產生該電漿後之狀態下，以該升降桿將該基板載置於該基板支持部。
一種電漿蝕刻方法，於電漿蝕刻裝置對基板進行電漿蝕刻； <br/>該電漿蝕刻裝置具備： <br/>處理室； <br/>基板支持部，設置於該處理室內，並具有支持基板之區域、及設置於該區域之周圍的邊緣環，在該邊緣環之內側支持該基板； <br/>電漿產生部，於該處理室內產生電漿；及 <br/>升降桿，於該處理室內，控制該基板支持部與該基板之距離； <br/>該電漿蝕刻方法包含： <br/>步驟一，藉由該升降桿，使該基板位於距離該基板支持部為第一距離之第一位置； <br/>步驟二，於該基板位在該第一位置之狀態下，以該電漿產生部在該處理室內產生電漿；及 <br/>步驟三，於該處理室內已產生該電漿後之狀態下，藉由該升降桿，將該基板從該第一位置開始，在該邊緣環之內側載置於該基板支持部。
一種總壓跟隨充電方法，包含：<br/>步驟一：設定充電電壓/電流；<br/>步驟二：啟動充電，對串聯電池芯充電；<br/>步驟三：量測單串電池總壓，是否大於等於「目標電壓」；若是，進行下一步驟；<br/>目標電壓設定如下：<br/>目標電壓 = 充電電壓* 電壓修正係數(k1)； 其中，k1＜1；<br/>步驟四：啟動總壓跟隨；<br/>步驟五：修正均衡啟動電壓<br/>修正後均衡啟動電壓 = (單串電池總壓 / 單串電池數) + 電壓修正係數(k2)；其中，k2 為單一電池芯平均電壓的0.5%以下；<br/>步驟六：電池芯電壓是否大於等於修正後均衡啟動電壓？若是，進行下一步驟；<br/>步驟七：啟動電池芯電壓均衡程序，執行放電程序；以及<br/>步驟八：是否所有電池芯電壓低於修正後均衡啟動電壓？若是，回到步驟三；其中，步驟三的係數為0.95~0.99。
如請求項1所述總壓跟隨充電方法，其中，步驟三，量測單串電池總壓，是否大於等於「目標電壓」；若否，回到步驟二。
如請求項1所述總壓跟隨充電方法，其中，步驟六，電池芯電壓是否大於等於修正後均衡啟動電壓？若否，回到步驟三。
如請求項1所述總壓跟隨充電方法，其中，步驟八，是否所有電池芯電壓低於修正後均衡啟動電壓？若否，回到步驟七。
一種總壓跟隨充電系統，包含：電池管理系統(BMS)、與串聯的電池模組：<br/>所述電池管理系統(BMS)更包含電池控制單元(BCU)與程式記憶體；<br/>所述電池管理系統電性耦合至所述串聯的電池模組；<br/>所述電池模組更包含電池管理單元(BMU)與串聯電池芯；其中，<br/>程式記憶體中更包含一個控制程式，所述控制程式指示電池控制單元(BCU)以及電池管理單元(BMU)，執行下述充電方法：<br/>步驟一：設置充電器的充電電壓/電流；<br/>步驟二：對串聯電池芯充電；<br/>步驟三：電池控制單元(BCU)指示電池管理單元(BMU)量測單串電池總壓，並確定其是否大於或等於目標電壓？如果是，進入下一步；其中<br/>目標電壓設置如下：<br/>目標電壓=充電電壓*k1；其中，電壓修正係數k1＜1；其中，步驟三的係數為0.95~0.99；<br/>步驟四：電池控制單元(BCU) 指示電池管理單元(BMU)啟動總電壓跟隨；<br/>步驟五：電池控制單元(BCU)指示電池管理單元(BMU)修改均衡觸發電壓；其中<br/>修正後均衡觸發電壓=（總電壓/電池數）+k2；其中，電壓修正係數k2為“單個電池芯平均電壓乘以0.5%以下的係數”；<br/>步驟六：電池控制單元(BCU)指示電池管理單元(BMU)量測每個電池芯的電壓，判斷電壓是否大於等於修正後均衡觸發電壓？如果是，進入下一步驟；<br/>步驟七：電池控制單元(BCU)指示電池管理單元(BMU)啟動均衡程序，對電池放電，直到其電壓低於修正後均衡觸發電壓；以及<br/>步驟八：電池控制單元(BCU)指示電池管理單元(BMU)量測每個電池芯的電壓，判斷所有電池芯的電壓是否都低於修正後均衡觸發電壓？如果是，則返回步驟三。
如請求項5所述總壓跟隨充電系統，其中，步驟三，量測單串電池總壓，是否大於等於「目標電壓」；若否，回到步驟二。
如請求項5所述總壓跟隨充電系統，其中，步驟六，量測每個電池芯的電壓，判斷電壓是否大於等於修正後均衡觸發電壓？若否，回到步驟三。
如請求項5所述總壓跟隨充電系統，其中，步驟八，量測每個電池芯的電壓，判斷所有電池芯的電壓是否都低於修正後均衡觸發電壓？若否，回到步驟七。
一種洗衣機，具備：<br/> 殼體；<br/> 水槽，彈性支撐於前述殼體的內部；<br/> 洗滌槽，旋轉自如地配設於前述水槽的內部；<br/> 投入口，以與前述洗滌槽的開口部相對向的方式形成於前述殼體的前表面；<br/> 蓋體，設於前述殼體的前表面，開閉自如地覆蓋前述投入口；<br/> 勾具，設於前述蓋體，使前述蓋體在關閉狀態卡合於前述殼體；<br/> 鎖固機構，設於前述殼體，用以將前述蓋體在關閉狀態鎖固；<br/> 驅動部，驅動前述鎖固機構；及<br/> 驅動控制部，控制前述驅動部，<br/> 且具有將來自前述驅動控制部的訊號朝前述驅動部傳遞的充放電部，<br/> 前述蓋體藉由前述勾具而處於關閉狀態時，<br/> 前述驅動控制部對前述充放電部輸出動態控制訊號，<br/> 在預先定出之複數次控制訊號已輸入到前述充放電部的情況，<br/> 使前述驅動部驅動，且使前述鎖固機構動作，將前述蓋體在關閉狀態切換鎖固的狀態和解除鎖固的狀態。
如請求項1之洗衣機，其中將前述驅動部對前述鎖固機構以串級連接配置複數個，<br/> 僅對已串級連接之複數個前述驅動部中之一個前述驅動部連接前述充放電部，<br/> 前述驅動控制部對已連接前述充放電部之一個前述驅動部，輸出前述動態控制訊號，再對其他的前述驅動部輸出單一控制訊號，<br/> 僅在已串級連接之複數個前述驅動部全部已驅動的情況，使前述鎖固機構動作，將前述蓋體在關閉狀態切換鎖固的狀態和解除鎖固的狀態。
如請求項1之洗衣機，其中前述充放電部為複數個，<br/> 將前述驅動部對前述鎖固機構以串級連接配置複數個，<br/> 對已串級連接之複數個前述驅動部中之複數個前述驅動部分別連接一個前述充放電部，<br/> 前述驅動控制部對複數個前述充放電部中的各個充放電部，輸出各自預先定出之複數次控制訊號，<br/> 僅在已串級連接之複數個前述驅動部全部已驅動的情況，使前述鎖固機構動作，且將前述蓋體在關閉狀態切換鎖固的狀態和解除鎖固的狀態。
一種塗料組成物，其係包含下述(A)及(B)成分， <br/> (A)矽氧丙烯酸共聚合樹脂之乳液：相對於(A)成分中之固形分量及(B)成分量之合計為100質量份，以(A)成分的固形分量計為5~80質量份，該矽氧丙烯酸共聚合樹脂係(a1)以下述平均式(1)表示之聚有機矽氧烷40~90質量份與(a2)甲基丙烯酸酯單體10~60質量份之共聚物，其中(a1)及(a2)成分合計為100質量份，且該矽氧丙烯酸共聚合樹脂具有玻璃轉移溫度0℃以上， <br/> (B)金屬氧化物：前述塗料組成物中20~95質量%， <br/><br/> <img align="absmiddle" height="305px" width="978px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，R<sup>1</sup>相互獨立為取代或非取代之碳數1~20之1價烴基但以後述之R<sup>2</sup>定義之基及苯基除外，R<sup>2</sup>相互獨立為碳數2~6之烯基或鍵結於碳原子之氫原子的一部分經巰基、乙烯基、丙烯醯氧基或甲基丙烯醯氧基取代之碳數1~6之烷基，R<sup>3</sup>相互獨立為苯基或以上述R<sup>1</sup>定義之基，至少1個R<sup>3</sup>為苯基，X相互獨立為取代或非取代之碳數1~20之1價烴基、碳數1~20之烷氧基或羥基，a、b、c及d為實數，且滿足式0.11≦a/(a+b+c+d)＜1、0.00001≦b/(a+b+c+d)≦0.05、0≦c/(a+b+c+d)≦0.6，及0.000001≦d/(a+b+c+d)≦0.24。
如請求項1之塗料組成物，其中前述(B)金屬氧化物係選自鈣、錳、鋁、鋯、鈦、鋅、鍺、銦、錫、銻或鈰之氧化物中的至少1者。
如請求項1之塗料組成物，其中前述(A)矽氧丙烯酸共聚合樹脂之乳液粒子具有平均粒徑100nm ~1200nm。
如請求項3之塗料組成物，其中前述(A)矽氧丙烯酸共聚合樹脂之乳液粒子具有平均粒徑230nm ~1200nm。
如請求項1之塗料組成物，其中前述(B)金屬氧化物具有平均粒徑0.2μm~15μm。
如請求項1之塗料組成物，其中前述(a1)成分具有重量平均分子量10萬~50萬。
如請求項1至6中任一項之塗料組成物，其係外壁或建築外裝用。
一種由如請求項1至6中任一項之塗料組成物所成之皮膜。
如請求項8之皮膜，其中具有於波長800~2500nm的範圍之平均光反射率35%以上。
如請求項8或9之皮膜，其中靜摩擦係數與動摩擦係數之差未達0.5。
一種積層體，其係具有基材與形成於該基材之單面或兩面之如請求項8至10中任一項之皮膜。
如請求項11之積層體，其中前述基材係選自窯業系建材、混凝土、木質基材、金屬基材及砂漿基材。
一種外壁用建築材，其係具有如請求項11或12之積層體。
一種建築外裝用建築材，其係具有如請求項11或12之積層體。
一種化學機械研磨組合物，其包含： <br/>(a)約3.0重量%至約10重量%之二氧化矽研磨劑； <br/>(b)陰離子聚合物，該陰離子聚合物包含陰離子單體，該陰離子單體包含膦酸基，且該陰離子聚合物具有約400 kDa至約7,000 kDa之重量平均分子量；及 <br/>(c)水， <br/>其中該研磨組合物之黏度為至少約1 cPs，黏度(cPs)與二氧化矽研磨劑重量%之比率為約0.2 cPs/重量%至約1.5 cPs/重量%，且pH為約9至約12。
如請求項1之研磨組合物，其中該研磨組合物包含約3.5重量%至約8重量%之二氧化矽研磨劑。
如請求項1之研磨組合物，其中該研磨組合物包含約3.5重量%至約5重量%之二氧化矽研磨劑。
如請求項1之研磨組合物，其中該研磨組合物之pH為約10至約12。
如請求項1之研磨組合物，其中該研磨組合物之黏度為至少約2 cPs。
如請求項1之研磨組合物，其中該研磨組合物之黏度(cPs)與二氧化矽研磨劑重量%之比率為約0.4 cPs/重量%至約1.5 cPs/重量%。
如請求項1之研磨組合物，其中該陰離子聚合物具有約1000 kDa至約7000 kDa之重量平均分子量。
如請求項1之研磨組合物，其中該陰離子聚合物具有約2000 kDa至約4000 kDa之重量平均分子量。
一種化學機械研磨組合物，其包含： <br/>(a)約3.0重量%至約10重量%之二氧化矽研磨劑； <br/>(b)陰離子聚合物，該陰離子聚合物包含選自以下之陰離子單體：[2-甲基-2-[(1-側氧基-2-丙烯基)胺基]丙基]-膦酸、順丁烯二酸、其鹽及其組合，且該陰離子聚合物具有約400 kDa至約7,000 kDa之重量平均分子量；及 <br/>(c)水， <br/>其中該研磨組合物之黏度為至少約1 cPs，黏度(cPs)與二氧化矽研磨劑重量%之比率為約0.2 cPs/重量%至約1.5 cPs/重量%，且pH為約9至約12。
一種化學機械研磨組合物，其包含： <br/>(a)約3.0重量%至約10重量%之二氧化矽研磨劑； <br/>(b)陰離子聚合物，該陰離子聚合物係選自疏水改質聚丙烯酸酯共聚物及其鹽，且該陰離子聚合物具有約400 kDa至約7,000 kDa之重量平均分子量；及 <br/>c)水， <br/>其中該研磨組合物之黏度為至少約1 cPs，黏度(cPs)與二氧化矽研磨劑重量%之比率為約0.2 cPs/重量%至約1.5 cPs/重量%，且pH為約9至約12。
如請求項1、9或10之研磨組合物，其中該研磨組合物包含約100 ppm至約2000 ppm之該陰離子聚合物。
如請求項1、9或10之研磨組合物，其中該二氧化矽研磨劑之平均透射電子顯微鏡(TEM)等效直徑為約60 nm至約150 nm。
如請求項1、9或10之研磨組合物，其中該二氧化矽研磨劑之平均透射電子顯微鏡(TEM)等效直徑為約80 nm至約120 nm。
如請求項1、9或10之研磨組合物，其中該二氧化矽研磨劑之平均長寬比為至少1.1。
如請求項1、9或10之研磨組合物，其中該二氧化矽研磨劑之平均長寬比為至少1.25。
如請求項1、9或10之研磨組合物，其中該二氧化矽研磨劑之平均布厄特(Brunauer-Emmet-Teller; BET)表面積為約20 cm<sup>2</sup>/g至約60 cm<sup>2</sup>/g。
如請求項1、9或10之研磨組合物，其中該二氧化矽研磨劑之平均布厄特(BET)表面積為約30 cm<sup>2</sup>/g至約45 cm<sup>2</sup>/g。
一種化學機械研磨基板之方法，其包含： <br/>(i)提供基板， <br/>(ii)提供研磨墊， <br/>(iii)提供化學機械研磨組合物，其包含： <br/>(a)約3.0重量%至約10重量%之二氧化矽研磨劑； <br/>(b)陰離子聚合物，該陰離子聚合物包含陰離子單體，該陰離子單體包含膦酸基，且該陰離子聚合物具有約400 kDa至約7,000 kDa之重量平均分子量；及 <br/>(c)水， <br/>其中該研磨組合物之黏度為至少約1 cPs，黏度(cPs)與二氧化矽研磨劑重量%之比率為約0.2 cPs/重量%至約1.5 cPs/重量%，且pH為約9至約12， <br/>(iv)使該基板與該研磨墊及該化學機械研磨組合物接觸，及 <br/>(v)相對於該基板移動該研磨墊及該化學機械研磨組合物以打磨該基板之至少一部分，從而研磨該基板。
一種硬化性組成物，包含下述一般式(1)表示之烷氧基矽烷基烷基胺基丙基改質聚矽氧烷化合物，與含水解性基之有機矽化合物， <br/><img align="absmiddle" height="270px" width="865px" file="ed10027.jpg" alt="ed10027.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[式中，R<sup>1</sup>各自獨立表示碳數1~10之取代或非取代之1價烴基，R<sup>2</sup>及R<sup>3</sup>各自獨立表示碳數1~6之非取代之1價烴基，R<sup>4</sup>表示亦可包含硫原子、矽原子或脲鍵結之碳數1~20之2價烴基(惟，去除亞甲基)，p為1~1000之整數，q為0或1，r為0、1或2，X表示下述一般式(2)表示之基或R<sup>1</sup><sub>3</sub>Si， <br/><img align="absmiddle" height="243px" width="738px" file="ed10028.jpg" alt="ed10028.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式中，R<sup>2</sup>~R<sup>4</sup>、q及r表示與上述相同意義)]。
如請求項1記載之硬化性組成物，其中，前述含水解性基之有機矽化合物為選自烷氧基矽烷、烷氧基矽烷之部分水解縮合物、聚矽氮烷及聚矽氧烷所成群中至少1種。
如請求項1或2記載之硬化性組成物，其中，包含溶媒。
如請求項1或2記載之硬化性組成物，其中，包含選自鈦化合物、鋁合金化合物、鋅化合物及錫化合物所成群中至少1種金屬化合物。
一種如請求項1~4中任一項記載之硬化性組成物之硬化物。
一種被覆基材，其係具有基材與形成於其上方之被膜之被覆基材，前述被膜由如請求項1~4中任一項記載之硬化性組成物形成。
一種基板處理裝置，具備：保持基板使其旋轉的基板旋轉部； <br/> 環狀覆蓋保持於前述基板旋轉部的前述基板的周圍的罩杯； <br/> 能在水平方向移動，對保持在前述基板旋轉部的前述基板供應處理液的處理液噴嘴； <br/> 其中， <br/> 前述罩杯，具有： <br/> 包圍前述基板旋轉部的全周的罩杯基部； <br/> 以可脫附安裝於前述罩杯基部的上端部，環狀包圍前述基板的外周的第1構件； <br/> 至少以可脫附安裝於前述第1構件的內周端，表面為疏水性的第2構件； <br/> 用來使前述處理液噴嘴能在前述基板的周緣部上方的處理位置、與比前述處理位置還外側的待機位置之間移動而形成的開口部； <br/> 前述處理液噴嘴，具有堵塞前述開口部的至少一部分的遮罩。
如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述第1構件的內面為親水性； <br/> 前述罩杯基部的內面為疏水性。
如請求項1或2記載的基板處理裝置，其中，前述遮罩具有側壁部及上壁部； <br/> 前述側壁部，接近前述處理液噴嘴的側部配置； <br/> 前述上壁部配置於前述處理液噴嘴的上方。
如請求項3記載的基板處理裝置，其中，前述側壁部，從前述基板旋轉部的中心看配置於前述處理液噴嘴的外側，前述處理液噴嘴位於前述處理位置時，堵塞前述開口部的至少一部分。
如請求項3記載的基板處理裝置，其中，前述側壁部，從前述基板旋轉部的中心看配置於前述處理液噴嘴的內側，前述處理液噴嘴位於前述待機位置時，堵塞前述開口部的至少一部分。
如請求項1或2記載的基板處理裝置，其中，前述罩杯的內面，具有從最接近前述基板之處朝向外側水平延伸的水平部。
如請求項1或2記載的基板處理裝置，其中，前述第2構件，具有： <br/> 支持於前述第1構件的支持部； <br/> 從前述支持部的內周端屈曲，在接近前述基板的周緣部的方向延伸的返回部。
如請求項7記載的基板處理裝置，其中，前述返回部，從前述第1構件的內周端向內側在水平方向具有預定寬度屈曲。
如請求項7記載的基板處理裝置，其中，前述返回部的前端部，再向外側屈曲。
如請求項9記載的基板處理裝置，其中，前述返回部的前端部，從下方覆蓋前述第1構件的內周端。
如請求項7記載的基板處理裝置，其中，在前述返回部的一部分，設置使從噴嘴供應而飛散的處理液向前述第1構件流通的開口部。
如請求項1或2記載的基板處理裝置，其中，前述第1構件的內面，具有沿著供應至旋轉的前述基板的處理液飛散至外側的流動方向形成的溝。
一種光學積層體，其特徵在於：其係積層至少2層以上之可見光透過性光學功能層而成者，且 <br/>上述光學功能層包含：第1功能層，其至少含有氧化鈰，波長550 nm下之折射率為1.8以上2.6以下之範圍，膜厚為60 nm以上130 nm以下之範圍； <br/>第2功能層，其與上述第1功能層之上表面相接而形成並構成上述光學積層體之最上層，波長550 nm下之折射率為1.4以上1.6以下之範圍，膜厚為80 nm以上100 nm以下之範圍； <br/>低折射率層，其與上述第1功能層之下表面相接而形成；及 <br/>高折射率層，其與上述低折射率層之下表面相接而形成，且包含選自五氧化二鈮、氧化鈦、氧化鎢、五氧化二鉭、氧化鋅、氧化銦錫、及氧化鋯中之至少1種以上之無機氧化物。
如請求項1之光學積層體，其中上述高折射率層包含五氧化二鈮。
如請求項1或2之光學積層體，其中上述第1功能層於以元素比率計為0.1%以上50%以下之範圍內含有除氧化鈰以外之至少1種以上之金屬氧化物。
如請求項2之光學積層體，其中上述第2功能層至少含有矽。
一種抗反射膜，其特徵在於包含如請求項1至4中任一項之光學積層體。
如請求項5之抗反射膜，其中上述光學積層體被包含可見光透過性高分子膜之透明基材支持。
如請求項6之抗反射膜，其中於上述光學積層體與上述透明基材之間形成有密接層。
一種芴酮之製造方法，其係依序包含下述步驟： <br/> 在碳數2~3的脂肪族羧酸、金屬觸媒、溴化合物及氧的存在下將芴氧化之氧化步驟，及 <br/> 使氧化反應混合物與磷酸接觸之磷酸處理步驟； <br/> 前記磷酸處理步驟的處理溫度為140~350℃。
如請求項1所記載的芴酮之製造方法，其中， <br/> 前記磷酸處理步驟中磷酸的濃度，相對於原料之芴，為3000質量ppm以上。
如請求項1或2所記載的芴酮之製造方法，其中， <br/> 前記磷酸處理步驟的處理時間為20分鐘以上。
如請求項1或2所記載的芴酮之製造方法，其中， <br/> 前記磷酸處理步驟之後，進一步包含蒸餾步驟。
如請求項1或2所記載的芴酮之製造方法，其中， <br/> 前記金屬觸媒為自鈷觸媒、錳觸媒、鋯觸媒、鈰觸媒及鎳觸媒所成之群選出的至少1種。
如請求項1或2所記載的芴酮之製造方法，其中， <br/> 前記脂肪族羧酸為乙酸。
如請求項1或2所記載的芴酮之製造方法，其中， <br/> 前記氧化步驟中，藉由導入空氣而供給氧。
如請求項1或2所記載的芴酮之製造方法，其中， <br/> 所得之芴酮中含有的二苯并富烯之含量為50質量ppm以下。
如請求項1或2所記載的芴酮之製造方法，其中， <br/> 所得之芴酮的厚度10mm之20%(w/w)丙酮溶液的霧度為0.60以下。
如請求項1或2所記載的芴酮之製造方法，其中， <br/> 所得之芴酮在其厚度25mm於120℃之a值為-10.30以下。
一種半導體封裝，其包括： <br/>一光子晶粒，其具有彼此相對之一第一側及一第二側；及 <br/>一電子晶粒，其具有彼此相對之一第三側及一第四側； <br/>其中該光子晶粒之該第一側面向該電子晶粒之該第三側； <br/>其中該光子晶粒具有從該光子晶粒之該第二側上之一表面延伸至該光子晶粒中的一折射率匹配材料，及 <br/>其中該電子晶粒由該第三側至該第四側依序包括： <br/>複數個金屬化層，其等之各者包含複數個互連結構； <br/>複數個電晶體；及 <br/>一矽層。
如請求項1之半導體封裝，其中該折射率匹配材料具有在約1.4至約1.6之一範圍內之一有效折射率。
如請求項1之半導體封裝，其中該光子晶粒按照從該第二側至該第一側的一順序包括： <br/>一矽層； <br/>一氧化物層； <br/>一光柵耦合器；及 <br/>複數個金屬化層，其等之各者包含複數個互連結構； <br/>其中該折射率匹配材料穿透該矽層。
如請求項1之半導體封裝，其中該折射率匹配材料經組態以將一光學輸入訊號光學耦合至該光子晶粒之一光柵耦合器。
一種半導體封裝，其包括： <br/>一封裝基板； <br/>一電子晶粒，其放置於該封裝基板上方，其中該電子晶粒具有附接至該封裝基板之一背側表面； <br/>一第一光子晶粒，其放置於該電子晶粒上方，其中該第一光子晶粒具有附接至該電子晶粒之一前側表面；及 <br/>一第二光子晶粒，其放置於該電子晶粒上方並以其前側表面附接至該電子晶粒，其中該第一光子晶粒具有附接至該電子晶粒之一前側表面； <br/>其中該第一光子晶粒具有從其背側表面延伸至其中間部分中的一第一折射率匹配材料； <br/>其中該第二光子晶粒具有從其背側表面延伸至其中間部分中的一第二折射率匹配材料；及 <br/>其中該第二光子晶粒與該第一光子晶粒橫向隔開。
一種半導體封裝，其包括： <br/>一封裝基板； <br/>一電子晶粒，其放置於該封裝基板上方，其中該電子晶粒具有附接至該封裝基板之一背側表面；及 <br/>一第一光子晶粒，其放置於該電子晶粒上方，其中該第一光子晶粒具有附接至該電子晶粒之一前側表面； <br/>其中該第一光子晶粒具有從其背側表面延伸至其中間部分中的一第一折射率匹配材料，及 <br/>其中該電子晶粒由該前側表面至該背側表面依序包括： <br/>複數個金屬化層，其等之各者包含複數個互連結構； <br/>複數個電晶體；及 <br/>一矽層。
一種用於製造半導體封裝之方法，其包括： <br/>形成一第一光子晶粒，此包括： <br/>在一第一矽基板上方形成一第一光柵耦合器，其中將一第一氧化物層插置於該第一光柵耦合器與該第一矽基板之間； <br/>在該第一光柵耦合器上方形成複數個第一互連結構；及 <br/>形成從該第一矽基板之一背側表面延伸至該第一氧化物層的一第一折射率匹配材料； <br/>形成一電子晶粒，此包括： <br/>在一第三矽基板之一前側表面上方形成複數個電晶體；及 <br/>在該等電晶體上方形成複數個第三互連結構；及 <br/>形成一封裝基板，其中該電子晶粒放置於該封裝基板上方，且該第一光子晶粒放置於該電子晶粒上方。
一種用於製造半導體封裝之方法，其包括： <br/>形成一第一光子晶粒，此包括： <br/>在一第一矽基板上方形成一第一光柵耦合器，其中將一第一氧化物層插置於該第一光柵耦合器與該第一矽基板之間； <br/>在該第一光柵耦合器上方形成複數個第一互連結構；及 <br/>形成從該第一矽基板之一背側表面延伸至該第一氧化物層的一第一折射率匹配材料； <br/>形成一第二光子晶粒，此包括： <br/>在一第二矽基板上方形成一第二光柵耦合器，其中將一第二氧化物層插置於該第二光柵耦合器與該第二矽基板之間； <br/>在該第二光柵耦合器上方形成複數個第二互連結構；及 <br/>形成從該第二矽基板之一背側表面延伸至該第二氧化物層的一第二折射率匹配材料；及 <br/>形成一電子晶粒，此包括： <br/>在一第三矽基板之一前側表面上方形成複數個電晶體；及 <br/>在該等電晶體上方形成複數個第三互連結構；及 <br/>其中該第一光子晶粒及該第二光子晶粒放置於該電子晶粒上方並以其前側表面附接至該電子晶粒。
一種用於製造半導體封裝之方法，其包括： <br/>形成一光子晶粒，此包括： <br/>在一第一矽基板上方形成一光柵耦合器，其中將一氧化物層插置於該光柵耦合器與該第一矽基板之間； <br/>在該光柵耦合器上方形成複數個第一互連結構；及 <br/>形成從該第一矽基板之一背側表面延伸至該氧化物層的一折射率匹配材料； <br/>形成一電子晶粒，此包括： <br/>在一第二矽基板之一前側表面上方形成複數個電晶體；及 <br/>在該等電晶體上方形成複數個第二互連結構；及 <br/>將該光子晶粒與該電子晶粒接合，其中至少一些該等第一互連結構電連接至一些該等第二互連結構。
如請求項9之方法，其進一步包括將該經接合光子晶粒及電子晶粒接合至一封裝基板，其中該折射率匹配材料按照從頂部至底部之此一順序放置於該光柵耦合器、該等第一互連結構、該等第二互連結構、該等電晶體及該封裝基板上方。
一種光學測定系統，包括： <br/>光源，產生光束； <br/>偏光元件，配置於該光源及試料之間，限制該光束的偏光方向； <br/>檢出器，觀測該光束照射該試料而產生的散射光；以及 <br/>檢光元件，配置於該試料及該檢出器之間， <br/>該檢光元件給予入射包括與該光束的光軸相交的位置在內的光軸中心領域的光的衰減，比給予入射該光軸中心領域以外的光更大。
如請求項1的光學測定系統，其中該檢光元件使入射該光軸中心領域的光的至少一部分透過該檢出器。
如請求項1的光學測定系統，其中該檢光元件包括： <br/>第1偏光板，具有第1透過軸； <br/>第2偏光板，具有與該第1透過軸垂直的第2透過軸；以及 <br/>光學元件，配置於該第1偏光板及該第2偏光板之間，攪亂偏光方向且設置有開口於相當於該光軸中心領域的領域。
如請求項3的光學測定系統，其中該光學元件包括第3偏光板，具有在該第1透過軸及該第2透過軸之間有某個角度的第3透過軸。
如請求項3的光學測定系統，其中該光學元件包括相位差板及去偏光板中的任一者。
如請求項3的光學測定系統，其中該開口的大小對應該光束的束徑而設計。
如請求項1的光學測定系統，其中該檢光元件由配置在相同平面上的具有第1透過軸的第1領域、以及具有與該第1透過軸垂直的第2透過軸的第2領域構成； <br/>該第1領域及該第2領域除了相當於該光軸中心領域的部分外，會沿著包含該光束的光軸在內的平面接合，而相當於該光軸中心領域的部分是該第1領域的一部分。
如請求項7的光學測定系統，其中該第1透過軸與該偏光元件的透過軸垂直。
如請求項7的光學測定系統，其中該光軸中心領域的大小因應該光束的束徑而設計。
如請求項1至9任一項的光學測定系統，更包括： <br/>濾光片，配置於該檢光元件及該檢出器之間，其隨著距離該光束的光軸的距離而變化透過率。
如請求項10的光學測定系統，其中該濾光片是透過印刷預先設計的濃淡圖樣製作而成。
一種吸收性物品，具備透液性的頂片、不透液性的背片、及設置在前述頂片與前述背片之間的吸收體，且具有長邊方向、及與前述長邊方向正交的橫方向；<br/> 其中，具備：中央溝，其自前述頂片朝向前述背片凹陷且沿著前述長邊方向延伸；<br/> 當俯視時，在前述中央溝內形成有高壓縮部；<br/> 前述高壓縮部，包含第一高壓縮部，其沿著在前述長邊方向延伸的第一假想波浪線呈不連續狀；及，第二高壓縮部，其沿著在前述長邊方向延伸的第二假想波浪線呈不連續狀，該第二假想波浪線與前述第一假想波浪線交叉；<br/> 前述第一假想波浪線與前述第二假想波浪線，以沿著在前述吸收性物品的前述長邊方向延伸的長邊方向中心線作為對稱線而呈線對稱；<br/> 前述第一高壓縮部是由在前述長邊方向分離的複數個第一高壓縮部區塊來形成，<br/> 前述第二高壓縮部是由在前述長邊方向分離的複數個第二高壓縮部區塊來形成；<br/> 自前述長邊方向觀看，前述第一高壓縮部區塊的位置與前述第二高壓縮部區塊的位置為交錯偏移。
如請求項1所述之吸收性物品，其中，<br/> 在相鄰的前述第一假想波浪線與前述第二假想波浪線的交叉點之間，個別地配置有2～5個前述第一高壓縮部區塊和前述第二高壓縮部區塊。
一種吸收性物品，具備透液性的頂片、不透液性的背片、及設置在前述頂片與前述背片之間的吸收體，且具有長邊方向、及與前述長邊方向正交的橫方向；<br/> 其中，具備：中央溝，其自前述頂片朝向前述背片凹陷且沿著前述長邊方向延伸；<br/> 當俯視時，在前述中央溝內形成有高壓縮部；<br/> 前述高壓縮部，包含第一高壓縮部，其沿著在前述長邊方向延伸的第一假想波浪線呈不連續狀；及，第二高壓縮部，其沿著在前述長邊方向延伸的第二假想波浪線呈不連續狀，該第二假想波浪線與前述第一假想波浪線交叉；<br/> 前述第一假想波浪線與前述第二假想波浪線，以沿著在前述吸收性物品的前述長邊方向延伸的長邊方向中心線作為對稱線而呈線對稱；<br/> 前述第一高壓縮部是由在前述長邊方向分離的複數個第一高壓縮部區塊來形成，<br/> 前述第二高壓縮部是由在前述長邊方向分離的複數個第二高壓縮部區塊來形成；<br/> 在相鄰的前述第一假想波浪線與前述第二假想波浪線的交叉點沒有配置前述高壓縮部。
一種吸收性物品，具備透液性的頂片、不透液性的背片、及設置在前述頂片與前述背片之間的吸收體，且具有長邊方向、及與前述長邊方向正交的橫方向；<br/> 其中，具備：中央溝，其自前述頂片朝向前述背片凹陷且沿著前述長邊方向延伸；<br/> 當俯視時，在前述中央溝內形成有高壓縮部；<br/> 前述高壓縮部，包含第一高壓縮部，其沿著在前述長邊方向延伸的第一假想波浪線呈不連續狀；及，第二高壓縮部，其沿著在前述長邊方向延伸的第二假想波浪線呈不連續狀，該第二假想波浪線與前述第一假想波浪線交叉；<br/> 前述第一假想波浪線與前述第二假想波浪線，以沿著在前述吸收性物品的前述長邊方向延伸的長邊方向中心線作為對稱線而呈線對稱；<br/> 前述第一高壓縮部是由在前述長邊方向分離的複數個第一高壓縮部區塊來形成，<br/> 前述第二高壓縮部是由在前述長邊方向分離的複數個第二高壓縮部區塊來形成；<br/> 至少在前述第一高壓縮部區塊的端緣，具有平行於前述橫方向的一邊，該橫方向垂直於前述長邊方向。
如請求項4所述之吸收性物品，其中，在前述橫方向排列的前述第一高壓縮部區塊的一端緣及前述第二高壓縮部區塊的一端緣，沿著前述橫方向位於共通的直線上。
如請求項1至5中任一項所述之吸收性物品，其中，進一步具備一對的斜向溝，其以自前述中央溝的前述長邊方向的至少一方的端部往前述長邊方向的外方延伸且彼此的距離越自前述中央溝離開則越對應地變大的方式形成，<br/> 在前述一對的斜向溝內形成有不連續的高壓縮部。
一種環氧樹脂，其特徵為：其係具有由酚樹脂的酚性羥基與表鹵醇的反應所成之環氧丙醚基的反應產物，其中<br/> 該酚樹脂係酚化合物與含有鄰苯二甲基骨架的化合物之反應產物，具有源自該酚化合物的酚骨架、及源自該含有鄰苯二甲基骨架的化合物之鄰苯二甲基骨架，且由下述通式(1)表示：<br/><img align="absmiddle" height="293px" width="822px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (式(1)中，R<sup>1</sup>以氫原子、碳原子數1～4的烴基、或是碳原子數1～4的烷氧基表示，R<sup>2</sup>以氫原子、甲基表示，m以0～3的整數表示，n以0～4的整數表示，p以0～50的整數表示)。
如請求項1之環氧樹脂，其係由下述通式(2)表示：<br/><img align="absmiddle" height="306px" width="830px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="145px" width="332px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (式(2)中，X以式(3)表示，R<sup>1</sup>以氫原子、碳原子數1～4的烴基、或是碳原子數1～4的烷氧基表示，R<sup>2</sup>以氫原子、甲基表示，R<sup>3</sup>以氫原子、或是甲基表示，m以0～3的整數表示，n以0～4的整數表示，p以0～50的整數表示)。
如請求項1或2之環氧樹脂，其環氧當量為200～300g/當量。
如請求項1或2之環氧樹脂，其在150℃時的熔融黏度為2.0dPa・s以下。
一種硬化性樹脂組成物，其特徵為：其含有如請求項1至4中任一項之環氧樹脂。
一種硬化物，其特徵為：其係使如請求項5之硬化性樹脂組成物進行硬化反應而得到。
一種纖維強化複合材料，其特徵為：其含有如請求項5之硬化性樹脂組成物、及強化纖維。
一種纖維強化樹脂成形品，其特徵為：其含有如請求項6之硬化物、及強化纖維。
一種超音波產生裝置，係具備：超音波產生源，其產生超音波；超音波聚焦部，其對由前述超音波產生源產生的超音波進行聚焦；及波導，其傳輸藉由前述超音波聚焦部聚焦的超音波，且前述超音波聚焦部係具有與前述超音波產生源對向配置的第一反射面、及與前述第一反射面對向配置的第二反射面，前述第一反射面係朝與前述超音波產生源相反側凸起的彎曲面，並使自前述超音波產生源產生的超音波朝前述第二反射面反射，前述第二反射面係朝與前述第一反射面相反側凸起的彎曲面，並將藉由前述第一反射面反射之超音波朝前述波導反射且導入前述波導的內部，前述超音波產生源係於與前述超音波產生源及前述第一反射面之對向方向正交的徑向上圍繞前述第二反射面的周圍，其中，前述超音波聚焦部係具有黏著面，且在前述黏著面藉由黏著劑與前述超音波產生源黏著，且於將前述超音波產生源之外周緣沿自前述超音波產生源產生之超音波的行進方向投影於前述第一反射面之線設為第一虛擬線，且將通過前述第一虛擬線上之點與前述第一反射面的焦點之直線設為第二虛擬線，將藉由所有前述第二虛擬線與前述第二反射面之交叉點形成的線設為第三虛擬線時，前述黏著劑係於較前述超音波產生源靠內周側設於較前述第三虛擬線靠外周側的區域。
一種超音波產生裝置，係具備：超音波產生源，其產生超音波；超音波聚焦部，其對由前述超音波產生源產生的超音波進行聚焦；及波導，其傳輸藉由前述超音波聚焦部聚焦的超音波，且前述超音波聚焦部係具有與前述超音波產生源對向配置的第一反射面、及與前述第一反射面對向配置的第二反射面，前述第一反射面係朝與前述超音波產生源相反側凸起的彎曲面，並使自前述超音波產生源產生的超音波朝前述第二反射面反射，前述第二反射面係朝與前述第一反射面相反側凸起的彎曲面，並將藉由前述第一反射面反射之超音波朝前述波導反射且導入前述波導的內部，前述超音波產生源係於與前述超音波產生源及前述第一反射面之對向方向正交的徑向上圍繞前述第二反射面的周圍，其中，前述超音波聚焦部係具有黏著面，且在前述黏著面藉由黏著劑與前述超音波產生源黏著，且於將前述超音波產生源之外周緣沿自前述超音波產生源產生之超音波的行進方向投影於前述第一反射面的線設為第一虛擬線時，將前述超音波聚焦部與前述超音波產生源黏著的黏著劑，也設於較前述超音波產生源靠外周側，且於前述第一反射面不設置於較前述第一虛擬線靠內周側。
如請求項1之超音波產生裝置，其中於前述超音波產生源之內周緣與前述第二反射面的外周緣之間設置前述黏著劑的貯留空間，前述貯留空間係沿前述黏著面擴展，且具有可貯留前述黏著劑的大小。
如請求項1之超音波產生裝置，其中於前述超音波產生源的內周緣與前述第二反射面的外周緣之間，形成有朝與前述黏著面交叉之方向延伸的階差面。
如請求項1之超音波產生裝置，其中於前述超音波產生源的內周緣與前述第二反射面的外周緣之間，設置朝與前述黏著面交叉之方向突出的壁。
如請求項1之超音波產生裝置，其中於前述超音波產生源的內周緣與前述第二反射面的外周緣之間，設置朝與前述黏著面交叉的方向凹陷的槽。
如請求項6之超音波產生裝置，其中前述槽係形成於較虛擬面靠近前述超音波產生源側，前述虛擬面係藉由所有的前述第二虛擬線形成於前述第一虛擬線與前述焦點之間。
如請求項2之超音波產生裝置，其中於較前述超音波產生源之外周緣靠外周側設置朝與前述黏著面交叉的方向突出的壁。
如請求項2之超音波產生裝置，其中於較前述超音波產生源之外周緣靠外周側設置朝與前述黏著面交叉的方向凹陷的槽。
一種超音波產生系統，其具備：如請求項1至9中任一項之超音波產生裝置；及電源裝置，其朝前述超音波產生裝置輸出電氣信號。
一種紗線分級系統，包含：<br/> 一張力測量裝置，用以測量一第一紗線的複數個第一點以產生該第一紗線的複數個第一張力值，並用以測量一第二紗線的複數個第二點以產生該第二紗線的複數個第二張力值；<br/> 一紗線特徵測量裝置，用以測量該第一紗線的複數個第一紗線特徵；以及<br/> 一處理器，用以依據該些第一紗線特徵，將該第一紗線的一第一實際等級分級至一第一等級或與該第一等級不同的一第二等級，並用以至少依據該些第一張力值及該第一實際等級建立一模型，且用以藉由該模型，依據該些第二張力值將該第二紗線的一第二預測等級分級至該第一等級或該第二等級，<br/> 其中該些第一紗線特徵包含該第一紗線的一第一紗線細度、一第一紗線強度及一第一捲縮堅牢度的至少一者。
如請求項1所述之紗線分級系統，其中該些第一紗線特徵包含該第一紗線的該第一紗線細度、該第一紗線強度及該第一捲縮堅牢度。
如請求項2所述之紗線分級系統，其中該張力測量裝置更用以測量一第三紗線的複數個第三張力值，<br/> 該紗線特徵測量裝置更用以測量該第三紗線的複數個第三紗線特徵，以及<br/> 該處理器更用以依據該些第三紗線特徵，將該第三紗線的一第三實際等級分級至該第一等級或該第二等級，並用以依據該些第三張力值及該第三實際等級建立該模型。
如請求項3所述之紗線分級系統，其中該張力測量裝置更用以測量一第四紗線的複數個第四張力值，<br/> 該紗線特徵測量裝置更用以測量該第四紗線的複數個第四紗線特徵，<br/> 該處理器更用以依據該些第四紗線特徵，將該第四紗線的一第四實際等級分級至該第一等級或該第二等級，並藉由該模型，依據該些第四張力值將該第四紗線的一第四預測等級分級至該第一等級或該第二等級，且比較該第四實際等級及該第四預測等級，以及<br/> 當該第四實際等級及該第四預測等級不同時，該處理器更用以依據該第四張力值及該第四實際等級調整該模型。
如請求項4所述之紗線分級系統，其中 <br/> 該些第一點的相鄰兩者之間具有一第一間距，並且 <br/> 該些第二點的相鄰兩者之間具有該第一間距。
一種紗線分級方法，包含：<br/> 測量一第一紗線的複數個第一張力值；<br/> 測量該第一紗線的複數個第一紗線特徵；<br/> 依據該些第一紗線特徵，將該第一紗線的一第一實際等級分級至一第一等級或與該第一等級不同的一第二等級；<br/> 至少依據該些第一張力值及該第一實際等級建立一模型；<br/> 測量一第二紗線的複數個第二張力值；以及<br/> 藉由該模型，依據該些第二張力值將該第二紗線的一第二預測等級分級至該第一等級或該第二等級，<br/> 其中該些第一紗線特徵包含該第一紗線的一第一紗線細度、一第一紗線強度及一第一捲縮堅牢度的至少一者。
如請求項6所述之紗線分級方法，更包含：<br/> 測量一第三紗線的複數個第三張力值；<br/> 測量該第三紗線的複數個第三紗線特徵；<br/> 依據該些第三紗線特徵，將該第三紗線的一第三實際等級分級至該第一等級或該第二等級；以及<br/> 其中建立該模型包含依據該些第三張力值及該第三實際等級建立該模型。
如請求項7所述之紗線分級方法，更包含：<br/> 測量一第四紗線的複數個第四張力值；<br/> 測量該第四紗線的複數個第四紗線特徵；<br/> 依據該些第四紗線特徵，將該第四紗線的一第四實際等級分級至該第一等級或該第二等級；<br/> 藉由該模型，依據該些第四張力值將該第四紗線的一第四預測等級分級至該第一等級或該第二等級；<br/> 比較該第四實際等級及該第四預測等級；以及<br/> 當該第四實際等級及該第四預測等級不同時，依據該第四張力值及該第四實際等級調整該模型。
如請求項6所述之紗線分級方法，其中 <br/> 測量該些第一張力值包含在該第一紗線上的複數個第一點分別測量該些第一張力值，<br/> 測量該些第二張力值包含在該第二紗線上的複數個第二點分別測量該些第二張力值，<br/> 該些第一點的相鄰兩者之間具有一第一間距， <br/> 該些第二點的相鄰兩者之間具有該第一間距，以及<br/> 該些第一點及該些第二點具有相同的數量。
如請求項6所述之紗線分級方法，其中該些第一紗線特徵包含該第一紗線的該第一紗線細度、該第一紗線強度及該第一捲縮堅牢度。
一種電子元件排列結構，包括：<br/> 一載體；<br/> 一黏著層，位於該載體上，並具有一低黏性區與一高黏性區；以及<br/> 一電子元件，固定於該黏著層上，並同時接觸該高黏性區與該低黏性區；<br/> 其中，該低黏性區域與該電子元件之間的黏著力小於該高黏性區域與該電子元件之間的黏著力，<br/> 其中，在一上視圖中，該高黏性區完全包圍該低黏性區及該電子元件，且該低黏性區包括多個彼此分離的島狀區域。
一種電子元件排列結構，包括：<br/> 一載體；<br/> 一黏著層，位於該載體上，並具有一低黏性區與一高黏性區，且該低黏性區包含一金屬層，該高黏性區包含一膠層；以及<br/> 一電子元件，固定於該黏著層上，並同時接觸該高黏性區與該低黏性區；<br/> 其中，該低黏性區域與該電子元件之間的黏著力小於該高黏性區域與該電子元件之間的黏著力，<br/> 其中，在一上視圖中，該高黏性區完全包圍該低黏性區及該電子元件。
一種電子元件排列結構，包括：<br/> 一載體；<br/> 一黏著層，位於該載體上，並具有一低黏性區與一高黏性區，且該低黏性區高於該高黏性區；以及<br/> 一電子元件，固定於該黏著層上，並同時接觸該高黏性區與該低黏性區；<br/> 其中，該低黏性區域與該電子元件之間的黏著力小於該高黏性區域與該電子元件之間的黏著力，<br/> 其中，在一上視圖中，該高黏性區完全包圍該低黏性區及該電子元件。
一種光學成像系統，包括：第一透鏡、第二透鏡、第三透鏡、第四透鏡、第五透鏡、第六透鏡及第七透鏡，自物體側依序間隔開設置，其中所述透鏡總數為七個；其中所述第二透鏡、所述第四透鏡及所述第五透鏡具有為1.6或大於1.6的折射率，且其中所述光學成像系統滿足以下條件表達式：OAL/2IMH<0.6，15<v1-v6<25，-10<f4/f<0以及0<f6/f<1.5，其中OAL是自所述第一透鏡的物體側表面至影像平面的距離，且2IMH是所述影像平面的對角線長度，v1是所述第一透鏡的阿貝數，v6是所述第六透鏡的阿貝數，f4是所述第四透鏡的焦距，f是所述光學成像系統的總焦距，且f6是所述第六透鏡的焦距。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第二透鏡、所述第四透鏡及所述第五透鏡具有負的折射力。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第二透鏡具有凸的物體側表面及凹的影像側表面，且所述光學成像系統滿足以下條件表達式：-10<f2/f<0，其中f2是所述第二透鏡的焦距。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述光學成像系統滿足以下條件表達式：0<f1/f<1.4及0<f1/f3<0.4，其中f1是所述第一透鏡的焦距，且f3是所述第三透鏡的焦距。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第七透鏡具有凸的物體側表面及凹的影像側表面，且所述光學成像系統滿足以下條件表達式：-0.95<f7/f<0，其中f7是所述第七透鏡的焦距。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述光學成像系統滿足以下條件表達式：BFL/f<0.3及D1/f<0.1，其中BFL是自所述第七透鏡的影像側表面至所述影像平面的距離，且D1是自所述第一透鏡的影像側表面至所述第二透鏡的物體側表面的距離。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述光學成像系統滿足以下條件表達式：FOV*2IMH/f<170°，其中FOV是所述光學成像系統的視場，2IMH是所述影像平面的所述對角線長度。
一種光學成像系統，包括：第一透鏡，具有正的折射力；第二透鏡，具有負的折射力；第三透鏡，具有正的折射力；第四透鏡，具有負的折射力；第五透鏡，具有負的折射力；第六透鏡，具有正的折射力；以及第七透鏡，具有負的折射力，其中所述第一透鏡至所述第七透鏡自物體側依序間隔開設置，其中所述透鏡總數為七個，且其中所述光學成像系統滿足以下條件表達式：OAL/2IMH<0.6，15<v1-v6<25，-10<f4/f<0以及0<f6/f<1.5，其中OAL是自所述第一透鏡的物體側表面至影像平面的距離，且2IMH是所述影像平面的對角線長度，v1是所述第一透鏡的阿貝數，v6是所述第六透鏡的阿貝數，f4是所述第四透鏡的焦距，f是所述光學成像系統的總焦距，且f6是所述第六透鏡的焦距。
如請求項8所述的光學成像系統，其中所述光學成像系統滿足以下條件表達式：OAL/f<1.3及D1/f<0.1，其中OAL是自所述第一透鏡的所述物體側表面至所述影像平面的距離，且D1是自所述第一透鏡的影像側表面至所述第二透鏡的物體側表面的距離。
如請求項8所述的光學成像系統，其中所述光學成像系統滿足以下條件表達式：FOV*2IMH/f<170°，其中FOV是所述光學成像系統的視場，2IMH是所述影像平面的所述對角線長度。
如請求項8所述的光學成像系統，其中所述光學成像系統滿足以下條件表達式：0<f1/f3<0.4，其中f1是所述第一透鏡的焦距，f3是所述第三透鏡的焦距。
如請求項8所述的光學成像系統，其中所述第二透鏡、所述第四透鏡及所述第五透鏡具有為1.6或大於1.6的折射率。
一種光學成像系統，包括：第一透鏡、第二透鏡、第三透鏡、第四透鏡、具有負的折射力的第五透鏡、第六透鏡及第七透鏡，自物體側依序設置，其中所述透鏡總數為七個；其中所述光學成像系統滿足以下條件表達式：25<v1-v4<45，OAL/f<1.3，-10<f4/f<0以及0<f6/f<1.5，其中v1是所述第一透鏡的阿貝數，且v4是所述第四透鏡的阿貝數，OAL是自所述第一透鏡的物體側表面至影像平面的距離，f是所述光學成像系統的總焦距，f4是所述第四透鏡的焦距，且f6是所述第六透鏡的焦距。
如請求項13所述的光學成像系統，其中所述第二透鏡、所述第四透鏡及所述第五透鏡具有為1.6或大於1.6的折射率。
如請求項13所述的光學成像系統，其中所述光學成像系統滿足以下條件表達式：-0.6<f1/f2<0，其中f1是所述第一透鏡的焦距，且f2是所述第二透鏡的焦距。
如請求項13所述的光學成像系統，其中所述第二透鏡具有凸的物體側表面及凹的影像側表面，所述第三透鏡具有凸的物體側表面，且所述第七透鏡具有凸的物體側表面。
如請求項13所述的光學成像系統，其中所述光學成像系統滿足以下條件表達式：OAL/2IMH<0.6，其中OAL是自所述第一透鏡的物體側表面至影像平面的距離，且2IMH是所述影像平面的對角線長度。
如請求項13所述的光學成像系統，其中所述光學成像系統滿足以下條件表達式：0<f1/f3<0.4，其中f1是所述第一透鏡的焦距，且f3是所述第三透鏡的焦距。
一種捲筒式廚房用紙，是將廚房用紙捲取成捲筒狀而成的捲筒式廚房用紙，其特徵在於：<br/> 捲取長度為25～35m；<br/> 捲繞密度為0.26～0.35m/cm<sup>2</sup>；<br/> 前述廚房用紙，是對具有由壓紋加工形成的凸部之片材，將2層的該片材以套疊形式使凸部形成面相對並積層成一體而成；<br/> 每1層的基重為18～25g/m<sup>2</sup>；<br/> 紙厚為300μm～390μm；<br/> 5組重疊的厚度為1.8～2.3mm；<br/> 該廚房用紙，含有濕潤紙力劑，且濕潤時的紙厚的減少率為0.1%～4.0%。
如請求項1所述之捲筒式廚房用紙，其中，捲筒寬度為200mm以上，捲筒密度為0.12～0.15g/cm<sup>3</sup>。
如請求項1或2所述之捲筒式廚房用紙，其中，乾燥抗拉強度(縱)為1800cN/25mm以上，乾燥抗拉強度(橫)為800cN/25mm以上，濕潤抗拉強度(橫)為240cN/25mm以上。
一種導熱性矽酮接著劑組成物，含有下述（a）成分～（e）成分， <br/>（a）直鏈或分支狀有機聚矽氧烷：100質量份 <br/>（b）導熱性填充材料：1,500質量份～7,500質量份 <br/>（c）包含下述（c-1）成分及（c-2）成分的三維網狀有機聚矽氧烷樹脂：150質量份～600質量份 <br/>（c-1）：下述通式（1）所表示的、分子中的烯基量為0.05 mol/100 g～0.15 mol/100 g的三維網狀有機聚矽氧烷樹脂 <br/>(R <sup>1</sup><sub>3</sub>SiO <sub>1/2</sub>) <sub>a1</sub>(R <sup>1</sup>R <sup>2</sup>SiO <sub>2/2</sub>) <sub>b1</sub>(R <sup>1</sup><sub>2</sub>SiO <sub>2/2</sub>) <sub>c1</sub>(R <sup>1</sup>SiO <sub>3/2</sub>) <sub>d1</sub>(SiO <sub>4/2</sub>) <sub>e1</sub>（1） <br/><br/>式中，R <sup>1</sup>相互獨立地為選自碳原子數1～10的烷基、碳原子數6～10的芳基、及碳原子數7～10的芳烷基中的基，R <sup>2</sup>為碳原子數2～8的烯基，a1、b1、c1、d1及e1為滿足0＜a1≦100的數、滿足0＜b1≦100的數、滿足0≦c1≦100的數、滿足0≦d1≦100的數、滿足0≦e1≦100的數，且滿足0＜d1+e1、0.5≦a1/（d1+e1）≦2的範圍， <br/>（c-2）：下述通式（2）所表示的三維網狀有機聚矽氧烷樹脂 <br/>(R <sup>1</sup><sub>3</sub>SiO <sub>1/2</sub>) <sub>a2</sub>(R <sup>1</sup><sub>2</sub>SiO <sub>2/2</sub>) <sub>c2</sub>(R <sup>1</sup>SiO <sub>3/2</sub>) <sub>d2</sub>(SiO <sub>4/2</sub>) <sub>e2</sub>（2） <br/><br/>式中，R <sup>1</sup>相互獨立地為選自碳原子數1～10的烷基、碳原子數6～10的芳基、及碳原子數7～10的芳烷基中的基，a2、c2、d2及e2為滿足0＜a2≦100的數、滿足0≦c2≦100的數、滿足0≦d2≦100的數、及滿足0＜e2≦100的數，且滿足0.7≦a2/e2≦2.5的範圍， <br/>（d）於一分子中具有兩個以上的氫矽烷基的有機氫聚矽氧烷：1質量份～25質量份、及 <br/>（e）有機過氧化物：5質量份～50質量份。
如請求項1所述的導熱性矽酮接著劑組成物，其中（c-1）成分相對於所述（c）成分的總量的比例為10質量%～60質量%。
如請求項1或請求項2所述的導熱性矽酮接著劑組成物，其中所述（a）成分具有100～20,000的平均聚合度。
如請求項1或請求項2所述的導熱性矽酮接著劑組成物，其中所述（a）成分於一分子中具有兩個以上的烯基，且具有100～20,000的平均聚合度。
如請求項1或請求項2所述的導熱性矽酮接著劑組成物，其中所述（b）成分為選自由金屬、金屬氧化物、及金屬氮化物所組成的群組中的一種以上。
如請求項1或請求項2所述的導熱性矽酮接著劑組成物，其中所述導熱性矽酮接著劑組成物更含有1質量份～50質量份的（f）選自下述（f-1）成分及（f-2）成分中的一種以上， <br/>（f-1）下述通式（3）所表示的烷氧基矽烷化合物 <br/>R <sup>3</sup><sub>m</sub>R <sup>4</sup><sub>n</sub>Si(OR <sup>5</sup>) <sub>4-m-n</sub>（3） <br/>式中，R <sup>3</sup>相互獨立地為碳原子數6～15的烷基，R <sup>4</sup>相互獨立地為碳原子數1～5的烷基，R <sup>5</sup>相互獨立地為碳原子數1～6的烷基，m為1～3的整數，n為0～2的整數，其中m+n為1～3的整數， <br/>（f-2）下述通式（4）所表示的二甲基聚矽氧烷 <br/><img align="absmiddle" height="147px" width="399px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R <sup>5</sup>相互獨立地為碳原子數1～6的烷基，p為5～100的整數。
一種導熱性複合體，具有：第一導熱性接著層，積層於增強層的一面；以及第二導熱性接著層，積層於所述增強層的另一面，所述導熱性複合體的特徵在於：所述第一導熱性接著層及第二導熱性接著層相互獨立地包含如請求項1至請求項6中任一項所述的導熱性矽酮接著劑組成物。
如請求項7所述的導熱性複合體，其中所述第一導熱性接著層及所述第二導熱性接著層具有2.0 W/mK以上的導熱率。
如請求項7或請求項8所述的導熱性複合體，其中所述增強層包含合成樹脂，或者為玻璃布。
如請求項9所述的導熱性複合體，其中所述合成樹脂為選自芳香族聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、及氟樹脂中的一種以上。
如請求項7或請求項8所述的導熱性複合體，更具有利用脫模劑進行了表面處理的基材，所述第一導熱性接著層及所述第二導熱性接著層中的至少一個不與所述增強層相接的面與所述基材的脫模處理面接合。
如請求項11所述的導熱性複合體，其中所述脫模劑是具有與主鏈鍵結的氟取代基的氟改質矽酮。
一種熱固性接著劑組成物，其使用於電路構件彼此的接著，其中<br/> 包含熱塑性樹脂、熱固性樹脂及無機填料，<br/> 前述熱塑性樹脂在-50℃～20℃的範圍內具有玻璃轉移溫度，<br/> 將該熱固性接著劑組成物的總質量設為100質量份時，前述熱塑性樹脂的含量為20～40質量份，前述無機填料的含量為30～50質量份，<br/> 該熱固性接著劑組成物在130℃下經1小時加熱之後，在35℃下的儲存模數為700MPa以下。
如請求項1所述之熱固性接著劑組成物，其中<br/> 該熱固性接著劑組成物在130℃下經1小時加熱之後，在130℃下的儲存模數為4MPa以上。
如請求項1或請求項2所述之熱固性接著劑組成物，其中<br/> 從相對於第1測定對象的發熱量C1的第2測定對象的發熱量C2由下述式計算之反應率為40%以上，發熱量C1及發熱量C2為從藉由升溫速度10℃/分鐘的示差掃描熱量測定而獲得之DSC曲線分別求得之100℃～270℃的範圍內的發熱量，<br/> 反應率（%）=（C1-C2）/C1×100<br/> 前述第1測定對象為該熱固性接著劑組成物，<br/> 前述第2測定對象為該熱固性接著劑組成物在130℃下經1小時加熱之後的樹脂組成物。
如請求項1或請求項2所述之熱固性接著劑組成物，其在120℃下的熔融黏度為3500～12000Pa·s。
一種積層膜，其具備：<br/> 基材膜；及<br/> 接著劑層，設置於前述基材膜的表面上，<br/> 前述接著劑層由請求項1至請求項4之任一項所述之熱固性接著劑組成物構成。
一種連接體之製造方法，依序包括：<br/> 準備具備第1電路構件、第2電路構件及在前述第1及第2電路構件之間配置之接著劑層之積層體之步驟；<br/> 在100～175℃下經30～240分鐘加熱前述積層體之步驟；及<br/> 將前述第1電路構件和前述第2電路構件進行引線接合之步驟，<br/> 前述第1電路構件為選自由印刷電路基板及半導體晶片組成之組中的一種，<br/> 前述第2電路構件為撓性印刷電路基板，<br/> 前述接著劑層由請求項1至請求項4之任一項所述之熱固性接著劑組成物構成。
一種連接體，其具備：<br/> 第1電路構件；<br/> 第2電路構件；及<br/> 在前述第1及第2電路構件之間配置之接著劑層，<br/> 前述第1電路構件為選自由印刷電路基板及半導體晶片組成之組中的一種，<br/> 前述第2電路構件為撓性印刷電路基板，<br/> 前述接著劑層由請求項1至請求項4之任一項所述之熱固性接著劑組成物的固化物構成。
一種紡織設備組件，包含： <br/>一轉軸，沿一軸線延伸； <br/>一主體；以及 <br/>複數個承托結構，沿一第一方向排列並彼此分離，該第一方向平行於該軸線，該些承托結構中每一者包含： <br/>一軸承座，該轉軸穿越該軸承座，該軸承座具有一外表面；以及 <br/>一承托件，包含： <br/>一連接部，連接該主體，該轉軸與該連接部沿一第二方向排列並彼此分離；以及 <br/>一承托部，為一體成型結構並連接該連接部，該承托部具有一第一抵接面以及一第二抵接面，該第一抵接面與該第二抵接面連接於一連接線，該第一抵接面與該第二抵接面分別配置以至少部分抵接該外表面，該軸線在一第三方向上對齊該連接線，該第二抵接面至少部分位於該轉軸與該連接部之間，該第一抵接面相對該軸線在該第二方向上更遠離該主體，該第一方向、該第二方向與該第三方向彼此垂直。
如請求項1所述之紡織設備組件，其中該些軸承座中每一者包含： <br/>一軸承，具有一第一穿孔，該轉軸穿越該第一穿孔；以及 <br/>一座體，具有一第二穿孔，該軸承設置於該第二穿孔內，該座體包含： <br/>一第一環狀部； <br/>一第二環狀部，該外表面圍繞該第二環狀部；以及 <br/>一板體，連接於該第一環狀部與該第二環狀部之間，該板體配置以抵接該承托部，該第一環狀部、該第二環狀部與該板體共同定義該第二穿孔。
如請求項2所述之紡織設備組件，其中該些承托部中每一者具有相連通之一容置空間以及一缺口，該些第一抵接面中對應之一者以及該些第二抵接面中對應之一者圍繞並定義該容置空間，該容置空間配置以容置該第二環狀部。
如請求項2所述之紡織設備組件，其中該板體具有複數個第三穿孔，該些第三穿孔圍繞該第二穿孔，該承托部具有複數個第四穿孔，該些第四穿孔對齊該些第三穿孔，該紡織設備組件更包含： <br/>複數個第一鎖固件，分別配置以穿越該些第三穿孔中之一者及該些第四穿孔中對應之一者，以相對該承托部固定該座體。
如請求項2所述之紡織設備組件，其中該些連接部中每一者具有一抵靠面，該抵靠面位於該連接部遠離該承托部之一側，並配置以抵壓該主體，該抵靠面在該第二方向上對齊該些軸承中對應之一者。
如請求項2所述之紡織設備組件，其中該些連接部中每一者具有複數個第五穿孔，該些第五穿孔沿該第三方向排列並在該第二方向上對齊該些軸承中對應之一者，該紡織設備組件更包含： <br/>複數個第二鎖固件，分別配置以穿越該些第五穿孔中對應之一者並鎖固該些承托件中對應之一者於該主體。
如請求項6所述之紡織設備組件，其中該些軸承中每一者具有一中心，該中心與對應之該些第五穿孔之間在該第二方向上具有一偏差距離，該偏差距離大於或等於0公釐及小於或等於1公釐。
如請求項6所述之紡織設備組件，其中該主體具有複數個螺孔，該些第二鎖固件中每一者為螺絲，並配置以耦合該些螺孔中對應之一者。
如請求項2所述之紡織設備組件，其中該軸承為自動調心軸承。
如請求項1所述之紡織設備組件，其中該承托件為一體成型結構。
一種用於觸覺器件之系統，其包括： <br/>一驅動器，其經組態以用一單端驅動訊號驅動一負載；及 <br/>用於該負載之一訊號返迴路徑，其中該訊號返迴路徑包括經組態以在該系統之一空閒通道模式期間建立一訊號偏移之一電壓模式驅動器，以便最小化在該負載處之空閒通道干擾，且其中當該單端驅動訊號之量值是小於一臨限量值時，該空閒通道模式發生。
如請求項1之系統，其中該電壓模式驅動器包括一第二驅動器，其包含用於感測與該負載相關聯之一或多個參數的負載感測電路之一地回電晶體。
如請求項1之系統，其中該電壓模式驅動器包括用於感測與該負載相關聯之一或多個參數的負載感測電路之一共模電壓緩衝器。
如請求項1之系統，其中該負載係一電磁負載。
如請求項1之系統，其中該負載係一觸覺致動器。
一種經組態以耦合至一電磁負載之系統，其包括： <br/>一電流感測電路，其具有經耦合於該電磁負載之一第一端子與經驅動至一共模電壓之一電節點之間的一感測電阻器；及 <br/>一控制電路，其經組態以： <br/>在該系統之一觸覺模式期間，將該電磁負載之一第一端子耦合至一接地電壓；及 <br/>在該系統之一負載感測模式期間，將該第一端子耦合至該電流感測電路以及驅動適合於感測與該電磁負載相關聯的一電流之一信號； <br/>其中該電流感測電路進一步經組態以在與該電磁負載相關聯的一空閒通道模式期間建立一訊號偏移，以便最小化在該負載處之空閒通道干擾，其中當一單端驅動訊號之量值是小於一臨限量值時，該空閒通道模式發生。
如請求項6之系統，其中該電流感測電路包括一電壓模式驅動器，該電壓模式驅動器經組態以在該系統之一空閒通道模式期間建立該訊號偏移，以便最小化在該負載處之空閒通道干擾。
如請求項7之系統，其中該電壓模式驅動器包括一第二驅動器，該第二驅動器包含該電流感測電路之一地回電晶體。
如請求項7之系統，其中該電壓模式驅動器包括該電流感測電路之一共模電壓緩衝器。
如請求項6之系統，其中該負載係一電磁負載。
如請求項6之系統，其中該負載係一觸覺致動器。
一種用於觸覺器件之系統，其包括： <br/>一驅動器，其經組態以用一驅動訊號驅動一負載；及 <br/>一處理系統，其經組態以通信地耦合至該負載，且經組態以： <br/>在該系統之一正常模式期間，使該驅動訊號具有一第一迴轉率；及 <br/>在該系統之一空閒通道模式期間，使該驅動訊號具有高於該第一迴轉率之一第二迴轉率，其中該處理系統經組態以藉由旁路在該驅動器之一訊號路徑中之多個迴轉率控制，使該驅動訊號具有高於該第一迴轉率之一第二迴轉率。
如請求項12之系統，其中該驅動器係一單端驅動器。
如請求項12之系統，其中該負載係一電磁負載。
如請求項12之系統，其中該負載係一觸覺致動器。
一種用於觸覺器件之方法，其包括： <br/>用一單端驅動訊號驅動一負載；及 <br/>在用來產生該單端驅動訊號以便最小化在該負載處之空閒通道干擾之一系統之一空閒通道模式期間，使用用於該負載之一訊號返迴路徑之一電壓模式驅動器建立一訊號偏移，其中當該單端驅動訊號之量值是小於一臨限量值時，該空閒通道模式發生。
如請求項16之方法，其中該電壓模式驅動器包括一第二驅動器，該第二驅動器包含用於感測與該負載相關聯之一或多個參數的負載感測電路之一地回電晶體。
如請求項16之方法，其中該電壓模式驅動器包括用於感測與該負載相關聯之一或多個參數的負載感測電路之一共模電壓緩衝器。
如請求項16之方法，其中該負載係一電磁負載。
如請求項16之方法，其中該負載係一觸覺致動器。
一種用於觸覺器件之方法，其用於經組態以耦合至一電磁負載而且具有一電流感測電路之一系統中，其中該電流感測電路具有耦合於該電磁負載之一第一端子與經驅動至一共模電壓之一電節點之間的一感測電阻器，該方法包括： <br/>在該系統之一觸覺模式期間，將該電磁負載之一第一端子耦合至一接地電壓； <br/>在該系統之一負載感測模式期間，將該第一端子耦合至該電流感測電路以及驅動適合於感測與該電磁負載相關聯的一電流之一信號；及 <br/>在與該電磁負載相關聯的一空閒通道模式期間，利用該電流感測電路來建立一訊號偏移，以便最小化在該負載處之空閒通道干擾，其中當一單端驅動訊號之量值是小於一臨限量值時，該空閒通道模式發生。
如請求項21之方法， 進一步包含在該系統之一空閒通道模式期間，使用該電流感測電路之一電壓模式驅動器來建立該訊號偏移，以便最小化在該負載處之空閒通道干擾。
如請求項22之方法，其中該電壓模式驅動器包括一第二驅動器，該第二驅動器包含該電流感測電路之一地回電晶體。
如請求項22之方法，其中該電壓模式驅動器包括該電流感測電路之一共模電壓緩衝器。
如請求項21之方法，其中該負載係一電磁負載。
如請求項21之方法，其中該負載係一觸覺致動器。
一種用於觸覺器件之方法，其包括： <br/>用一驅動訊號驅動一負載； <br/>在用以驅動該驅動訊號之一系統之一正常模式期間，使該驅動訊號具有一第一迴轉率；及： <br/>在該系統之一空閒通道模式期間，使該驅動訊號具有高於該第一迴轉率之一第二迴轉率進一步包括藉由旁路在該驅動器之一訊號路徑中之多個迴轉率控制，使該驅動訊號具有高於該第一迴轉率之一第二迴轉率。
如請求項27之方法，其中該驅動訊號係由一單端驅動器驅動。
如請求項27之方法，其中該負載係一電磁負載。
如請求項27之方法，其中該負載係一觸覺致動器。
一種附剝離襯墊之光學黏著片材，其係具備如下者： <br/>光學黏著片材，其具有第1面及與該第1面相反側之第2面； <br/>第1剝離襯墊，其與上述第1面可剝離地相接 <b>；</b>及 <br/>第2剝離襯墊，其與上述第2面可剝離地相接； <br/>上述第1剝離襯墊具有延出端部，該延出端部在與厚度方向正交之面方向上延出至較上述光學黏著片材之片材端面更靠外側， <br/>上述第1剝離襯墊沿著上述光學黏著片材之上述片材端面具有在上述厚度方向上具有深度之半切槽， <br/>上述半切槽具有與上述片材端面處於同一平面之第1內壁面、於上述面方向上與該第1內壁面對向之第2內壁面、及上述面方向上之上述第1內壁面與第2內壁面之間之曲率半徑1 μm以上之圓底。
如請求項1之附剝離襯墊之光學黏著片材，其中上述半切槽之深度相對於上述第1剝離襯墊之厚度之比率為0.5以下。
如請求項1之附剝離襯墊之光學黏著片材，其中用以將上述第1剝離襯墊自上述光學黏著片材剝離之剝離力大於用以將上述第2剝離襯墊自上述光學黏著片材剝離之剝離力。
如請求項1之附剝離襯墊之光學黏著片材，其中上述光學黏著片材於25℃下具有10 kPa以上且1000 kPa以下之剪切儲存彈性模數。
如請求項1之附剝離襯墊之光學黏著片材，其中上述光學黏著片材具有40%以上且80%以下之凝膠分率。
如請求項1至5中任一項之附剝離襯墊之光學黏著片材，其中上述第1剝離襯墊具有向上述厚度方向上之上述光學黏著片材側突出之第1突條部，該第1突條部沿著上述半切槽之上述第2內壁面延伸。
如請求項6之附剝離襯墊之光學黏著片材，其中上述第2剝離襯墊具有與上述片材端面處於同一平面之襯墊端面、及向上述厚度方向上之與上述光學黏著片材相反之側突出之第2突條部，該第2突條部沿著上述襯墊端面延伸。
如請求項7之附剝離襯墊之光學黏著片材，其中上述第1剝離襯墊之上述第1突條部之上述面方向上之外側端與上述第2剝離襯墊之上述第2突條部之上述面方向上之內側端的距離為20 μm以上且300 μm以下。
如請求項6之附剝離襯墊之光學黏著片材，其中上述第2剝離襯墊具有延出端部，該延出端部在與上述厚度方向正交之面方向上延出至較上述片材端面更靠外側。
如請求項9之附剝離襯墊之光學黏著片材，其中上述第1剝離襯墊之上述第1突條部之上述面方向上之外側端與上述光學黏著片材之上述片材端面之上述面方向上之內側端的距離為20 μm以上且300 μm以下。
一種光硬化性組成物，包含(A)~(D)成分： <br/>(A)成分：具有(甲基)丙烯醯基之化合物； <br/>(B)成分：聚硫醇化合物； <br/>(C)成分：光起始劑；以及 <br/>(D)成分：下述通式1表示之分子內具有1個酚基之酚化合物，且排除(A)成分； <br/>其中，該(A)成分係由(甲基)丙烯酸酯寡聚物以及(甲基)丙烯酸酯單體所成； <br/>其中，該(甲基)丙烯酸酯單體包含三環癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯； <br/><img align="absmiddle" height="62px" width="93px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>在此，R中只有其中之一包含與酚之芳香環共軛的有機基，其餘的R分別獨立為氫或鏈狀的有機基。
如請求項1所述之光硬化性組成物，其中，該與酚之芳香環共軛的有機基，係下列式2之基、式3之基或式4之基；或者具有式2、式3或式4之骨架之基； <br/>[化2] <br/><img align="absmiddle" height="88px" width="538px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述之光硬化性組成物，其中，相對於該光硬化性組成物整體，包含0.001~10.0質量%之(D)成分。
如請求項1所述之光硬化性組成物，其中，該光硬化性組成物中不包含(D)成分以外之紫外線吸收劑。
如請求項1所述之光硬化性組成物，其中，相對於該(A)成分100質量份整體，包含0.1~50質量份之該(B)成分，且包含0.1~10質量份之該(C)成分。
如請求項1所述之光硬化性組成物，其中，該(甲基)丙烯酸酯寡聚物係包含(甲基)丙烯酸酯寡聚物，且該(甲基)丙烯酸酯寡聚物中之每1分子具有3~5個(甲基)丙烯醯基。
如請求項1所述之光硬化性組成物，係用於指甲或人工指甲。
如請求項7所述之光硬化性組成物，係頂油層用。
一種工件保持機構，其係於下側處理部上，與該下側處理部之表面空開間隔地保持板狀或片狀之工件者，且具備：框體，其設置為俯視下至少局部包圍上述工件之周緣；複數個抓持部，其等配置於上述框體，抓持上述工件之周緣部；第1感測器，其可取得上述複數個抓持部各者之高度資訊；算出部，其基於藉由上述第1感測器取得之高度資訊，算出各個上述抓持部與上述下側處理部之距離；及高度調整部，其基於由上述算出部算出之距離，調整上述複數個抓持部與上述下側處理部之高度。
如請求項1之工件保持機構，其中上述第1感測器為接觸感測器。
如請求項1或2之工件保持機構，其中上述第1感測器配置於上述下側處理部。
如請求項3之工件保持機構，其進而具備：第2感測器，其可以上述下側處理部之表面為基準檢測上述第1感測器之高度位置。
如請求項1或2之工件保持機構，其中上述框體具有隔著上述工件對向之一對臂；上述抓持部自上述臂之對向面側可伸縮地突出。
如請求項5之工件保持機構，其中於上述臂之各者空開間隔地配置有一對上述抓持部。
如請求項1或2之工件保持機構，其進而具備：第3感測器，其可檢測上述工件之撓曲量。
如請求項1或2之工件保持機構，其中上述高度調整部設置為可整體或局部地調整上述框體之高度。
一種工件處理裝置，其具備：如請求項1至8中任一項之工件保持機構。
一種工件保持方法，其係於下側處理部上，與該下側處理部之表面空開間隔地保持板狀或片狀之工件者；且使用工件保持機構來進行，上述工件保持機構具備設置為於俯視下至少局部包圍上述工件之周緣之框體、及配置於上述框體，抓持上述工件之周緣部之複數個抓持部；上述工件保持方法包含：取得上述複數個抓持部各者之高度資訊；基於取得之上述高度資訊，算出各個上述抓持部與上述下側處理部之距離；及基於算出之上述距離，調整上述複數個抓持部與上述下側處理部之高度。
一種潛伏性固化劑，其特徵在於，具有:<br/> 保持鋁螯合物的多孔質粒子，以及<br/> 在該多孔質粒子的表面含有聚烯烴樹脂和具有異氰酸酯基的矽烷偶聯劑的被膜；<br/> 該多孔質粒子由聚脲樹脂構成。
根據請求項1所述的潛伏性固化劑，<br/> 該多孔質粒子的平均表面粗糙度為5nm以下。
根據請求項1所述的潛伏性固化劑，<br/> 該聚烯烴樹脂為脂肪族環狀聚烯烴樹脂和α-烯烴共聚體的至少任一者。
根據請求項3所述的潛伏性固化劑，<br/> 該脂肪族環狀聚烯烴樹脂的玻璃化轉變溫度為140℃以下。
根據請求項3所述的潛伏性固化劑，<br/> 該脂肪族環狀聚烯烴樹脂為環烯烴共聚體(COC)和環烯烴均聚體(COP)的至少任一者。
根據請求項3所述的潛伏性固化劑，<br/> 該α-烯烴共聚體的熔點為100℃以下。
根據請求項1所述的潛伏性固化劑，<br/> 該多孔質粒子進一步包含具有長鏈結構的自由基聚合性單體的聚合物。
根據請求項1所述的潛伏性固化劑，<br/> 該多孔質粒子保持矽烷醇化合物。
一種潛伏性固化劑的製造方法，其特徵在於，<br/> 在有機溶劑含有聚烯烴樹脂和具有異氰酸酯基的矽烷偶聯劑的處理液中，將分散有保持鋁螯合物的多孔質粒子的分散液進行噴霧乾燥；<br/> 該多孔質粒子由聚脲樹脂構成。
根據請求項9所述的潛伏性固化劑的製造方法，<br/> 該多孔質粒子的平均表面粗糙度為5nm以下。
根據請求項9所述的潛伏性固化劑的製造方法，<br/> 該處理液中的聚烯烴樹脂的含量為1.5質量%以下。
根據請求項9所述的潛伏性固化劑的製造方法，<br/> 該處理液中的具有異氰酸酯基的矽烷偶聯劑的含量為0.5質量%以下。
一種固化性組合物，其特徵在於，含有:<br/> 請求項1或2所述的潛伏性固化劑以及陽離子固化性化合物。
根據請求項13所述的固化性組合物，<br/> 該陽離子固化性化合物為環氧化合物或氧雜環丁烷化合物。
根據請求項13所述的固化性組合物，<br/> 其進一步含有矽烷醇化合物。
一種樹脂組成物，含有：<br/> 聚伸苯基醚化合物(A)；<br/> 苯乙烯系嵌段共聚物(B)；<br/> 聚丁二烯化合物(C)；<br/> 硬化劑(D)；及<br/> 具有三<img align="absmiddle" height="24px" width="20px" file="d10009.TIF" alt="ed10009.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10009.png"/>環之矽烷耦合劑(E)；<br/> 前述聚伸苯基醚化合物(A)於分子中具有式(1)所示基團及式(2)所示基團中之至少一者；<br/> 前述聚丁二烯化合物(C)於分子中具有環氧基；且<br/> 前述硬化劑(D)含有式(3)所示烯丙基化合物(d1)；<br/> [化學式1]<br/><img align="absmiddle" height="59px" width="147px" file="ed10037.jpg" alt="ed10037.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (式(1)中，p表示0~10之整數；Z表示伸芳基；R<sub>1</sub>~R<sub>3</sub>分別獨立表示氫原子或烷基)；<br/> [化學式2]<br/><img align="absmiddle" height="42px" width="124px" file="ed10039.jpg" alt="ed10039.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (式(2)中，R<sub>4</sub>表示氫原子或烷基)；<br/> [化學式3]<br/><img align="absmiddle" height="71px" width="138px" file="ed10041.jpg" alt="ed10041.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (式(3)中，R<sup>A</sup>表示碳數8~22之烷基或烯基)。
如請求項1之樹脂組成物，其中前述樹脂組成物之半硬化物之最小彎折半徑為2mm以下。
如請求項1或2之樹脂組成物，其中前述樹脂組成物之硬化物之最小彎折半徑為2mm以下。
如請求項1或2之樹脂組成物，其中前述聚伸苯基醚化合物(A)及前述烯丙基化合物(d1)之合計與前述苯乙烯系嵌段共聚物(B)的質量比率為50：50至95：5。
如請求項1或2之樹脂組成物，其中相對於前述聚伸苯基醚化合物(A)與前述烯丙基化合物(d1)之合計100質量份，前述聚丁二烯化合物(C)之含量為5質量份以上且40質量份以下。
一種附樹脂之薄膜，具備：<br/> 樹脂層，其包含如請求項1至5中任一項之樹脂組成物之未硬化物及前述樹脂組成物之半硬化物中之至少一者；及<br/> 支持薄膜，其與前述樹脂層重疊。
一種附樹脂之金屬箔，具備：<br/> 樹脂層，其包含如請求項1至5中任一項之樹脂組成物之未硬化物及前述樹脂組成物之半硬化物中之至少一者；及<br/> 金屬箔，其與前述樹脂層重疊。
一種覆金屬積層板，具備：<br/> 絕緣層，其包含如請求項1至5中任一項之樹脂組成物之硬化物；及<br/> 金屬箔，其與前述絕緣層重疊。
一種印刷配線板，具備：<br/> 絕緣層，其包含如請求項1至5中任一項之樹脂組成物之硬化物；及<br/> 配線，其與前述絕緣層重疊。
一種眼疲勞監測方法，應用於電腦設備，其改良在於，所述眼疲勞監測方法包括：<br/> 採集目標使用者之眼部紅外熱成像圖；<br/> 解析所述眼部紅外熱成像圖，得到眼部溫度值；<br/> 監測所述眼部溫度值是否超過預設眼部溫度閾值，所述預設眼部溫度閾值根據眼部溫度浮動值調整初始眼部溫度閾值得到，所述眼部溫度浮動值根據所述目標使用者之環境資訊確定，所述環境資訊包括環境溫度、環境濕度；<br/> 當所述眼部溫度值超過所述預設眼部溫度閾值時，輸出眼疲勞提示，獲取所述眼部溫度值與所述預設眼部溫度閾值之溫度差值；根據所述溫度差值遍歷預先設置之溫度差與眼部疲勞程度之對應關係，得到所述溫度差值對應之眼部疲勞程度；根據所述眼部疲勞程度調整所述電腦設備之螢幕亮度。
如請求項1所述之眼疲勞監測方法，其中，所述解析所述眼部紅外熱成像圖，得到眼部溫度值包括：<br/> 獲取所述眼部紅外熱成像圖包含之圖元點集；<br/> 確定所述圖元點集中每一圖元點對應之溫度值，得到溫度值集；<br/> 調用預設函數處理所述溫度值集中之溫度值，得到所述眼部溫度值。
如請求項2所述之眼疲勞監測方法，其中，所述調用預設函數處理所述溫度值集中之溫度值，得到所述眼部溫度值包括：<br/> 獲取所述溫度值集中之所有溫度值；<br/> 對所述所有溫度值進行求取平均值處理，得到眼部溫度值。
如請求項2所述之眼疲勞監測方法，其中，所述調用預設函數處理所述溫度值集中之溫度值，得到所述眼部溫度值還包括：<br/> 確定目標區域； <br/> 確定所述溫度值集中任一溫度值對應之區域向量，並獲取所述區域向量於所述目標區域範圍內之溫度值為目標溫度值；<br/> 對所述目標溫度值進行求取平均值處理，得到眼部溫度值。
如請求項1所述之眼疲勞監測方法，其中，所述採集目標使用者之眼部紅外熱成像圖包括：<br/> 獲取所述目標使用者對應之歷史眼疲勞資料；<br/> 將所述歷史眼疲勞數據輸入至預設數學模型，得到所述目標使用者之眼部溫度值達到所述預設眼部溫度閾值之時間間隔；<br/> 將所述時間間隔作為預設時間間隔，按照所述預設時間間隔採集眼部紅外熱成像圖。
如請求項5所述之眼疲勞監測方法，其中，所述獲取所述目標使用者對應之歷史眼疲勞資料包括：<br/> 獲取所述目標使用者對應之使用者身份；<br/> 獲取預先設置之使用者身份與歷史眼疲勞資料之映射關係；<br/> 遍歷所述映射關係，得到所述使用者身份對應之目標使用者之歷史眼疲勞資料。
如請求項1所述之眼疲勞監測方法，其中，於所述監測所述眼部溫度值是否超過預設眼部溫度閾值之前，所述方法還包括：<br/> 獲取初始眼部溫度閾值；<br/> 獲取所述目標使用者之環境資訊，並根據所述環境資訊確定眼部溫度浮動值；<br/> 根據所述眼部溫度浮動值調整所述初始眼部溫度閾值，得到所述預設眼部溫度閾值。
如請求項1所述之眼疲勞監測方法，其中，所述根據所述眼部疲勞程度調整所述電腦設備之螢幕亮度包括：<br/> 獲取預先設置之所述眼部疲勞程度與所述螢幕亮度之對應關係；<br/> 遍歷所述眼部疲勞程度與所述電腦設備之螢幕亮度之對應關係，得到所述眼部疲勞程度對應之所述電腦設備之目標螢幕亮度；<br/> 調整所述電腦設備之當前螢幕亮度至所述目標螢幕亮度。
如請求項1所述之眼疲勞監測方法，其中，於所述採集目標使用者之眼部紅外熱成像圖之前，所述方法還包括：<br/> 獲取所述目標使用者之面部紅外熱成像圖；<br/> 對所述面部紅外熱成像圖進行長條圖均衡化處理，得到第一面部紅外熱成像圖；<br/> 對所述第一面部紅外熱成像圖進行二值化處理，得到所述第一面部紅外熱成像圖對應之面部區域輪廓線；<br/> 根據所述面部區域輪廓線確定目標面部區域，並於所述目標面部區域定位人眼位置。
如請求項9所述之眼疲勞監測方法，其中，所述於所述目標面部區域定位人眼位置包括：<br/> 對所述目標面部區域進行二值化處理，得到所述目標面部區域對應之眼部資訊與口部資訊；<br/> 確定所述眼部資訊與所述口部資訊之三角關係；<br/> 根據所述三角關係，採用預設對稱軸演算法確定所述人眼位置。
一種眼疲勞監測裝置，其改良在於，用於實現如請求項1至10中任意一項所述之眼疲勞監測方法，所述眼疲勞監測裝置包括：<br/> 圖像獲取模組，用於採集目標使用者之眼部紅外熱成像圖；<br/> 圖像解析模組，用於解析所述眼部紅外熱成像圖，得到眼部溫度值；<br/> 溫度監測模組，用於監測所述眼部溫度值是否超過預設眼部溫度閾值；<br/> 提示輸出模組，用於當所述眼部溫度值超過所述預設眼部溫度閾值時，輸出眼疲勞提示。
一種電腦設備，其改良在於，所述電腦設備包括處理器，所述處理器用於執行記憶體中存儲之電腦程式時實現如請求項1至10中任意一項所述之眼疲勞監測方法。
一種電腦可讀存儲介質，所述電腦可讀存儲介質上存儲有電腦程式，其改良在於，所述電腦程式被處理器執行時實現如請求項1至10中任意一項所述之眼疲勞監測方法。
一種擴展裝置，對由被加工物、貼附於該被加工物之片材、與供該片材的外周側貼附之環狀框架所構成之被加工物單元的該片材進行擴張，前述擴展裝置具備： <br/>框架固定部，固定該被加工物單元的該環狀框架； <br/>保持工作台，保持該被加工物； <br/>擴張單元，擴張該片材； <br/>加熱單元，對該被加工物的外周側與該環狀框架的內周緣之間的該片材進行加熱；及 <br/>罩蓋，覆蓋已保持於該保持工作台之該被加工物， <br/>該罩蓋在藉由該加熱單元加熱該片材時，覆蓋該被加工物。
如請求項1之擴展裝置，其中在該框架固定部形成有已連接於空氣吸引源之吸引孔， <br/>該吸引孔對因為該片材的加熱而產生之片材廢屑進行吸引。
如請求項1之擴展裝置，其中該罩蓋具有連接於吸引源之罩蓋吸引孔。
一種組合式電連接器，該組合式電連接器係搭配一對接構件，該組合式電連接器係包括： <br/>一外殼組件，該外殼組件係提供對接該對接構件，且該外殼組件係具有一外殼端子對接口； <br/>一舌部組件，該舌部組件係具有一舌部導電塑膠基座、一舌部絕緣端子架、一舌部導電金屬主要跨接構件、一舌部導電金屬次要跨接構件、一舌部主要導電端子組與一舌部次要導電端子組；其中， <br/>該舌部主要導電端子組係具有多個舌部主要跨接導電端子與一舌部主要非跨接導電端子，該舌部次要導電端子組係具有多個舌部次要跨接導電端子與一舌部次要非跨接導電端子； <br/>該舌部導電金屬主要跨接構件係具有一舌部導電金屬主要抵接結構，該舌部導電金屬次要跨接構件係具有一舌部導電金屬次要抵接結構； <br/>該舌部導電塑膠基座係具有一舌部導電塑膠基座隔牆、一舌部導電塑膠基座主要抵接通道與一舌部導電塑膠基座次要抵接通道； <br/>該舌部絕緣端子架係具有一舌部絕緣端子架主要接合結構與一舌部絕緣端子架次要接合結構，該舌部絕緣端子架主要接合結構與該舌部絕緣端子架次要接合結構係分別接合該舌部主要導電端子組與該舌部次要導電端子組的一側，俾對該舌部主要導電端子組與該舌部次要導電端子組提供定位； 其中， <br/>該舌部導電塑膠基座、該舌部絕緣端子架、該舌部導電金屬主要跨接構件、該舌部導電金屬次要跨接構件、該舌部主要導電端子組與該舌部次要導電端子組係組合而構成一舌部組件組合體，於該舌部組件組合體中，該舌部導電塑膠基座隔牆係隔開該舌部主要導電端子組與該舌部次要導電端子組，該舌部導電金屬主要跨接構件係延伸而跨過該舌部主要非跨接導電端子，該舌部導電金屬主要抵接結構係經由該舌部導電塑膠基座主要抵接通道而抵接各該舌部主要跨接導電端子，而讓各該舌部主要跨接導電端子電性連接，該舌部導電金屬次要跨接構件係延伸而跨過該舌部次要非跨接導電端子，該舌部導電金屬次要抵接結構係經由該舌部導電塑膠基座次要抵接通道而抵接各該舌部次要跨接導電端子，而讓各該舌部次要跨接導電端子電性連接；以及 <br/>該舌部組件係嵌設於該外殼組件而構成一電連接器組合體，於該電連接器組合體中，該舌部主要導電端子組與該舌部次要導電端子組的搭接部位係於該外殼端子對接口上露出，而可於該外殼組件對接該對接構件時，令該舌部主要導電端子組與該舌部次要導電端子組的搭接部位電性搭接該對接構件。
如請求項1所述組合式電連接器，其中， 該外殼組件還具有一外殼舌狀結構、一外殼底部嵌設口與一外殼內部空間，該外殼底部嵌設口係設置於該外殼舌狀結構的底部，該外殼內部空間係設置於該外殼舌狀結構的內部，該外殼端子對接口係設置於該外殼舌狀結構的側壁，其中，該舌部組件係可由該外殼底部嵌設口進入該外殼內部空間，而使該舌部主要導電端子組與該舌部次要導電端子組的搭接部位於該外殼端子對接口上露出。
如請求項1所述組合式電連接器，其中， 該外殼組件還具有一外殼組件主要隔開結構與一外殼組件次要隔開結構，於該電連接器組合體中，該外殼組件主要隔開結構係隔開該多個舌部主要跨接導電端子與該舌部主要非跨接導電端子的相鄰兩者，該外殼組件次要隔開結構係隔開該多個舌部次要跨接導電端子與該舌部次要非跨接導電端子的相鄰兩者。
如請求項3所述組合式電連接器，其中，該外殼組件主要隔開結構與該外殼組件次要隔開結構係為柵欄結構。
如請求項1所述組合式電連接器，其中，該舌部導電塑膠基座還具有一舌部導電塑膠基座支撐結構，該舌部導電塑膠基座支撐結構係分別對該舌部導電金屬主要跨接構件與該舌部導電金屬次要跨接構件提供支撐，使該舌部導電金屬主要跨接構件與該舌部導電金屬次要跨接構件分別於該舌部導電塑膠基座上延伸。
如請求項1所述組合式電連接器，其中，該舌部導電金屬主要跨接構件還具有一舌部導電金屬主要隔開結構，該舌部導電金屬次要跨接構件還具有一舌部導電金屬次要隔開結構，該舌部導電金屬主要隔開結構係沿著該舌部導電塑膠基座隔牆延伸而跨過該舌部主要非跨接導電端子，俾隔開該舌部主要非跨接導電端子與該舌部次要導電端子組，該舌部導電金屬次要隔開結構係沿著該舌部導電塑膠基座隔牆延伸而跨過該舌部次要非跨接導電端子，俾隔開該舌部主要導電端子組與該舌部次要非跨接導電端子。
如請求項6所述組合式電連接器，其中，該舌部導電塑膠基座 <br/>還具有一舌部導電塑膠基座主要延伸通道與一舌部導電塑膠基座次要延伸通道，該舌部導電金屬主要隔開結構係於該舌部導電塑膠基座主要延伸通道中延伸，該舌部導電金屬次要隔開結構係於該舌部導電塑膠基座次要延伸通道中延伸。
如請求項1所述組合式電連接器，其中，該舌部絕緣端子架還具有一舌部絕緣端子架接合結構，於該電連接器組合體中，該舌部絕緣端子架接合結構係以卡接方式、扣接方式或干涉方式接合該外殼組件。
如請求項1所述組合式電連接器，其中，該舌部導電金屬主要抵接結構係具有一舌部導電金屬主要第一抵接子結構與一舌部導電金屬主要第二抵接子結構，該舌部導電金屬主要第一抵接子結構係於一舌部導電金屬主要第一抵接位置抵接各該舌部主要跨接導電端子，該舌部導電金屬主要第二抵接子結構係於一舌部導電金屬主要第二抵接位置抵接各該舌部主要跨接導電端子，該舌部導電金屬主要第一抵接位置與該舌部導電金屬主要第二抵接位置係不同；該舌部導電金屬次要抵接結構係具有一舌部導電金屬次要第一抵接子結構與一舌部導電金屬次要第二抵接子結構，該舌部導電金屬次要第一抵接子結構係於一舌部導電金屬次要第一抵接位置抵接各該舌部次要跨接導電端子，該舌部導電金屬次要第二抵接子結構係於一舌部導電金屬次要第二抵接位置抵接各該舌部次要跨接導電端子，該舌部導電金屬次要第一抵接位置與該舌部導電金屬次要第二抵接位置係不同。
如請求項1所述組合式電連接器，其中，該舌部絕緣端子架係具有一舌部絕緣端子架主要構件與一舌部絕緣端子架次要構件，該舌部絕緣端子架主要接合結構係設置於該舌部絕緣端子架主要構件，該舌部絕緣端子架次要接合結構係設置於該舌部絕緣端子架次要構件，該舌部絕緣端子架主要構件係具有一舌部絕緣端子架主要組合結構，該舌部絕緣端子架次要構件係具有一舌部絕緣端子架次要組合結構，該舌部絕緣端子架主要組合結構與該舌部絕緣端子架次要組合結構係結構配合，而使該舌部絕緣端子架主要構件與該舌部絕緣端子架次要構件可組合而構成一舌部絕緣端子架組合體。
如請求項10所述組合式電連接器，其中，該舌部導電塑膠基座還具有一舌部導電塑膠基座組合結構，該舌部導電塑膠基座組合結構係分別跟該舌部絕緣端子架主要組合結構與該舌部絕緣端子架次要組合結構結構配合，而使該舌部絕緣端子架主要構件與該舌部絕緣端子架次要構件可組合而構成該舌部絕緣端子架組合體。
如請求項11所述組合式電連接器，其中，該舌部導電塑膠基座組合結構、該舌部絕緣端子架主要組合結構與該舌部絕緣端子架次要組合結構係為結構配合的凹凸結構。
一種基板處理方法，係處理基板，其包含以下步驟： <br/>決定最佳蝕刻條件；以及， <br/>基於該最佳蝕刻條件，一邊在使該基板之蝕刻對象旋轉的同時，使蝕刻液供給部通過該蝕刻對象之旋轉中心之上方而在徑方向上來回移動，一邊從該蝕刻液供給部向該蝕刻對象之表面供給蝕刻液而蝕刻該表面； <br/>決定該最佳蝕刻條件之步驟，包含以下步驟： <br/>取得包含以複數之不同之蝕刻條件蝕刻該蝕刻對象之表面後之該蝕刻對象之徑方向之蝕刻量分布之學習資料；以及， <br/>以使利用該學習資料而透過以下式(1)～(6)預測出之蝕刻量分布近似於目標蝕刻量分布之方式，利用共變異數矩陣演化策略決定該最佳蝕刻條件； <br/>ER <sub>scan</sub>(R)＝Σ｛LP <sub>k</sub>×ER <sub>ref</sub>(R)×Ratio <sub>scan</sub>(R)｝・・・(1) <br/>Ratio <sub>scan</sub>(R)＝b <sub>0</sub>×exp(b <sub>1</sub>×T＋b <sub>2</sub>)＋C・・・(2) <br/>b <sub>0</sub>＝f(S <sub>k</sub>，V <sub>k</sub>)・・・(3) <br/>b <sub>1</sub>＝f(S <sub>k</sub>，V <sub>k</sub>)・・・(4) <br/>b <sub>2</sub>＝f(S <sub>k</sub>，V <sub>k</sub>)・・・(5) <br/>T＝(L <sub>k</sub>－R)／V <sub>k</sub>・・・(6) <br/>其中， <br/>Σ：k＝1～N的總和 <br/>N：疊加次數(2以上之整數) <br/>ER <sub>scan</sub>：使該蝕刻液供給部來回移動時之蝕刻量 <br/>ER <sub>ref</sub>：不使該蝕刻液供給部來回移動時之蝕刻量 <br/>Ratio <sub>scan</sub>：掃描比 <br/>LP <sub>k</sub>：將該蝕刻液供給部在該蝕刻對象之兩端部之間的來回移動設為1循環時之循環次數(k＝1～N) <br/>R：自該蝕刻對象之中心之位置 <br/>T：未供給該蝕刻液之未噴吐時間 <br/>C：常數 <br/>S <sub>k</sub>：使該蝕刻對象旋轉時之旋轉速度(k＝1～N) <br/>V <sub>k</sub>：使該蝕刻液供給部來回移動時之掃描速度(k＝1～N) <br/>L <sub>k</sub>：使該蝕刻液供給部來回移動時之掃描寬度(k＝1～N)。
如請求項1所述之基板處理方法，其中， <br/>該最佳蝕刻條件，包含該循環次數、該旋轉速度、該掃描速度及該掃描寬度。
如請求項1或2所述之基板處理方法，其中， <br/>上述式(3)～(5)中之函數係解析該學習資料而基於該學習資料決定。
如請求項1或2所述之基板處理方法，更包含以下步驟： <br/>在蝕刻該蝕刻對象之表面之前，測定該蝕刻對象之厚度，並取得該蝕刻對象之徑方向之厚度分布；以及， <br/>基於取得之該蝕刻對象之厚度分布，預測該蝕刻量分布。
如請求項1或2所述之基板處理方法，更包含以下步驟： <br/>在蝕刻該蝕刻對象之表面之前，測定該蝕刻對象之厚度，並取得該蝕刻對象之厚度分布； <br/>該目標蝕刻量分布，係基於取得之該蝕刻對象之厚度分布與該蝕刻對象之目標厚度分布而取得。
如請求項4所述之基板處理方法，更包含以下步驟： <br/>在測定該蝕刻對象之厚度之前，將該基板薄化。
一種基板處理系統，係處理基板，其包含： <br/>蝕刻裝置，一邊在使該基板之蝕刻對象旋轉的同時，使蝕刻液供給部通過該蝕刻對象之旋轉中心之上方而在徑方向上來回移動，一邊從該蝕刻液供給部向該蝕刻對象之表面供給蝕刻液而蝕刻該表面；以及， <br/>控制裝置，基於最佳蝕刻條件，控制該蝕刻裝置中之該蝕刻對象之表面之蝕刻； <br/>該控制裝置執行以下步驟： <br/>取得包含以複數之不同之蝕刻條件蝕刻該蝕刻對象之表面後之該蝕刻對象之徑方向之蝕刻量分布之學習資料；以及， <br/>以使利用該學習資料而透過以下式(1)～(6)預測出之蝕刻量分布近似於目標蝕刻量分布之方式，利用共變異數矩陣演化策略決定該最佳蝕刻條件； <br/>ER <sub>scan</sub>(R)＝Σ｛LP <sub>k</sub>×ER <sub>ref</sub>(R)×Ratio <sub>scan</sub>(R)｝・・・(1) <br/>Ratio <sub>scan</sub>(R)＝b <sub>0</sub>×exp(b <sub>1</sub>×T＋b <sub>2</sub>)＋C・・・(2) <br/>b <sub>0</sub>＝f(S <sub>k</sub>，V <sub>k</sub>)・・・(3) <br/>b <sub>1</sub>＝f(S <sub>k</sub>，V <sub>k</sub>)・・・(4) <br/>b <sub>2</sub>＝f(S <sub>k</sub>，V <sub>k</sub>)・・・(5) <br/>T＝(L <sub>k</sub>－R)／V <sub>k</sub>・・・(6) <br/>其中， <br/>Σ：k＝1～N的總和 <br/>N：疊加次數(2以上之整數) <br/>ER <sub>scan</sub>：使該蝕刻液供給部來回移動時之蝕刻量 <br/>ER <sub>ref</sub>：不使該蝕刻液供給部來回移動時之蝕刻量 <br/>Ratio <sub>scan</sub>：掃描比 <br/>LP <sub>k</sub>：將該蝕刻液供給部在該蝕刻對象之兩端部之間的來回移動設為1循環時之循環次數(k＝1～N) <br/>R：自該蝕刻對象之中心之位置 <br/>T：未供給該蝕刻液之未噴吐時間 <br/>C：常數 <br/>S <sub>k</sub>：使該蝕刻對象旋轉時之旋轉速度(k＝1～N) <br/>V <sub>k</sub>：使該蝕刻液供給部來回移動時之掃描速度(k＝1～N) <br/>L <sub>k</sub>：使該蝕刻液供給部來回移動時之掃描寬度(k＝1～N)。
如請求項7所述之基板處理系統，其中， <br/>該最佳蝕刻條件包含該循環次數、該旋轉速度、該掃描速度及該掃描寬度。
如請求項7或8所述之基板處理系統，其中， <br/>該控制裝置解析該學習資料而決定上述式(3)～(5)中之函數。
如請求項7或8所述之基板處理系統，更包含： <br/>厚度測定裝置，測定蝕刻前之該蝕刻對象之厚度； <br/>該控制裝置，基於從該厚度測定裝置所測定出之該蝕刻對象之厚度取得之該蝕刻對象之厚度分布，預測該蝕刻量分布。
如請求項7或8所述之基板處理系統，更包含： <br/>厚度測定裝置，測定蝕刻前之該蝕刻對象之厚度； <br/>該控制裝置，基於從該厚度測定裝置所測定出之該蝕刻對象之厚度取得之該蝕刻對象之厚度分布以及該蝕刻對象之目標厚度分布，取得該目標蝕刻量分布。
如請求項11所述之基板處理系統，更包含： <br/>薄化裝置，將該基板薄化； <br/>該厚度測定裝置，測定薄化後之該基板之該蝕刻對象之厚度。
一種晶圓檢查裝置，其係檢查藉由貼附於環狀框架之黏著薄膜支持之晶圓者，且包含： <br/>保持部，其抵接於前述黏著薄膜且將前述晶圓以特定之姿勢保持； <br/>照明部，其向前述晶圓照射照明光； <br/>攝像部，其拍攝前述晶圓之外觀及/或內部；及 <br/>檢查部，其基於由前述攝像部拍攝到之拍攝前述晶圓之外觀及/或內部而得之檢查圖像進行檢查；且 <br/>前述保持部之抵接於前述黏著薄膜之部位係多孔質構件， <br/>前述多孔質構件以在設定於較前述晶圓之外緣部靠外側之區域包圍該晶圓之方式配置；且 <br/>前述保持部之前述多孔質構件之外緣配置於較前述環狀框架之開口部之內緣靠內側； <br/>前述保持部之與前述黏著薄膜抵接之部位較與前述環狀框架抵接之部位突出地配置。
一種晶圓檢查裝置，其係檢查藉由貼附於環狀框架之黏著薄膜支持之晶圓者，且包含： <br/>保持部，其抵接於前述黏著薄膜且將前述晶圓以特定之姿勢保持； <br/>照明部，其向前述晶圓照射照明光； <br/>攝像部，其拍攝前述晶圓之外觀及/或內部；及 <br/>檢查部，其基於由前述攝像部拍攝到之拍攝前述晶圓之外觀及/或內部而得之檢查圖像進行檢查；且 <br/>前述保持部之抵接於前述黏著薄膜之部位係多孔質構件， <br/>前述多孔質構件以在設定於較前述晶圓之外緣部靠外側之區域包圍該晶圓之方式配置；且 <br/>前述照明部與前述攝像部以使透過前述晶圓之前述照明光入射至前述攝像部之方式對向配置，且 <br/>前述保持部具備： <br/>輔助支持部，其支持前述晶圓之較外緣部靠內側處；且 <br/>前述輔助支持部係由可透過前述照明光之構件構成。
一種晶圓檢查裝置，其係檢查藉由貼附於環狀框架之黏著薄膜支持之晶圓者，且包含： <br/>保持部，其抵接於前述黏著薄膜且將前述晶圓以特定之姿勢保持； <br/>照明部，其向前述晶圓照射照明光； <br/>攝像部，其拍攝前述晶圓之外觀及/或內部；及 <br/>檢查部，其基於由前述攝像部拍攝到之拍攝前述晶圓之外觀及/或內部而得之檢查圖像進行檢查；且 <br/>前述保持部之抵接於前述黏著薄膜之部位係多孔質構件， <br/>前述多孔質構件以在設定於較前述晶圓之外緣部靠外側之區域包圍該晶圓之方式配置；且 <br/>前述保持部之前述多孔質構件之外緣配置於較前述環狀框架之開口部之內緣靠內側； <br/>前述照明部與前述攝像部以使透過前述晶圓之前述照明光入射至前述攝像部之方式對向配置，且 <br/>前述保持部具備： <br/>輔助支持部，其支持前述晶圓之較外緣部靠內側處；且 <br/>前述輔助支持部係由可透過前述照明光之構件構成。
一種晶圓檢查裝置，其係檢查藉由貼附於環狀框架之黏著薄膜支持之晶圓者，且包含： <br/>保持部，其抵接於前述黏著薄膜且將前述晶圓以特定之姿勢保持； <br/>照明部，其向前述晶圓照射照明光； <br/>攝像部，其拍攝前述晶圓之外觀及/或內部；及 <br/>檢查部，其基於由前述攝像部拍攝到之拍攝前述晶圓之外觀及/或內部而得之檢查圖像進行檢查；且 <br/>前述保持部之抵接於前述黏著薄膜之部位係多孔質構件， <br/>前述多孔質構件以在設定於較前述晶圓之外緣部靠外側之區域包圍該晶圓之方式配置；且 <br/>前述保持部之前述多孔質構件之外緣配置於較前述環狀框架之開口部之內緣靠內側； <br/>前述保持部之與前述黏著薄膜抵接之部位較與前述環狀框架抵接之部位突出地配置； <br/>前述照明部與前述攝像部以使透過前述晶圓之前述照明光入射至前述攝像部之方式對向配置，且 <br/>前述保持部具備： <br/>輔助支持部，其支持前述晶圓之較外緣部靠內側處；且 <br/>前述輔助支持部係由可透過前述照明光之構件構成。
如請求項2至4中任一項之晶圓檢查裝置，其中前述保持部具備： <br/>高度調節部，其將前述輔助支持部之抵接面之高度與前述多孔質構件之抵接面之高度相對地變更。
一種細晶化材料的製作方法，其包含： 將一棒材徑向鍛造為一鍛造圓棒，其中該鍛造圓棒的晶粒尺寸由表面朝心部遞增，其中徑向鍛造的鍛造溫度介於20~150℃之間；<br/> 透過一鍛板模具將該鍛造圓棒鍛造為一鍛造板材，其中該鍛板模具的鍛造溫度介於20~150℃之間；<br/> 對該鍛造板材進行等通道轉角擠型(Equal Channel Angular Extrusion, ECAE)而成為一高應變板材，其中等通道轉角擠型的擠壓角度介於30-90度之間，且等通道轉角擠型的擠壓次數不小於4次；以及<br/> 將該高應變板材熱處理為一細晶化板材，其中該細晶化板材之晶粒尺寸小於20 um。
如請求項1之細晶化材料的製作方法，其中徑向鍛造是藉由一四方徑向鍛造機將該棒材四方塑形為該鍛造圓棒。
如請求項1之細晶化材料的製作方法，其中該高應變板材熱處理的熱處理溫度介於攝氏180-280度之間，熱處理時間介於5-60分鐘之間。
如請求項1之細晶化材料的製作方法，其另包含將該細晶化板材接合於一背板上而成為一細晶化靶材。
如請求項1之細晶化材料的製作方法，其中該細晶化材料為純鋁且純度在5N(99.999%)以上。
如請求項1之細晶化材料的製作方法，其中該細晶化板材之晶粒之間的晶粒度差異小於1個晶粒度號數。
一種電漿蝕刻一含添加物之氮化鋁膜之方法，其包含在一時段t內藉由一遮罩電漿蝕刻含有選自Sc、Y或Er之一添加物元素的一含添加物之氮化鋁膜，其中形成於一氣態氛圍中之一電漿具有一相關聯之氣體壓力，同時將一RF偏壓功率施加至該含添加物之氮化鋁膜；其中在大部分之該時段t內減小該氣體壓力及/或增加該RF偏壓功率，使得該電漿蝕刻在大部分之該時段t內變得更不具化學性且更具物理性。
如請求項1之方法，其中在大部分之該時段t內以一恆定的改變速率減小該氣體壓力及/或增加該RF偏壓功率。
如請求項1之方法，其中以在大部分之該時段t內減小的一改變速率減小該氣體壓力及/或增加該RF偏壓功率。
如請求項1之方法，其中以在大部分之該時段t內增加的一改變速率減小該氣體壓力及/或增加該RF偏壓功率。
如請求項1至4中任一項之方法，其中該遮罩為一硬遮罩，視情況為一氧化矽硬遮罩。
如請求項1至4中任一項之方法，其中該遮罩為一光阻遮罩。
如請求項1至4中任一項之方法，其中在至少75%之該時段t，視情況為至少90%之該時段t內減小該氣體壓力及/或增加該RF偏壓功率。
如請求項1至4中任一項之方法，其中在該電漿蝕刻期間，該氣體壓力在0.5 mTorr至25 mTorr，視情況為1 mTorr至15 mTorr之範圍內。
如請求項1至4中任一項之方法，其中在大部分之該時段t內，該氣體壓力減小了至少一半，視情況減小了至少四分之一。
如請求項1至4中任一項之方法，其中在該電漿蝕刻期間，該RF偏壓功率在0 W至1500 W，視情況為500 W至1000 W之範圍內。
如請求項1至4中任一項之方法，其中在大部分之該時段t內，該RF偏壓功率增加了250 W至500 W之範圍內之一量。
如請求項1至4中任一項之方法，其中在該電漿蝕刻之一最後部分期間，增加該氣體壓力及/或減小該RF偏壓功率。
如請求項1至4中任一項之方法，其中在該電漿蝕刻期間調整該氣態氛圍之成分，視情況使得該電漿蝕刻變得更不具化學性且更具物理性。
如請求項13之方法，其中該氣態成分包含一含氯蝕刻前驅體及一稀有氣體。
如請求項14之方法，其中該氣態氛圍中該含氯蝕刻前驅體以sccm為單位之流動速率對該含氯蝕刻前驅體及該稀有氣體以sccm為單位之組合流動速率的比率在介於40%至100%之範圍內之值之間進行調整。
如請求項14之方法，其中該含氯蝕刻前驅體為Cl <sub>2</sub>。
如請求項14之方法，其中該稀有氣體為Ar。
如請求項1至4中任一項之方法，其中該含添加物之氮化鋁膜為一薄膜。
一種用於藉由一遮罩電漿蝕刻含有選自Sc、Y或Er之一添加物元素的一含添加物之氮化鋁膜的設備，該設備包含： <br/>一腔室； <br/>一基板支撐件，其安置於該腔室內； <br/>一氣體輸送系統，其用於在該腔室中提供一氣態氛圍； <br/>一電漿產生裝置，其用於在該腔室內維持一電漿以用於藉由一遮罩蝕刻含有選自Sc、Y或Er之一添加物元素的一含添加物之氮化鋁膜； <br/>一RF電源供應器，其用於將一RF偏壓功率供應給該基板支撐件；及 <br/>一控制器，其經組態以控制該設備以在一時段t內藉由該遮罩執行該含添加物之氮化鋁膜之電漿蝕刻，其中該控制器控制該氣體輸送系統及該RF電源供應器以在大部分之該時段t內減小該氣體壓力及/或增加該RF偏壓功率，使得該電漿蝕刻在大部分之該時段t內變得更不具化學性且更具物理性。
如請求項19之設備，其中該電漿產生裝置為一電感耦合電漿(ICP)或變壓器耦合電漿(TCP)裝置。
一種積層體，其特徵在於：其係具有於兩層熱塑性樹脂層之間設有黏接劑層之層結構的積層體，<br/> 前述黏接劑層由調配有聚輪烷之黏接劑形成，<br/> 前述積層體中，含有相對於該積層體總量而為80質量%以上之烯烴類樹脂，<br/> 前述兩層熱塑性樹脂層中之一熱塑性樹脂層為包含前述烯烴類樹脂之未延伸之密封劑薄膜，另一熱塑性樹脂層由未延伸或延伸薄膜形成。
如請求項1之積層體，其中前述烯烴類樹脂為乙烯類樹脂或丙烯類樹脂。
如請求項1之積層體，其中前述烯烴類樹脂為含有乙烯類樹脂與丙烯類樹脂之樹脂組成物。
如請求項1之積層體，其中前述黏接劑層中以小於17質量%之量調配有聚輪烷。
如請求項1之積層體，其中前述黏接劑層中，於胺基甲酸酯類黏接劑中調配有聚輪烷。
如請求項1之積層體，其中前述聚輪烷中，環狀分子側鏈末端之官能基為羥基。
如請求項1之積層體，其中前述另一熱塑性樹脂層由延伸薄膜形成，於該延伸薄膜設有無機類覆膜或有機類覆膜。
如請求項1之積層體，其中於前述一熱塑性樹脂層與另一熱塑性樹脂層之間設有中間熱塑性樹脂層。
如請求項8之積層體，其中前述另一熱塑性樹脂層為延伸薄膜，前述中間熱塑性樹脂層為未延伸或延伸薄膜，前述另一熱塑性樹脂層或前述中間熱塑性樹脂層之至少一者包含前述烯烴類樹脂。
如請求項9之積層體，其中於形成前述另一熱塑性樹脂層之延伸薄膜或形成前述中間熱塑性樹脂層之延伸薄膜之至少一者設有無機類覆膜或有機類覆膜。
一種袋子，其由具有於兩層熱塑性樹脂層之間設有黏接劑層之層結構，前述黏接劑層由調配有聚輪烷之黏接劑形成，且烯烴類樹脂以相對於積層體總量為80質量%以上來含有之積層體獲得。
一種感測裝置，包括：<br/> 一第一像素電路；<br/> 一讀取電路，電性連接至上述第一像素電路；<br/> 一第一開關，電性連接於上述第一像素電路以及上述讀取電路；<br/> 一第二開關，電性連接於上述第一開關以及上述讀取電路之間；以及<br/> 一第一電容，包括第一電極，其中上述第一電極電性連接至上述第一開關以及上述第二開關；<br/> 上述第一像素電路包括：<br/> 一第一電晶體，包括電性連接至一第一節點之第一端以及電性連接至一第一資料線之第二端； <br/> 其中在一第一時段期間，上述第一電晶體以及上述第一開關係為導通，上述第一電容被充電；<br/> 其中在上述第一時段後之一第二時段期間，上述第一電晶體以及上述第一開關係為不導通，上述第二開關係為導通，傳遞上述第一電容之至少部分之電荷而產生一輸出信號。
如請求項1所述之感測裝置，其中上述第一像素電路更包括：<br/> 一第二電晶體，包括一第一端、一第二端以及一控制端，其中上述第一端接收一第一電壓，上述第二端電性連接至上述第一節點，上述控制端電性連接至一第二節點；<br/> 一第三電晶體，包括接收一第二電壓之第一端以及電性連接至上述第二節點之第二端；以及<br/> 一光電二極體，包括一陽極以及一陰極，其中上述陽極電性連接至一第三電壓，上述陰極端電性連接至上述第二節點。
如請求項1所述之感測裝置，其中上述讀取電路包括：<br/> 一放大器，包括一輸入節點以及一輸出節點，其中上述輸入節點電性連接至上述第二開關，上述輸出節點產生一輸出信號；<br/> 一回授電容，電性連接於上述輸入節點以及上述輸出節點之間；以及<br/> 一回授開關，電性連接於上述輸入節點以及上述輸出節點之間。
如請求項3所述之感測裝置，其中在上述第二時段之後之一第三時段期間，上述第一開關以及上述第二開關係為導通，上述輸出節點之電壓被重置至一參考電壓。
如請求項3所述之感測裝置，其中上述感測裝置更包括：<br/> 一第二像素電路，電性連接至上述讀取電路；<br/> 一第三開關，電性連接於上述第二像素電路以及上述讀取電路之之間；<br/> 一第四開關，電性連接於上述第三開關以及上述讀取電路之間；以及<br/> 一第二電容，包括一第一電極，其中上述第一電極電性連接至上述第三開關以及上述第四開關。
如請求項5所述之感測裝置，其中上述第二像素電路包括：<br/> 一第一電晶體，包括電性連接至一第一節點之一第一端以及電性連接至第二資料線之第二端；<br/> 一第二電晶體，包括一第一端、一第二端以及一控制端，其中上述第一端接收一第一電壓，上述第二端電性連接至上述第一節點，上述控制端電性連接至一第二節點；<br/> 一第三電晶體，包括接收一第二電壓之第一端以及電性連接至上述第二節點之第二端；以及<br/> 一光電二極體，包括一陽極以及一陰極，其中上述陽極電性連接至一第三電壓，上述陰極電性連接至上述第二節點。
如請求項6所述之感測裝置，其中在一第一時段期間，上述第一開關以及上述第三開關係為導通，上述第一電容以及上述第二電容被充電。
如請求項7所述之感測裝置，其中在上述第一時段之後的一第二時段期間，只有上述第二開關以及上述第四開關之一者係為導通。
如請求項8所述之感測裝置，其中在上述第一時段之後的上述第二時段期間，傳遞上述第一電容以及上述第二電容之一者的至少部分的電荷而產生一輸出信號。
如請求項9所述之感測裝置，其中在上述第二時段之後的一第三時段期間，上述第一開關、上述第二開關、上述第三開關以及上述第四開關係為導通，上述輸出節點之電壓被重置至一參考電壓。
一種感測裝置，包括：<br/> 一第一像素電路；<br/> 一讀取電路，電性連接至上述第一像素電路；<br/> 一第一開關，電性連接於上述第一像素電路以及上述讀取電路；<br/> 一第二開關，電性連接於上述第一開關以及上述讀取電路之間； <br/> 一第一電容，包括第一電極，其中上述第一電極電性連接至上述第一開關以及上述第二開關；以及<br/> 一第一電流源，電性連接至位於上述第一像素電路以及上述第一開關之間的一第一資料線且產生一固定電流；<br/> 上述第一電流源更包括：<br/> 一第一電流開關，電性連接至上述第一資料線；以及<br/> 一電阻，電性連接於上述第一電流開關以及一參考電壓之間。
如請求項11所述之感測裝置，其中上述第一電流開關係由一讀取信號所控制。
如請求項11所述之感測裝置，其中上述第一電流開關以及上述第一開關係同時導通以及不導通。
如請求項12所述之感測裝置，其中上述感測裝置更包括：<br/> 一第二像素電路，電性連接至上述讀取電路；<br/> 一第三開關，電性連接於上述第二像素電路以及上述讀取電路之之間；<br/> 一第四開關，電性連接於上述第三開關以及上述讀取電路之間；以及<br/> 一第二電容，包括一第一電極，其中上述第一電極電性連接至上述第三開關以及上述第四開關；以及<br/> 一第二電流源，電性連接至位於上述第二像素電路以及上述第三開關之間的一第二資料線且產生一第二固定電流。
如請求項14所述之感測裝置，其中上述第二電流源更包括：<br/> 一電流開關，電性連接至上述第二資料線；以及<br/> 一電阻，電性連接於上述電流開關以及一參考電壓之間。
如請求項15所述之感測裝置，其中上述第二電流源之上述電流開關係由一讀取信號所控制。
如請求項15所述之感測裝置，其中上述第二電流源之上述電流開關以及上述第三開關係同時導通以及不導通。
一種資訊處理方法，係對用以基於基板之拍攝圖像檢查基板的資訊進行處理，該資訊處理方法，其特徵係，包含有： <br/>「取得基板之拍攝圖像」的工程； <br/>「針對取得的基板之拍攝圖像，作成以距基板之中心的距離與亮度值作為軸之二維直方圖」的工程； <br/>「基於預先設定的區域定義，從前述二維直方圖擷取前述拍攝圖像中之與異質不均對應的特定不均分布」的工程；及 <br/>「取得所擷取到的前述特定不均分布之特徵量，基於該特徵量判定該特定不均分布之類別」的工程。
如請求項1之資訊處理方法，其中， <br/>前述判定之工程，係參閱「針對每個特定不均分布，預先記憶有該特定不均分布對應於因缺陷而引起的不均或正常之不均的哪一者」的資料庫，判定前述擷取之工程中所擷取到的前述特定不均分布對應於因缺陷而引起的不均或正常之不均的哪一者。
如請求項2之資訊處理方法，其中，更包含有： <br/>「將前述判定之工程中的判定結果登錄於前述資料庫」的工程。
如請求項3之資訊處理方法，其中， <br/>前述判定之工程，係參閱「登錄有前次以前的前述判定之工程中的判定結果」的前述資料庫。
如請求項1～4中任一項之資訊處理方法，其中， <br/>前述擷取之工程，係對「將前述二維直方圖投影至以距基板之中心的距離與亮度值作為軸之二維平面」的亮度值分布，進行關於以前述亮度值之最頻值為基準的亮度值軸方向的反轉處理，並擷取反轉處理前之前述亮度值分布與反轉處理後之亮度值分布中不重疊的部分作為前述特定不均分布。
如請求項1～4中任一項之資訊處理方法，其中， <br/>前述判定之工程，係取得關於該特定不均分布之形狀的特徵量作為前述特定不均分布的前述特徵量。
如請求項1～4中任一項之資訊處理方法，其中， <br/>前述判定之工程，係利用學習完成模型，擷取前述特定不均分布的前述特徵量。
一種可讀取之電腦記憶媒體，係儲存有程式，該程式，係在控制資訊處理方法之控制部的電腦上動作，以使資訊處理裝置執行如請求項1～7中任一項之資訊處理方法。
一種資訊處理裝置，係對用以基於基板之拍攝圖像檢查基板的資訊進行處理，該資訊處理裝置，其特徵係，包含有： <br/>取得部，取得基板之拍攝圖像； <br/>作成部，針對取得的基板之拍攝圖像，作成以距基板之中心的距離與亮度值作為軸之二維直方圖； <br/>擷取部，基於預先設定的區域定義，從前述二維直方圖擷取前述拍攝圖像中之與異質不均對應的特定不均分布；及 <br/>判定部，取得所擷取到的前述特定不均分布之特徵量，基於該特徵量判定該特定不均分布之類別。
如請求項9之資訊處理裝置，其中， <br/>前述判定部，係參閱「針對每個特定不均分布，預先記憶有該特定不均分布對應於因缺陷而引起的不均或正常之不均的哪一者」的資料庫，判定前述擷取之工程中所擷取到的前述特定不均分布對應於因缺陷而引起的不均或正常之不均的哪一者。
如請求項10之資訊處理裝置，其中，更包含有： <br/>登錄部，將前述判定部之判定結果登錄於前述資料庫。
如請求項11之資訊處理裝置，其中， <br/>前述判定部，係參閱「登錄有前次以前的前述判定部之判定結果」的前述資料庫。
如請求項9～12中任一項之資訊處理裝置，其中， <br/>前述擷取部，係對「將前述二維直方圖投影至以距基板之中心的距離與亮度值作為軸之二維平面」的亮度值分布，進行關於以前述亮度值之最頻值為基準的亮度值軸方向的反轉處理，並擷取反轉處理前之前述亮度值分布與反轉處理後之亮度值分布中不重疊的部分作為前述特定不均分布。
如請求項9～12中任一項之資訊處理裝置，其中， <br/>前述判定部，係取得關於該特定不均分布之形狀的特徵量作為前述特定不均分布的前述特徵量。
如請求項9～12中任一項之資訊處理裝置，其中， <br/>前述判定部，係利用學習完成模型，擷取前述特定不均分布的前述特徵量。
一種圖形資料編輯裝置（10），其編輯顯示出線放電加工機對1個加工對象物所加工之複數個加工形狀（24）的圖形資料（20），其包含： <br/>圖形取得部（26），其取得該圖形資料； <br/>組別作成部（28），其將複數個該加工形狀，依照彼此完全相同或相似的形狀逐一分組； <br/>路徑附加部（46），其因應操作者的操作，將與複數個該加工形狀的其中該操作者任意選擇之任1個的第1加工形狀（24）連接的作為該加工形狀之第1推進路徑（52），附加於該圖形資料；以及 <br/>自動路徑附加部（48），其將連接於與該第1加工形狀屬於相同組別的第2加工形狀（24）的第2推進路徑（58），以與由該第1加工形狀及該第1推進路徑所形成之圖形完全相同或相似的方式，自動地附加於該圖形資料。
如請求項1之圖形資料編輯裝置，其中， <br/>該路徑附加部，因應操作者的操作，將用以針對該第1加工形狀進行加工的第1加工開始位置（50），以及連結該第1加工開始位置與該第1加工形狀的該第1推進路徑，附加於該圖形資料； <br/>該自動路徑附加部，將用以針對該第2加工形狀進行加工的第2加工開始位置（56），以及連結該第2加工開始位置與該第2加工形狀的該第2推進路徑，自動地附加於該圖形資料。
如請求項1或2之圖形資料編輯裝置，其中， <br/>該組別作成部，包含： <br/>分解部（32），其將複數個該加工形狀各自分解成複數個圖形要素；以及 <br/>判定部（40），其藉由比較複數個該加工形狀各自的複數個該圖形要素，以判定複數個該加工形狀是否彼此完全相同或相似。
如請求項3之圖形資料編輯裝置，其中， <br/>複數個該加工形狀各自的複數個該圖形要素，包含形成該加工形狀的複數個邊； <br/>該組別作成部，更包含： <br/>選擇部（34），其選擇複數個該加工形狀的其中任1個； <br/>尋找部（36），其從形成所選擇之該加工形狀以外的該加工形狀的複數個該邊之中，尋找與形成所選擇之該加工形狀的複數個該邊的其中任1個的第1邊相同長度的第2邊；以及 <br/>排列順序決定部（38），其根據該第1邊，決定形成所選擇之該加工形狀的複數個該邊的第1排列順序，並根據該第2邊，決定形成包含該第2邊在內的該加工形狀的複數個該邊的第2排列順序； <br/>該判定部，根據該第1排列順序及該第2排列順序，判定所選擇之該加工形狀與包含該第2邊在內的該加工形狀是否完全相同。
如請求項1或2之圖形資料編輯裝置，其中， <br/>當該第2加工形狀為複數時，該自動路徑附加部，將分別連接於複數個該第2加工形狀的複數條該第2推進路徑，附加於該圖形資料。
一種加工程式製作裝置（60），包含： <br/>如請求項1或2所記載之圖形資料編輯裝置；以及 <br/>加工程式作成部（64），其根據該圖形資料，作成用以指示該線放電加工機的線電極相對於該加工對象物的相對移動的加工程式（66）。
一種圖形資料編輯方法，其編輯顯示出線放電加工機對1個加工對象物所加工之複數個加工形狀（24）的圖形資料（20），其包含： <br/>圖形取得步驟（S1），其取得該圖形資料； <br/>組別作成步驟（S2），其將複數個該加工形狀，依照彼此完全相同或相似的形狀逐一分組； <br/>路徑附加步驟（S3），其因應操作者的操作，將與複數個該加工形狀的其中該操作者任意選擇之任1個的第1加工形狀（24）連接的作為該加工形狀之第1推進路徑（52），附加於該圖形資料；以及 <br/>自動路徑附加步驟（S4），其將連接於與該第1加工形狀屬於相同組別的第2加工形狀（24）的第2推進路徑（58），以與由該第1加工形狀及該第1推進路徑所形成之圖形完全相同或相似的方式，自動地附加於該圖形資料。
一種用於在一使用者設備（UE）處的無線通訊的方法，包括以下步驟： <br/>至少部分地基於與用於該UE的一訓練程序相關聯的一第一溫度值、與該UE相關聯的一第二溫度值和一常數值，來決定一功率偏移值，其中該訓練程序與用於該UE的複數組係數相關聯； <br/>將該功率偏移值應用於用於一訊息傳輸的一傳輸功率位準，以獲得一第一傳輸功率位準； <br/>至少部分地基於該訓練程序和該第一傳輸功率位準，來決定該複數組係數中的一組係數；及 <br/>將該一組係數應用於該UE的一數位預失真引擎以產生該訊息。
根據請求項1之方法，其中將該一組係數應用於該數位預失真引擎之步驟包括以下步驟： <br/>至少部分地基於將該一組係數應用於該數位預失真引擎，來使一信號失真； <br/>使用與該UE的複數個天線元件中的至少一個天線元件相耦合的該UE的一功率放大器，來放大該信號；及 <br/>根據該傳輸功率位準並且至少部分地基於放大該信號，來傳輸該訊息。
根據請求項2之方法，其中傳輸該訊息之步驟包括以下步驟： <br/>從與該功率放大器相耦合的該UE的該至少一個天線元件傳輸該訊息。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟： <br/>至少部分地基於該訓練程序，在該UE的一資料庫中儲存至少包括該一組係數的該複數組係數，每一組係數與包括至少該第一傳輸功率位準的複數個傳輸功率位準中的一相應傳輸功率位準相關聯，其中決定該一組係數是至少部分地基於該複數個傳輸功率位準中的該第一傳輸功率位準和該資料庫。
根據請求項4之方法，其中將該功率偏移值應用於該傳輸功率位準之步驟包括以下步驟： <br/>至少部分地基於該功率偏移值和該傳輸功率位準之一和來決定該第一傳輸功率位準，其中該功率偏移值是至少部分地基於該第一溫度值和該第二溫度值之間的一差。
根據請求項4之方法，其中該UE的該資料庫包括非揮發性記憶體。
根據請求項4之方法，亦包括以下步驟： <br/>執行該訓練程序，其中執行該訓練程序之步驟包括以下步驟： <br/>為該複數個傳輸功率位準之每一者傳輸功率位準，決定相應的一組係數，其中該相應的一組係數減少了與該UE按該相應傳輸功率位準的傳輸相關聯的非線性，並且其中該UE在該訓練程序期間的一溫度對應於該第一溫度值。
根據請求項1之方法，其中該常數值是至少部分地基於與該UE處的一功率放大器相關聯的一或多個參數，該一或多個參數包括指示以下各項的一或多個值：該功率放大器的一類型、該功率放大器的一實體特性、該功率放大器內的一或多個材料，或其任何組合。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟： <br/>決定該UE的該第一溫度值和該第二溫度值之間的一差，其中決定該功率偏移值是至少部分地基於該差。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟： <br/>量測該UE的該第二溫度值，其中該第二溫度值對應於該UE的一操作溫度。
根據請求項1之方法，其中傳輸該訊息之步驟包括以下步驟： <br/>在一頻率範圍2（FR2）或者包括大於該FR2的頻率的一頻率範圍中，傳輸該訊息。
一種用於在一使用者設備（UE）處的無線通訊的裝置，包括： <br/>一處理器； <br/>與該處理器相耦合的記憶體；及 <br/>儲存在該記憶體並可由該處理器執行以使該裝置執行以下操作的指令： <br/>至少部分地基於與用於該UE的一訓練程序相關聯的一第一溫度值、與該UE相關聯的一第二溫度值和一常數值，來決定一功率偏移值，其中該訓練程序與用於該UE的複數組係數相關聯； <br/>將該功率偏移值應用於用於一訊息傳輸的一傳輸功率位準，以獲得一第一傳輸功率位準； <br/>至少部分地基於該訓練程序和該第一傳輸功率位準，來決定該複數組係數中的一組係數；及 <br/>將該一組係數應用於該UE的一數位預失真引擎以產生該訊息。
根據請求項12之裝置，其中用於將該一組係數應用於該UE的該數位預失真引擎的該等指令，可由該處理器執行以使該裝置用於： <br/>至少部分地基於將該一組係數應用於該數位預失真引擎，來使一信號失真； <br/>使用與該UE的複數個天線元件中的至少一個天線元件相耦合的該UE的一功率放大器，來放大該信號；及 <br/>根據該傳輸功率位準並且至少部分地基於放大該信號，來傳輸該訊息。
根據請求項13之裝置，其中用於傳輸該訊息的該等指令可由該處理器執行以使該裝置用於： <br/>從與該功率放大器相耦合的該UE的該至少一個天線元件，傳輸該訊息。
根據請求項12之裝置，其中該等指令可進一步由該處理器執行以使該裝置用於： <br/>至少部分地基於該訓練程序，在該UE的一資料庫中儲存至少包括該一組係數的該複數組係數，每一組係數與包括至少該第一傳輸功率位準的複數個傳輸功率位準中的一相應傳輸功率位準相關聯，其中決定該一組係數是至少部分地基於該複數個傳輸功率位準中的該第一傳輸功率位準和該資料庫。
根據請求項15之裝置，其中用於將該功率偏移值應用於該傳輸功率位準的該等指令可由該處理器執行以使該裝置用於： <br/>至少部分地基於該功率偏移值和該傳輸功率位準之一和來決定該第一傳輸功率位準，其中該功率偏移值是至少部分地基於該第一溫度值和該第二溫度值之間的一差。
根據請求項15之裝置，其中： <br/>該UE的該資料庫包括非揮發性記憶體。
根據請求項15之裝置，其中該等指令可進一步由該處理器執行以使該裝置用於： <br/>執行該訓練程序，其中用於執行該訓練程序的該等指令可進一步由該處理器執行以使該裝置用於： <br/>為該複數個傳輸功率位準之每一者傳輸功率位準，決定相應的一組係數，其中該相應的一組係數減少了與該UE按該相應傳輸功率位準的傳輸相關聯的非線性，並且其中該UE在該訓練程序期間的一溫度對應於該第一溫度值。
根據請求項12之裝置，其中該常數值是至少部分地基於與該UE處的一功率放大器相關聯的一或多個參數，該一或多個參數包括指示以下各項的一或多個值：該功率放大器的一類型、該功率放大器的一實體特性、該功率放大器內的一或多個材料，或其任何組合。
根據請求項12之裝置，其中該等指令可進一步由該處理器執行以使該裝置用於： <br/>決定該UE的該第一溫度值和該第二溫度值之間的一差，其中決定該功率偏移值是至少部分地基於該差。
根據請求項12之裝置，其中該等指令可進一步由該處理器執行以使該裝置用於： <br/>量測該UE的該第二溫度值，其中該第二溫度值對應於該UE的一操作溫度。
根據請求項12之裝置，其中用於傳輸該訊息的該等指令可由該處理器執行以使該裝置用於： <br/>在一頻率範圍2（FR2）或者包括大於該FR2的頻率的一頻率範圍中，傳輸該訊息。
一種用於在一使用者設備（UE）處的無線通訊的裝置，包括： <br/>用於至少部分地基於與用於該UE的一訓練程序相關聯的一第一溫度值、與該UE相關聯的一第二溫度值和一常數值，來決定一功率偏移值的構件，其中該訓練程序與用於該UE的複數組係數相關聯； <br/>用於將該功率偏移值應用於用於一訊息傳輸的一傳輸功率位準，以獲得一第一傳輸功率位準的構件； <br/>用於至少部分地基於該訓練程序和該第一傳輸功率位準，來決定該複數組係數中的一組係數的構件；及 <br/>用於將該一組係數應用於該UE的一數位預失真引擎以產生該訊息的構件。
根據請求項23之裝置，其中用於將該一組係數應用於該數位預失真引擎的該構件包括： <br/>用於至少部分地基於將該一組係數應用於該數位預失真引擎，來使一信號失真的構件； <br/>用於使用與該UE的複數個天線元件中的至少一個天線元件相耦合的該UE的一功率放大器，來放大該信號的構件；及 <br/>用於根據該傳輸功率位準並且至少部分地基於放大該信號，來傳輸該訊息的構件。
根據請求項24之裝置，其中用於傳輸該訊息的該構件包括： <br/>用於從與該功率放大器相耦合的該UE的該至少一個天線元件，傳輸該訊息的構件。
根據請求項23之裝置，亦包括： <br/>用於至少部分地基於該訓練程序，在該UE的一資料庫中儲存至少包括該一組係數的該複數組係數的構件，每一組係數與包括至少該第一傳輸功率位準的複數個傳輸功率位準中的一相應傳輸功率位準相關聯，其中決定該一組係數是至少部分地基於該複數個傳輸功率位準中的該第一傳輸功率位準和該資料庫。
根據請求項23之裝置，其中該常數值至少部分地基於與該UE處的一功率放大器相關聯的一或多個參數，該一或多個參數包括指示以下各項的一或多個值：該功率放大器的一類型、該功率放大器的一實體特性、該功率放大器內的一或多個材料，或其任何組合。
一種儲存有用於一使用者設備（UE）處的無線通訊的代碼的非暫時性電腦可讀取媒體，該代碼包括可由處理器執行以用於以下操作的指令： <br/>至少部分地基於與用於該UE的一訓練程序相關聯的一第一溫度值、與該UE相關聯的一第二溫度值和一常數值，來決定一功率偏移值，其中該訓練程序與用於該UE的複數組係數相關聯； <br/>將該功率偏移值應用於用於一訊息傳輸的一傳輸功率位準，以獲得一第一傳輸功率位準； <br/>至少部分地基於該訓練程序和該第一傳輸功率位準，來決定該複數組係數中的一組係數；及 <br/>將該一組係數應用於該UE的一數位預失真引擎以產生該訊息。
根據請求項28之非暫時性電腦可讀取媒體，其中用於將該一組係數應用於該數位預失真引擎的該等指令可由該處理器執行以用於： <br/>至少部分地基於將該一組係數應用於該數位預失真引擎，來使一信號失真； <br/>使用與該UE的複數個天線元件中的至少一個天線元件相耦合的該UE的一功率放大器，來放大該信號；及 <br/>根據該傳輸功率位準並且至少部分地基於放大該信號，來傳輸該訊息。
根據請求項29之非暫時性電腦可讀取媒體，其中用於傳輸該訊息的該等指令可由該處理器執行以用於： <br/>從與該功率放大器相耦合的該UE的該至少一個天線元件，傳輸該訊息。
一種成膜方法，係在被處理對象物上形成膜的成膜方法，包括有： <br/>步驟(A)，其係將上述被處理對象物設置於處理容器內； <br/>原料氣體供應步驟(B)，其係朝上述處理容器內供應原料氣體，使原料氣體吸附於上述被處理對象物上後，利用第1沖洗氣體將處理容器內施行沖洗；以及 <br/>反應氣體供應步驟(C)，其係朝上述原料氣體供應步驟(B)後的上述處理容器內供應反應氣體，使上述被處理對象物上所吸附的原料氣體氧化後，利用第2沖洗氣體對處理容器內施行沖洗； <br/>其中，在上述原料氣體供應步驟(B)中的上述原料氣體之供應，係下述步驟(b1)~步驟(b3)中任一者： <br/>步驟(b1)，其係將第1觸媒氣體與上述原料氣體一起供應至上述處理容器內； <br/>步驟(b2)，其係對上述處理容器內供應第1觸媒氣體後，利用第3沖洗氣體施行沖洗，其後供應上述原料氣體； <br/>步驟(b3)，其係僅將上述原料氣體供應至上述處理容器內； <br/>上述反應氣體供應步驟(C)中的上述反應氣體之供應，係下述步驟(c1)~步驟(c3)中任一者： <br/>步驟(c1)，其係將第2觸媒氣體與上述反應氣體一起供應至上述處理容器內； <br/>步驟(c2)，其係在上述反應氣體供應前，朝上述處理容器內供應第2觸媒氣體後，利用第4沖洗氣體施行沖洗；或 <br/>步驟(c3)，其係僅將上述反應氣體供應至上述處理容器內； <br/>當上述原料氣體供應步驟(B)為上述步驟(b3)時，不包括上述反應氣體供應步驟(C)為上述步驟(c3)之情況； <br/>上述第1觸媒氣體與上述第2觸媒氣體係同種或異種的非芳香族性胺氣體； <br/>上述非芳香族性胺氣體係從吡咯啶氣體、哌啶氣體、1,1,3,3-四甲基胍氣體、1-甲基哌啶氣體及該等之衍生物的氣體所構成群組中選擇之至少1種； <br/>上述反應氣體係從水、過氧化氫水、甲酸及醛所構成群組中選擇之至少1種氧化劑氣體。
如請求項1之成膜方法，其中，上述原料氣體係不具鹵配位基之週期表第4族元素氣體及/或不具鹵配位基之矽氣體。
如請求項2之成膜方法，其中，上述原料氣體係一般式A<sub>m</sub>-M-B<sub>(4-m)</sub>(其中，A與B係各自獨立為從R<sup>1</sup>O基、R<sup>2</sup>R<sup>3</sup>N基、CpR<sup>4</sup>基、C<sub>q</sub>H<sub>2q</sub>N基(q=4或5)及氫原子所構成群組中選擇之任1種；又，R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>係各自獨立為C<sub>r</sub>H<sub>2r+1</sub>基(r≧0)；M係Ti、Zr、Hf或Si；Cp係環戊二烯基配位基；0≦m≦4)所示。
如請求項3之成膜方法，其中，上述原料氣體係從Si(OMe)<sub>4</sub>、Si(NMe<sub>2</sub>)(OMe)<sub>3</sub>、Si(NMe<sub>2</sub>)<sub>2</sub>(OMe)<sub>2</sub>、Si(NMe<sub>2</sub>)<sub>3</sub>(OMe)、Si(NMe<sub>2</sub>)(OEt)<sub>3</sub>、Si(NMe<sub>2</sub>)<sub>2</sub>(OEt)<sub>2</sub>、Si(NMe<sub>2</sub>)<sub>3</sub>(OEt)、Si(NEt<sub>2</sub>)(OMe)<sub>3</sub>、Si(NEt<sub>2</sub>)(OEt)<sub>3</sub>、SiH(NMe<sub>2</sub>)<sub>3</sub>、SiH<sub>2</sub>(NEt<sub>2</sub>)<sub>2</sub>、SiH<sub>2</sub>(NHt-Bu)<sub>2</sub>、Si(吡咯啶)(OMe)<sub>3</sub>、Si(吡咯啶)<sub>2</sub>(OMe)<sub>2</sub>、及Si(吡咯啶)<sub>3</sub>(OMe)所構成群組中選擇之至少1種氣體。
如請求項1至4中任一項之成膜方法，其中，上述原料氣體供應步驟中的上述原料氣體及/或第1觸媒氣體的供應，係依上述處理容器內的壓力成為13Pa以上且4萬Pa以下範圍內的方式實施； <br/>上述反應氣體供應步驟中的上述反應氣體及/或第2觸媒氣體的供應，係依上述處理容器內的壓力成為13Pa以上且4萬Pa以下範圍內的方式實施。
如請求項1至4中任一項之成膜方法，其中，上述原料氣體供應步驟及/或上述反應氣體供應步驟中的上述處理容器內之溫度係200℃以下。
一種N-烷基順丁烯二醯亞胺類聚合物的製造方法，其特徵在於： <br/>將由20~100重量%的下述通式（1）所表示的N-烷基順丁烯二醯亞胺和0~80重量%的其他可共聚單體所構成的單體混合物，在選自由沒有與氧或氮結合的氫的非離子性化合物、聚丙烯酸鹽、和聚烯烴基二醇所組成群組之至少1種以上的分散劑的存在下，使用油溶性自由基聚合起始劑在水性介質中進行懸浮聚合， <br/><br/><img align="absmiddle" height="71px" width="404px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>（此處，R表示碳數為1~12的直鏈狀烷基、碳數為3~12的分支狀烷基或碳數為3~6的環狀烷基）。
如請求項1所述之N-烷基順丁烯二醯亞胺類聚合物的製造方法，其中R為甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、己基、環己基、或辛基。
如請求項1或2所述之N-烷基順丁烯二醯亞胺類聚合物的製造方法，其中該其他可共聚單體為乙烯芳香族烴、烯烴、丙烯酸烷基酯、甲基丙烯酸烷基酯、或羧酸乙烯酯。
如請求項1或2所述之N-烷基順丁烯二醯亞胺類聚合物的製造方法，其中該分散劑為選自由聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯酸鈉、和聚乙二醇所組成群組的至少1種以上。
如請求項1或2所述之N-烷基順丁烯二醯亞胺類聚合物的製造方法，其中N-烷基順丁烯二醯亞胺類聚合物的重量平均分子量為200,000~2,000,000。
如請求項1或2所述之N-烷基順丁烯二醯亞胺類聚合物的製造方法，其中懸浮聚合是在含有鹽的該水性介質中進行。
如請求項1或2所述之N-烷基順丁烯二醯亞胺類聚合物的製造方法，更包括： <br/>將透過懸浮聚合得到的N-烷基順丁烯二醯亞胺類聚合物過濾之後； <br/>以不使N-烷基順丁烯二醯亞胺類聚合物溶解但使該分散劑溶解的溶劑洗淨N-烷基順丁烯二醯亞胺類聚合物；以及 <br/>以不使N-烷基順丁烯二醯亞胺類聚合物溶解但使未反應單體溶解的溶劑洗淨N-烷基順丁烯二醯亞胺類聚合物。
一種樹脂組合物，包括由20~100重量%的下述通式（1A）所表示的N-烷基順丁烯二醯亞胺殘基和0~80重量%的其他可共聚單體殘基所構成的100重量份的N-烷基順丁烯二醯亞胺類聚合物，以及2重量份以下的選自由沒有與氧或氮結合的氫的非離子性化合物、聚丙烯酸鹽、和聚烯烴基二醇所組成群組之至少1種以上的分散劑， <br/><br/><img align="absmiddle" height="107px" width="407px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>（此處，R表示碳數為1~12的直鏈狀烷基、碳數為3~12的分支狀烷基或碳數為3~6的環狀烷基）。
一種晶圓處理工具，包括 : <br/>一真空腔室，包含有一晶圓轉移臂；以及 <br/>一晶圓轉移槳，耦接至該晶圓轉移臂，該晶圓轉移槳包括至少一最小接觸面積(MCA)特徵部，其與該晶圓轉移槳之一上表面呈一體、並於該晶圓轉移槳之該上表面上方延伸z高度，其中該晶圓轉移槳包括在該MCA特徵部上或鄰近該MCA特徵部之一氣流旁通結構。
如請求項1所述之晶圓處理工具，其中該MCA特徵部鄰近該晶圓轉移槳之一邊緣，其中該氣流旁通結構包括從該邊緣向內凹陷之一凹口，且其中該凹口鄰近該MCA特徵部。
如請求項2所述之晶圓處理工具，其中該凹口包括兩個直邊緣之間的一彎曲邊緣。
如請求項1所述之晶圓處理工具，其中該氣流旁通結構包括延伸自該晶圓轉移槳之一側壁的一半島結構，其中該MCA特徵部位於該半島結構之一遠端。
如請求項1所述之晶圓處理工具，其中該氣流旁通結構為延伸穿過該MCA特徵部之該z高度並穿過該晶圓轉移槳之一下表面的一開口。
如請求項5所述之晶圓處理工具，其中該MCA特徵部具有一環狀形式，該環狀形式包含有圍繞該開口之一側壁。
如請求項6所述之晶圓處理工具，其中該環狀形式具有實質上圓形截面。
如請求項6所述之晶圓處理工具，其中該環狀形式具有實質上橢圓形截面。
如請求項6所述之晶圓處理工具，其中該環狀形式具有實質上長圓形截面。
如請求項6所述之晶圓處理工具，其中該環狀形式具有實質上多邊形截面。
如請求項5所述之晶圓處理工具，其中該MCA特徵部包括在該MCA特徵部之一側壁與與該開口之一緣部之間的一晶圓接觸表面，其中該晶圓接觸表面為實質上凸形。
如請求項11所述之晶圓處理工具，其中該MCA特徵部之該側壁包括圍繞該開口並延伸該MCA特徵部之該z高度的一內表面，且其中該內表面以該開口至少沿著該內表面之一部分呈錐形的方式向內會聚。
一種晶圓處理系統，包括 : <br/>至少一晶圓處理腔室，包含有一或更多晶圓卡盤組件； <br/>一氣體分佈噴淋頭，在該一或更多晶圓卡盤組件上方；以及 <br/>一旋轉分度器，鄰近該一或更多晶圓卡盤組件，該旋轉分度器包括至少一分度臂，其耦接至一晶圓轉移槳，該晶圓轉移槳包括至少一最小接觸面積(MCA)特徵部，其與該晶圓轉移槳之一上表面呈一體並在該晶圓轉移槳之一上表面上方延伸z高度。
如請求項13所述之晶圓處理系統，其中該晶圓轉移槳包括在該MCA特徵部上或鄰近該MCA特徵部之一氣流旁通結構。
一種用於操作晶圓處理系統的方法，包括 : <br/>將一或更多晶圓轉移至一晶圓處理腔室中，該晶圓處理腔室包括一旋轉分度器，其包含有耦接至一晶圓轉移槳之一或更多分度臂，該晶圓轉移槳包括至少一最小接觸面積(MCA)檯面，其與該晶圓轉移槳之一上表面呈一體並在該晶圓轉移槳之該上表面上方延伸z高度；以及 <br/>旋轉該至少一分度臂以將該一或更多晶圓裝載至該晶圓處理腔室內之一或更多處理站上；以及 <br/>將該至少一分度臂停在一中立位置。
如請求項15所述之用於操作晶圓處理系統的方法，其中將該一或更多晶圓轉移至該晶圓處理腔室中包括用一機器人轉移臂將該一或更多晶圓轉移出耦接至該晶圓處理腔室之一裝載室。
如請求項16所述之用於操作晶圓處理系統的方法，其中將該一或更多晶圓轉移至該晶圓處理腔室中包括透過該機器人轉移臂將該一或更多晶圓放置於該一或更多分度臂上之該晶圓轉移槳上。
如請求項15所述之用於操作晶圓處理系統的方法，其中旋轉該至少一分度臂以將該一或更多晶圓裝載至該處理腔室內之一或更多處理站上包括：升高一或更多升降銷以將該一或更多晶圓抬離該晶圓轉移槳。
如請求項15所述之用於操作晶圓處理系統的方法，其中將該至少一分度臂停在該中立位置包括將該至少一分度臂旋轉至該處理腔室內之該一或更多處理站的旁側。
如請求項19所述之用於操作晶圓處理系統的方法，其中將該至少一分度臂停在該中立位置包括使氣流轉向越過或通過至該至少一MCA特徵部。
一種在一電漿處理系統中處理一基板的方法，該方法包含以下步驟：<br/> 由一RF產生器透過一RF匹配件向設置在該電漿處理系統內的一電極組件傳送一RF信號，其中在傳送該RF信號時，該RF匹配件被設置為一第一匹配點；<br/> 透過一波形產生器將一電壓波形傳送到設置在該電漿處理系統內的該電極組件，同時將該RF信號傳送到該電極組件；<br/> 透過該RF匹配件接收來自該RF產生器或該波形產生器的一同步信號；<br/> 透過該RF匹配件的一輸出感測器在一第一時間段內測量該電漿處理系統的一第一組阻抗相關資料，該第一時間段在一第一延遲之後開始，該第一延遲由該同步信號的一第一波形脈衝的一第一部分觸發；<br/> 透過該RF匹配件的該輸出感測器在一第二時間段內測量該電漿處理系統的一第二組阻抗相關資料，該第二時間段在一第二延遲之後開始，該第二延遲由該同步信號的該第一波形脈衝的該第一部分觸發；<br/> 透過該RF匹配件根據該測得的第一組阻抗相關資料和該測得的第二組阻抗相關資料計算一組合阻抗參數；和<br/> 根據該計算得到的組合阻抗參數，調整該RF匹配件中的一匹配參數，以實現一第二匹配點。
如請求項1所述之方法，其中該第一時間段和該第二時間段具有相等的持續時間。
如請求項1所述之方法，其中計算該組合阻抗參數包括以下步驟：計算該第一組阻抗相關資料和該第二組阻抗相關資料之間的一加權平均值。
如請求項1所述之方法，其中來自該RF產生器的該同步信號和來自該波形產生器的該同步信號是電晶體-電晶體邏輯（TTL）同步信號。
如請求項1所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：<br/> 在調整該RF匹配件內的該匹配參數後，透過該RF匹配件的一輸入感測器測量該RF信號的一阻抗；<br/> 根據該RF信號的一測得的阻抗，進一步調整該RF匹配件內的該匹配參數，以實現一第三匹配點。
如請求項1所述之方法，其中該第一組阻抗相關資料是透過在該第一時間段期間對該測得的第一組阻抗相關資料進行平均來確定的，並且該第二組阻抗相關資料是透過對該測得的第二組阻抗相關資料進行平均來確定的。
如請求項1所述之方法，其中當該電漿處理系統處於處理過程中的一鞘塌陷階段時發生該第一時間段，並且當該電漿處理系統處於處理過程中的一離子電流階段時發生該第二時間段。
如請求項1所述之方法，其中該第一時間段和該第二時間段發生在該電壓波形的一相同週期期間。
如請求項1所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：<br/> 透過該RF匹配件的該輸出感測器在一第三時間段內測量該電漿處理系統的一第三組阻抗相關資料，該第三時間段在一第三延遲之後開始，該第三延遲與該第一延遲同時開始；<br/> 透過該RF匹配件的該輸出感測器在一第四時間段內測量該電漿處理系統的一第四組阻抗相關資料，該第四時間段在一第四延遲之後開始，該第四延遲與該第一延遲同時開始；以及<br/> 透過該RF匹配件根據該測得的第一組阻抗相關資料、該測得的第二組阻抗相關資料、該測得的第三組阻抗相關資料和該測得的第四組阻抗相關資料計算該組合阻抗參數。
如請求項9所述之方法，其中該第一時間段和該第二時間段發生在該電壓波形的一第一週期期間，且該第三時間段和該第四時間段發生在該電壓波形的一第二週期期間。
一種在一電漿處理系統中處理一基板的方法，該方法包含以下步驟：<br/> 在該電漿處理系統的一處理空間中產生一電漿，其中<br/> 透過傳輸一RF波形來產生該電漿，該RF波形包括循序傳輸一第一RF脈衝和一第二RF脈衝；<br/> 該第一RF脈衝包括一第一RF功率位準，且該第二RF脈衝包括一第二RF功率位準；和<br/> 透過一RF匹配件將一RF信號傳輸到該電漿處理系統的一電極組件，從而形成該等循序傳輸的第一RF脈衝和第二RF脈衝；<br/> 檢測該第一RF脈衝和該第二RF脈衝之間的一轉變區域；<br/> 確定該電漿處理系統在該第一RF脈衝和該第二RF脈衝之間的該轉變區域期間的一掃描阻抗；<br/> 在該第一RF脈衝或該第二RF脈衝期間確定該電漿處理系統的一基線阻抗；和<br/> 基於該掃描阻抗和該基線阻抗計算一組合阻抗參數。
如請求項11所述之方法，其中該第二RF功率位準為零或小於該第一RF功率位準。
如請求項12所述之方法，其中該掃描阻抗是在該第一RF功率位準和該第二RF功率位準之間延伸的一上升邊緣或一下降邊緣期間該電漿處理系統的一平均阻抗。
如請求項13所述之方法，其中該基線阻抗是該電漿處理系統在該第二RF功率位準下的一阻抗。
如請求項13所述之方法，其中該基線阻抗是該電漿處理系統在該第一RF功率位準下的一阻抗。
如請求項11所述之方法，其中：<br/> 在透過一RF匹配件傳送該RF波形的一第一RF脈衝時，該RF匹配件被設置為一第一匹配點；和<br/> 該方法進一步包括以下步驟：<br/> 根據該計算得到的組合阻抗參數調整該RF匹配件內的一匹配參數，以得到不同於該第一匹配點的一第二匹配點。
一種電漿處理系統，該系統包括：<br/> 一RF產生器，該RF產生器經配置以透過一RF匹配件向設置在該電漿處理系統內的一電極組件傳送一RF信號，其中在傳送該RF信號時，該RF匹配件被設置為一第一匹配點；<br/> 一電壓波形產生器，該電壓波形產生器經配置以將一電壓波形傳送到設置在該電漿處理系統內的該電極組件，同時該RF信號被傳送到該電極組件，該RF匹配件包含：<br/> 一輸入感測器；<br/> 一輸出感測器；<br/> 一RF匹配件控制器；以及<br/> 一記憶體，該記憶體用於儲存要在該RF匹配件控制器中執行的一程式，該程式包含指令，該等指令在被執行時使得該RF匹配件控制器：<br/> 透過該RF匹配件接收來自一RF產生器或該波形產生器的一同步信號；<br/> 使用該輸出感測器在一第一時間段內測量該電漿處理系統的一第一組阻抗相關資料，該第一時間段在一第一延遲之後開始，該第一延遲由該同步信號的一第一波形脈衝的一第一部分觸發；<br/> 使用該RF匹配件的該輸出感測器在一第二時間段內測量該電漿處理系統的一第二組阻抗相關資料，該第二時間段在一第二延遲之後開始，該第二延遲由該同步信號的該第一波形脈衝的該第一部分觸發；<br/> 透過該RF匹配件根據該測得的第一組阻抗相關資料和該測得的第二組阻抗相關資料計算一組合阻抗參數；和<br/> 根據該計算得到的組合阻抗參數，調整該RF匹配件中的一匹配參數，以實現一第二匹配點。
如請求項17所述之電漿處理系統，其中該程式進一步包括指令用於：<br/> 在調整該RF匹配件內的該匹配參數後，透過該RF匹配件的該輸入感測器測量該RF信號的一阻抗；<br/> 根據該RF信號的一測得的阻抗，進一步調整該RF匹配件內的該匹配參數，以實現一第三匹配點。
如請求項17所述之該電漿處理系統，其中用於計算該組合阻抗參數的該等指令包括：計算該第一組阻抗相關資料和該第二組阻抗相關資料之間的一加權平均值。
如請求項17所述之電漿處理系統，其中該程式進一步包括指令用於：<br/> 透過該RF匹配件的該輸出感測器在一第三時間段內測量該電漿處理系統的一第三組阻抗相關資料，該第三時間段在一第三延遲之後開始，該第三延遲與該第一延遲同時開始；<br/> 透過該RF匹配件的該輸出感測器在一第四時間段內測量該電漿處理系統的一第四組阻抗相關資料，該第四時間段在一第四延遲之後開始，該第四延遲與該第一延遲同時開始；以及<br/> 透過該RF匹配件根據該測得的第一組阻抗相關資料、該測得的第二組阻抗相關資料、該測得的第三組阻抗相關資料和該測得的第四組阻抗相關資料計算該組合阻抗參數。
一種電子裝置，包括：<br/> 第一單元，包括第一電子元件、第一驅動電路以及第一反相器；以及<br/> 第二單元，相鄰於所述第一單元，其中所述第二單元包括第二電子元件以及第二驅動電路，<br/> 其中所述第一反相器電性連接於所述第一驅動電路以及所述第二驅動電路，<br/> 其中所述電子裝置為一天線裝置或一顯示裝置，並且所述第一單元以及所述第二單元分別為一像素單元或一天線單元，<br/> 其中所述電子裝置更包括周邊區以及主動區，並且所述周邊區相鄰於所述主動區，<br/> 其中所述第一單元以及所述第二單元設置於所述主動區，並且所述第一電子元件以及所述第二電子元件分別為發光元件、液晶元件或調變元件。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述第二單元更包括：<br/> 第二反相器，電性連接於所述第一驅動電路以及所述第二驅動電路。
如請求項1所述的電子裝置，其中<br/> 所述電子裝置更包括：<br/> 第三反相器，設置於所述周邊區，電性連接於所述第一驅動電路以及所述第二驅動電路的至少其中一者。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述第一單元以及所述第二單元的至少其中一者更包括：<br/> 第四反相器，電性連接於對應的所述第一驅動電路以及所述第二驅動電路的至少其中一者。
一種電子裝置，包括：<br/> 多條掃描線，包括第一掃描線；以及<br/> 第一單元，包括：<br/> 第一驅動電路；以及<br/> 第一反相器，電性連接於所述第一驅動電路以及所述第一掃描線；以及<br/> 第一電子元件，電性連接於所述第一驅動電路，<br/> 其中所述電子裝置為一天線裝置或一顯示裝置，並且所述第一單元為一像素單元或一天線單元，<br/> 其中所述電子裝置更包括周邊區以及主動區，並且所述周邊區相鄰於所述主動區，<br/> 其中所述第一單元設置於所述主動區，並且所述第一電子元件為發光元件、液晶元件或調變元件。
如請求項5所述的電子裝置，其中所述多條掃描線更包括：<br/> 第二掃描線，電性連接於所述第一反相器。
如請求項5所述的電子裝置，其中所述電子裝置更包括：<br/> 第二單元，相鄰於所述第一單元，其中所述第二單元包括第二驅動電路以及第二反相器，<br/> 其中所述第二反相器電性連接於所述第二驅動電路。
如請求項5所述的電子裝置，其中所述電子裝置更包括：<br/> 第二單元，相鄰於所述第一單元，其中所述第二單元包括第二驅動電路，<br/> 其中所述第一反相器更電性連接於所述第二驅動電路。
如請求項5所述的電子裝置，其中：<br/> 所述電子裝置更包括：<br/> 第三反相器，設置於所述周邊區，電性連接於所述第一驅動電路。
如請求項5所述的電子裝置，其中所述第一單元更包括：<br/> 第四反相器，電性連接於所述第一驅動電路。
一種阻劑材料，含有：包含具有由鍵結於聚合物主鏈之磺酸陰離子與下式(1)表示之鋶陽離子構成的鹽結構之重複單元a的基礎聚合物； <br/><img align="absmiddle" height="34px" width="177px" file="ed10134.jpg" alt="ed10134.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，p為0或1，q為0～4之整數，r為1或2，s為1～3之整數； <br/>R <sup>1</sup>為單鍵、醚鍵、硫醚鍵或酯鍵； <br/>R <sup>2</sup>為單鍵或碳數1～20之烷二基，且該烷二基也可具有氟原子或羥基； <br/>R <sup>3</sup>為羥基、羧基、硝基、氰基、氟原子、氯原子、溴原子、碘原子或胺基、或也可含有選自氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、羥基、胺基及醚鍵中之至少1種之碳數1～20之飽和烴基、碳數1～20之飽和烴基氧基、碳數2～20之飽和烴基羰基氧基、碳數2～20之飽和烴基氧基羰基或碳數1～4之飽和烴基磺醯基氧基； <br/>R <sup>4</sup>為也可含有雜原子之碳數1～20之烴基；s=1時，2個R <sup>4</sup>可互為相同也可相異，亦可互相鍵結並和它們所鍵結的硫原子一起形成環； <br/>R <sup>AL</sup>為下式(AL-1)～(AL-4)中任一者表示之酸不穩定基； <br/><img align="absmiddle" height="59px" width="187px" file="ed10135.jpg" alt="ed10135.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，m1為0～4之整數，n1為0～3之整數，0≦m1+n1≦4；m2為0～6之整數，n2為0～3之整數，0≦m2+n2≦6；n3為0～4之整數；n4為0～4之整數； <br/>R <sup>5</sup>為氫原子、碳數1～12之飽和烴基、碳數2～8之烯基、碳數2～8之炔基或碳數6～10之芳基，且該飽和烴基、烯基、炔基及芳基也可含有氧原子或硫原子； <br/>R <sup>6</sup>為氟原子、碘原子、也可被氟原子取代之碳數1～4之烷基、也可被氟原子取代之碳數1～4之烷氧基或也可被氟原子取代之碳數1～4之烷基硫代基； <br/>R <sup>7</sup>為羥基、碳數2～4之烷氧基羰基、硝基、氰基、氯原子、溴原子、胺基、苯基或碳數1～4之烷基磺醯基，且n2為2或3時，2個R <sup>7</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結的碳原子一起形成環； <br/>R <sup>8</sup>為碳數2～6之烯基； <br/>圓弧R <sup>a1</sup>為碳數2～10之4價飽和烴基，且碳-碳鍵間也可含有氧原子、硫原子、氮原子或碳數6～10之芳香族基； <br/>圓弧R <sup>a2</sup>為碳數2～10之4價飽和烴基，且碳-碳鍵間也可含有氧原子、硫原子或氮原子； <br/>圓圈R <sup>a3</sup>為在環中具有雙鍵及/或具有鍵結於環中之碳原子的亞烷基之碳數3～10之(n3+2)價之環狀脂肪族烴基； <br/>圓圈R <sup>a4</sup>為碳數3～10之(n4+2)價之環狀飽和烴基； <br/>虛線為原子鍵。
如請求項1之阻劑材料，其中，重複單元a為下式(a1)或(a2)表示者； <br/><img align="absmiddle" height="62px" width="103px" file="ed10136.jpg" alt="ed10136.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R <sup>A</sup>分別獨立地為氫原子或甲基； <br/>X <sup>1</sup>為單鍵或酯鍵； <br/>X <sup>2</sup>為單鍵、-X <sup>21</sup>-C(=O)-O-或-X <sup>21</sup>-O-；X <sup>21</sup>為碳數1～12之伸烴基、伸苯基或將它們組合而得的碳數7～18之基，且也可含有羰基、酯鍵、醚鍵、碘原子或溴原子； <sup/><br/>X <sup>3</sup>為單鍵、亞甲基或伸乙基； <br/>X <sup>4</sup>為單鍵、亞甲基、伸乙基、伸苯基、甲基伸苯基、二甲基伸苯基、氟化伸苯基、被三氟甲基取代之伸苯基、-O-X <sup>41</sup>-、-C(=O)-O-X <sup>41</sup>-或-C(=O)-NH-X <sup>41</sup>-；X <sup>41</sup>為碳數1～6之脂肪族伸烴基、伸苯基、甲基伸苯基、二甲基伸苯基、氟化伸苯基或被三氟甲基取代之伸苯基，且也可含有羰基、酯鍵、醚鍵、羥基或鹵素原子； <br/>Rf <sup>1</sup>～Rf <sup>4</sup>分別獨立地為氫原子、氟原子或三氟甲基，惟至少1個為氟原子或三氟甲基；又，Rf <sup>1</sup>及Rf <sup>2</sup>也可合併形成羰基； <br/>M <sup>+</sup>為式(1)表示之鋶陽離子。
如請求項1或2之阻劑材料，其中，m1為1～4之整數，m2為1～6之整數。
如請求項1或2之阻劑材料，更含有有機溶劑。
如請求項1或2之阻劑材料，其中，該基礎聚合物為更包含下式(b1)表示之重複單元或下式(b2)表示之重複單元者； <br/><img align="absmiddle" height="65px" width="93px" file="ed10137.jpg" alt="ed10137.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R <sup>A</sup>分別獨立地為氫原子或甲基； <br/>Y <sup>1</sup>為單鍵、伸苯基或伸萘基、或含有選自酯鍵、醚鍵及內酯環中之至少1種之碳數1～12之連結基； <br/>Y <sup>2</sup>為單鍵或酯鍵； <br/>Y <sup>3</sup>為單鍵、醚鍵或酯鍵； <br/>R <sup>11</sup>及R <sup>12</sup>分別獨立地為酸不穩定基； <br/>R <sup>13</sup>為氟原子、三氟甲基、氰基、碳數1～6之飽和烴基、碳數1～6之飽和烴基氧基、碳數2～7之飽和烴基羰基、碳數2～7之飽和烴基羰基氧基或碳數2～7之飽和烴基氧基羰基； <br/>R <sup>14</sup>為單鍵或碳數1～6之烷二基，且該烷二基之-CH <sub>2</sub>-的一部分也可被醚鍵或酯鍵取代； <br/>a為1或2；b為0～4之整數；惟，1≦a+b≦5。
如請求項5之阻劑材料，其係化學增幅正型阻劑材料。
如請求項1或2之阻劑材料，更含有界面活性劑。
一種圖案形成方法，包含下列步驟： <br/>使用如請求項1至7中任一項之阻劑材料於基板上形成阻劑膜， <br/>將該阻劑膜以高能射線進行曝光，及 <br/>將該已曝光之阻劑膜使用顯影液進行顯影。
如請求項8之圖案形成方法，其中，該高能射線為KrF準分子雷射光、ArF準分子雷射光、電子束或波長3～15nm之極紫外線。
一種硬化性樹脂，含有下式(1)表示之結構單元、下式(2)表示之結構單元、及下式(3)表示之結構單元； <br/><img align="absmiddle" height="131px" width="892px" file="ed10027.jpg" alt="ed10027.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="77px" width="892px" file="ed10028.jpg" alt="ed10028.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="140px" width="892px" file="ed10029.jpg" alt="ed10029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上式(1)中，R<sup>1</sup>係具有1個以上之乙烯性雙鍵及乙炔性三鍵中之至少一者的2價基，上式(2)中，R<sup>2</sup>係具有脂環族結構之2價基； <br/>該式(1)表示之結構單元相對於該式(2)表示之結構單元之莫耳比係0.010以上且0.50以下； <br/>該式(3)表示之結構單元相對於該式(2)表示之結構單元的莫耳比係0.50以上且1.5以下。
如請求項1之硬化性樹脂，其中，該式(1)表示之結構單元、該式(2)表示之結構單元、及該式(3)表示之結構單元之含量的和，相對於構成該硬化性樹脂之全部結構單元的莫耳比係0.60以上且1.0以下。
如請求項1之硬化性樹脂，其中，該式(3)表示之結構單元係來自選自於由碳酸二烷基酯、碳酸二芳基酯、及碳酸烷基芳基酯構成之群組中之至少1種。
如請求項1之硬化性樹脂，其中，該式(1)表示之結構單元係來自選自於由富馬酸、馬來酸及馬來酸酐構成之群組中之至少1種。
如請求項1之硬化性樹脂，其中，該式(2)表示之結構單元係來自包含選自於由降莰烷系骨架、及環己烷系骨架構成之群組中之至少1種的二羥基化合物。
如請求項1之硬化性樹脂，其中，該式(1)表示之結構單元相對於該式(2)表示之結構單元之莫耳比係0.010以上且小於0.30。
如請求項1之硬化性樹脂，其中，該式(3)表示之結構單元相對於該式(2)表示之結構單元的莫耳比係0.80以上且1.5以下。
如請求項1之硬化性樹脂，數目平均分子量係5.00×10<sup>2</sup>以上且3.00×10<sup>4</sup>以下。
如請求項1之硬化性樹脂，包含：包含該式(1)表示之結構單元、及該式(2)表示之結構單元，且不含該式(3)表示之結構單元之聚酯部分。
如請求項1之硬化性樹脂，依循包含以下(i)~(iii)之測定方法算出之介電損耗正切係0.010以下； <br/>(i)製作含有該硬化性樹脂之樹脂組成物的硬化物，測定該硬化物之10GHz之介電損耗正切； <br/>(ii)對於經變更該樹脂組成物之各成分之含量而得之多個硬化物，實施與該(i)同樣的測定； <br/>(iii)將該(i)及(ii)之測定結果進行外插而算出該硬化性樹脂單體的介電損耗正切。
一種硬化物，係如請求項1至10中任一項之硬化性樹脂的硬化物。
一種樹脂組成物，係含有如請求項1至10中任一項之硬化性樹脂。
如請求項12之樹脂組成物，其中，該硬化性樹脂之含量，相對於樹脂成分100質量份，為1.0質量份以上。
一種硬化性樹脂之製造方法，係如請求項1之硬化性樹脂之製造方法，包含：使下式(4)表示之化合物及下式(4’)表示之化合物中之至少一者，與下式(5)表示之化合物、及下式(6)表示之化合物反應； <br/><img align="absmiddle" height="143px" width="892px" file="ed10030.jpg" alt="ed10030.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="131px" width="892px" file="ed10031.jpg" alt="ed10031.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="73px" width="892px" file="ed10032.jpg" alt="ed10032.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="134px" width="892px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上式(4)中，R<sup>1</sup>係具有1個以上之乙烯性雙鍵及乙炔性三鍵中之至少一者之2價基，R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>各自獨立地為氫原子或碳數1~7之1價烴基，上式(4’)中，R<sup>1</sup>係與上式(4)中之R<sup>1</sup>為相同含意，上式(5)中，R<sup>2</sup>係具有脂環族結構之2價基，R<sup>5</sup>及R<sup>6</sup>各自獨立地為氫原子或碳數1~7之1價烴基，上式(6)中，R<sup>7</sup>及R<sup>8</sup>係各自獨立地為任意之取代基。
如請求項14之硬化性樹脂之製造方法，包含： <br/>使該式(5)表示之化合物、與比該式(5)表示之化合物莫耳當量少之該式(4)表示之化合物及下式(4’)表示之化合物中之至少一者反應的步驟、及 <br/>將該步驟所獲得之生成物、與該式(6)表示之化合物反應的步驟。
如請求項12之樹脂組成物，係用於電子材料。
一種電子構件，含有如請求項12之樹脂組成物的硬化物。
一種經纖維強化之複合材料，含有如請求項12之樹脂組成物、及強化纖維。
一種經纖維強化之成形品，係如請求項18之經纖維強化之複合材料的硬化物。
一種半導體封裝材料，含有如請求項12之樹脂組成物及無機填充材。
一種半導體元件，含有如請求項20之半導體封裝材料的硬化物。
一種預浸體，包含：基材、及含浸或塗布於該基材之如請求項12之樹脂組成物。
一種疊層板，包含如請求項22之預浸體。
一種電路基板，包含：如請求項23之疊層板、及配置於該疊層板之單面或兩面的金屬箔。
一種堆積薄膜，包含：如請求項12之樹脂組成物的硬化物、及基材薄膜。
如請求項1之硬化性樹脂，其中，該式(2)表示之結構單元係來自包含降莰烷系骨架的二羥基化合物。
一種光學積層體，其係依序積層透明基材、硬塗層及防污層而成者，其中， <br/>上述硬塗層含有填料， <br/>上述硬塗層之厚度為3 μm以上25 μm以下， <br/>上述光學積層體之表面之10點平均粗糙度Rz為19 nm以上100 nm以下， <br/>使用原子力顯微鏡測定上述光學積層體之表面而得之上述填料之凝集體之表觀上之平均粒徑為150 nm以上2200 nm以下， <br/>上述防污層含有氟系化合物，且上述防污層設置於包含SiO<sub>2</sub>濺鍍膜之低折射率層上。
一種光學積層體，其係依序積層透明基材、硬塗層及防污層而成者，其中， <br/>上述硬塗層含有填料， <br/>上述硬塗層之厚度為3 μm以上25 μm以下， <br/>上述光學積層體之表面之10點平均粗糙度Rz為19 nm以上100 nm以下， <br/>使用原子力顯微鏡測定上述硬塗層之表面而得之上述填料之凝集體之表觀上之平均粒徑為110 nm以上1600 nm以下， <br/>上述防污層含有氟系化合物，且上述防污層設置於包含SiO<sub>2</sub>濺鍍膜之低折射率層上。
如請求項1之光學積層體，其中使用原子力顯微鏡測定上述硬塗層之表面而得之上述填料之凝集體之表觀上之平均粒徑為110 nm以上1600 nm以下。
如請求項1或2之光學積層體，其中鋼絲絨滑動試驗進行2000次循環後之水接觸角之值為上述鋼絲絨滑動試驗前之水接觸角之值之84%以上。
一種具備光學積層體之物品，其包括如請求項1或2之光學積層體。
一種圖像顯示裝置，其具備屏幕及形成於上述屏幕之表面上之如請求項1或2之光學積層體。
一種用於外用地施用的化妝品和/或皮膚病學組合物，其包含洛神花萃取物和至少一種選自甜菜鹼、其鹽及其類似物中的甜菜鹼化合物，其中相對於該組合物的總重量，該甜菜鹼化合物以0.01wt%至0.2wt%，的量存在，其中相對於該組合物的總重量，該洛神花萃取物以0.01wt%至0.1wt%的量存在；其中該甜菜鹼化合物和該洛神花萃取物以3：1至3：10的重量比存在；其中該甜菜鹼化合物是甘胺酸甜菜鹼；及其中該洛神花萃取物係通過水萃法萃取得到。
如請求項1所述的組合物，其中該洛神花萃取物來自洛神花的果實。
如請求項1或2所述的組合物，其中，該甜菜鹼化合物和該洛神花萃取物以3：1至6：10的重量比存在。
如請求項1或2所述的組合物，其中，該甜菜鹼化合物和該洛神花萃取物以9：5至9：10的重量比存在。
如請求項1或2所述的組合物，其中，相對於該組合物的總重量，該甜菜鹼化合物以0.03wt%至0.1wt%的量存在。
如請求項1或2所述的組合物，其中，相對於該組合物的總重量，該洛神花萃取物以0.02wt%至0.1wt%的量存在。
如請求項1或2所述的組合物，其中，相對於該組合物的總重量，該洛神花萃取物以0.05wt%至0.1wt%的量存在。
一種非治療性美容處理方法，其包括將如請求項1-7中任一項所限定的組合物外用地施用至角質材料。
如請求項8所述的方法，其中該角質材料包含皮膚。
如請求項9所述的方法，其用於對抗應力因素引起的該皮膚的表皮的滲透壓失調的跡象。
如請求項10所述的方法，其中該跡象為細紋和皺紋的出現、乾癟、變薄、乾燥、鬆弛、暗沉的膚色或異質表面。
如請求項10所述的方法，其中，該應力因素是UV輻射、化學和/或滲透應力。
一種如請求項1-7中任一項所述的組合物的美容用途，其用於護理、保護和/或化妝身體或面部的皮膚，或用於護理頭髮。
如請求項13所述的用途，其用於對抗應力因素引起的該皮膚的表皮的滲透壓失調的跡象。
如請求項14所述的用途，其中該跡象為細紋和皺紋的出現、乾癟、變薄、乾燥、鬆弛、暗沉的膚色或異質表面。
如請求項14或15所述的用途，其中，該應力因素是UV輻射、化學和/或滲透應力。
一種含五元雜芳環結構化合物、其藥學上可接受的鹽、其立體異構體或其互變異構體，其中，所述的含五元雜芳環結構化合物為下述任一結構： <br/><img align="absmiddle" height="78px" width="256px" file="ed10374.jpg" alt="ed10374.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="78px" width="231px" file="ed10375.jpg" alt="ed10375.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="61px" width="259px" file="ed10377.jpg" alt="ed10377.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="75px" width="179px" file="ed10379.jpg" alt="ed10379.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="80px" width="248px" file="ed10381.jpg" alt="ed10381.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="77px" width="248px" file="ed10383.jpg" alt="ed10383.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="77px" width="239px" file="ed10385.jpg" alt="ed10385.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="75px" width="243px" file="ed10386.jpg" alt="ed10386.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="78px" width="230px" file="ed10387.jpg" alt="ed10387.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="84px" width="246px" file="ed10388.jpg" alt="ed10388.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="83px" width="238px" file="ed10389.jpg" alt="ed10389.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="80px" width="223px" file="ed10390.jpg" alt="ed10390.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="81px" width="229px" file="ed10391.jpg" alt="ed10391.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="85px" width="238px" file="ed10392.jpg" alt="ed10392.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="69px" width="253px" file="ed10393.jpg" alt="ed10393.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="79px" width="232px" file="ed10394.jpg" alt="ed10394.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="76px" width="120px" file="ed10395.jpg" alt="ed10395.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="76px" width="66px" file="ed10396.jpg" alt="ed10396.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="64px" width="65px" file="ed10397.jpg" alt="ed10397.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="78px" width="241px" file="ed10398.jpg" alt="ed10398.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="80px" width="240px" file="ed10399.jpg" alt="ed10399.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="79px" width="234px" file="ed10400.jpg" alt="ed10400.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="76px" width="238px" file="ed10401.jpg" alt="ed10401.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="77px" width="229px" file="ed10402.jpg" alt="ed10402.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="79px" width="236px" file="ed10403.jpg" alt="ed10403.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="84px" width="246px" file="ed10404.jpg" alt="ed10404.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="82px" width="221px" file="ed10405.jpg" alt="ed10405.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="83px" width="234px" file="ed10406.jpg" alt="ed10406.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="81px" width="225px" file="ed10407.jpg" alt="ed10407.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="77px" width="242px" file="ed10408.jpg" alt="ed10408.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="86px" width="240px" file="ed10409.jpg" alt="ed10409.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="78px" width="242px" file="ed10410.jpg" alt="ed10410.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="81px" width="244px" file="ed10411.jpg" alt="ed10411.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="82px" width="237px" file="ed10412.jpg" alt="ed10412.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="78px" width="124px" file="ed10413.jpg" alt="ed10413.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="74px" width="149px" file="ed10414.jpg" alt="ed10414.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="79px" width="223px" file="ed10415.jpg" alt="ed10415.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="78px" width="236px" file="ed10416.jpg" alt="ed10416.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="77px" width="246px" file="ed10417.jpg" alt="ed10417.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="82px" width="234px" file="ed10418.jpg" alt="ed10418.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="78px" width="223px" file="ed10419.jpg" alt="ed10419.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="79px" width="246px" file="ed10420.jpg" alt="ed10420.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="42px" width="70px" file="ed10421.jpg" alt="ed10421.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="67px" width="55px" file="ed10422.jpg" alt="ed10422.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="64px" width="66px" file="ed10423.jpg" alt="ed10423.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="64px" width="66px" file="ed10424.jpg" alt="ed10424.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="64px" width="64px" file="ed10425.jpg" alt="ed10425.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="64px" width="65px" file="ed10426.jpg" alt="ed10426.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="76px" width="64px" file="ed10427.jpg" alt="ed10427.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種藥物組合物，其包含物質A和藥用輔料；所述的物質A為治療有效量的如請求項1所述的含五元雜芳環結構化合物、其藥學上可接受的鹽、其立體異構體或其互變異構體。
一種物質A在製備PARG抑制劑中的應用，所述的物質A為如請求項1所述的含五元雜芳環結構化合物、其藥學上可接受的鹽、其立體異構體或其互變異構體。
一種物質A在製備藥物中的應用，所述的藥物用於治療或預防PARG介導的疾病；所述的物質A為如請求項1所述的含五元雜芳環結構化合物、其藥學上可接受的鹽、其立體異構體或其互變異構體。
一種物質A在製備藥物中的應用，所述的藥物用於治療或預防癌症；所述的物質A為如請求項1所述的含五元雜芳環結構化合物、其藥學上可接受的鹽、其立體異構體或其互變異構體；所述的癌症為結腸癌、闌尾癌、胰腺癌、MYH相關的息肉病、血液癌、乳腺癌、子宮內膜癌、膽囊癌、膽管癌、前列腺癌、肺癌、腦癌、卵巢癌、子宮頸癌、睾丸癌、腎癌、頭或頸癌、骨癌、皮膚癌、直腸癌、肝癌、食道癌、胃癌、甲狀腺癌、膀胱癌、淋巴瘤、白血病和黑色素瘤中的一種或多種。
一種HPK1激酶抑制劑用於製備預防和/或治療人由病毒感染引起或病毒感染相關的疾病或病症同時增強人體免疫能力的藥物之用途，其中，所述HPK1激酶抑制劑選自如下結構所示的化合物，或其藥學上可接受的鹽、立體異構體和溶劑化物： <br/><img align="absmiddle" height="54px" width="173px" file="ed10468.jpg" alt="ed10468.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="54px" width="178px" file="ed10469.jpg" alt="ed10469.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="54px" width="178px" file="ed10470.jpg" alt="ed10470.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="54px" width="173px" file="ed10471.jpg" alt="ed10471.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="54px" width="173px" file="ed10472.jpg" alt="ed10472.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="60px" width="173px" file="ed10474.jpg" alt="ed10474.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="54px" width="173px" file="ed10475.jpg" alt="ed10475.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="54px" width="159px" file="ed10476.jpg" alt="ed10476.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="54px" width="173px" file="ed10478.jpg" alt="ed10478.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="54px" width="178px" file="ed10480.jpg" alt="ed10480.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="54px" width="178px" file="ed10482.jpg" alt="ed10482.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="54px" width="173px" file="ed10484.jpg" alt="ed10484.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="55px" width="173px" file="ed10486.jpg" alt="ed10486.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="62px" width="173px" file="ed10488.jpg" alt="ed10488.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="54px" width="173px" file="ed10490.jpg" alt="ed10490.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="54px" width="165px" file="ed10492.jpg" alt="ed10492.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="56px" width="164px" file="ed10494.jpg" alt="ed10494.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="56px" width="164px" file="ed10496.jpg" alt="ed10496.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="54px" width="162px" file="ed10498.jpg" alt="ed10498.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="55px" width="162px" file="ed10500.jpg" alt="ed10500.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="56px" width="162px" file="ed10502.jpg" alt="ed10502.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="54px" width="162px" file="ed10504.jpg" alt="ed10504.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="54px" width="165px" file="ed10506.jpg" alt="ed10506.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="56px" width="166px" file="ed10508.jpg" alt="ed10508.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="56px" width="164px" file="ed10510.jpg" alt="ed10510.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="54px" width="166px" file="ed10512.jpg" alt="ed10512.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="54px" width="166px" file="ed10514.jpg" alt="ed10514.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="55px" width="166px" file="ed10516.jpg" alt="ed10516.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="58px" width="162px" file="ed10518.jpg" alt="ed10518.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="58px" width="166px" file="ed10520.jpg" alt="ed10520.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="56px" width="166px" file="ed10522.jpg" alt="ed10522.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="59px" width="166px" file="ed10524.jpg" alt="ed10524.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="59px" width="162px" file="ed10526.jpg" alt="ed10526.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="54px" width="166px" file="ed10528.jpg" alt="ed10528.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="54px" width="166px" file="ed10530.jpg" alt="ed10530.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="54px" width="173px" file="ed10532.jpg" alt="ed10532.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述用途，其中， <br/>所述病毒選自：HSV、SARS-CoV-2、H1N1、MHV。
如請求項1所述用途，其中，所述化合物選自如下結構： <br/><img align="absmiddle" height="54px" width="173px" file="ed10478.jpg" alt="ed10478.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>。
一種針劑盒，用於容納針劑，所述針劑盒包括殼體，其改良在於，所述針劑盒還包括：<br/> 隔板，連接於所述殼體且將所述殼體內之空間於第一方向上限定為間隔設定之第一腔體與第二腔體，所述殼體設有連通所述第一腔體之第一開口、以及連通所述第一腔體與所述第二腔體之第二開口；<br/> 第一磁性件，裝配於所述隔板，沿所述第一方向，所述第一磁性件之投影位於所述第一開口之投影範圍內；<br/> 推動件，可移動地連接於所述隔板朝向所述第一腔體之一側；<br/> 多個承載機構，每個所述承載機構包括承載件與連接於所述承載件之第二磁性件，多個所述承載件可移動地排列於所述隔板朝向所述第一腔體之一側，每個承載件用於承載所述針劑且於所述推動件之推動下朝向所述第二開口移動，所述第一磁性件位於所述第二磁性件之移動軌跡上，用於吸附並限位所述承載件使所述針劑從所述第一開口顯露，所述第二開口用於供與所述針劑分離之所述承載件落入所述第二腔體中。
如請求項1所述之針劑盒，其中：所述殼體包括頂板、底板、第一側板與第二側板，所述頂板與所述底板於所述第一方向上設定於所述隔板兩側，所述第一側板與所述第二側板於第二方向上設定於所述隔板兩側，所述第二方向垂直於所述第一方向，所述第一腔體形成於所述頂板與所述隔板之間，所述第一開口形成於所述頂板上，所述第二腔體形成於所述底板與所述隔板之間，所述隔板一端與所述第一側板連接，所述隔板另一端與所述第二側板間隔設定以形成所述第二開口。
如請求項2所述之針劑盒，其中：所述頂板包括第一板與第二板，所述第二板與所述隔板於所述第一方向上之間距小於所述第一板與所述隔板於所述第一方向上之間距，所述第一板一端連接於所述第一側板，所述第二板一端連接於所述第二側板，所述第一板與所述第二板相向之一端於所述第二方向上間隔設定以形成所述第一開口。
如請求項3所述之針劑盒，其中：沿所述第一方向，所述第二板之投影與所述隔板之投影部分重疊，沿所述第二方向觀察，所述承載件位於所述第二板與所述隔板之間。
如請求項3或4所述之針劑盒，其中：所述推動件包括主體與撥片，所述主體包括於第一方向上相對設定之第一面與第二面，所述第一面與所述第一板滑動連接，所述第二面與所述隔板滑動連接，所述第一板還設有滑動孔，所述滑動孔沿所述第二方向延伸其長度，所述撥片自所述第一面穿過所述滑動孔延伸至所述殼體外。
如請求項5所述之針劑盒，其中：所述推動件還包括滾珠，所述滾珠可滾動地嵌設於所述第一面上且與所述第一板接觸；與/或所述滾珠可滾動地嵌設於所述第二面上且與所述隔板接觸。
如請求項2所述之針劑盒，其中：所述殼體還包括兩個沿第三方向相對設定之第三側板，所述第一方向、所述第二方向與所述第三方向兩兩相互垂直，所述第一側板、所述第二側板與所述第三側板於所述頂板與所述底板之間圍設形成所述第一腔體與所述第二腔體，所述推動件與所述承載件分別夾設於兩個所述第三側板之間，且可相對所述第三側板滑動。
如請求項7所述之針劑盒，其中：所述第三側板與所述推動件兩者中之一者上設有沿所述第二方向延伸之滑槽，所述第三側板與所述推動件兩者中之另外一者上設有凸塊，所述凸塊沿所述第二方向可滑動地連接於所述滑槽中。
如請求項2所述之針劑盒，其中：所述針劑盒還包括緩衝板，所述緩衝板連接於所述第二腔體中且傾斜設定於所述第二側板與所述底板之間，沿所述第一方向，所述第二開口之投影位於所述緩衝板之投影範圍內，所述緩衝板用於承接並緩衝自所述第二開口落下之所述承載件。
如請求項1所述之針劑盒，其中：所述承載件包括於第一方向上相對設定之第一承載面與第二承載面，所述第一承載面凹設有連接槽，所述連接槽用於與所述針劑仿形設定以承載所述針劑，所述第二承載面用於與所述隔板滑動連接，所述第二承載面凹設有第一安裝槽，所述第二磁性件固定連接於所述第一安裝槽中。
一種半導體元件，包含：<br/>一圖案化基板，具有一溝槽以及環繞該溝槽的一側壁；<br/>一第一阻障層，設置於該側壁的一第一部份上；<br/>具有一介電常數為0.5至3.8的一第二阻障層，設置於該第一阻障層以及該側壁的一第二部份上，其中該側壁的該第二部份高於該側壁的該第一部份，並且鄰接該圖案化基板的一頂表面；以及<br/>一導電層填充於該溝槽，其中該導電層的頂表面暴露於外，並且經由該第一阻障層以及該第二阻障層與該側壁完全隔離。
如請求項1所述的半導體元件，其中該圖案化基板包含一原始區域以及位於該原始區域的一源極/汲極區域，其中該溝槽自該源極/汲極區域延伸至該原始區域。
如請求項1所述的半導體元件，其中該第一阻障層直接設置於該側壁的該第一部份上。
如請求項1所述的半導體元件，其中該第一阻障層包含在該溝槽中具有一U型橫截面的一輪廓。
如請求項1所述的半導體元件，其中該第一阻障層的一介電常數高於該第二阻障層的一介電常數。
如請求項1所述的半導體元件，其中該第二阻障層直接設置於該側壁的該第二部份上。
如請求項1所述的半導體元件，其中該第二阻障層的一頂表面與該圖案化基板的該頂表面齊平或是低於該圖案化基板的該頂表面。
如請求項1所述的半導體元件，其中該導電層設置於該第一阻障層以及該第一阻障層以及該第二阻障層的一重疊區域上。
如請求項8所述的半導體元件，其中該導電層的一頂表面與該重疊區域的一頂表面齊平或是低於該重疊區域的該頂表面。
如請求項8所述的半導體元件，其中該導電層的一頂表面高於該重疊區域的一底表面。
如請求項1所述的半導體元件，更包含一第一觸點以及設置於該圖案化基板上的一第二觸點，其中該第一觸點的一底表面高於該第二觸點的一底表面。
如請求項11所述的半導體元件，其中該第二觸點與該第一阻障層以及該第二阻障層直接接觸。
如請求項11所述的半導體元件，更包含設置於該第二觸點上的一氮化層。
一種製造半導體元件的方法，包含：<br/>提供具有一溝槽以及環繞該溝槽的一側壁的一圖案化基板；<br/>設置一第一阻障材料於該側壁的一第一部份上，以形成一第一阻障層；<br/>使用一第一導電材料填充該溝槽的一部份，以形成一導電部份，其中該導電部份的一頂表面低於該第一阻障層的一頂表面；<br/>將具有介電常數為0.5至3.8的一第二阻障材料設置於該第一阻障層以及該側壁的一第二部份上，以形成一第二阻障層，其中該側壁的該第二部份高於該側壁的該第一部份，並且鄰接該圖案化基板的一頂表面；以及<br/>使用一第二導電材料填充該溝槽，以形成包含該導電部份的一導電層。
如請求項14所述的方法，其中設置該第一阻障材料於該側壁的該第一部份上，包含：<br/>設置該第一阻障材料於該圖案化基板上；以及<br/>移除位於該圖案化基板的該頂表面上的該第一阻障層。
如請求項14所述的方法，其中使用該第一導電材料填充該溝槽的該部份，以形成該導電部份，包含：<br/>使用該第一導電材料填滿該溝槽；以及<br/>移除該第一導電材料，其中該第一導電材料的一頂表面低於該第一阻障層的該頂表面。
如請求項14所述的方法，其中將具有介電常數為0.5至3.8的該第二阻障材料設置於該第一阻障層以及該側壁的該第二部份上，包含：<br/>設置該第二阻障材料於該圖案化基板的該頂表面、該側壁的該第二部份、該第一阻障層以及該導電部份的該頂表面上；以及<br/>移除位於該圖案化基板的該頂表面以及該導電部份的該頂表面上的該第二阻障材料，以形成該第二阻障層，並且暴露該導電部份。
如請求項17所述的方法，其中移除位於該圖案化基板的該頂表面以及該導電部份的該頂表面上的該第二阻障材料，包含使用一乾蝕刻劑移除該第二阻障材料，其中該乾蝕刻劑包含CF<sub>4</sub>、C<sub>2</sub>F<sub>6</sub>、C<sub>3</sub>F<sub>8</sub>、C<sub>4</sub>F<sub>8</sub>、F<sub>2</sub>、NF<sub>3</sub>、SF<sub>6</sub>、CHF<sub>3</sub>、HF、COF<sub>2</sub>、ClF<sub>3</sub>、H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>或其組合。
如請求項14所述的方法，其中使用該第二導電材料填充該溝槽，包含：<br/>使用該第二導電材料填滿該溝槽；以及<br/>移除該第二導電材料，其中該第二導電材料的一頂表面與該第一阻障層以及該第二阻障層的一重疊區域的一頂表面齊平，或是低於該重疊區域的該頂表面。
如請求項14所述的方法，更包含：<br/>移除該圖案化基板的一部份；以及<br/>設置一第一觸點以及一第二觸點於該圖案化基板上，其中該第一觸點的一底表面高於該第二觸點的一底表面。
一種用於單體化半導體裝置的方法，包括：<br/>形成具有第一側和與所述第一側相對的第二側的半導體片；<br/>從所述半導體片的所述第一側形成第一溝渠、第二溝渠和第三溝渠以分隔所述半導體片，使得所述半導體片包括積體電路區、與所述積體電路區的第一側相鄰的第一非主動區，以及與所述積體電路區的第二側相鄰的第二非主動區、所述第一溝渠沿第一方向延伸且包括第一區段和第二區段，所述第二溝渠沿第二方向延伸且包括第一區段和第二區段，所述第三溝渠沿第三方向延伸，其中所述第三溝渠包括在第一相交區域中與所述第一溝渠的所述第一區段和所述第二溝渠的所述第一區段相交的第一端，其中所述第三溝渠為所述積體電路區提供第一倒角，以及所述第一相交區域為所述第一非主動區提供第二倒角；以及<br/>從所述半導體片的所述第二側減薄所述半導體片以暴露所述第一溝渠、所述第二溝渠和所述第三溝渠。
如請求項1所述的用於單體化半導體裝置的方法，其中形成所述第一溝渠、所述第二溝渠和所述第三溝渠包括通過乾法蝕刻來蝕刻所述半導體片。
如請求項1所述的用於單體化半導體裝置的方法，其中所述第一倒角為直線或曲線，其中所述積體電路區的所述第一側和所述第二側連接到所述第一倒角的兩端。
如請求項1所述的用於單體化半導體裝置的方法，其中所述第二非主動區具有與所述積體電路區的所述第一倒角相鄰的直角隅角。
如請求項1所述的用於單體化半導體裝置的方法，其中所述第一非主動區包括與所述積體電路區的所述第一側相鄰的第一側和與所述第一非主動區的所述第一側垂直的第二邊，其中從所述第一非主動區的所述第二倒角到包括所述第一非主動區的所述第一側的第一線與包括所述第二非主動區的所述第二側的第二線相交的第一點的第一距離為3 µm到15 µm。
一種用於單體化半導體裝置的方法，包括：<br/>從半導體片的第一側切割所述半導體片，形成第一溝渠、第二溝渠、第三溝渠，其中所述第一溝渠在第一方向上，且所述第二溝渠在與所述第一方向垂直的第二方向上，其中所述半導體片至少部分地被所述第一溝渠、所述第二溝渠和所述第三溝渠分隔開以包括積體電路區、第一非主動區和第二非主動區，其中所述第一溝渠包含彼此隔開的第一區段和第二區段，並且所述積體電路區和所述第一非主動區被所述第一溝渠的所述第一區段隔開，其中所述第二溝渠包括相互隔開的第一區段和第二區段，且所述積體電路區和所述第二非主動區被所述第二溝渠的所述第二區段隔開，其中所述第三溝渠與所述第一溝渠的所述第一區段和所述第二溝渠的所述第一區段相交形成第一相交區域，其中所述第三溝渠與所述第一溝渠的所述第二區段和所述第二溝渠的所述第二區段相交形成第二相交區域，其中所述第一相交區域大於所述第一相交區域；以及<br/>從與所述半導體片的所述第一側相對的所述半導體片的第二側減薄所述半導體片。
如請求項6所述的用於單體化半導體裝置的方法，其中所述第一非主動區包括沿著所述第一溝渠的所述第一區段的第一邊緣、沿著所述第二溝渠的所述第一區段的第二邊緣、以及沿著所述第一相交區域的邊緣的第三邊緣。
如請求項6所述的用於單體化半導體裝置的方法，其中所述半導體片被所述第一溝渠、所述第二溝渠和所述第三溝渠分隔以包括第三非主動區，其中所述第三非主動區與所述積體電路區被所述第三溝渠分隔。
一種包括半導體裝置的封裝裝置，包括：<br/>積體電路晶粒，包括第一側壁、第二側壁和第三側壁，其中所述積體電路晶粒的所述第三側壁連接所述積體電路晶粒的所述第一側壁和所述積體電路晶粒的所述第二側壁，其中所述積體電路晶粒的所述第三側壁形成所述積體電路晶粒的倒角；<br/>第一電介質，位在所述積體電路晶粒周圍；<br/>半導體特徵，設置在所述積體電路晶粒之上，其中所述半導體特徵包括第一側壁、第二側壁和第三側壁，其中所述半導體特徵的所述第三側壁連接到所述半導體特徵的所述第一側壁和所述半導體特徵的所述第二側壁，並形成所述半導體特徵的倒角；以及<br/>第二電介質，位於所述半導體特徵周圍，<br/>其中從所述積體電路晶粒的所述第三側壁到包括所述積體電路晶粒的所述第一側壁的第一線與包括所述積體電路晶粒的所述第二側壁的第二線相交的第一點的第一距離小於從所述半導體特徵的所述第三側壁到包括所述半導體特徵的所述第一側壁的第三線與包括所述半導體特徵的所述第二側壁的第四線相交的第二點的第二距離。
一種由選擇性蝕刻奈米結構之方法製成的一奈米結構，該奈米結構包含一基板，該基板包括一第一層，且該第一層形成有： <br/>多個第一凹口及多個脊部，且該些脊部形成於該些第一凹口之間；其中該些第一凹口由蝕刻該第一層所形成，而該些脊部各自具有一斜面面向每一該些第一凹口； <br/>多個第二凹口各自形成於每一該些脊部中，且每一該些第二凹口具有位於該第一層之每一該些脊部的一開口；其中該些第二凹口由該第一層的一第一乾蝕刻製程所形成，且每一該些脊部具有兩側面面向每一該些第二凹口，其中，每一該斜面的斜率小於每一該兩側面的斜率；以及 <br/>多個鰭部由該些脊部所形成，其中，每一該些脊部形成兩鰭部圍繞每一該些第二凹口；其中來自每一該些脊部的該兩鰭部各自具有該斜面面向每一該些第一凹口，且每一該些鰭部各自在該基板上具有一雙間距； <br/>其中該選擇性蝕刻方法包括： <br/>提供該基板，該基板包括該第一層與一光阻層，其中該第一層介於該光阻層與該基板之間； <br/>微影圖案化該光阻層，以暴露該第一層的區域； <br/>蝕刻該第一層被暴露的區域，以在該第一層形成該些第一凹口； <br/>移除剩餘的該光阻層，以在該第一層的該些第一凹口之間形成該第一層的該些脊部； <br/>將該第一層置於該第一乾蝕刻製程，其中該第一乾蝕刻製程包括： <br/>將該第一層置於一粒子束下； <br/>藉此選擇性蝕刻相對該第一層之該些第一凹口的該些側壁的該第一層的該些脊部，以形成該第一層的該些第二凹口，該第一層的該些第二凹口各自具有位於該第一層之該些脊部的開口，且留下該些鰭部各自圍繞每一該些第二凹口的結構，其中每一該些鰭部在該基板上具有該雙間距。
如請求項1所述之由選擇性蝕刻奈米結構之方法製成的奈米結構，包括在一電晶體閘極溝道中。
如請求項1所述之由選擇性蝕刻奈米結構之方法製成的奈米結構，包括在一奈米線全環繞閘極場效電晶體中。
如請求項1所述之由選擇性蝕刻奈米結構之方法製成的奈米結構，其中，每一該些鰭部具有不等邊三角形結構，其中所有三個邊的長度不同，並且所有三個角的大小也不同。
一種由選擇性蝕刻奈米結構之方法製成的一奈米結構，該奈米結構包含一基板，該基板包括一第一層及一第二層，該第一層配置於該第二層上，其中該第二層形成有： <br/>多個第三凹口及多個脊部，且該些脊部形成於該些第三凹口之間；其中該些第三凹口由依序蝕刻該第一層及蝕刻該第二層所形成，而該些脊部各自具有一斜面面向每一該些第三凹口； <br/>多個第四凹口各自形成於該第二層的每一該些脊部中，且每一該些第四凹口具有位於該第二層之每一該些脊部的一開口；其中該些第四凹口由該第二層之一第二乾蝕刻製程所形成，且每一該些脊部具有兩側面面向每一該些第四凹口，其中，每一該斜面的斜率小於每一該兩側面的斜率；以及 <br/>多個第二鰭部由該第二層的該些脊部所形成，其中，每一該些脊部形成兩第二鰭部圍繞每一該些第四凹口；其中來自每一該些脊部的該兩第二鰭部各自具有該斜面面向每一該些第三凹口，且每一該些第二鰭部各自在該基板上具有一四間距； <br/>其中該選擇性蝕刻方法包括： <br/>提供該基板，該基板包括該第一層、該第二層、一光阻層與一硬罩幕層，其中該第一層介於該光阻層與該硬罩幕層之間，其中該硬罩幕層被配置於該第一層與該第二層之間； <br/>微影圖案化該光阻層，以暴露該第一層的區域； <br/>蝕刻該第一層被暴露的區域，以在該第一層形成多個第一凹口； <br/>移除剩餘的該光阻層，以在該第一層的該些第一凹口之間形成該第一層的該些脊部； <br/>將該第一層置於一第一乾蝕刻製程，其中該第一乾蝕刻製程包括： <br/>將該第一層置於一粒子束下； <br/>藉此選擇性蝕刻相對該第一層之該些第一凹口的該些側壁的該第一層的該些脊部，以形成該第一層的多個第二凹口，該第一層的該些第二凹口各自具有位於該第一層之該些脊部的開口； <br/>其中實施蝕刻該第一層被暴露的區域與將該第一層置於該第一乾蝕刻製程之歩驟，以暴露該硬罩幕，且留下多個第一鰭部各自圍繞每一該些第二凹口的結構，其中每一該些鰭部各自具有面向該些第一凹口的該斜面且在該基板上具有一第一間距； <br/>移除該些第一鰭部之間的該硬罩幕層，以暴露該第二層之區域； <br/>蝕刻該第二層被暴露的區域，以在該第二層形成該些第三凹口； <br/>移除該些第一鰭部與剩餘的該硬罩幕層，以在該第二層的該些第三凹口之間形成該第二層之該些脊部； <br/>將該第二層置於該第二乾蝕刻製程，其中該第二乾蝕刻製程包括： <br/>將該第二層置於一粒子束下； <br/>藉此選擇性蝕刻相對該第二層之該些第三凹口之多個側壁的該第二層的該些脊部，以形成該第二層之該些第四凹口，該第二層的該些第四凹口各自具有位於該第二層之該些脊部之開口，且留下該些第二鰭部各自圍繞該第二層的每一該些第四凹口的結構，其中每一該些第二鰭部具有較該第一間距窄的一第二間距。
如請求項5所述之由選擇性蝕刻奈米結構之方法製成的奈米結構，包括在一電晶體閘極溝道中。
如請求項5所述之由選擇性蝕刻奈米結構之方法製成的奈米結構，包括在一奈米線全環繞閘極場效電晶體中。
如請求項5所述之由選擇性蝕刻奈米結構之方法製成的奈米結構，其中，每一該些第二鰭部具有不等邊三角形結構，其中所有三個邊的長度不同，並且所有三個角的大小也不同。
一種封裝體的製造方法，包括：<br/> 形成一第一密封層於一第一晶圓的一第一邊緣區；<br/> 將該第一晶圓接合至一第二晶圓以形成一晶圓堆疊，其中在接合的步驟之後的時間，該第一密封層位於該第一晶圓的該第一邊緣區與該第二晶圓的一第二邊緣區之間，且其中該第一邊緣區以及該第二邊緣區包括多個斜面（bevels）；<br/> 對該晶圓堆疊執行一邊緣修整（trimming）製程，其中在該邊緣修整製程之後，至少部份地移除該第二晶圓的該第二邊緣區，且其中該第一密封層的一部份留作該晶圓堆疊的一部份；以及<br/> 形成一互連結構作為該第二晶圓的一部份，其中該互連結構包括多個重佈導線電性地連接至該第二晶圓中的多個積體電路裝置。
如請求項1之封裝體的製造方法，其中該第一密封層是透過旋轉塗佈所形成。
如請求項1之封裝體的製造方法，其中該第一密封層形成於該第一晶圓接合至該第二晶圓之後。
如請求項1之封裝體的製造方法，其中該第一密封層形成於該第一晶圓接合至該第二晶圓之前，且其中形成該第一密封層的步驟包括：<br/> 形成該第一密封層於該第一晶圓上；以及<br/> 執行一平坦化製程以使該第一密封層的一第一頂表面與該第一晶圓的一第二頂表面齊平。
如請求項1至請求項4中任一項之封裝體的製造方法，其中形成該第一密封層的步驟更包括：執行一蝕刻製程以塑型該第一密封層的多個邊緣。
如請求項1之封裝體的製造方法，其中該邊緣修整製程導致形成一凹槽於該晶圓堆疊中，且其中該凹槽的一底部高於該第一晶圓與該第二晶圓之間的一接合界面。
一種封裝體，包括：<br/> 一第一晶圓，包括：<br/> 一第一基板；<br/> 至少一第一介電層，於該第一基板上方；<br/> 一第一密封層，於所述至少一第一介電層上方且位於該第一晶圓的一第一邊緣區，其中所述至少一第一介電層與該第一密封層的側邊相連接，且所述至少一第一介電層與該第一密封層的頂表面彼此共平面，其中該第一密封層包括一曲面；以及<br/> 一第一接合層，於所述至少一第一介電層以及該第一密封層上方且與所述至少一第一介電層以及該第一密封層兩者重疊；以及<br/> 一第二晶圓，接合至該第一晶圓，其中該第二晶圓包括：<br/> 一第二基板；<br/> 至少一第二介電層，於該第二基板下方；<br/> 一第二密封層，於所述至少一第二介電層下方且位於該第二晶圓的一第二邊緣區，其中所述至少一第二介電層與該第二密封層的側邊相連接，且所述至少一第二介電層與該第二密封層的底表面彼此共平面；以及<br/> 一第二接合層，於所述至少一第二介電層以及該第二密封層下方且與所述至少一第二介電層以及該第二密封層兩者重疊，其中該第二接合層接合至該第一接合層，其中該第一密封層與該第二密封層重疊。
如請求項7之封裝體，其中該第一接合層包括一筆直邊緣垂直於該第一接合層與該第二接合層之間的一接合界面。
一種封裝體，包括：<br/> 一第一晶圓，包括：<br/> 一第一半導體基板，其中該第一半導體基板包括：一第一曲面，於該第一晶圓的一第一邊緣區中；<br/> 至少一第一介電層，於該第一半導體基板上方；<br/> 一第一密封層，於所述至少一第一介電層上方且位於該第一晶圓的該第一邊緣區，其中該第一密封層包括：一第二曲面，且其中該第二曲面與該第一半導體基板以及所述至少一第一介電層中的一者實體接觸；以及<br/> 一第一接合層，於所述至少一第一介電層以及該第一密封層上方，包括一平坦底表面與所述至少一第一介電層以及該第一密封層兩者接觸；以及<br/> 一第二晶圓，包括：<br/> 一第二半導體基板；<br/> 至少一第二介電層，於該第二半導體基板下方；<br/> 一第二密封層，於所述至少一第二介電層下方；以及<br/> 一第二接合層，於該第二密封層下方，接合至該第一接合層。
如請求項9之封裝體，其中該第二半導體基板包括：一第三曲面，於該第二晶圓的一第二邊緣區中，其中：<br/> 該第二密封層位於該第二晶圓的該第二邊緣區，其中該第二接合層包括：一第四曲面，於該第二晶圓的該第二邊緣區中，且該第四曲面與該第三曲面接觸，其中該第一密封層藉由該第一接合層以及該第二接合層與該第二密封層分隔。
一種積層膜，係至少具有基材層與防霧層這兩層；<br/> (a)將前述積層膜之防霧層面與厚度為200μm之未延伸聚對苯二甲酸乙二酯片於120℃、140℃、160℃、180℃之各溫度下以0.2MPa進行熱封一秒鐘，使用寬度為15mm之試驗片所測定之熱封強度均為2.0N／15mm以上至12.0N／15mm以下；<br/> (b)於5℃、50%相對濕度(R.H.)之條件下，於前述積層膜之防霧層之表面滴下1μL之蒸餾水，並於5秒鐘後所測定之水接觸角為50°以下；<br/> (c)擺式衝擊試驗中之於5℃之條件下的衝擊強度為0.5J以上；<br/> (d)於5℃之條件下的撕裂強度在前述積層膜中之MD方向及TD方向均為100mN以上；<br/> (e)根據下式(1)之計算式所求得之前述積層膜之厚度不均在MD方向及TD方向的值均為10%以下；<br/> 厚度不均(%)＝(T<sub>max</sub>－T<sub>min</sub>)／T<sub>ave</sub>×100 式(1)；<br/> T<sub>max</sub>：積層膜之最大厚度；<br/> T<sub>min</sub>：積層膜之最小厚度；<br/> T<sub>ave</sub>：積層膜之平均厚度；<br/> (f)前述基材層包含再生聚酯樹脂，且前述基材層中的間苯二甲酸量相對於全部二羧酸單元為0.5莫耳%以上至3.2莫耳%以下。
如請求項1所記載之積層膜，其中從前述積層膜切出長度為200mm之樣品中以0.5mm為間隔來將膜厚度圖像化的情形時，在所表現之厚度之凹凸圖案中，將凸部之最大厚度與凹部之最小厚度的差異最大的部分設為最大凸部，此時，以下式(2)之計算式所求得的最大凸部之厚度不均在MD方向及TD方向的值均為6%以下；<br/> 最大凸部之厚度不均(%)＝(最大凸部之最大厚度－最大凸部之最小厚度)／T<sub>ave</sub>×100 式(2)。
如請求項1或2所記載之積層膜，其中將前述積層膜之防霧層面與前述積層膜之基材層面疊合，並於40℃之條件下，以450kgf／m<sup>2</sup>之荷重靜置一週後，使用寬度為15mm之試驗片所測定的剝離強度為1.0N／15mm以下。
如請求項1或2所記載之積層膜，其中於5℃之條件下所測得之前述積層膜中MD方向之撕裂強度相對於TD方向之撕裂強度的強度比(撕裂強度<sub>MD</sub>／撕裂強度<sub>TD</sub>)為0.6以上至1.5以下。
如請求項1或2所記載之積層膜，其中使用阿貝折射計且經由式(3)之計算式所求得之前述積層膜之配向係數為0.6以上至1.5以下；<br/> 配向係數＝｛Nx－(Ny＋Nz)／2｝／｛Ny－(Nx＋Nz)／2｝ 式(3)；<br/> Nx：膜之MD方向之折射率；<br/> Ny：膜之TD方向之折射率；<br/> Nz：膜之厚度方向之折射率。
如請求項1或2所記載之積層膜，其中前述基材層為雙軸配向聚酯膜。
如請求項1或2所記載之積層膜，其中前述防霧層至少含有玻璃轉移溫度Tg為0℃以上至40℃以下之聚酯樹脂(A)及玻璃轉移溫度Tg為41℃以上至80℃以下之聚酯樹脂(B)這兩種樹脂。
如請求項7所記載之積層膜，其中於構成前述防霧層之樹脂中，前述聚酯樹脂(A)與前述聚酯樹脂(B)之質量比為聚酯樹脂(A)：聚酯樹脂(B)＝50／50至90／10。
如請求項7所記載之積層膜，其中前述防霧層含有非離子性界面活性劑。
如請求項9所記載之積層膜，其中前述非離子性界面活性劑之HLB值為3以上至10以下。
如請求項1或2所記載之積層膜，其中前述積層膜之霧度未達10%。
如請求項1或2所記載之積層膜，係具有接著層、前述基材層以及印刷層。
一種食品包裝容器用蓋材，係包含如請求項1至12中任一項所記載之積層膜。
一種食品包裝容器，係具有如請求項13所記載之食品包裝容器用蓋材。
一種發光裝置，在基板配置有一像素，該像素包含發光元件及供於使前述發光元件進行動作用的複數個電晶體， <br/>前述複數個電晶體，包含：第1電晶體，其具有連接於前述發光元件的源極區域或汲極區域；以及第2電晶體，其具有未連接於前述發光元件的源極區域及汲極區域； <br/>在作用為前述第1電晶體的前述源極區域或前述汲極區域的第1擴散區域，配置第1矽化物， <br/>在作用為前述第2電晶體的前述源極區域或前述汲極區域的第2擴散區域，配置第2矽化物， <br/>前述第1矽化物所含的金屬的往矽的擴散係數，比前述第2矽化物所含的金屬的往矽的擴散係數小。
如請求項1的發光裝置，其中， <br/>以覆蓋前述第1擴散區域的方式配置絕緣膜， <br/>於前述絕緣膜，設置使前述第1矽化物曝露的開口部， <br/>於前述開口部，配置接於前述第1矽化物的導電圖案， <br/>在相對於前述基板之中配置有前述像素之面的正投影中，前述第1矽化物，被配置為和前述導電圖案之中配置於前述開口部的部分重疊。
如請求項2的發光裝置，其中， <br/>前述第2擴散區域，經由前述第2矽化物連接著第2導電圖案， <br/>在相對於前述面之正投影中，將配置有前述第1矽化物的面積除以前述導電圖案與前述第1矽化物相接的部分的面積之值，比將配置有前述第2矽化物的面積除以前述第2導電圖案與前述第2矽化物相接的部分的面積之值小。
如請求項1的發光裝置，其中， <br/>前述第1擴散區域，包含第1區域以及配置於前述第1區域與前述第1矽化物之間的第2區域， <br/>前述第1區域的雜質濃度，比前述第2區域的雜質濃度低。
如請求項4的發光裝置，其中， <br/>前述第1擴散區域，進一步包含一第3區域，該第3區域，配置於前述第1區域與前述第1電晶體的通道區域之間，雜質濃度比前述第1區域低。
如請求項4的發光裝置，其中，前述第1區域的雜質濃度，比前述第2擴散區域的雜質濃度低。
如請求項4的發光裝置，其中， <br/>前述第2擴散區域，包含第4區域及第5區域，該第5區域，配置於前述第4區域與前述第2電晶體的通道區域之間，雜質濃度比前述第4區域低， <br/>前述第1區域的雜質濃度，比前述第4區域的雜質濃度低。
如請求項7的發光裝置，其中，前述第2矽化物與前述第4區域，未相接。
如請求項7的發光裝置，其中，前述第2矽化物與前述第5區域，相接。
如請求項1的發光裝置，其中， <br/>前述第1擴散區域與前述第2擴散區域被電連接， <br/>在前述第1擴散區域與前述第2擴散區域之間，配置有絕緣分離構造。
如請求項1的發光裝置，其中，在前述第1擴散區域，未配置有前述第2矽化物。
如請求項1的發光裝置，其中， <br/>在前述第1電晶體及前述第2電晶體的各自的閘極電極，配置有第3矽化物， <br/>前述第1矽化物所含的金屬的往矽的擴散係數，比前述第3矽化物所含的金屬的往矽的擴散係數小。
如請求項12的發光裝置，其中，前述第2矽化物所含的金屬與前述第3矽化物所含的金屬，為相同。
如請求項12的發光裝置，其中，前述第2矽化物所含的金屬與前述第3矽化物所含的金屬，彼此不同。
如請求項12的發光裝置，其中， <br/>前述第1矽化物，含鈦， <br/>前述第2矽化物及前述第3矽化物，含鈷或鎳。
如請求項1的發光裝置，其中， <br/>前述第1矽化物，含鈦， <br/>前述第2矽化物，含鈷或鎳。
如請求項1的發光裝置，其中， <br/>前述基板，包括第1基板與第2基板， <br/>於前述第1基板，配置有前述發光元件及前述第1電晶體， <br/>於前述第2基板，配置有前述第2電晶體。
如請求項1的發光裝置，其進一步包含供於對前述像素進行驅動用的驅動部， <br/>在作用為配置於前述驅動部的電晶體的源極區域或汲極區域的擴散區域，配置有前述第2矽化物。
一種顯示裝置，具有：如請求項1至18中任一項的發光裝置；以及連接於前述發光裝置的主動元件。
一種光電轉換裝置， <br/>具有複數個透鏡的光學部、接收通過了前述光學部的光的攝像元件及顯示影像的顯示部， <br/>前述顯示部，為顯示前述攝像元件所攝像的影像的顯示部，且具有如請求項1至18中任一項的發光裝置。
一種電子裝置， <br/>具有：殼體，其設有顯示部；以及通訊部，其設於前述殼體，和外部進行通訊； <br/>前述顯示部，具有如請求項1至18中任一項的發光裝置。
一種照明裝置， <br/>具有：光源；以及光擴散部及光學膜中的至少一方； <br/>前述光源，具有如請求項1至18中任一項的發光裝置。
一種行動體，具有機體以及設於前述機體的燈具， <br/>前述燈具，具有如請求項1至18中任一項的發光裝置。
一種電子裝置，包括:<br/> 一像素陣列，包括一像素單元；<br/> 一閘極驅動器，用以產生多個閘極控制信號；以及<br/> 一偏置信號驅動器，電連接到所述像素單元及所述閘極驅動器，且用以根據所述多個閘極控制信號的一部分產生一偏置信號以致能所述像素單元，<br/> 其中所述偏置信號驅動器包括一第一邏輯電路及一第二邏輯電路，<br/> 其中所述偏置信號驅動器用以接收第i閘極控制信號及第j閘極控制信號，且產生所述偏置信號以致能所述像素陣列的第n行的多個像素單元，其中i、j及n是正整數，<br/> 其中i小於（n-1），且j大於n。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述像素單元包括一電子元件。
如請求項2所述的電子裝置，其中所述像素單元還包括電連接到所述電子元件的一電壓源電路，且所述電子元件是一電壓控制式元件。
如請求項3所述的電子裝置，其中所述電子元件包括一變容二極體。
如請求項2所述的電子裝置，其中所述像素單元還包括電連接到所述電子元件的一電流源電路，且所述電子元件是一電流控制式元件。
如請求項3所述的電子裝置，其中所述電子元件包括一發光二極體。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述多個閘極控制信號中的第（n-1）閘極控制信號用以將所述像素陣列的第n行的多個像素單元重置，其中n是正整數。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述多個閘極控制信號中的第n閘極控制信號用以為所述像素陣列的第n行的多個像素單元設定一數據電壓，其中n是正整數。
如請求項1所述的電子裝置，其中i等於（n-2）。
如請求項1所述的電子裝置，其中j等於（n+1）。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述第一邏輯電路與所述第二邏輯電路是相同的邏輯電路。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述第一邏輯電路及所述第二邏輯電路是兩個或非門電路或兩個與非門電路。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述第一邏輯電路及所述第二邏輯電路包括兩個n型電晶體及兩個p型電晶體。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述第一邏輯電路用以接收所述第j閘極控制信號及所述偏置信號，<br/> 其中所述第二邏輯電路用以接收所述第i閘極控制信號及所述第一邏輯電路的輸出信號，且輸出所述偏置信號。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述偏置信號驅動器還包括一重置電路。
如請求項15所述的電子裝置，其中所述重置電路包括一重置電晶體，且所述重置電晶體接收一重置信號。
如請求項15所述的電子裝置，其中所述重置電路包括一電阻器，且所述電阻器電連接到所述第一邏輯電路與所述第二邏輯電路之間的節點。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述偏置信號驅動器還包括一緩衝電路。
如請求項18所述的電子裝置，其中所述緩衝電路包括一互補金屬氧化物半導體反相器。
一種組合式電連接器，該組合式電連接器係包括：<br/>一主側端子組件，該主側端子組件係具有一主側端子絕緣座體與一主側導電端子組；該主側端子絕緣座體係具有一主側端子橋接空間；該主側導電端子組係具有多個主側橋接導電端子，且該主側導電端子組係嵌設於該主側端子絕緣座體，使各該主側橋接導電端子的部分延伸進入該主側端子橋接空間；<br/>一次側端子組件，該次側端子組件係具有一次側端子絕緣座體與一次側導電端子組；該次側端子絕緣座體係具有一次側端子橋接空間；該次側導電端子組係具有多個次側橋接導電端子，且該次側導電端子組係嵌設於該次側端子絕緣座體，使各該次側橋接導電端子的部分延伸進入該次側端子橋接空間；以及<br/>一導電橋接組件，該導電橋接組件係具有一馬鞍狀金屬橋接結構體與一支撐結構體；該馬鞍狀金屬橋接結構體係具有一主側金屬橋接子結構體、一次側金屬橋接子結構體與一鞍背金屬橋接子結構體，該鞍背金屬橋接子結構體的兩側係分別連接該主側金屬橋接子結構體與該次側金屬橋接子結構體，以於該馬鞍狀金屬橋接結構體中形成一支撐結構體容置空間；其中，<br/>該支撐結構體係容置於該支撐結構體容置空間，以分別接觸該主側金屬橋接子結構體與該次側金屬橋接子結構體，進而分別對該主側金屬橋接子結構體與該次側金屬橋接子結構體提供支撐；<br/>該主側金屬橋接子結構體係具有多個主側橋接金屬板抵接結構；以及<br/>該次側金屬橋接子結構體係具有多個次側橋接金屬板抵接結構；其中，<br/>該主側端子組件、該次側端子組件與該導電橋接組件係組合而構成一電連接器組合體，於該電連接器組合體中，該主側端子橋接空間與該次側端子橋接空間係連通而構成一導電橋接組件容置空間；其中，<br/>該導電橋接組件係容置於該導電橋接組件容置空間，使各該主側橋接金屬板抵接結構於一主側抵接該多個主側橋接導電端子之其中一者延伸進入該主側端子橋接空間的部分，以讓該多個主側橋接導電端子電性連接而形成一主側橋接電路，還使各該次側橋接金屬板抵接結構於一次側抵接該多個次側橋接導電端子之其中一者延伸進入該次側端子橋接空間的部分，以讓該多個次側橋接導電端子電性連接而形成一次側橋接電路，其中，該鞍背金屬橋接子結構體係提供電性連接該主側橋接電路與該次側橋接電路，俾達成該多個主側橋接導電端子與該多個次側橋接導電端子的電性連接。
如請求項1所述組合式電連接器，其中，該主側導電端子組還具有一主側非橋接導電端子；該次側導電端子組還具有一次側非橋接導電端子，於該電連接器組合體中，該主側金屬橋接子結構體係於該主側跨過該主側非橋接導電端子，且該主側金屬橋接子結構體係於該主側端子橋接空間提供屏蔽，該次側金屬橋接子結構體係於該次側跨過該次側非橋接導電端子，且該次側金屬橋接子結構體係於該次側端子橋接空間提供屏蔽。
如請求項2所述組合式電連接器，其中，該主側金屬橋接子結構體還具有一主側橋接金屬板鏤空結構，該主側橋接金屬板鏤空結構係設置於對應該主側非橋接導電端子的位置，使該主側金屬橋接子結構體可於該主側藉由該主側橋接金屬板鏤空結構跨過該主側非橋接導電端子；以及該次側金屬橋接子結構體還具有一次側橋接金屬板鏤空結構，該次側橋接金屬板鏤空結構係設置於對應該次側非橋接導電端子的位置，使該次側金屬橋接子結構體可於該次側藉由該次側橋接金屬板鏤空結構跨過該次側非橋接導電端子。
如請求項3所述組合式電連接器，其中，該主側金屬橋接子結構體還具有一主側橋接金屬板補強結構，該主側橋接金屬板補強結構係延伸進入該主側橋接金屬板鏤空結構，以將該主側橋接金屬板鏤空結構隔成多個主側橋接金屬板鏤空子結構，進而補強該主側金屬橋接子結構體的結構；以及該次側金屬橋接子結構體還具有一次側橋接金屬板補強結構，該次側橋接金屬板補強結構係延伸進入該次側橋接金屬板鏤空結構，以將該次側橋接金屬板鏤空結構隔成多個次側橋接金屬板鏤空子結構，進而補強該次側金屬橋接子結構體的結構。
如請求項1所述組合式電連接器，其中，該馬鞍狀金屬橋接結構體係為金屬板材，俾令該鞍背金屬橋接子結構體的兩側分別連接該主側金屬橋接子結構體與該次側金屬橋接子結構體。
如請求項1所述組合式電連接器，其中，該支撐結構體係為導電塑膠，以提供電性連接該主側橋接電路與該次側橋接電路，且於該支撐結構體容置空間提供屏蔽。
如請求項1所述組合式電連接器，其中，該支撐結構體係具有一支撐結構體接合結構，於該支撐結構體容置於該支撐結構體容置空間，該支撐結構體接合結構係接合該馬鞍狀金屬橋接結構體，使該支撐結構體接合結構與該馬鞍狀金屬橋接結構體成為一體。
一種電子裝置，包括：<br/> 一基板，具有沿一第一方向延伸的一邊緣；<br/> 一第一驅動器，設置在該基板上；<br/> 一第二驅動器，設置在該基板上，其中該第一驅動器與該第二驅動器沿該第一方向排列，該第一驅動器與該第二驅動器各自具有設置在平行於該第一方向的一第一側的一第一凸塊以及設置在垂直於該第一方向的一第二側的一第二凸塊； <br/> 多個接合墊，設置在該基板上且沿該邊緣排列； <br/> 一第一走線，設置在該第一驅動器與該第二驅動器之間，其中該第一走線電性連接該些接合墊的其中之一與該第一凸塊；以及<br/> 一第二走線，設置在該第一驅動器與該第二驅動器之間，其中該第二走線電性連接該些接合墊的其中另一與該第二凸塊；<br/> 其中，在垂直於該第一方向的一第二方向上，該第二走線的寬度大於該第一走線的寬度。
如請求項1之電子裝置，其中該第二走線為一電源走線。
如請求項2之電子裝置，其中該基板還包括一主動區，該第一驅動器與該第二驅動器設置在該主動區與該基板的該邊緣之間，該第二走線具有沿該第一方向延伸的一第一部分，且該第一部分的一邊界的一部分比該第一驅動器更靠近該主動區。
如請求項2之電子裝置，其中該第一驅動器還包括一第三凸塊，設置在該第一驅動器的一第三側，該第三側與該第二側相對，該第二側比該第三側更靠近該第二驅動器，且該第二走線自該第二側延伸至該第三側並電性連接該第三凸塊。
如請求項1之電子裝置，其中該第一凸塊設置在該第一側的一末端部，該末端部與該第二側相鄰，該末端部的長度等於該第一側的長度的25%，且該第一走線用以傳輸差動信號。
如請求項1之電子裝置，還包括一第三走線，其中該第一驅動器還包括一第四凸塊，設置在該第一驅動器的一第四側，其中該第四側與該第一側相對並位於比該第一側更遠離該基板的該邊緣，且該第三走線電性連接該些接合墊的其中另一與該第四凸塊。
如請求項6之電子裝置，其中該第四凸塊設置在該第四側的一末端部，該末端部與該第二側相鄰，該末端部的長度等於該第四側的長度的25%，且該第三走線用以傳輸伽瑪信號。
如請求項6之電子裝置，其中在該第二方向上，該第一走線的寬度大於該第三走線的寬度。
如請求項1之電子裝置，其中還包括一電路板，電性連接該些接合墊。
如請求項1之電子裝置，其中該第一側的長度大於該第二側的長度。
一種兩相液冷系統，用於電子設備的散熱，其改良在於，包括：<br/> 殼體，用於容納複數個電子設備；<br/> 冷卻回路，連接於所述殼體，所述冷卻回路包括供液歧管、回流歧管與並聯連接於所述供液歧管與所述回流歧管之間的複數個冷卻液支管，每個所述冷卻液支管用於對一個所述電子設備進行散熱；<br/> 阻抗裝置，包括複數個球閥，所述複數個球閥集成於所述供液歧管中，每個所述球閥用於增加一個所述冷卻液支管中的阻抗；<br/> 阻抗感應裝置，連接於所述冷卻液支管，用於量測每個所述冷卻液支管中的阻抗，所述阻抗裝置用於根據所述阻抗感應裝置的量測結果，對每個所述冷卻液支管中的阻抗進行調節，以減小各個冷卻液支管中阻抗的差異。
如請求項1所述之兩相液冷系統，其中，所述阻抗裝置包括複數個球閥，每個所述球閥設置於一個所述冷卻液支管，並用於增加對應的所述冷卻液支管中的阻抗。
如請求項1所述之兩相液冷系統，其中，所述阻抗裝置包括複數個毛細管，每個所述毛細管設置於一個所述冷卻液支管，並用於增加對應的所述冷卻液支管中的阻抗。
如請求項1所述之兩相液冷系統，還包括冷卻液供應裝置，所述冷卻液供應裝置包括依次連接的散熱器、冷卻液儲庫與冷卻液泵，冷卻液供應裝置設於所述殼體之外，並連接於冷卻回路。
如請求項4所述之兩相液冷系統，其中，所述冷卻液支管還包括散熱板，所述散熱板貼設於所述電子設備的發熱元件上，用於與所述發熱元件進行熱交換，所述冷卻液支管連接於所述散熱板。
一種電子設備的液冷方法，用於對複數個電子設備的散熱，所述複數個電子設備並聯連接，並包括複數個具有不同熱負載的電子設備，其改良在於，所述電子設備的液冷方法包括：<br/> 量測所述複數個電子設備所處的冷卻支路的冷卻液流動阻抗，以得到最高阻抗值；<br/> 於每個所述冷卻支路增加額外阻抗，所述額外阻抗的阻抗值係所述最高阻抗值的1~2倍。
如請求項6所述之電子設備的液冷方法，包括：<br/> 藉由球閥設置所述額外阻抗，每個冷卻支路設有一個所述球閥，藉由控制每個所述球閥的開度使每個所述冷卻支路增加所述額外阻抗。
如請求項7所述之電子設備的液冷方法，包括：<br/> 藉由毛細管設置所述額外阻抗，每個冷卻支路連接有所述毛細管，藉由於每個所述冷卻支路連接具有預定長度的所述毛細管來增加所述額外阻抗。
一種吸收性物品，具有細長的本體，該本體具備在肌膚側的頂片、在與前述肌膚側的相反側的背片、及配置在前述頂片與前述背片之間的吸收體，又，沿著長邊方向具有前方區域、體液排出口對向區域、會陰對向區域及臀部對向區域；<br/> 至少在前述頂片和前述吸收體上，形成有自前述頂片側往前述背片側凹陷的壓縮溝；<br/> 前述壓縮溝，包含一對的中央壓縮溝，其沿著長邊方向延伸；及，一對的後方壓縮溝，其在前述一對的中央壓縮溝的後方，以規定的長邊方向間隔與該一對的中央壓縮溝隔離；<br/> 前述一對的中央壓縮溝，被形成在前述體液排出口對向區域及前述會陰對向區域，並且其後端部位於前述臀部對向區域；<br/> 前述一對的後方壓縮溝，被形成在前述臀部對向區域；<br/> 前述規定的長邊方向間隔，比前述一對的中央壓縮溝的後端的橫方向間隔及前述一對的後方壓縮溝的前端的橫方向間隔更大；且<br/> 通過前述一對的中央壓縮溝的後端與前述一對的後方壓縮溝的前端的假想線，在長邊方向中心線的各側，與長邊方向平行地延伸。
如請求項1所述之吸收性物品，其中，前述一對的中央壓縮溝，包含含有後端且以越朝向後方越靠近長邊方向中心線的方式傾斜的傾斜部分；並且，前述一對的後方壓縮溝，包含含有前端且以越朝向前方越靠近長邊方向中心線的方式傾斜的傾斜部分。
如請求項1或2所述之吸收性物品，其中，前述中央壓縮溝的後端部分相對於長邊方向中心線的傾斜角度，與前述後方壓縮溝的前端部分相對於長邊方向中心線的傾斜角度的差為10∘以下。
如請求項1或2所述之吸收性物品，其中，前述一對的後方壓縮溝在後方連結。
如請求項1或2所述之吸收性物品，其中，前述一對的後方壓縮溝的前端的橫方向間隔，相對於前述一對的中央壓縮溝的後端的橫方向間隔為相同或比該橫方向間隔更小。
如請求項1或2所述之吸收性物品，其中，前述壓縮溝，個別地在前述一對的後方壓縮溝的橫方向外側，進而包含沿著長邊方向延伸的側方壓縮溝；<br/> 前述側方壓縮溝的後端部分，個別地朝向前述後方壓縮溝彎曲。
一種搬送系統，其具備搬送車，該搬送車對被動裝置搬送物品； <br/>上述搬送車具有： <br/>通信部，其在上述物品之移載中，一面一直持續地與上述被動裝置進行收發接收信號強度，一面與上述被動裝置進行收發無線信號， <br/>計數器，其在上述物品之移載中，生成與從上述通信部無法接收自上述被動裝置所發送之上述接收信號強度的時間點起的經過時間相對應之計數值；及 <br/>輸出部，其當產生逾時異常即上述通信部在既定期間內無法辨識上述被動裝置所輸出之上述無線信號的狀態時，輸出上述計數值； <br/>上述計數器於接收上述接收信號強度時，一直持續地重置上述計數值。
如請求項1之搬送系統，其中，上述搬送車與上述被動裝置之無線通信係包含以有關半導體製造裝置之國際標準所規定之E84信號的無線通信， <br/>上述輸出部僅於因上述E84信號而產生逾時異常時輸出上述計數值。
如請求項1或2之搬送系統，其中，上述計數值係上述經過時間本身。
如請求項1或2之搬送系統，其中，上述計數器係於上述搬送車與上述被動裝置之無線通信中，一直持續地重置上述計數值。
一種光纖素線，具備：裸線部，其在軸方向上延伸，且具有芯材及包層；主層，其包覆前述裸線部；及副層，其包覆前述主層；前述主層之楊氏模數在0.10~0.25MPa的範圍內；且前述光纖素線構成為前述主層中所產生之孔洞會因為將前述光纖素線於60℃加熱3分鐘以上而消失。
如請求項1之光纖素線，其構成為前述孔洞會因為將前述光纖素線於45℃加熱3分鐘以上而消失。
如請求項1之光纖素線，其中前述副層的楊氏模數在750~2000MPa的範圍內。
如請求項2之光纖素線，其中前述副層的楊氏模數在750~2000MPa的範圍內。
如請求項1至4中任一項之光纖素線，其中前述孔洞在前述軸方向之尺寸為前述孔洞在直徑方向之尺寸的3倍以下。
一種光纖帶之製造方法，係準備複數條如請求項1至5中任一項之光纖素線；在前述複數條光纖素線上塗佈帶化材料；且將前述帶化材料加熱硬化，藉此使前述複數條光纖素線一體化為帶狀。
一種產生參考狀態資料以對腔室的狀態進行監測的方法，所述方法包括： <br/>準備處於第一狀態的所述腔室，所述腔室包括多個部件， <br/>其中所述腔室的內部空間的幾何形狀是由所述多個部件界定， <br/>其中所述第一狀態是由所述多個部件中的每一者的幾何狀態的組合來定義； <br/>自處於所述第一狀態的所述腔室的外側或內側向處於所述第一狀態的所述腔室的內部空間發射頻率範圍為1十億赫茲或大於1十億赫茲且20十億赫茲或小於20十億赫茲的無線電波並且接收由所述腔室的所述內部空間反射的無線電波； <br/>使用由天線接收的無線電波計算選自由以下組成的群組中的一個參數：i）S參數、ii）H參數、iii）Y參數、iv）Z參數及v）自所述頻率範圍內的所述S參數、所述H參數、所述Y參數及所述Z參數導出的一個參數；以及 <br/>使用所計算的所述參數來產生處於所述第一狀態的所述腔室的第一參考狀態資料。
如請求項1所述的方法， <br/>準備處於第二狀態的所述腔室，在所述第二狀態中，所述多個部件中的至少一部分的所述幾何狀態自處於所述第一狀態的所述腔室發生改變；以及 <br/>藉由向處於所述第二狀態的所述腔室發射無線電波並接收來自處於所述第二狀態的所述腔室的無線電波來產生第二參考狀態資料。
如請求項1所述的方法， <br/>其中所述無線電波的所述發射及所述無線電波的所述接收包括：經由形成於所述腔室中的視埠而自所述腔室的外側向所述腔室的所述內部空間發射無線電波以及接收由所述腔室的所述內部空間反射的無線電波。
一種產生參考狀態資料以對腔室的狀態進行監測的方法，所述方法包括： <br/>準備處於第一狀態的所述腔室，所述腔室包括多個部件， <br/>其中所述腔室的內部空間的幾何狀態及電性狀態是由所述多個部件定義， <br/>其中所述第一狀態是由所述多個部件中的每一者的幾何狀態與電性狀態的組合來定義； <br/>自處於所述第一狀態的所述腔室的外側或內側向處於所述第一狀態的所述腔室的內部空間發射頻率範圍為1十億赫茲或大於1十億赫茲且20十億赫茲或小於20十億赫茲的無線電波並且接收由所述腔室的所述內部空間反射的無線電波； <br/>使用由天線接收的無線電波計算選自由以下組成的群組中的一個參數：i）S參數、ii）H參數、iii）Y參數、iv）Z參數及v）自所述頻率範圍內的所述S參數、所述H參數、所述Y參數及所述Z參數導出的一個參數；以及 <br/>使用所計算的所述參數產生處於所述第一狀態的所述腔室的第一參考狀態資料。
一種對腔室的狀態進行監測的方法，所述方法包括： <br/>獲取反映所述腔室的所述狀態的參考狀態資料集； <br/>向欲被監測的所述腔室的內部空間發射處於特定頻率範圍的無線電波並接收由所述腔室的所述內部空間反射的無線電波； <br/>使用所接收的所述無線電波來產生所述腔室的當前狀態資料； <br/>使用所述參考狀態資料集及所述當前狀態資料來產生關於所述腔室的當前狀態的監測資訊；以及 <br/>提供所述監測資訊， <br/>其中所述參考狀態資料集包括反映所述腔室的多個狀態的多個參考狀態資料， <br/>其中產生所述監測資訊包括， <br/>計算所述當前狀態資料與所述多個參考狀態資料中的每一者之間的相似性；以及 <br/>基於所述相似性來產生所述監測資訊。
如請求項5所述的方法， <br/>其中所述參考狀態資料集包括第一參考狀態資料及第二參考狀態資料，所述第一參考狀態資料反映所述腔室的第一狀態，所述第二參考狀態資料反映所述腔室的第二狀態， <br/>其中產生所述監測資訊包括， <br/>計算所述第一參考狀態資料與所述當前狀態資料之間的第一相似性； <br/>計算所述第二參考狀態資料與所述當前狀態資料之間的第二相似性；以及 <br/>基於所述第一相似性及所述第二相似性來產生所述監測資訊。
如請求項6所述的方法， <br/>其中當所述第一相似性大於或等於第一標準值且所述第二相似性大於或等於第二標準值時，所述監測資訊包括指示所述腔室處於其中至少所述第一狀態與所述第二狀態交疊的狀態的資訊。
如請求項5所述的方法， <br/>其中所述參考狀態資料集包括反映所述腔室的所述多個狀態的所述多個參考狀態資料， <br/>其中所述方法更包括：當所述多個參考狀態資料中的每一者與所述當前狀態資料之間的所有相似性均小於標準值時，將所述當前狀態資料設定為新的參考狀態資料。
如請求項5所述的方法，更包括： <br/>當獲得欲將所述腔室的所述當前狀態設定為參考狀態的使用者輸入時，將所述當前狀態資料設定為新的參考狀態資料。
如請求項5所述的方法， <br/>其中所述特定頻率範圍包括第一頻率區段及第二頻率區段， <br/>其中產生所述監測資訊包括： <br/>計算和所述參考狀態資料集的所述多個參考狀態資料中的至少一部分的所述第一頻率區段對應的資料與所述當前狀態資料之中和所述第一頻率區段對應的資料之間的第一相似性； <br/>計算和所述參考狀態資料集的所述多個參考狀態資料中的至少一部分的所述第二頻率區段對應的資料與所述當前狀態資料之中和所述第二頻率區段對應的資料之間的第二相似性；以及 <br/>基於所述第一相似性及所述第二相似性產生所述監測資訊。
如請求項5所述的方法， <br/>其中提供所述監測資訊包括：慮及所述參考狀態資料集與所述當前狀態資料之間的相似性來輸出警報。
如請求項5所述的方法， <br/>其中發射所述無線電波及接收所述無線電波包括：經由形成於所述腔室中的視埠而自所述腔室的外側向所述腔室的所述內部空間發射無線電波並且接收由所述腔室的所述內部空間反射的無線電波。
如請求項5所述的方法， <br/>其中所述參考狀態資料集包括第一製程的第一製程參考狀態資料以及第二製程的第二製程參考狀態資料， <br/>其中產生所述監測資訊包括： <br/>獲取製程資訊；以及 <br/>基於所述製程資訊而使用所述第一製程參考狀態資料及所述第二製程參考狀態資料中的一者以及所述當前狀態資料來產生所述監測資訊。
一種對指令進行儲存的非暫時性電腦可讀取媒體， <br/>其中當由裝置的一或多個處理器來執行所述指令時，所述指令使所述裝置實行如請求項1至13中任一項所述的方法。
一種對腔室的狀態進行監測的裝置，所述裝置包括： <br/>天線，用於向所述腔室的內側中發射頻率範圍為1十億赫茲或大於1十億赫茲且20十億赫茲或小於20十億赫茲的無線電波並且接收由所述腔室的內部空間反射的無線電波； <br/>托架，用於將所述天線固定至所述腔室的外側； <br/>訊號處理單元，用於向所述天線施加電性訊號且自所述天線獲取所述電性訊號； <br/>通訊單元，用於與所述外側進行通訊；以及 <br/>控制單元，用於產生關於所述腔室的所述狀態的監測資訊， <br/>其中所述控制單元使用由所述天線接收的無線電波計算選自由以下組成的群組中的一個參數：i）S參數、ii）H參數、iii）Y參數、iv）Z參數及v）自所述頻率範圍內的所述S參數、所述H參數、所述Y參數及所述Z參數導出的一個參數， <br/>使用所計算的所述參數來產生所述腔室的當前狀態資料， <br/>基於所產生的所述當前狀態資料及預先儲存的參考狀態資料集來產生所述監測資訊。
如請求項15所述的裝置， <br/>其中所述托架被設計成將所述天線的位置固定至形成於所述腔室中的視埠的外側。
如請求項16所述的裝置， <br/>其中所述托架與所述天線之間的位置關係被設計成使得所述天線的和所述視埠相鄰的一端與所述視埠的和所述天線相鄰的一側具有一預定距離。
如請求項15所述的裝置， <br/>其中所述天線的位置是由所述托架固定以對應於形成於所述腔室中的視埠或所述天線的單獨的埠。
如請求項16所述的裝置， <br/>其中所述天線的所述位置是由所述托架固定，使得所述天線的和所述視埠或所述天線的單獨的埠相鄰的一端與所述視埠或所述單獨的埠的和所述天線相鄰的一側具有一預定距離。
如請求項15所述的裝置，更包括： <br/>電磁波屏蔽件，設置於所述腔室的外側以環繞所述天線。
如請求項15所述的裝置， <br/>其中所述控制單元產生與自所述天線發射的所述無線電波及由所述天線接收的所述無線電波相關的狀態資料、使用所述狀態資料產生所述監測資訊。
如請求項15所述的裝置， <br/>其中所述控制單元產生與施加至所述天線的輸入電壓對自所述天線輸出的輸出電壓之間的比率相關的狀態資料、使用所述狀態資料產生所述監測資訊。
一種電子裝置，其特徵在於，包括：<br/> 一面板，包含有一第一區、一第二區、以及位於該第一區與該第二區之間的一第三區；<br/> 一光學調變層，與該面板對應設置；<br/> 一第二光學調變層，設置於該面板與該光學調變層之間；以及<br/> 一控制單元，與該面板電性連接，<br/> 其中該控制單元在複數個操作期間（operating duration）內對該第一區及該第二區輸入一亮區電壓，且對該第三區輸入一暗區電壓，<br/> 其中該亮區電壓在任一個該些操作期間內與該暗區電壓不同，<br/> 其中該第二光學調變層具有一等效厚度T<sub>m</sub>及一等效折射率n<sub>m</sub>，該第三區在一方向上的寬度為W<sub>Total</sub>，符合以下關係式：<br/><img align="absmiddle" height="18px" width="150px" file="ed10002.jpg" alt="ed10002.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中θ<sub>spec</sub>是使用者的側視角，且n<sub>air</sub>是空氣折射率。
如請求項1之電子裝置，其特徵在於，其中該第三區在各該些操作期間內被輸入的該暗區電壓是相同的。
如請求項1之電子裝置，其特徵在於，其中該第三區的灰階（grayscale）值小於128。
如請求項1之電子裝置，其特徵在於，更包括：<br/> 一背光模組，提供一光線，<br/> 其中該光線通過該光學調變層以及該面板的該第一區以成為具有一第一亮度視角的一第一射出光，且該光線通過該光學調變層以及該面板的該第二區以成為具有一第二亮度視角的一第二射出光，<br/> 其中該第一亮度視角小於該第二亮度視角。
如請求項4之電子裝置，其特徵在於，其中該光線是先通過該光學調變層再通過該面板。
如請求項1之電子裝置，其特徵在於，其中該光學調變層包括：<br/> 一第一部分，與該第一區重疊；以及<br/> 一第二部分，與該第二區重疊，且與該第一部分相連接，<br/> 其中來自該第一部分的一第一調變光具有小於來自該第二部分的一第二調變光的亮度視角。
如請求項6之電子裝置，其特徵在於，更包括：<br/> 一背光模組，提供一光線，<br/> 其中該光線在通過該第二部分之後亮度視角變大並成為該第二調變光。
如請求項6之電子裝置，其特徵在於，更包括：<br/> 一背光模組，提供一光線，<br/> 其中該光線在通過該第一部分之後亮度視角變小並成為該第一調變光。
如請求項6之電子裝置，其特徵在於，其中該第一部分與該第二部分之間的邊界與該第三區重疊。
如請求項1之電子裝置，其特徵在於，該光學調變層包括一透鏡層及一液晶層。
一種電子裝置，其特徵在於包含有一第一區、一第二區、以及設置於該第一區與該第二區之間的一第三區，其中該電子裝置包括：<br/> 一面板，發出對應於該第一區及該第二區的一射出光；<br/> 一光學調變層，與該面板對應設置，且具有相連接的一第一部分及一第二部分；<br/> 一第二光學調變層，設置於該面板與該光學調變層之間；以及<br/> 一控制單元，與該面板電性連接，<br/> 其中該第三區具有：<br/> 一第一子區，與該第一部分重疊；以及<br/> 一第二子區，與該第二部分重疊，<br/> 其中來自該第一部分的一第一調變光具有一第一亮度視角，來自該第二部分的一第二調變光具有一第二亮度視角，<br/> 其中該第一亮度視角小於該第二亮度視角，<br/> 其中該第二光學調變層具有一等效厚度T<sub>m</sub>及一等效折射率n<sub>m</sub>，該第三區在一方向上的寬度為W<sub>Total</sub>，符合以下關係式：<br/><img align="absmiddle" height="18px" width="150px" file="ed10002.jpg" alt="ed10002.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中θ<sub>spec</sub>是使用者的側視角，且n<sub>air</sub>是空氣折射率。
如請求項11之電子裝置，其特徵在於，其中該控制單元對該第三區輸入一暗區電壓，使得該第三區的灰階值小於128。
如請求項11之電子裝置，其特徵在於，其中該射出光通過該第一部分以成為該第一調變光，且該射出光通過該第二部分以成為該第二調變光。
如請求項13之電子裝置，其特徵在於，其中該射出光的亮度視角大於該第一亮度視角。
如請求項13之電子裝置，其特徵在於，其中該射出光的亮度視角小於該第二亮度視角。
如請求項11之電子裝置，其特徵在於，其中來自該第一區的該射出光通過該第一部分及該第二部分兩者。
如請求項11之電子裝置，其特徵在於，其中來自該第一區及該第二區的該射出光具有相同的亮度視角。
如請求項11之電子裝置，其特徵在於，其中該面板與該光學調變層重疊，且該電子裝置更包括設置於該面板之相對該光學調變層的一側且提供一光線的一背光模組。
一種聚酯薄膜，其中當彼此相垂直的一個第一方向和一個第二方向被界定於該薄膜的平面中，在該第一方向和該第二方向的至少一個方向中的降伏伸長率係為2.2至2.6%，而該厚度係為80至150 µm， <br/>其中該第一方向是縱向(MD)，該第二方向是橫向(TD)，以及 <br/>在該縱向(MD)的降伏伸長率(E <sub>1</sub>)是2.2至2.6%， <br/>該聚酯薄膜滿足下面的關係(1)： <br/>1.1 ≤ E <sub>1</sub>/E <sub>2</sub>≤ 1.4 … (1) <br/>在關係(1)中，E <sub>1</sub>係為在該縱向(MD)的降伏伸長率，而E <sub>2</sub>係為在該橫向(TD)的降伏伸長率。
如請求項1的聚酯薄膜，其中在該縱向的拉伸比是2.5至3.0。
如請求項1的聚酯薄膜，其中在該橫向的拉伸比是3.5至5.5。
如請求項1的聚酯薄膜，其具有一為90至120 µm的厚度。
如請求項1的聚酯薄膜，其中 <br/>在該橫向(TD)的拉伸比(D <sub>2</sub>)對在該縱向(MD)的拉伸比(D <sub>1</sub>)之比值(D <sub>2</sub>/D <sub>1</sub>)是1.3至1.8。
如請求項1的聚酯薄膜，其中該聚酯薄膜滿足下面的關係(2)： <br/>0.01 ≤ D <sub>1</sub>× E <sub>1</sub>/T ≤ 0.1 … (2) <br/>在關係(2)中，D <sub>1</sub>係為在該縱向(MD)的拉伸比，E <sub>1</sub>係為在該縱向(MD)的降伏伸長率，而T係為該聚酯薄膜的厚度。
如請求項1的聚酯薄膜，其具有一為3 µm或更低的厚度偏差、一為40%或更高的伸長率、一為2.0%或更低的霧度以及一為120 N/mm <sup>2</sup>或更高的表面硬度。
如請求項1的聚酯薄膜，當在-20℃下採用一為1.5 mm的彎曲半徑被施予200,000次的重複折疊時，其沒有裂痕的形成。
如請求項1的聚酯薄膜，其包含有一種聚對苯二甲酸乙二酯(PET)樹脂。
一種層板，其包含有：一個透明基板，以及一被安置在該透明基板之上的聚酯薄膜， <br/>其中當彼此相垂直的一個第一方向和一個第二方向被界定於該聚酯薄膜的平面中，在該第一方向和該第二方向的至少一個方向中的降伏伸長率係為2.2至2.6%，而該薄膜的厚度係為80至150 µm， <br/>其中該第一方向是縱向(MD)，該第二方向是橫向(TD)，以及 <br/>在該縱向(MD)的降伏伸長率(E <sub>1</sub>)是2.2至2.6%， <br/>該聚酯薄膜滿足下面的關係(1)： <br/>1.2 ≤ E <sub>1</sub>/E <sub>2</sub>≤ 1.4 … (1) <br/>在關係(1)中，E <sub>1</sub>係為在該縱向(MD)的降伏伸長率，而E <sub>2</sub>係為在該橫向(TD)的降伏伸長率。
如請求項10的層板，其中該透明基板是一聚醯亞胺基型薄膜或一超薄玻璃(UTG)。
一種可折疊顯示裝置，其包含有：一個可折疊顯示面板，一被安置在該可折疊顯示面板之上的透明基板，以及一被安置在該透明基板之上的聚酯薄膜， <br/>其中當彼此相垂直的一個第一方向和一個第二方向被界定於該聚酯薄膜的平面中，在該第一方向和該第二方向的至少一個方向中的降伏伸長率係為2.2至2.6%，而該薄膜的厚度係為80至150 µm， <br/>其中該第一方向是縱向(MD)，該第二方向是橫向(TD)，以及 <br/>在該縱向(MD)的降伏伸長率(E <sub>1</sub>)是2.2至2.6%， <br/>該聚酯薄膜滿足下面的關係(1)： <br/>1.3 ≤ E <sub>1</sub>/E <sub>2</sub>≤ 1.4 … (1) <br/>在關係(1)中，E <sub>1</sub>係為在該縱向(MD)的降伏伸長率，而E <sub>2</sub>係為在該橫向(TD)的降伏伸長率。
一種掃描曝光裝置， <br/> 具備： <br/> 計測部，其計測基板的表面高度；以及 <br/> 控制部，其於前述基板的掃描曝光，一邊基於事先生成的驅動控制資訊而控制前述基板的高度及傾斜度中的至少一方，一邊依透過前述計測部而計測出的前述基板的表面高度而進一步控制前述基板的高度及傾斜度中的至少一方； <br/> 前述驅動控制資訊，包含供於調整在掃描曝光中的前述基板的高度及傾斜度中的至少一方用的調整資訊， <br/> 前述控制部，基於在前述基板的掃描曝光中透過前述計測部而計測出的前述基板的表面高度而更新前述驅動控制資訊； <br/> 其中，將根據前述基板的表面高度所更新的前述驅動控制資訊，應用於以下曝光中的至少一方的曝光：對於前述基板所含的接下來要曝光的區域之曝光；以及對於和前述基板相同批次內的別的基板之曝光。
如請求項1的掃描曝光裝置，其中，前述控制部，在對2以上的基板進行了掃描曝光的情況下，基於在前述2以上的基板的各者的掃描曝光中透過前述計測部而計測出的表面高度，更新前述驅動控制資訊。
如請求項2的掃描曝光裝置，其中， <br/> 前述控制部，基於在前述2以上的基板的掃描曝光中透過前述計測部而計測出的表面高度的代表值，更新前述驅動控制資訊， <br/> 前述代表值，為最大值、最小值及平均值中的任一者。
如請求項2或3的掃描曝光裝置，其中，前述2以上的基板，含於相同的批次。
如請求項1至3中任一項的掃描曝光裝置，其中， <br/> 前述基板，包含分別進行掃描曝光的複數個照射區域， <br/> 前述驅動控制資訊，按照射區域而生成，按照射區域而更新。
如請求項1至3中任一項的掃描曝光裝置，其中，前述控制部，基於在前述基板的掃描曝光之前所執行的特定基板的掃描曝光中透過前述計測部而計測出的前述特定基板的表面高度，生成前述驅動控制資訊。
如請求項6的掃描曝光裝置，其中，前述特定基板的掃描曝光，在不使用前述驅動控制資訊之下掃描驅動前述基板從而進行。
如請求項6的掃描曝光裝置，其中，前述特定基板，含於和前述基板相同的批次。
如請求項1至3中任一項的掃描曝光裝置，其中，前述控制部，基於在前述基板的掃描曝光之前使前述計測部計測了前述基板的表面高度的結果，生成前述驅動控制資訊。
一種掃描曝光方法， <br/> 包含： <br/> 生成程序，其為生成一驅動控制資訊者，前述驅動控制資訊，包含供於調整在掃描曝光中的基板的高度及傾斜度中的至少一方用的調整資訊； <br/> 曝光程序，其為一邊基於在前述生成程序生成的前述驅動控制資訊而控制前述基板的高度及傾斜度中的至少一方，一邊依前述基板的表面高度的計測值而進一步控制前述基板的高度及傾斜度中的至少一方，從而進行前述基板的掃描曝光者；以及 <br/> 更新程序，其為基於在前述曝光程序獲得的前述基板的表面高度的計測值而更新前述驅動控制資訊者； <br/> 其中，將根據前述基板的表面高度所更新的前述驅動控制資訊，應用於以下曝光中的至少一方的曝光：對於前述基板所含的接下來要曝光的區域之曝光；以及對於和前述基板相同批次內的別的基板之曝光。
一種物品之製造方法，包含： <br/> 使用如請求項10的掃描曝光方法而進行基板的掃描曝光的程序； <br/> 對進行了前述掃描曝光的前述基板進行加工的程序；以及 <br/> 從經加工的前述基板製造物品的程序。
一種資訊處理裝置，和進行基板的掃描曝光的掃描曝光裝置可通訊地連接， <br/> 具備： <br/> 取得部，其取得透過前述掃描曝光裝置的計測部而計測出的前述基板的表面高度的資訊； <br/> 生成部，其基於透過前述取得部而取得的前述基板的表面高度的資訊，生成一驅動控制資訊，前述驅動控制資訊，包含供於調整在前述掃描曝光之前述基板的高度及傾斜度中的至少一方用的調整資訊；以及 <br/> 供應部，其將透過前述生成部而生成的前述驅動控制資訊，供應至前述掃描曝光裝置； <br/> 前述掃描曝光裝置，一邊基於透過前述供應部而供應的前述驅動控制資訊而控制前述基板的高度及傾斜度中的至少一方，一邊依透過前述計測部而計測出的前述基板的表面高度的資訊而進一步控制前述基板的高度及傾斜度中的至少一方， <br/> 前述生成部，基於在前述基板的掃描曝光中透過前述計測部而計測出的前述基板的表面高度的資訊而更新前述驅動控制資訊； <br/> 其中，將根據前述基板的表面高度所更新的前述驅動控制資訊，應用於以下曝光中的至少一方的曝光：對於前述基板所含的接下來要曝光的區域之曝光；以及對於和前述基板相同批次內的別的基板之曝光。
一種資訊處理方法，對進行基板的掃描曝光的掃描曝光裝置的資訊進行處理， <br/> 包含： <br/> 取得程序，其為取得透過前述掃描曝光裝置的計測部而計測出的前述基板的表面高度的資訊者； <br/> 生成程序，其為基於在前述取得程序取得的前述基板的表面高度的資訊，生成一驅動控制資訊者，前述驅動控制資訊，包含供於調整在前述掃描曝光之前述基板的高度及傾斜度中的至少一方用的調整資訊； <br/> 供應程序，其為將透過前述生成程序而生成的前述驅動控制資訊，供應至前述掃描曝光裝置者； <br/> 前述掃描曝光裝置，一邊基於在前述供應程序供應的前述驅動控制資訊而控制前述基板的高度及傾斜度中的至少一方，一邊依透過前述計測部而計測出的前述基板的表面高度的資訊而進一步控制前述基板的高度及傾斜度中的至少一方， <br/> 進一步包含一更新程序，前述更新程序，為基於在前述基板的掃描曝光中透過前述計測部而計測出的前述基板的表面高度的資訊而更新前述驅動控制資訊者； <br/> 其中，將根據前述基板的表面高度所更新的前述驅動控制資訊，應用於以下曝光中的至少一方的曝光：對於前述基板所含的接下來要曝光的區域之曝光；以及對於和前述基板相同批次內的別的基板之曝光。
一種記憶媒體，記憶有使電腦執行如請求項13的資訊處理方法的程式。
一種基板處理裝置，其特徵在於係對複數個基板進行利用處理液之表面處理者，且包含： <br/>處理槽，其儲存處理液； <br/>處理液供給部，其向前述處理槽內供給處理液； <br/>沖孔板，其設置於前述處理槽內，形成自前述處理液供給部供給之處理液之層流； <br/>升降機，其以特定間隔於排列方向保持前述複數個基板並升降，將前述基板浸漬於儲存於前述處理槽之處理液中；及 <br/>複數個管狀之氣泡供給管，其等在前述處理槽之內部配置於前述沖孔板之上方，自保持於前述升降機之前述基板之下方向儲存於前述處理槽之處理液供給氣泡；且 <br/>於前述沖孔板形成凹部； <br/>前述複數根氣泡供給管之一部分配置於前述凹部之內側。
如請求項1之基板處理裝置，其中 <br/>前述沖孔板包含：上板，其以沿著前述排列方向於中央開口之方式形成有於上下方向貫通之開口部；及底板，其設置為閉塞前述上板之前述開口部之下側；且 <br/>前述沖孔板之前述凹部係由前述開口部及前述底板形成。
如請求項2之基板處理裝置，其中 <br/>前述處理液供給部具有設置於前述沖孔板之下方且噴出前述處理液之噴嘴。
如請求項2之基板處理裝置，其中 <br/>前述複數個基板各者具有圓形之主表面； <br/>前述升降機係以前述複數個基板各者之前述主表面之中心通過與上下方向正交之軸，並且前述複數個基板各者之中央下部為一定高度之方式保持前述複數個基板；且 <br/>前述升降機位於浸漬位置時，前述複數個基板之前述中央下部與前述沖孔板之前述底板對向。
如請求項1之基板處理裝置，其中 <br/>前述複數根氣泡供給管之前述一部分藉由配置於前述凹部，而配置於較前述複數根氣泡供給管之其餘之部分更低之位置。
如請求項5之基板處理裝置，其中 <br/>前述複數根氣泡供給管之前述其餘之部分配置為越遠離前述凹部越高之位置。
如請求項5或6之基板處理裝置，其中 <br/>前述升降機位於浸漬位置時，前述升降機之下端位於與前述複數根氣泡供給管之前述其餘之部分之至少一部分相同高度。
如請求項7之基板處理裝置，其中 <br/>前述升降機之前述下端形成為V字型；且 <br/>前述凹部形成於前述沖孔板之中央部。
如請求項8之基板處理裝置，其中 <br/>前述複數根氣泡供給管係由氟樹脂形成；且 <br/>該基板處理裝置進一步包含將前述複數根氣泡供給管各者支持於前述沖孔板之上方之支持構件。
一種製造半導體裝置的方法，其包含： <br/>提供基板； <br/>將電組件安置於該基板上方； <br/>將囊封劑沈積於該電組件上方； <br/>將垂直互連結構安置於該囊封劑中； <br/>在該囊封劑及該垂直互連結構上方形成屏蔽層； <br/>在該屏蔽層中圍繞該垂直互連結構形成凹槽，其中該屏蔽層之一部分作為接觸襯墊保留在該垂直互連結構上方；及 <br/>使用黏接支座將半導體封裝安裝到該屏蔽層，其中該半導體封裝之彈簧銷接觸該接觸襯墊。
如請求項1之方法，其進一步包括藉由以下步驟形成該垂直互連結構： <br/>形成穿過該囊封劑的開口；及 <br/>將導電材料沈積至該開口中。
如請求項1之方法，其進一步包括在沈積該囊封劑之前將該垂直互連結構安置於該基板上方。
如請求項3之方法，其中該垂直互連結構為PCB單元。
如請求項1之方法，其進一步包括在形成該屏蔽層之前將該基板及該囊封劑單粒化。
一種製造半導體裝置的方法，其包含： <br/>提供第一半導體封裝，該第一半導體封裝包括基板、安置於該基板上方之垂直互連結構及沈積於該基板上方之囊封劑； <br/>在該囊封劑及該垂直互連結構上方形成屏蔽層； <br/>在該屏蔽層中圍繞該垂直互連結構形成凹槽，其中該凹槽圍繞該垂直互連結構上方的該屏蔽層之第一部分連續地延伸；及 <br/>使用黏著劑將半導體封裝安裝到該屏蔽層，其中該半導體封裝之彈簧銷接觸該屏蔽層之該第一部分。
如請求項6之方法，其中該垂直互連結構自該基板延伸至該屏蔽層。
如請求項6之方法，其中該垂直互連結構為導電通孔或導電柱。
如請求項6之方法，其中該垂直互連結構為PCB單元。
如請求項6之方法，其中該垂直互連結構為連接器。
一種製造半導體裝置的方法，其包含： <br/>提供第一半導體封裝，該第一半導體封裝包括基板、安置於該基板上方的垂直互連結構、沈積於該基板上方的囊封劑，以及形成於該囊封劑上方的屏蔽層； <br/>在該屏蔽層中圍繞該垂直互連結構形成凹槽，其中該凹槽圍繞該垂直互連結構上方的該屏蔽層之第一部分連續地延伸；及 <br/>將第二半導體封裝安置於該第一半導體封裝上方，其中該第二半導體封裝之彈簧銷接觸該屏蔽層之該第一部分。
如請求項11之方法，其中該垂直互連結構為連接器。
如請求項11之方法，其中該垂直互連結構自該基板延伸至該屏蔽層。
一種製造半導體裝置的方法，其包含： <br/>提供基板； <br/>將垂直互連結構安置於該基板上方； <br/>於該基板上方沈積囊封劑； <br/>於該囊封劑上方形成屏蔽層，其中該屏蔽層包括凹槽，該凹槽圍繞該垂直互連結構；及 <br/>將半導體封裝安置於該屏蔽層上方，其中該半導體封裝之互連結構在該凹槽內接觸該屏蔽層。
如請求項14之方法，其中該垂直互連結構為連接器。
如請求項14之方法，其中該垂直互連結構自該基板延伸至該屏蔽層。
如請求項14之方法，其中該凹槽在平面圖中完全圍繞該垂直互連結構延伸。
一種半導體記憶裝置，其具備：第1焊墊；第2焊墊；第1記憶體串，其具備串聯連接之複數個第1記憶胞電晶體；第1位元線，其連接於上述第1記憶體串之一端；第1源極線，其連接於上述第1記憶體串之另一端；複數個第1字元線，其分別連接於上述第1記憶胞電晶體之閘極；第1感測放大器，其連接於上述第1位元線；第1資料暫存器，其連接於上述第1感測放大器且構成為儲存自上述第1記憶胞電晶體之一者讀出之資料；及控制電路，其構成為回應於經由上述第2焊墊且來自外部記憶體控制器之指示而執行動作，其中回應於經由上述第2焊墊的指示資料輸出之第1指令，儲存於上述第1資料暫存器之上述資料自上述第1焊墊向上述外部記憶體控制器輸出，且回應於經由上述第2焊墊的指示狀態輸出之第2指令，狀態資訊自上述第2焊墊向上述外部記憶體控制器輸出。
如請求項1之半導體記憶裝置，其進而具備：第1驅動器，其連接於上述第1焊墊；第1接收器，其連接於上述第1焊墊；第2驅動器，其連接於上述第2焊墊；及第2接收器，其連接於上述第2焊墊。
如請求項2之半導體記憶裝置，其中當儲存於上述第1資料暫存器之上述資料自上述第1焊墊向上述外部記憶體控制器輸出時，上述第1驅動器被啟動(activated)，且當上述狀態資訊自上述第2焊墊向上述外部記憶體控制器輸出時，上述第2驅動器被啟動且上述第1驅動器未被啟動(not activated)。
如請求項1之半導體記憶裝置，指令暫存器，其構成為儲存指令資訊；位址暫存器，其構成為儲存位址資訊；及狀態暫存器，其構成為儲存上述狀態資訊，其中回應於上述第2指令，儲存於上述狀態暫存器之上述狀態資訊自上述第2焊墊向上述外部記憶體控制器輸出。
如請求項4之半導體記憶裝置，其中在經由上述第2焊墊自上述外部記憶體控制器接收指示以上述第1記憶胞電晶體之一者為對象之讀出動作的第3指令時，上述指令暫存器儲存指示上述讀出動作之上述指令資訊；上述位址暫存器儲存指示上述第1記憶胞電晶體之上述一者之上述位址資訊；且上述狀態暫存器儲存指示上述讀出動作係正在執行或已完成之上述狀態資訊。
如請求項5之半導體記憶裝置，其中儲存於上述狀態暫存器中之上述狀態資訊根據上述讀出動作之進度而更新。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中提供(provide)n個上述第1焊墊，n為8之整數或其倍數，與上述n個上述第1焊墊相對應地提供n個上述第1驅動器及n個上述第1接收器。
如請求項7之半導體記憶裝置，其中上述第2焊墊不同於上述n個上述第1焊墊之任一者。
如請求項7之半導體記憶裝置，其中不管上述第1驅動器是否被啟動，上述第2驅動器被啟動。
如請求項1之半導體記憶裝置，其進而具備：第2記憶體串，其具備串聯連接之複數個第2記憶胞電晶體，上述第2記憶體串之一端連接於上述第1位元線，上述第2記憶體串之另一端連接於上述第1源極線；及複數個第2字元線，其分別連接於上述第2記憶胞電晶體之閘極。
如請求項4之半導體記憶裝置，其進而具備：特徵暫存器，其構成為儲存特徵資訊。
如請求項11之半導體記憶裝置，其中在經由上述第2焊墊自上述外部記憶體控制器接收指示設定特徵動作(set feature operation)之第4指令時，上述特徵暫存器儲存包含於上述第4指令之上述特徵資訊。
如請求項11之半導體記憶裝置，其中在經由上述第2焊墊自上述外部記憶體控制器接收指示獲取特徵動作(get feature operation)之第5指令時，儲存於上述特徵暫存器之上述特徵資訊自上述第2焊墊向上述外部記憶體控制器輸出。
一種半導體記憶裝置，其具備：第1焊墊；第2焊墊；複數個記憶體串，其包含第1記憶體串，上述第1記憶體串在第1方向上延伸且具備串聯連接之複數個第1記憶胞電晶體；複數個位元線，其包含第1位元線，上述第1位元線連接於上述第1記憶體串之一端；複數個感測放大器，其包含第1感測放大器，上述第1感測放大器連接於上述第1位元線；複數個資料暫存器，其包含第1資料暫存器，上述第1資料暫存器連接於上述第1感測放大器且構成為儲存自上述第1記憶胞電晶體之一者讀出之資料；及控制電路，其構成為回應於經由上述第2焊墊且來自外部記憶體控制器之指示而執行動作，其中回應於經由上述第2焊墊的指示資料輸出之第1指令，儲存於上述第1資料暫存器之上述資料自上述第1焊墊向上述外部記憶體控制器輸出，回應於經由上述第2焊墊的指示狀態輸出之第2指令，狀態資訊自上述第2焊墊向上述外部記憶體控制器輸出，當在上述第1方向上觀察時，上述記憶體串之至少一者與上述感測放大器之至少一者重疊。
一種清潔金屬表面之方法，該方法包含將包含至少以下組分<i>a)</i>及<i>b)</i>之組成物施加至該金屬表面：<br/><i>a)</i> 至少一種選自式1A之醚胺及/或至少一種選自式1B之醚胺：<br/><img align="absmiddle" height="22px" width="51px" file="ed10027.jpg" alt="ed10027.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>（式1A）；其中R1係包含1至10個碳原子之單價含碳基團；R2係氫、甲基、或乙基；R3係氫、甲基、或乙基；且x係1至5；且當x ≥ 2時，-(CH<sub>2</sub>-CHR2-O)-部分之R2基團可全部相同，或者一些不同或全部不同，且若一些不同或全部不同，則<br/> -(CH<sub>2</sub>-CHR2-O)<sub>x</sub>-部分可含有氫及/或甲基及/或乙基之任何組合作為至少兩個不同的R2基團；<br/><img align="absmiddle" height="28px" width="64px" file="ed10028.jpg" alt="ed10028.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>（式1B），其中R4係包含1至10個碳原子之單價含碳基團；且R5係氫、甲基、或乙基；<br/><i>b)</i> 至少一種螯合物，且<br/> 其中組分<i>a</i>與組分<i>b</i>之重量比係0.40至200。
如請求項1之方法，其中組分<i>b</i>係金屬螯合物。
如請求項1之方法，其中對於式1A，R1係烷基；R2係氫或甲基；且R3係氫或甲基；以及對於式1B，R4係烷基；且R5係氫或甲基。
如請求項1之方法，其中組分<i>a</i>係選自以下結構(1a)直至(1j)：<br/><img align="absmiddle" height="26px" width="56px" file="ed10047.jpg" alt="ed10047.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(1a)、<img align="absmiddle" height="145px" width="325px" file="ed10029.jpg" alt="ed10029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(1b)、<img align="absmiddle" height="144px" width="413px" file="ed10031.jpg" alt="ed10031.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(1c)、<br/><img align="absmiddle" height="33px" width="129px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(1d)、<img align="absmiddle" height="24px" width="84px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(1e)、<br/><img align="absmiddle" height="37px" width="118px" file="ed10037.jpg" alt="ed10037.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(1f)、<img align="absmiddle" height="37px" width="118px" file="ed10039.jpg" alt="ed10039.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(1g)、<br/><img align="absmiddle" height="16px" width="97px" file="ed10041.jpg" alt="ed10041.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(1h)、<img align="absmiddle" height="15px" width="111px" file="ed10043.jpg" alt="ed10043.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(1i)、或<img align="absmiddle" height="17px" width="92px" file="ed10045.jpg" alt="ed10045.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(1j)。
如請求項1之方法，其中組分<i>a</i>係選自以下結構(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、(1e)、或(1f)：<br/><img align="absmiddle" height="26px" width="56px" file="ed10047.jpg" alt="ed10047.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(1a)、<img align="absmiddle" height="145px" width="325px" file="ed10029.jpg" alt="ed10029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(1b)、<img align="absmiddle" height="144px" width="413px" file="ed10031.jpg" alt="ed10031.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(1c)、<br/><img align="absmiddle" height="33px" width="129px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(1d)、<img align="absmiddle" height="24px" width="84px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(1e)、或<br/><img align="absmiddle" height="37px" width="118px" file="ed10037.jpg" alt="ed10037.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(1f)。
如請求項1之方法，其中組分<i>a</i>係至少一種選自式1A之醚胺。
如請求項1之方法，其中組分<i>a</i>係至少一種選自式1B之醚胺。
如請求項1之方法，其中該金屬表面之金屬係選自鋼、不鏽鋼、黃銅、鉻、鐵、鋁、銅、或金。
一種組成物，其包含至少以下組分<i>a)</i>及<i>b)</i>：<br/><i>a)</i> 至少一種選自式1A之醚胺及/或至少一種選自式1B之醚胺：<br/><img align="absmiddle" height="22px" width="51px" file="ed10027.jpg" alt="ed10027.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>（式1A）；其中R1係包含1至10個碳原子之單價含碳基團；R2係氫、甲基、或乙基；R3係氫、甲基、或乙基；且x係1至5；且當x ≥ 2時，-(CH<sub>2</sub>-CHR2-O)-部分之R2基團可全部相同，或者一些不同或全部不同，且若一些不同或全部不同，則<br/> -(CH<sub>2</sub>-CHR2-O)<sub>x</sub>-部分可含有氫及/或甲基及/或乙基之任何組合作為至少兩個不同的R2基團；<br/><img align="absmiddle" height="28px" width="64px" file="ed10028.jpg" alt="ed10028.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>（式1B），其中R4係包含1至10個碳原子之單價含碳基團；且R5係氫、甲基、或乙基；<br/><i>b)</i> 至少一種螯合物，且<br/> 其中組分<i>a</i>與組分<i>b</i>之重量比係0.40至200。
如請求項9之組成物，其中對於式1A，R1係烷基；R2係氫或甲基；且R3係氫或甲基；以及對於式1B，R4係烷基；且R5係氫或甲基。
如請求項9之組成物，其中組分<i>a</i>係選自以下結構(1a)直至(1j)：<br/><img align="absmiddle" height="26px" width="56px" file="ed10047.jpg" alt="ed10047.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(1a)、<img align="absmiddle" height="145px" width="325px" file="ed10029.jpg" alt="ed10029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(1b)、<img align="absmiddle" height="144px" width="413px" file="ed10031.jpg" alt="ed10031.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(1c)、<br/><img align="absmiddle" height="33px" width="129px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(1d)、<img align="absmiddle" height="24px" width="84px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(1e)、<br/><img align="absmiddle" height="37px" width="118px" file="ed10037.jpg" alt="ed10037.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(1f)、<img align="absmiddle" height="37px" width="118px" file="ed10039.jpg" alt="ed10039.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(1g)、<br/><img align="absmiddle" height="16px" width="97px" file="ed10041.jpg" alt="ed10041.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(1h)、<img align="absmiddle" height="15px" width="111px" file="ed10043.jpg" alt="ed10043.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(1i)、或<img align="absmiddle" height="17px" width="92px" file="ed10045.jpg" alt="ed10045.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(1j)。
如請求項9之組成物，其中組分<i>a</i>係選自以下結構(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、(1e)、或(1f)：<br/><img align="absmiddle" height="26px" width="56px" file="ed10047.jpg" alt="ed10047.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(1a)、<img align="absmiddle" height="145px" width="325px" file="ed10029.jpg" alt="ed10029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(1b)、<img align="absmiddle" height="144px" width="413px" file="ed10031.jpg" alt="ed10031.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(1c)、<br/><img align="absmiddle" height="33px" width="129px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(1d)、<img align="absmiddle" height="24px" width="84px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(1e)、或<br/><img align="absmiddle" height="37px" width="118px" file="ed10037.jpg" alt="ed10037.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(1f)。
如請求項9之組成物，其中組分<i>a</i>係至少一種選自式1A之醚胺。
如請求項9之組成物，其中組分<i>a</i>係至少一種選自式1B之醚胺。
如請求項9之組成物，其中該組成物進一步包含水。
如請求項9之組成物，其中該組成物進一步包含至少一種界面活性劑作為組分<i>c</i>。
如請求項9之組成物，其中該組成物進一步包含至少一種鹼性鹽作為組分<i>d</i>。
如請求項15之組成物，其中以該組成物之重量計，組分<i>a</i>、及組分<i>b</i>、及水之總和以80 wt%至100 wt%之量存在。
一種電樞單元，包含：<br/>電樞；及<br/>墊片，具有至少一個橡膠層及金屬層，可配置在機械平台與該電樞之間。
如請求項1之電樞單元，其中，<br/>該墊片具有：至少兩個橡膠層；及金屬層，由該至少兩個橡膠層所包夾。
如請求項1或2之電樞單元，其中，<br/>該至少一個橡膠層的厚度係0.01[mm]以上，0.1[mm]以下。
如請求項1或2之電樞單元，其中，<br/>該墊片之厚度係0.1[mm]以上，5[mm]以下。
如請求項1或2之電樞單元，其中，<br/>於該墊片形成有多數之螺栓用孔。
如請求項5之電樞單元，其中，<br/>該墊片具有第一面及在該第一面背側的第二面，於該第一面形成有凸部，於該第二面在與該凸部對應的位置形成有凹部，該凹部及該凸部形成為圍繞一個或多數之該螺栓用孔。
一種線性馬達，其具備如請求項1或2之電樞單元。
一種檢測裝置，用以檢測穿過待測物的輸出電磁波，所述檢測裝置包括： <br/>電磁波產生單元，用以產生初始電磁波； <br/>輸出元件，用以輸出所述初始電磁波且包括多個輸出單元； <br/>接收元件，用以接收所述輸出電磁波且包括多個接收單元； <br/>量測單元，用以量測所述輸出電磁波的數值；以及 <br/>相位調整元件，設置在至少一個以下位置： <br/>所述輸出元件與所述電磁波產生單元之間；以及 <br/>所述接收元件與所述量測單元之間。。
如請求項1所述的檢測裝置，還包括： <br/>第一透鏡單元，設置在所述輸出元件與所述接收元件之間； <br/>第二透鏡單元，設置在所述第一透鏡單元與所述接收元件之間；以及 <br/>第三透鏡單元，設置在所述第二透鏡單元與所述接收元件之間。
如請求項2所述的檢測裝置，還包括： <br/>過濾單元，設置在所述第三透鏡單元與所述接收元件之間。
如請求項1所述的檢測裝置，其中所述量測單元包括射頻功率計。
一種檢測裝置，用以檢測被待測物反射的輸出電磁波，所述檢測裝置包括： <br/>電磁波產生單元，用以產生初始電磁波； <br/>輸出與接收元件，包括多個輸出與接收單元； <br/>多工器，耦接所述輸出與接收元件，用以切換所述輸出與接收元件，以輸出所述初始電磁波或接收所述輸出電磁波； <br/>量測單元，用以量測所述輸出電磁波的數值；以及 <br/>相位調整元件，設置在所述輸出與接收元件與所述多工器之間。
如請求項5所述的檢測裝置，還包括： <br/>過濾單元，其中所述輸出與接收元件設置在所述過濾單元與所述多工器之間。
一種資料庫管理方法，其係電子裝置之資料庫管理方法，其包括： <br/>自第1終端獲得對出貨之狀態變更請求之步驟； <br/>於第1資料庫中確認與上述出貨對應之第1訂單之步驟； <br/>對應於對上述出貨之狀態變更請求而確認上述第1訂單是否變更為設定狀態之步驟；及 <br/>若上述第1訂單變更為上述設定狀態，則於上述第1資料庫中刪除與上述第1訂單相關之資料之步驟， <br/>其中確認上述第1訂單是否變更為設定狀態之步驟包括： <br/>將上述第1訂單之訊息加載至第1清單之步驟； <br/>基於上述第1訂單之訊息加載至上述第1清單之順序，確認與上述第1訂單對應之所有出貨之上述狀態的步驟；及 <br/>基於與上述第1訂單對應之所有出貨之上述狀態，維持或變更上述第1訂單之一狀態之步驟， <br/>其中上述第1訂單之上述狀態係基於與上述第1訂單對應之所有出貨之狀態的變更而順序變更，使得於與上述第1訂單對應之一部分出貨處於出庫狀態之情形時，維持上述第1訂單之上述狀態，且於與上述第1訂單對應之所有出貨處於出庫狀態或取消狀態之情形時，變更上述第1訂單之上述狀態為上述設定狀態， <br/>其中上述出貨包含用於配送在上述第1訂單中訂購之一或多個物品之一單元。
如請求項1之資料庫管理方法，其中上述設定狀態包括結束狀態或取消狀態， <br/>於對應之所有出貨處於出庫狀態之情形時，上述第1訂單變更為上述結束狀態， <br/>於對應之所有出貨處於取消狀態之情形時，上述第1訂單變更為上述取消狀態。
如請求項1之資料庫管理方法，其中對上述出貨之狀態變更請求包括將上述出貨變更為出庫狀態之請求。
如請求項1之資料庫管理方法，其中於上述第1資料庫中刪除與上述第1訂單相關之資料之步驟包括： <br/>將變更為上述設定狀態之第1訂單之訊息加載至第2清單的步驟；及 <br/>以設定時間為單位而於上述第1資料庫中刪除與第2清單所包括之至少一個訂單相關之資料之步驟。
如請求項1之資料庫管理方法，其中與上述第1訂單相關之資料包括： <br/>第1訂單資料； <br/>一個以上之出貨資料，其等包括於上述第1訂單資料中；及 <br/>一個以上之物品資料，其等分別包括於上述一個以上之出貨資料中。
如請求項4之資料庫管理方法，其中將於上述第1資料庫中刪除與上述至少一個訂單相關之資料之步驟包括： <br/>確認與上述至少一個訂單對應之第1批次之步驟；及 <br/>於與上述第1批次對應之所有訂單相關之資料被刪除之情形時，將在上述第1資料庫中刪除與上述第1批次相關之資料之步驟； <br/>批次為包括至少一個出貨之揀貨單元。
如請求項6之資料庫管理方法，其中與上述第1批次相關之資料包括： <br/>第1批次資料； <br/>一個以上之批次作業資料，其等包括於上述第1批次資料中； <br/>一個以上之群組化揀貨資料，其等分別包括於上述一個以上之批次作業資料中；及 <br/>一個以上之揀貨資料，其等分別分別包括於上述一個以上之群組化揀貨資料中。
如請求項1之資料庫管理方法，其中上述資料庫管理方法進而包括： <br/>自第2終端獲得將第2訂單變更為取消狀態請求之步驟；及 <br/>將於上述第1資料庫中刪除與上述第2訂單相關之資料之步驟。
如請求項1之資料庫管理方法，其中於上述第1資料庫中刪除與上述第1訂單相關之資料之步驟包括： <br/>確認是否需要備份與上述第1訂單相關之資料之步驟；及 <br/>於確認備份與上述第1訂單相關之資料之情形時，將與上述第1訂單相關之資料儲存於第2資料庫中並於上述第1資料庫中刪除之步驟。
如請求項1之資料庫管理方法，其中上述資料庫管理方法進而包括： <br/>獲得對倉庫管理系統之設定變更請求之步驟； <br/>確認是否備份儲存於上述第1資料庫中之倉庫管理系統之設定資料之步驟；及 <br/>基於上述確認結果，備份或刪除上述設定資料之步驟。
如請求項10之資料庫管理方法，其中備份或刪除上述設定資料之步驟包括： <br/>於確認備份上述設定資料之情形時，將上述設定資料儲存於第3資料庫中並於上述第1資料庫中刪除之步驟；及 <br/>於設定之時間之後，在上述第3資料庫中刪除上述設定資料之步驟。
如請求項10之資料庫管理方法，其中備份或刪除上述設定資料之步驟包括如下步驟： <br/>於確認刪除上述設定資料之情形時，在上述第1資料庫中刪除上述設定資料。
一種電腦可讀之非暫時性記錄媒體，其記錄有用以於電腦中執行請求項1之方法之程式。
一種電子裝置，其包括： <br/>通信部； <br/>記憶體；及 <br/>控制部； <br/>上述控制部自第1終端獲得對出貨之狀態變更請求， <br/>於第1資料庫中確認與上述出貨對應之第1訂單， <br/>對應於對上述第1出貨之狀態變更請求，確認上述第1訂單是否變更為設定狀態， <br/>若上述第1訂單變更為上述設定狀態，則於上述第1資料庫中刪除與上述第1訂單相關之資料， <br/>其中確認上述第1訂單是否變更為設定狀態包括： <br/>將上述第1訂單之訊息加載至第1清單； <br/>基於上述第1訂單之訊息加載至上述第1清單之順序，確認與上述第1訂單對應之所有出貨之上述狀態；及 <br/>基於與上述第1訂單對應之所有出貨之上述狀態，維持或變更上述第1訂單之一狀態， <br/>其中上述第1訂單之上述狀態係基於與上述第1訂單對應之所有出貨之狀態的變更而順序變更，使得於與上述第1訂單對應之一部分出貨處於出庫狀態之情形時，維持上述第1訂單之上述狀態，且於與上述第1訂單對應之所有出貨處於出庫狀態或取消狀態之情形時，變更上述第1訂單之上述狀態為上述設定狀態， <br/>其中上述出貨包含用於配送在上述第1訂單中訂購之一或多個物品之一單元。
一種電子裝置，包括：<br/> 多個單元，包括第一單元，其中所述第一單元包括：<br/> 第一電子元件；以及<br/> 測試電路，電連接於所述第一電子元件並包括：<br/> 線圈電路；以及<br/> 開關電路，所述開關電路的第一端電連接到所述線圈電路，所述開關電路的第二端電連接到所述第一電子元件，所述開關電路的控制端接收參考電壓，<br/> 其中所述開關電路依據所述參考電壓而導通或斷開。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述第一單元還包括：<br/> 控制電路，電連接到所述第一電子元件，經配置以在操作模式時提供操作信號至所述第一電子元件。
如請求項2所述的電子裝置，其中：<br/> 所述測試電路的第一端電連接到所述控制電路，並且<br/> 所述測試電路的第二端電連接到所述第一電子元件。
如請求項2所述的電子裝置，其中：<br/> 所述測試電路的第一端電連接到所述第一電子元件的第一端，並且<br/> 所述測試電路的第二端電連接到所述第一電子元件的第二端。
如請求項1所述的電子裝置，其中在測試模式時，所述線圈電路透過無線傳輸方式接收觸發信號，且提供測試信號至所述第一電子元件。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述第一電子元件是發光元件。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述第一電子元件是調變元件。
如請求項7所述的電子裝置，其中所述測試電路還包括：<br/> 射頻隔離電路，電連接於所述線圈電路以及所述第一電子元件。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述多個單元包括第二單元，其中所述第二單元包括：<br/> 第二電子元件，電連接於所述測試電路。
一種電子裝置，包括：<br/> 多個單元，包括：<br/> 第一單元，包括：<br/> 第一電子元件；以及<br/> 開關電路；以及<br/> 第二單元，相鄰於所述第一單元，包括第二電子元件；以及<br/> 線圈電路，經配置以透過無線傳輸方式接收觸發信號，且提供測試信號至所述第一電子元件以及所述第二電子元件，<br/> 其中所述開關電路的第一端電連接到所述線圈電路，所述開關電路的第二端電連接到所述第一電子元件，所述開關電路的控制端接收參考電壓，<br/> 其中所述開關電路依據所述參考電壓而導通或斷開。
一種晶圓結構，包含： 複數個晶片，該些晶片彼此分離，該些晶片中每一者包含：<br/>一主體；以及<br/>複數個導電墊；以及<br/>複數個傀儡連接部，該些傀儡連接部彼此分離，該些傀儡連接部中每一者連接於該些主體中相鄰之兩者之間；<br/>其中，該些主體中每一者具有一第一頂表面，該些傀儡連接部中每一者具有一第二頂表面，該第二頂表面與該第一頂表面彼此共面，該些導電墊中每一者至少部分設置於該些第一頂表面中對應之一者並至少部分設置於該些第二頂表面中對應之一者。
如請求項1所述之晶圓結構，其中該些導電墊中每一者包含：<br/>一結合部，位於該些主體中對應之一者；以及<br/>一探測部，連接該結合部並位於該些傀儡連接部中對應之一者，該探測部配置以被一探針接觸。
如請求項2所述之晶圓結構，其中該些結合部中每一者及該些探測部中對應之一者為一體成型的。
如請求項2所述之晶圓結構，其中該些結合部中每一者及該些探測部中對應之一者沿一第一方向排列，該些結合部中每一者沿一第二方向具有一第一寬度，該第二方向垂直於該第一方向，該些探測部沿該第二方向具有一第二寬度，該第一寬度相同於該第二寬度。
如請求項4所述之晶圓結構，其中該些第一寬度中每一者之範圍為9微米與65微米之間。
如請求項2所述之晶圓結構，其中該些探測部中每一者與該些主體中相鄰之一者彼此分離。
如請求項1所述之晶圓結構，其中該些導電墊中每一者呈矩形。
如請求項1所述之晶圓結構，其中該些晶片以一矩陣形式排列。
如請求項1所述之晶圓結構，其中該些導電墊彼此分離。
一種晶圓結構，包含：<br/>一傀儡板，具有複數個穿孔；以及<br/>複數個晶片，該些晶片中每一者包含：<br/>一主體，連接該傀儡板並位於該些穿孔中對應之一者內；<br/>複數個結合墊，設置於該主體；<br/>複數個探測墊，設置於該傀儡板並分別配置以被一探針接觸；以及<br/>複數個連接線，分別電性連接於該些結合墊中對應之一者以及該些探測墊中對應之一者之間。
如請求項10所述之晶圓結構，其中該些結合墊中每一者之尺寸相同於該些探測墊中對應之一者之尺寸。
如請求項10所述之晶圓結構，其中該些結合墊中每一者之尺寸相異於該些探測墊中對應之一者之尺寸。
如請求項10所述之晶圓結構，其中該些結合墊彼此分離，該些探測墊彼此分離。
如請求項10所述之晶圓結構，其中該些結合墊中每一者具有一接觸面積，該接觸面積之範圍為100平方微米與3600平方微米之間。
一種固晶方法，包含：<br/>提供一目標基板，包含一支撐基板以及一電路結構，該電路結構形成在該支撐基板之一側並具有一對電接觸點；<br/>提供一載體板、複數個半導體元件及一第一結合材料，該複數個半導體元件放置於該載體板上，其中，該複數個半導體元件包含一第一半導體元件，該第一半導體元件具有一對電極，該對電極對準該對電接觸點，該第一結合材料形成在該對電極上；以及<br/>提供一能量束以穿過該載體板，並於一點分散模式下加熱該第一結合材料以接合該對電極以及該對電接觸點。
如請求項1之固晶方法，其中，該目標基板包括印刷電路板、柔性電路板、玻璃電路板或帶有薄膜電晶體電路或脈衝頻寬調製驅動電路的背板。
如請求項1之固晶方法，其中，該支撐基板包含一玻璃板。
如請求項1之固晶方法，其中，該能量束具有一加熱循環，該加熱循環的周期在0.01秒至1秒的範圍內。
如請求項4之固晶方法，其中，在該加熱循環中，該能量束用來加熱該複數個半導體元件中至少兩個。
如請求項1之固晶方法，其中，該第一結合材料包含錫或錫銀的金屬層。
如請求項1之固晶方法，更包含提供一第二結合材料，設置於該對電接觸點上，其中，該第二結合材料包含助焊劑或絕緣粘合劑。
如請求項1之固晶方法，其中，該複數個半導體元件以一固定的間距放置於該載體板上。
一種顯示面板，包含：<br/> 一基板，包含複數像素；及<br/> 複數積體電路，設於該基板的上表面，每一積體電路包含複數積體電路接合墊，該基板包含複數基板接合墊，相應於該複數積體電路接合墊且設於該基板的上表面；<br/> 其中該積體電路與該基板的接合藉由該積體電路接合墊與該基板接合墊，其藉由雷射作為熱源而互相連接；<br/> 其中該積體電路接合墊與該基板接合墊互相接觸，經雷射加熱而產生接合；<br/> 其中該積體電路接合墊非對稱且僅設於相應積體電路的單一側。
如請求項1之顯示面板，其中該複數積體電路包含驅動器。
如請求項1之顯示面板，其中該積體電路設於相鄰像素列之間。
如請求項1之顯示面板，其中該積體電路設於該基板的邊緣。
如請求項1之顯示面板，其中該積體電路接合墊非對稱設於相應積體電路之至少二橫向列。
如請求項1之顯示面板，其中該積體電路不經由非等向導電膜以接合至該基板。
一種顯示面板，包含：<br/> 一基板，包含複數像素；及<br/> 複數積體電路，設於該基板的上表面，每一積體電路包含複數積體電路接合墊，該基板包含複數基板接合墊，相應於該複數積體電路接合墊且設於該基板的上表面；<br/> 其中每一積體電路設於至少一像素之上並覆蓋該像素，被覆蓋之該像素與相應之該積體電路的垂直空間當中不包含導電材質；<br/> 其中該積體電路接合墊與該基板接合墊互相接觸，經雷射加熱而產生接合。
如請求項7之顯示面板，其中該基板包含絕緣材質。
如請求項7之顯示面板，其中該複數積體電路包含驅動器。
如請求項7之顯示面板，其中該積體電路接合墊設於相應積體電路的至少一側。
如請求項7之顯示面板，其中該積體電路接合墊非對稱設於相應積體電路之至少二橫向列。
如請求項7之顯示面板，更包含：<br/> 至少一時序控制器，電性連接至該積體電路。
如請求項7之顯示面板，其中該顯示面板包含向下發光型微發光二極體顯示面板。
如請求項13之顯示面板，其中該基板分割為複數區塊，每一區塊相應至少一積體電路。
如請求項13之顯示面板，其中每一像素包含複數微發光二極體。
如請求項15之顯示面板，其中該積體電路接合墊與該基板接合墊的總高度大於微發光二極體的高度。
如請求項15之顯示面板，其中該積體電路的底部高於微發光二極體的頂部。
如請求項15之顯示面板，更包含：<br/> 一保護層，覆蓋每一微發光二極體；及<br/> 一室溫硫化矽橡膠層，覆蓋該保護層。
如請求項15之顯示面板，更包含：<br/> 一包覆層，覆蓋每一積體電路；及<br/> 一室溫硫化矽橡膠層，覆蓋該包覆層。
一種下式所示之化合物A作為活性成分在製備用於聯合放療(radiotherapy)治療實體瘤的藥物中的用途： <img align="absmiddle" height="62px" width="106px" file="ed10380.jpg" alt="ed10380.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之用途，其中化合物A之給藥劑量基於小鼠為20 mg/kg。
如請求項1之用途，其中該實體瘤選自結腸癌。
如請求項1之用途，其中基於小鼠之放射線(irradiation)劑量為2 Gy。
一種下式所示之化合物A作為活性成分在製備增加腫瘤對放療敏感性的藥物中的用途： <br/><img align="absmiddle" height="62px" width="106px" file="ed10380.jpg" alt="ed10380.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項5之用途，其中該腫瘤為實體瘤。
如請求項5或6之用途，其中該腫瘤為結腸癌。
一種用於製造非形成式電阻式隨機存取儲存（RRAM）器件的方法，包括：<br/> 製造RRAM單元，包括：<br/> 在底電極上製造包含至少一種過渡性金屬氧化物的切換氧化物層；<br/> 在所述切換氧化物層上製造界面層，所述界面層包括比所述至少一種過渡性金屬氧化物更具有化學穩定性的介電材料；<br/> 在所述界面層上製造頂電極；<br/> 在所述RRAM單元上製造一個或多個互連層，其中所述RRAM單元與所述一個或多個互連層一起退火。
一種用於製造非形成式電阻式隨機存取儲存（RRAM）器件的方法，包括：<br/> 製造RRAM單元，包括：<br/> 在底電極上製造包含至少一種過渡性金屬氧化物的切換氧化物層， 其中所述至少一種過渡性金屬氧化物包括HfO<sub>x</sub>或TaO<sub>y</sub>中的至少一種；<br/> 在所述切換氧化物層上製造界面層，其中所述界面層包括比所述至少一種過渡性金屬氧化物更具有化學穩定性的材料，所述界面層包括Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、MgO、Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>或 La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>中的至少一種的層；<br/> 在所述界面層上製造頂電極；<br/> 對所述RRAM 單元進行退火。
如請求項1或2所述的方法，其中所述RRAM單元在包含N2和H2的形成氣體環境中進行退火，或者，在350°C和450°C之間的退火溫度下進行退火。
如請求項1或2所述的方法，進一步包括：<br/> 在多個退火過程中退火，其中在每個所述多個退火過程中在350°C至450°C之間的溫度下在形成氣體中退火。
如請求項4所述的方法，其中製造所述一個或多個互連層包括在所述RRAM單元的頂電極上製造所述一個或多個互連層的金屬焊盤或金屬通孔。
如請求項1或2所述的方法，其中所述界面層的厚度基於所述RRAM單元的器件尺寸和與退火相關的熱預算確定，其中所述界面層可以被配置為減少所述頂電極和所述切換氧化物層之間的擴散和反應。
一種非形成式電阻式隨機存取儲存（RRAM）器件，包括：<br/> 底電極；<br/> 包括至少一種過渡性金屬氧化物的切換氧化物層；<br/> 頂電極；和<br/> 在所述頂電極和所述切換氧化物層之間製造的界面層，其中所述界面層包括比所述至少一種過渡性金屬氧化物更具有化學穩定性的材料，其中所述非形成式RRAM器件被配置為在沒有在所述切換氧化物層中生成導電細絲的形成過程下被切換到多個電阻；其中<br/> 所述至少一種過渡性金屬氧化物包括HfOx或TaO<sub>y</sub>中的至少一種，其中x≤2.0，和y≤2.5；<br/> 所述界面層包括Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、MgO、Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>或 La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>中的至少一種的層。
如請求項7所述的非形成式RRAM器件，其中所述界面層的厚度是0.2nm到1nm之間。
如請求項7所述的非形成式RRAM器件，其中所述界面層的厚度大於1nm。
如請求項7所述的非形成式RRAM器件，其中所述RRAM器件的初始電阻是在1kΩ 到1MΩ之間。
一種氟樹脂膜，其係由包含氟樹脂之組成物所構成之膜，且 <br/>於至少一表面中，在中央及距左右各端100 mm之位置，對移行方向於每隔100 mm之5處進行測定而得之相對於水之接觸角之平均值為105°以下，對移行方向於每隔100 mm之5處進行測定而得之相對於正十六烷之接觸角之平均值為45°以下，膜為長條。
如請求項1之氟樹脂膜，其中，膜寬度為400 mm以上。
如請求項1或2之氟樹脂膜，其中，氟樹脂包含四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚（PFA）及/或四氟乙烯-六氟丙烯（FEP）。
如請求項1或2之氟樹脂膜，其於10 GHz時之介電損耗正切未達0.0015。
如請求項1或2之氟樹脂膜，其於10 GHz時之介電損耗正切未達0.0010。
如請求項1或2之氟樹脂膜，其中，不穩定官能基數於氟樹脂之主鏈碳數每1×10<sup>6</sup>個中為未達10個，不穩定官能基為-COF、-COOH（游離）、-COOH（鍵結）、-COOCH<sub>3</sub>、-CONH<sub>2</sub>、-CH<sub>2</sub>OH、-CF<sub>2</sub>H、及-OC(=O)O-R基。
如請求項1或2之氟樹脂膜，其中，表面粗糙度Rz為1.5 μm以下之金屬箔與氟樹脂膜之中央及距左右各端100 mm處之接著強度為0.8 N/mm以上。
如請求項1或2之氟樹脂膜，其中，包含環氧樹脂及/或聚苯醚（polyphenylene ether）之預浸體與氟樹脂膜之中央及距左右各端50 mm處之接著強度為0.8 N/mm以上。
如請求項1或2之氟樹脂膜，其中，於僅單面或兩面中，在200℃將膜之同一面內彼此貼合時之接著強度大於30 N/m。
如請求項1或2之氟樹脂膜，其用於覆金屬積層板。
一種覆金屬積層體，其以金屬箔及請求項1至10中任一項之氟樹脂膜作為必需之層。
一種覆金屬積層體，其係由表面粗糙度Rz為1.5 μm以下之金屬箔及氟樹脂膜所構成之積層體，且特徵在於：不面向金屬箔之氟樹脂膜表面之中央、及距左右各端100 mm處之相對於水之接觸角為105°以下，相對於正十六烷之接觸角為45°以下。
如請求項12之覆金屬積層體，其中，金屬箔之表面粗糙度Rz為1.5 μm以下。
如請求項12或13之覆金屬積層體，其中，預浸體與積層體之中央及距左右各端100 mm處之接著強度為0.8 N/mm以上。
如請求項12或13之覆金屬積層體，其進而具有除金屬箔及氟樹脂膜以外之層， <br/>該除金屬箔及氟樹脂膜以外之層係選自由聚醯亞胺、液晶聚合物、聚苯硫醚、環烯烴聚合物、聚苯乙烯、環氧樹脂、雙馬來醯亞胺、聚伸苯醚（polyphenylene oxide）、聚苯醚及聚丁二烯所組成之群中之至少1種。
如請求項12或13之覆金屬積層體，其中，積層體為長條。
一種覆金屬積層體之製造方法，其係請求項16之覆金屬積層體的製造方法，且特徵在於：具有對請求項1或2之氟樹脂膜積層金屬箔之步驟。
一種電路用基板，其特徵在於具有請求項12至15中任一項之覆金屬積層體。
一種金屬線放電加工機(10)之控制裝置(20)，該金屬線放電加工機(10)藉由使金屬線電極(60)相對於加工對象物(W)移動，而對該加工對象物進行放電加工； <br/>該金屬線放電加工機之控制裝置具備： <br/>第一繪製控制部(162)，在該金屬線放電加工機沿著加工路徑(RA)進行對第一加工對象物(WA)的第一放電加工之前，將位在該加工路徑的開始位置(SA)的該金屬線電極的電極位置(EP)顯示，且將該電極位置之顯示位置設為該開始位置之顯示位置，而將該加工路徑繪製於顯示裝置(124)； <br/>儲存控制部(158)，在該第一放電加工完成之前，當有下令對第二加工對象物(WB)的第二放電加工之岔斷要求時，使繪製該加工路徑時的該開始位置之該顯示位置儲存於儲存裝置(122)；以及 <br/>第二繪製控制部(164)，當該第二放電加工完成後，該金屬線放電加工機重新開始該第一放電加工時，將儲存於該儲存裝置之該顯示位置設為該開始位置，而將該加工路徑重新繪製於該顯示裝置。
如請求項1所述之金屬線放電加工機之控制裝置，其中， <br/>該儲存控制部，在有該岔斷要求的情況下，使從該開始位置之該顯示位置到按照該岔斷要求而中斷的該第一放電加工的中斷位置(IA)之顯示位置之該第一放電加工的軌跡(TA)，與該開始位置之該顯示位置一起儲存在該儲存裝置； <br/>該第二繪製控制部，將儲存在該儲存裝置的該第一放電加工之該軌跡重新繪製於該顯示裝置，而使其重疊於重新繪製的該加工路徑。
如請求項1或2所述之金屬線放電加工機之控制裝置，其更具備： <br/>位移控制部(182)，在該第二放電加工完成後，使該電極位置位移至按照該岔斷要求而中斷的該第一放電加工的中斷位置(IA)； <br/>該儲存控制部，在有該岔斷要求的情況下，使該中斷位置之顯示位置，與該開始位置之該顯示位置一起儲存在該儲存裝置； <br/>當該電極位置往該中斷位置移動時，該第二繪製控制部將儲存於該儲存裝置的該中斷位置之該顯示位置設為該電極位置之該顯示位置，並顯示於該顯示裝置，而使其重疊於重新繪製的該加工路徑。
一種金屬線放電加工機(10)之顯示方法，其中，該金屬線放電加工機(10)藉由使金屬線電極(60)相對於加工對象物(W)移動，而對該加工對象物進行放電加工； <br/>該金屬線放電加工機之顯示方法，具備： <br/>第一繪製步驟，在該金屬線放電加工機沿著加工路徑(RA)進行對第一加工對象物(WA)的第一放電加工之前，顯示位在該加工路徑的開始位置(SA)的該金屬線電極的電極位置(EP)，且將該電極位置之顯示位置設為該開始位置之顯示位置，而將該加工路徑繪製於顯示裝置(124)； <br/>儲存步驟，在該第一放電加工完成之前，當有下令對第二加工對象物(WB)的第二放電加工之岔斷要求時，使儲存裝置(122)儲存繪製該加工路徑時的該開始位置之該顯示位置；以及 <br/>第二繪製步驟，當該第二放電加工完成後，該金屬線放電加工機重新開始該第一放電加工時，將儲存於該儲存裝置的該顯示位置設為該開始位置，而將該加工路徑重新繪製於該顯示裝置。
如請求項4所述之金屬線放電加工機之顯示方法，其中， <br/>在該儲存步驟，當有該岔斷要求時，將從該開始位置之該顯示位置到按照該岔斷要求而中斷的該第一放電加工的中斷位置(IA)之顯示位置之該第一放電加工的軌跡(TA)，與該開始位置之該顯示位置一起儲存在該儲存裝置； <br/>在該第二繪製步驟，將儲存在該儲存裝置的該第一放電加工之該軌跡重新繪製於該顯示裝置，而使其重疊於重新繪製的該加工路徑。
如請求項4或5所述之金屬線放電加工機之顯示方法，更具備： <br/>在該第二放電加工結束後，使該電極位置位移至按照該岔斷要求而中斷的該第一放電加工的中斷位置(IA)之位移步驟； <br/>在該儲存步驟中，在有該岔斷要求的情況下，將該中斷位置之顯示位置，與該開始位置之該顯示位置一起儲存在該儲存裝置； <br/>當該電極位置往該中斷位置移動時，在該第二繪製步驟，將儲存於該儲存裝置的該中斷位置之該顯示位置設為該電極位置之該顯示位置，並顯示於該顯示裝置，而使其重疊於重新繪製的該加工路徑。
一種記憶裝置，其具備：第1導電層； <br/>第2導電層； <br/>第3導電層； <br/>電阻變化層，其設置於上述第1導電層與上述第2導電層之間；及 <br/>開關層，其設置於上述第2導電層與上述第3導電層之間； <br/>於上述第1導電層與上述第3導電層之間設有上述第2導電層；且 <br/>上述開關層包含：至少一種第1物質，其係從選自由鉻(Cr)、鑭(La)、鈰(Ce)、釔(Y)、鈧(Sc)、鋯(Zr)及鉿(Hf)所組成之群中之至少一種元素之氧化物、上述至少一種元素之氮化物、及上述至少一種元素之氮氧化物所組成之群中選擇； <br/>第2物質，其係選自由碲(Te)、硒(Se)、銻(Sb)、鉍(Bi)、鍺(Ge)及錫(Sn)所組成之群中之至少一種導電體；及 <br/>第3物質，其係選自由上述第2物質之氧化物、上述第2物質之氮化物、及上述第2物質之氮氧化物所組成之群中之至少一種絕緣體； <br/>上述開關層包含第1區域、第2區域及第3區域， <br/>上述第1區域包含上述第1物質；上述第2區域包含上述第2物質；上述第3區域包含上述第3物質；於上述第1區域之中分散著複數個上述第2區域，於上述第2區域周圍設有上述第3區域， <br/>上述開關層中包含之上述第1物質之莫耳分率大於上述開關層中包含之上述第3物質之莫耳分率。
如請求項1之記憶裝置，其中上述開關層中包含之上述第1物質之莫耳分率為50 mol%以上。
如請求項1之記憶裝置，其中上述開關層中包含之上述第2物質之莫耳分率為5 mol%以上。
如請求項1之記憶裝置，其中上述開關層中包含之上述第3物質之莫耳分率為5 mol%以上。
如請求項1之記憶裝置，其中上述開關層中包含之上述第2物質為2種以上。
如請求項1之記憶裝置，其中上述開關層中包含之上述第1物質為氧化釔、氧化鋯、或氧化鑭。
如請求項1之記憶裝置，其中上述第2導電層包含碳或氮化鎢，上述第3導電層包含碳或氮化鎢。
如請求項1之記憶裝置，其進而具備： <br/>第1層，其設置於上述第2導電層與上述開關層之間，包含碳或氮化鎢；及 <br/>第2層，其設置於上述第3導電層與上述開關層之間，包含碳或氮化鎢。
如請求項1之記憶裝置，其中上述第1物質之熔點高於上述第3物質之熔點。
如請求項1之記憶裝置，其中上述第1物質之標準生成吉布斯能之絕對值大於上述第3物質之標準生成吉布斯能之絕對值。
一種記憶裝置，其具備：複數個第1配線； <br/>複數個第2配線，其等與上述複數個第1配線交叉；及 <br/>記憶胞，其位於上述第1配線與上述第2配線交叉之區域；且 <br/>上述記憶胞包含： <br/>第1導電層； <br/>第2導電層； <br/>第3導電層； <br/>電阻變化層，其設置於上述第1導電層與上述第2導電層之間；及 <br/>開關層，其設置於上述第2導電層與上述第3導電層之間； <br/>於上述第1導電層與上述第3導電層之間設有上述第2導電層； <br/>上述開關層包含：至少一種第1物質，其係從選自由鉻(Cr)、鑭(La)、鈰(Ce)、釔(Y)、鈧(Sc)、鋯(Zr)及鉿(Hf)所組成之群中之至少一種元素之氧化物、上述至少一種元素之氮化物、及上述至少一種元素之氮氧化物所組成之群中選擇； <br/>第2物質，其係選自由碲(Te)、硒(Se)、銻(Sb)、鉍(Bi)、鍺(Ge)及錫(Sn)所組成之群中之至少一種導電體；及 <br/>第3物質，其係選自由上述第2物質之氧化物、上述第2物質之氮化物、及上述第2物質之氮氧化物所組成之群中之至少一種絕緣體； <br/>上述開關層包含第1區域、第2區域及第3區域， <br/>上述第1區域包含上述第1物質；上述第2區域包含上述第2物質；上述第3區域包含上述第3物質；於上述第1區域之中分散著複數個上述第2區域，於上述第2區域周圍設有上述第3區域， <br/>上述開關層中包含之上述第1物質之莫耳分率大於上述開關層中包含之上述第3物質之莫耳分率。
如請求項11之記憶裝置，其中上述開關層中包含之上述第1物質之莫耳分率為50 mol%以上。
如請求項11之記憶裝置，其中上述開關層中包含之上述第2物質之莫耳分率為5 mol%以上。
如請求項11之記憶裝置，其中上述開關層中包含之上述第3物質之莫耳分率為5 mol%以上。
如請求項11之記憶裝置，其中上述開關層中包含之上述第2物質為2種以上。
如請求項11之記憶裝置，其中上述第2導電層包含碳或氮化鎢，上述第3導電層包含碳或氮化鎢。
如請求項11之記憶裝置，其進而具備： <br/>第1層，其設置於上述第2導電層與上述開關層之間，包含碳或氮化鎢；及 <br/>第2層，其設置於上述第3導電層與上述開關層之間，包含碳或氮化鎢。
如請求項11之記憶裝置，其中上述第1物質之熔點高於上述第3物質之熔點。
一種成膜裝置，包括： <br/> 成膜操作部，配置為使模具與供給至基板的可固化組成物接觸； <br/> 曝光部，配置為對該可固化組成物進行曝光； <br/> 移動部，配置為在該成膜操作部使該模具與該可固化組成物接觸，然後將模具與該成膜操作部分離之後，將該基板從該成膜操作部移動至該曝光部，其中，該移動部配置為在該模具與該可固化組成物接觸的同時，將該基板從該成膜操作部移動至該曝光部；及 <br/> 控制部，包括至少一個處理器或電路，配置為進行控制，使得與在透過該成膜操作部使該模具與該可固化組成物接觸時相比，在透過該移動部移動該基板後透過該曝光部曝光的該可固化組成物的狀態，抑制該可固化組成物的固化的第一氣體的濃度變高。
根據請求項1所述的成膜裝置，進一步包括： <br/> 第二氣體供給部，配置為在透過該成膜操作部使該模具與該可固化組成物接觸之前向該可固化組成物供給不抑制可固化組成物的固化的第二氣體。
根據請求項2所述的成膜裝置，其中，該控制部進行控制，使得與在透過成膜操作部使該模具與該可固化組成物接觸的狀態相比，在透過該曝光部曝光的該可固化組成物的狀態，該第二氣體的濃度變低。
根據請求項3所述的成膜裝置，其中，與在透過該成膜操作部使該模具與該可固化組成物接觸之前供給至該可固化組成物的該第二氣體的該供給量相比，在透過該曝光部對該可固化組成物進行曝光的狀態下，該第二氣體供給部減少供給至該可固化組成物的該第二氣體的供給量較多。
根據請求項4所述的成膜裝置，其中，在透過該曝光部對該可固化組成物進行曝光的狀態下，該第二氣體供給部停止向該可固化組成物供給該第二氣體。
根據請求項1所述的成膜裝置，進一步包括：該第一氣體供給部，配置為在透過該曝光部對該可固化組成物進行曝光之前向該可固化組成物供給該第一氣體。
根據請求項6所述的成膜裝置，其中，在透過該成膜操作部使該模具與該可固化組成物接觸的該操作完成之後，該第一氣體供給部開始向該可固化組成物供給該第一氣體。
根據請求項1所述的成膜裝置，進一步包括： <br/> 混合部，配置為將不抑制該可固化組成物的固化的第二氣體與第一氣體混合，並將該混合氣體供應至該可固化組成物。
根據請求項1所述的成膜裝置，其中，該控制部控制該第一氣體和不抑制該可固化組成物的固化的第二氣體的混合比。
根據請求項9所述的成膜裝置，其中，該控制部使得在透過該曝光部對該可固化組成物進行曝光的狀態和透過該成膜操作部使該模具與該可固化組成物接觸的狀態之間的該混合比不同。
根據請求項9所述的成膜裝置，進一步包括氧濃度計， <br/> 其中，該控制部基於透過該氧濃度計測量的氧濃度來控制該混合比。
根據請求項9所述的成膜裝置，其中，該控制部根據該曝光部中的照度或曝光量來改變該混合比。
根據請求項2所述的成膜裝置，其中，該第二氣體是用於促進該可固化組成物的填充或擴散的氣體。
根據請求項2所述的成膜裝置，其中，在保持該基板的基板保持部中設置有該第一氣體的供給部和該第二氣體的供給部。
根據請求項2所述的成膜裝置，其中，該第一氣體的供給部和該第二氣體的供給部設置在彼此的相對側。
根據請求項14所述的成膜裝置，其中，該第一氣體的該供給部和該第二氣體的該供給部被共用。
根據請求項9所述的成膜裝置，其中，該控制部進行控制，使得在與透過該成膜操作部使該模具與該可固化組成物接觸的狀態相比，在透過該曝光部對該可固化組成物進行曝光的狀態下，該第二氣體的流速相對於該第一氣體的流速的比率較高。
根據請求項1所述的成膜裝置，其中，該第一氣體至少包含氧。
根據請求項1所述的成膜裝置，其中，該成膜操作部具有用於保持該模具的模具保持部，且該曝光部配置在曝光光不被該模具保持部遮擋的位置。
一種成膜方法，包括： <br/> 透過成膜操作部，使模具與供給至基板的可固化組成物接觸進行成膜操作； <br/> 透過曝光部，使該可固化組成物曝光； <br/> 進行該進行成膜操作後，移動該基板進行曝光，該成膜操作包括：使該模具與該可固化組成物接觸，然後將模具與該成膜操作部分離，其中，在該模具與該可固化組成物接觸的同時，將該基板從該成膜操作部移動至該曝光部；及 <br/> 進行控制，使得與在該進行成膜操作相比，在該移動中移動該基板之後的該曝光中，抑制該可固化組成物的固化的第一氣體的濃度變高。
一種物品的製造方法，包括： <br/> 透過成膜操作部，使模具與供給至基板的可固化組成物接觸進行成膜操作； <br/> 透過曝光部，使該可固化組成物曝光； <br/> 進行該進行成膜操作後，移動該基板進行曝光，該成膜操作包括：使該模具與該可固化組成物接觸，然後將模具與該成膜操作部分離，其中，在該模具與該可固化組成物接觸的同時，將該基板從該成膜操作部移動至該曝光部； <br/> 進行控制，使得與在該進行成膜操作相比，在該移動中移動該基板之後的該曝光中，抑制該可固化組成物的固化的第一氣體的濃度變高；及 <br/> 從該基板製造物品填充已形成的該薄膜。
一種儲存電腦程式的非暫時性電腦可讀儲存媒體，包括用於執行以下過程的指令： <br/> 透過成膜操作部，使模具與供給至基板的可固化組成物接觸進行成膜操作； <br/> 透過該曝光部，使該可固化組成物曝光； <br/> 進行該進行成膜操作後，移動該基板進行曝光，該成膜操作包括：使該模具與該可固化組成物接觸，然後將模具與該成膜操作部分離，其中，在該模具與該可固化組成物接觸的同時，將該基板從該成膜操作部移動至該曝光部；及 <br/> 進行控制，使得與在該進行成膜操作相比，在該移動中移動該基板之後的該曝光中，抑制該可固化組成物的固化的第一氣體的濃度變高。
一種版構件，其包括：<br/>一混凝土本體，其係由超高性能混凝土(ultra-high performance concrete；UHPC)所製成；<br/>複數個桁架，其沿一第一方向排列，且該複數個桁架之至少一者部分埋於該混凝土本體中；且<br/>該混凝土本體中無設置鋼筋網及連接件。
如請求項1之版構件，其中該複數個桁架之至少一者部分暴露於該混凝土本體之外。
如請求項1或2之版構件，其中該複數個桁架之每一者在與該第一方向垂直之一第二方向上延伸；且該複數個桁架之每一者沿著該第一方向排列。
如請求項1或2之版構件，其進一步包括複數個鋼筋，其設置於該複數個桁架之下方且在該第一方向延伸，該複數個鋼筋與對應之複數個桁架連接。
如請求項1或2之版構件，其進一步包括至少一個補強鋼筋；其中該至少一個補強鋼筋之每一者在該第一方向上延伸並穿過該複數個桁架內部。
如請求項1或2之版構件，其中該版構件在該第一方向上每一公尺包括大約1至7組之桁架。
如請求項1或2之版構件，其中該版構件具有大約1.5至7公分之一厚度。
如請求項7之版構件，其中該版構件具有大約3至5公分之一厚度。
如請求項1或2之版構件，其中該複數個桁架之暴露於該混凝土本體之外之部分在垂直於該版構件之表面之方向上突出大約4至32公分。
如請求項1或2之版構件，其中該版構件面積大約為1至96平方公尺。
一種版構件，其包括：<br/>一混凝土本體，其係由UHPC所製成；<br/>一支撐結構，其包含複數個桁架，用以支撐該混凝土本體，且該複數個桁架之至少一者部分埋於該混凝土本體中；<br/>複數個吊掛部；<br/>其中該複數個吊掛部暴露於該混凝土本體外部；且<br/>其中該混凝土本體中無設置鋼筋網及連接件。
如請求項11之版構件，其中：<br/>該複數個吊掛部係由該複數個桁架暴露於該混凝土本體外部之部分所形成。
如請求項11或12之版構件，其中該版構件具有大約1.5至7公分之一厚度。
如請求項11或12之版構件，其中該複數個吊掛部在垂直於該版構件之表面之方向上突出大約4至32公分。
如請求項11或12之版構件，其中該版構件面積大約為1至96平方公尺。
一種建築結構，其包括：<br/>如請求項1至15任一項之版構件；<br/>一梁，其具有部分暴露在該梁外之一鋼筋；且<br/>其中該鋼筋延伸進入該版構件之該複數個桁架之暴露於該混凝土本體之外之部分中。
如請求項16之建築結構，其進一步包括一額外混凝土部分，其中該額外混凝土部分覆蓋該鋼筋及該複數個桁架之暴露於該混凝土本體之外之部分。
如請求項17之建築結構，其中該額外混凝土部分係由一般混凝土或UHPC所製成。
一種可攜式記憶體測試系統，包含：<br/> 一第一記憶體連接器，用以連接一第一待測晶片；以及<br/> 一處理器，耦接於該第一記憶體連接器，並用以產生複數個指令訊號，其中該處理器用以偵測該第一待測晶片之複數個第一晶片引腳之一第一引腳定義，並設定該第一記憶體連接器之一第二引腳定義進行匹配，藉以將該些指令訊號輸入至該第一待測晶片，並對該第一待測晶片進行測試，其中該第一待測晶片透過該第一記憶體連接器輸出對應於該些指令訊號的複數個資料訊號至該處理器，並且<br/> 該處理器用以對該處理器所產生的該些指令訊號及該第一待測晶片所傳輸的該些資料訊號進行一訊號完整性測試流程及一邏輯分析測試流程中至少一者，<br/> 其中該訊號完整性測試流程用以測試該些指令訊號及該些資料訊號是否發生振鈴（ringing）、串擾（crosstalk）、接地反彈、扭曲（skew）、訊號損失及電源供應中的雜訊中至少一者，且該邏輯分析測試流程用以分析該些指令訊號及該些資料訊號之一時序關係，其中串擾係指用於傳輸該些指令訊號及該些資料訊號之引腳間的耦合問題，其中接地反彈係指電晶體切換狀態時之閾值電壓呈現比接地環路電壓低的問題。
如請求項1所述之可攜式記憶體測試系統，更包含：<br/> 一現場可程式化邏輯閘陣列板，其中該第一記憶體連接器及該處理器設置於該現場可程式化邏輯閘陣列板上。
如請求項1所述之可攜式記憶體測試系統，還包含：<br/> 一第一印刷電路板，用以連接該第一記憶體連接器與該第一待測晶片。
如請求項3所述之可攜式記憶體測試系統，其中該第一待測晶片包含一第二代低功率雙倍資料傳輸速率同步動態隨機存取記憶體至一第五代低功率雙倍資料傳輸速率同步動態隨機存取記憶體、一第二代雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體至一第五代雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體、一無緩衝雙列直插式記憶體模組及一帶暫存器雙列直插式記憶體模組的其中一者。
如請求項3所述之可攜式記憶體測試系統，<br/> 更包含：<br/> 一第二記憶體連接器，用以連接一第二待測晶片。
如請求項5所述之可攜式記憶體測試系統， 其中該第一記憶體連接器不同於該第二記憶體連接器，其中該第一待測晶片不同於該第二待測晶片。
如請求項6所述之可攜式記憶體測試系統，其中該第二待測晶片包含一小外形雙列直插式記憶體模組。
如請求項7所述之可攜式記憶體測試系統，更包含：<br/> 一時脈產生器，耦接於該處理器，且用以產生具有一固定頻率之一時脈訊號至該處理器、該第一待測晶片及該第二待測晶片，藉以調整該些指令訊號及該些資料訊號之一輸出時序。
一種帶電粒子工具，其經組態以自一帶電粒子束產生複數個子射束並且將下游（downbeam）之該等子射束引導朝向一樣本位置，該帶電粒子工具包含： <br/>至少三個帶電粒子光學組件； <br/>一偵測器模組，其經組態以回應於在該樣本位置之方向之上游(upbeam)傳播的帶電粒子而產生一偵測信號； <br/>一控制器，其經組態以在一校正模式下操作該帶電粒子工具；及 <br/>一校正器（corrector），其用於校正該等子射束之像差(aberrations)； <br/>其中： <br/>該至少三個帶電粒子光學組件包括：一帶電粒子源，其經組態以發射一帶電粒子束，及一射束產生器，其經組態以產生該等子射束；且 <br/>該偵測信號含有關於該至少三個帶電粒子光學組件中之至少兩者的對準的資訊，該至少三個帶電粒子光學組件之至少兩者包含一孔徑陣列(an array of apertures)；及 <br/>該控制器經組態以在該校正模式下判定欲在一檢測模式下使用的該校正器之一參數的一設定值，其中該控制器在該校正模式下經組態以使該校正器之該參數變化並且將該參數之該值判定為該設定值，該參數使在該樣本位置之該方向之上游傳播(propagate)的帶電粒子之信號最大化。
如請求項1之帶電粒子工具，其中該控制器經組態以在該檢測模式下操作該帶電粒子工具，其中該偵測信號含有關於該樣本位置處之一樣本之一性質的資訊。
如請求項1或2之帶電粒子工具，其中該至少三個等帶電粒子光學組件進一步包含一物鏡陣列。
如請求項3之帶電粒子工具，其中該帶電粒子工具進一步包含一帶電粒子鏡面(charged particle mirror)，該帶電粒子鏡面位於該物鏡陣列之下游並且可操作以在該校正模式期間將引導朝向該樣本位置的帶電粒子朝向該偵測器模組往回反射。
如請求項4之帶電粒子工具，其中該帶電粒子鏡面包含一電位源，該電位源在該校正模式下經組態以相對於該帶電粒子源將位於該物鏡陣列之下游之一物件設定處於一預定電位。
如請求項1或2之帶電粒子工具，其進一步包含一樣本架（holder），該樣本架經組態以在該校正模式期間將一校正目標固持在該樣本位置處，其中該校正目標經配置以朝向該偵測器模組發射次級電子作為在該樣本位置之該方向之上游傳播的該等帶電粒子。
如請求項3之工具， <br/>a. 其中該帶電粒子工具進一步包含：一帶電粒子鏡面，該帶電粒子鏡面位於該物鏡陣列之下游並且可操作以在該校正模式期間將引導朝向該樣本位置的帶電粒子朝向該偵測器模組往回反射；及一樣本架，其中一物件為該樣本架或由該樣本架固持；或 <br/>b. 其中該帶電粒子工具進一步包含：一樣本架，該樣本架經組態以在該校正模式期間將一校正目標固持在該樣本位置處，其中該校正目標經配置以朝向該偵測器模組發射次級電子作為在該樣本位置之該方向之上游傳播的該等帶電粒子， <br/>其中該控制器經組態以控制一定位系統來定位該物件或該校正目標，使得其一表面相對於該物鏡陣列之平面傾斜。
如請求項1或2之帶電粒子工具，其中該校正器包含一偏轉器。
如請求項1或2之帶電粒子工具，其中該校正器包含以下各項中之至少一者：一個別射束校正器陣列，其經組態以校正每一子射束；一條帶校正器，其經組態以對該等子射束進行操作；及一校正器，其經組態以對一源射束進行操作。
如請求項9之帶電粒子工具，其中該校正器定位在以下各項處或其之間：與該射束產生器相關聯的一聚光透鏡陣列，該聚光透鏡陣列將該等子射束聚焦至一中間焦點陣列(an array of intermediate foci)；及中間焦點。
如請求項1或2之帶電粒子工具，其中該至少三個帶電粒子光學組件之至少兩者沿著該等子射束之路徑位於不同位置處，每一子射束具有在該至少三個帶電粒子光學組件之至少兩者中界定之一對應孔徑。
如請求項1或2之帶電粒子工具，其中該偵測器模組為一電子光學柱之一最下游電子光學元件或該偵測器模組位於該電子光學柱之該最下游電子光學元件之上游。
如請求項12之帶電粒子工具，其中其他電子光學元件為該最下游電子光學元件並且為一物鏡陣列，該偵測器模組與一物鏡相關聯。
如請求項12之帶電粒子工具，其中：該偵測信號含有關於該最下游電子光學元件的對準的資訊，該最下游電子光學元件為一物鏡陣列；並且該偵測器模組與一物鏡相關聯。
一種提供頁面之方法，其係於電子裝置中進行者，其包括如下步驟： <br/>確認目標頁面； <br/>將請求上述目標頁面之資料之第1請求傳輸至伺服器； <br/>確認上述目標頁面中包括之複數個內容之識別符； <br/>確認是否存在與上述識別符對應之有效快取資料； <br/>於存在上述有效快取資料之情形時，提供包括在上述複數個內容中之至少一內容之上述有效快取資料之第1頁面； <br/>自上述伺服器接收與上述第1請求對應之響應資料；及 <br/>提供基於上述響應資料而更新上述第1頁面所得之包含上述複數個內容之資料之第2頁面， <br/>其中確認是否存在有效快取資料之步驟包括確認與上述有效快取資料對應之有效內容之步驟， <br/>提供上述第2頁面之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述響應資料中包括之上述有效內容之快取設定資訊，提供包括上述有效內容之響應資料中之至少一部分之上述第2頁面， <br/>其中提供上述第2頁面之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述有效內容之上述快取設定資訊，確認上述有效內容中之快取類型為第1快取類型之第1有效內容；及 <br/>將上述有效快取資料中之上述第1有效內容之快取資料變更為上述第1有效內容之第1響應資料而提供上述第2頁面， <br/>基於上述有效內容之快取設定資訊，確認上述有效內容中之快取類型為第2快取類型之第2有效內容；及 <br/>於上述第1頁面中添加上述第2有效內容之第2響應資料而提供上述第2頁面。
如請求項1之提供頁面之方法，其中確認是否存在上述有效快取資料之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述複數個內容之資訊，確認存在快取資料之第1內容；及 <br/>基於上述第1內容之快取資料之到期之資訊，確認上述有效快取資料。
如請求項2之提供頁面之方法，其中上述第1內容之快取資料之到期之資訊係基於上述第1內容之特性資訊而確定的資訊。
如請求項2之提供頁面之方法，其中確認是否存在上述有效快取資料之步驟進而包括如下步驟： <br/>基於上述複數個內容之資訊，確認上述複數個內容中之未儲存快取資料之第2內容；及 <br/>基於上述第1內容之快取資料之到期之資訊，確認上述第1內容中之經過到期期間之第3內容。
如請求項4之提供頁面之方法，其中上述第1頁面為遺漏上述第2內容之資訊及上述第3內容之資訊之頁面。
如請求項4之提供頁面之方法，其中上述第2頁面為包括上述響應資料中之與上述第2內容及上述第3內容對應之資料之頁面。
如請求項1之提供頁面之方法，其中接收上述響應資料之步驟進而包括如下步驟： <br/>基於接收到之上述響應資料中包括之上述複數個內容之快取設定的資訊，將上述響應資料中之至少一部分儲存為快取資料。
如請求項1之提供頁面之方法，其中以不存在另外之滾動條之方式顯示於上述目標頁面中之內容包括在與上述有效快取資料對應的有效內容中。
如請求項8之提供頁面之方法，其中以不存在另外之滾動條之方式顯示於上述目標頁面中之內容為如下者：對應之有效快取資料之到期期間為設定之臨界值以上。
如請求項1之提供頁面之方法，其中上述第2有效內容為上述目標頁面中包括之內容之子內容。
如請求項1之提供頁面之方法，其進而包括如下步驟： <br/>基於上述有效內容之快取設定資訊，確認上述有效內容中之快取類型為第3快取類型之第3有效內容；及 <br/>將上述第3有效內容之第3響應資料確認為上述第3有效內容之新的快取資料。
如請求項1之提供頁面之方法，其中提供上述第1頁面之步驟包括如下步驟： <br/>確認於上述目標頁面之前提供之上一頁面； <br/>將自上述伺服器獲得之與上述上一頁面對應之第1響應資料中之至少一部分確認為有效快取資料；及 <br/>提供包括上述有效快取資料之上述第1頁面。
如請求項1之提供頁面之方法，其中若上述目標頁面包括於第1設定頁面群組，則上述第1頁面為上述有效快取資料顯示在與上述有效快取資料對應之有效內容之設定位置之頁面。
如請求項1之提供頁面之方法，其中若上述目標頁面包括於第2設定頁面群組，則上述第1頁面為上述有效快取資料顯示於上述第1頁面之上端之頁面。
一種用以提供頁面之電子裝置，其包括： <br/>收發器； <br/>儲存器，其儲存一個以上之命令；及 <br/>處理器， <br/>其中上述處理器經構形以： <br/>確認目標頁面， <br/>將請求上述目標頁面之資料之第1請求傳輸至伺服器， <br/>確認上述目標頁面中包括之複數個內容之識別符， <br/>確認是否存在與上述識別符對應之有效快取資料， <br/>於存在上述有效快取資料之情形時，提供包括在上述複數個內容中之至少一內容之上述有效快取資料之第1頁面， <br/>自上述伺服器接收與上述第1請求對應之響應資料，且 <br/>提供基於上述響應資料而更新上述第1頁面所得之包含上述複數個內容之資料之第2頁面， <br/>其中上述處理器經構形以： <br/>確認與上述有效快取資料對應之有效內容，及 <br/>基於上述響應資料中包括之上述有效內容之快取設定資訊，提供包括上述有效內容之響應資料中之至少一部分之上述第2頁面， <br/>其中上述處理器經構形以： <br/>基於上述有效內容之上述快取設定資訊，確認上述有效內容中之快取類型為第1快取類型之第1有效內容；及 <br/>將上述有效快取資料中之上述第1有效內容之快取資料變更為上述第1有效內容之第1響應資料而提供上述第2頁面， <br/>基於上述有效內容之快取設定資訊，確認上述有效內容中之快取類型為第2快取類型之第2有效內容；及 <br/>於上述第1頁面中添加上述第2有效內容之第2響應資料而提供上述第2頁面。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有用以於電腦中執行如請求項1之方法之程式。
一種燃燒裝置，具備燃燒器、嵌設於對燃燒器之氣體供給通路的電磁開閉閥、電磁開閉閥之下游側的比例閥、控制手段，在比例閥的下游側的氣體供給通路的部分不嵌設其他的電磁開閉閥，該比例閥，是由具有調速器功能的比例閥所構成，該比例閥具備： <br/> 閥框，具有上游側的一次壓室、下游側的二次壓室、一次壓室與二次壓室之間的閥座； <br/> 膜片，覆蓋一次壓室之閥座相反側的端面； <br/> 閥體部，穿過形成於閥座的閥口，藉由從一次壓室側朝面向二次壓室側的開啟側位移，而增加閥口的開度； <br/> 調速閥，從閥體部延伸，並具有連結於膜片的軸部； <br/> 螺線管，隔著膜片被配置於一次壓室的相反側， <br/> 令與對螺線管的通電電流成比例之朝開口側的按壓力作用於調速閥，並對應於一次壓室內之氣體壓力的變動，透過膜片使調速閥位移，而抑制二次壓室內的氣體壓力變動， <br/> 其特徵為： <br/> 配合從在前述電磁開閉閥的閥體已貼附於閥座的狀態下開始令電磁開閉閥開啟的控制起，到閥體從閥座剝離而電磁開閉閥形成開啟為止所需的時間，設定特定的等待時間， <br/> 控制手段構成：對燃燒器點火時，首先，執行使電磁開閉閥開啟的控制，從開始令電磁開閉閥開啟的控制起，經過該等待時間後，執行對比例閥之螺線管通電的控制，使比例閥的開度成為特定的點火開度。
一種燃燒裝置，具備燃燒器、嵌設於對燃燒器之氣體供給通路的電磁開閉閥、電磁開閉閥之下游側的比例閥、控制手段，在比例閥的下游側的氣體供給通路的部分不嵌設其他的電磁開閉閥，該比例閥，是由具有調速器功能的比例閥所構成，該比例閥具備： <br/> 閥框，具有上游側的一次壓室、下游側的二次壓室、一次壓室與二次壓室之間的閥座； <br/> 膜片，覆蓋一次壓室之閥座相反側的端面； <br/> 閥體部，穿過形成於閥座的閥口，藉由從一次壓室側朝面向二次壓室側的開啟側位移，而增加閥口的開度； <br/> 調速閥，從閥體部延伸，並具有連結於膜片的軸部； <br/> 螺線管，隔著膜片被配置於一次壓室的相反側， <br/> 令與對螺線管的通電電流成比例之朝開口側的按壓力作用於調速閥，並對應於一次壓室內之氣體壓力的變動，透過膜片使調速閥位移，而抑制二次壓室內的氣體壓力變動， <br/> 其特徵為： <br/> 前述控制手段構成：當對前述燃燒器點火時，先執行令前述電磁開閉閥開啟的控制，在此之後，先執行令電磁開閉閥關閉的控制再執行令電磁開閉閥再次開啟的控制，於此同時，執行對前述比例閥之前述螺線管通電的控制，使比例閥的開度成為特定的點火開度。
一種接線裝置，係具備： <br/> 絡交設備，使兩根絲線絡交而接合； <br/> 第1絲線把持設備以及第2絲線把持設備，能夠把持上述絲線，且以隔著上述絡交設備的方式配置； <br/> 移動機構，能夠使上述第1絲線把持設備及上述第2絲線把持設備中的至少一方移動；以及 <br/> 控制設備，對上述絡交設備、上述第1絲線把持設備、上述第2絲線把持設備及上述移動機構進行控制， <br/> 上述控制設備執行如下控制： <br/> 絲線把持控制，將上述第1絲線把持設備及上述第2絲線把持設備控制成，使上述第1絲線把持設備及上述第2絲線把持設備把持上述兩根絲線； <br/> 伸長鬆弛控制，在上述絲線把持控制之後，將上述移動機構控制成，使由上述第1絲線把持設備及上述第2絲線把持設備把持的上述兩根絲線反覆伸長以及鬆弛；以及 <br/> 絡交施加控制，在上述伸長鬆弛控制之後，將上述絡交設備控制成，使上述兩根絲線絡交。
如請求項1之接線裝置，其係具備： <br/> 第1絲線切斷把持設備，配置在上述絡交設備與上述第1絲線把持設備之間，用於切斷以及把持上述絲線；以及 <br/> 第2絲線切斷把持設備，配置在上述絡交設備與上述第2絲線把持設備之間，用於切斷以及把持上述絲線， <br/> 上述控制設備構成為， <br/> 能夠對上述第1絲線切斷把持設備及上述第2絲線切斷把持設備進行控制， <br/> 且在上述絡交施加控制之前執行如下的絲線切斷把持控制：將上述第1絲線切斷把持設備及上述第2絲線切斷把持設備控制成，使上述第1絲線切斷把持設備切斷以及把持上述兩根絲線中的其中一根絲線，使上述第2絲線切斷把持設備切斷以及把持上述兩根絲線中的另一根絲線。
如請求項2之接線裝置，其中， <br/> 上述控制設備在上述伸長鬆弛控制之後執行上述絲線切斷把持控制。
如請求項1之接線裝置，其中， <br/> 上述移動機構能夠使上述第1絲線把持設備及上述第2絲線把持設備雙方移動， <br/> 上述控制設備在上述伸長鬆弛控制中，將上述移動機構控制成，使上述第1絲線把持設備及上述第2絲線把持設備雙方移動。
如請求項2之接線裝置，其中， <br/> 上述移動機構能夠使上述第1絲線把持設備及上述第2絲線把持設備雙方移動， <br/> 上述控制設備在上述伸長鬆弛控制中，將上述移動機構控制成，使上述第1絲線把持設備及上述第2絲線把持設備雙方移動。
如請求項3之接線裝置，其中， <br/> 上述移動機構能夠使上述第1絲線把持設備及上述第2絲線把持設備雙方移動， <br/> 上述控制設備在上述伸長鬆弛控制中，將上述移動機構控制成，使上述第1絲線把持設備及上述第2絲線把持設備雙方移動。
如請求項1至6中任一項之接線裝置，其中， <br/> 上述控制設備在上述伸長鬆弛控制中，將上述移動機構控制成，使上述第1絲線把持設備及上述第2絲線把持設備中的至少一方移動的移動速度成為10~25mm/s。
一種接線方法，係藉由接線裝置使產生了絡交的兩根絲線接合， <br/> 上述接線裝置具備： <br/> 絡交單元，使兩根絲線絡交而接合；以及 <br/> 第1絲線把持設備以及第2絲線把持設備，能夠把持上述絲線，並且以隔著上述絡交設備的方式配置， <br/> 上述接線方法包括如下工序： <br/> 絲線把持工序，藉由上述第1絲線把持設備及上述第2絲線把持設備把持上述兩根絲線； <br/> 伸長鬆弛工序，在上述絲線把持工序之後，藉由使上述第1絲線把持設備及上述第2絲線把持設備中的至少一方移動，使由上述第1絲線把持設備及上述第2絲線把持設備把持的上述兩根絲線反覆伸長以及鬆弛；以及 <br/> 絡交施加工序，在上述伸長鬆弛工序之後，藉由上述絡交設備使上述兩根絲線絡交。
如請求項8之接線方法，係藉由接線裝置使產生了絡交的兩根絲線接合， <br/> 上述接線裝置進一步具備： <br/> 第1絲線切斷把持設備，配置在上述絡交設備與上述第1絲線把持設備之間，用於切斷以及把持上述絲線；以及 <br/> 第2絲線切斷把持設備，配置在上述絡交設備與上述第2絲線把持設備之間，用於切斷以及把持上述絲線， <br/> 上述接線方法在上述絡交施加工序之前執行如下的絲線切斷把持工序：藉由上述第1絲線切斷把持設備切斷以及把持上述兩根絲線中的其中一根絲線，藉由上述第2絲線切斷把持設備切斷以及把持上述兩根絲線中的另一根絲線。
如請求項9之接線方法，其中， <br/> 在上述伸長鬆弛工序之後執行上述絲線切斷把持工序。
一種整合封裝，其中，所述整合封裝包括：<br/>一模製基板，所述模製基板具有一頂部基板表面和一底部基板表面；<br/>一半導體晶片，所述半導體晶片嵌入在所述模製基板中；<br/>一底部天線結構，所述底部天線結構設置於所述底部基板表面上並電連接至所述半導體晶片；和<br/>一天線封裝，所述天線封裝嵌入在所述模製基板中，並且包括：<br/>一天線封裝基板；和<br/>一頂部天線結構，所述頂部天線結構設置在所述天線封裝基板上，並且被配置用於將電磁能量與所述底部天線結構耦合，其中所述頂部天線結構不電連接至所述半導體晶片。
如請求項1所述的整合封裝，其中，所述天線封裝基板包括模塑料。
如請求項2所述的整合封裝，其中，所述天線封裝還包括：<br/>一頂部鈍化層，所述頂部鈍化層設置在所述天線封裝基板上並覆蓋所述頂部天線結構。
如請求項2所述的整合封裝，其中，所述天線封裝還包括：<br/>一底部鈍化層，所述底部鈍化層設置在所述天線封裝基板和所述頂部天線結構之間。
如請求項4所述的整合封裝，其中，所述天線封裝還包括：<br/>一頂部鈍化層，所述頂部鈍化層設置在所述底部鈍化層上並覆蓋所述頂部天線結構。
如請求項1所述的整合封裝，其中，所述天線封裝基板包括印刷電路板預浸料組件和印刷電路板芯板組件。
如請求項6所述的整合封裝，其中，所述天線封裝還包括：<br/>一阻焊層，所述阻焊層設置在所述天線封裝基板上並覆蓋所述頂部天線結構。
如請求項1所述的整合封裝，其中，所述整合封裝還包括：<br/>一再分佈結構，所述再分佈結構形成在所述底部基板表面上，其中所述底部天線結構形成在所述再分佈結構中。
如請求項1所述的整合封裝，其中，所述頂部天線結構位於所述半導體晶片上方，且所述頂部天線結構與所述半導體晶片的垂直距離等於或大於5μm。
如請求項1所述的整合封裝，其中所述頂部基板表面在所述天線封裝的頂面上方。
如請求項1所述的整合封裝，其中所述頂部基板表面與所述天線封裝的頂面齊平。
一種用於製造整合封裝的方法，其中，所述方法包括：<br/>提供一半導體晶片；<br/>提供一天線封裝，其中所述天線封裝包括一天線封裝基板，以及設置在所述天線封裝基板上的一頂部天線結構；<br/>將所述半導體晶片和所述天線封裝接合到一載體；<br/>在所述載體上形成一密封劑，以密封所述半導體晶片和所述天線封裝；<br/>移除所述載體以暴露所述半導體晶片的活性表面；且<br/>在所述半導體晶片的活性表面上形成一底部天線結構，其中所述底部天線結構電連接到所述半導體晶片並且被配置用於將電磁能量與所述頂部天線結構耦合，其中所述頂部天線結構不電連接至所述半導體晶片。
如請求項12所述的方法，其中，提供所述天線封裝包括：<br/>提供所述天線封裝基板，所述天線封裝基板包括模塑料；和<br/>在所述天線封裝基板上形成所述頂部天線結構。
如請求項12所述的方法，其中，提供所述天線封裝包括：<br/>提供所述天線封裝基板，所述天線封裝基板包括模塑料；<br/>在所述天線封裝基板上形成一底部鈍化層；和<br/>在所述底部鈍化層上形成所述頂部天線結構。
如請求項13或14所述的方法，其中，提供所述天線封裝還包括：<br/>在所述頂部天線結構上形成一頂部鈍化層。
如請求項12所述的方法，其中，提供所述天線封裝包括：<br/>提供所述天線封裝基板，所述天線封裝基板包括印刷電路板預浸料組件和印刷電路板芯板組件；<br/>在所述天線封裝基板上形成所述頂部天線結構；和<br/>在所述頂部天線結構上形成一阻焊層。
如請求項12所述的方法，其中，提供所述天線封裝包括：<br/>在所述天線封裝中形成至少兩個基準標記。
如請求項12所述的方法，其中，所述方法還包括：<br/>研磨所述密封劑以減小所述密封劑的厚度。
如請求項18所述的方法，其中，在研磨所述密封劑之後，所述密封劑的頂面與所述天線封裝的頂面齊平。
如請求項18所述的方法，其中，在研磨所述密封劑之後，所述密封劑的頂面在所述天線封裝的頂面上方。
一種掃描鏈電路，包括：<br/> 掃描鏈，包括單元結構，其中該單元結構包括N個級，其中N是複數，並且每個級被配置為儲存一位元；<br/> S個多工器，可操作地耦合到該掃描鏈，其中S是複數，且S由N/M決定，其中M表示診斷解析度；<br/> 其中，該些多工器各自被配置為接收S個控制訊號中的相應一個，以選擇性地旁路該些級之一相應的子集；<br/> 該些多工器中的第一多工器具有：<br/> 第一輸入端，連接到該些多工器中的第二多工器的輸出端；<br/> 第二輸入端，連接到該些級之該相應的子集的輸出端；以及<br/> 輸出端，連接到該些多工器中的第三多工器的第一輸入端；<br/> 該第二多工器、該第一多工器和該第三多工器沿從該掃描鏈的掃描輸入端到該掃描鏈的掃描輸出端的方向依序連接。
如請求項1之掃描鏈電路，其中M是複數。
如請求項1之掃描鏈電路，其中被旁路的該些級的該子集的數量等於M。
如請求項1之掃描鏈電路，其中該S個控制訊號的組合的數量等於S+1。
如請求項1之掃描鏈電路，其中<br/> 當由該第一多工器接收的控制訊號處於第一邏輯狀態時，該第一多工器被配置為將該些級之該相應的子集的該輸出端耦合到該第三多工器的該第一輸入端；<br/> 當由該第一多工器接收的該控制訊號處於第二邏輯狀態時，該第一多工器被配置為將該第二多工器的輸出端耦合到該第三多工器的該第一輸入端；<br/> 該些級之該相應的子集被旁路。
如請求項1之掃描鏈電路，其中至少基於比較第一資料模式和第二資料模式來判定缺陷位於該些級的該些子集中的任一位置，其中該第一資料模式和該第二資料模式藉由該掃描鏈分別基於該些控制訊號的第一組合和該些控制訊號的第二組合而卸載；<br/> 該些控制訊號的該第一組合和該些控制訊號的該第二組合彼此之間只有一位元不同。
一種掃描鏈電路，包括：<br/> 掃描鏈，包括單元結構，其中該單元結構包括N個級，其中N是複數，並且每個級被配置為儲存一位元；<br/> S個多工器，可操作地耦合到該N個級，其中S是複數，且S是N的因數；<br/> 其中該些多工器各自被配置為接收複數個控制訊號中之相應的一控制訊號，以選擇性地旁路該些級之一相應的子集；<br/> 該些多工器中的第一多工器具有：<br/> 第一輸入端，連接到該些多工器中的第二多工器的輸出端；<br/> 第二輸入端，連接到該些級之該相應的子集的輸出端；以及<br/> 輸出端，連接到該些多工器中的第三多工器的第一輸入端；<br/> 該第二多工器、該第一多工器和該第三多工器沿從該掃描鏈的掃描輸入端到該掃描鏈的掃描輸出端的方向依序連接。
一種掃描鏈電路，包括：<br/> 掃描鏈，包括單元結構，其中該單元結構包括N個級，其中N是複數，並且每個級被配置為儲存一位元；<br/> S個多工器，可操作地耦合到該N個級，其中S是複數，且S是N的因數；<br/> 其中該些多工器各自被配置為接收複數個控制訊號中之相應的一控制訊號，以選擇性地旁路該些級之一相應的子集；<br/> 其中該些多工器中的該第一多工器、該第二多工器和該第三多工器沿從該掃描鏈的掃描輸入端到該掃描鏈的掃描輸出端的方向依序連接；<br/> 該些多工器中的每一多工器具有：第一輸入端、第二輸入端和輸出端；<br/> 其中該第一多工器的第一輸入端耦合到該掃描輸入端，該第一多工器的該第二輸入端連接到該些級的第一子集的輸出端，並且該第一多工器的該輸出端連接到該第二多工器的該第一輸入端；<br/> 其中該第二多工器的該第二輸入端連接到該些級的第二子集的輸出端，並且該第二多工器的該輸出端連接到該第三多工器的該第一輸入端；和<br/> 其中該第三多工器的該第二輸入端連接到該些級的第三子集的輸出端，並且該第三多工器的輸出端耦合到該掃描輸出端。
一種掃描鏈的測試方法，包括：<br/> 提供包括單元結構的掃描鏈，其中該單元結構包括N個級，其中N是複數，並且每個級被配置為儲存一位元；<br/> 判定診斷解析度M；<br/> 產生P個鏈測試模式，其中P是複數，每個鏈測試模式被配置為旁路該些級的一個或複數個子集；以及<br/> 至少基於比較第一卸載資料模式和第二卸載資料模式來判定缺陷位於該些級的任一該子集中的位置，其中該第一卸載資料模式和該第二卸載資料模式分別由該些鏈測試模式中的第一鏈測試模式和第二鏈測試模式而產生；<br/> 其中P由S+1決定，其中S由N/M決定。
一種基板蝕刻資訊分析系統，包括：<br/> 一量測裝置，擷取並處理經蝕刻的一基板的一表面影像，以產生該基板的一蝕刻表面資訊；以及<br/> 一蝕刻分析裝置，根據該表面影像與該蝕刻表面資訊，建立一蝕刻資訊分布影像，該蝕刻資訊分布影像包括一蝕刻異常分布影像或一蝕刻精度分布影像。
如請求項1所述的基板蝕刻資訊分析系統，其中，該蝕刻表面資訊包括線寬、線距、線厚、孔徑、孔深、線路體積或三維線路形狀。
如請求項1所述的基板蝕刻資訊分析系統，其中，該蝕刻資訊分布影像以熱區圖型式顯示。
如請求項1所述的基板蝕刻資訊分析系統，其中，該蝕刻分析裝置以該表面影像上的一測量標的與對應的該蝕刻表面資訊為基準，產生該表面影像上所有該測量標的之該蝕刻表面資訊的分布情況，以建立該蝕刻精度分布影像。
如請求項4所述的基板蝕刻資訊分析系統，其中，該蝕刻分析裝置根據所有該測量標的之該蝕刻表面資訊中的最大值、最小值與平均值，並結合該測量標的之期望蝕刻尺寸資訊，以獲得製程能力指數(CPK)。
如請求項1所述的基板蝕刻資訊分析系統，其中，該蝕刻分析裝置，比較該蝕刻表面資訊與對應位置的期望蝕刻尺寸資訊以獲得誤差值資訊，並基於該誤差值資訊產生該表面影像上所有異常分布情況，以建立該蝕刻異常分布影像。
如請求項1所述的基板蝕刻資訊分析系統，其中，該基板由複數個基板子區域所組成。
如請求項1所述的基板蝕刻資訊分析系統，其中，該量測裝置包括：<br/> 一感測單元，影像擷取該基板，以獲得該表面影像；以及<br/> 一影像測量模組，連接或耦合至該感測單元，並且根據該表面影像產生該蝕刻表面資訊。
一種基板蝕刻系統，包括：<br/> 一蝕刻裝置，對一基板進行蝕刻製程；<br/> 一量測裝置，擷取並處理經蝕刻的該基板的一表面影像，以產生該基板的一蝕刻表面資訊；以及<br/> 一蝕刻分析裝置，根據該表面影像與該蝕刻表面資訊，建立一蝕刻資訊分布影像，該蝕刻資訊分布影像包括一蝕刻異常分布影像或一蝕刻精度分布影像。
如請求項9所述的基板蝕刻系統，更包含:<br/> 一蝕刻參數運算模組，根據該蝕刻資訊分布影像，調整該基板的蝕刻製程的製程控制變量。
如請求項10所述的基板蝕刻系統，其中，該製程控制變量包括工作環境中的溫度或濕度、或蝕刻液的濃度、型號或流速、或噴發該蝕刻液之噴嘴的壓力或方向、或攪拌該蝕刻液的速度、或蝕刻時間、或蝕刻線路的尺寸或形狀。
一種基板蝕刻資訊分析方法，包括：<br/> 影像擷取經蝕刻的一基板，以獲得該基板的一表面影像；<br/> 影像處理該表面影像，以產生該基板的一蝕刻表面資訊；以及<br/> 根據該表面影像與該蝕刻表面資訊，建立一蝕刻資訊分布影像，該蝕刻資訊分布影像包括一蝕刻異常分布影像或一蝕刻精度分布影像。
如請求項12所述的基板蝕刻資訊分析方法，其中，該蝕刻表面資訊包括線寬、線距、線厚、孔徑、孔深、線路體積或三維線路形狀。
如請求項12所述的基板蝕刻資訊分析方法，其中，以熱區圖型式顯示該蝕刻資訊分布影像。
如請求項12所述的基板蝕刻資訊分析方法，其中，以該表面影像上的一測量標的與對應的該蝕刻表面資訊為基準，產生該表面影像上所有該測量標的之該蝕刻表面資訊的分布情況，以建立該蝕刻精度分布影像。
如請求項15所述的基板蝕刻資訊分析方法，其中，根據所有該測量標的之該蝕刻表面資訊中的最大值、最小值與平均值，並結合該測量標的之期望蝕刻尺寸資訊，以獲得製程能力指數(CPK)。
如請求項12所述的基板蝕刻資訊分析方法，其中，比較該蝕刻表面資訊與對應位置的期望蝕刻尺寸資訊以獲得誤差值資訊，並基於該誤差值資訊產生該表面影像上所有異常分布情況，以建立該蝕刻異常分布影像。
如請求項12所述的基板蝕刻資訊分析方法，更包含：<br/> 根據該蝕刻資訊分布影像，調整該基板的蝕刻製程的製程控制變量。
如請求項18所述的基板蝕刻資訊分析方法，其中，該製程控制變量包括工作環境中的溫度或濕度、或蝕刻液的濃度、型號或流速、或噴發該蝕刻液之噴嘴的壓力或方向、或攪拌該蝕刻液的速度、或蝕刻時間、或蝕刻線路的尺寸或形狀。
一種工件搬送機器人，具有關節，其將第1手臂和第2手臂或第2手臂和手指、和令前述第1手臂升降移動的升降機構以中心軸線為中心可旋轉的方式連結，<br/> 其特徵為具備：<br/> 外殼，固定於前述第2手臂側的前端的內部空間；<br/> 輸出軸，其固定在前述手指側的基端，以上下方向作為前述中心軸線的方向，且在前述外殼內旋轉；<br/> 輸出齒輪，其與前述輸出軸一起繞前述中心軸線旋轉；<br/> 固定齒輪，設有與前述輸出齒輪的齒面對向之齒面，且固定於前述外殼；<br/> 大致圓筒狀的轉子，其以繞前述中心軸線可對前述輸出軸獨立地旋轉的方式安裝在前述外殼內；<br/> 軸承，其以相對於前述中心軸線傾斜既定的角度之傾斜中心軸線為旋轉中心，設置在前述轉子的內壁；<br/> 擺動齒輪，其被前述軸承所支持並配置在前述輸出齒輪與前述固定齒輪的齒面之間，設置在前述固定齒輪側之面的第1齒面與固定齒輪嚙合，設置在前述輸出齒輪側之面的第2齒面與輸出齒輪嚙合，以前述傾斜中心軸線為旋轉中心旋轉；<br/> 永久磁鐵，其在前述轉子的外周以前述中心軸線為中心呈同軸狀固定；及<br/> 電磁鐵，其對前述永久磁鐵產生旋轉磁場，且固定於前述外殼。
一種工件搬送機器人，具有關節，其將第1手臂和第2手臂或第2手臂和手指、和令前述第1手臂升降移動的升降機構以中心軸線為中心可旋轉的方式連結，<br/> 其特徵為具備：<br/> 外殼，固定於前述升降機構或前述第1手臂側的前端的內部空間；<br/> 輸出軸，其固定在前述第1手臂側的基端或前述第2手臂側的基端，以上下方向作為前述中心軸線的方向，且在前述外殼內旋轉；<br/> 輸出齒輪，其與前述輸出軸一起繞前述中心軸線旋轉；<br/> 固定齒輪，設有與前述輸出齒輪的齒面對向的齒面，且固定於前述外殼；<br/> 大致圓筒狀的轉子，其以繞前述中心軸線可對前述輸出軸獨立地旋轉的方式安裝在前述外殼內；<br/> 軸承，其以相對於前述中心軸線傾斜既定的角度之傾斜中心軸線為旋轉中心，設置在前述轉子的內壁；<br/> 擺動齒輪，其被前述軸承所支持並配置在前述輸出齒輪與前述固定齒輪的齒面之間，設置在前述固定齒輪側之面的第1齒面與固定齒輪嚙合，設置在前述輸出齒輪側之面的第2齒面與輸出齒輪嚙合，以前述傾斜中心軸線為旋轉中心旋轉；<br/> 永久磁鐵，其在前述轉子的外周以前述中心軸線為中心呈同軸狀固定；及<br/> 電磁鐵，其對前述永久磁鐵產生旋轉磁場，且固定在前述外殼。
一種工件搬送機器人，具有關節，其將第1手臂和第2手臂或第2手臂和手指、和令前述第1手臂升降移動的升降機構以中心軸線為中心可旋轉地連結，<br/> 其特徵為具備：<br/> 外殼，固定於前述第1手臂側的基端的內部空間、或前述第2手臂側的基端的內部空間；<br/> 輸出軸，其固定在前述升降機構或前述第1手臂側的前端，以上下方向作為前述中心軸線的方向，且在前述外殼內旋轉；<br/> 輸出齒輪，其與前述輸出軸一起繞前述中心軸線旋轉；<br/> 固定齒輪，其設有與前述輸出齒輪的齒面對向的齒面，且固定於前述外殼；<br/> 大致圓筒狀的轉子，其以繞前述中心軸線可對前述輸出軸獨立地旋轉的方式安裝在前述外殼內；<br/> 軸承，其以相對於前述中心軸線傾斜既定的角度之傾斜中心軸線為旋轉中心，設置在前述轉子的內壁；<br/> 擺動齒輪，其被前述軸承所支持並配置在前述輸出齒輪與前述固定齒輪的齒面之間，設置在前述固定齒輪側之面的第1齒面與固定齒輪嚙合，設置在前述輸出齒輪側之面的第2齒面與輸出齒輪嚙合，以前述傾斜中心軸線為旋轉中心旋轉；<br/> 永久磁鐵，其在前述轉子的外周以前述中心軸線為中心呈同軸狀固定；及<br/> 電磁鐵，其對前述永久磁鐵產生旋轉磁場，且固定在前述外殼。
如請求項1至3中任一項之工件搬送機器人，其中前述輸出軸係內部空間貫通於上下方向，供前述手指的動作所需的配管貫通。
如請求項1至3中任一項之工件搬送機器人，其中前述永久磁鐵在前述中心軸線方向具有相異的極，<br/> 前述電磁鐵係在前述中心軸線方向和前述永久磁鐵對向且於兩側形成磁隙。
一種用於自行車之控制器裝置，該控制器裝置包含： 組配來接收來自另一控制器裝置之一訊號的一通訊介面；<br/> 包括一超寬頻無線電部件之一感測器，其中，響應接收到之該訊號，該感測器組配來使用該超寬頻無線電部件判定該控制器裝置與該另一控制器裝置之間的一距離；以及<br/> 與該感測器通訊之一處理器，該處理器組配來基於經判定距離啟動該控制器裝置或與該控制器裝置通訊之一電子裝置的一作動，<br/> 其中，該超寬頻無線電部件為一第一超寬頻無線電部件，該控制器裝置為該自行車的一第一控制器裝置，且該另一控制器裝置為該自行車的一第二控制器裝置，並且<br/> 其中，該感測器組配來判定該控制器之該第一超寬頻無線電部件與一第二超寬頻無線電部件之間的一距離，該第二超寬頻無線電部件為該第二控制器的一超寬頻無線電部件。
如請求項1之控制器裝置，其中，該控制器裝置為一電子後變速器或一電子式座管。
如請求項1之控制器裝置，其中，該處理器進一步組配來將該經判定距離與一預定臨界距離比較，並且<br/> 其中，該處理器組配來基於該經判定距離啟動該控制器裝置或該電子裝置之該作動包含：該處理器組配來在基於比較結果，該經判定距離小於該預定臨界距離時，啟動該控制器裝置或該電子裝置之該作動。
如請求項3之控制器裝置，其中，該處理器組配來基於該經判定距離啟動該控制器裝置或該電子裝置之該作動進一步包含：該處理器組配來在基於比較結果，該經判定距離小於該預定臨界距離時，啟動該第二控制器裝置對該第一控制器裝置的配對。
如請求項4之控制器裝置，其中，該訊號為一第一訊號，且該距離為一第一距離，<br/> 其中，該通訊介面進一步組配來接收來自該自行車之一第三控制器裝置的一第二訊號，<br/> 其中，響應接收到之該第二訊號，該感測器進一步組配來使用該第一超寬頻無線電部件判定一第二距離，該第二距離在該自行車的該第一控制器裝置與一第三控制器裝置之間，並且<br/> 其中，該處理器進一步組配來：<br/> 將經判定第二距離與該預定臨界距離比較；且<br/> 在基於該經判定第二距離與該預定臨界距離的比較結果，該經判定第二距離小於該預定臨界距離時，啟動該第三控制器裝置對該第一控制器裝置的配對。
如請求項5之控制器裝置，其中，該處理器進一步組配來在基於該經判定第二距離與該預定臨界距離的比較結果，該經判定第二距離大於該預定臨界距離時，忽略接收到之該第二訊號。
如請求項1之控制器裝置，其中，該另一控制器裝置相對於該自行車可於其上移動的一表面係位置上固定，<br/> 其中，該處理器組配來基於該經判定距離啟動該電子裝置之該作動包含：該處理器組配來使用該電子裝置傳達該經判定距離的一表示。
如請求項1之控制器裝置，其中，該控制器裝置為該自行車的一第一控制器裝置，且該另一控制器裝置為該自行車的一第二控制器裝置，該自行車之該第二控制器裝置由該自行車的一車把支撐，並且<br/> 其中，該處理器進一步組配來基於該經判定距離判定一轉向角，並且<br/> 其中，該處理器組配來基於該經判定距離啟動該電子裝置之該作動包含：該處理器組配來基於經判定轉向角啟動該電子裝置之該作動。
如請求項1之控制器裝置，其中，該控制器裝置為該自行車的一第一控制器裝置，且該另一控制器裝置為該自行車的一第二控制器裝置，該自行車之該第二控制器裝置由該自行車的一懸吊組件支撐，<br/> 其中，該處理器進一步組配來基於該經判定距離判定懸吊動態，並且<br/> 其中，該處理器組配來基於該經判定距離啟動該電子裝置之該作動包含：該處理器組配來基於經判定懸吊動態啟動該電子裝置之該作動。
如請求項9之控制器裝置，其中，該懸吊動態包括該懸吊組件的行程及回彈。
一種用於自行車之控制器裝置，該控制器裝置包含：<br/> 組配來接收來自另一控制器裝置之一訊號的一通訊介面；<br/> 包括一超寬頻無線電部件之一感測器，其中，響應接收到之該訊號，該感測器組配來使用該超寬頻無線電部件判定該控制器裝置與該另一控制器裝置之間的一距離；以及<br/> 與該感測器通訊之一處理器，該處理器組配來基於經判定距離啟動該控制器裝置或與該控制器裝置通訊之一電子裝置的一作動，<br/> 其中，該另一控制器裝置為另一自行車的一控制器裝置，<br/> 其中，該電子裝置之該作動包含該經判定距離之一表示的傳達，並且<br/> 其中，該處理器組配來使用該電子裝置傳達該經判定距離之該表示包含該處理器組配來：<br/> 將該經判定距離與一預定臨界距離比較；以及<br/> 在基於比較結果，該經判定距離小於該預定臨界距離或該經判定距離大於該預定臨界距離時，使用該電子裝置通知該控制器裝置的一使用者。
如請求項11之控制器裝置，其中，該電子裝置包括一顯示器、一聲音產生器、或該顯示器及該聲音產生器，且<br/> 其中，該處理器組配來在基於比較結果，該經判定距離小於該預定臨界距離或該經判定距離大於該預定臨界距離時，使用該顯示器、該聲音產生器、或該顯示器及該聲音產生器通知該控制器裝置之該使用者。
一種用於自行車之系統，該系統包含：<br/> 一第一控制器裝置，其包含：<br/> 一第一通訊介面；<br/> 包括一第一超寬頻無線電部件的一第一感測器；及<br/> 與該第一感測器及該第一通訊介面通訊的一第一處理器，該第一處理器組配來：<br/> 產生一訊號；及<br/> 經由該第一通訊介面傳送該訊號；以及<br/> 一第二控制器裝置，其包含：<br/> 一第二通訊介面；<br/> 包括一第二超寬頻無線電部件的一第二感測器；及<br/> 與該第二感測器及該第二通訊介面通訊的一第二處理器，該第二處理器組配來：<br/> 經由該第二通訊介面接收該訊號；<br/> 響應接收到之該訊號，使用該第二超寬頻無線電部件及該第一超寬頻無線電部件啟動該第二控制器裝置與該第一控制器裝置之間的一距離測量；及<br/> 基於經測量距離，啟動該第二控制器裝置、該第一控制器裝置、或與該第二控制器裝置通訊之一電子裝置的一作動。
如請求項13之系統，其中，該第二控制器裝置為一電子變速器或一電子式座管，而該第一控制器裝置為一換檔器裝置。
如請求項14之系統，其中，該第二處理器進一步組配來將該經測量距離與一預定臨界距離比較，並且<br/> 其中，該第二處理器組配來基於該經測量距離啟動該作動包含：該第二處理器組配來在基於比較結果，該經測量距離小於該預定臨界距離時，啟動該第二控制器裝置、該第一控制器裝置、或該電子裝置之該作動。
如請求項15之系統，其中，該處理器組配來基於該經測量距離啟動該第二控制器裝置、該第一控制器裝置、或該電子裝置之該作動進一步包含：該處理器組配來在基於比較結果，該經測量距離小於該預定臨界距離時，啟動該第一控制器裝置對該第二控制器裝置的配對。
如請求項14之系統，其中，該第二處理器進一步組配來基於該經測量距離判定一轉向角，並且<br/> 其中，該處理器組配來基於該經測量距離啟動該第二控制器裝置、該第一控制器裝置、或該電子裝置之該作動包含：該處理器組配來啟動該經判定轉向角之一表示在該電子裝置上的顯示。
一種用於自行車之控制器裝置，該控制器裝置包含：<br/> 一通訊介面，其組配來接收來自一第一電子裝置的一第一訊號及來自一第二電子裝置的一第二訊號；<br/> 含有一超寬頻無線電部件的一感測器，其中，響應接收到之該第一訊號，該感測器組配來使用該超寬頻無線電部件判定一第一距離，該第一距離在該控制器裝置與該第一電子裝置之間，且其中，響應接收到之該第二訊號，該感測器組配來使用該超寬頻無線電部件判定一第二距離，該第二距離在該控制器裝置與該第二電子裝置之間；以及<br/> 與該感測器通訊之一處理器，該處理器組配來：<br/> 將經判定第一距離與一預定臨界距離比較；<br/> 將經判定第二距離與該預定臨界距離比較；<br/> 在基於該經判定第一距離與該預定臨界距離的比較結果，該經判定第一距離小於該預定臨界距離時，啟動該第一電子裝置對該控制器裝置的配對；及<br/> 在基於該經判定第二距離與該預定臨界距離的比較結果，該經判定第二距離小於該預定臨界距離時，啟動該第二電子裝置對該控制器裝置的配對。
一種開闔裝置，其包含： <br/>一安裝構件，其安裝在事務機器的一裝置本體； <br/>一支持構件，其支持一開闔體，該開闔體透過一鉸鏈軸安裝在該安裝構件上得以旋轉；及 <br/>一滑動件，其容設在該支持構件內部得以伴隨該開闔體的開闔操作而在該支持構件內部滑動，並讓一彈性構件在該支持構件的一自由端側與該安裝構件所設的一凸輪構件之間產生作用； <br/>其中，該支持構件的內側及/或該滑動件的外側設有一潤滑油溝，該潤滑油溝供潤滑用的潤滑油聚積； <br/>該滑動件由一第一滑動件及一第二滑動件所構成，該第一滑動件設在該支持構件的該自由端側；該第二滑動件設在該凸輪構件側； <br/>該支持構件的該自由端側上更安裝一升降構件，該升降構件透過該鉸鏈軸支持該開闔體，該第一滑動件及該第二滑動件在該升降構件所設的一致動構件及該凸輪構件之間讓該彈性構件產生作用。
如請求項1所述的開闔裝置，該潤滑油溝設在與該滑動件之滑動方向垂直的方向上。
如請求項1所述的開闔裝置，該第一滑動件上設有放流溝部，其位於第一滑動件上與該支持構件之一上板接觸的那一側，且相隔特定距離設置。
如請求項1所述的開闔裝置，該第二滑動件上設有一突部，其位於第二滑動件上與該凸輪構件接觸的那一側。
一種事務機器，其使用如請求項1所述的開闔裝置。
一種經分離之單株抗體或抗原結合片段，其結合B細胞成熟抗原(BCMA或CD 269)，其中該抗體或其抗原結合片段用於治療與病原性B細胞之存在相關的醫學病症，且包含：(i) VH域，其中該VH域包含：由SEQ ID No. 1 (TSFLIHW)所組成的CDR H1、由SEQ ID No. 2 (FIIPGNGGTKYNQKFQ)所組成的CDR H2及由SEQ ID No. 3 (YDGSFEGYFDV)所組成的CDR H3，以及(ii) VL域，其中該VL域包含：由SEQ ID No. 4 (SSQSLVHSDGNTYLH)所組成的CDR L1、由SEQ ID No. 5 (KVSNRDS)所組成的CDR L2及由SEQ ID No. 6 (SQSTHWPWT)所組成的CDR L3，其中該與病原性B細胞之存在相關的醫學病症為漿細胞癌症或B淋巴球癌症。
如請求項1之經分離之單株抗體或抗原結合片段，其中該漿細胞癌症為多發性骨髓瘤、漿細胞瘤、瓦爾登斯特倫巨球蛋白血症(Waldenstrom macroglobulinemia)或漿細胞白血病，或其中該B淋巴球癌症為霍奇金氏疾病(Hodgkin's disease)。
如請求項1之經分離之單株抗體或抗原結合片段，其中該VL域及該VH域分別與人類Ig κ及IgG1恆定域融合。
如請求項1之經分離之單株抗體或抗原結合片段，其中該經分離之單株抗體或其抗原結合片段包含：包含SEQ ID NO: 10或SEQ ID NO: 16的VH域，及包含SEQ ID NO: 11或SEQ ID NO: 17的VL域；或 <br/>該經分離之單株抗體或其抗原結合片段包含：包含SEQ ID NO: 8或SEQ ID NO: 13的重鏈； <br/>該經分離之單株抗體或其抗原結合片段包含：包含SEQ ID NO: 9或SEQ ID NO: 15的輕鏈。
如請求項1之經分離之單株抗體或抗原結合片段，其中該經分離之單株抗體或其抗原結合片段為嵌合、人源化、部分人源化、雙特異性或單鏈抗體，或其組合。
如請求項1之經分離之單株抗體或抗原結合片段，其中該經分離之單株抗體或其抗原結合片段包含：(i)包含由SEQ. ID. NO: 20或SEQ. ID. NO: 22編碼之序列的VH域，及(ii)包含由SEQ. ID. NO: 21或SEQ. ID. NO: 23編碼之序列的VL域； <br/>該經分離之單株抗體或其抗原結合片段包含由SEQ ID NO: 18或SEQ ID NO: 25編碼的重鏈；或 <br/>該經分離之單株抗體或其抗原結合片段包含由SEQ ID NO: 19或SEQ ID NO: 27編碼的輕鏈。
如請求項1之經分離之單株抗體或抗原結合片段，其中該經分離之單株抗體或其抗原結合片段係經糖基化。
如請求項7之經分離之單株抗體或抗原結合片段，其中該經分離之單株抗體或其抗原結合片段在該重鏈之Asn300處包含N連接的寡醣鏈。
一種抗體藥物結合物(ADC)，其包含與細胞毒素結合的針對B細胞成熟抗原(BCMA)之單株抗體或其抗原結合片段，其中該單株抗體包含(a)重鏈可變區，該重鏈可變區包含SEQ ID NO: 1之互補決定區1 (CDRH1)胺基酸序列、SEQ ID NO: 2之CDR H2胺基酸序列及SEQ ID NO: 3之CDR H3胺基酸序列，以及(b)輕鏈可變區，該輕鏈可變區包含SEQ ID NO: 4之互補決定區1 (CDR L1)胺基酸序列、SEQ ID NO: 5之CDR L2胺基酸序列及SEQ ID NO: 6之CDR L3胺基酸序列。
如請求項9之抗體藥物結合物，其具有下式： <br/><img align="absmiddle" height="35px" width="222px" file="ed10962.jpg" alt="ed10962.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (I)， <br/><img align="absmiddle" height="95px" width="263px" file="ed10963.jpg" alt="ed10963.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (II)，及 <br/><img align="absmiddle" height="101px" width="278px" file="ed10964.jpg" alt="ed10964.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (III)， <br/>其中D、D<sub>1</sub>及D<sub>2</sub>為小分子細胞毒素或功能小分子，稱為有效負載；L、L<sub>1</sub>及L<sub>2</sub>為連接子；且mAb為如請求項1至8中任一項之經分離之單株抗體或抗原結合片段。
如請求項10之抗體藥物結合物，其中該細胞毒素或功能小分子獨立地選自由以下組成之群： <br/>(1)選自由以下組成之群的化學治療劑： <br/>a).烷基化劑，其選自由以下組成之群：氮芥(nitrogen mustards)、CC-1065、阿多來新(adozelesin)、卡折來新(carzelesin)、比折來新(bizelesin)、倍癌黴素(duocarmycin)、KW-2189、CBI-TMI、CBI二聚體、苯并二氮呯二聚體或吡咯并苯并二氮呯(PBD)二聚體、富山黴素二聚體(tomaymycindimers)、吲哚啉并苯并二氮呯二聚體、咪唑并苯并噻二氮呯二聚體或㗁唑啶并苯并二氮呯二聚體、亞硝基脲(Nitrosoureas)、烷基磺酸鹽、三氮烯(Triazenes)、達卡巴嗪(dacarbazine)、含鉑化合物、氮丙啶(aziridines)、苯佐替派(benzodopa)、卡波醌(carboquone)、美妥替派(meturedopa)、烏瑞替派(uredopa)、乙烯亞胺、及甲基三聚氰胺； <br/>b).植物生物鹼，其選自由以下組成之群：長春花生物鹼(Vinca alkaloids)、類紫杉醇(Taxoids)、類美登素(Maytansinoids)、美登素(maytansine)、胺沙托辛(ansamitocins)、念珠藻素(cryptophycins)、埃博黴素(epothilones)、艾榴素(eleutherobin)、圓皮海綿內酯(discodermolide)、苔蘚蟲素(bryostatins)、海兔毒素(dolostatins)、奧瑞他汀(auristatins)、微管溶素(tubulysins)、頭孢菌素(cephalostatins)、水鬼蕉鹼(pancratistatin)、惡布啉(erbulins)、沙考地汀(sarcodictyin)、及海綿抑素(spongistatin)； <br/>c). DNA拓樸異構酶抑制劑，其選自以下之群組：表鬼臼脂(Epipodophyllins)、及絲裂黴素(mitomycins)； <br/>d).抗代謝物：其選自由以下組成之群：抗葉酸、IMP去氫酶抑制劑、核糖核苷酸還原酶抑制劑、嘧啶類似物、及菸鹼醯胺磷酸核糖轉移酶(NAMPT)抑制劑； <br/>e).激素療法，其選自由以下組成之群：受體拮抗劑、類視黃素、類維生素D、光動力學療法、及細胞介素； <br/>f).激酶抑制劑，其選自由以下組成之群：BIBW 2992 (抗EGFR/Erb2)、伊馬替尼(imatinib)、吉非替尼(gefitinib)、哌加替尼(pegaptanib)、索拉非尼(sorafenib)、達沙替尼(dasatinib)、舒尼替尼(sunitinib)、厄洛替尼(erlotinib)、尼羅替尼(nilotinib)、拉帕替尼(lapatinib)、阿西替尼(axitinib)、帕唑帕尼(pazopanib)、凡德他尼(vandetanib)、E7080 (抗VEGFR2)、木利替尼(mubritinib)、普納替尼(ponatinib)(AP24534)、巴氟替尼(bafetinib)(INNO-406)、伯舒替尼(bosutinib)(SKI-606)、卡博替尼(cabozantinib)、維莫德吉(vismodegib)、伊尼帕利(iniparib)、蘆可替尼(ruxolitinib)、CYT387、阿西替尼(axitinib)、替沃紮尼(tivozanib)、索拉非尼(sorafenib)、貝伐單抗(bevacizumab)、西妥昔單抗(cetuximab)、曲妥珠單抗(Trastuzumab)、蘭尼單抗(Ranibizumab)、帕尼單抗(Panitumumab)、及伊斯平斯(ispinesib)； <br/>g).聚(ADP-核糖)聚合酶(PARP)抑制劑，其選自由以下組成之群：奧拉帕尼(olaparib)、尼拉帕尼(niraparib)、伊尼帕利(iniparib)、拉唑帕尼(talazoparib)、維利帕尼(veliparib)、CEP 9722 (Cephalon)、E7016 (Eisai)、BGB-290 (BeiGene)、及3-胺基苯甲醯胺； <br/>h).抗生素，其選自由以下組成之群：烯二炔抗生素(選自由以下組成之群：卡奇黴素(calicheamicin)、卡奇黴素γ1、δ1、α1或β1、達內黴素(dynemicin)、埃斯培拉黴素(esperamicin)、克達西叮(kedarcidin)、C-1027、嗎度哌汀(maduropeptin)、新抑癌菌素發色團(neocarzinostatin chromophore)及相關色蛋白烯二炔抗生素色素體、阿克拉黴素(aclacinomycins)、放線菌素(actinomycin)、安麴黴素(authramycin)、偶氮絲胺酸(azaserine)、博來黴素(bleomycins)、放線菌素C (cactinomycin)、卡拉比辛(carabicin)、洋紅黴素(carminomycin)、嗜癌菌素(carzinophilin)、色黴素(chromomycins)、更生黴素(dactinomycin)、道諾黴素(daunorubicin)、地托比星(detorubicin)、6-重氮基-5-側氧基-L-正白胺酸、阿黴素(doxorubicin)、𠰌啉基-阿黴素、氰基𠰌啉基-阿黴素、2-吡咯啉基-阿黴素及去氧阿黴素、表柔比星(epirubicin)、艾瑞布林(eribulin)、依索比星(esorubicin)、艾達黴素(idarubicin)、麻西羅黴素(marcellomycin)、力拓黴素(nitomycins)、黴酚酸(mycophenolic acid)、諾加黴素(nogalamycin)、橄欖黴素(olivomycins)、培洛黴素(peplomycin)、潑非黴素(potfiromycin)、嘌呤黴素(puromycin)、奎那黴素(quelamycin)、羅多比星(rodorubicin)、鏈黑菌素(streptonigrin)、鏈脲菌素(streptozocin)、殺結核菌素(tubercidin)、烏苯美司(ubenimex)、淨司他丁(zinostatin)、及佐柔比星(zorubicin)； <br/>i).聚酮、布拉他辛(bullatacin)、布拉他辛酮(bullatacinone)、吉西他濱(gemcitabine)、環氧酶素(epoxomicins)、卡非唑米(carfilzomib)、硼替佐米(bortezomib)、沙立度胺(thalidomide)、來那度胺(lenalidomide)、泊利度胺(pomalidomide)、托舍多特(tosedostat)、康普瑞汀磷酸二鈉(zybrestat)、PLX4032、STA-9090、斯替木瓦(Stimuvax)、阿諾維汀-7 (allovectin-7)、愛克吉瓦(Xegeva)、普羅旺(Provenge)、易沃伊(Yervoy)、異戊烯化抑制劑、洛伐他汀(Lovastatin)、多巴胺激導性神經毒素及1-甲基-4-苯基吡錠離子、細胞週期抑制劑、放射菌素(Actinomycins)、瓢菌素(amanitins)、博來黴素(Bleomycins)、蒽環黴素(Anthracyclines)、艾達黴素(idarubicin)、表柔比星(epirubicin)、吡柔比星(pirarubicin)、佐柔比星(zorubicin)、拓山曲酮(mtoxantrone)、MDR抑制劑、維拉帕米(verapamil)、Ca<sup>2+</sup> ATP酶抑制劑或毒胡蘿蔔素(thapsigargin)、組蛋白去乙醯酶抑制劑、毒胡蘿蔔素(Thapsigargin)、塞內昔布(Celecoxib)、格列酮(glitazones)、表沒食子兒茶素沒食子酸酯(epigallocatechin gallate)、二硫龍(Disulfiram)、鹽孢菌素A (Salinosporamide A)、胺魯米特(aminoglutethimide)、米托坦(mitotane)、曲洛司坦(trilostane)、乙醯葡醛酯(aceglatone)、醛磷醯胺糖苷(aldophosphamide glycoside)、胺基乙醯丙酸(aminolevulinic acid)、安吖啶(amsacrine) 、阿拉伯糖苷(arabinoside)、貝斯布西(bestrabucil)、比生群(bisantrene)、艾達曲克(edatraxate)、得弗伐胺(defofamine)、地美可辛(demecolcine)、地吖醌(diaziquone)、依氟鳥胺酸(eflornithine；DFMO)、依洛尼塞(elfomithine)、依利醋銨(elliptinium acetate)、依託格魯(etoglucid)、硝酸鎵、甲托辛(gacytosine)、羥脲、伊班磷酸鹽(ibandronate)、蘑菇多醣(lentinan)、氯尼達明(lonidamine)、丙脒腙(mitoguazone)、米托蒽醌(mitoxantrone)、莫哌達醇(mopidamol)、二胺硝吖啶(nitracrine)、噴司他汀(pentostatin)、凡那明(phenamet)、吡柔比星(pirarubicin)、鬼臼酸(podophyllinic acid)、2-乙基醯肼、丙卡巴肼(procarbazine)、丙亞胺(razoxane)、根瘤菌素(rhizoxin)、西佐喃(sizofiran)、螺旋鍺(spirogermanium)、細交鏈孢菌酮酸(tenuazonic acid)、三亞胺醌(triaziquone)、2,2',2''-三氯三乙胺、單端孢黴烯(trichothecenes)、胺基甲酸酯、siRNA、及反義藥物； <br/>(2).抗自體免疫疾病藥劑：環孢素(cyclosporine)、胺基己酸、硫唑嘌呤(azathioprine)、溴麥角環肽(bromocriptine)、苯丁酸氮芥(chlorambucil)、氯奎(chloroquine)、環磷醯胺(cyclophosphamide)、皮質類固醇、DHEA、依那西普(enanercept)、羥氯奎(hydroxychloroquine)、英利昔單抗(infliximab)、美洛昔康(meloxicam)、甲胺喋呤(methotrexate)、莫非替爾(mofetil)、黴酚酸酯(mycophenylate)、普賴松(prednisone)、西羅莫司(sirolimus)、及他克莫司(tacrolimus)； <br/>(3).抗感染性疾病藥劑，其包含： <br/>a).胺基糖苷：阿米卡星(amikacin)、阿司米星(astromicin)、慶大黴素(gentamicin)、潮黴素B (hygromycin B)、康黴素(kanamycin)、新黴素(neomycin)、奈替黴素(netilmicin)、觀黴素(spectinomycin)、鏈黴素(streptomycin)、托普黴素(tobramycin)、及威大米星(verdamicin)； <br/>b).醯胺醇類(Amphenicols)：疊氮氯黴素(azidamfenicol)、氯黴素(chloramphenicol)、氟苯尼考(florfenicol)、甲碸黴素(thiamphenicol)； <br/>c).安莎黴素(Ansamycins)：格爾德黴素(geldanamycin)、除莠黴素(herbimycin)； <br/>d).碳青黴烯(Carbapenems)：比阿培南(biapenem)、多尼培南(doripenem)、厄他培南(ertapenem)、亞胺培南(imipenem)、西司他汀(cilastatin)、美羅培南(meropenem)<b>、</b>帕尼培南(panipenem)； <br/>e).頭孢烯(Cephems)：碳頭孢烯(carbacephem)、頭孢乙腈(cefacetrile)、頭孢克洛(cefaclor)、頭孢拉定(cefradine)、頭孢羥胺苄(cefadroxil)、頭孢洛寧(cefalonium)、頭孢噻啶(cefaloridine)、頭孢噻吩(cefalotin)或頭孢菌素(cefalothin)、頭孢胺苄(cefalexin)、頭孢來星(cefaloglycin)、頭孢孟多(cefamandole)、頭孢匹林(cefapirin)、頭孢曲秦(cefatrizine)、頭孢氮氟(cefazaflur)、頭孢西酮(cefazedone)、頭孢若林(cefazolin)、頭孢拉宗(cefbuperazone)、頭孢卡品(cefcapene)、頭孢達肟(cefdaloxime)、頭孢吡肟(cefepime)、頭孢米諾(cefminox)、頭孢西丁(cefoxitin)、頭孢丙烯(cefprozil)、頭孢沙定(cefroxadine)、頭孢替唑(ceftezole)、頭孢呋辛(cefuroxime)、頭孢克肟(cefixime)、頭孢地尼(cefdinir)、頭孢托侖(cefditoren)、頭孢吡肟(cefepime)、頭孢他美(cefetamet)、頭孢甲肟(cefmenoxime)、頭孢地秦(cefodizime)、頭孢尼西(cefonicid)、頭孢哌酮(cefoperazone)、頭孢雷特(ceforanide)、頭孢噻肟(cefotaxime)、頭孢替安(cefotiam)、頭孢唑蘭(cefozopran)、頭孢力欣(cephalexin)、頭孢咪唑(cefpimizole)、頭孢匹胺(cefpiramide)、頭孢匹羅(cefpirome)、頭孢泊肟(cefpodoxime)、頭孢丙烯(cefprozil)、頭孢喹肟(cefquinome)、頭孢磺啶(cefsulodin)、頭孢他啶(ceftazidime)、頭孢特侖(cefteram)、頭孢布疼(ceftibuten)、頭孢噻林(ceftiolene)、頭孢唑肟(ceftizoxime)、頭孢吡普(ceftobiprole)、頭孢曲松(ceftriaxone)、頭孢呋辛(cefuroxime)、頭孢唑喃(cefuzonam)、頭黴素(cephamycin)、氧頭孢烯(oxacephem)； <br/>f).醣肽(Glycopeptides)：博萊黴素(bleomycin)、萬古黴素(vancomycin)、替考拉寧(teicoplanin)、雷莫拉寧(ramoplanin)； <br/>g).甘胺醯環素(Glycylcyclines)：泰格環黴素(tigecycline)； <br/>h). β-內醯胺酶抑制劑：培南(penam)、克拉維烷(clavam)； <br/>i).林可醯胺類(Lincosamides)：克林達黴素(clindamycin)、林可黴素(lincomycin)； <br/>j).脂肽(Lipopeptides)：達托黴素(daptomycin)、A54145、鈣依賴性抗生素(CDA)； <br/>k).巨環內酯(Macrolides)：阿奇黴素(azithromycin)、喹紅黴素(cethromycin)、克拉黴素(clarithromycin)、地紅黴素(dirithromycin)、紅黴素(erythromycin)、氟紅黴素(flurithromycin)、交沙黴素(josamycin)、酮內酯(ketolide)、麥迪黴素(midecamycin)、妙卡黴素(miocamycin)、竹桃黴素(oleandomycin)、利福黴素(rifamycins)、羅他黴素(rokitamycin)、羅紅黴素(roxithromycin)、觀黴素(spectinomycin)、螺旋黴素(spiramycin)、他克莫司(tacrolimus)(FK506)、醋竹桃黴素(troleandomycin)、泰利黴素(telithromycin)； <br/>l).單環內醯胺：安曲南(aztreonam)、替吉莫南(tigemonam)； <br/>m).㗁唑啶酮(Oxazolidinones)：利奈唑胺(linezolid)； <br/>n).青黴素(Penicillins)：阿莫西林(amoxicillin)、胺苄青黴素(ampicillin)、匹胺西林(pivampicillin)、海他西林(hetacillin)、巴胺西林(bacampicillin)、美坦西林(metampicillin)、酞胺西林(talampicillin)、阿度西林(azidocillin)、阿洛西林(azlocillin)、苄基青黴素(benzylpenicillin)、苄星苄基青黴素(benzathine benzylpenicillin)、苄星苯氧甲基青黴素(benzathine phenoxymethylpenicillin)、氯甲西林(clometocillin)、普魯卡因苄基青黴素(procaine benzylpenicillin)、羧苄青黴素(carbenicillin)、氯噻青黴素(cloxacillin)、二氯噻青黴素(dicloxacillin)、依匹西林(epicillin)、氟氯西林(flucloxacillin)、美西林(mecillinam)、美洛西林(mezlocillin)、甲氧西林(meticillin)、萘夫西林(nafcillin)、苯唑西林(oxacillin)、培那西林(penamecillin)、青黴素、非奈西林(pheneticillin)、苯氧甲基青黴素、哌拉西林(piperacillin)、丙匹西林(propicillin)、磺苄西林(sulbenicillin)、替莫西林(temocillin)、替卡西林(ticarcillin)； <br/>o).多肽：桿菌素(bacitracin)、可利斯汀(colistin)、多黏菌素B (polymyxin B)； <br/>p).喹啉酮(Quinolones)：阿拉曲沙星(alatrofloxacin)、巴洛沙星(balofloxacin)、環丙沙星(ciprofloxacin)、克林沙星(clinafloxacin)、達氟沙星(danofloxacin)、二氟沙星(difloxacin)、依諾沙星(enoxacin)、恩氟沙星(enrofloxacin)、弗洛辛(floxin)、加雷沙星(garenoxacin)、加替沙星(gatifloxacin)、吉米沙星(gemifloxacin)、格帕沙星(grepafloxacin)、康曲沙星(kano trovafloxacin)、左氧氟沙星(levofloxacin)、洛美沙星(lomefloxacin)、馬波沙星(marbofloxacin)、莫西沙星(moxifloxacin)、那氟沙星(nadifloxacin)、諾氟沙星(norfloxacin)、奧比沙星(orbifloxacin)、氧氟沙星(ofloxacin)、培氟沙星(pefloxacin)、曲伐沙星(trovafloxacin)、格帕沙星(grepafloxacin)、西他沙星(sitafloxacin)、司帕沙星(sparfloxacin)、替馬沙星(temafloxacin)、妥舒沙星(tosufloxacin)、曲伐沙星(trovafloxacin)； <br/>q).鏈黴殺陽菌素(Streptogramins)：普那黴素(pristinamycin)、奎奴普丁(quinupristin)、達福普汀(dalfopristin)； <br/>r).磺醯胺：磺胺米隆(mafenide)、偶氮磺胺(prontosil)、磺胺醋醯胺(sulfacetamide)、磺胺甲二唑(sulfamethizole)、胺苯磺胺(sulfanilimide)、柳氮磺胺吡啶(sulfasalazine)、磺胺異㗁唑(sulfisoxazole)、甲氧苄啶(trimethoprim)、甲氧苄啶-磺胺甲基異㗁唑(sulfamethoxazole)； <br/>s).類固醇抗細菌劑：其選自梭鏈孢酸(fusidic acid)； <br/>t).四環素：多西環素(doxycycline)、氯四環素(chlortetracycline)、氯莫環素(clomocycline)、地美環素(demeclocycline)、賴甲環素(lymecycline)、甲氯環素(meclocycline)、美他環素(metacycline)、二甲胺四環素(minocycline)、土黴素(oxytetracycline)、青哌環素(penimepicycline)、羅利環素(rolitetracycline)、四環素(tetracycline)、甘胺醯環素(glycylcyclines)； <br/>u).其他抗生素，其選自由以下組成之群：胺諾黴素(annonacin)、胂凡納明(arsphenamine)、細菌萜醇(bactoprenol)抑制劑、DADAL/AR抑制劑、滴替他汀(dictyostatin)、圓皮海綿內酯(discodermolide)、艾榴素(eleutherobin)、埃坡黴素(epothilone)、乙胺丁醇(ethambutol)、依託泊苷(etoposide)、法羅培南(faropenem)、梭鏈孢酸(fusidic acid)、呋喃唑酮(furazolidone)、異菸肼(isoniazid)、勞力醯胺(laulimalide)、甲硝噠唑(metronidazole)、莫匹羅星(mupirocin)、細菌內酯(mycolactone)、NAM合成抑制劑、呋喃妥因(nitrofurantoin)、紫杉醇(paclitaxel)、平板黴素(platensimycin)、吡𠯤甲醯胺(pyrazinamide)、奎奴普丁(quinupristin)、達福普汀(dalfopristin)、利福黴素(rifampicin)、他唑巴坦磺甲硝咪唑(tazobactam tinidazole)、及戊瓦瑞辛(uvaricin)； <br/>(4).抗病毒藥物，其包含： <br/>a).進入及/或融合抑制劑：阿拉韋羅(aplaviroc)、馬拉韋羅(maraviroc)、維克維若(vicriviroc)、<i>gp41</i>、PRO 140、CD4； <br/>b).整合酶抑制劑：拉替拉韋(raltegravir)、埃替格韋(elvitegravir)、格羅博南A (globoidnan A)； <br/>c).成熟抑制劑：貝韋瑞特(bevirimat)、韋唯康(vivecon)； <br/>d).神經胺酸酶抑制劑：奧司他韋(oseltamivir)、紮那米韋(zanamivir)、帕拉米韋(peramivir)； <br/>e).核苷及核苷酸：阿巴卡韋(abacavir)、阿昔洛韋(aciclovir)、阿德福韋(adefovir)、安多索韋(amdoxovir)、阿立他濱(apricitabine)、溴夫定(brivudine)、西多福韋(cidofovir)、克來夫定(clevudine)、地塞米西他濱(dexelvucitabine)、地達諾新(didanosine)(ddI)、艾夫他濱(elvucitabine)、恩曲他濱(emtricitabine)(FTC)、因提弗(entecavir)、泛昔洛韋(famciclovir)、氟尿嘧啶(5-FU)、3'-氟取代之2',3'-二去氧核苷類似物、替比夫定(telbivudine)、替諾福韋(tenofovir)、曲氟尿苷伐昔洛韋(trifluridine valaciclovir)、纈更昔洛韋(valganciclovir)、紮西他濱(zalcitabine)(ddC)、齊多夫定(zidovudine)(AZT)； <br/>f).非核苷：金剛胺(amantadine)、阿替瑞啶(ateviridine)、卡普拉林(capravirine)、二芳基嘧啶、地拉韋啶(delavirdine)、多可沙諾(docosanol)、乙米韋林(emivirine)、依法韋侖(efavirenz)、磷甲酸(foscarnet)(磷基甲酸)、咪喹莫特(imiquimod)、干擾素α、洛韋胺(loviride)、洛德諾新(lodenosine)、美替沙腙(methisazone)、奈韋拉平(nevirapine)、NOV-205、聚乙二醇化干擾素α、鬼臼毒素(podophyllotoxin)、利福黴素(rifampicin)、金剛烷乙胺(rimantadine)、雷西莫特(resiquimod)(R-848)、曲金剛胺(tromantadine)； <br/>g).蛋白酶抑制劑：安普那韋(amprenavir)、阿紮那韋(atazanavir)、波普瑞韋(boceprevir)、達盧那韋(darunavir)、夫沙那韋(fosamprenavir)、茚地那韋(indinavir)、咯匹那韋(lopinavir)、奈非那韋(nelfinavir)、普可那利(pleconaril)、利托那韋(ritonavir)、沙奎那韋(saquinavir)、特拉匹韋(telaprevir)(VX-950)、替拉那韋(tipranavir)； <br/>h).其他類型的抗病毒藥物：抗體酶(abzyme)、阿比朵爾(arbidol)、四環香豆素a (calanolide a)、賽拉精寧(ceragenin)、氰基韋林-n(cyanovirin-n)、二芳基嘧啶、表沒食子兒茶素沒食子酸酯(EGCG)、磷甲酸(foscarnet)、格里菲斯辛(griffithsin)、他瑞韋林(taribavirin)、羥脲(hydroxyurea)、KP-1461、米替福新(miltefosine)、普可那利(pleconaril)、複方抑制劑、利巴韋林(ribavirin)、塞利希布(seliciclib)； <br/>(5).放射性同位素，其可選自由以下組成之群：<sup>3</sup>H、<sup>11</sup>C、<sup>14</sup>C、<sup>18</sup>F、<sup>32</sup>P、<sup>35</sup>S、<sup>64</sup>Cu、<sup>68</sup>Ga、<sup>86</sup>Y、<sup>99</sup>Tc、<sup>111</sup>In、<sup>123</sup>I、<sup>124</sup>I、<sup>125</sup>I、<sup>131</sup>I、<sup>133</sup>Xe、<sup>177</sup>Lu、<sup>211</sup>At及<sup>213</sup>Bi； <br/>(6).能夠吸收UV光、螢光、IR光、近IR光、可見光的發色團分子、黃色素、紅色素、虹色素、白色素、黑色素、藍色素、螢光團分子的類別或亞類，其等為在光照後再發射光的螢光化合物、可見光轉導分子、發光器分子、冷發光分子、螢光素化合物、非蛋白質有機螢光團，其選自：二苯并哌喃衍生物、花青衍生物、方酸衍生物及環經取代之方酸、萘衍生物、香豆素衍生物、㗁二唑衍生物、蒽衍生物、芘衍生物、㗁𠯤衍生物、吖啶衍生物、芳基次甲基衍生物、四吡咯衍生物、CF染料、DRAQ及CyTRAK探針、BODIPY、Alexa Fluor、DyLight Fluor、Atto及Tracy、FluoProbes、Abberior染料、DY及MegaStokes染料、Sulfo Cy染料、HiLyte Fluor、Seta、SeTau及Square染料、Quasar及Cal Fluor染料、SureLight染料、APC、APCXL、RPE、BPE、別藻藍蛋白(APC)、胺基香豆素、APC-Cy7結合物、BODIPY-FL、孔雀藍(Cascade Blue)、Cy2、Cy3、Cy3.5、Cy3B、Cy5、Cy5.5、Cy7、螢光素、FluorX、羥基香豆素、麗絲胺若丹明B (Lissamine Rhodamine B)、螢光黃(Lucifer yellow)、甲氧基香豆素、NBD、太平洋藍、太平洋橙、PE-Cy5結合物、PE-Cy7結合物、PerCP、R-藻紅蛋白(PE)、紅色613、Seta-555-疊氮化物、Seta-555-DBCO、Seta-555-NHS、Seta-580-NHS、Seta-680-NHS、Seta-780-NHS、Seta-APC-780、Seta-PerCP-680、Seta-R-PE-670、SeTau-380-NHS、SeTau-405-順丁烯二醯亞胺、SeTau-405-NHS、SeTau-425-NHS、SeTau-647-NHS、德克薩斯紅、TRITC、TruRed、X-若丹明(X-Rhodamine)、7-AAD (7-胺基放線菌素D)、吖啶橙、色黴素A3、CyTRAK橙、DAPI、DRAQ5、DRAQ7、溴化乙錠(Ethidium Bromide)、Hoechst33258、Hoechst33342、LDS 751、光神黴素(Mithramycin)、碘化丙錠(PI)、SYTOX藍、SYTOX綠、SYTOX橙、噻唑橙、TO-PRO：花青單體、TOTO-1、TO-PRO-1、TOTO-3、TO-PRO-3、YOSeta-1、YOYO-1、DCFH (2'7'-二氯二氫-螢光素，氧化型)、DHR、Fluo-3、Fluo-4、Indo-1、SNARF、別藻藍蛋白(APC)、AmCyan1、AsRed2、Azami綠、Azurite、B-藻紅蛋白(BPE)、Cerulean、CyPet、DsRed單體(Clontech)、DsRed2 (「RFP」)、EBFP、EBFP2、ECFP、EGFP、Emerald、EYFP、GFP S65A突變、GFP S65C突變、GFP S65L突變、GFP S65T突變、GFP Y66F突變、GFP Y66H突變、GFP Y66W突變、GFPuv、HcRed1、J-Red、Katusha、Kusabira橙、mCFP、mCherry、mCitrine、Midoriishi青藍、mKate、mKeima紅、mKO、mOrange、mPlum、mRaspberry、mRFP1、mStrawberry、mTFP1、mTurquoise2、藻膽蛋白體複合物、甲藻黃素葉綠素(Peridinin Chlorophyll)(PerCP)、R-藻紅蛋白(R-phycoerythrin)(RPE)、T-Sapphire、TagCFP、TagGFP、TagRFP、TagYFP、tdTomato、Topaz、TurboFP602、TurboFP635、TurboGFP、TurboRFP、TurboYFP、Venus、野生型GFP、YPet、ZsGreen1、ZsYellow1及其等衍生物； <br/>(7).結合細胞的配位體或受體促效劑，其可選自：葉酸衍生物、麩胺酸脲衍生物、生長抑素、芳族磺醯胺、腦垂體腺苷酸環化酶活化肽(PACAP)、血管活性腸肽(VIP/PACAP)、黑色素細胞刺激性激素(α-MSH)、膽囊收縮素(Cholecystokinins，CCK)、胃泌素(gastrin)受體促效劑、鈴蟾素(Bombesins)、胃泌素釋放肽(GRP)、神經調壓素受體配位體、物質P配位體、神經肽Y、歸巢肽、RGD、NGR、二聚體及多聚體環狀RGD肽、TAASGVRSMH及LTLRWVGLMS及F3肽、細胞穿透肽(CPP)促黃體素釋放激素(LHRH)促效劑及拮抗劑，及促性腺素釋放激素(GnRH)促效劑，藉由靶向促卵泡激素(FSH)及黃體生成素(LH)來發揮作用、睪固酮產物、模式識別受體(PRR)、降鈣素受體促效劑、整合素受體及其受體亞型之促效劑、R-Sar-DfV、RG-N(Me)D-fV、RGD-N(Me)f-V、RGDf-N(Me)V-、奈米抗體、域抗體、雙特異性T細胞接合體、雙重親和再靶向因子、四價串聯抗體、抗運載蛋白(Anticalin)、纖連蛋白、經設計的錨蛋白重複蛋白(DARPin)、高親合性多聚體(Avimers)、EGF受體及VEGF受體促效劑； <br/>(8).上述藥物中之任一者的醫藥學上可接受之鹽、酸、衍生物、水合物或水合鹽、或晶體結構、或光學異構體、外消旋物、非鏡像異構體或鏡像異構體。
如請求項10之抗體藥物結合物，其中該細胞毒素D、D<sub>1</sub>及D<sub>2</sub>獨立地為抗微管劑、DNA小溝結合劑、RNA聚合酶II抑制劑、DNA拓樸異構酶I或II抑制劑或DNA烷基化劑，其選自微管溶素(tubulysins)、瓢菌素(amanitins)、奧瑞他汀(auristatins)、卡奇黴素(calicheamicin)、喜樹鹼、依託泊苷(etoposides)、替尼泊苷(teniposides)、道諾黴素(daunomycins)、多柔比星(doxorubicins)、倍癌黴素(duocarmycins)、海兔毒素(dolastatins)、烯二炔(enediynes)、艾瑞布林(eribulin)、萊希普辛(lexitropsins)、紫杉烷、嘌呤黴素(puromycins)、類美登素(maytansinoids)、長春花生物鹼、紫杉醇(paclitaxels)、多西他賽(docetaxels)、吡咯并苯并二氮呯、根黴素(rhizoxins)、海兔毒素(dolastatins)、棘黴素(echinomycins)、康布他汀(combretatstatin)、長春花生物鹼、卡里奇黴素(chalicheamicins)、美登素(maytansine)、格爾德黴素(geldanamycin)、長春鹼(vinblastine)、甲胺喋呤(methotrexate)、哈米特林(hemiasterlin)、紡錘菌素(netropsin)、菸鹼醯胺磷酸核糖基轉移酶抑制劑(NAMPT)、斯考他汀(spliceostatin)、普蘭立德(pladienolide)、蛋白激酶抑制劑、MEK抑制劑、蛋白酶抑制劑、免疫毒素、細胞受體促效劑或上述各者之衍生物； <br/>其中： <br/><b>(a) </b>微管溶素及其類似物具有下式(IVa)： <br/><img align="absmiddle" height="292px" width="1048px" file="ed10965.jpg" alt="ed10965.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (IVa) <br/>或其醫藥學上可接受之鹽、水合物、或水合鹽；或多晶形晶體結構；或光學異構體、外消旋物、非鏡像異構體或鏡像異構體， <br/>其中<img align="absmiddle" height="9px" width="31px" file="ed10966.jpg" alt="ed10966.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為連接點，其中一或兩者可獨立地連接至L<sub>1</sub>及/或L<sub>2</sub>；當兩個「<img align="absmiddle" height="9px" width="31px" file="ed10966.jpg" alt="ed10966.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>」連接至L<sub>1</sub>與L<sub>2</sub>兩者時，R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>、或Z<sup>2</sup>及Z<sup>3</sup>為雙重連接點； <br/>其中R<sup>1</sup>、R<sup>1'</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>獨立地為H、C<sub>1</sub>~C<sub>8</sub>烷基；C<sub>2</sub>~C<sub>8</sub>雜烷基、或雜環；C<sub>3</sub>~C<sub>8</sub>芳基、芳烷基、環烷基、烷基環烷基、雜環烷基、雜烷基環烷基、碳環、或烷基羰基；或R<sup>1</sup>R<sup>2</sup>、R<sup>1</sup>R<sup>3</sup>、R<sup>2</sup>R<sup>3</sup>、R<sup>3</sup>R<sup>4</sup>或R<sup>5</sup>R<sup>6</sup>形成3~7員碳環、環烷基、雜環、雜環烷基、芳族環或雜芳族環系統；R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>當其獨立地或同時連接至L<sub>1</sub>或L<sub>2</sub>時可獨立地為不存在的，Y<sup>1</sup>為N或CH； <br/>其中R<sup>5</sup>、R<sup>6</sup>、R<sup>8</sup>、R<sup>10</sup>及R<sup>11</sup>獨立地為H或C<sub>1</sub>~C<sub>4</sub>烷基或雜烷基； <br/>其中R<sup>7</sup>獨立地為H、R<sup>14</sup>、-R<sup>14</sup>C(=O)X<sup>1</sup>R<sup>15</sup>；或-R<sup>14</sup>X<sup>1</sup>R<sup>15</sup>；X<sup>1</sup>為O、S、S-S、NH、CH<sub>2</sub>或NR<sup>14</sup>；<sub> </sub><br/>其中R<sup>9</sup>係選自H、OH、=O、-OR<sup>14</sup>、-OC(=O)R<sup>14</sup>、-OC(=O)NHR<sup>14</sup>、-OC(=O)NR<sup>14</sup>R<sup>15</sup>、OP(=O)(OR<sup>14</sup>)<sub>2</sub>、-OC(=O)NR<sup>14</sup>R<sup>15</sup>或OR<sup>14</sup>OP(=O)(OR<sup>15</sup>)<sub>2</sub>；當R<sup>9</sup>連接L<sub>1</sub>或L<sub>2</sub>時，R<sup>9</sup>為-O-、-OC(=O)NH-或-OC(=O)N(R<sup>14</sup>)-； <br/>其中R<sup>11</sup>獨立地為H、R<sup>14</sup>、-R<sup>14</sup>C(=O)R<sup>15</sup>、-R<sup>14</sup>C(=O)X<sup>2</sup>R<sup>15</sup>，其中X<sup>2</sup>為-O-、-S-、-NH-或-N(R<sup>14</sup>)-； <br/>其中R<sup>12</sup>為-COOH、-COSH、-CONH<sub>2</sub>、CONHNH<sub>2</sub>、CONHNHR<sup>15</sup>、-CONH(R<sup>15</sup>)、-COOR<sup>15</sup>、-R<sup>15</sup>COR<sup>16</sup>、- R<sup>15</sup>COOR<sup>16</sup>、-R<sup>15</sup>C(O)NH<sub>2</sub>、-R<sup>15</sup>C(O)NHR<sup>16</sup>、-COSR<sup>15</sup>、R<sup>15</sup>S(=O)<sub>2</sub>R<sup>16</sup>、-R<sup>15</sup>P(=O)(OR<sup>17</sup>)<sub>2</sub>、-R<sup>15</sup>OP(=O)(OR<sup>17</sup>)<sub>2</sub>、-COOCH<sub>2</sub>OP(=O)(OR<sup>17</sup>)<sub>2</sub>、-COX<sup>2</sup>SO<sub>2</sub>R<sup>17</sup>、-COOR<sup>15</sup>X<sup>2</sup>R<sup>16</sup>、四唑、咪唑或三唑，其中X<sup>2</sup>為-O-、-S-、-NH-、-N(R<sup>15</sup>)-、-O-R<sup>15</sup>-、-S-R<sup>15</sup>-、CH<sub>2</sub>或-NHR<sup>15</sup>-；當R<sup>12</sup>連接L<sub>1</sub>或L<sub>2</sub>時，R<sup>12</sup>為-C(O)O-、-C(O)NH-、-C(=O)NHS(O)<sub>2</sub>R<sup>15</sup>-或-C(=O)N(R<sup>15</sup>)-； <br/>R<sup>13</sup>及R<sup>14</sup>獨立地為C<sub>1</sub>~C<sub>8</sub>烷基、雜烷基；C<sub>2</sub>-C<sub>8</sub>烯基、炔基、雜烷基、雜環烷基；C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>芳基、芳烷基； <br/>Z<sup>2</sup>及Z<sup>3</sup>獨立地為H、O、S、NH、N(R<sup>15</sup>)、NHNH、-OH、-SH、-NH<sub>2</sub>、NH、NHNH<sub>2</sub>、-NH(R<sup>15</sup>)、-OR<sup>15</sup>、CO、-COX<sup>2</sup>、-COX<sup>2</sup>R<sup>16</sup>、R<sup>17</sup>、F、Cl、Br、I、SR<sup>16</sup>、NR<sup>16</sup>R<sup>17</sup>、N=NR<sup>16</sup>、N=R<sup>16</sup>、NO<sub>2</sub>、SOR<sup>16</sup>R<sup>17</sup>、SO<sub>2</sub>R<sup>16</sup>、SO<sub>3</sub>R<sup>16</sup>、OSO<sub>3</sub>R<sup>16</sup>、PR<sup>16</sup>R<sup>17</sup>、POR<sup>16</sup>R<sup>17</sup>、PO<sub>2</sub>R<sup>16</sup>R<sup>17</sup>、OP(O)(OR<sup>17</sup>)<sub>2</sub>、OCH<sub>2</sub>OP(O)(OR<sup>17</sup>)<sub>2</sub>、OC(O)R<sup>17</sup>、OC(O)OP(O)(OR<sup>17</sup>)<sub>2</sub>、PO(OR<sup>16</sup>)(OR<sup>17</sup>)、OP(O)(OR<sup>17</sup>)OP(O)(OR<sup>17</sup>)<sub>2</sub>、OC(O)NHR<sup>17</sup>;-O-(C<sub>4</sub>-C<sub>12</sub>糖苷)、-N-(C<sub>4</sub>-C<sub>12</sub>糖苷)；C<sub>1</sub>~C<sub>8</sub>烷基、雜烷基；C<sub>2</sub>-C<sub>8</sub>烯基、炔基、雜烷基、雜環烷基；C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>芳基、芳烷基、碳環、環烷基、雜烷基環烷基、烷基羰基、雜芳基、或具有2-8個碳原子的酯、醚或醯胺；或含有1至8個胺基酸的肽(NH(Aa)<sub>1~8</sub>、或CO(Aa)<sub>1~8</sub>，或式(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>p</sub>或(OCH<sub>2</sub>CH(CH<sub>3</sub>))<sub>p</sub>之聚伸乙基氧基單元，其中p為0至1000之整數，或上述基團之組合；X<sup>2</sup>為O、S、S-S、NH、CH<sub>2</sub>、OH、SH、NH<sub>2</sub>、CHR<sup>15</sup>或NR<sup>15</sup>；<sub> </sub><br/>R<sup>15</sup>、R<sup>16</sup>及R<sup>17</sup>獨立地為H、C<sub>1</sub>~C<sub>8</sub>烷基、雜烷基；C<sub>2</sub>-C<sub>8</sub>烯基、炔基、雜烷基、雜環烷基；C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>芳基、芳烷基、環烷基、雜烷基環烷基、烷基羰基、雜芳基、烷基羰基、或Na<sup>+</sup>、K<sup>+</sup>、Cs<sup>+</sup>、Li<sup>+</sup>、Ca<sup>2+</sup>、Mg<sup>+</sup>、Zn<sup>2+</sup>、N<sup>+</sup>(R<sup>1</sup>)(R<sup>2</sup>)(R<sup>3</sup>)(R<sup>4</sup>)、HN<sup>+</sup>(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>OH)<sub>3</sub>鹽； <br/>Y<sup>1</sup>及Y<sup>2</sup>獨立地為N或CH；q為0或1；當q=0時，Y<sup>3</sup>不存在，Y<sup>4</sup>、Y<sup>5</sup>、Y<sup>6</sup>及Y<sup>7</sup>獨立地為CH、N、NH、O、S或N(R1)，從而，Y<sup>2</sup>、Y<sup>4</sup>、Y<sup>5</sup>、Y<sup>6</sup>及Y<sup>7</sup>形成呋喃、吡咯噻吩、噻唑、㗁唑及咪唑、吡唑、三唑、四唑、噻二唑之雜芳族環；當q=1時，Y<sup>3</sup>、Y<sup>4</sup>、Y<sup>5</sup>、Y<sup>6</sup>及Y<sup>7</sup>獨立地為CH或N，從而Y<sup>2</sup>、Y<sup>3</sup>、Y<sup>4</sup>、Y<sup>5</sup>、Y<sup>6</sup>及Y<sup>7</sup>形成苯、吡啶、嗒𠯤、嘧啶、吡𠯤、三𠯤、四𠯤、五𠯤之芳族環； <br/>式(IVa)之微管溶素類似物特定地具有如下所示的結構： <br/><img align="absmiddle" height="213px" width="869px" file="ed10968.jpg" alt="ed10968.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-01， <br/><img align="absmiddle" height="211px" width="873px" file="ed10969.jpg" alt="ed10969.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-02， <br/><img align="absmiddle" height="211px" width="871px" file="ed10970.jpg" alt="ed10970.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-03， <br/><img align="absmiddle" height="228px" width="867px" file="ed10971.jpg" alt="ed10971.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-04， <br/><img align="absmiddle" height="213px" width="861px" file="ed10972.jpg" alt="ed10972.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> I-05， <br/><img align="absmiddle" height="226px" width="869px" file="ed10973.jpg" alt="ed10973.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-06， <br/><img align="absmiddle" height="226px" width="869px" file="ed10974.jpg" alt="ed10974.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-07， <br/><img align="absmiddle" height="236px" width="865px" file="ed10975.jpg" alt="ed10975.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-08， <br/><img align="absmiddle" height="232px" width="861px" file="ed10976.jpg" alt="ed10976.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-09， <br/><img align="absmiddle" height="255px" width="861px" file="ed10977.jpg" alt="ed10977.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-10， <br/><img align="absmiddle" height="236px" width="865px" file="ed10978.jpg" alt="ed10978.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-11， <br/><img align="absmiddle" height="232px" width="861px" file="ed10979.jpg" alt="ed10979.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-12， <br/><img align="absmiddle" height="255px" width="861px" file="ed10980.jpg" alt="ed10980.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-13， <br/><img align="absmiddle" height="222px" width="855px" file="ed10981.jpg" alt="ed10981.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-14， <br/><img align="absmiddle" height="205px" width="850px" file="ed10982.jpg" alt="ed10982.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-15， <br/><img align="absmiddle" height="207px" width="850px" file="ed10983.jpg" alt="ed10983.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-16， <br/><img align="absmiddle" height="203px" width="850px" file="ed10984.jpg" alt="ed10984.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-17， <br/><img align="absmiddle" height="215px" width="850px" file="ed10985.jpg" alt="ed10985.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-18， <br/><img align="absmiddle" height="228px" width="850px" file="ed10986.jpg" alt="ed10986.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-19， <br/><img align="absmiddle" height="211px" width="850px" file="ed10987.jpg" alt="ed10987.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-20， <br/><img align="absmiddle" height="215px" width="848px" file="ed10988.jpg" alt="ed10988.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-21， <br/><img align="absmiddle" height="218px" width="850px" file="ed10989.jpg" alt="ed10989.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-22， <br/><img align="absmiddle" height="211px" width="850px" file="ed10990.jpg" alt="ed10990.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-23， <br/><img align="absmiddle" height="203px" width="850px" file="ed10991.jpg" alt="ed10991.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-24， <br/><img align="absmiddle" height="213px" width="850px" file="ed10992.jpg" alt="ed10992.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-25， <br/><img align="absmiddle" height="220px" width="852px" file="ed10993.jpg" alt="ed10993.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-26， <br/><img align="absmiddle" height="232px" width="865px" file="ed10994.jpg" alt="ed10994.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-27， <br/><img align="absmiddle" height="232px" width="861px" file="ed10995.jpg" alt="ed10995.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-28， <br/><img align="absmiddle" height="236px" width="898px" file="ed10996.jpg" alt="ed10996.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-29， <br/><img align="absmiddle" height="232px" width="894px" file="ed10997.jpg" alt="ed10997.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-30， <br/><img align="absmiddle" height="211px" width="861px" file="ed10998.jpg" alt="ed10998.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-31， <br/><img align="absmiddle" height="207px" width="879px" file="ed10999.jpg" alt="ed10999.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-32， <br/><img align="absmiddle" height="211px" width="857px" file="ed11000.jpg" alt="ed11000.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-33， <br/><img align="absmiddle" height="220px" width="857px" file="ed11001.jpg" alt="ed11001.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-34， <br/><img align="absmiddle" height="228px" width="861px" file="ed11002.jpg" alt="ed11002.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-35， <br/><img align="absmiddle" height="234px" width="898px" file="ed11003.jpg" alt="ed11003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-36， <br/><img align="absmiddle" height="218px" width="888px" file="ed11004.jpg" alt="ed11004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-37， <br/><img align="absmiddle" height="240px" width="890px" file="ed11005.jpg" alt="ed11005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-38， <br/><img align="absmiddle" height="222px" width="886px" file="ed11006.jpg" alt="ed11006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-39， <br/><img align="absmiddle" height="222px" width="886px" file="ed11007.jpg" alt="ed11007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-40， <br/><img align="absmiddle" height="201px" width="900px" file="ed11008.jpg" alt="ed11008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-41， <br/><img align="absmiddle" height="215px" width="809px" file="ed11009.jpg" alt="ed11009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-42， <br/><img align="absmiddle" height="213px" width="811px" file="ed11010.jpg" alt="ed11010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-43， <br/><img align="absmiddle" height="209px" width="821px" file="ed11011.jpg" alt="ed11011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-44， <br/><img align="absmiddle" height="211px" width="828px" file="ed11012.jpg" alt="ed11012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-45， <br/><img align="absmiddle" height="226px" width="913px" file="ed11013.jpg" alt="ed11013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-46， <br/><img align="absmiddle" height="226px" width="913px" file="ed11014.jpg" alt="ed11014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-47， <br/><img align="absmiddle" height="226px" width="904px" file="ed11015.jpg" alt="ed11015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-48， <br/><img align="absmiddle" height="224px" width="828px" file="ed11016.jpg" alt="ed11016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-49， <br/><img align="absmiddle" height="222px" width="836px" file="ed11017.jpg" alt="ed11017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-50， <br/><img align="absmiddle" height="236px" width="834px" file="ed11018.jpg" alt="ed11018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-51， <br/><img align="absmiddle" height="222px" width="857px" file="ed11019.jpg" alt="ed11019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-52， <br/><img align="absmiddle" height="224px" width="823px" file="ed11020.jpg" alt="ed11020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-53， <br/><img align="absmiddle" height="220px" width="821px" file="ed11021.jpg" alt="ed11021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-54， <br/><img align="absmiddle" height="231px" width="826px" file="ed11022.jpg" alt="ed11022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-55， <br/><img align="absmiddle" height="234px" width="817px" file="ed11023.jpg" alt="ed11023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-56， <br/><img align="absmiddle" height="205px" width="817px" file="ed11024.jpg" alt="ed11024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-57， <br/><img align="absmiddle" height="211px" width="817px" file="ed11025.jpg" alt="ed11025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-58， <br/><img align="absmiddle" height="211px" width="817px" file="ed11026.jpg" alt="ed11026.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-59， <br/><img align="absmiddle" height="205px" width="817px" file="ed11027.jpg" alt="ed11027.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-60， <br/><img align="absmiddle" height="205px" width="817px" file="ed11028.jpg" alt="ed11028.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-61， <br/><img align="absmiddle" height="220px" width="817px" file="ed11029.jpg" alt="ed11029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-62， <br/><img align="absmiddle" height="220px" width="817px" file="ed11030.jpg" alt="ed11030.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-63， <br/><img align="absmiddle" height="220px" width="817px" file="ed11031.jpg" alt="ed11031.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-64， <br/><img align="absmiddle" height="240px" width="817px" file="ed11032.jpg" alt="ed11032.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-65， <br/><img align="absmiddle" height="247px" width="832px" file="ed11033.jpg" alt="ed11033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-66， <br/><img align="absmiddle" height="220px" width="832px" file="ed11034.jpg" alt="ed11034.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-67， <br/><img align="absmiddle" height="215px" width="850px" file="ed11035.jpg" alt="ed11035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-68， <br/><img align="absmiddle" height="226px" width="815px" file="ed11036.jpg" alt="ed11036.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-69， <br/><img align="absmiddle" height="220px" width="836px" file="ed11037.jpg" alt="ed11037.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-70， <br/><img align="absmiddle" height="222px" width="836px" file="ed11038.jpg" alt="ed11038.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-71， <br/><img align="absmiddle" height="220px" width="836px" file="ed11039.jpg" alt="ed11039.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-72， <br/><img align="absmiddle" height="230px" width="826px" file="ed11040.jpg" alt="ed11040.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-73， <br/><img align="absmiddle" height="224px" width="826px" file="ed11041.jpg" alt="ed11041.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-74， <br/><img align="absmiddle" height="222px" width="826px" file="ed11042.jpg" alt="ed11042.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-75， <br/><img align="absmiddle" height="261px" width="836px" file="ed11043.jpg" alt="ed11043.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-76， <br/><img align="absmiddle" height="261px" width="913px" file="ed11044.jpg" alt="ed11044.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-77， <br/><img align="absmiddle" height="261px" width="826px" file="ed11045.jpg" alt="ed11045.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-78， <br/><img align="absmiddle" height="261px" width="836px" file="ed11046.jpg" alt="ed11046.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-79， <br/><img align="absmiddle" height="247px" width="813px" file="ed11047.jpg" alt="ed11047.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-80， <br/><img align="absmiddle" height="247px" width="803px" file="ed11048.jpg" alt="ed11048.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-81， <br/><img align="absmiddle" height="247px" width="852px" file="ed11049.jpg" alt="ed11049.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-82， <br/><img align="absmiddle" height="247px" width="852px" file="ed11050.jpg" alt="ed11050.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-83， <br/><img align="absmiddle" height="247px" width="919px" file="ed11051.jpg" alt="ed11051.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-84， <br/><img align="absmiddle" height="247px" width="871px" file="ed11052.jpg" alt="ed11052.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-85， <br/><img align="absmiddle" height="253px" width="809px" file="ed11053.jpg" alt="ed11053.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-86， <br/><img align="absmiddle" height="253px" width="809px" file="ed11054.jpg" alt="ed11054.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-87， <br/><img align="absmiddle" height="253px" width="809px" file="ed11055.jpg" alt="ed11055.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-88， <br/><img align="absmiddle" height="222px" width="807px" file="ed11056.jpg" alt="ed11056.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-89， <br/><img align="absmiddle" height="222px" width="848px" file="ed11057.jpg" alt="ed11057.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-90， <br/><img align="absmiddle" height="213px" width="817px" file="ed11058.jpg" alt="ed11058.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-91， <br/><img align="absmiddle" height="213px" width="817px" file="ed11059.jpg" alt="ed11059.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-92， <br/><img align="absmiddle" height="213px" width="817px" file="ed11060.jpg" alt="ed11060.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-93， <br/><img align="absmiddle" height="213px" width="817px" file="ed11061.jpg" alt="ed11061.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> IV-94， <br/>其中R<sup>20</sup>為H；C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>直鏈或分支鏈烷基或雜烷基；C<sub>2</sub>-C<sub>8</sub>直鏈或分支鏈烯基、炔基、烷基環烷基、雜環烷基；C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>直鏈或分支鏈芳基、芳烷基、雜環、碳環、環烷基、雜烷基環烷基、烷基羰基、雜芳基；碳酸酯(-C(O)OR<sup>17</sup>)、胺基甲酸酯(-C(O)NR<sup>17</sup>R<sup>18</sup>)；或具有1至8個碳原子的羧酸酯、酯、醚或醯胺；或1~8個胺基酸；或式(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>p</sub>或(OCH<sub>2</sub>CH(CH<sub>3</sub>))<sub>p</sub>之聚伸乙基氧基單元，其中p為0至1000的整數；或R<sup>20</sup>不存在且氧形成酮，或上述各者之組合；Z<sup>3</sup>及Z<sup>3</sup>獨立地為H、OH、NH<sub>2</sub>、O、NH、COOH、COO、C(O)、C(O)、C(O)NH、C(O)NH<sub>2</sub>、R<sup>18</sup>、OCH<sub>2</sub>OP(O)(OR<sup>18</sup>)<sub>2</sub>、OC(O)OP(O)(OR<sup>18</sup>)<sub>2</sub>、OPO(OR<sup>18</sup>)<sub>2</sub>、NHPO(OR<sup>18</sup>)<sub>2</sub>、OP(O)(OR<sup>18</sup>)OP(O)(OR<sup>18</sup>)<sub>2</sub>、OC(O)R<sup>18</sup>、OC(O)NHR<sup>18</sup>、OSO<sub>2</sub>(OR<sup>18</sup>)、O-(C<sub>4</sub>-C<sub>12</sub>糖苷)、或直鏈或分支鏈烷基或雜烷基；C<sub>2</sub>-C<sub>8</sub>直鏈或分支鏈烯基、炔基、烷基環烷基、雜環烷基；C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>直鏈或分支鏈芳基、芳烷基、雜環、碳環、環烷基、雜烷基環烷基、烷基羰基、雜芳基；碳酸酯(-C(O)OR<sup>17</sup>)、胺基甲酸酯(-C(O)NR<sup>17</sup>R<sup>18</sup>)；R<sup>17</sup>及R<sup>18</sup>獨立地為H、直鏈或分支鏈烷基或雜烷基；C<sub>2</sub>-C<sub>8</sub>直鏈或分支鏈烯基、炔基、烷基環烷基、雜環烷基；C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>直鏈或分支鏈芳基、芳烷基、雜環、碳環、環烷基、雜烷基環烷基、烷基羰基、雜芳基；碳酸酯(-C(O)OR<sup>17</sup>)、胺基甲酸酯(-C(O)NR<sup>17</sup>R<sup>18</sup>)；R<sup>19</sup>為H、OH、NH<sub>2</sub>、OSO<sub>2</sub>(OR<sup>18</sup>)、XCH<sub>2</sub>OP(O)(OR<sup>18</sup>)<sub>2</sub>、XPO(OR<sup>18</sup>)<sub>2</sub>、XC(O)OP(O)(OR<sup>18</sup>)<sub>2</sub>、XC(O)R<sup>18</sup>、XC(O)NHR<sup>18</sup>、C<sub>1</sub>~C<sub>8</sub>烷基或羧酸酯；C<sub>2</sub>~C<sub>8</sub>烯基、炔基、烷基環烷基、雜環烷基；C<sub>3</sub>~C<sub>8</sub>芳基或烷基羰基；或醫藥鹽；X為O、S、NH、NHNH或CH<sub>2</sub>；R<sup>7</sup>如同上文所定義；其中式IV-01至IV-94中的連接點「<img align="absmiddle" height="3px" width="9px" file="ed10958.jpg" alt="ed10958.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>」在此省去，但其接在該式(IVa)中指定的相同位置之後； <br/><b>(b).</b> 該等卡奇黴素及其相關烯二炔抗生素具有下式： <br/>其中該卡奇黴素、格爾德黴素、類美登素、艾瑞布林及斯考他汀分別具有下式： <br/><img align="absmiddle" height="370px" width="1092px" file="ed11063.jpg" alt="ed11063.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(Cal-I)， <br/>或其具有一或多種同位素的衍生物，或其醫藥學上可接受之鹽、水合物或水合鹽；或其多晶形晶體結構；或其光學異構體、外消旋物、非鏡像異構體或鏡像異構體， <br/>其中<img align="absmiddle" height="3px" width="11px" file="ed10959.jpg" alt="ed10959.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為與L<sub>1</sub>或L<sub>2</sub>連接的位點； <br/><b>(c).</b> 該格爾德黴素具有下式： <br/><img align="absmiddle" height="330px" width="545px" file="ed11065.jpg" alt="ed11065.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Gel-I)， <br/>其中X為O、NH、CH<sub>2</sub>，<img align="absmiddle" height="3px" width="11px" file="ed10959.jpg" alt="ed10959.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為與L<sub>1</sub>或L<sub>2</sub>連接的連接點； <br/><b>(d).</b> 該等美登素或其衍生物類美登素具有下式： <br/><img align="absmiddle" height="323px" width="535px" file="ed11067.jpg" alt="ed11067.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (May-I)， <br/>或其具有一或多種同位素的衍生物，或其醫藥學上可接受之鹽、水合物或水合鹽；或其多晶形晶體結構；或其光學異構體、外消旋物、非鏡像異構體或鏡像異構體；其中<img align="absmiddle" height="3px" width="11px" file="ed10959.jpg" alt="ed10959.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為與L<sub>1</sub>或L<sub>2</sub>連接的位點； <br/><b>(e).</b> 該喜樹鹼(CPT)及其衍生物具有下式： <br/><img align="absmiddle" height="336px" width="665px" file="ed11069.jpg" alt="ed11069.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Cpt-I)， <br/>或一或多種化學元素的同位素，或醫藥學上可接受之鹽、水合物或水合鹽；或此等化合物之多晶形晶體結構；或光學異構體、外消旋物、非鏡像異構體或鏡像異構體；其中R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>及R<sub>4</sub>獨立地選自H、F、Cl、Br、CN、NO<sub>2</sub>、C<sub>1</sub>~C<sub>8</sub>烷基；O-C<sub>1</sub>~C<sub>8</sub>烷基；NH-C<sub>1</sub>~C<sub>8</sub>烷基；C<sub>2</sub>-C<sub>8</sub>雜烷基、烷基環烷基、雜環烷基；C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>芳基、芳烷基、雜環、碳環、環烷基、雜烷基環烷基、烷基羰基、雜芳基；或具有2-8個碳原子的酯、醚、醯胺、碳酸酯、脲或胺基甲酸酯；R<sub>3</sub>為H、OH、NH<sub>2</sub>、C<sub>1</sub>~C<sub>8</sub>烷基；O-C<sub>1</sub>~C<sub>8</sub>烷基；NH-C<sub>1</sub>~C<sub>8</sub>烷基；C<sub>2</sub>-C<sub>8</sub>雜烷基、烷基環烷基、雜環烷基；或具有2-8個碳原子的酯、醚、醯胺、碳酸酯、脲或胺基甲酸酯；或R<sub>1</sub>R<sub>2</sub>、R<sub>2</sub>R<sub>3</sub>及R<sub>3</sub>R<sub>4</sub>獨立地形成5~7員碳環、雜環、雜環烷基、芳族環或雜芳族環系統；<img align="absmiddle" height="3px" width="11px" file="ed10959.jpg" alt="ed10959.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為分子中可與L<sub>1</sub>或L<sub>2</sub>連接的位點； <br/>該喜樹鹼(CPT)及其式(Cpt-I)之衍生物具有下式： <br/><img align="absmiddle" height="249px" width="562px" file="ed11071.jpg" alt="ed11071.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Icp-01)，SN-38； <br/><img align="absmiddle" height="249px" width="577px" file="ed11072.jpg" alt="ed11072.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Icp-02)； <br/><img align="absmiddle" height="249px" width="566px" file="ed11073.jpg" alt="ed11073.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Icp-03)，拓樸替康(topotecan)類似物； <br/><img align="absmiddle" height="249px" width="550px" file="ed11074.jpg" alt="ed11074.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Icp-04)； <br/><img align="absmiddle" height="249px" width="651px" file="ed11075.jpg" alt="ed11075.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Icp-05)，伊立替康(Irinotecan)類似物； <br/><img align="absmiddle" height="251px" width="699px" file="ed11076.jpg" alt="ed11076.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Icp-06)，伊立替康(Irinotecan)類似物； <br/><img align="absmiddle" height="303px" width="566px" file="ed11077.jpg" alt="ed11077.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Icp-07)，司拉替康(Silatecan)類似物； <br/><img align="absmiddle" height="280px" width="539px" file="ed11078.jpg" alt="ed11078.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Icp-08)，可司替康(Cositecan)類似物； <br/><img align="absmiddle" height="269px" width="525px" file="ed11079.jpg" alt="ed11079.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Icp-09)，依昔替康(Exatecan)； <br/><img align="absmiddle" height="257px" width="568px" file="ed11080.jpg" alt="ed11080.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Icp-10)，勒托替康(Lurtotecan)； <br/><img align="absmiddle" height="251px" width="545px" file="ed11081.jpg" alt="ed11081.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Icp-11)； <br/><img align="absmiddle" height="251px" width="545px" file="ed11082.jpg" alt="ed11082.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Icp-12)，GI-149893類似物； <br/><img align="absmiddle" height="249px" width="539px" file="ed11083.jpg" alt="ed11083.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Icp-13)，吉馬替康(Gimatecan)類似物； <br/><img align="absmiddle" height="255px" width="539px" file="ed11084.jpg" alt="ed11084.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Icp-14)，貝洛替康(Belotecan)類似物； <br/><img align="absmiddle" height="249px" width="539px" file="ed11085.jpg" alt="ed11085.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Icp-15)，盧比替康(Rubitecan)或IDEC-132類似物； <br/><img align="absmiddle" height="249px" width="647px" file="ed11086.jpg" alt="ed11086.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Icp-16)，BN-80927類似物； <br/><img align="absmiddle" height="253px" width="649px" file="ed11087.jpg" alt="ed11087.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Icp-17)，BN-80927類似物； <br/><img align="absmiddle" height="257px" width="579px" file="ed11088.jpg" alt="ed11088.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Icp-18)； <br/><img align="absmiddle" height="311px" width="525px" file="ed11089.jpg" alt="ed11089.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Icp-19)； <br/><img align="absmiddle" height="307px" width="525px" file="ed11090.jpg" alt="ed11090.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Icp-20)； <br/><img align="absmiddle" height="321px" width="525px" file="ed11091.jpg" alt="ed11091.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Icp-21)； <br/><img align="absmiddle" height="251px" width="572px" file="ed11092.jpg" alt="ed11092.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Icp-22)； <br/><img align="absmiddle" height="251px" width="572px" file="ed11093.jpg" alt="ed11093.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Icp-23)； <br/><img align="absmiddle" height="251px" width="572px" file="ed11094.jpg" alt="ed11094.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Icp-24)； <br/>或一或多種化學元素之同位素，或醫藥學上可接受之鹽、水合物或水合鹽；或此等化合物之多晶形晶體結構；或光學異構體、外消旋物、非鏡像異構體或鏡像異構體；P<sup>1</sup>為H、OH、NH<sub>2</sub>、COOH、C(O)NH<sub>2</sub>、OCH<sub>2</sub>OP(O)(OR<sup>18</sup>)<sub>2</sub>、OC(O)OP(O)(OR<sup>18</sup>)<sub>2</sub>、OPO(OR<sup>18</sup>)<sub>2</sub>、NHPO(OR<sup>18</sup>)<sub>2</sub>、OC(O)R<sup>18</sup>、OP(O)(OR<sup>18</sup>)OP(O)(OR<sup>18</sup>)<sub>2</sub>、OC(O)NHR<sup>18</sup>、OC(O)N(C<sub>2</sub>H<sub>4</sub>)<sub>2</sub>NCH<sub>3</sub>、OSO<sub>2</sub>(OR<sup>18</sup>)、O-(C<sub>4</sub>-C<sub>12</sub>糖苷)、OC(O)N(C<sub>2</sub>H<sub>4</sub>)<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>N(C<sub>2</sub>H<sub>4</sub>)<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>、O-(C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>直鏈或分支鏈烷基)、C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>直鏈或分支鏈烷基或雜烷基；C<sub>2</sub>-C<sub>8</sub>直鏈或分支鏈烯基、炔基、烷基環烷基、雜環烷基；C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>直鏈或分支鏈芳基、芳烷基、雜環、碳環、環烷基、雜烷基環烷基、烷基羰基、雜芳基；碳酸酯(-C(O)OR<sup>17</sup>)、胺基甲酸酯(-C(O)NR<sup>17</sup>R<sup>18</sup>)；R<sup>17</sup>及R<sup>18</sup>獨立地為H、直鏈或分支鏈烷基或雜烷基；C<sub>2</sub>-C<sub>8</sub>直鏈或分支鏈烯基、炔基、烷基環烷基、雜環烷基；C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>直鏈或分支鏈芳基、芳烷基、雜環、碳環、環烷基、雜烷基環烷基、烷基羰基、雜芳基；碳酸酯(-C(O)OR<sup>17</sup>)、胺基甲酸酯(-C(O)NR<sup>17</sup>R<sup>18</sup>)；R<sub>1</sub>及R<sub>2</sub>獨立地選自H；O-C<sub>1</sub>~C<sub>8</sub>烷基；C<sub>2</sub>-C<sub>8</sub>雜烷基、烷基環烷基、雜環烷基；C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>芳基、芳烷基；其中上述CPT結構(Icp-01至Icp-24)中的連接點「<img align="absmiddle" height="2px" width="9px" file="ed11095.jpg" alt="ed11095.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>」在此省去，但其指定如式(Cpt-I)中所示之相同位置； <br/><b>(f).</b> 該康普瑞汀及其衍生物具有下式： <br/><img align="absmiddle" height="294px" width="574px" file="ed11096.jpg" alt="ed11096.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>CA-01 <br/><img align="absmiddle" height="294px" width="645px" file="ed11097.jpg" alt="ed11097.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>CA-02 (CA4-βGal)， <br/><img align="absmiddle" height="294px" width="537px" file="ed11098.jpg" alt="ed11098.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> CA-03， <br/>或其具有一或多種同位素的衍生物，或其醫藥學上可接受之鹽、水合物或水合鹽；或其多晶形晶體結構；或其光學異構體、外消旋物、非鏡像異構體或鏡像異構體；其中<img align="absmiddle" height="3px" width="11px" file="ed10959.jpg" alt="ed10959.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為與L<sub>1</sub>或L<sub>2</sub>連接的位點； <br/><b>(g).</b> 該紫杉烷及其衍生物具有下式： <br/><img align="absmiddle" height="375px" width="622px" file="ed11099.jpg" alt="ed11099.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Id-01)， <br/><img align="absmiddle" height="340px" width="543px" file="ed11100.jpg" alt="ed11100.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Id-02)， <br/><img align="absmiddle" height="340px" width="543px" file="ed11101.jpg" alt="ed11101.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Id-03)， <br/><img align="absmiddle" height="340px" width="512px" file="ed11102.jpg" alt="ed11102.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Id-04)， <br/>或其具有一或多種同位素的衍生物，或其醫藥學上可接受之鹽、水合物或水合鹽；或其多晶形晶體結構；或其光學異構體、外消旋物、非鏡像異構體或鏡像異構體；其中<img align="absmiddle" height="3px" width="11px" file="ed10959.jpg" alt="ed10959.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為與L<sub>1</sub>或L<sub>2</sub>連接的位點；Ar及Ar'獨立地為芳基或雜芳基； <br/><b>(h).</b> 該蒽環黴素及其衍生物具有下式：<b> </b><br/><img align="absmiddle" height="294px" width="491px" file="ed11104.jpg" alt="ed11104.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Ie-01)，道諾黴素(Daunorubicin)類似物； <br/><img align="absmiddle" height="280px" width="556px" file="ed11106.jpg" alt="ed11106.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Ie-02)，道諾黴素類似物； <br/><img align="absmiddle" height="303px" width="560px" file="ed11108.jpg" alt="ed11108.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Ie-03)，阿黴素(Doxorubicin)類似物； <br/><img align="absmiddle" height="274px" width="541px" file="ed11110.jpg" alt="ed11110.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Ie-04)，表柔比星(Epirubicin)類似物； <br/><img align="absmiddle" height="280px" width="523px" file="ed11112.jpg" alt="ed11112.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Ie-05)，艾達黴素(Idarubicin)類似物； <br/><img align="absmiddle" height="265px" width="454px" file="ed11114.jpg" alt="ed11114.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Ie-06)，米托蒽醌(Mitoxantrone)類似物； <br/><img align="absmiddle" height="211px" width="421px" file="ed11116.jpg" alt="ed11116.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Ie-07)，匹蒽醌(Pixantrone)類似物； <br/><img align="absmiddle" height="265px" width="454px" file="ed11118.jpg" alt="ed11118.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Ie-08)，洛索蒽醌(Losoxantrone)類似物；<b> </b><br/><img align="absmiddle" height="294px" width="491px" file="ed11120.jpg" alt="ed11120.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Ie-09)，類似物；<img align="absmiddle" height="330px" width="512px" file="ed11122.jpg" alt="ed11122.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(Ie-10)； <br/><img align="absmiddle" height="315px" width="560px" file="ed11124.jpg" alt="ed11124.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Ie-11)；<img align="absmiddle" height="330px" width="543px" file="ed11126.jpg" alt="ed11126.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Ie-12)； <br/><img align="absmiddle" height="249px" width="483px" file="ed11128.jpg" alt="ed11128.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Ie-13)，胺柔比星(Amrubicin)類似物； <br/>或其具有一或多種同位素的衍生物，或其醫藥學上可接受之鹽、水合物或水合鹽；或其多晶形晶體結構；或其光學異構體、外消旋物、非鏡像異構體或鏡像異構體；其中<img align="absmiddle" height="3px" width="11px" file="ed10959.jpg" alt="ed10959.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為與L<sub>1</sub>或L<sub>2</sub>連接的位點； <br/><b>(i).</b> 該長春花生物鹼及其衍生物具有下式：<b> </b><br/><img align="absmiddle" height="392px" width="608px" file="ed11130.jpg" alt="ed11130.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (If-01)，長春新鹼(vincristine)(新長春鹼(leurocristine))； <br/><img align="absmiddle" height="334px" width="581px" file="ed11131.jpg" alt="ed11131.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (If-02)，長春新鹼(新長春鹼)； <br/><img align="absmiddle" height="352px" width="570px" file="ed11132.jpg" alt="ed11132.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(If-03)，長春鹼(vinblastine)； <br/><img align="absmiddle" height="319px" width="574px" file="ed11133.jpg" alt="ed11133.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (If-04)，長春鹼； <br/><img align="absmiddle" height="456px" width="825px" file="ed11134.jpg" alt="ed11134.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (If-05)，利福布汀(rifabutin)類似物； <br/><img align="absmiddle" height="424px" width="640px" file="ed11135.jpg" alt="ed11135.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (If-06)，利福布汀類似物； <br/>或其具有一或多種同位素的衍生物，或其醫藥學上可接受之鹽、水合物或水合鹽；或其多晶形晶體結構；或其光學異構體、外消旋物、非鏡像異構體或鏡像異構體；其中<img align="absmiddle" height="3px" width="11px" file="ed10959.jpg" alt="ed10959.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為與L<sub>1</sub>或L<sub>2</sub>連接的位點； <br/><b>(j).</b> 該海兔毒素(dolastatin)、奧瑞他汀(auristatin)及其衍生物具有下式：<b> </b><br/>(Ih-01)、(Ih-02)、(Ih-03)、(Ih-04)、(Ih-05)、(Ih-06)、(Ih-07)、(Ih-08)、(Ih-09)、(Ih-10)及(Ih-11)： <br/><img align="absmiddle" height="184px" width="962px" file="ed11136.jpg" alt="ed11136.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Ih-01)、 <br/><img align="absmiddle" height="184px" width="1004px" file="ed11137.jpg" alt="ed11137.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Ih-02)、 <br/><img align="absmiddle" height="184px" width="1012px" file="ed11138.jpg" alt="ed11138.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(Ih-03)、 <br/><img align="absmiddle" height="186px" width="913px" file="ed11139.jpg" alt="ed11139.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Ih-04)、 <br/><img align="absmiddle" height="182px" width="942px" file="ed11140.jpg" alt="ed11140.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Ih-05)、 <br/><img align="absmiddle" height="182px" width="896px" file="ed11141.jpg" alt="ed11141.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Ih-06)、 <br/><img align="absmiddle" height="182px" width="935px" file="ed11142.jpg" alt="ed11142.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Ih-07)、 <br/><img align="absmiddle" height="186px" width="946px" file="ed11143.jpg" alt="ed11143.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Ih-08) <br/><img align="absmiddle" height="238px" width="879px" file="ed11144.jpg" alt="ed11144.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Ih-09)、 <br/><img align="absmiddle" height="207px" width="1064px" file="ed11145.jpg" alt="ed11145.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Ih-10)、 <br/><img align="absmiddle" height="247px" width="1060px" file="ed11146.jpg" alt="ed11146.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Ih-11)、 <br/><img align="absmiddle" height="211px" width="865px" file="ed11147.jpg" alt="ed11147.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Ih-12)、 <br/><img align="absmiddle" height="288px" width="861px" file="ed11148.jpg" alt="ed11148.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Ih-13)、 <br/><img align="absmiddle" height="301px" width="890px" file="ed11149.jpg" alt="ed11149.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Ih-14)、 <br/><img align="absmiddle" height="201px" width="960px" file="ed11150.jpg" alt="ed11150.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Ih-15)、 <br/><img align="absmiddle" height="226px" width="875px" file="ed11151.jpg" alt="ed11151.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Ih-16)、 <br/><img align="absmiddle" height="203px" width="865px" file="ed11152.jpg" alt="ed11152.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Ih-17)， <br/>或一或多種化學元素之同位素，或醫藥學上可接受之鹽、水合物或水合鹽；或此等化合物之多晶形晶體結構；或光學異構體、外消旋物、非鏡像異構體或鏡像異構體；其中R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>及R<sup>5</sup>獨立地為H；C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>直鏈或分支鏈烷基、芳基、雜芳基、雜烷基、烷基環烷基、酯、醚、醯胺、胺、雜環烷基或醯基氧基胺；或含有1至8個胺基酸的肽，或具有式(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>p</sub>或(OCH<sub>2</sub>CH(CH<sub>3</sub>))<sub>p</sub>之聚伸乙基氧基單元，其中p為1至1000之整數；兩個R：R<sup>1</sup>R<sup>2</sup>、R<sup>2</sup>R<sup>3</sup>、R<sup>1</sup>R<sup>3</sup>或R<sup>3</sup>R<sup>4</sup>可一起形成烷基、芳基、雜芳基、雜烷基或烷基環烷基之3~8員環；Y<sub>1</sub>及Y<sub>2</sub>當連接至連接點「<img align="absmiddle" height="3px" width="11px" file="ed10960.jpg" alt="ed10960.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>」時，獨立地為O、NH、NHNH、NR<sub>5</sub>、S、C(O)O、C(O)NH、OC(O)NH、OC(O)O、NHC(O)NH、NHC(O)S、OC(O)N(R<sub>1</sub>)、N(R<sub>1</sub>)C(O)N(R<sub>2</sub>)、C(O)NHNHC(O)及C(O)NR<sub>1</sub>；或當不連接至連接點「<img align="absmiddle" height="3px" width="11px" file="ed10960.jpg" alt="ed10960.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>」時，獨立地為OH、NH<sub>2</sub>、NHNH<sub>2</sub>、NHR<sub>5</sub>、SH、C(O)OH、C(O)NH<sub>2</sub>、OC(O)NH<sub>2</sub>、OC(O)OH、NHC(O)NH<sub>2</sub>、NHC(O)SH、OC(O)NH(R<sub>1</sub>)、N(R<sub>1</sub>)C(O)NH(R<sub>2</sub>)、C(O)NHNHC(O)OH及C(O)NHR<sub>1</sub>；R<sub>12</sub>為OH、NH<sub>2</sub>、NHR<sub>1</sub>、NHNH<sub>2</sub>、NHNHCOOH、O-R<sub>1</sub>-COOH、NH-R<sub>1</sub>-COOH、NH-(Aa)<sub>n</sub>COOH、O(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>p</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>OH、O(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>p</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NH<sub>2</sub>、NH(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>p</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NH<sub>2</sub>、NR<sub>1</sub>R<sub>1</sub>'、NHOH、NHOR<sub>1</sub>、O(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>p</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>COOH、NH(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>p</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>COOH、NH-Ar-COOH、NH-Ar-NH<sub>2</sub>、O(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>p</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NH-SO<sub>3</sub>H、NH(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>p</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NHSO<sub>3</sub>H、R<sub>1</sub>-NHSO<sub>3</sub>H、NH-R<sub>1</sub>-NHSO<sub>3</sub>H、O(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>p</sub>CH<sub>2-</sub>CH<sub>2</sub>NHPO<sub>3</sub>H<sub>2</sub>、NH(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>p</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NHPO<sub>3</sub>H<sub>2</sub>、OR<sub>1</sub>、R<sub>1</sub>-NHPO<sub>3</sub>H<sub>2</sub>、R<sub>1</sub>-OPO<sub>3</sub>H<sub>2</sub>、O(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>p</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>OPO<sub>3</sub>H<sub>2</sub>、OR<sub>1</sub>-NHPO<sub>3</sub>H<sub>2</sub>、NH-R<sub>1</sub>-NHPO<sub>3</sub>H<sub>2</sub>、NH(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NH)<sub>p</sub>CH<sub>2</sub>-CH<sub>2</sub>NH<sub>2</sub>、NH(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>S)<sub>p</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NH<sub>2</sub>、NH(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NH)<sub>p</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>OH、NH(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>S)<sub>p</sub>CH<sub>2-</sub>CH<sub>2</sub>OH、NH-R<sub>1</sub>-NH<sub>2</sub>或NH(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>p</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NHPO<sub>3</sub>H<sub>2</sub>，其中Aa為1至8個相同或不同胺基酸；p為1-5000；R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>、R<sub>3</sub>、R<sub>4</sub>、R<sub>5</sub>、R<sub>5</sub>'、Z<sub>1</sub>、Z<sub>2</sub>及n如同上文所定義； <br/><b>(k).</b> 該哈米特林及其衍生物具有下式： <br/><img align="absmiddle" height="224px" width="879px" file="ed11154.jpg" alt="ed11154.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Hs-01) <br/><img align="absmiddle" height="232px" width="983px" file="ed11155.jpg" alt="ed11155.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Hs-02) <br/>或其具有一或多種同位素之衍生物，或其醫藥學上可接受之鹽、水合物或水合鹽；或其多晶形晶體結構；或其光學異構體、外消旋物、非鏡像異構體或鏡像異構體；其中<img align="absmiddle" height="3px" width="11px" file="ed10960.jpg" alt="ed10960.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為與L<sub>1</sub>或L<sub>2</sub>連接的位點；其中R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>及R<sup>5</sup>獨立地為H；C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>直鏈或分支鏈烷基、芳基、雜芳基、雜烷基、烷基環烷基、酯、醚、醯胺、胺、雜環烷基或醯基氧基胺；或含有1至8個胺基酸的肽，或具有式(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>p</sub>或(OCH<sub>2</sub>CH(CH<sub>3</sub>))<sub>p</sub>之聚伸乙基氧基單元，其中p為1至5000的整數；另外，R<sup>2</sup>R<sup>3</sup>可形成烷基、芳基、雜芳基、雜烷基或烷基環烷基之3~8員環； <br/><b>(l).</b> 該艾瑞布林及其衍生物具有下式： <br/><img align="absmiddle" height="404px" width="610px" file="ed11156.jpg" alt="ed11156.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Eb-I)， <br/>或其具有一或多種同位素的衍生物，或其醫藥學上可接受之鹽、水合物或水合鹽；或其多晶形晶體結構；或其光學異構體、外消旋物、非鏡像異構體或鏡像異構體；其中<img align="absmiddle" height="3px" width="11px" file="ed10959.jpg" alt="ed10959.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為與L<sub>1</sub>或L<sub>2</sub>連接的位點； <br/><b>(m).</b> 該等菸鹼醯胺磷酸核糖基轉移酶(NAMPT)抑制劑及其衍生物具有下式：NP01、NP02、NP03、NP04、NP05、NP06、NP07、NP08及NP09： <br/><img align="absmiddle" height="145px" width="614px" file="ed11157.jpg" alt="ed11157.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> NP01、 <br/><img align="absmiddle" height="153px" width="730px" file="ed11158.jpg" alt="ed11158.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> NP02、 <br/><img align="absmiddle" height="151px" width="682px" file="ed11159.jpg" alt="ed11159.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> NP03、 <br/><img align="absmiddle" height="174px" width="720px" file="ed11160.jpg" alt="ed11160.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> NP04、 <br/><img align="absmiddle" height="182px" width="753px" file="ed11161.jpg" alt="ed11161.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> NP05、 <br/><img align="absmiddle" height="155px" width="730px" file="ed11162.jpg" alt="ed11162.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> NP06、 <br/><img align="absmiddle" height="151px" width="705px" file="ed11163.jpg" alt="ed11163.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> NP07、 <br/><img align="absmiddle" height="155px" width="747px" file="ed11164.jpg" alt="ed11164.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> NP08、 <br/><img align="absmiddle" height="174px" width="713px" file="ed11165.jpg" alt="ed11165.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> NP09， <br/>或一或多種化學元素之同位素，或醫藥學上可接受之鹽、水合物或水合鹽；或此等化合物之多晶形晶體結構；或光學異構體、外消旋物、非鏡像異構體或鏡像異構體；其中「<img align="absmiddle" height="3px" width="11px" file="ed10960.jpg" alt="ed10960.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>」為與L<sub>1</sub>或L<sub>2</sub>連接的位點；X<sub>5</sub>為F、Cl、Br、I、OH、OR<sub>1</sub>、R<sub>1</sub>、OPO<sub>3</sub>H<sub>2</sub>、OSO<sub>3</sub>H、NHR<sub>1</sub>、OCOR<sub>1</sub>、NHCOR<sub>1</sub>； <br/><b>(n).</b> 該苯并二氮呯二聚體及其衍生物具有下式：PB01、PB02、PB03、PB04、PB05、PB06、PB07、PB08、PB09、PB10、PB11、PB12、PB13、PB14、PB15、PB16、PB17、PB18、PB19、PB20： <br/><img align="absmiddle" height="249px" width="823px" file="ed11166.jpg" alt="ed11166.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PB01、 <br/><img align="absmiddle" height="259px" width="790px" file="ed11167.jpg" alt="ed11167.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PB02、 <br/><img align="absmiddle" height="209px" width="848px" file="ed11169.jpg" alt="ed11169.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PB03、 <br/><img align="absmiddle" height="193px" width="861px" file="ed11171.jpg" alt="ed11171.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PB04、 <br/><img align="absmiddle" height="213px" width="803px" file="ed11173.jpg" alt="ed11173.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PB05、 <br/><img align="absmiddle" height="290px" width="846px" file="ed11175.jpg" alt="ed11175.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PB06、 <br/><img align="absmiddle" height="296px" width="892px" file="ed11177.jpg" alt="ed11177.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>PB07、 <br/><img align="absmiddle" height="218px" width="809px" file="ed11179.jpg" alt="ed11179.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PB08、 <br/><img align="absmiddle" height="215px" width="809px" file="ed11181.jpg" alt="ed11181.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>PB09、 <br/><img align="absmiddle" height="211px" width="794px" file="ed11183.jpg" alt="ed11183.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>PB10、 <br/><img align="absmiddle" height="282px" width="902px" file="ed11185.jpg" alt="ed11185.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>PB11、 <br/><img align="absmiddle" height="253px" width="803px" file="ed11187.jpg" alt="ed11187.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>PB12、 <br/><img align="absmiddle" height="313px" width="879px" file="ed11189.jpg" alt="ed11189.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>PB13、 <br/><img align="absmiddle" height="298px" width="836px" file="ed11191.jpg" alt="ed11191.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PB14、 <br/><img align="absmiddle" height="330px" width="865px" file="ed11193.jpg" alt="ed11193.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>PB15、 <br/><img align="absmiddle" height="245px" width="886px" file="ed11195.jpg" alt="ed11195.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>PB16、 <br/><img align="absmiddle" height="269px" width="848px" file="ed11197.jpg" alt="ed11197.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PB17、 <br/><img align="absmiddle" height="269px" width="848px" file="ed11199.jpg" alt="ed11199.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PB18、 <br/><img align="absmiddle" height="274px" width="799px" file="ed11201.jpg" alt="ed11201.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PB19、 <br/><img align="absmiddle" height="274px" width="799px" file="ed11203.jpg" alt="ed11203.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PB20， <br/>或一或多種化學元素之同位素，或醫藥學上可接受之鹽、水合物或水合鹽；或此等化合物之多晶形晶體結構；或光學異構體、外消旋物、非鏡像異構體或鏡像異構體；其中X<sub>1</sub>、X<sub>2</sub>、Y<sub>1</sub>及Y<sub>2</sub>獨立地為O、N、NH、NHNH、NR<sub>5</sub>、S、C(O)O、C(O)NH、OC(O)NH、OC(O)O、NHC(O)NH、NHC(O)S、OC(O)N(R<sub>1</sub>)、N(R<sub>1</sub>)C(O)N(R<sub>1</sub>)、CH、C(O)NHNHC(O)及C(O)NR<sub>1</sub>；Z<sub>1</sub>及Z<sub>2</sub>獨立地為H、NH、O或S；及n為0~6；R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>1'</sup>、R<sup>2'</sup>及R<sup>3'</sup>獨立地為H；F；Cl；=O；=S；=CH<sub>2</sub>；=CH-R<sub>1</sub>、OH；SH；C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>直鏈或分支鏈烷基、芳基、烯基、雜芳基、雜烷基、烷基環烷基、酯(COOR<sub>5</sub>或-OC(O)R<sub>5</sub>)、醚(OR<sub>5</sub>)、醯胺(CONR<sub>5</sub>)、胺基甲酸酯(OCONR<sub>5</sub>)、胺(NHR<sub>5</sub>、NR<sub>5</sub>R<sub>5</sub>')、雜環烷基或醯基氧基胺(-C(O)NHOH、-ONHC(O)R<sub>5</sub>)；或含有1至20個天然或非天然胺基酸的肽，或式(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>p</sub>或(OCH<sub>2</sub>CH(CH<sub>3</sub>))<sub>p</sub>之聚伸乙基氧基單元，其中p為1至5000之整數；兩個R：R<sup>1</sup>R<sup>2</sup>、R<sup>2</sup>R<sup>3</sup>、R<sup>1</sup>R<sup>3</sup>、R<sup>1'</sup>R<sup>2'</sup>、R<sup>2'</sup>R<sup>3'</sup>或R<sup>1'</sup>R<sup>3'</sup>可獨立地形成烷基、芳基、雜芳基、雜烷基或烷基環烷基之3~8員環；X<sub>3</sub>及Y<sub>3</sub>獨立地為N、NH、CH<sub>2</sub>或CR<sub>5</sub>，或X<sub>3</sub>及Y<sub>3</sub>中之一者可不存在；其中R<sub>1</sub>及R<sub>2</sub>為C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>直鏈或分支鏈烷基、雜烷基；C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>芳基、雜芳基、烷基環烷基、醯氧基、烷基芳基、烷基芳氧基、烷基芳基胺基、烷基芳基硫醇基；或1至6個相同或不同的胺基酸及/或肽序列(Ar)r，r = 1-6；其中R<sub>4</sub>、R<sub>5</sub>、R<sub>5</sub>'、R<sub>6</sub>、R<sub>12</sub>及R<sub>12</sub>'獨立地為H、OH、NH<sub>2</sub>、NH(CH<sub>3</sub>)、NHNH<sub>2</sub>、COOH、SH、OZ<sub>3</sub>、SZ<sub>3</sub>、F、Cl或C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>直鏈或分支鏈烷基、芳基、雜芳基、雜烷基、烷基環烷基、醯基氧基胺；Z<sub>3</sub>為H、OP(O)(OM<sub>1</sub>)(OM<sub>2</sub>)、OCH<sub>2</sub>OP(O)(OM<sub>1</sub>)(OM<sub>2</sub>)、OSO<sub>3</sub>M<sub>1</sub>或O-糖苷、NH-糖苷、S-糖苷或CH<sub>2</sub>-糖苷；M<sub>1</sub>及M<sub>2</sub>獨立地為H、Na、K、Ca、Mg、NH<sub>4</sub>、NR<sub>1</sub>R<sub>2</sub>R<sub>3</sub>；X<sub>6</sub>為CH、N、P(O)NH、P(O)NR<sub>1</sub>、CHC(O)NH、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>芳基、雜芳基、烷基環烷基、醯氧基、烷基芳基、烷基芳氧基、烷基芳基胺基、或胺基酸；「<img align="absmiddle" height="3px" width="11px" file="ed10960.jpg" alt="ed10960.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>」為與L<sub>1</sub>或L<sub>2</sub>連接的位點； <br/><b>(o).</b> 該CC-1065類似物或哚咔黴素(doucarmycin)類似物及其衍生物具有下式：CC01、CC02、CC03、CC04、CC05、CC06及CC07： <br/><img align="absmiddle" height="236px" width="769px" file="ed11205.jpg" alt="ed11205.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> CC01、 <br/><img align="absmiddle" height="234px" width="564px" file="ed11207.jpg" alt="ed11207.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> CC02、 <br/><img align="absmiddle" height="261px" width="603px" file="ed11209.jpg" alt="ed11209.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> CC03、 <br/><img align="absmiddle" height="255px" width="664px" file="ed11211.jpg" alt="ed11211.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> CC04、 <br/><img align="absmiddle" height="253px" width="757px" file="ed11213.jpg" alt="ed11213.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> CC05、 <br/><img align="absmiddle" height="249px" width="699px" file="ed11215.jpg" alt="ed11215.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> CC06、 <br/><img align="absmiddle" height="265px" width="767px" file="ed11217.jpg" alt="ed11217.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> CC07， <br/>或一或多種化學元素之同位素，或醫藥學上可接受之鹽、水合物或水合鹽；或此等化合物之多晶形晶體結構；或光學異構體、外消旋物、非鏡像異構體或鏡像異構體；其中X<sub>1</sub>、X<sub>2</sub>、Y<sub>1</sub>及Y<sub>2</sub>當連接至連接點「<img align="absmiddle" height="3px" width="11px" file="ed10960.jpg" alt="ed10960.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>」時，獨立地為O、NH、NHNH、NR<sub>5</sub>、S、C(O)O、C(O)NH、OC(O)NH、OC(O)O、NHC(O)NH、NHC(O)S、OC(O)N(R<sub>1</sub>)、N(R<sub>1</sub>)C(O)N(R<sub>2</sub>)、C(O)NHNHC(O)及C(O)NR<sub>1</sub>；或當不連接至連接點「<img align="absmiddle" height="3px" width="11px" file="ed10960.jpg" alt="ed10960.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>」時，獨立地為OH、NH<sub>2</sub>、NHNH<sub>2</sub>、NHR<sub>1</sub>、SH、C(O)OH、C(O)NH<sub>2</sub>、OC(O)NH<sub>2</sub>、OC(O)OH、NHC(O)NH<sub>2</sub>、NHC(O)SH、OC(O)NH(R<sub>1</sub>)、N(R<sub>1</sub>)C(O)NH(R<sub>2</sub>)、C(O)NHNHC(O)OH及C(O)NHR<sub>1</sub>；Z<sub>3</sub>為H、PO(OM<sub>1</sub>)(OM<sub>2</sub>)、SO<sub>3</sub>M<sub>1</sub>、CH<sub>2</sub>PO(OM<sub>1</sub>)(OM<sub>2</sub>)、CH<sub>3</sub>N(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>NC(O)-、O(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>NC(O)-、R<sub>1</sub>或糖苷；其中M<sub>1</sub>及M<sub>2</sub>獨立地為H、Na、K、Ca、Mg、NH<sub>4</sub>、NR<sub>1</sub>R<sub>2</sub>R<sub>3</sub>；R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>及R<sub>3</sub>獨立地為H、C<sub>1</sub>~C<sub>8</sub>烷基；C<sub>2</sub>~C<sub>8</sub>雜烷基、C<sub>3</sub>~C<sub>8</sub>芳基、芳烷基、環烷基、烷基環烷基、雜環烷基、雜烷基環烷基、碳環、或烷基羰基；及n為0~6； <br/><b>(p).</b> 毒傘毒素(amatoxin)及其衍生物具有下式：Am01、Am02及Am03： <br/><img align="absmiddle" height="390px" width="662px" file="ed11219.jpg" alt="ed11219.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>Am01、 <br/><img align="absmiddle" height="367px" width="670px" file="ed11221.jpg" alt="ed11221.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>Am02、 <br/><img align="absmiddle" height="375px" width="653px" file="ed11223.jpg" alt="ed11223.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>Am03， <br/>或一或多種化學元素之同位素，或醫藥學上可接受之鹽、水合物或水合鹽；或此等化合物之多晶形晶體結構；或光學異構體、外消旋物、非鏡像異構體或鏡像異構體；其中X<sub>1</sub>及Y<sub>1</sub>獨立地為O、NH、NHNH、NR<sub>5</sub>、S、C(O)O、C(O)NH、OC(O)NH、OC(O)O、NHC(O)NH、NHC(O)S、OC(O)N(R<sub>1</sub>)、N(R<sub>1</sub>)C(O)N(R<sub>1</sub>)、CH<sub>2</sub>、CHNH、CH<sub>2</sub>O、C(O)NHNHC(O)及C(O)NR<sub>1</sub>；R<sub>7</sub>、R<sub>8</sub>及R<sub>9</sub>獨立地為H、OH、OR<sub>1</sub>、NH<sub>2</sub>、NHR<sub>1</sub>、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基或不存在；Y<sub>2</sub>為O、O<sub>2</sub>、NR<sub>1</sub>、NH或不存在；R<sub>10</sub>為CH<sub>2</sub>、O、NH、NR<sub>1</sub>、NHC(O)、NHC(O)NH、NHC(O)O、OC(O)O、C(O)、OC(O)、OC(O)(NR<sub>1</sub>)、(NR<sub>1</sub>)C(O)(NR<sub>1</sub>)、C(O)R<sub>1</sub>或不存在；R<sub>11</sub>為OH、NH<sub>2</sub>、NHR<sub>1</sub>、NHNH<sub>2</sub>、NHNHCOOH、O-R<sub>1</sub>-COOH、NH-R<sub>1</sub>-COOH、NH-(Aa)<sub>r</sub>COOH、O(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>p</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>OH、O(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>p</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NH<sub>2</sub>、NH(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>p</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NH<sub>2</sub>、NR<sub>1</sub>R<sub>2</sub>、O(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>p</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-COOH、NH(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>p</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>COOH、NH-Ar-COOH、NH-Ar-NH<sub>2</sub>、O(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>p</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-NHSO<sub>3</sub>H、NH(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>p</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NHSO<sub>3</sub>H、R<sub>1</sub>-NHSO<sub>3</sub>H、NH-R<sub>1</sub>-NHSO<sub>3</sub>H、O(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>p-</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NHPO<sub>3</sub>H<sub>2</sub>、NH(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>p</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NHPO<sub>3</sub>H<sub>2</sub>、OR<sub>1</sub>、R<sub>1</sub>-NHPO<sub>3</sub>H<sub>2</sub>、R<sub>1</sub>-OPO<sub>3</sub>H<sub>2</sub>、O(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>p</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>OPO<sub>3</sub>H<sub>2</sub>、OR<sub>1</sub>-NHPO<sub>3</sub>H<sub>2</sub>、NH-R<sub>1</sub>-NHPO<sub>3</sub>H<sub>2</sub>或NH(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>p</sub>CH<sub>2</sub>-CH<sub>2</sub>NHPO<sub>3</sub>H<sub>2</sub>，其中(Aa)<sub>r</sub>為1至8個胺基酸；n及m<sub>1</sub>獨立地為1-20；p為1-5000；R<sub>1</sub>及R<sub>2</sub>獨立地為H、C<sub>1</sub>~C<sub>8</sub>烷基；C<sub>2</sub>~C<sub>8</sub>雜烷基、C<sub>3</sub>~C<sub>8</sub>芳基、芳烷基、環烷基、烷基環烷基、雜環烷基、雜烷基環烷基、碳環、或烷基羰基；Ar為芳基，其中一或若干個H原子獨立地經以下基團置換：-R'、-鹵素、-OR'、或-SR'、-NR'R''、-N=NR'、-N=R'、-NR'R''、-NO<sub>2</sub>、-S(O)R'、-S(O)<sub>2</sub>R'、-S(O)<sub>2</sub>OR'、-OS(O)<sub>2</sub>OR'、-PR'R''、-P(O)R'R''、-P(OR')(OR'')、-P(O)(OR')(OR'')或-OP(O)(OR')(OR'')，其中R'、R''獨立地為H、烷基、烯基、炔基、雜烷基、芳基、芳基烷基或羰基；「<img align="absmiddle" height="3px" width="11px" file="ed10960.jpg" alt="ed10960.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>」為與L<sub>1</sub>或L<sub>2</sub>連接的位點； <br/><b>(q).</b> 斯考他汀(spliceostatin)、普蘭立德(pladienolide)及其衍生物具有下式： <br/><img align="absmiddle" height="212px" width="988px" file="ed11225.jpg" alt="ed11225.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Sp-01)、 <br/><img align="absmiddle" height="284px" width="628px" file="ed11227.jpg" alt="ed11227.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Pl-01)、 <br/><img align="absmiddle" height="288px" width="626px" file="ed11229.jpg" alt="ed11229.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Pl-02)、 <br/><img align="absmiddle" height="284px" width="628px" file="ed11231.jpg" alt="ed11231.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Pl-03)， <br/>或化學元素之同位素，或其醫藥學上可接受之鹽、水合物或水合鹽；或其多晶形晶體結構；或其光學異構體、外消旋物、非鏡像異構體或鏡像異構體；其中<img align="absmiddle" height="3px" width="11px" file="ed10959.jpg" alt="ed10959.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為與L<sub>1</sub>或L<sub>2</sub>連接的連接點；<b> </b><br/><b>(r).</b> 該等蛋白激酶抑制劑及其衍生物具有下式：PK01 ~ PK40： <br/><img align="absmiddle" height="154px" width="309px" file="ed11233.jpg" alt="ed11233.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PK01，阿達替布(Adavosertib)； <br/><img align="absmiddle" height="122px" width="299px" file="ed11234.jpg" alt="ed11234.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PK02，阿法替尼(Afatinib)； <br/><img align="absmiddle" height="141px" width="261px" file="ed11236.jpg" alt="ed11236.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PK03，阿西替尼(Axitinib)；<b> </b><br/><img align="absmiddle" height="170px" width="350px" file="ed11238.jpg" alt="ed11238.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PK04，巴氟替尼(Bafetinib)；<b> </b><br/><img align="absmiddle" height="148px" width="319px" file="ed11240.jpg" alt="ed11240.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PK05，伯舒替尼(Bosutinib)； <br/><img align="absmiddle" height="132px" width="311px" file="ed11242.jpg" alt="ed11242.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PK06，克卓替尼(Crizotinib)； <br/><img align="absmiddle" height="134px" width="331px" file="ed11244.jpg" alt="ed11244.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PK07，卡博替尼(Cabozantinib)； <br/><img align="absmiddle" height="114px" width="328px" file="ed11246.jpg" alt="ed11246.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PK08，達沙替尼(Dasatinib)； <br/><img align="absmiddle" height="151px" width="340px" file="ed11248.jpg" alt="ed11248.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PK09，恩曲替尼(Entrectinib)； <br/><img align="absmiddle" height="129px" width="301px" file="ed11250.jpg" alt="ed11250.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PK10，厄達替尼(Erdafitinib)； <br/><img align="absmiddle" height="122px" width="282px" file="ed11252.jpg" alt="ed11252.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PK11，厄洛替尼(Erlotinib)； <br/><img align="absmiddle" height="141px" width="364px" file="ed11254.jpg" alt="ed11254.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PK12，福他替尼(Fostamatinib)； <br/><img align="absmiddle" height="130px" width="283px" file="ed11256.jpg" alt="ed11256.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PK13，吉非替尼(Gefitinib)； <br/><img align="absmiddle" height="127px" width="277px" file="ed11258.jpg" alt="ed11258.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PK14，吉非替尼(Gefitinib)； <br/><img align="absmiddle" height="144px" width="273px" file="ed11260.jpg" alt="ed11260.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PK15，吉非替尼(Gefitinib)；<b> </b><br/><img align="absmiddle" height="121px" width="338px" file="ed11262.jpg" alt="ed11262.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PK16，依魯替尼(Ibrutinib)； <br/><img align="absmiddle" height="107px" width="403px" file="ed11264.jpg" alt="ed11264.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PK17，伊馬替尼(Imatinib)； <br/><img align="absmiddle" height="128px" width="423px" file="ed11266.jpg" alt="ed11266.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PK18，拉帕替尼(Lapatinib)； <br/><img align="absmiddle" height="168px" width="326px" file="ed11268.jpg" alt="ed11268.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PK19，侖伐替尼(Lenvatinib)； <br/><img align="absmiddle" height="72px" width="438px" file="ed11270.jpg" alt="ed11270.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PK20，木利替尼(Mubritinib)； <br/><img align="absmiddle" height="131px" width="339px" file="ed11272.jpg" alt="ed11272.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PK21，尼羅替尼(Nilotinib)； <br/><img align="absmiddle" height="160px" width="322px" file="ed11274.jpg" alt="ed11274.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PK22，帕唑帕尼(Pazopanib)； <br/><img align="absmiddle" height="115px" width="368px" file="ed11276.jpg" alt="ed11276.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PK23，普納替尼(Ponatinib)； <br/><img align="absmiddle" height="94px" width="229px" file="ed11278.jpg" alt="ed11278.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PK24，蘆可替尼(Ruxolitinib)； <br/><img align="absmiddle" height="95px" width="338px" file="ed11280.jpg" alt="ed11280.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PK25，索拉非尼(Sorafenib)； <br/><img align="absmiddle" height="108px" width="306px" file="ed11282.jpg" alt="ed11282.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PK26，舒尼替尼(Sunitinib)； <br/><img align="absmiddle" height="137px" width="181px" file="ed11284.jpg" alt="ed11284.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PK27，SU6656； <br/><img align="absmiddle" height="144px" width="216px" file="ed11286.jpg" alt="ed11286.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PK28，托法替尼(Tofacitinib)； <br/><img align="absmiddle" height="150px" width="255px" file="ed11288.jpg" alt="ed11288.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PK29，凡德他尼(Vandetanib)； <br/><img align="absmiddle" height="126px" width="351px" file="ed11290.jpg" alt="ed11290.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PK30，維羅非尼(Vemurafenib)； <br/><img align="absmiddle" height="138px" width="377px" file="ed11292.jpg" alt="ed11292.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PK 31，恩曲替尼(Entrectinib)； <br/><img align="absmiddle" height="146px" width="316px" file="ed11294.jpg" alt="ed11294.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PK-32，帕博西尼(Palbociclib)類似物； <br/><img align="absmiddle" height="114px" width="355px" file="ed11296.jpg" alt="ed11296.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PK-33，瑞博西尼(Ribociclib)； <br/><img align="absmiddle" height="116px" width="388px" file="ed11298.jpg" alt="ed11298.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PK-34，阿貝西尼(Abemaciclib)； <br/><img align="absmiddle" height="133px" width="297px" file="ed11300.jpg" alt="ed11300.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PK-35，達可替尼(Dacomitinib)； <br/><img align="absmiddle" height="133px" width="348px" file="ed11302.jpg" alt="ed11302.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PK-36，來那替尼(Neratinib)； <br/><img align="absmiddle" height="156px" width="367px" file="ed11304.jpg" alt="ed11304.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PK-37，羅西替尼(CO-1686)； <br/><img align="absmiddle" height="131px" width="347px" file="ed11306.jpg" alt="ed11306.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PK-38；奧希替尼(Osimertinib)； <br/><img align="absmiddle" height="157px" width="252px" file="ed11308.jpg" alt="ed11308.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>PK-39，AZD3759； <br/><img align="absmiddle" height="176px" width="249px" file="ed11310.jpg" alt="ed11310.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PK-40，那紮替尼(Nazartinib)(EGF816)； <br/>或化學元素之同位素，或其醫藥學上可接受之鹽、水合物或水合鹽；或其多晶形晶體結構；或其光學異構體、外消旋物、非鏡像異構體或鏡像異構體，其中Z<sub>5</sub>及Z<sub>5</sub>'獨立地選自O、NH、NHNH、NR<sub>5</sub>、S、C(O)O、C(O)NH、OC(O)NH、OC(O)O、NHC(O)O、NHC(O)NH、NHC(O)S、OC(O)N(R<sub>1</sub>)、N(R<sub>1</sub>)C(O)N(R<sub>2</sub>)、C(O)NHNHC(O)及C(O)NR<sub>1</sub>，其中<img align="absmiddle" height="3px" width="11px" file="ed11312.jpg" alt="ed11312.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為與L<sub>1</sub>或L<sub>2</sub>連接的連接點； <br/><b>(s).</b> 該MEK抑制劑及其衍生物具有下式： <br/><img align="absmiddle" height="171px" width="310px" file="ed11314.jpg" alt="ed11314.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> MEK01，曲美替尼(Trametinib)； <br/><img align="absmiddle" height="169px" width="266px" file="ed11316.jpg" alt="ed11316.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> MEK02，考比替尼(Cobimetinib)； <br/><img align="absmiddle" height="171px" width="223px" file="ed11318.jpg" alt="ed11318.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> MEK03，畢尼替尼(Binimetinib)； <br/><img align="absmiddle" height="172px" width="223px" file="ed11320.jpg" alt="ed11320.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> MEK04，司美替尼(selumetinib)； <br/>或化學元素之同位素，或其醫藥學上可接受之鹽、水合物或水合鹽；或其多晶形晶體結構；或其光學異構體、外消旋物、非鏡像異構體或鏡像異構體，其中Z<sub>5</sub>係選自O、NH、NHNH、NR<sub>5</sub>、S、C(O)O、C(O)NH、OC(O)NH、OC(O)O、NHC(O)O、NHC(O)NH、NHC(O)S、OC(O)N(R<sub>1</sub>)、N(R<sub>1</sub>)C(O)N(R<sub>2</sub>)、C(O)NHNHC(O)及C(O)NR<sub>1</sub>，其中<img align="absmiddle" height="3px" width="11px" file="ed11312.jpg" alt="ed11312.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為與L<sub>1</sub>或L<sub>2</sub>連接的連接點；<sub> </sub><br/><b>(t).</b> 該蛋白酶抑制劑及其衍生物具有下式： <br/><img align="absmiddle" height="134px" width="425px" file="ed11322.jpg" alt="ed11322.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PI01，卡非唑米(Carfilzomib)； <br/><img align="absmiddle" height="123px" width="270px" file="ed11323.jpg" alt="ed11323.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PI02，克林達黴素(Clindamycin)； <br/><img align="absmiddle" height="134px" width="348px" file="ed11324.jpg" alt="ed11324.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> PI03，卡黴素(Carmaphycin)類似物； <br/>或化學元素之同位素，或其醫藥學上可接受之鹽、水合物或水合鹽；或其多晶形晶體結構；或其光學異構體、外消旋物、非鏡像異構體或鏡像異構體；其中<img align="absmiddle" height="3px" width="11px" file="ed10959.jpg" alt="ed10959.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為與L<sub>1</sub>或L<sub>2</sub>連接的連接點；<b> </b><br/><b>(u).</b> 可用作有效負載以達成結合的該等免疫毒素係選自白喉毒素(DT)、霍亂毒素(CT)、天花粉素(TCS)、香石竹毒蛋白(Dianthin)、綠膿桿菌外毒素A (ETA')、紅斑毒素、白喉毒素、AB毒素、III型外毒素、原氣溶素(proaerolysin)及合成原氣溶素(topsalysin)；該等免疫毒素經由蛋白質融合生物工程或經由具有游離胺基、硫醇或羧酸基團之免疫毒素之胺基酸與如請求項1之經分離之單株抗體或抗原結合片段一起構築； <br/><b>(v).</b> 該細胞結合分子、配位體或細胞受體促效劑及其衍生物具有下式： <br/><img align="absmiddle" height="81px" width="391px" file="ed11325.jpg" alt="ed11325.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> LB01 (葉酸鹽)， <br/><img align="absmiddle" height="93px" width="229px" file="ed11326.jpg" alt="ed11326.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> LB02 (PMSA配位體結合物)， <br/><img align="absmiddle" height="91px" width="218px" file="ed11327.jpg" alt="ed11327.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> LB03 (PMSA配位體)， <br/><img align="absmiddle" height="83px" width="222px" file="ed11328.jpg" alt="ed11328.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> LB04 (PMSA配位體)， <br/><img align="absmiddle" height="154px" width="343px" file="ed11329.jpg" alt="ed11329.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> LB05 (生長抑素)， <br/><img align="absmiddle" height="177px" width="334px" file="ed11330.jpg" alt="ed11330.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> LB06 (生長抑素)， <br/><img align="absmiddle" height="199px" width="304px" file="ed11331.jpg" alt="ed11331.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> LB07 (奧曲肽(Octreotide)，生長抑素類似物)， <br/><img align="absmiddle" height="190px" width="304px" file="ed11332.jpg" alt="ed11332.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> LB08 (蘭瑞肽(Lanreotide)，生長抑素類似物)， <br/><img align="absmiddle" height="192px" width="315px" file="ed11333.jpg" alt="ed11333.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> LB09 (伐普肽(Vapreotide)(Sanvar)，生長抑素類似物)， <br/><img align="absmiddle" height="82px" width="456px" file="ed11334.jpg" alt="ed11334.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> LB10 (CAIX配位體)， <br/><img align="absmiddle" height="127px" width="414px" file="ed11335.jpg" alt="ed11335.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> LB11 (CAIX配位體)， <br/><img align="absmiddle" height="114px" width="461px" file="ed11336.jpg" alt="ed11336.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>LB12 (胃泌素釋放肽受體(GRPr)，MBA)， <br/><img align="absmiddle" height="147px" width="467px" file="ed11337.jpg" alt="ed11337.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>LB13 (促黃體素釋放激素(LH-RH)配位體及GnRH)， <br/><img align="absmiddle" height="164px" width="438px" file="ed11338.jpg" alt="ed11338.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>LB14 (促黃體素釋放激素(LH-RH)及GnRH配位體)， <br/><img align="absmiddle" height="138px" width="531px" file="ed11339.jpg" alt="ed11339.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>LB15 (GnRH拮抗劑，阿巴瑞克(Abarelix))， <br/><img align="absmiddle" height="225px" width="367px" file="ed11340.jpg" alt="ed11340.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> R<sub>19</sub>為5'去氧腺苷基、Me、OH、CN； <br/>LB16 (鈷胺素(cobalamin)、維生素B12類似物)， <br/><img align="absmiddle" height="203px" width="314px" file="ed11341.jpg" alt="ed11341.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> R<sub>19</sub>為5'去氧腺苷基、Me、OH、CN； <br/>LB17 (鈷胺素、維生素B12類似物)， <br/><img align="absmiddle" height="151px" width="258px" file="ed11342.jpg" alt="ed11342.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>LB18 (用於α<sub>v</sub>β<sub>3</sub>整合素受體的環狀RGD五肽)， <br/><img align="absmiddle" height="80px" width="482px" file="ed11343.jpg" alt="ed11343.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>LB19 (用於VEGF受體的異二價肽配位體結合物)， <br/><img align="absmiddle" height="79px" width="330px" file="ed11344.jpg" alt="ed11344.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> LB20 (神經介肽B (Neuromedin B))， <br/><img align="absmiddle" height="35px" width="467px" file="ed11345.jpg" alt="ed11345.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>LB21 (用於G蛋白偶合受體的鈴蟾素(bombesin)結合物) <br/><img align="absmiddle" height="80px" width="313px" file="ed11346.jpg" alt="ed11346.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> LB22 (用於Toll樣受體的TLR<sub>2</sub>結合物)， <br/><img align="absmiddle" height="83px" width="325px" file="ed11347.jpg" alt="ed11347.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> LB23 (雄激素受體)， <br/><img align="absmiddle" height="131px" width="354px" file="ed11348.jpg" alt="ed11348.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>LB24 (用於α<sub>v</sub>整合素受體的西侖吉肽(Cilengitide)/環(-RGDfV-)結合物) <br/><img align="absmiddle" height="200px" width="317px" file="ed11349.jpg" alt="ed11349.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> LB25 (利福布汀(Rifabutin)類似物)， <br/><img align="absmiddle" height="191px" width="356px" file="ed11350.jpg" alt="ed11350.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> LB26 (利福布汀類似物)， <br/><img align="absmiddle" height="200px" width="377px" file="ed11351.jpg" alt="ed11351.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> LB27 (利福布汀類似物)， <br/><img align="absmiddle" height="140px" width="268px" file="ed11352.jpg" alt="ed11352.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> LB28 (氟氫可的松(Fludrocortisone))， <br/><img align="absmiddle" height="147px" width="281px" file="ed11353.jpg" alt="ed11353.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> LB29 (地塞米松(Dexamethasone))， <br/><img align="absmiddle" height="159px" width="237px" file="ed11354.jpg" alt="ed11354.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> LB30 (丙酸氟替卡松(fluticasone propionate))， <br/><img align="absmiddle" height="152px" width="294px" file="ed11355.jpg" alt="ed11355.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> LB31 (二丙酸倍氯米松(Beclometasone dipropionate))， <br/><img align="absmiddle" height="138px" width="299px" file="ed11356.jpg" alt="ed11356.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> LB32 (曲安奈德(Triamcinolone acetonide))， <br/><img align="absmiddle" height="135px" width="276px" file="ed11357.jpg" alt="ed11357.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> LB33 (普賴松(Prednisone))， <br/><img align="absmiddle" height="134px" width="267px" file="ed11358.jpg" alt="ed11358.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> LB34 (普賴蘇穠(Prednisolone))， <br/><img align="absmiddle" height="159px" width="280px" file="ed11359.jpg" alt="ed11359.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> LB35 (甲基普賴蘇穠(Methylprednisolone))， <br/><img align="absmiddle" height="133px" width="262px" file="ed11360.jpg" alt="ed11360.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> LB36 (倍他米松(Betamethasone))， <br/><img align="absmiddle" height="113px" width="277px" file="ed11361.jpg" alt="ed11361.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> LB37 (伊立替康類似物)， <br/><img align="absmiddle" height="103px" width="335px" file="ed11362.jpg" alt="ed11362.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> LB38 (克卓替尼(Crizotinib)類似物)， <br/><img align="absmiddle" height="83px" width="308px" file="ed11363.jpg" alt="ed11363.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> LB39 (硼替佐米(Bortezomib)類似物)，其中Y<sub>5</sub>為N、CH、C(Cl)、C(CH<sub>3</sub>)或C(COOR<sub>1</sub>)；R<sub>12</sub>為H、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub> Ar； <br/><img align="absmiddle" height="114px" width="345px" file="ed11364.jpg" alt="ed11364.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> LB40 (卡非唑米(Carfilzomib)類似物)， <br/><img align="absmiddle" height="140px" width="360px" file="ed11365.jpg" alt="ed11365.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> LB41 (卡非唑米(Carfilzomib)類似物)， <br/><img align="absmiddle" height="196px" width="405px" file="ed11366.jpg" alt="ed11366.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> LB42 (亮丙立德(Leuprolide)類似物)， <br/><img align="absmiddle" height="143px" width="446px" file="ed11367.jpg" alt="ed11367.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> LB43 (曲普瑞林(Triptorelin)類似物)， <br/><img align="absmiddle" height="120px" width="245px" file="ed11368.jpg" alt="ed11368.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> LB44 (克林達黴素(Clindamycin))， <br/><img align="absmiddle" height="93px" width="335px" file="ed11369.jpg" alt="ed11369.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> LB45 (利拉魯肽(Liraglutide)類似物)， <br/><img align="absmiddle" height="97px" width="297px" file="ed11370.jpg" alt="ed11370.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> LB46 (索馬魯肽(Semaglutide)類似物)， <br/><img align="absmiddle" height="145px" width="280px" file="ed11371.jpg" alt="ed11371.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> LB47 (瑞他帕林(Retapamulin)類似物)， <br/><img align="absmiddle" height="113px" width="297px" file="ed11372.jpg" alt="ed11372.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> LB48 (吲地布林(Indibulin)類似物)， <br/><img align="absmiddle" height="162px" width="342px" file="ed11373.jpg" alt="ed11373.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> LB49 (長春鹼類似物)， <br/><img align="absmiddle" height="99px" width="314px" file="ed11374.jpg" alt="ed11374.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> LB50 (利司那肽(Lixisenatide)類似物)， <br/><img align="absmiddle" height="142px" width="344px" file="ed11375.jpg" alt="ed11375.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> LB51 (奧希替尼(Osimertinib)類似物)， <br/><img align="absmiddle" height="162px" width="392px" file="ed11376.jpg" alt="ed11376.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> LB52 (核苷類似物)， <br/><img align="absmiddle" height="128px" width="276px" file="ed11377.jpg" alt="ed11377.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> LB53 (厄洛替尼(Erlotinib)類似物)， <br/><img align="absmiddle" height="224px" width="192px" file="ed11378.jpg" alt="ed11378.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> LB54 (拉帕替尼(Lapatinib)類似物)； <br/>或化學元素之同位素，或其醫藥學上可接受之鹽、水合物或水合鹽；或其多晶形晶體結構；或其光學異構體、外消旋物、非鏡像異構體或鏡像異構體，其中<img align="absmiddle" height="3px" width="11px" file="ed11379.jpg" alt="ed11379.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為與L<sub>1</sub>或L<sub>2</sub>連接的連接點；其中X<sub>4</sub>及Y<sub>1</sub>獨立地為O、NH、NHNH、NR<sub>1</sub>、S、C(O)O、C(O)NH、OC(O)NH、OC(O)O、NHC(O)NH、NHC(O)S、OC(O)N(R<sub>1</sub>)、N(R<sub>1</sub>)C(O)N(R<sub>1</sub>)、CH<sub>2</sub>、C(O)NHNHC(O)及C(O)NR<sub>1</sub>。
如請求項10之抗體藥物結合物，其中該連接子L<sub>1</sub>及L<sub>2</sub>獨立地選自由以下組成之群： <br/>O、NH、S、NHNH、N(R<sub>3</sub>)、N(R<sub>3</sub>)N(R<sub>3'</sub>)；下式之聚伸乙基氧基單元：(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>p</sub>OR<sub>3</sub>、或(OCH<sub>2</sub>CH(CH<sub>3</sub>))<sub>p</sub>OR<sub>3</sub>、或NH(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>p</sub>R<sub>3</sub>、或NH(CH<sub>2</sub>CH(CH<sub>3</sub>)O)<sub>p</sub>R<sub>3</sub>、或N[(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>p</sub>R<sub>3</sub>][(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>p'</sub>R<sub>3'</sub>]、或(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>p</sub>COOR<sub>3</sub>、或CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>p</sub>COOR<sub>3</sub>，其中p及p'獨立地為選自0至1000的整數，或其組合；C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基；C<sub>2</sub>-C<sub>8</sub>雜烷基、烷基環烷基、雜環烷基；C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>芳基、芳烷基、雜環、碳環、環烷基、雜烷基環烷基、烷基羰基、雜芳基；其中R<sub>3</sub>及R<sub>3'</sub>獨立地為H；C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基；C<sub>2</sub>-C<sub>8</sub>雜烷基、烷基環烷基、雜環烷基；C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>芳基、芳烷基、雜環、碳環、環烷基、雜烷基環烷基、烷基羰基、雜芳基；或具有1至8個碳原子的酯、醚或醯胺；或1~8個天然或非天然胺基酸；或式(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>p</sub>或(OCH<sub>2</sub>CH(CH<sub>3</sub>))<sub>p</sub>之聚伸乙基氧基單元，其中p為0至1000之整數，或上述各者之組合； <br/>其中L<sub>1</sub>或L<sub>2</sub>可含有自分解型或非自分解型組分、肽基單元、腙鍵、二硫鍵、酯、肟、醯胺或硫醚鍵；該自分解型單元包括對胺基苯甲基胺甲醯基(PAB)，包括2-胺基咪唑-5-甲醇衍生物、雜環PAB類似物、β-葡萄糖苷酸、及鄰胺基苯甲基縮醛或對胺基苯甲基縮醛，其具有以下結構之一： <br/><img align="absmiddle" height="91px" width="519px" file="ed11380.jpg" alt="ed11380.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/><img align="absmiddle" height="73px" width="310px" file="ed11381.jpg" alt="ed11381.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中(*)原子為其他間隔子或可釋放連接子單元或該細胞毒性劑及/或該結合分子(CBA)的連接點；X<sup>1</sup>、Y<sup>1</sup>、Z<sup>2</sup>及Z<sup>3</sup>獨立地為NH、O或S；Z<sup>1</sup>獨立地為H、NH、O或S；v為0或1；U<sup>1</sup>獨立地為H、OH、C<sub>1</sub>~C<sub>6</sub>烷基、(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>n</sub>F、Cl、Br、I、OR<sub>5</sub>、SR<sub>5</sub>、NR<sub>5</sub>R<sub>5</sub>'、N=NR<sub>5</sub>、N=R<sub>5</sub>、NR<sub>5</sub>R<sub>5</sub>'、NO<sub>2</sub>、SOR<sub>5</sub>R<sub>5</sub>'、SO<sub>2</sub>R<sub>5</sub>、SO<sub>3</sub>R<sub>5</sub>、OSO<sub>3</sub>R<sub>5</sub>、PR<sub>5</sub>R<sub>5</sub>'、POR<sub>5</sub>R<sub>5</sub>'、PO<sub>2</sub>R<sub>5</sub>R<sub>5</sub>'、OPO(OR<sub>5</sub>)(OR<sub>5</sub>')、或OCH<sub>2</sub>PO(OR<sub>5</sub>(OR<sub>5</sub>')，其中R<sub>5</sub>及R<sub>5</sub>'獨立地為H、OH、NH<sub>2</sub>、NH(CH<sub>3</sub>)、NHNH<sub>2</sub>、COOH、SH、OZ<sub>3</sub>、SZ<sub>3</sub>、F、Cl或C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>直鏈或分支鏈烷基、芳基、雜芳基、雜烷基、烷基環烷基、醯基氧基胺；Z<sub>3</sub>為H、OP(O)(OM<sub>1</sub>)(OM<sub>2</sub>)、OCH<sub>2</sub>OP(O)(OM<sub>1</sub>)(OM<sub>2</sub>)、OSO<sub>3</sub>M<sub>1</sub>、O-糖苷、NH-糖苷、S-糖苷或CH<sub>2</sub>-糖苷； <br/>其中該非自分解型連接子組分為以下結構之一： <br/><img align="absmiddle" height="438px" width="664px" file="ed11382.jpg" alt="ed11382.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="803px" width="674px" file="ed11383.jpg" alt="ed11383.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="92px" width="140px" file="ed11384.jpg" alt="ed11384.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；其中(*)原子為其他間隔子R<sub>1</sub>或可釋放連接子、該等細胞毒性劑及/或該等結合分子之連接點；X<sup>1</sup>及Y<sup>1</sup>獨立地為NH、O或S、U<sup>1</sup> U<sup>1</sup>獨立地為H、OH、C<sub>1</sub>~C<sub>6</sub>烷基、(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>n</sub>F、Cl、Br、I、OR<sub>5</sub>、SR<sub>5</sub>、NR<sub>5</sub>R<sub>5</sub>'、N=NR<sub>5</sub>、N=R<sub>5</sub>、NR<sub>5</sub>R<sub>5</sub>'、NO<sub>2</sub>、SOR<sub>5</sub>R<sub>5</sub>'、SO<sub>2</sub>R<sub>5</sub>、SO<sub>3</sub>R<sub>5</sub><sub>、</sub>OSO<sub>3</sub>R<sub>5</sub>、PR<sub>5</sub>R<sub>5</sub>'、POR<sub>5</sub>R<sub>5</sub>'<sub>、</sub>PO<sub>2</sub>R<sub>5</sub>R<sub>5</sub>'、OPO(OR<sub>5</sub>)(OR<sub>5</sub>')、或OCH<sub>2</sub>PO(OR<sub>5</sub>(OR<sub>5</sub>')、R<sub>1</sub>、R<sub>5</sub>、R<sub>5</sub>'獨立地選自H、C<sub>1</sub>~C<sub>8</sub>烷基；C<sub>2</sub>~C<sub>8</sub>烯基、炔基、雜烷基；C<sub>3</sub>~C<sub>8</sub>芳基、雜環、碳環、環烷基、雜環烷基、雜芳烷基、烷基羰基；r為0~100；m及n獨立地為0~6； <br/>其中L<sub>1</sub>或L<sub>2</sub>可由一或多種以下連接子組分構成：6-順丁烯二醯亞胺基己醯基(「MC」)、順丁烯二醯亞胺基丙醯基(「MP」)、纈胺酸-瓜胺酸(「val-cit」或「vc」)、丙胺酸-苯丙胺酸(「ala-phe」或「af」)、對胺基苯甲氧基羰基(「PAB」)、4-硫基戊酸酯(「SPP」)、4-(N-順丁烯二醯亞胺基甲基)環己烷-1甲酸酯(「MCC」)、(4-乙醯基)胺基-苯甲酸酯(「SIAB」)、4-硫基-丁酸酯(SPDB)、4-硫基-2-羥基磺醯基-丁酸酯(2-磺酸基-SPDB)、或具有1~8個天然或非天然胺基酸單元的天然或非天然肽； <br/>其中L<sub>1</sub>或L<sub>2</sub>可為包括至少一個鍵的可釋放連接子，該至少一個鍵可為pH不穩定、酸不穩定、鹼不穩定、氧化不穩定、代謝不穩定、生物化學不穩定或酶不穩定的鍵；可釋放連接子L<sub>1</sub>或L<sub>2</sub>之組分包括：-(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>(Aa)<sub>r</sub>-(CR<sub>7</sub>R<sub>8</sub>)<sub>n</sub>(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>t</sub>-、-(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>(CR<sub>7</sub>R<sub>8</sub>)<sub>n</sub>(Aa)<sub>r</sub>(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>t</sub>-、-(Aa)<sub>r</sub>(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>(CR<sub>7</sub>R<sub>8</sub>)<sub>n</sub>(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>t</sub>-、-(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>(CR<sub>7</sub>R<sub>8</sub>)<sub>n</sub>-(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>r</sub>(Aa)<sub>t</sub>-、-(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m-</sub>(CR<sub>7</sub>=CR<sub>8</sub>)(CR<sub>9</sub>R<sub>10</sub>)<sub>n</sub>(Aa)<sub> t</sub>(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>r</sub>-、-(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>(NR<sub>11</sub>CO)(Aa)<sub>t</sub>-(CR<sub>9</sub>R<sub>10</sub>)<sub>n-</sub>(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>r</sub>-、-(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>(Aa)<sub>t</sub>(NR<sub>11</sub>CO)(CR<sub>9</sub>R<sub>10</sub>)<sub>n</sub>(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>r</sub>-、-(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>(OCO)(Aa)<sub>t</sub>-(CR<sub>9</sub>R<sub>10</sub>)<sub>n-</sub>(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>r</sub>-、-(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>(OCNR<sub>7</sub>)(Aa)<sub>t</sub>(CR<sub>9</sub>R<sub>10</sub>)<sub>n</sub>(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>r</sub>-、-(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>(CO)(Aa)<sub>t-</sub>(CR<sub>9</sub>R<sub>10</sub>)<sub>n</sub>(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>r</sub>-、-(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>(NR<sub>11</sub>CO)(Aa)<sub>t</sub>(CR<sub>9</sub>R<sub>10</sub>)<sub>n</sub>(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>r</sub>-、-(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>-(OCO)(Aa)<sub>t</sub>-(CR<sub>9</sub>R<sub>10</sub>)<sub>n-</sub>(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>r</sub>-、-(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>(OCNR<sub>7</sub>)(Aa)<sub>t</sub>(CR<sub>9</sub>R<sub>10</sub>)<sub>n</sub>(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>r</sub>-、-(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>(CO)(Aa)<sub>t</sub>-(CR<sub>9</sub>R<sub>10</sub>)<sub>n-</sub>(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>r</sub>-、-(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>-苯基-CO(Aa)<sub>t</sub>(CR<sub>7</sub>R<sub>8</sub>)<sub>n</sub>-、-(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>-呋喃基-CO(Aa)<sub>t</sub>(CR<sub>7</sub>R<sub>8</sub>)<sub>n</sub>-、-(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>-㗁基-CO(Aa)<sub>t</sub>(CR<sub>7</sub>R<sub>8</sub>)<sub>n</sub>-、-(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>-噻唑基-CO(Aa)<sub>t</sub>-(CCR<sub>7</sub>R<sub>8</sub>)<sub>n</sub>-、-(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>t</sub>-噻吩基-CO(CR<sub>7</sub>R<sub>8</sub>)<sub>n</sub>-、-(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>t</sub>-咪唑基-CO-(CR<sub>7</sub>R<sub>8</sub>)<sub>n</sub>-、-(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>t</sub>-𠰌啉基-CO(Aa)<sub>t-</sub>(CR<sub>7</sub>R<sub>8</sub>)<sub>n</sub>-、-(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>t</sub>哌𠯤基-CO(Aa)<sub>t-</sub>(CR<sub>7</sub>R<sub>8</sub>)<sub>n</sub>-、-(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>t</sub>-N-甲基哌𠯤-CO(Aa)<sub>t-</sub>(CR<sub>7</sub>R<sub>8</sub>)<sub>n</sub>-、-(CR<sub>5</sub>R)<sub>m</sub>-(Aa)<sub>t</sub>苯基-、-(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>-(Aa)<sub>t</sub>呋喃基-、-(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>-㗁唑基(Aa)<sub>t</sub>-、-(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>-噻唑基(Aa)<sub>t</sub>-、-(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>-噻吩基-(Aa)<sub>t</sub>-、-(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>-咪唑基(Aa)<sub>t</sub>-、-(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>-𠰌啉基-(Aa)<sub>t</sub>-、-(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>-哌𠯤基-(Aa)<sub>t</sub>-、-(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>-N-甲基哌𠯤基-(Aa)<sub>t</sub>-、-K(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>(Aa)r(CR<sub>7</sub>R<sub>8</sub>)<sub>n</sub>(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>t</sub>-、-K(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>-(CR<sub>7</sub>R<sub>8</sub>)<sub>n</sub>(Aa)<sub>r</sub>(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>t</sub>-、-K(Aa)<sub>r</sub>-(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>-(CR<sub>7</sub>R<sub>8</sub>)<sub>n</sub>(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>t</sub>-、-K(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>(CR<sub>7</sub>R<sub>8</sub>)<sub>n</sub>-(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>r</sub>(Aa)<sub>t</sub>-、-K(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m-</sub>(CR<sub>7</sub>=CR<sub>8</sub>)-(CR<sub>9</sub>R<sub>10</sub>)<sub>n</sub>(Aa)<sub>t</sub>(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>r</sub>-、-K(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>(NR<sub>11</sub>CO)-(Aa)<sub>t</sub>(CR<sub>9</sub>R<sub>10</sub>)<sub>n</sub>(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>r</sub>-、-K(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>(Aa)<sub>t</sub>-(NR<sub>11</sub>CO)(CR<sub>9</sub>R<sub>10</sub>)<sub>n</sub>(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>r</sub>-、-K(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>-(OCO)(Aa)<sub>t</sub>(CR<sub>9</sub>R<sub>10</sub>)<sub>n-</sub>(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>r</sub>-、-K(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>-(OCNR<sub>7</sub>)(Aa)<sub>t</sub>(CR<sub>9</sub>R<sub>10</sub>)<sub>n</sub>(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>r</sub>-、-K(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>-(CO)(Aa)<sub>t-</sub>(CR<sub>9</sub>R<sub>10</sub>)<sub>n</sub>(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>r</sub>-、-K(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>-(NR<sub>11</sub>CO)(Aa)<sub>t</sub>(CR<sub>9</sub>R<sub>10</sub>)<sub>n</sub>(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>r</sub>-、-K(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m-</sub>(OCO)(Aa)<sub>t</sub>(CR<sub>9</sub>R<sub>10</sub>)<sub>n</sub>(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>r</sub>-、-K(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>-(OCNR<sub>7</sub>)(Aa)<sub>t</sub>(CR<sub>9</sub>R<sub>10</sub>)<sub>n</sub>(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>r</sub>-、-K-(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>(CO)(Aa)<sub>t</sub>(CR<sub>9</sub>R<sub>10</sub>)<sub>n</sub>(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>r</sub>-、-K(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>-苯基-CO(Aa)<sub>t</sub>(CR<sub>7</sub>R<sub>8</sub>)<sub>n</sub>-、-K-(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>-呋喃基-CO(Aa)<sub>t-</sub>(CR<sub>7</sub>R<sub>8</sub>)<sub>n</sub>-、-K(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>-㗁唑基-CO(Aa)<sub>t</sub>(CR<sub>7</sub>R<sub>8</sub>)<sub>n</sub>-、-K(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>-噻唑基-CO(Aa)<sub>t</sub>-(CR<sub>7</sub>R<sub>8</sub>)<sub>n</sub>-、-K(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>t</sub>-噻吩基-CO(CR<sub>7</sub>R<sub>8</sub>)<sub>n</sub>-、-K(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>t</sub>咪唑基-CO-(CR<sub>7</sub>R<sub>8</sub>)<sub>n</sub>-、-K(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>t</sub>-𠰌啉基-CO(Aa)<sub>t</sub>(CR<sub>7</sub>R<sub>8</sub>)<sub>n</sub>-、-K(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>t</sub>哌𠯤基-CO(Aa)<sub>t-</sub>(CR<sub>7</sub>R<sub>8</sub>)<sub>n</sub>-、-K(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>t</sub>-N-甲基哌𠯤基CO(Aa)<sub>t</sub>(CR<sub>7</sub>R<sub>8</sub>)<sub>n</sub>-、-K(CR<sub>5</sub>R)<sub>m</sub>(Aa)<sub>t</sub>苯基、-K-(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m-</sub>(Aa)<sub>t</sub>呋喃基-、-K(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>-㗁唑基(Aa)<sub>t</sub>-、-K(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>-噻唑基-(Aa)<sub>t</sub>-、-K(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>-噻吩基-(Aa)<sub>t</sub>-、-K(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>-咪唑基-(Aa)<sub>t</sub>-、-K(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>-𠰌啉基(Aa)<sub>t</sub>-、-K(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>-哌𠯤基-(Aa)<sub>t</sub>G、-K(CR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>)<sub>m</sub>-N-甲基-哌𠯤基(Aa)<sub>t</sub>；其中Aa為胺基酸；m及n獨立地為0~6、R<sub>4</sub>及R<sub>5</sub>獨立地為H、C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>直鏈或分支鏈烷基、芳基、雜芳基、雜烷基、烷基環烷基、酯、醚、醯胺、胺、雜環烷基、醯基氧基胺、含有1至8個胺基酸的肽、或具有式(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>p</sub>或(OCH<sub>2</sub>CH(CH<sub>3</sub>))<sub>p</sub>之聚伸乙基氧基單元，其中p為1至約1000之整數；t及r獨立地為0-100；R<sub>6</sub>、R<sub>7</sub>及R<sub>8</sub>獨立地選自H；鹵基；C<sub>1</sub>~C<sub>8</sub>烷基、芳基、烯基、炔基、醚、酯、胺或醯胺，其未經取代或經一或多個以下基團取代：鹵基、CN、NR<sub>1</sub>R<sub>2</sub>、CF<sub>3</sub>、OR<sub>1</sub>、芳基、雜環、S(O)R<sub>1</sub>、SO<sub>2</sub>R<sub>1</sub>、-CO<sub>2</sub>H、-SO<sub>3</sub>H、-OR<sub>1</sub>、-CO<sub>2</sub>R<sub>1</sub>、-CONR<sub>1</sub>、-PO<sub>2</sub>R<sub>1</sub>R<sub>2</sub>、-PO<sub>3</sub>H或P(O)R<sub>1</sub>R<sub>2</sub>R<sub>3</sub>；K為NR<sub>1</sub>、-SS-、-C(=O)-、-C(=O)NH-、-C(=O)O-、-C=NH-O-、-C=N-NH-、-C(=O)NH-NH-、O、S、Se、B或C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>雜芳族基團； <br/>其中該連接子L<sub>1</sub>及/或L<sub>2</sub>之組分之結構為： <br/><img align="absmiddle" height="83px" width="470px" file="ed11385.jpg" alt="ed11385.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (含有MC，6-順丁烯二醯亞胺基己醯基)、<img align="absmiddle" height="81px" width="444px" file="ed11386.jpg" alt="ed11386.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (MP，順丁烯二醯亞胺基丙醯基)、<img align="absmiddle" height="73px" width="388px" file="ed11387.jpg" alt="ed11387.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="62px" width="220px" file="ed11388.jpg" alt="ed11388.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (PAB，對胺基苯甲氧基羰基)、<img align="absmiddle" height="81px" width="157px" file="ed11389.jpg" alt="ed11389.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="129px" width="649px" file="ed11390.jpg" alt="ed11390.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="108px" width="531px" file="ed11391.jpg" alt="ed11391.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="98px" width="239px" file="ed11392.jpg" alt="ed11392.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (含有纈胺酸-瓜胺酸(VC))、<img align="absmiddle" height="79px" width="504px" file="ed11393.jpg" alt="ed11393.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (MCC，4-(N-順丁烯二醯亞胺基甲基)環己烷-1甲酸酯)、<img align="absmiddle" height="65px" width="259px" file="ed11394.jpg" alt="ed11394.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="63px" width="237px" file="ed11395.jpg" alt="ed11395.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> ((4-乙醯基)胺基苯甲酸酯)、<img align="absmiddle" height="73px" width="194px" file="ed11396.jpg" alt="ed11396.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="71px" width="221px" file="ed11397.jpg" alt="ed11397.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (4-硫基-2-羥基磺醯基-丁酸酯，2-磺酸基-SPDB)、<img align="absmiddle" height="59px" width="118px" file="ed11398.jpg" alt="ed11398.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>4-硫基-戊酸酯(SPP)、<img align="absmiddle" height="53px" width="119px" file="ed11399.jpg" alt="ed11399.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>4-硫基-丁酸酯(SPDB)、<img align="absmiddle" height="72px" width="213px" file="ed11400.jpg" alt="ed11400.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 4-(N-順丁烯二醯亞胺基甲基)環己烷-1-甲酸酯(MCC)、<img align="absmiddle" height="72px" width="176px" file="ed11401.jpg" alt="ed11401.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 順丁烯二醯亞胺基乙基(ME)、<img align="absmiddle" height="67px" width="121px" file="ed11402.jpg" alt="ed11402.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>4-硫基-2-羥基磺醯基-丁酸酯(2-磺酸基-SPDB)、<img align="absmiddle" height="53px" width="107px" file="ed11403.jpg" alt="ed11403.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 芳基-硫醇(PhSS)、<img align="absmiddle" height="58px" width="163px" file="ed11404.jpg" alt="ed11404.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(4-乙醯基)胺基-苯甲酸酯(SIAB)、<img align="absmiddle" height="44px" width="159px" file="ed11405.jpg" alt="ed11405.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、氧基苯甲基硫基、<img align="absmiddle" height="44px" width="157px" file="ed11406.jpg" alt="ed11406.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>胺基苯甲基硫基、<img align="absmiddle" height="56px" width="162px" file="ed11407.jpg" alt="ed11407.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>二氧基苯甲基硫基、<img align="absmiddle" height="56px" width="161px" file="ed11408.jpg" alt="ed11408.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>二胺基苯甲基硫基、<img align="absmiddle" height="55px" width="160px" file="ed11409.jpg" alt="ed11409.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>胺基-氧基苯甲基硫基、<img align="absmiddle" height="51px" width="99px" file="ed11410.jpg" alt="ed11410.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>烷氧基胺基(AOA)、<img align="absmiddle" height="37px" width="97px" file="ed11411.jpg" alt="ed11411.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>伸乙基氧基(EO)、<img align="absmiddle" height="35px" width="87px" file="ed11412.jpg" alt="ed11412.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>二硫基、<img align="absmiddle" height="52px" width="142px" file="ed11413.jpg" alt="ed11413.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>4-甲基-4-二硫基-戊酸(MPDP)、<img align="absmiddle" height="57px" width="110px" file="ed11414.jpg" alt="ed11414.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>三唑、<img align="absmiddle" height="59px" width="91px" file="ed11415.jpg" alt="ed11415.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>烷基磺醯基、<img align="absmiddle" height="59px" width="97px" file="ed11416.jpg" alt="ed11416.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>烷基磺醯胺、<img align="absmiddle" height="61px" width="106px" file="ed11417.jpg" alt="ed11417.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>磺二醯胺、<img align="absmiddle" height="62px" width="104px" file="ed11418.jpg" alt="ed11418.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>磷二醯胺、<img align="absmiddle" height="61px" width="110px" file="ed11419.jpg" alt="ed11419.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>烷基磷醯胺、<img align="absmiddle" height="60px" width="101px" file="ed11420.jpg" alt="ed11420.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>次磷酸、<img align="absmiddle" height="61px" width="111px" file="ed11421.jpg" alt="ed11421.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> N-甲基磷醯胺酸、<img align="absmiddle" height="61px" width="121px" file="ed11422.jpg" alt="ed11422.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>N,N'-二甲基磷醯胺酸、<img align="absmiddle" height="76px" width="101px" file="ed11423.jpg" alt="ed11423.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>N,N'-二甲基磷二醯胺、<img align="absmiddle" height="74px" width="321px" file="ed11424.jpg" alt="ed11424.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="161px" width="667px" file="ed11425.jpg" alt="ed11425.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="68px" width="278px" file="ed11426.jpg" alt="ed11426.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>肼、<img align="absmiddle" height="72px" width="96px" file="ed11427.jpg" alt="ed11427.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>乙脒、<img align="absmiddle" height="49px" width="135px" file="ed11428.jpg" alt="ed11428.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>肟、<img align="absmiddle" height="58px" width="138px" file="ed11429.jpg" alt="ed11429.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>乙醯基乙醯肼、<img align="absmiddle" height="59px" width="110px" file="ed11430.jpg" alt="ed11430.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>胺基乙基胺、<img align="absmiddle" height="63px" width="159px" file="ed11431.jpg" alt="ed11431.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>胺基乙基-胺基乙基-胺、<img align="absmiddle" height="60px" width="208px" file="ed11432.jpg" alt="ed11432.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="658px" width="676px" file="ed11433.jpg" alt="ed11433.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="75px" width="226px" file="ed11434.jpg" alt="ed11434.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> gly-gly-gly、<img align="absmiddle" height="75px" width="181px" file="ed11435.jpg" alt="ed11435.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>gly-gly、<img align="absmiddle" height="78px" width="277px" file="ed11436.jpg" alt="ed11436.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>gly-gly-gly-gly、<img align="absmiddle" height="113px" width="158px" file="ed11437.jpg" alt="ed11437.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>Lys-gly、<img align="absmiddle" height="113px" width="304px" file="ed11438.jpg" alt="ed11438.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> gly-gly-phe-gly、<img align="absmiddle" height="70px" width="231px" file="ed11439.jpg" alt="ed11439.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>ala-ala-ala-ala、<img align="absmiddle" height="68px" width="194px" file="ed11440.jpg" alt="ed11440.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>ala-ala-ala、<img align="absmiddle" height="74px" width="166px" file="ed11441.jpg" alt="ed11441.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>ala-ala、<img align="absmiddle" height="103px" width="167px" file="ed11442.jpg" alt="ed11442.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>glu-gly、<img align="absmiddle" height="113px" width="199px" file="ed11443.jpg" alt="ed11443.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> glu-lys、<img align="absmiddle" height="121px" width="162px" file="ed11444.jpg" alt="ed11444.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(VC)、<img align="absmiddle" height="126px" width="517px" file="ed11445.jpg" alt="ed11445.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>ala-val-ala、<img align="absmiddle" height="240px" width="603px" file="ed11446.jpg" alt="ed11446.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="101px" width="362px" file="ed11447.jpg" alt="ed11447.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (ala-phe)、<img align="absmiddle" height="108px" width="170px" file="ed11448.jpg" alt="ed11448.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (lys-phe)，或上述各者之組合；其中<img align="absmiddle" height="7px" width="4px" file="ed11628.jpg" alt="ed11628.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為連接點；X<sub>2</sub>、X<sub>3</sub>、X<sub>4</sub>、X<sub>5</sub>或X<sub>6</sub>獨立地選自NH；NHNH；N(R<sub>12</sub>)；N(R<sub>12</sub>)N(R<sub>12'</sub>)；O；S；C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基；C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>雜烷基、烷基環烷基、雜環烷基；C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>芳基、芳烷基、雜環、碳環、環烷基、雜烷基環烷基、烷基羰基、雜芳基；CH<sub>2</sub>OR<sub>12</sub>、CH<sub>2</sub>SR<sub>12</sub>、CH<sub>2</sub>NHR<sub>12</sub>或1~8個胺基酸；其中R<sub>12</sub>及R<sub>12'</sub>獨立地為H；C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基；C<sub>2</sub>-C<sub>8</sub>雜烷基、烷基環烷基、雜環烷基；C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>芳基、芳烷基、雜環、碳環、環烷基、雜烷基環烷基、烷基羰基、雜芳基；或具有1至8個碳原子的酯、醚或醯胺；或式(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>p</sub>或(OCH<sub>2</sub>CH(CH<sub>3</sub>))<sub>p</sub>之聚伸乙基氧基單元，其中p為0至100之整數，或上述各者之組合。
如請求項10之抗體藥物結合物，其中該連接子L<sub>1</sub>及L<sub>2</sub>獨立地選自由以下組成之群： <br/><img align="absmiddle" height="374px" width="411px" file="ed11450.jpg" alt="ed11450.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="738px" width="438px" file="ed11452.jpg" alt="ed11452.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中「<img align="absmiddle" height="6px" width="4px" file="ed11630.jpg" alt="ed11630.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>」為連接藥物之位點或連接子L<sub>1</sub>或L<sub>2</sub>之位點；「#」為連接抗體之S、O、NH、CHO、C(=O)、C(O)(NH)及C(O)(OH)的位點；Aa為L-或D-天然或非天然胺基酸； <br/>R<sub>1</sub>為H、C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基、OH、CH<sub>2</sub>OH、CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>OH、NH<sub>2</sub>、SH、SCH<sub>3</sub>、CH<sub>2</sub>COOH、CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>COOH、CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NH<sub>2</sub>、C<sub>6</sub>H<sub>5</sub>、CH<sub>2</sub>C<sub>6</sub>H<sub>5</sub>、CH<sub>2</sub>C<sub>6</sub>H<sub>4</sub>OH、CH(OH)CH<sub>3</sub>、CH<sub>2</sub>C(O)NH<sub>2</sub>、CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>C(O)NH<sub>2</sub>、CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NHC(=NH)NH<sub>2</sub>； <br/>r為0-12；當r不為0時，(Aa)<sub>r</sub>為相同或不同的胺基酸或肽單元； <br/>m<sub>1</sub> = 1-18；m<sub>2</sub> = 1-100；m<sub>3</sub> = 1-8；m<sub>4</sub> = 0-8；m<sub>5</sub> = 1-8； <br/>Y<sup>7</sup>為NH、OCH<sub>2</sub>NH、NHC(=O)、NHNH、C(=O)NH、N(R<sub>1</sub>)、SO<sub>2</sub>、P(O)(OH)、NHS(O)<sub>2</sub>、NHS(O)<sub>2</sub>NH、NHS(O)<sub>2</sub>NHC(O)、NHS(O)<sub>2</sub>NHC(O)O、NHS(O)<sub>2</sub>NHC(O)NH、NHP(O)(OH)、NHP(O)(OH)NH、OP(O)(OH)O、NHP(O)(OH)O、OP(O)(OH)NH、S、O、OP(O)(OH)OP(O)(OH)NH、NHP(O)(OH)OP(O)(OH)NH、NHP(O)(OH)OP(O)(OH)O、OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O、OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NH、N(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>N、NHC<sub>6</sub>H<sub>4</sub>NH、CH<sub>2</sub>； <br/>Y<sup>8</sup>為NHC(=O)、NHS(O<sub>2</sub>)、NH(SO)、NHS(O<sub>2</sub>)NH、NHP(O)(OH)NH或C(O)NH； <br/>R<sub>9</sub>為H、(O=)CR<sub>1</sub>、(O=)CNHR<sub>1</sub>、R<sub>1</sub>COOH、R<sub>1</sub>(COCH<sub>2</sub>NH)<sub>m2</sub>H、R<sub>1</sub>(Aa)<sub>r</sub>或R<sub>1</sub>(COCH<sub>2</sub>NCH<sub>3</sub>)<sub>m2</sub>H，其中R<sub>1</sub>定義如上； <br/>Lv<sub>1</sub>'係選自： <br/><img align="absmiddle" height="466px" width="641px" file="ed11454.jpg" alt="ed11454.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="909px" width="676px" file="ed11455.jpg" alt="ed11455.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="775px" width="662px" file="ed11456.jpg" alt="ed11456.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="785px" width="635px" file="ed11458.jpg" alt="ed11458.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="789px" width="680px" file="ed11460.jpg" alt="ed11460.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="894px" width="657px" file="ed11461.jpg" alt="ed11461.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="102px" width="393px" file="ed11462.jpg" alt="ed11462.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中「<img align="absmiddle" height="6px" width="3px" file="ed11463.jpg" alt="ed11463.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>」為連接藥物的位點或連接子L<sub>1</sub>或L<sub>2</sub>之位點；「#」為連接抗體之S (硫醇)、O (苯酚)、NH (胺基)、CHO (醛)、C(=O) (酮)、C(O)(NH) (醯胺)及C(O)(OH) (羧酸酯)的位點；其中R<sub>1</sub>為H、C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基、OH、CH<sub>2</sub>OH、CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>OH、NH<sub>2</sub>、SH、SCH<sub>3</sub>、CH<sub>2</sub>COOH、CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>COOH、CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NH<sub>2</sub>、C<sub>6</sub>H<sub>5</sub>、CH<sub>2</sub>C<sub>6</sub>H<sub>5</sub>、CH<sub>2</sub>C<sub>6</sub>H<sub>4</sub>OH、CH(OH)CH<sub>3</sub>、CH<sub>2</sub>C(O)NH<sub>2</sub>、CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>C(O)NH<sub>2</sub>、CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NHC(=NH)NH<sub>2</sub>；X<sub>1</sub>'及X<sub>2</sub>'獨立地為F、Cl、Br、I、OTf、OMs、OC<sub>6</sub>H<sub>4</sub>(NO<sub>2</sub>)、OC<sub>6</sub>H<sub>3</sub>(NO<sub>2</sub>)<sub>2</sub>、OC<sub>6</sub>F<sub>5</sub>、OC<sub>6</sub>HF<sub>4</sub>或Lv<sub>3</sub>，Lv<sub>3</sub>為離去基；X為O、NH、S、CH<sub>2</sub>；兩個原子中間之連接鍵「<img align="absmiddle" height="0px" width="5px" file="ed11464.jpg" alt="ed11464.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>」意謂其可連接該兩個原子中之任一者，Ar為芳族基團。
如請求項10之抗體藥物結合物，其中該連接子L<sub>1</sub>及L<sub>2</sub>獨立地為下式(If)及(Ig)： <br/><img align="absmiddle" height="374px" width="404px" file="ed11465.jpg" alt="ed11465.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中Aa為L-或D-天然或非天然胺基酸； <br/>R<sub>1</sub>為H、C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基、OH、CH<sub>2</sub>OH、CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>OH、NH<sub>2</sub>、SH、SCH<sub>3</sub>、CH<sub>2</sub>COOH、CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>COOH、CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NH<sub>2</sub>、C<sub>6</sub>H<sub>5</sub>、CH<sub>2</sub>C<sub>6</sub>H<sub>5</sub>、CH<sub>2</sub>C<sub>6</sub>H<sub>4</sub>OH、CH(OH)CH<sub>3</sub>、CH<sub>2</sub>C(O)NH<sub>2</sub>、CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>C(O)NH<sub>2</sub>、CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NHC(=NH)NH<sub>2</sub>； <br/>r為0-12；當r不為0時，(Aa)<sub>r</sub>為相同或不同的胺基酸或肽單元序列； <br/>m<sub>1</sub> = 1-18；m<sub>2</sub> = 1-100；m<sub>3</sub> = 1-8；m<sub>4</sub> = 0-8；m<sub>5</sub> = 1-8； <br/>Y<sup>7</sup>為NH、OCH<sub>2</sub>NH、NHC(=O)、NHNH、C(=O)NH、N(R<sub>1</sub>)、SO<sub>2</sub>、P(O)(OH)、NHS(O)<sub>2</sub>、NHS(O)<sub>2</sub>NH、NHS(O)<sub>2</sub>NHC(O)、NHS(O)<sub>2</sub>NHC(O)O、NHS(O)<sub>2</sub>NHC(O)NH、NHP(O)(OH)、NHP(O)(OH)NH、OP(O)(OH)O、NHP(O)(OH)O、OP(O)(OH)NH、S、O、OP(O)(OH)OP(O)(OH)NH、NHP(O)(OH)OP(O)(OH)NH、NHP(O)(OH)OP(O)(OH)O、OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O、OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NH、N(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>N、NHC<sub>6</sub>H<sub>4</sub>NH、CH<sub>2</sub>； <br/>Y<sup>8</sup>為NHC(=O)、NHS(O<sub>2</sub>)、NH(SO)、NHS(O<sub>2</sub>)NH、NHP(O)(OH)NH或C(O)NH； <br/>R<sub>9</sub>為H、(O=)CR<sub>1</sub>、(O=)CNHR<sub>1</sub>、R<sub>1</sub>COOH、R<sub>1</sub>(COCH<sub>2</sub>NH)<sub>m2</sub>H、R<sub>1</sub>(Aa)<sub>r</sub>或R<sub>1</sub>(COCH<sub>2</sub>NCH<sub>3</sub>)<sub>m2</sub>H，其中R<sub>1</sub>定義如上。
如請求項10之抗體藥物結合物，其由具有下式(IV)、(V)及(VI)之藥物及/或連接子複合物分別與如請求項1至8中任一項之經分離之單株抗體或抗原結合片段之胺基酸反應而製備，以形成式(I)、(II)及(III)之結合物： <br/><img align="absmiddle" height="60px" width="552px" file="ed11466.jpg" alt="ed11466.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中：Lv<sub>1</sub>及Lv<sub>2</sub>為反應性基團且獨立地選自： <br/><img align="absmiddle" height="235px" width="667px" file="ed11467.jpg" alt="ed11467.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="53px" width="132px" file="ed11468.jpg" alt="ed11468.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 鹵乙醯基；<img align="absmiddle" height="46px" width="77px" file="ed11469.jpg" alt="ed11469.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 醯基鹵(酸鹵化物)； <br/><img align="absmiddle" height="79px" width="77px" file="ed11470.jpg" alt="ed11470.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 順丁烯二醯亞胺；<img align="absmiddle" height="83px" width="115px" file="ed11471.jpg" alt="ed11471.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 經單取代之順丁烯二醯亞胺； <br/><img align="absmiddle" height="85px" width="118px" file="ed11472.jpg" alt="ed11472.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 經二取代之順丁烯二醯亞胺；<img align="absmiddle" height="85px" width="115px" file="ed11473.jpg" alt="ed11473.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 經單取代之丁二醯亞胺； <br/><img align="absmiddle" height="84px" width="118px" file="ed11474.jpg" alt="ed11474.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 經二取代之丁二醯亞胺；-CHO醛；<img align="absmiddle" height="66px" width="111px" file="ed11475.jpg" alt="ed11475.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 乙烯磺醯基； <br/><img align="absmiddle" height="54px" width="98px" file="ed11476.jpg" alt="ed11476.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 丙烯醯基(acryl/acryloyl)；<img align="absmiddle" height="52px" width="136px" file="ed11477.jpg" alt="ed11477.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 2-(甲苯磺醯氧基)乙醯基；<img align="absmiddle" height="51px" width="141px" file="ed11478.jpg" alt="ed11478.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 2-(甲磺醯基氧基)乙醯基；<img align="absmiddle" height="62px" width="197px" file="ed11479.jpg" alt="ed11479.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 2-(硝基苯氧基)乙醯基；<img align="absmiddle" height="70px" width="199px" file="ed11480.jpg" alt="ed11480.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 2-(二硝基苯氧基)乙醯基；<img align="absmiddle" height="61px" width="179px" file="ed11481.jpg" alt="ed11481.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 2-(氟苯氧基)-乙醯基；<img align="absmiddle" height="67px" width="179px" file="ed11482.jpg" alt="ed11482.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 2-(二氟苯氧基)-乙醯基；<img align="absmiddle" height="51px" width="134px" file="ed11483.jpg" alt="ed11483.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 2-(((三氟甲基)-磺醯基)氧基)乙醯基；<img align="absmiddle" height="56px" width="105px" file="ed11484.jpg" alt="ed11484.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 苯乙烯、<img align="absmiddle" height="60px" width="105px" file="ed11485.jpg" alt="ed11485.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 乙烯吡啶、<img align="absmiddle" height="71px" width="117px" file="ed11486.jpg" alt="ed11486.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 乙烯基吡𠯤、<img align="absmiddle" height="66px" width="116px" file="ed11487.jpg" alt="ed11487.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 乙烯基-1,3,5-三𠯤、<img align="absmiddle" height="70px" width="102px" file="ed11488.jpg" alt="ed11488.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 經取代之甲基磺醯基、<img align="absmiddle" height="75px" width="183px" file="ed11489.jpg" alt="ed11489.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 2-(五氟苯氧基)乙醯基；<img align="absmiddle" height="48px" width="177px" file="ed11490.jpg" alt="ed11490.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 甲基碸苯基㗁二唑(ODA)；<img align="absmiddle" height="52px" width="109px" file="ed11491.jpg" alt="ed11491.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 丙烯醯基、<img align="absmiddle" height="54px" width="130px" file="ed11492.jpg" alt="ed11492.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 鹵基丙烯醯基、<img align="absmiddle" height="53px" width="98px" file="ed11493.jpg" alt="ed11493.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 丙炔醯基、<img align="absmiddle" height="69px" width="130px" file="ed11494.jpg" alt="ed11494.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 2, 3-二鹵基丙烯醯基、<img align="absmiddle" height="54px" width="126px" file="ed11495.jpg" alt="ed11495.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 芳基-鈀錯合物、<img align="absmiddle" height="91px" width="137px" file="ed11496.jpg" alt="ed11496.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 二硫苯酚順丁烯二醯亞胺、<img align="absmiddle" height="92px" width="106px" file="ed11497.jpg" alt="ed11497.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 雙鹵基-嗒𠯤二酮、<img align="absmiddle" height="92px" width="133px" file="ed11498.jpg" alt="ed11498.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 雙苯基硫基-嗒𠯤二酮、<img align="absmiddle" height="76px" width="138px" file="ed11499.jpg" alt="ed11499.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 2-((甲基磺醯基)甲基)丙烯醯基、<img align="absmiddle" height="75px" width="159px" file="ed11500.jpg" alt="ed11500.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 2-((烷基或芳基-磺醯基)甲基)丙烯醯基、<img align="absmiddle" height="25px" width="128px" file="ed11501.jpg" alt="ed11501.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 氰基乙炔基、<img align="absmiddle" height="25px" width="67px" file="ed11502.jpg" alt="ed11502.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 乙炔基；<img align="absmiddle" height="39px" width="80px" file="ed11503.jpg" alt="ed11503.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 炔基、<img align="absmiddle" height="90px" width="189px" file="ed11504.jpg" alt="ed11504.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 伸芳基二丙炔腈(ADPN)、<img align="absmiddle" height="77px" width="131px" file="ed11505.jpg" alt="ed11505.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 或 <img align="absmiddle" height="84px" width="133px" file="ed11506.jpg" alt="ed11506.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 二乙烯基吡啶、<img align="absmiddle" height="83px" width="132px" file="ed11507.jpg" alt="ed11507.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 二乙烯基吡𠯤、<img align="absmiddle" height="80px" width="135px" file="ed11508.jpg" alt="ed11508.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 二乙烯基三𠯤，或<img align="absmiddle" height="114px" width="101px" file="ed11509.jpg" alt="ed11509.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 3,4-雙(順丁烯二醯亞胺基)-2,5-二側氧基吡咯啶、<img align="absmiddle" height="92px" width="178px" file="ed11510.jpg" alt="ed11510.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="377px" width="697px" file="ed11511.jpg" alt="ed11511.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="824px" width="693px" file="ed11512.jpg" alt="ed11512.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="779px" width="647px" file="ed11513.jpg" alt="ed11513.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="797px" width="663px" file="ed11514.jpg" alt="ed11514.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="702px" width="685px" file="ed11515.jpg" alt="ed11515.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="54px" width="255px" file="ed11516.jpg" alt="ed11516.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；其中X<sub>1</sub>'及X<sub>2</sub>'獨立地為F、Cl、Br、I、OTf、OMs、OC<sub>6</sub>H<sub>4</sub>(NO<sub>2</sub>)、OC<sub>6</sub>H<sub>3</sub>(NO<sub>2</sub>)<sub>2</sub>、OC<sub>6</sub>F<sub>5</sub>、OC<sub>6</sub>HF<sub>4</sub>或Lv<sub>3</sub>；X<sub>2</sub>為O、NH、N(R<sub>1</sub>)或CH<sub>2</sub>；R<sub>3</sub>及R<sub>5</sub>獨立地為H、R<sub>1</sub>、芳族、雜芳族或芳族基團，其中一個或若干個H原子獨立地被以下基團置換：-R<sub>1</sub>、-鹵素、-OR<sub>1</sub>、-SR<sub>1</sub>、-NR<sub>1</sub>R<sub>2</sub>、-NO<sub>2</sub>、-S(O)R<sub>1</sub>、-S(O)<sub>2</sub>R<sub>1</sub>或-COOR<sub>1</sub>；Lv<sub>3</sub>及Lv<sub>3</sub>'獨立地為離去基，其選自F、Cl、Br、I、硝基苯酚；N-羥基丁二醯亞胺(NHS)；苯酚；苯硫酚、二硝基苯酚；五氟苯酚；四氟苯酚；二氟苯酚；單氟苯酚；五氯苯酚；三氟甲磺酸酯；咪唑；二氯苯酚；四氯苯酚；1-羥基苯并三唑；甲苯磺酸酯；甲磺酸酯；2-乙基-5-苯基異㗁唑鎓-3'-磺酸酯、其自行形成的酸酐或與乙酸酐、甲酸酐形成的酸酐；或利用用於肽偶合反應或用於光延反應(Mitsunobu reactions)之縮合試劑產生的中間物分子； <br/>L<sub>1</sub>'及L<sub>2</sub>'係相同或不同的且係獨立地選自O、NH、S、S-S、NHNH、N(R<sub>3</sub>)、N(R<sub>3</sub>)N(R<sub>3'</sub>)、C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基；C<sub>2</sub>-C<sub>8</sub>雜烷基、烷基環烷基、雜環烷基；C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>芳基、芳烷基、雜環、碳環、環烷基、雜烷基環烷基、烷基羰基、雜芳基；C<sub>2</sub>-C<sub>8 </sub>(具有2-8個碳原子之)酯、醚或醯胺；1~8個天然或非天然胺基酸；式(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>p</sub>、(OCH<sub>2</sub>CH(CH<sub>3</sub>))<sub>p</sub>、(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>p</sub>OR<sub>3</sub>、(OCH<sub>2</sub>CH(CH<sub>3</sub>))<sub>p</sub>OR<sub>3</sub>、NH(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>p</sub>R<sub>3</sub>、NH(CH<sub>2</sub>CH(CH<sub>3</sub>)O)<sub>p</sub>R<sub>3</sub>、N[(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-O)<sub>p</sub>R<sub>3</sub>][(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>p</sub>R<sub>3</sub>']、(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>p</sub>COOR<sub>3</sub>或CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>p</sub>COOR<sub>3</sub>之聚伸乙基氧基單元，其中p及p'獨立地為選自0至1000之整數，或其組合，其中R<sub>3</sub>及R<sub>3</sub>'獨立地為H；C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基；C<sub>2</sub>-C<sub>8</sub>雜烷基、烷基環烷基、雜環烷基；C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>芳基、芳烷基、雜環、環烷基、雜烷基環烷基、烷基羰基、雜芳基； <br/>L<sub>1</sub>'及/或L<sub>2</sub>'可含有自分解型或非自分解型組分、肽基單元、腙鍵、二硫鍵、酯、肟、醯胺或硫醚鍵；該自分解型單元與非自分解型組分均如同上述請求項13中所述； <br/>其中式(V)及式(VI)中之<img align="absmiddle" height="66px" width="233px" file="ed11517.jpg" alt="ed11517.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>之組分獨立地選自： <br/><img align="absmiddle" height="100px" width="661px" file="ed11518.jpg" alt="ed11518.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="77px" width="327px" file="ed11519.jpg" alt="ed11519.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 2-((烷基或芳基-磺醯基)甲基)丙烯醯基、<img align="absmiddle" height="89px" width="191px" file="ed11520.jpg" alt="ed11520.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (ADPN)、<img align="absmiddle" height="90px" width="278px" file="ed11521.jpg" alt="ed11521.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 二乙烯基吡啶、<img align="absmiddle" height="824px" width="666px" file="ed11522.jpg" alt="ed11522.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="800px" width="643px" file="ed11523.jpg" alt="ed11523.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="881px" width="618px" file="ed11524.jpg" alt="ed11524.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="781px" width="644px" file="ed11525.jpg" alt="ed11525.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="798px" width="662px" file="ed11526.jpg" alt="ed11526.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="306px" width="642px" file="ed11527.jpg" alt="ed11527.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="106px" width="440px" file="ed11528.jpg" alt="ed11528.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 其中Lv<sub>3</sub>、Lv<sub>3</sub>'、X<sub>1</sub>'及X<sub>2</sub>'如同上文所述；兩個原子中間之連接鍵「<img align="absmiddle" height="1px" width="7px" file="ed11529.jpg" alt="ed11529.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>」意謂其可連接該兩個原子中之任一者。
如請求項10之抗體藥物結合物，其如下製備：首先使具有下文繪示之式(VII)、(VIII)或(IX)之連接子化合物分別與細胞毒性藥物反應以形成如請求項16所示之式(IV)、(V)或(VI)之化合物，隨後與該抗體中之胺基酸反應以形成式(I)、(II)或(III)之結合物： <br/><img align="absmiddle" height="166px" width="235px" file="ed11530.jpg" alt="ed11530.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中L<sub>1</sub>'、L<sub>2</sub>'、<img align="absmiddle" height="66px" width="233px" file="ed11517.jpg" alt="ed11517.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>如請求項16所定義；其中Lv<sub>5</sub>及Lv<sub>6</sub>獨立地選自： <br/><img align="absmiddle" height="874px" width="680px" file="ed11532.jpg" alt="ed11532.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="73px" width="418px" file="ed11534.jpg" alt="ed11534.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；其中X<sub>1</sub>'為F、Cl、Br、I、OTs (甲苯磺酸酯)、OTf (三氟甲磺酸酯)、OMs (甲磺酸酯)、OC<sub>6</sub>H<sub>4</sub>(NO<sub>2</sub>)、OC<sub>6</sub>H<sub>3</sub>(NO<sub>2</sub>)<sub>2</sub>、OC<sub>6</sub>F<sub>5</sub>、OC<sub>6</sub>HF<sub>4</sub>或Lv<sub>3</sub>；X<sub>2</sub>'為O、NH、N(R<sub>1</sub>)或CH<sub>2</sub>；R<sub>3</sub>及R<sub>5</sub>獨立地為H、R<sub>1</sub>、芳族、雜芳族或芳族基團，其中一個或若干個H原子獨立地被-R<sub>1</sub>、-鹵素、-OR<sub>1</sub>、-SR<sub>1</sub>、-NR<sub>1</sub>R<sub>2</sub>、-NO<sub>2</sub>、-S(O)R<sub>1</sub>、-S(O)<sub>2</sub>R<sub>1</sub>或-COOR<sub>1</sub>置換；Lv<sub>3</sub>及Lv<sub>3</sub>'獨立地為選自以下之離去基：F、Cl、Br、I、硝基苯氧基；N-羥基丁二醯亞胺(NHS)；苯氧基；苯硫酚、二硝基苯氧基；五氟苯氧基；四氟苯氧基；二氟苯氧基；單氟苯氧基；五氯苯氧基；三氟甲磺酸酯；咪唑；二氯苯氧基；四氯苯氧基；1-羥基苯并三唑；甲苯磺酸酯；甲磺酸酯；2-乙基-5-苯基異㗁唑鎓-3'-磺酸酯、自行形成的酸酐、或與乙酸酐、甲酸酐形成的酸酐；或利用用於肽偶合反應或用於光延反應之縮合試劑產生的中間物分子；其中該等官能基Lv<sub>5</sub>及/或Lv<sub>6</sub>亦可與細胞毒性藥物中之硫醇反應，只要該反應比Lv<sub>1</sub>或Lv<sub>2</sub>與抗體，尤指抗體中之硫醇之間的反應快或慢至少一倍即可。
如請求項10之抗體藥物結合物，其由如下製備：藉由還原二硫鍵而在該抗體中產生硫醇，接著使該等硫醇與下式(VII)、(VIII)或(IX)之連接子同時或依序反應， <br/><img align="absmiddle" height="166px" width="235px" file="ed11530.jpg" alt="ed11530.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>以形成下式(X)、(XI)或(XII)之分子，隨後與細胞毒性藥物D<sub>1</sub>或D<sub>2</sub>獨立地反應以形成式(I)、(II)或(III)之結合物： <br/><img align="absmiddle" height="216px" width="284px" file="ed11536.jpg" alt="ed11536.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中Lv<sub>5</sub>、Lv<sub>6</sub>、L<sub>1</sub>、L<sub>2</sub>、E<sub>1</sub>、Lv<sub>1</sub>'、Lv<sub>2</sub>'、mAb、n及n'如同請求項13、14、15、16及17中所述。
如請求項10之抗體藥物結合物，其透過包含以下步驟的均質結合方法製備： <br/>(a) 在有效量的鋅陽離子-胺基螯合劑或錯合物(Zn(NR<sub>1</sub>R<sub>2</sub>R<sub>3</sub>)<sub>m1</sub><sup>2+</sup>及還原劑存在下，在緩衝液系統中培育如請求項1之經分離之單株抗體或抗原結合片段以選擇性地減少該抗體內的鏈間二硫鍵； <br/>(b). 引入有效量之下式(IV)、(V)、(VI)、(VII)、(VIII)或(IX)之化合物，以與步驟(a)所得之該等硫醇基反應 <br/><img align="absmiddle" height="60px" width="552px" file="ed11466.jpg" alt="ed11466.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/><img align="absmiddle" height="40px" width="341px" file="ed11538.jpg" alt="ed11538.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；及 <br/>(c). 添加有效量的氧化劑以將未反應的硫醇基再氧化； <br/>(d). 及接著純化所得結合物； <br/>(e). 其中步驟(c)可置換成：添加有效量的胱胺酸或相關二硫鍵化合物或4-(疊氮基甲基)苯甲酸以淬滅未反應的該還原劑，同時經由還原該胱胺酸來產生半胱胺酸以淬滅過量的含有硫醇反應性基團之化合物或連接子化合物；亦可添加有效量的半胱胺酸或相關硫醇化合物以淬滅過量的該化合物或連接子化合物； <br/>其中該鋅陽離子-胺基螯合劑或錯合物之式Zn(NR<sub>1</sub>R<sub>2</sub>R<sub>3</sub>)<sub>m1</sub><sup>2+</sup>中的R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>及R<sub>3</sub>獨立地選自C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>8</sub>雜烷基、烷基環烷基、雜環烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>芳基、芳烷基、雜環、碳環、環烷基、雜烷基環烷基、烷基羰基、雜芳基；m1為1、2、3或4； <br/>其中該(Zn(NR<sub>1</sub>R<sub>2</sub>R<sub>3</sub>)<sub>m1</sub><sup>2+</sup>係選自Zn(NH<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH<sub>2</sub>CH(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>)<sub>2</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH<sub>2</sub>C(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>)<sub>2</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>C(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>)<sub>2</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>)<sub>2</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH(CH<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>)<sub>2</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH(CH(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>)<sub>2</sub>)<sub>2</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH(C(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>)<sub>2</sub>)<sub>2</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH(CH(CH<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>)<sub>2</sub>)<sub>2</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH(CH<sub>2</sub>C(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>)<sub>2</sub>)<sub>2</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH(CH<sub>2</sub>C(CH<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>)<sub>2</sub>)<sub>2</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>C(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>)<sub>2</sub>)<sub>2</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>OH)<sub>2</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>OH)<sub>2</sub>)<sub>2</sub><sup>2+</sup>、Zn(N(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>OH)<sub>3</sub>)<sub>2</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>COOH)<sub>2</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CONH<sub>2</sub>)<sub>2</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>COOCH<sub>3</sub>)<sub>2</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>COOCH<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>COOC(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>)<sub>2</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>COOCH(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>)<sub>2</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>COOH)<sub>2</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH(CH<sub>2</sub>COOH)<sub>2</sub>)<sub>2</sub><sup>2+</sup>、Zn(N(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>COOH)<sub>3</sub>)<sub>2</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>)<sub>4</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>)<sub>4</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>)<sub>4</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH<sub>2</sub>CH(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>)<sub>4</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH<sub>2</sub>C(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>)<sub>4</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>C(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>)<sub>4</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>)<sub>4</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH(CH<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>)<sub>4</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH(CH(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>)<sub>2</sub>)<sub>4</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH(C(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>)<sub>2</sub>)<sub>4</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH(CH(CH<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>)<sub>2</sub>)<sub>4</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH(CH<sub>2</sub>C(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>)<sub>2</sub>)<sub>4</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH(CH<sub>2</sub>C(CH<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>)<sub>2</sub>)<sub>4</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>C(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>)<sub>2</sub>)<sub>4</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>OH)<sub>4</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>OH)<sub>2</sub>)<sub>4</sub><sup>2+</sup>、Zn(N(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>OH)<sub>3</sub>)<sub>4</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>COOH)<sub>4</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CONH<sub>2</sub>)<sub>4</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>COOCH<sub>3</sub>)<sub>4</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>COOCH<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>)<sub>4</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>COOC(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>)<sub>4</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>COOCH(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>)<sub>4</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>COOH)<sub>4</sub><sup>2+</sup>、Zn(NH(CH<sub>2</sub>COOH)<sub>2</sub>)<sub>4</sub><sup>2+</sup>、Zn(N(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>COOH)<sub>3</sub>)<sub>4</sub><sup>2+</sup>、 <br/><img align="absmiddle" height="774px" width="632px" file="ed11540.jpg" alt="ed11540.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="669px" width="681px" file="ed11542.jpg" alt="ed11542.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="70px" width="520px" file="ed11544.jpg" alt="ed11544.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，上述所有錯合物陽離子可與選自以下的陰離子形成鹽：Cl<sup>-</sup>、Br<sup>-</sup>、I<sup>-</sup>、SO<sub>4</sub><sup>2-</sup>、HSO<sub>4</sub><sup>-</sup>、NO<sub>3</sub><sup>-</sup>、PO<sub>4</sub><sup>3-</sup>、HPO<sub>4</sub><sup>2-</sup>、H<sub>2</sub>PO<sub>4</sub><sup>-</sup>、CO<sub>3</sub><sup>2-</sup>、HCO<sub>3</sub><sup>-</sup>、HCOO<sup>-</sup>、CH<sub>3</sub>COO<sup>-</sup>、F<sub>3</sub>CCOO<sup>-</sup>、Cl<sub>3</sub>CCOO<sup>-</sup>、FCH<sub>2</sub>COO<sup>-</sup>、ClCH<sub>2</sub>COO<sup>-</sup>、F<sub>2</sub>CHCOO<sup>-</sup>、Cl<sub>2</sub>CHCOO<sup>-</sup>、BF<sub>4</sub><sup>-</sup>、SO<sub>3</sub><sup>2-</sup>、HSO<sub>3</sub><sup>-</sup>、CH<sub>3</sub>SO<sup>3-</sup>、C<sub>6</sub>H<sub>5</sub>CH<sub>2</sub>SO<sup>3-</sup>、C<sub>6</sub>H<sub>5</sub>SO<sup>3-</sup>、C<sub>6</sub>H<sub>5</sub>COO<sup>-</sup>、C<sub>6</sub>H<sub>5</sub>CH<sub>2</sub>COO<sup>-</sup>、C<sub>6</sub>F<sub>5</sub>O<sup>-</sup>、C<sub>6</sub>H<sub>4</sub>(OH)COO<sup>-</sup>、C<sub>6</sub>H<sub>2</sub>F<sub>3</sub>O<sup>-</sup>、C<sub>6</sub> H<sub>4</sub>(NO<sub>2</sub>)O<sup>-</sup>、C<sub>6</sub> H<sub>2</sub>(NO<sub>2</sub>)<sub>3</sub>O<sup>-</sup>；反應溶液中之該過渡金屬陽離子-胺基錯合物具有0.01 mM至1.0 mM的濃度，或該抗體之0.5至20莫耳當量，且可隨選自以下的水混溶性有機溶劑一起添加至該反應溶液中：乙醇、甲醇、丙醇、丙二醇、DMA、DMF、DMSO、THF或CH<sub>3</sub>CN； <br/>其中該還原劑為參(2-羧乙基)磷(TCEP) (P(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>COOH)<sub>3</sub>)，或參(羥丙基)磷(P(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>OH)<sub>3</sub>)，且其係以該抗體的1.0至20莫耳當量用於該反應中； <br/>其中步驟(c)中添加的該氧化劑選自DHAA、Fe<sup>3+</sup>、I<sub>2</sub>、Cu<sup>2+</sup>、Mn<sup>3+</sup>、MnO<sub>2</sub>、或Fe<sup>3+</sup>及I<sup>-</sup>之混合物；該反應溶液中使用的該氧化劑具有0.02 mM-1.0 mM的濃度，或該抗體的1至100莫耳當量； <br/>其中結合反應中的pH典型地在5.0至8.0之間；且至多30%的水可混合有機溶劑可作為共溶劑添加於基於水之緩衝溶液中，該等有機溶劑選自DMA、DMF、乙醇、甲醇、丙酮、乙腈、THF、異丙醇、二㗁烷、丙二醇或乙二醇； <br/>其中該結合反應的溫度在-5℃至40℃之間；結合反應過程之時間在15分鐘至48小時之間； <br/>其中所得結合物可藉由Sephadex G25或Sephacryl S300管柱凝膠過濾、吸附層析、陽離子或陰離子交換層析或藉由透析來純化。
如請求項10或18之抗體藥物結合物，其中式(I)、(II)、(III)、(X)、(XI)或(XII)超過60%連接至該抗體之重鏈-輕鏈之間的半胱胺酸位點； <br/>其中該等結合物中之藥物/抗體比率(DAR)係藉由波長在240至380 nm範圍內之UV、藉由疏水性相互作用層析(HIC-HPLC)、逆相層析(RP-HPLC)、毛細管電泳(CE)、LC-MS、CE-MS或LC-MS/MS量測。
如請求項10或20之抗體藥物結合物，其具有以下結構： <br/><img align="absmiddle" height="873px" width="617px" file="ed11546.jpg" alt="ed11546.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="860px" width="682px" file="ed11548.jpg" alt="ed11548.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="890px" width="640px" file="ed11550.jpg" alt="ed11550.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="739px" width="668px" file="ed11552.jpg" alt="ed11552.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="721px" width="671px" file="ed11554.jpg" alt="ed11554.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="863px" width="648px" file="ed11556.jpg" alt="ed11556.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="709px" width="646px" file="ed11558.jpg" alt="ed11558.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="763px" width="641px" file="ed11560.jpg" alt="ed11560.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="716px" width="643px" file="ed11562.jpg" alt="ed11562.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="906px" width="644px" file="ed11564.jpg" alt="ed11564.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="713px" width="611px" file="ed11566.jpg" alt="ed11566.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="824px" width="662px" file="ed11568.jpg" alt="ed11568.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="796px" width="653px" file="ed11570.jpg" alt="ed11570.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="908px" width="645px" file="ed11572.jpg" alt="ed11572.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="799px" width="644px" file="ed11574.jpg" alt="ed11574.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="908px" width="645px" file="ed11576.jpg" alt="ed11576.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="883px" width="641px" file="ed11578.jpg" alt="ed11578.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="841px" width="637px" file="ed11580.jpg" alt="ed11580.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="851px" width="668px" file="ed11582.jpg" alt="ed11582.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="614px" width="645px" file="ed11584.jpg" alt="ed11584.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中mAb為如請求項1之經分離之單株抗體或抗原結合片段，n = 1~20。
如請求項16之抗體藥物結合物，其中式(IV)、(V)及(VI)之化合物具有以下結構： <br/><img align="absmiddle" height="813px" width="508px" file="ed11586.jpg" alt="ed11586.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><b> </b><br/><img align="absmiddle" height="897px" width="543px" file="ed11588.jpg" alt="ed11588.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><b> </b><br/><img align="absmiddle" height="885px" width="576px" file="ed11590.jpg" alt="ed11590.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><b> </b><br/><img align="absmiddle" height="705px" width="607px" file="ed11592.jpg" alt="ed11592.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><b> </b><br/><img align="absmiddle" height="896px" width="621px" file="ed11594.jpg" alt="ed11594.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><b> </b><br/><img align="absmiddle" height="849px" width="610px" file="ed11596.jpg" alt="ed11596.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><b> </b><br/><img align="absmiddle" height="684px" width="577px" file="ed11598.jpg" alt="ed11598.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><b> </b><br/><img align="absmiddle" height="753px" width="577px" file="ed11600.jpg" alt="ed11600.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><b> </b><br/><img align="absmiddle" height="744px" width="579px" file="ed11602.jpg" alt="ed11602.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><b> </b><br/><img align="absmiddle" height="893px" width="622px" file="ed11604.jpg" alt="ed11604.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><b> </b><br/><img align="absmiddle" height="767px" width="577px" file="ed11606.jpg" alt="ed11606.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><b> </b><br/><img align="absmiddle" height="829px" width="641px" file="ed11608.jpg" alt="ed11608.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><b> </b><br/><img align="absmiddle" height="826px" width="659px" file="ed11610.jpg" alt="ed11610.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="889px" width="628px" file="ed11612.jpg" alt="ed11612.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="904px" width="632px" file="ed11614.jpg" alt="ed11614.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="777px" width="610px" file="ed11616.jpg" alt="ed11616.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="760px" width="462px" file="ed11618.jpg" alt="ed11618.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="877px" width="628px" file="ed11620.jpg" alt="ed11620.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="882px" width="654px" file="ed11622.jpg" alt="ed11622.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="661px" width="623px" file="ed11624.jpg" alt="ed11624.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。<b> </b>
一種醫藥組合物，其包含如請求項9、10、12、20或21中任一項之抗體藥物結合物、及其醫藥學上可接受之鹽、載劑、稀釋劑或賦形劑，其用於治療多發性骨髓瘤細胞、B細胞介導或漿細胞介導的疾病、或抗體介導的疾病或病症。
如請求項23之醫藥組合物，其為液體調配物或經調配之凍乾固體或粉末，以重量計，其包含：0.01%-99%之如請求項1之經分離之單株抗體或抗原結合片段、或如請求項9、10、12、20或21中任一項之抗體藥物結合物、0.0%-20.0%之一或多種多元醇、0.0%-2.0%之一或多種界面活性劑、0.0%-5.0%之一或多種防腐劑、0.0%-30%之一或多種胺基酸、0.0%-5.0%之一或多種抗氧化劑、0.0%-0.3%之一或多種金屬螯合劑、0.0%-30.0%之一或多種緩衝鹽，用於將該調配物之pH調節至pH 4.5-7.5、以及0.0%-30.0%之一或多種等張劑，用於在復原後投與患者時將滲透壓調節在250至350 mOsm之間； <br/>其中該多元醇係選自果糖、甘露糖、麥芽糖、乳糖、阿拉伯糖、木糖、核糖、鼠李糖、半乳糖、葡萄糖、蔗糖、海藻糖、山梨糖、松三糖、棉子糖、甘露糖醇、木糖醇、赤藻糖醇、麥芽糖醇、乳糖醇、赤藻糖醇、蘇糖醇、山梨糖醇、甘油或L-葡糖酸鹽及其金屬鹽； <br/>其中該界面活性劑係選自聚山梨醇酯20、聚山梨醇酯40、聚山梨醇酯65、聚山梨醇酯80、聚山梨醇酯81或聚山梨醇酯85、泊洛沙姆(poloxamer)、聚(氧化乙烯)-聚(氧化丙烯)、聚乙烯-聚丙烯、曲拉通(Triton)、十二烷基硫酸鈉(SDS)、月桂基硫酸鈉、辛基糖苷鈉、月桂基-磺基甜菜鹼、肉豆蔻基-磺基甜菜鹼、亞油烯基-磺基甜菜鹼、或硬脂基-磺基甜菜鹼、月桂基-肌胺酸、肉豆蔻基-肌胺酸、亞油烯基-肌胺酸、或硬脂基-肌胺酸、亞油烯基-甜菜鹼、肉豆蔻基-甜菜鹼、或鯨蠟基-甜菜鹼、月桂醯胺丙基-甜菜鹼、椰油醯胺丙基-甜菜鹼、亞油醯胺基丙基-甜菜鹼、肉豆蔻醯胺基丙基-甜菜鹼、棕櫚醯胺丙基-甜菜鹼、或異硬脂醯胺丙基-甜菜鹼(月桂醯胺丙基)、肉豆蔻醯胺基丙基-二甲胺、棕櫚醯胺丙基-二甲胺、或異硬脂醯胺丙基-二甲胺、甲基椰油醯基牛磺酸鈉或甲基油烯基牛磺酸二鈉、十二烷基甜菜鹼、十二烷基二甲胺氧化物、椰油醯胺基丙基甜菜鹼及椰油兩性甘胺酸鹽、或異硬脂乙基亞胺鎓乙基硫酸鹽、聚乙二醇、聚丙二醇、及乙二醇與丙二醇之共聚物； <br/>其中該防腐劑係選自苯甲醇、氯化十八烷基二甲基苯甲銨、氯化六羥季銨(hexamethonium chloride)、苯紮氯銨(benzalkonium chloride)、苄索氯銨(benzethonium chloride)、苯酚、丁醇及苯甲醇、對羥基苯甲酸烷酯、兒茶酚、間苯二酚、環己醇、3-戊醇或間甲酚； <br/>其中該胺基酸係選自精胺酸、胱胺酸、甘胺酸、離胺酸、組胺酸、鳥胺酸、異白胺酸、白胺酸、丙胺酸、甘胺酸、麩胺酸或天冬胺酸； <br/>其中該抗氧化劑係選自抗壞血酸、麩胱甘肽、胱胺酸或及甲硫胺酸； <br/>其中該螯合劑係選自EDTA或EGTA； <br/>其中該緩衝鹽係選自檸檬酸、抗壞血酸、葡萄糖酸、碳酸、酒石酸、丁二酸、乙酸或鄰苯二甲酸之鈉鹽、鉀鹽、銨鹽或三羥基乙基胺基鹽、Tris或緩血酸胺鹽酸鹽(tromethamine hydrochloride)、磷酸鹽、硫酸鹽、精胺酸、甘胺酸、甘胺醯甘胺酸或組胺酸與陰離子乙酸根、氯離子、磷酸根、硫酸根或丁二酸根之鹽； <br/>其中該等張劑係選自甘露糖醇、山梨糖醇、乙酸鈉、氯化鉀、磷酸鈉、磷酸鉀、檸檬酸三鈉或氯化鈉。
如請求項23或24之醫藥組合物，其以液體或凍乾固體形式裝填於小瓶、瓶子、預裝藥針筒、或預裝藥自動注射器針筒中。
一種如請求項9、10、12、20或21中任一項之抗體藥物結合物的用途，其係用於製備具有活體外、活體內或離體細胞殺滅活性的藥劑。
一種如請求項9、10、12、20或21中任一項之抗體藥物結合物的用途，其係用於製備與化學治療劑、放射療法、免疫治療劑、自體免疫病症藥劑、抗傳染劑或用於協同治療多發性骨髓瘤細胞、B細胞介導或漿細胞介導之疾病的其他結合物同時投與的藥劑。
如請求項27之用途，其中該用於協同治療的藥物係選自以下藥物中之一者或若干者：阿巴西普(Abatacept)、乙酸阿比特龍(Abiraterone acetate)、凱素(Abraxane)、乙醯胺苯酚(Acetaminophen)、氫可酮(hydrocodone)、阿卡替尼(Acalabrutinib)、阿杜那單抗(aducanumab)、阿達木單抗(Adalimumab)、ADXS31-142、ADXS-HER2、二順丁烯二酸阿法替尼(Afatinib dimaleate)、阿地介白素(Aldesleukin)、阿來替尼(Alectinib)、阿侖單抗(Alemtuzumab)、亞利崔托寧(Alitretinoin)、曲妥珠單抗-美坦新偶聯物(ado-trastuzumab emtansine)、安非他命(Amphetamine)、右旋安非他命(dextroamphetamine)、阿那曲唑(Anastrozole)、阿立哌唑(Aripiprazole)、蒽環黴素(anthracyclines)、阿立哌唑(Aripiprazole)、阿紮那韋(Atazanavir)、阿特珠單抗(Atezolizumab)、阿托伐他汀(Atorvastatin)、阿維魯單抗(Avelumab)、西卡思羅(Axicabtagene ciloleucel)、阿西替尼(Axitinib)、氮胞苷(Azacitidine)、貝林諾他(Belinostat)、BCG Live、貝伐單抗(Bevacizumab)、貝沙羅汀(Bexarotene)、博納吐單抗(Blinatumomab)、硼替佐米(Bortezomib)、伯舒替尼(Bosutinib)、本妥昔單抗維多汀(Brentuximab vedotin)、布加替尼(Brigatinib)、布地奈德(Budesonide)、布地奈德(Budesonide)、福莫特羅(formoterol)、丁丙諾啡(Buprenorphine)、卡巴他賽(Cabazitaxel)、卡博替尼(Cabozantinib)、卡普替尼(Capmatinib)、卡培他濱(Capecitabine)、卡非唑米(Carfilzomib)、經嵌合抗原受體工程改造之T (CAR-T)細胞、塞內昔布(Celecoxib)、塞利替尼(Ceritinib)、西妥昔單抗(Cetuximab)、西達本胺(Chidamide)、環孢菌素(Ciclosporin)、西那卡塞(Cinacalcet)、克卓替尼(Crizotinib)、考比替尼(Cobimetinib)、考生替克(Cosentyx)、克卓替尼(Crizotinib)、CTL019、達比加群(Dabigatran)、達拉非尼(Dabrafenib)、達卡巴嗪(Dacarbazine)、達利珠單抗(Daclizumab)、達康替尼(Dacomotinib)、達托黴素(Daptomycin)、達雷木單抗(Daratumumab)、達貝泊汀α (Darbepoetin alfa)、達盧那韋(Darunavir)、達沙替尼(Dasatinib)、地尼介白素迪夫托斯(Denileukin diftitox)、德諾單抗(Denosumab)、帝拔癲(Depakote)、右蘭索拉唑(Dexlansoprazole)、德克莫西特(Dexmethylphenidate)、地塞米松(Dexamethasone)、迪奴圖單抗(Dinutuximab)、多西環素(Doxycycline)、度洛西汀(Duloxetine)、杜維昔布(Duvelisib)、度伐魯單抗(Durvalumab)、埃羅妥珠單抗(Elotuzumab)、恩曲他濱(Emtricitabine)、利匹韋林(Rilpivirine)、替諾福韋(Tenofovir)、反丁烯二酸地索普西(Disoproxil fumarate)、恩曲他濱(Emtricitbine)、替諾福韋(tenofovir)、依法韋侖(efavirenz)、依諾肝素(Enoxaparin)、恩莎替尼(Ensartinib)、恩雜魯胺(Enzalutamide)、依泊汀α (Epoetin alfa)、厄洛替尼(erlotinib)、埃索美拉唑(Esomeprazole)、右佐克隆(Eszopiclone)、依那西普(Etanercept)、依維莫司(Everolimus)、依西美坦(Exemestane)、依維莫司(Everolimus)、艾塞那肽ER (Exenatide ER)、依澤麥布(Ezetimibe)、依澤麥布(Ezetimibe)、辛伐他汀(simvastatin)、非諾貝特(Fenofibrate)、非格司亭(Filgrastim)、芬戈莫德(Fingolimod)、丙酸氟替卡松(Fluticasone propionate)、氟替卡松(Fluticasone)、沙美特羅(salmeterol)、氟維司群(Fulvestrant)、加澤瓦(Gazyva)、吉非替尼(Gefitinib)、格拉默(Glatiramer)、乙酸戈舍瑞林(Goserelinacetate)、埃克替尼(Icotinib)、伊馬替尼(Imatinib)、替伊莫單抗(Ibritumomab tiuxetan)、依魯替尼(Ibrutinib)、艾德昔布(Idelalisib)、異環磷醯胺(Ifosfamide)、英利昔單抗(Infliximab)、咪喹莫特(Imiquimod)、ImmuCyst 、Immuno BCG、伊尼帕利(Iniparib)、門冬胰島素(Insulin aspart)、胰島素地特胰島素(Insulin detemir)、甘精胰島素(Insulin glargine)、賴脯胰島素(Insulin lispro)、干擾素α、干擾素α-1b、干擾素α-2a、干擾素α-2b、干擾素β、干擾素β1a、干擾素β1b、干擾素γ-1a、拉帕替尼(Iapatinib)、伊匹單抗(Ipilimumab)、異丙托溴銨(Ipratropium bromide)、沙丁胺醇(salbutamol)、依薩唑米(Ixazomib)、卡努嗎(Kanuma)、乙酸蘭瑞肽(Lanreotide acetate)、來那度胺(Lenalidomide)、來那度胺(Lenaliomide)、甲磺酸侖伐替尼(Lenvatinib mesylate)、來曲唑(Letrozole)、左旋甲狀腺素(Levothyroxine)、左旋甲狀腺素(Levothyroxine)、利多卡因(Lidocaine)、利奈唑胺(Linezolid)、利拉魯肽(Liraglutide)、離胺酸安非他明(Lisdexamfetamine)、LN-144、羅拉替尼(Lorlatinib)、美金剛胺(Memantine)、哌醋甲酯(Methylphenidate)、美托洛爾(Metoprolol)、美凱尼(Mekinist)、梅利他濱(Mericitabine)、利匹韋林(Rilpivirine)、替諾福韋(Tenofovir)、莫達非尼(Modafinil)、莫米松(Mometasone)、米西達克(Mycidac-c)、萊西單抗(Necitumumab)、來那替尼(neratinib)、尼羅替尼(Nilotinib)、尼拉帕尼(Niraparib)、尼沃單抗(Nivolumab)、奧伐木單抗(Ofatumumab)、奧必珠單抗(Obinutuzumab)、奧拉帕尼(Olaparib)、奧美沙坦(Olmesartan)、奧美沙坦(Olmesartan)、氫氯噻嗪(hydrochlorothiazide)、奧馬珠單抗(Omalizumab)、Ω-3脂肪酸乙酯、安柯瑞(Oncorine)、奧司他韋(Oseltamivir)、奧希替尼(Osimertinib)、羥考酮(Oxycodone)、帕博西尼(Palbociclib)、帕利珠單抗(Palivizumab)、帕尼單抗(Panitumumab)、帕比司他(Panobinostat)、帕唑帕尼(Pazopanib)、帕博利珠單抗(Pembrolizumab)、PD-1抗體、PD-L1抗體、培美曲塞(Pemetrexed)、帕妥株單抗(Pertuzumab)、肺炎鏈球菌結合物疫苗、泊利度胺(Pomalidomide)、波齊奧替尼(Poziotinib)、普瑞巴林(Pregabalin)、普羅卡瓦(ProscaVax)、普萘洛爾(Propranolol)、喹硫平(Quetiapine)、雷貝拉唑(Rabeprazole)、氯化鐳223、雷洛昔芬(Raloxifene)、拉替拉韋(Raltegravir)、雷莫蘆單抗(Ramucirumab)、蘭尼單抗(Ranibizumab)、瑞戈非尼(Regorafenib)、利妥昔單抗(Rituximab)、利伐沙班(Rivaroxaban)、羅米地辛(Romidepsin)、羅素他汀(Rosuvastatin)、磷酸蘆可替尼(Ruxolitinib phosphate)、沙丁胺醇(Salbutamol)、薩沃替尼(Savolitinib)、索馬魯肽(Semaglutide)、司維拉姆(Sevelamer)、西地那非(Sildenafil)、司妥昔單抗(Siltuximab)、西普魯塞(Sipuleucel-T)、西格列汀(Sitagliptin)、西格列汀(Sitagliptin)、二甲雙胍(metformin)、索非那新(Solifenacin)、索拉珠單抗(Solanezumab)、索尼得吉(Sonidegib)、索拉非尼(Sorafenib)、舒尼替尼(Sunitinib)、他克莫司(Tacrolimus)、他克瑞莫(Tacrimus)、他達拉非(Tadalafil)、他莫昔芬(Tamoxifen)、塔芬拉(Tafinlar)、塔力拉赫(Talimogene laherparepvec)、拉唑帕尼(Talazoparib)、特拉匹韋(Telaprevir)、拉唑帕尼(Talazoparib)、替莫唑胺(Temozolomide)、替西羅莫司(Temsirolimus)、替諾福韋(Tenofovir)、恩曲他濱(emtricitabine)、反丁烯二酸替諾地索(Tenofovir disoproxil fumarate)、睪固酮凝膠、沙立度胺(Thalidomide)、TICE BCG、噻托溴銨(Tiotropium bromide)、替沙津魯(Tisagenlecleucel)、托瑞米芬(Toremifene)、曲美替尼(Trametinib)、曲妥珠單抗(Trastuzumab)、曲妥珠單抗德魯替康(Trastuzumab deruxtecan)、曲貝替定(Trabectedin)(依特那斯汀(ecteinascidin) 743)、曲美替尼(Trametinib)、曲美單抗(Tremelimumab)、曲氟尿苷(Trifluridine)、替普拉斯(tipiracil)、維甲酸(Tretinoin)、Uro-BCG、優特金單抗(Ustekinumab)、纈沙坦(Valsartan)、維利帕尼(Veliparib)、凡德他尼(Vandetanib)、維羅非尼(Vemurafenib)、維奈托克(Venetoclax)、伏立諾他(Vorinostat)、塞維-阿柏西普(Ziv-aflibercept)、卓斯他瓦(Zostavax)、衍生物、醫藥學上可接受之鹽、載劑、稀釋劑或賦形劑、或上述各者之組合。
一種如請求項9、10、12、20或21中任一項之抗體藥物結合物的用途，其係用於製備治療人類個體之醫學病症的藥劑，其中該醫學病症為漿細胞癌症或B淋巴球癌症。
一種如請求項9、10、12、20或21中任一項之抗體藥物結合物的用途，其係用於製備治療與表現B細胞成熟抗原(BCMA)之病原性B細胞之存在相關之醫學病症的藥劑，其中該與表現BCMA之病原性B細胞之存在相關之醫學病症為漿細胞癌症或B淋巴球癌症。
一種工件切削方法，包含：<br/> 以一驅動裝置結合一刀具，及藉由該驅動裝置帶動該刀具對一工件半成品進行切削作業，該刀具具有一旋轉軸心，該驅動裝置驅動該刀具以該旋轉軸心旋轉，該刀具在軸向上具有徑向分布的一切刃部，該驅動裝置驅動該刀具以30000～45000 rpm的轉速，以及20～50 mm/sec 的移動速率以該切刃部切削該工件半成品，該切刃部與該工件半成品接觸的部位的最大外徑每減少0.05～0.25 mm後，該刀具再相對於該工件半成品軸向位移0.5～4 mm，該刀具對該工件半成品的端緣進行切割，以使該工件半成品形成預定尺寸的輪廓。
如請求項1之工件切削方法，其中，該驅動裝置具有一噴射管件，該噴射管件的開口朝向該刀具切削該工件半成品的位置。
如請求項1之工件切削方法，其中，該工件半成品為一碳纖維板材，由該工件半成品上切削出數個預定輪廓的板體。
如請求項1之工件切削方法，其中，該工件半成品具有一待切削輪廓，該待切削輪廓與該工件半成品的端緣間隔至少2 mm。
一種仿真纖維肉，包括： <br/>一第一纖維，係一同軸型纖維，該同軸型纖維具有一裡層與一表層，其中該第一纖維包括一植物蛋白、一動物蛋白及一第一海藻酸鈉，該植物蛋白為大豆蛋白或碗豆蛋白，該動物蛋白為明膠，其中以該表層及該裡層各自的總重量為100重量百分比計，該植物蛋白的重量為50重量百分比至80重量百分比，且該動物蛋白的重量為50重量百分比至80重量百分比；以及 <br/>一第二纖維，包括一半纖維素及一第二海藻酸鈉，其中該半纖維素為葡甘露聚醣，且以該第二纖維的總重量為100重量百分比計，該半纖維素的重量為50重量百分比至75重量百分比。
如請求項1所述的仿真纖維肉，其中該明膠的重量平均分子量為30千道爾頓至120千道爾頓。
如請求項1所述的仿真纖維肉，其中該動物蛋白位於該裡層中。
如請求項1所述的仿真纖維肉，其中該動物蛋白位於該表層中。
如請求項1所述的仿真纖維肉，其中該植物蛋白位於該表層中。
如請求項1所述的仿真纖維肉，其中該第一海藻酸鈉位於該裡層及該表層中。
一種顯示器控制系統，包括：<br/> 一遙控裝置，用以發送一控制指令；及<br/> 一智慧型裝置，與該遙控裝置連結配對以接收該控制指令，其中該智慧型裝置用以依據該控制指令而對應地傳送一顯示器控制指令至一顯示器，以對應地調整該顯示器的一顯示器參數；<br/> 其中該智慧型裝置與該顯示器透過一高畫質多媒體介面(High Definition Multimedia Interface，HDMI)而相互連接，其中該智慧型裝置經由該高畫質多媒體介面及一顯示資料通道(Display Data Channel，DDC)且依從一顯示器控制指令集(Monitor Control Command Set，MCCS)標準來傳送該顯示器控制指令至該顯示器，<br/> 其中該顯示器控制指令不同於該智慧型裝置傳送至該顯示器之一影音資料。
如請求項1所述之顯示器控制系統，其中該智慧型裝置為具有連網功能的一數位視訊轉換盒(set-top box，STB)。
一種顯示器控制系統，包括：<br/> 一遙控裝置，用以發送一控制指令；及<br/> 一智慧型裝置，與該遙控裝置連結配對以接收該控制指令，其中該智慧型裝置包括：<br/> 一處理器，用以將該控制指令轉換成一顯示器控制指令，並將該顯示器控制指令傳送至一顯示器；<br/> 一影音輸出介面電路，用以輸出一影音資料至該顯示器，<br/> 其中該顯示器控制指令與該影音資料不同；及<br/> 一第一連接器，實體連接該顯示器的一第二連接器；<br/> 其中該顯示器控制指令用以使該顯示器的一螢幕設定選單電路對應地調整該顯示器的一顯示器參數，且使該顯示器的一混合電路根據該影音資料與經調整後的該顯示器參數來得到一混合後影音資料，以將該混合後影音資料對應地顯示於該顯示器的一顯示螢幕上。
如請求項3所述之顯示器控制系統，其中該智慧型裝置為具有連網功能的一數位視訊轉換盒。
如請求項3所述之顯示器控制系統，其中該第一連接器包括一高畫質多媒體介面，其中該智慧型裝置經由該高畫質多媒體介面及一顯示資料通道來傳送該顯示器控制指令至該顯示器。
如請求項5所述之顯示器控制系統，其中該智慧型裝置依從一顯示器控制指令集標準來傳送該顯示器控制指令至該顯示器。
一種智慧型裝置，包括：<br/> 一輸入/輸出介面控制器，用以自一遙控裝置接收一第一控制指令；<br/> 一處理器，用以將該第一控制指令轉換成一第一顯示器控制指令，並將該第一顯示器控制指令傳送至一顯示器，以對應地調整該顯示器的一顯示器參數，<br/> 其中該第一顯示器控制指令不同於該智慧型裝置傳送至該顯示器之一影音資料；及<br/> 一第一連接器，實體連接該顯示器的一第二連接器；<br/> 其中該智慧型裝置為具有連網功能的一數位視訊轉換盒。
如請求項7所述之智慧型裝置，其中該第一連接器包括一高畫質多媒體介面，其中該智慧型裝置經由該高畫質多媒體介面及一顯示資料通道且依從一顯示器控制指令集標準來傳送該第一顯示器控制指令至該顯示器。
如請求項7所述之智慧型裝置，更包括：<br/> 一網路介面控制器，用以自一外部網路接收一網路喚醒封包；<br/> 其中當該智慧型裝置處於一休眠模式且該網路介面控制器收到該網路喚醒封包時，該智慧型裝置從該休眠模式進入至一工作模式。
如請求項7所述之智慧型裝置，其中該輸入/輸出介面控制器更用以自該遙控裝置接收一第二控制指令，其中該處理器更用以將該第二控制指令轉換成一第二顯示器控制指令，並將該第二顯示器控制指令傳送至該顯示器，以將該顯示器的一顯示輸入源切換至源自該第二連接器或該顯示器的一第三連接器，<br/> 其中該第二顯示器控制指令不同於該智慧型裝置傳送至該顯示器之該影音資料。
一種提供資訊之方法，其係藉由電子裝置而進行者，其包括如下步驟： <br/>獲得用以執行與測試相關之一個以上之功能之目標腳本之資訊； <br/>自測試員接收對上述目標腳本之存取請求； <br/>向上述測試員提供與上述目標腳本相關之資訊； <br/>於自上述測試員接收包括上述目標腳本之執行請求之資訊之情形時，獲得與上述執行請求對應之識別資訊；及 <br/>提供與包含上述目標腳本之一個以上之腳本之執行相關之資訊； <br/>其中與上述一個以上之腳本之執行相關之上述資訊包括 (i) 指示上述一個以上之腳本之執行成功與否之資訊 (ii) 與上述一個以上之腳本之執行對應之識別資訊及 (iii) 請求上述一個以上之腳本之執行之至少一用戶。
如請求項1之提供資訊之方法，其中向上述測試員提供與上述目標腳本相關之資訊之步驟包括如下步驟： <br/>向上述測試員提供與上述一個以上之功能之提供相關之介面。
如請求項2之提供資訊之方法，其中上述介面包括用於上述目標腳本之執行之一個以上之參數之輸入功能。
如請求項3之提供資訊之方法，其中包括上述執行請求之資訊包括與上述一個以上之參數對應之上述測試員之輸入。
如請求項4之提供資訊之方法，其中上述測試員之輸入包括與上述目標腳本之執行相關之主體之識別資訊， <br/>上述電子裝置基於與上述目標腳本之執行相關之主體之識別資訊來處理後續之腳本執行請求。
如請求項1之提供資訊之方法，其中與上述一個以上之腳本之執行相關之上述資訊進一步包括與上述一個以上之腳本之執行相關之時間段資訊。
如請求項6之提供資訊之方法，其中與上述一個以上之腳本之執行相關之資訊進而包括用以利用與上述一個以上之腳本之執行相關之外部服務之識別資訊。
如請求項6之提供資訊之方法，其進而包括如下步驟： <br/>請求於伺服器中儲存包括上述目標腳本之執行請求之資訊、及與上述一個以上之腳本之執行相關之資訊中之至少一者。
如請求項1之提供資訊之方法，其進而包括如下步驟： <br/>判斷上述測試員是否有存取上述目標腳本之權限； <br/>僅限於上述測試員有存取上述目標腳本之權限之情形時，上述電子裝置獲得與上述執行請求對應之識別資訊。
如請求項1之提供資訊之方法，其中接收對上述目標腳本之存取請求之步驟包括如下步驟： <br/>提供包括複數個腳本之目錄之資訊；及 <br/>接收上述測試員之輸入，該輸入係與上述複數個腳本之目錄中包括之特定腳本之資訊對應。
如請求項1之提供資訊之方法，其中於自上述測試員接收對複數個腳本之存取請求之情形時， <br/>向上述測試員提供與上述目標腳本相關之資訊之步驟包括如下步驟： <br/>向上述測試員提供與上述複數個腳本中之至少一部分之組合相關聯之整合功能。
如請求項1之提供資訊之方法，其中向上述測試員提供與上述目標腳本相關之資訊之步驟包括如下步驟： <br/>向上述測試員提供上述目標腳本中包括之複數個代碼中之至少一部分。
如請求項12之提供資訊之方法，其中向上述測試員提供與上述目標腳本相關之資訊之步驟進而包括如下步驟： <br/>向上述測試員提供用以變更上述目標腳本中包括之複數個代碼中之至少一部分內容的介面。
如請求項12之提供資訊之方法，其中向上述測試員提供與上述目標腳本相關之資訊之步驟進而包括如下步驟： <br/>向上述測試員提供用以變更上述目標腳本中包括之複數個代碼之代碼類型之介面。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有用以於電腦中執行請求項1之方法之程式。
一種電子裝置，其係提供資訊者，其包括收發器、儲存命令之記憶體及處理器， <br/>上述處理器與上述收發器及上述記憶體連接， <br/>獲得用以執行與測試相關之一個以上之功能之目標腳本之資訊， <br/>自測試員接收對上述目標腳本之存取請求， <br/>向上述測試員提供與上述目標腳本相關之資訊， <br/>於自上述測試員接收包括上述目標腳本之執行請求之資訊之情形時，獲得與上述執行請求對應之識別資訊，及 <br/>提供與包含上述目標腳本之一個以上之腳本之執行相關之資訊， <br/>其中與上述一個以上之腳本之執行相關之上述資訊包括 (i) 指示上述一個以上之腳本之執行成功與否之資訊 (ii) 與上述一個以上之腳本之執行對應之識別資訊及 (iii) 請求上述一個以上之腳本之執行之至少一用戶。
一種螢光體，係以通式M<sub>x</sub>(Si,Al)<sub>2</sub>(N,O)<sub>3±y</sub>表示且M的一部分被Ce元素取代，惟，M係Li及一種以上之鹼土類金屬元素，0.52≦x≦0.90，0≦y≦0.36，<br/> M之2mol%以上5mol%以下為Ce，<br/> 按照下列程序進行測定之加熱冷卻前後的螢光強度變化率為3.9%以下，<br/> 程序：<br/> 將該螢光體填充至石英製培養皿，並設置於能夠測定激發光照射及該螢光體的發光強度的顯微鏡用冷卻加熱台，<br/> 首先於大氣中，於30℃保持5分鐘後，照射波長455nm之激發光，並測定該螢光體的積分發光強度，其後，以100℃/分進行昇溫，於300℃保持10分鐘，測定發光強度，關閉加熱，冷卻至30℃，保持15分鐘後，再次測定發光強度，<br/> 令加熱冷卻前於30℃測定的最初的積分發光強度為100%，且令加熱冷卻後於30℃測定的發光強度(%)為EI<sub>30</sub>時，藉由式(100%-EI<sub>30</sub>)算出加熱冷卻前後的螢光強度變化率。
如請求項1之螢光體，其中，令按照該程序測定的加熱後冷卻前於300℃測定時的該螢光體的發光強度(%)為螢光強度維持率時，於300℃的該螢光強度維持率為69.0%以上。
如請求項1或2之螢光體，其中，在500~850nm之波長範圍測定該螢光體的擴散反射率頻譜時，對於波長700nm之光的擴散反射率X1與對於照射455nm之激發光時的螢光峰波長之光的擴散反射率X2之差值X1-X2，為3.0%以下。
如請求項1或2之螢光體，其中，對於照射455nm之激發光時的螢光峰波長之光的擴散反射率X2為88%以上97%以下。
如請求項1或2之螢光體，其中，照射455nm之激發光時的螢光峰的波長為580nm以上610nm以下。
如請求項1或2之螢光體，其中，照射455nm之激發光時的螢光峰的半高寬為130nm以上142nm以下。
如請求項1或2之螢光體，其中，對於455nm之激發光的外部量子效率為70%以上。
如請求項1或2之螢光體，其中，對於455nm之激發光的內部量子效率為80%以上。
一種發光裝置，具備如請求項1或2之螢光體及發光光源。
一種如請求項1至8中任一項之螢光體之製造方法，包含：<br/> 退火處理步驟，在還原性氣體環境下，於700~1200℃之溫度實施退火處理。
一種固晶接合結構，包括：一載板；一燒結層，位於該載板上；一奈米孿晶層，位於該燒結層上，其中該燒結層用以避免該奈孿晶層與該載板之間的界面破裂，其中該奈米孿晶層的一表面具有密度80%以上的[111]結晶方位，其中該奈米孿晶層具有一平行排列孿晶界，該平行排列孿晶界包括40%以上的[111]結晶方位，且該平行排列孿晶界的間距為10至100奈米；一黏著層，位於該奈米孿晶層上；以及一晶片，位於該黏著層上。
如請求項1所述之固晶接合結構，其中該載板包括：一金屬散熱片、表面被覆銅電路層及一保護層的印刷電路板、或表面被覆銅電路層及該保護層的一陶瓷基板。
如請求項2所述之固晶接合結構，其中該保護層包括：有機可焊性保護層(OSP)、或一金屬薄膜。
如請求項3所述之固晶接合結構，其中該金屬薄膜包括：Ni、Ni/Pd、Ni/Au、或Ni/Pd/Au。
如請求項2所述之固晶接合結構，其中該陶瓷基板包含：氧化鋁(Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)、氮化鋁(AlN)、或氮化矽(Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>)。
如請求項2所述之固晶接合結構，其中該金屬散熱片包括：鋁或銅。
如請求項1所述之固晶接合結構，其中該燒結層包含：銀、銅、或銀銅複合物。
如請求項1所述之固晶接合結構，其中該奈米孿晶層包括：銀、銅、或銀銅合金。
如請求項1所述之固晶接合結構，其中該奈米孿晶層的厚度為0.1至100微米。
如請求項1所述之固晶接合結構，其中該黏著層包括：鈦、鋁鈦、鉻、或鈦鎢。
如請求項1所述之固晶接合結構，其中該黏著層的厚度為0.01微米至0.5微米。
如請求項1所述之固晶接合結構，其中該晶片為功率積體電路(IC)晶片、或發光二極體晶片。
如請求項1所述之固晶接合結構，其中該晶片包括下述材料之單晶：矽(Si)、鍺(Ge)、碳化矽(SiC)、藍寶石(Sapphire)、砷化鎵(GaAs)、或氮化鎵(GaN)。
如請求項1至13中任一項所述之固晶接合結構，其中該黏著層與該奈米孿晶層直接接觸。
一種固晶接合結構的形成方法，包括：提供一晶片；形成一黏著層於該晶片上；形成一奈米孿晶層於該黏著層上，其中該奈米孿晶層的一表面具有密度80%以上的[111]結晶方位，其中該奈米孿晶層具有一平行排列孿晶界，該平行排列孿晶界包括40%以上的[111]結晶方位，且該平行排列孿晶界的間距為10至100奈米；以及執行一接合製程，將該奈米孿晶層通過一燒結層接合至一載板，其中該燒結層用以避免該奈孿晶層與該載板之間的界面破裂。
如請求項15所述之固晶接合結構的形成方法，其中執行該接合製程包括：先設置一燒結材料於該載板上；以及使該奈米孿晶層與該燒結材料貼合，並加熱該燒結材料以形成該燒結層。
如請求項15所述之固晶接合結構的形成方法，其中執行該接合製程包括：先設置一燒結材料於該奈米孿晶層上；以及使該載板與該燒結材料貼合，並加熱該燒結材料以形成該燒結層。
如請求項16或17中所述之固晶接合結構的形成方法，其中該燒結材料為銀膏、銅膏或表面覆蓋銀的銅膏。
如請求項15所述之固晶接合結構的形成方法，其中該接合製程在5MPa至30MPa的壓力以及100℃至350℃的溫度下執行。
如請求項15所述之固晶接合結構的形成方法，其中該黏著層以及該奈米孿晶層各自利用濺鍍、蒸鍍或電鍍形成。
如請求項15所述之固晶接合結構的形成方法，其中該接合製程在真空、保護性氣氛或大氣下執行。
一種半導體裝置，包含：<br/>一矽材料的一層； <br/>在該矽材料的該層內的一近紅外光電二極體，包含： <br/>一第一磊晶材料； <br/>在該矽材料的該層內的一近紅外發光二極體，包含： <br/>一第二磊晶材料； <br/>在該近紅外光電二極體與該近紅外發光二極體之間的一深溝槽隔離結構；及 <br/>金屬化層，其中該深溝槽隔離結構以及金屬化層共同作為圍繞該近紅外光電二極體的密封環結構，防止源自該近紅外發光二極體的近紅外光進入該近紅外光電二極體。
如請求項1所述的半導體裝置，其中該第一磊晶材料與該第二磊晶材料為一相同的選擇性生長的磊晶材料。
如請求項1所述的半導體裝置，其中該第一磊晶材料還包含或該第二磊晶材料包含：<br/>一III型週期元素，或 <br/>一V型週期元素。
如請求項1所述的半導體裝置，進一步包含：<br/>在該層下方的互連結構。
一種半導體裝置，包含：<br/>一半導體材料的一層； <br/>多個像素結構的一陣列，包含： <br/>多個可見光光電二極體的一陣列，在該半導體材料的該層內；及 <br/>多個近紅外光電二極體的一陣列，包含一選擇性生長的磊晶材料且穿插於該些可見光光電二極體的該陣列中； <br/>多個近紅外發光二極體，包含該選擇性生長的磊晶材料，且該選擇性生長的磊晶材料分散於該半導體裝置的一周邊附近並沿該周邊分散；及 <br/>一密封環結構，圍繞該近紅外光電二極體，防止源自該些近紅外發光二極體的近紅外光進入該些近紅外光電二極體，該密封環結構包含深溝槽隔離結構以及金屬化層，其中該深溝槽隔離結構在該些近紅外發光二極體與該些近紅外光電二極體的該陣列之間。
如請求項5所述的半導體裝置，其中該半導體材料的該層包含一矽材料，且其中該矽材料的該層內的該些可見光光電二極體的該陣列包含：<br/>該矽材料摻雜有多個離子以形成一p-n接面或一p-i-n接面。
如請求項5所述的半導體裝置，進一步包含：<br/>在該半導體材料的該層之下的一或多個介電層；及 <br/>與該或該些介電層穿插的一或多個導電結構。
一種形成半導體裝置的方法，包含：<br/>在一半導體裝置的一介電區上形成一半導體材料的一層； <br/>在該半導體材料的該層中形成一第一空腔； <br/>在該半導體材料的該層中相鄰於該第一空腔處形成一第二空腔； <br/>經由在該第一空腔中選擇性地生長一第一磊晶材料，在該第一空腔中形成一近紅外發光二極體； <br/>經由在該第二空腔中選擇性地生長一第二磊晶材料，在該第二空腔中形成一近紅外光電二極體；及 <br/>形成圍繞該近紅外光電二極體的密封環結構，其中該密封環結構防止源自該近紅外發光二極體的近紅外光進入該近紅外光電二極體，該密封環結構包含深溝槽隔離結構以及金屬化層，並且該深溝槽隔離結構在該近紅外發光二極體與該近紅外光電二極體之間。
如請求項8所述的方法，其中經由在該第一空腔中選擇性地生長該第一磊晶材料，在該第一空腔中形成該近紅外發光二極體包含：<br/>在該第一空腔中選擇性地生長一矽鍺材料的n型層； <br/>在該第一空腔中的該矽鍺材料的n型層上方選擇性地生長一矽鍺材料的本質層；及 <br/>在該第一空腔中的該矽鍺材料的本質層上方選擇性地生長一矽鍺材料的p型層。
如請求項8所述的方法，其中經由在該第二空腔中選擇性地生長該第二磊晶材料，在該第二空腔中形成該近紅外光電二極體包含：<br/>在該第二空腔中選擇性地生長一矽鍺材料的n型層； <br/>在該第二空腔中的該矽鍺材料的n型層上方選擇性地生長一矽鍺材料的本質層；及 <br/>在該第二空腔中的該矽鍺材料的本質層上方選擇性地生長一矽鍺材料的p型層。
一種焊接方法，其包含：<br/>在待接合的二或更多個工件之間提供一焊料膏，該焊料膏包含分散於一膏熔劑中的焊料粒子；及 <br/>使該焊料膏經歷一溫度曲線以使該等焊料粒子再流動且在該二或更多個工件之間形成一焊料接點，其中： <br/>該膏熔劑包含溶劑及活化劑；<br/>該活化劑包含一或多種第一有機酸及一或多種第二有機酸； <br/>該一或多種第一有機酸係選自由苯甲酸、甲酸、甲基琥珀酸、2-羥基-3-甲基丁酸、琥珀酸、丙酮酸、及環氧丙酸所組成之群組； <br/>該一或多種第二有機酸選自由己二酸、戊二酸、二甲基戊二酸、辛二酸、三甲基乙酸、癸二酸、壬二酸、月桂酸、肉豆蔻酸、及棕櫚酸所組成之群組；<br/>該活化劑包含70至90 wt.%的一或多種第一有機酸及10至30 wt.%的一或多種第二有機酸；及<br/>溫度曲線中之最高溫度小於或等於260℃。
如請求項1之焊接方法，其中當使該膏熔劑根據ASTM E1131-20之熱重分析時，在該焊料之固相線溫度至該溫度曲線中之最高溫度的範圍內發生的重量損失不多於25%。
如請求項2之焊接方法，其中當使該膏熔劑根據ASTM E1131-20之熱重分析時，在該焊料之固相線溫度至該溫度曲線中之最高溫度的範圍內發生的重量損失不多於20%。
如請求項1至3中任一項之焊接方法，其中該膏熔劑包含一或多種溶劑。
如請求項4之焊接方法，其中該一或多種溶劑具有小於280℃之沸點。
如請求項4之焊接方法，其中該一或多種溶劑包含一或多種二醇醚。
如請求項6之焊接方法，其中該二醇醚之羥基中之一或兩者係經烷基取代。
如請求項4之焊接方法，其中該一或多種溶劑係選自由以下所組成之群組：乙二醇丁醚、二丙二醇甲醚、丁基卡必醇乙酸酯、乙二醇丁醚乙酸酯、二丁基卡必醇、三丙二醇丁醚、及己基卡必醇。
如請求項1至3中任一項之焊接方法，其中該膏熔劑包含一或多種松香，當該一或多種松香根據ASTM E1131-20之熱重分析時，在達該溫度曲線之最高溫度時展現小於25%的總重量損失。
如請求項1至3中任一項之焊接方法，其中該膏熔劑包含一或多種流變改質劑。
如請求項10之焊接方法，其中該流變改質劑包含基於醯胺之流變改質劑及/或基於蓖麻油之流變改質劑。
如請求項1至3中任一項之焊接方法，其中該膏熔劑包含：<br/>一或多種聚合物；及/或 <br/>一或多種腐蝕抑制劑；及/或<br/>一或多種分散劑；及/或<br/>一或多種消泡劑。
如請求項1至3中任一項之焊接方法，其中以該膏熔劑之總重量計，該膏熔劑包含： <br/>1至15 wt.%的活化劑；及/或 <br/>20至40 wt.%的溶劑；及/或 <br/>20至30 wt.%的松香；及/或 <br/>1至6 wt.%的流變改質劑；及/或 <br/>1至15 wt.%的聚合物；及/或 <br/>1至5 wt.%的腐蝕抑制劑 <br/>1至15 wt.%的分散劑；及/或 <br/>1至5 wt.%的消泡劑。
如請求項1至3中任一項之焊接方法，其中以該焊料膏之總重量計，該焊料膏包含：<br/>85至90 wt.%的焊料粒子；及 <br/>10至15 wt.%的膏熔劑。
如請求項1至3中任一項之焊接方法，其中該溫度曲線中之最高溫度200至250℃。
如請求項1至3中任一項之焊接方法，其中該二或更多個工件中之一者包含微導線架(MLF)及/或四方平面無鉛(QFN)封裝。
如請求項1至3中任一項之焊接方法，其中該等焊料粒子具有210℃至260℃之液相線溫度。
如請求項1至3中任一項之焊接方法，其中該等焊料粒子包含合金，該合金包含2.5至3.5 wt.%的銀、0.3至0.7 wt.%的銅、及其餘係錫與任何不可避免的雜質。
如請求項1至3中任一項之焊接方法，其中該等焊料粒子包含無鉛焊料合金，其包含： <br/>2.5至5 wt.%的銀； <br/>0.01至5 wt.%的鉍； <br/>0.01至2 wt.%的銅； <br/>0.001至0.5 wt.%的鎳； <br/>下列中之一或多者： <br/>至多7 wt.%的銻、 <br/>至多6 wt.%的銦、 <br/>至多0.5 wt.%的鈦、 <br/>至多0.5 wt.%的鍺、 <br/>至多0.5 wt.%的稀土元素、<br/>至多0.5 wt.%的鈷、 <br/>至多5.0 wt.%的鋁、 <br/>至多5.0 wt.%的矽、 <br/>至多0.5 wt.%的錳、 <br/>至多0.5 wt.%的鉻、 <br/>至多0.5 wt.%的鐵、 <br/>至多0.5 wt.%的磷、 <br/>至多0.5 wt.%的金、 <br/>至多1 wt.%的鎵、<br/>至多0.5 wt.%的碲、 <br/>至多0.5 wt.%的硒、 <br/>至多0.5 wt.%的鈣、 <br/>至多0.5 wt.%的釩、 <br/>至多0.5 wt.%的鉬、 <br/>至多0.5 wt.%的鉑、及 <br/>至多0.5 wt.%的鎂；<br/>及其餘係錫與任何不可避免的雜質。
如請求項19之焊接方法，其中該焊料合金包含2.8至4.5 wt.%的銀。
如請求項19之焊接方法，其中該焊料合金包含1.0至4.0 wt.%的鉍。
如請求項19之焊接方法，其中該焊料合金包含0.3至1.2 wt.%的銅。
如請求項19之焊接方法，其中該焊料合金包含0.001至0.4 wt.%的鎳。
如請求項19之焊接方法，其中該焊料合金包含：<br/>1至7 wt.%的銻；及/或 <br/>0.001至6 wt.%的銦；及/或 <br/>0.01至0.5 wt.%的鈦；及/或 <br/>0.01至0.5 wt.%的鍺；及/或 <br/>0.001至0.5 wt.%的稀土元素；及/或 <br/>0.001至0.5 wt.%的鈷；及/或 <br/>0.001至5 wt.%的鋁；及/或 <br/>0.001至5 wt.%的矽；及/或 <br/>0.001至0.5 wt.%的鉻；及/或 <br/>0.001至0.5 wt.%的錳；及/或 <br/>0.01至0.5 wt.%的鐵；及/或 <br/>0.001至0.5 wt.%的磷；及/或 <br/>0.001至0.5 wt.%的金；及/或 <br/>0.01至0.9 wt.%的鎵；及/或 <br/>0.001至0.5 wt.%的碲；及/或 <br/>0.001至0.5 wt.%的硒；及/或 <br/>0.001至0.5 wt.%的鈣；及/或 <br/>0.001至0.5 wt.%的釩；及/或 <br/>0.001至0.5 wt.%的鉬；及/或 <br/>0.001至0.5 wt.%的鉑；及/或 <br/>0.001至0.5 wt.%的鎂。
如請求項19之焊接方法，其中該焊料合金包含下列中之一者：鈦、鍺、銦、錳、稀土元素、鈷、鋁、矽、鉻、鐵、磷、金、鎵、碲、硒、鈣、釩、鉬、鉑、及鎂。
如請求項19之焊接方法，其中該焊料合金包含至少70 wt.%的錫。
如請求項19之焊接方法，其中在焊料合金中，銻之wt.%大於鉍之wt.%。
如請求項19之焊接方法，其中該焊料合金包含3.5至3.9 wt.%的銀、2.7至3.2 wt.%的鉍、0.5至0.8的銅、0.008至0.02 wt.%的鎳、0.002至0.01 wt.%的鈦、及其餘係錫與任何不可避免的雜質。
如請求項19之焊接方法，其中該焊料合金包含2.6至3.2 wt.%的銀、2.9至3.3 wt.%的鉍、1.9至2.3 wt.%的銻、0.5至0.9 wt.%的銅、0.1至0.3 wt.%的鎳、2.9至3.5 wt.%的銦、及其餘係錫與任何不可避免的雜質。
如請求項19之焊接方法，其中該焊料合金包含3.5至4 wt.%的銀、2.8至3.2 wt.%的鉍、1至2 wt.%的銻、0.5至0.8 wt.%的銅、0.08至0.2 wt.%的鎳、及其餘係錫與任何不可避免的雜質。
如請求項19之焊接方法，其中該焊料合金包含2.8至3.2 wt.%的銀、2.8至3.2 wt.%的鉍、5至7 wt.%的銻、0.3至0.7 wt.%的銅、0.09至0.2 wt.%的鎳、0.002至0.01 wt.%的鈦、及其餘係錫與任何不可避免的雜質。
如請求項19之焊接方法，其中該焊料合金包含3.1至3.6 wt.%的銀、3.3至3.8 wt.%的鉍、0.5至0.8 wt.%的銅、3.3至3.8 wt.%的銻、0.025至0.07 wt.%的鎳、0.03至0.07 wt.%的鈷、及其餘係錫與任何不可避免的雜質。
如請求項19之焊接方法，其中該焊料合金包含3.3至3.7 wt.%的銀、3.5至3.9 wt.%的鉍、0.3至0.7 wt.%的銅、3.2至3.6 wt.%的銦、5.8至6.2 wt.%的銻、0.04至0.08 wt.%的鎳、0.003至0.007 wt.%的釹、及其餘係錫與任何不可避免的雜質。
如請求項19之焊接方法，其中該焊料合金包含3.3至3.7 wt.%的銀、2.8至3.2 wt.%的鉍、0.5至0.8 wt.%的銅、3.8至4.2 wt.%的銻、0.03至0.07 wt.%的鎳、0.003至0.007 wt.%的鍺、0.01至0.04 wt.%的矽、及其餘係錫與任何不可避免的雜質。
如請求項1至3中任一項之焊接方法，其中：<br/>當使該膏熔劑根據ASTM E1131-20之熱重分析時，在該焊料之固相線溫度至該溫度曲線中之最高溫度的範圍內發生的重量損失不多於25%； <br/>該焊料膏包含85至90 wt.%的焊料粒子及10至15 wt.%的膏熔劑； <br/>以該膏熔劑之總重量計，該膏熔劑包含1至15 wt.%的活化劑、20至40 wt.%的溶劑、20至30 wt.%的松香及可選地1至6 wt.%的流變改質劑、及/或1至15 wt.%的聚合物、及/或1至5 wt.%的腐蝕抑制劑、及/或1至15 wt.%的分散劑、及/或1至5 wt.%的消泡劑； <br/>以該活化劑之總重量計，該活化劑包含70至90 wt.%的一或多種第一有機酸及10至30 wt.%的一或多種第二有機酸，該一或多種第一有機酸具有小於或等於4.2之pKa，且當根據ASTM E1131-20之熱重分析時，在達該焊料之固相線溫度時展現大於80%的總重量損失，該一或多種第二有機酸具有大於4.2之pKa，且當根據ASTM E1131-20之熱重分析時，在達該溫度曲線之最高溫度時展現小於20%的總重量損失；及 <br/>該等焊料粒子包含無鉛焊料合金，其包含：2.5至5 wt.%的銀、0.01至5 wt.%的鉍、0.01至2 wt.%的銅、0.01至0.5 wt.%的鎳、下列中之一或多者：至多7 wt.%的銻、至多6 wt.%的銦、至多0.5 wt.%的鈦、至多0.5 wt.%的鍺、至多0.5 wt.%的稀土元素、至多0.5 wt.%的鈷、至多5.0 wt.%的鋁、至多5.0 wt.%的矽、至多0.5 wt.%的錳、至多0.5 wt.%的鉻、至多0.5 wt.%的鐵、至多0.5 wt.%的磷、至多0.5 wt.%的金、至多1 wt.%的鎵、至多0.5 wt.%的碲、至多0.5 wt.%的硒、至多0.5 wt.%的鈣、至多0.5 wt.%的釩、至多0.5 wt.%的鉬、至多0.5 wt.%的鉑、及至多0.5 wt.%的鎂、及其餘係錫與任何不可避免的雜質。
一種焊料膏，其包含分散於一膏熔劑中之焊料粒子其中，當使該膏熔劑根據ASTM E1131-20之熱重分析時，在該焊料之固相線溫度至比該焊料之固相線溫度高30℃之溫度的範圍內發生的重量損失不多於25%，其中：<br/>該膏熔劑包含溶劑及活化劑；<br/>該活化劑包含一或多種第一有機酸及一或多種第二有機酸； <br/>該一或多種第一有機酸係選自由苯甲酸、甲酸、甲基琥珀酸、2-羥基-3-甲基丁酸、琥珀酸、丙酮酸、及環氧丙酸所組成之群組； <br/>該一或多種第二有機酸選自由己二酸、戊二酸、二甲基戊二酸、辛二酸、三甲基乙酸、癸二酸、壬二酸、月桂酸、肉豆蔻酸、及棕櫚酸所組成之群組；及<br/>該活化劑包含70至90 wt.%的一或多種第一有機酸及10至30 wt.%的一或多種第二有機酸。
如請求項36之焊料膏，其中該等焊料粒子包含 <br/>無鉛焊料合金，其包含： <br/>2.5至5 wt.%的銀； <br/>0.01至5 wt.%的鉍； <br/>0.01至2 wt.%的銅； <br/>0.01至0.5 wt.%的鎳； <br/>下列中之一或多者： <br/>至多7 wt.%的銻； <br/>至多6 wt.%的銦、 <br/>至多0.5 wt.%的鈦、 <br/>至多0.5 wt.%的鍺、 <br/>至多0.5 wt.%的稀土元素、<br/>至多0.5 wt.%的鈷、 <br/>至多5.0 wt.%的鋁、 <br/>至多5.0 wt.%的矽、 <br/>至多0.5 wt.%的錳、 <br/>至多0.5 wt.%的鉻、 <br/>至多0.5 wt.%的鐵、 <br/>至多0.5 wt.%的磷、 <br/>至多0.5 wt.%的金、 <br/>至多1 wt.%的鎵、<br/>至多0.5 wt.%的碲、 <br/>至多0.5 wt.%的硒、 <br/>至多0.5 wt.%的鈣、 <br/>至多0.5 wt.%的釩、 <br/>至多0.5 wt.%的鉬、 <br/>至多0.5 wt.%的鉑、及 <br/>至多0.5 wt.%的鎂；<br/>及其餘係錫與任何不可避免的雜質。
一種膏熔劑，其中當使該膏熔劑根據ASTM E1131-20之熱重分析時，在220至245℃的範圍內發生的重量損失不多於25%，其中：<br/>該膏熔劑包含溶劑及活化劑；<br/>該活化劑包含一或多種第一有機酸及一或多種第二有機酸； <br/>該一或多種第一有機酸係選自由苯甲酸、甲酸、甲基琥珀酸、2-羥基-3-甲基丁酸、琥珀酸、丙酮酸、及環氧丙酸所組成之群組； <br/>該一或多種第二有機酸選自由己二酸、戊二酸、二甲基戊二酸、辛二酸、三甲基乙酸、癸二酸、壬二酸、月桂酸、肉豆蔻酸、及棕櫚酸所組成之群組；及<br/>該活化劑包含70至90 wt.%的一或多種第一有機酸及10至30 wt.%的一或多種第二有機酸。
一種半導體元件形成方法，包括:接受工件包括：鰭狀結構包括通道區和鄰近所述通道區的源極/汲極區，其中所述鰭狀結構包括基底之上的第一半導體堆疊和所述第一半導體之上的第二半導體堆疊，以及閘疊層，於所述通道區之上；凹陷化所述源極/汲極區形成源極/汲極溝渠；在所述源極/汲極溝渠中形成第一源極/汲極特徵並耦合到所述第一半導體堆疊；在所述第一源極/汲極特徵上沉積第一接點蝕刻停止層(CESL)和第一層間介電層(ILD)；在所述工件上沉積絕緣層，所述絕緣層包括在所述第一層間介電層上的水平部分以及沿著所述第二半導體堆疊的側壁表面延伸的垂直部分，其中所述水平部分的厚度大於所述垂直部分的厚度；移除所述絕緣層的所述垂直部分；在所述絕緣層的所述水平部分上形成第二源極/汲極特徵；以及沉積第二接點蝕刻停止層和第二層間介電層於所述第二源極/汲極特徵上。
如請求項1所述的半導體元件形成方法，其中在所述工件上沉積所述絕緣層更形成直接在所述閘疊層上方的頂部部分，且所述頂部部分的厚度大於所述垂直部分的所述厚度。
如請求項1所述的半導體元件形成方法，其中所述第一半導體堆疊包括由第一多個犧牲層交錯的第一多個通道層，並且所述第二半導體堆疊包括由第二多個犧牲層交錯的第二多個通道層，並且所述方法還包括：凹陷化所述源極/汲極區形成所述源極/汲極溝渠後，再進行第三蝕刻製程，選擇性地凹陷化所述第一多個犧牲層和所述第二多個犧牲層分別形成第一多個內間隙物凹陷和第二多個內間隙物凹陷；形成第一多個內間隙物特徵於所述第一多個內間隙物凹陷中與形成第二多個內間隙物特徵於所述第二多個內間隙物凹陷中；沉積所述第二接點蝕刻停止層和所述第二層間介電層後，選擇性移除所述閘疊層；選擇性地移除所述第一多個犧牲層和所述第二多個犧牲層；以及形成閘極結構於所述工件上。
如請求項3所述的半導體元件形成方法，其中所述鰭狀結構更包括矽鍺層設置在所述第一半導體堆疊和所述第二半導體堆疊之間，並且所述第三蝕刻製程的所述進行進一步移除所述矽鍺層以形成空間，其中，形成所述第一多個內間隙物特徵和所述第二多個內間隙物特徵，更在所述空間中形成介電層。
如請求項1所述的半導體元件形成方法，更包括：在移除所述絕緣層的所述垂直部分之後和在所述絕緣層的所述水平部分上形成所述第二源極/汲極特徵之前，進行蝕刻製程來預清洗所述工件，其中所述蝕刻製程實質上沒有蝕刻所述絕緣層的所述水平部分。
一種半導體元件形成方法，包括：在底部磊晶源極/汲極特徵上沉積接點蝕刻停止層(CESL)和層間介電(ILD)層，其中所述底部磊晶源極/汲極特徵形成在源極/汲極溝渠的底部部分中；回蝕所述CESL和所述ILD層暴露所述源極/汲極溝渠的頂部部分；進行電漿增強原子層沉積製程(PEALD)以在所述源極/汲極溝渠上形成絕緣層，其中所述絕緣層包括非均勻沉積厚度並且包括直接接觸所述ILD層的第一部分和沿著所述源極/汲極溝渠的所述頂部部分的側壁表面延伸的第二部分；移除所述絕緣層的所述第二部分；以及在所述絕緣層的所述第二部分上和所述源極/汲極溝渠的所述頂部部分中形成頂部磊晶源極/汲極特徵。
如請求項6所述的半導體元件形成方法，其中在所述PEALD期間，所述源極/汲極溝渠的所述頂部部分的底表面接受第一電漿劑量，所述源極/汲極溝渠的所述頂部部分的所述側壁表面接受第二電漿劑量，所述第二電漿劑量小於所述第一電漿劑量。
如請求項6所述的半導體元件形成方法，其中所述絕緣層的所述第一部分的膜品質優於所述絕緣層的所述第二部分的膜品質。
一種半導體元件，包括：基底；設置於所述基底之上的下部源極/汲極特徵；第一多個奈米結構，耦合至所述下部源極/汲極特徵；第一閘極結構，纏繞所述第一多個奈米結構中的每一個；於所述下部源極/汲極特徵之上的接點蝕刻停止層(CESL)和層間介電(ILD)層；絕緣層，於所述CESL和所述ILD層之上且直接接觸所述CESL和所述ILD層，其中所述絕緣層的氮濃度對矽濃度比例大於所述CESL的氮濃度對矽濃度比例；於所述絕緣層之上的上部源極/汲極特徵；第二多個奈米結構，耦合至所述上部源極/汲極特徵；以及第二閘極結構，環繞所述第二多個奈米結構中的每一個。
如請求項9所述的半導體元件，其中所述第一閘極結構和所述第二閘極結構透過介電層彼此垂直間隔開來。
一種醫藥組合物，其含有式(I)之化合物或其鹽及一種以上製藥學上容許之賦形劑，<figure><img align="absmiddle" height="183px" width="347px" file="d10006.TIF" alt="化學式ed10006.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10006.png"/></figure>(式中，R<sup>1</sup>為下述式(i-a)、(ii-a)或(iii-a)，<figure><img align="absmiddle" height="127px" width="406px" file="d10007.TIF" alt="化學式ed10007.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10007.png"/></figure>R<sup>2</sup>為CF<sub>3</sub>，R<sup>3</sup>為可經選自由C<sub>1-6</sub>烷基及鹵素所組成之群中之基取代之苯基，R<sup>4</sup>為H或F，L為O，R<sup>a</sup>為H或甲基，R<sup>b</sup>為H或甲基，R<sup>c</sup>為H，R<sup>d</sup>為-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>OH或-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>O-CH<sub>3</sub>)。
如請求項1之醫藥組合物，其中化合物選自由如下化合物所組成之群：N-{2-[(3S)-3-(胺基甲基)哌啶-1-基]-4-苯氧基-3-(三氟甲基)苯基}-2-(嗒<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10015.TIF" alt="其他非圖式ed10015.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10015.png"/>-4-基)-1,3-噻唑-4-甲醯胺、N-{2-[(3S)-3-(胺基甲基)哌啶-1-基]-4-(3-氟苯氧基)-3-(三氟甲基)苯基}-2-(嗒<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10016.TIF" alt="其他非圖式ed10016.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10016.png"/>-4-基)-1,3-噻唑-4-甲醯胺、N-{2-[9-(2-甲氧基乙基)-1-氧雜-4,9-二氮雜螺[5.5]十一烷-4-基]-4-苯氧基-3-(三氟甲基)苯基}-2-(嗒<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10017.TIF" alt="其他非圖式ed10017.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10017.png"/>-4-基)-1,3-噻唑-4-甲醯胺、N-{2-[(3S)-3-(胺基甲基)哌啶-1-基]-4-(2-氟苯氧基)-3-(三氟甲基)苯基}-2-(嗒<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10018.TIF" alt="其他非圖式ed10018.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10018.png"/>-4-基)-1,3-噻唑-4-甲醯胺、N-[4-(2-氟苯氧基)-2-{(3S)-3-[(甲基胺基)甲基]哌啶-1-基}-3-(三氟甲基)苯基]-2-(嗒<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10008.TIF" alt="其他非圖式ed10008.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10008.png"/>-4-基)-1,3-噻唑-4-甲醯胺、N-{2-[(2R)-2-(胺基甲基)吡咯啶-1-基]-4-苯氧基-3-(三氟甲基)苯基}-2-(嗒<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10009.TIF" alt="其他非圖式ed10009.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10009.png"/>-4-基)-1,3-噻唑-4-甲醯胺、N-{2-[(8R,8aS)-8-胺基六氫吡咯并[1,2-a]吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10010.TIF" alt="其他非圖式ed10010.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10010.png"/>-2(1H)-基]-4-苯氧基-3-(三氟甲基)苯基}-2-(嗒<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10011.TIF" alt="其他非圖式ed10011.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10011.png"/>-4-基)-1,3-噻唑-4-甲醯胺、及N-{2-[(8R,8aS)-8-(二甲胺基)六氫吡咯并[1,2-a]吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10012.TIF" alt="其他非圖式ed10012.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10012.png"/>-2(1H)-基]-4-苯氧基-3-(三氟甲基)苯基}-2-(嗒<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10013.TIF" alt="其他非圖式ed10013.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10013.png"/>-4-基)-1,3-噻唑-4-甲醯胺。
如請求項1之醫藥組合物，其中化合物或其鹽選自由如下化合物所組成之群：N-{2-[(3S)-3-(胺基甲基)哌啶-1-基]-4-苯氧基-3-(三氟甲基)苯基}-2-(嗒<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10014.TIF" alt="其他非圖式ed10014.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10014.png"/>-4-基)-1,3-噻唑-4-甲醯胺單[(2E)丁-2-烯二酸]鹽、N-{2-[(3S)-3-(胺基甲基)哌啶-1-基]-4-(3-氟苯氧基)-3-(三氟甲基)苯基}-2-(嗒<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10019.TIF" alt="其他非圖式ed10019.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10019.png"/>-4-基)-1,3-噻唑-4-甲醯胺單[(2E)丁-2-烯二酸]鹽、N-{2-[(3S)-3-(胺基甲基)哌啶-1-基]-4-(2-氟苯氧基)-3-(三氟甲基)苯基}-2-(嗒<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10020.TIF" alt="其他非圖式ed10020.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10020.png"/>-4-基)-1,3-噻唑-4-甲醯胺單[(2E)丁-2-烯二酸]鹽、N-[4-(2-氟苯氧基)-2-{(3S)-3-[(甲基胺基)甲基]哌啶-1-基}-3-(三氟甲基)苯基]-2-(嗒<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10021.TIF" alt="其他非圖式ed10021.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10021.png"/>-4-基)-1,3-噻唑-4-甲醯胺單[(2E)丁-2-烯二酸]鹽、及N-{2-[(2R)-2-(胺基甲基)吡咯啶-1-基]-4-苯氧基-3-(三氟甲基)苯基}-2-(嗒<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10022.TIF" alt="其他非圖式ed10022.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10022.png"/>-4-基)-1,3-噻唑-4-甲醯胺單[(2E)丁-2-烯二酸]鹽。
如請求項1~3中任一項之醫藥組合物，其為用以治療與免疫細胞活化相關之癌或對抗PD-1抗體/抗PD-L1抗體療法具有耐性之癌的醫藥組合物。
如請求項4之醫藥組合物，其中上述癌為小細胞肺癌、頭頸癌、腎癌、卵巢癌、非小細胞肺癌、錯配修復缺陷大腸癌、尿路上皮癌、黑色素瘤、肝細胞癌、胃癌或膀胱癌。
一種化合物或其鹽之用途，其係用於製造用以治療與免疫細胞活化相關之癌或對抗PD-1抗體/抗PD-L1抗體療法具有耐性之癌的醫藥組合物，其中化合物選自由如下化合物所組成之群： <br/>N-{2-[(3S)-3-(胺基甲基)哌啶-1-基]-4-苯氧基-3-(三氟甲基)苯基}-2-(嗒𠯤-4-基)-1,3-噻唑-4-甲醯胺、 <br/>N-{2-[(3S)-3-(胺基甲基)哌啶-1-基]-4-(3-氟苯氧基)-3-(三氟甲基)苯基}-2-(嗒𠯤-4-基)-1,3-噻唑-4-甲醯胺、 <br/>N-{2-[9-(2-甲氧基乙基)-1-氧雜-4,9-二氮雜螺[5.5]十一烷-4-基]-4-苯氧基-3-(三氟甲基)苯基}-2-(嗒𠯤-4-基)-1,3-噻唑-4-甲醯胺、 <br/>N-{2-[(3S)-3-(胺基甲基)哌啶-1-基]-4-(2-氟苯氧基)-3-(三氟甲基)苯基}-2-(嗒𠯤-4-基)-1,3-噻唑-4-甲醯胺、 <br/>N-[4-(2-氟苯氧基)-2-{(3S)-3-[(甲基胺基)甲基]哌啶-1-基}-3-(三氟甲基)苯基]-2-(嗒𠯤-4-基)-1,3-噻唑-4-甲醯胺、 <br/>N-{2-[(2R)-2-(胺基甲基)吡咯啶-1-基]-4-苯氧基-3-(三氟甲基)苯基}-2-(嗒𠯤-4-基)-1,3-噻唑-4-甲醯胺、 <br/>N-{2-[(8R,8aS)-8-胺基六氫吡咯并[1,2-a]吡𠯤-2(1H)-基]-4-苯氧基-3-(三氟甲基)苯基}-2-(嗒𠯤-4-基)-1,3-噻唑-4-甲醯胺、及 <br/>N-{2-[(8R,8aS)-8-(二甲胺基)六氫吡咯并[1,2-a]吡𠯤-2(1H)-基]-4-苯氧基-3-(三氟甲基)苯基}-2-(嗒𠯤-4-基)-1,3-噻唑-4-甲醯胺，且 <br/>上述癌選自由小細胞肺癌、頭頸癌、腎癌、卵巢癌、非小細胞肺癌、錯配修復缺陷大腸癌、尿路上皮癌、黑色素瘤、肝細胞癌、胃癌及膀胱癌所組成之群。
一種化合物或其鹽之用途，其係用於製造用以治療與免疫細胞活化相關之癌或對抗PD-1抗體/抗PD-L1抗體療法具有耐性之癌的醫藥組合物，其中化合物或其鹽選自由如下化合物所組成之群： <br/>N-{2-[(3S)-3-(胺基甲基)哌啶-1-基]-4-苯氧基-3-(三氟甲基)苯基}-2-(嗒𠯤-4-基)-1,3-噻唑-4-甲醯胺單[(2E)丁-2-烯二酸]鹽、 <br/>N-{2-[(3S)-3-(胺基甲基)哌啶-1-基]-4-(3-氟苯氧基)-3-(三氟甲基)苯基}-2-(嗒𠯤-4-基)-1,3-噻唑-4-甲醯胺單[(2E)丁-2-烯二酸]鹽、 <br/>N-{2-[(3S)-3-(胺基甲基)哌啶-1-基]-4-(2-氟苯氧基)-3-(三氟甲基)苯基}-2-(嗒𠯤-4-基)-1,3-噻唑-4-甲醯胺單[(2E)丁-2-烯二酸]鹽、 <br/>N-[4-(2-氟苯氧基)-2-{(3S)-3-[(甲基胺基)甲基]哌啶-1-基}-3-(三氟甲基)苯基]-2-(嗒𠯤-4-基)-1,3-噻唑-4-甲醯胺單[(2E)丁-2-烯二酸]鹽、及 <br/>N-{2-[(2R)-2-(胺基甲基)吡咯啶-1-基]-4-苯氧基-3-(三氟甲基)苯基}-2-(嗒𠯤-4-基)-1,3-噻唑-4-甲醯胺單[(2E)丁-2-烯二酸]鹽，且 <br/>上述癌選自由小細胞肺癌、頭頸癌、腎癌、卵巢癌、非小細胞肺癌、錯配修復缺陷大腸癌、尿路上皮癌、黑色素瘤、肝細胞癌、胃癌及膀胱癌所組成之群。
如請求項1或2之用途，其中與免疫細胞活化相關之癌為非小細胞肺癌、錯配修復缺陷大腸癌或黑色素瘤。
如請求項1或2之用途，其中對抗PD-1抗體/抗PD-L1抗體療法具有耐性之癌為非小細胞肺癌、錯配修復缺陷大腸癌或黑色素瘤。
一種端子電磁屏蔽強化型電連接器，其包括：<br/> 複數個第一端子，每個第一端子包括一第一對接部、一第一固定部以及一第一焊接部，該等第一端子的該等第一對接部排成相對且平行的第一端子列及第二端子列，該第一端子列包括一第一接地端子以及一第一常規訊號端子的該等第一對接部，該第二端子列包括一電源端子以及一第二常規訊號端子的該等第一對接部；<br/> 複數個第二端子，每個第二端子包括一第二對接部、一第二固定部以及一第二焊接部，該等第二端子的該等第二對接部排成一第三端子列，該第三端子列包括一第一高頻端子對、一第二高頻端子對以及一第二接地端子的該等第二對接部；<br/> 一絕緣結構，其包括一基座以及連接於該基座且相互平行設置的一第一舌板和一第二舌板，該第一端子列的該等第一對接部設置於該第一舌板的下表面，該第二端子列的該等第二對接部設置於該第一舌板的上表面，該第三端子列的該等第二對接部設置於該第二舌板的下表面；<br/> 其中該等第一端子的該等第一焊接部與該等第二端子的該等第二焊接部排成一列，該第一接地端子的該第一焊接部具有一第一分岔結構，該第二接地端子的該第二焊接部具有一第二分岔結構，該第一分岔結構具有兩個第一焊腳，該第二分岔結構具有兩個第二焊腳，兩個該第一焊腳相鄰設置且位於該電源端子的該第一焊接部與該第一常規訊號端子的該第一焊接部之間，一個該第二焊腳位於該第一高頻端子對的該第二焊接部與該電源端子的該第一焊接部之間，且另一個該第二焊腳位於該第二高頻端子對的該第二焊接部與該第二常規訊號端子的該第一焊接部之間；<br/> 其中該絕緣結構的該基座包括一第一絕緣件，該第一絕緣件包括一底壁及與該底壁連接的兩個側壁，該第一舌板及該第二舌板連接於該底壁，兩個該側壁位於該第一舌板與該第二舌板的相對兩側，該等第一端子的該等第一固定部及該等第二端子的該等第二固定部結合於該第一絕緣件；<br/> 該第一絕緣件的該底壁包括兩個避讓凹部，分別形成於該底壁後端的兩側，該第一高頻端子對的該第二焊接部及該第二高頻端子對的該第二焊接部是從該等第二固定部分別彎折往側向延伸通過該等避讓凹部後再彎折向下延伸，兩個該第二焊腳從該第二接地端子的該第二固定部分別彎折往側向延伸通過該等避讓凹部後再彎折向下延伸。
如請求項1所述的端子電磁屏蔽強化型電連接器，其中該第一分岔結構更包括一連接部，該等第一焊腳是平行設置且連接於該連接部的一端，且該第一接地端子的該第一固定部連接於該連接部的另一端。
如請求項2所述的端子電磁屏蔽強化型電連接器，其中第一連接部的寬度為每個該第一焊腳的兩倍以上，每個該第一焊腳的寬度與該第一常規訊號端子的該第一焊接部、該電源端子的該第一焊接部及該第一常規訊號端子的該第一焊接部的寬度相等。
如請求項2所述的端子電磁屏蔽強化型電連接器，其中該第二分岔結構連接於該第二接地端子的該第二固定部，該第二固定部呈三角形，該第二分岔結構的兩個該第二焊腳及該第二接地端子的該第二對接部分別連接於第二接地端子的該第二固定部的三個端部。
如請求項4所述的端子電磁屏蔽強化型電連接器，其中每個該第二焊腳的寬度與該第一高頻端子對的該等第二焊接部及該第二高頻端子對的該等第二焊接部的寬度相等。
如請求項1所述的端子電磁屏蔽強化型電連接器，其中該等第一端子的該等第一焊接部及該等第二端子的該等第二焊接部抵接於該底壁的後端。
如請求項1所述的端子電磁屏蔽強化型電連接器，其中該絕緣結構的該基座更包括一第二絕緣件，該第二絕緣件連接於該第一絕緣件，該等第一端子的該等第一焊接部及該等第二端子的該等第二焊接部結合於該第二絕緣件，該第一絕緣件的每個該側壁具有一卡合凹部，該第二絕緣件具有兩個卡合延伸部，該卡合延伸部延伸至該卡合凹部且與卡合於該卡合凹部的一階梯狀結構。
如請求項1所述的端子電磁屏蔽強化型電連接器，其更包括一金屬殼體，該金屬殼體包括一本體、兩個第一限位彈臂以及兩個第二限位彈臂，該本體包覆於該絕緣結構且在對應於該第一舌板與該第二舌板的一側形成一對接口， 每個該第一限位彈臂連接於該本體的該對接口的邊緣且往該第一絕緣件的該側壁與該第一舌板及該第二舌板之間的空間延伸，該第一絕緣件的每個該側壁具有一讓槽，每個該第二限位彈臂連接於該本體的該對接口的邊緣且穿過該讓槽往該第一絕緣件的該側壁與該第一舌板及該第二舌板之間的空間延伸。
一種基板處理裝置，其特徵在於， <br/> 前述基板處理裝置具備： <br/> 氣密容器； <br/> 減壓機構，該減壓機構對前述氣密容器的內部進行減壓； <br/> 基板保持部，該基板保持部配置在前述氣密容器的內部，並能保持基板；以及 <br/> 壁構件，該壁構件在前述氣密容器的內部配置在與前述基板保持部所保持的前述基板的側面相向的位置， <br/> 前述壁構件具有與前述基板的側面相向的那側的壁面， <br/> 前述壁構件在前述壁面的至少一部分具有第1防液構件。
如請求項1所述的基板處理裝置，其中， <br/> 前述第1防液構件是具有排斥有機溶劑的性質的構件。
如請求項2所述的基板處理裝置，其中， <br/> 前述有機溶劑，是被塗佈於前述基板之溶液膜所包含的有機溶劑。
如請求項1所述的基板處理裝置，其中， <br/> 在前述第1防液構件中，相對於純水的動態接觸角的後退接觸角是90度以上。
如請求項1所述的基板處理裝置，其中， <br/> 在前述第1防液構件中，相對於純水的動態接觸角的後退接觸角是120度以下。
如請求項1所述的基板處理裝置，其中， <br/> 前述第1防液構件作為主成分包括氟樹脂或者含氟化合物。
如請求項1所述的基板處理裝置，其中， <br/> 前述壁構件形成為將前述基板保持部所保持的前述基板的前述側面包圍的形狀。
如請求項1所述的基板處理裝置，其中， <br/> 前述基板處理裝置還具備罩構件，該罩構件在前述氣密容器的內部配置在與前述基板保持部所保持的前述基板的基板主面相向的位置， <br/> 前述罩構件具有與前述基板保持部所保持的前述基板的前述基板主面相向的那側的主面， <br/> 前述罩構件在前述主面的至少一部分具有第2防液構件。
如請求項8所述的基板處理裝置，其中， <br/> 前述第2防液構件是具有排斥有機溶劑的性質的構件。
如請求項9所述的基板處理裝置，其中， <br/> 前述有機溶劑，是被塗佈於前述基板之溶液膜所包含的有機溶劑。
如請求項8所述的基板處理裝置，其中， <br/> 在前述第2防液構件中，相對於純水的動態接觸角的後退接觸角是90度以上。
如請求項8所述的基板處理裝置，其中， <br/> 在前述第2防液構件中，相對於純水的動態接觸角的後退接觸角是120度以下。
如請求項8所述的基板處理裝置，其中， <br/> 前述第2防液構件作為主成分包括氟樹脂或者含氟化合物。
如請求項8所述的基板處理裝置，其中， <br/> 前述罩構件的前述主面包括平面和相對於前述平面突出的凸面， <br/> 前述罩構件的前述主面的至少一部分包括前述凸面的至少一部分。
如請求項1所述的基板處理裝置，其中， <br/> 前述壁構件的前述壁面與前述基板保持部所保持的前述基板的前述側面的距離是5mm以上。
如請求項1所述的基板處理裝置，其中， <br/> 前述壁構件的前述壁面與前述基板保持部所保持的前述基板的前述側面的距離是20mm以下。
如請求項8所述的基板處理裝置，其中， <br/> 前述基板處理裝置還具備： <br/> 連接構件；以及 <br/> 氣體分析部，該氣體分析部經由前述連接構件對由前述壁構件和前述罩構件包圍的空間的氣體進行檢測， <br/> 前述連接構件的表面的至少一部分具有第3防液構件。
一種基板處理裝置，其特徵在於， <br/> 前述基板處理裝置具備： <br/> 氣密容器； <br/> 減壓機構，該減壓機構對前述氣密容器的內部進行減壓； <br/> 基板保持部，該基板保持部配置在前述氣密容器的內部，並能保持基板；以及 <br/> 罩構件，該罩構件在前述氣密容器的內部配置在與前述基板保持部所保持的前述基板的基板主面相向的位置， <br/> 前述罩構件具有與前述基板保持部所保持的前述基板的前述基板主面相向的那側的主面， <br/> 前述罩構件在前述主面的至少一部分具有防液構件。
如請求項18所述的基板處理裝置，其中， <br/> 前述防液構件是具有排斥有機溶劑的性質的構件。
如請求項19所述的基板處理裝置，其中， <br/> 前述有機溶劑，是被塗佈於前述基板之溶液膜所包含的有機溶劑。
如請求項18所述的基板處理裝置，其中， <br/> 在前述防液構件中，相對於純水的動態接觸角的後退接觸角是90度以上。
如請求項18所述的基板處理裝置，其中， <br/> 在前述防液構件中，相對於純水的動態接觸角的後退接觸角是120度以下。
如請求項18所述的基板處理裝置，其中， <br/> 前述防液構件作為主成分包括氟樹脂或者含氟化合物。
如請求項18所述的基板處理裝置，其中， <br/> 前述罩構件具有劃定開口的面， <br/> 前述劃定開口的面由前述防液構件形成。
如請求項18所述的基板處理裝置，其中， <br/> 前述罩構件的前述主面是平面。
如請求項18所述的基板處理裝置，其中， <br/> 前述罩構件的前述主面具有平面和相對於前述平面突出的凸面。
如請求項26所述的基板處理裝置，其中， <br/> 前述主面的至少一部分包括前述凸面的至少一部分。
如請求項18所述的基板處理裝置，其中， <br/> 前述罩構件的前述主面具有平面和相對於前述平面凹陷的凹面。
如請求項28所述的基板處理裝置，其中， <br/> 前述主面的至少一部分包括前述凹面的至少一部分。
如請求項18所述的基板處理裝置，其中， <br/> 前述罩構件的前述主面與前述基板保持部所保持的前述基板的前述基板主面的距離是10mm以上。
如請求項18所述的基板處理裝置，其中， <br/> 前述罩構件的前述主面與前述基板保持部所保持的前述基板的前述基板主面的距離是70mm以下。
一種基板處理裝置，其特徵在於， <br/> 前述基板處理裝置具備： <br/> 氣密容器； <br/> 減壓機構，該減壓機構對前述氣密容器的內部進行減壓； <br/> 基板保持部，該基板保持部配置在前述氣密容器的內部，並能保持基板； <br/> 壁構件，該壁構件在前述氣密容器的內部配置在與前述基板保持部所保持的前述基板的側面相向的位置； <br/> 罩構件，該罩構件在前述氣密容器的內部配置在與前述基板保持部所保持的前述基板的基板主面相向的位置； <br/> 連接構件；以及 <br/> 氣體分析部，該氣體分析部經由前述連接構件對由前述壁構件和前述罩構件包圍的空間的氣體進行檢測， <br/> 前述連接構件的表面的至少一部分具有防液性。
一種基板處理裝置，其特徵在於， <br/> 前述基板處理裝置具備： <br/> 氣密容器； <br/> 減壓機構，該減壓機構對前述氣密容器的內部進行減壓； <br/> 基板保持部，該基板保持部配置在前述氣密容器的內部，並能保持基板； <br/> 壁構件，該壁構件在前述氣密容器的內部配置在與前述基板保持部所保持的前述基板的側面相向的位置；以及 <br/> 罩構件，該罩構件在前述氣密容器的內部配置在與前述基板保持部所保持的前述基板的基板主面相向的位置， <br/> 前述氣密容器的內面的至少一部分具有防液性。
一種物品製造方法，其特徵在於， <br/> 前述物品製造方法包括以下步驟：使用請求項1～33中任一項所述的基板處理裝置，對塗敷在基板上的溶液膜進行乾燥。
一種顯示裝置，包括： 一發光元件，配置以發光； <br/>一驅動電晶體，包含：一閘極電極，位於一第一節點；一第一電極，連接到一第三節點；以及一第二電極，連接到位於一第二節點的該發光元件，該驅動電晶體配置以驅動該發光元件； <br/>一掃描電晶體，電性連接在位於該第一節點的該驅動電晶體的該閘極電極與一資料線之間，該掃描電晶體包含一閘極電極； <br/>一感測電晶體，電性連接在位於該第二節點的該驅動電晶體的該第二電極與一參考電壓線之間，該感測電晶體包含一閘極電極；以及 <br/>一透明配線，其電性連接該感測電晶體和該參考電壓線， <br/>其中，感測該感測電晶體的特徵值的時段包含：一電壓控制時段、在該電壓控制時段之後的一電壓追蹤時段、以及在該電壓追蹤時段之後的一採樣時段， <br/>在該電壓控制時段期間，向該資料線供應一第一感測電壓，向位於該第三節點的該驅動電晶體的該第一電極供應一第二感測電壓，向該掃描電晶體的該閘極電極和該感測電晶體的該閘極電極供應一第三感測電壓，並向該參考電壓線供應一第四感測電壓，以及 <br/>其中，該第二感測電壓比該第三感測電壓高，而該第三感測電壓比該第四感測電壓高。
如請求項1所述之顯示裝置，其中，該掃描電晶體在該電壓追蹤時段期間關閉。
如請求項1所述之顯示裝置，其中，該電壓追蹤時段包含：一第一追蹤時段；在該第一追蹤時段之後的一第二追蹤時段；以及在該第二追蹤時段之後的一第三追蹤時段。
如請求項3所述之顯示裝置，其中，在該第一追蹤時段期間，該第三節點與該第二節點之間的電壓差比該第一節點與該第二節點之間的電壓差大。
如請求項3所述之顯示裝置，其中，在該第二追蹤時段期間，該第三節點與該第二節點之間的電壓差比該第一節點與該第二節點之間的電壓差小。
如請求項3所述之顯示裝置，其中，在該第三追蹤時段期間，該第二節點與一連接節點之間的電壓差比該感測電晶體的該閘極電極與該連接節點之間的電壓差大。
如請求項1所述之顯示裝置，其中，一第一感測電晶體接收第一閘極低電壓，該第一感測電晶體是該感測電晶體，以及 <br/>與該第一感測電晶體不同的一第二感測電晶體接收與該第一閘極低電壓不同的一第二閘極低電壓。
如請求項1所述之顯示裝置，其中，該感測電晶體在該電壓控制時段期間的臨界電壓具有比在該電壓控制時段之前的一臨界電壓感測時段期間的該感測電晶體的臨界電壓低的電壓值。
如請求項1所述之顯示裝置，其中，該感測電晶體設置為鄰近一開口部，光通過該開口部從該發光元件輸出。
如請求項3所述之顯示裝置，其中，在該第一追蹤時段期間，該驅動電晶體在一飽和區域中運作， <br/>在該第二追蹤時段期間，該驅動電晶體在一線性區域中運作，且該感測電晶體在該線性區域中運作，以及 <br/>在該第三追蹤時段期間，該驅動電晶體在該線性區域中運作，且該感測電晶體在該飽和區域中運作。
如請求項5所述之顯示裝置，其中，在該第三追蹤時段期間，該感測電晶體以一源極隨耦型驅動。
一種推薦系統，包含：<br/> 一記憶體，配置以儲存至少一商品之至少一商品資訊；以及<br/> 一處理器，配置以由該記憶體存取該至少一商品資訊；<br/> 其中，該處理器利用一字幕格式檔新增該至少一商品資訊至一使用者觀看之一影片中，其中該字幕格式檔包括對應至該至少一商品資訊之一時間碼及一坐標參數；<br/> 該處理器依據該時間碼，並解析該字幕格式檔內之該坐標參數，以決定一提示區域於該影片之一可視畫面中之一指定坐標位置，且該指定坐標位置非經由對該影片之影像內容識別而產生；<br/> 該處理器提供該使用者於該指定坐標位置之該提示區域中進行至少一操作功能。
如請求項1所述之推薦系統，其中該字幕格式檔為網路視訊文字軌（web video text tracks，WebVTT）或SRT（SubRip Text）之其中一者。
如請求項1所述之推薦系統，其中該至少一操作功能包含一查詢商品資訊功能，該處理器由該記憶體存取該至少一商品資訊以提供該使用者於該提示區域中對該至少一商品進行該查詢商品資訊功能。
如請求項1所述之推薦系統，其中該至少一操作功能包含一加入購物車功能，該推薦系統提供該使用者於該提示區域中對該至少一商品進行該加入購物車功能。
如請求項4所述之推薦系統，更包含：<br/> 一資料庫，配置以儲存該至少一商品之至少一庫存數量；<br/> 其中，在使用者於該提示區域中對該至少一商品進行該加入購物車功能前，該處理器存取該資料庫以確認該至少一商品之該至少一庫存數量。
如請求項1所述之推薦系統，其中該至少一操作功能包含一評論功能，該推薦系統提供該使用者於該提示區域中對該至少一商品進行該評論功能。
如請求項1所述之推薦系統，其中該至少一操作功能包含一分享功能，該推薦系統提供該使用者於該提示區域中對該至少一商品進行該分享功能。
如請求項1所述之推薦系統，其中該記憶體更配置以儲存該使用者之一瀏覽紀錄，該至少一操作功能包含一相似商品推薦功能，該處理器由該記憶體存取該瀏覽紀錄以提供該使用者於該提示區域中對該至少一商品進行該相似商品推薦功能。
如請求項1所述之推薦系統，其中該至少一操作功能包含一預約訂單功能，該推薦系統提供該使用者於該提示區域中對該至少一商品進行該預約訂單功能。
一種顯示裝置，包括： <br/>第一顯示驅動器電路，被配置成將第一伽馬參考電壓輸出至第一顯示面板；以及 <br/>第二顯示驅動器電路，被配置成將第二伽馬參考電壓輸出至在實體上與所述第一顯示面板分離的第二顯示面板，並確定所述第一伽馬參考電壓與所述第二伽馬參考電壓之間的差， <br/>其中所述第一顯示面板被配置成針對使用者的第一隻眼睛發射第一影像光，且所述第二顯示面板被配置成針對所述使用者的第二隻眼睛發射第二影像光， <br/>其中所述第二顯示驅動器電路被配置成 <br/>當所述差小於第一參考值時，輸出所述第二伽馬參考電壓， <br/>當所述第二伽馬參考電壓小於所述第一伽馬參考電壓且所述差等於或大於所述第一參考值時，改變所述第二伽馬參考電壓，以及 <br/>當由所述第一顯示驅動器電路輸出至所述第一顯示面板的所述第一伽馬參考電壓小於由所述第二顯示驅動器電路輸出至所述第二顯示面板的所述第二伽馬參考電壓時，指示所述第一顯示驅動器電路改變由所述第一顯示驅動器電路輸出至所述第一顯示面板的所述第一伽馬參考電壓。
如請求項1所述的顯示裝置，更包括： <br/>處理器，被配置成將第一影像資料傳送至所述第一顯示驅動器電路並將第二影像資料傳送至所述第二顯示驅動器電路， <br/>其中所述第一顯示驅動器電路被配置成基於所述第一影像資料、使用所述第一伽馬參考電壓而產生第一資料訊號，並將所述第一資料訊號輸出至源極線，且 <br/>所述第二顯示驅動器電路被配置成基於所述第二影像資料、使用所述第二伽馬參考電壓而產生第二資料訊號，並將所述第二資料訊號輸出至所述源極線。
如請求項2所述的顯示裝置，其中 <br/>當所述差等於或大於第二參考值時，所述第二顯示驅動器電路被配置成將所述差傳送至所述處理器，且 <br/>所述處理器被配置成基於所述差來對所述第一顯示驅動器電路的開關及所述第二顯示驅動器電路的開關的斷開及閉合進行控制，且 <br/>所述第二參考值大於所述第一參考值。
如請求項3所述的顯示裝置，其中 <br/>當所述第一伽馬參考電壓小於所述第二伽馬參考電壓時，所述處理器被配置成對所述第一顯示驅動器電路的所述開關及所述第二顯示驅動器電路的所述開關的斷開及閉合進行控制，以將所述第二伽馬參考電壓轉移至所述第一顯示驅動器電路，且 <br/>當所述第二伽馬參考電壓小於所述第一伽馬參考電壓時，所述處理器被配置成對所述第一顯示驅動器電路的所述開關及所述第二顯示驅動器電路的所述開關的斷開及閉合進行控制，以將所述第一伽馬參考電壓轉移至所述第二顯示驅動器電路。
如請求項1所述的顯示裝置，其中 <br/>當所述第二伽馬參考電壓小於所述第一伽馬參考電壓且所述差等於或大於第二參考值時，所述第二顯示驅動器電路被配置成自所述第一顯示驅動器電路接收所述第一伽馬參考電壓且輸出所述第一伽馬參考電壓而非輸出所述第二伽馬參考電壓，且 <br/>所述第二參考值大於所述第一參考值。
一種顯示裝置，包括： <br/>第一顯示面板，被配置成基於第一影像資料、使用第一伽馬參考電壓來針對使用者的第一隻眼睛發射第一影像光； <br/>第二顯示面板，被配置成基於第二影像資料、使用第二伽馬參考電壓來針對所述使用者的第二隻眼睛發射第二影像光，所述第二顯示面板在實體上與所述第一顯示面板分離；以及 <br/>處理器，被配置成產生所述第一影像資料及所述第二影像資料，且基於所述第一伽馬參考電壓與所述第二伽馬參考電壓之間的差來對所述第一顯示面板的所述第一伽馬參考電壓或所述第二顯示面板的所述第二伽馬參考電壓進行控制， <br/>其中所述第一顯示面板被配置成當所述第二顯示面板所使用的所述第二伽馬參考電壓小於所述第一顯示面板所使用的所述第一伽馬參考電壓時，指示所述第二顯示面板改變所述第二顯示面板所使用的所述第二伽馬參考電壓，或者 <br/>其中所述第二顯示面板被配置成當所述第一顯示面板所使用的所述第一伽馬參考電壓小於所述第二顯示面板所使用的所述第二伽馬參考電壓時，指示所述第一顯示面板改變所述第一顯示面板所使用的所述第一伽馬參考電壓。
如請求項6所述的顯示裝置，其中 <br/>所述第一顯示面板包括： <br/>畫素陣列，被配置成基於第一資料訊號來發射所述第一影像光； <br/>類比至數位轉換器，被配置成藉由對所述第一資料訊號進行取樣來產生第一取樣值；以及 <br/>顯示驅動器電路，被配置成基於所述第一影像資料、使用所述第一伽馬參考電壓而產生所述第一資料訊號，自所述類比至數位轉換器接收所述第一取樣值，自所述第二顯示面板接收第二取樣值，並將所述第一取樣值與所述第二取樣值之間的差確定為所述第一伽馬參考電壓與所述第二伽馬參考電壓之間的所述差。
如請求項7所述的顯示裝置，其中 <br/>所述顯示驅動器電路、所述畫素陣列及所述類比至數位轉換器藉由多條源極線進行耦合，且 <br/>所述類比至數位轉換器被配置成藉由所述多條源極線自所述畫素陣列接收所述第一資料訊號。
如請求項7所述的顯示裝置，其中 <br/>所述畫素陣列包括虛設陣列，所述虛設陣列被配置成基於虛設訊號來發射黑色位準光， <br/>所述類比至數位轉換器被配置成藉由對所述虛設訊號進行取樣來產生第一虛設值，且 <br/>所述顯示驅動器電路被配置成使用所述第一伽馬參考電壓而產生所述虛設訊號，自所述類比至數位轉換器接收所述第一虛設值，自所述第二顯示面板接收第二虛設值，將所述第一虛設值與所述第二虛設值之間的差確定為所述第一伽馬參考電壓與所述第二伽馬參考電壓之間的所述差。
一種影像顯示方法，包括： <br/>由第一顯示面板將在所述第一顯示面板中使用的第一伽馬參考電壓與在實體上與所述第一顯示面板分離的第二顯示面板中使用的第二伽馬參考電壓進行比較，其中所述第一顯示面板針對使用者的第一隻眼睛發射第一影像光，且所述第二顯示面板針對所述使用者的第二隻眼睛發射第二影像光； <br/>當在所述第一顯示面板中使用的所述第一伽馬參考電壓小於在所述第二顯示面板中使用的所述第二伽馬參考電壓時，由所述第一顯示面板改變在所述第一顯示面板中使用的所述第一伽馬參考電壓；以及 <br/>當在所述第二顯示面板中使用的所述第二伽馬參考電壓小於在所述第一顯示面板中使用的所述第一伽馬參考電壓時，由所述第一顯示面板指示所述第二顯示面板改變在所述第二顯示面板中使用的所述第二伽馬參考電壓。
一種電機致動器分段特徵化方法，包含施加一高頻訊號於一電機致動器及量測該電機致動器對該高頻訊號的一第一響應；基於該第一響應估計該電機致動器的多個電性參數；施加一低頻寬帶訊號於該電機致動器及量測該電機致動器對該低頻寬帶訊號的一第二響應；其中該第一響應及該第二響應的每一者係被量測為電量而非機械量；以及基於該第二響應及估計的該些電性參數估計該電機致動器的多個機械參數。
如請求項1所述的電機致動器分段特徵化方法，其中所述施加該高頻訊號及所述施加該低頻寬帶訊號係同時執行。
如請求項2所述的電機致動器分段特徵化方法，其中該高頻訊號及該低頻寬帶訊號係被選擇為使得該高頻訊號及該低頻寬帶訊號不會產生彼此干擾的諧波。
如請求項1所述的電機致動器分段特徵化方法，其中所述施加該高頻訊號係執行在所述施加該低頻寬帶訊號之前。
如請求項1所述的電機致動器分段特徵化方法，其中所述施加該高頻訊號係執行在所述施加該低頻寬帶訊號之後。
如請求項1所述的電機致動器分段特徵化方法，更包含：在包括該電機致動器的裝置的製造期間的該電機致動器的校正期間進行所述估計該電機致動器的該些電性參數及該些機械參數。
如請求項1所述的電機致動器分段特徵化方法，更包含：在包括該電機致動器的裝置的客戶操作期間進行所述估計該電機致動器的該些電性參數及該些機械參數。
如請求項1所述的電機致動器分段特徵化方法，其中該些電性參數及該些機械參數係在小於50毫秒內取得。
如請求項1所述的電機致動器分段特徵化方法，其中所述施加該高頻訊號及量測該第一響應及/或所述施加該低頻寬帶訊號及量測該第二響應被重複執行多次以改善訊號雜訊比。
如請求項1所述的電機致動器分段特徵化方法，其中該低頻寬帶訊號光譜地覆蓋以機械諧振頻率的範圍為中心的頻帶，該機械諧振頻率是根據該電機致動器的實例的樣本透過實驗預先確定的。
如請求項1所述的電機致動器分段特徵化方法，其中該低頻寬帶訊號包含乘以訊窗的正弦波形。
如請求項11所述的電機致動器分段特徵化方法，其中所述施加該低頻寬帶訊號及量測該第二響應被重複執行多次；且其中對於所述多次的每一次，以下的一或多者被調整：該正弦波形的頻率；該正弦波形的振幅；該正弦波形的整數週期數；以及該訊窗的類型。
如請求項11所述的電機致動器分段特徵化方法，其中該高頻訊號充分地高於該低頻寬帶訊號的該正弦波形的頻率，以避免該電機致動器的頻率響應重疊至該高頻訊號與該低頻寬帶訊號各自的頻率響應。
如請求項1所述的電機致動器分段特徵化方法，其中該高頻訊號充分地高，以避免該電機致動器的機械諧振對該第一響應造成干擾。
如請求項14所述的電機致動器分段特徵化方法，其中該高頻訊號比該電機致動器的諧振頻率高出大約一數量級。
如請求項1所述的電機致動器分段特徵化方法，其中該高頻訊號的頻帶在該電機致動器的諧振頻率的頻帶外。
如請求項1所述的電機致動器分段特徵化方法，其中所述估計該些機械參數包含：使用估計的該些電性參數與量測的該第二響應計算一反電動勢電壓；以及使用計算的該反電動勢電壓與量測的該第二響應估計該些機械參數。
如請求項1所述的電機致動器分段特徵化方法，其中該些電性參數包含直流的一電阻；以及其中所述估計該些電性參數包含：基於該第一響應估計該電阻；以及應用一預定縮放因子於估計的該電阻以補償該電機致動器的線圈部分的阻抗的實部在高頻下的位移。
如請求項1所述的電機致動器分段特徵化方法，其中所述估計該些電性參數包含補償用於量測該第一響應的電路的偏移。
如請求項1所述的電機致動器分段特徵化方法，其中該些電性參數包含該電機致動器的直流的一電阻及一電線圈電感；且其中該些機械參數包含該電機致動器的在諧振的電阻、諧振頻率及品質因數或其同等物。
如請求項1所述的電機致動器分段特徵化方法，其中該電機致動器包含被整合進一裝置內的振動觸覺系統的觸覺換能器。
一種非暫態電腦可讀取儲存媒體，儲存有多個電腦程式指令以實現電機致動器分段特徵化方法，該電機致動器分段特徵化方法包含：施加一高頻訊號於一電機致動器及量測該電機致動器對該高頻訊號的一第一響應；基於該第一響應估計該電機致動器的多個電性參數；施加一低頻寬帶訊號於該電機致動器及量測該電機致動器對該低頻寬帶訊號的一第二響應；其中該第一響應及該第二響應的每一者係被量測為電量而非機械量；以及基於該第二響應及估計的該些電性參數估計該電機致動器的多個機械參數。
如請求項22所述的儲存有多個電腦程式指令以實現電機致動器分段特徵化方法的非暫態電腦可讀取儲存媒體，其中所述施加該高頻訊號及所述施加該低頻寬帶訊號係同時執行。
如請求項23所述的儲存有多個電腦程式指令以實現電機致動器分段特徵化方法的非暫態電腦可讀取儲存媒體，其中該高頻訊號及該低頻寬帶訊號係被選擇為使得該高頻訊號及該低頻寬帶訊號不會產生彼此干擾的諧波。
如請求項22所述的儲存有多個電腦程式指令以實現電機致動器分段特徵化方法的非暫態電腦可讀取儲存媒體，其中所述施加該高頻訊號係執行在所述施加該低頻寬帶訊號之前。
如請求項22所述的儲存有多個電腦程式指令以實現電機致動器分段特徵化方法的非暫態電腦可讀取儲存媒體，其中所述施加該高頻訊號係執行在所述施加該低頻寬帶訊號之後。
如請求項22所述的儲存有多個電腦程式指令以實現電機致動器分段特徵化方法的非暫態電腦可讀取儲存媒體，該電機致動器分段特徵化方法更包含：在包括該電機致動器的裝置的製造期間的該電機致動器的校正期間進行所述估計該電機致動器的該些電性參數及該些機械參數。
如請求項22所述的儲存有多個電腦程式指令以實現電機致動器分段特徵化方法的非暫態電腦可讀取儲存媒體，該電機致動器分段特徵化方法更包含：在包括該電機致動器的裝置的客戶操作期間進行所述估計該電機致動器的該些電性參數及該些機械參數。
如請求項22所述的儲存有多個電腦程式指令以實現電機致動器分段特徵化方法的非暫態電腦可讀取儲存媒體，其中該些電性參數及該些機械參數係在小於50毫秒內取得。
如請求項22所述的儲存有多個電腦程式指令以實現電機致動器分段特徵化方法的非暫態電腦可讀取儲存媒體，其中所述施加該高頻訊號及量測該第一響應及/或所述施加該低頻寬帶訊號及量測該第二響應被重複執行多次以改善訊號雜訊比。
如請求項22所述的儲存有多個電腦程式指令以實現電機致動器分段特徵化方法的非暫態電腦可讀取儲存媒體，其中該低頻寬帶訊號光譜地覆蓋以機械諧振頻率的範圍為中心的頻帶，該機械諧振頻率是根據該電機致動器的實例的樣本透過實驗預先確定的。
如請求項22所述的儲存有多個電腦程式指令以實現電機致動器分段特徵化方法的非暫態電腦可讀取儲存媒體，其中該低頻寬帶訊號包含乘以訊窗的正弦波形。
如請求項32所述的儲存有多個電腦程式指令以實現電機致動器分段特徵化方法的非暫態電腦可讀取儲存媒體，其中所述施加該低頻寬帶訊號及量測該第二響應被重複執行多次；且其中對於所述多次的每一次，以下的一或多者被調整：該正弦波形的頻率；該正弦波形的振幅；該正弦波形的整數週期數；以及該訊窗的類型。
如請求項32所述的儲存有多個電腦程式指令以實現電機致動器分段特徵化方法的非暫態電腦可讀取儲存媒體，其中該高頻訊號充分地高於該低頻寬帶訊號的該正弦波形的頻率，以避免該電機致動器的頻率響應重疊至該高頻訊號與該低頻寬帶訊號各自的頻率響應。
如請求項22所述的儲存有多個電腦程式指令以實現電機致動器分段特徵化方法的非暫態電腦可讀取儲存媒體，其中該高頻訊號充分地高，以避免該電機致動器的機械諧振對該第一響應造成干擾。
如請求項35所述的儲存有多個電腦程式指令以實現電機致動器分段特徵化方法的非暫態電腦可讀取儲存媒體，其中該高頻訊號比該電機致動器的諧振頻率高出大約一數量級。
如請求項22所述的儲存有多個電腦程式指令以實現電機致動器分段特徵化方法的非暫態電腦可讀取儲存媒體，其中該高頻訊號的頻帶在該電機致動器的諧振頻率的頻帶外。
如請求項22所述的儲存有多個電腦程式指令以實現電機致動器分段特徵化方法的非暫態電腦可讀取儲存媒體，其中所述估計該些機械參數包含：使用估計的該些電性參數與量測的該第二響應計算一反電動勢電壓；以及使用計算的該反電動勢電壓與量測的該第二響應估計該些機械參數。
如請求項22所述的儲存有多個電腦程式指令以實現電機致動器分段特徵化方法的非暫態電腦可讀取儲存媒體，其中該些電性參數包含直流的一電阻；以及其中所述估計該些電性參數包含：基於該第一響應估計該電阻；以及應用一預定縮放因子於估計的該電阻以補償該電機致動器的線圈部分的阻抗的實部在高頻下的位移。
如請求項22所述的儲存有多個電腦程式指令以實現電機致動器分段特徵化方法的非暫態電腦可讀取儲存媒體，其中所述估計該些電性參數包含補償用於量測該第一響應的電路的偏移。
如請求項22所述的儲存有多個電腦程式指令以實現電機致動器分段特徵化方法的非暫態電腦可讀取儲存媒體，其中該些電性參數包含該電機致動器的直流的一電阻及電線圈電感；且其中該些機械參數包含該電機致動器的在諧振的電阻、諧振頻率及品質因數或其同等物。
如請求項22所述的儲存有多個電腦程式指令以實現電機致動器分段特徵化方法的非暫態電腦可讀取儲存媒體，其中該電機致動器包含被整合進一裝置內的振動觸覺系統的觸覺換能器。
一種半導體結構，包括： <br/>一基底； <br/>一導電組件，設置在該基底上，其中該導電組件為一重分佈層(RDL)且包括一晶種層、一核心以及一保護層，該晶種層設置在該基底上，該核心設置在該晶種層上，該保護層設置在該核心的一上表面上並圍繞該核心的一側壁，該保護層的一厚度為該導電組件的一寬度的4％到10％； <br/>一介電層，設置在該基底上並圍繞該導電組件；以及 <br/>一罩蓋層，設置在該保護層與該核心上， <br/>其中該罩蓋層的一寬度大致大於該晶種層的一寬度，該罩蓋層被該介電層所圍繞，且該罩蓋層的一上表面與該介電層的一上表面實質上共面， <br/>其中該核心包括銅，該保護層包括鎳，該罩蓋層包括金，且該保護層的一陽極指數大於該核心的一陽極指數，該罩蓋層的一陽極指數大於該保護層的該陽極指數。
如請求項1所述之半導體結構，其中該導電組件的該寬度大於該晶種層的一寬度。
如請求項1所述之半導體結構，其中該核心的一寬度大於該晶種層的一寬度。
如請求項1所述之半導體結構，其中該晶種層包括鈦以及銅。
如請求項1所述之半導體結構，其中該保護層包括一第一部分以及一第二部分，該第一部分設置在該核心上，該第二部分圍繞該核心，該保護層的該第一部分設置在該罩蓋層與該核心之間，該保護層的該第二部分設置在該罩蓋層下方。
一種半導體結構，包括： <br/>一基底； <br/>一第一導電組件，設置在該基底上； <br/>一第二導電組件，設置在該基底上並鄰近該第一導電組件；以及 <br/>一介電層，設置在該基底上並圍繞該第一導電組件與該第二導電組件， <br/>其中該第一導電組件包括一第一晶種層、一第一核心、一第一保護層以及一第一罩蓋層，該第一晶種層設置在該基底上，該第一核心設置在該第一晶種層上，該第一保護層設置在該第一核心的一上表面上以及在該第一核心的一第一側壁上，該第一罩蓋層設置在該第一保護層上，該第一保護層的一厚度為該第一導電組件的一寬度的4％到10％， <br/>其中該第一罩蓋層的一寬度大致大於該第一晶種層的一寬度，該第一罩蓋層被該介電層所圍繞，且該第一罩蓋層的一上表面與該介電層的一上表面實質上共面， <br/>其中該第一導電組件及該第二導電組件為重分佈層(RDL)，該第一導電組件的一高度實質上等於該第二導電組件的一高度， <br/>其中該第一核心包括銅，該第一保護層包括鎳，該第一罩蓋層包括金，且該第一保護層的一陽極指數大於該第一核心的一陽極指數，該第一罩蓋層的一陽極指數大於該第一保護層的該陽極指數。
如請求項6所述之半導體結構，其中該第二導電組件包括一第二晶種層、一第二核心、一第二保護層以及一第二罩蓋層，該第二晶種層設置在該基底上，該第二核心設置在該第二晶種層上，該第二保護層設置在該第二核心的的一上表面上以及在該第二核心的一側壁上，該第二罩蓋層設置在該第二保護層上，且 <br/>其中該第二罩蓋層被該介電層所圍繞，且該第二罩蓋層的一上表面與該介電層的該上表面實質上共面。
如請求項7所述之半導體結構，其中該第一導電組件的該寬度大於或小於該第二導電組件的一寬度。
如請求項7所述之半導體結構，其中該第一保護層與該第二保護層包括一相同材料。
如請求項6所述之半導體結構，其中該介電層至少部分與該第一核心的一底壁接觸。
一種半導體結構的製備方法，包括： <br/>提供一基底，該基底具有一第一層； <br/>形成一光阻在該第一層上； <br/>移除該光阻的一第一部分以形成一第一開口而暴露該第一層的一第一部分； <br/>將一第一材料設置在該第一開口內以形成一第一核心； <br/>移除該光阻的一第二部分以形成一第一間隙而圍繞該第一核心； <br/>將一第二材料設置在該第一間隙內以及在該第一核心上以形成一第一保護層； <br/>將一第三材料設置在該第一保護層上以形成一第一罩蓋層； <br/>在形成該第一罩蓋層之後，移除該光阻； <br/>移除該第一層的一部分以形成一第一底切在該第一保護層以及該基底之間，以及形成一第一晶種層在該第一核心與該基底之間；以及 <br/>將一介電層設置在該基底上以圍繞該第一保護層及該第一罩蓋層， <br/>其中該第一底切圍繞該第一晶種層， <br/>其中該第一罩蓋層被該介電層所圍繞，且該第一罩蓋層的一上表面與該介電層的一上表面實質上共面， <br/>其中該第一晶種層、該第一核心及該第一保護層形成一重分佈層(RDL)，該第一保護層的一厚度為該第一罩蓋層的一寬度的4％到10％，且 <br/>其中該第一核心包括銅，該第一保護層包括鎳，該第一罩蓋層包括金，且該第一保護層的一陽極指數大於該第一核心的一陽極指數，該第一罩蓋層的一陽極指數大於該第一保護層的該陽極指數。
如請求項11所述之半導體結構的製備方法，其中在移除該光阻的該第二部分之後，該第一層的一第二部分經由該第一間隙而暴露。
如請求項11所述之半導體結構的製備方法，其中在該第一間隙內的該第二材料與該第一層接觸。
如請求項11所述之半導體結構的製備方法，其中該光阻的一高度大於該第一核心的一高度。
如請求項11所述之半導體結構的製備方法，還包括： <br/>移除該光阻的一第三部分以形成一第二開口而暴露該第一層的一第三部分，其中該光阻的該第三部分鄰近該光阻的該第一部分，且該光阻的該第三部分的一寬度大於該光阻的該第一部分的一寬度； <br/>將該第一材料設置在該第二開口內以形成一第二核心； <br/>移除該光阻的一第四部分以形成一第二間隙而圍繞該第二核心； <br/>將該第二材料設置在該第二間隙內以及在該第二核心上以形成一第二保護層； <br/>將該第三材料設置在該第二保護層上以形成一第二罩蓋層；以及 <br/>移除該第一層以形成一第二底切在該第二保護層與該基底之間， <br/>其中該第二罩蓋層被該介電層所圍繞，且該第二罩蓋層的一上表面與該介電層的該上表面實質上共面。
如請求項15所述之半導體結構的製備方法，還包括： <br/>形成一第二晶種層在該第二核心與該基底之間， <br/>其中該第一晶種層、該第一核心、該第一保護層以及該第一罩蓋層形成一第一導電組件，該第二晶種層、該第二核心、該第二保護層以及該第二罩蓋層形成一第二導電組件，且該第一導電組件的形成與該第二導電組件的形成是分別或同時執行。
如請求項15所述之半導體結構的製備方法，其中該第一間隙與該第二間隙的形成是分別或同時執行。
如請求項15所述之半導體結構的製備方法，其中在形成該第二間隙之前，執行該第一間隙的形成。
一種用以解碼被編碼有圖像(20)之位元串流的裝置，其包括： <br/>一細分割器(82)，組配來將所述圖像(20)細分割為樣本的多個樣本集合(40)； <br/>一合併器(84)，組配來將所述多個樣本集合(40)合併成各有一或多個樣本集合的多個群組； <br/>一解碼器(86)，組配來使用以所述樣本集合的所述群組為單位在所述位元串流中發送的多個編碼參數來解碼所述圖像(20)，其中所述解碼器(86)組配來針對預定樣本集合而通過預測所述圖像(20)、解碼用於所述預定樣本集合的一預測殘餘、以及組合所述預測殘餘與自預測所述圖像(20)所產生的一預測，來解碼所述圖像； <br/>一抽取器(88)，組配來從所述位元串流(30)抽取所述預測殘餘和所述編碼參數與用於所述樣本集合(40)的至少一子集的每一者的一或多個語法元素，指出個別的所述樣本集合(40)是否將與另一樣本集合(40)一起合併到所述多個群組之一中，其中所述合併器(84)組配來響應於所述一或多個語法元素來執行所述合併， <br/>其中所述抽取器和所述合併器組配來根據一樣本集合掃描順序依次地步進通過所述多個樣本集合，並且，對於一目前樣本集合，所述抽取器和所述合併器組配來： <br/>使用一第一脈絡使用算術解碼，從所述位元串流抽取第一個二進制語法元素； <br/>如果所述第一個二進制語法元素確定為第一個二進制狀態，則通過推斷用於所述目前樣本集合的編碼參數等於與所述多個群組中之一群組關聯的編碼參數，來將所述目前樣本集合合併至所述一群組中、跳越用於所述目前樣本集合的所述預測殘餘的抽取、並且步進至樣本集合掃描順序中的下一個樣本集合； <br/>如果所述第一個二進制語法元素確定為第二個二進制狀態，則使用不同於所述第一脈絡的一第二脈絡使用算術解碼，從所述位元串流抽取第二個語法元素；以及 <br/>取決於所述第二個語法元素， <br/>使用不同於所述第一脈絡以及所述第二脈絡的一第三脈絡使用算術解碼，從所述位元串流抽取第三個語法元素，並且通過推斷用於目前樣本集合的編碼參數等於與相鄰於個別的所述樣本集合的預定候選者樣本集合的集合中的一者關聯的編碼參數，將所述目前樣本集合合併至所述多個群組中之一者，所述預定候選者樣本集合的所述集合中的一者由所述第三個語法元素傳信，同時抽取與用於所述目前樣本集合的所述預測殘餘有關的至少一個另外的語法元素，或 <br/>執行用於所述目前樣本集合的所述編碼參數的抽取，同時抽取與用於所述目前樣本集合的所述預測殘餘有關的至少一個另外的語法元素， <br/>其中所述細分割器組配來使用多元樹細分割來細分割所述圖像(20)。
根據請求項1所述的裝置，其中所述抽取器還組配來從所述位元串流抽取細分割資訊，並且所述細分割器組配來響應於所述細分割資訊而將所述圖像細分割為多個樣本集合。
根據請求項1所述的裝置，其中所述位元串流還包括與所述圖像相關聯的深度圖。
根據請求項1所述的裝置，其中資訊樣本陣列是與所述圖像的不同的平面有關的樣本陣列中之一者，所述不同的平面被彼此獨立地編碼。
一種用以編碼圖像的裝置，所述裝置包括： <br/>一細分割器(72)，組配來將所述圖像細分割為樣本的多個樣本集合； <br/>一合併器(74)，組配來將所述多個樣本集合合併至各有一或多個樣本集合的多個群組中； <br/>一編碼器(76)，組配來使用以所述樣本集合的群組為單位在位元串流中發送的多個編碼參數來編碼所述圖像，其中所述編碼器(76)組配來通過預測所述圖像和編碼用於預定樣本集合的一預測殘餘來編碼所述圖像； <br/>一串流產生器(78)，組配來將所述預測殘餘和所述編碼參數與用於所述多個樣本集合的至少一子集的每一者的一或多個語法元素一起插入一位元串流中，所述一或多個語法元素指出個別的所述樣本集合是否與另一樣本集合一起被合併到所述多個群組中之一者， <br/>其中所述串流產生器(78)組配來根據一樣本集合掃描順序依次地步進通過所述多個樣本集合，並且，對於一目前樣本集合，所述串流產生器(78)組配來： <br/>使用一第一脈絡使用算術編碼，將第一個二進制語法元素插入所述位元串流； <br/>其中當確定為第一個二進制狀態時，所述第一個二進制語法元素指出通過推斷用於所述目前樣本集合的編碼參數等於與所述多個群組中之一群組關聯的編碼參數，所述目前樣本集合將被合併至所述一群組中，並且指出針對所述目前樣本集合將跳越所述預測殘餘的抽取，並且將步進至樣本集合掃描順序中的下一個樣本集合； <br/>如果所述第一個二進制語法元素確定為第二個二進制狀態，則： <br/>使用不同於所述第一脈絡的一第二脈絡使用算術編碼，將第二個語法元素插入所述位元串流；以及 <br/>插入與用於所述目前樣本集合的所述預測殘餘有關的至少一個另外的語法元素， <br/>其中所述第二個語法元素指出是否所述目前樣本集合將被合併至所述多個群組中之一者，或者是否將針對所述目前樣本集合執行所述編碼參數的抽取，其中插入器組配來，如果所述第二個語法元素指出所述目前樣本集合將被合併，則通過推斷用於所述目前樣本集合的編碼參數等於與相鄰於個別的所述樣本集合的預定候選者樣本集合的集合中的一者關聯的編碼參數，來將所述目前樣本集合合併，並且使用不同於所述第一脈絡以及所述第二脈絡的第三脈絡使用算術解碼，將第三個語法元素插入所述位元串流，所述第三個語法元素傳信預定候選者樣本集合的所述集合中的一者，以及 <br/>其中所述細分割器組配來使用多元樹細分割來細分割所述圖像(20)。
根據請求項5所述的裝置，其中所述位元串流還包括與所述圖像相關聯的深度圖。
根據請求項5所述的裝置，其中資訊樣本陣列是與所述圖像的不同的平面有關的樣本陣列中之一者，所述不同的平面被彼此獨立地編碼。
一種用以解碼被編碼有圖像(20)之位元串流的方法，其包括： <br/>將所述圖像(20)細分割為樣本的多個樣本集合(40)； <br/>將所述多個樣本集合(40)合併成各有一或多個樣本集合的多個群組； <br/>使用以所述樣本集合的所述群組為單位在所述位元串流中發送的多個編碼參數來解碼所述圖像(20)，其中解碼器(86)組配來針對預定樣本集合而通過預測所述圖像(20)、解碼用於所述預定樣本集合的一預測殘餘、以及組合所述預測殘餘與自預測所述圖像(20)所產生的一預測，來解碼所述圖像； <br/>從所述位元串流(30)抽取所述預測殘餘和所述編碼參數與用於所述樣本集合(40)的至少一子集的每一者的一或多個語法元素，指出個別的所述樣本集合(40)是否將與另一樣本集合(40)一起被合併到所述多個群組中之一者，其中合併器(84)組配來響應於所述一或多個語法元素來執行所述合併， <br/>其中所述方法包括根據一樣本集合掃描順序依次地步進通過所述多個樣本集合，並且，對於一目前樣本集合： <br/>使用一第一脈絡使用算術解碼，從所述位元串流抽取第一個二進制語法元素； <br/>如果所述第一個二進制語法元素確定為第一個二進制狀態，則通過推斷用於所述目前樣本集合的編碼參數等於與所述多個群組中之一群組關聯的編碼參數，來將所述目前樣本集合合併至所述一群組中、跳越用於所述目前樣本集合的所述預測殘餘的抽取、以及步進至樣本集合掃描順序中的下一個樣本集合； <br/>如果所述第一個二進制語法元素確定為第二個二進制狀態，則使用不同於所述第一脈絡的一第二脈絡使用算術解碼，從所述位元串流抽取第二個語法元素；以及 <br/>取決於所述第二個語法元素： <br/>使用不同於所述第一脈絡以及所述第二脈絡的一第三脈絡使用算術解碼，從所述位元串流抽取第三個語法元素，並且通過推斷用於所述目前樣本集合的編碼參數等於與相鄰於個別的所述樣本集合的預定候選者樣本集合的集合中的一者關聯的編碼參數，將所述目前樣本集合合併至所述多個群組中之一者，預定候選者樣本集合的所述集合中的一者是由所述第三個語法元素傳信，同時抽取與用於所述目前樣本集合的所述預測殘餘有關的至少一個另外的語法元素，或 <br/>執行用於所述目前樣本集合的所述編碼參數的抽取，同時抽取與用於所述目前樣本集合的所述預測殘餘有關的至少一個另外的語法元素， <br/>其中所述圖像(20)被使用多元樹細分割來細分割成樣本的所述樣本集合(40)。
根據請求項8所述的方法，其中所述位元串流還包括與所述圖像相關聯的深度圖。
根據請求項8所述的方法，其中資訊樣本陣列是與所述圖像的不同的平面有關的樣本陣列中之一者，所述不同的平面被彼此獨立地編碼。
一種用以編碼圖像的方法，所述方法包括： <br/>將所述圖像細分割為樣本的多個樣本集合； <br/>將所述多個樣本集合合併至各有一或多個樣本集合的多個群組中； <br/>使用以所述樣本集合的群組為單位在位元串流中發送的多個編碼參數來編碼所述圖像，其中編碼器(76)組配來通過預測所述圖像和編碼用於預定樣本集合的一預測殘餘來編碼所述圖像； <br/>將所述預測殘餘和所述編碼參數與用於所述多個樣本集合的至少一子集的每一者的一或多個語法元素一起插入一位元串流中，所述一或多個語法元素指出個別的所述樣本集合是否與另一樣本集合一起被合併到所述多個群組中之一者， <br/>其中所述方法包括根據一樣本集合掃描順序依次地步進通過所述多個樣本集合，並且，對於一目前樣本集合： <br/>使用一第一脈絡使用算術編碼，將第一個二進制語法元素插入所述位元串流； <br/>其中當確定為第一個二進制狀態，所述第一個二進制語法元素指出通過推斷用於所述目前樣本集合的編碼參數等於與所述多個群組中之一群組關聯的編碼參數，所述目前樣本集合將被合併至所述一群組中，並且指出對於所述目前樣本集合將跳越所述預測殘餘的抽取，並且將步進至樣本集合掃描順序中的下一個樣本集合； <br/>如果所述第一個二進制語法元素確定為第二個二進制狀態，則： <br/>使用不同於所述第一脈絡的一第二脈絡使用算術編碼，將第二個語法元素插入所述位元串流；以及 <br/>插入與用於所述目前樣本集合的所述預測殘餘有關的至少一個另外的語法元素， <br/>其中所述第二個語法元素指出是否所述目前樣本集合將被合併至所述多個群組中之一者、或者是否將針對所述目前樣本集合執行所述編碼參數的抽取，其中插入器組配來，如果所述第二個語法元素指出所述目前樣本集合將被合併，則通過推斷用於所述目前樣本集合的編碼參數等於與相鄰於個別的所述樣本集合的預定候選者樣本集合的集合中的一者關聯的編碼參數，來將所述目前樣本集合合併，並且使用不同於所述第一脈絡以及所述第二脈絡的一第三脈絡使用算術編碼，將第三個語法元素插入所述位元串流，所述第三個語法元素傳信預定候選者樣本集合的所述集合中的一者，以及 <br/>其中所述圖像(20)被使用多元樹細分割來細分割成樣本的所述樣本集合(40)。
根據請求項11所述的方法，其中所述位元串流還包括與所述圖像相關聯的深度圖。
根據請求項11所述的方法，其中資訊樣本陣列是與所述圖像的不同的平面有關的樣本陣列中之一者，所述不同的平面被彼此獨立地編碼。
一種用以解碼位元串流的方法，其中所述方法包括： <br/>接收並解碼位元串流，所述位元串流由以下方式編碼： <br/>將圖像細分割為樣本的多個樣本集合； <br/>將所述多個樣本集合合併至各有一或多個樣本集合的多個群組中； <br/>使用以所述樣本集合的群組為單位在所述位元串流中發送的多個編碼參數來編碼所述圖像，其中編碼器(76)組配來通過預測所述圖像和編碼用於預定樣本集合的預測殘餘來編碼所述圖像； <br/>將所述預測殘餘和所述編碼參數與用於所述多個樣本集合的至少一子集的每一者的一或多個語法元素一起插入一位元串流中，所述一或多個語法元素指出個別的所述樣本集合是否與另一樣本集合一起被合併到所述多個群組中之一者， <br/>其中所述方法包括根據一樣本集合掃描順序依次地步進通過所述多個樣本集合，並且，對於一目前樣本集合： <br/>使用一第一脈絡使用算術編碼，將第一個二進制語法元素插入所述位元串流； <br/>其中當確定為第一個二進制狀態，所述第一個二進制語法元素指出通過推斷用於所述目前樣本集合的編碼參數等於與所述多個群組中之一群組關聯的編碼參數，所述目前樣本集合將被合併至所述一群組中，並且指出對於所述目前樣本集合將跳越所述預測殘餘的抽取，並且將步進至樣本集合掃描順序中的下一個樣本集合； <br/>如果所述第一個二進制語法元素確定為第二個二進制狀態，則： <br/>使用不同於所述第一脈絡的一第二脈絡使用算術編碼，將第二個語法元素插入所述位元串流；以及 <br/>插入與用於所述目前樣本集合的所述預測殘餘有關的至少一個另外的語法元素， <br/>其中所述第二個語法元素指出是否所述目前樣本集合將被合併至所述多個群組中之一者、或者是否將針對所述目前樣本集合執行所述編碼參數的抽取，其中插入器組配來，如果所述第二個語法元素指出所述目前樣本集合將被合併，通過推斷用於所述目前樣本集合的編碼參數等於與相鄰於個別的所述樣本集合的預定候選者樣本集合的集合中的一者關聯的編碼參數，將所述目前樣本集合合併，並且使用不同於所述第一脈絡以及所述第二脈絡的一第三脈絡使用算術編碼，將第三個語法元素插入所述位元串流，所述第三個語法元素傳信預定候選者樣本集合的所述集合中的一者，以及 <br/>其中所述圖像(20)被使用多元樹細分割來細分割成樣本的所述樣本集合(40)。
根據請求項14所述的方法，其中所述位元串流還包括與所述圖像相關聯的深度圖。
根據請求項14所述的方法，其中資訊樣本陣列是與所述圖像的不同的平面有關的樣本陣列中之一者，所述不同的平面被彼此獨立地編碼。
一種用以解碼位元串流的方法，其中所述方法包括： <br/>接收並解碼位元串流，所述位元串流包括： <br/>一預測殘餘和多個編碼參數，其中所述編碼參數以圖像的樣本集合的群組為單位在所述位元串流中發送，所述群組自將所述圖像細分割為多個樣本集合並且將所述多個樣本集合合併成樣本集合的多個群組而產生； <br/>用於所述樣本集合的至少一子集的每一者的一或多個語法元素，所述一或多個語法元素指出個別的所述樣本集合是否將與另一樣本集合一起被合併到所述多個群組中之一者， <br/>其中所述方法包括根據一樣本集合掃描順序依次地步進通過所述多個樣本集合，並且，對於一目前樣本集合： <br/>使用一第一脈絡使用算術編碼，將第一個二進制語法元素插入所述位元串流； <br/>其中當確定為第一個二進制狀態，所述第一個二進制語法元素指出通過推斷用於所述目前樣本集合的編碼參數等於與所述多個群組中之一群組關聯的編碼參數，所述目前樣本集合將被合併至所述一群組中，並且指出對於所述目前樣本集合將跳越所述預測殘餘的抽取，並且將步進至樣本集合掃描順序中的下一個樣本集合； <br/>如果所述第一個二進制語法元素確定為第二個二進制狀態，則： <br/>使用不同於所述第一脈絡的一第二脈絡使用算術編碼，將第二個語法元素插入所述位元串流；以及 <br/>插入與用於所述目前樣本集合的所述預測殘餘有關的至少一個另外的語法元素， <br/>其中所述第二個語法元素指出是否所述目前樣本集合將被合併至所述多個群組中之一者、或者是否將針對所述目前樣本集合執行所述編碼參數的抽取，其中插入器組配來，如果所述第二個語法元素指出所述目前樣本集合將被合併，則通過推斷用於所述目前樣本集合的編碼參數等於與相鄰於個別的所述樣本集合的預定候選者樣本集合的集合中的一者關聯的編碼參數，將所述目前樣本集合合併，並且使用不同於所述第一脈絡以及所述第二脈絡的一第三脈絡使用算術編碼，將第三個語法元素插入所述位元串流，所述第三個語法元素傳信預定候選者樣本集合的所述集合中的一者，以及 <br/>其中所述圖像(20)被使用多元樹細分割來細分割成樣本的所述樣本集合(40)。
根據請求項17所述的方法，其中所述位元串流還包括與所述圖像相關聯的深度圖。
根據請求項17所述的方法，其中資訊樣本陣列是與所述圖像的不同的平面有關的樣本陣列中之一者，所述不同的平面被彼此獨立地編碼。
一種用以儲存圖像的方法，包括： <br/>在數位儲存媒體上儲存位元串流，所述位元串流包括： <br/>一預測殘餘和多個編碼參數，其中所述編碼參數以圖像的樣本集合的群組為單位在所述位元串流中發送，其中所述群組自將所述圖像細分割為多個樣本集合並且將所述多個樣本集合合併成樣本集合的多個群組而 產生； <br/>用於所述樣本集合的至少一子集的每一者的一或多個語法元素，所述一或多個語法元素指出個別的所述樣本集合是否將與另一樣本集合一起被合併到所述多個群組中之一者， <br/>其中所述方法包括根據一樣本集合掃描順序依次地步進通過所述多個樣本集合，並且，對於一目前樣本集合： <br/>使用一第一脈絡使用算術編碼，將第一個二進制語法元素插入所述位元串流； <br/>其中當確定為第一個二進制狀態，所述第一個二進制語法元素指出通過推斷用於所述目前樣本集合的編碼參數等於與所述多個群組中之一群組關聯的編碼參數，所述目前樣本集合將被合併至所述一群組中，並且指出對於所述目前樣本集合將跳越所述預測殘餘的抽取，並且將步進至樣本集合掃描順序中的下一個樣本集合； <br/>如果所述第一個二進制語法元素確定為第二個二進制狀態，則： <br/>使用不同於所述第一脈絡的一第二脈絡使用算術編碼，將第二個語法元素插入所述位元串流；以及 <br/>插入與用於所述目前樣本集合的所述預測殘餘有關的至少一個另外的語法元素， <br/>其中所述第二個語法元素指出是否所述目前樣本集合將被合併至所述多個群組中之一者、或者是否將針對所述目前樣本集合執行所述編碼參數的抽取，其中插入器組配來，如果所述第二個語法元素指出所述目前樣本集合將被合併，則通過推斷用於所述目前樣本集合的編碼參數等於與相鄰於個別的所述樣本集合的預定候選者樣本集合的集合中的一者關聯的編碼參數，將所述目前樣本集合合併，並且使用不同於所述第一脈絡以及所述第二脈絡的一第三脈絡使用算術編碼，將第三個語法元素插入所述位元串流，所述第三個語法元素傳信預定候選者樣本集合的所述集合中的一者，以及 <br/>其中所述圖像(20)被使用多元樹細分割來細分割成樣本的所述樣本集合(40)。
根據請求項20所述的方法，其中所述位元串流還包括與所述圖像相關聯的深度圖。
根據請求項20所述的方法，其中資訊樣本陣列是與所述圖像的不同的平面有關的樣本陣列中之一者，所述不同的平面被彼此獨立地編碼。
一種用以發送圖像的方法，包括： <br/>在發送媒體上發送位元串流，所述位元串流包括： <br/>一預測殘餘和多個編碼參數，其中所述編碼參數以圖像的樣本集合的群組為單位在所述位元串流中發送，所述群組從將所述圖像細分割為多個樣本集合並且將所述多個樣本集合合併成樣本集合的多個群組而產生； <br/>用於所述樣本集合的至少一子集的每一者的一或多個語法元素，所述一或多個語法元素指出個別的所述樣本集合是否將與另一樣本集合一起被合併到所述多個群組中之一者， <br/>其中所述方法包括根據一樣本集合掃描順序依次地步進通過所述多個樣本集合，並且，對於一目前樣本集合： <br/>使用一第一脈絡使用算術編碼，將第一個二進制語法元素插入所述位元串流； <br/>其中當確定為第一個二進制狀態，所述第一個二進制語法元素指出通過推斷用於所述目前樣本集合的編碼參數等於與所述多個群組中之一群組關聯的編碼參數、所述目前樣本集合將被合併至所述一群組中，並且指出對於所述目前樣本集合將跳越所述預測殘餘的抽取，並且將步進至樣本集合掃描順序中的下一個樣本集合； <br/>如果所述第一個二進制語法元素確定為第二個二進制狀態，則： <br/>使用不同於所述第一脈絡的一第二脈絡使用算術編碼，將第二個語法元素插入所述位元串流；以及 <br/>插入與用於所述目前樣本集合的所述預測殘餘有關的至少一個另外的語法元素， <br/>其中所述第二個語法元素指出是否所述目前樣本集合將被合併至所述多個群組中之一者、或者是否將針對所述目前樣本集合執行所述編碼參數的抽取，其中插入器組配來，如果所述第二個語法元素指出所述目前樣本集合將被合併，則通過推斷用於所述目前樣本集合的編碼參數等於與相鄰於個別的所述樣本集合的預定候選者樣本集合的集合中的一者關聯的編碼參數，將所述目前樣本集合合併，並且使用不同於所述第一脈絡以及所述第二脈絡的一第三脈絡使用算術編碼，將第三個語法元素插入所述位元串流，所述第三個語法元素傳信預定候選者樣本集合的所述集合中的一者，以及 <br/>其中所述圖像(20)被使用多元樹細分割來細分割成樣本的所述樣本集合(40)。
根據請求項23所述的方法，其中所述位元串流還包括與所述圖像相關聯的深度圖。
根據請求項23所述的方法，其中資訊樣本陣列是與所述圖像的不同的平面有關的樣本陣列中之一者，所述不同的平面被彼此獨立地編碼。
一種組配來解碼被編碼有圖像(20)之位元串流(30)的裝置，所述圖像的一樣本陣列被分隔為多個區塊，並且所述位元串流針對各區塊指出個別的區塊是以圖像內預測模式還是以圖像間預測模式來編碼，所述裝置組配來： <br/>對於一目前區塊，從所述位元串流(30)抽取一旗標， <br/>使用所述旗標來決定： <br/>與所述目前區塊關聯的多個編碼參數是將通過根據一合併候選者予以合併而被設定還是將從所述位元串流(30)取得， <br/>所述圖像(20)的所述目前區塊(40)是將僅以依照與所述目前區塊(40)關聯的所述編碼參數的一預測信號為基礎而無需任何殘餘資料被重建，還是將利用所述位元串流(30)內的殘餘資料藉由依照與所述目前區塊(40)關聯的所述編碼參數精煉所述預測信號而被重建，以及 <br/>所述目前區塊是否係以圖像間預測模式編碼， <br/>如果所述位元串流(30)內的所述旗標傳信：與所述目前區塊(40)關聯的所述編碼參數係將根據一合併候選者而被設定、不發送所述目前區塊的殘餘資料、以及所述目前區塊是以圖像間預測模式編碼，則： <br/>執行合併，使得通過根據一合併候選者設定編碼參數來獲得與所述目前區塊(40)關聯的所述編碼參數，並且 <br/>僅以依照所述編碼參數的一預測信號為基礎而無需任何殘餘資料使用圖像間預測模式來重建所述圖像(20)的目前樣本集合；以及 <br/>如果在所述位元串流(30)內的所述旗標傳信與所述目前區塊(40)關聯的所述編碼參數不根據一合併候選者來設定，則： <br/>從所述位元串流中抽取一語法元素，所述語法元素指出所述目前區塊是以圖像內預測模式還是以圖像間預測模式編碼，並且如果所述語法元素傳信所述目前區塊是以圖像間預測模式編碼，則針對所述目前區塊被進一步分隔成的所述目前區塊的每個分隔，從所述位元串流中抽取一合併旗標，所述合併旗標指出針對個別分隔的單獨合併的致動， <br/>其中所述圖像(20)被使用多元樹細分割來細分割成樣本的所述樣本集合。
根據請求項26所述的裝置，其中所述裝置組配成使得所述裝置： <br/>如果所述位元串流內的所述旗標不傳信與所述目前區塊(40)關聯的所述編碼參數根據一合併候選者來設定， <br/>則針對所述目前區塊的每一個分隔，響應於所述位元串流內的所述合併旗標，使得所述裝置取決於所述合併旗標： <br/>致動針對所述目前區塊的所述個別分隔的合併，使得通過根據一合併候選者設定編碼參數來獲得與所述目前區塊(40)的所述個別分隔關聯的所述編碼參數，從所述位元串流(30)獲得針對所述目前區塊(40)的所述個別分隔的殘餘資料，並且以所述預測信號和所述殘餘資料為基礎，重建所述圖像(20)的所述目前區塊(40)的所述個別分隔，或 <br/>從所述位元串流(30)抽取與所述目前區塊(40)的所述個別分隔關聯的所述編碼參數，從所述位元串流(30)獲得針對所述目前區塊(40)的所述個別分隔的殘餘資料，並且以所述預測信號和所述殘餘資料為基礎，重建所述圖像(20)的所述目前區塊(40)的所述個別分隔。
一種用以解碼被編碼有圖像(20)之位元串流的裝置，所述裝置包括： <br/>一細分割器(82)，組配來將所述圖像(20)細分割爲樣本的多個區塊(40)； <br/>一合併器(84)，組配來分別將區塊(40)合併成含一或多個區塊的多個群組； <br/>一解碼器(86)，組配來使用以區塊的所述群組為單位在所述位元串流中發送的多個編碼參數來解碼所述圖像(20)，其中所述解碼器(86)組配來針對預定區塊而通過預測所述圖像(20)、解碼用於所述預定區塊的一預測殘餘、以及組合所述預測殘餘與自預測所述圖像(20)所產生的一預測，來解碼所述圖像，其中針對各區塊，所述位元串流傳信個別的區塊是以圖像內預測模式還是以圖像間預測模式予以編碼； <br/>一抽取器(88)，組配來連同用於所述區塊(40)的至少一子集的每一個的一或多個語法元素一起，從所述位元串流(30)抽取所述預測殘餘和所述編碼參數，所述一或多個語法元素指出所述個別的區塊(40)是否以圖像間預測模式編碼、所述個別的區塊(40)將與另一區塊(40)一起被合併到所述多個群組中之一者、以及是否不要發送所述個別的區塊(40)的殘餘資料，其中所述合併器(84)組配來響應於所述一或多個語法元素來執行合併， <br/>其中所述一或多個語法元素的可能狀態中之一者傳信：所述個別的區塊(40)以圖像內預測模式編碼、所述個別的區塊(40)將與另一區塊(40)一起被合併到所述多個群組中之一者、以及所述個別的區塊(40)不具有被編碼且被插入所述位元串流(30)中的預測殘餘，並且所述抽取器(88)組配來，對於所述一或多個語法元素未確定數個可能狀態中之一者的每個區塊，從所述位元串流中抽取傳信個別的區塊是以圖像內預測模式還是以圖像間預測模式編碼的一語法元素，其中分隔資訊傳信個別的區塊的分隔，並且如果個別的區塊以圖像間預測模式編碼，則針對個別的區塊根據所述分隔資訊被分隔成的每個分隔，從所述位元串流中抽取合併旗標，所述合併旗標單獨地致動針對個別分隔的合併， <br/>其中所述圖像(20)被使用多元樹細分割來細分割成樣本的樣本集合。
根據請求項28所述的裝置，其中所述抽取器還組配來從所述位元串流抽取細分割資訊，並且所述細分割器組配來響應於所述細分割資訊而將所述圖像細分割為多個區塊。
一種用以將圖像(20)編碼入位元串流(30)的裝置，所述圖像(20)的一樣本陣列被分隔為多個區塊(40)，使得所述位元串流針對各區塊指出個別的區塊是以圖像內預測模式還是以圖像間預測模式來編碼，所述裝置組配來： <br/>對於一目前區塊，將一旗標編碼至所述位元串流中，所述旗標指出： <br/>與所述目前區塊(40)關聯的編碼參數是將通過根據一合併候選者予以合併被設定還是將從所述位元串流(30)取得， <br/>所述圖像(20)的所述目前區塊(40)是將僅以依照與所述目前區塊(40)關聯的所述編碼參數的一預測信號為基礎而無需任何殘餘資料被重建，還是將藉由利用所述位元串流(30)內的殘餘資料精煉依照與所述目前區塊(40)關聯的所述編碼參數的所述預測信號而被重建，以及 <br/>所述目前區塊是否係以圖像間預測模式編碼， <br/>如果所述位元串流(30)內的所述旗標傳信與所述目前區塊(40)關聯的所述編碼參數係將根據一合併候選者來設定、不發送所述目前區塊的殘餘資料、以及所述目前區塊是以圖像間預測模式編碼，則： <br/>根據所述合併候選者設定與所述目前區塊(40)關聯的所述編碼參數，並且使用圖像間預測模式來編碼所述目前區塊，使得將僅以依照所述編碼參數的一預測信號為基礎而無需任何殘餘資料使用圖像間預測模式來重建所述圖像(20)的所述目前區塊(40)；以及 <br/>如果在所述位元串流(30)內的所述旗標指出與所述目前區塊(40)關聯的所述編碼參數不根據一合併候選者來設定，則： <br/>將一語法元素插入所述位元串流中，所述語法元素指出所述目前區塊是以圖像內預測模式還是以圖像間預測模式編碼，並且，如果所述語法元素傳信所述目前區塊是以圖像間預測模式編碼，則針對所述目前區塊被進一步分隔成的所述目前區塊的每個分隔，將一合併旗標插入所述位元串流中，所述合併旗標指出針對個別分隔的單獨合併的致動， <br/>其中所述圖像(20)被使用多元樹細分割來細分割成樣本的樣本集合。
一種用以將圖像編碼入位元串流的裝置，包括： <br/>一細分割器(72)，組配來將所述圖像細分割為樣本的多個區塊； <br/>一合併器(74)，組配來將所述區塊合併成均有一或多個區塊的多個群組； <br/>一編碼器(76)，組配來使用以區塊的所述群組為單位在所述位元串流中發送的多個編碼參數來編碼所述圖像，其中所述編碼器(76)組配來通過預測所述圖像並編碼用於預定區塊的一預測殘餘來編碼所述圖像，其中針對各區塊，所述位元串流傳信所述個別區塊是以圖像內預測模式還是以圖像間預測模式來編碼； <br/>一串流產生器(78)，組配來將所述預測殘餘和所述編碼參數與用於所述區塊的至少一子集的每一個的一或多個語法元素一起插入一位元串流中，所述一或多個語法元素傳信：所述個別的區塊是否以圖像間預測模式編碼、所述個別的區塊是否與另一區塊一起被合併到所述多個群組中之一者、以及是否不要發送所述個別的區塊的殘餘資料， <br/>其中所述一或多個語法元素的可能狀態中之一者指出：所述個別的區塊以圖像間預測模式編碼、所述個別的區塊將與另一區塊一起被合併到所述多個群組中之一者、以及所述個別的區塊不具有被編碼且被插入所述位元串流中的預測殘餘，並且所述串流產生器(78)組配來將所述一或多個語法元素未確定可能狀態中之一者的每個區塊插入所述位元串流中，其中一語法元素傳信所述個別的區塊是以圖像內預測模式還是以圖像間預測模式編碼，其中一分隔資訊在所述位元串流內傳信：所述個別的區塊的分隔以及，針對所述個別的區塊根據所述分隔資訊被分隔成的每個分隔，將一合併旗標插入所述位元串流中，所述合併旗標單獨地致動針對所述個別分隔的合併， <br/>其中所述圖像(20)被使用多元樹細分割來細分割成樣本的樣本集合。
一種用以解碼被編碼有圖像(20)之位元串流(30)的方法，所述圖像的樣本陣列被分隔為多個區塊，並且所述位元串流針對各區塊傳信個別的區塊是以圖像內預測模式還是以圖像間預測模式來編碼，所述方法包括： <br/>對於一目前區塊，從所述位元串流(30)抽取一旗標， <br/>使用所述旗標來決定： <br/>與所述目前區塊關聯的編碼參數是將通過根據一合併候選者予以合併來設定還是將從所述位元串流(30)取得， <br/>所述圖像(20)的所述目前區塊(40)是將僅以依照與所述目前區塊(40)關聯的所述編碼參數的一預測信號為基礎而無需任何殘餘資料被重建，還是將藉由利用所述位元串流(30)內的殘餘資料精煉依照與所述目前區塊(40)關聯的所述編碼參數的所述預測信號而被重建， <br/>所述目前區塊是否係以圖像間預測模式編碼， <br/>如果所述位元串流(30)內的所述旗標傳信：與所述目前區塊(40)關聯的所述編碼參數將根據一合併候選者來設定、不發送所述目前區塊的殘餘資料、以及所述目前區塊是以圖像間預測模式編碼，則： <br/>執行合併，使得通過根據一合併候選者設定編碼參數來獲得與所述目前區塊(40)關聯的所述編碼參數，並且 <br/>僅以依照所述編碼參數的一預測信號為基礎而無需任何殘餘資料使用圖像間預測模式來重建所述圖像(20)的所述目前區塊(40)；以及 <br/>如果在所述位元串流(30)內的所述旗標傳信與所述目前區塊(40)關聯的所述編碼參數不根據一合併候選者來設定，則： <br/>從所述位元流串中抽取一語法元素，所述語法元素指出所述目前區塊是以圖像內預測模式還是以圖像間預測模式編碼，並且，如果所述語法元素傳信所述目前區塊是以圖像間預測模式編碼，則針對所述目前區塊被進一步分隔成的所述目前區塊的每個分隔，從所述位元串流中抽取一合併旗標，所述合併旗標指出針對個別分隔的合併的致動， <br/>其中所述圖像(20)被使用多元樹細分割來細分割成樣本的樣本集合。
一種用以解碼被編碼有圖像(20)之位元串流的方法，所述方法包括： <br/>將所述圖像(20)細分割為多個區塊(40)； <br/>分別將所述區塊(40)合併成含一或多個區塊的多個群組； <br/>使用以區塊的所述群組為單位在所述位元串流中發送的多個編碼參數來解碼所述圖像(20)，通過針對預定區塊預測所述圖像(20)、解碼用於所述預定區塊的一預測殘餘、以及組合所述預測殘餘與從預測所述圖像(20)所產生的一預測，來解碼所述圖像，其中針對各區塊，所述位元串流傳信個別的區塊是以圖像內預測模式還是以圖像間預測模式來編碼； <br/>從所述位元串流(30)抽取所述預測殘餘和所述編碼參數與用於所述區塊(40)的至少一子集的每一個的一或多個語法元素，所述一或多個語法元素指出：所述個別的區塊(40)是否以圖像間預測模式編碼、所述個別的區塊是否將與另一區塊(40)一起被合併到所述多個群組中之一者、以及是否不要發送所述個別的區塊的殘餘資料，其中係響應於所述一或多個語法元素來執行合併(84)， <br/>其中所述一或多個語法元素的可能狀態中之一者傳信：所述個別的區塊(40)以圖像間預測模式編碼、所述個別的區塊將與另一區塊(40)一起被合併到所述多個群組中之一者、以及所述個別的區塊不具有被編碼且被插入所述位元串流(30)中的預測殘餘，並且抽取包括，對於所述一或多個語法元素未確定可能狀態中之一者的每個區塊，從所述位元串流中抽取傳信所述個別的區塊是以圖像內預測模式還是以圖像間預測模式編碼的一語法元素，傳信所述個別的區塊的分隔的分隔資訊，以及如果所述個別的區塊以圖像間預測模式編碼，則針對所述個別的區塊根據所述分隔資訊被分隔成的每個分隔，從所述位元串流中抽取一合併旗標，所述合併旗標單獨地致動針對個別分隔的合併， <br/>其中所述圖像(20)被使用多元樹細分割來細分割成樣本的樣本集合。
一種用以將圖像(20)編碼入位元串流(30)的方法，所述圖像(20)的樣本陣列被分隔為多個區塊(40)，使得所述位元串流針對各區塊指出個別的區塊是以圖像內預測模式還是以圖像間預測模式來編碼，所述方法包括： <br/>對於一目前區塊將一旗標編碼入所述位元串流中，所述旗標指出： <br/>與所述目前區塊(40)關聯的多個編碼參數是將通過根據一合併候選者予以合併來設定還是將從所述位元串流(30)取得，以及 <br/>所述圖像(20)的所述目前區塊(40)是將僅以依照與所述目前區塊(40)關聯的所述編碼參數的一預測信號為基礎而無需任何殘餘資料被重建，還是將藉由利用所述位元串流(30)內的殘餘資料精煉依照與所述目前區塊(40)關聯的所述編碼參數的所述預測信號而被重建，以及 <br/>所述目前區塊是否係以圖像間預測模式編碼， <br/>如果所述位元串流(30)內的所述旗標傳信：與所述目前區塊(40)關聯的所述編碼參數將根據一合併候選者來設定、不發送所述目前區塊的殘餘資料、以及所述目前區塊是以圖像間預測模式編碼，則： <br/>根據所述合併候選者設定與所述目前區塊(40)關聯的所述編碼參數，並且使用圖像間預測模式來編碼所述目前區塊，使得所述圖像(20)的所述目前區塊(40)將僅以依照所述編碼參數的一預測信號為基礎而無需任何殘餘資料使用圖像間預測模式來重建；以及 <br/>如果在所述位元串流(30)內的所述旗標傳信與所述目前區塊(40)關聯的所述編碼參數不根據一合併候選者來設定，則： <br/>將一語法元素插入所述位元串流中，所述語法元素指出所述目前區塊是以圖像內預測模式還是以圖像間預測模式編碼，並且，如果所述語法元素是以圖像間預測模式編碼，則針對所述目前區塊被進一步分隔成的所述目前區塊的每個分隔，將一合併旗標插入所述位元串流中，所述合併旗標指出針對個別分隔的單獨合併的致動， <br/>其中所述圖像(20)被使用多元樹細分割來細分割成樣本的樣本集合。
一種用以將圖像編碼入位元串流的方法，所述方法包括： <br/>將所述圖像細分割為樣本的多個區塊； <br/>將所述區塊分別合併成含一或多個區塊的多個群組； <br/>使用以區塊的所述群組為單位在位元串流中發送的多個編碼參數來編碼所述圖像，其中編碼器(76)組配來通過預測所述圖像並編碼用於預定區塊的一預測殘餘來編碼所述圖像，其中針對各區塊，所述位元串流傳信個別的區塊是以圖像內預測模式還是以圖像間預測模式來編碼； <br/>將所述預測殘餘和所述編碼參數與用於所述區塊的至少一子集的每一個的一或多個語法元素一起插入一位元串流中，所述一或多個語法元素指出：所述個別的區塊是否以圖像間預測模式編碼、所述個別的區塊是否與另一區塊一起被合併到所述多個群組中之一者、以及是否不要發送所述個別的區塊的殘餘資料， <br/>其中所述一或多個語法元素的可能狀態中之一者傳信：所述個別的區塊以圖像間預測模式編碼、所述個別的區塊將與另一區塊一起被合併到所述多個群組中之一者、以及所述個別的區塊不具有被編碼且被插入所述位元串流中的預測殘餘，其中插入包括，對於所述一或多個語法元素未確定可能狀態中之一者的每個區塊，插入所述位元串流中，其中一語法元素傳信所述個別的區塊是以圖像內預測模式還是以圖像間預測模式編碼，其中分隔資訊在所述位元串流內傳信所述個別的區塊的分隔，並且針對所述個別的區塊根據所述分隔資訊被分隔成的每個分隔，將一合併旗標插入所述位元串流中，所述合併旗標單獨地致動針對個別分隔的合併， <br/>其中所述圖像(20)被使用多元樹細分割來細分割成樣本的樣本集合。
一種鎓鹽，係以下式(A)表示； <br/><img align="absmiddle" height="62px" width="144px" file="ed10145.jpg" alt="ed10145.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，n1及n2分別獨立地為0~2之整數；n3在n1=0時為1≦n3≦5之整數，在n1=1時為1≦n3≦7之整數，在n1=2時為1≦n3≦9之整數；n4在n2=0時為0≦n4≦5之整數，在n2=1時為0≦n4≦7之整數，在n2=2時為0≦n4≦9之整數； <br/>L為單鍵、醚鍵、酯鍵、磺酸酯鍵、醯胺鍵、碳酸酯鍵或胺基甲酸酯鍵； <br/>R<sup>1</sup>分別獨立地為碘原子或也可含有雜原子之環狀之碳數3~20之烴基，且至少1個R<sup>1</sup>鍵結於和L所鍵結的碳原子相鄰之碳原子；又，n3為2以上時，多個R<sup>1</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結的碳原子一起形成環； <br/>R<sup>2</sup>為也可含有雜原子之碳數1~20之烴基；又，n4為2以上時，多個R<sup>2</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結的碳原子一起形成環； <br/>W<sup>1</sup>係和相鄰的芳香環之碳原子C<sup>1</sup>及C<sup>2</sup>一起形成之碳數3~15之環，且形成該環之碳原子的一部分也可被取代成含雜原子之基； <br/>W<sup>2</sup>係和相鄰的芳香環之碳原子C<sup>3</sup>及C<sup>4</sup>一起形成之碳數3~15之環，且形成該環之碳原子的一部分也可被取代成含雜原子之基； <br/>Z<sup>+</sup>為鎓陽離子。
如請求項1之鎓鹽，其以下式(A1)表示； <br/><img align="absmiddle" height="62px" width="119px" file="ed10146.jpg" alt="ed10146.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，n2、n3、n4、W<sup>1</sup>、W<sup>2</sup>、L、R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>及Z<sup>+</sup>和前述相同。
如請求項2之鎓鹽，其以下式(A2)表示； <br/><img align="absmiddle" height="51px" width="126px" file="ed10147.jpg" alt="ed10147.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，n3、n4、W<sup>1</sup>、R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>及Z<sup>+</sup>和前述相同。
如請求項1之鎓鹽，其中，Z<sup>+</sup>為下式(cation-1)或(cation-2)表示之鎓陽離子； <br/><img align="absmiddle" height="32px" width="101px" file="ed10148.jpg" alt="ed10148.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>ct1</sup>~R<sup>ct5</sup>分別獨立地為鹵素原子或也可含有雜原子之碳數1~30之烴基；又，R<sup>ct1</sup>及R<sup>ct2</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結的硫原子一起形成環。
一種光酸產生劑，係由如請求項1至4中任一項之鎓鹽構成。
一種化學增幅正型阻劑組成物，含有如請求項5之光酸產生劑。
如請求項6之化學增幅正型阻劑組成物，含有包含因酸的作用而分解並增加對鹼顯影液之溶解度的聚合物之基礎聚合物。
如請求項7之化學增幅正型阻劑組成物，其中，該聚合物含有下式(B1)表示之重複單元； <br/><img align="absmiddle" height="64px" width="120px" file="ed10149.jpg" alt="ed10149.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，a1為0或1；a2為0~2之整數；a3為符合0≦a3≦5+2(a2)-a4之整數；a4為1~3之整數； <br/>R<sup>A</sup>為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基； <br/>R<sup>11</sup>為鹵素原子、也可被鹵素原子取代之碳數2~8之飽和烴基羰基氧基、也可被鹵素原子取代之碳數1~6之飽和烴基、或也可被鹵素原子取代之碳數1~6之飽和烴基氧基； <br/>A<sup>1</sup>為單鍵或碳數1~10之飽和伸烴基，且該飽和伸烴基的-CH<sub>2</sub>-之一部分也可被-O-取代。
如請求項7之化學增幅正型阻劑組成物，其中，該聚合物含有下式(B2-1)表示之重複單元； <br/><img align="absmiddle" height="64px" width="144px" file="ed10150.jpg" alt="ed10150.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，b1為0或1；b2為0~2之整數；b3為符合0≦b3≦5+2(b2)-b4之整數；b4為1~3之整數；b5為0或1； <br/>R<sup>A</sup>為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基； <br/>R<sup>12</sup>為鹵素原子、也可被鹵素原子取代之碳數2~8之飽和烴基羰基氧基、也可被鹵素原子取代之碳數1~6之飽和烴基、或也可被鹵素原子取代之碳數1~6之飽和烴基氧基； <br/>A<sup>2</sup>為單鍵或碳數1~10之飽和伸烴基，且該飽和伸烴基的-CH<sub>2</sub>-之一部分也可被-O-取代； <br/>b4為1時，X為酸不穩定基；b4為2或3時，X分別獨立地為氫原子或酸不穩定基，惟至少1個為酸不穩定基。
如請求項7之化學增幅正型阻劑組成物，其中，該聚合物含有下式(B2-2)表示之重複單元； <br/><img align="absmiddle" height="49px" width="125px" file="ed10151.jpg" alt="ed10151.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，c1為0~2之整數；c2為0~2之整數；c3為0~5之整數；c4為0~2之整數； <br/>R<sup>A</sup>為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基； <br/>R<sup>13</sup>及R<sup>14</sup>分別獨立地為也可含有雜原子之碳數1~10之烴基，且R<sup>13</sup>與R<sup>14</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結的碳原子一起形成環； <br/>R<sup>15</sup>分別獨立地為氟原子、碳數1~5之氟化烷基或碳數1~5之氟化烷氧基； <br/>R<sup>16</sup>分別獨立地為也可含有雜原子之碳數1~10之烴基； <br/>A<sup>3</sup>為單鍵、伸苯基、伸萘基或*-C(=O)-O-A<sup>31</sup>-；A<sup>31</sup>為也可含有羥基、醚鍵、酯鍵或內酯環之碳數1~20之脂肪族伸烴基、或伸苯基或伸萘基；*為和主鏈之碳原子的原子鍵。
如請求項7之化學增幅正型阻劑組成物，其中，該聚合物含有選自下式(B3)表示之重複單元、下式(B4)表示之重複單元及下式(B5)表示之重複單元中之至少1種； <br/><img align="absmiddle" height="73px" width="154px" file="ed10152.jpg" alt="ed10152.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，d為0~6之整數；e為0~4之整數；f1為0或1；f2為0~2之整數；f3為0~5之整數； <br/>R<sup>A</sup>為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基； <br/>R<sup>17</sup>及R<sup>18</sup>分別獨立地為羥基、鹵素原子、也可被鹵素原子取代之碳數2~8之飽和烴基羰基氧基、也可被鹵素原子取代之碳數1~8之飽和烴基、或也可被鹵素原子取代之碳數1~8之飽和烴基氧基； <br/>R<sup>19</sup>為碳數1~20之飽和烴基、碳數1~20之飽和烴基氧基、碳數2~20之飽和烴基羰基氧基、碳數2~20之飽和烴基氧基烴基、碳數2~20之飽和烴基硫代烴基、鹵素原子、硝基、或氰基，且f2為1或2時也可為羥基； <br/>A<sup>4</sup>為單鍵或碳數1~10之飽和伸烴基，且該飽和伸烴基的-CH<sub>2</sub>-之一部分也可被-O-取代。
如請求項7之化學增幅正型阻劑組成物，其中，該聚合物含有下式(B6)~(B13)中任一者表示之重複單元； <br/><img align="absmiddle" height="158px" width="211px" file="ed10153.jpg" alt="ed10153.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>A</sup>分別獨立地為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基； <br/>Y<sup>1</sup>為單鍵、碳數1~6之脂肪族伸烴基、伸苯基、伸萘基或將它們組合而得之碳數7~18之基、或*-O-Y<sup>11</sup>-、*-C(=O)-O-Y<sup>11</sup>-或*-C(=O)-NH-Y<sup>11</sup>-，且Y<sup>11</sup>為碳數1~6之脂肪族伸烴基、伸苯基、伸萘基或將它們組合而得之碳數7~18之基，且也可含有羰基、酯鍵、醚鍵或羥基； <br/>Y<sup>2</sup>為單鍵或**-Y<sup>21</sup>-C(=O)-O-，且Y<sup>21</sup>為也可含有雜原子之碳數1~20之伸烴基； <br/>Y<sup>3</sup>為單鍵、亞甲基、伸乙基、伸苯基、氟化伸苯基、被三氟甲基取代之伸苯基、*-O-Y<sup>31</sup>-、*-C(=O)-O-Y<sup>31</sup>-或*-C(=O)-NH-Y<sup>31</sup>-；Y<sup>31</sup>為碳數1~6之脂肪族伸烴基、伸苯基、氟化伸苯基、被三氟甲基取代之伸苯基或將它們組合而得之碳數7~20之基，且也可含有羰基、酯鍵、醚鍵或羥基； <br/>*為和主鏈之碳原子的原子鍵，**為和式中之氧原子的原子鍵； <br/>Y<sup>4</sup>為單鍵或也可含有雜原子之碳數1~30之伸烴基； <br/>g1及g2分別獨立地為0或1，惟Y<sup>4</sup>為單鍵時，g1及g2為0； <br/>R<sup>21</sup>~R<sup>38</sup>分別獨立地為鹵素原子或也可含有雜原子之碳數1~20之烴基；又，R<sup>21</sup>及R<sup>22</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結的硫原子一起形成環，R<sup>23</sup>及R<sup>24</sup>、R<sup>26</sup>及R<sup>27</sup>、或R<sup>29</sup>及R<sup>30</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結的硫原子一起形成環； <br/>R<sup>HF</sup>為氫原子或三氟甲基； <br/>Xa<sup>-</sup>為非親核性相對離子。
如請求項6之化學增幅正型阻劑組成物，更含有有機溶劑。
如請求項6之化學增幅正型阻劑組成物，更含有含選自下式(D1)表示之重複單元、下式(D2)表示之重複單元、下式(D3)表示之重複單元及下式(D4)表示之重複單元中之至少1種且也可更含選自下式(D5)表示之重複單元及下式(D6)表示之重複單元中之至少1種之含氟原子之聚合物； <br/><img align="absmiddle" height="143px" width="199px" file="ed10154.jpg" alt="ed10154.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，x為1~3之整數；y為符合0≦y≦5+2z-x之整數；z為0或1；h為1~3之整數； <br/>R<sup>B</sup>分別獨立地為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基； <br/>R<sup>C</sup>分別獨立地為氫原子或甲基； <br/>R<sup>101</sup>、R<sup>102</sup>、R<sup>104</sup>及R<sup>105</sup>分別獨立地為氫原子或碳數1~10之飽和烴基； <br/>R<sup>103</sup>、R<sup>106</sup>、R<sup>107</sup>及R<sup>108</sup>分別獨立地為氫原子、碳數1~15之烴基、碳數1~15之氟化烴基或酸不穩定基，且R<sup>103</sup>、R<sup>106</sup>、R<sup>107</sup>及R<sup>108</sup>為烴基或氟化烴基時，也可在碳-碳鍵間插入醚鍵或羰基； <br/>R<sup>109</sup>為也可在碳-碳鍵間插入含有雜原子之基之直鏈狀或分支狀之碳數1~5之烴基； <br/>R<sup>110</sup>為氫原子或也可在碳-碳鍵間插入含有雜原子之基之直鏈狀或分支狀之碳數1~5之烴基； <br/>R<sup>111</sup>為至少1個氫原子被氟原子取代之碳數1~20之飽和烴基，且該飽和烴基的-CH<sub>2</sub>-之一部分也可被酯鍵或醚鍵取代； <br/>Z<sup>1</sup>為碳數1~20之(h+1)價之烴基或碳數1~20之(h+1)價之氟化烴基； <br/>Z<sup>2</sup>為單鍵、*-C(=O)-O-或*-C(=O)-NH-；*為和主鏈之碳原子的原子鍵； <br/>Z<sup>3</sup>為單鍵、-O-、*-C(=O)-O-Z<sup>31</sup>-Z<sup>32</sup>-或*-C(=O)-NH-Z<sup>31</sup>-Z<sup>32</sup>-；Z<sup>31</sup>為單鍵或碳數1~10之飽和伸烴基；Z<sup>32</sup>為單鍵、酯鍵、醚鍵或磺醯胺鍵；*為和主鏈之碳原子的原子鍵。
如請求項6之化學增幅正型阻劑組成物，更含有淬滅劑。
如請求項6之化學增幅正型阻劑組成物，更含有如請求項5之光酸產生劑以外之光酸產生劑。
一種阻劑圖案形成方法，包含下列步驟： <br/>使用如請求項6之化學增幅正型阻劑組成物於基板上形成阻劑膜， <br/>使用高能射線對該阻劑膜進行曝光，及 <br/>使用鹼顯影液將該已曝光之阻劑膜進行顯影來獲得阻劑圖案。
如請求項17之阻劑圖案形成方法，其中，該高能射線為極紫外線或電子束。
如請求項17之阻劑圖案形成方法，其中，該基板的最表面係由含鉻之材料構成。
如請求項17之阻劑圖案形成方法，其中，該基板為空白光罩。
一種檢測器，係具備有： <br/> 發光元件，係藉由起因於針對試料之束之照射而從試料所被放出的量子之碰撞而發光；和 <br/> 複數之受光元件，係藉由受光面而受光前述發光元件所產生之光， <br/> 前述受光面，係在與前述束之照射方向相交叉之第1方向上，而被配置在相對於前述束而更遠離前述發光元件之位置處， <br/> 前述受光面，係被配置為與前述束之照射方向相交叉之朝向， <br/> 前述檢測器，係形成將光朝向前述第1方向而作導引之第1光路、和將經由前述第1光路而到來之光朝向前述受光面作導引之第2光路， <br/> 前述檢測器係具備有導光器，前述導光器，係形成前述第2光路之至少一部分。
如請求項1所記載之檢測器，其中， <br/> 前述發光元件，係在前述束之照射方向上被作複數配置。
一種檢測器，係具備有： <br/> 發光元件，係藉由起因於針對試料之束之照射而從試料所被放出的量子之碰撞而發光；和 <br/> 複數之受光元件，係藉由受光面而受光前述發光元件所產生之光， <br/> 前述受光面，係在與前述束之照射方向相交叉之第1方向上，而被配置在相對於前述束而更遠離前述發光元件之位置處， <br/> 前述受光面，係被配置為與前述束之照射方向相交叉之朝向， <br/> 前述檢測器，係形成將光朝向前述第1方向而作導引之第1光路、和將經由前述第1光路而到來之光朝向前述受光面作導引之第2光路， <br/> 前述發光元件，係在前述束之照射方向上被作複數配置。
如請求項3所記載之檢測器，其中， <br/> 前述檢測器係具備有導光器，前述導光器，係形成前述第2光路之至少一部分。
如請求項1或3所記載之檢測器，其中， <br/> 前述檢測器，係具備有將在與前述束之照射方向相正交之方向所到來之光反射至具有與前述束之照射方向相反方向之成分的方向處之面。
如請求項1或3所記載之檢測器，其中， <br/> 前述受光面，係以沿著前述第1方向的方式而被作複數配列。
如請求項1或4所記載之檢測器，其中， <br/> 前述發光元件，係在前述束之照射方向上被作複數配置， <br/> 被與複數之發光元件作連接之複數之導光器，係在前述束之照射方向上而具有彼此重疊之部分。
如請求項1或4所記載之檢測器，其中， <br/> 在前述第1方向上，前述發光元件、前述導光器以及前述受光元件，係位置於同一直線上。
如請求項1或4所記載之檢測器，其中， <br/> 前述導光器之寬幅，係為前述受光面之寬幅之1.5倍以下。
如請求項1或3所記載之檢測器，其中， <br/> 前述發光元件，係在前述束之周方向上被作複數配置。
如請求項1或4所記載之檢測器，其中， <br/> 前述受光元件之受光面與前述導光器係被作接著。
如請求項1或3所記載之檢測器，其中， <br/> 前述受光元件係為矽光電倍增管。
如請求項1或3所記載之檢測器，其中， <br/> 前述發光元件，係以會使前述量子之對於前述發光元件之射入角成為30度以下的方式而被作配置。
如請求項1或3所記載之檢測器，其中， <br/> 在前述發光元件處而前述量子所射入之射入面、或者是在前述發光元件處而於前述束之照射方向上為與前述射入面相反側之面，此兩者之至少其中一者，係相對於前述第1方向而有所傾斜。
如請求項1或4所記載之檢測器，其中， <br/> 在前述導光器處，於前述束之照射方向上為與前述發光元件處之射入面相反側之面，係相對於前述第1方向而有所傾斜。
如請求項12所記載之檢測器，其中， <br/> 前述檢測器係具備有複數之前述矽光電倍增管， <br/> 被施加於複數之前述矽光電倍增管處之動作電壓，係為相同。
如請求項1或4所記載之檢測器，其中， <br/> 前述導光器係形成前述第1光路以及前述第2光路。
如請求項1或3所記載之檢測器，其中， <br/> 前述第1光路，係包含有將具有前述第1方向之成分以及與前述束之照射方向相反方向之成分之光朝向具有前述第1方向之成分以及前述束之照射方向之成分的方向而作反射之面、或者是將具有前述第1方向之成分以及前述束之照射方向之成分之光朝向具有前述第1方向之成分以及與前述束之照射方向相反方向之成分的方向而作反射之面， <br/> 此兩者中之至少其中一者，而被形成。
一種檢測器，係具備有： <br/> 發光元件，係藉由起因於針對試料之束之照射而從試料所被放出的量子之碰撞而發光；和 <br/> 複數之受光元件，係藉由受光面而受光前述發光元件所產生之光， <br/> 前述受光面，係在與前述束之照射方向相交叉之第1方向上，而被配置在相對於前述束而更遠離前述發光元件之位置處， <br/> 前述檢測器，係具備有將光從在前述發光元件處而量子所射入之面起而朝向前述受光面作傳播之透明之區域， <br/> 前述受光面之法線，係與前述第1方向形成45度以下之角度， <br/> 前述發光元件，係在前述束之照射方向上被作複數配置。
一種測定裝置， <br/> 係具備有如請求項1或3所記載之檢測器。
如請求項20所記載之測定裝置，其中， <br/> 係具備有複數之檢測元件，該檢測元件，係至少由前述發光元件與前述受光元件所構成，並能夠個別地檢測出訊號， <br/> 前述測定裝置，係基於關連於前述量子之能量或者是數量之資訊，來產生畫像。
一種帶電粒子線裝置， <br/> 係具備有如請求項1或3所記載之檢測器。
一種半導體裝置，包括：<br/> 一高壓接面邊界(high voltage junction termination, HVJT)元件；<br/> 一高壓(high side)區，位於該高壓接面邊界元件的一環狀內；<br/> 一低壓(low side)區，位於該高壓接面邊界元件的該環狀外；<br/> 一第一高壓井區，位於該高壓區中；以及<br/> 一保護環(guard ring)，沿著該高壓接面邊界元件的該環狀的內側延伸，其中該保護環橫向地環繞該高壓區，其中該保護環位於該高壓接面邊界元件之外，其中該保護環鄰接該高壓接面邊界元件，其中該保護環與該第一高壓井區橫向地隔開。
如請求項1之半導體裝置，更包括多個位準移位器(level shifter)，位於該高壓接面邊界元件的該環狀上。
如請求項2之半導體裝置，其中該些位準移位器彼此間隔開。
如請求項1之半導體裝置，其中該保護環為一完整迴圈。
如請求項1之半導體裝置，其中該保護環包括彼此分離的多個線段，其中每個線段的長度大於50μm。
如請求項1之半導體裝置，更包括：<br/> 一基底，設置橫越該高壓接面邊界元件，且具有一第一導電類型；以及<br/> 一磊晶層，設置橫越該高壓接面邊界元件，且於該基底上，其中該磊晶層具有與該第一導電類型不同的一第二導電類型。
如請求項6之半導體裝置，其中該第一高壓井區設置於該磊晶層中，且具有該第一導電類型。
如請求項7之半導體裝置，其中該第一高壓井區包括一第一摻雜區，具有該第一導電類型。
如請求項8之半導體裝置，更包括一電阻器，電性耦合該保護環與該第一摻雜區。
如請求項6之半導體裝置，其中該保護環包括一第二高壓井區，設置於該磊晶層中，且具有該第一導電類型。
如請求項10之半導體裝置，其中該第二高壓井區包括一第二摻雜區，具有該第一導電類型。
如請求項10之半導體裝置，其中該第二高壓井區包括一第二摻雜區和一第三摻雜區，分別具有該第一導電類型和該第二導電類型。
一種半導體裝置的形成方法，包括：<br/> 提供一基底；<br/> 在該基底上形成一磊晶層；<br/> 在該磊晶層中形成一第一高壓井區；<br/> 在該磊晶層中形成一第一深井區，其中該第一深井區橫向地環繞該第一高壓井區；以及<br/> 在該磊晶層中形成一第二高壓井區，其中該第二高壓井區鄰接該第一深井區，且橫向地環繞該第一高壓井區，其中該第二高壓井區位於該第一高壓井區與該第一深井區之間，其中該第二高壓井區位於該第一深井區之外，其中該第二高壓井區與該第一高壓井區橫向地隔開。
如請求項13之半導體裝置的形成方法，其中該第二高壓井區和該第一深井區分別定義一保護環和一高壓接面邊界元件。
如請求項13之半導體裝置的形成方法，更包括在該基底中形成一埋層，該埋層直接接觸該第一高壓井區、該第二高壓井區、以及該第一深井區。
如請求項13之半導體裝置的形成方法，其中該第一高壓井區和該第二高壓井區具有一第一導電類型，而該第一深井區具有與該第一導電類型不同的一第二導電類型。
如請求項16之半導體裝置的形成方法，其中在該第一高壓井區、該第二高壓井區、以及該第一深井區中分別形成一第一摻雜區、一第二摻雜區、以及一第三摻雜區。
如請求項17之半導體裝置的形成方法，其中該第一摻雜區和該第二摻雜區具有該第一導電類型，而該第三摻雜區具有該第二導電類型。
如請求項18之半導體裝置的形成方法，更包括在該第二高壓井區中形成一第四摻雜區，鄰接該第二摻雜區，其中該第四摻雜區具有該第二導電類型。
如請求項18之半導體裝置的形成方法，其中將該第二高壓井區和該第二摻雜區圖案化成彼此分離的多個線段，其中每個線段的長度大於50μm。
一種導航指示方法，係用於一機車上，該機車包括有一導航控制系統以及至少一電連接該導航控制系統之指示裝置，該至少一指示裝置設置於該機車之至少一後照鏡上，該導航控制系統包括一導航單元及一指示控制單元，該導航指示方法包括下列步驟：<br/>(A)該導航單元經騎乘者設定一目的地，執行步驟(B)；<br/>(B)判斷該機車抵達該目的地前是否有一下一待轉路口，若是則執行步驟(C)，若否則執行步驟(I)；<br/>(C)在該機車前往該目的地之過程中，判斷該機車是否距離該下一待轉路口小於一第一距離，若是則執行步驟(D)，若否則重複執行步驟(C)；<br/>(D)當該機車於該下一待轉路口須左轉時，該指示控制單元控制該至少一指示裝置以一第一左轉指示模式提示騎乘者；當該機車於該下一待轉路口須右轉時，該指示控制單元控制該至少一指示裝置以一第一右轉指示模式提示騎乘者，並執行步驟(E)；<br/>(E)在該機車前往該目的地之過程中，該導航控制系統判斷該機車是否距離該下一待轉路口小於一第二距離，若是則執行步驟(F)，若否則重複執行步驟(E)；<br/>(F)當該機車於該下一待轉路口須左轉時，該指示控制單元控制該至少一指示裝置以一第二左轉指示模式提示騎乘者；當該機車於該下一待轉路口須右轉時，該指示控制單元控制該至少一指示裝置以一第二右轉指示模式提示騎乘者，並執行步驟(G)；<br/>(G)判斷該機車是否抵達該下一待轉路口，若是則執行步驟(H)，若否則重複執行步驟(G)；<br/>(H)停止該第二左轉指示模式或該第二右轉指示模式，並回到步驟(B)；以及<br/>(I)結束判斷流程。
如請求項1所述之導航指示方法，其中，該導航單元及該指示控制單元係為一體式結構或整合式結構。
一種導航指示方法，係用於一機車上，該機車包括有一導航控制系統以及至少一電連接該導航控制系統之指示裝置，該至少一指示裝置設置於該機車之至少一後照鏡上，該導航控制系統包括一導航單元、一指示控制單元以及一顯示單元，該導航指示方法包括下列步驟：<br/>(A)該導航單元經騎乘者設定一目的地，執行步驟(B)；<br/>(B)判斷該機車抵達該目的地前是否有一下一待轉路口，若是則執行步驟(C)，若否則執行步驟(I)；<br/>(C)在該機車前往該目的地之過程中，判斷該機車是否距離該下一待轉路口小於一第一距離，若是則執行步驟(D’)，若否則重複執行步驟(C)；<br/>(D’)當該機車於該下一待轉路口須左轉時，該指示控制單元控制該至少一指示裝置以一第一左轉指示模式提示騎乘者；當該機車於該下一待轉路口須右轉時，該指示控制單元控制該至少一指示裝置以一第一右轉指示模式提示騎乘者，該顯示單元顯示該機車與該下一待轉路口之即時剩餘距離，並執行步驟(E)；<br/>(E)在該機車前往該目的地之過程中，該導航控制系統判斷該機車是否距離該下一待轉路口小於一第二距離，若是則執行步驟(F’)，若否則重複執行步驟(E)；<br/>(F’)當該機車於該下一待轉路口須左轉時，該指示控制單元控制該至少一指示裝置以一第二左轉指示模式提示騎乘者；當該機車於該下一待轉路口須右轉時，該指示控制單元控制該至少一指示裝置以一第二右轉指示模式提示騎乘者，該顯示單元顯示該機車與該下一待轉路口之即時剩餘距離，並執行步驟(G)；<br/>(G)判斷該機車是否抵達該下一待轉路口，若是則執行步驟(H)，若否則重複執行步驟(G)；<br/>(H)停止該第二左轉指示模式或該第二右轉指示模式，並回到步驟(B)；以及<br/>(I)結束判斷流程。
如請求項3所述之導航指示方法，其中，該導航單元、該指示控制單元以及該顯示單元係為一體式結構或整合式結構。
如請求項1或請求項3所述之導航指示方法，其中，該第一距離係為1000公尺，該第二距離係為50公尺。
如請求項1或請求項3所述之導航指示方法，其中，該第一左轉指示模式係指該至少一指示裝置常亮紅色燈號，該第一右轉指示模式係指該至少一指示裝置常亮綠色燈號。
如請求項1或請求項3所述之導航指示方法，其中，該第二左轉指示模式係指該至少一指示裝置以0.5秒間隔閃爍紅色燈號，該第二右轉指示模式係指該至少一指示裝置以0.5秒間隔閃爍綠色燈號。
如請求項1或請求項3所述之導航指示方法，其中，該至少一指示裝置包括一左指示裝置及一右指示裝置。
如請求項8所述之導航指示方法，其中，該第一左轉指示模式係指該左指示裝置常亮燈號，該第一右轉指示模式係指該右指示裝置常亮燈號。
如請求項9所述之導航指示方法，其中，該第二左轉指示模式係指該左指示裝置以0.5秒間隔閃爍燈號，該第二右轉指示模式係指該右指示裝置以0.5秒間隔閃爍燈號。
一種彈匣的高壓氣瓶刺穿裝置，該彈匣的高壓氣瓶刺穿裝置(10)內部開設有一可安裝高壓氣瓶(30)的容置空間(101)，該容置空間(101)下方裝設有一同軸心套筒的刺穿結構(13)，該刺穿結構(13)包含有：<br/> 一刺穿結構(13)，該刺穿結構(13)外環為開設有螺紋的套筒部(132)，該套筒部(132)中心設一抵壓件(131)，該抵壓件(131)中心設有一開孔與該刺穿結構(13)於同一軸心位置上，而該抵壓件(131)相對於套筒部(132)另一端位置外圍設有一具有多邊形可供扳動的外轉動部(134)，外轉動部(134)內圓開設有一螺紋內徑的移動部(133)開槽，中心開設有一連通該抵壓件(131)中心開孔的孔道；<br/> 一刺穿件(14)，該刺穿件(14) 螺接外轉動部(134)內圓移動部(133)開槽內一，該刺穿件(14)頂端設有一刺穿部(142)，該刺穿部(142)為穿入移動部(133)開槽中心開設有一連通該抵壓件(131)中心孔道中，該刺穿件(14)相對於刺穿部(142)的另一端為外環螺紋外徑較大的螺旋部(141)，該螺旋部(141)為螺接於該移動部(133)開槽中心開設有一連通該抵壓件(131)中心開孔的孔道中，該螺旋部(141)為螺接於該移動部(133)開槽中，透過扳動該螺旋部(141)螺旋移動於該移動部(133)開槽中使該刺穿部(142)於該抵壓件(131)中心孔道中位移進行穿刺高壓氣瓶(30)動作，該螺旋部(141)內徑為開設一內轉動部(143)，該內轉動部(143)內徑設有一具有多邊形可供工具套接扳動，透過扳動該螺旋部(141)螺旋移動於該移動部(133)開槽中上下位移使該刺穿部(142)於該抵壓件(131)中心開孔的孔道中位移進行穿刺動作。
如請求項1所述之彈匣的高壓氣瓶刺穿裝置，其中該容置空間(101)上設有一導氣件(11)，該導氣件(11)提供高壓空氣進入釋放不同的空氣壓力向上，該導氣件(11)上方設有一氣閥(12)提供啟閉時高壓空氣氣流的釋放及阻斷動作，氣閥(12)上方之彈匣頂端處具有一出氣道(102)，出氣道(102)一側聯通一出彈座(103)，彈匣底端則橫向嵌入一底蓋(20)。
一種彈匣的高壓氣瓶刺穿裝置，該彈匣的高壓氣瓶刺穿裝置(10)內部安裝高壓氣瓶(30)，該彈匣的高壓氣瓶刺穿裝置(10)下方裝設有一同軸心套筒的刺穿結構(13)，其特徵在於：<br/> 該刺穿結構(13)外環為開設有螺紋的套筒部(132)，該套筒部(132)中心為凹設一圓槽並設一抵壓件(131)，該抵壓件(131)中心設有一開孔與該刺穿結構(13)於同一軸心位置上，而該抵壓件(131)相對於套筒部(132)另一端位置外圍設有一具有多邊形可供扳動的外轉動部(134)，外轉動部(134)內圓開設有一螺紋內徑的移動部(133)開槽，中心開設有一連通該抵壓件(131)中心開孔的孔道，該刺穿件(14) 螺接外轉動部(134)內圓移動部(133)開槽內，該刺穿件(14)頂端設有一刺穿部(142)，該刺穿部(142)為穿入移動部(133)開槽中心開設有一連通該抵壓件(131)中心開孔的孔道中，該刺穿件(14)相對於刺穿部(142)的另一端為外環螺紋外徑較大的螺旋部(141)，該螺旋部(141)為螺接於該移動部(133)開槽中，透過扳動該螺旋部(141)螺旋移動於該移動部(133)開槽中心開設有一連通該抵壓件(131)中心開孔的孔道中，該螺旋部(141)為螺接於該移動部(133)開槽中，使該刺穿部(142)於該抵壓件(131)中心的孔道中位移進行穿刺動作，該螺旋部(141)內徑為開設一內轉動部(143)，該內轉動部(143)內徑設有一具有多邊形可供工具套接扳動，透過扳動該螺旋部(141)螺旋移動於該移動部(133)開槽中上下位移使該刺穿部(142)於該抵壓件(131)中心開孔的孔道中位移進行穿刺動作；<br/> 該工具係雙驅動部的工具件(40)，該雙驅動部的工具件(40)具有一第一驅動部(41)、一第二驅動部(42)，其中該之第一驅動部(41)係為一內槽多邊形的套筒套設於外轉動部(134)外徑上扳動帶動該刺穿結構(13)轉動，該第二驅動部(42)為多邊形桿體，藉以嵌入所述螺旋部(141)內開設之內轉動部(143)空間中扳動該刺穿部(142)於該抵壓件(131)中心的孔道中位移進行穿刺動作。
如請求項3所述之彈匣的高壓氣瓶刺穿裝置，其中該雙驅動部的工具件(40)具有一驅動桿體(43)，該驅動桿體(43)為一長度較長桿體藉以提供手部握持扳動前述第一驅動部(41)及第二驅動部(42)以較大的扭距轉動使其所對應的刺穿結構(13)及刺穿件(14)具有轉動效率更高的轉動，使刺穿結構(13)之抵壓件(131)抵壓於高壓氣瓶(30)並定位於彈匣定位，以及旋轉刺穿件(14)使其刺穿部(142)刺穿高壓氣瓶(30)的出氣端(31)。
一種上行傳輸指示方法，應用於終端，其步驟包括： <br/>向網路設備發送第一資訊，該第一資訊用於指示至少一個TO（Transmission occasion，傳輸機會）單元的佔用情況和/或不佔用情況，其中，該TO單元為CG（Configured Grant，上行配置授權） PUSCH（Physical Uplink Shared Channel，實體上行共用通道）的TO單元；以及 <br/>在該第一資訊的發送時刻之後，不在該第一資訊指示的不佔用的該TO單元上進行數據傳輸；和/或在該第一資訊的生效時刻之前，向該網路設備發送第二資訊，該第二資訊用於指示至少一個該TO單元的佔用情況和/或不佔用情況； <br/>其中，該第一資訊包括第三指示資訊，該第三指示資訊用於指示第一時刻之後的第一數量個該TO單元的佔用情況和/或不佔用情況。
如請求項1所述的上行傳輸指示方法，其中該第一資訊還包括以下一項或多項： <br/>第一指示資訊，該第一指示資訊用於指示至少一個CG週期內每個該TO單元的佔用情況和/或不佔用情況； <br/>第二指示資訊，該第二指示資訊用於指示該第一時刻至第一CG週期結束期間的每個該TO單元的佔用情況和/或不佔用情況； <br/>第四指示資訊，該第四指示資訊用於指示至少一個該TO單元內的時間單元佔用情況和/或不佔用情況； <br/>第五指示資訊，該第五指示資訊用於指示該第一時刻之後的指定時間段內的該TO單元是否都不佔用； <br/>第六指示資訊，該第六指示資訊用於指示該第一時刻之後的該指定時間段內的該TO單元是否都佔用； <br/>第七指示資訊，該第七指示資訊用於指示該第一時刻之後的第一數量個該TO單元都不佔用； <br/>第八指示資訊，該第八指示資訊用於指示該第一時刻之後的第一數量個該TO單元都佔用； <br/>第九指示資訊，該第九指示資訊用於指示所述網路設備進行數據接收的至少一個該TO單元； <br/>至少一個該TO單元中的起始該TO單元的索引值、偏移值或標識碼，和/或至少一個該TO單元中的結束該TO單元的索引值、偏移值或標識碼； <br/>該TO單元的數量。
如請求項1或2所述的上行傳輸指示方法，其中該TO單元包括以下至少一種： <br/>TO組或TO或該TO內的符號集； <br/>該TO組和該TO組包含的部分或全部該TO； <br/>該TO組和該TO組中至少一個該TO內的符號集； <br/>該TO組、該TO組包含的部分或全部該TO、以及部分或全部該TO中至少一個該TO內的符號集； <br/>該TO和該TO內的符號集。
如請求項1所述的上行傳輸指示方法，其中向該網路設備發送該第一資訊，包括： <br/>在以下一個或多個時域位置上向該網路設備發送該第一資訊： <br/>CG週期的起始上行時間單元位置； <br/>CG週期的結束該上行時間單元位置； <br/>CG週期的第一上行時間單元位置，該第一上行時間單元位置為協定預定義的或該網路設備指示的CG週期內的該上行時間單元位置，該上行時間單元位置為上行時槽位置或上行符號位置； <br/>第一時間段的起始該上行時間單元位置； <br/>第一時間段的結束該上行時間單元位置； <br/>第一時間段的第二上行時間單元位置，該第二上行時間單元位置為協定預定義的或該網路設備指示的第一時間段內的該上行時間單元位置； <br/>為承載該第一資訊的第二信令配置的全部或部分資源的時間單元位置。
如請求項2所述的上行傳輸指示方法，其中該指定時間段包括以下一種或多種： <br/>CG週期的<i>M</i>倍或1/<i>M</i>，<i> M</i>為大於或等於1的整數； <br/>第一週期的<i>K</i>倍或1/<i>K</i>，該第一週期為該第一資訊所在的上行控制信令的週期，<i> K</i>為大於或等於1的整數； <br/>該TO組之間時間間隔的<i>L</i>倍或1/<i>L</i>，<i>L</i>為大於或等於1的整數； <br/>該網路設備配置的時間間隔的長度； <br/>第一數量個該TO； <br/>該第一時刻至該第一CG週期結束期間。
如請求項2或5所述的上行傳輸指示方法，其中該第一時刻包括以下至少一項： <br/>該第一資訊的發送時刻； <br/>該第一資訊的生效時刻； <br/>該終端接收到該網路設備反饋的該第一資訊對應的HARQ-ACK（Hybrid Automatic Repeat request-ACKnowledgment，混合式自動重傳請求確認）資訊的時刻。
如請求項1所述的上行傳輸指示方法，其中向該網路設備發送該第一資訊，包括： <br/>將該第一資訊承載在第二信令中發送給網路設備，該第二信令包括上行控制信令和/或媒體接取控制MAC（Media Access Control，媒體存取控制）信令。
如請求項7所述的上行傳輸指示方法，其中該上行控制信令包括以下一項或多項： <br/>CG增強專屬的PUCCH（Physical Uplink Control Channel，實體上行控制通道）上承載的該上行控制信令； <br/>CG PUSCH上承載的該上行控制信令。
如請求項7或8所述的上行傳輸指示方法，其中步驟還包括： <br/>接收該網路設備發送的第一資源資訊； <br/>基於該第一資源資訊，確定第一信令的時域資源、頻域資源、空域資源中的至少一種； <br/>該第一信令包括該上行控制信令、該MAC信令、該第一資訊對應的HARQ-ACK資訊中的至少一項。
如請求項9所述的上行傳輸指示方法，其中該第一資源資訊包括以下一項或多項： <br/>用於指示該第一資訊通過該PUCCH、該PUSCH、該MAC信令中的至少一個進行傳輸的標識； <br/>該第一資訊所在該PUCCH的資源資訊； <br/>該第一資訊所在資源的資訊； <br/>該第一資訊所在該MAC信令的資源資訊； <br/>該第一資訊對應的HARQ-ACK資訊的資源資訊。
如請求項10所述的上行傳輸指示方法，其中該第一資訊所在該PUCCH的資源資訊，包括以下一項或多項： <br/>該PUCCH資源集合標識或該PUCCH資源清單索引； <br/>該PUCCH的頻域資源的RB（Resource Block，起始資源塊）； <br/>該PUCCH的頻域資源包括的RB個數、RB集合、RB集合索引中的至少一項； <br/>該上行控制信令的格式； <br/>該PUCCH關聯的DMRS（Demodulation Reference Signal，解調參考訊號）的資源資訊； <br/>該PUCCH的跳頻資訊； <br/>該PUCCH的週期和/或偏移量； <br/>該PUCCH所在的時槽或該TO； <br/>該PUCCH所在的符號位置、佔用的符號數量、所在的起始符號、所在的結束符號中的至少一項； <br/>該PUCCH的功率控制資訊； <br/>該第一資訊與HARQ（Hybrid Automatic Repeat request，混合自動重傳請求）、CSI（Channel State Information，通道狀態資訊）、SR（Scheduling Request，上行調度請求）中至少一項的複用指示資訊； <br/>該上行控制信令的負荷大小，或者該上行控制信令中該第一資訊的資訊域大小； <br/>該PUCCH的空間相關資訊； <br/>該上行控制信令的編碼或調製方式； <br/>該上行控制信令關聯的時槽、該TO單元、符號中至少一個的偏移量。
如請求項2、4或5中任一項所述的上行傳輸指示方法，其中任一CG週期內包括<i>N</i>個該TO，<i>N</i>個該TO用於發送至少一個TB（Transport Block，傳輸塊），<i>N</i>為大於或等於1的整數。
如請求項12所述的上行傳輸指示方法，其中<i>N</i>個該TO滿足以下一項或多項： <br/><i>N</i>個該TO為相鄰的<i>N</i>個上行時間單元集； <br/><i>N</i>個該TO為具有第一時間間隔的<i>N</i>個該上行時間單元集； <br/><i>N</i>個該TO為第一時域位置上的<i>N</i>個該上行時間單元集； <br/><i>N</i>個該TO在不同時槽中佔用的符號位置相同； <br/><i>N</i>個該TO佔用的符號個數相同； <br/><i>N</i>個該TO佔用的符號位置相互獨立，<i>N</i>個該TO中的每個該TO都被禁止跨時槽； <br/><i>N</i>個該TO佔用的符號位置相互獨立，<i>N</i>個該TO中的每個該TO都被允許跨時槽，同一時槽內的不同該TO之間具有第二時間間隔。
一種上行傳輸指示方法，應用於網路設備，其步驟包括： <br/>接收終端發送的第一資訊； <br/>基於該第一資訊，確定至少一個TO單元的佔用情況和/或不佔用情況，其中，該TO單元為CG PUSCH的TO單元；以及 <br/>在該第一資訊的發送時刻之後，在該第一資訊指示的不佔用的該TO單元上，進行除該終端以外的其他該終端的上行業務接收或調度；和/或在該第一資訊的生效時刻之前，不在該第一資訊指示的不佔用的該TO單元上，進行除該終端以外的其他該終端的上行業務接收或調度； <br/>其中，該第一資訊包括第三指示資訊，該第三指示資訊用於指示第一時刻之後的第一數量個該TO單元的佔用情況和/或不佔用情況。
如請求項14所述的上行傳輸指示方法，其中該第一資訊還包括以下一項或多項： <br/>第一指示資訊，該第一指示資訊用於指示至少一個CG週期內每個該TO單元的佔用情況和/或不佔用情況； <br/>第二指示資訊，該第二指示資訊用於指示該第一時刻至第一CG週期結束期間的每個該TO單元的佔用情況和/或不佔用情況； <br/>第四指示資訊，該第四指示資訊用於指示至少一個該TO單元內的時間單元佔用情況和/或不佔用情況； <br/>第五指示資訊，該第五指示資訊用於指示該第一時刻之後的指定時間段內的該TO單元是否都不佔用； <br/>第六指示資訊，該第六指示資訊用於指示該第一時刻之後的該指定時間段內的該TO單元是否都佔用； <br/>第七指示資訊，該第七指示資訊用於指示該第一時刻之後的第一數量個該TO單元都不佔用； <br/>第八指示資訊，該第八指示資訊用於指示該第一時刻之後的第一數量個該TO單元都佔用； <br/>第九指示資訊，該第九指示資訊用於指示該網路設備進行數據接收的至少一個該TO單元； <br/>至少一個該TO單元中的起始該TO單元的索引值、偏移值或標識碼，和/或至少一個該TO單元中的結束該TO單元的索引值、偏移值或標識碼； <br/>該TO單元的數量。
如請求項14或15所述的上行傳輸指示方法，其中該TO單元包括以下至少一種： <br/>TO組或TO或該TO內的符號集； <br/>該TO組和該TO組包含的部分或全部該TO； <br/>該TO組和該TO組包含的部分或全部； <br/>該TO組、該TO組包含的部分或全部該TO、以及部分或全部該TO中至少一個該TO內的符號集； <br/>該TO和該TO內的符號集。
如請求項14所述的上行傳輸指示方法，其中接收該終端發送的該第一資訊，包括： <br/>在以下一個或多個時域位置上接收該第一資訊： <br/>CG週期的起始上行時間單元位置； <br/>CG週期的結束該上行時間單元位置； <br/>CG週期的第一上行時間單元位置，該第一上行時間單元位置為協定預定義的或該網路設備指示的CG週期內的該上行時間單元位置，該上行時間單元位置為上行時槽位置或上行符號位置； <br/>第一時間段的起始該上行時間單元位置； <br/>第一時間段的結束該上行時間單元位置； <br/>第一時間段的第二上行時間單元位置，該第二上行時間單元位置為協定預定義的或該網路設備指示的第一時間段內的該上行時間單元位置； <br/>為承載該第一資訊的第二信令配置的全部或部分資源的時間單元位置。
如請求項15所述的上行傳輸指示方法，其中該指定時間段包括以下一種或多種： <br/>CG週期的<i>M</i>倍或1/<i>M</i>，<i>M</i>為大於或等於1的整數； <br/>第一週期的<i>K</i>倍或1/<i>K</i>，該第一週期為該第一資訊所在的上行控制信令的週期，<i>K</i>為大於或等於1的整數； <br/>該TO組之間時間間隔的<i>L</i>倍或1/<i>L</i>，<i>L</i>為大於或等於1的整數； <br/>該網路設備配置的時間間隔的長度； <br/>第一數量個該TO； <br/>該第一時刻至第一CG週期結束期間。
如請求項15或18所述的上行傳輸指示方法，其中該第一時刻包括以下至少一項： <br/>該第一資訊的發送時刻； <br/>該第一資訊的生效時刻； <br/>該終端接收到該網路設備反饋的該第一資訊對應的HARQ-ACK資訊的時刻。
如請求項14所述的上行傳輸指示方法，其中接收該終端發送的該第一資訊，包括： <br/>通過第二信令接收該終端發送的該第一資訊，該第二信令包括上行控制信令和/或媒體接取控制MAC信令。
如請求項20所述的上行傳輸指示方法，其中該上行控制信令包括以下一項或多項： <br/>CG增強專屬的PUCCH上承載的該上行控制信令； <br/>CG PUSCH上承載的該上行控制信令。
如請求項20或21所述的上行傳輸指示方法，其步驟還包括： <br/>向該終端發送第一資源資訊，該第一資源資訊用於配置第一信令的時域資源、頻域資源、空域資源中的至少一種； <br/>該第一信令包括該上行控制信令、該MAC信令、該第一資訊對應的HARQ-ACK資訊中的至少一項。
如請求項22所述的上行傳輸指示方法，其中該第一資源資訊包括以下一項或多項： <br/>用於指示該第一資訊通過該PUCCH、該PUSCH、該MAC信令中的至少一個進行傳輸的標識； <br/>該第一資訊所在該PUCCH的資源資訊； <br/>該第一資訊所在資源的資訊； <br/>該第一資訊所在該MAC信令的資源資訊； <br/>該第一資訊對應的HARQ-ACK資訊的資源資訊。
如請求項23所述的上行傳輸指示方法，其中該第一資訊所在該PUCCH的資源資訊，包括以下一項或多項： <br/>該PUCCH資源集合標識或該PUCCH資源清單索引； <br/>該PUCCH的頻域資源的RB； <br/>該PUCCH的頻域資源包括的RB個數、RB集合、RB集合索引中的至少一項； <br/>該上行控制信令的格式； <br/>該PUCCH關聯的DMRS的資源資訊； <br/>該PUCCH的跳頻資訊； <br/>該PUCCH的週期和/或偏移量； <br/>該PUCCH所在的時槽或該TO； <br/>該PUCCH所在的符號位置、佔用的符號數量、所在的起始符號、所在的結束符號中的至少一項； <br/>該PUCCH的功率控制資訊； <br/>該第一資訊與HARQ、CSI、SR中至少一項的複用指示資訊； <br/>該上行控制信令的負荷大小，或者該上行控制信令中該第一資訊的資訊域大小； <br/>該PUCCH的空間相關資訊； <br/>該上行控制信令的編碼或調製方式； <br/>該上行控制信令關聯的時槽、該TO單元、符號中至少一個的偏移量。
如請求項15、17或18中任一項所述的上行傳輸指示方法，其中任一CG週期內包括<i>N</i>個該TO，<i> N</i>個該TO用於發送至少一個TB，<i>N</i>為大於或等於1的整數。
如請求項25所述的上行傳輸指示方法，其中<i>N</i>個該TO滿足以下一項或多項： <br/><i>N</i>個該TO為相鄰的<i>N</i>個上行時間單元集； <br/><i>N</i>個該TO為具有第一時間間隔的<i>N</i>個該上行時間單元集； <br/><i>N</i>個該TO為第一時域位置上的<i>N</i>個該上行時間單元集； <br/><i>N</i>個該TO在不同時槽中佔用的符號位置相同； <br/><i>N</i>個該TO佔用的符號個數相同； <br/><i>N</i>個該TO佔用的符號位置相互獨立，<i>N</i>個該TO中的每個該TO都被禁止跨時槽； <br/><i>N</i>個該TO佔用的符號位置相互獨立，<i>N</i>個該TO中的每個該TO都被允許跨時槽，同一時槽內的不同該TO之間具有第二時間間隔。
一種終端，其主要包括記憶體、收發機及處理器；該記憶體，用於儲存電腦程式；該收發機，用於在該處理器的控制下收發數據；該處理器，用於讀取該記憶體中的該電腦程式並執行以下操作： <br/>向網路設備發送第一資訊，該第一資訊用於指示至少一個TO單元的佔用情況和/或不佔用情況，其中，該TO單元為CG PUSCH的TO單元；以及 <br/>在該第一資訊的發送時刻之後，不在該第一資訊指示的不佔用的該TO單元上進行數據傳輸；和/或在該第一資訊的生效時刻之前，向該網路設備發送第二資訊，該第二資訊用於指示至少一個該TO單元的佔用情況和/或不佔用情況； <br/>其中，該第一資訊包括第三指示資訊，該第三指示資訊用於指示第一時刻之後的第一數量個該TO單元的佔用情況和/或不佔用情況。
一種網路設備，其主要包括記憶體、收發機及處理器；該記憶體，用於儲存電腦程式；該收發機，用於在該處理器的控制下收發數據；該處理器，用於讀取該記憶體中的該電腦程式並執行以下操作： <br/>接收終端發送的第一資訊； <br/>基於該第一資訊，確定至少一個TO單元的佔用情況和/或不佔用情況，其中，該TO單元為CG PUSCH的TO單元；以及 <br/>在該第一資訊的發送時刻之後，在該第一資訊指示的不佔用的該TO單元上，進行除該終端以外的其他該終端的上行業務接收或調度；和/或在該第一資訊的生效時刻之前，不在該第一資訊指示的不佔用的該TO單元上，進行除該終端以外的其他該終端的上行業務接收或調度； <br/>其中，該第一資訊包括第三指示資訊，該第三指示資訊用於指示第一時刻之後的第一數量個該TO單元的佔用情況和/或不佔用情況。
一種上行傳輸指示裝置，其主要包括： <br/>第一發送單元，用於向網路設備發送第一資訊，該第一資訊用於指示至少一個TO單元的佔用情況和/或不佔用情況，其中，該TO單元為CG PUSCH的TO單元， <br/>其中在該第一資訊的發送時刻之後，不在該第一資訊指示的不佔用的該TO單元上進行數據傳輸；和/或在該第一資訊的生效時刻之前，向該網路設備發送第二資訊，該第二資訊用於指示至少一個該TO單元的佔用情況和/或不佔用情況； <br/>其中，該第一資訊包括第三指示資訊，該第三指示資訊用於指示第一時刻之後的第一數量個該TO單元的佔用情況和/或不佔用情況。
一種上行傳輸指示裝置，其主要包括： <br/>第二接收單元，用於接收終端發送的第一資訊； <br/>第二確定單元，基於該第一資訊，確定至少一個TO單元的佔用情況和/或不佔用情況，其中，該TO單元為CG PUSCH的TO單元， <br/>其中在該第一資訊的發送時刻之後，在該第一資訊指示的不佔用的該TO單元上，進行除該終端以外的其他該終端的上行業務接收或調度；和/或在該第一資訊的生效時刻之前，不在該第一資訊指示的不佔用的該TO單元上，進行除該終端以外的其他該終端的上行業務接收或調度； <br/>其中，該第一資訊包括第三指示資訊，該第三指示資訊用於指示第一時刻之後的第一數量個該TO單元的佔用情況和/或不佔用情況。
一種電腦可讀存儲介質，其主要存儲有電腦程式，該電腦程式用於使電腦執行如請求項1至13中任一項所述的上行傳輸指示方法，或執行如請求項14至26中任一項所述的上行傳輸指示方法。
一種為顧客(patrons)進行遊戲(gaming)之電腦裝置，其包括： <br/>一處理器、記憶體、至少一識別受體(identification acceptor)、至少一生物感測器、及至少一網路連接器、及一資金卡受體(funding card acceptor)，且經設計以允許安裝在用於與人類顧客互動之一位置； <br/>該識別受體經設計以接受一政府發佈之身份文件，並將來自該身份文件之識別資訊掃描為用於在一網路上傳輸之數位形式； <br/>該生物感測器經設計及經定向以取得用於在一通信網路上傳輸之以數位形式描述一人類顧客之生物資料； <br/>輸入輸出裝置，經設計以接受來自一人類顧客之註冊/登錄資訊和遊戲指令，並呈現資訊給該人類顧客以互動遊戲； <br/>該資金卡受體經程式化以收集用於在該通信網路上傳輸之來自一資金卡之簽名之數位圖像； <br/>該一或多個微處理器經程式化以： <br/>透過該(等)輸入輸出裝置呈現指令給該人類顧客，該指令包括使該顧客將一身份文件插入該識別受體之指令及將一資金卡插入該資金卡受體之指令； <br/>自該識別受體取得該顧客之識別之一數位形式； <br/>自該生物感測器取得用於描述該顧客之一生物特徵之生物資料； <br/>自該資金卡受體取得來自一資金卡之簽名之數位圖像； <br/>在該通信網路上傳輸該顧客之識別之該數位形式、該生物資料及該簽名之該數位圖像至一遠端電腦裝置； <br/>至少部分基於該顧客之識別之該數位形式、該生物資料及該簽名之該數位圖像核實(verify)該顧客之該身份及該顧客進行遊戲之可接受性(acceptability)；及 <br/>一旦核實，向經核實的該顧客提供遊戲活動。
如請求項1的電腦裝置，更包括： <br/>一現金受體及付款器(dispenser)，其安裝於該電腦裝置之外殼(housing)，且經設計以接受現金(currency)及付款現金(dispense currency)以進行遊戲； <br/>其中該一或多個微處理器更經程式化以： <br/>在該現金受體處接受現金用於儲存到一投注帳戶(wagering account)； <br/>在一現金付款器支付遊戲獎金(gaming winnings)。
如請求項1的電腦裝置，更經程式化以： <br/>依據一法律身份(legal identity)核實該顧客之該身份以驗證(validate)參與一遊戲活動的合法權利(legal entitlement)；及 <br/>在該電腦裝置的一資金受體(funds acceptor)處接受資金，用於儲存到用於投注活動(wagering activities)的一投注帳戶中，該等投注活動由位於兩個或多個不同遊戲營運商處的遠端電腦所主持，該等遊戲營運商與該電腦裝置的一營運商是不同的法律實體(legal entities)。
如請求項1的電腦裝置，其中： <br/>該生物感測器為一相機，且該生物資料為該相機所捕捉之該顧客之一臉部之一數位影像。
如請求項1的電腦裝置，其中： <br/>該一或多個微處理器更經程式化以至少部分基於傳輸該生物資料至一遠端(off-site)驗證辦公室而核實該顧客之該身份。
一種為顧客進行遊戲之電腦裝置，其包括： <br/>一處理器、輸入輸出裝置、資金受體、及一資金卡受體，相互連接以安裝在用於與人類顧客互動之一位置； <br/>該(等)輸入輸出裝置，經設計以接受來自一人類顧客之註冊/登錄資訊和遊戲指令，並呈現資訊給該人類顧客以互動遊戲； <br/>該資金受體設計為接受用於遊戲之資金； <br/>該資金卡受體經程式化以收集用於在一通信網路上傳輸之來自一資金卡之簽名之數位圖像； <br/>一或多個微處理器經程式化以： <br/>透過該(等)輸入輸出裝置呈現指令給該人類顧客，該指令包括使該顧客註冊及核實該顧客之身份之指令及將一資金卡插入該資金卡受體之指令； <br/>在該資金受體處接受資金，用於儲存到一個由遠端電腦託管的一投注帳戶中； <br/>自該資金卡受體取得來自一資金卡之簽名之數位圖像； <br/>在該通信網路上傳輸該顧客之識別之一數位形式、一生物資料及該簽名之該數位圖像至一遠端電腦裝置； <br/>一旦經核實及收到現金，則通過該投注帳戶提供遊戲活動至該經核實顧客；及 <br/>在一現金付款器自該投注帳戶支付遊戲獎金。
如請求項6的電腦裝置，更包括： <br/>一識別受體，設計為接受一政府發佈之身份文件，並將來自該身份文件之識別資訊掃描為用於在一網路上傳輸之數位形式； <br/>一生物感測器，用以取得用於在該通信網路上傳輸之以數位形式描述一人類顧客之該生物資料； <br/>該一或多個微處理器經程式化以： <br/>透過該(等)輸入輸出裝置呈現指令給該人類顧客，該指令包括使該顧客將一身份文件插入該識別受體之指令； <br/>自該識別受體取得該顧客之識別之一數位形式； <br/>自該生物感測器取得用於描述該顧客之一生物特徵之生物資料； <br/>至少部分基於該顧客之識別之該數位形式、該生物資料及該簽名之該數位圖像核實該顧客之該身份及該顧客進行遊戲之可接受性；及 <br/>一旦核實，向經核實的該顧客提供遊戲活動。
如請求項6的電腦裝置，更經程式化以： <br/>依據一法律身份核實該顧客之該身份以驗證參與一遊戲活動的合法權利；及 <br/>在該電腦裝置的一資金受體處接受資金，用於儲存到用於投注活動的一投注帳戶中，該等投注活動由位於兩個或多個不同遊戲營運商處的遠端電腦所主持，該等遊戲營運商與該電腦裝置的一營運商是不同的法律實體。
一種為顧客進行遊戲之方法，其包括複數個步驟： <br/>藉由具有一處理器、記憶體及一資金卡受體之一電腦裝置之輸出裝置，透過該(等)輸入輸出裝置呈現指令給該人類顧客，該指令包括使該顧客註冊及核實該顧客之身份的指令； <br/>在該電腦裝置之輸入輸出裝置處，接受來自一人類顧客之註冊及身份資訊； <br/>藉由該資金卡受體收集用於在一通信網路上傳輸之來自一資金卡之簽名之數位圖像； <br/>自該資金卡受體取得來自一資金卡之簽名之數位圖像； <br/>在該通信網路上傳輸該顧客之識別之一數位形式、生物資料及該簽名之該數位圖像至一遠端電腦裝置； <br/>依據一法律實體核實該顧客之該身份以驗證參與一遊戲活動的合法權利； <br/>在一資金受體處接受資金，用於儲存到用於投注活動的一投注帳戶中，該等投注活動由分別位於兩個或多個不同遊戲營運商處的遠端電腦所主持，該等遊戲營運商與該電腦裝置的一營運商是不同的法律實體。
如請求項9的方法，其中： <br/>該電腦裝置更包括： <br/>一識別受體，經設計為接受一政府發佈之身份文件，並將來自該身份文件之識別資訊掃描為用於在一網路上傳輸之數位形式； <br/>一生物感測器，用以取得用於在該通信網路上傳輸之以數位形式描述一人類顧客之該生物資料； <br/>一輸入輸出裝置，經設計以接受來自一人類顧客之註冊/登錄資訊和遊戲指令，並呈現資訊給用於互動遊戲之該人類顧客； <br/>該一或多個微處理器經程式化以： <br/>透過該(等)輸入輸出裝置呈現資訊給該人類顧客，包括一指令使該顧客將一身份文件插入該識別受體； <br/>自該識別受體取得該顧客之識別之該數位形式； <br/>自該生物感測器取得用於描述該顧客之一生物特徵之生物資料； <br/>至少部分基於該顧客之識別之該數位形式、該生物資料及該簽名之該數位圖像核實該顧客之該身份及該顧客進行遊戲之可接受性；及 <br/>一旦核實，向經核實的該顧客提供遊戲活動。
一種將聲音或音場的已壓縮高階保真立體音響(HOA)表示法進行解碼的方法，所述方法包含：<br/>接收含有所述已壓縮HOA表示法的位元流；<br/>判定是否存在與所述已壓縮HOA表示法相關的多個層，其中，多個層的指示在位元流中用信號通知；以及<br/>基於存在多個層的判定，從所述位元流將所述已壓縮HOA表示法解碼，以得到已解碼HOA表示法的序列，<br/>其中，所述已解碼HOA表示法的序列的第一子集對應於所述已解碼HOA表示法的序列的第一索引集，而所述已解碼HOA表示法的序列的第二子集對應於所述已解碼HOA表示法的序列的第二索引集，<br/>其中，所述第一索引集係基於<img align="absmiddle" height="16px" width="26px" file="ed10001.jpg" alt="ed10001.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>個聲道，<br/>其中，對於所述第一索引集中的每個索引，在所述第一子集中的對應已解碼HOA表示法僅基於對應周圍HOA分量來判定，<br/>其中，所述第二索引集係基於所述多個層中之至少一者來判定，以及<br/>其中，所述多個層包括基礎層和至少一個增強層。
如請求項1的方法，其中，<img align="absmiddle" height="8px" width="57px" file="ed10002.jpg" alt="ed10002.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<img align="absmiddle" height="7px" width="28px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中，<img align="absmiddle" height="7px" width="5px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為所述已壓縮HOA表示法的輸入框的階數。
如請求項1的方法，其中，對於框k，所述已解碼HOA表示法的序列係基於周圍指定向量(<img align="absmiddle" height="8px" width="42px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>)、第一元組集<img align="absmiddle" height="7px" width="36px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、第二元組集<img align="absmiddle" height="7px" width="37px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和定義向量為基表示法的方向分配的向量來判定，所述第一元組集包含方向表示法的索引和相應的量化方向，所述第二元組集包含所述向量為基表示法的索引。
一種將聲音或音場的已壓縮高階保真立體音響(HOA)表示法進行解碼的裝置，所述裝置包含：<br/>接收器，用於接收含有所述已壓縮HOA表示法的位元流；以及<br/>音頻解碼器，用於基於存在多個層的判定，從位元流將所述已壓縮HOA表示法解碼，以得到已解碼HOA表示法的序列，其中，多個層的指示在所述位元流中用信號通知，<br/>其中，所述已解碼HOA表示法的序列的第一子集對應於所述已解碼HOA表示法的序列的第一索引集，而所述已解碼HOA表示法的序列的第二子集對應於所述已解碼HOA表示法的序列的第二索引集，<br/>其中，所述第一索引集係基於<img align="absmiddle" height="16px" width="26px" file="ed10001.jpg" alt="ed10001.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>個聲道，<br/>其中，對於所述第一索引集中的每個索引，在所述第一子集中的對應已解碼HOA表示法僅基於對應周圍HOA分量來判定，<br/>其中，所述第二索引集係基於所述多個層中之至少一者來判定，以及<br/>其中，所述多個層包括基礎層和至少一個增強層。
如請求項4的裝置，其中，<img align="absmiddle" height="8px" width="57px" file="ed10002.jpg" alt="ed10002.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<img align="absmiddle" height="7px" width="28px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中，<img align="absmiddle" height="7px" width="5px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為所述已壓縮HOA表示法的輸入框的階數。
如請求項4的裝置，其中，所述音頻解碼器進一步配置成，對於框k，基於周圍指定向量(<img align="absmiddle" height="8px" width="42px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>)、第一元組集<img align="absmiddle" height="7px" width="36px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、第二元組集<img align="absmiddle" height="7px" width="37px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和定義向量為基表示法的方向分配的向量來判定所述已解碼HOA表示法的序列，所述第一元組集包含方向表示法的索引和相應的量化方向，所述第二元組集包含所述向量為基表示法的索引。
如請求項4的裝置，其中，所述音頻解碼器進一步配置成在聲道重指定期間產生現用於框k中的係數序列的第三索引集(<img align="absmiddle" height="8px" width="32px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>)和分別必須加以賦能、去能及保持現用於第<img align="absmiddle" height="9px" width="24px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>框中的係數序列的第二索引集(<img align="absmiddle" height="7px" width="89px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>)。
一種搬送輔助裝置，包含裝置本體部及裝置側卡合部，<br/> 前述裝置側卡合部可與搬送物的側面側卡合，<br/> 前述裝置本體部包含驅動部、從動部及昇降部，<br/> 前述驅動部包含驅動輪，<br/> 前述從動部包含從動輪，<br/> 前述昇降部包含連結構件及昇降裝置，在前述搬送物之搬送輔助時，使前述驅動輪下降而為落地狀態，並在前述搬送物之非搬送輔助時，使前述驅動輪上昇而為非落地狀態，且使前述從動輪下降而為落地狀態，<br/> 前述連結構件的一端與前述驅動輪連結，前述連結構件的他端與前述從動輪連結，並且前述連結構件之前述一端及前述他端之間的一部分以可轉動的狀態受軸支撐，使得前述驅動輪及前述從動輪可在上下方向昇降，<br/> 前述昇降裝置可使前述驅動輪及前述從動輪之至少一者昇降。
如請求項1之搬送輔助裝置，其中前述裝置側卡合部配置於前述裝置本體部之相對於行進方向的側面側，<br/> 前述搬送輔助裝置進而包含控制部，<br/> 前述控制部控制前述驅動部及前述昇降部，<br/> 前述驅動部進一步包含驅動馬達，<br/> 前述驅動輪連結於前述驅動馬達，<br/> 前述驅動輪配置於前述裝置本體部，而可產生可朝前述裝置本體部之行進方向的前後移動的推進力，<br/> 前述從動部的前述從動輪以可於水平方向轉動的狀態配置於前述裝置本體部，<br/> 藉由前述控制部，控制前述昇降部進行之前述驅動輪及前述從動輪的昇降。
如請求項1之搬送輔助裝置，其更包含前述搬送物的安裝治具，<br/> 前述安裝治具可安裝於前述搬送物，<br/> 前述安裝治具包含治具側卡合部，<br/> 前述治具側卡合部配置於前述搬送物的側面側，且可與前述裝置側卡合部卡合。
如請求項3之搬送輔助裝置，其中前述安裝治具更包含導引部，<br/> 前述導引部可將前述裝置側卡合部導引至前述治具側卡合部。
一種搬送輔助裝置，包含裝置本體部及裝置側卡合部，<br/> 前述裝置側卡合部可與搬送物的側面側卡合，<br/> 前述裝置本體部包含驅動部、從動部及昇降部，<br/> 前述驅動部包含驅動輪，<br/> 前述從動部包含從動輪，<br/> 前述昇降部在前述搬送物之搬送輔助時，使前述驅動輪下降而為落地狀態，並在前述搬送物之非搬送輔助時，使前述驅動輪上昇而為非落地狀態，且使前述從動輪下降而為落地狀態，<br/> 前述裝置本體部更包含直進輔助輪，<br/> 前述直進輔助輪在前述搬送物之搬送輔助時為落地狀態，且在前述搬送物朝前述裝置本體部之行進方向之前後方向移動的情況下，前述直進輔助輪的行進方向固定於前述裝置本體部的行進方向。
如請求項5之搬送輔助裝置，其中在前述搬送物之旋動時，前述直進輔助輪解除前述固定，並且可朝水平方向轉動。
一種搬送輔助裝置，包含裝置本體部、裝置側卡合部及控制部，<br/> 前述裝置側卡合部可與搬送物的側面側卡合，<br/> 前述裝置本體部包含驅動部、從動部、昇降部及作用力檢測感測器，<br/> 前述驅動部包含驅動輪及驅動馬達，<br/> 前述驅動輪連結於前述驅動馬達，<br/> 前述驅動輪配置於前述裝置本體部，而可產生可朝前述裝置本體部之行進方向的前後移動的推進力，<br/> 前述從動部包含從動輪，<br/> 前述從動部的前述從動輪以可於水平方向轉動的狀態配置於前述裝置本體部，<br/> 前述昇降部在前述搬送物之搬送輔助時，使前述驅動輪下降而為落地狀態，並在前述搬送物之非搬送輔助時，使前述驅動輪上昇而為非落地狀態，且使前述從動輪下降而為落地狀態，<br/> 前述作用力檢測感測器檢測搬送者對前述搬送物的作用力且發送至前述控制部，<br/> 前述裝置側卡合部配置於前述裝置本體部之相對於行進方向的側面側，<br/> 前述控制部控制前述驅動部及前述昇降部，<br/> 藉由前述控制部，控制前述昇降部進行之前述驅動輪及前述從動輪的昇降，<br/> 前述控制部因應於前述作用力而控制前述驅動馬達的旋轉驅動。
如請求項7之搬送輔助裝置，其中前述控制部實施下述(a)、(b)、(c)、(d)、(e)、(f)及(g)之至少一個控制：<br/> (a)在前述作用力檢測感測器檢測到與前述搬送物之行進方向相同之方向的作用力的情況下，用以使前述搬送物加速之前述驅動馬達的旋轉驅動的控制；<br/> (b)在前述搬送物的速度已達到預先設定之速度的情況下，用以使前述搬送物定速行走之前述驅動馬達之旋轉驅動的控制；<br/> (c)在前述作用力檢測感測器檢測到與前述搬送物之行進方向為反方向之作用力的情況下，用以使前述搬送物減速之前述驅動馬達之旋轉驅動的控制；<br/> (d)在前述作用力檢測感測器檢測到前述驅動輪以向外旋轉使前述搬送物朝左右方向旋動之作用力的情況下，用以使前述搬送物定速行走之前述驅動馬達之旋轉驅動的控制；<br/> (e)在前述作用力檢測感測器檢測到前述驅動輪以向內旋轉使前述搬送物朝左右方向旋動之作用力的情況下，用以使前述搬送物定速行走之前述驅動馬達之旋轉驅動的控制；<br/> (f)在前述搬送物上坡時，用以使前述搬送物定速行走之前述驅動馬達之旋轉驅動的控制；<br/> (g)在前述搬送物下坡時，用以使前述搬送物定速行走之前述驅動馬達之旋轉驅動的控制。
如請求項8之搬送輔助裝置，其更包含操作感測器，<br/> 前述操作感測器可安裝於前述搬送物的操作把手，<br/> 前述操作感測器可檢測前述搬送者之前述操作把手的把持，<br/> 前述控制部在檢測到前述操作感測器之前述把持的情況下，則使前述驅動馬達旋轉驅動，若在不檢測前述操作感測器之前述把持的情況下，則不使前述驅動馬達旋轉驅動。
如請求項8之搬送輔助裝置，其更包含停止感測器，<br/> 前述停止感測器可安裝於前述搬送物之一部分或全部，<br/> 前述控制部在前述停止感測器檢測到與人的身體之一部分接觸的情況下，使前述驅動馬達的旋轉驅動停止。
一種搬送輔助裝置，包含裝置本體部及裝置側卡合部，<br/> 前述裝置側卡合部可與搬送物的側面側卡合，<br/> 前述裝置本體部包含驅動部、從動部及昇降部，<br/> 前述驅動部包含驅動輪，<br/> 前述從動部包含從動輪，<br/> 前述昇降部在前述搬送物之搬送輔助時，使前述驅動輪下降而為落地狀態，並在前述搬送物之非搬送輔助時，使前述驅動輪上昇而為非落地狀態，且使前述從動輪下降而為落地狀態，<br/> 前述昇降部更進一步使前述裝置本體部昇降。
一種管理物品之庫存之方法，其係於電子裝置中進行者，且包括如下步驟： <br/>獲得與履行中心對應之狀態資訊； <br/>基於與上述履行中心對應之狀態資訊，判斷上述履行中心需追加確保之上述物品之數量； <br/>確認與上述履行中心關聯之補貨中心； <br/>獲得與上述補貨中心對應之狀態資訊；及 <br/>基於上述需追加確保之上述物品之數量及與上述補貨中心對應之狀態資訊，判斷要向供應商訂購之上述物品之數量、及保管於上述補貨中心之上述物品中要傳送至上述履行中心之上述物品之數量， <br/>其中與上述履行中心對應之狀態資訊包括保管於上述履行中心之上述物品中預定廢棄之數量資訊， <br/>其中與上述補貨中心對應之狀態資訊包括： <br/>保管於上述補貨中心之上述物品中預定廢棄之數量資訊； <br/>自上述補貨中心向上述一個以上之履行中心傳送上述物品時所需之上述物品之一個以上之屬性之最小值資訊；及 <br/>向上述供應商訂購時所需之上述物品之上述一個以上之屬性之上述最小值資訊， <br/>其中上述一個以上之屬性包括數量，且 <br/>其中上述一個以上之屬性進而包括如下中之一者以上：體積及重量。
如請求項1之管理物品之庫存之方法，其中 <br/>與上述履行中心對應之狀態資訊進而包括如下資訊中之一者以上： <br/>保管於上述履行中心之上述物品之數量資訊； <br/>預定到達上述履行中心之上述物品之數量資訊； <br/>上述履行中心需負責之上述物品之訂單量資訊； <br/>將保管於上述履行中心之上述物品傳送至目的地所需之預計時間之資訊； <br/>上述履行中心需維持之上述物品之儲備數量資訊；及 <br/>上述供應商之排程資訊。
如請求項1之管理物品之庫存之方法，其中 <br/>與上述補貨中心對應之狀態資訊進而包括如下資訊中之一者以上： <br/>與上述補貨中心關聯之一個以上之履行中心之資訊； <br/>上述一個以上之履行中心之各者需追加確保之上述物品之數量資訊； <br/>保管於上述補貨中心之上述物品之數量資訊；及 <br/>預定到達上述補貨中心之上述物品之數量資訊。
如請求項3之管理物品之庫存之方法，其中 <br/>上述一個以上之履行中心之各者需追加確保之上述物品之數量資訊係基於與上述一個以上之履行中心之各者對應之狀態資訊而判斷。
如請求項1之管理物品之庫存之方法，其中 <br/>將向上述供應商訂購之上述物品交付至上述補貨中心， <br/>上述補貨中心確認對所交付之上述物品之處理方案， <br/>上述處理方案包括如下方案中之一者以上：於上述補貨中心予以保管之方案；傳送至上述履行中心；及傳送至與上述補貨中心關聯之一個以上之履行中心中除上述履行中心以外之另一履行中心。
如請求項1之管理物品之庫存之方法，其進而包括如下步驟： <br/>基於與上述履行中心對應之狀態資訊及與上述補貨中心對應之狀態資訊中之一者以上，確定自上述補貨中心向上述履行中心傳送上述物品之時點。
如請求項6之管理物品之庫存之方法，其中 <br/>確定傳送上述物品之時點之步驟包括如下步驟： <br/>判斷保管於上述履行中心之上述物品之數量預計低於上述履行中心需維持之上述物品之儲備數量之時點。
如請求項1之管理物品之庫存之方法，其包括如下步驟： <br/>基於與上述補貨中心對應之狀態資訊，判斷是否需確保更多與上述履行中心關聯之補貨中心。
如請求項1之管理物品之庫存之方法，其進而包括如下步驟： <br/>判斷可向上述供應商訂購之上述物品之數量、及保管於上述補貨中心之上述物品中可傳送至上述履行中心之上述物品之數量；及 <br/>基於可向上述供應商訂購之上述物品之數量、及保管於上述補貨中心之上述物品中可傳送至上述履行中心之上述物品之數量，判斷是否可確保上述需追加確保之上述物品之數量。
如請求項1之管理物品之庫存之方法，其中 <br/>於與上述履行中心關聯之補貨中心為複數個之情形時， <br/>判斷要傳送至上述履行中心之上述物品之數量之步驟包括如下步驟： <br/>判斷要分配至上述複數個補貨中心之各者之上述物品之數量。
如請求項10之管理物品之庫存之方法，其中 <br/>上述電子裝置係基於如下資訊中之一者以上來判斷要分配至上述複數個補貨中心之各者之上述物品之數量，上述資訊係指： <br/>與上述複數個補貨中心之各者相關之一個以上之履行中心之個數資訊； <br/>與上述複數個補貨中心之各者相關之上述一個以上之履行中心之各者對應之狀態資訊； <br/>與上述複數個補貨中心之各者對應之狀態資訊； <br/>上述複數個補貨中心之各者之規模資訊；及 <br/>自上述複數個補貨中心之各者至上述履行中心之距離資訊。
如請求項1之管理物品之庫存之方法，其中 <br/>上述電子裝置係基於上述物品之類型而確認與上述履行中心關聯之補貨中心。
如請求項1之管理物品之庫存之方法，其中 <br/>上述電子裝置係基於上述履行中心與上述補貨中心間之距離、及在上述履行中心與上述補貨中心間移動所需之時間中之一者以上來判斷上述需追加確保之上述物品之數量。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有用以於電腦中執行如請求項1之方法之程式。
一種電子裝置，其係管理物品之庫存者，其包括： <br/>收發器； <br/>記憶體，其儲存命令；及 <br/>處理器；且 <br/>上述處理器如下： <br/>與上述收發器及上述記憶體連接，從而獲得與履行中心對應之狀態資訊； <br/>基於與上述履行中心對應之狀態資訊，判斷上述履行中心需追加確保之上述物品之數量； <br/>確認與上述履行中心關聯之補貨中心； <br/>獲得與上述補貨中心對應之狀態資訊；及 <br/>基於上述需追加確保之上述物品之數量及與上述補貨中心對應之狀態資訊，判斷要向供應商訂購之上述物品之數量、及保管於上述補貨中心之上述物品中要傳送至上述履行中心之上述物品之數量， <br/>其中與上述履行中心對應之狀態資訊包括保管於上述履行中心之上述物品中預定廢棄之數量資訊， <br/>其中與上述補貨中心對應之狀態資訊包括： <br/>保管於上述補貨中心之上述物品中預定廢棄之數量資訊； <br/>自上述補貨中心向上述一個以上之履行中心傳送上述物品時所需之上述物品之一個以上之屬性之最小值資訊；及 <br/>向上述供應商訂購時所需之上述物品之上述一個以上之屬性之上述最小值資訊， <br/>其中上述一個以上之屬性包括數量，且 <br/>其中上述一個以上之屬性進而包括如下中之一者以上：體積及重量。
一種改質烯烴系共聚合物，其中主鏈包含共軛二烯化合物來源的結構單元、及/或脂環或鏈狀的非共軛烯烴化合物來源的結構單元，所述改質烯烴系共聚合物中， <br/>於側基、側鏈及分子鏈末端的至少任一者具有單環式結構及/或多環式結構， <br/>所述單環式結構的環及/或所述多環式結構的任一環為包含碳原子的脂環式骨架及包含碳原子與雜原子的脂環式骨架中的至少任一者，且滿足以下的（i）及（ii）中的至少任一者； <br/>（i）於所述脂環式骨架具有自由基反應性的非共軛碳-碳不飽和鍵； <br/>（ii）構成所述脂環式骨架的碳原子和不構成所述脂環式骨架的碳原子藉由自由基反應性的非共軛碳-碳不飽和鍵來鍵結。
如請求項1所述的改質烯烴系共聚合物，其中於所述主鏈中除分子鏈末端以外，不具有不飽和鍵。
如請求項1所述的改質烯烴系共聚合物，其中於所述主鏈包含芳香族乙烯基化合物來源的結構單元。
如請求項1所述的改質烯烴系共聚合物，含有包含芳香族乙烯基化合物來源的結構單元的嵌段、及包含共軛二烯化合物來源的結構單元的嵌段。
如請求項4所述的改質烯烴系共聚合物，其中包含所述共軛二烯化合物來源的結構單元的嵌段更包含芳香族乙烯基化合物來源的結構單元。
如請求項1所述的改質烯烴系共聚合物，是作為氫化苯乙烯系彈性體的 <br/>苯乙烯-乙烯/丁烯嵌段共聚合物（SEB）、苯乙烯-乙烯/丙烯嵌段共聚合物（SEP）、苯乙烯-乙烯/丁烯-苯乙烯嵌段共聚合物（SEBS）、苯乙烯-乙烯/丙烯-苯乙烯嵌段共聚合物（SEPS）、苯乙烯-乙烯/丁烯/苯乙烯-苯乙烯嵌段共聚合物（SEBSS）、苯乙烯-異丁烯-苯乙烯嵌段共聚合物（SIBS）、及苯乙烯-乙烯-乙烯/丙烯苯乙烯嵌段共聚合物（SEEPS）中的任一者的改質物。
一種樹脂組成物，包含如請求項1所述的改質烯烴系共聚合物。
如請求項7所述的樹脂組成物，更包含硬化性化合物，所述硬化性化合物包含選自環氧化合物（b1）、氰酸酯化合物（b2）、馬來醯亞胺化合物（b3）、含烯丙基的化合物（b4）、含乙烯基的化合物（b5）、含(甲基)丙烯酸酯基的化合物（b6）、及苯並噁嗪化合物（b7）中的至少一種。
如請求項7所述的樹脂組成物，更含有無機填料。
一種積層片材，包含基材、以及形成於所述基材上的使用如請求項7至9中任一項所述的樹脂組成物而形成的樹脂組成物層。
一種預浸體，使如請求項7至9中任一項所述的樹脂組成物含浸於基材中而成。
一種硬化物，由如請求項7至9中任一項所述的樹脂組成物獲得。
一種帶硬化物的基板，包含將如請求項7至9中任一項所述的樹脂組成物硬化而形成的硬化物。
一種電子設備，搭載有如請求項13所述的帶硬化物的基板。
一種藉助於下肢傷口影像建立用以檢測周邊動脈疾病之模型的電腦實施方法，包含： <br/>(a) 取得複數個下肢傷口影像，其中各該下肢傷口影像對應一踝肱指數； <br/>(b) 對步驟(a)之各該複數個下肢傷口影像進行影像處理，以得到複數個處理影像； <br/>(c)對步驟(b)之各該複數個處理影像進行數據增強，以得到複數個增強影像；以及 <br/>(d) 基於步驟(a)的該踝肱指數，並藉助於機器學習來訓練步驟(c)之該複數個增強影像，從而建立該模型，其中該模型為 <br/>(1)區分周邊動脈疾病(peripheral arterial disease，PAD)之模型； <br/>(2)區分周邊動脈阻塞疾病(peripheral arterial occlusive disease，PAOD)之模型；或 <br/>(3)對應踝肱指數數值對PAD進行分類的模型。
如請求項1所述之電腦實施方法，其中在步驟(a)之後或步驟(b)之前，更包含基於該踝肱指數對該複數個下肢傷口影像進行分組。
如請求項1所述之電腦實施方法，其中在步驟(b)，各該複數個下肢傷口影像依序接受背景移除以及圖像裁剪，以產生該複數個處理影像。
如請求項1所述之電腦實施方法，其中步驟(c)之該數據增強係選自由圖像翻轉 (image flipping)、圖像旋轉(Rotation)、縮放比例(scale)、圖像移位(translation)、圖像調整(resizing)以及其組合所組成之群組。
如請求項1所述之電腦實施方法，其中步驟(d)之該機器學習係透過一卷積神經網路模型執行。
如請求項5所述之電腦實施方法，其中該卷積神經網路模型係選自由AlexNet、GoogLeNet及Inception-ResNet-v2所組成之群組。
一種基於一個體之下肢傷口影像檢測周邊動脈疾病的電腦實施方法，包含： <br/>(a)取得該個體之一下肢傷口影像； <br/>(b) 對步驟(a)之該下肢傷口影像進行影像處理，以得到一處理影像； <br/>(c)對步驟(b)之該處理影像進行數據增強，以得到一待測影像；以及 <br/>(d)藉由如請求項1所述之電腦實施方法建立之模型處理步驟(c)之該待測影像，以獲得一檢測結果。
如請求項7所述之電腦實施方法，其中在步驟(a)之後或步驟(b)之前，更包含基於該踝肱指數對該下肢傷口影像進行分組。
如請求項7所述之電腦實施方法，其中在步驟(b)，該下肢傷口影像依序接受背景移除分割以及圖像裁剪(image cropping)，以產生該處理影像。
如請求項7所述之電腦實施方法，其中步驟(c)之該數據增強係選自由圖像翻轉 (image flipping)、圖像旋轉(Rotation)、縮放比例(scale)、圖像移位(translation)、圖像調整(resizing)以及其組合所組成之群組。
如請求項7所述之電腦實施方法，其中該個體是一人類。
如請求項7所述之電腦實施方法，其中該檢測結果包含周邊動脈疾病(peripheral arterial disease，PAD)以及周邊動脈阻塞疾病 (peripheral arterial occlusive disease，PAOD)。
一種帕爾帖模組，包括： <br/>多個帕爾帖顆粒，由半導體材料製成並設置在形成一熱側的一第一板和形成一冷側的一第二板之間；以及 <br/>一散熱塊，設置在該第一板上； <br/>其中該多個帕爾帖顆粒直接接觸該第一板和該第二板； <br/>其中該第一板和該第二板係由金屬材料製成，以及 <br/>一真空密封件設置在該第二板上。
如請求項1所述之帕爾帖模組，其中該第二板的材料是適合在小於10<sup>-5</sup>帕斯卡的分壓下運作。
如請求項1或2所述之帕爾帖模組，其中該第二板被設計作為一影像感測器或一影像感測器載體的一安裝介面。
如請求項3所述之帕爾帖模組，其中該第二板具有至少一個用於緊固該影像感測器載體的緊固件。
如請求項3所述之帕爾帖模組，其中該第二板具有至少一個用於緊固該影像感測器載體的緊固孔。
一種帕爾帖影像感測裝置，包括： <br/>一帕爾帖模組，具有一散熱塊和多個帕爾帖顆粒，其中該帕爾帖模組係由半導體材料製成並設置在形成一熱側的一第一板和形成一冷側的一第二板之間，該散熱塊設置在該第一板上，該第一板和該第二板係由金屬材料製成，以及該多個帕爾帖顆粒直接接觸該第一板和該第二板；以及其中一影像感測器直接或藉由一影像感測器載體緊固至該第二板。
一種帕爾帖影像感測裝置，包括： <br/>如請求項1-5中任一項所述之帕爾帖模組，其中一影像感測器直接或藉由一影像感測器載體緊固至第二板。
如請求項6或7所述之帕爾帖影像感測裝置，其中該散熱塊用於在運作時散逸該熱側產生的熱量。
如請求項6或7所述之帕爾帖影像感測裝置，其中在該影像感測器的真空區與該熱側的環境大氣區之間的一真空密封件係由該第二板提供。
如請求項6或7所述之帕爾帖影像感測裝置，還包括用於控制該影像感測器溫度的一閉迴路控制單元。
一種用於光罩檢測的設備，其中該光罩在用於光晶圓的投影曝光設備的微影製程中係被光照射；其中該設備包括一照明系統、一投影透鏡及具有至少一個影像感測器的感測器裝置；其中如請求項1至5中任一項所述的帕爾帖模組係用於冷卻該至少一個影像感測器。
如請求項11所述之設備，其中該光罩係被設計用於在小於30 nm的操作波長下進行反射操作。
一種帕爾帖影像感測裝置，包括： <br/>一帕爾帖模組；以及 <br/>一影像感測器； <br/> 其中該帕爾帖模組包括： <br/>多個帕爾帖顆粒，由半導體材料製成並設置在形成一熱側的一第一板和形成一冷側的一第二板之間；以及 <br/>一散熱塊，設置在該第一板上； <br/>其中該多個帕爾帖顆粒直接接觸該第一板和該第二板； <br/>其中該第一板和該第二板係由金屬材料製成，以及一真空密封件設置在該第二板上； <br/>其中在該影像感測器的真空區與該熱側的環境大氣區之間的該真空密封件係由該第二板提供。
一種血液透析患者死亡預測模型的建立方法，由一處理器所執行，該方法包括：<br/> 取得一訓練資料集及一驗證資料集，其中該訓練資料集及該驗證資料集均對應多個變數，且該等變數均為血液透析患者接受血液透析後至死亡前之資料，包括：人口統計資料、原發腎臟病資料、常見共病、血液生化檢驗特徵、血液透析之品質指標、患者之死亡時間與原因；<br/> 利用一單變數Cox比例風險模式對該訓練資料集對應的該些變數進行分析，篩選出多個有潛力預測血液透析患者於半年或一年內死亡機率者，均作為潛力變數；<br/> 利用一多變數Cox比例風險模式對該些潛力變數建構一預測模型，其中該預測模型用於計算血液透析患者於半年或一年內死亡的機率；<br/> 評估該預測模型之準確度及校正度；<br/> 利用該驗證資料集對該預測模型進行驗證；以及<br/> 選擇使該預測模型具最佳準確度及校正度且通過驗證之多個相關變數，產生並儲存為一血液透析患者死亡預測模型。
如請求項1所述的血液透析患者死亡預測模型的建立方法，其中利用該單變數Cox比例風險模式對該訓練資料集對應的該些變數進行分析，篩選出多個有潛力預測血液透析患者於半年或一年內死亡機率者，均作為潛力變數的步驟包括：將該單變數Cox比例風險模式中，p值小於0.15之變數視為潛力變數。
如請求項1所述的血液透析患者死亡預測模型的建立方法，其中評估該預測模型之準確度及校正度的步驟包括：利用接受者操作特徵曲線之曲線下面積評估該預測模型的準確度，並比較該訓練資料集中不同死亡風險的患者族群其預測死亡率與真實死亡率的差異，評估該預測模型的校正度。
如請求項1所述的血液透析患者死亡預測模型的建立方法，其中利用該驗證資料集對該預測模型進行驗證的步驟包括：<br/> 利用該驗證資料集建構一驗證預測模型，計算該驗證預測模型之接受者操作特徵曲線之曲線下面積；<br/> 利用該等潛力變數所建構之該預測模型，對該驗證資料集進行死亡預測，計算其接受者操作特徵曲線之曲線下面積；以及<br/> 比對兩者之曲線下面積。
如請求項1所述的血液透析患者死亡預測模型的建立方法，其中該訓練資料集及該驗證資料集之資料分別來自於不同血液透析機構之血液透析患者。
一種血液透析患者死亡預測模型的建立系統，該系統包括：<br/> 一處理器；<br/> 一儲存器，該儲存器與該處理器耦接，用以儲存指令，該指令執行時可使該處理器：<br/> 取得一訓練資料集及一驗證資料集，其中該訓練資料集及該驗證資料集均對應多個變數，且該等變數均為血液透析患者接受血液透析後至死亡前之資料，包括：人口統計資料、原發腎臟病資料、常見共病、血液生化檢驗特徵、血液透析之品質指標、患者之死亡時間與原因；<br/> 利用一單變數Cox比例風險模式對該訓練資料集對應的該些變數進行分析，篩選出多個有潛力預測血液透析患者於半年或一年內死亡機率者，均作為潛力變數；<br/> 利用一多變數Cox比例風險模式對該些潛力變數建構一預測模型，其中該預測模型用於計算血液透析患者於半年或一年內死亡的機率；<br/> 評估該預測模型之準確度及校正度；<br/> 利用該驗證資料集對該預測模型進行驗證；以及<br/> 選擇使該預測模型具最佳準確度及校正度且通過驗證之多個相關變數，產生並儲存為一血液透析患者死亡預測模型。
如請求項6所述的血液透析患者死亡預測模型的建立系統，其中該指令執行時更使該處理器：將該單變數Cox比例風險模式中，p值小於0.15之變數視為潛力變數。
如請求項6所述的血液透析患者死亡預測模型的建立系統，其中該指令執行時更使該處理器：利用接受者操作特徵曲線之曲線下面積評估該預測模型的準確度，並比較該訓練資料集中不同死亡風險的患者族群其預測死亡率與真實死亡率的差異，評估該預測模型的校正度。
如請求項6所述的血液透析患者死亡預測模型的建立系統，其中該指令執行時更使該處理器：<br/> 利用該驗證資料集建構一驗證預測模型，計算該驗證預測模型之接受者操作特徵曲線之曲線下面積；<br/> 利用該等潛力變數所建構之該預測模型，對該驗證資料集進行死亡預測，計算其接受者操作特徵曲線之曲線下面積；以及<br/> 比對兩者之曲線下面積。
如請求項6所述的血液透析患者死亡預測模型的建立系統，其中該訓練資料集及該驗證資料集之資料分別來自於不同血液透析機構之血液透析患者。
一種血液透析患者死亡的預測方法，由一處理器所執行，該方法包括：<br/> 獲取一血液透析患者之實測資料，該實測資料可包括該血液透析患者多筆實測數值，並對應於以如請求項1至5中之一所述的血液透析患者死亡預測模型的建立方法所產生的該血液透析患者死亡預測模型的相關變數；以及<br/> 將該實測資料輸入至該血液透析患者死亡預測模型，以取得該血液透析患者於半年或一年內死亡的預測機率。
一種非暫態電腦可讀取儲存媒體，其儲存有一個或多個電腦可執行指令，該一個或多個指令由處理器執行時使電腦系統：<br/> 獲取一血液透析患者之實測資料，該實測資料可包括該血液透析患者多筆實測數值，並對應於以如請求項1至5中之一所述的血液透析患者死亡預測模型的建立方法所產生的該血液透析患者死亡預測模型的相關變數；以及<br/> 將該實測資料輸入至該血液透析患者死亡預測模型，以取得該血液透析患者於半年或一年內死亡的預測機率。
一種複合材料燒結體的製造方法，其特徵在於具備： <br/>混合步驟，混合SiC粉末、WSi<sub>2</sub>粉末、WC粉末或W粉末而獲得粉體混合物； <br/>成形步驟，將前述粉體混合物成形為既定形狀而獲得成形體；以及 <br/>燒成步驟，在非活性環境下將前述成形體熱壓燒成，其中 <br/>在前述混合步驟，混合5.7重量%~27.7重量%的SiC粉末、12.5重量%~55.3重量%的WSi<sub>2</sub>粉末與49.5重量%~81.3重量%的WC粉末或17.0重量%~55.7重量%的W粉末，使重量比的合計成為100重量%；以及 <br/>在前述燒成步驟，將最高溫度設為1700℃~1850℃，將加壓壓力設為225kgf/cm<sup>2</sup>~300kgf/cm<sup>2</sup>。
如請求項1記載之複合材料燒結體的製造方法，其中在前述混合步驟，混合5.7重量%~13.1重量%的SiC粉末、12.5重量%~39.1重量%的WSi<sub>2</sub>粉末與49.5重量%~81.3重量%的WC粉末，使重量比的合計成為100重量%。
一種複合材料燒結體，由如請求項1記載之複合材料燒結體的製造方法所製得，其特徵在於： <br/>由碳化矽、矽化鎢、碳化鎢構成； <br/>含有碳化矽14.4重量%以上48.6重量%以下；以及 <br/>開氣孔率為1%以下，其中 <br/>藉由以矽化鎢或碳化鎢的至少一種覆蓋碳化矽的各個結晶粒的表面，在碳化矽的結晶粒彼此的間隙，存在矽化鎢或碳化鎢的至少一種的結晶粒。
如請求項3記載之複合材料燒結體，其中在40℃~550℃的熱膨脹係數與氮化鋁在40℃~550℃的熱膨脹係數之差為0.5ppm/K以下。
如請求項4記載之複合材料燒結體，其中開氣孔率為0.1%以下。
如請求項3至5任一項記載之複合材料燒結體，其中矽化鎢的含量大於碳化矽的含量。
如請求項3至5任一項記載之複合材料燒結體，其中四點彎曲強度為200MPa以上。
如請求項7記載之複合材料燒結體，其中四點彎曲強度為350MPa以上。
如請求項3至5任一項記載之複合材料燒結體，其中導熱率為90W/m．K以上。
如請求項3至5任一項記載之複合材料燒結體，其中破壞韌性值為6.0MPa．m<sup>1/2</sup>~8.8MPa．m<sup>1/2</sup>。
如請求項3至5任一項記載之複合材料燒結體，其中楊氏係數為273GPa~594GPa。
如請求項11記載之複合材料燒結體，其中楊氏係數為460GPa~594GPa。
一種接合體，為將第一構件與第二構件接合而成的接合體，其特徵在於： <br/>前述第一構件是由複合材料燒結體構成，其中前述複合材料燒結體是由如請求項1記載之複合材料燒結體的製造方法所製得的；以及 <br/>前述第二構件是由氮化鋁構成，其中 <br/>前述複合材料燒結體是由碳化矽、矽化鎢與碳化鎢構成，含有碳化矽14.4重量%以上48.6重量%以下，開氣孔率為1%以下， <br/>藉由以矽化鎢或碳化鎢的至少一種覆蓋碳化矽的各個結晶粒的表面，在碳化矽的結晶粒彼此的間隙，存在矽化鎢或碳化鎢的至少一種的結晶粒。
如請求項13記載之接合體，其中前述第一構件在40℃~550℃的熱膨脹係數與前述第二構件在40℃~550℃的熱膨脹係數之差為0.5ppm/K以下。
如請求項14記載之接合體，其中前述第一構件的開氣孔率為0.1%以下。
如請求項13至15任一項記載之接合體，其是將前述第一構件與前述第二構件金屬接合而成。
一種半導體製造裝置用構件，為具備將第一構件與第二構件接合而成的接合體之半導體製造裝置用構件，其特徵在於： <br/>前述第一構件是用於將前述第二構件冷卻的冷卻構件且由複合材料燒結體構成，其中前述複合材料燒結體是由如請求項1記載之複合材料燒結體的製造方法所製得的；以及 <br/>前述第二構件是由氮化鋁構成，其中 <br/>前述複合材料燒結體是由碳化矽、矽化鎢與碳化鎢構成，含有碳化矽14.4重量%以上48.6重量%以下，開氣孔率為1%以下， <br/>藉由以矽化鎢或碳化鎢的至少一種覆蓋碳化矽的各個結晶粒的表面，在碳化矽的結晶粒彼此的間隙，存在矽化鎢或碳化鎢的至少一種的結晶粒。
如請求項17記載之半導體製造裝置用構件，其中前述第一構件在40℃~550℃的熱膨脹係數與前述第二構件在40℃~550℃的熱膨脹係數之差為0.5ppm/K以下。
如請求項18記載之半導體製造裝置用構件，其中前述第一構件的開氣孔率為0.1%以下。
如請求項17至19任一項記載之半導體製造裝置用構件，其是將前述第一構件與前述第二構件金屬接合而成。
一種基板容器，其包括： <br/>一殼體，其界定一內部空間，該殼體包含一前開口、一第一側壁、一第二側壁、一後壁及一底壁；及 <br/>一清洗流體分配系統，其至少部分地設置於該殼體中且經構形以接收一清洗氣體流，該清洗流體分配系統包括： <br/>至少一入口埠，其經構形以接收該清洗氣體流； <br/>一網路，其包括一氣體分配裝置；及 <br/>一歧管基底，其連接至該入口埠，其中該歧管基底經構形以將該清洗氣體流劃分給該氣體分配裝置； <br/>其中該氣體分配裝置具有至少一氣體分配表面，其包括用於將該清洗氣體流分配至該內部空間中之結構。
如請求項1之基板容器，其中該氣體分配裝置之該結構為下列結構中之一種或至少二者之組合：擴散器、歧管、薄膜、具有狹縫或噴嘴之部分、多孔材料製成之部分。
如請求項1或2之基板容器，該入口埠為複數個，其等位於該歧管基底下方。
如請求項3之基板容器，更包括一載板，該載板經構形以提供該殼體可被附接之一基底，其中該些入口埠係被提供於該載板。
如請求項4之基板容器，其中該清洗流體分配系統之一部分係設置於該載板與該殼體之間。
如請求項1或2之基板容器，其中該歧管基底包括一第一流動路徑，該第一流動路徑用於向該網路中的二個氣體分配裝置供應該清洗氣體流。
如請求項1或2之基板容器，其中該清洗流體分配系統包含於該殼體中。
如請求項1或2之基板容器，其中該歧管基底提供於該殼體之該底壁。
一種基板容器，其包括： <br/>一殼體，其界定一內部空間，該殼體包含一前開口、一第一側壁、一第二側壁、一後壁及一底壁； <br/>一載板，其在該基板容器之底部處；及 <br/>一清洗流體分配系統，其至少部分地設置於該殼體中且經構形以接收一清洗氣體流，該清洗流體分配系統包括： <br/>至少一入口埠，其經構形以接收該清洗氣體流； <br/>一網路，其包括用於將該清洗氣體流分配至該內部空間中之一氣體分配裝置；及 <br/>一歧管基底，其連接至該入口埠並設置於該載板與該殼體之間，其中該歧管基底經構形以將該清洗氣體流劃分給該氣體分配裝置。
如請求項9之基板容器，其中該氣體分配裝置具有下列結構中之一種或至少二者之組合用以將該清洗氣體流分配至該內部空間中：擴散器、歧管、薄膜、具有狹縫或噴嘴之部分、多孔材料製成之部分。
如請求項9或10之基板容器，該入口埠為複數個，其等位於該歧管基底下方，且該些入口埠係被提供於該載板。
如請求項9或10之基板容器，其中該歧管基底包括一第一流動路徑，該第一流動路徑用於向該網路中的二個氣體分配裝置供應該清洗氣體流。
如請求項9或10之基板容器，其中該歧管基底提供於該殼體之該底壁。
一種基板容器，其包括： <br/>一殼體，其界定一內部空間，該殼體包含一前開口、一第一側壁、一第二側壁、一後壁及一底壁； <br/>一歧管，其一體形成於該殼體之該第一側壁、該第二側壁、該後壁或該底壁中之至少一者內，該歧管包括經構形以接收一清洗氣體流之至少一入口埠且經構形以將該清洗氣體流劃分至至少一第一流動路徑及一第二流動路徑；以及 <br/>氣體分配裝置之一網路，其與該歧管流體連通，該網路包括連接至該第一流動路徑之一第一氣體分配裝置及連接至該第二流動路徑之一第二氣體分配裝置，其中該第一氣體分配裝置及該第二氣體分配裝置經構形以將該淨化氣體分配至該內部空間中。
如請求項14之基板容器，其中該歧管一體形成於該殼體之該底壁內。
如請求項14及15之基板容器，其中該第一氣體分配裝置設置得更靠近該後壁，且該第二氣體分配裝置設置得更靠近該前開口。
如請求項14至16中任一項之基板容器，其中該第二氣體分配裝置包括沿著相鄰該前開口之該殼體之一前邊緣延伸之一氣體分配表面。
如請求項14至17中任一項之基板容器，更包括至少一閥，其設置於該歧管內且經構形以控制分配於該第一流動路徑及該第二流動路徑之間之該清洗氣體流之比例。
如請求項14至18中任一項之基板容器，其中該第一氣體分配裝置或該第二氣體分配裝置中之至少一者包括選自由擴散器、歧管、薄膜、具有狹縫或噴嘴之一部分、多孔材料製成之一部分所組成之群組之一結構。
一種密合膜形成材料，係形成於阻劑上層膜之正下方之密合膜的密合膜形成材料，其特徵為： <br/>該密合膜形成材料係含有(A)具有含酸解離性基之結構單元及至少2種之下述通式(1)表示之結構單元的樹脂、及(C)有機溶劑， <br/>進一步地，更含有(B)光酸產生劑、或該(A)樹脂具有藉由光而產生酸之結構單元、或者更含有該(B)光酸產生劑且該(A)樹脂具有藉由光而產生酸之結構單元； <br/>該含酸解離性基之結構單元係下述通式(2)～(4)表示之任一者之結構； <br/><img align="absmiddle" height="59px" width="267px" file="ed10073.jpg" alt="ed10073.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>該通式(1)中，R<sup>1</sup>係氫原子或甲基，R<sup>2</sup>係選自下式(1-1)～(1-3)中之基； <br/><img align="absmiddle" height="67px" width="267px" file="ed10074.jpg" alt="ed10074.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上式中，虛線表示原子鍵； <br/><img align="absmiddle" height="130px" width="400px" file="ed10075.jpg" alt="ed10075.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>3</sup>、R<sup>5</sup>、R<sup>10</sup>係各自獨立地為氫原子或甲基；R<sup>4</sup>、R<sup>9</sup>係各自獨立地為酸解離性基；X<sup>1</sup>係單鍵、或伸苯基、伸萘基、含有酯鍵、醚鍵或內酯環之碳數1～14之連結基；X<sup>2</sup>係單鍵、酯鍵或醯胺鍵；X<sup>3</sup>係單鍵、醚鍵或酯鍵；R<sup>6</sup>係單鍵或碳數1～6之飽和伸烴基，其碳原子之一部分亦能以醚鍵或酯鍵取代；R<sup>8</sup>係氟原子、三氟甲基、氰基或碳數1～6之飽和烴基；a係1或2；b係0～4之整數；惟，1≦a+b≦5；X<sup>4</sup>係單鍵、或於鏈之中間亦可含有醚性氧原子之碳數1～10之伸烷基；R<sup>11</sup>係各自獨立地為氫原子、鹵素原子、亦可經鹵素取代之碳數2～8之直鏈狀、分支狀或環狀之醯氧基、亦可經鹵素取代之碳數1～6之直鏈狀、分支狀或環狀之烷基、或亦可經鹵素取代之碳數1～6之直鏈狀、分支狀或環狀之烷氧基；R<sup>12</sup>及R<sup>13</sup>係各自獨立地為氫原子、羥基或亦可經烷氧基取代之碳數1～15之直鏈狀或分支狀之烷基、或亦可具有取代基之1價含芳香環基；R<sup>14</sup>係氫原子、於鏈之中間亦可含有醚性氧原子、於鏈之中間或末端亦可含有羰基或羰基氧基之碳數1～10之直鏈狀、分支狀或環狀之1價脂肪族烴基、或亦可具有取代基之1價含芳香環基，藉由OR<sup>14</sup>而成為酸解離性基；c係0或1，d係0～2之整數，f係1～3之整數；e係(5+2d-f)； <br/>該R<sup>4</sup>表示的酸解離性基為下式(AL-2)或(AL-3)表示者； <br/><img align="absmiddle" height="45px" width="103px" file="ed10077.jpg" alt="ed10077.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，虛線表示原子鍵；式(AL-2)中，R<sup>L2</sup>及R<sup>L3</sup>係各自獨立地為氫原子或碳數1～18之飽和烴基；R<sup>L4</sup>係亦可含有雜原子之碳數1～18之烴基；式(AL-2)中，R<sup>L2</sup>及R<sup>L3</sup>、R<sup>L2</sup>及R<sup>L4</sup>、或R<sup>L3</sup>及R<sup>L4</sup>可相互鍵結而與此等鍵結之碳原子一起形成環、或與碳原子及氧原子一起形成環，該情況，對於環之形成有所貢獻之R<sup>L2</sup>及R<sup>L3</sup>、R<sup>L2</sup>及R<sup>L4</sup>、或R<sup>L3</sup>及R<sup>L4</sup>係各自獨立地為碳數1～18之烷二基；式(AL-3)中，R<sup>L5</sup>、R<sup>L6</sup>及R<sup>L7</sup>係各自獨立地為碳數1～20之烴基，且亦可含有氧原子、硫原子、氮原子、氟原子等雜原子。
如請求項1之密合膜形成材料，其中，該(A)樹脂更具有下述通式(5)～(6)表示之結構單元中之至少一種； <br/><img align="absmiddle" height="107px" width="301px" file="ed10076.jpg" alt="ed10076.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>15</sup>、R<sup>17</sup>係各自獨立地為氫原子或甲基；R<sup>16</sup>係碳數1～3之烷基，m表示1或2之整數，n表示0～4之整數，m+n係1以上5以下之整數；X<sup>5</sup>表示單鍵、或碳數1～10之亦可含有氧原子之伸烷基；R<sup>18</sup>係單鍵、-Z<sup>21</sup>-C(=O)-O-、-Z<sup>21</sup>-O-或-Z<sup>21</sup>-O-C(=O)-，Z<sup>21</sup>係碳數1～12之飽和伸烴基，亦可含有羰基、酯鍵或醚鍵；R<sup>19</sup>～R<sup>21</sup>係各自獨立地為亦可含有雜原子之碳數1～20之烴基；此外，R<sup>19</sup>、R<sup>20</sup>及R<sup>21</sup>任意二者亦可相互鍵結而與此等鍵結之硫原子一起形成環；A<sup>1</sup>係氫原子或三氟甲基。
如請求項2之密合膜形成材料，其中，在將該(A)樹脂中之全部結構單元的總莫耳數設為1.0時，通式(1)表示之結構單元之莫耳數之合計為0.10以上0.99以下，含酸解離性基之結構單元之莫耳數之合計為0.001以上0.60以下，且(5)～(6)表示之結構單元之莫耳數之合計為0以上0.60以下。
如請求項1之密合膜形成材料，其中，該(A)樹脂之重量平均分子量為3,000～70,000。
如請求項1之密合膜形成材料，更含有(D)界面活性劑、(E)交聯劑、(F)熱酸產生劑中之1種以上。
一種負型阻劑膜用密合膜形成材料，其特徵為： <br/>在如請求項1之密合膜形成材料中，該含酸解離性基之結構單元係該通式(2)或(3)表示之結構。
一種正型阻劑膜用密合膜形成材料，其特徵為： <br/>在如請求項1之密合膜形成材料中，該含酸解離性基之結構單元係該通式(4)表示之結構。
一種密合膜形成用塗布膜，其特徵為： <br/>由如請求項1之密合膜形成材料構成，厚度為2nm以上50nm以下。
一種圖案形成方法，係於被加工基板形成圖案之方法，其特徵為具有下述步驟： <br/>(I-1)於被加工基板上，塗布如請求項1至5中任一項之密合膜形成材料後，藉由熱處理形成密合膜之步驟、 <br/>(I-2)於該密合膜上，使用光阻劑材料來形成阻劑上層膜之步驟、 <br/>(I-3)將該阻劑上層膜經圖案曝光後，藉由顯影液進行顯影，於該阻劑上層膜形成圖案之步驟、 <br/>(I-4)將該經形成圖案之阻劑上層膜作為遮罩，藉由乾蝕刻將圖案轉印至該密合膜之步驟、及 <br/>(I-5)將該經形成圖案之密合膜作為遮罩，將該被加工基板進行蝕刻而於該被加工基板形成圖案之步驟。
一種圖案形成方法，係於被加工基板形成圖案之方法，其特徵為具有下述步驟： <br/>(II-1)於被加工基板上形成阻劑下層膜之步驟、 <br/>(II-2)於該阻劑下層膜上形成含矽阻劑中間膜之步驟、 <br/>(II-3)於該含矽阻劑中間膜上，塗布如請求項1至5中任一項之密合膜形成材料後，藉由熱處理形成密合膜之步驟、 <br/>(II-4)於該密合膜上，使用光阻劑材料形成阻劑上層膜之步驟、 <br/>(II-5)將該阻劑上層膜經圖案曝光後，藉由顯影液進行顯影，於該阻劑上層膜形成圖案之步驟、 <br/>(II-6)將該經形成圖案之阻劑上層膜作為遮罩，藉由乾蝕刻將圖案轉印至該密合膜之步驟、 <br/>(II-7)將該經形成圖案之密合膜作為遮罩，藉由乾蝕刻將圖案轉印至該含矽阻劑中間膜之步驟、 <br/>(II-8)將該經轉印圖案之含矽阻劑中間膜作為遮罩，藉由乾蝕刻將圖案轉印至該阻劑下層膜之步驟、及 <br/>(II-9)將該經形成圖案之阻劑下層膜作為遮罩，將該被加工基板進行蝕刻而於該被加工基板形成圖案之步驟。
一種圖案形成方法，係於被加工基板形成圖案之方法，其特徵為具有下述步驟： <br/>(III-1)於被加工基板上形成阻劑下層膜之步驟、 <br/>(III-2)於該阻劑下層膜上形成選自矽氧化膜、矽氮化膜、及矽氧化氮化膜中之無機硬遮罩中間膜之步驟、 <br/>(III-3)於該無機硬遮罩中間膜上，塗布如請求項1至5中任一項之密合膜形成材料後，藉由熱處理形成密合膜之步驟、 <br/>(III-4)於該密合膜上，使用光阻劑材料形成阻劑上層膜之步驟、 <br/>(III-5)將該阻劑上層膜經圖案曝光後，藉由顯影液進行顯影，於該阻劑上層膜形成圖案之步驟、 <br/>(III-6)將該經形成圖案之阻劑上層膜作為遮罩，藉由乾蝕刻將圖案轉印至該密合膜之步驟、 <br/>(III-7)將該經形成圖案之密合膜作為遮罩，藉由乾蝕刻將圖案轉印至該無機硬遮罩中間膜之步驟、 <br/>(III-8)將該經轉印圖案之無機硬遮罩中間膜作為遮罩，藉由乾蝕刻將圖案轉印至該阻劑下層膜之步驟、及 <br/>(III-9)將該經形成圖案之阻劑下層膜作為遮罩，將該被加工基板進行蝕刻而於該被加工基板形成圖案之步驟。
如請求項11之圖案形成方法，其中，藉由CVD法或ALD法形成該無機硬遮罩中間膜。
如請求項9之圖案形成方法，其中，作為於該阻劑上層膜形成圖案之方法，使用波長為10nm以上300nm以下之光微影、電子束所為之直接描繪、奈米壓印或此等的組合。
如請求項9之圖案形成方法，其中，作為顯影方法，使用鹼顯影或有機溶劑所為之顯影。
如請求項9之圖案形成方法，其中，作為該被加工基板，使用半導體裝置基板、或於該半導體裝置基板上經成膜金屬膜、金屬碳化膜、金屬氧化膜、金屬氮化膜、金屬氧化碳化膜及金屬氧化氮化膜之任一者而成者。
如請求項15之圖案形成方法，其中，作為該金屬，使用矽、鈦、鎢、鉿、鋯、鉻、鍺、銅、銀、金、鋁、銦、鎵、砷、鈀、鐵、鉭、銥、鈷、錳、鉬或此等之合金。
如請求項9之圖案形成方法，其中，於該形成密合膜之步驟中，將該密合膜形成材料以厚度成為2nm以上50nm以下之方式進行塗布。
如請求項9之圖案形成方法，其中，該阻劑上層膜係使用至少含有有機金屬化合物及溶劑之阻劑上層膜材料所形成者。
如請求項18之圖案形成方法，其中，該有機金屬化合物係包含選自鈦、鈷、銅、鋅、鋯、鉛、銦、錫、銻及鉿中之至少一種。
一種密合膜之形成方法，係半導體裝置之製造步驟所使用之發揮作為密合層之功能的密合膜的形成方法，其特徵為： <br/>於被加工基板上旋轉塗布如請求項1至5中任一項之密合膜形成材料，將該經塗布密合膜形成材料之基板於100℃以上300℃以下之溫度以10～600秒之範圍進行熱處理，藉此形成硬化膜。
一種密合膜之形成方法，係半導體裝置之製造步驟所使用之發揮作為密合層之功能的密合膜的形成方法，其特徵為： <br/>於被加工基板上旋轉塗布如請求項1至5中任一項之密合膜形成材料，將該經塗布密合膜形成材料之基板於氧濃度0.1%以上21%以下之環境下進行熱處理，藉此形成硬化膜。
一種密合膜之形成方法，係半導體裝置之製造步驟所使用之發揮作為密合層之功能的密合膜的形成方法，其特徵為： <br/>於被加工基板上旋轉塗布如請求項1至5中任一項之密合膜形成材料，將該經塗布密合膜形成材料之基板於氧濃度小於0.1%之環境下進行熱處理，藉此形成硬化膜。
一種熱水器碳捕捉系統，包括：<br/>一熱水器裝置，其上設置有一氣體排氣管，能用以排出所述熱水器裝置運作時所產生一第一氣體流至外界環境；其中，所述第一氣體流包含二氧化碳；以及<br/>一碳捕捉模組，包含：<br/>一碳捕捉容器，設置於所述熱水器裝置的一側，並設置於所述氣體排氣管的下方，用以儲存一液體，並且所述液體為水溶液且包含氫氧化鈉及界面活性劑；<br/>一氣體導入管，其一端連接於所述氣體排氣管，所述氣體導入管的另一端連接於所述碳捕捉容器，以將所述第一氣體流導入所述液體內，並且所述液體能吸收所述第一氣體流中的二氧化碳且產生一第二氣體流；其中，所述第二氣體流的二氧化碳濃度低於所述第一氣體流中的二氧化碳濃度；及<br/>一氣體導出管，其一端是連接於所述氣體排氣管，且所述氣體導出管的另一端是連接於所述碳捕捉容器，從而將所述碳捕捉容器中的所述第二氣體流、導回至所述氣體排氣管中；<br/>其中，在所述液體吸收所述第一氣體流中的二氧化碳後，所述液體中的氫氧化鈉能與二氧化碳進行化學反應，以產生碳酸氫鈉，以使得所述液體的組成進一步地包含有碳酸氫鈉；<br/>其中，所述碳捕捉模組進一步包括：<br/>一氣體抽氣泵，其連接於所述氣體導出管，用以對所述氣體導出管內的氣體進行抽氣；及<br/>一溫度感應器，其連接於所述氣體排氣管，且電性連接於所述氣體抽氣泵；<br/>其中，當所述熱水器裝置運作且輸出所述第一氣體流至所述氣體排氣管中時，所述溫度感應器用以感應所述氣體排氣管內的一氣體溫度；<br/>當所述氣體溫度升溫至一預定溫度以上時，所述溫度感應器傳遞一啟動訊號至所述氣體抽氣泵，以使得所述氣體抽氣泵被啟動；<br/>當所述熱水器裝置停止運作並且所述溫度感應器感應所述氣體排氣管內的氣體溫度下降至低於所述預定溫度時，所述溫度感應器傳遞一停止訊號至所述氣體抽氣泵，以使所述氣體抽氣泵停止對所述氣體導出管內的氣體進行抽氣。
如請求項1所述的熱水器碳捕捉系統，其中，所述碳捕捉容器中的所述液體以外的部分定義為一氣體空間，且所述碳捕捉容器上設置有一容器封閉蓋，用以將所述碳捕捉容器內的所述液體及所述氣體空間封閉。
如請求項2所述的熱水器碳捕捉系統，其中，所述氣體導入管的所述另一端、是穿過所述容器封閉蓋、通過所述氣體空間、而伸入至所述碳捕捉容器中的所述液體內，從而將所述第一氣體流導入所述液體中；其中，所述氣體導出管的所述另一端、是穿過所述容器封閉蓋、而伸入至所述碳捕捉容器的所述氣體空間中，但並未伸入至所述液體中、且也未與所述液體接觸，從而將流至所述氣體空間中的所述第二氣體流導回至所述氣體排氣管中。
如請求項3所述的熱水器碳捕捉系統，其中，所述氣體導入管的直徑小於所述氣體排氣管的直徑，並且所述氣體導出管的直徑也小於所述氣體排氣管的直徑。
如請求項1所述的熱水器碳捕捉系統，其中，所述氣體導入管連接於所述氣體排氣管一端的位置，是在所述第一氣體流的排氣方向上、相較於所述氣體導出管的連接於所述氣體排氣管的一端的位置、更靠近於所述熱水器裝置。
如請求項1所述的熱水器碳捕捉系統，其中， 所述預定溫度介於180°C~260°C。
如請求項1所述的熱水器碳捕捉系統，其中，所述溫度感應器連接於所述氣體排氣管的位置是在所述第一氣體流的一排氣方向上、相較於所述氣體導入管的連接於所述氣體排氣管一端的位置、更靠近於所述熱水器裝置。
如請求項1所述的熱水器碳捕捉系統，其中，所述碳捕捉模組進一步包含一反應計時器，其電性連接於所述氣體抽氣泵或所述溫度感應器；其中，當所述溫度感應器感應所述氣體排氣管內的所述氣體溫度升溫至所述預定溫度並且啟動所述氣體抽氣泵進行抽氣時，所述反應計時器開始進行計時，且當所述反應計時器計時累計至一預定時間時，所述反應計時器發送出一提示訊號。
一種碳捕捉模組，其能用以對一熱水器裝置通過一氣體排氣管排出的包含二氧化碳的一第一氣體流進行碳捕捉，其中，所述碳捕捉模組包含：<br/>一碳捕捉容器，其用以設置於所述熱水器裝置的一側，並且設置於所述氣體排氣管的下方，所述碳捕捉容器用以儲存一液體，其中所述液體為水溶液且包含氫氧化鈉及界面活性劑；<br/>一氣體導入管，其一端用以連接於所述氣體排氣管，且所述氣體導入管的另一端用以連接於所述碳捕捉容器，從而能將所述第一氣體流導入所述液體內，並且所述液體能吸收所述第一氣體流中的二氧化碳且產生一第二氣體流；及<br/>一氣體導出管，其一端用以連接於所述氣體排氣管，且所述氣體導出管的另一端用以連接於所述碳捕捉容器，從而能將所述碳捕捉容器中的所述第二氣體流、導回至所述氣體排氣管中；<br/>其中，在所述液體吸收所述第一氣體流中的所述二氧化碳後，所述液體中的氫氧化鈉能與二氧化碳進行化學反應，從而產生碳酸氫鈉，以使得所述液體的組成進一步地包含碳酸氫鈉；<br/>其中，所述碳捕捉模組進一步包括：<br/>一氣體抽氣泵，用以連接於所述氣體導出管，並對所述氣體導出管內的氣體進行抽氣；及<br/>一溫度感應器，用以連接於所述氣體排氣管，且電性連接於所述氣體抽氣泵；<br/>其中，當所述熱水器裝置運作且輸出所述第一氣體流至所述氣體排氣管中時，所述溫度感應器用以感應所述氣體排氣管內的一氣體溫度；<br/>當所述氣體溫度升溫至一預定溫度以上時，所述溫度感應器傳遞一啟動訊號至所述氣體抽氣泵，以使得所述氣體抽氣泵被啟動；<br/>當所述熱水器裝置停止運作並且所述溫度感應器感應所述氣體排氣管內的氣體溫度下降至低於所述預定溫度時，所述溫度感應器傳遞一停止訊號至所述氣體抽氣泵，以使所述氣體抽氣泵停止對所述氣體導出管內的氣體進行抽氣。
一種光學成像系統，包括： <br/>第一透鏡具有正的折射力、凸的物體側表面和凸的影像側表面； <br/>第二透鏡具有負的折射力、凸的物體側表面和凹的影像側表面； <br/>第三透鏡具有正的折射力； <br/>第四透鏡具有折射力； <br/>第五透鏡具有正的折射力；以及 <br/>第六透鏡具有負的折射力， <br/>其中所述第一透鏡至所述第六透鏡自物體側至影像側依序設置， <br/>其中所述光學成像系統具有共六透鏡，且 <br/>其中1.5 ＜ f/IMG HT ＜ 3.5且0.80 ≤ TTL/f ≤ 1.05，其中f是所述光學成像系統的總焦距，TTL是在光軸上自所述第一透鏡的物體側表面至成像平面的距離，且IMG HT等於所述成像平面的對角線長度的一半。
如請求項1所述的光學成像系統，其中： <br/>TTL/(2 × IMG HT) ≤ 1.7。
如請求項1所述的光學成像系統，其中： <br/>|f/f1+f/f2| ＜ 1.2， <br/>其中f1是所述第一透鏡的焦距，且f2是所述第二透鏡的焦距。
如請求項1所述的光學成像系統，其中： <br/>BFL/f ＜ 0.4， <br/>其中BFL是在所述光軸上自所述第六透鏡的影像側表面至所述成像平面的距離。
如請求項1所述的光學成像系統，其中： <br/>0 ≤ D1/f ≤ 0.05， <br/>其中D1是在所述光軸上所述第一透鏡的影像側表面與所述第二透鏡的物體側表面之間的距離。
如請求項1所述的光學成像系統，其中： <br/>n2+n3 ＞ 3.20， <br/>其中n2是所述第二透鏡的折射率，且n3是所述第三透鏡的折射率。
如請求項1所述的光學成像系統，其中： <br/>R1/f ≤ 0.35， <br/>其中R1是所述第一透鏡的所述物體側表面的曲率半徑。
如請求項1所述的光學成像系統，其中： <br/>IMG HT ≥ 4.5毫米。
如請求項1所述的光學成像系統，其中： <br/>TTL ＞ 10.2毫米。
如請求項1所述的光學成像系統，其中： <br/>所述第三透鏡具有凸的物體側表面和凹的影像側表面。
如請求項1所述的光學成像系統，其中： <br/>所述第四透鏡具有凸的物體側表面和凹的影像側表面。
如請求項1所述的光學成像系統，其中： <br/>所述第六透鏡具有凸的物體側表面和凹的影像側表面。
如請求項1所述的光學成像系統，其中： <br/>所述第二透鏡及所述第三透鏡中的至少一者的折射率大於1.64。
如請求項1所述的光學成像系統，其中： <br/>所述第一透鏡及所述第二透鏡中的每一者的焦距的絕對值小於所述第三透鏡、所述第四透鏡及所述第五透鏡的焦距的絕對值。
一種隔板填充方法，包含下列步驟： <br/>(A)製備一外框單元、一發泡混合槍，以及一加料單元，該外框單元至少包括一框件、二封蓋，以及一設置於該框件與其中一封蓋的填充口，該框件與該等封蓋共同界定出一內容室，該填充口連通該內容室，該發泡混合槍包括一本體單元、一連接於該本體單元一側的閥體單元、一相反於該閥體單元而連接於該本體單元的混合單元，以及一連接於該混合單元的出料管，該本體單元具有至少二入液孔，該出料管具有一出料口，該加料單元具有一連通於該出料管的匯入口； <br/>(B) 將二液料分別自該等入液孔導入於該本體單元，其中一液料含有阻燃劑，該閥體單元將該等液料推擠至該混合單元進行混合並形成一發泡料，該發泡料朝該出料管擠出； <br/>(C)將已粉碎成1~20mm粒徑的多數複合回收料，該複合回收料透過該加料單元朝該出料管輸送，該等複合回收料朝該出料管匯入的輸出壓力控制在0.1~10Kg/cm <sup>2</sup>，該等複合回收料被該發泡料均勻包覆；及 <br/>(D)將該發泡混合槍的出料管對合於該外框單元的填充口，並自該出料管輸出一混合發泡料，該混合發泡料自該出料管輸出的壓力控制在0.1~10Kg/cm <sup>2</sup>，並使該混合發泡料填入於該內容室且形成一防火隔板。
如請求項1所述的隔板填充方法，其中，該步驟(A)所製備的加料單元旁通連接於該發泡混合槍的出料管，該加料單元與該出料管的夾角為30~60度之間，且該加料單元在由該入液孔朝該出料管的出料口延伸時逐漸偏向於該出料口。
如請求項1所述的隔板填充方法，其中，該步驟(A)所製備發泡混合槍還包括一設置於該混合單元的霧化板，該霧化板位於該出料管內側，該霧化板對該發泡料進行霧化。
如請求項1所述的隔板填充方法，其中，該步驟(A)所製備發泡混合槍還包括二流量控制閥，該等流量控制閥分別設置於該發泡混合槍的出料口與該加料單元的匯入口。
如請求項1所述的隔板填充方法，其中，該步驟(A)所製備該加料單元穿設於該出料管內部，該匯入口位於該出料口內側。
如請求項1所述的隔板填充方法，其中，該步驟(C)中的複合回收料包括紙製廢棄物、塑膠製廢棄物，以及橡膠製廢棄物至少其中一種族群。
一種用於偵測手勢輸入及力輸入之全光學感測器(100)，該感測器包括： <br/>至少兩個發射器偵測器對，其包括第一發射器偵測器對及一第二發射器偵測器對，該感測器的每個發射器偵測器對包括一發射器(11, 12, 13, 14, 15, 16)及一偵測器(21, 22, 23, 24, 25, 26)；以及 <br/>一反射器(30)，其中： <br/>每個發射器偵測器對的該發射器配置成發射具有至少大致平行於一垂直方向(91)之一主發射方向的一感測器光(80)， <br/>每個發射器偵測器對的該偵測器配置成偵測由同一個發射器偵測器對的該發射器發射之該感測器光， <br/>該反射器對於由該感測器的所有發射器發射之該感測器光係部分反射的且部分光透射的， <br/>該第一發射器偵測器對具有一第一基線(b1)，而該第二發射器偵測器對具有一第二基線(b2)， <br/>每個發射器偵測器對的該基線由該發射器偵測器對的該發射器與該發射器偵測器對的該偵測器之間在一橫向方向(92)上的距離來定義， <br/>該反射器沿著該垂直方向配置在該感測器的所有發射器偵測器對上方且在該感測器的一空閒狀態下具有沿該垂直方向的一第一高度(d1)，以致於對於該第一發射器偵測器對來說，由該第一發射器偵測器對的該發射器發射之該感測器光的一第一部分(81)被反射器反射至該第一發射器偵測器對的該偵測器上，該第一發射器偵測器對的該偵測器產生一第一強度信號，並且對於該第二發射器偵測器對來說，由該第二發射器偵測器對的該發射器發射之該感測器光的一第二部分(82)被該反射器反射至該第二發射器偵測器對的該偵測器上，該第二發射器偵測器對的該偵測器產生一第二強度信號， <br/>選擇該第一高度、該第一基線及該第二基線，使得當該反射器的至少一部分從該第一高度移動至小於該第一高度的一第二高度(d2)時，該感測器光的該第一部分增加，而該感測器光的該第二部分減少。
如請求項1之感測器，其中該感測器包括至少一發射器(11)以及至少一第一偵測器(21)及一第二偵測器(22)，該至少一發射器與該第一偵測器構成該第一發射器偵測器對，而該至少一發射器與該第二偵測器構成該第二發射器偵測器對。
如請求項2之感測器，其中該至少一發射器配置成持續地發射該感測器光。
如請求項2之感測器，其中該至少一發射器配置成發射光脈衝。
如請求項1之感測器，其中該感測器包括一第一發射器(11)及一第二發射器(12)以及至少一偵測器(21)，該第一發射器與該至少一偵測器構成該第一發射器偵測器對，而該第二發射器與該至少一偵測器構成該第二發射器偵測器對。
如請求項5之感測器，其中該第一及第二發射器配置成發射光脈衝。
如請求項6之感測器，其中： <br/>該第一及第二發射器中之每一者配置成發射相同感測器光的光脈衝；以及 <br/>該第一發射器在與該第二發射器不同的時間發射該等光脈衝。
如請求項1至7中任一項之感測器，其中： <br/>該第一基線確定用於定義該第一強度信號與該反射器的高度之相依性的一第一特性鄰近曲線(PC1)； <br/>該第二基線確定用於定義該第二強度信號與該反射器的高度之相依性的一第二特性鄰近曲線(PC2)； <br/>該第一特性鄰近曲線在小於該第二高度的高度具有最大值；以及 <br/>該第二特性鄰近曲線在大於該第一高度的高度具有最大值。
如請求項8之感測器，其中該第一基線與該第二基線不同。
如請求項1至7中任一項之感測器，其中該感測器的所有發射器及所有偵測器配置成使得沒有發射器可以將感測器光直接照射至任一偵測器上。
如請求項1至7中任一項之感測器，其中該反射器包括一板狀部分或形成為一平板。
如請求項1至7中任一項之感測器，其中該反射器對於該感測器光具有等於或大於75%且等於或小於99%的反射率。
如請求項1至7中任一項之感測器，其中該反射器對於該感測器光具有等於或大於1%且等於或小於25%的光透射。
如請求項1至7中任一項之感測器，其中該反射器可以被使用者朝該等發射器偵測器對彎曲及/或移動。
如請求項1至7中任一項之感測器，其中該感測器的至少一個發射器係一垂直發射雷射二極體。
如請求項1至7中任一項之感測器，其中該感測器的至少一發射器係一發光二極體。
如請求項1至7中任一項之感測器，其中該感測器的至少一偵測器係一光電二極體。
一種用於操作如請求項1至17中任一項之感測器(100)以偵測手勢及力輸入的方法， <br/>其中該第一發射器偵測器對及該第二發射器偵測器對同時或相繼操作，使得第一發射器偵測器對產生具有一第一信號強度(S1)的該第一強度信號，而該第二發射器偵測器對產生具有一第二信號強度(S2)的該第二強度信號， <br/>其中觀察該第一強度信號的該第一信號強度之變化，並且觀察該第二強度信號的該第二信號強度之變化， <br/>其中計算該第一強度信號與該第二強度信號的一差信號，並觀察該差信號的一差信號強度之變化。
一種車輛用控制裝置，是具備用來控制「車輛(100)所搭載的引擎(30)」及「可轉動前述引擎(30)之曲柄軸(30a)的電動機(34)」之控制手段(11)的車輛用控制裝置(10)， <br/> 其特徵為： <br/> 前述控制手段(11)， <br/> 在怠速停止條件已成立的場合中，實施：前述引擎(30)的自動停止；停止位置控制，利用前述電動機(34)的驅動力，對利用惰性而轉動的前述曲柄軸(30a)進行制動，而使其停止於預定位置(P)， <br/> 前述停止位置控制，包含： <br/> 預煞車控制，控制前述電動機(34)，使前述曲柄軸(30a)的轉數根據預先設定的目標推移資訊(Tne)而下降； <br/> 主煞車控制，前述預煞車控制後，控制前述電動機，使前述曲柄軸(30a)停止於前述預定位置(P)， <br/> 前述車輛(100)，具備用來偵測前述曲柄軸(30a)之位置的偵測手段(23)， <br/> 前述目標推移資訊(Tne)，是表示相對於前述曲柄軸(30a)之位置的前述曲柄軸(30a)之目標轉數的資訊， <br/> 前述控制手段(11)， <br/> 在前述預煞車控制中，在基於前述偵測手段(23)的偵測結果之前述曲柄軸(30a)的偵測轉數(Dne)超過前述目標轉數亦即前述目標推移資訊(Tne)的場合中，驅動前述電動機(34)使前述曲柄軸(30a)的轉數下降， <br/> 在前述偵測轉數(Dne)為前述目標轉數亦即前述目標推移資訊(Tne)以下的場合中，不驅動前述電動機(34)， <br/> 前述車輛(100)具備離心離合器(36)，被設在前述引擎(30)與驅動輪(112)之間的驅動力傳達路徑， <br/> 前述控制手段(11)， <br/> 以前述曲柄軸(30a)的轉數，成為前述離心離合器(36)呈現傳達遮斷狀態的閾值轉數以下作為條件，開始前述預煞車控制，並以成為比前述閾值轉數更低之轉數以下作為條件，結束前述預煞車控制。
如請求項1所記載的車輛用控制裝置(10)，其中前述怠速停止條件，是前述車輛於行駛中可成立的條件。
如請求項1所記載的車輛用控制裝置(10)，其中前述控制手段(11)， <br/> 在前述預煞車控制中，根據前述目標推移資訊(Tne)與前述偵測手段(23)的偵測結果，對前述電動機(34)進行反饋控制。
如請求項1所記載的車輛用控制裝置(10)，其中前述控制手段(11)，藉由工作比控制來驅動前述電動機(34)， <br/> 在前述主煞車控制中，以預先設定的工作比，在不變更該工作比的狀態下驅動前述電動機(34)。
如請求項1所記載的車輛用控制裝置(10)，其中前述控制手段(11)， <br/> 在前述主煞車控制中，在由前述偵測手段(23)偵測到前述曲柄軸(30a)之逆轉的場合中，停止前述電動機(34)的驅動。
如請求項1所記載的車輛用控制裝置(10)，其中前述控制手段(11)， <br/> 在根據前述偵測手段(23)的偵測結果，而判斷為藉由前述停止位置控制並未使前述曲柄軸(30a)停止於前述預定位置(P)的場合中，實行利用前述電動機(34)使前述曲柄軸(30a)轉動至前述預定位置(P)的控制。
如請求項1所記載的車輛用控制裝置(10)，其中前述控制手段(11)， <br/> 在前述曲柄軸(30a)的轉數成為前述閾值轉數以下的場合中，開始前述預煞車控制，在成為比前述閾值轉數更低之轉數以下的場合中，結束前述預煞車控制。
一種控制方法，是用來控制：車輛(100)所搭載的引擎(30)；及可轉動前述引擎(30)之曲柄軸(30a)的電動機(34)的控制方法， <br/> 其特徵為具備： <br/> 自動停止步驟，在前述車輛(100)的行駛中怠速停止條件已成立的場合，使前述引擎(30)自動停止； <br/> 停止位置控制步驟，前述自動停止步驟後，利用前述電動機(34)的驅動力，對利用惰性而轉動的前述曲柄軸(30a)進行制動，而使其停止於預定位置， <br/> 前述停止位置控制步驟，包含： <br/> 預煞車控制步驟，控制前述電動機(34)，使前述曲柄軸(30a)的轉數根據預先設定的目標推移資訊(Tne)而下降； <br/> 主煞車控制步驟，前述預煞車控制步驟後，控制前述電動機(34)，使前述曲柄軸(30a)停止於前述預定位置， <br/> 前述車輛(100)，具備用來偵測前述曲柄軸(30a)之位置的偵測手段(23)， <br/> 前述目標推移資訊(Tne)，是表示相對於前述曲柄軸(30a)之位置的前述曲柄軸(30a)之目標轉數的資訊， <br/> 在前述預煞車控制中， <br/> 在基於前述偵測手段(23)的偵測結果之前述曲柄軸(30a)的偵測轉數(Dne)超過前述目標轉數亦即前述目標推移資訊(Tne)的場合中，驅動前述電動機(34)使前述曲柄軸(30a)的轉數下降， <br/> 在前述偵測轉數(Dne)為前述目標轉數亦即前述目標推移資訊(Tne)以下的場合中，不驅動前述電動機(34)， <br/> 前述車輛(100)具備離心離合器(36)，被設在前述引擎(30)與驅動輪(112)之間的驅動力傳達路徑， <br/> 以前述曲柄軸(30a)的轉數，成為前述離心離合器(36)呈現傳達遮斷狀態的閾值轉數以下作為條件，開始前述預煞車控制步驟，並以成為比前述閾值轉數更低之轉數以下作為條件，結束前述預煞車控制步驟。
一種跨騎型車輛，是具備以下構件的跨騎型車輛(100)： <br/> 引擎(30)； <br/> 電動機(34)，可轉動前述引擎(30)的曲柄軸(30a)； <br/> 用來偵測前述曲柄軸(30a)之位置的偵測手段(23)； <br/> 離心離合器(36)，被設在前述引擎(30)與驅動輪(112)之間的驅動力傳達路徑； <br/> 控制手段(11)，用來控制前述引擎(30)及前述電動機(34)， <br/> 其特徵為： <br/> 前述控制手段(11)， <br/> 在前述跨騎型車輛(100)行駛中怠速停止條件已成立的場合，實施：前述引擎(30)的自動停止；停止位置控制，利用前述電動機(34)的驅動力，對利用惰性而轉動的前述曲柄軸(30a)進行制動，而使其停止於預定位置(P)， <br/> 前述停止位置控制，包含： <br/> 預煞車控制，控制前述電動機(34)，使前述曲柄軸(30a)的轉數根據預先設定的目標推移資訊(Tne)而下降； <br/> 主煞車控制，前述預煞車控制後，控制前述電動機(34)，使前述曲柄軸(30a)停止於前述預定位置(P)， <br/> 前述跨騎型車輛(100)具備離心離合器(36)，被設在前述引擎(30)與驅動輪(112)之間的驅動力傳達路徑， <br/> 前述目標推移資訊(Tne)，是表示相對於前述曲柄軸(30a)之位置的前述曲柄軸(30a)之目標轉數的資訊， <br/> 前述控制手段(11)， <br/> 在前述預煞車控制中，在基於前述偵測手段(23)的偵測結果之前述曲柄軸(30a)的偵測轉數(Dne)超過前述目標轉數亦即前述目標推移資訊(Tne)的場合中，驅動前述電動機(34)使前述曲柄軸(30a)的轉數下降， <br/> 在前述偵測轉數(Dne)為前述目標轉數亦即前述目標推移資訊(Tne)以下的場合中，不驅動前述電動機(34)， <br/> 前述控制手段(11)， <br/> 以前述曲柄軸(30a)的轉數，成為前述離心離合器(36)呈現傳達遮斷狀態的閾值轉數以下作為條件，開始前述預煞車控制，並以成為比前述閾值轉數更低之轉數以下作為條件，結束前述預煞車控制。
一種可撓式超音波換能器，包括：<br/> 一反射結構，具有一凹凸結構，其中該凹凸結構包括複數個凸出部及複數個凹陷部；<br/> 一換能器陣列，包括複數個換能器陣元，其中每一換能器陣元發射一超音波信號，以使該超音波信號射至該複數個凸出部中之至少一者或該複數個凹陷部中之至少一者之上，其中該每一換能器陣元包括一壓電超音波換能器或一微機械超音波換能器；<br/> 一背膠層，設置於該換能器陣列之一第一側，且該背膠層介於該反射結構及該換能器陣列之間；以及<br/> 一匹配層，設置於該換能器陣列之一第二側；<br/> 其中該複數個凸出部包括一第一凸出部及一第二凸出部，且該第一凸出部之一第一高度與該第二凸出部之一第二高度相異，該複數個凹陷部包括一第一凹陷部及一第二凹陷部，且該第一凹陷部之一第一深度與該第二凹陷部之一第二深度相異，其中該複數個凸出部沿一第一方向排列配置，該複數個凹陷部沿一第二方向排列配置，且該第一方向與該第二方向相異。
如請求項1所述之可撓式超音波換能器，其中該每一換能器陣元之一寬度大於該第一凹陷部之一寬度。
如請求項1所述之可撓式超音波換能器，其中該每一換能器陣元之一寬度大於該第一凸出部之一寬度。
如請求項1所述之可撓式超音波換能器，其中該每一換能器陣元朝該反射結構發射一第一超音波信號，並接收自該複數個凸出部中之至少一者或自該複數個凹陷部中之至少一者所反射之一第一反射超音波信號。
如請求項7所述之可撓式超音波換能器，其中該每一換能器陣元朝該匹配層發射一第二超聲波信號，並接收自該匹配層方向之一第二反射超音波信號。
如請求項1所述之可撓式超音波換能器，其中該背膠層之材料為環氧樹脂、聚氨酯樹脂或其組合。
一種點數儲值風險管理方法，該方法包含:<br/> 一代銷端裝置發起一用戶購買一儲值點數的一購買需求，該代銷端裝置將該購買需求傳送到一儲值平台，該購買需求包含該用戶的一手機號碼、一遊戲應用程式及該儲值點數；<br/> 該儲值平台接收該購買需求，選取一資料庫中符合該遊戲應用程式及該儲值點數的一儲值序號回傳到該代銷端裝置，進一步，將該儲值序號綁定該購買需求，並儲存成一用戶購買紀錄到該資料庫；<br/> 該用戶在一手機執行該遊戲應用程式開啟一儲值介面並輸入該儲值序號，該手機透過網際網路連接該儲值平台，該遊戲應用程式將該儲值序號及一遊戲帳號發送到該儲值平台； <br/> 該儲值平台接收該儲值序號，從該資料庫提取該用戶購買紀錄，比對該儲值序號是否符合該用戶購買紀錄；以及 <br/> 若是，則該儲值平台通知一遊戲平台，依該遊戲帳號進行該儲值點數一加值；<br/> 該儲值平台接收該儲值序號時，還包含依該購買需求的該手機號碼傳送一OTP驗證到該手機號碼進行驗證，若該OTP驗證失敗則執行一延遲入點，該延遲入點即為該儲值平台延遲一段時間再通知該遊戲平台對該遊戲帳號進行該儲值點數的該加值。
如請求項1所述之點數儲值風險管理方法，該購買需求還包含一代銷端，該儲值平台依該資料庫之一風險評等列表比對該代銷端之一風險評等，若該風險評等高於一閾值則該儲值平台執行一延遲入點，該延遲入點即為該儲值平台延遲一段時間再通知該遊戲平台對該遊戲帳號進行該儲值點數的該加值。
如請求項2所述之點數儲值風險管理方法，該風險評等由該儲值平台依該代銷端之一歷史交易紀錄進行風險等級評鑑，並儲存成該風險評等列表到該資料庫。
如請求項2所述之點數儲值風險管理方法，該儲值平台依該代銷端提取該資料庫之一代銷端資料，比對該代銷端是否為一合格代銷端或/及一可購買剩餘額度，依該合格代銷端或/及該可購買剩餘額度決定是否同意該購買需求。
如請求項1所述之點數儲值風險管理方法，該加值前若該儲值平台接收該用戶於一點數防詐鎖卡平台發送的一鎖卡指令，則該儲值平台鎖定該儲值序號，不允許該儲值序號進行該加值。
如請求項1所述之點數儲值風險管理方法，該用戶在該手機執行該遊戲應用程式的儲值時，該遊戲應用程式將該儲值序號及執行該遊戲應用程式的該手機號碼發送到該儲值平台，該儲值平台通知該遊戲平台依該手機號碼對該遊戲應用程式之該遊戲帳號進行該儲值點數的該加值。
如請求項1所述之點數儲值風險管理方法，該購買需求還包含一IP位置，該儲值序號綁定要執行該遊戲應用程式的該IP位置，該儲值平台通知該遊戲平台依該IP位置對該遊戲應用程式之該遊戲帳號進行該儲值點數的該加值。
如請求項1所述之點數儲值風險管理方法，該購買需求還包含該遊戲帳號，該儲值序號綁定該遊戲帳號，該儲值平台通知該遊戲平台依該遊戲帳號進行該儲值點數的該加值。
如請求項1所述之點數儲值風險管理方法，該儲值平台依該遊戲平台提供的該遊戲應用程式的驗證方法驗證該遊戲應用程式是否為正式授權的該遊戲應用程式。
一種半導體結構，包括： <br/>第一基板，包括裝置區以及環繞所述裝置區的環狀區； <br/>第一內連線結構，位於所述第一基板上方，所述第一內連線結構包括延伸穿過所述第一內連線結構以及直接設置在所述環狀區上方的第一通孔塔以及第二通孔塔； <br/>第一接合層，位於所述第一內連線結構上方並且包括第一金屬接合特徵； <br/>第二接合層，位於所述第一接合層上方並且包括接觸所述第一金屬接合特徵的第二金屬接合特徵；以及 <br/>第二內連線結構，位於所述第二接合層上方，所述第二內連線結構包括延伸穿過所述第二內連線結構以及直接設置在所述環狀區上方的第三通孔塔與第四通孔塔， <br/>其中，所述第一通孔塔與所述第二通孔塔透過所述第一內連線結構中的第一金屬線電耦合，其中所述第三通孔塔與所述第四通孔塔透過所述第二內連線結構中的第二金屬線電耦合，且所述第四通孔塔與所述第二通孔塔透過所述第二金屬線、所述第三通孔塔以及所述第一金屬線電耦合， <br/>其中，所述第一通孔塔與所述第三通孔塔透過所述第一金屬接合特徵以及所述第二金屬接合特徵電耦合。
如請求項1所述的半導體結構，其中所述第一金屬線鄰接於所述第一基板並且遠離所述第一接合層。
如請求項1所述的半導體結構，更包括： <br/>第二基板，設置在所述第二內連線結構上方。
如請求項3所述的半導體結構，其中所述第二金屬線鄰接於所述第二基板並且遠離所述第二接合層。
一種形成半導體結構的方法，包括： <br/>形成第一晶粒，所述第一晶粒包括： <br/>第一半導體基板，以及 <br/>位於所述第一半導體基板上方的第一內連線結構； <br/>形成位於所述第一內連線結構上方的第一接合層； <br/>形成第二晶粒，所述第二晶粒包括： <br/>第二半導體基板，以及 <br/>位於所述第二半導體基板上方的第二內連線結構； <br/>形成位於所述第二半導體基板上方的第二接合層；以及 <br/>藉由將所述第二接合層接合至所述第一接合層以將所述第二晶粒接合至所述第一晶粒， <br/>其中，所述第一內連線結構包括第一裝置區以及環繞所述第一裝置區的第一密封環區， <br/>其中，所述第二內連線結構包括第二裝置區以及環繞所述第二裝置區的第二密封環區， <br/>其中，在所述接合之後，所述第一密封環區垂直對齊所述第二密封環區， <br/>其中，所述第一內連線結構包括所述第一密封環區中的第一通孔塔以及第二通孔塔， <br/>其中，所述第一通孔塔以及所述第二通孔塔透過所述第一內連線結構中的第一金屬線連接， <br/>其中，所述第二內連線結構包括在所述第二密封環區中的第三通孔塔以及第四通孔塔， <br/>其中，所述第三通孔塔以及所述第四通孔塔透過所述第二內連線結構中的第二金屬線連接，且所述第四通孔塔與所述第二通孔塔透過所述第二金屬線、所述第三通孔塔以及所述第一金屬線電耦合。
如請求項5所述的形成半導體結構的方法， <br/>其中，所述第一金屬線鄰接於所述第一半導體基板並且遠離所述第一接合層， <br/>其中，所述第二金屬線鄰接於所述第二半導體基板並且遠離所述第二接合層。
如請求項5所述的形成半導體結構的方法， <br/>其中，所述第一金屬線鄰接於所述第一接合層並且遠離所述第一半導體基板， <br/>其中，所述第二金屬線鄰接於所述第二半導體基板並且遠離所述第二接合層。
一種半導體裝置，包括:<br/> 一記憶體陣列，包括排列於一列中的複數個記憶體單元；<br/> 一互連結構，設置於該複數個記憶體單元上方，且包括一位元線，其中該位元線耦接至排列於該列中的該複數個記憶體單元的每一者，其中該位元線具有耦接至該複數個記憶體單元的一第一部分的一第一區段及耦接至該複數個記憶體單元的一第二部分的一第二區段，且其中該第一區段具有一第一寬度，且該第二區段具有小於該第一寬度的一第二寬度；以及<br/> 一邏輯電路，透過該記憶體陣列設置，並耦接至排列於該列中的該複數個記憶體單元，其中該複數個記憶體單元的該第一部分比該複數個記憶體單元的該第二部分更靠近該邏輯電路。
如請求項1之半導體裝置，其中該複數個記憶體單元的該第二部分的數量小於該複數個記憶體單元的該第一部分的數量。
如請求項2之半導體裝置，其中該複數個記憶體單元的該第二部分的數量為排列於該列中的該複數個記憶體單元的數量的1/4。
如請求項1之半導體裝置，其中作為一第三區段的該位元線耦接至該複數個記憶體單元的一第三部分，且其中該第三區段具有小於該第二寬度的一第三寬度。
如請求項4之半導體裝置，其中該複數個記憶體單元的該第三部分的數量小於該複數個記憶體單元的該第二部分的數量，且其中該複數個記憶體單元的該第二部分的數量小於該複數個記憶體單元的該第一部分的數量。
如請求項1之半導體裝置，其中該邏輯電路為一第一邏輯電路，該半導體裝置更包括:<br/> 一第二邏輯電路，透過該記憶體陣列設置，並耦接至排列於該列中的該複數個記憶體單元，其中:<br/> 該第一邏輯電路及該第二邏輯電路沿該列的縱向方向將該記憶體陣列夾於中間，該位元線具有一第三區段耦接至該複數個記憶體單元的一第三部分，該複數個記憶體單元的該第三部分比該複數個記憶體單元的該第一部分更靠近該第二邏輯電路，且該第三區段具有等於該第一寬度的一第三寬度。
如請求項1至3中任一項之半導體裝置，其中該互連結構更包括耦接至該列中的該複數個記憶體單元的每一者的一互補位元線，其中該互補位元線具有耦接至該複數個記憶體單元的該第一部分的一第三區段及耦接至該複數個記憶體單元的該第二部分的一第四區段，且其中該互補位元線的該第三區段比該互補位元線的該第四區段更窄。
一種半導體裝置，包括:<br/> 複數個記憶體單元，沿一第一方向排列，其中該複數個記憶體單元的每一者包含形成於一n型主動區上的至少一傳輸閘極電晶體及形成於一p型主動區上的一上拉電晶體；<br/> 一電壓線，懸置於該複數個記憶體單元之上，並沿該第一方向縱向延伸，其中該電壓線耦接至該複數個記憶體單元的該上拉電晶體；<br/> 一訊號線，懸置於該複數個記憶體單元之上，並沿該第一方向縱向延伸，其中該訊號線包含一第一區段及一第二區段，該第一區段耦接至該複數個記憶體單元的一第一部分的該傳輸閘極電晶體，該第二區段耦接至該複數個記憶體單元的一第二部分的該傳輸閘極電晶體，且其中該第一區段具有一第一寬度，且該第二區段具有小於該第一寬度的一第二寬度；以及<br/> 一邏輯電路，相鄰並耦接至該複數個記憶體單元，其中該複數個記憶體單元的該第一部分比該複數個記憶體單元的該第二部分更靠近該邏輯電路。
如請求項8之半導體裝置，其中該訊號線為一位元線。
如請求項8或9之半導體裝置，其中該n型主動區具有一第三寬度，且該p型主動區具有小於該第三寬度的一第四寬度。
如請求項8或9之半導體裝置，其中該n型主動區具有一第三寬度，且該p型主動區具有等於該第三寬度的一第四寬度。
如請求項8或9之半導體裝置，其中該第二區段的中心線相對於該第一區段的中心線偏離該電壓線。
一種半導體裝置，包括:<br/> 一記憶體陣列，包含排列為M列及N行的複數個記憶體單元，M及N各為整數；<br/> 一邏輯區，相鄰於該記憶體陣列，並耦接至該複數個記憶體單元；以及<br/> 一互連結構，設置於該記憶體陣列及該邏輯區上方，其中該互連結構包含懸置於該複數個記憶體單元的M列的其中一者正上方的一訊號線，且其中:<br/> 該訊號線包含一第一區段及一第二區段，該第一區段耦接至M列的其中一者且在第1行至第Q-1行的該複數個記憶體單元，該第二區段耦接至M列的其中一者且在第Q行至第N行的該複數個記憶體單元，Q為大於1的整數且小於N，第1行比第N行更靠近該邏輯區，該第一區段具有一第一寬度，且該第二區段具有小於該第一寬度的一第二寬度。
一種電化學測試片，用以檢測一液體，包含：<br/> 一基板，界定有一凹槽，該凹槽從該基板的上表面向下凹陷；<br/> 一電路佈局，形成在該基板上，該電路佈局的一部分從該基板的該上表面延伸至該凹槽中；及<br/> 一頂板，貼合於該基板上，該頂板覆蓋該基板的該凹槽，而形成一流道，<br/> 其中，該基板的對應於該凹槽的一第一區域的密度，大於該基板的對應於該凹槽以外的一第二區域的密度。
如請求項1所述之電化學測試片，其中，<br/> 該電路佈局的該部分從該基板的該上表面，沿該凹槽的一壁面，延伸至該凹槽的底面。
如請求項2所述之電化學測試片，其中，<br/> 該電路佈局的該部分包含：<br/> 主線部，位在該基板的該上表面；<br/> 沿壁部，附著在該凹槽的該壁面上，且沿該凹槽的該壁面延伸；<br/> 底面部，位在該凹槽的該底面上，<br/> 其中，該沿壁部的厚度小於該主線部的厚度，<br/> 而且，該凹槽的深度大於該底面部的厚度。
如請求項1所述之電化學測試片，其中，<br/> 該基板的材質為可以用壓印加工形成凹凸的效果的材質，<br/> 界定有該凹槽的該基板為一體成型，而且<br/> 該第一區域為通過對該基板進行該壓印加工的壓印效果而形成的被壓縮的區域，使得該基板的對應於該凹槽的該第一區域的密度，大於該基板的對應於該凹槽以外的該第二區域的密度。
如請求項1至4任一項所述之電化學測試片，其中，該基板的材質為紙板。
一種電化學測試片的製造方法，用以製造如請求項1至5任一項所述的電化學測試片，包含：<br/> 提供一基板；<br/> 在該基板上形成一電路佈局；<br/> 對該基板進行壓印加工，而形成從該基板的上表面向下凹陷的一凹槽，進而使得該基板的對應於該凹槽的一第一區域的密度，大於該基板的對應於該凹槽以外的一第二區域的密度；以及<br/> 將一頂板貼合於該基板上，該頂板覆蓋該基板的該凹槽，而形成一流道。
如請求項6所述之電化學測試片的製造方法，其中，<br/> 進行在該基板上形成一電路佈局的步驟後，再進行對該基板進行壓印加工的步驟，而且<br/> 該對該基板進行壓印加工的步驟包含，拉伸該電路佈局的局部，而使該電路佈局構成為該電路佈局的一部分從該基板的該上表面延伸至該凹槽中。
如請求項7所述之電化學測試片的製造方法，其中， <br/> 該電路佈局的該部分從該基板的該上表面，沿該凹槽的一壁面，延伸至該凹槽的底面，<br/> 該電路佈局的該部分包含：主線部，位在該基板的該上表面；沿壁部，附著在該凹槽的該壁面上，且沿該凹槽的該壁面延伸；以及底面部，位在該凹槽的該底面上，<br/> 而且，通過該拉伸該電路佈局的局部的步驟，使得該沿壁部的厚度小於該主線部的厚度。
如請求項6所述之電化學測試片的製造方法，其中，<br/> 通過對該基板進行壓印加工的步驟，更使該基板為一體成型地界定有該凹槽。
如請求項6所述之電化學測試片的製造方法，其中，該基板的材質為銅版紙。
一種天線組件，該天線組件包括：<br/> 基架(3)，包括佈設區域(31)，該佈設區域(31)位於該基架(3)的邊緣；<br/> 輻射圖案(1)，佈設於該佈設區域(31)並包括第一枝節(11)、第二枝節(12)以及與該第一枝節(11)和該第二枝節(12)相對的第三枝節(13)，該第一枝節(11)和該第二枝節(12)之間設有饋電點(14)，該第三枝節(13)與該第一枝節(11)之間以及該第三枝節(13)與部分該第二枝節(12)之間形成第一縫隙(41)，該第二枝節(12)包括凹陷區域(121)，該凹陷區域(121)位於該第二枝節(12)的遠離該第三枝節(13)一側，該第一枝節(11)和該第二枝節(12)的長度均為0.23~0.27λ1，其中，該λ1為該天線組件的工作波長；以及<br/> 寄生枝節(2)，具有接地點(21)，該寄生枝節(2)佈設於該佈設區域，該寄生枝節(2)至少部分位於該凹陷區域(121)內並與該第二枝節(12)之間形成第二縫隙(42)。
如請求項1所述的天線組件，其中該第二枝節(12)遠離該第一枝節(11)的一端與該第三枝節(13)電性連接；<br/> 該第三枝節(13)和該第一枝節(11)同時沿該佈設區域(31)的邊緣延伸；<br/> 該寄生枝節(2)位於該第二枝節(12)的遠離該第三枝節(13)一側。
如請求項2所述的天線組件，其中該佈設區域(31)具有邊棱(311)，該第三枝節(13)包覆於該邊棱(311)；<br/> 該寄生枝節(2)的延伸方向垂直於該邊棱(311)。
如請求項1所述的天線組件，其中該第二枝節(12)包括依次連接的延伸段(122)和彎折段(123)，該延伸段(122)和該彎折段(123)圍繞該凹陷區域(121)。
如請求項4所述的天線組件，其中該延伸段(122)包括第一矩形圖案(1221)和第二矩形圖案(1222)，該第一矩形圖案(1221)和該第二矩形圖案(1222)由該饋電點(14)依次排列；<br/> 該第二矩形圖案(1222)包括相對的第一邊(1223)和第二邊(1224)，該第一邊(1223)與該第一矩形圖案(1221)的形成該第一縫隙(41)的側邊對齊，該第二邊(1224)與該第一矩形圖案(1221)形成該凹陷區域(121)。
如請求項5所述的天線組件，其中該彎折段(123)包括第三矩形圖案(1231)，該第三矩形圖案(1231)包括第三邊(1232)，該第三邊(1232)與該第二邊(1224)相鄰且相互垂直；<br/> 該寄生枝節(2)包括第四矩形圖案(22)；<br/> 該第二縫隙(42)在該第四矩形圖案(22)與該第一矩形圖案(1221)之間以及該第二矩形圖案(1222)與該第三矩形圖案(1231)之間對應的各部分寬度相同。
如請求項5所述的天線組件，其中該彎折段(123)包括第四邊(1233)，該第四邊(1233)與該第二邊(1224)的夾角為鈍角，<br/> 該寄生枝節(2)包括第四矩形圖案(22)；<br/> 該第二縫隙(42)在該第四矩形圖案(22)與該第一矩形圖案(1221)之間以及該第四矩形圖案(22)與該第二矩形圖案(1222)之間對應的各部分寬度相同。
如請求項7所述的天線組件，其中該第四邊(1233)與該第二邊(1224)的夾角為135度。
如請求項4所述的天線組件，其中該第一縫隙(41)包括第一部分(411)和第二部分(412)，該第一部分(411)與部分該彎折段(123)相對應，並與該彎折段(123)的彎折方向一致。
如請求項9所述的天線組件，其中該第一部分(411)和該第二部分(412)之間的夾角爲135度或90度。
如請求項4所述的天線組件，其中該寄生枝節(2)具有第一弧邊(23)；<br/> 該第二枝節(12)間具有第二弧邊(1225)，該第一弧邊(23)與該第二弧邊(1225)之間形成至少部分該第二縫隙(42)。
如請求項1所述的天線組件，其中該佈設區域(31)具有邊棱(311)，該第三枝節(13)包覆於該邊棱(311)，該接地點(21)位於該凹陷區域(121)內，且該接地點(21)與該饋電點(14)到該邊棱(311)的距離相同。
如請求項1所述的天線組件，其中該佈設區域(31)具有第一面(312)、第二面(313)、第一通孔(314)和第二通孔(315)，該第一面(312)和該第二面(313)相互背離，該第一通孔(314)和該第二通孔(315)同時與該第一面(312)和該第二面(313)連通；<br/> 該輻射圖案(1)和該寄生枝節(2)設置在該第一面(312)，該饋電點(14)和該接地點(21)分別與該第一通孔(314)和該第二通孔(315)對應。
如請求項13所述的天線組件，其中該天線組件還包括：<br/> 第一連接圖案(51)和第二連接圖案(52)，同時位於該第二面(313)，該第一連接圖案(51)通過該第一通孔(314)與該輻射圖案(1)連接，該第二連接圖案(52)通過該第二通孔(315)與該寄生枝節(2)連接。
如請求項14所述的天線組件，其中該第二面(313)包括連接面(3131)，該連接面(3131)位於該佈設區域(31)的邊緣位置並與該佈設區域(31)的厚度方向垂直；<br/> 該第一連接圖案(51)和該第二連接圖案(52)同時延伸至該連接面(3131)。
如請求項14所述的天線組件，其中該第一通孔(314)內壁包括第一錐面(3141)，該第一錐面(3141)向該第一面(312)擴張；<br/> 該寄生枝節(2)具有第一弧邊(23)，該第一弧邊(23)位於該第一錐面(3141)並與該第二枝節(12)形成部分該第二縫隙(42)；<br/> 其中，該第一弧邊(23)同時具有第一彎曲方向和第二彎曲方向，該第一彎曲方向沿該第一錐面的周向，該第二彎曲方向朝該第二面(313)彎曲。
如請求項14所述的天線組件，其中該天線組件還包括多個第三連接圖案(53)； <br/> 該第一通孔(314)的內壁、該第一通孔(314)靠近該第二面(313)的一側佈設有至少一個該第三連接圖案(53)，用於將該輻射圖案(1)與該第一連接圖案(51)電性連接；<br/> 該第二通孔(315)的兩端佈設有該第三連接圖案(53)，用於將該寄生枝節(2)與該第二連接圖案(52)電性連接。
如請求項14所述的天線組件，其中該佈設區域(31)包括多個預留通孔(316)，多個該預留通孔(316)沿該佈設區域(31)的邊緣間隔排列，部分該預留通孔(316)形成該第一通孔(314)和該第二通孔(315)。
如請求項1、4至18中任一項所述的天線組件，其中該第一枝節(11)和該第二枝節(12)的長度均為0.25λ1，該第一縫隙(41)對應於該第一枝節(11)的部分的長度為0.25λ1，該第一縫隙(41)對應於該第二枝節(12)的部分的長度小於0.25λ1。
如請求項1至18中任一項所述的天線組件，其中該第一枝節(11)的長度與該天線組件的高頻段的工作頻率負相關；<br/> 該第二枝節(12)的長度與該天線組件的低頻段的工作頻率負相關；<br/> 該第三枝節(13)的長度與該天線組件的低頻段的工作頻率負相關；<br/> 該寄生枝節(2)的長度與該天線組件的高頻段的頻寬工作頻率負相關；<br/> 該第一縫隙(41)寬度與該天線組件的工作頻率正相關。
一種通訊終端，該通訊終端包括：<br/> 如請求項14至18中任一項所述的天線組件；<br/> 電路板(6)，置於該第二面(313)的相對側；以及<br/> 兩個彈性連接件(7)，安裝在該電路板(6)上，兩個該彈性連接件(7)的觸點分別與該第一連接圖案(51)和該第二連接圖案(52)抵接。
如請求項21所述的通訊終端，其中該通訊終端還包括：<br/> 顯示螢幕(8)，置於該電路板(6)的背離該基架(3)的一側並與該電路板(6)電性連接；以及<br/> 外殼部，收容該顯示螢幕(8)、該電路板(6)和該基架(3)並包括正面和背面，該第二面(313)朝向該背面。
一種通訊終端，該通訊終端包括如請求項1至20中任一項所述的天線組件。
一種天線組件，該天線組件包括：<br/> 基架(3)，包括佈設區域(31)，該佈設區域(31)位於該基架(3)的邊緣，該佈設區域(31)具有邊棱(311)；<br/> 輻射圖案(1)，佈設於該佈設區域(31)並包括第一枝節(11)、第二枝節(12)以及與該第一枝節(11)和該第二枝節(12)相對的第三枝節(13)，該第一枝節(11)和該第二枝節(12)之間設有饋電點(14)，該第三枝節(13)與該第一枝節(11)之間以及該第三枝節(13)與部分該第二枝節(12)之間形成第一縫隙(41)，該第二枝節(12)遠離該第一枝節(11)的一端與該第三枝節(13)電性連接，該第一枝節(11)和該第三枝節(13)在延伸方向的盡頭形成一開口(15)，使該第一縫隙(41)呈開放狀態，該第三枝節(13)包覆於該邊棱(311)；以及<br/> 寄生枝節(2)，具有接地點(21)，該寄生枝節(2)佈設於該佈設區域並與該第二枝節(12)之間形成第二縫隙(42) ，該寄生枝節(2)的延伸方向垂直於該邊棱(311)。
如請求項1所述的天線組件，其中該第三枝節(13)和該第一枝節(11)同時沿該佈設區域(31)的邊緣延伸；<br/> 該寄生枝節(2)位於該第二枝節(12)的遠離該第三枝節(13)一側。
如請求項1所述的天線組件，其中該第二枝節(12)還包括凹陷區域(121)，該凹陷區域(121)位於該第二枝節(12)的遠離該第三枝節(13)一側；<br/> 該寄生枝節(2)至少部分位於該凹陷區域(121)內並形成該第二縫隙(42)。
如請求項3所述的天線組件，其中該第二枝節(12)包括依次連接的延伸段(122)和彎折段(123)，該延伸段(122)和該彎折段(123)圍繞該凹陷區域(121)。
如請求項4所述的天線組件，其中該延伸段(122)包括第一矩形圖案(1221)和第二矩形圖案(1222)，該第一矩形圖案(1221)和該第二矩形圖案(1222)由該饋電點(14)依次排列；<br/> 該第二矩形圖案(1222)包括相對的第一邊(1223)和第二邊(1224)，該第一邊(1223)與該第一矩形圖案(1221)的形成該第一縫隙(41)的側邊對齊，該第二邊(1224)與該第一矩形圖案(1221)形成該凹陷區域(121)。
如請求項5所述的天線組件，其中該彎折段(123)包括第三矩形圖案(1231)，該第三矩形圖案(1231)包括第三邊(1232)，該第三邊(1232)與該第二邊(1224)相鄰且相互垂直；<br/> 該寄生枝節(2)包括第四矩形圖案(22)；<br/> 該第二縫隙(42)在該第四矩形圖案(22)與該第一矩形圖案(1221)之間以及該第二矩形圖案(1222)與該第三矩形圖案(1231)之間對應的各部分寬度相同。
如請求項5所述的天線組件，其中該彎折段(123)包括第四邊(1233)，該第四邊(1233)與該第二邊(1224)的夾角為鈍角，<br/> 該寄生枝節(2)包括第四矩形圖案(22)；<br/> 該第二縫隙(42)在該第四矩形圖案(22)與該第一矩形圖案(1221)之間以及該第四矩形圖案(22)與該第二矩形圖案(1222)之間對應的各部分寬度相同。
如請求項7所述的天線組件，其中該第四邊(1233)與該第二邊(1224)的夾角為135度。
如請求項4所述的天線組件，其中該第一縫隙(41)包括第一部分(411)和第二部分(412)，該第一部分(411)與部分該彎折段(123)相對應，並與該彎折段(123)的彎折方向一致。
如請求項9所述的天線組件，其中該第一部分(411)和該第二部分(412)之間的夾角爲135度或90度。
如請求項4所述的天線組件，其中該寄生枝節(2)具有第一弧邊(23)；<br/> 該第二枝節(12)間具有第二弧邊(1225)，該第一弧邊(23)與該第二弧邊(1225)之間形成至少部分該第二縫隙(42)。
如請求項3所述的天線組件，其中該佈設區域(31)具有邊棱(311)，該第三枝節(13)包覆於該邊棱(311)，該接地點(21)位於該凹陷區域(121)內，且該接地點(21)與該饋電點(14)到該邊棱(311)的距離相同。
如請求項1所述的天線組件，其中該佈設區域(31)具有第一面(312)、第二面(313)、第一通孔(314)和第二通孔(315)，該第一面(312)和該第二面(313)相互背離，該第一通孔(314)和該第二通孔(315)同時與該第一面(312)和該第二面(313)連通；<br/> 該輻射圖案(1)和該寄生枝節(2)設置在該第一面(312)，該饋電點(14)和該接地點(21)分別與該第一通孔(314)和該第二通孔(315)對應。
如請求項13所述的天線組件，其中該天線組件還包括：<br/> 第一連接圖案(51)和第二連接圖案(52)，位於該第二面(313)，該第一連接圖案(51)通過該第一通孔(314)與該輻射圖案(1)連接，該第二連接圖案(52)通過該第二通孔(315)與該寄生枝節(2)連接。
如請求項14所述的天線組件，其中該第二面(313)包括連接面(3131)，該連接面(3131)位於該佈設區域(31)的邊緣位置並與該佈設區域(31)的厚度方向垂直；<br/> 該第一連接圖案(51)和該第二連接圖案(52)同時延伸至該連接面(3131)。
如請求項14所述的天線組件，其中該第一通孔(314)內壁包括第一錐面(3141)，該第一錐面(3141)向該第一面(312)擴張；<br/> 該寄生枝節(2)具有第一弧邊(23)，該第一弧邊(23)位於該第一錐面(3141)並與該第二枝節(12)形成部分該第二縫隙(42)；<br/> 其中，該第一弧邊(23)同時具有第一彎曲方向和第二彎曲方向，該第一彎曲方向沿該第一錐面的周向，該第二彎曲方向朝該第二面(313)彎曲。
如請求項14所述的天線組件，其中該天線組件還包括多個第三連接圖案(53)；<br/> 該第一通孔(314)的內壁、該第一通孔(314)靠近該第二面(313)的一側佈設有至少一個該第三連接圖案(53)，用於將該輻射圖案(1)與該第一連接圖案(51)電性連接；<br/> 該第二通孔(315)的兩端佈設有該第三連接圖案(53)，用於將該寄生枝節(2)與該第二連接圖案(52)電性連接。
如請求項14所述的天線組件，其中該佈設區域(31)包括多個預留通孔(316)，多個該預留通孔(316)沿該佈設區域(31)的邊緣間隔排列，部分該預留通孔(316)形成該第一通孔(314)和該第二通孔(315)。
如請求項1至18中任一項所述的天線組件，其中該第一枝節(11)和該第二枝節(12)的長度均為0.23-0.27λ1，其中，該λ1為該天線組件的工作波長。
如請求項1至18中任一項所述的天線組件，其中該第一枝節(11)的長度與該天線組件的高頻段的工作頻率負相關；<br/> 該第二枝節(12)的長度與該天線組件的低頻段的工作頻率負相關；<br/> 該第三枝節(13)的長度與該天線組件的低頻段的工作頻率負相關；<br/> 該寄生枝節(2)的長度與該天線組件的高頻段的頻寬工作頻率負相關；<br/> 該第一縫隙(41)寬度與該天線組件的工作頻率正相關。
如請求項1至18中任一項所述的天線組件，其中該第一縫隙(41)對應於該第一枝節(11)的部分的長度為0.25λ1，該第一縫隙(41)對應於該第二枝節(12)的部分的長度小於0.25λ1，該λ1為該天線組件的工作波長。
一種通訊終端，該通訊終端包括：<br/> 如請求項14至18中任一項所述的天線組件；<br/> 電路板(6)，置於該第二面(313)的相對側；以及<br/> 兩個彈性連接件(7)，安裝在該電路板(6)上，兩個該彈性連接件(7)的觸點分別與該第一連接圖案(51)和該第二連接圖案(52)抵接。
如請求項22所述的通訊終端，其中該通訊終端還包括：<br/> 顯示螢幕(8)，置於該電路板(6)的背離該基架(3)的一側並與該電路板(6)電性連接；以及<br/> 外殼部，收容該顯示螢幕(8)、該電路板(6)和該基架(3)並包括正面和背面，該第二面(313)朝向該背面。
一種通訊終端，該通訊終端包括如請求項1至21中任一項所述的天線組件。
一種天線組件，該天線組件包括：<br/> 基架(3)，包括佈設區域(31)，該佈設區域(31)位於該基架(3)的邊緣；<br/> 輻射圖案(1)，佈設於該佈設區域(31)並包括第一枝節(11)、第二枝節(12)以及與該第一枝節(11)和該第二枝節(12)相對的第三枝節(13)，該第一枝節(11)和該第二枝節(12)之間設有饋電點(14)，該第三枝節(13)與該第一枝節(11)之間以及該第三枝節(13)與部分該第二枝節(12)之間形成第一縫隙(41)，該第二枝節(12)遠離該第一枝節(11)的一端與該第三枝節(13)電性連接，該第二枝節(12)包括凹陷區域(121)，該凹陷區域(121)位於該第二枝節(12)的遠離該第三枝節(13)一側，該第一縫隙(41)對應於該第一枝節(11)的部分的長度為0.25λ1，該第一縫隙(41)對應於該第二枝節(12)的部分的長度小於0.25λ1，其中，該λ1為該天線組件的工作波長；以及<br/> 寄生枝節(2)，具有接地點(21)，該寄生枝節(2)佈設於該佈設區域，該寄生枝節(2)至少部分位於該凹陷區域(121)內並與該第二枝節(12)之間形成第二縫隙(42)。
如請求項1所述的天線組件，其中該第三枝節(13)和該第一枝節(11)同時沿該佈設區域(31)的邊緣延伸；<br/> 該寄生枝節(2)位於該第二枝節(12)的遠離該第三枝節(13)一側。
如請求項2所述的天線組件，其中該佈設區域(31)具有邊棱(311)，該第三枝節(13)包覆於該邊棱(311)；<br/> 該寄生枝節(2)的延伸方向垂直於該邊棱(311)。
如請求項1所述的天線組件，其中該第二枝節(12)包括依次連接的延伸段(122)和彎折段(123)，該延伸段(122)和該彎折段(123)圍繞該凹陷區域(121)。
如請求項4所述的天線組件，其中該延伸段(122)包括第一矩形圖案(1221)和第二矩形圖案(1222)，該第一矩形圖案(1221)和該第二矩形圖案(1222)由該饋電點(14)依次排列；<br/> 該第二矩形圖案(1222)包括相對的第一邊(1223)和第二邊(1224)，該第一邊(1223)與該第一矩形圖案(1221)的形成該第一縫隙(41)的側邊對齊，該第二邊(1224)與該第一矩形圖案(1221)形成該凹陷區域(121)。
如請求項5所述的天線組件，其中該彎折段(123)包括第三矩形圖案(1231)，該第三矩形圖案(1231)包括第三邊(1232)，該第三邊(1232)與該第二邊(1224)相鄰且相互垂直；<br/> 該寄生枝節(2)包括第四矩形圖案(22)；<br/> 該第二縫隙(42)在該第四矩形圖案(22)與該第一矩形圖案(1221)之間以及該第二矩形圖案(1222)與該第三矩形圖案(1231)之間對應的各部分寬度相同。
如請求項5所述的天線組件，其中該彎折段(123)包括第四邊(1233)，該第四邊(1233)與該第二邊(1224)的夾角為鈍角，<br/> 該寄生枝節(2)包括第四矩形圖案(22)；<br/> 該第二縫隙(42)在該第四矩形圖案(22)與該第一矩形圖案(1221)之間以及該第四矩形圖案(22)與該第二矩形圖案(1222)之間對應的各部分寬度相同。
如請求項7所述的天線組件，其中該第四邊(1233)與該第二邊(1224)的夾角為135度。
如請求項4所述的天線組件，其中該第一縫隙(41)包括第一部分(411)和第二部分(412)，該第一部分(411)與部分該彎折段(123)相對應，並與該彎折段(123)的彎折方向一致。
如請求項9所述的天線組件，其中該第一部分(411)和該第二部分(412)之間的夾角爲135度或90度。
如請求項4所述的天線組件，其中該寄生枝節(2)具有第一弧邊(23)；<br/> 該第二枝節(12)間具有第二弧邊(1225)，該第一弧邊(23)與該第二弧邊(1225)之間形成至少部分該第二縫隙(42)。
如請求項1所述的天線組件，其中該佈設區域(31)具有邊棱(311)，該第三枝節(13)包覆於該邊棱(311)，該接地點(21)位於該凹陷區域(121)內，且該接地點(21)與該饋電點(14)到該邊棱(311)的距離相同。
如請求項1所述的天線組件，其中該佈設區域(31)具有第一面(312)、第二面(313)、第一通孔(314)和第二通孔(315)，該第一面(312)和該第二面(313)相互背離，該第一通孔(314)和該第二通孔(315)同時與該第一面(312)和該第二面(313)連通；<br/> 該輻射圖案(1)和該寄生枝節(2)設置在該第一面(312)，該饋電點(14)和該接地點(21)分別與該第一通孔(314)和該第二通孔(315)對應。
如請求項13所述的天線組件，其中該天線組件還包括：<br/> 第一連接圖案(51)和第二連接圖案(52)，位於該第二面(313)，該第一連接圖案(51)通過該第一通孔(314)與該輻射圖案(1)連接，該第二連接圖案(52)通過該第二通孔(315)與該寄生枝節(2)連接。
如請求項14所述的天線組件，其中該第二面(313)包括連接面(3131)，該連接面(3131)位於該佈設區域(31)的邊緣位置並與該佈設區域(31)的厚度方向垂直；<br/> 該第一連接圖案(51)和該第二連接圖案(52)同時延伸至該連接面(3131)。
如請求項14所述的天線組件，其中該第一通孔(314)內壁包括第一錐面(3141)，該第一錐面(3141)向該第一面(312)擴張；<br/> 該寄生枝節(2)具有第一弧邊(23)，該第一弧邊(23)位於該第一錐面(3141)並與該第二枝節(12)形成部分該第二縫隙(42)；<br/> 其中，該第一弧邊(23)同時具有第一彎曲方向和第二彎曲方向，該第一彎曲方向沿該第一錐面(3141)的周向，該第二彎曲方向朝該第二面(313)彎曲。
如請求項14所述的天線組件，其中該天線組件還包括多個第三連接圖案(53)；<br/> 該第一通孔(314)的內壁、該第一通孔(314)靠近該第二面(313)的一側佈設有至少一個該第三連接圖案(53)，用於將該輻射圖案(1)與該第一連接圖案(51)電性連接；<br/> 該第二通孔(315)的兩端佈設有該第三連接圖案(53)，用於將該寄生枝節(2)與該第二連接圖案(52)電性連接。
如請求項14所述的天線組件，其中該佈設區域(31)包括多個預留通孔(316)，多個該預留通孔(316)沿該佈設區域(31)的邊緣間隔排列，部分該預留通孔(316)形成該第一通孔(314)和該第二通孔(315)。
如請求項1、4至18中任一項所述的天線組件，其中該第一枝節(11)和該第二枝節(12)的長度均為0.23-0.27λ1。
如請求項1至18中任一項所述的天線組件，其中該第一枝節(11)的長度與該天線組件的高頻段的工作頻率負相關；<br/> 該第二枝節(12)的長度與該天線組件的低頻段的工作頻率負相關；<br/> 該第三枝節(13)的長度與該天線組件的低頻段的工作頻率負相關；<br/> 該寄生枝節(2)的長度與該天線組件的高頻段的頻寬工作頻率負相關；<br/> 該第一縫隙(41)寬度與該天線組件的工作頻率正相關。
一種通訊終端，該通訊終端包括：<br/> 如請求項14至18中任一項所述的天線組件；<br/> 電路板(6)，置於該第二面(313)的相對側；以及<br/> 兩個彈性連接件(7)，安裝在該電路板(6)上，兩個該彈性連接件(7)的觸點分別與該第一連接圖案(51)和該第二連接圖案(52)抵接。
如請求項21所述的通訊終端，其中該通訊終端還包括：<br/> 顯示螢幕(8)，置於該電路板(6)的背離該基架(3)的一側並與該電路板(6)電性連接；以及<br/> 外殼部，收容該顯示螢幕(8)、該電路板(6)和該基架(3)並包括正面和背面，該第二面(313)朝向該背面。
一種通訊終端，該通訊終端包括如請求項1至20中任一項所述的天線組件。
一種天線組件，該天線組件包括：<br/> 基架(3)，包括佈設區域(31)，該佈設區域(31)位於該基架(3)的邊緣；<br/> 輻射圖案(1)，佈設於該佈設區域(31)並包括第一枝節(11)、第二枝節(12)以及與該第一枝節(11)和該第二枝節(12)相對的第三枝節(13)，該第一枝節(11)和該第二枝節(12)之間設有饋電點(14)，該第三枝節(13)與該第一枝節(11)之間以及該第三枝節(13)與部分該第二枝節(12)之間形成第一縫隙(41)，該第二枝節(12)還包括凹陷區域(121)，該凹陷區域(121)位於該第二枝節(12)的遠離該第三枝節(13)一側，該第二枝節(12)遠離該第一枝節(11)的一端與該第三枝節(13)電性連接，該第三枝節(13)和該第一枝節(11)同時沿該佈設區域(31)的邊緣延伸；以及<br/> 寄生枝節(2)，具有接地點(21)，該寄生枝節(2)佈設於該佈設區域並與該第二枝節(12)之間形成第二縫隙(42)，該寄生枝節(2)至少部分位於該凹陷區域(121)內，該寄生枝節(2)位於該第二枝節(12)的遠離該第三枝節(13)一側。
如請求項1所述的天線組件，其中該佈設區域(31)具有邊棱(311)，該第三枝節(13)包覆於該邊棱(311)；<br/> 該寄生枝節(2)的延伸方向垂直於該邊棱(311)。
如請求項1所述的天線組件，其中該第二枝節(12)包括依次連接的延伸段(122)和彎折段(123)，該延伸段(122)和該彎折段(123)圍繞該凹陷區域(121)。
如請求項3所述的天線組件，其中該延伸段(122)包括第一矩形圖案(1221)和第二矩形圖案(1222)，該第一矩形圖案(1221)和該第二矩形圖案(1222)由該饋電點(14)依次排列；<br/> 該第二矩形圖案(1222)包括相對的第一邊(1223)和第二邊(1224)，該第一邊(1223)與該第一矩形圖案(1221)的形成該第一縫隙(41)的側邊對齊，該第二邊(1224)與該第一矩形圖案(1221)形成該凹陷區域(121)。
如請求項4所述的天線組件，其中該彎折段(123)包括第三矩形圖案(1231)，該第三矩形圖案(1231)包括第三邊(1232)，該第三邊(1232)與該第二邊(1224)相鄰且相互垂直；<br/> 該寄生枝節(2)包括第四矩形圖案(22)；<br/> 該第二縫隙(42)在該第四矩形圖案(22)與該第一矩形圖案(1221)之間以及該第二矩形圖案(1222)與該第三矩形圖案(1231)之間對應的各部分寬度相同。
如請求項4所述的天線組件，其中該彎折段(123)包括第四邊(1233)，該第四邊(1233)與該第二邊(1224)的夾角為鈍角，<br/> 該寄生枝節(2)包括第四矩形圖案(22)；<br/> 該第二縫隙(42)在該第四矩形圖案(22)與該第一矩形圖案(1221)之間以及該第四矩形圖案(22)與該第二矩形圖案(1222)之間對應的各部分寬度相同。
如請求項6所述的天線組件，其中該第四邊(1233)與該第二邊(1224)的夾角為135度。
如請求項3所述的天線組件，其中該第一縫隙(41)包括第一部分(411)和第二部分(412)，該第一部分(411)與部分該彎折段(123)相對應，並與該彎折段(123)的彎折方向一致。
如請求項8所述的天線組件，其中該第一部分(411)和該第二部分(412)之間的夾角爲135度或90度。
如請求項3所述的天線組件，其中該寄生枝節(2)具有第一弧邊(23)；<br/> 該第二枝節(12)間具有第二弧邊(1225)，該第一弧邊(23)與該第二弧邊(1225)之間形成至少部分該第二縫隙(42)。
如請求項2所述的天線組件，其中該接地點(21)位於該凹陷區域(121)內，且該接地點(21)與該饋電點(14)到該邊棱(311)的距離相同。
如請求項1所述的天線組件，其中該佈設區域(31)具有第一面(312)、第二面(313)、第一通孔(314)和第二通孔(315)，該第一面(312)和該第二面(313)相互背離，該第一通孔(314)和該第二通孔(315)同時與該第一面(312)和該第二面(313)連通；<br/> 該輻射圖案(1)和該寄生枝節(2)設置在該第一面(312)，該饋電點(14)和該接地點(21)分別與該第一通孔(314)和該第二通孔(315)對應。
如請求項12所述的天線組件，其中該天線組件還包括：<br/> 第一連接圖案(51)和第二連接圖案(52)，位於該第二面(313)，該第一連接圖案(51)通過該第一通孔(314)與該輻射圖案(1)連接，該第二連接圖案(52)通過該第二通孔(315)與該寄生枝節(2)連接。
如請求項13所述的天線組件，其中該第二面(313)包括連接面(3131)，該連接面(3131)位於該佈設區域(31)的邊緣位置並與該佈設區域(31)的厚度方向垂直；<br/> 該第一連接圖案(51)和該第二連接圖案(52)同時延伸至該連接面(3131)。
如請求項13所述的天線組件，其中該第一通孔(314)內壁包括第一錐面(3141)，該第一錐面(3141)向該第一面(312)擴張；<br/> 該寄生枝節(2)具有第一弧邊(23)，該第一弧邊(23)位於該第一錐面(3141)並與該第二枝節(12)形成部分該第二縫隙(42)；<br/> 其中，該第一弧邊(23)同時具有第一彎曲方向和第二彎曲方向，該第一彎曲方向沿該第一錐面的周向，該第二彎曲方向朝該第二面(313)彎曲。
如請求項13所述的天線組件，其中該天線組件還包括多個第三連接圖案(53)；<br/> 該第一通孔(314)的內壁、該第一通孔(314)靠近該第二面(313)的一側佈設有至少一個該第三連接圖案(53)，用於將該輻射圖案(1)與該第一連接圖案(51)電性連接；<br/> 該第二通孔(315)的兩端佈設有該第三連接圖案(53)，用於將該寄生枝節(2)與該第二連接圖案(52)電性連接。
如請求項13所述的天線組件，其中該佈設區域(31)包括多個預留通孔(316)，多個該預留通孔(316)沿該佈設區域(31)的邊緣間隔排列，部分該預留通孔(316)形成該第一通孔(314)和該第二通孔(315)。
如請求項3至17中任一項所述的天線組件，其中該第一枝節(11)和該第二枝節(12)的長度均為0.23-0.27λ1，其中，該λ1為該天線組件的工作波長。
如請求項1至17中任一項所述的天線組件，其中該第一枝節(11)的長度與該天線組件的高頻段的工作頻率負相關；<br/> 該第二枝節(12)的長度與該天線組件的低頻段的工作頻率負相關；<br/> 該第三枝節(13)的長度與該天線組件的低頻段的工作頻率負相關；<br/> 該寄生枝節(2)的長度與該天線組件的高頻段的頻寬工作頻率負相關；<br/> 該第一縫隙(41)寬度與該天線組件的工作頻率正相關。
如請求項3至17中任一項所述的天線組件，其中該第一縫隙(41)對應於該第一枝節(11)的部分的長度為0.25λ1，該第一縫隙(41)對應於該第二枝節(12)的部分的長度小於0.25λ1，該λ1為該天線組件的工作波長。
一種通訊終端，該通訊終端包括：<br/> 如請求項13至17中任一項所述的天線組件；<br/> 電路板(6)，置於該第二面(313)的相對側；以及<br/> 兩個彈性連接件(7)，安裝在該電路板(6)上，兩個該彈性連接件(7)的觸點分別與該第一連接圖案(51)和該第二連接圖案(52)抵接。
如請求項21所述的通訊終端，其中該通訊終端還包括：<br/> 顯示螢幕(8)，置於該電路板(6)的背離該基架(3)的一側並與該電路板(6)電性連接；以及<br/> 外殼部，收容該顯示螢幕(8)、該電路板(6)和該基架(3)並包括正面和背面，該第二面(313)朝向該背面。
一種通訊終端，該通訊終端包括如請求項1至20中任一項所述的天線組件。
一種膠質氧化矽，其係含有具有表面凹凸形狀的氧化矽粒子之膠質氧化矽，其特徵在於，<br/> (1)該膠質氧化矽的使用原子吸光測定裝置所測定的金屬不純物含量為1ppm以下，該金屬不純物為鈉、鉀、鐵、鋁、鈣、鎂、鈦、鎳、鉻、銅、鋅、鉛、銀、錳、或鈷的金屬不純物，<br/> (2)該氧化矽粒子在鹼性條件下進行加熱處理之際藉由下述測定方法測定的比表面積的減少率為15.0%以下，<br/> (比表面積的減少率的測定方法)<br/> 在膠質氧化矽800g中添加3-乙氧基丙基胺，將pH調整成9.9～10.3；將上述膠質氧化矽置入附回流管的燒瓶並進行加熱，維持3小時回流狀態，進行鹼處理；將經鹼處理的膠質氧化矽的pH調整成7.6～7.8，按照下述BET比表面積的測定方法，測定BET比表面積；藉由鹼處理前後的BET比表面積，基於下述式，藉由下式算出比表面積的減少率，<br/> 比表面積的減少率(%)=<br/> (鹼處理前的BET比表面積-鹼處理後的BET比表面積)/鹼處理前的BET比表面積×100<br/> (BET比表面積的測定方法)<br/> 將膠質氧化矽在熱板上進行預先乾燥後，以800℃熱處理1小時，製備測定用樣本；將所製備之測定用樣本藉由氮氣吸附法(BET法)而測定。
一種半導體元件，包括：一基底；多個字元線結構，設置於該基底中；一掩埋導電層，包括：一底部，設置於該基底中及該些字元線結構之間；及一頂部，設置於該基底中、該底部上以及該些字元線結構之間；及一凹槽內間隙壁，設置於該基底中及該些字元線結構之間，並圍繞該底部，且被該頂部覆蓋，其中該頂部的一頂面、該基底的一頂面與該些字元線結構的頂面實質上共平面，其中該凹槽內間隙壁的一底面與該底部的一底面實質上共平面，其中該凹槽內間隙壁的一側壁與該頂部的一側壁實質上共平面；其中該些字元線結構分別包括：一字元線介電層，向該基底中設置，並具有U形橫截面輪廓；一底部導電層，位於該基底中，以及於該字元線介電層上；及一字元線覆蓋層，位於該基底中，及於該字元線介電層與該底部導電層上，其中該字元線覆蓋層的一底面的垂直層級低於該底部導電層；其中該凹槽內間隙壁之在一俯視視角中沿一第一方向之一第一部分係貼靠在該字元線覆蓋層上，而該凹槽內間隙壁之在該俯視視角中沿一第二方向之一第二部分係貼靠在該基底上；且其中該第一方向係大致與該第二方向正交。
如請求項1所述的半導體元件，其中該些字元線結構分別還包括：一中間導電層，位於該底部導電層與該字元線覆蓋層之間。
如請求項2所述的半導體元件，其中該些字元線結構分別還包括：一底部襯墊層，位於該中間導電層與該底部導電層之間，以及於該中間導電層與該字元線覆蓋層之間。
如請求項3所述的半導體元件，其中該些字元線結構分別還包括：一頂部導電層，位於該中間導電層與該字元線覆蓋層之間。
如請求項4所述的半導體元件，其中該些字元線結構分別還包括：一頂部襯墊層，位於該中間導電層與該頂部導電層之間，以及位於該頂部導電層與該字元線介電層之間。
如請求項5所述的半導體元件，其中該底部襯墊層與該頂部襯墊層包括sp<sup>2</sup>混成碳原子的材料。
如請求項6所述的半導體元件，其中該字元線覆蓋層包括氧化矽、氮化矽、氧氮化矽、氮氧化矽或氧化鍺。
如請求項7所述的半導體元件，其中該字元線介電層包括高k材料。
如請求項8所述的半導體元件，其中該底部導電層包括鈦、氮化鈦、矽、矽鍺或其組合。
如請求項9所述的半導體元件，其中該中間導電層包括鎢、氮化鎢或其組合。
如請求項10所述的半導體元件，其中該頂部導電層包含鉬。
如請求項11所述的半導體元件，其中該底部的底面的寬度與該頂部的頂面的寬度的寬度比介於約0.5與約0.95之間。
如請求項11所述的半導體元件，其中該凹槽內間隙壁的厚度與該頂部的頂面的寬度的比率介於約0.025和約0.25之間。
如請求項11所述的半導體元件，其中該凹槽內間隙壁的高度與該掩埋導電層的高度的高度比介於約0.5和約0.85之間。
如請求項11所述的半導體元件，其中該凹槽內間隙壁在一俯視視角下包括一方環形截面輪廓。
如請求項11所述的半導體元件，其中該掩埋導電層在一俯視視角下包括一方形截面輪廓。
如請求項11所述的半導體元件，其中該底部襯墊層與該頂部襯墊層包括相同材料。
一種觸控檢測方法，其中，應用於觸控裝置，所述觸控裝置包括n列觸控驅動電極，及與所述n列觸控驅動電極正交的m行觸控感應電極，其中，每列觸控驅動電極形成第一信號通道，每行觸控感應電極行成第二信號通道，n≥2，m≥2，所述方法包括：<br/> 控制第一信號通道通過對應的所述n列觸控驅動電極同時持續發射連續信號，其中，所述n個連續信號中任意兩個連續信號對應的頻率互不相同；或者控制所述第一信號通道通過對應的n列觸控驅動電極分組持續發射連續信號，其中，每組連續信號中任意兩個連續信號對應的頻率都不相同；<br/> 控制第二信號通道通過對應的m行觸控感應電極感測n個連續信號，對感測到的所述n個連續信號中的每個連續信號進行混頻和處理計算得到m組檢測信號，控制進行處理計算的所述n個連續信號中的每個連續信號的預設時長為連續信號自身週期的正整數倍，所述m組檢測信號中的每組檢測信號包括n個檢測信號，其中，所述對感測到的n個所述連續信號中的每個連續信號進行混頻和處理計算得到m組檢測信號包括：<br/> 通過對所述m行觸控感應電極中的第一行觸控感應電極接收的n個所述連續信號分別進行混頻，得到所述每個連續信號對應的第一檢測信號，並基於所述第一檢測信號得到對應的第一組檢測信號；<br/> 通過對所述m行觸控感應電極中的第二行觸控感應電極接收的n個所述連續信號分別進行混頻，得到所述每個連續信號對應的第二檢測信號，並基於所述第二檢測信號得到對應的第二組檢測信號；<br/> 依此類推，直到對所述m行觸控感應電極中的第m行觸控感應電極接收的n個所述連續信號分別進行混頻，得到所述每個連續信號對應的第m檢測信號，並基於所述第m檢測信號得到第m組檢測信號；<br/> 基於所述m組檢測信號生成原始資料矩陣，其中，所述原始資料矩陣包括m行和n列原始資料，其中，所述n列原始資料與n個不同頻率的連續信號一一對應；<br/> 根據所述原始資料矩陣確定所述觸控操作對應的觸控位置座標。
如請求項1所述的觸控檢測方法，其中，所述基於所述m組檢測信號生成原始資料矩陣包括： <br/> 依序選擇第一組檢測信號，對所述第一組中的每個檢測信號進行所述預設時長的處理計算，得到與所述第一組檢測信號對應的第一組原始資料；迴圈選擇多組檢測信號，直至對第m組的每個檢測信號進行所述預設時長的處理計算後得到第m組原始資料；<br/> 基於所述m組檢測信號生成原始資料矩陣。
如請求項1所述的觸控檢測方法，其中，所述方法還包括：<br/> 對所述m組檢測信號進行濾波。
如請求項1所述的觸控檢測方法，其中，所述分組持續發射的連續信號對應的頻率存在至少兩組等差數列，且每組等差數列內的各個頻率均不相同。
如請求項1所述的觸控檢測方法，其中，所述根據所述原始資料矩陣確定所述觸控操作對應的觸控位置座標包括：<br/> 在確定所述原始資料矩陣中的原始資料對應的幅值變化量大於預設值時，確定所述幅值變化量對應的第一信號通道對應的觸控驅動電極對應的位置為所述觸控操作對應的觸控位置的座標。
如請求項1至5中任一項所述的觸控檢測方法，其中，所述n個所述連續信號中每個連續信號的起始相位為任意相位或所述n個所述連續信號中任意兩個連續信號的起始相位差為任意相位差。
如請求項1至2中任一項所述的觸控檢測方法，其中，所述處理計算包括積分處理、累和處理或快速傅裡葉變換處理中的至少一者。
一種觸控晶片，應用於觸控裝置，其中，所述觸控晶片連接至觸控裝置內的n列觸控驅動電極，及與所述n列觸控驅動電極正交的m行觸控感應電極，其中，每列觸控驅動電極形成第一信號通道，每行觸控感應電極行成第二信號通道，所述觸控晶片用於執行如請求項1至7中任一項所述的觸控檢測方法。
一種電子設備，其中，所述電子設備包括如請求項8所述的觸控晶片。
一種用於檢查光罩之測量裝置，包含一照明系統（16）、一投影透鏡（22）及一EUV影像感測器（24），其中一EUV輻射源（14）發射的EUV輻射經由該照明系統（16）引導至該光罩（17），其中在該光罩（17）反射的EUV輻射經由該投影透鏡（22）引導至該EUV影像感測器（24），使得該光罩（17）成像在該EUV影像感測器（24）上，其中該測量裝置包含一框架組成部件（27），其中該框架組成部件（27）承載薄膜（30），其中該薄膜（30）配置在該光罩（17）與該投影透鏡（22）之間，使得在該光罩（17）反射的該EUV輻射穿過該薄膜（30）； <br/>其中該框架組成部件（27）為可拆卸式連接至該測量裝置的一承載結構（28）； <br/>其中該光罩配置在該真空室（40）的局部室（33）之中，並且其中利用一殼體壁將該局部室（33）與該真空室（40）的其他區域分離； <br/>其中該局部室（33）包含一開口（32），來自該照明系統（16）的EUV輻射穿過該開口進入該局部室（33），及/或反射至該投影透鏡（22）的該EUV輻射穿過該開口射出；及 <br/>其中該薄膜（30）延伸於該開口（32）上。
如請求項1所述之測量裝置，其中該薄膜（30）配置在該照明系統（16）和該光罩（17）之間，使得來自該照明系統（16）的該EUV輻射穿過該薄膜（30）。
如請求項1或2所述之測量裝置，其包含一真空室（40），其中配置了該投影透鏡（22）、該照明系統（16）、該EUV源（14）及/或該光罩（17）。
如請求項1所述之測量裝置，其中該框架組成部件（27）為可拆卸式連接至一承載組件（29），其為該測量裝置的一裝載機構（35）之組成部件。
如請求項4所述之測量裝置，更包含一氣密室（34），其中該裝載機構（35）設計成將該薄膜（30）輸送到該氣密室（34）中。
如請求項1所述之測量裝置，其中該薄膜（30）係與圍繞該開口（32）的殼體邊緣密封齊平。
如請求項1所述之測量裝置，其中該薄膜（30）由矽材料組成。
一種用於檢查光罩之方法，其中由一EUV輻射源（14）發射的EUV輻射經由一照明系統（16）引導至該光罩（17），且其中在該光罩（17）反射的EUV輻射係經由一投影透鏡（22）引導至一EUV影像感測器（24），使得該光罩（17）成像在該影像感測器（24）上，所述承載一薄膜（30）的測量裝置的一框架組成部件（27）配置在該光罩（17）與該投影透鏡（22）之間，並且其中該EUV輻射穿過該薄膜（30）； <br/>其中該框架組成部件（27）為可拆卸式連接至該測量裝置的一承載結構（28）； <br/>其中該光罩配置在該真空室（40）的局部室（33）之中，並且其中利用一殼體壁將該局部室（33）與該真空室（40）的其他區域分離； <br/>其中該局部室（33）包含一開口（32），來自該照明系統（16）的EUV輻射穿過該開口進入該局部室（33），及/或反射至該投影透鏡（22）的該EUV輻射穿過該開口射出；及 <br/>其中該薄膜（30）延伸於該開口（32）上。
一種超音波換能裝置，其包含有：<br/>一壓電材料層，具有相對的一第一表面與一第二表面，該壓電材料層係切割為複數個格狀單元；<br/>一二維式電極陣列，設置在該第一表面，具有電性獨立的多個二維電極單元；以及<br/>一行列式電極陣列，設置在該第二表面、且具有一行電極組合與一列電極組合，該行電極組合之多個行電極彼此電性獨立，且各行電極的多個行電極單元彼此電性連接，該列電極組合之多個列電極彼此電性獨立，且各列電極的多個列電極單元彼此電性連接；<br/>其中，該超音波換能裝置係利用該二維式電極陣列發送一超音波訊號，並利用該行電極組合和/或該列電極組合輪流接收該超音波訊號。
如請求項1所述之超音波換能裝置，其中該複數個格狀單元之各格狀單元的一尺寸係小於或等於該行列式電極陣列之一行電極單元或一列電極單元的一尺寸。
如請求項1所述之超音波換能裝置，其中該多個二維電極單元與該行電極組合分別屬於一矩形陣列，該矩形陣列之一側的該些二維電極單元之一排列數量和該行電極組合之一行數或該列電極組合之一列數的一比值相當於該行電極組合之各行列式電極單元和各二維電極單元的一尺寸比。
如請求項1所述之超音波換能裝置，其中該二維式電極陣列還具有多個二維導線，分別連接該多個二維電極單元，各二維導線之一延伸方向實質垂直於其對應二維電極單元之一平面法向量。
如請求項4所述之超音波換能裝置，其中該多個二維電極單元之相鄰二維電極單元的該些對應二維導線係利用一絕緣層形成一高度差以進行跨接。
如請求項1所述之超音波換能裝置，其中該行列式電極陣列還具有多個行導線和多個列導線，分別設置在該行列式電極陣列的不同側。
如請求項1所述之超音波換能裝置，其中該超音波換能裝置係利用該行電極組合與該列電極組合的至少其中之一電極組合發送一超音波訊號，並利用該二維式電極陣列和/或該行電極組合與該列電極組合的另一電極組合接收該超音波訊號。
如請求項1所述之超音波換能裝置，其中該第一表面係該壓電材料層之一電性正極側與一電性負極側的其中之一者，該第二表面則為該壓電材料層之該電性正極側與該電性負極側的其中之另一者。
如請求項1所述之超音波換能裝置，其中該超音波換能裝置另包含異向性導電膠，設置在該壓電材料層與該二維式電極陣列之間、和設置在該壓電材料層與該行列式電極陣列之間，用於提供一定向導電特性。
一種適用於一超音波換能裝置的製造方法，其包含有：<br/>在一壓電材料層上切割出複數個格狀單元；<br/>在該壓電材料層之相對的一第一表面與一第二表面分別塗佈異向性導電膠；<br/>將一二維式電極陣列藉由該異向性導電膠固著於該第一表面；以及<br/>將一行列式電極陣列藉由該異向性導電膠固著於該第二表面；<br/>其中，該超音波換能裝置係利用該二維式電極陣列發送一超音波訊號，並利用該行電極組合和/或該列電極組合輪流接收該超音波訊號。
一種超音波換能裝置，其包含有：<br/>一壓電材料層，具有相對的一第一表面與一第二表面，該壓電材料層係切割為複數個格狀單元；<br/>一二維式電極陣列，設置在該第一表面，具有電性獨立的多個二維電極單元；以及<br/>一行列式電極陣列，設置在該第二表面、且具有一行電極組合與一列電極組合，該行電極組合之多個行電極彼此電性獨立，且各行電極的多個行電極單元彼此電性連接，該列電極組合之多個列電極彼此電性獨立，且各列電極的多個列電極單元彼此電性連接；<br/>其中，該二維式電極陣列至少劃分為一第一區域與一第二區域，該超音波換能裝置係利用該第一區域發送一超音波訊號，並利用該第二區域接收該超音波訊號。
一種適用於一超音波換能裝置的製造方法，其包含有：<br/>在一壓電材料層上切割出複數個格狀單元；<br/>在該壓電材料層之相對的一第一表面與一第二表面分別塗佈異向性導電膠；<br/>將一二維式電極陣列藉由該異向性導電膠固著於該第一表面；以及<br/>將一行列式電極陣列藉由該異向性導電膠固著於該第二表面；<br/>其中，該二維式電極陣列至少劃分為一第一區域與一第二區域，該超音波換能裝置係利用該第一區域發送一超音波訊號，並利用該第二區域接收該超音波訊號。
一種半導體記憶裝置，包括: <br/> 感測放大器，連接到一對位元線，包括連接到該一對位元線之中的低電壓電源側位元線的至少一個電晶體； <br/> 控制部，在沒有進行預定動作的狀態且該感測放大器保持資料的狀態下，將該低電壓電源側位元線的電壓設定為較低電壓電源電壓高的預定電壓；<br/> 其中，該控制部包括：<br/> 至少一個第一供給部，在該預定電壓的狀態下進行該預定動作時，將該低電壓電源電壓供給至該低電壓電源側位元線；<br/> 第二供給部，在沒有進行該預定動作的狀態下將該預定電壓供給至該低電壓電源側位元線；<br/> 其中，該第二供給部包括：<br/> 比較器，具有第一端子以及第二端子，於該第一端子輸入該低電壓電源側位元線的電壓，於該第二端子輸入該預定電壓。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中，該預定動作包括以下之中的至少一個:讀取、寫入連接到該感測放大器的記憶單元中儲存的資料以及預充電該一對位元線。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中，該第一供給部包括：<br/> 第一開關部，在輸入表示沒有進行該預定動作的第一控制訊號時，將由該第二供給部供給的該預定電壓供給至該低電壓電源側位元線；<br/> 第二開關部，在輸入表示進行該預定動作的第二控制訊號時，將該低電壓電源電壓供給至該低電壓電源側位元線。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中，該預定電壓低於該一對位元線之中的高電壓電源側位元線的電壓。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中，該感測放大器包括：<br/> 一對第一電晶體，其中一個第一電晶體連接到高電壓電源側位元線，另一個第一電晶體連接到該低電壓電源側位元線；<br/> 一對第二電晶體，其中一個第二電晶體連接到該高電壓電源側位元線，另一個第二電晶體連接到該低電壓電源側位元線。
如請求項5之半導體記憶裝置，其中，該一對第一電晶體和該一對第二電晶體中的一方是 N通道型電場效應電晶體，該一對第一電晶體和該一對第二電晶體中的另一方是 P通道型電場效應電晶體。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中，該低電壓電源電壓為 0V。
一種半導體記憶裝置的控制方法，其中，該半導體記憶裝置包括感測放大器；<br/> 該感測放大器連接到一對位元線，且包括連接到該一對位元線之中的低電壓電源側位元線的至少一個電晶體；<br/> 其中，在沒有進行預定動作且該感測放大器保持資料的狀態下，該半導體記憶裝置的控制部執行將該低電壓電源側位元線的電壓設定為較低電壓電源電壓高的預定電壓的步驟；<br/> 其中，該控制部包括：<br/> 至少一個第一供給部，在該預定電壓的狀態下進行該預定動作時，將該低電壓電源電壓供給至該低電壓電源側位元線；<br/> 第二供給部，在沒有進行該預定動作的狀態下將該預定電壓供給至該低電壓電源側位元線；<br/> 其中，該第二供給部包括：<br/> 比較器，具有第一端子以及第二端子，於該第一端子輸入該低電壓電源側位元線的電壓，於該第二端子輸入該預定電壓。
一種晶圓操作裝置，包含：<br/> 至少一載入口，配置以接收一晶圓載具；<br/> 一影像擷取裝置，配置以在一或多個晶圓被裝入該晶圓載具之前擷取位於該載入口中的該晶圓載具的一影像；<br/> 一機器手臂，其中該影像擷取裝置設置在該機器手臂上，該機器手臂配置以移動該影像擷取裝置，使該影像擷取裝置面對該載入口；以及<br/> 一處理器，可通訊地連接該影像擷取裝置，並配置以基於至少一參考影像與一訓練資料集中的一者以及該影像擷取裝置擷取的該影像來判定該晶圓載具是否處於一對於放置晶圓不安全的狀態。
如請求項1所述之晶圓操作裝置，其中若該晶圓載具被判定為處於該對於放置晶圓不安全的狀態，則該處理器配置以提供一控制訊號，其中該控制訊號使該機器手臂停止將該一或多個晶圓裝入該晶圓載具。
如請求項2所述之晶圓操作裝置，進一步包含一警報系統，其中該控制訊號進一步使該警報系統發出一警報。
如請求項1所述之晶圓操作裝置，其中若該晶圓載具被判定為不處於該對於放置晶圓不安全的狀態，則該處理器配置以提供一控制訊號，其中該控制訊號使該機器手臂將該一或多個晶圓裝入該晶圓載具。
如請求項1所述之晶圓操作裝置，其中該影像擷取裝置配置以在該晶圓載具的一門板開啟後擷取該晶圓載具的該影像。
如請求項1所述之晶圓操作裝置，其中該處理器配置以基於該至少一參考影像與該訓練資料集中的該者以及該影像來偵測該晶圓載具是否有不當安裝的部件在該晶圓載具內部、結構性損壞或變形，若偵測到該晶圓載具有不當安裝的部件在該晶圓載具內部、結構性損壞或變形，則該處理器判定該晶圓載具處於該對於放置晶圓不安全的狀態。
一種晶圓操作裝置的操作方法，包含：<br/> 由一晶圓操作裝置的一載入口接收一晶圓載具；<br/> 由該晶圓操作裝置的一機器手臂移動一影像擷取裝置，使該影像擷取裝置面對該載入口；<br/> 在一或多個晶圓被裝入該晶圓載具之前，由該晶圓操作裝置的該影像擷取裝置擷取該晶圓載具的一影像；以及<br/> 由該晶圓操作裝置的一處理器基於至少一參考影像與一訓練資料集中的一者以及該影像來判定該晶圓載具是否處於一對於放置晶圓不安全的狀態。
如請求項7所述之操作方法，進一步包含：<br/> 若判定該晶圓載具處於該對於放置晶圓不安全的狀態，則停止該晶圓操作裝置的該機器手臂將該一或多個晶圓裝入該晶圓載具。
如請求項8所述之操作方法，進一步包含：<br/> 若判定該晶圓載具處於該對於放置晶圓不安全的狀態，則由該晶圓操作裝置的一警報系統發出一警報。
如請求項7所述之操作方法，進一步包含：<br/> 若判定該晶圓載具不處於該對於放置晶圓不安全的狀態，則由該晶圓操作裝置的該機器手臂將該一或多個晶圓裝入該晶圓載具。
如請求項7所述之操作方法，其中該影像擷取裝置配置以在該晶圓載具的一門板開啟後擷取該晶圓載具的該影像。
如請求項7所述之操作方法，其中判定該晶圓載具是否處於該對於放置晶圓不安全的狀態的步驟包含：<br/> 基於該至少一參考影像與該訓練資料集中的該者以及該影像來偵測該晶圓載具是否有不當安裝的部件在該晶圓載具內部、結構性損壞或變形；以及<br/> 若偵測到該晶圓載具有不當安裝的部件在該晶圓載具內部、結構性損壞或變形，則判定該晶圓載具處於該對於放置晶圓不安全的狀態。
一種人工神經網路(ANN)系統，其包括： <br/>多個神經處理器，其包括第一物理配置的第一神經處理器和與所述第一物理配置不同的第二物理配置的第二神經處理器； <br/>一個或多個操作處理器；以及 <br/>其上儲存指令的記憶體，所述指令在由所述一個或多個操作處理器執行時使得所述一個或多個操作處理器： <br/>接收ANN模型； <br/>接收用於實例化所述ANN模型的至少一層的所述多個神經處理器的第一子集的選擇，所述神經處理器的所述第一子集包括用於實例化所述ANN模型的所述第一神經處理器或所述第二神經處理器中至少一者； <br/>接收編譯選項， <br/>藉由根據所述編譯選項編譯所述ANN模型，在所述多個神經處理器的所述第一子集上實例化所述ANN模型的至少一層， <br/>藉由所述多個神經處理器的所述第一子集實例化所述ANN模型的所述至少一層，對一個或多個評估資料集執行處理，以及 <br/>產生一個或多個第一性能參數，所述第一性能參數與藉由所述多個神經處理器的所述第一子集實例化所述ANN模型的至少一層，對所述一個或多個評估資料集的處理相關聯。
如請求項1所述的ANN系統，其進一步包括計算裝置，所述計算裝置包括： <br/>一個或多個處理器，以及 <br/>其上儲存指令的記憶體，所述指令使得所述一個或多個處理器： <br/>經由網路從使用者設備接收對所述多個神經處理器的所述第一子集的所述選擇、所述一個或多個評估資料集和所述編譯選項， <br/>將對所述多個神經處理器的所述第一子集的所述選擇、所述一個或多個評估資料集和所述編譯選項發送到所述一個或多個操作處理器， <br/>從所述一個或多個操作處理器接收所述一個或多個第一性能參數，以及 <br/>經由所述網路向所述使用者設備發送接收到的所述一個或多個第一性能參數。
如請求項2所述的ANN系統，其中所述指令使所述一個或多個處理器藉由資料加密、差分隱私和資料遮罩中的至少一個來保護所述一個或多個評估資料集。
如請求項1所述的ANN系統，其中所述編譯選項包括使用量化演算法、修剪演算法、再訓練演算法、模型壓縮演算法、基於人工智慧(AI)的模型優化演算法，或知識提取演算法中的至少一者進行選擇來提高所述ANN模型的性能。
如請求項1所述的ANN系統，其中至少所述第一神經處理器包括內部記憶體和乘法累加器，並且其中所述指令進一步使得所述一個或多個操作處理器基於所述第一物理配置自動設置所述編譯選項中的所述至少一者。
如請求項1所述的ANN系統，其中所述指令進一步使所述一個或多個處理器： <br/>使用所述多個神經處理器的所述第一子集來確定所述ANN模型中的至少另一層是否可操作。
如請求項6所述的ANN系統，其中所述指令進一步使所述一個或多個處理器： <br/>響應於使用所述多個神經處理器的所述第一子集確定所述ANN模型中的至少所述另一層不可操作，產生錯誤報告。
如請求項6所述的ANN系統，其進一步包括圖形處理器，所述圖形處理器被配置為處理所述ANN模型中使用所述多個神經處理器的所述第一子集被確定為不可操作的至少所述另一層。
如請求項8所述的ANN系統，其中所述圖形處理器被進一步配置為執行所述ANN模型的再訓練，以在所述多個神經處理器的所述第一子集上實例化。
如請求項1所述的ANN系統，其中所述一個或多個第一性能參數包括所述多個神經處理器的所述第一子集的以下中的至少一項：溫度分佈、功耗、每秒每瓦的運算元、每秒幀(FPS)、每秒推理(IPS)和推理或預測準確度。
如請求項1所述的ANN系統，其中指令進一步使得所述一個或多個操作處理器： <br/>接收包括用於實例化所述ANN模型的所述第一神經處理器或所述第二神經處理器中至少一者的所述多個神經處理器的第二子集的選擇， <br/>藉由編譯所述ANN模型在所述多個神經處理器的所述第二子集上實例化所述ANN模型的所述至少一層； <br/>藉由所述多個神經處理器的所述第二子集實例化所述ANN模型的所述至少一層，對所述一個或多個評估資料集執行處理，以及 <br/>產生一個或多個第二性能參數，所述第二性能參數與藉由所述多個神經處理器的所述第二子集實例化所述ANN模型的所述至少一層，對所述一個或多個評價資料集的處理相關聯。
如請求項11所述的ANN系統，其中指令進一步使所述一個或多個操作處理器： <br/>藉由比較所述一個或多個第一性能參數和所述一個或多個第二性能參數來產生關於所述多個神經處理器的所述第一子集或所述多個神經處理器的所述第二子集的推薦，以及 <br/>將所述推薦發送到使用者終端。
如請求項1所述的ANN系統，其中，接收到的所述編譯選項表示多個預設選項中的一個，所述多個預設選項表示應用(i)訓練後量化(PTQ)、(ii)所述ANN模型的逐層再訓練和(iii)量化感知再訓練(QAT)的組合。
一種用於評估人工神經網路模型性能的方法，其包括： <br/>藉由一個或多個操作處理器接收人工神經網路(ANN)模型； <br/>接收包括用於實例化所述ANN模型的第一神經處理器或第二神經處理器中至少一者的多個神經處理器的第一子集的選擇，所述第一神經網路處理器為第一物理配置並且所述第二神經處理器為與所述第一物理配置不同的第二物理配置； <br/>接收編譯選項； <br/>藉由根據所述編譯選項編譯所述ANN模型，在所述多個神經處理器的所述第一子集上實例化所述ANN模型的至少一層； <br/>藉由所述第一選擇的所述一個或多個第一神經處理器實例化所述ANN模型的所述至少一層，對一個或多個評估資料集執行處理； <br/>產生一個或多個第一性能參數，所述第一性能參數與藉由所述多個神經處理器的所述第一子集實例化所述ANN模型的至少一層，對所述一個或多個評估資料集的處理相關聯；以及 <br/>經由所述網路發送產生的所述一個或多個第一性能參數。
如請求項14所述的方法，其進一步包括： <br/>藉由計算裝置從使用者設備接收對所述多個神經處理器的所述第一子集的所述選擇、所述一個或多個評估資料集和所述編譯選項； <br/>將所述多個神經處理器的所述第一子集的所述選擇、所述一個或多個評估資料集和所述編譯選項發送到所述一個或多個操作處理器； <br/>接收從所述一個或多個操作處理器發送的所述一個或多個第一性能參數，以及 <br/>經由所述網路向所述使用者設備發送接收到的所述一個或多個第一性能參數。
如請求項15所述的方法，其進一步包括： <br/>由所述計算裝置對所述一個或多個評估資料集執行資料加密、差分隱私和資料遮罩中的至少一個。
如請求項14所述的方法，其中所述編譯選項包括使用量化演算法、修剪演算法、再訓練演算法、模型壓縮演算法、基於人工智慧(AI)的模型優化演算法或知識提取演算法中的至少一個進行選擇來提高所述ANN模型的性能。
如請求項14所述的方法，其進一步包括基於所述第一物理配置或所述第二物理配置自動設置所述編譯選項中的至少一個。
如請求項14所述的方法，其進一步包括： <br/>響應於使用所述多個神經處理器的所述第一子集確定所述ANN模型中的至少另一層不可操作，產生錯誤報告。
如請求項14所述的方法，其進一步包括： <br/>響應於使用所述多個神經處理器的所述第一子集確定所述另一層不可操作，藉由圖形處理器來處理所述ANN模型中的至少另一層。
如請求項14所述的方法，其進一步包括： <br/>由圖形處理器對所述ANN模型進行再訓練，以在所述多個神經處理器的所述第一子集上實例化。
如請求項14所述的方法，其中所述一個或多個第一性能參數包括所述多個神經處理器的所述第一子集的以下中的至少一項：溫度分佈、功耗、每秒每瓦的運算元、每秒幀(FPS)、每秒推理(IPS)和推理或預測準確度。
如請求項14所述的方法，其進一步包括： <br/>由所述一個或多個操作處理器接收包括用於實例化所述ANN模型的所述第一神經處理器或所述第二神經處理器中至少一者的所述多個神經處理器的第二子集的選擇， <br/>藉由編譯所述ANN模型，在所述多個神經處理器的所述第二子集上實例化所述ANN模型的所述至少一層； <br/>藉由所述多個神經處理器的所述第二子集實例化所述ANN模型的所述至少一層，對所述一個或多個評估資料集執行處理，以及 <br/>產生一個或多個第二性能參數，所述第二性能參數與藉由所述多個神經處理器的所述第二子集實例化所述ANN模型的所述至少一層，對所述一個或多個評估資料集的處理相關聯。
如請求項23所述的方法，其進一步包括： <br/>藉由比較所述一個或多個第一性能參數和所述一個或多個第二性能參數，產生關於所述多個神經處理器的所述第一子集或所述多個神經處理器的的所述第二子集的推薦，以及 <br/>將所述推薦發送到使用者終端。
如請求項14所述的方法，其中所述編譯選項表示多個預設選項中的一個，所述多個預設選項表示應用(i)訓練後量化(PTQ)、(ii)所述ANN模型的逐層再訓練和(iii)量化感知再訓練(QAT)的組合。
一種用於評估人工神經網路模型性能的方法，其包括： <br/>顯示用於從多個神經處理器選擇的選項，所述多個神經處理器包括第一物理配置的第一神經處理器和與所述第一物理配置不同的第二物理配置的第二神經處理器； <br/>從使用者接收用於實例化人工神經網路(ANN)模型的至少一層的所述多個神經處理器的第一子集的選擇； <br/>顯示與用於實例化所述至少一層的所述ANN模型的編譯相關聯的編譯選項； <br/>從所述使用者接收對所述編譯選項的第一選擇； <br/>將所述多個神經處理器的所述第一子集的所述選擇、選擇的所述編譯選項和一個或多個評估資料集發送到與所述多個神經處理器耦合的計算裝置； <br/>接收一個或多個第一性能參數，所述第一性能參數與藉由使用所述第一選擇的所述編譯選項，所述多個神經處理器的所述第一子集實例化所述ANN模型的至少一層而對所述一個或多個評估資料集的處理相關聯；以及 <br/>顯示所述一個或多個第一性能參數。
如請求項26所述的方法，其進一步包括： <br/>從所述使用者接收對所述多個神經處理器的第二子集的選擇； <br/>從所述使用者接收對所述編譯選項的第二選擇； <br/>將所述多個神經處理器的所述第二子集和選擇的所述編譯選項發送到與所述多個神經處理器耦合的所述計算裝置；以及 <br/>接收一個或多個第二性能參數，所述第二性能參數與藉由使用所述第二選擇的所述編譯選項，所述多個神經處理器的所述第二子集實例化所述ANN模型的至少一層而對所述一個或多個評估資料集的處理相關聯。
如請求項27所述的方法，其進一步包括： <br/>接收關於使用所述多個神經處理器的所述第一子集或所述多個神經處理器的所述第二子集的推薦；以及 <br/>顯示所述推薦。
一種具有從電路廣播存取機制的網路裝置，包含： <br/>複數下層從（slave）電路，分別具有互相獨立的一裝置位址；以及 <br/>一上層主（master）電路，與該等下層從電路電性耦接，以透過該等下層從電路進行一網路通訊； <br/>該上層主電路配置以： <br/>傳送包含一廣播位址的一廣播模式開啟指令至該等下層從電路，以對該等下層從電路設定該廣播位址並進入一廣播模式； <br/>傳送包含該廣播位址以及一廣播寫入資料的一廣播模式寫入指令至該等下層從電路，以使設定有該廣播位址的該等下層從電路根據該廣播寫入資料進行資料寫入；以及 <br/>傳送包含該廣播位址的一廣播模式讀取指令至該等下層從電路，以要求僅有該裝置位址與該廣播位址相符的其中之一該等下層從電路進行資料讀取以回傳一個別讀取資料。
如請求項1所述之網路裝置，其中該廣播位址被設置為該等下層從電路其中之一的該裝置位址。
如請求項1所述之網路裝置，其中該等下層從電路分別具有的該裝置位址為一基底（base）位址與一裝置辨識碼之和。
如請求項1所述之網路裝置，其中該等下層從電路分別為一實體層（PHY）電路，該上層主電路為一媒體存取控制（media access control；MAC）電路。
如請求項1所述之網路裝置，其中該等下層從電路以及該上層主電路間透過一序列管理介面（serial management interface；SMI）通訊，以使該等下層從電路分別做為一序列管理介面從端，以及使該上層主電路做為一序列管理介面主端。
如請求項1所述之網路裝置，其中該上層主電路更配置以傳送一廣播模式關閉指令至該等下層從電路，以使該等下層從電路取消該廣播位址的設定並進入一非廣播模式。
如請求項6所述之網路裝置，其中該上層主電路在該等下層從電路進入該非廣播模式時配置以： <br/>傳送包含一寫入位址以及一寫入資料的一非廣播模式寫入指令至該等下層從電路，以使該裝置位址與該寫入位址相符的其中之一該等下層從電路根據該寫入資料進行資料寫入；以及 <br/>傳送包含一讀取位址的一非廣播模式讀取指令至該等下層從電路，以使該裝置位址與該讀取位址相符的其中之一該等下層從電路進行資料讀取以回傳一讀取資料。
一種具有從電路廣播存取機制的網路裝置操作方法，包含： <br/>使與複數下層從電路電性耦接的一上層主電路傳送包含一廣播位址的一廣播模式開啟指令至該等下層從電路，以對該等下層從電路設定該廣播位址並進入一廣播模式，其中該等下層從電路分別具有互相獨立的一裝置位址，且該上層主電路透過該等下層從電路進行一網路通訊； <br/>使該上層主電路傳送包含該廣播位址以及一廣播寫入資料的一廣播模式寫入指令至該等下層從電路，以使設定有該廣播位址的該等下層從電路根據該廣播寫入資料進行資料寫入；以及 <br/>使該上層主電路傳送包含該廣播位址的一廣播模式讀取指令至該等下層從電路，以要求僅有該裝置位址與該廣播位址相符的其中之一該等下層從電路進行資料讀取以回傳一個別讀取資料。
如請求項8所述之網路裝置操作方法，更包含： <br/>使該上層主電路更配置以傳送一廣播模式關閉指令至該等下層從電路，以使該等下層從電路取消該廣播位址的設定並進入一非廣播模式。
如請求項9所述之網路裝置操作方法，更包含： <br/>使該上層主電路傳送包含一寫入位址以及一寫入資料的一非廣播模式寫入指令至該等下層從電路，以使該裝置位址與該寫入位址相符的其中之一該等下層從電路根據該寫入資料進行資料寫入；以及 <br/>使該上層主電路傳送包含一讀取位址的一非廣播模式讀取指令至該等下層從電路，以使該裝置位址與該讀取位址相符的其中之一該等下層從電路進行資料讀取以回傳一讀取資料。
一種天線彈片連接結構，包括：<br/> 一彈片主體（1）；<br/> 一彈力臂組件，相對設置有兩個，且位於該彈片主體（1）的同一側，每個該彈力臂組件包括至少一個彈力臂（2），每個該彈力臂（2）的一固定端（21）固定在該彈片主體（1）上，任一個該彈力臂組件的每個該彈力臂（2）均朝向另一個該彈力臂組件傾斜；其中，兩個該彈力臂組件在一第一方向上相對設置，每個該彈力臂（2）沿一第二方向延伸，一組該彈力臂組件的每個該彈力臂（2）與另一組該彈力臂組件的對應的該彈力臂（2）沿一第三方向交替設置，該第一方向、該第二方向和該第三方向中的任意兩個相互垂直；以及<br/> 一接觸片（3），部分插設於兩個該彈力臂組件之間，且每個該彈力臂（2）的一自由端（22）均與該接觸片（3）接觸連接。
根據請求項1所述的天線彈片連接結構，其中，該接觸片（3）插入兩個該彈力臂組件之間的過程中，每個該彈力臂（2）的形變角度的取值範圍為3.5°~8°；<br/> 或者，該接觸片（3）未插設在兩個該彈力臂組件之間時，每個該彈力臂（2）與該彈片主體（1）之間的夾角的取值範圍為86°~90°，該接觸片（3）插設在兩個該彈力臂組件之間後，每個該彈力臂（2）與該彈片主體（1）之間的夾角的取值範圍為90.5°~98°。
根據請求項2所述的天線彈片連接結構，其中，該接觸片（3）未插設在兩個該彈力臂組件之間時，每個該彈力臂（2）與該彈片主體（1）之間的夾角為88°，該接觸片（3）插設在兩個該彈力臂組件之間後，該彈力臂（2）與該彈片主體（1）之間的夾角為92°。
根據請求項1至請求項3中任一項所述的天線彈片連接結構，其中，一組該彈力臂組件包括兩個該彈力臂（2），另一組該彈力臂組件包括一個該彈力臂（2）。
根據請求項1至請求項3中任一項所述的天線彈片連接結構，其中，該接觸片（3）未插設在兩個該彈力臂組件之間時，一組該彈力臂組件的每個該彈力臂（2）的該自由端（22）在該第三方向上的正投影，與另一組該彈力臂組件的對應的該彈力臂（2）的該自由端（22）在該第三方向上的正投影部分重合。
根據請求項1至請求項3中任一項所述的天線彈片連接結構，其中，每個該彈力臂（2）的該自由端（22）呈U型或V型。
根據請求項1至請求項3中任一項所述的天線彈片連接結構，其中，每個該彈力臂（2）的寬度為0.4mm~0.45mm，所述接觸片（3）的厚度為0.15mm~0.18mm，該接觸片（3）的長度為1.6mm~2.0mm，該接觸片（3）的寬度為2.0mm~2.5mm。
一種天線組件，包括一射頻電路（10）、一信號傳輸線（20）及請求項1至請求項7任一項所述的天線彈片連接結構，該信號傳輸線（20）的一端與該射頻電路（10）電連接，該天線彈片連接結構的該彈片主體（1）與該信號傳輸線（20）的另一端電連接。
一種電子裝置，包括一上機殼（100）、一下機殼（200）及請求項8所述的天線組件，該天線組件的該射頻電路（10）、該信號傳輸線（20）及該彈片主體（1）均設置於該下機殼（200）中，該接觸片（3）設置在該上機殼（100）上，該上機殼（100）與該下機殼（200）扣合連接，且該上機殼（100）與該下機殼（200）扣合時，該接觸片（3）插入兩個該彈力臂組件之間。
一種顯示裝置，包含： 一觸控顯示面板，包含複數個觸控感測單元與複數個畫素單元，其中該些畫素單元配置以形成一顯示畫面；以及 <br/>一旋鈕，位於該觸控顯示面板上且包含： <br/>一殼體； <br/>一導電接觸墊，設置於該殼體鄰近於該觸控顯示面板的一表面上且接觸該觸控顯示面板； <br/>一導電環，設置於該殼體的該表面的一最外緣上且側向地環繞該導電接觸墊，其中： <br/>在該殼體未受到按壓時，該導電環與該觸控顯示面板分離，且 <br/>在該殼體受到按壓時，該導電環與該觸控顯示面板接觸，其中在一第一情況中，在該殼體受到按壓時，該導電環相對於該觸控顯示面板傾斜，使得該導電環的一部位與該觸控顯示面板形成一點接觸，且該導電環的其餘部位與該觸控顯示面板分離，且在一第二情況中，在該殼體受到按壓時，該導電環完全接觸於該觸控顯示面板並導通；以及 <br/>一彈簧結構，其中以剖面觀之，該彈簧結構側向地位於該導電環與該導電接觸墊之間。
如請求項1所述之顯示裝置，其中在該殼體未受到按壓時，該導電環與該觸控顯示面板實質上平行且該導電環與該觸控顯示面板之間具有大於或等於2毫米的一間隙。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該殼體的一開口暴露該觸控顯示面板的一部分。
如請求項3所述之顯示裝置，其中該導電環側向地環繞該開口，且該導電接觸墊位於該導電環鄰近該開口的一側。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該顯示畫面因應於該第一情況與該第二情況產生不同的操作效果。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該導電接觸墊與該導電環包括不同的材料。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該導電接觸墊包括金屬材料，且該導電環包括導電高分子材料。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該導電接觸墊具有一部分嵌入至該殼體的一凹槽中。
一種無光罩式曝光生成數位圖形的方法，包括：<br/> 於一基板上建立一網格化曝光平面，其中，一載臺乘載該基板，一光學引擎設置於該載臺上方，該光學引擎包括一光源產生器和一數位反射鏡陣列，且一運算單元連接該載臺和該數位反射鏡陣列；<br/> 該運算單元根據該網格化曝光平面上每個曝光位置的曝光狀態資訊以及該數位反射鏡陣列中的複數個數位反射鏡當前的曝光位置，對應開啟和關閉該複數個數位反射鏡；<br/> 該光源產生器產生的光源經該數位反射鏡陣列反射後，於該基板上形成一曝光圖形；<br/> 其中，於該基板上建立該網格化曝光平面的步驟包括：<br/> 一影像感測器偵測該數位反射鏡陣列並輸出一位置資訊至該運算單元，其中該影像感測器設置於該載臺上；<br/> 該運算單元根據該位置資訊取得一初始曝光位置，並根據該初始曝光位置以及該載臺的一預設步進距離得到所有曝光點位置。
如請求項1所述之無光罩式曝光生成數位圖形的方法，其中於一基板上建立一網格化曝光平面的步驟包括：<br/> 對一目標曝光圖案進行網格化得到一網格化目標曝光圖案；<br/> 比對該網格化目標曝光圖案和該曝光點位置取得該曝光位置所對應的曝光狀態資訊。
如請求項2所述之無光罩式曝光生成數位圖形的方法，其中該於一基板上建立一網格化曝光平面的步驟包括：<br/> 將該曝光位置之座標除以該網格化目標曝光圖案之每個網格的長度後取整數數值；<br/> 以該整數數值比對該網格化目標曝光圖案，得到所對應的該曝光狀態資訊。
如請求項2所述之無光罩式曝光生成數位圖形的方法，其中一目標曝光圖案點陣圖函數B<sup>Target</sup>（i, j）= 1 或0，該運算單元計算{m=[x(I, J, K)/Δ], n=[y(I, J, K)/Δ]}，以得到一曝光輸出的圖案B<sup>DMD</sup>（i, j, k）= B<sup>Target</sup>（[x(I, J, K)/Δ], [y(I, J, K)/Δ]），其中Δ為一網格化目標曝光圖案解析度，(I, J, K)為該曝光位置。
如請求項3所述之無光罩式曝光生成數位圖形的方法，其中該運算單元在該載臺移動該預設步進距離時，對該數位反射鏡陣列發送一切換訊號以控制該數位反射鏡陣列中的每個數位反射鏡改變開關狀態。
如請求項1所述之無光罩式曝光生成數位圖形的方法，其中在該網格化目標曝光圖案的邊界處，該運算單元選擇性地關閉該複數個數位反射鏡的一部分。
一種無光罩曝光裝置，包括：<br/> 一載臺，用以乘載一基板；<br/> 一光學引擎，位於該載臺上方，其中該光學引擎包括：<br/> 一光源產生器，用以產生一光源；<br/> 一數位反射鏡陣列，包括複數個數位反射鏡；<br/> 一透鏡組；<br/> 一運算單元，連接該載臺和該光學引擎；<br/> 其中，該運算單元根據一網格化曝光平面上每個曝光位置所對應的曝光狀態資訊及該複數個數位反射鏡當前的曝光位置，對應開啟或關閉該複數個數位反射鏡，且該光源經該數位反射鏡陣列反射後穿過該透鏡組，於該基板上形成一曝光圖形；<br/> 其中，該無光罩曝光裝置還包括：<br/> 一影像感測器，設置於該載臺上；<br/> 其中，該影像感測器偵測該數位反射鏡陣列，並輸出一位置資訊至該運算單元，該運算單元根據該位資訊以及該載臺的一預設步進距離得到曝光點位置。
如請求項7所述之無光罩曝光裝置，其中該一目標曝光圖案點陣圖函數B<sup>Target</sup>（i, j）= 1 或0，該運算單元計算{m=[x(I, J, K)/Δ], n=[y(I, J, K)/Δ]} ，以得到一曝光輸出的圖案B<sup>DMD</sup>（i, j, k）= B<sup>Target</sup>（[x(I, J, K)/Δ], [y(I, J, K)/Δ]），其中Δ為一網格化目標曝光圖案解析度，(I, J, K)為該曝光位置。
一種收納裝置，於第3方向上具備複數階收納部及移動部，前述收納部具有收納空間，前述收納空間將於第1方向上保持複數個檢體容器之支架於與前述第1方向交叉之第2方向上收納複數排，<br/> 且前述移動部將由前述收納部所支持之複數排前述支架每隔預定間距依序朝搬入位置供給至第2方向之一側，於搬入側使前述支架於與前述第1方向及前述第2方向交叉之第3方向上移動，將複數個前述支架每隔預定間距依序回收至第2方向之另一側，<br/> 前述支架至少能夠於預定之第1方向上保持複數個檢體容器，<br/> 前述收納部能夠於預定之第2方向上排列並支持複數排前述支架，<br/> 前述搬入位置配置於前述收納部之前述第2方向之端部，<br/> 前述移動部具備：第1移動部，使於第2方向上排列之複數個前述支架以預定之間距移動至第2方向之一側；第2移動部，使於第2方向上排列之複數個前述支架以預定之間距移動至第2方向之另一側；及第3移動部，於前述搬入位置使前述支架在前述第1移動部與前述第2移動部之間於第3方向上移動，<br/> 前述第1移動部及前述第2移動部係於與前述第1方向以及前述第2方向不同之第3方向上積層而配置，<br/> 前述第1移動部具備：<br/> 支持托板，於前後方向上並排設置能夠與前述支架之第1方向之端部卡合及解除卡合之複數個卡合部；以及<br/> 移動托板，於前後方向上並排設置能夠與前述支架之寬度方向之端部卡合及解除卡合之複數個卡合部，並且能夠相對於前述支持托板而於前後方向及升降方向上移動，<br/> 前述移動托板是藉由在複數個支架之卡合部安裝於前述支持托板之複數個卡合部之狀態下，相對於前述支持托板以預定之間距沿著上升、前進、下降、後退之巡迴路線移動，而反覆進行使複數個前述支架前進之前進處理，藉此，使複數個前述支架依序前進至第2方向之一側。
如請求項1之收納裝置，其具備將複數個檢體容器移載至已供給至前述搬入位置之支架之移載部，<br/> 且於前述供給或前述回收中，使於前述第2方向上為1排或2排且於第1方向上為5根以上之檢體容器同時移動。
如請求項1之收納裝置，其具備第4移動部，該第4移動部是於前述搬入位置相反之相反側之端部，使前述第2方向之另一側之端部之前述支架於第3方向上朝與前述第3移動部相反之方向移動。
如請求項1之收納裝置，其中前述搬入位置配置於前述收納部之前端部，<br/> 於前述收納部內，前述支架於前後方向上排列3個以上，<br/> 前述支架能夠於分別與供給及回收之移動方向交叉之寬度方向上容置複數根檢體容器，<br/> 前述收納裝置具備控制部，前述控制部並行進行如下之步驟，即：供給步驟，藉由前述第1移動部，使前述支架從後方朝前方移動；後退步驟，藉由前述第2移動部，使移載後之前述支架朝後方移動；升降步驟，藉由前述第3移動部，於前端部使支架於上下方向上移動；以及搬入步驟，藉由前述移載部，移載位於前端部之前述搬入位置之前述支架所收納之寬度方向上的複數根檢體容器。
如請求項1之收納裝置，於第1方向上排列設置前述收納部，<br/> 且具備容置複數個前述收納部之殼體。
一種收納方法，讓收納裝置並行進行如下之步驟：<br/> 向收納部之搬入位置以預定之間距依序供給複數個支架，前述支架係由具有收納用以保持檢體容器之前述支架之收納空間之收納部所支持；<br/> 將前述檢體容器移載至已供給至前述搬入位置之前述支架；以及<br/> 使移載有前述檢體容器且位於前述搬入位置之前述支架以預定之間距依序移動至前述收納空間內而被回收，<br/> 前述收納裝置於第3方向上具備複數階前述收納部及移動部，<br/> 前述支架至少能夠於預定之第1方向上保持複數個前述檢體容器，<br/> 前述收納部能夠於預定之第2方向上排列並支持複數排前述支架，<br/> 前述搬入位置配置於前述收納部之前述第2方向之端部，<br/> 前述移動部具備：第1移動部，使於第2方向上排列之複數個前述支架以預定之間距移動至第2方向之一側；第2移動部，使於第2方向上排列之複數個前述支架以預定之間距移動至第2方向之另一側；及第3移動部，於前述搬入位置使前述支架在前述第1移動部與前述第2移動部之間於第3方向上移動，<br/> 前述第1移動部及前述第2移動部係於與前述第1方向以及前述第2方向不同之第3方向上積層而配置，<br/> 前述第1移動部具備：<br/> 支持托板，於前後方向上並排設置能夠與前述支架之第1方向之端部卡合及解除卡合之複數個卡合部；以及<br/> 移動托板，於前後方向上並排設置能夠與前述支架之寬度方向之端部卡合及解除卡合之複數個卡合部，並且能夠相對於前述支持托板而於前後方向及升降方向上移動，<br/> 前述移動托板是藉由在複數個支架之卡合部安裝於前述支持托板之複數個卡合部之狀態下，相對於前述支持托板以預定之間距沿著上升、前進、下降、後退之巡迴路線移動，而反覆進行使複數個前述支架前進之前進處理，藉此，使複數個前述支架依序前進至第2方向之一側。
如請求項6之收納方法，其中前述供給及前述回收係使複數個支架於前述第2方向上移動。
一種尼立珠單抗(nemolizumab)之用途，其用於製造用以選擇性治療患有具有一或多處中度至重度皮膚表皮脫落之異位性皮膚炎之個體的藥物，其中該尼立珠單抗係以30 mg或60 mg之量存在，其中該藥物係經調配為用於每四週一次皮下投與，且其中該一或多處中度至重度皮膚表皮脫落根據濕疹面積及嚴重程度指數(Eczema Area and Severity Index，EASI)或評分異位性皮膚炎指數(SCORing Atopic Dermatitis，SCORAD)量表具有至少2分。
如請求項1之用途，其中該皮膚表皮脫落為中度。
如請求項1之用途，其中該皮膚表皮脫落為重度。
如請求項1之用途，其中該一或多處中度至重度皮膚表皮脫落根據該EASI量表具有至少2分。
如請求項1之用途，其中該一或多處中度至重度皮膚表皮脫落根據該SCORAD量表具有至少2分。
如請求項1之用途，其中該一或多處中度至重度皮膚表皮脫落由健康護理專業人員、該個體或該個體之成年監護人評分。
如請求項1之用途，其中治療異位性皮膚炎改善睡眠品質。
如請求項7之用途，其中睡眠品質之改善藉由偵測以下中之一或多者的改善來判定：睡眠起始潛時、總睡眠時間、睡眠效率或睡眠起始之後的喚醒時間。
如請求項1之用途，其中該個體經一或多處皮膚表皮脫落篩檢，且如果該個體具有一或多處為中度至重度的表皮脫落，則經選擇進行治療。
如請求項1之用途，其中該治療持續至少64週之期間。
一種尼立珠單抗(nemolizumab)之用途，其用於製造用以治療患有具有中度至重度皮膚表皮脫落之異位性皮膚炎之個體的藥物，其中該尼立珠單抗係以30 mg或60 mg之量存在，其中該藥物係經調配為用於每四週一次皮下投與，且其中該中度至重度皮膚表皮脫落根據濕疹面積及嚴重程度指數(Eczema Area and Severity Index，EASI)或評分異位性皮膚炎指數(SCORing Atopic Dermatitis，SCORAD)量表具有至少2分。
如請求項11之用途，其中該藥物包含30 mg尼立珠單抗。
如請求項12之用途，其中該中度至重度皮膚表皮脫落根據該EASI量表具有至少2分。
如請求項12之用途，其中該中度至重度皮膚表皮脫落根據該SCORAD量表具有至少2分。
如請求項11之用途，其中該藥物包含60 mg尼立珠單抗。
如請求項15之用途，其中該中度至重度皮膚表皮脫落根據該EASI量表具有至少2分。
如請求項15之用途，其中該中度至重度皮膚表皮脫落根據該SCORAD量表具有至少2分。
如請求項11之用途，其中該治療持續至少64週之期間。
一種電漿處理裝置，其具備： <br/>腔室； <br/>基板支持器，其構成為於上述腔室內支持載置於其上之基板； <br/>高頻電源，其構成為產生為了自上述腔室內之氣體生成電漿而供給之高頻電力，該高頻電力具有第1頻率； <br/>偏壓電源，其電性連接於上述基板支持器，且為了將來自上述電漿之離子朝向上述基板加速，構成為以由較上述第1頻率低之第2頻率規定之週期而週期性地對上述基板支持器施加脈衝狀之負極性之直流電壓；及 <br/>控制部，其構成為控制上述高頻電源；且 <br/>上述控制部係以如下方式控制上述高頻電源，即，於上述週期內之第1部分期間內供給上述高頻電力，將上述週期內之第2部分期間之上述高頻電力之功率位準設定為自上述第1部分期間之上述高頻電力之功率位準減少之功率位準。
如請求項1之電漿處理裝置，其中 <br/>上述第1部分期間係對上述基板支持器施加上述脈衝狀之負極性之直流電壓之期間， <br/>上述第2部分期間係未對上述基板支持器施加上述脈衝狀之負極性之直流電壓之期間。
如請求項2之電漿處理裝置，其中上述偏壓電源構成為於上述第2部分期間內且上述第1部分期間之前對上述基板支持器施加正極性之直流電壓。
如請求項1之電漿處理裝置，其中 <br/>上述第1部分期間係未對上述基板支持器施加上述脈衝狀之負極性之直流電壓之期間， <br/>上述第2部分期間係對上述基板支持器施加上述脈衝狀之負極性之直流電壓之期間。
如請求項4之電漿處理裝置，其中上述偏壓電源構成為於上述第1部分期間內且上述第2部分期間之前對上述基板支持器施加正極性之直流電壓。
如請求項1之電漿處理裝置，其進而具備電壓感測器，該電壓感測器構成為直接或間接測定載置於上述基板支持器上之上述基板之電位，且 <br/>上述控制部構成為將由上述電壓感測器測定之上述基板之電位較上述週期內之上述基板之電位之平均值高或低之期間特定為上述第1部分期間。
如請求項1至6中任一項之電漿處理裝置，其中上述控制部以於上述第2部分期間停止上述高頻電力之供給之方式控制上述高頻電源。
如請求項1至6中任一項之電漿處理裝置，其中上述控制部以於上述第1部分期間週期性地供給上述高頻電力之脈衝之方式控制上述高頻電源。
如請求項8之電漿處理裝置，其中規定於上述第1部分期間供給上述高頻電力之上述脈衝之週期之頻率為上述第2頻率之2倍以上且上述第1頻率之0.5倍以下。
如請求項1至6中任一項之電漿處理裝置，其中上述第1頻率為27 MHz以上100 MHz以下。
如請求項1至6中任一項之電漿處理裝置，其中上述偏壓電源構成為於對上述基板支持器施加上述脈衝狀之負極性之直流電壓之期間內使上述脈衝狀之負極性之直流電壓之電壓位準發生變化。
一種電漿處理方法，其係使用電漿處理裝置者， <br/>該電漿處理裝置具備： <br/>腔室； <br/>基板支持器，其構成為於上述腔室內支持載置於其上之基板； <br/>高頻電源，其構成為產生為了自上述腔室內之氣體生成電漿而供給之高頻電力，該高頻電力具有第1頻率；及 <br/>偏壓電源，其電性連接於上述基板支持器； <br/>該電漿處理方法係為了於在上述基板支持器上載置有基板之狀態下對該基板進行電漿處理而執行，且包含如下步驟： <br/>為了將來自上述電漿之離子朝向上述基板加速，以由較上述第1頻率低之第2頻率規定之週期而週期性地自上述偏壓電源對上述基板支持器施加脈衝狀之負極性之直流電壓； <br/>於上述週期內之第1部分期間內自上述高頻電源供給上述高頻電力；及 <br/>於上述週期內之第2部分期間內將上述高頻電力之功率位準設定為自上述第1部分期間之上述高頻電力之功率位準減少之功率位準。
如請求項12之電漿處理方法，其中 <br/>上述第1部分期間係對上述基板支持器施加上述脈衝狀之負極性之直流電壓之期間， <br/>上述第2部分期間係未對上述基板支持器施加上述脈衝狀之負極性之直流電壓之期間。
如請求項13之電漿處理方法，其中上述偏壓電源構成為於上述第2部分期間內且上述第1部分期間之前對上述基板支持器施加正極性之直流電壓。
如請求項12之電漿處理方法，其中 <br/>上述第1部分期間係未對上述基板支持器施加上述脈衝狀之負極性之直流電壓之期間， <br/>上述第2部分期間係對上述基板支持器施加上述脈衝狀之負極性之直流電壓之期間。
如請求項15之電漿處理方法，其中上述偏壓電源構成為於上述第1部分期間內且上述第2部分期間之前對上述基板支持器施加正極性之直流電壓。
如請求項12之電漿處理方法，其中上述電漿處理裝置進而具備電壓感測器，該電壓感測器構成為直接或間接測定載置於上述基板支持器上之上述基板之電位，且 <br/>該電漿處理方法進而包含如下步驟：將由上述電壓感測器測定之上述基板之電位較上述週期內之上述基板之電位之平均值高或低之期間特定為上述第1部分期間。
如請求項12至17中任一項之電漿處理方法，其中於上述第2部分期間停止上述高頻電力之供給。
如請求項12至17中任一項之電漿處理方法，其中於上述第1部分期間，自上述高頻電源週期性地供給上述高頻電力之脈衝。
如請求項19之電漿處理方法，其中規定於上述第1部分期間供給上述高頻電力之上述脈衝之週期之頻率為上述第2頻率之2倍以上且上述第1頻率之0.5倍以下。
如請求項12至17任一項之電漿處理方法，其進而包含如下步驟：於在上述腔室內存在有電漿之期間且具有較由上述第2頻率規定之上述週期之時間長度長之時間長度的期間，在停止自上述高頻電源供給上述高頻電力之狀態下，以由上述第2頻率規定之該週期而週期性地自上述偏壓電源對上述基板支持器施加上述脈衝狀之負極性之直流電壓。
如請求項12至17中任一項之電漿處理方法，其進而包含如下步驟：於具有較由上述第2頻率規定之上述週期之時間長度長之時間長度之期間，在停止自上述偏壓電源對上述基板支持器施加上述脈衝狀之負極性之直流電壓之狀態下，自上述高頻電源供給上述高頻電力。
如請求項12至17中任一項之電漿處理方法，其中上述第1頻率為27 MHz以上100 MHz以下。
如請求項12至17中任一項之電漿處理方法，其中上述脈衝狀之負極性之直流電壓之電壓位準於對上述基板支持器施加上述脈衝狀之負極性之直流電壓之期間內變更。
一種接合修復方法，是在接合製程中將兩個接合對象接合在該兩個接合對象的對向面內所設定的接合目標部上，如果該接合目標部的至少一部分產生未接合部時，則透過將雷射光束照射到該未接合部從而修復該未接合部上的接合狀態；<br/>支撐步驟，將該兩個接合對象從它們的背面側夾持在第1支撐部和第2支撐部之間並支撐該兩個接合對象，在這種情況下，使用支撐部作為該第1支撐部，可以從使雷射光束穿過的視窗來看到該未接合部的至少一部分；以及<br/>修復步驟，在該支撐步驟之後，通過該視窗將雷射光束照射到該未接合部，從而修復該未接合部上的接合狀態；<br/>其中，當該兩個接合對象的周緣部產生該未接合部時，作為該第1支撐部，包括：本體部，與該背面中靠近該周緣部內側的中央區域接觸；環狀部，與沿著該背面中的外周緣的環狀區域接觸；以及梁部，將該環狀部與該本體部連接，使用由它們圍成的區域所形成的該視窗的支撐部。
如請求項1所述之接合修復方法，其中，執行該修復步驟後，透過相對於該第1支撐部沿圓周方向旋轉該兩個接合對象，從該視窗看到該未接合部中被該梁部遮掩的部分，然後再次對該部分執行該修復步驟。
一種接合修復方法，是在接合製程中將兩個接合對象接合在該兩個接合對象的對向面內所設定的接合目標部上，如果該接合目標部的至少一部分產生未接合部時，則透過將雷射光束照射到該未接合部從而修復該未接合部上的接合狀態；<br/>加壓步驟，在與作為壓力傳遞介質的氣體或液體直接接觸狀態下，將壓力施加到該兩個接合對象中的其中一個接合對象的背面，並且由另一個該接合對象的背面側上的支撐部來承受該壓力，從而夾壓該兩個接合對象；以及<br/>修復步驟，透過該加壓步驟中，一邊對該兩個接合對象進行夾壓，一邊從該其中一個接合對象的背面側將雷射光束照射到該未接合部，從而修復該未接合部上的接合狀態。
如請求項3所述之接合修復方法，其中，該加壓步驟也用於該接合製程，在對該未接合部修復時實行的該加壓步驟中，透過作為壓力傳遞介質的氣體或液體向該其中一個接合對象的背面施加大於修復前的該加壓步驟所施加壓力的壓力。
如請求項1至4之任一項所述之接合修復方法，包括：<br/>辨識步驟，透過在該接合製程後檢查該接合目標部上的接合狀況，辨識該接合目標部上產生的該未接合部；以及<br/>修復步驟，利用將雷射光束照射在該辨識步驟中辨識的該未接合部，從而修復該未接合部上的接合狀態。
一種接合修復方法，是在接合製程中將兩個接合對象接合在該兩個接合對象的對向面內所設定的接合目標部上，如果該接合目標部的至少一部分產生未接合部時，則透過將雷射光束照射到該未接合部從而修復該未接合部上的接合狀態；<br/>辨識步驟，透過在該接合製程後檢查該接合目標部上的接合狀況，辨識該接合目標部上產生的該未接合部；以及<br/>修復步驟，利用將雷射光束照射在該辨識步驟中辨識的該未接合部，從而修復該未接合部上的接合狀態，<br/>其中，在該辨識步驟中，辨識該未接合部，如果該未接合部是由夾雜物造成的話，則辨識該夾雜物的位置；在該修復步驟中，利用避開該辨識步驟中辨識的該夾雜物的位置而照射雷射光束，從而修復該未接合部上的接合狀態。
一種接合修復方法，是在接合製程中將兩個接合對象接合在該兩個接合對象的對向面內所設定的接合目標部上，如果該接合目標部的至少一部分產生未接合部時，則透過將雷射光束照射到該未接合部從而修復該未接合部上的接合狀態<br/>辨識步驟，透過在該接合製程結束後檢查該接合目標部上的接合狀況，辨識該接合目標部上產生的該未接合部，如果該未接合部是由夾雜物造成的話，則辨識該夾雜物的位置；<br/>預處理步驟，在該辨識步驟中辨識的該位置上利用將雷射光束照射在該夾雜物，使該夾雜物變形或昇華；以及<br/>修復步驟，在該預處理步驟後，利用將雷射光束照射在該辨識步驟中辨識的該未接合部，從而修復該未接合部上的接合狀態。
一種用以向與銷售者相關聯之顧客提供促銷之方法，其係藉由電子裝置而實行者，其包括如下步驟： <br/>自銷售者終端獲得第1資訊，該第1資訊用以設定構成銷售者定製頁面之至少一個組件；其中，上述第1資訊用以確定上述至少一個組件是否顯現於上述銷售者定製頁面上； <br/>基於上述第1資訊，產生由上述至少一個組件構成之上述銷售者定製頁面； <br/>產生用以將上述銷售者定製頁面顯現於上述銷售者終端上之第1頁面資訊；及 <br/>將上述第1頁面資訊傳輸至上述銷售者終端；且 <br/>上述銷售者定製頁面係顯示與銷售者之至少一種銷售商品有關之資訊之頁面。
如請求項1之方法，其進而包括如下步驟： <br/>確定上述銷售者定製頁面之至少一個購買者終端，上述至少一個購買者終端包括被選擇為可收藏上述銷售者定製頁面之第1購買者終端、或被選擇為接收上述銷售者定製頁面之資訊之第2購買者終端中之至少一者；及 <br/>僅向上述至少一個購買者終端提供上述銷售者定製頁面之資訊。
如請求項2之方法，其中上述至少一個組件包括第1組件及第2組件， <br/>上述第1組件包括如下內容中之至少一者：顯現於上述銷售者定製頁面上之代表影像、於預設之期間內銷售量最高之人氣商品、於以銷售日期為基準預設之期間內新銷售之新商品、應用折扣或優惠券之折扣商品、將至少一種商品加以分類之商品類別、上述銷售者之上述至少一種銷售商品全部登記之所有商品、或顯示銷售者發行優惠券之資訊之優惠券優惠橫幅； <br/>上述第2組件包括商品清單、商品幻燈片、影像橫幅、多鏈結橫幅、下載優惠券商品、直播或視訊橫幅中之至少一者。
如請求項3之方法，其中上述第1組件作為預設之組件，可選擇是否顯現於上述銷售者定製頁面上， <br/>上述第2組件作為銷售者定製組件，可選擇是否顯現於上述銷售者定製頁面上，且可編輯顯現於上述銷售者定製頁面上之方式。
如請求項4之方法，其中上述商品清單構成為：以清單形態顯示將顯現於上述銷售者定製頁面上之上述至少一種銷售商品，上述至少一種銷售商品可藉由商品名稱或商品編號進行檢索， <br/>上述商品幻燈片構成為：以幻燈片形態顯示將顯現於上述銷售者定製頁面上之上述至少一種銷售商品，上述至少一種銷售商品可藉由商品名稱或商品編號進行檢索， <br/>上述影像橫幅構成為：可設定橫幅鏈結，該橫幅鏈結係由上述銷售者終端上傳影像，選擇橫幅類型並連接至與特定商品有關之頁面；且於藉由上述至少一個購買者終端而選擇上述影像時，向上述至少一個購買者終端傳輸用以移動至與上述特定商品有關之頁面之命令， <br/>上述多鏈路橫幅構成為：可設定至少一個橫幅鏈結，該橫幅鏈結係藉由上述銷售者終端上傳一個影像，於上述一個影像中連接規定之區域及與上述規定之區域有關之商品的頁面；且於藉由上述至少一個購買者終端而選擇上述規定之區域時，向上述至少一個購買者終端傳輸用以移動至與上述相關商品有關之頁面之命令， <br/>上述下載優惠券商品構成為：可藉由上述銷售者終端上傳折扣優惠券及要應用上述折扣優惠券之商品， <br/>上述直播構成為：將預設之廣播自動地顯現於上述銷售者定製頁面上， <br/>上述視訊橫幅構成為：將藉由上述銷售者終端上傳之視訊顯現於上述銷售者定製頁面上。
如請求項5之方法，其中上述商品清單將上述至少一種銷售商品以M列及N行之排列顯現於上述銷售者定製頁面上， <br/>上述M及N為自然數，M可自1至5中選擇，N可自1至20中選擇。
如請求項5之方法，其中當產生上述下載優惠券商品時，向上述至少一個購買者終端提供通知。
如請求項4之方法，其進而包括如下步驟： <br/>產生用以將優惠券設定頁面顯現於上述銷售者終端上之第2頁面資訊； <br/>將上述第2頁面資訊傳輸至上述銷售者終端； <br/>自上述銷售者終端獲得用以於上述優惠券設定頁面上設定上述銷售者發行優惠券之第2資訊； <br/>基於上述第2資訊，產生上述銷售者發行優惠券；及 <br/>對於至少一個購買者終端，提供上述銷售者發行優惠券。
如請求項8之方法，其中上述銷售者發行優惠券之設定包括：設定優惠券之發放數量、折扣金額、最低訂單金額、提供期間、有效期間或支付對象中之至少一者。
如請求項9之方法，其中上述發放數量構成為：可選擇是否限制發放數量， <br/>上述折扣金額構成為：可於預先確定之折扣金額限度內加以選擇， <br/>上述最低訂單金額構成為：可設定可使用上述銷售者發行優惠券之訂單金額之下限， <br/>上述提供期間構成為：可設定提供上述銷售者發行優惠券之期間， <br/>上述有效期間構成為：可設定可使用上述銷售者發行優惠券之期間， <br/>上述支付對象構成為：可選擇上述第1購買者終端或上述第2購買者終端中之至少一者。
如請求項10之方法，其中於上述提供期間內，向確定為上述至少一個購買者終端之購買者終端提供上述銷售者發行優惠券。
如請求項11之方法，其中亦可選擇是否於上述提供期間之前向確定為上述至少一個購買者終端之購買者終端提供上述銷售者發行優惠券。
如請求項12之方法，其中提供上述銷售者發行優惠券之步驟包括如下步驟：藉由顯現於上述銷售者定製頁面之上述優惠券優惠橫幅而提供；且 <br/>上述優惠券優惠橫幅構成為可選擇橫幅類型。
如請求項2之方法，其進而包括如下步驟： <br/>產生藉由上述銷售者定製頁面而銷售之上述至少一種銷售商品之統計資料； <br/>產生用以將上述統計資料顯現於上述銷售者終端上之第3頁面資訊；及 <br/>將上述第3頁面資訊傳輸至上述銷售者終端。
如請求項14之方法，其中上述統計資料包括如下內容中之至少一者：上述銷售者之規定期間內之總銷售額、藉由上述銷售者定製頁面而銷售之上述至少一種銷售商品之規定期間內之銷售額、訂單件數、購買者人數、購買轉化率、上述銷售者定製頁面之存取次數及瀏覽次數、上述第1購買者終端之數量、或上述第2購買者終端之數量， <br/>上述購買轉化率係表示購買次數與上述銷售者定製頁面之存取次數之比率。
如請求項15之方法，其中上述統計資料構成為線圖或圖表。
如請求項16之方法，其中上述線圖係將上述銷售者之規定期間內之總銷售額、與藉由上述銷售者定製頁面而銷售之上述至少一種銷售商品之規定期間內之銷售額以互不相同的設計顯示於一個線圖上。
如請求項16之方法，其中上述購買者人數包括：藉由上述銷售者定製頁面而進行首次購買之新購買者人數、及藉由上述銷售者定製頁面而進行2次以上購買之再購買者人數， <br/>上述圖表係將規定之期間內之上述新購買者人數、上述再購買者人數以互不相同之設計顯示於一個圖表上。
一種電子裝置，其包括： <br/>一個以上之處理器；及 <br/>一個以上之記憶體，其等儲存有藉由上述一個以上之處理器執行之命令；且 <br/>上述電子裝置構成為：於藉由上述一個以上之處理器執行上述命令時，上述一個以上之處理器執行如請求項1至18中之任一項之方法。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有藉由一個以上之處理器執行時使上述一個以上之處理器實行動作之命令， <br/>上述命令構成為：使上述一個以上之處理器執行如請求項1至18中之任一項之方法。
一種表面處理金屬材，在金屬基材的表面的至少一部分設置有矽烷皮膜，所述表面處理金屬材的特徵在於， <br/>在對所述矽烷皮膜的表面入射入射角為75°的平行偏光並藉由傅立葉轉換式紅外分光法來測定吸收光譜的情況下，在1250（cm<sup>-1</sup>）以上且1150（cm<sup>-1</sup>）以下的波數區域中具有吸收波峰， <br/>在所述矽烷皮膜的表面，在藉由雷射顯微鏡來對任意3部位處的1 mm×1 mm的測定範圍測定表面粗糙度的情況下，表面性狀的縱橫比為0.8以上。
如請求項1所述的表面處理金屬材，其在所述矽烷皮膜的表面上具有接著樹脂層。
如請求項1所述的表面處理金屬材，其中，所述吸收波峰處的吸光度為0.003以上。
如請求項1所述的表面處理金屬材，其中，所述金屬基材為純鈦、鈦合金、以及不鏽鋼中的至少一者。
一種接合體，包括如請求項1至4中任一項所述的表面處理金屬材，所述接合體的特徵在於， <br/>第一構件與第二構件經由接著樹脂層而接合， <br/>所述第一構件及所述第二構件中的任意一者為所述表面處理金屬材， <br/>所述表面處理金屬材的所述矽烷皮膜與所述接著樹脂層接著。
一種接合體，包括如請求項1至4中任一項所述的表面處理金屬材，所述接合體的特徵在於， <br/>第一構件與第二構件經由接著樹脂層而接合， <br/>所述第一構件及所述第二構件兩者分別為具有包含相同或不同的金屬材料的所述金屬基材的所述表面處理金屬材， <br/>所述第一構件的所述矽烷皮膜與所述第二構件的所述矽烷皮膜藉由所述接著樹脂層而接著。
一種引流瓶監測系統，固定在病床，用以監測符合醫療標準的用於集液一個引流瓶累計之一液體，包括：<br/> 一量測裝置，具有一收容部，該收容部用於收容該引流瓶，包括<br/> 一光學感測器，設置在該量測裝置的該收容部內兩側之側壁上，具有一接收發射單元，用以偵測該引流瓶之該液體的液面高度，取得一液面高度資訊；<br/> 一重量感測器，設置於該量測裝置的該收容部的底部，用以量測該引流瓶之重量及該引流瓶之該液體的重量，取得一重量資訊；以及<br/> 一傳輸裝置，設置在該量測裝置內，訊號連接該光學感測器及該重量感測器，用以傳輸該液面高度資訊及該重量資訊；<br/> 一監測裝置，通訊連接該傳輸裝置，用以接收該液面高度資訊及該重量資訊，包括<br/> 一計算處理器，用以根據該液面高度資訊及該重量資訊計算該引流瓶之一實際液體體積及一液體誤差，該實際液體體積為將該引流瓶之該液體的重量減該引流瓶之重量後，再除以血液密度；以及<br/> 一警告通知器，通訊連接該計算處理器，當該實際液體體積超過一預設值時，該警告通知器發出一警告訊息。
如請求項1所述的引流瓶監測系統，其中該警告通知器包括一警示燈及一蜂鳴器，當液面高度或該實際液體體積超過一預設值時，該警示燈會發出紅光，並且該蜂鳴器會發出警示聲。
如請求項1所述的引流瓶監測系統，其中該重量感測器係為荷重元(load cell)。
如請求項1所述的引流瓶監測系統，其中該引流瓶之液面高度減掉該實際液體體積係為該液體誤差。
如請求項1所述的引流瓶監測系統，其中該量測裝置還具有一顯示裝置，用以顯示該引流瓶之液體總容量、前一小時累計液體容量、時間、誤差、電池供電量。
如請求項1所述的引流瓶監測系統，其中該接收發射單元係由複數個光電晶體垂直堆疊而形成。
一種引流瓶監測方法，包括以下步驟：<br/> 一量測裝置的一收容部收容一個用於集液的引流瓶；<br/> 該量測裝置的一光學感測器偵測該引流瓶之液面高度，取得一液面高度資訊；<br/> 一監測裝置的一警告通知器在液面高度超過一預設值時，發出一警告訊息；<br/> 該量測裝置的一重量感測器量測該引流瓶之液體重量，取得一重量資訊；<br/> 該量測裝置的一計算處理器根據該液面高度資訊及該重量資訊計算該引流瓶之一實際液體體積及一液體誤差，該實際液體體積為將該引流瓶之液體重量減該引流瓶之重量後，再除以血液密度；以及<br/> 該監測裝置的該警告通知器在該實際液體體積超過一預設值時，發出一警告訊息。
一種用於形成水凝膠隱形眼鏡之聚合本體的水凝膠隱形眼鏡調配物，其包含： <br/>包含苯并三唑部分之第一高能可見光(HEVL)吸收劑，其中該第一HEVL吸收劑之乙酸乙酯中之0.003 wt%溶液在360 nm至410 nm之範圍內具有吸收度峰值，及 <br/>包含苯并三唑部分之第二不同高能可見光(HEVL)吸收劑，其中該第二HEVL吸收劑之乙酸乙酯中之0.003 wt%溶液在比該第一HEVL吸收劑之乙酸乙酯中之0.003 wt%溶液的落在360 nm至410 nm之範圍內的該吸收度峰值短5 nm與25 nm之間的波長下具有吸收度峰值， <br/>其中該第一HEVL吸收劑及該第二HEVL吸收劑各自具有式(1)： <br/><img align="absmiddle" height="134px" width="273px" file="ed10040.jpg" alt="ed10040.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中： <br/>R<sup>1</sup>為鹵素、OH、C<sub>1-12</sub>烷氧基、-A-R<sup>9</sup>-Y、視情況經取代之C<sub>1-12</sub>烷基、視情況經取代之苯氧基或視情況經取代之萘氧基，其中視情況選用之取代基為鹵素、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、OH、-(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>n</sub>H、-(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>n</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>、-(CH<sub>2</sub>CH(CH<sub>3</sub>)O)<sub>n</sub>H或-(CH<sub>2</sub>CH(CH<sub>3</sub>)O)<sub>n</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>)； <br/>R<sup>6</sup>及R<sup>7</sup>中之一者為H或視情況經鹵素取代之C<sub>1-12</sub>烷基；且 <br/>R<sup>6</sup>及R<sup>7</sup>中之另一者為： <br/><img align="absmiddle" height="96px" width="167px" file="ed10041.jpg" alt="ed10041.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="111px" width="166px" file="ed10042.jpg" alt="ed10042.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或-OR<sup>8</sup>，其中： <br/>R<sup>2</sup>為鍵、視情況經-OH取代及/或雜有酯基之C<sub>1-12</sub>伸烷基、(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>n</sub>或(CH<sub>2</sub>CH(CH<sub>3</sub>)O)<sub>n</sub>； <br/>R<sup>3</sup>為鍵、C(O)、C(O)C<sub>j</sub>H<sub>2j</sub>、C<sub>1-6</sub>伸烷基、苯基或C<sub>1-6</sub>烷苯基； <br/>X為鍵、O、NR<sup>4</sup>、S或(Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>O)<sub>m</sub>Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>； <br/>各R<sup>4</sup>獨立地為H或甲基； <br/>R<sup>5</sup>為H、C<sub>1-6</sub>烷基或苯基； <br/>m為0至9； <br/>n為2至10； <br/>j為1至6； <br/>A為-S-或-SO<sub>2</sub>-； <br/>R<sup>8</sup>為H、C<sub>1-12</sub>烷基、C<sub>6-15</sub>芳烷基或-R<sup>9</sup>-Z； <br/>各R<sup>9</sup>獨立地為視情況經-OH取代及/或雜有酯基之C<sub>1-12</sub>伸烷基； <br/>Y及Z中之各者分別為-OH、-OC(O)R<sup>10</sup>、-NH<sub>2</sub>、-NC(O)R<sup>10</sup>、-NCO、-CO<sub>2</sub>H、-CO<sub>2</sub>R<sup>10</sup>、 <br/><img align="absmiddle" height="109px" width="86px" file="ed10043.jpg" alt="ed10043.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="108px" width="74px" file="ed10044.jpg" alt="ed10044.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>各R<sup>10</sup>獨立地為C<sub>1-10</sub>烷基或C<sub>3-10</sub>烯基； <br/>R<sup>11</sup>為C<sub>3-10</sub>伸環烯基；且 <br/>R<sup>12</sup>為C<sub>1-10</sub>伸烷基或1,2-伸苯基。
如請求項1之調配物，其中存在之式(1)之HEVL吸收劑的總量不超過2.7% (wt/wt)。
如請求項2之調配物，其中存在之式(1)之HEVL吸收劑的總量不超過2.0% (wt/wt)。
如請求項1至3中任一項之調配物，其中：該第一HEVL吸收劑為2-[2'-羥基-3'-三級丁基-5'-(3"-甲基丙烯醯氧基丙氧基)苯基]-5-氯-<i>2H</i>-苯并三唑(UV28)。
如請求項1至3中任一項之調配物，其中該第二HEVL吸收劑選自：2-(1,1-二甲基乙基)-4-[3-[(4-乙烯基苯基)甲氧基]丙氧基]-6-(5-甲氧基-<i>2H</i>-苯并三唑-2-基)-苯酚(UV1)，2-(5-氯-<i>2H</i>-苯并三唑-2-基)-6-(1,1-二甲基乙基)-4-乙烯基-苯酚(UV5/UVAM)，2-[2'-羥基-3'-三級丁基-5'-(3"-甲基丙烯醯氧基丙氧基)苯基]-5-甲氧基-<i>2H</i>-苯并三唑(UV13)，2-3'-三級丁基-2'-羥基-5'-(3"-二甲基乙烯基矽烷基丙氧基)-2'-羥基-苯基)-5-甲氧基苯并三唑(UV15)。
如請求項5之調配物，其中該第二HEVL吸收劑係2-[2'-羥基-3'-三級丁基-5'-(3"-甲基丙烯醯氧基丙氧基)苯基]-5-甲氧基-<i>2H</i>-苯并三唑(UV13)。
如請求項1至3中任一項之調配物，其中該第一HEVL吸收劑以0.3%至0.9% (wt/wt)之量存在；且該第二HEVL吸收劑以0.5%至2.2% (wt/wt)之量存在。
如請求項7之調配物，其中該第一HEVL吸收劑以0.4%至0.7% (wt/wt)之量存在；且該第二HEVL吸收劑以0.7%至1.6% (wt/wt)之量存在。
如請求項1至3中任一項之調配物，其包含視情況呈不超過1.5% (wt/wt)之量的包含二苯甲酮部分之可聚合UV吸收劑。
如請求項9之調配物，其包含不超過1.0% (wt/wt)之量的包含二苯甲酮部分之可聚合UV吸收劑。
如請求項1至3中任一項之調配物，其中該可聚合UV吸收劑為丙烯酸2-(4-苯甲醯基-3-羥基苯氧基)乙酯(UV416)。
如請求項1至3中任一項之調配物，其進一步包含含有蒽醌部分之可聚合藍色或藍綠色著色劑。
如請求項12之調配物，其中該可聚合藍色或藍綠色著色劑選自1,4-雙[4-(2-甲基丙烯醯氧基乙基)苯胺基]-9,10-蒽醌(RB246)或1,4-雙[(2-甲基丙烯醯氧基乙基)胺基]-9,10-蒽醌(RB247)。
如請求項1至3中任一項之調配物，其為包含至少一種熱引發劑之熱固化調配物。
如請求項1至3中任一項之調配物，其進一步包含視情況呈至少25% (wt/wt)之量的至少一種親水性單體。
如請求項15之調配物，其包含視情況呈至少15% (wt/wt)之量的至少一種親水性N-乙烯基醯胺單體。
如請求項16之調配物，其包含一或多種至少30% (wt/wt)之親水性N-乙烯基醯胺單體。
如請求項1至3中任一項之調配物，其中該調配物為聚矽氧水凝膠隱形眼鏡調配物，其包含視情況呈至少25% (wt/wt)之量的可聚合矽氧烷組分。
如請求項18之調配物，其包含30%至60% (wt/wt)之可聚合矽氧烷組分。
如請求項18之調配物，其中可聚合矽氧烷含量之至少40% (wt/wt)為分子量為至少8,000道爾頓之雙官能矽氧烷，且其中該可聚合矽氧烷含量之至少25% (wt/wt)為分子量小於3,000道爾頓之單官能矽氧烷。
如請求項18之調配物，其包含： <br/>按該調配物之總重量計以至少35% (wt/wt)之量存在的矽氧烷組分，其中該矽氧烷含量之至少40%為分子量為至少8,000道爾頓之雙官能矽氧烷；及 <br/>按該調配物之總重量計以至少37% (wt/wt)之量存在的N-乙烯基醯胺單體組分。
如請求項1至3中任一項之調配物，其包含按該調配物之總重量計至少5% (wt/wt)之非矽氧烷疏水性單體。
如請求項22之調配物，其包含按該調配物之總重量計至少5% (wt/wt)之疏水性甲基丙烯酸酯單體。
如請求項22之調配物，其中該等疏水性單體包括甲基丙烯酸羥丁酯、甲基丙烯酸異冰片酯或甲基丙烯酸羥丁酯與甲基丙烯酸異冰片酯之組合。
如請求項1至3中任一項之調配物，其包含： <br/>a. 呈至少30% (wt/wt)之量的一或多種親水性N-乙烯基醯胺單體， <br/>b. 呈該總調配物之35%至60% (wt/wt)之量的可聚合矽氧烷組分，其中該可聚合矽氧烷含量之至少40% (wt/wt)為分子量為至少8,000道爾頓之雙官能矽氧烷，且其中該可聚合矽氧烷含量之至少25% (wt/wt)為分子量小於3,000道爾頓之單官能矽氧烷，及 <br/>c. 按該調配物之總重量計呈至少5% (wt/wt)之量的非矽氧烷疏水性甲基丙烯酸酯單體。
如請求項1至3中任一項之調配物，其包含： <br/>a. 呈該總調配物之30%至50% (wt/wt)之量的N-甲基N-乙烯基乙醯胺， <br/>b. 呈該總調配物之20%至40% (wt/wt)之量的分子量為至少8,000道爾頓的雙官能含(甲基)丙烯酸酯矽氧烷， <br/>c. 呈該總調配物之10%至30% (wt/wt)之量的分子量小於3,000道爾頓的單官能含(甲基)丙烯酸酯矽氧烷， <br/>d. 呈該總調配物之5%至15% (wt/wt)之量的甲基丙烯酸羥丁酯、甲基丙烯酸異冰片酯或甲基丙烯酸羥丁酯與甲基丙烯酸異冰片酯之組合。
如請求項25之調配物，其中該雙官能矽氧烷單體為由式(III)表示之含(甲基)丙烯酸酯矽氧烷單體， <br/><img align="absmiddle" height="88px" width="411px" file="ed10045.jpg" alt="ed10045.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中R<sub>1</sub>選自氫抑或甲基；R<sub>2</sub>選自氫抑或C<sub>1-4</sub>烴基；m表示0至10之整數；n表示4至約15、25或100之整數；a及b表示1或更大之整數；a+b等於20至500；b/(a+b)等於0.01至0.22；且矽氧烷單元之組態包括無規組態。
如請求項25之調配物，其中該單官能矽氧烷單體為由式(II)表示之含甲基丙烯酸酯矽氧烷單體， <br/><img align="absmiddle" height="81px" width="521px" file="ed10046.jpg" alt="ed10046.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中n為約10至15之整數。
一種水凝膠隱形眼鏡，其自如請求項1至28中任一項之調配物之聚合獲得。
如請求項29之隱形眼鏡，其具有以下光透射特性： <br/>
如請求項29或請求項30之隱形眼鏡，其具有小於6.0之用ASTM E313-05方法測定的黃度指數。
一種半導體裝置的製造方法，包括：第一接合工序，使用毛細管將引線接合於第一電極； <br/>放出工序，通過在能夠放出所述引線的狀態下使所述毛細管遠離所述第一電極的動作，使所述引線中的接合於所述第一電極的前端區域、及所述引線中的位於相對於所述前端區域而與所述第一電極相反的一側的中間區域從所述毛細管導出； <br/>彎曲工序，通過反復進行在保持著所述引線的狀態下使所述毛細管靠近所述第一電極的動作與使所述毛細管遠離所述第一電極的動作，使所述引線中的位於所述前端區域與所述中間區域之間的第一彎曲部、及所述引線中的位於相對於所述中間區域而與所述前端區域相反的一側的底端區域與所述中間區域之間的第二彎曲部各自反復彎曲； <br/>拉伸工序，通過在保持著所述引線的狀態下使所述毛細管遠離所述第一電極的動作，拉伸所述引線以使所述引線在所述第一彎曲部處切斷，由此形成接合於所述第一電極的接腳引線； <br/>去除工序，使用所述毛細管將所述中間區域接合於虛設區域，由此從所述引線去除所述中間區域及所述第二彎曲部； <br/>第二接合工序，使用所述毛細管將所述底端區域接合於第二電極；以及 <br/>依序重複執行所述第一接合工序、所述放出工序、所述彎曲工序、所述拉伸工序、所述去除工序及所述第二接合工序， <br/>所述去除工序在每一次所述第一接合工序之後及每一次所述第二接合工序之前執行。
如請求項1所述的半導體裝置的製造方法，其中所述第一接合工序具有使所述前端區域的前端熔融的工序與將所述前端區域的前端接合於所述第一電極的工序， <br/>所述去除工序具有使所述中間區域的前端熔融的工序、將所述中間區域的前端接合於所述虛設區域的工序、拉伸所述引線以使所述引線在所述第二彎曲部處切斷的工序與使所述底端區域的前端熔融的工序。
如請求項2所述的半導體裝置的製造方法，其中所述虛設區域是包含所述第一電極的半導體晶片的表面中的遠離所述第一電極的區域。
一種引線接合裝置，包括：接合單元，包含構成為能夠供給引線的毛細管；以及 <br/>控制單元，控制所述接合單元的動作， <br/>所述控制單元向所述接合單元發送： <br/>第一信號，使用所述毛細管將所述引線接合於第一電極； <br/>第二信號，通過在能夠放出所述引線的狀態下使所述毛細管遠離所述第一電極的動作，使所述引線中的接合於所述第一電極的前端區域、及所述引線中的位於相對於所述前端區域而與所述第一電極相反的一側的中間區域從所述毛細管導出； <br/>第三信號，通過反復進行在保持著所述引線的狀態下使所述毛細管靠近所述第一電極的動作與使所述毛細管遠離所述第一電極的動作，使所述引線中的位於所述前端區域與所述中間區域之間的第一彎曲部、及所述引線中的位於相對於所述中間區域而與所述前端區域相反的一側的底端區域與所述中間區域之間的第二彎曲部各自反復彎曲； <br/>第四信號，通過在保持著所述引線的狀態下使所述毛細管遠離所述第一電極的動作，拉伸所述引線以使所述引線在所述第一彎曲部處切斷，由此形成接合於所述第一電極的接腳引線； <br/>第五信號，使用所述毛細管將所述中間區域接合於虛設區域，由此從所述引線去除所述中間區域及所述第二彎曲部；以及 <br/>第六信號，使用所述毛細管將所述底端區域的前端接合於第二電極， <br/>所述接合單元依序重複執行對應於所述第一信號的操作、對應於所述第二信號的操作、對應於所述第三信號的操作、對應於所述第四信號的操作、對應於所述第五信號的操作及對應於所述第六信號的操作， <br/>對應於所述第五信號的所述操作在每一次對應於所述第一信號的所述操作之後及每一次對應於所述第六信號的所述操作之前執行。
一種用於治療哺乳動物之癌症之免疫結合物，其包含 <br/>(a) 條件性活性抗體或抗體片段，其特異性結合於Ror2蛋白質，在pH 6.0下與Ror2蛋白質之結合親和力相比於在pH 7.0下與Ror2蛋白質之結合親和力之比率係至少1.5:1，該抗體或抗體片段包含選自以下之重鏈可變區及輕鏈可變區之組合： <br/>(i) SEQ ID NO:20及SEQ ID NO:13； <br/>(ii) SEQ ID NO:20及SEQ ID NO:15； <br/>(iii) SEQ ID NO:20及SEQ ID NO:16； <br/>(iv) SEQ ID NO:21及SEQ ID NO:13； <br/>(v) SEQ ID NO:21及SEQ ID NO:15； <br/>(vi) SEQ ID NO:21及SEQ ID NO:16； <br/>(vii) SEQ ID NO:22及SEQ ID NO:13； <br/>(viii) SEQ ID NO:22及SEQ ID NO:15；或 <br/>(ix) SEQ ID NO:22及SEQ ID NO:16； <br/>(b) 連接子分子；及 <br/>(c) 至少一種選自化學治療劑、細胞生長抑制劑及細胞毒性劑之藥劑。
如請求項1之免疫結合物，其包含至少兩種該等藥劑。
如請求項1之免疫結合物，其中該至少一種藥劑係選自類美登素(maytansinoid)、奧瑞他汀(auristatin)、海兔毒素(dolastatin)、卡奇黴素(calicheamicin)、吡咯并苯并二氮呯(pyrrolobenzodiazepine)及蒽環黴素(anthracycline)。
如請求項2之免疫結合物，其中該至少兩種藥劑係選自類美登素、奧瑞他汀、海兔毒素、卡奇黴素、吡咯并苯并二氮呯及蒽環黴素。
如請求項3之免疫結合物，其中該至少一種藥劑係奧瑞他汀。
如請求項4之免疫結合物，其中該至少兩種藥劑係奧瑞他汀。
如請求項5之免疫結合物，其中該奧瑞他汀係單甲基奧瑞他汀。
如請求項6之免疫結合物，其中該奧瑞他汀係單甲基奧瑞他汀。
如請求項7之免疫結合物，其中該單甲基奧瑞他汀係單甲基奧瑞他汀D <sub>E</sub>(MMAE)。
如請求項8之免疫結合物，其中該單甲基奧瑞他汀係單甲基奧瑞他汀D <sub>E</sub>(MMAE)。
如請求項1至10中任一項之免疫結合物，其中該哺乳動物為人類。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1至11中任一項之條件性活性免疫結合物及醫藥學上可接受之載劑。
如請求項12之醫藥組合物，其進一步包含張力劑。
如請求項12之醫藥組合物，其中該醫藥組合物係用於靜脈內投與。
如請求項13或14之醫藥組合物，其中該醫藥組合物係與放射線療法併用投與。
如請求項15之醫藥組合物，其中該放射線療法係外部光束放射線療法(EBRT)。
一種測試系統，包含：<br/>一載板，其具有一第一表面及與該第一表面相對的一第二表面，其中該第一表面經配置以容納一待測裝置；及<br/>一電子裝置，經配置以安裝在該載板的該第二表面上，包括：<br/>一彈簧針座；<br/>一轉接板，經配置以電性連接該彈簧針座與至少512條訊號線；及<br/>一緊迫結構，經配置以向該載板的該第二表面加壓以調整該彈簧針座與該載板之間之一距離。
如請求項1所述之測試系統，其中該轉接板經配置以電性連接該彈簧針座與1024條訊號線。
如請求項2所述之測試系統，其中該載板的該第二表面經配置以安裝包括該電子裝置的複數個電子裝置，其中該等複數個電子裝置彼此分離。
如請求項3所述之測試系統，其中該等複數個電子裝置各可獨立安裝至該載板上及從該載板拆卸。
如請求項1所述之測試系統，其中該緊迫結構經配置以使該彈簧針座的一彈簧針與該載板電性連接，並透過該載板與該待測裝置電性連接，其中該彈簧針未直接接觸該待測裝置。
如請求項1所述之測試系統，其中該載板進一步包括：<br/>一測試板，經配置以承載該待測裝置；及<br/>一加固板，經配置以設置在該電子裝置及該測試板之間並具有一插槽；<br/>其中該電子裝置進一步包括經配置以將該電子裝置連結至該加固板的該插槽的一固定元件，其中該電子裝置透過該固定元件固定該電子裝置與該插槽的一相對位置後，透過該緊迫結構調整該距離。
一種電子裝置，包含：<br/>一彈簧針座，經配置以接觸承載一待測裝置的一載板的一表面；<br/>一轉接板，經配置以電性連接該彈簧針座與至少512條訊號線；及<br/>一緊迫結構，經配置以向該載板的該表面加壓以調整該彈簧針座與該載板之間的一距離。
如請求項7所述之電子裝置，進一步包括一定位件及一導引軸，其中該定位件經配置以抵住該載板的該第二表面以將該電子裝置定位於該載板。
如請求項8所述之電子裝置，進一步包括設置於該緊迫結構與該轉接板之間的一頂塊，其中該緊迫結構經配置以藉由該頂塊對該轉接板加壓。
如請求項9所述之電子裝置，其中該導引軸穿過該頂塊，該頂塊經配置以藉由調整該緊迫結構而沿著該導引軸移動。
如請求項10所述之電子裝置，其中該彈簧針座的一彈簧針藉由被該轉接板抵壓而與該載板電性連接。
如請求項11所述之電子裝置，其中該彈簧針未直接接觸該待測裝置。
如請求項9所述之電子裝置，其中該緊迫結構包括一旋鈕結構。
如請求項8所述之電子裝置，其進一步包括：<br/>一支撐架，其具有一開口，經配置以容納該彈簧針座，<br/>其中該轉接板設置於該支撐架上，並經配置以電性連接該彈簧針座。
如請求項14所述之電子裝置，其中該支撐架具有一孔，其中該定位件可活動地設置在該孔中。
如請求項14所述之電子裝置，其中該彈簧針座具有複數個彈簧針，且該轉接板具有一第一組接點經配置以電性連接該複數個彈簧針。
如請求項16所述之電子裝置，其中該轉接板具有一第二組接點，經配置以電性連接至少四個訊號線連接器，其中該第一組接點與該第二組接點的密度不同。
如請求項17所述之電子裝置，其中該轉接板具有複數個插槽，各經配置以電性連接該至少四個訊號線連接器的其中一者。
一種電子裝置，包含：<br/>一彈簧針座，經配置以接觸承載一待測裝置的一載板的一表面；<br/>一轉接板，其具有一第一表面及與該第一表面相對的一第二表面，其中該轉接板的該第一表面具有一第一組接點經配置以電性連接該彈簧針座，該第二表面具有一第二組接點經配置以電性連接至少512條訊號線，該第一組接點與該第二組接點的密度不同；及<br/>一緊迫結構，經配置以向該載板的該表面加壓以調整該彈簧針座與該載板之間的一距離。
如請求項19所述之電子裝置，其中該第一組接點包含複數個第一群組，該第二組接點包含複數個第二群組，其中該第一群組之接點的總和與第二群組之接點的總和相等，其中該轉接板經配置以電性連接至少四個訊號線連接器。
一種3D列印裝置，飛行時排出流體並堆積，並以堆積的流體形成3D形狀； <br/> 上述3D列印裝置，具備有：無人機、排出裝置、控制裝置、感應器； <br/> 上述無人機沿著根據對象的3D形狀的路徑移動於空中； <br/> 上述排出裝置，包含將流體排出的噴嘴，且安裝於上述無人機而與上述無人機一體地移動； <br/> 上述控制裝置，用來控制上述無人機及上述排出裝置的動作； <br/> 上述感應器安裝於上述無人機而與上述控制裝置連接；上述感應器，用來檢測上述路徑的各位置的上述無人機的速度； <br/> 上述控制裝置，根據上述路徑的各位置上的藉由上述感應器即時取得上述無人機的移動速度，來控制上述排出裝置，以從上述取得的移動速度導出的排出量從上述噴嘴排出上述流體。
一種3D列印裝置，飛行時對既有的建築物排出流體而形成3D形狀； <br/> 上述3D列印裝置，具備有：無人機、排出裝置、控制裝置、形狀測量裝置、感應器； <br/> 上述無人機移動於空中； <br/> 上述排出裝置，包含將流體排出的噴嘴，且安裝於上述無人機而與上述無人機一體地移動； <br/> 上述控制裝置，用來控制上述無人機及上述排出裝置的動作； <br/> 上述形狀測量裝置，與上述控制裝置連接且用來測量上述既有的建築物的3D形狀； <br/> 上述控制裝置，從上述形狀測量裝置取得測量結果，且藉由所取得的上述測量結果與上述既有的建築物相關的設計資料對照的結果，或藉由另外個別的指令，判斷在上述既有的建築物具有形狀的欠缺部分的情況，沿著根據上述欠缺部分的路徑使上述無人機移動，並且根據上述路徑的各位置上的藉由上述感應器即時取得上述無人機的移動速度，控制上述排出裝置，以從上述取得的移動速度導出的排出量從上述噴嘴將上述流體排出到上述欠缺部分； <br/> 上述感應器安裝於上述無人機而與上述控制裝置連接；上述感應器，用來檢測上述路徑的各位置的上述無人機的速度。
如請求項1或2的3D列印裝置，其中，根據上述無人機的上述移動速度的函數來設定上述排出量。
如請求項3的3D列印裝置，其中，將上述函數的係數變更來設定上述路徑之中的預定的特定位置的上述排出量。
如請求項1的3D列印裝置，其中，進一步具備有：與上述控制裝置連接的形狀測量裝置； <br/> 上述控制裝置，預先藉由上述形狀測量裝置測量上述路徑的場所的形狀，從上述形狀測量裝置取得測量結果，根據所取得的上述測量結果來調整上述函數的係數，在調整上述係數後，開始進行上述無人機及上述排出裝置的動作。
如請求項1的3D列印裝置，其中，進一步具備有：與上述控制裝置連接的形狀測量裝置； <br/> 上述控制裝置，在上述路徑途中將上述無人機及上述排出裝置的動作中斷，藉由上述形狀測量裝置測量所堆積的上述流體的形狀，從上述形狀測量裝置取得測量結果，根據所取得的上述測量結果來調整上述函數的係數，在調整上述係數後，再開始進行上述無人機及上述排出裝置的動作。
如請求項3的3D列印裝置，其中，上述控制裝置，根據對象的3D形狀的設計資料來調整上述函數的係數。
如請求項1的3D列印裝置，其中，進一步具備有：與上述控制裝置連接的形狀測量裝置； <br/> 上述控制裝置，在形成了對象的3D形狀之後，藉由上述形狀測量裝置來測量所堆積的上述流體的形狀，從上述形狀測量裝置取得測量結果，將所取得的上述測量結果與對象的3D形狀的設計資料進行對照，在對照結果中所堆積的上述流體之中具有欠缺部分的情況，使上述無人機及上述排出裝置進行動作將流體排出到上述欠缺部分。
如請求項1或2的3D列印裝置，其中，進一步具備有：中介於上述無人機與上述排出裝置之間且用來調整上述排出裝置的姿勢的姿勢調整機構。
如請求項9的3D列印裝置，其中，上述姿勢調整機構，包含：將上述排出裝置相對於上述無人機可擺動地連接的支點。
如請求項1或2的3D列印裝置，其中，上述排出裝置包含：用來調整上述噴嘴的位置的噴嘴調整機構。
如請求項1或2的3D列印裝置，其中，上述排出裝置包含：相對於上述噴嘴朝上述無人機的移動方向突出的整平板。
如請求項1或2的3D列印裝置，其中，上述排出裝置包含：分配器主體、噴嘴座、噴嘴切換機構； <br/> 上述噴嘴座，用來保持複數的上述噴嘴，複數的上述噴嘴具有互相不同的形狀； <br/> 上述噴嘴切換機構，對於上述分配器主體使上述噴嘴座所保持的上述噴嘴的其中一個選擇性地連通。
如請求項1或2的3D列印裝置，其中，在上述無人機安裝複數的上述排出裝置。
如請求項1或2的3D列印裝置，其中，上述排出裝置包含分配器主體，上述分配器主體是容量式泵浦。
一種旋轉角度調整機構，用於兒童載具，所述兒童載具包括底座和可旋轉地設置於所述底座的座椅組件，其中所述旋轉角度調整機構包括：<br/> 限位件，設置於所述底座； <br/> 推動件，設置於所述座椅組件並且可隨所述座椅組件一起相對所述底座旋轉；以及<br/> 彈性復位件，適於為所述推動件提供彈性回復力以使所述推動件抵推所述限位件；<br/> 其中當所述座椅組件旋轉至使所述推動件位於特定角度範圍內時，所述限位件驅動所述推動件向預定方向的位置轉動，當所述推動件位於所述預定方向時，所述限位件能夠與所述推動件配合使所述推動件被限制在所述預定方向，從而使所述座椅組件被限制在預設的使用模式；<br/> 其中所述限位件設置有限位凹部和引導面，所述引導面限定所述特定角度範圍，所述限位凹部限定所述預定方向；<br/> 所述推動件具有卡合端，當所述推動件位於所述預定方向時，所述卡合端與所述限位凹部卡合；<br/> 所述推動件可移動地設置於所述座椅組件，並且設置有適於與所述引導面配合的推動面，當所述座椅組件旋轉至使所述推動面至少部分地與所述引導面接觸而位於所述特定角度範圍內時，所述推動件在所述彈性復位件的彈性回復力作用下，通過所述推動面與所述引導面的配合，使得所述推動件沿著所述引導面向所述限位凹部的方向轉動至所述預定方向並與所述限位凹部卡合；<br/> 所述推動件的數量為兩個，兩個推動件對稱地設置於所述座椅組件，所述彈性復位件的兩端分別與兩個所述推動件抵接。
如請求項1所述的旋轉角度調整機構，其中所述底座設置有插接孔，所述座椅組件包括座椅本體和固定蓋，所述固定蓋至少部分地容納於插接孔並且與所述座椅本體連接，使得所述座椅本體能夠與所述固定蓋一起相對於所述底座繞旋轉軸線旋轉，所述推動件設置於所述固定蓋；<br/> 其中所述固定蓋和所述推動件中之一者設置有行程槽，所述固定蓋和所述推動件中之另一者設置有限位凸，所述限位凸與所述行程槽插設配合以限制所述推動件的移動行程。
如請求項1所述的旋轉角度調整機構，其中所述推動件的移動方向垂直於所述座椅組件的旋轉軸線，並且所述推動件或所述推動件的延長線經過所述旋轉軸線。
如請求項1所述的旋轉角度調整機構，其中所述限位件還設置有：<br/> 緩坡面，所述緩坡面連接於所述引導面的遠離所述限位凹部的一側並且向所述引導面平緩過渡，當所述推動件與所述緩坡面接觸時，所述彈性復位件處於儲能狀態；以及<br/> 抬升面，所述抬升面使所述緩坡面平緩過渡到所述引導面，所述抬升面的兩側分別與所述緩坡面和所述引導面連接。
如請求項1所述的旋轉角度調整機構，其中所述限位件還設置有驅動面，所述驅動面和所述引導面分別設置於所述限位凹部的兩側，以使所述推動件能夠沿著所述驅動面退出所述限位凹部。
如請求項5所述的旋轉角度調整機構，其中所述驅動面和所述引導面對稱地設置於所述限位凹部的兩側。
如請求項1所述的旋轉角度調整機構，其中所述座椅組件相對於所述底座繞旋轉軸線可旋轉地設置，所述限位凹部具有向遠離所述旋轉軸線方向凸出的弧形面，所述推動件的所述卡合端設置有與所述限位凹部配合的圓弧段，使得所述卡合端既能與所述限位凹部卡合，又能在外力作用下沿圍繞所述旋轉軸線的周向退出所述限位凹部。
如請求項7所述的旋轉角度調整機構，其中所述推動面設置於所述圓弧段的至少一側。
如請求項1所述的旋轉角度調整機構，其中繞所述引導面是傾斜面或者弧形面並且向所述限位凹部平緩過渡。
一種兒童載具，包括：<br/> 座椅組件，所述座椅組件包括座椅本體和設置於所述座椅本體的緩衝體；<br/> 底座；以及<br/> 如請求項1-9中任一項所述的旋轉角度調整機構；<br/> 其中所述緩衝體包括多個緩衝塊，相鄰兩個所述緩衝塊之間形成緩衝間隙，所述座椅本體包括頭靠部和分別位於所述頭靠部兩側的側部，所述頭靠部和所述側部設置有所述緩衝體。
一種減速警示方法，包括：<br/> 準備一根反應電動輔助自行車（20）行駛速度的軸，該電動輔助自行車（20）於剎車操作時會亮剎車燈；<br/> 偵測該軸的轉速；<br/> 該軸轉速比對一個基準值，得到減速與否的結果；<br/> 結果為減速且剎車燈不亮時，該電動輔助自行車（20）產生對後方的警示效果。
如請求項1所述的減速警示方法，其中，該警示效果是光效與音效之一。
一種減速警示系統（40），包括：<br/> 一個警示單元（41），其裝在一輛於剎車操作會亮剎車燈的電動輔助自行車（20）；<br/> 至少一個感測單元（43），其裝在該電動輔助自行車（20），檢測一根反應該電動輔助自行車（20）行駛速度的軸的轉速；以及<br/> 一個控制器（44），其裝在該電動輔助自行車（20），該控制器（44）電性連接該警示單元（41）與該感測單元（43），於剎車燈不亮時，該控制器（44）接收減速結果，並操作該警示單元（41）產生對後方的警示效果。
如請求項3所述的減速警示系統（40），其中，該感測單元（43）是電容式壓力感測器、電阻式壓力感測器與電壓式壓力感測器之一。
一種電動輔助自行車（20），包括：<br/> 一個配置於請求項3所述電動輔助自行車的車架（21）；<br/> 一個五通管（29），其設在該車架（21）；<br/> 一根中軸（25），其穿過該五通管（29），該中軸（25）反應該電動輔助自行車的行駛速度；<br/> 二個軸承（32），該軸承（32）在該中軸（25）與該五通管（29）之間；以及<br/> 一個如請求項3所述的減速警示系統（40），該感測單元（43）附著該軸承（32）外表而能偵測該中軸（25）的轉速，該控制器（44）裝在該五通管（29）接收該感測單元（43）的訊息，並於剎車燈不亮時，以該警示單元（41）裝在該車架（21）產生對後方的警示效果。
一種積體電路封裝組件，包括：<br/> 一印刷電路板；<br/> 一封裝積體電路結構，架設在該印刷電路板的一頂表面上；<br/> 一散熱器結構，設置在該封裝積體電路結構上方；以及<br/> 一背板，固定（secure）在該印刷電路板的一底表面上，其中該背板包括一基部以及一突出部（protruding portion），其中該突出部從該基部突出，且該印刷電路板的一部分位於該封裝積體電路結構之下，<br/> 其中該突出部的一橫向寬度小於該基部的一橫向寬度，<br/> 其中該封裝積體電路結構包括：<br/> 一晶粒；<br/> 一熱界面材料層，設置在該晶粒的一頂表面上；以及<br/> 一金屬蓋件，設置在該熱界面材料層的一頂表面上，其中該突出部被配置用以在該印刷電路板的一背側上產生一預壓力（pre-pressure force），且該預壓力被傳遞到該晶粒的一投影區域。
如請求項1之積體電路封裝組件，其中該預壓力將該晶粒往該金屬蓋件擠壓（squeeze），使得該熱界面材料層實質上不含空氣間隙以及分層（delamination）。
如請求項1之積體電路封裝組件，更包括：<br/> 複數個固定器（fastener），將該散熱器結構固定到該背板，其中該些固定器藉由螺栓固定（being bolted）在該背板的一頂表面上以將一機械壓力施加到該封裝積體電路結構上。
如請求項3之積體電路封裝組件，其中所施加的該機械壓力大約等於10至50磅/平方英吋（psi）。
如請求項1之積體電路封裝組件，其中該背板的該突出部為一片彈簧手臂（leaf spring arm）、複數個柱墩（stub）或複數個彈簧。
一種積體電路封裝組件，包括：<br/> 一封裝基板；<br/> 一晶粒，位於該封裝基板上方；<br/> 一第一熱界面材料層，位於該晶粒上方；<br/> 一金屬蓋件，位於該第一熱界面材料層上方；<br/> 一第二熱界面材料層，位於該金屬蓋件上方；<br/> 一散熱器結構，位於該第二熱界面材料層上方；以及<br/> 一背板，位於該封裝基板下方，其中該背板包括一基部、一突出部（protruding portion）以及介於該突出部與該封裝基板之間的一彈性墊（elastomer pad），其中該突出部從該基部突出，其中該突出部位於該晶粒之下。
如請求項6之積體電路封裝組件，其中該基部跨距（span）一第一寬度，該突出部跨距一第二寬度，且該第二寬度對該第一寬度的比例在大約0.8至大約1.2的範圍。
如請求項7之積體電路封裝組件，其中該突出部與該晶粒的整個寬度垂直重疊。
如請求項7之積體電路封裝組件，其中該突出部包括複數個突出部件，且該些突出部件中的每一個彼此間隔開。
一種積體電路封裝組件，包括：<br/> 一封裝基板；<br/> 一晶粒，位於該封裝基板上方；<br/> 複數個表面架設（surface mount, SMT）元件，架設在該封裝基板的一背側上；以及<br/> 一背板，位於該封裝基板下方，其中該背板包括一基部以及一突出部（protruding portion），其中該突出部從該基部突出且擠壓該封裝基板的一背側，其中該突出部位於該晶粒之下且在不接觸該些表面架設元件的情況下擠壓該封裝基板的該背側。
如請求項10之積體電路封裝組件，其中該突出部著落在（land）該些表面架設元件之間。
一種元件結構，包括：<br/> 第一金屬內連線結構，形成於第一介電材料層中；<br/> 蝕刻停止介電層，覆蓋於所述第一介電材料層上方且具有開口，所述開口沿第一水平方向具有第一寬度；<br/> 電阻式記憶單元，包括底電極、記憶材料層和頂電極的堆疊，其中所述底電極包括覆蓋於所述蝕刻停止介電層上方的板部分以及位於所述蝕刻停止介電層的所述開口內的通孔部分，所述記憶材料層覆蓋於所述底電極上方，且所述頂電極覆蓋於所述記憶材料層上方；<br/> 硬遮罩板，覆蓋於所述頂電極上方，其中所述硬遮罩板的頂表面的週邊沿所述第一水平方向具有第二寬度，其大於所述第一寬度；<br/> 頂電極接觸結構，接觸所述頂電極的頂表面，其中所述頂電極接觸結構的底表面沿所述第一水平方向具有第三寬度，其小於所述第二寬度且大於所述第一寬度；以及<br/> 介電的硬遮罩凹坑填充材料部分，位於所述頂電極的所述頂表面的凹坑中，接觸所述頂電極的所述頂表面的凹坑形狀分段，並位於所述頂電極接觸結構的所述底表面下方。
如請求項1所述的元件結構，更包括：<br/> 記憶級介電層，側向環繞所述底電極、所述記憶材料層和所述頂電極，其中所述頂電極接觸結構垂直延伸穿過所述記憶級介電層的上部分以接觸所述頂電極的所述頂表面。
如請求項1所述的元件結構，其中一錐表面從所述硬遮罩板的所述頂表面的週邊直接延伸至少到所述底電極的頂表面，且相對於垂直方向形成錐角，所述錐角在5度到20度的範圍內。
如請求項3所述的元件結構，更包括介電間隔件，接觸所述錐表面的全部並側向環繞所述頂電極和所述記憶材料層。
如請求項1所述的元件結構，其中：<br/> 所述蝕刻停止介電層中的所述開口具有圓形、橢圓形或圓角矩形的形狀；且<br/> 所述第一寬度是直徑、短軸或一對平行分段之間的距離。
如請求項1所述的元件結構，其中：<br/> 所述記憶材料層被配置為提供至少兩種具有不同電阻的狀態；且<br/> 所述蝕刻停止介電層包括：<br/> 環形部分，側向環繞所述開口且具有第一厚度；以及<br/> 平面層部分，具有第二厚度，所述第二厚度小於所述第一厚度，且所述平面層部分藉由所述環形部分與所述開口側向間隔。
一種元件結構，包括：<br/> 蝕刻停止介電層，包括：<br/> 環形部分，具有第一厚度且包括貫穿其中的開口；以及<br/> 平面層部分，具有第二厚度，所述第二厚度小於所述第一厚度，且所述平面層部分藉由所述環形部分與所述開口側向間隔，其中所述開口沿第一水平方向具有一第一寬度；<br/> 電阻式記憶單元，包括底電極、記憶材料層和頂電極的堆疊，所述底電極包括通孔部分，其垂直地向下延伸進入所述蝕刻停止介電層中的所述開口；<br/> 硬遮罩板，覆蓋所述頂電極；<br/> 頂電極接觸結構，接觸所述頂電極的頂表面；以及<br/> 介電的硬遮罩凹坑填充材料部分，位於所述頂電極的所述頂表面的凹坑中，接觸所述頂電極的所述頂表面的凹坑形狀分段，並位於所述頂電極接觸結構的底表面下方，<br/> 其中所述硬遮罩板的頂表面的週邊沿所述第一水平方向具有第二寬度，所述第二寬度大於所述第一寬度，<br/> 其中一錐表面從所述硬遮罩板的所述頂表面的週邊直接延伸至少到所述底電極的頂表面，且相對於垂直方向形成錐角，<br/> 其中所述頂電極接觸結構的所述底表面沿所述第一水平方向具有第三寬度，其小於所述第二寬度且大於所述第一寬度。
如請求項7所述的元件結構，更包括介電蓋層，其：<br/> 側向地環繞所述電阻式記憶單元，<br/> 接觸所述蝕刻停止介電層的圓柱形側壁，所述圓柱形側壁連接所述蝕刻停止介電層的所述環形部分的頂表面的週邊和所述蝕刻停止介電層的所述平面層部分的頂表面的週邊，<br/> 接觸所述底電極的側壁，且<br/> 接觸所述硬遮罩板的所述頂表面。
如請求項7所述的元件結構，其中：<br/> 所述錐角在5度至20度的範圍內；且<br/> 所述底電極的所述頂表面包括環形頂表面分段和中央凹陷水平表面分段，其位於所述記憶材料層的向下突出部分下方，其中所述中央凹陷水平表面分段沿所述第一水平方向的側向延伸小於所述第一寬度。
一種形成元件結構的方法，包括：<br/> 在第一介電材料層中形成的第一金屬內連線結構上方形成蝕刻停止介電層；<br/> 形成開口，其沿第一水平方向具有第一寬度且穿過所述蝕刻停止介電層；<br/> 在所述蝕刻停止介電層上方形成層堆疊，其包括底電極材料層、連續記憶材料層、頂電極材料層以及介電的硬遮罩材料層；<br/> 在所述層堆疊上方形成圖案化光阻材料部分，以使所述圖案化光阻材料部分沿所述第一水平方向具有第二寬度，所述第二寬度大於所述第一寬度；<br/> 使用所述圖案化光阻材料部分作為蝕刻遮罩，以將所述硬遮罩材料層圖案化成硬遮罩板和硬遮罩凹坑填充材料部分；<br/> 將所述頂電極材料層、所述連續記憶材料層和所述底電極材料層圖案化成電阻式記憶單元，其包括頂電極、記憶材料層和底電極；以及<br/> 在所述頂電極上形成接觸所述頂電極的頂電極接觸結構，其中所述頂電極接觸結構的底表面沿所述第一水平方向具有第三寬度，且所述第三寬度小於所述第二寬度且大於所述第一寬度，其中所述硬遮罩凹坑填充材料部分位於所述頂電極的頂表面的凹坑中，接觸所述頂電極的所述頂表面的凹坑形狀分段，並位於所述頂電極接觸結構的所述底表面下方。
一種晶圓處理方法，為將上面形成有矽製的膜之半導體晶圓配置於處理室內而處理前述矽製的膜之晶圓處理方法，其特徵為具備： <br/> 對被形成於該矽製的膜的表面之氧化膜供給氫、氮及氟的氣體的粒子而形成第1改質層之工序； <br/> 加熱前述第1改質層而使脫離的第1脫離工序； <br/> 在前述第1脫離工序之後對前述矽製的膜供給氯的氣體的粒子而形成具有自飽和性的第2改質層之工序；及 <br/> 在形成前述第2改質層的工序之後，加熱前述第2改質層而使脫離的第2脫離工序。
如請求項1記載的晶圓處理方法，其中，以包括形成前述第2改質層的工序及前述第2脫離工序之複數的工序作為1個的循環，進行複數次該循環而處理前述矽製的膜。
如請求項1或2記載的晶圓處理方法，其中，在前述第1或第2脫離工序中，將電磁波照射至前述處理室內而進行前述加熱。
如請求項1或2記載的晶圓處理方法，其中，在前述第1脫離工序中，將前述矽製的膜加熱至150℃以上。
如請求項1或2記載的晶圓處理方法，其中，前述第1改質層含有氟矽酸銨。
如請求項1或2記載的晶圓處理方法，其中，在前述第1脫離工序之後的前述矽製的膜表面形成附著有前述氫、氮或氟的粒子之層。
如請求項1或2記載的晶圓處理方法，其中，在形成前述第1改質層的工序與第1脫離工序之間，或形成前述第2改質層的工序與前述第2脫離工序之間，具備將前述處理室內部排氣而降低壓力的淨化工序。
一種晶圓處理方法，為將形成有矽製的膜之半導體晶圓配置於處理室內而處理前述矽製的膜之晶圓處理方法，其特徵為具備： <br/> 對前述矽製的膜供給氫、氮及氟的氣體的粒子而形成第1改質層之工序； <br/> 對前述第1改質層供給氯的氣體的粒子而形成第2改質層之工序；及 <br/> 加熱前述第2改質層而使脫離的第2脫離工序。
如請求項8記載的晶圓處理方法，其中，以包括形成前述第2改質層的工序及前述第2脫離工序之複數的工序作為1個的循環，進行複數次該循環而處理前述矽製的膜。
如請求項8或9記載的晶圓處理方法，其中，在形成前述第1改質層的工序與形成第2改質層的工序之間，或形成前述第2改質層的工序與前述脫離工序之間，具備將前述處理室內部排氣而降低壓力的淨化工序。
一種晶圓處理系統，為將上面形成有矽製的膜之半導體晶圓配置於處理室內而處理前述矽製的膜之晶圓處理系統，其特徵為具有： <br/> 蝕刻處理裝置； <br/> 處理器；及 <br/> 具有程式的記憶體， <br/> 前述程式是被構成為藉由前述處理器來實行而使如請求項1記載的晶圓處理方法實行於前述蝕刻處理裝置。
一種資訊處理裝置，包含 <br/>硬體處理器，其連接到記憶體並配置成： <br/>將第一類型轉移函數波形中包括的第一類型波峰的頻率識別為結構的部件的諧振頻率，所述第一類型轉移函數波形表示輸出振動的振幅和頻率之間的關係，所述輸出振動在所述結構受到掃描激勵時在所述結構的所述部件中發生；以及 <br/>計算振動傳播路徑，當施加到所述結構時，具有所述諧振頻率的輸入振動沿著所述振動傳播路徑傳播，所述振動傳播路徑係基於第二類型轉移函數波形中包括的第二類型波峰的頻率和半寬度來計算，所述第二類型轉移函數波形表示輸出振動的振幅和頻率之間的關係，所述輸出振動在所述輸入振動施加到所述結構預定的激振持續時間時在所述結構的所述部件的至少一部分中發生。
如請求項1的資訊處理裝置，其中所述硬體處理器係配置成基於根據安裝在所述部件的所述部分的振動檢測器檢測到的振動加速度計算出的所述第二類型轉移函數波形來進行所述振動傳播路徑的計算。
如請求項2的資訊處理裝置，其中所述硬體處理器係配置成 <br/>認知到，作為部件的諧振頻率的所述第二類型波峰的頻率的半寬度越小，從所述振動檢測器到所述部件的振動的傳播距離越短，以及 <br/>計算透過連接其諧振頻率等於具有較小半寬度的所述第二類型波峰的頻率的部件和其諧振頻率等於具有較大半寬度的所述第二類型波峰的頻率的另一個部件而獲得的傳播路徑，作為所述振動傳播路徑。
如請求項1的資訊處理裝置，其中所述激振持續時間等於或大於所述第二類型轉移函數波形中所包括的所述第二類型波峰的數量由於輸入振動的激振週期的流逝而增加並開始飽和的時間段，所述第二類型轉移函數波形係在具有所述諧振頻率的輸入振動施加到所述結構時測量。
如請求項1的資訊處理裝置，其中所述硬體處理器係配置成基於由安裝在彼此不同的所述部件中的振動檢測器檢測到的多種類型的所述第二類型轉移函數波形來進行所述振動傳播路徑的所述計算。
如請求項1的資訊處理裝置，其中所述硬體處理器係配置成基於包括在所述第二類型轉移函數波形中的所述第二類型波峰來進行所述振動傳播路徑的所述計算，所述第二類型轉移函數波形係透過在所述激振持續時間內向所述結構施加具有振幅小於所述結構的所述部件的振幅影響函數的所述諧振頻率的輸入振動而獲得的。
如請求項6的資訊處理裝置，其中所述硬體處理器係配置成基於包括在多種類型的所述第二類型轉移函數波形中的每一種中的所述第二類型波峰來進行所述振動傳播路徑的所述計算，所述多種類型的所述第二類型轉移函數波形係透過在所述激振持續時間內向所述結構施加多種類型的振幅各自小於所述部件的所述振幅影響函數的所述諧振頻率的輸入振動而獲得的。
一種由電腦實現的資訊處理方法，所述方法包含： <br/>將第一類型轉移函數波形中包括的第一類型波峰的頻率識別為結構的部件的諧振頻率，所述第一類型轉移函數波形表示輸出振動的振幅和頻率之間的關係，所述輸出振動在所述結構受到掃描激勵時在所述結構的所述部件中發生；以及 <br/>計算振動傳播路徑，當施加到所述結構時，具有所述諧振頻率的輸入振動沿著所述振動傳播路徑傳播，所述振動傳播路徑係基於第二類型轉移函數波形中包括的第二類型波峰的頻率和半寬度來計算，所述第二類型轉移函數波形表示輸出振動的振幅和頻率之間的關係，所述輸出振動在所述輸入振動施加到所述結構預定的激振持續時間時在所述結構的所述部件的至少一部分中發生。
一種包含非暫態電腦可讀取記錄媒體的電腦程式產品，在所述非暫態電腦可讀取記錄媒體上記錄有可由電腦執行的程式，所述程式指示所述電腦用以： <br/>將第一類型轉移函數波形中包括的第一類型波峰的頻率識別為結構的部件的諧振頻率，所述第一類型轉移函數波形表示輸出振動的振幅和頻率之間的關係，所述輸出振動在所述結構受到掃描激勵時在所述結構的所述部件中發生；以及 <br/>計算振動傳播路徑，當施加到所述結構時，具有所述諧振頻率的輸入振動沿著所述振動傳播路徑傳播，所述振動傳播路徑係基於第二類型轉移函數波形中包括的第二類型波峰的頻率和半寬度來計算，所述第二類型轉移函數波形表示輸出振動的振幅和頻率之間的關係，所述輸出振動在所述輸入振動施加到所述結構預定的激振持續時間時在所述結構的所述部件的至少一部分中發生。
一種Al連接材料，其含有3.0質量%以上且12.0質量%以下之Si，剩餘部分包含Al及不可避免之雜質， <br/>測定該Al連接材料之L剖面(包含中心軸之中心軸方向之剖面)中之Al相之結晶方位時，相對於中心軸方向之角度差為15°以下之＜111＞結晶方位與＜110＞結晶方位之方位比率之總計為20%以上且70%以下，其中該方位比率之總計為25%以下時，相對於中心軸方向之角度差為15°以下之＜110＞結晶方位之方位比率為5%以上， <br/>測定該Al連接材料之L剖面中之Si相之結晶方位時，相對於中心軸方向之角度差為15°以下之＜111＞結晶方位與＜110＞結晶方位之方位比率之總計為20%以上且70%以下。
一種Al連接材料，其含有3.0質量%以上且12.0質量%以下之Si， <br/>進而總計含有850質量ppm以下之Sr、Ca、Eu、Sb中之任一種以上， <br/>剩餘部分包含Al及不可避免之雜質， <br/>測定該Al連接材料之L剖面(包含中心軸之中心軸方向之剖面)中之Al相之結晶方位時，相對於中心軸方向之角度差為15°以下之＜111＞結晶方位與＜110＞結晶方位之方位比率之總計為20%以上且70%以下，其中該方位比率之總計為25%以下時，相對於中心軸方向之角度差為15°以下之＜110＞結晶方位之方位比率為5%以上， <br/>測定該Al連接材料之L剖面中之Si相之結晶方位時，相對於中心軸方向之角度差為15°以下之＜111＞結晶方位與＜110＞結晶方位之方位比率之總計為20%以上且70%以下。
一種Al連接材料，其含有3.0質量%以上且12.0質量%以下之Si， <br/>進而總計含有600質量ppm以下之Ni、Mg、Fe、In中之任一種以上， <br/>剩餘部分包含Al及不可避免之雜質， <br/>測定該Al連接材料之L剖面(包含中心軸之中心軸方向之剖面)中之Al相之結晶方位時，相對於中心軸方向之角度差為15°以下之＜111＞結晶方位與＜110＞結晶方位之方位比率之總計為20%以上且70%以下，其中該方位比率之總計為25%以下時，相對於中心軸方向之角度差為15°以下之＜110＞結晶方位之方位比率為5%以上， <br/>測定該Al連接材料之L剖面中之Si相之結晶方位時，相對於中心軸方向之角度差為15°以下之＜111＞結晶方位與＜110＞結晶方位之方位比率之總計為20%以上且70%以下。
一種Al連接材料，其含有3.0質量%以上且12.0質量%以下之Si， <br/>進而總計含有850質量ppm以下之Sr、Ca、Eu、Sb中之任一種以上， <br/>進而總計含有600質量ppm以下之Ni、Mg、Fe、In中之任一種以上， <br/>剩餘部分包含Al及不可避免之雜質， <br/>測定該Al連接材料之L剖面(包含中心軸之中心軸方向之剖面)中之Al相之結晶方位時，相對於中心軸方向之角度差為15°以下之＜111＞結晶方位與＜110＞結晶方位之方位比率之總計為20%以上且70%以下，其中該方位比率之總計為25%以下時，相對於中心軸方向之角度差為15°以下之＜110＞結晶方位之方位比率為5%以上， <br/>測定該Al連接材料之L剖面中之Si相之結晶方位時，相對於中心軸方向之角度差為15°以下之＜111＞結晶方位與＜110＞結晶方位之方位比率之總計為20%以上且70%以下。
一種半導體裝置用之Al連接材料，其含有3.0質量%以上且12.0質量%以下之Si， <br/>測定該Al連接材料之L剖面(包含中心軸之中心軸方向之剖面)中之Al相之結晶方位時，相對於中心軸方向之角度差為15°以下之＜111＞結晶方位與＜110＞結晶方位之方位比率之總計為20%以上且70%以下，其中該方位比率之總計為25%以下時，相對於中心軸方向之角度差為15°以下之＜110＞結晶方位之方位比率為5%以上， <br/>測定該Al連接材料之L剖面中之Si相之結晶方位時，相對於中心軸方向之角度差為15°以下之＜111＞結晶方位與＜110＞結晶方位之方位比率之總計為20%以上且70%以下。
如請求項1至5中任一項之Al連接材料，其中關於L剖面中之Al相之結晶方位，相對於中心軸方向之角度差為15°以下之＜110＞結晶方位之方位比率為5%以上且40%以下。
如請求項1至5中任一項之Al連接材料，其中L剖面中之Al相之平均直徑為5 μm以上且40 μm以下。
如請求項1至5中任一項之Al連接材料，其中L剖面中之Si相之短邊長度e與長邊長度f之比率(e/f)的平均值為0.2以上且0.7以下。
如請求項2或4之Al連接材料，其中Sr、Ca、Eu、Sb之總計濃度為10質量ppm以上。
如請求項5之Al連接材料，其進而總計含有10質量ppm以上且800質量ppm以下之Sr、Ca、Eu、Sb中之任一種以上。
如請求項3或4之Al連接材料，其中Ni、Mg、Fe、In之總計濃度為10質量ppm以上。
如請求項5之Al連接材料，其進而總計含有10質量ppm以上且500質量ppm以下之Ni、Mg、Fe、In中之任一種以上。
如請求項10之Al連接材料，其進而總計含有10質量ppm以上且500質量ppm以下之Ni、Mg、Fe、In中之任一種以上。
如請求項5、10、12、13中任一項之Al連接材料，其中Al連接材料中之Al、Si、Sr、Ca、Eu、Sb、Ni、Mg、Fe及In以外之元素之總計濃度為0.5質量%以下。
一種發光二極體控制系統，包含：<br/> 一發光二極體陣列，由複數發光二極體通道組成，每一發光二極體通道包含複數發光二極體；<br/> 複數發光二極體驅動器，依序連接以分別驅動相應發光二極體通道，該複數發光二極體通道依序受控於該複數發光二極體驅動器；及<br/> 一發光二極體控制器，用以發送亮度資料至該複數發光二極體驅動器，藉以控制該複數發光二極體的亮度；<br/> 其中於亮度輸入資料傳輸至相關發光二極體驅動器之後，亮度輸入資料被替換為相關發光二極體驅動器的狀態資料，其經由其他發光二極體驅動器而最終被該發光二極體控制器讀取；<br/> 其中每一個發光二極體驅動器於替換相應狀態資料後，連同其餘通道的亮度資料繼續傳送給下一個發光二極體驅動器。
如請求項1之發光二極體控制系統，其中該複數發光二極體通道依序受控於菊花鏈連結的該複數發光二極體驅動器。
如請求項1之發光二極體控制系統，更包含一時序控制器，其包含該發光二極體控制器。
如請求項1之發光二極體控制系統，其中該發光二極體控制器與該發光二極體驅動器之間使用同步串列通訊介面，作為發光二極體驅動器介面。
如請求項4之發光二極體控制系統，其中該同步串列通訊介面包含串列週邊介面。
如請求項1之發光二極體控制系統，其中每一個發光二極體驅動器自前一個發光二極體驅動器接收亮度輸入資料且每一個發光二極體驅動器發送亮度輸出資料至下一個發光二極體驅動器，然而第一個發光二極體驅動器自該發光二極體控制器接收亮度輸入資料且最後一個發光二極體驅動器發送亮度輸出資料回到該發光二極體控制器。
如請求項1之發光二極體控制系統，其中該狀態資料包含錯誤狀態。
如請求項1之發光二極體控制系統，其中該替換狀態資料最終被該發光二極體控制器讀取，無需使用額外的狀態讀取命令。
如請求項1之發光二極體控制系統，其中該亮度輸入資料每隔幾個訊框被替換為狀態資料。
如請求項9之發光二極體控制系統，其中當訊框未替換為狀態資料時，則使用空命令，其將資料改為0。
如請求項1之發光二極體控制系統，其中該亮度資料包含脈寬調變工作週期。
一種封閉式冷卻油液浸没式冷卻系統，包括：一第一熱交換箱，為圓筒狀，該第一熱交換箱具有一第一冷卻油液進口及一第一冷卻油液出口，該第一冷卻油液進口以其軸線沿著該第一熱交換箱的圓弧形側壁的切線方向形成，並且該第一冷卻油液出口以其軸線垂直於該圓弧形側壁的方向形成，該圓筒狀的圓心形成有一主軸孔；一第二熱交換箱，用於容納一冷卻油液，該第二熱交換箱具有一第二冷卻油液進口及一第二冷卻油液出口，該第二冷卻油液進口與該第一冷卻油液出口以一第一管路連接，該第二冷卻油液出口與該第一冷卻油液進口以一第二管路連接，並且在該第二管路設有一泵浦；以及一冷凍機，連接有一冷媒管，該冷媒管延伸進入該第二熱交換箱內並且浸没於該冷卻油液中；其中，該冷凍機將冷媒通過該冷媒管循環流動，使降溫後的冷媒藉由該冷媒管和該第二熱交換箱中的該冷卻油液進行熱交換，降溫後的該冷卻油液由該泵浦抽取並經由該第二管路進入該第一熱交換箱，以和該發熱體進行熱交換吸收熱量，升高溫度後的該冷卻油液則通過該第一管路回流至該第二熱交換箱內再進行熱交換以降低溫度，如此循環不已地運行；以及其中，該第一熱交換箱用以容納一磁浮式發電裝置的一發電機，並且該發電機的線圈完全浸没在該第一熱交換箱中的該冷卻油液中，該發電機的一主軸穿過該主軸孔。
如請求項1所述之封閉式冷卻油液浸没式冷卻系統，其中，該冷卻油液為不導電之冷卻油液。
一種用於支撐一光罩之基板，該基板包括： <br/>一水平基板表面， <br/>一孔口，其垂直穿過該板定位，該孔口包括形成於一垂直孔口側壁與該基板表面之間的一孔口邊緣結構， <br/>一光罩支撐件，其位於該孔口內，該光罩支撐件包括： <br/>一光罩支撐件主體，其接合該孔口側壁， <br/>一上光罩支撐件表面，其位於該水平板表面上面且經調適以支撐該基板表面上面之一光罩，以及 <br/>一光罩支撐件邊緣結構，其形成於該光罩支撐件主體與該光罩支撐件表面之間， <br/>其中： <br/>該孔口邊緣結構包括一低反射表面，該低反射表面包括：一斜角、小於0.3毫米之一曲率半徑、具有比上基板表面之一光譜反射率低至少10%之一光譜反射率之一表面或此等之一組合； <br/>該光罩支撐件邊緣結構包括一低反射表面，該低反射表面包括：一斜角、小於0.3毫米之一曲率半徑、具有比該上基板表面之一光譜反射率低至少10%之一光譜反射率之一表面或此等之一組合；或者 <br/>至少一個光屏幕，其定位於該基板表面上，其中該至少一個光屏幕不透射光且防止光到達該孔口邊緣結構或該光罩支撐件邊緣結構。
如請求項1之基板，其中該孔口邊緣結構包括具有比該上基板表面之該光譜反射率低至少50%之一光譜反射率之一低反射塗層。
如請求項1之基板，其中該孔口邊緣結構包括藉由選自以下各項之一處理形成之一具紋理之表面：化學蝕刻、雷射造紋、雷射剝蝕或機械磨蝕。
如請求項1之基板，其中該光罩支撐件邊緣結構包括具有比該上基板表面之該光譜反射率低至少50%之一光譜反射率之一低反射塗層。
如請求項1之基板，其中該光罩支撐件邊緣結構包括藉由選自以下各項之一處理形成之一具紋理之表面：化學蝕刻、雷射造紋、雷射剝蝕或機械磨蝕。
如請求項1之基板，其進一步包括支撐於該基板上表面處之一光罩。
如請求項1之基板，其中該孔口邊緣結構之該斜角在15度及75度之範圍之外成角度。
如請求項1之基板，其中該光罩邊緣結構之該斜角在15度及75度之範圍之外成角度。
如請求項1之基板，其中該孔口邊緣結構之該斜角之一下邊緣位於相對於該光罩支撐件邊緣結構較低之一位置中，使得該光罩支撐件邊緣結構將該孔口邊緣結構之該斜角之一下邊緣屏蔽以免受光影響。
如請求項1之基板，其中該光罩支撐件邊緣結構之該斜角之一下邊緣位於相對於該基板較低之一位置中，使得該基板將該光罩支撐件邊緣結構之該斜角之一下邊緣屏蔽以免受光影響。
一種光罩後側檢驗裝置，其包括： <br/>一真空室，其包括一內部， <br/>如請求項1之一基板，其位於該內部處， <br/>一照明器，其能夠將光朝向該基板引導，以及 <br/>一攝影機，其經調適以偵測由支撐於基板上表面上之一光罩之一後側表面上的顆粒重新引導之光。
一種使用如請求項11之一光罩後側檢驗裝置之方法，該方法包括： <br/>在基板上表面處支撐一光罩； <br/>將來自照明器之光朝向該光罩引導； <br/>使用攝影機來偵測由該光罩之一表面處之顆粒反射之光。
如請求項12之方法，其包括使用由該攝影機偵測之該光來判定該光罩表面處之顆粒量。
一種光罩後側檢驗裝置，其包括： <br/>一真空室，其包括一內部， <br/>一基板，其具有一上表面及一邊緣結構， <br/>一照明器，其能夠將光引導至該基板上表面上，以及 <br/>一攝影機， <br/>其中該基板包括： <br/>一水平上基板表面， <br/>一孔口，其垂直穿過該板定位，該孔口包括形成於一垂直孔口側壁與該上基板表面之間的一孔口邊緣結構， <br/>一光罩支撐件，其位於該孔口內，該光罩支撐件包括： <br/>一光罩支撐件主體，其接合該孔口側壁， <br/>一上光罩支撐件表面，其位於該水平板上表面上面且經調適以支撐該上基板表面上面之一光罩，以及 <br/>一光罩支撐件邊緣結構，其形成於該光罩支撐件主體與該上光罩支撐件表面之間， <br/>且其中： <br/>該孔口邊緣結構包括一低反射表面，該低反射表面包括：一斜角、小於0.3毫米之一曲率半徑、在由該照明器發射之光之一波長下具有小於60%之一光譜反射率的一表面或此等之一組合； <br/>該光罩支撐件邊緣結構包括一低反射表面，該低反射表面包括：一斜角、小於0.3毫米之一曲率半徑、在由該照明器發射之光之一波長下具有小於60%之一光譜反射率的一表面或此等之一組合；或者 <br/>至少一個光屏幕，其定位於該基板表面上，其中該至少一個光屏幕不透射光且防止光到達該孔口邊緣結構或該光罩支撐件邊緣結構。
如請求項14之檢驗裝置，其中該孔口邊緣結構包括在由該照明器發射之光之一波長下具有小於50%之一光譜反射率的一低反射塗層。
如請求項14之檢驗裝置，其中該孔口邊緣結構包括藉由選自以下各項之一處理形成之一具紋理之表面：化學蝕刻、雷射造紋、雷射剝蝕或機械磨蝕。
如請求項14之檢驗裝置，其中該光罩支撐件邊緣結構包括在由該照明器發射之光之一波長下具有小於50%之一光譜反射率的一低反射塗層。
如請求項14之檢驗裝置，其中該光罩支撐件邊緣結構包括藉由選自以下各項之一處理形成之一具紋理之表面：化學蝕刻、雷射造紋、雷射剝蝕或機械磨蝕。
一種用於支撐一光罩之基板，該基板包括： <br/>(a)一水平基板表面， <br/>(b)一光罩支撐件，其位於該水平基板表面上，該光罩支撐件具有： <br/>(i)一基座，以及 <br/>(ii)一支撐結構，其自該基座延伸，該支撐結構具有一邊緣結構及位於該光罩支撐件結構之一遠端上之至少一個光罩接觸特徵，其中該基座包含(1)緊固件，其用以將該基座保持在該水平基板表面上，且其中該等緊固件凹入至一埋頭孔中，從而將該等邊緣遮掩以免受淺角度的光影響，或者(2)該緊固件或該邊緣結構包括一低反射表面，該低反射表面包括：一斜角、小於0.3毫米之一曲率半徑、具有比上基板表面之一光譜反射率低至少10%之一光譜反射率之一表面或其之一組合。
如請求項19之基板，其中該邊緣結構包括藉由選自以下各項之一處理形成之一具紋理之表面：化學蝕刻、雷射造紋、雷射剝蝕或機械磨蝕。
一種基於影像分析的設備前端模組，連接外部的一收納裝置，該設備前端模組包括：<br/> 一移載裝置，用於移載該收納裝置內的一待測物；<br/> 一校準載台，承載並校準該待測物；<br/> 一影像擷取裝置，拍攝該待測物以取得一待測物影像；以及<br/> 一影像處理裝置，連接至該影像擷取裝置，以獲取該待測物影像，並基於該待測物影像獲得一檢測數據及/或一量測數據；<br/> 其中，該影像處理裝置獲得該檢測數據及/或該量測數據後，該移載裝置移載該待測物至外部的一後端製造設備。
如請求項1所述的基於影像分析的設備前端模組，其中，該影像擷取裝置設置於該校準載台上。
如請求項1所述的基於影像分析的設備前端模組，其中，該校準載台承載並移動該待測物至一取像區，該影像擷取裝置設置於該取像區的一側。
如請求項1所述的基於影像分析的設備前端模組，其中，該移載裝置移載該待測物至一取像區，該影像擷取裝置設置於該取像區的一側，拍攝承載於該移載裝置上的該待測物。
如請求項1所述的基於影像分析的設備前端模組，其中，該移載裝置移載該待測物至一取像區，該取像區內設置一檢測載台，該檢測載台承載該待測物，該影像擷取裝置設置於該檢測載台的一側，拍攝承載於該檢測載台上的該待測物。
如請求項1所述的基於影像分析的設備前端模組，其中，該移載裝置係為一多軸機械手臂，該多軸機械手臂的前端設置有用於叉取該待測物的牙叉。
如請求項1所述的基於影像分析的設備前端模組，其中，該待測物係為一晶圓。
如請求項1所述的基於影像分析的設備前端模組，其中，一取像區係設置有一光源裝置，用以對該待測物提供照明。
如請求項1所述的基於影像分析的設備前端模組，其中，該影像擷取裝置拍攝該待測物的表面，進行該待測物表面的檢測或量測作業。
如請求項1所述的基於影像分析的設備前端模組，其中，該檢測數據包括該待測物的金屬變色、料件表面變色、黑線、積墨、漏底材、亮點、花斑、髒污、刮傷或其他任意形式的瑕疵的相關數據。
如請求項1所述的基於影像分析的設備前端模組，其中，該量測數據包括該待測物上任意線路或特徵的二維尺寸。
如請求項1所述的基於影像分析的設備前端模組，其中，更包含一入料埠，被配置適於連接該收納裝置。
如請求項1所述的基於影像分析的設備前端模組，其中，該收納裝置包含一晶圓傳送盒(FOUP)。
一種設備前端檢測方法，包含以下步驟：<br/> 自一收納裝置取得並移動一待測物；<br/> 進行該待測物的校準程序；<br/> 拍攝該待測物並獲得一待測物影像；以及<br/> 基於該待測物影像獲得一檢測數據及/或一量測數據；<br/> 其中，於獲得該檢測數據及/或該量測數據後，移載該待測物至外部的一後端製造設備。
如請求項14所述的設備前端檢測方法，其中，該待測物的拍攝係於該待測物被放置於一校準載台上後進行。
如請求項14所述的設備前端檢測方法，其中，該待測物被放置於一校準載台後，被該校準載台移動至一取像區進行該待測物的拍攝。
如請求項14所述的設備前端檢測方法，其中，該待測物被一移載裝置移載至一取像區，並被放置於該取像區內的一檢測載台上進行該待測物的拍攝。
如請求項14所述的設備前端檢測方法，其中，該待測物的拍攝係於被承載於一移載裝置上時進行。
如請求項14所述的設備前端檢測方法，其中，該待測物係為一晶圓。
如請求項14所述的設備前端檢測方法，其中，該檢測數據包括該待測物的金屬變色、料件表面變色、黑線、積墨、漏底材、亮點、花斑、髒污、刮傷或其他任意形式的瑕疵的相關數據。
如請求項14所述的設備前端檢測方法，其中，該量測數據包括該待測物上任意線路或特徵的二維尺寸。
一種相位內插電路，用以產生一內插時脈訊號，包含：<br/> 一電容；<br/> 一第一充電電路，耦接該電容，用以根據一第一時脈訊號以及一第一權重控制碼選擇性的對該電容充電，該第一權重控制碼決定該內插時脈訊號中該第一時脈訊號的一第一權重；<br/> 一第二充電電路，耦接該電容，用以根據一第二時脈訊號以及一第二權重控制碼選擇性的對該電容充電，該第二權重控制碼決定該內插時脈訊號中該第二時脈訊號的一第二權重；<br/> 一第一放電電路，耦接該電容，用以根據該第一時脈訊號以及一第三權重控制碼選擇性的對該電容放電，該第三權重控制碼決定該內插時脈訊號中該第一時脈訊號的一第三權重；以及<br/> 一第二放電電路，耦接該電容，用以根據該第二時脈訊號以及一第四權重控制碼選擇性的對該電容放電，該第四權重控制碼決定該內插時脈訊號中該第二時脈訊號的一第四權重；<br/> 其中該第一充電電路包含：<br/> 一第一類型一時脈開關群，包含至少一第一類型一時脈開關，該第一類型一時脈開關根據該第一時脈訊號同時導通或同時不導通；以及<br/> 一第一類型一權重開關群，包含至少一第一類型一權重開關，該第一類型一權重開關根據該第一權重控制碼分別導通或不導通；<br/> 其中該第二充電電路包含：<br/> 一第二類型一時脈開關群，包含至少一第二類型一時脈開關，該第二類型一時脈開關根據該第二時脈訊號同時導通或同時不導通；以及<br/> 一第二類型一權重開關群，包含至少一第二類型一權重開關，該第二類型一權重開關根據該第二權重控制碼分別導通或不導通。
如請求項1所述的相位內插電路，其中該第一類型一時脈開關、該第一類型一權重開關、該第二類型一時脈開關以及該第二類型一權重開關均為PMOS。
如請求項1所述的相位內插電路，其中每一個該第一類型一時脈開關均和不同的該第一類型一權重開關串聯，每一個該第二類型一時脈開關均和不同的該第二類型一權重開關串聯。
如請求項1所述的相位內插電路，<br/> 其中該第一放電電路包含：<br/> 一第一類型二時脈開關群，包含至少一第一類型二時脈開關，該第一類型二時脈開關根據該第一時脈訊號同時導通或同時不導通；以及<br/> 一第一類型二權重開關群，包含至少一第一類型二權重開關，該第一類型二權重開關根據該第三權重控制碼分別導通或不導通；<br/> 其中該第二放電電路包含：<br/> 一第二類型二時脈開關群，包含至少一第二類型二時脈開關，該第二類型二時脈開關根據該第二時脈訊號同時導通或同時不導通；以及<br/> 一第二類型二權重開關群，包含至少一第二類型二權重開關，該第二類型一權重開關根據該第四權重控制碼分別導通或不導通。
如請求項4所述的相位內插電路，其中該第一類型二時脈開關、該第一類型二權重開關、該第二類型二時脈開關以及該第二類型二權重開關均為NMOS。
如請求項4所述的相位內插電路，其中每一個該第一類型二時脈開關均和不同的該第一類型二權重開關串聯，每一個該第二類型二時脈開關均和不同的該第二類型二權重開關串聯。
如請求項1所述的相位內插電路，其中該第一充電電路以及該第一放電電路串聯，該第二充電電路以及該第二放電電路串聯，該電容的一第一端耦接該第一充電電路以及該第一放電電路的耦接處且該電容的該第一端耦接該第二充電電路以及該第二放電電路的耦接處。
如請求項1所述的相位內插電路，該相位內插電路更接收一相位選擇碼，用以決定該第一權重，該第二權重、該第三權重以及該第四權重。
一種電纜，其包括： <br/>單體的內部電性絕緣體，其包括電性絕緣材料，該電性絕緣材料為發泡體，以便界定在該電性絕緣材料中的複數個孔； <br/>一對電性導體，其分別沿著個別長度的至少一大部分而被該內部電性絕緣體所圍繞，其中該電性導體實質平行於彼此而被定向並且和彼此間隔開； <br/>導電屏蔽，其繞著該內部電性絕緣體的個別整體長度的至少一大部分來加以設置；以及 <br/>外部電性絕緣體，其圍繞該導電屏蔽的個別整體長度的至少一大部分， <br/>其中該電纜包括唯一的單一電性絕緣材料，該單一電性絕緣材料被設置在該導電屏蔽內，且 <br/>其中該內部電性絕緣體界定實質連續且不被開放的孔所中斷的徑向外周邊。
如請求項1所述之電纜，其中至少約80%的該複數個孔完全被該電性絕緣體所包圍。
如請求項2所述之電纜，其中約90%的該複數個孔完全被該電性絕緣材料所包圍。
如請求項1至3中任一項所述之電纜，其中該徑向外周邊是橢圓形或賽道形。
如請求項1所述之電纜，其中該電性導體具有不超過每公尺約14微微秒的歪斜。
如請求項1所述之電纜，其中當在每秒14十億位元的NRZ下傳導電性信號時，該電性導體具有不超過每公尺約14微微秒的歪斜。
如請求項1所述之電纜，其中該電性導體具有不超過每公尺約7微微秒的歪斜。
如請求項1所述之電纜，其中當在每秒28十億位元的NRZ下傳導電性信號時，該電性導體具有不超過每公尺7微微秒的歪斜。
如請求項1所述之電纜，其中該電性導體具有不超過每公尺約3.5微微秒的歪斜。
如請求項1所述之電纜，其中當在每秒56十億位元的NRZ下傳導電性信號時，該電性導體具有不超過每公尺約3.5微微秒的歪斜。
如請求項1所述之電纜，其中該電性導體具有不超過每公尺約1.75微微秒的歪斜。
如請求項1所述之電纜，其中當在每秒128十億位元的NRZ下傳導電性信號時，該電性導體具有不超過每公尺約1.75微微秒的歪斜。
如請求項1所述之電纜，其中該電性導體包括銅、銅鎳、銀、鋁、錫、以及其之一或多個合金中的至少一者。
如請求項1所述之電纜，其中該電性導體具有範圍從約25 awg到約36 awg的線規。
如請求項1所述之電纜，其中該複數個孔具有小於該發泡體的壁厚度的50%的平均空孔體積。
如請求項1所述之電纜，其中該電纜被配置以沿著該電纜的約五呎長度，在約8GHz的頻率下沿著該電性導體來發送電性信號，其中該電性導體具有約26 awg的線規，並且所發送的電性信號具有介於約0dB到約-3dB之間的插入損失。
如請求項1所述之電纜，其中當該電性導體具有約36 awg的線規，約五呎的長度，並且被配置以在最高約50GHz的頻率下發送電性信號時，其具有範圍從約0dB到約-25dB的插入損失。
如請求項1所述之電纜，其中該電性導體的個別中心與彼此間隔開範圍從約0.005吋到約0.025吋的距離。
如請求項1所述之電纜，其中該電性導體被配置以發送具有小於每呎約1.245奈秒的傳播延遲的電性信號。
如請求項19所述之電纜，其中該傳播延遲之範圍係從每呎約1.16奈秒到每呎約1.245奈秒。
如請求項1所述之電纜，其中在最高約50GHz的頻率下沿著該電性導體行進的電性信號在0.5GHz的頻差(frequency delta)之內並不具有變化超過0.5dB的插入損失。
如請求項1所述之電纜，其中當該電性導體具有約35 awg的線規時，該電纜被配置以在每秒約112十億位元下，沿著約0.45公尺的長度發送電性信號，其在28GHz或更低之下具有不差於-5分貝的插入損失。
如請求項1所述之電纜，其中當該電性導體具有約33 awg的線規時，該電纜被配置以在每秒約112十億位元下，沿著約0.6公尺的長度發送電性信號，其在28GHz或更低之下具有不差於-5分貝的插入損失。
如請求項1所述之電纜，其中該徑向外周邊的全體為連續的且不被開放的孔所中斷。
一種波導，其包括： <br/>內部電性絕緣體，其包括沿著長度延伸的介電發泡體；以及 <br/>導電屏蔽，其沿著該長度的一大部分來圍繞及鄰接該內部電性絕緣體，其中該波導並沒有在該導電屏蔽內所設置的導電材料；以及 <br/>至少一介電纖維，其延伸穿過該介電發泡體。
如請求項25所述之波導，其中該介電發泡體是單體且同質結構。
如請求項25或26所述之波導，其中該介電發泡體以及氣體是在該導電屏蔽內的唯一材料。
如請求項25或26所述之波導，其中該至少一介電纖維附著到該介電發泡體。
如請求項28所述之波導，其中該介電纖維包括細絲以及帶中之一者。
如請求項28所述之波導，其中該介電纖維包括EPTFE。
如請求項28所述之波導，其中該內部電性絕緣體沿著中心軸係細長的，並且該至少一介電纖維沿著平行於該中心軸的方向來延伸穿過該介電發泡體。
如請求項28所述之波導，其中該介電發泡體與該介電纖維被共擠出。
如請求項25或26所述之波導，其中該介電發泡體係圓柱形的。
如請求項25或26所述之波導，其中該介電發泡體係被擠出的。
如請求項25或26所述之波導，其中該介電發泡體包括含氟聚合物。
如請求項25或26所述之波導，其中該介電發泡體包括氟化乙烯丙烯共聚物以及全氟烷氧基烷烴中之一。
如請求項25或26所述之波導，其中該介電發泡體包括鐵弗龍。
如請求項25或26所述之波導，其中該導電屏蔽包括金屬。
如請求項25或26所述之波導，其中該導電屏蔽包括包覆。
如請求項25或26所述之波導，其中該導電屏蔽包括塗層。
如請求項25或26所述之波導，其中該導電屏蔽包括第一層及第二層。
如請求項25或26所述之波導，其中該導電屏蔽提供全內反射。
如請求項25或26所述之波導，其進一步包括圍繞該導電屏蔽的外部電性絕緣體。
一種傳遞RF信號之方法，其透過如請求項25至43的任一項之波導中所述的內部電性絕緣體來傳遞RF信號。
一種用來降低電磁干擾的電子連接器，包含：多個金屬端子，用來將至少一對差動訊號自一主裝置透過一印刷電路板（printed circuit board, PCB）傳送至一無線通訊電路；一塑膠部件，用來固定該多個金屬端子在該電子連接器中的位置；一吸波材料，用來吸收該至少一對差動訊號產生的一電磁波訊號；以及一金屬外殼，用來包覆該多個金屬端子、該塑膠部件以及該吸波材料；其中該塑膠部件包含一主裝置側區域、一中間區域以及一印刷電路板側區域，該主裝置側區域為該塑膠部件被插入至該主裝置的插座的部分，該印刷電路板側區域為該塑膠部件被附著在該印刷電路板的部分，該中間區域為該塑膠部件中之連接該主裝置側區域與該印刷電路板側區域的部分，該吸波材料與該主裝置側區域的至少一部分重疊，以及該吸波材料與該主裝置側區域之最靠近該主裝置的邊界對齊。
如申請專利範圍第1項所述之電子連接器，其中該無線通訊電路連接至一天線，以及該吸波材料是用來降低該電磁波訊號的能量以避免該天線發送的訊號被干擾。
如申請專利範圍第1項所述之電子連接器，其中該吸波材料與該主裝置側區域以及該中間區域重疊。
如申請專利範圍第1項所述之電子連接器，其中該吸波材料與該塑膠部件的全部重疊。
一種無線通訊裝置，包含：一天線；一無線通訊電路，連接至該天線並且附著在一印刷電路板（printed circuit board, PCB）上，用來執行一無線通訊功能；一電子連接器，附著在該印刷電路板上，用來將該印刷電路板連接至一主裝置，其中該電子連接器包含：多個金屬端子，用來將至少一對差動訊號自該主裝置透過該印刷電路板傳送至該無線通訊電路；一塑膠部件，用來固定該多個金屬端子在該電子連接器中的位置；一吸波材料，用來吸收該多個金屬端子發出的一電磁波訊號；以及一金屬外殼，用來包覆該多個金屬端子、該塑膠部件以及該吸波材料；其中該塑膠部件包含一主裝置側區域、一中間區域以及一印刷電路板側區域，該主裝置側區域為該塑膠部件被插入至該主裝置的插座的部分，該印刷電路板側區域為該塑膠部件被附著在該印刷電路板的部分，以及該中間區域為該塑膠部件中之連接該主裝置側區域與該印刷電路板側區域的部分，該吸波材料與該主裝置側區域的至少一部分重疊，以及該吸波材料與該主裝置側區域之最靠近該主裝置的邊界對齊。
如申請專利範圍第5項所述之無線通訊裝置，其中該吸波材料是用來降低該電磁波訊號的能量以避免該天線發送的訊號被干擾。
一種用於一自行車之高度可調式座桿，該高度可調式座桿包含：<br/> 一上管及一下管，其等組配成一伸縮配置，該下管將耦接至該自行車之一車架，該上管將耦接至一座椅；<br/> 一活塞，其在該上管中，該活塞將該上管劃分成一第一腔室及一第二腔室，該第一腔室及該第二腔室係填充有流體；以及<br/> 一閥件，其包括一固定構件及一可旋轉構件，其在該固定構件之一第一面與該可旋轉構件之一第二面之間形成一面密封，該固定構件具有一流體流動通路，該可旋轉構件可相對於該固定構件在一關閉位置與一打開位置之間旋轉，在該關閉位置時，該可旋轉構件阻擋該流體流動通路以防止在該第一腔室與該第二腔室之間的流體流動，該打開位置係使流體能夠通過該流體流動通路且在該第一腔室與該第二腔室之間流動，其中一碟盤預載可確保沿著該面密封的一緊密密封以防止該固定構件之該第一面與該可旋轉構件之該第二面間的多個接觸表面之流體洩漏。
如請求項1之高度可調式座桿，其中該固定構件包含一固定碟盤，且該可旋轉構件包含一可旋轉碟盤，該固定碟盤及該可旋轉碟盤安置在界定於該活塞中之一內孔中。
如請求項2之高度可調式座桿，其中該固定碟盤包含抗旋轉形貌體，其等與該內孔之對應的抗旋轉形貌體銜接，以防止該固定碟盤在該活塞中旋轉。
如請求項2之高度可調式座桿，其中該固定碟盤及該可旋轉碟盤由陶瓷建構。
如請求項2之高度可調式座桿，其進一步包括：<br/> 一閥桿，其耦接至該可旋轉碟盤；以及<br/> 一馬達總成，其包括一馬達以旋轉該閥桿。
如請求項5之高度可調式座桿，其進一步包括一碟盤鍵，該閥桿耦接至該碟盤鍵，該碟盤鍵經由一鍵接形貌體來與該可旋轉構件配接，以使得該閥桿之旋轉造成該可旋轉構件之旋轉。
如請求項5之高度可調式座桿，其中該馬達總成包括在該馬達與該閥桿之間的一齒輪減速系統。
如請求項5之高度可調式座桿，其中該馬達總成耦接至該下管之一下端。
如請求項8之高度可調式座桿，其進一步包括一軸桿，該軸桿耦接至該下管且延伸至該上管中，該活塞耦接至該軸桿，該閥桿在該活塞與該馬達總成之間延伸通過該軸桿，該閥桿可在該軸桿中旋轉。
如請求項5之高度可調式座桿，其中該馬達總成耦接至該活塞且安置在該上管中。
如請求項5之高度可調式座桿，其進一步包括：<br/> 一控制模組，其用以促動該馬達，該控制模組耦接至該下管之一外表面；以及<br/> 電氣導線，其等通過該下管在該控制模組與該馬達之間延伸。
如請求項11之高度可調式座桿，其中該控制模組係組配來：<br/> 促動該馬達以使該可旋轉碟盤在該打開位置與該關閉位置之間旋轉；以及<br/> 基於該馬達之一感測電流改變來停用該馬達。
一種自行車組件，其包含：<br/> 一第一管及一第二管，其等組配成一伸縮配置；<br/> 一活塞，其在該第一管中，該活塞將該第一管劃分成一第一腔室及一第二腔室，該第一腔室及該第二腔室係填充有流體；以及<br/> 一閥件，其可在一關閉狀態與一打開狀態之間操作，在該關閉狀態時，該流體被阻擋而無法在該第一腔室與該第二腔室之間流動越過該活塞，以將該第一管及該第二管維持在適當位置處，該打開狀態係使該流體能夠在該第一腔室與該第二腔室之間流動越過該活塞，以使該第一管及該第二管能夠朝向或遠離彼此移動，該閥件包括一固定碟盤及一可旋轉碟盤，其等安置在該活塞之一內孔中，該固定碟盤具有一固定碟盤流體流動通路，其在一軸向方向上延伸通過該固定碟盤，該可旋轉碟盤可相對於該固定碟盤旋轉，以使該閥件在該關閉狀態與該打開狀態之間切換，其中一碟盤預載可在該固定碟盤與該可旋轉碟盤間建造密封接觸以防止該固定碟盤與該可旋轉碟盤間之流體洩漏。
如請求項13之自行車組件，其中該流體為加壓氣體。
如請求項14之自行車組件，其中該第一腔室中之該加壓氣體係將該第一管及該第二管偏壓遠離彼此，且該第二腔室中之該加壓氣體係將該第一管及該第二管偏壓朝向彼此。
如請求項13之自行車組件，其進一步包括一扣持構件，該扣持構件耦接至該活塞來在該固定碟盤及該可旋轉碟盤上施加一軸向力，以在該固定碟盤與可旋轉碟盤之間提供一密封銜接。
如請求項16之自行車組件，其進一步包括在該活塞之該內孔中的一碟盤密封件及一止推軸承，該固定碟盤及該可旋轉碟盤安置在該碟盤密封件與該止推軸承之間，該碟盤密封件用以在該固定碟盤上提供一壓縮彈簧力，該止推軸承用以減少旋轉摩擦。
如請求項13之自行車組件，其進一步包括：<br/> 一閥桿，其用以旋轉該可旋轉碟盤；以及<br/> 一馬達，其用以旋轉該閥桿。
如請求項18之自行車組件，其進一步包括在該馬達與該閥桿之間的一二級行星齒輪系統。
如請求項18之自行車組件，其中該可旋轉碟盤具有一可旋轉碟盤流體流動通路，且其中，當該閥件處於該關閉狀態時，該可旋轉碟盤流體流動通路沒有在該軸向方向上與該固定碟盤流體流動通路重疊，且當該閥件處於該打開狀態時，該可旋轉碟盤流體流動通路係在該軸向方向上至少部分地與該固定碟盤流體流動通路重疊。
如請求項20之自行車組件，其中該固定碟盤具有兩個固定碟盤流體流動通路，且該可旋轉碟盤具有兩個可旋轉碟盤流體流動通路。
一種半導體封裝，包括:<br/> 一中介層；以及<br/> 一組件，設置於該中介層上，且該組件包括:<br/> 一第一晶粒；及<br/> 一第二晶粒，設置於該第一晶粒上方，且包括遠離該第一晶粒的一表面，其中該第二晶粒包括一金屬墊，其中該金屬墊的頂表面與該表面共平面，其中該金屬墊為電性浮動的，其中該金屬墊的側壁對齊該第一晶粒的側壁。
如請求項1之半導體封裝，更包括:<br/> 一高頻寬記憶體堆疊物，設置於該中介層上。
如請求項1或2之半導體封裝，其中該金屬墊透過一晶種層與該第二晶粒間隔開。
如請求項3之半導體封裝，其中該晶種層包括鈦。
如請求項1或2之半導體封裝，其中該金屬墊包括鋁、銅或鋁銅。
如請求項1或2之半導體封裝，其中該第二晶粒的該表面為矩形，其中該金屬墊為設置於該第二晶粒的四個角落的四個金屬墊之一。
如請求項6之半導體封裝，其中該四個金屬墊各包括矩形、三角形、圓形或多邊形。
如請求項1或2之半導體封裝，其中該第二晶粒的該表面包括半導體或介電材料。
一種封裝結構，包括:<br/> 一中介層；以及<br/> 一組件，設置於該中介層上，且該組件包括:<br/> 一第一晶粒及與該第一晶粒並排設置的一第二晶粒；及<br/> 一第三晶粒，設置於該第一晶粒及該第二晶粒上方，其中該第三晶粒包括遠離該第一晶粒及該第二晶粒的一矩形表面，其中該第三晶粒包括設置於該第三晶粒的四個角落的四個金屬墊，其中該四個金屬墊的頂表面與該矩形表面共平面，其中該四個金屬墊為電性浮動的，其中該四個金屬墊的其中一者的側壁對齊該第一晶粒的側壁。
如請求項9之封裝結構，其中該四個金屬墊各包括一晶種層及設置於該晶種層上的一金屬層。
如請求項9或10之封裝結構，其中該第三晶粒包括一半導體基底，其中該半導體基底包括一第一厚度，其中該四個金屬墊各包括一第二厚度，其中該第一厚度與該第二厚度的比值為約20與約100之間。
一種半導體封裝的形成方法，包括:<br/> 在一晶圓上的一晶粒區形成一圖案化遮罩，該圖案化遮罩暴露該晶粒區的一周邊區；<br/> 使用該圖案化遮罩蝕刻該晶粒區，以形成一周邊凹口；<br/> 在該晶粒區及該圖案化遮罩上方沉積一晶種層；<br/> 在沉積該晶種層之後，移除該圖案化遮罩；<br/> 在移除該圖案化遮罩之後，在該晶種層上方沉積一金屬層；<br/> 將該晶圓平坦化，以在該周邊凹口中形成一周邊金屬墊；<br/> 單切該晶粒區作為一晶粒；<br/> 將該晶粒接合到至少另一晶粒，以形成一組件，其中該周邊金屬墊的側壁對齊該至少另一晶粒的側壁；以及<br/> 將該組件設置於一封裝基底上。
如請求項12之半導體封裝的形成方法，其中該封裝基底包括一中介層。
如請求項12或13之半導體封裝的形成方法，其中沉積該晶種層的步驟包括透過濺鍍沉積鈦。
如請求項12或13之半導體封裝的形成方法，其中沉積該金屬層的步驟包括使用電化學鍍覆。
一種非研磨性口腔護理組合物，包括：一種用於賦予芳香的香料；以及用於賦予額外特性的天然添加劑；其特徵在於，該口腔護理組合物還包括一種植物源性陰離子表面活性劑和一種植物源性非離子表面活性劑，用於在塗抹的牙科結構上形成保護塗層，所述口腔護理組合物進一步包含一種植物源性兩性表面活性劑，用於穩定組合物並增強塗層和發泡效果，植物源性兩性表面活性劑的成分範圍為0.1至3wt%，植物源性陰離子表面活性劑的成分範圍為0.3至6wt%，植物源性陰離子表面活性劑的類型是椰油醯蘋果氨基酸鈉，植物源性非離子表面活性劑的成分範圍為0.1至3wt%。
如請求項1所述的一種非研磨性口腔護理組合物，其特徵在於，所述植物源性兩性表面活性劑的類型為椰油醯胺丙基甜菜鹼。
如請求項1所述的一種非研磨性口腔護理組合物，其特徵在於，植物源性非離子表面活性劑的類型是月桂基葡糖苷或植物甘油。
如請求項1所述的一種非研磨性口腔護理組合物，其特徵在於，所述組合物是一種可分散成泡沫的液體。
如請求項1所述的一種非研磨性口腔護理組合物，其特徵在於，該組合物進一步包含一種用於賦予香味的精油、一種用於提供清涼感的薄荷醇和一種用於賦予該組合物愉悅口感的甜味劑。
如請求項1所述的一種非研磨性口腔護理組合物，其特徵在於，該組合物包含一種用於防止微生物生長的防腐劑。
一種與一產品銷售服務有關之一電子裝置之提供資訊之方法，該方法包括： <br/>基於一客戶之登入資訊識別該客戶之一帳戶類型； <br/>自該客戶獲得一關鍵字； <br/>若該客戶之該帳戶類型係作為一業務帳戶之一第一類型帳戶，則基於該關鍵字在一第一頁面上提供與該第一類型帳戶相關聯之一產品清單，其包含自對應於該第一類型帳戶之一第一類型之一產品群組選擇之產品及自對應於一第二類型帳戶之一第二類型之一產品群組選擇之產品；及 <br/>若該客戶之該帳戶類型係作為一普通帳戶之該第二類型帳戶，則基於該關鍵字在該第一頁面上提供與該第二類型帳戶相關聯之一產品清單，其包含自對應於該第二類型帳戶之該第二類型之該產品群組選擇之產品； <br/>其中該提供與第一類型帳戶相關聯之一產品清單包括： <br/>識別該客戶是否訂閱與該產品銷售服務相關聯之一相關服務； <br/>若該客戶訂閱該相關服務，則識別該客戶之該相關服務中之銷售資訊； <br/>在該第一頁面上，提供與該第一類型帳戶相關聯之一產品清單，其包含基於該銷售資訊選擇之一第一產品； <br/>自一配送中心之一伺服器接收包含該第一產品之一到期日期之庫存資訊；及 <br/>基於該庫存資訊在該第一頁面上向該客戶另外提供經推薦產品之一清單， <br/>其中該銷售資訊包含在該相關服務中該第一產品之一預定量之一平均消費時間段， <br/>其中經推薦產品之該清單包含具有等於或大於該預定量且具有一到期日期短於基於該平均消費時間段設定之一到期日期之該第一產品，及 <br/>其中該等經推薦產品之價格比具有一相同類型及一相同數量之對應於該第一類型之該產品群組之產品及對應於該第二類型之該產品群組之產品之價格更便宜。
如請求項1之方法， <br/>其中該相關服務包含一食物遞送中介服務， <br/>其中該客戶係在該食物遞送中介服務中銷售食物之一業務經營者，及 <br/>其中基於該銷售資訊選擇之該等產品包含基於關於該客戶之待銷售之該食物之資訊識別之配料。
如請求項1之方法， <br/>其中對應於該第一類型之該產品群組之一產品包含以下至少一種：比對應於該第二類型之該產品群組之一產品具有更大數量(quantity)且每數量之價格更低之一產品，及比對應於該第二類型之該產品群組之一產品具有更大量(volume)且每個量之價格更低之一產品。
如請求項1之方法，其中基於該第一類型帳戶之其他客戶之購買資訊自該第一類型之該產品群組選擇與該第一類型帳戶相關聯之該產品清單，及 <br/>其中該等其他客戶具有對應於該客戶之一業務類型之一業務類型。
如請求項1之方法，其進一步包括，若該客戶之一帳戶係一第一類型帳戶且該客戶購買一產品，則識別關於針對開具該所購買產品之一稅務發票之一請求之資訊。
如請求項5之方法，其中該第一類型之該產品群組包含可由該第一類型帳戶之該客戶購買之產品， <br/>該方法進一步包括， <br/>若該客戶之該帳戶係該第一類型帳戶且該客戶購買一產品，則基於關於針對開具該稅務發票之該請求之該資訊產生與該稅務發票有關之資訊。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>獲得與該第一類型帳戶相關聯之該產品清單之篩選資訊；及 <br/>基於該篩選資訊選擇性地提供該產品清單中之對應於該篩選資訊之產品， <br/>其中該篩選資訊包含用於選擇對應於該第一類型之該產品群組之一產品及對應於該第二類型之該產品群組之一產品之至少一者的資訊。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>獲得用於該第一類型帳戶之該客戶選擇對應於該第二類型之該產品群組之產品之任一者的一輸入； <br/>回應於該所獲得輸入提供作為所選擇的該產品之一詳細頁面之一第二頁面；及 <br/>在該第二頁面上提供所選擇的該產品之詳細資訊及關於所選擇的該產品之一替代產品之資訊， <br/>其中該替代產品係與所選擇的該產品相同之一產品且係自該第一類型之該產品群組選擇之一產品。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>獲得用於該第一類型帳戶之該客戶選擇對應於該第一類型之該產品群組之產品之任一者的一輸入； <br/>回應於該所獲得輸入提供作為所選擇的該產品之一詳細頁面之一第三頁面；及 <br/>在該第三頁面上提供該第一類型帳戶之專屬優惠資訊及指示所選擇的該產品對應於自該第一類型之該產品群組選擇之一產品之單獨資訊。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>若該客戶之一帳戶係該第一類型帳戶，則獲得用於改變一帳戶以用該客戶之一姓名之作為一普通帳戶之一第二類型帳戶登入之一輸入， <br/>其中基於用於改變一帳戶之該所獲得輸入，將登入資訊改變為該客戶之該姓名之該第二類型帳戶。
一種與一產品銷售服務有關之電子裝置，其包括： <br/>一儲存器；及 <br/>一處理器， <br/>其中該處理器經組態以： <br/>基於一客戶之登入資訊識別該客戶之一帳戶類型； <br/>自該客戶獲得一關鍵字； <br/>若該客戶之該帳戶類型係作為一業務帳戶之一第一類型帳戶，則基於該關鍵字在一第一頁面上提供與該第一類型帳戶相關聯之一產品清單，其包含自對應於該第一類型帳戶之一第一類型之一產品群組選擇之產品及自對應於一第二類型帳戶之一第二類型之一產品群組選擇之產品； <br/>若該客戶之該帳戶類型係作為一普通帳戶之該第二類型帳戶，則基於該關鍵字在該第一頁面上提供與該第二類型帳戶相關聯之一產品清單，其包含自對應於該第二類型帳戶之該第二類型之該產品群組選擇之產品； <br/>其中該提供與第一類型帳戶相關聯之一產品清單包括： <br/>識別該客戶是否訂閱與該產品銷售服務相關聯之一相關服務； <br/>若該客戶訂閱該相關服務，則識別該客戶之該相關服務中之銷售資訊； <br/>在該第一頁面上，提供與該第一類型帳戶相關聯之一產品清單，其包含基於該銷售資訊選擇之一第一產品； <br/>自一配送中心之一伺服器接收包含該第一產品之一到期日期之庫存資訊；及 <br/>基於該庫存資訊在該第一頁面上向該客戶另外提供經推薦產品之一清單， <br/>其中該銷售資訊包含在該相關服務中該第一產品之一預定量之一平均消費時間段， <br/>其中經推薦產品之該清單包含具有等於或大於該預定量且具有一到期日期短於基於該平均消費時間段設定之一到期日期之該第一產品，及 <br/>其中該等經推薦產品之價格比具有一相同類型及一相同數量之對應於該第一類型之該產品群組之產品及對應於該第二類型之該產品群組之產品之價格更便宜。
一種非暫時性電腦可讀儲存媒體，其包括經組態以儲存電腦可讀指令之一媒體， <br/>其中該等電腦可讀指令係由一處理器執行，該處理器經組態以執行與一產品銷售服務有關之一電子裝置之提供資訊之一方法，該方法包含： <br/>基於一客戶之登入資訊識別該客戶之一帳戶類型； <br/>自該客戶獲得一關鍵字； <br/>若該客戶之該帳戶類型係作為一業務帳戶之一第一類型帳戶，則基於該關鍵字在一第一頁面上提供與該第一類型帳戶相關聯之一產品清單，其包含自對應於該第一類型帳戶之一第一類型之一產品群組選擇之產品及自對應於一第二類型帳戶之一第二類型之一產品群組選擇之產品；及 <br/>若該客戶之該帳戶類型係作為一普通帳戶之該第二類型帳戶，則基於該關鍵字在該第一頁面上提供與該第二類型帳戶相關聯之一產品清單，其包含自對應於該第二類型帳戶之該第二類型之該產品群組選擇； <br/>其中該提供與第一類型帳戶相關聯之一產品清單包括： <br/>識別該客戶是否訂閱與該產品銷售服務相關聯之一相關服務； <br/>若該客戶訂閱該相關服務，則識別該客戶之該相關服務中之銷售資訊； <br/>在該第一頁面上，提供與該第一類型帳戶相關聯之一產品清單，其包含基於該銷售資訊選擇之一第一產品； <br/>自一配送中心之一伺服器接收包含該第一產品之一到期日期之庫存資訊；及 <br/>基於該庫存資訊在該第一頁面上向該客戶另外提供經推薦產品之一清單， <br/>其中該銷售資訊包含在該相關服務中該第一產品之一預定量之一平均消費時間段， <br/>其中經推薦產品之該清單包含具有等於或大於該預定量且具有一到期日期短於基於該平均消費時間段設定之一到期日期之該第一產品，及 <br/>其中該等經推薦產品之價格比具有一相同類型及一相同數量之對應於該第一類型之該產品群組之產品及對應於該第二類型之該產品群組之產品之價格更便宜。
一種製造一半導體裝置之方法，其包含： <br/>在處於一真空狀態下之一第一基體處理設備中，在一基體上設置具有一溝槽之一層間介電層； <br/>在該基體處於該第一基體處理設備中時，在該溝槽中形成一第一金屬障壁； <br/>自該第一基體處理設備卸載該基體且使該基體曝露於一非真空環境； <br/>在一真空狀態之一第二基體處理設備中設置該基體； <br/>在該第二基體處理設備中，在該溝槽中形成一第二金屬障壁；以及 <br/>形成一金屬圖案以填充該溝槽。
如請求項1之方法，其進一步包含在該第二基體處理設備中，在該第二金屬障壁上形成一內襯層， <br/>其中該內襯層包含鈷(Co)、釕(Ru)或釕鈷合金(Ru-Co合金)。
如請求項2之方法，其進一步包含在該內襯層上形成一晶種層， <br/>其中該第一金屬障壁及該第二金屬障壁中之各者包含氮化鉭(TaN)、氮化鉭-鉭合金(TaN/Ta)或摻雜釕之氮化鉭(摻雜Ru之TaN)中之一者。
如請求項1之方法，其中其進一步包含在該第二基體處理設備中，在該第二金屬障壁上形成一晶種層， <br/>其中該晶種層包含銅(Cu)、鈦(Ti)、釕(Ru)、鉬(Mo)、鎢(W)或銅合金(Cu合金)中之至少一者。
如請求項1之方法，其中其進一步包含： <br/>在處於一真空狀態下之一第三基體處理設備中設置具有該第一金屬障壁之該基體； <br/>在該第三基體處理設備中對該基體執行一預清潔製程；以及 <br/>自該第三基體處理設備卸載該基體且使該基體曝露於一非真空環境。
如請求項5之方法，其進一步包含在該基體上形成該第二金屬障壁之後，在該第二金屬障壁上形成一晶種層。
如請求項6之方法，其進一步包含在該第二基體處理設備中在該基體上形成該晶種層之前，在該基體上形成一內襯層。
如請求項1之方法，其進一步包含在該基體上形成該第二金屬障壁之前，在該第二基體處理設備中對該基體執行一預清潔製程。
如請求項8之方法，其進一步包含在該第二基體處理設備中，在該第二金屬障壁上形成一晶種層。
如請求項9之方法，其進一步包含在該基體上形成該晶種層之前，在該第二金屬障壁上形成一內襯層， <br/>其中該內襯層包含鈷(Co)、釕(Ru)或釕鈷合金(Ru-Co合金)。
如請求項1之方法，其進一步包含在該第一基體處理設備中在該基體上形成該第一金屬障壁之前： <br/>在處於一真空狀態下之一第三基體處理設備中設置該基體； <br/>在該第三基體處理設備中在該基體上形成一沉積抑制層；以及 <br/>自該第三基體處理設備卸載該基體且使該基體曝露於一非真空環境。
如請求項11之方法，其進一步包含在該第二基體處理設備中形成該第二金屬障壁之後，在該基體上形成一內襯層。
一種製造一半導體裝置之方法，其包含： <br/>在處於一真空狀態下之一第一基體處理設備中，在一基體上設置具有一溝槽之一層間介電層； <br/>在該基體處於該第一基體處理設備中時，在該溝槽中形成一沉積抑制層； <br/>自該第一基體處理設備卸載該基體以使該基體曝露於一非真空狀態； <br/>在一真空狀態之一第二基體處理設備中設置該基體； <br/>在該第二基體處理設備中，在該溝槽中形成一第一金屬障壁；以及 <br/>形成一金屬圖案以填充該溝槽。
如請求項13之方法，其中其進一步包含： <br/>自該第二基體處理設備卸載該基體且使該基體曝露於一非真空環境； <br/>在一真空狀態之一第三基體處理設備中設置該基體；以及 <br/>在該第三基體處理設備中，在該第一金屬障壁上形成一第二金屬障壁， <br/>其中不同方法用以形成該第二金屬障壁及該第一金屬障壁。
如請求項14之方法，其進一步包含在該第三基體處理設備中，在該第二金屬障壁上形成一晶種層， <br/>其中該晶種層包含銅(Cu)、鈦(Ti)、釕(Ru)、鉬(Mo)、鎢(W)或銅合金(Cu合金)中之一者。
如請求項13之方法，其進一步包含： <br/>自該第二基體處理設備卸載該基體且使該基體曝露於一非真空環境； <br/>在一真空狀態之一第三基體處理設備中設置該基體；以及 <br/>在該基體上形成一晶種層。
如請求項16之方法，其進一步包含在該基體上形成該晶種層之前，在該第一金屬障壁上形成一內襯層， <br/>其中該內襯層包含鈷(Co)、釕(Ru)或釕鈷合金(Ru-Co合金)。
如請求項13之方法，其進一步包含： <br/>將該基體自該第二基體處理設備移動至一真空狀態之一第三基體處理設備；以及 <br/>在該第三基體處理設備中執行一後處理製程。
如請求項18之方法，其進一步包含： <br/>將該基體自該第二基體處理設備移動至該真空狀態之該第三基體處理設備；以及 <br/>在該第三基體處理設備中對該基體執行一預清潔製程。
如請求項19之方法，其進一步包含： <br/>自該第三基體處理設備卸載該基體且使該基體曝露於一非真空環境； <br/>在一真空狀態之一第四基體處理設備中設置該基體；以及 <br/>在該第四基體處理設備中，在該第一金屬障壁上形成一內襯層。
一種適用於三相變流器測試之能量再生電路，包含： <br/>一三相電路訊號感測模組，連接一待測電路，感測該待測電路產生之一電路訊號； <br/>一三相電感，連接該三相電路訊號感測模組及該待測電路，接收該電路訊號； <br/>一三相全橋式開關，具有一直流側及一交流側，該交流側通過該三相電感連接該待測電路之一交流輸出端，接收該電路訊號，該直流側連接該待測電路之一直流輸入端； <br/>一類比數位轉換模組，連接該三相電路訊號感測模組，接收及轉換該電路訊號； <br/>一再生電路控制模組，連接該類比數位轉換模組，轉換該電路訊號為一軸轉換控制訊號； <br/>一空間向量脈衝調變訊號模組，連接該再生電路控制模組，接收該軸轉換控制訊號，並根據該軸轉換控制訊號產生一空間向量脈衝調變訊號；以及 <br/>一開關驅動電路，連接該空間向量脈衝調變訊號模組及該三相全橋式開關，根據接收之該空間向量脈衝調變訊號、該電路訊號以及該待測電路之一電路參數產生一開關控制訊號至該三相全橋式開關，以控制該三相全橋式開關。
如請求項1所述之適用於三相變流器測試之能量再生電路，其中該再生電路控制模組透過一軸轉換方法轉換該電路訊號為該軸轉換控制訊號。
如請求項2所述之適用於三相變流器測試之能量再生電路，其中該再生電路控制模組根據該電路訊號及該電路參數計算該待測電路之一等效電路的至少一參數，以產生該軸轉換控制訊號。
如請求項3所述之適用於三相變流器測試之能量再生電路，其中該再生電路控制模組透過等效該三相電感為該待測電路之一阻抗計算該待測電路之該等效電路。
如請求項4所述之適用於三相變流器測試之能量再生電路，其中該待測電路包含一交流馬達變頻器電路，該等效電路之該至少一參數包含一馬達端電壓、一永磁磁通量、一馬達同步轉速、一馬達轉速、一馬達轉矩、一負載轉矩、一馬達轉軸轉動慣量，該電路參數包含一馬達線圈電阻、一馬達定子電感及一風阻係數，該軸轉換控制訊號包含一馬達定子之一直軸電流及一交軸電流、一馬達端電壓、一馬達速度電壓，該再生電路控制模組包含一馬達及負載等效電路。
如請求項4所述之適用於三相變流器測試之能量再生電路，其中該待測電路之一輸出端具有一LC濾波器，該等效電路之該至少一參數包含一直軸電流、一交軸電流、一交流輸出電壓及一同步頻率，該軸轉換控制訊號包含一直軸控制電壓、一交軸控制電壓、一輸出電壓之一角度，該再生電路控制模組包含一電網並聯變流器等效電路； <br/>其中該直軸電流為零，該交軸電流根據該交流輸出電壓之一均方根值乘以<img align="absmiddle" height="12px" width="11px" file="ed10040.jpg" alt="ed10040.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>產生； <br/>其中該直軸控制電壓為<img align="absmiddle" height="12px" width="73px" file="ed10041.jpg" alt="ed10041.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，該交軸控制電壓為<img align="absmiddle" height="12px" width="73px" file="ed10042.jpg" alt="ed10042.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>其中<img align="absmiddle" height="17px" width="50px" file="ed10043.jpg" alt="ed10043.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<img align="absmiddle" height="11px" width="12px" file="ed10044.jpg" alt="ed10044.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為一直流匯流排電壓，<img align="absmiddle" height="11px" width="14px" file="ed10045.jpg" alt="ed10045.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為一脈衝調變訊號上下數三角波之一振幅； <br/>其中該輸出電壓之該角度由該同步頻率產生。
如請求項6所述之適用於三相變流器測試之能量再生電路，其中該等效電路之該參數更包含一零序電流，該軸轉換控制訊號更包含一零軸控制電壓；其中該零軸控制電壓為該零序電流經由一比例積分器產生。
如請求項4所述之適用於三相變流器測試之能量再生電路，其中該待測電路包含一獨立式變流器，該等效電路之該至少一參數包含一軸轉換直軸感測電流訊號、一軸轉換交軸感測電流訊號、一虛功電流命令、一實功電流命令、一輸出電壓訊號，該再生電路控制模組包含一獨立式變流器等效電路； <br/>其中該輸出電壓訊號透過一鎖相迴路控制產生該輸出電壓訊號之一角度； <br/>其中該軸轉換直軸感測電流訊號及該虛功電流命令經由一比例積分器產生一第一軸控制訊號，該軸轉換交軸感測電流訊號及該虛功電流命令經由該比例積分器產生一第二軸控制訊號；<sub> </sub><br/>其中該軸轉換控制訊號係根據該第一軸控制訊號及該第二軸控制訊號產生。
如請求項8所述之適用於三相變流器測試之能量再生電路，其中該等效電路之該參數包含一零軸電流訊號，該零軸電流訊號經由一比例積分器產生一第三軸控制訊號；其中該軸轉換控制訊號係進一步根據該第三軸控制訊號產生。
如請求項1所述之適用於三相變流器測試之能量再生電路，其中該類比數位轉換模組更接收一外部感測訊號，並輸入該外部感測訊號至該再生電路控制模組，使該再生電路控制模組進一步根據該外部感測訊號轉換該電路訊號為該軸轉換控制訊號； <br/>其中該外部感測訊號包含一外部電池電壓訊號、一外部電流訊號、一外部模組溫度訊號。
一種雙輸出電源轉換器，至少包含： <br/> 一輸入電壓； <br/> 一第一N通道功率金屬氧化物半導體場效電晶體開關，係電連接該輸入電壓； <br/> 一第二N通道功率金屬氧化物半導體場效電晶體開關，係電連接該輸入電壓，以及電聯接該第一N通道功率金屬氧化物半導體場效電晶體開關； <br/> 一諧振電感，係電連接該第一N通道功率金屬氧化物半導體場效電晶體開關，以及電聯接該第二N通道功率金屬氧化物半導體場效電晶體開關； <br/> 一變壓器初級側激磁電感，係電連接該諧振電感； <br/> 一變壓器初級側線圈，係電連接該諧振電感，以及電連接該變壓器初級側激磁電感； <br/> 一諧振電容，係電連接該輸入電壓，電連接該第二N通道功率金屬氧化物半導體場效電晶體開關，以及電連接該變壓器初級側激磁電感以及該變壓器初級側線圈，其中該諧振電容具有一諧振電壓； <br/> 一第一輸出電阻，係電連接一變壓器第一次級側線圈，電連接一第一二極體，以及電連接一第一輸出電容，該第一輸出電阻具有一第一輸出電壓，該第一二極體係電連接該第一輸出電容，該變壓器第一次級側線圈係電連接該第一輸出電容； <br/> 一第二輸出電阻，該第二輸出電阻係電連接一變壓器第二次級側線圈，電連接一第二二極體，以及電連接一第二輸出電容，該第二輸出電阻具有一第二輸出電壓，該第二二極體係電連接該第二輸出電容，該變壓器第二次級側線圈係電連接該第二輸出電容；<u> </u><br/> 一第一控制器，係電連接該第一二極體，電連接該第一輸出電容，以及電連接該第一輸出電阻； <br/> 一第二控制器，係電連接該第二二極體，電連接該第二輸出電容，以及電連接該第二輸出電阻； <br/> 一脈波寬度調變產生器，電連接一第一比較器，以及電連接一第二比較器； <br/> 一分壓器，係電連接該變壓器初級側激磁電感； <br/> 該第一比較器，係電連接該分壓器； <br/> 該第二比較器，係電連接該分壓器，以及電連接該第一比較器；以及 <br/> 一第三控制器，係電連接一第二加法器，電連接該第一比較器。
如請求項1所述之雙輸出電源轉換器，更加包含: <br/> 一第四控制器，係電連接一第一加法器，電連接該第二比較器。
一種袋單元，設置於在內部形成有收容空間並包括與所述收容空間連通的容器側開口部的外部容器，所述袋單元利用彈性材質形成並在內部形成有用於填充內容物的填充空間，所述袋單元包括：<br/> 袋單元主體，在上下方向上伸長；<br/> 至少一個袋單元主體凹入部，隨著所述袋單元主體的伸長而沿至少一方向延伸；以及<br/> 袋側卡接部，與所述袋單元主體形成為一體，從所述袋單元主體沿半徑方向延伸預定長度而形成並佈置在所述外部容器的上部，<br/> 其中，所述袋側卡接部在其外周表面上包括向內側方向凹陷預定深度而形成的至少一個流路部。
如請求項1所述之袋單元，其中，所述至少一個袋單元主體凹入部與至少一個袋單元主體突出部相鄰地形成，所述至少一個袋單元主體凹入部和所述至少一個袋單元主體突出部交替排列並形成為連續的凹凸形狀，從而在所述袋單元主體隨著所述內容物被填充到所述填充空間中而膨脹時，保持所述至少一個袋單元主體突出部與所述外部容器的內表面接觸且所述至少一個袋單元主體凹入部與所述外部容器的所述內表面隔開的狀態。
如請求項2所述之袋單元，其中，在所述袋單元主體的一端形成有袋單元主體一端部，所述至少一個袋單元主體凹入部包括：<br/> 第一袋單元主體凹入部，具有預定的凹陷周長並沿上下方向延伸形成；以及<br/> 第二袋單元主體凹入部，與所述第一袋單元主體凹入部連續地形成，並形成為其凹陷周長朝所述袋單元主體一端部逐漸減小。
如請求項1所述之袋單元，其中，所述至少一個流路部的截面形成為拱形，所述至少一個流路部與至少一個支撐部相鄰地形成。
如請求項1所述之袋單元，其中，所述至少一個流路部與所述至少一個袋單元主體凹入部連續地形成，從而形成使所述外部容器的內部與外部連通的至少一個減壓路徑。
如請求項2所述之袋單元，其中，在所述袋單元主體的一端形成有袋單元主體一端部，在所述袋單元主體的另一端形成有袋單元主體另一端部，所述袋單元主體另一端部的外周表面與所述至少一個袋單元主體突出部的外周表面對應，所述至少一個袋單元主體凹入部包括：<br/> 第一袋單元主體凹入部，具有預定的凹陷周長並沿上下方向延伸形成；以及<br/> 第三袋單元主體凹入部，形成在所述第一袋單元主體凹入部的一側，具有預定的凹陷周長，並沿上下方向延伸形成為具有比所述第一袋單元主體凹入部延伸的長度小的長度。
如請求項6所述之袋單元，其中，所述第一袋單元主體凹入部與所述袋單元主體形成為一體，從所述袋單元主體沿半徑方向延伸預定長度而形成，形成在佈置於所述外部容器的上部的袋側卡接部和所述袋單元主體一端部之間，並與在所述袋側卡接部的外周表面上向內側方向凹陷預定深度而形成的至少一個流路部連續地形成，從而使所述外部容器的內部與外部連通，<br/> 所述第三袋單元主體凹入部形成在所述袋單元主體一端部與所述袋單元主體另一端部之間。
如請求項7所述之袋單元，其中，所述袋單元主體一端部的外周表面形成為與所述至少一個袋單元主體凹入部的外周表面對應。
一種容器裝置，包括如請求項1至8中任一項所述之袋單元，其包括：<br/> 選擇性密封單元，形成為與所述袋單元的上部結合，並使所述袋單元的所述填充空間與外部選擇性地連通。
如請求項9所述之容器裝置，其中，所述選擇性密封單元的硬度形成為大於所述袋單元的硬度。
如請求項9所述之容器裝置，其中，所述選擇性密封單元包括：<br/> 密封單元支撐部，其至少一部分面接觸於將所述袋單元安置並支撐於所述外部容器的上部的袋側卡接部的上部；以及<br/> 密封單元主體，從所述密封單元支撐部的內周表面延伸形成，並向所述袋單元的所述袋單元主體側延伸預定長度而形成，<br/> 其中，所述密封單元主體在其中央部形成有藉由內容物填充裝置的加壓而選擇性地開閉的狹縫。
如請求項11所述之容器裝置，其中，所述選擇性密封單元還包括：<br/> 密封單元延伸部，與所述密封單元主體形成為一體，並從所述密封單元主體向下部延伸預定長度而形成，<br/> 其中，所述狹縫在所述密封單元延伸部的下部形成在至少一部分區域中。
如請求項11所述之容器裝置，其中，所述選擇性密封單元還包括：<br/> 密封單元蓋部，從所述密封單元主體的下端外周表面向下部方向延伸預定長度而形成，並覆蓋所述密封單元主體的所述中央部。
一種內容物填充裝置，用於向包括如請求項1至8中任一項所述之袋單元和選擇性密封單元的容器裝置填充內容物，所述選擇性密封單元形成為與所述袋單元的上部結合並使所述袋單元的所述填充空間與外部選擇性地連通，所述內容物填充裝置包括：<br/> 噴嘴部，向所述袋單元的所述填充空間注入所述內容物；以及<br/> 密封塊部，覆蓋所述噴嘴部的外周表面的至少一部分，與所述選擇性密封單元的上部緊貼而使所述選擇性密封單元的密封單元內部空間密閉。
如請求項14所述之內容物填充裝置，其中，所述密封塊部包括：<br/> 密封塊支撐部，線接觸或面接觸於密封單元支撐部的上部，所述密封單元支撐部的一部分面接觸於將所述袋單元安置並支撐於外部容器的上部的袋側卡接部的上部；以及<br/> 噴嘴蓋部，與所述密封塊支撐部形成為一體，覆蓋所述噴嘴部的一端部外周表面，以將所述噴嘴部引導到形成在所述選擇性密封單元的中央部的狹縫，<br/> 其中，在所述密封塊支撐部與所述密封單元支撐部接觸的狀態下，所述密封單元內部空間被密閉，所述噴嘴蓋部被收容在所述密封單元內部空間中，從而所述噴嘴部的所述一端部使所述狹縫開放。
如請求項15所述之內容物填充裝置，其中，所述密封塊支撐部和所述噴嘴蓋部形成為具有預定台階差，所述噴嘴蓋部的外直徑形成為小於所述密封單元支撐部的內直徑。
如請求項15所述之內容物填充裝置，其中，所述密封塊支撐部和所述噴嘴蓋部連續地形成為錐體的形狀。
如請求項14所述之內容物填充裝置，其還包括：<br/> 轉接器部，覆蓋所述密封塊部的外表面，並覆蓋外部容器的外表面的一部分，從而使所述噴嘴部和所述密封塊部相對於所述選擇性密封單元定位，並使所述密封單元內部空間密閉。
一種收合機構，用於嬰兒床，該收合機構包括：<br/> 扶手管，該扶手管能夠在展開位置和收合位置之間樞轉，在處於該展開位置時，該扶手管沿著橫向延伸；<br/> 固定座，該固定座的側端與該扶手管樞接；<br/> 鎖定件，該鎖定件可活動地套接於該扶手管的樞接端，該鎖定件能夠在第一鎖定位置和第一釋鎖位置之間滑動，該鎖定件具有位於其端部的鎖定端；和<br/> 操作件，該操作件可滑動地連接於該固定座，該操作件能夠在第二鎖定位置和第二釋鎖位置之間滑動；<br/> 其中，當該操作件從該第二鎖定位置滑動至該第二釋鎖位置時，該操作件驅動該鎖定件從該第一鎖定位置滑動至該第一釋鎖位置；<br/> 其中，在該第一鎖定位置，該鎖定件限制該扶手管的樞轉；在該第一釋鎖位置，該鎖定件允許該扶手管的樞轉；<br/> 其中，該固定座內部形成有沿著該橫向延伸的鎖定孔，<br/> 當該鎖定件處於第一鎖定位置時，該鎖定件的該鎖定端沿著該橫向進入並整體容納在該鎖定孔中，並且通過該鎖定端與該鎖定孔的內壁的接合限制該扶手管相對於該固定座的樞轉；<br/> 當該鎖定件處於第一釋鎖位置時，該鎖定件的鎖定端退出該鎖定孔，以允許該扶手管相對於該固定座的樞轉。
如請求項1所述的收合機構，其中該鎖定件的該鎖定端設有配合斜面，該操作件設置有與該配合斜面驅動配合的驅動斜面，當該操作件從該第二鎖定位置滑動至該第二釋鎖位置時，該驅動斜面抵接並壓靠該配合斜面，以驅動該鎖定件從該第一鎖定位置滑動至該第一釋鎖位置。
如請求項2所述的收合機構，其中該鎖定端的端面形成有凹陷部，該凹陷部的底面相對於該鎖定端的該端面傾斜以形成該配合斜面。
如請求項3所述的收合機構，其中該操作件包括沿著縱向方向延伸的驅動部，該驅動部的端部形成有該驅動斜面，該驅動斜面在該凹陷部內與該配合斜面驅動配合。
如請求項1所述的收合機構，其中該扶手管的該樞接端設置有第一孔，該鎖定件設置有第二孔，該固定座設置有第三孔，樞接件穿過該第一孔、該第二孔和該第三孔，以允許該扶手管和該鎖定件相對於該固定座樞轉。
如請求項3所述的收合機構，其中該鎖定端的該凹陷部以外的部分形成止轉部，當該鎖定件處於該第一鎖定位置時，該止轉部與該鎖定孔的內壁接合以限制該扶手管相對於該固定座的樞轉。
如請求項6所述的收合機構，其中該固定座的內部空間設置有導向肋，該導向肋從該鎖定孔的下側向該固定座的橫向端部延伸，該導向肋朝向該扶手管的一側形成導向弧面，當該扶手管相對於該固定座樞轉時，該鎖定件的該鎖定端在該導向弧面上滑動。
如請求項7所述的收合機構，其中該固定座還包括限位部，該限位部設置於該導向肋靠近該固定座的該橫向端部的一側，當該扶手管處於該收合位置時，該限位部限制該扶手管朝向該展開位置的樞轉。
如請求項8所述的收合機構，其中該限位部包括限位台階和限位面，該限位台階設置在該限位面和該導向弧面之間，該限位面與該扶手管的樞轉中心的距離大於該導向弧面與該扶手管的該樞轉中心的距離。
一種嬰兒床，包括如請求項1至9中任一項所述的收合機構。
一種記憶體元件，包括： <br/>電壓偵測電路，用以接收電壓信號，並且偵測所述電壓信號的準位；以及 <br/>輸入輸出緩衝器電路，配置在所述記憶體元件中，且耦接到所述電壓偵測電路，其中根據所述電壓偵測電路的偵測結果來設定所述輸入輸出緩衝器電路的操作電壓範圍，且所述輸入輸出緩衝器電路的所述操作電壓範圍為第一操作電壓範圍或第二操作電壓範圍，其中所述電壓信號的準位在所述第一操作電壓範圍或所述第二操作電壓範圍內，其中所述電壓偵測電路包括： <br/>比較器，包括第一端、第二端及輸出端，所述比較器的所述第一端用於接收所述電壓信號，所述比較器的所述第二端用於接收參考信號，且所述比較器的所述輸出端用於輸出比較結果，作為所述偵測結果；以及 <br/>正反器，包括第一輸入端、第二輸入端及輸出端，所述正反器的所述第一輸入端用於接收所述偵測結果，所述正反器的所述第二輸入端用於接收時脈信號，其中當所述時脈信號由第一位元值轉為第二位元值時，所述正反器的輸出值和輸入值相等。
如請求項1所述的記憶體元件，其中 <br/>當所述電壓信號的準位大於參考信號的準位時，將所述輸入輸出緩衝器電路設定在所述第一操作電壓範圍；以及 <br/>當所述電壓信號的準位小於或等於所述參考信號的準位時，將所述輸入輸出緩衝器電路設定在所述第二操作電壓範圍。
如請求項2所述的記憶體元件，其中所述第二操作電壓範圍的最大值小於所述第一操作電壓範圍的最小值。
如請求項1所述的記憶體元件，更包括： <br/>模式暫存器電路，耦接到所述電壓偵測電路，且用以儲存至少兩種不同的模式設定。
如請求項4所述的記憶體元件，其中所述模式設定包括所述記憶體元件操作所需的多種信號的設定值，且所述多種信號的設定值對應於所述電壓信號的不同準位。
如請求項1所述的記憶體元件，其中所述輸入輸出緩衝器電路包括寫入驅動器及讀取驅動器，且所述輸入輸出緩衝器電路接收所述電壓信號，並僅以所述電壓信號作為電壓輸入。
一種記憶體元件的操作方法，包括： <br/>接收電壓信號，並且偵測所述電壓信號的準位；以及 <br/>根據偵測結果來設定所述記憶體元件中的輸入輸出緩衝器電路的操作電壓範圍，其中所述輸入輸出緩衝器電路的所述操作電壓範圍為第一操作電壓範圍或第二操作電壓範圍，且所述電壓信號的準位在所述第一操作電壓範圍或所述第二操作電壓範圍內，其中偵測所述電壓信號的準位的步驟包括： <br/>提供一比較器，其包括第一端、第二端及輸出端，所述比較器的所述第一端用於接收所述電壓信號，所述比較器的所述第二端用於接收參考信號，且所述比較器的所述輸出端用於輸出比較結果，作為所述偵測結果；以及 <br/>提供一正反器，其包括第一輸入端、第二輸入端及輸出端，所述正反器的所述第一輸入端用於接收所述偵測結果，所述正反器的所述第二輸入端用於接收時脈信號，其中當所述時脈信號由第一位元值轉為第二位元值時，所述正反器的輸出值和輸入值相等。
如請求項7所述的記憶體元件的操作方法，其中根據所述偵測結果來設定所述記憶體元件中的所述輸入輸出緩衝器電路的所述操作電壓範圍的步驟包括： <br/>當所述電壓信號的準位大於參考信號的準位時，將所述輸入輸出緩衝器電路設定在所述第一操作電壓範圍；以及 <br/>當所述電壓信號的準位小於或等於所述參考信號的準位時，將所述輸入輸出緩衝器電路設定在所述第二操作電壓範圍。
如請求項8所述的記憶體元件的操作方法，其中所述第二操作電壓範圍的最大值小於所述第一操作電壓範圍的最小值。
如請求項7所述的記憶體元件的操作方法，更包括： <br/>將至少兩種不同的模式設定儲存在所述記憶體元件中的所述模式暫存器電路。
如請求項10所述的記憶體元件的操作方法，其中所述模式設定包括所述記憶體元件的多種信號的設定值，且所述多種信號的設定值對應於所述電壓信號的不同準位。
一種剝線鉗，包括： <br/>第一手柄； <br/>第二手柄，樞接該第一手柄； <br/>第一切刀，設置於該第一手柄，且隨該第一手柄與該第二手柄的相對樞轉而移至該第二手柄的切台或遠離該切台；以及 <br/>保護蓋，活動地連接於該第一手柄且遮蔽該第一切刀，當該第一切刀移向該切台而進行纜線裁切時，該保護蓋適於受該纜線頂推而相對於該第一手柄運動，以露出該第一切刀的局部而裁切該纜線。
如請求項1所述的剝線鉗，還包括第一樞軸與第二樞軸，該第一樞軸連接該第一手柄與該第二手柄，該第二樞軸連接該第一手柄與該保護蓋，該第一切刀位於該第一樞軸與該第二樞軸之間。
如請求項2所述的剝線鉗，其中該第一樞軸平行該第二樞軸。
如請求項2所述的剝線鉗，還包括第二切刀，可拆卸地設置於該第二手柄，該第一樞軸位在該第一切刀與該第二切刀之間，該第一手柄沿第一方向旋轉，以讓該第一切刀移至該切台，且讓第一手柄的承靠部移離該第二切刀，該第一手柄沿第二方向旋轉，以讓該第一手柄的承靠部移至該第二切刀，且讓該第一切刀移離該切台，該第一方向與該第二方向彼此相反。
如請求項4所述的剝線鉗，還包括第三切刀，可拆卸地設置於該第二手柄，該第二手柄用以卡置該第二切刀的結構與用以卡置該第三切刀的結構一致，以使該第二切刀與該第三切刀可供使用者交換。
如請求項1所述的剝線鉗，其中該保護蓋沿側向遮蔽該第一切刀，該側向與該第一手柄與該第二手柄的樞接軸向、該保護蓋與該第一手柄的樞接軸向平行或一致。
如請求項1所述的剝線鉗，還包括彈簧，抵接在該第一手柄與該保護蓋之間，該彈簧恆驅動該保護蓋朝完全遮蔽該第一切刀的位置移動。
如請求項7所述的剝線鉗，其中該第二手柄還具有抵推台，位在該切台的相對兩側，在該第一切刀移至該切台時，該保護蓋受該抵推台頂推而壓縮該彈簧。
如請求項1所述的剝線鉗，其中該保護蓋包括基部與從該基部之相對兩側延伸出的兩側板，該基部樞接該第一手柄，該第一切刀位於該兩側板之間。
如請求項9所述的剝線鉗，還包括彈簧，該彈簧的一端收納於該第一手柄的第一容置孔，該彈簧的另一端收納於該基部的第二容置孔。
如請求項1所述的剝線鉗，其中當該第一切刀遠離該切台時，該保護蓋完全遮蔽該第一切刀，當該第一切刀移至該切台時，該保護蓋遮蔽該第一切刀的局部，且該保護蓋的側緣與該切台形成切槽，以使該第一切刀的另一局部從該切槽暴露出。
一種積層陶瓷電容器，其具備： <br/>積層體，其包含積層之複數個介電層，且具有於上述複數個介電層之積層方向上相對之第1主面及第2主面、於與上述積層方向正交之寬度方向上相對之第1側面及第2側面、以及於與上述積層方向及上述寬度方向正交之長度方向上相對之第1端面及第2端面； <br/>第1內部電極層，其配置於上述複數個介電層上，且於上述第1端面露出； <br/>第2內部電極層，其配置於上述複數個介電層上，且於上述第2端面露出； <br/>第1外部電極，其具有配置於上述第1端面上之基底電極層、及配置於上述基底電極層上之鍍覆層；以及 <br/>第2外部電極，其具有配置於上述第2端面上之基底電極層、及配置於上述基底電極層上之鍍覆層；且 <br/>上述第1內部電極層於上述第1側面及第2側面露出， <br/>上述第2內部電極層於上述第1側面及第2側面露出， <br/>上述第1內部電極層具有沿著上述積層體之上述第1側面側之緣之第1區域、及沿著上述積層體之上述第2側面側之緣之第2區域， <br/>於上述第1區域及上述第2區域中形成有Ni-Mg-O相， <br/>上述第2內部電極層具有沿著上述積層體之上述第1側面側之緣之第3區域、及沿著上述積層體之上述第2側面側之緣之第4區域， <br/>於上述第3區域及上述第4區域中形成有Ni-Mg-O相，上述第1區域及上述第2區域各者之寬度方向上之尺寸為5 μm以上50 μm以下，上述第3區域及上述第4區域各者之寬度方向上之尺寸為5 μm以上50 μm以下。
如請求項1之積層陶瓷電容器，其中上述介電層至少包含Mg。
一種用於淨化液體之配置，其包含用於產生經淨化液體之至少一個模組，該至少一個模組包括部分地由膜限定之腔體，該液體之蒸發分子可穿過該膜且在該腔體中冷凝成液態形式，但呈液態形式之流體不可穿過該膜，其中該腔體位於該膜之第二側上且包括封閉底部及位於該封閉底部上方之朝上的出口開口，且其中該配置經組態以將相對暖液體連續地供給至該膜之第一側，使得該第一側與該第二側之間的跨該膜之溫度差誘發蒸氣壓力差，該蒸氣壓力差促使來自進料之該液體之蒸發分子以蒸氣形式通過該膜且進入蒸氣冷凝成液態形式之該腔體中，以產生經淨化液體，其中接合形成且限定暖液體通道之隔室之兩個板在相同的第一側上彼此直接接合以形成暖液體通道之該隔室，而無需任何中間墊片。
如請求項1之配置，其中該配置經組態以將相對暖液體連續地供給至該膜之該第一側，使得該膜之該第一側與該第二側之間的溫度差誘發蒸氣壓力差，該蒸氣壓力差足以使該腔體填充有高於該朝上的出口之水平之冷凝的經淨化液體。
如請求項2之配置，其中該配置經組態以將相對暖液體連續地供給至該膜之該第一側，使得該膜之該第一側與該第二側之間的溫度差誘發蒸氣壓力差，該蒸氣壓力差足以通過該朝上的出口開口從該腔體連續地推出冷凝的經淨化液體。
如請求項1至3中任一項之配置，其中該朝上的出口開口為該腔體之該至少一個出口開口當中的該出口開口，該出口開口位於豎直最靠近該腔體之該封閉底部之高度處。
如請求項1至3中任一項之配置，其中該朝上的出口開口為該腔體之唯一出口開口。
如請求項1至3中任一項之配置，其中該配置經組態以在該膜之該第一側與該第二側之間由相對暖液體之連續供給產生溫度差，該溫度差誘發蒸氣壓力差，該蒸氣壓力差足以使得該液體之穿過該膜之該等蒸發分子之至少一部分藉由將熱傳遞至已存在於該膜之該第二側上之該腔體中之該冷凝的經淨化液體而直接冷凝成經淨化液體，該冷凝的經淨化液體具有比在該膜之該第一側上之該連續供給之該相對暖液體更低的溫度。
如請求項1至3中任一項之配置，其中該配置經組態以在該膜之該第一側與該第二側之間由相對暖液體之該連續供給產生溫度差，該溫度差誘發蒸氣壓力差，該蒸氣壓力差足以使該膜之該第二側上之該腔體內部的該膜之整個區域由冷凝的經淨化液體覆蓋，且使得穿過該膜之該蒸氣藉由將熱傳遞至已存在於該膜之該第二側上之該腔體中之該冷凝的經淨化液體而直接冷凝成經淨化液體，該冷凝的經淨化液體具有比連續供給至該膜之該第一側之該相對暖液體更低的溫度。
如請求項1至3中任一項之配置，其中該朝上的出口開口位於該腔體之頂部處，且該配置經組態以在該膜之該第一側與該第二側之間由相對暖液體之該連續供給產生溫度差，該溫度差誘發蒸氣壓力差，該蒸氣壓力差足以用冷凝的經淨化液體填充整個腔體。
如請求項8之配置，其中該朝上的出口開口位於該腔體之該頂部處，且該配置經組態以在該膜之該第一側與該第二側之間由相對暖液體之該連續供給產生溫度差，該溫度差誘發蒸氣壓力差，該蒸氣壓力差足以通過位於該腔體之該頂部處的該朝上的出口開口從該腔體連續地推出冷凝的經淨化液體，且每時間單位向該腔體連續地添加足夠量之新冷凝的經淨化液體，使得在經淨化液體之產生期間不斷地用冷凝的經淨化液體填充該整個腔體。
如請求項1至3中任一項之配置，其中該朝上的出口開口與重力方向成至少90度。
如請求項1到3中任一項之配置，其中該朝上的出口開口與重力方向實質上相反或成180度。
如請求項1至3中任一項之配置，其中該配置經組態以在該膜之該第一側與該第二側之間由相對暖液體之該連續供給產生溫度差，該溫度差誘發蒸氣壓力差，該蒸氣壓力差足以克服來自已存在於該腔體中之冷凝的經淨化液體之靜壓力，使得該冷凝的經淨化液體通過該朝上的出口開口從該腔體連續地推出或泵出。
如請求項1至3中任一項之配置，其中該液體為水且該產生的經淨化液體為超純水。
一種用於在一配置中淨化液體之方法，該配置包含用於產生經淨化液體之至少一個模組，該至少一個模組包括部分地由膜限定之腔體，該液體之蒸發分子可穿過該膜且在該腔體中冷凝成經淨化液體，但呈液態形式之流體不可穿過該膜，其中該腔體位於該膜之第二側上且包括封閉底部及位於該封閉底部上方之高度水平處的朝上的出口開口，且其中該配置經組態以將相對暖液體連續地供給至該膜之第一側，使得該第一側與該第二側之間的跨該膜之溫度差誘發蒸氣壓力差，該蒸氣壓力差促使來自進料之該液體之蒸發分子以蒸氣形式通過該膜且進入蒸氣冷凝成液態形式之該腔體中以產生經淨化液體之情形，該方法包括：<br/>將兩個板接合在一起以形成且限定暖液體通道之隔室，其中該兩個板在該膜之該第一側上彼此直接接合以形成暖液體通道之該隔室，而無需任何中間墊片，及<br/>連續地將相對暖液體供給至該膜之第一側，以保持該第一側與該第二側之間的跨該膜之溫度差，該溫度差誘發蒸氣壓力差，該蒸氣壓力差足以克服來自已存在於該腔體中之冷凝的經淨化液體之靜壓力，使得在產生期間該腔體經填充至高於該朝上的出口開口之該高度水平，且冷凝的經淨化液體通過該朝上的出口開口連續地推出。
一種黑米(<i>Oryza sativa</i>L.)水萃取物用於製備抑制體重增加、降低血清三酸甘油脂以及調節免疫反應的組合物之用途，其包括投予有效劑量之該組合物至所需個體，其中，該免疫反應包括早期體液免疫反應，該有效劑量係3500至8000 µg/mL，該黑米水萃取物之活性成分包含一第一含量之一總花青素、一第二含量之一總類黃酮及一第三含量之一總多酚，該第一含量小於該第二含量，該第二含量小於該第三含量。
如請求項1所述之用途，其中該黑米(<i>Oryza sativa</i>L.)水萃取物之製備方法係包括：<br/> 浸泡步驟：將至少一黑米浸泡於一水溶液中，以形成一混合溶液；<br/> 加熱萃取步驟：於一定溫度下，對該混合溶液進行一加熱萃取程序；以及<br/> 冷卻步驟：將該混合溶液進行冷卻，以獲得一黑米粥狀物，該黑米粥狀物包含該黑米(<i>Oryza sativa</i>L.)水萃取物。
如請求項2所述之用途，其中該黑米(<i>Oryza sativa</i>L.) 水萃取物之製備方法更包括：<br/> 過濾步驟：過濾該黑米粥狀物，以獲得一黑米萃取液，該黑米萃取液包含該黑米(<i>Oryza sativa</i> L.)水萃取物；以及<br/> 包裝及殺菌步驟：該黑米萃取液經過包裝及121℃殺菌5秒時間，以獲得該黑米(<i>Oryza sativa</i> L.)水萃取物。
如請求項1所述之用途，其中該第一含量係介於167.60至168.80 µg/mL。
如請求項1所述之用途，其中該第二含量係介於552.10至699.70 µg/mL。
如請求項1所述之用途，其中該第三含量係介於2670.20至3273.80 µg/mL。
如請求項2所述之用途，其中該一定溫度的溫度範圍是介於99℃至100℃之間。
如請求項2所述之用途，其中該黑米(<i>Oryza sativa</i> L.) 水萃取物之製備方法之該加熱萃取步驟中更包括：<br/> 攪拌步驟：攪拌該混合溶液，以使該黑米與該水溶液能均勻受到加熱。
如請求項2所述之用途，其中該黑米(<i>Oryza sativa</i> L.) 水萃取物之製備方法之該加熱萃取步驟中更包括：<br/> 包裝及殺菌步驟：對該混合溶液使用耐高溫鋁箔包裝，在殺菌釜(121℃，進行5秒)高溫殺菌處理，可以使該黑米水萃取物抑制細菌生長，能夠保存一年時間。
一種深度感測器之修正用構件，其係用於算出深度感測器所包含之光學系統之參數者；且具備： <br/>複數個第1區域，其排列成規定之圖案狀；及 <br/>複數個第2區域，其位於上述複數個第1區域之相互間； <br/>上述第1區域及上述第2區域中之一者之區域係使自上述深度感測器所包含之光源出射之光反射或散射之構件； <br/>上述第1區域及上述第2區域中之另一者之區域使上述光通過；且 <br/>上述另一者之區域由使上述光透過之透光性材料形成。
一種深度感測器之修正用構件，其係用於算出深度感測器所包含之光學系統之參數者；且具備： <br/>複數個第1部分，其排列成規定之圖案狀，使自上述深度感測器所包含之光源出射之光反射或散射；及 <br/>複數個第2部分，其位於上述複數個第1部分之相互間，垂直於上述複數個第1部分之排列面之方向之位置與上述複數個第1部分不同，且使上述光反射或散射。
如請求項2之深度感測器之修正用構件，其中 <br/>上述第2部分具有與上述第1部分不同之顏色。
如請求項1之深度感測器之修正用構件，其中 <br/>上述規定之圖案係上述複數個第1區域於第1方向及與上述第1方向交叉之第2方向之各者，互相空開間隔而排列之圖案。
一種基板處理裝置，其具備： <br/>腔室，其形成處理基板之處理室； <br/>深度感測器，其測定上述腔室之內部；及 <br/>如請求項1至4中任一項之修正用構件，其設置於上述腔室之內部。
一種基板處理裝置，其具備： <br/>腔室，其形成處理基板之處理室； <br/>深度感測器，其測定上述腔室之內部；及 <br/>修正用構件，其設置於上述腔室之內部，用於算出上述深度感測器所包含之光學系統之參數；且 <br/>上述修正用構件具備： <br/>複數個第1區域，其排列成規定之圖案狀；及 <br/>複數個第2區域，其位於上述複數個第1區域之相互間；且 <br/>上述第1區域及上述第2區域中之一者之區域係使自上述深度感測器所包含之光源出射之光反射或散射之構件； <br/>上述第1區域及上述第2區域中之另一者之區域使上述光通過。
如請求項6之基板處理裝置，其中具備： <br/>供氣部，其設置於上述腔室之頂板部； <br/>基板保持部，其設置於上述腔室內，保持上述基板；及 <br/>感測器位移驅動部，其使上述深度感測器位移；且 <br/>上述修正用構件係供上述複數個第1區域使來自上述供氣部之氣體通過之開口即整流板； <br/>上述深度感測器設置於較上述整流板更靠上述基板保持部側； <br/>上述感測器位移驅動部使上述深度感測器於上述深度感測器朝向上述整流板之修正位置、與上述深度感測器朝向上述腔室內之測定對象物之測定位置之間位移。
一種深度感測器之校正方法，其具備： <br/>事先測定工序，其一面變更深度感測器與如請求項1至4中任一項之修正用構件之位置關係，一面測定包含上述修正用構件之測定空間，產生複數個修正圖像資料；及 <br/>參數推定工序，其基於上述複數個修正圖像資料，求出上述深度感測器之上述參數。
一種深度感測器之校正方法，其具備： <br/>事先測定工序，其一面變更深度感測器與用於算出上述深度感測器所包含之光學系統之參數之修正用構件之位置關係，一面測定包含上述修正用構件之測定空間，產生複數個修正圖像資料；及 <br/>參數推定工序，其基於上述複數個修正圖像資料，求出上述深度感測器之上述參數；且 <br/>上述修正用構件具備： <br/>複數個第1區域，其排列成規定之圖案狀；及 <br/>複數個第2區域，其位於上述複數個第1區域之相互間；且 <br/>上述第1區域及上述第2區域中之一者之區域係使自上述深度感測器所包含之光源出射之光反射或散射之構件； <br/>上述第1區域及上述第2區域中之另一者之區域使上述光通過； <br/>於上述事先測定工序中，上述深度感測器係測定形成處理基板之處理室之腔室之內部之上述測定空間，即包含上述修正用構件之上述測定空間。
如請求項9之深度感測器之校正方法，其中 <br/>於上述事先測定工序中，上述深度感測器測定包含作為上述修正用構件之整流板的上述測定空間。
如請求項10之深度感測器之校正方法，其中進而具備： <br/>對象物測定工序；及 <br/>失真修正工序；且 <br/>於上述事先測定工序中，使位於上述整流板之正下方之上述深度感測器繞水平之旋轉軸線按規定角度旋轉，且測定上述整流板，產生上述複數個修正圖像資料； <br/>於上述參數推定工序中， <br/>自上述複數個修正圖像資料中切出上述整流板中與上述深度感測器之距離在規定之第1距離範圍內之第1被切出部分，產生包含該複數個第1被切出部分之圖像資料，並基於該圖像資料，求出上述深度感測器之上述參數作為第1參數； <br/>自上述複數個修正圖像資料中切出上述整流板中與上述深度感測器之距離在與上述第1距離範圍不同之第2距離範圍內之第2被切出部分，產生包含該複數個第2被切出部分之圖像資料，並基於該圖像資料，求出上述深度感測器之上述參數作為第2參數； <br/>於上述對象物測定工序中，上述深度感測器測定與上述深度感測器之距離在上述第1距離範圍內之測定對象物，產生深度圖像資料； <br/>於上述失真修正工序中，基於上述第1參數對上述深度圖像資料進行失真修正。
一種深度感測器之校正方法，其具備： <br/>事先測定工序，其一面變更深度感測器與用於算出上述深度感測器所包含之光學系統之參數之修正用構件之位置關係，一面測定包含上述修正用構件之測定空間，產生複數個修正圖像資料；及 <br/>參數推定工序，其基於上述複數個修正圖像資料，求出上述深度感測器之上述參數； <br/>對象物測定工序；及 <br/>失真修正工序；且 <br/>上述修正用構件具備： <br/>複數個第1區域，其排列成規定之圖案狀；及 <br/>複數個第2區域，其位於上述複數個第1區域之相互間；且 <br/>上述第1區域及上述第2區域中之一者之區域係使自上述深度感測器所包含之光源出射之光反射或散射之構件； <br/>上述第1區域及上述第2區域中之另一者之區域使上述光通過；且 <br/>於上述事先測定工序中， <br/>以使上述深度感測器與上述修正用構件之距離在第1距離範圍內之方式，一面變更上述深度感測器與上述修正用構件之位置關係，一面測定包含上述修正用構件之測定空間，產生複數個第1修正圖像資料作為上述複數個修正圖像資料；且 <br/>以使上述深度感測器與上述修正用構件之距離在與上述第1距離範圍不同之第2距離範圍內之方式，一面變更上述深度感測器與上述修正用構件之位置關係，一面測定包含上述修正用構件之上述測定空間，產生複數個第2修正圖像資料作為上述複數個修正圖像資料； <br/>於上述參數推定工序中， <br/>基於上述複數個第1修正圖像資料，求出上述參數作為第1參數； <br/>基於上述複數個第2修正圖像資料，求出上述參數作為第2參數； <br/>於上述對象物測定工序中， <br/>上述深度感測器測定與上述深度感測器之距離在上述第1距離範圍內之測定對象物，產生深度圖像資料； <br/>於上述失真修正工序中， <br/>基於上述第1參數對上述深度圖像資料進行失真修正。
一種深度感測器之校正方法，其具備： <br/>事先測定工序，其一面變更深度感測器與用於算出上述深度感測器所包含之光學系統之參數之修正用構件之位置關係，一面測定包含上述修正用構件之測定空間，產生複數個修正圖像資料；及 <br/>參數推定工序，其基於上述複數個修正圖像資料，求出上述深度感測器之上述參數； <br/>對象物測定工序；及 <br/>失真修正工序；且 <br/>上述修正用構件具備： <br/>複數個第1區域，其排列成規定之圖案狀；及 <br/>複數個第2區域，其位於上述複數個第1區域之相互間；且 <br/>上述第1區域及上述第2區域中之一者之區域係使自上述深度感測器所包含之光源出射之光反射或散射之構件； <br/>上述第1區域及上述第2區域中之另一者之區域使上述光通過；且 <br/>於上述事先測定工序中， <br/>一面變更上述深度感測器與上述修正用構件之位置關係，一面使上述深度感測器以第1變焦倍率測定包含上述修正用構件之測定空間，產生作為上述複數個修正圖像資料之複數個第1修正圖像資料；且 <br/>一面變更上述深度感測器與上述修正用構件之位置關係，一面使上述深度感測器以與上述第1變焦倍率不同之第2變焦倍率測定包含上述修正用構件之上述測定空間，產生作為上述複數個修正圖像資料之複數個第2修正圖像資料； <br/>於上述參數推定工序中， <br/>基於上述複數個第1修正圖像資料，求出上述參數作為第1參數； <br/>基於上述複數個第2修正圖像資料，求出上述參數作為第2參數； <br/>於上述對象物測定工序中， <br/>上述深度感測器以上述第1變焦倍率對測定對象物進行測定，產生深度圖像資料； <br/>於上述失真修正工序中， <br/>基於上述第1參數對上述深度圖像資料進行失真修正。
如請求項8之深度感測器之校正方法，其中 <br/>於上述事先測定工序中，變更相機與上述修正用構件之位置關係，且上述相機拍攝包含上述修正用構件之攝像空間，產生複數個攝像圖像資料； <br/>於上述參數推定工序中，基於上述複數個攝像圖像資料，求出上述相機之光學系統之參數。
一種晶圓量測的方法，包括： <br/>產生一第一配方，其用於測量複數個晶圓的一第一晶圓，其中該第一配方包括對應於該些晶圓的該第一晶圓的複數個第一參數； <br/>產生一第二配方，其用於測量該些晶圓的一第二晶圓，該第二晶圓與該第一晶圓不同，該第二配方包括對應於該些晶圓的該第二晶圓的複數個第二參數，且該第二配方與該第一配方不同； <br/>產生一測量程式，其與該第一配方和該第二配方相關聯，該測量程式用於根據該第一配方及該第二配方以期望的順序分別測量該些晶圓中的該第一晶圓和該第二晶圓；以及 <br/>透過執行該測量程式以控制一測量元件，使其分別根據該第一配方和該第二配方來測量該些晶圓的該第一晶圓和該些晶圓的該第二晶圓，其中測量該些晶圓的該第一晶圓進一步包括： <br/>透過執行該測量程式以控制該測量元件的一熱元件，使其將一測量環境溫度改變為該第一測量溫度；以及 <br/>透過執行該測量程式以控制該測量元件，使其在該測量環境溫度下根據該第一配方測量該些晶圓的該第一晶圓，其中該些第一參數對應於該些晶圓的該第一晶圓的一第一半導體元件，其中該些第一參數包括該測量元件的探針的一第一探針圖樣、一第一測量演算法、和一第一測量溫度中的至少一者，其中該些第二參數對應於該些晶圓的該第二晶圓的一第二半導體元件，且其中該些第二參數包括該測量元件的探針的一第二探針圖樣、一第二測量演算法、和一第二測量溫度中的至少一者。
如請求項1所述之方法，其中該第一探針圖樣對應於該第一半導體元件的接觸。
如請求項2所述之方法，其中該第一測量驗算法對應於電特性測量的一第一配置。
如請求項1所述之方法，其中該第二探針圖樣對應於該第二半導體元件的接觸。
如請求項4所述之方法，其中該第二測量演算法對應於電特性測量的一第二配置。
如請求項1所述之方法，其中透過執行該測量程式以控制該測量元件，使其根據該第二配方來測量該些晶圓的該第二晶圓的步驟進一步包括： <br/>透過執行該測量程式以控制該測量元件的該熱元件，使其根據該第二測量溫度將該測量環境溫度改變為一第二溫度；以及 <br/>透過執行該測量程式以控制該測量元件，使其在該測量環境溫度下根據該第二配方來測量該些晶圓的該第二晶圓。
如請求項1所述之方法，其中，透過執行該測量程式，該測量元件被控制以在根據該第一配方測量該些晶圓的該第一晶圓之後，根據該第二配方自動地測量該些晶圓的該第二晶圓。
一種半導體元件，包含： 一下電極層；<br/> 一阻障層，設置於該下電極層上；<br/> 一介電質層，設置於該阻障層上；以及<br/> 一上電極層，設置於該介電質層上，其中該阻障層位於該下電極層與該介電質層之間，<br/> 其中該阻障層之一下部之一材料之一電子親和力與該下電極層之一材料之一電子親和力相同。
如請求項1所述之半導體元件，其中該介電質層藉由該阻障層與該下電極層隔開。
如請求項1所述之半導體元件，其中該介電質層包含高k材料。
如請求項1所述之半導體元件，其中該阻障層包含一上部以及該下部，且該上部之一材料與該下部之該材料不同。
如請求項1所述之半導體元件，其中該阻障層之一厚度在5埃(Å)與35埃(Å)之間之一範圍內。
一種半導體元件，包含：<br/> 一下電極層；<br/> 一第一阻障層，設置於該下電極層上；<br/> 一第二阻障層，設置於該第一阻障層上，其中該第一阻障層以及該第二阻障層形成一阻障層；<br/> 一介電質層，設置於該第二阻障層上；以及<br/> 一上電極層，設置於該介電質層上，<br/> 其中該第一阻障層之一材料之一電子親和力與該下電極層之一材料之一電子親和力相同。
如請求項6所述之半導體元件，其中該介電質層藉由該第一阻障層以及該第二阻障層與該下電極層隔開。
如請求項6所述之半導體元件，其中該第一阻障層之該材料與該第二阻障層之一材料不同。
如請求項6所述之半導體元件，其中該第一阻障層之一厚度在4埃(Å)與20埃(Å)之間之一範圍內，且該第二阻障層之一厚度在1埃(Å)與20埃(Å)之間之一範圍內。
如請求項6所述之半導體元件，其中該阻障層之一厚度在5埃(Å)與35埃(Å)之間之一範圍內。
一種半導體元件的形成方法，包含：<br/> 形成一下電極層；<br/> 沉積一第一阻障層於該下電極層上，其中該第一阻障層之一材料之一電子親和力與該下電極層之一材料之一電子親和力相同；<br/> 沉積一第二阻障層於該第一阻障層上，致使該第一阻障層以及該第二阻障層形成一阻障層；<br/> 形成一介電質層於該第二阻障層上；以及<br/> 形成一上電極層於該介電質層上。
如請求項11所述之方法，其中該沉積該第一阻障層的步驟係執行於該形成該下電極層的步驟之後。
如請求項11所述之方法，其中該沉積該第二阻障層的步驟係執行於該沉積該第一阻障層的步驟之後。
如請求項11所述之方法，其中該沉積該第一阻障層的步驟係藉由一臭氧處理來執行。
如請求項11所述之方法，其中該沉積該第一阻障層之一製程溫度在攝氏200度(°C)與攝氏400度(°C)之間之一範圍內。
如請求項11所述之方法，其中該沉積該第一阻障層係藉由使用一臭氧來執行，且該臭氧具有在每立方公尺50公克(g/m3)與每立方公尺500公克(g/m3)之間之一範圍內之一密度。
如請求項11所述之方法，其中該沉積該第二阻障層的步驟係藉由使用一氮氣電漿來執行。
如請求項11所述之方法，其中該沉積該第二阻障層之一製程溫度在攝氏200度(°C)與攝氏600度(°C)之間之一範圍內。
一種訊號轉換方法，包含：<br/> 將一乙太網路封包，由一乙太網路媒體存取控制器傳送至一收發器；<br/> 該收發器接收該乙太網路封包後，利用一協定堆疊(Protocol Stack)，將該乙太網路封包對應的一乙太網路媒體存取控制協定層堆疊於一無線通訊協定層，以產生一無線通訊封包；及<br/> 依據該無線通訊封包，產生一無線通訊訊號；<br/> 其中該乙太網路封包轉換為該無線通訊封包僅經過一次封包轉傳，且該封包轉傳對應該乙太網路媒體存取控制器與該收發器之間的封包轉傳。
如請求項第1項所述之方法，其中將該乙太網路封包由該乙太網路媒體存取控制器傳送至該收發器，係為利用該乙太網路媒體存取控制器，透過一實體層介面，將該乙太網路封包傳送至該收發器。
如請求項第1項所述之方法，其中依據該無線通訊封包，產生該無線通訊訊號包含：<br/> 利用一數位訊號處理器，執行一數位轉類比程序，以依據該無線通訊封包產生該無線通訊訊號。
如請求項第1項所述之方法，另包含：<br/> 監控一無線網路連線狀態，以獲取該無線網路連線狀態；及<br/> 將該乙太網路封包與該無線通訊封包同步。
如請求項第4項所述之方法，其中控制該乙太網路封包與該無線通訊封包的該同步操作包含：<br/> 將該乙太網路封包指向一無線通訊封包的一收發時間內一對應的時間戳記(Time Stamp)，以控制該無線通訊封包與該乙太網路封包同步。
如請求項第1項所述之方法，其中該乙太網路封包被一有線的訊號承載，且該無線通訊訊號係為一行動通訊訊號。
如請求項第1項所述之方法，其中將該乙太網路封包由該乙太網路媒體存取控制器傳送至該收發器包含：<br/> 將該乙太網路封包，由該乙太網路媒體存取控制器，直接透過一實體層介面，以數位形式傳送至該收發器。
如請求項第1項所述之方法，其中該乙太網路媒體存取控制器在該處理器之內，且該處理器透過該乙太網路媒體存取控制器執行一封包傳送功能。
如請求項第1項所述之方法，其中該乙太網路媒體存取控制器將該乙太網路封包指向該收發器的一資料柱列位址，且該收發器依據該資料柱列位址，利用一先進先出(FIFO)機制接收該乙太網路封包。
一種訊號轉換方法，包含：<br/> 接收一無線通訊訊號；<br/> 依據該無線通訊訊號，產生一無線通訊封包；<br/> 從該無線通訊封包中，提取對應於一乙太網路封包的一乙太網路媒體存取控制協定層，其中該無線通訊封包是由該乙太網路封包對應的該乙太網路媒體存取控制協定層，堆疊於一無線通訊協定層而產生；及<br/> 將該乙太網路封包，由一收發器傳送至一乙太網路媒體存取控制器；<br/> 其中該無線通訊封包轉換為該乙太網路封包僅經過一次封包轉傳，且該封包轉傳對應該乙太網路媒體存取控制器與該收發器之間的封包轉傳。
如請求項第10項所述之方法，其中依據該無線通訊訊號，產生該無線通訊封包包含：<br/> 利用一數位訊號處理器，執行一類比轉數位程序，以依據該無線通訊訊號產生該無線通訊封包。
如請求項第10項所述之方法，其中將該乙太網路封包，由該收發器傳送至該乙太網路媒體存取控制器，係為將該乙太網路封包，透過一實體層介面，由該收發器傳送至該乙太網路媒體存取控制器。
如請求項第10項所述之方法，其中該乙太網路封包被一有線的訊號承載，且該無線通訊訊號係為一行動通訊訊號。
如請求項第10項所述之方法，其中該乙太網路媒體存取控制器將該乙太網路封包指向該收發器的一資料柱列位址，且該收發器依據該資料柱列位址，利用一先進先出(FIFO)機制傳送該乙太網路封包。
如請求項第10項所述之方法，其中在該乙太網路封包被該乙太網路媒體存取控制器接收後，該乙太網路媒體存取控制協定層被解碼，以取得一外部資料訊號。
一種訊號轉換系統，包含：<br/> 一乙太網路媒體存取控制器；<br/> 一收發器，連結於該乙太網路媒體存取控制器；<br/> 一無線協定處理器，耦接於該收發器；及<br/> 一數位訊號處理器，耦接於該無線協定處理器；<br/> 其中該乙太網路媒體存取控制器將一乙太網路封包傳送至該收發器，該收發器接收該乙太網路封包後，該無線協定處理器利用一協定堆疊(Protocol Stack)，將該乙太網路封包對應的一乙太網路媒體存取控制協定層堆疊於一無線通訊協定層，以產生一無線通訊封包，該乙太網路封包轉換為該無線通訊封包僅經過一次封包轉傳，且該封包轉傳對應該乙太網路媒體存取控制器與該收發器之間的封包轉傳，該數位訊號處理器依據該無線通訊封包，產生一無線通訊訊號，且該無線通訊訊號利用一射頻模組發射。
如請求項第16項所述之系統，其中該乙太網路媒體存取控制器將該乙太網路封包，透過一實體層介面下傳送至該收發器。
如請求項第16項所述之系統，其中該數位訊號處理器執行一數位轉類比程序，以依據該無線通訊封包產生該無線通訊訊號。
如請求項第16項所述之系統，另包含：<br/> 一無線控制及狀態監控模組，連結於該乙太網路媒體存取控制器，用以監控一無線網路連線狀態，以獲取該無線網路連線狀態；<br/> 其中該乙太網路封包與該無線通訊封包同步。
如請求項第19項所述之系統，其中該無線協定處理器將該乙太網路封包，指向在一無線通訊封包的一收發時間內一對應的時間戳記(Time Stamp)。
如請求項第16項所述之系統，其中該乙太網路封包被一有線的訊號承載，且該無線通訊訊號係為一行動通訊訊號。
如請求項第16項所述之系統，其中該乙太網路媒體存取控制器直接透過一實體層介面，將該乙太網路封包以數位形式傳送至該收發器，且該乙太網路封包是一數位訊號。
如請求項第16項所述之系統，其中該乙太網路媒體存取控制器在該處理器之內，且該處理器透過該乙太網路媒體存取控制器執行一封包傳送功能。
如請求項第16項所述之系統，其中該乙太網路媒體存取控制器將該乙太網路封包指向該收發器的一資料柱列位址，且該收發器依據該資料柱列位址，利用一先進先出(FIFO)機制收發該乙太網路封包。
一種訊號轉換系統，包含：<br/> 一乙太網路媒體存取控制器；<br/> 一收發器，連結於該乙太網路媒體存取控制器；<br/> 一無線協定處理器，耦接於該收發器；<br/> 一數位訊號處理器，耦接於該無線協定處理器；及<br/> 一射頻模組，耦接於該數位訊號處理器；<br/> 其中該射頻模組接收一無線通訊訊號，該數位訊號處理器依據該無線通訊訊號，產生一無線通訊封包，該無線協定處理器從該無線通訊封包中，提取對應於一乙太網路封包的一乙太網路媒體存取控制協定層，該無線通訊封包是由該乙太網路封包對應的該乙太網路媒體存取控制協定層，堆疊於一無線通訊協定層而產生，及該收發器將該乙太網路封包傳送至該乙太網路媒體存取控制器，該無線通訊封包轉換為該乙太網路封包僅經過一次封包轉傳，且該封包轉傳對應該乙太網路媒體存取控制器與該收發器之間的封包轉傳。
如請求項第25項所述之系統，其中該數位訊號處理器執行一類比轉數位程序，以依據該無線通訊訊號產生該無線通訊封包。
如請求項第25項所述之系統，其中該乙太網路封包，透過一實體層介面，由該收發器傳送至該乙太網路媒體存取控制器。
如請求項第25項所述之系統，其中該乙太網路封包被一有線的訊號承載，且該無線通訊訊號係為一行動通訊訊號。
如請求項第25項所述之系統，其中該乙太網路媒體存取控制器將該乙太網路封包指向該收發器的一資料柱列位址，且該收發器依據該資料柱列位址，利用一先進先出(FIFO)機制傳送該乙太網路封包。
如請求項第25項所述之系統，其中在該乙太網路封包被該乙太網路媒體存取控制器接收後，該乙太網路媒體存取控制協定層被解碼，以取得一外部資料訊號。
一種半導體元件，包括： <br/>一基板，具有一第一凹陷區；以及 <br/>一第一位元線結構，位於該第一凹陷區中； <br/>其中該第一位元線結構具有一第一間隔物、一第二間隔物以及一第三間隔物， <br/>其中該第一間隔物、該第二間隔物及該第三間隔物具有不同材料，以及 <br/>其中該第一間隔物具有一第一介電常數，該第二間隔物具有一第二介電常數，該第三間隔物具有一第三介電常數，且該第一介電常數低於該第二介電常數，該第二介電常數低於該第三介電常數。
如請求項1所述之半導體元件，其中該第一位元線結構接觸位於該基板中的一第一摻雜區。
如請求項1所述之半導體元件，其中該第一凹陷區的一側壁相對於該基板傾斜。
如請求項1所述之半導體元件，其中該第一間隔物包括一含碳材料。
如請求項1所述之半導體元件，其中該第二間隔物設置在該第一間隔物與該第三間隔物之間。
如請求項1所述之半導體元件，其中該第一間隔物設置在該第一凹陷區中。
如請求項6所述之半導體元件，其中該第一間隔物在該第一位元線結構與該第一凹陷區的一側壁之間延伸。
如請求項1所述之半導體元件，還包括： <br/>一第二凹陷區，位於該基板中且相鄰於該第一凹陷區。
如請求項8所述之半導體元件，還包括： <br/>一儲存節點接觸，位於該第二凹陷區中。
如請求項9所述之半導體元件，其中該第一間隔物接觸該儲存節點接觸。
如請求項9所述之半導體元件，其中該儲存節點接觸接觸位於該基板中的一第二摻雜區。
如請求項9所述之半導體元件，其中該第一凹陷區的一底表面相對於該基板低於該儲存節點接觸。
如請求項1所述之半導體元件，還包括： <br/>一第二位元線結構，設置於該基板之上，其中該第一間隔物在該第一位元線結構與該第二位元線結構之間延伸。
如請求項13所述之半導體元件，其中該第二位元線結構藉由一中間層而與該基板間分隔。
如請求項4所述之半導體元件，其中該第二間隔物包括一含氧材料，該第三間隔物包括一含氮材料。
一種電連接器，用於快速插拔導電柱，所述電連接器包括：<br/> 一絕緣本體，其設有相對的頂面及底面、相對的前端面及後端面，貫穿所述底面的至少一對接孔，以及鄰近頂面設置的收容腔；所述對接孔在底面形成供所述導電柱插入的插入口；<br/> 一導電組件，其收容所述對接孔內，用來供所述導電柱對接插入並構成電性連接；<br/> 一解扣件，其組裝在所述收容腔內且包括操作部、解扣部及彈性部；<br/> 其中，所述絕緣本體一體形成有至少一鎖扣臂，所述鎖扣臂設有凸伸入所述對接孔的鎖扣肋，用於鎖扣插入的所述導電柱；外力作用於所述操作部時，所述操作部帶動所述解扣部移動，所述解扣部迫使所述鎖扣肋偏離所述對接孔；撤離外力時，所述彈性部提供彈力而使得所述解扣件回到初始位置；所述導電柱在臨近其上末端處設有鎖扣凹環，所述鎖扣肋可凸伸所述鎖扣凹環；外力作用於所述解扣件時，所述解扣件促使所述鎖扣肋偏離所述對接孔而解除對所述導電柱的鎖扣。
如請求項1所述的電連接器，其中，所述收容腔在所述絕緣本體的前端面形成前開口，所述操作部穿過所述前開口或外力穿過所述前開口而作用於所述操作部。
如請求項2所述的電連接器，其中，所述鎖扣臂的前端設有向所述對接孔方向傾斜的導引面，所述解扣部對應設有傾斜的導引面。
如請求項2所述的電連接器，其中，所述收容腔設有內底面，所述鎖扣肋與所述內底面彼此間隔開且所述鎖扣臂的後端一體連接所述內底面。
如請求項3所述的電連接器，其中，所述彈性部為蛇形結構，且其後端抵接在所述絕緣本體。
如請求項1所述的電連接器，其中，所述絕緣本體設有兩個所述對接孔，每一所述對接孔內收容一所述導電組件，每一所述對接孔的兩側設置有一對所述鎖扣臂，所述鎖扣臂沿前後方向延伸；所述解扣件包括操作部、兩個解扣部、延伸部及彈性部，每一所述解扣部可促使一對所述鎖扣肋偏離對應對接孔，所述延伸部自操作部的後端向後延伸，所述彈性部一端連接所述延伸部，另一端抵接所述絕緣本體。
如請求項6所述的電連接器，其中，中間兩個所述鎖扣臂之間形成容納通路，所述延伸部及彈性部位於所述容納通路內。
如請求項6所述的電連接器，其中，所述收容腔的內底面設有凹槽，所述解扣件在其底面設有防退凸樑，所述防退凸樑抵壓在所述凹槽內。
如請求項6所述的電連接器，其中，所述解扣件設有自所述解扣部的底面向後延伸的舌片部，所述舌片部穿過所述鎖扣臂的下方，用以防止鎖扣臂向下不當變形。
如請求項1所述的電連接器，其中，所述鎖扣肋設有相對的上表面及下表面，上表面為無導引作用的水平結構，所述下表面為具有導引作用的傾斜結構。
一種電泳顯示器，包括：<br/> 一透光電極；<br/> 一主動矩陣背板，其包括複數列像素電極，每個像素電極耦接至包含一閘極線及一源極線的一薄膜電晶體；<br/> 一電泳介質，其設置在該透光電極與該主動矩陣背板之間，其中該電泳介質包含至少三種不同類型的帶電顏料粒子；<br/> 一控制器，其耦接至複數條閘極線，每條閘極線耦接至該複數列像素電極中之一列的薄膜電晶體，並且該控制器耦接至複數條源極線，該控制器進一步配置成藉由向每個薄膜電晶體提供一閘極電壓及一源極電壓來以逐列方式定址該等像素電極；以及<br/> 一非暫時性記憶體，其耦接至該控制器並包含一查找表，其中對於一第一顏色與一第二顏色之間的過渡，該查找表包含用於使該電泳介質在該第一顏色與該第二顏色之間過度的一第一波形及用於使該電泳介質在該第一顏色與該第二顏色之間過度的一第二波形，其中該第一波形及該第二波形在電壓脈波的數量以及每個電壓脈波的極性及振幅方面是相同的，但是其中該第一波形及該第二波形時移達至少1ms，<br/> 該控制器在第一影像與第二影像之間更新該顯示器時執行以下步驟：<br/> 從該查找表接收該第一波形；<br/> 提供該第一波形至一第一列像素電極；<br/> 從該查找表接收該第二波形；<br/> 提供該第二波形至與該第一列像素電極相鄰的一第二列像素電極；<br/> 該查找表進一步包含用於使該電泳介質在該第一顏色與該第二顏色之間過渡的一第三波形，其中該第一波形、該第二波形及該第三波形在電壓脈波的數量以及每個電壓脈波的極性及振幅方面是相同的，但是其中該第一波形、該第二波形及該第三波形彼此時移達至少5ms，並且該控制器進一步執行從該查找表接收該第三波形及提供該第三波形至與第二列電極相鄰的一第三列電極的步驟，其中該第二列電極位於第一列電極與該第三列電極之間；以及<br/> 該查找表進一步包含用於使該電泳介質在該第一顏色與一第三顏色之間過渡的一第四波形，其中該第三波形相對於該第一及第二波形之電壓脈波的數量以及每個電壓脈波的極性及振幅是不同的，但是其中該第一波形、該第二波形及該第三波形彼此時移達至少1ms。
如請求項1之電泳顯示器，其中該第一波形及該第二波形時移達至少5ms。
如請求項1之電泳顯示器，其中該第一波形及該第二波形時移達至少10ms。
如請求項1之電泳顯示器，其中該第一波形及該第二波形時移達達12ms至20ms。
如請求項1之電泳顯示器，其中該第一波形及該第二波形時移達一訊框，其中一訊框是在以逐列方式定址該主動矩陣背板時對該主動矩陣背板中的每個像素進行定址所需的時間。
如請求項1之電泳顯示器，其中該等電壓脈波的振幅在-15V與+15V之間。
如請求項1之電泳顯示器，其中該等電壓脈波的振幅在-24V與+24V之間。
如請求項1之電泳顯示器，其中該電泳介質包含一種反射白色粒子及至少一種可減顏色粒子，或者一種反射白色粒子及至少一種反射顏色粒子。
如請求項1之電泳顯示器，其中該電泳介質包含一第四種類型的電泳粒子。
如請求項9之電泳顯示器，其中該等類型的粒子中之兩種類型帶負電，而該等類型的粒子中之兩種類型帶正電，或者其中該等類型的粒子中之一種類型帶負電，而該等類型的粒子中之三種類型帶正電，或者其中該等類型的粒子中之三種類型帶負電，而該等類型的粒子中之一種類型帶正電。
如請求項1之電泳顯示器，其中該電泳介質被封裝在微膠囊或微胞中。
一種投影影像校正系統，包括：一投影機以及一可攜式電子裝置；其中，<br/> 該投影機經配置以投射一投影影像；以及<br/> 該可攜式電子裝置與該投影機通訊連接，且該可攜式電子裝置包括一加速度感測器及一處理器，該處理器適於接收來自該加速度感測器對於該可攜式電子裝置的至少一運動感測資料，<br/> 其中該可攜式電子裝置的該處理器經配置用以執行一應用程式以執行：<br/> 使該可攜式電子裝置顯示一使用者介面，其中該使用者介面具有多個圖標；<br/> 響應於該些圖標中的一個圖標被選擇，顯示被選擇的該圖標所對應的一功能介面；<br/> 響應於該功能介面的操作以及該加速度感測器的感測，依序於第1時點及第2時點，分別接收來自該加速度感測器對於該可攜式電子裝置的一第1運動感測資料及一第2運動感測資料，其中該至少一運動感測資料包括該第1運動感測資料及該第2運動感測資料，該功能介面的該操作的操作時間包括一初始時點及一終止時點，該處理器設定該第1時點對應至該初始時點，該第1運動感測資料為一基準感測資料，該第2時點早於或等於該終止時點；<br/> 基於該第1運動感測資料以及該第2運動感測資料，計算該第2運動感測資料相對於該基準感測資料的一第1變化量，並依據該第1變化量計算出該功能介面的該操作所對應的功能種類的一第1參數校正量；以及<br/> 於該第2時點，傳送該功能介面的該操作所對應的該功能種類及該第1參數校正量至該投影機，<br/> 其中該投影機經配置以：<br/> 基於所接收到的該功能介面的該操作所對應之該功能種類以及該第1參數校正量，調整該投影影像。
如請求項1所述的投影影像校正系統，其中該處理器於第3時點至第N+3時點接收來自該加速度感測器對於該可攜式電子裝置的第3運動感測資料至第N+3運動感測資料，其中N為等於0或大於0的正整數，該至少一運動感測資料更包括該第3運動感測資料至該第N+3運動感測資料，且任兩相鄰的時點具有相同時間間隔，該第N+3時點早於或等於該終止時點，該可攜式電子裝置的該處理器還經配置用以執行該應用程式以執行：<br/> 計算該第N+3運動感測資料相對於第N+2感測資料的第N+2變化量；<br/> 依據該第N+2變化量計算出該功能介面的該操作所對應的該功能種類的第N+2參數校正量；以及<br/> 於該第N+3時點，將該功能介面的該操作所對應的該功能種類及該第N+2參數校正量傳送至該投影機。
如請求項1所述的投影影像校正系統，其中該至少一運動感測資料的每一個包括對應該可攜式電子裝置相對於重力方向的角度及/或角加速度。
如請求項1所述的投影影像校正系統，其中該可攜式電子裝置的該處理器還經配置用以執行該應用程式以執行：<br/> 響應於該功能介面的該操作的該終止時點後，停止接收來自該加速度感測器的該至少一運動感測資料。
如請求項4所述的投影影像校正系統，其中該功能介面包括至少一功能圖標，該可攜式電子裝置的該處理器還經配置用以執行該應用程式以執行：<br/> 偵測到該功能介面的該至少一功能圖標中的一功能圖標被觸碰時，判斷當下的時點為該操作的該初始時點；以及<br/> 在偵測到該功能介面的該至少一功能圖標中的該功能圖標的觸碰消失時，判斷當下的時點為該操作的該終止時點。
如請求項4所述的投影影像校正系統，其中該功能介面包括至少一功能圖標，該可攜式電子裝置的該處理器還經配置用以執行該應用程式以執行：<br/> 在偵測到該功能介面的該至少一功能圖標中的一功能圖標被單次觸碰時，判斷當下的時點為該操作的該初始時點；以及<br/> 在偵測到該功能介面的該至少一功能圖標中的該功能圖標再次被觸碰時，判斷當下的時點為該操作的該終止時點。
如請求項5所述的投影影像校正系統，其中該使用者介面的該些圖標包括對應梯形校正的圖標，當對應該梯形校正的該圖標被選擇，該可攜式電子裝置顯示對應該梯形校正的該功能介面。
如請求項7所述的投影影像校正系統，其中對應該梯形校正的該功能介面包括一垂直校正的功能圖標、一水平校正的功能圖標以及一旋轉校正的功能圖標；其中該可攜式電子裝置的該處理器還經配置用以執行該應用程式以執行：<br/> 響應於該功能介面的該操作為選擇該垂直校正的功能圖標，接收來自該加速度感測器的一第一軸參數值以作為該至少一運動感測資料；<br/> 響應於該功能介面的該操作為選擇該水平校正的功能圖標，接收來自該加速度感測器的一第二軸參數值以作為該至少一運動感測資料；以及<br/> 響應於該功能介面的該操作為選擇該旋轉校正的功能圖標，接收來自該加速度感測器的該第一軸參數值以及該第二軸參數值以作為該至少一運動感測資料。
如請求項5所述的投影影像校正系統，其中該使用者介面的該些圖標包括對應四角校正的圖標，當對應該四角校正的該圖標被選擇，該可攜式電子裝置顯示對應該四角校正的該功能介面，對應該四角校正的該功能介面包括四個功能圖標，該四個功能圖標分別對應至該投影影像中的四個角落位置，響應於該四個功能圖標的其中一個功能圖標被選擇，該可攜式電子裝置的該處理器還經配置用以執行該應用程式以執行：<br/> 在計算出被選擇的該功能圖標所對應的該第1參數校正量之後，將該功能圖標所對應的該角落位置、該第1參數校正量傳送至該投影機，使得該投影機基於所接收到的該角落位置、該第1參數校正量，自該角落位置來調整該投影影像。
一種投影影像校正方法，適用於一投影影像校正系統，該投影影像校正系統包括一投影機以及一可攜式電子裝置，該投影機經配置以投射一投影影像，該可攜式電子裝置與該投影機通訊連接，且該可攜式電子裝置包括一加速度感測器及一處理器，該處理器適於接收來自該加速度感測器對於該可攜式電子裝置的至少一運動感測資料，該處理器經配置用以執行一應用程式以執行如下步驟：<br/> 使該可攜式電子裝置顯示一使用者介面，其中該使用者介面具有多個圖標；<br/> 響應於該些圖標中的一個圖標被選擇，顯示被選擇的該圖標所對應的一功能介面；<br/> 響應於該功能介面的操作以及該加速度感測器的感測，依序於第1時點及第2時點，分別接收來自該加速度感測器對於該可攜式電子裝置的一第1運動感測資料及一第2運動感測資料，其中該至少一運動感測資料包括該第1運動感測資料及該第2運動感測資料，該功能介面的該操作的操作時間包括一初始時點及一終止時點，該處理器設定該第1時點對應至該初始時點，該第1運動感測資料為一基準感測資料，該第2時點早於或等於該終止時點；<br/> 基於該第1運動感測資料及該第2運動感測資料，計算該第2運動感測資料相對於該基準感測資料的一第1變化量，並依據該第1變化量計算出該功能介面的該操作所對應的功能種類的一第1參數校正量；以及<br/> 於該第2時點，傳送該功能介面的該操作所對應的該功能種類及該第1參數校正量至該投影機，使得該投影機基於所接收到的該功能介面的該操作所對應之該功能種類以及該第1參數校正量，調整該投影影像。
如請求項10所述的投影影像校正方法，其中該處理器於第3時點至第N+3時點接收來自該加速度感測器對於該可攜式電子裝置的第3運動感測資料至第N+3運動感測資料，其中N為等於0或大於0的正整數，該至少一運動感測資料更包括該第3運動感測資料至該第N+3運動感測資料，且任兩相鄰的時點具有相同時間間隔，該第N+3時點早於或等於該終止時點，該處理器還經配置用以執行該應用程式執行如下步驟：<br/> 計算該第N+3運動感測資料相對於第N+2感測資料的第N+2變化量；<br/> 依據該第N+2變化量計算出該功能介面的該操作所對應的該功能種類的第N+2參數校正量；以及<br/> 於該第N+3時點，將該功能介面的該操作所對應的該功能種類及該第N+2參數校正量傳送至該投影機。
如請求項10所述的投影影像校正方法，其中該至少一運動感測資料的每一個包括對應該可攜式電子裝置相對於重力方向的角度及/或角加速度。
如請求項10所述的投影影像校正方法，該處理器還經配置用以執行該應用程式執行如下步驟：<br/> 響應於該功能介面的該操作的該終止時點後，停止接收來自該加速度感測器的該至少一運動感測資料。
如請求項13所述的投影影像校正方法，其中該功能介面包括至少一功能圖標，該處理器還經配置用以執行該應用程式執行如下步驟：<br/> 偵測到該功能介面的該至少一功能圖標中的一功能圖標被觸碰時，判斷當下的時點為該操作的該初始時點；以及<br/> 在偵測到該功能介面的該至少一功能圖標中的該功能圖標的觸碰消失時，判斷當下的時點為該操作的該終止時點。
如請求項13所述的投影影像校正方法，其中該功能介面包括至少一功能圖標，該處理器還經配置用以執行該應用程式執行如下步驟：<br/> 在偵測到該功能介面的該至少一功能圖標中的一功能圖標被單次觸碰時，判斷當下的時點為該操作的該初始時點；以及<br/> 在偵測到該功能介面的該至少一功能圖標中的該功能圖標再次被觸碰時，判斷當下的時點為該操作的該終止時點。
如請求項14所述的投影影像校正方法，其中該使用者介面的該些圖標包括對應梯形校正的圖標，當對應該梯形校正的該圖標被選擇，該可攜式電子裝置顯示對應該梯形校正的該功能介面。
如請求項16所述的投影影像校正方法，其中對應該梯形校正的該功能介面包括一垂直校正的功能圖標、一水平校正的功能圖標以及一旋轉校正的功能圖標，該處理器還經配置用以執行該應用程式執行如下步驟：<br/> 響應於該功能介面的該操作為選擇該垂直校正的功能圖標，接收來自該加速度感測器的一第一軸參數值以作為該至少一運動感測資料；<br/> 響應於該功能介面的該操作為選擇該水平校正的功能圖標，接收來自該加速度感測器的一第二軸參數值以作為該至少一運動感測資料；以及<br/> 響應於該功能介面的該操作為選擇該旋轉校正的功能圖標，接收來自該加速度感測器的該第一軸參數值以及該第二軸參數值以作為該至少一運動感測資料。
如請求項14所述的投影影像校正方法，其中該使用者介面的該多個圖標包括對應四角校正的圖標，當對應該四角校正的該圖標被選擇，該可攜式電子裝置顯示對應該四角校正的該功能介面，對應該四角校正的該功能介面包括四個功能圖標，該四個功能圖標分別對應至該投影影像中的四個角落位置，響應於該四個功能圖標的其中一個功能圖標被選擇，該處理器還經配置用以執行該應用程式執行如下步驟：<br/> 在計算出被選擇的該功能圖標所對應的該第1參數校正量之後，將該功能圖標所對應的該角落位置、該第1參數校正量傳送至該投影機，使得該投影機基於所接收到的該角落位置、該第1參數校正量，自該角落位置來調整該投影影像。
一種非暫態電腦可讀取記錄媒體，記錄一應用程式，經由一可攜式電子裝置的一處理器載入該應用程式以執行下列步驟：<br/> 使該可攜式電子裝置顯示一使用者介面，其中該使用者介面具有多個圖標；<br/> 響應於該些圖標中的一個圖標被選擇，顯示被選擇的該圖標所對應的一功能介面；<br/> 響應於該功能介面的操作以及該可攜式電子裝置中的一加速度感測器的感測，依序於第1時點及第2時點，分別接收來自該加速度感測器對於該可攜式電子裝置的一第1運動感測資料及一第2運動感測資料，該功能介面的該操作的操作時間包括一初始時點及一終止時點，該處理器設定該第1時點對應至該初始時點，該第1運動感測資料為一基準感測資料，該第2時點早於或等於該終止時點；<br/> 基於該第1運動感測資料以及該第2運動感測資料，計算該第2運動感測資料相對於該基準感測資料的一第1變化量，並依據該第1變化量計算出該功能介面的該操作所對應的功能種類的一第1參數校正量；以及<br/> 於該第2時點，傳送該功能介面的該操作所對應的該功能種類及該第1參數校正量至一投影機，使得該投影機基於所接收到的該功能介面的該操作所對應之該功能種類以及該第1參數校正量，調整一投影影像。
一種多透鏡光學元件(200)，包括：多個光通道(202)；其中，所述多個光通道(202)中的每一個係由一相應場透鏡(204)和一相應成像透鏡(206)所定義；結構化層(212)，其被配置以為所述多個光通道(202)中的每一個定義通過所述光通道(202)而投影的一個部分投影，以通過疊加來自所述多個光通道(200)的所述多個部分投影來獲得結果投影；光著色層(216)，其設置在所述多個光通道(202)中的至少一個光通道(202)中；其中，所述光著色層(216)被設置為覆蓋與所述至少一個光通道(202)對應的所述結構化層(212)的第一部分，並使與所述至少一個光通道(202)對應的所述結構化層(212)的剩餘部分沒有所述光著色層(216)；其中，所述光著色層(216)被配置為對穿過所述光著色層(216)的光施加預定義顏色，其中，與所述至少一個光通道(202)相對應的所述結構化層(212)包括被配置為定義所述部分投影的多個結構化特徵(214)；以及其中，所述光著色層(216)被設置為覆蓋所述多個結構化特徵(214)中的一個或多個結構化特徵(214)，同時使所述多個結構化特徵(214)中的其他一個或多個結構化特徵(214)沒有所述光著色層(216)。
如請求項1所述的多透鏡光學元件(200)，其中，所述光著色層(216)被設置為與所述多個結構化特徵(214)中的一個的一部分重疊，同時使所述一個結構化特徵(214)的其他部分沒有所述光著色層(216)。
如請求項1所述的多透鏡光學元件(200)，其中，所述光著色層(216)是濾色器，其被配置為允許波長在預定波長範圍內的光穿過所述光著色層(216)，同時阻擋波長在所述預定波長範圍之外的光。
如請求項1所述的多透鏡光學元件(200)，還包括設置在所述至少一個光通道(202)中的第二光著色層(310-2)；其中，所述第二光著色層(310-2)被設置為覆蓋所述結構化層(212)的與所述至少一個光通道(202)相對應的第二部分。
如請求項4所述的多透鏡光學元件(200)，其中，所述第二光著色層(310-2)被配置為將不同於由所述光著色層(216,310-1)定義的所述預定義顏色的第二預定義顏色施加到穿過所述第二光著色層(310-2)的光上；或其中，所述第二光著色層(310-2)被配置為將等於由所述光著色層(216,310-1)定義的所述預定義顏色的第二預定義顏色施加到穿過所述第二光著色層(310-2)的光上。
如請求項1所述的多透鏡光學元件(200)，還包括：額外光著色層(310b)，其設置在所述多個光通道(202)中的至少一個額外光通道(202，302-2)中；其中，所述額外光著色層(310b)被設置為覆蓋所述結構化層(212，306)的與所述至少一個額外光通道(302-2)相對應的額外第一部分，且使所述結構化層(212，306)的與所述至少一個額外光通道(202，302-2)相對應的額外剩餘部分沒有所述額外光著色層(310b)；其中，所述額外光著色層(310b)被配置為對穿過所述額外光著色層(310b)的光施加額外預定義顏色。
如請求項6所述的多透鏡光學元件(200)，其中，由所述光著色層(216，310a)施加的所述預定義顏色與由所述額外光著色層(310b)施加的所述額外預定義顏色相同；或其中，由所述光著色層(216、310a)施加的所述預定義顏色不同於由所述額外光著色層(310b)施加的所述額外預定義顏色。
如請求項6所述的多透鏡光學元件(200)，其中，所述結構化層(212，306)定義了與所述至少一個光通道(202，302-1)相對應的結構化特徵(214，308-1)和與所述額外光通道(302-2)相對應的額外結構化特徵(308-1)；其中，所述結構化特徵(308-1)和所述額外結構化特徵(308-1)對應於所述結果投影中的相同投影特徵；其中，所述光著色層(216，310a)被設置為覆蓋所述結構化特徵(308-1)的與所述至少一個光通道(202，302-1)相對應的第一表面區域；其中，所述額外光著色層(310b)被設置為覆蓋與所述額外光通道(302-2)相對應的所述額外結構化特徵(308-1)的第二表面區域；其中，所述第一表面區域不同於所述第二表面區域。
如請求項8所述的多透鏡光學元件(200)，其中，所述光著色層(216，310a)被設置為完全覆蓋與所述至少一個光通道(202，302-1)相對應的所述結構化特徵(308-1)；其中，所述額外光著色層(310b)被設置為覆蓋與所述額外光通道(302-2)相對應的所述額外結構化特徵(308-1)的一部分，同時使所述額外結構化特徵(308-1)的另一部分沒有所述額外光著色層(310b)。
如請求項8所述的多透鏡光學元件(200)，其中，所述第一表面區域和所述第二表面區域定義所述結構化特徵(308-1)的總表面區域的互補部分。
如請求項1所述的多透鏡光學元件(200)，其中，所述多透鏡光學元件(200)包括作為場透鏡(204)的第一微透鏡陣列；其中，所述多透鏡光學元件(200)包括作為成像透鏡(206)的第二微透鏡陣列。
一種投影系統(600)，包括：如請求項1至11中任一項所述的多透鏡光學元件(200，602)；光源(604)，其被配置為照亮所述多透鏡光學元件(200，602)，以通過疊加由所述結構化層(212)為所述多透鏡光學元件(200，602)的所述多個光通道(202)定義的各該部分投影來獲得所述結果投影。
如請求項12所述的投影系統(600)，其中，所述光源(602)被配置為發射白光。
如請求項12所述的投影系統(600)，還包括：控制電路(606)，其被配置以控制所述光源(604)的發光；其中，所述控制電路(606)被配置為響應於預定義的車輛相關觸發事件來觸發所述光源(604)的發光。
一種溫度監控系統，其用以監測配置於一軌道的一饋電線的溫度，所述溫度監控系統包含：<br/> 多個無線取電溫度感測模組，其分別對應於所述軌道的多個軌道段配置、並分別安裝於所述饋電線的多個饋電段，並且每個所述無線取電溫度感測模組包含：<br/> 一無線取電裝置，設置於所述軌道段的一側，所述無線取電裝置供相對應的所述饋電段穿設於內，所述無線取電裝置包含：<br/> 一感應環，沿垂直於相對應的所述饋電段的一寬度方向環繞於所述饋電段；其中，所述感應環包含：<br/> 一環狀主體，沿所述寬度方向環繞於所述饋電段；以及<br/> 一感應線圈，沿所述環狀主體的側壁以螺旋方式纏繞於所述環狀主體的外表面；以及<br/> 一電源轉換電路，電性連接於所述感應環，所述電源轉換電路通過所述感應環接收一感應電源，並轉換所述感應電源為一供應電源；及<br/> 一溫度感測裝置，電性連接於所述無線取電裝置的所述電源轉換電路，並且接收所述供應電源，以作為所述溫度感測裝置的電源；<br/> 其中，所述溫度感測裝置包含一溫度感測元件，其固接於相對應的所述饋電段，用以量測相對應的所述饋電段的溫度，以使所述溫度感測裝置能對應取得一溫度感測訊號，並輸出所述溫度感測訊號；以及<br/> 一控制裝置，接收多個所述無線取電溫度感測模組的所述溫度感測裝置輸出的所述溫度感測訊號，以得知多個所述饋電段的一溫度狀態。
如請求項1所述的溫度監控系統，其中，當所述控制裝置得知多個所述軌道段的其中之一的所述軌道段對應所述饋電段的所述溫度狀態異常時，所述控制裝置控制位在所述軌道上的一搬運車停止運作，或控制所述搬運車避開所述溫度狀態異常的所述饋電段對應的所述軌道段。
如請求項1所述的溫度監控系統，其中，所述無線取電裝置的形狀呈一盒體，所述盒體具有多個穿孔組，多個所述穿孔組供所述饋電線穿過，以使所述感應環感應所述饋電線的能量。
如請求項1所述的溫度監控系統，其中，所述電源轉換電路包含有一整流電路與電性耦接於所述整流電路的一穩壓電路，所述整流電路電性連接於所述感應環，並整流所述感應電源而產生一整流訊號，所述穩壓電路穩壓所述整流訊號而產生所述供應電源。
如請求項1所述的溫度監控系統，其中，所述溫度感測裝置包含一傳輸埠，所述溫度感測裝置通過所述傳輸埠傳輸所述溫度感測訊號至所述控制裝置；其中，所述傳輸埠為一有線傳輸埠或一無線傳輸埠。
一種無線取電溫度感測模組，其用以量測配置於一軌道的一饋電線的溫度，所述無線取電溫度感測模組包含：<br/> 一無線取電裝置，設置於所述軌道的一側，所述無線取電裝置供所述饋電線穿設於內，所述無線取電裝置包含：<br/> 一感應環，沿垂直於所述饋電線的一寬度方向環繞所述饋電線；其中，所述感應環包含：<br/> 一環狀主體，沿所述寬度方向環繞於所述饋電段；以及<br/> 一感應線圈，沿所述環狀主體的側壁以螺旋方式纏繞於所述環狀主體的外表面；以及<br/> 一電源轉換電路，電性連接於所述感應環，所述電源轉換電路通過所述感應環接收一感應電源，並轉換所述感應電源為一供應電源；以及<br/> 一溫度感測裝置，電性連接於所述無線取電裝置的所述電源轉換電路，並且接收所述供應電源，以作為所述溫度感測裝置的電源；其中，所述溫度感測裝置包含一溫度感測元件，其固接於所述饋電線，用以量測相對應的所述饋電線的溫度，以使所述溫度感測裝置能對應取得一溫度感測訊號，並輸出所述溫度感測訊號。
如請求項6所述的無線取電溫度感測模組，其中，所述無線取電裝置的形狀呈一盒體，所述盒體具有多個穿孔組，多個所述穿孔組供所述饋電線穿過，以使所述感應環感應所述饋電線的能量。
如請求項6所述的無線取電溫度感測模組，其中，所述電源轉換電路包含有一整流電路與電性耦接於所述整流電路的一穩壓電路，所述整流電路電性連接於所述感應環，並整流所述感應電源而產生一整流訊號，所述穩壓電路穩壓所述整流訊號而產生所述供應電源。
如請求項6所述的無線取電溫度感測模組，其中，所述溫度感測裝置包含一傳輸埠，所述溫度感測裝置通過所述傳輸埠傳輸所述溫度感測訊號至一控制裝置；其中，所述傳輸埠為一有線傳輸埠或一無線傳輸埠。
一種顯示裝置，包含： 一基板，包含一顯示區域及一非顯示區域； 一驅動薄膜電晶體，在該基板上具有一多晶半導體層、一閘極電極、一源極電極以及一汲極電極； 一開關薄膜電晶體，在該基板上具有一氧化物半導體層、一閘極電極、一源極電極以及一汲極電極； 一第一平坦化層，設置於該驅動薄膜電晶體上； 一連接電極，設置於該第一平坦化層上，且連接於該驅動薄膜電晶體的該源極電極或該汲極電極； 一第二平坦化層，設置於該第一平坦化層及該連接電極上； 一壩結構，設置於該基板上且圍繞該顯示區域； 一封裝層，設置於該第二平坦化層上，且包含至少一無機層及一有機層，其中該至少一無機層從該顯示區域延伸至該非顯示區域並覆蓋該壩結構； 一觸控墊，設置於該基板上，且位於該非顯示區域中的一觸控墊區域中； 一觸控緩衝層，設置於該封裝層上，且從該顯示區域延伸至該觸控墊區域； 一觸控電極連接線，設置於該觸控緩衝層上，且連接於該觸控墊； 一觸控絕緣層，設置於該觸控緩衝層及該觸控電極連接線上，且從該顯示區域延伸至該觸控墊區域；以及 一對觸控電極，設置於該觸控絕緣層上，且連接於該觸控電極連接線。
如請求項1所述的顯示裝置，更包含一光阻擋層，設置於該基板與該開關薄膜電晶體的該氧化物半導體層之間。
如請求項2所述的顯示裝置，其中該開關薄膜電晶體的該閘極電極重疊於該光阻擋層。
如請求項2所述的顯示裝置，其中該光阻擋層與該驅動薄膜電晶體的該閘極電極設置於同一層。
如請求項2所述的顯示裝置，其中該光阻擋層電性連接於該開關薄膜電晶體的該閘極電極，以形成一雙閘極。
如請求項1所述的顯示裝置，更包含一儲存電容器，該儲存電容器具有一第一電極及一第二電極，該第一電極與該驅動薄膜電晶體的該閘極電極設置於同一層。
如請求項6所述的顯示裝置，其中該儲存電容器的該第二電極連接於該開關薄膜電晶體的該源極電極或該汲極電極。
如請求項6所述的顯示裝置，更包含一組資料線，該組資料線形成於與該儲存電容器的該第二電極同一層上。
如請求項1所述的顯示裝置，更包含一觸控保護層，設置於該組觸控電極上。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該觸控電極連接線穿過該觸控緩衝層以接觸該觸控墊。
如請求項1所述的顯示裝置，更包含一彩色濾光層，設置於該觸控電極連接線或該封裝層上。
如請求項1所述的顯示裝置，更包含一有機發光二極體，該有機發光二極體設置於該第二平坦化層上且包含一陽極電極、一陰極電極及一發光層。
如請求項12所述的顯示裝置，更包含一堤層，該堤層設置於該有機發光二極體的該陽極電極上，且由一非透明材料形成。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該至少一無機層包含一第一無機層及一第二無機層，且該有機層設置於該第一無機層與該第二無機層之間。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該壩結構的一下層與該第一平坦化層位於同一層，或該壩結構的一上層與該第二平坦化層位於同一層。
如請求項1所述的顯示裝置，更包含一第一閘極絕緣層及一第一層間絕緣層，該第一閘極絕緣層設置於該驅動薄膜電晶體的該閘極電極與該多晶半導體層之間，該第一層間絕緣層設置於該驅動薄膜電晶體的該閘極電極上。
如請求項16所述的顯示裝置，更包含依序設置於該第一層間絕緣層上的一上緩衝層、一第二閘極絕緣層以及一第二層間絕緣層，其中該驅動薄膜電晶體的該源極電極及該汲極電極形成於該第二層間絕緣層上。
如請求項17所述的顯示裝置，其中該上緩衝層將該開關薄膜電晶體的該氧化物半導體層與該驅動薄膜電晶體的該多晶半導體層間隔開。
如請求項17所述的顯示裝置，其中該第二閘極絕緣層覆蓋該開關薄膜電晶體的該氧化物半導體層。
如請求項1所述的顯示裝置，更包含一低位驅動電力線，形成於該非顯示區域中，且至少部分包圍該顯示區域。
如請求項20所述的顯示裝置，其中該低位驅動電力線與該驅動薄膜電晶體的該閘極電極設置於同一層，且該壩結構重疊於該低位驅動電力線。
如請求項1所述的顯示裝置，更包含一組資料線，與該驅動薄膜電晶體的該閘極電極形成於同一層。
如請求項1所述的顯示裝置，更包含： 一閘極驅動器，位於該基板的該顯示區域中； 一組水平線，設置於該非顯示區域中的一水平線區域中； 一或多條第一電力線，設置於該非顯示區域中的該水平線區域中；以及 一或多條第二電力線，連接於該一或多條第一電力線，其中該一或多條第二電力線與該組水平線相交。
如請求項23所述的顯示裝置，其中該組水平線與該開關薄膜電晶體的該閘極電極、該源極電極或該汲極電極形成於同一層中。
如請求項23所述的顯示裝置，其中該一或多條第一電力線或該一或多條第二電力線與該開關薄膜電晶體的該源極電極或該汲極電極形成於同一層中。
如請求項23所述的顯示裝置，其中該一或多條第一電力線或該一或多條第二電力線的至少一部分與該連接電極形成於同一層中。
一種半導體裝置，包含：<br/> 一基板；<br/> 一漂移區，位於該基板內；<br/> 一阱區，位於該漂移區內；<br/> 一第一屏蔽區，位於該漂移區內且具有接觸該阱區的一側壁的一第一部分與接觸該阱區的一底面的一第二部分，其中該第一屏蔽區的一底面低於該阱區的該底面且該第一屏蔽區的一載子濃度高於該阱區的一載子濃度；<br/> 一接面場效電晶體區，位於該漂移區內，其中該接面場效電晶體區的一底面低於該第一屏蔽區的該底面，該第一屏蔽區的該第一部分位於該阱區和該接面場效電晶體區之間；<br/> 一第二屏蔽區，位於該漂移區內；<br/> 一源極區，相鄰於該阱區；以及<br/> 一閘極結構，位於該漂移區上。
一種半導體裝置，包含：<br/> 一基板；<br/> 一閘極結構，位於該基板上；<br/> 複數個阱區，位於該基板內且於該閘極結構的兩側；<br/> 複數個第一屏蔽區，位於該基板內且於該閘極結構的兩側，其中該些第一屏蔽區的一底面低於該些阱區的一底面且該些第一屏蔽區的一載子濃度高於該些阱區的一載子濃度；<br/> 複數個第二屏蔽區，位於該基板內且位於該閘極結構的兩側，其中該些第二屏蔽區的一底面低於該些第一屏蔽區的該底面且該些第二屏蔽區的一載子濃度高於該些第一屏蔽區的該載子濃度；<br/> 一接面場效電晶體區，位於該基板內，其中該接面場效電晶體區的一底面低於該些第二屏蔽區的該底面；以及<br/> 一源極區，相鄰於該些阱區。
如請求項2所述之半導體裝置，其中該些第二屏蔽區的該載子濃度大約為該些第一屏蔽區的該載子濃度的兩倍。
如請求項2所述之半導體裝置，其中該些第二屏蔽區的其中一者的一側壁切齊該些第一屏蔽區的其中一者的一側壁。
如請求項3所述之半導體裝置，其中該些第二屏蔽區的其中一者的一頂面低於該基板的一頂面。
如請求項5所述之半導體裝置，其中該些第二屏蔽區的該者的該頂面低於該些第一屏蔽區的其中一者的一頂面。
一種半導體裝置的製造方法，包含：<br/> 在一基板內形成一漂移區；<br/> 在該漂移區內形成一第一屏蔽區；<br/> 在該漂移區內形成一第二屏蔽區，其中該第一屏蔽區的一載子濃度高於該第二屏蔽區的一載子濃度；<br/> 在該漂移區內形成一阱區，其中該第二屏蔽區的該載子濃度高於該阱區的一載子濃度，且該第一屏蔽區具有接觸該阱區的一側壁的一第一部分與接觸該阱區的一底面的一第二部分；<br/> 在該阱區內形成一源極區；<br/> 在該漂移區內形成一接面場效電晶體區，其中該第一屏蔽區的該第一部分位於該阱區和該接面場效電晶體區之間；以及<br/> 在該漂移區上形成一閘極結構。
如請求項7所述之半導體裝置的製造方法，其中在該漂移區內形成該第二屏蔽區使得該第二屏蔽區有一部分的一側壁切齊該第一屏蔽區的一側壁。
一種用於安裝在一商業印刷機器之一心軸上的套筒，該心軸在該商業印刷機器作業時係繞該心軸之一旋轉軸被可旋轉地驅動，該套筒界定一固定長度且相對於該心軸之該旋轉軸的一外在表面，該套筒包括：<br/> 一核心，界定一空心殼，該空心殼具有沿該套筒之一旋轉中心軸伸長的一長度；<br/> 其中該核心界定一內表面，該內表面界定出沿該空心殼之該長度延伸的一空心內部；<br/> 其中該核心界定一外表面，該外表面係與該內表面分開一厚度距離，其中該厚度距離係從該套筒之該旋轉中心軸朝一徑向方向量測；<br/> 其中該核心之該厚度距離係構造成，藉一選擇性引進與移除在該心軸之該外在表面與該核心之該內表面之間的加壓空氣，致使該核心之一直徑回彈地可擴展與可收縮，依足以允許該套筒選擇性地安裝至該心軸上之樣式，緊迫地抓持該心軸以致使該核心相對於該心軸不可旋轉、及從該心軸卸除；<br/> 其中該核心之該內表面係連續的，且沿著與該心軸之該固定長度至少相等的其一長度全無任何徑向偏離；及<br/> 其中該核心係由一熱塑性聚合物材料形成；以及<br/> 其中該套筒係全部由該熱塑性聚合物材料形成。
如請求項1之套筒，其中該熱塑性聚合物材料具有一均勻密度。
如請求項2之套筒，其中該熱塑性聚合物材料有助於磨碎成粒狀材料，且相應地致使該套筒可回收。
如請求項1之套筒，其中該熱塑性聚合物材料包含一導電性填料。
如請求項1之套筒，其中該核心之該外表面界定一圓柱形表面，且該核心之該內表面界定出與該核心之該外表面之該圓柱形表面同心的一圓柱形表面。
如請求項1之套筒，其中該核心之該外表面係構造成接收一印刷板，該印刷板攜帶圖像標記。
如請求項1之套筒，其進一步包括：<br/> 一中間殼，沿該套筒之該旋轉中心軸伸長且界定一內表面，該內表面界定出介於該中間殼與該核心之間的一內部空間；及<br/> 一第一支持結構，沿該套筒之該旋轉中心軸伸長，及設置於該中間殼與該核心之間的該內部空間中，且構造成當該套筒在該商業印刷機器之該心軸上分別安裝與卸除期間，在該核心與該中間殼之間回彈地擴展與收縮。
如請求項7之套筒，其中該第一支持結構係藉在該中間殼與該核心之間延伸的一螺旋線界定。
如請求項7之套筒，其中該核心、該第一支持結構、及該中間殼係藉3D印刷而同步整體地且螺線形地形成。
如請求項7之套筒，其中該第一支持結構及該核心係由相同熱塑性材料形成。
如請求項8之套筒，其中該核心、該第一支持結構、及該中間殼係由相同熱塑性材料形成。
如請求項7之套筒，其進一步包括：<br/> 一外殼，沿該套筒之該旋轉中心軸伸長且界定一內在表面，該內在表面界定出介於該外殼與該中間殼之間的一第二內部空間；及<br/> 一第二支持結構，沿該套筒之該旋轉中心軸伸長，及設置於該中間殼與該外殼之間的該第二內部空間中，且構造成當該套筒在該商業印刷機器之該心軸上安裝期間，在該外殼與該中間殼之間持續保持剛性地不可壓縮。
如請求項12之套筒，其中該第二支持結構係藉在該中間殼與該外殼之間延伸的一螺旋線界定。
如請求項12之套筒，其中該核心、該第一支持結構、該中間殼、該第二支持結構、及該外殼係藉3D印刷而同步整體地且螺線形地形成。
如請求項12之套筒，其中該核心、該第一支持結構、該中間殼、該第二支持結構、及該外殼係由相同熱塑性材料形成。
如請求項12之套筒，其中該核心之該內表面界定一圓柱形表面，且該外殼之該外表面界定出與該核心之該內表面之該圓柱形表面同心的一圓柱形表面。
如請求項12之套筒，其進一步包括一空氣通道，形成為該外殼之該內表面的部分且沿該外殼之該內表面軸向地延伸，其中該空氣通道界定出在其中的一空氣通路，及其中該空氣通道係構造成將加壓空氣局限於該空氣通路內。
如請求項12之套筒，其進一步包括複數個鑽塞，其中該複數個鑽塞中每一者係設置成相對於該套筒之該旋轉中心軸徑向地延伸，其中該複數個鑽塞中每一者係相對於該複數個鑽塞之每一鄰近鑽塞以一對稱且相等的環周間隔設置，其中該複數個鑽塞中每一者係構造成界定出將該核心連接至該外殼之該外表面的一徑向通路，及其中每一徑向通路係構造成將加壓空氣局限於該空氣通路內。
一種遊戲系統，包括： <br/>更新部，將元素與多個方格分別關連之後，在所述多個方格中依照預定順序將與選定的方格關連的元素更新為根據抽獎結果的元素；以及 <br/>判定部，用於判定關連的元素是否符合預定條件； <br/>其中所述更新部將與符合所述預定條件的元素關連的方格依照抽獎結果改變為從更新對象排除的第一方格， <br/>其中所述多個方格以二維配置，所述預定條件是與相同的元素關連的方格在預定方向以預定數量連續。
如請求項1所述之遊戲系統，其中如果從更新對象排除的所述第一方格已經存在於與從更新對象排除的第二方格相鄰的話，所述更新部將所述第二方格的元素更新為與所述第一方格關聯的元素，或將所述第一方格的元素更新為與所述第二方格關連的元素。
如請求項2所述之遊戲系統，其中在更新與所述第二方格關連的元素的情況下，如果存在與所述第二方格相鄰且與所述第二方格被更新的元素為同一的元素關聯的第三方格的話，所述更新部將與該第三方格關聯的元素從更新對象排除。
如請求項1所述之遊戲系統，其中如果存在與所述第一方格相鄰、與所述第一方格中符合所述預定條件的元素為同一的元素關連的第三方格的話，所述更新部將與該第三方格關聯的元素從更新對象排除。
一種遊戲系統，包括： <br/>更新部，將元素與多個方格分別關連之後，在所述多個方格中依照預定順序將與選定的方格關連的元素更新為根據抽獎結果的元素；以及 <br/>判定部，用於判定關連的元素是否符合預定條件； <br/>其中當所述多個方格全部被選取時，以相同的順序再次選取所述多個方格。
一種遊戲系統，包括： <br/>更新部，將元素與多個方格分別關連之後，在所述多個方格中依照預定順序將與選定的方格關連的元素更新為根據抽獎結果的元素；以及 <br/>判定部，用於判定關連的元素是否符合預定條件； <br/>其中在與所述方格關聯的元素有兩個以上的情況下，兩個以上的元素中的任一個都是與該方格關聯的元素。
一種向使用者提供遊戲的遊戲系統的控制方法，其中將元素與多個方格分別關連，在所述多個方格中依照預定順序將與選定的方格關連的元素更新為根據抽獎結果的元素，並判定關連的元素是否符合預定條件，其中所述更新部將與符合所述預定條件的元素關連的方格依照抽獎結果改變為從更新對象排除的第一方格，其中所述多個方格以二維配置，所述預定條件是與相同的元素關連的方格在預定方向以預定數量連續。
一種向使用者提供遊戲的遊戲系統的控制方法，其中將元素與多個方格分別關連，在所述多個方格中依照預定順序將與選定的方格關連的元素更新為根據抽獎結果的元素，並判定關連的元素是否符合預定條件，其中當所述多個方格全部被選取時，以相同的順序再次選取所述多個方格。
一種向使用者提供遊戲的遊戲系統的控制方法，其中將元素與多個方格分別關連，在所述多個方格中依照預定順序將與選定的方格關連的元素更新為根據抽獎結果的元素，並判定關連的元素是否符合預定條件，其中在與所述方格關聯的元素有兩個以上的情況下，兩個以上的元素中的任一個都是與該方格關聯的元素。
一種程式，使電腦發揮以下功能：將元素與多個方格分別關連後，在所述多個方格中依照預定順序將與選定的方格關連的元素更新為根據抽獎結果的元素，並判定關連的元素是否符合預定條件，其中所述更新部將與符合所述預定條件的元素關連的方格依照抽獎結果改變為從更新對象排除的第一方格，其中所述多個方格以二維配置，所述預定條件是與相同的元素關連的方格在預定方向以預定數量連續。
一種程式，使電腦發揮以下功能：將元素與多個方格分別關連後，在所述多個方格中依照預定順序將與選定的方格關連的元素更新為根據抽獎結果的元素，並判定關連的元素是否符合預定條件，其中當所述多個方格全部被選取時，以相同的順序再次選取所述多個方格。
一種程式，使電腦發揮以下功能：將元素與多個方格分別關連後，在所述多個方格中依照預定順序將與選定的方格關連的元素更新為根據抽獎結果的元素，並判定關連的元素是否符合預定條件，其中在與所述方格關聯的元素有兩個以上的情況下，兩個以上的元素中的任一個都是與該方格關聯的元素。
一種觸控顯示裝置，包含：一顯示面板，該顯示面板上設置有複數個子像素；一觸控螢幕面板，該觸控螢幕面板上設置有複數個觸控電極；以及一觸控電路，配置為向該觸控螢幕面板提供一上行鏈路訊號及一觸控驅動訊號，其中，該上行鏈路訊號包含：一第一上行鏈路訊號及一第二上行鏈路訊號，其中，該第一上行鏈路訊號為一第一波長訊號並在一第一週期內被提供至該些觸控電極中的一第一觸控電極，以及其中，該第二上行鏈路訊號為一第二波長訊號並在該第一週期內被提供至該些觸控電極中的一第二觸控電極，該第二波長訊號的波形與該第一波長訊號的波形不同，其中驅動該顯示面板之一週期包含：一有效週期，期間該些子像素發光；及一空白週期，期間該些子像素處於一不發光狀態，並且其中，該上行鏈路訊號在該空白週期期間被提供至該觸控螢幕面板。
如請求項1所述之觸控顯示裝置，其中該第二波長訊號為相對於該第一波長訊號反轉之一訊號。
如請求項1所述之觸控顯示裝置，其中該第二波長訊號為相對於一第一波型訊號之一失相訊號。
如請求項1所述之觸控顯示裝置，其中該些觸控電極包含：複數個傳送電極；及與該些傳送電極交替之複數個接收電極。
如請求項4所述之觸控顯示裝置，其中該第一觸控電極為一第一傳送電極，該第二觸控電極為一第二傳送電極，以及其中，當作為該第一波長訊號之一第三上行鏈路訊號被提供至該些接收電極中之一第一接收電極時，作為該第二波長訊號之一第四上行鏈路訊號在該第一週期內被提供至該些接收電極中的一第二接收電極。
如請求項4所述之觸控顯示裝置，其中該第一觸控電極為一第一傳送電極，該第二觸控電極為一第二傳送電極，以及其中，該些接收電極處於一浮接狀態或被供應一直流電壓。
如請求項4所述之觸控顯示裝置，其中該第一觸控電極為一第一傳送電極，該第二觸控電極為一第二傳送電極，以及其中，該些傳送電極中之一第三傳送電極與一第四傳送電極處於一浮接狀態或被供應一直流電壓。
如請求項4所述之觸控顯示裝置，其中該第一觸控電極為一第一接收電極，該第二觸控電極為一第二接收電極，以及其中，該些接收電極在該第一週期中被提供一直流電壓或者處於一浮接狀態。
如請求項8所述之觸控顯示裝置，其中該些接收電極中之一第三接收電極與一第四接收電極在該第一週期中處於一浮接狀態或被提供一直流電壓。
如請求項1所述之觸控顯示裝置，其中該第二觸控電極與該第一觸控電極相鄰。
如請求項1所述之觸控顯示裝置，其中該些觸控電極中之一第三觸控電極與一第四觸控電極位於該第一觸控電極與該第二觸控電極之間，其中，與該第一觸控電極相鄰的該第三觸控電極在該第一週期內被提供作為該第一波長訊號之一第三上行鏈路訊號，以及其中，與該第二觸控電極相鄰的該第四觸控電極在該第一週期內被提供作為該第二波長訊號之一第四上行鏈路訊號。
如請求項11所述之觸控顯示裝置，其中該第一觸控電極、該第二觸控電極、該第三觸控電極與該第四觸控電極為傳送電極，並且其中複數個接收電極與該些傳送電極相交，該些接收電極在該第一週期中處於一浮接狀態或被提供一直流電壓。
如請求項11所述之觸控顯示裝置，其中該第一觸控電極、該第二觸控電極、該第三觸控電極與該第四觸控電極為接收電極，並且其中複數個傳送電極與該些接收電極相交，該些傳送電極在該第一週期中處於一浮接狀態或被提供一直流電壓。
如請求項1所述之觸控顯示裝置，其中驅動該觸控電路之週期還包含：一第一週期與一第二週期，在該第一週期期間，該第一觸控電極被提供作為該第一波長訊號的該第一上行鏈路訊號，該第二觸控電極被提供作為該第二波長訊號的該第二上行鏈路訊號，以及在該第一週期之後的該第二週期期間，該第一觸控電極被提供作為該第二波長訊號的該第一上行鏈路訊號，該第二觸控電極被提供作為該第一波長訊號的該第二上行鏈路訊號。
如請求項1所述之觸控顯示裝置，其中該觸控螢幕面板包含第一區域和第二區域，其中，該觸控電路被配置為向該第一區域提供該上行鏈路訊號，以及其中，該些觸控電極中位於該第二區域中之一觸控電極處於一浮接狀態或被提供一直流電壓。
如請求項1所述之觸控顯示裝置，其中該上行鏈路訊號包含一信標訊號。
如請求項1所述之觸控顯示裝置，其中在一單框的一顯示有效週期內，該觸控電路向該觸控螢幕面板提供該上行鏈路訊號。
一種驅動方法，包含：一上行鏈路訊號輸出運作，將該上行鏈路訊號提供至設置有複數個觸控電極之一觸控螢幕面板；以及一下行鏈路訊號輸出運作，其中接收到該上行鏈路訊號的一筆，輸出與該上行鏈路訊號相對應的一下行鏈路訊號，其中，在一第一週期內，作為一第一波長訊號的一第一上行鏈路訊號被提供至該些觸控電極中之一第一觸控電極，以及其中，在該第一週期內，作為與該第一波長訊號不同之一第二波長訊號的一第二上行鏈路訊號被提供至該些觸控電極中之一第二觸控電極，其中驅動該顯示面板之一週期包含：一有效週期，期間該些子像素發光；及一空白週期，期間該些子像素處於一不發光狀態，並且其中，該上行鏈路訊號在該空白週期期間被提供至該觸控螢幕面板。
如請求項19所述之驅動方法，其中該第一觸控電極與該第二觸控電極沿單一方向延伸並彼此相鄰。
一種電池芯，其包含有：<br/>一正極集電層，其包含有一正極活性材料塗覆區、一位於該正極活性材料塗覆區四周圍的正極接合框黏合區、一位於該正極接合框黏合區外的正極電性導出區與一位於該正極接合框黏合區外周圍且非該正極電性導出區的第一邊框區；<br/>一負極集電層，其包含有一負極活性材料塗覆區、一位於該負極活性材料塗覆區四周圍的負極接合框黏合區、一位於該負極接合框黏合區外的負極電性導出區與一位於該負極接合框黏合區外周圍且非該負極電性導出區的第二邊框區，其中該第一邊框區與該第二邊框區是作為該電池芯的一無效區；以及<br/>至少二穿孔，其係位於該無效區，並且貫穿該正極集電層與該負極集電層。
如請求項1所述之電池芯，更包含有一接合框，其係夾設於該正極集電層與該負極集電層之間，該接合框的頂端接著於該正極接合框黏合區，該接合框的底端接著於該負極接合框黏合區。
如請求項1所述之電池芯，其中該些穿孔內分別裝設入一彈性件。
如請求項1所述之電池芯，其中該電池芯的長度不小於300公厘(mm)，寬度不小於90公厘(mm)。
一種電池芯堆疊定位的方法，係包含有下列步驟：<br/>提供複數個如請求項1至4中任一項所述之電池芯；<br/>提供至少二對應於該些穿孔之定位銷；<br/>將該電池芯藉由該些定位銷穿過該些穿孔來依序堆疊；<br/>焊接該些電池芯之該些正極電性導出區與該些負極電性導出區；以及<br/>將具有該穿孔的該無效區切除。
如請求項5所述之電池芯堆疊定位的方法，其中該些定位銷前端係具有一導引斜角。
一種電池芯堆疊半成品結構，其包含有：<br/>數個如請求項1至4中任一項所述之電池芯，該些電池芯是垂直疊置；以及<br/>至少二定位銷，其分別插設於該些電池芯堆疊後在同一軸向疊置的該些穿孔，以將該些電池芯定位。
如請求項7所述之電池芯堆疊半成品結構，其中鄰接堆疊的該電池芯是以同極性的該正極集電層或該負極集電層鄰接。
如請求項7所述之電池芯堆疊半成品結構，其中鄰接堆疊的該電池芯是以異極性的該正極集電層與該負極集電層鄰接。
如請求項7所述之電池芯堆疊半成品結構，其中該些電池芯透過該些正極電性導出區與該些負極電性導出區完成電性連接。
一種根據柴可斯基法（Czochralski）從由矽與摻雜劑組成的熔體中晶體拉製（crystal pulling）單晶晶體的方法，其包含以下給定順序的步驟：<br/>（a）對該熔體中具有預定摻雜劑濃度C的預定晶體拉製製程進行時間相關的電腦模擬，目的是獲得每個時間增量（each time increment）t的溫度梯度<img align="absmiddle" height="7px" width="18px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>與摻雜劑的梯度<img align="absmiddle" height="7px" width="18px" file="ed10034.jpg" alt="ed10034.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中在晶體與熔體之間的介面處沿該熔體介面的法線方向確定該二個梯度，n是熔體或生長前沿（growth front）處的介面的法線，<br/>（b）確定該熔體中的最大摻雜劑濃度C<sub>max</sub>，以及<br/>（c）拉製摻雜劑濃度小於所確定的最大摻雜劑濃度C<sub>max</sub>的單晶，<br/>其中<br/>對於每個時間增量t計算參數<b><i>CS</i></b>，其係藉由式<img align="absmiddle" height="7px" width="71px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>來確定，<br/>其中參數f<sub>CS</sub>係藉由該熔體中之該摻雜劑的平均濃度、矽熔體的密度、亞佛加厥常數（Avogadro’s constant）、矽的莫耳質量與液相線的斜率的乘積來確定，<br/>然後形成針對參數CS獲得的值的平均<img align="absmiddle" height="7px" width="7px" file="ed10036.jpg" alt="ed10036.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中只有CS值小於零的那些值作出貢獻，<br/>並且最大摻雜劑濃度C<sub>max</sub>係藉由將上述定義的摻雜劑濃度C擬合（fitting）為<img align="absmiddle" height="7px" width="7px" file="ed10036.jpg" alt="ed10036.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>的量值等於零來確定。
根據請求項1所述的方法，其中<br/>在該晶體的三相點處確定參數<img align="absmiddle" height="7px" width="7px" file="ed10036.jpg" alt="ed10036.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
根據請求項1或2所述的方法，其中<br/>最大摻雜劑濃度C<sub>max</sub>係藉由擬合上述定義的摻雜劑濃度C直到<img align="absmiddle" height="9px" width="33px" file="ed10037.jpg" alt="ed10037.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>的量值等於零來確定，其中藉由拉製一個或多個晶體，同時逐漸增加摻雜劑濃度直到晶體可再現地具有差排來憑經驗地確定<img align="absmiddle" height="8px" width="18px" file="ed10038.jpg" alt="ed10038.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種變壓控制射出方法，包含：<br/> 提供一射出成型系統，其包含一第一變壓模具和一第二變壓模具，該第一變壓模具與該第二變壓模具對應一發泡成型空間相對設置，且該第一變壓模具和該第二變壓模具分別包含：<br/> 一模具本體；及<br/> 一變壓多孔層，設置在該模具本體上且對應外露於該發泡成型空間，該變壓多孔層上設有複數個變壓孔隙，所述複數個變壓孔隙通連該發泡成型空間；<br/> 射出一第一發泡材料至該發泡成型空間；以及<br/> 進行一發泡步驟，該第一變壓模具施加一第一壓力至該第一發泡材料，且該第二變壓模具施加一第二壓力至該第一發泡材料，並加熱該第一發泡材料以發泡為一射出半成品，其中該第一壓力和該第二壓力不相同，且該第一壓力為一變化壓力。
如請求項1所述的變壓控制射出方法，其中該第一變壓模具的每一該些變壓孔隙的一尺寸為200 µm至700 µm，該第二變壓模具的每一該些變壓孔隙的一尺寸為200 µm至700 µm。
如請求項1所述的變壓控制射出方法，其中該第一壓力為施加一第三壓力持續1秒至5秒後再增加至一第四壓力，該第三壓力小於該第四壓力。
如請求項1所述的變壓控制射出方法，其中該第一壓力為施加一第五壓力持續1秒至5秒後再下降至一第六壓力，該第五壓力大於該第六壓力。
如請求項1所述的變壓控制射出方法，其中該第二壓力為一固定壓力。
如請求項1所述的變壓控制射出方法，其中該第一發泡材料為一橡塑發泡材料。
一種射出半成品，其係由請求項1至請求項6任一項所述的變壓控制射出方法製得，其中該射出半成品靠近該第一變壓模具的一端為一微孔隙層，該射出半成品靠近該第二變壓模具的一端為一固化層，該微孔隙層的一發泡程度為30%至80%，該固化層的一發泡程度為50%至100%。
一種共射出件製造方法，包含：<br/> 提供如請求項7所述的射出半成品；<br/> 射出一第二發泡材料至該射出半成品的該微孔隙層上，以得到一共射出件前體；以及<br/> 進行一成型步驟，將該共射出件前體於一穩定內壓下加熱至完全發泡，以得到一共射出件。
如請求項8所述的共射出件製造方法，其中該第二發泡材料為一熱塑性材料。
一種鋰離子電池正極材料之回收方法，其步驟包含：<br/>取一鋰離子電池中之一正極極片、一含鋰離子化合物、一檸檬酸及一溶劑進行一混合處理，形成一混合溶液；<br/>取該混合溶液進行一乾燥處理，反應形成一前軀體；以及<br/>取該前驅體於一氣氛下進行一熱處理，反應取得一磷酸鋰鐵粉體；<br/>其中，該鋰離子電池係磷酸鋰鐵鋰離子電池，而該正極極片包含磷酸鋰鐵，該氣氛係選自由一氮氣、一氫氣、一一氧化碳、一二氧化碳、一氨氣及一氬氣所組成之群組之其中之一或其組合。
如請求項1所述之鋰離子電池正極材料之回收方法，其中於步驟中，該溶劑之pH值範圍在2至12之間，且該溶劑係選自由一水、一醇類、一醚類、一酸類及一鹼類所組成之群組之其中之一或其組合。
如請求項1所述之鋰離子電池正極材料之回收方法，其中於步驟中，該含鋰離子化合物係選自由一碳酸鋰、一硝酸鋰、一氫氧化鋰、一醋酸鋰、一磷酸鋰及一草酸鋰所組成之群組之其中之一或其組合。
如請求項1所述之鋰離子電池正極材料之回收方法，其中於步驟中，該含鋰離子化合物與該正極極片中之磷酸鋰鐵其混合之莫耳比值係介於0.1至3之間，該檸檬酸與該正極極片中之磷酸鋰鐵其混合之莫耳比值係介於0.5至4之間。
如請求項1所述之鋰離子電池正極材料之回收方法，其中於步驟中，進一步於該混合溶液中添加一乙二醇時，該檸檬酸與該乙二醇其混合之莫耳比值係介於0.05至4之間。
如請求項1所述之鋰離子電池正極材料之回收方法，其中於步驟中，該混合處理係一攪拌程序或一球磨程序，且該混合處理之時間係介於30分鐘至24小時之間。
如請求項1所述之鋰離子電池正極材料之回收方法，其中於步驟中，該乾燥處理係包含下列步驟：<br/>將該混合溶液於一第一乾燥溫度下進行一第一次加熱，形成一膠狀物；以及<br/>將該膠狀物於一第二乾燥溫度下進行一第二次加熱，形成該前驅體；<br/>其中，該第一溫度係介於60℃至120℃之間，該第二溫度係介於60℃至200℃之間，而該第一次加熱及該第二次加熱之加熱時間係介於30分鐘至24小時。
如請求項1所述之鋰離子電池正極材料之回收方法，其中於取該前驅體進行一熱處理，反應取得一磷酸鋰鐵粉體之步驟中，該熱處理之溫度係介於500℃至900℃之間，該熱處理之時間係介於1小時至24小時之間。
如請求項8所述之鋰離子電池正極材料之回收方法，其中於步驟後，進一步包含步驟：<br/>將該磷酸鋰鐵粉體與一助導電材料混合，並於500℃至900℃之間再次進行該熱處理；<br/>其中，該助導電材料係選自由一石墨、一石墨烯、一碳黑、一蔗糖、一葡萄糖、一紅糖、一維他命C、一澱粉、一聚丙烯腈、一聚環氧乙烷、一聚丁二烯、一聚苯乙烯、一苯乙烯-丁二烯-苯乙烯及一檸檬酸所組成之群組之其中之一或其組合，該助導電材料與該磷酸鋰鐵粉體其混合之重量比值係介於0.01至0.3之間。
一種式A5化合物的製備方法，其中，其包括如下步驟： <br/>步驟1：在鹼存在下，在溶劑中，將式A1化合物和式Z1a化合物進行芳香親核取代反應，得到式A2化合物； <br/>步驟2：將式A2化合物和化合物C進行酯化反應，得到式A3化合物； <br/>步驟3：將式A3化合物和氯化試劑進行鹵代反應，得到式A4化合物； <br/>步驟4：式A4化合物經關環反應得到式A5化合物； <br/>步驟1中，所述的鹼為六甲基二矽基胺基鋰；<img align="absmiddle" height="113px" width="200px" file="ed10170.jpg" alt="ed10170.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>其中，R<sup>1</sup>為F或Cl；R<sup>2</sup>為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、二級丁基、異丁基或三級丁基；R<sup>3</sup>為H、F、Cl、Br或I； <br/>當R<sup>3</sup>為H時，該反應不經式A3化合物製備式A4化合物的步驟。
如請求項1所述的式A5化合物的製備方法，其中，其滿足如下1個或多個條件： <br/>（1）步驟2中，所述的式A3化合物的製備方法包括如下步驟： <br/>步驟a：在溶劑中，將式A2化合物和醯化試劑進行醯化反應，得到醯鹵化合物； <br/>步驟b：將步驟a中得到醯鹵化合物和式C化合物進行酯化反應，得到所述的式A3化合物； <br/><img align="absmiddle" height="52px" width="167px" file="ed10171.jpg" alt="ed10171.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>（2）步驟3中，所述的式A4化合物的製備方法包括如下步驟：將式A3化合物和鹵化試劑在溶劑中進行鹵代反應，得到所述的式A4化合物； <br/><img align="absmiddle" height="67px" width="156px" file="ed10172.jpg" alt="ed10172.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>（3）步驟4中，所述的式A5化合物的製備方法如下步驟：在鹼存在下，將式A4化合物和醋酸酐在溶劑中進行環合反應，得到所述的式A5化合物； <br/><img align="absmiddle" height="56px" width="125px" file="ed10174.jpg" alt="ed10174.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項2所述的式A5化合物的製備方法，其中，其滿足如下1個或多個條件： <br/>（1）步驟1中，所述的鹼與所述的式A1化合物的莫耳比為（3-5）：1； <br/>（2）步驟1中，所述的式Z1a化合物與所述的式A1化合物的莫耳比為（1-3）：1； <br/>（3）步驟1中，所述的溶劑為醚類溶劑； <br/>（4）步驟1中，所述的式Z1a化合物的重量含量為10-40%； <br/>（5）步驟1中，所述的式A1化合物為<img align="absmiddle" height="24px" width="35px" file="ed10176.jpg" alt="ed10176.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>（6）步驟1中，所述的芳香親核取代反應溫度為-15℃至15℃； <br/>（7）步驟2的步驟a中，所述的溶劑為氯代烴類溶劑； <br/>（8）步驟2的步驟a中，所述的醯化試劑為草醯氯； <br/>（9）步驟2的步驟a中，所述的醯化試劑與所述的式A2化合物的莫耳比為（1-3）:1； <br/>（10）步驟2的步驟a中，所述的醯化反應在催化劑存在下進行； <br/>（11）步驟2的步驟a中，所述的醯化反應的溫度為5℃-40℃； <br/>（12）步驟2的步驟b中，所述的式C化合物為甲醇或乙醇； <br/>（13）步驟2的步驟b中，所述的式C化合物與所述的式A2化合物的體積質量比為1 L/kg -10 L/kg； <br/>（14）步驟2的步驟b中，所述的反應的溫度為10℃-50℃； <br/>（15）步驟3中，所述的鹵化試劑為N-氯代丁二醯亞胺、N-溴代丁二醯亞胺或N-碘代丁二醯亞胺； <br/>（16）步驟3中，所述的鹵化試劑與所述的式A3化合物的莫耳比為（1-2）:1； <br/>（17）步驟3中，所述的式A3化合物為<img align="absmiddle" height="42px" width="44px" file="ed10178.jpg" alt="ed10178.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="42px" width="44px" file="ed10180.jpg" alt="ed10180.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="42px" width="44px" file="ed10182.jpg" alt="ed10182.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>（18）步驟3中，所述的溶劑為醯胺類溶劑； <br/>（19）步驟3中，所述的溶劑與所述的式A3化合物的體積質量比為1L/kg -5L/kg； <br/>（20）步驟3中，所述的鹵代反應的溫度為30℃-80℃； <br/>（21）步驟4中，所述的鹼為三級丁醇鹼金屬鹼； <br/>（22）步驟4中，所述的鹼與所述的式A4化合物的莫耳比為（1-6）:1； <br/>（23）步驟4中，所述的醋酸酐與所述的式A4化合物的莫耳比為（1-6）:1； <br/>（24）步驟4中，所述的式A4化合物為<img align="absmiddle" height="42px" width="44px" file="ed10184.jpg" alt="ed10184.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>（25）步驟4中，所述的環合反應的溫度為5℃-50℃。
一種化合物的製備方法，其中，所述的製備方法為式A2化合物的製備方法； <br/>所述的式A2化合物的製備方法包括如下步驟：在鹼存在下，在溶劑中，將式A1化合物和式Z1a化合物進行芳香親核取代反應，得到所述的式A2化合物；步驟1中，所述的鹼為六甲基二矽基胺基鋰； <br/><img align="absmiddle" height="54px" width="163px" file="ed10186.jpg" alt="ed10186.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>其中，R<sup>1</sup>為F或Cl；所述的芳香親核取代反應的其他條件和操作均如請求項3所述。
一種物質L作為拆分劑在拆分式AA5化合物中的應用，其中，所述的物質L為D-3-溴樟腦-10-磺酸、S-聯萘酚磷酸酯、D-(+)-樟腦磺酸、S -3,3'-二(三苯基矽基)聯萘酚膦酸酯、S -3,3'-雙(3,5-雙三氟甲氧基苯基)-1,1'-聯-(2-萘酚)磷酸酯和S-3,3'-雙(2,4,6-三異丙基苯基)-1,1′-聯萘-2,2'-雙磷酸氫酯中的一種或多種， <br/>或者L-3-溴樟腦-10-磺酸、R-聯萘酚磷酸酯、L-(+)-樟腦磺酸、R-3,3'-二(三苯基矽基)聯萘酚膦酸酯、R -3,3'-雙(3,5-雙三氟甲氧基苯基)-1,1'-聯-(2-萘酚)磷酸酯和R-3,3'-雙(2,4,6-三異丙基苯基)-1,1'-聯萘-2,2'-雙磷酸氫酯中的一種或多種； <br/><img align="absmiddle" height="62px" width="47px" file="ed10188.jpg" alt="ed10188.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，R<sup>7</sup>和R<sup>8</sup>獨立地為未取代或取代的C<sub>1-6</sub>的烷基或者未取代或取代的C<sub>1-6</sub>的烷氧基；R''和R'獨立地為H、F、Cl、Br、I、羥基、胺基、硝基、氰基、未取代或取代的C<sub>1-6</sub>的烷基或者未取代或取代的C<sub>1-6</sub>的烷氧基；所述的取代的取代基選自F、Cl、Br、I、羥基、胺基、硝基或氰基；p為1或2，q為1、2或3；X為C或N。
如請求項5所述的物質L作為拆分劑在拆分式AA5化合物中的應用，其中，其滿足如下1個或多個條件： <br/>（1）所述的式AA5化合物的通式為<img align="absmiddle" height="53px" width="53px" file="ed10190.jpg" alt="ed10190.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；R<sup>3</sup>為H、F、Cl、Br或I； <br/>（2）所述的物質L為S-聯萘酚磷酸酯； <br/>（3）所述的應用還包括式AA5化合物的拆分方法，其包括以下步驟：在溶劑中，將所述的式AA5化合物和所述的物質L進行成鹽反應，得到式AA5-L化合物和式AA5’-L化合物； <br/><img align="absmiddle" height="840px" width="1168px" file="ed10191.jpg" alt="ed10191.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項6所述的物質L作為拆分劑在拆分式AA5化合物中的應用，其中，其滿足如下1個或多個條件： <br/>（1）所述的溶劑為腈類溶劑、酮類溶劑、水、醚類溶劑、烷烴類溶劑、胺類溶劑的混合溶劑、酯類溶劑的混合溶劑或醇類溶劑中的一種或多種； <br/>（2）所述的溶劑與所述的式AA5化合物體積質量比為5 mL/g-40 mL/g； <br/>（3）所述的式AA5化合物和所述的物質L的莫耳用量比為1:（0.5-3）； <br/>（4）所述的成鹽反應的溫度為10-70℃； <br/>（5）所述的成鹽反應結束後還進一步包括以下的後處理操作：結晶； <br/>（6）所述的應用還包括式AA5-L化合物或式AA5’-L化合物與游離試劑進行的游離反應，得到式DD5化合物或DD5’； <br/><img align="absmiddle" height="916px" width="1057px" file="ed10192.jpg" alt="ed10192.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，R<sup>7</sup>、R<sup>8</sup>、R''、R'、X、物質L、p和q的定義均如請求項5或6。
如請求項7所述的物質L作為拆分劑在拆分式AA5化合物中的應用，其中，其滿足如下1個或多個條件： <br/>（1）所述的游離試劑為碳酸氫鈉； <br/>（2）所述的游離反應溫度為10℃-30℃； <br/>（3）所述式AA5-L化合物為<img align="absmiddle" height="703px" width="1000px" file="ed10193.jpg" alt="ed10193.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="700px" width="1013px" file="ed10194.jpg" alt="ed10194.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="683px" width="1013px" file="ed10195.jpg" alt="ed10195.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="670px" width="1097px" file="ed10196.jpg" alt="ed10196.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="704px" width="1034px" file="ed10197.jpg" alt="ed10197.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="700px" width="1025px" file="ed10198.jpg" alt="ed10198.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>（4）所述式AA5-L化合物為<img align="absmiddle" height="687px" width="1020px" file="ed10199.jpg" alt="ed10199.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="685px" width="1036px" file="ed10200.jpg" alt="ed10200.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="682px" width="1017px" file="ed10201.jpg" alt="ed10201.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="680px" width="1130px" file="ed10202.jpg" alt="ed10202.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="720px" width="1090px" file="ed10203.jpg" alt="ed10203.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="612px" width="990px" file="ed10204.jpg" alt="ed10204.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種式AA5-L化合物、式AA5’-L化合物、式DD5化合物或DD5’的製備方法，其中，所述的式AA5-L化合物或式AA5’-L化合物的製備方法包括如下步驟：在溶劑中，將式AA5化合物和物質L進行成鹽反應，得到所述的式AA5-L化合物或式AA5’-L化合物； <br/><img align="absmiddle" height="866px" width="1160px" file="ed10205.jpg" alt="ed10205.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，R<sup>7</sup>、R<sup>8</sup>、R''、R'、X、物質L、p和q的定義均如請求項5或6； <br/>所述的式AA5化合物的通式為<img align="absmiddle" height="53px" width="53px" file="ed10190.jpg" alt="ed10190.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>R<sup>3</sup>為H、F、Cl、Br或I； <br/>所述的成鹽反應的操作和條件均如請求項7所述； <br/>所述的式DD5化合物或DD5’的製備方法包括如下步驟：將式AA5-L化合物或式AA5’-L化合物與游離試劑進行的游離反應，得到式DD5化合物或DD5’； <br/><img align="absmiddle" height="920px" width="1070px" file="ed10206.jpg" alt="ed10206.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，R<sup>7</sup>、R<sup>8</sup>、R''、R'、X、物質L、p和q的定義均如請求項5或6。
一種式AA5-L化合物、式AA5’-L化合物或物質M；所述的物質M包括所述的式AA5-L化合物和所述的式AA5’-L化合物： <br/><img align="absmiddle" height="800px" width="800px" file="ed10207.jpg" alt="ed10207.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="805px" width="790px" file="ed10208.jpg" alt="ed10208.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，R<sup>7</sup>、R<sup>8</sup>、R''、R'、X、物質L、p和q的定義均同請求項5-8中任一項所述。
一種式D6化合物的製備方法，其中，其包括如下步驟：在連續流反應器中，在溶劑存在下，在催化劑存在下，將式D5化合物與硝酸進行如下所示的硝化反應，得所述的式D6化合物即可；所述的催化劑存在時為亞硝酸鹼金屬鹽；所述的溶劑為乙酸和丙酸； <br/><img align="absmiddle" height="54px" width="157px" file="ed10209.jpg" alt="ed10209.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>R<sup>3</sup>為H、F、Cl、Br或I。
如請求項11所述的式D6化合物的製備方法，其中，其滿足如下1個或多個條件： <br/>（1）所述的硝化反應中，所述的亞硝酸鹼金屬鹽為亞硝酸鈉； <br/>（2）所述的硝化反應中，所述的亞硝酸鹽與所述的式D5化合物的莫耳比為（0.01-3）:1； <br/>（3）所述的硝化反應中，所述的硝酸與所述的式D5化合物的莫耳比為（1-10）:1； <br/>（4）所述的硝化反應中，所述的丙酸與所述的乙酸的質量比優選為（0.5-10）:1； <br/>（6）所述的式D5化合物為<img align="absmiddle" height="64px" width="66px" file="ed10210.jpg" alt="ed10210.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>（7）所述的硝化反應的進料溫度為-40<sup>o</sup>C-100<sup>o</sup>C； <br/>（8）所述的溶劑、所述的式D5化合物和硝酸中的各個組分分別同時進樣進行連續流反應，或者任意組分混合在一起，形成一組物料組或若干物料組同時或先後順序進樣進行反應；或所述的催化劑、所述的溶劑、所述的式D5化合物和硝酸中的各個組分分別同時進樣進行連續流反應，或者任意組分混合在一起，形成一組物料組或若干物料組同時或先後順序進樣進行反應；當所述的任意組分混合在一起，形成一組物料組或若干物料組先後順序進樣進行反應時，所述的溶劑和所述的式D5化合物組成物料a；硝酸為物料b；催化劑為物料c；所述的物料a與所述的物料b同時進料並混合均勻得到混合液，然後所述的物料c再與所述的混合液混合均勻； <br/>所述的物料a進樣的速度為1mL/min-20000mL/min； <br/>所述的物料b進樣的速度為0.1mL/min-2000mL/min； <br/>所述的物料c進樣的速度為0.1mL/min-2000mL/min； <br/>（9）所述的催化劑、所述的溶劑、所述的式D5化合物和硝酸在連續流反應器中的停留時間為0.5min -40min； <br/>（10）所述的硝化反應在連續流反應器中反應結束後得到的反應液，所述的反應液在常規間歇式反應的條件下，繼續反應後再進行後處理； <br/>（11）所述的式D6化合物的製備方法還包括所述的式D5化合物的製備方法；所述的式D5化合物的製備方法如請求項7或8所述。
一種式C3化合物的製備方法，其中，其包括如下步驟：在鹼性試劑、鈀催化劑和膦配體存在下，將式C1化合物和化合物N在溶劑中進行取代反應，得到所述的式C3化合物； <br/>所述的化合物N為式C2化合物、式C2’化合物、式C2’’化合物或<img align="absmiddle" height="29px" width="38px" file="ed10212.jpg" alt="ed10212.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/><img align="absmiddle" height="164px" width="278px" file="ed10213.jpg" alt="ed10213.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，R<sup>3</sup>為H、F、Cl或Br；R<sup>4</sup>為胺基保護基；R<sup>5</sup>為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、二級丁基、異丁基或三級丁基；R<sup>6</sup>獨立地為H、羥基保護基、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、二級丁基、異丁基或三級丁基； <br/>L為連接鍵或-C(=O)-； <br/>環A為苯基、取代的苯基、萘基或取代的萘基；所述的取代的苯基中的取代基和所述的取代的萘基中的取代基獨立地為硝基、F、Cl、Br、C<sub>1-4</sub>的烷基、C<sub>1-4</sub>的烷氧基或苯基； <br/>所述的式C3化合物的製備方法中，還包括式C1化合物的製備方法；所述的C1化合物的製備方法包括如下步驟： <br/>在溶劑中，式D9化合物與式X9a進行Mitsunobu反應，得到所述的式C1化合物； <br/><img align="absmiddle" height="98px" width="209px" file="ed10214.jpg" alt="ed10214.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>所述的式C3化合物的製備方法中，其還包括式D9化合物的製備方法；所述的式D9化合物的製備方法包括如下步驟：在連續流反應器中，在氫氣、金屬催化劑和溶劑存在下，將式D8化合物進行如下式的反應，得所述的式D9化合物即可； <br/>所述的金屬催化劑為鉑催化劑； <br/><img align="absmiddle" height="98px" width="176px" file="ed10215.jpg" alt="ed10215.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>其中，R<sup>3</sup>為H、F、Cl或Br；R<sup>4</sup>為胺基保護基。
如請求項13所述的式C3化合物的製備方法，其中，其滿足如下1個或多個條件： <br/>（1）R<sup>4</sup>中，所述的胺基保護基為-Boc； <br/>（2）各R<sup>6</sup>中，所述的羥基保護基為<img align="absmiddle" height="20px" width="27px" file="ed10216.jpg" alt="ed10216.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="9px" width="25px" file="ed10217.jpg" alt="ed10217.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>（3）所述的鹼性試劑為鹼金屬氟化鹽和/或鹼金屬磷酸鹽； <br/>（4）所述的鹼性試劑與所述的式C1化合物的莫耳比為（2-8）：1； <br/>（5）所述的鈀催化劑為Pd<sub>2</sub>(dba)<sub>3</sub>、Pd(OAc)<sub>2</sub>、[Pd(C<sub>3</sub>H<sub>5</sub>)Cl]<sub>2</sub>、Pd<sub/>(PPh<sub>3</sub>)<sub>4</sub>、Pd(CF<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>、Pd(TFA)<sub>2</sub>、Pd(MeCN)<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>和[(cinnamyl)PdCl]<sub>2</sub>中的一種或多種； <br/>（6）所述的鈀催化劑與所述的式C1化合物的莫耳比為（0.1%-3%）：1； <br/>（7）所述的膦配體為PPh<sub>3</sub>、BI-DIME、Ph<sub>2</sub>DavePHOS、DTP-DPEPhos、Tris(p-anisyl)phosphine、AntPhos、DBFphos、cataCXium PCy、Ph<sub>2</sub>Cy、AmgenPHOS、HiersoPHOS-6、DBFphos、(p-anisyl)<sub>3</sub>P、Ph<sub>2</sub>P(tBu)、Cy<sub>2</sub>P(o-Tol) 、Ph<sub>2</sub>DavePHOS、p-NMe2-Cy-JohnPHOS、(t-Bu)<sub>2</sub>P(n-hexyl) HBF<sub>4</sub>和(Rac)-AntPhos中的一種或多種； <br/>（8）所述的膦配體與所述的式C1化合物的莫耳比為（0.6%-12%）：1; <br/>（9）所述的化合物N與所述的式C1化合物的莫耳比為（1-3）：1； <br/>（10）所述的化合物N為<img align="absmiddle" height="62px" width="32px" file="ed10218.jpg" alt="ed10218.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="71px" width="38px" file="ed10219.jpg" alt="ed10219.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="40px" width="36px" file="ed10220.jpg" alt="ed10220.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="48px" width="52px" file="ed10221.jpg" alt="ed10221.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="47px" width="47px" file="ed10222.jpg" alt="ed10222.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="29px" width="38px" file="ed10223.jpg" alt="ed10223.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>（11）所述的溶劑為醚類溶劑-水的混合溶劑或腈類溶劑-水的混合溶劑； <br/>（12）所述的取代反應的溫度為40℃-150℃。
如請求項14所述的式C3化合物的製備方法，其中， <br/>（1）當所述的化合物N為式C2化合物時，所述的鈀催化劑為Pd<sub>2</sub>(dba)<sub>3</sub>，所述的膦配體為PPh<sub>3</sub>和/或SylPhos； <br/>（2）當所述的化合物N為式C2’’化合物時，所述的鹼性試劑為鹼金屬磷酸鹽；所述的鈀催化劑為[Pd(C<sub>3</sub>H<sub>5</sub>)Cl]<sub>2</sub>和/或Pd (CF<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>；所述的膦配體為Ph<sub>2</sub>P(<i>t</i>-Bu)和/或PPh<sub>3</sub>； <br/>（3）當所述的化合物N為<img align="absmiddle" height="29px" width="38px" file="ed10212.jpg" alt="ed10212.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>時，所述的鹼性試劑為鹼金屬磷酸鹽；所述的鈀催化劑為Pd(CF<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>；所述的膦配體為PPh<sub>3</sub>與PPh<sub>3</sub>O的混合物。
如請求項13所述的式C3化合物的製備方法，其中，所述的式D9化合物的製備方法滿足如下1個或多個條件： <br/>（1）所述的連續流反應器為列管式反應器或微反應器； <br/>（2）所述的金屬催化劑負載於碳上； <br/>（3）所述的反應在酸催化劑存在下進行； <br/>（4）所述的溶劑為酯類溶劑； <br/>（5）所述的溶劑與所述的式D8化合物質量比為（10-40）:1； <br/>（6）所述的式D8化合物為<img align="absmiddle" height="81px" width="69px" file="ed10224.jpg" alt="ed10224.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>（7）所述的反應在50<sup>o</sup>C-100<sup>o</sup>C下進料； <br/>（8）所述的反應在0.3MPa-5MPa的壓力下進行； <br/>（9）所述的鹼、所述的溶劑、所述的式D8化合物和H<sub>2</sub>各個組分分別同時進樣進行連續流反應，或者將物料中的任意組分混合在一起，形成一組物料組或若干物料組同時進樣進行反應； <br/>當所述的溶劑和所述的式D8化合物組成物料a，氫氣為物料b時，物料a和物料b分別同時進料進行反應； <br/>當所述的反應在酸催化劑存在下進行時，所述的物料a為所述的溶劑、所述的式D8化合物和所述的酸催化劑組成原料液； <br/>所述的物料a進樣的速度為0.1mL/min-5 mL/min； <br/>所述的物料b進樣的速度為5mL/min-100mL/min； <br/>所述的物料a和所述的物料b預熱50<sup>o</sup>C-100<sup>o</sup>C後再進料進行反應； <br/>所述的物料a和所述的物料b在連續流反應器中的停留時間為1min -10min； <br/>（10）所述的式C3化合物的製備方法中，還包括式D8化合物的製備方法；所述的式D8化合物的製備方法包括如下步驟： <br/>在鹼存在下，將式D7化合物和式Y7a化合物在溶劑中進行如下式的反應，得所述的式D8化合物； <br/><img align="absmiddle" height="96px" width="225px" file="ed10225.jpg" alt="ed10225.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項16所述的式C3化合物的製備方法，其中，其滿足如下1個或2個條件： <br/>（1）所述的式D9化合物的製備方法中，所述的金屬催化劑為鉑催化劑；所述的反應在酸催化劑存在下進行；所述的反應通過一步法完成；所述的溶劑為乙酸乙酯； <br/>（2）所述的式C3化合物的製備方法中，還包括式D7化合物的製備方法；所述的式D7化合物的製備方法包括如下步驟： <br/>在鹼存在下，將式D6化合物和三氯氧磷在溶劑中進行如下式的反應，得所述的式D7化合物； <br/><img align="absmiddle" height="65px" width="157px" file="ed10226.jpg" alt="ed10226.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種式D9化合物的製備方法，其中，所述的式D9化合物的製備方法包括如下步驟： <br/>在連續流反應器中，在氫氣、金屬催化劑和溶劑存在下，將式D8化合物進行如下式的反應，得所述的式D9化合物即可； <br/>所述的金屬催化劑為鉑催化劑； <br/><img align="absmiddle" height="98px" width="176px" file="ed10215.jpg" alt="ed10215.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>其中，R<sup>3</sup>為H、F、Cl或Br；R<sup>4</sup>為胺基保護基； <br/>所述的式D9化合物的製備方法中的條件和操作均如請求項13或16所述。
一種式C7化合物或其藥學上可接受的鹽的製備方法，其中，其為如下任一方案： <br/><img align="absmiddle" height="105px" width="85px" file="ed10227.jpg" alt="ed10227.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <br/>方案1： <br/>其包括如下步驟：式A5化合物的製備方法； <br/>和，所述的式A5化合物進一步製備得式C7化合物或其藥學上可接受的鹽的製備方法； <br/>其中，所述的式A5化合物的製備方法包括如下步驟： <br/>步驟1：將化合物A1和化合物Z1a進行芳香親核取代反應，得到化合物A2； <br/>步驟2：將化合物A2和化合物C進行酯化反應，得到化合物A3； <br/>步驟3：將化合物A3和鹵化試劑進行鹵代反應，得到化合物A4； <br/>步驟4：化合物A4經關環反應得到化合物A5； <br/><img align="absmiddle" height="113px" width="200px" file="ed10170.jpg" alt="ed10170.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>方案2： <br/>其包括如下步驟：式A2化合物的製備方法； <br/>和，所述的式A2化合物進一步製備式C7化合物或其藥學上可接受的鹽的製備方法； <br/>其中，所述的式A2化合物的製備方法包括如下步驟：在鹼存在下，在溶劑中，將式A1化合物和式Z1a化合物進行芳香親核取代反應，得到所述的式A2化合物； <br/>所述的鹼為六甲基二矽基胺基鋰； <br/><img align="absmiddle" height="54px" width="163px" file="ed10186.jpg" alt="ed10186.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>方案3： <br/>其包括如下步驟：式D6化合物的製備方法； <br/>和，所述的式D6化合物進一步製備式C7化合物或其藥學上可接受的鹽的製備方法； <br/>其中，所述的式D6化合物的製備方法包括如下步驟：在連續流反應器中，在亞硝酸鹽催化劑存在或不存在下，硝酸和溶劑存在下，將式D5化合物進行如下所示的硝化反應，得所述的式D6化合物即可； <br/><img align="absmiddle" height="65px" width="163px" file="ed10228.jpg" alt="ed10228.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>方案4：其包括如下步驟：式D9化合物的製備方法； <br/>和，所述的式D9化合物進一步製備式C7化合物或其鹽的製備方法； <br/>其中，所述的式D9化合物的製備方法包括如下步驟：在連續流反應器中，在氫氣、金屬催化劑和溶劑存在下，將式D8化合物進行如下式的反應，得所述的式D9化合物即可； <br/>所述的金屬催化劑為鉑催化劑或鈀催化劑； <br/><img align="absmiddle" height="98px" width="176px" file="ed10229.jpg" alt="ed10229.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>方案1-4中，R<sup>1</sup>為F或Cl；R<sup>2</sup>為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、二級丁基、異丁基或三級丁基；R<sup>3</sup>為H、F、Cl或Br；R<sup>4</sup>為胺基保護基； <br/>方案1和方案2通過如下反應路線製備所述的式C7化合物或其藥學上可接受的鹽： <br/><img align="absmiddle" height="276px" width="307px" file="ed10230.jpg" alt="ed10230.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>方案3通過如下反應路線製備所述的式C7化合物或其藥學上可接受的鹽： <br/><img align="absmiddle" height="237px" width="279px" file="ed10231.jpg" alt="ed10231.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>方案4通過如下反應路線製備所述的式C7化合物或其藥學上可接受的鹽： <br/><img align="absmiddle" height="169px" width="299px" file="ed10232.jpg" alt="ed10232.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>。
一種將感興趣商品登記至資料夾者之方法，其係藉由電子裝置而實行，包括如下步驟： <br/>指示用戶終端輸出顯示目標商品之詳細資訊之第1頁面，上述第1頁面包括第1按鈕，該第1按鈕係用以將上述目標商品添加至感興趣商品清單者，該感興趣商品清單包括一個以上之感興趣商品； <br/>對應於自上述用戶終端接收到對上述第1按鈕之用戶輸入，將上述目標商品添加至上述感興趣商品清單；及 <br/>指示於上述第1頁面之一側輸出側滑選單，該側滑選單包括與上述感興趣商品清單中包括之一個以上之資料夾對應之一個以上之資料夾名稱項目，上述一個以上之資料夾名稱項目包括與第1資料夾對應之第1資料夾名稱項目，上述一個以上之資料夾中之各資料夾包括一個以上之感興趣商品， <br/>其中將上述目標商品添加至上述感興趣商品清單之步驟包括： <br/>將上述目標商品輸入至機器學習模型，該機器學習模型係使用既有感興趣商品之儲存記錄作為輸入資料來訓練； <br/>基於上述機器學習模型之輸出，自上述感興趣商品清單中包括之上述一個以上之資料夾中確定目標資料夾；及 <br/>將上述目標商品添加至上述目標資料夾，及 <br/>其中作為上述機器學習模型之上述輸入資料之既有感興趣商品之上述儲存記錄，係將上述用戶終端之用戶所登記之一個以上之商品映射至儲存上述一個以上之商品之資料夾之資訊。
如請求項1之方法，其中將上述目標商品添加至上述感興趣商品清單之步驟包括如下步驟： <br/>對應於接收到對上述第1資料夾名稱項目之用戶輸入，確定為上述目標商品包括於與上述第1資料夾名稱項目對應之上述第1資料夾中。
如請求項1之方法，其中將上述目標商品添加至上述感興趣商品清單之步驟進而包括如下步驟： <br/>獲得上述目標商品之屬性資訊；及 <br/>基於上述目標商品之屬性資訊及預定之基準，確定上述目標商品是否包括於上述第1資料夾中。
如請求項3之方法，其中確定上述目標商品是否包括於上述第1資料夾中之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述目標商品之屬性資訊與上述第1資料夾之資料夾名稱間之關聯度，確定上述目標商品是否包括於上述第1資料夾中。
如請求項3之方法，其中確定上述目標商品是否包括於上述第1資料夾中之步驟包括如下步驟： <br/>獲得上述第1資料夾中包括之一個以上之感興趣商品各者之屬性資訊； <br/>基於上述一個以上之感興趣商品各者之屬性資訊，確定上述第1資料夾之屬性資訊；及 <br/>基於上述目標商品之屬性資訊與上述第1資料夾之屬性資訊間之關聯度，確定上述目標商品是否包括於上述第1資料夾中。
如請求項1之方法，其中上述側滑選單進而包括能移動至顯示上述感興趣商品清單之第2頁面之第2按鈕，且 <br/>上述方法進而包括如下步驟： <br/>基於對上述第2按鈕之用戶輸入而指示輸出上述第2頁面。
如請求項6之方法，其中上述第2頁面包括：與上述感興趣商品清單中包括之所有商品對應之第1圖形對象、與上述第1資料夾對應之第2圖形對象、用以管理上述一個以上之資料夾之第3圖形對象、用以管理上述第1資料夾中包括之商品之第4圖形對象、及與上述第1資料夾中包括之感興趣商品對應之商品項目。
如請求項7之方法，其進而包括如下步驟： <br/>響應於對上述第2圖形對象之用戶輸入，指示於上述第2頁面中輸出與上述第1資料夾中包括之感興趣商品對應之商品項目；及 <br/>對上述第2圖形對象添加視覺效果。
如請求項7之方法，其中上述第2頁面進而包括用以添加新的資料夾之第5圖形對象。
如請求項9之方法，其進而包括如下步驟： <br/>基於對上述第4圖形對象之用戶輸入而於上述第2頁面中輸出模態，上述模態包括輸入窗及第3按鈕，該輸入窗能輸入要向上述感興趣商品清單中添加之第2資料夾之資料夾名稱，該第3按鈕用以添加上述第2資料夾；及 <br/>響應於對上述第3按鈕之用戶輸入，於上述第2頁面中添加與上述第2資料夾對應之第6圖形對象。
如請求項10之方法，其中上述第6圖形對象產生於上述第1圖形對象之右側及上述第2圖形對象之左側。
如請求項7之方法，其進而包括如下步驟： <br/>基於對上述第3圖形對象之用戶輸入而指示輸出第3頁面，該第3頁面包括上述一個以上之資料夾之清單以及能添加新的資料夾、或刪除上述一個以上之資料夾中之一部分資料夾、或變更上述一個以上之資料夾各者之資料夾名稱之選單。
如請求項7之方法，其進而包括如下步驟： <br/>基於對上述第4圖形對象之用戶輸入，於用以選擇上述第1資料夾中包括之商品之選擇選單中及上述第2頁面之一側顯示CTA按鈕；及 <br/>基於對上述選擇選單之用戶輸入，確定為已選擇上述第1資料夾中包括之商品。
如請求項13之方法，其中上述CTA按鈕包括第1 CTA按鈕、第2 CTA按鈕及第3 CTA按鈕，上述第2 CTA按鈕及上述第3 CTA按鈕係基於對上述選擇選單之用戶輸入而啟動， <br/>基於對上述第1 CTA按鈕之用戶輸入，自上述第2頁面中刪除上述選擇選單及上述CTA按鈕， <br/>基於對上述第2 CTA按鈕之用戶輸入，自上述第2頁面中刪除上述所選擇之商品，且 <br/>基於對上述第3 CTA按鈕之用戶輸入，將上述所選擇之商品移動至非上述第1資料夾之資料夾。
一種電子裝置，其包括： <br/>一個以上之處理器；及 <br/>一個以上之記憶體，其儲存有藉由上述一個以上之處理器而執行之命令；且 <br/>上述電子裝置以如下方式構成： <br/>於藉由上述一個以上之處理器而執行上述命令時，上述一個以上之處理器執行如請求項1至14中任一項之方法。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其係記錄有於藉由一個以上之處理器而執行時，使上述一個以上之處理器實行動作之命令者，上述命令以如下方式構成：使上述一個以上之處理器執行如請求項1至14中任一項之方法。
一種電極結構，包括： <br/>一基板；以及 <br/>一電極，設置於該基板上； <br/>其中，該電極結構可由展開狀態變化為彎折半徑約為2-4mm的彎折狀態，該電極結構在該彎折狀態下具有一彎折區域以及分別與所述彎折區域鄰接的第一、第二非彎折區域，該電極在該彎折區域的電極段，在該彎折狀態與該展開狀態的電阻值變化率小於10%。
如請求項1所述之電極結構，其中，該電極包含金屬氧化物、金屬網格(metal mesh)或是奈米銀線；其中該基板厚度介於25~125μm。
如請求項1所述之電極結構，其中，該電極結構具有一位於該第一非彎折區域的第一端部與一位於該第二非彎折區域第二端部，該電極結構由展開狀態變化為彎折半徑約為2-4mm的彎折狀態下，該第一端部與該第二端部之間的電阻值在該彎折狀態與該展開狀態的電阻值變化率介於1~5%。
如請求項1所述之電極結構，其中，該電極結構可由展開狀態變化為彎折半徑約為2-4mm的彎折狀態，該電極在該彎折區域的電極段，在該彎折狀態與該展開狀態的電阻值變化率介於約2.4%-7.2%。
如請求項1所述之電極結構，其中，該電極結構可由展開狀態變化為彎折半徑約為2-4mm的彎折狀態，該電極在該彎折區域的電極段，在該彎折狀態與該展開狀態的電阻值變化率介於約2%-8%。
如請求項1所述之電極結構，其中，該電極具有第一電極與第二電極，所述第一電極與所述第二電極設置於該基板的不同側，所述第一電極在該彎折狀態與該展開狀態具有第一電阻值變化率，所述第二電極在該彎折狀態與該展開狀態具有第二電阻值變化率，該第一電阻值變化率不同於該第二電阻值變化率。
如請求項1所述之電極結構，其中，該電極具有第一電極與第二電極，所述第一電極與所述第二電極設置於該基板的不同側，且該第二電極距彎折軸線比該第一電極為近，所述第一電極在彎折半徑約為3mm的彎折狀態與該展開狀態具有第一電阻值變化率，所述第二電極在彎折半徑約為3mm的該彎折狀態與該展開狀態具有第二電阻值變化率，該第二電阻值變化率為該第一電阻值變化率的約1.1-2.5倍，該第二電阻值變化率與該第一電阻值變化率均小於10%。
如請求項1所述之電極結構，其中，該電極的面阻介於15-100 ops。
一種包含如請求項1所述之電極結構的裝置，其中，該裝置為一可撓顯示裝置，該可撓顯示裝置包括一顯示元件，該顯示元件與該電極結構之間設有一光學膠層，該顯示元件對應該彎折區域以及該第一、第二非彎折區域顯示畫面。
如請求項9所述之裝置，其中，在-30°C至60°C溫度範圍中，該光學膠層的儲能模量平均斜率介於-4.0 kPa/℃ 至-1.5 kPa/℃。
一種安全滑軌裝置，包含：<br/> 一外軌單元，包括一外軌及一安全擋止件，該外軌具有一滑動面，該安全擋止件設置於該滑動面；及<br/> 一中軌，可活動地設置於該外軌的滑動面，該中軌具有一朝向該外軌的中外面；<br/> 其中，該安全擋止件抵接該中外面，以防止該中軌相對於該外軌滑動；<br/> 該安全擋止件還具有一本體部及一彈臂部，該彈臂部與該本體部一體成形，該本體部形成一開口，該彈臂部自該本體部朝該開口延伸，該彈臂部形成一抵接該中外面的凸起。
如請求項1所述的安全滑軌裝置，其中，該安全擋止件的材質為金屬或塑膠。
如請求項1所述的安全滑軌裝置，其中，該凸起呈弧形凸面。
如請求項1所述的安全滑軌裝置，其中，該中軌形成一供該凸起伸入的卡槽。
一種光路由電路，其包括： <br/>一第一節點； <br/>一第二節點，其中該第一節點藉由一第一電訊號通道電耦合至該第二節點，且其中該第一節點經配置以透過該第一電訊號通道將一第一電啟動訊號導引至該第二節點來啟動或撤銷該第二節點；及 <br/>一第三節點，其中一第一光訊號通道將該第一節點光學耦合至該第二節點，其中一第二光訊號通道將該第一節點光學耦合至該第三節點；及 <br/>一節點控制系統，其中一第一節點控制通道將該第一節點電耦合至該節點控制系統，且其中一第二節點控制通道將該第二節點及該第三節點兩者電耦合至該節點控制系統，其中當該第二節點啟動且該第三節點撤銷時： <br/>啟用該節點控制系統透過該第二節點控制通道對該第二節點之控制； <br/>停用該節點控制系統透過該第二節點控制通道對該第三節點之控制；且 <br/>啟用該節點控制系統透過該第一節點控制通道對該第一節點之控制，使得該第一節點將一光訊號透過該第一光訊號通道導引至該第二節點而非透過該第二光訊號通道導引至該第三節點。
如請求項1之光路由電路，其中當該第二節點啟動且該第三節點啟動時： <br/>啟用該節點控制系統透過該第二節點控制通道對該第二節點及該第三節點之控制；且 <br/>啟用該節點控制系統透過該第一節點控制通道對該第一節點之控制，使得該第一節點經配置以透過該第一光訊號通道將一光訊號導引至該第二節點且透過該第二光訊號通道將一光訊號導引至該第三節點。
如請求項1之光路由電路，其中該第一節點藉由一第二電訊號通道電耦合至該第三節點，且其中該第一節點經配置以藉由透過該第二電訊號通道將一第二電啟動訊號導引至該第三節點來啟動或撤銷該第三節點。
如請求項1之光路由電路，其中該節點控制系統經配置以透過該第一節點控制通道將該第一電啟動訊號導引至該第一節點。
如請求項1之光路由電路，其中： <br/>該第二節點控制通道包括複數個子通道群組； <br/>該第一電啟動訊號包括子通道群組選擇資訊；且 <br/>該第二節點經配置以基於該子通道群組選擇資訊來選擇該複數個子通道群組之一子通道群組用於該節點控制系統對該第二節點之控制。
如請求項1之光路由電路，其中該第一節點包括由該節點控制系統控制以將該光訊號導引至該第二節點或該第三節點之一光開關。
如請求項1之光路由電路，其中該第二節點經配置以透過該第二節點控制通道將一電回饋訊號導引至該節點控制系統。
如請求項7之光路由電路，其中： <br/>該第二節點包括一光偵測器； <br/>該電回饋訊號係基於由該光偵測器輸出之一電監測訊號；且 <br/>該節點控制系統經配置以基於該電回饋訊號來控制該第一節點、該第二節點或該第三節點之至少一者。
一種一光路由電路之節點，該節點包括一節點光學單元及一節點電子單元，其中： <br/>該節點光學單元包括一光開關； <br/>該節點光學單元電耦合至該節點電子單元； <br/>該節點電子單元電耦合至一節點控制通道，其中該節點電子單元經配置以透過一電訊號通道接收一電啟動訊號，該電訊號通道電耦合該光路由電路之該節點至另一節點，且其中該節點基於該電啟動訊號來啟動或撤銷； <br/>當該節點啟動時，該節點電子單元啟用一節點控制系統透過該節點控制通道對該節點光學單元之控制，使得該光開關將該節點光學單元處之一光訊號導引至耦合至該節點光學單元之一第一光訊號通道或耦合至該節點光學單元之一第二光訊號通道之至少一者；且 <br/>當該節點撤銷時，該節點電子單元停用該節點控制系統透過該節點控制通道對該節點光學單元之控制。
如請求項9之節點，其中啟用該節點控制系統對該節點光學單元之控制包括在該節點光學單元與該節點控制通道之間建立一電連接，而當該節點撤銷時，藉由切斷該節點光學單元與該節點控制通道之間的該電連接來停用該節點控制系統對該節點光學單元之該控制。
如請求項9之節點，其中該節點電子單元經配置以自該節點控制系統透過該節點控制通道接收該電啟動訊號。
如請求項9之節點，其中該節點電子單元進一步電耦合至一電訊號通道，且其中該節點電子單元經配置以自該電訊號通道接收該電啟動訊號。
如請求項9之節點，其中： <br/>該節點控制通道包括複數個子通道群組； <br/>該電啟動訊號包括子通道群組選擇資訊；且 <br/>該節點電子單元經配置以基於該子通道群組選擇資訊來選擇該複數個子通道群組之一子通道群組用於該節點控制系統對該節點光學單元之控制。
如請求項9之節點，其中該節點電子單元經配置以透過該節點控制通道將一電回饋訊號導引至該節點控制系統。
如請求項14之節點，其中： <br/>該節點光學單元包括一光偵測器；且 <br/>該電回饋訊號係基於自該光偵測器輸出之一電監測訊號。
如請求項9之節點，其中當該節點撤銷時，該節點電子單元切斷至該光開關之一電源。
一種用於路由一光訊號之方法，該方法包括： <br/>當一光路由電路(optical routing circuit; ORC)之一第二節點啟動且該ORC之一第三節點撤銷時，透過電耦合至該ORC之一第一節點及一節點控制系統之一第一節點控制通道組態該第一節點以透過光學耦合至該第一節點及該第二節點之一第一光訊號通道將一光訊號導引至該第二節點，而非透過光學耦合至該第一節點及該第三節點之一第二光訊號通道導引至該第三節點； <br/>自該第一節點且透過電耦合至該第一節點及該第二節點之一第一電訊號通道將一第一電啟動訊號傳送至該第二節點以啟動該第二節點； <br/>當該第二節點啟動且該第三節點撤銷時，透過電耦合至該第二節點、該第三節點及該節點控制系統之一第二節點控制通道控制該第二節點；及 <br/>當該第三節點啟動且該第二節點撤銷時，透過該第二節點控制通道控制該第三節點。
如請求項17之方法，其進一步包括： <br/>透過該第二節點控制通道啟動該第三節點；及 <br/>透過該第一節點控制通道組態該第一節點，使得該第一節點透過該第二光訊號通道將一光訊號導引至該第三節點。
如請求項17之方法，其進一步包括自該第一節點且透過電耦合至該第一節點及該第三節點之一第二電訊號通道將一第二電啟動訊號傳送至該第三節點以啟動該第三節點。
如請求項17之方法，其中該第一節點包括一光開關，其中該光開關將該光訊號導引至該第二節點。
如請求項17之方法，其進一步包括由該第二節點透過該第二節點控制通道將一電回饋訊號導引至該節點控制系統。
如請求項21之方法，其進一步包括： <br/>由該第二節點中之一光偵測器產生一電監測訊號，其中該電回饋訊號係基於該電監測訊號；及 <br/>由該節點控制系統基於該電回饋訊號來控制該第一節點、該第二節點或該第三節點之至少一者。
一種光學系統，包括：<br/> 一承載座，用以連接一鏡頭單元；<br/> 一底座，該承載座可相對於該底座運動；<br/> 一第二驅動組件，用以驅動該承載座運動；<br/> 一第一彈性元件，其中該承載座經由該第一彈性元件懸吊；以及<br/> 一光圈單元，設置於該承載座，且包括用以控制一光圈開口的尺寸之一第三驅動組件，其中該第三驅動組件電性連接該第一彈性元件。
如請求項1所述之光學系統，其中該光學系統包括：<br/> 一框架，活動地連接該底座，且該承載座活動地連接該框架；以及<br/> 一第一驅動組件，設置於該承載座，且用以驅動該框架相對該底座運動，其中該第二驅動組件用以驅動該承載座相對於該框架運動，且該光圈單元固定至該承載座。
如請求項2所述之光學系統，其中該光圈單元包括：<br/> 一光圈，具有該光圈開口，其中該第三驅動組件連接該光圈以連續地調整該光圈開口之尺寸；<br/> 複數個光圈元件，以一光軸為軸心而旋轉對稱的方式排列；以及<br/> 一導引元件，可動地連接該等光圈元件，其中該等光圈元件與該導引元件之旋轉方向相同。
如請求項3所述之光學系統，其中該導引元件包括複數個導槽，以該光軸為軸心而旋轉對稱的方式排列，<br/> 其中該光圈開口具有一預設尺寸，當該導引元件進行轉動時，該光圈開口的尺寸與該預設尺寸不同。
如請求項2所述之光學系統，其中該光學系統包括一基座，沿垂直該光軸之方向觀察，該基座與該框架部分重疊，且該基座直接設置於該承載座上，<br/> 其中沿垂直該光軸之方向觀察，該框架與該第一驅動組件部分重疊。
如請求項2所述之光學系統，其中該第一驅動組件包括一第一驅動線圈，該第二驅動組件包括一第二驅動線圈，且該第三驅動組件包括：<br/> 一驅動磁性元件；以及<br/> 一第三驅動線圈，設置在該驅動磁性元件上，其中該驅動磁性元件對應該第一驅動線圈或該第二驅動線圈。
如請求項6所述之光學系統，其中該框架經由該第一彈性元件活動地連接該底座，且該第三驅動線圈電性連接於該第一彈性元件。
如請求項6所述之光學系統，其中該光圈單元包括一第二彈性元件和具有該光圈開口的一光圈，該第二彈性元件用以間接或直接施加一預設壓力於該光圈，且該光圈開口之尺寸在未對該第三驅動線圈施加電流時係為一預設尺寸。
如請求項8所述之光學系統，其中對該第三驅動線圈施加正電流時，該光圈開口之尺寸比該預設尺寸大，其中對該第三驅動線圈施加負電流時，該光圈開口之尺寸比該預設尺寸小。
如請求項1所述之光學系統，其中該光學系統包括一尺寸感測元件，用以感測該光圈開口之尺寸。
一種射頻電源信號檢測及同步系統，其包括︰<br/> 所述系統包括分路器、N條傳輸能力相同且等長的傳輸線路及N台射頻電源從機；其中，<br/> 所述分路器的輸入端用於接收標準本振時鐘信號；所述分路器包括N個輸出端，所述分路器的每個所述輸出端分別經由一條所述傳輸線路對應連接一台所述射頻電源從機的輸入端，每台所述射頻電源從機的輸出端分別連接相應的真空腔體；<br/> 所述標準本振時鐘信號經過所述分路器及等長的所述傳輸線路得到延遲時間及相位均相同的參考本振時鐘信號，使得接入各台所述射頻電源從機的輸入端的所述參考本振時鐘信號相干；<br/> 每台所述射頻電源從機內均設置裝置規格與運作能力兩者中的至少一者為相同的相位同步模組和功率輸出模組，對各台所述射頻電源從機的相位進行檢測，並使各台所述射頻電源從機的相位同步；其中，所述相位同步模組，用於以所述參考本振時鐘信號為參考對所述射頻電源從機的從機本振時鐘信號進行相位校準，輸出相應的頻率驅動控制信號；所述功率輸出模組，用於在所述頻率驅動控制信號的驅動下輸出相應的射頻功率信號，用以實現對所述真空腔體激勵的相位控制；<br/> 所述相位同步模組包括移相單元和直接數位合成器（DDS）單元；其中，所述移相單元，用於以所述參考本振時鐘信號為參考對所述從機本振時鐘信號進行所述相位校準，輸出所述相位校準後的所述從機時鐘頻率對應的移相頻率字；所述直接數位合成器（DDS）單元，用於在所述移相頻率字的控制下，輸出與所述移相頻率字對應的所述頻率驅動控制信號；<br/> 所述移相單元通過第一移相器和第二移相器相連實現；其中，所述第一移相器的第一輸入端接入所述參考本振時鐘信號，所述第一移相器的第二輸入端接入所述從機本振時鐘信號，所述第一移相器的輸出端連接所述第二移相器的第一輸入端；所述第二移相器的第二輸入端接入從所述真空腔體採集到的頻率信號，所述第二移相器的輸出端連接直接數位合成器（DDS）單元的頻率控制字輸入端。
如請求項1所述之射頻電源信號檢測及同步系統，其中，所述移相單元採用一個移相器實現。
如請求項1所述之射頻電源信號檢測及同步系統，其中，所述第一移相器，用於以所述參考本振時鐘信號為參考對所述從機本振時鐘信號進行初次所述相位校準，將所述從機時鐘頻率校準到所述標準本振時鐘信號的時鐘頻率進行輸出；<br/> 所述第二移相器，用於根據從所述真空腔體採集到的頻率信號對第一移相器初次所述相位校準後的所述從機時鐘頻率進行二次所述相位校準，輸出二次所述相位校準後的所述從機時鐘頻率對應的所述移相頻率字。
如請求項1~3中任一項所述之射頻電源信號檢測及同步系統，其中，N台所述射頻電源從機的從機本振時鐘信號均相同，此時，提供至與各所述射頻電源從機相連的所述真空腔體的射頻功率信號也相同。
如請求項1~3中任一項所述之射頻電源信號檢測及同步系統，其中，在所述功率輸出模組中，所述實現對所述真空腔體激勵的相位控制包括動態相位調節、相位固化或相差鎖定。
如請求項5所述之射頻電源信號檢測及同步系統，其中，N台所述射頻電源從機的從機本振時鐘信號預設不同的移相，此時，提供至與各所述射頻電源從機相連的所述真空腔體的射頻功率信號也存在與預設移相匹配的相位偏差。
如請求項5所述之射頻電源信號檢測及同步系統，其中，所述N台射頻電源從機包括兩台射頻電源從機，且所述兩台射頻電源從機的輸出端分別連接同一所述真空腔體的上電機、下電機。
如請求項1~3中任一項所述之射頻電源信號檢測及同步系統，其中，所述N條傳輸線路的傳輸能力相同，包括：傳輸線路的規格相同，傳輸線路的信號傳輸能力相同且傳輸線路的結構相同。
如請求項1~3中任一項所述之射頻電源信號檢測及同步系統，其中，所述系統還包括上位機和射頻電源主機中的一種，用於輸出所述標準本振時鐘信號。
一種用於以一外部沉積方法生產一管狀石英玻璃複合體的方法，其包含以下方法步驟： <br/>(a) 提供一基材管，該基材管具有與該基材管的一縱軸同軸地延行的一連續貫通開口、一基材管外徑、一基材管內徑、一基材管外護套表面、一基材管內護套表面、及具有一壁厚度的一基材管壁， <br/>(b) 圍繞與該基材管的該縱軸同軸地或平行地延行的一旋轉軸旋轉該基材管， <br/>(c) 藉由至少一個沉積燃燒器來將SiO<sub>2</sub>粒子沉積在該基材管的該外護套表面上，自該基材管及一SiO<sub>2</sub>煙灰體形成一複合物(1/9; 21/9)， <br/>(d) 藉由在一加熱區中以一燒結溫度加熱，及使用適於至少暫時地將該複合體在該基材管的一垂直定向縱軸的情況下固持在該加熱區中的一固持裝置，來燒結該複合體(1/9; 21/9)以形成該管狀石英玻璃複合體(100; 110)， <br/>其特徵在於使用一固持裝置，該固持裝置包含在該基材管的一固持區域中在一形成步驟中所生產的一固持元件。
如請求項1之方法，其中在根據方法步驟(c)的該等SiO<sub>2</sub>粒子的該沉積之前生產該固持元件。
如請求項1之方法，其中該固持元件係在根據方法步驟(c)的該等SiO<sub>2</sub>粒子的該沉積之後且在根據方法步驟(d)的該燒結之前或期間生產。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該固持元件經實現為該基材管的該內徑的收縮或者為該基材管的該外徑的膨脹。
如請求項4之方法，其中該基材管內徑的該收縮具有在該基材管縱軸方向上的一縱向延伸，該縱向延伸在20至200 mm的範圍內。
如請求項4之方法，其中該收縮經設計為該基材管的該內護套表面的一局部凹口及/或經設計為在該固持區域中的該基材管貫通開口的一漸縮。
如請求項6之方法，其中在根據方法步驟(d)的燒結期間藉由下列來生產該基材管貫通開口的該漸縮：軟化一上基材管端部連同放置在其上的一成形體，該上基材管端部靠置於該成形體上；以及在該成形體的重量的影響下使該上基材管端部向內彎曲。
如請求項4之方法，其中該基材管的該外徑的該膨脹具有在該基材管的縱軸方向上的一縱向延伸，該縱向延伸在20至200 mm的範圍內。
如請求項4之方法，其中該膨脹引起該基材管的該外徑的一最大放大量，該最大放大量在4 mm至80 mm的範圍內。
如請求項4之方法，其中在根據方法步驟(d)的燒結期間藉由下列來生產該膨脹：軟化一上基材管端部連同一膨脹裝置，其具有可徑向地向外移動且靠置於該上基材管端部的一區域中之一內壁上的一膨脹體；及在該膨脹裝置的重量的影響下徑向地向外移動該膨脹體；及在形成該膨出的同時使該上基材管端部的該區域中的該基材管壁變形。
如請求項1至3中任一項之方法，其中提供至少部分地由一第一石英玻璃品質的石英玻璃組成的一基材管，及其中該煙灰體由一第二石英玻璃品質的石英玻璃組成，其中該第一石英玻璃品質在該燒結溫度下具有的一特定材料黏度高於該第二石英玻璃品質的該特定材料黏度。
如請求項11之方法，其中在1350℃的一測量溫度下，該第一石英玻璃品質的該黏度的常用對數高於該第二石英玻璃品質的該石英玻璃之該黏度的常用對數至少0.25 log(dPa·s)。
一種依據如請求項1至12中任一項之方法所生產之由石英玻璃所組成的管狀複合體，其具有至少1000 mm的一長度、具有至少25 mm的一壁厚度及至少250 mm的一內徑的一管壁，其特徵在於該管壁具有一內壁區域及一外壁區域，其中該內壁區域包含經設計為該基材管內徑的一收縮或經設計為該基材管外徑的一膨脹的一固持元件。
如請求項13之由石英玻璃所組成的管狀複合體，其中該內壁區域至少部分地由一第一石英玻璃品質的石英玻璃組成，且該外壁區域由一第二石英玻璃品質的石英玻璃組成，其中在1350℃的一測量溫度下，該第一石英玻璃品質的黏度高於該第二石英玻璃品質的黏度。
一種將根據請求項13或14之管狀複合體用於生產供半導體製造的蝕刻環或一壓力容器的用途，其中藉由移除該內壁區域來生產一石英玻璃空心圓柱，且處理該圓柱以形成該等蝕刻環或該壓力容器。
一種使用粒子束(E)處理及/或檢驗樣本(100)的方法，包括下列步驟： <br/>確定該樣本(100)的一靜電荷狀態； <br/>至少部分基於該所確定的靜電荷狀態向該樣本周圍的一元件(H)施加電壓； <br/>其中該元件(H)包含兩或多個分段；及其中該施加電壓包含： <br/>施加一第一電壓至該元件(H)的一第一分段(1、P1)； <br/>施加一第二電壓至該元件(H)的一第二分段(2、P2)。
如請求項1所述之方法，其中該施加電壓在該粒子束(E)在該樣本(100)上的入射點生成電場。
如請求項1及2中任一項所述之方法，其中實施該施加電壓，使得此影響粒子束粒子在該樣本上的衝擊能量。
如請求項3所述之方法，其中實施該施加電壓，使得該衝擊能量處於一第一預定值範圍內。
如請求項1或2所述之方法，其中實施該施加電壓，使得該樣本的該靜電荷狀態至少部分補償。
如請求項5所述之方法，其中該施加電壓造成該靜電荷狀態處於一第二預定值範圍內。
如請求項1或2所述之方法，其中重複如請求項1所述之步驟至少一次。
如請求項1或2所述之方法，其中該元件配置在相對於該樣本的頂側之底側上，在處理及/或檢驗期間，該粒子束會從該底側導引至該樣本。
如請求項8所述之方法，其中當施加電壓時，該樣本的至少部分區域接觸該元件。
如請求項8所述之方法，其中該元件包含一用於固持該樣本的支承體。
如請求項10所述之方法，其中該支承體包含一基部區域，其在該方法過程中接觸該樣本。
如請求項1或2所述之方法，其中該實施該第一和第二電壓的施加是為了影響該樣本的一第一區域中的該樣本的處理及/或檢驗。
如請求項12所述之方法，其中該施加該第一電壓造成所受影像的該第一區域中粒子束粒子的衝擊能量。
如請求項12所述之方法，其中確定該靜電荷狀態包含： <br/>確定不同於該第一區域之第二區域中的靜電荷狀態，施加該第二電壓係至少部分基於在該第二區域中所確定的該靜電荷狀態。
如請求項14所述之方法，其中施加該第二電壓促使抑制從該第二區域生成電場。
如請求項1或2所述之方法，其中執行該方法，其目的係處理及/或檢驗微影物件。
一種用於執行如請求項1至16中任一項所述之方法的電腦程式。
一種使用粒子束(E)以處理及/或檢驗樣本(100)的裝置，其包含： <br/>確定構件，用於確定該樣本的一靜電荷狀態； <br/>一元件(H)，當該樣本配置在該裝置中的樣本位置時，該元件配置在該樣本周圍； <br/>施加構件，用於至少部分基於該所確定的靜電荷狀態向該元件(H)施加電壓； <br/>其中該元件(H)包含兩或多個分段；及 <br/>其中透過該施加構件可施加第一電壓至第一分段(1、P1)，可施加第二電壓至第二分段(2、P2)。
如請求項18中所述之裝置，其中配置在該樣本位置中的該樣本(100)導致該元件(H)配置在該樣本(100)的底側上，該底側相對於該樣本(100)的頂側，在處理及/或檢驗期間，該粒子束(E)從該底側導引至該樣本(100)。
如請求項19中所述之裝置，其中該裝置配置成使得當施加電壓時該樣本(100)的該底側的至少部分區域接觸該元件(H)。
如請求項18或19所述之裝置，其中該元件包含一用於固持該樣本的支承體。
如請求項21中所述之裝置，其中該支承體(H)包含一基部區域，當該樣本(100)配置在該樣本位置中時，該基部區域接觸該樣本的該底側。
一種表面改質基板，其包括： <br/>一第一區域，其包括氟化鎳；及 <br/>一第二區域，其包括一鎳合金， <br/>其中該第一區域係在該第二區域上方； <br/>其中該第二區域之該氟化鎳之一濃度自鄰接該第一區域處連續地減小， <br/>其中該第二區域具有1 nm至50 μm之一深度。
如請求項1之基板，其中該基板具有20:1至2000:1之一縱橫比，其中該縱橫比係一寬度、一深度、一高度、一長度或一直徑之兩者之一比率。
如請求項1之基板，其中該基板包括： <br/>基於該基板之一總重量，至少50重量%之鎳。
如請求項1之基板，其中該基板包括： <br/>基於該基板之一總重量，小於10重量%之鐵。
如請求項1之基板，其中該基板不包括鎂。
如請求項1之基板，其中該第一區域自該基板之一表面延伸至2 nm至5 μm之一深度。
一種表面改質方法，其包括： <br/>使一基板曝露於足以形成以下之至少一者之一含氟蒸氣： <br/>一第一區域，其包括氟化鎳；及 <br/>一第二區域，其包括一鎳合金； <br/>其中該第一區域係在該第二區域上方； <br/>其中該第二區域之該氟化鎳之一濃度自鄰接該第一區域處連續地減小， <br/>其中該第二區域具有1 nm至50 μm之一深度。
如請求項7之方法，其中該基板具有20:1至2000:1之一縱橫比，其中該縱橫比係一寬度、一深度、一高度、一長度或一直徑之兩者之一比率。
如請求項7之方法，其中該含氟蒸氣包括一汽化氟化聚合物且其中該汽化氟化聚合物衍生自具有C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>全氟烷基之聚合全氟烷基乙烯、聚四氟乙烯(PTFE)、四氟乙烯/全氟(烷基乙烯醚)共聚物(PFA)、四氟乙烯/六氟丙烯共聚物(FEP)、四氟乙烯/全氟(烷基乙烯醚)/六氟丙烯共聚物(EPA)、聚六氟丙烯、乙烯/四氟乙烯共聚物(ETFE)、聚三氟乙烯、聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚氟乙烯(PVF)、聚氯三氟乙烯(PCTFE)、乙烯/氯三氟乙烯共聚物(ECTFE)或其任何組合之至少一者。
如請求項7之方法，其中該曝露包括在約大氣壓力下使該基板曝露於該含氟蒸氣。
一種回收處理機構之刀具構造，係包括至少一個以上之軸部及設置於該至少一個以上軸部上之輪刀部，其中： <br/>該至少一個以上軸部二側分別設有組裝於預設機架上之組裝軸桿； <br/>該輪刀部係包括設置於該至少一個以上軸部的組裝軸桿處之轉輪、成型於該轉輪外圓周緣處之複數齒刀。
如請求項1所述回收處理機構之刀具構造，其中該至少一個以上軸部的直徑(ψ1)係為210〜260公釐(mm)，而該至少一個以上軸部較佳直徑(ψ1)係為240公釐(mm)。
如請求項1所述回收處理機構之刀具構造，其中該至少一個以上軸部係於二側分別設有減縮外徑之該組裝軸桿，並於該至少一個以上軸部處一體成型該輪刀部具該複數齒刀之該轉輪，且該至少一個以上軸部的長度(C1)係為700公釐(mm) 〜800公釐(mm) ，則較佳長度(C1)即為754公釐(mm)。
如請求項3所述回收處理機構之刀具構造，其中該輪刀部之該轉輪的直徑(ψ2)係為145〜185公釐(mm)，且該轉輪的較佳直徑(ψ2)係為165公釐(mm)該轉輪的外圓周緣處一體成型有９４個該齒刀，各該齒刀係分別呈梯形齒狀、鋸齒狀、刀刃狀或尖錐齒狀。
如請求項4所述回收處理機構之刀具構造，其中該呈梯形齒狀之各該齒刀其底部寬度(W1)係為5公釐(mm)、頂部寬度(W2)係為2公釐(mm)、高度(L1)則為5公釐(mm)，至於任二相鄰的各該齒刀的間距(W3)即為3.01公釐(mm)，至於各該齒刀之梯形角度(θ1)係為35°〜40°，且各該齒刀較佳之梯形角度(θ1)則為37.23°，任二相鄰各該齒刀間的相鄰夾角度(θ2)係為30°〜36°，而較佳之相鄰夾角度(θ2)則為33.4°。
如請求項1所述回收處理機構之刀具構造，其中該至少一個以上軸部係於二側分別設有減縮外徑之該組裝軸桿，並於該至少一個以上軸部處組裝至少一個以上該輪刀部具複數齒刀之該轉輪。
如請求項6所述回收處理機構之刀具構造，其中該至少一個以上輪刀部係包括呈相同厚度或相異厚度之該轉輪。
如請求項1所述回收處理機構之刀具構造，其中該輪刀部之該轉輪的直徑(ψ2)係分別為145〜185公釐(mm)，且該轉輪的較佳直徑(ψ2)係分別為165公釐(mm) ，而其厚度(C2)係為75〜85公釐(mm)，較佳之厚度(C2)即為81公釐(mm)，則於該轉輪的外圓周緣處成型８３個該齒刀，各該齒刀係分別呈梯形齒狀、鋸齒狀、刀刃狀或尖錐齒狀。
如請求項8所述回收處理機構之刀具構造，其中該呈梯形齒狀之各該齒刀其底部寬度(W4)係為6公釐(mm)、頂部寬度(W5)係為3公釐(mm)、高度(L2)則為5公釐(mm)，至於任二相鄰的各該齒刀的間距(W6)即為3.08公釐(mm) ，則各該齒刀之梯形角度(θ3)係為35°〜40°，且各該齒刀較佳之梯形角度(θ3)則為37.74°，任二相鄰各該齒刀間的相鄰夾角度(θ4)係為30°〜36°，而較佳之相鄰夾角度(θ4)則為33.4°。
一種連接器組件，其中該連接器組件包括： <br/>插頭連接器，包括複數個插頭觸點、保持該複數個插頭觸點的插頭殼體、以及插頭壓緊件，該插頭壓緊件安裝在該插頭殼體中的該複數個插頭觸點的外側上；以及 <br/>插座連接器，包括複數個插座觸點、以及保持該複數個插座觸點的插座殼體，其中 <br/>透過使該插頭連接器與該插座連接器在嵌合方向上相互嵌合，每個該插頭觸點與每個該插座觸點形成電接觸； <br/>該複數個插頭觸點沿間距方向配置； <br/>該插頭殼體包括平行於該間距方向延伸的兩個側壁、以及連接該兩個側壁的端部的端壁； <br/>該端壁包括與該插頭殼體的外部鄰接的外圍表面、當該插頭連接器與該插座連接器彼此嵌合時與該插座殼體相對的相對表面、以及在該外圍表面及該相對表面之間的相交處的角部； <br/>該插頭壓緊件包括角拉伸部及載體切割平面； <br/>該載體切割平面形成在面向該複數個插頭觸點的該插頭壓緊件的一側；以及 <br/>該角拉伸部覆蓋該角部。
如請求項1所述的連接器組件，其中： <br/>該端壁的該外圍表面包括：在該間距方向上面向該插頭殼體的外側的外圍端表面； <br/>該插頭壓緊件還包括覆蓋該外圍端表面的端部； <br/>該端部包括第一連接部及第二連接部，該第一連接部及該第二連接部電連接到安裝在該插頭連接器之板上的端子； <br/>在正交於該間距方向及該嵌合方向的寬度方向上，該第一連接部及該第二連接部從該角拉伸部分支並延伸至該板之側；以及 <br/>當從該間距方向觀看該插頭殼體的外側時，該第一連接部及該第二連接部具有相對於該嵌合方向逐漸變窄的錐形形狀。
一種去除含羥基及/或羧基化合物之方法，該方法包含：<br/> a. 使一或多種聚碳酸酯溶劑與包含一或多種廢聚碳酸酯及一或多種含羥基及/或羧基化合物之廢原料接觸以形成聚碳酸酯溶液；<br/> b. 使分離介質與該聚碳酸酯溶液接觸以自該聚碳酸酯溶液分離該一或多種含羥基及/或羧基化合物，其中該分離介質與該聚碳酸酯溶液基本上不互溶；及<br/> c. 分離該聚碳酸酯溶液及含有該一或多種含羥基及/或羧基化合物之該分離介質。
如請求項1之方法，其中該分離介質具有高於7之pH。
如請求項1之方法，其中在分離該聚碳酸酯溶液及該分離介質之後，該聚碳酸酯溶液基本上不含該一或多種含羥基及/或羧基化合物。
如請求項1之方法，其中該一或多種含羥基及/或羧基化合物包含雙酚化合物或其殘基。
如請求項1之方法，其中該一或多種含羥基及/或羧基化合物具有約1000克每莫耳或更小之分子量。
如請求項1之方法，其中該分離介質包含水，且其中該聚碳酸酯溶劑包含與該水基本上不互溶之有機溶劑。
如請求項1之方法，其中該聚碳酸酯溶劑包含極性非質子溶劑。
如請求項1之方法，該方法進一步包含：<br/> a. 對該聚碳酸酯溶液及/或該分離介質施加攪動以形成該聚碳酸酯溶液及該分離介質之分散體；<br/> b. 在該分散體相分離之後，分離該聚碳酸酯溶液及該分離介質，使得該聚碳酸酯溶液基本上不含該一或多種含羥基及/或羧基化合物。
如請求項1之方法，其中該分離介質包含經組態以與該等含羥基及/或羧基化合物結合之吸附介質。
如請求項9之方法，其中該吸附介質包含固定床或流體化床，使得該聚碳酸酯溶液穿過該吸附介質且將該一或多種含羥基及/或羧基化合物萃取至該吸附介質上。
如請求項1之方法，該方法進一步包含：<br/> a. 使一或多種功能性化合物與該聚碳酸酯溶液接觸以形成一或多種已調整聚碳酸酯，該一或多種已調整聚碳酸酯基本上不含羥基及/或羧基。
一種去除含羥基及/或羧基化合物之方法，該方法包含：<br/> a. 使一或多種聚碳酸酯溶劑與包含一或多種廢聚碳酸酯及一或多種含羥基及/或羧基化合物之廢原料接觸以形成聚碳酸酯溶液；及<br/> b. 使一或多種修復化合物與該聚碳酸酯溶液接觸以形成一或多種改質化合物及一或多種已調整聚碳酸酯，該一或多種改質化合物包含與該一或多種修復化合物之殘基連接的該一或多種含羥基及/或羧基化合物之殘基，該一或多種已調整聚碳酸酯基本上不含羥基及/或羧基。
如請求項12之方法，其中該一或多種修復化合物包含一或多個官能基，該一或多個官能基包含異氰酸酯、酸酐、環氧化物、噁唑啉、碳酸酯、氯矽烷、醯基氯化物、氯化磷醯或其任何組合，且<br/> 其中該一或多種改質化合物基本上不含羥基或羧基。
如請求項12之方法，其中該一或多種改質化合物中之至少一些包含經組態以與該聚碳酸酯聚合物之羥基及/或羧基反應之至少一個官能基。
如請求項12之方法，該方法進一步包含：<br/> a. 接觸該聚碳酸酯溶液內之一或多種聚碳酸酯聚合物及該一或多種改質化合物以形成一或多種改質聚碳酸酯聚合物。
如請求項15之方法，其中該一或多種改質聚碳酸酯聚合物基本上不含羥基及/或羧基，且<br/> 其中該等改質聚碳酸酯聚合物具有大於該一或多種聚碳酸酯聚合物在改質前之數目或重量平均分子量的數目或重量平均分子量。
如請求項16之方法，該方法進一步包含：<br/> a. 使一或多種功能性化合物與該聚碳酸酯溶液接觸以形成一或多種已調整聚碳酸酯，該一或多種已調整聚碳酸酯基本上不含羥基及/或羧基。
如請求項11或16之方法，其中基本上不含羥基及/或羧基之該一或多種已調整聚碳酸酯包含100 ppm或更少之羥基及/或羧基。
如請求項11或16之方法，其中基本上不含羥基及/或羧基之該一或多種已調整聚碳酸酯包含10 ppm或更少之羥基及/或羧基。
一種基板處理方法，其包含： <br/>液膜形成步驟，其係向基板之正面供給包含昇華性物質之昇華性物質含有液，藉此於上述基板之上述正面形成上述昇華性物質含有液之液膜； <br/>固化膜形成步驟，其係使上述昇華性物質含有液之上述液膜於上述基板之上述正面變成包含上述昇華性物質之固化膜； <br/>昇華步驟，其係使上述固化膜昇華，藉此將其自上述基板之上述正面去除；及 <br/>濕度上升步驟，其係於開始上述固化膜之昇華後，使與上述基板接觸之環境氣體之濕度上升。
如請求項1之基板處理方法，其中上述濕度上升步驟包含如下步驟：於開始上述固化膜之昇華後，使與上述基板之上述正面全域接觸之環境氣體之濕度上升。
如請求項1或2之基板處理方法，其中上述濕度上升步驟包含如下步驟：於開始上述固化膜之昇華後且結束上述固化膜之昇華前，使與上述基板接觸之環境氣體之濕度上升。
如請求項1之基板處理方法，其中上述濕度上升步驟包含如下步驟：於開始上述固化膜之昇華後，向上述基板之上述正面噴出濕度較與上述基板接觸之環境氣體高之加濕氣體。
如請求項4之基板處理方法，其中上述濕度上升步驟包含如下步驟：於開始上述固化膜之昇華後，在阻斷構件位於近接位置之狀態下，向上述基板之上述正面噴出上述加濕氣體，上述阻斷構件能於上述阻斷構件與上述基板之上述正面相對的上述近接位置和上述阻斷構件在較上述阻斷構件位於上述近接位置時距上述基板更遠之位置處與上述基板之上述正面相對的待機位置之間，沿著與上述基板之上述正面垂直之方向平行移動。
如請求項4之基板處理方法，其中上述濕度上升步驟包含如下步驟：於開始上述固化膜之昇華後，在阻斷構件位於待機位置之狀態下，向上述基板之上述正面噴出上述加濕氣體，上述阻斷構件能於上述阻斷構件與上述基板之上述正面相對的近接位置和上述阻斷構件在較上述阻斷構件位於上述近接位置時距上述基板更遠之位置處與上述基板之上述正面相對的上述待機位置之間，沿著與上述基板之上述正面垂直之方向平行移動。
如請求項6之基板處理方法，其中上述濕度上升步驟包含如下步驟：於開始上述固化膜之昇華後，在上述阻斷構件位於上述待機位置之狀態下，使向上述基板之上述正面噴出上述加濕氣體之加濕氣體噴嘴移動。
如請求項1之基板處理方法，其中上述濕度上升步驟包含如下步驟：於開始上述固化膜之昇華後，在阻斷構件位於待機位置之狀態下，一面使上述阻斷構件繞通過上述阻斷構件之中央部之旋轉軸線旋轉，一面自相對於上述阻斷構件處於上述基板之相反側之位置向上述阻斷構件噴出水，上述阻斷構件能於上述阻斷構件與上述基板之上述正面相對的近接位置和上述阻斷構件在較上述阻斷構件位於上述近接位置時距上述基板更遠之位置處與上述基板之上述正面相對的上述待機位置之間，沿著與上述基板之上述正面垂直之方向平行移動。
如請求項5至8中任一項之基板處理方法，其中上述固化膜形成步驟包含如下步驟：在上述阻斷構件位於上述近接位置之狀態下，一面向上述基板與上述阻斷構件之間供給惰性氣體，一面使上述昇華性物質含有液之上述液膜於上述基板之上述正面變成上述固化膜。
如請求項1或2之基板處理方法，其中上述昇華性物質為環己酮肟。
一種基板處理裝置，其具備： <br/>基板保持器，其保持基板； <br/>昇華性物質含有液噴嘴，其向保持於上述基板保持器之上述基板之正面供給包含昇華性物質之昇華性物質含有液，藉此於上述基板之上述正面形成上述昇華性物質含有液之液膜； <br/>氣體噴嘴，其向保持於上述基板保持器之上述基板之上述正面噴出氣體； <br/>旋轉馬達，其使上述基板保持器繞通過保持於上述基板保持器之上述基板之中央部之旋轉軸線旋轉，藉此使保持於上述基板保持器之上述基板旋轉； <br/>加濕器，其使與上述基板接觸之環境氣體之濕度上升；及 <br/>控制裝置，其使上述氣體噴嘴及旋轉馬達中之至少一者進行向上述基板供給上述氣體之動作與使上述基板旋轉之動作中之至少一者，藉此於使上述昇華性物質含有液之液膜在上述基板之上述正面變成包含上述昇華性物質之固化膜後，使上述固化膜昇華，並於開始上述固化膜之昇華後，令上述加濕器使與上述基板接觸之環境氣體之濕度上升。
一種形成半導體裝置的方法，該方法包括：<br/> 沿著一基板形成一裝置層；<br/> 在該裝置層之上形成一第一互連結構，其中該裝置層位於該基板和該第一互連結構之間；<br/> 在該第一互連結構之上形成一金屬墊；<br/> 在該第一互連結構之上形成複數個第一接合墊並電性連接到該第一互連結構；以及<br/> 在該第一互連結構之上形成用作一導熱墊的一第二接合墊並與該第一互連結構電性隔離，在一平面圖中，該些第一接合墊包括圍繞該第二接合墊的一部分的一框架的四個角落。
如請求項1所述之方法，更包括接合一積體電路晶粒至該些第一接合墊和該第二接合墊，其中該積體電路晶粒包括：<br/> 一第二互連結構；<br/> 複數個第三接合墊，該些第三接合墊電性連接該第二互連結構到該些第一接合墊；以及<br/> 一第四接合墊，與該第二接合墊物理接觸，其中該第四接合墊與該第二互連結構電性隔離。
如請求項2所述之方法，其中該些第一接合墊和該第二接合墊嵌入一第一介電結合層中，其中該些第三接合墊和該第四接合墊嵌入一第二介電接合層中，且其中接合該積體電路晶粒包括：<br/> 直接接合該第一介電接合層至該第二介電接合層；<br/> 直接接合該些第一接合墊至該些第三接合墊；以及<br/> 直接接合該第二接合墊至該第四接合墊。
一種半導體裝置，包括：<br/> 一主動裝置，沿著一基板；<br/> 一互連結構，在該主動裝置之上，該互連結構包括一金屬墊，其中該主動裝置位於該基板和該互連結構之間；<br/> 一介電接合層，在該金屬墊之上；<br/> 一第一接合墊，嵌入該介電接合層中，該第一接合墊電性連接到該金屬墊；以及<br/> 一第二接合墊，嵌入該介電接合層中，該第二接合墊用作一導熱墊並與該互連結構電性隔離，在一平面圖中，該第二接合墊包括圍繞該第一接合墊的一導體框架。
如請求項4所述之半導體裝置，其中該導體框架為連續的或不連續的。
如請求項4所述之半導體裝置，其中該第一接合墊在該平面圖中具有一圓形形狀，且其中該導體框架在該平面圖中具有一矩形框架形狀或一圓形框架形狀。
如請求項4所述之半導體裝置，其中該第一接合墊包括複數個接合墊，且其中該第二接合墊的該導體框架在該些接合墊中的每一者周圍和之間延伸。
一種半導體裝置，包括：<br/> 一第一積體電路，在一第一基板之上，該第一積體電路包括：<br/> 一第一裝置層；<br/> 一第一互連結構，其中該第一裝置層位於該第一基板與該第一互連結構之間；以及<br/> 一第一金屬墊；<br/> 一第一接合結構，在該第一積體電路之上，該第一接合結構包括：<br/> 一第一介電接合層；<br/> 一第一導電接合墊，嵌入該第一介電接合層中，該第一導電接合墊電性連接到該第一金屬墊和該第一互連結構；以及<br/> 一第一導熱接合墊，嵌入該第一介電接合層中，該第一導熱接合墊與該第一互連結構電性隔離；<br/> 一第二接合結構，在該第一接合結構之上並物理接觸該第一接合結構；以及<br/> 一第二積體電路，在該第二接合結構之上。
如請求項8所述之半導體裝置，其中該第二接合結構包括：<br/> 一第二介電接合層，接合至該第一介電接合層；<br/> 一第二導電接合墊，嵌入該第二介電接合層中；以及<br/> 一第二導熱接合墊，嵌入該第二介電接合層中，<br/> 其中該第二導電接合墊接合至該第一導電接合墊，且其中該第二導熱接合墊接合至該第一導熱接合墊，<br/> 其中該第二導電接合墊電性連接到該第二積體電路，且其中該第二導熱接合墊與該第一積體電路和該第二積體電路電性隔離。
如請求項9所述之半導體裝置，其中在一平面圖中，該第一導熱接合墊包括圍繞該第一導電接合墊的一連續導體框架，且其中在該平面圖中，該第二導熱接合墊包括圍繞該第二導電接合墊的一不連續導體框架。
一種用於合成再生塑膠之單體組合物的製備方法，所述方法包括以下步驟： <br/>在醇存在下使聚碳酸酯基樹脂進行解聚反應； <br/>在所述解聚反應進行的反應器中監測從所述解聚反應獲得的芳香族二醇化合物或所述醇的拉曼光譜；以及 <br/>回收所述芳香族二醇化合物， <br/>其中，在所述解聚反應進行的反應器中監測從所述解聚反應獲得的所述芳香族二醇化合物或所述醇的拉曼光譜， <br/>包括根據以下數學式1測量所述芳香族二醇化合物的積分比： <br/>[數學式1] <br/>所述芳香族二醇化合物的積分比 = {拉曼光譜上791.2 cm<sup>-1</sup>到861.5 cm<sup>-1</sup>區域的積分值/ (拉曼光譜上663.4 cm<sup>-1</sup>到785.1 cm<sup>-1</sup>區域的積分值 + 拉曼光譜上234.8 cm<sup>-1</sup>到337.1 cm<sup>-1</sup>區域的積分值)} <br/>在數學式1中，所述拉曼光譜上791.2 cm<sup>-1</sup>到861.5 cm<sup>-1</sup>區域是所述芳香族二醇化合物的光譜，且 <br/>所述拉曼光譜上663.4 cm<sup>-1</sup>到785.1 cm<sup>-1</sup>及234.8 cm<sup>-1</sup>到337.1 cm<sup>-1</sup>區域是反應溶劑的光譜， <br/>其中當根據數學式1的所述芳香族二醇化合物的所述積分比為0.115到0.125時，終止所述解聚反應。
如請求項1所述的製備方法，其中： <br/>所述在所述解聚反應進行的反應器中監測從所述解聚反應獲得的芳香族二醇化合物或所述醇的拉曼光譜， <br/>是通過插入所述反應器的拉曼光譜測量設備執行。
如請求項1所述的製備方法，其中： <br/>所述在所述解聚反應進行的反應器中監測從所述解聚反應獲得的芳香族二醇化合物或所述醇的拉曼光譜， <br/>包括根據以下數學式2測量醇的積分比： <br/>[數學式2] <br/>醇的積分比 = {所述拉曼光譜上849.7 cm<sup>-1</sup>到910 cm<sup>-1</sup>區域的積分值 / (所述拉曼光譜上663.4 cm<sup>-1</sup>到785.1 cm<sup>-1</sup>區域的積分值 + 所述拉曼光譜上234.8 cm<sup>-1</sup>到337.1 cm<sup>-1</sup>區域的積分值)} <br/>在數學式2中，所述拉曼光譜上849.7 cm<sup>-1</sup>到910 cm<sup>-1</sup>區域是所述醇的光譜，且 <br/>所述拉曼光譜上663.4 cm<sup>-1</sup>到785.1 cm<sup>-1</sup>及234.8 cm<sup>-1</sup>到337.1 cm<sup>-1</sup>區域是反應溶劑的光譜。
如請求項3所述的製備方法，其中： <br/>當根據數學式2的所述醇的積分比為0.09到0.1時，終止所述解聚反應。
如請求項1所述的製備方法，其中： <br/>所述芳香族二醇化合物為雙酚A。
如請求項1所述的製備方法，其中： <br/>所述醇為乙醇。
如請求項1所述的製備方法，其中： <br/>所述在所述解聚反應進行的反應器中監測從所述解聚反應獲得的芳香族二醇化合物或所述醇的拉曼光譜， <br/>還包括監測衍生自所述解聚反應產生的所述芳香族二醇化合物的雜質的拉曼光譜。
如請求項7所述的製備方法，其中： <br/>所述監測衍生自所述解聚反應產生的所述芳香族二醇化合物的雜質的拉曼光譜， <br/>包括根據以下數學式3測量衍生自所述芳香族二醇化合物的所述雜質的積分比： <br/>[數學式3] <br/>衍生自所述芳香族二醇化合物的所述雜質的積分比 = {所述拉曼光譜上800 cm<sup>-1</sup>到850 cm<sup>-1</sup>區域的積分值 / (所述拉曼光譜上663.4 cm<sup>-1</sup>到785.1 cm<sup>-1</sup>區域的積分值 + 所述拉曼光譜上234.8 cm<sup>-1</sup>到337.1 cm<sup>-1</sup>區域的積分值)} <br/>在數學式3中，所述拉曼光譜上800 cm<sup>-1</sup>到850 cm<sup>-1</sup>區域是衍生自所述芳香族二醇化合物的所述雜質的光譜，且 <br/>所述拉曼光譜上663.4 cm<sup>-1</sup>到785.1 cm<sup>-1</sup>及234.8 cm<sup>-1</sup>到337.1 cm<sup>-1</sup>區域是反應溶劑的光譜。
如請求項8所述的製備方法，其中： <br/>當根據以下數學式3計算的衍生自所述芳香族二醇化合物的所述雜質的積分比大於0.12時，終止所述解聚反應。
如請求項1所述的製備方法，其中： <br/>所述在所述解聚反應進行的反應器中監測從所述解聚反應獲得的芳香族二醇化合物或所述醇的拉曼光譜， <br/>是以5分鐘或更短的時間間隔重複執行。
一種用於合成再生塑膠之單體組合物的製備裝置，包括： <br/>反應器，使聚碳酸酯基樹脂在醇存在下進行解聚反應； <br/>在線分析儀，插入所述反應器中以監測從所述解聚反應獲得的芳香族二醇化合物或醇的拉曼光譜；以及 <br/>回收單元，回收從所述解聚反應獲得的所述芳香族二醇化合物， <br/>其中，監測從所述解聚反應獲得的所述芳香族二醇化合物或所述醇的拉曼光譜， <br/>包括根據以下數學式1測量所述芳香族二醇化合物的積分比： <br/>[數學式1] <br/>所述芳香族二醇化合物的積分比 = {拉曼光譜上791.2 cm<sup>-1</sup>到861.5 cm<sup>-1</sup>區域的積分值/ (拉曼光譜上663.4 cm<sup>-1</sup>到785.1 cm<sup>-1</sup>區域的積分值 + 拉曼光譜上234.8 cm<sup>-1</sup>到337.1 cm<sup>-1</sup>區域的積分值)} <br/>在數學式1中，所述拉曼光譜上791.2 cm<sup>-1</sup>到861.5 cm<sup>-1</sup>區域是所述芳香族二醇化合物的光譜，且 <br/>所述拉曼光譜上663.4 cm<sup>-1</sup>到785.1 cm<sup>-1</sup>及234.8 cm<sup>-1</sup>到337.1 cm<sup>-1</sup>區域是反應溶劑的光譜， <br/>其中當根據數學式1的所述芳香族二醇化合物的所述積分比為0.115到0.125時，終止所述解聚反應。
如請求項11所述的製備裝置，其中： <br/>所述在線分析儀包括拉曼光譜測量設備。
如請求項11所述的製備裝置， <br/>還包括分析由所述在線分析儀測得的所述拉曼光譜的電腦。
如請求項11所述的製備裝置，其中： <br/>所述在線分析儀包括與所述反應器中的反應物接觸的檢測單元。
一種半導體元件，包括： <br/>一基板； <br/>一閘極結構，位於該基板上； <br/>一內部間隔層，位於該基板上且覆蓋該閘極結構； <br/>複數個反鐵電間隔層，位於該內部間隔層的兩個側面上且位於該基板上，其中該閘極結構位於該內部間隔層的該兩個側面之間，其中該複數個反鐵電間隔層包括氧化鉿或氧化鋯； <br/>複數個輕度摻雜部分，位於該複數個反鐵電間隔層下方，並分別與該複數個反鐵電間隔層相接觸； <br/>複數個主體摻雜部分，位於該基板之中；以及 <br/>複數個暈圈接面，設置於該複數個輕度摻雜部分與該複數個主體摻雜部分間。
如請求項1所述之半導體元件，其中該複數個反鐵電間隔層是結晶態。
如請求項1所述之半導體元件，其中該複數個反鐵電間隔層是四方晶相。
如請求項1所述之半導體元件，其中該複數個反鐵電間隔層包括複數種摻質。
如請求項4所述之半導體元件，其中該複數種摻質包括矽、鋁、鍺、鎂、鈣、鍶、鋇或鈦。
如請求項1所述之半導體元件，還包括：複數個凹槽，從該基板的一頂表面凹陷，鄰近該閘極結構，並且定義一通道區，其中該通道區位於該複數個凹槽之間且位於該閘極結構下方。
如請求項6所述之半導體元件，其中 <br/>該複數個輕度摻雜部分，進一步位於該基板之中且彼此分隔，其中該通道區位於該複數個輕度摻雜部分之間，且該複數個主體摻雜部分分別連接到該複數個輕度摻雜部分。
如請求項7所述之半導體元件，其中該閘極結構的一厚度與介於該基板的該頂表面與該複數個輕度摻雜部分的一頂表面之間的一最大深度之一比率介於約7.00與約3.60之間。
如請求項1所述之半導體元件，其中該閘極結構的一厚度與該複數個輕度摻雜部分的一厚度之一比率介於約3.50與約2.20之間。
如請求項9所述之半導體元件，其中該複數個輕度摻雜部分的該厚度介於約20 nm與約25 nm之間。
一種用於判定一光學受測裝置(DUT)之一或多個光譜特性的設備，其包含：<br/> 至少一個可調諧濾光器，其經組配以接收一輸入DUT信號；<br/> 資料獲取硬體，其用以基於該輸入DUT信號偵測來自該至少一個可調諧濾光器之DUT輸出信號；<br/> 處理電路系統，其耦接至該資料獲取硬體，經組配以：<br/> 將在值之一校準範圍內之一控制信號施加至該至少一個可調諧濾光器以產生一校準信號；<br/> 使用該校準信號以判定一校準函數，以將該至少一個可調諧濾光器之一光譜回應與該輸入DUT信號之一光譜內容分離；以及<br/> 將在對應於一感興趣光譜區之值的一量測範圍內之該控制信號施加至該至少一個可調諧濾光器以產生DUT量測樣本；<br/> 將該校準函數應用於該等DUT量測樣本，以將該至少一個可調諧濾光器之一光譜傳送函數與對所施加控制信號之一DUT回應分離；以及<br/> 自該DUT回應中提取一或多個光譜特性以供評估。
如請求項1之設備，其包含：<br/> 各可調諧濾光器具有可基於一控制信號進行調整之一光譜傳送函數，且經組配以接收在一所需波長範圍內之一DUT輸入光譜，且輸出對應於該DUT輸入光譜之一修改版本的一DUT輸出光譜，該光譜傳送函數具有二個或更多個峰值透射波長，其一光譜分離對應於該可調諧濾光器之一自由光譜範圍(FSR)；<br/> 其中在一校準階段中，該處理電路系統經組配以：<br/> 判定值之該校準範圍；以及<br/> 將在值之該校準範圍內之該控制信號施加至各可調諧濾光器，其中各可調諧濾光器經組配以修改該DUT輸入光譜以產生校準樣本；<br/> 其中該校準函數包括基於該等校準樣本之一反褶積向量，且<br/> 其中在一DUT量測階段中，該處理電路系統經組配以：<br/> 將在對應於一感興趣光譜區之一值範圍內的該控制信號施加至各可調諧濾光器以產生DUT量測樣本；<br/> 將該反褶積向量應用於該等DUT量測樣本，以產生具有一經重建DUT輸入光譜之該DUT回應；以及<br/> 自該經重建DUT輸入光譜中提取一或多個光譜特性以供評估。
如請求項2之設備，其中該光學DUT為一雷射，且該等一或多個光譜特性包括以下中之一或多者：一側模抑制比(SMSR)、中心波長功率、峰寬、一或多個側模波長及一或多個側模功率。
如請求項2之設備，其中該處理電路系統經組配以基於一或多個所提取光譜特性而判定該經重建DUT輸入光譜是否滿足一或多個指定效能要求。
如請求項2或3之設備，其進一步包含：<br/> 一光學裝置，其用以產生用於表徵該至少一個可調諧濾光器之一光譜傳送函數的一輸入參考光譜，以及<br/> 光學偵測器，其用以偵測自各可調諧濾光器輸出之光，且產生提供至該處理電路系統之該等DUT量測樣本及參考輸出樣本， <br/> 其中該等DUT量測樣本及該等參考輸出樣本中之至少一些具有不均勻光譜間隔，且<br/> 其中在該校準階段及該DUT量測階段中之至少一者中，該處理電路系統經組配以處理具有不均勻光譜間隔之該等參考輸出樣本以偵測參考光譜特徵，及基於偵測到之參考光譜特徵，對該等DUT量測樣本進行重新取樣，以使波長或光頻率之間隔均勻，藉此校正以下中之一或多者的非線性：該至少一個可調諧濾光器之該光譜傳送函數、該控制信號，及該至少一個可調諧濾光器對該控制信號之一回應。
如請求項5之設備，其中該輸入參考光譜位於在該光學DUT之操作波長頻帶之帶外的一波長頻帶中，該設備進一步包含：<br/> 一源，其具有一寬頻帶光譜；<br/> 一非熱光學裝置，其經組配以接收該寬頻帶光譜，並以已知波長或以恆定波長增量產生具有已知特徵的一經修改寬頻帶光譜；以及<br/> 一帶通濾波器，其具有大致對應於至少一個可調諧濾光器之該FSR之一寬度的一通帶，經組配以接收該經修改寬頻帶光譜並提供該參考光譜。
如請求項5之設備，其中各可調諧濾光器為可基於一光學腔內之干擾及共振進行操作的一法布里-珀羅(Fabry-Perot；FP)可調諧濾光器，且該參考光譜提供該FP可調諧濾光器之一腔體之一瞬時大小的資訊，且其中基於各參考光譜特徵之一相關聯時間及腔體大小，該處理電路系統經組配以對該等DUT量測樣本進行重新取樣，以使波長或光頻率之間隔均勻，使得該等參考光譜特徵在時間上與該光譜中之所需間隔對準。
如請求項5之設備，其中在該校準階段中，該處理電路系統經組配以：<br/> 將在該值範圍內之該控制信號施加至各可調諧濾光器以產生該參考光譜；<br/> 判定該等DUT量測樣本中之一主光譜峰相對於該參考光譜之一位置；<br/> 基於該主光譜峰之該位置判定控制信號值之一有限範圍；以及<br/> 施加在控制信號值之該有限範圍內之該控制信號，以基於該主光譜峰相對於該參考光譜之該位置來判定值之一校準範圍，以校正系統回應度中之波長相依變化。
如請求項8之設備，其中在一校準階段中，該處理電路系統經組配以：<br/> 使該主光譜峰與該至少一個可調諧濾光器之一預期光譜傳送函數之一理想光譜形狀相關，並判定對一理想DUT輸入光譜之一預期回應；以及<br/> 基於該至少一個可調諧濾光器之該預期光譜傳送函數及該理想DUT輸入光譜而產生一反褶積向量。
如請求項9之設備，其進一步包含：<br/> 一已知光源，其具有一已知光輸入光譜，且其中該已知光源可用作一DUT，其中在該校準階段中，該處理電路系統經組配以：<br/> 量測該已知光源之該DUT輸出光譜，<br/> 使該已知光源之該DUT輸出光譜與該已知光源之一已知光譜形狀相關；以及<br/> 基於該DUT輸出光譜及該已知光輸入光譜而產生該反褶積向量。
如請求項10之設備，其中在該DUT量測階段中，該處理電路系統經組配以：<br/> 基於該已知光輸入光譜，對該等DUT量測樣本進行重新取樣，以使波長或光頻率之間隔均勻，以產生經重新取樣之DUT量測樣本，以及<br/> 將該反褶積向量應用於該等經重新取樣之DUT量測樣本，以產生對該所施加控制信號的該DUT回應。
如請求項11之設備，其中在該DUT量測階段中，該處理電路系統經組配以：<br/> 判定該經重建DUT輸入光譜中對應於一DUT中心波長之一主光譜峰，以及<br/> 判定該等一或多個光譜特性是否未能滿足一或多個預定參數。
如請求項1或2之設備，其進一步包含一第一可調諧濾光器及一第二可調諧濾光器，其中該第一可調諧濾光器之一第一FSR大於該第二可調諧濾光器之一第二FSR，<br/> 其中該第一可調諧濾光器之一第一主光譜峰的一位置及該第二可調諧濾光器之一第二主光譜峰的一位置用以唯一地識別該光學DUT之該等一或多個光譜特性。
一種用於判定一光學受測裝置(DUT)之一或多個光譜特性的方法，其包含：<br/> 至少一個可調諧濾光器接收一輸入DUT信號；<br/> 基於該輸入DUT信號偵測來自該至少一個可調諧濾光器之DUT輸出信號；<br/> 將在值之一校準範圍內之一控制信號施加至該至少一個可調諧濾光器以產生一校準信號；<br/> 使用該校準信號來判定一校準函數，以將該至少一個可調諧濾光器之一光譜回應與該輸入DUT信號之一光譜內容分離；<br/> 將在對應於一感興趣光譜區之值的一量測範圍內之該控制信號施加至該至少一個可調諧濾光器以產生DUT量測樣本；<br/> 將該校準函數應用於該等DUT量測樣本，以將該至少一個可調諧濾光器之一光譜傳送函數與對所施加控制信號之一DUT回應分離；以及<br/> 自該DUT回應中提取一或多個光譜特性以供評估。
一種半導體晶圓的製造方法，包含： 提供一碳化矽基材晶圓，其中該碳化矽基材晶圓具有不為零的一彎曲度並具有一第一部位，該第一部位具有相對的一第一面與一第二面； <br/>對該碳化矽基材晶圓執行一第一離子佈植製程，使得該第一部位的該第一面具有一第一佈植區域，且該碳化矽基材晶圓的該彎曲度相較於執行該第一離子佈植製程前更接近於零；以及 <br/>在執行該第一離子佈植製程後，在該碳化矽基材晶圓的該第一面上沉積一磊晶層，其中該第一面為內凹的，且該磊晶層接觸於該碳化矽基材晶圓的該第一面的該第一佈植區域。
如請求項1所述之製造方法，其中該第一佈植區域中的一佈植物種包含鈦離子、鎳離子、鐵離子、鋯離子、錫離子、鎂離子、鈷離子、砷離子、鋅離子、銦離子、銻離子、鍺離子、氫離子、氦離子、氧離子、鋁離子、硼離子、氮離子、磷離子、矽離子以及碳離子中之至少一者或其組合。
如請求項1所述之製造方法，其中該第一離子佈植製程係根據一傾斜角度與一旋轉角度執行，其中該傾斜角度在0度與45度之間，且該旋轉角度在0度與360度之間。
如請求項1所述之製造方法，還包含沉積一遮罩層於該第一面上，其中該第一離子佈植製程係通過該遮罩層執行。
如請求項4所述之製造方法，其中通過該遮罩層執行該第一離子佈植製程，使得該第一部位的該第一面具有該第一佈植區域與一第二佈植區域，其中該第一佈植區域的一佈植劑量不同於該第二佈植區域的一佈植劑量，且該第一佈植區域的該佈植劑量與該第二佈植區域的該佈植劑量在1×10<sup>10</sup> #/cm<sup>2</sup>與5×10<sup>16</sup> #/cm<sup>2</sup>之間。
如請求項1所述之製造方法，其中在執行該第一離子佈植製程前，該碳化矽基材晶圓還具有一第二部位，該第二部位具有相對的一第三面與一第四面，該第三面鄰接於該第一面，該第四面鄰接於該第二面，其中該第四面為內凹的。
如請求項6所述之製造方法，還包含： <br/>執行一第二離子佈植製程，使得該第二部位的該第四面具有一第二佈植區域，且該碳化矽基材晶圓的該彎曲度相較於執行該第二離子佈植製程前更接近於零。
如請求項7所述之製造方法，其中該第一佈植區域中的一佈植物種不同於該第二佈植區域中的一佈植物種。
一種植物基因編輯載體，依序包含：<br/> 一非結構蛋白表達卡匣，包含二第一啟動子、一第一核酸片段和一第二核酸片段，其中該二第一啟動子的每一者具有如SEQ ID NO： 1所示之一序列，該第一核酸片段轉譯一蕙蘭嵌紋病毒之一RNA依賴型RNA聚合酶(RdRp)，且該第一核酸片段具有如SEQ ID NO： 2所示之一序列，該第二核酸片段轉譯該蕙蘭嵌紋病毒之三三重基因組蛋白(TGBps)，且該第二核酸片段具有如SEQ ID NO： 3所示之一序列；<br/> 一CRISPR/Cas9表達卡匣，包含一第二啟動子、一<i>Cas9</i>基因和一gRNA序列，其中該第二啟動子具有如SEQ ID NO: 4所示之一序列，該<i>Cas9</i>基因具有如SEQ ID NO: 5所示之一序列，該gRNA序列與一植物之一目標基因之一特定序列相對應；以及<br/> 一外鞘蛋白表達卡匣，包含一第三啟動子和一第三核酸片段，其中該第三啟動子具有如SEQ ID NO: 4所示之一序列，該第三核酸片段轉譯該蕙蘭嵌紋病毒之一外鞘蛋白，且該第三核酸片段具有如SEQ ID NO: 6所示之一序列；<br/> 其中該植物基因編輯載體用以對一植物進行基因編輯，且該植物為一蘭科植物、一茄科植物或一豆科植物。
如請求項1所述之植物基因編輯載體，其中該第二啟動子和該第三啟動子為一外鞘蛋白次基因轉錄啟動子。
一種植物基因編輯方法，包含：<br/> 提供如請求項1所述之植物基因編輯載體；<br/> 進行一感染步驟，係將該植物基因編輯載體以一導入方式導入至一植物，且該植物為一蘭科植物、一茄科植物或一豆科植物，以得到一病毒感染植株；以及<br/> 培養該病毒感染植株，係於一編輯溫度下培養該病毒感染植株一編輯時間，當該植物為該蘭科植物，該編輯溫度為20<sup>o</sup>C至30<sup>o</sup>C，該編輯時間為10天至30天，並將一齒舌蘭輪斑病毒之一基因靜默抑制因子P126導入至該植物中，當該植物為該茄科植物，該編輯溫度為20<sup>o</sup>C至30<sup>o</sup>C，該編輯時間為3天至10天，其中該植物基因編輯載體於該病毒感染植株的一細胞中表達一轉錄體、該RNA依賴型RNA聚合酶、該三三重基因組蛋白和該外鞘蛋白並組裝為一重組蕙蘭嵌紋病毒，該重組蕙蘭嵌紋病毒於該細胞中複製並產生一Cas9蛋白和一gRNA，該Cas9蛋白和該gRNA結合形成一複合體，對該細胞之一目標基因之一特定序列進行雙股DNA斷裂，並自發修復產生一新序列，經一體細胞再生後，以得到一基因編輯植株。
如請求項3所述之植物基因編輯方法，其中該導入方式為一基因槍法、一電穿孔法、一顯微注射法、一超音波法或一農桿菌感染法。
如請求項4所述之植物基因編輯方法，其中當該導入方式為該農桿菌感染法時，在進行感染步驟前，將該植物基因編輯載體轉入一農桿菌中，以得到一重組農桿菌，並於該感染步驟中以該重組農桿菌感染該植物，以得到該病毒感染植株。
一種重組農桿菌，包含：<br/> 一農桿菌；以及<br/> 如請求項1所述之植物基因編輯載體，其中該植物基因編輯載體係以一轉型方式轉入至該農桿菌中，以得到該重組農桿菌。
一種假期需求預測方法，其由計算裝置執行，其特徵在於，包括： <br/>從表示基於第一連休前後的日期的目標項目的需求的第一連休數據中獲得該第一連休內與該目標項目相關的第一有效假期的步驟； <br/>從該第一連休數據中獲得該第一連休內該目標項目的第一需求基準值的步驟； <br/>基於該第一有效假期，確定第二連休內與該目標項目相關的第二有效假期的步驟； <br/>計算該第一需求基準值相比該第一有效假期內該目標項目的需求的比率的步驟； <br/>將該目標項目的庫存單位（SKU，stock keeping unit）資訊輸入於第一模型，預測該第二連休內該目標項目的第二需求基準值的步驟；以及 <br/>基於該比率及該第二需求基準值，計算該第二有效假期內該目標項目的需求的步驟。
根據申請專利範圍第1項所述的假期需求預測方法，其特徵在於，獲得該第一有效假期的步驟包括： <br/>獲得基於日期的該目標項目的需求的變化率為預設的臨界值以上的期限作為該第一有效假期的步驟， <br/>該第一有效假期包括該第一連休中預設的特定日期。
根據申請專利範圍第1項所述的假期需求預測方法，其特徵在於， <br/>獲得該第一有效假期的步驟包括： <br/>在該目標項目的需求最低的日期前後，獲得相當於預設的日期的期限作為該第一有效假期的步驟， <br/>該第一有效假期包括該第一連休中預設的特定日期。
根據申請專利範圍第1項所述的假期需求預測方法，其特徵在於， <br/>獲得該第一有效假期的步驟包括： <br/>在該第一連休中預設的特定日期前後，獲得相當於預設的日期的期限作為該第一有效假期的步驟。
根據申請專利範圍第1項所述的假期需求預測方法，其特徵在於， <br/>獲得該第一需求基準值的步驟包括： <br/>以該第一連休中預設的特定日期為基準，獲得預設的期限內該目標項目的需求的平均作為該第一需求基準值的步驟。
根據申請專利範圍第1項所述的假期需求預測方法，其特徵在於， <br/>確定該第二有效假期的步驟包括： <br/>獲得相當於該第一連休中預設的第一特定日期以前的該第一有效假期的第一長度和相當於該第一特定日期以後的該第一有效假期的第二長度的步驟；以及 <br/>以使該第二有效假期在該第二連休中預設的第二特定日期以前具有該第一長度且在該第二特定日期以後具有該第二長度的方式確定該第二有效假期的步驟。
根據申請專利範圍第1項所述的假期需求預測方法，其特徵在於， <br/>預測該第二需求基準值的步驟包括： <br/>將該目標項目的該SKU資訊輸入於該第一模型，預測該第二有效假期以前的該目標項目的需求的步驟；以及 <br/>在該第二有效假期以前的預設的期限內，預測該目標項目的需求的平均作為該第二需求基準值的步驟。
根據申請專利範圍第1項所述的假期需求預測方法，其特徵在於， <br/>計算該第一需求基準值相比該第一有效假期內該目標項目的需求的比率的步驟包括： <br/>對於該第一有效假期的各日期，計算該第一需求基準值相比該目標項目的需求的比率的步驟， <br/>計算該第二有效假期內該目標項目的需求的步驟包括： <br/>對於該第二有效假期的各日期，計算該第二需求基準值相乘對與該第二有效假期的各日期對應的該第一有效假期的各日期計算的比率的乘積結果作為該目標項目的需求的步驟。
根據申請專利範圍第8項所述的假期需求預測方法，其特徵在於， <br/>計算該第二有效假期內該目標項目的需求的步驟包括： <br/>該第一需求基準值相比該第二需求基準值的比率為預設的臨界值以上時，計算該乘積結果追加相乘預設的衰減比率的結果作為該目標項目的需求的步驟。
根據申請專利範圍第1項所述的假期需求預測方法，其特徵在於， <br/>計算該第二有效假期內該目標項目的需求的步驟包括： <br/>當有關該目標項目的推廣期限和該第二有效假期衝突時，將根據該推廣期限預測的該目標項目的需求的增加率減少為預設程度的步驟。
根據申請專利範圍第10項所述的假期需求預測方法，其特徵在於，該預設程度為該第一需求基準值相比該第一有效假期內該目標項目的需求的比率。
一種假期需求預測系統，其特徵在於， <br/>包括： <br/>處理器；以及 <br/>記憶體，存儲指令（instruction）， <br/>該指令由該處理器運行時，使該處理器執行如下工作： <br/>從表示基於第一連休前後的日期的目標項目的需求的第一連休數據中獲得該第一連休內與該目標項目相關的第一有效假期的工作； <br/>從該第一連休數據中獲得該第一連休內該目標項目的第一需求基準值的工作； <br/>基於該第一有效假期，確定第二連休內與該目標項目相關的第二有效假期的工作； <br/>計算該第一需求基準值相比該第一有效假期內該目標項目的需求的比率的工作； <br/>將該目標項目的庫存單位（SKU，stock keeping unit）資訊輸入於第一模型，預測該第二連休內該目標項目的第二需求基準值的工作；以及 <br/>基於該比率及該第二需求基準值，計算該第二有效假期內該目標項目的需求的工作。
根據申請專利範圍第12項所述的假期需求預測系統，其特徵在於， <br/>預測該第二需求基準值的工作包括： <br/>將該目標項目的該SKU資訊輸入於該第一模型，預測該第二有效假期以前的該目標項目的需求的工作；以及 <br/>在該第二有效假期以前的預設的期限內，預測該目標項目的需求的平均作為該第二需求基準值的工作。
根據申請專利範圍第12項所述的假期需求預測系統，其特徵在於， <br/>計算該第一需求基準值相比該第一有效假期內該目標項目的需求的比率的工作包括： <br/>對於該第一有效假期的各日期，計算該第一需求基準值相比該目標項目的需求的比率的工作， <br/>計算該第二有效假期內該目標項目的需求的工作包括： <br/>對於該第二有效假期的各日期，計算該第二需求基準值相乘對與該第二有效假期的各日期對應的該第一有效假期的各日期計算的比率的乘積結果作為該目標項目的需求的步驟。
根據申請專利範圍第14項所述的假期需求預測系統，其特徵在於， <br/>計算該第二有效假期內該目標項目的需求的工作包括： <br/>該第一需求基準值相比該第二需求基準值的比率為預設的臨界值以上時，計算該乘積結果追加相乘預設的衰減比率的結果作為該目標項目的需求的工作。
一種測試元件組位於一晶圓的一劃道，該測試元件組包含：<br/>一第一探針焊墊； <br/>至少一第二探針焊墊； <br/>至少一第三探針焊墊；該第一探針焊墊、該至少一第二探針焊墊以及該至少一第三探針焊墊依序排列； <br/>至少一上排接觸區位於該至少一第二探針焊墊與該至少一第三探針焊墊之間；以及 <br/>至少一下排接觸區相對於該至少一上排接觸區，該至少一下排接觸區位於該至少一第二探針焊墊與該至少一第三探針焊墊之間； <br/>其中當該至少一上排接觸區電性連接至該第一探針焊墊、該至少一第二探針焊墊以及該至少一第三探針焊墊，該至少一下排接觸區與該第一探針焊墊、該至少一第二探針焊墊及該至少一第三探針焊墊絕緣；或 <br/>其中當該至少一下排接觸區電性連接至該第一探針焊墊、該至少一第二探針焊墊以及該至少一第三探針焊墊，該至少一上排接觸區與該第一探針焊墊、該至少一第二探針焊墊及該至少一第三探針焊墊絕緣，<br/>其中該至少一上排接觸區包含複數通孔的其中三者分別對應該第一探針焊墊、該至少一第二探針焊墊以及該至少一第三探針焊墊。
如請求項1所述之測試元件組，其中當該至少一上排接觸區電性連接至該第一探針焊墊、該至少一第二探針焊墊以及該至少一第三探針焊墊，該些通孔的該三者分別電性連接至該第一探針焊墊、該至少一第二探針焊墊以及該至少一第三探針焊墊。
如請求項1所述之測試元件組，其中該至少一下排接觸區包含複數通孔的其中三者分別對應該第一探針焊墊、該至少一第二探針焊墊以及該至少一第三探針焊墊。
如請求項3所述之測試元件組，其中當該至少一下排接觸區電性連接至該第一探針焊墊、該至少一第二探針焊墊以及該至少一第三探針焊墊，該些通孔的該三者分別電性連接至該第一探針焊墊、該至少一第二探針焊墊以及該至少一第三探針焊墊。
如請求項1所述之測試元件組，其中<br/>該至少一第二探針焊墊的一數量為兩個第二探針焊墊；<br/>該至少一第三探針焊墊的一數量為兩個第三探針焊墊；<br/>該兩個第二探針焊墊的每一者與該兩個第三探針焊墊的每一者依序交錯排列。
如請求項5所述之測試元件組，其中<br/>該至少一上排接觸區的一數量為三個上排接觸區；以及<br/>該至少一下排接觸區的一數量為三個下排接觸區；<br/>其中該三個上排接觸區的每一者位於該兩個第二探針焊墊的相鄰一者與該兩個第三探針焊墊的相鄰一者之間，<br/>其中該三個下排接觸區的每一者位於該兩個第二探針焊墊的相鄰一者與該兩個第三探針焊墊的相鄰一者之間。
如請求項5所述之測試元件組，其中該第一探針焊墊為一閘極探針焊墊，該至少一第二探針焊墊為至少一汲極探針焊墊，以及該至少一第三探針焊墊為至少一源極探針焊墊。
如請求項1所述之測試元件組，其中該測試元件組的一寬度小於或等於該劃道的一寬度為50微米至60微米。
如請求項1所述之測試元件組，更包含：<br/>一基板；<br/>複數金屬層於該基板上方；<br/>一頂層於該些金屬層上方，且該頂層包含該第一探針焊墊、該至少一第二探針焊墊以及該至少一第三探針焊墊；以及<br/>複數通孔連接至該些金屬層的至少一者；<br/>其中該至少一上排接觸區包含該些通孔的其中三者分別對應該第一探針焊墊、該至少一第二探針焊墊以及該至少一第三探針焊墊。
如請求項9所述之測試元件組，其中該至少一下排接觸區包含該些通孔的其中三者分別對應該第一探針焊墊、該至少一第二探針焊墊以及該至少一第三探針焊墊。
如請求項9所述之測試元件組，其中該些金屬層包含一主動層以及一閘極電極層於該主動層上方；<br/>其中該晶圓更包含一絕緣層設置於該主動層與該閘極電極層之間。
一種使用測試元件組的方法，包含：<br/>提供如請求項1所述之測試元件組；<br/>提供一第一光罩以形成複數通孔的其中三者於該至少一上排接觸區中，且該些通孔的該三者分別電性連接該第一探針焊墊、該至少一第二探針焊墊以及該至少一第三探針焊墊；以及<br/>以一檢測設備藉由接觸於該至少一上排接觸區中的該些通孔的該三者、該第一探針焊墊、該至少一第二探針焊墊以及該至少一第三探針焊墊來檢測一上方晶片。
如請求項12所述之方法，更包含：<br/>提供一第二光罩以封閉於該至少一上排接觸區中的該些通孔的該三者，並形成複數通孔的其中三者於該至少一下排接觸區中且於該至少一下排接觸區中的該些通孔的該三者分別電性連接該第一探針焊墊、該至少一第二探針焊墊以及該至少一第三探針焊墊；以及<br/>以該檢測設備藉由接觸於該至少一下排接觸區中的該些通孔的該三者、該第一探針焊墊、該至少一第二探針焊墊以及該至少一第三探針焊墊來檢測一下方晶片。
如請求項12所述之方法，其中該第一探針焊墊為一閘極探針焊墊，該至少一第二探針焊墊為至少一汲極探針焊墊，以及該至少一第三探針焊墊為至少一源極探針焊墊。
一種半導體記憶裝置，係具備有： <br/> 基板；和 <br/> 第1通孔配線，係於與前述基板之表面相交叉之第1方向上延伸；和 <br/> 複數之第1半導體層，係於前述第1方向上而層積，並且被與前述第1通孔配線作電性連接；和 <br/> 記憶體部，係於前述第1方向上而層積，並且被與前述複數之第1半導體層作電性連接；和 <br/> 複數之第1閘極電極，係於前述第1方向上而層積，並與前述複數之第1半導體層相對向；和 <br/> 複數之第1配線，係於前述第1方向上而層積，並在與前述第1方向相交叉之第2方向上延伸，並且被與前述複數之第1閘極電極作電性連接；和 <br/> 複數之第2半導體層，係於前述第1方向上而層積，並且被與前述複數之第1配線作電性連接；和 <br/> 複數之第2閘極電極，係於前述第1方向上而層積，並與前述複數之第2半導體層相對向；和 <br/> 第2通孔配線，係於前述第1方向上延伸，並且被與前述複數之第2閘極電極作電性連接；和 <br/> 複數之第2配線，係於前述第1方向上而層積，並在與前述第1方向以及前述第2方向相交叉之第3方向上延伸，並且被與前述複數之第2半導體層作電性連接。
如請求項1所記載之半導體記憶裝置，其中， <br/> 前述複數之第2閘極電極之中的於前述第1方向上而相鄰之2個的前述第2閘極電極之前述第2方向之兩端部，係於前述第1方向上而分離。
如請求項1所記載之半導體記憶裝置，其中， <br/> 係具備有：複數之絕緣層，係與前述複數之第2半導體層而於前述第1方向上交互地層積， <br/> 前述複數之第2閘極電極，係分別被設置在與前述複數之絕緣層相對應之前述第1方向之位置處。
如請求項1所記載之半導體記憶裝置，其中， <br/> 前述複數之第2閘極電極之中之1個，係被設置在前述複數之第2半導體層之中的於前述第1方向上而相鄰之2個的第2半導體層之間，並與此些之2個的第2半導體層相對向。
如請求項1所記載之半導體記憶裝置，其中， <br/> 前述第2半導體層，係包含有鎵(Ga)以及鋁(Al)之中之至少1個的元素、和銦(In)、和鋅(Zn)、以及氧(O)。
如請求項1所記載之半導體記憶裝置，其中， <br/> 前述第1閘極電極，係與前述第1半導體層之前述第1方向的其中一側以及另外一側之面和前述第2方向的其中一側以及另外一側之面相對向。
如請求項1所記載之半導體記憶裝置，其中， <br/> 前述記憶體部，係具備有： <br/> 第1電極，係被與前述第1半導體層作電性連接；和 <br/> 第2電極，係與前述第1電極相對向；和 <br/> 絕緣層，係被設置在前述第1電極與前述第2電極之間。
如請求項1所記載之半導體記憶裝置，其中， <br/> 前述第1半導體層，係包含有鎵(Ga)以及鋁(Al)之中之至少1個的元素、和銦(In)、和鋅(Zn)、以及氧(O)。
如請求項1所記載之半導體記憶裝置，其中，係具備有： <br/> 複數之第3半導體層，係於前述第1方向上而層積，並且被與前述複數之第1配線作電性連接；和 <br/> 複數之第3閘極電極，係於前述第1方向上而層積，並與前述複數之第3半導體層相對向；和 <br/> 第3通孔配線，係於前述第1方向上延伸，並且被與前述複數之第3閘極電極作電性連接， <br/> 前述第1通孔配線之前述第2方向之位置，係位於前述第2通孔配線之前述第2方向之位置與前述第3通孔配線之前述第2方向之位置之間。
如請求項9所記載之半導體記憶裝置，其中，係具備有： <br/> 複數之第3配線，係於前述第1方向上而層積，並在前述第3方向上延伸，並且被與前述複數之第3半導體層作電性連接。
如請求項9所記載之半導體記憶裝置，其中，係具備有： <br/> 第4配線，係於前述第1方向以及前述第3方向上延伸，並且被與前述複數之第3半導體層作電性連接。
如請求項9所記載之半導體記憶裝置，其中， <br/> 前述複數之第3閘極電極之中的於前述第1方向上而相鄰之2個的前述第3閘極電極之前述第2方向之兩端部，係於前述第1方向上而分離。
如請求項9所記載之半導體記憶裝置，其中， <br/> 係具備有：複數之絕緣層，係與前述複數之第3半導體層而於前述第1方向上交互地層積， <br/> 前述複數之第3閘極電極，係分別被設置在與前述複數之絕緣層相對應之前述第1方向之位置處。
如請求項9所記載之半導體記憶裝置，其中， <br/> 前述複數之第3閘極電極之中之1個，係被設置在前述複數之第3半導體層之中的於前述第1方向上而相鄰之2個的第3半導體層之間，並與此些之2個的第3半導體層相對向。
如請求項9所記載之半導體記憶裝置，其中， <br/> 前述第3半導體層，係包含有鎵(Ga)以及鋁(Al)之中之至少1個的元素、和銦(In)、和鋅(Zn)、以及氧(O)。
如請求項1所記載之半導體記憶裝置，其中，係具備有： <br/> 第5配線，係在前述第1方向以及前述第3方向上延伸，並且被與前述複數之第1配線作電性連接；和 <br/> 電阻體，係被設置於前述複數之第1配線與前述第5配線之間之電流路徑處， <br/> 前述第1通孔配線之前述第2方向之位置，係位於前述第2通孔配線之前述第2方向之位置與前述第5配線之前述第2方向之位置之間。
一種顯示裝置，包含： 一顯示面板，包含其中設置有至少一個像素的一顯示區域，及設置為圍繞該顯示區域的一非顯示區域； 一資料驅動器，設置於該非顯示區域中； 多條資料佈線，分別將該至少一個像素連接到該資料驅動器；以及 至少一條第一佈線，位於該些資料佈線中之至少兩條資料佈線之間並位於該非顯示區域內，並且延伸至該顯示區域中，其中該至少一條第一佈線於該顯示區域內彎曲藉以與該些資料佈線相交； 其中該顯示區域包含設置有該至少一個像素的一第一區域及除該第一區域之外的一連結區域， 其中該連結區域包含： 一第1-1區域，位於該顯示區域的相對兩側之一側的底部；及 一第1-2區域，位於該顯示區域的該相對兩側之另一側的底部，<b> </b>其中與一平面孔相鄰之一個像素的一陽極電極延伸進該平面孔中，以覆蓋該平面孔並與該些資料佈線中之每一者或該至少一條電源佈線中之每一者接觸。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該連結區域還包含設置於該第1-1區域與該第1-2區域之間的一第二區域及一第三區域。
如請求項2所述之顯示裝置，其中該第二區域與該第三區域設置為相鄰於彼此。
如請求項2所述之顯示裝置，其中該第二區域與該第三區域中之每一者於該顯示裝置之一平面視角中具有一三角形。
如請求項4所述之顯示裝置，其中該第二區域具有一三角形，該第三區域具有一倒三角形形狀。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該至少一個像素中的一個像素包含一發光元件，該發光元件包含一陽極電極、一發光層及一陰極電極。
如請求項6所述之顯示裝置，其中該至少一條第一佈線經由該第一區域、該第1-1區域及該第1-2區域中每一者內之該平面孔分別連接至該至少一條資料佈線或至少一條電源佈線。
如請求項6所述之顯示裝置，其中一封裝層設置於該顯示區域中的該發光元件上， 其中該封裝層包含： 一第一封裝層，設置於該發光元件上； 一第二封裝層，設置於該第一封裝層上；及 一第三封裝層，設置於該第二封裝層上。
如請求項8所述之顯示裝置，其中一觸控電極設置於該顯示區域中之該封裝層上， 其中該觸控電極包含一第一觸控電極及一第二觸控電極。
如請求項9所述之顯示裝置，其中一觸控緩衝層設置於該封裝層上， 其中該第一觸控電極設置於該觸控緩衝層上， 其中一觸控絕緣層設置於該觸控緩衝層與該第一觸控電極上， 其中該第二觸控電極設置於該觸控絕緣層上。
一種顯示裝置，包含： 一顯示面板，包含一發光元件、一顯示區域、一非顯示區域及一彎曲區域； 一閘極驅動器，配置為向該顯示面板提供一閘極訊號： 一上層基板，設置於該顯示面板上並位於該顯示區域中； 一彎曲保護層，設置於該顯示面板的一彎曲部分之外表面上並位於該彎曲區域內； 一資料驅動器，設置於該顯示面板的該彎曲部分之下方並位於該非顯示區域內，並且該資料驅動器配置為向該顯示面板提供一資料電壓； 一控制器，配置為控制該閘極驅動器與該資料驅動器； 多條資料佈線，分別將該顯示區域中之至少一個像素連接到該資料驅動器； 至少一條電源佈線，分別向該至少一個像素供電；以及 至少一條第一佈線，位於該些資料佈線中之至少兩條資料佈線之間並位於與該些資料佈線中之至少一條資料佈線之一層不同的一層中，其中該至少一條第一佈線於該顯示區域內彎曲藉以與該些資料佈線相交； 其中該顯示區域包含設置有該至少一個像素的一第一區域及除該第一區域之外的一連結區域， 其中該連結區域包含： 一第1-1區域，位於該顯示區域的相對兩側之一側的底部；及 一第1-2區域，位於該顯示區域的該相對兩側之另一側的底部， 其中與一平面孔相鄰之一個像素的一陽極電極延伸進該平面孔中，以覆蓋該平面孔並與該些資料佈線中之每一者或該至少一條電源佈線中之每一者接觸。
如請求項11所述之顯示裝置，其中一光學膜設置於該顯示面板上， 其中該上層基板透過一黏合劑設置於該光學膜上， 其中一第一背板設置於該顯示面板的下方， 其中一固定元件設置於該第一背板的下方， 其中一第二背板透過一黏合元件設置於該固定元件的下方， 其中該顯示面板之一彎曲部分設置於該第二背板的下方， 其中一彎曲保護層設置於該顯示面板之該彎曲部分的下方。
如請求項11顯示裝置，其中該至少一條第一佈線經由填充該第一區域、該第1-1區域及該第1-2區域中每一者內之該平面孔之連接線分別連接至該至少一條資料佈線或至少一條電源佈線。
一種顯示裝置，包含： 一顯示面板，包含其中設置有至少一個像素的一顯示區域，及圍繞該顯示區域設置的一非顯示區域； 一資料驅動器，設置於該非顯示區域中； 多條資料佈線，分別將該至少一個像素連接到該資料驅動器；以及 多條第一佈線，位於該些資料佈線中之至少兩條資料佈線之間並位於該非顯示區域內，並且延伸該至顯示區域，其中該些第一佈線於該顯示區域內彎曲以與該些資料佈線相交； 其中該顯示區域包含設置有該至少一個像素的一第一區域及除該第一區域之外的一連結區域， 其中該連結區域包含： 一第1-1區域，位於該顯示區域的相對兩側之一側的底部；及 一第1-2區域，位於該顯示區域的該相對兩側之另一側的底部， 其中該些第一佈線包含經由該第一區域中之一平面孔連接至該些資料佈線中之至少一條資料佈線或至少一條電源佈線之一佈線、經由該第1-1區域中之一平面孔連接至於一行方向延伸之一假佈線之一佈線，及經由該第1-2區域中之一平面孔連接至該至少一條資料佈線之一佈線，且 其中與多個平面孔洞之一者相鄰之一個像素的一陽極電極延伸進該些平面孔洞之該者中，以覆蓋該些平面孔洞之該者並與該些資料佈線中之每一者或該至少一條電源佈線中之每一者接觸。
一種提供翻譯資料之方法，其係藉由電子裝置而實行者，其包括如下步驟： <br/>自使用同一程式館之複數個應用程式之用戶收集文本之翻譯資料，上述翻譯資料與文本識別符相關聯，上述文本識別符係按照用戶介面之元素各者而分配； <br/>過濾上述收集到之翻譯資料； <br/>將上述過濾後之翻譯資料與上述文本識別符相關聯地儲存； <br/>確定上述儲存之翻譯資料之評級，上述評級包括上述儲存之翻譯資料之儲存順序、儲存次數、維持期間、用戶之使用歷史、或用戶之推薦歷史中之至少一者； <br/>自第1用戶終端接收對頁面之請求； <br/>確定是否應對上述頁面提供翻譯資料；及 <br/>響應於確定為應對上述頁面提供翻譯資料，基於上述確定之評級，將針對上述頁面而儲存之上述翻譯資料提供至上述第1用戶終端。
如請求項1之提供翻譯資料之方法，其中過濾上述收集到之翻譯資料之步驟包括如下步驟： <br/>確定上述收集到之翻譯資料是否包括俚語； <br/>確定上述收集到之翻譯資料是否與選擇為上述文本之翻譯之語言匹配；及 <br/>基於是否包括上述俚語及上述選擇之語言是否匹配，過濾上述收集到之翻譯資料。
如請求項1之提供翻譯資料之方法，其中收集上述翻譯資料之步驟包括如下步驟： <br/>收集繼於提供上述翻譯資料之第2用戶終端中進行如下動作中之至少一者後提供之上述翻譯資料，該動作係： <br/>選擇用以輸入上述翻譯資料之覆蓋按鈕； <br/>選擇上述第2用戶終端中顯示之上述文本3次； <br/>選擇上述第2用戶終端中顯示之上述文本預先設定之時間以上； <br/>選擇於選擇上述第2用戶終端中顯示之上述文本後提供之選單中之一者；或 <br/>輸入預先設定之手勢。
如請求項1之提供翻譯資料之方法，其中上述評級係按照各用戶而不同地確定，且進而包括上述用戶之購買傾向， <br/>上述方法進而包括如下步驟： <br/>基於上述用戶之購買歷史、年齡、性別、地址、感興趣商品、檢索歷史、或頁面訪問歷史，確定上述用戶之購買傾向； <br/>確定上述用戶之購買傾向與其他用戶之購買傾向之間之相似度，上述相似度係根據上述用戶與上述其他用戶之購買歷史、年齡、性別、地址、感興趣商品、檢索歷史、或頁面訪問歷史之共同程度而確定； <br/>確定上述其他用戶中具有預先設定之臨界值以上之相似度之特定用戶； <br/>確定上述特定用戶所使用或儲存之翻譯資料；及 <br/>將上述特定用戶所使用或儲存之翻譯資料作為對上述用戶之翻譯資料提供至上述第1用戶終端。
如請求項1之提供翻譯資料之方法，其中確定是否應對上述頁面提供上述翻譯資料之步驟包括如下步驟： <br/>確定上述頁面內包括之上述文本之上下文，上述上下文係基於上述文本自身之含義、上述文本所使用之示例、上述文本之翻譯、上述文本之其他用戶之翻譯資料、或提供上述文本之頁面之特性而確定；及 <br/>基於上述上下文，確定是否應對上述頁面提供上述翻譯資料。
如請求項5之提供翻譯資料之方法，其中基於上述上下文，確定是否應對上述頁面提供上述翻譯資料之步驟進而包括如下步驟： <br/>基於上述上下文，僅對上述頁面確定為對上述文本提供上述翻譯資料。
如請求項5之提供翻譯資料之方法，其中基於上述上下文，確定是否應對上述頁面提供上述翻譯資料之步驟進而包括如下步驟： <br/>基於上述上下文，確定為對包括上述文本之所有頁面提供上述翻譯資料。
如請求項1之提供翻譯資料之方法，其中將針對上述頁面而儲存之上述翻譯資料提供至上述第1用戶終端之步驟包括如下步驟：使上述第1用戶終端將上述翻譯資料自行儲存於上述第1用戶終端，且 <br/>上述第1用戶終端於上述第1用戶終端能夠藉由網路與上述電子裝置通訊之情形時，自上述電子裝置實時接收上述儲存之翻譯資料；於上述第1用戶終端無法藉由網路與上述電子裝置通訊之情形時，使用自行儲存於上述第1用戶終端中之翻譯資料。
一種電子裝置，其包括： <br/>處理器；及 <br/>記憶體，其儲存有用以藉由上述處理器而執行之命令； <br/>於執行上述命令時，上述處理器如下： <br/>自使用同一程式館之複數個應用程式之用戶收集文本之翻譯資料，上述翻譯資料與文本識別符相關聯，上述文本識別符係按照用戶介面之元素各者而分配； <br/>過濾上述收集到之翻譯資料； <br/>將上述過濾後之翻譯資料與上述文本識別符相關聯地儲存； <br/>確定上述儲存之翻譯資料之評級，上述評級包括上述儲存之翻譯資料之儲存順序、儲存次數、維持期間、用戶之使用歷史、或用戶之推薦歷史中之至少一者； <br/>自第1用戶終端接收對頁面之請求；確定是否應對上述頁面提供翻譯資料；及 <br/>響應於確定為應對上述頁面提供翻譯資料，基於上述確定之評級，將針對上述頁面而儲存之上述翻譯資料提供至上述第1用戶終端。
如請求項9之電子裝置，其中過濾上述收集到之翻譯資料包括如下： <br/>確定上述收集到之翻譯資料是否包括俚語； <br/>確定上述收集到之翻譯資料是否與選擇為上述文本之翻譯之語言匹配；及 <br/>基於是否包括上述俚語及上述選擇之語言是否匹配，過濾上述收集到之翻譯資料。
如請求項9之電子裝置，其中收集上述翻譯資料包括如下： <br/>收集繼於提供上述翻譯資料之第2用戶終端中進行如下動作中之至少一者後提供之上述翻譯資料，該動作係： <br/>選擇用以輸入上述翻譯資料之覆蓋按鈕； <br/>選擇上述第2用戶終端中顯示之上述文本3次； <br/>選擇上述第2用戶終端中顯示之上述文本預先設定之時間以上； <br/>選擇於選擇上述第2用戶終端中顯示之上述文本後提供之選單中之一者；或 <br/>輸入預先設定之手勢。
如請求項9之電子裝置，其中上述評級係按照各用戶而不同地確定，並進而包括上述用戶之購買傾向， <br/>上述處理器如下： <br/>基於上述用戶之購買歷史、年齡、性別、地址、感興趣商品、檢索歷史、或頁面訪問歷史，確定上述用戶之購買傾向； <br/>確定上述用戶之購買傾向與其他用戶之購買傾向之間之相似度，上述相似度係根據上述用戶與上述其他用戶之購買歷史、年齡、性別、地址、感興趣商品、檢索歷史、或頁面訪問歷史之共同程度而確定； <br/>確定上述其他用戶中具有預先設定之臨界值以上之相似度之特定用戶； <br/>確定上述特定用戶所使用或儲存之翻譯資料；及 <br/>將上述特定用戶所使用或儲存之翻譯資料作為對上述用戶之翻譯資料提供至上述第1用戶終端。
如請求項9之電子裝置，其中確定是否應對上述頁面提供上述翻譯資料包括如下： <br/>確定上述頁面內包括之上述文本之上下文，上述上下文係基於上述文本自身之含義、上述文本所使用之示例、上述文本之翻譯、上述文本之其他用戶之翻譯資料、或提供上述文本之頁面之特性而確定；及 <br/>基於上述上下文，確定是否應對上述頁面提供上述翻譯資料。
如請求項13之電子裝置，其中基於上述上下文，確定是否應對上述頁面提供上述翻譯資料進而包括如下： <br/>基於上述上下文，僅對上述頁面確定為對上述文本提供上述翻譯資料。
如請求項13之電子裝置，其中基於上述上下文，確定是否應對上述頁面提供上述翻譯資料進而包括如下： <br/>基於上述上下文，確定為對包括上述文本之所有頁面提供上述翻譯資料。
如請求項9之電子裝置，其中將針對上述頁面而儲存之上述翻譯資料提供至上述第1用戶終端包括如下：使上述第1用戶終端將上述翻譯資料自行儲存於上述第1用戶終端，且 <br/>上述第1用戶終端於上述第1用戶終端能夠藉由網路與上述電子裝置通訊之情形時，自上述電子裝置實時接收儲存之上述翻譯資料；於上述第1用戶終端無法藉由網路與上述電子裝置通訊之情形時，使用自行儲存於上述第1用戶終端中之翻譯資料。
一種非暫時性電腦可讀儲存媒體，其係儲存有以藉由一個以上之處理器執行之方式構成之一個以上之電腦可讀命令者，其以如下方式構成：於藉由上述一個以上之處理器而執行上述電腦可讀命令之情形時，使上述一個以上之處理器實行如請求項1至8中之任一項之方法。
一種可拉伸的畫素陣列基板，包括：<br/> 一基底；以及<br/> 一元件層，設置於該基底上，且具有一螺旋部及該螺旋部定義的一螺旋開口，該元件層的該螺旋部包括：<br/> 多個島，其中每一島具有至少一畫素結構；以及<br/> 多個橋，其中每一橋具有至少一導線，且每一該橋的該至少一導線電性連接至該些島的相鄰兩島；<br/> 該元件層的該螺旋部的該些島及該些橋交替地排列且彼此連接，<br/> 其中每一該橋的該至少一導線包括彼此串接的三個彎曲段，該彎曲段彼此間具有夾角且該夾角小於90度，且該元件層的該螺旋部能被拉伸為一立體的類錐狀物。
如請求項1所述的可拉伸的畫素陣列基板，更包括：<br/> 一驅動電路，設置於該基底上，且電性連接至該些島的多個畫素結構，其中該驅動電路與該元件層的該螺旋部的一末端連接。
一種靜電放電保護的電路，其包含：<br/> 一基板；<br/> 一目標裝置，在該基板上；及<br/> 一靜電放電裝置，電耦合至該目標裝置，該靜電放電裝置包含：<br/> 一靜電放電偵測電路，電耦合至一第一參考電壓供應及一第二參考電壓供應；<br/> 一反向器電路，電耦合至該靜電放電偵測電路並用以回應於該第一參考電壓供應或該第二參考電壓供應上的一靜電放電事件而經觸發；<br/> 一整流器電路，電耦合至該反向器電路並用以對自該反向器電路放電的一電流進行整流；及<br/> 一電晶體，電耦合至該整流器電路並用以對經由該整流器電路傳遞的一剩餘電流進行放電。
如請求項1所述之電路，其中該整流器電路包含一二極體，該二極體用以對來自該靜電放電事件的一電流進行整流。
如請求項1所述之電路，其中該電晶體電耦合至該目標裝置。
一種靜電放電保護的電路，其包含：<br/> 一氮化鎵基板；<br/> 一目標裝置；及<br/> 一靜電放電裝置，電耦合至該目標裝置，該靜電放電裝置包含：<br/> 一靜電放電偵測電路，電耦合至一第一參考電壓供應及一第二參考電壓供應；<br/> 一氮化鎵反向器電路，包含一增強型電晶體裝置及一電阻元件，其中該氮化鎵反向器電路電耦合至該靜電放電偵測電路，且其中該氮化鎵反向器電路用以回應於該第一參考電壓供應或該第二參考電壓供應上的一靜電放電事件而經觸發；<br/> 一整流器電路，電耦合至該氮化鎵反向器電路並用以對自該氮化鎵反向器電路放電的電流進行整流；及<br/> 一場效電晶體，電耦合至該整流器電路並用以對經由該整流電路傳遞的一剩餘電流進行放電。
如請求項4所述之電路，其中該靜電放電偵測電路包含電耦合至一電容器的一電阻器。
如請求項4所述之電路，其中該氮化鎵反向器電路，其中該增強型電晶體裝置電耦合至該電阻元件。
如請求項4所述之電路，其中該整流器電路包含以一反向偏置組態配置的複數個二極體。
一種靜電放電保護的方法，包含以下步驟：<br/> 偵測一參考電壓供應上的一靜電放電電流；<br/> 將該靜電放電電流傳遞至一整流器電路；<br/> 基於經由該整流器電路流動的該靜電放電電流啟用一電晶體；及<br/> 經由該電晶體將該靜電放電電流自一第一參考電壓供應放電至一第二參考電壓供應。
如請求項8所述之方法，進一步包含以下步驟：藉由使電流經由一電阻元件流動或啟用一增強型電晶體裝置來觸發一反向器電路。
如請求項8所述之方法，其中啟用該電晶體之步驟包含以下步驟：使電流經由至少一個二極體流動，<br/> 其中使該電流經由該至少一個二極體流動之步驟包含以下步驟：使電流經由以一反向偏置組態配置的複數個二極體流動，<br/> 其中使該電流經由以該反向偏置組態配置的該些二極體流動之步驟包含以下步驟：對該靜電放電電流進行整流，<br/> 其中該些二極體之一數目與該靜電放電電流之一整流幅度成比例。
一種半導體元件的製造方法，包含： <br/>提供一半導體結構，其中該半導體結構包含包覆一氮化物層以及一氧化物層之複數個氮化物部位、位於該些氮化物部位之間之一接觸層、設置於該些氮化物部位上之一間隔物層以及位於該間隔物層上之一圖案化硬遮罩層； <br/>形成一填充材料於該接觸層上並覆蓋該些氮化物部位、該間隔物層以及該圖案化硬遮罩層； <br/>去除該填充材料、該接觸層、該氮化物層以及該氧化物層之複數個部位，其中該些氮化物部位、該氮化物層以及該氧化物層之複數個剩餘部位之一頂面具有一圓角形狀； <br/>共形地形成一毯覆層於該填充材料、該接觸層以及該些氮化物部位、該氮化物層以及該氧化物層之該些剩餘部位上； <br/>過度填充一導電層於該毯覆層上； <br/>平坦化該導電層，使得該導電層之一頂面與該圖案化硬遮罩層之一最頂面齊平；以及 <br/>形成一溝槽以去除該導電層、該毯覆層、該些氮化物部位、該氮化物層以及該氧化物層之複數個部位。
如請求項1所述之方法，其中包覆該氮化物層以及該氧化物層之該些氮化物部位中之每一者、該氮化物層以及該氧化物層形成一位元線結構。
如請求項1所述之方法，其中執行形成該填充材料於該接觸層上並覆蓋該些氮化物部位、該間隔物層以及該圖案化硬遮罩層的步驟使得該填充材料之一頂面高於該圖案化硬遮罩層之一最頂面。
如請求項1所述之方法，其中執行去除該填充材料、該接觸層、該氮化物層以及該氧化物層之該些部位的步驟使得該填充材料之一頂面與該接觸層之一最頂面共平面。
如請求項1所述之方法，其中執行去除該填充材料、該接觸層、該氮化物層以及該氧化物層之該些部位的步驟使得該填充材料之一剩餘部位不位於該圖案化硬遮罩層上方。
如請求項1所述之方法，其中執行去除該填充材料、該接觸層、該氮化物層以及該氧化物層之該些部位的步驟使得該接觸層之一頂面低於該些氮化物部位、該氮化物層以及該氧化物層之該些剩餘部位之該頂面。
如請求項1所述之方法，其中該毯覆層之至少一部位與該些氮化物部位、該氮化物層以及該氧化物層之該些剩餘部位之該頂面共形。
如請求項1所述之方法，其中執行過度填充該導電層於該毯覆層上的步驟使得該導電層覆蓋該間隔物層以及該圖案化硬遮罩層。
如請求項1所述之方法，其中執行平坦化該導電層的步驟使得位於該間隔物層以及該圖案化硬遮罩層上方之該毯覆層之一部位被去除。
如請求項1所述之方法，其中執行形成該溝槽以去除該導電層、該毯覆層、該些氮化物部位、該氮化物層以及該氧化物層之該些部位的步驟使得該毯覆層、該些氮化物部位、該氮化物層以及該氧化物層之一頂部之一部分被去除。
一種半導體元件的製造方法，包含： <br/>提供一半導體結構，其中該半導體結構包含包覆一氮化物層以及一氧化物層之複數個氮化物部位、位於該些氮化物部位之間之一接觸層、設置於該些氮化物部位上之一間隔物層以及位於該間隔物層上之一圖案化硬遮罩層； <br/>形成一填充材料於該接觸層上並覆蓋該些氮化物部位、該間隔物層以及該圖案化硬遮罩層； <br/>去除該填充材料、該接觸層、該氮化物層以及該氧化物層之複數個部位，其中該些氮化物部位、該氮化物層以及該氧化物層之複數個剩餘部位之一頂面具有一圓角形狀； <br/>共形地形成一毯覆層於該填充材料、該接觸層以及該些氮化物部位、該氮化物層以及該氧化物層之該些剩餘部位上； <br/>過度填充一導電層於該毯覆層上； <br/>平坦化該導電層並停止於該圖案化硬遮罩層；以及 <br/>形成一溝槽以去除該導電層、該毯覆層、該些氮化物部位、該氮化物層以及該氧化物層之複數個部位。
如請求項11所述之方法，其中包覆該氮化物層以及該氧化物層之該些氮化物部位中之每一者、該氮化物層以及該氧化物層形成一位元線結構。
如請求項11所述之方法，其中執行形成該填充材料於該接觸層上並覆蓋該些氮化物部位、該間隔物層以及該圖案化硬遮罩層的步驟使得該填充材料之一頂面高於該圖案化硬遮罩層之一最頂面。
如請求項11所述之方法，其中執行去除該填充材料、該接觸層、該氮化物層以及該氧化物層之該些部位的步驟使得該填充材料之一頂面與該接觸層之一最頂面共平面。
如請求項11所述之方法，其中執行去除該填充材料、該接觸層、該氮化物層以及該氧化物層之該些部位的步驟使得該填充材料之一剩餘部位不位於該圖案化硬遮罩層上方。
如請求項11所述之方法，其中執行去除該填充材料、該接觸層、該氮化物層以及該氧化物層之該些部位的步驟使得該接觸層之一頂面低於該些氮化物部位、該氮化物層以及該氧化物層之該些剩餘部位之該頂面。
如請求項11所述之方法，其中該毯覆層之至少一部位與該些氮化物部位、該氮化物層以及該氧化物層之該些剩餘部位之該頂面共形。
如請求項11所述之方法，其中執行過度填充該導電層於該毯覆層上的步驟使得該導電層覆蓋該間隔物層以及該圖案化硬遮罩層。
如請求項11所述之方法，其中執行平坦化該導電層並停止於該圖案化硬遮罩層的步驟使得位於該間隔物層以及該圖案化硬遮罩層上方之該毯覆層之一部位被去除。
如請求項11所述之方法，其中執行形成該溝槽以去除該導電層、該毯覆層、該些氮化物部位、該氮化物層以及該氧化物層之該些部位的步驟使得該毯覆層、該些氮化物部位、該氮化物層以及該氧化物層之一頂部之一部分被去除。
一種記憶體電路，包括： 第一記憶體單元，可透過第一存取線以及第二存取線進行操作存取；<br/> 第一讀取轉輸閘電晶體以及第二讀取轉輸閘電晶體，分別耦接到第一存取線以及第二存取線；<br/> 第一感測放大器，耦接到該第一存取線以及該第二存取線；<br/> 第一讀取致能控制電路，被配置為基於時脈訊號產生第一讀取致能訊號；以及<br/> 第二讀取致能控制電路，被配置為通過邏輯反轉該第一讀取致能訊號來產生第二讀取致能訊號，其中該第一讀取致能訊號基於第一感測致能訊號選擇性地轉換到不同的邏輯狀態；<br/> 其中該第二讀取致能訊號被配置為啟動或取消啟動該第一讀取轉輸閘電晶體以及該第二讀取轉輸閘電晶體，並且該第一感測致能訊號被配置為啟動或取消啟動該第一感測放大器；<br/> 該第一讀取致能控制電路包括NOR閘，<br/> 其中該NOR閘具有：第一輸入端，被配置為接收寫入致能訊號；第二輸入端，被配置為接收根據該時脈訊號產生的感測致能控制訊號；以及輸出端，被配置為輸出該第一讀取致能訊號，並且其中該第一感測致能訊號跟隨該感測致能控制訊號。
如請求項1所述的記憶體電路，其中該第二讀取致能控制電路包括反向器以及電晶體；<br/> 其中該反向器具有：輸入端，被配置為接收該第一讀取致能訊號；以及輸出端，被配置為提供該第二讀取致能訊號，並且該電晶體具有連接到該第一感測致能訊號的閘極、連接到該第一讀取致能訊號的汲極以及連接到接地的源極。
如請求項1所述的記憶體電路，其中僅在該第一感測致能訊號從第一邏輯狀態轉換到第二邏輯狀態以啟動該第一感測放大器之後，該第二讀取致能控制電路被配置為基於將該第一讀取致能訊號耦接到接地而取消啟動該第一讀取轉輸閘電晶體以及該第二讀取轉輸閘電晶體；<br/> 其中僅在該第一感測致能訊號從該第二邏輯狀態轉換到該第一邏輯狀態以取消啟動該第一感測放大器之後，該第二讀取致能控制電路被配置為使該第一讀取轉輸閘電晶體以及該第二讀取轉輸閘電晶體保持取消啟動基於將該第一讀取致能訊號與該接地解耦的一段時間。
如請求項1所述的記憶體電路，更包括：<br/> 第二記憶體單元，可透過第三存取線以及第四存取線進行操作存取；<br/> 第三讀取轉輸閘電晶體以及第四讀取轉輸閘電晶體，分別耦接到該第三存取線以及該第四存取線；<br/> 第二感測放大器，耦接到該第三存取線以及該第四存取線；以及<br/> 第三讀取致能控制電路，被配置為通過邏輯反轉該第一讀取致能訊號來產生第三讀取致能訊號，其中該第一讀取致能訊號基於第二感測致能訊號選擇性地轉換到不同的邏輯狀態；<br/> 其中該第三讀取致能訊號被配置為啟動或取消啟動該第三讀取轉輸閘電晶體以及該第四讀取轉輸閘電晶體，並且該第二感測致能訊號被配置為啟動或取消啟動該第二感測放大器。
如請求項4所述的記憶體電路，其中該第二讀取致能控制電路沿著第一側方向物理定位在該第一記憶體單元旁邊，並且該第三讀取致能控制電路沿著該第一側方向物理定位在該第二記憶體單元旁邊，其中該第一讀取致能控制電路沿著垂直於該第一側方向的第二側方向物理佈置在該第二讀取致能控制電路以及該第三讀取致能控制電路旁邊。
如請求項4所述的記憶體電路，其中該第一存取線以及該第二存取線屬於第一陣列，並且該第三存取線以及該第四存取線屬於第二陣列；<br/> 其中該第二讀取致能控制電路以及該第三讀取致能控制電路交替地啟動。
一種記憶體電路，包括：<br/> 記憶體陣列，包含多個記憶體單元；<br/> 輸入/輸出(I/O)電路，可操作地耦接到該記憶體陣列，並沿著第一側方向物理佈置在該記憶體陣列旁邊，其中該I/O電路包括：多個讀取轉輸閘電路，分別可操作地耦接到該記憶體單元的不同組；以及多個感測放大器，分別可操作地耦接到該記憶體單元的不同組；以及<br/> 控制電路，可操作地耦接到該記憶體陣列，並沿著垂直於該第一側方向的第二側方向物理佈置在該I/O電路旁邊；<br/> 其中該控制電路包括全域讀取致能控制電路，該I/O電路包括多個區域讀取致能控制電路，該多個區域讀取致能控制電路中的每一者可操作地耦接到該多個讀取轉輸閘電路中相應的一者；<br/> 其中該全域讀取致能控制電路被配置為基於感測致能控制訊號產生第一讀取致能訊號，並且該多個區域讀取致能控制電路的每一者被配置為基於該感測致能控制訊號為相應的該讀取轉輸閘電路產生相應的第二讀取致能訊號；<br/> 該全域讀取致能控制電路包括NOR閘，<br/> 其中該NOR閘具有：第一輸入端，被配置為接收寫入致能訊號；第二輸入端，被配置為接收根據時脈訊號產生的該感測致能控制訊號；以及輸出端，被配置為輸出該第一讀取致能訊號。
如請求項7所述的記憶體電路，其中該多個區域讀取致能控制電路中的每一者包括反向器以及電晶體；<br/> 其中該反向器具有：輸入端，被配置為接收該第一讀取致能訊號；以及輸出端，被配置為提供該第二讀取致能訊號，並且該電晶體具有連接到相應感測致能訊號的閘極、連接到該第一讀取致能訊號的汲極以及連接到接地的源極；<br/> 其中該感測致能訊號跟隨該感測致能控制訊號以選擇性地啟動該多個感測放大器中相應的一者；<br/> 其中在該感測致能訊號啟動相應的該感測放大器之後，該區域讀取致能控制電路被配置為通過開啟相應的該電晶體以將該第一讀取致能訊號耦接到該接地而取消啟動相應的該讀取轉輸閘電路；<br/> 其中在該感測致能訊號取消啟動相應的該感測放大器之後，該區域讀取致能控制電路被配置為通過關閉相應的該電晶體以將該第一讀取致能訊號與該接地解耦，使相應的該讀取轉輸閘電路保持取消啟動一段時間。
如請求項7所述的記憶體電路，其中該全域讀取致能控制電路包括NOR閘，並且該多個區域讀取致能控制電路中的每一者包括反向器、開關以及電晶體。
一種記憶體電路的操作方法，包括：<br/> 根據時脈訊號的轉換邊緣宣告(asserting)感測致能控制訊號；<br/> 宣告跟隨該感測致能控制訊號的感測致能訊號；<br/> 響應於該感測致能控制訊號被宣告而取消宣告(deasserting)全域讀取致能訊號；<br/> 在該感測致能訊號被宣告之後，透過將區域讀取致能訊號從第一邏輯狀態轉換到第二邏輯狀態而取消啟動讀取轉輸閘電路；以及<br/> 在該感測致能訊號被取消宣告之後，透過將該區域讀取致能訊號從該第二邏輯狀態轉換到該第一邏輯狀態來啟動該讀取轉輸閘電路。
如請求項10所述的記憶體電路的操作方法，其中該區域讀取致能訊號基於將該全域讀取致能訊號耦接到接地而被上拉，並且其中該區域讀取致能訊號基於將該全域讀取致能訊號與該接地解耦而被拉低。
一種低壓差穩壓器，包含有：<br/> 一運算放大器，用以接收一參考電壓以及一回授電壓以產生一控制訊號；<br/> 一第一電晶體，其中該第一電晶體的一閘極接收該控制訊號，該第一電晶體的一第一端耦接於一供應電壓，且該第一電晶體的一第二端耦接於一端點，其中該端點是用來產生該低壓差穩壓器的一輸出電壓；以及<br/> 一緩衝器，其中該緩衝器的一輸入端連接至一偏壓，且該緩衝器的一輸出端連接至該端點；<br/> 其中該緩衝器為一源極隨耦器，且該緩衝器包含一第二電晶體，其中該第二電晶體的一閘極、一第一端與一第二端分別耦接於該偏壓、該端點以及一參考電壓；<br/> 其中該參考電壓為一接地電壓，且該第二電晶體為一P型電晶體，其中該第二電晶體的一源極與一汲極分別耦接於該端點以及該接地電壓；<br/> 其中該緩衝器另包含：<br/> 一電阻，其中該電阻的一第一端耦接於該第二電晶體的該第二端，且該電阻的一第二端耦接於該參考電壓；以及<br/> 一第三電晶體，其中該第三電晶體的一閘極耦接於該第二電晶體的該第二端，且該第三電晶體的一第一端與一第二端分別耦接於該端點以及該參考電壓。
如申請專利範圍第1項所述之低壓差穩壓器，其中該第一電晶體為一P型電晶體，該第一電晶體的一源極耦接於該供應電壓，且該第一電晶體的一汲極耦接於該端點。
如申請專利範圍第1項所述之低壓差穩壓器，其中該第三電晶體為一N型電晶體，其中該第三電晶體的一汲極與一源極分別耦接於該端點以及該接地電壓。
一種方法，其係藉由電子裝置而實行者，其包括如下步驟： <br/>獲得包括一個以上之商品之資訊之商品清單； <br/>基於上述商品清單來識別成為映射目標之一個以上之目標商品； <br/>基於賦予給上述一個以上之目標商品各者之一個以上之屬性資訊，將上述一個以上之目標商品映射至一個以上之商品組；及 <br/>產生網頁資訊，該網頁資訊係使上述一個以上之商品組之資訊及屬於上述一個以上之商品組各者之一個以上之目標商品的資訊展露於用戶終端， <br/>其中將上述一個以上之目標商品映射至一個以上之商品組之步驟包括如下步驟： <br/>識別與上述一個以上之商品組各者對應之目標屬性資訊； <br/>識別上述一個以上之目標商品中之具有上述目標屬性資訊之一個以上的商品； <br/>將具有上述目標屬性資訊之一個以上之商品映射至上述一個以上之商品組；及 <br/>基於預先確定之驗證基準，對映射於上述一個以上之商品組之一個以上之商品實行驗證動作， <br/>上述驗證基準係基於識別資訊而確定，該識別資訊係指示成為上述映射目標之一個以上之目標商品之種類者，及 <br/>其中上述驗證基準包括一個以上之基準屬性資訊，該一個以上之基準屬性係與指示上述一個以上之目標商品之種類的識別資訊對應者， <br/>對映射於上述一個以上之商品組之一個以上之商品實行驗證動作的步驟包括如下步驟： <br/>識別上述一個以上之商品組中是否存在具有上述基準屬性資訊之一個以上之商品；及 <br/>自上述商品清單中移除不具有上述基準屬性資訊之一個以上之商品。
如請求項1之方法，其中識別成為上述映射目標之一個以上之目標商品之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述商品清單來識別彼此相關聯之一個以上之商品；及 <br/>基於上述彼此相關聯之一個以上之商品各者之銷售量，識別上述一個以上之目標商品。
如請求項2之方法，其中識別上述彼此相關聯之一個以上之商品之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述商品清單，將屬於相同之產品線之一個以上之商品識別為上述彼此相關聯之一個以上的商品。
如請求項2之方法，其中上述一個以上之目標商品係按照上述彼此相關聯之一個以上之商品各者之銷售量的降序而確定。
如請求項1之方法，其中分別包括於上述一個以上之商品組中之至少一部分中之一個以上的商品具有不同之上述識別資訊。
如請求項1之方法，其中上述網頁係響應於對成為上述映射目標之一個以上之商品中之任一商品的檢索請求而顯示於上述用戶終端。
如請求項6之方法，其中上述網頁包括： <br/>第1區域，其顯示上述一個以上之商品組各者之資訊；及 <br/>第2區域，其響應於對上述第1區域中之至少一部分進行之輸入，顯示屬於與上述輸入對應之商品組之一個以上之商品的識別資訊。
如請求項7之方法，其中上述網頁進而包括： <br/>第3區域，其響應於輸入而顯示其餘商品之識別資訊，該其餘商品係屬於與上述輸入對應之商品組之一個以上之商品中之未顯示於上述第2區域者；且 <br/>響應於對上述第3區域中之至少一部分進行之上述輸入，以清單形態顯示其餘商品之識別資訊，該其餘商品係屬於與上述輸入對應之商品組之一個以上之商品中之未顯示於上述第2區域者。
一種電子裝置，其包括： <br/>處理器；及 <br/>記憶體，其儲存有以藉由上述處理器而執行之方式構成之命令； <br/>上述電子裝置以如下方式構成： <br/>於藉由上述處理器而執行上述命令時，上述處理器實行如請求項1至8項中任一項之方法。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其係記錄有用以藉由處理器而執行之電腦程式者， <br/>上述電腦程式以如下方式構成：使上述處理器執行如請求項1至8項中任一項之方法。
一種微波感測裝置，包含有： <br/>一產生電路，用來產生一產生訊號； <br/>一第一處理電路，耦接於該產生電路，用來處理該產生訊號，以產生一第一處理訊號； <br/>一傳送電路，耦接於該第一處理電路，用來傳送該第一處理訊號； <br/>一接收電路，用來接收對應於該第一處理訊號的一接收訊號； <br/>一第二處理電路，耦接於該接收電路，用來處理該接收訊號，以產生一第二處理訊號； <br/>一第一轉換電路，耦接於該第二處理電路，用來將該第二處理訊號轉換為一第一轉換訊號； <br/>一移除電路，耦接於該第一轉換電路，用來移除該第一轉換訊號的一直流分量，以產生一移除訊號； <br/>一第三處理電路，耦接於該移除電路，用來處理該移除訊號，以產生一第三處理訊號；以及 <br/>一第二轉換電路，耦接於該第三處理電路，用來將該第三處理訊號轉換為一第二轉換訊號。
如請求項1所述的微波感測裝置，其中該產生訊號包含有一單載波訊號，以及該產生訊號的一中心頻率不同於一載波（carrier）中心頻率。
如請求項1所述的微波感測裝置，其中該第一處理電路包含有： <br/>一第三轉換電路，耦接於該產生電路，用來將該產生訊號轉換為一第三轉換訊號； <br/>一第一混頻電路，耦接於該第三轉換電路，用來根據一週期性訊號，混頻該第三轉換訊號，以產生一第一混頻訊號；以及 <br/>一第一放大電路，耦接於該第一混頻電路，用來放大該第一混頻訊號的一振幅，以產生一第一處理訊號。
如請求項1所述的微波感測裝置，其中該第二處理電路包含有： <br/>一第二放大電路，耦接於該接收電路，用來放大該接收訊號的一振幅，以產生一第一放大訊號； <br/>一第二混頻電路，耦接於該第二放大電路，用來根據一週期性訊號，混頻該第一放大訊號，以產生一第二混頻訊號；以及 <br/>一第一濾波電路，耦接於該第二混頻電路，用來濾波該第二混頻訊號，以產生該第二處理訊號。
如請求項1所述的微波感測裝置，其中該第一轉換電路包含有一高速類比數位轉換器（analog-to- digital converter，ADC）。
如請求項1所述的微波感測裝置，其中該移除電路包含有： <br/>一第一估測（estimation）電路，耦接於該第一轉換電路，用來估測該第一轉換訊號的一第一直流偏差（bias）； <br/>一第一補償（compensation）電路，耦接於該第一轉換電路及該第一估測電路，用來根據該第一直流偏差，補償該第一轉換訊號，以產生一補償訊號； <br/>一第三混頻電路，耦接於該第一補償電路，用來根據該產生訊號的一中心頻率及該第一轉換電路的一取樣週期，混頻該補償訊號，以產生一第三混頻訊號； <br/>一第二估測電路，耦接於該第三混頻電路，用來估測該第三混頻訊號的一第二直流偏差；以及 <br/>一第二補償電路，耦接於該第三混頻電路及該第二估測電路，用來根據該第二直流偏差，補償該第三混頻訊號，以產生該移除訊號。
如請求項1所述的微波感測裝置，其中該第三處理電路包含有： <br/>一第三放大電路，耦接於該移除電路，用來放大該移除訊號的一振幅，以產生一第二放大訊號； <br/>一第二濾波電路，耦接於該第三放大電路，用來濾波該第二放大訊號，以產生一濾波訊號；以及 <br/>一降取樣（down sampling）電路，耦接於該第二濾波電路，用來取樣該濾波訊號，以產生該第三處理訊號。
如請求項7所述的微波感測裝置，其中該第三處理電路另包含有： <br/>一決定電路，耦接於該第三放大電路及該第二濾波電路，用來根據該濾波訊號，決定該第二放大訊號是否包含有一干擾（interference），以產生一決定結果。
如請求項8所述的微波感測裝置，其中根據該決定結果，該移除電路移除該第一轉換訊號的該直流分量。
一種用來提升感測準確度的方法，包含有： <br/>產生一產生訊號； <br/>處理該產生訊號，以產生一第一處理訊號； <br/>傳送該第一處理訊號； <br/>接收對應於該第一處理訊號的一接收訊號； <br/>處理該接收訊號，以產生一第二處理訊號； <br/>將該第二處理訊號轉換為一第一轉換訊號； <br/>移除該第一轉換訊號的一直流分量，以產生一移除訊號； <br/>處理該移除訊號，以產生一第三處理訊號；以及 <br/>將該第三處理訊號轉換為一第二轉換訊號。
一種化合物用於製備藥物之用途，其中該藥物係用於治療透析患者之與慢性腎病關聯或慢性腎病繼發之貧血， <br/>其中該化合物為{[5-(3-氯苯基)-3-羥基吡啶-2-羰基]胺基}乙酸， <br/><img align="absmiddle" height="32px" width="71px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>化合物1 <br/>或其醫藥學上可接受之鹽， <br/>其中化合物1或其醫藥學上可接受之鹽係以約150 mg、約300 mg、約450 mg、約600 mg或約750 mg之每日劑量經口投與；以及 <br/>其中該患者之血紅素含量經監測，且其中化合物1或其醫藥學上可接受之鹽之該劑量基於血紅素之含量及/或血紅素之含量之變化調整。
如請求項1之用途，其中該患者接受化合物1或其醫藥學上可接受之鹽之劑量使該患者之血紅素含量維持在至少約10.0 g/dL且處於或小於約13.0 g/dL。
如請求項1之用途，其中該藥物係口服劑型調配物，其中該口服劑型調配物為包含顆粒內組分及顆粒外組分之錠劑； <br/>其中該顆粒內組分包含：{[5-(3-氯苯基)-3-羥基吡啶-2-羰基]胺基}乙酸， <br/><img align="absmiddle" height="32px" width="71px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>化合物1 <br/>或其醫藥學上可接受之鹽、微晶纖維素及羥基乙酸澱粉鈉；以及 <br/>其中該顆粒外組分包含羥基乙酸澱粉鈉、膠態二氧化矽及硬脂酸鎂。
一種參考電壓供應電路，包含：<br/> 一第一電晶體，耦接於一高電壓準位端；<br/> 一第二電晶體，耦接於一低電壓準位端；<br/> 一第一電阻，與該第一電晶體耦接於一參考節點以提供一參考電壓；以及<br/> 一第二電阻，耦接於該第一電阻與該第二電晶體之間，其中該第一電阻以及該第二電阻包含可變電阻；<br/> 其中該第一電阻之一第一電阻值被調降或該第二電阻之一第二電阻值被調升，藉以調升一正溫度係數電壓隨溫度變化之一斜率或調降該正溫度係數電壓隨溫度變化之該斜率。
如請求項1所述之參考電壓供應電路，其中該第一電晶體包含：<br/> 一第一端，耦接於該高電壓準位端；<br/> 一第二端，與該第一電阻之一第一端耦接於該參考節點；以及<br/> 一控制端，與該第一電阻之一第二端耦接於一第一節點；<br/> 其中該第二電阻之一第一端與該第一電晶體之該控制端以及該第一電阻之該第二端耦接於該第一節點。
如請求項2所述之參考電壓供應電路，其中該第二電晶體包含：<br/> 一第一端，與該第二電阻之一第二端耦接於一第二節點；<br/> 一控制端，與該第二電晶體之該第一端以及該第二電阻之該第二端耦接於該第二節點；以及<br/> 一第二端，耦接於該低電壓準位端。
如請求項1所述之參考電壓供應電路，其中該第一電晶體包含：<br/> 一第一端，耦接於該高電壓準位端；<br/> 一第二端，與該第一電阻之一第一端耦接於該參考節點；以及<br/> 一控制端，與該第二電阻之一第一端耦接於一第一節點；<br/> 其中該第二電阻之一第二端與該第一電阻之一第二端耦接於一第二節點。
如請求項4所述之參考電壓供應電路，其中該第二電晶體包含：<br/> 一第一端，與該第一電晶體之該控制端以及該第二電阻之該第一端耦接於該第一節點；<br/> 一控制端，與該第一電阻之該第二端以及該第二電阻之該第二端耦接於該第二節點；以及<br/> 一第二端，耦接於該低電壓準位端。
如請求項1所述之參考電壓供應電路，更包含：<br/> 複數個電阻，兩兩串聯於複數個節點，其中該複數個電阻包含該第一電阻以及該第二電阻；<br/> 其中該第一電晶體包含：<br/> 一第一端，耦接於該高電壓準位端；<br/> 一第二端，與該複數個電阻的該第一電阻之一第一端耦接於該參考節點；以及<br/> 一控制端。
如請求項6述之參考電壓供應電路，更包含：<br/> 一第一多工器，包含：<br/> 一第一端，耦接於該第一電晶體之該控制端；以及<br/> 一第二端，選擇性地耦接於該複數個節點的其中之一，其中該第一多工器之該第二端根據一第一選擇信號以耦接於該複數個節點的一第一目標節點。
如請求項7所述之參考電壓供應電路，其中該複數個電阻的該第二電阻之一第一端耦接於該複數個電阻的其中之一；<br/> 其中該第二電晶體包含：<br/> 一第一端，與該第二電阻之一第二端耦接於該複數個節點的其中之一；<br/> 一控制端；以及<br/> 一第二端，耦接於該低電壓準位端。
如請求項8所述之參考電壓供應電路，更包含：<br/> 一第二多工器，包含：<br/> 一第一端，耦接於該第二電晶體之該控制端；以及<br/> 一第二端，選擇性地耦接於該複數個節點的其中之一，其中該第二多工器之該第二端根據一第二選擇信號以耦接於該複數個節點的一第二目標節點。
如請求項1所述之參考電壓供應電路，其中該第一電晶體以及該第二電晶體包含同一類型電晶體，其中該高電壓準位端包含一電源供應電壓端，其中該低電壓準位端包含一接地端。
一種各向異性導電薄膜，包含化學式1所代表的化合物；黏合劑樹脂；陽離子可聚合樹脂；以及導電粒子，「化學式1」<img align="absmiddle" height="78px" width="127px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>化學式1中，R為鹵素、羥基、經取代或未取代的亞胺基、經取代或未取代的矽基、經取代或未取代的C1至C10氧基、經取代或未取代的羰基、經取代或未取代的C2至C10烯基以及經取代或未取代的C2至C10炔基中的任一種，其中就所述各向異性導電薄膜中的固體總重量而言，包含：所述黏合劑樹脂，含量範圍為10至70wt%；所述陽離子可聚合樹脂，含量範圍為1至45wt%；所述導電粒子，含量範圍為10至35wt%；以及化學式1所代表的所述化合物，含量範圍為0.1至10wt%。
如請求項1所述的各向異性導電薄膜，其中R由鹵素、羥基、經取代或未取代的亞胺基、經取代或未取代的C2至C10烯基、經取代或未取代的C2至C10炔基、由化學式R-1代表的經取代或未取代的矽基、由化學式R-2代表的經取代或未取代的氧基以及由化學式R-3代表的經取代或未取代的羰基中的任一種代表：「化學式R-1」<img align="absmiddle" height="73px" width="94px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>及R<sub>3</sub>各獨立為氫、氘、經取代或未取代的C1至C10烷基、經取代或未取代的C2至C10烯基、經取代或未取代的C2至C10炔基、未取代的C6至C10芳基、經取代或未取代的C3至C10雜芳基以及經取代或未取代的C3至C10雜環基中的任一種，「化學式R-2」<img align="absmiddle" height="26px" width="63px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>R<sub>4</sub>為經取代或未取代的C1至C10烷基、經取代或未取代的C2至C10烯基、經取代或未取代的C2至C10炔基、經取代或未取代的C6至C10芳基、經取代或未取代的C3至C10雜芳基以及經取代或未取代的C3至C10雜環基中的任一種，以及「化學式R-3」 <img align="absmiddle" height="75px" width="84px" file="ed10012.jpg" alt="ed10012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<img align="absmiddle" height="68px" width="119px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="92px" width="81px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> R<sub>5</sub>、R<sub>6</sub>、R<sub>7</sub>及R<sub>8</sub>各自獨立為氫、氘、經取代或未取代的C1至C10烷基、經取代或未取代的C2至C10烯基、經取代或未取代的C2至C10炔基、經取代或未取代的C6至C10芳基、經取代或未取代的C3至C10雜芳基以及經取代或未取代的C3至C10雜環基中的任一種。
如請求項1所述的各向異性導電薄膜，更包含無機填料。
如請求項1所述的各向異性導電薄膜，更包含陽離子聚合起始劑。
如請求項1所述的各向異性導電薄膜，其中R為鹵素、羥基、經取代或未取代的亞胺基、經取代或未取代的矽基、經取代或未取代的C1至C10烷氧基、經取代或未取代的C1至C10羰基、經取代或未取代的C2至C10烯基以及經取代或未取代的C2至C10炔基中的任一種。
如請求項1所述的各向異性導電薄膜，其中所述黏合劑樹脂包含苯氧基黏合劑、環氧樹脂以及雙酚二縮水甘油醚與雙酚茀的聚縮物。
如請求項1所述的各向異性導電薄膜，其中所述陽離子可聚合樹脂包含環脂族二環氧化物單體、三羥甲基丙烷氧環丁烷單體、雙酚A單體、環脂族單體及四官能環脂族單體。
如請求項1所述的各向異性導電薄膜，其中所述導電粒子包含金與鎳。
一種各向異性導電薄膜，包含化學式1所代表的化合物；黏合劑樹脂；陽離子可聚合樹脂；導電粒子；無機填料；以及陽離子聚合起始劑，「化學式1」 <img align="absmiddle" height="78px" width="127px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 化學式1中，R為經取代或未取代的三烷基矽基，其中就所述各向異性導電薄膜中的固體總重量而言，包含：所述黏合劑樹脂，含量範圍為10至70wt%；所述陽離子可聚合樹脂，含量範圍為1至45wt%；所述導電粒子，含量範圍為10至35wt%；以及化學式1所代表的所述化合物，含量範圍為0.1至10wt%。
如請求項9所述的各向異性導電薄膜，其中R為未取代的三甲基矽基。
如請求項9所述的各向異性導電薄膜，其中：化學式1所代表的所述化合物的含量範圍為0.3至5wt%。
如請求項9所述的各向異性導電薄膜，其中所述無機填料包含氣相二氧化矽，且其中所述陽離子聚合起始劑包含硼酸鹽。
一種顯示裝置，包含如請求項1所述的各向異性導電薄膜。
一種液晶顯示裝置，包含：第一閘極佈線，具有在第一方向延伸的區域，且具有擴寬部，在與該第一方向交叉的第二方向擴寬；半導體膜，具有位於該第一閘極佈線的該擴寬部的上方的區域，且具有電晶體的通道形成區域；源極佈線，具有與該第一閘極佈線交叉的區域，且與該半導體膜電連接；輔助佈線，具有與該源極佈線在相同方向延伸的區域，且具有與該源極佈線相同材料；像素電極，與該半導體膜電連接；以及公共電極，具有位於該像素電極的上方的區域，且透過接觸孔與該輔助佈線電連接；該像素電極不包含開口圖案；該公共電極包含複數個開口圖案，該複數個開口圖案從俯視圖來看具有與該像素電極重疊的區域；該像素電極以及該公共電極分別包含銦錫氧化物；該源極佈線以及該輔助佈線分別包含疊層結構，該疊層結構包含：第一層，包含鉬；第二層，包含鉬；以及第三層，包含鋁，且具有位於該第一層與該第二層之間的區域；該接觸孔設置於絕緣膜，該絕緣膜從剖面圖來看具有位於該公共電極與該輔助佈線之間的區域。
一種液晶顯示裝置，包含：第一閘極佈線，具有在第一方向延伸的區域，且具有擴寬部，在與該第一方向交叉的第二方向擴寬；半導體膜，具有位於該第一閘極佈線的該擴寬部的上方的區域，且具有電晶體的通道形成區域；源極佈線，具有與該第一閘極佈線交叉的區域，且與該半導體膜電連接；輔助佈線，具有與該源極佈線在相同方向延伸的區域，且具有與該源極佈線相同材料；像素電極，與該半導體膜電連接；以及公共電極，具有位於該像素電極的上方的區域，且透過接觸孔與該輔助佈線電連接；該像素電極不包含開口圖案；該公共電極包含複數個開口圖案，該複數個開口圖案從俯視圖來看具有與該像素電極重疊的區域；該像素電極以及該公共電極分別包含銦錫氧化物；該源極佈線以及該輔助佈線分別包含疊層結構，該疊層結構包含：第一層，包含鉬；第二層，包含鉬；以及第三層，包含鋁，且具有位於該第一層與該第二層之間的區域；該接觸孔設置於絕緣膜，該絕緣膜從剖面圖來看具有位於該公共電極與該輔助佈線之間的區域；從俯視圖來看，該公共電極具有位於該像素電極的外側的區域。
一種液晶顯示裝置，包含：第一閘極佈線，具有在第一方向延伸的區域，且具有擴寬部，在與該第一方向交叉的第二方向擴寬；半導體膜，具有位於該第一閘極佈線的該擴寬部的上方的區域，且具有電晶體的通道形成區域；源極佈線，具有與該第一閘極佈線交叉的區域，且與該半導體膜電連接；輔助佈線，具有與該源極佈線在相同方向延伸的區域，且具有與該源極佈線相同材料；像素電極，與該半導體膜電連接；以及公共電極，具有位於該像素電極的上方的區域，且透過接觸孔與該輔助佈線電連接；該像素電極不包含開口圖案；該公共電極包含複數個開口圖案，該複數個開口圖案從俯視圖來看具有與該像素電極重疊的區域；該像素電極以及該公共電極分別包含銦錫氧化物；該源極佈線以及該輔助佈線分別包含疊層結構，該疊層結構包含：第一層，包含鉬；第二層，包含鉬；以及第三層，包含鋁，且具有位於該第一層與該第二層之間的區域；該接觸孔設置於絕緣膜，該絕緣膜從剖面圖來看具有位於該公共電極與該輔助佈線之間的區域；從俯視圖來看，該源極佈線具有折曲部分；從俯視圖來看，至少有一個該複數個開口圖案，具有沿著該源極佈線延伸的部分、以及折曲部分。
一種液晶顯示裝置，包含：第一閘極佈線，具有在第一方向延伸的區域，且具有擴寬部，在與該第一方向交叉的第二方向擴寬；半導體膜，具有位於該第一閘極佈線的該擴寬部的上方的區域，且具有電晶體的通道形成區域；源極佈線，具有與該第一閘極佈線交叉的區域，且與該半導體膜電連接；輔助佈線，具有與該源極佈線在相同方向延伸的區域，且具有與該源極佈線相同材料；像素電極，與該半導體膜電連接；以及公共電極，具有位於該像素電極的上方的區域，且透過接觸孔與該輔助佈線電連接；該像素電極不包含開口圖案；該公共電極包含複數個開口圖案，該複數個開口圖案從俯視圖來看具有與該像素電極重疊的區域；該像素電極以及該公共電極分別包含銦錫氧化物；該源極佈線以及該輔助佈線分別包含疊層結構，該疊層結構包含：第一層，包含鉬；第二層，包含鉬；以及第三層，包含鋁，且具有位於該第一層與該第二層之間的區域；該接觸孔設置於絕緣膜，該絕緣膜從剖面圖來看具有位於該公共電極與該輔助佈線之間的區域；從俯視圖來看，該源極佈線具有折曲部分；從俯視圖來看，至少有一個該複數個開口圖案，具有沿著該源極佈線延伸的部分、以及折曲部分；該源極佈線在與該第一閘極佈線不重疊的區域具有第一佈線寬度；從俯視圖來看，至少有一個該複數個開口圖案的該第一方向的最大長度大於該第一佈線寬度。
一種液晶顯示裝置，包含：第一閘極佈線，具有在第一方向延伸的區域，且具有擴寬部，在與該第一方向交叉的第二方向擴寬；半導體膜，具有位於該第一閘極佈線的該擴寬部的上方的區域，且具有電晶體的通道形成區域；源極佈線，具有與該第一閘極佈線交叉的區域，且與該半導體膜電連接；輔助佈線，具有與該源極佈線在相同方向延伸的區域，且具有與該源極佈線相同材料；像素電極，與該半導體膜電連接；以及公共電極，具有位於該像素電極的上方的區域，且透過接觸孔與該輔助佈線電連接；該像素電極不包含開口圖案；該公共電極包含複數個開口圖案，該複數個開口圖案從俯視圖來看具有與該像素電極重疊的區域；該像素電極以及該公共電極分別包含銦錫氧化物；該源極佈線以及該輔助佈線分別包含疊層結構，該疊層結構包含：第一層，包含鉬；第二層，包含鋁；以及第三層，包含鋁，且具有位於該第一層與該第二層之間的區域；該接觸孔設置於絕緣膜，該絕緣膜從剖面圖來看具有位於該公共電極與該輔助佈線之間的區域；從俯視圖來看，該公共電極具有位於該像素電極的外側的區域；從俯視圖來看，該源極佈線具有折曲部分；從俯視圖來看，至少有一個該複數個開口圖案，具有沿著該源極佈線延伸的部分、以及折曲部分。
一種液晶顯示裝置，包含：第一閘極佈線，具有在第一方向延伸的區域，且具有擴寬部，在與該第一方向交叉的第二方向擴寬；半導體膜，具有位於該第一閘極佈線的該擴寬部的上方的區域，且具有電晶體的通道形成區域；源極佈線，具有與該第一閘極佈線交叉的區域，且與該半導體膜電連接；n型半導體膜，具有位於該半導體膜的上方以及該源極佈線的下方的區域；輔助佈線，具有與該源極佈線在相同方向延伸的區域，且具有與該源極佈線相同材料；像素電極，與該半導體膜電連接；以及公共電極，具有位於該像素電極的上方的區域，且透過接觸孔與該輔助佈線電連接；從俯視圖來看，該半導體膜的周緣與該第一閘極佈線重疊，且與該公共電極不重疊；從該電晶體的通道長度方向的剖面圖來看，該半導體膜具有從該n型半導體膜的端部突出的部分；該突出的部分包含該半導體膜的端部；該像素電極不包含開口圖案；該公共電極包含複數個開口圖案，該複數個開口圖案從俯視圖來看具有與該像素電極重疊的區域；該像素電極以及該公共電極分別包含銦錫氧化物；該源極佈線以及該輔助佈線分別包含疊層結構，該疊層結構包含：第一層，包含鉬；第二層，包含鉬；以及第三層，包含鋁，且具有位於該第一層與該第二層之間的區域；該接觸孔設置於絕緣膜，該絕緣膜從剖面圖來看具有位於該公共電極與該輔助佈線之間的區域；從俯視圖來看，該公共電極具有位於該像素電極的外側的區域；從俯視圖來看，該源極佈線具有折曲部分；從俯視圖來看，至少有一個該複數個開口圖案，具有沿著該源極佈線延伸的部分、以及折曲部分。
一種液晶顯示裝置，包含：第一閘極佈線，具有在第一方向延伸的區域，且具有擴寬部，在與該第一方向交叉的第二方向擴寬；半導體膜，具有位於該第一閘極佈線的該擴寬部的上方的區域，且具有電晶體的通道形成區域；源極佈線，具有與該第一閘極佈線交叉的區域，且與該半導體膜電連接；n型半導體膜，具有位於該半導體膜的上方以及該源極佈線的下方的區域；輔助佈線，具有與該源極佈線在相同方向延伸的區域，且具有與該源極佈線相同材料；像素電極，與該半導體膜電連接；以及公共電極，具有位於該像素電極的上方的區域，且透過接觸孔與該輔助佈線電連接；從俯視圖來看，該半導體膜的周緣與該第一閘極佈線重疊，且與該公共電極不重疊；從該電晶體的通道長度方向的剖面圖來看，該半導體膜具有從該n型半導體膜的端部突出的部分；該突出的部分包含該半導體膜的端部；該像素電極不包含開口圖案；該公共電極包含複數個開口圖案，該複數個開口圖案從俯視圖來看具有與該像素電極重疊的區域；該像素電極以及該公共電極分別包含銦錫氧化物；該源極佈線以及該輔助佈線分別包含疊層結構，該疊層結構包含：第一層，包含鉬；第二層，包含鉬；以及第三層，包含鋁，且具有位於該第一層與該第二層之間的區域；該接觸孔設置於絕緣膜，該絕緣膜從剖面圖來看具有位於該公共電極與該輔助佈線之間的區域；從俯視圖來看，該公共電極具有位於該像素電極的外側的區域；從俯視圖來看，該源極佈線具有折曲部分；從俯視圖來看，至少有一個該複數個開口圖案，具有沿著該源極佈線延伸的部分、以及折曲部分；該源極佈線在與該第一閘極佈線不重疊的區域具有第一佈線寬度；從俯視圖來看，至少有一個該複數個開口圖案的該第一方向的最大長度大於該第一佈線寬度。
一種資訊處理系統，具有藉由通訊網路而相互連接的多個資訊處理終端，並對與產品相關的資訊進行處理，所述資訊處理系統具有： <br/>第一生成單元，生成證明產品資訊的產品證明資訊，所述產品資訊是包含一個以上的表示各個所述產品的製造所涉及的各要素的產品要素資訊的資訊； <br/>第二生成單元，生成證明製造線資訊的製造線證明資訊，所述製造線資訊包含一個以上的表示所述產品的製造所涉及的構成製造線的各要素的製造要素資訊； <br/>第一對應單元，將產品識別符與藉由所述產品識別符識別的所述產品建立對應，所述產品識別符與藉由所述產品證明資訊而證明的所述產品資訊建立對應並識別各個所述產品； <br/>第二對應單元，將製造線識別符與藉由所述製造線識別符而識別的所述製造線建立對應，所述製造線識別符與藉由所述製造線證明資訊而證明的所述製造線資訊建立對應並識別各個所述製造線； <br/>第一受理單元，基於所述產品識別符來受理作為所述產品資訊的輸出要求的第一輸出要求； <br/>第二受理單元，基於所述製造線識別符來受理作為所述製造線資訊的輸出要求的第二輸出要求； <br/>第一輸出單元，輸出所述第一輸出要求所涉及的所述產品資訊的至少一部分；以及 <br/>第二輸出單元，輸出所述第二輸出要求所涉及的所述製造線資訊的至少一部分， <br/>所述產品資訊中至少包含所述製造線識別符作為所述產品要素資訊。
如請求項1所述的資訊處理系統，其中， <br/>藉由分散式賬本的方式來處理所述產品資訊、所述產品證明資訊、所述產品識別符中的至少任一個。
如請求項1所述的資訊處理系統，其中， <br/>所述產品資訊中至少包含與所述產品的製造所涉及的消耗能源相關的資訊作為所述產品要素資訊。
如請求項1所述的資訊處理系統，其中， <br/>所述製造線資訊中至少包含在所述製造線中消耗的能源的種類所涉及的資訊作為所述製造要素資訊。
如請求項1所述的資訊處理系統，更具有： <br/>第三生成單元，生成證明製造裝置資訊的製造裝置證明資訊，所述製造裝置資訊包含一個以上的構成所述製造線的各製造裝置的規格的資訊； <br/>第三對應單元，將製造裝置識別符與藉由所述製造裝置識別符而識別的所述製造裝置建立對應，所述製造裝置識別符與藉由所述製造裝置證明資訊而證明的所述製造裝置資訊建立對應並識別各個所述製造裝置； <br/>第三受理單元，基於所述製造裝置識別符來受理作為所述製造裝置資訊的輸出要求的第三輸出要求；以及 <br/>第三輸出單元，輸出所述第三輸出要求所涉及的所述製造裝置資訊的至少一部分， <br/>所述製造線資訊中至少包含所述製造裝置識別符作為所述製造要素資訊。
如請求項5所述的資訊處理系統，其中， <br/>所述製造裝置資訊中至少包含所述製造裝置的節能性能所涉及的資訊作為所述製造裝置的規格。
如請求項5所述的資訊處理系統，更具有控制單元，所述控制單元控制構成所述製造線的各製造裝置， <br/>所述控制單元在如下情況下不使作為控制對象的各所述製造裝置運轉，即：作為控制對象的所述製造裝置的規格與藉由和賦予給所述製造裝置的製造裝置識別符相關聯的所述製造裝置證明資訊而證明的內容不一致的情況、或者構成作為控制對象的所述製造裝置所屬的所述製造線的各要素與藉由和賦予給所述製造線的所述製造線識別符相關聯的所述製造線證明資訊而證明的內容不一致的情況。
如請求項1所述的資訊處理系統，更具有第四受理單元，所述第四受理單元以更新者識別符的輸入為條件，受理至少針對所述產品資訊的更新，所述更新者識別符與至少針對所述產品資訊的所述更新的權限相關聯並各別地對進行所述更新的用戶進行識別， <br/>所述第四受理單元在受理到所述更新時，將進行了所述更新的用戶的更新者識別符以及更新時刻追加至所述產品資訊中。
如請求項1所述的資訊處理系統，具有第五受理單元，所述第五受理單元受理瀏覽者識別符的輸入，所述瀏覽者識別符至少與所述產品資訊的瀏覽權限相關聯並各別地對進行瀏覽的用戶進行識別， <br/>在第五受理單元受理到所述瀏覽者識別符的輸入的情況下，所述第一輸出單元輸出能夠藉由與所述瀏覽者識別符相關聯的所述瀏覽權限而瀏覽的所述產品資訊。
一種資訊處理方法，具有藉由通訊網路而相互連接的多個資訊處理終端，並對與產品相關的資訊進行處理，所述資訊處理方法具有： <br/>第一生成步驟，生成證明產品資訊的產品證明資訊，所述產品資訊是包含一個以上的表示各個所述產品的製造所涉及的各要素的產品要素資訊的資訊； <br/>第二生成步驟，生成證明製造線資訊的製造線證明資訊，所述製造線資訊包含一個以上的表示所述產品的製造所涉及的構成製造線的各要素的製造要素資訊； <br/>第一對應步驟，將產品識別符與藉由所述產品識別符識別的所述產品建立對應，所述產品識別符與藉由所述產品證明資訊而證明的所述產品資訊建立對應並識別各個所述產品； <br/>第二對應步驟，將製造線識別符與藉由所述製造線識別符而識別的所述製造線建立對應，所述製造線識別符與藉由所述製造線證明資訊而證明的所述製造線資訊建立對應並識別各個所述製造線； <br/>第一受理步驟，基於所述產品識別符來受理作為所述產品資訊的輸出要求的第一輸出要求； <br/>第二受理步驟，基於所述製造線識別符來受理作為所述製造線資訊的輸出要求的第二輸出要求； <br/>第一輸出步驟，輸出所述第一輸出要求所涉及的所述產品資訊的至少一部分；以及 <br/>第二輸出步驟，輸出所述第二輸出要求所涉及的所述製造線資訊的至少一部分， <br/>所述產品資訊中至少包含所述製造線識別符作為所述產品要素資訊。
如請求項10所述的資訊處理方法，更具有： <br/>第三生成步驟，生成證明製造裝置資訊的製造裝置證明資訊，所述製造裝置資訊包含一個以上的構成所述製造線的各製造裝置的規格的資訊； <br/>第三對應步驟，將製造裝置識別符與藉由所述製造裝置識別符而識別的所述製造裝置建立對應，所述製造裝置識別符與藉由所述製造裝置證明資訊而證明的所述製造裝置資訊建立對應並識別各個所述製造裝置； <br/>第三受理步驟，基於所述製造裝置識別符來受理作為所述製造裝置資訊的輸出要求的第三輸出要求；以及 <br/>第三輸出步驟，輸出所述第三輸出要求所涉及的所述製造裝置資訊的至少一部分， <br/>所述製造線資訊中至少包含所述製造裝置識別符作為所述製造要素資訊。
一種影像資料傳收系統，包含： <br/>一傳送裝置，用以輸出一第一目標影像串流，其中該第一目標影像串流包含複數個第一目標影像；以及 <br/>一接收裝置，用以接收該第一目標影像串流，並對該第一目標影像串流解碼來得到複數個第二目標影像； <br/>其中該傳送裝置或該接收裝置根據該第一目標影像串流來產生一參考影像串流，該參考影像串流包含該傳送裝置產生的複數個第一參考影像或該接收裝置產生的複數個第二參考影像，該些第一參考影像的資料量小於對應的該些第一目標影像的資料量，該些第二參考影像的資料量小於對應的該些第二目標影像的資料量； <br/>其中該傳送裝置更透過該接收裝置來接收該參考影像串流。
如請求項1所述的影像資料傳收系統，其中該些第一參考影像的第一解析度小於該些第一目標影像的第二解析度，或該些第一參考影像的第一圖框率小於該些第一目標影像的第二圖框率。
如請求項1所述的影像資料傳收系統，其中該些第一參考影像包含的第一影像資訊分別少於對應的該第一目標影像包含的第二影像資訊。
如請求項3所述的影像資料傳收系統，其中該些第一參考影像為黑白影像，而該些第一目標影像為彩色影像。
如請求項1所述的影像資料傳收系統，其中該傳送裝置分別對該些第一目標影像進行影像處理來減少該些第一目標影像的該資料量以產生對應的該些第一參考影像。
如請求項1所述的影像資料傳收系統，其中該接收裝置對該第一目標影像串流進行解碼來產生複數張第二目標影像，且對該些第二目標影像進行影像處理來減少該些第二目標影像的該資料量以產生對應的第二參考影像。
如請求項1所述的影像資料傳收系統，其中該傳送裝置接收來自一影像源裝置的影像資料來產生該第一目標影像串流以及該參考影像串流，該接收裝置將該些第二目標影像傳送給一顯示裝置來讓該顯示裝置顯示該些第二目標影像。
如請求項1所述的影像資料傳收系統，其中該接收裝置廣播該參考影像串流，或是使用無線傳輸或有線傳輸來傳送該參考影像串流給該傳送裝置。
一種影像資料傳收方法，用於包含一傳送裝置以及一接收裝置的影像傳收系統，包含： <br/>(a) 以該傳送裝置輸出一第一目標影像串流，其中該第一目標影像串流包含複數個第一目標影像； <br/>(b) 以該接收裝置接收該第一目標影像串流，並對該第一目標影像串流解碼來得到複數個第二目標影像； <br/>(c) 以該傳送裝置或該接收裝置根據該第一目標影像串流來產生一參考影像串流，該參考影像串流包含複數個第一參考影像或複數個第二參考影像，該些第一參考影像和該些第二參考影像的資料量分別小於對應的該些第一目標影像的資料量；以及 <br/>(d) 使該傳送裝置透過該接收裝置來接收該參考影像串流。
如請求項9所述的影像資料傳收方法，其中該些第一參考影像的第一解析度小於該些第一目標影像的第二解析度，或該些第一參考影像的第一圖框率小於該些第一目標影像的第二圖框率。
一種記憶體裝置的製造方法，其包含以下步驟：<br/> 在一基板上方形成複數個位元線結構；<br/> 在該些位元線結構之間及上方形成一導電結構，其中該導電結構曝露該等位元線結構的一部分；<br/> 沿著該些位元線結構的複數個側壁形成包含一氣隙的一間隔物；<br/> 在該導電結構與該些位元線結構中之一者之間形成一隔離結構，其中該隔離結構包含密封該氣隙的一第一絕緣材料層及位於該第一絕緣材料層上方的一第二絕緣材料層，且該第一絕緣材料層及該第二絕緣材料層與該些位元線結構中之該一者接觸，其中該第二絕緣材料層由SiCO或SiCON製成；及<br/> 在該導電結構及該隔離結構上方形成一電容器結構，其中該電容器結構包含一底部電極層，且該底部電極層具有與該導電結構接觸的一水平部分，與接觸該導電結構的該水平部分的一端往上延伸的一垂直部分。
如請求項1所述之製造方法，其中沿著該些位元線結構的該些側壁形成包含該氣隙的該間隔物包含：<br/> 在形成該導電結構之前，沿著該些位元線結構的該些側壁依序形成一第一間隔物層、一犧牲間隔物層及一第二間隔物層；及<br/> 在形成該導電結構之後，去除該犧牲間隔物層。
如請求項1所述之製造方法，其中在該些位元線結構之間及上方形成該導電結構包含：<br/> 在該基板的被該些位元線結構曝露的部分中形成一第一溝槽；<br/> 在該第一溝槽中形成一第一導電層；<br/> 在該第一導電層上方形成一第二導電層；<br/> 在該第二導電層上方形成一阻障層；<br/> 形成過度填充該第一溝槽的一著陸墊材料層；及<br/> 藉由去除該阻障層的一部分、該著陸墊材料層的一部分及該些位元線結構的一部分來形成一第二溝槽。
如請求項1所述之製造方法，其中在該導電結構與該些位元線結構中之一者之間形成該隔離結構包含：<br/> 形成共形於該些位元線結構的一頂表面、該導電結構的一頂表面及一側壁的該第一絕緣材料層；<br/> 去除該第一絕緣材料層的一垂直部分，使得該第一絕緣材料層的一水平部分保留在該些位元線結構的該頂表面上，且該第一絕緣材料層的一彎曲部分保留在該導電結構與該些位元線結構中之一者之間；<br/> 形成過度填充於該導電結構與該些位元線結構中之一者之間的該第二絕緣材料層；及<br/> 執行一平坦化製程以去除該第二絕緣材料層的一多餘部分及該第一絕緣材料層的該水平部分，直至曝露該導電結構的該頂表面。
如請求項4所述之製造方法，其中在形成該第一絕緣材料層之後，對該第一絕緣材料層執行一電漿處理。
如請求項1所述之製造方法，其中在該導電結構及該隔離結構上方形成該電容器結構包含：<br/> 在該導電結構及該隔離結構上方依序形成一第一支撐層、一第一犧牲層、一第二支撐層、一第二犧牲層及一第三支撐層；<br/> 形成貫穿該第一支撐層、該第一犧牲層、該第二支撐層、該第二犧牲層及該第三支撐層且曝露該導電結構的一第三溝槽；<br/> 形成沿著該第三溝槽的該底部電極層；<br/> 去除該第一犧牲層及該第二犧牲層；<br/> 形成共形於該底部電極層、該第一支撐層、該第二支撐層及該第三支撐層的一介電層；及<br/> 將一頂部電極層填充於該介電層之間。
如請求項6所述之製造方法，其中該隔離結構的該第二絕緣材料層比該隔離結構的該第一絕緣材料層對形成該第三溝槽期間所使用的一蝕刻劑具有一更高的抗蝕刻性。
如請求項6所述之製造方法，其中該第一犧牲層及該第二犧牲層由與該隔離結構的該第二絕緣材料層不同的材料製成。
如請求項1所述之製造方法，其中該隔離結構的該第二絕緣材料層的一介電常數低於該隔離結構的該第一絕緣材料層的一介電常數。
一種記憶體裝置，其包含：<br/> 一基板；<br/> 位於該基板上方的複數個位元線結構；<br/> 沿著該些位元線結構的側壁的複數個間隔物，其中該些間隔物中之每一者包含一氣隙；<br/> 位於該些間隔物之間的一導電結構；<br/> 位於該導電結構與該些位元線結構中之一者之間的一隔離結構，其中該隔離結構包含密封該氣隙的一第一絕緣材料層及位於該第一絕緣材料層上方的一第二絕緣材料層，且該第一絕緣材料層及該第二絕緣材料層與該些位元線結構中之該一者接觸，其中該第二絕緣材料層由SiCO或SiCON製成；及<br/> 位於該導電結構及該隔離結構上方的一電容器結構，其中電容器結構包含一底部電極層，且該底部電極層具有與該導電結構接觸的一水平部分，與接觸該導電結構的該水平部分的一端往上延伸的一垂直部分。
如請求項10所述之記憶體裝置，其中該電容器結構進一步包含：<br/> 共形於該底部電極層的一介電層；及<br/> 共形於該介電層的一頂部電極層。
如請求項10所述之記憶體裝置，其中該電容器結構的該底部電極層進一步與該隔離結構的該第二絕緣材料層接觸。
如請求項10所述之記憶體裝置，其中該電容器結構及該隔離結構的該第一絕緣材料層藉由該隔離結構的該第二絕緣材料層分離。
如請求項10所述之記憶體裝置，其中該些間隔物中之每一者包含：<br/> 與該些位元線結構中之一者接觸的一第一間隔物層；及<br/> 與該導電結構接觸的一第二間隔物層，其中該第一間隔物層藉由該氣隙與該第二間隔物層分離，且該隔離結構的該第二絕緣材料層由與該第一間隔物層及該第二間隔物層不同的一材料製成。
如請求項10所述之記憶體裝置，其中該隔離結構的該第二絕緣材料層的一介電常數低於該隔離結構的該第一絕緣材料層的一介電常數。
如請求項10所述之記憶體裝置，其中該隔離結構的該第一絕緣材料層具有一凹面及一凸面，且該凹面及該凸面的一交點與該些位元線結構中之一者接觸。
如請求項10所述之記憶體裝置，其中該隔離結構的該第一絕緣材料層具有一凹面及一凸面，且該凹面及該凸面的一交點與該導電結構接觸。
如請求項10所述之記憶體裝置，其中該隔離結構的該第二絕緣材料層與該導電結構接觸。
如請求項10所述之記憶體裝置，其中該隔離結構的該第二絕緣材料層及該些間隔物藉由該隔離結構的該第一絕緣材料層分離。
一種用在開關電源中的控制晶片，所述開關電源包括變壓器和供電電容，所述控制晶片包括系統級開關和充電控制電路，其中：所述系統級開關經由所述控制晶片的系統開關汲極引腳和電流感測引腳連接在所述變壓器的一次繞組和電路參考地之間，並且包括串聯連接的耗盡型GaN電晶體和低壓電晶體，其中，所述耗盡型GaN電晶體的閘極連接到電路參考地，所述低壓電晶體的閘極作為所述系統級開關的輸入控制端用於接收用於控制所述系統級開關的導通與關斷的脈寬調變控制信號；並且所述充電控制電路經由所述控制晶片的系統開關汲極引腳和晶片電源引腳連接在所述變壓器的一次繞組和所述供電電容之間，並且包括相互串聯連接的所述耗盡型GaN電晶體、充電控制開關、以及限流電阻，且在正常工作過程中，所述脈寬調變控制信號被用作為用於控制所述充電控制開關的導通與關斷的開關控制信號，所述充電控制開關與所述系統級開關同步地導通與關斷。
如請求項1所述的控制晶片，其中，在所述控制晶片的啟動過程中，所述充電控制開關處於導通狀態。
如請求項1所述的控制晶片，其中，在所述控制晶片的啟動過程中，所述脈寬調變PWM控制信號來自於所述充電控制開關的電源就緒信號，被用作為用於控制所述充電控制開關的導通與關斷的開關控制信號。
如請求項3所述的控制晶片，其中，所述充電控制開關包括第一電晶體；及與該第一電晶體並接的第二電晶體；以及與該第二電晶體並接且與該第一電晶體串接的第三電晶體，所述第二電晶體的閘極被提供到所述低壓電晶體的閘極，作為所述充電控制開關的輸入控制端用於接收用於控制所述充電控制開關的導通與關斷的開關控制信號，並且其中：當所述第二電晶體處於關斷狀態時，所述第一電晶體和所述第三電晶體處於導通狀態；當所述第二電晶體處於導通狀態時，所述第一電晶體和所述第三電晶體處於關斷狀態。
如請求項1所述的控制晶片，其中，所述充電控制電路還包括反向隔離二極體，所述反向隔離二極體與所述耗盡型GaN電晶體、所述充電控制開關、以及所述限流電阻串聯連接。
一種開關電源，包括請求項1至5中任一項所述的控制晶片。
一種晶圓檢查裝置，其具備： <br/>照明部，其朝向藉由照射雷射而於內部形成有改質層之晶圓之上述改質層照射照明光； <br/>第1攝像部，其基於自上述照明部照射之上述照明光之反射光來拍攝上述晶圓內之上述改質層；及 <br/>透鏡切換構件，其包含複數個透鏡部及切換部，上述複數個透鏡部基於與空氣之折射率不同之上述晶圓之折射率而在上述晶圓內之複數個深度位置預先設定有互不相同之焦點位置，上述切換部於為了檢查上述晶圓而藉由上述第1攝像部拍攝上述改質層時，對上述複數個透鏡部進行切換。
如請求項1之晶圓檢查裝置，其中 <br/>上述複數個透鏡部具有互不相同之光學系統，以於上述晶圓內之上述複數個深度位置設定互不相同之上述焦點位置。
如請求項2之晶圓檢查裝置，其中 <br/>上述複數個透鏡部具有： <br/>第1透鏡部，其具有設定有上述晶圓內之上述深度位置較淺時之上述焦點位置之光學系統；及 <br/>第2透鏡部，其具有設定有上述晶圓內之上述深度位置較上述第1透鏡部之情形深時之上述焦點位置的光學系統。
如請求項1之晶圓檢查裝置，其中 <br/>上述複數個透鏡部各自之上述焦點位置係基於依上述晶圓之材料而不同之上述晶圓之折射率，對準上述晶圓內之上述複數個深度位置之各位置而設定。
如請求項1之晶圓檢查裝置，其具備： <br/>升降部，其使上述第1攝像部及上述透鏡切換構件一起升降；及 <br/>控制部，其於拍攝上述改質層時進行如下控制，即，基於上述改質層之深度位置，藉由上述切換部切換至上述複數個透鏡部中相對應之對應透鏡部，並且藉由上述升降部調整自上述晶圓之表面至上述對應透鏡部之距離。
如請求項5之晶圓檢查裝置，其進而具備 <br/>第2攝像部，該第2攝像部與上述第1攝像部分開設置，拍攝由上述晶圓內之複數個上述改質層形成之龜裂，並且倍率較使用上述複數個透鏡部中倍率最低之透鏡部利用上述第1攝像部進行拍攝時的上述第1攝像部之倍率高， <br/>上述控制部構成為基於上述第2攝像部拍攝到之圖像，檢查由上述改質層形成之上述龜裂是否適當，且 <br/>上述控制部構成為，於上述龜裂不適當之情形時，藉由上述切換部切換至與上述晶圓內之上述複數個改質層各自之上述深度位置對準的上述對應透鏡部，並且基於經由上述對應透鏡部由上述第1攝像部拍攝所得之上述改質層之圖像，對上述複數個改質層之各者進行檢查。
如請求項5之晶圓檢查裝置，其中 <br/>上述控制部構成為於拍攝上述改質層時進行如下控制，即，藉由上述切換部切換至上述複數個透鏡部各自之上述焦點位置與上述改質層之上述深度位置之差最小之透鏡部即上述對應透鏡部。
如請求項1之晶圓檢查裝置，其中 <br/>上述複數個透鏡部之各者係使倍率一致而設置。
如請求項5之晶圓檢查裝置，其中 <br/>上述切換部包含： <br/>直接驅動馬達，其構成為不經由傳遞機構而直接傳遞旋轉力，並且使上述複數個透鏡部移動；及 <br/>位置資訊檢測部，其檢測與上述複數個透鏡部各自之位置相關之資訊；且 <br/>上述控制部構成為進行如下控制，即，基於由上述位置資訊檢測部檢測出之資訊，藉由上述直接驅動馬達使上述複數個透鏡部移動。
如請求項5之晶圓檢查裝置，其進而具備 <br/>第2攝像部，該第2攝像部與上述第1攝像部分開設置，拍攝由上述晶圓內之複數個上述改質層形成之龜裂，並且倍率較使用上述複數個透鏡部中倍率最低之透鏡部利用上述第1攝像部進行拍攝時的上述第1攝像部之倍率高，且 <br/>上述控制部構成為基於藉由上述第1攝像部及上述第2攝像部之各者拍攝同一拍攝對象所得之圖像，對因上述切換部對上述複數個透鏡部之切換引起之位置誤差進行修正。
如請求項3之晶圓檢查裝置，其中 <br/>上述複數個透鏡部進而具有第3透鏡部，該第3透鏡部使上述第1攝像部之上述焦點位置與設置於上述晶圓之表面之對準標記之位置對準。
一種雷射加工裝置，其具備： <br/>雷射照射部，其藉由對設置有複數個半導體晶片之晶圓照射雷射而於上述晶圓之內部形成改質層； <br/>照明部，其朝向藉由上述雷射照射部形成之上述晶圓之上述改質層照射照明光； <br/>攝像部，其基於自上述照明部照射之上述照明光之反射光，拍攝上述晶圓內之上述改質層；及 <br/>透鏡切換構件，其包含複數個透鏡部及切換部，上述複數個透鏡部基於與空氣之折射率不同之上述晶圓之折射率而在上述晶圓內之複數個深度位置預先設定有互不相同之焦點位置，上述切換部於為了檢查上述晶圓而藉由上述攝像部拍攝上述改質層時，對上述複數個透鏡部進行切換。
一種晶圓檢查方法，其包括如下步驟： <br/>基於朝向藉由照射雷射而於內部形成有改質層之晶圓之上述改質層照射的照明光之反射光，利用攝像部拍攝上述晶圓內之上述改質層；及 <br/>基於由上述攝像部拍攝所得之上述改質層之圖像，進行上述晶圓之檢查；且 <br/>上述進行拍攝之步驟包含如下步驟，即，於拍攝上述改質層時，基於上述改質層之深度位置對複數個透鏡部進行切換，上述複數個透鏡部基於與空氣之折射率不同之上述晶圓之折射率而在上述晶圓內之複數個上述深度位置預先設定有互不相同之焦點位置。
一種行動載具點火系統，適用於一行動載具，所述行動載具點火系統包括：<br/> 一第一直流轉直流電壓轉換電路，包括一第一輸入端以及一第一輸出端，所述第一輸入端連接所述行動載具的一電池，以接收所述電池的一第一輸入電壓，所述第一直流轉直流電壓轉換電路的所述第一輸出端提供一第一控制電壓訊號，所述第一直流轉直流電壓轉換電路轉換所述第一輸入電壓為所述第一控制電壓訊號；以及<br/> 一高壓點火線圈，連接所述第一直流轉直流電壓轉換電路的所述第一輸出端，用於接收所述第一控制電壓訊號，轉換所述第一控制電壓訊號為一第一點火高壓；<br/> 其中，所述第一控制電壓訊號包括一脈寬調變訊號、一類比訊號或是一數位訊號。
如請求項1所述的行動載具點火系統，其中，所述第一直流轉直流電壓轉換電路還包括一第二輸入端，用於接收一控制訊號，當所述第一直流轉直流電壓轉換電路接收到所述控制訊號時，所述第一直流轉直流電壓轉換電路轉換所述第一輸入電壓為一第一控制電壓訊號。
如請求項2所述的行動載具點火系統，其中，所述高壓點火線圈連接一火星塞，所述高壓點火線圈還接收一電腦點火控制訊號，當所述高壓點火線圈接收到所述電腦點火控制訊號以及所述第一控制電壓訊號時，所述高壓點火線圈提供所述第一點火高壓給所述火星塞。
如請求項3所述的行動載具點火系統，其中，所述電池的所述第一輸入電壓是變動的，所述第一控制電壓訊號是可變動的，控制訊號是一油門訊號。
如請求項4所述的行動載具點火系統，其中，所述第一直流轉直流電壓轉換電路還包括一第二輸出端，提供一第二控制電壓訊號，所述第一直流轉直流電壓轉換電路的所述第二輸出端連接一燃油泵浦，所述第二控制電壓訊號被提供至所述燃油泵浦進行一啟動動作。
一種行動載具點火系統，適用於一行動載具，所述行動載具點火系統包括：<br/> 一第一直流轉直流電壓轉換電路，包括一第一輸入端以及一第一輸出端，所述第一直流轉直流電壓轉換電路的所述第一輸入端連接所述行動載具的一電池，以接收所述電池的一第一輸入電壓，所述第一直流轉直流電壓轉換電路的所述第一輸出端提供一第一控制電壓訊號；<br/> 一第二直流轉直流電壓轉換電路，包括一第一輸入端以及一第一輸出端，所述第二直流轉直流電壓轉換電路的所述第一輸入端連接所述行動載具的一電池，以接收所述電池的所述第一輸入電壓，所述第二直流轉直流電壓轉換電路的所述第一輸出端提供一第二控制電壓訊號；以及<br/> 一高壓點火線圈，連接所述第一直流轉直流電壓轉換電路的所述第一輸出端，用於接收所述第一控制電壓訊號，轉換所述第一控制電壓訊號為一第一點火高壓；<br/> 其中，所述第二直流轉直流電壓轉換電路的所述第一輸出端提供第二控制電壓訊號至一燃油泵浦以進行一啟動動作。
如請求項6所述的行動載具點火系統，其中，所述第一直流轉直流電壓轉換電路還包括一第二輸入端，用於接收一控制訊號，當所述第一直流轉直流電壓轉換電路接收到所述控制訊號以及所述第一輸入電壓時，所述第一直流轉直流電壓轉換電路轉換所述第一輸入電壓為所述第一控制電壓訊號，所述第二直流轉直流電壓轉換電路還包括一第二輸入端，用於接收所述控制訊號，當所述第二直流轉直流電壓轉換電路接收到所述控制訊號以及所述第一輸入電壓時，所述第二直流轉直流電壓轉換電路轉換所述第一輸入電壓為所述第二控制電壓訊號。
如請求項7所述的行動載具點火系統，其中，所述電池的所述第一輸入電壓是變動的，所述第一控制電壓訊號是可變動的，所述第二控制電壓訊號是可變動的，控制訊號是一油門訊號。
如請求項8所述的行動載具點火系統，其中，所述高壓點火線圈連接一火星塞，所述高壓點火線圈還接收一電腦點火控制訊號，當所述高壓點火線圈接收到電腦點火控制訊號以及所述第一控制電壓訊號時，所述高壓點火線圈提供所述第一點火高壓給所述火星塞。
一種記憶體電路，包括：<br/> 一記憶體陣列的一第一部分，包括複數個第一標稱記憶體單元，該等第一標稱記憶體單元耦接至沿著一第一橫向方向延伸的一第一位元線段；<br/> 一第一追蹤單元，沿著垂直於該第一橫向方向的一第二橫向方向被設置在該記憶體陣列的該第一部分旁邊；<br/> 該記憶體陣列的一第二部分，包括複數個第二標稱記憶體單元，該等第二標稱記憶體單元耦接至均沿著該第一橫向方向延伸的一第二位元線段和一第三位元線段，其中該第三位元線段垂直地設置在該第一位元線段上方；<br/> 一第二追蹤單元，沿著該第二橫向方向被設置在該記憶體陣列的該第二部分旁邊；<br/> 一第一追蹤電路，被配置以在該等第一標稱記憶體單元中的至少一者被選擇時，啟動該第一追蹤單元，其中該第一追蹤電路包括一第一及閘和一第一追蹤字元線，該第一追蹤字元線耦接至該第一追蹤單元的一閘極端；以及<br/> 一第二追蹤電路，被配置以在該等第二標稱記憶體單元中的至少一者被選擇時，啟動該第二追蹤單元，其中該第二追蹤電路包括一第二及閘和一第二追蹤字元線，該第二追蹤字元線耦接至該第二追蹤單元的一閘極端，<br/> 其中，該第一及閘具有一第一輸入端，被配置以接收一時脈訊號；以及<br/> 其中該第二及閘具有一第一輸入端，被配置以接收該時脈訊號。
如請求項1所述之記憶體電路，其中該第一位元線段和該第二位元線段被設置在一第一金屬化層中，並且該第三位元線段設置在該第一金屬化層之上的一第二金屬化層中，並且其中<br/> 該第一追蹤電路更包括:<br/> 一第一反及閘；以及<br/> 一第一反向器，耦接至一第一字元線，該第一字元線耦接至該等第一標稱記憶體單元的該至少一者；以及<br/> 該第二追蹤電路更包括:<br/> 一第二反及閘；以及<br/> 一第二反向器，耦接至一第二字元線，該第二字元線耦接至該等第二標稱記憶體單元的該至少一者。
如請求項2所述之記憶體電路，其中<br/> 該第一及閘具有一第二輸入端，被配置以接收一第一控制訊號，其中在該等第一標稱記憶體單元的該至少一者被選擇時，該第一控制訊號被有效化(assert)為一第一邏輯狀態，且該第一及閘將該第一追蹤字元線有效化(assert)為該第一邏輯狀態；以及<br/> 該第二及閘具有一第二輸入端，被配置以接收一第二控制訊號，其中在該等第二標稱記憶體單元的該至少一者被選擇時，該第二控制訊號被有效化(assert)為該第一邏輯狀態，且該第二及閘將該第一追蹤字元線有效化(assert)為該第一邏輯狀態。
如請求項2所述之記憶體電路，其中<br/> 該第一反及閘具有一第一輸入端，被配置以接收一第一位址訊號，及一第二輸入端，被配置以接收耦接至該第一追蹤單元之一第一追蹤位元線上的一第一訊號，其中在該等第一標稱記憶體單元的該至少一者被選擇時，該第一位址訊號被有效化(assert)為該第一邏輯狀態；以及<br/> 該第二反及閘具有一第一輸入端，被配置以接收一第二位址訊號，及一第二輸入端，被配置以接收耦接至該第二追蹤單元之一第二追蹤位元線上的一第二訊號，其中在該等第二標稱記憶體單元的該至少一者被選擇時，該第二位址訊號被有效化(assert)為該第一邏輯狀態。
如請求項2所述之記憶體電路，其中當該等第一標稱記憶體單元的該至少一者被選擇時，該第一字元線上的一第一訊號具有一第一脈衝寬度，並且當該等第二標稱記憶體單元的該至少一者被選擇時，該第二字元線上的一第二訊號具有一第二脈衝寬度，其中該第一脈衝寬度比該第二脈衝寬度窄。
一種記憶體電路，包括：<br/> 一記憶體陣列的一第一部分，包括複數個第一標稱記憶體單元；<br/> 一第一位元線，耦接至該等第一標稱記憶體單元，其中該第一位元線包括設置在一第一金屬化層中的一第一位元線段；<br/> 該記憶體陣列的一第二部分，包括複數個第二標稱記憶體單元；<br/> 一第二位元線，耦接至該等第二標稱記憶體單元，其中該第二位元線包括分別設置在該第一金屬化層和一第二金屬化層中的一第二位元線段和一第三位元線段；<br/> 一第一追蹤單元，被配置以模擬(mimic)該等第一標稱記憶體單元的每一者；<br/> 一第二追蹤單元，被配置以模擬(mimic)該等第二標稱記憶體單元的每一者；<br/> 一第一追蹤電路，被配置以在該等第一標稱記憶體單元中的至少一者被選擇時，啟動該第一追蹤單元，其中該第一追蹤電路包括一第一及閘和一第一追蹤字元線，該第一追蹤字元線耦接至該第一追蹤單元的一閘極端；以及<br/> 一第二追蹤電路，被配置以在該等第二標稱記憶體單元中的至少一者被選擇時，啟動該第二追蹤單元，其中該第二追蹤電路包括一第二及閘和一第二追蹤字元線，該第二追蹤字元線耦接至該第二追蹤單元的一閘極端，<br/> 其中，該第一及閘具有一第一輸入端，被配置以接收一時脈訊號；以及<br/> 其中，該第二及閘具有一第一輸入端，被配置以接收該時脈訊號。
如請求項6所述之記憶體電路，其中該第三位元線段垂直設置在該第一位元線段上方，並且其中<br/> 該第一追蹤電路更包括:<br/> 一第一反及閘；以及<br/> 一第一反向器，耦接至一第一字元線，該第一字元線耦接至該等第一標稱記憶體單元的該至少一者；以及<br/> 該第二追蹤電路更包括:<br/> 一第二反及閘；以及<br/> 一第二反向器，耦接至一第二字元線，該第二字元線耦接至該等第二標稱記憶體單元的該至少一者。
如請求項7所述之記憶體電路，其中<br/> 該第一及閘具有一第二輸入端，被配置以接收一第一控制訊號，其中在該等第一標稱記憶體單元的該至少一者被選擇時，該第一控制訊號被有效化(assert)為一第一邏輯狀態，且該第一及閘將該第一追蹤字元線有效化(assert)為該第一邏輯狀態；以及<br/> 該第二及閘具有一第二輸入端，被配置以接收一第二控制訊號，其中在該等第二標稱記憶體單元的該至少一者被選擇時，該第二控制訊號被有效化(assert)為該第一邏輯狀態，且該第二及閘將該第二追蹤字元線有效化(assert)為該第一邏輯狀態。
如請求項7所述之記憶體電路，其中當該等第一標稱記憶體單元的該至少一者被選擇時，該第一字元線上的一第一訊號具有一第一脈衝寬度，並且當該等第二標稱記憶體單元的該至少一者被選擇時，該第二字元線上的一第二訊號具有一第二脈衝寬度，該第一脈衝寬度比該第二脈衝寬度窄。
一種操作記憶體電路的方法，包括:<br/> 決定對一記憶體陣列之至少一標稱記憶體單元的選擇，其中該記憶體陣列包括一第一部分和一第二部分，其中該第一部分包括複數個第一標稱記憶體單元，該等第一標稱記憶體單元耦接至沿著一第一橫向方向延伸的一第一位元線段，並且該第二部分包括複數個第二標稱記憶體單元，該等第二標稱記憶體單元耦接至均沿著該第一橫向方向延伸的一第二位元線段及一第三位元線段，其中該第三位元線段垂直設置在該第一位元線段上方；<br/> 在該等第一標稱記憶體單元中的至少一者被選擇時，透過一第一追蹤電路啟動一第一追蹤單元，其中該第一追蹤單元沿著垂直於該第一橫向方向的一第二橫向方向被設置在該記憶體陣列的該第一部分旁邊，且其中該第一追蹤電路包括一第一及閘和一第一追蹤字元線，該第一追蹤字元線耦接至該第一追蹤單元的一閘極端，該第一及閘具有一第一輸入端，被配置以接收一時脈訊號；以及<br/> 在該等第二標稱記憶體單元中的至少一者被選擇時，透過一第二追蹤電路啟動一第二追蹤單元，其中該第二追蹤單元沿著該第二橫向方向被設置在該記憶體陣列的該第二部分旁邊，且其中該第二追蹤電路包括一第二及閘和一第二追蹤字元線，該第二追蹤字元線耦接至該第二追蹤單元的一閘極端，該第二及閘具有一第一輸入端，被配置以接收該時脈訊號。
如請求項10所述操作記憶體電路的方法，包括:<br/> 接收一第一控制訊號，其中在該等第一標稱記憶體單元的該至少一者被選擇時，該第一控制訊號被有效化(assert)為一第一邏輯狀態；以及<br/> 接收一第二控制訊號，其中在該等第二標稱記憶體單元的該至少一者被選擇時，該第二控制訊號被有效化(assert)為該第一邏輯狀態。
一種半導體製造裝置的清潔方法，將具有包含銦（In）的第一層的基板搬入至反應離子蝕刻裝置的腔室中，所述反應離子蝕刻裝置包括包含頂板及側壁的所述腔室、與設於所述腔室中且保持基板的支架， 將所述基板載置於所述支架上， 在將所述基板載置於所述支架上之後，進行對所述第一層進行蝕刻的蝕刻處理， 在進行所述蝕刻處理之後，將所述基板搬出至所述腔室之外， 在將所述基板搬出至所述腔室之外後，開始向所述腔室中供給包含氧（O）的第一氣體， 開始對所述支架或所述頂板施加第一高頻電力，在所述腔室中生成氧電漿， 在開始施加所述第一高頻電力以在所述腔室中生成所述氧電漿之後，停止施加所述第一高頻電力，其中在開始施加所述第一高頻電力與停止施加所述第一高頻電力之間，對所述頂板施加第二高頻電力，從而對碰撞至所述頂板的所述氧電漿中的離子的能量進行控制， 在開始供給所述第一氣體，並且在開始施加所述第一高頻電力以在所述腔室中生成所述氧電漿之後，停止供給所述第一氣體， 在停止供給所述第一氣體之後，開始向所述腔室中供給包含二酮或烴的第二氣體， 在開始供給所述第二氣體之後，停止供給所述第二氣體。
如請求項1所述的半導體製造裝置的清潔方法，其中所述第二高頻電力的振盪頻率低於所述第一高頻電力的振盪頻率。
如請求項1所述的半導體製造裝置的清潔方法，其中在停止了供給所述第二氣體之後，對所述頂板進行冷卻。
如請求項1所述的半導體製造裝置的清潔方法，其中在開始供給所述第二氣體與停止供給所述第二氣體之間，對所述側壁進行加熱。
如請求項1所述的半導體製造裝置的清潔方法，其中所述二酮為β-二酮。
如請求項1所述的半導體製造裝置的清潔方法，其中在開始了供給所述第二氣體之後，停止所述第一高頻電力的施加以及所述第二高頻電力的施加。
如請求項1所述的半導體製造裝置的清潔方法，其中藉由所述氧電漿，使附著於所述頂板的包含銦（In）的副生成物氧化。
如請求項1所述的半導體製造裝置的清潔方法，其中藉由所述第二氣體，生成包含銦（In）的金屬錯合物。
如請求項1所述的半導體製造裝置的清潔方法，其中藉由對所述頂板施加所述第二高頻電力，從而對所述頂板進行加熱。
如請求項1所述的半導體製造裝置的清潔方法，其中 在停止了供給所述第二氣體之後， 開始向所述腔室中供給包含氧（O）的第三氣體， 開始對所述支架或所述頂板施加第三高頻電力，使所述腔室中產生氧電漿， 在開始施加所述第三高頻電力以在所述腔室中生成所述氧電漿之後，停止施加所述第三高頻電力， 在開始供給所述第三氣體並且開始施加所述第三高頻電力以在所述腔室中生成所述氧電漿之後，停止供給所述第三氣體， 在停止供給所述第三氣體之後，開始向所述腔室中供給包含二酮或烴的第四氣體， 在開始供給所述第四氣體之後，停止供給所述第四氣體。
一種測試系統，用以修整一熔絲，包括：<br/> 一探針卡，包括電性連接於上述熔絲之兩端之一第一探針以及一第二探針，其中上述探針卡更包括：<br/> 一驅動電路，基於一控制信號，將一通道數量之測試通道電性連接至上述第一探針且將一接地端電性連接至上述第二探針，藉以產生一修整電流修整上述熔絲；以及<br/> 一記憶體單元，用以儲存一狀態信號；以及<br/> 一測試機台，執行一測試程序而讀取上述狀態信號與提供上述測試通道以及上述接地端，且基於上述狀態信號而產生上述控制信號；<br/> 其中當上述測試機台判斷上述熔絲並未修整成功時，上述測試機台調整上述狀態信號而增加上述修整電流；<br/> 其中上述狀態信號包括一測試狀態、上述通道數量以及一通道電流；<br/> 其中當上述熔絲修整失敗時，上述測試機台將上述測試狀態設為一失敗狀態。
如請求項1之測試系統，<br/> 其中：<br/> 上述測試機台基於上述通道電流，設定上述通道數量之測試通道之每一者的最大輸出電流；以及<br/> 當上述測試狀態為上述失敗狀態時，上述測試機台調整上述通道數量及/或上述通道電流，而增加上述修整電流。
如請求項2之測試系統，其中上述測試程序包括以下步驟：<br/> 讀取上述記憶體單元之上述狀態信號；<br/> 判斷上述測試狀態是否為上述失敗狀態；<br/> 當上述測試狀態並非為上述失敗狀態時，將上述通道數量以及上述通道電流分別設為一預設數量以及一預設電流；<br/> 基於上述預設數量以及上述預設電流，產生上述修整電流；以及<br/> 將上述第一探針以及上述第二探針電性連接至上述熔絲之兩端，且以上述修整電流修整上述熔絲。
如請求項3之測試系統，其中上述測試程序更包括以下步驟：<br/> 當上述測試狀態係為上述失敗狀態時，基於上述記憶體單元所儲存之上述通道數量以及上述通道電流產生上述修整電流；<br/> 其中上述修整電流係為上述通道數量之測試通道的最大輸出電流之總和。
如請求項3之測試系統，其中上述測試程序更包括以下步驟：<br/> 在上述將上述第一探針以及上述第二探針電性連接至上述熔絲之兩端且以上述修整電流修整上述熔絲之步驟後，判斷上述熔絲是否修整成功；<br/> 當判斷上述熔絲修整不成功時，增加上述通道數量及/或上述通道電流以增加上述修整電流，並將增加之上述通道數量及/或上述通道電流儲存於上述記憶體單元；<br/> 基於增加之上述通道數量以及上述通道電流，再次執行上述將上述第一探針以及上述第二探針電性連接至上述熔絲之兩端且以上述修整電流修整上述熔絲之步驟；以及<br/> 當判斷修整上述熔絲成功時，基於上述記憶體單元之上述通道數量及/或上述通道電流，修整另一熔絲。
一種測試方法，用以修整一熔絲，其中上述測試方法包括：<br/> 讀取一狀態信號；<br/> 基於上述狀態信號，設定一修整電流；<br/> 將一第一探針以及一第二探針電性連接於上述熔絲之兩端，且利用上述修整電流修整上述熔絲；<br/> 判斷上述熔絲是否修整成功；以及<br/> 當上述熔絲修整不成功時，增加上述修整電流且再次修整上述熔絲；<br/> 其中上述狀態信號包括一測試狀態、一通道數量以及一通道電流；<br/> 其中上述測試方法更包括：<br/> 當上述熔絲修整不成功時，將上述測試狀態設為一失敗狀態；<br/> 其中當上述測試狀態為上述失敗狀態時，上述測試狀態持續為上述失敗狀態。
如請求項6之測試方法，其中上述基於上述狀態信號設定上述修整電流之步驟更包括：<br/> 判斷上述測試狀態是否為上述失敗狀態；<br/> 當上述測試狀態係為上述失敗狀態時，基於上述通道數量以及上述通道電流產生上述修整電流；<br/> 當上述測試狀態並非為上述失敗狀態時，將上述通道數量以及上述通道電流分別設為一預設數量以及一預設電流；以及<br/> 基於上述預設數量以及上述預設電流，產生上述修整電流。
如請求項7之測試方法，其中上述基於上述通道數量以及上述通道電流產生上述修整電流之步驟更包括：<br/> 將上述通道數量之測試通道電性連接至上述第一探針且將一接地端電性連接至上述第二探針；以及<br/> 基於上述通道電流，設定上述通道數量之測試通道之每一者的最大輸出電流；<br/> 其中上述修整電流係為上述通道數量之測試通道的輸出電流之總和。
如請求項6之測試方法，其中上述增加上述修整電流且再次修整上述熔絲之步驟更包括：<br/> 增加上述通道數量及/或上述通道電流以增加上述修整電流；以及<br/> 利用增加之上述修整電流再次修整上述熔絲；<br/> 其中上述測試方法更包括：<br/> 當上述熔絲修整成功時，利用增加之上述修整電流修整下一熔絲。
一種電路測試系統，包含：<br/> 一第一測試電路，包含一第一輸出端，該第一輸出端耦接一第一目標電路的一第一掃瞄控制端，該第一測試電路用以接收一測試模式訊號以及一掃瞄致能訊號，並根據該測試模式訊號以及該掃瞄致能訊號產生一第一控制訊號；<br/> 其中該第一目標電路根據該第一控制訊號而運作在一通常模式、一掃瞄移位模式以及一掃瞄捕獲模式其中之一；<br/> 其中該第一目標電路包含至少一測試端，該第一目標電路在該通常模式下正常執行其擁有的功能；<br/> 其中在該掃瞄移位模式下該第一目標電路的該測試端接收一測試圖樣；<br/> 其中在該掃瞄捕獲模式下該第一目標電路的該測試端未接收該測試圖樣但可接收其他的測試訊號；<br/> 其中若該測試模式訊號以及該掃瞄致能訊號均為第一邏輯值，該第一目標電路運作在該通常模式，若該測試模式訊號以及該掃瞄致能訊號均為第二邏輯值，該第一目標電路運作在該掃瞄移位模式，若該測試模式訊號為該第二邏輯值而該掃瞄致能訊號為該第一邏輯值，該第一目標電路運作在該掃瞄捕獲模式。
如請求項1所述的電路測試系統，<br/> 其中該第一測試電路包含：<br/> 一第一多工器，具有該第一輸出端，該第一多工器的一第一輸入端接收該掃瞄致能訊號，該第一多工器的一選擇輸入端接收該測試模式訊號；以及<br/> 一第一或閘，其輸出耦接該第一多工器的一第二輸入端，該第一或閘的一第一輸入端接收一第一可控值，該第一或閘的一第二輸入端接收該掃瞄致能訊號。
如請求項1所述的電路測試系統，其中該第一目標電路為一第一暫存器，該電路測試系統更包含：<br/> 一第二測試電路，包含耦接一ICG (integrated clock gating, 時脈閘控)電路的一第二輸出端，該第二輸出端耦接該ICG電路的一第二掃瞄控制端，該第二測試電路用以接收該測試模式訊號以及該掃瞄致能訊號，並根據該測試模式訊號以及該掃瞄致能訊號產生一第二控制訊號；<br/> 其中該ICG電路根據該第二控制訊號而運作在該通常模式、該掃瞄移位模式以及該掃瞄捕獲模式其中之一。
如請求項3所述的電路測試系統，更包含一第三輸出端，該第三輸出端接收該掃瞄致能訊號並將該掃瞄致能訊號傳送到一電路。
如請求項1所述的電路測試系統，更包含：<br/> 一第二測試電路，包含耦接一第二目標電路的一第二輸出端，該第二輸出端耦接該第二目標電路的一第二掃瞄控制端，該第二測試電路用以接收該測試模式訊號以及該掃瞄致能訊號，並根據該測試模式訊號以及該掃瞄致能訊號產生一第二控制訊號；<br/> 其中該第二目標電路根據該第二控制訊號而運作在該通常模式、該掃瞄移位模式以及該掃瞄捕獲模式其中之一；<br/> 其中該第一測試電路包含：<br/> 一第一多工器，具有該第一輸出端，該第一多工器的一第一輸入端接收該掃瞄致能訊，該第一多工器的一選擇輸入端接收該測試模式訊號；以及<br/> 一第一或閘，其輸出耦接該第一多工器的一第二輸入端，該第一或閘的一第一輸入端接收一第一可控值，該第一或閘的一第二輸入端接收該掃瞄致能訊號；<br/> 其中該第二測試電路包含：<br/> 一第二多工器，具有該第二輸出端，該第二多工器的一第一輸入端接收該掃瞄致能訊號，該第二多工器的一選擇輸入端接收該測試模式訊號；以及<br/> 一第二或閘，其輸出耦接該第二多工器的一第二輸入端，該第二或閘的一第一輸入端接收一第二可控值，該第二或閘的一第二輸入端接收該掃瞄致能訊號。
如請求項5所述的電路測試系統，其中該第一目標電路為一第一暫存器，該第一可控值由一第二暫存器產生，且該第二可控值由一第三暫存器產生。
如請求項6所述的電路測試系統，其中該第一暫存器、該第二暫存器以及該第三暫存器運作在該掃瞄移位模式時，該第一暫存器、該第二暫存器以及該第三暫存器為串聯，該測試圖樣由該第三暫存器接收並逐級的傳送給該第一暫存器以及該第二暫存器。
一種電路測試方法，包含：<br/> 以一第一測試電路接收一測試模式訊號以及一掃瞄致能訊號，並根據該測試模式訊號以及該掃瞄致能訊號產生一第一控制訊號；<br/> 以一第一目標電路的一第一掃瞄控制端接收該第一控制訊號，並根據該第一控制訊號而運作在一通常模式、一掃瞄移位模式以及一掃瞄捕獲模式其中之一；<br/> 該第一目標電路包含至少一測試端，該第一目標電路在該通常模式下正常執行其擁有的功能；<br/> 該電路測試方法更包含：<br/> 該掃瞄移位模式下該第一目標電路的該測試端接收一測試圖樣；<br/> 該掃瞄捕獲模式下該第一目標電路的該測試端未接收該測試圖樣但可接收其他的測試訊號；<br/> 若該測試模式訊號以及該掃瞄致能訊號均為第一邏輯值，該第一目標電路運作在該通常模式，若該測試模式訊號以及該掃瞄致能訊號均為第二邏輯值，該第一目標電路運作在該掃瞄移位模式，若該測試模式訊號為該第二邏輯值而該掃瞄致能訊號為該第一邏輯值，該第一目標電路運作在該掃瞄捕獲模式。
一種多重觸感回饋組件，適用於一電子裝置，該多重觸感回饋組件包括： <br/>一薄膜形變元件，具有一第一彈性層、一第二彈性層以及一增益層，該增益層配置於該第一彈性層與該第二彈性層之間且形成一通道，用以容納一流體；以及 <br/>一薄膜振動元件，連接於該薄膜形變元件，具有一壓電層以及多個觸感結構，該些觸感結構配置在該壓電層的一側面；以及 <br/>一電源模組，耦接該薄膜形變元件與該薄膜振動元件， <br/>其中，當該電源模組供應電能至該薄膜形變元件時，該第一彈性層產生變形以推動該流體及該第二彈性層， <br/>其中，當該電源模組供應電能至該薄膜振動元件時，該壓電層產生振動。
如請求項1所述的多重觸感回饋組件，其中該薄膜形變元件具有一第一金屬層、一第二金屬層以及一絕緣層，該第一金屬層配置於該第一彈性層且遠離該增益層，該第二金屬層配置在該增益層朝向該第一彈性層的一內壁面上，該絕緣層覆蓋於該第二金屬層。
如請求項1所述的多重觸感回饋組件，其中該薄膜形變元件具有一第一金屬層、一第二金屬層、一第一磁性塊以及一第二磁性塊，該第一金屬層配置於該第一彈性層且遠離該增益層，該第二金屬層配置在該增益層與該第一彈性層之間，且該第一金屬層與該第二金屬層部分重疊，該第一磁性塊配置在該第二金屬層，該第二磁性塊配置在該第二彈性層且對位該第一磁性塊。
如請求項1所述的多重觸感回饋組件，其中該薄膜形變元件具有一絕緣層、一第一金屬層、一第二金屬層以及兩指叉狀電極，該絕緣層配置在該增益層相對於該第一彈性層的一側，該第一金屬層及該第二金屬層分別配置在該第二彈性層的相對兩側，該第一金屬層接觸該絕緣層，該兩指叉狀電極位於該通道中且相互間隔。
如請求項1所述的多重觸感回饋組件，其中該薄膜振動元件具有一第三金屬層、一第四金屬層、一阻隔層以及一支撐層，該第三金屬層及該第四金屬層分別配置在該壓電層對向兩側面，該阻隔層覆蓋該第四金屬層，該些觸感結構陣列分佈於該阻隔層，該支撐層配置在該第三金屬層。
如請求項5所述的多重觸感回饋組件，其中該薄膜振動元件具有一穿孔，該些觸感結構環繞在該穿孔外，該支撐層連接該第二彈性層，且該第二彈性層在形變後部分進入該穿孔。
如請求項5所述的多重觸感回饋組件，其中該些觸感結構採用方柱、塔形、圓柱或上述的組合。
如請求項5所述的多重觸感回饋組件，其中該薄膜振動元件具有一穿孔，該薄膜形變元件的該第一彈性層配置於該阻隔層且覆蓋該穿孔，該些觸感結構環繞在該薄膜形變元件外且齊平於該第二彈性層。
如請求項5所述的多重觸感回饋組件，其中該支撐層環繞設置在該第三金屬層的邊緣。
如請求項5所述的多重觸感回饋組件，其中該支撐層設置該第三金屬層的兩對向邊緣。
如請求項5所述的多重觸感回饋組件，還包括一輔助層，設置在該第三金屬層的中央處且圍繞該薄膜振動元件的一穿孔，該支撐層環繞設置在該第三金屬層的邊緣。
如請求項1所述的多重觸感回饋組件，其中該通道具有一底開口及一頂開口，該底開口的寬度自該第一彈性層朝該第二彈性層漸減，該頂開口連通該底開口且部分顯露該第二彈性層，該頂開口的面積與該底開口的面積的比值小於等於一。
如請求項12所述的多重觸感回饋組件，其中該頂開口採用方形、圓形、方形陣列或圓形陣列。
如請求項5所述的多重觸感回饋組件，還包括一外接電源，耦接該薄膜振動元件的該第四金屬層或一第五金屬層，當供電至該第四金屬層或該第五金屬層時，該些觸感結構產生正電荷。
如請求項14所述的多重觸感回饋組件，其中該外接電源與該電源模組為共用該第四金屬層，該薄膜振動元件適於同步產生正電荷與產生振動。
如請求項1所述的多重觸感回饋組件，還包括一感測模組以及一控制模組，該感測模組耦接該薄膜振動元件，該控制模組耦接該感測模組與該薄膜形變元件，該感測模組適於偵測該薄膜振動元件的外力並透過該控制模組控制該薄膜形變元件產生變形。
如請求項1所述的多重觸感回饋組件，其中該流體採用空氣、水、矽油或焦油。
一種薄膜形變元件，適用於一電子裝置，該薄膜形變元件包括： <br/>第一彈性層、一第二彈性層以及一增益層，該增益層配置於該第一彈性層與該第二彈性層之間且形成一通道，用以容納一流體，以及； <br/>一第一金屬層、一第二金屬層以及一絕緣層，該第一金屬層配置於該第一彈性層且遠離該增益層，該第二金屬層配置在該增益層朝向該第一彈性層的一內壁面上，該絕緣層覆蓋於該第二金屬層， <br/>其中該通道具有一底開口及一頂開口，該底開口的寬度自該第一彈性層朝該第二彈性層漸減，該頂開口連通該底開口且部分顯露該第二彈性層，該頂開口的面積與該底開口的面積的比值小於等於一， <br/>其中該第一金屬層與該第二金屬層受到靜電吸引力，該第一彈性層產生變形以推動該流體及該第二彈性層。
如請求項18所述的薄膜形變元件，其中該底開口的內側呈現為階梯狀表面。
如請求項18所述的薄膜形變元件，其中該底開口的內側具有一垂直面、一傾斜面以及一水平面，該垂直面正交於該第一彈性層，該傾斜面延伸於該垂直面的頂端，該水平面延伸於該傾斜面的頂端且平行於該第一彈性層。
一種電泳介質，其包含複數個第一型式的帶電荷粒子及非極性液體，該複數個第一型式的帶電荷粒子每個具有核芯及外殼，<br/> 該核芯包含具有表面之第一型式的有機顏料、包含氧化石墨烯的氧化石墨烯層，該氧化石墨烯層係與該第一型式的有機顏料之表面接觸；<br/> 該外殼包含有機矽烷層及聚合物層，該有機矽烷層包含有機矽烷及該聚合物層包含聚合物，該外殼之該有機矽烷層的該有機矽烷係共價鍵結至該聚合物層的該聚合物。
如請求項1之電泳介質，其更包括包含金屬氧化物的金屬氧化物層，該金屬氧化物層係配置在該氧化石墨烯層與該有機矽烷層間。
如請求項2之電泳介質，其中該金屬氧化物層包含氧化鋁、二氧化矽、二氧化鈦、氧化鋯、氧化鋅或其混合物。
如請求項2之電泳介質，其中該第一型式的帶電荷粒子之該金屬氧化物層的該金屬氧化物係藉由金屬氧化物前驅物與試劑之反應而形成在該氧化石墨烯層上，該試劑與該金屬氧化物前驅物反應以形成該金屬氧化物層的該金屬氧化物，其中該金屬氧化物層的該金屬氧化物係與該氧化石墨烯層的該氧化石墨烯接觸，其中該金屬氧化物前驅物係選自於由下列所組成之群組：三甲基鋁、三乙基鋁、氯化二甲基鋁、氯化二乙基鋁、三甲氧基鋁、三乙氧基鋁、丙氧化二甲基鋁、三異丙氧化鋁、三丁氧基鋁、三(二甲基胺基)鋁、三(二乙基胺基)鋁、三(丙基胺基)鋁、三氯化鋁、三氯矽烷、六氯二矽烷、四氯化矽、四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、三(三級戊氧基)矽烷醇、四異氰酸酯矽烷、四氯化矽、三(甲基胺基)矽烷、三(乙基胺基)矽烷、四氯化鈦、四碘化鈦、四甲氧基鈦、四乙氧基鈦、異丙氧化鈦、四(甲基胺基)鈦、四(乙基胺基)鈦、二甲基鋅、二乙基鋅、異丙氧化甲基鋅、四氯化鋯、四碘化鋯、四甲氧基鋯、四乙氧基鋯、四異丙氧基鋯、四丁氧基鋯、四(甲基胺基)鋯、四(乙基胺基)鋯及其混合物，其中該試劑係選自於由水、氧、臭氧、氨及其混合物所組成之群組，及其中該有機矽烷層的該有機矽烷係共價鍵結至該金屬氧化物層的該金屬氧化物。
如請求項2之電泳介質，其中該有機矽烷層係由有機矽烷試劑形成，其中該有機矽烷試劑包含第一官能基，該有機矽烷試劑的該第一官能基與該金屬氧化物層的該金屬氧化物反應，以在該有機矽烷層的該有機矽烷與該第一型式的帶電荷粒子之該金屬氧化物層的該金屬氧化物間形成共價鍵。
如請求項5之電泳介質，其中該有機矽烷試劑的該第一官能基係選自於由烷氧基、烷基胺基、鹵化物、氫及羥基所組成之群組。
如請求項1之電泳介質，其中該聚合物層的該聚合物係由巨分子單體或由單體之聚合而形成。
如請求項7之電泳介質，其中該有機矽烷層係由有機矽烷試劑形成，其中該有機矽烷試劑包含第二官能基，其中該巨分子單體或該單體包含第三官能基，及其中該第二官能基與該第三官能基反應，以在該第一型式的帶電荷粒子之該有機矽烷層的該有機矽烷與該聚合物層的該聚合物間形成共價鍵。
如請求項8之電泳介質，其中該有機矽烷試劑的該第二官能基係選自於由下列所組成之群組：環氧基、乙烯基、乙烯基苄基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、甲基丙烯醯氧基烷基、胺基、羥基、羧基、烷氧基及氯化物。
如請求項8之電泳介質，其中該單體或巨分子單體的該第三官能基係選自於由下列所組成之群組：乙烯基、乙烯基苄基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、甲基丙烯醯氧基烷基、環氧基、胺基、羥基、羧基及氯化物。
如請求項8之電泳介質，其中該有機矽烷試劑的該第二官能基係乙烯基，及該巨分子單體或單體的第三官能基係乙烯基苄基。
如請求項1之電泳介質，其更包含複數個第二型式的帶電荷粒子、複數個第三型式的帶電荷粒子及複數個第四型式的帶電荷粒子。
如請求項12之電泳介質，其中該複數個第二型式的帶電荷粒子每個包含第二型式的有機顏料；該複數個第三型式的帶電荷粒子每個包含第三型式的有機顏料；及該複數個第四型式的帶電荷粒子每個包含無機顏料。
如請求項1之電泳介質，其中該第一型式的有機顏料係選自於由下列所組成之群組：偶氮顏料、酞花青顏料、喹吖酮顏料、苝顏料、二酮吡咯并吡咯顏料、苯并咪唑酮顏料、異吲哚啉顏料、蒽酮顏料、陰丹酮顏料、碳黑顏料、若丹明顏料、苄胺顏料、碳黑顏料及其中的混合物。
如請求項13之電泳介質，其中該第一型式的有機顏料、該第二型式的有機顏料及該第三型式的有機顏料係各自獨立地選自於由下列所組成之群組：C.I.顏料藍15、15：1、15：2、15：3、15：4、15：6、60及79；顏料紅2、4、5、9、12、14、38、48：2、48：3、48：4、52：2、53：1、57：1、81、112、122、144、146、147、149、168、170、176、177、179、184、185、187、188、208、209、210、214、242、254、255、257、262、264、282及285；C.I.顏料紫1、19、23及32；，C.I.顏料黃1、3、12、13、14、15、16、17、73、74、81、83、97、109、110、111、120、126、127、137、138、139、150、151、154、155、174、175、176、180、181、184、191、194、213及214；C.I.顏料綠7及36；C.I.顏料黑1及7；C.I.顏料棕25、32、41；顏料橙5、13、34、36、38、43、61、62、64、68、67、72、73及74；及其混合物。
一種電泳裝置，其包括：<br/> 第一光透射電極層；<br/> 包含如請求項1之電泳介質的光電材料層；及<br/> 第二電極層。
如請求項16之電泳裝置，其中該光電材料層的電泳介質係囊封在複數個微膠囊中或在複數個微胞中。
一種電泳組合件，其依序包括：<br/> 第一光透射電極層；<br/> 包含如請求項1之電泳介質的光電材料層；<br/> 黏著層；及<br/> 脫模薄片。
一種電泳組合件，其依序包括：<br/> 第一脫模薄片；<br/> 第一黏著層；<br/> 包含如請求項1之電泳介質的光電材料層；<br/> 第二黏著層；及<br/> 第二脫模薄片。
一種包含非極性液體及第一型式的帶電荷粒子之電泳介質的製造方法，該第一型式的帶電荷粒子具有核芯及外殼，該製造方法包含下列步驟：<br/> 提供氧化石墨烯；<br/> 將該氧化石墨烯分散進極性有機溶劑中，以製得氧化石墨烯分散液；<br/> 將有機顏料加入該氧化石墨烯分散液中，以製備有機顏料-氧化石墨烯分散液；<br/> 混合該有機顏料-氧化石墨烯分散液，以製備在該極性有機溶劑中的有機顏料-氧化石墨烯複合物；<br/> 將金屬氧化物前驅物及試劑加入在該極性有機溶劑中的該有機顏料-氧化石墨烯複合物，以製備包含具有金屬氧化物層的有機顏料-氧化石墨烯複合物之粒子的分散液，該金屬氧化物層包含金屬氧化物；<br/> 將有機矽烷試劑加入包含具有該金屬氧化物層的該有機顏料-氧化石墨烯複合物之粒子的該分散液中，以製備包含具有該金屬氧化物層及有機矽烷層的該有機顏料-氧化石墨烯複合物之粒子的分散液，該有機矽烷層具有有機矽烷，其中該有機矽烷係共價鍵結至該金屬氧化物；<br/> 分離該包含具有該金屬氧化物層及有機矽烷層的該有機顏料-氧化石墨烯複合物之粒子與該極性有機溶劑；<br/> 以溶劑洗滌該包含具有該金屬氧化物層及該有機矽烷層的該有機顏料-氧化石墨烯複合物之粒子；<br/> 將該包含具有該金屬氧化物層及該有機矽烷層的該有機顏料-氧化石墨烯複合物之經清洗的粒子移至非極性液體中，以製備在該非極性液體中包含具有該金屬氧化物層及該有機矽烷層的該有機顏料-氧化石墨烯複合物之粒子的分散液；<br/> 將單體或巨分子單體加入在該非極性液體中包含具有該金屬氧化物層及該有機矽烷層的該有機顏料-氧化石墨烯複合物之粒子的該分散液中；及<br/> 聚合該單體，或使該巨分子單體與該包含具有該金屬氧化物層及該有機矽烷層的該有機顏料-氧化石墨烯複合物之粒子的該有機矽烷層之該有機矽烷進行反應，以製備在該非極性液體中包含該第一型式的帶電荷粒子之分散液，該第一型式的帶電荷粒子每個包含具有該金屬氧化物層、該有機矽烷層及聚合物層的該有機顏料-氧化石墨烯複合物，該聚合物層包含聚合物，該聚合物係共價鍵結至該有機矽烷層的該有機矽烷。
一種曝光設備，包含：<br/> 一光源，配置以發出一光線；<br/> 一光傳輸組件，配置以接收與導引該光源發出的該光線；<br/> 一光收集模組，配置接收該光傳輸組件導引的該光線，以集中該光線；<br/> 一均勻性校正模組，配置以接收該光收集模組集中的該光線，以提高該光線的均勻性，其中該均勻性校正模組包含：<br/> 一葉形繞射式光學元件，其中該葉形繞射式光學元件具有至少一葉形開口與朝向該光收集模組的一凹面，且該葉形開口沿該葉形繞射式光學元件的徑向設置；以及<br/> 一光罩，配置以對一半導體基板曝光；以及<br/> 一載台，配置以放置該半導體基板。
如請求項1所述之曝光設備，其中該光罩更包括：<br/> 一澤爾尼克光學結構，堆疊於該葉形繞射式光學元件上，使該葉形繞射式光學元件位於該澤爾尼克光學結構與該光收集模組之間。
如請求項1所述之曝光設備，其中該光罩配置以產生通過該均勻性校正模組的該光線的繞射光。
如請求項1所述之曝光設備，其中該葉形繞射式光學元件的該凹面符合徑向基底函數。
如請求項1所述之曝光設備，其中該葉形繞射式光學元件之俯視圖形為圓形。
如請求項1所述之曝光設備，其中該光源包含至少一雷射光源。
如請求項1所述之曝光設備，更包含：<br/> 一定位偵測器，位於該載台上且配置以定位該半導體基板。
一種曝光設備的操作方法，包含：<br/> 在一載台上放置一半導體基板；<br/> 使用一光源對一光傳輸組件發出一光線；<br/> 使用一光收集模組集中該光線；<br/> 使用一均勻性校正模組提高該光線的均勻性，其中該均勻性校正模組包含一葉形繞射式光學元件，其中該葉形繞射式光學元件具有至少一葉形開口與朝向該光收集模組的一凹面，且該葉形開口沿該葉形繞射式光學元件的徑向設置；<br/> 使用一光罩以產生該光線的繞射光；以及<br/> 使用一投影透鏡系統使該光線對該半導體基板曝光。
如請求項8所述之曝光設備的操作方法，更包含：<br/> 使用該載台上的一定位偵測器定位該半導體基板。
一種形成一半導體裝置的方法，該方法包含以下步驟：<br/> 形成一第一結構，其中形成該第一結構之步驟包含以下步驟：<br/> 在一基板上方形成一金屬層；<br/> 在該金屬層上方形成一介電層；<br/> 在該介電層中蝕刻一溝道，其中該溝道從該介電層的一頂表面向下延伸到至少該金屬層的一頂表面；<br/> 利用一含銅材料填充該溝道；以及<br/> 在該第一結構上選擇性沉積一介電膜，該介電膜覆蓋該介電層，而並未覆蓋該含銅材料，該介電膜具有大於約7的一介電常數。
如請求項1所述的方法，進一步包含以下步驟：將該第一結構與一或更多種漿料及一或更多個台板接觸，其中該一或更多種漿料與該一或更多個圖案移除該含銅材料的一部分與該介電層的一第二部分。
如請求項2所述的方法，其中將該第一結構與該一或更多個漿料接觸之步驟將該介電層從該含銅材料的一頂表面凹陷大於或約5nm的一距離。
如請求項3所述的方法，其中將該第一結構與該一或更多種漿料及該一或更多個台板接觸之步驟造成該含銅材料的特徵在於一碟形輪廓。
如請求項1所述的方法，其中在該第一結構上選擇性沉積該介電膜之步驟包含以下步驟：<br/> 在該第一結構上沉積一聚合物，其中該聚合物在該含銅材料上形成一單層，其中該聚合物並未在該介電層上形成該單層；<br/> 經由原子層沉積在該第一結構上沉積一介電材料，其中該介電材料在該介電層上形成該介電膜，其中該介電膜並未形成於該含銅材料上；以及<br/> 移除該單層。
如請求項5所述的方法，其中沉積該聚合物之步驟包含以下步驟：經由氣相沉積來沉積一長鏈聚合物。
如請求項5所述的方法，其中沉積該單層之步驟係在低於攝氏200-250度的一溫度下執行。
如請求項5所述的方法，其中移除該單層之步驟係在高於攝氏200-250度的一溫度下執行。
如請求項1所述的方法，進一步包含以下步驟：<br/> 將該第一結構與一含氫前驅物接觸；<br/> 將該第一結構與一第二結構接觸，該第二結構包含：<br/> 一第二金屬層，覆蓋一第二基板；<br/> 一第二介電層，覆蓋該第二金屬層，並定義該第二介電層中的一第二組的一或更多個特徵；<br/> 一第二介電膜，覆蓋該第二介電層，該第二介電膜具有大於約7的一第二介電常數；以及<br/> 一第二含銅材料，沉積在該第二組的一或更多個特徵內；以及<br/> 將該第一結構接合至該第二結構，其中該第一結構的該介電膜係混合接合到該第二結構的該第二介電膜，其中該第一結構的該含銅材料係接觸該第二結構的該第二含銅材料。
如請求項9所述的方法，其中將該第一結構接合至該第二結構之步驟包含以下步驟：<br/> 將該第一結構與水接觸；以及<br/> 針對該第一結構及該第二結構進行退火。
一種形成一半導體裝置的方法，該方法包含以下步驟：<br/> 形成一第一結構，其中形成該第一結構之步驟包含以下步驟：<br/> 在一基板上方形成一金屬層；<br/> 在該金屬層上方形成一阻隔膜，該阻隔膜具有少於或是約5的一介電常數；<br/> 在該阻隔膜上方形成一四乙氧基矽烷層；<br/> 在該四乙氧基矽烷層及該阻隔膜中蝕刻一溝道，其中該溝道可以從該四乙氧基矽烷層的一頂表面向下延伸到至少該金屬層的一頂表面；<br/> 在該溝道中形成一襯墊；以及<br/> 利用一含銅材料填充該溝道；以及<br/> 在該第一結構上選擇性沉積一介電膜，該介電膜覆蓋該四乙氧基矽烷層，而並未覆蓋該含銅材料，該介電膜具有大於約7的一第二介電常數。
如請求項11所述的方法，進一步包含以下步驟：<br/> 將該第一結構與一含氫前驅物接觸；<br/> 將該第一結構與一第二結構接觸，該第二結構包含：<br/> 一第二金屬層，覆蓋一第二基板；<br/> 一第二阻隔膜，在該第二金屬層上方，該第二阻隔膜具有少於或是約5的一第三介電常數，該第二阻隔膜定義一第二組的一或更多個特徵；<br/> 一第二四乙氧基矽烷層，在該第二阻隔膜上方，該第二四乙氧基矽烷層進一步定義該第二組的一或更多個特徵；<br/> 一第二介電膜，覆蓋該第二四乙氧基矽烷層，該第二介電膜具有大於約7的一第四介電常數，該第二介電膜進一步定義該第二組的一或更多個特徵；以及<br/> 一第二含銅材料，沉積在該第二組的一或更多個特徵內；以及<br/> 將該第一結構接合至該第二結構，其中該第一結構的該介電膜係混合接合到該第二結構的該第二介電膜，其中該第一結構的該含銅材料係接觸該第二結構的該第二含銅材料。
如請求項12所述的方法，其中將該第一結構接合至該第二結構之步驟包含以下步驟：<br/> 將該第一結構與水接觸；以及<br/> 針對該第一結構及該第二結構進行退火。
如請求項12所述的方法，其中該第二介電常數係大於約8，其中該第四介電常數係大於8。
一種用於混合接合的半導體裝置，該半導體裝置包含：<br/> 一第一結構，包含：<br/> 一金屬層，覆蓋一基板；<br/> 一介電層，覆蓋該金屬層，並定義凹入該介電層中的一組的一或更多個特徵；<br/> 一介電膜，覆蓋該介電層，其中該介電膜包括氧化鋁（Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>）、氧化鈦（TiO<sub>2</sub>）、鈦酸鍶（SrTiO<sub>3</sub>）、氧化鋯（ZrO<sub>2</sub>）、氧化鉿（HfO<sub>2</sub>）、矽酸鉿（HfSiO<sub>4</sub>）、氧化鑭（La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>）、氧化釔（Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>）或鋁酸鑭（LaAlO<sub>3</sub>）；以及<br/> 一含銅材料，沉積在該組的一或更多個特徵內。
如請求項15所述的半導體裝置，進一步包含：<br/> 一第二結構，包含：<br/> 一第二金屬層，覆蓋一第二基板；<br/> 一第二介電層，覆蓋該第二金屬層，並定義一第二組的一或更多個特徵；<br/> 一第二介電膜，覆蓋該第二介電層，該第二介電膜具有大於約7的一第二介電常數，該第二介電膜進一步定義該組的一或更多個特徵；以及<br/> 一第二含銅材料，沉積在該第二組的一或更多個特徵內；以及<br/> 其中該第一結構的該介電膜係混合接合到該第二結構的該第二介電膜，其中該第一結構的該含銅材料係接觸該第二結構的該第二含銅材料。
如請求項15所述的半導體裝置，其中該介電常數係大於約9。
如請求項15所述的半導體裝置，其中該介電膜具有5nm的一厚度。
如請求項15所述的半導體裝置，其中該含銅材料的特徵係在於具有少於或約1nm的一碟深度的一碟形輪廓。
一種鋁電池，包括：<br/> 電極結構，包括：<br/> 基材；以及<br/> 通道層，位於所述基材上，其中所述通道層的材料包括氯化鋁，且所述通道層的厚度範圍介於2微米至20微米之間；以及<br/> 電解液，其中所述電極結構設置於所述電解液中，所述電解液包括氯化1-乙基-3-甲基咪唑鎓，以使所述電解液包括氮離子。
如請求項1所述的鋁電池，所述電解液更包括鋁離子、氯離子、鈉離子或其組合。
如請求項1所述的鋁電池，其中所述電極結構更包括中介層，且所述中介層位於所述基材與所述通道層之間。
如請求項3所述的鋁電池，其中所述通道層部分嵌入所述中介層內。
如請求項3所述的鋁電池，其中所述電極結構為負極結構，且所述中介層包括鋁合金。
如請求項3所述的鋁電池，其中所述電極結構為正極結構，且所述中介層包括碳化鋁。
一種鋁電池的製造方法，包括：<br/> 製造電極結構，包括：<br/> 提供基材；以及<br/> 執行氯化製程，以於所述基材上形成通道層，其中所述執行氯化製程的步驟包括進行浸泡程序，且所述浸泡程序包括將所述基材浸泡於食鹽水中，所述通道層的材料包括氯化鋁，且所述通道層的厚度範圍介於2微米至20微米之間；以及<br/> 提供電解液，以將所述電極結構設置於所述電解液中，其中所述電解液包括氯化1-乙基-3-甲基咪唑鎓，以使所述電解液包括氮離子。
如請求項7所述的鋁電池的製造方法，在所述執行氯化製程前更包括執行噴塗製程，以於所述基材上形成中介層。
一種穿心蓮之用途，其用以製造能改善飛蚊症的藥劑，該藥劑含有穿心蓮內酯，每次投予量以穿心蓮內酯計為21.6～81mg，並且每日投予量以穿心蓮內酯計為64.8～243mg。
一種穿心蓮之用途，其用以製造能改善飛蚊症的藥劑，該藥劑含有穿心蓮內酯，該藥劑係以不包括人類之哺乳動物作為投予對象，每次投予量以穿心蓮內酯計為21.6～81 mg，並且每日投予量以穿心蓮內酯計為64.8～243 mg。
一種無線通訊裝置，其用於人力車輛，該無線通訊裝置包含： <br/> 無線通訊器，其被建構成無線地傳送連線需求訊號，以在該無線通訊器與附加無線通訊器之間建立無線連線；及 <br/> 控制器，其被建構成控制該無線通訊器來選擇性地執行第一廣播及第二廣播中的一者而無線地傳送該連線需求訊號，該控制器被建構成於該第一廣播控制該無線通訊器來以第一頻率無線地傳送該連線需求訊號長達第一時期且在該第一時期過去以後以與該第一頻率不同的第二頻率無線地傳送該連線需求訊號，該控制器被建構成於該第二廣播控制該無線通訊器來以第三頻率無線地傳送該連線需求訊號。
如請求項1所述的無線通訊裝置，其中 <br/> 該第二頻率低於該第一頻率。
如請求項1所述的無線通訊裝置，其中 <br/> 該控制器被建構成在該第一時期過去以後控制該無線通訊器來以該第二頻率無線地傳送該連線需求訊號長達第二時期，該第二時期與該第一時期不同。
如請求項3所述的無線通訊裝置，其中 <br/> 該第二時期長於該第一時期。
如請求項3所述的無線通訊裝置，其中 <br/> 該控制器被建構成在該第二時期過去以後控制該無線通訊器來停止傳送該連線需求訊號。
如請求項1所述的無線通訊裝置，其中 <br/> 該控制器被建構成控制該無線通訊器來以第一間隔無線地傳送該連線需求訊號長達該第一時期， <br/> 該控制器被建構成在該第一時期過去以後控制該無線通訊器來以與該第一間隔不同的第二間隔無線地傳送該連線需求訊號。
如請求項1所述的無線通訊裝置，其中 <br/> 該無線通訊器藉由選擇性地使用第一通訊協定及與該第一通訊協定不同的第二通訊協定中的至少一者而在該無線通訊器與該附加無線通訊器之間建立該無線連線。
如請求項7所述的無線通訊裝置，其中 <br/> 該控制器控制該無線通訊器來使用該第一通訊協定及該第二通訊協定中的一者執行廣播，且 <br/> 在該無線通訊器偵測到來自該附加無線通訊器以該第一通訊協定及該第二通訊協定中的該一者的回應之情形下，該無線通訊器使用該第一通訊協定及該第二通訊協定中的該一者而在該無線通訊器與該附加無線通訊器之間建立該無線連線。
如請求項7所述的無線通訊裝置，其中 <br/> 該無線通訊器被建構成藉由選擇性地使用該第一通訊協定及該第二通訊協定中的至少一者來無線地傳送該連線需求訊號，以執行該第一廣播及該第二廣播中的一者。
如請求項1所述的無線通訊裝置，其中 <br/> 該控制器被建構成於該第二廣播控制該無線通訊器來在沒有改變頻率的情形下無線地傳送該連線需求訊號。
一種鹵化一芳香族化合物的方法，包括： <br/>在一酸性環境下以用於生成一亞硝鎓離子的一試劑催化該芳香族化合物、一鹵化物鹽及一含氧氣氣體進行一鹵化反應，以生成一鹵化芳香族化合物， <br/>其中該鹵化物鹽具有如式(1)所示的結構：<br/>MX<sub>n </sub>式(1)，<br/>M為鹼金屬、鹼土金屬、鋁或銨離子，n為1、2或3，X為Cl、Br或I，<br/>該試劑包括硝酸鹽、亞硝酸鹽、亞硝酸烷基酯、硝鎓鹽、亞硝鎓鹽或其組合。
如請求項1所述之方法，其中在該酸性環境下以用於生成該亞硝鎓離子的該試劑催化該芳香族化合物、該鹵化物鹽及該含氧氣氣體進行該鹵化反應是在溫度為25°C至50°C下進行。
如請求項1所述之方法，其中該硝酸鹽包括硝酸鈉、硝酸鉀或其組合，該亞硝酸鹽包括亞硝酸鈉、亞硝酸鉀或其組合，該亞硝酸烷基酯包括碳數為1至6的烷基，該硝鎓鹽包括氟硼酸硝醯，該亞硝鎓鹽包括氟硼酸亞硝醯。
如請求項1所述之方法，其中該酸性環境的一pH值小於等於3。
如請求項1所述之方法，其中在該酸性環境下以用於生成該亞硝鎓離子的該試劑催化該芳香族化合物、該鹵化物鹽及該含氧氣氣體進行該鹵化反應包括：混合該芳香族化合物、該鹵化物鹽、該含氧氣氣體、該試劑及一布侖斯惕酸，該布侖斯惕酸包括硫酸、氯化氫、溴化氫、三氟乙酸或其組合。
如請求項1所述之方法，其中該芳香族化合物具有如式(2-1)或式(2-2)所示的結構：<br/><img align="absmiddle" height="143px" width="133px" file="ed10087.jpg" alt="ed10087.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式(2-1)、<img align="absmiddle" height="142px" width="190px" file="ed10088.jpg" alt="ed10088.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式(2-2)，<br/>其中R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>、R<sub>3</sub>、R<sub>4</sub>、R<sub>5</sub>、R<sub>6</sub>及R<sub>7</sub>各自獨立為H、C1~C12烷基、C1~C12烷氧基、C6~C12芳氧基、鹵基、C1~C12烷硫基、－OAc、－OH、－NHAc或－NR<sub>8</sub>Ac，R<sub>8</sub>為碳數為1、2或3的烷基。
如請求項1所述之方法，其中該含氧氣氣體包括氧氣或空氣。
一種鹵化一芳香族化合物的方法，包括： <br/>以用於生成一亞硝鎓離子的一試劑催化該芳香族化合物、鹵化氫及一含氧氣氣體進行一鹵化反應，以生成一鹵化芳香族化合物，<br/>其中該鹵化氫包括HCl、HBr或其組合， <br/>該試劑包括硝酸鹽、亞硝酸鹽、亞硝酸烷基酯、硝鎓鹽、亞硝鎓鹽或其組合。
如請求項8所述之方法，其中該硝酸鹽包括硝酸鈉、硝酸鉀或其組合，該亞硝酸鹽包括亞硝酸鈉、亞硝酸鉀或其組合，該亞硝酸烷基酯包括碳數為1至6的烷基，該硝鎓鹽包括氟硼酸硝醯，該亞硝鎓鹽包括氟硼酸亞硝醯。
如請求項8所述之方法，其中該芳香族化合物具有如式(2-1)或式(2-2)所示的結構：<br/><img align="absmiddle" height="143px" width="133px" file="ed10087.jpg" alt="ed10087.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式(2-1)、<img align="absmiddle" height="142px" width="190px" file="ed10088.jpg" alt="ed10088.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式(2-2)，<br/>其中R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>、R<sub>3</sub>、R<sub>4</sub>、R<sub>5</sub>、R<sub>6</sub>及R<sub>7</sub>各自獨立為H、C1~C12烷基、C1~C12烷氧基、C6~C12芳氧基、鹵基、C1~C12烷硫基、－OAc、－OH、－NHAc或－NR<sub>8</sub>Ac，R<sub>8</sub>為碳數為1、2或3的烷基。
一種薄膜外延設備的氣體吹掃系統，其用於碳化矽外延設備，其特徵在於，所述薄膜外延設備包括：反應腔，其包括柱狀的殼體和內襯筒，所述內襯筒位於所述殼體的內側，所述內襯筒包括同軸設置的第一內筒、第二內筒和第三內筒，第一內筒靠近噴淋頭的一側與噴淋頭間具有間隙，所述反應腔的底部開設有排放口；<br/> 所述殼體和內襯筒之間設置有保溫層，所述保溫層與所述內襯筒之間設置有第一加熱器，所述第一加熱器沿所述殼體的軸向延伸設置；<br/> 噴淋頭，其設於所述殼體的頂部；及載料部，其設於所述殼體內的底部側，且與所述噴淋頭相對設置，所述載料部包括支撐部，用於放置襯底，且所述支撐部內設置有第二加熱器；<br/> 所述氣體吹掃系統包括：<br/> 頂部吹掃組件，其包括噴淋頭吹掃管路，所述噴淋頭吹掃管路連通至所述噴淋頭，所述頂部吹掃組件還包括測溫口吹掃管路，其連通至噴淋頭上的測溫口，用以向測溫口通入吹掃氣體；<br/> 側向吹掃組件，其包括氣環吹掃管路和殼體吹掃管路，所述氣環吹掃管路的出氣端位於所述殼體內並靠近所述噴淋頭側，且通入的吹掃氣體沿所述內襯筒的遠離述殼體側的表面向所述載料部側流動，所述殼體吹掃管路包括若干支路，所述支路的出氣端均連通至所述殼體的內側，以向所述殼體內通入吹掃氣體，通入的吹掃氣體沿所述殼體與保溫層之間的間隙向載料部側流動；開腔吹掃組件，其包括開腔吹掃管路，其上設置有開腔吹掃閥，所述開腔吹掃管路連通至所述噴淋頭，且與所述噴淋頭吹掃管路及噴淋頭的進氣管路匹配連通，<br/> 及底部吹掃元件，其包括旋轉吹掃管路和第二加熱器吹掃管路，所述旋轉吹掃管路的出氣端連通至旋轉驅動件，所述旋轉驅動件連接所述支撐部；所述第二加熱器吹掃管路的出氣端連通至所述支撐部，向其內通入吹向所述第二加熱器的吹掃氣體；<br/> 所述氣環吹掃管路包括第一氣環管路和第二氣環管路，所述第一氣環管路和第二氣環管路通過第一連接部拼合，所述第一連接部包括連接至所述噴淋頭的第一連接板和連接至所述殼體靠近所述噴淋頭一端的第二連接板；<br/> 所述殼體包括第一殼體和第二殼體；<br/> 所述第二氣環管路包括第一子管路和第二子管路，所述第一子管路與第二子管路之間通過第二連接部拼合，所述第二連接部包括連接至所述第一殼體的第三連接板和連接至所述第二殼體的第四連接板。
如請求項1所述的氣體吹掃系統，其中所述側向吹掃組件還包括第一加熱器吹掃管路，所述第一加熱器吹掃管路穿過所述第二連接部和第一連接部，其出氣端連通至所述第一加熱器靠近所述噴淋頭的一側。
如請求項2所述的氣體吹掃系統，其中所述保溫層對應第二連接部位置處可拆分為第一保溫層和第二保溫層，所述第二保溫層的底部通過擋板連接升降驅動件，所述升降驅動件連接擋板吹掃管路。
一種利用如請求項1至3中任一項所述的薄膜外延設備的氣體吹掃系統的吹掃方法，所述氣體吹掃系統還包括抽氣管路，其上設置真空吸氣閥，所述抽氣管路連通至第一連接部及第二連接部，其特徵在於：<br/> 所述反應腔處於密閉狀態時，<br/> 開啟真空吸氣閥，基於抽氣管路抽氣使得第一連接部以及第二連接部密封連接，<br/> 基於頂部吹掃組件和側向吹掃組件分別向所述反應腔內通入吹掃氣體。
一種薄膜外延設備的氣體吹掃系統的吹掃方法，所述薄膜外延設備包括：<br/> 反應腔，其包括殼體和內襯筒，所述殼體包括第一殼體及第二殼體；<br/> 所述殼體和內襯筒之間設置有保溫層；<br/> 噴淋頭，其設於所述反應腔的頂部；<br/> 載料部，其設於所述反應腔內的底部，且與所述噴淋頭相對設置，所述載料部包括支撐部，用於放置襯底，且所述支撐部內設置有第二加熱器；<br/> 第一連接部，其包括連接至所述噴淋頭的第一連接板和連接至設置於所述殼體的第二連接板；及<br/> 第二連接部，其包括設置於第一殼體的第三連接板及設置於至第二殼體的第四連接板，<br/> 所述氣體吹掃系統包括：<br/> 開腔吹掃管路，其連通至所述噴淋頭；<br/> 側向吹掃組件，其包括殼體吹掃管路，所述殼體吹掃管路包括若干支路，所述支路的出氣端均連通至所述殼體的內側，其特徵在於：<br/> 所述反應腔處於第一開腔狀態時，第一連接部斷開連接，所述方法包括：<br/> 開啟開腔吹掃閥，基於開腔吹掃管路向噴淋頭通入吹掃氣體，<br/> 同時基於殼體吹掃管路向殼體內通入吹掃氣體、擋板吹掃管路向升降驅動件與反應腔的連接處通入吹掃氣體、旋轉吹掃管路向旋轉驅動件通入吹掃氣體及第二加熱器吹掃管路向第二加熱器通入吹掃氣體。
如請求項5所述的吹掃方法，所述反應腔處於第二開腔狀態時，第一連接部及第二連接部均斷開連接，所述方法包括：<br/> 開啟開腔吹掃閥，<br/> 基於開腔吹掃管路向噴淋頭通入吹掃氣體，<br/> 同時基於殼體吹掃管路向第二殼體內通入吹掃氣體、擋板吹掃管路向升降驅動件與反應腔的連接處通入吹掃氣體、旋轉吹掃管路向旋轉驅動件通入吹掃氣體及第二加熱器吹掃管路向第二加熱器通入吹掃氣體。
一種壓降補償系統，包含：<br/> 一掃描計數器，根據顯示器的同步信號以決定目前掃描像素列；<br/> 一平均灰階電路，根據該目前掃描像素列以產生影像信號的平均灰階值；<br/> 一補償值產生裝置，根據該平均灰階值以產生相應補償值；及<br/> 一補償裝置，根據該補償值以補償該影像信號，以產生補償影像信號；<br/> 其中該平均灰階電路將目前掃描像素列之前的一個訊框的影像信號取其平均值，以得到平均灰階值。
如請求項1之壓降補償系統，其中該顯示器包含主動矩陣有機發光二極體顯示器。
如請求項1之壓降補償系統，其中該同步信號可包含垂直同步信號、水平同步信號及資料致能信號。
如請求項1之壓降補償系統，其中該影像信號包含紅、綠、藍影像信號。
如請求項1之壓降補償系統，其中該補償裝置將該補償值與該影像信號相加，以產生該補償影像信號。
如請求項1之壓降補償系統，其中該補償值產生裝置包含一補償查表，其儲存複數掃描像素列之複數平均灰階值的相應補償值，藉此，根據目前掃描像素列及平均灰階值，可得到相應補償值。
如請求項6之壓降補償系統，其中該補償查表儲存每一掃描像素列之各個紅、綠、藍平均灰階值的相應補償值。
如請求項6之壓降補償系統，其中該補償查表儲存部分掃描像素列之部分平均灰階值的相應補償值。
如請求項1之壓降補償系統，其中該顯示器的訊框被切割為複數區塊。
如請求項9之壓降補償系統，其中該掃描計數器根據該同步信號以決定目前掃描像素列與目前掃描像素行，據以得到目前區塊的位置。
如請求項10之壓降補償系統，其中該平均灰階電路根據目前掃描像素列、目前掃描像素行以分別產生各區塊之平均灰階值。
如請求項11之壓降補償系統，其中該補償值產生裝置使用逐次超鬆弛疊代法，藉以產生各區塊之相應補償值。
如請求項12之壓降補償系統，其中該補償裝置根據各區塊的相應補償值以補償該影像信號。
如請求項13之壓降補償系統，其中該平均灰階電路產生目前掃描區塊列之前的一個訊框各區塊的平均灰階值；該補償值產生裝置於目前掃描區塊列期間，產生目前掃描區塊列之前的一個訊框各區塊的相應補償值；且該補償裝置於接下來的掃描區塊列期間，根據各區塊的相應補償值以補償該影像信號，據以產生補償影像信號。
一種庫存分析有效性驗證方法，透過計算裝置執行，包括如下步驟： <br/>在多個SKU(stock keeping unit)中，查找判斷為缺貨(out of stock)狀態的第一SKU； <br/>獲取特定時間段內該第一SKU的SKU計數； <br/>確認該特定時間段內資料表是否更新，其中，該資料表包括該第一SKU的相關資訊； <br/>基於該SKU計數和該是否更新，驗證該第一SKU的缺貨狀態的判斷的有效性狀態；和 <br/>基於該有效性狀態的驗證結果向使用者終端發送通知，該通知包括表示該有效性狀態的注意的第一通知和表示該有效性狀態的危險的第二通知。
如請求項1所述之庫存分析有效性驗證方法，其中， <br/>驗證該有效性狀態的步驟包括如下步驟： <br/>若預設的第一時間段內該SKU計數為0，則將該有效性狀態確定為第一狀態；和 <br/>若比該第一時間長的第二時間段內該SKU計數為0，則將該有效性狀態確定為第二狀態， <br/>發送該通知的步驟包括如下步驟： <br/>若該有效性狀態確定為該第一狀態，則向該使用者終端發送該第一通知；和 <br/>若該有效性狀態確定為該第二狀態，則向該使用者終端發送該第二通知。
如請求項1所述之庫存分析有效性驗證方法，其中， <br/>驗證該有效性狀態的步驟包括如下步驟： <br/>若預設的第一時間段內該資料表未更新，則將該有效性狀態確定為第一狀態；和 <br/>若比該第一時間長的第二時間段內該資料表未更新，則將該有效性狀態確定為第二狀態， <br/>發送該通知的步驟包括如下步驟： <br/>若該有效性狀態確定為該第一狀態，則向該使用者終端發送該第一通知；和 <br/>若該有效性狀態確定為該第二狀態，則向該使用者終端發送該第二通知。
如請求項1所述之庫存分析有效性驗證方法，其中， <br/>還包括如下步驟： <br/>若該第一SKU包括在預設的SKU分類中，則計算該特定時間段內該第一SKU的虧損GMV(gross merchandise value)， <br/>驗證該有效性狀態的步驟包括如下步驟： <br/>基於該虧損GMV，驗證該第一SKU的缺貨狀態的判斷的有效性狀態。
如請求項4所述之庫存分析有效性驗證方法，其中， <br/>計算該虧損GMV的步驟包括如下步驟： <br/>將該第一SKU的預測銷售量乘以缺貨率來計算虧損單位；和 <br/>將該虧損單位乘以該第一SKU的銷售價格來計算該虧損GMV。
如請求項5所述之庫存分析有效性驗證方法，其中， <br/>基於該虧損GMV，驗證該第一SKU的缺貨狀態的判斷的有效性狀態的步驟包括如下步驟： <br/>若預設的第一時間段內該虧損GMV為0，則將該有效性狀態確定為第一狀態；和 <br/>若比該第一時間長的第二時間段內該虧損GMV為0，則將該有效性狀態確定為第二狀態， <br/>發送該通知的步驟包括如下步驟： <br/>若該有效性狀態確定為該第一狀態，則向該使用者終端發送該第一通知；和 <br/>若該有效性狀態確定為該第二狀態，則向該使用者終端發送該第二通知。
如請求項1所述之庫存分析有效性驗證方法，其中， <br/>向該使用者終端發送通知的步驟包括如下步驟： <br/>若該通知是該第一通知，則在該使用者終端運行的應用程式的儀錶盤上顯示該第一通知；和 <br/>若該通知是該第二通知，則在該儀錶盤、該使用者終端的使用者的電子郵件和該使用者的通訊工具上顯示該第二通知， <br/>按照預設週期向該使用者終端發送該通知。
一種庫存分析有效性驗證方法，透過計算裝置執行，包括如下步驟： <br/>在多個SKU(stock keeping unit)中，查找包括在預設SKU分類中的第一SKU； <br/>判斷該第一SKU的缺貨(out of stock) 狀態； <br/>計算特定時間段內該第一SKU的虧損GMV(gross merchandise value)； <br/>基於該虧損GMV，驗證該第一SKU的缺貨狀態的判斷的有效性狀態；和 <br/>基於該有效性狀態的驗證結果向使用者終端發送通知， <br/>驗證該有效性狀態的步驟包括如下步驟： <br/>若該第一SKU判斷為缺貨狀態且該虧損GMV為0，則確定該缺貨狀態的判斷無效； <br/>若該第一SKU未判斷為缺貨狀態且該虧損GMV不為0，則確定該缺貨狀態的判斷無效。
如請求項8所述之庫存分析有效性驗證方法，其中， <br/>計算該虧損GMV的步驟包括如下步驟： <br/>將該第一SKU的預測銷售量乘以缺貨率來計算虧損單位；和 <br/>將該虧損單位乘以該第一SKU的銷售價格來計算該虧損GMV。
一種庫存分析有效性驗證系統，包括： <br/>處理器；及， <br/>記憶體，存儲有指令（instruction）， <br/>當該指令被該處理器執行時，使該處理器執行如下操作： <br/>在多個SKU(stock keeping unit)中，查找判斷為缺貨(out of stock)狀態的第一SKU； <br/>獲取特定時間段內該第一SKU的SKU計數； <br/>確認該特定時間段內資料表是否更新，其中，該資料表包括該第一SKU的相關資訊； <br/>基於該SKU計數和該是否更新，驗證該第一SKU的缺貨狀態的判斷的有效性狀態；和 <br/>基於該有效性狀態的驗證結果向使用者終端發送通知，該通知包括表示該有效性狀態的注意的第一通知和表示該有效性狀態的危險的第二通知。
如請求項10所述之庫存分析有效性驗證系統，其中， <br/>驗證該有效性狀態的操作包括如下操作： <br/>若預設的第一時間段內該SKU計數為0，則將該有效性狀態確定為第一狀態；和 <br/>若比該第一時間長的第二時間段內該SKU計數為0，則將該有效性狀態確定為第二狀態， <br/>發送該通知的操作包括如下操作： <br/>若該有效性狀態確定為該第一狀態，則向該使用者終端發送該第一通知；和 <br/>若該有效性狀態確定為該第二狀態，則向該使用者終端發送該第二通知。
如請求項10所述之庫存分析有效性驗證系統，其中， <br/>驗證該有效性狀態的操作包括如下操作： <br/>若預設的第一時間段內該資料表未更新，則將該有效性狀態確定為第一狀態；和 <br/>若比該第一時間長的第二時間段內該資料表未更新，則將該有效性狀態確定為第二狀態， <br/>發送該通知的操作包括如下操作： <br/>若該有效性狀態確定為該第一狀態，則向該使用者終端發送該第一通知；和 <br/>若該有效性狀態確定為該第二狀態，則向該使用者終端發送該第二通知。
如請求項10所述之庫存分析有效性驗證系統，其中， <br/>當該指令被該處理器執行時，還使該處理器執行如下操作： <br/>若該第一SKU包括在預設的SKU分類中，則計算該特定時間段內該第一SKU的虧損GMV(gross merchandise value)， <br/>驗證該有效性狀態的操作包括如下操作： <br/>基於該虧損GMV，驗證該第一SKU的缺貨狀態的判斷的有效性狀態。
如請求項13所述之庫存分析有效性驗證系統，其中， <br/>計算該虧損GMV的操作包括如下操作： <br/>將該第一SKU的預測銷售量乘以缺貨率來計算虧損單位；和 <br/>將該虧損單位乘以該第一SKU的銷售價格來計算該虧損GMV。
如請求項14所述之庫存分析有效性驗證系統，其中， <br/>基於該虧損GMV，驗證該第一SKU的缺貨狀態的判斷的有效性狀態的操作包括如下操作： <br/>若預設的第一時間段內該虧損GMV為0，則將該有效性狀態確定為第一狀態；和 <br/>若比該第一時間長的第二時間段內該虧損GMV為0，則將該有效性狀態確定為第二狀態， <br/>發送該通知的操作包括如下操作： <br/>若該有效性狀態確定為該第一狀態，則向該使用者終端發送該第一通知；和 <br/>若該有效性狀態確定為該第二狀態，則向該使用者終端發送該第二通知。
一種庫存分析有效性驗證系統，包括： <br/>處理器；及， <br/>記憶體，存儲有指令（instruction）， <br/>當該指令被該處理器執行時，使該處理器執行如下操作： <br/>在多個SKU(stock keeping unit)中，查找包括在預設SKU分類中的第一SKU； <br/>判斷該第一SKU的缺貨(out of stock) 狀態； <br/>計算特定時間段內該第一SKU的虧損GMV(gross merchandise value)； <br/>基於該虧損GMV，驗證該第一SKU的缺貨狀態的判斷的有效性狀態；和 <br/>基於該有效性狀態的驗證結果向使用者終端發送通知， <br/>驗證該有效性狀態的操作包括如下操作： <br/>若該第一SKU判斷為缺貨狀態且該虧損GMV為0，則確定該缺貨狀態的判斷無效； <br/>若該第一SKU未判斷為缺貨狀態且該虧損GMV不為0，則確定該缺貨狀態的判斷無效。
一種電子資訊認可系統，包括： <br/>相互綁定連接的至少一電子裝置，連接於伺服主機的平台，其中任一個該電子裝置以來自身體的特徵，於客戶欲登入該平台時擷取至少一種來自身體的第一特徵，並搭配透過網路結合認可伺服器或第三方的可變金鑰碼回寫以認可客戶身分，從而決定客戶是否可以登入該平台，該可變金鑰碼可以自動更新或被動更新；於登入該平台後選擇性地每隔一段時間再擷取一次來自身體的第二特徵以維持登入，該第一特徵相同或不同於該第二特徵，其中，該平台包括彼此連接的至少一模組以交互處理網路上客戶的資訊：紀錄模組，於完成登入後，可記錄並提供任何客戶的該資訊及/或數位軌跡；以及核實模組，連接至少一政府機關、鑒別組織及/或第三方以交互核實客戶之該資訊及/或該數位軌跡並賦予核實結果為通過的客戶一認可碼及/或公證。
如請求項1所述的電子資訊認可系統，其中，該至少一模組進一步包括：揭露模組，透過客戶間簽訂的智能契約取得任何客戶的該資訊；授權模組，供客戶認可該資訊是否經過相關的客戶授權使用；辨認模組，透過收集大數據比對和運算解析該資訊及/或該數位軌跡的可信度及/或真偽，該辨認模組可根據輸入的網址、網站或圖片，透過網路的搜尋引擎及該平台的網路伺服器資料庫協作，分析該網址、該網站或該圖片，解構出該資訊的多個關鍵指標數據及/或評論，該核實模組對於該核實結果為不通過則通知該至少一政府機關、鑒別組織、第三方及/或該客戶。
如請求項2所述的電子資訊認可系統，其中，該至少一模組進一步包括：追蹤推播模組，客戶可推播該資訊給其追蹤者；電信核實模組，可支援傳統電話線路與網絡互通，於來電顯示時可呈現該認可碼，提供客戶選擇接聽全部來電、具該認可碼才接聽來電或具該認可碼且同意通話錄音才接聽來電。
如請求項3所述的電子資訊認可系統，其中，該電信核實模組，可提供發話方事先設定不同意錄影或錄音，則於通話後自動刪除紀錄檔，通話時觸擊該電子裝置之特定鍵進行錄影或錄音並儲存該紀錄檔，但該紀錄檔會被限制讀取及使用該辨認模組進行分析、提醒、整理及文字輸出，除非取得對方同意或進行司法調查時依法解除限制；該電信核實模組，也可提供發話方事先設定同意錄影或錄音，則於通話後自動儲存該紀錄檔，該紀錄檔可被讀取及使用該辨認模組進行分析、提醒、整理及文字輸出。
如請求項3所述的電子資訊認可系統，其中，該記錄檔可儲存在雲端伺服器或至少一該電子裝置；透過簡訊通訊時，該電信核實模組可結合該核實模組及該辨認模組對簡訊認可並顯示客戶的電話號碼或代碼或姓名；該數位軌跡包括各種資訊認可、查詢、交流、檢舉報案、簽定契約、交易行為、個資揭露及電信行為的設定、錄音或錄影及儲存、檔案的複製變更移動，該資訊包括：評論、肖像、代言、擁有品牌等與客戶有關之人、事、時、地、物。
如請求項3所述的電子資訊認可系統，其中，該電信核實模組可於來電時顯示是否有該認可碼、是否同意錄音或錄影、同意錄音或錄影時會有臨時取消錄音或錄影之選擇、不同意錄音或錄影時會有臨時啟動錄音或錄影之選擇；提供傳統電話或智慧型手機自動設定只接聽已設定的電話號碼及有該認可碼且同意對方錄音之來電。
一種透過請求項1至6所述的該電子資訊認可系統執行電子資訊認可方法，包括：選擇以來自身體的特徵，於客戶登入時擷取至少一種來自身體的第一特徵，於登入後選擇性地每隔一段時間再擷取一次來自身體的第二特徵，該第一特徵相同或不同於該第二特徵；並結合可變金鑰碼回寫以認可客戶身分，從而決定客戶是否可以登入平台，該可變金鑰碼可以自動更新或被動更新；其中，該平台包括彼此連接的至少一模組以交互處理網路上客戶的資訊：於完成登入後，記錄並提供任何客戶的該資訊及/或數位軌跡；連接至少一政府機關、鑒別組織及/或第三方以交互核實客戶之該資訊及/或該數位軌跡並賦予核實結果為通過的客戶一認可碼及/或公證。
如請求項7所述的電子資訊認可方法，其中，該至少一模組執行操作進一步包括：透過智能契約取得任何客戶的該資訊；供客戶認可該資訊是否經過相關的客戶授權使用；客戶可推播該資訊給其追蹤者；支援傳統電話線路與網絡互通，於來電顯示時可呈現該認可碼，提供客戶選擇接聽全部來電、具該認可碼才接聽來電或具該認可碼且同意通話錄音才接聽來電；藉由收集大數據比對和運算解析該資訊及/或該數位軌跡的可信度及/或真偽；根據輸入的網址、網站或圖片，透過網路的搜尋引擎及該平台的網路伺服器資料庫協作，分析該網址、該網站或該圖片，解構出該資訊的多個關鍵指標數據及/或評論，該數位軌跡包括該資訊認可、查詢、交流、檢舉報案、簽定契約、交易行為、個資揭露及電信行為的設定、錄音或錄影及儲存、檔案的複製變更移動，該資訊包括：評論、肖像、代言、擁有品牌等與客戶有關之人、事、時、地、物；該核實結果為不通過則通知該至少一政府機關、鑒別組織及/或第三方和該客戶。
如請求項7所述的電子資訊認可方法，其中，該至少一模組執行操作進一步包括：可提供發話方事先設定不同意錄影或錄音，則於通話後自動刪除紀錄檔，通話時觸擊電子裝置之特定鍵進行錄影或錄音並儲存該紀錄檔，但該紀錄檔會被限制讀取及進行分析、提醒、整理及文字輸出，除非取得對方同意或進行司法調查時依法解除限制；也可提供發話方事先設定同意錄影或錄音，則於通話後自動儲存該紀錄檔，該紀錄檔可被讀取及進行分析、提醒、整理及文字輸出。
如請求項7所述的電子資訊認可方法，其中，該至少一模組執行操作進一步包括：儲存該記錄檔在雲端伺服器或至少一電子裝置；透過簡訊通訊時，可對簡訊認可並顯示客戶的電話號碼或代碼或姓名；提供傳統電話或智慧型手機自動設定只接聽已設定的電話號碼及有該認可碼且同意對方錄音之來電；可於來電時顯示是否有該認可碼、是否同意錄音或錄影、同意錄音或錄影時會有臨時取消錄音或錄影之選擇、不同意錄音或錄影時會有臨時啟動錄音或錄影之選擇。
一種製作磁阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM)元件的方法，其特徵在於，包含：<br/> 形成一自旋軌道轉矩式(spin orbit torque, SOT)層於一基底上；以及<br/> 形成一磁性穿隧接面(magnetic tunneling junction, MTJ)於該SOT層上，其中該MTJ底表面包含第一曲面，其中該MTJ下方之該SOT層底表面低於該第一金屬內連線上之該SOT層底表面。
如申請專利範圍第1項所述之方法，另包含：<br/> 形成一金屬間介電層於該基底上；<br/> 形成一第一金屬內連線以及一第二金屬內連線於該金屬間介電層內；<br/> 形成該SOT層於該第一金屬內連線以及該第二金屬內連線上；<br/> 形成一上電極於該MTJ上；以及<br/> 形成一遮蓋層於該MTJ以及該SOT層上。
如申請專利範圍第2項所述之方法，另包含於形成該SOT層之前形成一下電極於該第一金屬內連線以及該第二金屬內連線上。
如申請專利範圍第3項所述之方法，其中該下電極底表面包含第二曲面。
如申請專利範圍第3項所述之方法，其中該MTJ下方之該下電極底表面低於該第一金屬內連線上之該下電極底表面。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該SOT層底表面包含第三曲面。
一種磁阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM)元件，其特徵在於，包含：<br/> 一自旋軌道轉矩式(spin orbit torque, SOT)層設於一基底上；以及<br/> 一磁性穿隧接面(magnetic tunneling junction, MTJ)設於該SOT層上，其中該MTJ底表面包含第一曲面，其中該MTJ下方之該SOT層底表面低於該第一金屬內連線上之該SOT層底表面。
如申請專利範圍第7項所述之MRAM元件，另包含：<br/> 一金屬間介電層設於該基底上；<br/> 一第一金屬內連線以及一第二金屬內連線設於該金屬間介電層內；<br/> 該SOT層設於該第一金屬內連線以及該第二金屬內連線上；<br/> 一上電極設於該MTJ上；以及<br/> 一遮蓋層設於該MTJ旁。
如申請專利範圍第8項所述之MRAM元件，另包含一下電極設於該金屬間介電層以及該SOT層之間。
如申請專利範圍第9項所述之MRAM元件，其中該下電極底表面包含第二曲面。
如申請專利範圍第9項所述之MRAM元件，其中該MTJ下方之該下電極底表面低於該第一金屬內連線上之該下電極底表面。
如申請專利範圍第7項所述之MRAM元件，其中該SOT層底表面包含第三曲面。
一種雲台機構，包括： <br/>支架，其被構造為固定至無人駕駛飛行器的機身； <br/>第一框架，其附接至所述支架並且被構造為在第一方向上能夠旋轉，所述第一方向是偏航方向或俯仰方向； <br/>第二框架，其附接至所述第一框架並且被構造為在第二方向上能夠旋轉，並被構造為將用於使螺旋槳旋轉的電機進行固定，所述第二方向是所述偏航方向或所述俯仰方向中的另一個方向；以及 <br/>曲柄構件，其被構造為連接至設置在所述機身處的伺服電機，用曲柄轉動聯動裝置以使所述第二框架旋轉， <br/>其中，所述第二框架通過連桿球經由所述曲柄構件連接至所述聯動裝置，所述連桿球被構造為在所述第一方向上位於所述機身的中心軸線上。
如請求項1所述的雲台機構，其中，所述第一方向是偏航方向，並且所述第二方向是俯仰方向。
如請求項1所述的雲台機構，其中，所述曲柄構件是曲柄管，所述曲柄管的一端連接至桿，以連接至所述伺服電機，並且另一端連接至桿端，以與所述連桿球接合。
如請求項1至3中任一項所述的雲台機構，其中，所述第一框架在所述第一方向上的旋轉軸線與所述第二框架在所述第二方向上的旋轉軸線之間的交點位於所述機身的中心軸線上。
一種雲台機構，包括： <br/>支架，其被構造為固定至無人駕駛飛行器的機身； <br/>第一框架，其附接至所述支架並且被構造為在第一方向上能夠旋轉，所述第一方向是偏航方向或俯仰方向；以及 <br/>第二框架，其附接至所述第一框架並且被構造為在第二方向上能夠旋轉，並被構造為將用於使螺旋槳旋轉的電機進行固定，所述第二方向是所述偏航方向或所述俯仰方向中的另一個方向； <br/>曲柄構件，其被構造為連接至設置在所述機身處的伺服電機，用曲柄轉動聯動裝置以使所述第二框架旋轉， <br/>其中，所述第一框架在所述第一方向上的旋轉軸線與所述第二框架在所述第二方向上的旋轉軸線之間的交點位於所述機身的中心軸線上。
一種無人駕駛飛行器，包括： <br/>雲台機構，其配備有螺旋槳和用於使所述螺旋槳旋轉的電機， <br/>其中，所述雲台機構包括： <br/>支架，其被構造為固定至機身； <br/>第一框架，其附接至所述支架並且被構造為在第一方向上能夠旋轉，所述第一方向是偏航方向或俯仰方向； <br/>第二框架，其附接至所述第一框架並且被構造為在第二方向上能夠旋轉，並被構造為將所述用於使所述螺旋槳旋轉的電機進行固定，所述第二方向是所述偏航方向或所述俯仰方向中的另一個方向；以及 <br/>曲柄構件，其被構造為連接至設置在所述機身處的伺服電機，用曲柄轉動聯動裝置以使所述第二框架旋轉， <br/>其中，所述第二框架通過連桿球經由所述曲柄構件連接至所述聯動裝置，所述連桿球被構造為在所述第一方向上位於所述機身的中心軸線上。
一種無人駕駛飛行器，包括： <br/>雲台機構，其配備有螺旋槳和用於使所述螺旋槳旋轉的電機， <br/>其中，所述雲台機構包括： <br/>支架，其被構造為固定至所述無人駕駛飛行器的機身； <br/>第一框架，其附接至所述支架並且被構造為在第一方向上能夠旋轉，所述第一方向是偏航方向或俯仰方向；以及 <br/>第二框架，其附接至所述第一框架並且被構造為在第二方向上能夠旋轉，並被構造為將所述用於使所述螺旋槳旋轉的電機進行固定，所述第二方向是所述偏航方向或所述俯仰方向中的另一個方向； <br/>其中，所述第一框架在所述第一方向上的旋轉軸線與所述第二框架在所述第二方向上的旋轉軸線之間的交點位於所述機身的中心軸線上。
一種資料傳輸方法，由一處理器讀取儲存於一記憶體的至少一指令以執行該資料傳輸方法，包含： <br/>根據一待命信號以調整一延遲時間至一目標時間； <br/>等待該目標時間後，判斷是否具有至少一資料封包以決定是否傳輸該至少一資料封包；以及 <br/>執行一待命模式。
如請求項1所述之資料傳輸方法，其中根據該待命信號以調整該延遲時間至該目標時間的步驟包含： <br/>根據該待命信號以降低該延遲時間至該目標時間。
如請求項1所述之資料傳輸方法，其中該目標時間小於該延遲時間。
如請求項1所述之資料傳輸方法，其中該目標時間介於1微秒至5毫秒。
如請求項1所述之資料傳輸方法，其中等待該目標時間後，判斷是否具有該至少一資料封包以決定是否傳輸該至少一資料封包的步驟包含： <br/>等待該目標時間後，若具有該至少一資料封包，判斷該至少一資料封包是否傳輸完成；以及 <br/>若判定該至少一資料封包未傳輸完成，繼續傳輸該至少一資料封包。
如請求項5所述之資料傳輸方法，其中執行該待命模式的步驟包含： <br/>若判定該至少一資料封包已傳輸完成，執行該待命模式。
如請求項1所述之資料傳輸方法，其中等待該目標時間後，判斷是否具有該至少一資料封包以決定是否傳輸該至少一資料封包的步驟包含： <br/>等待該目標時間後，判斷該至少一資料封包對應的一儲存空間是否無任何資料封包； <br/>其中執行該待命模式的步驟包含： <br/>若判定該至少一資料封包對應的該儲存空間已無任何資料封包，執行該待命模式。
如請求項1所述之資料傳輸方法，其中等待該目標時間後，判斷是否具有該至少一資料封包以決定是否傳輸該至少一資料封包的步驟包含： <br/>等待該目標時間後，判斷複數個資料封包對應的一儲存空間是否無任何資料封包； <br/>若判定該複數個資料封包對應的該儲存空間尚存其餘資料封包，產生一停止傳輸指令； <br/>根據該停止傳輸指令以切分該複數個資料封包中的一目標資料封包於一封包邊界；以及 <br/>傳輸該目標資料封包。
如請求項1所述之資料傳輸方法，更包含： <br/>執行該待命模式後，判斷一目標資料封包是否符合一喚醒條件；以及 <br/>若判定該目標資料封包符合該喚醒條件，由該待命模式進入一般模式並傳輸該目標資料封包。
一種資料傳輸系統，包含： <br/>一記憶體，用以儲存至少一指令；以及 <br/>一處理器，用以讀取該至少一指令以執行以下步驟： <br/>根據一待命信號以調整一延遲時間至一目標時間； <br/>等待該目標時間後，判斷是否具有至少一資料封包以決定是否傳輸該至少一資料封包；以及 <br/>執行一待命模式。
一種半導體封裝結構，包含： <br/>一基板，包含： <br/>至少一通孔，貫穿該基板； <br/>一第一材料，由該基板之一第一側填充進該至少一通孔； <br/>一第二材料，由該基板之一第二側填充進該至少一通孔，其中該第一材料之一第一膨脹係數大於該第二材料之一第二膨脹係數，且該第一側與該第二側分別位於該基板之不同側；以及 <br/>一晶片，設置於該基板之該第一側。
如請求項1所述之半導體封裝結構，其中該第一材料以及該第二材料採用一雙料輸出製程填充進該至少一通孔。
如請求項1所述之半導體封裝結構，其中該第一材料包含一第一環氧樹脂，該第二材料包含一第二環氧樹脂，且該第一環氧樹脂之該第一膨脹係數大於該第二環氧樹脂之該第二膨脹係數。
如請求項1所述之半導體封裝結構，其中該基板更包含至少一連接球，且該至少一連接球位於該基板之該第二側上，其中該第二材料高於該基板之該第二側的一第一高度低於該至少一連接球之一第二高度。
如請求項1所述之半導體封裝結構，其中該至少一通孔包含複數個通孔，且該複數個通孔彼此不連通，其中該複數個通孔包含複數個第一部份，該複數個第一部份位於該基板的複數個側邊，且該複數個第一部份的複數個第一寬度均相同。
如請求項5所述之半導體封裝結構，其中該複數個通孔包含複數個第二部份，該複數個第二部份位於該基板的複數個角落，且該複數個第二部份的複數個第二寬度大於該複數個第一部份的該複數個第一寬度。
如請求項1所述之半導體封裝結構，其中該基板更包含一中性軸，該中性軸介於該基板之該第一側以及該第二側之間，其中該第一材料位於該中性軸的一側，且該第二材料位於該中性軸的另一側。
如請求項1所述之半導體封裝結構，其中該第一材料高於該基板之該第一側的一第一高度低於該晶片之一第二高度。
如請求項1所述之半導體封裝結構，其中該至少一通孔位於該基板的最外側。
一種半導體封裝結構之製造方法，包含： <br/>形成貫穿一基板的至少一通孔； <br/>由該基板之一第一側填充一第一材料進該至少一通孔； <br/>由該基板之一第二側填充一第二材料進該至少一通孔，其中該第一材料之一第一膨脹係數大於該第二材料之一第二膨脹係數，且該第一側與該第二側分別位於該基板之不同側；以及 <br/>設置一晶片於該基板之該第一側。
一種可運送一或多個兒童的推車系統（100），該推車包含： <br/>一可折疊構架（105），其包括一握把（110）、至少一前支腳（130）和兩後支腳（140）； <br/>多個輪子（135、145），其附接到該至少一前支腳和該等兩後支腳，以支撐該可折疊構架；及 <br/>一調整轉向節（115），其位於該握把之一可調整握把部位（112）以及該握把之一固定部位（114）之間，並將該握把之該可調整握把部位連接到該握把之該固定部位，其中該可調整握把部位包括一抓握部位（113），且其中該調整轉向節包括： <br/>一高度調整致動器（730、732、734、736），以在將該可折疊構架展開時，改變該抓握部位相對於其上的該等輪子所位在的一表面之一高度，以及 <br/>一折疊致動器（710、712、714、720、722），以致動該可折疊構架之折疊且操作係與該高度調整致動器無關； <br/>其中該高度調整致動器包括一按鈕，其可推入該調整轉向節中； <br/>其中該折疊致動器包括一觸發器，其可沿著該調整轉向節之一外部拉動。
如請求項1之推車系統，其更包含： <br/>一第一對可平移座椅安裝件（125），其連接到該可折疊構架，並配置成沿著相對於該握把的一第一方向（211）平移；及 <br/>一第二對可平移座椅安裝件，其連接到該可折疊構架，並配置成沿著不同於該第一方向的一第二方向平移。
如請求項2之推車系統，其中該第一對可平移座椅安裝件、該第二對可平移座椅安裝件和該調整轉向節沿著該推車構架之兩線性部位（其從該至少一前支腳隆起到該抓握部位）置放。
如請求項1之推車系統，其中該觸發器連接到一折疊觸發致動器，其在該觸發器被拉動時，在該調整轉向節中旋轉並拉動一纜線以折疊該可折疊構架。
如請求項1之推車系統，其中該高度調整致動器包括： <br/>一滑動齒輪，其具有環繞該滑動齒輪之一周邊所形成的齒，其中該滑動齒輪可在平行於該可調整握把部位相對於該握把之該固定部位樞轉所繞著的一樞轉軸的一方向上，在該調整轉向節內移動；及 <br/>成型齒，其在與該滑動齒輪上的該等齒接合的該調整轉向節之一內部上。
如請求項1之推車系統，其中該折疊致動器之致動允許該推車構架折疊成一組態，其中該至少一前支腳和該握把彼此係在15度角度內。
如請求項1之推車系統，其中該調整轉向節更包括一罩體，且其中該推車系統更包含一杯架安裝件，其整合到用於該調整轉向節的該罩體中。
如請求項1之推車系統，其更包含一杯架組件，其附接到該調整轉向節，其中該杯架組件可相對於該調整轉向節旋轉。
如請求項1之推車系統，其中該調整轉向節位於該前支腳的後方，該握把的該可調整握把部位位於該調整轉向節的後方，且該握把的該固定部位位於該調整轉向節的前方。
一種可運送一或多個兒童的推車系統（100），該推車包含： <br/>一可折疊構架（105），其包括一握把（110）、至少一前支腳（130）和兩後支腳（140）； <br/>多個輪子（135、145），其附接到該至少一前支腳和該等兩後支腳，以支撐該可折疊構架；及 <br/>一調整轉向節（115），其將該握把之一可調整握把部位（112）連接到該握把之一固定部位（114），其中該可調整握把部位包括一抓握部位（113），且其中該調整轉向節包括： <br/>一高度調整致動器（730、732、734、736），以在將該可折疊構架展開時，改變該抓握部位相對於其上的該等輪子所位在的一表面之一高度，以及 <br/>一折疊致動器（710、712、714、720、722），以致動該可折疊構架之折疊且操作係與該高度調整致動器無關，該折疊致動器包括： <br/>一觸發器，其可沿著該調整轉向節之一外部拉動；以及一纜線桿，其在該觸發器被拉動時，繞著一支點旋轉並拉動一纜線。
一種固態電解質材料，包括， <br/>一種化學成分為<b/><b>Li<sub>a</sub> La<sub>b </sub></b><b>D1<sub>c</sub> D2<sub>d </sub>…. DN<sub>n</sub></b><b>O<sub>v</sub></b> 的陶瓷材料，其中 4.5≤ a ≤ 7.2, 2.8 ≤ b ≤ 3.5, 1.5 ≤ c ≤ 2.5, 0 ≤ d ≤ 1.2, 0 ≤ n ≤ 1.2, 2.0 ≤ v ≤ 12，其中 D<sub>1</sub>, D<sub>2</sub>, …, D<sub>N</sub>中至少有一個為金屬，N ≥ 1，其可透過程序合成，包括： <br/>透過電子控制化學計量的量形成一含鋰鹽、一含鑭鹽 和一種或多種含有一種或多種金屬D<sub>1</sub>, D<sub>2</sub>, …, D<sub>N</sub>的無機金屬鹽的一個液體混合物； <br/>將所述液體混合物與第一氣流混合形成一個氣液混合物，並將所述氣液混合物的一個霧高速噴射到一個動力噴射室中； <br/>通過輸送一個加熱氣體的第二氣流並在所述動力噴射室內形成一個氣固混合物，將所述氣液混合物以小於20分鐘的第一反應時間進行乾燥以進行一個或多個氧化反應； <br/>將所述氣固混合物輸送出所述動力噴射室； <br/>獲得所述陶瓷材料的粉狀顆粒；和 <br/>將所述粉狀顆粒退火以超過2小時的第二反應時間，在第三氣流存在下進行動態結晶過程，形成結晶產物，其中所述陶瓷材料的所述結晶產物在掃描電子顯微鏡（SEM）分析下呈聚集簇狀。
根據請求項1所述的固態電解質材料，其中，所述程序還包括將所述陶瓷材料的所述結晶產物研磨得到奈米尺寸的顆粒，其中所述陶瓷材料的振實密度（tap density）大於1.0g/ml。
根據請求項2所述的固態電解質材料，其特徵在於，所述陶瓷材料在900℃以上退火8小時以上後的振實密度（tap density）大於1.4g/ml。
根據請求項1所述的固態電解質材料，其中，所述第二氣流含有氧氣，通過輸送溫度為200℃或更高的第二氣流在小於10分鐘中來乾燥所述氣液混合物。
根據請求項1所述的固態電解質材料，其中，所述粉狀顆粒在氧氣氣體流存在下的動態晶化過程中進行退火。
根據請求項1所述的固態電解質材料，其中，所述程序還包括分離所述氣固混合物以獲得所述陶瓷材料的一種或多種固體顆粒。
根據請求項1所述的固態電解質材料，其特徵在於，在X光繞射(X-ray diffraction, XRD)下分析測得的所述結晶產物為立方相結構的石榴石型陶瓷材料，其在25 °C所測得的離子電導率(σ)大於10<sup>-4</sup> S / 厘米。
根據請求項1所述的固態電解質材料，其特徵在於，通過X光繞射(X-ray diffraction, XRD)下分析測得的所述結晶產物為具有四方相結構的石榴石型陶瓷材料。
根據請求項1所述的固態電解質材料，其中D<sub>1</sub>, D<sub>2</sub>, …, D<sub>N</sub>選自Al、Ta、Ti、Ge、Mg、Mn、Zr、Zn、Nb、Ce、Sn、Ga、Ba、Ac、Ca、Sc、V、Cr、Fe、Cu、B、As、Hf、Mo、W、Re、Ru、Rh、Pt、Ag、Os、Ir、Au、F、Cl、I、Br 及其組合。
根據請求項1所述的固態電解質材料，所述陶瓷材料是一種選自 Li<sub>5</sub>La<sub>3</sub>Nb<sub>2</sub>O<sub>12</sub>, Li<sub>5</sub>La<sub>3</sub>Ta<sub>2</sub>O<sub>12</sub>, Li<sub>5</sub>La<sub>3</sub>Ti<sub>2</sub>O<sub>12</sub>, Li<sub>6</sub>La<sub>3</sub>Sr<sub>1</sub>Ta<sub>2</sub>O<sub>12</sub>, Li<sub>6</sub>La<sub>3</sub>Ba<sub>1</sub>Ta<sub>2</sub>O<sub>12</sub>, Li<sub>6</sub>La<sub>3</sub>Ba<sub>1</sub>Ti<sub>2</sub>O<sub>12</sub>其中之一或其組合。
根據請求項1所述的固態電解質材料，其中，所述程序還包括： <br/>在900℃或更高的退火溫度下燒結所述陶瓷材料的所述結晶產物以進一步加工所述陶瓷材料； 和 <br/>測量所述陶瓷材料的離子電導率。
根據請求項1所述的固態電解質材料，其特徵在於，退火後結晶產物的SPAN值(D<sub>90</sub> – D<sub>10</sub>)/D<sub>50</sub>為0.8＜SPAN≤1.7。
根據請求項1所述的固態電解質材料，其特徵在於，退火後結晶產物的SPAN值(D<sub>90</sub> – D<sub>10</sub>)/D<sub>50</sub>為0.8＜SPAN≤1.0。
根據請求項1所述的固態電解質材料，其特徵在於，退火後的結晶產物的D<sub>90</sub>為20μm和40μm之間，D<sub>10</sub>為3μm和10μm之間，D<sub>99</sub>在 35 μm 和 60μm之間，D<sub>1</sub>在 0.1 μm 和 3 μm之間。
根據請求項1所述的固態電解質材料，其特徵在於，退火後的所述結晶產物的D<sub>50</sub>為10μm和18μm之間。
根據請求項1 所述的固態電解質材料，其特徵在於，所述含鋰鹽選自硫酸鋰(Li<sub>2</sub>SO<sub>4</sub>)、硝酸鋰(LiNO<sub>3</sub>)、碳酸鋰(Li<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>)、醋酸鋰(LiCH<sub>2</sub>COO)、氫氧化鋰( LiOH）、甲酸鋰（LiCHO<sub>2</sub>）、氯化鋰（LiCl）及其組合。
根據請求項16所述的固態電解質材料，其中所述含鋰鹽、所述含鑭鹽及所述一種或多種無機金屬鹽為相同類型的酸式鹽（acid salts）。
根據請求項1所述的固態電解質材料，其中所述一種或多種無機金屬鹽中的一種選自金屬硫酸鹽(metal sulfate)、金屬磷酸鹽(metal phosphate)、金屬硝酸鹽(metal nitrate)、金屬碳酸鹽(metal carbonate)、金屬乙酸鹽(metal acetate)、金屬氫氧化物(metal hydroxide)、金屬鹵化物(metal halogen) 、甲酸鹽(formate)、金屬氯化物(metal chloride)、金屬溴化物(metal bromide)、金屬碘化物(metal iodide)、金屬氟化物(metal fluoride)及其組合。
一種固態電解質材料，包括， <br/>一種陶瓷材料是一種選自化學成分為 Li1.72La2.24Ti3.8Ge0.2O12, Li1.72La2.24Ti3.8Ge0.2O12, Li1.36La2.24Ti4O12 其中之一或其組合，其可透過程序合成，包括： <br/>透過電子控制化學計量的量形成一含鋰鹽、一含鑭鹽 和一種或多種含有一種或多種金屬D<sub>1</sub>, D<sub>2</sub>, …, D<sub>N</sub>的無機金屬鹽的一個液體混合物； <br/>將由所述液體混合物與一個第一氣流混合形成的一個氣液混合物的一個霧以高速噴射到一個動力噴射室中； <br/>通過輸送一個加熱氣體的第二氣流並在所述動力噴射室內形成一個氣固混合物，將所述氣液混合物以小於20分鐘的第一反應時間進行乾燥以進行一個或多個氧化反應； <br/>將所述氣固混合物輸送出所述動力噴射室； <br/>獲得所述陶瓷材料的粉狀顆粒；和 <br/>將所述粉狀顆粒退火以超過2小時的第二反應時間，在第三氣流存在下進行動態結晶過程，形成結晶產物，其中所述陶瓷材料的所述結晶產物在掃描電子顯微鏡（SEM）分析下呈聚集簇狀。
一種固態電解質材料，包括： <br/>一種陶瓷材料是一種選自化學成分為 Li1.72La2.24Ti3.8Ge0.2O12, Li1.72La2.24Ti3.8Ge0.2O12, Li1.36La2.24Ti4O12 其中之一或其組合，其可透過程序合成，包括： <br/>透過電子控制化學計量的量形成一含鋰鹽、一含鑭鹽和一種或多種含有一種或多種金屬D<sub>1</sub>, D<sub>2</sub>, …, D<sub>N</sub>的無機金屬鹽的一個液體混合物； <br/>將所述液體混合物與第一氣流混合以形成一個氣液混合物，並將所述氣液混合物的一個霧高速噴射到一個動力噴射室中； <br/>將所述含鋰鹽、所述含鑭鹽一起以小於20分鐘的第一反應時間進行乾燥，並透過輸送一個加熱氣體的一個第二氣流進行一次或多次氧化反應並形成陶瓷材料的粉末顆粒；和 <br/>將所述粉末狀顆粒退火以超過2小時的第二反應時間以在第三氣流存在下進行動態結晶過程並形成陶瓷材料的結晶產物，其中所述陶瓷材料的所述結晶產物在掃描電子顯微鏡（SEM）分析下呈聚集簇狀，其中，在X光繞射(X-ray diffraction, XRD)下分析測得的所述結晶產物為立方相結構的石榴石型陶瓷材料，其在25 °C所測得的離子電導率(σ)大於10<sup>-4</sup> S / 厘米。
一種用於微型發光二極體顯示器的全彩像素，所述全彩像素包括：<br/> 一或多個紅光微型發光二極體、一或多個綠光微型發光二極體以及一或多個藍光微型發光二極體，同時共用共同n電極，<br/> 其中，所述共同n電極包括一個共同n電極；<br/> 其中，所述紅光微型發光二極體、所述綠光微型發光二極體及所述藍光微型發光二極體中的每一個位於圍繞所述共同n電極的相等距離處。
一種用於微型發光二極體顯示器的全彩像素，所述全彩像素包括：<br/> 一或多個紅光微型發光二極體、一或多個綠光微型發光二極體以及一或多個藍光微型發光二極體，同時共用共同n電極，<br/> 其中，所述共同n電極包括一個共同n電極；<br/> 其中，所述紅光微型發光二極體、所述綠光微型發光二極體及所述藍光微型發光二極體對稱地圍繞所述共同n電極布置。
如請求項1或2所述之全彩像素，其中，所述紅光微型發光二極體、所述綠光微型發光二極體及所述藍光微型發光二極體形成為以三角形圍繞所述共同n電極布置。
如請求項1或2所述之全彩像素，其中，所述紅光微型發光二極體、所述綠光微型發光二極體及所述藍光微型發光二極體形成為以四邊形圍繞所述共同n電極布置。
如請求項1或2所述之全彩像素，其中，所述紅光微型發光二極體、所述綠光微型發光二極體及所述藍光微型發光二極體形成為以五邊形圍繞所述共同n電極布置。
如請求項1或2所述之全彩像素，其中，所述紅光微型發光二極體、所述綠光微型發光二極體及所述藍光微型發光二極體形成為以六邊形圍繞所述共同n電極布置。
如請求項1或2所述之全彩像素，其中，所述紅光微型發光二極體係以紅光轉換螢光粉包覆所述藍光微型發光二極體來實現。
如請求項1或2所述之全彩像素，其中，所述綠光微型發光二極體係以綠光轉換螢光粉包覆所述藍光微型發光二極體來實現。
如請求項1或2所述之全彩像素，其中，所述紅光微型發光二極體的尺寸或所述綠光微型發光二極體的尺寸大於所述藍光微型發光二極體的尺寸。
如請求項9所述之全彩像素，其中，所述紅光微型發光二極體的所述尺寸大於所述綠光微型發光二極體的所述尺寸。
如請求項1或2所述之全彩像素，其中，所述紅光微型發光二極體的數量或所述綠光微型發光二極體的數量大於所述藍光微型發光二極體的數量。
如請求項11所述之全彩像素，其中，所述紅光微型發光二極體的所述數量大於所述綠光微型發光二極體的所述數量。
如請求項1或2所述之全彩像素，其中，包括所述紅光微型發光二極體、所述綠光微型發光二極體及所述藍光微型發光二極體的所述全彩像素的尺寸為0.01至10,000µm<sup>2</sup>。
一種晶圓操作裝置，包含：<br/> 一殼體；<br/> 一載入口，設置在該殼體的一側，並配置以接收一晶圓容器，該晶圓容器配置以容納一半導體晶圓；<br/> 一機械手臂，設置在該殼體內，並配置以將該半導體晶圓移入或移出該晶圓容器；<br/> 一第一空氣粒子偵測器，設置在該殼體內，並配置以提供至少一偵測訊號，該至少一偵測訊號顯示一空氣中粒子數；以及<br/> 一控制系統，可通訊地耦接該第一空氣粒子偵測器，其中該控制系統配置以接收該至少一偵測訊號，並基於該至少一偵測訊號執行至少一保護動作，<br/> 其中該機械手臂包含一臂部以及一直線運動機構，該直線運動機構配置以移動該臂部，該第一空氣粒子偵測器位在該直線運動機構的下方或是該直線運動機構的一側。
如請求項1所述之晶圓操作裝置，其中該機械手臂配置以沿著一路徑移動該半導體晶圓，該晶圓操作裝置進一步包含一第二空氣粒子偵測器，該第二空氣粒子偵測器位在該路徑下方。
如請求項1所述之晶圓操作裝置，其中該載入口包含一門板開啟裝置，該門板開啟裝置配置以開啟被該載入口接收的該晶圓容器的一門板，該晶圓操作裝置進一步包含一第二空氣粒子偵測器，該第二空氣粒子偵測器位在該門板開啟裝置的下方或是該門板開啟裝置的一側。
如請求項1所述之晶圓操作裝置，其中該機械手臂還包含一轉動關節，該晶圓操作裝置進一步包含一第二空氣粒子偵測器，該第二空氣粒子偵測器位在該轉動關節的下方或是該轉動關節的一側。
一種晶圓操作裝置，包含：<br/> 一殼體；<br/> 一載入口，設置在該殼體的一側，並配置以接收一晶圓容器，該晶圓容器配置以容納一半導體晶圓；<br/> 一機械手臂，設置在該殼體內，並配置以將該半導體晶圓移入或移出該晶圓容器；<br/> 一空氣粒子偵測器，設置在該殼體內，並配置以提供至少一偵測訊號，該至少一偵測訊號顯示一空氣中粒子數；以及<br/> 一控制系統，可通訊地耦接該空氣粒子偵測器，其中該控制系統配置以接收該至少一偵測訊號，並基於該至少一偵測訊號執行至少一保護動作，其中該至少一保護動作包含將該晶圓操作裝置切換至一暫停狀態，其中該控制系統配置以基於該至少一偵測訊號作出該空氣中粒子數超過一第一閾值的一第一判定，並因應於該第一判定而將該晶圓操作裝置切換至該暫停狀態，其中該至少一保護動作還包含發出一警示或顯示出現異常的一通知，其中該控制系統配置以因應於該空氣中粒子數超過該第一閾值的該第一判定而發出該警示，該警示包含該空氣粒子偵測器的一位置資訊，其中該控制系統配置以基於該至少一偵測訊號作出該空氣中粒子數超過一第二閾值的一第二判定，並因應於該第二判定而發出該通知，該第二閾值低於該第一閾值。
如請求項5所述之晶圓操作裝置，其中該通知包含該空氣粒子偵測器的該位置資訊。
如請求項5所述之晶圓操作裝置，其中該控制系統包含一處理器以及一資料儲存裝置，該資料儲存裝置配置以儲存該晶圓操作裝置的一作業時程，該處理器配置以基於該至少一偵測訊號來判定該空氣中粒子數超過該第一閾值或該第二閾值的一時間點，該處理器還配置以基於該作業時程以及該空氣中粒子數超過該第一閾值或該第二閾值的該時間點來找出該晶圓操作裝置的一故障機械部件。
一種監控晶圓操作裝置的方法，用以監控一晶圓操作裝置，並包含：<br/> 在該晶圓操作裝置的一殼體內設置一空氣粒子偵測器，其中該殼體配置以容納用以移動一半導體晶圓的一機械手臂；<br/> 由該空氣粒子偵測器提供至少一偵測訊號，該至少一偵測訊號顯示一空氣中粒子數；<br/> 由該晶圓操作裝置的一控制系統接收該至少一偵測訊號；以及<br/> 由該控制系統基於該至少一偵測訊號來執行至少一保護動作，<br/> 其中執行該至少一保護動作包含：因應於一第一判定而將該晶圓操作裝置切換至一暫停狀態，其中該控制系統配置以基於該至少一偵測訊號作出該空氣中粒子數超過一第一閾值的該第一判定，<br/> 其中執行該至少一保護動作還包含：<br/> 因應於該空氣中粒子數超過該第一閾值的該第一判定而發出一警示，其中該警示包含該空氣粒子偵測器的一位置資訊；或者<br/> 因應於一第二判定而發出一通知，該通知顯示出現異常，其中該控制系統配置以基於該至少一偵測訊號作出該空氣中粒子數超過一第二閾值的該第二判定，該第二閾值低於該第一閾值。
如請求項8所述之監控晶圓操作裝置的方法，其中該空氣粒子偵測器設置在一第一位置或一第二位置，其中該機械手臂配置以沿著一路徑移動該半導體晶圓，該第一位置位在該路徑下方，其中該第二位置位在該晶圓操作裝置的一可動機械部件的下方或是該可動機械部件的一側。
如請求項8所述之監控晶圓操作裝置的方法，進一步包含：<br/> 由該控制系統基於該至少一偵測訊號來判定該空氣中粒子數超過該第一閾值或該第二閾值的一時間點；以及<br/> 由該控制系統基於該晶圓操作裝置的一作業時程以及該空氣中粒子數超過該第一閾值或該第二閾值的該時間點來找出該晶圓操作裝置的一故障機械部件。
一種絲餅包膜裝置，包括：一展膜單元，將一包裝薄膜卷輸送而來的一包裝薄膜展開；一壓模，包括一模板和設於該模板上的一模芯；該模芯對應該包裝薄膜的一側；一絲餅驅動單元，驅動一絲餅使其位於該包裝薄膜的另一側，驅動該絲餅以其一軸管的一第一端穿套於該模芯外，該包裝薄膜覆蓋該絲餅的第一面，並且一部分的該包裝薄膜被該模芯擠入該第一端內部；一導膜單元，引導該包裝薄膜，使其貼合包覆該絲餅的一圓周面，並覆蓋住該絲餅的一第二面及該軸管的一第二端；一熱封軸，由一熱封軸驅動裝置控制，由該軸管的該第二端穿入該軸管，覆蓋住該軸管的該第二端的該包裝薄膜的一部分被該熱封軸擠入該第二端內部，該熱封軸接觸該模芯，將擠入該軸管中的該包裝薄膜予以熱壓接合。
如請求項1所述的絲餅包膜裝置，其中，該展膜單元包括一滑軌，以及可沿著該滑軌往復移動的一刀架和一拉膜架；該刀架中設一切膜刀，該拉膜架可以夾住或釋放該包裝薄膜的一開放邊；該切膜刀用以切斷該包裝薄膜與該包裝薄膜卷的連結。
如請求項1所述的絲餅包膜裝置，其中，該絲餅驅動單元為一機械手臂加載一氣脹軸，該氣脹軸可穿入或脫離該絲餅的該軸管。
如請求項1所述的絲餅包膜裝置，其中，該導膜單元包括一框架、至少一驅動缸、數個噴氣嘴；該框架圍繞於該模板的週圍，該噴氣嘴平均分佈設該框架上並均朝向該框架的中心軸線方向，該噴氣嘴連接一氣壓單元；該噴氣嘴輸出壓力氣流；該驅動缸連接該框架，控制該框架以平行於該壓模的軸心方向往復移動。
如請求項1所述的絲餅包膜裝置，其中，該熱封軸的端部設一熱壓件，該熱壓件與該模芯接觸，將擠入該軸管中的該包裝薄膜予以熱壓接合。
如請求項1所述的絲餅包膜裝置，其中，該熱封軸驅動裝置為機械手臂。
一種自行車之控制裝置，該控制裝置包含：<br/> 一致動器；以及<br/> 一第一控制器，其被組配成可進行下列作業：<br/> 響應於該致動器的促動，而產生數個訊息並將該等訊息從該第一控制器傳送至該自行車之一第二控制器；<br/> 判定該致動器已被促動的一時間量；<br/> 將所判定之該時間量與一預定配對模式臨界時段作比較；及<br/> 基於所作之比較，在所判定之該時間量大於該預定配對模式臨界時段時，進入一配對模式。
如請求項1之控制裝置，其中，該等訊息各含有識別該致動器之該促動的資料。
如請求項1之控制裝置，其中，該第一控制器被組配成可在所判定之該時間量大於該預定配對模式臨界時段時，產生指出已進入該配對模式的一訊息，並將指出已進入該配對模式的該訊息從該第一控制器傳送至該第二控制器，以使該第二控制器不響應於被傳送及接收的該等訊息而起始任何動作。
如請求項1之控制裝置，其中，當所判定之該時間量小於該預定配對模式臨界時段時，該第二控制器響應於被傳送及接收的該等訊息而起始該自行車之一電子組件的一動作。
如請求項4之控制裝置，其中，該電子組件係該自行車的一後變速器、一前變速器、一座桿總成或一懸吊總成。
如請求項1之控制裝置，其中，該第一控制器進一步被組配成可響應於該致動器之停用而產生一第二訊息，並將該第二訊息從該第一控制器傳送至該第二控制器，該第二訊息含有識別該致動器之該停用的資料。
如請求項1之控制裝置，其中，當該第二控制器是在該預定配對模式臨界時段結束之前接收該第二訊息時，該第二控制器響應於被傳送及接收的該等訊息而起始該自行車之一電子組件的一動作。
如請求項1之控制裝置，其中，該致動器包含單個輸入元件。
一種用於在一電子設備中提供物品銷售量管理之資訊的方法，該方法包括： <br/>識別一目標物品； <br/>識別對應於該目標物品之複數個賣家物品； <br/>將基於該複數個賣家物品之詳細資訊選擇之至少一個賣家物品設定為一第一優先級物品，且將剩餘賣家物品設定為若干第二優先級物品； <br/>選擇對應於該等第二優先級物品之賣家當中的至少一些賣家； <br/>將包含與該目標物品有關之資訊之一訊息傳輸至與經選定之該等賣家相關聯之各終端機； <br/>接收來自一客戶終端機之對應於該目標物品之一關鍵字； <br/>回應於該關鍵字，將針對該目標物品之各條目顯示關於該第一優先級物品之資訊的一搜尋結果頁面(SRP)提供至該客戶終端機； <br/>接收來自該客戶終端機之對關於被顯示於該SRP上之目標物品當中之一特定物品之詳細資訊的一請求；及 <br/>回應於對詳細資訊之該請求，將在該特定物品之各條目中顯示關於該第一優先級物品之資訊的一單一詳情頁(SDP)提供至該客戶終端機，其中該SDP包含該等第二優先級物品之清單資訊； <br/>接收來自該客戶終端機之對包含於該清單資訊中之該等第二優先級物品中之任一者的一選擇；及 <br/>回應於該選擇，將其中關於該第一優先級物品的資訊以關於一選定第二優先級物品的資訊替換的該SDP提供至該客戶終端機。
如請求項1之方法，其中該設定至少一個賣家物品包含：基於該複數個賣家物品之各者之一評分及對應於該複數個賣家物品之賣家之各者之一評級中的至少一者來設定該第一優先級物品及該等第二優先級物品。
如請求項2之方法，其中基於該複數個賣家物品之各者的價格及遞送相關資訊中之至少一者來設定該複數個賣家物品之各者的該評分。
如請求項2之方法，其中基於訂單處理資訊、客戶詢問回應資訊及各賣家之各帳戶對該訊息作出回應所花費的時間中的至少一者來設定該等賣家之各者的該評級。
如請求項1之方法，其中該選擇至少一些賣家包含：選擇對應於由於該第一優先級物品及該第二優先級物品之一最近設定而從該第一優先級物品改變為該第二優先級物品之一賣家物品的一賣家。
如請求項1之方法，其中該選擇至少一些賣家包含：選擇對應於在從該第一優先級物品改變為該第二優先級物品之後之一預設時段內維持被設定為該第二優先級物品之一狀態之一賣家物品的一賣家。
如請求項1之方法，其中該傳輸一訊息包含：傳輸包含該選定賣家之一賣家物品之價格調整資訊的一訊息。
如請求項1之方法，其中該傳輸一訊息包含：每當經過一預設單位時間時，傳輸請求識別該選定賣家之一賣家物品清單的一訊息。
如請求項1之方法，其中該傳輸一訊息包含：基於該選定賣家之帳戶資訊、服務設定資訊、所銷售之物品類型之一數目、所銷售之該等物品之各者之初始數量、所銷售之該等物品之各者之銷售量、所銷售之該等物品之各者之庫存資訊、所銷售之該等物品之各者之標籤資訊、該等第二優先級物品之類型之一數目、該等第二優先級物品之各者之初始數量、該等第二優先級物品之各者之銷售量、該等第二優先級物品之各者之庫存資訊及該等第二優先級物品之各者之標籤資訊中的至少一者來調整是否提供該訊息，當提供該訊息時，提供該訊息之一次數及提供該訊息之一頻率中的至少一者。
如請求項9之方法，其中該傳輸一訊息包含，若由該選定賣家銷售之物品類型之該數目或對應於該選定賣家之該等第二優先級物品之類型之該數目等於或大於一預設類型數目，則將在一預設時段期間提供該訊息之一次數調整為一預設數目或更小。
如請求項9之方法，其中該傳輸一訊息包含，若與該訊息有關之第二優先級物品對應於根據該服務設定資訊在一服務上註冊之一所關注物品、一所關注類別及一所關注標籤中之至少一者，則傳輸該訊息。
如請求項1之方法，進一步包括向與對應於該複數個賣家物品之各賣家相關聯之一終端機提供包含用於提供該目標物品之一價格調整功能之一介面的一銷售量管理頁面； <br/>其中包含於該銷售量管理頁面中之該介面包含提供該目標物品之一價格之一人工調整功能的一第一介面、提供在由該複數個賣家之各者預設之一價格範圍內之該目標物品之一價格之一自動調整功能的一第二介面，及提供對該目標物品應用一建議價格之一功能的一第三介面。
如請求項12之方法，其中該自動調整功能包含基於該目標物品之銷售歷史資訊，而基於在未來一預定時段內該目標物品之一預期銷售量或預期銷售數量，在該預設價格範圍內自動調整該目標物品之一價格。
如請求項13之方法，其中該自動調整功能包含： <br/>在該預設價格範圍內搜尋用於在該預定時段內將該目標物品之該預期銷售量或該預期銷售數量增加超過臨限值之一最低價格及一最高價格，及 <br/>於該最低價格及該最高價格組成之一價格範圍內自動調整該目標物品之價格。
如請求項12之方法，其中應用一建議價格之該功能包含：基於該目標物品之一當前價格、該目標物品之遞送相關資訊及對應於該目標物品之各賣家之一評級中的至少一者來對該目標物品應用一建議價格。
如請求項15之方法，其中應用該建議價格之該功能包含： <br/>當該建議價格應用之該目標物品從該等第二優先級物品之一者變為該第一優先級物品之機率大於或等於一臨限值時，對該目標物品應用該建議價格；且 <br/>當存在複數個滿足大於或等於該臨限值之機率之該建議價格，對該目標物品應用基於複數個該建議價格計算之一代表值。
如請求項12之方法，其中該銷售量管理頁面進一步包含為該第一優先級物品提供改變歷史資訊之一介面， <br/>其中該第一優先級物品之該改變歷史資訊包含以下至少一者；該第一優先級物品之賣家改變歷史、該第一優先級物品之改變時序、該第一優先級物品之一狀態之持續時間及該第一優先級物品之價格改變歷史。
如請求項1之方法，進一步包括： <br/>接收來自與至少一些該等選定賣家相關聯之終端機之關於該等第二優先級物品之經修改詳細資訊；及 <br/>基於該經修改詳細資訊，重設該第一優先級物品及該等第二優先級物品中之至少一者。
一種電腦可讀非暫時性記錄媒體，其具有用於在一電腦上執行如請求項1之方法之一程式。
一種用於管理物品銷售量之電子設備，其包括： <br/>一收發器； <br/>一記憶體，其經組態以儲存指令；及 <br/>一處理器， <br/>其中經連接至該收發器及該記憶體之該處理器經組態以： <br/>識別一目標物品； <br/>識別對應於該目標物品之複數個賣家物品； <br/>將基於該複數個賣家物品之詳細資訊而選擇之至少一個賣家物品設定為一第一優先級物品，且將剩餘賣家物品設定為若干第二優先級物品； <br/>選擇對應於該等第二優先級物品之賣家當中的至少一些賣家； <br/>將包含與該目標物品有關之資訊之一訊息傳輸至與經選定之該等賣家相關聯之各終端機； <br/>接收來自一客戶終端機之對應於該目標物品之一關鍵字； <br/>回應於該關鍵字，將針對該目標物品之各條目顯示關於該第一優先級物品之資訊的一搜尋結果頁面(SRP)提供至該客戶終端機； <br/>接收來自該客戶終端機之對關於被顯示於該SRP上之目標物品當中之一特定物品之詳細資訊的一請求；及 <br/>回應於對詳細資訊之該請求，將在該特定物品之各條目中顯示關於該第一優先級物品之資訊的一單一詳情頁(SDP)提供至該客戶終端機，其中該SDP包含該等第二優先級物品之清單資訊； <br/>接收來自該客戶終端機之對包含於該清單資訊中之該等第二優先級物品中之任一者的一選擇；及 <br/>回應於該選擇，將其中關於該第一優先級物品的資訊以關於一選定第二優先級物品的資訊替換的該SDP提供至該客戶終端機。
一種重組腺病毒相關（rAAV）血清型rh.74用於製備藥物之用途，該rAAV包括SEQ ID NO: 9之微小肌縮蛋白核苷酸序列以及SEQ ID NO: 9之5’反向末端重複序列（ITR）、啟動子序列、嵌合內含子序列、聚A序列及3’ ITR，該藥物係用於治療有需要之年齡為3個月至7歲之間人類個體之肌肉萎縮症，其中該藥物經調配為用於全身投與途徑且包含5.0×10<sup>12</sup>至1.0×10<sup>15 </sup>vg/kg之該rAAV之劑量。<b> </b>
如請求項1之用途，其中該rAAV之劑量係使用超螺旋DNA標準品測定。
如請求項1之用途，其中該藥物經調配用於靜脈內投與，且該rAAV之劑量為約2×10<sup>14 </sup>vg/kg。
如請求項1之用途，其中該rAAV之劑量係經調配以約10 mL/kg投與。
如請求項1之用途，其中該藥物經調配用於以約一小時輸注投與。
如請求項1之用途，其中該肌肉萎縮症係杜興氏肌肉萎縮症（Duchenne Muscular Dystrophy）或貝克氏肌肉萎縮症（Becker's muscular dystrophy）。
一種重組腺病毒相關（rAAV）血清型rh.74用於製備藥物之用途，該藥物用於治療有需要之人類個體之杜興氏肌肉萎縮症，其中該藥物係經調配用於以約一小時靜脈內輸注投與，且包含約2×10<sup>14 </sup>vg/kg之rAAV劑量，其中該個體為年齡3個月至7歲，且其中該rAAV包括SEQ ID NO: 9之核苷酸序列。
如請求項7之用途，其中該個體具有含讀框轉移或在外顯子18至58之間含過早終止密碼子突變之杜興氏肌肉萎縮症基因。
如請求項7之用途，其中在投與該rAAV至該個體前，該個體具有肌酸激酶（CK）水準＞1000 U/L。
如請求項7之用途，其中在投與該rAAV至該個體前，該個體在Bayley-III動作評估低於平均值。
如請求項7之用途，其中在投與該rAAV至該個體前，該個體在100公尺計時測試低於平均值。
如請求項7之用途，其中在投與該rAAV至該個體前，該個體具有以ELISA免疫分析所測定＜1:400之AAVrh.74或AAV8抗體效價。
如請求項7之用途，其中該rAAV之劑量係使用超螺旋DNA標準品測定。
如請求項1至13中任一項之用途，其中在投與該rAAV至該個體之後，該個體之血清肌酸激酶（CK）水準相較於投與前之血清CK水準降低。
如請求項1至13中任一項之用途，其中在投與該rAAV之後，該個體之細胞中微小肌縮蛋白表現量相較於投與該rAAV前之微小肌縮蛋白表現量增加。
如請求項1至13中任一項之用途，其中在投與該rAAV之後，該個體之肌肉組織中微小肌縮蛋白陽性纖維數量相較於投與該rAAV前之微小肌縮蛋白陽性纖維數量增加。
如請求項1至13中任一項之用途，其中在投與該rAAV之後，該個體中α-肌聚糖及/或β-肌聚糖之水準相較於投與該rAAV前之α-肌聚糖及/或β-肌聚糖之水準增加。
如請求項1至13中任一項之用途，其中在投與該rAAV之後，藉由以下任一者所量測，該個體之疾病進展延遲：六分鐘步行測試、起身時間、登高4級台階、登高及下降4級台階、北極星移動評估（NSAA）、10公尺計時測試、100公尺計時測試、手持肌力測定法（HHD）、計時起立行走及/或大肌肉動作分測試量表（Bayley-III）分數。
一種天線裝置，包含：<br/> 一基板，具有相背對的一第一面以及一第二面；一激發體，設置於該第一面，並包含相分離的二第一激發部以及一第二激發部，該二第一激發部相對稱，每一該二第一激發部包含一第一激發段、一第二激發段、一第三激發段、一第四激發段以及一第五激發段，該第二激發段之一端垂直地連接於該第一激發段之一端，該第三激發段之一端垂直地連接於該第二激發段之另一端，且該第三激發段朝遠離該第一激發段的方向延伸，該第四激發段之一端垂直地連接於該第三激發段之另一端，且該第四激發段朝向該第一激發段的方向延伸，該第五激發段之一端垂直地連接於該第四激發段之另一端，且該第五激發段朝向該第一激發段的方向延伸，該二第四激發段以及該第二激發部分別與該基板之相異側邊相鄰；一低頻匹配體，設置於該第二面，並與該基板之側邊相分離；二接地體，該二接地體設置於該第一面，每一該二接地體連接於該第一激發段遠離該第二激發段之一端，該基板更具有相連的一第一側邊、一第二側邊、一第三側邊以及一第四側邊，該第一側邊與該第二側邊相對，該第三側邊與該第四側邊相對，該第一側邊、該第二側邊、該第三側邊以及該第四側邊共同圍繞該第一面與該第二面，該二第四激發段分別切齊於該第一側邊與該第二側邊，該第二激發部至少部分切齊於該第三側邊，該二接地體切齊於該第四側邊；以及二饋入體，該二饋入體設置於該第一面，每一該二饋入體位於該第一激發段與該接地體之間，每一該二饋入體與該第四側邊之間的間距小於每一該二第五激發段與該第四側邊之間的間距，且該第二激發部的總長小於等於該二饋入體之間的間距。
如請求項1所述之天線裝置，其中每一該二第一激發段的長度為2毫米，每一該二第一激發段的寬度為0.7毫米，每一該二第二激發段的長度為2.5毫米，每一該二第二激發段的寬度為0.9毫米，每一該二第三激發段的長度為4.4毫米，每一該二第二激發段的寬度為1毫米，每一該二第四激發段的長度為1.7毫米，每一該二第四激發段的寬度為1毫米，每一該二第五激發段的長度為2.6毫米，每一該二第五激發段的寬度為1毫米，每一該二第五激發段與該第四側邊之間的間距為0.8毫米，每一該二接地體的長度為5毫米，每一該二接地體的寬度為2.2毫米，每一該二饋入體的長度為0.7毫米，每一該二饋入體的寬度為0.5毫米，每一該二饋入體與該第四側邊之間的間距為0.3毫米。
如請求項1所述之天線裝置，其中該低頻匹配體包含一第一匹配段以及二第二匹配段，該第一匹配段靠近該第四側邊，該二第二匹配段分別連接於該第一匹配段之相對兩端，並朝向該第三側邊的方向延伸，且該二第二匹配段之間的間距大於該二饋入體之間的間距。
如請求項3所述之天線裝置，其中該第一匹配段的長度為23.6毫米，該第一匹配段的寬度為1.4毫米，每一該二第二匹配段的長度為2毫米，每一該二第二匹配段的寬度為1.2毫米，且該第一匹配段與該第四側邊之間的間距為0.6毫米。
如請求項1所述之天線裝置，其中該第二激發部包含一第六激發段、二第七激發段、二第八激發段以及二第九激發段，該第六激發段切齊於該第三側邊，該二第七激發段之一端分別垂直地連接於該第六激發段之相對兩端，並分別朝向該二接地體的方向延伸，該二第八激發段之一端分別垂直地連接於該二第七激發段之另一端，並朝遠離該第六激發段的方向延伸，該二第九激發段之一端分別垂直地連接於該二第八激發段之另一端，並朝遠離該二接地體的方向延伸，該二第九激發段遠離該二第八激發段之一端切齊於該第三側邊，且該二第八激發段分別與該二接地體之間相隔一間距。
如請求項5所述之天線裝置，其中該第六激發段的長度為15毫米，該第六激發段的寬度為0.5毫米，每一該二第七激發段的長度為1.25毫米，每一該二第七激發段的寬度為0.5毫米，每一該二第八激發段的長度為2毫米，每一該二第八激發段的寬度為0.5毫米，每一該二第九激發段的長度為1.75毫米，每一該二第九激發段的寬度為0.5毫米。
如請求項1所述之天線裝置，更包含一去耦合體，該去耦合體設置於該第一面，並包含一第一去耦合段、二第二去耦合段、二第三去耦合段、二第四去耦合段以及一第五去耦合段，該第一去耦合段切齊於該第四側邊，該二第二去耦合段分別垂直地連接於該第一去耦合段的相對兩端，並分別朝向該第二激發部的方向延伸，該二第三去耦合段分別垂直地連接於該二第二去耦合段之另一端，並分別朝遠離該第一去耦合段的方向延伸，該二第四去耦合段分別垂直地連接於該二第三去耦合段之另一端，並分別朝向該第二激發部的方向延伸，該第五去耦合段之相對兩端分別連接於該二第四去耦合段，該第五去耦合段與該第二激發部之間相隔一間距，且該第一去耦合段以及至少部分之該二第二去耦合段位於該二接地體之間。
如請求項7所述之天線裝置，其中該第一去耦合段的長度為4毫米，該第一去耦合段的寬度為1毫米，該第一去耦合段與該二接地體之間的間距各為2毫米，每一該二第二去耦合段的長度為1.6毫米，每一該二第二去耦合段的寬度為0.7毫米，每一該二第三去耦合段的長度為2.7毫米，每一該二第三去耦合段的寬度為0.4毫米，每一該二第四去耦合段的長度為0.8毫米，每一該二第四去耦合段的寬度為0.5毫米，該第五去耦合段的長度為8毫米，該第五去耦合段的寬度為0.5毫米，且該第五去耦合段與該第二激發部之間的間距大於等於0.2毫米。
一種相干光傳輸系統，包含： <br/>一第一光收發器和一第二光收發器，各包含： <br/>一雷射光源，用於發出一初始光； <br/>一分光模組，與該雷射光源光耦合，該分光模組用於將該初始光劃分為一參考光及一訊號光； <br/>一光調制器，與該分光模組光耦合，該光調制器用於調制該訊號光； <br/>一光混頻器，與該分光模組光耦合；以及 <br/>一光偵測器，與該光混頻器光耦合； <br/>其中，該第一光收發器的該光混頻器用於將該第一光收發器的該參考光與該第二光收發器的該訊號光混頻，且該第二光收發器的該光混頻器用於將該第二光收發器的該參考光與該第一光收發器的該訊號光混頻。
如請求項1所述的相干光傳輸系統，其中該分光模組包含： <br/>一分光器，與該雷射光源光耦合，該分光器用於將該初始光劃分為該參考光及該訊號光； <br/>一第一波長選擇元件，與該分光器和該光混頻器光耦合，該第一波長選擇元件用於調整該參考光的中心波長；以及 <br/>一第二波長選擇元件，與該分光器光耦合，該第二波長選擇元件用於將該訊號光調整為具有單一主峰波長， <br/>其中，該光調制器與該第二波長選擇元件光耦合而用於調制具有單一主峰波長的該訊號光。
如請求項2所述的相干光傳輸系統，其中該第一波長選擇元件及/或該第二波長選擇元件為分散式布拉格反射器。
如請求項2所述的相干光傳輸系統，其中經調整中心波長的該參考光與該訊號光之間具有25GHz至30GHz的頻率差。
如請求項1所述的相干光傳輸系統，其中通過外差檢測解析該訊號光的資訊。
如請求項1所述的相干光傳輸系統，其中該雷射光源發出的該初始光的波長範圍屬紅外光波段。
如請求項1所述的相干光傳輸系統，其中該兩個光收發器各自除了該雷射光源以外，不包含其他雷射光源。
如請求項1所述的相干光傳輸系統，其中該第一光收發器的該光混頻器只接收該第一光收發器的該參考光與該第二光收發器的該訊號光，且該第二光收發器的該光混頻器只接收該第二光收發器的該參考光與該第一光收發器的該訊號光。
如請求項1所述的相干光傳輸系統，其中該雷射光源為一FP雷射器。
一種相干光傳輸系統的光收發器，包含： <br/>一雷射光源，用於發出一初始光； <br/>一分光模組，與該雷射光源光耦合，該分光模組用於將該初始光劃分為一第一參考光及一第一訊號光； <br/>一光調制器，與該分光模組光耦合，該光調制器用於調制該第一訊號光； <br/>一光混頻器，與該分光模組光耦合，該光混頻器用於將該第一參考光與一第二訊號光混頻，該第二訊號光來自于該雷射光源以外的其他雷射光源；以及 <br/>一光偵測器，與該光混頻器光耦合。
如請求項10所述的相干光傳輸系統的光收發器，其中該分光模組包含： <br/>一分光器，與該雷射光源光耦合，該分光器用於將該初始光劃分為該第一參考光及該第一訊號光； <br/>一第一波長選擇元件，與該分光器和該光混頻器光耦合，該第一波長選擇元件用於調整該第一參考光的中心波長；以及 <br/>一第二波長選擇元件，與該分光器光耦合，該第二波長選擇元件用於將該第一訊號光調整為具有單一主峰波長， <br/>其中，該光調制器與該第二波長選擇元件光耦合而用於調制具有單一主峰波長的該第一訊號光。
如請求項11所述的相干光傳輸系統的光收發器，其中該第一波長選擇元件及/或該第二波長選擇元件為分散式布拉格反射器。
如請求項11所述的相干光傳輸系統的光收發器，其中經調整中心波長的該第一參考光與該第二訊號光之間具有25GHz至30GHz的頻率差。
如請求項10所述的相干光傳輸系統的光收發器，其中通過外差檢測解析該第二訊號光的資訊。
如請求項10所述的相干光傳輸系統的光收發器，其中該雷射光源發出的該初始光的波長範圍屬紅外光波段。
如請求項10所述的相干光傳輸系統的光收發器，其中除了該雷射光源以外，不包含其他雷射光源。
如請求項10所述的相干光傳輸系統的光收發器，其中該光混頻器只接收該第一參考光與該第二訊號光。
如請求項10所述的相干光傳輸系統的光收發器，其中該雷射光源為一FP雷射器。
一種機器學習模型的訓練方法，由一電子裝置執行，該訓練方法包含：<br/> 取得多個訓練樣本；<br/> 將該些訓練樣本的每一者輸入至一第一機器學習模型以取得對應的一特徵向量；<br/> 將該些訓練樣本所對應的該些特徵向量進行分群以得到多個群組，其中該些群組的每一者包含該些特徵向量的一部分；<br/> 從該些群組的每一者擷取一代表性特徵向量，該代表性特徵向量對應至該些訓練樣本中的一代表性訓練樣本，其中該些群組所對應的該些代表性訓練樣本的數量小於該些訓練樣本的數量；以及<br/> 根據該些代表性訓練樣本來訓練一第二機器學習模型，其中該第二機器學習模型是一預訓練模型。
如請求項1所述的訓練方法，其中將該些訓練樣本所對應的該些特徵向量進行分群以得到該些群組的步驟包含：<br/> 計算該些特徵向量之間的相似度；以及<br/> 若該些特徵向量的其中之二之間的該相似度大於一相似度臨界值，將該些特徵向量的該其中之二分群為該些群組中相同的一者。
如請求項2所述的訓練方法，其中從該些群組的每一者擷取該代表性特徵向量的步驟包括：<br/> 對於該些群組中的一第一群組建立一圖，該圖包含多個頂點與至少一邊，該些頂點對應至該第一群組中的該些特徵向量，該至少一邊表示該第一群組中該些特徵向量的該相似度大於該相似度臨界值；以及<br/> 將該些頂點中擁有最大連接數的頂點設定為該代表性特徵向量。
如請求項1所述的訓練方法，其中該些訓練樣本的每一者包含一問題以及一答案，其中根據該些代表性訓練樣本來訓練該第二機器學習模型的步驟包括：<br/> 對於該些群組中的一第一群組，根據該第一群組中的該些訓練樣本的該些問題查詢一外部資料庫以得到多份補充資料；<br/> 將該第一群組的該代表性訓練樣本與一第一提示輸入至一第三機器學習模型以得到一評論資料；<br/> 將該第一群組的該代表性訓練樣本、該些補充資料、該評論資料以及一第二提示輸入至一第四機器學習模型以得到對應至該代表性訓練樣本的一優化樣本，其中該第四機器學習模型不同於該第三機器學習模型；以及<br/> 根據該優化樣本來訓練該第二機器學習模型。
如請求項4所述的訓練方法，其中該第三機器學習模型為一語言模型，該第一提示用以指示評估該答案的正確性、流暢性以及完整性。
如請求項5所述的訓練方法，其中該第四機器學習模型為一語言模型，該第二提示用以指示根據該些補充資料以及該評論資料調整該第一群組的該代表性訓練樣本的該答案。
一種訓練樣本的優化方法，由一電子裝置執行，該優化方法包括：<br/> 步驟(a)：取得一原始樣本；<br/> 步驟(b)：根據該原始樣本查詢一外部資料庫以得到一補充資料；<br/> 步驟(c)：將該原始樣本與一第一提示輸入至一第一機器學習模型以得到一評論資料；以及<br/> 步驟(d)：將該原始樣本、該補充資料、該評論資料以及一第二提示輸入至一第二機器學習模型以得到對應至該原始樣本的一優化樣本，其中該第二機器學習模型不同於該第一機器學習模型。
如請求項7所述的優化方法，還包括：<br/> 將該原始樣本替換為該優化樣本並重複執行該步驟(c)以及該步驟(d)。
如請求項7所述的優化方法，其中該原始樣本包含一問題以及一答案，該步驟(b)包括：<br/> 根據該問題查詢該外部資料庫以得到該補充資料。
如請求項9所述的優化方法，其中該原始樣本包含文字，該第一機器學習模型為一語言模型，該第一提示用以指示評估該答案的正確性、流暢性以及完整性。
如請求項9所述的優化方法，其中該第二機器學習模型為一語言模型，該第二提示用以指示根據該補充資料以及該評論資料調整該答案。
一種電子裝置，包含：<br/> 一記憶體，用以儲存多個指令；<br/> 一處理器，通訊連接至該記憶體，用以執行該些指令以完成多個步驟：<br/> 取得多個訓練樣本；<br/> 將該些訓練樣本的每一者輸入至一第一機器學習模型以取得對應的一特徵向量；<br/> 將該些訓練樣本所對應的該些特徵向量進行分群以得到多個群組，其中該些群組的每一者包含該些特徵向量的一部分；<br/> 從該些群組的每一者擷取一代表性特徵向量，該代表性特徵向量對應至該些訓練樣本中的一代表性訓練樣本，其中該些群組所對應的該些代表性訓練樣本的數量小於該些訓練樣本的數量；以及<br/> 根據該些代表性訓練樣本來訓練一第二機器學習模型，其中該第二機器學習模型是一預訓練模型。
如請求項12所述的電子裝置，其中將該些訓練樣本所對應的該些特徵向量進行分群以得到該些群組的步驟包含：<br/> 計算該些特徵向量之間的相似度；以及<br/> 若該些特徵向量的其中之二之間的該相似度大於一相似度臨界值，將該些特徵向量的該其中之二分群為該些群組中相同的一者。
如請求項13所述的電子裝置，其中從該些群組的每一者擷取該代表性特徵向量的步驟包括：<br/> 對於該些群組中的一第一群組建立一圖，該圖包含多個頂點與至少一邊，該些頂點對應至該第一群組中的該些特徵向量，該至少一邊表示該第一群組中該些特徵向量的該相似度大於該相似度臨界值；以及<br/> 將該些頂點中擁有最大連接數的頂點設定為該代表性特徵向量。
如請求項12所述的電子裝置，其中該些訓練樣本的每一者包含一問題以及一答案，其中根據該些代表性訓練樣本來訓練該第二機器學習模型的步驟包括：<br/> 對於該些群組中的一第一群組，根據該第一群組中的該些訓練樣本的該些問題查詢一外部資料庫以得到多份補充資料；<br/> 將該第一群組的該代表性訓練樣本與一第一提示輸入至一第三機器學習模型以得到一評論資料；<br/> 將該第一群組的該代表性訓練樣本、該些補充資料、該評論資料以及一第二提示輸入至一第四機器學習模型以得到對應至該代表性訓練樣本的一優化樣本，其中該第四機器學習模型不同於該第三機器學習模型；以及<br/> 根據該優化樣本來訓練該第二機器學習模型。
如請求項15所述的電子裝置，其中該第三機器學習模型為一語言模型，該第一提示用以指示評估該答案的正確性、流暢性以及完整性。
如請求項16所述的電子裝置，其中該第四機器學習模型為一語言模型，該第二提示用以指示根據該些補充資料以及該評論資料調整該第一群組的該代表性訓練樣本的該答案。
一種箱體固定結構，其中，包括： <br/>一箱體； <br/>一約束帶，穿設在所述箱體；所述約束帶包括調整端和至少一個連接端，所述調整端和所述至少一個連接端從所述箱體的後側板向所述箱體的外部延伸，所述至少一個連接端離開所述後側板的位置與所述箱體的底板之間具有預定高度，所述至少一個連接端設置有用於連接汽車座椅的錨固件；以及 <br/>一調整器，附接至所述箱體，所述調整端穿過所述調整器並能夠被所述調整器鎖定，以調整所述約束帶在所述錨固件與所述調整器之間的長度； <br/>所述約束帶形成環形結構，所述箱體束縛於所述環形結構內。
根據請求項1所述的箱體固定結構，其中，所述約束帶包括兩個連接端，所述兩個連接端各自的錨固件適於與所述汽車座椅的座位部和背靠部之間的兩個插口分別可拆卸地連接，以使得當所述錨固件卡合於所述插口時，所述至少一個連接端自所述後側板向後下方延伸。
根據請求項1所述的箱體固定結構，其中，所述箱體設置有用於引導和支撐所述約束帶的導引結構，所述約束帶包括兩個連接端，所述兩個連接端自所述箱體的前側板分別向所述箱體的左側板和右側板延伸，然後經由所述導引結構沿所述左側板和右側板向後延伸，並自所述箱體的預定高度處向所述箱體的外部延伸，所述導引結構限定所述兩個連接端伸出所述箱體的所述預定高度。
根據請求項3所述的箱體固定結構，其中， <br/>所述導引結構包括設置在所述箱體的側板處的槽型結構和間隔地設置在所述箱體的所述後側板的兩個擋件，所述兩個連接端分別沿所述槽型結構延伸，並繞設過對應的所述擋件後從所述後側板向所述箱體的外部伸出；或者 <br/>所述導引結構包括設置在所述後側板上的環狀的兩個接合件，所述兩個接合件間隔地設置在所述箱體的所述後側板，所述兩個連接端分別繞設過對應的所述接合件後從所述後側板向所述箱體的外部伸出。
根據請求項1所述的箱體固定結構，其中，所述約束帶包括第一子帶和兩個第二子帶，所述第一子帶的第一端對應於所述約束帶的所述調整端，所述第一子帶的第二端與所述兩個第二子帶的第一端連接，所述兩個第二子帶的兩個第二端對應於兩個所述連接端。
根據請求項5所述的箱體固定結構，其中，所述調整器安裝在所述箱體的前側板，所述第一子帶對應於所述前側板，所述兩個第二子帶的所述兩個第二端均穿設過所述調整器。
根據請求項1所述的箱體固定結構，其中，所述約束帶包括第一子帶、兩個第二子帶、第三子帶和兩個第四子帶，所述第三子帶的第一端與所述第一子帶的第二端連接，所述第三子帶的第二端與所述兩個第四子帶的第一端連接，所述兩個第四子帶的第二端與所述兩個第二子帶的兩個第一端對應連接以形成束縛所述箱體的所述環形結構，所述第一子帶的第一端對應於所述約束帶的所述調整端，所述兩個第二子帶的兩個第二端對應於兩個所述連接端。
根據請求項1所述的箱體固定結構，其中，所述調整器附接於所述箱體的底板或頂板，所述調整端穿過所述調整器並延伸至所述箱體的前方。
根據請求項1所述的箱體固定結構，其中，所述至少一個連接端離開所述箱體的位置高於所述箱體的高度的二分之一。
一種箱體固定結構，適用於連接汽車座椅，其中，包括： <br/>一箱體，具有底板和連接所述底板的後側板； <br/>一約束帶，附接在所述箱體的所述後側板上，所述約束帶包括至少一個連接端，所述連接端用於連接汽車座椅的錨固件，所述錨固件適於與座椅的座位部和背靠部之間的插口可拆卸地連接； <br/>所述箱體的後側板設置有用於限定所述連接端的伸出高度的導引結構，所述至少一個連接端經由所述導引結構向所述箱體的外部伸出，並與所述底板之間具有預定間隔，以使得當所述錨固件卡合於所述插口時，所述至少一個連接端自所述後側板向後下方延伸。
一種彈性聚合物容器及加熱元件，其包括： <br/>一容器，其包括一彈性聚合物側壁，該彈性聚合物側壁具有界定適於容納一流體之一容器內部之一內表面，及一外表面， <br/>一彈性電阻加熱元件，其適於透過該彈性聚合物側壁向該內部提供熱能， <br/>其中該電阻加熱元件適於向該容器之一中心區提供一第一通量之熱能且向該容器之一周邊區提供一第二通量之熱能，其中該第一通量之一量值大於該第二通量之一量值。
如請求項1之彈性聚合物容器及加熱元件，其包括： <br/>該彈性聚合物容器，及 <br/>該加熱元件，其附接在彈性聚合物側壁之一外表面處。
如請求項1之彈性聚合物容器及加熱元件，其包括一多層彈性聚合物側壁，該多層彈性聚合物側壁包括： <br/>一第一層，其包括一第一彈性聚合物層， <br/>一第二層，其包括一第二彈性聚合物層，及 <br/>該彈性電阻加熱元件，其定位於該第一層與該第二層之間。
如請求項1之彈性聚合物容器及加熱元件，其包括： <br/>該彈性聚合物容器， <br/>一外貯存器，其包括該電阻加熱元件及一內部，該彈性聚合物容器容納在該外貯存器之該內部內，其中該電阻加熱元件經定位以容許來自該電阻加熱元件之熱能通過該彈性聚合物側壁至該容器內部。
如請求項4之彈性聚合物容器及加熱元件，其中該外貯存器包括一保護殼體，該保護殼體包括側壁，該等側壁包括金屬。
如請求項4之彈性聚合物容器及加熱元件，其中該外貯存器包括一保護殼體，該保護殼體包括側壁，該等側壁包括塑膠。
如請求項4之彈性聚合物容器及加熱元件，其中該外貯存器包括由一絕緣材料製成之彈性側壁。
如請求項5至7中任一項之彈性聚合物容器及加熱元件，其中該彈性容器可自該外貯存器之該內部移除。
如請求項1至7中任一項之彈性聚合物容器及加熱元件，該彈性容器包括： <br/>一第一彈性聚合物側壁，其包括具有一第一側壁周邊之一聚合物薄片， <br/>一第二彈性聚合物側壁，其包括具有一第二側壁周邊之一第二聚合物薄片， <br/>一經密封容器周邊，其包括接合至該第二側壁周邊之該第一側壁周邊， <br/>一圍封內部，其定位於該第一彈性聚合物側壁、該第二彈性聚合物側壁與該容器周邊之間， <br/>一流體出口，其在該容器周邊處，該流體出口在該內部與一容器外部之間提供流體連通。
如請求項1至7中任一項之彈性聚合物容器及加熱元件，其包括： <br/>一管狀彈性聚合物側壁， <br/>一底部彈性聚合物側壁，其在該管狀彈性聚合物側壁之一底部處， <br/>一頂部彈性聚合物側壁，其在該管狀彈性聚合物側壁之一頂部處， <br/>一內部，其定位於該管狀彈性聚合物側壁、該底部彈性聚合物側壁與該頂部彈性聚合物側壁之間， <br/>一流體出口，其在該頂部彈性聚合物側壁處，該流體出口在該內部與一容器外部之間提供流體連通。
如請求項1之彈性聚合物容器及加熱元件，其中該電阻加熱元件適於向該容器之一中心區提供熱能。
如請求項1至7中任一項之彈性聚合物容器及加熱元件，其容納一生物材料。
如請求項12之彈性聚合物容器及加熱元件，其中該生物材料包括冷凍之活體細胞。
一種使用如請求項1至11中任一項之彈性聚合物容器及加熱元件來儲存一液體生物材料之方法，該方法包括將液體生物材料添加至該彈性聚合物容器。
如請求項14之方法，其包括冷凍容納在該彈性聚合物容器中之該液體生物材料。
一種使用如請求項1至13中任一項之彈性聚合物容器及加熱元件來解凍一冷凍生物材料之方法，該方法包括使用該電阻加熱元件來產生熱能且將該熱能施加至容納在該彈性聚合物容器中之冷凍生物材料。
如請求項16之方法，其中該生物材料含有活體細胞。
一種解凍一冷凍生物材料之方法，該方法包括： <br/>提供容納在一容器中之冷凍生物材料，該容器包括一彈性聚合物側壁，該彈性聚合物側壁具有界定適於容納一流體之一容器內部之一內表面，及一外表面，及 <br/>使用一彈性電阻加熱元件解凍生物製藥流體以透過該彈性聚合物側壁向該內部提供熱能， <br/>該方法進一步包括： <br/>向該容器之一中心區提供一第一通量之熱能，且向該容器之一周邊區提供一第二通量之熱能，其中該第一通量之一量值大於該第二通量之一量值。
如請求項18之方法，其包括向該容器之一中心區提供熱能。
如請求項18或19之方法，其包括在解凍該生物製藥流體之後，向一患者投與該生物製藥流體。
一種用於MIPI C-PHY的接收器，其包括：<br/> 一振盪器；<br/> 一延遲校正器(Delay cell calibration)，與該振盪器訊號連接，並接收自該振盪器所產生的頻率訊號；<br/> 一邊緣檢測及脈波生成器(Edge detection & Pulse gen)，與該延遲校正器訊號連接，並用以接收該MIPI C-PHY所傳遞之訊號；<br/> 一採樣與線狀態解碼器(Sampler & Wire state decoder)，與該邊緣檢測及脈波生成器訊號連接，並用以接收該MIPI C-PHY所傳遞之訊號，以及輸出一解碼結果；<br/> 其中振盪器用以產生固定的時脈訊號，並定義脈衝寬度 (OSC clock high的周期寬度，脈衝信號高電平持續的時間)，即為1個 delay cell的延遲時間；<br/> 經過延遲校正器電路後，可以換算得知在選定的振盪器OSC周期時間中有多少個 delay cell，再由已知的data rate，送選擇碼給邊緣檢測器內的相同delay cell，以得到邊緣脈衝產生的延遲時間；以及<br/> 邊緣脈衝送到取樣器取樣資料，取樣後再判斷是屬於哪個狀態的解碼動作。
如請求項1所述之用於MIPI C-PHY的接收器，其中，該邊緣檢測及脈波生成器傳送到該採樣與線狀態解碼器取樣資料。
如請求項2所述之用於MIPI C-PHY的接收器，其中，該振盪器用以產生固定的時脈訊號，並定義脈衝寬度即為1個 delay cell的延遲時間。
一種電容結構，包含：<br/> 一底電極；<br/> 一頂電極；及<br/> 一多層堆疊，設置於該底電極與該頂電極之間，該多層堆疊包含：<br/> 一鐵電層，設置於該底電極與該頂電極之間；<br/> 一氧化物化合物層，在該鐵電層上方；<br/> 一側壁間隔物，位於該頂電極之一側壁，其中該側壁間隔物之最遠離該頂電極的一外緣係與該氧化物化合物層之一外緣對齊。
如請求項1所述之電容結構，其中該鐵電層包含一四方晶相。
如請求項1所述之電容結構，其中該多層堆疊進一步包含：<br/> 一高k介電層，在該鐵電層與該氧化物化合物層之間。
如請求項1所述之電容結構，其中該氧化物化合物層與該頂電極接觸。
如請求項1所述之電容結構，其中該頂電極具有小於該氧化物化合物層之一寬度的一寬度。
一種神經網路電路，包含：<br/> 複數第一電子神經元；<br/> 複數第二電子神經元；及<br/> 一權重矩陣，其包含複數突觸單元，每一突觸單元將該些第一電子神經元中之一者連接至該些第二電子神經元中之一者，該些突觸單元各個包含一電容器，該電容器包含一底電極、該底電極上方的一多層堆疊、及該多層堆疊上方的一頂電極，該多層堆疊包含介於該底電極與該頂電極之間的一鐵電層、一氧化物化合物層、及該鐵電層與該氧化物化合物層之間的一高k介電層，其中該電容器更包含一側壁間隔物，位於該頂電極之一側壁，其中該側壁間隔物之最遠離該頂電極的一外緣係與該氧化物化合物層之一外緣對齊。
如請求項6所述之神經網路電路，其中該氧化物化合物層具有在約2 nm至約20 nm範圍內的厚度。
如請求項6所述之神經網路電路，其中該些突觸單元中之各者的該電容器具有夾持該多層堆疊的該頂電極與該底電極，且其中該頂電極與該底電極具有不同的材料。
一種形成電容結構之方法，包含：<br/> 在一基板上方形成一底電極層；<br/> 在該底電極層上方形成一鐵電層；<br/> 在該鐵電層上方形成一氧化物化合物層；<br/> 在該氧化物化合物層上方形成一頂電極層；<br/> 將該頂電極層圖案化為一頂電極；<br/> 在該頂電極之相對側壁上形成多個側壁間隔物；及<br/> 在形成該些側壁間隔物之後，對該氧化物化合物層及該鐵電層進行圖案化，使得該些側壁間隔物之一者之最遠離該頂電極的一外緣與該氧化物化合物層之一外緣對齊。
如請求項9所述之方法，更包含：<br/> 在形成該氧化物化合物層之前在該鐵電層上方形成一高k介電層。
一種廢水處理方法，包括： <br/> 使初始廢水流通過強酸陽離子單元以獲得酸性廢水流，其中所述酸性廢水流具有5或更低的pH值，其中所述強酸陽離子單元包括離子交換樹脂，且所述離子交換樹脂由含有磺酸基的交聯聚苯乙烯製成；以及 <br/> 使所述酸性廢水流通過至少一個活化碳過濾器單元以去除全氟烷基物質，其中所述至少一個活化碳過濾器單元包含活化碳，所述活化碳包含直徑小於2奈米的微孔。
如請求項1所述的廢水處理方法，其中所述強酸陽離子單元捕獲所述初始廢水流中的四甲基氫氧化銨。
如請求項1所述的廢水處理方法，其中所述初始廢水流以小於15米/小時的線性流速通過所述強酸陽離子單元，其中所述酸性廢水流以小於5米/小時的線性流速通過所述至少一個活化碳過濾器單元。
一種水處理系統，包括： <br/> 產生廢水的製造工具；以及 <br/> 強酸陽離子單元，接收所述廢水並產生酸性廢水流，其中所述酸性廢水流具有5或更低的pH值，所述強酸陽離子單元位於至少一個活化碳過濾器單元的上游，其中所述強酸陽離子單元包括含有磺酸基的交聯聚苯乙烯，所述至少一個活化碳過濾器單元包含活化碳，所述活化碳包含直徑小於2奈米的微孔。
如請求項4所述的水處理系統，更包括位於所述強酸陽離子單元上游的過濾器以及緩衝槽。
如請求項4所述的水處理系統，其中所述水處理系統具有多個活化碳過濾器單元並聯排列，使得所述多個活化碳過濾器單元中的每一者接收來自所述強酸陽離子單元的流體流，其中通過所述強酸陽離子單元的線性流速與通過所述多個活化碳過濾器單元中的每一者的線性流速之比從2:1到4:1。
如請求項4所述的水處理系統，其中所述至少一個活化碳過濾器單元包含兩個活化碳壓實床層階段。
一種廢水處理方法，包括： <br/> 使廢水送過過濾器； <br/> 使所述廢水通過強酸陽離子單元以獲得具有酸性pH值的酸性廢水流，其中所述酸性廢水流具有5或更低的pH值，其中所述強酸陽離子單元包括含有磺酸基的交聯聚苯乙烯；以及 <br/> 使具有酸性pH值的所述酸性廢水流通過至少一個活化碳過濾器單元以去除全氟烷基物質，其中所述至少一個活化碳過濾器單元包含活化碳，所述活化碳包含直徑小於2奈米的微孔。
如請求項8所述的廢水處理方法，更包括使來自所述至少一個活化碳過濾器單元的廢水流送至回收槽。
一種身份註冊方法，由一處理器讀取儲存於一記憶體的至少一指令所執行，包含：<br/> 於一作業系統的一生物識別登入之一身份註冊開始時，傳送一開始命令至一影像擷取裝置；<br/> 由該影像擷取裝置根據該開始命令以擷取複數個第一影像；<br/> 由該影像擷取裝置的一神經處理器對該複數個第一影像進行一第一影像處理以取得一第一生物識別特徵；<br/> 由該影像擷取裝置的該神經處理器註冊該第一生物識別特徵於一快閃記憶體；<br/> 控制該作業系統進入一睡眠模式；<br/> 由該影像擷取裝置於該睡眠模式持續擷取複數個第二影像； <br/> 由該影像擷取裝置的該神經處理器對該複數個第二影像進行一第二影像處理以取得一第二生物識別特徵； <br/> 由該影像擷取裝置的該神經處理器判斷該第二生物識別特徵是否與該第一生物識別特徵相符；以及<br/> 若該第二生物識別特徵與該第一生物識別特徵不相符，則不喚醒該作業系統。
如請求項1所述之身份註冊方法，更包含：<br/> 若該第二生物識別特徵與該第一生物識別特徵相符，則喚醒該作業系統。
如請求項1所述之身份註冊方法，其中由該影像擷取裝置的該神經處理器對該複數個第一影像進行該第一影像處理以取得該第一生物識別特徵的步驟包含：<br/> 由該影像擷取裝置的該神經處理器判斷該複數個第一影像是否包含一人臉正面影像；以及<br/> 若該複數個第一影像中的複數個目標影像包含該人臉正面影像，由該影像擷取裝置的該神經處理器對該複數個目標影像進行該第一影像處理以取得該第一生物識別特徵。
如請求項1所述之身份註冊方法，其中由該影像擷取裝置的該神經處理器註冊該第一生物識別特徵於該快閃記憶體的步驟包含：<br/> 於該作業系統的該生物識別登入之該身份註冊結束時，傳送一結束命令至該影像擷取裝置；以及<br/> 由該影像擷取裝置的該神經處理器根據該結束命令以註冊該第一生物識別特徵於該快閃記憶體。
一種身份註冊裝置，包含：<br/> 一記憶體，用以儲存至少一指令；以及<br/> 一處理器，用以讀取該至少一指令以執行以下步驟：<br/> 於一作業系統的一生物識別登入之一身份註冊開始時，傳送一開始命令至一影像擷取裝置；<br/> 由該影像擷取裝置根據該開始命令以擷取複數個第一影像；<br/> 由該影像擷取裝置的一神經處理器對該複數個第一影像進行一第一影像處理以取得一第一生物識別特徵；<br/> 由該影像擷取裝置的該神經處理器註冊該第一生物識別特徵於一快閃記憶體；<br/> 控制該作業系統進入一睡眠模式；<br/> 由該影像擷取裝置於該睡眠模式持續擷取複數個第二影像； <br/> 由該影像擷取裝置的該神經處理器對該複數個第二影像進行一第二影像處理以取得一第二生物識別特徵； <br/> 由該影像擷取裝置的該神經處理器判斷該第二生物識別特徵是否與該第一生物識別特徵相符；以及<br/> 若該第二生物識別特徵與該第一生物識別特徵不相符，則不喚醒該作業系統。
如請求項5所述之身份註冊裝置，其中該處理器更用以讀取該至少一指令以執行以下步驟：<br/> 若該第二生物識別特徵與該第一生物識別特徵相符，則喚醒該作業系統。
如請求項5所述之身份註冊裝置，其中該處理器執行之由該影像擷取裝置的該神經處理器對該複數個第一影像進行該第一影像處理以取得該第一生物識別特徵的步驟包含：<br/> 由該影像擷取裝置的該神經處理器判斷該複數個第一影像是否包含一人臉正面影像；以及<br/> 若該複數個第一影像中的複數個目標影像包含該人臉正面影像，由該影像擷取裝置的該神經處理器對該複數個目標影像進行該第一影像處理以取得該第一生物識別特徵。
如請求項5所述之身份註冊裝置，其中該處理器執行之由該影像擷取裝置的該神經處理器註冊該第一生物識別特徵於該快閃記憶體的步驟包含：<br/> 於該作業系統的該生物識別登入之該身份註冊結束時，傳送一結束命令至該影像擷取裝置；以及<br/> 由該影像擷取裝置的該神經處理器根據該結束命令以註冊該第一生物識別特徵於該快閃記憶體。
一種非暫時性電腦可讀媒體，其用於產生與一圖案化程序相關聯的一光罩圖案之資料，該非暫時性電腦可讀媒體包含儲存在其中之指令，該等指令在由一或多個處理器執行時使得該一或多個處理器執行一方法，該方法包含： <br/>獲得(i)與一設計圖案相關聯之一第一光罩影像、(ii)基於該第一光罩影像之一抗蝕劑輪廓，該輪廓指示一特徵之一輪廓、(iii)基於該設計圖案之一參考輪廓，其中該參考輪廓為一理想抗蝕劑輪廓、及(iv)該輪廓與該參考輪廓之間的一輪廓差，其中該抗蝕劑輪廓與一基板上之一抗蝕劑層之一抗蝕劑影像相關且該第一光罩影像與該光罩圖案相關，該光罩圖案與該圖案化程序相關聯； <br/>使用一模型接收該輪廓差及該第一光罩影像作為輸入而產生光罩影像修改資料作為輸出，其中該光罩影像修改資料指示該第一光罩影像之一修改量；及 <br/>使用該第一光罩影像及該光罩影像修改資料作為輸入而產生一第二光罩影像作為輸出，該第二光罩影像用於判定與該圖案化程序相關聯的該光罩圖案。
如請求項1之媒體，其中獲得該第一光罩影像包含： <br/>執行使用該設計圖案作為輸入之一光罩產生模型以產生該第一光罩影像，該第一光罩影像為一連續透射光罩(CTM)影像。
如請求項2之媒體，其中該光罩產生模型為使用由一逆微影產生之CTM影像作為地面實況(ground truth)而訓練之一機器學習模型。
如請求項3之媒體，其中產生該第二光罩影像為一反覆程序，每一反覆包含： <br/>使用該光罩影像修改資料更新一當前光罩影像；及 <br/>基於該經更新光罩影像及該光罩影像修改資料而產生該第二光罩影像。
如請求項4之媒體，其中每一反覆進一步包含： <br/>基於該經更新光罩影像與該參考輪廓之間的一差而產生一經更新輪廓差；及 <br/>基於該經更新光罩影像及該經更新輪廓差而產生該光罩影像修改資料。
如請求項1之媒體，其中獲得該輪廓包含： <br/>使用該第一光罩影像作為輸入來執行一圖案化程序模型以產生一經模擬影像； <br/>使用一輪廓提取演算法自該經模擬影像提取一輪廓；及 <br/>轉換該輪廓以產生一輪廓影像，且 <br/>其中藉由對該設計圖案進行光柵化來獲得該參考輪廓。
如請求項1之媒體，其中該第一光罩影像及該第二光罩影像為灰度級光學近接校正(OPC)後影像。
如請求項1之媒體，其中經組態以產生該光罩影像修改資料之該模型為一機器學習模型。
如請求項1至8中任一項之媒體，該方法進一步包含： <br/>基於該第二光罩影像而自該第二光罩影像提取光罩圖案邊緣以產生該光罩圖案，其中該光罩圖案包含：對應於該設計圖案之一主要特徵及圍繞該主要特徵而定位之一或多個輔助特徵，且其中該經提取光罩圖案邊緣包括與該主要特徵及該一或多個輔助特徵相關聯之多邊形或彎曲輪廓。
如請求項1之媒體，其中該第一影像、該第二影像、該輪廓、該參考輪廓及該光罩影像修改資料為灰度像素化影像。
如請求項1之媒體，其中該模型藉由以下進行訓練： <br/>獲得(i)基於該第一光罩影像及雜訊之一雜訊誘發之第一光罩影像、(ii)基於該雜訊誘發之第一光罩影像之一第二參考輪廓、及(iii)基於該輪廓與該第二參考輪廓之間的一差之一第二輪廓差；及 <br/>基於該第二輪廓差及該第一光罩影像而判定經組態以產生光罩影像修改資料之該模型。
如請求項11之媒體，其中獲得該第二參考輪廓包含：產生一隨機雜訊影像且將該隨機雜訊影像添加至該第一光罩影像。
如請求項11之媒體，其中獲得該第二參考輪廓包含： <br/>使用一輪廓提取演算法自該雜訊誘發之第一光罩影像提取一第二輪廓；及 <br/>轉換該第二輪廓以產生該第二參考輪廓影像。
如請求項11之媒體，其中判定該模型為一反覆程序，每一反覆包含： <br/>使用該第二輪廓差及該第一光罩影像作為輸入來執行具有初始模型參數值之一模型以產生一初始光罩影像修改資料； <br/>將該光罩影像修改資料與該雜訊進行比較；及 <br/>調整該等初始模型參數值以使得該光罩影像修改資料在該雜訊之一指定匹配臨限值內。
一種半導體元件，包含： 一基材結構，包含一半導體層； <br/>一源極結構，位於該基材結構的該半導體層上方； <br/>一汲極結構，位於該半導體層上方且與該源極結構沿著一第一方向排列，其中該汲極結構包含： <br/>複數個第一電極單元，分別包含一p型半導體層與位於該p型半導體層上方的一第一金屬電極；以及 <br/>複數個第二電極單元，分別包含一第二金屬電極， <br/>其中該些第一電極單元與該些第二電極單元沿著一第二方向交替地排列，且該第二方向與該第一方向實質上垂直， <br/>其中該些第一電極單元中之每一者的該p型半導體層沿著該第一方向的一寬度實質上等於該些第二電極單元中之每一者的該第二金屬電極沿著該第一方向的一寬度，且該些第一電極單元中之每一者的該p型半導體層的一底面與該些第二電極單元中之每一者的該第二金屬電極的一底面實質上相互齊平且接觸於該半導體層；以及 <br/>一閘極結構，位於該半導體層上方且位於該源極結構與該汲極結構之間。
如請求項1所述之半導體元件，其中該些第一電極單元中之每一者的該p型半導體層的一側面與該些第二電極單元中之每一者的該第二金屬電極的一側面共平面。
如請求項2所述之半導體元件，其中該p型半導體層的該側面與該閘極結構沿著該第一方向的一間距實質上等於該第二金屬電極的該側面與該閘極結構沿著該第一方向的一間距。
如請求項1所述之半導體元件，其中該些第一電極單元中之每一者的一中心軸與該些第二電極單元中之每一者的一中心軸重合且平行於該第二方向。
如請求項1所述之半導體元件，其中該p型半導體層沿著該第二方向的一長度小於該第二金屬電極沿著該第二方向的一長度。
如請求項1所述之半導體元件，其中該些第一電極單元中之每一者與該些第二電極單元中之每一者彼此分離。
如請求項6所述之半導體元件，其中該些第一電極單元中之每一者的該p型半導體層於該基材結構上的一正投影區域與該些第二電極單元中之每一者的該第二金屬電極於該基材結構上的一正投影區域彼此分離。
如請求項6所述之半導體元件，其中該些第一電極單元之一者的該p型半導體層於該基材結構上的一正投影區域與該些第二電極單元中之一者的該第二金屬電極於該基材結構上的一正投影區域相接且不重疊。
如請求項1所述之半導體元件，其中該些第一電極單元之一者的該p型半導體層於該基材結構上的一正投影區域重疊於該些第二電極單元中之一者的該第二金屬電極於該基材結構上的一正投影區域。
如請求項9所述之半導體元件，其中該些第二電極單元中之該者的該第二金屬電極延伸接觸於該些第一電極單元中之該者的該p型半導體層。
一種影像解碼方法，應用於一影像解碼裝置中，包含：<br/> 對來自一影像編碼裝置的一影像串流中，根據一影像間編碼技術產生的一第N個影像畫面判斷一錯誤區塊的發生，其中N為大於1的整數；<br/> 傳送一錯誤回報資訊至該影像編碼裝置，以使該影像編碼裝置在該影像解碼裝置接收到該影像串流中的一第N+P-1個影像畫面在一編碼順序上的一對應區塊時接收到該錯誤回報資訊，並使該影像編碼裝置根據一影像內編碼技術對該影像串流中的一第N+P個影像畫面編碼，其中P為大於或等於1的整數；<br/> 自該影像串流擷取對應該第N個影像畫面中該錯誤區塊發生前的複數第一區塊的一移動向量（motion vector）資訊以及一殘值（residue）資訊，以根據該影像間編碼技術對該等第一區塊進行一解碼程序產生一第一解碼結果；<br/> 設置該移動向量資訊為一零向量（zero vector）並設置該殘值資訊為一零值，以根據該影像間編碼技術對自該錯誤區塊至該第N+P-1個影像畫面在該編碼順序上的一最後區塊的複數第二區塊進行該解碼程序產生一第二解碼結果；以及<br/> 自該影像串流擷取對應該第N+P個影像畫面的複數影像內參考區塊的該殘值資訊，以根據該影像內編碼技術對該等影像內參考區塊進行該解碼程序產生一影像內參考解碼結果。
如請求項1所述之影像解碼方法，其中當P為1時，該第N+P個影像畫面包含複數影像間參考區塊以及該等影像內參考區塊，該等影像間參考區塊對應於該第N個影像畫面的該等第一區塊，該等影像內參考區塊對應於該第N個影像畫面中該等第一區塊之外的複數其他區塊，該影像解碼方法更包含：<br/> 將該第一解碼結果以及該第二解碼結果輸出為一第N個解碼影像畫面；以及<br/> 自該影像串流擷取對應該第N+P個影像畫面的該等影像間參考區塊的該移動向量資訊以及該殘值資訊，以根據該影像間編碼技術對該等影像間參考區塊進行該解碼程序產生一影像間參考解碼結果，以將該影像間參考解碼結果以及該影像內參考解碼結果輸出為一第N+1個解碼影像畫面。
如請求項1所述之影像解碼方法，其中當P大於1時，該第N+P個影像畫面僅包含該等影像內參考區塊，該影像解碼方法更包含：<br/> 將該第一解碼結果以及該第二解碼結果的一第一部分輸出為一第N個解碼影像畫面；<br/> 將該第二解碼結果的一第二部分輸出為一第N+1個解碼影像畫面至第N+P-1個解碼影像畫面；以及<br/> 將該影像內參考解碼結果輸出為一第N+P個解碼影像畫面。
如請求項1所述之影像解碼方法，更包含：<br/> 根據該影像間編碼技術擷取一先前解碼影像畫面做為一參考影像資料進行該解碼程序；以及<br/> 根據該影像內編碼技術設置該第N+P個影像畫面的一已解碼部分做為該參考影像資料進行該解碼程序。
一種影像解碼裝置，包含：<br/> 一前端解碼電路，配置以：<br/> 對來自一影像編碼裝置的一影像串流中，根據一影像間編碼技術產生的一第N個影像畫面判斷一錯誤區塊的發生，其中N為大於1的整數；以及<br/> 傳送一錯誤回報資訊至該影像編碼裝置，以使該影像編碼裝置在該影像解碼裝置接收到該影像串流中的一第N+P-1個影像畫面在一編碼順序上的一對應區塊時接收到該錯誤回報資訊，並使該影像編碼裝置根據一影像內編碼技術對該影像串流中的一第N+P個影像畫面編碼，其中P為大於或等於1的整數；<br/> 一後端解碼電路，配置以：<br/> 在該前端解碼電路自該影像串流擷取對應該第N個影像畫面中該錯誤區塊發生前的複數第一區塊的一移動向量資訊以及一殘值資訊時，根據該影像間編碼技術對該等第一區塊進行一解碼程序產生一第一解碼結果；<br/> 在該前端解碼電路設置該移動向量資訊為一零向量並設置該殘值資訊為一零值時，根據該影像間編碼技術對自該錯誤區塊至該第N+P-1個影像畫面在該編碼順序上的一最後區塊的複數第二區塊進行該解碼程序產生一第二解碼結果；以及<br/> 在該前端解碼電路自該影像串流擷取對應該第N+P個影像畫面的複數影像內參考區塊的該殘值資訊時，根據該影像內編碼技術對該等影像內參考區塊進行該解碼程序產生一影像內參考解碼結果。
如請求項5所述之影像解碼裝置，其中當P為1時，該第N+P個影像畫面包含複數影像間參考區塊以及該等影像內參考區塊，該等影像間參考區塊對應於該第N個影像畫面的該等第一區塊，該等影像內參考區塊對應於該第N個影像畫面中該等第一區塊之外的複數其他區塊；<br/> 該後端解碼電路配置以將該第一解碼結果以及該第二解碼結果輸出為一第N個解碼影像畫面；以及<br/> 該前端解碼電路配置以自該影像串流擷取對應該第N+P個影像畫面的該等影像間參考區塊的該移動向量資訊以及該殘值資訊，以使該後端解碼電路根據該影像間編碼技術對該等影像間參考區塊進行該解碼程序產生一影像間參考解碼結果，以將該影像間參考解碼結果以及該影像內參考解碼結果輸出為一第N+1個解碼影像畫面。
如請求項5所述之影像解碼裝置，其中當P大於1時，該第N+P個影像畫面包含僅該等影像內參考區塊，該後端解碼電路更配置以：<br/> 將該第一解碼結果以及該第二解碼結果的一第一部分輸出為一第N個解碼影像畫面；<br/> 將該第二解碼結果的一第二部分輸出為一第N+1個解碼影像畫面至第N+P-1個解碼影像畫面；以及<br/> 將該影像內參考解碼結果輸出為一第N+P個解碼影像畫面。
如請求項5所述之影像解碼裝置，其中該後端解碼電路配置以： <br/> 根據該影像間編碼技術擷取一先前解碼影像畫面做為一參考影像資料進行該解碼程序；以及<br/> 根據該影像內編碼技術設置該第N+P個影像畫面的一已解碼部分做為該參考影像資料進行該解碼程序。
如請求項8所述之影像解碼裝置，其中該後端解碼電路包含：<br/> 一估測電路，配置以根據該影像間編碼技術，在該解碼程序根據該參考影像資料以及該移動向量資訊計算產生複數估測像素；<br/> 一影像重建電路，配置以在該解碼程序根據該等估測像素以及該殘值資訊計算產生複數重建像素；以及<br/> 一去區塊運算電路，配置以在該解碼程序根據該等重建像素進行去區塊運算，以對應該等第一區塊產生該第一解碼結果以及對應該等第二區塊產生該第二解碼結果。
如請求項8所述之影像解碼裝置，其中該後端解碼電路包含：<br/> 一估測電路，配置以根據該影像內編碼技術，在該解碼程序根據該參考影像資料計算產生複數估測像素；<br/> 一影像重建電路，配置以在該解碼程序根據該等估測像素以及該殘值資訊計算產生複數重建像素；以及<br/> 一去區塊運算電路，配置以在該解碼程序根據該等重建像素進行去區塊運算，以對應該等影像內參考區塊產生該影像內參考解碼結果。
一種具有隔離串接電容的數位隔離器電路，包括：<br/> 一第一集成電路區，其中具有一第一收發器電路與一第一隔離屏障，其中，該第一隔離屏障係包括複數個第一隔離電容，該些第一隔離電容係形成串接，其中，各該第一隔離電容係包括一上電極板、一下電極板、以及設置於該上電極板與該下電極板之間的介電層，形成串接的二該第一隔離電容中，一該第一隔離電容的該下電極板與另一該第一隔離電容的該上電極板之間係藉由一第一金屬導通柱（inner metal via）提供電性導通；以及<br/> 一第二集成電路區，其中具有一第二收發器電路與一第二隔離屏障，其中，該第二隔離屏障係包括複數個第二隔離電容，該些第二隔離電容係形成串接；<br/> 其中，該第一集成電路區中之該些第一隔離電容與該第二集成電路區中的該些第二隔離電容係藉由一第一金屬打線接合，該第一金屬打線僅電耦接於一該第一隔離電容與一該第二隔離電容之間，而並未接觸於與該第一收發器電路與該第二收發器電耦接的另一該第一隔離電容與另一該第二隔離電容。
如請求項1所述之具有隔離串接電容的數位隔離器電路，其中，該第一集成電路區中的該第一收發器電路係可選地響應一資料輸入訊號，以產生一隔離輸出訊號。
如請求項2所述之具有隔離串接電容的數位隔離器電路，其中，該第二集成電路區中的該第二收發器電路係可選地接收該隔離輸出訊號，以產生一資料輸出訊號。
如請求項1所述之具有隔離串接電容的數位隔離器電路，其中，該第二集成電路區中的該第二收發器電路係可選地響應一資料輸入訊號，以產生一隔離輸出訊號。
如請求項4所述之具有隔離串接電容的數位隔離器電路，其中，該第一集成電路區中的該第一收發器電路係可選地接收該隔離輸出訊號，以產生一資料輸出訊號。
如請求項1所述之具有隔離串接電容的數位隔離器電路，其中，該第一隔離屏障更包括複數個第三隔離電容，並且，該些第三隔離電容係形成串接，該些第三隔離電容係並聯該些第一隔離電容，該些第三隔離電容係電性耦接該第一收發器電路，從而提供另一資料傳輸通道。
如請求項6所述之具有隔離串接電容的數位隔離器電路，其中，該第二隔離屏障更包括複數個第四隔離電容，並且，該些第四隔離電容係形成串接，該些第四隔離電容係並聯該些第二隔離電容，該些第四隔離電容係電性耦接該些第三隔離電容與該第二收發器電路，從而提供該另一資料傳輸通道。
如請求項7所述之具有隔離串接電容的數位隔離器電路，其中，一該第三隔離電容與一該第四隔離電容之間係藉由一第二金屬打線接合，該第二金屬打線僅電耦接於一該第三隔離電容與一該第四隔離電容之間，而並未接觸於與該第一收發器電路與該第二收發器電耦接的另一該第三隔離電容與另一該第四隔離電容。
如請求項1所述之具有隔離串接電容的數位隔離器電路，其中，各該第二隔離電容係包括一上電極板、一下電極板、以及設置於該上電極板與該下電極板之間的介電層，形成串接的二該第二隔離電容中，一該第二隔離電容的該下電極板與另一該第二隔離電容的該上電極板之間係藉由一第二金屬導通柱（inner metal via）提供電性導通。
如請求項8所述之具有隔離串接電容的數位隔離器電路，其中，各該第三隔離電容係包括一上電極板、一下電極板、以及設置於該上電極板與該下電極板之間的介電層，形成串接的二該第三隔離電容中，一該第三隔離電容的該下電極板與另一該第三隔離電容的該上電極板之間係藉由一第三金屬導通柱（inner metal via）提供電性導通。
如請求項8所述之具有隔離串接電容的數位隔離器電路，其中，各該第四隔離電容係包括一上電極板、一下電極板、以及設置於該上電極板與該下電極板之間的介電層，形成串接的二該第四隔離電容中，一該第四隔離電容的該下電極板與另一該第四隔離電容的該上電極板之間係藉由一第四金屬導通柱（inner metal via）提供電性導通。
如請求項8所述之具有隔離串接電容的數位隔離器電路，其中，該第一隔離屏障中的一該第一隔離電容以及與其並聯的一該第三隔離電容係可選地共用一金屬電極板。
如請求項8所述之具有隔離串接電容的數位隔離器電路，其中，該第二隔離屏障中的一該第二隔離電容以及與其並聯的一該第四隔離電容係可選地共用一金屬電極板。
一種具有隔離串接電容的數位隔離器電路，包括：<br/> 一第一集成電路區，其中具有一第一收發器電路與一第一隔離屏障；以及<br/> 一第二集成電路區，其中具有一第二收發器電路與一第二隔離屏障；<br/> 其中，該第一隔離屏障係包括複數個第一隔離電容以及複數個第三隔離電容，該些第一隔離電容係形成串接，該些第三隔離電容係形成串接，該些第三隔離電容係並聯該些第一隔離電容，該些第一隔離電容係電性耦接該第一收發器電路，從而提供一第一資料傳輸通道，該些第三隔離電容係電性耦接該第一收發器電路，從而提供一第二資料傳輸通道；<br/> 該第二隔離屏障係包括複數個第二隔離電容以及複數個第四隔離電容，該些第二隔離電容係形成串接，該些第四隔離電容係形成串接，該些第四隔離電容係並聯該些第二隔離電容，該些第二隔離電容係電性耦接該些第一隔離電容與該第二收發器電路，從而提供該第一資料傳輸通道，該些第四隔離電容係電性耦接該些第三隔離電容與該第二收發器電路，從而提供該第二資料傳輸通道；<br/> 其中，該些第一隔離電容與該些第二隔離電容係藉由一第一金屬打線接合，該些第三隔離電容與該些第四隔離電容係藉由一第二金屬打線接合，該第一金屬打線僅電耦接於一該第一隔離電容與一該第二隔離電容之間，而並未接觸於與該第一收發器電路與該第二收發器電耦接的另一該第一隔離電容與另一該第二隔離電容，並且，該第二金屬打線僅電耦接於一該第三隔離電容與一該第四隔離電容之間，而並未接觸於與該第一收發器電路與該第二收發器電耦接的另一該第三隔離電容與另一該第四隔離電容。
如請求項14所述之具有隔離串接電容的數位隔離器電路，其中，該第一隔離屏障中的一該第一隔離電容以及與其並聯的一該第三隔離電容係可選地共用一金屬電極板。
如請求項14所述之具有隔離串接電容的數位隔離器電路，其中，該第二隔離屏障中的一該第二隔離電容以及與其並聯的一該第四隔離電容係可選地共用一金屬電極板。
如請求項14所述之具有隔離串接電容的數位隔離器電路，其中，該第一集成電路區中的該第一收發器電路係可選地響應一資料輸入訊號，以產生一隔離輸出訊號，使該第二集成電路區中的該第二收發器電路係可選地接收該隔離輸出訊號，以產生一資料輸出訊號。
如請求項14所述之具有隔離串接電容的數位隔離器電路，其中，該第二集成電路區中的該第二收發器電路係可選地響應一資料輸入訊號，以產生一隔離輸出訊號，使該第一集成電路區中的該第一收發器電路係可選地接收該隔離輸出訊號，以產生一資料輸出訊號。
如請求項14所述之具有隔離串接電容的數位隔離器電路，其中，各該第一隔離電容、各該第二隔離電容、各該第三隔離電容與各該第四隔離電容係各自包括一上電極板、一下電極板、以及設置於該上電極板與該下電極板之間的介電層，形成串接的二該第一隔離電容中，一該第一隔離電容的該下電極板與另一該第一隔離電容的該上電極板之間係藉由一第一金屬導通柱提供電性導通，形成串接的二該第二隔離電容中，一該第二隔離電容的該下電極板與另一該第二隔離電容的該上電極板之間係藉由一第二金屬導通柱提供電性導通，形成串接的二該第三隔離電容中，一該第三隔離電容的該下電極板與另一該第三隔離電容的該上電極板之間係藉由一第三金屬導通柱提供電性導通，形成串接的二該第四隔離電容中，一該第四隔離電容的該下電極板與另一該第四隔離電容的該上電極板之間係藉由一第四金屬導通柱提供電性導通。
一種自動化烹調料理系統，適用於設置在至少一爐具的周遭，該爐具得以放置一鍋體，及一可開啟地蓋設於該鍋體的鍋蓋，該自動化烹調料理系統包含：<br/> 一中央控管單元，適用於供操作而輸出一運作訊號，並儲存一有關一特定菜品之用料以及操作時間的相關資料；<br/> 一運作單元，資訊連接於該中央控管單元，並包括一天車，及一連結於該天車且適用於依照該運作訊號而自一食材預備區取用食材並置入該鍋體的機械手臂；<br/> 一粉料供應單元，資訊連接於該中央控管單元及該運作單元，並包括多個分別用以儲存多種不同之調味粉的粉料儲存桶、多個分別設置於該等粉料儲存桶的出料模組，及一資訊連接於該等出料模組，且用以對任一個該出料模組輸出一粉量訊號而讓調味粉自對應之該粉料儲存桶根據該粉量訊號輸出的粉料操作介面；<br/> 一醬料供應單元，資訊連接於該中央控管單元及該運作單元，並包括多個分別用以儲存多種不同之調味醬的醬料儲存桶、多個分別連接於該等醬料儲存桶的導出模組，及一資訊連接於該等導出模組，且用以對任一個該導出模組輸出一用量訊號而讓調味醬自對應之該醬料儲存桶根據該用量訊號輸出的醬料操作介面；<br/> 一攪拌單元，適用於連接該鍋蓋且資訊連接於該中央控管單元，並包括一適用於固定在該鍋蓋內側的拌動機構，及一適用於連接在該鍋蓋外側，且用以控制該鍋蓋在一蓋設於該鍋體之蓋覆位置，及一遠離該鍋體之開啟位置之間移動的作動機構；及<br/> 一供水單元，資訊連接於該中央控管單元且適用於與該至少一爐具相鄰設置，並包括一水源、一連通於該水源的控制閥、一資訊連接於該控制閥且用以對該控制閥提供一水量訊號的供水操作介面，及一連通於該控制閥且適用於根據該水量訊號供水的出水模組；<br/> 其中，該運作單元、該粉料供應單元、該醬料供應單元、該供水單元，以及該攪拌單元，根據該中央控管單元之該相關資料相互配搭運作，將該至少一爐具中的食材烹調為該特定菜品。
如請求項1所述的自動化烹調料理系統，其中，該食材取用單元之該機械手臂為協作式機器人。
如請求項1所述的自動化烹調料理系統，其中，該中央控管單元包括一適用於資訊連接於該至少一爐具，並用以控管該至少一爐具之一爐火的安全模組。
如請求項3所述的自動化烹調料理系統，其中，該中央控管單元還包括一資訊連接於該攪拌單元的確保模組，該確保模組具有一用以偵測該拌動機構之轉速並輸出一轉速信號的偵測件，及一連接於該偵測件並用以根據該轉速信號判斷是否輸出一警示信號的反應件。
如請求項1所述的自動化烹調料理系統，其中，該中央控管單元還包括一適用於設置於所述鍋體的確保模組，該確保模組具有一用以偵測導入該鍋體中之食材、調味粉、調味醬、水之用量的感測件。
一種晶圓收納容器處理裝置，對晶圓收納容器進行處理，所述晶圓收納容器具有：主體，具有收納半導體晶圓且與開口部連通的收納空間；以及門，相對於所述開口部能夠裝卸，所述晶圓收納容器處理裝置的特徵在於包括： <br/> 載置台，具有：載置所述晶圓收納容器的載置面； <br/> 氣體供給部，對載置於所述載置台的所述晶圓收納容器進行惰性氣體的供給；以及 <br/> 氣體回收部，將通過從所述氣體供給部供給所述惰性氣體而經置換的所述收納空間中存在的氣體、且為從所述主體與所述門的間隙漏出的氣體回收至箱中； <br/> 其中，所述載置台以在裝設有所述門及所述主體的狀態下所述門載置於所述載置面的方式，而載置所述晶圓收納容器， <br/> 所述氣體供給部進行如下處理：經由所述主體的與具有所述開口部的面交叉的交叉面上所設置的氣體供給口，而供給所述惰性氣體。
如請求項1所述的晶圓收納容器處理裝置，其中， <br/> 所述載置台具有：在所述門載置於所述載置面的狀態下，相對於所述主體進行所述門的鎖定/解鎖的拆裝功能。
如請求項1所述的晶圓收納容器處理裝置，還包括： <br/> 測定部，對所述箱內的氣體的氧濃度及濕度中的至少一個進行測定；以及 <br/> 控制部，對所述氣體供給部及所述測定部進行控制， <br/> 其中，所述控制部對所述氣體供給部進行控制，以在由所述測定部測定出的所述氧濃度及所述濕度中的至少一個低於規定值時，停止所述惰性氣體從所述氣體供給部的供給。
如請求項1所述的晶圓收納容器處理裝置，還包括： <br/> 清洗部，在將所述主體與所述門分離的狀態下，對所述收納空間進行清洗， <br/> 其中，所述氣體供給部在由所述清洗部進行清洗後，對載置於所述載置台的所述晶圓收納容器進行所述惰性氣體的供給。
如請求項3所述的晶圓收納容器處理裝置，其中， <br/> 所述氣體回收部進一步回收從設置於所述交叉面的氣體排出口排出的氣體， <br/> 所述測定部對與由所述氣體回收部回收的、從所述間隙漏出的所述氣體和從所述氣體排出口排出的所述氣體的混合氣體相關的所述氧濃度及所述濕度中的至少一個進行測定。
如請求項3所述的晶圓收納容器處理裝置，還包括： <br/> 流量測量部，對從所述間隙漏出的氣體的流量進行測量； <br/> 其中，所述控制部，以在所述氣體的流量為規定的閾值以上的情況下，輸出表示氣體洩漏的信息的方式進行控制。
一種光子積體電路，其包含： 一可控制開關，其包含： <br/>一第一耦接器，其具有一第一輸入、一第二輸入、一第一輸出、及一第二輸出； <br/>一第二耦接器，其具有一第三輸入、一第四輸入、一第三輸出、及一第四輸出； <br/>一第一支腳，其將該第一耦接器的該第一輸出連接至該第二耦接器的該第三輸入； <br/>一第二支腳，其將該第一耦接器的該第二輸出連接至該第二耦接器的該第四輸入；及 <br/>一第一移相器，其具有一第一波長相依性；及一第二移相器，其具有不同於該第一波長相依性的一第二波長相依性，其中： <br/>該第一移相器及該第二移相器各自定位在該第一耦接器與該第二耦接器之間， <br/>該可控制開關經組態以經由該第一耦接器同時接收一第一波長的光及一第二波長的光；且該第一移相器及該第二移相器係可控制的以將該第一波長的光獨立地路由至該第三輸出及該第四輸出中的一第一選擇，並將該第二波長的光獨立地路由至該第三輸出及該第四輸出的一第二選擇。
如請求項1之光子積體電路，其進一步包含： <br/>一光源單元，其包含經組態以產生該第一波長的光及該第二波長的光的一或多個光源。
如請求項1或請求項2之光子積體電路，其進一步包含： <br/>一控制器，其經組態以： <br/>控制該第一移相器以根據該第一波長相依性將一第一相移應用於該第一波長的光，並將一第二相移應用於該第二波長的光；及 <br/>同時控制該第二移相器以根據該第二波長相依性將一第三相移應用於該第一波長的光，並將一第四相移應用於該第二波長的光，其中： <br/>該第一相移及該第三相移將該第一波長的光從該第一耦接器路由至該第三輸出及該第四輸出中的該第一選擇；且 <br/>該第二相移及該第四相移將該第二波長的光從該第一耦接器路由至該第三輸出及該第四輸出中的該第二選擇。
如請求項1或請求項2之光子積體電路，其中該第一移相器經定位以改變行進通過該第一支腳的光的相位。
如請求項1或請求項2之光子積體電路，其中該第二移相器經定位以改變行進通過該第二支腳的光的相位。
如請求項1或請求項2之光子積體電路，其中該第三輸出及該第四輸出中的該第一選擇係該第三輸出。
如請求項1或請求項2之光子積體電路，其中該第三輸出及該第四輸出中的該第二選擇係該第四輸出。
如請求項1或請求項2之光子積體電路，其中該第三輸出及該第四輸出中的該第一選擇係該第三輸出及該第四輸出。
如請求項1或請求項2之光子積體電路，其中該第三輸出及該第四輸出的該第二選擇係該第三輸出及該第四輸出。
如請求項1之光子積體電路，其包含： <br/>一基材，其具有一頂部表面；及 <br/>一波導，其支撐在該基材的該頂部表面上，其中該波導之一長度具有在平行於該頂部表面的一方向上不對稱的一截面形狀，且包含形成一二極體的一第一摻雜區域及一第二摻雜區域；其中 <br/>該第一移相器，其包含： <br/>該二極體； <br/>一第一導電跡線，其電連接至該第一摻雜區域； <br/>一第二導電跡線，其電連接該第二摻雜區域；及 <br/>一控制電路，其經組態以經由該第一導電跡線及該第二導電跡線驅動電流通過該二極體，以將一波長相依的相移引入至行進通過該波導之該長度的光。
如請求項10之光子積體電路，其中： <br/>該波導之該長度的該截面形狀具有具有一第一高度的一第一區段、具有一第二高度的一第二區段、及具有一第三高度的一第三區段； <br/>該第二區段定位在該第一區段與該第三區段之間；且 <br/>該第三高度大於該第一高度且小於該第二高度。
如請求項11中之光子積體電路，其中該第一摻雜區域與該第二摻雜區域之間的一界面定位在該第一區段中。
如請求項10至12中任一項之光子積體電路，其中該第二摻雜區域的一截面積大於該第一摻雜區域的一截面積。
如請求項11中之光子積體電路，其中該第一摻雜區域與該第二摻雜區域之間的一界面定位在該第二區段中。
如請求項10或請求項11中任一項之光子積體電路，其中該第二摻雜區域的一截面積等於該第一摻雜區域的一截面積。
如請求項11中之光子積體電路，其中該第一摻雜區域與該第二摻雜區域之間的一界面定位在該第三區段中。
如請求項10或請求項11中任一項之光子積體電路，其中該第一摻雜區域的一截面積大於該第二摻雜區域的一截面積。
如請求項11中之光子積體電路，其中該第一導電跡線電連接至該第一區段。
如請求項11中之光子積體電路，其中該第二導電跡線電連接至該第三區段。
一種操作一可控制開關之方法，該可控制開關具有一組輸入及一組輸出且包含一第一耦接器、一第二耦接器、及定位在該第一耦接器與該第二耦接器之間的複數個移相器，該方法包含： <br/>在該組輸入的一第一輸入處接收一第一波長的光； <br/>同時在該組輸入的一第二輸入處接收一第二波長的光； <br/>使用該複數個移相器在該第一耦接器與該第二耦接器之間應用複數個波長相依的相移，以將該第一波長的光獨立地路由至該組輸出的一第一目標選擇，並將該第二波長的光獨立地路由至該組輸出的一第二目標選擇；其中： <br/>使用該第一輸入及該第二輸入、該第一波長及該第二波長、該第一目標選擇及該第二目標選擇來選擇該複數個波長相依的相移。
一種表面掃描工具，包括：<br/> 一雷射，配置以將一光束照射到一工具的一底部表面上，其中，該工具是一取放工具，配置用於將電氣部件從一轉移表面移動到一目標表面，或者是一探針卡，配置用於測試一目標位置上的系統及電路，其中該雷射配置以在該取放工具的取放過程之前或在該探針卡的測試過程之前將該光束照射到該工具的該底部表面上；<br/> 一偵測器，配置以從該工具的該底部表面接收一組反射光；以及<br/> 一訊號分析模組，配置以接收該組反射光並判定該工具的該底部表面的一表面形狀。
如請求項1所述之表面掃描工具，更包括一顯示裝置，配置以顯示該工具的該底部表面的一視覺表示，其中該視覺表示由該訊號分析模組產生。
如請求項1所述之表面掃描工具，其中該光束具有在大約300nm至大約950nm之間的一波長。
如請求項1所述之表面掃描工具，其中該訊號分析模組響應於判定從該工具反射的該組反射光包括數個主要反射光訊號來判定該表面形狀是正常的。
如請求項1所述之表面掃描工具，其中該訊號分析模組響應於判定從該工具反射的該組反射光包括數個散射反射光訊號來判定該表面形狀異常。
如請求項1所述之表面掃描工具，其中該訊號分析模組更配置以觸發一動作。
如請求項6所述之表面掃描工具，其中：<br/> 響應於判定該表面形狀正常，該動作包括：繼續使用該工具；<br/> 響應於判定該表面形狀異常，該動作至少包括以下之一：<br/> 傳送一警告訊號；<br/> 停止使用該工具；<br/> 啟動該工具的一清潔循環；或者<br/> 重新掃描該底部表面。
一種表面掃描工具，包括：<br/> 一相機，配置以拍攝一工具的一底部表面的一影像，其中，該工具是一取放工具，配置用於將電氣部件從一轉移表面移動到一目標表面，或者是一探針卡，配置用於測試一目標位置上的系統及電路，其中該相機配置以在該取放工具的取放過程之前或在該探針卡的測試過程之前拍攝該工具的該底部表面的該影像；以及<br/> 一影像分析模組，配置以：<br/> 接收該工具的該底部表面的該影像；以及<br/> 判定該工具的該底部表面的一表面形狀。
一種掃描工具的底部表面的方法，包括：<br/> 提供具有一底部表面的一工具，其中，該工具是一取放工具，配置用於將電氣部件從一轉移表面移動到一目標表面，或者是一探針卡，配置用於測試一目標位置上的系統及電路；<br/> 在該取放工具的取放過程之前或在該探針卡的測試過程之前，利用一表面掃描工具掃描該工具的該底部表面，其中該表面掃描工具包括一掃描工具以及一訊號分析模組；<br/> 透過該訊號分析模組判定該底部表面的一表面形狀；以及<br/> 基於所判定的該表面形狀執行一動作。
如請求項9所述之掃描工具的底部表面的方法，其中該掃描工具包括一雷射以及一偵測器，且掃描該底部表面更包括：<br/> 利用來自該雷射的一窄光束照射該工具的該底部表面；<br/> 在該偵測器從該底部表面接收一組反射光；以及<br/> 將該組反射光傳送至該訊號分析模組，<br/> 其中，在該工具與該目標表面或該目標位置接觸之前，掃描該底部表面。
一種具有去識別化架構的運算電路，包括： <br/>一運算陣列，對一輸入資料進行一累加運算，以產生一累加資料；及 <br/>一去識別化電路，耦接該運算陣列，且具有基於一類比物理不可複製功能所決定的一類比偏移誤差， <br/>其中該去識別化電路根據該類比偏移誤差來運算該累加資料，以產生一去識別化資料。
如請求項1所述的運算電路，其中該運算陣列包括多個記憶體內運算單元，該些記憶體內運算單元用以接收該輸入資料，且進行記憶體內運算。
如請求項1所述的運算電路，其中該去識別化電路包括： <br/>一放大器電路，耦接該運算陣列，且該放大器電路包括至少一電晶體， <br/>其中該類比偏移誤差包括至少一誤差係數由該至少一電晶體所提供。
如請求項3所述的運算電路，其中該放大器電路包括： <br/>一訊號轉換電路，耦接該運算陣列，且包括一第一訊號轉換單元及一第二訊號轉換單元，該第一訊號轉換單元具有一第一去識別化子電路，並透過該放大器電路的一第一輸入端耦接該運算陣列，該第二訊號轉換單元具有一第二去識別化子電路，並透過該放大器電路的一第二輸入端耦接該運算陣列；及 <br/>一訊號運算電路，包括一第三去識別化子電路、一第四去識別化子電路及一比較器，該第三去識別化子電路耦接該訊號轉換電路及該比較器，該第四去識別化子電路耦接該訊號轉換電路及該比較器。
如請求項4所述的運算電路，其中該第一去識別化子電路接收該累加資料的一第一訊號，且輸出一第一轉換訊號至該第一去識別化子電路， <br/>該第二去識別化子電路接收該累加資料的一第二訊號，且輸出一第二轉換訊號至該第二去識別化子電路， <br/>該第三去識別化子電路及該第四去識別化子電路根據該第一轉換訊號及該第二轉換訊號輸出一轉換結果至該比較器，以使該比較器根據該轉換結果產生該去識別化資料。
如請求項5所述的運算電路，其中該第一去識別化子電路包括一第一電晶體，該第二去識別化子電路包括一第二電晶體，該第三去識別化子電路包括一第三電晶體，該第四去識別化子電路包括一第四電晶體， <br/>該第一電晶體的一第一端耦接該第三電晶體，該第一電晶體的一第二端或一控制端接收該第一訊號， <br/>該第二電晶體的一第一端耦接該第四電晶體，該第二電晶體的一第二端或一控制端接收該第二訊號， <br/>該第三電晶體的一第一端耦接一操作電壓，該第三電晶體的一第二端耦接該第一電晶體的該第一端，及 <br/>該第四電晶體的一第一端耦接該操作電壓，該第四電晶體的一第二端耦接該第二電晶體的該第一端。
如請求項6所述的運算電路，其中該第一電晶體的該控制端接收一第一鉗位電壓，第一電晶體的該第二端接收該第一訊號， <br/>該第二電晶體的該控制端接收一第二鉗位電壓，第二電晶體的該第二端接收該第二訊號， <br/>該第三電晶體的一控制端耦接該三電晶體的該第二端，該第四電晶體的一控制端耦接該四電晶體的該第二端。
如請求項6所述的運算電路，其中該第一電晶體的該控制端接收一第一鉗位電壓，第一電晶體的該第二端接收該第一訊號， <br/>該第二電晶體的該控制端接收一第二鉗位電壓，第二電晶體的該第二端接收該第二訊號，及 <br/>該第三電晶體的一控制端耦接該三電晶體的該第二端以及該第四電晶體的一控制端。
如請求項6所述的運算電路，其中該第一電晶體的該控制端接收一第一訊號，第一電晶體的該第二端耦接一參考電流源， <br/>該第二電晶體的該控制端接收一第二訊號，第二電晶體的該第二端耦接該參考電流源，以及 <br/>該第三電晶體的一控制端耦接該三電晶體的該第二端以及該第四電晶體的一控制端。
如請求項6所述的運算電路，其中該第一電晶體及該第二電晶體為N型電晶體，該第三電晶體及該第四電晶體為P型電晶體。
如請求項4所述的運算電路，其中該訊號轉換電路及該訊號運算電路的至少其中之一還包括一去識別化偏移電路，該去識別化偏移電路包括至少一第五電晶體，以及 <br/>該類比偏移誤差包括至少另一誤差係數由該至少一第五電晶體所提供。
如請求項11所述的運算電路，其中該去識別化偏移電路串聯在該第一去識別化子電路以及該第三去識別化子電路之間，該去識別化偏移電路串聯在該第二去識別化子電路以及該第四去識別化子電路之間。
如請求項11所述的運算電路，其中該去識別化偏移電路與該第一去識別化子電路並聯，該去識別化偏移電路與該第二去識別化子電路並聯。
如請求項11所述的運算電路，其中該去識別化偏移電路與該第三去識別化子電路並聯，該去識別化偏移電路與該第四去識別化子電路並聯。
如請求項11所述的運算電路，其中該去識別化偏移電路包括多個第五電晶體，該些第五電晶體為並聯。
如請求項11所述的運算電路，其中該去識別化偏移電路包括多個第五電晶體，該些第五電晶體為串聯。
如請求項11所述的運算電路，其中該訊號運算電路還包括一偏移控制電路，該偏移控制電路耦接該至少一第五電晶體， <br/>該偏移控制電路輸出至少一偏移控制訊號至該至少一第五電晶體，以決定該至少另一誤差係數。
如請求項17所述的運算電路，其中該偏移控制電路接收一混淆碼，且該偏移控制電路根據該混淆碼來決定該至少一偏移控制訊號。
如請求項18所述的運算電路，該類比偏移誤差包括由該混淆碼所額外產生的類比偏移誤差。
如請求項1所述的運算電路，其中該去識別化電路接收一混淆碼，且該去識別化電路根據該混淆碼來產生額外的類比偏移誤差。
一種去識別化的資料運算方法，包括： <br/>透過一運算陣列對一輸入資料進行一累加運算，以產生一累加資料；及 <br/>透過一去識別化電路根據一類比偏移誤差來運算該累加資料，以產生一去識別化資料， <br/>其中該類比偏移誤差基於該去識別化電路的一類比物理不可複製功能所決定。
如請求項21所述的資料運算方法，其中產生該去識別化資料的步驟包括： <br/>透過該去識別化電路根據該類比偏移誤差以及至少一混淆碼來運算該累加資料，以產生該去識別化資料。
一種樁周清潔方法，其中，包括：<br/> 檢測清潔設備的充電樁所在樁區域與已清潔區域是否具有交集，以識別所述已清潔區域是否為樁周區域；<br/> 若所述樁區域與所述已清潔區域具有交集，基於所述樁區域的周邊點，執行清潔處理。
如請求項1所述的樁周清潔方法，其中，所述基於所述樁區域的周邊點，執行清潔處理，包括：<br/> 基於所述樁區域的周邊點，確定可清潔區域；<br/> 按照預設清潔策略對所述可清潔區域進行清潔。
如請求項2所述的樁周清潔方法，其中，所述基於所述樁區域的周邊點，確定可清潔區域，包括：<br/> 對所述樁區域的周邊點進行聚類，得到多個所述聚類結果；<br/> 對於每個所述聚類結果，若所述聚類結果所在區域滿足預設清潔條件，將所述聚類結果所在區域確定為所述可清潔區域，其中，所述預設清潔條件用於反映所述聚類結果所在區域可被所述清潔設備有效清潔時所具備的特徵。
如請求項1所述的樁周清潔方法，其中，所述檢測清潔設備的充電樁所在樁區域與已清潔區域是否具有交集，包括：<br/> 在完成對第一區域的清潔工作時，檢測所述第一區域與所述清潔設備的充電樁所在樁區域是否具有交集；或者<br/> 在完成對多個第二區域的清潔工作時，檢測是否至少一個所述第二區域與所述清潔設備的充電樁所在樁區域具有交集；或者<br/> 在完成對包括指定點的第三區域的清潔工作時，檢測所述第三區域與所述清潔設備的充電樁所在樁區域是否具有交集，其中，所述指定點為所述樁區域外的、與所述樁區域的邊緣點的距離小於或等於第一指定距離的點。
如請求項3所述的樁周清潔方法，其中，若所述樁區域與所述已清潔區域具有交集，在對所述樁區域的周邊點進行聚類之前，還包括：<br/> 基於所述樁區域的邊緣點，確定所述樁區域的延伸區域，其中，所述延伸區域分佈在所述樁區域的外圍，為所述樁區域的每個所述邊緣點在對應的邊緣垂直方向上延伸第二指定距離所得；<br/> 在所述延伸區域中獲取具有可清潔特徵的點，作為所述樁區域的周邊點，其中，所述可清潔特徵用於反映位於所述樁區域的外圍、因所述樁區域和障礙物的共同制障而未被清潔的點所具備的特徵。
如請求項5所述的樁周清潔方法，其中，所述可清潔特徵包括以下一項或多項：<br/> 點所在位置的至少一個方向上的未清潔區域寬度大於所述清潔設備的最大機身寬度；<br/> 點為未清潔的非障礙物點；<br/> 點的相鄰點均為所述未清潔的非障礙物點；<br/> 點處於預設禁行區域外，所述預設禁行區域包括地毯區域、所述樁區域和自設安全區。
如請求項3、5、6中任一項所述的樁周清潔方法，其中，所述預設清潔條件包括以下一項或多項：<br/> 所述聚類結果所在區域在至少一個方向上的寬度大於所述清潔設備的最大機身寬度；<br/> 所述聚類結果所在區域中的未清潔區域面積大於或等於第一指定面積；<br/> 所述聚類結果所在區域中的已清潔區域面積小於或等於第二指定面積；<br/> 所述聚類結果所在區域包括至少指定數量的、與所述障礙物距離大於或等於第三指定距離的點。
如請求項2、3、5、6中任一項所述的樁周清潔方法，其中，所述按照預設清潔策略對所述可清潔區域進行清潔，包括：<br/> 對所述可清潔區域執行跨區域動作；<br/> 當所述跨區域動作執行成功時，對所述可清潔區域進行清潔；<br/> 當所述跨區域動作執行失敗時，返回所述檢測清潔設備的充電樁所在樁區域與已清潔區域是否具有交集的步驟，以再次確定所述樁區域的周圍是否存在所述可清潔區域；<br/> 在再次確定所述樁區域的周圍存在所述可清潔區域的情況下，對所述可清潔區域進行清潔。
如請求項8所述的樁周清潔方法，其中，所述在再次確定所述樁區域的周圍存在所述可清潔區域的情況下，對所述可清潔區域進行清潔，包括：<br/> 在以所述清潔設備的當前位置為中心的指定距離範圍內獲取未清潔區域；<br/> 若未清潔區域的面積大於或等於第三指定面積，對所述可清潔區域進行清潔。
一種樁周清潔裝置，其中，包括：<br/> 區域交集檢測單元，用於檢測清潔設備的充電樁所在樁區域與已清潔區域是否具有交集，以識別所述已清潔區域是否為樁周區域；<br/> 清潔執行單元，用於若所述樁區域與所述已清潔區域具有交集，基於所述樁區域的周邊點，執行清潔處理。
一種清潔設備，其中，包括：至少一個處理器；以及，與所述至少一個處理器通訊連接的記憶體；<br/> 其中，所述記憶體存儲有可被所述至少一個處理器執行的指令，所述至少一個處理器執行所述指令時使所述清潔設備實現上述請求項1至9中任一項所述的方法。
一種電腦可讀存儲介質，其中，存儲有電腦可執行指令，所述電腦可執行指令被配置為實現如請求項1至9中任一項所述的方法。
一種製程診斷系統， <br/>製造工序具有：多個製程步驟，進行在晶圓上製作設備之用的處理；及檢查步驟，檢查已製作的前述設備之設備特性，針對該製造工序，在前述檢查步驟判定對於前述設備特性為不良時界定引發該不良的製程步驟， <br/>前述製造工序具有多個量測步驟，前述量測步驟在前述多個製程步驟之任一處理結束之後開始緊接的製程步驟的處理之前，量測前述晶圓上的前述設備被製作的量測區域的電性或者材料特性， <br/>製程診斷系統具有： <br/>特性履歷管理部，累積在前述多個量測步驟所量測的前述量測區域的電性或者材料特性的量測資料；及 <br/>製程不良診斷部，基於前述多個製程步驟進行中伴隨的前述量測區域的電性或者材料特性的變動、及前述檢查步驟中的前述設備特性的判定結果，而界定導致前述設備特性不良的可能製程步驟。
如請求項1的製程診斷系統，其中， <br/>前述量測步驟使用線上量測裝置，在前述晶圓的前述量測區域，照射帶電粒子線作為探測器，以非破壞的方式量測前述量測區域的電性或者材料特性。
如請求項1的製程診斷系統，其中， <br/>在前述晶圓的前述量測區域構成前述設備的積層體經由前述多個製程步驟而形成， <br/>前述多個製程步驟包含：第1製程步驟，使構成前述積層體之任一層的形狀變化；及第2製程步驟，使構成前述積層體之任一層的形狀皆不變化， <br/>前述多個量測步驟包含以下兩個量測步驟：在前述第1製程步驟的處理結束之後開始緊接的製程步驟的處理之前，量測前述量測區域的電性或者材料特性；及在前述第2製程步驟的處理結束之後開始緊接的製程步驟的處理之前，量測前述量測區域的電性或者材料特性。
如請求項1的製程診斷系統，其中， <br/>在前述晶圓上具有多個前述量測區域， <br/>前述製程不良診斷部基於在前述量測步驟所量測的給定的電性或者材料特性之特性值的分布、及在前述檢查步驟所檢查的給定的設備特性之評估值的分布之間的相關性，而界定對於前述設備特性引發不良的可能製程步驟。
如請求項4的製程診斷系統，其中， <br/>前述製程不良診斷部係在前述多個量測步驟的每一個，算出前述給定的電性或者材料特性之特性值的分布、及前述給定的設備特性之評估值的分布之間的相關性值， <br/>界定表示前述相關性值為較高數值的量測步驟對應的製程步驟，或者前述相關性值的變化量比先前的量測步驟的相關性值大的量測步驟對應的製程步驟，作為導致前述設備特性不良的可能製程步驟。
如請求項4的製程診斷系統，其中， <br/>前述製程不良診斷部在顯示裝置中顯示一畫面，用於選擇求得前述相關性的前述給定的電性或者材料特性、及前述給定的設備特性。
如請求項1的製程診斷系統，其中， <br/>前述晶圓具備校準用元件被製作的校準區域， <br/>前述量測步驟量測前述晶圓上的前述量測區域及前述校準區域的電性或者材料特性， <br/>前述特性履歷管理部將在前述多個量測步驟所量測的前述量測區域的電性或者材料特性的量測資料，使用在前述多個量測步驟所量測的前述校準區域的電性或者材料特性的校準資料予以校正，再累積已校正的量測資料。
如請求項7的製程診斷系統，其中， <br/>前述校準用元件為前述設備的寄生特性相應的元件。
如請求項1的製程診斷系統，其具有： <br/>模擬部，基於前述設備的設計資料，而針對前述設備的寄生特性進行模擬而算出校準資料， <br/>前述特性履歷管理部將在前述多個量測步驟所量測的前述量測區域的電性或者材料特性的量測資料，使用前述校準資料予以校正，再累積已校正的量測資料。
如請求項2的製程診斷系統，其中， <br/>前述晶圓具備替代量測區域，前述設備對應的線上量測用元件被製作於此， <br/>前述量測步驟不量測前述晶圓上的前述量測區域的電性或者材料特性，而是量測前述替代量測區域的電性或者材料特性， <br/>前述特性履歷管理部累積前述替代量測區域的電性或者材料特性的量測資料，作為在前述多個量測步驟所量測的前述量測區域的電性或者材料特性， <br/>前述設備具備多個墊片在前述晶圓的表面露出的構造，前述線上量測用元件具有從前述設備的構造改變的構造，俾以，前述多個墊片之中的1個在前述晶圓的表面露出，其他墊片連接到前述晶圓的半導體層。
如請求項10的製程診斷系統，其中， <br/>前述設備為電容元件或者電阻元件。
如請求項2的製程診斷系統，其中， <br/>前述線上量測裝置具備裝置控制部被組裝的控制裝置，裝置控制部進行量測前述量測區域的電性或者材料特性之用的控制， <br/>在前述控制裝置，另外組裝前述特性履歷管理部及前述製程不良診斷部。
一種製程監視系統，監視製造工序，製造工序具有：多個製程步驟，在晶圓上製作設備；及檢查步驟，檢查已製作的前述設備之設備特性， <br/>前述製造工序具有多個量測步驟，前述量測步驟在前述多個製程步驟之任一處理結束之後開始緊接的製程步驟的處理之前，量測前述晶圓上的前述設備被製作的量測區域的電性或者材料特性， <br/>製程監視系統具有： <br/>特性履歷管理部，將在前述多個量測步驟所量測的前述量測區域的電性或者材料特性的量測資料、與在前述檢查步驟所檢查的前述設備合格與否的判定結果建立對應予以累積；及 <br/>製程監視部，藉由比較經由前述多個量測步驟而收集的電性或者材料特性的變動，包括前述多個製程步驟進行中伴隨的前述量測區域的電性或者材料特性的變動、及在前述特性履歷管理部所累積的前述多個製程步驟進行中伴隨的前述量測區域的電性或者材料特性的變動，而檢測前述製造工序中的異常發生。
如請求項13的製程監視系統，其中， <br/>前述製程監視部藉由前述多個製程步驟進行中伴隨的前述量測區域的電性或者材料特性的變動是否類似在前述特性履歷管理部所累積的合格設備之前述量測區域的電性或者材料特性的變動、或者不合格設備之前述量測區域的電性或者材料特性的變動，而檢測前述製造工序中的異常發生。
如請求項13的製程監視系統，其中， <br/>前述量測步驟使用線上量測裝置，對於前述晶圓的前述量測區域照射帶電粒子線作為探測器，以非破壞的方式量測前述量測區域的電性或者材料特性。
一種晶圓，經由包含多個製程步驟的製造工序而製作設備，晶圓具有： <br/>量測區域，評估設備特性之用的設備特性評估用元件被製作於此；及 <br/>替代量測區域，線上量測用元件被製作於此， <br/>前述設備特性評估用元件具備多個墊片在前述晶圓的表面露出的構造， <br/>前述線上量測用元件具有從前述設備特性評估用元件的構造改變的構造，俾以，前述多個墊片之中的1個在前述晶圓的表面露出，其他墊片連接到前述晶圓的半導體基板。
如請求項16的晶圓，其中， <br/>前述製造工序包含：多個量測步驟；及檢查步驟，檢查前述設備特性評估用元件的設備特性， <br/>前述量測步驟在前述多個製程步驟之任一處理結束之後開始緊接的製程步驟的處理之前，不量測前述量測區域而是量測前述替代量測區域的電性或者材料特性， <br/>在前述量測步驟，使用線上量測裝置，對於前述晶圓的前述替代量測區域，照射帶電粒子線作為探測器，以非破壞的方式量測前述替代量測區域的電性或者材料特性。
如請求項16的晶圓，其中， <br/>前述設備特性評估用元件為電容元件或者電阻元件。
一種太陽熱能低壓蒸餾與乾燥兩用裝置，包含：<br/> 一集熱單元，該集熱單元包含有一流入管、一匯流箱、一儲能匯流管、一流入管道、一匯流區、一儲能箱、一儲能匯流區、複數真空管、一儲能空間、一第一儲能管及一第二儲能管，該流入管道設於該流入管內，該匯流區設於該匯流箱內，該儲能匯流區設於該儲能匯流管內，該流入管係設置於該匯流箱內，該流入管設置一第二控制閥，可控制僅允許流經該儲能匯流管與該第一儲能管，該流入管的一端係凸伸於該匯流箱外，以形成一輸入端連通該流入管道，該匯流箱設有一輸出端連通該匯流區，該匯流箱的壁面設置有保溫層；該儲能空間設於該儲能箱內，該儲能箱係設置於該匯流箱內，該儲能箱的壁面設置有保溫層；所述真空管內部均設置有一集熱管，所述集熱管內部形成有一集熱管流道，該真空管與該集熱管之間形成有一真空管流道，所述集熱管的一端係與該流入管道相連通，所述集熱管流道與該真空管流道相連通，全部或部分所述真空管的一端與該儲能匯流區相連通，剩餘所述真空管的一端與該匯流區相連通，該儲能空間中設有一儲能介質以儲存熱能，該第一儲能管包含一第一端及一第二端，該第一端係與該儲能匯流區相連通，該第二端係與該儲能空間相連通，該第一儲能管有可選擇導通的一第三端及一第一控制閥，該第三端係與該匯流區相連通，該第一控制閥係控制該第一端選擇導通該第二端或該第三端或同時導通，該第二儲能管包含一第四端及一第五端，該第四端係與該儲能空間相連通，該第五端係與該匯流區相連通，該第二儲能管有一流量閥，該流量閥係控制該第四端流至該第五端的流量；<br/> 一乾燥箱，設有一烘乾空間，該烘乾空間係與該匯流區相連通；<br/> 一偵測單元，係包含有一第一溫度偵測器、一第二溫度偵測器及一濕度偵測器，該第一溫度偵測器設置於該匯流區內，該第二溫度偵測器設置於烘乾空間內，該濕度偵測器設置於該烘乾空間內；<br/> 一蒸餾箱，該蒸餾箱內部界定為一蒸餾空間，該蒸餾空間係與該匯流區相連通，該蒸餾箱設有一蒸餾透板、一導熱板及一收集槽，並設有一蒸餾水出口、一引流口及一淨水入口；<br/> 一預熱箱，該預熱箱內部設有一預熱空間，該預熱空間係與該蒸餾空間相連通該預熱箱設有一預熱透板、一儲熱板、一殺菌燈及一淨水出口，該淨水出口係的水平高度係高於該淨水入口；<br/> 一淨水管道，其兩端分別連通該淨水入口及該淨水出口，該淨水管道設有一淨水控制閥，該淨水控制閥係位於該淨水入口及該淨水出口之間，該淨水控制閥係控制該淨水管道是否導通；<br/> 一正壓產生器，連通至該流入管道，藉以對於該流入管道產生一正壓；<br/> 一負壓產生器，連通至該烘乾空間，藉以對於該烘乾空間產生一負壓；<br/> 一控制單元，訊號連接至該偵測單元、該淨水控制閥、該正壓產生器及該負壓產生器，藉以接收該偵測單元輸出的訊號，分別控制該正壓產生器及/或該負壓產生器開始啟動，並控制該淨水控制閥是否導通；<br/> 一太陽能供電單元，電性連接至該控制單元，以供應其作動時所需之電力；<br/> 當控制該第一控制閥使該第一儲能管的該第一端與該第三端導通，控制第二控制閥開啟以讓該流入管導通，使由部分的所述真空管流入該匯流區的流體可以直接透過該輸出端輸出以提供熱能，以及從其他的所述真空管流入該儲能匯流區的流體也可以從該第三端直接移動至該匯流區，讓流體透過該輸出端輸出，使該集熱單元同時供應全部的熱能；<br/> 當控制該第一控制閥使該第一儲能管的該第一端與該第二端導通，控制該第二控制閥關閉以讓流體僅從其他的所述真空管流入該儲能匯流區，以及控制該流量閥讓第二儲能管的該第四端至該第五端的允許通過流量增加，藉此釋放該儲能空間中的熱能，流體行經該第四端、該第五端而移動至匯流區並直接透過該輸出端輸出，使該儲能空間釋放熱能；<br/> 當控制該第一控制閥讓該第一儲能管的該第一端同時與該第二端與該第三端導通，控制該第二控制閥開啟以讓該流入管導通，以及控制該流量閥讓該第二儲能管的該第四端至該第五端的允許通過流量增加，使所述真空管的流體持續地移動至該匯流區，並同時釋放該儲能空間中儲存的熱能至該匯流區，讓該匯流區內之流體帶動熱能直接透過該輸出端輸出，使該集熱單元及該儲能空間同時提供熱能；<br/> 當控制該第一控制閥讓該第一儲能管的該第一端與該第二端導通，控制該第二控制閥開啟以讓該流入管導通，以及控制該流量閥讓該第二儲能管的該第四端至該第五端的允許通過流量縮減，使由部分的所述真空管流入該匯流區的流體可以直接透過該輸出端輸出以提供熱能，其他的所述真空管流入該儲能匯流區的流體行經該第二端流入該儲能空間後，再經由該第四端、該第五端而緩慢流出至該匯流區，使該集熱單元及該儲能空間同時提供熱能，並使流體能同時對該儲能空間儲存熱能。
如請求項1所述之太陽熱能低壓蒸餾與乾燥兩用裝置，其中該儲能介質係為一熔鹽。
如請求項1所述之太陽熱能低壓蒸餾與乾燥兩用裝置，其中該乾燥箱設有一流體輸入端及一流體輸出端，該流體輸入端及該流體輸出端分別連通該烘乾空間，該流體輸入端藉由一第一管路與該匯流區相連通，該第一管路上設有一開關閥，該控制單元係訊號連接至該開關閥，以控制該開關閥之作動，該流體輸出端接設有一方向閥，該方向閥使該流體輸出端形成可選擇導通的一流體回流端，該控制單元係訊號連接至該方向閥，以控制該方向閥導通至該流體輸出端或導通至該流體回流端。
如請求項3所述之太陽熱能低壓蒸餾與乾燥兩用裝置，其中該開關閥另連接一第四管路的一端，該第四管路的另一端係連接至該方向閥，該第四管路有一蒸餾加熱區，該蒸餾加熱區係貼合該導熱板。
如請求項4所述之太陽熱能低壓蒸餾與乾燥兩用裝置，其中該第四管路另連接有一第五管路，該第五管路的一端係連接在該開關閥及該蒸餾加熱區之間，該第五管路的另一端係連接在該方向閥及該蒸餾加熱區之間，該第五管路有一文氏管，該文氏管連接有一延伸管，該延伸管係連接該引流口。
如請求項3所述之太陽熱能低壓蒸餾與乾燥兩用裝置，其中該正壓產生器係為一鼓風機，該正壓產生器係連通至該輸入端。
如請求項3所述之太陽熱能低壓蒸餾與乾燥兩用裝置，其中該負壓產生器係為一抽風機，該負壓產生器分別連通該流體輸出端及該流體回流端。
如請求項3所述之太陽熱能低壓蒸餾與乾燥兩用裝置，其中該流體輸入端係接設有一空氣濾清器。
如請求項1所述之太陽熱能低壓蒸餾與乾燥兩用裝置，進一步設有一除濕單元，該除濕單元係連通至該乾燥箱，該除濕單元設有一第二管路連通至該負壓產生器，又該除濕單元設有一第三管路連通至該正壓產生器，該第三管路靠近該正壓產生器的位置處設有一逆止閥，該控制單元係訊號連接至該除濕單元。
如請求項1所述之太陽熱能低壓蒸餾與乾燥兩用裝置，進一步設有一輔助加熱器，該輔助加熱器係設置於該乾燥箱內，以供對於該烘乾空間進行輔助加熱，該輔助加熱器設有一插頭，以供插接於一市電。
如請求項1所述之太陽熱能低壓蒸餾與乾燥兩用裝置，其中該太陽能供電單元係為一太陽能板。
一種折價券營運系統，可供商家以及消費者之間進行消費時折抵使用，包含有：<br/> 一折價券管理平台，具有一折價券產生器以及一折價券接收器，該折價券產生器依照需求提供特定數額的無記名之折價券，該折價券接收器接收消費折抵後的折價券；<br/> 數折價券提供平台，向該折價券管理平台取得特定數額的折價券，並儲存於所述之折價券提供平台內；<br/> 數消費者平台，消費者於消費後向所述之折價券提供平台取得預定數額的該折價券，並儲存於所述之消費者平台內；<br/> 數折價券接受平台，接受該等消費者平台內所儲存之折價券作為消費折抵，並且，所述之折價券接受平台可將收取的消費折抵後的折價券傳送至該折價券管理平台之折價券接收器內；<br/> 該折價券營運系統內商家可同時具有折價券提供平台及折價券接受平台，或僅具有折價券提供平台或折價券接受平台，並且折價券接受平台接受任意消費者平台內的折價券。
如請求項1所述之折價券營運系統，其中：該折價券管理平台更包含有一註冊單元，該等折價券提供平台會提供一註冊資訊給予該註冊單元，該折價券管理平台確認該等折價券提供平台之註冊資訊後，該折價券管理平台之折價券產生器才會提供該折價券給予該等折價券提供平台。
如請求項1所述之折價券營運系統，其中：所述之折價券管理平台更包含有一廣告產生器，其可提供一廣告資訊給予該等消費者平台。
如請求項1所述之折價券營運系統，其中：該等消費者平台分別具有一身分資料；該等折價券提供平台可以透過一輸入手段，輸入該等消費者平台對應的身分資料之後，將折價券傳送至具對應身分資料之該消費者平台內儲存；該等折價券接受平台可以透過一輸入手段，輸入所述之消費者平台對應的身分資料之後，可將該折價券由該具對應身分資料之消費者平台內取出；該等消費者平台也具有一輸入手段，可輸入另一該等消費者平台對應的身分資料之後，二該消費者平台之間可以相互傳送。
如請求項4所述之折價券營運系統，其中：該等消費者平台之身分資料為一條碼，該等折價券提供平台輸入手段為掃碼，該等折價券接受平台之輸入手段為掃碼。
如請求項4所述之折價券營運系統，其中：該輸入手段係為以藍芽或NFC進行無線感應，感應該等消費者平台的身分資料，即可與該等消費者平台相連通。
如請求項1所述之折價券營運系統，其中：該折價券的數額為可變動的數值，可以設定折價券使用的數值。
如請求項1所述之折價券營運系統，其中：所述之商家，為不同行業別、不同經營體系、不同營業場所或是不同地區之商家。
一種複合結構體，包括底板、以及自所述底板的邊緣豎立設置的一對側板， <br/>所述複合結構體包括： <br/>外板材，由金屬成形，且具有構成所述底板的外底板部、構成所述一對側板的外側板部、所述外底板部及所述外側板部的外表面、及其相反側的外相向面； <br/>內板材，由金屬成形，且具有構成所述底板的內底板部、構成所述一對側板的內側板部、所述內底板部及所述內側板部的內表面、及其相反側的內相向面；以及 <br/>發泡體，由發泡材料成形，且填充至所述外相向面與所述內相向面之間， <br/>所述外板材於所述外表面預先設置有通過壓製加工而成的外凹凸部，所述內板材於所述內表面預先設置有通過壓製加工而成的內凹凸部， <br/>所述預先設置有外凹凸部的外板材、所述預先設置有內凹凸部的內板材、以及所述發泡體是通過模具成型而一體化的。
如請求項1所述的複合結構體，其中， <br/>所述外凹凸部設置於所述外相向面，所述內凹凸部設置於所述內相向面， <br/>所述發泡體與所述外凹凸部以及所述內凹凸部卡合。
如請求項2所述的複合結構體，其中， <br/>所述外凹凸部以及所述內凹凸部是藉由排列多個凹部或多個凸部而形成。
如請求項1至3中任一項所述的複合結構體，更包括自所述底板的邊緣豎立設置的一對第二側板， <br/>所述一對側板與所述一對第二側板構成箱體的周板。
一種複合結構體的製造方法，為製造包括底板、以及自所述底板的邊緣豎立設置的一對側板的複合結構體的方法， <br/>所述複合結構體的製造方法包括： <br/>利用金屬成形外板材的步驟，所述外板材具有：構成所述底板的外底板部、構成所述一對側板的外側板部、所述外底板部及所述外側板部的外表面、及其相反側的外相向面； <br/>利用金屬成形內板材的步驟，所述內板材具有：構成所述底板的內底板部、構成所述一對側板的內側板部、所述內底板部及所述內側板部的內表面、及其相反側的內相向面； <br/>在包含具有模具凹部的第一模具、及具有模具凸部的第二模具的模具處於所述模具凸部自所述模具凹部後退的開模狀態時，將所述外板材內嵌於所述模具凹部，將所述內板材外嵌於所述模具凸部的步驟； <br/>使所述模具為所述模具凸部進入所述模具凹部的閉模狀態的步驟； <br/>在形成於所述外相向面與所述內相向面之間的模腔中填充發泡材料的步驟； <br/>對所述發泡材料進行加熱，在所述外板材與所述內板材之間成形發泡體的步驟；以及 <br/>使所述模具為所述開模狀態，自所述模具中取出所述複合結構體的步驟， <br/>在所述成形外板材的步驟中，在所述外表面設置外凹凸部，在所述成形內板材的步驟中，在所述內表面設置內凹凸部。
如請求項5所述的複合結構體的製造方法，其中， <br/>所述外凹凸部設置於所述外相向面，所述內凹凸部設置於所述內相向面， <br/>在對所述發泡材料進行加熱的步驟中，所述發泡體進入所述外凹凸部以及所述內凹凸部而卡合。
如請求項5或6所述的複合結構體的製造方法，其中， <br/>所述外凹凸部以及所述內凹凸部設置於所述外表面以及所述內表面中的、與所述模具的相對滑動的面。
如請求項5或6所述的複合結構體的製造方法，其中， <br/>所述成形外板材的步驟包括：形成以展開狀態具有所述外底板部及所述外側板部的平板狀的坯件的步驟；以及對所述坯件實施彎曲加工，以使所述外側板部自所述外底板部豎立設置的步驟， <br/>所述外凹凸部在所述實施彎曲加工的步驟之前設置於所述坯件。
一種基板處理裝置，其係處理複數片基板者，其特徵在於具備： <br/>腔室，其收容以預先設定之第1間隔於水平方向上直線狀配置之鉛直姿勢之複數片基板； <br/>基板保持部，其設置於上述腔室內，保持上述複數片基板； <br/>複數個第1噴嘴，其等設置於上述腔室內，以預先設定之第2間隔沿著上述複數片基板之排列而配置； <br/>複數個第2噴嘴，其等設置於上述腔室內，以上述第2間隔沿著上述複數片基板之排列而配置； <br/>處理槽，其設置於上述腔室內，可貯存處理液；及 <br/>控制部；且 <br/>上述複數個第1噴嘴於俯視時隔著上述複數片基板配置於上述複數個第2噴嘴之相反側； <br/>上述複數個第1噴嘴及上述複數個第2噴嘴於俯視時配置成朝向上述複數片基板，且自上述處理槽之外側朝向內側； <br/>上述複數個第1噴嘴相對於上述複數個第2噴嘴於上述複數片基板之排列方向上錯開上述第2間隔之一半長度而配置； <br/>上述複數個第1噴嘴及上述複數個第2噴嘴各者噴出霧狀及液滴狀之至少一種液體； <br/>上述複數個第1噴嘴及上述複數個第2噴嘴配置於較上述處理槽高之位置； <br/>上述控制部使上述複數個第1噴嘴及上述複數個第2噴嘴交替地噴出霧狀及液滴狀之至少一種液體。
如請求項1之基板處理裝置，其構成為 <br/>於上述複數個第1噴嘴及上述複數個第2噴嘴各者朝向通過各基板中心之中心軸時，上述複數個第1噴嘴及上述複數個第2噴嘴各自以上述液體直接到達對向之基板中心之方式噴出霧狀及液滴狀之至少一種上述液體。
如請求項1之基板處理裝置，其進一步具備： <br/>升降部，其使上述基板保持部升降；且 <br/>於自上述複數個第1噴嘴及上述複數個第2噴嘴各者噴出上述液體時，上述控制部以供上述複數片基板通過上述複數個第1噴嘴及上述複數個第2噴嘴之間之方式，使上述升降部升降上述基板保持部。
如請求項3之基板處理裝置，其進一步具備： <br/>相對移動部，其使上述基板保持部相對於上述複數個第1噴嘴及上述複數個第2噴嘴沿上述複數片基板之排列方向相對移動。
如請求項1至4中任一項之基板處理裝置，其中 <br/>液體為溶劑。
如請求項1至4中任一項之基板處理裝置，其中 <br/>液體為撥水劑。
如請求項1至4中任一項之基板處理裝置，其進一步具備： <br/>溶劑供給單元，其可對上述複數個第1噴嘴及上述複數個第2噴嘴各者輸送溶劑；及 <br/>撥水劑供給單元，其可對上述複數個第1噴嘴及上述複數個第2噴嘴各者輸送撥水劑；且 <br/>於上述撥水劑供給單元不輸送上述撥水劑、且上述溶劑供給單元輸送上述溶劑時，上述複數個第1噴嘴及上述複數個第2噴嘴各自噴出霧狀及液滴狀之至少一種溶劑； <br/>於上述溶劑供給單元不輸送上述溶劑、且上述撥水劑供給單元輸送上述撥水劑時，上述複數個第1噴嘴及上述複數個第2噴嘴各自噴出霧狀及液滴狀之至少一種上述撥水劑。
一種太陽能電池包覆結構，包含：<br/> 一太陽能電池元件(10)，包含依序堆疊之一下基板(11)、一太陽能發電結構(12)與一上基板(13)，該下基板(11)為一透明基板；<br/> 一第一玻璃(21)，設置於該太陽能電池元件(10)之該下基板(11)外側，該第一玻璃(21)外側為一入光面(211)；<br/> 一第二玻璃(22)，設置於該太陽能電池元件(10)之該上基板(13)外側；<br/> 一第一膠體(23)，設置於該太陽能電池元件(10)與該第一玻璃(21)之間，且固定該太陽能電池元件(10)於該第一玻璃(21)表面，該第一膠體(23)包含乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)、聚烯烴彈性體(POE)、聚乙烯醇縮丁醛(PVB)或矽膠材料且混參能轉換光線波長材料及/或防紫外線材料；及<br/> 一第二膠體(241)，封裝接合於該第一玻璃(21)與該第二玻璃(22)之內側，形成一封裝層(24)，該封裝層(24)固定且包封該太陽能電池元件(10)，該太陽能電池元件(10)與該第二玻璃(22)不接觸；<br/> 其中，該封裝層(24)為環設該第一玻璃(21)與該第二玻璃(22)之間之一外密封壁，該外密封壁之內側另包含一內密封壁(26)，該內密封壁(26)具一鋁支撐件(261)與一第三膠體(262)，該第三膠體(262)密封接合該鋁支撐件(261)於該第一玻璃(21)與該第二玻璃(22)之內側，該內密封壁(26)內部具有一空腔區域(242)，該空腔區域(242)為空氣區域，該太陽能電池元件(10)與該第一膠體(23)位於該空腔區域(242)內；<br/> 其中，該上基板(13)為透明基板，且該第二玻璃(22)內側表面包含一反射膜(221)結構。
如請求項1所述之太陽能電池包覆結構，另包含一保護膠(25)，該保護膠(25)設於該第一玻璃(21)之內側且恰覆蓋該太陽能電池元件(10)與該第一膠體(23)，該保護膠(25)與該第二玻璃(22)不接觸。
如請求項1所述之太陽能電池包覆結構，其中，該第三膠體(262)材料為丁基橡膠。
如請求項1所述之太陽能電池包覆結構，其中，該外密封壁與該內密封壁(26)之間具有間隙(G)。
如請求項4所述之太陽能電池包覆結構，其中，該間隙(G)填滿矽膠。
如請求項1所述之太陽能電池包覆結構，其中，該空腔區域(242)係以真空技術去除空氣。
如請求項6所述之太陽能電池包覆結構，其中，該空腔區域(242)係灌有惰性氣體(243)。
如請求項1所述之太陽能電池包覆結構，其中，該封裝層(24)係以該第二膠體(241)佈滿該第一玻璃(21)與該第二玻璃(22)之內側空間。
一種太陽能電池包覆方法，步驟包含：<br/> 提供一太陽能電池元件，該太陽能電池元件係依序堆疊一下基板、一太陽能發電結構與一上基板步驟(S10)；<br/> 以一第一膠體膠合該太陽能電池元件於一第一玻璃表面，該第一膠體包含乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)、聚烯烴彈性體(POE)、聚乙烯醇縮丁醛(PVB)或矽膠材料且混參能轉換光線波長材料及/或防紫外線材料步驟(S11)；<br/> 置放一第二玻璃於該第一玻璃和該太陽能電池元件之上，且與該太陽能電池元件保持一間隔步驟(S12)；及<br/> 以熱軟化之一第二膠體連接該第一玻璃與該第二玻璃內側，形成包覆該太陽能電池元件和該第一膠體之一封裝層步驟(S13)；<br/> 其中，於該步驟(S12)後另包含：<br/> 形成一內密封壁於該第一玻璃與該第二玻璃之內側步驟(S126)，該內密封壁係以一第三膠體密封接合一鋁支撐件於該第一玻璃與該第二玻璃之內側，該內密封壁內部形成一空腔區域，該空腔區域為空氣區域，該太陽能電池元件和該第一膠體位於該空腔區域之內步驟(S126)，且該步驟(S13)之該封裝層係形成於該內密封壁之外側。
如請求項9所述之太陽能電池包覆方法，其中，該上基板具透光性，且於形成該封裝層步驟(S13)前，該第二玻璃內側表面預成形一反射膜結構。
如請求項9所述之太陽能電池包覆方法，於該步驟(S12)後該步驟(S13)之前另包含：<br/> 披覆一保護膠於該第一玻璃之內側，該保護膠恰覆蓋該太陽能電池元件，且該保護膠不接觸該第二玻璃步驟(S125)。
如請求項11所述之太陽能電池包覆方法，其中，該第三膠體之材料包含丁基橡膠。
如請求項11所述之太陽能電池包覆方法，其中，該內密封壁與對該封裝層間具有間隙。
如請求項13所述之太陽能電池包覆方法，其中，該間隙填滿矽膠。
如請求項11所述之太陽能電池包覆方法，另包含：<br/> 以真空技術去除該空腔區域之空氣達粗略真空(1013亳巴至1毫巴)或中度真空(1亳巴至10<sup>-3</sup>毫巴)壓力範圍步驟(S14)。
如請求項15所述之太陽能電池包覆方法，另包含，灌入惰性氣體於該空腔區域步驟(S15)。
一種冷卻系統，包括：<br/> 一通道，圍繞一熱源；<br/> 一冷卻劑液滴導入器，用來將多個冷卻劑液滴注入一氣流以形成一霧流，其中，該霧流被注入至該通道，其中，該多個冷卻劑液滴由於該熱源產生的熱量而在該通道汽化為冷卻劑氣體；<br/> 一壓縮器，用來將該冷卻劑氣體從一通道子空間幫浦至一冷凝器子空間；以及<br/> 一冷凝器，用來將該冷卻劑氣體凝結成多個冷卻劑液滴或冷卻劑液體；<br/> 其中，該冷卻劑液體被引入至該冷卻劑液滴導入器或用於該冷卻劑液滴導入器；<br/> 其中，耦接至該通道的一空氣導管與耦接至該通道的一冷卻劑導管分離。
如請求項1所述之冷卻系統，包括：<br/> 一壓力調節閥，用來調節該通道子空間對應的壓力與該冷凝器子空間對應的壓力之間的壓力差。
如請求項1所述之冷卻系統，包括：<br/> 一除熱器，用來除去該冷凝器釋放的熱量。
如請求項3所述之冷卻系統，其中，該除熱器包括一空氣運動裝置。
如請求項3所述之冷卻系統，其中，該除熱器包括一製冷降溫裝置。
如請求項1所述之冷卻系統，包括：<br/> 該空氣導管，耦接至該通道；以及<br/> 該冷卻劑導管，耦接至該冷卻劑液滴導入器。
如請求項1所述之冷卻系統，其中，該冷卻劑液滴導入器包括：<br/> 一儲液部及一噴霧部；<br/> 其中，該儲液部用來儲存該冷卻劑液體；<br/> 其中，該噴霧部用來將該多個冷卻劑液滴注入該通道。
如請求項1所述之冷卻系統，其中，該霧流包括該多個冷卻劑液滴及一氣體傳輸介質，該氣體傳輸介質與該多個冷卻劑液滴混合，該多個冷卻劑液滴是懸浮的。
如請求項1所述之冷卻系統，其中，該壓縮器維持該通道子空間與該冷凝器子空間之間的壓力差。
如請求項9所述之冷卻系統，其中，該壓縮器維持該壓力差，使得該通道的冷卻劑的沸點溫度低於該冷凝器的冷卻劑的露點溫度。
如請求項1所述之冷卻系統，其中，該熱源包括積體電路封裝的矽通孔。
如請求項1所述之冷卻系統，<br/> 其中，該通道的溫度保持不高於一特定準位或保持在一特定範圍內；<br/> 其中，該特定準位對應於該通道的壓力下的冷卻劑的沸點。
如請求項1所述之冷卻系統，其中，該冷凝器包括具有重複性S形曲線樣式的一管道。
如請求項13所述之冷卻系統，其中，該冷凝器內的該管道的直徑從一入口向一出口逐漸變窄。
一種半導體裝置，包含：<br/> 一基板，包含一主動區以及圍繞該主動區之一隔離結構，其中該隔離結構為一雙層結構，且該隔離結構的平均介電常數為小於3.9；<br/> 一主動閘極結構，設置於該主動區中；<br/> 一虛設閘極結構，設置於該隔離結構中；以及<br/> 一儲存節點，設置在該主動閘極結構與該虛設閘極結構之間，其中該隔離結構包含：<br/> 一襯裡層，設置在該虛設閘極結構與該基板之間；以及<br/> 一介電材料，設置在該虛設閘極結構與該襯裡層之間，其中該介電材料的介電常數小於該襯裡層的介電常數。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該襯裡層的介電常數約為3.9，且該介電材料的介電常數小於3.9。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該介電材料包含複數個空氣孔隙。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該襯裡層、該介電材料與該主動區的頂表面為共平面。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該儲存節點包含多晶矽或是金屬。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該儲存節點的底表面低於該主動區的頂表面。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該虛設閘極結構比該主動閘極結構更深且更寬。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該虛設閘極結構包含一閘極電極、設置於該閘極電極上的一蓋層，以及圍繞該閘極電極與該蓋層的一閘極介電層。
一種形成半導體裝置的方法，包含：<br/> 在一基板中形成一隔離溝槽，其中一主動區由該隔離溝槽定義在該基板中；<br/> 在該隔離溝槽中形成一隔離結構，其中該隔離結構為一雙層結構，且該隔離結構的平均介電常數為小於3.9，其中在該隔離溝槽中形成該隔離結構的步驟包含：<br/> 在該隔離溝槽的側壁上形成一襯裡層；以及<br/> 以一介電材料填充該隔離溝槽，其中該介電材料的介電常數小於該襯裡層的介電常數；<br/> 在該隔離結構中形成一虛設閘極結構與在該主動區中形成一主動閘極結構；以及<br/> 在該主動閘極結構與該虛設閘極結構之間形成一儲存節點。
如請求項9所述之形成半導體裝置的方法，其中該主動閘極結構與該虛設閘極結構為同時製作而成。
如請求項9所述之形成半導體裝置的方法，其中該襯裡層的介電常數約為3.9，且該介電材料的介電常數小於3.9。
如請求項9所述之形成半導體裝置的方法，其中以該介電材料填充該隔離溝槽的步驟包含形成複數個空氣孔隙在該介電材料中。
如請求項9所述之形成半導體裝置的方法，更包含形成一絕緣層在該基板上，其中在該主動閘極結構與該虛設閘極結構之間形成該儲存節點的步驟包含形成一開口露出該主動區，以及沉積一導體材料於該開口中。
如請求項13所述之形成半導體裝置的方法，其中該導體材料包含多晶矽或是金屬。
如請求項9所述之形成半導體裝置的方法，其中該儲存節點嵌入該主動區中，且該儲存節點的底表面低於該主動區的頂表面。
如請求項9所述之形成半導體裝置的方法，其中在該隔離結構中形成該虛設閘極結構與在該主動區中形成該主動閘極結構的步驟包含：<br/> 在該隔離結構與該主動區中形成複數個字元線溝槽；<br/> 在該些字元線溝槽的側壁上沉積一閘極介電層；<br/> 形成複數個閘極電極在該些字元線溝槽中；以及<br/> 形成複數個蓋層，分別設置於該些閘極電極上。
如請求項16所述之形成半導體裝置的方法，其中該些字元線溝槽在該隔離結構中的複數個虛設區段比該些字元線溝槽在該主動區中的複數個主動區段更深。
如請求項16所述之形成半導體裝置的方法，其中該些字元線溝槽在該隔離結構中的複數個虛設區段比該些字元線溝槽在該主動區中的複數個主動區段更寬。
一種影像感測器封裝結構，包括：<br/> 一感光晶片，其一主動面係具有一感光區及一圍繞在該感光區的非感光區；<br/> 一透光基板，係包含：<br/> 一第一表面，係朝向該感光晶片的該主動面；<br/> 一第二表面，係相對該第一表面；<br/> 一環凹部，係自該第一表面向下凹設，並與該第二表面保持一距離，且該環凹部不對應該感光晶片的該感光區；以及<br/> 一遮光件，係設置於該環凹部內；<br/> 一膠堤，係位在該感光晶片的該主動面及該透光基板的該第一表面之間，並對應該感光晶片的非感光區，以黏合該感光晶片於該透光基板的該第一表面上；其中該遮光件與該膠堤為相同材質；以及<br/> 一封膠體，係包覆該感光晶片的外側。
如請求項1所述之影像感測器封裝結構，其中：<br/> 該膠堤的外側係向外延伸至該透光基板之外側；<br/> 該封膠體係形成於該膠堤上；以及<br/> 該透光基板之環凹部係對應該封膠體。
如請求項1所述之影像感測器封裝結構，其中：<br/> 該膠堤的外側係向外延伸至該透光基板之外側；<br/> 該封膠體係形成於該膠堤上；以及<br/> 該透光基板之環凹部係對應該感光晶片的非感光區域。
如請求項3所述之影像感測器封裝結構，其中膠堤的外側係較該透光基板之該外側突出。
一種影像感測器封裝結構，其中：<br/> 一感光晶片，其一主動面係具有一感光區及一圍繞在該感光區的非感光區；<br/> 一透光基板，係包含：<br/> 一第一表面，係朝向該感光晶片的該主動面；<br/> 一第二表面，係相對該第一表面；<br/> 一環凹部，係自該第一表面向下凹設，並與該第二表面保持一距離，且該環凹部不對應該感光晶片的該感光區；以及<br/> 一遮光件，係設置於該環凹部內；<br/> 一膠堤，係位在該感光晶片的該主動面及該透光基板的該第一表面之間，並對應該感光晶片的非感光區，以黏合該感光晶片於該透光基板的該第一表面上；其中該透光基板的該環凹部係位在該膠堤之外側；以及<br/> 一封膠體，係形成於該透光基板之該第一表面上，一併包覆該膠堤的外側及該感光晶片的外側；其中該透光基板之遮光件與該封膠體為相同材質。
如請求項1或5所述之影像感測器封裝結構，其中該感光晶片係包含：<br/> 多個半導體感光元件係形成在該感光區內；<br/> 一晶片線路層係形成在該非感光區內，且該晶片線路層係包括前段線路(front end of line，FEOL)區中交替堆疊的低介電(low-k)材料層與金屬層；其中位在該感光晶片的外側的晶片線路層被該封膠體包覆；<br/> 一第一線路層，係形成在該非感光區，以電連接該晶片線路層之部分金屬層；<br/> 一第二線路層，係形成在該感光晶片的背面，且供多個外連接件電連接；以及<br/> 多個矽穿孔，係電連接該第一線路層及該第二線路層。
一種影像感測器封裝結構的封裝方法，係包括以下步驟：<br/> (S11) 準備一透光板及一感光晶圓；其中該透光板之第一表面形成有複數環凹部，該感光晶圓的下表面具有多個感光元件區，且該感光晶圓的各該感光元件區係形成有一膠堤，相鄰的感光元件區的膠堤彼此相連接；<br/> (S12) 將該感光晶圓的該些膠堤係分別對準該透光板之該些環凹部後，以該些膠堤黏著在該透光板的該第一表面，同時令各該膠堤的部分填充其對應的該環凹部；<br/> (S13) 切割該感光晶圓中相鄰的感光元件區之交界，以獨立多個感光晶片，即相鄰感光晶片之間具有切割槽道，且該切割槽道不切斷彼此相連接的膠堤；<br/> (S14) 於該些切割槽道內形成封膠材料，待硬化後即構成一封膠體，並位在該膠堤上，以包覆該些感光晶片的外側；以及<br/> (S15) 以相鄰環凹部交界為準，切割該封膠體、該膠堤及該透光板，以獨立出多個影像感測器封裝結構。
如請求項7所述之影像感測器封裝結構的封裝方法，其中：<br/> 於步驟(S13)中，各該感光晶片係包含一主動面係具有一感光區及一圍繞在該感光區的非感光區；以及<br/> 於步驟(S15)中該環凹部係對應該封膠體。
如請求項7所述之影像感測器封裝結構的封裝方法，其中步驟(S15)係包含：<br/> (a) 以相鄰環凹部交界為準，切割該透光板，但不切斷彼此相連接的膠堤及封膠體，將該透光板切割出多個透光基板，相鄰透光基板之間形成一具有第一槽寬的第一槽道；以及<br/> (b) 再自各該第一槽道向下切割相連接的膠堤及該封膠體，以獨立出多個影像感測器封裝結構，且相鄰影像感測器封裝結構之間為第二槽道，而該第二槽道的第二槽寬係小於該第一槽寬。
如請求項7所述之影像感測器封裝結構的封裝方法，其中：<br/> 於步驟(S13)中，各該感光晶片係包含一主動面係具有一感光區及一圍繞在該感光區的非感光區；以及<br/> 於步驟(S15)中該環凹部係對應該感光晶片的非感光區域。
如請求項7所述之影像感測器封裝結構的封裝方法，其中：<br/> 於步驟(S13)中，被切開的感光晶片的非感光區域上的晶片線路層外露；以及<br/> 於步驟(S14)中，該封膠體係包覆被切割而外露的感光晶片的晶片線路層。
一種影像感測器封裝結構的封裝方法，係包括以下步驟：<br/> (S31) 準備一透光板及一感光晶圓；其中該感光晶圓的下表面具有多個感光元件區，且該感光晶圓的各該感光元件區係形成有一膠堤；<br/> (S32)，將該感光晶圓的該些膠堤朝向該透光板之一第一表面，以該些膠堤黏著在該透光板的該第一表面；<br/> (S33) 切割該感光晶圓中相鄰的感光元件區之交界，令相鄰感光晶片之間具有切割槽道，以分離出多個感光晶片，且各該切割槽道所對應該切割槽道的透光板的第一表面係外露；<br/> (S34) 自各該切割槽道向下切割外露的透光板的第一表面，以切割出二相鄰凹槽，令靠近對應感光晶片的數道凹槽構成一環凹部；<br/> (S35) 自各切割槽道、相鄰膠堤間及該些凹槽內形成封膠材料，待硬化後，即構成封膠體及遮光件，該封膠體位在該透光板之第一表面上，以包覆該些感光晶片的外側及該些膠堤的外側，該遮光件位在各該環凹部內；以及<br/> (S36) 自相鄰遮光件交界切割該封膠體及該透光板，以獨立出多個影像感測器封裝結構。
如請求項12所述之影像感測器封裝結構的封裝方法，其中：<br/> 於步驟(S33)中，各該感光晶片係包含一主動面係具有一感光區及一圍繞在該感光區的非感光區，且被切開的感光晶片的非感光區域上的晶片線路層外露；以及<br/> 於步驟(S35)中，該封膠體係包覆被切割而外露的感光晶片的晶片線路層。
一種影像感測器封裝結構的封裝方法，係包括以下步驟：<br/> (S41) 準備一透光板及多個感光晶片；其中各該感光晶片之主動面之非感光區形成有一膠堤；<br/> (S42) 將該些感光晶片的該些膠堤朝向該透光板之一第一表面，以該些膠堤間隔地黏著在該透光板的該第一表面；<br/> (S43) 自相鄰感光晶片之間隔向下切割外露的透光板的第一表面，以切割出二相鄰凹槽，令靠近對應感光晶片的數道凹槽構成一環凹部；<br/> (S44) 自相鄰感光晶片之間隔、相鄰膠堤間及該些凹槽內形成封膠材料，待硬化後，即構成封膠體及遮光件，該封膠體位在該透光板之第一表面上，以包覆該些感光晶片的外側及該些膠堤的外側，該遮光件位在各該環凹部內；以及<br/> (S45) 自相鄰遮光件交界切割該封膠體及該透光板，以獨立出多個影像感測器封裝結構。
如請求項14所述之影像感測器封裝結構的封裝方法，其中：<br/> 於步驟(S41)中，各該感光晶片係包含一主動面係具有一感光區及一圍繞在該感光區的非感光區，且各該感光晶片的非感光區上的晶片線路層外露；以及<br/> 於步驟(S44)中，該封膠體係包覆被切割而外露的感光晶片的晶片線路層。
一種在一電子設備中提供資訊之方法，該方法包括：<br/>自一使用者獲取對與由一商店提供之服務相關聯之一詳情頁之一請求；<br/>向該使用者提供包含用於提供與由該商店提供之該服務相關聯之複數條內容資訊之鏈接資訊之該詳情頁；及<br/>當自該使用者接收對應於該鏈接資訊之輸入資訊時，基於該輸入資訊來向該使用者提供包含該複數條內容資訊之一頁面，<br/>其中該複數條內容資訊包含由該商店提供之內容資訊及由複數個客戶使用該商店之一服務提供之內容資訊，<br/>基於該輸入資訊所提供之該頁面與該詳情頁分開地提供，及<br/>提供該頁面之步驟包括：<br/>判定該複數條內容資訊之至少一部分中之一類似度；及<br/>基於優先級來顯示該複數條內容資訊，其中<br/>基於該內容資訊是否由該商店提供、該內容資訊是否提供於該詳情頁中及經判定之該類似度來設定該等優先級。
如請求項1之方法，其中該複數條內容資訊之至少一部分包含影像資訊。
如請求項1之方法，其中在基於該輸入資訊所提供之該頁面上，進一步基於關於該複數個客戶提供該內容資訊之一時間間隔之資訊及與由該複數個客戶提供之該內容資訊相關聯之評價資訊之一或多者來設定由該複數個客戶提供之該內容資訊之一優先級。
如請求項1之方法，其中由該商店提供之該內容資訊包含由該商店指定為代表性內容之內容資訊及包含與由該商店提供該服務相關聯之一或多條詳細資訊之內容資訊之一或多者。
如請求項1之方法，其中由該複數個客戶提供之該內容資訊包含在該複數個客戶使用該商店之該服務之後由該複數個客戶產生之評論資訊。
如請求項1之方法，當在基於該輸入資訊所提供之該頁面上自該使用者接收對應於該複數條內容資訊之至少一部分之一輸入時，該方法進一步包括以下之一或多者：<br/>更詳細顯示對應於來自該使用者之該輸入之內容資訊；及<br/>提供與對應於來自該使用者之該輸入之該內容資訊相關聯之額外資訊。
如請求項1之方法，進一步包括：<br/>獲取關於該使用者之一或多條資訊；及<br/>基於該一或多條資訊來判定該複數條內容資訊，<br/>其中該一或多條資訊包含關於該使用者之個人資訊及與該商店之該服務相關聯之關於該使用者之活動資訊之一或多者。
如請求項1之方法，其中該複數條內容資訊包含關於結合該商店之該服務所執行之一促銷之資訊。
如請求項1之方法，其中在該使用者之一裝置之一螢幕上進一步顯示對應於該複數條內容資訊之各者之類型資訊。
如請求項1之方法，當自該使用者接收對應於該複數條內容資訊之至少一部分之一輸入時，該方法進一步包括提供用於自該使用者接收對應於來自該使用者之該輸入之內容資訊之回饋之一介面。
如請求項1之方法，其進一步包括：<br/>其中顯示該複數條內容資訊之步驟包括：<br/>判定該複數條內容資訊中是否存在其中彼此之一類似度大於一設定值之一內容資訊組；及<br/>當該內容資訊組存在時，降低複數條內容資訊中除包含於該內容資訊組中之內容資訊之外的一條剩餘內容資訊之一優先級。
如請求項1之方法，當在基於該輸入資訊所提供之該頁面上自該使用者接收對應於預定內容資訊之輸入資訊時，該方法進一步包括向該使用者提供用於提供對應於該預定內容資訊之該商店之一服務之鏈接資訊。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其包括用於執行如請求項1之方法之一電腦程式。
一種用於提供資訊之電子設備，該電子設備包括：<br/>一收發器；<br/>一記憶體，其中儲存一指令；及<br/>一處理器，<br/>其中該處理器經連接至該收發器及該記憶體且經組態以：<br/>自一使用者獲取對與由一商店提供之服務相關聯之一詳情頁之一請求；<br/>向該使用者提供包含用於提供與由該商店提供之該服務相關聯之複數條內容資訊之鏈接資訊之該詳情頁；及<br/>當自該使用者接收對應於該鏈接資訊之輸入資訊時，基於該輸入資訊來向該使用者提供包含該複數條內容資訊之一頁面，且<br/>其中該複數條內容資訊包含由該商店提供之內容資訊及由複數個客戶使用該商店之一服務提供之內容資訊，<br/>基於該輸入資訊所提供之該頁面與該詳情頁分開地提供，且<br/>該處理器經組態以藉由以下步驟來提供該頁面：<br/>判定該複數條內容資訊之至少一部分中之一類似度；及<br/>基於優先級來顯示該複數條內容資訊，其中<br/>基於該內容資訊是否由該商店提供、該內容資訊是否提供於該詳情頁中及經判定之該類似度來設定該等優先級。
一種舉升及回縮系統，其搭配一燒結腔室使用，其中該燒結腔室包括一壁，該壁具有定義於其中的一口，該系統包含：<br/>一軸支撐件，其包括一凸緣及相對的端部，各端部具有一孔隙，該軸支撐件可插入至該口中，直至該凸緣；<br/>一軸，其由該軸支撐件旋轉地支撐，該軸包括相對的端部，其中當該軸支撐件插入至該口中時，一個端部突出至該燒結腔室中，另一端部保持在該燒結腔室外部；<br/>一環形密封件，其圍繞該軸設置，在該軸與該軸支撐件之間形成一密封；<br/>一馬達，其耦接至該軸之保持在該燒結腔室外部的該端部，該軸經驅動以在操作該馬達時旋轉；<br/>一緊固件，其將該凸緣及該口緊固在一起，並將該凸緣及該口彼此密封；<br/>一傳動裝置，其安裝於該燒結腔室中，該傳動裝置包括至少一齒輪，該至少一齒輪耦接至該軸之突出至該腔室中的該一個端部；<br/>一模具支撐件，其耦接至該傳動裝置，其中當該軸沿一個方向旋轉時，該傳動裝置舉升該模具支撐件，且當該軸沿一相反方向旋轉時，該傳動裝置回縮該模具支撐件，該馬達可操作以使該軸沿該一個方向及該相反方向旋轉。
如請求項1之系統，其中該燒結腔室容納一模具，該系統進一步包含設置於該模具支撐件上的一陶瓷間隔物，且該傳動裝置可操作以舉升該模具支撐件，直到該陶瓷間隔物接觸該模具為止。
如請求項2之系統，其進一步包含設置於該模具支撐件上的絕緣體，其中該傳動裝置舉升該模具支撐件，直到該陶瓷間隔物接觸該模具且該絕緣體貼近該模具為止。
如請求項3之系統，其中該模具支撐件包含其上設置該絕緣體的一碳纖維複合材料，且該絕緣體為該模具提供熱絕緣。
如請求項1之系統，其中該傳動裝置包含包括一縱軸的一桿，該至少一齒輪與該桿嚙合，且當該齒輪旋轉時驅動該桿沿著該桿的該縱軸平移。
如請求項5之系統，其進一步包含連接至該模具支撐件及該桿的一負載平衡器，該負載平衡器包括一彈性可變形材料。
如請求項1、2、3、4、5、或6之系統，其中一自動設備可操作以自該燒結腔室插入及移除該模具，該系統進一步包含與該自動設備及該馬達通訊的一控制器，該控制器自該自動設備接收信號，以舉升及回縮該模具。
一種用於在一燒結腔室中提供原動力之方法，其中該燒結腔室包括一壁，該壁具有定義於其中的一口，該方法包含：<br/>提供包括一凸緣及相對的端部的一軸支撐件，各端部具有一孔隙；<br/>圍繞一軸設置一環形密封件，並在該軸支撐件中旋轉地支撐該軸，該軸包括相對的端部，其中一個端部延伸穿過一個孔隙，其相對端部延伸穿過另一孔隙；<br/>將該軸支撐件插入至該口中，直至該凸緣，其中該軸的一個端部突出至該腔室中，且該軸的該相對端部保持在該腔室外部；<br/>將一馬達耦接至該軸之保持在該腔室外部的該端部，並驅動該軸在操作該馬達時旋轉；及<br/>將該凸緣及該口彼此密封。
如請求項8之方法，其進一步包含：<br/>在該腔室中安裝一傳動裝置，其中該傳動裝置包括至少一齒輪，並將該至少一齒輪耦接至該軸之突出至該腔室中的該一個端部；及<br/>將一模具支撐件耦接至該傳動裝置，其中藉由操作該馬達使該軸沿一個方向及一相反方向旋轉，當該軸沿該一個方向旋轉時，該傳動裝置舉升該模具支撐件，且當該軸沿該相反方向旋轉時，該傳動裝置回縮該模具支撐件。
如請求項9之方法，其進一步包含在該模具支撐件上設置一陶瓷間隔物，並舉升該模具支撐件，直到該陶瓷間隔物接觸一模具為止。
如請求項10之方法，其中該模具包括一下表面，該方法進一步包含在該模具支撐件上設置絕緣體，並藉由舉升該模具支撐件直到該陶瓷間隔物接觸該模具且該絕緣體貼近該模具為止，而使該模具的該下表面絕緣。
如請求項9、10、或11之方法，其進一步包含使用一負載平衡器將該傳動裝置連接至該模具支撐件。
如請求項8、10、或11之方法，其中該將該凸緣及該口彼此密封包括在該凸緣與該口之間設置一密封材料。
一種馬達延伸系統，其搭配一馬達及一燒結腔室使用，其中該燒結腔室包括一壁，該壁具有定義於其中的一口，該系統包含：<br/>一軸支撐件，其包括一凸緣及相對的端部，各端部具有一孔隙，該軸支撐件可插入至該口中，直至該凸緣；<br/>一軸，其由該軸支撐件旋轉地支撐，該軸延伸穿過各孔隙，該軸包括相對的端部，其中當該軸支撐件插入至該口中時，一個端部突出至該腔室中，另一端部保持在該腔室外部以用於耦接至該馬達；及<br/>一環形密封件，其圍繞該軸設置，在該軸與該軸支撐件之間保持一密封。
如請求項14之馬達延伸系統，其中該軸的該另一端部包括用於在其中容納一馬達軸的一凹部。
如請求項14或15之馬達延伸系統，其進一步包含一馬達架，該馬達架包括相對之側，其中該馬達架的一側連接至該軸支撐件，且其相對端部可緊固至該馬達。
如請求項16之馬達延伸系統，其進一步包含自該軸支撐件延伸的一第二凸緣，其中該第二凸緣支撐該馬達架。
如請求項14或15之馬達延伸系統，其進一步包含圍繞該軸設置的另一環形密封件，其中各環形密封件在該軸與該軸支撐件之間保持一密封。
如請求項18之馬達延伸系統，其中該等環形密封件中之至少一者包含一旋轉軸密封件。
如請求項14之馬達延伸系統，其進一步包含一O型環，當該軸支撐件插入至該口中時，該O型環圍繞該軸支撐件設置且設置於該凸緣與該口之間。
一種光調製器，包含：<br/> 一第一主要光波導，包含一第一輸入段、一第一前調製段及一第一後調製段，該第一前調製段包含兩第一分支光波導；<br/> 一第二主要光波導，包含一第二輸入段、一第二前調製段及一第二後調製段，該第二前調製段包含兩第二分支光波導，該第一輸入段與該第二輸入段光耦合，且該第一後調製段與該第二後調製段光耦合；<br/> 一第一熱電極，設置於該兩第一分支光波導之一者；<br/> 兩射頻訊號通道，分別設置於該第一後調製段的一側及該第二後調製段的一側；<br/> 兩接地通道，分別設置於該第一後調製段的另一側及該第二後調製段的另一側；以及<br/> 一第二熱電極，設置於該兩第二分支光波導之一者，<br/> 其中該第一熱電極被施加的一第一直流電壓及該第二熱電極被施加的一第二直流電壓不同。
如請求項1所述的光調製器，其中該第一主要光波導及該第二主要光波導的材料為鈮酸鋰晶體。
如請求項1所述的光調製器，更包含：<br/> 一第三熱電極，設置於該第一主要光波導的該第一後調製段；以及<br/> 一第四熱電極，設置於該第二主要光波導的該第二後調製段。
如請求項1所述的光調製器，其中該第一熱電極被施加的一第一直流電壓及該第二熱電極被施加的一第二直流電壓的電壓範圍在0.5伏特至2.5伏特之間。
如請求項1所述的光調製器，更包含另一接地通道，設置於該兩射頻訊號通道之間。
一種光傳輸系統，包含：<br/> 一雷射光源，用於輸出一初始光訊號；<br/> 一光調製器，包含：<br/> 一第一主要光波導，包含一第一輸入段、一第一前調製段及一第一後調製段，該第一前調製段包含兩第一分支光波導，該第一輸入段與該雷射光源光耦合；<br/> 一第二主要光波導，包含一第二輸入段、一第二前調製段及一第二後調製段，該第二前調製段包含兩第二分支光波導，該第二輸入段與該雷射光源光耦合，該第一輸入段與該第二輸入段光耦合，且該第一後調製段與該第二後調製段光耦合；<br/> 一第一熱電極，設置於該兩第一分支光波導之一者；<br/> 兩射頻訊號通道，分別設置於該第一後調製段的一側及該第二後調製段的一側；以及<br/> 兩接地通道，分別設置於該第一後調製段的另一側及該第二後調製段的另一側；以及<br/> 一驅動電路，電性連接於該兩射頻訊號通道，該驅動電路用於提供兩差分訊號給該兩射頻訊號通道；以及<br/> 一第二熱電極，設置於該兩第二分支光波導之一者，<br/> 其中該驅動電路更電性連接於該第一熱電極及該第二熱電極，且用於對該第一熱電極施加一第一直流電壓並對第二熱電極施加一第二直流電壓，<br/> 其中該第一直流電壓及該第二直流電壓不同。
如請求項6所述的光傳輸系統，其中該第一主要光波導及該第二主要光波導的材料為鈮酸鋰晶體。
如請求項6所述的光傳輸系統，其中該光調製器更包含：<br/> 一第三熱電極，設置於該第一主要光波導的該第一後調製段；以及<br/> 一第四熱電極，設置於該第二主要光波導的該第二後調製段。
如請求項6所述的光傳輸系統，其中該第一直流電壓及該第二直流電壓的電壓範圍在0.5伏特至2.5伏特之間。
如請求項8所述的光傳輸系統，其中該光調製器更包含另一接地通道，設置於該兩射頻訊號通道之間。
一種阻劑材料，包含： <br/>雙鎓鹽，其含有具有和具有碘原子或溴原子之芳香族基連結之芳基磺酸陰離子結構及和該具有碘原子或溴原子之芳香族基經由碳數1以上之連結基進行鍵結之羧酸陰離子結構之2價陰離子、以及鎓陽離子； <br/>基礎聚合物；及 <br/>有機溶劑， <br/>該雙鎓鹽係下式(1)表示者， <br/><img align="absmiddle" height="33px" width="163px" file="ed10132.jpg" alt="ed10132.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，p係1~4之整數，q係0~3之整數，r係4， <br/>X<sup>BI</sup>係溴原子或碘原子， <br/>X<sup>1</sup>係碳數1~18之伸烴基，該伸烴基亦可包含選自於氧原子、氮原子、硫原子及鹵素原子中之至少1者， <br/>X<sup>2</sup>係單鍵、醚鍵、酯鍵、磺酸酯鍵、醯胺鍵、胺基甲酸酯鍵、脲鍵、碳酸酯鍵或碳數1~6之烷烴二基，該烷烴二基亦可包含選自於醚鍵及酯鍵中之至少1者， <br/>X<sup>3</sup>係單鍵、醚鍵、酯鍵、碳數1~6之烷烴二基，該烷烴二基亦可包含選自於醚鍵及酯鍵中之至少1者， <br/>R<sup>1</sup>係單鍵或碳數1~12之伸烴基，該伸烴基亦可包含選自於氧原子、氮原子、硫原子及鹵素原子中之至少1者， <br/>惟，-X<sup>1</sup>-R<sup>1</sup>-X<sup>2</sup>-具有至少1個碳原子， <br/>R<sup>2</sup>係羥基、羧基、氟原子、氯原子、胺基、碳數1~20之烴基、碳數1~20之烴基氧基、碳數2~20之烴基氧基羰基、碳數2~20之烴基羰基氧基、-N(R<sup>2A</sup>)-C(=O)-R<sup>2B</sup>、-N(R<sup>2A</sup>)-C(=O)-O-R<sup>2B</sup>或-N R<sup>2A</sup>)-S(=O)<sub>2</sub>-R<sup>2B</sup>，該烴基、烴基氧基、烴基氧基羰基及烴基羰基氧基亦可包含選自於氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、羥基、胺基、酯鍵及醚鍵中之至少1者，R<sup>2A</sup>係氫原子或碳數1~6之飽和烴基，該飽和烴基亦可包含鹵素原子、羥基、碳數1~6之飽和烴基氧基、碳數2~6之飽和烴基羰基或碳數2~6之飽和烴基羰基氧基，R<sup>2B</sup>係碳數1~16之脂肪族烴基或碳數6~12之芳基，亦可包含鹵素原子、羥基、碳數1~6之飽和烴基氧基、碳數2~6之飽和烴基羰基或碳數2~6之飽和烴基羰基氧基， <br/>Ar係碳數6之6價之芳香族烴基， <br/>Rf係氟原子， <br/>M<sup>+</sup>係鋶陽離子或錪陽離子。
如請求項1之阻劑材料，其中，X<sup>1</sup>係包含碘原子或溴原子之碳數1~18之伸烴基。
如請求項1之阻劑材料，其中，該基礎聚合物包含下式(a1)或(a2)表示之重複單元， <br/><img align="absmiddle" height="65px" width="94px" file="ed10133.jpg" alt="ed10133.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>A</sup>各自獨立地為氫原子或甲基， <br/>Y<sup>1</sup>係單鍵、伸苯基或伸萘基、或含有選自於酯鍵、醚鍵及內酯環中之至少1種之碳數1~12之連結基，該伸苯基、伸萘基及連結基亦可具有選自於羥基、碳數1~8之飽和烴基氧基及碳數2~8之飽和烴基羰基氧基中之至少1者， <br/>Y<sup>2</sup>係單鍵或酯鍵， <br/>Y<sup>3</sup>係單鍵、醚鍵或酯鍵， <br/>R<sup>11</sup>及R<sup>12</sup>各自獨立地為酸不安定基， <br/>R<sup>13</sup>係碳數1~4之飽和烴基、鹵素原子、碳數2~5之飽和烴基羰基、氰基或碳數2~5之飽和烴基氧基羰基， <br/>R<sup>14</sup>係單鍵或碳數1~6之烷烴二基，該烷烴二基亦可包含醚鍵或酯鍵， <br/>a係0~4之整數。
如請求項3之阻劑材料，係化學增幅正型阻劑材料。
如請求項1之阻劑材料，其中，該基礎聚合物係不包含酸不安定基者。
如請求項5之阻劑材料，係化學增幅負型阻劑材料。
如請求項1之阻劑材料，更包含淬滅劑。
如請求項1之阻劑材料，更包含酸產生劑。
如請求項1之阻劑材料，更包含界面活性劑。
一種圖案形成方法，包含下列步驟： <br/>使用如請求項1至9中任一項之阻劑材料於基板上形成阻劑膜、利用高能射線來將該阻劑膜予以曝光、使用顯影液來顯影該經曝光之阻劑膜。
如請求項10之圖案形成方法，其中，該高能射線係波長193nm之ArF準分子雷射光、波長248nm之KrF準分子雷射光、電子束或波長3~15nm之極紫外線。
一種製造點接觸太陽能電池的方法，包含：提供一矽晶片，其中一金屬電極配置在該矽晶片的一表面上；施加一高頻脈衝電壓至該金屬電極，其中該高頻脈衝電壓包括多個脈衝開啟時間和多個脈衝關閉時間，及具有約1kHz至10MHz的頻率和約5%~95%的工作週期；及在施加該高頻脈衝電壓下，利用一雷射，以大於10W/m<sup>2</sup>的能量密度照射該矽晶片，並進行高速掃描；在該等脈衝開啟時間期間，該雷射的照射將促使該金屬電極受到該高頻脈衝電壓作用，而於該矽晶片與該金屬電極間的界面即時形成複數個分離導通區。
如請求項1所述之方法，其中該金屬電極係使用一導電漿料及採取足使該導電漿料所含玻璃粉熔融的溫度進行燒結而形成，該導電漿料包含金屬，其中該金屬為銀、銅、鋁、鎳、其合金或其組合物。
如請求項1所述之方法，其中該高頻脈衝電壓為電池崩潰電壓的50%~99%。
如請求項1所述之方法，其中該高頻脈衝電壓係不小於電池崩潰電壓的一逆偏電壓。
如請求項1所述之方法，其中該高頻脈衝電壓為電池崩潰電壓的100%~150%。
一種製造點接觸太陽能電池的方法，包含：提供一太陽能電池元件，其中該太陽能電池元件包括一矽晶片、位於該矽晶片上的一抗反射層、及位於該抗反射層上的一金屬電極；利用一脈衝電源供應器，對該太陽能電池元件施加一高頻脈衝電壓，其中該高頻脈衝電壓包括多個脈衝開啟時間和多個脈衝關閉時間，且該高頻脈衝電壓係一逆偏電壓暨不小於該太陽能電池元件的崩潰電壓；及在施加該高頻脈衝電壓下，利用一雷射，以大於10W/m<sup>2</sup>的能量密度照射及掃描該太陽能電池元件；在該等脈衝開啟時間期間，該雷射的照射將誘發光電效應，產生局部大電流與熱，進而燒穿該金屬電極底下受到該高頻脈衝電壓作用的該抗反射層，該金屬電極所含金屬經此擴散到該矽晶片，而於該矽晶片的露出界面形成至少一導通區，而在該脈衝關閉時間期間，未受該高頻脈衝電壓作用的該金屬電極下方的該抗反射層將保留在該矽晶片上。
如請求項6所述之方法，其中該高頻脈衝電壓具有約1kHz至10MHz的頻率和約5%~95%的工作週期。
如請求項6所述之方法，其中該高頻脈衝電壓為該太陽能電池元件的崩潰電壓的100%~150%。
一種製造點接觸太陽能電池的設備，包含：一承載裝置，用於承載一太陽能電池元件；一導電模組，選擇性電性接觸該太陽能電池元件；一脈衝電源供應器，用於提供一高頻脈衝電壓，其中該高頻脈衝電壓係一逆偏電壓且具有約1kHz至10MHz的頻率和約5%~95%的工作週期；及一光源，當該脈衝電源供應器經由該導電模組施加該高頻脈衝電壓至該太陽能電池元件時，該光源以大於10W/m<sup>2</sup>的能量密度照射及掃描該太陽能電池元件，從而於該太陽能電池元件中形成複數個分離導通區。
如請求項9所述之設備，其中該高頻脈衝電壓為該太陽能電池元件的崩潰電壓的50%~99%。
如請求項9所述之設備，其中該高頻脈衝電壓為不小於該太陽能電池元件的崩潰電壓。
如請求項11所述之設備，其中該高頻脈衝電壓為該太陽能電池元件的崩潰電壓的100%~150%。
如請求項9所述之設備，其中該光源係一雷射。
如請求項9所述之設備，進一步包含一冷卻裝置，用以對該太陽能電池元件或該承載裝置進行散熱處理。
如請求項14所述之設備，其中該冷卻裝置為利用氣體或液體流動的一冷卻裝置。
一種推車踏板，其可移除地安裝至一推車，該推車踏板包含：<br/> 一兒童支撐平台，其包括至少一車輪，當該推車踏板於一使用位置時，該至少一車輪靠置於地面上；<br/> 一第一臂部，其延伸於一耦接至該兒童支撐平台的第一端部與一第二端部之間；以及<br/> 一第一推車踏板安裝件，其耦接至該第一臂部，該第一推車踏板安裝件具有一結構，其界定1)一第一耦接部分，其被配置成接合該推車之一第一推車安裝件之一第二耦接部分，以將該第一推車踏板安裝件耦接至該第一推車安裝件，該第一推車踏板安裝件包括一壁，其被配置成接合該第一推車安裝件之該第二耦接部分以限定一界限，該第一推車安裝件不能相對於該第一推車踏板安裝件移動超過該界限；或者2)一鄰接結構，其被配置成接合該第一推車安裝件，以將該第一推車踏板安裝件耦接至該第一推車安裝件，該鄰接結構包括一壁，其被配置成接合該第一推車安裝件之一對應壁，以將該鄰接結構相對於該第一推車安裝件固持於一期望位置。
如請求項1所述的推車踏板，其中當該第一推車踏板安裝件包括具有被配置成可滑動地收容於該第一推車安裝件之一內部中之一端部的一突部時，該突部包括一卡榫安裝件，且其中該第一推車踏板安裝件包括被配置成可滑動地接合該第一推車安裝件之一對應部分的一結構，被配置成可滑動地接合該第一推車安裝件之該對應部分的該結構包括被配置成收容該卡榫安裝件的一凹部。
如請求項1所述的推車踏板，其中該第一推車踏板安裝件包括被配置成可滑動地接合該第一推車安裝件之一結構，其中於該第一推車安裝件插入該第一推車踏板安裝件時，該第一推車安裝件界定一鎖定腔室，其橫向於該第一推車安裝件之一行進方向延伸，該鎖定腔室被配置成收容該第一推車踏板安裝件之一突部，以將該第一推車踏板安裝件可釋放地鎖定至該第一推車安裝件。
如請求項3所述的推車踏板，其中該突部為一閂鎖，其可相對於該結構移動，以將該第一推車踏板安裝件可釋放地鎖定至該第一推車安裝件。
如請求項4所述的推車踏板，其中該閂鎖相對於該第一推車安裝件可於一鎖定位置與一釋放位置之間移動，於該鎖定位置中，該閂鎖延伸至該第一推車安裝件中之該鎖定腔室中，於該釋放位置中，該閂鎖從該鎖定腔室退出。
如請求項3所述的推車踏板，其中該結構界定一停止部，其被配置成界定該第一推車安裝件至該第一推車踏板安裝件之一最大插入距離。
如請求項6所述的推車踏板，其中該結構包括多個側，其侷限該第一推車安裝件相對於該第一推車踏板安裝件的動作，允許僅沿著一插入/移除軸線插入該第一推車踏板安裝件中及從該第一推車踏板安裝件移除該第一推車安裝件。
如請求項1所述的推車踏板，其中該第一推車踏板安裝件可相對於該第一臂部轉動，使得該推車踏板可相對於安裝有該推車踏板之一推車於該使用位置與一收起位置之間轉動。
一種系統，其包含：<br/> 一推車，其包括一第一推車安裝件；以及<br/> 一推車踏板，其可釋放地耦接至該推車，該推車踏板包括：<br/> 一兒童支撐平台，其包括至少一車輪，當該推車踏板於一使用位置時，該至少一車輪靠置於地面上；<br/> 一第一臂部，其延伸於一耦接至該兒童支撐平台的第一端部與一第二端部之間；以及<br/> 一第一推車踏板安裝件，其耦接至該第一臂部之該第二端部，該第一推車踏板安裝件具有一結構，其界定1)一內部，其被配置成可滑動地收容該第一推車安裝件之一末端端部，該第一推車踏板安裝件之該內部包括多個壁，其被配置成接合該第一推車安裝件之多個對應壁，以將該第一推車安裝件固持於該第一推車踏板安裝件之該內部中，該第一推車踏板安裝件之該內部進一步包括一壁，其被配置成接合該第一推車安裝件之一對應結構以限定一界限，該第一推車安裝件不能插入該第一推車踏板安裝件之該內部超過該界限；或者2)一突部，其被配置成可滑動地收容於該第一推車安裝件之一內部中，該突部包含一壁，其被配置成接合該第一推車安裝件之一對應壁，以將該第一推車踏板安裝件之該突部固持於該第一推車安裝件之該內部中，該第一推車踏板安裝件之該突部被配置成接合該第一推車安裝件以限定一界限，該第一推車踏板安裝件之該突部不能插入該第一推車安裝件之該內部超過該界限。
如請求項9所述的系統，其中該推車包括一第一兒童座椅，其安裝於該推車之一框架上，位於該第一推車安裝件上方。
如請求項10所述的系統，進一步包含可移除地安裝於該推車上的一第二兒童座椅，該第二兒童座椅包括一第一座椅安裝件，其具有一結構，其界定1)一內部，其被配置成可滑動地收容該第一推車安裝件之一對應部分；或者2)一突部，其被配置成可滑動地收容於該第一推車安裝件之一內部中。
如請求項11所述的系統，其中該第一推車安裝件置放於該推車之一後面。
如請求項12所述的系統，其中該第一推車踏板安裝件包括一結構，其被配置成可滑動地接合該第一推車安裝件，且其中於該第一推車安裝件插入該第一推車踏板安裝件時，該第一推車安裝件界定一鎖定腔室，其橫向於該第一推車安裝件之一行進方向延伸，該鎖定腔室被配置成收容該第一推車踏板安裝件之一突部，以將該第一推車踏板安裝件可釋放地鎖定至該第一推車安裝件。
如請求項13所述的系統，其中該突部為一閂鎖，其可相對於該結構移動，以將該第一推車踏板安裝件可釋放地鎖定至該第一推車安裝件。
如請求項14所述的系統，其中當該第一推車安裝件耦接至該第一推車踏板安裝件時，該閂鎖相對於該第一推車安裝件可於一鎖定位置與一釋放位置之間移動，於該鎖定位置中，該閂鎖延伸至該第一推車安裝件中之該鎖定腔室中，於該釋放位置中，該閂鎖從該鎖定腔室退出。
如請求項14所述的系統，其中該第一推車安裝件包括通向該鎖定腔室的一插槽，於該第一推車安裝件插入該第一推車踏板安裝件時，該插槽可滑動地收容該閂鎖，該插槽平行於一插入/移除軸線延伸，該第一推車安裝件沿著該插入/移除軸線耦接至該第一推車踏板安裝件及從該第一推車踏板安裝件移除。
如請求項9所述的系統，其中該第一推車踏板安裝件可相對於該第一臂部轉動。
如請求項17所述的系統，其中該第一推車踏板安裝件包括一鎖定機構，其被配置成將該第一臂部鎖定於相對於該第一推車踏板安裝件的一期望轉動位置。
如請求項18所述的系統，其中該鎖定機構包括於該第一推車踏板安裝件之一第一構件上之一插銷，且其中於該第一推車踏板安裝件之一第二構件上界定一插銷收容空間，該第一推車踏板安裝件之該第一構件及該第二構件可相對於彼此轉動。
如請求項19所述的系統，其中該插銷收容空間包括與其相鄰之一鎖定棘爪，該鎖定棘爪包括一懸臂構件，其在來自該插銷之一接觸力下偏轉，以允許該插銷移動至該插銷收容空間中。
一種半導體元件，包含： 一基材，包含鄰接的一陣列區與一周邊區； <br/>一磊晶層，位於該基材上方； <br/>一井區，位於該磊晶層中； <br/>一介電層，位於該磊晶層上方且位於該陣列區與該周邊區上方； <br/>一閘極電極層，位於該介電層上方且位於該陣列區與該周邊區上方，其中該閘極電極層具有至少一第一開口與一第二開口，其中該至少一第一開口位於該周邊區上方與該井區上方，該第二開口位於該陣列區上方，且該至少一第一開口中之每一者大於該第二開口；以及 <br/>一源極接墊，位於該閘極電極層上方並自該陣列區上方延伸至該周邊區上方，且該源極接墊具有至少一第一延伸部位經由該閘極電極層的該至少一第一開口向下延伸至該井區。
如請求項1所述之半導體元件，其中該源極接墊還具有一第二延伸部位向下延伸至該陣列區。
如請求項1所述之半導體元件，其中在一俯視角度中，該至少一第一延伸部位具有一矩形俯視輪廓。
如請求項1所述之半導體元件，其中在一俯視角度中，該至少一第一延伸部位具有一L型俯視輪廓。
如請求項1所述之半導體元件，其中該至少一第一開口的一俯視輪廓為矩形或L型。
如請求項1所述之半導體元件，其中該閘極電極層的該至少一第一開口包含複數個第一開口，且該源極接墊的該至少一第一延伸部位包含複數個第一延伸部位，其中該些第一延伸部位分別經由對應的該些第一開口向下延伸至該井區。
如請求項6所述之半導體元件，其中該閘極電極層還包含一閘極線，位於該些第一延伸部位中的相鄰兩者之間。
如請求項1所述之半導體元件，其中該閘極電極層還包含一接墊區、一環狀部位、複數個閘極線以及複數個閘極電極部位，其中該接墊區與該環狀部位相連且位於該周邊區上方，該些閘極電極部位位於該陣列區上方，且該些閘極電極部位通過該些閘極線連接於該接墊區與該環狀部位。
一種半導體元件之製造方法，包含： <br/>形成一磊晶層於一基材上方，其中該基材包含鄰接的一陣列區與一周邊區； <br/>形成一第一井區於該磊晶層中且於該周邊區上方； <br/>形成一第一介電層於該磊晶層上方且於該陣列區與該周邊區上方； <br/>形成一閘極電極層於該第一介電層上且於該陣列區與該周邊區上方； <br/>圖案化該閘極電極層，使得該閘極電極層具有至少一第一開口與一第二開口，其中該至少一第一開口位於該周邊區上方與該第一井區上方，該第二開口位於該陣列區上方，且該至少一第一開口中之每一者大於該第二開口； <br/>形成一第二介電層覆蓋該閘極電極層與該第一介電層； <br/>形成複數個孔於該周邊區上方，其中該些孔通過該第二介電層、該閘極電極層以及該第一介電層並暴露該第一井區；以及 <br/>形成一源極接墊於該閘極電極層上方並通過該些孔接觸於該第一井區，其中該源極接墊還延伸通過該至少一第一開口與該第二開口。
如請求項9所述之製造方法，還包含： <br/>形成一第二井區於該磊晶層中且位於該陣列區上方，其中該第二井區與該第一井區具有一第一導電類型；以及 <br/>形成一源極摻雜區位於該第二井區中，其中該源極摻雜區具有不同於該第一導電類型的一第二導電類型。
一種硬化性樹脂組成物，其含有具有下述通式(1)所示的茚烷骨架的硬化性樹脂(A)、以及馬來醯亞胺化合物(B)，<br/><img align="absmiddle" height="200px" width="816px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 上述式(1)中，X表示(甲基)丙烯醯基，Ra和Rb分別獨立，為碳原子數1～12的烷基、芳基、芳烷基或環烷基，j表示1～3的整數，k、l分別獨立，表示0～4的整數，n為平均重複單元數，表示0.5～20的數值，m表示0～2的整數，其中，從Ra、X和碳原子朝向芳香環的直線表示可以鍵結於該芳香環上的任意部位；<br/> 其中該(B)為具有茚烷骨架的馬來醯亞胺化合物。
如請求項1之硬化性樹脂組成物，其中該(A)為具有下述通式(2)所示的茚烷骨架的硬化性樹脂，<br/><img align="absmiddle" height="175px" width="826px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 上述式(2)中，R<sub>1</sub>和R<sub>2</sub>分別獨立，為氫原子、碳原子數1～12的烷基、芳基、芳烷基或環烷基，並且R<sub>1</sub>和R<sub>2</sub>兩者不同時為氫原子，n為平均重複單元數，表示0.5～20的數值。
如請求項1之硬化性樹脂組成物，其中，相對於該(A)的質量和該(B)的質量的合計100質量份，該(B)的質量為10～80質量份。
一種硬化物，其是使如請求項1至3中任一項之硬化性樹脂組成物進行硬化反應而得。
一種清漆，其是將如請求項1至3中任一項之硬化性樹脂組成物以有機溶劑稀釋而成者。
一種預浸漬物，其具有補強基材和含浸於該補強基材的如請求項5之清漆的半硬化物。
一種電路基板，其是將如請求項6之預浸漬物和銅箔積層並加熱壓接成形而得。
一種阻劑下層膜形成用組成物，其特徵為，包含： <br/>(A)具有下列通式(I)及/或(II)表示之重複單元結構的酚醛清漆樹脂、及 <br/>(B)有機溶劑； <br/><img align="absmiddle" height="135px" width="385px" file="ed10048.jpg" alt="ed10048.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>該通式(I)中，Ar<sub>1</sub>係選自由下式(Ar-1)’中所示之結構構成之群組，該通式(II)中，Ar<sub>1</sub>及Ar<sub>2</sub>係互相獨立地為取代或非取代之碳數6~30之芳基、取代或非取代之碳數6~30之雜芳基、與脂肪族環或醚環發生縮環或鍵結而成之取代或非取代之碳數6~30之芳基、或介隔著直鏈狀、分支狀或環狀之烴基、醚基或羰基而互相鍵結之取代或非取代之碳數6~30之複數個芳基，該通式(I)及(II)中，Ar<sub>1</sub>在同一樹脂中可為1種，亦可為複數種之組合，Ar<sub>2</sub>在同一樹脂中可為1種，亦可為複數種之組合；R<sub>1</sub>在同一樹脂中，為至少2種以上之組合，R<sub>1</sub>內之至少1種係氫原子、或選自由下式(III-1)中所示之基構成之群組中之結構R<sub>1-1</sub>；R<sub>2</sub>為取代或非取代之碳數1~20之直鏈狀或分支狀或環狀之飽和或不飽和之烴基、取代或非取代之碳數1~20之雜烷基、胺基、硫醇基、或鹵素原子中之任一者；n<sub>1</sub>為1以上之整數，n<sub>2</sub>、n<sub>3</sub>及n<sub>4</sub>為0以上之整數； <br/><img align="absmiddle" height="73px" width="257px" file="ed10052.jpg" alt="ed10052.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="32px" width="420px" file="ed10049.jpg" alt="ed10049.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(III-1)中，＊表示與氧原子之鍵結部位。
如請求項1之阻劑下層膜形成用組成物，其中，該式(I)及(II)中，R<sub>1</sub>係選自由下式(III-1)中所示之基構成之群組中之結構R<sub>1-1</sub>與選自由下式(III-2)中所示之基構成之群組中之結構R<sub>1-2</sub>的組合，且在將結構R<sub>1-1</sub>之比例設為a，並將結構R<sub>1-2</sub>之比例設為b時，比例a及b係滿足1≦a≦99、1≦b≦99、及a＋b＝100的關係； <br/><img align="absmiddle" height="67px" width="425px" file="ed10050.jpg" alt="ed10050.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(III-1)及(III-2)中，＊表示與氧原子之鍵結部位。
如請求項1之阻劑下層膜形成用組成物，其中，該通式(II)中，Ar<sub>2</sub>為苯環。
如請求項1之阻劑下層膜形成用組成物，其中，該通式(II)中，Ar<sub>1</sub>係選自由下式(Ar-1)中所示之結構構成之群組； <br/><img align="absmiddle" height="79px" width="359px" file="ed10051.jpg" alt="ed10051.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之阻劑下層膜形成用組成物，其中，該通式(II)中，n<sub>3</sub>＋n<sub>4</sub>為2以上之整數。
如請求項1之阻劑下層膜形成用組成物，其中，該(A)酚醛清漆樹脂之利用凝膠滲透層析法所為之聚苯乙烯換算的重量平均分子量Mw為2000~8000。
如請求項1之阻劑下層膜形成用組成物，其中，在把將該阻劑下層膜形成用組成物塗佈於基材而獲得塗佈膜，並將該塗佈膜供至180℃且60秒的煅燒，之後再供至350℃且60秒的追加煅燒後之該塗佈膜的膜厚定義為FT-1，且 <br/>把在該追加煅燒後，於該塗佈膜配置將丙二醇單甲醚及丙二醇單甲醚乙酸酯以7：3之比混合所得之OK73稀釋劑，接著放置30秒，接著將該塗佈膜供至旋乾，然後，將該塗佈膜供至100℃且60秒的烘烤使該OK73稀釋劑蒸發後之該塗佈膜的膜厚定義為FT-2時， <br/>係成為100.5＜｛(FT-2)/(FT-1)｝×100。
如請求項1之阻劑下層膜形成用組成物，更包含(C)界面活性劑。
如請求項1之阻劑下層膜形成用組成物，更包含(D)交聯劑， <br/>在把將該阻劑下層膜形成用組成物塗佈於基材而獲得塗佈膜，並將該塗佈膜供至180℃且60秒的煅燒，之後再供至350℃且60秒的追加煅燒後之該塗佈膜的膜厚定義為FT-1，且 <br/>把在該追加煅燒後，於該塗佈膜配置將丙二醇單甲醚及丙二醇單甲醚乙酸酯以7：3之比混合所得之OK73稀釋劑，接著放置30秒，接著將該塗佈膜供至旋乾，然後，將該塗佈膜供至100℃且60秒的烘烤使該OK73稀釋劑蒸發後之該塗佈膜的膜厚定義為FT-2時， <br/>係成為100＜｛(FT-2)/(FT-1)｝×100＜101。
如請求項1之阻劑下層膜形成用組成物，更包含(E)熱分解性樹脂， <br/>在把將該阻劑下層膜形成用組成物塗佈於基材而獲得塗佈膜，並將該塗佈膜供至180℃且60秒的煅燒，之後再供至350℃且60秒的追加煅燒後之該塗佈膜的膜厚定義為FT-1，且 <br/>把在該追加煅燒後，於該塗佈膜配置將丙二醇單甲醚及丙二醇單甲醚乙酸酯以7：3之比混合所得之OK73稀釋劑，接著放置30秒，接著將該塗佈膜供至旋乾，然後，將該塗佈膜供至100℃且60秒的烘烤使該OK73稀釋劑蒸發後之該塗佈膜的膜厚定義為FT-2時， <br/>係成為101＜｛(FT-2)/(FT-1)｝×100。
如請求項1之阻劑下層膜形成用組成物，更包含(D)交聯劑及(E)熱分解性樹脂兩者， <br/>在把將該阻劑下層膜形成用組成物塗佈於基材而獲得塗佈膜，並將該塗佈膜供至180℃且60秒的煅燒，之後再供至350℃且60秒的追加煅燒後之該塗佈膜的膜厚定義為FT-1，且 <br/>把在該追加煅燒後，於該塗佈膜配置將丙二醇單甲醚及丙二醇單甲醚乙酸酯以7：3之比混合所得之OK73稀釋劑，接著放置30秒，接著將該塗佈膜供至旋乾，然後，將該塗佈膜供至100℃且60秒的烘烤使該OK73稀釋劑蒸發後之該塗佈膜的膜厚定義為FT-2時， <br/>係成為100＜｛(FT-2)/(FT-1)｝×100。
如請求項1之阻劑下層膜形成用組成物，更包含(F)酸產生劑。
如請求項1至12中任一項之阻劑下層膜形成用組成物，其中，該阻劑下層膜形成用組成物係奈米壓印用。
一種阻劑下層膜，其特徵為：係由如請求項1至12中任一項之阻劑下層膜形成用組成物構成之塗佈膜的硬化物。
一種阻劑下層膜之製造方法，其特徵為，包括下列步驟： <br/>將如請求項1至12中任一項之阻劑下層膜形成用組成物塗佈於半導體基板上而獲得塗佈膜， <br/>將該塗佈膜予以煅燒而獲得阻劑下層膜。
一種圖案形成方法，其特徵為，包括下列步驟： <br/>在半導體基板上由如請求項1至12中任一項之阻劑下層膜形成用組成物形成阻劑下層膜， <br/>在該阻劑下層膜上形成硬化性組成物膜， <br/>使該硬化性組成物膜與模具接觸， <br/>對該硬化性組成物膜照射光或電子束以形成硬化膜， <br/>將該硬化膜與該模具分離。
如請求項16之圖案形成方法，其中，在該阻劑下層膜上形成硬化性組成物膜的步驟，包括： <br/>在該阻劑下層膜上藉由塗佈或蒸鍍而形成密接層及/或包含99質量%以下之Si的聚矽氧層，並於其上形成硬化性組成物膜。
一種半導體裝置之製造方法，其特徵為，包括下列步驟： <br/>在半導體基板上由如請求項1至12中任一項之阻劑下層膜形成用組成物形成阻劑下層膜， <br/>在該阻劑下層膜上形成阻劑膜， <br/>對該阻劑膜照射光或電子束，接著進行顯影，藉此形成阻劑圖案， <br/>使用形成之阻劑圖案作為遮罩，將該阻劑下層膜蝕刻，獲得經圖案化之下層膜， <br/>使用該經圖案化之下層膜作為遮罩，將該半導體基板加工。
一種半導體裝置之製造方法，其特徵為，包括下列步驟： <br/>在半導體基板上由如請求項1至12中任一項之阻劑下層膜形成用組成物形成阻劑下層膜， <br/>在該阻劑下層膜上形成硬遮罩， <br/>再於該硬遮罩上形成阻劑膜， <br/>對該阻劑膜照射光或電子束，接著進行顯影，藉此形成阻劑圖案， <br/>使用形成之阻劑圖案作為遮罩，將該硬遮罩蝕刻，獲得經圖案化之硬遮罩， <br/>使用該經圖案化之硬遮罩作為遮罩，將該下層膜蝕刻，獲得經圖案化之阻劑下層膜， <br/>使用該經圖案化之阻劑下層膜作為遮罩，將該半導體基板加工。
一種鎓鹽型單體，以下式(a)表示， <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="190px" file="ed10197.jpg" alt="ed10197.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，n1為0或1，n2為0或1，n3為0~4之整數，n4為0~4之整數，n5為1~6之整數，惟n2為0時1≦n4＋n5≦4，n2為1時1≦n4＋n5≦6，n6為0~4之整數， <br/>R<sup>A</sup>為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基， <br/>R<sup>1</sup>為鹵素原子、或也可以含有雜原子之碳數1~20之烴基，n3為2、3或4時，多個R<sup>1</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結之碳原子一起形成環， <br/>R<sup>2</sup>為碘原子以外之鹵素原子、或也可以含有雜原子之碳數1~20之烴基，n4為2、3或4時，多個R<sup>2</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結之碳原子一起形成環， <br/>L<sup>A</sup>、L<sup>B</sup>及L<sup>C</sup>各自獨立地為單鍵、磺酸酯鍵、磺醯胺鍵、碳酸酯鍵或胺甲酸酯鍵， <br/>X<sup>L</sup>為單鍵、或碳數1~40之伸烴基， <br/>Q<sup>1</sup>及Q<sup>2</sup>各自獨立地為氫原子、氟原子或碳數1~6之氟化飽和烴基， <br/>Q<sup>3</sup>及Q<sup>4</sup>各自獨立地為氟原子或碳數1~6之氟化飽和烴基， <br/>Z<sup>+</sup>為鎓陽離子。
如請求項1之鎓鹽型單體，係以下式(a1)表示， <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="170px" file="ed10198.jpg" alt="ed10198.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，n1~n6、R<sup>A</sup>、R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、L<sup>A</sup>、L<sup>C</sup>、Q<sup>1</sup>~Q<sup>4</sup>及Z<sup>+</sup>同前所述。
如請求項2之鎓鹽型單體，係以下式(a2)表示， <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="171px" file="ed10199.jpg" alt="ed10199.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，n1~n6、R<sup>A</sup>、R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、L<sup>A</sup>、Q<sup>1</sup>、Q<sup>2</sup>及Z<sup>+</sup>同前所述。
如請求項1之鎓鹽型單體，其中Z<sup>+</sup>係下式(cation-1)表示之鋶陽離子或下式(cation-2)表示之錪陽離子， <br/><img align="absmiddle" height="169px" width="187px" file="ed10200.jpg" alt="ed10200.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>ct1</sup>~R<sup>ct5</sup>各自獨立地為鹵素原子、或也可以含有雜原子之碳數1~30之烴基，又，R<sup>ct1</sup>及R<sup>ct2</sup>亦可互相鍵結並和它們所鍵結之硫原子一起形成環。
一種聚合物，含有來自如請求項1至4中任一項之鎓鹽型單體之重複單元。
如請求項5之聚合物，更含有下式(b1)或(b2)表示之重複單元， <br/><img align="absmiddle" height="53px" width="83px" file="ed10201.jpg" alt="ed10201.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>A</sup>各自獨立地為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基， <br/>X<sup>1</sup>為單鍵、伸苯基、伸萘基、*-C(＝O)-O-X<sup>11</sup>-或*-C(＝O)-NH-X<sup>11</sup>-，該伸苯基或伸萘基也可被亦可含有氟原子之碳數1~10之烷氧基或鹵素原子取代，X<sup>11</sup>為碳數1~10之飽和伸烴基、伸苯基或伸萘基，該飽和伸烴基也可含有羥基、醚鍵、酯鍵或內酯環， <br/>X<sup>2</sup>為單鍵、*-C(＝O)-O-或*-C(＝O)-NH-， <br/>*表示和主鏈之碳原子間之原子鍵， <br/>AL<sup>1</sup>及AL<sup>2</sup>各自獨立地為酸不安定基， <br/>R<sup>11</sup>為鹵素原子、氰基、也可以含有雜原子之碳數1~20之烴基、也可以含有雜原子之碳數1~20之烴氧基、也可以含有雜原子之碳數2~20之烴羰基、也可以含有雜原子之碳數2~20之烴羰氧基或也可以含有雜原子之碳數2~20之烴氧羰基， <br/>a為0~4之整數。
如請求項5之聚合物，更含有下式(c1)表示之重複單元， <br/><img align="absmiddle" height="42px" width="66px" file="ed10202.jpg" alt="ed10202.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>A</sup>為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基， <br/>Y<sup>1</sup>為單鍵、*-C(＝O)-O-或*-C(＝O)-NH-，*表示和主鏈之碳原子間之原子鍵， <br/>R<sup>21</sup>為鹵素原子、硝基、氰基、也可以含有雜原子之碳數1~20之烴基、也可以含有雜原子之碳數1~20之烴氧基、也可以含有雜原子之碳數2~20之烴羰基、也可以含有雜原子之碳數2~20之烴羰氧基或也可以含有雜原子之碳數2~20之烴氧羰基， <br/>c為1~4之整數，d為0~3之整數，惟1≦c＋d≦5。
如請求項5之聚合物，更含有下式(d1)表示之重複單元， <br/><img align="absmiddle" height="39px" width="66px" file="ed10203.jpg" alt="ed10203.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>A</sup>為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基， <br/>Z<sup>1</sup>為單鍵、伸苯基、伸萘基、*-C(＝O)-O-Z<sup>11</sup>-或*-C(＝O)-NH-Z<sup>11</sup>-，或該伸苯基或伸萘基也可被亦可含有氟原子之碳數1~10之烷氧基或鹵素原子取代，*表示和主鏈之碳原子間之原子鍵，Z<sup>11</sup>為碳數1~10之飽和伸烴基、伸苯基或伸萘基，該飽和伸烴基也可含有羥基、醚鍵、酯鍵或內酯環， <br/>R<sup>31</sup>為氫原子、或含有選自苯酚性羥基以外之羥基、氰基、羰基、羧基、醚鍵、酯鍵、磺酸酯鍵、碳酸酯鍵、內酯環、磺內酯環及羧酸酐(-C(＝O)-O-C(＝O)-)中之至少1個以上之結構之碳數1~20之基。
一種化學增幅阻劑組成物，包含(A)含有如請求項5之聚合物之基礎聚合物。
如請求項9之化學增幅阻劑組成物，更包含(B)有機溶劑。
如請求項9之化學增幅阻劑組成物，更包含(C)淬滅劑。
如請求項9之化學增幅阻劑組成物，更包含(D)酸產生劑。
如請求項9之化學增幅阻劑組成物，更包含(E)界面活性劑。
如請求項9之化學增幅阻劑組成物，更包含(F)溶解抑制劑。
一種圖案形成方法，包含下列步驟： <br/>使用如請求項9之化學增幅阻劑組成物在基板上形成阻劑膜， <br/>將該阻劑膜以高能射線進行曝光，及 <br/>將該已曝光之阻劑膜使用顯影液進行顯影。
如請求項15之圖案形成方法，該高能射線為波長193nm之ArF準分子雷射光或波長248nm之KrF準分子雷射光、電子束或波長3~15nm之極紫外線。
一種製程中的產線(3)配置方法，其特徵在於，<br/> 一配置系統(10)使用一演算法(11)，而該演算法至少包含一程序參數(PP)作為對特定該產線(3)之輸入值、一所屬之參數配重(PG)、及一作為輸出值之代碼(KZ)；<br/> 該方法包含：<br/> 循環執行該演算法(11)，並連續更新各該程序參數(PP)；<br/> 基於該演算法(11)所產生的該輸出值之代碼(KZ)，執行一配置更新(13)；以及<br/> 根據該配置更新(13)，自動開啟一對應程序處置。
如請求項1之方法，其中，該配置系統(10)使用一最短路徑演算法。
如請求項2之方法，其中，該配置系統(10)使用一A*演算法，作為針對一啟發式模型最短路徑演算法之擴充。
如請求項1至3中任一項之方法，其中，該程序參數(PP)包含一焊接機之操作溫度，該操作溫度在該產線(3)配置中構成在該配置系統(10)中的一參數。
如請求項1至3中任一項之方法，其中，該程序參數(PP)包含一插件機的設定時間，該設定時間在該產線(3)配置中構成在該配置系統(10)中的一參數。
如請求項1至3中任一項之方法，其中，該程序參數(PP)包含一成品交貨日期，該交貨日期在該產線(3)配置中構成在該配置系統(10)中的一參數。
如請求項1至3中任一項之方法，其中，該程序參數(PP)包含一當前執行的任務的剩餘時間，該剩餘時間在該產線(3)配置中構成在該配置系統(10)中的一參數。
如請求項1至3中任一項之方法，其中，該程序參數(PP)包含一計畫之該產線(3)的靜止時間，該靜止時間在該產線(3)配置中構成在該配置系統(10)中的一參數。
如請求項1至3中任一項之方法，其中，個別機器的配置以跨該產線(3)方式決定。
如請求項1至3中任一項之方法，其中，該配置系統(10)下達給該產線(3)之製程指令由一顯示器顯示。
一種自行走機器人的標定方法，所述方法包括：<br/> 檢測所述自行走機器人是否行駛於平坦區域中；<br/> 回應於所述自行走機器人行駛於平坦區域中，對所述自行走機器人的水平線雷射模組的外參進行補充標定，以得到補充標定結果，包括：獲取所述水平線雷射模組採集的地面點雲的三維空間位置；根據所述三維空間位置和初始外參標定資料，對所述水平線雷射模組的外參進行補充標定，標定對應的角度參數變化，其中，所述角度參數包括俯仰角度、翻滾角度和偏航角度中的任意一個或任意組合；<br/> 根據所述補充標定結果，修正所述自行走機器人在行駛過程中的測距資訊。
如請求項1所述的自行走機器人的標定方法，其中，檢測所述自行走機器人是否行駛於平坦區域中，包括：<br/> 透過第一感測器獲取所述自行走機器人的垂直方向的角速度資訊；<br/> 透過第二感測器獲取所述自行走機器人的加速度資訊；<br/> 根據所述角速度資訊和所述加速度資訊，確定所述自行走機器人是否行駛於平坦區域中。
如請求項2所述的自行走機器人的標定方法，其中，根據所述角速度資訊和所述加速度資訊，確定所述自行走機器人是否行駛於平坦區域中，包括：<br/> 回應於所述角速度資訊小於或等於預設角速度，且所述加速度資訊小於或等於預設加速度，確定所述自行走機器人行駛於平坦區域中。
如請求項2所述的自行走機器人的標定方法，其中，對所述自行走機器人的水平線雷射模組的外參進行補充標定，以得到補充標定結果，包括：<br/> 獲取所述自行走機器人的水平線雷射在攝像模組上的成像結果和初始外參標定資料；<br/> 根據所述成像結果和所述初始外參標定資料，對所述水平線雷射模組的外參進行補充標定，標定對應的角度參數變化，其中，所述角度參數包括俯仰角度、翻滾角度和偏航角度中的任意一個或任意組合。
如請求項1所述的自行走機器人的標定方法，其中，檢測所述自行走機器人是否行駛於平坦區域中，包括：<br/> 獲取所述水平線雷射模組採集的圖片；<br/> 分析所述圖片中水平線雷射的光條位置的變化資料；<br/> 回應於所述變化資料小於或等於預設閾值，確定所述自行走機器人行駛於平坦區域中。
如請求項1所述的自行走機器人的標定方法，其中，偵測所述自行走機器人是否行駛於平坦區域中，包括：<br/> 獲取所述水平線雷射模組採集的地面點雲的測高變化幅度資料；<br/> 回應於所述測高變化幅度資料小於或等於預設幅度值，確定所述自行走機器人行駛於平坦區域中。
如請求項1或4所述的自行走機器人的標定方法，其中，根據所述補充標定結果，修正所述自行走機器人行駛過程中的測距資訊，包括：<br/> 回應於所述角度參數變化大於或等於預設變化值，使用所述角度參數變化對所述初始外參標定資料進行補償計算，得到補償後的外參標定資料；<br/> 根據所述補償後的外參標定資料修正所述自行走機器人在行駛過程中的測距資訊。
一種自行走機器人的標定裝置，所述裝置包括：<br/> 檢測模組，用於檢測所述自行走機器人是否行駛於平坦區域中；<br/> 標定模組，用於回應於所述自行走機器人行駛於平坦區域中，對所述自行走機器人的水平線雷射模組的外參進行補充標定，以得到補充標定結果，包括：獲取所述水平線雷射模組採集的地面點雲的三維空間位置；根據所述三維空間位置和初始外參標定資料，對所述水平線雷射模組的外參進行補充標定，標定對應的角度參數變化，其中，所述角度參數包括俯仰角度、翻滾角度和偏航角度中的任意一個或任意組合；<br/> 修正模組，用於根據所述補充標定結果，修正所述自行走機器人在行駛過程中的測距資訊。
一種自行走機器人，包括：至少一個處理器；以及，與所述至少一個處理器通訊連接的記憶體；<br/> 其中，所述記憶體儲存有可被所述至少一個處理器執行的指令，所述指令被設定為用於執行上述請求項1至7中任一項所述的方法。
一種電腦可讀儲存介質，其中，儲存有電腦可執行指令，所述電腦可執行指令用於執行如請求項1至7中任一項所述的方法。
一種用於合成肽醇的方法，包含：(a)將一式(Ia)化合物於一極性溶劑中與亞硝酸鹽和乙酸進行反應，以得到一具有苯并三唑結構的式(IIa)化合物，<figure><img align="absmiddle" height="143px" width="459px" file="d10010.TIF" alt="化學式ed10010.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10010.png"/></figure>M為一固相承載材料；X為一胜肽；Y和Y’為一保護該X之N端的保護基；以及(b)將該式(IIa)化合物於一含有一極性無質子性溶劑與一醇類溶劑的混合溶液中與硼氫化鈉進行反應以將該(IIa)化合物中的X上之胜肽的碳端還原，以得到一肽醇化合物。
如請求項1所述的方法，其中該固相承載材料包含樹脂。
如請求項1所述的方法，其中該極性溶劑包含二甲基甲醯胺(DMF)，且該亞硝酸鹽包含亞硝酸異戊酯。
如請求項1所述的方法，其中該極性無質子性溶劑包含二氯甲烷，且該醇類溶劑包含乙醇。
如請求項1所述的方法，其中該步驟(b)的反應條件為先冰浴1小時，再於室溫下反應0.5小時。
如請求項1所述之方法，其中在該步驟(b)之後進一步包含一步驟(c)，該步驟(c)包含移除該肽醇化合物上的保護基。
如請求項1所述的方法，其中該步驟(b)會產生水解副產物或乙醇解副產物。
如請求項7所述的方法，其中該水解副產物可將還原溶劑更換二甲基甲醯胺(DMF)，降低溶劑含水量而去除水解副產物。
如請求項7所述的方法，其中該乙醇解副產物以重複還原方式，將乙醇解副產物還原為肽醇。
如請求項1所述的方法，其中該胜肽是天門冬胺酸時，則天門冬胺酸還原後，須將酸去除保護基步驟移至冰浴下進行，抑制內酯化反應。
一種滑軌總成，包含：一第一軌；一第二軌具有一縱向牆；一第三軌延伸該第一軌與該第二軌位移行程，該第三軌具有一第一端部、一第二端部及一第一端面，該第一端面位於該第一端部上，該第一端部相對於該第二端部，由該第一端面朝該第二端部延伸凹設一第一框槽，該第二端部凹設至少一第二框槽；以及一齒輪機構具有一第一齒條、一第二齒條、一第一齒輪及一第二齒輪，該第一齒條與該第二齒條分別安裝於該縱向牆平行且形成錯位，該第一齒輪設置於該第一軌之一側，且該第一齒條具有複數個第一齒部，該第一齒輪對位該第一框槽，該至少一第二框槽內設置有該第二齒輪；其中，當該第二軌相對該第一軌朝一第一方向與反向朝一第二方向位移，其為一第一狀態時，該第一齒輪嚙合於該複數個第一齒部用以減速位移，當該第一狀態切換為一第二狀態時，該第一齒輪脫離該複數個第一齒部用以快速位移。
如請求項1所述之滑軌總成，其中該第二軌及該第三軌相對該第一軌同步朝該第一方向與反向朝該第二方向位移，其為該第一狀態時，該第一齒輪位移至該第一框槽內與該第一齒輪嚙合該複數個第一齒部用以減速位移，當該第一狀態切換為該第二狀態時，該第一齒輪脫離該第一框槽與該第一齒輪脫離該複數個第一齒部用以快速位移，當該第二軌及該第三軌相對該第一軌同步朝該第一方向位移至一第二位置處，該第二軌相對該第三軌繼續朝該第一方向與反向朝該第二方向位移，其為一第三狀態時，該第二齒輪對位嚙合該第二齒條之複數個第二齒部用以快速位移，當第三狀態切換至一第四狀態時，該第二齒輪嚙合該複數個第二齒部用以減速位移。
一種滑軌總成，包含：一第一軌及一第三軌，該第三軌具有一第一端部、相對該第一端部之一第二端部、位於該第一端部之一第一端面、由該第一端面朝該第二端部延伸之一第一框槽及凹設於該第二端部之至少一第二框槽；以及一齒輪機構具有安裝於該第一端部之一第一齒條及設置於該第一軌之一側之一第一齒輪，且該第一齒條具有複數個第一齒部；其中，當該第三軌相對該第一軌朝一第一方向與反向朝一第二方向位移，其為一第一狀態時，該第一齒輪位移至該第一框槽內與該第一齒輪嚙合於該複數個第一齒部用以減速位移，當該第一狀態切換為一第二狀態時，該第一齒輪脫離該第一框槽內與該第一齒輪脫離該複數個第一齒部用以快速位移。
如請求項3所述之滑軌總成，其中該滑軌總成更包含相對該第三軌位移之一第二軌，該第二軌具有一縱向牆，該齒輪機構具有安裝於該縱向牆之一第二齒條及容置於該至少一第二框槽內之一第二齒輪，且該第二齒條具有該複數個第二齒部，且該第一齒條相對該第一框槽，該第一齒條朝該第一框槽水平方向延伸設有複數個第一齒部。
如請求項4所述之滑軌總成，其中該第二軌及該第三軌相對該第一軌同步朝該第一方向與反向朝該第二方向位移，其為該第一狀態時，該第一齒輪位移至該第一框槽內與該第一齒輪嚙合於該複數個第一齒部用以減速位移，當該第一狀態切換為一第二狀態時，該第一齒輪脫離該第一框槽內與該第一齒輪脫離該複數個第一齒部用以快速位移，當該第二軌及該第三軌相對該第一軌同步朝該第一方向位移至第二位置處，該第二軌相對該第三軌繼續朝該第一方向與反向朝該第二方向位移，其為一第三狀態時，該第二齒輪對位該複數個第二齒部用以快速位移，當該第三狀態切換為一第四狀態時，該第二齒輪嚙合該複數個第二齒部用以減速位移。
如請求項1或3所述之滑軌總成，其中該齒輪機構具有安裝於該第一軌一側之至少一第一阻尼器，該至少一第一阻尼器具有容置阻尼材料之一第一容器，該第一容器樞接該第一齒輪阻尼材料用以供該第一齒輪轉動阻力，且該至少一第一阻尼器安裝於該第一軌之一側。
如請求項1或4所述之滑軌總成，其中該齒輪機構具有安裝於該至少一第二框槽內之一第二阻尼器，該第二阻尼器具有容置阻尼材料之一第二容器，該第二容器樞接該第二齒輪，阻尼材料用以供該第二齒輪轉動阻力，且該第二阻尼器安裝於該第三軌之該第二端部。
如請求項6所述之滑軌總成，其中該齒輪機構具有複數個第一阻尼器、至少一第一彈性件及複數第一鎖固件，各該第一阻尼器位於該第一容器之二相對外側設有複數個讓位孔，該複數個第一鎖固件先穿設該複數個讓位孔，再鎖附於該第一軌之一側上，且該至少一第一彈性件兩端分別安裝於該複數個第一阻尼器之間，該至少一第一彈性件彈性變形與復位，供該複數個讓位孔之兩端分別靠抵該複數個第一鎖固件。
如請求項8所述之滑軌總成，其中各該第一阻尼器二相對外側之二該讓位孔於一端朝相對內側之另一端延伸為梯形、水滴形或其他具有漸擴形狀之其中之一。
一種智慧物聯網交通警示貓眼系統，包含以沿著道路的行進方向的方式設置於該道路的路面的彼此電連接的複數個貓眼裝置，該貓眼裝置包括： <br/>一本體外殼，具有一上殼體及一下殼體，該上殼體呈中空半球形狀且朝下側為開放，該下殼體呈中空箱形狀且朝上側為開放，藉由該上殼體及該下殼體密合而圍置出一容置空間； <br/>一攝影機構，設置於該容置空間內，並且對外部的該道路的環境進行攝影而獲得一道路狀況攝影畫面； <br/>一檢測機構，設置於該容置空間內，並且對外部的該道路的環境變化及行駛於該道路的車輛的動態進行檢測而獲得一道路狀況檢測結果； <br/>一處理機構，設置於該容置空間內且電連接於該攝影機構及該檢測機構，接收來自該攝影機構的該道路狀況攝影畫面及來自該檢測機構的該道路狀況檢測結果，並且對該道路狀況攝影畫面及該道路狀況檢測結果進行一道路狀況分析處理而獲得一道路狀況分析結果； <br/>一通訊機構，設置於該容置空間內且電連接於該處理機構，並且對另外的複數個該貓眼裝置進行該道路狀況攝影畫面、該道路狀況檢測結果及該道路狀況分析結果的資料收發；以及 <br/>一導引指示機構，係環狀地設置於該本體外殼的該上殼體及該下殼體的交界處而自該本體外殼的表面向外延伸，並且於上表面設置有導引指示燈，在該道路狀況分析結果為一道路通暢結果時該導引指示燈顯示一正常指示燈號，在該道路狀況分析結果為一道路壅塞結果時，該導引指示燈顯示一留意指示燈號，在該道路狀況分析結果為一交通事故結果時，導引指示燈顯示一警告指示燈號。
如請求項1所述之智慧物聯網交通警示貓眼系統，更包含一中央控制模組，該中央控制模組電連接於複數個該貓眼裝置的該通訊機構，而與複數個該貓眼裝置進行該道路狀況攝影畫面、該道路狀況檢測結果及該道路狀況分析結果的資料收發，並且從該中央控制模組對該貓眼裝置進行控制。
如請求項1所述之智慧物聯網交通警示貓眼系統，更包含一載重測量模組，該載重測量模組係設置於該道路的路面並且電連接於該貓眼裝置，該貓眼裝置獲得具有辨識出該車輛為大型卡車的該道路狀況分析結果時，該載重測量模組對被辨識為大型卡車的該車輛進行載重測量而獲得一載重測量結果，該貓眼裝置根據該載重測量結果使該導引指示機構的該導引指示燈顯示一載重過重指示燈號。
如請求項1所述之智慧物聯網交通警示貓眼系統，其中該貓眼裝置更包括一照明部，係對設置於該道路的路面上的標線進行照明。
如請求項1所述之智慧物聯網交通警示貓眼系統，其中該道路狀況攝影畫面包括行駛於該道路的車輛的車牌畫面及車輛外觀畫面。
如請求項1所述之智慧物聯網交通警示貓眼系統，其中該道路狀況檢測結果包括該道路的溫度、濕度及行駛在該道路的車輛動態。
如請求項1所述之智慧物聯網交通警示貓眼系統，其中該處理機構為一中央處理器。
如請求項1所述之智慧物聯網交通警示貓眼系統，其中該通訊機構藉由無線通訊的方式進行該資料收發。
一種有機膜形成用組成物，其特徵在於包含(A)有機膜形成用材料、(B)具有下述通式(1)表示之重複單元之聚合物及(C)溶劑， <br/><img align="absmiddle" height="40px" width="401px" file="ed10214.jpg" alt="ed10214.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，W<sub>1</sub>係下式(3)表示之2價有機基，W<sub>2</sub>係下式(A)表示之2價有機基， <br/><img align="absmiddle" height="71px" width="400px" file="ed10216.jpg" alt="ed10216.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，*表示對氧原子之原子鍵，L係選自碳數1~30之直鏈、支鏈或環狀之伸烷基、碳數2~30之直鏈、支鏈或環狀之亞烷基(alkylidene group)、碳數5~15之伸環烷基、碳數5~15之亞環烷基、碳數6~30之伸芳基、碳數7~15之芳基伸烷基、碳數7~15之芳基亞烷基、茀二基，結構中亦可具有鹵素原子、醚鍵、羰基、酯基、醯胺基、胺基，亦可經由醯胺基或酯基形成雜環結構，R<sub>1</sub>係具有1個以上之下式(2)表示之結構之取代基， <br/><img align="absmiddle" height="65px" width="401px" file="ed10215.jpg" alt="ed10215.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，*表示W<sub>1</sub>表示之有機基中的原子鍵，亦可具有上式(2)表示之結構中之任意2種以上或2個以上之相同結構， <br/><img align="absmiddle" height="303px" width="438px" file="ed10219.jpg" alt="ed10219.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，*表示對氧原子之原子鍵，n4、n5表示1~10之整數。
如請求項1之有機膜形成用組成物，其中，該通式(3)中之R<sub>1</sub>，係下述通式(4)表示之基， <br/><img align="absmiddle" height="253px" width="401px" file="ed10217.jpg" alt="ed10217.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，*表示和氧原子之原子鍵，n1、n2、n3表示1~10之整數。
如請求項1之有機膜形成用組成物，其中，該通式(1)中之W<sub>2</sub>係下述通式(5)， <br/><img align="absmiddle" height="37px" width="401px" file="ed10218.jpg" alt="ed10218.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，*表示對氧原子之原子鍵，n4、n5表示1~10之整數。
如請求項1之有機膜形成用組成物，其中，該(B)聚合物之重量平均分子量為1000~30000。
如請求項1之有機膜形成用組成物，其中，該(B)聚合物之含量，相對於該(A)有機膜形成用材料之含量100質量份，為0.01質量份至5質量份。
一種有機膜形成方法，係用於半導體裝置之製造步驟，其特徵在於： <br/>於被加工基板上旋轉塗佈如請求項1至5中任一項之有機膜形成用組成物來形成塗膜，將該塗膜於100℃以上600℃以下之溫度進行10~600秒之範圍之熱處理，藉此來進行硬化而形成有機膜。
一種圖案形成方法，其特徵在於： <br/>於被加工體上使用如請求項1至5中任一項之有機膜形成用組成物來形成有機膜，於該有機膜上使用含矽阻劑中間膜材料來形成含矽阻劑中間膜，於該含矽阻劑中間膜上使用由光阻組成物構成之阻劑上層膜材料來形成阻劑上層膜，於該阻劑上層膜形成電路圖案，將該形成了電路圖案之阻劑上層膜作為遮罩並利用蝕刻將圖案轉印至該含矽阻劑中間膜，將該轉印了圖案之含矽阻劑中間膜作為遮罩並利用蝕刻將圖案轉印於該有機膜，且將該轉印了圖案之有機膜作為遮罩並利用蝕刻將圖案轉印於該被加工體。
一種圖案形成方法，其特徵在於： <br/>於被加工體上使用如請求項1至5中任一項之有機膜形成用組成物來形成有機膜，於該有機膜上使用含矽阻劑中間膜材料來形成含矽阻劑中間膜，於該含矽阻劑中間膜上形成有機抗反射膜或密合膜，於該有機抗反射膜或密合膜上使用由光阻組成物構成之阻劑上層膜材料來形成阻劑上層膜，於該阻劑上層膜形成電路圖案，將該形成了電路圖案之阻劑上層膜作為遮罩並利用蝕刻將圖案轉印至該有機抗反射膜或密合膜及該含矽阻劑中間膜，將該轉印了圖案之含矽阻劑中間膜作為遮罩並利用蝕刻將圖案轉印至該有機膜，且將該轉印了圖案之有機膜作為遮罩並利用蝕刻將圖案轉印於該被加工體。
一種圖案形成方法，其特徵在於： <br/>於被加工體上使用如請求項1至5中任一項之有機膜形成用組成物來形成有機膜，於該有機膜上形成選自於矽氧化膜、矽氮化膜、及矽氧化氮化膜之無機硬遮罩，於該無機硬遮罩上使用由光阻組成物構成之阻劑上層膜材料來形成阻劑上層膜，於該阻劑上層膜形成電路圖案，將該形成了電路圖案之阻劑上層膜作為遮罩並利用蝕刻將圖案轉印於該無機硬遮罩，將該轉印了圖案之無機硬遮罩作為遮罩並利用蝕刻將圖案轉印於該有機膜，且將該轉印了圖案之有機膜作為遮罩並利用蝕刻將圖案轉印於該被加工體。
一種圖案形成方法，其特徵在於： <br/>於被加工體上使用如請求項1至5中任一項之有機膜形成用組成物來形成有機膜，於該有機膜上形成選自於矽氧化膜、矽氮化膜、及矽氧化氮化膜之無機硬遮罩，於該無機硬遮罩上形成有機抗反射膜或密合膜，於該有機抗反射膜或密合膜上使用由光阻組成物構成之阻劑上層膜材料來形成阻劑上層膜，於該阻劑上層膜形成電路圖案，將該形成了電路圖案之阻劑上層膜作為遮罩並利用蝕刻將圖案轉印於該有機抗反射膜或密合膜及該無機硬遮罩，將該轉印了圖案之無機硬遮罩作為遮罩並利用蝕刻將圖案轉印於該有機膜，且將該轉印了圖案之有機膜作為遮罩並利用蝕刻將圖案轉印於該被加工體。
如請求項9之圖案形成方法，其中，該無機硬遮罩之形成，係利用CVD法或ALD法進行。
如請求項7之圖案形成方法，其中，該電路圖案之形成中，係藉由使用了波長為10nm以上300nm以下之光之微影、電子束所為之直接描繪、奈米壓印、或該等之組合來形成電路圖案。
如請求項7之圖案形成方法，其中，該電路圖案之形成中，係藉由鹼性顯影或有機溶劑來顯影電路圖案。
如請求項7之圖案形成方法，其中，該被加工體，係半導體裝置基板、或於該半導體裝置基板上成膜了金屬膜、金屬碳化膜、金屬氧化膜、金屬氮化膜、金屬氧化碳化膜、及金屬氧化氮化膜中之任意者之基板。
如請求項14之圖案形成方法，其中，構成該被加工之金屬，係矽、鈦、鎢、鉿、鋯、鉻、鍺、銅、銀、金、鋁、銦、鎵、砷、鈀、鐵、鉭、銥、鉬、或該等之合金。
一種聚合物，具有下述通式(1)表示之重複單元， <br/><img align="absmiddle" height="40px" width="401px" file="ed10214.jpg" alt="ed10214.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，W<sub>1</sub>係下式(3)表示之2價有機基，W<sub>2</sub>係下式(A)表示之2價有機基， <br/><img align="absmiddle" height="71px" width="400px" file="ed10216.jpg" alt="ed10216.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><u> </u><br/>式中，*表示對氧原子之原子鍵，L係選自碳數1~30之直鏈、支鏈或環狀之伸烷基、碳數2~30之直鏈、支鏈或環狀之亞烷基、碳數5~15之伸環烷基、碳數5~15之亞環烷基、碳數6~30之伸芳基、碳數7~15之芳基伸烷基、碳數7~15之芳基亞烷基、茀二基，結構中亦可具有鹵素原子、醚鍵、羰基、酯基、醯胺基、胺基，亦可經由醯胺基或酯基形成雜環結構，R<sub>1</sub>係具有1個以上之下式(2)表示之結構之取代基， <br/><img align="absmiddle" height="65px" width="401px" file="ed10215.jpg" alt="ed10215.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，*表示W<sub>1</sub>表示之有機基中的原子鍵，亦可具有上式(2)表示之結構中之任意2種以上或2個以上之相同結構， <br/><img align="absmiddle" height="303px" width="438px" file="ed10219.jpg" alt="ed10219.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，*表示對氧原子之原子鍵，n4、n5表示1~10之整數。
如請求項16之聚合物，其中，該通式(3)中之R<sub>1</sub>，係下述通式(4)表示之基， <br/><img align="absmiddle" height="253px" width="401px" file="ed10217.jpg" alt="ed10217.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，*表示和氧原子之原子鍵，n1、n2、n3表示1~10之整數。
如請求項16之聚合物，其中，該通式(1)中之W<sub>2</sub>係下式(5)， <br/><img align="absmiddle" height="37px" width="401px" file="ed10218.jpg" alt="ed10218.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，*表示對氧原子之原子鍵，n4、n5表示1~10之整數。
如請求項16至18中任一項之聚合物，其中，該聚合物之重量平均分子量為1000~30000。
一種半導體封裝結構，包含： <br/>一基板，具有一上表面、一下表面及位於該上表面與該下表面之間之一走線，該基板之該上表面具有複數上接觸點，該基板之該下表面具有複數下接觸點，該些上接觸點經由該走線電性連接該些下接觸點； <br/>一影像感測晶片，位於該基板之該上表面上； <br/>複數金屬線，各該金屬線之一端電性連接該影像感測晶片，各該金屬線之另一端電性連接該基板之該些上接觸點； <br/>一蓋體，具有一下表面及一第一蓋體側面，該蓋體之該下表面連接該第一蓋體側面，且該蓋體之該下表面與該第一蓋體側面之間具有一第一蓋體夾角，該第一蓋體夾角大於90度； <br/>一第一封膠層，側向包封該基板、該些金屬線、該影像感測晶片及該蓋體，並暴露出該影像感測晶片之該上表面的一部分，且該第一封膠層、該蓋體之該下表面與暴露出的該影像感測晶片之該上表面的該部分之間定義一氣室；及 <br/>一焊球陣列，包含複數焊球，該些焊球個別地電性連接該基板之該些下接觸點。
如請求項1所述的半導體封裝結構，其中，該蓋體還具有一第二蓋體側面，該第二蓋體側面連接該第一蓋體側面，且該蓋體之該下表面與該第二蓋體側面之間具有一第二蓋體夾角，該第二蓋體夾角小於或等於該第一蓋體夾角。
如請求項2所述的半導體封裝結構，還包含一第二封膠層，該第二封膠層位於該第一封膠層上並側向包封該蓋體。
如請求項3所述的半導體封裝結構，其中，該第二封膠層側向包封該第二蓋體側面，該第一封膠層側向包封該第一蓋體側面。
如請求項1所述的半導體封裝結構，其中，該蓋體還具有一第二蓋體側面，該第二蓋體側面連接該第一蓋體側面，且該蓋體之該下表面與該第二蓋體側面之間具有一第二蓋體夾角，該第二蓋體夾角等於90度。
如請求項5所述的半導體封裝結構，還包含一第二封膠層，該第二封膠層位於該第一封膠層上並側向包封該蓋體。
如請求項6所述的半導體封裝結構，其中，該第二封膠層側向包封該第二蓋體側面，該第一封膠層側向包封該第一蓋體側面。
如請求項1所述的半導體封裝結構，還包含一第二封膠層，該第二封膠層位於該第一封膠層上並側向包封該蓋體。
如請求項1所述的半導體封裝結構，其中，該蓋體於一截面下具有相對二側，各該二側具有該第一蓋體側面，該二側之該蓋體之該下表面分別與對應的該第一蓋體側面之間具有該第一蓋體夾角，且該二側之該第一蓋體夾角不同。
如請求項1所述的半導體封裝結構，其中，該蓋體於一截面下具有相對二側，各該二側具有該第一蓋體側面，該二側之該蓋體之該下表面分別與對應的該第一蓋體側面之間具有該第一蓋體夾角，且該二側之該第一蓋體夾角相同。
如請求項9或10所述的半導體封裝結構，其中，於該截面下，該蓋體之各該二側還具有一第二蓋體側面，該二側之該第二蓋體側面分別連接對應的該第一蓋體側面，該蓋體之該下表面分別與對應的該第二蓋體側面之間具有一第二蓋體夾角，且該二側之該第二蓋體夾角不同。
如請求項9或10所述的半導體封裝結構，其中，於該截面下，該蓋體之各該二側還具有一第二蓋體側面，該二側之該第二蓋體側面分別連接對應的該第一蓋體側面，該蓋體之該下表面分別與對應的該第二蓋體側面之間具有一第二蓋體夾角，且該二側之該第二蓋體夾角相同。
一種烙鐵頭的拆卸工具，具有一本體，該本體具有一握持部及一第一連接部形成於該握持部的一端，其中該第一連接部的直徑小於該握持部的直徑，該本體係由一彈簧線圈繞製而成，當該第一連接部套接於一烙鐵頭時，該烙鐵頭會使該第一連接部變形而產生向心夾持力。
如請求項1所述之烙鐵頭的拆卸工具，其中還設有一第二連接部形成於該握持部的另一端。
如請求項2所述之烙鐵頭的拆卸工具，其中該第二連接部的直徑大於該第一連接部的直徑，且小於該握持部的直徑。
如請求項1所述之烙鐵頭的拆卸工具，其中該本體的表面塗佈有一防滑塗層。
一種用於將一管狀薄膜施加於多個物件的機器，該機器包括： <br/>一心軸，其中該管狀薄膜繞該心軸通過； <br/>一穿孔總成，其中在該管狀薄膜移動到該心軸之前，當該管狀薄膜處於一平坦指向時，該穿孔總成定位用於形成橫跨該管狀薄膜的一寬度的一穿孔線； <br/>一控制系統，其配置成選擇性沿一第一方向和相反於該第一方向的一第二方向橫跨該管狀薄膜的該寬度來回移動一穿孔單元，使得多個穿孔線在沿著該第一方向和該第二方向移動時交替形成在該管狀薄膜中； <br/>一套管頂出配置，其配置有至少一輥以咬合並且拉動該管狀薄膜的一前端，以沿著該穿孔線將該前端與該管狀薄膜分離，以形成一管狀套管，該管狀套管藉由該輥的旋轉從該心軸頂出並且到達一物件， <br/>其中該穿孔總成包含該穿孔單元，該穿孔單元安裝成用於橫越該管狀薄膜的該寬度來移動，該穿孔單元包括安裝成用於繞一軸旋轉的一穿孔刀片，其中該穿孔刀片包括一外週邊緣，該外週邊緣在橫越該管狀薄膜的該寬度的一方向上在該管狀薄膜上旋轉並與該管狀薄膜接觸並且作為該穿孔刀片包括該穿孔刀片的旋轉軸而對該管狀薄膜進行穿孔，橫越該管狀薄膜的該寬度來移動，以施加該穿孔線，以及 <br/>其中該管狀薄膜沿著一向下路徑移動到該心軸，且該穿孔單元沿著該向下路徑位於該心軸上方。
如請求項1所述的機器，其中該穿孔總成更包含一板構件，其定位在該平坦指向中的該管狀薄膜的一路徑的一第一側上，其中該穿孔單元定位在該路徑的一第二側上，並且當該穿孔刀片在該管狀薄膜上旋轉並與該管狀薄膜接觸時，該外週邊緣將該管狀薄膜壓靠在該板構件上。
如請求項2所述的機器，其中該板構件定位在一導引塊內，在該平坦指向中該管狀薄膜延伸通過該導引塊，其中該導引塊包括具有面向該穿孔單元的一側槽的一壁，且該穿孔刀片的該外週邊緣延伸通過該側槽以將該管狀薄膜壓靠在該板構件上。
如請求項2所述的機器，其中藉由在該板構件上覆蓋將該板構件推向該穿孔刀片的一材料，使該板構件偏向該穿孔刀片。
如請求項1所述的機器，其中該穿孔刀片的該外週邊緣包括一系列外週齒，其循序咬合該管狀薄膜以對該管狀薄膜進行穿孔以生成該穿孔線。
如請求項1所述的機器，其中該穿孔刀片的該外週邊緣的至少一部份在移動橫越該管狀薄膜的該寬度之後，移動超過該管狀薄膜的一邊緣。
如請求項1所述的機器，更包括： <br/>一管狀薄膜供給單元； <br/>一驅動器，用於移動該穿孔單元； <br/>該控制系統包括一控制器，該控制器配置成(i)操作該管狀薄膜供給單元，以供給該管狀薄膜的一長度對應於多個管狀套管的一設定長度，然後停止薄膜供給；(ii)操作該驅動器，使得在停止薄膜供給後，該穿孔單元沿一第一方向移動橫越該薄膜的該寬度，以在該管狀薄膜中生成一第一穿孔線；(iii)在形成該第一穿孔線之後，操作該薄膜供給單元，以供給該管狀薄膜的長度對應於該設定長度，然後停止薄膜供給；(iv)操作該驅動器，以在停止薄膜供給後，該穿孔單元沿一第二方向移動橫越該薄膜的該寬度以在該管狀薄膜中生成一第二穿孔線。
如請求項1所述的機器，其中該至少一輥抵靠該心軸上的該管狀薄膜旋轉，以沿著該穿孔線分離該管狀薄膜的該前端。
如請求項1所述的機器，其中該穿孔單元配置成沿著一方向橫跨該管狀薄膜的該寬度移動，使得所生成的該穿孔線基本上垂直於該管狀薄膜的多個側邊緣延伸。
如請求項1所述的機器，其中該穿孔單元包括一承載部及一刀片匣部，其中該刀片匣部承載該穿孔刀片並且可釋放地附接至該承載部以致能一匣更換。
如請求項10所述的機器，其中該承載部承載至少一閂鎖夾具，其可在將該刀片匣部固持在該承載部上的一保持位置與能夠將該刀片匣部從該承載部移除的一釋放位置之間移動。
一種供給電力之配線器具，具備： <br/>基板； <br/>插座連接器，與該基板之上側相連接，具有筒狀的引導部、及該引導部之內側的端子；以及 <br/>殼體，將該基板及該插座連接器收納； <br/>該殼體，包含： <br/>殼體本體，具有筒狀的周壁部； <br/>內側蓋，以將該殼體本體之上端覆蓋的方式安裝，具有沿上下方向貫通的內側孔；以及 <br/>外側蓋，以將該內側蓋覆蓋的方式安裝於該內側蓋之上側，於其上部使插頭連接器插入用的插入口朝上開口； <br/>該內側蓋的該內側孔或包圍該內側孔的部分，與該插座連接器之間，以密封材或密封構件密封。
如請求項1之供給電力之配線器具，其中， <br/>該插座連接器之上端至下端的範圍內之既定位置貫通該內側孔；該內側孔的內周與該插座連接器的外周之間，以該密封材或該密封構件密封。
如請求項1之供給電力之配線器具，其中， <br/>該內側蓋，於其頂面具有至少朝向與上下方向正交之第1方向的端部往下側傾斜之傾斜部。
如請求項1之供給電力之配線器具，其中， <br/>於該內側蓋的外周緣部與該外側蓋的外周緣部之間，設置有使該外側蓋的內外相通之間隙。
如請求項1之供給電力之配線器具，其中， <br/>該基板，係具有電力輸出側的二次側之電路的第2基板； <br/>該供給電力之配線器具更具備第1基板，該第1基板與該二次側之電路相連接，配置在較該第2基板更為下側，具有與商用電源相連接的一次側之電路； <br/>該第1基板，包含用於將該二次側之電路的電壓較該一次側之電路的電壓更為降低之變壓器； <br/>於該殼體的內側，設置有將配置該第1基板之空間與配置該第2基板之空間予以分隔的分隔部。
如請求項1之供給電力之配線器具，其中， <br/>該基板，係與該插座連接器相連接且頂面位於第1高度位置的基板； <br/>該供給電力之配線器具更具備：具有電子零件，且頂面位於較該第1高度位置更高之第2高度位置，並於橫向與該插座連接器分開配置的基板。
如請求項1之供給電力之配線器具，其供給直流電力。
如請求項7之供給電力之配線器具，其係USB(Universal Serial Bus, 通用序列匯流排)插座裝置。
一種檢測裝置，係用以於基板的製程中檢測從露出狀態變化為非露出狀態的對準標記的位置；<br/> 前述檢測裝置係具備：<br/> 台，係以水平的姿勢支撐前述基板；<br/> 第一攝影機，係藉由可見光或紅外光拍攝支撐於前述台的前述基板的上表面；<br/> 第二攝影機，係藉由X射線拍攝支撐於前述台的前述基板；以及<br/> 控制部，係電性連接於前述第一攝影機及前述第二攝影機；<br/> 前述第二攝影機係具有：<br/> X射線源，係朝向支撐於前述台的前述基板照射X射線；以及<br/> X射線檢測器，係檢測穿透前述基板的X射線；<br/> 前述控制部係執行下述工序：<br/> 工序a，係於前述對準標記為前述露出狀態時藉由前述第一攝影機拍攝前述基板，藉此取得第一圖像；<br/> 工序b，係於前述對準標記為前述非露出狀態時藉由前述第二攝影機拍攝前述基板，藉此取得第二圖像；以及<br/> 工序c，係根據前述第一圖像中的前述對準標記的尺寸及前述第二圖像中的前述對準標記的尺寸修正前述第二圖像中的前述對準標記的位置。
如請求項1所記載之檢測裝置，其中前述工序c中，根據前述第一圖像中的前述對準標記的尺寸及前述第二圖像中的前述對準標記的尺寸算出前述第二圖像相對於前述第一圖像的倍率，並根據前述倍率修正從前述第二圖像的中心至前述對準標記為止的距離。
如請求項1或2所記載之檢測裝置，其中前述控制部係具有：記憶部，係針對每個前述基板而記憶前述第一圖像中的前述對準標記的尺寸。
如請求項1或2所記載之檢測裝置，其中前述第一攝影機係經由遠心光學系統拍攝前述基板。
如請求項1或2所記載之檢測裝置，其中還具備：<br/> 基座；<br/> 高架，係相對於前述基座被固定；以及<br/> 移動機構，係使前述台相對於前述基座及前述高架移動；<br/> 前述X射線源係固定於前述高架；<br/> 前述X射線檢測器係固定於前述基座。
如請求項5所記載之檢測裝置，其中前述第一攝影機係固定於前述高架。
一種曝光裝置，係具備：<br/> 如請求項1或2所記載之檢測裝置；以及<br/> 曝光部，係對支撐於前述台的前述基板的上表面照射光線；<br/> 前述控制部係根據前述工序c中所修正的前述對準標記的位置決定前述曝光部所為的光線的照射位置。
一種積層體，其具備： <br/>第1無機硬塗層，其係藉由電漿CVD法而形成於樹脂基板上； <br/>第2無機硬塗層，其係藉由電漿CVD法而形成於上述第1無機硬塗層上；及 <br/>第3無機硬塗層，其係藉由電漿CVD法而形成於上述第2無機硬塗層上， <br/>上述第1無機硬塗層之折射率大於上述第2無機硬塗層之折射率， <br/>上述第3無機硬塗層之折射率小於上述第2無機硬塗層之折射率， <br/>上述第1無機硬塗層、第2無機硬塗層及上述第3無機硬塗層包含SiOx，且 <br/>上述第3無機硬塗層之x之值與上述第1無機硬塗層及上述第2無機硬塗層不同。
如請求項1之積層體，其中 <br/>上述第1無機硬塗層及上述第2無機硬塗層包含SiOx，且x之值互不相同。
如請求項1之積層體，其中 <br/>包含SiOx之上述第1無機硬塗層之x之值未達包含SiOx之上述第2無機硬塗層之x之值。
如請求項1之積層體，其中 <br/>上述第2無機硬塗層之厚度較上述第1無機硬塗層之厚度厚。
如請求項1之積層體，其中 <br/>上述第2無機硬塗層之厚度大於上述第1無機硬塗層及上述第3無機硬塗層之厚度。
如請求項1之積層體，其中 <br/>包含SiOx之上述第3無機硬塗層之x之值大於包含SiOx之上述第2無機硬塗層之x之值。
一種積層體之製造方法，其包括： <br/>第1無機硬塗層形成步驟，其係藉由電漿CVD法而於樹脂基板上形成包含SiOx之第1無機硬塗層； <br/>第2無機硬塗層形成步驟，其係藉由電漿CVD法而於上述第1無機硬塗層上形成包含SiOx、且折射率較上述第1無機硬塗層小之第2無機硬塗層；及 <br/>第3無機硬塗層形成步驟，其係藉由電漿CVD法而於上述第2無機硬塗層上形成包含SiOx、x之值與上述第1無機硬塗層及上述第2無機硬塗層不同、且折射率較上述第2無機硬塗層小之第3無機硬塗層。
如請求項7之積層體之製造方法，其中 <br/>於藉由電漿CVD而使上述第1無機硬塗層及上述第2無機硬塗層中之至少一者成膜之過程中，使有機矽烷化合物與氧之混合氣體比連續性地變化。
如請求項7之積層體之製造方法，其進而包括表面改質步驟， <br/>該表面改質步驟係對作為聚碳酸酯基板之上述樹脂基板上， <br/>照射380 nm以上420 nm以下之波長之單色光。
如請求項7之積層體之製造方法，其進而包括電漿處理、紫外線照射處理、UV(Ultra Violet)臭氧處理、微細氣泡臭氧水處理、或電解硫酸處理之1個以上之表面改質步驟。
如請求項7之積層體之製造方法，其包括加熱步驟， <br/>該加熱步驟係將於上述樹脂基板上至少依次積層上述第1無機硬塗層及上述第2無機硬塗層而成之積層體以構成上述第2無機硬塗層之含有碳之SiOx中所包含之碳能夠去除之溫度以上、且上述樹脂基板之玻璃轉移溫度以下的溫度進行加熱。
一種環形耦合器，包括：<br/> 環形導體，包括第一帶狀導體、第二帶狀導體、第三帶狀導體以及第四帶狀導體，其中所述第一帶狀導體的兩個終端分別通過所述第三帶狀導體與所述第四帶狀導體連接所述第二帶狀導體的兩個終端；<br/> 第一頻寬調整部，包括第五帶狀導體、第六帶狀導體以及第七帶狀導體，其中所述第七帶狀導體的兩個終端分別連接所述第五帶狀導體的第一終端與所述第六帶狀導體的第一終端；<br/> 第一埠，其中所述第五帶狀導體的兩個終端分別連接所述第二帶狀導體的第一終端與所述第一埠，其中所述第六帶狀導體的第二終端連接所述第二帶狀導體的第二終端；以及<br/> 第二埠和第三埠，分別連接所述第一帶狀導體的所述兩個終端；<br/> 其中所述第一帶狀導體與所述第二帶狀導體的電氣長度均為<img align="absmiddle" height="7px" width="10px" file="ed10001.jpg" alt="ed10001.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，且所述第三帶狀導體與所述第四帶狀導體的電氣長度均為<img align="absmiddle" height="7px" width="10px" file="ed10002.jpg" alt="ed10002.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，所述第七帶狀導體的電氣長度為<img align="absmiddle" height="7px" width="10px" file="ed10001.jpg" alt="ed10001.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，所述第五帶狀導體以及所述第六帶狀導體的電氣長度為<img align="absmiddle" height="7px" width="10px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中n為正偶數，<br/> 其中所述電氣長度為訊號路徑的物理長度與所述環形耦合器的中心操作頻率對應的波長的比例。
如請求項1所述的環形耦合器，其中所述第二帶狀導體的阻抗為負載阻抗的1.2倍，所述第七帶狀導體的阻抗為所述負載阻抗的0.8倍，並且所述第五帶狀導體和所述第六帶狀導體的阻抗為所述負載阻抗的2.8倍。
如請求項1所述的環形耦合器，其中所述第一埠與所述第二埠之間的電氣長度為<img align="absmiddle" height="7px" width="26px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的環形耦合器，其中所述第一埠與所述第三埠之間的電氣長度為<img align="absmiddle" height="7px" width="26px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的環形耦合器，更包括：<br/> 第二頻寬調整部，包括第八帶狀導體、第九帶狀導體以及第十帶狀導體，其中所述第十帶狀導體的兩個終端分別連接所述第八帶狀導體的第一終端與所述第九帶狀導體的第一終端，其中<br/> 所述第八帶狀導體的兩個終端分別連接所述第五帶狀導體的第二終端與所述第二帶狀導體的所述第一終端，其中<br/> 所述第九帶狀導體的兩個終端分別連接所述第六帶狀導體的所述第二終端與所述第二帶狀導體的所述第二終端，其中<br/> 所述第七帶狀導體與第十帶狀導體的電氣長度為<img align="absmiddle" height="7px" width="10px" file="ed10001.jpg" alt="ed10001.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，所述第五帶狀導體以及所述第六帶狀導體的電氣長度為<img align="absmiddle" height="7px" width="10px" file="ed10002.jpg" alt="ed10002.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>的正整數倍，且所述第八帶狀導體以及所述第九帶狀導體的電氣長度為<img align="absmiddle" height="7px" width="10px" file="ed10002.jpg" alt="ed10002.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>的正整數倍。
如請求項5所述的環形耦合器，其中所述第十帶狀導體的阻抗為負載阻抗的0.8倍，所述第七帶狀導體的阻抗為所述負載阻抗的1.4倍，並且所述第五帶狀導體、所述第六帶狀導體、所述第八帶狀導體和所述第九帶狀導體的阻抗為所述負載阻抗的2.8倍。
如請求項5所述的環形耦合器，更包括：<br/> 第三頻寬調整部，包括第十一帶狀導體、第十二帶狀導體以及第十三帶狀導體，其中所述第十三帶狀導體的兩個終端分別連接所述第十一帶狀導體的第一終端與所述第十二帶狀導體的第一終端，其中<br/> 所述第十一帶狀導體的兩個終端分別連接所述第八帶狀導體的第二終端與所述第二帶狀導體的所述第一終端，其中<br/> 所述第十二帶狀導體的兩個終端分別連接所述第九帶狀導體的第二終端與所述第二帶狀導體的所述第二終端，其中<br/> 所述第十三帶狀導體的電氣長度為<img align="absmiddle" height="7px" width="10px" file="ed10001.jpg" alt="ed10001.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，所述第十一帶狀導體以及所述第十二帶狀導體的電氣長度為<img align="absmiddle" height="7px" width="10px" file="ed10002.jpg" alt="ed10002.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>的正整數倍。
如請求項7所述的環形耦合器，其中所述第七帶狀導體和所述第十帶狀導體的阻抗為負載阻抗的1.4倍，所述第十三帶狀導體的阻抗為負載阻抗的0.8倍，並且所述第五帶狀導體所述第六帶狀導體、所述第八帶狀導體、所述第九帶狀導體、所述第十一帶狀導體和所述第十二帶狀導體的阻抗為負載阻抗的2.8倍。
如請求項7所述的環形耦合器，其中所述第一埠與所述第二埠之間的電氣長度為<img align="absmiddle" height="7px" width="50px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中m及k為正整數。
如請求項7所述的環形耦合器，其中所述第一埠與所述第三埠之間的電氣長度為<img align="absmiddle" height="7px" width="50px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中m及k為正整數。
如請求項1所述的環形耦合器，其中所述環形導體的阻抗為負載阻抗的1.2倍。
一種垂直鰭式閘極電晶體，包括：<br/> 一位元線，該位元線的長度方向沿著一第一方向延伸；<br/> 一字元線，位於該位元線上方，其中該字元線包括：<br/> 複數個鰭式字元線，其中該些鰭式字元線的長度方向沿著該第一方向延伸；以及<br/> 一共同字元線，位於該些鰭式字元線的一頂表面上，且該共同字元線的長度方向沿著一第二方向延伸，其中該第一方向與該第二方向垂直；<br/> 一半導體基板，位於該位元線上，其中該半導體基板包括：<br/> 一通道區域，被該些鰭式字元線覆蓋；<br/> 一頂部源極/汲極區域，位於該通道區域的一頂表面上；以及<br/> 一底部源極/汲極區域，位於該通道區域的一底表面下；<br/> 一主體線，物理性接觸該通道區域的一第一側壁，其中該主體線接地；以及<br/> 一絕緣層，包覆該主體線。
如請求項1所述之垂直鰭式閘極電晶體，其中該半導體基板和該主體線由相同材料所形成。
如請求項1所述之垂直鰭式閘極電晶體，其中該半導體基板和該主體線一體成形。
如請求項1所述之垂直鰭式閘極電晶體，其中該主體線的電導率高於該半導體基板的電導率。
如請求項1所述之垂直鰭式閘極電晶體，其中該主體線的一頂表面低於或齊平於該通道區域的該頂表面。
如請求項1所述之垂直鰭式閘極電晶體，其中該主體線的一底表面齊平於該通道區域的該底表面。
如請求項1所述之垂直鰭式閘極電晶體，其中該些鰭式字元線物理性接觸該通道區域的一第二側壁，且該第二側壁相對於該通道區域的該第一側壁。
如請求項1所述之垂直鰭式閘極電晶體，其中該主體線的一側壁延伸超過該通道區域的一第二側壁，且該第二側壁連接至該通道區域的該第一側壁。
如請求項1所述之垂直鰭式閘極電晶體，其中該主體線的一側壁齊平於該通道區域的一第二側壁，且該第二側壁連接至該通道區域的該第一側壁。
如請求項1所述之垂直鰭式閘極電晶體，其中該半導體基板被該些鰭式字元線部分覆蓋的一第一側壁具有一第一寬度，該半導體基板連接至該第一側壁的一第二側壁具有一第二寬度，且該第一寬度和該第二寬度的比例在3:1至5:1的範圍中。
一種記憶體裝置，包括：<br/> 一第一記憶體單元，包括：<br/> 一第一位元線，該第一位元線的長度方向沿著一第一方向延伸；<br/> 一第一字元線，位於該第一位元線上方，其中該第一字元線包括複數個第一鰭式字元線和連接該些第一鰭式字元線的一第一共同字元線，其中該些第一鰭式字元線的長度方向沿著該第一方向延伸，且該第一共同字元線的長度方向沿著一第二方向延伸，其中該第一方向與該第二方向垂直；<br/> 一第一半導體基板，位於該第一位元線上，其中該些第一鰭式字元線部分覆蓋該第一半導體基板的一第一側壁；<br/> 一第一主體線，物理性接觸該第一半導體基板的一第二側壁，其中該第一半導體基板的該第二側壁相對於該第一半導體基板的該第一側壁，且該第一主體線接地；以及<br/> 一絕緣層，包覆該第一主體線。
如請求項11所述之記憶體裝置，其中該第一記憶體單元進一步包括：<br/> 一存儲節點接觸件，覆蓋該第一半導體基板的一頂表面，其中該第一半導體基板的一底表面接觸該第一位元線；以及<br/> 一電容器，位於該存儲節點接觸件上。
如請求項12所述之記憶體裝置，其中該第一主體線與該存儲節點接觸件分離。
如請求項12所述之記憶體裝置，其中該存儲節點接觸件包括：<br/> 一多晶矽內襯，接觸該第一半導體基板的該頂表面；以及<br/> 一金屬層，位於該多晶矽內襯與該電容器之間。
如請求項11所述之記憶體裝置，其中該第一主體線沿著該第二方向延伸。
如請求項11所述之記憶體裝置，進一步包括：<br/> 一第二記憶體單元，包括：<br/> 一第二位元線，鄰近該第一位元線；<br/> 該第一字元線，位於該第二位元線上方；<br/> 一第二半導體基板，位於該第二位元線上，其中該第一字元線的複數個第二鰭式字元線部分覆蓋該第二半導體基板的一第一側壁；以及<br/> 該第一主體線，物理性接觸該第二半導體基板的一第二側壁，其中該第二半導體基板的該第二側壁相對於該第二半導體基板的該第一側壁，且該第一主體線連接該第一半導體基板和該第二半導體基板。
如請求項11所述之記憶體裝置，進一步包括：<br/> 一第二記憶體單元，包括：<br/> 該第一位元線；<br/> 一第二字元線，鄰近該第一主體線且位於該第一位元線上方，其中該第二字元線包括複數個第二鰭式字元線和連接該些第二鰭式字元線的一第二共同字元線；<br/> 一第二半導體基板，位於該第一位元線上，其中該些第二鰭式字元線部分覆蓋該第二半導體基板的一第一側壁；以及<br/> 一第二主體線，物理性接觸該第二半導體基板的一第二側壁，其中該第二半導體基板的該第二側壁相對於該第二半導體基板的該第一側壁。
如請求項11所述之記憶體裝置，進一步包括：<br/> 一第二記憶體單元，包括位於一第二位元線上的一第二半導體基板，其中該第一字元線的複數個第二鰭式字元線部分覆蓋該第二半導體基板的一第一側壁，且其中該第一主體線連接該第一半導體基板的該第二側壁和該第二半導體基板的一第二側壁；<br/> 一第三記憶體單元，包括位於該第一位元線上的一第三半導體基板，其中一第二字元線的複數個第三鰭式字元線部分覆蓋該第三半導體基板的一第一側壁；以及<br/> 一第四記憶體單元，包括位於該第二位元線上的一第四半導體基板，其中該第二字元線的複數個第四鰭式字元線部分覆蓋該第四半導體基板的一第一側壁，且其中一第二主體線連接該第三半導體基板的一第二側壁和該第四半導體基板的一第二側壁。
如請求項11所述之記憶體裝置，進一步包括：<br/> 一字元線接觸件，連接至該第一共同字元線；以及<br/> 一主體線接觸件，連接該第一主體線和一接地點，其中該字元線接觸件和該主體線接觸件設置於該第一記憶體單元的相對側。
如請求項11所述之記憶體裝置，進一步包括：<br/> 一字元線接觸件，連接至該第一共同字元線；以及<br/> 一主體線接觸件，連接該第一主體線和一接地點，其中該字元線接觸件和該主體線接觸件設置於該第一記憶體單元的相同側。
一種網路接口連接器線包結構，包括：一變壓器（T1），該變壓器（T1）上設有一第一磁環（23）；該第一磁環（23）上纏繞一四絞線（21），該四絞線（21）包括：一第一根漆包線（11）、一第二根漆包線（12）、一第三根漆包線（13）、一第四根漆包線（14）； <br/>該第一根漆包線（11）和該第二根漆包線（12）形成該變壓器（T1）的初級線圈；該第一根漆包線（11）的第二線端（r’）和該第二根漆包線（12）的第一線端（G）絞合，形成該變壓器（T1）初級線圈的第一中心抽頭（16）； <br/>該第三根漆包線（13）和該第四根漆包線（14）形成該變壓器（T1）的次級線圈； <br/>額外增加一第五根漆包線（15），該第五根漆包線（15）的第一線端（R1）與該第三根漆包線（13）的第一線端（N）、該第四根漆包線（14）的第二線端（b’）三線絞合，形成該變壓器（T1）次級線圈的第二中心抽頭（17）； <br/>該第五根漆包線（15）的第二線端（R1’）與該第四根漆包線（14）的第一線端（B）、該第三根漆包線（13）的第二線端（n’）三線一起絞合成一束形成一三絞繞線（22），該三絞繞線（22）在一共模扼流圈（T2）的第二磁環（24）上繞8圈；該第三根漆包線（13）的第二線端（n’）、該第四根漆包線（14）的第一線端（B）、該第五根漆包線（15）的第二線端（R1’）露出在該第二磁環（24）外側； <br/>該第一中心抽頭（16）進行包絞：該第一中心抽頭（16）圍著該第一根漆包線（11）的第一線端（R）、該第二根漆包線（12）的第二線端（g’）、該變壓器（T1）與該共模扼流圈（T2）之間該三絞繞線（22）、該第二中心抽頭（17），環繞360°完成包絞，或環繞180°的整數倍包絞； <br/>或者，該第二中心抽頭（17）進行包絞：該第二中心抽頭（17）圍著該第一根漆包線（11）的第一線端（R）、該第二根漆包線（12）的第二線端（g’）、該第一中心抽頭（16）、該變壓器（T1）與該共模扼流圈（T2）之間該三絞繞線（22），纏繞360°完成包絞，或纏繞180°的整數倍包絞。
如請求項1所述的網路接口連接器線包結構，其中，該四絞線（21）在該變壓器（T1）上繞6圈，均勻分布在該變壓器（T1）的第一磁環（23）的2/3上，該四絞線（21）的絞合度為16~20節/英寸。
如請求項1所述的網路接口連接器線包結構，其中，該變壓器（T1）上的抽頭及引出線均靠近該第一磁環（23）未繞線1/3處的中心區域分布； <br/>該變壓器（T1）的第一中心抽頭（16）靠近該第二磁環（24）放置，該第一中心抽頭（16）絞合度26~34節/英寸。
如請求項1所述的網路接口連接器線包結構，其中，該第二中心抽頭（17）絞合度20~26節/英寸； <br/>該第二中心抽頭（17）靠近該第一磁環（23）外的該第一根漆包線（11）的第一線端（R）、該第二根漆包線（12）的第二線端（g’）放置； <br/>該第一中心抽頭（16）、該第二中心抽頭（17）未絞合長度（L1）距離該第一磁環（23）表面小於0.8mm。
如請求項1所述的網路接口連接器線包結構，其中，該第二中心抽頭（17）浸錫長度1～2mm，該第二中心抽頭（17）總長小於6mm； <br/>該三絞繞線（22）的絞合度為12~18節/英寸，該三絞繞線（22）均勻分布在該第二磁環（24）的3/5上，該變壓器（T1）與該共模扼流圈（T2）之間的間距（L2）相距1~2mm； <br/>該第五根漆包線（15）第二線端（R1’）、該第三根漆包線（13）第二線端（n’）、該第四根漆包線（14）第一線端（B）露出在該第二磁環（24）外側的預焊時顏色線長度（L3）小於或等於8mm； <br/>該第一根漆包線（11）的第一線端（R）、該第二根漆包線（12）的第二線端（g’）露出在該第一磁環（23）外側的預焊時顏色線長度（L3）小於或等於8mm。
一種網路接口連接器線包的繞製方法，其繞製方法如下： <br/>§1．一變壓器（T1）繞線：按照一第一根漆包線（11）、一第三根漆包線（13）、一第二根漆包線（12）、一第四根漆包線（14）的線序順序，四線絞合度16~20節/英寸，絞合後成為一四絞線（21）； <br/>取該四絞線（21）在該變壓器（T1）的第一磁環（23）上繞6圈，均勻分布在該第一磁環（23）的2/3圓環上，該四絞線（21）進線側的第一線端（R, N, G, B）同相，出線側的第二線端（r’, n’, g’, b’）同相； <br/>該變壓器（T1）上抽頭及引出線均靠近該第一磁環（23）未繞線圓環1/3處的中心區域分布； <br/>§2．製作該變壓器（T1）的第一中心抽頭（16）：將該第一根漆包線（11）的第二線端（r’）和該第二根漆包線（12）的第一線端（G）絞合，製作為該變壓器（T1）的第一中心抽頭（16）； <br/>該第一中心抽頭（16）靠近一共模扼流圈（T2）放置；該第一中心抽頭（16）絞合度26~34節/英寸； <br/>§3．製作該變壓器（T1）的第二中心抽頭（17）：另加一條第五根漆包線（15），取該第五根漆包線（15）的第一線端（R1）與該第四根漆包線（14）的第二線端（b’）、該第三根漆包線（13）的第一線端（N）三線絞合，形成該變壓器（T1）的第二中心抽頭（17）； <br/>該第二中心抽頭（17）絞合度20~26節/英寸； <br/>§4．該共模扼流圈（T2）繞線：該第五根漆包線（15）的第二線端（R1’）與該第四根漆包線（14）的第一線端（B）、該第三根漆包線（13）的第二線端（n’）三線一起絞合成一束，形成一三絞繞線（22）； <br/>該三絞繞線（22）在該共模扼流圈（T2）的第二磁環（24）上繞8圈，均勻分布在該第二磁環（24）的3/5圓環上，該變壓器（T1）與該共模扼流圈（T2）之間的間距（L2）相距1~2mm； <br/>§5．該第二中心抽頭（17）剪短後預焊，該第二中心抽頭（17）浸錫長度1～2mm，該第二中心抽頭（17）總長在6mm以內； <br/>§6．抽頭交叉：該第一中心抽頭（16）與該第二中心抽頭（17）對拉180°，實現該第一中心抽頭（16）與該第二中心抽頭（17）交叉後靠近； <br/>§7．抽頭包絞： <br/>該第一中心抽頭（16）進行包絞：該第一中心抽頭（16）圍著該第一根漆包線（11）的第一線端（R）、該第二根漆包線（12）的第二線端（g’）、該變壓器（T1）與該共模扼流圈（T2）之間該三絞繞線（22）、該第二中心抽頭（17），環繞360°完成包絞； <br/>或該第二中心抽頭（17）進行包絞：該第二中心抽頭（17）圍著該第一根漆包線（11）的第一線端（R）、該第二根漆包線（12）的第二線端（g’）、該第一中心抽頭（16）、該變壓器（T1）與該共模扼流圈（T2）之間該三絞繞線（22），纏繞360°完成包絞； <br/>§8．抽頭之外的漆包線預焊時，外露在磁環外側的該第五根漆包線（15）的第二線端（R1’）、該第三根漆包線（13）第二線端（n’）、該第四根漆包線（14）第一線端（B）、該第一根漆包線（11）第一線端（R）、該第二根漆包線（12）第二線端（g’），露出在磁環外側顏色線長度（L3）控制在8mm以內。
如請求項6所述的網路接口連接器線包的繞製方法，其中，該第二中心抽頭（17）靠近該第一磁環（23）外側該第一根漆包線（11）的第一線端（R）、該第二根漆包線（12）的第二線端（g’）位置放置； <br/>該第一中心抽頭（16）、該第二中心抽頭（17）分別絞合至距離該第一磁環（23）表面0.8mm以內； <br/>該第一根漆包線（11）、該第二根漆包線（12）、該第三根漆包線（13）、該第四根漆包線（14）的線徑不小於AWG40，或者導體直徑≧0.08mm。
如請求項6所述的網路接口連接器線包的繞製方法，其中，該變壓器（T1）的第一磁環（23）採用錳鋅鐵氧體，磁環外徑≤4mm，初始磁導率在3000亨利/公尺及以上，繞線圈數不大於8圈； <br/>該共模扼流圈（T2）採用鎳鋅鐵氧體。
如請求項6所述的網路接口連接器線包的繞製方法，其中，該第五根漆包線（15）的第二線端（R1’）與該第四根漆包線（14）的第一線端（B）、該第三根漆包線（13）的第二線端（n’）三線絞合成的該三絞繞線（22）絞合度為12~18節/英寸。
一種射擊遊戲裝置，包含：<br/> 一觸發裝置，用以發出一觸發訊號；<br/> 一圖像感測器電路，用以響應於該觸發訊號朝向一標靶圖擷取一圖像資料；以及<br/> 一圖像檢測電路，用以根據該圖像資料的一亮度資訊決定一遊戲分數，<br/> 其中該圖像檢測電路用以根據該圖像資料的該亮度資訊執行一霍夫變換，以取得該圖像資料中的複數個同心圓特徵與該圖像資料的一中心點，並根據該複數個同心圓特徵的一圓心點與該中心點之間的一第一距離與該複數個同心圓特徵中的一最大直徑決定該遊戲分數。
如請求項1之射擊遊戲裝置，其中該圖像檢測電路用以根據一難度係數與該最大直徑的一乘積決定一參考距離，並根據該參考距離與該第一距離決定該遊戲分數，且該難度係數用於調整一遊戲難度。
如請求項2之射擊遊戲裝置，其中當該第一距離不大於該參考距離時，該圖像檢測電路更根據一差值與該參考距離之間的一比值決定該遊戲分數，且該差值為該參考距離與該第一距離之間的差值。
如請求項3之射擊遊戲裝置，其中該圖像檢測電路更用以將該比值乘以10並加上0.9，以決定該遊戲分數。
如請求項1之射擊遊戲裝置，更包含：<br/> 一資料傳輸電路，用以傳輸該遊戲分數給一外部裝置，以顯示該遊戲分數。
如請求項1之射擊遊戲裝置，其中該觸發裝置中的一霍爾感測器的數量為1。
如請求項1之射擊遊戲裝置，其中該標靶圖經由一電子螢幕顯示，且該射擊遊戲裝置更包含：<br/> 一更新電路，用以發出一更新訊號，以使該電子螢幕更新該標靶圖。
如請求項7之射擊遊戲裝置，其中該更新電路用以偵測一預設事件以發出該更新訊號。
如請求項8之射擊遊戲裝置，其中該預設事件包含該觸發裝置發出該觸發訊號的次數是否相同一預設值、是否偵測到一震動訊號或是否收到一更新指令。
一種汽車事故折損鑑價系統，包含： 申請裝置； 事故報告與資料蒐集裝置，訊號連接該申請裝置； 資料庫，訊號連接該事故報告與資料蒐集裝置； 車輛初步折損報價裝置，訊號連接該資料庫；以及 鑑價報告撰寫裝置，訊號連接該車輛初步折損報價裝置； 其中，使用者登錄該申請裝置，並提出鑑價之請求，該事故報告與資料蒐集裝置提出索取需求，並接收依據該索取需求所回饋的受損車輛資料，該受損車輛資料為事故維修單、事故現場照片與車輛基本資料，假若該使用者無法提供資料，該事故報告與資料蒐集裝置詢問該使用者是否該受損車輛已鑑價； 若該受損車輛未鑑價，該事故報告與資料蒐集裝置的維修照確認單元詢問該使用者是否可提供該受損車輛的維修照片； 若可提供該受損車輛的維修照片，該車輛初步折損報價裝置得出受損車輛折價； 若不能提供該受損車輛的維修照片，該事故報告與資料蒐集裝置的原廠維修估價單確認單元詢問該使用者是否該受損車輛於原廠維修； 若於該原廠維修，該原廠維修估價單確認單元詢問該使用者是否可提供原廠的維修估價單； 若可提供原廠的維修估價單，該車輛初步折損報價裝置得出該受損車輛折價； 若不能提供原廠的維修估價單，該申請裝置回覆拒絕訊息給該使用者； 若該受損車輛已鑑價，該車輛初步折損報價裝置得出該受損車輛折價； 該鑑價報告撰寫裝置產生該鑑價報告；該鑑價報告撰寫裝置對該鑑價報告進行審查，若審查不通過，則再次產生該鑑價報告，直至審查通過。
如請求項1所述之汽車事故折損鑑價系統，更包含有報告交付裝置，該報告交付裝置訊號連接該鑑價報告撰寫裝置。
如請求項2所述之汽車事故折損鑑價系統，更包含有後續跟進裝置，該後續跟進裝置訊號連接該報告交付裝置。
如請求項3所述之汽車事故折損鑑價系統，其中該報告交付裝置具有報告提交單元、解釋說明單元與引薦線上律師單元；該後續跟進裝置具有最後求償金額詢問單元與是否給予案例分享單元。
如請求項1所述之汽車事故折損鑑價系統，其中該車輛初步折損報價裝置具有車價調查單元與折損率初估算單元；該鑑價報告撰寫裝置具有資料整理單元、報告撰寫單元與審核單元；該事故報告與資料蒐集裝置具有事故維修單索取單元、事故現場照片蒐集單元、車輛基本資料蒐集單元、已鑑價單元、維修照確認單元與原廠維修估價單確認單元。
一種汽車事故折損鑑價方法，步驟包含： 步驟S01，事故報告蒐集：使用者登錄申請裝置，並提出鑑價之請求，事故報告與資料蒐集裝置提出索取需求，該事故報告與資料蒐集裝置接收依據該索取需求所回饋的受損車輛資料，該受損車輛資料為事故維修單、事故現場照片與車輛基本資料； 假若該使用者無法依據該索取需求提供資料，則至步驟S01A； 步驟S01A，是否可以承接：該事故報告與資料蒐集裝置的已鑑價單元詢問該使用者是否該受損車輛已鑑價；若已鑑價，則至步驟S02； 若未鑑價，該事故報告與資料蒐集裝置的維修照確認單元詢問該使用者是否可提供該受損車輛的維修照片；若是，則至步驟S02；若否，該事故報告與資料蒐集裝置的原廠維修估價單確認單元詢問該使用者是否該受損車輛於原廠維修； 若於該原廠維修，該原廠維修估價單確認單元詢問該使用者是否可提供原廠的維修估價單；若否，則至步驟S01B；若是，則至步驟S02； 若於他廠維修，則至步驟S01B； 步驟S01B，結案，該申請裝置回覆拒絕訊息給該使用者； 步驟S02，車輛初步折損報價：車輛初步折損報價裝置接收該事故報告與資料蒐集裝置的受損車輛資料，並依據資料庫的數據，得出高現值，該車輛初步折損報價裝置再依據該受損車輛資料，得出受損車輛折價；以及 步驟S03，鑑價報告撰寫：鑑價報告撰寫裝置接收來自該車輛初步折損報價裝置的資料、高現值、折損金額，並進行整理，以產生整理後的資料；該鑑價報告撰寫裝置接收該整理後的資料，以進行鑑價報告的撰寫，並產生該鑑價報告；該鑑價報告撰寫裝置對該鑑價報告進行審查，若審查不通過，則再次產生該鑑價報告，直至審查通過。
如請求項6所述之汽車事故折損鑑價方法，更包含： 步驟S04，報告交付：報告交付裝置的報告提交單元將該鑑價報告提交給該使用者；該報告交付裝置的解釋說明單元詢問該使用者是否需要對該鑑價報告進行解釋或說明；若否，則至步驟S05；若是，提供相關專業知識或專利人員對該鑑價報告進行解釋或說明，再至步驟S05；該報告交付裝置的引薦線上律師單元會進一步提供律師資訊給該使用者； 步驟S05，後續跟進：後續跟進裝置的最後求償金額詢問單元對該使用者發出詢問，該詢問的內容為判賠金額；該後續跟進裝置的是否給予案例分享單元詢問該使用者是否可分享資訊；若可，該使用者的該鑑價報告或該判賠金額係公布於網路；若否，則結案。
一種半導體裝置，包含：<br/> 一基板；<br/> 一井區，位於所述基板中；<br/> 一頂摻雜區，位於所述井區中；<br/> 一第一層間介電層，位於所述井區上；<br/> 至少一接觸通孔，位於所述第一層間介電層中；<br/> 一第一下金屬層，位於所述第一層間介電層中；<br/> 一第二層間介電層，位於所述第一層間介電層上；<br/> 至少一導孔，位於所述第二層間介電層中；以及<br/> 一第一上金屬層，位於所述第二層間介電層上，<br/> 其中：<br/> 所述第二層間介電層的一第二厚度不大於所述第一層間介電層的一第一厚度，以及<br/> 所述第一下金屬層透過所述至少一導孔中的一第一導孔電性連接所述第一上金屬層；<br/> 其中所述第一下金屬層未透過所述至少一接觸通孔電性連接所述井區。
如請求項1所述之半導體裝置，其中所述井區進一步包含一源極區及一汲極區，所述第一層間介電層進一步包含一第二下金屬層，以及所述第二下金屬層透過所述至少一接觸通孔中的一第二接觸通孔電性連接所述源極區或所述汲極區。
如請求項2所述之半導體裝置，其中所述第一上金屬層進一步透過所述至少一導孔中的一第二導孔電性連接所述第二下金屬層。
如請求項2所述之半導體裝置，其中所述第一上金屬層未透過所述至少一導孔電性連接所述第二下金屬層。
如請求項1所述之半導體裝置，其中所述第一下金屬層的一頂面及所述第一層間介電層的一第一頂面上的實質共平面，以及所述第一上金屬層的一底面及所述第二層間介電層的一第二頂面實質上共平面。
一種半導體裝置，包含：<br/> 一基板；<br/> 一井區，位於所述基板中；<br/> 一頂摻雜區，位於所述井區中；<br/> 一第一層間介電層，位於所述井區上；<br/> 至少一接觸通孔，位於所述第一層間介電層中；<br/> 一第一下金屬層，位於所述第一層間介電層中；<br/> 一第二層間介電層，位於所述第一層間介電層上；<br/> 至少一導孔，位於所述第二層間介電層中；以及<br/> 一第一上金屬層，位於所述第二層間介電層上，<br/> 其中：<br/> 所述第二層間介電層的一第二厚度不大於所述第一層間介電層的一第一厚度，以及<br/> 所述第一下金屬層透過所述至少一接觸通孔中的一第一接觸通孔電性連接所述井區中的所述頂摻雜區；<br/> 其中所述第一下金屬層未透過所述至少一導孔電性連接所述第一上金屬層。
如請求項6所述之半導體裝置，其中所述井區進一步包含一源極區及一汲極區，所述第一層間介電層進一步包含一第二下金屬層，以及所述第二下金屬層透過所述至少一接觸通孔中的一第二接觸通孔電性連接所述源極區或所述汲極區。
如請求項6所述之半導體裝置，其中所述第一下金屬層的一頂面及所述第一層間介電層的一第一頂面上的實質共平面，以及所述頂摻雜區的一頂面及所述井區的一第二頂面實質上共平面。
一種折疊式數位相機，其包含：<br/>一鏡頭系統，具有一鏡頭及一影像感測器，該鏡頭具有N個鏡頭元件(L<sub>i</sub>)及一有效焦距(EFL)，其中N大於等於6，其中一第一鏡頭元件(L<sub>1</sub>)面向一物體；以及<br/>一光路折疊元件(OPFE)，用於在該物體與該鏡頭之間提供一折疊光路；<br/>其中該鏡頭系統具有覆蓋了從無限遠到一最小物體距離(MIOD)的一聚焦範圍，<br/>其中該最小物體距離/該有效焦距(MIDO/EFL)小於20；<br/>該鏡頭分成兩個鏡頭組；<br/>在各自鏡頭組中該些鏡頭元件相對於彼此不移動；並且<br/>其中該兩個鏡頭組相對於彼此移動以聚焦到該聚焦範圍內的任一物體至鏡頭距離。
如請求項1所述之折疊式數位相機，其中為了聚焦到該聚焦範圍內的任一物體至鏡頭距離，該兩個鏡頭組中的每一個相對於該影像感測器移動。
如請求項1所述之折疊式數位相機，其中該兩個鏡頭組通過一間隙來分隔開，該間隙具有一間隙厚度，並且其中將焦點從無限遠變化到一物體至鏡頭距離滿足該物體至鏡頭距離大於等於100毫米且小於等於500毫米，該間隙厚度變化大於0.5毫米且小於1毫米。
如請求項3所述之折疊式數位相機，其中該有效焦距大於10毫米且小於20毫米。
如請求項1所述之折疊式數位相機，其中該兩個鏡頭組通過一間隙來分隔開，該間隙具有一間隙厚度，並且其中將焦點從無限遠變化到一物體至鏡頭距離滿足該物體至鏡頭距離大於等於50毫米且小於等於500毫米，該間隙厚度變化大於1毫米且小於2毫米。
如請求項5所述之折疊式數位相機，其中該有效焦距大於10毫米且小於20毫米。
如請求項1所述之折疊式數位相機，其中該最小物體距離/該有效焦距(MIDO/EFL)小於15。
如請求項1所述之折疊式數位相機，其中該最小物體距離/該有效焦距(MIDO/EFL)小於10。
如請求項1所述之折疊式數位相機，其中該最小物體距離小於500毫米，並且其中該有效焦距大於10毫米且小於30毫米。
如請求項1所述之折疊式數位相機，其中該最小物體距離小於300毫米，並且其中該有效焦距大於10毫米且小於30毫米。
如請求項1所述之折疊式數位相機，其中該最小物體距離小於250毫米，並且其中該有效焦距大於10毫米且小於30毫米。
如請求項1所述之折疊式數位相機，其中該最小物體距離小於150毫米，並且其中該有效焦距大於12.5毫米且小於20毫米。
如請求項1所述之折疊式數位相機，其中該折疊式數位相機具有小於4的一光圈值(f number)。
如請求項1所述之折疊式數位相機，其中該折疊式數位相機具有小於3的一光圈值(f number)。
如請求項1所述之折疊式數位相機，其中該折疊式數位相機具有小於2.5的一光圈值(f number)。
如請求項1所述之折疊式數位相機，其中該折疊式數位相機具有小於2.25的一光圈值(f number)。
如請求項1所述之折疊式數位相機，還包含：一音圈馬達，該音圈馬達基於一聚焦機構使該折疊式數位相機進行聚焦。
如請求項1所述之折疊式數位相機，還包含：一光學元件，其中該光學元件位於該鏡頭與該影像感測器之間。
如請求項1至18中任一項所述之折疊式數位相機，其中該折疊式數位相機包含在一移動裝置中。
如請求項19所述之折疊式數位相機，其中該移動裝置是一智慧手機。
一種記憶體裝置的製造方法，包含以下步驟： 在一基板中形成一溝槽；<br/> 形成沿著該溝槽的表面的一閘極介電層；<br/> 在該溝槽中與該閘極介電層上方形成一字元線；<br/> 蝕刻該閘極介電層，使得該閘極介電層之一頂部末端低於該基板的一頂表面；<br/> 在該閘極介電層的該頂部末端上方形成一著陸墊，其中該著陸墊之一頂表面與該基板的一頂表面齊平；<br/> 形成一介電層，從而覆蓋該字元線、該著陸墊及該基板；及<br/> 在該介電層中形成一觸點，且該觸點接觸該基板及該著陸墊。
如請求項1所述之製造方法，其中形成該著陸墊包含：<br/> 在該字元線上方形成一頂蓋層；<br/> 形成沿著該基板、該閘極介電層及該頂蓋層的表面的一導電層；及<br/> 蝕刻該導電層，直到該基板之該頂表面被暴露。
如請求項2所述之製造方法，其中在該字元線上方形成該頂蓋層包含：<br/> 形成過度填充該溝槽的一頂蓋材料層；及<br/> 蝕刻該頂蓋材料層，直到暴露該閘極介電層的該頂部末端。
如請求項2所述之製造方法，其中該著陸墊之一底部與該頂蓋層的一頂表面實質上齊平。
如請求項2所述之製造方法，其中在藉由蝕刻該導電層形成該著陸墊期間，該頂蓋層的一頂表面被暴露。
如請求項1所述之製造方法，其中在蝕刻該閘極介電層之後，該閘極介電層的該頂部末端高於該字元線的該頂表面且低於該基板的該頂表面。
如請求項1所述之製造方法，其中形成該觸點包含：<br/> 在該介電層中形成一開口，從而暴露該基板及該著陸墊；及<br/> 在該開口中形成該觸點。
如請求項1所述之製造方法，其中該著陸墊的一底部高於該字元線的一頂表面。
如請求項1所述之製造方法，其中該著陸墊由非晶形矽製成。
一種記憶體裝置，包含： 一基板；<br/> 一字元線，在該基板中；<br/> 閘極介電層，沿著該字元線的一側壁；<br/> 一著陸墊，該著陸墊接觸該閘極介電層的一頂部末端及該基板的一側壁，其中該著陸墊之一頂表面與該基板的一頂表面齊平；<br/> 一介電層，在該基板、該字元線及該著陸墊上方；及<br/> 一觸點，在該介電層中且接觸該基板及該著陸墊。
如請求項10所述之記憶體裝置，其中該閘極介電層的該頂部末端高於該字元線的一頂表面。
如請求項10所述之記憶體裝置，進一步包含：<br/> 一頂蓋層，在該字元線上方且被該介電層覆蓋，其中該頂蓋層的一頂表面低於該著陸墊的該頂表面。
如請求項12所述之記憶體裝置，其中該頂蓋層之該頂表面與該著陸墊的一底部實質上齊平。
如請求項10所述之記憶體裝置，其中該著陸墊與該介電層的一側壁接觸。
如請求項10所述之記憶體裝置，其中該著陸墊的一底部高於該字元線的一頂表面。
如請求項10所述之記憶體裝置，其中該觸點與該閘極介電層垂直地重疊。
如請求項10所述之記憶體裝置，其中該著陸墊由非晶形矽製成。
如請求項10所述之記憶體裝置，其中該介電層接觸該著陸墊及該觸點。
一種傳動外殼，其界定一開放內部區域且包括定位於該開放內部區域外部之複數個隔開腳部，該複數個腳部中之各腳部與該複數個腳部中之另一腳部隔開以界定其間之一間隙，其中該複數個腳部中之各腳部界定一對相交孔，各對各別孔中之各孔界定一對應縱向軸線使得各腳部界定一對相交縱向軸線，其中對應於該複數個腳部中之該等腳部之一者之該對相交縱向軸線實質上與對應於該複數個腳部中之該等腳部之另一者之該對相交縱向軸線共面。
如請求項1之傳動外殼，其中各對相交孔中之該等孔之一第一者自一第一開端延伸穿過該各別腳部至一對置第二開端。
如請求項2之傳動外殼，其中各對相交孔中之該等孔之一第二者自一對應開端延伸至該各別腳部中且與該等孔之該第一者相交。
如請求項3之傳動外殼，其中該等孔之該第二者自該對應開端延伸至定位於該各別腳部內之一終端。
如請求項4之傳動外殼，其中該等孔之該第二者之該終端通向該等孔之該第一者。
如請求項2之傳動外殼，其中該複數個腳部界定一對應複數個U形鉤狀軛，各U形鉤狀軛經構形以可樞轉地保持一對應對該複數個腳部之間的一連桿組。
如請求項2之傳動外殼，其係一單體式構造。
如請求項7之傳動外殼，其中該單體式構造由壓鑄鋁、尼龍、3D印刷鈦、鑄造鈦、碳纖維或其等之一組合製成。
一種機械傳動，其包括： <br/>一外殼，其界定複數個U形鉤狀軛及對應於各U形鉤狀軛之一向內壁； <br/>一長形軸，其自一第一端縱向延伸至一第二端且跨各U形鉤狀軛，其中各各別軸界定一縱向延伸之旋轉軸線，且其中各軸之該第一端及該第二端之至少一者定位為與該向內壁成對置關係，使得該U形鉤狀軛抑制該軸在至少一個縱向方向上之縱向移動；及 <br/>複數個連桿組臂，各連桿組臂對應於該複數個U形鉤狀軛之一者且自一近端齒輪端延伸至一遠端，其中各各別軸延伸穿過該對應連桿組臂之該近端齒輪端以將該近端齒輪端可樞轉地耦合於該各別U形鉤狀軛內，其中各連桿組臂之該近端齒輪端配合地嚙合該複數個連桿組臂之至少一個其他連桿組臂之該近端齒輪端。
如請求項9之機械傳動，其中該外殼具有界定該複數個U形鉤狀軛之一單體式本體，各U形鉤狀軛具有其間具有一間隙之一對腳部，該對腳部中之各腳部界定一孔，其中各各別軸自該對腳部之一者中之該孔延伸穿過該間隙至該對腳部之另一者中之該孔。
如請求項9之機械傳動，其中各腳部中之該孔係一第一孔且其中各腳部界定一第二孔，各各別第二孔與該對應第一孔相交。
如請求項11之機械傳動，其中各軸界定一近端區域及一遠端區域，其中各軸之該第一端係該軸之一近端且各軸之該第二端係該軸之一遠端，其中各各別軸之該近端區域定位於該複數個腳部中之一個腳部之該第一孔中而該各別軸之該遠端區域定位於該複數個腳部中之另一腳部之該第二孔中。
如請求項12之機械傳動，其中各軸之該遠端相鄰於另一軸之該近端定位。
如請求項12之機械傳動，其中各軸之該遠端區域自該對應第二孔延伸至該相交第一孔中，藉此阻止另一軸沿該另一軸之縱向軸線近端移動。
如請求項12之機械傳動，其中各U形鉤狀軛之該向內壁定位於對應於該各別U形鉤狀軛之該軸之該遠端之遠端，藉此阻礙該軸沿該軸之縱向軸線遠端移動。
如請求項9之機械傳動，其中該近端齒輪端之一者之旋轉促使該複數個連桿組之各至少一個其他連桿組之該配合地嚙合之近端齒輪端旋轉。
如請求項16之機械傳動，其中界定複數個U形鉤狀軛之該外殼係一第一此外殼，該機械傳動進一步包括一第二此外殼，其中該複數個連桿組之至少一者與該第二此外殼耦合。
如請求項17之機械傳動，其中該複數個連桿組係第一複數個連桿組臂，該機械傳動進一步包括第二複數個連桿組臂，其中該第二複數個連桿組臂自一近端齒輪端延伸至一遠端，其中該第二複數個連桿組臂中之各近端齒輪端配合地嚙合該第二複數個連桿組臂之至少一個其他連桿組臂之該近端齒輪端，使得該第二多個連桿組中之一近側齒輪端之旋轉促使第二多個連桿組中之各至少一者之配合地嚙合之近端齒輪端旋轉。
如請求項18之機械傳動，其中與該第二此外殼耦合之該第一複數個連桿組臂之各至少一者與該第二複數個連桿組臂之該各別至少一者可樞轉地耦合，藉此將該第一複數個連桿組臂之該各別至少一者與該第二此外殼耦合。
如請求項18之機械傳動，其中該第一複數個連桿組臂、該第二複數個連桿組臂或兩者經構形以當該近端齒輪端在一第一方向上旋轉時自一收起配置朝向一使用配置擴展且當該近端齒輪端在與該第一方向相反的一第二方向上旋轉時自該使用配置朝向該收起配置收縮。
一種半導體結構，包括： <br/>一基板，包括位於該基板的一陣列區域中的複數個柱體，其中該些柱體中的每一者的一頂表面為一實質上平坦的表面； <br/>一殘膜，部分地設置於靠近該些柱體的該頂表面的該些柱體的側壁上； <br/>一氧化物層，圍繞該些柱體中的每一者； <br/>複數個字元線，分別設置於該些柱體中；以及 <br/>複數個接觸，其中每一個接觸皆設置於兩個相鄰的柱體之間； <br/>其中該些字元線中的每一者包括一介電層、一較低電極結構、和一較高電極結構；該介電層設置於各柱體中，該較低電極結構設置於該介電層上，且該較高電極結構設置於該較低電極結構上， <br/>其中該基板包括圍繞該陣列區域的一周圍區域，且該殘膜設置於該周圍區域中。
如請求項1所述之半導體結構，其中該較高電極結構包括一初始源極層、一初始功函數調整層、和一導電層，該初始源極層設置於該較低電極結構和該介電層的一側壁上，該初始功函數調整層共形地覆蓋該初始源極層，且該導電層實質上覆蓋該初始功函數調整層與該初始源極層相對的一整個表面。
如請求項1所述之半導體結構，其中該些字元線和該些接觸交替配置。
如請求項1所述之半導體結構，其中對該基板進行一氮處理。
如請求項4所述之半導體結構，其中該氮處理是提供氮給該基板。
如請求項1所述之半導體結構，其中該殘膜覆蓋該些柱體中的每一者。
如請求項2所述之半導體結構，其中使用一化學氣相沉積（CVD）製程來形成該初始源極層。
如請求項2所述之半導體結構，其中該初始源極層包括一功函數調整元素或一功函數調整元素的一化合物。
如請求項2所述之半導體結構，其中該導電層包括一低電阻材料，其電阻小於該初始功函數調整層的電阻。
如請求項8所述之半導體結構，其中透過一蝕刻製程形成的該源極層、該功函數調整層、和該導電層的頂表面被設置於一相同的水平上。
一種基於心理調適的韌力分析方法，透過至少一終端裝置利用安裝於其上的應用程序與一系統進行交互，實現數據的傳輸與處理，該方法包括： <br/>S1：接收一使用者透過該終端裝置的一輸入，該輸入包括至少一事件，該事件可包括對應問題、阻礙或困擾的其中之一或組合的複數個描述段落，其中，該事件的每個描述段落可包括由語音、文字或繪圖的至少其中之一或組合構建； <br/>S2：利用語音、文字和/或影像處理技術，對該使用者的輸入進行解析，以判斷該事件中的至少一非理性信念； <br/>S3：利用該語音、文字和/或影像處理技術，對該使用者的輸入進行解析，以識別該事件中的該使用者的當前的一情緒狀態與內在需要； <br/>S4：透過一多維度的思維模式來分析針對該事件的各種面向；以及 <br/>S5：透過一設定條件和一預期結果，以制定一行動方案，其中，該行動方案對應該至少一非理性信念、該當前的情緒狀態與內在需要和/或該事件的各種面向的其中之一或組合， <br/>其中，S3：該利用該語音、文字和/或影像處理技術，對該使用者的輸入進行解析，以識別該事件中的該使用者的當前的一情緒狀態與內在需要，還包括： <br/>S31：一情緒拆解模組，耦接一情緒識別模組、一情緒狀態數據庫，針對該事件中進行一分鏡拆解，與該事件相關聯的該分鏡拆解包括至少一個情緒狀態，其中，該情緒狀態包括一正向情緒狀態、一負向情緒狀態、一中立情緒狀態的至少其中之一或組合； <br/>S32：一需要對應模組，耦接該情緒拆解模組、一需要數據庫，根據該情緒狀態找出與該情緒狀態對應的一使用者需要，其中，該使用者需要包括一身體心理需要、人際需要、成長需要； <br/>S33：在根據該情緒狀態找出與該情緒狀態對應的該使用者需要後，傳送一需要結果到該使用者的該終端裝置以供確認；以及 <br/>S34：當該需要結果與該使用者認為的情緒狀態不相符時，透過該終端裝置修改使其與該使用者的情緒狀態相符的該需要結果。
如請求項1之基於心理調適的韌力分析方法，其中，S2：該利用語音、文字和/或影像處理技術，對該使用者的輸入進行解析，以判斷該事件中的至少一非理性信念，還包括： <br/>S21：存取與該至少一非理性信念相關聯的複數個思維塊，該等複數個思維塊包括：認為所有問題的原因都是源自自身的一第一思維塊； <br/>認為所有問題的原因都是源自外部他人或環境的一第二思維塊； <br/>在沒有驗證與足夠證據的情況下，認為自己知道他人想法或意圖亦或認為他人知道自己的想法或意圖的一第三思維塊； <br/>指個體在遇到某一情境時，反覆預測該情境中不合常理的最壞情況結果，並將其視為必然或高度可能發生的結果，從而導致過度焦慮或壓力反應的一第四思維塊； <br/>認為當前的負面情境會影響生活的所有面向且自己的一第五思維塊； <br/>對自身能力或價值持續質疑的一第六思維塊；以及 <br/>S22：還包括一負能量盤點模組，透過該等複數個思維塊判斷該事件的複數個描述段落中的至少一非理性信念。
如請求項2之基於心理調適的韌力分析方法，其中，S2：該利用語音、文字和/或影像處理技術，對該使用者的輸入進行解析，以判斷該事件中的至少一非理性信念，還包括： <br/>S23：還包括一統計排序模組，統計與該事件的複數個描述段落相關聯的至少一非理性信念，並針對所統計的非理性信念進行排序；以及 <br/>S24：還包括一記錄模組，隨著一時間序用以記錄與該使用者的輸入相關聯的非理性信念識別歷程。
如請求項1之基於心理調適的韌力分析方法，其中，S4：該透過一多維度的思維模式來分析針對該事件的各種面向，還包括： <br/>S41：一情感分析單元，用於評估該使用者對於該事件的情緒反應； <br/>一認知重構單元，基於該事件所對應問題、阻礙或困擾的其中之一或組合，提供與該事件相關聯的一正向回饋； <br/>一事實分析單元，基於該事件所對應問題、阻礙或困擾的其中之一或組合，進行客觀分析； <br/>一創意探索單元，基於該事件所對應問題、阻礙或困擾的其中之一或組合，提供潛在優勢； <br/>一風險評估單元，基於該事件所對應問題、阻礙或困擾的其中之一或組合，提供可能潛在的問題；以及 <br/>一整合單元，耦接該情感分析單元、該認知重構單元、事實分析單元、創意探索單元、該風險評估單元，並整合其分析結果。
如請求項1之基於心理調適的韌力分析方法，其中，S5：該透過一設定條件和一預期結果，以制定一行動方案，其中，該行動方案對應該至少一非理性信念、該當前的情緒狀態與內在需要和/或該事件的各種面向的其中之一或組合，還包括： <br/>S51：根據該至少一非理性信念、該當前的情緒狀態與內在需要和/或該事件的各種面向的其中之一或組合，產生包括該設定條件和對應該預期結果的該行動方案，並將產生的行動方案透過該終端裝置傳送給該使用者；以及 <br/>S52：根據該使用者的回饋動態更新，以產生一另一行動方案。
如請求項5之基於心理調適的韌力分析方法，其中，S51還包括：根據該至少一非理性信念、該當前的情緒狀態與內在需要和/或該事件的各種面向的其中之一或組合，歸納並評估一使用者需要以及一對方意圖。
如請求項6之基於心理調適的韌力分析方法，其中，該使用者需要包括與自身相關的希望需要、現況需要、阻礙需要、進展需要、自我需要的至少其中之一。
一種基於心理調適的韌力分析系統，透過至少一終端裝置利用安裝於其上的應用程序與該系統進行交互，實現數據的傳輸與處理，該系統包括： <br/>一輸入模組，接收一 使用者透過該終端裝置的一輸入，該輸入包括至少一事件，該事件可包括對應問題、阻礙或困擾的其中之一或組合的複數個描述段落，其中，該事件的每個描述段落可包括由語音、文字或繪圖的至少其中之一或組合構建； <br/>一分析模組，耦接該輸入模組，利用語音、文字和/或影像處理技術，對該使用者的輸入進行解析，以判斷該事件中的至少一非理性信念； <br/>一情緒識別模組，耦接該輸入模組，利用語音、文字和/或影像處理技術，對該使用者的輸入進行解析，以識別該事件中的該使用者的當前的一情緒狀態與內在需要； <br/>一思維轉化模組，耦接該輸入模組，透過一多維度的思維模式來分析針對該事件的各種面向；以及 <br/>一策略制定模組，耦接該輸入模組、該分析模組、該情緒識別模組、思維轉化模組，透過一設定條件和一預期結果，以制定一行動方案，其中，該行動方案對應該至少一非理性信念、該當前的情緒狀態與內在需要和/或該事件的各種面向的其中之一或組合， <br/>其中，該利用該語音、文字和/或影像處理技術，對該使用者的輸入進行解析，以識別該事件中的該使用者的當前的一情緒狀態與內在需要，還包括： <br/>一情緒拆解模組，耦接該情緒識別模組、一情緒狀態數據庫，針對該事件中進行一分鏡拆解，與該事件相關聯的該分鏡拆解包括至少一個情緒狀態，其中，該情緒狀態包括一正向情緒狀態、一負向情緒狀態、一中立情緒狀態的至少其中之一或組合； <br/>一需要對應模組，耦接該情緒拆解模組、一需要數據庫，根據該情緒狀態找出與該情緒狀態對應的一使用者需要，其中，該使用者需要包括一身體心理需要、人際需要、成長需要； <br/>在根據該情緒狀態找出與該情緒狀態對應的該使用者需要後，傳送一需要結果到該使用者的該終端裝置以供確認；以及 <br/>當該需要結果與該使用者認為的情緒狀態不相符時，透過該終端裝置修改使其與該使用者的情緒狀態相符的該需要結果。
一種半導體結構的製造方法，包括：<br/>在一基材上形成一第一底層上拉電晶體以及一第二底層上拉電晶體，其中該第一底層上拉電晶體以及該第二底層上拉電晶體包含於一記憶體單元中；<br/>在該第一底層上拉電晶體以及該第二底層上拉電晶體上方形成一第一中層下拉電晶體以及一第二中層下拉電晶體，其中該第一中層下拉電晶體以及該第二中層下拉電晶體包含於該記憶體單元中；以及<br/>在該第一中層下拉電晶體以及該第二中層下拉電晶體上方形成一第一頂層開關電晶體、一第二頂層開關電晶體、一第三頂層開關電晶體以及一第四頂層開關電晶體，其中該第一頂層開關電晶體、該第二頂層開關電晶體、該第三頂層開關電晶體以及該第四頂層開關電晶體包含於該記憶體單元中。
如請求項1所述之方法，其中該第一中層下拉電晶體在該基材上的一投影區域重疊於該第一底層上拉電晶體在該基材上的一投影區域，且該第二中層下拉電晶體在該基材上的一投影區域重疊於該第二底層上拉電晶體在該基材上的一投影區域。
如請求項1所述之方法，其中該第一頂層開關電晶體在該基材上的一投影區域重疊於該第一中層下拉電晶體在該基材上的一投影區域，且該第四頂層開關電晶體在該基材上的一投影區域重疊於該第二中層下拉電晶體在該基材上的一投影區域。
如請求項1所述之方法，進一步包括：<br/>在該第一頂層開關電晶體、該第二頂層開關電晶體、該第三頂層開關電晶體以及該第四頂層開關電晶體上方形成一字線，其中該第一頂層開關電晶體、該第二頂層開關電晶體、該第三頂層開關電晶體以及該第四頂層開關電晶體的複數個閘極電性耦合至該字線。
如請求項1所述之方法，進一步包括：<br/>在該第一頂層開關電晶體、該第二頂層開關電晶體、該第三頂層開關電晶體以及該第四頂層開關電晶體上方形成一第一字線以及一第二字線，其中該第一頂層開關電晶體以及該第二頂層開關電晶體的複數個閘極電性耦合至該第一字線，而該第三頂層開關電晶體以及該第四頂層開關電晶體的複數個閘極電性耦合至該第二字線。
一種半導體結構的製造方法，包括：<br/>在一基材上方的一第一高度形成一第一半導體奈米結構，其中該第一半導體奈米結構包含於一靜態隨機存取記憶體單元中；<br/>在該第一半導體奈米結構的相對兩側形成複數個第一磊晶結構；<br/>形成圍繞該第一半導體奈米結構的一第一閘極結構；<br/>在該基材上的一第二高度形成一第二半導體奈米結構、一第三半導體奈米結構、一第四半導體奈米結構以及一第五半導體奈米結構，其中該第二半導體奈米結構、該第三半導體奈米結構、該第四半導體奈米結構以及該第五半導體奈米結構包含於該靜態隨機存取記憶體單元中；<br/>在該第二半導體奈米結構的相對兩側形成複數個第二磊晶結構，在該第三半導體奈米結構的相對兩側形成複數個第三磊晶結構，在該第四半導體奈米結構的相對兩側形成複數個第四磊晶結構，在該第五半導體奈米結構的相對兩側形成複數個第五磊晶結構；以及<br/>形成圍繞該第二半導體奈米結構的一第二閘極結構，圍繞該第三半導體奈米結構的一第三閘極結構，圍繞該第四半導體奈米結構的一第四閘極結構以及圍繞該第五半導體奈米結構的一第五閘極結構。
如請求項6所述之方法，其中該第一半導體奈米結構、該些第一磊晶結構以及該第一閘極結構共同形成該靜態隨機存取記憶體單元的一上拉電晶體或一下拉電晶體。
如請求項6所述之方法，其中該第二半導體奈米結構、該些第二磊晶結構以及該第二閘極結構形成一第一開關電晶體，該第三半導體奈米結構、該些第三磊晶結構以及該第三閘極結構形成一第二開關電晶體，該第四半導體奈米結構、該些第四磊晶結構以及該第四閘極結構形成一第三開關電晶體，該第五半導體奈米結構、該些第五磊晶結構以及該第五閘極結構形成一第四開關電晶體。
一種半導體結構，包括：<br/>複數個背側電源線，位於一半導體基材上；<br/>一記憶體單元，位於該些背側電源線上方，其中該記憶體單元包括位於一第一高度的一第一上拉電晶體以及一第二上拉電晶體、位於不同於該第一高度的一第二高度的一第一下拉電晶體以及一第二下拉電晶體，以及位於不同於該第一高度以及該第二高度的一第三高度的一第一開關電晶體、一第二開關電晶體、一第三開關電晶體以及一第四開關電晶體；以及<br/>一字線，位於該半導體基材上方的一第四高度，其中該第一開關電晶體、該第二開關電晶體、該第三開關電晶體以及該第四開關電晶體的複數個閘極電性耦合至該字線。
如請求項9所述之半導體結構，進一步包括：<br/>一位元線，位於該半導體基材上方的一第五高度；以及<br/>一位元線條，位於該半導體基材上方的該第五高度，其中該第一開關電晶體以及該第二開關電晶體的複數個源極/汲極節點電性耦合至該位元線，而該第三開關電晶體以及該第四開關電晶體的複數個源極/汲極節點電性耦合至該位元線條。
一種半導體結構的製造方法，包括：<br/> 提供一基板及設置於該基板中的一主動區；<br/> 在該主動區上形成一閘極結構；<br/> 在該閘極結構的二側的該基板中形成二源極/汲極區；<br/> 在該閘極結構及該基板上形成一第一介電層以完全覆蓋該閘極結構；<br/> 在該第一介電層及該閘極結構上沉積一第二介電層；<br/> 蝕刻該第二介電層直到暴露出該第一介電層的一頂表面，以形成二第一開口，其中該二第一開口的位置分別對應於該二源極/汲極區；<br/> 基於該二第一開口的位置蝕刻該第一介電層，直至使該二源極/汲極區凹陷，以形成二第二開口；<br/> 在各該第二開口分別形成二位元線觸點的各者；<br/> 在該二位元線觸點及該第二介電層上形成一第一阻擋層；<br/> 在該第一阻擋層上形成一導電層；以及<br/> 在該導電層上形成一第二阻擋層。
如請求項1所述之方法，其中形成該第一介電層包括：<br/> 在該閘極結構及該基板上沉積該第一介電層，其中該第一介電層的該頂表面高於該閘極結構的一頂表面；以及<br/> 平坦化該第一介電層，其中該第一介電層的該頂表面與該閘極結構的該頂表面共平面。
如請求項1所述之方法，其中該第一介電層包含氧化物。
如請求項1所述之方法，其中該第二介電層包含氮化物。
如請求項1所述之方法，其中該第二介電層的一蝕刻選擇性大於該第一介電層的一蝕刻選擇性。
如請求項1所述之方法，其中該閘極結構包括位於該閘極結構二側的二間隔件，以及<br/> 其中該第一介電層的一蝕刻選擇性大於該閘極結構的各該間隔件的一蝕刻選擇性。
如請求項1所述之方法，進一步包括：<br/> 蝕刻該第二阻擋層、該導電層及該第一阻擋層，以在各該位元線觸點上形成一位元線結構。
如請求項7所述之方法，其中在形成該位元線結構後，使該第二介電層的一頂表面暴露。
一種半導體結構，包括：<br/> 一主動區，設置於一基板中；<br/> 一閘極結構，設置於該主動區上；<br/> 二源極/汲極區，設置於該閘極結構的二側的該基板中；<br/> 二位元線觸點的各者，分別設置於該閘極結構的該些側的各者上，其中各該位元線觸點直接接觸各該源極/汲極區的一部分；<br/> 一第一介電層，環繞該閘極結構的一上部；<br/> 一第二介電層，環繞各該位元線觸點的一上部；以及<br/> 一位元線結構，設置於各該位元線觸點上，其中該位元線結構包括：<br/> 一第一阻擋層，設置於各該位元線觸點上；<br/> 一導電層，設置於該第一阻擋層上；以及<br/> 一第二阻擋層，設置於該導電層上。
如請求項9所述之半導體結構，其中該第二介電層的一底表面接觸該閘極結構的一頂表面。
如請求項9所述之半導體結構，其中各該位元線觸點的一頂表面大於該閘極結構的一頂表面。
如請求項9所述之半導體結構，其中該閘極結構包括：<br/> 一閘極介電層，設置於該主動區上；<br/> 一閘極電極層，設置於該閘極介電層上；<br/> 一閘極覆蓋層，設置於該閘極電極層上；以及<br/> 二間隔件，設置於該閘極介電層、該閘極電極層及該閘極覆蓋層的兩側。
如請求項12所述之半導體結構，其中該二位元線觸點的各者分別直接接觸該二間隔件的各者。
如請求項12所述之半導體結構，其中直接接觸該二間隔件的各者的該二位元線觸點的各者的一輪廓是直的。
如請求項9所述之半導體結構，其中各該位元線觸點的一頂表面與該第一介電層的一頂表面共平面。
如請求項9所述之半導體結構，其中位於該第二介電層中的各該位元線觸點的一寬度大於位於該第一介電層中的各該位元線觸點的一寬度。
如請求項9所述之半導體結構，其中位於該第二介電層中的各該位元線觸點的一寬度大於直接接觸各該源極/汲極區的該部分的各該位元線觸點的一寬度。
一種電路板組件的製作方法，其改良在於，包括：<br/> 提供第一電路板，在所述第一電路板上電連接第一電子元件；<br/> 提供第二電路板，在所述第二電路板上電連接第二電子元件和第三電子元件，所述第二電路板的表面開設有第二凹槽，所述第二凹槽位於所述第二電路板設置有所述第二電子元件和所述第三電子元件的表面；<br/> 在所述第一電子元件的表面覆蓋第一保護膜，在所述第一保護膜的表面覆蓋遮罩膜，所述遮罩膜與所述第一電路板電連接，得到第一組件；<br/> 在所述第二電子元件和所述第三電子元件的表面覆蓋第二保護膜，所述第二保護膜還填充於所述第二凹槽中，得到第二組件；以及<br/> 以所述第一電路板和所述第二電路板朝外、所述遮罩膜位於所述第一保護膜和所述第二保護膜之間的方式壓合並烘烤所述第一組件和所述第二組件。
如請求項1所述之電路板組件的製作方法，其中，所述第一電路板的表面開設有第一凹槽，所述第一凹槽位於所述第一電路板設置有所述第一電子元件的表面；在所述“在所述第一電子元件的表面覆蓋第一保護膜”的步驟之後，所述第一保護膜還填充於所述第一凹槽中。
如請求項1所述之電路板組件的製作方法，其中，在所述“在所述第一電路板上電連接第一電子元件”的步驟中，所述製作方法還包括：在所述第一電路板上電連接導電柱，所述導電柱和所述第一電子元件位於所述第一電路板的同一表面；在所述“壓合並烘烤所述第一組件和所述第二組件”的步驟之後，所述導電柱電連接所述第二電路板；或者<br/> 在所述“在所述第二電路板上電連接第二電子元件和第三電子元件”的步驟中，所述製作方法還包括：在所述第二電路板上電連接導電柱，所述導電柱、所述第二電子元件和所述第三電子元件位於所述第二電路板的同一表面；在所述“壓合並烘烤所述第一組件和所述第二組件”的步驟之後，所述導電柱電連接所述第一電路板。
如請求項1所述之電路板組件的製作方法，其中，在所述“壓合並烘烤所述第一組件和所述第二組件”的步驟之後，所述製作方法還包括：<br/> 在所述第一電路板或者第二電路板的表面形成連接墊。
一種電路板組件，其改良在於，包括：<br/> 第一組件，包括：<br/> 第一電路板；<br/> 第一電子元件，和所述第一電路板電連接；<br/> 第一保護膜，覆蓋所述第一電子元件；以及<br/> 遮罩膜，覆蓋所述第一保護膜，並和所述第一電路板電連接；以及<br/> 第二組件，包括：<br/> 第二電路板，開設有第二凹槽；<br/> 第二電子元件，位於開設有所述第二凹槽的表面，並和所述第二電路板電連接；<br/> 第三電子元件，和所述第二電子元件位於所述第二電路板的同一表面，並所述第二電路板電連接；以及<br/> 第二保護膜，覆蓋所述第二電子元件和所述第三電子元件，還填充於所述第二凹槽中；<br/> 其中，所述遮罩膜位於所述第一保護膜和所述第二保護膜之間。
如請求項5所述之電路板組件，其中，所述第一組件包括凸伸部，所述凸伸部由所述第一電子元件、所述第一保護膜和所述遮罩膜朝向背離所述第一電路板的方向凸伸；所述第二組件設置有收容槽，所述收容槽由所述第二保護膜和朝向所述第二電路板凹陷；所述凸伸部收容於所述收容槽中。
如請求項5所述之電路板組件，其中，所述電路板組件還包括導電柱，所述導電柱位於所述第一電路板和所述第二電路板之間，並電連接所述第一電路板和所述第二電路板。
如請求項5至7中任意一項所述之電路板組件，其中，所述第一電路板開設有第一凹槽，所述第一凹槽位於所述第一電路板設置有所述第一電子元件的表面，所述第一保護膜還填充於所述第一凹槽中。
一種電路板組件製作方法，其改良在於，包括步驟: 提供一待彎折電路板，所述待彎折電路板劃分有第一區及連接所述第一區的第二區和第三區，所述第二區間設有電子元件以及多個第一連接墊，所述電子元件設於間隔設置的多個所述第一連接墊之間，所述第三區設有第一導通體和多個第二導通體，所述第一導通體設於間隔設置的多個所述第二導通體之間；<br/> 於多個所述第一連接墊設置第一電連接體；於所述第一導通體設置第二電連接體；於多個所述第二導通體設置第二電連接體，所述第二導通體與所述第二電連接體的高度之和大於所述第一連接墊與所述第一電連接體的高度之和；<br/> 彎折所述第一區，使得所述第二區對應所述第三區，所述第一導通體電性連接所述電子元件，多個所述第二導通體一一連接多個所述第一連接墊；<br/> 連接所述第一電連接體和所述第二電連接體，以及連接所述第二電連接體和所述電子元件；<br/> 於所述第二區和所述第三區之間設置填充體，獲得所述電路板組件。
如請求項1所述的製作方法，其中，所述待彎折電路板的一端設有一個所述第一區、一個所述第二區以及一個所述第三區，另一端設置有另一個所述第一區、另一個所述第二區以及另一個所述第三區，兩個所述第三區相鄰設置，步驟“彎折所述第一區”包括：<br/> 彎折兩個所述第一區，使得兩個所述第二區與兩個所述第三區一一對應，並在兩個所述第二區之間形成間隙；<br/> 步驟“於所述第二區和所述第三區之間設置填充體”包括：<br/> 藉由所述間隙於所述第二區和所述第三區之間設置填充體。
如請求項1所述的製作方法，其中，步驟“彎折所述第一區”之前，所述第二區和所述第三區並排設置，步驟“彎折所述第一區”包括：相向彎折所述第一區的相對兩端180度。
如請求項1所述的製作方法，其中，所述待彎折電路板的製作方法包括步驟：<br/> 提供一個線路基板，所述線路基板包括絕緣層、設於所述絕緣層相對兩側的第一線路層和第二線路層、以及貫穿絕緣層且連通所述第一線路層和所述第二線路層的層間導通體，所述第一線路包括多個所述第一連接墊；<br/> 於所述第一線路電鍍形成多所述第一導通體以及多個第三導通體；<br/> 於所述第三導通體電鍍以形成所述第二導通體，以及於所述線路基板設置電子元件，獲得所述待彎折電路板。
如請求項4所述的製作方法，其中，所述待彎折電路板的製作方法還包括步驟：<br/> 於所述第二線路層設置覆蓋層。
一種電路板組件，其改良在於，包括：<br/> 彎折電路板，所述彎折電路板劃分有第一區及連接所述第一區的第二區和第三區，所述第二區間設有電子元件以及多個第一連接墊，所述電子元件設於間隔設置的多個所述第一連接墊之間，所述第三區設有第一導通體和多個第二導通體，所述第一導通體設於多個間隔設置的多個所述第二導通體之間，所述第一區彎折，使得所述第二區對應所述第三區，所述第一導通體電性連接所述電子元件，多個所述第二導通體一一連接多個所述第一連接墊；<br/> 填充體，所述填充體設於所述第二區和所述第三區之間；<br/> 第一電連接體以及第二電連接體，第一電連接體設於多個所述第一連接墊，所述第二電連接體設於所述第一導通體設置與所述第二導通體，所述第二導通體與所述第二電連接體的高度之和大於所述第一連接墊與所述第一電連接體的高度之和。
如請求項6所述的電路板組件，其中，還包括導熱膠，所述導熱膠連接於所述電子元件背離所述第一導通體的一側和所述第二區之間。
如請求項6所述的電路板組件，其中，所述第一導通體和所述電子元件之間藉由導電膠或者焊料連接，所述第二導通體和所述第一連接墊之間藉由導電膠或者焊料連接。
如請求項6所述的電路板組件，其中，還包括覆蓋層，所述覆蓋層設置於所述彎折電路板的外表面。
一種化合物或其鹽類，該化合物係以通式(I)表示： <br/>[化1] <br/><img align="absmiddle" height="168px" width="145px" file="ed10076.jpg" alt="ed10076.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>{式中， <br/>R<sup>1</sup>表示 <br/>(a1)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基； <br/>(a2)鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基；或 <br/>(a3)N(R<sup>2a</sup>)R<sup>2b</sup>基 <br/>(式中，R<sup>2a</sup>及R<sup>2b</sup>表示 <br/>(b1)氫原子、 <br/>(b2)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基、 <br/>(b3)(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>)烯基、 <br/>(b4)(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>)炔基、 <br/>(b5)(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>)環烷基、 <br/>(b6)鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基、 <br/>(b7)(C<sub>1</sub>-C<sub>7</sub>)烷基羰基、<sub> </sub><br/>(b8)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基羰基、 <br/>(b9)鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>7</sub>)烷基羰基、或 <br/>(b10)鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基羰基， <br/>R<sup>2a</sup>及R<sup>2b</sup>可相同或不同)； <br/>(a1)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基表示選自甲基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、正戊基、異戊基、三級戊基、新戊基、2,3-二甲基丙基、1-乙基丙基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、正己基、異己基、2-己基、3-己基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、1,1,2-三甲基丙基及3,3-二甲基丁基之基； <br/>Het表示式(Het-1)或式(Het-2)： <br/>[化2] <br/><img align="absmiddle" height="160px" width="279px" file="ed10077.jpg" alt="ed10077.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式中， <br/>R<sup>3</sup>表示 <br/>(c1)鹵素原子； <br/>(c2)氰原子； <br/>(c3)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基； <br/>(c4)(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>)烯基； <br/>(c5)(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>)炔基； <br/>(c6)(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>)環烷基； <br/>(c7)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(c8)鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基； <br/>(c9)鹵代(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>)烯基； <br/>(c10)鹵代(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>)炔基； <br/>(c11)鹵代(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>)環烷基； <br/>(c12)鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(c13)具有分別獨立地選自取代基群S中之1至3個取代基的經取代之(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基； <br/>(c14)具有分別獨立地選自取代基群T中之1至3個取代基的經取代之(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>)環烷基； <br/>(c15)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基硫基； <br/>(c16)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基亞磺醯基； <br/>(c17)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基磺醯基； <br/>(c18)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基羰基； <br/>(c19)呋喃基； <br/>(c20)環上具有分別獨立地選自取代基群U中之1至3個取代基的經取代之呋喃基； <br/>(c21)㗁唑基； <br/>(c22)環上具有分別獨立地選自取代基群U中之1至3個取代基的經取代之㗁唑基； <br/>(c23)噻吩基； <br/>(c24)環上具有分別獨立地選自取代基群U中之1至3個取代基的經取代之噻吩基； <br/>(c25)噻唑基； <br/>(c26)環上具有分別獨立地選自取代基群U中之1至2個取代基的經取代之噻唑基； <br/>(c27)萘基； <br/>(c28)環上具有分別獨立地選自取代基群U中之1至7個取代基的經取代之萘基； <br/>(c29)苯基； <br/>(c30)環上具有分別獨立地選自取代基群U中之1至5個取代基的經取代之苯基； <br/>(c31)吡啶基； <br/>(c32)環上具有分別獨立地選自取代基群U中之1至4個取代基的經取代之吡啶基； <br/>(c33)嗒𠯤基； <br/>(c34)環上具有分別獨立地選自取代基群U中之1至3個取代基的經取代之嗒𠯤基； <br/>(c35)嘧啶基； <br/>(c36)環上具有分別獨立地選自取代基群U中之1至3個取代基的經取代之嘧啶基； <br/>(c37)吡𠯤基； <br/>(c38)環上具有分別獨立地選自取代基群U中之1至3個取代基的經取代之吡𠯤基； <br/>(c39)苯基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基；或 <br/>(c40)環上具有分別獨立地選自取代基群U中之1至5個取代基的經取代之苯基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基； <br/>Y表示氮原子或CR<sup>4</sup>(式中，R<sup>4</sup>表示氫原子、鹵素原子或(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基)； <br/>R<sup>5a</sup>表示 <br/>(d1)氫原子； <br/>(d2)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基；或 <br/>(d3)鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基； <br/>R<sup>5b</sup>表示 <br/>(e1)氫原子； <br/>(e2)鹵素原子； <br/>(e3)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基；或 <br/>(e4)鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基； <br/>取代基群S包含 <br/>(f1)氰基； <br/>(f2)(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>)環烷基； <br/>(f3)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(f4)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基硫基； <br/>(f5)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基亞磺醯基； <br/>(f6)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基磺醯基； <br/>(f7)鹵代(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>)環烷基； <br/>(f8)鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(f9)鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基硫基； <br/>(f10)鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基亞磺醯基；及 <br/>(f11)鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基磺醯基； <br/>取代基群T包含 <br/>(g1)氰基； <br/>(g2)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基； <br/>(g3)(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>)環烷基； <br/>(g4)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(g5)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基硫基； <br/>(g6)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基亞磺醯基； <br/>(g7)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基磺醯基； <br/>(g8)鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基； <br/>(g9)鹵代(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>)環烷基； <br/>(g10)鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(g11)鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基硫基； <br/>(g12)鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基亞磺醯基； <br/>(g13)鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基磺醯基；及 <br/>(g14)苯基； <br/>取代基群U包含 <br/>(h1)鹵素原子； <br/>(h2)氰基； <br/>(h3)硝基； <br/>(h4)胺基； <br/>(h5)羥基； <br/>(h6)羥基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基； <br/>(h7)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基； <br/>(h8)(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>)烯基； <br/>(h9)(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>)炔基； <br/>(h10)(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>)環烷基； <br/>(h11)鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基； <br/>(h12)鹵代(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>)烯基； <br/>(h13)鹵代(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>)炔基； <br/>(h14)鹵代(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>)環烷基； <br/>(h15)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(h16)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基硫基； <br/>(h17)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基亞磺醯基； <br/>(h18)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基磺醯基； <br/>(h19)鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(h20)鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基硫基； <br/>(h21)鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基亞磺醯基； <br/>(h22)鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基磺醯基； <br/>(h23)N-((C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基羰基)胺基；及 <br/>(h24)N-((C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基磺醯基)胺基； <br/>●表示鍵結部位) <br/>A表示 <br/>(i1)㗁唑啉基； <br/>(i2)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至4個取代基的經取代之㗁唑啉基； <br/>(i3)咪唑啉基； <br/>(i4)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至4個取代基的經取代之咪唑啉基； <br/>(i5)咪唑啶酮基； <br/>(i6)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至4個取代基的經取代之咪唑啶酮基； <br/>(i7)三唑啉酮基； <br/>(i8)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至2個取代基的經取代之三唑啉酮基； <br/>(i9)吡唑啉酮基； <br/>(i10)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至3個取代基的經取代之吡唑啉酮基； <br/>(i11)吡唑基； <br/>(i12)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至3個取代基的經取代之吡唑基； <br/>(i13)三唑基； <br/>(i14)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至2個取代基的經取代之三唑基； <br/>(i15)四唑基； <br/>(i16)環上具有選自取代基群V中之1個取代基的經取代之四唑基； <br/>(i17)咪唑基； <br/>(i18)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至3個取代基的經取代之咪唑基； <br/>(i19)吡咯基； <br/>(i20)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至4個取代基的經取代之吡咯基； <br/>(i21)噻唑基； <br/>(i22)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至2個取代基的經取代之噻唑基； <br/>(i23)㗁唑基； <br/>(i24)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至2個取代基的經取代之㗁唑基； <br/>(i25)四氫呋喃基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(i26)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至4個取代基的經取代之四氫呋喃基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(i27)二氧雜環戊基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(i28)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至4個取代基的經取代之二氧雜環戊基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(i29)異㗁唑啉基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(i30)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至4個取代基的經取代之異㗁唑啉基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(i31)吡唑基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(i32)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至3個取代基的經取代之吡唑基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(i33)三唑基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(i34)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至2個取代基的經取代之三唑基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(i35)四唑基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(i36)環上具有選自取代基群V中之1個取代基的經取代之四唑基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(i37)咪唑基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(i38)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至3個取代基的經取代之咪唑基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(i39)吡咯基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(i40)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至4個取代基的經取代之吡咯基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(i41)噻唑基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(i42)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至2個取代基的經取代之噻唑基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(i43)㗁唑基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基；或 <br/>(i44)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至2個取代基的經取代之㗁唑基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>取代基群V包含 <br/>(j1)鹵素原子； <br/>(j2)氰基； <br/>(j3)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基； <br/>(j4)(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>)烯基； <br/>(j5)(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>)炔基； <br/>(j6)(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>)環烷基； <br/>(j7)鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基； <br/>(j8)鹵代(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>)烯基； <br/>(j9)鹵代(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>)炔基； <br/>(j10)鹵代(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>)環烷基； <br/>(j11)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(j12)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基硫基； <br/>(j13)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基亞磺醯基； <br/>(j14)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基磺醯基； <br/>(j15)鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(j16)鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基硫基； <br/>(j17)鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基亞磺醯基； <br/>(j18)鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基磺醯基； <br/>(j19)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基； <br/>(j20)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基硫基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基； <br/>(j21)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基羰基； <br/>(j22)苯基； <br/>(j23)環上具有分別獨立地選自由鹵素原子、(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基及鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基所組成之群中之1至5個取代基的經取代之苯基； <br/>(j24)噻吩基；及 <br/>(j25)環上具有分別獨立地選自由鹵素原子、(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基及鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基所組成之群中之1至3個取代基的經取代之噻吩基}。
如請求項1之化合物或其鹽類，其中R<sup>1</sup>為 <br/>(a1)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基；或 <br/>(a3')N(R<sup>2a</sup>)R<sup>2b</sup>基 <br/>(式中，R<sup>2a</sup>及R<sup>2b</sup>表示 <br/>(b1)氫原子、 <br/>(b2)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基、 <br/>(b5)(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>)環烷基、 <br/>(b6)鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基、 <br/>(b7)(C<sub>1</sub>-C<sub>7</sub>)烷基羰基、或<sub> </sub><br/>(b8)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基羰基， <br/>R<sup>2a</sup>及R<sup>2b</sup>可相同或不同)， <br/>(a1)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基係選自甲基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、正戊基、異戊基、三級戊基、新戊基、2,3-二甲基丙基、1-乙基丙基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、正己基、異己基、2-己基、3-己基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、1,1,2-三甲基丙基及3,3-二甲基丁基之基， <br/>Het為式(Het-1)或式(Het-2)， <br/>R<sup>3</sup>為 <br/>(c1)鹵素原子； <br/>(c3)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基； <br/>(c4)(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>)烯基； <br/>(c6)(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>)環烷基； <br/>(c7)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(c8)鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基； <br/>(c9)鹵代(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>)烯基； <br/>(c11)鹵代(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>)環烷基； <br/>(c13)具有分別獨立地選自取代基群S中之1至3個取代基的經取代之(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基； <br/>(c14)具有分別獨立地選自取代基群T中之1至3個取代基的經取代之(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>)環烷基； <br/>(c15)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基硫基； <br/>(c16)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基亞磺醯基； <br/>(c17)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基磺醯基； <br/>(c18)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基羰基； <br/>(c19)呋喃基； <br/>(c20)環上具有分別獨立地選自取代基群U中之1至3個取代基的經取代之呋喃基； <br/>(c23)噻吩基； <br/>(c24)環上具有分別獨立地選自取代基群U中之1至3個取代基的經取代之噻吩基； <br/>(c25)噻唑基； <br/>(c26)環上具有分別獨立地選自取代基群U中之1至2個取代基的經取代之噻唑基； <br/>(c27)萘基； <br/>(c28)環上具有分別獨立地選自取代基群U中之1至7個取代基的經取代之萘基； <br/>(c29)苯基； <br/>(c30)環上具有分別獨立地選自取代基群U中之1至5個取代基的經取代之苯基； <br/>(c31)吡啶基； <br/>(c32)環上具有分別獨立地選自取代基群U中之1至4個取代基的經取代之吡啶基； <br/>(c39)苯基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基；或 <br/>(c40)環上具有分別獨立地選自取代基群U中之1至5個取代基的經取代之苯基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基， <br/>Y為氮原子或CR<sup>4</sup>(式中，R<sup>4</sup>表示氫原子)， <br/>R<sup>5a</sup>為 <br/>(d1)氫原子；或 <br/>(d2)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基， <br/>R<sup>5b</sup>為 <br/>(e1)氫原子；或 <br/>(e3)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基， <br/>取代基群S包含 <br/>(f1)氰基； <br/>(f2)(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>)環烷基； <br/>(f3)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(f4)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基硫基； <br/>(f5)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基亞磺醯基；及 <br/>(f6)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基磺醯基， <br/>取代基群T包含 <br/>(g1)氰基； <br/>(g2)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基； <br/>(g8)鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基；及 <br/>(g14)苯基， <br/>取代基群U包含 <br/>(h1)鹵素原子； <br/>(h2)氰基； <br/>(h5)羥基； <br/>(h6)羥基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基； <br/>(h7)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基； <br/>(h10)(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>)環烷基； <br/>(h11)鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基； <br/>(h14)鹵代(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>)環烷基； <br/>(h15)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(h16)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基硫基； <br/>(h17)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基亞磺醯基； <br/>(h18)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基磺醯基； <br/>(h19)鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(h20)鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基硫基； <br/>(h21)鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基亞磺醯基； <br/>(h22)鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基磺醯基；及 <br/>(h23)N-((C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基羰基)胺基， <br/>A為 <br/>(i1)㗁唑啉基； <br/>(i2)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至4個取代基的經取代之㗁唑啉基； <br/>(i3)咪唑啉基； <br/>(i4)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至4個取代基的經取代之咪唑啉基； <br/>(i5)咪唑啶酮基； <br/>(i6)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至4個取代基的經取代之咪唑啶酮基； <br/>(i7)三唑啉酮基； <br/>(i8)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至2個取代基的經取代之三唑啉酮基； <br/>(i9)吡唑啉酮基； <br/>(i10)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至3個取代基的經取代之吡唑啉酮基； <br/>(i11)吡唑基； <br/>(i12)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至3個取代基的經取代之吡唑基； <br/>(i13)三唑基； <br/>(i14)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至2個取代基的經取代之三唑基； <br/>(i21)噻唑基； <br/>(i22)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至2個取代基的經取代之噻唑基； <br/>(i23)㗁唑基； <br/>(i24)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至2個取代基的經取代之㗁唑基； <br/>(i25)四氫呋喃基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(i26)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至4個取代基的經取代之四氫呋喃基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(i27)二氧雜環戊基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(i28)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至4個取代基的經取代之二氧雜環戊基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(i29)異㗁唑啉基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(i30)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至4個取代基的經取代之異㗁唑啉基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(i31)吡唑基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(i32)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至3個取代基的經取代之吡唑基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(i33)三唑基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(i34)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至2個取代基的經取代之三唑基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(i41)噻唑基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(i42)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至2個取代基的經取代之噻唑基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(i43)㗁唑基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基；或 <br/>(i44)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至2個取代基的經取代之㗁唑基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基， <br/>取代基群V包含 <br/>(j1)鹵素原子； <br/>(j2)氰基； <br/>(j3)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基； <br/>(j4)(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>)烯基； <br/>(j6)(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>)環烷基； <br/>(j7)鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基； <br/>(j8)鹵代(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>)烯基； <br/>(j10)鹵代(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>)環烷基； <br/>(j11)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(j12)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基硫基； <br/>(j13)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基亞磺醯基； <br/>(j14)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基磺醯基； <br/>(j15)鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(j16)鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基硫基； <br/>(j20)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基硫基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基； <br/>(j21)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基羰基； <br/>(j22)苯基； <br/>(j23)環上具有分別獨立地選自由鹵素原子、(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基及鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基所組成之群中之1至5個取代基的經取代之苯基； <br/>(j24)噻吩基；及 <br/>(j25)環上具有分別獨立地選自由鹵素原子、(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基及鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基所組成之群中之1至3個取代基的經取代之噻吩基。
如請求項1之化合物或其鹽類，其中R<sup>1</sup>為 <br/>(a1)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基；或 <br/>(a3'')N(R<sup>2a</sup>)R<sup>2b</sup>基 <br/>(式中，R<sup>2a</sup>及R<sup>2b</sup>表示 <br/>(b1)氫原子、 <br/>(b2)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基、 <br/>(b7)(C<sub>1</sub>-C<sub>7</sub>)烷基羰基、或<sub> </sub><br/>(b8)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基羰基， <br/>R<sup>2a</sup>及R<sup>2b</sup>可相同或不同)， <br/>(a1)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基係選自甲基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、正戊基、異戊基、三級戊基、新戊基、2,3-二甲基丙基、1-乙基丙基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、正己基、異己基、2-己基、3-己基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、1,1,2-三甲基丙基及3,3-二甲基丁基之基， <br/>Het為式(Het-1)或式(Het-2)， <br/>R<sup>3</sup>為 <br/>(c1)鹵素原子； <br/>(c3)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基； <br/>(c4)(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>)烯基； <br/>(c6)(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>)環烷基； <br/>(c8)鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基； <br/>(c13)具有分別獨立地選自取代基群S中之1至3個取代基的經取代之(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基； <br/>(c14)具有分別獨立地選自取代基群T中之1至3個取代基的經取代之(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>)環烷基； <br/>(c18)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基羰基； <br/>(c19)呋喃基； <br/>(c23)噻吩基； <br/>(c25)噻唑基； <br/>(c26)環上具有分別獨立地選自取代基群U中之1至2個取代基的經取代之噻唑基； <br/>(c27)萘基； <br/>(c29)苯基； <br/>(c30)環上具有分別獨立地選自取代基群U中之1至5個取代基的經取代之苯基； <br/>(c31)吡啶基； <br/>(c32)環上具有分別獨立地選自取代基群U中之1至4個取代基的經取代之吡啶基；或 <br/>(c40)環上具有分別獨立地選自取代基群U中之1至5個取代基的經取代之苯基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基， <br/>Y為氮原子或CR<sup>4</sup>(式中，R<sup>4</sup>表示氫原子)， <br/>R<sup>5a</sup>為 <br/>(d2)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基， <br/>R<sup>5b</sup>為 <br/>(e1)氫原子；或 <br/>(e3)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基， <br/>取代基群S為 <br/>(f3)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基， <br/>取代基群T為 <br/>(g14)苯基， <br/>取代基群U包含 <br/>(h1)鹵素原子； <br/>(h5)羥基； <br/>(h6)羥基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基； <br/>(h7)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基； <br/>(h11)鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基；及 <br/>(h15)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基， <br/>A為 <br/>(i2)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至4個取代基的經取代之㗁唑啉基； <br/>(i4)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至4個取代基的經取代之咪唑啉基； <br/>(i6)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至4個取代基的經取代之咪唑啶酮基； <br/>(i8)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至2個取代基的經取代之三唑啉酮基； <br/>(i10)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至3個取代基的經取代之吡唑啉酮基； <br/>(i11)吡唑基； <br/>(i12)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至3個取代基的經取代之吡唑基； <br/>(i13)三唑基； <br/>(i14)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至2個取代基的經取代之三唑基； <br/>(i22)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至2個取代基的經取代之噻唑基； <br/>(i26)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至4個取代基的經取代之四氫呋喃基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(i28)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至4個取代基的經取代之二氧雜環戊基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(i30)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至4個取代基的經取代之異㗁唑啉基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(i31)吡唑基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(i32)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至3個取代基的經取代之吡唑基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(i34)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至2個取代基的經取代之三唑基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基；或 <br/>(i42)環上具有分別獨立地選自取代基群V中之1至2個取代基的經取代之噻唑基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基， <br/>取代基群V包含 <br/>(j1)鹵素原子； <br/>(j3)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基； <br/>(j4)(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>)烯基； <br/>(j6)(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>)環烷基； <br/>(j7)鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基； <br/>(j11)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基； <br/>(j12)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基硫基； <br/>(j20)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基硫基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基； <br/>(j21)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基羰基； <br/>(j23')環上具有獨立地選自鹵素原子中之1至5個取代基的經取代之苯基；及 <br/>(j24)噻吩基。
一種農園藝用除草劑，其特徵在於含有如請求項1至3中任一項之化合物或其鹽類作為有效成分。
一種農園藝用除草劑之使用方法，其特徵在於以如請求項4之農園藝用除草劑之有效量對雜草、土壤、水田或栽培載體進行處理。
一種雜草之防治方法，其特徵在於以如請求項4之農園藝用除草劑之有效量對雜草、土壤、水田或栽培載體進行處理。
一種加解密裝置，包括：<br/> 記憶體陣列，包括記憶體區塊，其中所述記憶體區塊包括具有第一位元線的第一記憶胞串以及具有第二位元線的第二記憶胞串，所述第一記憶胞串及所述第二記憶胞串包括多個記憶胞，且所述記憶胞被區分為多個記憶體區域；<br/> 資料感測電路，其中所述資料感測電路耦接所述第一記憶胞串及所述第二記憶胞串；<br/> 位元線電壓供應器，耦接至所述第一位元線及所述第二位元線；以及<br/> 記憶體控制器，耦接所述記憶體區塊，<br/> 其中所述記憶體控制器經配置以：<br/> 獲得編解碼金鑰，其中，預設記憶體區域的第一記憶體子區域中的記憶胞根據所述編解碼金鑰而被設定，所述第一記憶體子區域中的所述記憶胞位於所述第一記憶胞串當中，所述多個記憶體區域的第二記憶體子區域中的記憶胞根據補數編解碼金鑰而被編程，所述第二記憶體子區域中的所述記憶胞位於所述第二記憶胞串當中；<br/> 獲得輸入資料；<br/> 通過所述位元線電壓供應器，根據所述輸入資料產生所述第一位元線及所述第二位元線的位元線電壓，其中所述第一位元線的所述位元線電壓不同於所述第二位元線的所述位元線電壓；<br/> 對所述第一記憶體子區域以及所述第二記憶體子區域中的記憶胞進行偏壓；以及<br/> 根據所述資料感測電路以從所述第一記憶胞串及所述第二記憶胞串獲得輸出資料。
如請求項1所述的加解密裝置，其中，通過所述位元線電壓供應器，根據所述輸入資料產生所述第一位元線及所述第二位元線的所述位元線電壓的步驟包括：<br/> 當所述輸入資料的對應位元值是第一值時，向所述第一位元線施加第一預設電壓，並且向所述第二位元線施加第二預設電壓；以及<br/> 當所述輸入資料的對應位元值是第二值時，向所述第一位元線施加所述第二預設電壓，並且向所述第二位元線施加所述第一預設電壓。
如請求項1所述的加解密裝置，其中，所述第一記憶體子區域以及所述第二記憶體子區域皆位於所述預設記憶體區域中，<br/> 其中，通過所述記憶體控制器以對所述第一記憶體子區域以及所述第二記憶體子區域中的所述記憶胞進行偏壓的步驟包括：<br/> 施加讀取偏壓至所述預設記憶體區域的字元線；<br/> 施加通過電壓至所述記憶體區塊中除了所述預設記憶體區域的所述字元線以外的其他字元線；以及<br/> 施加所述通過電壓至所述記憶體區塊的串選擇線以及地選擇線。
如請求項1所述的加解密裝置，其中，通過所述記憶體控制器以獲得所述輸入資料的步驟包括：<br/> 對所述記憶體區塊的特定區域進行物理不可複製功能（PUF）處理操作，以在所述記憶體區域中產生PUF資料，所述PUF資料用以產生所述編解碼金鑰。
如請求項4所述的加解密裝置，其中，所述PUF處理操作是閘極誘導汲極漏電流（GIDL）擦除操作、程式化干涉（interference）操作、程式化干擾（disturbance）操作、讀取干涉操作、讀取干擾操作、程式化延遲操作以及擦除延遲操作的其中一者。
如請求項1所述的加解密裝置，其中，獲得所述編解碼金鑰的步驟包括：<br/> 根據金鑰產生裝置而產生所述編解碼金鑰；以及<br/> 將所述編解碼金鑰從所述金鑰產生裝置傳送到所述加解密裝置。
如請求項1所述的加解密裝置，其中，所述輸出資料是將所述編解碼金鑰與所述輸入資料進行XOR運算或XNOR運算的結果。
如請求項1所述的加解密裝置，其中所述記憶體區域是所述記憶體區塊的多頁中的一頁或所述頁的一部分，且所述頁中的所述記憶胞耦接至同一字元線，<br/> 其中所述第一記憶體子區域是所述預設記憶體區域中奇數個位元的集合，所述第二記憶體子區域是所述預設記憶體區域中偶數個位元的集合。
如請求項1所述的加解密裝置，其中所述資料感測電路包括：<br/> 電流感測放大器，同時耦合到所述第一記憶胞串和所述第二記憶胞串，<br/> 其中所述電流感測放大器用以比較參考電流以及流經所述第一記憶胞串的第一電流與流經所述第二記憶胞串的第二電流的總和，以獲得所述輸出資料。
如請求項1所述的加解密裝置，其中所述資料感測電路包括：<br/> 第一電流感測放大器，耦接所述第一記憶胞串，其中所述第一電流感測放大器比較第一參考電流和流經所述第一記憶胞串的第一電流以獲得第一結果；<br/> 第二電流感測放大器，耦接所述第二記憶胞串，其中所述第二電流感測放大器比較第二參考電流和流經所述第二記憶胞串的第二電流以獲得第二結果；以及<br/> 邏輯電路，包括或（OR）閘，其中所述或閘的第一輸入端接收所述第一結果，所述或閘的所述第二輸入端接收所述第二結果，以及，所述或閘的輸出節點產生所述輸出資料。
一種處理資料的方法，包括：<br/> 提供記憶體區塊，其中所述記憶體區塊包括具有第一位元線的第一記憶胞串以及具有第二位元線的第二記憶胞串，所述第一記憶胞串及所述第二記憶胞串包括多個記憶胞，且所述記憶胞被區分為多個記憶體區域；<br/> 獲得編解碼金鑰，其中，預設記憶體區域的第一記憶體子區域中的記憶胞根據所述編解碼金鑰而被設定，所述第一記憶體子區域中的所述記憶胞位於所述第一記憶胞串當中，所述多個記憶體區域的第二記憶體子區域中的記憶胞根據補數編解碼金鑰而被編程，所述第二記憶體子區域中的所述記憶胞位於所述第二記憶胞串當中；<br/> 獲得輸入資料；<br/> 通過位元線電壓供應器，根據所述輸入資料產生所述第一位元線及所述第二位元線的位元線電壓，其中所述第一位元線的所述位元線電壓不同於所述第二位元線的所述位元線電壓；<br/> 對所述第一記憶體子區域以及所述第二記憶體子區域中的記憶胞進行偏壓；以及<br/> 根據資料感測電路以從所述第一記憶胞串及所述第二記憶胞串獲得輸出資料，其中所述資料感測電路耦接所述第一記憶胞串以及所述第二記憶胞串。
如請求項11所述的方法，其中，通過所述位元線電壓供應器，根據所述輸入資料產生所述第一位元線及所述第二位元線的所述位元線電壓的步驟包括：<br/> 當所述輸入資料的對應位元值是第一值時，向所述第一位元線施加第一預設電壓，並且向所述第二位元線施加第二預設電壓；以及<br/> 當所述輸入資料的對應位元值是第二值時，向所述第一位元線施加所述第二預設電壓，並且向所述第二位元線施加所述第一預設電壓。
如請求項11所述的方法，其中，所述第一記憶體子區域以及所述第二記憶體子區域皆位於所述預設記憶體區域中，<br/> 其中，對所述第一記憶體子區域以及所述第二記憶體子區域中的所述記憶胞進行偏壓的步驟包括：<br/> 施加讀取偏壓至所述預設記憶體區域的字元線；<br/> 施加通過電壓至所述記憶體區塊中除了所述預設記憶體區域的所述字元線以外的其他字元線；以及<br/> 施加所述通過電壓至所述記憶體區塊的串選擇線以及地選擇線。
一種加解密裝置，包括：<br/> 記憶體陣列，包括記憶體區塊，其中所述記憶體區塊包括第一記憶體子區塊以及第二記憶體子區塊，所述第一記憶體子區塊包括多個第一記憶胞串且所述第二記憶體子區塊包括多個第二記憶胞串，所述第一記憶胞串的其中一者以及所述第二記憶胞串的其中一者相連接且共享多個位元線的其中一者，所述第一記憶胞串及所述第二記憶胞串包括多個記憶胞，且所述記憶胞被區分為多個記憶體區域；<br/> 多個電流感測放大器，分別耦接所述位元線；以及<br/> 記憶體控制器，耦接所述記憶體陣列，<br/> 其中所述記憶體控制器經配置以：<br/> 獲得編解碼金鑰，其中，所述第一記憶體子區塊的第一記憶體區域中的記憶胞根據所述編解碼金鑰而被設定，所述第一記憶體區域中的所述記憶胞位於所述第一記憶胞串當中，所述第二記憶體子區塊的第二記憶體區域中的記憶胞根據補數編解碼金鑰而被編程，所述第二記憶體區域中的所述記憶胞位於所述第二記憶胞串當中；<br/> 獲得輸入資料，其中所述第一記憶體子區塊的第三記憶體區域中的記憶胞根據所述輸入資料而被編程，所述第三記憶體區域中的所述記憶胞位於所述第一記憶胞串當中，所述第二記憶體子區塊的第四記憶體區域中的記憶胞根據補數輸入資料而被編程，所述第四記憶體區域中的所述記憶胞位於所述第二記憶胞串當中；<br/> 對所述第一記憶體子區塊的所述第一記憶體區域中的所述記憶胞以及所述第三記憶體區域中的所述記憶胞進行偏壓，且同時對所述第二記憶體子區塊的所述第二記憶體區域中的所述記憶胞以及所述第四記憶體區域中的所述記憶胞進行偏壓；以及<br/> 根據所述電流感測放大器以從所述第一記憶胞串及所述第二記憶胞串獲得輸出資料。
如請求項14所述的加解密裝置，其中，對所述第一記憶體子區塊的所述第一記憶體區域中的所述記憶胞以及所述第三記憶體區域中的所述記憶胞進行偏壓，且同時所述第二記憶體子區塊的所述第二記憶體區域中的所述記憶胞以及所述第四記憶體區域中的所述記憶胞進行偏壓的步驟包括：<br/> 施加預設位元線電壓至所述位元線；<br/> 施加讀取電壓至所述第一記憶體子區塊的所述第一記憶體區域的第一字元線、所述第二記憶體子區塊的所述第二記憶體區域的第二字元線、所述第一記憶體子區塊的所述第三記憶體區域的第三字元線以及所述第二記憶體子區塊的所述第四記憶體區域的第四字元線；<br/> 施加通過電壓至所述第一記憶體子區塊與所述第二記憶體子區塊中除了所述第一字元線至所述第四字元線以外的其他字元線；以及<br/> 施加所述通過電壓至所述第一記憶體子區塊與所述第二記憶體子區塊的串選擇線以及地選擇線。
如請求項14所述的加解密裝置，其中，通過所述記憶體控制器以獲得所述輸入資料的步驟包括：<br/> 對所述記憶體區塊的特定區域進行物理不可複製功能（PUF）處理操作，以在所述記憶體區域中產生PUF資料，所述PUF資料用以產生所述編解碼金鑰。
如請求項16所述的加解密裝置，其中所述PUF處理操作是閘極誘導汲極漏電流（GIDL）擦除操作、程式化干涉（interference）操作、程式化干擾（disturbance）操作、讀取干涉操作、讀取干擾操作、程式化延遲操作以及擦除延遲操作的其中一者。
如請求項14所述的加解密裝置，其中，獲得所述編解碼金鑰的步驟包括：<br/> 根據金鑰產生裝置而產生所述編解碼金鑰；以及<br/> 將所述編解碼金鑰從所述金鑰產生裝置傳送到所述加解密裝置。
如請求項14所述的加解密裝置，其中，所述輸出資料是所述編解碼金鑰與所述輸入資料之間的XOR運算或XNOR運算的結果。
如請求項14所述的加解密裝置，其中所述記憶體區域的每個是所述記憶體區塊的多頁中的一頁或所述頁的一部分，且所述頁中的所述記憶胞耦接至同一字元線，並且，<br/> 所述補數編解碼金鑰以及所述編解碼金鑰是以互補方式被儲存，所述補數輸入資料以及所述輸入資料是以互補方式被儲存。
如請求項14所述的加解密裝置，其中所述第一記憶體子區塊與所述第二記憶體子區塊相鄰，<br/> 其中所述第一記憶體區域與所述第三記憶體區域相鄰，所述第二記憶體與所述第四記憶體區域相鄰。
一種處理資料的方法，包括：<br/> 提供記憶體區塊，其中所述記憶體區塊包括第一記憶體子區塊以及第二記憶體子區塊，所述第一記憶體子區塊包括多個第一記憶胞串且所述第二記憶體子區塊包括多個第二記憶胞串，所述第一記憶胞串的其中一者以及所述第二記憶胞串的其中一者相連接且共享多個位元線的其中一者，所述第一記憶胞串及所述第二記憶胞串包括多個記憶胞，且所述記憶胞被區分為多個記憶體區域；<br/> 獲得編解碼金鑰，其中，所述第一記憶體子區塊的第一記憶體區域中的記憶胞根據所述編解碼金鑰而被設定，所述第一記憶體區域中的所述記憶胞位於所述第一記憶胞串當中，所述第二記憶體子區塊的第二記憶體區域中的記憶胞根據補數編解碼金鑰而被編程，所述第二記憶體區域中的所述記憶胞位於所述第二記憶胞串當中；<br/> 獲得輸入資料，其中所述第一記憶體子區塊的第三記憶體區域中的記憶胞根據所述輸入資料而被編程，所述第三記憶體區域中的所述記憶胞位於所述第一記憶胞串當中，所述第二記憶體子區塊的第四記憶體區域中的記憶胞根據補數輸入資料而被編程，所述第四記憶體區域中的所述記憶胞位於所述第二記憶胞串當中；<br/> 對所述第一記憶體子區塊的所述第一記憶體區域中的所述記憶胞以及所述第三記憶體區域中的所述記憶胞進行偏壓，且同時對所述第二記憶體子區塊的所述第二記憶體區域中的所述記憶胞以及所述第四記憶體區域中的所述記憶胞進行偏壓；以及<br/> 根據所述電流感測放大器以從所述第一記憶胞串及所述第二記憶胞串獲得輸出資料，其中所述電流感測放大器分別地耦接所述位元線。
如請求項22所述的方法，其中，對所述第一記憶體子區塊的所述第一記憶體區域中的所述記憶胞以及所述第三記憶體區域中的所述記憶胞進行偏壓，且同時所述第二記憶體子區塊的所述第二記憶體區域中的所述記憶胞以及所述第四記憶體區域中的所述記憶胞進行偏壓的步驟包括：<br/> 施加預設位元線電壓至所述位元線；<br/> 施加讀取電壓至所述第一記憶體子區塊的所述第一記憶體區域的第一字元線、所述第二記憶體子區塊的所述第二記憶體區域的第二字元線、所述第一記憶體子區塊的所述第三記憶體區域的第三字元線以及所述第二記憶體子區塊的所述第四記憶體區域的第四字元線；<br/> 施加通過電壓至所述第一記憶體子區塊與所述第二記憶體子區塊中除了所述第一字元線至所述第四字元線以外的其他字元線；以及<br/> 施加所述通過電壓至所述第一記憶體子區塊與所述第二記憶體子區塊的串選擇線以及地選擇線。
如請求項22所述的方法，其中，獲得所述輸入資料的步驟包括：<br/> 對所述記憶體區塊的特定區域進行物理不可複製功能（PUF）處理操作，以在所述記憶體區域中產生PUF資料，所述PUF資料用以產生所述編解碼金鑰。
如請求項24所述的方法，其中所述PUF處理操作是閘極誘導汲極漏電流（GIDL）擦除操作、程式化干涉（interference）操作、程式化干擾（disturbance）操作、讀取干涉操作、讀取干擾操作、程式化延遲操作以及擦除延遲操作的其中一者。
如請求項22所述的方法，其中，獲得所述編解碼金鑰的步驟包括：<br/> 根據金鑰產生裝置而產生所述編解碼金鑰；以及<br/> 將所述編解碼金鑰從所述金鑰產生裝置傳送到所述加解密裝置。
如請求項22所述的方法，其中所述輸出資料是將所述編解碼金鑰與所述輸入資料進行XOR運算或XNOR運算的結果。
一種接著劑組合物，其特徵在於：至少含有環氧樹脂(A)、環氧樹脂硬化劑(B)及高分子成分(C)，且硬化後於下述條件下之儲存彈性模數為2000 MPa以下且損耗正切為0.03以上，該組合物彼此硬化後接合時於下述條件下之接合強度為10 MPa以上， <br/>[硬化後之儲存彈性模數及損耗正切係使接著劑組合物於180℃下熱硬化1小時，製成5 mm×17 mm×200 μm之膜狀接著劑片，於測定溫度範圍20～300℃、升溫速度5℃/min、及頻率1 Hz之條件下進行測定；此時對下述接合溫度下之測定值進行取樣] <br/>[接合溫度：25℃及200℃之任一溫度] <br/>[接合強度係設置2片附有厚度1.0 μm之膜狀接著劑之晶片，將兩者之膜狀接著劑抵接，於上述接合溫度下接合，將其於常溫下剝離時之強度，上述膜狀接著劑係將接著劑組合物於180℃下加熱1小時使其熱硬化而形成]。
如請求項1之接著劑組合物，其中用於上述接著劑組合物之環氧樹脂(A)之環氧當量為300 g/eq以上，上述環氧樹脂(A)之含量為環氧樹脂(A)、環氧樹脂硬化劑(B)、高分子成分(C)之總量之20質量%以上。
如請求項1之接著劑組合物，其中上述環氧樹脂(A)係由常溫下為液態之環氧樹脂與固態之環氧樹脂摻合而成，且於將高分子成分(C)設為100質量份時，上述液態之環氧樹脂之含量為100～250質量份，上述固態之環氧樹脂之含量為15～90質量份，上述固態之環氧樹脂與上述液態之環氧樹脂以質量比計處於1：10～6：10之範圍。
如請求項1之接著劑組合物，其中上述環氧樹脂硬化劑(B)為咪唑系硬化劑。
如請求項1之接著劑組合物，其中上述接合溫度於25℃及200℃之兩種溫度下，儲存彈性模數均為2000 MPa以下且損耗正切均為0.03以上。
一種膜狀接著劑，其係將如請求項1至5中任一項之接著劑組合物進行熱處理而形成者。
如請求項6之膜狀接著劑，其厚度為0.1～50 μm。
一種半導體封裝體之製造方法，其特徵在於：於表面形成有至少1個半導體電路之半導體晶圓上接著如請求項6之膜狀接著劑並使其熱硬化而設置接著劑層，經由該接著劑層接合半導體晶圓而積層，將該接著劑層原狀於常溫下進行壓接或進一步使其熱硬化並進行壓接而形成樹脂硬化體，藉由該樹脂硬化體進行接合而使半導體晶圓多層化。
如請求項8之半導體封裝體之製造方法，其包括如下步驟：使端子自上述接著劑層露出，且以接著劑層之表面與端子之表面成為同一平面之方式平坦化。
一種半導體封裝體，其包含藉由如請求項6之膜狀接著劑之樹脂硬化體進行接合而形成之半導體晶圓。
一種膜狀接著劑，其係將含有環氧樹脂(A)、環氧樹脂硬化劑(B)及高分子成分(C)之接著劑組合物進行熱處理而形成者，其於下述條件下之儲存彈性模數為2000 MPa以下且損耗正切為0.03以上，接合時於下述條件下之接合強度為10 MPa以上， <br/>[儲存彈性模數及損耗正切係製成5 mm×17 mm×200 μm之膜狀接著劑片，於測定溫度範圍20～300℃、升溫速度5℃/min、及頻率1 Hz之條件下進行測定；此時對下述接合溫度下之測定值進行取樣] <br/>[接合溫度：25℃及200℃之任一溫度] <br/>[接合強度係設置2片附有厚度1.0 μm之膜狀接著劑之晶片，將兩者之膜狀接著劑抵接，於上述接合溫度下接合，將其於常溫下剝離時之強度]。
一種資源確定方法，應用於中繼器NCR，該方法包括：<br/> 獲取波束指示資訊，該波束指示資訊用於指示該NCR的接取鏈路的波束相關資訊，該波束相關資訊包括時域資源；<br/> 確定該時域資源的符號的循環前綴（Cyclic Prefix，CP）配置；<br/> 基於該符號的CP配置或基於該波束指示資訊和該符號的CP配置，確定該時域資源的符號長度以及該時域資源上的波束索引。
如請求項1所述的資源確定方法，其中，該波束指示資訊具體用於指示以下一項或多項：<br/> 波束索引、時域資源、參考子載波間距、CP配置。
如請求項2所述的資源確定方法，其中，該波束指示資訊包括CP類型指示資訊；<br/> 該確定該時域資源的符號的CP配置，包括：<br/> 基於該CP類型指示資訊，確定該時域資源的符號的CP配置。
如請求項2所述的資源確定方法，其中，該確定該時域資源的符號的CP配置，包括：<br/> 在該參考子載波間距的取值為第一預設值的情況下，基於該波束指示資訊，確定該時域資源的符號的CP配置；<br/> 或者，<br/> 基於預設CP配置，確定該時域資源的符號的CP配置。
如請求項2所述的資源確定方法，其中，該確定該時域資源的符號的CP配置，包括：<br/> 在該波束指示資訊包括CP類型指示資訊的情況下，基於該CP類型指示資訊，確定該時域資源的符號的CP配置；<br/> 或者，<br/> 基於預設CP配置，確定該時域資源的符號的CP配置。
如請求項4或5所述的資源確定方法，其中，該預設CP配置為NCP。
如請求項2所述的資源確定方法，其中，該確定該時域資源的符號的CP配置，包括：<br/> 在該參考子載波間距的取值為第二預設值的情況下，確定該時域資源的符號的CP配置為NCP；或，<br/> 在該參考子載波間距的取值為第三預設值的情況下，確定該時域資源的符號的CP配置為ECP。
如請求項7所述的資源確定方法，其中，該第三預設值用於指示該參考子載波間距和該CP配置為ECP。
如請求項2所述的資源確定方法，其中，該確定該時域資源的符號的CP配置，包括：<br/> 在該波束索引的取值屬於第一取值範圍的情況下，確定該時域資源的符號的CP配置為NCP；或，<br/> 在該波束索引的取值屬於第二取值範圍的情況下，確定該時域資源的符號的CP配置為ECP。
如請求項2所述的資源確定方法，其中，該確定該時域資源的符號的CP配置，包括以下一項或多項：<br/> 基於協定預定義，確定該CP配置為NCP或ECP；<br/> 或者，<br/> 基於協定預定義，在該NCR支援的CP配置為NCP的情況下，確定該時域資源的符號的CP配置為NCP；<br/> 或者，<br/> 基於協定預定義，在該NCR不支持ECP對應的參考子載波間距的取值的情況下，確定該時域資源的符號的CP配置為NCP；<br/> 或者，<br/> 確定該CP配置與預設類型的下行控制通道的CP配置相同；<br/> 或者，<br/> 確定該CP配置與承載公共控制資訊的下行控制通道的CP配置相同；<br/> 或者，<br/> 確定該CP配置與NCR啟動的頻寬部分BWP的CP配置相同；<br/> 或者，<br/> 確定該CP配置與用於承載波束指示資訊的DCI的PDCCH所對應的CP配置相同；<br/> 或者，<br/> 確定該CP配置與承載啟動波束指示資訊的MAC CE的PDSCH所對應的CP配置相同。
如請求項2所述的資源確定方法，其中，該方法還包括：<br/> 基於該時域資源，確定波束切換的時域位置；<br/> 其中，該時域資源的長度為第一預設長度的整數倍。
如請求項11所述的資源確定方法，其中，該第一預設長度基於NCP對應的時間單元的長度和ECP對應的時間單元的長度的公倍數確定。
如請求項2所述的資源確定方法，其中，該方法還包括：<br/> 在確定第一波束的時域資源與第二波束的時域資源重疊的情況下，執行以下一項或多項：<br/> 基於第一波束的時域資源和/或該第一波束的方向，發送或接收該波束；<br/> 或者，<br/> 基於預設切換週期，進行波束切換；<br/> 或者，<br/> 基於該第一波束的時域資源的時間單元邊界，確定波束切換的時域位置；在該波束切換的時域位置，進行波束切換；<br/> 或者，<br/> 基於第一時間單元邊界，確定波束切換的時域位置；在該波束切換的時域位置，進行波束切換；其中，該第一時間單元邊界是波束切換前傳輸的波束的時域資源的時間單元邊界；<br/> 或者，<br/> 基於第二時間單元邊界，確定波束切換的時域位置；在該波束切換的時域位置，進行波束切換；其中，該第二時間單元邊界是波束切換後傳輸的波束的時域資源的時間單元邊界；<br/> 或者，<br/> 基於該第二波束的時域資源的時間單元邊界，確定波束切換的時域位置；在該波束切換的時域位置，進行波束切換；<br/> 其中，該波束指示資訊所指示的波束包括該第一波束和該第二波束，該第一波束的優先順序高於該第二波束的優先順序。
如請求項13所述的資源確定方法，其中，該預設切換週期基於NCP對應的時間單元的長度和ECP對應的時間單元的長度的公倍數確定。
如請求項2所述的資源確定方法，其中，該方法還包括：<br/> 在該CP配置為ECP的情況下，基於該時域資源所指示的起始時間單元和/或時域資源長度，配置ECP；<br/> 在該起始時間單元和/或時域資源長度超出該ECP的有效配置範圍的情況下，執行以下一項或多項：<br/> 忽略該波束指示資訊；<br/> 或者，<br/> 忽略該時域資源所指示的起始時間單元和/或時域資源長度，基於預設起始時間單元和/或預設時域資源長度，發送或接收該波束；<br/> 或者，<br/> 基於該時域資源所指示的起始時間單元和/或時域資源長度，獲取適用於ECP的起始時間單元和/或時域資源長度，基於該適用於ECP的起始時間單元和/或時域資源長度，發送或接收該波束。
如請求項15所述的資源確定方法，其中，該基於該時域資源所指示的起始時間單元和/或時域資源長度，獲取適用於ECP的起始時間單元和/或時域資源長度，包括以下一項或多項：<br/> 基於公式N'=[12N/14]，計算得到適用於ECP的起始時間單元N'，其中，N為該時域資源所指示的起始時間單元；<br/> 或者，<br/> 基於公式T'=[12T/14]，計算得到適用於ECP的起始時間單元T'，其中，T為該時域資源所指示的起始時間單元。
一種資源確定方法，應用於基地台，該方法包括：<br/> 發送波束指示資訊；<br/> 其中，該波束指示資訊用於指示NCR的接取鏈路的波束相關資訊，該波束相關資訊包括時域資源；該時域資源的符號的循環前綴（Cyclic Prefix，CP）配置或該波束指示資訊和該時域資源的符號的CP配置用於確定該時域資源的符號長度以及該時域資源上的波束索引。
如請求項17所述的資源確定方法，其中，該波束指示資訊具體用於指示以下一項或多項：<br/> 波束索引、時域資源、參考子載波間距、CP配置。
如請求項18所述的資源確定方法，其中，該波束指示資訊包括CP類型指示資訊；該CP類型指示資訊用於指示該時域資源的符號的CP配置。
如請求項18所述的資源確定方法，其中， <br/> 在該波束指示資訊所指示的參考子載波間距的取值為第一預設值的情況下，該時域資源的符號的CP配置通過該波束指示資訊指示；或者該時域資源的符號的CP配置基於預設CP配置指示。
如請求項18所述的資源確定方法，其中，在該波束指示資訊包括CP類型指示資訊的情況下，該時域資源的符號的CP配置通過該CP類型指示資訊指示；或者該時域資源的符號的CP配置基於預設CP配置指示。
如請求項20或21所述的資源確定方法，其中，該預設CP配置為NCP。
如請求項18所述的資源確定方法，其中，在該波束指示資訊所指示的參考子載波間距的取值為第二預設值的情況下，該時域資源的符號的CP配置為NCP；或，<br/> 在該波束指示資訊所指示的參考子載波間距的取值為第三預設值的情況下，該時域資源的符號的CP配置為ECP。
如請求項23所述的資源確定方法，其中，該第三預設值用於指示該參考子載波間距和該CP配置為ECP。
如請求項18所述的資源確定方法，其中，在該波束指示資訊所指示的波束索引的取值屬於第一取值範圍的情況下，該時域資源的符號的CP配置為NCP；或，<br/> 在該波束指示資訊所指示的波束索引的取值屬於第二取值範圍的情況下，該時域資源的符號的CP配置為ECP。
如請求項18所述的資源確定方法，其中，該CP配置由協定預定義為NCP或ECP；<br/> 或者，<br/> 在該NCR支援的CP配置為NCP的情況下，該時域資源的符號的CP配置由協定預定義為NCP；<br/> 或者，<br/> 在該NCR不支持ECP對應的參考子載波間距的取值的情況下，該時域資源的符號的CP配置由協定預定義為NCP；<br/> 或者，<br/> 該CP配置與預設類型的下行控制通道的CP配置相同；<br/> 或者，<br/> 該CP配置與承載公共控制資訊的下行控制通道的CP配置相同；<br/> 或者，<br/> 該CP配置與NCR啟動的頻寬部分BWP的CP配置相同；<br/> 或者，<br/> 該CP配置與用於承載波束指示資訊的DCI的PDCCH所對應的CP配置相同；<br/> 或者，<br/> 該CP配置與承載啟動波束指示資訊的MAC CE的PDSCH所對應的CP配置相同。
如請求項18所述的資源確定方法，其中，該時域資源的長度為第一預設長度的整數倍。
如請求項27所述的資源確定方法，其中，該第一預設長度基於NCP對應的時間單元的長度和ECP對應的時間單元的長度的公倍數確定。
一種NCR，包括記憶體，收發機，處理器：<br/> 記憶體，用於存儲電腦程式；<br/> 收發機，用於在該處理器的控制下收發資料；<br/> 處理器，用於讀取該記憶體中的電腦程式並執行如請求項1至16中任一項所述的資源確定方法。
一種基地台，包括記憶體，收發機，處理器：<br/> 記憶體，用於存儲電腦程式；<br/> 收發機，用於在該處理器的控制下收發資料；<br/> 處理器，用於讀取該記憶體中的電腦程式並執行如請求項17至28中任一項所述的資源確定方法。
一種粉碎機，具備： <br/> 粉碎台，繞軸線旋轉；及 <br/> 粉碎滾輪單元，將從原料供給部朝向前述粉碎台供給的原料在與前述粉碎台之間粉碎， <br/> 前述粉碎滾輪單元具有： <br/> 偏心頭，安裝在殼體； <br/> 偏心軸，由前述偏心頭支撐並且沿著軸線延伸； <br/> 粉碎滾輪，以可繞前述軸線旋轉的方式安裝在前述偏心軸； <br/> 支撐軸，使前述偏心頭旋動；及 <br/> 堆積防止構件，防止由前述粉碎滾輪粉碎的前述原料堆積在前述粉碎滾輪單元， <br/> 前述堆積防止構件，於前述支撐軸安裝在前述粉碎滾輪單元的鉛直方向之上方側，並且藉由包含使由前述粉碎滾輪粉碎的前述原料落下到鉛直方向之下方側的傾斜面之多個面而形成填充空間， <br/> 在前述填充空間填充有填充構件。
如請求項1的粉碎機，其中， <br/> 前述填充構件為混合粒狀的具有耐摩耗性之材料與樹脂材料的構件。
如請求項2的粉碎機，其中， <br/> 前述具有耐摩耗性之材料為水泥系材料。
如請求項1至3中任一項的粉碎機，其中， <br/> 包含前述傾斜面的多個前述面由不鏽鋼、表面硬化鋼板、陶質襯管鋼板、或者碳鋼板所形成。
如請求項1至3中任一項的粉碎機，其中， <br/> 前述傾斜面配置成具有由前述粉碎滾輪粉碎的前述原料之休止角以上的角度。
如請求項1至3中任一項的粉碎機，其中， <br/> 前述填充空間由包含前述傾斜面的多個前述面、與前述粉碎滾輪單元之鉛直方向的上方側之面所形成。
如請求項1至3中任一項的粉碎機，其中， <br/> 前述堆積防止構件面向前述粉碎滾輪單元的鉛直方向之上方側隔著縫隙而配置。
一種粉碎機，具備： <br/> 粉碎台，繞軸線旋轉； <br/> 粉碎滾輪，將從原料供給部朝向前述粉碎台供給的原料在與前述粉碎台之間粉碎； <br/> 吹出口，設置在前述粉碎台的外周側並且朝向上方吹出載送氣體；及 <br/> 堆積防止構件，防止由前述粉碎滾輪粉碎的前述原料堆積在前述粉碎台的前述吹出口之鉛直方向的下方側， <br/> 在前述粉碎台的外緣部，安裝有移動構件，朝向正交於前述軸線的徑方向突出，並且繞前述軸線旋轉時，使在收納前述粉碎台的殼體之內部空間的底部堆積的前述原料朝向落下口移動， <br/> 前述堆積防止構件，係安裝於前述移動構件，並且為板狀構件，該板狀構件係配置為：將前述外緣部與前述移動構件之間的前述徑方向之縫隙從鉛直方向的上方封閉。
如請求項8的粉碎機，其中， <br/> 前述堆積防止構件具有沿著水平面而配置的上表面。
如請求項9的粉碎機，其中， <br/> 在前述外緣部與前述移動構件之間的前述徑方向之前述縫隙的下方，設置有排出口，排出從前述縫隙侵入的前述原料。
一種顯示裝置，包含：一基板，包含一顯示區域以及一非顯示區域；一驅動電路部，在該基板上位於該顯示區域中；多個平坦化層，位於該驅動電路部上；多個像素，在該顯示區域中位於該些平坦化層上，其中該些像素包含多個第一發光元件區域以及多個第二發光元件區域；以及其中一第一連接電極、位於該第一連接電極上的一第一發光元件、位於該第一發光元件上的一第一透鏡以及位於該第一透鏡上的一第二電極位於該些第一發光元件區域中的一者中，其中一第二連接電極、位於該第二連接電極上的一第二透鏡，以及位於該第二透鏡上的一第二電極位於該些第二發光元件區域中的一者中，其中一第一絕緣層，位於該些第一發光元件區域中的一第一發光元件區域以及該些第二發光元件區域中的一第二發光元件區域中，以及其中該第一絕緣層在該第一發光元件區域以及該第二發光元件區域中具有不同的高度。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該第一絕緣層的高度包含在該第一發光元件區域中從該基板的一上表面至該第一絕緣層的一最上表面的一第一高度，以及在該第二發光元件區域中從該基板的該上表面至該第一絕緣層的該最上表面的一第二高度。
如請求項2所述之顯示裝置，其中該第一高度高於該第二高度。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該些像素包含多個子像素，並且該些子像素中的每一者包含至少一突出部。
如請求項4所述之顯示裝置，其中該些第一發光元件區域以及該些第二發光元件區域位於該至少一突出部上。
如請求項5所述之顯示裝置，其中在該至少一突出部之下，一第一連接線路對應於該第一發光元件區域，且一第二連接線路對應於該第二發光元件區域。
如請求項6所述之顯示裝置，其中該第一連接電極位於該第一連接線路上，且該第二連接電極位於該第二連接線路上。
如請求項7所述之顯示裝置，其中該第一發光元件位於該第一連接電極上。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該第二電極位於該些透鏡以及該第一絕緣層上。
如請求項9所述之顯示裝置，更包含：一第二絕緣層，位於該第二電極上。
如請求項10所述之顯示裝置，其中該第二絕緣層包含與該第一絕緣層的材料相同的材料及/或具有平坦的上表面。
一種製造顯示裝置的方法，包含：製備包含一顯示區域以及一非顯示區域的一基板；在該基板上形成一驅動電路部以及多個平坦化層；在該些平坦化層上形成一突出部；在該突出部上的一第一發光元件區域以及一第二發光元件區域中形成一第一連接電極以及一第二連接電極；在該第一連接電極以及該第二連接電極中的一者上設置一發光元件；以及在該第一連接電極以及該第二連接電極中的另一者的頂部上和該發光元件的頂部上分別設置一透鏡，其中該第一連接電極、位於該第一連接電極上的一第一發光元件、位於該第一發光元件上的一第一透鏡以及位於該第一透鏡上的一第二電極位於該第一發光元件區域中，其中該第二連接電極、位於該第二連接電極上的一第二透鏡以及位於該第二透鏡上的一第二電極位於該第二發光元件區域中，以及其中一第一絕緣層位於該第一發光元件區域以及該第二發光元件區域上。
如請求項12所述之方法，其中設置該發光元件的步驟包含：進行從一供體基板至所製備出的該基板的雷射轉印或衝壓轉印。
如請求項12所述之方法，其中該第一絕緣層具有從該基板的一上表面至設置於該第一發光元件區域中的該第一絕緣層的一最上表面的一第一高度，以及從該基板的該上表面至設置於該第二發光元件區域中的該第一絕緣層的該最上表面的一第二高度。
如請求項14所述之方法，其中該第一高度被形成為高於該第二高度。
如請求項12所述之方法，其中一黏著層形成於該第一連接電極以及該第二連接電極上。
如請求項16所述之方法，其中該透鏡的面積被形成為等於或大於該黏著層的面積。
一種顯示裝置，包含：一基板，包含一顯示區域以及一非顯示區域；一驅動電路部，位於該基板上；多個平坦化層，位於該驅動電路部上；以及多個像素，在該顯示區域中位於該些平坦化層上，該些像素包含多個第一發光元件區域以及多個第二發光元件區域，其中一第一連接電極、位於該第一連接電極上的一第一發光元件、位於該第一發光元件上的一第一透鏡以及位於該第一透鏡上的一第二電極位於該些第一發光元件區域中的一者中，以及其中一第二連接電極、位於該第二連接電極上的一第二透鏡以及位於該第二透鏡上的一第二電極位於該些第二發光元件區域中的一者中。
如請求項18所述之顯示裝置，其中該第二連接電極以及該第二電極因該第二透鏡而彼此不接觸。
如請求項18所述之顯示裝置，更包含：一保護層，位於該第二連接電極上，使得該第二連接電極的一部分被曝露出；以及一接觸線路，位於該第二連接電極的被曝露出的該部分上，其中該第二透鏡覆蓋該接觸線路。
如請求項20所述之顯示裝置，其中該第二透鏡的面積大於該接觸線路的面積且小於該第二發光元件的上表面的面積。
一種用於物件追蹤之影像處理系統，係包括：前處理模組，對初始影像進行對比度增強、灰階均值化、邊緣特徵增強，其中，該對比度增強包括將該初始影像的各個像素乘以倍數，該灰階均值化包括計算灰度累積分布函數再進行灰度值映射，該邊緣特徵增強包括對該初始影像平滑處理後從該初始影像減去而產生差分影像再進行映射，俾使該初始影像經過對比度增強、灰階均值化及邊緣特徵增強之後成為增強影像；物件辨識及過濾雜訊模組，對該增強影像進行物件辨識及雜訊過濾，以藉由根據該增強影像中所偵測出之至少一物件的物件標記框之面積判斷該至少一物件為目標物件或雜訊，而產生一物件辨識及雜訊過濾影像，其中，若該物件標記框之面積大於閾值，則判定該至少一物件為有效物件，若該物件標記框之面積小於該閾值，則判定該至少一物件為雜訊；以及物件追蹤匹配模組，對一時間序列之多張物件已辨識影像幀進行物件追蹤匹配，以根據該時間序列之該多張物件已辨識影像幀中之目前幀與前一幀的一物件之物件標記框的重疊程度來分配物件編號。
如請求項1所述之影像處理系統，更包括：匹配次數模組，根據該至少一物件的物件標記框之成功匹配次數，判斷該至少一物件為有效移動物件或雜訊。
如請求項1所述之影像處理系統，其中，若該時間序列之該多張物件已辨識影像幀中之目前幀與前一幀的一物件之物件標記框有重疊，該物件追蹤匹配模組對該物件延用過去物件編號。
如請求項1所述之影像處理系統，其中，若該時間序列之該多張物件已辨識影像幀中之目前幀與前一幀的一物件之物件標記框沒有重疊，該物件追蹤匹配模組對該物件新增物件編號。
如請求項1所述之影像處理系統，其中，若該時間序列之該多張物件已辨識影像幀中之前一幀與目前幀的一物件之物件標記框沒有重疊，設定該物件的失聯時間，以根據該物件的該失聯時間判斷該物件是否失效，進而於判斷失效時刪除該物件的物件編號。
一種用於物件追蹤之影像處理方法，由電腦執行，該影像處理方法係包括：對一初始影像進行對比度增強、灰階均值化、邊緣特徵增強，其中，該對比度增強包括將該初始影像的各個像素乘以倍數，該灰階均值化包括計算灰度累積分布函數再進行灰度值映射，該邊緣特徵增強包括對該初始影像平滑處理後從該初始影像減去而產生差分影像再進行映射，俾使該初始影像經過對比度增強、灰階均值化及邊緣特徵增強之後成為增強影像；對該增強影像進行物件辨識及雜訊過濾，以藉由根據該增強影像中所偵測出之至少一物件的物件標記框之面積判斷該至少一物件為目標物件或雜訊，而產生一物件辨識及雜訊過濾影像，其中，若該物件標記框之面積大於閾值，則判定該至少一物件為有效物件，若該物件標記框之面積小於該閾值，則判定該至少一物件為雜訊；以及對一時間序列之多張物件已辨識影像幀進行物件追蹤匹配，以根據該時間序列之該多張物件已辨識影像幀中之目前幀與前一幀的一物件之物件標記框的重疊程度來分配物件編號。
如請求項6所述之影像處理方法，更包括：根據該至少一物件的物件標記框之成功匹配次數，判斷該至少一物件為有效移動物件或雜訊。
如請求項6所述之影像處理方法，其中，若該時間序列之該多張物件已辨識影像幀中之目前幀與前一幀的一物件之物件標記框有重疊，以對該物件延用過去物件編號。
如請求項6所述之影像處理方法，其中，若該時間序列之該多張物件已辨識影像幀中之目前幀與前一幀的一物件之物件標記框沒有重疊，以對該物件新增物件編號。
如請求項6所述之影像處理方法，其中，若該時間序列之該多張物件已辨識影像幀中之前一幀與目前幀的一物件之物件標記框沒有重疊，設定該物件的失聯時間，以根據該物件的該失聯時間判斷該物件是否失效，進而於判斷失效時刪除該物件的物件編號。
一種電腦程式產品，經由電腦載入程式以執行如請求項6-10任一項所述之用於物件追蹤之影像處理方法。
一種邊刷組件，包括： <br/>底座， <br/>邊刷件，連接在所述底座上，所述邊刷件包括刷毛，所述邊刷件上設置有阻擋部，所述阻擋部在所述底座上的投影與所述刷毛在所述底座上的投影部分重合，以阻擋纏繞在所述邊刷件上的毛髮沿著所述邊刷件的方向進入到所述底座上。
根據請求項1所述的邊刷組件，其中所述邊刷件還包括邊刷臂，一端連接在所述底座上，另一端向遠離所述底座的方向延伸，所述阻擋部設置於所述邊刷臂上，所述刷毛連接在所述邊刷臂的另一端，並向遠離所述邊刷臂的方向延伸。
根據請求項2所述的邊刷組件，其中所述邊刷臂上設置有阻擋凸起，所述阻擋凸起被配置為所述阻擋部。
根據請求項3所述的邊刷組件，其中所述阻擋凸起上設置有凹部，所述凹部的開口側朝向所述刷毛。
根據請求項4所述的邊刷組件，其中所述凹部的開口側具有大於或等於90°的夾角。
根據請求項3所述的邊刷組件，其中所述阻擋凸起靠近所述邊刷臂的另一端。
根據請求項6所述的邊刷組件，其中所述阻擋凸起設置於所述邊刷臂的底部。
根據請求項7所述的邊刷組件，其中所述邊刷臂的底部設置有第一斜面，所述第一斜面的低端連接在所述阻擋凸起朝向所述刷毛的一側，所述第一斜面的高端向所述邊刷臂的另一端延伸；或/和 <br/>所述阻擋凸起朝向所述刷毛的一側設置有第二斜面，所述第二斜面的高端連接在所述邊刷臂的底部，所述第二斜面的低端向遠離所述刷毛的方向延伸。
根據請求項3所述的邊刷組件，其中所述刷毛連接在所述阻擋凸起上，並斜向下延伸。
根據請求項1所述的邊刷組件，其中所述刷毛與所述底座所在的平面呈40至60°的傾角；或/和，所述刷毛的長度在20至60毫米內。
根據請求項2所述的邊刷組件，其中所述邊刷臂包括多段臂體，多段所述臂體中，至少兩段所述臂體的厚度不一。
根據請求項11所述的邊刷組件，其中多段所述臂體的厚度沿向遠離所述底座的方向依次變小；和/或 <br/>所述邊刷臂沿所述底座至所述刷毛的方向包括依次設置、逐漸變細的第一臂體、第二臂體和第三臂體；和/或 <br/>所述邊刷臂的至少部分的厚度向遠離底座的方向由粗到細漸變。
根據請求項2所述的邊刷組件，其中所述邊刷件為多個，且多個所述邊刷件的邊刷臂在所述底座所在的平面上的投影呈螺旋漸開線。
根據請求項13所述的邊刷組件，其中所述刷毛和相連接的所述邊刷臂在所述底座所在的平面上相切。
根據請求項1所述的邊刷組件，其中所述邊刷件包括邊刷臂和所述刷毛，所述邊刷臂分佈在所述底座周側，所述刷毛連接在所述邊刷臂遠離所述底座的一端，所述底座配置為與清潔裝置的驅動組件連接以使所述驅動組件驅動所述底座旋轉，所述邊刷臂在所述底座周向呈不對稱結構。
根據請求項15所述的邊刷組件，其中所述邊刷臂的數量為一個或兩個。
根據請求項15所述的邊刷組件，其中所述底座設置有第一安裝指示件，所述驅動組件設置有第二安裝指示件，所述第一安裝指示件與所述第二安裝指示件相匹配指示所述底座處於安裝位置。
根據請求項17所述的邊刷組件，其中所述底座處於所述安裝位置時，所述刷毛位於清潔裝置的移動主機的邊緣投影區域內。
根據請求項17所述的邊刷組件，其中所述底座開設有用於與所述驅動組件連接的安裝孔，所述第一安裝指示件設置於所述安裝孔的孔壁；其中，所述第一安裝指示件和所述第二安裝指示件中的一個設置為凹陷部，另一個設置為凸部。
根據請求項19所述的邊刷組件，其中所述安裝孔沿所述底座的軸向包括第一孔段和第二孔段，所述第一孔段位於所述第二孔段的上方，並與所述驅動組件相匹配，所述第一安裝指示件設置於所述第一孔段，所述第二孔段用於穿設與所述驅動組件連接的第一連接件。
根據請求項20所述的邊刷組件，其中所述安裝孔還包括位於所述第二孔段下方的第三孔段，所述第三孔段內用於容納所述第一連接件遠離所述驅動組件的端部。
根據請求項2至9、11至15以及17至21中任一項所述的邊刷組件，其中所述邊刷臂的數量為兩個，所述邊刷臂呈螺旋狀，所述刷毛沿所述邊刷臂的切線方向延伸，兩個所述刷毛的延伸方向之間的夾角不大於120°。
根據請求項22所述的邊刷組件，其中所述邊刷臂在水平面上的投影為一段漸開線；和/或 <br/>兩個所述邊刷臂位於所述底座經過所述底座的轉軸的中分面的同一側。
根據請求項2至9以及11至21中任一項所述的邊刷組件，其中所述刷毛的延伸方向與相連接的所述邊刷臂相對於所述底座的延伸方向之間的夾角不大於120°。
根據請求項2至9以及11至21中任一項所述的邊刷組件，其中所述邊刷臂包括與所述刷毛連接的第一端部，所述第一端部的底部設置有阻擋凸起，所述刷毛由所述第一端部相對於所述阻擋凸起傾斜向下佈置，所述第一端部包括第一部分、以及位於所述第一部分上方的第二部分，所述第一部分設置有所述阻擋凸起並與所述刷毛連接，所述第二部分沿所述邊刷臂的延伸方向突出於所述第一部分。
根據請求項25所述的邊刷組件，其中所述第二部分相對於所述第一部分向遠離所述底座的方向傾斜向上設置。
根據請求項2至9以及11至21中任一項所述的邊刷組件，其中所述邊刷臂包括與所述底座連接的第二端部，所述底座注塑包裹在所述第二端部的外部；和/或 <br/>所述底座的硬度大於所述刷毛的硬度。
一種清潔組件，其中包括： <br/>傳動部，用於傳動連接於清潔裝置的驅動組件； <br/>邊刷組件，所述邊刷組件為請求項1至27中任一項所述邊刷組件，所述邊刷組件可產生相對於所述傳動部的旋合運動，以使所述邊刷組件可分離或固定於所述傳動部。
根據請求項28所述的清潔組件，其中所述清潔組件還包括施力部，所述施力部用於沿旋合軸向對所述傳動部和所述邊刷組件施加作用力。
根據請求項29所述的清潔組件，其中所述施力部包括彈性伸縮組件，所述傳動部和所述邊刷組件中的一者連接於所述彈性伸縮組件的一端，另一者可拆卸地連接於所述彈性伸縮組件的另一端，所述彈性伸縮組件沿所述旋合軸向佈置。
根據請求項30所述的清潔組件，其中所述彈性伸縮組件包括： <br/>安裝座，設置於所述傳動部； <br/>支撐件，具有第一支撐端和第二支撐端，所述第一支撐端朝向於所述安裝座佈置，所述第二支撐端可拆卸地連接於所述邊刷組件； <br/>彈簧，連接於所述第一支撐端和所述安裝座之間，所述彈簧沿所述旋合軸向佈置。
根據請求項31所述的清潔組件，其中所述傳動部開設有安裝槽，所述安裝座設置於所述安裝槽內，所述支撐件活動地穿設於所述傳動部，且所述第一支撐端活動地設置於所述安裝槽內；和/或 <br/>所述邊刷組件開設有限位槽，所述第二支撐端可拆卸地插設於所述限位槽。
根據請求項29所述的清潔組件，其中所述施力部包括： <br/>第一磁性件，設置於所述傳動部； <br/>第二磁性件，設置於所述邊刷組件，所述第一磁性件與所述第二磁性件沿所述旋合軸向相對佈置，且所述第二磁性件用於對所述第一磁性件施加磁力。
根據請求項33所述的清潔組件，其中所述第一磁性件和所述第二磁性件中的一者為永磁體，另一者由磁性材料製成；或者 <br/>所述第一磁性件和所述第二磁性件均為永磁體，所述第一磁性件具有第一磁極，所述第二磁性件具有第二磁極，所述第一磁極與所述第二磁極沿所述旋合軸向相對佈置，且所述第一磁極和所述第二磁極為同名磁極。
根據請求項33所述的清潔組件，其中所述傳動部開設有第一容置空間，所述第一容置空間位於所述傳動部的軸心區域，所述邊刷組件開設有第二容置空間，所述第二容置空間位於所述傳動部的軸心區域，所述第一磁性件和所述第二磁性件分別設置於所述第一容置空間和所述第二容置空間。
根據請求項28所述的清潔組件，其中所述傳動部包括有相連接的傳動件和第一連接件，所述傳動件用於傳動連接於所述驅動組件； <br/>所述邊刷組件和所述第一連接件中的一者形成有旋扣，另一者形成有旋合槽，所述旋扣可拆卸地旋合於所述旋合槽。
根據請求項36所述的清潔組件，其中所述旋合槽包括： <br/>第一槽段，所述旋合槽的槽口位於所述第一槽段的一端； <br/>第二槽段，連通於所述第一槽段的另一端，所述第二槽段的延伸方向與所述第一槽段的延伸方向不同； <br/>第三槽段，連通於所述第二槽段，所述第三槽段位於所述第二槽段靠近於所述槽口的一側，在所述旋扣位於所述第三槽段內的情況下，所述旋扣抵接於所述第三槽段的槽壁，以限制所述邊刷組件向遠離於所述第一連接件的方向移動。
根據請求項36所述的清潔組件，其中所述傳動件包括傳動齒輪，所述第一連接件包括有連接桿，所述傳動齒輪連接於所述連接桿的一端，且所述連接桿與所述傳動齒輪同軸佈置；其中，所述連接桿遠離於所述傳動齒輪的一端形成有所述旋合槽；或者，所述旋扣形成於所述連接桿的周側，且遠離於所述傳動齒輪佈置。
根據請求項38所述的清潔組件，其中所述傳動齒輪與所述連接桿為一體式結構。
根據請求項38所述的清潔組件，其中所述傳動件開設有用於安裝施力部的安裝槽，且所述安裝槽位於所述傳動齒輪和/或所述連接桿的軸心區域。
根據請求項28至40中任一項所述的清潔組件，其中所述邊刷組件和所述傳動部中的一者形成有內螺紋，另一者形成有外螺紋。
一種清潔裝置，其中包括： <br/>移動主機，所述移動主機上設有驅動組件； <br/>清潔組件，所述清潔組件為請求項28至41中任一項所述的清潔組件，所述傳動部傳動連接於所述驅動組件。
根據請求項42所述的清潔裝置，其中所述清潔裝置還包括主清潔件、擋板和兩個主動移動件，所述主動移動件用於移動所述移動主機，所述擋板與所述邊刷組件均位於所述主清潔件的前方，且所述擋板位於兩個所述主動移動件之間。
根據請求項43所述的清潔裝置，其中所述擋板設置於所述移動主機上與所述邊刷組件相對的一側。
根據請求項43所述的清潔裝置，其中所述清潔裝置還包括清潔件外框，所述主清潔件位於所述清潔件外框內；所述擋板的至少部分區域位於所述清潔件外框對應所述主清潔件軸向一端的區域的前方。
根據請求項43所述的清潔裝置，其中所述擋板鄰近所述主清潔件的一端與所述主清潔件的間距小於預設間距。
根據請求項43所述的清潔裝置，其中所述清潔裝置還包括：從動移動件，所述從動移動件與所述移動主機連接，所述從動移動件用於跟隨所述移動主機的移動而滾動；所述擋板相較所述從動移動件更靠近所述主清潔件。
根據請求項43所述的清潔裝置，其中所述擋板相對所述邊刷組件的一側表面為平面；或者 <br/>所述擋板相對所述邊刷組件的一側表面，為向遠離所述邊刷組件凹陷的弧形面；或者 <br/>所述擋板相對所述邊刷組件的一側表面包括第一區域和第二區域，所述第一區域與所述第二區域呈夾角設置；或者 <br/>所述擋板相對所述邊刷組件的一側表面包括第一區域和第二區域，所述第一區域相較所述第二區域更靠近所述主清潔件，所述第一區域為弧形面，所述第二區域為平面；或者 <br/>所述擋板相對所述邊刷組件的一側表面包括第一區域和第二區域，所述第一區域相較所述第二區域更靠近所述主清潔件，所述第一區域為弧形面，所述第二區域為平面，所述第二區域的延伸方向與所述主清潔件的軸向垂直。
根據請求項43所述的清潔裝置，其中所述擋板包括第一端和第二端，所述擋板的第一端至所述擋板的第二端的方向與所述主清潔件的軸向呈預設夾角；所述預設夾角大於等於20度，且小於等於90度。
根據請求項43至49中任一項所述的清潔裝置，其中所述移動主機上設置有第二連接件，所述擋板通過所述第二連接件與所述移動主機可拆卸連接；所述擋板與不同的所述第二連接件連接時，所述擋板與所述主清潔件的軸向夾角不同。
根據請求項43至49中任一項所述的清潔裝置，其中所述擋板與所述移動主機滑動連接，以改變所述擋板與所述主清潔件軸向上形成的角度；和/或 <br/>所述擋板至少部分為撓性。
根據請求項43至49中任一項所述的清潔裝置，其中所述擋板遠離所述移動主機的最低點，相較所述主清潔件遠離所述移動主機的最低點更靠近所述移動主機，以使所述擋板與待清潔面具有間隔；或者 <br/>所述擋板遠離所述移動主機的最低點與所述移動主機的距離，不小於所述主清潔件遠離所述移動主機的最低點與所述移動主機的距離，以使所述擋板與待清潔面具有干擾。
一種清潔系統，其中包括： <br/>清潔裝置，所述清潔裝置為上述請求項42至52中任一項所述的清潔裝置； <br/>基站，所述清潔裝置可選擇性的停靠在所述基站。
一種半導體結構，包括：<br/>一基板；以及<br/>一字元線嵌入該基板中，該字元線包括一高功函數層及在該高功函數層上的一低功函數層，其中該高功函數層為一金屬層，以及該低功函數層為一含矽導電層，該高功函數層的一平均功函數大於該低功函數層的一平均功函數，該低功函數層包括一下部及在該下部上的一上部，以及該下部的一平均晶粒尺寸小於該上部的一平均晶粒尺寸。
如請求項1所述之半導體結構，其中該下部的該平均晶粒尺寸為1 nm至5 nm，以及該上部的該平均晶粒尺寸為5 nm至20 nm。
如請求項1所述之半導體結構，其中該下部的一平均功函數大於該上部的一平均功函數。
如請求項1所述之半導體結構，其中該高功函數層的該平均功函數大於該下部的一平均功函數。
如請求項1所述之半導體結構，其中該下部及該上部中的複數個摻雜劑濃度大於1x10<sup>20</sup> atoms/cm<sup>3</sup>。
如請求項1所述之半導體結構，其中該下部的一厚度與該上部的一厚度的一比值為1：1至1：10。
如請求項1所述之半導體結構，更包括一介電層在該字元線與該基板之間。
如請求項1所述之半導體結構，更包括一阻障層在該高功函數層與該低功函數層之間。
如請求項1所述之半導體結構，更包括一介電層在該低功函數層上。
一種形成半導體結構之方法，包括：<br/>在一基板的一溝槽中形成一第一功函數層及一第二功函數層在該第一功函數層上，其中該第一功函數層唯一金屬層，以及該第二功函數層為一含矽導電層，該第二功函數層包括一下部及在該下部上的一上部，該下部具有一第一平均晶粒尺寸，以及該上部具有一第二平均晶粒尺寸；以及<br/>藉由一雷射退火對該上部進行一退火，以將該第二平均晶粒尺寸改變成一第三平均晶粒尺寸，其中該第三平均晶粒尺寸大於該第一平均晶粒尺寸。
如請求項10所述之方法，其中在對該上部進行該退火之後，該第一功函數層的一平均功函數大於該第二功函數層的一平均功函數。
如請求項10所述之方法，其中該第一平均晶粒尺寸及該第二平均晶粒尺寸為相同的。
如請求項10所述之方法，其中該雷射退火以250 mJ/cm<sup>2</sup>至400 mJ/cm<sup>2</sup>的一強度進行。
如請求項10所述之方法，其中該下部的一厚度與該上部的一厚度的一比值為1：1至1：10。
如請求項10所述之方法，其中形成該第二功函數層包括原位摻雜一摻雜劑，以及該摻雜劑的一濃度大於1x10<sup>20</sup> atoms/cm<sup>3</sup>。
如請求項10所述之方法，其中形成該第二功函數層包括使用一前驅氣體，以及該前驅氣體包括甲矽烷、乙矽烷、二氯矽烷或其組合。
如請求項10所述之方法，更包括在形成該第一功函數層及該第二功函數層之前，形成一介電層在該溝槽的一側壁上。
如請求項10所述之方法，更包括在形成該第一功函數層之後及在形成該第二功函數層之前，形成一阻障層在該第一功函數層上。
如請求項10所述之方法，更包括在對該上部進行該退火之後，形成一介電層在該第二功函數層上。
一種防潮集裝袋的雙重收束封口工序，一真空吸膜裝置安裝於一入料筒外部，該入料筒將一充填入料機的物料充填入一防潮集裝袋；該防潮集裝袋包括一袋本體和結合於該袋本體頂部的一管狀袋頸，該管狀袋頸包括一袋頸外層和一袋頸內層；其特徵在於：一袋頸收束封口工序包括以下步驟：步驟S1，將該管狀袋頸套在該入料筒的外部，並涵蓋住該真空吸膜裝置；步驟S3，該真空吸膜裝置以真空抽吸力將該袋頸內層吸附定位於該入料筒外部，並導致該袋頸內層和該袋頸外層分離；步驟S5，將該袋頸外層往下拉；步驟S7，通過該袋頸內層向該袋本體進行一入料步驟；步驟S9，該入料步驟完成，以一第一束口件將該袋頸內層收束封口；步驟S11，該真空吸膜裝置停止運作；將該袋頸外層往上拉，包住該袋頸內層；步驟S13，以一第二束口件將該袋頸外層和該袋頸內層收束封口，且該第二束口件的位置在該第一束口件的上方。
如請求項1所述的防潮集裝袋的雙重收束封口工序，其中，上述步驟S13可由步驟S14~S15所取代；步驟S14，對該袋頸內層施予以一軸向壓力，將其下壓入該袋頸外層的深部；步驟S15，以一第二束口件將該袋頸外層收束封口。
一種用於從半導體製造廠中的排氣流中集塵的方法，包括： <br/>使所述排氣流流過排氣管的水平區段流向接頭的表面；以及 <br/>所述排氣流接觸所述接頭的所述表面而重新引導所述排氣流而向上通過所述排氣管的所述垂直區段，使得所述排氣流的速度下降，從而使所述排氣流中的灰塵在所述接頭處向下落入集塵器中。
如請求項1的所述用於從半導體製造廠中的排氣流中集塵的方法，還包括： <br/>檢查所述集塵器以確定所述集塵器是否需要清空，其中藉由一或多個觀察口或藉由透明的側壁來檢查所述集塵器。
如請求項1的所述用於從半導體製造廠中的排氣流中集塵的方法，還包括： <br/>藉由以下步驟來清空所述集塵器： <br/>關閉位在所述接頭下方的頂部閥；以及 <br/>開啟在所述集塵器下方底部閥。
如請求項1的所述用於從半導體製造廠中的排氣流中集塵的方法，其中所述接頭的所述表面與所述排氣管的垂直區段對齊。
一種集塵系統，包括： <br/>排氣管，包括水平區段和在接頭處流體連接到所述水平區段的垂直區段，所述接頭包括與所述垂直區段對齊的表面； <br/>頂部閥，位在所述接頭下方；以及 <br/>集塵器，在所述頂部閥下方，其中排氣流接觸所述接頭的所述表面而被重新引導到所述垂直區段，使得所述排氣流的速度下降，導致所述排氣流中的灰塵在所述接頭處向下落入所述集塵器中。
如請求項5的所述集塵系統，其中所述水平區段流體連接到一或多個半導體處理機台。
如請求項5的所述集塵系統，其中所述集塵器包括在上側連接到所述頂部閥的殼體以及與所述殼體下側連接的底部閥。
如請求項7的所述集塵系統，其中所述殼體包括沿著所述殼體的高度佈置的一或多個觀察口。
如請求項5的所述集塵系統，其中所述排氣管的所述垂直區段連接到子總管，所述子總管連接到頭部管，所述頭部管連接到洗滌器。
一種半導體製造廠集塵系統的升級方法，包括： <br/>移除排氣管的彎頭，所述彎頭在排氣管的水平區段和垂直區段之間形成接頭； <br/>用包括與所述水平區段對齊的表面的T形接頭替換所述彎頭，其中所述T形接頭包括與所述垂直區段對齊的表面； <br/>將頂部閥連接到所述T形接頭；以及 <br/>連接所述頂部閥下方的集塵器，其中排氣流接觸所述T形接頭的所述表面而被重新引導到所述垂直區段，使得所述排氣流的速度下降，導致所述排氣流中的灰塵在所述T形接頭處向下落入所述集塵器中。
一種身份和訪問管理（IAM，identity and access management）政策生成方法<b>，</b>其由計算裝置執行，其特徵在於，包括： <br/>接收與政策相關的多個結構要素的輸入的步驟； <br/>基於所接收的該輸入，顯示包括與多個結構要素對應的鍵-值（key-value）對的結構的步驟； <br/>將生成的該結構輸入到第一模型中，以預測與該結構對應的目標政策在執行時的風險度的步驟； <br/>當預測的該風險度達到預設的閾值以上時，接收關於該目標政策生成與否的決策的步驟；以及 <br/>當預測的該風險度低於該閾值時，生成該目標政策的步驟； <br/>其中預測該風險度的步驟，包括： <br/>將該結構輸入到該第一模型中，計算已存儲的第一類型的政策與該目標政策之間的第一相似度，以及已存儲的第二類型的政策與該目標政策之間的第二相似度的步驟，其中，該第一類型的政策是具有達到該閾值以上的風險度的政策，該第二類型的政策是具有低於該閾值的風險度的政策；以及 <br/>基於該第一相似度及該第二相似度，預測該風險度的步驟；且 <br/>該方法進一步包括： <br/>當預測的該風險度達到該閾值以上時，將該目標政策存儲為該第一類型的政策， <br/>當預測的該風險度低於該閾值時，將該目標政策存儲為該第二類型的政策的步驟。
根據申請專利範圍第1項所述的IAM政策生成方法，其特徵在於， <br/>該多個結構要素包括政策的訪問許可與否、政策允許或拒絕的操作、或與政策相關的資源中的至少一種。
根據申請專利範圍第1項所述的IAM政策生成方法，其特徵在於， <br/>預測該風險度的步驟，還包括： <br/>輸出該第一模型對於請求輸出該目標政策賦予的許可權是否存在風險的第一提示的第一響應的步驟； <br/>輸出該第一模型對於請求輸出該目標政策的用戶是否可能為多個對象的第二提示的第二響應的步驟；以及 <br/>基於該第一響應、該第二響應、該第一相似度及該第二相似度，預測該風險度的步驟。
根據申請專利範圍第1項所述的IAM政策生成方法，其特徵在於， <br/>接收該多個結構要素的輸入的步驟，包括： <br/>藉由第二模型輸入請求生成包括該多個結構要素的政策的提示的步驟， <br/>與該多個結構要素對應的該結構為該提示的該第二模型的響應。
一種身份和訪問管理（IAM，identity and access management）政策生成系統，其特徵在於， <br/>包括： <br/>處理器；以及 <br/>記憶體，存儲指令（instruction）， <br/>該指令由該處理器執行時，使該處理器執行以下工作： <br/>接收與政策相關的多個結構要素的輸入的工作； <br/>基於所接收的該輸入，顯示包括與該多個結構要素對應的鍵-值（key-value）對的結構的工作； <br/>將生成的該結構輸入到該第一模型中，以預測與該結構對應的目標政策在執行時的風險度的工作； <br/>當預測的該風險度達到預設的閾值以上時，接收關於該目標政策生成與否的決策的工作；以及 <br/>當預測的該風險度低於該閾值時，生成該目標政策的工作； <br/>其中預測該風險度的工作包含： <br/>將該結構輸入到該第一模型中，計算已存儲的第一類型的政策與該目標政策之間的第一相似度，以及已存儲的第二類型的政策與該目標政策之間的第二相似度的工作，其中，該第一類型的政策是具有達到該閾值以上的風險度的政策，該第二類型的政策是具有低於該閾值的風險度的政策；以及 <br/>基於該第一相似度及該第二相似度，預測該風險度的步驟的工作；且 <br/>其中當該指令由該處理器執行時，使該處理器進一步執行以下工作： <br/>當預測的該風險度達到該閾值以上時，將該目標政策存儲為該第一類型的政策的工作， <br/>當預測的該風險度低於該閾值時，將該目標政策存儲為該第二類型的政策的步驟的工作。
根據申請專利範圍第5項所述的IAM政策生成系統，其特徵在於， <br/>該多個結構要素包括政策的訪問許可與否、政策允許或拒絕的操作、或與政策相關的資源中的至少一種。
根據申請專利範圍第5項所述的IAM政策生成系統，其特徵在於， <br/>預測該風險度的工作，還包括： <br/>輸出該第一模型對於請求輸出該目標政策賦予的許可權是否存在風險的第一提示的第一響應的工作； <br/>輸出該第一模型對於請求輸出該目標政策的用戶是否可能為多個對象的第二提示的第二響應的工作；以及 <br/>基於該第一響應、該第二響應、該第一相似度及該第二相似度，預測該風險度的工作。
根據申請專利範圍第5項所述的IAM政策生成系統，其特徵在於， <br/>接收該多個結構要素的輸入的工作，包括： <br/>藉由第二模型輸入請求生成包括該多個結構要素的政策的提示的工作， <br/>與該多個結構要素對應的該結構為該提示的該第二模型的響應。
一種電腦程式，其特徵在於，該電腦程式存儲於電腦可讀記錄介質中，以與計算裝置結合而執行如下步驟： <br/>接收與政策相關的多個結構要素的輸入的步驟； <br/>基於所接收的該輸入，顯示包括與該多個結構要素對應的鍵-值（key-value）對的結構的步驟； <br/>將生成的該結構輸入到該第一模型中，以預測與該結構對應的目標政策在執行時的風險度的步驟； <br/>當預測的該風險度達到預設的閾值以上時，接收關於該目標政策生成與否的決策的步驟；以及 <br/>當預測的該風險度低於該閾值時，生成該目標政策的步驟； <br/>其中預測該風險度的步驟，包括： <br/>將該結構輸入到該第一模型中，計算已存儲的第一類型的政策與該目標政策之間的第一相似度，以及已存儲的第二類型的政策與該目標政策之間的第二相似度的步驟，其中，該第一類型的政策是具有達到該閾值以上的風險度的政策，該第二類型的政策是具有低於該閾值的風險度的政策；以及 <br/>基於該第一相似度及該第二相似度，預測該風險度的步驟；且 <br/>其中該電腦程式存儲於該電腦可讀記錄介質中，與該計算裝置結合而進一步執行如下步驟： <br/>當預測的該風險度達到該閾值以上時，將該目標政策存儲為該第一類型的政策， <br/>當預測的該風險度低於該閾值時，將該目標政策存儲為該第二類型的政策的步驟。
一種半導體裝置的製造方法，包括：<br/> 提供一初始結構，其包括：<br/> 一位元線結構；<br/> 一座落墊層，與該位元線結構相鄰；及<br/> 一隔離層，與該座落墊層相鄰；<br/> 在該初始結構上沉積一第一介電層；<br/> 修改該第一介電層的一蝕刻特性，其中修改該蝕刻特性包含使用約20KeV至約25KeV範圍內的一能量，以及約3x10<sup>16</sup>(離子/cm<sup>2</sup>)至約5x10<sup>16</sup> (離子/cm<sup>2</sup>)範圍內的一劑量，將鍺 (Ge)注入該第一介電層中；<br/> 對該第一介電層進行一蝕刻製程，以形成一第一開口；及<br/> 在該第一開口形成一電容結構。
一種半導體裝置的製造方法，包括：<br/> 提供一初始結構，其包括：<br/> 一位元線結構；<br/> 一座落墊層，與該位元線結構相鄰；及<br/> 一隔離層，與該座落墊層相鄰；<br/> 在該初始結構上沉積一第一介電層；<br/> 修改該第一介電層的一蝕刻特性，其中修改該蝕刻特性包含使用約6KeV至約11KeV範圍內的一能量，以及約3x10<sup>16</sup>(離子/cm<sup>2</sup>)至約5x10<sup>16</sup> (離子/cm<sup>2</sup>)範圍內的一劑量，將氮(N)注入該第一介電層中；<br/> 對該第一介電層進行一蝕刻製程，以形成一第一開口；及<br/> 在該第一開口形成一電容結構。
如請求項2所述之方法，其中該第一介電層和該隔離層由相同的材料製成，並且其中修改該第一介電層的該蝕刻特性使得該隔離層對該蝕刻製程具有比該第一介電層更高的一抗蝕刻性。
如請求項2所述之方法，還包含在該第一介電層上沉積一第二介電層，其中對該第二介電層也進行該蝕刻製程，使得該第一介電層和該第二介電層均形成該第一開口。
一種顯示裝置，包含： <br/>複數個驅動塊，位於一顯示面板上； <br/>一驅動電路，經配置以驅動該些驅動塊；及 <br/>一控制器，經配置以控制該驅動電路驅動該些驅動塊； <br/>其中，每一該驅動塊包含： <br/>複數個發光件，被包含於複數子畫素中；及 <br/>一微積體電路，共同連接該些發光件，以使該些發光件發光； <br/>其中，該微積體電路包含： <br/>一參考電流產生電路，經配置以產生一參考電流；及 <br/>複數個發光電路，連接該些發光件； <br/>其中，該些發光電路經配置以根據該參考電流分別產生發射電流，以使該些發光件發光；且 <br/>其中，該控制器經配置以控制該驅動電路，以使該些微積體電路的複數個參考電流中小於一目標電流的至少一參考電流增大。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該控制器經配置以控制該驅動電路，以在每一該微積體電路中感測到一代表性發射電流時，根據該目標電流調整該參考電流。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該控制器經配置以控制該驅動電路，以使該些微積體電路的複數個參考電流中大於該目標電流的一參考電流減小。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該控制器經配置以控制該驅動電路，以在調整該些微積體電路的複數個參考電流時，調整每一該微積體電路的單一幀的一發射時間。
如請求項4所述之顯示裝置，其中根據一最小參考電流或一最小發射電流來調整該單一幀的該發射時間。
如請求項4所述之顯示裝置，其中該控制器經配置以控制該驅動電路，以使每一該微積體電路的該參考電流與該單一幀的該發射時間之間的乘積係為相同。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該些經感測的參考電流或該些經感測的代表性發射電流是在幀間或幀內獲得。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該控制器經配置以控制該驅動電路，以利用每一該微積體電路的該參考電流與發射電流之間的一關係資訊，來調整單一幀的一發射時間。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該控制器經配置以控制該驅動電路，以利用數位資料的複數個位元中至少冗餘一次的至少一個或多個位元，來調整單一幀的一發射時間。
一種用於結合一多束粒子光柵掃描顯微鏡(1)的處理裝置(800、6000)之方法，該多束粒子光柵掃描顯微鏡(1)的多粒子束(3.1、3.2、3.3、9.1、9.2、9.3)中的每一者定義出視場(1010、1011、1012、1013、1014、1015、1016、1017、1018、1019)，該多粒子束(3.1、3.2、3.3、9.1、9.2、9.3)的該等多個視場(1010、1011、1012、1013、1014、1015、1016、1017、1018、1019)配置成一空間圖案(1000)，藉此定義出一複合視場(1020)， <br/> 其中該方法包含：<br/> - 控制（步驟8005）該多束粒子光柵掃描顯微鏡(1)以同時擷取每個視場(1010、1011、1012、1013、1014、1015、1016、1017、1018、1019)的個別影像(1051、1052、1053、1054)的序列(1050)，該等序列(1050)的多個影像(1051、1052、1053、1054)之間具有一時間鄰域關係；<br/> - 針對至少一些影像(1051、1052、1053、1054)：基於比較該相同視場(1010、1011、1012、1013、1014、1015、1016、1017、1018、1019)的一或多個另外影像來確定（步驟8015）個別影像校準參數值(7101)；<br/> - 基於比較該等影像校準參數值(7101)來調整（步驟8020）該等影像校準參數值(7101)中的一或多者；且<br/> - 針對該等多個視場(1010、1011、1012、1013、1014、1015、1016、1017、1018、1019)中的每一者：基於該等個別影像校準參數值(7101)，聚合（步驟8025）該對應序列(1050)的多個個別影像(1051、1052、1053、1054)，以獲得一個別聚合影像(1059)；及<br/> - 根據該空間圖案(1000)以拼接（步驟8035）針對該多個視場(1010、1011、1012、1013、1014、1015、1016、1017、1018、1019)中的每一者所獲得的該等聚合影像(1059)，藉此獲得該複合視場的一複合影像(1020)。
如請求項1所述之方法，<br/> 其中比較該等影像校準參數值(7101)考慮到由該空間圖案(1000)定義出的該等個別視場(1010、1011、1012、1013、1014、1015、1016、1017、1018、1019)之間的空間鄰域關係或沿著該等序列(1050)的多個影像(1051、1052、1053、1054)之間的該時間鄰域關係中的至少一者。
如請求項1或2所述之方法，<br/> 其中比較該等影像校準參數值是基於該等影像校準參數值(7101)的分佈(7100)。
如請求項3所述之方法，<br/> 其中該分佈(7100)遍布所有影像的子集的該等影像校準參數值。
如請求項4所述之方法，<br/> 其中基於由該空間圖案(1000)定義出的該等對應視場(1010、1011、1012、1013、1014、1015、1016、1017、1018、1019)之間的空間鄰域關係來選定該所有影像的子集。
如請求項4所述之方法，<br/> 其中基於沿著該等序列(1050)的多個影像(1051、1052、1053、1054)之間的該時間鄰域關係來選定該所有影像的子集。
如請求項1所述之方法，其更包含：<br/> - 針對該等多個視場中的每一者：根據一或多個影像品質度量應用（步驟8010）一濾波器以丟棄影像。
如請求項7所述之方法，<br/> 其中該一或多個影像品質度量考慮到沿著該等序列(1050)的多個影像(1051、1052、1053、1054)之間的該時間鄰域關係。
如請求項7或8所述之方法，<br/> 其中該濾波器在該對應序列(1050)的開始或結束處丟棄該等序列(1050)的狀態(7011、7015)中的影像。
如請求項7或8所述之方法，<br/> 其中該影像品質度量係選自含有以下的群組：峰值訊號雜訊比(PSNR)；結構相似性指數(SSIM)；傅立葉環相關性(FRC)；或頻譜訊號雜訊比(SSNR)。
如請求項1或2所述之方法，<br/> 其中有關該等多個影像(1051、1052、1053、1054)中之特定一者的該等影像校準參數值(7101)之該調整是基於有關該等多個影像(1051、1052、1053、1054)之另外一些者當中一或多者的另外影像校準參數值。
如請求項11所述之方法，<br/> 其中根據由該空間圖案(1000)定義的該等對應視場(1010、1011、1012、1013、1014、1015、1016、1017、1018、1019)之間的空間鄰域關係、或沿著該等序列(1050)的多個影像(1051、1052、1053、1054)之間的該時間鄰域關係的至少一者以選定該等多個影像(1051、1052、1053、1054)之另外一些者當中一或多者。
如請求項1或2所述之方法，<br/> 其中該等個別影像(1051、1052、1053、1054)的該聚合是基於一超解析度演算法。
如請求項1或2所述之方法，<br/> 其中該等多個視場(1010、1011、1012、1013、1014、1015、1016、1017、1018、1019)包含多個重疊區域，其中該等多個視野(1010、1011、1012、1013、1014、1015、1016、1017、1018、1019)中的兩個或多者重疊，<br/> 其中該方法更包含：<br/> - 針對該多個重疊區域中的每一者：基於在該個別重疊區域中重疊的該等視場(1010、1011、1012、1013、1014、1015、1016、1017、1018、1019)中的個別兩個或多者以應用超解析度重建。
如請求項1或2所述之方法，<br/> 其中該處理裝置(800、6000)包含多個電腦單元(6011、6012、6013、6014、6015、6016、6017、6018、6019)，在定義出網路佈局的該等多個電腦單元之間的互連，<br/> 其中根據該空間圖案(1000)配置該網路佈局。
如請求項1或2所述之方法，<br/> 其中該處理裝置(800、6000)包含配置用於執行多個平行運算執行緒的多個電腦單元（6011、6012、6013、6014、6015、6016、6017、6018、6019），<br/> 其中該方法更包含：<br/> - 產生多個平行運算執行緒並且將有關該等視場(1010、1011、1012、1013、1014、1015、1016、1017、1018、1019)中不同一些者的處理任務分配給該等多個平行運算執行緒中的不同一些者。
如請求項16所述之方法，<br/> - 根據由該空間圖案(1000)定義出的該等個別視場之間的該空間鄰域關係或沿著該等序列的多個影像之間的該時間鄰域關係中的至少一者，將該處理裝置(800、6000)的記憶體分配給該等多個平行運算執行緒。
如請求項1或2所述之方法，其更包含：<br/> - 根據由該空間圖案(1000)定義出的該等個別視場之間的該空間鄰域關係或沿著該等序列的多個影像之間的該時間鄰域關係中的至少一者所定義的一檔案格式，以儲存有關該等視場的處理任務之資料至一檔案。
如請求項1或2所述之方法，<br/> 其中在反複處理（步驟8027）中執行該確定（步驟8015）、該調整（步驟8020），以調整該等影像校準參數值(7101)；及該聚合（步驟8025）。
如請求項1或2所述之方法，<br/> - 在擷取該等序列(1050)時：確定該等個別影像(1051、1052、1053、1054)的影像品質值，並且基於該等影像品質值來調整用於該擷取的一或多個影像參數。
一種用於與多束粒子光柵掃描顯微鏡(1)溝通的處理裝置，該多束粒子光柵掃描顯微鏡(1)的多粒子束(3.1、3.2、3.3、9.1、9.2、9.3)中的每一者定義出視場(1010、1011、1012、1013、1014、1015、1016、1017、1018、1019)，該等多粒子束(3.1、3.2、3.3、9.1、9.2、9.3)的該等多個視場(1010、1011、1012、1013、1014、1015、1016、1017、1018、1019) 配置成一空間圖案(1000)，藉此定義出一複合視場(1020)，該處理裝置配置成：<br/> - 控制（步驟8005）該多束粒子光柵掃描顯微鏡(1)以同時擷取用於每個視場(1010、1011、1012、1013、1014、1015、1016、1017、1018、1019)的多個個別影像(1051、1052、1053、1054)的序列(1050)，該等序列(1050)的多個影像(1051、1052、1053、1054)之間具有一時間鄰域關係；<br/> - 針對該等影像(1051、1052、1053、1054)中至少一些者：基於比較該等相同視場(1010、1011、1012、1013、1014、1015、1016、1017、1018、1019)的另外影像中之一或多者以確定（步驟8015）個別影像校準參數值(7101)；<br/> - 基於比較該等影像校準參數值(7101)以調整（步驟8020）該等影像校準參數值(7101)中的一或多者；及<br/> - 針對該等多個視場(1010、1011、1012、1013、1014、1015、1016、1017、1018、1019)：基於該等個別影像校準參數值(7101)，聚合（步驟8025）該等個別序列(1050)的多個個別影像(1051、1052、1053、1054)，以獲得一個別聚合影像(1059)；以及<br/> - 根據該空間圖案(1000)，拼接（步驟8035）針對該等多個視場(1010、1011、1012、1013、1014、1015、1016、1017、1018、1019)中的每一者所獲得的多個聚合影像(1059)，藉此獲得該複合視場(1020)的一複合影像。
一種處理裝置，其中該處理裝置配置成執行如請求項1所述之方法。
一種顯微鏡系統，其包含：<br/> - 如請求項21或22中所述之處理裝置；及<br/> - 該多束粒子光柵掃描顯微鏡(1)。
一種用於純化前驅物化合物之方法，其包括： <br/>將粗製產物溶液與第一溶劑混合， <br/>其中該粗製產物溶液包括前驅物化合物及至少一種雜質； <br/>其中該粗製產物溶液進一步包括第二溶劑，且該前驅物化合物溶解於該第二溶劑中； <br/>其中該第一溶劑相對於該前驅物化合物係惰性的；及 <br/>其中該第一溶劑之沸點高於該粗製產物溶液之沸點； <br/>將至少該粗製產物溶液與該第一溶劑之混合物進給至蒸發器；及 <br/>自該蒸發器收集包括該前驅物化合物之餾出物， <br/>其中該餾出物中之該前驅物化合物藉由<sup>1</sup>H NMR測定之純度大於95%。
如請求項1之方法，其中該至少一種雜質不溶解於該第二溶劑中。
如請求項1之方法，其中該粗製產物溶液中之該前驅物化合物之純度係95%或更小，如藉由<sup>1</sup>H NMR所測定。
如請求項1之方法，其中該第一溶劑包括異烷烴流體。
如請求項1之方法，其中該至少一種雜質包括鹽化合物、二烷基化合物或其任一組合中之至少一者。
如請求項1之方法，其中該蒸發器包括刮膜式蒸發器、攪拌式蒸發器、升膜式蒸發器、循環式蒸發器、降膜式蒸發器或其任一組合中之至少一者。
一種用於純化前驅物化合物之系統，其包括： <br/>粗製產物溶液，其包括前驅物化合物及至少一種雜質； <br/>第一溶劑，其沸點高於該粗製產物溶液之沸點；及 <br/>蒸發器， <br/>其中該粗製產物溶液進一步包括第二溶劑，且該前驅物化合物溶解於該第二溶劑中； <br/>其中該第一溶劑相對於該前驅物化合物係惰性的； <br/>其中，當該粗製產物溶液與該第一溶劑之混合物被進給至該蒸發器時，該蒸發器經組態以產生包括該前驅物化合物之餾出物， <br/>其中該餾出物中之該前驅物化合物藉由<sup>1</sup>H NMR測定之純度大於95%。
如請求項7之系統，其中該蒸發器包括刮膜式蒸發器、攪拌式蒸發器、升膜式蒸發器、循環式蒸發器、降膜式蒸發器或其任一組合中之至少一者。
一種具有式 (X) 的化合物，或其藥學上可接受的鹽、互變異構物、立體異構物、鏡像異構物、非鏡像異構物，或其混合物： <br/>S-D (X) <br/>其中， <br/>S係連接子，並且該連接子包含肽可切割單元，該肽可切割單元包含具有序列-P3-P2-P1-的三肽； <br/>D係藥物部分； <br/>其中，P3係<img align="absmiddle" height="67px" width="62px" file="ed10419.jpg" alt="ed10419.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>Rc<sub>1</sub>、Rc<sub>2</sub>和Rc<sub>3</sub>獨立地選自H、OH、CN、NH<sub>2</sub>、鹵素、O-PG、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、5員至10員雜芳基和C<sub>6-10</sub>芳基； <br/>c係0、1或2； <br/>P3視需要地進一步被1、2或3個Rc基團取代； <br/>Rc選自選自H、OH、CN、NH<sub>2</sub>、鹵素、PG、C<sub>1-6</sub>烷基和C<sub>1-6</sub>鹵代烷基； <br/>P2係<img align="absmiddle" height="41px" width="57px" file="ed10432.jpg" alt="ed10432.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，Rb<sub>1</sub>和Rb<sub>2</sub>獨立地選自H、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基和-(CH<sub>2</sub>)<sub>1-6</sub>-OH； <br/>P1選自<img align="absmiddle" height="35px" width="28px" file="ed10437.jpg" alt="ed10437.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>La係-C<sub>1-8</sub>伸烷基-，其中-C<sub>1-8</sub>伸烷基-中的1、2、3或4個不相鄰的碳原子可以視需要地被O替換； <br/>Xa係鍵或-NR-； <br/>R係H或-C<sub>1-4</sub>烷基； <br/>R<sub>1</sub>選自H、Boc、C<sub>1-6</sub>烷基、-OR’、NR'R”、-C(O)OR’、-C(NH)NR’R’’和-C(O)NR’R’’； <br/>R’和R’’獨立地選自H、鹵素、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基和-C<sub>1-6</sub>伸烷基-OH； <br/>「*」代表手性中心，該手性中心選自(S)或(R)組態； <br/>PG選自：三甲矽基團（TMS）、三乙基甲矽烷基（TES）、二甲基異丙基甲矽烷基（DMIPS）、二乙基異丙基甲矽烷基（DEIPS）、三級丁基二甲基甲矽烷基（TBDMS）、三級丁基二苯基甲矽烷基（TBDPS）、三異丙基甲矽烷基（TIPS）、乙醯基（Ac）、氯乙醯基、二氯乙醯基、三氯乙醯基、三氟乙醯基基團（TFA）、苯甲醯基、對甲氧基苯甲醯基、9-茀基甲氧基羰基（Fmoc）、烯丙基氧基羰基（Alloc）、2,2,2-三氯乙氧基羰基（Troc）、羧基苄基（Cbz）、三級丁氧基羰基（Boc）、苄基（Bn）、對甲氧基苄基（PMB）、烯丙基、三苯基甲基（Tr）、雙對甲氧基三苯甲基（DMTr）、甲氧基甲基（MOM）、苯氧基甲基（BOM）、2,2,2-三氯乙氧基甲基、2-甲氧基乙氧基甲基（MEM）、甲基硫代甲基（MTM）、對甲氧基苄基氧基甲基（PMBM）、-C(O)CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>C(O)OH或4,4'-二甲氧基三苯甲基。
如請求項1所述之化合物，其中，該化合物具有式 (I) 的結構，或其藥學上可接受的鹽、互變異構物、立體異構物、鏡像異構物、非鏡像異構物，或其混合物： <br/>L-P-Y-D (I) <br/>L由L<sub>1</sub>-L<sub>2</sub>-X-表示； <br/>L<sub>1</sub>係配體共價結合部分， <br/>-L<sub>2</sub>-X-係延伸子單元； <br/>Y係間隔子單元； <br/>P係肽可切割單元，其中該肽可切割單元包含具有序列-P3-P2-P1-的三肽，P3與X連接，P1與Y連接； <br/>D係藥物部分； <br/>P係肽可切割單元，其中該肽可切割單元包含具有序列-P3-P2-P1-的三肽，P3與X連接，P1與Y連接； <br/>其中，P3係<img align="absmiddle" height="67px" width="62px" file="ed10419.jpg" alt="ed10419.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>Rc<sub>1</sub>選自H、OH、O-PG和C<sub>1-4</sub>烷氧基，Rc<sub>2</sub>和Rc<sub>3</sub>獨立地選自H、鹵素、C<sub>1-4</sub>烷基、5員至10員雜芳基和C<sub>6-10</sub>芳基； <br/>Rc<sub>1</sub>、Rc<sub>2</sub>和Rc<sub>3</sub>視需要地被1、2或3個Rc取代； <br/>Rc選自選自H、OH、C<sub>1-4</sub>烷基和C<sub>1-4</sub>鹵代烷基； <br/>c係0、1或2； <br/>P2係<img align="absmiddle" height="41px" width="57px" file="ed10432.jpg" alt="ed10432.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，Rb<sub>1</sub>和Rb<sub>2</sub>獨立地選自H、C<sub>1-4</sub>烷基和-(CH<sub>2</sub>)<sub>1-4</sub>-OH； <br/>P1選自<img align="absmiddle" height="35px" width="28px" file="ed10437.jpg" alt="ed10437.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>La係-(CH<sub>2</sub>)<sub>1-6</sub>-，其中，-(CH<sub>2</sub>)<sub>1-6</sub>-中的1或2個不相鄰的碳原子可以視需要地被O替換； <br/>Xa係鍵或-NR-； <br/>R係H或-C<sub>1-4</sub>烷基； <br/>R<sub>1</sub>選自H、Boc、NR’R”、C<sub>1-4</sub>烷基、-C(NH)NR’R’’、-C(O)NR’R’’和-C(O)OR’； <br/>R’和R’’獨立地選自H、-C<sub>1-4</sub>烷基和-C<sub>1-4</sub>伸烷基-OH。
如請求項1所述之化合物，其中 <br/>Rc<sub>2</sub>和Rc<sub>3</sub>獨立地選自H、鹵素、C<sub>1-4</sub>烷基、5員至6員雜芳基和苯基； <br/>La選自-CH<sub>2</sub>-、-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-、CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-、CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-和-CH<sub>2</sub>OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-； <br/>R<sub>1</sub>選自Boc、NH<sub>2</sub>、C<sub>1-4</sub>烷基、-C(NH)NH<sub>2</sub>、-C(O)NH<sub>2</sub>、-C(O)NH-C<sub>1-4</sub>烷基、-C(O)NH-C<sub>1-4</sub>伸烷基-OH、-C(O)OH和-C(O)O-C<sub>1-4</sub>烷基。
如請求項1所述之化合物，其中 <br/>P係肽可切割單元，其中該肽可切割單元包含具有序列-P3-P2-P1-的三肽，P3與X連接，P1與Y連接； <br/>其中，P3選自：<img align="absmiddle" height="25px" width="28px" file="ed10420.jpg" alt="ed10420.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="25px" width="28px" file="ed10421.jpg" alt="ed10421.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="25px" width="28px" file="ed10422.jpg" alt="ed10422.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="25px" width="31px" file="ed10423.jpg" alt="ed10423.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="27px" width="28px" file="ed10425.jpg" alt="ed10425.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="23px" width="28px" file="ed10426.jpg" alt="ed10426.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="36px" width="28px" file="ed10427.jpg" alt="ed10427.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="43px" width="30px" file="ed10428.jpg" alt="ed10428.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和； <br/>P2選自：<img align="absmiddle" height="16px" width="28px" file="ed10433.jpg" alt="ed10433.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="28px" file="ed10434.jpg" alt="ed10434.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="25px" width="28px" file="ed10435.jpg" alt="ed10435.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>P1選自：<img align="absmiddle" height="45px" width="36px" file="ed10438.jpg" alt="ed10438.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="45px" width="33px" file="ed10439.jpg" alt="ed10439.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="55px" width="33px" file="ed10440.jpg" alt="ed10440.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="42px" width="37px" file="ed10441.jpg" alt="ed10441.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="34px" width="31px" file="ed10442.jpg" alt="ed10442.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="45px" width="32px" file="ed10443.jpg" alt="ed10443.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="47px" width="33px" file="ed10444.jpg" alt="ed10444.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="47px" width="36px" file="ed10445.jpg" alt="ed10445.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="51px" width="39px" file="ed10446.jpg" alt="ed10446.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="35px" width="33px" file="ed10447.jpg" alt="ed10447.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="33px" width="23px" file="ed10451.jpg" alt="ed10451.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="40px" width="34px" file="ed10631.jpg" alt="ed10631.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="41px" width="36px" file="ed10455.jpg" alt="ed10455.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="40px" width="31px" file="ed10456.jpg" alt="ed10456.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項2所述之化合物，其中， <br/>L由L<sub>1</sub>-L<sub>2</sub>-X-表示； <br/>L<sub>1</sub>係能夠與胺基酸的官能基形成共價鍵的配體共價結合部分； <br/>-L<sub>2</sub>-X-係延伸子單元； <br/>L<sub>2</sub>選自C<sub>1-20</sub>伸烷基、C<sub>2-20</sub>伸烯基和C<sub>2-20</sub>伸炔基，其中，C<sub>1-20</sub>伸烷基中的1、2、3、4、5、6、7或8個不相鄰的碳原子可以視需要地被O或S替換； <br/>X不存在或係-C(O)-； <br/>L視需要地被1、2、3、4或5個R<sub>L</sub>基團取代； <br/>R<sub>L</sub>選自H、D、C<sub>1-6</sub>烷基和C<sub>1-6</sub>鹵代烷基。
如請求項5所述之化合物，其中， <br/>L由L<sub>1</sub>-L<sub>2</sub>-X-表示； <br/>L<sub>1</sub>係能夠與胺基酸的官能基形成醯胺鍵或硫醚鍵的配體共價結合部分； <br/>-L<sub>2</sub>-X-係延伸子單元； <br/>L<sub>2</sub>選自C<sub>1-10</sub>伸烷基、-C<sub>0-4</sub>伸烷基-(C<sub>1-4</sub>伸烷基-O)<sub>1-10</sub>-C<sub>0-4</sub>伸烷基-、-C<sub>0-4</sub>伸烷基-(O-C<sub>1-4</sub>伸烷基)<sub>1-10</sub>-C<sub>0-4</sub>伸烷基-、C<sub>2-10</sub>伸烯基和C<sub>2-10</sub>伸炔基； <br/>X不存在或係-C(O)-； <br/>L視需要地被1、2、3、4或5個R<sub>L</sub>基團取代； <br/>R<sub>L</sub>選自H、D、C<sub>1-6</sub>烷基和C<sub>1-6</sub>鹵代烷基。
如請求項5所述之化合物，其中， <br/>L由L<sub>1</sub>-L<sub>2</sub>-X-表示； <br/>L<sub>1</sub>選自<img align="absmiddle" height="28px" width="18px" file="ed10413.jpg" alt="ed10413.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="25px" width="32px" file="ed10414.jpg" alt="ed10414.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>L<sub>2</sub>選自C<sub>1-10</sub>伸烷基、-(CH<sub>2</sub>)<sub>0-4</sub>-(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-O)<sub>1-10</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>0-4</sub>-、-(CH<sub>2</sub>)<sub>0-4</sub>-(O-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>1-10</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>0-4</sub>-、C<sub>2-10</sub>伸烯基和C<sub>2-10</sub>伸炔基； <br/>X不存在或係-C(O)-； <br/>L視需要地被1、2或3個R<sub>L</sub>基團取代； <br/>R<sub>L</sub>選自H、D、C<sub>1-4</sub>烷基和C<sub>1-4</sub>鹵代烷基。
如請求項5所述之化合物，其中， <br/>L選自<img align="absmiddle" height="28px" width="28px" file="ed10416.jpg" alt="ed10416.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="28px" width="51px" file="ed10417.jpg" alt="ed10417.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="32px" width="54px" file="ed10418.jpg" alt="ed10418.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>m和n獨立地選自1、2、3、4、5、6、7或8。
如請求項5所述之化合物，其中， <br/>m選自4、5或8； <br/>n是3。
如請求項2所述之化合物，其中， <br/>Y選自：<img align="absmiddle" height="19px" width="24px" file="ed10457.jpg" alt="ed10457.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="30px" width="50px" file="ed10459.jpg" alt="ed10459.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>R<sub>Y1</sub>選自H、鹵素、OH、CN、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基和C<sub>1-6</sub>鹵代烷氧基； <br/>R<sub>Y2</sub>選自H、鹵素、OH、CN、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基和C<sub>1-6</sub>鹵代烷氧基； <br/>p係0、1或2； <br/>q係0、1、2、3或4。
如請求項10所述之化合物，其中， <br/>Y選自：<img align="absmiddle" height="19px" width="24px" file="ed10457.jpg" alt="ed10457.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="30px" width="50px" file="ed10459.jpg" alt="ed10459.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>R<sub>Y1</sub>選自H、C<sub>1-6</sub>烷基和C<sub>1-6</sub>鹵代烷基； <br/>R<sub>Y2</sub>選自H、C<sub>1-6</sub>烷基和C<sub>1-6</sub>鹵代烷基； <br/>p係0、1或2； <br/>q係0、1或2。
如請求項10所述之化合物，其中， <br/>Y選自：<img align="absmiddle" height="14px" width="23px" file="ed10462.jpg" alt="ed10462.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>（AM）和<img align="absmiddle" height="28px" width="50px" file="ed10415.jpg" alt="ed10415.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>（PABC）。
如請求項1所述之化合物，其中， <br/>該藥物部分D選自由以下組成之群組：微管蛋白抑制劑和微管聚合抑制劑、抗生素、DNA合成抑制劑、拓樸異構酶I抑制劑、免疫調節劑和螯合配體。
如請求項13所述之化合物，其中，該藥物部分D選自由以下組成之群組：MMAE、MMAF、MMAD、美登素、美登醇、DM1、DM2、DM3、DM4、吡咯并苯二氮呯、吲哚啉并苯二氮呯、DXd、SN38和依喜替康。
如請求項13所述之化合物，其中， <br/>D選自：<img align="absmiddle" height="56px" width="60px" file="ed10468.jpg" alt="ed10468.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="52px" width="59px" file="ed10472.jpg" alt="ed10472.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="25px" width="127px" file="ed10475.jpg" alt="ed10475.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項2所述之化合物，其中， <br/>L由L<sub>1</sub>-L<sub>2</sub>-X-表示； <br/>L<sub>1</sub>係能夠與胺基酸的官能基形成醯胺鍵或硫醚鍵的配體共價結合部分； <br/>L<sub>2</sub>選自C<sub>1-10</sub>伸烷基、-(CH<sub>2</sub>)<sub>0-4</sub>-(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-O)<sub>1-10</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>0-4</sub>-、-(CH<sub>2</sub>)<sub>0-4</sub>-(O-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>1-10</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>0-4</sub>-、C<sub>2-10</sub>伸烯基和C<sub>2-10</sub>伸炔基； <br/>X不存在或係-C(O)-； <br/>L視需要地被1、2或3個R<sub>L</sub>基團取代； <br/>R<sub>L</sub>選自H、D、C<sub>1-4</sub>烷基和C<sub>1-4</sub>鹵代烷基； <br/>Y選自：<img align="absmiddle" height="19px" width="24px" file="ed10457.jpg" alt="ed10457.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="30px" width="50px" file="ed10459.jpg" alt="ed10459.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>R<sub>Y1</sub>選自H、C<sub>1-6</sub>烷基和C<sub>1-6</sub>鹵代烷基； <br/>R<sub>Y2</sub>選自H、C<sub>1-6</sub>烷基和C<sub>1-6</sub>鹵代烷基； <br/>該藥物部分D選自由以下組成之群組：微管蛋白抑制劑和微管聚合抑制劑、抗生素、DNA合成抑制劑、拓樸異構酶I抑制劑、免疫調節劑和螯合配體； <br/>其中該微管蛋白抑制劑和微管聚合抑制劑選自由以下組成之群組：奧瑞他汀、美登素類、微管溶素、念珠藻素、艾日布林和根瘤菌素； <br/>該抗生素選自由以下組成之群組：卡奇黴素、阿德力黴素和蒽環類； <br/>該DNA合成抑制劑選自由以下組成之群組：倍癌黴素、PBD（吡咯并苯二氮呯）和IGN（吲哚啉并苯二氮呯）； <br/>該拓樸異構酶I抑制劑選自由以下組成之群組：喜樹鹼和喜樹鹼類似物； <br/>其中該免疫調節劑選自由以下組成之群組：TLR7促效劑、TLR8促效劑、STING促效劑和RIG-I促效劑； <br/>P係肽可切割單元，其中該肽可切割單元包含具有序列-P3-P2-P1-的三肽，P3與X連接，P1與Y連接； <br/>其中，P3係<img align="absmiddle" height="67px" width="62px" file="ed10419.jpg" alt="ed10419.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>Rc<sub>1</sub>選自OH、O-PG和C<sub>1-4</sub>烷氧基，Rc<sub>2</sub>和Rc<sub>3</sub>獨立地選自H、鹵素、C<sub>1-4</sub>烷基、5員至10員雜芳基和C<sub>6-10</sub>芳基； <br/>Rc<sub>1</sub>、Rc<sub>2</sub>和Rc<sub>3</sub>獨立地視需要地被1、2或3個Rc取代； <br/>Rc選自H、OH、C<sub>1-4</sub>烷基和C<sub>1-4</sub>鹵代烷基； <br/>c係0、1或2； <br/>P2係<img align="absmiddle" height="41px" width="57px" file="ed10432.jpg" alt="ed10432.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，Rb<sub>1</sub>和Rb<sub>2</sub>獨立地選自H、C<sub>1-4</sub>烷基和-(CH<sub>2</sub>)<sub>1-4</sub>-OH； <br/>P1選自<img align="absmiddle" height="35px" width="28px" file="ed10437.jpg" alt="ed10437.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>La係-(CH<sub>2</sub>)<sub>1-6</sub>-，其中，-(CH<sub>2</sub>)<sub>1-6</sub>-中的1、2或3個不相鄰的碳原子可以視需要地被O替換； <br/>Xa係鍵或-NR-； <br/>R係H或-C<sub>1-4</sub>烷基； <br/>R<sub>1</sub>選自H、Boc、NR'R”、C<sub>1-4</sub>烷基、-C(NH)NR’R’’、-C(O)NR’R’’和-C(O)OR’，； <br/>R’和R’’獨立地選自H、-C<sub>1-4</sub>烷基和-C<sub>1-4</sub>伸烷基-OH； <br/><br/>「*」代表手性中心，該手性中心選自 (S) 或 (R) 組態。
如請求項16所述之化合物，其中， <br/>L<sub>1</sub>選自<img align="absmiddle" height="28px" width="18px" file="ed10413.jpg" alt="ed10413.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="25px" width="32px" file="ed10414.jpg" alt="ed10414.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>Rc<sub>2</sub>和Rc<sub>3</sub>獨立地選自H、鹵素、C<sub>1-4</sub>烷基、5員至6員雜芳基和苯基； <br/>La選自-CH<sub>2</sub>-、-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-、CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-、CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-和-CH<sub>2</sub>OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-； <br/>R<sub>1</sub>選自Boc、NH<sub>2</sub>、C<sub>1-4</sub>烷基、-C(NH)NH<sub>2</sub>、-C(O)NH<sub>2</sub>、-C(O)NH-C<sub>1-4</sub>烷基、-C(O)NH-C<sub>1-4</sub>伸烷基-OH、-C(O)OH和-C(O)O-C<sub>1-4</sub>烷基。
如請求項2所述之化合物，其中， <br/>L選自<img align="absmiddle" height="28px" width="28px" file="ed10416.jpg" alt="ed10416.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="28px" width="51px" file="ed10417.jpg" alt="ed10417.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="32px" width="54px" file="ed10418.jpg" alt="ed10418.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>m和n獨立地選自1、2、3、4、5、6、7或8； <br/>Y選自：<img align="absmiddle" height="14px" width="23px" file="ed10462.jpg" alt="ed10462.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>（AM）和<img align="absmiddle" height="28px" width="50px" file="ed10415.jpg" alt="ed10415.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>（PABC）； <br/>D選自：<img align="absmiddle" height="56px" width="60px" file="ed10468.jpg" alt="ed10468.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="52px" width="59px" file="ed10472.jpg" alt="ed10472.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="25px" width="127px" file="ed10475.jpg" alt="ed10475.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>P係肽可切割單元，其中該肽可切割單元包含具有序列-P3-P2-P1-的三肽，P3與X連接，P1與Y連接； <br/>其中，P3選自：<img align="absmiddle" height="25px" width="28px" file="ed10420.jpg" alt="ed10420.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="25px" width="28px" file="ed10421.jpg" alt="ed10421.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="25px" width="28px" file="ed10422.jpg" alt="ed10422.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="25px" width="31px" file="ed10423.jpg" alt="ed10423.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="27px" width="28px" file="ed10425.jpg" alt="ed10425.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="23px" width="28px" file="ed10426.jpg" alt="ed10426.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="36px" width="28px" file="ed10427.jpg" alt="ed10427.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="43px" width="30px" file="ed10428.jpg" alt="ed10428.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="37px" width="41px" file="ed10429.jpg" alt="ed10429.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>P2選自：<img align="absmiddle" height="16px" width="28px" file="ed10433.jpg" alt="ed10433.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="28px" file="ed10434.jpg" alt="ed10434.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="25px" width="28px" file="ed10435.jpg" alt="ed10435.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>P1選自：<img align="absmiddle" height="45px" width="36px" file="ed10438.jpg" alt="ed10438.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="45px" width="33px" file="ed10439.jpg" alt="ed10439.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="55px" width="33px" file="ed10547.jpg" alt="ed10547.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="42px" width="37px" file="ed10548.jpg" alt="ed10548.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="34px" width="31px" file="ed10550.jpg" alt="ed10550.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="45px" width="32px" file="ed10552.jpg" alt="ed10552.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="47px" width="33px" file="ed10554.jpg" alt="ed10554.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="47px" width="36px" file="ed10556.jpg" alt="ed10556.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="51px" width="39px" file="ed10558.jpg" alt="ed10558.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="35px" width="33px" file="ed10447.jpg" alt="ed10447.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="33px" width="23px" file="ed10451.jpg" alt="ed10451.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="40px" width="34px" file="ed10545.jpg" alt="ed10545.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="41px" width="36px" file="ed10455.jpg" alt="ed10455.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="40px" width="31px" file="ed10456.jpg" alt="ed10456.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項18所述之化合物，其中， <br/>m選自4、5或8； <br/>n是3。
如請求項2所述之化合物，其中， <br/>L、Y和D如請求項2之定義； <br/>P係肽可切割單元，其中該肽可切割單元包含具有序列-P3-P2-P1-的三肽，P3與X連接，P1與Y連接； <br/>-P3-P2-P1-係<img align="absmiddle" height="35px" width="71px" file="ed10634.jpg" alt="ed10634.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>「*」代表手性中心，該手性中心選自 (S) 或 (R) 組態； <br/>Rc<sub>1</sub>選自H、OH、O-PG和C<sub>1-4</sub>烷氧基； <br/>Rc<sub>2</sub>和Rc<sub>3</sub>獨立地選自H、鹵素、C<sub>1-4</sub>烷基； <br/>c係0、1或2； <br/>Rc<sub>1</sub>、Rc<sub>2</sub>和Rc<sub>3</sub>視需要地被1、2或3個Rc取代；Rc選自H、OH、C<sub>1-4</sub>烷基和C<sub>1-4</sub>鹵代烷基； <br/>Rb<sub>1</sub>和Rb<sub>2</sub>獨立地選自H、C<sub>1-4</sub>烷基和-(CH<sub>2</sub>)<sub>1-4</sub>-OH； <br/>La係-(CH<sub>2</sub>)<sub>1-6</sub>-，其中，-(CH<sub>2</sub>)<sub>1-6</sub>-中的1或2個不相鄰的碳原子可以視需要地被O替換； <br/>Xa係鍵或-NR-； <br/>R係H或-C<sub>1-4</sub>烷基； <br/>R<sub>1</sub>選自Boc、C<sub>1-</sub><sub>4</sub>烷基、-C(O)OR’、-C(NH)NR’R’’和-C(O)NR’R’’； <br/>R'和R''獨立地選自H、C<sub>1-4</sub>烷基、和-C<sub>1-4</sub>伸烷基-OH。
如請求項20所述之化合物，其中， <br/>Rc<sub>1</sub>係OH； <br/>Rc<sub>2</sub>和Rc<sub>3</sub>係H； <br/>c係0； <br/>Rb<sub>1</sub>和Rb<sub>2</sub>係H； <br/>La係-C<sub>1-6</sub>伸烷基-； <br/>Xa係-NH-； <br/>R<sub>1</sub>係-C(NH)NR’R’’； <br/>R’和R’’係H。
如請求項20所述之化合物，其中， <br/>L、Y和D如請求項20中所定義； <br/>-P3-P2-P1-係<img align="absmiddle" height="45px" width="67px" file="ed10636.jpg" alt="ed10636.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>（SGR）。
如請求項2所述之化合物，其中， <br/>L、Y和D如請求項2所定義； <br/>P係肽可切割單元，其中該肽可切割單元包含具有序列-P3-P2-P1-的三肽，P3與X連接，P1與Y連接； <br/>-P3-P2-P1-係<img align="absmiddle" height="35px" width="71px" file="ed10634.jpg" alt="ed10634.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>「*」代表手性中心，該手性中心選自 (S) 或 (R) 組態； <br/>Rc<sub>1</sub>選自H、OH、O-PG和C<sub>1-4</sub>烷氧基； <br/>Rc<sub>2</sub>和Rc<sub>3</sub>獨立地選自H、鹵素、C<sub>1-4</sub>烷基、5員至10員雜芳基和C<sub>6-10</sub>芳基； <br/>c係0、1或2； <br/>Rc<sub>1</sub>、Rc<sub>2</sub>和Rc<sub>3</sub>視需要地被1、2或3個Rc取代； <br/>Rc選自H、OH、C<sub>1-4</sub>烷氧基和C<sub>1-4</sub>鹵代烷基； <br/>Rb<sub>1</sub>和Rb<sub>2</sub>獨立地選自H、C<sub>1-4</sub>烷基和-(CH<sub>2</sub>)<sub>1-4</sub>-OH； <br/>La係-(CH<sub>2</sub>)<sub>1-6</sub>，其中-(CH<sub>2</sub>)<sub>1-6</sub>-中的1或2個不相鄰的碳原子可以視需要地被O替換； <br/>Xa係鍵或-NR-； <br/>R係H或-C<sub>1-4</sub>烷基； <br/>R<sub>1</sub>選自H、Boc、C<sub>1-</sub><sub>4</sub>烷基、-C(O)OR’、-C(NH)NR’R’’和-C(O)NR’R’’； <br/>R'和R''獨立地選自H、C<sub>1-4</sub>烷基和-C<sub>1-4</sub>伸烷基-OH。
如請求項23所述之化合物，其中， <br/>Rc<sub>1</sub>和Rc<sub>2</sub>係H； <br/>Rc<sub>3</sub>選自係5員至6員雜芳基和苯基； <br/>c係0； <br/>Rb<sub>1</sub>和Rb<sub>2</sub>獨立地選自H或-CH<sub>2</sub>-OH； <br/>R<sub>1</sub>係-C(NH)NR’R’’； <br/>R’和R’’係H。
如請求項23所述之化合物，其中， <br/>-P3-P2-P1-係<img align="absmiddle" height="48px" width="81px" file="ed10637.jpg" alt="ed10637.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>（YSR）。
如請求項1所述之化合物，其中，該化合物選自： <br/><img align="absmiddle" height="56px" width="110px" file="ed10561.jpg" alt="ed10561.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/><img align="absmiddle" height="65px" width="131px" file="ed10562.jpg" alt="ed10562.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/><img align="absmiddle" height="52px" width="167px" file="ed10639.jpg" alt="ed10639.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/><img align="absmiddle" height="37px" width="216px" file="ed10564.jpg" alt="ed10564.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/><img align="absmiddle" height="52px" width="147px" file="ed10566.jpg" alt="ed10566.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/><img align="absmiddle" height="55px" width="133px" file="ed10568.jpg" alt="ed10568.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/><img align="absmiddle" height="52px" width="130px" file="ed10641.jpg" alt="ed10641.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/><img align="absmiddle" height="48px" width="239px" file="ed10570.jpg" alt="ed10570.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；以及 <br/><img align="absmiddle" height="52px" width="170px" file="ed10572.jpg" alt="ed10572.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中， P3、P2和P1如請求項1之定義； <br/>m選自4、5或8； <br/>n是3。
如請求項1之化合物，其中，該化合物選自： <br/>MC-VGR-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="81px" width="163px" file="ed10574.jpg" alt="ed10574.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>MC-SGR-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="81px" width="163px" file="ed10576.jpg" alt="ed10576.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>MC-VGR-PABC-MMAE： <br/><img align="absmiddle" height="64px" width="238px" file="ed10578.jpg" alt="ed10578.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>MC-SGR-PABC-MMAE： <br/><img align="absmiddle" height="64px" width="238px" file="ed10580.jpg" alt="ed10580.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>MC-SGC-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="152px" file="ed10582.jpg" alt="ed10582.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>MC-SAC-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="152px" file="ed10584.jpg" alt="ed10584.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>MsP-SGC-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="164px" file="ed10586.jpg" alt="ed10586.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>MC-S(tBu)GC-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="152px" file="ed10588.jpg" alt="ed10588.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>MC-SGOrn(Boc)-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="152px" file="ed10590.jpg" alt="ed10590.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>MC-SGC-PABC-依喜替康： <br/><img align="absmiddle" height="56px" width="189px" file="ed10592.jpg" alt="ed10592.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>MC-SGO(DEt)-PABC-依喜替康： <br/><img align="absmiddle" height="54px" width="188px" file="ed10594.jpg" alt="ed10594.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>MC-SGE-PABC-依喜替康： <br/><img align="absmiddle" height="52px" width="189px" file="ed10596.jpg" alt="ed10596.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>MC-SGE(tBu)-PABC-依喜替康： <br/><img align="absmiddle" height="57px" width="189px" file="ed10598.jpg" alt="ed10598.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>MC-SGC(Me)-PABC-依喜替康： <br/><img align="absmiddle" height="59px" width="189px" file="ed10600.jpg" alt="ed10600.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>MC-SGC(Peg)-PABC-依喜替康： <br/><img align="absmiddle" height="59px" width="189px" file="ed10602.jpg" alt="ed10602.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>MC-TGC-PABC-依喜替康： <br/><img align="absmiddle" height="56px" width="189px" file="ed10604.jpg" alt="ed10604.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>MC-SGhC(O)-PABC-依喜替康： <br/><img align="absmiddle" height="58px" width="174px" file="ed10606.jpg" alt="ed10606.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>MC-YSR-PABC-依喜替康： <br/><img align="absmiddle" height="56px" width="189px" file="ed10608.jpg" alt="ed10608.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>MC-SGE-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="152px" file="ed10610.jpg" alt="ed10610.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>MC-SGC(Peg)-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="152px" file="ed10612.jpg" alt="ed10612.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>MC-TSR-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="64px" width="152px" file="ed10614.jpg" alt="ed10614.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>MC-YSR-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="64px" width="152px" file="ed10616.jpg" alt="ed10616.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>MC-SGO-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="152px" file="ed10618.jpg" alt="ed10618.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>MC-SGK-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="62px" width="153px" file="ed10620.jpg" alt="ed10620.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>Mal-PEG4-VGR-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="65px" width="202px" file="ed10622.jpg" alt="ed10622.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>Mal-PEG4-SGR-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="66px" width="202px" file="ed10624.jpg" alt="ed10624.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>MC-SGhR-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="62px" width="153px" file="ed10626.jpg" alt="ed10626.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>MC-SGN-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="62px" width="153px" file="ed10628.jpg" alt="ed10628.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>MsP-SGR-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="164px" file="ed10448.jpg" alt="ed10448.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>MsP-YSR-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="64px" width="166px" file="ed10643.jpg" alt="ed10643.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>MsP-SGR-依喜替康： <br/><img align="absmiddle" height="52px" width="163px" file="ed10449.jpg" alt="ed10449.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>MsP-YSR-依喜替康： <br/><img align="absmiddle" height="53px" width="166px" file="ed10645.jpg" alt="ed10645.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>MsP-SGR-PABC-依喜替康： <br/><img align="absmiddle" height="55px" width="203px" file="ed10450.jpg" alt="ed10450.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>MsP-YSR-PABC-依喜替康： <br/><img align="absmiddle" height="56px" width="204px" file="ed10648.jpg" alt="ed10648.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>MsP-SGE-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="166px" file="ed10650.jpg" alt="ed10650.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>MsP-TSR-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="64px" width="166px" file="ed10652.jpg" alt="ed10652.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>MsP-SGK-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="166px" file="ed10654.jpg" alt="ed10654.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>MsP-Y(Me)SR-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="65px" width="167px" file="ed10656.jpg" alt="ed10656.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、和 <br/>Mal-PEG8-SGR-PABC-依喜替康： <br/><img align="absmiddle" height="56px" width="189px" file="ed10657.jpg" alt="ed10657.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述之化合物，其中， <br/>該藥物部分D衍生自具有式 (D-I) 或 (D-II) 的化合物： <br/><img align="absmiddle" height="59px" width="66px" file="ed10477.jpg" alt="ed10477.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(D-I) 或 <img align="absmiddle" height="59px" width="63px" file="ed10478.jpg" alt="ed10478.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (D-II) <br/><br/>Rd<sub>1</sub>係C<sub>1-6</sub>烷基或C<sub>1-6</sub>烷氧基； <br/>Rd<sub>2</sub>係鹵素； <br/>或者，Rd<sub>1</sub>和Rd<sub>2</sub>與它們所附接的碳原子一起形成5-10員雜亞環基或5-10員雜伸芳基，該雜亞環基或該雜伸芳基視需要地被1、2或3個選自H、D、鹵素和C<sub>1-4</sub>烷基的取代基取代； <br/>Rd<sub>3</sub>選自<img align="absmiddle" height="13px" width="26px" file="ed10511.jpg" alt="ed10511.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="14px" width="31px" file="ed10512.jpg" alt="ed10512.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="14px" width="33px" file="ed10513.jpg" alt="ed10513.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="30px" file="ed10514.jpg" alt="ed10514.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="32px" file="ed10515.jpg" alt="ed10515.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="19px" width="36px" file="ed10516.jpg" alt="ed10516.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>Rd<sub>a</sub>、Rd<sub>b</sub>和Rd<sub>c</sub>獨立地選自H和C<sub>1-6</sub>烷基； <br/>每個p獨立地是0、1、2、3、4、5或6。
如請求項28所述之化合物，其中， <br/>Rd<sub>1</sub>係C<sub>1-6</sub>烷基或C<sub>1-6</sub>烷氧基； <br/>Rd<sub>2</sub>係鹵素； <br/>或者，Rd<sub>1</sub>和Rd<sub>2</sub>與它們所附接的碳原子一起形成5-6員雜亞環基或5-6員雜伸芳基，該雜亞環基或該雜伸芳基視需要地被1、2或3個選自H、D、鹵素和C<sub>1-4</sub>烷基的取代基取代； <br/>Rd<sub>3</sub>是<img align="absmiddle" height="13px" width="26px" file="ed10511.jpg" alt="ed10511.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>Rd<sub>a</sub>、Rd<sub>b</sub>和Rd<sub>c</sub>獨立地選自H和C<sub>1-6</sub>烷基； <br/>每個p獨立地是0、1、2、3、4、5或6。
如請求項28所述之化合物，其中， <br/>Rd<sub>1</sub>係C<sub>1-4</sub>烷基或C<sub>1-4</sub>烷氧基； <br/>Rd<sub>2</sub>係鹵素； <br/>或，Rd<sub>1</sub>、Rd<sub>2</sub>與它們所附接的碳原子一起形成<img align="absmiddle" height="16px" width="13px" file="ed10508.jpg" alt="ed10508.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="20px" file="ed10509.jpg" alt="ed10509.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="16px" width="20px" file="ed10510.jpg" alt="ed10510.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>Rd<sub>3</sub>選自<img align="absmiddle" height="10px" width="10px" file="ed10517.jpg" alt="ed10517.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="12px" width="11px" file="ed10518.jpg" alt="ed10518.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="14px" width="16px" file="ed10519.jpg" alt="ed10519.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="13px" file="ed10520.jpg" alt="ed10520.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="20px" width="13px" file="ed10521.jpg" alt="ed10521.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="21px" file="ed10522.jpg" alt="ed10522.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="30px" width="18px" file="ed10523.jpg" alt="ed10523.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="23px" file="ed10524.jpg" alt="ed10524.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="14px" width="18px" file="ed10525.jpg" alt="ed10525.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="14px" width="19px" file="ed10526.jpg" alt="ed10526.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="19px" width="33px" file="ed10527.jpg" alt="ed10527.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項28所述之化合物，其中，該藥物部分D衍生自以下化合物： <br/><img align="absmiddle" height="63px" width="63px" file="ed10479.jpg" alt="ed10479.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="63px" width="64px" file="ed10480.jpg" alt="ed10480.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="63px" width="64px" file="ed10481.jpg" alt="ed10481.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="67px" width="63px" file="ed10482.jpg" alt="ed10482.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="69px" width="63px" file="ed10483.jpg" alt="ed10483.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="63px" width="63px" file="ed10484.jpg" alt="ed10484.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="66px" width="64px" file="ed10485.jpg" alt="ed10485.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="63px" width="63px" file="ed10486.jpg" alt="ed10486.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="60px" width="63px" file="ed10487.jpg" alt="ed10487.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="61px" width="63px" file="ed10488.jpg" alt="ed10488.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="72px" width="63px" file="ed10489.jpg" alt="ed10489.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="79px" width="63px" file="ed10490.jpg" alt="ed10490.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="72px" width="63px" file="ed10491.jpg" alt="ed10491.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項28所述之化合物，其中， <br/>該藥物部分D選自具有式 (D-III) 或 (D-IV) 的化合物： <br/><img align="absmiddle" height="68px" width="66px" file="ed10492.jpg" alt="ed10492.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(D-III) <img align="absmiddle" height="67px" width="63px" file="ed10493.jpg" alt="ed10493.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(D-IV) <br/>其中， <br/><img align="absmiddle" height="12px" width="12px" file="ed10494.jpg" alt="ed10494.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示與該化合物其餘部分的附接位點； <br/>Rd<sub>1</sub>和Rd<sub>2</sub>如請求項28中所定義； <br/>Rd<sub>3</sub>’選自<img align="absmiddle" height="13px" width="35px" file="ed10528.jpg" alt="ed10528.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="34px" file="ed10529.jpg" alt="ed10529.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="34px" file="ed10530.jpg" alt="ed10530.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="38px" file="ed10531.jpg" alt="ed10531.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="17px" width="42px" file="ed10532.jpg" alt="ed10532.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="19px" width="40px" file="ed10533.jpg" alt="ed10533.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>Rd<sub>a</sub>’和Rd<sub>c</sub>’獨立地選自鍵和C<sub>1-6</sub>伸烷基； <br/>Rd<sub>b</sub>選自H和C<sub>1-6</sub>烷基； <br/>每個p獨立地是0、1、2、3、4、5或6。
如請求項32所述之化合物，其中， <br/>Rd<sub>3</sub>’選自<img align="absmiddle" height="17px" width="13px" file="ed10534.jpg" alt="ed10534.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="15px" file="ed10535.jpg" alt="ed10535.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="15px" file="ed10536.jpg" alt="ed10536.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="25px" width="19px" file="ed10537.jpg" alt="ed10537.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="35px" width="25px" file="ed10543.jpg" alt="ed10543.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="ed10538.jpg" alt="ed10538.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="33px" width="20px" file="ed10539.jpg" alt="ed10539.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="33px" width="21px" file="ed10540.jpg" alt="ed10540.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="16px" file="ed10541.jpg" alt="ed10541.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="18px" file="ed10542.jpg" alt="ed10542.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="19px" width="37px" file="ed10544.jpg" alt="ed10544.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項32所述之化合物，其中，該藥物部分D選自： <br/><img align="absmiddle" height="72px" width="63px" file="ed10495.jpg" alt="ed10495.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="72px" width="64px" file="ed10496.jpg" alt="ed10496.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="72px" width="64px" file="ed10497.jpg" alt="ed10497.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="74px" width="63px" file="ed10498.jpg" alt="ed10498.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="74px" width="63px" file="ed10499.jpg" alt="ed10499.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="72px" width="63px" file="ed10500.jpg" alt="ed10500.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="66px" width="68px" file="ed10501.jpg" alt="ed10501.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="63px" width="63px" file="ed10502.jpg" alt="ed10502.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="64px" width="63px" file="ed10503.jpg" alt="ed10503.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="73px" width="63px" file="ed10504.jpg" alt="ed10504.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="82px" width="63px" file="ed10505.jpg" alt="ed10505.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="84px" width="63px" file="ed10506.jpg" alt="ed10506.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="82px" width="63px" file="ed10507.jpg" alt="ed10507.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述之化合物，其中該化合物選自： <br/><img align="absmiddle" height="56px" width="131px" file="ed10660.jpg" alt="ed10660.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="66px" width="158px" file="ed10662.jpg" alt="ed10662.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="66px" width="157px" file="ed10664.jpg" alt="ed10664.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="94px" width="129px" file="ed10666.jpg" alt="ed10666.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="87px" width="119px" file="ed10668.jpg" alt="ed10668.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="84px" width="123px" file="ed10670.jpg" alt="ed10670.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>其中，P3、P2和P1如請求項1之定義； <br/>m選自4、5或8； <br/>n是3。
如請求項35所述之化合物，其中，該化合物選自： <br/><img align="absmiddle" height="52px" width="195px" file="ed10672.jpg" alt="ed10672.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="52px" width="195px" file="ed10674.jpg" alt="ed10674.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種具有式 (II) 的偶聯物： <br/>T-(S’-D)<sub>k</sub> (II) <br/>其中， <br/>T係靶向部分； <br/>S’係連接子，該連接子係藉由在S和T之間連接而形成的二價基團； <br/>其中，該連接子包含肽可切割單元，該肽可切割單元包含具有序列-P3-P2-P1-的三肽，P3、P2和P1如請求項1-36中任一項之定義； <br/>D係藥物部分； <br/>k的範圍從1到約20。
如請求項37所述之偶聯物，其中該靶向部分選自抗體或其抗原結合片段、配體或靶向肽。
如請求項38所述之偶聯物，其中該抗體或其抗原結合片段與腫瘤抗原、腫瘤相關抗原、免疫細胞抗原或T細胞抗原結合； <br/>其中該配體與在腫瘤細胞或免疫細胞上表現的受體、或在腫瘤微環境中表現的受體結合；和/或 <br/>其中靶向肽與在腫瘤細胞或免疫細胞上表現的靶分子，或在腫瘤微環境中表現的受體結合。
如請求項38所述之偶聯物，其中該抗體係單株抗體、雙特異性抗體或多特異性抗體。
如請求項38所述之偶聯物，其中該抗體係鼠抗體、嵌合抗體、人源化抗體或人抗體。
如請求項38所述之偶聯物，其中該抗體屬於選自由IgG、IgA、IgM、IgE和IgD組成之群組的同種型。
如請求項38所述之偶聯物，其中該抗原結合片段選自由以下組成之群組：Fab、Fab'、F(ab')<sub>2</sub>、Fv、scFv和ds-scFv。
如請求項39所述之偶聯物，其中，-S'-D由式 (III) 表示： <br/><img align="absmiddle" height="9px" width="29px" file="ed10676.jpg" alt="ed10676.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(III) <br/>其中<img align="absmiddle" height="9px" width="10px" file="ed10678.jpg" alt="ed10678.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示與如請求項39所定義的抗體或其抗原結合片段的附接位點； <br/>L'由式-L<sub>1</sub>'-L<sub>2</sub>-X-表示，其中，L<sub>1</sub>'係藉由在L<sub>1</sub>和T之間連接而形成的二價基團； <br/>L<sub>1</sub>、L<sub>2</sub>、P、Y和D如請求項2之定義。
如請求項44所述之偶聯物，其中， <br/>L<sub>1</sub>’選自<img align="absmiddle" height="25px" width="27px" file="ed10680.jpg" alt="ed10680.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="28px" width="28px" file="ed10682.jpg" alt="ed10682.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="27px" width="28px" file="ed10684.jpg" alt="ed10684.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="25px" width="34px" file="ed10685.jpg" alt="ed10685.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項44所述之偶聯物，其中，-S'-D選自： <br/><img align="absmiddle" height="56px" width="117px" file="ed10687.jpg" alt="ed10687.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/><img align="absmiddle" height="65px" width="138px" file="ed10689.jpg" alt="ed10689.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/><img align="absmiddle" height="52px" width="175px" file="ed10690.jpg" alt="ed10690.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/><img align="absmiddle" height="37px" width="223px" file="ed10691.jpg" alt="ed10691.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/><img align="absmiddle" height="52px" width="154px" file="ed10458.jpg" alt="ed10458.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/><img align="absmiddle" height="55px" width="136px" file="ed10693.jpg" alt="ed10693.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/><img align="absmiddle" height="52px" width="132px" file="ed10694.jpg" alt="ed10694.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/><img align="absmiddle" height="47px" width="241px" file="ed10695.jpg" alt="ed10695.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；以及 <br/><img align="absmiddle" height="52px" width="172px" file="ed10696.jpg" alt="ed10696.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中，<img align="absmiddle" height="9px" width="10px" file="ed10678.jpg" alt="ed10678.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示與請求項39所定義的抗體或其抗原結合片段的附接位點； <br/>P3、P2和P1如請求項1之定義； <br/>m選自4、5或8； <br/>n是3。
如請求項44所述之偶聯物，其中，-S'-D選自： <br/>-MC-VGR-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="81px" width="170px" file="ed10706.jpg" alt="ed10706.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>-MC-SGR-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="81px" width="170px" file="ed10707.jpg" alt="ed10707.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>-MC-VGR-PABC-MMAE： <br/><img align="absmiddle" height="64px" width="245px" file="ed10708.jpg" alt="ed10708.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>-MC-SGR-PABC-MMAE： <br/><img align="absmiddle" height="64px" width="245px" file="ed10709.jpg" alt="ed10709.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>-MC-SGC-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="159px" file="ed10710.jpg" alt="ed10710.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>-MC-SAC-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="159px" file="ed10711.jpg" alt="ed10711.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>-MsP-SGC-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="166px" file="ed10712.jpg" alt="ed10712.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>-MC-S(tBu)GC-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="159px" file="ed10713.jpg" alt="ed10713.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>-MC-SGOrn(Boc)-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="159px" file="ed10714.jpg" alt="ed10714.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>-MC-SGC-PABC-依喜替康： <br/><img align="absmiddle" height="56px" width="196px" file="ed10715.jpg" alt="ed10715.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>-MC-SGO(DEt)-PABC-依喜替康： <br/><img align="absmiddle" height="54px" width="195px" file="ed10716.jpg" alt="ed10716.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>-MC-SGE-PABC-依喜替康： <br/><img align="absmiddle" height="52px" width="196px" file="ed10717.jpg" alt="ed10717.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>-MC-SGE(tBu)-PABC-依喜替康： <br/><img align="absmiddle" height="57px" width="196px" file="ed10718.jpg" alt="ed10718.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>-MC-SGC(Me)-PABC-依喜替康： <br/><img align="absmiddle" height="59px" width="196px" file="ed10719.jpg" alt="ed10719.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>-MC-SGC(Peg)-PABC-依喜替康： <br/><img align="absmiddle" height="59px" width="196px" file="ed10720.jpg" alt="ed10720.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>-MC-TGC-PABC-依喜替康： <br/><img align="absmiddle" height="56px" width="196px" file="ed10721.jpg" alt="ed10721.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>-MC-SGhC(O)-PABC-依喜替康： <br/><img align="absmiddle" height="58px" width="181px" file="ed10723.jpg" alt="ed10723.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>-MC-YSR-PABC-依喜替康： <br/><img align="absmiddle" height="56px" width="196px" file="ed10725.jpg" alt="ed10725.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>-MC-SGE-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="159px" file="ed10727.jpg" alt="ed10727.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>-MC-SGC(Peg)-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="159px" file="ed10729.jpg" alt="ed10729.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>-MC-TSR-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="64px" width="159px" file="ed10730.jpg" alt="ed10730.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>-MC-YSR-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="64px" width="159px" file="ed10731.jpg" alt="ed10731.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>-MC-SGO-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="159px" file="ed10732.jpg" alt="ed10732.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>-MC-SGK-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="62px" width="160px" file="ed10733.jpg" alt="ed10733.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>-Mal-PEG4-VGR-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="68px" width="205px" file="ed10734.jpg" alt="ed10734.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>-Mal-PEG4-SGR-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="69px" width="205px" file="ed10735.jpg" alt="ed10735.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>-MC-SGhR-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="62px" width="160px" file="ed10736.jpg" alt="ed10736.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、和 <br/>-MC-SGN-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="62px" width="160px" file="ed10737.jpg" alt="ed10737.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>-MsP-SGR-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="166px" file="ed10461.jpg" alt="ed10461.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>-MsP-YSR-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="64px" width="167px" file="ed10738.jpg" alt="ed10738.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>-MsP-SGR-依喜替康： <br/><img align="absmiddle" height="52px" width="165px" file="ed10463.jpg" alt="ed10463.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>-MsP-YSR-依喜替康： <br/><img align="absmiddle" height="53px" width="166px" file="ed10739.jpg" alt="ed10739.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>-MsP-SGR-PABC-依喜替康： <br/><img align="absmiddle" height="55px" width="205px" file="ed10464.jpg" alt="ed10464.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>-MsP-YSR-PABC-依喜替康： <br/><img align="absmiddle" height="56px" width="205px" file="ed10741.jpg" alt="ed10741.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>-MsP-SGE-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="167px" file="ed10742.jpg" alt="ed10742.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>-MsP-TSR-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="64px" width="167px" file="ed10743.jpg" alt="ed10743.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>-MsP-SGK-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="167px" file="ed10744.jpg" alt="ed10744.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>-MsP-Y(Me)SR-DXD： <br/><img align="absmiddle" height="65px" width="167px" file="ed10745.jpg" alt="ed10745.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、和 <br/>-Mal-PEG8-SGR-PABC-依喜替康： <br/><img align="absmiddle" height="56px" width="196px" file="ed10746.jpg" alt="ed10746.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中，<img align="absmiddle" height="9px" width="10px" file="ed10678.jpg" alt="ed10678.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示與請求項39所定義的抗體或其抗原結合片段的附接位點。
如請求項37所述之偶聯物，其中，該偶聯物選自： <br/><img align="absmiddle" height="81px" width="181px" file="ed10749.jpg" alt="ed10749.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="81px" width="180px" file="ed10750.jpg" alt="ed10750.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="64px" width="257px" file="ed10751.jpg" alt="ed10751.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="64px" width="259px" file="ed10752.jpg" alt="ed10752.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="63px" width="171px" file="ed10753.jpg" alt="ed10753.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="171px" file="ed10754.jpg" alt="ed10754.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="62px" width="181px" file="ed10755.jpg" alt="ed10755.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="172px" file="ed10756.jpg" alt="ed10756.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="174px" file="ed10757.jpg" alt="ed10757.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="56px" width="208px" file="ed10758.jpg" alt="ed10758.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="54px" width="207px" file="ed10759.jpg" alt="ed10759.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="52px" width="210px" file="ed10760.jpg" alt="ed10760.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="57px" width="208px" file="ed10761.jpg" alt="ed10761.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="59px" width="205px" file="ed10762.jpg" alt="ed10762.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="59px" width="207px" file="ed10763.jpg" alt="ed10763.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="56px" width="205px" file="ed10764.jpg" alt="ed10764.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="58px" width="190px" file="ed10765.jpg" alt="ed10765.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="56px" width="206px" file="ed10766.jpg" alt="ed10766.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="172px" file="ed10767.jpg" alt="ed10767.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="170px" file="ed10768.jpg" alt="ed10768.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="64px" width="169px" file="ed10769.jpg" alt="ed10769.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="64px" width="168px" file="ed10770.jpg" alt="ed10770.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="62px" width="173px" file="ed10771.jpg" alt="ed10771.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="63px" width="172px" file="ed10772.jpg" alt="ed10772.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="74px" width="218px" file="ed10773.jpg" alt="ed10773.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="69px" width="221px" file="ed10774.jpg" alt="ed10774.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="63px" width="171px" file="ed10775.jpg" alt="ed10775.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、和 <br/><img align="absmiddle" height="64px" width="169px" file="ed10776.jpg" alt="ed10776.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="64px" width="177px" file="ed10469.jpg" alt="ed10469.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="67px" width="175px" file="ed10777.jpg" alt="ed10777.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="52px" width="174px" file="ed10470.jpg" alt="ed10470.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="53px" width="176px" file="ed10778.jpg" alt="ed10778.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="57px" width="213px" file="ed10471.jpg" alt="ed10471.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="215px" file="ed10780.jpg" alt="ed10780.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="177px" file="ed10781.jpg" alt="ed10781.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="64px" width="178px" file="ed10782.jpg" alt="ed10782.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="177px" file="ed10783.jpg" alt="ed10783.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="69px" width="180px" file="ed10784.jpg" alt="ed10784.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、和 <br/><img align="absmiddle" height="56px" width="205px" file="ed10785.jpg" alt="ed10785.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中，Ab係與腫瘤抗原、腫瘤相關抗原、或免疫細胞抗原或T細胞抗原結合的抗體或其抗原結合片段； <br/>並且其中k係選自4至8的整數。
如請求項48所述之偶聯物，其中k係4或8。
如請求項37所述之偶聯物，其中-S'-D選自： <br/><img align="absmiddle" height="56px" width="138px" file="ed10697.jpg" alt="ed10697.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="61px" width="158px" file="ed10698.jpg" alt="ed10698.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="158px" file="ed10699.jpg" alt="ed10699.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="88px" width="128px" file="ed10700.jpg" alt="ed10700.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="81px" width="119px" file="ed10702.jpg" alt="ed10702.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="79px" width="124px" file="ed10704.jpg" alt="ed10704.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，<img align="absmiddle" height="9px" width="10px" file="ed10678.jpg" alt="ed10678.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示與請求項39所定義的抗體或其抗原結合片段的附接位點； <br/>P3、P2和P1如請求項1之定義； <br/>m選自4、5或8； <br/>n是3。
如請求項50所述之偶聯物，其中-S'-D選自： <br/><img align="absmiddle" height="52px" width="195px" file="ed10747.jpg" alt="ed10747.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="52px" width="195px" file="ed10748.jpg" alt="ed10748.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>其中，<img align="absmiddle" height="9px" width="10px" file="ed10678.jpg" alt="ed10678.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示與請求項39所定義的抗體或其抗原結合片段的附接位點。
如請求項50所述之偶聯物，其中該偶聯物選自： <br/><img align="absmiddle" height="54px" width="206px" file="ed10786.jpg" alt="ed10786.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="52px" width="204px" file="ed10787.jpg" alt="ed10787.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，Ab係與腫瘤抗原、腫瘤相關抗原、或免疫細胞抗原或T細胞抗原結合的抗體或其抗原結合片段； <br/>並且其中k係選自4至8的整數。
如請求項52所述之偶聯物，其中k係4或8。
如請求項48所述之偶聯物，其中該抗體係Trop2抗體。
如請求項50所述之偶聯物，其中該抗體係Trop2抗體。
一種組成物，其包含如請求項37-55中任一項所述之偶聯物和視需要地藥學上可接受的載劑或賦形劑。
一種如請求項1-36中任一項所述之化合物，或其藥學上可接受的鹽、互變異構物、立體異構物、鏡像異構物、非鏡像異構物，或其混合物之用途，其係用於製造治療疾病的藥物。
如請求項57所述之用途，其中該疾病選自癌症、傳染病、炎性疾病、自體免疫性疾病和免疫缺乏疾病。
一種如請求項37-55中任一項所述之偶聯物之用途，其係用於製造治療疾病的藥物。
如請求項59所述之用途，其中該疾病選自癌症、傳染病、炎性疾病、自體免疫性疾病和免疫缺乏疾病。
一種顯示設備，包含：一基板，包含一第一子像素至一第三子像素；一堤部層，位於該基板上以劃分該第一子像素至該第三子像素；一電晶體，位於該第一子像素至該第三子像素中的每一者中；一發光裝置，位於該第一子像素至該第三子像素中的每一者中，至少一該發光裝置包含一第一電極、一發光層，以及一第二電極；一輔助電極，位於該堤部層上；一第一圖案及一第二圖案，具有位於該堤部層上的突出結構；以及多個第一封裝層，每個該第一封裝層形成於該第一子像素至該第三子像素的各自子像素上，該第一封裝層由該第二圖案劃分，其中該第二電極電性連接至該堤部層上的該輔助電極。
如請求項1所述之顯示設備，其中該第一圖案以及該第二圖案設置於該輔助電極上。
如請求項2所述之顯示設備，其中該第一圖案由無機材料形成且該第二圖案由一非晶半導體形成。
如請求項2或3所述之顯示設備，其中該第二電極延伸至該第一圖案的一側表面並連接至該輔助電極的一側表面。
如請求項2所述之顯示設備，更包含位於該輔助電極以及該第一圖案之間的一保護層。
如請求項5所述之顯示設備，其中該保護層較該輔助電極易被氧化。
如請求項5所述之顯示設備，其中該保護層的一寬度等於該輔助電極的一寬度。
如請求項1所述之顯示設備，其中該堤部層包含：一第一堤部層；以及一第二堤部層，位於該第一堤部層上，該第二堤部層包含至少一堤部開口。
如請求項8所述之顯示設備，其中該堤部開口形成於該第一圖案的兩側及/或該第二堤部層的兩側。
如請求項9所述之顯示設備，其中該輔助電極形成於該堤部開口內並且該第二電極形成於該堤部開口中的該輔助電極上。
如請求項1所述之顯示設備，更包含位於該堤部層上的一低電位電壓線路。
如請求項11所述之顯示設備，其中該第一圖案設置於該堤部層上並且一第一圖案開口形成於該第一圖案中，以使該低電位電壓線路透過該第一圖案開口露出。
如請求項12所述之顯示設備，其中該第二圖案形成於該第一圖案開口中。
如請求項13所述之顯示設備，其中該輔助電極形成於該第一圖案開口的側表面上和上表面上以及該第一圖案開口內，以使該輔助電極電性連接至位於該第一圖案開口中的該低電位電壓線路。
如請求項14所述之顯示設備，其中該第二電極連接至該第一圖案的該側表面上的該輔助電極。
如請求項1所述之顯示設備，更包含：一第二封裝層，形成於該基板的整個區域上以及該些第一封裝層上；以及一第三封裝層，位於該第二封裝層上。
如請求項1所述之顯示設備，其中該發光層包含一有機發光層、一無機發光層、一奈米級材料層、一量子點層、一微型LED發光層，或一迷你LED發光層。
一種語音辨識系統，包含有：<br/> 一處理電路；以及<br/> 一記憶體；<br/> 其中該處理電路用以執行以下操作：<br/> 分別接收多個聲音訊號；<br/> 分別對該多個聲音訊號進行時域至頻域的轉換操作以產生多個頻域訊號；<br/> 使用一形態學濾波器(morphological filter)來分別對根據該多個頻域訊號所產生之多個聲譜圖進行濾波操作以產生多個濾波後背景圖，其中每一個濾波後背景圖包含了分別對應至不同時間與頻點的多個數值，且該多個數值中每一個數值表示濾波後背景圖所對應之該聲譜圖中對應之一格強度值與鄰近格之強度值的差異；<br/> 根據該多個濾波後背景圖之每一個濾波後背景圖的該多個數值的大小以分別產生多個初始語音指紋，其中該多個初始語音指紋中的每一個初始語音指紋包含了所對應之該濾波後背景圖中該多個數值中的多個峰值所對應的時間與頻點；<br/> 根據該多個初始語音指紋中的至少兩個初始語音指紋做相似性匹配，以產生至少一語音指紋；以及<br/> 將該至少一語音指紋儲存於該記憶體中，以供進行語音辨識使用。
如申請專利範圍第1項所述之語音辨識系統，其中根據該多個初始語音指紋中的該至少兩個初始語音指紋做相似性匹配，以產生該至少一語音指紋的步驟包含有：<br/> 對該多個初始語音指紋中的該至少兩個初始語音指紋做相似性匹配，以決定出該至少一語音指紋之多個峰值所對應的時間與頻點。
如申請專利範圍第2項所述之語音辨識系統，其中對該多個初始語音指紋中的該至少兩個初始語音指紋做相似性匹配，以決定出該至少一語音指紋之該多個峰值所對應的時間與頻點的步驟包含有：<br/> 尋找該至少兩個初始語音指紋中具有匹配時間間隔的多個峰值，並根據該至少兩個初始語音指紋中具有匹配時間間隔的該多個峰值所對應的時間與頻點以決定出該至少一語音指紋之該多個峰值所對應的時間與頻點。
如申請專利範圍第1項所述之語音辨識系統，其中該多個聲音訊號為一使用者在不同時間點所說出之相同關鍵詞所產生。
如申請專利範圍第1項所述之語音辨識系統，其中該處理電路另執行以下操作：<br/> 接收一特定聲音訊號；<br/> 對該特定聲音訊號進行時域至頻域的轉換操作以產生一特定頻域訊號；<br/> 使用該形態學濾波器來對該特定頻域訊號進行濾波操作以產生一特定濾波後背景圖；<br/> 根據該特定濾波後背景圖以產生一待辨識語音指紋；以及<br/> 判斷該待辨識語音指紋是否與該至少一語音指紋匹配。
一種語音辨識方法，包含有：<br/> 分別接收多個聲音訊號；<br/> 分別對該多個聲音訊號進行時域至頻域的轉換操作以產生多個頻域訊號；<br/> 使用一形態學濾波器(morphological filter)來分別對根據該多個頻域訊號所產生之多個聲譜圖進行濾波操作以產生多個濾波後背景圖，其中每一個濾波後背景圖包含了分別對應至不同時間與頻點的多個數值，且該多個數值中每一個數值表示濾波後背景圖所對應之該聲譜圖中對應之一格強度值與鄰近格之強度值的差異；<br/> 根據該多個濾波後背景圖之每一個濾波後背景圖的該多個數值的大小以分別產生多個初始語音指紋，其中該多個初始語音指紋中的每一個初始語音指紋包含了所對應之該濾波後背景圖中該多個數值中的多個峰值所對應的時間與頻點；<br/> 根據該多個初始語音指紋中的至少兩個初始語音指紋做相似性匹配，以產生至少一語音指紋；以及<br/> 將該至少一語音指紋儲存於一記憶體中，以供進行語音辨識使用。
如申請專利範圍第6項所述之語音辨識方法，其中根據該多個初始語音指紋中的該至少兩個初始語音指紋做相似性匹配，以產生該至少一語音指紋的步驟包含有：<br/> 對該多個初始語音指紋中的該至少兩個初始語音指紋做相似性匹配，以決定出該至少一語音指紋之多個峰值所對應的時間與頻點。
如申請專利範圍第7項所述之語音辨識方法，其中對該多個初始語音指紋中的該至少兩個初始語音指紋做相似性匹配，以決定出該至少一語音指紋之該多個峰值所對應的時間與頻點的步驟包含有：<br/> 尋找該至少兩個初始語音指紋中具有匹配時間間隔的多個峰值，並根據該至少兩個初始語音指紋中具有匹配時間間隔的該多個峰值所對應的時間與頻點以決定出該至少一語音指紋之該多個峰值所對應的時間與頻點。
如申請專利範圍第6項所述之語音辨識方法，其中該多個聲音訊號為一使用者在不同時間點所說出之相同關鍵詞所產生。
如申請專利範圍第6項所述之語音辨識方法，另包含有：<br/> 接收一特定聲音訊號；<br/> 對該特定聲音訊號進行時域至頻域的轉換操作以產生一特定頻域訊號；<br/> 使用該形態學濾波器來對該特定頻域訊號進行濾波操作以產生一特定濾波後背景圖；<br/> 根據該特定濾波後背景圖以產生一待辨識語音指紋；以及<br/> 判斷該待辨識語音指紋是否與該至少一語音指紋匹配。
一種單片浸泡設備，其包含：<br/> 一架體，其包括有一路徑導引模組及一電控模組，該路徑導引模組設於該架體之頂部，該電控模組設於該架體且電連接該路徑導引模組；<br/> 至少一移載機構，其設於該路徑導引模組且電連接該電控模組，其中該移載機構包括有一升降模組及至少一夾具，該升降模組設於該路徑導引模組，該夾具設於該升降模組；<br/> 一浸泡機構，其設於該架體且位於該移載機構之一側並電連接該電控模組；<br/> 一清洗機構，其設於該架體且位於該浸泡機構之一側並電連接該電控模組；以及<br/> 一烘乾機構，其設於該架體且位於該清洗機構之一側並電連接該電控模組。
如請求項1所述之單片浸泡設備，其中該路徑導引模組導引該移載機構對應至該浸泡機構、該清洗機構與該烘乾機構。
如請求項1所述之單片浸泡設備，其中該移載機構更進一步包括有一板材吸附模組，該板材吸附模組位於該夾具之一側。
如請求項1所述之單片浸泡設備，其中該浸泡機構包括有一藥水槽、一清潔模組及一第一氣體導引模組，該清潔模組設於該藥水槽之一側，該第一氣體導引模組設於該藥水槽之另一側。
如請求項4所述之單片浸泡設備，其中該藥水槽設有多數第一層架及多數排水孔。
如請求項1所述之單片浸泡設備，其中該清洗機構包括有一水洗槽及一第二氣體導引模組，該第二氣體導引模組設於該水洗槽之一側。
如請求項6所述之單片浸泡設備，其中該水洗槽設有多數第二層架。
如請求項1所述之單片浸泡設備，其中該烘乾機構包括有一烘乾槽及一蓋體，該蓋體活動設於該烘乾槽之頂部。
如請求項8所述之單片浸泡設備，其中該烘乾槽設有多數第三層架。
一種光學成像系統，包括： <br/>第一透鏡，具有正的折射力、凸的物側表面以及凹的像側表面； <br/>第二透鏡，具有負的折射力、凸的物側表面以及凹的像側表面； <br/>第三透鏡，具有正的折射力； <br/>第四透鏡，具有負的折射力以及凹的像側表面； <br/>第五透鏡，具有折射力； <br/>第六透鏡，具有折射力、凸的物側表面以及凹的像側表面；以及 <br/>第七透鏡，具有負的折射力； <br/>其中所述第一透鏡至所述第七透鏡自物側依次設置， <br/>其中所述光學成像系統共有七個透鏡， <br/>其中滿足0 ＜ f1/f ＜ 1.8，-4 ＜ f2/f ＜ -1，且|f4/f| ＞ 3，其中f1是所述第一透鏡的焦距，f2是所述第二透鏡的焦距，f4是所述第四透鏡的焦距，且f是所述光學成像系統的焦距。
如請求項1所述的光學成像系統，其中滿足1 ＜ f12/f ＜ 2，其中f12是所述第一透鏡與所述第二透鏡的組合焦距。
如請求項1所述的光學成像系統，其中滿足|f1/f2| ＜ 1。
如請求項1所述的光學成像系統，其中滿足-2 ＜ f2/f3 ＜ 0，其中f3是所述第三透鏡的焦距。
如請求項4所述的光學成像系統，其中滿足f3/f ＞ 3。
如請求項1所述的光學成像系統，其中滿足-2 ＜ f7/f ＜ 0，其中f7是所述第七透鏡的焦距。
如請求項1所述的光學成像系統，其中滿足25 ＜ v1-v2 ＜ 45，其中v1是所述第一透鏡的阿貝數，且v2是所述第二透鏡的阿貝數。
如請求項7所述的光學成像系統，其中滿足v1-v3 ＜ 35，其中v3是所述第三透鏡的阿貝數。
如請求項1所述的光學成像系統，其中滿足D1/f ＜ 0.1，其中D1是在所述光軸上自所述第一透鏡的所述像側表面至所述第二透鏡的所述物側表面的距離。
如請求項1所述的光學成像系統，其中滿足BFL/f ＜ 0.3，其中BFL是在光軸上自所述第七透鏡的像側表面至成像平面的距離。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第三透鏡具有凸的物側表面。
如請求項11所述的光學成像系統，其中所述第三透鏡具有凸的像側表面。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第四透鏡具有凹的物側表面。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第五透鏡具有正的折射力。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第七透鏡具有凹的像側表面。
如請求項1所述的光學成像系統，所述第一透鏡至所述第七透鏡中的至少三者具有大於1.64的折射率。
如請求項1所述的光學成像系統，所述第一透鏡至所述第七透鏡中的至少兩者具有大於1.66的折射率。
如請求項17所述的光學成像系統，所述第二透鏡與所述第四透鏡具有大於1.66的折射率。
一種半導體封裝件，包括： <br/>基底； <br/>晶粒，配置在所述基底上並連接至所述基底，其中所述晶粒具有第一表面以及相對於所述第一表面的第二表面； <br/>第一接合材料，配置在所述基底上且在所述晶粒旁； <br/>第二接合材料，配置在所述晶粒的所述第二表面上，並覆蓋所述晶粒的所述第二表面；以及 <br/>散熱系統，具有與所述第二接合材料接觸的底面，配置在所述晶粒之上的所述第二接合材料上，且配置在所述基底上的所述第一接合材料上， <br/>其中所述散熱系統通過所述第一接合材料固定至所述基底，且所述散熱系統的所述底面通過所述第二接合材料固定至所述晶粒，所述第二接合材料與所述散熱系統的所述底面之間存在有接合界面，且所述接合界面包括第一曲面， <br/>其中所述散熱系統包括基板，所述基板具有在所述第二接合材料之上延伸並覆蓋所述晶粒的底板部分，且所述散熱系統還包括與所述底板部分連接的平行的鰭片，以及與所述底板部分連接並位於所述鰭片旁的彈性柱。
如請求項1所述的半導體封裝件，其中所述晶粒的所述第二表面包括第二曲面，且所述第一曲面與所述第二曲面共形。
如請求項1所述的半導體封裝件，其中所述散熱系統還包括與所述底板部分連接且從所述底板部分延伸到所述第一接合材料的底腳部分，且所述晶粒位於所述底板部分下方且被所述底腳部分環繞。
如請求項1所述的半導體封裝件，其中所述散熱系統還包括配置在所述基板之上的中間板，所述基板包括配置在所述中間板與所述底板部分之間的支撐部分，以在所述支撐部分、所述中間板以及所述底板部分之間限定出循環空間。
如請求項4所述的半導體封裝件，其中所述鰭片位於所述循環空間內，且所述彈性柱與所述底板部分和所述中間板連接。
一種半導體封裝件，包括： <br/>晶粒，配置在基底上並連接至所述基底，其中所述晶粒具有第一表面以及相對於所述第一表面的第二表面，且所述晶粒包括第一半導體晶粒與第二半導體晶粒； <br/>第一接合材料，配置在所述基底上且在所述晶粒旁； <br/>第二接合材料，配置在所述晶粒的所述第二表面上，覆蓋所述晶粒的所述第二表面，並覆蓋所述第一半導體晶粒與所述第二半導體晶粒；以及 <br/>散熱系統，配置在所述晶粒之上的所述第二接合材料上，並配置在所述基底上的所述第一接合材料上，其中所述散熱系統包括上部與連接至所述上部的下部，且包括底板部分，所述底板部分的底面接觸所述第二接合材料，且所述底面包括第一曲面， <br/>其中所述晶粒的所述第二表面包括第二曲面，且所述第一曲面與所述第二曲面共形， <br/>其中所述散熱系統包括與所述底板部分連接的平行的鰭片，以及與所述底板部分連接並位於所述鰭片旁的彈性柱。
如請求項6所述的半導體封裝件，其中所述底板部分的所述底面與所述第二接合材料的頂面接觸，且所述第二接合材料的所述頂面包括與所述第一曲面和所述第二曲面共形的第三曲面。
如請求項6所述的半導體封裝件，其中位於所述底板部分與所述底面相對的頂面上的所述彈性柱具有不同高度。
如請求項6所述的半導體封裝件，其中所述底板部分的頂面上包括有沸騰增強塗層。
一種半導體封裝件的製造方法，包括： <br/>提供具有第一表面以及相對於所述第一表面的第二表面的晶粒，其中所述晶粒包括第一半導體晶粒和第二半導體晶粒； <br/>將所述晶粒連接到基底，使得所述晶粒的所述第一表面面向所述基底； <br/>將第一接合材料配置在所述基底上； <br/>將第二接合材料配置在所述晶粒的所述第二表面上，並覆蓋所述第一半導體晶粒與所述第二半導體晶粒； <br/>提供散熱系統； <br/>將所述散熱系統配置在所述晶粒之上的所述第二接合材料上以及所述基底上的所述第一接合材料上，使得所述散熱系統的底面與所述第二接合材料接觸；以及 <br/>執行固化製程以通過所述第二接合材料將所述散熱系統與所述晶粒接合，使得所述散熱系統通過所述第一接合材料固定至所述基底，且所述散熱系統的所述底面通過所述第二接合材料貼附到所述晶粒， <br/>其中所述第二接合材料與所述散熱系統的所述底面之間存在有接合界面，且所述接合界面包括第一曲面， <br/>其中所述散熱系統包括基板，所述基板具有在所述第二接合材料之上延伸並覆蓋所述晶粒的底板部分，且所述散熱系統還包括與所述底板部分連接的平行的鰭片，以及與所述底板部分連接並位於所述鰭片旁的彈性柱。
一種開關單元，其特徵在於，包含： <br/>滑動構件，其可安裝操作構件，且可藉由上述操作構件之按壓操作而滑動； <br/>支持構件，其支持上述滑動構件； <br/>第1彈性構件，其安裝於上述滑動構件，根據上述操作構件之按壓操作而彈性變形；及 <br/>第2彈性構件，其安裝於上述滑動構件，根據上述滑動構件之滑動而將電性接點開閉，且 <br/>上述滑動構件具備：台座部；第1突起，其自上述台座部沿上述滑動構件之滑動方向設置於按壓操作側，且可安裝上述操作構件；及支柱部，其自上述台座部沿上述滑動方向設置於按壓操作側之相反側；且 <br/>上述支持構件具備板部、及自上述板部沿上述滑動方向設置於上述按壓操作側之第1引導部； <br/>上述台座部具有供上述第1引導部通過且被上述台座部之側面包圍之第1貫通孔， <br/>上述第1引導部具有供上述支柱部插入之第2貫通孔， <br/>上述第1彈性構件安裝於上述台座部之側面。
如請求項1之開關單元，其中於上述操作構件被按下而位於最下部時，上述滑動構件之上端成為與上述第1引導部之上端大致相同之高度或位於較上述第1引導部之上端更靠下。
如請求項1之開關單元，其中上述台座部呈圓柱狀，具備將其側面與上述支柱部連結之連結部，上述第1引導部具備用於避免與上述連結部干擾之狹縫；且 <br/>上述狹縫之上述滑動方向上之長度與上述支柱部之上述滑動方向之厚度大致相同。
如請求項1之開關單元，其中 <br/>於上述台座部之下表面之外周之一部分，形成有沿上述支柱部延伸之延長部； <br/>於上述延長部之下部，形成有朝徑向內側突出之第2突起； <br/>於上述支持構件之上述第1引導部，形成有供上述第2突起卡合且沿上述滑動方延伸之槽部。
如請求項4之開關單元，其中上述延長部之上述滑動方向之長度設定為，於未按下上述操作構件時，於上述第2突起卡合於上述槽部之狀態下，上述台座部之上表面之位置與上述第1引導部之上端之位置大致相同。
如請求項1之開關單元，其中上述板部具備用於配置光源之第3貫通孔。
一種鍵開關裝置，其特徵在於，其係藉由操作構件之按壓操作而將電性接點開閉者，且具備： <br/>如請求項1至6中任一項之開關單元；上述操作構件，其安裝於上述開關單元；及上述電性接點，其配置於上述開關單元之下。
一種鍵盤，其特徵在於配設有複數個如請求項7之鍵開關裝置。
一種開關單元，其特徵在於具備： <br/>滑動構件，其可安裝操作構件，且可藉由上述操作構件之按壓操作而滑動； <br/>第1彈性構件，其安裝於上述滑動構件，根據上述操作構件之按壓操作而彈性變形； <br/>第2彈性構件，其安裝於上述滑動構件，根據上述滑動構件之滑動而將電性接點開閉；及 <br/>支持構件，其具有：板部，其具有第1面及位於上述第1面之相反側之第2面；第1引導部，其立設於上述板部之上述第1面，引導上述滑動構件；第2引導部，其立設於上述板部之上述第1面，自上方觀察上述板部時設置於上述第1引導部之外側，引導上述第1彈性構件；及腳部，其立設於上述板部之上述第2面。
如請求項9之開關單元，其中上述腳部具備用於將上述腳部固定於被安裝構件之爪部。
如請求項10之開關單元，其中上述滑動構件具備：台座部；第1突起，其自上述台座部沿上述滑動構件之滑動方向設置於按壓操作側，且可安裝上述操作構件；及支柱部，其自上述台座部沿上述滑動方向設置於按壓操作側之相反側；且 <br/>上述台座部具有供上述第1引導部通過之第1貫通孔，上述第1引導部具有供上述支柱部插入之第2貫通孔。
如請求項9之開關單元，其中上述滑動構件之頂板部具備：第1突起，其可安裝上述操作構件；及第1凹部，其可收納設置於上述操作構件之第2突起。
一種鍵開關裝置，其特徵在於，其係藉由操作構件之按壓操作而將電性接點開閉者，且具備： <br/>如請求項9至12中任一項之開關單元；上述操作構件，其安裝於上述開關單元；被安裝構件，其具有用於安裝上述開關單元之上述腳部之開口；及上述電性接點，其配置於上述開關單元之下。
一種鍵開關裝置，其特徵在於，其係藉由操作構件之按壓操作而將電性接點開閉者，且具備： <br/>如請求項9至12中任一項之開關單元；上述操作構件，其安裝於上述開關單元；及薄膜開關，其具有上述電性接點； <br/>上述支持構件貼附於上述薄膜開關。
一種鍵盤，其特徵在於配設有複數個如請求項13之鍵開關裝置。
一種鍵盤，其特徵在於配設有複數個如請求項14之鍵開關裝置。
一種用於一人工智慧溝通工具的訓練方法，該人工智慧溝通工具安裝於一電腦系統中，該電腦系統包含一處理器，用來執行該訓練方法，該訓練方法包括： <br/>由該人工智慧溝通工具提供一溝通結果，並接收對應於該溝通結果的一修正提示； <br/>由一提示分析模型依據該修正提示產生複數個答案，並依據該複數個答案產生該修正提示與該複數個答案的每一者之間的一相似度；以及 <br/>由該提示分析模型依據該相似度從該複數個答案中選擇出一優化答案，依據該優化答案來修正該溝通結果並產生一修正後溝通結果，並將該修正後溝通結果提供至該人工智慧溝通工具。
如請求項1所述的訓練方法，其中由該提示分析模型依據該相似度從該複數個答案中選擇出該優化答案的步驟包括： <br/>依據該相似度給予該複數個答案的每一者一分數；以及 <br/>將對應於最高的分數的答案作為該優化答案。
如請求項2所述的訓練方法，其中對應一答案的一相似度越高，對應該答案的該分數越高。
如請求項1所述的訓練方法，其中依據該複數個答案產生該修正提示與該複數個答案的每一者之間的該相似度的步驟包括： <br/>從該複數個答案的一第一答案提取出至少一第一訊息； <br/>從該修正提示提取出至少一第二訊息；以及 <br/>依據該至少一第一訊息與該至少一第二訊息之間的文字相似度、事實關係以及矛盾關係的至少其中之一來產生對應於該第一答案的相似度。
如請求項1所述的訓練方法，還包括： <br/>將該修正後溝通結果提供至一訓練模型；以及 <br/>由該訓練模型依據該修正後溝通結果的分類來訓練該人工智慧溝通工具。
如請求項5所述的訓練方法，還包括： <br/>由該人工智慧溝通工具依據一正面回饋將該修正後溝通結果分類為一第一分類；以及 <br/>由該人工智慧溝通工具依據一負面回饋將該修正後溝通結果分類為一第二分類。
如請求項6所述的訓練方法，其中由該訓練模型依據該修正後溝通結果的分類來訓練該人工智慧溝通工具的步驟包括： <br/>將該第一分類的該修正後溝通結果提供至該人工智慧溝通工具。
如請求項6所述的訓練方法，其中由該訓練模型依據該修正後溝通結果的分類來進行該人工智慧溝通工具的訓練的步驟包括： <br/>由該訓練模型修正該第二分類的該修正後溝通結果。
如請求項5所述的訓練方法，還包括： <br/>依據來自於一操作介面的一操作命令來決定該修正後溝通結果的分類。
一種電子裝置，包括： <br/>一操作介面；以及 <br/>一處理器，耦接於該操作介面，其中該處理器包括一人工智慧溝通工具以及一提示分析模型，其中該處理器執行請求項1至請求項9所述的訓練方法。
一種測試裝置，其包含：<br/>一插座，其經組態以容納一待測裝置(DUT)；及<br/>一第一光收發器，其安置於該插座中且包括：<br/>一第一光發射器，其包括一個光纖且經組態以朝向該待測裝置發射一第一光；及<br/>一第一光接收器，其包括設置在該第一光發射器的同一側的複數個光纖且經組態以接收由該待測裝置反射之一第二光；<br/>其中該第一光收發器經組態以透過判定該第一光接收器的該等複數個光纖中何者接收該第二光，來判定該待測裝置與該插座之間的一距離。
如請求項1之測試裝置，其中該第一光接收器沿著實質上垂直於該待測裝置的一側向表面的方向延伸，且該第一光發射器不垂直該側向表面。
如請求項1之測試裝置，其進一步包括：<br/>一第二光收發器，其設置於該插座的一底部，並且經組態以朝向該待測裝置的一底表面發射一第三光。
如請求項3之測試裝置，其中該第二光收發器可具有一部分與該第一光接收器大致上平行。
如請求項1之測試裝置，其中該第一光收發器還包括一光學繞射組件，其經組態以將該第一光進行繞射。
如請求項5之測試裝置，其中該第一光接收器還包括設置在該第一光發射器的相對側的複數個光纖。
一種測試裝置，其包含：<br/>一插座，其經組態以容納一待測裝置(DUT)；及<br/>一第一偵測模組，其包括：<br/>一第一光纖，其貫穿該插座之一側壁；<br/>一第一光發射器，其與該第一光纖連接且經組態以發射通過該第一光纖並朝向該待測裝置傳輸的一第一光；及<br/>一第一光接收器，其與該第一光纖連接且經組態以接收由該待測裝置反射且傳輸通過該第一光纖之一第二光，<br/>其中該第一偵測模組經組態以基於該第二光的一強度來判定DUT與該插座之間的一第一距離。
如請求項7之測試裝置，其進一步包括：<br/>一第二偵測模組，其包括：<br/>一第二光纖，其貫穿該插座之該側壁；<br/>一第二光發射器，其與該第二光纖連接且經組態以發射通過該第二光纖並朝向該待測裝置傳輸的一第三光；及<br/>一第二光接收器，其與該第二光纖連接且經組態以接收由該待測裝置反射且傳輸通過該第二光纖之一第四光。
如請求項8之測試裝置，其中該第二偵測模組經組態以基於該第四光的一強度來判定該待測裝置與該插座之間的一第二距離。
如請求項9之測試裝置，其中該第一距離及該第二距離經組態以判定該待測裝置在一俯視圖中相對於該插座之一旋轉。
一種測試裝置，其包含：<br/>一插座，其經組態以容納一待測裝置(DUT)；及<br/>一光收發器，其安置於該插座中且包括：<br/>一光發射器，其經組態以朝向該待測裝置發射一第一光；<br/>一光學繞射組件，其經組態以將該第一光分光為複數個光束；及<br/>一光接收器，其經組態以接收自該待測裝置反射之該等複數個光束中的一光束，其中該光收發器經組態以基於該光束的一波長判定該待測裝置與該插座的一距離。
如請求項11之測試裝置，其中該光收發器經組態以基於該光束的一強度判定該待測裝置與該插座的該距離。
一種清潔設備控制方法，包括： <br/>獲取清潔設備周圍環境的障礙物點雲分佈圖； <br/>基於所述障礙物點雲分佈圖中每一個障礙物點雲與其它障礙物點雲之間的相對位置關係，在所述障礙物點雲分佈圖中確定牆角點雲； <br/>控制所述清潔設備在所述牆角點雲所在的區域執行牆角清潔動作； <br/>其中在控制所述清潔設備在所述牆角點雲所在的區域執行牆角清潔動作之前，所述方法還包括： <br/>控制所述清潔設備調整其位置直至與所述牆角點雲對應的一側牆面的距離為第二預設距離，以及與所述牆角點雲對應的另一側牆面的距離為第三預設距離，且控制所述清潔設備調整其朝向直至與所述一側牆面平行。
一種清潔設備控制方法，包括： <br/>獲取清潔設備周圍環境的障礙物點雲分佈圖； <br/>基於所述障礙物點雲分佈圖中每一個障礙物點雲與其它障礙物點雲之間的相對位置關係，在所述障礙物點雲分佈圖中確定牆角點雲； <br/>控制所述清潔設備在所述牆角點雲所在的區域執行牆角清潔動作； <br/>其中所述基於所述障礙物點雲分佈圖中每一個障礙物點雲與其它障礙物點雲之間的相對位置關係，在所述障礙物點雲分佈圖中確定牆角點雲，包括： <br/>遍歷所述障礙物點雲分佈圖中的每一個障礙物點雲，在所述障礙物點雲分佈圖中定義以所述每一個障礙物點雲為區域中心的感興趣區域； <br/>如果所述感興趣區域中障礙物點雲的相對位置關係符合牆角幾何特徵，則將所述每一個障礙物點雲確定為候選牆角點雲； <br/>在所述障礙物點雲分佈圖中的各個候選牆角點雲中確定牆角點雲。
根據請求項1或2所述的方法，其中所述獲取清潔設備周圍環境的障礙物點雲分佈圖，包括： <br/>獲取安裝在所述清潔設備上的感測器採集的多幀所述清潔設備周圍局部環境的點雲圖像； <br/>對多幀所述點雲圖像進行整合，得到所述清潔設備周圍環境的障礙物點雲分佈圖。
根據請求項3所述的方法，其中在對多幀所述點雲圖像進行整合之前，所述方法還包括： <br/>去除每一幀所述清潔設備周圍局部環境的點雲圖像中的雜訊點雲。
根據請求項1所述的方法，其中所述基於所述障礙物點雲分佈圖中每一個障礙物點雲與其它障礙物點雲之間的相對位置關係，在所述障礙物點雲分佈圖中確定牆角點雲，包括： <br/>遍歷所述障礙物點雲分佈圖中的每一個障礙物點雲，在所述障礙物點雲分佈圖中定義以所述每一個障礙物點雲為區域中心的感興趣區域； <br/>如果所述感興趣區域中障礙物點雲的相對位置關係符合牆角幾何特徵，則將所述每一個障礙物點雲確定為候選牆角點雲； <br/>在所述障礙物點雲分佈圖中的各個候選牆角點雲中確定牆角點雲。
根據請求項2或5所述的方法，其中所述方法還包括： <br/>計算所述感興趣區域中每兩個參考障礙物點雲相對於所述每一個障礙物點雲的方位區別特徵值，所述方位區別特徵值用於表示所述每兩個參考障礙物點雲相對於所述每一個障礙物點雲的方位的區別幅度，所述參考障礙物點雲為所述感興趣區域中除所述每一個障礙物點雲之外的障礙物點雲； <br/>如果任意一個所述方位區別特徵值落入預設方位區別特徵值區間，則確定所述感興趣區域中障礙物點雲的相對位置關係符合牆角幾何特徵。
根據請求項2或5所述的方法，其中所述在所述障礙物點雲分佈圖中的各個候選牆角點雲中確定牆角點雲，包括： <br/>遍歷每一個候選牆角點雲，確定以所述每一個候選牆角點雲為起點，分佈在各個延伸方向上的障礙物點雲； <br/>如果在兩個不同延伸方向上的障礙物點雲的相對位置關係均符合牆面幾何特徵，則將所述每一個候選牆角點雲確定為牆角點雲。
根據請求項7所述的方法，其中所述方法還包括： <br/>分別對各個延伸方向上的障礙物點雲進行直線擬合，並確定所擬合到的直線上的首尾兩個障礙物點雲之間的距離； <br/>如果存在兩個不同擬合直線上的首尾兩個障礙物點雲之間的距離均落入預設距離範圍，則確定在兩個不同延伸方向上的障礙物點雲的相對位置關係均符合牆面幾何特徵。
根據請求項7所述的方法，其中所述方法還包括： <br/>分別對各個延伸方向上的障礙物點雲進行直線擬合，並確定所擬合到的直線上的首尾兩個障礙物點雲之間的距離； <br/>如果存在兩個不同擬合直線上的首尾兩個障礙物點雲之間的距離均落入預設距離範圍，且所述兩個不同擬合直線的夾角落入預設角度範圍，則確定在兩個不同延伸方向上的障礙物點雲的相對位置關係均符合牆面幾何特徵。
根據請求項8所述的方法，其中所述方法還包括： <br/>計算所述清潔設備與所述兩個不同擬合直線之間的距離； <br/>如果所述清潔設備與所述兩個不同擬合直線之間的距離均小於第一預設距離，則控制所述清潔設備在所述牆角點雲所在的區域執行牆角清潔動作。
根據請求項1、2與5中任一項所述的方法，其中所述方法還包括： <br/>如果所述障礙物點雲分佈圖中僅存在一個牆角點雲，則控制所述清潔設備在所述牆角點雲所在的區域執行牆角清潔動作。
根據請求項2所述的方法，其中在控制所述清潔設備在所述牆角點雲所在的區域執行牆角清潔動作之前，所述方法還包括： <br/>控制所述清潔設備調整其位置直至與所述牆角點雲對應的一側牆面的距離為第二預設距離，以及與所述牆角點雲對應的另一側牆面的距離為第三預設距離，且控制所述清潔設備調整其朝向直至與所述一側牆面平行， <br/>其中在控制所述清潔設備調整其朝向直至與所述一側牆面平行之後，所述方法還包括： <br/>控制所述清潔設備向遠離所述另一側牆面的方向移動第四預設距離，且控制所述清潔設備伸出靠近所述一側牆面的邊刷。
根據請求項1所述的方法，其中在控制所述清潔設備調整其朝向直至與所述一側牆面平行之後，所述方法還包括： <br/>控制所述清潔設備向遠離所述另一側牆面的方向移動第四預設距離，且控制所述清潔設備伸出靠近所述一側牆面的邊刷。
根據請求項1或12所述的方法，其中所述控制所述清潔設備在所述牆角點雲所在的區域執行牆角清潔動作，包括： <br/>控制所述清潔設備按照當前朝向行進； <br/>如果所述清潔設備行進至所述牆角點雲對應的牆角位置，則控制所述清潔設備收縮靠近所述一側牆面的邊刷，並控制所述清潔設備調整其朝向直至與所述牆角點雲對應的另一側牆面平行，以執行其它清潔任務。
一種清潔設備控制裝置，包括： <br/>獲取單元，用於獲取清潔設備周圍環境的障礙物點雲分佈圖； <br/>確定單元，用於基於所述障礙物點雲分佈圖中每一個障礙物點雲與其它障礙物點雲之間的相對位置關係，在所述障礙物點雲分佈圖中確定牆角點雲； <br/>控制單元，用於控制所述清潔設備在所述牆角點雲所在的區域執行牆角清潔動作，其中在控制所述清潔設備在所述牆角點雲所在的區域執行牆角清潔動作之前，所述控制單元還用於： <br/>控制所述清潔設備調整其位置直至與所述牆角點雲對應的一側牆面的距離為第二預設距離，以及與所述牆角點雲對應的另一側牆面的距離為第三預設距離，且控制所述清潔設備調整其朝向直至與所述一側牆面平行。
一種清潔設備控制裝置，包括： <br/>獲取單元，用於獲取清潔設備周圍環境的障礙物點雲分佈圖； <br/>確定單元，用於基於所述障礙物點雲分佈圖中每一個障礙物點雲與其它障礙物點雲之間的相對位置關係，在所述障礙物點雲分佈圖中確定牆角點雲；其中，該步驟，所述確定單元還用於： <br/>遍歷所述障礙物點雲分佈圖中的每一個障礙物點雲，在所述障礙物點雲分佈圖中定義以所述每一個障礙物點雲為區域中心的感興趣區域； <br/>如果所述感興趣區域中障礙物點雲的相對位置關係符合牆角幾何特徵，則將所述每一個障礙物點雲確定為候選牆角點雲； <br/>在所述障礙物點雲分佈圖中的各個候選牆角點雲中確定牆角點雲； <br/>控制單元，用於控制所述清潔設備在所述牆角點雲所在的區域執行牆角清潔動作。
一種電腦程式產品，其中所述電腦程式產品包括電腦指令，該電腦指令儲存在電腦可讀儲存媒介中，且適於由處理器讀取並執行，以使得具有所述處理器的電腦設備執行如請求項1至14任一項所述的方法。
一種電腦可讀儲存媒介，其中所述電腦可讀儲存媒介中儲存有至少一條程式碼，所述至少一條程式碼由處理器載入並執行以實現如請求項1至14任一項所述的方法所執行的操作。
一種清潔設備，其中所述清潔設備包括一個或多個處理器和一個或多個記憶體，所述一個或多個記憶體中儲存有至少一條程式碼，所述至少一條程式碼由所述一個或多個處理器載入並執行以實現如請求項1至14中任一項所述的方法。
一種自移動裝置越障的控制方法，包括： <br/>控制自移動裝置以第一越障策略跨越目標障礙物，所述第一越障策略是將第一越障動作和第二越障動作組合進行越障，所述第一越障動作是以第一前進速度朝向目標障礙物直行，所述第二越障動作是朝向所述目標障礙物的旋轉運動； <br/>在以所述第一越障策略越障失敗的情況下，控制所述自移動裝置以第二越障策略跨越所述目標障礙物，所述第二越障策略是將第三越障動作與所述第二越障動作組合進行越障，所述第三越障動作是以第二前進速度朝向所述目標障礙物直行，所述第二前進速度大於所述第一前進速度。
如請求項1所述的自移動裝置越障的控制方法，其中所述控制自移動裝置以第一越障策略跨越目標障礙物，包括： <br/>控制所述自移動裝置以所述第一越障動作和所述第二越障動作交替進行，嘗試跨越所述目標障礙物； <br/>若以所述第一越障動作和所述第二越障動作交替進行，嘗試跨越所述目標障礙物的次數達到第一次數閾值，代表以所述第一越障策略越障失敗。
如請求項2所述的自移動裝置越障的控制方法，其中所述控制所述自移動裝置以所述第一越障動作和所述第二越障動作交替進行，嘗試跨越所述目標障礙物，包括： <br/>控制所述自移動裝置以所述第一越障動作嘗試跨越目標障礙物； <br/>在以所述第一越障動作越障失敗的情況下，控制所述自移動裝置以所述第二越障動作嘗試跨越所述目標障礙物； <br/>在以所述第二越障動作越障失敗的情況下，控制所述自移動裝置以所述第一越障動作嘗試跨越所述目標障礙物。
如請求項3所述的自移動裝置越障的控制方法，其中所述自移動裝置包括機體、設置於所述機體前部的導向組件和設置所述機體的行走組件，所述控制所述自移動裝置以所述第一越障動作嘗試跨越目標障礙物，包括： <br/>驅動所述導向組件相對於所述機體抬升，以使所述機體的機頭部位相對於支撐面升高； <br/>驅動所述行走組件以所述第一前進速度朝向所述目標障礙物直行，其中，所述第一前進速度大於所述自移動裝置嘗試跨越所述目標障礙物之前的行走速度。
如請求項4所述的自移動裝置越障的控制方法，其中所述自移動裝置還包括主刷裝置和用於安裝拖擦件的轉盤，所述控制所述自移動裝置以所述第一越障動作嘗試跨越目標障礙物，還包括： <br/>控制所述自移動裝置執行如下至少一種配合動作： <br/>在所述行走組件以所述第一前進速度朝向所述目標障礙物直行之前，驅動所述行走組件相對於所述機體抬升和/或相對於支撐面升起所述主刷裝置；以及 <br/>在所述行走組件以所述第一前進速度朝向所述目標障礙物直行的過程中，驅動所述轉盤進行旋轉。
如請求項1至5中任一項所述的自移動裝置越障的控制方法，其中所述控制所述自移動裝置以第二越障策略跨越所述目標障礙物，包括： <br/>控制所述自移動裝置以所述第三越障動作和所述第二越障動作交替進行，嘗試跨越所述目標障礙物； <br/>若以所述第二越障動作和所述第三越障動作交替進行，嘗試跨越所述目標障礙物的次數達到第二次數閾值，代表以所述第二越障策略越障失敗。
如請求項6所述的自移動裝置越障的控制方法，其中所述控制所述自移動裝置以所述第三越障動作和所述第二越障動作交替進行，嘗試跨越所述目標障礙物，包括： <br/>控制所述自移動裝置以所述第三越障動作嘗試跨越所述目標障礙物； <br/>在以所述第三越障動作越障失敗的情況下，控制所述自移動裝置以所述第二越障動作嘗試跨越所述目標障礙物； <br/>在以所述第二越障動作越障失敗的情況下，控制所述自移動裝置以所述第三越障動作嘗試跨越所述目標障礙物。
如請求項7所述的自移動裝置越障的控制方法，其中所述自移動裝置包括機體、設置於所述機體前部的導向組件和設置所述機體的行走組件，所述控制所述自移動裝置以所述第三越障動作嘗試跨越所述目標障礙物，包括： <br/>驅動所述導向組件相對於所述機體抬升，以使所述機體的機頭部位相對於支撐面升高； <br/>驅動所述行走組件以所述第二前進速度朝向所述目標障礙物直行。
如請求項8所述的自移動裝置越障的控制方法，其中所述自移動裝置還包括主刷裝置和用於安裝拖擦件的轉盤，所述控制所述自移動裝置以所述第三越障動作嘗試跨越所述目標障礙物，還包括： <br/>控制所述自移動裝置執行如下至少一種配合動作： <br/>在所述行走組件以所述第二前進速度朝向所述目標障礙物直行之前，驅動所述行走組件相對於所述機體抬升和/或相對於支撐面升起所述主刷裝置； <br/>在所述行走組件以所述第二前進速度朝向所述目標障礙物直行的過程中，驅動所述轉盤進行旋轉。
如請求項3至5中任一項所述的自移動裝置越障的控制方法，其中所述自移動裝置的行走組件包括第一主動輪和第二主動輪，所述控制所述自移動裝置以所述第二越障動作嘗試跨越所述目標障礙物，包括： <br/>控制所述自移動裝置後退至與所述目標障礙物相距第一預設距離； <br/>控制所述自移動裝置向第一方向旋轉，以使所述第二主動輪嘗試跨越所述目標障礙物； <br/>控制所述自移動裝置向第二方向旋轉，以使所述第一主動輪嘗試跨越所述目標障礙物，其中，所述第一方向與所述第二方向相反。
如請求項10所述的自移動裝置越障的控制方法，其中 <br/>所述控制所述自移動裝置向第一方向旋轉，包括：在所述第一主動輪固定不動的情況下，以第一預設佔空比的脈衝信號驅動所述第二主動輪向所述自移動裝置的前進方向轉動； <br/>所述控制所述自移動裝置向第二方向旋轉，包括：在所述第二主動輪固定不動的情況下，以第二預設佔空比的脈衝信號驅動所述第一主動輪向所述自移動裝置的前進方向轉動； <br/>其中，所述第一預設佔空比與所述第二預設佔空比均大於所述自移動裝置嘗試跨越所述目標障礙物之前驅動所述第一主動輪和所述第二主動輪的脈衝信號的佔空比。
如請求項1至5中任一項所述的自移動裝置越障的控制方法，其中所述自移動裝置包括機體、設置於所述機體前部的導向組件、設置所述機體的行走組件和設置於機體的用於安裝拖擦件的轉盤，所述方法還包括： <br/>在所述行走組件以所述第一前進速度朝向所述目標障礙物直行的過程中，驅動所述轉盤進行上升旋轉； <br/>在所述行走組件以所述第二前進速度朝向所述目標障礙物直行的過程中，驅動所述轉盤進行降下旋轉。
如請求項1至5中任一項所述的自移動裝置越障的控制方法，其中所述自移動裝置包括機體、設置於所述機體前部的導向組件和設置所述機體的行走組件，所述行走組件包括間隔設置的第一主動輪和第二主動輪，所述方法還包括： <br/>若所述自移動裝置在跨越所述目標障礙物的過程中進入卡困狀態，在相對於所述機體抬升所述行走組件和降下所述導向組件之後，控制所述自移動裝置進入脫困的準備狀態，所述準備狀態為所述第一主動輪具有移動空間的狀態，所述第一主動輪為需要跨越所述目標障礙物的主動輪； <br/>在相對於所述機體降下所述第一主動輪之後，驅動所述第一主動輪以目標轉動速度向所述目標障礙物移動，所述目標轉動速度大於所述自移動裝置嘗試跨越所述目標障礙物之前，所述第一主動輪的轉動速度。
如請求項13所述的自移動裝置越障的控制方法，其中所述控制所述自移動裝置進入脫困的準備狀態，包括： <br/>控制所述自移動裝置移動至與前方障礙物相距第二預設距離； <br/>控制所述自移動裝置相對於所述目標障礙物旋轉至所述第一主動輪與所述目標障礙物之間具有移動空間。
如請求項14所述的自移動裝置越障的控制方法，其中所述控制所述自移動裝置相對於所述目標障礙物旋轉至所述第一主動輪與所述目標障礙物之間具有移動空間，包括： <br/>驅動所述第二主動輪向靠近所述目標障礙物的前進方向轉動和/或驅動所述第一主動輪向遠離所述目標障礙物的後退方向轉動，以使所述第一主動輪與所述目標障礙物之間具有移動空間。
一種自移動裝置，其中包括：處理器；用於儲存所述處理器可執行指令的記憶體，其中，所述處理器被配置為執行所述指令，以實現如請求項1至15中任一項所述的自移動裝置越障的控制方法。
一種電腦可讀儲存媒介，其上儲存有電腦程式，其中該電腦程式被處理器執行時實現請求項1至15中任一項所述的自移動裝置越障的控制方法。
一種電腦程式產品，包括電腦程式，其中該電腦程式被處理器執行時實現請求項1至15中任一項所述的自移動裝置越障的控制方法。
一種電腦程式，包括電腦程式代碼，當所述電腦程式代碼在電腦上運行時，使得所述電腦執行請求項1至15中任一項所述的自移動裝置越障的控制方法。
一種資訊提供方法，其係藉由電子裝置而實行者，其包括如下步驟： <br/>基於用戶儲存於願望清單中之至少一個商品之資訊，識別上述至少一個商品儲存於上述願望清單中之儲存時點； <br/>於上述至少一個商品中，確認銷售價格相較於上述儲存時點變便宜之至少一個附加折扣商品；及 <br/>將上述至少一個附加折扣商品之折扣資訊提供至用戶終端。
如請求項1之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>若確認到上述至少一個附加折扣商品，則基於指定之週期而將包括上述折扣資訊之至少一部分之通知提供至上述用戶終端；及 <br/>響應於獲得自上述用戶終端接收到對上述通知進行之用戶輸入之資訊，將上述折扣資訊提供至上述用戶終端。
如請求項2之資訊提供方法，其中上述通知包括引導上述折扣資訊之輸出之導引資訊、及與上述至少一個附加折扣商品中之指定之附加折扣商品對應之影像資訊。
如請求項3之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>響應於獲得自上述用戶終端接收到對上述導引資訊進行之上述用戶輸入之資訊，將包括上述至少一個附加折扣商品之清單之上述折扣資訊提供至上述用戶終端。
如請求項3之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>響應於獲得自上述用戶終端接收到對上述影像資訊進行之上述用戶輸入之資訊，將指定之上述附加折扣商品之銷售畫面提供至上述用戶終端。
如請求項1之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>若確認到上述至少一個附加折扣商品，則識別上述至少一個附加折扣商品各者之剩餘折扣時間； <br/>若於上述至少一個附加折扣商品中識別出上述剩餘折扣時間為預定義之時間以下之商品，則將包括上述折扣資訊之至少一部分之通知提供至上述用戶終端；及 <br/>響應於獲得自上述用戶終端接收到對上述通知進行之用戶輸入之資訊，將上述折扣資訊提供至上述用戶終端。
如請求項1之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>將與上述願望清單對應之願望清單畫面提供至上述用戶終端；及 <br/>響應於獲得自上述用戶終端接收到對圖標進行之觸控輸入之資訊，將上述折扣資訊提供至上述用戶終端，該圖標係配置於上述願望清單畫面之一區域者。
如請求項1之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>將上述折扣資訊提供至上述用戶終端，該折扣資訊係將上述至少一個附加折扣商品中之上述儲存時點較早之商品配置於相對上端者。
如請求項1之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>識別當前銷售價格相對於上述至少一個附加折扣商品各者之上述儲存時點之銷售價格之折扣率；及 <br/>將上述折扣資訊提供至上述用戶終端，該折扣資訊係將上述至少一個附加折扣商品中之上述折扣率較高之商品配置於相對上端者。
如請求項1之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>基於上述用戶之使用歷史，於上述至少一個附加折扣商品中識別存在上述用戶購買之歷史之商品；及 <br/>將上述折扣資訊提供至上述用戶終端，該折扣資訊係將存在上述購買歷史之商品配置於相對上端者。
如請求項1之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>識別上述至少一個附加折扣商品各者之剩餘折扣時間；及 <br/>將上述折扣資訊提供至上述用戶終端，該折扣資訊係將上述至少一個附加折扣商品中之上述剩餘折扣時間較短之商品配置於相對上端者。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有用以於電腦中執行如請求項1之方法之程式。
一種電子裝置，其係提供資訊者，其包括： <br/>記憶體，其儲存至少一個指令；及 <br/>處理器，其與上述記憶體作動地連接；且 <br/>上述至少一個指令以如下方式構成，即，於藉由上述處理器而執行時，使上述電子裝置如下： <br/>基於用戶儲存於願望清單中之至少一個商品之資訊，識別上述至少一個商品儲存於上述願望清單中之儲存時點； <br/>於上述至少一個商品中，確認銷售價格相較於上述儲存時點變便宜之至少一個附加折扣商品；及 <br/>將上述至少一個附加折扣商品之折扣資訊提供至用戶終端。
一種障壁電晶體裝置，包括： <br/>基板； <br/>摻雜區域，藉由摻雜劑摻雜所述基板而形成； <br/>石墨烯層，設置於所述摻雜區域上； <br/>第一電極，連接至所述摻雜區域； <br/>第二電極，連接至所述石墨烯層；以及 <br/>反應層，設置於所述石墨烯層的上部，所述反應層包括在所述石墨烯層中誘發電荷的材料， <br/>其中，所述石墨烯層的功函數根據所述摻雜區域的摻雜濃度而變化，以及 <br/>所述摻雜區域的所述摻雜濃度在10<sup>15</sup>/cm<sup>3</sup>至5*10<sup>18</sup>/cm<sup>3</sup>的範圍內。
如請求項1所述的障壁電晶體裝置，還包括： <br/>絕緣層，設置於所述石墨烯層上；以及 <br/>第三電極，連接至所述絕緣層。
如請求項1所述的障壁電晶體裝置，其中所述摻雜區域包括： <br/>第一摻雜區域，以10<sup>15</sup>/cm<sup>3</sup>至5*10<sup>18</sup>/cm<sup>3</sup>的摻雜濃度摻雜；以及 <br/>第二摻雜區域，以10<sup>19</sup>/cm<sup>3</sup>或更高的摻雜濃度摻雜， <br/>其中所述第一摻雜區域連接至所述石墨烯層，以及 <br/>所述第二摻雜區域連接至所述第一電極。
一種自移動裝置的障礙物處理方法，包括： <br/>在自移動裝置的工作過程中獲取目標點雲資料，所述目標點雲資料是在預設高度範圍內且在所述自移動裝置的預設距離範圍內的點雲； <br/>根據所述目標點雲資料確定當前障礙物的障礙物輪廓； <br/>若根據所述障礙物輪廓識別出所述當前障礙物為臺階型障礙物，對當前次識別出的臺階型障礙物進行高低邊屬性的標記。
如請求項1所述的自移動裝置的障礙物處理方法，其中所述在自移動裝置的工作過程中獲取目標點雲資料，包括： <br/>按照預設掃描頻率進行3D掃描，並根據掃描結果繪製高度地圖； <br/>若所述高度地圖上高度在所述預設高度範圍內的點有新增，從所述高度地圖上獲取所述目標點雲資料，其中，所述預設高度範圍是真實臺階的高度範圍。
如請求項2所述的自移動裝置的障礙物處理方法，其中所述根據掃描結果繪製高度地圖，包括： <br/>針對每次掃描得到的當前幀點雲，根據所述當前幀點雲的點高度在所述高度地圖上進行分類標記。
如請求項3所述的自移動裝置的障礙物處理方法，其中所述根據所述當前幀點雲的點高度在所述高度地圖上進行分類標記，包括： <br/>將所述當前幀點雲中高度在所述預設高度範圍內的點，在所述高度地圖上標記為目標類點；以及 <br/>將所述當前幀點雲中高度低於所述預設高度範圍的下限閾值的點，以及高於所述預設高度範圍的上限閾值的點，在所述高度地圖上標記為與所述目標類點不同的其他類點。
如請求項4所述的自移動裝置的障礙物處理方法，其中所述根據所述目標點雲資料確定當前障礙物的障礙物輪廓，包括： <br/>通過對所述目標點雲資料進行聚類，以得到各個相鄰的目標類點所形成的矩形輪廓； <br/>將所述矩形輪廓作為所述當前障礙物的障礙物輪廓。
如請求項1所述的障礙物處理方法，其中所述對當前次識別出的臺階型障礙物進行高低邊屬性的標記，包括： <br/>將所述臺階型障礙物的靠近所述自移動裝置的一邊標記為臺階高邊。
如請求項6所述的障礙物處理方法，其中在所述對當前次識別出的臺階型障礙物進行高低邊屬性的標記之後，還包括： <br/>若當前次識別出的臺階型障礙物與上一次識別出的臺階型障礙物有重合區域，用當前次識別出的臺階型障礙物中標記的臺階高邊替換上一次識別出的臺階型障礙物中標記的臺階高邊。
如請求項1所述的障礙物處理方法，其中在所述對當前次識別出的臺階型障礙物進行高低邊屬性的標記之前，還包括： <br/>若所述當前障礙物的障礙物輪廓的尺寸大於或等於第一尺寸閾值，將所述當前障礙物識別為臺階型障礙物。
如請求項1至8中任一項所述的障礙物處理方法，其中在所述對當前次識別出的臺階型障礙物進行高低邊屬性的標記之後，還包括： <br/>回應於跨越所述臺階型障礙物的動作完成的信號，至少根據所述臺階型障礙物的位置和臺階輪廓在環境地圖上持久化記錄所述臺階型障礙物的臺階識別區； <br/>向使用者展示記錄有所述臺階識別區的環境地圖。
如請求項9所述的障礙物處理方法，其中若所述環境地圖上記錄的臺階識別區向用戶呈現有真實臺階的臺階輪廓；在向使用者展示記錄有所述臺階識別區的環境地圖之後，還包括： <br/>若獲取到使用者對所述環境地圖上記錄的臺階識別區的編輯操作，對所述臺階識別區執行與所述編輯操作相應的處理，並在處理完成之後將所述臺階識別區的臺階高邊恢復為臺階低邊，其中，所述編輯操作用於改變所述臺階識別區的臺階輪廓和/或位置； <br/>在所述自移動裝置下一次識別出所述臺階型障礙物時，根據所述臺階型障礙物的高低邊屬性在所述環境地圖上更新所述臺階識別區的臺階高邊，所述臺階識別區的位置和臺階輪廓保持為使用者編輯過的狀態。
如請求項9所述的障礙物處理方法，其中若所述環境地圖上記錄的臺階識別區向用戶呈現有真實臺階的臺階輪廓和高低邊屬性，在向使用者展示記錄有所述臺階識別區的環境地圖之後，還包括： <br/>若獲取到使用者對所述環境地圖上記錄的臺階識別區的編輯操作，對所述臺階識別區執行與所述編輯操作相應的處理，其中，所述編輯操作用於改變所述臺階識別區的臺階輪廓、位置和高低邊屬性中的至少一種； <br/>在所述自移動裝置下一次識別出所述臺階型障礙物時，在所述環境地圖上將所述臺階識別區的位置、臺階輪廓和高低邊屬性均保持為使用者編輯後的狀態。
如請求項1至8中任一項所述的障礙物處理方法，其中在所述對當前次識別出的臺階型障礙物進行高低邊屬性的標記之後，還包括： <br/>在所述自移動裝置處理完當前區域並查找下一個待處理區域時，若獲取到包含所述臺階型障礙物的臺階區域，且滿足所述臺階區域是有效臺階區域以及所述臺階區域的兩側之間有可通行區域，則根據所述臺階型障礙物的高低邊屬性，控制所述自移動裝置執行對所述臺階區域的越障動作，以嘗試進入所述待處理區域； <br/>在所述自移動裝置進入所述待處理區域之後，對所述待處理區域進行補充處理。
如請求項12所述的障礙物處理方法，其中還包括： <br/>若位於所述臺階區域兩側的兩個位置點之間的連線區域內未標記目標障礙物，確定所述臺階區域的兩側之間有可通行區域； <br/>若所述待處理區域的尺寸大於或者等於第二尺寸閾值，且所述自移動裝置沒有標記對所述待處理區域的歷史處理動作，則確定所述臺階區域是有效臺階區域。
如請求項13所述的障礙物處理方法，其中所述根據所述臺階型障礙物的高低邊屬性，控制所述自移動裝置執行對所述臺階區域的越障動作，包括： <br/>若所述自移動裝置位於所述臺階型障礙物的臺階高邊一側，控制所述自移動裝置執行對所述臺階區域的直衝越障動作，以嘗試跨越所述臺階區域； <br/>若所述自移動裝置位於所述臺階型障礙物的臺階低邊一側，控制所述自移動裝置以第一前進速度朝向所述臺階區域直行。
如請求項14所述的障礙物處理方法，其中所述自移動裝置包括機體和設置於機體的行走機構；所述控制所述自移動裝置執行對所述臺階區域的直衝越障動作，以嘗試跨越所述臺階區域，包括： <br/>在相對於所述機體抬升所述行走機構以使所述機體的機頭部位升高之後，控制所述自移動裝置按照第二前進速度執行朝向所述臺階區域的直衝動作，所述第二前進速度大於所述第一前進速度； <br/>在所述直衝動作結束之後，相對於所述機體降下所述行走機構，以使所述機體的機頭部位下降。
如請求項15所述的障礙物處理方法，其中所述控制所述自移動裝置執行對所述臺階區域的直衝越障動作，還包括： <br/>在相對於機體降下所述行走機構以使所述機體的機頭部位下降之後，檢測所述自移動裝置是否已進入所述待處理區域，若否，控制所述自移動裝置再次執行對所述臺階區域的直衝越障動作； <br/>若所述直衝越障動作的執行次數達到預設次數閾值，放棄對所述臺階區域的越障，並添加對所述待處理區域的處理失敗記錄。
如請求項12所述的障礙物處理方法，還包括： <br/>在所述自移動裝置的工作過程中識別並標記普通障礙物，其中，所述普通障礙物是除低於所述預設高度範圍的上限閾值的點雲和/或特定圖像類別資訊所確定的障礙物之外的障礙物。
一種清潔機器人的清潔控制方法，包括： <br/>在所述清潔機器人清掃完當前區域並查找下一個待清掃區域時，若獲取到臺階區域，且滿足所述臺階區域是有效臺階區域以及所述臺階區域的兩側之間有可通行區域，則控制所述清潔機器人執行對所述臺階區域的直衝越障動作，以嘗試進入所述待清掃區域； <br/>在所述清潔機器人進入所述待清掃區域之後，對所述待清掃區域進行補掃； <br/>其中，確定所述臺階區域是有效臺階區域的步驟包括： <br/>若位於所述臺階區域兩側的兩個位置點之間的連線區域內未標記目標障礙物，確定所述臺階區域的兩側之間有可通行區域； <br/>若所述待清掃區域的尺寸大於或者等於第二尺寸閾值，且所述清潔機器人沒有標記對所述待清掃區域的歷史補掃動作，確定所述臺階區域是有效臺階區域。
如請求項18所述的清潔機器人的清潔控制方法，其中所述清潔機器人包括機體和設置於機體的行走機構；所述控制所述清潔機器人執行對所述臺階區域的直衝越障動作，以嘗試進入所述待清掃區域，包括： <br/>在相對於所述機體抬升所述行走機構以使所述機體的機頭部位升高之後，控制所述清潔機器人執行朝向所述臺階區域的直衝動作； <br/>在所述直衝動作結束之後，相對於所述機體降下所述行走機構，以使所述機體的機頭部位下降。
如請求項19所述的清潔機器人的清潔控制方法，其中所述控制所述清潔機器人執行對所述臺階區域的直衝越障動作，以嘗試進入所述待清掃區域，還包括： <br/>在相對於所述機體降下所述行走機構以使所述機體的機頭部位下降之後，檢測所述清潔機器人是否已進入所述待清掃區域； <br/>若所述清潔機器人未進入所述待清掃區域，控制所述清潔機器人再次執行對所述臺階區域的直衝越障動作； <br/>若執行所述直衝越障動作的次數達到預設次數閾值，放棄對所述臺階區域的越障，並添加對所述待清掃區域的補掃失敗記錄。
一種自移動裝置，包括：處理器；用於存儲所述處理器可執行指令的儲存器，其中，所述處理器被配置為執行所述指令，以實現如請求項1至17中任一項所述的自移動裝置的障礙物處理方法，或者以實現如請求項18至20中任一項所述的清潔機器人的清潔控制方法。
一種電腦可讀存儲媒介，其上存儲有電腦程式，其中該電腦程式被處理器執行時實現請求項1至17中任一項所述的自移動裝置的障礙物處理方法，或者以實現請求項18至20中任一項所述的清潔機器人的清潔控制方法。
一種電腦程式產品，包括電腦程式，其中該電腦程式被處理器執行時實現請求項1至17中任一項所述的自移動裝置的障礙物處理方法，或者請求項18至20中任一項所述的清潔機器人的清潔控制方法。
一種清潔設備控制方法，包括： <br/>獲取清潔設備的當前姿態特徵； <br/>根據所述清潔設備的當前姿態特徵，確定懸崖判定閾值，所述懸崖判定閾值為觸發所述清潔設備執行懸崖規避動作的臨界高度值； <br/>基於所述懸崖判定閾值，判定是否觸發所述清潔設備執行懸崖規避動作； <br/>其中所述根據所述清潔設備的當前姿態特徵，確定懸崖判定閾值，包括： <br/>如果所述當前姿態特徵為所述清潔設備在抬升狀態下的機身姿態，則確定所述懸崖判定閾值為第一懸崖判定閾值； <br/>如果所述當前姿態特徵為所述清潔設備在非抬升狀態下抬頭的機身姿態，則確定所述懸崖判定閾值為第二懸崖判定閾值，其中，所述第二懸崖判定閾值低於所述第一懸崖判定閾值。
根據請求項1所述的方法，其中所述根據所述清潔設備的當前姿態特徵，確定懸崖判定閾值，還包括： <br/>如果所述當前姿態特徵為所述清潔設備在非抬升狀態下未抬頭且未低頭的機身姿態，則確定所述懸崖判定閾值為第三懸崖判定閾值，其中，所述第三懸崖判定閾值低於所述第二懸崖判定閾值。
根據請求項2所述的方法，其中所述根據所述清潔設備的當前姿態特徵，確定懸崖判定閾值，還包括： <br/>如果所述當前姿態特徵為所述清潔設備低頭的機身姿態，則確定所述懸崖判定閾值為第四懸崖判定閾值，其中，所述第四懸崖判定閾值低於所述第三懸崖判定閾值。
一種清潔設備控制方法，包括： <br/>獲取清潔設備的當前姿態特徵； <br/>根據所述清潔設備的當前姿態特徵，確定懸崖判定閾值，所述懸崖判定閾值為觸發所述清潔設備執行懸崖規避動作的臨界高度值； <br/>基於所述懸崖判定閾值，判定是否觸發所述清潔設備執行懸崖規避動作； <br/>其中所述當前姿態特徵包括所述清潔設備上的第一參考位置到參考平面的高度值，所述參考平面為所述清潔設備的水準行駛地面，所述根據所述清潔設備的當前姿態特徵，確定懸崖判定閾值，包括： <br/>根據所述第一參考位置到所述參考平面的高度值，確定懸崖判定閾值，所述懸崖判定閾值與所述第一參考位置到所述參考平面的高度值正相關。
一種清潔設備控制方法，包括： <br/>獲取清潔設備的當前姿態特徵； <br/>根據所述清潔設備的當前姿態特徵，確定懸崖判定閾值，所述懸崖判定閾值為觸發所述清潔設備執行懸崖規避動作的臨界高度值； <br/>基於所述懸崖判定閾值，判定是否觸發所述清潔設備執行懸崖規避動作； <br/>其中所述當前姿態特徵包括所述清潔設備的機身抬升高度和/或機身俯仰傾角，所述根據所述清潔設備的當前姿態特徵，確定懸崖判定閾值，包括： <br/>根據所述機身抬升高度和/或所述機身俯仰傾角，確定懸崖判定閾值，所述懸崖判定閾值與所述機身抬升高度正相關，和/或所述懸崖判定閾值與所述機身俯仰傾角正相關。
一種清潔設備控制方法，包括： <br/>獲取清潔設備的當前姿態特徵； <br/>根據所述清潔設備的當前姿態特徵，確定懸崖判定閾值，所述懸崖判定閾值為觸發所述清潔設備執行懸崖規避動作的臨界高度值； <br/>基於所述懸崖判定閾值，判定是否觸發所述清潔設備執行懸崖規避動作； <br/>其中所述基於所述懸崖判定閾值，判定是否觸發所述清潔設備執行懸崖規避動作，包括： <br/>獲取所述清潔設備上的第二參考位置到目標地面區域的高度值，所述目標地面區域為在所述清潔設備行進前方的預設地面區域； <br/>如果所述第二參考位置到所述目標地面區域的高度值大於或等於所述懸崖判定閾值，則觸發所述清潔設備執行懸崖規避動作。
一種清潔設備控制裝置，包括： <br/>獲取單元，用於獲取清潔設備的當前姿態特徵； <br/>確定單元，用於根據所述清潔設備的當前姿態特徵，確定懸崖判定閾值，所述懸崖判定閾值為觸發所述清潔設備執行懸崖規避動作的臨界高度值； <br/>判定單元，用於基於所述懸崖判定閾值，判定是否觸發所述清潔設備執行懸崖規避動作； <br/>其中所述根據所述清潔設備的當前姿態特徵，確定懸崖判定閾值，包括： <br/>如果所述當前姿態特徵為所述清潔設備在抬升狀態下的機身姿態，則確定所述懸崖判定閾值為第一懸崖判定閾值； <br/>如果所述當前姿態特徵為所述清潔設備在非抬升狀態下抬頭的機身姿態，則確定所述懸崖判定閾值為第二懸崖判定閾值，其中，所述第二懸崖判定閾值低於所述第一懸崖判定閾值。
一種清潔設備控制裝置，包括： <br/>獲取單元，用於獲取清潔設備的當前姿態特徵； <br/>確定單元，用於根據所述清潔設備的當前姿態特徵，確定懸崖判定閾值，所述懸崖判定閾值為觸發所述清潔設備執行懸崖規避動作的臨界高度值； <br/>判定單元，用於基於所述懸崖判定閾值，判定是否觸發所述清潔設備執行懸崖規避動作； <br/>其中所述當前姿態特徵包括所述清潔設備上的第一參考位置到參考平面的高度值，所述參考平面為所述清潔設備的水準行駛地面，所述根據所述清潔設備的當前姿態特徵，確定懸崖判定閾值，包括： <br/>根據所述第一參考位置到所述參考平面的高度值，確定懸崖判定閾值，所述懸崖判定閾值與所述第一參考位置到所述參考平面的高度值正相關。
一種清潔設備控制裝置，包括： <br/>獲取單元，用於獲取清潔設備的當前姿態特徵； <br/>確定單元，用於根據所述清潔設備的當前姿態特徵，確定懸崖判定閾值，所述懸崖判定閾值為觸發所述清潔設備執行懸崖規避動作的臨界高度值； <br/>判定單元，用於基於所述懸崖判定閾值，判定是否觸發所述清潔設備執行懸崖規避動作； <br/>其中所述當前姿態特徵包括所述清潔設備的機身抬升高度和/或機身俯仰傾角，所述根據所述清潔設備的當前姿態特徵，確定懸崖判定閾值，包括： <br/>根據所述機身抬升高度和/或所述機身俯仰傾角，確定懸崖判定閾值，所述懸崖判定閾值與所述機身抬升高度正相關，和/或所述懸崖判定閾值與所述機身俯仰傾角正相關。
一種清潔設備控制裝置，包括： <br/>獲取單元，用於獲取清潔設備的當前姿態特徵； <br/>確定單元，用於根據所述清潔設備的當前姿態特徵，確定懸崖判定閾值，所述懸崖判定閾值為觸發所述清潔設備執行懸崖規避動作的臨界高度值； <br/>判定單元，用於基於所述懸崖判定閾值，判定是否觸發所述清潔設備執行懸崖規避動作； <br/>其中所述基於所述懸崖判定閾值，判定是否觸發所述清潔設備執行懸崖規避動作，包括： <br/>獲取所述清潔設備上的第二參考位置到目標地面區域的高度值，所述目標地面區域為在所述清潔設備行進前方的預設地面區域； <br/>如果所述第二參考位置到所述目標地面區域的高度值大於或等於所述懸崖判定閾值，則觸發所述清潔設備執行懸崖規避動作。
一種電腦程式產品，其中所述電腦程式產品包括電腦指令，該電腦指令存儲在電腦可讀存儲媒介中，且適於由處理器讀取並執行，以使得具有所述處理器的電腦設備執行如請求項1所述的方法。
一種電腦可讀存儲媒介，其中所述電腦可讀存儲媒介中存儲有至少一條程式碼，所述至少一條程式碼由處理器載入並執行以實現如請求項1所述的方法所執行的操作。
一種清潔設備，其中所述清潔設備包括一個或多個處理器和一個或多個儲存器，所述一個或多個儲存器中存儲有至少一條程式碼，所述至少一條程式碼由所述一個或多個處理器載入並執行以實現如請求項1所述的方法。
一種封裝結構，包含：<br/> 一第一基板，包含一上表面、一走線層及一下表面，該上表面具有複數第一上接觸點，該下表面具有複數第一下接觸點，該複數第一上接觸點藉由該走線層個別地電性連接該複數第一下接觸點；<br/> 一晶粒，具有相對的一主動面及一背面，該晶粒以該主動面電性連接該第一基板之該上表面之該複數第一上接觸點；<br/> 一模塑層，側向地包封該晶粒；<br/> 一第二基板，包含一上表面、一走線層及一下表面，該第二基板位於該模塑層上，該第二基板之該上表面具有複數第二上接觸點，該第二基板之該下表面具有複數第二下接觸點，該複數第二上接觸點藉由該走線層個別地電性連接該複數第二下接觸點；<br/> 複數導通孔，位於該模塑層內，各該導通孔之一底端電性連接該第一基板之該複數第一上接觸點其中之一，且各該導通孔之一頂端電性連接該第二基板之該複數第二下接觸點其中之一；及<br/> 一散熱層，包含一上表面，該散熱層位於該晶粒之該背面上，且該散熱層之該上表面導熱連接該第二基板之該複數第二下接觸點；<br/> 其中，該第二基板之該上表面係高於該散熱層之該上表面。
一種封裝結構，包含：<br/> 一第一基板，包含一上表面、一走線層及一下表面，該上表面具有複數第一上接觸點，該下表面具有複數第一下接觸點，該複數第一上接觸點藉由該走線層個別地電性連接該複數第一下接觸點；<br/> 一晶粒，具有相對的一主動面及一背面，該晶粒以該主動面電性連接該第一基板之該上表面之該複數第一上接觸點；<br/> 一模塑層，包含一上表面，且側向地包封該晶粒；<br/> 一第二基板，包含一上表面及一下表面，且位於該模塑層之該上表面上，以使該第二基板之該下表面高於該模塑層之該上表面；<br/> 複數導通孔，位於該模塑層內，各該導通孔電性連接該第一基板之該複數第一上接觸點其中之一；及<br/> 一散熱層，包含一上表面，該散熱層位於該晶粒之該背面上；<br/> 其中，該第二基板之該上表面係低於該散熱層之該上表面。
如請求項1或2所述的封裝結構，其中，該散熱層於沿該晶粒之該背面之法線的一投影方向上之一投影面之面積係大於或等於該晶粒於該投影方向上之該投影面之面積。
如請求項1或2所述的封裝結構，其中，該散熱層係選自以下至少一者：虛設晶粒(dummy die)、石墨烯及金屬。
如請求項1或2所述的封裝結構，更包括複數第一凸塊，位於該晶粒與該第一基板之該上表面之間，且各該第一凸塊電性連接該第一基板之該複數第一上接觸點其中之一。
如請求項1或2所述的封裝結構，更包括複數第二凸塊，位於該第一基板之該下表面上，且各該第二凸塊電性連接該第一基板之該複數第一下接觸點其中之一。
如請求項1或2所述的封裝結構，更包括一被動元件，位於該第一基板之該下表面上，且該被動元件電性連接該第一基板之該複數第一下接觸點其中之一。
如請求項1或2所述的封裝結構，更包括一被動元件，位於該第二基板之該上表面上。
如請求項2所述的封裝結構，更包含一散熱蓋，位於該第二基板上且耦接該散熱層。
如請求項1所述的封裝結構，更包括：<br/> 一散熱蓋，位於該第二基板之該上表面上；及<br/> 一主動元件，位於該第二基板之該上表面上且位於該散熱蓋之內部，該主動元件電性連接該第二基板之該複數第二上接觸點其中之一，其中該散熱蓋耦接該主動元件。
一種聚醯亞胺膜，其特徵在於，包含聚醯亞胺，該聚醯亞胺包含二酐單體和二胺單體作為聚合單元，<br/> 所述二酐單體包括具有酯基的第1二酐單體和不具有酯基的第2二酐單體，<br/> 所述二胺單體包括具有酯基的第1二胺單體和不具有酯基的第2二胺單體，<br/> 所述第1二酐單體包括對亞苯基雙(偏苯三酸酯二酐)（TAHQ），<br/> 全體二酐單體100莫耳%中的所述第1二酐單體大於或等於40莫耳%且小於100莫耳%，<br/> 全體二酐單體100莫耳%中的所述第2二酐單體大於0莫耳%且小於或等於60莫耳%，<br/> 所述第1二胺單體包括選自4-氨基苯甲酸4-氨基苯酯（APAB）和[4-(4-氨基苯甲醯基)氧基苯基]-4-氨基苯甲酸酯（ABHQ）中的1種以上，<br/> 全體二胺單體100莫耳%中的所述第1二胺單體大於或等於40莫耳%且小於100莫耳%，<br/> 全體二胺單體100莫耳%中的所述第2二胺單體大於0莫耳%且小於或等於60莫耳%，<br/> 在室溫（20~25℃）和室內濕度（40~60%）的條件下放置24小時後，介電常數（D<sub>k</sub>）（@10GHz）為3.6以下，<br/> 在室溫（20~25℃）和室內濕度（40~60%）的條件下放置24小時後，介電損耗因子（D<sub>f</sub>）（@10GHz）小於0.0020。
如請求項1所述的聚醯亞胺膜，其中，所述聚醯亞胺膜在室溫（20~25℃）和室內濕度（40~60%）的條件下放置48小時後的介電常數（D<sub>k</sub>）（@10GHz）維持在3.6以下，<br/> 所述聚醯亞胺膜在室溫（20~25℃）和室內濕度（40~60%）的條件下放置48小時後的介電損耗因子（D<sub>f</sub>）（@10GHz）維持在小於0.0020。
如請求項1所述的聚醯亞胺膜，其中，所述聚醯亞胺膜在室溫（20~25℃）和室內濕度（40~60%）的條件下放置96小時後的介電常數（D<sub>k</sub>）（@10GHz）維持在3.6以下，<br/> 所述聚醯亞胺膜在室溫（20~25℃）和室內濕度（40~60%）的條件下放置96小時後的介電損耗因子（D<sub>f</sub>）（@10GHz）維持在小於0.0020。
如請求項1所述的聚醯亞胺膜，其中，所述聚醯亞胺膜的根據下述式1的介電損耗因子（D<sub>f</sub>）變化率為-4.5至+4.5%：<br/> [式1]<br/><img align="absmiddle" height="55px" width="584px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 在所述式1中，<br/> 第1介電損耗因子為聚醯亞胺膜在室溫和室內濕度的條件下放置24小時後的介電損耗因子（@10GHz），<br/> 第2介電損耗因子為將聚醯亞胺膜在室溫和室內濕度的條件下放置96小時後測定的介電損耗因子（@10GHz）。
如請求項1所述的聚醯亞胺膜，其中，所述第2二酐單體包括選自聯苯四甲酸二酐（BPDA）、均苯四甲酸二酐（PMDA）、3,3’,4,4’-二苯甲酮四甲酸二酐（BTDA）、氧雙鄰苯二甲酸二酐（ODPA）、二苯碸-3,4,3’,4’-四甲酸二酐（DSDA）、雙(3,4-二羧基苯基)硫醚二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷二酐、2,3,3’,4’-二苯甲酮四甲酸二酐、雙(3,4-二羧基苯基)甲烷二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)丙烷二酐、間三聯苯基-3,4,3’,4’-四甲酸二酐、對三聯苯基-3,4,3’,4’-四甲酸二酐、1,3-雙(3,4-二羧基苯氧基)苯二酐、1,4-雙(3,4-二羧基苯氧基)苯二酐、1,4-雙(3,4-二羧基苯氧基)聯苯二酐、2,2-雙〔(3,4-二羧基苯氧基)苯基〕丙烷二酐（BPADA）、2,3,6,7-萘四甲酸二酐、1,4,5,8-萘四甲酸二酐和4,4’-(2,2-六氟亞異丙基)二鄰苯二甲酸二酐中的1種以上。
如請求項1所述的聚醯亞胺膜，其中，所述第1二酐單體包括對亞苯基雙(偏苯三酸酯二酐)（TAHQ），<br/> 所述第2二酐單體包括聯苯四甲酸二酐（BPDA）。
如請求項1所述的聚醯亞胺膜，其中，所述第2二胺單體包括選自2,2’-二甲基-4,4’-二氨基聯苯即間聯甲苯胺、1,4-二氨基苯（PPD）、4,4’-二氨基二苯醚（ODA）、2,2-雙氨基苯氧基苯基丙烷（BAPP）、間苯二胺、3,3’-二甲基聯苯胺、2,2’-二甲基聯苯胺、2,4-二氨基甲苯、2,6-二氨基甲苯、3,5-二氨基苯甲酸（DABA）、3,3’-二甲基-4,4’-二氨基聯苯、2,2’-雙(三氟甲基)-4,4’-二氨基聯苯、3,3’-二甲基-4,4’-二氨基二苯基甲烷、3,3’-二羧基-4,4’-二氨基二苯基甲烷、3,3’,5,5’-四甲基-4,4’-二氨基二苯基甲烷、4,4’-二氨基苯甲醯苯胺、3,3’-二甲氧基聯苯胺、2,2’-二甲氧基聯苯胺、3,3’-二氨基二苯醚、3,4’-二氨基二苯醚、3,3’-二氨基二苯硫醚、3,4’-二氨基二苯硫醚、4,4’-二氨基二苯硫醚、3,3’-二氨基二苯碸、3,4’-二氨基二苯碸、4,4’-二氨基二苯碸、3,3’-二氨基二苯甲酮、4,4’-二氨基二苯甲酮、3,3’-二氨基-4,4’-二氯二苯甲酮、3,3’-二氨基-4,4’-二甲氧基二苯甲酮、3,3’-二氨基二苯基甲烷、3,4’-二氨基二苯基甲烷、4,4’-二氨基二苯基甲烷、2,2-雙(3-氨基苯基)丙烷、2,2-雙(4-氨基苯基)丙烷、2,2-雙(3-氨基苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、2,2-雙(4-氨基苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、3,3’-二氨基二苯亞碸、3,4’-二氨基二苯亞碸、4,4’-二氨基二苯亞碸、1,3-雙(3-氨基苯基)苯、1,3-雙(4-氨基苯基)苯、1,4-雙(3-氨基苯基)苯、1,4-雙(4-氨基苯基)苯、1,3-雙(4-氨基苯氧基)苯（TPE-R）、1,4-雙(3-氨基苯氧基)苯（TPE-Q）、1,3-雙(3-氨基苯氧基)-4-三氟甲基苯、3,3’-二氨基-4-(4-苯基)苯氧基二苯甲酮、3,3’-二氨基-4,4’-二(4-苯基苯氧基)二苯甲酮、1,3-雙(3-氨基苯硫醚)苯、1,3-雙(4-氨基苯硫醚)苯、1,4-雙(4-氨基苯硫醚)苯、1,3-雙(3-氨基苯碸)苯、1,3-雙(4-氨基苯碸)苯、1,4-雙(4-氨基苯碸)苯、1,3-雙〔2-(4-氨基苯基)異丙基〕苯、1,4-雙〔2-(3-氨基苯基)異丙基〕苯、1,4-雙〔2-(4-氨基苯基)異丙基〕苯、3,3’-雙(3-氨基苯氧基)聯苯、3,3’-雙(4-氨基苯氧基)聯苯、4,4’-雙(3-氨基苯氧基)聯苯、4,4’-雙(4-氨基苯氧基)聯苯、雙〔3-(3-氨基苯氧基)苯基〕醚、雙〔3-(4-氨基苯氧基)苯基〕醚、雙〔4-(3-氨基苯氧基)苯基〕醚、雙〔4-(4-氨基苯氧基)苯基〕醚、雙〔3-(3-氨基苯氧基)苯基〕酮、雙〔3-(4-氨基苯氧基)苯基〕酮、雙〔4-(3-氨基苯氧基)苯基〕酮、雙〔4-(4-氨基苯氧基)苯基〕酮、雙〔3-(3-氨基苯氧基)苯基〕硫醚、雙〔3-(4-氨基苯氧基)苯基〕硫醚、雙〔4-(3-氨基苯氧基)苯基〕硫醚、雙〔4-(4-氨基苯氧基)苯基〕硫醚、雙〔3-(3-氨基苯氧基)苯基〕碸、雙〔3-(4-氨基苯氧基)苯基〕碸、雙〔4-(3-氨基苯氧基)苯基〕碸、雙〔4-(4-氨基苯氧基)苯基〕碸、雙〔3-(3-氨基苯氧基)苯基〕甲烷、雙〔3-(4-氨基苯氧基)苯基〕甲烷、雙〔4-(3-氨基苯氧基)苯基〕甲烷、雙〔4-(4-氨基苯氧基)苯基〕甲烷、2,2-雙〔3-(3-氨基苯氧基)苯基〕丙烷、2,2-雙〔3-(4-氨基苯氧基)苯基〕丙烷、2,2-雙〔4-(3-氨基苯氧基)苯基〕丙烷、2,2-雙〔3-(3-氨基苯氧基)苯基〕-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、2,2-雙〔3-(4-氨基苯氧基)苯基〕-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、2,2-雙〔4-(3-氨基苯氧基)苯基〕-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷和2,2-雙〔4-(4-氨基苯氧基)苯基〕-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷中的1種以上。
如請求項1所述的聚醯亞胺膜，其中，所述第1二胺單體包括選自4-氨基苯甲酸4-氨基苯酯（APAB）和[4-(4-氨基苯甲醯基)氧基苯基]-4-氨基苯甲酸酯（ABHQ）中的1種以上，<br/> 所述第2二胺單體包括2,2’-二甲基-4,4’-二氨基聯苯即間聯甲苯胺。
如請求項1所述的聚醯亞胺膜，其中，所述第1二酐單體包括對亞苯基雙(偏苯三酸酯二酐)（TAHQ），<br/> 所述第2二酐單體包括聯苯四甲酸二酐（BPDA），<br/> 所述第1二胺單體包括選自4-氨基苯甲酸4-氨基苯酯（APAB）和[4-(4-氨基苯甲醯基)氧基苯基]-4-氨基苯甲酸酯（ABHQ）中的1種以上，<br/> 所述第2二胺單體包括2,2’-二甲基-4,4’-二氨基聯苯即間聯甲苯胺。
如請求項1所述的聚醯亞胺膜，其中，所述聚醯亞胺膜的強度為150MPa以上。
如請求項1所述的聚醯亞胺膜，其中，所述聚醯亞胺膜的吸濕率小於0.7%。
如請求項1所述的聚醯亞胺膜，其中，所述聚醯亞胺膜的厚度為1至100㎛。
一種柔性金屬箔層疊板，其特徵在於，包括如請求項1至12中的任一項所述的聚醯亞胺膜。
一種電子部件，其特徵在於，包括如請求項13所述的柔性金屬箔層疊板。
一種碳化矽基板，直徑為195mm以上， <br/> 以內周支持面進行內周支持時，該內周支持面位於從中心起算到半徑17.5mm的圓周重疊的位置，且該碳化矽基板向上凸起變形； <br/> 若將上面中從厚度方向來看與該內周支持面重疊的第1點連接的面設為第1基準面，且將該第1基準面的上方設為正時，相對於該第1基準面的BOW(彎曲度)小於40μm。
如請求項1之碳化矽基板，其中， <br/> 以該內周支持面進行支持時的WARP(翹曲度)為60μm以下。
如請求項1之碳化矽基板，其中， <br/> 以外周支持面進行外周支持時，該外周支持面位於從最外周起算到內縮7.5mm的圓周重疊的位置； <br/> 若將上面中從厚度方向來看與該外周支持面重疊的第2點連接的面設為第2基準面，且將該第2基準面的上方設為正時，相對於該第2基準面的BOW(彎曲度)大於-40μm。
如請求項3之碳化矽基板，其中， <br/> 以該外周支持面進行外周支持時，相對於該第2基準面的BOW(彎曲度)為0μm以下。
如請求項3之碳化矽基板，其中， <br/> 以該外周支持面進行支持時，該外周支持面位於從最外周起算到內縮7.5mm的圓周重疊的位置，且WARP(翹曲度)小於60μm。
一種碳化矽磊晶晶圓，包含： <br/> 如請求項1至5任一項之碳化矽基板；以及 <br/> 碳化矽磊晶層，層積在該碳化矽基板的其中一面。
一種碳化矽磊晶晶圓，包含： <br/> 碳化矽基板；以及 <br/> 碳化矽磊晶層，層積在該碳化矽基板的其中一面； <br/> 以內周支持面進行內周支持時，該內周支持面位於從中心起算到半徑17.5mm的圓周重疊的位置，若將上面中從厚度方向來看與該內周支持面重疊的第1點連接的面設為第1基準面，且將該第1基準面的上方設為正時，BOW(彎曲度)為30μm以下； <br/> 該碳化矽基板的直徑為145mm以上。
如請求項7之碳化矽磊晶晶圓，其中， <br/> 該碳化矽基板的直徑為195mm以上。
如請求項7之碳化矽磊晶晶圓，其中， <br/> 以該內周支持面進行支持時的BOW(彎曲度)為10μm以下。
如請求項7之碳化矽磊晶晶圓，其中， <br/> 以外周支持面進行外周支持時，該外周支持面位於從最外周起算到內縮7.5mm的圓周重疊的位置，若將上面中從厚度方向來看與該外周支持面重疊的第2點連接的面設為第2基準面，且將該第2基準面的上方設為正時，BOW(彎曲度)為-30μm以上。
如請求項7之碳化矽磊晶晶圓，其中， <br/> WARP(翹曲度)為50μm以下。
如請求項7之碳化矽磊晶晶圓，其中， <br/> WARP(翹曲度)為30μm以下。
如請求項7之碳化矽磊晶晶圓，其中， <br/> 以該內周支持面進行支持時，向上凸起變形。
一種正型阻劑材料，含有： <br/>基礎聚合物，含有具有經碘化之苯酚化合物的鋶鹽結構之重複單元a， <br/>該重複單元a為下式(a)表示者； <br/><img align="absmiddle" height="53px" width="78px" file="ed10175.jpg" alt="ed10175.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>A</sup>為氫原子或甲基； <br/>X<sup>1</sup>為單鍵、酯鍵、醚鍵、伸苯基或伸萘基； <br/>X<sup>2</sup>為單鍵、碳數1~12之飽和伸烴基或伸苯基，且該飽和伸烴基也可含有選自醚鍵、酯鍵、醯胺鍵、內酯環及磺內酯環中之至少1種； <br/>X<sup>3</sup>為單鍵、酯鍵或醚鍵； <br/>R<sup>1</sup>為氫原子、碳數1~4之烷基、碘原子以外的鹵素原子、硝基或氰基； <br/>R<sup>2</sup>~R<sup>4</sup>分別獨立地為鹵素原子或也可含有雜原子之碳數1~20之烴基；又，R<sup>2</sup>及R<sup>3</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結的硫原子一起形成環； <br/>m為1~4之整數；n為0~3之整數；惟，1≦m+n≦4。
如請求項1之正型阻劑材料，其中，該基礎聚合物含有選自羧基的氫原子被酸不穩定基取代之重複單元b1及酚性羥基的氫原子被酸不穩定基取代之重複單元b2中之至少1種。
如請求項2之正型阻劑材料，其中，重複單元b1為下式(b1)表示者，重複單元b2為下式(b2)表示者； <br/><img align="absmiddle" height="64px" width="94px" file="ed10176.jpg" alt="ed10176.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>A</sup>分別獨立地為氫原子或甲基； <br/>Y<sup>1</sup>為單鍵、伸苯基或伸萘基、或含有選自酯鍵、醚鍵及內酯環中之至少1種的碳數1~12之連結基，且該伸苯基、伸萘基及連結基也可具有選自鹵素原子、羥基、碳數1~8之飽和烴基氧基及碳數2~8之飽和烴基羰基氧基中之至少1種； <br/>Y<sup>2</sup>為單鍵、酯鍵或醯胺鍵； <br/>Y<sup>3</sup>為單鍵、醚鍵或酯鍵； <br/>R<sup>11</sup>及R<sup>12</sup>分別獨立地為酸不穩定基； <br/>R<sup>13</sup>為羥基、鹵素原子、三氟甲基、氰基或碳數1~6之飽和烴基、碳數1~6之飽和烴基氧基或碳數2~7之飽和烴基羰基氧基；<br/>R<sup>14</sup>為單鍵或碳數1~6之烷二基，且該烷二基之-CH<sub>2</sub>-的一部分也可被醚鍵或酯鍵取代； <br/>a為1或2；b為0~4之整數；惟，1≦a+b≦5。
如請求項2之正型阻劑材料，其中，該基礎聚合物含有含選自羥基、羧基、內酯環、碳酸酯鍵、硫代碳酸酯鍵、羰基、環狀縮醛基、醚鍵、酯鍵、磺酸酯鍵、氰基、醯胺鍵、-O-C(=O)-S-及-O-C(=O)-NH-之密合性基的重複單元c。
如請求項2之正型阻劑材料，其中，該基礎聚合物含有選自下式(d1)表示之重複單元、下式(d2)表示之重複單元、下式(d3)表示之重複單元、下式(d4)表示之重複單元及下式(d5)表示之重複單元中之至少1種； <br/><img align="absmiddle" height="135px" width="172px" file="ed10177.jpg" alt="ed10177.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>A</sup>分別獨立地為氫原子或甲基； <br/>Z<sup>1</sup>為單鍵、碳數1~6之脂肪族伸烴基、伸苯基、伸萘基或將它們組合而得之碳數7~18之基、或-O-Z<sup>11</sup>-、-C(=O)-O-Z<sup>11</sup>-或-C(=O)-NH-Z<sup>11</sup>-；Z<sup>11</sup>為碳數1~6之脂肪族伸烴基、伸苯基、伸萘基或將它們組合而得之碳數7~18之基，且也可含有羰基、酯鍵、醚鍵或羥基； <br/>Z<sup>2</sup>為單鍵或酯鍵； <br/>Z<sup>3</sup>為單鍵、-Z<sup>31</sup>-C(=O)-O-、-Z<sup>31</sup>-O-或-Z<sup>31</sup>-O-C(=O)-；Z<sup>31</sup>為碳數1~12之脂肪族伸烴基、伸苯基或將它們組合而得之碳數7~18之基，且也可含有羰基、酯鍵、醚鍵、碘原子或溴原子； <br/>Z<sup>4</sup>為亞甲基、2,2,2-三氟-1,1-乙烷二基或羰基； <br/>Z<sup>5</sup>為單鍵、亞甲基、伸乙基、伸苯基、氟化伸苯基、被三氟甲基取代之伸苯基、-O-Z<sup>51</sup>-、-C(=O)-O-Z<sup>51</sup>-或-C(=O)-NH-Z<sup>51</sup>-；Z<sup>51</sup>為碳數1~6之脂肪族伸烴基、伸苯基、氟化伸苯基或被三氟甲基取代之伸苯基，且也可含有羰基、酯鍵、醚鍵、鹵素原子或羥基； <br/>Z<sup>6</sup>為單鍵、伸苯基、伸萘基環、酯鍵或醯胺鍵； <br/>Z<sup>7A</sup>為單鍵或碳數1~24之2價有機基，且也可具有選自鹵素原子、氧原子、氮原子及硫原子中之至少1種； <br/>Z<sup>7B</sup>為碳數1~10之1價有機基，且也可具有選自鹵素原子、氧原子、氮原子及硫原子中之至少1種； <br/>Z<sup>8</sup>為單鍵、醚鍵、酯鍵、硫醚鍵或碳數1~6之烷二基； <br/>Z<sup>9</sup>為碳數1~12之3價有機基，且也可具有選自氧原子、氮原子及硫原子中之至少1種； <br/>R<sup>21</sup>~R<sup>25</sup>分別獨立地為鹵素原子或也可含有雜原子之碳數1~20之烴基；又，R<sup>23</sup>及R<sup>24</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結的硫原子一起形成環； <br/>R<sup>26</sup>分別獨立地為碳數1~10之飽和烴基、碳數6~10之芳基、氟原子、碘原子、三氟甲氧基、二氟甲氧基、氰基或硝基； <br/>圓R為碳數6~10之(j+2)價芳香族烴基； <br/>j分別獨立地為0~5之整數； <br/>M<sup>-</sup>為非親核性相對離子。
如請求項2之正型阻劑材料，更含有產生強酸的酸產生劑。
如請求項2之正型阻劑材料，更含有有機溶劑。
如請求項2之正型阻劑材料，更含有淬滅劑。
如請求項2之正型阻劑材料，更含有界面活性劑。
一種圖案形成方法，包含下列步驟： <br/>使用如請求項1至9中任一項之正型阻劑材料於基板上形成阻劑膜， <br/>對該阻劑膜以高能射線進行曝光，及 <br/>將該已曝光之阻劑膜使用顯影液進行顯影。
如請求項10之圖案形成方法，其中，該高能射線為i射線、KrF準分子雷射光、ArF準分子雷射光、電子束或波長3~15nm之極紫外線。
一種異物偵測方法，包含以一處理裝置執行： <br/>以一光達感測器進行感測以取得在該光達感測器的感測範圍中的多個第一點雲，其中該感測範圍與一移動載具的一行進方向相匹配；根據該些第一點雲取得多個非地面點；從該些非地面點取得多個第一邊界點及多個第二邊界點；根據該些第一邊界點與該些第二邊界點的平均取得一路徑中心線；根據一預設框選範圍以該路徑中心線建立一偵測剖面；以及利用該偵測剖面進行偵測並輸出偵測結果。
如請求項1所述的異物偵測方法，其中根據該些第一邊界點與該些第二邊界點的該平均以取得該路徑中心線包含： <br/>取得該些第一邊界點與該些第二邊界點的多個平均中心點；根據該些平均中心點取得一臨時中心線；從該些第一邊界點及該些第二邊界點中移除與該臨時中心線的至少一距離未落於一預設距離範圍內的至少一點以取得多個第一臨時點及多個第二臨時點；以及基於該些第一臨時點與該些第二臨時點進行擬合以產生該路徑中心線。
如請求項2所述的異物偵測方法，其中從該些第一邊界點及該些第二邊界點中移除與該臨時中心線的該至少一距離未落於該預設距離範圍內的該至少一點以取得該些第一臨時點及該些第二臨時點包含： <br/>從該些第一邊界點及該些第二邊界點中移除與該臨時中心線之間的垂直距離小於一第一預設距離或大於一第二預設距離的該至少一點以產生該些第一臨時點及該些第二臨時點。
如請求項2所述的異物偵測方法，其中該些第一臨時點及該些第二臨時點之中沿一預設方向的相鄰兩者之間的距離落於一第一預設距離範圍內，且該些第一臨時點及該些第二臨時點之中沿該行進方向的相鄰兩者之間的距離落於一第二預設距離範圍內， <br/>其中該預設方向垂直於該行進方向。
如請求項1所述的異物偵測方法，其中利用該偵測剖面進行偵測並輸出該偵測結果包含： <br/>判斷該些第一點雲中位於該偵測剖面對應的一偵測範圍內的多個第二點雲；以及產生對應該些第二點雲的該偵測結果。
如請求項5所述的異物偵測方法，其中產生對應該些第二點雲的該偵測結果包含： <br/>對該些第二點雲進行群集以產生一物件的一物件幾何資訊，其中該物件幾何資訊指示該物件的位置及尺寸中的至少一者；以及當根據該物件幾何資訊判斷存在一入侵事件時，輸出通知。
如請求項1所述的異物偵測方法，其中從該些非地面點取得多個第一邊界點及多個第二邊界點包含： <br/>根據該些非地面點的多個反射強度從該些非地面點取得多個第一邊界點及多個第二邊界點。
一種異物偵測系統，包含： <br/>一記憶裝置，用於儲存一預設框選範圍；以及一處理裝置，電性或通訊連接於該記憶裝置及一光達感測器，該處理裝置用於：以該光達感測器進行感測以取得在該光達感測器的感測範圍中的多個第一點雲，其中該感測範圍與一移動載具的一行進方向相匹配；根據該些第一點雲取得多個非地面點；從該些非地面點取得多個第一邊界點及多個第二邊界點；根據該些第一邊界點與該些第二邊界點的平均取得一路徑中心線；根據一預設框選範圍以該路徑中心線建立一偵測剖面；以及利用該偵測剖面進行偵測並輸出偵測結果。
如請求項8所述的異物偵測系統，其中該處理裝置係用於取得該些第一邊界點與該些第二邊界點的多個平均中心點；根據該些平均中心點取得一臨時中心線；從該些第一邊界點及該些第二邊界點中移除與該臨時中心線的至少一距離未落於一預設距離範圍內的至少一點以取得多個第一臨時點及多個第二臨時點；以及基於該些第一臨時點與該些第二臨時點進行擬合以產生該路徑中心線。
如請求項9所述的異物偵測系統，其中該處理裝置係用於從該些第一邊界點及該些第二邊界點中移除與該臨時中心線之間的垂直距離小於一第一預設距離或大於一第二預設距離的該至少一點以產生該些第一臨時點及該些第二臨時點。
如請求項9所述的異物偵測系統，其中該些第一臨時點及該些第二臨時點之中沿一預設方向的相鄰兩者之間的距離落於一第一預設距離範圍內，且該些第一臨時點及該些第二臨時點之中沿該行進方向的相鄰兩者之間的距離落於一第二預設距離範圍內， <br/>其中該預設方向垂直於該行進方向。
如請求項8所述的異物偵測系統，其中該處理裝置係用於判斷該些第一點雲中位於該偵測剖面對應的一偵測範圍內的多個第二點雲，及產生對應該些第二點雲的該偵測結果。
如請求項12所述的異物偵測系統，其中該處理裝置係用於對該些第二點雲進行群集以產生一物件的一物件幾何資訊，及當根據該物件幾何資訊判斷存在一入侵事件時，輸出通知，其中該物件幾何資訊指示該物件的位置及尺寸中的至少一者。
如請求項13所述的異物偵測系統，其中該處理裝置係用於根據該些非地面點的多個反射強度從該些非地面點取得多個第一邊界點及多個第二邊界點。
一種顯示設備，包含：一壩部，設置於一裝置基板上，該壩部圍繞一顯示區域；一有機封裝層，設置於由該壩部界定的一區域內；一第一無機封裝層，設置於該裝置基板和該有機封裝層之間，該第一無機封裝層沿該壩部的一表面延伸；一第二無機封裝層，設置於該有機封裝層上，該第二無機封裝層設置於該壩部的外部的該第一無機封裝層上；一有機絕緣層，設置於該裝置基板和該第一無機封裝層之間，該有機絕緣層包含設置於該壩部的外部的一端部；一發光裝置，設置於該裝置基板和該第一無機封裝層之間，該發光裝置包含該有機絕緣層，且該有機絕緣層的該端部被該第一無機封裝層及該第二無機封裝層覆蓋；及一第一圖案，設置於該有機絕緣層的該端部上及該第二無機封裝層上，其中該壩部重疊於相對於該裝置基板的該有機絕緣層的一上表面，且其中該第一圖案重疊於該有機絕緣層的至少部分。
如請求項1所述之顯示設備，其中該第一圖案相較於該第一無機封裝層及該第二無機封裝層具有較低的一水蒸氣穿透率。
如請求項1所述之顯示設備，其中該第一圖案包含一導電材料。
如請求項3所述之顯示設備，更包含一墊區域，設置於該壩部的外部，其中該有機絕緣層的該端部設置於該壩部和該墊區域之間，且其中該第一圖案電性連接至該墊區域。
如請求項1所述之顯示設備，更包含一第二圖案，設置於該壩部的外部，該第二圖案相交於該第一圖案，其中該第二圖案設置於該裝置基板和該第二無機封裝層之間。
如請求項5所述之顯示設備，其中該第二圖案包含設置於該裝置基板和該第一無機封裝層之間的一第一端及設置於該裝置基板和該有機絕緣層之間的一第二端。
如請求項1所述之顯示設備，更包含一觸控感測器及一墊區域，該觸控感測器設置於該第二無機封裝層上，該墊區域設置於該壩部的外部，其中該觸控感測器包含重疊於該顯示區域的多個觸控電極及將該些觸控電極電性連接至該墊區域的多個觸控路由線路，且其中該第一圖案與該些觸控電極及該些觸控路由線路中的至少一者包含相同的材料。
如請求項7所述之顯示設備，其中該些觸控路由線路與該些觸控電極設置於不同的一層體上。
如請求項7所述之顯示設備，更包含一觸控絕緣層，設置於該些觸控電極和該些觸控路由線路之間，其中該第一圖案具有一下防止層及一上防止層的一堆疊結構，該下防止層設置於該第二無機封裝層和該觸控絕緣層之間，且該上防止層設置於該觸控絕緣層上。
如請求項9所述之顯示設備，其中該上防止層與該下防止層包含不同的材料。
一種顯示設備，包含：一裝置基板，包含設置於一顯示區域的外部的一邊框區域；一第一有機絕緣層，設置於該顯示區域上，該第一有機絕緣層延伸至該邊框區域上；一第一無機封裝層，設置於該第一有機絕緣層上，該第一無機封裝層延伸至該第一有機絕緣層的外部；一壩部，設置於該邊框區域的該第一有機絕緣層和該第一無機封裝層之間；一有機封裝層，設置於該顯示區域的該第一無機封裝層上，該有機封裝層被該壩部圍繞；一第二無機封裝層，設置於該有機封裝層及該壩部上，該第二無機封裝層與該壩部的外部的該第一無機封裝層接觸；及一發光裝置，設置於該裝置基板和該第一無機封裝層之間，該發光裝置包含該第一有機絕緣層，且該第一有機絕緣層的一端部被該第一無機封裝層及該第二無機封裝層覆蓋；一第一圖案，設置於該第二無機封裝層上，該第一圖案與該壩部平行設置，其中該壩部重疊於相對於該裝置基板的該第一有機絕緣層的一上表面，且其中該第一圖案重疊於該第一有機絕緣層的該端部。
如請求項11所述之顯示設備，其中該第一圖案與該第二無機封裝層接觸。
如請求項11所述之顯示設備，更包含：一第二有機絕緣層，設置於該裝置基板和該第一有機絕緣層之間；及一虛擬層，設置於擬第一有機絕緣層和該第二有機絕緣層之間，其中該虛擬層包含設置於該第二有機絕緣層的外部的該裝置基板和該第一有機絕緣層之間的一區域。
如請求項13所述之顯示設備，其中該發光裝置設置於該顯示區域的該第二有機絕緣層和該第一無機封裝層之間，其中該第一有機絕緣層界定一發光區域，該發光裝置設置於該顯示區域中的該發光區域中，且其中該虛擬層與該發光裝置的一第一電極包含相同材料。
如請求項11所述之顯示設備，更包含一電源電壓線路，設置於該壩部的外部，該電源電壓線路沿該顯示區域的一邊緣延伸，其中該電源電壓線路包含設置於該顯示區域的一側上的一開口，且其中該電源電壓線路的該開口設置於該顯示區域和該第一圖案之間。
如請求項11所述之顯示設備，其中該第一圖案沿該第二無機封裝層的一表面向該壩部延伸，其中該第一有機絕緣層包含設置於該壩部和該第一有機絕緣層的該端部之間的一傾斜側，且該第一有機絕緣層的該傾斜側重疊於該第一圖案。
一種圖像畫質調節方法，包括：<br/> 獲取當前幀圖像；<br/> 識別所述當前幀圖像中的目標物件及確認其在所述當前幀圖像中佔據的目標區域；以及<br/> 當所述目標區域在所述當前幀圖像中的面積比例超過閾值時，確定所述目標區域的目標區域畫質參數和所述當前幀圖像中的非目標區域的非目標區域畫質參數，其中所述目標區域畫質參數和所述非目標區域畫質參數不同，所述非目標區域為所述當前幀圖像中目標區域之外的至少部分區域。
如請求項1之圖像畫質調節方法，其中所述確定所述目標區域的目標區域畫質參數包括：<br/> 獲取所述目標區域的畫質資訊，並根據所述目標區域的畫質資訊確定所述目標區域畫質參數。
如請求項1之圖像畫質調節方法，其中所述確定所述當前幀圖像中的非目標區域的非目標區域畫質參數包括：<br/> 獲取所述當前幀圖像的全域畫質資訊以及場景資訊；以及<br/> 根據所述目標區域畫質參數、所述全域畫質資訊以及場景資訊確定所述非目標區域畫質參數。
如請求項1之圖像畫質調節方法，還包括：<br/> 確定所述當前幀圖像中是否包括所述目標物件的關聯物件；<br/> 在所述當前幀圖像中未包括所述關聯物件時，確定所述非目標區域為所述當前幀圖像中目標區域之外的所有區域；<br/> 在所述當前幀圖像中包括所述關聯物件時，確定所述關聯物件在所述當前幀圖像中佔據的關聯區域；以及<br/> 將所述目標區域和所述關聯區域之外的區域確定為所述非目標區域。
如請求項4之圖像畫質調節方法，其中所述關聯物件與所述目標物件的畫質有關聯度，且所述圖像畫質調節方法還包括：<br/> 根據所述目標區域畫質參數確定所述關聯區域的關聯區域畫質參數，所述關聯區域畫質參數和所述目標區域畫質參數不同。
如請求項1之圖像畫質調節方法，還包括：<br/> 當確定所述目標物件的目標區域在所述當前幀圖像中的面積比例未超過閾值時，確定所述當前幀圖像的全域畫質參數，所述全域畫質參數與所述非目標區域畫質參數相同或不同。
如請求項1之圖像畫質調節方法，其中所述獲取當前幀圖像具體為自視訊流中獲取所述當前幀圖像，且所述圖像畫質調節方法還包括：<br/> 基於所述目標區域畫質參數、非目標區域畫質參數對所述視訊流中的下一幀圖像進行畫質調節，所述下一幀圖像為所述視訊流中位於所述當前幀圖像之後的圖像。
一種圖像畫質調節裝置，包括：<br/> 一直接記憶體存取（DMA）電路，用於獲取當前幀圖像；<br/> 一神經網路處理器，用於識別所述當前幀圖像中的目標物件；<br/> 一分析電路，用於確定目標物件在所述當前幀圖像中佔據的目標區域；<br/> 一控制電路，用於當所述目標區域在所述當前幀圖像中的面積比例超過閾值時，確定所述目標區域的目標區域畫質參數和所述當前幀圖像中的非目標區域的非目標區域畫質參數，其中所述非目標區域畫質參數和所述目標區域畫質參數不同，所述非目標區域為所述當前幀圖像中目標區域之外的至少部分區域。
如請求項8之畫質調節裝置，還包括：<br/> 一畫質獲取電路，用於獲取所述目標區域的畫質資訊；<br/> 其中所述控制電路根據所述目標區域的畫質資訊確定所述目標區域畫質參數。
如請求項8之圖像畫質調節裝置，其中所述神經網路處理器還識別所述當前幀圖像的場景資訊，且所述圖像畫質調節裝置還包括：<br/> 一畫質獲取電路，用於獲取所述目標區域的畫質資訊和所述當前幀圖像的全域畫質資訊； <br/> 其中所述控制電路根據所述目標區域畫質參數、所述全域畫質資訊以及場景資訊確定所述非目標區域畫質參數。
如請求項8之圖像畫質調節裝置，其中所述分析電路還用於：<br/> 確定所述當前幀圖像中是否包括所述目標物件的關聯物件；<br/> 在所述當前幀圖像中未包括所述關聯物件時，確定所述非目標區域為所述當前幀圖像中目標區域之外的所有區域；以及<br/> 在所述當前幀圖像中包括所述關聯物件時，確定所述關聯物件在所述當前幀圖像中佔據的關聯區域，並將所述目標區域和所述關聯區域之外的區域確定為所述非目標區域。
如請求項11之圖像畫質調節裝置，其中所述關聯物件與所述目標物件的畫質有關聯度，所述控制電路根據所述目標區域畫質參數確定所述關聯區域的關聯區域畫質參數，所述關聯區域畫質參數和所述目標區域畫質參數不同。
一種自動提款機操作驗證方法，藉由一運算裝置實施，該運算裝置經由一通訊網路連接一自動提款機，該運算裝置儲存有數個對應數個客戶的帳戶資訊，及數個對應該等帳戶資訊且用於評估一使用者之操作行為的風險預測模型，每一帳戶資訊包括一相關於所對應之客戶之金融卡提款的卡識別資訊，該自動提款機操作驗證方法包含以下步驟： <br/>(A)當該運算裝置接收到來自該自動提款機且包含一目標卡識別資訊的操作請求時，該運算裝置根據該操作請求之該目標卡識別資訊得到一目標帳戶資訊，該目標帳戶資訊為該等帳戶資訊中對應有該目標卡識別資訊的帳戶資訊； <br/>(B)每當該運算裝置接收到來自該自動提款機且相關於一待分析客戶對該自動提款機之操作行為的一行為資料時，該運算裝置根據該行為資料利用對應於該目標帳戶資訊的該風險預測模型得到一相關於該待分析客戶之該行為資料的風險估計並判定該風險估計是否超過一風險閾值； <br/>(C)當該運算裝置判定出該風險估計超過該風險閾值時，該運算裝置觸發一行為驗證請求； <br/>(D)當該運算裝置接收到一回應於該行為驗證請求的行為認證資訊時，該運算裝置驗證該行為認證資訊是否通過該行為驗證請求；及 <br/>(E)當該運算裝置判定出該行為認證資訊驗證通過該行為驗證請求時，該運算裝置發送一操作許可通知至該自動提款機。
如請求項1所述的自動提款機操作驗證方法，該運算裝置還儲存有一用於辨識一包含該使用者之影像中該使用者情緒的情緒辨識模型，該自動提款機還包含一用於拍攝該自動提款機之操作區的一影像的監視裝置，步驟(C)之前還包含以下步驟： <br/>(F)當該運算裝置接收到來自該監視裝置的一相關於該待分析客戶的待辨識影像時，該運算裝置根據該待辨識影像利用該情緒辨識模型獲得一對應於該待分析客戶的情緒辨識結果；及 <br/>(G)該運算裝置根據該情緒辨識結果利用對應於該目標帳戶資訊的該風險預測模型獲得對應於該情緒辨識結果的該風險估計並判定該風險估計是否超過該風險閾值。
如請求項2所述的自動提款機操作驗證方法，每一帳戶資訊還包括所對應之客戶的一身分識別資訊，步驟(A)之後還包含以下步驟： <br/>(H)該運算裝置判定對應於該目標帳戶資訊所對應之客戶的一行動裝置與該自動提款機之間的距離是否超過一距離閾值； <br/>(I)當該運算裝置判定出該行動裝置與該自動提款機之間的距離超過該距離閾值時，該運算裝置傳送一包含一驗證問題的身分驗證請求至該自動提款機，以使該自動提款機顯示該驗證問題； <br/>(J)當該運算裝置接收到一回應於該驗證問題的身分認證資訊時，該運算裝置判定該身分認證資訊是否符合該目標帳戶資訊中之該身分識別資訊；及 <br/>(K)當該運算裝置判定出該身分認證資訊符合該目標帳戶資訊中之該身分識別資訊時，執行步驟(B)。
如請求項2所述的自動提款機操作驗證方法，其中，每一帳戶資訊還包含數個相關於所對應之客戶對任一自動提款機之操作行為的歷史操作資訊及數個對應於該帳戶資訊的特徵資料，每一歷史操作資料包含一歷史行為資料及一歷史情緒辨識結果的其中之一者，該歷史行為資料為所對應之客戶過往對任一自動提款機的操作行為，該歷史情緒辨識結果為所對應之客戶過往對任一自動提款機之操作期間的情緒辨識結果，該運算裝置根據對應於該帳戶資訊的該歷史操作資料及該等特徵資料建立對應於該帳戶資訊的該風險預測模型。
如請求項4所述的自動提款機操作驗證方法，其中，該風險預測模型為一層級貝式邏輯迴歸模型。
如請求項5所述的自動提款機操作驗證方法，其中，每一帳戶資訊對應的該風險預測模型可以被表示為以下形式： <br/><img align="absmiddle" height="28px" width="42px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="26px" width="25px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>J表示為所對應之帳戶資訊中的該等歷史操作資訊之總數， <img align="absmiddle" height="10px" width="7px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示為所對應之帳戶資訊中之第j個該歷史操作資訊， <img align="absmiddle" height="10px" width="7px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為對應於所對應之帳戶資訊之第j個歷史操作資訊的一行為權重，S表示該等特徵資料之總數， <img align="absmiddle" height="9px" width="7px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示為所對應之帳戶資訊的第s個該特徵資料， <img align="absmiddle" height="9px" width="6px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為對應於所對應之該帳戶資訊之第s個特徵資料的特徵權重。
如請求項6所述的自動提款機操作驗證方法，其中，對於每一風險預測模型，該運算裝置根據所對應之帳戶資訊的該等歷史操作資料及所對應之帳戶資訊的該等特徵資料利用一馬可夫鏈蒙第卡羅演算法獲得該風險預測模型的該行為權重 <img align="absmiddle" height="10px" width="7px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及該特徵權重 <img align="absmiddle" height="9px" width="6px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種用於驗證自動提款機操作的運算裝置，經由一通訊網路連接一自動提款機，該運算裝置包含： <br/>一通訊模組，訊號連接該通訊網路並經由該通訊網路訊號連接該自動提款機； <br/>一運算單元，訊號連接該通訊模組； <br/>一儲存單元，訊號連接該運算單元，該儲存單元儲存有數個對應數個客戶的帳戶資訊，及數個對應該等帳戶資訊且用於評估一使用者之操作行為的風險預測模型，每一帳戶資訊包括一相關於所對應之客戶之金融卡提款的卡識別資訊；及 <br/>其中，當該運算裝置接收到來自該自動提款機且包含一目標卡識別資訊的操作請求時，該運算裝置根據該操作請求之該目標卡識別資訊得到一目標帳戶資訊，該目標帳戶資訊為該等帳戶資訊中對應有該目標卡識別資訊的帳戶資訊，每當該運算裝置接收到來自該自動提款機且相關於一待分析客戶對該自動提款機之操作行為的一行為資料時，該運算裝置根據該行為資料利用對應於該目標帳戶資訊的該風險預測模型得到一相關於該待分析客戶之該行為資料的風險估計並判定該風險估計是否超過一風險閾值，當該運算裝置判定出該風險估計超過該風險閾值時，該運算裝置觸發一行為驗證請求，當該運算裝置接收到一回應於該行為驗證請求的行為認證資訊時，該運算裝置驗證該行為認證資訊是否通過該行為驗證請求，當該運算裝置判定出該行為認證資訊驗證通過該行為驗證請求時，該運算裝置發送一操作許可通知至該自動提款機。
如請求項8所述用於驗證自動提款機操作的運算裝置，該儲存單元還儲存有一用於辨識一包含該使用者之影像中該使用者情緒的情緒辨識模型，該自動提款機還包含一用於拍攝該自動提款機之操作區的一影像的監視裝置，在該運算裝置判定出該風險估計超過該風險閾值之前，當該運算裝置接收到來自該監視裝置的一相關於該待分析客戶的待辨識影像時，該運算裝置根據該待辨識影像利用該情緒辨識模型獲得一對應於該待分析客戶的情緒辨識結果，該運算裝置根據該情緒辨識結果利用對應於該目標帳戶資訊的該風險預測模型獲得對應於該情緒辨識結果的該風險估計。
如請求項9所述用於驗證自動提款機操作的運算裝置，每一帳戶資訊還包括所對應之客戶的一身分識別資訊，在該運算裝置接收到來自該自動提款機且包含一目標卡識別資訊的操作請求之後，該運算裝置判定對應於該目標帳戶資訊所對應之客戶的一行動裝置與該自動提款機之間的距離是否超過一距離閾值，當該運算裝置判定出該行動裝置與該自動提款機之間的距離超過該距離閾值時，該運算裝置傳送一包含一驗證問題的身分驗證請求至該自動提款機，以使該自動提款機顯示該驗證問題，當該運算裝置接收到一回應於該驗證問題的身分認證資訊時，該運算裝置判定該身分認證資訊是否符合該目標帳戶資訊中之該身分識別資訊，當該運算裝置判定出該身分認證資訊符合該目標帳戶資訊中之該身分識別資訊時，每當該運算裝置接收到來自該自動提款機且相關於該待分析客戶對該自動提款機之操作行為的該行為資料時，該運算裝置根據該行為資料利用對應於該目標帳戶資訊的該風險預測模型得到相關於該待分析客戶之該行為資料的該風險估計並判定該風險估計是否超過該風險閾值，當該運算裝置判定出該風險估計超過該風險閾值時，該運算裝置觸發該行為驗證請求，當該運算裝置接收到回應於該行為驗證請求的該行為認證資訊時，該運算裝置驗證該行為認證資訊，當該運算裝置判定出該行為認證資訊驗證成功時，該運算裝置發送該操作許可通知至該自動提款機。
如請求項9所述用於驗證自動提款機操作的運算裝置，其中，每一帳戶資訊還包含數個相關於所對應之客戶對任一自動提款機之操作行為的歷史操作資訊及數個對應於該帳戶資訊的特徵資料，每一歷史操作資料包含一歷史行為資料及一歷史情緒辨識結果的其中之一者，該歷史行為資料為所對應之客戶過往對任一自動提款機的操作行為，該歷史情緒辨識結果為所對應之客戶過往對任一自動提款機之操作期間的情緒辨識結果，該運算裝置根據對應於該帳戶資訊的該歷史操作資料及該等特徵資料建立對應於該帳戶資訊的該風險預測模型。
如請求項11所述用於驗證自動提款機操作的運算裝置，其中，該風險預測模型為一層級貝式邏輯迴歸模型。
如請求項12所述用於驗證自動提款機操作的運算裝置，其中，每一帳戶資訊對應的該風險預測模型可以被表示為以下形式： <br/><img align="absmiddle" height="28px" width="42px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="26px" width="25px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>J表示為所對應之帳戶資訊中的該等歷史操作資訊之總數， <img align="absmiddle" height="10px" width="7px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示為所對應之帳戶資訊中之第j個該歷史操作資訊， <img align="absmiddle" height="10px" width="7px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為對應於所對應之帳戶資訊之第j個歷史操作資訊的一行為權重，S表示該等特徵資料之總數， <img align="absmiddle" height="9px" width="7px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示為所對應之帳戶資訊的第s個該特徵資料， <img align="absmiddle" height="9px" width="6px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為對應於所對應之該帳戶資訊之第s個特徵資料的特徵權重。
如請求項13所述用於驗證自動提款機操作的運算裝置，其中，對於每一風險預測模型，該運算裝置根據所對應之帳戶資訊的該等歷史操作資料及所對應之帳戶資訊的該等特徵資料利用一馬可夫鏈蒙第卡羅演算法獲得該風險預測模型的該行為權重 <img align="absmiddle" height="10px" width="7px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及該特徵權重 <img align="absmiddle" height="9px" width="6px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種減少培養於化學成分確定之培養基(CDM)中經澄清之收穫物中阿柏西普變異體之方法，其中該經澄清之收穫物包括阿柏西普或具有至少一氧化胺基酸殘基之一或多阿柏西普變異體，該氧化胺基酸殘基係選自由色胺酸、組胺酸、苯丙胺酸、酪胺酸、及其組合所組成之群組，以及其中該方法包括： <br/>(a) 使來自該經澄清之收穫物的阿柏西普與蛋白A樹脂結合； <br/>(b) 溶析步驟(a)之阿柏西普形成親和析出液，以及使包含阿柏西普之該親和析出液經歷陰離子交換層析(AEX)；以及 <br/>(c) 收集流通級分， <br/>其中步驟(c)之該阿柏西普具有基於莫耳百分比之醣化譜，該莫耳百分比係選自由以下所組成之群組：約40%至約50%總岩藻醣化聚醣、約30%至約55%總唾液酸化聚醣、約2%至約15%甘露糖-5及約60%至約79%半乳醣化聚醣。
如請求項1之方法，其中步驟(c)之該阿柏西普具有約40%至約50%總岩藻醣化聚醣。
如請求項1之方法，其中步驟(c)之該阿柏西普具有約30%至約55%總唾液酸化聚醣。
如請求項1之方法，其中步驟(c)之該阿柏西普具有約2%至約15%甘露糖-5。
如請求項1之方法，其中步驟(c)之該阿柏西普具有約60%至約79%半乳醣化聚醣。
如請求項1之方法，其中步驟(c)之該阿柏西普於一或多個天冬醯胺處如下經醣化：G0-GlcNAc醣化；G1-GlcNAc醣化；G1S-GlcNAc醣化；G0醣化；G1醣化；G1S醣化；G2醣化；G2S醣化；G2S2醣化；G0F醣化；G2F2S醣化；G2F2S2醣化；G1F醣化；G1FS醣化；G2F醣化；G2FS醣化；G2FS2醣化；G3FS醣化；G3FS3醣化；G0-2GlcNAc醣化；Man4醣化；Man4_A1G1醣化；Man4_A1G1S1醣化；Man5醣化；Man5_A1G1醣化；Man5_A1G1S1醣化；Man6醣化；Man6_G0+磷酸醣化；Man6+磷酸醣化；及/或Man7醣化。
如請求項1之方法，其中該親和析出液具有第一顏色以及該流通級分具有第二顏色，以及其中當將該親和析出液及該流通級分之蛋白質濃度歸一化時，該第二顏色為較弱之黃棕色。
如請求項1之方法，其中該細胞係選自由CHO、NS0、Sp2/0、胚胎腎細胞及BHK所組成之群組。
一種生產阿柏西普製劑之方法，其包括： <br/>(a) 使來自該經澄清之收穫物的阿柏西普與蛋白A樹脂結合，其中經澄清之收穫物係藉由培養於化學成分確定之培養基(CDM)表現阿柏西普之細胞生產； <br/>(b) 溶析步驟(a)之阿柏西普形成親和析出液，以及使包含阿柏西普之該親和析出液經歷陰離子交換層析(AEX)；以及 <br/>(c) 收集流通級分， <br/>其中步驟(c)之該阿柏西普具有基於莫耳百分比之醣化譜，該莫耳百分比係選自由以下所組成之群組：約40%至約50%總岩藻醣化聚醣、約30%至約55%總唾液酸化聚醣、約2%至約15%甘露糖-5及約60%至約79%半乳醣化聚醣； <br/>(d) 將步驟(c)之該阿柏西普調配為藥品。
如請求項9之方法，其中步驟(c)之該阿柏西普具有約40%至約50%總岩藻醣化聚醣。
如請求項9之方法，其中步驟(c)之該阿柏西普具有約30%至約55%總唾液酸化聚醣。
如請求項9之方法，其中步驟(c)之該阿柏西普具有約2%至約15%甘露糖-5。
如請求項9之方法，其中步驟(c)之該阿柏西普具有約60%至約79%半乳醣化聚醣。
如請求項9之方法，其中步驟(c)之該阿柏西普於一或多個天冬醯胺處如下經醣化：G0-GlcNAc醣化；G1-GlcNAc醣化；G1S-GlcNAc醣化；G0醣化；G1醣化；G1S醣化；G2醣化；G2S醣化；G2S2醣化；G0F醣化；G2F2S醣化；G2F2S2醣化；G1F醣化；G1FS醣化；G2F醣化；G2FS醣化；G2FS2醣化；G3FS醣化；G3FS3醣化；G0-2GlcNAc醣化；Man4醣化；Man4_A1G1醣化；Man4_A1G1S1醣化；Man5醣化；Man5_A1G1醣化；Man5_A1G1S1醣化；Man6醣化；Man6_G0+磷酸醣化；Man6+磷酸醣化；及/或Man7醣化。
如請求項9之方法，其中該親和析出液具有第一顏色以及該流通級分具有第二顏色，以及其中當將該親和析出液及該流通級分之蛋白質濃度歸一化時，該第二顏色為較弱之黃棕色。
如請求項9之方法，其中該細胞係選自由CHO、NS0、Sp2/0、胚胎腎細胞及BHK所組成之群組。
一種製備預填充注射器之方法，其包括將阿伯西普載入注射器，其中製備阿伯西普之程序包括下列步驟： <br/>(a) 使於化學成分確定之培養基(CDM)中生產的阿柏西普與第一捕獲層析結合，其中該阿柏西普包含具有至少一個經氧化之胺基酸殘基之阿柏西普之經氧化種類，該經氧化之胺基酸殘基係選自由色胺酸、組胺酸、及其組合所組成之群組； <br/>(b) 溶析步驟(a)之阿柏西普形成親和析出液，其中該析出液具有第一顏色； <br/>(c) 使該親和析出液經歷離子交換層析管柱；以及 <br/>(d) 收集流通級分，其中該流通級分具有第二顏色，以及其中當將該親和析出液及該流通級分之蛋白質濃度歸一化為5.0 g/L時，該第一顏色較該第二顏色為較強之黃棕色。
如請求項17之方法，其中該第一捕獲層析包括蛋白A樹脂。
如請求項17之方法，其中該經氧化之胺基酸殘基係組胺酸。
如請求項17之方法，其中該經氧化之胺基酸殘基係色胺酸。
如請求項17之方法，其中該阿柏西普之經氧化種類包括選自多肽上的胺基酸殘基之胺基酸序列，該多肽係由如SEQ ID NO.: 17、SEQ ID NO.: 19、SEQ ID NO.: 20、SEQ ID NO.: 21、SEQ ID NO.: 22、SEQ ID NO.: 23、SEQ ID NO.: 56、SEQ ID NO.: 64、SEQ ID NO.: 65、SEQ ID NO.: 68、及其組合所組成之群組。
如請求項17之方法，其中該阿柏西普包括選自由His86、His110、His145、His209、His95、His19、His203、及其組合所組成之群組之經氧化組胺酸、及選自由Trp58、Trp138、及其組合所組成之群組之經氧化色胺酸其中之一。
如請求項18之方法，進一步包括選自由疏水性相互作用層析、混合模式層析、親和力層析、尺寸排阻層析及其組合所組成之群組之至少一種額外層析步驟。
如請求項22之方法，其中當該流通級分之蛋白質濃度歸一化為5.0 g/L時，步驟(c)後阿柏西普之b*值係介於0.5和5之間。
如請求項22之方法，其中當該流通級分之蛋白質濃度歸一化為5.0 g/L時，步驟(c)後阿柏西普之b*值係介於1.5和5之間。
如請求項17之方法，其中該注射器係玻璃。
如請求項17之方法，其中該注射器係自動注射器。
如請求項17之方法，其中該預填充注射器具有約2 mg之阿柏西普。
如請求項17之方法，其中該注射器具有約2 mg/0.05 mL之阿柏西普。
一種製備包括阿柏西普之預填充自動注射器之方法，其中該阿柏西普係於化學成分確定之培養基(CDM)中依下列製造： <br/>(a) 將於化學成分確定之培養基(CDM)中生產的阿柏西普結合至第一捕獲層析，其中該阿柏西普包括具有至少一個經氧化之胺基酸殘基之阿柏西普之經氧化種類，該經氧化之胺基酸殘基係選自由色胺酸、組胺酸、及其組合所組成之群組； <br/>(b) 溶析步驟(a)之阿柏西普形成親和析出液，其中該析出液具有第一顏色； <br/>(c) 使該親和析出液經歷離子交換層析管柱；以及 <br/>(d) 收集流通級分，其中該流通級分具有第二顏色，以及其中當將該親和析出液及該流通級分之蛋白質濃度歸一化為5.0 g/L時，該第一顏色較該第二顏色為較強之黃棕色。
如請求項30之方法，其中當阿柏西普濃度歸一化為5 g/L時，該預填充自動注射器中之阿柏西普具有介於0.5和5之間之b*值。
如請求項30之方法，其中該預填充自動注射器具有介於40 mg/mL之該阿柏西普和250 mg/mL之該阿柏西普。
如請求項30之方法，其中步驟(c)之該阿柏西普之胺基酸殘基包括總計介於0.1%和1.5%之間之氧化組胺酸和色胺酸。
如請求項30之方法，進一步包括選自由疏水性相互作用層析、混合模式層析、親和力層析、尺寸排阻層析及其組合所組成之群組之至少一種額外層析步驟。
如請求項30之方法，其中載入該注射器之阿柏西普係與一或多種醫藥上可接受之賦形劑調配。
一種製備包括阿柏西普之預填充自動注射器之方法，其包括： <br/>(a) 於化學成分確定之培養基(CDM)生產阿柏西普，其中當將阿柏西普濃度歸一化為5 g/L蛋白質濃度時，該阿柏西普具有小於5之BY值； <br/>(b) 藉由包括後續層析步驟之程序純化該阿柏西普以獲得具有至少5之BY值之阿柏西普； <br/>(c) 親和力層析；以及 <br/>(d) 離子交換層析，其中經純化之該阿柏西普具有至少5之BY值以及其中該阿柏西普包括選自由His86、His110、His145、His209、His95、His19、His203、及其組合所組成之群組之經氧化組胺酸、及選自由Trp58、Trp138、及其組合所組成之群組之經氧化色胺酸其中之一。
如請求項36之方法，其中該預填充注射器具有40 mg/mL至約250 mg/mL之阿柏西普。
如請求項35之方法，其中該阿柏西普純化前包括大於1%之經氧化組胺酸和色胺酸以及其純化後介於0.1%至1%之經氧化組胺酸和色胺酸。
如請求項35之方法，其中該阿柏西普純化前包括大於1.5%之經氧化組胺酸和色胺酸以及其純化後介於0.1%至1.5%之經氧化組胺酸和色胺酸。
如請求項36之方法，其中該注射器係玻璃。
如請求項36之方法，其中該注射器係經染色。
如請求項36之方法，其中該注射器係自動注射器。
一種減少培養於細胞培養基中經澄清之收穫物中阿柏西普變異體之方法，其中化學成分確定之培養基(CDM)係添加於該細胞培養基，以及其中該經澄清之收穫物包含阿柏西普或具有至少一個經氧化之胺基酸殘基之一或多個阿柏西普變異體，該經氧化之胺基酸殘基係選自由色胺酸、組胺酸、苯丙胺酸、酪胺酸、及其組合所組成之群組，以及其中該方法包括： <br/>(a) 使來自該經澄清之收穫物的阿柏西普與蛋白A樹脂結合； <br/>(b) 溶析步驟(a)之阿柏西普形成親和析出液，以及將包括阿柏西普之該親和析出液經歷陰離子交換層析(AEX)；以及 <br/>(c) 收集流通級分， <br/>其中步驟(c)之該阿柏西普具有基於莫耳百分比之醣化譜，該莫耳百分比係選自由以下所組成之群組：約40%至約50%總岩藻醣化聚醣、約30%至約55%總唾液酸化聚醣、約2%至約15%甘露糖-5及約60%至約79%半乳醣化聚醣。
如請求項43之方法，其中步驟(c)之該阿柏西普具有約40%至約50%總岩藻醣化聚醣。
如請求項43之方法，其中步驟(c)之該阿柏西普具有約30%至約55%總唾液酸化聚醣。
如請求項43之方法，其中步驟(c)之該阿柏西普具有約2%至約15%甘露糖-5。
如請求項43之方法，其中步驟(c)之該阿柏西普具有約60%至約79%半乳醣化聚醣。
如請求項43之方法，其中步驟(c)之該阿柏西普於一或多個天冬醯胺處如下經醣化：G0-GlcNAc醣化；G1-GlcNAc醣化；G1S-GlcNAc醣化；G0醣化；G1醣化；G1S醣化；G2醣化；G2S醣化；G2S2醣化；G0F醣化；G2F2S醣化；G2F2S2醣化；G1F醣化；G1FS醣化；G2F醣化；G2FS醣化；G2FS2醣化；G3FS醣化；G3FS3醣化；G0-2GlcNAc醣化；Man4醣化；Man4_A1G1醣化；Man4_A1G1S1醣化；Man5醣化；Man5_A1G1醣化；Man5_A1G1S1醣化；Man6醣化；Man6_G0+磷酸醣化；Man6+磷酸醣化；及/或Man7醣化。
如請求項43之方法，其中該親和析出液具有第一顏色以及該流通級分具有第二顏色，以及其中當將該親和析出液及該流通級分之蛋白質濃度歸一化時，該第二顏色為較弱之黃棕色。
如請求項43之方法，其中該細胞係選自由CHO、NS0、Sp2/0、胚胎腎細胞及BHK所組成之群組。
一種生產阿柏西普製劑之方法，其包括： <br/>(a) 使來自該經澄清之收穫物的阿柏西普與蛋白A樹脂結合，其中經澄清之收穫物係藉由培養於細胞培養基表現阿柏西普之細胞生產，其中化學成分確定之培養基(CDM)係添加於該細胞培養基； <br/>(b) 溶析步驟(a)之阿柏西普形成親和析出液，以及將包括阿柏西普之該親和析出液經歷陰離子交換層析(AEX)；以及 <br/>(c) 收集流通級分， <br/>其中步驟(c)之該阿柏西普具有基於莫耳百分比之醣化譜，該莫耳百分比係選自約40%至約50%總岩藻醣化聚醣、約30%至約55%總唾液酸化聚醣、約2%至約15%甘露糖-5及約60%至約79%半乳醣化聚醣；以及 <br/>(d) 將步驟(c)之該阿柏西普調配為藥品。
如請求項51之方法，其中步驟(c)之該阿柏西普具有約40%至約50%總岩藻醣化聚醣。
如請求項51之方法，其中步驟(c)之該阿柏西普具有約30%至約55%總唾液酸化聚醣。
如請求項51之方法，其中步驟(c)之該阿柏西普具有約2%至約15%甘露糖-5。
如請求項51之方法，其中步驟(c)之該阿柏西普具有約60%至約79%半乳醣化聚醣。
如請求項51之方法，其中步驟(c)之該阿柏西普於一或多個天冬醯胺處如下經醣化：G0-GlcNAc醣化；G1-GlcNAc醣化；G1S-GlcNAc醣化；G0醣化；G1醣化；G1S醣化；G2醣化；G2S醣化；G2S2醣化；G0F醣化；G2F2S醣化；G2F2S2醣化；G1F醣化；G1FS醣化；G2F醣化；G2FS醣化；G2FS2醣化；G3FS醣化；G3FS3醣化；G0-2GlcNAc醣化；Man4醣化；Man4_A1G1醣化；Man4_A1G1S1醣化；Man5醣化；Man5_A1G1醣化；Man5_A1G1S1醣化；Man6醣化；Man6_G0+磷酸醣化；Man6+磷酸醣化；及/或Man7醣化。
如請求項51之方法，其中該親和析出液具有第一顏色以及該流通級分具有第二顏色，以及其中當將該親和析出液及該流通級分之蛋白質濃度歸一化時，該第二顏色為較弱之黃棕色。
如請求項51之方法，其中該細胞係選自由CHO、NS0、Sp2/0、胚胎腎細胞及BHK所組成之群組。
一種製備預填充注射器之方法，其包括將阿伯西普載入注射器，其中生產阿伯西普之程序包括下列步驟： <br/>(a) 將於細胞培養基中生產的阿柏西普結合至第一捕獲層析，其中化學成分確定之培養基(CDM)係添加於該細胞培養基，其中該阿柏西普包括具有至少一個經氧化之胺基酸殘基之阿柏西普之經氧化種類，該經氧化胺基酸殘基係選自由色胺酸、組胺酸、及其組合所組成之群組； <br/>(b) 溶析步驟(a)之阿柏西普形成親和析出液，其中該析出液具有第一顏色； <br/>(c) 使該親和析出液經歷離子交換層析管柱；以及 <br/>(d) 收集流通級分，其中該流通級分具有第二顏色，以及其中當將該親和析出液及該流通級分之蛋白質濃度歸一化為5.0 g/L時，該第一顏色較該第二顏色為較強之黃棕色。
如請求項59之方法，其中該第一捕獲層析包括蛋白A樹脂。
如請求項59之方法，其中該經氧化之胺基酸殘基係組胺酸。
如請求項59之方法，其中該經氧化之胺基酸殘基係色胺酸。
如請求項59之方法，其中該阿柏西普之經氧化種類包括選自多肽上的胺基酸殘基之胺基酸序列，該多肽係由如SEQ ID NO.: 17、SEQ ID NO.: 19、SEQ ID NO.: 20、SEQ ID NO.: 21、SEQ ID NO.: 22、SEQ ID NO.: 23、SEQ ID NO.: 56、SEQ ID NO.: 64、SEQ ID NO.: 65、SEQ ID NO.: 68、及其組合所組成之群組。
如請求項59之方法，其中該阿柏西普包括選自由His86、His110、His145、His209、His95、His19、His203、及其組合所組成之群組之氧化組胺酸、及選自由Trp58、Trp138、及其組合所組成之群組之經氧化色胺酸其中之一。
如請求項60之方法，進一步包括選自由疏水性相互作用層析、混合模式層析、親和力層析、尺寸排阻層析及其組合所組成之群組之至少一種額外層析步驟。
如請求項64之方法，其中當該流通級分之蛋白質濃度歸一化為5.0 g/L時，步驟(c)後阿柏西普之b*值係介於0.5和5之間。
如請求項59之方法，其中當該流通級分之蛋白質濃度歸一化為5.0 g/L時，步驟(c)後阿柏西普之b*值係介於1.5和5之間。
如請求項59之方法，其中該注射器係玻璃。
如請求項59之方法，其中該注射器係自動注射器。
如請求項59之方法，其中該預填充注射器具有2 mg之阿柏西普。
如請求項59之方法，其中該注射器具有2 mg/0.05 mL之阿柏西普。
一種製備包括阿柏西普之預填充自動注射器之方法，其中該阿柏西普係於細胞培養基中生產，其中化學成分確定之培養基(CDM)係添加於該細胞培養基，該方法包括： <br/>(a) 將於細胞培養基中生產的阿柏西普結合至第一捕獲層析，其中該阿柏西普包括具有至少一個經氧化之胺基酸殘基之阿柏西普之經氧化種類，該經氧化之 胺基酸殘基係選自由色胺酸、組胺酸、及其組合所組成之群組； <br/>(b) 溶析步驟(a)之阿柏西普形成親和析出液，其中該析出液具有第一顏色； <br/>(c) 使該親和析出液經歷離子交換層析管柱；以及 <br/>(d) 收集流通級分，其中該流通級分具有第二顏色，以及其中當將該親和析出液及該流通級分之蛋白質濃度歸一化為5.0 g/L時，該第一顏色較該第二顏色為較強之黃棕色。
如請求項72之方法，其中當阿柏西普濃度歸一化為5 g/L時，該預填充自動注射器中之阿柏西普具有介於0.5和5之間之b*值。
如請求項72之方法，其中該預填充自動注射器具有介於40 mg/mL之該阿柏西普和250 mg/mL之該阿柏西普。
如請求項72之方法，其中步驟(c)之該阿柏西普之胺基酸殘基包括總計介於0.1%和1.5%之間之經氧化組胺酸和色胺酸。
如請求項72之方法，進一步包括選自疏水性相互作用層析、混合模式層析、親和力層析、尺寸排阻層析及其組合所構成之群組之至少一種額外層析步驟。
如請求項72之方法，其中載入該注射器之阿柏西普係與一或多種醫藥上可接受之賦形劑調配。
一種製備包括阿柏西普之預填充自動注射器之方法，其包括： <br/>(a) 於細胞培養基中生產阿柏西普，其中化學成分確定之培養基(CDM)係添加於該細胞培養基，當阿柏西普濃度歸一化為5 g/L蛋白質濃度時，該阿柏西普具有小於5之BY值； <br/>(b) 藉由包括後續層析步驟之程序純化該阿柏西普以獲得具有至少5之BY值之阿柏西普； <br/>(c) 親和力層析；以及 <br/>(d) 離子交換層析，其中經純化之該阿柏西普具有至少5之BY值以及其中該阿柏西普包括選自由His86、His110、His145、His209、His95、His19、His203、及其組合所組成之群組之經氧化組胺酸、及選自由Trp58、Trp138、及其組合所組成之群組之經氧化色胺酸其中之一。
如請求項78之方法，其中該預填充自動注射器具有介於40 mg/mL之該阿柏西普和250 mg/mL之該阿柏西普。
如請求項77之方法，其中該阿柏西普純化前包括大於1%之經氧化組胺酸和色胺酸以及其純化後介於0.1%至1%之經氧化組胺酸和色胺酸。
如請求項77之方法，其中該阿柏西普純化前包括大於1.5%之經氧化組胺酸和色胺酸以及其純化後介於0.1%至1.5%之經氧化組胺酸和色胺酸。
如請求項78之方法，其中該注射器係玻璃。
如請求項78之方法，其中該注射器係經染色。
如請求項78之方法，其中該注射器係自動注射器。
一種馬達控制器用以驅動一馬達，該馬達具有一馬達線圈，該馬達控制器包含：<br/> 一開關電路，用以提供一馬達電流至該馬達線圈；<br/> 一控制電路；以及<br/> 一霍爾感測器，用以產生一霍爾信號至該控制電路，其中該控制電路用以產生一調變後之霍爾信號至該開關電路，該調變後之霍爾信號係藉由該霍爾信號之一平均計算及該霍爾信號之一正緣同步而產生，該霍爾信號產生一第一時間區間(T01)、一第二時間區間(T02)、一第三時間區間(T03)、以及一第四時間區間(T04)，該調變後之霍爾信號具有一第一換相時間與一第二換相時間，該第一換相時間係相等於(T01+T02+T03+T04)/4，該第二換相時間係根據該正緣同步而產生。
如申請專利範圍第1項所述之馬達控制器，其中該控制電路係藉由一判別標準以產生該調變後之霍爾信號。
如申請專利範圍第1項所述之馬達控制器，其中該控制電路更用以產生一轉速偵測信號，該轉速偵測信號係同步於調變後之霍爾信號。
如申請專利範圍第3項所述之馬達控制器，其中該轉速偵測信號係連接至一轉速信號輸出腳位。
如申請專利範圍第1項所述之馬達控制器，其中該馬達控制器係應用於一散熱風扇。
如申請專利範圍第5項所述之馬達控制器，其中該散熱風扇係應用於一人工智慧電腦。
一種馬達控制器用以驅動一馬達，該馬達具有一馬達線圈，該馬達控制器包含：<br/> 一開關電路，用以提供一馬達電流至該馬達線圈；<br/> 一控制電路；以及<br/> 一霍爾感測器，用以產生一霍爾信號至該控制電路，其中該控制電路用以產生一調變後之霍爾信號至該開關電路，該調變後之霍爾信號係藉由該霍爾信號之一平均計算及該霍爾信號之一負緣同步而產生，該霍爾信號產生一第一時間區間(T01)、一第二時間區間(T02)、一第三時間區間(T03)、一第四時間區間(T04)、以及一第五時間區間(T05)，該調變後之霍爾信號具有一第一換相時間與一第二換相時間，該第一換相時間係根據該負緣同步而產生，該第二換相時間係相等於(T02+T03+T04+T05)/4。
如申請專利範圍第7項所述之馬達控制器，其中該控制電路係藉由一判別標準以產生該調變後之霍爾信號。
如申請專利範圍第7項所述之馬達控制器，其中該控制電路更用以產生一轉速偵測信號，該轉速偵測信號係同步於調變後之霍爾信號。
如申請專利範圍第9項所述之馬達控制器，其中該轉速偵測信號係連接至一轉速信號輸出腳位。
如申請專利範圍第7項所述之馬達控制器，其中該馬達控制器係應用於一散熱風扇。
如申請專利範圍第11項所述之馬達控制器，其中該散熱風扇係應用於一人工智慧電腦。
一種馬達控制器用以驅動一馬達，該馬達具有一馬達線圈，該馬達控制器包含：<br/> 一開關電路，用以提供一馬達電流至該馬達線圈；<br/> 一控制電路；以及<br/> 一霍爾感測器，用以產生一霍爾信號至該控制電路，其中該控制電路用以產生一調變後之霍爾信號至該開關電路，該霍爾信號產生一第一時間區間(T01)、一第二時間區間(T02)、一第三時間區間(T03)、一第四時間區間(T04)、以及一第五時間區間(T05)，該調變後之霍爾信號具有一第一換相時間，當該第五時間區間(T05)大於或等於(T01+T02+T03+T04)/4時，該第一換相時間係相等於(T01+T02+T03+T04)/4。
如申請專利範圍第13項所述之馬達控制器，其中當該第五時間區間(T05)小於(T01+T02+T03+T04)/4時，該第一換相時間係根據該霍爾信號之一正緣同步或一負緣同步而產生。
如申請專利範圍第13項所述之馬達控制器，其中該控制電路更用以產生一轉速偵測信號，該轉速偵測信號係同步於調變後之霍爾信號。
如申請專利範圍第15項所述之馬達控制器，其中該轉速偵測信號係連接至一轉速信號輸出腳位。
如申請專利範圍第13項所述之馬達控制器，其中該馬達控制器係應用於一散熱風扇。
如申請專利範圍第17項所述之馬達控制器，其中該散熱風扇係應用於一人工智慧電腦。
一種停車格狀態判斷方法，適用於對應一停車格的狀態判斷裝置，其中該狀態判斷裝置包括一鏡頭模組及一處理器，通訊連接到一後端伺服器，所述方法包括： <br/>經由該鏡頭模組，擷取該停車格的多個環境影像； <br/>經由該處理器，反應於判定每個環境影像存在一目標物件，決定對應該目標物件的目標邊界框； <br/>經由該處理器，根據該目標邊界框的目標參考點和一基準線段之間的第一正交距離的變化，判斷對應該停車格的停車狀態為進入狀態、離開狀態或占用狀態， <br/>其中該基準線段為該停車格的邊線且遠離環境影像的下邊界。
如請求項1所述之停車格狀態判斷方法，其中判定每個環境影像存在該目標物件的步驟包括： <br/>使用卷積神經網路(CNN)物件偵測器判斷每個環境影像中的多個物件的類別是否為車輛；以及 <br/>將類別被判定為該車輛的物件判定為該目標物件，其中該目標物件會被分配唯一追蹤識別碼。
如請求項1所述之停車格狀態判斷方法，所述方法更包括： <br/>經由該處理器或該後端伺服器，設定每個環境影像中對應該停車格的多個定位點及對應該些定位點的該基準線段。
如請求項3所述之停車格狀態判斷方法，其中識別每個環境影像中對應該停車格的該些定位點及對應該些定位點的該基準線段的步驟包括： <br/>設定每個環境影像中該停車格的四個頂點為右下定位點A、右上定位點B、左上定位點C、左下定位點D，其中該線段BC相較於該線段AD遠離每個環境影像的下邊界，並且該線段BC被決定為該基準線段。
如請求項4所述之停車格狀態判斷方法，其中決定對應該目標物件的該目標邊界框的步驟包括： <br/>根據該目標物件的影像邊界，設定目標邊界框，以使該目標邊界框涵蓋該目標物件； <br/>若該右下定位點A最接近每個環境影像的該下邊界，設定該目標邊界框之左下頂點為該目標參考點；以及 <br/>若該左下定位點D最接近每個環境影像的該下邊界，設定該目標邊界框之右下頂點為該目標參考點。
如請求項3所述之停車格狀態判斷方法，其中根據所述目標邊界框的該目標參考點和該基準線段之間的該第一正交距離的變化，判斷對應該停車格的該停車狀態為該進入狀態、該離開狀態或該占用狀態的步驟包括： <br/>當對應連續且漸增的多個時間點的多個環境影像中的該第一正交距離逐漸增加時，判定該停車狀態為該進入狀態； <br/>當對應連續且漸增的多個時間點的多個環境影像中的該第一正交距離逐漸減少時，判定該停車狀態為該離開狀態；以及 <br/>當對應連續且漸增的多個時間點的多個環境影像中的該第一正交距離大於一預定閾值時，判斷該停車狀態為該占用狀態。
如請求項6所述之停車格狀態判斷方法，在根據該目標邊界框的該目標參考點和該基準線段之間的該第一正交距離的該變化，判斷對應該停車格的該停車狀態為該進入狀態、該離開狀態或該占用狀態的步驟之前，所述方法更包括： <br/>在決定對應該目標物件的該目標邊界框後，持續判斷該第一正交距離是否大於一啟動閾值；以及 <br/>反應於判定該第一正交距離大於該啟動閾值，監測該第一正交距離的該變化，以判斷對應該停車格的該停車狀態為該進入狀態、該離開狀態或該占用狀態的步驟。
如請求項6所述之停車格狀態判斷方法，所述方法更包括： <br/>設置對應該進入狀態的進入計數器、對應該離開狀態的離開計數器和對應該占用狀態的占用計數器，其中該進入計數器、該離開計數器和該占用計數器的初始值及最小值為0； <br/>當對應連續且漸增的兩個時間點的兩個環境影像中的該第一正交距離增加時，將該進入計數器加1，將該離開計數器減1； <br/>當對應連續且漸增的兩個時間點的兩個環境影像中的該第一正交距離減少時，將該進入計數器減1，將該離開計數器加1； <br/>當每個環境影像中的該第一正交距離大於該預定閾值時，將該占用計數器加1； <br/>當每個環境影像中的該第一正交距離不大於該預定閾值時，將該占用計數器減1，其中當該占用計數器從1被減至0時，移除該占用狀態，並將該停車狀態設定為非占用狀態；以及 <br/>當該進入計數器、該離開計數器或該占用計數器達到一預定計數門檻值時，判定該停車格處於對應達到該預定計數門檻值的該進入計數器、該離開計數器或該占用計數器的該進入狀態、該離開狀態或該占用狀態。
如請求項6所述之停車格狀態判斷方法，所述方法更包括： <br/>設置一鎖定狀態； <br/>反應於判定該停車狀態為該占用狀態，將進入該鎖定狀態； <br/>反應於判定每個環境影像不存在該目標物件，保持該鎖定狀態並開始計數保持該鎖定狀態的寬限時間； <br/>其中若每個環境影像不存在該目標物件且該寬限時間超過一預定寬限期間，將解除該鎖定狀態，並且將該停車狀態設定為非占用狀態；以及 <br/>其中若該寬限時間不超過預定寬限期間且判定後續的環境影像再次存在該目標物件，重置該寬限時間且停止計數該寬限時間。
如請求項9所述之停車格狀態判斷方法，其中若該寬限時間不超過預定寬限期間且判定後續的環境影像再次存在該目標物件，所述方法更包括： <br/>基於影像辨識演算法來判斷該目標物件是否對應到相同的車輛； <br/>其中反應於判定該目標物件對應到相同的車輛，維持該鎖定狀態；以及 <br/>其中反應於判定該目標物件對應到不相同的車輛，維持該鎖定狀態，並判定發生異常事件。
如請求項10所述之停車格狀態判斷方法，所述方法更包括： <br/>若每個環境影像不存在該目標物件且該寬限時間超過該預定寬限期間，判定發生異常事件；以及 <br/>當判斷發生該異常事件時，發送一警告通知。
一種機器人系統，係具備： <br/>機器手臂； <br/>手，係安裝於前述機器手臂以保持工件； <br/>容器，係包含藉由一對第一傾斜面及一對第二傾斜面圍成的工件收容空間，從上方觀看時，前述一對第一傾斜面的下端的邊於沿預定的方向延伸的直線上相接，前述一對第二傾斜面係各自具有與前述一對第一傾斜面之下端的邊的端部連接的一對的邊；及 <br/>控制部，係執行使前述手保持配置於前述容器之前述工件收容空間之前述工件的控制； <br/> 前述手包含夾箝，係沿前述預定的方向開閉； <br/>前述夾箝之沿前述預定的方向的開閉之範圍的長度為前述第一傾斜面之下端的邊的長度以上。
如請求項1所述之機器人系統，其中， <br/>前述一對第一傾斜面具有梯形形狀， <br/>前述一對第二傾斜面具有三角形形狀。
如請求項1所述之機器人系統，其中，前述控制部執行使前述夾箝保持配置在前述一對第一傾斜面之下端的邊彼此相接的位置的前述工件的處理。
如請求項3所述之機器人系統，具備拍攝部，係拍攝配置在前述容器之前述工件的二維影像， <br/>前述控制部在根據前述拍攝部所拍攝的影像而判定為前述工件配置在從前述一對第一傾斜面的下端的邊彼此相接的位置偏移的位置時，執行藉由前述夾箝使前述工件移動至前述一對第一傾斜面的下端的邊彼此相接的位置的處理。
如請求項3所述之機器人系統，具備拍攝部，係拍攝配置在前述容器之前述工件的二維影像， <br/>前述控制部在根據前述拍攝部所拍攝的影像判定為前述工件配置在前述一對第一傾斜面與前述第二傾斜面相接的位置時，執行藉由前述夾箝使前述工件移動至前述一對第一傾斜面的下端的邊彼此相接的位置的處理。
如請求項1所述之機器人系統，其中， <br/>前述容器包含標識，該標識係以涵跨前述一對第一傾斜面及前述一對第二傾斜面的方式配置， <br/>該機器人系統具備拍攝部，前述拍攝部係拍攝配置在前述容器之前述工件及前述標識的二維影像， <br/>前述控制部根據前述拍攝部所拍攝的影像來判定前述標識上是否配置有前述工件。
如請求項6所述之機器人系統，其中，前述控制部判定為前述標識上未配置有前述工件時，執行使前述機器手臂補充前述工件的動作。
如請求項6所述之機器人系統，其中， <br/>前述標識包含塗布在前述容器的塗料， <br/>前述標識的顏色與前述一對第一傾斜面及前述一對第二傾斜面的顏色相互不同。
如請求項1所述之機器人系統，具備： <br/>台車部，係供載置前述機器手臂；及 <br/>移動部，係使前述台車部移動； <br/>前述控制部執行藉由前述移動部使前述機器手臂移動至前述容器之鄰近處的處理。
一種機器人系統，係具備： <br/>機器手臂； <br/>手，係安裝於前述機器手臂以保持工件； <br/>容器，係包含藉由一對第一傾斜面及一對第二傾斜面圍成的工件收容空間，從上方觀看時，前述一對第一傾斜面的下端的邊於沿預定的方向延伸的直線上相接，前述一對第二傾斜面係各自具有與前述一對第一傾斜面之下端的邊的端部連接的一對的邊；及 <br/>控制部，係執行使前述手保持配置於前述容器之前述工件收容空間之前述工件的控制； <br/>前述容器包含標識，該標識係以涵跨前述一對第一傾斜面及前述一對第二傾斜面的方式配置； <br/>該機器人系統具備拍攝部，前述拍攝部係拍攝配置在前述容器之前述工件及前述標識的二維影像； <br/>前述控制部根據前述拍攝部所拍攝的影像來判定前述標識上是否配置有前述工件。
一種中藥組成物用於製備抑制或減少乳癌細胞活性之抗癌藥物的用途，該中藥組成物包含甘遂、白芍、甘草、蒲公英、梔子及麥芽，該甘遂、該白芍、該甘草、該蒲公英、該梔子與該麥芽於該中藥組成物中的重量比例為1~2：4~6：2~3：3~5：2~4：2~3，該中藥組成物係以一有效劑量介於0.1~10.0mg/ml施予該乳癌細胞進行培養，該中藥組成物具有抑制該乳癌細胞的活性表現，其中該乳癌細胞選自於常規乳癌細胞、抗泰莫西芬（tamoxifen）乳癌細胞及泰莫西芬敏感性乳癌細胞所構成族群之其中一種，當該乳癌細胞為常規乳癌細胞時，該中藥組成物的有效劑量介於5.0~10.0mg/ml，且該中藥組成物施予該乳癌細胞的培養時間介於24~72小時，當該乳癌細胞為抗泰莫西芬（tamoxifen）乳癌細胞時，該中藥組成物的有效劑量介於0.5~10.0mg/ml，且該中藥組成物施予該乳癌細胞的培養時間介於24~72小時，當該乳癌細胞為泰莫西芬敏感性乳癌細胞時，該中藥組成物的有效劑量介於2.5~10.0mg/ml，且該中藥組成物施予該乳癌細胞的培養時間介於24~72小時。
如請求項1所述之中藥組成物用於製備抑制或減少乳癌細胞活性之抗癌藥物的用途，其中該中藥組成物係以一有效劑量介於0.5~2.5mg/ml施予該抗泰莫西芬（tamoxifen）乳癌細胞，以誘導LC3-II的蛋白表現，引發該抗泰莫西芬（tamoxifen）乳癌細胞產生自噬作用。
如請求項1所述之中藥組成物用於製備抑制或減少乳癌細胞活性之抗癌藥物的用途，其中該中藥組成物係以一有效劑量介於2.5~10.0mg/ml施予該泰莫西芬敏感性乳癌細胞，以誘導LC3-II的蛋白表現，引發該泰莫西芬敏感性乳癌細胞產生自噬作用。
一種具有耐壓機制的振盪電路，包含：<br/> 一第一電感電路，電性耦接於一第一電源電壓以及一對連接端間；<br/> 一交叉耦合（cross-coupled）電晶體電路，電性耦接於該對連接端以及一第二電源電壓間；<br/> 一第二電感電路，電性耦接於該對連接端以及一對振盪輸出端間；以及<br/> 一電容電路，電性耦接於該對振盪輸出端間；<br/> 其中該對振盪輸出端不與任一電流源直接電性耦接，以使該振盪電路根據該第一電源電壓以及該第二電源電壓間的一壓差運作。
如請求項1所述之振盪電路，其中該交叉耦合電晶體電路包含： <br/> 一第一電晶體，具有電性耦接於該對連接端的一第一連接端以及一第二電源電壓的二第一源/汲極；以及<br/> 一第二電晶體，電性耦接於該對連接端的一第二連接端以及該第二電源電壓的二第二源/汲極；<br/> 其中該第一電晶體的一第一閘極電性耦接於該第二連接端，該第二電晶體的一第二閘極電性耦接於該第一連接端。
如請求項1所述之振盪電路，其中該第一電晶體為一P型電晶體或一N型電晶體。
如請求項1所述之振盪電路，其中該交叉耦合電晶體電路包含一對互補式金氧半導體（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor；CMOS）電晶體。
如請求項1所述之振盪電路，其中該第一電感電路為一第一電感線圈，該第一電感線圈的一對端點電性耦接於該對連接端。
如請求項1所述之振盪電路，其中該第二電感電路為一第二電感線圈，該第二電感線圈的一對第一端點電性耦接於該對連接端，該第二電感線圈的一對第二端點電性耦接於該對振盪輸出端。
如請求項1所述之振盪電路，其中該電容電路包含至少一金屬-氧化物-金屬電容（metal-oxide-metal capacitor；MOMCAP）。
如請求項1所述之振盪電路，其中該第一電感電路的一第一面積大於該第二電感電路的一第二面積。
如請求項1所述之振盪電路，其中該第一電感電路的一第一電感值大於該第二電感電路的一第二電感值。
如請求項1所述之振盪電路，其中該電容電路為一切換電容陣列或複數壓控電容，且選擇性包含一輸出緩衝電路。
一種具有耐壓機制的振盪電路，包含：<br/> 一電感電路，電性耦接於一對振盪輸出端；<br/> 一第一交叉耦合（cross-coupled）電晶體電路，電性耦接於該對振盪輸出端以及一第一端點間；<br/> 一電容電路，電性耦接於該對振盪輸出端間；以及<br/> 一第一源極退化（source degeneration）電路，包含：<br/> 一第一電感，電性耦接於該第一端點以及一第一電源電壓間；<br/> 一第一電容，電性耦接於該第一端點以及一第二端點間；<br/> 一第二電容，電性耦接於該第一電源電壓以及一第三端點間，其中該第三端點電性耦接於一第二電源電壓；以及<br/> 一第一源極退化電晶體，電性耦接於該第二端點以及該第三端點間，並受控於一第一饋入電壓而導通。
如請求項1所述之振盪電路，其中該第一交叉耦合電晶體電路包含： <br/> 一第一電晶體，具有電性耦接於該對振盪輸出端的一第一振盪輸出端的一第一汲極以及電性耦接於該第一端點的一第一源極；以及<br/> 一第二電晶體，具有電性耦接於該對振盪輸出端的一第二振盪輸出端的一第二汲極以及電性耦接於該第一端點的一第二源極；<br/> 其中該第一電晶體的一第一閘極電性耦接於該第二振盪輸出端，該第二電晶體的一第二閘極電性耦接於該第一振盪輸出端。
如請求項1所述之振盪電路，其中該電感電路電性耦接於該對振盪輸出端以及該第二電源電壓間。
如請求項1所述之振盪電路，更包含：<br/> 一第二交叉耦合電晶體電路，電性耦接於該對振盪輸出端以及一第四端點間；以及<br/> 一第二源極退化電路，電性耦接於該第四端點以及該第二電源電壓間。
如請求項4所述之振盪電路，其中該第二交叉耦合電晶體電路包含： <br/> 一第一電晶體，具有電性耦接於該對振盪輸出端的一第一振盪輸出端的一第一汲極以及電性耦接於該第四端點的一第一源極；以及<br/> 一第二電晶體，具有電性耦接於該對振盪輸出端的一第二振盪輸出端的一第二汲極以及電性耦接於該第四端點的一第二源極；<br/> 其中該第一電晶體的一第一閘極電性耦接於該第二振盪輸出端，該第二電晶體的一第二閘極電性耦接於該第一振盪輸出端。
如請求項4所述之振盪電路，其中該第二源極退化電路包含：<br/> 一第二電感，電性耦接於該第四端點以及該第二電源電壓間；<br/> 一第三電容，電性耦接於該第四端點以及一第五端點間；以及<br/> 一第二源極退化電晶體，電性耦接於該第五端點以及該第二電源電壓間，並受控於一第二饋入電壓而導通。
如請求項1所述之振盪電路，其中該第一電容的一第一電容值為C1，該第二電容的一第二電容值為C2，該第一電容以及該第二電容的一等效串聯電容值為(C1×C2)/(C1+C2)。
如請求項7所述之振盪電路，其中該第二電容值大於該第一電容值，以使該第一電容以及該第二電容的該等效串聯電容值接近該第一電容值。
如請求項1所述之振盪電路，其中該電容電路為一切換電容陣列或複數壓控電容，且選擇性包含一輸出緩衝電路。
如請求項9所述之振盪電路，其中該電容電路包含至少一金屬-氧化物-金屬電容（metal-oxide-metal capacitor；MOMCAP）。
一種線上虛擬教室的教學互動方法，該方法包括以下步驟：<br/>一請求接收步驟，一伺服器與複數個終端設備通訊連接，該伺服器接收來自該等複數個終端設備的功能請求，其中，該等複數個終端設備包括與老師相關的至少一第一終端設備以及與學生相關的複數個第二終端設備；<br/>一管理步驟，該伺服器根據來自該等複數個第二終端設備的登入請求，偵測並確定參與課堂的學生數量，於該第一終端設備上顯示參與者頭像；<br/>一發言討論步驟，透過該第二終端設備發送發言請求，該發言請求通過該伺服器於該第一終端設備的操作介面上顯示，該第一終端設備配置以根據該發言請求選擇並允許複數個第二終端設備的其中之一進行發言；<br/>一獎勵步驟，在發言討論過程中，根據學生的參與表現，該第一終端設備配置以透過其操作介面向該第二終端設備發放獎勵，並顯示於該第二終端設備的操作介面上；以及<br/>一設備檢查步驟，在課堂開始前，藉由該伺服器，檢測該第一終端設備及該第二終端設備的運作狀態，當檢測到該第一終端設備及該第二終端設備的運作狀態異常時，提供診斷指示，該運作狀態與以下裝置是否正常運作有關，該裝置包括：鍵盤、麥克風、喇叭、攝像頭、網卡的至少其中之一。
根據請求項1之教學互動方法，其中，進一步包括：<br/>一展示步驟，該伺服器配置以顯示虛擬白板以及教學教材於該第一終端設備及該第二終端設備的操作介面上，並允許該第一終端設備透過其操作介面上的白板進行書寫及/或標註，以及允許該第二終端設備透過其操作介面查看該白板上的書寫及/或標註的內容。
根據請求項1之教學互動方法，其中，該管理步驟進一步包括：當該學生數量超過預設閾值時，該第一終端設備配置以根據預設時間間隔切換該參與者頭像，以及，當該第一終端設備與該等複數個第二終端設備的其中之一被偵測為頻繁互動時，該伺服器配置以延長該參與者頭像的顯示時間。
根據請求項1之教學互動方法，其中，該發言討論步驟進一步包括根據學生的參與記錄，該伺服器配置以優先顯示未曾發言或較少發言的學生於該第一終端設備的操作介面上。
根據請求項1之教學互動方法，其中，該發言討論步驟進一步包括該第一終端設備配置以設定該等複數個第二終端設備的至少其中之一的發言權限。
根據請求項1之教學互動方法，其中，該參與表現包括發言次數、參與頻率及回答問題的品質。
根據請求項1之教學互動方法，其中，該獎勵步驟進一步包括藉由獎勵計數模組，允許該第二終端設備於其操作介面顯示所獲得的獎勵的數目，並將該獎勵儲存於該第二終端設備的個人檔案，以供課後查看。
根據請求項2之教學互動方法，其中，該展示步驟進一步包括藉由多媒體內容嵌入模組，使得該第一終端設備在其操作介面的白板上嵌入圖片、影片或聲音，並顯示於該第二終端設備的操作介面。
一種線上虛擬教室系統，使用如上述請求項1至8任一項的教學互動方法，該系統包括：一伺服器以及複數個終端設備，其與該伺服器通訊連接，<br/>該伺服器包括：<br/>一通訊模組，與該等複數個終端設備通訊連接，該等複數個終端設備包括與老師相關的至少一第一終端設備以及與學生相關的複數個第二終端設備，該通訊模組配置為接收來自該等複數個終端設備的功能請求；<br/>一管理模組，配置為根據來自該等複數個第二終端設備的登入請求，偵測並確定參與課堂的學生數量，並於該第一終端設備的操作介面上顯示參與者頭像；<br/>一討論模組，配置為接收由該第二終端設備發送的發言請求，該發言請求由該通訊模組傳輸至該第一終端設備的操作介面，該第一終端設備配置為根據該發言請求選擇並允許該等複數個第二終端設備的其中之一進行發言；以及<br/>一獎勵計數模組，配置為在發言討論過程中，根據學生的參與表現，透過該第一終端設備向該第二終端設備發送獎勵，並將該獎勵顯示於所述第二終端設備的操作介面。
一種快拆裝置，包括：<br/> 第一連接機構，包括：<br/> 第一外殼；<br/> 內殼，可移動地設置於上述第一外殼內，且包括卡槽以及滑槽，其中上述卡槽包括鎖固區段、連接區段以及解鎖區段，上述解鎖區段連接於上述連接區段以及上述內殼的頂面，上述滑槽的入口端連接於上述內殼的上述頂面，且上述滑槽的止擋端連接於上述鎖固區段；以及<br/> 主彈性元件，連接上述第一外殼以及上述內殼；以及<br/> 第二連接機構，包括：<br/> 第二外殼；<br/> 切換件，可移動地設置於上述第二外殼內，且包括卡榫；<br/> 以及<br/> 側彈性元件，連接於上述第二外殼以及上述切換件；<br/> 其中當將上述第一連接機構連接於上述第二連接機構的過程中，上述卡榫經由上述滑槽的上述入口端、上述滑槽的上述止擋端、移動至上述鎖固區段內，<br/> 當上述第一連接機構連接於上述第二連接機構時，上述第一外殼接觸於上述第二外殼，上述內殼位於初始位置，且上述卡榫位於上述卡槽的上述鎖固區段，<br/> 當將上述第一連接機構與上述第二連接機構分離的過程中，移動上述內殼至解鎖位置以使上述卡榫由上述鎖固區段移動至上述連接區段，上述側彈性元件移動上述切換件，之後釋放上述內殼，上述主彈性元件使上述內殼朝向上述初始位置移動，且上述卡榫移動至上述解鎖區段。
如請求項1所述的快拆裝置，更包括下壓組件，設置於上述第二外殼上，當上述第一連接機構連接於上述第二連接機構時，上述下壓組件提供推力於上述內殼。
如請求項2所述的快拆裝置，其中上述切換件更包括缺口，且缺口包括傾斜面，當上述第一連接機構分離於上述第二連接機構之後，上述下壓組件提供推力於上述傾斜面，以使上述切換件位於預備位置。
如請求項2所述的快拆裝置，其中上述第二外殼包括限位結構，且上述下壓組件包括：<br/> 下壓本體，可移動地位於上述限位結構內；<br/> 抵接柱，連接於上述下壓本體；以及<br/> 上彈簧，抵接於上述第二外殼以及上述限位結構。
如請求項1所述的快拆裝置，其中上述第一外殼包括第一導軌，且上述內殼更包括第一引導肋，上述第一引導肋可移動地設置於上述第一導軌，且上述第一導軌限制上述第一引導肋於縱向移動，上述內殼更包括第二導軌，且上述第二外殼包括第二引導肋，當上述第一連接機構連接於上述第二連接機構時，上述第二引導肋可移動地設置於上述第二導軌，且上述第二導軌限制上述第二引導肋於縱向移動。
如請求項1所述的快拆裝置，其中上述切換件更包括彈臂，連接於上述卡榫。
如請求項1所述的快拆裝置，其中上述第一外殼包括按壓開口，且上述內殼包括按壓塊，當上述內殼位於初始位置時，上述按壓塊位於上述按壓開口內。
如請求項1所述的快拆裝置，其中上述鎖固區段沿縱向延伸，且垂直於上述連接區段延伸，以及上述解鎖區段相對於上述鎖固區段以及上述連接區段傾斜，且連接於上述內殼的頂面。
一種快拆裝置的操作方法，包括下列步驟：<br/> (1) 於第一連接機構連接於第二連接機構的過程中，將上述第一連接機構的第一外殼朝向上述第二連接機構的第二外殼移動，使上述第二外殼內的切換件的卡榫由內殼的滑槽的入口端進入上述滑槽，並朝向上述滑槽的止擋端移動，上述卡榫由上述滑槽的上述止擋端進一步移動上述內殼的卡槽的鎖固區段內，以將上述第一連接機構結合於上述第二連接機構，其中上述內殼可移動地設置於上述第一外殼內，且上述切換件可移動地設置於上述第二外殼內；<br/> (2) 當將上述第一連接機構分離於上述第二連接機構的過程中，推動上述內殼，以使上述卡榫由上述卡槽的上述鎖固區段移動至上述卡槽的連接區段的第一端；<br/> (3) 上述第二連接機構的側彈性元件移動上述切換件，以使上述卡榫由上述連接區段的上述第一端移動至上述連接區段的第二端；<br/> (4) 釋放上述內殼，以使上述第一連接機構的主彈性元件將上述內殼朝向初始位置移動，且上述卡榫由上述連接區段的上述第二端移動至上述卡槽的解鎖區段；以及<br/> (5) 將上述第一連接機構以及上述第二連接機構分離，且上述卡榫脫離上述解鎖區段。
如請求項9所述的快拆裝置的操作方法，更包括(6)設置於上述第二外殼內的下壓組件推動上述切換件至預備位置。
一種液晶顯示器，包含：<br/> 一顯示面板；以及<br/> 一太陽能模組，設置於該顯示面板的一表面，該太陽能模組包含：<br/> 一聚合層；<br/> 複數太陽能電池，彼此電性連接，並間隔埋設於該聚合層中；<br/> 至少一二極體，埋設於該聚合層中，且與該些太陽能電池的至少一者並聯連接；及<br/> 一透光層，設置於該顯示面板及該聚合層之間；<br/> 其中，該顯示面板、該透光層及該聚合層之任相鄰二者透過一光學膠黏合；<br/> 其中，該至少一二極體的一厚度小於或等於1.2毫米。
如請求項1所述之液晶顯示器，更包含：<br/> 一背板，設置於該太陽能模組的一面。
如請求項1所述之液晶顯示器，其中該顯示面板為一膽固醇液晶面板，該些太陽能電池的任一者為一矽晶圓太陽能電池、一薄膜太陽能發電模組、一有機太陽能發電模組、一鈣鈦礦太陽能發電模組及一染料敏化太陽能發電模組的一者。
如請求項1所述之液晶顯示器，其中該太陽能模組更包含：<br/> 一遮光層，埋設於該聚合層中，且該遮光層對應該至少一二極體而設置於該至少一二極體及該透光層之間。
如請求項1所述之液晶顯示器，其中該至少一二極體的數量為複數，該些二極體分別對應該些太陽能電池，且該些二極體彼此並聯連接。
如請求項5所述之液晶顯示器，其中該太陽能模組更包含：<br/> 複數遮光層，埋設於該聚合層中，且該些遮光層分別對應該些二極體；<br/> 其中，該些遮光層設置於該些二極體與該透光層之間。
如請求項1所述之液晶顯示器，其中該至少一二極體的數量為一，該二極體的一設置位置對應該顯示面板的一訊號輸出端。
如請求項1所述之液晶顯示器，其中該太陽能模組更包含另一透光層，該聚合層位於該透光層及該另一透光層之間。
一種雙層液晶顯示器，包含：<br/> 二顯示面板；以及<br/> 一太陽能模組，設置於該二顯示面板之間，並包含：<br/> 一聚合層；<br/> 複數太陽能電池，彼此電性連接，並間隔埋設於該聚合層中；<br/> 至少一二極體，埋設於該聚合層中，且與該些太陽能電池的至少一者並聯連接；及<br/> 二透光層，分別設置於該二顯示面板及該聚合層之間；<br/> 其中，該二顯示面板、該二透光層及該聚合層之任相鄰二者透過一光學膠黏合；<br/> 其中，該至少一二極體的一厚度小於或等於1.2毫米。
如請求項9所述之雙層液晶顯示器，其中該至少一二極體的數量為複數，該些二極體分別對應該些太陽能電池，且該些二極體彼此並聯連接。
如請求項10所述之雙層液晶顯示器，其中該太陽能模組更包含：<br/> 複數遮光層，埋設於該聚合層中，且該些遮光層分別對應該些二極體；<br/> 其中，該些遮光層設置於該些二極體與該二透光層的一者之間。
如請求項11所述之雙層液晶顯示器，其中該至少一二極體的數量為一，該二極體的一設置位置對應該二顯示面板的一者的一訊號輸出端。
一種防水連接器組，係包括一母座防水連接器及一可選擇地插接於該母座防水連接器之公端防水連接器，其中：<br/> 該母座防水連接器係包含：<br/> 一第一管體，係具有一第一前管口及一第一後管口；<br/> 一按壓卡扣件係包含：<br/> 一按壓部，係間隔設置於該母座防水連接器的該第一管體的外側；<br/> 一卡扣部，係自該按壓部一體延伸而出，並徑向貫穿該第一管體，且靠近該第一管體的第一前管口；以及<br/> 一彈性件，係設置在該按壓部與該第一管體的外側之間；其中該按壓部配合該彈性件徑向移動該卡扣部，使該卡扣部卡合或鬆開位在該母座防水連接器內的該公端防水連接器之一第二管體；其中：<br/> 該母座防水連接器的該第一管體的外側係設置一可軸向移動的防壓件，且該防壓件係於該第一管體的外側的一第一位置及一第二位置間移動；其中：<br/> 當該防壓件移動至該第一管體的外側的第一位置時，該按壓卡扣件之該按壓部相對該第一管體的外側徑向移動一第一距離；以及<br/> 當該防壓件移動至該第一管體的外側的第二位置時，該按壓卡扣件之該按壓部相對該第一管體的外側徑向移動一第二距離；其中該第二距離係短於第一距離。
如請求項1所述之防水連接器組，其中該防壓件係包含：<br/> 一滑動部，係滑設於該母座防水連接器的該第一管體的外側；以及<br/> 一阻擋部，係一體連接於該滑動部。
如請求項2所述之防水連接器組，其中：<br/> 該按壓部具有一厚度，並於一內面形成一匹配該阻擋部之凹槽；其中該厚度係大於該凹槽的深度；<br/> 當該滑動部移動至該第一位置時，該阻擋部位在該按壓卡扣件之該按壓部與該第一管體的外側之間，且對準該凹槽；以及<br/> 當該滑動部移動至該第二位置時，該阻擋部位在該按壓卡扣件之該按壓部與該第一管體的外側之間，但不對準該凹槽。
如請求項3所述之防水連接器組，其中：<br/> 該第一位置較該第二位置靠近該第一管體的一第一前管口；以及<br/> 該按壓卡扣件之該彈性件係較第一位置靠近該第一前管口，令該阻擋部不與該彈性件干涉。
如請求項2所述之防水連接器組，其中：<br/> 該第二位置較該第一位置靠近該第一管體的一第一前管口；<br/> 該按壓卡扣件的一卡扣部係與該按壓部一體連接，且徑向地貫穿該第一管體，並選擇地自該第一管體之外側突伸；<br/> 當該滑動部移動至該第一位置時，該阻擋部不位在該卡扣部自該第一管體突伸的位置；以及<br/> 當該滑動部移動至該第二位置時，該阻擋部位在該卡扣部自該第一管體之外側突伸的位置，以限制該卡扣部突伸距離。
如請求項2所述之防水連接器組，其中：<br/> 該第二位置較該第一位置靠近該第一管體的一第一前管口；<br/> 當該滑動部移動至該第一位置時，該阻擋部不位在該按壓卡扣件之該按壓部之外，且不與按壓部在徑向方向重疊；以及<br/> 當該滑動部移動至該第二位置時，該阻擋部位在該按壓卡扣件之該按壓部之外，且與按壓部在徑向方向重疊。
如請求項2至4中任一項所述之防水連接器組，其中：<br/> 該第一管體的外側對應該第一位置形成一第一凹環槽，對應該第二位置形成一第二凹環槽，且於該第一凹環槽及該第二凹環槽之間有一段差部；<br/> 該滑動部係為一套環，且匹配套設於該第一凹環槽或該第二凹環槽；以及<br/> 該阻擋部係自該套環向外一體延伸一凸環部，以突出該第一管體的外側。
如請求項5或6所述之防水連接器組，其中：<br/> 該第一管體的外側對應該第一位置形成一第一凹環槽，對應該第二位置形成一第二凹環槽，且於該第一凹環槽及該第二凹環槽之間有一段差部；<br/> 該滑動部係為一套環，且匹配套設於該第一凹環槽或該第二凹環槽；以及<br/> 該阻擋部係自該套環朝該第一管體的一第一前管口一體軸向延伸而出。
如請求項1或2所述之防水連接器組，其中：<br/> 該母座防水連接器係進一步包含：一第一水閥組件，係容置於該第一管體；以及<br/> 一第一水管接合件，係與該第一管體連接，並連通該第一管體之一第一後管口；以及<br/> 該公端防水連接器係包含：<br/> 該第二管體係容置一第二水閥組件，並包含：<br/> 一前插入部，係具有一第二前管口，該前插入部之外側形成一倒刺，於插入該母座防水連接器的該第一管體內時，穿過該按壓卡扣件的該卡扣部，令該卡扣部卡合該倒刺；以及<br/> 一後連接部，係一體連接該前插入部，並具有一第二後管口；以及<br/> 一第二水管接合件，係與該第二管體的該後連接部連接，並連通該後連接部之該第二後管口。
如請求項9所述之防水連接器組，其中：<br/> 該第一管體的內環壁向內凸出一縮頸部，該縮頸部靠近該第一前管口，且具有二相對凸面及一平面，其中朝向該第一前管口的凸面係匹配該第二管體的該倒刺形成一傾斜面，而另一朝向該第一後管口的凸面為一直立面，又該縮頸部的該平面係內嵌一第一密封件；<br/> 該第一水管接合件係套接在該第一管體之外側，其對應該第一管體的該第一後管口形成一內縮部，該內縮部具有一第一直立內壁面；<br/> 該第一水閥組件係包含：<br/> 一固定閥件，其一前端係與該縮頸部的該直立面實質齊平，而其一後端則抵止在該第一水管接合件之該內縮部的該第一直立內壁面；<br/> 一第一活動閥件，係可滑動地套設在該固定閥件的該前端外，並較該固定閥件短，該第一活動閥件係抵止在該縮頸部的該直立面，且該第一活動閥件的外側係套設一第二密封件，該第二密封件係接觸該第一管體的該內環壁；其中該第一管體的內環壁的內徑係大於該縮頸部的內徑，但小於該第一前管口的口徑；以及<br/> 一第一彈簧，係套設在該固定閥件外，其二端係分別抵靠在該第一活動閥件與該固定閥件的該後端；<br/> 該第二管體的該前插入部的外徑係匹配該第一管體的該縮頸部的內徑；<br/> 該第二水管接合件係套接在該第二管體之該後連接部之外側，其對應該第二管體的該第二後管口形成一內縮部，該內縮部具有一第二直立內壁面；其中該第二管體之內徑係大於該第二前管口的口徑，該第二前管口的口徑大於該第二水管接合件的內管徑；以及<br/> 該第二水閥組件係包含：<br/> 一第二活動閥件，其一前端係與該第二前管口實質齊平，可選擇地接觸該第一水閥組件之該固定閥件，且其外側係套設一第三密封件；以及<br/> 一第二彈簧，其一端抵止在該第二活動閥件之一後端，另一端則抵止在該第二水管接合件係套接在該第二管體之外側，其對應該第二管體的該內縮部之該第二直立內壁面，且該第二彈簧係接觸該第二管體之內環壁。
一種母座防水連接器，包括：<br/> 一第一管體，係具有一第一前管口及一第一後管口；<br/> 一按壓卡扣件，係包含一按壓部、一卡扣部及一彈性件；其中該按壓部係間隔設置於該母座防水連接器的該第一管體的外側，該卡扣部係一體自該按壓部延伸並徑向貫穿該第一管體，且靠近該第一管體的該第一前管口，而該彈性件係設置在該按壓部與該第一管體的外側之間，令該按壓部配合該彈性件徑向移動該卡扣部；<br/> 一防壓件，係可軸向移動地設置在該第一管體的外側，並於該第一管體的外側的一第一位置及一第二位置間移動；其中：<br/> 當該防壓件移動至該第一管體的外側的第一位置時，該按壓卡扣件之該按壓部相對該第一管體的外側徑向移動一第一距離；以及<br/> 當該防壓件移動至該第一管體的外側的第二位置時，該按壓卡扣件之該按壓部相對該第一管體的外側徑向移動一第二距離；其中該第二距離係短於第一距離。
如請求項11所述之母座防水連接器，其中該防壓件係包含：<br/> 一滑動部，係滑設於該母座防水連接器的該第一管體的外側；以及<br/> 一阻擋部，係一體連接於該滑動部。
如請求項12所述之母座防水連接器，其中：<br/> 該按壓部具有一厚度，並於一內面形成一匹配該阻擋部之凹槽；其中該厚度係大於該凹槽的深度；<br/> 當該滑動部移動至該第一位置時，該阻擋部位在該按壓卡扣件之該按壓部與該第一管體的外側之間，且對準該凹槽；以及<br/> 當該滑動部移動至該第二位置時，該阻擋部位在該按壓卡扣件之該按壓部與該第一管體的外側之間，但不對準該凹槽。
如請求項13所述之母座防水連接器，其中：<br/> 該第一位置較該第二位置靠近該第一管體的該第一前管口；以及<br/> 該按壓卡扣件之該彈性件係較第一位置靠近該第一前管口，令該阻擋部不與該彈性件干涉。
如請求項12所述之母座防水連接器，其中：<br/> 該按壓卡扣件的一卡扣部係與該按壓部一體連接，且徑向地貫穿該第一管體，並選擇地自該第一管體突伸；<br/> 當該滑動部移動至該第一位置時，該阻擋部不位在該卡扣部自該第一管體突伸的位置；以及<br/> 當該滑動部移動至該第二位置時，該阻擋部位在該卡扣部自該第一管體之外側突伸的位置，以限制該卡扣部突伸距離。
如請求項12所述之母座防水連接器，其中：<br/> 當該滑動部移動至該第一位置時，該阻擋部不位在該按壓卡扣件之該按壓部之外或之內；以及<br/> 當該滑動部移動至該第二位置時，該阻擋部位在該按壓卡扣件之該按壓部之外或之內，以與按壓部在徑向方向重疊。
如請求項12至14中任一項所述之母座防水連接器，其中：<br/> 該第一管體的外側對應該第一位置形成一第一凹環槽，對應該第二位置形成一第二凹環槽，且於該第一凹環槽及該第二凹環槽之間有一段差部；<br/> 該滑動部係為一套環，且匹配套設於該第一凹環槽或該第二凹環槽；以及<br/> 該阻擋部係自該套環向外一體延伸一凸環部，以突出該第一管體的外側。
如請求項15或16所述之母座防水連接器，其中：<br/> 該第一管體的外側對應該第一位置形成一第一凹環槽，對應該第二位置形成一第二凹環槽，且於該第一凹環槽及該第二凹環槽之間有一段差部；<br/> 該滑動部係為一套環，且匹配套設於該第一凹環槽或該第二凹環槽；以及<br/> 該阻擋部係自該套環朝該第一管體的該第一前管口一體軸向延伸而出。
如請求項11或12所述之母座防水連接器，係進一步包含：<br/> 一第一水閥組件，係容置於該第一管體；以及<br/> 一第一水管接合件，係與該第一管體連接，並連通該第一管體之該第一後管口。
如請求項19所述之母座防水連接器，其中：<br/> 該第一管體的內環壁向內凸出一縮頸部，該縮頸部靠近該第一前管口，且具有二相對凸面及一平面，其中朝向該第一前管口的凸面係形成一傾斜面，而另一朝向該第一後管口的凸面為一直立面，又該縮頸部的該平面係內嵌一第一密封件；<br/> 該第一水管接合件係套接在該第一管體之外側，其對應該第一管體的該第一後管口形成一內縮部，該內縮部具有一第一直立內壁面；<br/> 該第一水閥組件係包含：<br/> 一固定閥件，其一前端係與該縮頸部的該直立面實質齊平，而其一後端則抵止在該第一水管接合件之該內縮部的該第一直立內壁面；<br/> 一第一活動閥件，係可滑動地套設在該固定閥件的該前端外，並較該固定閥件短，該第一活動閥件係抵止在該縮頸部的該直立面，且該第一活動閥件的外側係套設一第二密封件，該第二密封件係接觸該第一管體的該內環壁；其中該內環壁的內徑係大於該縮頸部的內徑，但小於該第一前管口的口徑；以及<br/> 一第一彈簧，係套設在該固定閥件外，其二端係分別抵靠在該第一活動閥件與該固定閥件的該後端。
一種基板搬送裝置，其係搬送基板者，且其特徵在於具備： <br/>手部，其將上述基板保持為水平姿勢； <br/>水平驅動機構，其為了交接上述基板而將上述手部於水平面內進退驅動； <br/>至少2個引導件，其等設置於上述手部，夾持上述基板之外周面而使上述基板與上述手部分開並加以保持； <br/>進退驅動機構，其使上述至少2個引導件中之至少1個引導件作為可動引導件相對於上述基板進退驅動；及 <br/>控制部，其藉由控制上述進退驅動機構而調整上述可動引導件對上述基板之外周面之作用力；且 <br/>上述控制部根據上述基板之形狀，調整上述可動引導件對上述基板之外周面之作用力。
如請求項1之基板搬送裝置，其中 <br/>上述控制部以隨著上述基板之厚度變薄則上述可動引導件對上述基板之外周面之作用力變小之方式進行調整。
如請求項1之基板搬送裝置，其中 <br/>上述控制部以隨著上述基板之翹曲變大則上述可動引導件對上述基板之外周面之作用力變小之方式進行調整。
一種基板搬送裝置，其係搬送基板者，且其特徵在於具備： <br/>手部，其將上述基板保持為水平姿勢； <br/>水平驅動機構，其為了交接上述基板而將上述手部於水平面內進退驅動； <br/>至少2個引導件，其等設置於上述手部，夾持上述基板之外周面而使上述基板與上述手部分開並加以保持； <br/>進退驅動機構，其使上述至少2個引導件中之至少1個引導件作為可動引導件相對於上述基板進退驅動； <br/>控制部，其藉由控制上述進退驅動機構而調整上述可動引導件對上述基板之外周面之作用力；及 <br/>外周面檢測器，其檢測上述可動引導件抵接於上述基板之外周面；且 <br/>上述控制部於由上述外周面檢測器檢測出上述可動引導件抵接於上述基板之外周面後，調整上述作用力。
如請求項1之基板搬送裝置，其中 <br/>所有上述引導件為上述可動引導件，且 <br/>上述控制部於以上述手部保持上述基板時，操作上述進退驅動機構之各者而使所有上述可動引導件移動至上述基板之外周面，由上述進退驅動機構之各者對所有上述可動引導件調整上述作用力。
如請求項4之基板搬送裝置，其中 <br/>上述外周面檢測器為觸覺感測器，該觸覺感測器具備可檢測對正交之3軸各者賦予之力之檢測面。
如請求項4之基板搬送裝置，其中 <br/>上述進退驅動機構具備將上述引導件進退驅動之馬達、賦予用於驅動上述馬達之驅動電流之驅動電路、及檢測上述馬達之旋轉位置之編碼器； <br/>上述外周面檢測器具備基於上述驅動電路之驅動電流資訊而檢測上述抵接之驅動電流檢測部、與基於自上述編碼器輸出之位置資訊而檢測上述抵接之位置資訊檢測部之至少一者；且 <br/>上述控制部基於上述驅動電流資訊與上述位置資訊之至少一者，而判斷上述抵接。
如請求項4之基板搬送裝置，其中 <br/>上述外周面檢測器設置於上述可動引導件中對上述手部安裝之部分。
一種基板搬送裝置，其係搬送基板者，且其特徵在於具備： <br/>手部，其將上述基板保持為水平姿勢； <br/>水平驅動機構，其為了交接上述基板而將上述手部於水平面內進退驅動； <br/>至少2個引導件，其等設置於上述手部，夾持上述基板之外周面而使上述基板與上述手部分開並加以保持； <br/>進退驅動機構，其使上述至少2個引導件中之至少1個引導件作為可動引導件相對於上述基板進退驅動；及 <br/>控制部，其藉由控制上述進退驅動機構而調整上述可動引導件對上述基板之外周面之作用力；且 <br/>上述引導件安裝於上述手部之下表面。
如請求項1之基板搬送裝置，其中 <br/>上述引導件呈圓柱狀。
一種基板搬送裝置，其係搬送基板者，且其特徵在於具備： <br/>手部，其將上述基板保持為水平姿勢； <br/>水平驅動機構，其為了交接上述基板而將上述手部於水平面內進退驅動； <br/>至少2個引導件，其等設置於上述手部，夾持上述基板之外周面而使上述基板與上述手部分開並加以保持； <br/>進退驅動機構，其使上述至少2個引導件中之至少1個引導件作為可動引導件相對於上述基板進退驅動；及 <br/>控制部，其藉由控制上述進退驅動機構而調整上述可動引導件對上述基板之外周面之作用力；且 <br/>上述引導件具備朝向上述基板之中心側變低之傾斜面、與沿著上述基板之外周面立設之夾持部； <br/>上述手部當要接收上述基板時，於上述基板被暫時載置於上述傾斜面後，由上述可動引導件對上述基板之外周面賦予作用力而將上述基板按壓於上述夾持部並夾持；且 <br/>上述引導件具備檢測上述基板被載置於上述傾斜面之載置檢測器。
一種基板搬送裝置，其係搬送基板者，且其特徵在於具備： <br/>手部，其將上述基板保持為水平姿勢； <br/>水平驅動機構，其為了交接上述基板而將上述手部於水平面內進退驅動； <br/>至少2個引導件，其等設置於上述手部，夾持上述基板之外周面而使上述基板與上述手部分開並加以保持； <br/>進退驅動機構，其使上述至少2個引導件中之至少1個引導件作為可動引導件相對於上述基板進退驅動；及 <br/>控制部，其藉由控制上述進退驅動機構而調整上述可動引導件對上述基板之外周面之作用力；且 <br/>上述手部進而具備對被上述引導件夾持之基板之上表面供給處理液之噴嘴。
如請求項12之基板搬送裝置，其中 <br/>上述手部具備自基端部向前端部延伸之2根延伸部、與以通過被上述手部夾持之基板之中心部之方式懸架於上述2根延伸部之梁部；且 <br/>上述噴嘴設置於上述梁部，對被上述手部夾持之基板供給處理液。
一種基板搬送裝置，其係搬送基板者，且其特徵在於具備： <br/>手部，其將上述基板保持為水平姿勢； <br/>水平驅動機構，其為了交接上述基板而將上述手部於水平面內進退驅動； <br/>至少2個引導件，其等設置於上述手部，夾持上述基板之外周面而使上述基板與上述手部分開並加以保持； <br/>進退驅動機構，其使上述至少2個引導件中之至少1個引導件作為可動引導件相對於上述基板進退驅動；及 <br/>控制部，其藉由控制上述進退驅動機構而調整上述可動引導件對上述基板之外周面之作用力；且 <br/>上述手部由以下兩種類構成：在下表面具備上述引導件之上取手部、與在上表面具備上述引導件之下取手部；且 <br/>根據交接目的地即載置部之上表面與基板之下表面之距離即間隙，對於上述間隙較大之上述載置部使用上述下取手部，對於上述間隙較小之上述載置部使用上述上取手部，於與上述載置部之間進行上述基板之交接。
一種基板處理裝置，其特徵在於具備： <br/>如請求項1至14中任一項之基板搬送裝置；及 <br/>處理部，其對上述基板進行指定之處理。
一種基板搬送裝置，其係搬送基板者，且其特徵在於具備： <br/>手部，其將上述基板保持為水平姿勢； <br/>水平驅動機構，其為了交接上述基板而將上述手部於水平面內進退驅動； <br/>至少2個引導件，其等設置於上述手部，夾持上述基板之外周面而使上述基板與上述手部分開地加以保持；及 <br/>進退驅動機構，其使上述至少2個引導件中之至少1個引導件作為可動引導件相對於上述基板進退驅動；且 <br/>上述手部對於保持上述基板之上述手部之形態， <br/>具備如下2種形態： <br/>上取，其於上述手部位於較上述基板靠上方、且上述手部與上述基板分開之狀態下，由上述引導件夾持上述基板之外周面；及 <br/>下取，其於上述手部位於較上述基板靠下方、且上述手部與上述基板分開之狀態下，由上述引導件夾持上述基板之外周面； <br/>上述手部之形態係根據基板之形狀、基板間之間隙資訊及處理部之種類中之至少任一者決定； <br/>上述基板的形狀係以下當中任一者： <br/>收容於可空開間隙地積層並收容複數片基板之載體之上述基板的形狀，或是 <br/>收容於供自載置上述載體之載體載置部搬出之基板於被搬入至上述處理部之前暫時放置之暫時載置部之上述基板的形狀； <br/>上述基板間之間隙資訊係載置於上述載體或上述暫時載置部之上述基板間之間隙資訊； <br/>上述處理部之種類係以下當中任一者： <br/>第1處理部，其搬入及搬出上述基板之上述手部之形態為上述上取， <br/>第2處理部，其搬入及搬出上述基板之上述手部之形態為上述下取， <br/>第3處理部，其搬入及搬出上述基板之上述手部之形態為上述上取與上述下取兩者。
如請求項1之基板搬送裝置，其具備： <br/>複數個上述手部；且 <br/>上述複數個手部中之至少1個上述手部係將上述引導件設置於上述手部之下表面之上取手部； <br/>上述複數個手部中之至少1個上述手部係將上述引導件設置於上述手部之上表面之下取手部。
如請求項2之基板搬送裝置，其中 <br/>上述上取手部與上述下取手部中之至少任一者之上述手部具備：使設置有上述引導件之上述手部之一面、與未設置上述引導件之上述手部之另一面反轉之反轉部。
如請求項1之基板搬送裝置，其中 <br/>上述手部係於上述手部之上表面與下表面兩面設置有上述引導件之雙面手部。
如請求項4之基板搬送裝置，其中 <br/>上述雙面手部具備使上述雙面手部之上述上表面與上述下表面反轉之反轉部。
如請求項1之基板搬送裝置，其中 <br/>上述手部於上述手部之上表面與下表面之任一者設置上述引導件，且 <br/>具備使設置有上述引導件之一面、與未設置上述引導件之另一面反轉之反轉部。
一種基板處理裝置，其特徵在於具備： <br/>如請求項1至6中任一項之基板搬送裝置； <br/>控制部，其控制上述基板搬送裝置； <br/>前述載體載置部； <br/>前述暫時載置部；及 <br/>前述處理部。
如請求項7之基板處理裝置，其中 <br/>上述控制部根據上述基板之形狀，對於插入至上述載體或上述暫時載置部之上述手部之形態，選擇上述上取或上述下取之任一者。
如請求項7之基板處理裝置，其中 <br/>上述控制部根據上述基板間之間隙資訊，對於插入至上述載體或上述暫時載置部之上述手部之形態，選擇上述上取或上述下取之任一者。
如請求項9之基板處理裝置，其中 <br/>上述基板間之間隙資訊係形成於上述載體或上述暫時載置部內之最上部之間隙資訊； <br/>上述控制部根據形成於上述載體或上述暫時載置部內之最上部之上述間隙資訊，對於插入至上述載體或上述暫時載置部之上述手部之形態，選擇上述上取或上述下取之任一者。
如請求項7之基板處理裝置，其中 <br/>上述處理部係上述第1處理部、上述第2處理部及上述第3處理部中之至少2種，且 <br/>上述控制部根據上述處理部之種類，選擇上述手部之形態。
如請求項7之基板處理裝置，其中 <br/>搬入及搬出基板時之上述手部之形態係上述上取或上述下取， <br/>上述控制部配合對上述處理部搬入基板時之上述手部之形態，變更自上述載體或上述暫時載置部搬出基板之上述手部之形態。
如請求項12之基板處理裝置，其中 <br/>上述控制部於將自上述載體搬出之基板暫時放置於上述暫時載置部之狀態下，配合對上述處理部搬入基板之上述手部之形態，變更自上述載體搬出基板之上述手部之形態。
如請求項13之基板處理裝置，其中 <br/>上述控制部將上述上取手部變更為上述下取手部，或將上述下取手部變更為上述上取手部。
如請求項13之基板處理裝置，其中 <br/>上述控制部將保持基板之面自上述上表面變更為上述下表面，或將保持基板之面自上述下表面變更為上述上表面。
如請求項12之基板處理裝置，其中 <br/>上述控制部於上述手部保持基板之狀態下，配合對上述處理部搬入基板之上述手部之形態，變更自上述載體或上述暫時載置部搬出基板之上述手部之形態。
如請求項16之基板處理裝置，其中 <br/>上述控制部藉由控制使設置有上述引導件之一面、與未設置上述引導件之另一面反轉之反轉部，變更上述手部之形態。
如請求項12之基板處理裝置，其中 <br/>上述控制部於自上述載體或上述暫時載置部搬出基板之上述手部之形態、與對上述處理部搬入基板之上述手部之形態相同之情形時，不進行上述變更。
如請求項7之基板處理裝置，其中 <br/>上述基板搬送裝置亦可將載置於上述載體之上述基板搬送至上述處理部與上述暫時載置部之任一者。
如請求項7之基板處理裝置，其中 <br/>上述基板搬送裝置將自上述載體搬出之上述基板搬入至上述暫時載置部。
如請求項7之基板處理裝置，其中 <br/>上述基板搬送裝置將自上述暫時載置部搬出之上述基板搬送至上述處理部。
一種抗CTLA4抗體或抗體片段，其係選自包含以下所述之抗體或抗體片段：<br/>(a) 具有SEQ ID NO: 7之胺基酸序列之輕鏈可變區及具有SEQ ID NO: 8之胺基酸序列之重鏈可變區；<br/>(b) 具有SEQ ID NO: 9之胺基酸序列之輕鏈可變區及具有SEQ ID NO: 10之胺基酸序列之重鏈可變區；<br/>(c) 具有SEQ ID NO: 11之胺基酸序列之輕鏈可變區及具有SEQ ID NO: 12之胺基酸序列之重鏈可變區；<br/>(d) 具有SEQ ID NO: 13之胺基酸序列之輕鏈可變區及具有SEQ ID NO: 14之胺基酸序列之重鏈可變區；<br/>(e) 具有SEQ ID NO: 15之胺基酸序列之輕鏈可變區及具有SEQ ID NO: 16之胺基酸序列之重鏈可變區；<br/>(f) 具有SEQ ID NO: 17之胺基酸序列之輕鏈可變區及具有SEQ ID NO: 18之胺基酸序列之重鏈可變區；<br/>(g) 具有SEQ ID NO: 19之胺基酸序列之輕鏈可變區及具有SEQ ID NO: 20之胺基酸序列之重鏈可變區；<br/>(h) 具有SEQ ID NO: 21之胺基酸序列之輕鏈可變區及具有SEQ ID NO: 22之胺基酸序列之重鏈可變區；<br/>(i) 具有SEQ ID NO: 23之胺基酸序列之輕鏈可變區及具有SEQ ID NO: 24之胺基酸序列之重鏈可變區；<br/>(j) 具有SEQ ID NO: 25之胺基酸序列之輕鏈可變區及具有SEQ ID NO: 26之胺基酸序列之重鏈可變區；<br/>(k) 具有SEQ ID NO: 27之胺基酸序列之輕鏈可變區及具有SEQ ID NO: 28之胺基酸序列之重鏈可變區；<br/>(l) 具有SEQ ID NO: 29之胺基酸序列之輕鏈可變區及具有SEQ ID NO: 30之胺基酸序列之重鏈可變區；<br/>(m) 具有SEQ ID NO: 31之胺基酸序列之輕鏈可變區及具有SEQ ID NO: 32之胺基酸序列之重鏈可變區；<br/>(n) 具有SEQ ID NO: 33之胺基酸序列之輕鏈可變區及具有SEQ ID NO: 34之胺基酸序列之重鏈可變區；<br/>(o) 具有SEQ ID NO: 35之胺基酸序列之輕鏈可變區及具有SEQ ID NO: 36之胺基酸序列之重鏈可變區；及<br/>(p) 具有SEQ ID NO: 37之胺基酸序列之輕鏈可變區及具有SEQ ID NO: 38之胺基酸序列之重鏈可變區；
如請求項1之抗CTLA4抗體或抗體片段，其包含具有SEQ ID NO: 7之胺基酸序列之輕鏈可變區及具有SEQ ID NO: 8之胺基酸序列之重鏈可變區。
如請求項1之抗CTLA4抗體或抗體片段，其包含具有SEQ ID NO: 9之胺基酸序列之輕鏈可變區及具有SEQ ID NO: 10之胺基酸序列之重鏈可變區。
如請求項1之抗CTLA4抗體或抗體片段，其包含具有SEQ ID NO: 11之胺基酸序列之輕鏈可變區及具有SEQ ID NO: 12之胺基酸序列之重鏈可變區。
如請求項1之抗CTLA4抗體或抗體片段，其包含具有SEQ ID NO: 13之胺基酸序列之輕鏈可變區及具有SEQ ID NO: 14之胺基酸序列之重鏈可變區。
如請求項1之抗CTLA4抗體或抗體片段，其包含具有SEQ ID NO: 15之胺基酸序列之輕鏈可變區及具有SEQ ID NO: 16之胺基酸序列之重鏈可變區。
如請求項1之抗CTLA4抗體或抗體片段，其包含具有SEQ ID NO: 17之胺基酸序列之輕鏈可變區及具有SEQ ID NO: 18之胺基酸序列之重鏈可變區。
如請求項1之抗CTLA4抗體或抗體片段，其包含具有SEQ ID NO: 19之胺基酸序列之輕鏈可變區及具有SEQ ID NO: 20之胺基酸序列之重鏈可變區。
如請求項1之抗CTLA4抗體或抗體片段，其包含具有SEQ ID NO: 21之胺基酸序列之輕鏈可變區及具有SEQ ID NO: 22之胺基酸序列之重鏈可變區。
如請求項1之抗CTLA4抗體或抗體片段，其包含具有SEQ ID NO: 23之胺基酸序列之輕鏈可變區及具有SEQ ID NO: 24之胺基酸序列之重鏈可變區。
如請求項1之抗CTLA4抗體或抗體片段，其包含具有SEQ ID NO: 25之胺基酸序列之輕鏈可變區及具有SEQ ID NO: 26之胺基酸序列之重鏈可變區。
如請求項1之抗CTLA4抗體或抗體片段，其包含具有SEQ ID NO: 27之胺基酸序列之輕鏈可變區及具有SEQ ID NO: 28之胺基酸序列之重鏈可變區。
如請求項1之抗CTLA4抗體或抗體片段，其包含具有SEQ ID NO: 29之胺基酸序列之輕鏈可變區及具有SEQ ID NO: 30之胺基酸序列之重鏈可變區。
如請求項1之抗CTLA4抗體或抗體片段，其包含具有SEQ ID NO: 31之胺基酸序列之輕鏈可變區及具有SEQ ID NO: 32之胺基酸序列之重鏈可變區。
如請求項1之抗CTLA4抗體或抗體片段，其包含具有SEQ ID NO: 33之胺基酸序列之輕鏈可變區及具有SEQ ID NO: 34之胺基酸序列之重鏈可變區。
如請求項1之抗CTLA4抗體或抗體片段，其包含具有SEQ ID NO: 35之胺基酸序列之輕鏈可變區及具有SEQ ID NO: 36之胺基酸序列之重鏈可變區。
如請求項1之抗CTLA4抗體或抗體片段，其包含具有SEQ ID NO: 37之胺基酸序列之輕鏈可變區及具有SEQ ID NO: 38之胺基酸序列之重鏈可變區。
如請求項1至17中任一項之抗CTLA4抗體或抗體片段，其中該抗CTLA4抗體或抗體片段在腫瘤微環境中之條件值下與CTLA4蛋白質之結合親和力與在非腫瘤微環境中之該相同條件之不同值下與CTLA4蛋白質之結合親和力之比率係至少1.5:1、至少2:1、至少3:1、至少4:1、至少5:1、至少6:1、至少7:1、至少8:1、至少9:1、至少10:1或至少20:1。
如請求項1至17中任一項之抗CTLA4抗體或抗體片段，其中該抗CTLA4抗體或抗體片段係嵌合抗體、多特異性抗體或人類化抗體。
一種免疫結合物，其包含如請求項1至19中任一項之抗CTLA4抗體或抗體片段。
如請求項20之免疫結合物，其中該免疫結合物包含選自化學治療劑、放射性原子、細胞生長抑制劑及細胞毒性劑之至少一種藥劑。
如請求項21之免疫結合物，其中該抗CTLA4抗體或抗體片段及該至少一種藥劑共價鍵結至連接子分子，且該至少一種藥劑係選自類美登素(maytansinoid)、奧瑞他汀(auristatin)、海兔毒素(dolastatin)、卡奇黴素(calicheamicin)、吡咯并苯并二氮呯(pyrrolobenzodiazepine)及蒽環黴素(anthracycline)。
一種醫藥組合物，其包含：<br/>如請求項1至19中任一項之抗CTLA4抗體或抗體片段或如請求項20至22中任一項之免疫結合物；及<br/>醫藥學上可接受之載劑。
如請求項23之醫藥組合物，其進一步包含張力劑。
一種單次劑量醫藥組合物，其包含量在以下範圍內之如請求項1至19中任一項之抗CTLA4抗體或抗體片段或如請求項20至22中任一項之免疫結合物：135 mg-235 mg、235 mg-335 mg、335 mg-435 mg、435 mg-535 mg、535 mg-635 mg、635 mg-735 mg、735 mg-835 mg、835 mg-935 mg、935 mg-1035 mg、1035 mg-1135 mg、1135 mg-1235 mg或1235 mg-1387 mg。
如請求項23之醫藥組合物，其進一步包含不同於該抗CTLA4抗體或抗體片段的免疫檢查點抑制劑分子。
如請求項26之醫藥組合物，其中該免疫檢查點抑制劑分子係針對免疫檢查點之抗體或抗體片段。
如請求項27之醫藥組合物，其中該免疫檢查點係選自LAG3、TIM3、TIGIT、VISTA、BTLA、OX40、CD40、4-1BB、PD-1、PD-L1、GITR、B7-H3、B7-H4、KIR、A2aR、CD27、CD70、DR3及ICOS。
如請求項27之醫藥組合物，其中該免疫檢查點係PD1或PD-L1。
如請求項23及26至29中任一項之醫藥組合物，其進一步包含針對選自以下之抗原的抗體或抗體片段：PD-1、PD-L1、AXL、ROR2、CD3、HER2、B7-H3、ROR1、SFRP4及WNT蛋白質。
如請求項30之醫藥組合物，其中該WNT蛋白質係選自WNT1、WNT2、WNT2B、WNT3、WNT4、WNT5A、WNT5B、WNT6、WNT7A、WNT7B、WNT8A、WNT8B、WNT9A、WNT9B、WNT10A、WNT10B、WNT11及WNT16。
一種非對稱型鋼的成形設備，包括： 一生產線，具有： <br/>一底座，朝一第一方向延伸； <br/>一第一車壁及一第二車壁，該第一、第二車壁能相靠近或遠離活動地設置於該底座； <br/>一第一車壁驅動組，連接該第一車壁； <br/>一第二車壁驅動組，連接該第二車壁； <br/>多個型鋼成形組，沿著該第一方向設置於該底座上，並且連接該第一車壁和該第二車壁；其中，該些型鋼成形組係於該第一車壁和該第二車壁之間形成一成形空間，且該成形空間係供沿該第一方向輸送的一鋼板成形通過； <br/>一工業電腦，用以控制該生產線，且具有： <br/>一記憶體，存有一程控參數表；其中，該程控參數表包括有複數第一車壁參數和複數第二車壁參數； <br/>一處理器，電連接該記憶體，且通訊連接該第一車壁驅動組和第二車壁驅動組；其中，該處理器根據該記憶體所存有該程控參數表中的該些第一車壁參數驅動該第一車壁驅動組以一第一行程移動和根據該些第二車壁參數驅動該第二車壁驅動組以一第二行程移動，以分別獨立驅動該第一車壁驅動組和該第二車壁驅動組而改變供該鋼板成形通過的該成形空間，藉以將通過該成形空間的該鋼板加工為一非對稱型鋼；其中，該第一行程和該第二行程不相同。
如請求項1所述之非對稱型鋼的成形設備，其中，該工業電腦進一步具有： <br/>一人機介面，電連接該處理器，供顯示該程控參數表；其中，該人機介面為一觸控螢幕，當該人機介面產生一修改參數指令至該處理器時，該處理器即根據該修改參數指令更新該程控參數表中的一參數數值。
如請求項2所述之非對稱型鋼的成形設備，進一步包括有： <br/>一感測器，通訊連接該處理器，且用於感測該第一車壁驅動組和該第二車壁驅動組的移動，並據以產生一感測訊號； <br/>其中，當該處理器根據該程控參數表驅動該第一車壁驅動組和該第二車壁驅動組移動時，該處理器係接收該感測器產生的該感測訊號，並據以判斷該第一車壁驅動組和該第二車壁驅動組是否如期根據該程控參數表受到驅動； <br/>當該第一車壁驅動組或是該第二車壁驅動組未如期根據該程控參數表受到驅動時，該處理器即產生一異常訊息，將該異常訊息記錄於該記憶體中，且控制該人機介面根據該異常訊息顯示一異常通知； <br/>當該第一車壁驅動組和該第二車壁驅動組皆如期根據該程控參數表受到驅動時，該處理器即產生一正常訊息，將該正常訊息記錄於該記憶體中。
如請求項3所述之非對稱型鋼的成形設備，其中，該工業電腦進一步具有： <br/>一蜂鳴器，電連接該處理器；其中，當該處理器產生該異常訊息時，該處理器控制該蜂鳴器根據該異常訊息產生一警示聲音。
如請求項3所述之非對稱型鋼的成形設備，其中，當該處理器產生該異常訊息或是該正常訊息時，該處理器係根據一現在時間產生對應該異常訊息或是該正常訊息的一時間戳； <br/>其中，當該人機介面產生一產生報表指令至該處理器時，該處理器根據該產生報表指令產生一報表，且控制該人機介面顯示該報表，以於顯示的該報表中呈現該異常訊息或是該正常訊息，以及對應該異常訊息或是該正常訊息的該時間戳。
如請求項1所述之非對稱型鋼的成形設備，其中，該工業電腦進一步具有： <br/>一通訊介面，電連接該處理器，且網路通訊連接一外部裝置； <br/>其中，當該處理器透過該通訊介面接收來自於該外部裝置的一修改參數指令時，該處理器即根據該修改參數指令更新該程控參數表中的一參數數值； <br/>其中，當該處理器透過該通訊介面接收來自於該外部裝置的一調閱資料指定時，該處理器根據該調閱資料指定調閱該記憶體中所存有該程控參數表中的該參數數值。
如請求項1所述之非對稱型鋼的成形設備，其中，該工業電腦的該記憶體係存有一訂單資料，該訂單資料為透過xlsx檔匯入至該記憶體中，且該訂單資料包括了前述該記憶體中所存有的該程控參數表以及一數量資訊、一形式資訊和一尺寸資訊； <br/>其中，該處理器根據該程控參數表的該數量資訊、該形式資訊和該尺寸資訊估算完成生產的一預估時間； <br/>其中，該處理器於根據該訂單資料生產時，產生一生產進度資訊，且將該生產進度資訊更新存於該記憶體中，而當該處理器根據該生產進度資訊判斷該程控參數表控制該生產線完成生產時，該處理器根據一中央系統時間產生一記錄檔，且將該記錄檔存入該記憶體中。
如請求項1至7中任一項所述之非對稱型鋼的成形設備，其中，各所述車壁包括有能沿著設於該底座之一滑軌活動的至少一滑座，使該第一車壁和該第二車壁能活動地設於該底座。
如請求項8所述之非對稱型鋼的成形設備，其中，各所述車壁驅動組包括一螺桿固定座、能轉動地設於該螺桿固定座的一螺桿、螺設於該螺桿且能沿著該螺桿活動一傳動座，以及與該螺桿相連結而能驅動該螺桿旋轉的一傳動裝置；該第一車壁驅動組和該第二車壁驅動組的所述傳動座分別設於該第一車壁和該第二車壁。
一種快閃記憶體，包括： 複數個主動區，在一基底之上；<br/> 一第一隔離層，圍繞該等主動區的多個下部；<br/> 複數個閘極堆疊，橫跨該等主動區；以及<br/> 一第二隔離層，圍繞該等主動區的多個上部，且位於該第一隔離層上方，其中一氣隙位於該第二隔離層中，且該氣隙包含位於該等閘極堆疊中的一第一閘極堆疊與一第二閘極堆疊之間的一第一部分、以及位於該等主動區中的一第一主動區與一第二主動區之間的一第二部分；<br/> 一第三隔離層，圍繞該等主動區的該等上部與該等下部之間的多個中部，其中該第三隔離層的一摻雜濃度高於該第一隔離層的一摻雜濃度。
如請求項1所述之快閃記憶體，其中該氣隙的該第一部分與該第二部分被該第二隔離層密封。
如請求項1所述之快閃記憶體，其中該第三隔離層摻雜磷、硼或前述之組合。
如請求項1所述之快閃記憶體，其中該氣隙的該第二部分延伸到該第一閘極堆疊和該第二閘極堆疊的正下方。
如請求項1所述之快閃記憶體，其中該氣隙的該第一部分的一頂端高於該等閘極堆疊的多個頂面。
如請求項1所述之快閃記憶體，其中該氣隙的該第二部分連續地延伸於該等閘極堆疊的下方。
如請求項1所述之快閃記憶體，其中該第二隔離層包含延伸到該等閘極堆疊下方的一部分。
如請求項1所述之快閃記憶體，其中該氣隙包含位於一第三主動區和該第二主動區之間的一第三部分，且該氣隙的該第一部分連接該氣隙的該第二部分和該第三部分。
如請求項1所述之快閃記憶體，其中該等閘極堆疊的每一個包含一浮置閘極和位於該浮置閘極之上的一控制閘極。
一種快閃記憶體的形成方法，包括：<br/> 形成一隔離層以圍繞複數個主動區；<br/> 形成複數個閘極堆疊橫跨該等主動區和該隔離層；<br/> 植入一摻雜物至該隔離層的一上部中，以形成一摻雜隔離層，並形成一第一隔離層，圍繞該等主動區的多個下部；<br/> 部分凹蝕該摻雜隔離層；以及<br/> 形成一第二隔離層於該等閘極堆疊、該等主動區和該摻雜隔離層之上，並圍繞該等主動區的多個上部，且位於該第一隔離層上方，<br/> 其中該摻雜隔離層圍繞該等主動區的該等上部與該等下部之間的多個中部，其中該摻雜隔離層的一摻雜濃度高於該第一隔離層的一摻雜濃度。
如請求項10所述之快閃記憶體的形成方法，更包括：<br/> 在植入該摻雜物至該隔離層的該上部中之後且在部分凹蝕該摻雜隔離層之前，對該摻雜隔離層進行一退火製程。
如請求項10所述之快閃記憶體的形成方法，其中形成該等閘極堆疊橫跨該等主動區和該隔離層的步驟包括：<br/> 依序沉積一閘極間介電層、一半導體層和一導電層；以及<br/> 蝕刻該閘極間介電層、該半導體層、該導電層並且凹蝕該隔離層。
如請求項10所述之快閃記憶體的形成方法，其中該隔離層具有位於該等閘極堆疊之間的複數個凹陷，且部分凹蝕該摻雜隔離層的步驟包括：擴大該等凹陷，使得該等凹陷彼此連接以形成一溝槽。
如請求項13所述之快閃記憶體的形成方法，其中該第二隔離層密封該溝槽以形成複數個氣隙。
如請求項10所述之快閃記憶體的形成方法，其中該摻雜物包含磷、硼或前述之組合。
一種搬送機器手臂，包含： <br/>容器構件；以及 <br/>手臂機構，連結複數個手臂構件； <br/>該手臂機構其中一端的該手臂構件，可以被該容器構件以旋轉的方式支持，該手臂機構另外一端的該手臂構件，連接保持基板的機械手； <br/>該搬送機器手臂包含： <br/>供給路徑，將非活性氣體從該手臂構件側，提供給該機械手連接的該手臂構件的內部空間；以及 <br/>送出口，設置於與該手臂構件的內部空間連通的該容器構件的內部空間，將該容器構件的內部空間或該手臂構件的內部空間的氣體排出； <br/>該手臂構件的內部空間的該非活性氣體的供給、排氣，分別擁有各自的流路。
如請求項1之搬送機器手臂， <br/>其中，該手臂構件以流出口連接，該流出口與該手臂構件的內部空間或該容器構件的內部空間連通。
如請求項1或2之搬送機器手臂， <br/>其中，該供給路徑包含可撓性的配管，配置於該搬送機器手臂內。
一種EFEM，包含：搬送室，藉由除去灰塵的風扇過濾單元而清淨化的非活性氣體，在特定方向流動、以及返還路徑，讓該非活性氣體從該搬送室的該特定方向的下游側，回到該風扇過濾單元，以此結構讓該非活性氣體保持循環，該EFEM包含： <br/>搬送機器手臂，配置於該搬送室內，在保持基板的狀態下進行特定的動作； <br/>該搬送機器手臂包含： <br/>容器構件；以及 <br/>手臂機構，連結複數個手臂構件； <br/>該手臂機構其中一端的該手臂構件，可以被該容器構件以旋轉的方式支持，該手臂機構另外一端的該手臂構件，連接保持該基板的機械手； <br/>該搬送機器手臂包含： <br/>供給路徑，將該非活性氣體從該手臂構件側，提供給該機械手連接的該手臂構件的內部空間； <br/>送出口，設置於與該手臂構件的內部空間連通的該容器構件的內部空間，將該容器構件的內部空間或該手臂構件的內部空間的氣體排出；以及 <br/>連接路徑，連接該容器構件與該返還路徑； <br/>該手臂構件的內部空間的該非活性氣體的供給、排氣，分別擁有各自的流路。
如請求項4之EFEM， <br/>其中，該搬送機器手臂取決於該搬送室的氧濃度，提供／停止提供該非活性氣體給該供給路徑。
一種由以下化學式1表示之化合物或其醫藥學上可接受之鹽， <br/>[化學式1] <br/><img align="absmiddle" height="62px" width="103px" file="ed10036.jpg" alt="ed10036.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>在化學式1中， <br/>X為CH或N， <br/>Y為O或S， <br/>Z<sub>1</sub>及Z<sub>2</sub>各自獨立地為N或CH，其限制條件為Z<sub>1</sub>及Z<sub>2</sub>中之至少一者為N， <br/>Z<sub>3</sub>為O或S， <br/>R<sub>1</sub>為C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>3-6</sub>環烷基、C<sub>1-4</sub>鹵烷基或鹵素， <br/>R<sub>2</sub>為C<sub>1-4</sub>鹵烷基， <br/>R<sub>3</sub>為氫、C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>3-6</sub>環烷基或鹵素， <br/>L為含有一或兩個氮之5員或6員雜芳環的二價連接基團，其未經取代或經C<sub>1-4</sub>烷基、鹵素、C<sub>1-4</sub>鹵烷基、C<sub>1-4</sub>鹵烷氧基、C<sub>1-4</sub>烷氧基、羥基或胺基取代；且 <br/>R<sub>4</sub>為氫；甲基；甲磺醯基甲基；乙炔基；甲氧基；環丙基；環戊基，其未經取代或經甲氧基取代；溴；氯；胺基；N-𠰌啉基；N-𠰌啉基羰基；氮雜環丁烷基、哌啶基或吡咯啶基，其未經取代或經羥基、甲基、乙醯基、環丙烷羰基或甲磺醯基取代；四氫呋喃基；四氫哌喃基；(四氫呋喃基)甲基；(四氫呋喃基)氧基；1-(胺基羰基)乙-1-基；1-側氧基異吲哚啉基；2-氮雜雙環[2.2.1]庚-7-基；2-氧雜-6-氮雜螺[3.3]庚-6-基；4-氧雜螺[2.4]庚-6-基；或5-側氧基吡咯啶基。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中 <br/>R<sub>1</sub>為甲基、環丙基、三氟甲基或氯。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中 <br/>R<sub>2</sub>為三氟甲基。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中 <br/>R<sub>3</sub>為氫、甲基、環丙基、氟或氯。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中 <br/>L為選自由以下組成之群的二價連接基團：1-甲基-1H-吡唑、咪唑、吡𠯤、吡唑、嗒𠯤、吡啶-2(1H)-酮、吡啶、嘧啶及吡咯。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中 <br/>R<sub>4</sub>為氫；甲氧基；環丙基；環戊基，其未經取代或經甲氧基取代；溴；氯；胺基；N-𠰌啉基；哌啶基或吡咯啶基，其未經取代或經羥基、甲基、乙醯基、環丙烷羰基或甲磺醯基取代；四氫呋喃基；或四氫哌喃基。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中 <br/>該化學式1由以下化學式2表示： <br/>[化學式2] <br/><img align="absmiddle" height="62px" width="105px" file="ed10038.jpg" alt="ed10038.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>在化學式2中， <br/>Y為O或S， <br/>Z<sub>1</sub>及Z<sub>2</sub>各自獨立地為N或CH，其限制條件為Z<sub>1</sub>及Z<sub>2</sub>中之至少一者為N， <br/>Z<sub>3</sub>為O或S， <br/>L為含有一或兩個氮之5員或6員雜芳環，且 <br/>R<sub>4</sub>為氫；C<sub>1-4</sub>烷氧基；C<sub>3-6</sub>環烷基；鹵素；胺基；N-𠰌啉基；含有一個氮之4員、5員或6員雜環烷基，其未經取代或經C<sub>1-4</sub>烷基或(C<sub>1-4</sub>烷基)羰基取代；或含有一個氧之5員或6員雜環烷基。
如請求項7之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中 <br/>L為吡𠯤、嗒𠯤、吡啶或嘧啶。
如請求項7之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中 <br/>R<sub>4</sub>為氫；甲氧基；環丙基；環戊基；溴；氯；胺基；N-𠰌啉基；哌啶基；吡咯啶基；甲基吡咯啶基；乙醯基吡咯啶基；四氫呋喃基；或四氫哌喃基。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中 <br/>1） 2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-(4-氟苯基)-N-((5-(吡啶-3-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)乙醯胺， <br/>2） 2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-(4-氟苯基)-N-((5-(6-甲氧基嗒𠯤-3-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)乙醯胺， <br/>3） 2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-(4-氟苯基)-N-((5-(6-(N-𠰌啉基)嗒𠯤-3-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)乙醯胺， <br/>4） N-((5-(6-胺基嗒𠯤-3-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)-2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-(4-氟苯基)乙醯胺， <br/>5） 2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-(4-氟苯基)-N-((5-(6-(吡咯啶-3-基)嗒𠯤-3-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)乙醯胺， <br/>6） 2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-(4-氟苯基)-N-((5-(5-(吡咯啶-3-基)吡啶-2-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)乙醯胺， <br/>7） 2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-(4-氟苯基)-N-((5-(6-(哌啶-4-基)嗒𠯤-3-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)乙醯胺， <br/>8） 2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-(4-氟苯基)-N-((5-(6-(哌啶-3-基)嗒𠯤-3-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)乙醯胺， <br/>9） 2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-(4-氟苯基)-N-((5-(5-(吡咯啶-3-基)吡𠯤-2-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)乙醯胺， <br/>10） 2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-(4-氟苯基)-N-((5-(5-(吡咯啶-3-基)嘧啶-2-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)乙醯胺， <br/>11） 2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-(4-氟苯基)-N-((5-(6-(吡咯啶-3-基)嗒𠯤-3-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)硫代乙醯胺， <br/>12） 2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-(4-氟苯基)-N-((5-(5-(1-甲基吡咯啶-3-基)吡啶-2-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)乙醯胺， <br/>13） 3-(6-(5-((2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-(4-氟苯基)乙醯胺基)甲基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)吡啶-3-基)-1,1-二甲基吡咯啶鎓， <br/>14） 2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-((5-(5-環戊基吡啶-2-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)-N-(4-氟苯基)乙醯胺， <br/>15） 2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-(4-氟苯基)-N-((5-(5-(四氫呋喃-3-基)吡啶-2-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)乙醯胺， <br/>16） N-((5-(5-(1-乙醯基吡咯啶-3-基)吡啶-2-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)-2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-(4-氟苯基)乙醯胺， <br/>17） 2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-((5-(5-氯嘧啶-2-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)-N-(4-氟苯基)乙醯胺， <br/>18） 2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-((5-(5-溴嘧啶-2-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)-N-(4-氟苯基)乙醯胺， <br/>19） 2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-(4-氟苯基)-N-((5-(5-(四氫呋喃-3-基)吡啶-2-基)-1,3,4-噻二唑-2-基)甲基)乙醯胺， <br/>20） 2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-(4-氟苯基)-N-((5-(5-(四氫-2H-哌喃-3-基)嘧啶-2-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)乙醯胺， <br/>21） 2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-(4-氟苯基)-N-((5-(6-(1-甲基吡咯啶-3-基)嗒𠯤-3-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)乙醯胺， <br/>22） 2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-((5-(5-環丙基嘧啶-2-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)-N-(4-氟苯基)乙醯胺， <br/>23） 2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-(4-氟苯基)-N-((5-(5-(四氫呋喃-3-基)嘧啶-2-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)乙醯胺， <br/>24） N-((5-(5-胺基嘧啶-2-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)-2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-(4-氟苯基)乙醯胺， <br/>25） N-((5-(5-胺基吡𠯤-2-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)-2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-(4-氟苯基)乙醯胺， <br/>26） 2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-((5-(5-氯嘧啶-2-基)㗁唑-2-基)甲基)-N-(4-氟苯基)乙醯胺， <br/>27） 2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-((2-(5-氯嘧啶-2-基)㗁唑-5-基)甲基)-N-(4-氟苯基)乙醯胺， <br/>28） N-((5-(5-胺基吡𠯤-2-基)-1,3,4-噻二唑-2-基)甲基)-2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-(4-氟苯基)乙醯胺， <br/>29） 2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-((5-(5-(1-(環丙烷羰基)吡咯啶-3-基)嘧啶-2-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)-N-(4-氟苯基)乙醯胺， <br/>30） 2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-(4-氟苯基)-N-((5-(5-(1-(甲磺醯基)吡咯啶-3-基)嘧啶-2-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)乙醯胺， <br/>31） 2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-(4-氟苯基)-N-((5-(5-(3-羥基環戊基)嘧啶-2-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)乙醯胺， <br/>32） N-((5-(5-(2-氮雜雙環[2.2.1]庚-7-基)嘧啶-2-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)-2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-(4-氟苯基)乙醯胺， <br/>33） 2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-(4-氟苯基)-N-((5-(5-(5-側氧基吡咯啶-3-基)嘧啶-2-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)乙醯胺， <br/>34） N-((5-(5-(4-氧雜螺[2.4]庚-6-基)嘧啶-2-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)-2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-(4-氟苯基)乙醯胺， <br/>35） 2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-(4-氟苯基)-N-((5-(5-((四氫呋喃-3-基)甲基)嘧啶-2-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)乙醯胺， <br/>36） 2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-(4-氟苯基)-N-((5-(5-(四氫呋喃-3-基氧基)嘧啶-2-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)乙醯胺， <br/>37） 2-(3,5-雙(三氟甲基)吡啶-2-基)-N-(4-氟苯基)-N-((5-(吡啶-3-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)乙醯胺， <br/>38） 2-(3,5-雙(三氟甲基)吡啶-2-基)-N-苯基-N-((5-(吡啶-3-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)乙醯胺， <br/>39） 2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-(4-氟苯基)-N-((5-(5-(𠰌啉-4-羰基)嘧啶-2-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)乙醯胺， <br/>40） 2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-(4-氟苯基)-N-((5-(1-甲基-1H-吡唑-3-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)乙醯胺， <br/>41） N-((5-(1H-吡咯-3-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)-2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-(4-氟苯基)乙醯胺， <br/>42） 2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-(4-氟苯基)-N-((5-(1-(四氫呋喃-3-基)-1H-吡唑-3-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)乙醯胺， <br/>43） 2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-(4-氟苯基)-N-((5-(1-((四氫呋喃-3-基)甲基)-1H-吡唑-3-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)乙醯胺， <br/>44） N-((5-(1-(氮雜環丁-3-基)-1H-吡唑-4-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)-2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-(4-氟苯基)乙醯胺， <br/>45） 2-(4-(5-((2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-(4-氟苯基)乙醯胺基)甲基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)-1H-吡唑-1-基)丙醯胺， <br/>46） 2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-(4-氟苯基)-N-((5-(1-(甲磺醯基甲基)-1H-吡唑-4-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)乙醯胺， <br/>47） N-((5-(3-胺基-1-甲基-1H-吡唑-5-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)-2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-(4-氟苯基)乙醯胺， <br/>48） 2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-(4-氟苯基)-N-((5-(1-甲基-1H-咪唑-5-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)乙醯胺， <br/>49） 2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-(4-氟苯基)-N-((5-(6-側氧基-1,6-二氫吡啶-2-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)乙醯胺， <br/>50） 2-(4-氯-2-(三氟甲基)苯基)-N-((5-(5-氯嘧啶-2-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)-N-(4-氟苯基)乙醯胺， <br/>51） 2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-(4-氯苯基)-N-((5-(5-氯嘧啶-2-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)乙醯胺， <br/>52） N-((5-(5-氯嘧啶-2-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)-N-(4-氟苯基)-2-(4-甲基-2-(三氟甲基)苯基)乙醯胺， <br/>53） N-((5-(5-氯嘧啶-2-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)-2-(4-環丙基-2-(三氟甲基)苯基)-N-(4-氟苯基)乙醯胺， <br/>54） 2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-((5-(5-氯嘧啶-2-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)-N-對甲苯基乙醯胺， <br/>55） 2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-((5-(5-氯嘧啶-2-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)-N-(4-環丙基苯基)乙醯胺， <br/>56） N-((5-(5-(2-氧雜-6-氮雜螺[3.3]庚-6-基)嘧啶-2-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)-2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-(4-氟苯基)乙醯胺， <br/>57） 2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-(4-氟苯基)-N-((5-(5-(1-側氧基異吲哚啉-2-基)嘧啶-2-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)乙醯胺， <br/>63） 2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-((5-(5-乙炔基吡啶-2-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)-N-(4-氟苯基)乙醯胺， <br/>64） 2-[2,4-雙(三氟甲基)苯基]-N-(4-氟苯基)-N-({5-[5-(3-甲氧基環戊基)嘧啶-2-基]-1,3,4-㗁二唑-2-基}甲基)乙醯胺， <br/>65） 2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-(4-氟苯基)-N-((5-(2-側氧基-1,2-二氫吡啶-3-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基)甲基)乙醯胺， <br/>66） 2-[2,4-雙(三氟甲基)苯基]-N-(4-氟苯基)-N-{[5-(2-甲氧基吡啶-3-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基]甲基}乙醯胺， <br/>67） 2-[2,4-雙(三氟甲基)苯基]-N-{[5-(5-氯吡𠯤-2-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基]甲基}-N-(4-氟苯基)乙醯胺， <br/>68） 2-[2,4-雙(三氟甲基)苯基]-N-(4-氟苯基)-N-{[5-(6-甲氧基吡啶-2-基)-1,3,4-㗁二唑-2-基]甲基}乙醯胺，及 <br/>69） 2-(2,4-雙(三氟甲基)苯基)-N-((2-(5-氯吡啶-2-基)㗁唑-5-基)甲基)-N-(4-氟苯基)乙醯胺。
一種用於治療癌症之醫藥組成物，其包含如請求項1至10中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽。
一種具有組態穩定機制的網路組態更新方法，應用於一網狀網路系統中，包含： <br/>使複數節點裝置中的每一者做為一第一節點裝置，以使該第一節點裝置設置一網路組態資訊，該網路組態資訊包含該第一節點裝置的一父節點裝置的一父節點識別資訊、該第一節點裝置在儲存的一協助表中所記錄的至少一子節點裝置的一子節點識別資訊、一長度資訊以及一組態資訊識別碼，進一步廣播包含該網路組態資訊的一廣播訊號； <br/>使該複數節點裝置中的每一者做為一第二節點裝置，接收任一其他該等節點裝置做為該第一節點裝置所廣播的該廣播訊號，並根據該組態資訊識別碼判斷該廣播訊號包含該網路組態資訊，並依該長度資訊判斷該子節點識別資訊的一起始位置，進一步擷取該父節點識別資訊以及該子節點識別資訊；以及 <br/>使該第二節點裝置根據該父節點識別資訊以及該子節點識別資訊更新儲存的該協助表。
如請求項1所述之網路組態更新方法，其中該父節點識別資訊為該父節點裝置的一父節點媒體存取控制（media access control；MAC）位址或由該父節點媒體存取控制位址計算產生，該子節點識別資訊為該子節點裝置的一子節點媒體存取控制位址或由該子節點媒體存取控制位址計算產生。
如請求項1所述之網路組態更新方法，其中該組態資訊識別碼為具有一固定長度以及一固定內容的一字串。
如請求項1所述之網路組態更新方法，其中該網路組態資訊設置於該廣播訊號最末端的一框校驗序列（frame check sequence；FCS）前的一資訊單元（information element；IE）中。
如請求項1所述之網路組態更新方法，其中該廣播訊號為一信標（beacon）訊號、不包含與該網路組態資訊無關的複數其他資訊單元的一部分信標（partial beacon）訊號或一探測回應（probe response）訊號。
如請求項1所述之網路組態更新方法，其中該長度資訊指示該子節點識別資訊的一子節點識別資訊長度，或該子節點識別資訊長度與在該子節點識別資訊之前包含該父節點識別資訊的一固定長度資訊的一固定長度的一總和。
如請求項1所述之網路組態更新方法，其中該固定長度資訊更包含與該網狀網路系統相連接的一存取點裝置所具有，並設置於該父節點識別資訊前的一基本服務集識別碼（basic service set identifier；BSSID）。
如請求項1所述之網路組態更新方法，更包含： <br/>由該第二節點裝置根據該網路組態資訊的該父節點識別資訊判斷該第一節點裝置的該父節點裝置為該第二節點裝置或該第一節點裝置的該父節點裝置記錄在該第二節點裝置的該協助表中； <br/>由該第二節點裝置根據該網路組態資訊的該子節點識別資訊判斷該第一節點裝置的該至少一子節點裝置記錄在該第二節點裝置的該協助表中，以更新該協助表中對應該至少一子節點裝置的一時間戳； <br/>由該第二節點裝置根據該網路組態資訊的該子節點識別資訊判斷該第一節點裝置的該至少一子節點裝置並未記錄在該第二節點裝置的該協助表中，以在該第二節點裝置仍具有足夠的一可協助子節點數量時，將該至少一子節點記錄在該第二節點裝置的該協助表中； <br/>由該第二節點裝置根據該網路組態資訊的該子節點識別資訊判斷該第一節點裝置的該至少一子節點裝置並未記錄在該第二節點裝置的該協助表中，以在該第二節點裝置不具有足夠的該可協助子節點數量時，不將該至少一子節點記錄在該第二節點裝置的該協助表中；以及 <br/>由該第二節點裝置判斷該第二節點裝置的該協助表中存在該時間戳的一未更新時間超過一門檻值的至少一未更新子節點，以將該至少一未更新子節點自該第二節點裝置的該協助表移除。
如請求項1所述之網路組態更新方法，更包含： <br/>由該第二節點裝置根據該廣播訊號更包含的一第一節點辨識資訊判斷該第一節點裝置為該第二節點裝置的該父節點裝置； <br/>由該第二節點裝置判斷該網路組態資訊不包含對應該第二節點裝置的該子節點識別資訊，以累計一節點未命中計數值，並在該節點未命中計數值超過一節點未命中門檻值時進行一父節點更換程序； <br/>由該第二節點裝置判斷該網路組態資訊包含對應該第二節點裝置的該子節點識別資訊，以重置該節點未命中計數值； <br/>由該第二節點裝置判斷該網路組態資訊包含對應該第二節點裝置的至少一子節點裝置的該子節點識別資訊，以重置一子節點未命中計數值；以及 <br/>由該第二節點裝置判斷該網路組態資訊不包含對應該第二節點裝置的至少一子節點裝置的該子節點識別資訊，以累計該子節點未命中計數值，並在該子節點未命中計數值超過一子節點未命中門檻值時將該第二節點裝置的該至少一子節點裝置自該第二節點裝置的該協助表移除。
如請求項1所述之網路組態更新方法，其中該網路組態資訊更包含該第一節點裝置的一可協助子節點數量，該複數節點裝置中的一根節點裝置計算所有其他該複數節點裝置的該可協助子節點數量的一總和，以在該總和不小於一可協助門檻值時允許一新節點裝置加入該網狀網路系統。
一種具有防偽裝攻擊機制的網路節點配對方法，應用於一網狀網路系統中，包含： <br/>使該網狀網路系統的複數節點裝置中的每一節點裝置根據該網狀網路系統的一群組資訊做為一金鑰，對該網狀網路系統的一網路系統識別資訊以及該節點裝置的一自身識別資訊進行加密產生一加密資訊，進一步廣播包含該加密資訊的一信標（beacon）訊號； <br/>使一子節點裝置執行一掃描程序選擇一目標父節點； <br/>使該子節點裝置根據該群組資訊對該目標父節點的該信標訊號中包含的該加密資訊進行一合法性驗證； <br/>使該子節點裝置在該加密資訊顯示該目標父節點與該子節點裝置具有相同的該網路系統識別資訊且該目標父節點的該自身識別資訊為正確時，判斷該目標父節點通過該合法性驗證；以及 <br/>使該子節點裝置向通過該合法性驗證的該目標父節點傳送一配對請求訊號進行配對。
如請求項1所述之網路節點配對方法，其中該子節點裝置為該複數節點裝置其中之一，並在執行該掃描程序前與一當前父節點裝置連接，該網路節點配對方法更包含： <br/>使該子節點裝置在判斷該目標父節點通過該合法性驗證後與該當前父節點裝置斷開，再傳送該配對請求訊號。
如請求項1所述之網路節點配對方法，其中該加密資訊包含由該網路系統識別資訊以及該自身識別資訊進行加密後產生的一全部字段，該子節點裝置進行的該合法性驗證包含： <br/>根據該子節點裝置具有的該群組資訊對該加密資訊進行解密，以產生一明文內容；以及 <br/>在該明文內容包含的一明文網路系統識別資訊與由該子節點裝置包含的該網路系統識別資訊相同，且該明文內容包含的一明文自身識別資訊與該目標父節點的該信標訊號中包含的一自身識別資訊欄位記錄的該自身識別資訊相同時，判斷該目標父節點通過該合法性驗證。
如請求項1所述之網路節點配對方法，其中該加密資訊包含由該網路系統識別資訊以及該自身識別資訊進行加密後產生的一部份字段，該子節點裝置進行的該合法性驗證包含： <br/>根據該子節點裝置具有的該群組資訊，對該子節點裝置包含的該網路系統識別資訊以及該目標父節點的該信標訊號中包含的一自身識別資訊欄位記錄的該自身識別資訊進行加密，以產生一密文內容；以及 <br/>在該密文內容的一對應部分內容與該加密資訊相符時，判斷該目標父節點通過該合法性驗證。
如請求項1所述之網路節點配對方法，更包含： <br/>使複數節點裝置中的每一節點裝置對一特定節點裝置傳送的該信標訊號中包含的該加密資訊進行該合法性驗證； <br/>在該特定節點裝置的該信標訊號中包含的該加密資訊未通過該合法性驗證時，將該特定節點裝置標記為一偽裝節點裝置； <br/>由該目標父節點在接收到一待配對子節點裝置的該配對請求訊號時，判斷該待配對子節點裝置是否為該偽裝節點裝置；以及 <br/>由該目標父節點在該待配對子節點裝置為該偽裝節點裝置時，不傳送一配對同意訊號至該待配對子節點裝置。
如請求項5所述之網路節點配對方法，更包含： <br/>由該目標父節點在該待配對子節點裝置不為該偽裝節點裝置且判斷具有能力提供該待配對子節點裝置一中繼服務時，傳送一配對同意訊號至該待配對子節點裝置。
如請求項1所述之網路節點配對方法，其中該複數節點裝置群組資訊為該複數節點裝置所對應的一存取點裝置提供的一存取點密碼、由該存取點裝置在與該複數節點裝置建立連線後提供的一群組金鑰或由該複數節點裝置根據該存取點密碼經由一預設演算法產生的一共享金鑰； <br/>其中該預設演算法為屬於一金鑰衍生函式（key derivation function；KDF）演算法的一標準密鑰衍生演算法或一非標準密鑰衍生演算法。
如請求項7所述之網路節點配對方法，其中該共享金鑰允許該複數節點裝置中的一已連線節點裝置以及非該複數節點裝置的一未連線節點裝置使用以進行該合法性驗證，該群組金鑰僅允許該已連線節點裝置使用以進行該合法性驗證。
如請求項7所述之網路節點配對方法，更包含： <br/>使非該複數節點裝置的一未連線節點裝置僅選用該群組金鑰進行該合法性驗證；以及 <br/>使該未連線節點裝置以及該複數節點裝置中的一已連線節點裝置選用該群組金鑰或該共享金鑰進行該合法性驗證。
如請求項1所述之網路節點配對方法，其中該網路系統識別資訊為該複數節點裝置所對應的一存取點裝置的一基本服務集識別碼（basic service set identifier；BSSID），且該節點裝置的該自身識別資訊為一媒體存取控制（media access control；MAC）位址。
一種具有省電機制的網狀網路運作方法，應用於一網狀網路系統中，包含：<br/> 由複數節點裝置中的一根節點裝置自一存取點裝置獲取該複數節點裝置的複數封包暫存狀態，該複數封包暫存狀態的每一者的一暫存指示準位指示該存取點裝置儲存有所對應的該節點裝置的一待存取封包；<br/> 使該複數節點裝置中的每一者做為一第一節點裝置設置用以指示該第一節點裝置以及該第一節點裝置的至少一子節點裝置的該複數封包暫存狀態的一節點封包暫存狀態表，並在獨立的一週期性廣播時間廣播包含該節點封包暫存狀態表的一信標（beacon）訊號；<br/> 使該複數節點裝置中的每一者做為一第二節點裝置對應接收該第二節點裝置的一父節點裝置以及該第二節點裝置的至少一子節點裝置分別做為該第一節點裝置所廣播的該信標訊號；<br/> 使該第二節點裝置分析該信標訊號的該節點封包暫存狀態表，據以更新該第二節點裝置的該節點封包暫存狀態表；以及<br/> 使該第二節點裝置在該第二節點裝置進入休眠，且該第二節點裝置或該第二節點裝置的該至少一子節點裝置的該封包暫存狀態具有該暫存指示準位時，根據一預設排程喚醒來進行一封包傳遞程序。
如請求項1所述之網狀網路運作方法，其中該預設排程為在判斷該第二節點裝置的該至少一子節點裝置的該封包暫存狀態具有該暫存指示準位時，直接喚醒或根據該第二節點裝置的該至少一子節點裝置的一排定喚醒時間喚醒來進行該封包傳遞程序。
如請求項1所述之網狀網路運作方法，其中該預設排程為在判斷該第二節點裝置的該至少一子節點裝置的該封包暫存狀態具有該暫存指示準位時，對應一存取點廣播時間延長一喚醒時間來進行該封包傳遞程序
如請求項1所述之網狀網路運作方法，更包含：<br/> 使進入休眠的該第二節點裝置在根據該預設排程喚醒後，經由該第二節點裝置的該父節點裝置至該根節點裝置的一傳遞路徑傳送一喚醒通知訊號，並由該根節點裝置進一步傳送該喚醒通知訊號至該存取點裝置，以使該存取點裝置據以起始該封包傳遞程序。
如請求項1所述之網狀網路運作方法，其中該週期性廣播時間是在一目標信標傳送時間（target beacon transmission time；TBTT）中依該複數節點裝置中的每一節點裝置所具有在該網狀網路系統的一關聯識別碼（association identification；AID）來分配，且該目標信標傳送時間中的一起始週期性廣播時間為一存取點廣播時間。
如請求項5所述之網狀網路運作方法，其中該信標訊號更包含該第一節點裝置的該關聯識別碼，該網狀網路運作方法更包含：<br/> 使該第二節點裝置自該第二節點裝置的該父節點裝置的該信標訊號擷取該父節點裝置的該週期性廣播時間的一父節點廣播時間起點；<br/> 使該第二節點裝置根據該父節點廣播時間起點、該第二節點裝置的該關聯識別碼、該第二節點裝置的該父節點裝置的該關聯識別碼以及一週期性廣播時間長度來計算該第二節點裝置的該週期性廣播時間的一節點廣播時間起點；以及<br/> 使該第二節點裝置根據該節點廣播時間起點、該第二節點裝置的該至少一子節點裝置的該關聯識別碼以及該週期性廣播時間長度來計算該第二節點裝置的該至少一子節點裝置的該週期性廣播時間的一子節點廣播時間起點。
如請求項5所述之網狀網路運作方法，其中該節點封包暫存狀態表是記錄於該信標訊號的一廠商資訊元件（vendor information element；vendor IE）欄位中，且該節點封包暫存狀態表對應該第一節點裝置以及該第一節點裝置的該至少一子節點裝置各具有的該關聯識別碼記錄該複數封包暫存狀態。
如請求項1所述之網狀網路運作方法，更包含：<br/> 使該第一節點裝置設置用以指示該第一節點裝置以及該第一節點裝置的該至少一子節點裝置的複數休眠狀態的一節點休眠狀態表，並在獨立的該週期性廣播時間廣播包含該節點休眠狀態表的該信標訊號，其中該複數休眠狀態的每一休眠狀態的一休眠指示準位指示一對應節點裝置進入休眠；<br/> 使該第二節點裝置分析該信標訊號的該節點休眠狀態表，據以更新該第二節點裝置的該節點休眠狀態表；以及<br/> 使該第二節點裝置根據該第二節點裝置的該至少一子節點裝置的該休眠狀態決定是否進入休眠。
如請求項8所述之網狀網路運作方法，更包含：<br/> 使該第二節點裝置在任一該至少一子節點裝置的該休眠狀態不為該休眠指示準位時維持喚醒；以及<br/> 使該第二節點裝置在所有該至少一子節點裝置的該休眠狀態為該休眠指示準位時進入休眠。
如請求項8所述之網狀網路運作方法，其中該節點休眠狀態表記錄於該信標訊號的一廠商資訊元件欄位中。
一種顯示控制方法，應用於顯示裝置，所述顯示裝置包括控制器和發光組件，所述控制器用於輸出驅動信號，所述驅動信號用於控制所述發光組件發光，其中，所述顯示控制方法包括：<br/> 獲取所述發光組件的工作溫度；<br/> 若所述工作溫度大於預設溫度，根據所述工作溫度調整所述驅動信號，所述驅動信號的電流與所述工作溫度成正相關；<br/> 其中，所述顯示裝置還包括溫度檢測裝置，所述溫度檢測裝置用於檢測所述發光組件的工作溫度，所述獲取所述發光組件的工作溫度，包括：<br/> 按照預設時間間隔採集所述溫度檢測裝置輸出的檢測信號；<br/> 根據所述檢測信號的電壓確定所述發光組件的工作溫度。
如請求項1所述的顯示控制方法，其中，所述根據所述工作溫度調整所述驅動信號，包括：<br/> 基於預設的溫度-電流映射表調整所述驅動信號；所述溫度-電流映射表包括不同工作溫度對應的驅動信號的電流。
如請求項1所述的顯示控制方法，其中，所述發光組件的數量為一個或多個。
如請求項1所述的顯示控制方法，其中，所述發光組件的數量為多個，每一所述發光組件包括一個或多個發光元件，所述顯示控制方法還包括：<br/> 輸出多路驅動信號，每一所述驅動信號用於控制一所述發光組件發光。
如請求項1所述的顯示控制方法，其中，所述發光組件的數量為多個，每一所述發光組件包括一個或多個發光元件，所述顯示控制方法還包括：<br/> 輸出一路驅動信號，所述驅動信號用於控制多個所述發光組件分別發光。
如請求項1所述的顯示控制方法，其中，所述發光組件包括多個第一發光元件和多個第二發光元件；所述第一發光元件的類型和所述第二發光元件的類型不同；所述顯示控制方法還包括：<br/> 輸出第一驅動信號和第二驅動信號；所述第一驅動信號用於控制多個所述第一發光元件發光，所述第二驅動信號用於控制多個所述第二發光元件發光；<br/> 若所述工作溫度大於預設溫度，根據所述工作溫度調整所述第一驅動信號和所述第二驅動信號；所述第一驅動信號的電流和所述第二驅動信號的電流均與所述工作溫度成正相關。
如請求項4至6中任一項所述的顯示控制方法，其中，所述發光元件包括藍光晶片、綠光晶片、藍綠晶片中的至少一個。
一種控制器，其中，所述控制器包括處理器和記憶體，所述記憶體存儲電腦指令，當所述電腦指令在處理器上運行時，使得所述處理器執行如請求項1至7中任一項所述的顯示控制方法。
一種顯示裝置，其中，所述顯示裝置包括顯示屏和如請求項8所述的控制器。
一種鋼胚之製造方法，係以被鑄造並切斷之上述鋼胚之延展性-脆性轉換溫度成為預先設定之閾值以下的冷卻條件進行冷卻而製造上述鋼胚； <br/>上述延展性-脆性轉換溫度係使用預先對每個顯微組織求得之上述延展性-脆性轉換溫度與碳當量之對應關係而算出； <br/>上述碳當量係使用上述鋼胚之成分組成而算出。
如請求項1之鋼胚之製造方法，其中， <br/>上述顯微組織係藉由對以上述冷卻條件所冷卻之鋼胚進行剖面觀察而求得。
如請求項1之鋼胚之製造方法，其中， <br/>上述顯微組織係藉由對以模擬上述冷卻條件之冷卻條件所冷卻之鋼胚進行剖面觀察而求得。
如請求項2之鋼胚之製造方法，其中，上述碳當量係除了使用上述鋼胚之成分組成之外，還使用發生肥粒鐵變態、波來鐵變態及變韌鐵變態之溫度區域中之平均冷卻速度中之一者以上而算出。
如請求項3之鋼胚之製造方法，其中，上述碳當量係除了使用上述鋼胚之成分組成之外，還使用發生肥粒鐵變態、波來鐵變態及變韌鐵變態之溫度區域中之平均冷卻速度中之一者以上而算出。
如請求項1之鋼胚之製造方法，其中，上述延展性-脆性轉換溫度係使用上述鋼胚之碳當量而算出； <br/>上述碳當量係使用上述鋼胚之成分組成、被冷卻至相變態完成之上述鋼胚中之顯微組織之變態率、與上述鋼胚之表面之平均冷卻速度而算出。
如請求項1至6中任一項之鋼胚之製造方法，其中，從冷卻條件不同之複數冷卻設備中，對上述鋼胚以上述閾值以下之冷卻條件的冷卻設備予以冷卻。
如請求項7之鋼胚之製造方法，其中，對上述鋼胚以上述閾值以下之冷卻條件的冷卻設備中，冷卻速度最快之冷卻設備予以冷卻。
如請求項8之鋼胚之製造方法，其中，根據上述複數冷卻設備之使用狀況，而變更冷卻上述鋼胚之冷卻設備。
一種鋼板之製造方法，係將由請求項1至6中任一項之鋼胚之製造方法所製造之鋼胚進行輥軋而製造鋼板。
一種發光裝置，包括：<br/> 一發光二極體；以及<br/> 一控制電路，耦接於該發光二極體，經配置以在一第一期間控制該發光二極體提供一輸出光，並且在一第二期間提供一偵測訊號至該發光二極體以接收該發光二極體的一感測電壓值，<br/> 其中該第二期間的時間長度短於該第一期間的時間長度，<br/> 其中該第一期間以及該第二期間彼此交替且不重疊，並且<br/> 其中該控制電路依據該感測電壓值獲得該發光二極體的一接面溫度，並依據該接面溫度來補償該輸出光。
如請求項1所述的發光裝置，其中該控制電路包括：<br/> 一接面溫度查找表，經配置以紀錄對應於多個感測電壓值的多個接面溫度；以及<br/> 一控制器，耦接於該接面溫度查找表，經配置以利用該接面溫度查找表以及所接收到的該感測電壓值來獲得該接面溫度。
如請求項2所述的發光裝置，其中：<br/> 該控制電路利用一驅動訊號來控制該發光二極體以提供該輸出光，並且<br/> 該控制電路依據該接面溫度來調整該驅動訊號的一工作週期。
如請求項3所述的發光裝置，其中：<br/> 該控制電路依據該驅動訊號判斷該發光二極體是否在該第一期間提供低於一設定亮度的輸出光，並且<br/> 當判斷出在該第一期間提供低於一設定亮度的輸出光時，該控制電路在提供低於該設定亮度的輸出光的該第一期間之後的該第二期間停止提供該偵測訊號。
如請求項3所述的發光裝置，其中該控制電路還包括：<br/> 一驅動電路，耦接於該發光二極體以及該控制器，經配置以在該第一期間輸出該驅動訊號；<br/> 一補償值查找表，耦接於該控制器，經配置以紀錄對應於多個接面溫度的多個補償值，<br/> 其中該控制器利用該補償值查找表獲得對應於當前的該接面溫度的一補償值，並依據該補償值控制該驅動電路，並且<br/> 其中該驅動電路依據該補償值調整該驅動訊號的該工作週期。
如請求項5所述的發光裝置，其中：<br/> 當該發光二極體的該接面溫度等於一參考溫度時，該發光二極體提供具有一參考亮度的一參考輸出光，並且<br/> 該控制器依據該接面溫度來獲得該輸出光的亮度與該參考亮度的一亮度比，並依據該亮度比來獲得補償值。
如請求項3所述的發光裝置，其中該控制電路接收一控制訊號，並依據該控制訊號以產生該驅動訊號。
如請求項7所述的發光裝置，其中：<br/> 該控制訊號包括一時脈訊號以及一資料訊號，並且<br/> 該控制電路利用該時脈訊號對該資料訊號進行解碼以產生該驅動訊號。
如請求項1所述的發光裝置，其中該偵測訊號是一偵測電流訊號。
如請求項1所述的發光裝置，其中該控制電路包括：<br/> 一電流源，耦接於該發光二極體，經配置以在該第二期間提供該偵測訊號。
一種用於一發光裝置的操作方法，其中該發光裝置包括發光二極體，其中該操作方法包括：<br/> 在一第一期間控制該發光二極體提供一輸出光；<br/> 在一第二期間提供一偵測訊號至該發光二極體以接收該發光二極體的一感測電壓值，其中該第二期間的時間長度短於該第一期間的時間長度，其中該第一期間以及該第二期間彼此交替且不重疊；以及<br/> 依據該感測電壓值獲得該發光二極體的一接面溫度，並依據該接面溫度來補償該輸出光。
如請求項11所述的操作方法，其中據該接面溫度來補償該輸出光的步驟包括：<br/> 依據該接面溫度來調整一驅動訊號的一工作週期；以及<br/> 利用一驅動訊號來控制該發光二極體以提供該輸出光。
如請求項12所述的操作方法，還包括：<br/> 依據該驅動訊號判斷該發光二極體是否在該第一期間提供低於一設定亮度的輸出光；以及<br/> 當判斷出在該第一期間提供低於一設定亮度的輸出光時，在提供低於該設定亮度的輸出光的該第一期間之後的該第二期間停止提供該偵測訊號。
如請求項12所述的操作方法，其中當該發光二極體的該接面溫度等於一參考溫度時，該發光二極體提供具有一參考亮度的一參考輸出光，其中依據該接面溫度來調整該驅動訊號的該工作週期的步驟包括：<br/> 依據該接面溫度來獲得該輸出光的亮度與該參考亮度的一亮度比，並依據該亮度比來獲得補償值；以及<br/> 依據該補償值調整該驅動訊號的該工作週期。
如請求項11所述的操作方法，其中該偵測訊號是一偵測電流。
一種微型發光元件顯示裝置，包括： <br/>一第一發光層，包括一第一磊晶結構，具有一第一部分與一第二部分，皆發出第一波長的光； <br/>一第二發光層，堆疊設置於該第一發光層上，該第二發光層包括一第二磊晶結構，以一金屬層鍵合設置於該第一部分上，發出一第二波長的光；以及 <br/>一波長轉換結構，堆疊設置於該第二部分上，用以將該第二部分發出的該第一波長的光轉換為一第三波長的光， <br/>其中，該第二磊晶結構的正投影面積小於該第一部分的正投影面積。
如請求項1所述的微型發光元件顯示裝置，其中更包括一基板配置於遠離該第一發光層的一側，該第一發光層具有一導電通孔，用以在垂直方向上電性連接該基板的一外部接墊與該第一磊晶結構靠近該第二發光層的一側。
如請求項2所述的微型發光元件顯示裝置，其中該第一發光層具有另一導電通孔，用以在垂直方向上電性連接該基板上的另一外部接墊與該第二發光層。
如請求項3所述的微型發光元件顯示裝置，其中該導電通孔與該另一導電通孔配置於該第一部分或該第二部分的側邊。
如請求項1所述的微型發光元件顯示裝置，其中該波長轉換結構的正投影面積覆蓋該第二部分的正投影面積。
如請求項1所述的微型發光元件顯示裝置，其中該第一磊晶結構的該第一部分與該第二部分為彼此電性獨立。
一種電腦實施方法，包括： <br/>接收與多個產品相關聯的多個掃描事件； <br/>至少基於儲存於資料庫中的歷史資料來確定多個時間範圍； <br/>針對所述多個掃描事件中的每一掃描事件進行以下操作： <br/>判斷所述掃描事件是否是在所述多個時間範圍中的第一時間範圍內接收； <br/>判斷所述掃描事件的位置是否對應於第一位置； <br/>當所述掃描事件是在所述第一時間範圍內接收且所述位置對應於所述第一位置時，在第一時間對所述資料庫進行更新；以及 <br/>當所述掃描事件是在所述第一時間範圍之後接收且所述位置不對應於所述第一位置時，在所述第一時間之後的第二時間判斷是否對所述資料庫進行更新； <br/>產生包括至少一個產品的產品可利用性的使用者圖像介面；以及 <br/>將所述使用者圖像介面傳送至至少一個顧客裝置。
如請求項1所述的電腦實施方法，其中所述多個掃描事件中的每一掃描事件包括時戳及位置。
如請求項1所述的電腦實施方法，其中所述多個時間範圍中的每一時間範圍與目的地履行中心相關聯。
如請求項1所述的電腦實施方法，其中確定所述多個時間範圍包括： <br/>預測與所述多個產品相關聯的一或多個前置時間；以及 <br/>使用一或多個經訓練機器學習模型來基於儲存於所述資料庫中的所述歷史資料而確定所述一或多個前置時間。
如請求項1所述的電腦實施方法，其中所述歷史資料包括訂單量、產品類型、裝運方法、交通資料、運送時間、前置時間、緩衝時間、位置資料或一周中的某一天中的至少一者，且所述歷史資料是基於所述至少一者進行組織。
如請求項1所述的電腦實施方法，其中所述第二時間與所述多個掃描事件中對應於第二位置的第二掃描事件相關聯，且其中所述第二位置包括至少一個目的地履行中心的入站區。
如請求項1所述的電腦實施方法，其中對所述資料庫進行更新包括將產品辨識符添加至所述資料庫的第一表格，其中所述資料庫的所述第一表格包括與所述多個產品中尚未存放且可供銷售的產品相關聯的一或多個產品辨識符，且其中所述資料庫包括第二表格，所述第二表格包括與所述多個產品中已被存放的產品相關聯的一或多個辨識符，且其中所述第一表格不同於所述第二表格。
如請求項1所述的電腦實施方法，其中所述產品可利用性包括所述多個產品中的每一產品的庫存量，且其中所述使用者圖像介面包括網頁。
如請求項1所述的電腦實施方法，其中所述第一位置不是目的地履行中心。
如請求項1所述的電腦實施方法，其中對所述資料庫進行更新包括指示所述多個產品中與所述掃描事件相關聯的第一產品子集可供銷售。
如請求項1所述的電腦實施方法，其中產生所述使用者圖像介面包括在所述第一時間產生所述使用者圖像介面。
一種電腦實施系統，包括： <br/>記憶體，儲存指令；以及 <br/>至少一個處理器，被配置成執行所述指令以實行如請求項1至11所述的電腦實施方法。
一種用於電動車輛之動力電池健康度預測與評估系統，該系統包括：資料庫單元；及與該資料庫單元連接的讀取單元和人工智慧(AI)處理單元，其中： <br/> 該資料庫單元透過一協定訊號裝置與電動汽車或儲能櫃、不斷電器的電池連接，儲存不同廠牌電池和被測電池的各項電氣特性之數據以建立成資料庫；<br/> 該讀取單元係包括：微控制器；及與該微控制器連接的電壓電流感測器和區域網路控制器，其中該微控制器用於負責管理電池各個相關數據及計算所取得之電池各種參數，例如電壓（Voltage）、電流（Current）、溫度（Temperature）等，並將這些物理數據轉換成數字訊號；該電壓電流感測器從該被測電池中讀取電壓、電流等數值傳輸至該微控制器；該區域網路控制器用於將該微控制器所處理後的該被測電池的狀態數據傳輸至該人工智慧(AI)處理單元；<br/> 該人工智慧(AI)處理單元係根據該資料庫單元的不同廠牌電池的電氣特性相關數據，作為歷史數據，根據該讀取單元取得電動汽車之被測電池的狀態數據作為實質數據，進行深度學習並進行歸納、總結與重複訓練，進而根據最佳AI模型執行計算，以預測被測電池的電池健康狀況與壽命。
如請求項1所述用於電動車輛之動力電池健康度預測與評估系統，其中該協定訊號裝置為一協定訊號線，提供對本系統及電動汽車、儲能櫃或不斷電器的動力電池之間連接的通訊協定，藉該協定訊號線與電動汽車上的車上診斷系統(OBD II)連接，或與儲能櫃或不斷電器連接，同步讀取電動汽車、儲能櫃或不斷電器之動力電池各項電氣特性之數據。
如請求項2所述用於電動車輛之動力電池健康度預測與評估系統，其中該資料庫單元包括：一記憶體，至少儲存有不同廠牌電池的電氣特性如：充電、放電、阻抗相關數據，及被測電池的電池內阻、電池電壓、電池電流，以及經該人工智慧(AI)處理單元所建立的AI模型；一量測介面，係與該記憶體連接，以LabVIEW程式編寫搭配資料擷取系統(Data Acquisition System; DAQ) 並連接外部電路進行量測電池電壓，再藉由電池量測到的壓差去計算出電池內阻的大小，將測試到相關數據儲存至該記憶體。
如請求項2所述用於電動車輛之動力電池健康度預測與評估系統，其中該區域網路控制器傳輸該被測電池的狀態數據至該人工智慧(AI)處理單元，係以車用匯流排標準(CAN bus)進行數據雙向傳輸。
如請求項3所述用於電動車輛之動力電池健康度預測與評估系統，其中該量測介面與該被測電池連接後除了量測電池內阻、電池電壓及電池電流，並取得相關各項參數外，且對電動汽車動力馬達狀態、車速、燃行車狀態進行分析與取得相關參數。
如請求項5所述用於電動車輛之動力電池健康度預測與評估系統，其中該量測介面量測電池內阻、電池電壓及電池電流，並取得相關各項參數，係將量測到的該被測電池電壓值顯示做為第一參考電壓，再經過數秒的繼電器切換至負載電阻10歐姆，並且將量測的電池電壓做為第二參考電壓，將所述第一參考電壓以及第二參考電壓相減得到壓差數值，而透過第二參考電壓除上負載電阻求得電池電流數值；將所述壓差除上所述電池電流得到電池內阻數值。
如請求項2所述用於電動車輛之動力電池健康度預測與評估系統，其中該人工智慧(AI)處理單元的深度學習、歸納、總結與重複訓練可採取遞迴神經網路(RNN)、長短期記憶模型(LSTM)或門控循環單元(GRU)。
如請求項2所述用於電動車輛之動力電池健康度預測與評估系統，其中該人工智慧(AI)處理單元對被測電池健康度的預測係將所取得歷史數據和實質數據一筆一筆的進行正向的傳播（forward propagation），將得出的輸出結果與標準答案帶入損失函數（loss function），算出兩者之間的差異，再以梯度下降（gradient descent）類似的最佳化函數（optimizer），進行反向傳播（backward propagation）來調整每一個感知器裡的權重（weights），以減少差異為目標而訓練出好的模型，進而提供精確的電池壽命預測和健康狀況評估。
一種充電樁，其上設有充電槍，具有如請求項2至8中任一項所述用於電動車輛之動力電池健康度預測與評估系統，該系統中之協定訊號線係與充電樁連接，提供對充電樁和本系統及電動汽車的動力電池之間三向連接的通訊協定，當取用該充電槍對電動汽車進行充電時，藉該協定訊號線與電動汽車上的車上診斷系統(OBD II)連接，同步讀取電動汽車之動力電池各項電氣特性之數據。
如請求項9所述充電樁，更具有直流電力線與交流電力線，能夠分別用於與直流充電樁或交流充電樁連接，以提供所需充電電源。
一種儲能櫃，具有如請求項2至8中任一項所述用於電動車輛之動力電池健康度預測與評估系統，該系統中之協定訊號線係與該儲能櫃的電池連接，提供相互間的通訊協定。
一種不斷電器，具有如請求項2至8中任一項所述用於電動車輛之動力電池健康度預測與評估系統，該系統中之協定訊號線係與該不斷電器的電池連接，提供相互間的通訊協定。
一種光阻塗佈異常檢測系統，適用於檢測一工件之光阻塗佈製程，其中該光阻塗佈異常檢測系統包含：<br/> 一記憶體，用以儲存複數個指令；以及<br/> 一處理器，電性連接至該記憶體，用以載入該記憶體之該些指令，以進行：<br/> 根據複數個正常歷史塗佈製程之複數筆歷史正常資料來建立一類神經網路模型，該些歷史正常資料之每一者包含一正常檢測訊號；<br/> 獲取一線上塗佈製程之一原始檢測訊號；<br/> 利用該類神經網路模型來根據該原始檢測訊號計算出相應之一重建檢測訊號；以及<br/> 比較該原始檢測訊號與該重建檢測訊號，並根據比較之結果來判斷該線上塗佈製程之一產品是否有異常；<br/> 其中當該處理器進行比較該原始檢測訊號與該重建檢測訊號，並根據比較之結果來判斷該線上塗佈製程之一產品是否有異常之步驟時，該處理器進行：<br/> 計算該線上塗佈製程之一檢測向量<img align="absmiddle" height="10px" width="5px" file="ed10053.jpg" alt="ed10053.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中<br/> <img align="absmiddle" height="11px" width="93px" file="ed10038.jpg" alt="ed10038.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="24px" width="78px" file="ed10039.jpg" alt="ed10039.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="22px" width="68px" file="ed10040.jpg" alt="ed10040.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="24px" width="69px" file="ed10041.jpg" alt="ed10041.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中<img align="absmiddle" height="10px" width="5px" file="ed10042.jpg" alt="ed10042.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><i>~</i><img align="absmiddle" height="10px" width="5px" file="ed10043.jpg" alt="ed10043.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該原始檢測訊號所包含之檢測值，<img align="absmiddle" height="10px" width="5px" file="ed10044.jpg" alt="ed10044.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><i>~</i><img align="absmiddle" height="10px" width="5px" file="ed10045.jpg" alt="ed10045.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該重建檢測訊號所包含之檢測重建值，<img align="absmiddle" height="10px" width="6px" file="ed10046.jpg" alt="ed10046.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="10px" width="6px" file="ed10047.jpg" alt="ed10047.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為常數；<br/> 計算一多產品疊加參數<img align="absmiddle" height="11px" width="7px" file="ed10048.jpg" alt="ed10048.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， 其中<br/><img align="absmiddle" height="25px" width="79px" file="ed10049.jpg" alt="ed10049.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> <img align="absmiddle" height="11px" width="50px" file="ed10050.jpg" alt="ed10050.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><i>n</i>為一預設偵測訊號筆數，<img align="absmiddle" height="10px" width="6px" file="ed10051.jpg" alt="ed10051.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為一預設疊加向量筆數，<img align="absmiddle" height="11px" width="28px" file="ed10052.jpg" alt="ed10052.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為正整數；<br/> 判斷該多產品疊加參數是否大於一預設或自動計算之規格閾值；以及<br/> 當該多產品疊加參數大於一預設或自動計算之規格閾值時，決定該線上塗佈製程之該產品有異常。
如請求項1所述之光阻塗佈異常檢測系統，其中該原始檢測訊號係利用一雷射掃描設備來掃描該線上塗佈製程之該產品所獲得。
如請求項1所述之光阻塗佈異常檢測系統，更包含：<br/> 一儲存裝置，用以儲存該線上塗佈製程所對應之一產品檢測波形圖，其中該產品檢測波形圖對應有一生產時間以及一產品編號。
如請求項1所述之光阻塗佈異常檢測系統，其中該工件為玻璃基板。
一種光阻塗佈異常檢測方法，適用於一光阻塗佈異常檢測系統，以檢測一工件之光阻塗佈製程，其中該光阻塗佈異常檢測方法包含：<br/> 根據複數個正常歷史塗佈製程之複數筆歷史正常資料來建立一類神經網路模型，該些歷史正常資料之每一者包含一正常檢測訊號；<br/> 獲取一線上塗佈製程之一原始檢測訊號；<br/> 利用該類神經網路模型來根據該原始檢測訊號計算出相應之一重建檢測訊號；以及<br/> 比較該原始檢測訊號與該重建檢測訊號，並根據比較之結果來判斷該線上塗佈製程之一產品是否有異常；<br/> 其中比較該原始檢測訊號與該重建檢測訊號，並根據比較之結果來判斷該線上塗佈製程之一產品是否有異常之步驟包含：<br/> 計算該線上塗佈製程之一檢測向量<img align="absmiddle" height="10px" width="5px" file="ed10053.jpg" alt="ed10053.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中<br/> <img align="absmiddle" height="11px" width="93px" file="ed10038.jpg" alt="ed10038.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="24px" width="78px" file="ed10039.jpg" alt="ed10039.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="22px" width="68px" file="ed10040.jpg" alt="ed10040.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="24px" width="69px" file="ed10041.jpg" alt="ed10041.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中<img align="absmiddle" height="10px" width="5px" file="ed10042.jpg" alt="ed10042.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><i>~</i><img align="absmiddle" height="10px" width="5px" file="ed10043.jpg" alt="ed10043.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該原始檢測訊號所包含之檢測值，<img align="absmiddle" height="10px" width="5px" file="ed10044.jpg" alt="ed10044.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><i>~</i><img align="absmiddle" height="10px" width="5px" file="ed10045.jpg" alt="ed10045.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該重建檢測訊號所包含之檢測重建值，<img align="absmiddle" height="10px" width="6px" file="ed10046.jpg" alt="ed10046.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="10px" width="6px" file="ed10047.jpg" alt="ed10047.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為常數；<br/> 計算一多產品疊加參數<img align="absmiddle" height="11px" width="7px" file="ed10048.jpg" alt="ed10048.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， 其中<br/><img align="absmiddle" height="25px" width="79px" file="ed10049.jpg" alt="ed10049.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> <img align="absmiddle" height="11px" width="50px" file="ed10050.jpg" alt="ed10050.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><i>n</i>為一預設偵測訊號筆數，<img align="absmiddle" height="10px" width="6px" file="ed10051.jpg" alt="ed10051.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為一預設疊加向量筆數，<img align="absmiddle" height="10px" width="3px" file="ed10054.jpg" alt="ed10054.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為正整數；<br/> 判斷該多產品疊加參數是否大於一預設或自動計算之規格閾值；以及<br/> 當該多產品疊加參數大於該預設或自動計算之規格閾值時，決定該線上塗佈製程之該產品有異常。
如請求項5所述之光阻塗佈異常檢測方法，其中該原始檢測訊號係利用一雷射掃描設備來掃描該線上塗佈製程之該產品所獲得。
如請求項5所述之光阻塗佈異常檢測方法，更包含：<br/> 儲存該線上塗佈製程所對應之一產品檢測波形圖，其中該產品檢測波形圖對應有一生產時間以及一產品編號。
如請求項5所述之光阻塗佈異常檢測方法，其中該工件為玻璃基板。
一種桿致動器，包括：<br/> 一框架；<br/> 一桿，該桿可移動地聯接至該框架，該桿包括一接觸部分；<br/> 一從動臂，該從動臂可移動地聯接至該框架及該桿中之一者；<br/> 一多位置履帶，該多位置履帶安置在該桿、該從動臂及該框架中之一者中，該多位置履帶包括一連續通道，該連續通道具有複數個凸緣，該等凸緣其間具有複數個斜坡，該連續通道具有複數個離散履帶位置；及<br/> 一履帶銷，該履帶銷藉助於該從動臂、該框架及該桿中之一者聯接至該多位置履帶，其中該履帶銷可在該多位置履帶內移動，<br/> 其中相對於該框架施加至該桿之該接觸部分的一位移使得該履帶銷在該多位置履帶中前進至該等凸緣中之一各別凸緣及在一連續通道方向上之一後續離散履帶位置。
如請求項1之桿致動器，其進一步包括用於該履帶銷之一偏壓元件，該偏壓元件在與該多位置履帶之一平面垂直之一方向上施加力。
如請求項2之桿致動器，其中該偏壓元件包括一彈簧。
如請求項1之桿致動器，其中該多位置履帶至少部分地凹入該框架或該桿中。
如請求項1之桿致動器，其中該多位置履帶至少部分地凹入該從動臂中。
如請求項1之桿致動器，其中繩索張力在與該桿之該接觸部分之一移動方向相反的一方向上拉動該履帶銷。
如請求項1之桿致動器，其中該多位置履帶至少包括一第一環及一第二環。
如請求項1之桿致動器，其中該多個凸緣自一平坦表面升起，該平坦表面防止該履帶銷在與該連續通道方向相反之一反向方向上移動。
如請求項1之桿致動器，其中該桿致動器固定至一腳踏車、一越野摩托車、一機車或一動力車輛之一車把。
如請求項1之桿致動器，其中該等離散履帶位置之一數量包括兩個、三個、四個、五個或六個。
如請求項1之桿致動器，其中需要一第一位移量以使該履帶銷在該等離散履帶位置中之一第一離散履帶位置與該等履帶位置中之一第二履帶位置之間前進，且需要一第二位移量以使該履帶銷在該等離散履帶位置中之一第一離散履帶位置與該等離散履帶位置中之一第三離散履帶位置之間前進，該第二位移量小於該第一位移量。
一種桿致動器，包括：<br/> 一靜態部分、可移動地聯接至該靜態部分之一動態部分，及聯接至該靜態部分及該動態部分兩者之一從動部分；<br/> 一多位置履帶，該多位置履帶安置在該靜態部分、該動態部分及該從動部分中之一者中，該多位置履帶包括限定複數個離散履帶位置之複數個凸緣，該多位置履帶包括定位在該複數個凸緣之間的複數個斜坡；及<br/> 一履帶銷，該履帶銷可在該多位置履帶內移動且偏壓在該多位置履帶上，<br/> 其中由該動態部分之操縱引起之一第一位移量使得該履帶銷移動至該等離散履帶位置中之一後續離散履帶位置，且由該動態部分之操縱引起之一第二位移量使得該履帶銷移動至該等離散履帶位置中之一前一離散履帶位置。
如請求項12之桿致動器，其中該靜態部分包括一框架，該動態部分包括一桿，且該從動部分包括一從動臂，該從動臂藉助於定位在該多位置履帶中之該履帶銷可移動地聯接至該框架及該桿。
如請求項12之桿致動器，其進一步包括用於該履帶銷之一偏壓元件，該偏壓元件在與該多位置履帶之一平面垂直之一Z方向上偏壓該履帶銷，其中該偏壓元件係一彈簧。
如請求項12之桿致動器，其中該多位置履帶包括靠近該等離散履帶位置中之一第二離散履帶位置定位之一第一斜坡，該斜坡將該履帶銷引導至該等離散履帶位置中之一第三離散履帶位置。
如請求項15之桿致動器，其中該多位置履帶進一步包括靠近該等離散履帶位置中之該第二離散履帶位置定位之一第二斜坡，該斜坡將該履帶銷引導至該等離散履帶位置中之一第一離散履帶位置。
如請求項15之桿致動器，其進一步包括：定位在該斜坡之一底端處之該等凸緣中之一第一凸緣，該第一凸緣使該履帶銷前進至該等離散履帶位置中之一第一離散履帶位置；及定位在該斜坡之一頂端處之該等凸緣中之一第二凸緣，該第二凸緣使該履帶銷前進至該等離散履帶位置中之該第三離散履帶位置。
如請求項17之桿致動器，其進一步包括由該多位置履帶之該連續通道包圍之至少一個中心突出部，該等離散履帶位置中之至少一個係形成在該至少一個中心突出部之一側壁中之一凹穴。
一種桿致動器，包括：<br/> 一框架；<br/> 一桿，該桿可移動地聯接至該框架，該桿包括一接觸部分；<br/> 一從動臂，該從動臂可移動地聯接至該框架及該桿中之一者；<br/> 一多位置履帶，該多位置履帶安置在該桿、該從動臂及該框架中之一者中，該多位置履帶包括一連續通道，該連續通道具有複數個凸緣以及定位在該複數個凸緣之間的複數個斜坡，該連續通道具有複數個離散履帶位置；及<br/> 一履帶銷，該履帶銷藉助於該從動臂、該框架及該桿中之一者聯接至該多位置履帶，其中：<br/> 該履帶銷可在該多位置履帶內移動；相對於該框架施加至該桿之該接觸部分的一位移使得該履帶銷在該多位置履帶中前進至該等凸緣中之一各別凸緣及在一連續通道方向上之一後續離散履帶位置；該多個凸緣自一平坦表面升起，該平坦表面防止該履帶銷在與該連續通道方向相反之一反向方向上移動。
如請求項19之桿致動器，其進一步包括用於該履帶銷之一偏壓元件，該偏壓元件在與該多位置履帶之一平面垂直之一方向上施加力。
一種曝光裝置，係具備：<br/> 基板保持部，係保持形成有基準標記的基板；<br/> 基準標記檢測部，係檢測形成於前述基板的前述基準標記的位置；<br/> 修正量算出部，係依照藉由前述基準標記檢測部所檢測到的前述基準標記的位置與設計上的前述基準標記的位置之間的偏移量以及屬於待形成於前述基板的剩下的層的數量之剩餘層數，算出用以修正圖案資料之修正伸縮率，前述圖案資料係顯示設計上的圖案，前述修正伸縮率為使圖案資料伸縮的比例；<br/> 修正部，係依照前述修正伸縮率修正前述圖案資料；以及<br/> 曝光部，係按照藉由前述修正部所修正的前述圖案資料進行曝光；<br/> 前述修正量算出部係算出每個前述剩下的層的前述修正伸縮率，並且愈是前述剩餘層數小的層則愈是將前述修正伸縮率設定成接近零。
如請求項1所記載之曝光裝置，其中前述基準標記為形成於前述基板之表層的圖案。
如請求項1所記載之曝光裝置，其中前述修正量算出部係以最外層的修正伸縮率接近預先設定的修正伸縮率的方式隨著接近前述最外層而以一定的比例使前述修正伸縮率接近零。
如請求項1所記載之曝光裝置，其中前述修正量算出部係於形成有第一層與較前述第一層更靠外側的第二層的前述基板的前述偏移量從用以曝光前述第二層的前述圖案所算出的前述修正伸縮率背離時，依照前述偏移量再次計算剩下的層的前述修正伸縮率。
一種曝光方法，係包含：<br/> 工序a，係依照形成於基板的基準標記的位置與設計上的前述基準標記的位置之間的偏移量以及屬於待形成於前述基板的剩下的層的數量之剩餘層數，算出用以修正圖案資料之修正伸縮率，前述圖案資料係顯示設計上的圖案，前述修正伸縮率為使圖案資料伸縮的比例；以及<br/> 工序b，係依照前述修正伸縮率修正並按照經修正的前述圖案資料進行曝光；<br/> 前述工序a係算出每個前述剩下的層的前述修正伸縮率，並且愈是前述剩餘層數小的層則愈是將前述修正伸縮率設定成接近零。
一種織物張力檢測控制組件，包括：<br/> 一檢測板，其中一織物套設於該檢測板；<br/> 一彈性件，其一端位於該檢測板上；<br/> 一第一磁力件，位於該彈性件遠離該檢測板的另一端，且位於該織物中；<br/> 一塑形塊，覆蓋該第一磁力件且位於該織物中，使該織物由該塑形塊撐開；<br/> 一頂昇裝置，位於該塑形塊下方；<br/> 一壓力感測裝置，位於該頂昇裝置上；以及<br/> 一第二磁力件，位於該壓力感測裝置上，其中該頂昇裝置配置以上升或下降而使該第二磁力件接近或遠離該第一磁力件，該壓力感測裝置配置以感測該第一磁力件與該第二磁力件之間的斥力變化。
如請求項1所述之織物張力檢測控制組件，其中該塑形塊具有背對該第一磁力件的一第一表面，且該塑形塊的該第一表面直接接觸該織物。
如請求項2所述之織物張力檢測控制組件，其中該塑形塊的該第一表面為凸出的弧面。
如請求項1所述之織物張力檢測控制組件，其中該塑形塊具有朝向該第一磁力件的一第二表面，且該塑形塊的該第二表面直接接觸該第一磁力件。
如請求項1所述之織物張力檢測控制組件，其中該塑形塊位於該第一磁力件與該織物之間。
如請求項1所述之織物張力檢測控制組件，其中該壓力感測裝置位於該頂昇裝置與該第二磁力件之間。
如請求項1所述之織物張力檢測控制組件，其中該彈性件、該塑形塊與該第一磁力件位於該檢測板與該織物之間。
如請求項1所述之織物張力檢測控制組件，其中該第一磁力件與該第二磁力件在垂直方向上重疊。
如請求項1所述之織物張力檢測控制組件，其中該第一磁力件的寬度大於該第二磁力件的寬度。
如請求項1所述之織物張力檢測控制組件，其中該彈性件為彈簧，該壓力感測裝置為電子磅秤。
一種有機發光顯示裝置的製造系統，其中該製造系統用於依序形成構成一畫素的一第一子畫素、一第二子畫素以及一第三子畫素，且該製造系統包含： <br/>一第一沉積設備，經配置以於一基材上依序沉積一第一有機發光膜、一第一陰極膜以及一第一絕緣膜以形成一第一多層； <br/>一第一圖案化設備，經配置以圖案化經形成的該第一多層以形成該第一子畫素的一發光區域中的一第一有機發光件以及以形成該第一子畫素的一非發光區域中的一第一連接圖案，其中該第一有機發光件包含一第一有機發光層以及一第一陰極，且該第一連接圖案包含自該第一有機發光層延伸的一第一延伸有機發光層、自該第一陰極延伸的一第一延伸陰極以及一第一子畫素保護層；以及 <br/>一第二沉積設備，經配置以於經圖案化的該第一有機發光件以及該第一連接圖案上依序沉積一第二有機發光膜、一第二陰極膜以及一第二絕緣膜以形成一第二多層， <br/>其中該第一多層的圖案化以及該第二多層的沉積係在該基材在該第一圖案化設備以及該第二沉積設備之間進行，且係在一真空氣氛中連續移動而進行。
如請求項1所述的製造系統，其中該第二沉積設備經配置以在透過該第一多層的圖案化暴露的該第一延伸陰極的一側面上形成該第二多層。
如請求項1所述的製造系統，其中該第一圖案化設備包含： <br/>一叢集式腔室，具有一機器手臂；以及 <br/>複數腔室，以圍繞該叢集式腔室的一環形狀安裝並經配置以圖案化經形成的該第一多層。
如請求項1所述的製造系統，其中該第二沉積設備包含： <br/>一有機發光腔室，經配置以連接該第一圖案化設備、包含以一直線式方式設置的複數子腔室，並經配置以沉積該第二有機發光膜； <br/>一陰極腔室，以與該複數子腔室相同的方向安裝並經配置以沉積該第二陰極膜； <br/>一叢集式腔室，連接該陰極腔室並具有一機器手臂；以及 <br/>複數腔室，以圍繞該叢集式腔室的一環形狀安裝並經配置以沉積該第二絕緣膜。
如請求項1所述的製造系統，更包含： <br/>一第二圖案化設備，經配置以圖案化經形成的該第二多層以形成該第二子畫素的一發光區域中的一第二有機發光件以及以形成該第二子畫素的一非發光區域中的一第二連接圖案，其中該第二有機發光件包含一第二有機發光層以及一第二陰極，且該第二連接圖案包含延伸自該第二有機發光層的一第二延伸有機發光層、延伸自該第二陰極的一第二延伸陰極以及一第二子畫素保護層；以及 <br/>一第三沉積設備，經配置以於經圖案化的該第二有機發光件以及該第二連接圖案上依序沉積一第三有機發光膜、一第三陰極膜以及一第三絕緣膜以形成一第三多層， <br/>其中該第二多層的圖案化以及該第三多層的沉積係在該基材於該第二圖案化設備以及該第三沉積設備之間進行，且係在一真空氣氛中連續移動而進行。
如請求項5所述的製造系統，其中該第三沉積化設備經配置以在透過該第二多層的圖案化暴露的該第二延伸陰極的一側面上形成該第三多層。
如請求項5所述的製造系統，其中該第二圖案化設備包含： <br/>一叢集式腔室，具有一機器手臂；以及 <br/>複數腔室，以圍繞該叢集式腔室的一環形狀安裝並經配置以圖案化經形成的該第二多層。
如請求項5所述的製造系統，其中該第三沉積設備包含： <br/>一有機發光腔室，連接該第二圖案化設備、包含以一直線式方式設置的複數子腔室，並經配置以沉積該第三有機發光膜； <br/>一陰極腔室，以與該複數子腔室相同的方向安裝並經配置以沉積該第三陰極膜； <br/>一叢集式腔室，連接該陰極腔室並具有一機器手臂；以及 <br/>複數腔室，以圍繞該叢集式腔室的一環形狀安裝並經配置以沉積該第三絕緣膜。
如請求項5所述的製造系統，更包含： <br/>一第三圖案化設備，經配置以圖案化經形成的該第三多層以形成該第三子畫素的一發光區域中的一第三有機發光件以及以形成該第三子畫素的一非發光區域中的一第三連接圖案，其中該第三有機發光件包含一第三有機發光層以及一第三陰極，且該第三連接圖案包含自該第三有機發光層延伸的一第三延伸有機發光層、自該第三陰極的一第三延伸陰極以及一第三子畫素保護層；以及 <br/>一第四沉積設備，經配置以於經圖案化的該第三有機發光件以及該第三連接圖案上沉積一畫素保護層， <br/>其中該第三多層的圖案化以及該畫素保護層的沉積係在該基材於該第三圖案化設備以及該第四沉積設備之間進行，且係在一真空氣氛中連續移動而進行。
如請求項9所述的製造系統，其中該第四沉積設備經配置以於該第一延伸陰極的一側面、該第二延伸陰極的一側面以及透過該第三多層的圖案化暴露的該第三延伸陰極的一側面上形成該畫素保護層。
如請求項9所述的製造系統，該第三圖案化設備包含： <br/>一叢集式腔室，具有一機器手臂；以及 <br/>複數腔室，以圍繞該叢集式腔室的一環形狀安裝並經配置以圖案化經形成的該第三多層。
如請求項9所述的製造系統，更包含： <br/>一第四圖案化設備，經配置以圖案化該畫素保護層以及該第一子畫素保護層至該第三子畫素保護層以形成一電源連接結構的一電源接觸孔以及一第一陰極接觸孔至一第三陰極接觸孔，其中電源線於該電源接觸孔中被暴露，且該第一延伸陰極至該第三延伸陰極於該第一陰極接觸孔至該第三陰極接觸孔中被暴露；以及 <br/>一第五沉積設備，經配置以於包含該電源接觸孔以及該第一陰極接觸孔至該第三陰極接觸孔的該基材上沉積一橋電極， <br/>其中該畫素保護層的圖案化以及該橋電極的沉積係在該基材於該第四圖案化設備以及該第五沉積設備之間進行，且係在一真空氣氛中連續移動而進行。
如請求項12所述的製造系統，其中該第五沉積設備經配置以藉由圖案化該畫素保護層而於該第一延伸陰極的一上表面、該第二延伸陰極的一側面以及該第三延伸陰極的一側面上形成該橋電極，且該第一延伸陰極的該上表面、該第二延伸陰極的該側面以及該第三延伸陰極的該側面透過該電源接觸孔以及該第一陰極接觸孔至該第三陰極接觸孔被暴露。
如請求項12所述的製造系統，更包含： <br/>一第五圖案化設備，經配置以圖案化該橋電極；以及 <br/>一第六沉積設備，經配置以於包含經圖案化的該橋電極的該基材上沉積一封裝層， <br/>其中，該橋電極的圖案化以及該封裝層的沉積係在該基材於該第五圖案化設備以及該第六圖案化設備之間進行，且係在一真空氣氛中連續移動而進行。
如請求項9所述的製造系統，其中該第一子畫素保護層、該第二子畫素保護層以及該第三子畫素保護層分別於該第一子畫素的該發光區域、該第二子畫素的該發光區域以及該第三子畫素的該發光區域中形成。
一種有機發光顯示裝置的製造方法，其中該製造方法用於依序形成構成一畫素的一第一子畫素、一第二子畫素以及一第三子畫素，且該製造方法包含： <br/>於一基材上依序沉積一第一有機發光膜、一第一陰極膜以及一第一絕緣膜以形成一第一多層； <br/>圖案化經形成的該第一多層以形成該第一子畫素的該發光區域中的一第一有機發光件以及以形成該第一子畫素的該非發光區域中的一第一連接圖案，其中該第一有機發光件包含一第一有機發光層以及一第一陰極，且該第一連接圖案包含自該第一有機發光層延伸的一第一延伸有機發光層、自該第一陰極延伸的一第一延伸陰極以及一第一子畫素保護層；以及 <br/>於經圖案化的該第一有機發光件以及該第一連接圖案以形成一第二多層上依序沉積一第二有機發光膜、一第二陰極膜以及一第二絕緣膜， <br/>其中該第一多層的圖案化以及該第二多層的沉積係在該基材於一真空氣氛中連續移動而進行。
如請求項16所述的製造方法，其中該形成該第二多層包含： <br/>於透過該第一多層的圖案化暴露的該第一延伸陰極的一側面上形成該第二多層。
如請求項16所述的製造方法，更包含： <br/>圖案化經形成的該第二多層以形成該第二子畫素的一發光區域中的一第二有機發光件以及以形成該第二子畫素的一非發光區域中的一第二連接圖案，其中該第二有機發光件包含一第二有機發光層以及一第二陰極，且該第二連接圖案包含延伸自該第二有機發光層的一第二延伸有機發光層、延伸自該第二陰極的一第二延伸陰極以及一第二子畫素保護層；以及 <br/>於經圖案化的該第二有機發光件以及該第二連接圖案以形成一第三多層上依序沉積一第三有機發光膜、一第三陰極膜以及一第三絕緣膜， <br/>其中該第二多層的圖案化以及真空氣氛該第三多層的沉積係在該基材於一真空氣氛中連續移動而進行。
如請求項18所述的製造方法，其中該形成該第三多層包含： <br/>於透過該第二多層的圖案化暴露的該第二延伸陰極的一側面上形成該第三多層。
如請求項18所述的製造方法，更包含： <br/>圖案化經形成的該第三多層以形成該第三子畫素的一發光區域中的一第三有機發光件以及以形成該第三子畫素的一非發光區域中的一第三連接圖案，其中該第三有機發光件包含一第三有機發光層以及一第三陰極，且該第三連接圖案包含自該第三有機發光層延伸的一第三延伸有機發光層、自該第三陰極的一第三延伸陰極以及一第三子畫素保護層；以及 <br/>於經圖案化的該第三有機發光件以及該第三連接圖案上沉積一畫素保護層， <br/>其中該第三多層的圖案化以及該畫素保護層的沉積係在該基材於一真空氣氛中連續移動而進行。
如請求項20所述的製造方法，其中該形成該畫素保護層包含： <br/>於該第一延伸陰極的一側面、該第二延伸陰極的一側面以及透過該第三多層的圖案化暴露的該第三延伸陰極的一側面上形成該畫素保護層。
如請求項20所述的製造方法，更包含： <br/>圖案化該畫素保護層以及該第一子畫素保護層至該第三子畫素保護層以形成一電源連接結構的一電源接觸孔以及一第一陰極接觸孔至一第三陰極接觸孔，其中電源線於該電源接觸孔中被暴露，且該第一延伸陰極至該第三延伸陰極於該第一陰極接觸孔至該第三陰極接觸孔中被暴露；以及 <br/>於包含該電源接觸孔以及該第一陰極接觸孔至該第三陰極接觸孔的該基材上沉積橋電極， <br/>其中該畫素保護層的圖案化以及該橋電極的沉積係在該基材於一真空氣氛中連續移動而進行。
如請求項22所述的製造方法，其中該形成該橋電極包含： <br/>藉由圖案化該畫素保護層而於該第一延伸陰極的一上表面、該第二延伸陰極的一側面以及該第三延伸陰極的一側面上形成該橋電極，其中該第一延伸陰極的一上表面、該第二延伸陰極的一側面以及該第三延伸陰極的該側面透過該電源接觸孔以及該第一陰極接觸孔至該第三陰極接觸孔被暴露。
如請求項22所述的製造方法，更包含： <br/>圖案化該橋電極；以及 <br/>於包含經圖案化的該橋電極的該基材上形成一封裝層， <br/>其中該橋電極的圖案化以及該封裝層的沉積係在該基材於一真空氣氛中連續移動而進行。
一種封裝基板，包括芯層，上述芯層包括玻璃芯和空腔部，上述玻璃芯具有彼此面對的第一表面和第二表面，上述空腔部貫穿上述玻璃芯， <br/>在上述空腔部佈置有空腔模組和第二絕緣層， <br/>上述空腔模組包括多個電子器件、第一絕緣層以及第三絕緣層， <br/>上述第一絕緣層是用塗層材料包圍每個上述電子器件的層， <br/>上述第一絕緣層佈置在每個上述電子器件的除一個表面之外的整個表面上或佈置在每個上述電子器件的整個表面上， <br/>上述第三絕緣層是用模制材料包圍佈置的多個上述電子器件的層， <br/>上述第二絕緣層嵌在上述空腔部的內部空間中除了上述空腔模組之外的部分中， <br/>上述第一絕緣層和上述第三絕緣層具有不同的介電常數， <br/>其中高頻相對介電常數Dk為在5.8Ghz高頻下的相對介電常數， <br/>Dk1為上述第一絕緣層的高頻相對介電常數， <br/>Dk3為上述第三絕緣層的高頻相對介電常數， <br/>上述Dk1與上述Dk3之差為0.1以上。
如請求項1所述的封裝基板，其中上述塗層材料的介電常數低於上述模制材料的介電常數。
如請求項1所述的封裝基板，其中Df1為上述第一絕緣層的介質損耗因數， <br/>Df3為上述第三絕緣層的介質損耗因數， <br/>上述Df1與上述Df3之差為0.0001以上。
一種封裝基板，包括芯層，上述芯層包括玻璃芯和空腔部，上述玻璃芯具有彼此面對的第一表面和第二表面，上述空腔部貫穿上述玻璃芯， <br/>在上述空腔部佈置有空腔模組和第二絕緣層， <br/>上述空腔模組包括多個電子器件、第一絕緣層以及第三絕緣層， <br/>上述第一絕緣層是用塗層材料包圍每個上述電子器件的層， <br/>上述第一絕緣層佈置在每個上述電子器件的除一個表面之外的整個表面上或佈置在每個上述電子器件的整個表面上， <br/>上述第三絕緣層是用模制材料包圍佈置的多個上述電子器件的層， <br/>上述第二絕緣層嵌在上述空腔部的內部空間中除了上述空腔模組之外的部分中， <br/>上述第一絕緣層和上述第三絕緣層具有不同的介電常數， <br/>其中上述第一絕緣層的介電常數低於上述第二絕緣層的介電常數， <br/>Df1為上述第一絕緣層的介質損耗因數， <br/>Df2為上述第二絕緣層的介質損耗因數， <br/>上述Df1與上述Df2之差為0.1以上。
如請求項4所述的封裝基板，其中上述第一絕緣層包括無機沉積層、液晶聚合物、環氧模塑膠、味之素構成膜或改性聚醯亞胺。
如請求項4所述的封裝基板，其中，在上述電子器件上佈置有電子器件連接電極， <br/>上述空腔模組包括空腔連接電極， <br/>上述空腔連接電極是與上述電子器件連接電極電連接並暴露於上述空腔模組的表面的連接電極。
如請求項4所述的封裝基板，其中上述電子器件包括被動器件、主動器件或兩者。
一種封裝基板，包括芯層，上述芯層包括玻璃芯和空腔部，上述玻璃芯具有彼此面對的第一表面和第二表面，上述空腔部貫穿上述玻璃芯， <br/>在上述空腔部佈置有空腔模組和第二絕緣層， <br/>上述空腔模組包括多個電子器件、第一絕緣層以及第三絕緣層， <br/>上述第一絕緣層是用塗層材料包圍每個上述電子器件的層， <br/>上述第一絕緣層佈置在每個上述電子器件的除一個表面之外的整個表面上或佈置在每個上述電子器件的整個表面上， <br/>上述第三絕緣層是用模制材料包圍佈置的多個上述電子器件的層， <br/>上述第二絕緣層嵌在上述空腔部的內部空間中除了上述空腔模組之外的部分中， <br/>上述第一絕緣層和上述第三絕緣層具有不同的介電常數， <br/>其中，在上述第一絕緣層更佈置有貫穿上述第一絕緣層的第一絕緣層通孔， <br/>在上述第三絕緣層更佈置有貫穿上述第三絕緣層的至少一部分的第三絕緣層通孔， <br/>上述第一絕緣層通孔和上述第三絕緣層通孔的內部的一部分或全部填充有電極材料。
一種封裝基板的製造方法，包括： <br/>準備步驟，準備佈置有空腔部的玻璃基板和空腔模組；及 <br/>堆疊步驟，將上述空腔模組排列在上述空腔部並在上述玻璃基板上設置第二絕緣層； <br/>上述空腔模組包括多個電子器件、第一絕緣層以及第三絕緣層， <br/>上述第一絕緣層是用塗層材料包圍每個上述電子器件的層， <br/>上述第一絕緣層佈置在每個上述電子器件的除一個表面之外的整個表面上或佈置在每個上述電子器件的整個表面上， <br/>上述第三絕緣層是用模制材料包圍佈置的多個上述電子器件的層， <br/>上述第二絕緣層嵌在上述空腔部的內部空間中除了上述空腔模組之外的部分中， <br/>上述第一絕緣層和上述第三絕緣層具有不同的介電常數， <br/>其中高頻相對介電常數Dk為在5.8Ghz高頻下的相對介電常數， <br/>Dk1為上述第一絕緣層的高頻相對介電常數， <br/>Dk3為上述第三絕緣層的高頻相對介電常數， <br/>上述Dk1與上述Dk3之差為0.1以上。
如請求項9所述的封裝基板的製造方法，其中上述空腔模組通過空腔模組製造步驟製造， <br/>上述空腔模組製造步驟包括：排列過程，排列相鄰的電子器件；一次絕緣過程，在排列的上述電子器件的表面上設置上述第一絕緣層；以及模制過程，將設置上述第一絕緣層的上述電子器件用上述模制材料進行模制，製造包含上述第三絕緣層的上述空腔模組。
如請求項9所述的封裝基板的製造方法，其中上述模制材料包括環氧模塑膠、味之素構成膜或改性聚醯亞胺。
如請求項10所述的封裝基板的製造方法，其中上述空腔模組製造步驟在上述模制過程之後更包括空腔電極形成過程， <br/>上述空腔電極形成過程是去除上述模制材料的一部分、形成連接到上述電子器件的連接電極的電極、佈置連接到上述電極的空腔模組連接電極的過程。
一種智慧步態識別鞋墊的感測方法，其包含以下步驟：感測步態過程中不同部位的壓力、速度及方向，並產生複數感測訊號，包含複數壓力感測訊號、至少一加速度訊號及至少一角速度訊號；將該些壓力感測訊號、該加速度訊號及該角速度訊號傳遞至一處理單元進行即時處理，包含下列步驟：數據融合步驟：整合該些壓力感測訊號、該加速度訊號及該角速度訊號，以獲取與步態對應的複數多維數據，在該數據融合步驟係使用一加權平均法平衡各感測訊號的重要性，以優化步態多維數據的準確性，且更進一步包括一降噪算法，用於過濾來自感測器的干擾訊號，提升數據融合結果的清晰度；特徵提取步驟：從融合的該些多維數據中，提取與步態相關的複數特徵，包含步伐長度、步幅、步態穩定性、壓力分佈，該特徵提取步驟使用主成分分析(PCA)技術來減少數據維度，保留最具代表性的步態特徵以進行進一步分析，且更進一步包含步伐對稱性計算，用於檢測步態是否存在左右不平衡的情況；步態判斷邏輯步驟：根據提取的該些特徵，應用一步態識別算法進行分析，該步態識別算法包含模式識別和機器學習技術，通過對正常步態和異常步態的特徵庫進行比對，以識別使用者的步態模式；及異常檢測步驟：判斷是否存在步態異常，並生成相應的一步態數據訊號，且在該異常檢測步驟包含一自適應閾值算法，根據個別使用者的步態數據調整異常判斷的標準；將該步態數據訊號輸出至一外部設備；該外部設備接收該步態數據訊號並進行分析，以對應地生成具體的一行為建議；及將一結果即時顯示於使用者界面，以提供使用者步態狀態及行為建議。
如請求項1所述的智慧步態識別鞋墊的感測方法，其中，感測步態過程中不同部位的壓力訊號時，包含計算每個壓力感測點的壓力中心，以分析足部的壓力分佈和步態平衡。
如請求項1所述的智慧步態識別鞋墊的感測方法，其中，步態判斷邏輯步驟包含一基於時間序列分析的方法，通過檢測步態特徵的變化趨勢來識別步態模式，且步態判斷邏輯步驟應用一神經網絡模型進行自動學習，以提升步態識別的精度和適應性，且步態判斷邏輯步驟使用監督式學習技術，通過訓練步態數據集優化正常和異常步態的分類。
如請求項1所述的智慧步態識別鞋墊的感測方法，其中，異常檢測步驟針對不同的步態異常類型生成具體的行為建議，包括步伐矯正和速度調整。
如請求項1所述的智慧步態識別鞋墊的感測方法，其中，該外部設備在接收步態數據訊號後進行二次分析，用於驗證處理單元生成的步態結果的準確性，且該外部設備的行為建議生成步驟包含一機器學習模型，以根據過往的步態數據優化建議內容。
如請求項1所述的智慧步態識別鞋墊的感測方法，其中，步態數據的顯示包括不同步態類型的分析報告，具體結果包括：正常步態結果、內八步態結果、外八步態結果、拖行步態結果、蹣跚步態結果、跛行步態結果、快速步態結果、慢速步態結果、不規則步態結果、跨步步態結果、單腳支撐時間異常、上下樓梯步態結果、跑步步態結果及不穩步態結果，以幫助使用者了解自身步態狀況並做出相應的行為調整建議。
一種採用如請求項1之感測方法的智慧步態識別鞋墊，其包含：一鞋墊基底，由柔性材料製成，具有一防水防塵保護層；一感測模組，包含六壓力感測器、至少一加速度感測器及至少一陀螺儀感測器，該些感測器設置於該鞋墊基底且相互電性連接，該些壓力感測器包含一第一感測器，位於腳跟骨中央，用以感測腳跟壓力並產生一第一壓力感測訊號，一第二感測器，位於第一蹠骨頭下方，用以感測內側前足壓力並產生一第二壓力感測訊號，一第三感測器，位於第五蹠骨頭下方，用以感測外側前足壓力並產生一第三壓力感測訊號，一第四感測器，位於內側足弓區域下方，用以感測足弓內側壓力並產生一第四壓力感測訊號，一第五感測器，位於外側足弓區域下方，用以感測足弓外側壓力並產生一第五壓力感測訊號，一第六感測器，位於趾骨下方，用以感測腳趾區域壓力並產生一第六壓力感測訊號，且該加速度感測器產生一加速度訊號，該陀螺儀感測器產生一角速度訊號；一處理與傳輸模組，包含一微處理單元及一無線傳輸單元，該微處理單元接收來自該感測模組的該些壓力感測訊號、該加速度訊號及該角速度訊號後，處理並分析以產生至少一步態數據訊號，該無線傳輸單元則接收該微處理單元的該步態數據訊號，並即時輸出；一電源模組，包含一無線充電電池以提供電力，支持該感測模組、該處理與傳輸模組得以正常運作；及一外部設備，包含：一接收模組，接收來自該無線傳輸模組輸出的該步態數據訊號；及一分析與顯示模組，包含一處理單元和一顯示單元，該處理單元在該接收模組接收該步態數據訊號後，對該步態數據訊號進行處理並生成一行為建議，該顯示模組則依據該行為建議以即時顯示一結果。
如請求項7所述的智慧步態識別鞋墊，其中，該第一感測器與該第二感測器之間的間距範圍介於6~12公分，該第一感測器與該第三感測器之間的間距範圍介於5~10公分，該第二感測器與該第三感測器之間的間距範圍介於5~7公分，該第二感測器與該第四感測器之間的間距範圍介於3~5公分，該第三感測器與該第五感測器之間的間距範圍介於4~6公分，該第四感測器與該第五感測器之間的間距範圍介於6~8公分，該第五感測器與該第六感測器之間的間距範圍介於6~8公分，且該些感測器的總面積占該鞋墊基底總面積的比例不大於30%。
一種低溫系統，其包含： <br/>接合在一起之複數個梯形單元胞，其中各梯形單元胞包含： <br/>一框架，其中來自鄰近梯形單元胞之框架在該等鄰近梯形單元胞之鄰接表面處以一真空密封方式連接， <br/>其中一梯形單元胞能夠水平地自該複數個接合之梯形單元胞移除或插入至該複數個接合之梯形單元胞中。
如請求項1之系統，其中各框架包含置放於切入該框架之一左面或該框架之一右面的一O形環凹槽中之一O形環，且其中來自該等鄰近梯形單元胞之該等框架藉由在該等鄰接表面之間壓縮該O形環而以一真空密封方式連接。
如請求項1之系統，其在該複數個梯形單元胞之各端處進一步包含： <br/>一端框架，其中該複數個框架及該等端框架一起形成一真空密封容器。
如請求項2之系統，其中該複數個梯形單元胞藉由將在該左面中含有一O形環之該等梯形單元胞與在該右面中含有一O形環之該等梯形單元胞交錯而接合在一起。
如請求項2之系統，其在該複數個梯形單元胞之各框架上進一步包含： <br/>一組前凸緣，其中該O形環由該組前凸緣上之螺紋緊固件壓縮。
如請求項5之系統，其中該組前凸緣藉由導銷嚙合以用於插入該梯形單元胞。
如請求項1之系統，其中該複數個梯形單元胞包含在500毫米與1500毫米之間的一單元胞至單元胞節距。
一種低溫系統，其包含： <br/>接合在一起之複數個單元胞，其中各單元胞包含： <br/>一框架； <br/>複數個嵌套式溫度殼，其中殼之一子集處於不同溫度位準； <br/>一標準稀釋冷凍機之至少一個改裝版本；及 <br/>至少一個有效負載，其位於該等溫度位準中之至少一者內，該至少一個有效負載由一標準稀釋冷凍機之該至少一個改裝版本冷卻，其中來自鄰近單元胞之框架在該等鄰近單元胞之鄰接表面處以一真空密封方式連接，且在各溫度位準下，來自該等鄰近單元胞之溫度殼經連接以形成一連續的全域溫度殼， <br/>其中一單元胞能夠水平地自該複數個接合之單元胞移除或插入至該複數個接合之單元胞中。
如請求項8之系統，其中各框架包含置放於切入該框架之一左面或該框架之一右面的一O形環凹槽中之一O形環，且其中來自該等鄰近單元胞之該等框架藉由在該等鄰接表面之間壓縮該O形環而以一真空密封方式連接。
如請求項8之系統，其在該複數個單元胞之各端處進一步包含： <br/>一端框架，其中該複數個框架及該等端框架一起形成一真空密封容器；及 <br/>用於該全域溫度殼之一端蓋，其位於該複數個單元胞之各端處，其中該全域溫度殼及該等端蓋形成一實質上封閉之耐輻射熱殼體。
如請求項9之系統，其中該複數個單元胞藉由將在該左面中含有一O形環之該等單元胞與在該右面中含有一O形環之該等單元胞交錯而接合在一起。
如請求項9之系統，其在該複數個單元胞之各框架上進一步包含： <br/>一組前凸緣，其中該O形環由該組前凸緣上之螺紋緊固件壓縮。
一種低溫系統，其包含： <br/>接合在一起之複數個梯形單元胞，其中各梯形單元胞包含： <br/>一框架總成，其包含在關閉時形成一真空密封之至少一個門； <br/>至少一個溫度殼，其自一組冷凍機凸緣懸置； <br/>一標準稀釋冷凍機之至少一個改裝版本；及 <br/>至少一個有效負載，其位於該至少一個溫度殼內，該至少一個有效負載由一標準稀釋冷凍機之該至少一個改裝版本冷卻，其中來自鄰近梯形單元胞之框架在該等鄰近梯形單元胞之鄰接表面處以一真空密封方式連接，且來自該等鄰近梯形單元胞之溫度殼經連接以形成一連續的全域溫度殼， <br/>其中一梯形單元胞能夠水平地自該複數個接合之梯形單元胞移除或插入至該複數個接合之梯形單元胞中。
如請求項13之系統，其中各框架包含置放於切入該框架之一左面或該框架之一右面的一O形環凹槽中之一O形環，且其中來自該等鄰近梯形單元胞之該等框架藉由在該等鄰接表面之間壓縮該O形環而以一真空密封方式連接。
如請求項13之系統，其在該複數個梯形單元胞之各端處進一步包含： <br/>一端框架，其中該複數個框架及該等端框架一起形成一真空密封容器；及 <br/>用於該全域溫度殼之一端蓋，其位於該複數個梯形單元胞之各端處，其中該全域溫度殼及該等端蓋形成一實質上封閉之耐輻射熱殼體。
如請求項14之系統，其中該複數個梯形單元胞藉由基於該O形環之位置使該等梯形單元胞交錯而接合在一起，使得一梯形單元胞之寬端緊鄰於鄰近梯形單元胞之窄端置放。
如請求項14之系統，其在該複數個梯形單元胞之各框架上進一步包含： <br/>一組前凸緣，其中該O形環由該組前凸緣上之螺紋緊固件壓縮。
一種環保紙地膜的製造方法，所述製造方法包含下列步驟：<br/>(1) 使用可回收紙製品重製成一底紙；<br/>(2) 將深色可自然分解之回收材料及可自然分解之樹脂添加水後攪拌均勻，形成混合漿料；<br/>(3) 將上述混合漿料均勻塗佈於該底紙的上表面；<br/>(4) 將塗佈後的該底紙以溫度100℃以上及140℃以下進行烘烤處理，以形成黏附於該底紙上表面的一深色頂膜，從而得到具雙層結構的一環保紙地膜。
如請求項1所述之環保紙地膜的製造方法，其中，所述深色可自然分解之回收材料與所述可自然分解之樹脂的比例為90：10至10：90。
如請求項1所述之環保紙地膜的製造方法，其中，在攪拌時可添加活性碳。
如請求項1所述之環保紙地膜的製造方法，其中，在攪拌時可添加利於微生物生長的碳源、氮源、磷源、硫源的其中之一或其組合。
如請求項1至4中任一項所述之環保紙地膜的製造方法，其中，在攪拌時可添加助劑。
如請求項1所述之環保紙地膜的製造方法，其中，該環保紙地膜的總厚度為0.055mm至0.615mm，且單位面積的重量範圍為30 g/m<sup>2</sup>至450 g/m<sup>2</sup>。
如請求項1所述之環保紙地膜的製造方法，其中，所述可自然分解之樹脂為聚羥基脂肪酸酯 (Polyhydroxyalkanoates, PHA)、聚丁二酸丁二醇酯 (Polybutylene Succinate, PBS)、澱粉基樹脂 (Starch-Based Resin)、纖維素衍生物 (Cellulose Derivatives)、聚己內酯 (Polycaprolactone, PCL)或聚對苯二甲酸丁二醇酯共丁二酸酯 (Polybutylene Adipate Terephthalate, PBAT)。
一種環保紙地膜，包含：<br/>一底紙，其材質為植物纖維；<br/>一深色頂膜，黏附於該底紙的一面，該深色頂膜的材質為深色可自然分解之回收材料及可自然分解之樹脂，該深色頂膜具有能穿透水氣但無法穿透液態水的複數微孔。
如請求項8所述之環保紙地膜，其中，該深色頂膜的材質更包括活性碳及利於微生物生長的碳源、氮源、磷源、硫源的其中之一或其組合。
一種半導體裝置，包括：<br/> 一基底；<br/> 一第一介電層和一第二介電層，堆疊地設置在該基底上；<br/> 一接合界面層，設置在該第一介電層和該第二介電層之間，其中，該接合界面層包括依序堆疊的一第一界面層和一第二界面層； <br/> 複數個虛設插塞，該些虛設插塞設置在該第二介電層和該第二界面層內，且該些虛設插塞在該垂直方向上設置在該第一介電層上；以及<br/> 複數個穿矽通孔，設置在該第二介電層上，其中，該些穿矽通孔的一部分電連接至該些虛設插塞。
如申請專利範圍第1項所述的半導體裝置，還包括：<br/> 一導電結構，設置在該第一介電層、該接合界面層和該第二介電層內，其中，該導電結構包括在該垂直方向上堆疊設置的一第一部分和一第二部分。
如申請專利範圍第1項所述的半導體裝置，其中，該些穿矽通孔和該些虛設插塞皆包括銅。
如申請專利範圍第1項所述的半導體裝置，還包括：<br/> 一輸入/輸出端，設置在該第二介電層上，鄰近於設置在該第二介電層內的該些虛設插塞。
一種半導體裝置的形成方法，包括：<br/> 提供一基底；<br/> 在該基底上形成一第一介電層和一第二介電層；<br/> 在該第一介電層和該第二介電層之間形成一接合界面層，其中，該接合界面層包括依序堆疊的一第一界面層和一第二界面層； <br/> 在該第二介電層和該第二界面層內形成該些虛設插塞，位於該第一介電層上；以及<br/> 在該第二介電層上形成複數個穿矽通孔，其中，該些穿矽通孔的一部分電連接至該些虛設插塞。
如申請專利範圍第5項所述的半導體裝置的形成方法，還包括：<br/> 提供另一基底；<br/> 在該基底和該另一基底上分別形成該第一介電層和該第二介電層；<br/> 在該第一介電層上形成該第一界面層；<br/> 在該第二介電層上形成該第二界面層；以及<br/> 貼合該第二界面層和該第一界面層，形成該接合界面層。
如申請專利範圍第6項所述的半導體裝置的形成方法，在貼合該第二界面層和該第一界面層後，該些虛設插塞位在該第一界面層上。
如申請專利範圍第7項所述的半導體裝置的形成方法，在該第二介電層和該第二界面層內形成該些虛設插塞之後，還包括：<br/> 在該另一基底上形成一輸入/輸出端。
如申請專利範圍第6項所述的半導體裝置的形成方法，還包括：<br/> 在該第一介電層、該接合界面層和該第二介電層內形成一導電結構，其中，該導電結構包括在該垂直方向上堆疊設置的一第一部分和一第二部分。
如申請專利範圍第6項所述的半導體裝置的形成方法，在形成該些虛設插塞之後還包括：<br/> 在貼合該第二界面層和該第一界面層後，完全移除該另一基底。
一種中繼器，由一終端裝置進行控制，包含：<br/> 一通訊單元，透過一短距離通訊協議耦合連接該終端裝置，該通訊單元傳送一回報資料至該終端裝置，其包含可轉換的頻率範圍及可支援的訊號規格，且該通訊單元接收該終端裝置的一控制指令，其包含一目標頻帶及一通訊規格；<br/> 一控制單元，耦合連接該通訊單元，用於接收該控制指令，該通訊單元傳送一調控指標至該終端裝置，及接收該終端裝置之一相位更新指令，並傳送該相位更新指令至該控制單元；<br/> 一轉換單元，分別電性連接一接收天線及一發射天線，該接收天線接收一基站之一第一訊號，該轉換單元耦合連接該控制單元，該控制單元依據該控制指令操作該轉換單元調整該第一訊號的頻率，以產生在該目標頻帶之一第二訊號，由該發射天線發射該第二訊號至該終端裝置；及<br/> 一相移單元，電性連接該轉換單元、該接收天線及該發射天線，該相移單元耦合連接該控制單元，該控制單元依據該相位更新指令控制該相移單元，以調控該第一訊號及該第二訊號至少其中之一的相位。
如請求項1之中繼器，其中，該終端裝置判斷該調控指標的變化量大於一預設閾值時，決定該相位更新指令，以傳送至該通訊單元。
如請求項1之中繼器，其中，該終端裝置偵測該第二訊號的一通訊品質，判斷該通訊品質低於一品質閾值時，決定該相位更新指令，以傳送至該通訊單元。
一種中繼器的控制方法，係由一終端裝置執行，包含：<br/> 該終端裝置與一中繼器透過短距離通訊協議建立連線；<br/> 該終端裝置接收來自該中繼器的一回報資料，其包含該中繼器可轉換的頻率範圍及可支援的訊號規格；<br/> 該終端裝置決定一控制指令，其對應於一目標頻帶及一通訊規格，並傳送該控制指令至該中繼器；<br/> 該中繼器依據該回報資料及該控制指令，調整來自一基站的一第一訊號的頻率，以產生在該目標頻帶內的一第二訊號；<br/> 該中繼器依據一相位更新指令，調控該第一訊號及該第二訊號至少其中之一的相位；<br/> 該終端裝置偵測該中繼器的一調控指標，當該調控指標的變化量大於一預設閾值時，決定該相位更新指令；及<br/> 該中繼器將該第二訊號傳送至該終端裝置。
如請求項4之中繼器的控制方法，其中，該中繼器依據該控制指令，將該第一訊號重新打包以符合該通訊規格。
如請求項4之中繼器的控制方法，其中，該終端裝置偵測該第二訊號的一通訊品質，當該通訊品質的變化量大於一品質閾值時，決定該相位更新指令。
一種具有資料有效視窗（data valid window）擴展機制的資料接收裝置，包含：<br/> 一資料前處理電路，對一輸入資料訊號以及該輸入資料訊號延遲產生的一延遲資料訊號進行及邏輯運算與或邏輯運算，產生一及閘處理訊號以及一或閘處理訊號；<br/> 一取樣電路，對應一資料中段時序，根據一資料閃控訊號的一取樣正緣及一取樣負緣分別對該及閘處理訊號及該或閘處理訊號取樣，產生一及閘正緣取樣結果、一或閘正緣取樣結果、一及閘負緣取樣結果以及一或閘負緣取樣結果；<br/> 一資料相位狀態儲存電路，儲存一正緣資料相位狀態以及一負緣資料相位狀態；<br/> 一正緣資料多工器以及一負緣資料多工器；<br/> 一正緣選擇電路，根據一先前負緣取樣結果、該及閘正緣取樣結果、該或閘正緣取樣結果及該正緣資料相位狀態判斷一當下正緣取樣結果，以在該當下正緣取樣結果為一高態時控制該正緣資料多工器選擇該或閘正緣取樣結果輸出為一當下正緣資料，在該當下正緣取樣結果為一低態時控制該正緣資料多工器選擇該及閘正緣取樣結果輸出為該當下正緣資料，其中該先前負緣取樣結果鄰接於該當下正緣取樣結果之前；以及<br/> 一負緣選擇電路，根據一先前正緣取樣結果、該及閘負緣取樣結果、該或閘負緣取樣結果及該負緣資料相位狀態判斷一當下負緣取樣結果，以在該當下負緣取樣結果為該高態時控制該負緣資料多工器選擇該或閘負緣取樣結果輸出為一當下負緣資料，在該當下負緣取樣結果為該低態時控制該負緣資料多工器選擇該及閘負緣取樣結果輸出為該當下負緣資料，其中該先前正緣取樣結果鄰接於該當下負緣取樣結果之前。
如請求項1所述之資料接收裝置，其中該資料前處理電路包含：<br/> 一資料延遲電路，接收該輸入資料訊號進行延遲，以產生該延遲資料訊號：<br/> 一及（AND）閘，對該輸入資料訊號以及該延遲資料訊號進行及邏輯運算，以產生一及閘處理訊號；以及<br/> 一或（OR）閘，對該輸入資料訊號以及該延遲資料訊號進行或邏輯運算，以產生一或閘處理訊號。
如請求項1所述之資料接收裝置，其中該取樣電路包含：<br/> 一資料中段正緣取樣電路，對應該資料中段時序，根據該資料閃控訊號的該取樣正緣對該及閘處理訊號取樣產生該及閘正緣取樣結果以及對該或閘處理訊號取樣產生該或閘正緣取樣結果；以及<br/> 一資料中段負緣取樣電路，對應該資料中段時序，根據該資料閃控訊號的該取樣負緣對該及閘處理訊號取樣產生該及閘負緣取樣結果以及對該或閘處理訊號取樣產生該或閘負緣取樣結果。
如請求項3所述之資料接收裝置，其中該取樣電路更包含：<br/> 一資料前段正緣取樣電路，對應該資料中段時序前的一資料前段時序，根據該資料閃控訊號的該取樣正緣對該輸入資料訊號取樣產生並輸出為一資料前段正緣資料；<br/> 一資料前段負緣取樣電路，對應該資料前段時序，根據該資料閃控訊號的該取樣負緣對該輸入資料訊號取樣產生並輸出為一資料前段負緣資料；<br/> 一資料後段正緣取樣電路，對應該資料中段時序後的一資料後段時序，根據該資料閃控訊號的該取樣正緣對該及閘處理訊號取樣產生一資料後段及閘正緣取樣結果以及對該或閘處理訊號取樣產生一資料後段或閘正緣取樣結果；以及<br/> 一資料後段負緣取樣電路，對應該資料後段時序，根據該資料閃控訊號的該取樣負緣對該及閘處理訊號取樣產生一資料後段及閘負緣取樣結果以及對該或閘處理訊號取樣產生一資料後段或閘負緣取樣結果；<br/> 該資料接收裝置更包含一資料後段正緣資料多工器以及一資料後段負緣資料多工器，其中該正緣選擇電路更在該當下正緣取樣結果為該高態時控制該資料後段正緣資料多工器選擇該資料後段或閘正緣取樣結果輸出為一資料後段正緣資料，在該當下正緣取樣結果為該低態時控制該資料後段正緣資料多工器選擇該資料後段及閘正緣取樣結果輸出為該資料後段正緣資料；<br/> 該負緣選擇電路更在該當下負緣取樣結果為該高態時控制該資料後段負緣資料多工器選擇該資料後段或閘負緣取樣結果輸出為一資料後段負緣資料，在該當下負緣取樣結果為該低態時控制該資料後段負緣資料多工器選擇該資料後段及閘負緣取樣結果輸出為該資料後段負緣資料；以及<br/> 該資料相位狀態儲存電路將該資料前段正緣資料、該當下正緣資料以及該資料後段正緣資料儲存為該正緣資料相位狀態，並將該資料前段負緣資料、該當下負緣資料以及該資料後段負緣資料儲存為該負緣資料相位狀態。
如請求項4所述之資料接收裝置，其中該正緣資料相位狀態在該資料前段正緣資料以及該當下正緣資料為一第一狀態且該資料後段正緣資料為一第二狀態時為一落後狀態，且在該資料前段正緣資料為該第一狀態且該當下正緣資料以及該資料後段正緣資料為該第二狀態時為一領先狀態；<br/> 該負緣資料相位狀態在該資料前段負緣資料以及該當下負緣資料為該第一狀態且該資料後段負緣資料為該第二狀態時為該落後狀態，且在該資料前段負緣資料為該第一狀態且該當下負緣資料以及該資料後段負緣資料為該第二狀態時為該領先狀態；<br/> 其中該正緣選擇電路在該先前負緣取樣結果、該資料前段正緣資料以及該及閘正緣取樣結果為該低態、該或閘正緣取樣結果為該高態且該正緣資料相位狀態為該落後狀態時判斷該當下正緣取樣結果為該低態，並在該先前負緣取樣結果、該資料前段正緣資料以及該及閘正緣取樣結果為該低態、該或閘正緣取樣結果為該高態且該正緣資料相位狀態為該領先狀態時判斷該當下正緣取樣結果為該高態；<br/> 該負緣選擇電路在該先前正緣取樣結果、該資料前段負緣資料以及該及閘負緣取樣結果為該低態、該或閘負緣取樣結果為該高態且該負緣資料相位狀態為該落後狀態時判斷該當下負緣取樣結果為該低態，並在該先前正緣取樣結果、該資料前段負緣資料以及該及閘負緣取樣結果為該低態、該或閘負緣取樣結果為該高態且該負緣資料相位狀態為該領先狀態時判斷該當下負緣取樣結果為該高態。
如請求項4所述之資料接收裝置，其中該正緣選擇電路在該先前負緣取樣結果為該低態且該資料前段正緣資料為該高態時直接判斷該當下正緣取樣結果為該高態，且在該先前負緣取樣結果為該高態且該資料前段正緣資料為該低態時直接判斷該當下正緣取樣結果為該低態；以及<br/> 該負緣選擇電路在該先前正緣取樣結果為該低態且該資料前段負緣資料為該高態時直接判斷該當下負緣取樣結果為該高態，且在該先前負緣取樣結果為該高態且該資料前段負緣資料為該低態時直接判斷該當下負緣取樣結果為該低態。
如請求項4所述之資料接收裝置，其中該正緣選擇電路在該及閘正緣取樣結果以及該或閘正緣取樣結果均為該高態時判斷該當下正緣取樣結果為該高態，在該及閘正緣取樣結果以及該或閘正緣取樣結果均為該低態時判斷該當下正緣取樣結果為該低態；以及<br/> 該負緣選擇電路在該及閘負緣取樣結果以及該或閘負緣取樣結果均為該高態時判斷該當下負緣取樣結果為該高態，在該及閘負緣取樣結果以及該或閘負緣取樣結果均為該低態時判斷該當下負緣取樣結果為該低態。
如請求項1所述之資料接收裝置，更包含： <br/> 一資料閃控延遲電路，接收對應該輸入資料訊號的一原始資料閃控訊號進行延遲，以產生該資料閃控訊號。
一種具有資料有效視窗擴展機制的資料接收方法，包含：<br/> 由一資料前處理電路對一輸入資料訊號以及該輸入資料訊號延遲產生的一延遲資料訊號進行及邏輯運算與或邏輯運算，產生一及閘處理訊號以及一或閘處理訊號；<br/> 由一取樣電路對應一資料中段時序，根據一資料閃控訊號的一取樣正緣及一取樣負緣分別對該及閘處理訊號及該或閘處理訊號取樣，產生一及閘正緣取樣結果、一或閘正緣取樣結果、一及閘負緣取樣結果以及一或閘負緣取樣結果；<br/> 由一正緣選擇電路根據一先前負緣取樣結果、該及閘正緣取樣結果、該或閘正緣取樣結果及一資料相位狀態儲存電路儲存的一正緣資料相位狀態判斷一當下正緣取樣結果，以在該當下正緣取樣結果為一高態時控制一正緣資料多工器選擇該或閘正緣取樣結果輸出為一當下正緣資料，在該當下正緣取樣結果為一低態時控制該正緣資料多工器選擇該及閘正緣取樣結果輸出為該當下正緣資料，其中該先前負緣取樣結果鄰接於該當下正緣取樣結果之前；以及<br/> 由一負緣選擇電路根據一先前正緣取樣結果、該及閘負緣取樣結果、該或閘負緣取樣結果及該資料相位狀態儲存電路儲存的一負緣資料相位狀態判斷一當下負緣取樣結果，以在該當下負緣取樣結果為該高態時控制一負緣資料多工器選擇該或閘負緣取樣結果輸出為一當下負緣資料，在該當下負緣取樣結果為該低態時控制該負緣資料多工器選擇該及閘負緣取樣結果輸出為該當下負緣資料，其中該先前正緣取樣結果鄰接於該當下負緣取樣結果之前。
如請求項9所述之資料接收方法，更包含：<br/> 由該資料前處理電路包含的一資料延遲電路接收該輸入資料訊號進行延遲，以產生該延遲資料訊號：<br/> 由該資料前處理電路包含的一及閘對該輸入資料訊號以及該延遲資料訊號進行及邏輯運算，以產生一及閘處理訊號；以及<br/> 由該資料前處理電路包含的一或閘對該輸入資料訊號以及該延遲資料訊號進行或邏輯運算，以產生一或閘處理訊號。
一種基板處理裝置，其係進行藉由包含卡羅酸之處理液去除形成於基板之一面上之非所需膜之去除處理者；且 <br/>上述卡羅酸藉由將硫酸及過氧化氫水中之一者作為第1液，將硫酸及過氧化氫水中之另一者作為第2液之情形時，混合上述第1液與上述第2液而生成； <br/>上述基板處理裝置具備： <br/>噴嘴，其將上述處理液以對上述基板之上述一面之複數個部分碰撞之方式噴出； <br/>第1液供給系統，其包含連接於上述噴嘴之第1配管，通過上述第1配管對上述噴嘴供給上述第1液； <br/>第2液供給系統，其包含分別連接於由上述噴嘴及上述第1配管形成之液流路中互不相同之複數個部分之複數個第2配管，通過上述複數個第2配管中之任一者對上述液流路供給上述第2液；及 <br/>控制部，其於上述去除處理時，基於預先確定之複數個動作條件而控制上述第1液供給系統及上述第2液供給系統；且 <br/>上述複數個動作條件係以具有與上述基板之上述一面之複數個部分之各者對應之膜去除能力之處理液對該部分碰撞之方式，分別與上述基板之複數個部分建立對應之條件；且 <br/>上述第2液供給系統進而包含分別設置於上述複數個第2配管之複數個開關閥； <br/>上述複數個動作條件包含與上述基板之上述一面之上述複數個部分之各者建立對應之上述複數個開關閥之開關狀態；且 <br/>上述控制部於上述去除處理時，對於自上述噴嘴噴出之處理液所要碰撞之上述基板之每個部分，以上述複數個開關閥之開關狀態成為與該部分對應之開關狀態之方式，控制上述複數個開關閥。
如請求項1之基板處理裝置，其中上述噴嘴包含分別與上述基板之上述一面之上述複數個部分對應之複數個噴嘴； <br/>上述第1液供給系統包含分別與上述複數個噴嘴對應之複數個第1液供給系統； <br/>上述第2液供給系統包含分別與上述複數個噴嘴對應之複數個第2液供給系統；且 <br/>上述基板處理裝置進而具備： <br/>噴嘴支持部，其以上述複數個噴嘴之處理液之噴出口分別與上述基板之上述一面之上述複數個部分對向之方式，支持上述複數個噴嘴。
一種基板處理裝置，其係進行藉由包含卡羅酸之處理液去除形成於基板之一面上之非所需膜之去除處理者；且 <br/>上述卡羅酸藉由將硫酸及過氧化氫水中之一者作為第1液，將硫酸及過氧化氫水中之另一者作為第2液之情形時，混合上述第1液與上述第2液而生成； <br/>上述基板處理裝置具備： <br/>一個噴嘴，其將上述處理液以對上述基板之上述一面之複數個部分碰撞之方式噴出； <br/>第1液供給系統，其包含連接於上述一個噴嘴之第1配管，通過上述第1配管對上述一個噴嘴供給上述第1液； <br/>第2液供給系統，其包含分別連接於由上述一個噴嘴及上述第1配管形成之液流路中互不相同之複數個部分之複數個第2配管，通過上述複數個第2配管中之任一者對上述液流路供給上述第2液； <br/>控制部，其於上述去除處理時，基於預先確定之複數個動作條件而控制上述第1液供給系統及上述第2液供給系統；及 <br/>噴嘴移動部，其於較上述基板更上方之位置支持上述一個噴嘴，且使上述一個噴嘴與上述基板於水平面內相對移動；且 <br/>上述複數個動作條件係以具有與上述基板之上述一面之複數個部分之各者對應之膜去除能力之處理液對該部分碰撞之方式，分別與上述基板之複數個部分建立對應之條件； <br/>上述控制部於上述去除處理時，以自上述一個噴嘴噴出之處理液對上述基板之上述一面之複數個部分依序碰撞之方式，控制上述噴嘴移動部。
一種基板處理方法，其係使用基板處理裝置之基板處理方法，上述基板處理裝置係進行藉由包含卡羅酸之處理液去除形成於基板之一面上之非所需膜之去除處理者；且 <br/>上述卡羅酸藉由將硫酸及過氧化氫水中之一者作為第1液，將硫酸及過氧化氫水中之另一者作為第2液之情形時，混合上述第1液與上述第2液而生成； <br/>上述基板處理裝置具備： <br/>噴嘴，其將上述處理液以對上述基板之上述一面之複數個部分碰撞之方式噴出； <br/>第1液供給系統，其包含連接於上述噴嘴之第1配管，通過上述第1配管對上述噴嘴供給上述第1液；及 <br/>第2液供給系統，其包含分別連接於由上述噴嘴及上述第1配管形成之液流路中互不相同之複數個部分之複數個第2配管，通過上述複數個第2配管中之任一者對上述第1配管內供給上述第2液；且 <br/>上述基板處理方法包含如下步驟： <br/>針對上述基板之上述一面之上述複數個部分之各者，取得與應對該部分供給之處理液之膜去除能力相關之資訊； <br/>基於所取得之上述資訊，以具有對應之膜去除能力之處理液分別對上述基板之上述一面之上述複數個部分碰撞之方式，設定與上述基板之複數個部分之各者對應之上述第1液供給系統及上述第2液供給系統之動作條件；及 <br/>基於所設定之上述第1液供給系統及上述第2液供給系統之複數個動作條件控制上述第1液供給系統及上述第2液供給系統；且 <br/>上述第2液供給系統進而包含分別設置於上述複數個第2配管之複數個開關閥； <br/>上述複數個動作條件包含與上述基板之上述一面之上述複數個部分之各者建立對應之上述複數個開關閥之開關狀態；且 <br/>控制上述第1液供給系統及上述第2液供給系統之步驟包含：於上述去除處理時，針對自上述噴嘴噴出之處理液所要碰撞之上述基板之每個部分，以上述複數個開關閥之開關狀態成為與該部分對應之開關狀態之方式，控制上述複數個開關閥。
如請求項4之基板處理方法，其中上述噴嘴包含分別與上述基板之上述一面之上述複數個部分對應之複數個噴嘴； <br/>上述第1液供給系統包含分別與上述複數個噴嘴對應之複數個第1液供給系統； <br/>上述第2液供給系統包含分別與上述複數個噴嘴對應之複數個第2液供給系統；且 <br/>上述基板處理方法包含： <br/>於上述去除處理時，以上述複數個噴嘴之處理液之噴出口分別與上述基板之上述一面之上述複數個部分對向之方式，支持上述複數個噴嘴。
一種基板處理方法，其係使用基板處理裝置之基板處理方法，上述基板處理裝置係進行藉由包含卡羅酸之處理液去除形成於基板之一面上之非所需膜之去除處理者；且 <br/>上述卡羅酸藉由將硫酸及過氧化氫水中之一者作為第1液，將硫酸及過氧化氫水中之另一者作為第2液之情形時，混合上述第1液與上述第2液而生成； <br/>上述基板處理裝置具備： <br/>一個噴嘴，其將上述處理液以對上述基板之上述一面之複數個部分碰撞之方式噴出； <br/>第1液供給系統，其包含連接於上述一個噴嘴之第1配管，通過上述第1配管對上述一個噴嘴供給上述第1液；及 <br/>第2液供給系統，其包含分別連接於由上述一個噴嘴及上述第1配管形成之液流路中互不相同之複數個部分之複數個第2配管，通過上述複數個第2配管中之任一者對上述第1配管內供給上述第2液；且 <br/>上述基板處理方法包含如下步驟： <br/>針對上述基板之上述一面之上述複數個部分之各者，取得與應對該部分供給之處理液之膜去除能力相關之資訊； <br/>基於所取得之上述資訊，以具有對應之膜去除能力之處理液分別對上述基板之上述一面之上述複數個部分碰撞之方式，設定與上述基板之複數個部分之各者對應之上述第1液供給系統及上述第2液供給系統之動作條件；及 <br/>基於所設定之上述第1液供給系統及上述第2液供給系統之複數個動作條件控制上述第1液供給系統及上述第2液供給系統； <br/>於上述去除處理時，以自上述一個噴嘴噴出之處理液對上述基板之上述一面之複數個部分依序碰撞之方式，於較上述基板更上方之位置支持上述一個噴嘴，且使上述一個噴嘴與上述基板於水平面內相對移動。
一種用於微波電漿化學氣相沉積設備的腔體結構，其用以讓一微波形成一微波場，該用於微波電漿化學氣相沉積設備的腔體結構包含： <br/>一外殼，其包含： <br/>一內底面及一內頂面，其彼此之間互相間隔且面向彼此，該內底面的直徑大於該內頂面的直徑，且該內頂面朝向該內底面凸出；及 <br/>一內環壁面，其兩端分別連接該內頂面及該內底面，藉此一腔室形成於該內底面、該內頂面、及該內環壁面之間，且該微波場位於該腔室；以及 <br/>一載物台，其設置於該腔室，該載物台具有一載物面，該載物面面向該內頂面； <br/>其中，該腔室在該內環壁面所環繞之部分，其內徑由該內底面往該內頂面的方向漸縮，藉此該腔室形成一截頂圓錐狀。
如請求項1所述之用於微波電漿化學氣相沉積設備的腔體結構，其中該內頂面為一弧形面。
如請求項1所述之用於微波電漿化學氣相沉積設備的腔體結構，其中該內底面往遠離該內頂面的方向凹陷。
如請求項1至3中任一項所述之用於微波電漿化學氣相沉積設備的腔體結構，其中，該外殼具有： <br/>一底盤件，該內底面位於該底盤件； <br/>一周壁件，其密封連接於該底盤件的周緣並往遠離該底盤件的方向延伸，該內環壁面位於該周壁件；以及 <br/>一頂蓋件，其密封設置於該周壁件相對於該底盤件的一端。
如請求項4所述之用於微波電漿化學氣相沉積設備的腔體結構，其中該外殼進一步具有： <br/>至少一進氣口，其貫穿形成於該周壁件，且該至少一進氣口的位置接近於該頂蓋件。
如請求項4所述之用於微波電漿化學氣相沉積設備的腔體結構，其進一步具有： <br/>一微波管，其連接於該底盤件，且連通於該腔室。
如請求項4所述之用於微波電漿化學氣相沉積設備的腔體結構，其中，該頂蓋件係可拆卸地連接於該周壁件。
如請求項1至3中任一項所述之用於微波電漿化學氣相沉積設備的腔體結構，其進一步具有： <br/>一冷卻器，其穿設於該外殼且連接於該載物台。
如請求項1至3中任一項所述之用於微波電漿化學氣相沉積設備的腔體結構，其中，該微波的採用頻段為介於900至930百萬赫茲(MHz)之間或介於2400至2500百萬赫茲(MHz)之間。
一種1-((3S,4R)-3-((2-((1-乙基-1H-吡唑-4-基)胺基)-7H-吡咯并[2,3-d]嘧啶-4-基)氧基)-4-氟哌啶-1-基)丙-2-烯-1-酮之酒石酸鹽。
如請求項1之1-((3S,4R)-3-((2-((1-乙基-1H-吡唑-4-基)胺基)-7H-吡咯并[2,3-d]嘧啶-4-基)氧基)-4-氟哌啶-1-基)丙-2-烯-1-酮之酒石酸鹽，其中在由Cu光源輻照之X射線粉末繞射圖譜中，該酒石酸鹽具有選自由以下者組成之群中的三個或更多繞射角（2θ±0.2°）峰值：5.2°、8.0°、10.4°、12.5°、13.1°、13.7°、15.4°、16.5°、16.9°、17.9°、18.3°、18.8°、20.1°、20.5°、21.3°和21.6°。
如請求項1之1-((3S,4R)-3-((2-((1-乙基-1H-吡唑-4-基)胺基)-7H-吡咯并[2,3-d]嘧啶-4-基)氧基)-4-氟哌啶-1-基)丙-2-烯-1-酮之酒石酸鹽，其中在示差掃描量熱法分析中，該酒石酸鹽具有171.48±1.0℃之吸熱起始溫度且顯示在175.86±1.0℃的吸熱溫度之最大吸熱峰值。
一種1-((3S,4R)-3-((2-((1-乙基-1H-吡唑-4-基)胺基)-7H-吡咯并[2,3-d]嘧啶-4-基)氧基)-4-氟哌啶-1-基)丙-2-烯-1-酮之酒石酸鹽的製備方法，該方法包含： <br/>（步驟1）使由以下化學式1-1表示之化合物與由以下化學式1-2表示之化合物於鹼的存在下進行反應，以製備由以下化學式1-3表示之化合物； <br/>（步驟2）使由以下化學式1-3表示之化合物與由以下化學式1-4表示之化合物於鈀催化劑和鹼的存在下進行反應，以製備由以下化學式1-5表示之化合物； <br/>（步驟3）使由以下化學式1-5表示之化合物與酸進行反應，以製備由以下化學式1-6表示之化合物； <br/>（步驟4）使由以下化學式1-6表示之化合物與由以下化學式1-7表示之化合物於鹼的存在下進行反應，以製備由以下化學式1表示之化合物；及 <br/>（步驟5）使由以下化學式1表示之化合物與酒石酸進行反應，以製備由以下化學式1表示之化合物的酒石酸鹽， <br/>其中步驟1至4中的至少一者進一步包含結晶步驟： <br/>[化學式1] <br/><img align="absmiddle" height="59px" width="62px" file="ed10012.jpg" alt="ed10012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式1-1] <br/><img align="absmiddle" height="28px" width="33px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式1-2] <br/><img align="absmiddle" height="21px" width="32px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式1-3] <br/><img align="absmiddle" height="41px" width="43px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式1-4] <br/><img align="absmiddle" height="25px" width="29px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式1-5] <br/><img align="absmiddle" height="59px" width="53px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式1-6] <br/><img align="absmiddle" height="59px" width="49px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式1-7] <br/><img align="absmiddle" height="15px" width="23px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中在化學式1-1至1-7中， <br/>P<sub>1</sub>表示選自由以下者組成之群中的保護基：三級丁氧基羰基（Boc）、苄氧羰基（Cbz）、對甲氧苄基羰基（Moz）、9-茀基甲基氧基羰基（Fmoc）、乙醯基（Ac）、苄醯基（Bz）、苄基（Bn）和對甲氧苄基（PMB）。
如請求項4之製備方法，其中在步驟1中，基於1當量的由化學式1-1表示之化合物，以0.1至10當量的含量使用由化學式1-2表示之化合物。
如請求項4之製備方法，其中在步驟1中，所述鹼為選自由以下者組成之群中的至少一者：三級丁醇鉀、三級丁醇鈉、甲醇鉀、甲醇鈉、三級戊醇鉀、三級戊醇鈉、三乙胺、二異丙基乙胺、氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鋰、碳酸鉀、碳酸鈣、碳酸鈉、碳酸氫鉀、碳酸氫鈉和碳酸銫。
如請求項4之製備方法，其中在步驟1中，基於1當量的由化學式1-1表示之化合物，以0.1至10當量的含量使用所述鹼。
如請求項4之製備方法，其中在步驟1中，所述反應是在選自由以下者組成之群中的一或多種有機溶劑中進行：四氫呋喃（THF）、1,4-二㗁烷、甲醇、乙醇、異丙醇、1-丁醇、2-丁醇、丙酮、甲基乙基酮、乙酸乙酯、甲基三級丁基醚、乙腈、甲苯、庚烷、3-甲基四氫呋喃、二氯甲烷、甲基異丁基酮、二甲基甲醯胺（DMF）、二甲基乙醯胺（DMAC）及二甲亞碸（DMSO）。
如請求項8之製備方法，其中在步驟1中，所述反應是在30至60℃下進行。
如請求項4之製備方法，其中步驟1進一步包含下列步驟：在由化學式1-1表示之化合物與由化學式1-2表示之化合物於鹼的存在下進行反應之後，結晶化反應產物。
如請求項4之製備方法，其中在步驟2中，基於1當量的由化學式1-3表示之化合物，以0.1至10當量的含量使用由化學式1-4表示之化合物。
如請求項4之製備方法，其中在步驟2中，所述鈀催化劑為選自由以下者組成之群中的至少一者：三(二亞苄基丙酮)二鈀(0)、四(三苯基膦)鈀(0)、雙[三(2-甲基苯基)膦)]鈀、乙酸鈀(II)、1,1-(雙(二苯基膦基)二茂鐵)二氯化鈀(II)及氯化鈀(II)。
如請求項4之製備方法，其中在步驟2中，所述鹼為選自由以下者組成之群中的至少一者：三級丁醇鉀、三級丁醇鈉、甲醇鉀、甲醇鈉、三級戊醇鉀、三級戊醇鈉、三乙胺、二異丙基乙胺、氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鋰、碳酸鉀、碳酸鈣、碳酸鈉、碳酸氫鉀、碳酸氫鈉和碳酸銫。
如請求項4之製備方法，其中在步驟2中，所述反應是在選自由以下者組成之群中的一或多種有機溶劑中進行：四氫呋喃（THF）、1,4-二㗁烷、二級丁醇、甲醇、乙醇、異丙醇、1-丁醇、2-丁醇、三級丁醇、丙酮、甲基乙基酮、乙酸乙酯、甲基三級丁基醚、乙腈、甲苯、二甲苯、庚烷、3-甲基四氫呋喃、二氯甲烷、甲基異丁基酮、二甲基甲醯胺（DMF）、二甲基乙醯胺（DMAC）及二甲亞碸（DMSO）。
如請求項4之製備方法，其中步驟2的反應是在80至100℃下進行。
如請求項4之製備方法，其中在步驟3中，所述酸為選自由以下者組成之群中的至少一者：鹽酸、醋酸、三氯乙酸、三氟乙酸、溴酸、硫酸、硝酸和碘酸。
如請求項4之製備方法，其中在步驟3中，所述反應是在選自由以下者組成之群中的一或多種有機溶劑中進行：乙酸乙酯、二氯甲烷、乙酸丁酯、三氯甲烷、甲醇、乙醇、異丙醇、1-丁醇、2-丁醇、丙酮、甲基乙基酮、甲基三級丁基醚、乙腈、甲苯、庚烷、四氫呋喃、3-甲基四氫呋喃、1,4-二㗁烷、甲基異丁基酮、二甲基甲醯胺（DMF）、二甲基乙醯胺（DMAC）及二甲亞碸（DMSO）。
如請求項4之製備方法，其中步驟3的反應是在0℃至50℃下進行。
如請求項4之製備方法，其中步驟3進一步包含以下步驟：在使由化學式1-5表示之化合物與酸進行反應之後，結晶化反應產物。
如請求項4之製備方法，其中在步驟4中，基於1當量的由化學式1-6表示之化合物，以0.1至10當量的含量使用由化學式1-7表示之化合物。
如請求項4之製備方法，其中在步驟4中，所述鹼為選自由以下者組成之群中的至少一者：碳酸鉀、氫氧化鈉、氫氧化鋰、氫氧化鉀、三乙胺、二異丙胺、二異丙基乙胺、碳酸氫鈉、碳酸氫鉀、碳酸銫、碳酸鈉、甲醇鈉和丁酸鉀。
如請求項4之製備方法，其中步驟4的反應是在-10℃至50℃下進行。
如請求項4之製備方法，其中步驟4進一步包含以下步驟：在使由化學式1-6表示之化合物與由化學式1-7表示之化合物在鹼的存在下進行反應之後，結晶化反應產物。
如請求項4之製備方法，其中在步驟5中，所述反應是在選自由以下者組成之群中的一或多種有機溶劑中進行：甲醇、乙醇、異丙醇、1-丁醇、2-丁醇、丙酮、甲基乙基酮、乙酸乙酯、甲基三級丁基醚、乙腈、甲苯、庚烷、四氫呋喃、3-甲基四氫呋喃、1,4-二㗁烷、二氯甲烷、甲基異丁基酮、二甲基甲醯胺（DMF）、二甲基乙醯胺（DMAC）及二甲亞碸（DMSO）。
一種1-((3S,4R)-3-((2-((1-乙基-1H-吡唑-4-基)胺基)-7H-吡咯并[2,3-d]嘧啶-4-基)氧基)-4-氟哌啶-1-基)丙-2-烯-1-酮之酒石酸鹽的結晶形式，其在X射線粉末繞射圖譜中，具有選自由以下者組成之群中的三個或更多繞射角(2θ±0.2°)峰值：5.2°、8.0°、10.4°、12.5°、13.1°、13.7°、15.4°、16.5°、16.9°、17.9°、18.3°、18.8°、20.1°、20.5°、21.3°和21.6°。
如請求項25之1-((3S,4R)-3-((2-((1-乙基-1H-吡唑-4-基)胺基)-7H-吡咯并[2,3-d]嘧啶-4-基)氧基)-4-氟哌啶-1-基)丙-2-烯-1-酮之酒石酸鹽的結晶形式，其於示差掃描量熱法分析中，具有171.48±1.0℃之吸熱起始溫度且顯示在175.86±1.0℃之吸熱溫度的最大吸熱峰值。
一種醫藥組成物，其係用於治療發炎性疾病、增生性疾病、免疫介導疾病或腫瘤，該醫藥組成物包含1-((3S,4R)-3-((2-((1-乙基-1H-吡唑-4-基)胺基)-7H-吡咯并[2,3-d]嘧啶-4-基)氧基)-4-氟哌啶-1-基)丙-2-烯-1-酮之酒石酸鹽。
如請求項27之醫藥組成物，其中該酒石酸鹽為結晶形式，其在X射線粉末繞射圖譜中，具有選自由以下者組成之群中的三個或更多繞射角(2θ±0.2°)峰值：5.2°、8.0°、10.4°、12.5°、13.1°、13.7°、15.4°、16.5°、16.9°、17.9°、18.3°、18.8°、20.1°、20.5°、21.3°和21.6°
一種1-((3S,4R)-3-((2-((1-乙基-1H-吡唑-4-基)胺基)-7H-吡咯并[2,3-d]嘧啶-4-基)氧基)-4-氟哌啶-1-基)丙-2-烯-1-酮之酒石酸鹽的製備方法，其包含由以下化學式1-5表示之化合物作為中間物，及使由以下化學式1-5表示之化合物與酸進行反應，再於鹼的存在下進行丙烯酸化反應步驟： <br/>[化學式1-5] <br/><img align="absmiddle" height="59px" width="53px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中在化學式1-5中，P<sub>1</sub>表示選自由以下者組成之群中的保護基：三級丁氧基羰基（Boc）、苄氧羰基（Cbz）、對甲氧苄基羰基（Moz）、9-茀基甲基氧基羰基（Fmoc）、乙醯基（Ac）、苄醯基（Bz）、苄基（Bn）和對甲氧苄基（PMB）。
如請求項29之製備方法，其中P<sub>1</sub>為三級丁氧基羰基（Boc）。
一種光學積層體，其係在透明基材的至少一面依序積層具有凹凸之防眩層與低反射層而成的光學積層體，其特徵為：<br/> 該低反射層積層前後的外部霧度之變化率|ΔHz|為40%以下，<br/> 該低反射層積層前後的算術平均粗糙度之變化率|ΔRa|為21%以下，<br/> 該低反射層積層前後的最大谷深度之變化率|ΔRv|為41%以下；<br/> 此處，<br/> |ΔHz|=|(無低反射層之狀態下的外部霧度-具有低反射層之狀態下的外部霧度)/無低反射層之狀態下的外部霧度×100|；<br/> |ΔRa|=|(無低反射層之狀態下的積層前的算術平均粗糙度-具有低反射層之狀態下的算術平均粗糙度)/無低反射層之狀態下的算術平均粗糙度×100|；<br/> |ΔRv|=|(無低反射層之狀態下的最大谷深度-具有低反射層之狀態下的最大谷深度)/無低反射層之狀態下的最大谷深度×100|。
如請求項1之光學積層體，其中該低反射層之屬於以SCI(Specular Component Include)方式測定的包含正反射光的所有反射光之反射率的SCI反射率為0.7%以下。
如請求項1之光學積層體，其中該低反射層含有丙烯酸樹脂、低折射率樹脂及中空二氧化矽粒子。
如請求項1之光學積層體，其可見光區域中為反射率最小之波長的底部波長在520~580nm的範圍內。
一種顯示裝置，其具備如請求項1至4中任一項之光學積層體。
一種顯示裝置之背光控制方法，該顯示裝置具有一顯示面板、一背光模組及一時序控制單元，該顯示面板具有複數條掃描線，該背光模組具有複數個發光單元，且該些發光單元沿該些掃描線之一掃描方向而區分為一第一背光區域及一第二背光區域，包含： <br/>由該時序控制單元獲取一背光亮度資料； <br/>由該時序控制單元經由一第一串行介面輸出一第一背光區域控制訊號至一背光驅動單元以控制該第一背光區域之亮度；以及 <br/>由該時序控制單元經由一第二串行介面輸出一第二背光區域控制訊號至該背光驅動單元以控制該第二背光區域之亮度。
如請求項1所述之背光控制方法，其中該第一背光區域控制訊號及該第二背光區域控制訊號係同時經由該第一串行介面及該第二串行介面輸出。
如請求項2所述之背光控制方法，其中該第一背光區域控制訊號及該第二背光區域控制訊號係通過一同步訊號、一多執行緒或一硬體中斷源而同時經由該第一串行介面及該第二串行介面輸出。
如請求項1所述之背光控制方法，其中於該第一背光區域或該第二背光區域中，係以逐行掃描之方式驅動對應之該些發光單元。
如請求項4所述之背光控制方法，其中，該些發光單元之驅動係由上而下逐行掃描或由下而上逐行掃描。
一種顯示裝置，包含： <br/>一顯示模組，具有一顯示面板，該顯示面板具有複數條掃描線； <br/>一背光模組，與該顯示模組相對設置，具有複數個發光單元，該些發光單元沿該些掃描線之一掃描方向而區分為一第一背光區域及一第二背光區域；以及 <br/>一驅動模組，分別與該顯示模組及該背光模組電性連接，並具有一時序控制單元，其係通過一第一串行介面輸出一第一背光區域控制訊號以控制該第一背光區域之亮度，並通過一第二串行介面輸出一第二背光區域控制訊號以控制該第二背光區域之亮度。
如請求項6所述之顯示裝置，其中該驅動模組更具有一與該時序控制單元電性連接之驅動單元，包含： <br/>一第一背光驅動單元，電性連接於該第一串行介面及該第一背光區域之間；以及 <br/>一第二背光驅動單元，電性連接於該第二串行介面及該第二背光區域之間， <br/>其中，該第一背光區域控制訊號經由該第一串行介面傳輸至該背光驅動單元，該第二背光區域控制訊號經由該第二串行介面傳輸至該背光驅動單元。
如請求項6所述之顯示裝置，其中該第一背光區域控制訊號及該第二背光區域控制訊號係同時經由該第一串行介面及該第二串行介面輸出。
如請求項8所述之顯示裝置，其中該第一背光區域控制訊號及該第二背光區域控制訊號係通過一同步訊號、一多執行緒或一硬體中斷源而同時經由該第一串行介面及該第二串行介面輸出。
一種背光補償方法，應用於一顯示裝置，其具有一背光模組，且該背光模組具有陣列式排列之複數個發光單元，該些發光單元區分為複數個群組，各群組構成一發光區域，該方法包含以下步驟： <br/>該背光模組依據該顯示裝置之一伽瑪值執行一區域調光程序； <br/>獲得每一發光區域的一亮度峰值； <br/>選擇其中一個發光區域作為一選定區域； <br/>依據該選定區域及其相鄰之發光區域的該亮度峰值而獲得一區域平均亮度值； <br/>依據該區域平均亮度值對應之一部分峰值比率，獲得一亮度調整比率； <br/>依據該亮度峰值與該亮度調整比率獲得一補償亮度值；以及 <br/>根據該補償亮度值調整該選定區域之亮度。
如請求項1所述之背光補償方法，其中，該部分峰值比率係儲存於一部分峰值比率對照表。
如請求項1所述之背光補償方法，其中，該補償亮度值為該亮度峰值與該亮度調整比率之乘積。
如請求項1所述之背光補償方法，其中，該部分峰值比率的範圍為1%至100%。
如請求項1所述之背光補償方法，其中，該部分峰值比率通過多組部分峰值比率對照表進行細部節點內插調校。
一種顯示裝置，包含： <br/>一背光模組，具有陣列式排列之複數個發光單元，該些發光單元區分為複數個群組，各群組構成一發光區域，且該發光區域具有一亮度峰值，此外，其中一個發光區域被選擇作為一選定區域；且該選定區域及其相鄰之該發光區域的該亮度峰值間具有一區域平均亮度值； <br/>一顯示模組，用於顯示圖像；以及 <br/>一驅動模組，耦接該背光模組及該顯示模組，且該驅動模組依據一伽瑪值對該背光模組執行一區域調光程序，並且依據該亮度峰值及一亮度調整比率而驅動該選定區域之亮度為一補償亮度值，其中該亮度調整比率係依據該區域平均亮度值對應之一部分峰值比率而獲得，而該補償亮度值係依據該亮度峰值與該亮度調整比率而獲得。
如請求項6所述之顯示裝置，其中，該些發光單元包含一次毫米發光二極體。
如請求項6所述之顯示裝置，其中，該驅動模組基於該顯示裝置之伽瑪值2.2執行該區域調光程序。
如請求項6所述之顯示裝置，其中，該亮度調整比率之範圍為1%至100%。
如請求項6所述之顯示裝置，其中，該驅動模組通過多組部分峰值比率對照表進行細部節點內插調校。
一種雷達系統，包括： <br/>多個發射天線，用以發射一傳送訊號；以及 <br/>多個接收天線，用以接收一回波訊號以形成一射頻訊號，其中該回波訊號是由該傳送訊號受一外部物件反射而產生；以及 <br/>其中該些發射天線包括一第一發射天線及一第二發射天線，該第一發射天線及該第二發射天線用以在不同的時間發射該傳送訊號，該些接收天線包括一第一接收天線及一第二接收天線，該第一接收天線及該第二接收天線用以在不同的時間接收該回波訊號，該第一發射天線與該第二發射天線之間在一第一方向上具有一第一垂直間距且在一第二方向上具有一第一水平間距，該第一接收天線與該第二接收天線之間在該第一方向上具有一第二垂直間距且在該第二方向上具有一第二水平間距，該第一方向垂直於該第二方向，該第一垂直間距等於該第二垂直間距，該第一水平間距等於該第二水平間距，且該第一垂直間距、該第二垂直間距、該第一水平間距、第二水平間距皆大於零。
如申請專利範圍第1項所述的雷達系統，其中該第一垂直間距及該第一水平間距分別是該第一發射天線的形狀中心及該第二發射天線的形狀中心之間在該第一方向及該第二方向上的間距，且該第二垂直間距及該第二水平間距分別是該第一接收天線的形狀中心及該第二接收天線的形狀中心之間在該第一方向及該第二方向上的間距。
如申請專利範圍第1項所述的雷達系統，其中在該第一方向上，該第一發射天線與一參考線之間具有一第三垂直間距，該第二發射天線與該參考線之間具有一第四垂直間距，該第三垂直間距大於該第四垂直間距，且該參考線平行於該第二方向。
如申請專利範圍第3項所述的雷達系統，其中在該第一方向上，該第一接收天線與該參考線之間具有一第五垂直間距，該第二接收天線與一參考線之間具有一第六垂直間距，該第五垂直間距小於該第六垂直間距。
如申請專利範圍第4項所述的雷達系統，其中該第三垂直間距等於該第六垂直間距，該第四垂直間距等於該第五垂直間距。
如申請專利範圍第4項所述的雷達系統，其中該第三垂直間距大於該第六垂直間距且該第四垂直間距大於該第五垂直間距，或者，該第三垂直間距小於該第六垂直間距且該第四垂直間距小於該第五垂直間距。
如申請專利範圍第1項所述的雷達系統，其中該些發射天線與該些接收天線相對於一對稱軸呈鏡像對稱，且該對稱軸與該第一方向平行。
如申請專利範圍第1項所述的雷達系統，其中該第一發射天線與該第二發射天線位於一第一平面，該第一接收天線與該第二接收天線位於一第二平面，其中該第一平面平行於該第二平面，該第一平面與該第二平面在一第三方向上具有大於零的間距，且該第三方向分別垂直於該第一方向及該第二方向。
如申請專利範圍第1項所述的雷達系統，其中該第一垂直間距小於或等於λ/2，該第二垂直間距小於或等於λ/2，λ為該傳送訊號的波長。
如申請專利範圍第9項所述的雷達系統，其中該第一垂直間距大於或等於λ/8，該第二垂直間距大於或等於λ/8。
如申請專利範圍第1項所述的雷達系統，其中該第一水平間距小於λ/2，該第二水平間距小於λ/2，λ為該傳送訊號的波長。
如申請專利範圍第11項所述的雷達系統，其中該第一水平間距大於或等於λ/8，該第二水平間距大於或等於λ/8。
如申請專利範圍第1項所述的雷達系統，其中該第一垂直間距小於該第一水平間距，該第二垂直間距小於該第二水平間距。
如申請專利範圍第1項所述的雷達系統，還包括： <br/>一發射電路，用以產生該傳送訊號； <br/>一接收電路，用以依據該射頻訊號產生一內部訊號； <br/>一控制電路，用以產生一或多個控制訊號；以及 <br/>一選擇電路，用以接收該一或多個控制訊號並用以依據該一或多個控制訊號選擇該些發射天線的其中一者來發射該傳送訊號，以及選擇該些接收天線的其中一者來接收該回波訊號以形成該射頻訊號。
如申請專利範圍第14項所述的雷達系統，其中該一或多個控制訊號對應一第一訊號的週期而改變，該第一訊號為連續波訊號或脈衝訊號。
如申請專利範圍第14項所述的雷達系統，其中一訊框時間包括多個收發週期，該選擇電路用以依據該一或多個控制訊號在該訊框時間中分別在每個該收發週期僅選擇該些發射天線中的一者來發射該傳送訊號，以及在該訊框時間中分別在每個該收發週期僅選擇該些接收天線中的一者來接收該回波訊號。
如申請專利範圍第16項所述的雷達系統，其中該訊框時間包括一第一收發週期、一第二收發週期、一第三收發週期及一第四收發週期，該選擇電路用以依據該一或多個控制訊號在該第一收發週期選擇該第一發射天線與該第一接收天線，在該第二收發週期選擇該第一發射天線與該第二接收天線，在該第三收發週期選擇該第二發射天線與該第一接收天線，以及在該第四收發週期選擇該第二發射天線與該第二接收天線。
如申請專利範圍第17項所述的雷達系統，還包括一運算處理器，耦接該接收電路，其中該接收電路對應該第一收發週期產生一第一內部訊號，該接收電路對應該第二收發週期產生一第二內部訊號，該接收電路對應該第三收發週期產生一第三內部訊號，該接收電路對應該第四收發週期產生一第四內部訊號，該內部訊號包括該第一內部訊號、該第二內部訊號、該第三內部訊號及該第四內部訊號，該運算處理器用以依據該第一內部訊號、該第二內部訊號、該第三內部訊號及該第四內部訊號決定該外部物件的一空間資訊。
如申請專利範圍第18項所述的雷達系統，其中該空間資訊包括該第一方向上以及該第二方向上的移動資訊。
如申請專利範圍第14項所述的雷達系統，其中該發射電路還包括一放大器，該放大器依據該一或多個控制訊號而經由該選擇電路耦接該些發射天線的其中一者，該接收電路還包括一低雜訊放大器，該低雜訊放大器依據該一或多個控制訊號而經由該選擇電路耦接該些接收天線的其中一者。
一種雷達系統，包括： <br/>一發射電路，用以產生一傳送訊號； <br/>多個發射天線，用以發射該傳送訊號； <br/>多個接收天線，用以接收一回波訊號以形成一射頻訊號，其中該回波訊號是由該傳送訊號受一外部物件反射而產生； <br/>一接收電路，用以依據該射頻訊號產生一內部訊號； <br/>一控制電路，用以產生一或多個控制訊號；以及 <br/>一選擇電路，用以接收該一或多個控制訊號並用以依據該一或多個控制訊號選擇該些發射天線的其中一者來發射該傳送訊號，以及選擇該些接收天線的其中一者來接收該回波訊號以形成該射頻訊號； <br/>其中該些發射天線包括一第一發射天線及一第二發射天線，該些接收天線包括一第一接收天線及一第二接收天線，該第一發射天線與該第二發射天線之間在一第一方向上具有一第一垂直間距且在一第二方向上具有一第一水平間距，該第一接收天線與該第二接收天線之間在該第一方向上具有一第二垂直間距且在該第二方向上具有一第二水平間距，該第一方向垂直於該第二方向，該第一垂直間距等於該第二垂直間距，該第一水平間距等於該第二水平間距，且該第一垂直間距、該第二垂直間距、該第一水平間距、第二水平間距皆大於零。
一種雷達系統，包括： <br/>一發射電路，用以產生一傳送訊號； <br/>多個發射天線，用以發射該傳送訊號； <br/>多個接收天線，用以接收多個回波訊號以形成多個射頻訊號，其中該些回波訊號是由該傳送訊號受一外部物件反射而產生； <br/>一接收電路，用以依據該些射頻訊號產生一內部訊號； <br/>一控制電路，用以產生一或多個控制訊號；以及 <br/>一選擇電路，用以接收該一或多個控制訊號並用以依據該一或多個控制訊號選擇該些發射天線的其中一者來發射該傳送訊號； <br/>其中該些發射天線包括一第一發射天線及一第二發射天線，該些接收天線包括一第一接收天線及一第二接收天線，該第一發射天線與該第二發射天線之間在一第一方向上具有一第一垂直間距且在一第二方向上具有一第一水平間距，該第一接收天線與該第二接收天線之間在該第一方向上具有一第二垂直間距且在該第二方向上具有一第二水平間距，該第一方向垂直於該第二方向，該第一垂直間距等於該第二垂直間距，該第一水平間距等於該第二水平間距，且該第一垂直間距、該第二垂直間距、該第一水平間距、第二水平間距皆大於零。
一種肌肉電刺激系統，包括：<br/> 一電極群組，設置以貼附於一待測肌肉附近的皮膚表面，其中的每一電極設置以收集一生理訊號；以及<br/> 一處理裝置，可與該電極群組通訊，及設置以：<br/> 基於該等生理訊號，控制該電極群組的一第一部分的每一電極在一第一時間釋放一第一電刺激訊號，以及控制該電極群組的一第二部分的每一電極在一第二時間釋放一第二電刺激訊號。
如請求項1所述之肌肉電刺激系統，其中該電極群組的該第一部分的每一電極的該第一電刺激訊號設置以具有不同相位，以在第一電刺激位置干涉出第三電刺激訊號，其中該第三電刺激訊號的頻率低於每一該第一電刺激訊號的頻率；以及<br/> 其中該電極群組的該第二部分的每一電極的該第二電刺激訊號設置以具有不同相位，以在第二電刺激位置干涉出第四電刺激訊號，其中該第四電刺激訊號的頻率低於每一該第二電刺激訊號的頻率。
如請求項2所述之肌肉電刺激系統，其中該處理裝置設置以基於該等生理訊號的時間差及振幅差，控制該電極群組的該第一部分的每一電極在該第一時間釋放該第一電刺激訊號，以及控制該電極群組的該第二部分的每一電極在該第二時間釋放該第二電刺激訊號。
如請求項3之肌肉電刺激系統，其中該處理裝置更設置以基於該等時間差及該等振幅差，透過分類模型分類該待測肌肉的功能。
如請求項1之肌肉電刺激系統，其中該電極群組的每一電極收集的該生理訊號包括肌電訊號、壓力及動作加速度的至少一者。
如請求項1之肌肉電刺激系統，其中該電極群組的物理結構，包含整體外觀、電極密度及排列方式，是依照該待測肌肉之結構特性所設置。
如請求項6之肌肉電刺激系統，其中該電極群組的每一電極在垂直方向上等距，以及每一電極的幾何中心位於相鄰且靠近該電極群組的垂直中線側之兩電極間連線的垂直延伸線上，且該垂直延伸線與該兩電極不等距。
一種照護系統，包括：<br/> 一肌肉電刺激系統，包括一電極群組，及設置以透過該電極群組收集複數生理訊號，以及基於該等生理訊號控制該電極群組釋放電刺激訊號； <br/> 一運算裝置，可與該肌肉電刺激系統通訊，及設置以將一個人化參數組及一刺激參數組，輸入一生成模型(Generative Model)，以取得該生成模型輸出的一回饋文本，其中該個人化參數組包括該等生理訊號，以及該刺激參數組相關於該電刺激訊號；以及<br/> 一輸出裝置，可與該運算裝置通訊，受控以輸出該回饋文本。
如請求項8之照護系統，其中該電極群組設置以貼附於待測肌肉附近的皮膚表面；<br/> 其中該肌肉電刺激系統更基於該等生理訊號，透過分類模型取得該待測肌肉的功能類別；<br/> 其中該個人化參數組更包括該待測肌肉的該功能類別。
如請求項8之照護系統，其中該電極群組的每一電極收集的該生理訊號包括肌電訊號、壓力及動作加速度的至少一者。
如請求項8之照護系統，其中該刺激參數組包括該電極群組中釋放該電刺激訊號的電極的位置，以及包括該電刺激訊號的頻率、振幅及頻寬的至少一者。
一種肌肉電刺激方法，執行於一電極群組及一處理裝置，該電極群組設置以貼附於待測肌肉附近的皮膚表面，且可與該處理裝置通訊，該肌肉電刺激方法包括：<br/> 透過該電極群組的每一電極收集一生理訊號；<br/> 基於該等生理訊號，透過該處理裝置控制該電極群組的第一部分的每一電極在第一時間釋放第一電刺激訊號，以及控制該電極群組的第二部分的每一電極在第二時間釋放第二電刺激訊號。
如請求項12所述之肌肉電刺激方法，其中該電極群組的該第一部分的每一電極的該第一電刺激訊號設置以具有不同相位，以在第一電刺激位置干涉出第三電刺激訊號，其中該第三電刺激訊號的頻率低於每一該第一電刺激訊號的頻率；以及<br/> 其中該電極群組的該第二部分的每一電極的該第二電刺激訊號設置以具有不同相位，以在第二電刺激位置干涉出第四電刺激訊號，其中該第四電刺激訊號的頻率低於每一該第二電刺激訊號的頻率。
如請求項13所述之肌肉電刺激方法，更包括基於該等生理訊號的時間差及振幅差，透過該處理裝置控制該電極群組的該第一部分的每一電極在該第一時間釋放該第一電刺激訊號，以及控制該電極群組的該第二部分的每一電極在該第二時間釋放該第二電刺激訊號。
如請求項14所述之肌肉電刺激方法，更包括基於該等時間差及該等振幅差，透過該處理裝置中的分類模型分類該待測肌肉的功能。
如請求項12所述之肌肉電刺激方法，其中該電極群組的每一電極收集的該生理訊號包括肌電訊號、壓力及動作加速度的至少一者。
如請求項12所述之肌肉電刺激方法，其中該電極群組的物理結構，包含整體外觀、電極密度及排列方式，是依照該待測肌肉之結構特性所設置。
如請求項17所述之肌肉電刺激方法，其中該電極群組的每一電極在垂直方向上等距，以及每一電極的幾何中心位於相鄰且靠近該電極群組的垂直中線側之兩電極間連線的垂直延伸線上，且該垂直延伸線與該兩電極不等距。
一種頭戴式顯示裝置，包括： <br/>一本體，具有一鏡片座與兩個光學鏡組，其中該鏡片座用以容納對應雙眼的一第一鏡片與一第二鏡片，且該些光學鏡組分別對應雙眼； <br/>一第一夾持件，設置於該本體且具有一第一自由端部，其中該第一自由端部用以接觸該第一鏡片； <br/>一第二夾持件，設置於該本體且具有一第二自由端部，其中該第二自由端部用以接觸該第二鏡片；以及 <br/>一滑動件，可滑動地設置在該本體且位於該第一自由端部與該第二自由端部之間，其中該滑動件從一初始位置沿一第一方向滑動時，先推動該第一自由端部與該第二自由端部而使其分別抵緊該第一鏡片與該第二鏡片，接著推動該第一自由端部與該第二自由端部而使其分別帶動該第一鏡片與該第二鏡片移動，以改變該第一鏡片以及該第二鏡片與該本體之間的距離。
如請求項1所述的頭戴式顯示裝置，其中該第一夾持件、該第二夾持件與該鏡片座一體成形。
如請求項1所述的頭戴式顯示裝置，其中該第一自由端部具有一第一斜面與一第三斜面，該第二自由端部具有一第二斜面與一第四斜面，該滑動件從該初始位置沿該第一方向滑動時，先接觸該第一斜面與該第二斜面，接著接觸該第三斜面與該第四斜面。
如請求項1所述的頭戴式顯示裝置，更包括一第一摩擦件與一第二摩擦件，分別設置於該第一自由端部與該第二自由端部且用以接觸該第一鏡片與該第二鏡片。
如請求項1所述的頭戴式顯示裝置，其中該第一鏡片與該第二鏡片的移動方向垂直該第一方向。
一種偵測語速的電子裝置，包括：<br/> 一記憶體，用以儲存多個指令；以及<br/> 一處理器，通訊連接至該記憶體，用以執行該多個指令以完成多個步驟：<br/> 取得一數位音訊；<br/> 從該數位音訊中取得多個音框並設定一觀察框，其中該觀察框包含該多個音框中的多個第一音框；<br/> 判斷該觀察框是否屬於語音，包括：<br/> 取得該多個音框中的多個起始音框；<br/> 計算該多個起始音框的多個過零率的一平均值以作為一過零率臨界值；<br/> 計算該多個起始音框的多個音框能量；<br/> 計算該多個起始音框的多個語音能量；<br/> 計算該多個語音能量的一平均值以作為一語音能量臨界值；以及<br/> 根據該多個語音能量和該多個音框能量計算多個語音能量比率，並計算該多個語音能量比率的一平均值以作為一語音比率臨界值；<br/> 若該觀察框屬於語音，對該多個第一音框進行一區域峰值偵測，若該多個第一音框包含一不連續峰值則累計一音節計數值；以及<br/> 根據該音節計數值計算一語速。
如請求項1所述之電子裝置，其中判斷該觀察框是否屬於語音的步驟還包括：<br/> 對於該多個第一音框的其中之一，計算該第一音框的一第一語音能量、一第一過零率、以及一第一語音能量比率；<br/> 根據該第一語音能量與該語音能量臨界值計算一語音能量分貝；<br/> 如果該過零率臨界值小於一第一數值且該語音能量分貝大於一第二數值，判斷對應的該第一音框屬於語音；以及<br/> 如果該過零率臨界值小於該第一數值且該語音能量分貝小於等於該第二數值，判斷對應的該第一音框不屬於語音。
如請求項2所述之電子裝置，其中判斷該觀察框是否屬於語音的步驟還包括：<br/> 若該過零率臨界值大於等於該第一數值，判斷該語音比率臨界值是否小於一第三數值；以及<br/> 若該語音比率臨界值小於該第三數值，判斷是否該第一語音能量比率大於該語音比率臨界值與一第四數值的乘積且該語音能量分貝大於一第五數值，若是的話判斷對應的該第一音框屬於語音，否則判斷對應的該第一音框不屬於語音。
如請求項3所述之電子裝置，其中判斷該觀察框是否屬於語音的步驟還包括：<br/> 若該語音比率臨界值大於等於該第三數值，判斷該語音能量分貝是否大於一第六數值，若是的話判斷對應的該第一音框屬於語音。
如請求項4所述之電子裝置，其中判斷該觀察框是否屬於語音的步驟還包括：<br/> 若該語音能量分貝小於等於該第六數值，判斷該第一過零率是否小於該過零率臨界值與一第七數值的乘積，若是的話判斷對應的該第一音框屬於語音，否則判斷對應的該第一音框不屬於語音。
如請求項5所述之電子裝置，其中判斷該觀察框是否屬於語音的步驟還包括：<br/> 判斷該多個第一音框中的每一者是否屬於語音以得到多個語音指示數值；<br/> 對該多個語音指示數值執行一中值濾波器；以及<br/> 在執行該中值濾波器以後，如果該多個語音指示數值皆表示屬於語音，判斷該觀察框屬於語音。
如請求項1所述之電子裝置，其中該區域峰值偵測包括：<br/> 將該多個第一音框分為一前側片段與一後側片段；以及<br/> 判斷該前側片段中的能量是否為遞增且該後側片段中的能量是否為遞減，若是則判斷該觀察框包含一區域峰值。
如請求項7所述之電子裝置，其中該多個步驟還包括：<br/> 若該觀察框包含該區域峰值而且一前觀察框不包含該區域峰值，則判斷該多個第一音框包含該不連續峰值。
一種語速偵測方法，由一電子裝置執行，該語速偵測方法包括：<br/> 取得一數位音訊；<br/> 從該數位音訊中取得多個音框並設定一觀察框，其中該觀察框包含該多個音框中的多個第一音框；<br/> 判斷該觀察框是否屬於語音，包括：<br/> 取得該多個音框中的多個起始音框；<br/> 計算該多個起始音框的多個過零率的一平均值以作為一過零率臨界值；<br/> 計算該多個起始音框的多個音框能量；<br/> 計算該多個起始音框的多個語音能量；<br/> 計算該多個語音能量的一平均值以作為一語音能量臨界值；以及<br/> 根據該多個語音能量和該多個音框能量計算多個語音能量比率，並計算該多個語音能量比率的一平均值以作為一語音比率臨界值；<br/> 若該觀察框屬於語音，對該多個第一音框進行一區域峰值偵測，若該多個第一音框包含一不連續峰值則累計一音節計數值；以及<br/> 根據該音節計數值計算一語速。
一種顯示裝置，包括：<br/> 一顯示面板；<br/> 一第一視角控制面板，重疊於該顯示面板，且包括一第一液晶層，其中該第一液晶層的兩基板的兩個配向方向的相差角度介於80度至100度之間，該第一液晶層具有一第一液晶折射率差異值、一第一液晶層間距；<br/> 兩個第二視角控制面板，重疊於該顯示面板及該第一視角控制面板，且各該第二視角控制面板包括一第二液晶層，其中該第二液晶層的兩基板的兩個配向方向的相差角度介於170度至190度之間，該第二液晶層具有一第二液晶折射率差異值、一第二液晶層間距，其中該些第二視角控制面板堆疊設置於該第一視角控制面板下方，且該些第二視角控制面板以及該第一視角控制面板設置於該顯示面板上方；<br/> 一半波板，設置於該第一視角控制面板與該些第二視角控制面板中的一第二視角控制面板之間；以及<br/> 一第一偏光板，設置於該第一視角控制面板與該半波板之間，且該半波板設置於該第一偏光板與該些第二視角控制面板中的該第二視角控制面板之間，<br/> 其中，該第一液晶折射率差異值不同於該第二液晶折射率差異值，且該第一液晶層間距不同於該第二液晶層間距，<br/> 其中該第一液晶折射率差異值與該第一液晶層間距的乘積大於該第二液晶折射率差異值與該第二液晶層間距的乘積。
如請求項1之顯示裝置，其中該第一液晶層間距大於該第二液晶層間距。
如請求項1之顯示裝置，其中該第一液晶層的該兩基板的該兩個配向方向的其中一者減去180度為135度，且該第一液晶層的該兩基板的該兩個配向方向的另一者為225度。
如請求項1之顯示裝置，其中該第一液晶層的該兩基板的該兩個配向方向的其中一者減去180度為-45度，且該第一液晶層的該兩基板的該兩個配向方向的另一者為45度。
如請求項1之顯示裝置，更包括一第二偏光板，其中該第二偏光板設置於該些第二視角控制面板之間，且該些第二視角控制面板中的該第二視角控制面板設置於該第二偏光板與該半波板之間，其中該第一偏光板具有一第一穿透軸，該第二偏光板具有一第二穿透軸，且該第一穿透軸與該第二穿透軸相差角度介於35度至55度之間。
如請求項1之顯示裝置，更包括一背光模組，其中該顯示面板、該第一視角控制面板、該些第二視角控制面板設置於該背光模組上。
如請求項1之顯示裝置，其中該第一液晶層間距介於4μm至15μm之間。
如請求項7之顯示裝置，其中該第二液晶層間距介於2μm至6.5μm之間。
一種半導體結構的形成方法，包括：<br/>提供一基板，該基板具有一N型區及一P型區，該N型區用於n型場效電晶體(n-type field-effect transistors, nFET)且該P型區用於p型場效電晶體(p-type field-effect transistors, pFET)；<br/>形成一半導體鰭片從該基板突出，該半導體鰭片包括一第一半導體材料的多個第一半導體層及一第二半導體材料的多個第二半導體層交替堆疊，該第二半導體材料的組成不同於該第一半導體材料；<br/>形成一第一閘極堆疊於該半導體鰭片上；<br/>在鄰近該第一閘極堆疊的一源極∕汲極(S/D)區內的該半導體鰭片中形成一凹槽；<br/>執行一蝕刻製程以選擇性地去除該些第二半導體層，從而產生該些第一半導體層之間的間隙(gaps)；<br/>用一介電材料填充所述間隙以形成多個虛置中介物；<br/>從該凹槽磊晶生長一源極∕汲極部件；<br/>去除該第一閘極堆疊，從而形成一閘極溝槽；<br/>執行一蝕刻製程以經由該閘極溝槽去除該些虛置中介物；<br/>形成一閘極介電層以包繞(wrap)該些第一半導體層；<br/>對該閘極介電層於該N型區中的一第一部分執行一偶極(dipole)處理，而該閘極介電層於該P型區中的一第二部分保持未處理；以及<br/>沉積一P型金屬層於該P型區及該N型區的該閘極介電層中。
如請求項1所述之半導體結構的形成方法，其中對該閘極介電層於該N型區中的該第一部分執行該偶極處理的步驟包括：<br/>沉積一偶極材料層於該N型區及該P型區的該閘極介電層中；<br/>圖案化該偶極材料層，使得該偶極材料層位於該P型區的一部分被去除；<br/>執行一熱退火製程，使得該偶極材料層擴散到該N型區的該閘極介電層中；以及<br/>蝕刻去除該偶極材料層。
如請求項2所述之半導體結構的形成方法，對該閘極介電層位於該N型區中的該第一部分執行該偶極處理，而該閘極介電層位於該P型區中的該第二部分保持未處理後，其中<br/>該閘極介電層位於該N型區中的該第一部分包括第一鑭濃度Cn；<br/>該閘極介電層位於該P型區中的該第二部分包括第二鑭濃度Cp；並且<br/>Cn/Cp之比值大於6。
如請求項2所述之半導體結構的形成方法，其中形成該閘極介電層以包繞該些第一半導體層的步驟更包括：<br/>沉積一界面層；<br/>沉積一第一高介電常數介電層於該界面層上；以及<br/>沉積一第二高介電常數介電層於該第一高介電常數介電層上，其中該第二高介電常數介電層的組成不同於該第一高介電常數介電層，其中該第一高介電常數介電層包括氧化鉿(hafnium oxide)；並且該第二高介電常數介電層包括氧化鋯(zirconium oxide)。
如請求項1或2所述之半導體結構的形成方法，其中沉積該P型金屬層於該P型區及該N型區的該閘極介電層中的步驟包括：沉積氮化鈦(titanium nitride)層於該P型區及該N型區的該閘極介電層上。
一種半導體結構的形成方法，包括：<br/>提供一基板，該基板具有一N型區及一P型區，該N型區用於n型場效電晶體(n-type field-effect transistors, nFET)且該P型區用於p型場效電晶體(p-type field-effect transistors, pFET)；<br/>形成一閘極介電層於該N型區及該P型區中以包繞垂直堆疊的多個通道；<br/>對該閘極介電層於該N型區中的一第一部分執行一偶極(dipole)處理，而該閘極介電層於該P型區中的一第二部分保持未處理；<br/>沉積一P型金屬層於該P型區及該N型區的該閘極介電層中；以及<br/>形成一填充金屬層於該P型區及該N型區的該P型金屬層中。
如請求項6所述之半導體結構的形成方法，更包括：<br/>形成一半導體鰭片從該基板突出，該半導體鰭片包括多個矽的第一半導體層及多個矽鍺的第二半導體層交替堆疊，其中形成該閘極介電層於該N型區及該P型區以包繞垂直堆疊的該些通道的步驟包括形成閘極介電層於該N型區及該P型區的該半導體鰭片上；<br/>形成一虛置閘極堆疊於該半導體鰭片上；<br/>形成一凹槽於鄰近該虛置閘極堆疊的源極∕汲極(S/D)區內的半導體鰭片中；<br/>執行一蝕刻製程以選擇性地去除該些第二半導體層，從而產生在該些第一半導體層之間的間隙(gaps)；<br/>用一介電材料填充所述間隙以形成多個虛置中介物；<br/>橫向地凹蝕該虛置中介物，從而產生該些第一半導體層之間的多個底切(undercuts)；<br/>形成多個內間隔件於該些底切中；<br/>從該凹槽磊晶生長一源極∕汲極部件；<br/>去除該虛置閘極堆疊，從而形成一閘極溝槽；<br/>執行一蝕刻製程以經由該閘極溝槽去除該些虛置中介物；以及<br/>形成氮化鈦的一膠層，插置於(interposed)該P型金屬層與該填充金屬層之間。
如請求項6所述之半導體結構的形成方法，其中對該閘極介電層於該N型區中的該第一部分執行該偶極(dipole)處理的步驟包括：<br/>沉積氧化鑭層於該N型區及該P型區的該閘極介電層上；<br/>圖案化所述氧化鑭層，使得所述氧化鑭在該P型區中的一部分被去除；<br/>執行一熱退火(thermal annealing)製程，使得所述氧化鑭層中的鑭擴散到該N型區的該閘極介電層中；以及<br/>蝕刻去除所述氧化鑭層。
如請求項6所述之半導體結構的形成方法，其中形成該閘極介電層於該N型區及該P型區以包繞垂直堆疊的該些通道的步驟包括：<br/>沉積一界面層；<br/>沉積一第一高介電常數介電層於該界面層上；以及<br/>沉積一第二高介電常數介電層於該第一高介電常數介電層上，其中該第一高介電常數介電層及該第二高介電常數介電層中的一第一個包括氧化鉿，且該第一高介電常數介電層及該第二高介電常數介電層中的第二個包括氧化鋯。
一種半導體結構，包括：<br/>一基板，具有一N型區及一P型區，該N型區用於n型場效電晶體(n-type field-effect transistors, nFET)且該P型區用於p型場效電晶體(p-type field-effect transistors, pFET)；<br/>一第一通道區以及一第二通道區，該第一通道區設置在該基板的該N型區上，該第二通道區設置在該基板的該P型區上，其中該第一通道區包括彼此垂直堆疊的多個第一通道，而該第二通道區包括彼此垂直堆疊的多個第二通道；<br/>一第一源極∕汲極(S/D)區及一第二源極∕汲極(S/D)區，該第一源極∕汲極(S/D)區鄰近該第一通道區，該第二源極∕汲極(S/D)區鄰近該第二通道區；以及<br/>一閘極堆疊，設置在該第一通道區及該第二通道區上，其中<br/>該閘極堆疊包括一閘極介電層及設置在該閘極介電層上的一閘極電極，<br/>該閘極介電層包括位於該P型區的一第一部分和位於該N型區的一第二部分，<br/>該閘極介電層的該第一部分包括第一鑭濃度Cp且契合(engaging)該第一通道區且圍繞每個該些第一通道，<br/>該閘極介電層的該第二部分包括第二鑭濃度Cn並且契合該第二通道區且圍繞每個該些第二通道，Cn大於Cp，<br/>該閘極電極包括設置在該閘極介電層上的一P型金屬層，且<br/>該P型金屬層從該P型區延伸至該N型區。
一種手拉器的制動器，包括：<br/> 一個手拉器（60），包括：<br/> 一根軸，直接或間接地安裝於該手拉器（60）而可轉動；<br/> 一條長帶（62），其一端捲收於該軸，另端可拉出該手拉器（60）；<br/> 一個齒輪（41），其結合於該軸且同步作動，該軸支持該齒輪（41）外露；<br/> 一個制動器（10），包括：<br/> 一個殼體，其固定於該手拉器（60）的外部；<br/> 一個組裝室（33），其位於該殼體的內部；<br/> 一個通孔（13），其形成於該殼體而與該組裝室（33）相通，使該齒輪（41）經由該通孔（13）進入該組裝室（33）中；<br/> 一個卡掣件（20），其安裝於該組裝室（33），並相對該殼體往復運動於一個卡掣位置與一個解除位置；<br/> 一個勾部（22），其突出於該卡掣件（20）的一側；在卡掣位置，該勾部（22）制動於該齒輪（41），使該軸停止轉動，並為該長帶（62）的更換；在解除位置，該勾部（22）離開該齒輪（41），使該軸恢復捲帶功能；<br/> 一個角錐（23），其突出於該卡掣件（20），並形成二個斜邊；以及<br/> 一個珠體（16），其配置於該組裝室（33），可彈性頂著該角錐（23）之任一斜邊，使該卡掣件（20）維持於卡掣位置或解除位置。
如請求項1所述手拉器的制動器，其中，該殼體由一個帶有該通孔（13）的底板（11）結合一個圍成該組裝室（33）的蓋體（30）所組成。
如請求項2所述手拉器的制動器，其中，所述的蓋體（30）包括：<br/> 一個形狀與該底板對稱的頂板（31）；<br/> 一面立在該頂板（31）周圍的壁（32），該壁（32）與該頂板（31）共同圍成該組裝室（33）；<br/> 一根短軸（15），其結合該頂板（31）與該底板（11），使該底板（11）配合該蓋體（30）成為該殼體。
如請求項3所述手拉器的制動器，其中，該卡掣件（20）還有一個搖頭開關（24），該卡掣件（20）套在該短軸（15），該搖頭開關（24）經由該壁（32）的一個缺口（34）伸出該殼體外，操作該勾部（22）卡掣該齒輪（41），或解除二者的卡掣關係。
如請求項1所述手拉器的制動器，其中，一個壓縮彈簧（17）連同該珠體（16）置入該蓋體（30）的一個簧槽（37），該壓縮彈簧（17）推該珠體（16）局部露出該簧槽（37），使該珠體（16）接觸該角錐（23）的斜邊。
一種類比數位轉換裝置，包含： <br/>一第一斜率信號產生器，用以產生一第一斜率信號，其中該第一斜率信號於一第一電壓區間以至少一第一斜率來回升降； <br/>一第二斜率信號產生器，用以產生一第二斜率信號，其中該第二斜率信號於一第二電壓區間以至少一第二斜率來回升降；以及 <br/>一比較器，用以根據該第一斜率信號、該第二斜率信號與一輸入信號以產生一輸出信號。
如請求項1所述之類比數位轉換裝置，其中該第一電壓區間與該第二電壓區間不重疊。
如請求項1所述之類比數位轉換裝置，其中該第一電壓區間與該第二電壓區間部分重疊。
如請求項1所述之類比數位轉換裝置，其中該第一電壓區間包含一第一低電壓位準與一第一高電壓位準，其中該第一斜率信號於該第一電壓區間以該至少一第一斜率由該第一低電壓位準提升至該第一高電壓位準，再由該第一高電壓位準降至該第一低電壓位準。
如請求項4所述之類比數位轉換裝置，其中該第二電壓區間包含一第二低電壓位準與一第二高電壓位準，其中該第二斜率信號於該第二電壓區間以該至少一第二斜率由該第二低電壓位準提升至該第二高電壓位準，再由該第二高電壓位準降至該第二低電壓位準。
如請求項5所述之類比數位轉換裝置，其中該第一電壓區間的該第一高電壓位準相同於該第二電壓區間的該第二低電壓位準。
如請求項5所述之類比數位轉換裝置，其中該第一電壓區間的該第一高電壓位準不同於該第二電壓區間的該第二低電壓位準。
如請求項5所述之類比數位轉換裝置，其中該第一斜率信號產生器包含： <br/>一第一輸出端； <br/>一第一開關，包含： <br/>一第一端，用以接收一電流源電流；以及 <br/>一第二端，耦接於該第一輸出端；以及 <br/>一第二開關，包含： <br/>一第一端，耦接於該第一輸出端；以及 <br/>一第二端，用以接收該第一低電壓位準； <br/>其中該第一開關以及該第二開關根據一第一控制信號以及一第一重置信號以輸出該第一斜率信號。
如請求項8所述之類比數位轉換裝置，其中該第二斜率信號產生器包含： <br/>一第二輸出端； <br/>一第三開關，包含： <br/>一第一端，用以接收該電流源電流；以及 <br/>一第二端，耦接於該第二輸出端；以及 <br/>一第四開關，包含： <br/>一第一端，耦接於該第二輸出端；以及 <br/>一第二端，用以接收該第二低電壓位準； <br/>其中該第三開關以及該第四開關根據一第二控制信號以及一第二重置信號以輸出該第二斜率信號。
一種類比數位轉換方法，包含： <br/>藉由一第一斜率信號產生器產生一第一斜率信號，其中該第一斜率信號於一第一電壓區間以至少一第一斜率來回升降； <br/>藉由一第二斜率信號產生器產生一第二斜率信號，其中該第二斜率信號於一第二電壓區間以至少一第二斜率來回升降；以及 <br/>藉由一比較器根據該第一斜率信號、該第二斜率信號與一輸入信號以產生一輸出信號。
一種熱傳板（8、8a），其包含沿著該熱傳板（8、8a）之一縱向中心軸線（L）依次配置的一上部末端部分（34）、一中心部分（36）及一下部末端部分（38）、界定該中心部分（36）之一縱向延伸部之假想的第一邊界（47）及第二邊界（55），該第一邊界（47）及該第二邊界（55）與該縱向中心軸線（L）交叉，該上部末端部分（34）包含一第一通口孔（40）、一第二通口孔（42）及具備一上部分配波紋圖案之一上部分配區域（44），該下部末端部分（38）包含一第三通口孔（48）、一第四通口孔（50）及具備一下部分配波紋圖案之一下部分配區域（52），該中心部分（36）包含具備一熱傳遞波紋圖案之一熱傳遞區域（46），該熱傳遞波紋圖案不同於該上部分配波紋圖案及該下部分配波紋圖案且如從該熱傳板（8、8a）之一第一側（30）所見包含交替配置之HT脊（60）及HT谷（62），該等HT脊（60）及該等HT谷（62）在配置成彼此相距一距離D之假想的平行第一平面（P1）及第二平面（P2）中及在該第一平面與該第二平面之間延伸，該熱傳板（8、8a）之該第一側（30）面向該第一平面（P1）且該熱傳板（8、8a）之一相對第二側（32）面向該第二平面（P2），如從該第一側（30）所見，該熱傳板（8、8a）進一步包含一墊片溝槽（68），該墊片溝槽包含圍封該熱傳遞區域（46）以及該第一通口孔（40）及該第三通口孔（48）之一場墊片溝槽部分（68a）、圍封該第二通口孔（42）之一第二環墊片溝槽部分（68b）及圍封該第四通口孔（50）之一第四環墊片溝槽部分（68c），該場墊片溝槽部分（68a）包含在該上部分配區域（44）與該第二通口孔（42）之間延伸之一上部對角區段（68a'）及在該下部分配區域（52）與該第四通口孔（50）之間延伸之一下部對角區段（68a''），該場墊片溝槽部分（68a）之一底部（70a）沿著該上部對角區段（68a'）及該下部對角區段（68a''）在該第一平面（P1）與該第二平面（P2）之間延伸，該第二環墊片溝槽部分（68b）包含在該第二通口孔（42）與該上部對角區段（68a'）之間延伸之一內部區段（68b'），該第二環墊片溝槽部分（68b）之一底部（70b）沿著該內部區段（68b'）在該第一平面（P1）與該第二平面（P2）之間延伸，該第四環墊片溝槽部分（68c）包含在該第四通口孔（50）與該下部對角區段（68a''）之間延伸之一內部區段（68c'），該第四環墊片溝槽部分（68c）之一底部（70c）沿著該內部區段（68c'）在該第一平面（P1）與該第二平面（P2）之間延伸，該場墊片溝槽部分（68a）之一底部（70a）沿著該場墊片溝槽部分（68a）之至少50%長度，在配置成與該第二平面相距一距離d之一墊片溝槽平面（GP）中延伸，且0 ≤ d ＜ D，其中該熱傳板（8、8a）進一步包含沿著彼此從該第一邊界（47）延伸至該第二邊界（55）且在該場墊片溝槽部分（68a）之一外部上延伸的一第一內部邊緣部分（61）及一第一外部邊緣部分（63），該第一內部邊緣部分（61）在該場墊片溝槽部分（68a）與該第一外部邊緣部分（63）之間延伸，<b>其特徵在於</b>多於50%之該第一外部邊緣部分（63）在該第一平面中延伸。
如請求項1之熱傳板（8、8a），其中該第一外部邊緣部分（63）包含該熱傳板（8、8a）之一外部邊緣（56）之一部分，該外部邊緣界定該熱傳板（8、8a）之一外部周邊。
如請求項1或2之熱傳板（8、8a），其中如從該熱傳板（8、8a）之該第一側（30）所見，該第一內部邊緣部分（61）包含交替配置之邊緣脊（58a）及邊緣谷（58b），該等邊緣脊（58a）及該等邊緣谷（58b）在該第一平面（P1）與該第二平面（P2）中及在該第一平面與該第二平面之間延伸。
如請求項3之熱傳板（8、8a），其中該等邊緣脊（58a）之間的一節距在該第一邊界（47）與該第二邊界（55）之間為基本上恆定的。
如請求項1或2之熱傳板（8、8a），如從該第一側（30）所見，其進一步包含一固定谷（65），該固定谷從該場墊片溝槽部分（68a）延伸穿過該第一內部邊緣部分（61）及該第一外部邊緣部分（63）。
如請求項5之熱傳板（8、8a），其中該固定谷（65）包含一內部部分（67）及一外部部分（69），該內部部分（67）配置於該外部部分（69）與該場墊片溝槽部分（68a）之間，其中該固定谷（65）之一底部（71）在該外部部分（69）內在該墊片溝槽平面（GP）中延伸且在該內部部分（67）內在該墊片溝槽平面（GP）與該第一平面（P1）之間延伸。
如請求項1或2之熱傳板（8、8a），如從該第一側（30）所見，其進一步包含一密封溝槽（64），該密封溝槽包含圍封該熱傳遞區域（46）以及該第二通口孔（42）及該第四通口孔（50）之一場密封溝槽部分（64a）、圍封該第一通口孔（40）之一第一環密封溝槽部分（64b）及圍封該第三通口孔（48）之一第三環密封溝槽部分（64c）。
如請求項1或2之熱傳板（8、8a），其中d = 0。
一種墊片配置（72），其包含一墊片（59）及用於將該墊片（59）緊固至一熱傳板（8、8a）之一附接部件（74a），其中該附接部件（74a）在一突出方向（PD）上從該墊片（59）之一外側（76）突出，且包含一連接構件（80）、一第一指形件（82）及一橋接件（78），該連接構件（80）之一第一連接部分（80a）與該墊片（59）接合，該連接構件（80）之一第二連接部分（80b）與該橋接件（78）接合，該第一指形件（82）之一連接部分（82a）與該橋接件（78）接合，該第一指形件（82）從該橋接件（78）朝向該墊片（59）延伸，<b>其特徵在於</b>該連接構件（80）之一最大厚度超出該橋接件（78）之一最大厚度，一厚度方向（TD）垂直於該橋接件（78）之一縱向延伸部（BL）且垂直於該突出方向（PD）延伸，該附接部件（74a）進一步包含該連接構件（80）之一上部側（US）中之一上部凹槽（86'）及該連接構件（80）之一相對下部側（LS）中之一下部凹槽（86''）。
如請求項9之墊片配置（72），其中該上部凹槽（86'）及該下部凹槽（86''）沿著該厚度方向（TD）彼此對準。
一種卡匣（57），其包含兩個如請求項1至8中任一項之熱傳板（8、8a），其中該兩個熱傳板（8、8a）中之一者的該第二側（32）面向該兩個熱傳板（8、8a）中之另一者的該第二側（32），且該兩個熱傳板（8、8a）彼此焊接。
如請求項11之卡匣（57），其中該兩個熱傳板（8、8a）中之該另一者相對於該兩個熱傳板中之該一者圍繞該兩個熱傳板（8、8a）中之該另一者的一法線方向（N）旋轉180度。
一種熱交換器（2），其包含複數個如請求項1至8中任一項之熱傳板（8、8a）及複數個如請求項9至10中任一項之墊片配置（72），其中該等墊片配置（72）之該等墊片（59）中之各者配置於該等熱傳板（8、8a）中之兩個鄰近者之該等墊片溝槽（68）中。
如請求項13之熱交換器（2），其中該等熱傳板（8、8a）成對地、第二側（32）至第二側（32）地焊接成卡匣（57），且該等墊片配置（72）之該等墊片（59）中之各者配置於該等卡匣（57）中之兩個鄰近者之該等墊片溝槽（68）中。
一種亞4F2結構的動態隨機存取記憶體元件，其中，包括： <br/>基板； <br/>多個位線，位於上述基板上，隔著規定的間隔向第一水平方向相互平行地配置； <br/>多個溝道圖案，以蜂窩結構配置，分別向垂直方向延伸； <br/>多個字線，與上述多個溝道圖案共同連接，隔著規定的間隔向與上述第一水平方向實質上垂直的第二水平方向相互平行地配置；以及 <br/>柵極絕緣圖案，位於上述多個溝道圖案和上述多個字線之間， <br/>上述多個字線包括配置於不同的高度的第一字線及第二字線，上述第一字線及第二字線向上述第一水平方向相互交替， <br/>位於單一位元線上的多個溝道圖案沿著上述單一位元線的兩側邊緣以Z字形排列，與單一字線相接觸的多個溝道圖案排列於一條直線上。
如請求項1之亞4F2結構的動態隨機存取記憶體元件，其中，上述溝道圖案的一半位於上述基板上，另一半位於上述位線上。
一種亞4F2結構的動態隨機存取記憶體元件，其中，包括： <br/>基板； <br/>多個位線，位於上述基板上，隔著規定的間隔向第一水平方向相互平行地配置； <br/>多個溝道圖案，在上述位線上沿著上述位線的兩側邊緣以Z字形排列，分別向垂直方向延伸； <br/>多個第一字線，與沿著上述位線的一側邊緣排列的多個溝道圖案共同連接，隔著規定的間隔向與上述第一水平方向實質上垂直的第二水平方向相互平行地配置； <br/>多個第二字線，與沿著上述位線的另一側邊緣排列的多個溝道圖案共同連接，隔著規定的間隔向上述第二水平方向相互平行地配置，配置在與上述第一字線不同的高度；以及 <br/>柵極絕緣圖案，位於上述多個溝道圖案和上述多個第一字線或第二字線之間。
如請求項1之亞4F2結構的動態隨機存取記憶體元件，其中，上述溝道圖案位於上述位線上。
一種亞健康預防追蹤裝置系統，包括：<br/> 一第一電子裝置，包括一第一處理器與一第一記憶體，且該第一記憶體儲存有至少一應用程式以及一預訓練的(pre-trained)運動建議生成模型；<br/> 複數個感測器，耦接該第一電子裝置；以及<br/> 一頭戴式裝置，耦接該第一電子裝置與該等感測器；<br/> 其中，在執行該應用程式之後，該第一處理器被配置以執行：<br/> 控制該複數個感測器與該頭戴式裝置收集一用戶的至少一靜態生理信號與至少一動態生理信號，其中，該動態生理信號包含選自於由動作軌跡、反應時間和動作穩定性所組成群組之中的至少一者；<br/> 對該靜態生理信號與該動態生理信號執行一數據處理以獲得至少一靜態生理數據與至少一動態生理數據；以及<br/> 將該靜態生理數據、該動態生理數據與該用戶的一用戶個人數據輸入該運動建議生成模型，使該運動建議生成模型輸出該用戶的一運動建議；<br/> 其中，該靜態生理數據包含選自於由體溫、脈搏、心率、血壓、攝氧量(VO<sub>2</sub>)、呼吸速率、和肌電強度所組成群組之中的至少一者。
如請求項1所述之亞健康預防追蹤裝置系統，其中，該用戶個人數據包含選自於由年齡、體重、身高、BMI值、腰圍、腿圍、和臂圍所組成群組之中的任一者。
如請求項1所述之亞健康預防追蹤裝置系統，其中，該第一電子裝置為選自於由健身鏡、移動式顯示裝置、智慧型手機、平板電腦、桌上型電腦、一體式電腦、智慧型電視、和遊戲主機所組成群組之中的任一者。
如請求項1所述之亞健康預防追蹤裝置系統，其中，該頭戴式裝置包括一主框架、一面部接觸部分與一配戴部件，該頭戴式裝置的一面板上可安裝具有通訊功能的一第三電子裝置。
一種亞健康預防追蹤方法，係由和複數個感測器與一頭戴式裝置耦接的一第一電子裝置執行，其中，該第一電子裝置具有一第一顯示器且儲存有一預訓練的(pre-trained)運動建議生成模型，且所述亞健康預防追蹤方法包括：<br/> 控制該複數個感測器與該頭戴式裝置收集一用戶的至少一靜態生理信號以及至少一動態生理信號，其中，該動態生理信號包含選自於由動作軌跡、反應時間和動作穩定性所組成群組之中的至少一者；<br/> 對該靜態生理信號與該動態生理信號執行一數據處理以獲得至少一靜態生理數據與至少一動態生理數據；以及<br/> 將該靜態生理數據、該動態生理數據與該用戶的一用戶個人數據輸入該運動建議生成模型，使該運動建議生成模型輸出該用戶的一運動建議；<br/> 其中，該靜態生理數據包含選自於由體溫、脈搏、心率、血壓、攝氧量(VO<sub>2</sub>)、呼吸速率、和肌電強度所組成群組之中的至少一者。
如請求項5所述之亞健康預防追蹤方法，其中，該用戶個人數據包含選自於由年齡、體重、身高、BMI值、腰圍、腿圍、和臂圍所組成群組之中的任一者。
如請求項5所述之亞健康預防追蹤方法，其中，該第一電子裝置為選自於由健身鏡、移動式顯示裝置、智慧型手機、平板電腦、桌上型電腦、一體式電腦、智慧型電視、和遊戲主機所組成群組之中的任一者。
如請求項5所述之亞健康預防追蹤方法，其中，該複數個感測器包括至少一智慧型手錶、至少一智慧手環、搭載感測電極的一智慧衣、至少一個搭載感測電極的手臂護套、與至少一個搭載感測電極的腿部護套。
一種顯示驅動方法，應用於顯示裝置中；其中，所述顯示裝置用於顯示圖像，其包括多條掃描線以及多條資料線；多條所述資料線由資料驅動電路；其改良在於：所述顯示驅動方法包括如下步驟：<br/> 計算所述顯示圖像中每條所述資料線的平均亮度及其對應的平均亮度差值；其中，所述平均亮度差值為每條所述資料線與其前面一條所述資料線之間的平均亮度的差值；<br/> 判斷所述資料線的平均亮度差值是否大於預設閾值； <br/> 在所述資料線的平均亮度差值大於所述預設閾值時，設定所述資料線作為目標資料線，並提取與所述目標資料線相鄰的多條所述資料線作為輔助資料線；其中，所述目標資料線和所述輔助資料線共同作為補償資料線；<br/> 計算每條所述補償資料線對應的補償參數；<br/> 計算每條所述補償資料線對應的微調參數；以及<br/> 根據每條所述補償資料線的原始亮度值、對應的所述補償參數以及對應的所述微調參數計算所述補償資料線的輸出亮度值，並將所述輸出亮度值提供給資料驅動電路。
如請求項1所述的顯示驅動方法，其中，所述補償參數包括初始補償值、倍率值以及背景亮度值；所述顯示圖像包括前景圖像和背景圖像；所述計算每條所述補償資料線對應的補償參數的步驟包括：<br/> 根據所述目標資料線的平均亮度差值及其對應的指定條件進行查表確定其所在的平均亮度差值區間，並根據所述平均亮度差值區間的兩個綁點平均亮度差值進行線性內插計算得到所述目標資料線對應的初始補償值；<br/> 根據所述輔助資料線相對所述目標資料線的位置進行查表獲取每條所述輔助資料線對應的倍率值；<br/> 根據每條所述補償資料線對應所述背景圖像的背景亮度值及所述目標資料線對應的指定條件進行查表確定對應的綁點背景亮度區間，並根據所述綁點背景亮度區間的兩個綁點背景亮度值進行線性內插計算得到每條所述補償資料線對應的亮度權重值。
如請求項2所述的顯示驅動方法，其中，所述微調參數包括微調值以及微調權重值；所述計算每條所述補償資料線對應的微調參數的步驟包括：<br/> 判斷所述輔助資料線中是否存在反轉現象；<br/> 在多條所述輔助資料線中存在所述反轉現象時，根據所述輔助資料線相對所述目標資料線的位置以及所述目標資料線對應的指定條件進行查表得到對應所述輔助資料線對應的微調值以及所述目標資料線對應的微調值；其中，所述目標資料線對應的微調值不為0；<br/> 根據所述輔助資料線的平均亮度以及所述目標資料線對應的指定條件進行查表得到微調權重區間，並根據所述微調權重區間的兩個綁點微調權重值進行線性內插得到每條所述輔助資料線對應的微調權重值；<br/> 在多條所述輔助資料線中不存在所述反轉現象時，將每條所述補償資料線對應的微調值設置為0。
如請求項3所述的顯示驅動方法，其中，所述輸出亮度值為利用公式：B_final(i)=B_org(i)+（C_target×R(i)+T(i)×W_a(i)）×W_b(i)計算得到；其中，B_final(i)為所述補償資料線的輸出亮度值，B_org(i)為所述補償資料線的初始亮度值，C_target為所述目標資料線的初始補償值，R(i)為所述補償資料線對應的的倍率值，T(i)為所述補償資料線對應的微調值，W_a(i)為所述補償資料線對應的微調權重值，W_b(i)為所述補償資料線對應的亮度權重值。
如請求項1所述的顯示驅動方法，其中，多條所述輔助資料線包括所述目標資料線的前面一條資料線以及所述目標資料線後面的多條所述資料線。
一種顯示裝置，用於顯示圖像；所述顯示裝置包括多條掃描線以及多條資料線；多條所述資料線由資料驅動電路；所述顯示裝置還包括記憶體以及處理器；其改良在於，所述記憶體中存儲有複數個查找表；所述處理器包括：<br/> 資料線檢測單元，用於依次計算顯示圖像中每條所述資料線的平均亮度及其對應的平均亮度差值，並將所述平均亮度差值與預設閾值進行比較；其中，所述平均亮度差值為每條所述資料線與其前面一條所述資料線之間的平均亮度的差值；在所述資料線的平均亮度差值大於所述預設閾值時，所述資料線檢測單元設定所述資料線作為目標資料線，並提取與所述目標資料線相鄰的多條所述資料線作為輔助資料線；其中，所述目標資料線和所述輔助資料線共同作為補償資料線；<br/> 補償參數計算單元，與所述資料線檢測單元電性連接，用於計算每條所述補償資料線對應的補償參數；<br/> 微調參數計算單元，與所述補償參數計算單元電性連接，用於計算每條所述補償資料線對應的微調參數；以及<br/> 亮度計算單元，與所述補償參數計算單元以及所述微調參數計算單元電性連接，用於根據每條所述補償資料線的原始亮度值、對應的所述補償參數以及對應的所述微調參數計算所述補償資料線的輸出亮度值，並將所述輸出亮度值提供給所述資料驅動電路。
如請求項6所述的顯示裝置，其中，所述補償參數包括初始補償值、倍率值以及背景亮度值；所述顯示圖像包括前景圖像和背景圖像；<br/> 所述補償參數計算單元根據所述目標資料線的平均亮度差值及其對應的指定條件進行查表確定其所在的平均亮度差值區間，並根據所述平均亮度差值區間的兩個綁點平均亮度差值進行線性內插計算得到所述目標資料線對應的初始補償值；<br/> 所述補償參數計算單元進一步根據所述輔助資料線相對所述目標資料線的位置進行查表獲取每條所述輔助資料線對應的倍率值；以及<br/> 所述補償參數計算單元進一步根據每條所述補償資料線對應所述背景圖像的背景亮度值及所述目標資料線對應的指定條件進行查表確定對應的綁點背景亮度區間，並根據所述綁點背景亮度區間的兩個綁點背景亮度值進行線性內插計算得到每條所述補償資料線對應的亮度權重值。
如請求項7所述的顯示裝置，其中，所述微調參數包括微調值以及微調權重值；<br/> 所述微調參數計算單元判斷所述輔助資料線中是否存在反轉現象；<br/> 在多條所述輔助資料線中存在所述反轉現象時，所述微調參數計算單元根據所述輔助資料線相對所述目標資料線的位置以及所述目標資料線對應的指定條件進行查表得到所述輔助資料線對應的微調值以及所述目標資料線的微調值；其中，所述目標資料線對應的微調值不為0；<br/> 所述微調參數計算單元進一步根據所述輔助資料線的平均亮度以及所述目標資料線對應的指定條件進行查表得到微調權重區間，並根據所述微調權重區間的兩個綁點微調權重值進行線性內插得到每條所述輔助資料線對應的微調權重值；<br/> 在多條所述輔助資料線中不存在所述反轉現象時，所述微調參數計算單元將每條所述輔助資料線對應的微調值設置為0。
如請求項8所述的顯示裝置，其中，所述輸出亮度值為利用公式：B_final(i)=B_org(i)+（C_target×R(i)+T(i)×W_a(i)）×W_b(i)計算得到；其中，B_final(i)為所述補償資料線的輸出亮度值，B_org(i)為所述補償資料線的初始亮度值，C_target為所述目標資料線的初始補償值，R(i)為所述補償資料線對應的的倍率值，T(i)為所述補償資料線對應的微調值，W_a(i)為所述補償資料線對應的微調權重值，W_b(i)為所述補償資料線對應的亮度權重值。
如請求項7所述的顯示裝置，其中，所述亮度計算單元控制所述補償資料線對應所述背景圖像的亮度值與其他所述資料線對應所述背景圖像的亮度值之間的差值比率低於預定比率；所述差值比率為利用公式：Ratio=（B_background-B_boundary）/B_boundary計算得到；其中，B_background為其他所述資料線對應背景圖像的亮度值，B_boundary為所述補償資料線對應背景圖像的亮度值。
一種固定支架的吸附裝置，包括：<br/> 吸盤座，具有柔性的吸盤本體及形成於該吸盤本體的背面中心的軸桿；<br/> 彈性元件，設於該吸盤座上；<br/> 底座，形成有位於中心位置的凸起部，該凸起部形成有中心孔；<br/> 外殼，其中心位置形成有軸孔，該外殼上形成有以該軸孔為中心對稱地配置的二個延伸壁；<br/> 凸輪，配置於該外殼上並且被該軸桿穿過，該凸輪為圓筒形，該凸輪的外表面形成有複數凸條；<br/> 銷桿，垂直正交地設於該軸桿，並且使該軸桿接觸該凸輪的凸輪曲線；<br/> 以及<br/> 旋帽，可旋轉地配置於該外殼上，並且連接該凸輪，該旋帽內同心地形成有圓筒，該圓筒的內表面形成有複數凹槽；<br/> 其中，該等凸條滑動配合至該等凹槽，以使該凸輪連接至該旋帽；<br/> 其中，該彈性元件的兩端作用於該吸盤座及該底座，<br/> 其中，當往第一方向旋轉該旋帽而使該凸輪往該第一方向旋轉時，該凸輪藉由該銷桿帶動該軸桿往遠離該吸盤本體的方向移動，從而使該吸盤本體與物體之間產生真空吸附作用，當往相反的第二方向旋轉該旋帽而使該凸輪往該第二方向旋轉時，該凸輪藉由該銷桿帶動該軸桿往接近該吸盤本體的方向移動，從而解除該吸盤本體與物體之間的真空吸附作用。
如請求項1所述之固定支架的吸附裝置，還包括：<br/> 蓋板，固定地設於該等延伸壁的自由端。
如請求項2所述之固定支架的吸附裝置，其中，該等延伸壁的自由端分別設有複數個螺孔，並且該蓋板設有對應該等螺孔的複數個洞孔，藉由螺絲穿過該等洞孔而鎖入該等螺孔以將該蓋板固定至該等延伸壁。
如請求項1所述之固定支架的吸附裝置，其中，該軸桿的徑向斷面為非圓形，並且該軸孔為對應該軸桿之徑向斷面的形狀。
如請求項1所述之固定支架的吸附裝置，其中，該吸盤座的中央形成有材質相較於該吸盤本體為硬的固定部，該軸桿形成在該固定部上。
如請求項2所述之固定支架的吸附裝置，還包括：<br/> 第一樞接組件，設於該蓋板並且露出該旋帽，該第一樞接組件用於和設於支架桿的第二樞接組件旋轉地連接。
如請求項6所述之固定支架的吸附裝置，其中，該第一樞接組件具有座體，該座體的一端形成耳部，相對的另一端形成螺桿，該螺桿穿過該蓋板的通孔後以匹配螺帽，以將該第一樞接組件設置於該蓋板。
如請求項7所述之固定支架的吸附裝置，其中，該座體的該另一端形成有凸台，該螺桿形成於該凸台；以及<br/> 其中，該蓋板形成有凹台，該通孔位於該凹台底部，並且該凹台與該凸台相互配合。
如請求項8所述之固定支架的吸附裝置，其中，該座體的相對兩側分別形成有翼部，每一該翼部可容納於該二個延伸壁側邊之間的空間，以避免該第一樞接組件旋轉。
如請求項1所述之固定支架的吸附裝置，其中，該吸盤本體的下面設有圓環形狀的黏性凝膠片。
如請求項10所述之固定支架的吸附裝置，其中，該黏性凝膠片為PU膠。
如請求項1所述之固定支架的吸附裝置，其中，該吸盤本體的環周外緣形成有往外突出的凸緣。
一種電池內阻量測系統，用於量測一待測電池的一內阻阻值，該待測電池包含一第一端部以及一第二端部，且該第一端部具有一氧化層；該電池內阻量測系統包含： <br/>一供電裝置，包含一第一連接端子以及一第二連接端子，該第一連接端子以及該第二連接端子分別用以與該待測電池的該第一端部以及該第二端部電性連接，其中該第一連接端子以及該第二連接端子其中一者具有一探針；其中，該探針用以接觸該待測電池的該氧化層，並透過該探針對該待測電池供電，使得電子得以穿過該氧化層抵達該第一端部，藉以產生一穿隧電流； <br/>一數據獲取裝置，電性連接該待測電池及該供電裝置，以形成一迴路；其中，該數據獲取裝置於該穿隧電流產生後，量測該穿隧電流的一電流值以及該待測電池的一電壓值；以及 <br/>一計算裝置，通訊連接該供電裝置及/或該數據獲取裝置，該計算裝置根據該電壓值以及該電流值，計算出該待測電池的該內阻阻值。
如請求項1之電池內阻量測系統，其中該探針具有一鈍端以及一尖端，該供電裝置沿著由該探針之該鈍端往該尖端的方向提供一電子流。
如請求項1之電池內阻量測系統，其中該第一端部係一正極端，該第二端部係一負極端，該供電裝置沿著由該待測電池之該正極端往負極端的方向提供一電子流。
如請求項3之電池內阻量測系統，其中該供電裝置對該待測電池提供一測試電流，該測試電流之方向係由該待測電池之該負極端往該正極端流動。
如請求項1之電池內阻量測系統，其中該探針具有一鈍端以及一尖端；其中該供電裝置對該待測電池提供一測試電流，該測試電流之方向係由該探針之該尖端往該鈍端流動。
如請求項1之電池內阻量測系統，其中該供電裝置提供一電壓於該待測電池，使得該第一端部的電位低於該第二端部的電位。
如請求項1之電池內阻量測系統，其中該供電裝置藉由該探針對該待測電池施加一檢測電壓，以使該待測電池發生穿隧效應並產生該穿隧電流。
如請求項1之電池內阻量測系統，其中該待測電池之該第一端部係一正極端，該待測電池之該第二端部係一負極端，該供電裝置之該第一連接端子之該探針係連接該正極端，該供電裝置之該第二連接端子係連接該負極端。
如請求項1之電池內阻量測系統，其中該供電裝置提供一檢測電流於該迴路，該數據獲取裝置量測該待測電池之跨壓； <br/>其中該計算裝置根據該檢測電流以及該跨壓，計算出該待測電池的該內阻阻值。
如請求項9之電池內阻量測系統，其中該檢測電流係隨著該氧化層之厚度增加而增加。
如請求項1之電池內阻量測系統，其中該供電裝置提供一檢測電壓於該迴路，該數據獲取裝置量測該迴路上之一電流； <br/>其中該計算裝置根據該檢測電壓以及該電流，計算出該待測電池的該內阻阻值。
如請求項11之電池內阻量測系統，其中該檢測電壓係隨著該氧化層之厚度增加而增加。
一種電池內阻量測方法，用於量測一待測電池的一內阻阻值，該待測電池包含一第一端部以及一第二端部，且該第一端部具有一氧化層；該電池內阻量測方法包含以下步驟： <br/>使一供電裝置的一第一連接端子以及一第二連接端子分別與該待測電池的該第一端部以及該第二端部連接，其中該第一連接端子以及該第二連接端子其中一者具有一探針，並使該供電裝置之一探針接觸該待測電池之該氧化層； <br/>使一數據獲取裝置連接該待測電池及該供電裝置； <br/>使一計算裝置通訊連接該供電裝置及/或該數據獲取裝置； <br/>該供電裝置透過該探針對該待測電池供電，使得電子得以穿過該氧化層抵達該第一端部，藉以產生一穿隧電流，其中該供電裝置電性連接該數據獲取裝置以及該待測電池，形成一迴路； <br/>該數據獲取裝置量測該穿隧電流的一電流值，以及該待測電池之一電壓值；以及 <br/>該計算裝置根據該電壓值以及該電流值，計算該待測電池的該內阻阻值。
如請求項13之電池內阻量測方法，其中該探針具有一鈍端以及一尖端，該電池內阻量測方法進一步包含以下步驟： <br/>使該供電裝置沿著由該探針之該鈍端往該尖端的方向提供一電子流。
如請求項13之電池內阻量測方法，其中該第一端部係一正極端，該第二端部係一負極端，該電池內阻量測方法進一步包含以下步驟： <br/>使該供電裝置沿著由該待測電池之該正極端往負極端的方向提供一電子流。
如請求項15之電池內阻量測方法，進一步包含以下步驟：使該供電裝置沿著由該待測電池之該負極端往該正極端的方向，對該待測電池提供一測試電流。
如請求項13之電池內阻量測方法，其中該探針具有一鈍端以及一尖端； <br/>其中該電池內阻量測方法進一步包含以下步驟：使該供電裝置沿著由該探針之該尖端往該鈍端的方向，對該待測電池提供一測試電流。
如請求項13之電池內阻量測方法，進一步包含以下步驟：使該供電裝置提供一電壓於該待測電池，使得該第一端部的電位低於該第二端部的電位。
如請求項13之電池內阻量測方法，進一步包含以下步驟：使該供電裝置透過該探針對該待測電池施加一檢測電壓，以使該待測電池發生穿隧效應，並產生該穿隧電流。
如請求項13之電池內阻量測方法，其中該待測電池之該第一端部係一正極端，該待測電池之該第二端部係一負極端，該電池內阻量測方法進一步包含以下步驟： <br/>使得該供電裝置之該第一連接端子之該探針連接該正極端，並且使得該供電裝置之該第二連接端子連接該負極端。
如請求項13之電池內阻量測方法，進一步包含以下步驟： <br/>該供電裝置提供一檢測電流於該迴路； <br/>該數據獲取裝置量測該迴路上之跨壓；以及 <br/>該計算裝置根據該檢測電流以及該跨壓，計算出該待測電池的該內阻阻值。
如請求項13之電池內阻量測方法，進一步包含以下步驟： <br/>該供電裝置提供一檢測電壓於該迴路； <br/>該數據獲取裝置量測該迴路上之一電流；以及 <br/>該計算裝置根據該檢測電壓以及該電流，計算出該待測電池的該內阻阻值。
如請求項22之電池內阻量測方法，進一步包含以下步驟：該檢測電壓係隨著該氧化層之厚度增加而增加。
一種記憶體設備，其包含： <br/>一交叉開關(cross-bar)記憶體陣列，其包含複數條第一導電線、複數條第二導電線、複數個可程式化電阻記憶體單元、及複數個電容器，各電容器與一記憶體單元相關聯，各可程式化電阻記憶體單元在該等第一導電線中之一者與該等第二導電線中之一者之間； <br/>各可程式化電阻記憶體單元包含： <br/>一兩端子臨限切換選擇器； <br/>一導電區域，其與該兩端子臨限切換選擇器接觸；及 <br/>一可程式化電阻記憶體元件，其與該兩端子臨限切換選擇器串聯且與該兩端子臨限切換選擇器不同； <br/>與一特定記憶體單元相關聯的該電容器包含由該特定記憶體單元的該導電區域形成的一第一電極、相鄰於該第一電極的一介電質、及相鄰於該介電質的一第二電極。
如請求項1之記憶體設備，其進一步包含一控制電路，該控制電路經組態以將一讀取電流驅動至一經選擇第一導電線，同時將一選擇電壓提供至一經選擇第二導電線，其中與該特定記憶體單元相關聯的該電容器經組態以吸收因為該特定記憶體單元之該兩端子臨限切換選擇器的接通而產生的一驟回電流。
如請求項1之記憶體設備，其中與該特定記憶體單元相關聯的該電容器與該可程式化電阻記憶體元件並聯連接。
如請求項1之記憶體設備，其中： <br/>與該特定記憶體單元相關聯的該電容器的該介電質圍繞該特定記憶體單元的該導電區域；及 <br/>與該特定記憶體單元相關聯的該電容器的該第二電極圍繞該電容器的介電質，該介電質在該第一電極與該第二電極之間。
如請求項4之記憶體設備，其中該可程式化電阻記憶體元件包含具有一參考層、一穿隧能障、及一自由層的一磁穿隧接面(magnetic tunnel junction, MTJ)。
如請求項5之記憶體設備，其中： <br/>與該特定記憶體單元相關聯的該電容器的該介電質延伸以圍繞該特定記憶體單元之該MTJ的該穿隧能障；及 <br/>與該特定記憶體單元相關聯的該電容器的該第二電極延伸以圍繞該特定記憶體單元之該MTJ的該穿隧能障，該介電質的該延伸部分處於該MTJ的該穿隧能障與該第二電極的該延伸部分之間。
如請求項6之記憶體設備，其中該第二電極與該MTJ的該參考層及該MTJ的該自由層中之一者直接電接觸。
如請求項6之設備，其中該第二電極與該特定記憶體單元所連接的該第一導電線直接電接觸。
如請求項1之記憶體設備，其中該兩端子臨限切換選擇器包含一雙向臨限開關(Ovonic Threshold Switch, OTS)。
如請求項9之記憶體設備，其中該可程式化電阻記憶體元件包含具有一參考層、一穿隧能障、及一自由層的一磁穿隧接面(MTJ)，與該特定記憶體單元相關聯的該電容器與該MTJ並聯連接以提供與該穿隧能障並聯的一低阻抗路徑。
如請求項1之記憶體設備，其中該電容器的該介電質包含一高κ介電材料。
如請求項1之記憶體設備，其中該電容器的該介電質包含五氧化二鉭。
一種用於操作一交叉開關記憶體陣列之方法，該方法包含： <br/>向該交叉開關記憶體陣列中的一經選擇第一導電線提供一讀取電流，同時向該交叉開關記憶體陣列中的一經選擇第二導電線提供一選擇電壓，其中一經選擇記憶體單元處於該經選擇第一導電線與該經選擇第二導電線之間，其中在該經選擇記憶體單元的一臨限切換選擇器接通之後導致一驟回電流，其中該經選擇記憶體單元的一磁穿隧接面(MTJ)與該經選擇記憶體單元的該臨限切換選擇器不同；及 <br/>透過連接在與該臨限切換選擇器接觸之該經選擇記憶體單元的一導電區域與該經選擇第一導電線之間的一電容器來耗散該驟回電流。
如請求項13之方法，其中透過該電容器耗散該驟回電流包含透過與該經選擇記憶體單元的該MTJ並聯的一路徑耗散該驟回電流。
一種記憶體系統，其包含： <br/>一交叉開關記憶體陣列，其包含複數條第一導電線、複數條第二導電線、及複數個可程式化電阻記憶體單元，各可程式化電阻記憶體單元在該等第一導電線中之一者與該等第二導電線中之一者之間，各可程式化電阻記憶體單元包含： <br/>一雙向臨限開關(OTS)，其具有一第一表面及一第二表面； <br/>一第一導電區域，其與該OTS的該第一表面接觸； <br/>一第二導電區域，其與該OTS的該第二表面接觸； <br/>一磁穿隧接面(MTJ)，其與該OTS串聯且與該OTS不同，該MTJ具有一參考層、一穿隧能障、及一自由層；及 <br/>一電容器，其與該MTJ並聯，該電容器包含一第一電極、一第二電極、及在該第一電極與該第二電極之間的一介電質，其中該第一電極由該第二導電區域形成，該介電質圍繞該第二導電區域，該第二電極圍繞該介電質。
如請求項15之記憶體系統，其中一特定記憶體單元之該電容器的該第二電極電連接至一第一導電線，該第一導電線連接至該特定記憶體單元。
如請求項15之記憶體系統，其中一特定記憶體單元之該電容器的該第二電極電連接至該特定記憶體單元之該MTJ的該參考層及該特定記憶體單元之該MTJ的該自由層中之一者。
如請求項15之記憶體系統，其中： <br/>與一特定記憶體單元相關聯的該電容器的該介電質延伸以圍繞該特定記憶體單元之該MTJ的該穿隧能障；及 <br/>與該特定記憶體單元相關聯的該電容器的該第二電極延伸以圍繞該特定記憶體單元之該MTJ的該穿隧能障，該介電質的該延伸部分處於該MTJ的該穿隧能障與該第二電極的該延伸部分之間。
如請求項15之記憶體系統，其中該介電質包含一高κ介電材料。
如請求項17之記憶體系統，其進一步包含一控制電路，該控制電路經組態以將一讀取電流驅動至一經選擇第一導電線，同時將一選擇電壓提供至一經選擇第二導電線，其中與該特定記憶體單元相關聯的該電容器經組態以吸收因為該特定記憶體單元之該OTS的接通而產生的一驟回電流。
一種電容結構，包括： <br/>底部電極； <br/>絕緣層，設置在所述底部電極上； <br/>頂部電極，設置在所述絕緣層上方；以及 <br/>介面層，設置在所述絕緣層與所述頂部電極之間，其中所述介面層的成分具有至少一個元素與所述絕緣層中包含的元素相同，且具有至少一個元素與所述頂部電極中包含的元素相同， <br/>其中所述介面層包括： <br/> 第一介面層，設置在所述絕緣層與所述頂部電極之間；以及 <br/> 第二介面層，設置在所述第一介面層與所述頂部電極之間，其中所述第一介面層和所述第二介面層包括TiO<sub>x</sub>N<sub>y</sub>，且所述第一介面層的氮濃度低於所述第二介面層的氮濃度。
如請求項1所述的電容結構，其中所述介面層的氧濃度高於所述頂部電極的氧濃度。
如請求項1所述的電容結構，其中所述介面層的氮濃度低於所述頂部電極的氮濃度。
如請求項1所述的電容結構， <br/>其中所述第一介面層的氧濃度高於所述第二介面層的氧濃度。
如請求項1所述的電容結構，其中所述介面層的厚度在1Å到30Å的範圍內。
如請求項1所述的電容結構，其中所述頂部電極和所述底部電極的材料包括TiN，且所述絕緣層的材料包括高介電常數介電材料。
如請求項6所述的電容結構，其中所述底部電極摻雜有Si。
如請求項6所述的電容結構，其中所述絕緣層包括氧化鉿、氧化鋁、氧化鋯、氧化矽、氧化鑭或氧化鎂。
一種電容結構的製造方法，包括： <br/>形成底部電極； <br/>在所述底部電極上形成絕緣層； <br/>在所述絕緣層上形成介面層；以及 <br/>在所述介面層上形成頂部電極，其中所述介面層的成分具有至少一個元素與所述絕緣層中包含的元素相同，且具有至少一個元素與所述頂部電極中包含的元素相同， <br/>其中形成所述介面層包括： <br/> 在所述絕緣層上形成第一介面層；以及 <br/> 在所述第一介面層上形成第二介面層， <br/> 其中所述第一介面層和所述第二介面層包括TiO<sub>x</sub>N<sub>y</sub>，且所述第一介面層的氮濃度低於所述第二介面層的氮濃度。
如請求項9所述的製造方法，其中所述介面層是通過原子層沉積法形成，且所述介面層和所述頂部電極具有共同元素N。
如請求項10所述的製造方法，其中所述介面層的氮濃度低於所述頂部電極的氮濃度。
如請求項9所述的製造方法， <br/>其中所述第一介面層的氧濃度高於所述第二介面層的氧濃度。
如請求項9所述的製造方法，其中形成所述底部電極和所述絕緣層包括： <br/>在基板上形成堆疊結構，其中所述堆疊結構包括交替堆疊的支撐層和犧牲層； <br/>形成穿透所述堆疊結構的開口； <br/>在所述開口的側壁和所述開口所暴露的部分所述基板上沉積所述底部電極； <br/>移除所述堆疊結構的犧牲層以暴露所述底部電極和所述支撐層的部分；以及 <br/>在所述底部電極和所述支撐層的暴露表面上沉積所述絕緣層。
一種料盤提供系統，該料盤提供系統係可用於提供一第一料盤或一第二料盤，該料盤提供系統係包括： 一料盤載座，該料盤載座係提供承載該第一料盤或該第二料盤；<br/> 一載座轉動構件，該載座轉動構件係連接該料盤載座；<br/> 一料盤厚度感測構件，該料盤厚度感測構件係於一料盤厚度感測區域對該第一料盤或該第二料盤提供厚度特徵的感測； <br/> 一料盤狀態判斷模組，該料盤狀態判斷模組係可令該載座轉動構件轉動該料盤載座，使該第一料盤或該第二料盤處於轉動狀態，而讓該第一料盤或該第二料盤的至少一部位能進入該料盤厚度感測區域，使該料盤厚度感測構件可感測該第一料盤或該第二料盤的至少一部位的厚度特徵，以令該料盤狀態判斷模組可根據該料盤厚度感測構件的感測結果判斷該第一料盤或該第二料盤的厚度是否符合預期；以及<br/> 一料盤提供輸送模組，該料盤提供輸送模組係具有一良品料盤輸送設備，當該料盤狀態判斷模組判斷該第一料盤或該第二料盤的厚度符合預期，代表該第一料盤或該第二料盤為良品，而後，該良品料盤輸送設備係可輸送為良品的該第一料盤或該第二料盤，以提供厚度符合預期的該第一料盤或該第二料盤；其中，<br/> 該料盤提供系統還包括一載座抬升構件，該載座抬升構件係連接該載座轉動構件，以令該載座抬升構件係可藉由該載座轉動構件抬升該料盤載座，使該第一料盤或該第二料盤可在不接觸該良品料盤輸送設備的情況下進入該料盤厚度感測區域。
如請求項1所述的料盤提供系統，其中，該料盤提供輸送模組係還包括一良品料盤引導構件，該良品料盤引導構件係在該良品料盤輸送設備引導為良品的該第一料盤或該第二料盤的輸送。
如請求項1所述的料盤提供系統，係可搭配一料盤倉儲系統，其中，該料盤提供輸送模組還具有一料盤提供銜接輸送設備，該料盤提供銜接輸送設備的兩端可分別銜接該良品料盤輸送設備與該料盤倉儲系統，使該料盤提供銜接輸送設備係可自該良品料盤輸送設備接收為良品的該第一料盤或該第二料盤並輸送至該料盤倉儲系統，以為該料盤倉儲系統提供為良品的該第一料盤或該第二料盤。
如請求項3所述的料盤提供系統，其中，該料盤提供銜接輸送設備係具有一料盤提供銜接輸送轉向結構，該料盤提供銜接輸送轉向結構係可提供轉向，使該料盤提供銜接輸送設備的兩端可分別鄰接該良品料盤輸送設備與該料盤倉儲系統。
如請求項3所述的料盤提供系統，其中，該料盤提供輸送模組係還包括一良品料盤引導構件，該良品料盤引導構件係在該良品料盤輸送設備引導為良品的該第一料盤或該第二料盤的輸送，以將為良品的該第一料盤或該第二料盤輸送至該料盤提供銜接輸送設備。
如請求項1所述的料盤提供系統，其中，該料盤厚度感測構件係可發射一厚度感測光線，以藉由該厚度感測光線是否被該第一料盤或該第二料盤遮擋，而感測該第一料盤或該第二料盤的至少一部位的厚度特徵。
如請求項1所述的料盤提供系統，其中，該載座轉動構件轉動該料盤載座的角度係取決於該料盤厚度感測區域的範圍大小，以讓該第一料盤或該第二料盤的至少一部位能在該料盤載座的轉動過程中進入該料盤厚度感測區域。
如請求項7所述的料盤提供系統，其中，該載座轉動構件轉動該料盤載座的角度係至少為一百八十度。
如請求項7所述的料盤提供系統，其中，該載座轉動構件轉動該料盤載座的角度係小於一百八十度。
如請求項1所述的料盤提供系統，其中，還包括一不良品料盤收集區，該料盤提供輸送模組還具有一不良品料盤輸送設備，當該料盤狀態判斷模組判斷該第一料盤或該第二料盤的厚度不符合預期，代表該第一料盤或該第二料盤為不良品，而後，該不良品料盤輸送設備係將為不良品的該第一料盤或該第二料盤輸送至該不良品料盤收集區。
如請求項10所述的料盤提供系統，其中，該料盤提供輸送模組還包括一不良品料盤引導構件，其中，該不良品料盤引導構件係在該不良品料盤輸送設備引導為不良品的該第一料盤或該第二料盤的輸送，以將為不良品的該第一料盤或該第二料盤輸送至該不良品料盤收集區。
如請求項1所述的料盤提供系統，其中，還包括一料盤提供拖曳設備，該料盤提供拖曳設備係拖曳該第一料盤或該第二料盤至該料盤載座，以令該料盤載座承載該第一料盤或該第二料盤。
一種料盤倉儲系統，該料盤倉儲系統係可搭配如請求項第1項所述的料盤提供系統，以存取厚度符合預期的該第一料盤，該料盤倉儲系統係包括：<br/> 一第一倉儲模組，該第一倉儲模組係具有一第一倉儲料盤架、一第一倉儲料盤拖曳設備、一第一料盤存放作業區與一第一料盤取出作業區，<br/> 一料盤存放輸送模組，該料盤存放輸送模組係可進行將該第一料盤存放至該第一倉儲料盤架的輸送程序，該料盤存放輸送模組係具有一第一料盤存放輸送設備；以及<br/> 一料盤取出輸送模組，該料盤取出輸送模組係可進行將該第一料盤自該第一倉儲料盤架中取出的輸送程序，該料盤取出輸送模組係具有一第一料盤取出輸送設備；其中， <br/> 當進行將該第一料盤存放至該第一倉儲料盤架的輸送程序，該第一料盤存放輸送設備係可接收該第一料盤，而後，將該第一料盤輸送至該第一料盤存放作業區，接著，該第一倉儲料盤拖曳設備係可自該第一料盤存放作業區，將該第一料盤拖曳輸送至該第一倉儲料盤架存放；<br/> 當進行將該第一料盤自該第一倉儲料盤架中取出的輸送程序，該第一倉儲料盤拖曳設備係可自該第一倉儲料盤架，將該第一料盤拖曳至該第一料盤取出作業區，而後，該第一料盤取出輸送設備係可至該第一料盤取出作業區取出該第一料盤並輸送。
一種控制用通訊系統，係具有： <br/> 控制用通訊裝置，係含有用來發送控制用資料之封包的通訊部；和 <br/> 裝置群，係由複數個裝置所構成，該裝置係與前記通訊部中所含之通訊埠可通訊地連接，按照已接收之前記封包而動作； <br/> 其中，該控制用通訊系統的特徵為： <br/> 前記封包，係含有前記控制用資料會被選擇而配置的封包資料領域，並從前記通訊部被發送給被連接至前記通訊部的前記裝置； <br/> 前記控制用通訊裝置，係 <br/> 基於前記控制用資料之收送訊所涉及之通訊控制資訊而生成前記控制用資料； <br/> 將前記裝置與前記控制用資料之對應關係加以保持； <br/> 在前記裝置群的構成之變更時，係基於前記對應關係，而將前記裝置所涉及之前記通訊控制資訊，予以變更。
如請求項1所記載之控制用通訊系統，其中， <br/> 前記控制用資料係含有，對前記控制用通訊系統中所被共用之虛擬領域的存取內容。
如請求項1所記載之控制用通訊系統，其中， <br/> 前記通訊控制資訊係含有：將前記控制用資料中所含之驗證參數，以前記控制用通訊裝置的前記通訊部進行收訊之際的期望值； <br/> 前記驗證參數，係基於將前記控制用資料進行處理的前記裝置之數量，而被決定。
如請求項2所記載之控制用通訊系統，其中， <br/> 前記通訊控制資訊，係含有前記虛擬領域之位址。
如請求項1所記載之控制用通訊系統，其中， <br/> 前記通訊控制資訊，係含有前記控制用資料之大小。
如請求項2所記載之控制用通訊系統，其中， <br/> 前記對應關係係包含：前記裝置與該裝置之位址空間會被指派的前記虛擬領域之對應、或前記控制用資料與該控制用資料所存取的前記虛擬領域之對應之任一方，或雙方。
如請求項3所記載之控制用通訊系統，其中， <br/> 前記控制用通訊裝置，係在前記期望值、與前記控制用資料的收訊之際的前記驗證參數之值不一致的情況下，重送含有該控制用資料的封包。
如請求項3所記載之控制用通訊系統，其中， <br/> 前記控制用通訊裝置，係具有複數個前記通訊部； <br/> 前記控制用通訊裝置，係在前記封包的收訊之際，基於對接收到前記封包的前記通訊部所被設定的前記期望值、與前記封包中所含之前記控制用資料的前記驗證參數之值，來執行：與前記裝置的通訊路徑有無異常之判定、前記通訊路徑上相鄰的前記裝置之特定、從前記複數個通訊部之任一者的含有該控制用資料的封包之重送，之至少任一者。
如請求項8所記載之控制用通訊系統，其中， <br/> 前記通訊控制資訊，係含有前記裝置之總數； <br/> 前記控制用通訊裝置，係在前記封包的收訊之際，前記封包中所含之前記控制用資料的前記驗證參數之值是等於前記總數的情況下，不重送含有該控制用資料的封包。
如請求項4所記載之控制用通訊系統，其中， <br/> 將第一前記裝置與相鄰之第二前記裝置的通訊路徑中發生異常之際的通訊延遲修正資訊，基於前記控制用通訊系統的構成而加以決定； <br/> 將不同的前記控制用通訊系統的構成所相應之前記通訊延遲修正資訊，分別儲存在不同的前記虛擬領域中； <br/> 前記對應關係係含有：前記裝置、與前記控制用通訊系統的構成所相應之前記通訊延遲修正資訊所被儲存的前記虛擬領域之位址之對應； <br/> 前記通訊控制資訊係含有：儲存了前記通訊延遲修正資訊的前記虛擬領域之位址； <br/> 前記控制用通訊裝置，係在前記控制用通訊系統的構成變更時，基於前記對應關係，而將要包含在前記控制用資料中的位址，變更成前記控制用通訊系統的構成所相應之前記通訊延遲修正資訊所被儲存的前記虛擬領域之位址。
如請求項4所記載之控制用通訊系統，其中， <br/> 對前記控制用通訊系統而將身為變更對象的前記裝置之位址空間，在前記虛擬領域上予以聚集指派。
如請求項7或請求項8所記載之控制用通訊系統，其中， <br/> 前記控制用通訊裝置係設有，將前記裝置之狀態進行變更之期間接收到前記封包之際的以前記驗證參數為依據的處理予以無效化的期間。
如請求項1所記載之控制用通訊系統，其中， <br/> 前記對應關係係具有：前記控制用通訊系統之運作時所可能採取之最大構成下的前記裝置、與前記控制用資料之對應關係。
如請求項1所記載之控制用通訊系統，其中， <br/> 前記對應關係，係含有前記裝置的連接順序； <br/> 前記控制用通訊裝置，係在前記裝置的狀態變更時，基於前記對應關係來驗證前記裝置的連接順序。
如請求項1所記載之控制用通訊系統，其中， <br/> 前記控制用通訊裝置，係具有複數個前記通訊部； <br/> 前記通訊控制資訊，係按照每一前記通訊部而被定義。
如請求項1所記載之控制用通訊系統，其中， <br/> 前記控制用通訊系統中的系統構成之變更因素、與身為狀態變更之對象的前記裝置，係被建立對應。
如請求項16所記載之控制用通訊系統，其中， <br/> 前記控制用通訊裝置，係將用來感知前記控制用通訊系統中的系統構成之變更所需之前記控制用資料予以定期發送，並自動感知前記控制用通訊系統中的系統構成之變更。
如請求項1所記載之控制用通訊系統，其中， <br/> 前記對應關係，係將前記複數個裝置彙整成一個群組而與前記控制用資料建立對應。
一種半導體結構，包括：<br/> 一基板，具有一陣列區與一周邊區；<br/> 複數個連接襯墊，設置於該基板之上並位於該陣列區；<br/> 複數個導電柱，設置於該些連接襯墊之上；<br/> 一底部支撐層，設置於該些導電柱的底部之間；<br/> 一保護層，設置於該底部支撐層之上；<br/> 一額外支撐層，設置於該保護層之上；<br/> 一中央支撐層，設置於該額外支撐層的上方；以及<br/> 一頂部支撐層，設置於該中央支撐層的上方，<br/> 其中該額外支撐層、該中央支撐層及該頂部支撐層皆位於該些導電柱之間，其中該些導電柱貫穿該保護層。
如請求項1所述之半導體結構，更包括：<br/> 複數個金屬襯墊，設置於該基板之上並位於該周邊區。
如請求項2所述之半導體結構，其中該底部支撐層及該保護層也設置於該金屬襯墊之上。
如請求項2所述之半導體結構，更包括：<br/> 一絕緣層，設置於該些連接襯墊之間以及該些金屬襯墊之間。
如請求項1所述之半導體結構，其中該保護層的材料與該額外支撐層不同。
如請求項1所述之半導體結構，其中該保護層與該額外支撐層具有高度蝕刻選擇性。
如請求項1所述之半導體結構，其中該保護層包括氧化物。
如請求項1所述之半導體結構，其中該額外支撐層包括氮化物。
如請求項1所述之半導體結構，其中該底部支撐層、該中央支撐層及該頂部支撐層包括氮化物。
如請求項1所述之半導體結構，更包括：<br/> 一半導體層，設置於每該導電柱中以及該些導電柱之間；<br/> 一金屬層，設置於該半導體層之上。
如請求項10所述之半導體結構，更包括：<br/> 一高介電係數層，設置於該半導體層與該些導電柱之間。
一種半導體結構的形成方法，包括：<br/> 提供一基板，其中該基板具有一陣列區與一周邊區；<br/> 在該基板之上形成複數個連接襯墊，其中該些連接襯墊位於該陣列區；<br/> 在該基板的上方依序形成一底部支撐層、一保護層、一額外支撐層、一第一犧牲層、一中央支撐層、一第二犧牲層及一頂部支撐層；<br/> 在該陣列區形成複數個第一貫孔，其中該些第一貫孔貫穿該頂部支撐層、該第二犧牲層、該中央支撐層、該第一犧牲層、該額外支撐層、該保護層及該底部支撐層，並暴露出該些連接襯墊；<br/> 將一導電層形成於該些第一貫孔的底部及側壁，以形成複數個導電柱；<br/> 在該陣列區形成與該些第一貫孔交錯的複數個第二貫孔，其中每該第二貫孔與相鄰的該些第一貫孔至少部分重疊；以及<br/> 透過該些第二貫孔將該第二犧牲層及該第一犧牲層移除，並將該頂部支撐層、該中央支撐層及該額外支撐層對應於該些第二貫孔的部分移除，使剩餘的該額外支撐層、該中央支撐層及該頂部支撐層皆位於該些導電柱之間。
如請求項12所述之半導體結構的形成方法，更包括：<br/> 在該基板之上形成複數個金屬襯墊，其中該些金屬襯墊位於該周邊區。
如請求項13所述之半導體結構的形成方法，其中該底部支撐層及該保護層也形成於該金屬襯墊之上。
如請求項12所述之半導體結構的形成方法，其中執行一濕式蝕刻製程將該第二犧牲層及該第一犧牲層移除。
如請求項12所述之半導體結構的形成方法，其中執行一乾式蝕刻製程將該頂部支撐層、該中央支撐層及該額外支撐層對應於該些第二貫孔的部分移除。
如請求項12所述之半導體結構的形成方法，更包括：<br/> 在每該導電柱中以及該些導電柱之間依序形成一高介電係數層及一半導體層。
如請求項17所述之半導體結構的形成方法，更包括：<br/> 在該半導體層之上形成一金屬層。
一種加工方法，包括：<br/> 提供一基底結構；<br/> 將一黏著層施加於該基底結構或一工件的一第一面上，其中該黏著層包括紫外光固化膠或熱滑移膠；<br/> 將該工件黏接至該基底結構，其中該工件的該第一面朝向該基底結構；<br/> 在該工件相反於該第一面的一第二面上進行加工處理；以及<br/> 將該工件與該基底結構的至少一部份分離。
如請求項1所述的加工方法，其中將該黏著層施加於該基底結構或該工件的該第一面上的方法包括將液態膠形式的該黏著層塗佈於該基底結構或該工件的該第一面上。
如請求項1所述的加工方法，其中該黏著層包括感壓膠，且將該黏著層施加於該基底結構或該工件的該第一面上的方法包括將感壓膠形式的該黏著層貼合至該基底結構或該工件的該第一面上。
如請求項3所述的加工方法，更包括：<br/> 提供包括該黏著層、一第一離型膜以及一第二離型膜的雙面膠帶，其中該黏著層夾在該第一離型膜以及該第二離型膜之間；<br/> 移除該第一離型膜，並將該黏著層貼至該基底結構以及該工件中的一者上；<br/> 移除該第二離型膜，並將該基底結構以及該工件中的該一者通過該黏著層貼至該基底結構以及該工件中的另一者上。
如請求項1所述的加工方法，更包括：<br/> 提供該黏著層於該基底結構上；<br/> 提供一離型膜於該黏著層上；以及<br/> 移除該離型膜，並將該工件通過該黏著層黏接至該基底結構。
如請求項1所述的加工方法，其中該基底結構包括一載板以及形成於該載板上的雷射解離層，且將該工件與該基底結構分離的方法包括雷射解離製程。
如請求項1所述的加工方法，其中該黏著層包括該熱滑移膠，且將該工件與該基底結構分離的方法包括加：<br/> 將該熱滑移膠加熱至該熱滑移膠的玻璃轉化溫度以上；<br/> 在該熱滑移膠的該玻璃轉化溫度以上使該基底結構相對於該工件滑移。
一種支撐結構，適於貼合至工件，且該支撐結構包括：<br/> 一基底結構，其中該基底結構包括一載板以及位於該載板上的一雷射解離層；以及<br/> 一黏著層，被配置成直接接觸該工件以將該工件黏接至該基底結構，其中該黏著層包括熱滑移膠或紫外光固化膠。
如請求項8所述的支撐結構，其中該黏著層包括該紫外光固化膠，且該紫外光固化膠包括單體、寡聚物以及起始劑，其中該寡聚物包括環氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯或其組合，其中該單體包括單官能基單體、雙官能基單體、多官能基單體或其組合，其中該起始劑包括自由基型起始劑或陽離子型起始劑。
一種互動式車道變換控制系統，包括：<br/> 儲存器，儲存多個模組；以及<br/> 處理器，耦接該儲存器，並經配置以： <br/> 執行該些模組中的動態選擇變換車道空隙模組以選擇第一目標車道上的第一車道空隙； <br/> 根據第一鄰車的反饋參數以決定車子的第一行徑；<br/> 響應於該第一鄰車的該反饋參數大於第一換道閾值，切換該車子至該第一車道空隙； <br/> 響應於該第一鄰車的該反饋參數不大於該第一換道閾值，將該車子切回該車子所行駛的行駛車道的中心線；以及<br/> 執行該些模組中的預先橫向偏移試探性互動模組以預先橫向偏移該車子並試探該第一目標車道上的該第一鄰車以取得該反饋參數。
如請求項1所述的互動式車道變換控制系統，其中該處理器更經配置以：<br/> 判斷該車子在該行駛車道的第一區域或者第二區域。
如請求項2所述的互動式車道變換控制系統，其中該處理器更經配置以：<br/> 響應於該車子位於該第一區域，判斷該車子與該第一目標車道上的該第一鄰車的第一距離大於第一距離閾值，或者判斷該車子與該第一目標車道上的該第一鄰車的第一碰撞時間大於第一時間閾值，切換該車子至該第一車道空隙。
如請求項2所述的互動式車道變換控制系統，其中該處理器更經配置以：<br/> 響應於該車子位於該第二區域，判斷該車子與該第一目標車道上的該第一鄰車的第二距離大於第二距離閾值，或者判斷該車子與該第一目標車道上的該第一鄰車的第二碰撞時間大於第二時間閾值，切換該車子至該第一車道空隙。
如請求項1所述的互動式車道變換控制系統，其中該第一車道空隙包括安全可行範圍。
如請求項5所述的互動式車道變換控制系統，其中在第一方向上該第一鄰車在該車子的後方，該安全可行範圍的第二邊界相對於該第一鄰車的車頭的第二安全距離為以下總和：第二時間間距乘以該車子的速度與第一安全距離閾值中的最大者、第二預設距離以及該車子的車身長度的一半。
如請求項6所述的互動式車道變換控制系統，其中在第一方向上還包括第二鄰車，並且在該第一方向上該第二鄰車在該車子的前方，該安全可行範圍的第一邊界相對於該第二鄰車的車尾的第一安全距離為以下總和：第一時間間距乘以該車子的速度與第一安全距離閾值中的最大者、第一預設距離以及該車子的車身長度的一半。
如請求項5所述的互動式車道變換控制系統，其中在第一方向上第二鄰車在該車子的前方，該安全可行範圍的第一邊界相對於該第二鄰車的車尾的第一安全距離為以下總和：第一時間間距乘以該車子的速度與第一安全距離閾值中的最大者、第一預設距離以及該車子的車身長度的一半。
一種互動式車道變換控制方法，包括：<br/> 執行多個模組中的動態選擇變換車道空隙模組以選擇第一目標車道上的第一車道空隙； <br/> 根據第一鄰車的反饋參數以決定車子的第一行徑；<br/> 響應於第一鄰車的該反饋參數大於第一換道閾值，切換車子至該第一車道空隙；<br/> 響應於該第一鄰車的該反饋參數不大於該第一換道閾值，將該車子切回該車子所行駛的行駛車道的中心線；以及<br/> 執行該些模組中的預先橫向偏移試探性互動模組以預先橫向偏移該車子並試探該第一目標車道上的該第一鄰車以取得該反饋參數。
如請求項9所述的互動式車道變換控制方法，更包括：<br/> 判斷該車子在該行駛車道的第一區域或者第二區域。
如請求項10所述的互動式車道變換控制方法，更包括：<br/> 響應於該車子位於該第一區域，判斷該車子與該第一目標車道上的該第一鄰車的第一距離大於第一距離閾值，或者判斷該車子與該第一目標車道上的該第一鄰車的第一碰撞時間大於第一時間閾值，切換該車子至該第一車道空隙。
如請求項10所述的互動式車道變換控制方法，更包括：<br/> 響應於該車子位於該第二區域，判斷該車子與該第一目標車道上的該第一鄰車的第二距離大於第二距離閾值，或者判斷該車子與該第一目標車道上的該第一鄰車的第二碰撞時間大於第二時間閾值，切換該車子至該第一車道空隙。
如請求項9所述的互動式車道變換控制方法，其中該第一車道空隙包括安全可行範圍。
如請求項13所述的互動式車道變換控制方法，其中在第一方向上該第一鄰車在該車子的後方，該安全可行範圍的第二邊界相對於該第一鄰車的車頭的第二安全距離為以下總和：第二時間間距乘以該車子的速度與第一安全距離閾值中的最大者、第二預設距離以及該車子的車身長度的一半。
如請求項14所述的互動式車道變換控制方法，其中在第一方向上還包括第二鄰車，並且在該第一方向上該第二鄰車在該車子的前方，該安全可行範圍的第一邊界相對於該第二鄰車的車尾的第一安全距離為以下總和：第一時間間距乘以該車子的速度與第一安全距離閾值中的最大者、第一預設距離以及該車子的車身長度的一半。
如請求項13所述的互動式車道變換控制方法，其中在第一方向上第二鄰車在該車子的前方，該安全可行範圍的第一邊界相對於該第二鄰車的車尾的第一安全距離為以下總和：第一時間間距乘以該車子的速度與第一安全距離閾值中的最大者、第一預設距離以及該車子的車身長度的一半。
一種互動式車道變換控制的顯示介面，<br/> 顯示第一目標車道上的多個第一車道空隙； <br/> 顯示該些第一車道空隙中的每一個第一鄰車的每一個反饋參數；以及<br/> 顯示呈現車子的預先橫向偏移狀態；或者<br/> 顯示呈現該車子的切回車道中心線狀態。
一種中間體化合物，其為1-[1-(苯磺醯基)-1H-吲哚-5-基]-N-[(3,5-二氟苯基)甲基]-2-側氧吡咯烷-3-甲醯胺(12)。
一種整流板，係與噴射包含原料氣體之製程氣體的複數之第1噴嘴以及噴射清洗(purge)氣體的複數之第2噴嘴相對向地而被作設置，並將包含前述製程氣體以及前述清洗氣體之流體作整流，並具備有： <br/> 複數之貫通孔，係使前述製程氣體通過；和 <br/> 長圓形之清洗氣體流路，係使前述清洗氣體通過，並對於前述複數之第2噴嘴之至少其中1個，來對應於前述清洗氣體之噴射方向而作伸長。
如請求項1所記載之整流板，其中， <br/> 前述長圓形之前述清洗氣體流路之伸長長度，係基於會使由前述整流板之位移所導致的成膜速度分布之變動率成為最小之長度而得到。
如請求項1所記載之整流板，其中， <br/> 前述長圓形之前述清洗氣體流路之伸長長度，係基於會使由前述整流板之位移所導致的前述原料氣體之重心點之移動量成為最小之長度而得到。
如請求項1所記載之整流板，其中， <br/> 前述長圓形之前述清洗氣體流路之伸長長度，係基於會使由前述整流板之位移所導致的前述原料氣體之速度成分之差分之面積平均成為最小之長度而得到。
如請求項1所記載之整流板，其中，係更進而具備有： <br/> 複數之高流路阻抗區域，係各自與前述複數之第1噴嘴分別相對向，並使前述製程氣體被直接作噴射；和 <br/> 低流路阻抗區域，係包圍前述複數之高流路阻抗區域之各者，且並不使前述製程氣體被直接作噴射，並且流路阻抗為較前述複數之高流路阻抗區域而更小，並且開口面積密度為較前述複數之高流路阻抗區域而更小。
一種成膜裝置，係具備有： <br/> 如請求項1所記載之整流板；和 <br/> 噴嘴板，係與前述整流板之第1面相對向，並且被設置有前述複數之第1噴嘴以及前述複數之第2噴嘴；和 <br/> 基座，係與前述整流板之第2面相對向，並且被載置有基板。
如請求項6所記載之成膜裝置，其中， <br/> 前述整流板所具備之前述長圓形之前述清洗氣體流路之伸長長度，係基於會在前述整流板與前述基板之間之前述原料氣體之濃度邊界面處而使由前述整流板之位移所導致的成膜速度分布之變動率成為最小之長度而得到。
如請求項6所記載之成膜裝置，其中， <br/> 前述整流板所具備之前述長圓形之前述清洗氣體流路之伸長長度，係基於會在前述整流板與前述基板之間之前述原料氣體之濃度邊界面處而使由前述整流板之位移所導致的前述原料氣體之重心點之移動量成為最小之長度而得到。
如請求項6所記載之成膜裝置，其中， <br/> 前述整流板所具備之前述長圓形之前述清洗氣體流路之伸長長度，係基於會在前述整流板與前述基板之間之前述原料氣體之濃度邊界面處而使由前述整流板之位移所導致的前述原料氣體之速度成分之差分之面積平均成為最小之長度而得到。
如請求項7所記載之成膜裝置，其中， <br/> 前述濃度邊界面，係基於前述原料氣體之濃度為較藉由前述原料氣體所產生的成膜氣體之濃度而更高並且最為接近前述基板之面，而被設定。
一種評價方法，係在成膜裝置中，根據經由整流板而被噴出至前述成膜裝置內的流體之變化，來對於成膜特性進行評價，該成膜裝置，係包含有噴射前述流體之噴嘴板、和與前述噴嘴板相對向並且將前述流體作整流之前述整流板、以及與前述整流板相對向並且被載置有基板之基座， <br/> 前述評價方法，係具備有： <br/> 取得在前述流體中所包含之原料氣體之濃度和藉由前述原料氣體所產生的成膜氣體之濃度之步驟；和 <br/> 基於前述原料氣體之濃度和前述成膜氣體之濃度而導出濃度邊界面之步驟；和 <br/> 使從前述整流板所被噴出的氣體之流動作變化之步驟；和 <br/> 在前述濃度邊界面處，對於由前述變化所致之前述原料氣體之重心點之移動量進行測定之步驟， <br/> 前述整流板，係包含使在前述流體中所包含的清洗氣體通過的長圓形之清洗氣體流路。
如請求項11所記載之評價方法，其中， <br/> 前述長圓形之前述清洗氣體流路之伸長長度，係基於會使前述原料氣體之前述重心點之前述移動量成為最小之長度而被決定。
如請求項11所記載之評價方法，其中，係更進而具備有： <br/> 在前述濃度邊界面處，對於前述原料氣體之速度成分之差分之面積平均進行測定之步驟。
如請求項13所記載之評價方法，其中， <br/> 前述長圓形之前述清洗氣體流路之伸長長度，係基於會使前述原料氣體之前述速度成分之前述差分之前述面積平均成為最小之長度而被決定。
如請求項11所記載之評價方法，其中， <br/> 前述濃度邊界面之導出，係基於前述原料氣體之濃度為較前述成膜氣體之濃度而更高並且最為接近前述基板之面，而被導出。
一種支援裝置，係支援工廠的運轉，具備： <br/> 運轉資訊取得部，其係取得前述工廠的運轉資訊； <br/> 燃料資訊取得部，其係取得與投入到前述工廠之燃料的性狀有關之資訊；及 <br/> 運轉狀態評估部，其係至少根據由前述運轉資訊取得部取得之運轉資訊和由前述燃料資訊取得部取得之與燃料的性狀有關之資訊，來對前述工廠的運轉狀態與事先設定之運轉狀態進行比較評估。
如請求項1的支援裝置，其中， <br/> 進一步具備：保養資訊記錄部，其係記錄前述工廠的維護資訊； <br/> 前述運轉狀態評估部根據由前述運轉資訊取得部取得之運轉資訊、由前述燃料資訊取得部取得之與燃料的性狀有關之資訊及由前述保養資訊記錄部記錄之維護資訊來評估前述工廠的運轉狀態。
如請求項1的支援裝置，其中， <br/> 前述運轉狀態評估部藉由將至少根據由前述運轉資訊取得部取得之運轉資訊和由前述燃料資訊取得部取得之與燃料的性狀有關之資訊而特定之前述工廠的當前的運轉狀態與事先設定之運轉狀態進行比較來判定是否需要進行前述工廠的維護。
如請求項3的支援裝置，其中， <br/> 進一步具備：顯示部，其係在前述運轉狀態評估部中判定為需要進行前述工廠的維護的情況下，顯示與前述維護有關之資訊。
一種工廠管理系統，係具備工廠及支援前述工廠的運轉之裝置；其中， <br/> 前述裝置具有： <br/> 運轉資訊取得部，其係取得前述工廠的運轉資訊； <br/> 燃料資訊取得部，其係取得與投入到前述工廠之燃料的性狀有關之資訊；及 <br/> 運轉狀態評估部，其係至少根據由前述運轉資訊取得部取得之運轉資訊和由前述燃料資訊取得部取得之與燃料的性狀有關之資訊，來對前述工廠的運轉狀態與事先設定之運轉狀態進行比較評估。
一種支援方法，係支援工廠的運轉，包括： <br/> 運轉資訊取得工序，其係取得前述工廠的運轉資訊； <br/> 燃料資訊取得工序，其係取得與投入到前述工廠之燃料的性狀有關之資訊；及 <br/> 運轉狀態評估工序，其係至少根據在前述運轉資訊取得工序中所取得之運轉資訊和在前述燃料資訊取得工序中所取得之與燃料的性狀有關之資訊，來對前述工廠的運轉狀態與事先設定之運轉狀態進行比較評估。
如請求項6的支援方法，其中， <br/> 進一步包括：保養資訊記錄工序，其係記錄前述工廠的維護資訊； <br/> 在前述運轉狀態評估工序中，根據在前述運轉資訊取得工序中所取得之運轉資訊、在前述燃料資訊取得工序中所取得之與燃料的性狀有關之資訊及在前述保養資訊記錄工序中所記錄之維護資訊來評估前述工廠的運轉狀態。
如請求項6的支援方法，其中， <br/> 在前述運轉狀態評估工序中，藉由將至少根據在前述運轉資訊取得工序中所取得之運轉資訊和在前述燃料資訊取得工序中所取得之與燃料的性狀有關之資訊而特定之前述工廠的當前的運轉狀態與事先設定之運轉狀態進行比較來判定是否需要進行前述工廠的維護。
如請求項7的支援方法，其中， <br/> 進一步具備：顯示工序，其係在前述運轉狀態評估工序中判定為需要進行前述工廠的維護的情況下，顯示與前述維護有關之資訊。
一種支援程式，係使電腦執行支援工廠的運轉之方法；其中， <br/> 前述方法包括： <br/> 運轉資訊取得工序，其係取得前述工廠的運轉資訊； <br/> 燃料資訊取得工序，其係取得與投入到前述工廠之燃料的性狀有關之資訊；及 <br/> 運轉狀態評估工序，其係至少根據在前述運轉資訊取得工序中所取得之運轉資訊和在前述燃料資訊取得工序中所取得之與燃料的性狀有關之資訊，來對前述工廠的運轉狀態與事先設定之運轉狀態進行比較評估。
一種應用於無線通訊振幅相位位移鍵送(Amplitude Phase Shift Keying；APSK)調變信號之低複雜度軟式輸出檢測方法，包含以下步驟： <br/>藉由一處理器從一記憶體取得一資料集，其中該資料集包含複數振幅相位位移鍵送星座點資訊及一接收信號，該些振幅相位位移鍵送星座點資訊分別對應一星座圖之複數振幅相位位移鍵送星座點，且包含複數星座點座標及對應該些星座點座標之複數星座點標籤值，該接收信號包含一信號座標； <br/>藉由該處理器將該些振幅相位位移鍵送星座點區分成複數同心圓，並排序各該同心圓之複數相位位移鍵送星座點而產生複數有序相位位移鍵送星座點； <br/>藉由該處理器依據該些星座點座標及該信號座標計算各該同心圓之該些有序相位位移鍵送星座點之一第一星座點與該接收信號之間的一距離平方值，以得到該些同心圓之複數該第一星座點與該接收信號之間的複數該距離平方值，並找出對應該些距離平方值之最小者的一第一接近星座點，並依據該第一接近星座點決定一最大似然比星座點標籤值； <br/>藉由該處理器執行一迭代程序，其中該迭代程序包含依序搜尋各該同心圓之該些有序相位位移鍵送星座點，並檢查該些星座點標籤值中與該最大似然比星座點標籤值相異的至少一第二接近星座點，並找出該至少一第二接近星座點與該接收信號之間的至少一相對應距離平方值之最小者；以及 <br/>藉由該處理器計算對應一位元資料之每一位元的一對數似然比(Log-Likelihood Ratio；LLR)，其中該位元資料對應該接收信號。
如請求項1所述之應用於無線通訊振幅相位位移鍵送調變信號之低複雜度軟式輸出檢測方法，其中藉由該處理器將該些振幅相位位移鍵送星座點區分成該些同心圓，並排序各該同心圓之該些相位位移鍵送星座點而產生該些有序相位位移鍵送星座點的步驟更包含： <br/>將各該同心圓之該些相位位移鍵送星座點依據一順逆時針交錯排序而產生該些有序相位位移鍵送星座點； <br/>其中，該順逆時針交錯排序包含基於各該同心圓及該接收信號以一順時針方向與一逆時針方向之交錯方式排序順位，使該些有序相位位移鍵送星座點呈現漸增之複數上升距離平方值，各該同心圓之該第一星座點對應該些上升距離平方值之最小者。
如請求項2所述之應用於無線通訊振幅相位位移鍵送調變信號之低複雜度軟式輸出檢測方法，其中找出對應該些距離平方值之最小者的該第一接近星座點，並依據該第一接近星座點決定該最大似然比星座點標籤值的步驟更包含： <br/>從該些同心圓之該些第一星座點中找出對應該些距離平方值之最小者的該第一接近星座點；及 <br/>依據該第一接近星座點決定該最大似然比星座點標籤值與一最小距離平方值，並將該最大似然比星座點標籤值與該最小距離平方值加入至一最大似然比參數集合； <br/>其中，該最小距離平方值等於該些距離平方值之最小者。
如請求項3所述之應用於無線通訊振幅相位位移鍵送調變信號之低複雜度軟式輸出檢測方法，其中該些振幅相位位移鍵送星座點為M振幅相位位移鍵送(M-APSK)星座點，M為2的冪次方，該迭代程序更包含： <br/>檢查該些星座點標籤值中與該最大似然比星座點標籤值有至少一位元反相位的該至少一第二接近星座點，並找出該至少一第二接近星座點與該接收信號之間的該至少一相對應距離平方值之最小者，並將該至少一相對應距離平方值之最小者加入至該最大似然比參數集合； <br/>其中，該迭代程序之一迭代次數小於等於log <sub>2</sub>M。
如請求項4所述之應用於無線通訊振幅相位位移鍵送調變信號之低複雜度軟式輸出檢測方法，其中該第一接近星座點、該些距離平方值之最小者、該最大似然比星座點標籤值、該至少一第二接近星座點、該至少一相對應距離平方值之最小者、該最大似然比參數集合及該對數似然比應用於一接收端之一軟式輸出M-APSK檢測，以降低該軟式輸出M-APSK檢測之一計算複雜度。
一種應用於無線通訊振幅相位位移鍵送(Amplitude Phase Shift Keying；APSK)調變信號之低複雜度軟式輸出檢測系統，包含： <br/>一接收端，用以接收一接收信號，且包含： <br/>一記憶體，儲存一資料集，該資料集包含複數振幅相位位移鍵送星座點資訊及該接收信號，該些振幅相位位移鍵送星座點資訊分別對應一星座圖之複數振幅相位位移鍵送星座點，且包含複數星座點座標及對應該些星座點座標之複數星座點標籤值，該接收信號包含一信號座標；以及 <br/>一處理器，電性連接該記憶體，並取得該資料集，該處理器經配置以實施包含以下的操作： <br/>將該些振幅相位位移鍵送星座點區分成複數同心圓，並排序各該同心圓之複數相位位移鍵送星座點而產生複數有序相位位移鍵送星座點； <br/>依據該些星座點座標及該信號座標計算各該同心圓之該些有序相位位移鍵送星座點之一第一星座點與該接收信號之間的一距離平方值，以得到該些同心圓之複數該第一星座點與該接收信號之間的複數該距離平方值，並找出對應該些距離平方值之最小者的一第一接近星座點，並依據該第一接近星座點決定一最大似然比星座點標籤值； <br/>執行一迭代程序，其中該迭代程序包含依序搜尋各該同心圓之該些有序相位位移鍵送星座點，並檢查該些星座點標籤值中與該最大似然比星座點標籤值相異的至少一第二接近星座點，並找出該至少一第二接近星座點與該接收信號之間的至少一相對應距離平方值之最小者；以及 <br/>計算對應一位元資料之每一位元的一對數似然比(Log-Likelihood Ratio；LLR)，其中該位元資料對應該接收信號。
如請求項6所述之應用於無線通訊振幅相位位移鍵送調變信號之低複雜度軟式輸出檢測系統，其中藉由該處理器將該些振幅相位位移鍵送星座點區分成該些同心圓，並排序各該同心圓之該些相位位移鍵送星座點而產生該些有序相位位移鍵送星座點的操作更包含： <br/>將各該同心圓之該些相位位移鍵送星座點依據一順逆時針交錯排序而產生該些有序相位位移鍵送星座點； <br/>其中，該順逆時針交錯排序包含基於各該同心圓及該接收信號以一順時針方向與一逆時針方向之交錯方式排序順位，使該些有序相位位移鍵送星座點呈現漸增之複數上升距離平方值，各該同心圓之該第一星座點對應該些上升距離平方值之最小者。
如請求項7所述之應用於無線通訊振幅相位位移鍵送調變信號之低複雜度軟式輸出檢測系統，其中找出對應該些距離平方值之最小者的該第一接近星座點，並依據該第一接近星座點決定該最大似然比星座點標籤值的操作更包含： <br/>從該些同心圓之該些第一星座點中找出對應該些距離平方值之最小者的該第一接近星座點；及 <br/>依據該第一接近星座點決定該最大似然比星座點標籤值與一最小距離平方值，並將該最大似然比星座點標籤值與該最小距離平方值加入至一最大似然比參數集合； <br/>其中，該最小距離平方值等於該些距離平方值之最小者。
如請求項8所述之應用於無線通訊振幅相位位移鍵送調變信號之低複雜度軟式輸出檢測系統，其中該些振幅相位位移鍵送星座點為M振幅相位位移鍵送(M-APSK)星座點，M為2的冪次方，該迭代程序更包含： <br/>檢查該些星座點標籤值中與該最大似然比星座點標籤值有至少一位元反相位的該至少一第二接近星座點，並找出該至少一第二接近星座點與該接收信號之間的該至少一相對應距離平方值之最小者，並將該至少一相對應距離平方值之最小者加入至該最大似然比參數集合； <br/>其中，該迭代程序之一迭代次數小於等於log <sub>2</sub>M。
如請求項9所述之應用於無線通訊振幅相位位移鍵送調變信號之低複雜度軟式輸出檢測系統，其中該第一接近星座點、該些距離平方值之最小者、該最大似然比星座點標籤值、該至少一第二接近星座點、該至少一相對應距離平方值之最小者、該最大似然比參數集合及該對數似然比應用於該接收端之一軟式輸出M-APSK檢測，以降低該軟式輸出M-APSK檢測之一計算複雜度。
一種非暫態電腦可讀儲存媒體，具有複數指令，當該些指令執行於一處理器時，令該處理器執行一應用於無線通訊振幅相位位移鍵送(Amplitude Phase Shift Keying；APSK)調變信號之低複雜度軟式輸出檢測方法，該應用於無線通訊振幅相位位移鍵送調變信號之低複雜度軟式輸出檢測方法包含以下步驟： <br/>藉由該處理器從一記憶體取得一資料集，其中該資料集包含複數振幅相位位移鍵送星座點資訊及一接收信號，該些振幅相位位移鍵送星座點資訊分別對應一星座圖之複數振幅相位位移鍵送星座點，且包含複數星座點座標及對應該些星座點座標之複數星座點標籤值，該接收信號包含一信號座標； <br/>藉由該處理器將該些振幅相位位移鍵送星座點區分成複數同心圓，並排序各該同心圓之複數相位位移鍵送星座點而產生複數有序相位位移鍵送星座點； <br/>藉由該處理器依據該些星座點座標及該信號座標計算各該同心圓之該些有序相位位移鍵送星座點之一第一星座點與該接收信號之間的一距離平方值，以得到該些同心圓之複數該第一星座點與該接收信號之間的複數該距離平方值，並找出對應該些距離平方值之最小者的一第一接近星座點，並依據該第一接近星座點決定一最大似然比星座點標籤值； <br/>藉由該處理器執行一迭代程序，其中該迭代程序包含依序搜尋各該同心圓之該些有序相位位移鍵送星座點，並檢查該些星座點標籤值中與該最大似然比星座點標籤值相異的至少一第二接近星座點，並找出該至少一第二接近星座點與該接收信號之間的至少一相對應距離平方值之最小者；以及 <br/>藉由該處理器計算對應一位元資料之每一位元的一對數似然比(Log-Likelihood Ratio；LLR)，其中該位元資料對應該接收信號。
如請求項11所述之非暫態電腦可讀儲存媒體，其中藉由該處理器將該些振幅相位位移鍵送星座點區分成該些同心圓，並排序各該同心圓之該些相位位移鍵送星座點而產生該些有序相位位移鍵送星座點的步驟更包含： <br/>將各該同心圓之該些相位位移鍵送星座點依據一順逆時針交錯排序而產生該些有序相位位移鍵送星座點； <br/>其中，該順逆時針交錯排序包含基於各該同心圓及該接收信號以一順時針方向與一逆時針方向之交錯方式排序順位，使該些有序相位位移鍵送星座點呈現漸增之複數上升距離平方值，各該同心圓之該第一星座點對應該些上升距離平方值之最小者。
如請求項12所述之非暫態電腦可讀儲存媒體，其中找出對應該些距離平方值之最小者的該第一接近星座點，並依據該第一接近星座點決定該最大似然比星座點標籤值的步驟更包含： <br/>從該些同心圓之該些第一星座點中找出對應該些距離平方值之最小者的該第一接近星座點；及 <br/>依據該第一接近星座點決定該最大似然比星座點標籤值與一最小距離平方值，並將該最大似然比星座點標籤值與該最小距離平方值加入至一最大似然比參數集合； <br/>其中，該最小距離平方值等於該些距離平方值之最小者。
如請求項13所述之非暫態電腦可讀儲存媒體，其中該些振幅相位位移鍵送星座點為M振幅相位位移鍵送(M-APSK)星座點，M為2的冪次方，該迭代程序更包含： <br/>檢查該些星座點標籤值中與該最大似然比星座點標籤值有至少一位元反相位的該至少一第二接近星座點，並找出該至少一第二接近星座點與該接收信號之間的該至少一相對應距離平方值之最小者，並將該至少一相對應距離平方值之最小者加入至該最大似然比參數集合； <br/>其中，該迭代程序之一迭代次數小於等於log <sub>2</sub>M。
如請求項14所述之非暫態電腦可讀儲存媒體，其中該第一接近星座點、該些距離平方值之最小者、該最大似然比星座點標籤值、該至少一第二接近星座點、該至少一相對應距離平方值之最小者、該最大似然比參數集合及該對數似然比應用於一接收端之一軟式輸出M-APSK檢測，以降低該軟式輸出M-APSK檢測之一計算複雜度。
一種用於一光學儀器之解析度及產量控制系統，其包括： <br/>一有效負載(payload)； <br/>一致動器；及 <br/>一移動裝置，其藉由回應於該致動器而控制該有效負載沿著一單個軸之移動來更改該光學儀器之光輸入，其中該有效負載係一第一有效負載且該系統進一步包含一第二有效負載，且藉由移動該第一有效負載或該第二有效負載來更改該光輸入，其中該移動裝置係一第一移動裝置且該系統進一步包含一第二移動裝置，其中該第一移動裝置專用於移動該第一有效負載且該第二移動裝置專用於移動該第二有效負載，其中該等第一及第二移動裝置僅分別將該等第一及第二有效負載移動至兩個不同位置。
如請求項1之控制系統，其中該單個軸係對應於該移動裝置之六個移動度之六個軸之一者且該移動裝置經組態以限制在剩餘六個移動度之各者中之移動。
如請求項1之控制系統，其中該移動裝置藉由相對於該光學儀器之一孔隙移動該有效負載來更改該光輸入。
如請求項3之控制系統，其中該有效負載包含至少一個狹縫。
如請求項3之控制系統，其中該有效負載包含兩個狹縫。
如請求項1之控制系統，其中該移動沿著該單個軸係離散的。
如請求項1之控制系統，其中該移動沿著該單個軸係非離散的。
如請求項1之控制系統，其中該移動系統係一平行四邊形撓曲件(parallelogram flexure)。
如請求項1之控制系統，其中該致動器係一凸輪(cam)或一剪刀機制。
如請求項9之控制系統，其中該致動器藉由在一個方向上移位該移動裝置來引起該移動。
如請求項1之控制系統，其中該致動器係一機械致動器。
如請求項11之控制系統，其中該機械致動器經氣動地、液壓地、磁性地、電性地或電容地控制。
如請求項1之控制系統，其中藉由一步進馬達控制該致動器。
如請求項1之控制系統，其中該有效負載包含不同大小之一或多個離散開口。
如請求項14之控制系統，其中該一或多個離散開口係狹縫。
如請求項14之控制系統，其中該有效負載包含一光閘區。
如請求項1之控制系統，其中該有效負載不包含開口。
如請求項1之控制系統，其進一步包括引導該致動器之操作之一控制器。
如請求項1之控制系統，其中該等第一及第二移動裝置移動該等第一及第二有效負載以遮擋該光輸入。
如請求項19之控制系統，其中該等第一或第二移動裝置藉由相對於該光學儀器之一孔隙移動該等第一或第二有效負載來更改該光輸入。
如請求項19之控制系統，其中該等第一或第二移動裝置藉由相對於該光學儀器之一孔隙移動該等第一及第二有效負載兩者來更改該光輸入。
如請求項19之控制系統，其中該等第一或第二移動裝置藉由相對於該光學儀器之一孔隙移動該等第一或第二有效負載之至少一者來更改該光輸入且該等第一及第二有效負載之至少一者包含至少一個狹縫。
如請求項19之控制系統，其中該等第一或第二移動裝置藉由相對於該光學儀器之一孔隙移動該等第一或第二有效負載之至少一者來更改該光輸入且該等第一及第二有效負載之至少一者包含兩個狹縫。
如請求項1之控制系統，其中該光學儀器係一光譜儀。
一種用於一光學儀器之一解析度及產量控制系統之控制器，其包括： <br/>一介面，其接收該光學儀器之一處理輸入；及 <br/>一或多個處理器，其等用於執行包含以下者之操作： <br/>基於該處理輸入來判定該光學儀器之一光輸入，及 <br/>引導該控制系統以提供該光學儀器之該光輸入，其中該控制系統進一步包括一第一有效負載及一第二有效負載，且藉由移動該第一有效負載或該第二有效負載來更改該光輸入，其中該控制系統進一步包括一第一移動裝置及一第二移動裝置，其中該第一移動裝置專用於移動該第一有效負載且該第二移動裝置專用於移動該第二有效負載，其中該等第一及第二移動裝置僅分別將該等第一及第二有效負載移動至兩個不同位置。
如請求項25之控制器，其中該引導包含指示該控制系統之一或多個致動器控制該控制系統之至少一個移動裝置之移動以獲得該光學儀器之該光輸入。
如請求項26之控制器，其中該指示包含將操作信號發送至該一或多個致動器以控制該移動，其中該等操作信號起始該一或多個致動器之移動且在獲得該光輸入時停止該一或多個致動器之移動。
如請求項27之控制器，其中停止移動係基於經由該介面從該控制系統接收之回饋信號。
如請求項26之控制器，其中該至少一個移動裝置相對於該光學儀器之一孔隙移動一或多個有效負載以獲得該光輸入。
如請求項26之控制器，其中該孔隙包含至少一個狹縫孔隙。
如請求項30之控制器，其中該孔隙包含兩個狹縫孔隙。
如請求項25之控制器，其中該處理輸入係一半導體製程之一處理階段。
如請求項25之控制器，其中該處理輸入係來自一處理腔室之光學資料。
如請求項25之控制器，其中該處理輸入係該光輸入之一預定設定。
如請求項25之控制器，其中該處理輸入指示一光閘模式。
如請求項25之控制器，其中該處理輸入指示一處理腔室之一操作模式。
如請求項25之控制器，其中藉由該一或多個處理器基於在光處理期間從該光學儀器接收之處理資訊判定該處理輸入。
一種操作用於一光學儀器之一解析度及產量控制系統之方法，其包括： <br/>接收一處理輸入； <br/>基於該處理輸入來判定該光學儀器之一光輸入條件； <br/>引導一控制系統以提供該光學儀器之該光輸入；及 <br/>在接收到另一處理輸入時更改該光輸入，其中該控制系統進一步包括一第一有效負載及一第二有效負載，且藉由移動該第一有效負載或該第二有效負載來更改該光輸入，其中該控制系統進一步包括一第一移動裝置及一第二移動裝置，其中該第一移動裝置專用於移動該第一有效負載且該第二移動裝置專用於移動該第二有效負載，其中該等第一及第二移動裝置僅分別將該等第一及第二有效負載移動至兩個不同位置。
一種伺服器機箱，包括：<br/> 一機箱本體，包含一基板；<br/> 二導引板，分別固定於該基板且彼此間隔配置，該二導引板與該基板之間具有一組裝空間，各該導引板具有一長邊、一短邊及二組裝部，該二組裝部彼此間隔配置，各該組裝部包括一導槽與一第一定位槽，該導槽的一延伸方向平行於該短邊，該第一定位槽連通於該導槽並具有一組裝方向，該組裝方向不垂直於該長邊；以及<br/> 一擴充裝置，具有二側面，各該側面具有彼此間隔設置的二導引柱，該些導引柱沿該延伸方向分別進入該些組裝部之該導槽，並沿該組裝方向固定於該些組裝部之該第一定位槽，使該擴充裝置固定於該組裝空間之中。
如請求項1所述之伺服器機箱，其中，每一該導槽包含一開口部及一底部，該底部鄰近於該基板，該第一定位槽位於該開口部與該基板之間。
如請求項2所述之伺服器機箱，其中，各該組裝部還包括一第二定位槽，該第一定位槽鄰近於該底部，該第二定位槽鄰近於該開口部。
如請求項3所述之伺服器機箱，其中，該二導引板之一的該第一定位槽和該第二定位槽分別與該二導引板之另一的該第一定位槽和該第二定位槽在該延伸方向上的位置彼此對稱。
如請求項4所述之伺服器機箱，其中，各該導引板其中一側面具有該第一定位槽和該第二定位槽，另一側面具有一第三定位槽和一第四定位槽，該第三定位槽鄰近於該底部，該第四定位槽鄰近於該開口部；其中，該第一定位槽和該第二定位槽在該延伸方向上與該第三定位槽和該第四定位槽彼此錯位。
如請求項1所述之伺服器機箱，其中，各該導引板其中一側面的該第一定位槽，另一側面具有一第三定位槽；其中，該第一定位槽在該延伸方向上與該第三定位槽彼此錯位。
如請求項1所述之伺服器機箱，其中，該機箱本體還包括與該基板相連的一側板，其中一該導引板固定於該基板，另一該導引板固定於該側板。
如請求項1所述之伺服器機箱，其中，每一該導槽的寬度大於每一該導引柱的寬度之二倍。
如請求項1所述之伺服器機箱，其中，各該導引板分別具有一限位部，該擴充裝置具有一限位件，各該導引柱分別位於該二導引板的該第一定位槽時，該限位件匹配於該限位部。
如請求項1所述之伺服器機箱，其中，各該導引板分別具有一閂部，該擴充裝置具有一閂鎖件（彈性卡扣），各該導引柱分別位於該二導引板的該第一定位槽時，該閂鎖件匹配於該閂部。
一種伺服器，包括：<br/> 如請求項1至10任一項所述之伺服器機箱，其中該擴充裝置在該組裝方向上具有一進風面和一出風面，該進風面具有一連接部；<br/> 一主機板，固定於該伺服器機箱之該基板上且具有一連接器，該連接部面向該主機板；以及<br/> 一連接線，其中一端電性連接於該連接器，另一端連接於該連接部。
如請求項11所述之伺服器，其中，該連接線具有一第一長度，該出風面與該連接器之間距為一第二長度，該連接部與該連接器之間距為一第三長度；其中，該第二長度大於該第三長度，該第一長度介於該第二長度與該第三長度之間。
如請求項11所述之伺服器，其中，該擴充裝置具有一散熱空間及一擴充電路板，該散熱空間分別與該進風面、該出風面及該機箱本體連通，該擴充電路板位於該散熱空間之中。
一種用於微影設備、度量衡工具或檢測工具之薄膜(membrane)，該薄膜包含未對準氮化硼奈米管、過渡金屬硫族化物奈米管、或其組合之一網路。
如請求項1之薄膜，其中該網路包含一三維多孔(porous)網路。
如請求項1或2之薄膜，其中該等奈米管為單壁、雙壁、多壁及/或同軸的。
如請求項1或2之薄膜，其中該薄膜包含單種類型之奈米管或兩種或更多種類型的奈米管。
如請求項1或2之薄膜，其中該薄膜包含碳。
如請求項5之薄膜，其中該過渡金屬選自Mo、W、Sb或Bi。
如請求項5之薄膜，其中該硫族化物選自S、Se或Te。
如請求項1或2之薄膜，其中該等奈米管中之至少一些包括一罩蓋材料。
如請求項8之薄膜，其中該罩蓋材料選自一金屬氧化物、氧化矽及六方氮化硼。
如請求項8之薄膜，其中該等奈米管之材料與該罩蓋材料之熱膨脹係數相類似。
如請求項9之薄膜，其中該金屬氧化物之金屬選自鋁、鋯、釔、鎢、鈦、鉬及鉿。
如請求項1或2之薄膜，其中該薄膜包含同軸奈米管。
如請求項12之薄膜，其中該等同軸奈米管包含在一耐氫蝕刻性奈米管內之一核心。
如請求項13之薄膜，其中該等同軸奈米管包含一氮化硼奈米管、二硫化鉬或圍繞碳奈米管核心之硫化鎢殼層。
如請求項1或2之薄膜，其中該過渡金屬硫族化物係二硫化鎢或碲化銻。
一種用於微影設備、度量衡工具或檢測工具之光學元件，該光學元件包含一如請求項1-15中任一項之薄膜。
如請求項16之光學元件，其中該光學元件為一防護膜薄膜、一鏡面、一倍縮光罩或一光譜純度濾光器。
一種目標圖案，包括： <br/>主圖案；以及 <br/>補償圖案，位於所述主圖案的至少一末端以補償所述主圖案的圓角化特徵，其中所述補償圖案突出於所述主圖案的所述至少一末端， <br/>其中所述補償圖案具有近似矩形的圖案。
如請求項1所述的目標圖案，其中所述補償圖案相對於所述主圖案在第一方向上偏移。
如請求項2所述的目標圖案，其中所述主圖案的所述至少一末端具有近似矩形的圖案以及部分的圓角化特徵。
如請求項1所述的目標圖案，其中所述主圖案在第一方向的尺寸大於所述補償圖案在所述第一方向的尺寸。
如請求項1所述的目標圖案，其中所述主圖案的另一末端具有圓角化特徵。
如請求項1所述的目標圖案，其與接觸窗電性連接，其中所述接觸窗與所述補償圖案的末端完全接觸。
如請求項1所述的目標圖案，其為設置於周邊區中的周邊線路。
一種目標圖案的圖案化方法，包括： <br/>在堆疊結構上形成第一核心圖案，其中所述堆疊結構包括依序堆疊的目標層、罩幕層以及間隙壁材料層； <br/>在所述第一核心圖案的開口中形成第一間隙壁； <br/>利用所述第一間隙壁對所述間隙壁材料層進行第一蝕刻製程，以形成間隙壁材料圖案； <br/>在所述罩幕層上形成第二核心圖案； <br/>在所述第二核心圖案的開口中形成第二間隙壁； <br/>利用所述第二間隙壁對所述間隙壁材料圖案進行第二蝕刻製程，以形成間隙壁圖案； <br/>在所述罩幕層上形成圖案化光阻層，其中所述圖案化光阻層的開口與所述間隙壁圖案部分重疊； <br/>利用所述圖案化光阻層對所述罩幕層進行第三蝕刻製程；以及 <br/>利用所述間隙壁圖案以及剩餘的所述罩幕層對所述目標層進行蝕刻製程，以形成所述目標圖案，其中所述間隙壁圖案與剩餘的所述罩幕層重疊， <br/>其中所述目標圖案的至少一末端的輪廓由所述間隙壁圖案轉移，而使得所述目標圖案的所述至少一末端具有近似矩形的圖案。
如請求項8所述的目標圖案的圖案化方法，其中相鄰的所述第二間隙壁之間具有間隙，且所述間隙與所述間隙壁材料圖案重疊。
如請求項9所述的目標圖案的圖案化方法，其中在利用所述第二間隙壁對所述間隙壁材料圖案進行蝕刻製程之後，形成彼此具有所述間隙的兩個所述間隙壁圖案。
如請求項10所述的目標圖案的圖案化方法，其中所述間隙與所述圖案化光阻層的所述開口重疊。
如請求項8所述的目標圖案的圖案化方法，在利用所述第一間隙壁對所述間隙壁材料層進行所述第一蝕刻製程之前，移除所述第一核心圖案。
如請求項8所述的目標圖案的圖案化方法，在利用所述第二間隙壁對所述間隙壁材料圖案進行所述第二蝕刻製程之前，移除所述第二核心圖案。
如請求項8所述的目標圖案的圖案化方法，其中所述間隙壁圖案相對於剩餘的所述罩幕層在第一方向上偏移。
如請求項8所述的目標圖案的圖案化方法，其中剩餘的所述罩幕層在第一方向的尺寸大於所述間隙壁圖案在所述第一方向的尺寸。
如請求項8所述的目標圖案的圖案化方法，其中所述間隙壁材料層的材料包括氧化物。
如請求項8所述的目標圖案的圖案化方法，其中所述目標圖案為設置於周邊區中的周邊線路。
如請求項8所述的目標圖案的圖案化方法，其中所述罩幕層的材料包括氮化物。
一種顯示裝置，包括：<br/> 一驅動背板；<br/> 多個發光元件，接合至該驅動背板，且與該驅動背板電性連接；以及<br/> 多個殘膠結構，其中，該些殘膠結構的一殘膠結構覆蓋該些發光元件的一發光元件；<br/> 其中在該顯示裝置的俯視圖中，該殘膠結構的一第一部分及一第二部分分別位於該發光元件外且分別位於該發光元件的相對兩側，該殘膠結構的該第一部分及該第二部分在平行於該驅動背板的一方向上分別具有一第一最大寬度及一第二最大寬度，且該第一最大寬度與該第二最大寬度不同。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該發光元件具有背向該驅動背板的一頂面，該發光元件的該頂面包括一中間區及一邊緣區，該中間區重疊於該發光元件的一幾何中心，該邊緣區設置於該中間區與該發光元件的一邊緣之間，該殘膠結構之設置於該中間區上的一部分具有一第一厚度，該殘膠結構之設置於該邊緣區上的一部分具有一第二厚度，且該第一厚度大於該第二厚度。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該發光元件具有背向該驅動背板的一頂面，該殘膠結構的一部分設置於該發光元件的該頂面上，該殘膠結構的該部分具有背向該發光元件的一表面，且該表面包括朝遠離該發光元件之一方向凸起的一弧面。
如請求項1所述的顯示裝置，其中在該顯示裝置的俯視圖中，該殘膠結構具有超出該發光元件的一邊緣，且該邊緣呈不規則狀。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該些發光元件包括一第一發光元件及一第二發光元件，該些殘膠結構包括一第一殘膠結構及一第二殘膠結構，該第一殘膠結構及該第二殘膠結構分別覆蓋該第一發光元件及該第二發光元件；在該顯示裝置的俯視圖中，該第一殘膠結構的形狀與該第二殘膠結構的形狀不同。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該殘膠結構更覆蓋對應的該發光元件的一頂面的至少一部分。
一種具有緩衝器功能的放大器裝置，包含：<br/> 一放大器電路，用以放大一第一輸入訊號以產生一第一放大輸出訊號，並放大一第二輸入訊號以產生一第二放大輸出訊號；以及<br/> 一緩衝器電路，用以根據一第三輸入訊號產生一第一緩衝輸出訊號，並根據一第四輸入訊號產生一第二緩衝輸出訊號，<br/> 其中該第一輸入訊號相同於該第三輸入訊號，該放大器電路與該緩衝器電路串聯耦接，並耦接在一第一電源節點與一第二電源節點之間，該第一電源節點接收一第一電源電壓，且該第二電源節點接收一第二電源電壓。
如請求項1之具有緩衝器功能的放大器裝置，其中該放大器電路耦接至該第一電源節點與該緩衝器電路之間，且該緩衝器電路耦接至該放大器電路與該第二電源節點之間。
如請求項1之具有緩衝器功能的放大器裝置，其中該緩衝器電路耦接至該第一電源節點與該放大器電路之間，且該放大器電路耦接至該緩衝器電路與該第二電源節點之間。
如請求項1之具有緩衝器功能的放大器裝置，其中該緩衝器電路包含：<br/> 一輸入對電路，用以接收該第三輸入訊號與該第四輸入訊號；以及<br/> 一負載電路，耦接至該輸入對電路以產生該第一緩衝輸出訊號與該第二緩衝輸出訊號，<br/> 其中該負載電路經由該輸入對電路耦接至該放大器電路。
如請求項4之具有緩衝器功能的放大器裝置，其中該輸入對電路包含複數個電晶體，該複數個電晶體耦接在一第一節點，且該第一節點上的一交流訊號成分為0。
如請求項1之具有緩衝器功能的放大器裝置，其中該緩衝器電路包含：<br/> 一輸入對電路，用以接收該第三輸入訊號與該第四輸入訊號；以及<br/> 一負載電路，耦接至該輸入對電路以產生該第一緩衝輸出訊號與該第二緩衝輸出訊號，<br/> 其中該輸入對電路經由該負載電路耦接至該放大器電路。
如請求項1之具有緩衝器功能的放大器裝置，其中該放大器電路包含：<br/> 一第一N型電晶體；<br/> 一第一P型電晶體，與該第一N型電晶體串聯耦接，以根據該第一輸入訊號產生該第一放大輸出訊號；<br/> 一第二N型電晶體；以及<br/> 一第二P型電晶體，與該第二N型電晶體串聯耦接，以根據該第二輸入訊號產生該第二放大輸出訊號。
如請求項7之具有緩衝器功能的放大器裝置，其中該第一N型電晶體與該第二N型電晶體耦接在一第一節點，且該第一節點上的一交流訊號成分為0。
一種動態放大器，包含： <br/>一第一電晶體，用以放大一第一輸入訊號； <br/>一第二電晶體，用以放大一第二輸入訊號； <br/>一第三電晶體，用以放大一第三輸入訊號，其中該第一電晶體、該第二電晶體與該第三電晶體響應於該第一輸入訊號、該第二輸入訊號以及該第三輸入訊號共同在一第一輸出節點產生一第一輸出訊號； <br/>一第四電晶體，用以放大一第四輸入訊號； <br/>一第五電晶體，用以放大一第五輸入訊號； <br/>一第六電晶體，用以放大一第六輸入訊號，其中該第四電晶體、該第五電晶體與該第六電晶體響應於該第四輸入訊號、該第五輸入訊號以及該第六輸入訊號共同在一第二輸出節點產生一第二輸出訊號；以及 <br/>一電源供應電路，用以動態地提供複數個電源電壓，以驅動該第一電晶體、該第二電晶體、該第三電晶體、該第四電晶體、該第五電晶體以及該第六電晶體。
如請求項1之動態放大器，其中該第二輸入訊號與該第五輸入訊號為一第一組差動訊號，且該第三輸入訊號與該第六輸入訊號為一第二組差動訊號。
如請求項1之動態放大器，其中該第一輸入訊號相同於該第二輸入訊號，且該第四輸入訊號相同於該第五輸入訊號。
如請求項1之動態放大器，其中該第一電晶體與該第二電晶體經由該第一輸出節點串聯耦接，且該第三電晶體與該第二電晶體並聯耦接。
如請求項1之動態放大器，其中該第四電晶體與該第五電晶體經由該第二輸出節點串聯耦接，且該第六電晶體與該第五電晶體並聯耦接。
如請求項1之動態放大器，更包含： <br/>一第七電晶體，用以放大一第七輸入訊號，其中該第七電晶體與該第一電晶體並聯耦接，並與該第一電晶體、該第二電晶體以及該第三電晶體共同在該第一輸出節點產生該第一輸出訊號；以及 <br/>一第八電晶體，用以放大一第八輸入訊號，其中該第八電晶體與該第四電晶體並聯耦接，並與該第四電晶體、該第五電晶體以及該第六電晶體共同在該第二輸出節點產生該第二輸出訊號。
如請求項6之動態放大器，其中該第七輸入訊號相同於該第三輸入訊號，且該第八輸入訊號相同於該第六輸入訊號。
如請求項7之動態放大器，其中該第一輸入訊號與該第四輸入訊號為一第一組差動訊號，且該第三輸入訊號與該第六輸入訊號為一第二組差動訊號。
如請求項6之動態放大器，其中該第一輸入訊號與該第四輸入訊號為一第一組差動訊號，且該第二輸入訊號與該第五輸入訊號為一第二組差動訊號，該第三輸入訊號與該第六輸入訊號為一第三組差動訊號，且該第七輸入訊號與該第八輸入訊號為一第四組差動訊號。
如請求項6之動態放大器，其中該第一輸入訊號為基於該第二輸入訊號產生的一訊號，該第七輸入訊號為基於該第三輸入訊號產生的一訊號，該第四輸入訊號為基於該第五輸入訊號產生的一訊號，且該第八輸入訊號為基於該第六輸入訊號產生的一訊號。
一種放大器電路，包含:<br/> 一第一轉導放大器，用以接收一第一輸入訊號；以及<br/> 一第一轉阻放大器，該第一轉阻放大器的一第一輸入端耦接該第一轉導放大器的一第一輸出端，<br/> 其中該第一轉阻放大器包含:<br/> 一第一電阻器，該第一電阻器耦接在該第一轉阻放大器的一第一輸出端及該第一轉阻放大器的該第一輸入端之間；<br/> 一第一反相器，該第一反相器的一輸出端耦接該第一轉阻放大器的該第一輸入端；以及<br/> 一第二反相器，該第二反相器的一輸入端耦接該第一轉阻放大器的該第一輸入端，該第二反相器的一輸出端耦接該第一轉阻放大器的該第一輸出端。
如請求項1所述的放大器電路，其中該第一轉導放大器包含:<br/> 一第二反相器，該第二反相器的一輸入端用以接收該第一輸入訊號，該第二反相器的一輸出端耦接該第一轉導放大器的該第一輸出端。
如請求項2所述的放大器電路，其中該第一轉導放大器更包含:<br/> 一第三反相器，該第三反相器的一輸入端用以接收一第二輸入訊號，該第三反相器的一輸出端耦接該第一轉導放大器的一第二輸出端。
如請求項3所述的放大器電路，其中該第一輸入訊號及該第二輸入訊號彼此反相。
如請求項1所述的放大器電路，其中該第一轉阻放大器更包含:<br/> 一第三反相器，該第三反相器的一輸入端耦接該第一轉阻放大器的一第二輸入端，該第三反相器的一輸出端耦接該第一轉阻放大器的一第二輸出端，<br/> 其中該第二反相器及該第三反相器用以分別產生一第一輸出訊號及一第二輸出訊號，該第一及第二輸出訊號彼此反相。
如請求項5所述的放大器電路，其中該第一轉阻放大器更包含:<br/> 一第二電阻器，該第二電阻器耦接在該第一轉阻放大器的該第二輸出端及該第一轉阻放大器的該第二輸入端之間；以及<br/> 一第四反相器，該第四反相器的一輸入端耦接該第一轉阻放大器的該第一輸出端，該第四反相器的一輸出端耦接該第一轉阻放大器的該第二輸入端。
如請求項6所述的放大器電路，其中該第一電阻器的電阻值等於該第二電阻器的電阻值。
如請求項5所述的放大器電路，更包含:<br/> 一差模回授電路，包含:<br/> 一差動放大器，用以根據該第一及第二輸出訊號產生一第三輸出訊號及一第四輸出訊號；<br/> 一第四反相器，該第四反相器的一輸入端耦接該第三輸出訊號，該第四反相器的一輸出端耦接該第一轉阻放大器的該第一輸入端；以及<br/> 一第五反相器，該第五反相器的一輸入端耦接該第四輸出訊號，該第五反相器的一輸出端耦接該第一轉阻放大器的該第二輸入端。
如請求項8所述的放大器電路，更包含:<br/> 一共模回授電路，包含:<br/> 一放大器，用以根據該第一輸出訊號、該第二輸出訊號及一參考電壓產生一第五輸出訊號；<br/> 一第六反相器，該第六反相器的一輸入端耦接該第五輸出訊號，該第六反相器的一輸出端耦接該第一轉阻放大器的該第一輸入端；以及<br/> 一第七反相器，該第七反相器的一輸入端耦接該第五輸出訊號，該第七反相器的一輸出端耦接該第一轉阻放大器的該第二輸入端。
如請求項1所述的放大器電路，更包含:<br/> 一第二轉導放大器，該第二轉導放大器的一第一輸入端耦接該第一轉阻放大器的該第一輸出端；以及<br/> 一第二轉阻放大器，該第二轉阻放大器的一第一輸入端耦接該第二轉導放大器的一第一輸出端，<br/> 其中該第二轉阻放大器包含:<br/> 一第二電阻器，該第二電阻器耦接在該第二轉阻放大器的一第一輸出端及該第二轉阻放大器的該第一輸入端之間；以及<br/> 一第二反相器，該第二反相器的一輸出端耦接該第二轉阻放大器的該第一輸入端。
如請求項10所述的放大器電路，更包含:<br/> 一第一電感器，耦接在該第一轉導放大器的該第一輸出端及該第一轉阻放大器的該第一輸入端之間；以及<br/> 一第二電感器，耦接在該第一轉阻放大器的該第一輸出端及該第二轉導放大器的該第一輸入端之間。
一種放大器電路，包含:<br/> 一第一轉導放大器，具有一第一輸入端及一第二輸入端，分別用以接收一第一輸入訊號及一第二輸入訊號，該第一及第二輸入訊號是一差動訊號對，<br/> 其中該第一轉導放大器更具有一第一輸出端及一第二輸出端，分別用以產生對應該第一及第二輸入訊號的一第一輸出訊號及一第二輸出訊號；以及<br/> 一第一轉阻放大器，包含:<br/> 一第一反相器 ，該第一反相器的一輸入端耦接該第一轉導放大器的該第一輸出端；<br/> 一第一電阻器，耦接在該第一反相器的該輸入端及該第一反相器的一輸出端之間；以及<br/> 一第二反相器，該第二反相器的一輸入端耦接該第一反相器的該輸出端，該第二反相器的一輸出端耦接該第一轉導放大器的該第二輸出端。
如請求相12所述的放大器電路，其中該第一轉阻放大器更包含:<br/> 一第三反相器 ，該第三反相器的一輸入端耦接該第一轉導放大器的該第二輸出端；<br/> 一第二電阻器，耦接在該第三反相器的該輸入端及該第三反相器的一輸出端之間；以及<br/> 一第四反相器，該第四反相器的一輸入端耦接該第三反相器的該輸出端，該第四反相器的一輸出端耦接該第一轉導放大器的該第一輸出端。
如請求相13所述的放大器電路，更包含:<br/> 一第一電感器，耦接在該第一轉導放大器的該第一輸出端及該第一反相器的該輸入端之間；以及<br/> 一第二電感器，耦接在該第一轉導放大器的該第二輸出端及該第三反相器的該輸入端之間。
如請求相13所述的放大器電路，更包含:<br/> 一第二轉導放大器，該第二轉導放大器的一第一輸入端及一第二輸入端分別耦接該第一反相器的該輸出端及該第三反相器的該輸出端。
如請求相15所述的放大器電路，更包含:<br/> 一第二轉阻放大器，包含:<br/> 一第五反相器 ，該第五反相器的一輸入端耦接該第二轉導放大器的一第一輸出端；<br/> 一第三電阻器，耦接在該第五反相器的該輸入端及該第五反相器的一輸出端之間；以及<br/> 一第六反相器，該第六反相器的一輸入端耦接該第五反相器的該輸出端，該第六反相器的一輸出端耦接該第二轉導放大器的一第二輸出端。
如請求相15所述的放大器電路，更包含:<br/> 一第一電感器，耦接在該第一反相器的該輸出端及該第二轉導放大器的該第一輸出端之間；以及<br/> 一第二電感器，耦接在該第三反相器的該輸出端及該第二轉導放大器的該第二輸出端之間。
如請求相17所述的放大器電路，其中該第一電感器的電感值等於該第二電感器的電感值。
如請求相12所述的放大器電路，其中該第一轉導放大器包含:<br/> 一第三反相器，耦接在該第一轉導放大器的該第一輸入端及該第一轉導放大器的該第一輸出端之間；以及<br/> 一第四反相器，耦接在該第一轉導放大器的該第二輸入端及該第一轉導放大器的該第二輸出端之間。
一種放大器電路，包含:<br/> 一第一轉導放大器，具有一第一輸入端及一第二輸入端，分別用以接收一第一輸入訊號及一第二輸入訊號，該第一及第二輸入訊號是一差動訊號對；以及<br/> 一第一轉阻放大器，該第一轉阻放大器的一第一輸入端耦接該第一轉導放大器的該第一輸出端，<br/> 其中該第一轉阻放大器包含:<br/> 一第一電阻器，該第一電阻器耦接在該第一轉阻放大器的一第一輸出端及該第一轉阻放大器的該第一輸入端之間；以及<br/> 一第一反相器，該第一反相器的一輸出端耦接該第一轉阻放大器的該第一輸入端，該第一反相器的一輸入端耦接該第一轉阻放大器的一第二輸出端，<br/> 其中該第一轉阻放大器的該第一及第二輸出端，分別用以產生對應該第一及第二輸入訊號的一第一輸出訊號及一第二輸出訊號。
一種接點淨化裝置，其具備： <br/>轉子，其被軸支為可旋轉； <br/>第1接點，其設置於上述轉子之周圍； <br/>第2接點，其設置於上述轉子之周圍； <br/>殼體，其構成收容上述轉子之至少一部分、上述第1接點及上述第2接點之氣室； <br/>泵，其向上述氣室壓送空氣；及 <br/>空氣流路，其供由上述泵壓送之空氣流動；且 <br/>上述第2接點構成粉塵產生部； <br/>上述空氣流路構成為供壓送至上述氣室之空氣自上述第1接點流向上述第2接點。
如請求項1之接點淨化裝置，其中 <br/>上述氣室具備由隔板分隔之第1氣室與第2氣室； <br/>上述第1接點配置於上述第1氣室；且 <br/>上述第2接點配置於上述第2氣室。
如請求項2之接點淨化裝置，其中 <br/>上述空氣流路具備於上述氣室之外側將上述第1氣室與上述第2氣室連通之配管；且 <br/>上述配管具備防止空氣自上述第2氣室向上述第1氣室逆流之止回閥。
如請求項2之接點淨化裝置，其中 <br/>上述隔板具備將上述轉子支持為可相對於上述殼體旋轉之支持部。
如請求項1之接點淨化裝置，其中 <br/>上述泵藉由於外周部具有凸輪凸部之耦合部驅動。
如請求項5之接點淨化裝置，其中 <br/>上述泵由隔膜泵構成。
如請求項2之接點淨化裝置，其中 <br/>上述殼體具備將上述轉子支持為可相對於該殼體旋轉之第1支持部及第2支持部；且 <br/>上述第1支持部配置於較上述第2支持部靠上述第2接點之附近； <br/>上述第2支持部配置於較上述第1支持部靠上述第1接點之附近； <br/>上述第1支持部具有提高氣密性之密封件。
如請求項2之接點淨化裝置，其中 <br/>上述泵由伴隨上述轉子之旋轉之振動所驅動。
一種風力發電裝置，其具備：旋轉機械，其包含藉由俯仰致動器控制俯仰角度之葉片、連接於上述葉片之轉子、及藉由上述轉子驅動之發電機；艙室，其收納上述旋轉機械；滑環，其將用於控制上述葉片之俯仰角度之指令信號及電力自上述艙室側輸送至上述俯仰致動器側；及接點淨化裝置，其對產生於上述滑環之內部之粉塵進行除塵；且 <br/>上述滑環具有：上述轉子；第1接點，其設置於上述轉子之周圍；第2接點，其設置於上述轉子之周圍；及殼體，其構成收容上述轉子之至少一部分、上述第1接點及上述第2接點之氣室； <br/>上述接點淨化裝置具有：泵，其向上述氣室壓送空氣；及空氣流路，其供由上述泵壓送之空氣流動； <br/>上述第2接點構成粉塵產生部； <br/>上述空氣流路構成為供壓送至上述氣室之空氣自上述第1接點流向上述第2接點。
一種閥，具備：<br/>主體，形成有第1流路，具有在上側面形成開口且前述第1流路在底面形成開口的收容凹部；<br/>內部構件，配置於前述收容凹部內，形成有連通於前述第1流路的第2流路；<br/>固定環，位於前述內部構件的上側，與形成於前述收容凹部的內周面的螺紋部螺合，將前述內部構件朝向前述底面推壓；以及<br/>止推環，介於前述內部構件和前述固定環之間，且抑制前述固定環的旋轉所致之前述內部構件的共轉，<br/>在前述內部構件的上側面，前述第2流路形成開口，且在其周圍形成環狀上端面，<br/>前述止推環配置於前述環狀上端面，<br/>前述固定環，成為圓環狀，於其下側面形成有往上側凹陷且供前述止推環插入的環凹部，<br/>前述環凹部，具有：圓環狀的凹部上側面，與前述固定環的軸方向正交且抵接於前述止推環的上側面；以及凹部內周面，沿著前述固定環的圓周方向延伸且將前述止推環的外周予以覆蓋，<br/>在前述凹部內周面，設置環突起部，<br/>前述止推環的外周緣部，在前述軸方向位於前述環突起部的上側。
如請求項1記載的閥，其中，<br/>在前述軸方向，從前述止推環的最下側面至前述固定環的下側面為止的長度，落在既定的長度範圍內。
一種閥的組裝方法，該閥，具備：<br/>主體，形成有第1流路，具有在上側面形成開口且前述第1流路在底面形成開口的收容凹部；<br/>內部構件，配置於前述收容凹部內，形成有連通於前述第1流路的第2流路；<br/>固定環，位於前述內部構件的上側，與形成於前述收容凹部的內周面的螺紋部螺合，將前述內部構件朝向前述底面推壓；以及<br/>止推環，介於前述內部構件和前述固定環之間，且抑制前述固定環的旋轉所致之前述內部構件的共轉，<br/>在前述內部構件的上側面，前述第2流路形成開口，且在其周圍形成環狀上端面，<br/>前述止推環配置於前述環狀上端面，<br/>前述固定環，成為圓環狀，於其下側面形成有往上側凹陷且供前述止推環插入的環凹部，<br/>前述環凹部，具有：圓環狀的凹部上側面，與前述固定環的軸方向正交且抵接於前述止推環的上側面；以及凹部內周面，沿著前述固定環的圓周方向延伸且將前述止推環的外周予以覆蓋，<br/>在前述凹部內周面，設置環突起部，<br/>前述止推環的外周緣部，在前述軸方向位於前述環突起部的上側，<br/>該閥的組裝方法，<br/>是將前述內部構件配置於前述主體的前述收容凹部，<br/>將前述止推環，插入於前述固定環的前述環凹部的前述環突起部和前述凹部上側面之間，<br/>以將前述固定環的前述下側面置於下側，從上側覆蓋前述內部構件的方式，將前述固定環與形成於前述收容凹部的內周面的螺紋部螺合，經由前述止推環將前述內部構件朝向前述底面推壓且將前述內部構件固定於前述主體。
如請求項3記載的閥的組裝方法，其中，<br/>在將前述止推環配置成抵接於前述環凹部的前述凹部上側面的狀態下，測定從前述止推環的最下側面至前述固定環的下側面為止的長度，是否落在既定的長度範圍內。
一種含烴組成物之製造方法，其係製造含有乙烯之含烴組成物的含烴組成物之製造方法，其包含 <br/> 於惰性氣體環境下，將含有選自由含聚烯烴之塑膠及其分解物所成之群之至少一種的原料，與含30質量%~100質量%之氧化鑭之觸媒接觸同時加熱之加熱步驟。
如請求項1之含烴組成物之製造方法，其中前述觸媒進而含有鹼土金屬之氧化物。
如請求項2之含烴組成物之製造方法，其中前述觸媒中之前述氧化鑭與前述鹼土金屬之氧化物的質量比[氧化鑭：鹼土金屬之氧化物]為30：70~99：1。
如請求項2或3之含烴組成物之製造方法，其中前述鹼土金屬之氧化物為氧化鎂。
如請求項1或2之含烴組成物之製造方法，其中前述加熱步驟係使(A)含有選自由前述塑膠及其分解物所成之群之至少一種的原料與(B)前述觸媒及熱媒粒子之混合物接觸同時加熱之步驟， <br/> 前述混合物中之前述觸媒與前述熱媒粒子之質量比[觸媒：熱媒粒子]為1：1~1：100。
如請求項1或2之含烴組成物之製造方法，其中前述塑膠含有50質量%~80質量%之前述聚烯烴。
如請求項1或2之含烴組成物之製造方法，其中前述加熱步驟係於300℃~800℃進行。
一種顯示裝置，包括： <br/>一顯示面板，其上形成有包含子像素的一主動區； <br/>一第一面板內閘極和一第二面板內閘極，設置在該主動區的兩側上，每個面板內閘極包含具有複數個緩衝薄膜電晶體的一緩衝電路，並通過該緩衝電路輸出一掃描信號至與該些子像素連接的一掃描線； <br/>一感測開關，配置以選擇將信號輸入至該緩衝電路或從該緩衝電路輸出信號； <br/>一感測單元，配置以控制該感測開關，以基於由該第一面板內閘極輸出的該掃描信號充入該掃描線的充電電壓，感測與該掃描線連接的該第二面板內閘極的一緩衝薄膜電晶體的臨界電壓；以及 <br/>一補償單元，配置以根據感測到的該緩衝薄膜電晶體的該臨界電壓，產生對施加到相關的面板內閘極的高電位電壓的補償值。
如請求項1所述的顯示裝置，其中，該感測單元控制該感測開關，使得該第二面板內閘極的該緩衝薄膜電晶體基於該掃描線的該充電電壓執行一源極跟隨操作，以感測該緩衝薄膜電晶體的該臨界電壓。
如請求項1所述的顯示裝置，其中，當該第一面板內閘極在其輸出該掃描信號的驅動模式下運作時，該感測單元感測該第二面板內閘極的該緩衝薄膜電晶體的該臨界電壓。
如請求項1所述的顯示裝置，其中，該緩衝電路包括：一上拉緩衝薄膜電晶體，其由輸入至其閘極電極的Q節點電壓控制，以通過其第一電極輸出一第一掃描信號；以及一下拉緩衝薄膜電晶體，其由輸入至其閘極電極的QB節點電壓控制，以通過其第一電極輸出一第二掃描信號；並且該緩衝電路根據一時脈信號輸出該第一掃描信號或該第二掃描信號。
如請求項4所述的顯示裝置，其中，該感測開關包括： <br/>一上拉感測開關，用於在該感測單元的控制下，將該上拉緩衝薄膜電晶體的一第二電極連接到以下之一：傳輸初始化電壓所通過的一初始化線、傳輸該時脈信號所通過的一時脈線、及通過其獲得感測值的一感測線，或者使該上拉緩衝薄膜電晶體的該第二電極電性浮接；以及 <br/>一下拉感測開關，用於在該感測單元的控制下，將該下拉緩衝薄膜電晶體的第二電極連接至：傳輸低電位電壓所通過的一低電位電壓線、或通過其獲得該感測值的該感測線，或者使該下拉緩衝薄膜電晶體的該第二電極電性浮接。
如請求項5所述的顯示裝置，其中，該感測單元：在該第一面板內閘極輸出該第一掃描信號或該第二掃描信號至該掃描線時，將與該掃描線連接的該第二面板內閘極的該上拉緩衝薄膜電晶體的一第二電極連接到該初始化線；當該第一掃描信號或該第二掃描信號的輸出完成時，使該第二面板內閘極的該上拉緩衝薄膜電晶體的該第二電極浮接；接著，根據將該第二面板內閘極的該上拉緩衝薄膜電晶體的該第二電極連接到該感測線而感測到的該第二面板內閘極的該上拉緩衝薄膜電晶體的該第二電極的電壓，獲得該第二面板內閘極的該上拉緩衝薄膜電晶體的臨界電壓。
如請求項6所述的顯示裝置，其中，該第二面板內閘極的該上拉緩衝薄膜電晶體基於反映在其第一電極上的該掃描線的該充電電壓執行一源極跟隨操作。
如請求項7所述的顯示裝置，其中，該第二面板內閘極的該上拉緩衝薄膜電晶體接收施加到其閘極電極的該高電位電壓，並在飽和區域中運作。
如請求項5所述的顯示裝置，其中，該感測單元：在該第一面板內閘極輸出該第一掃描信號或該第二掃描信號至該掃描線時，將與該掃描線連接的該第二面板內閘極的該下拉緩衝薄膜電晶體的該第二電極連接至該低電位電壓線；當該第一掃描信號或該第二掃描信號的輸出完成時，使該第二面板內閘極的該下拉緩衝薄膜電晶體的該第二電極浮接；接著，根據將該第二面板內閘極的該下拉緩衝薄膜電晶體的該第二電極連接到該感測線而感測到的該第二面板內閘極的該下拉緩衝薄膜電晶體的該第二電極的電壓，獲得該第二面板內閘極的該下拉緩衝薄膜電晶體的臨界電壓。
如請求項9所述的顯示裝置，其中，該第二面板內閘極的該下拉緩衝薄膜電晶體基於反映在其第一電極上的該掃描線的該充電電壓執行源極跟隨操作。
如請求項5所述的顯示裝置，其中，在該第一面板內閘極輸出該第一掃描信號或該第二掃描信號至該掃描線時，該感測單元將該第一面板內閘極的該上拉緩衝薄膜電晶體的該第二電極連接到該時脈線，並將該第一面板內閘極的該下拉緩衝薄膜電晶體的該第二電極連接至該低電位電壓線。
一種驅動顯示裝置的方法，該顯示裝置包括：一顯示面板，其上形成有包含子像素的一主動區；一第一面板內閘極和一第二面板內閘極，設置在該顯示面板的兩側上，每個面板內閘極包含具有複數個緩衝薄膜電晶體的一緩衝電路，並通過該緩衝電路輸出一掃描信號至與該些子像素連接的一掃描線，該方法包括： <br/>從該第一面板內閘極輸出該掃描信號至該掃描線； <br/>基於由該掃描信號充入該掃描線的充電電壓，感測與該掃描線連接的該第二面板內閘極的一緩衝薄膜電晶體的臨界電壓；以及 <br/>根據感測到的該緩衝薄膜電晶體的該臨界電壓，產生對施加於相關的面板內閘極的高電位電壓的校正值。
如請求項12所述之驅動顯示裝置的方法，其中，該緩衝電路包括： <br/>一上拉緩衝薄膜電晶體，其由輸入至其閘極電極的Q節點電壓控制，以通過其第一電極輸出一第一掃描信號；以及 <br/>一下拉緩衝薄膜電晶體，其由輸入至其閘極電極的QB節點電壓控制，以通過其第一電極輸出一第二掃描信號。
如請求項13所述之驅動顯示裝置的方法，其中，該感測該第二面板內閘極的該緩衝薄膜電晶體的該臨界電壓包括： <br/>當該第一面板內閘極輸出該第一掃描信號或該第二掃描信號至該掃描線時，施加初始化電壓至與該掃描線連接的該第二面板內閘極的該上拉緩衝薄膜電晶體的一第二電極； <br/>當該第一掃描信號或該第二掃描信號的輸出完成時，使該第二面板內閘極的該上拉緩衝薄膜電晶體的該第二電極浮接；以及 <br/>根據將該第二面板內閘極的該上拉緩衝薄膜電晶體的該第二電極連接到感測線而感測到的該第二面板內閘極的該上拉緩衝薄膜電晶體的該第二電極的電壓，獲得該第二面板內閘極的該上拉緩衝薄膜電晶體的臨界電壓。
如請求項13所述之驅動顯示裝置的方法，其中，該感測該第二面板內閘極的該緩衝薄膜電晶體的該臨界電壓包括： <br/>當該第一面板內閘極輸出該第一掃描信號或該第二掃描信號至該掃描線時，施加低電位電壓至與該掃描線連接的該第二面板內閘極的該下拉緩衝薄膜電晶體的一第二電極； <br/>當該第一掃描信號或該第二掃描信號的輸出完成時，使該第二面板內閘極的該下拉緩衝薄膜電晶體的該第二電極浮接；以及 <br/>根據將該第二面板內閘極的該下拉緩衝薄膜電晶體的該第二電極連接到感測線而感測到的該第二面板內閘極的該下拉緩衝薄膜電晶體的該第二電極的電壓，獲得該第二面板內閘極的該下拉緩衝薄膜電晶體的臨界電壓。
如請求項13所述之驅動顯示裝置的方法，其中，從該第一面板內閘極輸出該掃描信號至該掃描線包括：將該第一面板內閘極的該上拉緩衝薄膜電晶體的第二電極連接到一時脈線，並將該第一面板內閘極的該下拉緩衝薄膜電晶體的一第二電極連接到一低電位電壓線。
一種用於分析胃癌或非小細胞肺癌個體生物樣本中之循環腫瘤細胞（CTC）的方法，該方法包含： <br/>a) 從該生物樣本中分離白血球（WBC）和CTC； <br/>b) 基於前向散射（FSC）、CD45、CK-7/8、CK-14/15/16/19、EpCAM<sup>+</sup>、HLA-A.B.C和波形蛋白（VIM）進行該CTC圈選；以及 <br/>c) 測試該CTC是否具有突變的上皮生長因子受體（mEGFR）L858R或Her2； <br/>其中步驟b)和c) 由流式細胞分析技術進行。
如請求項1之方法，其中該生物樣本為周邊血。
如請求項2之方法，其中該生物樣本為約1毫升。
如請求項1之方法，其中該生物樣本中每毫升包含5個以上之CTC。
如請求項1之方法，其更包含在步驟a)之前裂解生物樣本中之紅血球。
如請求項1之方法，其中步驟b)和c) 依序進行。
如請求項1之方法，其更包含當該CTC表達包含CD45<sup>-</sup>、CK-7/8<sup>+</sup>、CK-14/15/16/19<sup>-</sup>、EpCAM<sup>+</sup>、HLA-A.B.C<sup>+</sup>和VIM<sup>+</sup>標記時，將癌症識別為非小細胞肺癌（NSCLC）。
如請求項7之方法，其更包含當該CTC為mEGFR L858R<sup>+</sup>時，識別該個體適合接受EGFR酪胺酸激酶抑制劑。
如請求項8之方法，其中該EGFR酪胺酸激酶抑制劑包含厄洛替尼（erlotinib）、吉非替尼（gefitinib）、埃替尼尼（icotininib）、阿法替尼（afatinib）、達可替尼（dacomitinib）、奧西替尼（osimertinib）、羅西替尼（rociletinib）、奧莫替尼（olmutinib）、拉澤替尼（lazertinib）和佐立替尼（zorifertinib）。
如請求項1之方法，其更包含當該CTC表現包含CD45<sup>-</sup>、CK-7/8<sup>+</sup>、CK-14/15/16/19<sup>+</sup>、EpCAM<sup>+</sup>和HLA-A.B.C<sup>+</sup>標記時，將該CTC識別為源自胃癌（GC）。
如請求項10之方法，其更包含當該CTC為Her2<sup>+</sup>時，識別該個體適合接受選自由以下所組成群組之至少一項治療：Her2酪胺酸激酶抑制劑、抗Her2抗體、雙特異性抗體、Her2標靶抗體藥物偶聯物和Her2標靶CAR-T細胞。
如請求項11之方法，其中該Her2酪胺酸激酶抑制劑包含拉帕替尼（lapatinib）；該抗Her2抗體包含曲妥珠單抗（trastuzumab）、帕妥珠單抗（pertuzumab）、圖卡替尼（tucatinib）和瑪格妥昔單抗（margetuximab）；該雙特異性抗體包含澤尼達單抗（zanidatamab）；或該Her2標靶抗體藥物偶聯物包含曲妥珠單抗艾坦辛（trastuzumab emtansine）和曲妥珠單抗德魯替康（trastuzumab deruxtecan）。
一種用於識別胃癌或非小細胞肺癌個體之癌症療法的方法，其包含： <br/>a) 基於前向散射（FSC）、CD45、CK-7/8、CK-14/15/16/19、EpCAM<sup>+</sup>、HLA-A.B.C和VIM對該個體之生物樣本進行循環腫瘤細胞（CTC）圈選； <br/>b) 測試該CTC是否具有突變的上皮生長因子受體（mEGFR）L858R或Her2；以及 <br/>c) 識別該個體適合之癌症療法，其中 <br/>i) 若該癌症由於該CTC為mEGFR L858R<sup>+</sup>而被識別為非小細胞肺癌（NSCLC），該癌症療法為EGFR酪胺酸激酶抑制劑；或 <br/>ii) 若該癌症由於該CTC為Her2<sup>+</sup>而被識別為胃癌（GC），該癌症療法包含選自由以下所組成群組之至少一項治療：Her2酪胺酸激酶抑制劑、抗Her2抗體、雙特異性抗體、Her2標靶抗體藥物偶聯物和Her2標靶CAR-T細胞。
如請求項13之方法，其中該EGFR酪胺酸激酶抑制劑包含厄洛替尼、吉非替尼、埃替尼尼、阿法替尼、達可替尼、奧西替尼、羅西替尼、奧莫替尼、拉澤替尼和佐立替尼。
如請求項13之方法，其中該Her2酪胺酸激酶抑制劑包含拉帕替尼；該抗Her2抗體包含曲妥珠單抗、帕妥珠單抗、圖卡替尼和瑪格妥昔單抗；該雙特異性抗體包含澤尼達單抗；或該Her2標靶抗體藥物偶聯物包含曲妥珠單抗艾坦辛和曲妥珠單抗德魯替康。
一種用於識別癌症個體可能對選自由以下所組成群組之至少一項治療：EGFR酪胺酸激酶抑制劑、Her2酪胺酸激酶抑制劑、抗Her2抗體、Her2標靶抗體藥物偶聯物和Her2標靶CAR-T細胞有反應的方法： <br/>a) 基於前向散射（FSC）、CD45、CK-7/8、CK-14/15/16/19、EpCAM、HLA-A.B.C和VIM對該個體之生物樣本進行循環腫瘤細胞（CTC）圈選； <br/>b) 測試該CTC是否具有突變的上皮生長因子受體（mEGFR）L858R或Her2；以及 <br/>c) 識別可能對以下治療有反應的癌症個體 <br/>i) EGFR酪胺酸激酶抑制劑，若該CTC源自NSCLC並具有CD45<sup>-</sup>CK-7/8<sup>+</sup>CK-14/15/16/19<sup>-</sup>EpCAM<sup>+</sup>HLA-A.B.C<sup>+</sup>VIM<sup>+</sup>mEGFR L858R<sup>+</sup>；或 <br/>ii) 選自由以下所組成群組之至少一項治療：Her2酪胺酸激酶抑制劑、抗Her2抗體、雙特異性抗體、Her2標靶抗體藥物偶聯物和Her2標靶CAR-T細胞，若該CTC源自GC並具有CD45<sup>-</sup>CK-7/8<sup>+</sup>CK-14/15/16/19<sup>+</sup>EpCAM<sup>+</sup>HLA-A.B.C<sup>+</sup>Her2<sup>+</sup>。
一種用於如請求項1之方法的套組，其包含一或多種用於標記CD45、CK-7/8、CK-14/15/16/19、EpCAM、HLA-A.B.C、VIM、mEGFR L858R和/或Her2的試劑。
一種具有多個放電路徑之暫態電壓抑制器，包括：<br/> 一半導體基底，其係具有一第一導電型態；<br/> 一磊晶層，其係具有一第二導電型態，該磊晶層係形成於該半導體基底之上，並且，該第二導電型態與該第一導電型態係為相異的導電型態；<br/> 一摻雜井型區，具有該第一導電型態，該摻雜井型區係形成於該磊晶層中，並且，該摻雜井型區中更包括有具有該第二導電型態的一第一重摻雜區、具有該第二導電型態的一第二重摻雜區、以及具有該第一導電型態的一第三重摻雜區，其中，該第二重摻雜區係電性耦接於一第一節點，具有該第二導電型態的一第四重摻雜區係電性耦接於具有該第二導電型態的該第一重摻雜區，並且，具有該第二導電型態的該第四重摻雜區與具有該第一導電型態的一第五重摻雜區係共同設置於該磊晶層中，具有該第一導電型態的該第五重摻雜區係電性耦接於一第二節點，該磊晶層中更包括具有該第二導電型態的一第六重摻雜區，同時，該第六重摻雜區係電性耦接於該第三重摻雜區；以及<br/> 複數個隔離溝槽，其係鄰近設置具有該第一導電型態的該第五重摻雜區、具有該第二導電型態的該第六重摻雜區、以及具有該第二導電型態的該第一重摻雜區與具有該第二導電型態的該第四重摻雜區之間，從而提供電性絕緣，並且，各該隔離溝槽之深度係超過該磊晶層的深度；<br/> 其中，當該第一導電型態係為P型半導體型，且該第二導電型態係為N型半導體型時，該第一節點係電性耦接至一接地端，且該第二節點係電性耦接至一輸入輸出接點，當該第一節點與該第二節點係各自電性耦接至該接地端與該輸入輸出接點，從而提供一正湧浪操作模式時，該具有多個放電路徑之暫態電壓抑制器係包括：一第一橫向二極體導通路徑與一橫向npn雙極性接面電晶體導通路徑，其中，該第一橫向二極體導通路徑係由該輸入輸出接點、具有該第一導電型態的該第五重摻雜區、具有該第二導電型態的該磊晶層至具有該第二導電型態的該第四重摻雜區所組成，該橫向npn雙極性接面電晶體導通路徑係由具有該第二導電型態的該第一重摻雜區、具有該第一導電型態的該摻雜井型區、具有該第二導電型態的該第二重摻雜區至該接地端所組成。
如請求項1所述之具有多個放電路徑之暫態電壓抑制器，更包括：一垂直pnp雙極性接面電晶體導通路徑、一垂直二極體導通路徑、以及一第二橫向二極體導通路徑，其中，該垂直pnp雙極性接面電晶體導通路徑係由該輸入輸出接點、具有該第一導電型態的該第五重摻雜區、具有該第二導電型態的該磊晶層至具有該第一導電型態的該半導體基底所組成，該垂直二極體導通路徑係由具有該第一導電型態的該半導體基底、具有該第二導電型態的該磊晶層至具有該第二導電型態的該第六重摻雜區所組成，該第二橫向二極體導通路徑係由具有該第一導電型態的該第三重摻雜區、具有該第一導電型態的該摻雜井型區、具有該第二導電型態的該第二重摻雜區至該接地端所組成。
如請求項1所述之具有多個放電路徑之暫態電壓抑制器，其中，當一電源供應電壓係經由該輸入輸出接點注入時，該電源供應電壓的電壓位準係小於用於導通該第一橫向二極體導通路徑與該橫向npn雙極性接面電晶體導通路徑的一第一導通電壓。
如請求項2所述之具有多個放電路徑之暫態電壓抑制器，其中，當一電源供應電壓係經由該輸入輸出接點注入時，該電源供應電壓的電壓位準係小於用於導通該垂直pnp雙極性接面電晶體導通路徑、該垂直二極體導通路徑、以及該第二橫向二極體導通路徑的一第二導通電壓。
如請求項1所述之具有多個放電路徑之暫態電壓抑制器，其中，具有該第一導電型態的該半導體基底係電性耦接於該第一節點。
如請求項5所述之具有多個放電路徑之暫態電壓抑制器，其中，當該第一導電型態係為P型半導體型，且該第二導電型態係為N型半導體型時，該第一節點與具有該第一導電型態的該半導體基底係共同電性耦接至該接地端，且該第二節點係電性耦接至該輸入輸出接點。
如請求項6所述之具有多個放電路徑之暫態電壓抑制器，其中，當該第一節點與具有該第一導電型態的該半導體基底係共同電性耦接至該接地端，且該第二節點係電性耦接至該輸入輸出接點，從而提供該正湧浪操作模式時，該具有多個放電路徑之暫態電壓抑制器係包括：該第一橫向二極體導通路徑與該橫向npn雙極性接面電晶體導通路徑，其中，該第一橫向二極體導通路徑係由該輸入輸出接點、具有該第一導電型態的該第五重摻雜區、具有該第二導電型態的該磊晶層至具有該第二導電型態的該第四重摻雜區所組成，該橫向npn雙極性接面電晶體導通路徑係由具有該第二導電型態的該第一重摻雜區、具有該第一導電型態的該摻雜井型區、具有該第二導電型態的該第二重摻雜區至該接地端所組成。
如請求項7所述之具有多個放電路徑之暫態電壓抑制器，更包括：一垂直pnp雙極性接面電晶體導通路徑、一垂直二極體導通路徑、以及一第二橫向二極體導通路徑，其中，該垂直pnp雙極性接面電晶體導通路徑係由該輸入輸出接點、具有該第一導電型態的該第五重摻雜區、具有該第二導電型態的該磊晶層至具有該第一導電型態的該半導體基底所組成，該垂直二極體導通路徑係由具有該第一導電型態的該半導體基底、具有該第二導電型態的該磊晶層至具有該第二導電型態的該第六重摻雜區所組成，該第二橫向二極體導通路徑係由具有該第一導電型態的該第三重摻雜區、具有該第一導電型態的該摻雜井型區、具有該第二導電型態的該第二重摻雜區至該接地端所組成。
如請求項8所述之具有多個放電路徑之暫態電壓抑制器，更包括：一垂直接地導通路徑，其中，該垂直接地導通路徑係由該輸入輸出接點、具有該第一導電型態的該第五重摻雜區、具有該第二導電型態的該磊晶層、具有該第一導電型態的該半導體基底至該接地端所組成。
如請求項1所述之具有多個放電路徑之暫態電壓抑制器，更包括一埋入層與一深摻雜井型區，該埋入層與該深摻雜井型區係具有該第二導電型態，具有該第二導電型態的該埋入層係設置於具有該第一導電型態的該半導體基底與具有該第二導電型態的該磊晶層之間，具有該第二導電型態的該深摻雜井型區係容設具有該第二導電型態的該第六重摻雜區，並設置於具有該第二導電型態的該磊晶層中，具有該第二導電型態的該深摻雜井型區係與具有該第一導電型態的該摻雜井型區電性隔離，具有該第二導電型態的該深摻雜井型區係連接具有該第二導電型態的該埋入層，同時，具有該第二導電型態的該深摻雜井型區的深度係超過具有該第一導電型態的該摻雜井型區的深度，使得具有該第二導電型態的該深摻雜井型區可與具有該第二導電型態的該埋入層形成接觸，並且，具有該第二導電型態的該埋入層的摻雜濃度係大於具有該第二導電型態的該磊晶層的摻雜濃度，從而降低該具有多個放電路徑之暫態電壓抑制器的導通電阻。
如請求項10所述之具有多個放電路徑之暫態電壓抑制器，其中，當該第一導電型態係為P型半導體型，且該第二導電型態係為N型半導體型時，該第一節點係電性耦接至該接地端，且該第二節點係電性耦接至該輸入輸出接點。
如請求項11所述之具有多個放電路徑之暫態電壓抑制器，其中，當該第一節點與該第二節點係各自電性耦接至該接地端與該輸入輸出接點，從而提供該正湧浪操作模式時，該具有多個放電路徑之暫態電壓抑制器係包括：該第一橫向二極體導通路徑與該橫向npn雙極性接面電晶體導通路徑，其中，該第一橫向二極體導通路徑係由該輸入輸出接點、具有該第一導電型態的該第五重摻雜區、具有該第二導電型態的該磊晶層至具有該第二導電型態的該第四重摻雜區所組成，該橫向npn雙極性接面電晶體導通路徑係由具有該第二導電型態的該第一重摻雜區、具有該第一導電型態的該摻雜井型區、具有該第二導電型態的該第二重摻雜區至該接地端所組成。
如請求項12所述之具有多個放電路徑之暫態電壓抑制器，更包括：一垂直pnp雙極性接面電晶體導通路徑、一垂直二極體導通路徑、以及一第二橫向二極體導通路徑，其中，該垂直pnp雙極性接面電晶體導通路徑係由該輸入輸出接點、具有該第一導電型態的該第五重摻雜區、具有該第二導電型態的該磊晶層至具有該第一導電型態的該半導體基底所組成，該垂直二極體導通路徑係由具有該第一導電型態的該半導體基底、具有該第二導電型態的該埋入層、具有該第二導電型態的該深摻雜井型區、至具有該第二導電型態的該第六重摻雜區所組成，該第二橫向二極體導通路徑係由具有該第一導電型態的該第三重摻雜區、具有該第一導電型態的該摻雜井型區、具有該第二導電型態的該第二重摻雜區至該接地端所組成。
如請求項1所述之具有多個放電路徑之暫態電壓抑制器，更包括：一第二摻雜井型區與一第七重摻雜區，該第二摻雜井型區係具有該第一導電型態，該第七重摻雜區係具有該第一導電型態，具有該第一導電型態之該第二摻雜井型區係用於容設具有該第一導電型態之該第七重摻雜區，並設置於具有該第二導電型態的該磊晶層中，具有該第一導電型態的該第二摻雜井型區與該第七重摻雜區係通過該隔離溝槽而與具有該第二導電型態的該第六重摻雜區所間隔，並且，具有該第一導電型態之該第七重摻雜區係電性耦接於具有該第一導電型態之該第三重摻雜區與具有該第二導電型態的該第六重摻雜區。
如請求項14所述之具有多個放電路徑之暫態電壓抑制器，其中，當該第一導電型態係為P型半導體型，且該第二導電型態係為N型半導體型時，該第一節點係電性耦接至該接地端，且該第二節點係電性耦接至該輸入輸出接點。
如請求項15所述之具有多個放電路徑之暫態電壓抑制器，其中，當該第一節點與該第二節點係各自電性耦接至該接地端與該輸入輸出接點，從而提供該正湧浪操作模式時，該具有多個放電路徑之暫態電壓抑制器係包括：該第一橫向二極體導通路徑與該橫向npn雙極性接面電晶體導通路徑，其中，該第一橫向二極體導通路徑係由該輸入輸出接點、具有該第一導電型態的該第五重摻雜區、具有該第二導電型態的該磊晶層至具有該第二導電型態的該第四重摻雜區所組成，該橫向npn雙極性接面電晶體導通路徑係由具有該第二導電型態的該第一重摻雜區、具有該第一導電型態的該摻雜井型區、具有該第二導電型態的該第二重摻雜區至該接地端所組成。
如請求項16所述之具有多個放電路徑之暫態電壓抑制器，更包括：一垂直pnp雙極性接面電晶體導通路徑、一垂直二極體導通路徑、一第二橫向二極體導通路徑、以及一垂直拾取導通路徑，其中，該垂直pnp雙極性接面電晶體導通路徑係由該輸入輸出接點、具有該第一導電型態的該第五重摻雜區、具有該第二導電型態的該磊晶層至具有該第一導電型態的該半導體基底所組成，該垂直二極體導通路徑係由具有該第一導電型態的該半導體基底、具有該第二導電型態的該磊晶層至具有該第二導電型態的該第六重摻雜區所組成，該第二橫向二極體導通路徑係由具有該第一導電型態的該第三重摻雜區、具有該第一導電型態的該摻雜井型區、具有該第二導電型態的該第二重摻雜區至該接地端所組成，該垂直拾取導通路徑係由具有該第一導電型態的該半導體基底、具有該第一導電型態的該第二摻雜井型區至具有該第一導電型態的該第七重摻雜區所組成。
如請求項1所述之具有多個放電路徑之暫態電壓抑制器，更包括：一第二摻雜井型區與一第七重摻雜區，該第二摻雜井型區係具有該第一導電型態，該第七重摻雜區係具有該第一導電型態，具有該第一導電型態之該第二摻雜井型區係用於容設具有該第一導電型態之該第七重摻雜區，並設置於具有該第二導電型態的該磊晶層中，具有該第一導電型態的該第二摻雜井型區與該第七重摻雜區係通過該隔離溝槽而與具有該第二導電型態的該第六重摻雜區所間隔，並且，具有該第一導電型態之該第七重摻雜區係電性耦接於具有該第二導電型態之該第二重摻雜區與該第一節點。
如請求項18所述之具有多個放電路徑之暫態電壓抑制器，其中，當該第一導電型態係為P型半導體型，且該第二導電型態係為N型半導體型時，該第一節點係電性耦接至該接地端，且該第二節點係電性耦接至該輸入輸出接點。
如請求項19所述之具有多個放電路徑之暫態電壓抑制器，其中，當該第一節點與該第二節點係各自電性耦接至該接地端與該輸入輸出接點，從而提供該正湧浪操作模式時，該具有多個放電路徑之暫態電壓抑制器係包括：該第一橫向二極體導通路徑與該橫向npn雙極性接面電晶體導通路徑，其中，該第一橫向二極體導通路徑係由該輸入輸出接點、具有該第一導電型態的該第五重摻雜區、具有該第二導電型態的該磊晶層至具有該第二導電型態的該第四重摻雜區所組成，該橫向npn雙極性接面電晶體導通路徑係由具有該第二導電型態的該第一重摻雜區、具有該第一導電型態的該摻雜井型區、具有該第二導電型態的該第二重摻雜區至該接地端所組成。
如請求項20所述之具有多個放電路徑之暫態電壓抑制器，更包括：一垂直pnp雙極性接面電晶體導通路徑、一垂直二極體導通路徑、一第二橫向二極體導通路徑、以及一垂直拾取導通路徑，其中，該垂直pnp雙極性接面電晶體導通路徑係由該輸入輸出接點、具有該第一導電型態的該第五重摻雜區、具有該第二導電型態的該磊晶層至具有該第一導電型態的該半導體基底所組成，該垂直二極體導通路徑係由具有該第一導電型態的該半導體基底、具有該第二導電型態的該磊晶層至具有該第二導電型態的該第六重摻雜區所組成，該第二橫向二極體導通路徑係由具有該第一導電型態的該第三重摻雜區、具有該第一導電型態的該摻雜井型區、具有該第二導電型態的該第二重摻雜區至該接地端所組成，該垂直拾取導通路徑係由具有該第一導電型態的該半導體基底、具有該第一導電型態的該第二摻雜井型區、具有該第一導電型態的該第七重摻雜區至該接地端所組成。
如請求項10所述之具有多個放電路徑之暫態電壓抑制器，其中，具有該第一導電型態的該半導體基底係電性耦接於該第一節點。
如請求項22所述之具有多個放電路徑之暫態電壓抑制器，其中，當該第一導電型態係為P型半導體型，且該第二導電型態係為N型半導體型時，該第一節點與具有該第一導電型態的該半導體基底係共同電性耦接至該接地端，且該第二節點係電性耦接至該輸入輸出接點。
如請求項10所述之具有多個放電路徑之暫態電壓抑制器，更包括：一第二摻雜井型區與一第七重摻雜區，該第二摻雜井型區係具有該第一導電型態，該第七重摻雜區係具有該第一導電型態，具有該第一導電型態之該第二摻雜井型區係用於容設具有該第一導電型態之該第七重摻雜區，並設置於具有該第二導電型態的該磊晶層中，具有該第一導電型態的該第二摻雜井型區與該第七重摻雜區係通過該隔離溝槽而與具有該第二導電型態的該第六重摻雜區所間隔，並且，具有該第一導電型態之該第七重摻雜區係電性耦接於具有該第二導電型態之該第二重摻雜區與該第一節點。
如請求項24所述之具有多個放電路徑之暫態電壓抑制器，其中，具有該第一導電型態的該半導體基底係電性耦接於該第一節點。
如請求項25所述之具有多個放電路徑之暫態電壓抑制器，其中，當該第一導電型態係為P型半導體型，且該第二導電型態係為N型半導體型時，該第一節點與具有該第一導電型態的該半導體基底係共同電性耦接至該接地端，且該第二節點係電性耦接至該輸入輸出接點。
如請求項10所述之具有多個放電路徑之暫態電壓抑制器，更包括：一第二摻雜井型區與一第七重摻雜區，該第二摻雜井型區係具有該第一導電型態，該第七重摻雜區係具有該第一導電型態，具有該第一導電型態之該第二摻雜井型區係用於容設具有該第一導電型態之該第七重摻雜區，並設置於具有該第二導電型態的該磊晶層中，具有該第一導電型態的該第二摻雜井型區與該第七重摻雜區係通過該隔離溝槽而與具有該第二導電型態的該第六重摻雜區所間隔，並且，具有該第一導電型態之該第七重摻雜區係電性耦接於具有該第一導電型態之該第三重摻雜區與具有該第二導電型態的該第六重摻雜區。
如請求項27所述之具有多個放電路徑之暫態電壓抑制器，其中，具有該第一導電型態的該半導體基底係電性耦接於該第一節點。
如請求項28所述之具有多個放電路徑之暫態電壓抑制器，其中，當該第一導電型態係為P型半導體型，且該第二導電型態係為N型半導體型時，該第一節點與具有該第一導電型態的該半導體基底係共同電性耦接至該接地端，且該第二節點係電性耦接至該輸入輸出接點。
一種流體分配系統的監控方法，包含：<br/> 在該流體分配系統內提供一基板；<br/> 提供一相機，該相機係用以接收近紅外線光譜或更高的光波長，該相機係設置面向該基板的第一端；<br/> 提供一光源，該光源提供近紅外線光譜或更高的波長，該光源係設置面向該基板的第二端，該第一端與該第二端係沿著該基板之徑向而位在該基板的相對端，使得從該光源到該基板的入射角度係與從該基板到該相機的角度相同；<br/> 在旋轉該基板時，將一流體分配至該基板上，並且自該相機獲得落在近紅外線光譜或更高之波長處的數據，以監控分配至該基板上之該流體的一條件，該相機之取樣速率與該基板之旋轉速率同步；以及<br/> 基於該取樣速率與該旋轉速率之同步，從在該相機處所接收到的光減去繞射效應，以計算出與分配至該基板上之該流體之厚度相關的下方反射率訊號。
如請求項1之流體分配系統的監控方法，其中該相機為一CMOS相機或一CCD相機。
如請求項2之流體分配系統的監控方法，其中該光源提供落在短波長紅外線光譜或更高的波長。
如請求項3之流體分配系統的監控方法，其中該相機為一基於砷化銦鎵的相機。
如請求項3之流體分配系統的監控方法，其中該條件包含一薄膜厚度及／或薄膜均勻度。
如請求項1之流體分配系統的監控方法，其中該相機係用以接收僅介於700nm與1400nm之間之一範圍內的光波長，且該光源提供僅介於700nm與1400nm之間的波長。
如請求項1之流體分配系統的監控方法，其中該相機係用以接收僅於1400nm以上之一範圍內的光波長，且該光源提供僅於1400nm以上的波長。
如請求項1之流體分配系統的監控方法，其中共同最佳化該相機之波長範圍及該光源之波長範圍。
如請求項1之流體分配系統的監控方法，其中選擇該相機之波長範圍及該光源之波長以最小化來自比近紅外線光譜更短之波長的干涉效應。
一種流體分配系統的監控方法，包含：<br/> 在該流體分配系統內提供一基板；<br/> 提供具有一波長光譜範圍的一光源，該光源係設置面向該基板的第一端；<br/> 提供一光學感測器，該光學感測器自該光源接收從該基板反射之光，該光學感測器係設置面向該基板的第二端，該第一端與該第二端係沿著該基板之徑向而位於該基板的相對端，使得從該光源到該基板的入射角度係與從該基板到該光學感測器的角度相同；<br/> 在該光源與該光學感測器之間的一光學路徑中提供一濾件；該濾件窄化該光學感測器所接收到之光的接收光譜範圍；<br/> 在旋轉該基板時，將一流體分配至該基板上，並且自該光學感測器獲得落在近紅外線光譜或更高之波長處的數據，以監控分配至該基板上之該流體的一條件，該光學感測器之取樣速率與該基板之旋轉速率同步；以及<br/> 基於該取樣速率與該旋轉速率之同步，從在該光學感測器處所接收到的光減去繞射效應，以計算出與分配至該基板上之該流體之厚度相關的下方反射率訊號。
如請求項10之流體分配系統的監控方法，其中該光學感測器為一相機。
如請求項11之流體分配系統的監控方法，其中該濾件係位於該基板與該相機之間之該光學路徑的一部分中。
如請求項11之流體分配系統的監控方法，其中該流體分配系統包含複數濾件，可選擇性地將該等濾件設置在該光學路徑中以改變該相機所接收到之光的該接收光譜範圍。
如請求項13之流體分配系統的監控方法，其中基於被分配之一流體及／或該基板的一材料來選擇該複數濾件中的一或多者。
如請求項13之流體分配系統的監控方法，其中該複數濾件為具有不同中心波長的帶通濾件。
如請求項13之流體分配系統的監控方法，其中 該複數濾件為帶通濾件，其中該複數濾件中至少若干者具有相同的中心波長。
如請求項13之流體分配系統的監控方法，其中 該條件包含一薄膜厚度及／或薄膜均勻度。
如請求項13之流體分配系統的監控方法，其中該複數濾件中至少若干者為具有40nm或更小之波長範圍的帶通濾件。
如請求項10之流體分配系統的監控方法，其中該條件包含一薄膜厚度及／或薄膜均勻度。
如請求項19之流體分配系統的監控方法，其中該濾件為具有40nm或更小之波長範圍的一帶通濾件。
如請求項10之流體分配系統的監控方法，其中該濾件為具有40nm或更小之波長範圍的一帶通濾件。
一種半導體結構，包括：<br/> 一基板，包括一周邊區及一陣列區；<br/> 一邏輯閘極結構，設置於該周邊區中，且設置於該基板上；<br/> 一蓋層，設置於該邏輯閘極結構上；<br/> 一層間介電層，設置於該蓋層上；<br/> 一阻障層，包括位於該周邊區的一第一部分及位於該陣列區的一第二部分，該第一部分設置於該層間介電層上且位於該邏輯閘極結構的正上方；及<br/> 一第一接觸物，設置於該層間介電層中，且接觸該基板，<br/> 其中，該邏輯閘極結構的寬度小於該第一部分的寬度，且其中該第一部分更包括：<br/> 一第一側壁；及<br/> 一第一底部，連接該第一側壁，<br/> 其中，該第一側壁的寬度大於該第一底部的厚度。
如請求項1所述的半導體結構，其中該第一接觸物與該第一部分接觸。
如請求項1所述的半導體結構，其中該第一接觸物與該蓋層的側表面間隔一距離。
如請求項1所述的半導體結構，更包括：<br/> 一位元線結構，設置於該陣列區中，且設置於該基板上，<br/> 其中，該蓋層設置於該位元線結構上，該第二部分設置於該蓋層上且位於該位元線結構的正上方，且該位元線結構的寬度小於該第二部分的寬度。
如請求項4所述的半導體結構，其中：<br/> 該第二部分更包括：<br/> 一第二側壁；及<br/> 一第二底部，連接該第二側壁，<br/> 其中該第二側壁的寬度大於該位元線結構的一間隔物的寬度。
如請求項4所述的半導體結構，其中該第二部分包括一尖狀端部，該尖狀端部覆蓋該位元線結構的頂表面及側表面。
一種半導體結構的形成方法，包括：<br/> 提供一基板，其中該基板包括一周邊區及一陣列區；<br/> 形成一邏輯閘極結構於該周邊區中，且於該基板上；<br/> 形成一蓋層於該邏輯閘極結構上；<br/> 形成一層間介電層於該蓋層上；<br/> 形成一第一溝槽於該層間介電層中；<br/> 形成一阻障層於該第一溝槽中；及<br/> 形成一第一接觸物於該基板上；<br/> 其中，該邏輯閘極結構的寬度小於該第一溝槽的寬度，且其中該第一溝槽中的該阻障層更包括：<br/> 一第一側壁；及<br/> 一第一底部，連接該第一側壁，<br/> 其中，該第一側壁的寬度大於該第一底部的厚度。
如請求項7所述的形成方法，其中形成該第一接觸物於該基板上更包括：<br/> 藉由該阻障層作為遮罩來形成一開口；及<br/> 填充一接觸物材料於該開口中，以形成該第一接觸物。
如請求項7所述的形成方法，更包括：<br/> 形成一位元線結構於該陣列區中，且於該基板上；<br/> 形成該蓋層於該位元線結構上；<br/> 形成一導電層於該蓋層上；<br/> 形成一第二溝槽於該導電層中；<br/> 形成該阻障層於該第二溝槽中；及<br/> 形成一第二接觸物於該基板上；<br/> 其中，該位元線結構的寬度小於該第二溝槽的寬度。
一種含金屬之膜形成用化合物，其特徵為： <br/>該含金屬之膜形成用化合物含有選自由Ti、Zr、及Hf構成之群組中之至少1種金屬原子(a)及配位在該金屬原子(a)之多牙配位基， <br/>且該多牙配位基來自被選自由氯原子、溴原子、及碘原子構成之群組中之至少1種鹵素原子取代之碳數1~50之化合物(b)， <br/>該化合物(b)含有下列通式(4-1)~(4-4)表示之結構中之任意者， <br/><img align="absmiddle" height="440px" width="288px" file="ed10030.jpg" alt="ed10030.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="109px" width="324px" file="ed10031.jpg" alt="ed10031.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="374px" width="324px" file="ed10032.jpg" alt="ed10032.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="475px" width="324px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上式(4-1)~(4-4)中，X<sub>m1</sub>為氯原子、溴原子、碘原子中之任意者、或含有氯原子、溴原子、碘原子中之任意者之碳數1~10之1價有機基，s為1~5，Z為氧原子或2級胺中之任一者，Y為碳數1~10之2價有機基，上式(4-1)~(4-4)中之任意氫原子也可被取代或非取代之碳數1~20之飽和或不飽和之1價有機基、取代或非取代之碳數6~30之芳基、取代或非取代之碳數7~31之芳烷基取代。
如請求項1之含金屬之膜形成用化合物，其中，該含金屬之膜形成用化合物更含有來自下列通式(2)表示之矽化合物之配位基(c)， <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="167px" file="ed10027.jpg" alt="ed10027.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上述通式(2)中，R<sup>3A</sup>、R<sup>3B</sup>及R<sup>3C</sup>，為選自具有下列通式(c-1)~(c-3)表示之結構之任意交聯基之碳數1~30之有機基、取代或非取代之碳數1~20之烷基、碳數1~20之芳基之有機基中之任意者， <br/><img align="absmiddle" height="97px" width="337px" file="ed10028.jpg" alt="ed10028.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上述通式(c-1)至(c-3)中，R<sub>3</sub>為氫原子或碳數1~10之1價有機基，q表示0或1，＊表示鍵結部。
如請求項1之含金屬之膜形成用化合物，其中， <br/>該含金屬之膜形成用化合物更含有帶有選自乙烯基、烯丙基、烯丙氧基、乙炔基、炔丙基、炔丙氧基、環氧基、氧雜環丁基中之1個以上之交聯性基之配位基。
如請求項3之含金屬之膜形成用化合物，其中，該化合物(b)更帶有選自乙烯基、烯丙基、烯丙氧基、乙炔基、炔丙基、炔丙氧基、環氧基、氧雜環丁基中之1個以上之交聯性基。
如請求項1之含金屬之膜形成用化合物，其中，該含金屬之膜形成用化合物係含有選自下式(3)表示之金屬化合物、及下式(3)表示之金屬化合物之水解物、縮合物、及水解縮合物中之一種以上之含金屬化合物與該式(4-1)~(4-4)中之任一者表示之化合物之反應產物， <br/><img align="absmiddle" height="34px" width="155px" file="ed10029.jpg" alt="ed10029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，M為Ti、Zr、及Hf中之任意者，L為碳數1~30之單牙配位基及多牙配位基中之任意者，X係選自鹵素原子、烷氧基、羧酸基、醯氧基、-NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>中之水解性基，R<sup>a</sup>及R<sup>b</sup>各自獨立地為氫原子或碳數1~20之1價有機基，a＋b＝2~4，a及b為0~4之整數。
如請求項1之含金屬之膜形成用化合物，其中，該化合物(b)含有1個以上之氯原子。
如請求項1之含金屬之膜形成用化合物，其中，該化合物(b)含有1個以上之溴原子。
如請求項1之含金屬之膜形成用化合物，其中，該化合物(b)含有1個以上之碘原子。
一種含金屬之膜形成用組成物， <br/>係作為半導體製造中使用的阻劑下層膜材料或阻劑中間膜材料作用之含金屬之膜形成用組成物，其特徵為含有： <br/>(A)如請求項1至8中任一項之含金屬之膜形成用化合物、及 <br/>(B)有機溶劑。
如請求項9之含金屬之膜形成用組成物，其中， <br/>該組成物更含有(C)交聯劑、(D)酸產生劑、及(E)界面活性劑中之1種以上。
如請求項9之含金屬之膜形成用組成物，其中， <br/>該(B)有機溶劑為1種以上沸點未達180℃之有機溶劑與1種以上沸點180℃以上之有機溶劑((B’)高沸點溶劑)之混合物。
一種圖案形成方法，係在被加工基板形成圖案之方法，其特徵為具有下列步驟： <br/>(I-1)在被加工基板上，塗佈如請求項9之含金屬之膜形成用組成物後，利用熱處理形成含金屬之膜， <br/>(I-2)在該含金屬之膜上使用光阻材料形成阻劑上層膜， <br/>(I-3)將該阻劑上層膜進行圖案曝光後，以顯影液顯影，在該阻劑上層膜形成圖案， <br/>(I-4)將該已形成圖案之阻劑上層膜作為遮罩，以乾蝕刻將圖案轉印至該含金屬之膜，及 <br/>(I-5)將該已形成圖案之含金屬之膜作為遮罩，將該被加工基板加工而在該被加工基板形成圖案。
一種圖案形成方法，係在被加工基板形成圖案之方法，其特徵為具有下列步驟： <br/>(II-1)在被加工基板上，形成有機阻劑下層膜， <br/>(II-2)在該有機阻劑下層膜上塗佈如請求項9之含金屬之膜形成用組成物後，利用熱處理形成含金屬之膜， <br/>(II-3)在該含金屬之膜上使用光阻材料形成阻劑上層膜， <br/>(II-4)將該阻劑上層膜進行圖案曝光後，以顯影液顯影，在該阻劑上層膜形成圖案， <br/>(II-5)將該已形成圖案之阻劑上層膜作為遮罩，以乾蝕刻將圖案轉印至該含金屬之膜， <br/>(II-6)將該已轉印圖案之含金屬之膜作為遮罩，以乾蝕刻將圖案轉印至該有機阻劑下層膜，及 <br/>(II-7)將該已形成圖案之有機阻劑下層膜作為遮罩，將該被加工基板加工而在該被加工基板形成圖案。
一種圖案形成方法，係在被加工基板形成圖案之方法，其特徵為具有下列步驟： <br/>(III-1)在被加工基板上，塗佈如請求項9之含金屬之膜形成用組成物後，利用熱處理形成含金屬之膜， <br/>(III-2)在該含金屬之膜上形成選自含矽阻劑中間膜、矽氧化膜、矽氮化膜、及矽氧化氮化膜之無機硬遮罩中間膜， <br/>(III-3)在該無機硬遮罩中間膜上形成有機薄膜， <br/>(III-4)在該有機薄膜上使用光阻材料形成阻劑上層膜， <br/>(III-5)將該阻劑上層膜進行圖案曝光後，以顯影液顯影，在該阻劑上層膜形成圖案， <br/>(III-6)將該已形成圖案之阻劑上層膜作為遮罩，以乾蝕刻將圖案轉印至該有機薄膜及該無機硬遮罩中間膜， <br/>(III-7)將該已轉印圖案之無機硬遮罩中間膜作為遮罩，以乾蝕刻將圖案轉印至該含金屬之膜，及 <br/>(III-8)將該已形成圖案之含金屬之膜作為遮罩，將該被加工基板加工而在該被加工基板形成圖案。
一種圖案形成方法，係在被加工基板形成圖案之方法，其特徵為具有下列步驟： <br/>(IV-1)在被加工基板上，塗佈如請求項9之含金屬之膜形成用組成物後，利用熱處理形成含金屬之膜， <br/>(IV-2)在該含金屬之膜上形成有機中間膜， <br/>(IV-3)在該有機中間膜上形成含矽阻劑中間膜、或選自矽氧化膜、矽氮化膜、及矽氧化氮化膜之無機硬遮罩中間膜與有機薄膜之組合， <br/>(IV-4)在該含矽阻劑中間膜或該有機薄膜上使用光阻材料形成阻劑上層膜， <br/>(IV-5)將該阻劑上層膜進行圖案曝光後，以顯影液顯影，在該阻劑上層膜形成圖案， <br/>(IV-6)將該已形成圖案之阻劑上層膜作為遮罩，以乾蝕刻將圖案轉印至該含矽阻劑中間膜或該有機薄膜及該無機硬遮罩中間膜， <br/>(IV-7)將該已轉印圖案之含矽阻劑中間膜或無機硬遮罩中間膜作為遮罩，以乾蝕刻將圖案轉印至該有機中間膜， <br/>(IV-8)該有機中間膜作為遮罩，以乾蝕刻將圖案轉印至該含金屬之膜，及 <br/>(IV-9)將該已形成圖案之含金屬之膜作為遮罩，將該被加工基板加工而在該被加工基板形成圖案。
如請求項12之圖案形成方法，其中，該步驟(I-3)中，使用EUV光進行該圖案曝光。
如請求項13之圖案形成方法，其中，該步驟(II-4)中，使用EUV光進行該圖案曝光。
如請求項14之圖案形成方法，其中，該步驟(III-5)中，使用EUV光進行該圖案曝光。
如請求項15之圖案形成方法，其中，該步驟(IV-5)中，使用EUV光進行該圖案曝光。
一種Sn-Beta分子篩，其特徵在於，所述分子篩的矽錫莫耳比為8-15，所述分子篩在200℃脫附溫度下吡啶紅外L酸含量為600-900μmol/g。
如請求項1所述的分子篩，其中，所述分子篩的矽錫莫耳比為10-12，所述分子篩在200℃脫附溫度下吡啶紅外L酸含量為700-800μmol/g。
如請求項1所述的分子篩，其中，所述分子篩在200℃脫附溫度下吡啶紅外L酸/B酸含量比值為70-120。
如請求項1所述的分子篩，其中，所述分子篩的SiO<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>莫耳比為2700-4000。
如請求項1-4中任意一項所述的分子篩，其中，所述分子篩晶粒尺寸為奈米級，所述分子篩的平均晶粒尺寸為30-100 nm。
如請求項1-4中任意一項所述的分子篩，其中，所述分子篩的比表面積為530-630m<sup>2</sup>/g；和/或，所述分子篩的外比表面積為130-180m<sup>2</sup>/g。
如請求項1-4中任意一項所述的分子篩，其中，所述分子篩的孔體積為0.32-0.43mL/g。
一種 Sn-Beta分子篩的製備方法，其特徵在於，所述製備方法包括如下步驟：（1）將HY分子篩與錫源進行脫鋁補錫反應，得到Sn-Al-FAU分子篩；（2）在Beta沸石晶種存在下，將所述Sn-Al-FAU分子篩進行轉晶得到Sn-Al-Beta分子篩；（3）對所述Sn-Al-Beta分子篩進行脫鋁，然後進行補錫處理。
如請求項8所述的製備方法，其中，步驟（1）中，HY分子篩的SiO<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>莫耳比為3.8-5。
如請求項9所述的製備方法，其中，HY分子篩的Na<sub>2</sub>O質量含量為0.5-1.5%。
如請求項8-10中任意一項所述的製備方法，其中，步驟（1）中所述脫鋁補錫反應包括：在脫鋁補錫反應條件下，將HY分子篩與氣相的錫源進行反應；所述脫鋁補錫反應條件包括：反應溫度為400-600℃，時間為0.5-5h；所述氣相的錫源的分壓為2.5kPa-7.5kPa；所述錫源為無水錫源。
如請求項8-10中任意一項所述的製備方法，其中，步驟（2）包括：將Beta沸石晶種、模板劑、矽源、Sn-Al-FAU分子篩和溶劑混合得到混合液，然後進行晶化反應，對晶化後的固體產物進行焙燒。
如請求項12所述的製備方法，其中，混合液中物料莫耳配比為SiO<sub>2</sub>：(0.03-0.09)Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>：(0.03-0.08)SnO<sub>2</sub>：(0.006-0.021)Na<sub>2</sub>O：(0.1-0.8)模板劑： (3-8)H<sub>2</sub>O；以二氧化矽計的所述Beta沸石晶種佔所述混合液中總二氧化矽量的3-10wt%；所述Beta沸石晶種的SiO<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>莫耳比為20-35。
如請求項12所述的製備方法，其中，步驟（2）中，所述晶化的條件包括：晶化溫度為138-145℃；晶化時間為5-15天；步驟（2）中，所述焙燒的條件包括：焙燒溫度為500-600℃，焙燒時間為4-8h。
如請求項8-10中任意一項所述的製備方法，其中，步驟（3）所述脫鋁包括：將所述Sn-Al-Beta分子篩與酸溶液進行反應；所述酸選自硝酸、鹽酸、硫酸中的至少一種；所述酸溶液的濃度為2.5-5mol/L；將所述Sn-Al-Beta分子篩與酸溶液反應的固液質量比為1：30-1：100；將所述Sn-Al-Beta分子篩與酸溶液進行反應的條件包括：溫度為30-90℃；時間為1-6h；次數為2-5次。
如請求項8-10中任意一項所述的製備方法，其中，步驟（3）中所述補錫處理包括：在補錫處理條件下，將脫鋁得到的分子篩與氣相的錫源進行反應；所述補錫處理的條件包括：反應溫度為400-550℃，時間為2-7h；所述氣相的錫源的分壓為1kPa-4kPa；所述錫源為四氯化錫、三氯甲基錫、二甲基二氯化錫和三甲基氯化錫中的至少一種。
一種如請求項1-7中任意一項所述的Sn-Beta分子篩在環酮氧化反應、糖類異構化反應、葡萄糖製乳酸甲酯反應、乳酸製備L-丙交酯反應、丙烷脫氫反應或者醛酮和醇間的氫轉移反應中的應用。
一種環酮的氧化反應方法，其特徵在於，該環酮的氧化反應方法包括：在氧化反應條件下，在溶劑和催化劑存在下，將環酮與氧化劑進行反應；所述催化劑為請求項1-7中任意一項所述的Sn-Beta分子篩。
如請求項18所述的氧化反應方法，其中，所述環酮為環己酮、2-金剛烷酮、二氫香芹酮和雙環[3.2.0]庚-2-烯-6-酮中的至少一種；所述氧化劑選自叔丁基過氧化氫、過氧化氫、過氧化氫異丙苯、環己基過氧化氫、過氧乙酸和過氧丙酸中的至少一種；相對於1mmol所述氧化劑，環酮的用量為0.4-1.4mmol；相對於1mmol所述氧化劑，催化劑的用量為10-25mg；所述氧化反應的條件包括：氧化反應溫度為75-95℃，氧化反應時間為2-8h。
一種結構檢測裝置，用於接收至少一待測結構的至少一待測聲波訊號，並判斷該至少一待測結構的一結構狀態，該結構檢測裝置包括：<br/> 一通訊界面，用於接收該至少一待測聲波訊號；<br/> 一濾波放大電路，用於過濾該至少一待測聲波訊號，並輸出至少一濾波放大訊號；該濾波放大電路包括: <br/> 一音訊轉碼器，用於對該至少一待測聲波訊號執行一時頻域轉換，將該至少一待測聲波訊號的一時域振動波形(time waveform)轉換成一頻域(frequency domain)波形，並擷取一部分頻域波形做為至少一濾波訊號；以及<br/> 一濾波放大器，用於擷取該至少一濾波訊號並進行放大，輸出至少一頻域波段作為該至少一濾波放大訊號；<br/> 一邏輯電路，包括以一卷積神經網路(Convolutional Neural Networks，CNN)所建構的一診斷模型，根據該至少一濾波放大訊號，判斷該至少一待測結構的該結構狀態；以及<br/> 一音訊輸入/輸出介面，其中該通訊界面、該濾波放大電路和該邏輯電路建構於一印刷電路板(Printed circuit board，PCB) 上，該音訊輸入/輸出介面設置於該印刷電路板上，用於電性和/或電訊連接位於一聲波感測裝置中的一邊緣運算智慧聯網伺服器。
如請求項1所述之結構檢測裝置，其中該濾波放大電路用於對該至少一待測聲波訊號執行一方波快速傅立葉轉換(Fast Fourier Transform，FFT)後進行一梅爾倒頻譜分析。
如請求項1所述之結構檢測裝置，其中該濾波放大電路為一單晶片音訊控制電路。
如請求項1所述之結構檢測裝置，其中該濾波放大器為一數位濾波放大器。
如請求項1所述之結構檢測裝置，其中該邏輯電路包括一微控制器(Microcontroller Unit，MCU )，藉由該診斷模型根據該至少一濾波放大訊號判斷該待測結構的該結構狀態。
如請求項5所述之結構檢測裝置，更包括一記憶體單元，用於儲存複數個結構特徵值；其中判斷該待測結構的該結構狀態的步驟，包括根據該複數個結構特徵值來判斷該待測結構的種類。
如請求項1所述之結構檢測裝置，更包括一土壤參數感測器，設置在該印刷電路板上，並電訊連接至該通訊界面，用於感測該待測結構周邊的一土壤濕氣與氣體含量；其中該診斷模型根據該至少一濾波放大訊號和該土壤濕氣與氣體含量，判斷該至少一待測結構的該結構狀態。
如請求項7所述之結構檢測裝置，其中該土壤參數感測器包括一液電性感應材料。
一種結構檢測套組，用於擷取至少一待測結構的至少一待測聲波訊號，並判斷該至少一待測結構的一結構狀態，該結構檢測套組包括：<br/> 一聲波感測裝置，包括：<br/> 一遠端聲波感測單元或/和一近端聲波感測單元，用於擷取該至少一待測聲波訊號；以及<br/> 一音訊輸入/輸出介面，用以供該至少一待測聲波訊號輸入及輸出；以及<br/> 一結構檢測裝置，包括:<br/> 一通訊界面，與該聲波感測裝置電訊連接，並接收該至少一待測聲波訊號；<br/> 一濾波放大電路，用於過濾該至少一待測聲波訊號，並輸出至少一濾波放大訊號；以及<br/> 一邏輯電路，包括以一卷積神經網路所建構的一診斷模型，根據該至少一濾波放大訊號，判斷該待測結構的該結構狀態；<br/> 其中，該音訊輸入/輸出介面，通過該通訊界面傳輸至該濾波放大電路；<br/> 該通訊界面、該濾波放大電路、該邏輯電路及該音訊輸入/輸出介面建構於一印刷電路板上，該音訊輸入/輸出介面電性和/或電訊連接位於該遠端聲波感測單元或/和該近端聲波感測單元的一邊緣運算智慧聯網伺服器。
如請求項9所述之結構檢測套組，其中該濾波放大電路用於對該至少一待測聲波訊號執行一方波快速傅立葉轉換後進行一梅爾倒頻譜分析。
如請求項9所述之結構檢測套組，其中該濾波放大電路包括:<br/> 一音訊轉碼器，用於對該至少一待測聲波訊號執行一時頻域轉換，將該至少一待測聲波訊號的時域振動波形轉換成一頻域波形，並擷取一部分頻域波形做為至少一濾波訊號；以及<br/> 一濾波放大器，用於擷取該至少一濾波訊號並進行放大，輸出至少一頻域波段作為該至少一濾波放大訊號。
如請求項11所述之結構檢測套組，其中該濾波放大電路為一單晶片音訊控制電路。
如請求項11所述之結構檢測套組，其中該邏輯電路包括一微控制器，藉由該診斷模型根據該至少一濾波放大訊號判斷該待測結構的該結構狀態。
如請求項11所述之結構檢測套組，其中該濾波放大器為一數位濾波放大器。
如請求項9所述之結構檢測套組，更包括一記憶體單元，用於儲存複數個結構特徵值；其中判斷該待測結構的該結構狀態的步驟，包括根據該複數個結構特徵值來判斷該待測結構的種類。
如請求項9所述之結構檢測套組，更包括一通訊模組，其中該遠端聲波感測單元包括一遠端測漏探頭，該通訊模組電訊連接該遠端測漏探頭和該通訊界面。
如請求項9所述之結構檢測套組，該近端聲波感測單元更包括一手持式測漏探頭，且該通訊界面包括一訊號線，連接該手持式測漏探頭和該濾波放大電路。
如請求項9所述之結構檢測套組，其中該遠端聲波感測單元或/和該近端聲波感測單元包括一高感度陶瓷貼片。
如請求項9所述之結構檢測套組，更包括一土壤參數感測器，電訊連接該通訊界面，用於感測該待測結構周邊的一土壤濕氣與氣體含量；其中該診斷模型根據該至少一濾波放大訊號和該土壤濕氣與氣體含量，判斷該至少一待測結構的該結構狀態。
如請求項19所述之結構檢測套組，其中該土壤參數感測器包括一液電性感應材料。
一種具有膨潤材之陶坯的製作方法，步驟包含： <br/>一陶坯成型體含有一陶土、一聚乙二醇(Polyethylene glycol，PEG)及一水，其中，該聚乙二醇的重量百分比為1至5，該水的重量百分比為10至35，該陶土的重量百分比為60至89，該聚乙二醇的分子量介於400至6000； <br/>將該陶坯成型體置入溫度介於26℃至145℃的一油品，放置時間介於0.1小時至336小時，而使部分之該油品滲入該陶坯成型體中與該聚乙二醇反應而成為一膨潤材。
如請求項1所述之具有膨潤材之陶坯的製作方法，其中，該油品包含隔水抗鏽劑(Water Displacement, 40th formula，WD-40)或錠子油。
如請求項1所述之具有膨潤材之陶坯的製作方法，其中，該陶坯成型體的形狀呈圓柱狀，外觀尺寸的直徑為32mm，厚度為4mm，而密度係介於1.76~1.85g/cm <sup>3</sup>。
如請求項1所述之具有膨潤材之陶坯的製作方法，其中，該油品包含飽和烴含量小於90％，而且粘度指數小於或等於200的基礎油或潤滑油。
如請求項1所述之具有膨潤材之陶坯的製作方法，其中，該陶坯成型體的成型方法為放置於模具內模壓成型。
如請求項1所述之具有膨潤材之陶坯的製作方法，其中，該膨潤材具有潤滑劑的效果。
如請求項6所述之具有膨潤材之陶坯的製作方法，其中，該膨潤材可潤滑機械加工的一刀具。
如請求項7所述之具有膨潤材之陶坯的製作方法，其中，該刀具加工產生的切屑亦含有該膨潤材，當切屑移入該刀具的排屑槽後，該膨潤材能降低切屑與該刀具的排屑槽之間的摩擦力，而使切屑容易在該刀具的排屑槽移動而離開刀具。
如請求項1所述之具有膨潤材之陶坯的製作方法，其中，該陶坯成型體可先經乾燥硬化後，重量變化介於2%至15%，再與該油品進行膨潤反應。
如請求項1所述之具有膨潤材之陶坯的製作方法，其中，該陶坯成型體可先經陰乾三天至五天硬化後，再與該油品進行膨潤反應。
一種半導體裝置製造方法，包括以下步驟： <br/>使用一第一原子層沉積，在一主動區域上沉積一第一薄多晶矽層，其中該主動區域包括一溝槽； <br/>使用一第二原子層沉積，在該主動區域上沉積一第二薄多晶矽層；以及 <br/>使用一化學氣相沉積，在該主動區域上沉積一多晶矽層以形成一多晶矽結構，其中用於該化學氣相沉積之一氣體包括二矽烷，該溝槽之一底部中之該多晶矽層的一厚度基本上為零。
如請求項1所述之半導體裝置製造方法，進一步包括以下步驟： <br/>蝕刻一基板以形成該主動區域。
如請求項1所述之半導體裝置製造方法，進一步包括以下步驟： <br/>用一介電材料填充該溝槽以形成一淺溝槽隔離。
如請求項1所述之半導體裝置製造方法，其中該多晶矽結構之一側壁之一頂部部分的一厚度與該多晶矽結構之一頂部平面之一厚度的一比率在0.6至0.7範圍內。
如請求項1所述之半導體裝置製造方法，其中該多晶矽結構之一側壁之一中間部分的一厚度與該多晶矽結構之一頂部平面之一厚度的一比率在0.6至0.7範圍內。
如請求項1所述之半導體裝置製造方法，其中該多晶矽結構之一側壁之一底部部分的一厚度與該多晶矽結構之一頂部平面之一厚度的一比率在0.35至0.45範圍內。
如請求項1所述之半導體裝置製造方法，其中該第一原子層沉積中所使用之一氣體包括二氯矽烷。
一種半導體裝置製造方法，包括以下步驟： <br/>使用一第一原子層沉積，在一主動區域上沉積一第一薄多晶矽層，其中該主動區域包括一溝槽，該第一原子層沉積中所使用之一氣體包括二氯矽烷； <br/>使用一第二原子層沉積，在該主動區域上沉積一第二薄多晶矽層；以及 <br/>使用一化學氣相沉積，在該主動區域上沉積一多晶矽層以形成一多晶矽結構，其中用於該化學氣相沉積之一氣體包括二矽烷。
如請求項8所述之半導體裝置製造方法，進一步包括以下步驟： <br/>蝕刻一基板以形成該主動區域。
如請求項8所述之半導體裝置製造方法，進一步包括以下步驟： <br/>用一介電材料填充該溝槽以形成一淺溝槽隔離。
如請求項8所述之半導體裝置製造方法，其中該多晶矽結構之一側壁之一頂部部分的一厚度與該多晶矽結構之一頂部平面之一厚度的一比率在0.6至0.7範圍內。
如請求項8所述之半導體裝置製造方法，其中該多晶矽結構之一側壁之一中間部分的一厚度與該多晶矽結構之一頂部平面之一厚度的一比率在0.6至0.7範圍內。
如請求項8所述之半導體裝置製造方法，其中該多晶矽結構之一側壁之一底部部分的一厚度與該多晶矽結構之一頂部平面之一厚度的一比率在0.35至0.45範圍內。
如請求項8所述之半導體裝置製造方法，其中該第二原子層沉積中所使用之一氣體包括二矽烷。
一種半導體裝置，包括： <br/>一基板，其中該基板包括一主動區域，該主動區域包括一溝槽；以及 <br/>一多晶矽層，位於該主動區域上，其中該多晶矽層之一厚度自該多晶矽層之一側壁的一頂部部分至該多晶矽層之該側壁的一底部部分逐漸縮小。
如請求項15所述之半導體裝置，其中該溝槽之一底部上之該多晶矽層的一厚度基本上為零。
如請求項15所述之半導體裝置，其中該多晶矽層之該側壁之該頂部部分的一厚度與該多晶矽層之一頂部平面之一厚度的一比率在0.6至0.7範圍內。
如請求項15所述之半導體裝置，其中該多晶矽層之該側壁之一中間部分的一厚度與該多晶矽層之一頂部平面之一厚度的一比率在0.6至0.7範圍內。
如請求項15所述之半導體裝置，其中該多晶矽層之該側壁之該底部部分的一厚度與該多晶矽層之一頂部平面之一厚度的一比率在0.35至0.45範圍內。
如請求項15所述之半導體裝置，其中該多晶矽層由一第一原子層沉積、一第二原子層沉積及一化學氣相沉積形成。
一種脈寬調變控制裝置，包含： <br/>一第一暫存器，用於儲存一目標脈衝數；一第二暫存器，用於儲存一餘數；一加法器，連接於該第一暫存器及該第二暫存器，該加法器用於根據系統時脈週期取得一最大脈衝數，每當系統時脈發生時，將該目標脈衝數與該餘數相加以得到一總和值，當該總和值小於該最大脈衝數時，以該總和值取代該第二暫存器的該餘數，且當該總和值大於或等於該最大脈衝數時，以該總和值與該最大脈衝數之間的差值取代該第二暫存器的該餘數，並產生一脈衝觸發訊號；一鋸齒波產生器，連接於該加法器，該鋸齒波產生器用於基於該脈衝觸發訊號產生一鋸齒波訊號；以及一比較器，連接於該鋸齒波產生器，該比較器用於根據該鋸齒波訊號與一超音波控制訊號之間的比較結果決定脈衝寬度，及基於該脈衝寬度輸出一脈寬調變訊號。
如請求項1所述的脈寬調變控制裝置，其中該最大脈衝數係將一目標弦波訊號的半週期除以該系統時脈週期得到的值。
一種超音波控制系統，包含： <br/>一頻率補償器，用於輸出一超音波控制訊號；一脈寬調變控制裝置，連接於該頻率補償器，該脈寬調變控制裝置包含：一第一暫存器，用於儲存一目標脈衝數；一第二暫存器，用於儲存一餘數； 一加法器，連接於該第一暫存器及該第二暫存器，該加法器用於根據系統時脈週期取得一最大脈衝數，每當系統時脈發生時，將該目標脈衝數與該餘數相加以得到一總和值，當該總和值小於該最大脈衝數時，以該總和值取代該第二暫存器的該餘數，當該總和值大於或等於該最大脈衝數時，以該總和值與該最大脈衝數之間的差值取代該第二暫存器的該餘數，並產生一脈衝觸發訊號；一鋸齒波產生器，連接於該加法器，該鋸齒波產生器用於基於該脈衝觸發訊號產生一鋸齒波訊號；以及一比較器，連接於該鋸齒波產生器，該比較器用於根據該鋸齒波訊號與該超音波控制訊號之間的比較結果決定脈衝寬度，及基於該脈衝寬度輸出一脈寬調變訊號；以及一弦波訊號產生器，連接於該脈寬調變控制裝置，該弦波訊號產生器用於根據該脈寬調變訊號輸出弦波訊號。
如請求項3所述的超音波控制系統，其中該弦波訊號產生器包含： <br/>一全橋功率電晶體，連接於該脈寬調變控制裝置，該全橋功率電晶體用於根據該脈寬調變訊號切換直流電壓訊號為交流電壓訊號；以及一電感電容帶通濾波器，連接於該全橋功率電晶體，該電感電容帶通濾波器用於對該交流電壓訊號進行濾波以產生該弦波訊號。
如請求項3所述的超音波控制系統，其中該最大脈衝數係將一目標弦波訊號的半週期除以該系統時脈週期得到的值。
一種超音波控制方法，包含： <br/>以一頻率補償器輸出一超音波控制訊號；以一加法器將一目標脈衝數與一餘數相加以得到一總和值；以該加法器根據系統時脈週期取得一最大脈衝數；以該加法器於判斷該總和值小於該最大脈衝數時，以該總和值取代該餘數；以該加法器於判斷該總和值大於或等於該最大脈衝數時，以該總和值與該最大脈衝數之間的差值取代該餘數，並產生一脈衝觸發訊號；以一鋸齒波產生器基於該脈衝觸發訊號產生一鋸齒波訊號；以一比較器根據該鋸齒波訊號與該超音波控制訊號之間的比較結果決定脈衝寬度，及基於該脈衝寬度輸出一脈寬調變訊號；以及以一弦波訊號產生器根據該脈寬調變訊號輸出弦波訊號。
如請求項6所述的超音波控制方法，其中以該弦波訊號產生器根據該脈寬調變訊號輸出該弦波訊號包含： <br/>以一全橋功率電晶體根據該脈寬調變訊號切換直流電壓訊號為一交流電壓訊號；以及以一電感電容帶通濾波器對該交流電壓訊號進行濾波以產生該弦波訊號。
如請求項6所述的超音波控制方法，其中該最大脈衝數係將一目標弦波訊號的半週期除以該系統時脈週期得到的值。
一種攝影機自動運鏡的方法，以一處理器執行，包括： <br/>取得一攝影機拍攝的一初始影像； <br/>利用一預訓練取景模型分析該初始影像以產生多個第一推薦框； <br/>依據多個運鏡參數中的至少一第一參數從該些第一推薦框中選擇一第一候選框，其中該些運鏡參數包括：該些第一推薦框中的物件類別、數量、大小和位置及該些第一推薦框的大小；以及 <br/>依據該第一候選框的攝影機參數取得並輸出對應於該第一候選框的影像，其中攝影機參數包括座標或該攝影機的姿態。
如請求項1所述的攝影機自動運鏡的方法，所述方法更包括： <br/>再次利用該預訓練取景模型分析該初始影像以產生多個第二推薦框； <br/>依據該些運鏡參數中的至少一第二參數從該些第二推薦框中選擇一第二候選框，其中該些運鏡參數更包括該些第一推薦框中的一者與該些第二推薦框中的一者之間的相似度和距離，該至少一第二參數與該至少一第一參數不全相同；以及 <br/>依據該第二候選框的該攝影機參數取得並輸出對應於該第二候選框的影像。
如請求項2所述的攝影機自動運鏡的方法，其中利用該預訓練取景模型分析該初始影像以產生該些第一推薦框或該些第二推薦框包括： <br/>輸入該初始影像至該預訓練取景模型以產生第一框； <br/>輸入該第一框至該預訓練取景模型以產生第二框，其中該些第一推薦框或該些第二推薦框包括該第一框及該第二框；以及 <br/>當該第二框的尺寸大於一閾值時，重複地將該第二框輸入至該預訓練取景模型，直到產生的該第二框的該尺寸不大於該閾值。
如請求項3所述的攝影機自動運鏡的方法，更包括： <br/>將該第二框切割為多個網格；以及 <br/>輸入該些網格中的至少一者至該預訓練取景模型以產生多個第三框，其中該些第一推薦框或該些第二推薦框更包括該些第三框。
如請求項2所述的攝影機自動運鏡的方法，其中利用該預訓練取景模型分析該初始影像以產生該些第一推薦框或該些第二推薦框包括： <br/>輸入該初始影像至該預訓練取景模型以產生第一框； <br/>將該第一框切割為多個網格；以及 <br/>輸入該些網格至該預訓練取景模型以產生多個第二框，其中該些第一推薦框或該些第二推薦框包括該第一框及該第二框。
如請求項2所述的攝影機自動運鏡的方法，更包括： <br/>控制該攝影機以廣角鏡頭拍攝該初始影像； <br/>控制該攝影機以非廣角鏡頭拍攝對應於該第一候選框或該第二候選框的該影像； <br/>依據該廣角鏡頭及該非廣角鏡頭的視角比例計算一閾值；以及 <br/>刪除該些第一推薦框及該些第二推薦框中尺寸大於該閾值的至少一者。
如請求項2所述的攝影機自動運鏡的方法，更包括： <br/>對該些第一推薦框及該些第二推薦框中的每一者包含的多個像素進行二值化以將該些像素分成第一類型及第二類型； <br/>計算該第一類型的像素數量佔總像素數量的一比例；以及 <br/>當該比例小於閾值時，刪除該些第一推薦框及該些第二推薦框中對應的一者。
如請求項2所述的攝影機自動運鏡的方法，更包括： <br/>對該些第一推薦框及該些第二推薦框的每一者的邊緣進行一內縮操作以產生一內縮框； <br/>偵測該內縮框中包含的一物件框，計算該物件框的物件面積； <br/>計算該物件框與該內縮框的交集的交集面積；以及 <br/>當該交集面積與該物件面積的比例小於閾值時，刪除該些第一推薦框及該些第二推薦框中對應的一者。
如請求項2所述的攝影機自動運鏡的方法，更包括： <br/>設定該些第一推薦框的每一者的一存活次數； <br/>計算該些第二推薦框的每一者與該些第一推薦框的每一者的一相似度； <br/>當該相似度大於一閾值時，刪除該些第二推薦框中對應的一者； <br/>當該相似度不大於該閾值時，扣除該些第一推薦框中對應的一者的該存活次數；以及 <br/>當該存活次數為零時，刪除該些第一推薦框中對應的一者。
如請求項2所述的攝影機自動運鏡的方法，更包括： <br/>將該第一候選框加入至具有多個歷史框的一排除列表中； <br/>計算該些第二推薦框的每一者與該些歷史框的每一者的一相似度； <br/>當該相似度小於一閾值時，將該些第二推薦框中對應的一者加入至一候選列表中； <br/>當該相似度不小於該閾值時，刪除該些第二推薦框中對應的一者；以及 <br/>當該些第二推薦框皆被刪除時，刪除該些歷史框中最早被加入至該排除列表的一者。
如請求項2所述的攝影機自動運鏡的方法，更包括： <br/>依據該第一候選框中的物件的數量、大小及位置計算一等待週期；以及 <br/>在輸出對應於該第一候選框的該影像與產生該些第二推薦框之間，依據該等待週期進行等待。
如請求項2所述的攝影機自動運鏡的方法，更包括： <br/>在取得該攝影機拍攝的該初始影像之後，在該初始影像的一畫面中設置一受限區域，其中該些推薦框皆位於該受限區域中； <br/>計算該第一候選框及該第二候選框各自佔該受限區域的第一比例及第二比例；以及 <br/>依據該第一比例及該第二比例調整該攝影機的移動速度。
如請求項1所述的攝影機自動運鏡的方法，更包括： <br/>記錄該些第一推薦框的攝影機參數，其中在輸出對應於該第一候選框的該影像時更參照該攝影機參數。
一種攝影機自動運鏡的方法，以一處理器執行，包括： <br/>取得一攝影機拍攝的一第一初始影像； <br/>依據該第一初始影像產生一第一候選框； <br/>依據該第一候選框生成一第一控制指令以控制該攝影機拍攝對應該第一候選框的一第一輸出畫面； <br/>取得該攝影機拍攝的一第二初始影像； <br/>依據該第二初始影像產生一第二候選框；以及 <br/>依據該第二候選框生成一第二控制指令以控制該攝影機拍攝對應該第二候選框的一第二輸出畫面，其中該第一初始影像的時間序早於該第二初始影像，該第一初始影像與該第二初始影像的差異小於一閾值，且該第一輸出畫面與該第二輸出畫面相異。
如請求項14所述的攝影機自動運鏡的方法，更包括： <br/>依據該第一初始影像產生多個第一推薦框，依據該第二初始影像產生多個第二推薦框； <br/>依據多個運鏡參數中的至少一第一參數從該些第一推薦框中選擇該第一候選框，其中該些運鏡參數包括：該些第一推薦框中的物件類別、數量、大小和位置及該些第一推薦框的大小；以及 <br/>依據該些運鏡參數中的至少一第二參數從該些第二推薦框中選擇該第二候選框，其中該些運鏡參數更包括該些第一推薦框中的一者與該些第二推薦框中的一者之間的相似度和距離，該至少一第二參數與該至少一第一參數不全相同。
一種幼蟲培育系統，包括：<br/> 一進料準備模組，配置用於接收有機廢棄物並將其混合以形成均質的飼料；<br/> 一餵食單元，連接至所述進料準備模組，並適於將所述飼料分配至多個培育托盤中；<br/> 一培育模組，包括多個培育托盤，所述培育托盤適於容納所述飼料與幼蟲，其中所述培育模組具有溫控功能，並在預定的時間內培育所述幼蟲；<br/> 一環境控制單元，包括至少一排氣系統，配置用於從所述培育模組中去除熱量、氨氣和水蒸氣，以及一除臭機制，配置用於去除所述培育模組內空氣中的異味；<br/> 一收穫模組，配置用於接收所述培育托盤並將所述幼蟲與殘留的有機物料分離；<br/> 一轉運系統，配置用於將所述培育托盤從所述培育模組移動至該收穫模組；以及<br/> 一乾燥模組，配置用於乾燥所述分離的幼蟲，以形成乾燥的幼蟲產品，其中所述乾燥模組基本上去除所述幼蟲的全部水分。
如請求項1所述的幼蟲培育系統，其中所述進料準備模組包括：<br/> 一進料槽，適於儲存有機廢棄物；<br/> 一輸送機，配置用於將所述有機廢棄物從所述進料槽運送至一混合槽；以及<br/> 一混合槽，配置用於混合所述有機廢棄物以形成均質的飼料。
如請求項1所述的幼蟲培育系統，其中所述培育模組進一步包括一翻動機構，適於定期攪拌每一培育托盤中的飼料，以防止過熱並確保氣體的均勻分佈。
如請求項1所述的幼蟲培育系統，其中所述環境控制單元包括：<br/> 一負壓排氣系統，適於在所述培育模組內創造負壓環境，以促進氨氣和熱量的去除；以及<br/> 一水幕，配置用於去除至少98%從所述培育模組排出的空氣中的異味。
如請求項1所述的幼蟲培育系統，其中所述培育模組維持在攝氏42-45度之間的溫度。
如請求項1所述的幼蟲培育系統，其中所述收穫模組包括：<br/> 一傾倒機構，適於翻轉所述培育托盤以排出其內容物；以及<br/> 一振動分離單元，配置用於將所述幼蟲與殘留的有機物料分離。
如請求項1所述的幼蟲培育系統，其中所述乾燥模組包括一微波乾燥單元，適於去除所述幼蟲至少99%的水分，從而生成高蛋白乾燥幼蟲產品。
一種幼蟲培育方法，包括：<br/> 在一進料準備模組中接收有機廢棄物並將其混合以形成均質的飼料；<br/> 將所述飼料分配至多個包括幼蟲的培育托盤中；<br/> 將所述培育托盤放置在一具有溫控功能的培育模組中，並在攝氏42-45度的溫度下維持預定的時間；<br/> 通過去除熱量、氨氣和水蒸氣並對所述模組內的空氣進行除臭來控制所述培育模組內的環境；<br/> 在所述預定時間後將所述培育托盤轉移至一收穫模組；<br/> 在所述收穫模組中將所述幼蟲與殘留的有機物料分離；以及<br/> 在一乾燥模組中乾燥所述分離的幼蟲，以去除幾乎所有的水分並生成乾燥的幼蟲產品。
如請求項8所述的幼蟲培育方法，進一步包括定期攪拌所述培育托盤中的飼料，以防止過熱並確保氣體的均勻分佈。
如請求項8所述的幼蟲培育方法，其中控制所述環境包括在所述培育模組中創造負壓，並使空氣通過一水幕以去除異味。
一種蟲卵收集系統，包括一蟲卵收集裝置，該蟲卵收集裝置包括：<br/> 多個平面部件，沿一中心軸排列，每一平面部件由至少一間隔件與相鄰的平面部件隔開以形成一中間間隙，該中間間隙配置為允許蟲產卵，且所述間隔件包括一彈簧；<br/> 一支撐桿，延伸穿過所述多個平面部件中每一平面部件的中心開口，該支撐桿用於保持所述平面部件處於堆疊配置中；<br/> 一誘引劑容器，布置於所述多個平面部件的相鄰位置，該誘引劑容器具有至少一個開口，所述誘引劑容器配置為釋放誘引氣味，以促使蟲在所述中間間隙中產卵；<br/> 其中，每一平面部件還包括至少一附加開口，該附加開口連通至該誘引劑容器的開口，以使從布置在所述平面部件相鄰位置的誘引劑容器中散發的誘引氣味得以擴散，從而吸引蟲到所述中間間隙中產卵。
如請求項1所述的蟲卵收集系統，其中所述多個平面部件由一種對蟲卵具有附著親和性的材料製成，該材料允許卵在產卵時附著，並在振動時脫落。
如請求項1所述的蟲卵收集系統，其中所述中間間隙的寬度約為0.1厘米，以優化蟲的產卵條件。
如請求項1所述的蟲卵收集系統，還包括一振動機構，該振動機構與所述多個平面部件相連，用於對所述平面部件進行振動，以使蟲在所述中間間隙中產下的卵脫落，其中所述振動機構僅在蟲卵脫落的過程中使用。
如請求項1或請求項4所述的蟲卵收集系統，還包括一收集片，所述收集片配置為接收從所述平面部件脫落的卵，所述收集片在收集卵的過程中放置於所述多個平面部件之下。
如請求項4所述的蟲卵收集系統，其中所述振動機構包括一電動馬達，配置為對所述支撐桿提供周期性運動，從而使所述多個平面部件產生振動。
如請求項1所述的蟲卵收集系統，其中所述誘引劑容器包括一帶有多個孔洞的可拆卸蓋，所述孔洞配置為允許誘引氣味的擴散。
如請求項1所述的蟲卵收集系統，還包括一孵化容器，所述孵化容器配置為接收從該平面部件所脫落的卵，並包括一保持濕潤的覆蓋物，以提供卵孵化的最佳環境。
如請求項8所述的蟲卵收集系統，其中所述保持濕潤的覆蓋物包括具有多個小孔的不織布，以允許添加水分同時防止幼蟲逃逸。
一種霧化器，包括: <br/>一液體預儲容器，具有一入口及一出口，該入口用以添加一液體； <br/>一霧化模組，具有一篩孔霧化片及一霧化晶片，該篩孔霧化片設置於該液體預儲容器之該出口，該霧化晶片用以作動該篩孔霧化片將該液體預儲容器中的該液體霧化；以及 <br/>一氣嘴組件，具有一銜接管件及一氣嘴，該氣嘴藉由該銜接管件連通該篩孔霧化片，令被霧化之該液體得以經過該氣嘴噴出； <br/>其中，該銜接管件設置有一或多個感測口，該感測口設置於該篩孔霧化片的下方，該感測口藉由一感測通道連接至一氣壓感測晶片，該感測通道呈一直線設置，且該感測通道平行於來自該氣嘴組件的一氣壓方向，一過濾件以非平行於該感測通道的該進氣方向的角度設置於該感測通道內； <br/>其中，該氣壓感測晶片電性連接該霧化晶片，當使用者對該氣嘴吸氣或吐氣時產生一氣壓，該氣壓由該感測口經過該感測通道至該氣壓感測晶片，得以啟動該霧化晶片作動。
如請求項1所述的霧化器，其中該氣嘴組件具有一導流孔。
如請求項1所述的霧化器，其中該氣嘴包括一伸縮氣嘴。
如請求項1所述的霧化器，其中該液體預儲容器具有至少一導流槽，該導流槽令該液體匯流至該出口。
一種霧化器，包括: <br/>一液體預儲容器，具有一入口及一出口，該入口用以添加一液體； <br/>一霧化模組，具有一篩孔霧化片及一霧化晶片，該篩孔霧化片設置於該液體預儲容器之該出口，該霧化晶片用以作動該篩孔霧化片將該液體預儲容器中的該液體霧化；以及 <br/>一氣嘴組件，連通該篩孔霧化片，令被霧化之該液體得以經過該氣嘴組件噴出，其中該氣嘴組件藉由一感測通道連接至一氣壓感測晶片，該感測通道呈一直線設置，且該感測通道平行於來自該氣嘴組件的一氣壓方向，一過濾件以非平行於該感測通道的該進氣方向的角度設置於該感測通道內； <br/>其中，該液體預儲容器具有一第一液體室及一第二液體室，該第一液體室連通該入口，該第二液體室連通該出口，該第一液體室連通該第二液體室，且該第二液體室之容納空間小於該第一液體室。
如請求項5所述的霧化器，其中該第一液體室具有至少一導流槽，該至少一導流槽令該液體匯流至該第二液體室。
如請求項6所述的霧化器，其中該第一液體室之底部截面形狀為一拋物線。
如請求項6所述的霧化器，其中該至少一導流槽呈扇形排列於該第一液體室之底部。
如請求項5所述的霧化器，其中該氣嘴組件具有一銜接管件及一氣嘴，該氣嘴藉由該銜接管件連通該篩孔霧化片，該銜接管件設置有一或多個感測口，該感測口藉由該感測通道連接至該氣壓感測晶片，該氣壓感測晶片電性連接該霧化晶片，當使用者對該氣嘴吸氣或吐氣時產生一氣壓，該氣壓由該感測口經過該感測通道至該氣壓感測晶片，得以啟動該霧化晶片作動。
一種功率模組，包含：<br/> 一第一導熱板，包括一第一基板及設置於該第一基板之正面的一第一導電板，且該第一基板具有高導熱及高絕緣特性；<br/> 一第二導熱板，包括一第二基板及設置於該第一基板之正面的一第二導電板，且該第二基板具有高導熱及高絕緣特性；以及<br/> 一中間層，設置於該第一導熱板及該第二導熱板之間，並包括：<br/> 一第一功率晶片，電連接於該第一導電板及該第二導電板間，並具有一第一導電部；<br/> 一第二功率晶片，電連接於該第一導電板及該第二導電板間，並具有一第二導電部；以及<br/> 一第一導電柱，電連接於該第一導電板及該第二導電板間俾使該第一導電板及該第二導電板之一部分彼此導通，其中：該第一導電板具有一第一圖案，使該第一導電部及該第二導電部彼此導通。
如請求項1所述的功率模組，其中：<br/> 各該第一導熱板及該第二導熱板係選自具有銅通道（copper track）之基板、直接覆銅﹝DBC，direct bonded copper）基板、直接電鍍銅（DPC，direct plated copper）基板及活性金屬硬焊（AMB，active metal brazing）基板所組成之群組；以及<br/> 該中間層更包括：一模封材料（molding compound）及一含矽材料至少其中之一。
如請求項2所述的功率模組，其中：<br/> 該模封材料係環設於該中間層之最外側，俾封裝該功率模組；以及<br/> 該含矽材料係一具有高導熱及高絕緣特性之矽凝膠，並被灌注於該中間層及該模封材料之間。
如請求項1所述的功率模組，其中：<br/> 該第一導電柱包括一阻尼材料及一含銅材料至少其中之一；<br/> 該中間層更包括：<br/> 一第三功率晶片，電連接於該第一導電板及該第二導電板間，並具有一第三導電部；以及<br/> 一第四功率晶片，電連接於該第一導電板及該第二導電板間，並具有一第四導電部；<br/> 該第一導電板更具有一第二圖案，使該第三導電部及該第四導電部彼此導通；<br/> 該功率模組更包含：<br/> 一第二導電柱電連接於該第一導電板及該第二導電板間，俾使該第一導電板及該第二導電板之另一部分彼此導通；<br/> 一第一接腳電連接於該第二導電板；以及<br/> 一第二接腳電連接於該第二導電板；<br/> 該第一導電柱電連接於該第一功率晶片，且該第二導電柱電連接於該第二功率晶片；以及<br/> 該第一接腳電連接於該第三功率晶片，且該第二接腳電連接於該第四功率晶片。
如請求項4所述的功率模組，其中：<br/> 該第一導電板更具有一第三圖案，設置於該第一圖案及該第二圖案之間並電連接於該第二圖案；各該第一圖案及第二圖案係電連接至相對應功率晶片之射極；<br/> 各該第一導電柱電及該第二導電柱電係電連接至相對應功率晶片之集極；以及<br/> 各該第一接腳及該第二接腳係電連接至相對應功率晶片之集極。
一種功率模組製造方法，包含：<br/> 提供一第一導熱板，其包括一第一基板及一第一導電板，且該第一基板具有高導熱及高絕緣特性並具有一第一圖案；<br/> 提供一第二導熱板，其包括一第二基板及一第二導電板，且該第二基板具有高導熱及高絕緣特性；<br/> 設置一第一功率晶片、一第二功率晶片及一導電柱於該第二導熱板上，其中該第一功率晶片具有一第一導電部，且該第二導熱板上具有一第二導電部；以及<br/> 將該第一導熱板覆蓋於該第一功率晶片、該第二功率晶片及該導電柱上，使得該第一導電板及該第二導電板間之一部分彼此導通，且該第一導電部及該第二導電部透過該第一圖案彼此導通。
如請求項6所述的功率模組製造方法，更包括：<br/> 透過軟焊技術使該第一導電部及該第二導電部分別與該第一圖案電連接；<br/> 將一輸入/輸出訊號的腳位自該第二導熱板外部嵌入該第二導熱板內部；以及<br/> 將一具備耦合性質的元件電連接於該輸入/輸出訊號的腳位及該功率模組內之一第二功率晶片之間。
如請求項7所述的功率模組製造方法，更包括：<br/> 灌注一具有高導熱及高絕緣特性之矽凝膠於該第一功率晶片及該第二功率晶片上；以及 <br/> 將一模封材料環設於該第一導熱板及該第二導熱板外側，俾封裝該功率模組，其中：<br/> 各該第一導熱板及該第二導熱板係同時選自具有銅通道（copper track）之基板、直接覆銅（DBC，direct bonded copper）基板、直接電鍍銅（DPC，direct plated copper）基板及活性金屬硬焊（AMB，active metal brazing）基板所組成之群組；以及<br/> 該導電柱包括一阻尼材料及一含銅材料。
一種功率模組，包含：<br/> 一第一導電板；<br/> 一第二導電板；<br/> 一第一導電柱，電連接於該第一導電板及該第二導電板之間，俾使該第一導電板及該第二導電板之一部分彼此導通；<br/> 一第一導熱板，包括一第一基板及設置於該第一基板之正面的該第一導電板，且該第一基板具有高導熱及高絕緣特性；<br/> 一第二導熱板，包括一第二基板及設置於該第一基板之正面的該第二導電板，且該第二基板具有高導熱及高絕緣特性；<br/> 一第一功率晶片，電連接於該第一導電板及該第二導電板間，並具有一第一導電部；<br/> 一第二功率晶片，電連接於該第一導電板及該第二導電板間，並具有一第二導電部；<br/> 其中：<br/> 該第一導電板具有一第一圖案，使該第一導電部及該第二導電部彼此導通；以及 <br/> 該第一導電柱電連接於該第一功率晶片。
如請求項9所述的功率模組，其中：<br/> 該第一導電柱包括一阻尼材料及一含銅材料至少其中之一；<br/> 該功率模組更包含：<br/> 一第三功率晶片，電連接於該第一導電板及該第二導電板間，並具有一第三導電部；<br/> 一第四功率晶片，電連接於該第一導電板及該第二導電板間，並具有一第四導電部；<br/> 一第二導電柱電連接於該第一導電板及該第二導電板間，俾使該第一導電板及該第二導電板之另一部分彼此導通；<br/> 一第一接腳電連接於該第二導電板；以及<br/> 一第二接腳電連接於該第二導電板；<br/> 該第一導電板更具有一第二圖案，使該第三導電部及該第四導電部彼此導通； <br/> 該第二導電柱電連接於該第二功率晶片；以及<br/> 該第一接腳電連接於該第三功率晶片，且該第二接腳電連接於該第四功率晶片。
一種可拉伸的電路基板，具有多個主動區及多個線路區，所述多個線路區分別位於所述多個主動區之間，所述可拉伸的電路基板包括： <br/> 多個島狀結構，分別配置於所述多個主動區上，其中所述多個島狀結構包括第一島狀結構以及第二島狀結構，且各所述島狀結構包括一驅動結構；<br/> 一第一有機層，至少配置於所述第一島狀結構以及所述第二島狀結構之間的所述線路區上，且連接所述第一島狀結構以及所述第二島狀結構；以及<br/> 一第一導電層，配置於所述第一有機層上，且電性連接所述第一島狀結構的所述驅動結構以及所述第二島狀結構的所述驅動結構，<br/> 其中所述第一島狀結構還包括至少一無機層，所述第一有機層還配置於所述至少一無機層的一頂面上。
如請求項1所述的可拉伸的電路基板，其中所述第一島狀結構還包括一第一接觸窗，其中所述第一接觸窗貫穿所述至少一無機層，且所述第一導電層通過所述第一接觸窗連接所述第一島狀結構的所述驅動結構。
如請求項2所述的可拉伸的電路基板，其中所述第一島狀結構還包括一第二接觸窗，其中所述第二接觸窗貫穿所述至少一無機層，且所述第一有機層填充所述第二接觸窗。
如請求項1所述的可拉伸的電路基板，其中所述第一有機層在所述至少一無機層的所述頂面上形成一封閉環形結構。
如請求項1所述的可拉伸的電路基板，其中所述第一有機層還配置於所述至少一無機層的至少一側面上。
如請求項5所述的可拉伸的電路基板，其中所述至少一側面包括多個側面，且所述第一有機層在所述至少一無機層的所述多個側面上形成一封閉環形結構。
如請求項5所述的可拉伸的電路基板，其中所述至少一側面包括多個側面，且所述第一有機層包括一立體的封閉環形結構。
如請求項4至7中任一項所述的可拉伸的電路基板，其中所述第一有機層還配置於所述第一島狀結構與一第三島狀結構之間的所述線路區上，且所述第一有機層一體成型配置。
如請求項1所述的可拉伸的電路基板，還包括第二導電層，配置於所述第一有機層上，且電性連接所述第一島狀結構的所述驅動結構以及所述第二島狀結構的所述驅動結構。
如請求項9所述的可拉伸的電路基板，其中所述第二導電層連接至一陣列上閘極驅動電路。
一種主機殼，其改良在於，所述主機殼包括：<br/> 殼體，所述殼體包括側殼板，所述殼體內於所述側殼板旁形成安裝空間，所述殼體之前側設有連通所述安裝空間之開口，所述側殼板設有導向槽，所述導向槽具有依次相連之下槽段、傾斜段及上槽段，所述下槽段與所述上槽段水平，所述上槽段位於所述下槽段之斜上方；<br/> 滑板，所述滑板設於所述側殼板並可相對所述側殼板水平滑動，所述滑板可藉由所述開口滑出或滑入所述安裝空間；<br/> 支架，所述支架用於容納風扇，所述支架設於所述滑板之尾端並可相對所述滑板上下移動，所述支架設有銷件，所述銷件可滑動地位於所述導向槽中，當所述銷件於所述傾斜段滑動時，所述支架相對所述滑板上下移動；<br/> 當所述銷件位於所述下槽段時，所述支架位於下層高度，當所述銷件位於所述上槽段時，所述支架位於上層高度，當所述滑板滑出所述安裝空間時，所述銷件從所述下槽段經過所述傾斜段滑入所述上槽段，使所述支架從所述下層高度升至所述上層高度，並使所述支架滑至所述開口。
如請求項1所述之主機殼，其中：所述主機殼還包括止逆件，所述止逆件設於所述側殼板，所述止逆件設有止逆凸起，所述止逆凸起位於所述開口處，所述滑板包括邊緣部及隆起部，所述邊緣部設於所述隆起部之邊緣，所述隆起部相對所述邊緣部朝遠離所述側殼板之一側隆起，所述邊緣部貼合所述側殼板，所述隆起部與所述側殼板之間形成中空空間，所述止逆凸起位於所述中空空間內，當所述滑板滑出所述安裝空間時，所述止逆凸起抵住所述隆起部之尾端，以阻止所述滑板朝向所述開口外側之滑動。
如請求項2所述之主機殼，其中：所述隆起部之尾端設有止逆槽，所述止逆槽用於容納所述止逆凸起，當所述滑板滑出所述安裝空間時，所述止逆凸起插入所述止逆槽，以阻止所述滑板朝向所述開口外側之滑動。
如請求項2所述之主機殼，其中：所述止逆件具有彈性，所述止逆件之一端固定於所述側殼板之外表面，所述止逆件之另一端設有按壓部，所述側殼板設有按壓孔，所述按壓部藉由所述按壓孔顯露於所述主機殼內部，所述止逆凸起位於所述止逆件之中間部位，所述側殼板設有通槽，所述止逆凸起穿過所述通槽並伸入所述中空空間內，當由內朝外地按壓所述按壓部時，所述止逆件變形並將所述止逆凸起拔出所述通槽，使所述止逆凸起從所述中空空間離開，以將所述滑板從所述側殼板拆下。
如請求項2所述之主機殼，其中：所述側殼板之內表面設有水平之上導槽及下導槽，所述邊緣部之頂部可滑動地位於所述上導槽內，所述邊緣部之底部可滑動地位於所述下導槽內，以使得所述滑板可相對所述側殼板水平滑動。
如請求項5所述之主機殼，其中：所述側殼板之頂部邊緣向內彎折形成所述上導槽，所述側殼板之內表面設有彎折板，所述彎折板與所述側殼板之內表面之間之間隙形成所述下導槽。
如請求項1所述之主機殼，其中：所述滑板設有避位槽，所述避位槽豎直延伸設置，所述銷件穿過所述避位槽再插入所述導向槽中，所述銷件可於所述避位槽中滑動。
如請求項1所述之主機殼，其中：所述支架設有四個滑槽，每個所述滑槽豎直延伸設置，四個所述滑槽分佈於所述銷件之四周，所述滑板設有四個插銷，每個插銷相對所述滑板之位置固定，每個插銷插入一個對應之所述滑槽並能於所述滑槽內滑動，以使得所述支架可相對所述滑板上下滑動。
如請求項1所述之主機殼，其中：所述側殼板設有定位架，所述定位架位於所述滑板之後側，所述定位架設有定位孔，所述支架之後側設有定位銷，所述定位孔對準所述定位銷，當所述滑板滑入所述安裝空間後，所述定位銷插入所述定位孔，所述定位架用於定位所述支架於所述安裝空間內之位置。
一種伺服器，其改良在於，所述伺服器包括風扇及如請求項1至9中任一項所述之主機殼，所述主機殼還包括硬碟機架，所述硬碟機架設於所述安裝空間內，所述硬碟機架之內端可轉動地連接於所述主機殼，所述硬碟機架可相對所述主機殼於工作位置與維修位置之間轉動；當所述硬碟機架於所述維修位置時，所述滑板可滑出所述安裝空間，使所述支架位於所述上層高度，以拆裝所述風扇；當所述滑板滑入所述安裝空間內後，所述硬碟機架可從所述維修位置轉至所述工作位置，當所述硬碟機架於所述工作位置時，所述支架位於所述下層高度，使得所述風扇位於所述硬碟機架之後方並朝所述硬碟機架吹風。
一種主機殼，其改良在於，所述主機殼設有腔室，所述腔室於所述主機殼之前側形成開口，所述主機殼於所述腔室內之底部設有銷件，所述主機殼包括：<br/> 滑板，所述滑板設有滑槽，所述滑槽沿所述滑板之長度延伸，所述滑槽容納所述銷件，使所述滑板可相對所述主機殼滑動，所述滑板之尾端具有插板；<br/> 支架，所述支架用於安裝風扇，所述支架設於所述滑板之尾端，所述支架之後側之底部具有插槽，所述插板沿著所述滑板之長度方向插入所述插槽；<br/> 定位件，所述定位件設於所述滑板並位於所述支架之前側，所述定位件具有壓板，所述壓板下壓所述支架之前側之頂部以將所述支架壓於所述滑板上；<br/> 彈性件，所述彈性件具有兩個並分別設於所述定位件之相對兩側，每個所述彈性件設有凸起，所述滑板於對應所述凸起之位置設有定位槽，所述凸起插入所述定位槽以將所述定位件鎖於所述滑板上，所述彈性件受壓變形後可將所述凸起從所述定位槽拔出，以從所述滑板拆下所述定位件及所述支架。
如請求項1所述之主機殼，其中：所述滑板於所述滑槽之尾端設有擴孔，所述擴孔連通所述滑槽之尾端，所述擴孔之寬度朝所述滑槽逐漸減小，所述擴孔之最大寬度大於或等於所述銷件之直徑，所述擴孔之最小寬度等於所述滑槽之寬度，所述銷件可藉由所述擴孔穿過所述滑板並進入所述滑槽，以將所述滑板安裝到所述主機殼，所述銷件還可藉由所述擴孔從所述滑板拔出，以將所述滑板從所述主機殼拆下。
如請求項1所述之主機殼，其中：所述定位件還包括通風板及兩個側板，所述通風板位於所述支架之前側，兩個所述側板分別垂直設於所述通風板之相對兩側，兩個所述側板於所述通風板背向所述支架之一側，所述壓板垂直設於所述通風板之頂部，所述壓板於所述通風板朝向所述支架之一側，每個所述側板於朝向另一個所述側板之內側安裝一個所述彈性件，每個所述彈性件之頂端固定於所述側板上，每個所述彈性件之底端設有所述凸起，所述滑板之相對兩側分別設有一個豎板，每個所述豎板設有所述定位槽，當安裝所述定位件到所述滑板上時，每個所述豎板插入同側之所述彈性件與所述側板之間之縫隙，以使所述凸起插入所述定位槽。
如請求項3所述之主機殼，其中：每個所述側板設有避位槽，當所述豎板插入所述彈性件與所述側板之間之縫隙時，所述避位槽對準所述定位槽，使所述凸起穿過所述定位槽後插入所述避位槽。
如請求項3所述之主機殼，其中：每個所述側板設有按壓孔，每個所述彈性件設有隆起，於所述彈性件不受壓時，所述隆起藉由所述按壓孔顯露於所述側板之外側，所述隆起用於受壓以使所述彈性件變形，以將所述凸起從所述定位槽拔出。
如請求項3所述之主機殼，其中：所述定位件還包括底板，所述底板設有兩個導向孔，所述滑板具有兩個導向銷，當安裝所述定位件到所述滑板上時，每個所述導向銷插入對應之一個所述導向孔內，以引導所述豎板插入同側之所述彈性件與所述側板之間之縫隙。
如請求項3所述之主機殼，其中：每個所述側板之內側設有限位部，所述限位部位於所述彈性件背向所述側板之一側，當所述彈性件於受壓變形並接觸所述限位部時，所述限位部用於阻止所述彈性件變形，以限制所述彈性件之變形程度。
如請求項3所述之主機殼，其中：每個所述豎板之頂部設有擋板，每個所述彈性件設有缺口，當所述凸起插入所述定位槽時，所述擋板同時插入所述缺口，所述擋板用於對所述彈性件限位。
如請求項3所述之主機殼，其中：所述通風板設有通風孔，所述壓板遠離所述通風板之一側設有兩個折邊，兩個所述折邊相對所述壓板向下彎折，所述支架之頂部設有舌體，所述舌體朝所述支架之前側延伸，所述支架之頂部設有兩個鏤空孔，所述舌體位於兩個所述鏤空孔之間，當所述定位件安裝於所述滑板時，兩個所述折邊分別插入兩個所述鏤空孔中，所述舌體伸出所述通風孔。
一種伺服器，其改良在於，所述伺服器包括風扇及如請求項1至9中任一項所述之主機殼，所述主機殼還包括硬碟機架，所述硬碟機架設於所述腔室內，所述硬碟機架之內端可轉動地連接於所述主機殼，所述硬碟機架可相對所述主機殼於工作位置與維修位置之間轉動；當所述硬碟機架於所述維修位置時，所述滑板可滑出所述腔室，以拆裝所述風扇；當所述滑板滑入所述腔室後，所述硬碟機架可從所述維修位置轉至所述工作位置，當所述硬碟機架於所述工作位置時，所述風扇位於所述硬碟機架之後方並用於朝所述硬碟機架吹風。
一種放大器裝置，包括：<br/> 一訊號輸入端；<br/> 一電感；<br/> 一電容，與該電感串連，其中該電感及該電容串接於一偏壓點及一第一參考電壓端之間，其中該偏壓點耦接該訊號輸入端以接收一射頻訊號；<br/> 一放大器，耦接至該偏壓點以接收一偏壓訊號；<br/> 一偏壓電路，根據一偏壓參考訊號以產生一第一基準電壓，並在該偏壓點產生該偏壓訊號；以及<br/> 一驅動電路，包括一充電電路，並耦接至該偏壓電路，其中該驅動電路根據該第一基準電壓來控制該充電電路，以提供一驅動訊號來對該電容充電。
如請求項1所述的放大器裝置，其中該驅動電路耦接至該偏壓點，以提供一充電訊號來對該電容充電。
如請求項1所述的放大器裝置，其中該驅動電路耦接至該電容的一端，以提供一充電訊號來對該電容充電。
一種放大器裝置，包括：<br/> 一電感；<br/> 一電容，與該電感串連，其中該電感及該電容串接於一偏壓點及一第一參考電壓端之間；<br/> 一放大器，耦接至該偏壓點以接收一偏壓訊號；<br/> 一偏壓電路，根據一偏壓參考訊號以產生一第一基準電壓，並在該偏壓點產生該偏壓訊號；以及<br/> 一驅動電路，包括一充電電路，並耦接至該偏壓電路，其中該驅動電路根據該第一基準電壓來控制該充電電路，以提供一驅動訊號來對該電容充電，<br/> 其中該放大器裝置還包括：<br/> 一溫度感測電路，包含一感測二極體，以提供一溫度感測電壓。
如請求項4所述的放大器裝置，其中該驅動電路還包括一第一運算放大器， <br/> 該第一運算放大器的一第一輸入端接收該溫度感測電壓，該第一運算放大器的一第二輸入端接收該第一基準電壓，該第一運算放大器將該溫度感測電壓及該第一基準電壓相減，以對該充電電路提供一控制訊號。
如請求項4所述的放大器裝置，其中該充電電路包括一充電電晶體，<br/> 該充電電晶體包含一第一端及一第二端，其中該第一端用以接收一第二參考電壓，該第二端耦接至該偏壓點，<br/> 其中該充電電路根據一控制訊號提供一充電電流，其中該控制訊號根據該溫度感測電壓以及該第一基準電壓調整該驅動訊號來對該電容充放電。
如請求項6所述的放大器裝置，其中該驅動電路還包括一放電電路，<br/> 其中該放電電路包括一放電電晶體， <br/> 該放電電晶體包含第一端及第二端，其中該第一端耦接至該偏壓點，該第二端耦接至該第一參考電壓端，該放電電路根據該控制訊號提供一放電電流，其中該控制訊號根據該溫度感測電壓以及該第一基準電壓調整該驅動訊號來對該電容充放電，<br/> 其中該驅動電路控制該充電電路以及該放電電路，以提供該驅動訊號來對該電容充放電。
如請求項6所述的放大器裝置，其中該驅動電路還包括一第一開關電晶體，該第一開關電晶體包含一第一端、一第二端及一控制端，其中該第一端用以接收該第二參考電壓，該第二端耦接至該充電電晶體的一控制端，該控制端用以接收一起始訊號。
如請求項7所述的放大器裝置，其中該驅動電路還包括：<br/> 一第二開關電晶體，該第二開關電晶體包含一第一端、一第二端及一控制端，其中該第一端耦接至該放電電晶體的控制端，該第二端耦接至該第一參考電壓端，該控制端用以接收一反相起始訊號；以及<br/> 一第三開關電晶體，該第三開關電晶體包含一第一端、一第二端及一控制端，其中該放電電晶體的該控制端透過該第三開關電晶體的該第一端及該第三開關電晶體的該第二端用以接收該控制訊號，該第三開關電晶體的該控制端用以接收一起始訊號。
如請求項8或9所述的放大器裝置，其中該放大器裝置根據該起始訊號致能或禁能該驅動電路。
如請求項5所述的放大器裝置，其中該驅動電路包含一第一電阻、一第二電阻、一第三電阻及一第四電阻，其中該第一運算放大器的該第一輸入端透過該第一電阻接收該第一基準電壓，該第一運算放大器的該第一輸入端透過該第四電阻耦接至該第一參考電壓端，該第一運算放大器的該第二輸入端透過該第二電阻接收一溫度感測電壓，該第一運算放大器的該第二輸入端透過該第三電阻耦接至該第一運算放大器的一輸出端，<br/> 其中該第一電阻的電阻值等於該第三電阻的電阻值，且該第二電阻的電阻值等於該第四電阻的電阻值。
如請求項7所述的放大器裝置，其中驅動電路還包括一第二運算放大器，其中該第二運算放大器的一第一輸入端接收該控制訊號，該第二運算放大器的一第二輸入端耦接至該偏壓點，該第二運算放大器的一輸出端耦接至該充電電路及該放電電路，以控制該充電電路以及該放電電路以提供該驅動訊號來對該電容充放電。
如請求項1所述的放大器裝置，其中該偏壓電路包含一第一電流鏡電路，其中該第一電流鏡電路包含一第一分支及一第二分支，其中該第一分支產生該第一基準電壓，該第二分支產生一第二基準電壓，其中該驅動電路根據該第二基準電壓產生該偏壓訊號。
如請求項13所述的放大器裝置，其中該第二分支包含一分支電晶體、一分支電阻、一第一二極體及一第二二極體，其中該分支電晶體的一第一端用以接收一第二參考電壓，該分支電晶體的一第二端耦接至該分支電阻的一端，該分支電阻的另一端耦接至該第一二極體的一端並提供該第二基準電壓，該第一二極體的另一端耦接至該第二二極體的一端，該第二二極體的另一端耦接至該第一參考電壓端，其中該第一基準電壓等於該第二基準電壓。
如請求項14所述的放大器裝置，其中該分支電晶體是由絕緣層上矽(SOI)製成，且該分支電阻、該第一二極體及該第二二極體是由砷化鎵(GaAs)製成。
一種放大器裝置，包括：<br/> 一電感；<br/> 一電容，與該電感串連，其中該電感及該電容串接於一偏壓點及一第一參考電壓端之間；<br/> 一放大器，耦接至該偏壓點以接收一偏壓訊號；<br/> 一偏壓電路，根據一偏壓參考訊號以產生一第一基準電壓，並在該偏壓點產生該偏壓訊號；以及<br/> 一驅動電路，包括一充電電路，並耦接至該偏壓電路，其中該驅動電路根據該第一基準電壓來控制該充電電路，以提供一驅動訊號來對該電容充電，<br/> 其中該驅動電路包括一第一緩衝器，該驅動電路透過該第一緩衝器接收該第一基準電壓，並且該驅動電路包括一第二緩衝器，該驅動電路透過該第二緩衝器接收一溫度感測電壓。
如請求項4所述的放大器裝置，該感測二極體是由砷化鎵(GaAs)製成。
如請求項4所述的放大器裝置，還包括：<br/> 一溫度補償電路，包括一補償二極體，其中所述補償二極體提供一溫度補償電壓，<br/> 其中該補償二極體被配置在該感測二極體與該放大器之間，<br/> 其中該驅動電路根據一無溫飄電壓、該溫度補償電壓、該溫度感測電壓以及該第一基準電壓，來產生一控制訊號以控制該充電電路對該電容充電。
如請求項7所述的放大器裝置，其中該驅動電路包含一補償電路，該補償電路用以產生一補償訊號，該驅動電路根據該補償訊號、一溫度感測電壓以及該第一基準電壓產生該控制訊號，以控制該充電電路以及該放電電路以提供一驅動訊號來對該電容充放電，其中該控制訊號相關於一第二參考電壓、一溫度以及一PN接面跨壓的至少其中一者。
如請求項1所述的放大器裝置，其中該放大器接收該射頻訊號並放大該射頻訊號，該電感及該電容形成諧振電路並對一基頻訊號提供相較於該射頻訊號較低的一阻抗。
一種通用序列匯流排（universal serial bus，USB）裝置，耦接於一USB主機，該USB裝置包含有：<br/> 一收發器，從該USB主機接收具有第一頻率的資料訊號，其中該資料訊號包含具有周期性特徵的複數個特定封包； <br/> 一封包偵測器，耦接於該收發器，透過該收發器接收該資料訊號，用來根據該複數個特定封包的該周期性特徵產生一參考訊號；以及<br/> 一鎖頻迴路（frequency-locked loop，FLL）電路，耦接於該收發器和該封包偵測器，用來根據該參考訊號產生具有第二頻率的一時脈訊號；<br/> 其中，該第一頻率實質上等於該第二頻率；<br/> 其中，該第一頻率和該第二頻率之間的頻率差小於500 ppm。
如請求項1所述之USB裝置，其中該複數個特定封包為複數個訊框起始（start-of-frame，SOF）封包。
如請求項2所述之USB裝置，其中該複數個SOF封包中的每個SOF封包包含一SOF封包標識符（packet identifier，PID），且該封包偵測器偵測對應於兩個相鄰SOF封包之間的時間間隔以產生該參考訊號。
如請求項1所述之USB裝置，其中該FLL電路包含一鎖相迴路電路或一時脈資料回復電路。
一種時脈訊號產生方法，用於耦接於一通用序列匯流排（universal serial bus，USB）主機的USB裝置，該時脈訊號產生方法包含有：<br/> 由該USB裝置的收發器從該USB主機接收具有第一頻率的資料訊號，其中該資料訊號包含具有周期性特徵的複數個特定封包； <br/> 由該USB裝置的封包偵測器根據該複數個特定封包的該周期性特徵產生一參考訊號；以及<br/> 由該USB裝置的鎖頻迴路（frequency-locked loop，FLL）電路根據該參考訊號產生具有第二頻率的一時脈訊號；<br/> 其中，該第一頻率實質上等於該第二頻率；<br/> 其中，該第一頻率和該第二頻率之間的頻率差小於500 ppm。
如請求項5所述之時脈訊號產生方法，其中該複數個特定封包為複數個訊框起始（start-of-frame，SOF）封包。
如請求項6所述之時脈訊號產生方法，其中該複數個SOF封包中的每個SOF封包包含一SOF封包標識符（packet identifier，PID），且根據該複數個特定封包的該周期性特徵產生該參考訊號的步驟包含：偵測對應於兩個相鄰SOF封包之間的時間間隔以產生該參考訊號。
如請求項5所述之時脈訊號產生方法，其中該FLL電路包含一鎖相迴路電路或一時脈資料回復電路。
一種基於多階段交叉注意力與樂器感知強化學習的音樂循環生成系統，包括： <br/>多階段交叉注意力（Multi-Stage Cross Attention）模組； <br/>循環轉換（Loops Transformer）模組；以及 <br/>樂器感知強化學習（Instrument-Aware Reinforcement Learning）模組，其中 <br/> 所述多階段交叉注意力模組利用第一嵌入序列以及第二嵌入序列執行交叉注意力操作來獲得第三嵌入序列，其中所述第一嵌入序列關聯於輸入文本序列，其中所述第二嵌入序列關聯於所述輸入文本序列以及輸入MIDI數據； <br/> 所述循環轉換模組利用所述第三嵌入序列以及編碼本交錯模式（Codebook Interleaving Pattern）來以自回歸方式生成音頻標記序列； <br/> 所述樂器感知強化學習模組利用所述音頻標記序列以及參數優化技術來優化所述循環轉換模組， <br/> 其中所述系統更包括第一文本編碼模組、第二文本編碼模組以及MIDI轉換模組，其中 <br/> 所述第一文本編碼模組利用所述輸入文本序列來獲得主要文本嵌入（Text Embeddings）； <br/> 所述第二文本編碼模組利用所述輸入文本序列來獲得次要文本嵌入； <br/> 所述MIDI轉換模組利用所述輸入MIDI數據來獲得MIDI嵌入（MIDI Embeddings），其中 <br/> 所述多階段交叉注意力模組對所述主要文本嵌入以及所述次要文本嵌入執行所述交叉注意力操作來獲得所述第一嵌入序列； <br/> 所述多階段交叉注意力模組對所述MIDI嵌入以及所述次要文本嵌入執行所述交叉注意力操作來獲得所述第二嵌入序列， <br/> 其中所述樂器感知強化學習模組包括樂器分類器，其中 <br/> 所述樂器分類器評估所述音頻標記序列的樂器準確性，並且所述樂器分類器計算出對應於所述樂器準確性的獎勵信號； <br/> 所述樂器感知強化學習模組利用所述音頻標記序列、所述獎勵信號以及所述參數優化技術來優化所述循環轉換模組。
如請求項1所述的系統，其中所述輸入文本序列包括音樂風格資訊、情感資訊以及樂器資訊，其中所述輸入MIDI數據包括音高、力度以及持續時間。
如請求項1所述的系統，其中所述編碼本交錯模式包括起始標記以及結束標記。
如請求項1所述的系統，其中所述編碼本交錯模式對應於循環偏移（Loop Shift）數據增強技術。
如請求項1所述的系統，其中所述參數優化技術包括近端策略優化技術（PPO，Proximal Policy Optimization）。
一種基於多階段交叉注意力與樂器感知強化學習的音樂循環生成方法，適於包括多階段交叉注意力模組、循環轉換模組以及樂器感知強化學習模組的系統，其中所述方法包括以下步驟： <br/>所述多階段交叉注意力模組利用第一嵌入序列以及第二嵌入序列執行交叉注意力操作來獲得第三嵌入序列，其中所述第一嵌入序列關聯於輸入文本序列，其中所述第二嵌入序列關聯於所述輸入文本序列以及輸入MIDI數據； <br/>所述循環轉換模組利用所述第三嵌入序列以及編碼本交錯模式（Codebook Interleaving Pattern）來以自回歸方式生成音頻標記序列；以及 <br/>所述樂器感知強化學習模組利用所述音頻標記序列以及參數優化技術來優化所述循環轉換模組， <br/>其中所述系統更包括第一文本編碼模組、第二文本編碼模組以及MIDI轉換模組，其中所述方法更包括以下步驟： <br/>所述第一文本編碼模組利用所述輸入文本序列來獲得主要文本嵌入（Text Embeddings）； <br/>所述第二文本編碼模組利用所述輸入文本序列來獲得次要文本嵌入； <br/>所述MIDI轉換模組利用所述輸入MIDI數據來獲得MIDI嵌入（MIDI Embeddings），其中所述方法更包括以下步驟： <br/>所述多階段交叉注意力模組對所述主要文本嵌入以及所述次要文本嵌入執行所述交叉注意力操作來獲得所述第一嵌入序列； <br/>所述多階段交叉注意力模組對所述MIDI嵌入以及所述次要文本嵌入執行所述交叉注意力操作來獲得所述第二嵌入序列， <br/>其中所述樂器感知強化學習模組包括樂器分類器，其中所述方法更包括以下步驟： <br/>所述樂器分類器評估所述音頻標記序列的樂器準確性，並且所述樂器分類器計算出對應於所述樂器準確性的獎勵信號； <br/>所述樂器感知強化學習模組利用所述音頻標記序列、所述獎勵信號以及所述參數優化技術來優化所述循環轉換模組。
一種三維均溫板焊接治具，用以供待焊接之複數熱管和一均溫板體固定設置，該三維均溫板焊接治具包括：一基座，該基座上設有至少一支撐臂；及一板體，設於該支撐臂上，該板體凹設多個焊料槽，每一焊料槽底部設有一貫孔用於供每一熱管穿入。
如請求項1所述之三維均溫板焊接治具，其中該基座設有一分區槽，該分區槽包括至少一嵌合區和一管槽區，該支撐臂的一端與該嵌合區卡合，該管槽區用於為該等熱管提供容納空間。
如請求項2所述之三維均溫板焊接治具，其中該嵌合區包括一第一嵌合區和一第二嵌合區，該第一嵌合區和該第二嵌合區分別設置在該管槽區的兩側。
如請求項3所述之三維均溫板焊接治具，其中該支撐臂包括一第一支撐臂和一第二支撐臂，該第一支撐臂和該第二支撐臂的一端分別設置在該第一嵌合區和該第二嵌合區。
如請求項2所述之三維均溫板焊接治具，其中該板體設有複數對接孔，該支撐臂的另一端設有複數與該等對接孔對應設置的凸部以和該等對接孔卡合。
如請求項1所述之三維均溫板焊接治具，其中該基座的形狀為圓角矩形。
如請求項1所述之三維均溫板焊接治具，其中該板體的形狀為圓角矩形。
如請求項5所述之三維均溫板焊接治具，其中該等對接孔包括一第一對接孔、一第二對接孔、一第三對接孔及一第四對接孔，該第一對接孔、該第二對接孔、該第三對接孔及該第四對接孔分別位於該板體的四個角落。
如請求項1所述之三維均溫板焊接治具，其中每一焊料槽為圓形凹槽，用以容置一環形焊料。
如請求項9所述之三維均溫板焊接治具，其中該環形焊料係為磷銅焊料。
一種藉由一電子設備執行之處理一物流中心之出站資訊之方法，該方法包括： <br/>識別分配給該物流中心之訂單資訊； <br/>基於該訂單資訊產生至少一個運送資訊； <br/>基於該至少一個運送資訊識別用於單件包裝之一運送資訊集； <br/>基於該運送資訊集向執行一揀取任務之一揀取員之一第一終端機提供揀取資訊； <br/>識別其中完成該揀取任務之一運送箱之運送箱資訊； <br/>在基於該運送箱資訊識別具有一相同訂單識別符之複數個物品的情況下，向執行一包裝任務之一包裝工人之一第二終端機提供指示集體地包裝該複數個物品之包裝資訊； <br/>在基於該運送箱資訊識別該運送箱中之具有該相同訂單識別符之複數個物品的情況下，將對應於該複數個物品之複數個運送資訊之至少一部分組合為多件運送資訊；及 <br/>在將該複數個運送資訊之至少一部分組合為該多件運送資訊的情況下，撤銷啟動關於形成該經組合多件運送資訊之一基礎的該複數個運送資訊之至少一部分之資訊。
如請求項1之方法，其中該基於該運送資訊集向執行該揀取任務之該揀取員之該第一終端機提供該揀取資訊包括： <br/>將對應於該運送資訊集之一物品集之至少一部分分配給一個批次；及 <br/>產生指示將分配給該一個批次之該物品集之該至少一部分揀取至一個運送箱中之該揀取資訊。
如請求項2之方法，其中基於對應於該物品集之該至少一部分之顯示資訊來產生該揀取資訊。
如請求項3之方法， <br/>其中該將對應於該運送資訊集之該物品集之該至少一部分分配給該一個批次包括基於該顯示資訊，識別來自對應於該運送資訊集之該物品集當中的在一特定半徑內顯示之物品之資訊，且 <br/>其中經識別為待在該特定半徑內顯示之至少一個物品被優先分配給該一個批次。
如請求項1之方法，其中該基於該運送資訊集向執行該揀取任務之該揀取員之該第一終端機提供該揀取資訊包括： <br/>識別在對應於該運送資訊集之一物品集中之具有該相同訂單識別符之物品之資訊；及 <br/>基於該等物品之該資訊產生指示將該物品集之至少一部分揀取至一個運送箱中之該揀取資訊。
如請求項1之方法，其中基於客戶識別符資訊及遞送地址資訊來設定該相同訂單識別符。
如請求項1之方法， <br/>其中該包裝資訊進一步包含用於集體地包裝該複數個物品之包裝資訊，且 <br/>其中該包裝資訊係基於該複數個物品之特性資訊產生。
如請求項7之方法，其中藉由反映該物流中心之包裝庫存資訊來產生該包裝資訊。
如請求項7之方法，其中該包裝資訊包含包裝類型資訊及包裝數量資訊之至少一部分。
如請求項1之方法，其中基於對應於該至少一個運送資訊之至少一個物品之特性資訊來識別用於該單件包裝之該運送資訊集。
如請求項1之方法， <br/>其中該訂單資訊包含一第一客戶之第一訂單資訊及一第二客戶之第二訂單資訊， <br/>其中基於該第一訂單資訊產生與一第一物品有關之第一運送資訊及與一第二物品有關之第二運送資訊，且基於該第二訂單資訊產生與該第二物品有關之第三運送資訊， <br/>其中在基於該運送箱資訊識別該運送箱包含與該第一運送資訊有關之該第一物品及與該第三運送資訊有關之該第二物品的情況下，基於該第三運送資訊識別與該第三運送資訊有關之該第二物品之出站截止期限資訊，且 <br/>其中在識別該出站截止期限資訊大於或等於一臨限值的情況下，將與該第三運送資訊有關之該第二物品分配給該第一客戶之該第一訂單，且將與該第二運送資訊有關之該第二物品分配給該第二客戶之該第二訂單。
一種用於處理一物流中心之出站資訊之電子設備，該電子設備包括： <br/>一收發器； <br/>一記憶體，其經組態以儲存指令；及 <br/>一處理器， <br/>其中該處理器連接至該收發器及該記憶體且經組態以： <br/>識別分配給該物流中心之訂單資訊； <br/>基於該訂單資訊產生至少一個運送資訊； <br/>基於該至少一個運送資訊識別用於單件包裝之一運送資訊集； <br/>基於該運送資訊集向執行一揀取任務之一揀取員之一第一終端機提供揀取資訊； <br/>識別其中完成該揀取任務之一運送箱之運送箱資訊； <br/>在基於該運送箱資訊識別該運送箱中之具有一相同訂單識別符之複數個物品的情況下，向執行一包裝任務之一包裝工人之一第二終端機提供指示集體地包裝該複數個物品之包裝資訊； <br/>在基於該運送箱資訊識別該運送箱中之具有該相同訂單識別符之複數個物品的情況下，將對應於該複數個物品之複數個運送資訊之至少一部分組合為多件運送資訊；及 <br/>在將該複數個運送資訊之至少一部分組合為該多件運送資訊的情況下，撤銷啟動關於形成該經組合多件運送資訊之一基礎的該複數個運送資訊之至少一部分之資訊。
一種電力轉換裝置的閘極驅動電路，是將直流電力轉換為交流電力並輸出的電力轉換裝置的閘極驅動電路，其特徵在於，包括： <br/>上臂功率半導體元件（13），設置於主直流電源（Vdc）與輸出端子（Pout）之間； <br/>閘極短路用半導體元件（17），設置於所述上臂功率半導體元件（13）的第一閘極端子（13G）與所述輸出端子（Pout）之間，並列設置有第一雜散電容（Cgs）； <br/>半導體元件（19），設置於中繼點（18）與接地端子（GND）之間； <br/>第一齊納二極體（DZ1），設置於所述閘極短路用半導體元件（17）的第二閘極端子（17G）與所述輸出端子（Pout）之間； <br/>第一二極體（D1），設置於所述主直流電源（Vdc）與所述第一齊納二極體（DZ1）之間，並列設置有第二雜散電容（Cd1）；以及 <br/>第二二極體（D2），接近所述第一二極體（D1）而設置，向所述第一二極體（D1）照射光， <br/>所述第一齊納二極體（DZ1）及所述第一二極體（D1）經由與所述第二閘極端子（17G）為相同電位的所述中繼點（18）而串聯連接， <br/>向所述第一閘極端子（13G）輸入上臂控制訊號，另一方面，向所述半導體元件（19）的閘極端子（19G）輸入閘極短路控制訊號， <br/>所述主直流電源（Vdc）及所述輸出端子（Pout）、所述上臂功率半導體元件（13）、所述閘極短路用半導體元件（17）、所述第一齊納二極體（DZ1）、以及所述第一二極體（D1）屬於共通的高壓配線系統，另一方面，所述第二二極體（D2）屬於與所述高壓配線系統電性獨立的低壓配線系統。
如請求項1所述的電力轉換裝置的閘極驅動電路，更包括第二齊納二極體（DZ2）， <br/>所述第二齊納二極體（DZ2）設置於所述第一閘極端子（13G）與所述輸出端子（Pout）之間， <br/>所述第一齊納二極體（DZ1）的陰極端子（K）與所述中繼點（18）連接，陽極端子（A）與所述輸出端子（Pout）連接， <br/>所述第一二極體（D1）的陰極端子（K）與所述主直流電源（Vdc）的正極連接，陽極端子（A）與所述中繼點（18）連接， <br/>所述第二二極體（D2）的陰極端子（K）及陽極端子（A）分別與電流源（I0）連接， <br/>所述第二齊納二極體（DZ2）的陰極端子（K）與所述第一閘極端子（13G）連接，陽極端子（A）與所述輸出端子（Pout）連接。
如請求項2所述的電力轉換裝置的閘極驅動電路，其中， <br/>所述上臂功率半導體元件（13）為集極端子（C）與所述主直流電源（Vdc）的正極連接、射極端子（E）與所述輸出端子（Pout）連接的N通道型上臂絕緣閘雙極電晶體（13）， <br/>在所述上臂絕緣閘雙極電晶體（13）反並聯連接有第一環流二極體（D3）， <br/>所述閘極短路用半導體元件（17）為汲極端子（D）與所述第一閘極端子（13G）連接、源極端子（S）與所述輸出端子（Pout）連接的N通道型閘極短路用金屬氧化物半導體場效電晶體（17）。
如請求項2或3所述的電力轉換裝置的閘極驅動電路，其中， <br/>所述第二二極體（D2）以包圍所述第一二極體（D1）的方式設置有多個。
一種電力轉換裝置，是將直流電力轉換為交流電力並輸出的電力轉換裝置（11），其特徵在於，包括： <br/>上臂功率半導體元件（13），設置於主直流電源（Vdc）與輸出端子（Pout）之間； <br/>下臂功率半導體元件（15），設置於所述輸出端子（Pout）與接地端子（GND）之間； <br/>閘極短路用半導體元件（17），設置於所述上臂功率半導體元件（13）的第一閘極端子（13G）與所述輸出端子（Pout）之間，並列設置有第一雜散電容（Cgs）； <br/>半導體元件（19），設置於中繼點（18）與所述接地端子（GND）之間； <br/>第一齊納二極體（DZ1），設置於所述閘極短路用半導體元件（17）的第二閘極端子（17G）與所述輸出端子（Pout）之間； <br/>第一二極體（D1），設置於所述主直流電源（Vdc）與所述第一齊納二極體（DZ1）之間，並列設置有第二雜散電容（Cd1）；以及 <br/>第二二極體（D2），接近所述第一二極體（D1）而設置，向所述第一二極體（D1）照射光， <br/>所述第一齊納二極體（DZ1）及所述第一二極體（D1）經由與所述第二閘極端子（17G）為相同電位的所述中繼點（18）而串聯連接， <br/>向所述第一閘極端子（13G）輸入上臂控制訊號，向所述下臂功率半導體元件（15）的第三閘極端子（15G）輸入下臂控制訊號，另一方面，向所述半導體元件（19）的閘極端子（19G）輸入閘極短路控制訊號， <br/>所述主直流電源（Vdc）及所述輸出端子（Pout）、所述上臂功率半導體元件（13）、所述閘極短路用半導體元件（17）、所述第一齊納二極體（DZ1）、以及所述第一二極體（D1）屬於共通的高壓配線系統，另一方面，所述第二二極體（D2）屬於與所述高壓配線系統電性獨立的低壓配線系統。
如請求項5所述的電力轉換裝置（11），更包括第二齊納二極體（DZ2）， <br/>所述第二齊納二極體（DZ2）設置於所述第一閘極端子（13G）與所述輸出端子（Pout）之間， <br/>所述第一齊納二極體（DZ1）的陰極端子（K）與所述中繼點（18）連接，陽極端子（A）與所述輸出端子（Pout）連接， <br/>所述第一二極體（D1）的陰極端子（K）與所述主直流電源（Vdc）的正極連接，陽極端子（A）與所述中繼點（18）連接， <br/>所述第二齊納二極體（DZ2）的陰極端子（K）與所述第一閘極端子（13G）連接，陽極端子（A）與所述輸出端子（Pout）連接， <br/>所述第二二極體（D2）的陰極端子（K）及陽極端子（A）分別與電流源（I0）連接。
如請求項5所述的電力轉換裝置（11），其中， <br/>所述上臂功率半導體元件（13）為集極端子（C）與所述主直流電源（Vdc）的正極連接、射極端子（E）與所述輸出端子（Pout）連接的N通道型上臂絕緣閘雙極電晶體（13）， <br/>在所述上臂絕緣閘雙極電晶體（13）反並聯連接有第一環流二極體（D3）， <br/>所述下臂功率半導體元件（15）為集極端子（C）與所述輸出端子（Pout）連接、射極端子（E）與所述接地端子（GND）連接的N通道型下臂絕緣閘雙極電晶體（15）， <br/>在所述下臂絕緣閘雙極電晶體（15）反並聯連接有第二環流二極體（D4）， <br/>所述閘極短路用半導體元件（17）為汲極端子（D）與所述第一閘極端子（13G）連接、源極端子（S）與所述輸出端子（Pout）連接的N通道型閘極短路用金屬氧化物半導體場效電晶體（17）。
如請求項7所述的電力轉換裝置（11），其中， <br/>所述第二二極體（D2）以包圍所述第一二極體（D1）的方式設置有多個。
如請求項7或8所述的電力轉換裝置（11），其中， <br/>所述主直流電源（Vdc）及所述輸出端子（Pout）、所述上臂絕緣閘雙極電晶體（13）、所述第一環流二極體（D3）、所述下臂絕緣閘雙極電晶體（15）、所述第二環流二極體（D4）、所述閘極短路用金屬氧化物半導體場效電晶體（17）、所述第一齊納二極體（DZ1）、所述第一二極體（D1）、以及所述第二二極體（D2）搭載於一個半導體晶片。
一種記憶體裝置，包括第一記憶體陣列結構、第二記憶體陣列結構以及中央連接結構位於該第一記憶體陣列結構與該第二記憶體陣列結構之間，所述記憶體裝置包括： <br/>堆疊結構，包括交替堆疊在該第一記憶體陣列結構、該第二記憶體陣列結構以及該中央連接結構中的多個絕緣層和多個導體層，其中 <br/>多個接地選擇線結構包含在該第一記憶體陣列結構、該第二記憶體陣列結構以及該中央連接結構中的該堆疊結構的下部中的該多個導體層中，其中 <br/>在該中央連接結構的該堆疊結構更包括： <br/>第一連接結構，與該第一記憶體陣列結構的該堆疊結構相連； <br/>第二連接結構，與該第二記憶體陣列結構的該堆疊結構相連，其中該第二連接結構與該第一連接結構在第一方向上交錯配置；以及 <br/>橋接結構，連接該第一連接結構和該第二連接結構， <br/>其中該第一方向與該多個絕緣層和該多個導體層交替堆疊的方向垂直。
如請求項1所述的記憶體裝置，其中該第一連接結構在該第一方向延伸，從該第一記憶體陣列結構連續延伸至該橋接結構，且該第二連接結構在該第一方向延伸，從該第二記憶體陣列結構連續延伸至該橋接結構。
如請求項2所述的記憶體裝置，其中該橋接結構在第二方向延伸，且該第二方向不同於該第一方向。
如請求項2所述的記憶體裝置，更包括多個階梯部，位在該中央連接結構中的每一個該多個接地選擇線結構中，且該多個階梯部在該第一方向延伸。
如請求項1所述的記憶體裝置，其中該多個接地選擇線結構包括第一接地選擇線結構、第二接地選擇線結構與第三接地選擇線結構，其中該第二接地選擇線結構位於該第一接地選擇線結構與該第三接地選擇線結構之間，該橋接結構設置於該第二接地選擇線結構正上方。
一種記憶體裝置，包括多個區塊，每個該區塊設置在相對的第一分隔牆以及第二分隔牆之間並與相鄰的該多個區塊彼此分隔開，所述記憶體裝置包括： <br/>堆疊結構，包括交替堆疊在每個該區塊中的多個絕緣層和多個導體層，其中 <br/>在該區塊的第一端的該堆疊結構包括第一記憶體陣列結構； <br/>在該區塊的第二端的該堆疊結構包括第二記憶體陣列結構；以及 <br/>多個接地選擇線結構，位在該堆疊結構的下部，該多個接地選擇線結構從該區塊的該第一端延伸到該區塊的該第二端，其中 <br/>每個該區塊更包括中央連接結構，設置在該第一記憶體陣列結構與該第二記憶體陣列結構之間，其中 <br/>在該中央連接結構中的該堆疊結構包括： <br/>第一連接結構，沿該第一分隔牆設置，以連接該第一記憶體陣列結構； <br/>第二連接結構，沿該第二分隔牆設置，以連接該第二記憶體陣列結構；以及 <br/>橋接結構，連接該第一連接結構和該第二連接結構， <br/>其中該第二連接結構與該第一連接結構在第一方向上交錯配置，且該第一方向與該多個絕緣層和該多個導體層交替堆疊的方向垂直。
如請求項6所述的記憶體裝置，更包括不連續分隔牆，設置在該第一分隔牆與該第二分隔牆之間，且該不連續分隔牆從該區塊的該第一端延伸至該區塊的該第二端。
如請求項7所述的記憶體裝置，其中該不連續分隔牆具有至少一分隔牆開口，且該橋接結構穿過該至少一分隔牆開口。
如請求項6所述的記憶體裝置，更包括多個階梯部，位在該中央連接結構中的每一個該多個接地選擇線結構中。
如請求項6所述的記憶體裝置，其中該多個接地選擇線結構包括第一接地選擇線結構、第二接地選擇線結構與第三接地選擇線結構，其中該第二接地選擇線結構位於該第一接地選擇線結構與該第三接地選擇線結構之間，該橋接結構設置於該第二接地選擇線結構正上方。
一種智慧焊接裝置，包含： 一機械手臂； <br/>一影像擷取裝置； <br/>一通訊裝置，配置以接收一使用者的一工程指令；以及 <br/>一處理器，可通訊地連接該影像擷取裝置以及該通訊裝置，並配置以： <br/>控制該影像擷取裝置擷取包含一電路板以及一硬體元件的至少一影像； <br/>基於該至少一影像來偵測該電路板以及該硬體元件；以及 <br/>根據該工程指令，控制該機械手臂對該電路板和/或該硬體元件執行一工程程序，該工程程序包含以下至少一者： <br/>焊接和/或解焊該電路板以及該硬體元件，包含基於該至少一影像偵測該電路板以及該硬體元件的至少一焊接部位的一加熱狀態；以及 <br/>清潔該電路板和/或該硬體元件。
如請求項1所述之智慧焊接裝置，進一步包含一伸縮式背脊，連接該機械手臂以及該影像擷取裝置。
如請求項2所述之智慧焊接裝置，其中該機械手臂包含一或多個可彎曲關節，且該一或多個可彎曲關節中的至少一者連接於該伸縮式背脊。
如請求項1所述之智慧焊接裝置，其中該處理器進一步配置以基於該至少一影像偵測該電路板和/或該硬體元件的一溫度。
如請求項1所述之智慧焊接裝置，其中該處理器進一步配置以： <br/>基於該電路板於該至少一影像中的位置，控制該機械手臂抓取該電路板。
如請求項5所述之智慧焊接裝置，進一步包含一伸縮式背脊以及一工作桌面，其中該伸縮式背脊連接該機械手臂以及該影像擷取裝置，該工作桌面連接至該伸縮式背脊，其中該處理器進一步配置以控制該機械手臂將經抓取之該電路板放置至該工作桌面。
如請求項1所述之智慧焊接裝置，其中在執行該工程程序時，該處理器進一步配置以在判斷該工程程序無法完成時，產生一警報訊號。
如請求項1所述之智慧焊接裝置，其中該工程程序的焊接和/或解焊該電路板以及該硬體元件包含： <br/>控制該機械手臂操作一發熱工具加熱該至少一焊接部位。
如請求項1所述之智慧焊接裝置，其中該工程程序的焊接和/或解焊該電路板以及該硬體元件包含： <br/>在判斷該加熱狀態符合一完成條件時，控制該機械手臂停止加熱該至少一焊接部位。
如請求項1所述之智慧焊接裝置，其中該工程程序的清潔該電路板和/或該硬體元件包含： <br/>基於該至少一影像偵測該電路板和/或該硬體元件的一表面上的一異物，其中該異物為一焊料、一焊球、一助焊劑以及一粉塵中的至少一者；以及 <br/>控制該機械手臂清除該異物。
一種半導體裝置，包括：<br/> 一碳化矽基板，該碳化矽基板具有一第一主動區，且具有一第一導電類型；<br/> 一第一磊晶層，設置於該碳化矽基板的一頂面上，其中該第一磊晶層具有一第二導電類型；<br/> 一第二磊晶層，設置於該第一磊晶層的一頂面上，其中該第二磊晶層具有該第一導電類型；<br/> 一第一閘極結構，設置於該第一主動區的該碳化矽基板中，其中該第一閘極結構從該碳化矽基板沿一第一方向延伸穿過該第一磊晶層；以及<br/> 一第一接觸部件，從該第一主動區的該第二磊晶層的一頂面沿該第一方向延伸穿過該第一磊晶層至該碳化矽基板中，其中該第一接觸部件與該第一閘極結構沿一第二方向彼此隔開，且該第一接觸部件電性連接該碳化矽基板及該第一磊晶層。
如請求項1所述之半導體裝置，更包括：<br/> 一第一電極，設置於該第一主動區的該第二磊晶層中，其中該第一電極位於該第一閘極結構的正上方且沿該第一方向延伸，且該第一電極電性連接該第一接觸部件；以及<br/> 一遮蔽介電層，包圍該第一電極。
如請求項2所述之半導體裝置，更包括：<br/> 一第一介電層，從該第一主動區的該第二磊晶層沿該第一方向延伸至部分該第一磊晶層中，其中該第一介電層包圍該第一接觸部件，且使該第一接觸部件的一底部突出於該第一介電層的一底面；以及<br/> 一第一摻雜區，位於該第一介電層的該底面下方的該第一磊晶層中，且包圍該第一接觸部件的該底部，其中該第一摻雜區具有該第二導電類型。
如請求項3所述之半導體裝置，其中該第一摻雜區接觸該碳化矽基板。
如請求項3所述之半導體裝置，其中該遮蔽介電層及該第一介電層具有相同的厚度。
如請求項3所述之半導體裝置，更包括：<br/> 一第二摻雜區，位於該第一主動區中的該第二磊晶層中，其中該第二摻雜區具有該第一導電類型；<br/> 一第三摻雜區，位於該第二摻雜區上，且接近於該第二磊晶層的該頂面，其中該第三摻雜區具有該第二導電類型；以及<br/> 一第二接觸部件，設置於該第一主動區的該第二磊晶層上，且電性連接該第三摻雜區。
如請求項1所述之半導體裝置，更包括：<br/> 一第三接觸部件，設置於該碳化矽基板的一底面上，其中該第三接觸部件電性連接該碳化矽基板。
如請求項6所述之半導體裝置，其中該第一主動區中的該第一閘極結構、該碳化矽基板以及該第三摻雜區構成一溝槽式絕緣閘雙極電晶體，該第一閘極結構構成該溝槽式絕緣閘雙極電晶體的一閘極，該碳化矽基板構成該溝槽式絕緣閘雙極電晶體的一射極，且該第三摻雜區構成該溝槽式絕緣閘雙極電晶體的一集極。
如請求項8所述之半導體裝置，其中該碳化矽基板具有一第二主動區，該半導體裝置更包括：<br/> 一第一井區，位於該第二主動區的該第二磊晶層中，且藉由該第一接觸部件與該第一閘極結構隔開；<br/> 一第二閘極結構，設置於該第一井區上；<br/> 一第四摻雜區以及一第五摻雜區，位於該第一井區上，且位於該第二閘極結構的相對兩側，其中該第四摻雜區以及該第五摻雜區具有相同的導電類型，且與該第一井區的導電類型相反；以及<br/> 一第六摻雜區，位於該第一井區上，其中該第六摻雜區以及該第一井區具有相同的導電類型。
如請求項9所述之半導體裝置，其中該第二閘極結構沿該第二方向延伸，且該第一方向不同於該第二方向。
如請求項9所述之半導體裝置，其中該第二主動區中的該第一井區、該第二閘極結構、該第四摻雜區、該第五摻雜區以及該第六摻雜區構成一金屬氧化物半導體場效電晶體，該第二閘極結構構成該金屬氧化物半導體場效電晶體的一閘極，該第四摻雜區及該第五摻雜區構成該金屬氧化物半導體場效電晶體的一源極及一汲極，且該第一井區及該第五摻雜區構成該金屬氧化物半導體場效電晶體的一基體。
如請求項11所述之半導體裝置，其中該溝槽式絕緣閘雙極電晶體具有一第一通道區，該金屬氧化物半導體場效電晶體具有一第二通道區，且該第一通道區與該第二通道區具有不同的通道長度方向。
一種半導體裝置的形成方法，包括：<br/> 提供一碳化矽基板，其中該碳化矽基板具有一第一主動區，且具有一第一導電類型；<br/> 於該碳化矽基板的一頂面上成長一第一磊晶層，其中該第一磊晶層具有一第二導電類型；<br/> 於該第一磊晶層的一頂面上成長一第二磊晶層，其中該第二磊晶層具有該第一導電類型；<br/> 沿一第一方向在該第一主動區的該第二磊晶層、該第一磊晶層以及部分該碳化矽基板中形成一第一溝槽；<br/> 於該第一溝槽中形成一第一閘極電極；<br/> 沿該第一方向在該第一主動區的該第二磊晶層以及部分該第一磊晶層中形成一第二溝槽，其中該第一溝槽與該第二溝槽沿一第二方向彼此隔開；以及<br/> 於該第二溝槽中形成一第一接觸部件，其中該第一接觸部件沿該第一方向延伸穿過該第一磊晶層至該碳化矽基板中。
如請求項13所述之半導體裝置的形成方法，其中該第一閘極電極填充該第一溝槽的一下部，且該第一閘極電極的一頂面在該第一磊晶層的該頂面上方。
如請求項13所述之半導體裝置的形成方法，更包括：<br/> 於該第二磊晶層的一頂面上形成一遮罩圖案； <br/> 移除未被遮罩圖案覆蓋的該第一磊晶層、該第二磊晶層以及部分該碳化矽基板，以形成該第一溝槽； <br/> 形成該第一溝槽之後，移除該遮罩圖案；以及<br/> 形成該第一閘極電極之前，順應性於該第一溝槽中形成一第一閘極介電層。
如請求項15所述之半導體裝置的形成方法，更包括：<br/> 形成該第一閘極電極之後，順應性於該第一溝槽中形成一遮蔽介電層；以及<br/> 於該第一溝槽中的該遮蔽介電層上形成一第一電極；以及<br/> 形成該第一電極之後，形成該第二溝槽。
如請求項16所述之半導體裝置的形成方法，更包括：<br/> 形成該第一接觸部件之前，在從該第二溝槽的一底面暴露出來的該第一磊晶層中形成一第一摻雜區，其中該第一摻雜區具有該第二導電類型；<br/> 順應性於該第二溝槽中形成一第一介電層；以及<br/> 移除該第二溝槽的該底面的該第一介電層及其下的該第一磊晶層及該碳化矽基板以形成一第三溝槽，其中該第三溝槽貫穿該第一摻雜區至該碳化矽基板中。
如請求項17所述之半導體裝置的形成方法，更包括：<br/> 在從該第三溝槽暴露出來的該第一磊晶層及該碳化矽基板中形成一第二介電層；<br/> 於該第二溝槽及該第三溝槽中形成一第三介電層，其中該第二介電層與該第三介電層由不同的材料形成；<br/> 於該第一主動區中的該第二磊晶層中形成一第二摻雜區，其中該第二摻雜區具有該第一導電類型；<br/> 於該第二摻雜區上形成一第三摻雜區，其中該第三摻雜區具有該第二導電類型；以及<br/> 形成該第二摻雜區及該第三摻雜區之後，移除該第二介電層與該第三介電層。
如請求項18所述之半導體裝置的形成方法，更包括：<br/> 形成該第一接觸部件之後，於該第三摻雜區上形成一第二接觸部件。
如請求項18所述之半導體裝置的形成方法，更包括：<br/> 於該碳化矽基板的一底面上形成一第三接觸部件，其中該第三接觸部件電性連接該碳化矽基板。
一種滑軌總成，包含：<br/>一第一軌及一第二軌相對該第一軌位移；<br/>一操作機構，該操作機構具有樞接於該第一軌一端之一第一操作件，該第一操作件上組接於一連動件一端，該操作機構相對該第一軌活動；以及<br/>一鎖定機構，該鎖定機構相對該第一軌活動，使該第一軌相對該第二軌鎖定於一伸展位置，且該連動件另一端對位於該鎖定機構，該連動件另一端與該鎖定機構具有一間距；<br/>藉此，當該第一操作件受力產生一第一段樞轉，其該連動件另一端朝一第一方向移動至抵靠該鎖定機構，且當該第一操作件朝同方向繼續受力產生一第二段樞轉，其供該連動件另一端帶動該鎖定機構位移且解除於該伸展位置，則該第一軌位移收合於該第二軌。
如請求項1所述之滑軌總成，其中當該鎖定機構朝與該第一方向反向之一第二方向受力，其透過該間距以供該鎖定機構活動，而該鎖定機構不帶動該操作機構之該連動件另一端，供該第一軌解除於該伸展位置，使該第一軌位移脫離於該第二軌。
如請求項2所述之滑軌總成，其中該鎖定機構具有與該連動件另一端持抵之一定位件，且該連動件另一端彎折延伸有一抵持部，該抵持部對應該定位件，該定位件與該抵持部之間具有該間距。
如請求項3所述之滑軌總成，其中該抵持部與該定位件為相互匹配之一抵接結構。
如請求項3所述之滑軌總成，其中該第一軌相對外側分別朝內彎折延伸有一彎折部，該操作機構具有位於該第一軌一側之一第一彈性件，該第一彈性件一端設置於該第一操作件，該第一彈性件另一端抵靠於該至少一彎折部，且當該第一操作件樞轉時，該第一操作件壓掣該第一彈性件變形，再當該第一操作件停止樞轉時，該第一彈性件復位以帶動該第一操作件樞轉復位。
如請求項5所述之滑軌總成，其中該操作機構具有一限位件，且該第一操作件具有一縱向牆，該縱向牆一側彎折延伸有一側牆，該縱向牆與該側牆之一部分開設有一限位孔，且該第一彈性件一端卡合於該限位孔內，且該限位件穿過該限位孔，再組接於該第一軌，用以防止該第一操作件相對該第一軌一側偏擺，且當該第一操作件樞轉與復位，該限位孔之兩端分別抵靠該限位件，用以限位該第一操作件。
如請求項3所述之滑軌總成，其中該鎖定機構具有一第二操作件、一第一左擋件、一第一右擋件、一第二彈性件及該定位件，該第一左擋件及第一右擋件相對地活動設置於該第一軌一側，且該第二彈性件兩端分別連接該第一左擋件與該第一右擋件，該第二操作件活動設置於該第一軌一側，該第二操作件分別與該第一左擋件與該第一右擋件相互抵靠，該定位件設置於該第二操作件鄰近第一操作件之一端，且該第二軌一端設置一第一擋件。
如請求項7所述之滑軌總成，其中當該第二操作件受力，其朝該第一方向移動，該第二操作件帶動該第一左擋件活動，該第一左擋件連動該第二彈性件彈性變形，而使該第一左擋件與該第一擋件一端相互脫離，且當該第二操作件停止受力，其該第二彈性件彈性復位，該第二彈性件連動該第一左擋件與該第一擋件一端相互抵靠，該第一左擋件帶動該第二操作件復位。
如請求項7所述之滑軌總成，其中該第二操作件具有彎折延伸於該第二操作件中端之一止擋部，該第一左擋件一端凸設有一第一止擋部，該第一右擋件遠離該第一止擋部另一端凸設一第二止擋部，該止擋部兩端分別抵持該第一止擋部與該第二止擋部。
如請求項7所述之滑軌總成，其中當該第二操作件受力，其朝該第二方向移動，其該第二操作件帶動該第一右擋件活動，該第一右擋件連動該第二彈性件彈性變形，而使該第一右擋件與該第一擋件另一端相互脫離，且當該第二操作件停止受力，其該第二彈性件彈性復位，該第二彈性件連動該第一右擋件與第一擋件另一端相互抵靠，該第一右擋件帶動該第二操作件復位。
一種基於精準同態加密 (exact homomorphic encryption, EHE) 框架之電腦執行方法，其中該方法包括：<br/> S10. 提供具有<img align="absmiddle" height="11px" width="5px" file="ed10213.jpg" alt="ed10213.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>個變數的多元多項式<img align="absmiddle" height="22px" width="74px" file="ed10214.jpg" alt="ed10214.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中<img align="absmiddle" height="11px" width="18px" file="ed10215.jpg" alt="ed10215.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為次數<img align="absmiddle" height="11px" width="15px" file="ed10216.jpg" alt="ed10216.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>且係數為<img align="absmiddle" height="11px" width="28px" file="ed10217.jpg" alt="ed10217.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>的單項式<img align="absmiddle" height="11px" width="9px" file="ed10218.jpg" alt="ed10218.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>的線性組合，以及各該單項式<img align="absmiddle" height="11px" width="9px" file="ed10218.jpg" alt="ed10218.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示為<img align="absmiddle" height="22px" width="80px" file="ed10219.jpg" alt="ed10219.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中<img align="absmiddle" height="22px" width="139px" file="ed10220.jpg" alt="ed10220.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>且<img align="absmiddle" height="11px" width="27px" file="ed10221.jpg" alt="ed10221.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中 [k] 表示從1至<i>k</i>的正整數集合；<br/> S20. 引入<i>k</i>個量子位元(qubit)的基本閘<img align="absmiddle" height="22px" width="10px" file="ed10222.jpg" alt="ed10222.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中整數 <img align="absmiddle" height="11px" width="4px" file="ed10223.jpg" alt="ed10223.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 表示第 <img align="absmiddle" height="11px" width="4px" file="ed10223.jpg" alt="ed10223.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 個量子位元是該基本閘的目標位元(target qubit)，而該閘中的<i>k</i>位元(<i>k</i>-bit) 第一二進位字串<img align="absmiddle" height="22px" width="76px" file="ed10224.jpg" alt="ed10224.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>中的非零項表示代表作為控制位元 (control bit) 的量子位元位置；<br/> S30. 執行該框架所使用的該基本閘，作用於量子態 (quantum state) 上； <br/> S40. 對該變數作用該基本閘，以在二元域<img align="absmiddle" height="11px" width="9px" file="ed10225.jpg" alt="ed10225.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>上生成多元多項式，其作用數學式如下：<br/><img align="absmiddle" height="22px" width="85px" file="ed10226.jpg" alt="ed10226.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> …式1<br/> 其中<img align="absmiddle" height="11px" width="29px" file="ed10227.jpg" alt="ed10227.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為二元變數，以及<img align="absmiddle" height="22px" width="72px" file="ed10228.jpg" alt="ed10228.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為具有 k 個變數的單項式 (monomial)；<br/> S50. 定義第一加密算子 (encryption mapping) <img align="absmiddle" height="11px" width="15px" file="ed10229.jpg" alt="ed10229.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其為隨機選擇的該基本閘所組成的有序乘積 (ordered product)；以及<br/> S60.應用該第一加密算子 <img align="absmiddle" height="11px" width="15px" file="ed10229.jpg" alt="ed10229.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 生成 <img align="absmiddle" height="11px" width="7px" file="ed10230.jpg" alt="ed10230.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>個多變量多項式的集合，該集合作為公鑰 (public key)，將<i>k</i>位元之明文 (plaintext) 編碼成 <i>w</i>位元密文 (ciphertext)，其中<img align="absmiddle" height="11px" width="24px" file="ed10231.jpg" alt="ed10231.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，以進行訊息加密。
如請求項 1所述之基於精準同態加密框架之電腦執行方法，其中，該基本閘包括否定閘 (negation)、控制非閘 (CNOT)、Toffoli 閘以及多重控制閘 (multi-controlled gates)。
如請求項 2 所述之基於精準同態加密框架之電腦執行方法，其中，該方法還包括： <br/> S70. 給定<img align="absmiddle" height="11px" width="5px" file="ed10232.jpg" alt="ed10232.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 量子位元的期望運算(desired operation)<img align="absmiddle" height="11px" width="8px" file="ed10233.jpg" alt="ed10233.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中 <img align="absmiddle" height="11px" width="25px" file="ed10234.jpg" alt="ed10234.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中<img align="absmiddle" height="11px" width="8px" file="ed10233.jpg" alt="ed10233.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>被表示為由<i>n</i>量子位元基本閘組成之電路 (circuit)，其中，該基本閘之種類係如請求項 2所述；<br/> S80. 定義第二加密算子 <img align="absmiddle" height="11px" width="14px" file="ed10235.jpg" alt="ed10235.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中<img align="absmiddle" height="11px" width="14px" file="ed10235.jpg" alt="ed10235.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為隨機選擇之<i>n</i>量子位元基本閘的有序乘積，其中，該基本閘之種類係如請求項 2所述； <br/> S90. 編碼該期望運算<img align="absmiddle" height="11px" width="8px" file="ed10233.jpg" alt="ed10233.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>成加密運算(encrypted action) <img align="absmiddle" height="11px" width="6px" file="ed10236.jpg" alt="ed10236.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中，該期望運算<img align="absmiddle" height="11px" width="8px" file="ed10233.jpg" alt="ed10233.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>透過該第一加密算子<img align="absmiddle" height="11px" width="15px" file="ed10229.jpg" alt="ed10229.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和該第二加密算子<img align="absmiddle" height="11px" width="14px" file="ed10235.jpg" alt="ed10235.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 進行加密，組合成 <img align="absmiddle" height="11px" width="6px" file="ed10236.jpg" alt="ed10236.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/> S100. 以該加密運算<img align="absmiddle" height="11px" width="6px" file="ed10236.jpg" alt="ed10236.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>生成加密多項式集合 (encrypted polynomial set)；以及<br/> S110. 將該密文上的該加密多項式集合進行求值 (evaluation)，以產生加密計算結果。
如請求項3所述之基於精準同態加密框架之電腦執行方法，其中，該步驟S40還包括： <br/> S41. 給定第二二進位字串<img align="absmiddle" height="11px" width="4px" file="ed10237.jpg" alt="ed10237.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中該第二二進位字串<img align="absmiddle" height="11px" width="4px" file="ed10237.jpg" alt="ed10237.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>確定變數在該單項式中的相互作用方式； <br/> S42. 基於該第二二進位字串<img align="absmiddle" height="11px" width="4px" file="ed10237.jpg" alt="ed10237.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>修改該單項式<img align="absmiddle" height="11px" width="10px" file="ed10238.jpg" alt="ed10238.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為修改後的形式<img align="absmiddle" height="13px" width="10px" file="ed10239.jpg" alt="ed10239.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；以及<br/> S43. 將該式1擴展為以下形式：<br/><img align="absmiddle" height="17px" width="96px" file="ed10240.jpg" alt="ed10240.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> …式2，<br/> 其中<img align="absmiddle" height="11px" width="27px" file="ed10241.jpg" alt="ed10241.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，以及<img align="absmiddle" height="13px" width="10px" file="ed10239.jpg" alt="ed10239.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>定義為<img align="absmiddle" height="13px" width="81px" file="ed10242.jpg" alt="ed10242.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項4所述之基於精準同態加密框架之電腦執行方法，其中，該步驟S50還包括： <br/> S51. 定義該第一加密算子<img align="absmiddle" height="11px" width="15px" file="ed10229.jpg" alt="ed10229.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為乘積運算(product operation)<img align="absmiddle" height="11px" width="7px" file="ed10243.jpg" alt="ed10243.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其為<img align="absmiddle" height="11px" width="5px" file="ed10213.jpg" alt="ed10213.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>量子位元基本閘之有序積，如下所示：<br/><img align="absmiddle" height="14px" width="52px" file="ed10244.jpg" alt="ed10244.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/> 其中，<img align="absmiddle" height="14px" width="12px" file="ed10245.jpg" alt="ed10245.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示作用於該第 r 個量子位元的第<img align="absmiddle" height="11px" width="3px" file="ed10246.jpg" alt="ed10246.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>個基本閘，且其控制字串<img align="absmiddle" height="11px" width="29px" file="ed10247.jpg" alt="ed10247.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> S52. 定義<img align="absmiddle" height="11px" width="7px" file="ed10248.jpg" alt="ed10248.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為<img align="absmiddle" height="11px" width="7px" file="ed10243.jpg" alt="ed10243.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>的逆反乘積 (order-reversed product)，其表示為： <br/><img align="absmiddle" height="14px" width="52px" file="ed10249.jpg" alt="ed10249.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；以及<br/> S53. 對於任意一個基底態 (basis state) <img align="absmiddle" height="11px" width="11px" file="ed10250.jpg" alt="ed10250.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，該乘積運算<img align="absmiddle" height="11px" width="7px" file="ed10243.jpg" alt="ed10243.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和其逆反乘積<img align="absmiddle" height="11px" width="7px" file="ed10248.jpg" alt="ed10248.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>之間存在以下對偶關係 (duality relation)： <br/><img align="absmiddle" height="11px" width="62px" file="ed10251.jpg" alt="ed10251.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, where <img align="absmiddle" height="11px" width="26px" file="ed10252.jpg" alt="ed10252.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>…式3。
如請求項5所述之基於精準同態加密框架之電腦執行方法，其中，該步驟S50還包括： <br/> S54. 準備初始多元多項式集合<img align="absmiddle" height="22px" width="85px" file="ed10253.jpg" alt="ed10253.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中<img align="absmiddle" height="22px" width="22px" file="ed10254.jpg" alt="ed10254.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>對應各<img align="absmiddle" height="11px" width="18px" file="ed10215.jpg" alt="ed10215.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中各<img align="absmiddle" height="22px" width="22px" file="ed10254.jpg" alt="ed10254.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示為： <br/><img align="absmiddle" height="22px" width="80px" file="ed10255.jpg" alt="ed10255.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/> 其中<img align="absmiddle" height="22px" width="33px" file="ed10256.jpg" alt="ed10256.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為二進位係數； <br/> S55. 將該乘積運算<img align="absmiddle" height="11px" width="15px" file="ed10229.jpg" alt="ed10229.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>作用於該初始多項式集合<img align="absmiddle" height="11px" width="13px" file="ed10257.jpg" alt="ed10257.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>中的各多項式 ；以及 <br/> S56. 輸出有序多項式集合<img align="absmiddle" height="22px" width="184px" file="ed10258.jpg" alt="ed10258.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，作為公開加密金鑰，其中<img align="absmiddle" height="11px" width="24px" file="ed10231.jpg" alt="ed10231.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該多項式之數量。
如請求項6所述之基於精準同態加密框架之電腦執行方法，其中，該步驟S60還包括：S61. 提供明文<img align="absmiddle" height="11px" width="15px" file="ed10259.jpg" alt="ed10259.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中該明文為<img align="absmiddle" height="11px" width="5px" file="ed10213.jpg" alt="ed10213.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>位元字串；以及 <br/> S62. 將該明文編碼為<img align="absmiddle" height="11px" width="11px" file="ed10260.jpg" alt="ed10260.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中該密文為<img align="absmiddle" height="11px" width="7px" file="ed10230.jpg" alt="ed10230.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>位元字串，其係透過在該明文上對該公開加密多項式集合 <img align="absmiddle" height="11px" width="50px" file="ed10261.jpg" alt="ed10261.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>求值來生成，其滿足：<br/><img align="absmiddle" height="11px" width="113px" file="ed10262.jpg" alt="ed10262.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>…式4，<br/> 其中<img align="absmiddle" height="11px" width="30px" file="ed10263.jpg" alt="ed10263.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<img align="absmiddle" height="11px" width="27px" file="ed10264.jpg" alt="ed10264.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>以及<img align="absmiddle" height="12px" width="44px" file="ed10265.jpg" alt="ed10265.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是第<img align="absmiddle" height="11px" width="3px" file="ed10266.jpg" alt="ed10266.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>個多項式<img align="absmiddle" height="12px" width="81px" file="ed10267.jpg" alt="ed10267.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>在該明文上的求值結果，且<img align="absmiddle" height="11px" width="40px" file="ed10268.jpg" alt="ed10268.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項7所述之基於精準同態加密框架之電腦執行方法，其中，由構成該運算子<img align="absmiddle" height="11px" width="7px" file="ed10243.jpg" alt="ed10243.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>的基本閘之所有排列所生成的不同多項式集合的數量至少為<img align="absmiddle" height="11px" width="8px" file="ed10269.jpg" alt="ed10269.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中<img align="absmiddle" height="11px" width="5px" file="ed10270.jpg" alt="ed10270.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是<img align="absmiddle" height="11px" width="7px" file="ed10243.jpg" alt="ed10243.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>中一組成對非交換 (pairwise noncommuting) 閘門的最大集合的大小。
如請求項7所述之基於精準同態加密框架之電腦執行方法，其中，該步驟S60還包括： <br/> S63. 透過該第一加密算子<img align="absmiddle" height="11px" width="15px" file="ed10229.jpg" alt="ed10229.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>將該<img align="absmiddle" height="11px" width="7px" file="ed10230.jpg" alt="ed10230.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>量子位元之密文<img align="absmiddle" height="11px" width="11px" file="ed10260.jpg" alt="ed10260.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>解密為<img align="absmiddle" height="11px" width="73px" file="ed10271.jpg" alt="ed10271.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，以還原該明文<img align="absmiddle" height="11px" width="8px" file="ed10272.jpg" alt="ed10272.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項9所述之基於精準同態加密框架之電腦執行方法，其中，該方法還包括： <br/> S120. 定義加密行為<img align="absmiddle" height="11px" width="15px" file="ed10273.jpg" alt="ed10273.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中<img align="absmiddle" height="11px" width="91px" file="ed10274.jpg" alt="ed10274.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中<img align="absmiddle" height="11px" width="8px" file="ed10275.jpg" alt="ed10275.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為<img align="absmiddle" height="11px" width="8px" file="ed10233.jpg" alt="ed10233.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>的逆反乘積 (order-reversed product)，<img align="absmiddle" height="11px" width="25px" file="ed10276.jpg" alt="ed10276.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，以及<img align="absmiddle" height="11px" width="3px" file="ed10277.jpg" alt="ed10277.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為<img align="absmiddle" height="11px" width="23px" file="ed10278.jpg" alt="ed10278.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>量子位元的恆等運算子；以及 <br/> S130. 給定由該第二加密算子<img align="absmiddle" height="11px" width="14px" file="ed10235.jpg" alt="ed10235.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和該<img align="absmiddle" height="11px" width="5px" file="ed10232.jpg" alt="ed10232.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>位元運算<img align="absmiddle" height="11px" width="8px" file="ed10233.jpg" alt="ed10233.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>衍生之該<img align="absmiddle" height="11px" width="5px" file="ed10213.jpg" alt="ed10213.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>位元明文<img align="absmiddle" height="11px" width="15px" file="ed10259.jpg" alt="ed10259.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>之該<img align="absmiddle" height="11px" width="7px" file="ed10230.jpg" alt="ed10230.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>位元密文<img align="absmiddle" height="11px" width="11px" file="ed10260.jpg" alt="ed10260.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<img align="absmiddle" height="11px" width="42px" file="ed10279.jpg" alt="ed10279.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，以生成第一加密多項式集合：<br/><img align="absmiddle" height="13px" width="167px" file="ed10280.jpg" alt="ed10280.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> ….式5，<br/> 其中<img align="absmiddle" height="12px" width="15px" file="ed10281.jpg" alt="ed10281.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為加密運算，並表示為<img align="absmiddle" height="12px" width="66px" file="ed10282.jpg" alt="ed10282.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，以及<img align="absmiddle" height="11px" width="21px" file="ed10283.jpg" alt="ed10283.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為<img align="absmiddle" height="13px" width="48px" file="ed10284.jpg" alt="ed10284.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>的第 <img align="absmiddle" height="11px" width="3px" file="ed10246.jpg" alt="ed10246.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>個多項式，<img align="absmiddle" height="11px" width="78px" file="ed10285.jpg" alt="ed10285.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項10所述之基於精準同態加密框架之電腦執行方法，其中，該方法還包括： <br/> S140. 給定由該第一加密算子和<img align="absmiddle" height="11px" width="5px" file="ed10232.jpg" alt="ed10232.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>位元運算<img align="absmiddle" height="11px" width="8px" file="ed10233.jpg" alt="ed10233.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>衍生之該<img align="absmiddle" height="11px" width="5px" file="ed10213.jpg" alt="ed10213.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>量子位元明文<img align="absmiddle" height="11px" width="15px" file="ed10259.jpg" alt="ed10259.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>之該<img align="absmiddle" height="11px" width="7px" file="ed10230.jpg" alt="ed10230.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>量子位元密文<img align="absmiddle" height="11px" width="11px" file="ed10260.jpg" alt="ed10260.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<img align="absmiddle" height="11px" width="42px" file="ed10286.jpg" alt="ed10286.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，以生成第二加密多項式集合：<br/><img align="absmiddle" height="11px" width="167px" file="ed10287.jpg" alt="ed10287.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> ….式6，<br/> 其中<img align="absmiddle" height="11px" width="21px" file="ed10288.jpg" alt="ed10288.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為<img align="absmiddle" height="11px" width="49px" file="ed10289.jpg" alt="ed10289.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>的第 <img align="absmiddle" height="11px" width="3px" file="ed10246.jpg" alt="ed10246.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>個多項式，<img align="absmiddle" height="11px" width="78px" file="ed10285.jpg" alt="ed10285.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項11所述之基於精準同態加密框架之電腦執行方法，其中，該方法還包括： <br/> S150. 並聯<img align="absmiddle" height="11px" width="5px" file="ed10290.jpg" alt="ed10290.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>個分段加密電路<img align="absmiddle" height="12px" width="20px" file="ed10291.jpg" alt="ed10291.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其組成<img align="absmiddle" height="11px" width="15px" file="ed10273.jpg" alt="ed10273.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<img align="absmiddle" height="11px" width="27px" file="ed10292.jpg" alt="ed10292.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；以及<br/> S160. 生成加密多項式集合的序列求值 <br/><img align="absmiddle" height="13px" width="184px" file="ed10293.jpg" alt="ed10293.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> ….式7。
一種基於精準同態加密 (exact homomorphic encryption, EHE) 框架之系統 ，包括： <br/> 用於執行如請求項1至12中任一項所述之基於精準同態加密框架之電腦執行方法之程式；以及<br/> 計算架構，包括處理單元，其中該程式部署在該計算架構上。
如請求項13所述之基於精準同態加密框架之系統，其中，該用於執行該基於精準同態加密框架之電腦執行方法之程式包括用於精準同態加密之軟體，其中該軟體包括第一代碼(code)，以及第二代碼。
如請求項14所述之基於精準同態加密框架之系統，其中，該第一代碼用於該訊息加密。
如請求項14所述之基於精準同態加密框架之系統，其中，該第二代碼用於執行該基於精準同態加密框架之電腦執行方法。
如請求項13所述之基於精準同態加密框架之系統，其中，該計算架構包括CPU、GPU或其混合計算架構。
一種分時雙工（time-division duplexing）無線電收發器，包含：<br/> 一功率放大器，用以處理一第一訊號並產生一第二訊號；<br/> 一低雜訊放大器（low-noise amplifier），用以處理一第四訊號並產生一第五訊號；<br/> 一天線，與一第三訊號相接；以及<br/> 一協同匹配（co-matching）網路，包含用以接收該第二訊號的一第一電感、用以建立該第三訊號的一第二電感、與一第一電容以及由一第一邏輯訊號控制以提供該第三訊號一分流路徑（shunt path）的一第一開關相串聯的一第三電感、將該第三訊號連接至該第四訊號的一第四電感，以及由該第一邏輯訊號控制以將該第四訊號短路至接地的一第二開關，其中該第二電感與該天線直接連接以建立該第三訊號，且該第三電感與該天線直接連接以接收該第三訊號，該第一電感、該第二電感以及該第三電感強烈互耦。
如請求項1所述之分時雙工無線電收發器，其中該第一電感、該第二電感以及該第三電感鄰近地佈局為一共圓心（concentric）形式。
如請求項1所述之分時雙工無線電收發器，更包含一切換電容網路，包含相串聯的一第二電容以及由該第一邏輯訊號控制的一第三開關。
如請求項1所述之分時雙工無線電收發器，其中該第三電感的一電抗在量值（magnitude）上小於該第一電容的一電抗。
如請求項1所述之分時雙工無線電收發器，其中該功率放大器由該第一邏輯訊號控制，以允許該功率放大器、該第一開關以及該第二開關同時啟動或同時關閉。
如請求項5所述之分時雙工無線電收發器，其中該功率放大器包含一第一金屬氧化物半導體以及堆疊於該第一金屬氧化物半導體上的一第二金屬氧化物半導體，以形成一串疊放大器，該第二金屬氧化物半導體的一閘極的一直流準位是由該第一邏輯訊號控制，以使該第二金屬氧化物半導體導通或關閉。
如請求項1所述之分時雙工無線電收發器，其中該低雜訊放大器是由一第二邏輯訊號控制，其中該第二邏輯訊號與該第一邏輯訊號不同時位於一啟動狀態。
如請求項7所述之分時雙工無線電收發器，其中該低雜訊放大器包含一第一金屬氧化物半導體、堆疊於該第一金屬氧化物半導體上並與該第一金屬氧化物半導體形成一串疊放大器的一第二金屬氧化物半導體、一源極退化（source-degenerating）電感、一負載電感以及一負載電容，該第二金屬氧化物半導體的一閘極的一直流準位是由該第二邏輯訊號控制，以使該第二金屬氧化物半導體導通或關閉。
一種感測器封裝結構製造方法，其包括：<br/> 一前置步驟：提供有多個感測模組，並且每個所述感測模組的製造流程包含：<br/> 將一感測晶片安裝且電性耦接於一陶瓷基板； <br/> 於所述感測晶片的頂面形成有一環形支撐層；及<br/> 設置一透光片於所述環形支撐層之上，以構成一個所述感測模組；<br/> 一置件步驟：將多個所述感測模組的所述陶瓷基板設置於一工作台之上；<br/> 一第一點膠步驟：於所述工作台點膠形成有一阻擋圍牆，其包圍多個所述感測模組於其內側；<br/> 一第二點膠步驟；於所述工作台的所述阻擋圍牆之內點膠形成有一封裝層，其埋置多個所述感測模組於其內，並且每個所述感測模組的所述透光片的至少局部外表面裸露於所述封裝層之外；以及<br/> 一切割步驟：沿著多個所述感測模組的外側且未觸及任一個所述感測模組的路徑切割所述封裝層，以使所述封裝層形成分別包覆於多個所述感測模組的多個封裝體，並且每個所述封裝體覆蓋相對應所述感測模組的所述陶瓷基板的整個環側面；其中，每個所述感測模組與相對應的所述封裝體共同定義為一感測器封裝結構。
如請求項1所述的感測器封裝結構製造方法，其中，於任一個所述感測器封裝結構之中，位於所述透光片相反兩側的所述封裝體的兩個頂緣區域，其相對於所述透光片呈非對稱狀配置。
如請求項1所述的感測器封裝結構製造方法，其中，於所述第一點膠步驟之中，於所述工作台點膠形成有位於所述阻擋圍牆之內的一分隔牆，並且所述分隔牆相連於所述阻擋圍牆以共同構成多個分隔區域，每個所述感測模組位於一個所述分隔區域之內；其中，於所述第二點膠步驟之中，所述封裝層包含分別位於多個所述分隔區域之內的多個所述封裝體。
如請求項3所述的感測器封裝結構製造方法，其中，於任一個所述感測器封裝結構之中，位於所述透光片相反兩側的所述封裝體的兩個頂緣區域，其相對於所述透光片呈對稱狀配置。
如請求項1所述的感測器封裝結構製造方法，其中，每個所述感測模組的所述製造流程進一步包含：當所述感測晶片於安裝於所述陶瓷基板之後，以多條金屬線連接於所述陶瓷基板與所述感測晶片，使得所述陶瓷基板與所述感測晶片通過多條所述金屬線而彼此電性耦接。
一種感測器封裝結構，其包括：<br/> 一陶瓷基板，具有一第一板面、位於所述第一板面相反側的一第二板面、及相連於所述第一板面與所述第二板面之間的一環側面；<br/> 一感測晶片，安裝於所述陶瓷基板的所述第一板面，並且所述感測晶片電性耦接於所述陶瓷基板；其中，所述感測晶片的頂面包含有一感測區域及圍繞於所述感測區域的一承載區域；<br/> 一環形支撐層，形成於所述感測晶片的所述承載區域；<br/> 一透光片，設置於所述環形支撐層；其中，所述透光片、所述環形支撐層、及所述感測晶片的所述頂面共同包圍形成有一封閉空間，而所述感測區域位於所述封閉空間之內；以及<br/> 一封裝體，形成於所述陶瓷基板的所述第一板面且覆蓋整個所述環側面，以使所述陶瓷基板、所述感測晶片、所述環形支撐層、及所述透光片埋置於所述封裝體之內；<br/> 其中，所述陶瓷基板的所述第二板面及所述透光片的至少部分外表面裸露於所述封裝體之外，並且所述封裝體的底緣切齊於所述陶瓷基板的所述第二板面。
如請求項6所述的感測器封裝結構，其中，所述陶瓷基板的所述環側面具有相連於所述第一板面的一第一梯面、相連於所述第二板面的一第二梯面、及相連於所述第一梯面與所述第二梯面之間的一階面，並且所述第一梯面、所述第二梯面、及所述階面皆埋置於所述封裝體之內。
如請求項7所述的感測器封裝結構，其中，所述第一梯面、所述第二梯面、及所述階面皆呈環狀，並且所述階面垂直地相連於所述第一梯面與所述第二梯面。
如請求項6所述的感測器封裝結構，其中，所述感測器封裝結構包含有連接於所述陶瓷基板與所述感測晶片的多條金屬線，並且所述陶瓷基板與所述感測晶片通過多條所述金屬線而彼此電性耦接，而每條所述金屬線的至少局部埋置於所述封裝體之內。
如請求項9所述的感測器封裝結構，其中，所述陶瓷基板包含有位於所述第一板面的多個接合墊，並且所述感測晶片位於多個所述接合墊的內側，所述感測晶片的所述頂面包含有位於所述承載區域的多個連接墊，並且多個所述連接墊埋置於所述環形支撐層之內；其中，多條所述金屬線的一端分別連接於多個所述接合墊，多條所述金屬線的另一端分別連接於多個所述連接墊且埋置於所述環形支撐層之內。
一種光學結構膜，包括：<br/> 基材，所述基材具有彼此相對的第一表面以及第二表面；<br/> 多個第一微結構，以陣列形式配置於所述第一表面上，其中各所述多個第一微結構包括彼此相對的兩個第一斜面以及連接所述兩個第一斜面且彼此相對且相連接的兩個第二斜面，其中各所述兩個第一斜面與所述第一表面之間的第一夾角大於各所述兩個第二斜面與所述第一表面之間的第二夾角，所述第一夾角以及所述第二夾角大於0度，其中各所述兩個第一斜面具有位在所述第一表面上的第一邊，各所述兩個第二斜面具有位在所述第一表面上的第二邊，所述第一邊平行第一方向，所述第二邊平行第二方向，且所述第一方向垂直所述第二方向；以及<br/> 多個第二微結構，以陣列形式配置於所述第二表面上，其中各所述多個第二微結構具有凹的頂面，所述頂面在朝所述第二表面觀看時具有四個端點，所述四個端點的連線形成為矩形，所述頂面包括四個曲面以及分別與所述四個曲面相連接的四個第三斜面，所述四個端點分別位於所述四個第三斜面上，且所述四個第三斜面分別由所述四個端點朝所述頂面的頂面中心延伸並相連接。
如請求項1所述的光學結構膜，其中由所述四個端點的連線所形成的所述矩形在所述第二表面上的垂直投影具有相垂直的第三邊以及第四邊，且所述第三邊平行所述第一方向，所述第四邊平行所述第二方向。
如請求項1所述的光學結構膜，其中所述多個第一微結構中兩兩相鄰者的多個所述第一邊相重疊。
如請求項1所述的光學結構膜，其中所述多個第一微結構中兩兩相鄰者的多個所述第二邊相重疊。
如請求項1所述的光學結構膜，其中各所述多個第二微結構的所述四個端點與相鄰的所述多個第二微結構的所述端點相重疊。
如請求項2所述的光學結構膜，其中所述第一邊的長度為所述第三邊的長度的K倍，所述第二邊的長度為所述第四邊的長度的K倍，且K為大於等於1且小於等於10的正整數。
如請求項2所述的光學結構膜，其中所述第三邊的長度為所述第一邊的長度的M倍，所述第四邊的長度為所述第二邊的長度的M倍，且M為大於等於1且小於等於10的正整數。
如請求項1所述的光學結構膜，其中所述第一夾角落在55度至80度的範圍內，且所述第二夾角落在30度至55度的範圍內。
一種光源模組，包括：<br/> 燈板，包括以陣列形式配置的多個發光元件；以及<br/> 光學結構膜，配置於所述燈板上，且所述光學結構膜包括：<br/> 基材，所述基材具有彼此相對的第一表面以及第二表面；<br/> 多個第一微結構 ，以陣列形式配置於所述第一表面上，其中各所述多個第一微結構包括彼此相對的兩個第一斜面以及連接所述兩個第一斜面且彼此相對且相連接的兩個第二斜面 ，其中各所述兩個第一斜面與所述第一表面之間的第一夾角大於各所述兩個第二斜面與所述第一表面之間的第二夾角，所述第一夾角以及所述第二夾角大於0度，其中各所述兩個第一斜面具有位在所述第一表面上的第一邊，各所述兩個第二斜面具有位在所述第一表面上的第二邊，所述第一邊平行第一方向，所述第二邊平行第二方向，且所述第一方向垂直所述第二方向；以及<br/> 多個第二微結構 ，以陣列形式配置於所述第二表面上，其中各所述多個第二微結構具有凹的頂面，所述頂面在朝所述第二表面觀看時具有四個端點，所述四個端點的連線形成為矩形，所述頂面包括四個曲面以及分別與所述四個曲面相連接的四個第三斜面，所述四個端點分別位於所述四個第三斜面上，且所述四個第三斜面分別由所述四個端點朝所述頂面的頂面中心延伸並相連接。
如請求項9所述的光源模組，其中由所述四個端點的連線所形成的所述矩形在所述第二表面上的垂直投影具有相垂直的第三邊以及第四邊，且所述第三邊平行所述第一方向，所述第四邊平行所述第二方向。
如請求項10所述的光源模組，還包括稜鏡片，其中所述光學結構膜位於所述燈板以及所述稜鏡片之間，且所述稜鏡片包括沿著所述第一方向延伸且沿著所述第二方向排列的多個稜鏡結構。
如請求項9所述的光源模組，其中所述燈板還包括格柵結構，所述格柵結構具有多個容置槽以及分別圍繞所述多個容置槽的多個反射面，所述多個發光元件分別位於所述多個容置槽內且被所述多個反射面圍繞。
如請求項11所述的光源模組，還包括擴散片以及增亮膜，其中所述燈板、所述光學結構膜、所述擴散片、所述稜鏡片以及所述增亮膜依序層疊配置。
如請求項9所述的光源模組，其中所述多個第一微結構中兩兩相鄰者的多個所述第一邊相重疊。
如請求項9所述的光源模組，其中所述多個第一微結構中兩兩相鄰者的多個所述第二邊相重疊。
如請求項10所述的光源模組，其中所述第一邊的長度為所述第三邊的長度的K倍，所述第二邊的長度為所述第四邊的長度的K倍，且K為大於等於1且小於等於10的正整數。
如請求項10所述的光源模組，其中所述第三邊的長度為所述第一邊的長度的M倍，所述第四邊的長度為所述第二邊的長度的M倍，且M為大於等於1且小於等於10的正整數。
如請求項9所述的光源模組，其中所述第一夾角落在55度至80度的範圍內，且所述第二夾角落在30度至55度的範圍內。
一種用於微影的投影光學單元，包含： <br/>複數反射鏡，其用於將成像光(301、401、501、601、701、801)沿著從位於一物件平面(OP)中的一物件場(5)到位於一影像平面(IP)中的一影像場(9)的一成像光束路徑引導，其中一數值孔徑(NA)具有大於0.5的一數值； <br/>其中該等複數反射鏡包含用於掠入射的至少三個反射鏡(GI反射鏡)，其使一中心物件場點之一主射線以大於45°之一入射角偏轉； <br/>其中從該物件場(5)到該影像場(9)通過操作中的該投影光學單元(7、300、400、500、600、700、800)的不同偏振光束，由於一幾何偏振旋轉而在其偏振方向上旋轉不同旋轉角； <br/>其中針對將該物件場(5)之一中心成像到該影像場(9)之一中心的所有光束，前述旋轉角皆小於35°*NA<sup>4.5</sup>。
如請求項1所述之投影光學單元，其特徵在於，針對將該物件場(5)之一中心成像到該影像場(9)之一中心的所有光束，前述旋轉角皆小於30°*NA<sup>4.5</sup>。
如請求項1所述之投影光學單元，其特徵在於，針對將該物件場(5)之一中心成像到該影像場(9)之一中心的所有光束，前述旋轉角皆小於25°*NA<sup>4.5</sup>。
如請求項1或請求項2所述之投影光學單元，其特徵在於，該影像側數值孔徑(NA)具有大於0.6的一數值。
如請求項1或請求項2所述之投影光學單元，其特徵在於，該影像側數值孔徑(NA)具有大於0.7的一數值。
如請求項1或請求項2所述之投影光學單元，其特徵在於，針對將該物件場(5)之一中心成像到該影像場(9)之一中心的所有光束，前述旋轉角皆小於7°。
如請求項1或請求項2所述之投影光學單元，其特徵在於，針對將該物件場(5)之一中心成像到該影像場(9)之一中心的所有光束，前述旋轉角皆小於5°。
如請求項1或請求項2所述之投影光學單元，其特徵在於，針對將該物件場(5)之一中心成像到該影像場(9)之一中心的所有光束，前述旋轉角皆小於3°。
如請求項1或請求項2所述之投影光學單元，其特徵在於，從該物件場(5)之一中心穿越在一出射光瞳中分別具有相對光瞳坐標(-1,0)或(1,0)的一光瞳平面之一定位到該影像場(9)之一中心的一成像光束路徑，具有小於5°*NA<sup>4.5</sup>的一幾何偏振旋轉。
如請求項1或請求項2所述之投影光學單元，其特徵在於，在位於20%光瞳填充率之一偶極內的一光瞳平面中的所有成像光束路徑上方平均的該幾何偏振旋轉小於5°*NA<sup>4.5</sup>。
如請求項1或請求項2所述之投影光學單元，其特徵在於，該旋轉角在該投影光學單元(7、300、500、600、700、800)之一光瞳平面中之一周向分佈呈現出該旋轉角之該數值之至少四個零交叉。
如請求項11所述之投影光學單元，其特徵在於，該旋轉角在該投影光學單元(7、200、300、400、500、600、700、800)之出射光瞳中之一周向分佈呈現出正和負x軸之每個之30°內的一零交叉。
如請求項12所述之投影光學單元，其特徵在於，該旋轉角在該投影光學單元(7、200、300、400、500、600、700、800)之出射光瞳中之一周向分佈呈現出正和負y軸之每個之10°內的一零交叉。
如請求項1或請求項2所述之投影光學單元，其特徵在於，其係一尺寸比例改變的投影光學單元。
如請求項1或請求項2所述之投影光學單元，其特徵在於，該成像光學單元(7、200、300、400、500、600、700、800)之成像光束路徑中的一最後反射鏡包含一通道開口，其用於該成像光。
一種光學系統，包含： <br/>一投影光學單元(7、200、300、400、500、600、700、800)，其依據請求項1-15之任一項所述之投影光學單元；以及 <br/>一照射光學單元(4)，其用於照射其中設置該物件場(5)的一照射場。
一種投影曝光設備，包含一光學系統，其依據請求項16所述之光學系統；以及一極紫外光(EUV)光源(2)，其用於製造該成像光(201、301、401、501、601、701、801)。
一種製造結構化組件的方法，包含下列方法步驟： <br/>提供一倍縮光罩(13)和一晶圓(15)； <br/>藉助於依據請求項17的該投影曝光設備(1)，將該倍縮光罩(13)上的一結構投影到該晶圓(15)之一光敏層上；以及 <br/>透過在該晶圓(15)上製造一微結構或奈米結構製造一結構化組件。
一種AI行車紀錄器，包括：<br/> 處理器；<br/> 邊緣運算裝置，電性連接該處理器；其中該邊緣運算裝置包含AI加速電路，該AI加速電路包含神經處理單元及AI模型儲存於記憶體，該AI加速電路包含專用指令集優化運算，該AI加速電路透過平行計算和專門化演算法提高該AI模型推理訓練速度；及<br/> 其中透過該神經處理單元與該AI模型，提供智能駕駛輔助，其中該AI模型為已訓練智能模型，該AI行車紀錄器可透過伺服器更新該已訓練智能模型。
如請求項1之AI行車紀錄器，其中該AI加速電路配備高頻寬記憶體，確保快速資料傳輸。
如請求項1之AI行車紀錄器，其中該AI模型包含人工智慧駕駛模型。
如請求項3之AI行車紀錄器，其中該人工智慧駕駛模型包含先進駕駛輔助系統、駕駛管理系統、乘客管理系統之一或其組合。
如請求項4之AI行車紀錄器，其中透過感應器捕捉駕駛影像，以該駕駛管理系統分析駕駛行為或狀態。
如請求項4之AI行車紀錄器，其中透過感應器捕捉乘員影像，以該乘客管理系統分析乘員行為或狀態。
如請求項4之AI行車紀錄器，其中該先進駕駛輔助系統執行以下任務之一或任意組合: 監視路況、識別障礙、維持車速、維持車道、保持車距。
如請求項1之AI行車紀錄器，其中包含加速度計、陀螺儀之一或其組合。
如請求項1之AI行車紀錄器，其中包含Wi-Fi、藍芽、4G、5G、6G模組之一或其組合。
如請求項1之AI行車紀錄器，其中包含GPS模組。
一種可調式冰鎮保冷器，包括： 一開口蓋，可拆卸地結合於一開口桶上，具有一限位槽； <br/> 一掛架，可拆卸地結合於該開口蓋，具有一滑槽；<br/> 一轉盤，設置於該開口蓋與該掛架之間，具有一撥桿及一導溝，該撥桿凸出於該限位槽；<br/> 至少一滑車，包括：一扣座、一滑軌及一導桿，該滑軌設置於該扣座上且嵌入該滑槽，該導桿設置於該滑軌上且嵌入該導溝；及<br/> 至少一冷卻組，包括：一載板、一蓄冷包及一插件，該蓄冷包及該插件分別設置於該載板之相對二側，該插件可拆卸地連接該扣座；<br/> 以該撥桿旋轉該轉盤使該導溝帶動該至少一滑車及該至少一冷卻組沿該滑槽移動，從而可調整該開口桶內之容置空間大小。
如請求項1所述可調式冰鎮保冷器，其中該開口蓋及該開口桶之材料包括丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(Acrylonitrile Butadiene Styrene, ABS)共聚物及熱塑性聚氨酯(Thermoplastic polyurethane, TPU)。
如請求項1所述可調式冰鎮保冷器，其中該掛架經由螺絲可拆卸地結合於該開口蓋。
如請求項1所述可調式冰鎮保冷器，其中該導溝為弧形。
如請求項1所述可調式冰鎮保冷器，其中該至少一滑車及該至少一冷卻組之數量介於1至10。
如請求項1所述可調式冰鎮保冷器，進一步包括：二磁性件，分別於該插件及該扣座，該插件經由該二磁性件之磁吸力可拆卸地連接該扣座。
如請求項1所述可調式冰鎮保冷器，其中該至少一冷卻組進一步包括：一握把及一托片，該握把位於與該蓄冷包同一側之該載板上，該托片位於與該插件同一側之該載板上，該托片適於托抵該扣座之下緣。
如請求項1所述可調式冰鎮保冷器，進一步包括：一樞紐，位於該限位槽上，且連接該撥桿；一提把，設置於該開口桶上。
如請求項1所述可調式冰鎮保冷器，其中該載板與該開口桶之內壁保持一間隙。
一種電信客戶服務與使用資源整合系統，包括：人員管理模組，用於取得該電信客戶服務與使用資源整合系統之使用人員的基本資料、主管簽核層級資料、以及各種人員之資料；服務資源管理模組，用於自服務受理系統和服務資源供裝系統取得電信客戶之使用服務資料與使用網路資源資料；服務主檔資料庫，用於儲存各種資料，其中，該各種資料至少包括該使用人員之該基本資料、該主管簽核層級資料、該各種人員之資料、以及該電信客戶之該使用服務資料與該使用網路資源資料中之一部分；流程管理模組，用於串整該各種資料、整合該各種資料和各種流程、以及協調該使用人員、該各種人員和網路資源之間的互動；網頁功能模組，用於透過網頁介面提供應用操作及該各種資料之所述串整，其中，該各種資料係用於售後服務應用；以及售後服務應用模組，用於進行該售後服務應用，其中，該各種人員包括客戶經理與專案經理，且該售後服務應用包括基於該各種資料之包裹、查詢、貼標及推播。
如請求項1所述之電信客戶服務與使用資源整合系統，其中，當該查詢涉及機敏之個資時，該電信客戶服務與使用資源整合系統自動將該查詢之內容和操作人員信息傳送至外部系統中之個資查詢管理系統。
如請求項1所述之電信客戶服務與使用資源整合系統，其中，該人員管理模組及該服務資源管理模組中之至少一者復用於進行該各種資料至該服務主檔資料庫之初始大批匯入，再定期更新該服務主檔資料庫所儲存之該各種資料。
如請求項1所述之電信客戶服務與使用資源整合系統，其中，該售後服務應用模組復用於定期更新該服務主檔資料庫所儲存之該各種資料。
如請求項1所述之電信客戶服務與使用資源整合系統，其中，該售後服務應用模組復用於進行該使用人員、該各種人員及該各種資料之串整關聯，且該網頁功能模組復用於透過該網頁介面提供客製化之該各種資料。
如請求項1所述之電信客戶服務與使用資源整合系統，其中，該售後服務應用模組復用於根據該各種資料產生客製化之包裹資訊，再將該包裹資訊主動推播至外部系統，其中，該包裹資訊包括售中供裝進度及售後資訊。
一種電信客戶服務與使用資源整合方法，包括：從人員管理模組、服務資源管理模組、服務主檔資料庫、流程管理模組、網頁功能模組及售後服務應用模組中擷取電信服務與資源之資料；分析比對該資料，以找出該資料中之關鍵資訊，再串整所述分析後之該資料與客戶經理或專案經理，包括服務與地域關聯分析、以及服務客戶數與成長趨勢分析；以及將所述串整後之該資料用於售後服務應用，其中，該售後服務應用包括基於所述串整後之該資料的包裹、查詢、貼標及推播。
如請求項7所述之電信客戶服務與使用資源整合方法，復包括：當該查詢涉及機敏之個資時，自動將該查詢之內容和操作人員信息傳送至個資查詢管理系統。
一種PCB低含銅廢水聯合處理回收硫酸銅的方法，所述PCB低含銅廢水包括清洗廢水和SPS微蝕廢液；<br/> 所述方法具體包括以下步驟：<br/> （1）將清洗廢水調節體系pH值為2.8~3.2，得到混合液A；<br/> （2）將該混合液A經三柱陽離子交換樹脂吸附銅離子；<br/> （3）當樹脂柱飽和時，用硫酸溶液解析，得到含有硫酸銅和硫酸的解析液；<br/> （4）將該解析液和SPS微蝕廢液混合，得到混合液B；<br/> （5）將氧化銅加入該混合液B中與硫酸反應，攪拌至氧化銅完全溶解，並控制終點pH值為4~5，得到含有硫酸銅的反應液；<br/> （6）將該反應液過濾，蒸發結晶，烘乾，得到五水硫酸銅。
如請求項1所述的PCB低含銅廢水聯合處理回收硫酸銅的方法，其中，所述清洗廢水包括鍍銅水洗水、絡合廢水、SPS微蝕水洗水和酸性蝕刻水洗水，主要污染物為銅離子、絡合劑和酸。
如請求項2所述的PCB低含銅廢水聯合處理回收硫酸銅的方法，其中，所述鍍銅水洗水的含銅量＜30ppm；所述絡合廢水為含絡合劑的沉銅水洗水，含銅量＜30ppm。
如請求項1所述的PCB低含銅廢水聯合處理回收硫酸銅的方法，其中，所述SPS微蝕廢液的含銅量為14.8-15.7g/L。
如請求項1所述的PCB低含銅廢水聯合處理回收硫酸銅的方法，其中，步驟（2）中，除去銅離子後混合液A的含銅量≤0.1ppm，排入中和池。
如請求項1所述的PCB低含銅廢水聯合處理回收硫酸銅的方法，其中，步驟（3）中，所述硫酸溶液的重量百分比為8%~10%。
如請求項1所述的PCB低含銅廢水聯合處理回收硫酸銅的方法，其中，步驟（5）中，所述氧化銅採用酸性蝕刻廢液製得。
如請求項1或7中任一項所述的PCB低含銅廢水聯合處理回收硫酸銅的方法，其中，所述氧化銅的製備方法具體包括以下步驟：<br/> 1)中和：將酸性氯化銅蝕刻廢液經過濾除去不溶性固態雜質後注入重量百分比30-35%、溫度40-60℃的氫氧化鈉溶液中，並持續攪拌一直維持pH8.0，酸性氯化銅蝕刻廢液與氫氧化鈉反應形成氫氧化銅，氫氧化銅立即脫水在下層形成泥狀氧化銅，上層形成中和液；<br/> 2)洗滌除鹽：進行固液分離取出泥狀氧化銅，進行洗滌，除去氧化銅所含鹽分，當洗滌液電導率≤100μS/cm時，洗滌完成；<br/> 3)乾燥、燒結：使氧化銅在100-300℃乾燥、燒結，得到純度大於99.0%針狀晶氧化銅；<br/> 4)蒸發結晶：將步驟1)產生的中和液及步驟2)產生的洗滌液混合、加熱,蒸發結晶，得到工業鹽和蒸餾水。
一種倉儲式自動給板裝置，包括有：<br/> 一機架，兩旁側設置有數支直立導桿；<br/> 一倉儲盒，藉由數個直線軸承設置於該些直立導桿，該倉儲盒具有數個抽屜，各該抽屜的兩旁側設置有一對齒排；<br/> 一倉儲盒升降驅動單元，設置一對倉儲盒驅動螺桿於該機架的兩旁側，及設置一倉儲盒驅動動力組於該機架，該對倉儲盒驅動螺桿搭配有數個倉儲盒驅動螺套，該些倉儲盒驅動螺套固定於該倉儲盒，該對倉儲盒驅動螺桿與該倉儲盒驅動動力組動力連接；<br/> 一抽屜開合驅動單元，設置一對進退動力源於該機架的兩旁側，及設置一對抽屜驅動動力組於該對進退動力源的作動端，藉由該對進退動力源控制該對抽屜驅動動力組與該對齒排的動力連接態樣；以及<br/> 一人機介面，設置於該機架，輸入及控制該倉儲盒升降驅動單元及該抽屜開合驅動單元的作動程序。
如請求項1所述之倉儲式自動給板裝置，其中，還包括有一抽屜鎖定單元，該抽屜鎖定單元設置一對解鎖動力源於該機架的兩旁側，及各設置一對抽屜鎖定組於各該抽屜的兩旁側，該對抽屜鎖定組常態鎖定住該對齒排而令各該抽屜維持收合狀態，該對解鎖動力源的作動令該對抽屜鎖定組暫態解鎖，且令該人機介面輸入及控制該抽屜鎖定單元的作動程序，該人機介面具有QR碼掃描器。
如請求項2所述之倉儲式自動給板裝置，其中，該抽屜鎖定組具有一定位塊、一鎖定爪及一恢復彈簧，該定位塊固定於該倉儲盒，該鎖定爪及該恢復彈簧設置於該定位塊，該恢復彈簧令該鎖定爪常態鎖定住該齒排，該鎖定爪具有一解鎖凸部；該對解鎖動力源選用氣壓缸，而於該解鎖動力源的作動端設置有一解鎖塊，該解鎖塊具有一解鎖凹部，該解鎖凹部與該解鎖凸部具有橫向卡扣關係。
如請求項1、2或3所述之倉儲式自動給板裝置，其中，該倉儲盒驅動動力組於該對倉儲盒驅動螺桿各設置有一傳動輪，並於該機架設置有一倉儲盒升降馬達及數個惰輪，該倉儲盒升降馬達的驅動軸設置有一驅動輪，且將一傳動皮帶繞設於該些傳動輪、該些惰輪及該驅動輪；該對進退動力源選用氣壓缸；該抽屜驅動動力組為一抽屜開合馬達及一齒輪組之組合，該齒輪組與該齒排具有嚙合關係，該齒排為圓柱形齒排。
一種使用請求項1所述倉儲式自動給板裝置之多層板預疊合機，包括有：<br/> 一機架，兩旁側設置有數支直立導桿；<br/> 一倉儲盒，藉由數個直線軸承設置於該些直立導桿，該倉儲盒具有數個抽屜，各該抽屜的兩旁側設置有一對齒排；<br/> 一倉儲盒升降驅動單元，設置一對倉儲盒驅動螺桿於該機架的兩旁側，及設置一倉儲盒驅動動力組於該機架，該對倉儲盒驅動螺桿搭配有數個倉儲盒驅動螺套，該些倉儲盒驅動螺套固定於該倉儲盒，該對倉儲盒驅動螺桿與該倉儲盒驅動動力組動力連接；<br/> 一抽屜開合驅動單元，設置一對進退動力源於該機架的兩旁側，及設置一對抽屜驅動動力組於該對進退動力源的作動端，藉由該對進退動力源控制該對抽屜驅動動力組與該對齒排的動力連接態樣；<br/> 一預疊合工作平台，設置於該機架的前側；<br/> 一輸送平台，具有輸送動力組而藉由數個直線軸承設置於該些直立導桿；<br/> 一輸送平台升降驅動單元，設置一對輸送平台驅動螺桿於該機架的兩旁側，及設置一輸送平台驅動動力組於該機架，該對輸送平台驅動螺桿搭配有數個輸送平台驅動螺套，該些輸送平台驅動螺套固定於該輸送平台，該對輸送平台驅動螺桿與該輸送平台驅動動力組動力連接；<br/> 一對上壓板托輪架，設置於該機架的前側而位於該預疊合工作平台的上方，並藉由一對托輪架側向移動動力源控制該對上壓板托輪架的側向移動；<br/> 一磁力吸放上壓板單元，設置於該機架的前側而位於該對上壓板托輪架的上方，該磁力吸放上壓板單元具有一對電磁鐵、一對第一電磁鐵升降動力、一對第二電磁鐵升降動力及一對電磁鐵側向移動動力，該對第一、第二電磁鐵升降動力控制該對電磁鐵的升降，該對電磁鐵側向移動動力控制該對電磁鐵的側向移動；以及<br/> 一人機介面，設置於該機架，輸入及控制該倉儲盒升降驅動單元、該抽屜開合驅動單元、該輸送平台、該輸送平台升降驅動單元、該對托輪架側向移動動力及該磁力吸放上壓板單元的作動程序。
如請求項5所述之多層板預疊合機，其中，還包括有一抽屜鎖定單元，該抽屜鎖定單元設置一對解鎖動力源於該機架的兩旁側，及各設置一對抽屜鎖定組於各該抽屜的兩旁側，該對抽屜鎖定組常態鎖定住該對齒排而令各該抽屜維持收合狀態，該對解鎖動力源的作動令該對抽屜鎖定組暫態解鎖，且令該人機介面輸入及控制該抽屜鎖定單元的作動程序，該人機介面具有QR碼掃描器。
如請求項6所述之多層板預疊合機，其中，該抽屜鎖定組具有一定位塊、一鎖定爪及一恢復彈簧，該定位塊固定於該倉儲盒，該鎖定爪及該恢復彈簧設置於該定位塊，該恢復彈簧令該鎖定爪常態鎖定住該齒排，該鎖定爪具有一解鎖凸部；該對解鎖動力源選用氣壓缸，而於氣壓缸的作動端設置有一解鎖塊，該解鎖塊具有一解鎖凹部，該解鎖凹部與該解鎖凸部具有橫向卡扣關係。
如請求項5、6或7所述之多層板預疊合機，其中，該倉儲盒驅動動力組於該對倉儲盒驅動螺桿各設置有一傳動輪，並於該機架設置有一倉儲盒升降馬達及數個惰輪，該倉儲盒升降馬達的驅動軸設置有一驅動輪，且將一傳動皮帶繞設於該些傳動輪、該些惰輪及該驅動輪；該對進退動力源選用氣壓缸；該抽屜驅動動力組為一抽屜開合馬達及一齒輪組之組合，該齒輪組與該齒排具有嚙合關係，該齒排為圓柱形齒排。
如請求項8所述之多層板預疊合機，其中，該輸送平台驅動動力組於該對輸送平台驅動螺桿各設置有一傳動輪，並於該機架設置有一輸送平台升降馬達及數個惰輪，該輸送平台升降馬達的驅動軸設置有一驅動輪，且將一傳動皮帶繞設於該些傳動輪、該些惰輪及該驅動輪。
一種電動摩托車的電池固定總成，包含： <br/>一電池安裝座； <br/>一電池，能選擇性組卸於上述電池安裝座； <br/>一可動擋件，能選擇位於一靠近於上述電池的靠近位置或一遠離於上述電池的遠離位置，而上述可動擋件在上述靠近位置的狀態下會與上述電池安裝座共同夾固於上述電池，並具有一與上述電池位置重疊的容置部；以及 <br/>一推抵機構，能在上述可動擋件位於上述靠近位置時能接觸於上述電池，並包含： <br/>一滑動件，能在上述容置部的內部進行移動； <br/>一推抵彈簧，位於上述容置部的內部，並用以推動上述滑動件；以及 <br/>一緩衝件，能產生形變，並連接於上述滑動件，而上述緩衝件能在上述容置部的外部來接觸於上述電池； <br/>其中，當上述可動擋件位於上述靠近位置時，上述緩衝件會直接接觸於上述電池以讓上述滑動件在上述容置部內部進行移動，使得上述緩衝件被上述電池與滑動件兩者會共同擠壓而呈現一產生形變的形變狀態，同時上述推抵彈簧被上述可動擋件與滑動件兩者共同擠壓而呈現一長度縮短的壓縮狀態； <br/>其中，當上述可動擋件位於上述遠離位置時，上述緩衝件會恢復為原始形狀而呈現一原始狀態，同時，上述推抵彈簧的長度會增加而呈現一待機狀態。
如請求項1所述電動摩托車的電池固定總成，其中，上述容置部的相對兩端分別設為一封閉端與一開口端，而上述容置部的內部設有一能與上述滑動件接觸的止擋部，而當上述滑動件接觸於上述止擋部時，上述緩衝件能穿過於上述開口端而位於上述容置部的外部。
如請求項2所述電動摩托車的電池固定總成，其中，上述止擋部沿著上述容置部的壁面延伸形成，使得上述止擋部呈現環形樣態而圍繞形成上述開口端，而上述滑動件的最大輪廓大於上述開口端，且上述緩衝件的輪廓小於上述開口端。
如請求項2所述電動摩托車的電池固定總成，其中，上述容置部設為一容置通道與一上遮蓋板，上述容置通道從上述可動擋件的上側貫穿至上述可動擋件的下側，使得上述容置通道設有一成形在上述可動擋件上側的上入孔與一成形在上述可動擋件下側的下入孔，且上述容置通道在上述下入孔的位置形成一止擋板以形成上述止擋部，而上述上遮蓋板遮蓋於上述上入孔而形成上述封閉端，則上述下入孔單獨構成上述開口端。
如請求項2所述電動摩托車的電池固定總成，其中，上述容置部設為一容置凹槽與一下遮蓋板，上述容置凹槽是從上述可動擋件的下側朝上述可動擋件的上側進行凹陷，使得上述容置凹槽設有一成形在上述可動擋件下側的凹槽開孔與一高度位置高於上述凹槽開孔的凹槽端面，且上述凹槽端面單獨構成上述封閉端，而上述下遮蓋板貫穿形成一設為上述開口端的蓋板通孔，並連接於上述凹槽開孔，使得上述下遮蓋板設為上述止擋部。
如請求項2所述電動摩托車的電池固定總成，其中，上述滑動件設有一用以容置上述推抵彈簧的彈簧收容空間與一連通於上述彈簧收容空間的穿設孔，上述緩衝件具有一無法穿入上述穿設孔的彈性體與一從上述彈性體延伸形成的彈性穿設柱，而上述彈性穿設柱能穿入於上述穿設孔的內部，讓上述彈性穿設柱的一部分位於上述彈簧收容空間的內部，使得上述推抵彈簧的一部分位於上述彈性穿設柱的外圍。
如請求項6所述電動摩托車的電池固定總成，其中，上述滑動件凹陷形成一滑動件凹槽，並在上述滑動件凹槽的內部形成一收容臂，上述收容臂圍繞形成上述彈簧收容空間，使得上述收容臂位於上述推抵彈簧的外圍。
如請求項6所述電動摩托車的電池固定總成，其中，上述彈性穿設柱的一部分位於上述穿設孔的內部而設為一穿設柱身部，而上述彈性穿設柱的一部分位於上述彈簧收容空間的內部而設為一穿設柱頭部，上述穿設柱頭部的輪廓大於上述穿設柱身部的輪廓。
一種基板搬送裝置，其特徵在於包含：<br/>搬運機構，其自將水平姿勢之基板沿鉛直方向排列而收納之載架取得基板群；<br/>姿勢變換機構，其包含：一對載置桿，其等沿鉛直方向以規定節距排列有供承載由前述搬運機構交遞之基板之端部之平板；一對夾持桿，其等沿鉛直方向以前述規定節距排列有供夾持鉛直姿勢之基板之槽；支持構件，其豎立設置有前述載置桿及前述夾持桿；及基台，其將前述支持構件以可倒立之方式支持；及<br/>基板保持機構，其組合由姿勢變換機構以前述夾持桿保持之鉛直姿勢之第1基板群、與自前述姿勢變換機構預先交遞之鉛直姿勢之第2基板群，以較前述規定節距窄之排列節距將基板沿水平方向排列；且<br/>前述姿勢變換機構包含移動機構，該移動機構在前述基板保持機構組合前述第1基板群與前述第2基板群時，使處於水平姿勢之基板可抵接之第1位置之前述平板，自前述第1基板群之間隙移動至避讓之第2位置。
如請求項1之基板搬送裝置，其中<br/>前述載置桿具有排列有前述平板之面、及未排列有前述平板之面，<br/>前述移動機構係使前述載置桿繞與前述平板之排列方向平行之中心軸旋轉之旋轉機構。
如請求項2之基板搬送裝置，其中<br/>前述載置桿係作為排列有前述平板之面而具有排列有第1平板之去程用之面、及排列有第2平板之回程用之面，<br/>前述旋轉機構在將基板自前述搬運機構搬送至前述基板保持機構時，以前述去程用之面朝向基板之方式使前述載置桿旋轉，在將基板自前述基板保持機構搬送至前述搬運機構時，以前述回程用之面朝向基板之方式使前述載置桿旋轉。
如請求項1之基板搬送裝置，其中<br/>於前述載置桿，以前述載架中之基板之排列節距之2倍之節距排列有前述平板，<br/>於前述夾持桿，以前述載架中之基板之排列節距之2倍之節距排列有前述槽，<br/>前述基板保持機構中之基板之排列節距，為前述載架中之基板之排列節距之1/3倍。
如請求項1之基板搬送裝置，其中<br/>前述基板保持機構能夠使保持之基板之排列繞鉛直軸半旋轉。
如請求項1之基板搬送裝置，其中<br/>於前述載置桿，以前述載架中之基板之排列節距排列有前述平板，<br/>於前述夾持桿，以前述載架中之基板之排列節距排列有前述槽，<br/>前述基板保持機構係以在保持之基板之排列中對向之2片基板成為不同之組之方式將基板分成第1組與第2組，能夠使前述第2組基板繞鉛直軸半旋轉。
如請求項6之基板搬送裝置，其中<br/>前述基板保持機構中之基板之排列節距，為前述載架中之基板之排列節距之1/3倍。
一種基板處理裝置，其特徵在於其係包含如請求項1之基板搬送裝置者，且包含：<br/>使前述基板保持機構保持之基板浸漬於處理液之浸漬槽。
一種記憶體積體電路，包括： <br/>位於半導體晶圓的多個晶片區中的多個記憶體陣列；以及 <br/>位於所述半導體晶圓的切割道區中的多個測試結構， <br/>其中所述多個記憶體陣列與所述多個測試結構分別包括沿相同方向延伸的多條字元線與多個絕緣結構，在各記憶體陣列中所述多個絕緣結構經配置以定義出多個電容接觸結構，各記憶體陣列中的所述多個絕緣結構以第一節距排列，且各測試結構中的所述多個絕緣結構以大於所述第一節距的第二節距排列。
如請求項1所述的記憶體積體電路，其中各測試結構中每隔所述多條字元線的兩者而放置所述多個絕緣結構的一者。
如請求項1所述的記憶體積體電路，其中在各記憶體陣列中所述多條字元線與所述多個絕緣結構交替排列。
如請求項2所述的記憶體積體電路，其中在各測試結構中各字元線至少有一側並非緊鄰於所述多個絕緣結構中的任一者。
如請求項2所述的記憶體積體電路，其中在各記憶體陣列中所述多條字元線分別交疊於所述多個絕緣結構的一者。
如請求項1所述的記憶體積體電路，其中所述第二節距約為所述第一節距的兩倍。
如請求項1所述的記憶體積體電路，其中在各記憶體陣列中所述多個絕緣結構的位置定義出所述多個電容接觸結構的位置。
如請求項1所述的記憶體積體電路，其中在各記憶體陣列中所述多個絕緣結構之間的間隙定義出所述多個電容接觸結構的位置。
一種記憶體積體電路，包括： <br/>位於半導體晶圓的多個晶片區中的多個功能性圖案陣列；以及 <br/>位於所述半導體晶圓的切割道區中的多個測試結構， <br/>其中所述多個功能性圖案陣列與所述多個測試結構分別包括沿相同方向延伸的多條第一圖案與多個第二圖案，在各功能性圖案陣列中所述多個第二圖案經配置以定義出多個第三圖案的位置，各功能性圖案陣列中的所述多個第二圖案以第一節距排列，且各測試結構中的所述多個第二圖案以大於所述第一節距的第二節距排列。
如請求項9所述的記憶體積體電路，其中各測試結構中每隔所述多條第一圖案的兩者而放置所述多個第二圖案的一者。
如請求項9所述的記憶體積體電路，其中在各功能性圖案陣列中所述多條第一圖案與所述多個第二圖案交替排列。
如請求項10所述的記憶體積體電路，其中在各測試結構中各第一圖案至少有一側並非緊鄰於所述多個第二圖案中的任一者。
如請求項10所述的記憶體積體電路，其中在各功能性圖案陣列中所述多條第一圖案分別交疊於所述多個第二圖案的一者。
一種記憶體積體電路的製造方法，包括： <br/>在半導體晶圓的多個晶片區中形成多個記憶體陣列；以及 <br/>在所述半導體晶圓的切割道區中形成多個測試結構， <br/>其中所述多個記憶體陣列與所述多個測試結構分別包括沿相同方向延伸的多條字元線與多個絕緣結構，在各記憶體陣列中所述多個絕緣結構經配置以定義出多個電容接觸結構，各記憶體陣列中的所述多個絕緣結構以第一節距排列，且各測試結構中的所述多個絕緣結構以大於所述第一節距的第二節距排列。
如請求項14所述的記憶體積體電路的製造方法，其中在各記憶體陣列或各測試結構的每一者形成所述多個絕緣結構包括： <br/>在基底結構上形成第一絕緣材料層； <br/>在所述第一絕緣材料層上形成多個核心圖案； <br/>形成共形覆蓋所述多個核心圖案與所述第一絕緣材料層的殼層； <br/>移除所述殼層的橫向延伸部分而保留所述殼層的覆蓋所述多個核心圖案的側壁的縱向延伸部分； <br/>移除所述多個核心圖案； <br/>以所述殼層的所述縱向延伸部分作為遮罩而蝕刻所述第一絕緣材料層，而將所述第一絕緣材料層圖案化為所述多個絕緣結構；以及 <br/>移除所述殼層的所述縱向延伸部分。
如請求項15所述的記憶體積體電路的製造方法，其中各測試結構中的各核心圖案的寬度約為各記憶體陣列中的各核心圖案的寬度之兩倍，且各測試結構中的所述多個核心圖案的節距約為各記憶體陣列中的所述多個核心圖案的節距之兩倍。
如請求項14所述的記憶體積體電路的製造方法，其中在各記憶體陣列或各測試結構中形成所述多個絕緣結構包括： <br/>在基底結構上形成絕緣材料層； <br/>在所述絕緣材料層上形成多個核心圖案； <br/>形成共形覆蓋所述多個核心圖案的殼層； <br/>形成全面覆蓋所述殼層與所述絕緣材料層的介電層； <br/>移除所述殼層； <br/>以所述多個核心圖案與所述介電層做為遮罩而蝕刻所述絕緣材料層，以在所述絕緣材料層中形成多個開口；以及 <br/>在所述多個開口中填入所述多個絕緣結構。
如請求項17所述的記憶體積體電路的製造方法，其中各測試結構中的各核心圖案的寬度約為各記憶體陣列中的各核心圖案的寬度之兩倍，且各測試結構中的所述多個核心圖案的節距約為各記憶體陣列中的所述多個核心圖案的節距之兩倍。
一種使用者裝備，其包含：<br/> 至少一處理器；及<br/> 儲存指令的至少一個記憶體，該等指令在由該至少一個處理器執行時致使該使用者裝備至少進行以下操作：<br/> 支援具有僅一個接收(Rx)分支的一第一接收模式以及具有至少兩個Rx分支的一第二接收模式，其中，該使用者裝備在同一頻帶上支援該第一接收模式及該第二接收模式；<br/> 自與一胞元相關聯之一網路節點偵測與該第一接收模式相關聯的一第一禁止指示以及與該第二接收模式相關聯的一第二禁止指示，其中，該第一禁止指示指出該胞元被禁止且該第二禁止指示指出該胞元未被禁止，或反過來的情況；及<br/> 基於在該頻帶上所支援的該第一接收模式及該第二接收模式以及該第一禁止指示和該第二禁止指示其中至少一者而判定針對該使用者裝備而言該胞元是否被禁止，其中：<br/> ● 當該第一禁止指示指出該胞元未被禁止且該使用者裝備在該頻帶上支援該第一接收模式時，該胞元被判定為未被禁止，且該第二禁止指示被忽略，或<br/> ● 當該第二禁止指示指出該胞元未被禁止且該使用者裝備在該頻帶上支援該第二接收模式時，該胞元被判定為未被禁止，且該第一禁止指示被忽略。
如請求項1之使用者裝備，其中，該使用者裝備進一步被致使進行以下操作：<br/> 當該胞元被判定為被禁止時，制止胞元選擇或胞元重新選擇。
如請求項1之使用者裝備，其中，該使用者裝備進一步被致使進行以下操作：<br/> 將指出該使用者裝備支援該第一接收模式及該第二接收模式的一能力指示傳輸至該網路節點。
如請求項1之使用者裝備，其中，該使用者裝備進一步被致使進行以下操作：<br/> 自該網路節點接收列有該胞元之一載波所屬於的至少一個頻帶的一清單。
如請求項4之使用者裝備，其中，該頻帶被包括在接收自該網路的列有該至少一個頻帶的該清單中。
如請求項1之使用者裝備，其中，基於該使用者裝備在具有對應於一初始下行鏈路頻寬部分之副載波間距的該副載波間距的該頻帶上支援該第一接收模式及該第二接收模式、且該第一禁止指示或該第二禁止指示指出該胞元未被禁止，該使用者裝備判定針對該頻帶而言該胞元未被禁止。
如請求項1之使用者裝備，其中，該使用者裝備進一步被致使進行以下操作：<br/> 選擇要考慮該第一禁止指示及該第二禁止指示其中哪一者，並漠視另一者，以判定該胞元是否被禁止，其中，所述選擇係基於下列其中至少一者：該胞元之一初始下行鏈路頻寬部分的副載波間距、關於該胞元之一載波所屬於的至少一個頻帶的資訊，或該使用者裝備在哪至少一個頻帶上針對哪至少一個副載波間距支援該第一接收模式及該第二接收模式。
如請求項1之使用者裝備，其中，該第一禁止指示及該第二禁止指示為胞元特定的，且共用於該胞元之所有頻帶。
如請求項1之使用者裝備，其中，該第一禁止指示及該第二禁止指示為頻帶特定的。
如請求項1之使用者裝備，其中，該使用者裝備為一能力降低使用者裝備或一增強型能力降低使用者裝備。
一種網路節點，其包含：<br/> 至少一處理器；及<br/> 儲存指令的至少一個記憶體，該等指令在由該至少一個處理器執行時致使與一胞元相關聯之該網路節點至少進行以下操作：<br/> 自一使用者裝備接收一能力指示，該能力指示指出該使用者裝備支援具有僅一個接收(Rx)分支的一第一接收模式以及具有至少兩個Rx分支的一第二接收模式，其中，該使用者裝備在同一頻帶上支援該第一接收模式及該第二接收模式；<br/> 將與該第一接收模式相關聯的一第一禁止指示以及與該第二接收模式相關聯的一第二禁止指示傳輸至該使用者裝備，其中，該第一禁止指示指出該胞元被禁止且該第二禁止指示指出該胞元未被禁止，或反過來的情況；及<br/> 基於在該頻帶上所支援的該第一接收模式及該第二接收模式以及該第一禁止指示和該第二禁止指示其中至少一者而判定針對該使用者裝備而言該胞元是否被禁止，其中：<br/> ● 在該使用者裝備接取該胞元之時，當該第一禁止指示指出該胞元未被禁止且該使用者裝備在該頻帶上支援該第一接收模式時，該胞元被判定為未被禁止，且該第二禁止指示被忽略，或<br/> ● 在該使用者裝備接取該胞元之時，當該第二禁止指示指出該胞元未被禁止且該使用者裝備在該頻帶上支援該第二接收模式時，該胞元被判定為未被禁止，且該第一禁止指示被忽略。
一種由一使用者裝備執行之方法，該方法包含：<br/> 支援具有僅一個接收(Rx)分支的一第一接收模式以及具有至少兩個Rx分支的一第二接收模式，其中，該使用者裝備在同一頻帶上支援該第一接收模式及該第二接收模式；<br/> 自與一胞元相關聯之一網路節點偵測與該第一接收模式相關聯的一第一禁止指示以及與該第二接收模式相關聯的一第二禁止指示，其中，該第一禁止指示指出該胞元被禁止且該第二禁止指示指出該胞元未被禁止，或反過來的情況；及<br/> 基於在該頻帶上所支援的該第一接收模式及該第二接收模式以及該第一禁止指示和該第二禁止指示其中至少一者而判定針對該使用者裝備而言該胞元是否被禁止，其中： <br/> ● 當該第一禁止指示指出該胞元未被禁止且該使用者裝備在該頻帶上支援該第一接收模式時，該胞元被判定為未被禁止，且該第二禁止指示被忽略，或<br/> ● 當該第二禁止指示指出該胞元未被禁止且該使用者裝備在該頻帶上支援該第二接收模式時，該胞元被判定為未被禁止，且該第一禁止指示被忽略。
一種由一網路節點執行之方法，該方法包含：<br/> 自一使用者裝備接收一能力指示，該能力指示指出該使用者裝備支援具有僅一個接收(Rx)分支的一第一接收模式以及具有至少兩個Rx分支的一第二接收模式，其中，該使用者裝備在同一頻帶上支援該第一接收模式及該第二接收模式；<br/> 將與該第一接收模式相關聯的一第一禁止指示以及與該第二接收模式相關聯的一第二禁止指示傳輸至該使用者裝備，其中，該第一禁止指示指出該胞元被禁止且該第二禁止指示指出該胞元未被禁止，或反過來的情況；及<br/> 基於在該頻帶上所支援的該第一接收模式及該第二接收模式以及該第一禁止指示和該第二禁止指示其中至少一者而判定針對該使用者裝備而言該胞元是否被禁止，其中：<br/> ● 在該使用者裝備接取該胞元之時，當該第一禁止指示指出該胞元未被禁止且該使用者裝備在該頻帶上支援該第一接收模式時，該胞元被判定為未被禁止，且該第二禁止指示被忽略，或<br/> ● 在該使用者裝備接取該胞元之時，當該第二禁止指示指出該胞元未被禁止且該使用者裝備在該頻帶上支援該第二接收模式時，該胞元被判定為未被禁止，且該第一禁止指示被忽略。
一種電腦程式產品，其體現於可由一電腦讀取之一散布媒體上，且包含在程式受一設備執行時致使該設備實行如請求項12至13中任一項之方法的程式指令。
一種電腦程式產品，其包含在程式受一設備執行時致使該設備實行如請求項12至13中任一項之方法的程式指令。
一種應用程式的異常網路流量偵測方法，適用於一電子裝置，包括：<br/> 接收多個行動電子裝置的行動網路流量資料，其中各所述多個行動電子裝置的所述行動網路流量資料包括一應用程式的應用程式網路流量；<br/> 針對所述應用程式對所述多個行動電子裝置的所述應用程式網路流量進行一統計分析處理，以獲取所述應用程式關聯於一目標單位時段的單位時間流量平均值；<br/> 判斷所述目標單位時段的所述單位時間流量平均值是否滿足流量異常條件；以及<br/> 當所述目標單位時段的所述單位時間流量平均值滿足所述流量異常條件，根據所述目標單位時段的所述單位時間流量平均值識別所述應用程式的一流量異常版本。
如請求項1所述的應用程式的異常網路流量偵測方法，其中所述應用程式網路流量為背景行動網路流量。
如請求項1所述的應用程式的異常網路流量偵測方法，其中判斷所述目標單位時段的所述單位時間流量平均值是否滿足所述流量異常條件的步驟包括：<br/> 針對所述應用程式對所述多個行動電子裝置的所述應用程式網路流量進行所述統計分析處理，以獲取所述應用程式關聯於多個歷史單位時段的一長時間流量平均值；以及<br/> 判斷所述單位時間流量平均值是否大於根據所述長時間流量平均值而定的一門檻值。
如請求項3所述的應用程式的異常網路流量偵測方法，其中判斷所述目標單位時段的所述單位時間流量平均值是否滿足所述流量異常條件的步驟還包括：<br/> 根據所述多個行動電子裝置於所述多個歷史單位時段的所述應用程式網路流量，計算標準差資料；以及<br/> 根據所述標準差資料與所述長時間流量平均值，決定所述門檻值。
如請求項3所述的應用程式的異常網路流量偵測方法，其中判斷所述目標單位時段的所述單位時間流量平均值是否滿足所述流量異常條件的步驟還包括：<br/> 根據所述應用程式的分別於多個連續單位時段的多個單位時間流量平均值，獲取所述應用程式的平均流量移動平均的上升率；以及<br/> 判斷所述平均流量移動平均的所述上升率是否大於一上升門檻值。
如請求項5所述的應用程式的異常網路流量偵測方法，其中當所述目標單位時段的所述單位時間流量平均值大於根據所述長時間流量平均值而定的所述門檻值，且所述平均流量移動平均的所述上升率大於所述上升門檻值，所述目標單位時段的所述單位時間流量平均值滿足所述流量異常條件。
如請求項1所述的應用程式的異常網路流量偵測方法，其中所述應用程式的多個應用程式版本包括一第一版本與多個第二版本，且當所述目標單位時段的所述單位時間流量平均值滿足所述流量異常條件，根據所述目標單位時段的所述單位時間流量平均值識別所述應用程式的所述流量異常版本的步驟包括：<br/> 獲取所述應用程式的所述多個第二版本於所述目標單位時段的第一流量平均值，其中所述目標單位時段的所述單位時間流量平均值是基於所述多個應用程式版本的統計結果；以及<br/> 根據關聯於所述多個應用程式版本的所述單位時間流量平均值與不關聯於所述第一版本的所述第一流量平均值之間的差距，決定所述第一版本是否為所述流量異常版本。
如請求項7所述的應用程式的異常網路流量偵測方法，其中根據關聯於所述多個應用程式版本的所述單位時間流量平均值與不關聯於所述第一版本的所述第一流量平均值之間的差距，判斷所述第一版本是否為所述流量異常版本的步驟包括：<br/> 根據所述單位時間流量平均值與所述第一流量平均值之間的差距，獲取所述應用程式的所述第一版本於所述目標單位時段的一影響比率；以及<br/> 當所述第一版本的所述影響比率大於零，將所述第一版本加入一異常版本清單。
如請求項8所述的應用程式的異常網路流量偵測方法，其中根據關聯於所述多個應用程式版本的所述單位時間流量平均值與不關聯於所述第一版本的所述第一流量平均值之間的差距，判斷所述第一版本是否為所述流量異常版本的步驟還包括：<br/> 當所述第一版本加入所述異常版本清單，獲取所述應用程式的所述第一版本於所述目標單位時段的第二流量平均值；<br/> 對所述第一版本的所述第二流量平均值進行一Z檢定（Z-test）而獲取所述第一版本的Z值；以及<br/> 根據所述第一版本的所述影響比率與所述Z值，決定所述第一版本是否為所述流量異常版本。
如請求項1所述的應用程式的異常網路流量偵測方法，所述方法還包括：<br/> 根據所述應用程式的所述流量異常版本，發送一流量警示通知至所述多個行動電子裝置其中至少一者。
一種電子裝置，包括：<br/> 一儲存裝置；<br/> 一處理器，耦接所述儲存裝置，並經配置以：<br/> 接收多個行動電子裝置的行動網路流量資料，其中各所述多個行動電子裝置的所述行動網路流量資料包括一應用程式的應用程式網路流量；<br/> 針對所述應用程式對所述多個行動電子裝置的所述應用程式網路流量進行一統計分析處理，以獲取所述應用程式關聯於一目標單位時段的單位時間流量平均值；<br/> 判斷所述目標單位時段的所述單位時間流量平均值是否滿足流量異常條件；以及<br/> 當所述目標單位時段的所述單位時間流量平均值滿足所述流量異常條件，根據所述目標單位時段的所述單位時間流量平均值識別所述應用程式的一流量異常版本。
一種記憶體系統，其具備非揮發性記憶體及與上述非揮發性記憶體電性連接之記憶體控制器， 上述非揮發性記憶體包含複數個物理完整區塊，且 上述複數個物理完整區塊之各者包含複數個物理子區塊， 於上述複數個物理完整區塊之各者中，上述複數個物理子區塊分別包含記憶胞，上述記憶胞串聯或並聯地連接於同一位元線； 上述記憶體控制器構成為： 於上述複數個物理完整區塊之各者中，對上述複數個物理子區塊各者獨立地執行資料之抹除動作， 於上述複數個物理完整區塊之各者中，將上述複數個物理子區塊全部設定為相同之記憶模式； 上述記憶模式係表示上述複數個物理子區塊各者所包含之上述記憶胞中記憶之資料之位元數的設定狀態， 於設定為上述相同之記憶模式之上述物理子區塊所包含之上述記憶胞中，記憶相同位元數之資料。
如請求項1之記憶體系統，其中 上述複數個物理完整區塊至少包含第1物理完整區塊及第2物理完整區塊， 上述複數個物理完整區塊各者之上述複數個物理子區塊至少包含第1物理子區塊及第2物理子區塊， 上述記憶體控制器構成為： 將上述第1物理完整區塊之上述第1物理子區塊與上述第2物理完整區塊之上述第1物理子區塊之集合作為第1邏輯子區塊進行管理， 將上述第1物理完整區塊之上述第2物理子區塊與上述第2物理完整區塊之上述第2物理子區塊之集合作為第2邏輯子區塊進行管理， 對上述第1邏輯子區塊所包含之上述第1物理完整區塊之上述第1物理子區塊及上述第2物理完整區塊之上述第1物理子區塊設定上述相同之記憶模式， 對上述第2邏輯子區塊所包含之上述第1物理完整區塊之上述第2物理子區塊及上述第2物理完整區塊之上述第2物理子區塊設定上述相同之記憶模式。
如請求項2之記憶體系統，其中 上述記憶體控制器進而構成為： 對上述第1邏輯子區塊所包含之上述第1物理完整區塊之上述第1物理子區塊及上述第2物理完整區塊之上述第1物理子區塊一併執行資料之抹除動作， 對上述第2邏輯子區塊所包含之上述第1物理完整區塊之上述第2物理子區塊及上述第2物理完整區塊之上述第2物理子區塊，獨立於上述第1邏輯子區塊且一併執行資料之抹除動作。
如請求項2之記憶體系統，其中 上述記憶體控制器進而構成為： 將上述第1邏輯子區塊與上述第2邏輯子區塊之集合作為第1邏輯完整區塊進行管理， 對上述第1邏輯完整區塊所包含之上述第1邏輯子區塊及上述第2邏輯子區塊一併執行資料之抹除動作。
如請求項1之記憶體系統，其中 上述記憶體控制器進而構成為： 對複數個邏輯完整區塊進行管理，上述複數個邏輯完整區塊之各者包含上述複數個物理完整區塊中之至少2個物理完整區塊， 對複數個邏輯子區塊進行管理，上述複數個邏輯子區塊之各者包含上述複數個物理完整區塊各者之上述複數個物理子區塊中之至少2個物理子區塊， 將上述複數個邏輯子區塊各者所包含之上述至少2個物理子區塊全部設定為上述相同之記憶模式；且 上述複數個物理完整區塊之各者所包含之上述複數個物理子區塊之數量與上述複數個邏輯完整區塊之各者所包含之上述複數個邏輯子區塊之數量各自彼此相等。
如請求項1之記憶體系統，其中 上述記憶體控制器進而構成為： 對複數個邏輯完整區塊進行管理，上述複數個邏輯完整區塊之各者包含上述複數個物理完整區塊中之至少2個物理完整區塊， 對複數個邏輯子區塊進行管理，上述複數個邏輯子區塊之各者包含上述複數個物理完整區塊各者之上述複數個物理子區塊中之至少2個物理子區塊， 將上述複數個邏輯子區塊之各者所包含之上述至少2個物理子區塊全部設定為上述相同之記憶模式；且 上述複數個邏輯子區塊之各者所包含之上述至少2個物理子區塊之全部僅包含於上述複數個邏輯完整區塊中之一個邏輯完整區塊中。
如請求項1之記憶體系統，其中 上述記憶體控制器進而構成為： 對複數個邏輯完整區塊進行管理，上述複數個邏輯完整區塊之各者包含上述複數個物理完整區塊中之至少2個物理完整區塊， 對複數個邏輯子區塊進行管理，上述複數個邏輯子區塊之各者包含上述複數個物理完整區塊各者之上述複數個物理子區塊中之至少2個物理子區塊， 至少基於上述複數個邏輯完整區塊之有效率及上述複數個邏輯子區塊之有效率中之任一者，選擇成為垃圾回收之對象之邏輯完整區塊或邏輯子區塊。
如請求項7之記憶體系統，其中 上述記憶體控制器構成為： 將第1有效率與第2有效率進行比較，上述第1有效率係上述複數個邏輯子區塊中之設定為第1記憶模式之第1邏輯子區塊之上述有效率，上述第2有效率係上述複數個邏輯完整區塊中之設定為與上述第1記憶模式不同之第2記憶模式之第1邏輯完整區塊之上述有效率， 於上述第1有效率為上述第2有效率以下之情形時，選擇上述第1邏輯子區塊作為上述垃圾回收之對象， 於上述第1有效率大於上述第2有效率之情形時，選擇上述第1邏輯完整區塊作為上述垃圾回收之對象。
如請求項8之記憶體系統，其中 上述記憶體控制器進而構成為：於上述第1有效率為上述第2有效率以下之情形時， 從上述第1邏輯子區塊以上述第1記憶模式將有效資料複製至上述複數個物理子區塊中不包含於上述第1邏輯子區塊中之物理子區塊， 複製上述有效資料後，對上述第1邏輯子區塊執行上述第1記憶模式下之資料之抹除動作。
如請求項8之記憶體系統，其中 上述記憶體控制器進而構成為：於上述第1有效率大於上述第2有效率之情形時， 從上述第1邏輯完整區塊以上述第2記憶模式將有效資料複製至上述複數個物理完整區塊中不包含於上述第1邏輯完整區塊中之物理完整區塊內之物理子區塊， 複製上述有效資料後，對上述第1邏輯完整區塊執行上述第1記憶模式下之資料之抹除動作。
如請求項8之記憶體系統，其中 上述記憶體控制器構成為： 隨著上述複數個邏輯子區塊中被設定為上述第1記憶模式之邏輯子區塊中，未儲存有效資料之邏輯子區塊之數量變為第1閾值以下，將上述第1有效率與上述第2有效率進行比較。
如請求項7之記憶體系統，其中 上述記憶體控制器構成為： 隨著上述複數個邏輯子區塊中被設定為第1記憶模式之複數個第1邏輯子區塊中，未儲存有效資料之邏輯子區塊之數量變為第2閾值以下，選擇上述複數個第1邏輯子區塊中上述有效率最小之邏輯子區塊作為上述垃圾回收之對象。
如請求項1之記憶體系統，其中 上述記憶體控制器進而構成為： 對複數個邏輯完整區塊進行管理，上述複數個邏輯完整區塊之各者包含上述複數個物理完整區塊中之至少2個物理完整區塊， 對複數個邏輯子區塊進行管理，上述複數個邏輯子區塊之各者包含上述複數個物理完整區塊各者之上述複數個物理子區塊中之至少2個物理子區塊， 至少基於上述複數個邏輯完整區塊之疲乏度及上述複數個邏輯子區塊之疲乏度中之任一者，選擇成為損耗平均之對象之邏輯完整區塊或邏輯子區塊。
如請求項13之記憶體系統，其中 上述記憶體控制器進而構成為： 計算第1疲乏度與第2疲乏度之差即第1差，上述第1疲乏度係上述複數個邏輯子區塊中設定為第1記憶模式之第1邏輯子區塊之上述疲乏度，上述第2疲乏度係上述複數個邏輯子區塊中設定為上述第1記憶模式之與上述第1邏輯子區塊不同之第2邏輯子區塊之上述疲乏度， 於上述第1差為第3閾值以上之情形時，選擇被設定為上述第1記憶模式之複數個邏輯子區塊中上述疲乏度最小之第3邏輯子區塊作為上述損耗平均之對象。
如請求項14之記憶體系統，其中 上述記憶體控制器進而構成為：於上述第1差為上述第3閾值以上之情形時， 從上述第3邏輯子區塊以上述第1記憶模式將有效資料複製至上述複數個物理子區塊中不包含於上述第3邏輯子區塊中之物理子區塊， 複製上述有效資料後，對上述第3邏輯子區塊執行上述第1記憶模式下之資料之抹除動作。
如請求項14之記憶體系統，其中 上述記憶體控制器進而構成為： 對上述複數個邏輯子區塊之有效率進行管理， 於存在複數個上述第3邏輯子區塊之情形時，選擇上述複數個第3邏輯子區塊中上述有效率最小之第4邏輯子區塊作為上述損耗平均之對象。
如請求項13之記憶體系統，其中 上述記憶體控制器進而構成為： 計算第1疲乏度與第2疲乏度之差即第2差，上述第1疲乏度係上述複數個邏輯完整區塊中設定為第1記憶模式之第1邏輯完整區塊之上述疲乏度，上述第2疲乏度係上述複數個邏輯完整區塊中設定為與上述第1記憶模式不同之第2記憶模式之第2邏輯完整區塊之上述疲乏度， 於上述第2差為第4閾值以上之情形時，選擇被設定為上述第1記憶模式之複數個邏輯完整區塊中上述疲乏度最小之第3邏輯完整區塊作為上述損耗平均之對象。
如請求項17之記憶體系統，其中 上述記憶體控制器進而構成為：於上述第2差為上述第4閾值以上之情形時， 從上述第3邏輯完整區塊以上述第1記憶模式將有效資料複製至上述複數個物理完整區塊中不包含於上述第3邏輯完整區塊中之物理完整區塊內之物理子區塊， 複製上述有效資料後，對上述第3邏輯完整區塊執行上述第2記憶模式下之資料之抹除動作。
如請求項18之記憶體系統，其中 上述記憶體控制器進而構成為：於上述第2差為上述第4閾值以上之情形時， 選擇被設定為上述第2記憶模式之複數個邏輯完整區塊中上述疲乏度最大之第4邏輯完整區塊作為上述損耗平均之對象。
如請求項19之記憶體系統，其中 上述記憶體控制器進而構成為： 從上述第4邏輯完整區塊以上述第2記憶模式將有效資料複製至上述複數個物理完整區塊中不包含於上述第4邏輯完整區塊中之物理完整區塊內之物理子區塊， 複製上述有效資料後，對上述第4邏輯完整區塊執行上述第1記憶模式下之資料之抹除動作。
一種發光裝置，包括：<br/> 控制電路，經配置以輸出驅動電源；以及<br/> 發光元件串，包括：<br/> 多個發光元件，包括位於該發光元件串的第一端的第一級發光元件以及位於該發光元件串的第二端的最後一級發光元件；<br/> 電源線，連接於所述多個發光元件，所述電源線的第一端連接於所述第一級發光元件，所述電源線的第二端連接於所述最後一級發光元件；<br/> 第一接收埠，連接於所述控制電路、所述第一級發光元件以及所述電源線的所述第一端，經配置以將所述驅動電源提供至所述電源線的所述第一端；以及<br/> 第二接收埠，連接於所述控制電路、所述最後一級發光元件以及所述電源線的所述第二端，經配置以將所述驅動電源提供至所述電源線的所述第二端，<br/> 其中所述第一接收埠包括：<br/> 數據接收端，連接於所述第一級發光元件，經配置以接收數據串，並將所述數據串傳輸至所述第一級發光元件。
如請求項1所述的發光裝置，其中所述第一接收埠還包括：<br/> 第一電源接收端，連接於所述電源線的所述第一端，經配置以接收所述驅動電源，並將所述驅動電源傳輸至所述電源線的所述第一端。
如請求項1所述的發光裝置，其中所述第一級發光元件接收所述數據串中的第一數據，並將所述數據串傳輸至第二級發光元件。
如請求項3所述的發光裝置，其中所述第二級發光元件接收所述數據串中的第二數據，並將所述數據串傳輸至第三級發光元件。
如請求項2所述的發光裝置，其中所述第二接收埠包括：<br/> 第二電源接收端，連接於所述電源線的所述第二端，經配置以接收所述驅動電源，並將所述驅動電源傳輸至所述電源線的所述第二端。
如請求項1所述的發光裝置，其中所述控制電路包括：<br/> 第一發送埠，連接於所述第一接收埠；<br/> 第二發送埠，連接於所述第二接收埠；以及<br/> 驅動電路，連接於所述第一發送埠以及所述第二發送埠，經配置以產生所述驅動電源，並將所述驅動電源提供至所述第一發送埠以及所述第二發送埠，<br/> 其中所述驅動電源經由所述第一發送埠以及第一接收埠被提供至所述電源線的所述第一端，並且<br/> 其中所述驅動電源經由所述第二發送埠以及第二接收埠被提供至所述電源線的所述第二端。
如請求項6所述的發光裝置，其中所述控制電路還包括：<br/> 數據產生器，連接於所述第一發送埠，經配置以產生數據串，並將所述數據串提供至第一發送埠。
如請求項6所述的發光裝置，其中所述多個發光元件還包括：<br/> 第三接收埠，連接於所述控制電路以及所述電源線，經配置以將所述驅動電源提供至所述電源線的節點，<br/> 其中所述電源線的所述節點位於所述電源線的所述第一端與所述電源線的所述第二端之間。
如請求項8所述的發光裝置，其中所述控制電路還包括：<br/> 第三發送埠，連接於所述第三接收埠，<br/> 其中所述驅動電源經由所述第三發送埠以及第三接收埠被提供至所述電源線的所述節點。
一種局端裝置，包含：<br/> 一回授電路，用以由一終端裝置接收一緩衝大小信號，並對該緩衝大小信號進行一回授處理以產生一回授信號；以及<br/> 一頻寬分配電路，用以根據該回授信號以提供一頻寬予該終端裝置；<br/> 其中該回授電路包含：<br/> 一迴路濾波器，用以由該終端裝置接收該緩衝大小信號，對該緩衝大小信號進行一濾波處理以產生該回授信號，並輸出該回授信號至該頻寬分配電路。
如請求項1所述之局端裝置，其中該回授電路包含：<br/> 一第一乘法器；<br/> 一第二乘法器，與該第一乘法器耦接於該回授電路的一第一輸入端；<br/> 一第一加法器，耦接於該第二乘法器；<br/> 一第二加法器，耦接於該第一乘法器、該第一加法器以及該回授電路的一第一輸出端；以及<br/> 一積分器，耦接於該第一加法器的一第二輸入端以及一第二輸出端之間。
如請求項1所述之局端裝置，其中該回授電路包含：<br/> 一第一乘法器，用以根據一第一參數對該緩衝大小信號進行乘法計算以產生一第一乘法結果；<br/> 一第二乘法器，用以根據一第二參數對該緩衝大小信號進行乘法計算以產生一第二乘法結果；<br/> 一積分器，用以對該第二乘法結果進行積分計算以產生一積分回授結果；<br/> 一第一加法器，用以對該第二乘法結果以及該積分回授結果進行加法計算以產生一第一加法結果；以及<br/> 一第二加法器，用以對該第一乘法結果以及該第一加法結果進行加法計算以產生一第二加法結果以作為該回授信號，並輸出該回授信號至該頻寬分配電路。
如請求項3所述之局端裝置，其中該第一參數大於該第二參數。
如請求項1所述之局端裝置，其中若該頻寬包含一固定頻寬，該回授電路包含一階迴路濾波器，其中若該頻寬包含一隨時間變化之頻寬，該回授電路包含二階迴路濾波器。
如請求項1所述之局端裝置，其中該回授電路包含：<br/> 一閒置封包計算器，用以由該終端裝置接收至少一閒置封包，並根據該至少一閒置封包的一數量以計算一閒置信號；<br/> 其中該迴路濾波器用以接收該閒置信號或該緩衝大小信號，對該閒置信號或該緩衝大小信號進行該濾波處理以產生該回授信號，並輸出該回授信號至該頻寬分配電路。
如請求項6所述之局端裝置，其中該回授電路包含：<br/> 一多工器，用以由該終端裝置接收該緩衝大小信號且由該閒置封包計算器接收該閒置信號，並提供該閒置信號或該緩衝大小信號予該迴路濾波器。
如請求項1所述之局端裝置，其中該頻寬分配電路偵測該頻寬之一頻寬變化，並於該頻寬變化的一初始期間提供該頻寬以及一額外頻寬予該終端裝置，其中若該頻寬變化包含一頻寬升高變化，該頻寬分配電路於該頻寬變化的該初始期間提供該頻寬加上該額外頻寬予該終端裝置。
一種頻寬分配方法，應用於一局端裝置，包含：<br/> 透過該局端裝置之一回授電路由一終端裝置接收一緩衝大小信號，並對該緩衝大小信號進行一回授處理以產生一回授信號；以及<br/> 透過該局端裝置之一頻寬分配電路根據該回授信號以提供一頻寬予該終端裝置；<br/> 其中透過該局端裝置之該回授電路由該終端裝置接收該緩衝大小信號，並對該緩衝大小信號進行該回授處理以產生該回授信號之步驟包含：<br/> 透過該回授電路的一迴路濾波器由該終端裝置接收該緩衝大小信號，對該緩衝大小信號進行一濾波處理以產生該回授信號，並輸出該回授信號至該頻寬分配電路。
一種半導體製造裝置之零件，包含： <br/>基材，具有第1面及與上述第1面相連之第2面；及 <br/>含氫氧化鋁之膜，連續地直接設置於上述第1面及上述第2面。
如請求項1之半導體製造裝置之零件，其中，上述基材包含鋁。
如請求項1之半導體製造裝置之零件，其中，上述基材包含供介質流動之空間， <br/>上述空間之內壁直接設置有上述含氫氧化鋁之膜。
如請求項1之半導體製造裝置之零件，其中，上述基材包含能夠配置熱源之空間， <br/>上述空間之內壁直接設置有上述含氫氧化鋁之膜。
如請求項1之半導體製造裝置之零件，其中，上述基材進一步具有與上述第1面及上述第2面之邊界相連之角部，上述含氫氧化鋁之膜直接設置於上述角部。
一種半導體製造裝置之零件之製作方法，包含： <br/>將具有第1面及與上述第1面相連之第2面之基材設置於能夠加熱及加壓之腔室內； <br/>將水或水溶液供給至上述腔室內； <br/>對上述腔室內進行加熱及加壓，於上述腔室內產生水蒸氣；以及 <br/>於上述第1面及上述第2面連續地成膜含氫氧化鋁之膜。
如請求項6之半導體製造裝置之零件之製作方法，其中，上述基材包含鋁。
如請求項6之半導體製造裝置之零件之製作方法，其中，上述基材包含供介質流動之空間， <br/>上述半導體製造裝置之零件之製作方法包含於上述空間之內壁成膜上述含氫氧化鋁之膜。
如請求項6之半導體製造裝置之零件之製作方法，其中，上述基材包含能夠配置熱源之空間， <br/>上述半導體製造裝置之零件之製作方法包含於上述空間之內壁成膜上述含氫氧化鋁之膜。
如請求項6之半導體製造裝置之零件之製作方法，其中，上述基材進一步具有與上述第1面及上述第2面之邊界相連之角部， <br/>上述含氫氧化鋁之膜直接設置於上述角部。
一種半導體製造裝置之零件之製作方法，包含： <br/>將具有第1面及與上述第1面相連之第2面之基材設置於能夠加熱及加壓之腔室內； <br/>將水蒸氣供給至上述腔室內； <br/>對上述腔室內進行加熱及加壓；以及 <br/>於上述第1面及上述第2面連續地成膜含氫氧化鋁之膜。
如請求項11之半導體製造裝置之零件之製作方法，其中，上述基材包含鋁。
如請求項11之半導體製造裝置之零件之製作方法，其中，上述基材包含供介質流動之空間， <br/>上述半導體製造裝置之零件之製作方法包含於上述空間之內壁成膜上述含氫氧化鋁之膜。
如請求項11之半導體製造裝置之零件之製作方法，其中，上述基材包含能夠配置熱源之空間， <br/>上述半導體製造裝置之零件之製作方法包含於上述空間之內壁成膜上述含氫氧化鋁之膜。
如請求項11之半導體製造裝置之零件之製作方法，其中，上述基材進一步具有與上述第1面及上述第2面之邊界相連之角部， <br/>上述含氫氧化鋁之膜直接設置於上述角部。
一種對準基板以用於微影之方法，該方法包含： <br/>接收該基板的影像，該基板包括具有複數個定位標記的定位圖案； <br/>應用模型匹配技術以基於模型定位標記來匹配該複數個定位標記中的各別定位標記； <br/>將整形技術應用於經匹配的所述定位標記以識別該定位圖案；以及 <br/>傳輸用於基於經識別的該定位圖案的位置的對準該基板的指令。
如請求項1之方法，其中應用該模型匹配技術包括： <br/>測量該影像中及該模型定位標記在各別位移處的像素值之間的交互相關性；及 <br/>藉由所述像素值的標準偏差正規化該交互相關性。
如請求項1之方法，其中該整形技術包括中值圓擬合演算法。
如請求項3之方法，其中該中值圓擬合演算法包括： <br/>基於定位標記的至少一個子集判定該定位圖案的複數個半徑值； <br/>判定該複數個半徑值的標準偏差；及 <br/>基於該複數個半徑值的該標準偏差，移除經匹配的所述定位標記的至少一個離群值。
如請求項1之方法，其進一步包含： <br/>將秩濾波器應用於該影像。
如請求項1之方法，其進一步包含： <br/>基於所述指令對準該基板，其中所述指令包括對準校正資訊；及 <br/>基於該對準校正資訊將至少一個影像投影在該基板上。
如請求項1之方法，其中具有該複數個定位標記的該定位圖案包括以圓形圖案布置的複數個雷射鑽孔。
如請求項1之方法，其中該模型定位標記為模板，且其中應用該模型匹配技術包括： <br/>將各別定位標記與該模板匹配； <br/>基於該匹配判定該各別定位標記的初始中心位置； <br/>基於梯度值改善該各別定位標記的該初始中心位置以判定改善中心位置。
如請求項8之方法，其中改善該初始中心位置包括： <br/>將中值濾波器應用於該影像； <br/>判定該影像中之像素的梯度值； <br/>應用相關技術以將梯度值與該定位標記的標稱形狀匹配；及 <br/>基於該相關技術判定該改善中心位置。
如請求項1之方法，其進一步包含： <br/>擷取該定位圖案的模板設計； <br/>將影像中的定位圖案與模板設計比較；及 <br/>基於將影像中的定位圖案與模板設計比較而判定定位圖案的對準特徵的變異資訊。
如請求項10之方法，其進一步包含： <br/>基於該變異資訊產生關鍵度量。
如請求項11之方法，其中該關鍵度量為該定位圖案的該模板設計的X、Y位置、CD變化、孔圓度、及相關係數的視覺化。
一種體現指令的機器可讀取媒體，當所述指令被機器執行時，使該機器執行如請求項1至12中任一項的方法。
一種用以進行對準基板以用於微影之方法的系統，其包含： <br/>至少一硬體處理器；及 <br/>至少一儲存指令的記憶體，當所述指令被該至少硬體處理器執行時，使該至少硬體處理器執行如請求項1至12中任一項的方法。
一種半導體元件，包含： 一磊晶層，具有一第一導電型； <br/>一閘極結構，位於該磊晶層中； <br/>一井區，位於該磊晶層中且具有不同於該第一導電型的一第二導電型，其中該井區具有相連的一第一底面與一第二底面，該第一底面相鄰於該閘極結構，該第二底面位於該第一底面遠離該閘極結構的一側，且該第二底面的一深度大於該第一底面的一深度，其中該第一底面的該深度大於該閘極結構的一底面的一深度；以及 <br/>一源極，位於該磊晶層上方並電性連接至該井區。
如請求項1所述之半導體元件，還包含： <br/>一源極摻雜區，位於該磊晶層中，相鄰於該閘極結構且接觸於該源極；以及 <br/>一第一重摻雜區，位於該磊晶層中且位於該源極摻雜區遠離該閘極結構的一側， <br/>其中該井區的該第一底面位於該源極摻雜區下方，且該井區的該第二底面位於該第一重摻雜區下方。
如請求項1所述之半導體元件，還包含： <br/>一第二重摻雜區，位於該閘極結構下方並接觸於該閘極結構的該底面，且該第二重摻雜區的一底面的一深度大於該井區的該第二底面的該深度。
一種半導體元件，包含： <br/>一磊晶層，具有一第一導電型； <br/>一閘極結構，位於該磊晶層中； <br/>一井區，位於該磊晶層中且具有不同於該第一導電型的一第二導電型，其中該井區具有相連的一第一底面與一第二底面，該第一底面相鄰於該閘極結構，該第二底面位於該第一底面遠離該閘極結構的一側，且該第二底面的一深度大於該第一底面的一深度，其中該第一底面自該閘極結構的一底面的一緣延伸；以及 <br/>一源極，位於該磊晶層上方並電性連接至該井區。
如請求項4所述之半導體元件，還包含： <br/>一源極摻雜區，位於該磊晶層中，相鄰於該閘極結構且接觸於該源極；以及 <br/>一第一重摻雜區，位於該磊晶層中且位於該源極摻雜區遠離該閘極結構的一側， <br/>其中該井區的該第一底面位於該源極摻雜區下方，且該井區的該第二底面位於該第一重摻雜區下方。
如請求項4所述之半導體元件，還包含： <br/>一第二重摻雜區，位於該閘極結構下方並接觸於該閘極結構的該底面，且該第二重摻雜區的一底面的一深度大於該井區的該第二底面的該深度。
一種製造半導體元件的方法，包含： <br/>在一基材上方形成一磊晶層，其中該磊晶層具有一第一導電型； <br/>通過一硬遮罩執行一第一佈植製程，以形成一井區於該磊晶層中，其中該硬遮罩具有上窄下寬的一剖面輪廓，使得該井區具有相連的一第一底面與一第二底面，且該第二底面的一深度大於該第一底面的一深度，其中該井區具有不同於該第一導電型的一第二導電型； <br/>移除該磊晶層的一部位，以形成一凹槽暴露該井區的一側壁；以及 <br/>形成一閘極結構於該凹槽中，其中該第一底面的該深度大於該閘極結構的一底面的一深度。
如請求項7所述之方法，還包含： <br/>執行一第二佈植製程，以形成具有該第一導電型的一源極摻雜區於該磊晶層中並位於該井區的該第一底面上方；以及 <br/>執行一第三佈植製程，以形成具有該第二導電型的一第一重摻雜區於該磊晶層中並位於該井區的該第二底面上方。
如請求項7所述之方法，還包含： <br/>執行一第四佈植製程，以形成具有該第二導電型的一第二重摻雜區於該閘極結構下方並接觸於該閘極結構的該底面，其中該第二重摻雜區的一底面的一深度大於該井區的該第二底面的該深度。
一種訊號取樣裝置，包含：<br/> 一第一緩衝器電路，用以根據一輸入訊號產生一第一緩衝訊號；<br/> 一第二緩衝器電路，用以根據該輸入訊號產生一第二緩衝訊號，其中該第二緩衝器電路的規格要求低於該第一緩衝器電路的規格要求；<br/> 一第一靴帶式開關電路，用以根據該第二緩衝訊號產生一第一控制電壓，並根據該第一控制電壓取樣該第一緩衝訊號以產生一第一取樣訊號；以及<br/> 一第二靴帶式開關電路，用以根據該第二緩衝訊號產生一第二控制電壓，並根據該第二控制電壓取樣該第一緩衝訊號以產生一第二取樣訊號。
如請求項1之訊號取樣裝置，其中該第一靴帶式開關電路對應於一時間交錯式類比數位轉換器的一第一通道，且該第二靴帶式開關電路對應於該時間交錯式類比數位轉換器的一第二通道。
如請求項1之訊號取樣裝置，其中該第一緩衝器電路與該第二緩衝器電路整合為一緩衝器，且該緩衝器包含：<br/> 一第一電晶體，用以根據一參考電壓與一電源電壓操作為一電流源； <br/> 一第二電晶體，用以根據該輸入訊號產生該第二緩衝訊號；以及<br/> 一第三電晶體，耦接於該第一電晶體與該第二電晶體之間，並用以根據該輸入訊號產生該第一緩衝訊號，<br/> 其中該第一電晶體、該第三電晶體與該第二電晶體串聯耦接，且該第一電晶體、該第二電晶體與該第三電晶體具有相同導電型態。
如請求項1之訊號取樣裝置，其中該第二緩衝器電路的頻寬低於該第一緩衝器電路的頻寬。
如請求項1之訊號取樣裝置，其中該第二緩衝器電路的線性度低於該第一緩衝器電路的線性度。
如請求項1之訊號取樣裝置，其中該第二緩衝器電路的面積低於該第一緩衝器電路的面積。
如請求項1之訊號取樣裝置，其中該第二緩衝器電路包含：<br/> 一第一電晶體，用以根據一參考電壓與一電源電壓操作為一電流源；以及<br/> 一第二電晶體，與該第一電晶體耦接至一輸出節點，並用以根據該輸入訊號產生該第二緩衝訊號。
如請求項1之訊號取樣裝置，其中該第一緩衝器電路包含：<br/> 一第一電晶體，用以根據一參考電壓與一電源電壓操作為一電流源；以及<br/> 複數個第二電晶體，該複數個第二電晶體串聯耦接，並與該第一電晶體耦接至一輸出節點，並用以根據該輸入訊號產生該第一緩衝訊號。
一種訊號取樣方法，包含：<br/> 藉由一第一緩衝器電路根據一輸入訊號產生一第一緩衝訊號；<br/> 藉由一第二緩衝器電路根據該輸入訊號產生一第二緩衝訊號，其中該第二緩衝器電路的規格要求低於該第一緩衝器電路的規格要求； <br/> 藉由一第一靴帶式開關電路根據該第二緩衝訊號產生一第一控制電壓，並根據該第一控制電壓取樣該第一緩衝訊號以產生一第一取樣訊號；以及<br/> 藉由一第二靴帶式開關電路根據該第二緩衝訊號產生一第二控制電壓，並根據該第二控制電壓取樣該第一緩衝訊號以產生一第二取樣訊號。
一種軟體定義無線感測器網路的負載平衡系統，包括：<br/> 至少一閘道，連接複數節點，該至少一閘道與該等節點具有複數傳輸路徑；<br/> 至少一第一控制器，管理該至少一閘道並偵測該等傳輸路徑的負載，當過負載的該等傳輸路徑的比率超過比率閥值時，發出過載警示訊息；以及<br/> 一第二控制器，連接該至少一第一控制器，並接收該過載警示訊息，將發出該過載警示訊息的該至少一第一控制器加入觀察清單，並停止轉移新閘道給該觀察清單中的該至少一第一控制器管理；<br/> 其中，該第二控制器更接收該至少一第一控制器的負載訊息，該至少一第一控制器更調整給該第二控制器的該負載訊息的回報頻率，該回報頻率根據回報頻率方程式調整，該回報頻率方程式如下所示：<br/><img align="absmiddle" height="12px" width="35px" file="ed10044.jpg" alt="ed10044.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/> 該<img align="absmiddle" height="8px" width="7px" file="ed10032.jpg" alt="ed10032.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該回報頻率，該<img align="absmiddle" height="7px" width="4px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為時間點，該<img align="absmiddle" height="8px" width="7px" file="ed10034.jpg" alt="ed10034.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示為以下方程式：<br/><img align="absmiddle" height="12px" width="69px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/> 該<img align="absmiddle" height="8px" width="29px" file="ed10036.jpg" alt="ed10036.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該至少一第一控制器輸出的封包量，該<img align="absmiddle" height="8px" width="25px" file="ed10037.jpg" alt="ed10037.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該至少一第一控制器輸入的該封包量，該<img align="absmiddle" height="7px" width="38px" file="ed10038.jpg" alt="ed10038.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該至少一第一控制器輸入及輸出的該封包量的總數量。
如請求項1所述之軟體定義無線感測器網路的負載平衡系統，更包括，當該至少一第一控制器的該負載訊息超過負載臨界值，將該至少一第一控制器加入高負載清單；當該至少一第一控制器的該負載訊息低於該負載臨界值，將該至少一第一控制器加入低負載清單。
如請求項2所述之軟體定義無線感測器網路的負載平衡系統，其中該第二控制器選擇該高負載清單中的該至少一第一控制器所管理最高負載的該至少一閘道；估測該最高負載的該至少一閘道，連接該低負載清單中每一個該至少一第一控制器的連線品質評估值；及將最高負載的該至少一閘道，轉移給具有最高該連線品質評估值的該至少一第一控制器管理。
如請求項3所述之軟體定義無線感測器網路的負載平衡系統，其中該第二控制器更利用評估值方程式估測該連線品質評估值，該評估值方程式如下所示：<br/><img align="absmiddle" height="7px" width="107px" file="ed10039.jpg" alt="ed10039.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/> 該<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10040.jpg" alt="ed10040.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該連線品質評估值，該<img align="absmiddle" height="7px" width="7px" file="ed10045.jpg" alt="ed10045.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及該<img align="absmiddle" height="7px" width="8px" file="ed10041.jpg" alt="ed10041.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為權重，該<img align="absmiddle" height="7px" width="16px" file="ed10042.jpg" alt="ed10042.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該至少一第一控制器的負載上限值，該<img align="absmiddle" height="7px" width="13px" file="ed10043.jpg" alt="ed10043.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該低負載清單中其中一該至少一第一控制器的負載值，該<img align="absmiddle" height="7px" width="17px" file="ed10046.jpg" alt="ed10046.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該最高負載的該至少一閘道連接至該低負載清單中其中一該至少一第一控制器的中繼點數量。
一種軟體定義無線感測器網路的負載平衡方法，包括下列步驟：<br/> 至少一第一控制器偵測至少一閘道與複數節點的複數傳輸路徑的負載；<br/> 當過負載的該等傳輸路徑的比率超過比率閥值時，該至少一第一控制器發出過載警示訊息；<br/> 第二控制器接收到該過載警示訊息，將該至少一第一控制器加入觀察清單，並停止轉移新閘道給該觀察清單中的該至少一第一控制器管理；<br/> 其中，該第二控制器還接收該至少一第一控制器的負載訊息，該至少一第一控制器通過該回報頻率方程式，調整給該第二控制器的該負載訊息的回報頻率，該回報頻率方程式如下所示：<br/><img align="absmiddle" height="12px" width="35px" file="ed10044.jpg" alt="ed10044.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/> 該<img align="absmiddle" height="8px" width="7px" file="ed10032.jpg" alt="ed10032.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該回報頻率，該<img align="absmiddle" height="7px" width="4px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為時間點，該<img align="absmiddle" height="8px" width="7px" file="ed10034.jpg" alt="ed10034.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示為以下方程式：<br/><img align="absmiddle" height="12px" width="69px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/> 該<img align="absmiddle" height="8px" width="29px" file="ed10036.jpg" alt="ed10036.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該至少一第一控制器輸出的封包量，該<img align="absmiddle" height="8px" width="25px" file="ed10037.jpg" alt="ed10037.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該至少一第一控制器輸入的該封包量，該<img align="absmiddle" height="7px" width="38px" file="ed10038.jpg" alt="ed10038.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該至少一第一控制器輸入及輸出的該封包量的總數量。
如請求項5所述之軟體定義無線感測器網路的負載平衡方法，更包括：<br/> 當該至少一第一控制器該負載訊息超過負載臨界值，將該至少一第一控制器加入高負載清單；當該至少一第一控制器該負載訊息低於該負載臨界值，將該至少一第一控制器加入低負載清單。
如請求項6所述之軟體定義無線感測器網路的負載平衡方法，更包括：<br/> 該第二控制器選擇該高負載清單中的該至少一第一控制器所管理最高負載的該至少一閘道；<br/> 估測該最高負載的該至少一閘道，連接該低負載清單中每一個該至少一第一控制器的連線品質評估值；及<br/> 將最高負載的該至少一閘道，轉移給具有最高該連線品質評估值的該至少一第一控制器管理。
如請求項7所述之軟體定義無線感測器網路的負載平衡方法，其中該估測該連線品質評估值的步驟更包括，利用評估值方程式估測出該連線品質評估值，該評估值方程式如下所示：<br/><img align="absmiddle" height="7px" width="107px" file="ed10039.jpg" alt="ed10039.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/> 該<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10040.jpg" alt="ed10040.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該連線品質評估值，該<img align="absmiddle" height="7px" width="7px" file="ed10045.jpg" alt="ed10045.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及該<img align="absmiddle" height="7px" width="8px" file="ed10041.jpg" alt="ed10041.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為權重，該<img align="absmiddle" height="7px" width="16px" file="ed10042.jpg" alt="ed10042.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該至少一第一控制器的負載上限值，該<img align="absmiddle" height="7px" width="13px" file="ed10043.jpg" alt="ed10043.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該低負載清單中其中一該至少一第一控制器的負載值，該<img align="absmiddle" height="7px" width="17px" file="ed10046.jpg" alt="ed10046.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該最高負載的該至少一閘道連接至該低負載清單中其中一該至少一第一控制器的中繼點數量。
一種集成磁性部件，包括： <br/>一共模電感，由一共模芯部和纏繞在該共模芯部上的一繞組形成； <br/>一差模電感，由一差模芯部和該繞組形成，其中軸向被定義為與該差模芯部的縱向延伸平行；以及 <br/>一底板，固定該共模電感和該差模電感， <br/>其中該底板整體包括容納該差模芯部的一空腔部分，和至少一個側壁，該至少一個側壁沿垂直於軸向的徑向至少部分地環繞該繞組和/或與該差模芯部相對的該共模芯部的一外表面。
如請求項1之集成磁性部件，其中，該底板還包括一通孔，該通孔引導該繞組的一線圈終端。
如請求項1之集成磁性部件，其中，該底板包括呈平板形的一板部分，該至少一個側壁從該板部分伸出。
如請求項3之集成磁性部件，其中，該至少一個側壁從由該板部分的延伸限定的平面垂直地伸出。
如請求項1之集成磁性部件，其中，該至少一個側壁限定了該集成磁性部件的外周或外壁。
如請求項5之集成磁性部件，其中，該至少一個側壁沿垂直於該軸向的周向完全包圍該繞組和/或該共模芯部。
如請求項6之集成磁性部件，其中，該至少一個側壁沿該軸向的高度等於或大於該繞組和/或該差模芯部的高度。
如請求項6之集成磁性部件，其中，由該至少一個側壁限定的內部空間填充有膠和/或灌封材料。
如請求項3之集成磁性部件，其中，容納該差模芯部的該空腔部分包括一個或多個空腔壁部分，該一個或多個空腔壁部分沿該軸向平行於該至少一個側壁從該板部分伸出。
如請求項1之集成磁性部件，其中，該空腔部分沿該軸向的高度等於或大於該差模芯部的高度，且該空腔部分填充有膠和/或封灌材料。
如請求項1之集成磁性部件，其中，該空腔部分包括多個分隔壁，其中該多個分隔壁分別延伸至該共模芯部並分隔纏繞在該共模芯部上的該繞組的該繞組部分。
如請求項11之集成磁性部件，其中，該繞組包括四個或更多的分隔的該繞組部分，並且該空腔部分包括四個或更多的將該繞組部分分隔和絕緣的分隔壁。
如請求項1之集成磁性部件，其中，在該沿軸向的平面圖中，該共模芯部為環形，該差模芯部和該空腔部分為圓柱形或矩形。
如請求項9之集成磁性部件，其中，該一個或多個空腔壁部分在徑向的厚度對應於該繞組和該差模芯部之間的預先確定的氣隙。
如請求項1之集成磁性部件，其中，該底板的組成包括塑料或陶瓷材料。
一種可收合嬰兒床，包括： <br/>一立柱機構； <br/>一固定座，包括一第一連接槽； <br/>一扶手管，所述扶手管的一端在一第三樞接點處樞接於所述立柱機構，以及所述扶手管的另一端在一第四樞接點處活動地連接於所述固定座；以及 <br/>一連動機構，構造成用於輔助所述可收合嬰兒床的收合和展開，所述連動機構的一端樞接於所述立柱機構，所述連動機構的另一端樞接於所述固定座，其中，所述連動機構包括與所述扶手管平行地延伸的一連動杆及與所述連動杆非平行地延伸的一連動件； <br/>其中，所述連動機構或所述扶手管上設置有一連接構件，所述連接構件能夠相對於所述第一連接槽滑動並具有一鎖定位置和一釋鎖位置，當所述連接構件位於所述鎖定位置時，所述扶手管相對於所述固定座和所述立柱機構鎖定；以及當所述連接構件位於所述釋鎖位置時，所述扶手管能夠相對於所述固定座和所述立柱機構樞轉，以收合所述可收合嬰兒床。
根據請求項1所述的可收合嬰兒床，其中所述第一連接槽被構造成使得所述連接構件能夠在其中滑動的第一滑動槽，所述第一滑動槽包括與所述扶手管的長度方向平行的一第一槽段、以及與所述第一槽段成角度設置的一第二槽段，所述第一槽段的兩個相對端部構成所述連接構件的一鎖定位置和一釋鎖位置，所述第二槽段在所述第一槽段與所述釋鎖位置對應的端部處連接於所述第一槽段。
根據請求項1所述的可收合嬰兒床，其中 <br/>所述連動杆被設置成能夠相對於所述扶手管滑動，以及 <br/>所述連動件包括： <br/>一第二連動件，所述第二連動件的一端在一第六樞接點處樞接於所述固定座，以及所述第二連動件的另一端在一第二樞接點處樞接於所述連動杆的第二端。
根據請求項3所述的可收合嬰兒床，其中所述連動件包括一第一連動件，所述第一連動件的一端在一第五樞接點處樞接於所述立柱機構，以及所述第一連動件的另一端在一第一樞接點處樞接於所述連動杆的第一端；其中所述連動杆能滑動地設置在所述扶手管內，所述扶手管與所述連動杆的第一端和第二端對應的位置處開設有一狹槽，以供所述第一連動件和所述第二連動件從所述扶手管中伸出。
一種可收合嬰兒床，包括： <br/>一立柱機構； <br/>一扶手管，所述扶手管的一端樞接於所述立柱機構； <br/>一固定座，所述扶手管的另一端與所述固定座能樞轉且能滑動地連接；以及 <br/>一連動機構，用於輔助所述可收合嬰兒床的收合和展開，所述連動機構包括與所述扶手管平行地延伸的一連動杆和與所述連動杆非平行地延伸的一連動件，所述連動機構通過相應的所述連動件分別樞接於所述立柱機構和所述固定座，所述連動杆通過一第一樞接點和一第二樞接點樞接於相應的所述連動件， <br/>所述可收合嬰兒床具有一展開狀態和一收合狀態，在所述可收合嬰兒床在所述展開狀態與所述收合狀態之間切換的過程中，在與所述扶手管平行的方向上，所述第一樞接點和所述第二樞接點相對於所述扶手管的位置不斷變化。
根據請求項5所述的可收合嬰兒床，其中 <br/>所述第一樞接點和所述第二樞接點在所述可收合嬰兒床處於所述收合狀態時的位置比其在所述可收合嬰兒床處於所述展開狀態時的位置更遠離所述扶手管與所述立柱機構的連接處。
根據請求項5所述的可收合嬰兒床，其中 <br/>所述扶手管通過一第三樞接點樞接於所述立柱機構，所述扶手管通過一第四樞接點樞接於所述固定座，連接在所述第一樞接點處的相應的所述連動件通過一第五樞接點樞接於所述立柱機構，連接在所述第二樞接點處的相應的所述連動件通過一第六樞接點樞接於所述固定座， <br/>所述第一樞接點、所述第三樞接點與所述第五樞接點之間的連線構成一第一三角形，所述第二樞接點、所述第四樞接點與所述第六樞接點之間的連線構成一第二三角形，以及 <br/>在所述可收合嬰兒床在所述展開狀態與所述收合狀態之間切換的過程中，所述第一三角形和所述第二三角形的各個角的角度不斷變化。
一種可收合嬰兒床，包括： <br/>一固定座； <br/>樞接於所述固定座的一第一扶手管和一第二扶手管；以及 <br/>一同步組件，所述同步組件包括一第一同步件和一第二同步件，所述第一同步件的第一端活動地連接於所述固定座，所述第一同步件的第二端活動地連接於所述第一扶手管，所述第二同步件的第一端活動地連接於所述固定座，所述第二同步件的第二端活動地連接於所述第二扶手管； <br/>其中，所述可收合嬰兒床具有一展開狀態和一收合狀態，在所述可收合嬰兒床從所述展開狀態向所述收合狀態轉換的過程中，所述第一扶手管和所述第二扶手管中的一者相對於所述固定座的樞轉運動帶動所述第一同步件和所述第二同步件相對於所述固定座運動，從而帶動所述第一扶手管和所述第二扶手管中的另一者相對於所述固定座樞轉，以實現所述第一扶手管和所述第二扶手管的同步收合。
根據請求項8所述的可收合嬰兒床，其中所述可收合嬰兒床還包括一立柱機構，所述固定座上設置有一第一滑動槽，所述第一扶手管和所述第二扶手管的每一者上設置有一第一連接件，或者所述固定座上設置有一第一連接件，所述第一扶手管和所述第二扶手管的每一者上設置有一第一滑動槽， <br/>所述第一連接件能夠在所述第一滑動槽中滑動並具有一鎖定位置和一釋鎖位置，當所述第一連接件位於所述鎖定位置時，所述扶手管相對於所述固定座和所述立柱機構鎖定；以及當所述第一連接件位於所述釋鎖位置時，所述扶手管能夠相對於所述固定座和所述立柱機構樞轉，以收合所述可收合嬰兒床。
根據請求項8所述的可收合嬰兒床，其中所述第一同步件和所述第二同步件呈交錯設置，所述第一同步件和所述第二同步件的所述第一端分別與所述固定座滑動地樞接，且所述第一同步件和所述第二同步件的所述第二端分別與所述第一扶手管和所述第二扶手管樞接。
一種半導體裝置，包括：<br/> 基板；<br/> 中介層，接合至該基板；<br/> 記憶體堆疊層，接合至該中介層，且通過該中介層電性連接至該基板，其中該記憶體堆疊層包括堆疊在一起的多個記憶體晶粒，其中該記憶體堆疊層的側壁與該中介層的側壁對齊且連續；以及<br/> 系統單晶片，接合至該記憶體堆疊層，其中該記憶體堆疊層位於該系統單晶片與該中介層之間。
如請求項1所述的半導體裝置，其中該記憶體堆疊層的底面面積實質上等於該中介層的頂面的面積。
如請求項1所述的半導體裝置，其中該中介層包括：<br/> 矽基板，其中該矽基板的寬度實質上等於該多個記憶體晶粒中的至少一者的寬度；以及<br/> 第一內連線結構，位於該矽基板的第一側。
如請求項1所述的半導體裝置，其中該中介層包括：<br/> 矽基板；以及<br/> 第一內連線結構，位於該矽基板的第一側，其中該第一內連線結構包括被動元件。
如請求項1所述的半導體裝置，其中該中介層包括冗餘記憶體的陣列。
如請求項1所述的半導體裝置，更包括：<br/> 熱界面材料層，位於該系統單晶片的頂面上；以及<br/> 散熱結構，位於該熱界面材料層上。
如請求項1所述的半導體裝置，更包括：<br/> 封裝層，橫向地圍繞該系統單晶片，其中該記憶體堆疊層的側壁與該封裝層的側壁對齊。
如請求項7所述的半導體裝置，更包括：<br/> 熱界面材料層，從該系統單晶片的頂面延伸至該封裝層的頂面；以及<br/> 散熱結構，位於該熱界面材料層上。
一種半導體裝置的製造方法，包括：<br/> 提供矽基板；<br/> 於該矽基板上形成第一內連線結構以及第一接合層；<br/> 於該第一內連線結構上形成記憶體堆疊層，其中該記憶體堆疊層接合至該第一接合層，其中該記憶體堆疊層包括堆疊在一起的多個記憶體晶粒；<br/> 將系統單晶片接合至該記憶體堆疊層，其中該記憶體堆疊層位於該系統單晶片與該矽基板之間；<br/> 於該矽基板相反於該第一內連線結構的一側形成第二內連線結構以及多個連接端子，其中中介層包括該矽基板、該第一內連線結構、該第一接合層、該第二內連線結構以及該多個連接端子；<br/> 在形成該第二內連線結構之後對該記憶體堆疊層以及該中介層執行切割製程，使該記憶體堆疊層的側壁與該中介層的側壁對齊且連續；以及<br/> 通過該多個連接端子將該第二內連線結構電性連接至基板。
如請求項9所述的製造方法，其中在執行該切割製程前，更包括形成封裝層橫向地圍繞該系統單晶片，其中在執行該切割製程後該記憶體堆疊層的該側壁與該封裝層的側壁對齊。
如請求項9所述的製造方法，其中通過混合接合製程將該系統單晶片接合至該記憶體堆疊層。
一種封裝結構，包括： <br/>一模塑結構，該模塑結構包括： <br/>一記憶體控制器元件，包括一第一導電結構，且該第一導電結構包括一第一電路、一第二電路及一第三電路； <br/>一互連元件，係與該記憶體控制器元件並排配置，包括一第二導電結構；以及 <br/>一封裝劑，用以封裝該記憶體控制器元件及該互連元件； <br/>一邏輯元件，經配置於該模塑結構之上且包括一電路結構，並且該電路結構包括一第四電路、一第五電路及一第六電路，其中該邏輯元件的該第六電路與該互連元件的該第二導電結構電性連接； <br/>一非揮發性記憶體元件，配置於該模塑結構之上，並透過該記憶體控制器元件的該第二電路與該邏輯元件的該第四電路電性連接；以及 <br/>一揮發性記憶體元件，配置於該模塑結構上，且透過該記憶體控制器元件的該第三電路與該邏輯元件的該第五電路電性連接，其中該揮發性記憶體元件透過該記憶體控制器元件的該第一電路與該非揮發性記憶體元件電性連接， <br/>其中該互連元件完全配置於該邏輯元件在一垂直方向上的一投影內。
如請求項1所述之封裝結構，其中該記憶體控制器元件的一頂面及一底面分別與該封裝劑的一頂面及一底面實質對齊。
如請求項1所述之封裝結構，其中該互連元件的一頂面及一底面分別與該封裝劑的一頂面及一底面實質對齊。
如請求項1所述之封裝結構，其中該邏輯元件的該第六電路完全配置在該互連元件沿該垂直方向的一投影內。
如請求項1所述之封裝結構，其中該邏輯元件的該第四電路在一垂直方向上重疊該記憶體控制器元件的該第二電路。
如請求項1所述之封裝結構，其中該邏輯元件的該第五電路在一垂直方向上與該記憶體控制器元件的該第三電路重疊。
如請求項1所述之封裝結構，其中該邏輯元件、該非揮發性記憶體元件及該揮發性記憶體元件並排配置。
如請求項1所述之封裝結構，其中該非揮發性記憶體元件及該揮發性記憶體元件完全配置在該記憶體控制器元件沿一垂直方向的一投影內。
如請求項1所述之封裝結構，其中該非揮發性記憶體元件及該揮發性記憶體元件均在一垂直方向上與該記憶體控制器元件的該第一電路重疊。
如請求項1所述之封裝結構，其中該邏輯元件藉由混合接合(hybrid bonding)與該互連元件電性連接，且該邏輯元件藉由混合接合與該記憶體控制器元件電性連接。
如請求項1所述之封裝結構，其中該非揮發性記憶體元件及該揮發性記憶體元件均藉由混合接合與該記憶體控制器元件電性連接。
如請求項1所述之封裝結構，其中該邏輯元件透過複數個焊接材料電性連接至該互連元件，且該邏輯元件透過該些焊接材料電性連接至該記憶體控制器元件。
如請求項10所述之封裝結構，其中該非揮發性記憶體元件及該揮發性記憶體元件兩者皆經由複數個焊接材料與該記憶體控制器元件電性連接。
如請求項7所述之封裝結構，其中該邏輯元件與該非揮發性記憶體元件之間的一間隙在一垂直方向上與該記憶體控制器元件的該第二電路重疊。
如請求項1所述之封裝結構，其中該邏輯元件與該揮發性記憶體元件之間的一間隙在一垂直方向上與該記憶體控制器元件的該第三電路重疊。
如請求項1所述之封裝結構，其中該記憶體控制器元件與該互連元件之間的一間隙在一垂直方向上與該邏輯元件重疊。
如請求項1所述之封裝結構，其中該記憶體控制器元件的該第一電路、該第二電路及該第三電路在一水平方向上互相沒有電性連接。
如請求項1所述之封裝結構，其中該邏輯元件的該第四電路、該第五電路及該第六電路在一水平方向上互相不電性連接。
如請求項1所述之封裝結構，其中該記憶體控制器元件包括一記憶體控制器半導體晶粒或一記憶體控制器半導體晶片，該互連元件包括一互連半導體晶粒或一互連半導體晶片，且該封裝劑包括一模塑化合物。
一種分散式風機控制系統，包括：<br/> 多個風機運轉模組； <br/> 其中任一所述風機運轉模組包括一本地主機及多個風機過濾單元(Fan Filter Unit)，所述本地主機與所述多個風機過濾單元經由一本地通訊排線進行串接及相互通訊連接，所述本地主機經由所述本地通訊排線以支援多點通訊的串列通訊取得所述多個風機過濾單元的一狀態資訊，所述本地主機根據一掃描指令的執行以取得所述狀態資訊，並將所述狀態資訊儲存於所述本地主機的一資料區，以及所述本地主機根據一設定指令經由所述本地通訊排線以對任一所述風機過濾單元的一工作模式進行設定；<br/> 其中各所述本地主機透過一中央通訊排線與一上位控制系統相互通訊連接，任一所述本地主機透過所述中央通訊排線接收所述上位控制系統下達的一上位指令，並根據執行完成的所述上位指令經由所述中央通訊排線回傳一回饋資訊至所述上位控制系統。
如請求項1所述的分散式風機控制系統，其中當所述本地主機工作於一本地模式時，由所述本地主機對至少一所述風機過濾單元進行控制，且所述本地主機於接收所述上位指令時，根據所述上位指令讀取所述資料區，並透過所述回饋資訊回傳所述資料區的資料至所述上位控制系統。
如請求項2所述的分散式風機控制系統，其中所述本地主機工作於一遠端模式時，所述設定指令由所述上位指令提供。
如請求項3所述的分散式風機控制系統，還包括一中央主機，所述中央主機透過所述中央通訊排線與各所述本地主機通訊連接，所述中央主機透過一上位通訊排線與所述上位控制系統通訊連接。
如請求項4所述的分散式風機控制系統，其中所述中央主機接收所述上位指令時根據所述上位指令指定的任一所述風機運轉模組中的至少一所述風機過濾單元的一通訊對象，將所述上位指令傳送到與所述通訊對象屬於同一所述風機運轉模組的所述本地主機，以使所述本地主機根據所述上位指令執行相對應的控制。
如請求項5所述的分散式風機控制系統，其中所述中央主機接收所述本地主機回傳的所述回饋資訊，並將所述回饋資訊回傳至所述上位控制系統。
如請求項6所述的分散式風機控制系統，其中所述中央主機包括一微處理器、一記憶體及一通訊界面，所述微處理器連接所述記憶體及所述通訊界面，所述微處理器透過所述通訊界面傳輸所述上位指令與所述回饋資訊，所述微處理器於取得任一所述風機運轉模組中的所述狀態資訊時，將所述狀態資訊儲存於所述記憶體。
如請求項7所述的分散式風機控制系統，其中所述中央主機還包括一操作界面及一顯示界面，所述微處理器連接所述操作界面及所述顯示界面，所述微處理器根據所述操作界面輸入的一操作指令控制所述顯示界面顯示所述記憶體儲存的所述狀態資訊。
如請求項3 所述的分散式風機控制系統，其中所述本地主機包括一微處理器、一記憶體及一通訊界面，所述微處理器連接所述記憶體及所述通訊界面，所述微處理器透過所述通訊界面傳輸所述上位指令、所述回饋資訊及所述設定指令，所述資料區設置於所述記憶體中。
如請求項9所述的分散式風機控制系統，其中所述本地主機還包括一操作界面及一顯示界面，所述微處理器連接所述操作界面及所述顯示界面，所述微處理器根據所述操作界面輸入的一操作指令控制所述顯示界面顯示所述狀態資訊，所述微處理器根據所述操作界面的一切換操作執行於所述本地模式或所述遠端模式。
如請求項10所述的分散式風機控制系統，其中所述微處理器根據所述操作界面輸入的所述掃描指令，並透過執行所述掃描指令以取得所述多個風機過濾單元的所述狀態資訊。
如請求項11所述的分散式風機控制系統，其中所述微處理器透過所述操作界面輸入以取得所述設定指令，所述設定指令執行於一全體模式時，所述微處理器同時對所述多個風機過濾單元設定風機運轉速度，以及所述設定指令執行於一單機模式時，所述微處理器個別對任一所述風機過濾單元設定風機運轉速度。
如請求項1所述的分散式風機控制系統，其中所述風機運轉模組中的所述多個風機過濾單元分散設置於多個工作區域，且於每一工作區域中至少具有一個所述風機過濾單元，所述多個工作區域的相同一側設置一配線區域，所述多個風機過濾單元分別透過所述配線區域中的一電源排線取得電源供應以及透過所述配線區域中的所述本地通訊排線與所述本地主機傳輸資料。
一種分散式風機控制方法，包括：<br/> 在多個風機運轉模組中取得多筆狀態資訊，其中任一所述風機運轉模組包括一本地主機及多個風機過濾單元(Fan Filter Unit)，所述本地主機與所述多個風機過濾單元經由一本地通訊排線進行串接及相互通訊連接，且所述本地主機經由所述本地通訊排線以支援多點通訊的串列通訊取得所述多個風機過濾單元的所述狀態資訊，所述本地主機根據一掃描指令的執行以取得所述狀態資訊，並將所述狀態資訊儲存於所述本地主機的一資料區；<br/> 任一所述風機運轉模組中的所述本地主機根據一設定指令經由所述本地通訊排線以對任一所述風機過濾單元的一工作模式進行設定；以及<br/> 各所述本地主機透過一中央通訊排線與一上位控制系統相互通訊連接，且任一所述本地主機透過所述中央通訊排線接收所述上位控制系統下達的一上位指令，並根據執行完成的所述上位指令經由所述中央通訊排線回傳一回饋資訊至所述上位控制系統。
如請求項14所述的分散式風機控制方法，還包括：<br/> 當所述本地主機工作於一本地模式時，所述本地主機根據所述上位指令讀取所述資料區，並透過所述回饋資訊回傳所述資料區的資料至所述上位控制系統；<br/> 當所述本地主機工作於一遠端模式時，所述設定指令由所述上位指令提供。
如請求項15所述的分散式風機控制方法，還包括：<br/> 各所述本地主機透過一中央主機接收所述上位控制系統下達的所述上位指令；<br/> 所述中央主機接收所述本地主機回傳的所述回饋資訊，並將所述回饋資訊回傳至所述上位控制系統；<br/> 其中所述中央主機接收所述上位指令時根據所述上位指令指定的任一所述風機運轉模組中的至少一所述風機過濾單元的一通訊對象，將所述上位指令傳送到與所述通訊對象屬於同一所述風機運轉模組的所述本地主機，以使所述本地主機根據所述上位指令執行相對應的控制。
如請求項16所述的分散式風機控制方法，還包括：<br/> 所述中央主機儲存任一所述風機運轉模組回傳的所述狀態資訊；<br/> 所述中央主機根據一操作界面的操作，控制一顯示界面顯示所述狀態資訊。
如請求項15所述的分散式風機控制方法，還包括：<br/> 所述本地主機根據一操作界面的操作，控制一顯示界面顯示所述狀態資訊；<br/> 所述本地主機根據所述操作界面的操作，執行於所述本地模式或所述遠端模式。
如請求項18所述的分散式風機控制方法，還包括：<br/> 所述本地主機根據所述操作界面輸入的所述掃描指令，並透過執行所述掃描指令以取得所述多個風機過濾單元的所述狀態資訊；<br/> 所述本地主機根據所述操作界面的輸入以取得所述設定指令；<br/> 當所述設定指令執行於一全體模式時，所述本地主機同時對所述多個風機過濾單元設定風機運轉速度；<br/> 當所述設定指令執行於一單機模式時，所述本地主機個別對任一所述風機過濾單元設定風機運轉速度。
如請求項14所述的分散式風機控制方法，還包括：<br/> 將所述風機運轉模組中的所述多個風機過濾單元分散設置於多個工作區域，且於每一工作區域中至少具一個所述風機過濾單元；<br/> 於所述多個工作區域的相同一側設置一配線區域，所述多個風機過濾單元分別透過所述配線區域中的一電源排線取得電源供應以及透過所述配線區域中的所述本地通訊排線與所述本地主機傳輸資料。
一種快閃記憶體裝置，包括：<br/> 一基底；<br/> 一半導體堆疊結構，設置於該基底上，其中該半導體堆疊結構包括：<br/> 一第一浮置閘極；以及<br/> 一第二浮置閘極，設置於該第一浮置閘極上；以及<br/> 多個隔離部件，設置於該基底中，且延伸突出於該基底，以使該半導體堆疊結構夾設於該些隔離部件之間，其中各該隔離部件包括：<br/> 一第一介電填充層，位於該隔離部件的一下部；<br/> 一第二介電襯層，順應性覆蓋該第一介電填充層；以及<br/> 一第三介電填充層，位於該隔離部件的一上部，使該第二介電襯層夾設於該第一介電填充層與該第三介電填充層之間，其中該第一介電填充層與該第三介電填充層由一第一材料形成，該第二介電襯層由一第二材料形成，且該第二材料不同於該第一材料，其中各該隔離部件的一第一頂面包括該第三介電填充層的一第三頂面與該第二介電襯層的一第二頂面。
如請求項1所述之快閃記憶體裝置，其中各該隔離部件的該第二介電襯層的該第二頂面對齊該第一浮置閘極與該第二浮置閘極之間的一第一界面，或位於該第一界面的下方。
如請求項1所述之快閃記憶體裝置，其中該第一材料包括氧化物，且該第二材料包括氮化物。
如請求項1所述之快閃記憶體裝置，更包括：<br/> 一穿隧介電層，夾設於該基底與該半導體堆疊結構之間，其中該第一介電填充層與該第二介電襯層之間的一第二界面為一內凹弧形曲面，該內凹弧形曲面的最低點位於該穿隧介電層的上方。
如請求項1所述之快閃記憶體裝置，其中該第二介電襯層覆蓋該第一浮置閘極的多個第一側面。
如請求項1所述之快閃記憶體裝置，其中各該隔離部件的該第三介電填充層的一第三頂面低於該第二介電襯層的一第二頂面。
如請求項4所述之快閃記憶體裝置，其中各該隔離部件更包括：<br/> 一第四介電襯層，包圍該第一介電填充層，且鄰接該穿隧介電層的多個第三側面以及該第一浮置閘極的多個第一側面，其中該第四介電襯層由該第一材料形成。
如請求項7所述之快閃記憶體裝置，其中該第二介電襯層以及該第四介電襯層鄰接該第一浮置閘極的該些第一側面的不同部分。
如請求項1所述之快閃記憶體裝置，更包括：<br/> 一閘極介電層，形成於該些隔離部件以及該浮置閘極上；以及<br/> 一控制閘極層，形成於該閘極介電層上。
如請求項9所述之快閃記憶體裝置，其中該閘極介電層鄰接該第三介電填充層與該第二介電襯層。
一種快閃記憶體裝置的形成方法，包括： 提供一基底；以及<br/> 在該基底上形成一半導體堆疊結構以及多個隔離部件，其中該些隔離部件突出於該基底，以使該半導體堆疊結構夾設於該些隔離部件之間，其中該半導體堆疊結構包括：<br/> 一第一浮置閘極；以及<br/> 一第二浮置閘極，設置於該第一浮置閘極上；<br/> 其中形成各該隔離部件包括：<br/> 在與該半導體堆疊結構相鄰的該基底中形成一第一介電填充層，其中該第一介電填充層的一第一頂面凹陷於該半導體堆疊結構的一第二頂面；<br/> 在該半導體堆疊結構以及該第一介電填充層的該第一頂面上順應性形成一第二介電襯墊材料層；<br/> 於該第二介電襯墊材料層上形成一第三介電填充材料層；以及<br/> 移除部分該第二介電襯墊材料層以及部分該第三介電填充材料層，以使該第二浮置閘極的多個第二側面暴露出來，以形成各該隔離部件的一第二介電襯層以及一第三介電填充層，其中各該隔離部件的一頂面包括該第三介電填充層的一頂面與該第二介電襯層的一頂面，<br/> 其中該第一介電填充層與該第三介電填充材料層由一第一材料形成，該第二介電襯墊材料層由一第二材料形成，且該第二材料不同於該第一材料。
如請求項11所述之快閃記憶體裝置的形成方法，其中形成該第二介電襯墊材料層之前，該第一介電填充層的該第一頂面為一內凹弧形曲面，該內凹弧形曲面的最低點位於該第一浮置閘極的一第三頂面的下方。
如請求項11所述之快閃記憶體裝置的形成方法，其中該第二介電襯墊材料層鄰接該第一浮置閘極的多個第一側面。
如請求項11所述之快閃記憶體裝置的形成方法，其中該第二介電襯墊材料層的一第四頂面對齊該第一浮置閘極與該第二浮置閘極之間的一第一界面，或位於該第一界面的下方。
如請求項11所述之快閃記憶體裝置的形成方法，更包括：<br/> 形成該半導體堆疊結構之前，在該基底上形成一穿隧介電層；以及<br/> 在與該半導體堆疊結構相鄰的該基底中形成一第四介電襯層，其中該第四介電襯層包圍該第一介電填充層，且鄰接該穿隧介電層的多個第三側面以及該第一浮置閘極的多個第一側面，其中該第四介電襯層由該第一材料形成。
一種控制器，是控制RAID結構的控制器，該RAID結構將寫入至邏輯硬碟機的資料分割為多個區塊，並將被分割之前述多個區塊的資料、基於前述多個區塊的資料所算出的同位資料，分散記錄於多個物理硬碟機；其具有<br/>指令取得部，是收訊有對應於前述邏輯硬碟機之第1區域的第1修剪(Trim)指令；<br/>指令發行部，是對於前述邏輯硬碟機中前述第1區域所對應的前述多個物理硬碟機中第2區域，發行第2修剪(Trim)指令；以及<br/>同位產生部，是產生前述同位資料，該同位資料代表對發行有前述第2修剪(Trim)指令之前述第2區域，寫入有零值資料。
一種控制器，是控制RAID結構的控制器，該RAID結構將寫入至邏輯硬碟機的資料分割為多個區塊，並將被分割之前述多個區塊的資料、基於前述多個區塊的資料所算出的同位資料，分散記錄於多個物理硬碟機；其具有<br/>指令取得部，是收訊有對應於前述邏輯硬碟機之第1區域的第1修剪(Trim)指令；<br/>指令發行部，是對於前述邏輯硬碟機中前述第1區域所對應的前述多個物理硬碟機中第2區域，發行零值資料寫入(Write)指令；以及<br/>同位產生部，是在前述寫入(Write)指令發行後產生前述同位資料。
如請求項1或2記載之控制器，其中，更具備緩衝器，是可以記憶前述多個物理硬碟機的資料；<br/>資料讀取部，是將記憶於前述多個物理硬碟機之第3區域的資料，記憶於前述緩衝器；以及<br/>零值資料判定部，是判定記憶在前述緩衝區中之前述第3區域的資料，是否全為零值，<br/>前述指令發行部，在前述判定結果認定記憶在前述緩衝區中之前述第3區域的資料全為零值的情況下，是對前述多個物理硬碟機之前述第3區域發行前述第2修剪(Trim)指令。
如請求項1或2記載之控制器，其中，更具備緩衝器，是可以記憶前述多個物理硬碟機的資料；<br/>資料讀取部，是將記憶於前述多個物理硬碟機之第2區域的資料，記憶於前述緩衝器；<br/>LBA讀取部，是可以從記憶在前述緩衝器中之前述第3區域的資料，讀取前述多個物理硬碟機之邏輯區塊位址單位的LBA資料；以及<br/>零值資料判定部，是判定前述LBA資料的所有資料是否為零值，<br/>前述指令發行部，在前述LBA資料之所有資料為零值的情況下，是對前述LBA資料所對應之前述多個物理硬碟機的邏輯區塊位址，發行前述第2修剪(Trim)指令。
如請求項4記載之控制器，其中，前述指令發行部，在前述多個物理硬碟機之邏輯區塊位址單位之LBA資料連續成為全資料零值的情況下，對連續成為全資料零值時之前述LBA資料所對應的前述多個物理硬碟機的邏輯區塊位址，全面發行前述第2修剪(Trim)指令。
一種記憶裝置，其具有如請求項1或2記載之控制器。
一種式(I-l)之化合物或其醫藥學上可接受之鹽： <br/><img align="absmiddle" height="62px" width="83px" file="ed10385.jpg" alt="ed10385.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(I-l)， <br/>其中： <br/>R <sup>1a</sup>、R <sup>1b</sup>、R <sup>2a</sup>、R <sup>2b</sup>、R <sup>4a</sup>、R <sup>4b</sup>、R <sup>6a</sup>、R <sup>6b</sup>、R <sup>7a</sup>、R <sup>7b</sup>、R <sup>11a</sup>、R <sup>11b</sup>、R <sup>12a</sup>及R <sup>12b</sup>之各者為氫； <br/>R <sup>3a</sup>為甲基； <br/>R <sup>18</sup>為甲基或乙基； <br/>R <sup>19</sup>為氫、甲基或乙基； <br/>R <sup>Y</sup>為甲基或氰基； <br/>各個R <sup>D</sup>為氫； <br/>q為0、1、2、3、4或5；及 <br/>R <sup>55a</sup>及R <sup>55b</sup>與中間原子接合在一起以形成 <img align="absmiddle" height="21px" width="38px" file="ed10386.jpg" alt="ed10386.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中p為1且R <sup>a</sup>為-CN。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R <sup>19</sup>為甲基或氫。
如請求項2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R <sup>19</sup>為甲基。
如請求項2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R <sup>19</sup>為氫。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R <sup>Y</sup>為甲基。
如請求項1至5中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R <sup>55a</sup>及R <sup>55b</sup>與中間原子接合在一起以形成 <img align="absmiddle" height="29px" width="29px" file="ed10387.jpg" alt="ed10387.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該式(I-l)之化合物為式(I-m)之化合物或式(I-n)之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="62px" width="83px" file="ed10388.jpg" alt="ed10388.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(I-m)或 <img align="absmiddle" height="62px" width="83px" file="ed10389.jpg" alt="ed10389.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(I-n)。
如請求項7之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該式(I-l)之化合物為式(I-m)之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="62px" width="83px" file="ed10388.jpg" alt="ed10388.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(I-m)。
如請求項8之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R <sup>19</sup>為甲基或氫。
如請求項9之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R <sup>19</sup>為甲基。
如請求項9之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R <sup>19</sup>為氫。
如請求項9至11中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R <sup>Y</sup>為甲基。
如請求項12之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R <sup>55a</sup>及R <sup>55b</sup>與中間原子接合在一起以形成 <img align="absmiddle" height="29px" width="29px" file="ed10387.jpg" alt="ed10387.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該式(I-l)之化合物為式(I-Il)之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="62px" width="83px" file="ed10390.jpg" alt="ed10390.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(I-Il)， <br/>其中R <sup>15a</sup>、R <sup>15b</sup>、R <sup>16a</sup>及R <sup>16b</sup>之各者為氫。
如請求項14之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該式(I-Il)之化合物為式(I-Im)之化合物或式(I-In)之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="62px" width="83px" file="ed10391.jpg" alt="ed10391.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(I-Im)或 <img align="absmiddle" height="62px" width="83px" file="ed10392.jpg" alt="ed10392.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(I-In)。
如請求項15之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該式(I-Il)之化合物為式(I-Im)之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="62px" width="83px" file="ed10391.jpg" alt="ed10391.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(I-Im)。
如請求項14至16中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R <sup>55a</sup>及R <sup>55b</sup>與中間原子接合在一起以形成 <img align="absmiddle" height="29px" width="29px" file="ed10387.jpg" alt="ed10387.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物係選自： <br/>。
一種式(I-l)之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="62px" width="83px" file="ed10385.jpg" alt="ed10385.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(I-l)， <br/>其中： <br/>R <sup>1a</sup>、R <sup>1b</sup>、R <sup>2a</sup>、R <sup>2b</sup>、R <sup>4a</sup>、R <sup>4b</sup>、R <sup>6a</sup>、R <sup>6b</sup>、R <sup>7a</sup>、R <sup>7b</sup>、R <sup>11a</sup>、R <sup>11b</sup>、R <sup>12a</sup>及R <sup>12b</sup>之各者為氫； <br/>R <sup>3a</sup>為甲基； <br/>R <sup>18</sup>為甲基或乙基； <br/>R <sup>19</sup>為氫、甲基或乙基； <br/>R <sup>Y</sup>為甲基或氰基； <br/>各個R <sup>D</sup>為氫； <br/>q為0、1、2、3、4或5；及 <br/>R <sup>55a</sup>及R <sup>55b</sup>與中間原子接合在一起以形成 <img align="absmiddle" height="21px" width="38px" file="ed10386.jpg" alt="ed10386.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中p為1且R <sup>a</sup>為-CN。
如請求項19之化合物，其中R <sup>19</sup>為甲基或氫。
如請求項20之化合物，其中R <sup>19</sup>為甲基。
如請求項20之化合物，其中R <sup>19</sup>為氫。
如請求項19至22中任一項之化合物，其中R <sup>Y</sup>為甲基。
如請求項23之化合物，其中R <sup>55a</sup>及R <sup>55b</sup>與中間原子接合在一起以形成 <img align="absmiddle" height="29px" width="29px" file="ed10387.jpg" alt="ed10387.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項19之化合物，其中該式(I-l)之化合物為式(I-m)之化合物或式(I-n)之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="62px" width="83px" file="ed10388.jpg" alt="ed10388.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(I-m)或 <img align="absmiddle" height="62px" width="83px" file="ed10389.jpg" alt="ed10389.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(I-n)。
如請求項25之化合物，其中該式(I-l)之化合物為式(I-m)之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="62px" width="83px" file="ed10388.jpg" alt="ed10388.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(I-m)。
如請求項26之化合物，其中R <sup>19</sup>為甲基或氫。
如請求項27之化合物，其中R <sup>19</sup>為甲基。
如請求項27之化合物，其中R <sup>19</sup>為氫。
如請求項25至29中任一項之化合物，其中R <sup>Y</sup>為甲基。
如請求項30之化合物，其中R <sup>55a</sup>及R <sup>55b</sup>與中間原子接合在一起以形成 <img align="absmiddle" height="29px" width="29px" file="ed10387.jpg" alt="ed10387.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項19之化合物，其中該式(I-l)之化合物為式(I-Il)之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="62px" width="83px" file="ed10390.jpg" alt="ed10390.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(I-Il)， <br/>其中R <sup>15a</sup>、R <sup>15b</sup>、R <sup>16a</sup>及R <sup>16b</sup>之各者為氫。
如請求項32之化合物，其中該式(I-Il)之化合物為式(I-Im)之化合物或式(I-In)之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="62px" width="83px" file="ed10391.jpg" alt="ed10391.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(I-Im)或 <img align="absmiddle" height="62px" width="83px" file="ed10392.jpg" alt="ed10392.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(I-In)。
如請求項33之化合物，其中該式(I-Il)之化合物為式(I-Im)之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="62px" width="83px" file="ed10391.jpg" alt="ed10391.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(I-Im)。
如請求項32至34中任一項之化合物，其中R <sup>55a</sup>及R <sup>55b</sup>與中間原子接合在一起以形成 <img align="absmiddle" height="29px" width="29px" file="ed10387.jpg" alt="ed10387.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種化合物，其係選自： <br/>。
如請求項36之化合物，其中該化合物具有以下結構： <br/><img align="absmiddle" height="49px" width="82px" file="ed10393.jpg" alt="ed10393.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項36之化合物，其中該化合物具有以下結構： <br/><img align="absmiddle" height="49px" width="82px" file="ed10394.jpg" alt="ed10394.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項36之化合物，其中該化合物具有以下結構： <br/><img align="absmiddle" height="49px" width="82px" file="ed10395.jpg" alt="ed10395.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項36之化合物，其中該化合物具有以下結構： <br/><img align="absmiddle" height="49px" width="82px" file="ed10396.jpg" alt="ed10396.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項36之化合物，其中該化合物具有以下結構： <br/><img align="absmiddle" height="49px" width="82px" file="ed10397.jpg" alt="ed10397.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項36之化合物，其中該化合物具有以下結構： <br/><img align="absmiddle" height="49px" width="82px" file="ed10398.jpg" alt="ed10398.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項36之化合物，其中該化合物具有以下結構： <br/><img align="absmiddle" height="49px" width="82px" file="ed10399.jpg" alt="ed10399.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項36之化合物，其中該化合物具有以下結構： <br/><img align="absmiddle" height="49px" width="82px" file="ed10400.jpg" alt="ed10400.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項36之化合物，其中該化合物具有以下結構： <br/><img align="absmiddle" height="51px" width="94px" file="ed10401.jpg" alt="ed10401.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項36之化合物，其中該化合物具有以下結構： <br/><img align="absmiddle" height="51px" width="94px" file="ed10402.jpg" alt="ed10402.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1至18中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽及醫藥學上可接受之賦形劑。
一種醫藥組合物，其包含如請求項19至46中任一項之化合物及醫藥學上可接受之賦形劑。
一種如請求項1至18中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或如請求項47或48之醫藥組合物的用途，其係用於製備治療CNS相關病症的醫藥品。
如請求項49之用途，其中該CNS相關病症為睡眠障礙、情緒障礙、精神分裂症譜系障礙、痙攣性障礙、記憶及/或認知障礙、運動障礙、人格障礙、自閉症譜系障礙、疼痛、創傷性腦損傷、血管疾病、物質濫用障礙及/或戒斷症候群、耳鳴或持續性癲癇。
如請求項49之用途，其中該CNS相關病症為抑鬱。
如請求項51之用途，其中該CNS相關病症為產後抑鬱。
如請求項51之用途，其中該CNS相關病症為重型抑鬱症。
如請求項53之用途，其中該重型抑鬱症為中度重型抑鬱症。
如請求項53之用途，其中該重型抑鬱症為重度重型抑鬱症。
如請求項49之用途，其中該CNS相關病症為癲癇。
如請求項49之用途，其中該CNS相關病症為震顫。
如請求項57之用途，其中該CNS相關病症為原發性震顫。
如請求項49至58中任一項之用途，其中該醫藥品係用於經口投與。
如請求項49至58中任一項之用途，其中該醫藥品係用於長期投與。
一種背光模組，安裝於一顯示裝置的一下蓋內部，包含：<br/> 一背框，具有一背板以及一側牆從該背板的邊緣向上延伸，該側牆具有一上緣，該上緣的一自由端從該側牆的遠離該背板的一端、朝向該背框的內部延伸；<br/> 一導光板，設置於該背板的上方，該導光板沿著其一厚度方向的表面向外形成一凸條，以使該導光板於該厚度方向的斷面形成一階梯狀輪廓，該凸條位於該上緣的下方，使該凸條被限位在該自由端與該背板之間；<br/> 一光源，安裝於該背框且朝向該導光板的該厚度方向的表面；以及<br/> 一光學膜片，定位於該導光板的一上表面；<br/> 其中，該導光板的該上表面是高於該上緣的上表面。
如請求項1所述之背光模組，其中該導光板的一下表面與該背板之間設有一反射片。
如請求項2所述之背光模組，其中該反射片大於該導光板的該上表面。
如請求項1所述之背光模組，其中該上緣的該自由端套設一緩衝件，該凸條被限位在該緩衝件與該背板之間。
如請求項1所述之背光模組，其中該導光板的上表面具有一凸柱以匹配於該光學膜片的一凹槽，該凸柱相對於該凸條是鄰近該光源。
如請求項5所述之背光模組，其中該光學膜片的該凹槽具有一開口，該開口朝向該背框的另一對側牆，該另一對側牆平行於該側牆。
如請求項1所述之背光模組，其中該凸條的長度或該上緣的長度的至少一者是短於該導光板的其中一側邊方向的長度。
一種顯示裝置，包含：<br/> 一如請求項1至7中任一項所述的背光模組；<br/> 一下蓋，具有一底面以及一外側牆形成的一容室，該背光模組是沿著該背光模組的一厚度方向裝設於該容室中，該背光模組的頂面低於該外側牆的一開口端面；以及<br/> 一顯示模組，安裝於該開口端面，以封閉該容室。
如請求項8所述的顯示裝置，其中該背光模組不包含抵壓於該背光模組的最上方的表面的上框。
一種多路徑無線電頻率(RF)系統，包括：<br/> 一參考振盪電路，配置用於產生一參考振盪訊號；<br/> 一本地振盪(LO)產生電路，配置用於接收該參考振盪訊號，並根據該參考振盪訊號產生複數個LO訊號，其中該參考振盪訊號的頻率是至少一個該複數個LO訊號的頻率的非整數倍；以及<br/> 複數個混頻電路，分別位於複數個訊號路徑上，並配置用於分別接收來自該LO產生電路的該複數個LO訊號。
如請求項1所述的多路徑RF系統，其中每一個該複數個訊號路徑上只有單一混頻電路。
如請求項1所述的多路徑RF系統，其中每一個該複數個LO訊號具有25%的工作週期。
如請求項1所述的多路徑RF系統，其中該參考振盪訊號包括具有相同頻率但不同相位的複數個訊號。
如請求項1所述的多路徑RF系統，其中每一個該複數個LO訊號包括具有相同頻率但不同相位的複數個訊號。
如請求項1所述的多路徑RF系統，其中至少一個該複數個訊號路徑是一個傳輸(TX)路徑。
如請求項1所述的多路徑RF系統，其中至少一個該複數個訊號路徑是一個接收(RX)路徑。
如請求項1所述的多路徑RF系統，其中該LO產生電路包括：<br/> 一頻率處理電路，配置用於根據該參考振盪訊號產生複數個振盪訊號，其中該參考振盪訊號的頻率是每一個該複數個振盪訊號的頻率的整數倍，並且該複數個LO訊號包括從該複數個振盪訊號中選擇的第一LO訊號；以及<br/> 一頻率組合電路，配置用於組合至少一部分的該複數個振盪訊號以產生包含在該複數個LO訊號中的第二LO訊號。
如請求項8所述的多路徑RF系統，其中每一個該複數個振盪訊號包括具有該相同頻率但不同相位的複數個訊號。
如請求項8所述的多路徑RF系統，其中每一個該複數個振盪訊號具有25%的工作週期。
如請求項8所述的多路徑RF系統，其中該複數個振盪訊號包括在該頻率組合電路組合的第一振盪訊號和第二振盪訊號，並且該第一振盪訊號和該第二振盪訊號之間具有特定的時間延遲。
如請求項11所述的多路徑RF系統，其中該頻率處理電路包括：<br/> 一頻率分割電路模組，配置用於對該參考振盪訊號進行頻率分割以產生第一頻率分割訊號和第二頻率分割訊號，並分別輸出該第一頻率分割訊號和該第二頻率分割訊號作為該第一振盪訊號和該第二振盪訊號。
如請求項12所述的多路徑RF系統，其中該第一頻率分割訊號和該第二頻率分割訊號每一個都包括具有相同頻率但不同相位的複數個訊號。
如請求項11所述的多路徑RF系統，其中該頻率處理電路包括：<br/> 一頻率分割電路模組，配置用於對該參考振盪訊號進行頻率分割以產生第一頻率分割訊號和第二頻率分割訊號，並輸出該第一頻率分割訊號作為該第一振盪訊號；以及<br/> 一延遲電路，配置用於接收該第二頻率分割訊號，通過延遲該第二頻率分割訊號產生一延遲頻率分割訊號，並輸出該延遲頻率分割訊號作為該第二振盪訊號。
如請求項14所述的多路徑RF系統，其中該第一頻率分割訊號、該第二頻率分割訊號和該延遲頻率分割訊號每一個都包括具有相同頻率但不同相位的複數個訊號。
如請求項11所述的多路徑RF系統，其中該第一振盪訊號的頻率不低於該第二振盪訊號的頻率，並且該特定時間延遲等於<img align="absmiddle" height="13px" width="23px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中<img align="absmiddle" height="13px" width="9px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是該第一振盪訊號的週期，並且<img align="absmiddle" height="13px" width="4px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是一個正整數。
如請求項11所述的多路徑RF系統，其中該頻率組合電路通過組合該第一振盪訊號和該第二振盪訊號產生該第二LO訊號，其中該第二LO訊號的頻率等於該第一振盪訊號的頻率和該第二振盪訊號的頻率之和。
如請求項8所述的多路徑RF系統，其中該頻率組合電路包括組合邏輯、傳輸閘邏輯或其組合。
一種本地振盪（LO）訊號生成方法，包括：接收來自參考振盪電路生成的參考振盪訊號；根據該參考振盪訊號生成複數個LO訊號，其中該參考振盪訊號的頻率是至少一個該複數個LO訊號的頻率的非整數倍；並將該複數個LO訊號輸出到分別位於複數個訊號路徑上的複數個混頻器電路。
如請求項19所述的LO訊號生成方法，其中每個該複數個訊號路徑上只有一個混頻器電路。
一種邊緣人工智慧系統，包含： <br/>一混合器模組，接收一使用者問題並在該使用者問題上附加一輔助資訊以產生一當前問題並將該當前問題儲存在一對話歷史紀錄中； <br/>一分類器模組，接收該對話歷史紀錄並使用一小型LLM將該對話歷史紀錄分類出至少一主題分類，並決定該當前問題所屬之該主題分類；以及 <br/>一排序器模組，根據與該當前問題之一相似度對該當前問題所屬之該主題分類中的至少一歷史問題及至少一歷史回應進行排序，以產生該當前問題所屬之該主題分類的一提示輸出順序，以及將該提示輸出順序傳送至一外部LLM。
如請求項1所述之邊緣人工智慧系統，其中該邊緣人工智慧系統可應用於一邊緣人工智慧裝置上。
如請求項2所述之邊緣人工智慧系統，其中該對話歷史紀錄儲存於該邊緣人工智慧裝置之一記憶體中。
如請求項3所述之邊緣人工智慧系統，其中該輔助資訊為一時鐘資訊、一全球定位系統資訊或一序列標識。
如請求項4所述之邊緣人工智慧系統，其中該分類器模組包含一分詞器，該分詞器用以將該對話歷史紀錄拆分成複數個詞元以供該小型LLM處理。
如請求項5所述之邊緣人工智慧系統，其中該小型LLM包含一嵌入層、一變換器層及一分類頭層，該嵌入層用以將該對話歷史紀錄中之該當前問題之該複數個詞元轉換為一嵌入向量；該變換器層用以處理該嵌入向量以生成該當前問題之一上下文語義表示；以及該分類頭層用以根據該當前問題之該上下文語義表示決定該當前問題所屬之該主題分類。
如請求項6所述之邊緣人工智慧系統，其中該排序器模組根據該當前問題與該歷史問題及該當前問題與該歷史回應之一向量距離獲得該相似度。
如請求項7所述之邊緣人工智慧系統，其中該排序器模組判斷該當前問題與該歷史問題及該當前問題與該歷史回應之該相似度為100%或實質相同時，則不將該歷史問題及該歷史回應排列至該提示輸出順序中。
如請求項7所述之邊緣人工智慧系統，其中該排序器模組判斷該當前問題與該歷史問題及該當前問題與該歷史回應之該相似度愈高時，則在該提示輸出順序中將該歷史問題及該歷史回應排列在愈靠近該當前問題的位置。
一種邊緣人工智慧系統之上下文管理方法，包含： <br/>(a)由一混合器模組接收一使用者問題並在該使用者問題上附加一輔助資訊以產生一當前問題，並將該當前問題儲存在一對話歷史紀錄中； <br/>(b)由一分類器模組接收該對話歷史紀錄並使用一小型LLM將該對話歷史紀錄分類出至少一主題分類，並決定該當前問題所屬之該主題分類；以及 <br/>(c)由一排序器模組根據與該當前問題之一相似度對該當前問題所屬之該主題分類中的至少一歷史問題及至少一歷史回應進行排序，以產生該當前問題所屬之該主題分類的一提示輸出順序，以及將該提示輸出順序傳送至一外部LLM。
一種防拆鎖固機構，包括：<br/> 螺栓，包括：<br/> 鎖固本體；<br/> 間隔件，固定於上述鎖固本體內；以及<br/> 橋接件，固定於上述間隔件；<br/> 旋動蓋，可轉動地設置於上述鎖固本體內；<br/> 連接件，可移動及轉動地設置於上述鎖固本體內，且連接於上述旋動蓋；以及<br/> 主彈性元件，設置於上述連接件以及上述間隔件之間，<br/> 其中當上述橋接件固定於上述間隔件時，上述連接件接觸於上述橋接件，且藉由旋轉上述旋動蓋以使上述連接件、上述橋接件、以及上述鎖固本體跟隨上述旋動蓋旋轉，上述主彈性元件施加彈力於上述連接件以使上述連接件位於一初始位置；<br/> 其中當上述鎖固本體鎖固於物件時，藉由旋轉上述旋動蓋使上述連接件相對於上述鎖固本體旋轉，進而使上述橋接件從上述間隔件斷開。
如請求項1所述的防拆鎖固機構，其中上述螺栓更包括卡合塊，固定於上述鎖固本體內，其中當將上述鎖固本體從上述物件移除時，藉由拆卸工具連接於上述旋動蓋並推動上述連接件由上述初始位置移動至一嚙合位置，進而使上述連接件卡合於上述卡合塊，且利用上述拆卸工具旋轉上述旋動蓋以使上述鎖固本體跟隨上述旋動蓋旋轉。
如請求項2所述的防拆鎖固機構，其中上述旋動蓋包括通氣開口，上述拆卸工具經由上述通氣開口輸送空氣至上述鎖固本體內，進而推動上述連接件卡合於上述卡合塊。
如請求項2所述的防拆鎖固機構，其中當上述橋接件固定於上述間隔件時，上述連接件與上述卡合塊分離。
如請求項1所述的防拆鎖固機構，其中上述旋動蓋包括限位槽，上述螺栓更包括限位件，位於上述限位槽內，上述限位槽為一環狀結構，用以限制上述旋動蓋以虛擬中央軸為軸心相對於上述鎖固本體旋轉。
如請求項1所述的防拆鎖固機構，其中上述連接件包括限制槽，上述旋動蓋包括位於上述限制槽內的限制肋，上述限制槽以及上述限制肋用以限制上述連接件沿縱向相對於上述鎖固本體以及上述旋動蓋移動。
如請求項1所述的防拆鎖固機構，其中上述間隔件包括軸孔，且上述連接件包括：<br/> 軸部，位於上述軸孔內；以及<br/> 驅動結構，環繞於上述軸部，用轉動上述螺栓，<br/> 其中上述主彈性元件位於上述軸部以及上述驅動結構之間。
如請求項7所述的防拆鎖固機構，更包括內彈性元件，其中上述軸部更包括嵌合槽，上述橋接件更包括嵌合塊，上述內彈性元件設置於上述嵌合槽內，<br/> 其中當上述橋接件固定於上述間隔件時，上述嵌合塊位於上述嵌合槽，且當上述橋接件從上述間隔件斷開時，上述內彈性元件推動上述橋接件。
一種防拆鎖固機構的操作方法，包括下列步驟：<br/> (a) 旋轉上述防拆鎖固機構的旋動蓋將上述防拆鎖固機構的螺栓的鎖固本體鎖固於物件內，其中上述螺栓更包括設置於上述鎖固本體內的間隔件，以及固定於上述間隔件的橋接件，且上述防拆鎖固機構更包括連接件，可移動及轉動地設置於上述鎖固本體內，且連接於上述旋動蓋；以及<br/> (b) 進一步旋轉上述旋動蓋，以使上述連接件相對於上述鎖固本體旋轉，直到上述橋接件從上述間隔件斷開。
如請求項9所述的防拆鎖固機構的操作方法，更包括下列步驟：<br/> (c) 將拆卸工具連接於上述旋動蓋並使上述連接件卡合於上述螺栓的卡合塊；以及<br/> (d) 利用上述拆卸工具旋轉上述旋動蓋以使上述連接件帶動上述鎖固本體相對於上述物件旋轉，進而將上述螺栓從上述物件拆卸。
一種增強電化學裝置耐用性的方法，其步驟包含：<br/> 步驟S1：提供一電化學裝置，其在一電化學裝置外殼或外包裝內至少包含一正極、一負極與其間的一隔離膜，一電解質設置於該正極與該負極間；其中，<br/> 該電解質包含一電解質添加劑；該正極材料及/或該電解質添加劑中包含一雙氫酞菁化合物及/或一金屬酞菁化合物可螯合金屬離子化合物；以及<br/> 步驟S2：對該電化學裝置充放電，使該雙氫酞菁化合物及/或該金屬酞菁化合物與該正極材料中的一過渡金屬形成一過渡金屬酞菁化合物；同時該正極材料中的該過渡金屬，於充放電過程中不通過該隔離膜到達該負極。
如請求項1所述的增強電化學裝置耐用性的方法，其中：進一步地，該雙氫酞菁化合物及/或該金屬酞菁化合物的該金屬以金屬離子形式進入該電化學裝置進行充放電循環。
如請求項1所述的增強電化學裝置耐用性的方法，其中：該正極生成有益正極電解質介面。
如請求項1、2或3所述的增強電化學裝置耐用性的方法，其中：該正極材料中的該過渡金屬包含鈦(Ti)、釩(V)、鉻(Cr)、錳(Mn)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)、銅(Cu)或鋅(Zn)。
如請求項1、2或3所述的增強電化學裝置耐用性的方法，其中：該金屬酞菁化合物的該金屬包含鋰、鈉、鉀、鎂、鈣、鋅、銅、鐵或鋁。
如請求項5所述的增強電化學裝置耐用性的方法，其中：該金屬酞菁化合物包含酞菁二鋰、酞菁二鈉、酞菁二鉀、酞菁鎂、酞菁鈣、酞菁鋅、酞菁銅、酞菁鐵或酞菁鋁。
如請求項1、2或3所述的增強電化學裝置耐用性的方法，其中：該電化學電池的外殼包含不鏽鋼外殼。
如請求項1、2或3所述的增強電化學裝置耐用性的方法，其中：該正極及/或該負極包含一電流集流體，包含銅箔、鋁箔、鎳箔、鈦箔、金箔或鉑箔。
如請求項1、2或3所述的增強電化學裝置耐用性的方法，其中：該電解質包含醚類或酯類電解質。
一種增加金屬離子電化學裝置安全性的方法，其步驟包含: <br/>步驟1:提供一金屬離子電化學裝置，其至少包含一正極、一負極及設置於該正極與該負極間的一隔離膜； <br/>其中，該負極包含一負極電流集流體，其上覆有一負極活性材料，該負極電流集流體與該負極活性材料間設有一親金屬離子層； <br/>步驟2: 對該金屬離子電化學裝置充放電；以及 <br/>步驟3:一金屬離子枝晶層沉積於該負極活性材料與該親金屬離子層間。
如請求項1所述的增加金屬離子電化學裝置安全性的方法，其中: 該金屬離子電化學裝置包含鋰離子電池、鈉離子電池、鉀離子電池或其前述金屬中任意之雙離子或多離子電池。
如請求項1所述的增加金屬離子電化學裝置安全性的方法，其中:該負極活性材料包括含碳化合物、矽或其化合物或氧化物、鋁或其化合物或氧化物、鍺或其化合物或氧化物、鋰鈦化合物或氧化物、鈮鈦化合物或氧化物，或前述材料之組合。
如請求項3所述的增加金屬離子電化學裝置安全性的方法，其中:該含碳化合物包含石墨或軟碳；以及該鋰鈦化合物包含鈦酸鋰。
如請求項1或2所述的增加金屬離子電化學裝置安全性的方法，其中:該負極電流集流體包括銅箔、鋁箔、鎳箔、不銹鋼箔、銦箔或其組合。
如請求項1或2所述的增加金屬離子電化學裝置安全性的方法，其中: 該親金屬離子層包括2A~6A族元素以及1B~6B與8B族元素。
如請求項1或2所述的增加金屬離子電化學裝置安全性的方法，其中: 該親金屬離子層包含鍶(Sr)、鎵(Ga)、銻(Sb)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鋇(Ba)、鈧(Sc)、釔(Y)、鋁(Al)、銦(In)、鉈(Tl)、鍺(Ge)、錫(Sn)、鉛(Pb)、鉍(Bi)、硒(Se)、碲(Te)、銠(Rh)、銥(Ir)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、銀(Ag)、金(Au)、鋅(Zn)、鎘(Cd)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鈮(Nb)、汞(Hg)、前述元素之化合物或其組合。
如請求項1或2所述的增加金屬離子電化學裝置安全性的方法，其中:步驟2中對該金屬離子電化學裝置以正常或過充電壓、電流進行充放電。
一種旋轉驅動機構，由複數個旋動組件組成，該旋動組件包括：<br/> 可受驅動而沿著一基座作弧形移動的移動座，該移動座移動的弧形路徑形成的軌跡以一軸線為軸心。
如請求項1所述旋轉驅動機構，其中，組成該驅動機構的各旋動組件間，以連接件連接一個旋動組件的移動座與另一個旋動組件的基座。
如請求項1所述旋轉驅動機構，其中，複數個旋動組件的各該軸線彼此相交於一軸點。
如請求項3所述旋轉驅動機構，其中，一保持機構設於該驅動機構，該保持機構可受該驅動機構驅動以該軸點為旋轉中心作多軸向的旋轉移動。
如請求項4所述旋轉驅動機構，其中，該保持機構可保持一光纖陣列元件。
如請求項1所述旋轉驅動機構，其中，該複數個旋動組件包括：<br/> 分別具有不同方向之該軸線的三個旋動組件，分別為：<br/> 一第一旋動組件，設有一第一基座、設於該第一基座的一第一移動座，該第一移動座移動的弧形路徑形成的一第一軌跡係以一第一軸線為軸心；<br/> 一第二旋動組件，設有一第二基座、設於該第二基座的一第二移動座，該第二移動座移動的弧形路徑形成的一第二軌跡係以一第二軸線為軸心；<br/> 一第三旋動組件，設有一第三基座、設於該第三基座的一第三移動座，該第三移動座移動的弧形路徑形成的一第三軌跡係以一第三軸線為軸心；<br/> 該第一軸線、該第二軸線、該第三軸線的方向彼此正交。
如請求項6所述旋轉驅動機構，其中，以橫向為一第一方向，以橫向並與該第一方向正交為一第二方向，以縱向並分別與該第一方向與該第二方向正交為一第三方向；該第一軸線平行該第三方向；該第二軸線平行該第一方向；該第三軸線平行該第二方向。
如請求項6所述旋轉驅動機構，其中，該複數個旋動組件包括：設於該第一移動座的一第一連接件、設於該第二移動座的一第二連接件、設於該第三移動座的一第三連接件；該第二基座設於該第一連接件，該第三基座設於該第二連接件。
如請求項8所述旋轉驅動機構，其中，該第一連接件設有垂直的一第一連接面及水平的一第二連接面；該第二連接件設有水平的一第三連接面及傾斜的一第四連接面；該第三連接件設有傾斜的一第五連接面及垂直的一第六連接面；該第一連接面約略與該第六連接面平行；該第四連接面約略與該第五連接面平行。
如請求項9所述旋轉驅動機構，其中，該第一連接件以該第一連接面設於該第一旋動組件的該第一移動座；該第二旋動組件設於該第一連接件的下方，該第二基座設於該第一連接件的該第二連接面；該第二連接件以該第三連接面設於該第二移動座；該第三旋動組件以該第三基座設於該第二連接件傾斜的該第四連接面；該第三連接件以傾斜的該第五連接面設於該第三移動座。
如請求項8所述旋轉驅動機構，其中，該第三連接件設有傾斜的一第五連接面及垂直的一第六連接面；可保持一光纖陣列元件的一保持機構設於該第三連接件的該第六連接面。
如請求項1所述旋轉驅動機構，其中，該旋轉驅動機構可受驅動作多軸向的直線移動。
一種驅動方法，適用於移動光纖陣列元件，包括：<br/> 使一光纖陣列元件被一保持機構所保持，並以複數個旋動組件組成的一旋轉驅動機構驅動該保持機構；<br/> 使每一個該旋動組件的一移動座可受驅動而沿著一基座作弧形移動，形成以一軸線為軸心的軌跡以帶動該光纖陣列元件移動。
如請求項13所述驅動方法，其中，該複數個旋動組件的各該軸線彼此相交於一軸點。
一種旋轉驅動機構，可用於執行如請求項13或14的驅動方法，包括複數個該旋動組件。
一種耦合方法，適用於光纖陣列元件與積體電路元件的耦合，包括：<br/> 使一光纖陣列元件被一保持機構所保持，並以複數個旋動組件組成的一旋轉驅動機構驅動該保持機構帶動該光纖陣列元件至一積體電路元件；<br/> 使每一個該旋動組件的一移動座可受驅動而沿著一基座作弧形移動，該移動座弧形路徑形成以一軸線為軸心的軌跡作旋轉移動，以帶動該光纖陣列元件移動調整該光纖陣列元件的姿態，直到該光纖陣列元件的一光訊號的強度值落在一預設範圍內。
一種耦合裝置，可用於執行如請求項16的耦合方法，包括複數個該旋動組件組成的該旋轉驅動機構。
一種捲繞軸中心的細絲捲繞裝置，其特徵在於，包括： <br/>第一單元，包括相對於安裝對象面垂直的第一支撐柱、由於所述第一支撐柱平行且相對於所述安裝對象面垂直的第二支撐柱、以可旋轉的方式，沿著所述第一支撐柱的上下方向安裝於所述第一支撐柱的第一旋轉軸、以可旋轉的方式，沿著所述第二支撐柱的上下方向安裝於所述第二支撐柱的第二旋轉軸、與所述第一旋轉軸以及所述第二旋轉軸配置在同一直線上的芯棒、將所述芯棒的一端部與所述第一旋轉軸相互折曲連接且具有可穿過所述芯棒的一端部與所述第一旋轉軸之間的第一切開部的第一繞線導向夾具、將所述芯棒的另一端部與所述第二旋轉軸相互折曲連接且具有可穿過所述芯棒的另一端部與所述第二旋轉軸之間的第二切開部的第二繞線導向夾具、以及向複數所述第一旋轉軸以及複數所述第二旋轉軸傳遞驅動力的第一驅動執行機構； <br/>第二單元，包括上下多段收納捲繞有細絲的線軸的櫃體、在維持從複數所述線軸分別解繞的所述細絲的一定程度的張力的同時進行導向的張力維持元件、以及將複數所述細絲匯聚導向到一個位置上的穿過導向器；以及， <br/>第三單元，包括配置在所述第一單元與所述第二單元之間且與所述安裝對象面垂直的第三支撐柱、與所述安裝對象面垂直且與所述第三支撐柱平行的第四支撐柱、將所述第三支撐柱與所述第四支撐柱相互連接且與所述安裝對象面平行的第一導軌、可沿著所述第一導軌進行往返的第一動子、在所述第一動子上以與所述安裝對象面垂直的方式沿著上下方向形成的第二導軌、可沿著所述第二導軌進行往返的第二動子、以及藉由沿著所述第二動子的上下方向形成而將藉由所述穿過導向器進行導向的複數所述細絲分別導向到上下多段相隔配置的所述芯棒和所述第一繞線導向夾具以及所述第二繞線導向夾具一側的複數分線器。
如請求項1所述的捲繞軸中心的細絲捲繞裝置，其中，還包括： <br/>第四單元，包括配置在所述第三單元與所述第二單元之間且為了向供應導向到所述第三單元一側的所述細絲塗佈供應樹脂而對所述樹脂進行收容的浴槽。
如請求項2所述的捲繞軸中心的細絲捲繞裝置，其中： <br/>所述第四單元，還包括： <br/>框架，對所述浴槽進行支撐；及在， <br/>框架導軌，對所述框架進行支撐的同時藉由對所述框架的移動進行導向而使其可沿著與所述細絲被供應到所述第三單元一側的方向垂直相交的方向進行位置調整。
如請求項3所述的捲繞軸中心的細絲捲繞裝置，其中： <br/>所述第四單元，還包括： <br/>塗佈滾筒，收容到所述浴槽中進行旋轉且具有可供收容到所述浴槽中的所述樹脂塗佈的外周面的直徑為第一大小；以及， <br/>塗佈輥，安裝到所述框架的上部一側且具有與所述塗佈滾筒的外周面相向的外周面的直徑為小於所述第一大小的第二大小並在對複數所述細絲進行移送的同時將所述樹脂塗佈到所述細絲。
如請求項4所述的捲繞軸中心的細絲捲繞裝置，其中： <br/>所述第四單元，還包括： <br/>第五單元，包括藉由以可轉動的方式安裝到所述框架的上部一側而使得藉由所述塗佈輥以及所述塗佈滾筒的複數所述細絲維持一定程度的張力的同時向所述第三單元一側進行移送導向的導向棒。
一種觸控感測裝置，包括：<br/> 一觸控面板；<br/> 一電源供應器，耦接該觸控面板，用以在一上行訊號發射期間的多個第一子期間提供一驅動電壓至該觸控面板，並在該上行訊號發射期間的多個第二子期間停止提供該驅動電壓至該觸控面板；以及<br/> 一電容電路，耦接該觸控面板，在該上行訊號發射期間的該些第二子期間根據該觸控面板流出的一放電電荷以獲得回收電能。
如請求項1所述的觸控感測裝置，其中該些第一子期間分別與該些第二子期間相互交錯。
如請求項1所述的觸控感測裝置，其中該觸控面板在各該第一子期間產生為一第一電壓的一上行訊號，在各該第二子期間拉低該上行訊號為一第二電壓。
如請求項1所述的觸控感測裝置，其中該電源供應器包括：<br/> 一開關，耦接在一驅動電源與該觸控面板間，<br/> 其中該開關在各該第一子期間被導通，以提供該驅動電源所產生的該驅動電壓至該觸控面板，<br/> 其中該開關更在各該第二子期間被切斷。
如請求項1所述的觸控感測裝置，其中該電容電路耦接至一電荷轉移電路，<br/> 該觸控感測裝置更包括：<br/> 一應用電路，耦接至該電荷轉移電路，接收該回收電能以作為操作電能。
如請求項1所述的觸控感測裝置，其中該電容電路為一電荷轉移電路，該電荷轉移電路接收該放電電荷以獲得該回收電能，<br/> 該觸控感測裝置更包括：<br/> 一應用電路，耦接至該電荷轉移電路，接收該回收電能以作為操作電能。
如請求項1所述的觸控感測裝置，其中該電容電路更耦接至：<br/> 一偏移電源，用以與該電容電路上的電壓相疊加以產生一調整後電壓，並提供該調整後電壓對一儲能電容進行充電。
如請求項7所述的觸控感測裝置，更包括：<br/> 一應用電路，耦接該電容電路，接收該儲能電容的儲存電能以作為部分的操作電能。
如請求項1所述的觸控感測裝置，其中該電容電路提供至少一電容以作為儲存該回收電能的媒介，該至少一電容為外接或內部的閒置電容。
如請求項9所述的觸控感測裝置，其中該至少一電容在該觸控感測裝置對應的顯示面板進入暗屏狀態時為閒置電容。
一種電源管理方法，適用於一觸控感測裝置，包括：<br/> 使一電源供應器在一上行訊號發射期間的多個第一子期間提供一驅動電壓至一觸控面板，並在該上行訊號發射期間的多個第二子期間停止提供該驅動電壓至該觸控面板；以及<br/> 使一電容電路在該上行訊號發射期間的該些第二子期間中，根據該觸控面板流出的一放電電荷以獲得回收電能。
如請求項11所述的電源管理方法，其中該些第一子期間分別與該些第二子期間相互交錯。
如請求項11所述的電源管理方法，更包括：<br/> 使該觸控面板在各該第一子期間產生為一第一電壓的一上行訊號，在各該第二子期間拉低該上行訊號為一第二電壓。
如請求項11所述的電源管理方法，其中使該電源供應器在該上行訊號發射期間的該些第一子期間提供該驅動電壓至該觸控面板，並在該上行訊號發射期間的該些第二子期間停止提供該驅動電壓至該觸控面板的步驟包括：<br/> 設置一開關在一驅動電源與該觸控面板間； <br/> 在各該第一子期間導通該開關，以使該驅動電源所產生的該驅動電壓被提供至該觸控面板；以及<br/> 使該開關更在各該第二子期間被切斷。
如請求項11所述的電源管理方法，更包括：<br/> 使該電容電路耦接至一電荷轉移電路；<br/> 使該觸控感測裝置更包括應用電路，使該應用電路耦接至該電荷轉移電路以接收該回收電能以作為操作電能。
如請求項11所述的電源管理方法，更包括：<br/> 使該電容電路為一電荷轉移電路；<br/> 使該電荷轉移電路接收該回收電能；以及<br/> 使該觸控感測裝置更包括一應用電路，使該應用電路接收該回收電能以作為操作電能。
如請求項11所述的電源管理方法，更包括：<br/> 提供一偏移電源以與該電容電路上的電壓相疊加以產生一調整後電壓；以及<br/> 提供該調整後電壓對一儲能電容進行充電。
如請求項17所述的電源管理方法，更包括：<br/> 提供該儲能電容的儲存電能至一應用電路，以作為該應用電路的部分操作電能。
如請求項11所述的電源管理方法，更包括：<br/> 使該電容電路提供至少一電容以作為儲存該回收電能的媒介，其中該至少一電容為外接電容或內部閒置電容。
如請求項19所述的電源管理方法，更包括：<br/> 在該觸控感測裝置對應的顯示面板進入暗屏狀態時，該至少一電容為閒置電容。
一種二液型油墨組，其為至少由A油墨與B油墨所構成的噴墨用之二液型油墨組，其特徵為： <br/> 前述A油墨至少含有光硬化性化合物， <br/> 前述B油墨至少含有熱硬化性化合物及熱硬化劑， <br/>前述B油墨所含有之前述熱硬化劑為酸酐， <br/>前述A油墨係含有熱硬化性觸媒，前述B油墨不含熱硬化性觸媒， <br/>前述B油墨所含有之前述熱硬化性化合物中的至少一種為具有環狀結構之環氧樹脂。
如請求項1之二液型油墨組，其中前述A油墨所含有之前述光硬化性化合物中的至少一種為三官能以上之(甲基)丙烯酸單體。
如請求項1之二液型油墨組，其中前述B油墨進一步含有前述光硬化性化合物。
如請求項1之二液型油墨組，其中前述B油墨係含有光熱雙重反應性化合物。
一種硬化物之形成方法，其為使用如請求項1至4中任一項之二液型油墨組的硬化物之形成方法，其特徵為： <br/> 將構成前述二液型油墨組之前述A油墨及前述B油墨，分別由不同的噴墨頭噴嘴中噴出，塗佈於被塗佈物上使其附著而形成塗佈膜， <br/> 藉由對前述塗佈膜照射活性能量線而形成前述硬化物。
一種厚銅基板，其為具有樹脂組成物之硬化物的厚銅基板，其特徵為： <br/> 前述硬化物為由構成如請求項1至4中任一項之二液型油墨組的前述A油墨與前述B油墨之成分所成之硬化物。
一種顯示裝置，包括： <br/>驅動基板；以及 <br/>電子墨水層，配置於所述驅動基板上，且所述電子墨水層包括封裝結構、電子墨水材料、光源結構以及多個遮光圖案，其中所述封裝結構包括分隔構件以及覆蓋所述分隔構件的第一封裝層，所述分隔構件圍出多個包封空間，所述電子墨水材料填充於所述多個包封空間中以形成多個顯示單元，且所述光源結構設置於所述第一封裝層上並包括： <br/>第一電極結構； <br/>第二電極結構；以及 <br/>多個發光單元，設置所述第一電極結構與所述第二電極結構之間且位於所述第一封裝層與所述多個遮光圖案之間。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述多個發光單元位於所述分隔構件上方。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述多個發光單元分別位於所述多個顯示單元上方。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述第一電極結構與所述第二電極結構中至少一者連續延伸於所述多個發光單元之間且與所述多個發光單元接觸。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述多個發光單元每一者包括堆疊的第一色發光層、第二色發光層以及第三色發光層。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述第二電極結構包括多條電極線路，所述多條電極線路接觸所述多個發光單元的不同者。
如請求項6所述的顯示裝置，其中所述多條電極線路分別沿著所述分隔構件設置。
如請求項6所述的顯示裝置，其中所述多條電極線路橫越於所述多個顯示單元上方。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述多個發光單元包括第一發光單元、第二發光單元以及第三發光單元，且所述第一發光單元、所述第二發光單元以及所述第三發光單元分散的設置。
如請求項9所述的顯示裝置，其中所述第二電極結構包括第一電極線路、第二電極線路以及第三電極線路，所述第一電極線路接觸所述第一發光單元，所述第二電極接觸所述第二發光單元，且所述第三電極接觸所述第三發光單元。
如請求項9所述的顯示裝置，其中所述第一電極線路、所述第二電極線路以及所述第三電極線路位於至少兩個導電層位。
如請求項11所述的顯示裝置，其中所述第一電極結構位於另一導電層位，且所述另一導電層位位於所述至少兩個導電層位之間。
如請求項11所述的顯示裝置，還包括平坦層，分別設置於所述至少兩個導電層位之間。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述多個遮光圖案接觸所述第二電極結構。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述分隔構件具有傾斜側壁，且所述傾斜側壁相對於所述第一封裝層傾斜。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述第一電極結構的側壁相對於所述第一封裝層呈傾斜。
如請求項16所述的顯示裝置，還包括平坦層，設置於所述第一封裝層上且側向圍繞所述第一電極結構。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述第一電極結構包括層狀部以及導光部，所述導光部設置於所述層狀部與所述多個發光單元之間且所述導光部的側壁相對於所述第一封裝層呈傾斜。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述分隔構件包括微杯結構或微膠囊結構。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述第一電極結構與所述第二電極結構的材質包括透明導電材料。
一種閃存裝置中的垃圾回收方法，由處理單元執行，上述方法包含：<br/> 依據熱資料積分表中的多個紀錄，將熱資料分數低於閾值的多個資料塊當作多個候選塊，其中，所述多個紀錄中的每個熱資料分數代表存取特定資料塊的頻繁程度，熱資料分數越高代表相應資料塊中包含越多的熱資料；<br/> 將所述多個候選塊依據所述多個候選塊的多個有效頁面計數進行升冪排序；<br/> 從具有最小的有效頁面計數的候選塊開始，從多個排序後的候選塊選擇出其中的有效使用者資料能夠寫滿一個目的塊的多個來源塊；以及<br/> 將所述多個來源塊中的有效頁面的使用者資料寫入閃存模組中的目的塊。
如請求項1所述的閃存裝置中的垃圾回收方法，包含：<br/> 更新關聯於所述多個來源塊和所述目的塊的多個閃存-主機對照表以反映寫入結果；以及<br/> 依據更新後的閃存-主機對照表更新主機-閃存對照表的內容。
如請求項1所述的閃存裝置中的垃圾回收方法，其中，每個紀錄儲存相應資料塊的熱資料分數。
如請求項3所述的閃存裝置中的垃圾回收方法，包含：<br/> 在用於執行主機寫命令的資料寫入操作中，依據所述主機寫命令中所攜帶的第一存取頻率資訊，更新當前塊的熱資料分數；以及<br/> 在所述當前塊寫滿而成為新資料塊之後，在所述熱資料積分表中新增紀錄以儲存上述新資料塊的熱資料分數。
如請求項4所述的閃存裝置中的垃圾回收方法，包含：<br/> 當所述第一存取頻率資訊指出所述主機寫命令指示寫入的第一邏輯位址範圍有不頻繁的寫入和不頻繁的讀取時，將所述當前塊的所述熱資料分數加上第一值，或者加上所述第一值與所述第一邏輯位址範圍的長度的乘積；<br/> 當所述第一存取頻率資訊指出所述主機寫命令指示寫入的所述第一邏輯位址範圍有不頻繁的寫入和頻繁的讀取時，將所述當前塊的所述熱資料分數加上第二值，或者加上所述第二值與所述第一邏輯位址範圍的所述長度的所述乘積；以及<br/> 當所述第一存取頻率資訊指出所述主機寫命令指示寫入的所述第一邏輯位址範圍有頻繁的寫入和頻繁的讀取時，將所述當前塊的所述熱資料分數加上第三值，或者加上所述第三值與所述第一邏輯位址範圍的所述長度的所述乘積，<br/> 其中，所述第一值、所述第二值和所述第三值為大於0的整數，所述第一值小於所述第二值，以及所述第二值小於所述第三值。
如請求項4所述的閃存裝置中的垃圾回收方法，包含：<br/> 在用於執行主機讀命令的資料讀取操作中，依據所述主機讀命令中所攜帶的第二存取頻率資訊，更新所述熱資料積分表。
如請求項6所述的閃存裝置中的垃圾回收方法，包含：<br/> 當所述第二存取頻率資訊指出所述主機讀命令指示讀取的第二邏輯位址範圍有不頻繁的寫入和不頻繁的讀取時，將關聯於多個讀取資料塊的多個熱資料分數加上第一值，或者加上所述第一值與所述第二邏輯位址範圍的長度的乘積；<br/> 當所述第二存取頻率資訊指出所述主機讀命令指示讀取的所述第二邏輯位址範圍有不頻繁的寫入和頻繁的讀取時，將關聯於所述多個讀取資料塊的所述多個熱資料分數加上第二值，或者加上所述第二值與所述第二邏輯位址範圍的所述長度的所述乘積；以及<br/> 當所述第二存取頻率資訊指出所述主機讀命令指示讀取的所述第二邏輯位址範圍有頻繁的寫入和頻繁的讀取時，將關聯於所述多個讀取資料塊的所述多個熱資料分數加上第三值，或者加上所述第三值與所述第二邏輯位址範圍的所述長度的所述乘積，<br/> 其中，所述第一值、所述第二值和所述第三值為大於0的整數，所述第一值小於所述第二值，以及所述第二值小於所述第三值。
一種電腦程式產品，包含程式碼，其中，當處理單元執行所述程式碼時，實施如請求項1至7中任一項所述的閃存裝置中的垃圾回收方法。
一種閃存裝置中的垃圾回收裝置，包含：<br/> 閃存介面，耦接閃存模組；以及<br/> 處理單元，耦接所述閃存介面，設置以依據熱資料積分表中的多個紀錄，將熱資料分數低於閾值的多個資料塊當作多個候選塊，其中，所述多個紀錄中的每個熱資料分數代表存取特定資料塊的頻繁程度，熱資料分數越高代表相應資料塊中包含越多的熱資料；將所述多個候選塊依據所述多個候選塊的多個有效頁面計數進行升冪排序；從具有最小的有效頁面計數的候選塊開始，從多個排序後的候選塊選擇出其中的有效使用者資料能夠寫滿一個目的塊的多個來源塊；以及驅動所述閃存介面以將所述多個來源塊中的有效頁面的使用者資料寫入所述閃存模組中的目的塊。
如請求項9所述的閃存裝置中的垃圾回收裝置，其中，所述處理單元設置以更新關聯於所述多個來源塊和所述目的塊的多個閃存-主機對照表以反映寫入結果；以及依據更新後的閃存-主機對照表更新主機-閃存對照表的內容。
如請求項9所述的閃存裝置中的垃圾回收裝置，其中，每個紀錄儲存相應資料塊的熱資料分數。
如請求項11所述的閃存裝置中的垃圾回收裝置，其中，所述處理單元設置以在用於執行主機寫命令的資料寫入操作中，依據所述主機寫命令中所攜帶的第一存取頻率資訊，更新當前塊的熱資料分數；以及在所述當前塊寫滿而成為新資料塊之後，在所述熱資料積分表中新增紀錄以儲存上述新資料塊的熱資料分數。
如請求項12所述的閃存裝置中的垃圾回收裝置，<br/> 其中，所述處理單元設置以當所述第一存取頻率資訊指出所述主機寫命令指示寫入的第一邏輯位址範圍有不頻繁的寫入和不頻繁的讀取時，將所述當前塊的所述熱資料分數加上第一值，或者加上所述第一值與所述第一邏輯位址範圍的長度的乘積；當所述第一存取頻率資訊指出所述主機寫命令指示寫入的所述第一邏輯位址範圍有不頻繁的寫入和頻繁的讀取時，將所述當前塊的所述熱資料分數加上第二值，或者加上所述第二值與所述第一邏輯位址範圍的所述長度的所述乘積；以及當所述第一存取頻率資訊指出所述主機寫命令指示寫入的所述第一邏輯位址範圍有頻繁的寫入和頻繁的讀取時，將所述當前塊的所述熱資料分數加上第三值，或者加上所述第三值與所述第一邏輯位址範圍的所述長度的所述乘積，<br/> 其中，所述第一值、所述第二值和所述第三值為大於0的整數，所述第一值小於所述第二值，以及所述第二值小於所述第三值。
如請求項12所述的閃存裝置中的垃圾回收裝置，其中，所述處理單元設置以在用於執行主機讀命令的資料讀取操作中，依據所述主機讀命令中所攜帶的第二存取頻率資訊，更新所述熱資料積分表。
如請求項14所述的閃存裝置中的垃圾回收裝置，<br/> 其中，所述處理單元設置當所述第二存取頻率資訊指出所述主機讀命令指示讀取的第二邏輯位址範圍有不頻繁的寫入和不頻繁的讀取時，將關聯於多個讀取資料塊的多個熱資料分數加上第一值，或者加上所述第一值與所述第二邏輯位址範圍的長度的乘積；當所述第二存取頻率資訊指出所述主機讀命令指示讀取的所述第二邏輯位址範圍有不頻繁的寫入和頻繁的讀取時，將關聯於所述多個讀取資料塊的所述多個熱資料分數加上第二值，或者加上所述第二值與所述第二邏輯位址範圍的所述長度的所述乘積；以及當所述第二存取頻率資訊指出所述主機讀命令指示讀取的所述第二邏輯位址範圍有頻繁的寫入和頻繁的讀取時，將關聯於所述多個讀取資料塊的所述多個熱資料分數加上第三值，或者加上所述第三值與所述第二邏輯位址範圍的所述長度的所述乘積，<br/> 其中，所述第一值、所述第二值和所述第三值為大於0的整數，所述第一值小於所述第二值，以及所述第二值小於所述第三值。
一種具散熱結構之雨衣，包括：一雨衣本體，該雨衣本體形成有一背遮布，且於連接於該背遮布兩側分別形成有一側遮布，兩該側遮布之間連結形成有一前遮布，並於該雨衣本體兩側頂部分別形成一袖套，該袖套與該側遮布之間相對於人體腋下位置形成有一開孔；兩導流片，該導流片設置於相對之該側遮布與該袖套位置，該導流片之一端延伸至該雨衣本體之袖套，該導流片之另端連伸至該側遮布位置形成開放狀之一導入口，該導流片在異於該導入口位置於周緣固設於相對之該側遮布與該袖套，且遮閉住該開孔位置，使該導流片與相對之該側遮布及該袖套之間形成一散熱通道，並該導流片於該導入口位置由前向後上高下低形成一斜面切口；以及一後定位片及一後遮片，且該雨衣本體之背遮布於上半部對應形成有一鏤空部，該後定位片設於該雨衣本體之鏤空部朝該前遮布之一面，該後定位片之頂端固設於該背遮布位於該鏤空部之上方，且該後定位片之兩側分別固設於該背遮布位於該鏤空部之兩側位置，該後遮片固設於該雨衣本體之背遮布異於該後定位片之一面，且周緣固設於該背遮布之鏤空部外周，該後遮片於底側與該背遮布形成開放狀，該後遮片之最底端位置低於該鏤空部位置，以供該後遮片能完全遮蔽住該鏤空部。
如請求項1所述之具散熱結構之雨衣，其中該導流片之一端延伸至該雨衣本體之袖套開放端。
如請求項1所述之具散熱結構之雨衣，其中該導流片於相鄰該斜面切口中段位置設有一第一扣件，且該雨衣本體之側遮布對應該第一扣件位置設有一第二扣件，該第一扣件與該第二扣件可呈扣合或分開狀態。
如請求項3所述之具散熱結構之雨衣，其中該第一扣件與該第二扣件分別為一公扣及一母扣。
如請求項1所述之具散熱結構之雨衣，其中該後定位片形狀為倒T形。
如請求項1或5所述之具散熱結構之雨衣，其中該後定位片底部呈不連續狀固設於該背遮布位於該鏤空部之底側位置。
如請求項6所述之具散熱結構之雨衣，其中該後定位片與該背遮布之間等距形成有兩開口段。
如請求項1所述之具散熱結構之雨衣，其中該雨衣本體為連身式雨衣或兩件式雨衣之上半身。
一種馬達裝置，包括：<br/> 一變頻器，具有一第一開關模組與一第二開關模組，該第一開關模組與該第二開關模組耦接；<br/> 一驅動器，耦接該第一開關模組與該第二開關模組；以及<br/> 一控制模組，耦接該驅動器；<br/> 其中，當該馬達裝置發生異常時，在一第一短路保護模式，該控制模組產生一第一控制信號，以控制該驅動器產生一第一驅動信號至該變頻器的該第一開關模組與該第二開關模組，使該第一開關模組與該第二開關模組不導通，且在該第一短路保護模式切換至一第二短路保護模式，該控制模組產生一第二控制信號，以控制該驅動器產生一第二驅動信號至該變頻器的該第一開關模組或該第二開關模組，使該第一開關模組或該第二開關模組導通；<br/> 其中，該第二控制信號為一脈寬調變信號；<br/> 其中該第二控制信號的一占空比由一第一比例逐增加至一第二比例；<br/> 其中該第二控制信號將該第一短路保護模式切換至該第二短路保護模式。
如請求項1所述之馬達裝置，其中該第一開關模組包括：<br/> 一第一開關單元，具有一第一端、一第二端與一控制端，該第一開關單元的該第二端產生一第一電壓，該第一開關單元的該控制端耦接該驅動器；<br/> 一第二開關單元，具有一第一端、一第二端與一控制端，該第二開關單元的該第一端耦接該第一開關單元的該第一端，該第二開關單元的該第二端產生一第二電壓，該第二開關單元的該控制端耦接該驅動器；<br/> 一第三開關單元，具有一第一端、一第二端與一控制端，該第三開關單元的該第一端耦接該第二開關單元的該第一端，該第三開關單元的該第二端產生一第三電壓，該第三開關單元的該控制端耦接該驅動器。
如請求項2所述之馬達裝置，其中該第二開關模組包括：<br/> 一第四開關單元，具有一第一端、一第二端與一控制端，該第四開關單元的該第一端耦接該第一開關單元的該第二端，該第四開關單元的該控制端耦接該驅動器；<br/> 一第五開關單元，具有一第一端、一第二端與一控制端，該第五開關單元的該第一端耦接該第二開關單元的該第二端，該第五開關單元的該第二端耦接該第四開關單元的該第二端，該第五開關單元的該控制端耦接該驅動器；<br/> 一第六開關單元，具有一第一端、一第二端與一控制端，該第六開關單元的該第一端耦接該第三開關單元的該第二端，該第六開關單元的該第二端耦接該第五開關單元的該第二端，該第六開關單元的該控制端耦接該驅動器。
如請求項3所述之馬達裝置，更包括：<br/> 一電池模組，耦接該第一開關單元的該第一端與該第四開關單元的該第二端。
如請求項3所述之馬達裝置，更包括：<br/> 一馬達模組，耦接該第一開關單元的該第二端、該第二開關單元的該第二端與該第三開關單元的該第二端，接收該第一電壓、該第二電壓與該第三電壓，並依據該第一電壓、該第二電壓與該第三電壓進行運作。
如請求項1所述之馬達裝置，更包括：<br/> 一安全邏輯模組，耦接該控制模組，接收該控制模組產生的一第一指示信號；<br/> 其中，在該安全邏輯模組接收該第一指示信號後，在該第一短路保護模式，該安全邏輯模組產生一第三控制信號，以控制該驅動器產生一第三驅動信號至該變頻器的該第一開關模組與該第二開關模組，使該第一開關模組與該第二開關模組不導通，且在該第一短路保護模式切換至該第二短路保護模式，該安全邏輯模組產生一第四控制信號，以控制該驅動器產生一第四驅動信號至該變頻器的該第一開關模組或該第二開關模組，使該第一開關模組或該第二開關模組導通。
如請求項6所述之馬達裝置，其中該安全邏輯模組包括：<br/> 一誤差放大器，接收該第一指示信號與一第一參考電壓，並依據該第一指示信號與該第一參考電壓，以產生一誤差信號；<br/> 一參考電壓產生器，產生一第二參考電壓；以及<br/> 一比較器，耦接該誤差放大器與該參考電壓產生器，接收該誤差信號與該第二參考電壓，並依據該誤差信號與該第二參考電壓，以產生該第三控制信號或該第四控制信號。
如請求項6所述之馬達裝置，更包括：<br/> 一監控模組，耦接該控制模組與該安全邏輯模組，該監控模組監控該控制模組是否發生異常，且當該監控模組監控到該控制模組發生異常時，該監控模組產生一第二指示信號至該安全邏輯模組；<br/> 其中，在該安全邏輯模組接收該第二指示信號後，在該第一短路保護模式，該安全邏輯模組產生該第三控制信號，以控制該驅動器產生該第三驅動信號至該變頻器的該第一開關模組與該第二開關模組，使該第一開關模組與該第二開關模組不導通，且在該第一短路保護模式切換至該第二短路保護模式，該安全邏輯模組產生該第四控制信號，以控制該驅動器產生該第四驅動信號至該變頻器的該第一開關模組或該第二開關模組，使該第一開關模組或該第二開關模組導通。
一種馬達裝置的操作方法，包括：<br/> 提供一變頻器，具有一第一開關模組與一第二開關模組，該第一開關模組與該第二開關模組耦接；<br/> 提供一驅動器，耦接該第一開關模組與該第二開關模組；<br/> 提供一控制模組，耦接該驅動器；<br/> 當該馬達裝置發生異常時，在一第一短路保護模式，透過該控制模組產生一第一控制信號，以控制該驅動器產生一第一驅動信號至該變頻器的該第一開關模組與該第二開關模組，使該第一開關模組與該第二開關模組不導通；以及<br/> 在該第一短路保護模式切換至一第二短路保護模式，透過該控制模組產生一第二控制信號，以控制該驅動器產生一第二驅動信號至該變頻器的該第一開關模組或該第二開關模組，使該第一開關模組或該第二開關模組導通；<br/> 其中，該第二控制信號為一脈寬調變信號；<br/> 其中該第二控制信號的一占空比由一第一比例逐增加至一第二比例；<br/> 其中該第二控制信號將該第一短路保護模式切換至該第二短路保護模式。
如請求項9所述之馬達裝置的操作方法，更包括：<br/> 透過一安全邏輯模組接收該控制模組產生的一第一指示信號；<br/> 在該安全邏輯模組接收該第一指示信號後，在該第一短路保護模式，透過該安全邏輯模組產生一第三控制信號，以控制該驅動器產生一第三驅動信號至該變頻器的該第一開關模組與該第二開關模組，使該第一開關模組與該第二開關模組不導通；以及<br/> 在該第一短路保護模式切換至該第二短路保護模式，透過該安全邏輯模組產生一第四控制信號，以控制該驅動器產生一第四驅動信號至該變頻器的該第一開關模組或該第二開關模組，使該第一開關模組或該第二開關模組導通；<br/> 其中，該第三控制信號與該第一控制信號相同，該第三驅動信號與該第一驅動信號相同，該第四控制信號與該第二控制信號相同，該第四驅動信號與該第二驅動信號相同。
如請求項10所述之馬達裝置的操作方法，更包括：<br/> 透過一監控模組監控該控制模組是否發生異常；<br/> 當該監控模組監控到該控制模組發生異常時，透過該監控模組，產生一第二指示信號至該安全邏輯模組；<br/> 在該安全邏輯模組接收該第二指示信號後，在該第一短路保護模式，透過該安全邏輯模組產生該第三控制信號，以控制該驅動器產生該第三驅動信號至該變頻器的該第一開關模組與該第二開關模組，使該第一開關模組與該第二開關模組不導通；以及<br/> 在該第一短路保護模式切換至該第二短路保護模式，透過該安全邏輯模組產生該第四控制信號，以控制該驅動器產生該第四驅動信號至該變頻器的該第一開關模組或該第二開關模組，使該第一開關模組或該第二開關模組導通。
一種電子裝置，包含有：<br/> 一儲存裝置，用以儲存一程式碼；以及<br/> 一處理器，用以加載並執行該程式碼，其中該程式碼指示該處理器執行一語音合成系統，以及該語音合成系統包含有：<br/> 一人聲聲道分離模組，用以對一音訊輸入訊號進行一分離操作來產生多個人聲聲道以及一單一非人聲聲道；<br/> 一自動語音辨識模組，用以根據一來源語言文本來自該多個人聲聲道擇取出一目標人聲聲道；<br/> 一語音情緒辨識模型，用以對該多個人聲聲道中的每一個人聲聲道進行一預測操作以產生一預測結果，其中該預測結果指示該每一個人聲聲道的一情緒分類；<br/> 一特徵自適應文字轉語音系統，用以根據該來源語言文本、一目標語言文本、該目標人聲聲道以及該情緒分類來進行一語音合成操作以產生一合成人聲；以及<br/> 一音訊多通道混音模組，用以對該單一非人聲聲道與該合成人聲進行一混音操作以產生一音訊輸出訊號。
如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，其中該人聲聲道分離模組包含有：<br/> 一反混音模型，用以將該音訊輸入訊號分離成一單一人聲聲道以及該單一非人聲聲道；以及<br/> 一語者分離模型，用以將該單一人聲聲道分離成該多個人聲聲道。
如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，其中該自動語音辨識模組另用以：<br/> 解析該多個人聲聲道中的該每一個人聲聲道所述的一文本，以產生一解析後文本；以及<br/> 對該解析後文本與該來源語言文本進行一比較操作以產生一比較結果，以供選取該目標人聲聲道，其中該比較結果指示該解析後文本與該來源語言文本之間的一相似度。
如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，其中該特徵自適應文字轉語音系統包含有：<br/> 一文本轉音素模組，用以分別對該來源語言文本與該目標語言文本進行一標記化操作以產生一來源音素與一目標音素。
如申請專利範圍第4項所述之電子裝置，其中該文本轉音素模組係藉由一映射方式來將該來源語言文本與該目標語言文本分別映射為該來源音素與該目標音素。
如申請專利範圍第4項所述之電子裝置，其中該特徵自適應文字轉語音系統另包含有：<br/> 一參考特徵萃取模組，用以對該目標人聲聲道進行一萃取操作以產生一特徵向量，其中該特徵向量指示該目標人聲聲道的一音色特徵。
如申請專利範圍第6項所述之電子裝置，其中該儲存裝置另儲存有多個候選語音合成模型，以及該特徵自適應文字轉語音系統另包含有：<br/> 一語音合成模型擇取模組，用以根據該情緒分類來對該多個候選語音合成模型進行擇取操作，以產生一擇取後語音合成模型。
如申請專利範圍第7項所述之電子裝置，其中該擇取後語音合成模型係根據該特徵向量、該來源音素以及該目標因素來進行該語音合成操作以產生該合成人聲；以及該合成人聲具有該音色特徵。
如申請專利範圍第8項所述之電子裝置，其中該擇取後語音合成模型另用以：<br/> 根據該來源音素以及該目標因素來產生一嵌入向量；以及<br/> 根據該嵌入向量來產生該合成人聲。
一種用以進行語音合成的方法，包含有：<br/> 對一音訊輸入訊號進行一分離操作來產生多個人聲聲道以及一單一非人聲聲道；<br/> 根據一來源語言文本來自該多個人聲聲道擇取出一目標人聲聲道；<br/> 對該多個人聲聲道中的每一個人聲聲道進行一預測操作以產生一預測結果，其中該預測結果指示該每一個人聲聲道的一情緒分類；<br/> 根據該來源語言文本、一目標語言文本、該目標人聲聲道以及該情緒分類來進行一語音合成操作以產生一合成人聲；以及<br/> 對該單一非人聲聲道與該合成人聲進行一混音操作以產生一音訊輸出訊號。
一種半導體元件，包括： <br/>一基板； <br/>一閘極結構，位於該基板上； <br/>複數個內部間隔層，位於該閘極結構的側壁上； <br/>複數個外部間隔層，位於該複數個內部間隔層上； <br/>複數個氣隙，位於該複數個內部間隔層與該複數個外部間隔層之間； <br/>一底部介電層，位於該基板上並且橫向地圍繞該複數個外部間隔層； <br/>一底部蓋層，位於該底部介電層、該複數個內部間隔層、該複數個氣隙、該複數個外部間隔層及該閘極結構上； <br/>一導電層，位於該底部蓋層上且包含複數個導線； <br/>一頂部蓋層，位於該導電層上； <br/>複數個空氣間隔物，位於該複數個導線之間； <br/>一第一絕緣層，位於該底部蓋層上且位於該複數個導線之間，其中該複數個空氣間隔物被該第一絕緣層橫向地圍繞；以及 <br/>一介電層，位於該第一絕緣層上，其中該複數個空氣間隔物位於該介電層與該頂部蓋層之間。
如請求項1所述的半導體元件，還包括： <br/>一第二絕緣層，位於該介電層上，其中該複數個空氣間隔物被該第二絕緣層及該第一絕緣層橫向地圍繞。
如請求項2所述的半導體元件，其中該底部蓋層及該頂部蓋層包括相同的材料。
如請求項2所述的半導體元件，其中該複數個內部間隔層及該複數個外部間隔層包括相同的材料。
如請求項2所述的半導體元件，其中該閘極結構包括： <br/>一閘極介電層，位於該基板上； <br/>一閘極底部導電層，位於該閘極介電層上； <br/>一閘極頂部導電層，位於該閘極底部導電層上；以及 <br/>一閘極蓋層，位於該閘極頂部導電層上。
如請求項5所述的半導體元件，其中該閘極介電層包括一高介電常數材料。
如請求項5所述的半導體元件，其中該閘極底部導電層包括經摻雜的多晶矽、經摻雜的多晶鍺、經摻雜的多晶矽鍺或其組合。
如請求項5所述的半導體元件，其中該閘極頂部導電層包括鎢、鈷、鋯、鉭、鈦、鋁、釕、銅、金屬碳化物、金屬氮化物、過渡金屬鋁化物或其組合。
如請求項5所述的半導體元件，其中該閘極蓋層及該複數個內部間隔層包括相同的材料。
如請求項2所述的半導體元件，其中該閘極結構、該複數個內部間隔層、該複數個外部間隔層及該底部介電層的頂表面實質上共平面。
如請求項2所述的半導體元件，還包括： <br/>複數個雜質區，位於該基板中並且與該閘極結構相鄰。
一種顯示卡裝置，包括： <br/>一電源供應器，包括一電源控制器及一電源供應電路，其中該電源供應電路具有至少一電感器，且受控於該電源控制器； <br/>一計算負載，耦接該電源供應器；以及 <br/>一虛擬負載，耦接該電源供應器，其中該電源控制器透過一第一控制信號以控制該虛擬負載， <br/>其中，該電源控制器偵測該計算負載的一電源功率的一下降變化， <br/>當該計算負載的該電源功率的該下降變化大於一第一預定消耗速率時，該電源控制器透過該第一控制信號以致能該虛擬負載，並將該第一預定消耗速率與該計算負載的該電源功率之間的一功率差值提供給該虛擬負載，以降低該至少一電感器的電流變化。
如請求項1所述的顯示卡裝置，其中該電源控制器透過偵測該計算負載的一電流監控針腳、該計算負載的一補償針腳及該電源供應電路的一輸出電壓的其中一者來偵測該計算負載的該電源功率的該下降變化。
如請求項1所述的顯示卡裝置，其中該電源控制器透過一第二控制信號以控制該電源供應電路， <br/>當該計算負載的該電源功率的該下降變化大於一第二預定消耗速率時，該電源控制器還透過調整一第二控制信號以降低該電源供應電路中一高側（high-side）開關的工作週期。
如請求項3所述的顯示卡裝置，其中，當該計算負載的該電源功率的一上升變化大於一第三預定消耗速率時，該電源控制器透過調整該第二控制信號以降低該電源供應電路中一低側（low-side）開關的工作週期。
如請求項1所述的顯示卡裝置，其中該計算負載是圖形處理器。
一種計算機裝置，包括： <br/>一電源供應器，包括一電源控制器及一電源供應電路，其中該電源供應電路具有至少一電感器，且受控於該電源控制器； <br/>一計算負載，耦接該電源供應器；以及 <br/>一虛擬負載，耦接該電源供應器，其中該電源控制器透過第一控制信號以控制該虛擬負載， <br/>其中，該電源控制器偵測該計算負載的電源功率的下降變化， <br/>當該計算負載的該電源功率的該下降變化大於一第一預定消耗速率時，該電源控制器透過該第一控制信號以致能該虛擬負載，並將該第一預定消耗速率與該計算負載的該電源功率之間的功率差值提供給該虛擬負載，以降低該至少一電感器的電流變化。
如請求項6所述的計算機裝置，其中該計算負載是一中央運算器。
一種電源供應器的降噪方法，包括： <br/>偵測一計算負載的一電源功率的一下降變化；以及 <br/>當該計算負載的該電源功率的該下降變化大於一第一預定消耗速率時，致能一虛擬負載，並將該第一預定消耗速率與該計算負載的該電源功率之間的一功率差值提供給該虛擬負載，以降低該電源供應器中至少一電感器的電流變化。
如請求項8所述的降噪方法，偵測該計算負載的該電源功率的該下降變化是基於偵測該計算負載的一電流監控針腳、該計算負載的一補償針腳及該電源供應器的一輸出電壓的其中一者。
如請求項8所述的降噪方法，還包括： <br/>當該計算負載的該電源功率的該下降變化大於一第二預定消耗速率時，還降低該電源供應器中一高側開關的工作週期；以及 <br/>當該計算負載的該電源功率的一上升變化大於一第三預定消耗速率時，降低該電源供應器中一低側開關的工作週期。
一種記憶體單元之製造方法，其步驟包含：<br/> 提供一矽基板；<br/> 形成一底部電極於該矽基板上；<br/> 形成一鐵電層於該底部電極上；<br/> 形成一介面覆蓋層於該鐵電層上，該介面覆蓋層之面積小於或等於該鐵電層之面積，該介面覆蓋層包含一第一介面層及一第二介面層之，該第一介面層之材料選自於氮鎢化合物，該第二介面層之材料選自於碳氮鎢化合物，該第一介面層形成於該第二介面層之上；<br/> 形成一頂部電極於該介面覆蓋層上，該頂部電極之面積等於該介面覆蓋層之面積；<br/> 形成至少一記憶體單元於該矽基板上；以及<br/> 將該記憶體單元進行一退火製程以形成一記憶體裝置；<br/> 其中將該記憶體單元進行一退火製程以形成一記憶體裝置之步驟中，該記憶體單元置放於一高溫爐中間，經過一退火時間之退火以形成該記憶體裝置。
如請求項1所述之記憶體單元之製造方法，其中於將該記憶體單元進行一退火製程以形成一記憶體裝置之步驟中，該高溫爐透過複數個熱電偶將該高溫爐加熱至一退火溫度，該退火溫度小於或等於400<sup>o</sup>C，其係用以驅使該介面覆蓋層與該鐵電層再結晶。
如請求項1所述之記憶體單元之製造方法，其中於將該記憶體單元進行一退火製程以形成一記憶體裝置之步驟中，該記憶體單元前後各設置複數個保護晶圓，以對該記憶體單元所在之晶圓提供一熱應力保護。
如請求項1所述之記憶體單元之製造方法，其中於形成一底部電極於該矽基板上之步驟中及於形成一頂部電極於該介面覆蓋層上之步驟中，使用一射頻濺鍍製程進行形成該底部電極於該矽基板上之步驟及形成該頂部電極於該介面覆蓋層上之步驟。
如請求項1所述之記憶體單元之製造方法，其中於形成一鐵電層於該底部電極上之步驟中及於形成一介面覆蓋層於該鐵電層上之步驟中，使用一原子層沉積（ALD）製程，以透過原子排列形成該鐵電層，而進行形成該鐵電層於該底部電極上之步驟，以及透過原子排列形成該介面覆蓋層，而進行形成該介面覆蓋層於該鐵電層上之步驟。
一種記憶體單元，其應用於一記憶體裝置，該記憶體裝置包含複數個記憶體單元與一矽基板，每一該記憶體單元包含：<br/> 一底部電極，其設置於該矽基板上；<br/> 一鐵電層，其設置於該底部電極之上；<br/> 一介面覆蓋層，其設置於該鐵電層之上，該介面覆蓋層之面積小於或等於該鐵電層之面積，該介面覆蓋層包含一第一介面層及一第二介面層，該第一介面層之材料選自於氮鎢化合物，該第二介面層之材料選自於碳氮鎢化合物，其中該第一介面層以設置於該第二介面層之上；以及<br/> 一頂部電極，其設置於該介面覆蓋層之上，該頂部電極之面積等於該介面覆蓋層之面積。
如請求項6所述之記憶體單元，其中該鐵電層之材料選自於氧化鋯鉿(HfZrOx)、氧化矽鉿(HfSiOx)、氧化鉿(HfOx)、氧化釔鉿(HfYOx)、氧化釓鉿(HfGdOx)、氧化鍶鉿(HfSrOx)、氧化鈦鍶(SrTiOx)、鈦酸鈣鍶(SrCaTiO3)、Ag(Nb1-xTax)O3、鈦酸鋇鍶(BaSrTiO3)、鈦酸鋇(BaTiO3)、氧化鋯(ZrOx)、或氧化鋁鉿(HfAlOx)所組成之一群組，該底部電極與該頂部電極之材料選自於鋯(Zr)、鉿(Hf)、氮化鈦(TiN)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、氮化鉭(TaN)、鉭化矽(TaSi)、碳氮化鉭(TaCN)、氮化鋁鈦(TiAlN)、鋅(Zn)、鎳(Ni)、矽化鎳(NiSi)、釕(Ru)、碳(C)、矽(Si)、氮化矽(SiNx)、鍺(Ge)、鉑(Pt)、鋁(Al)、氮化鋁(AlN)、釔(Y)、釓(Gd)、鍶(Sr)、鎢(W)、矽化鎢(WSi)、氮化鎢(WN)、鎵(Ga)與氮化鎵(GaN)所組成之一群組。
如請求項6所述之記憶體單元，其中該介面覆蓋層之熱膨脹係數低於該頂部電極。
如請求項6所述之記憶體單元，其中該介面覆蓋層透過原子排列形成於該鐵電層之上，且該第一介面層透過原子排列形成於該第二介面層之上，該第二介面層透過原子排列形成於該鐵電層之上，該第一介面層提供一介面拉伸張力於該頂部電極與該第二介面層之間。
如請求項6所述之記憶體單元，其中該第二介面層阻隔該鐵電層所產生之氧離子。
一種記憶體控制器，包括： <br/>一處理器，其包括複數個處理核心；以及 <br/>一查找加速電路，電性連接至該處理器及儲存一邏輯至物理映射表的一揮發性記憶體，該查找加速電路包括： <br/>一訊息處理電路，包括一衝突待處理佇列及與相應於該等處理核心的複數個請求佇列，其中該訊息處理電路經組態以使用該等請求佇列以接收來自該等處理核心的複數個請求訊息，並響應於偵測到一傳入請求訊息中的第一邏輯地址範圍與一或多個活動請求訊息所對應的一或多個訊息情境中的複數個第二邏輯地址範圍之間發生衝突時，將該傳入請求訊息放入該衝突待處理佇列；以及 <br/>一邏輯至物理映射表查找電路，經組態以查找該邏輯至物理映射表以將該等第二邏輯位址範圍轉換為一或多個第一物理位址， <br/>其中，該訊息處理電路進一步經組態使用與該等第二邏輯地址範圍相關的該一或多個第一物理地址以在該揮發性記憶體上執行對應於該一或多個活動請求訊息的一或多個記憶體存取操作。
如請求項1的記憶體控制器，其中，該等處理核心是操作在對稱多處理環境中。
如請求項2的記憶體控制器，其中，該查找加速電路更包括一快取控制器，其包括一快取控制電路及複數條快取線，用以儲存該邏輯至物理映射表的一部分，且該快取控制電路經組態以響應於在該等第二邏輯位址範圍中的複數個邏輯位址存在於該等快取線時，從該等快取線查找該等第一物理位址。
如請求項3的記憶體控制器，其中： <br/>響應於一快取未命中事件，該快取控制電路經組態以選擇一條或二條相鄰的該等快取線，並使用該邏輯到物理映射表中的一區段來更新所選擇的該一條或二條相鄰的該等快取線所儲存的資料，該區段包含在該一條或二條相鄰的該等快取線中所缺失的與該第二邏輯地址範圍相關的部分或全部物理地址條目。
如請求項4的記憶體控制器，其中，當發生一快取未命中事件且該等快取線未處於無效狀態或乾淨狀態時，該快取控制電路經組態在使用該邏輯到物理映射表中的該區段來更新所選擇的該一條或二條相鄰的該等快取線所儲存的資料之前，將該等快取線中最近最少使用的資料寫入該揮發性記憶體。
如請求項1的記憶體控制器，其中，該邏輯至物理映射表查找電路包括一第一子電路、一第二子電路及一第三子電路，且當該邏輯至物理映射表分別為一非分段邏輯至物理映射表、一對齊分段邏輯至物理映射表及一非對齊分段邏輯至物理映射表時，該第一子電路、該第二子電路及該第三子電路用以查找該邏輯至物理映射表。
如請求項1的記憶體控制器，其中： <br/>從該衝突待處理佇列所出列的一第一請求訊息相較於使用一加權輪詢機制以從該等請求佇列所出列的一第二請求訊息具有較高的優先級；以及 <br/>該查找加速電路包括一衝突偵測電路，其經組態為當該衝突待處理佇列不為空時，從該衝突待處理佇列擷取該傳入請求訊息，及當該衝突待處理佇列為空時，使用該加權輪詢機制以從該等請求佇列擷取該傳入請求訊息。
如請求項7的記憶體控制器，其中： <br/>該查找加速電路進一步包括一狀態機，其包括複數個槽位，用以儲存相應於該一或多個活動請求訊息的複數個訊息情境；以及 <br/>該衝突偵測電路更經組態以偵測該等槽位是否已滿，並且響應於偵測到該等槽位已滿時，將該傳入請求訊息放入該衝突待處理佇列。
如請求項8的記憶體控制器，其中： <br/>該查找加速電路更包括相應於該等處理核心的複數個完成佇列及一完成控制電路；以及 <br/>響應於該狀態機完成儲存其內的一特定訊息情境中的一特定操作，該狀態機通知該完成控制電路以傳送一完成訊息至相應於發送該傳入請求訊息的該處理核心的該完成佇列。
如請求項9的記憶體控制器，其中，該特定操作包括一讀取操作、一寫入操作、一讀取後寫入操作及一讀取-比較-交換操作的其中一者。
一種加速邏輯至物理位址查找操作的方法，用於一資料儲存裝置，其中該資料儲存裝置包括一記憶體控制器及一揮發性記憶體，且該記憶體控制器包括一處理器、一訊息處理電路及一邏輯至物理映射表查找電路，該方法包括： <br/>利用該訊息處理電路以使用在該訊息處理電路中的複數個請求佇列以接收來自該處理器的複數個處理核心的複數個請求訊息； <br/>利用該訊息處理電路以響應於偵測到一傳入請求訊息中的第一邏輯地址範圍與一或多個活動請求訊息所對應的一或多個訊息情境中的複數個第二邏輯地址範圍之間發生衝突時，將該傳入請求訊息放入該衝突待處理佇列； <br/>利用該邏輯至物理映射表查找電路以查找該邏輯至物理映射表以將該等第二邏輯位址範圍轉換為一或多個第一物理位址；以及 <br/>利用該訊息處理電路以使用與該等第二邏輯地址範圍相關的該一或多個第一物理地址以在該揮發性記憶體上執行對應於該一或多個活動請求訊息的一或多個記憶體存取操作。
如請求項11的方法，其中，該等處理核心是操作在對稱多處理環境中。
如請求項12的方法，其中，該查找加速電路更包括一快取控制器，其包括一快取控制電路及複數條快取線，用以儲存該邏輯至物理映射表的一部分，且該方法更包括：利用該快取控制電路以響應於在該等第二邏輯位址範圍中的複數個邏輯位址存在於該等快取線時，從該等快取線查找該等第一物理位址。
如請求項13的方法，更包括： <br/>響應於一快取未命中事件，利用該快取控制電路以選擇一條或二條相鄰的該等快取線，並使用該邏輯到物理映射表中的一區段來更新所選擇的該一條或該二條相鄰的該等快取線所儲存的資料，該區段包含在該一條或二條相鄰的該等快取線中所缺失的與該第二邏輯地址範圍相關的部分或全部物理地址條目。
如請求項14的方法，更包括： <br/>當發生一快取未命中事件且該等快取線未處於無效狀態或乾淨狀態時，利用該快取控制電路以在使用該邏輯到物理映射表中的該區段來更新所選擇的該一條或二條相鄰的該等快取線所儲存的資料之前，將該等快取線中最近最少使用的資料寫入該揮發性記憶體。
如請求項11的方法，更包括： <br/>當該邏輯至物理映射表分別為一非分段邏輯至物理映射表、一對齊分段邏輯至物理映射表及一非對齊分段邏輯至物理映射表時，利用該邏輯至物理映射表查找電路中的一第一子電路、一第二子電路及一第三子電路查找該邏輯至物理映射表。
如請求項11的方法，其中，從該衝突待處理佇列所出列的一第一請求訊息相較於使用一加權輪詢機制以從該等請求佇列所出列的一第二請求訊息具有較高的優先級，且該查找加速電路包括一衝突偵測電路，且該方法更包括： <br/>當該衝突待處理佇列不為空時，利用該衝突偵測電路以從該衝突待處理佇列擷取該傳入請求訊息；以及 <br/>當該衝突待處理佇列為空時，利用該衝突偵測電路使用該加權輪詢機制以從該等請求佇列擷取該傳入請求訊息。
如請求項17的方法，其中，該查找加速電路進一步包括一狀態機，其包括複數個槽位，用以儲存相應於該一或多個活動請求訊息的複數個訊息情境，且該方法更包括： <br/>利用該衝突偵測電路以偵測該等槽位是否已滿；以及 <br/>響應於偵測到該等槽位已滿時，利用該衝突偵測電路將該傳入請求訊息放入該衝突待處理佇列。
如請求項18的方法，其中，該查找加速電路更包括相應於該等處理核心的複數個完成佇列及一完成控制電路，且該方法更包括： <br/>響應於該狀態機完成儲存其內的一特定訊息情境中的一特定操作，利用該狀態機通知該完成控制電路以傳送一完成訊息至相應於發送該傳入請求訊息的該處理核心的該完成佇列。
如請求項19的方法，其中，該特定操作包括一讀取操作、一寫入操作、一讀取後寫入操作及一讀取-比較-交換操作的其中一者。
一種半導體裝置，其包含：<u/><br/>積層膜，其於第1方向上交替地包含複數個第1絕緣膜及複數個電極層，且包含非階梯部、及設置於上述非階梯部之第2方向上之階梯部；<br/>第1柱狀部，其包含設置於上述非階梯部內之電荷儲存層及半導體層；及<br/>第1支柱部，其包含設置於上述階梯部內之第2絕緣膜；且<br/>上述積層膜包含於上述第1方向上積層之複數個部分積層膜，<br/>上述第1支柱部包含分別設置於上述複數個部分積層膜內之複數個部分支柱部，<br/>上述第1支柱部內之上述複數個部分支柱部係包含：<br/>1個以上之第1部分支柱部，其等於俯視時具有第1長徑與第1短徑，且上述第2方向與上述第1長徑之角度，小於上述第2方向與上述第1短徑之角度；及<br/>1個以上之第2部分支柱部，其等於俯視時具有第2長徑與第2短徑，且上述第2方向與上述第2長徑之角度，大於上述第2方向與上述第2短徑之角度。
如請求項1之半導體裝置，其中上述1個以上之第2部分支柱部，包含上述第1支柱部內之上述複數個部分支柱部中之最下位之部分支柱部。
如請求項2之半導體裝置，其中上述1個以上之第1部分支柱部，包含上述第1支柱部內之上述複數個部分支柱部中之最上位之部分支柱部。
如請求項2之半導體裝置，其中上述1個以上之第1部分支柱部係包含上述第1支柱部內之上述複數個部分支柱部中，除了最下位及最上位以外之部分支柱部。
如請求項2之半導體裝置，其中<br/>上述積層膜係包含於上述第1方向及上述第2方向上延伸且於第3方向上彼此相鄰之複數個第1板狀部；且<br/>上述半導體裝置進而包含複數個第2板狀部，該等複數個第2板狀部係設置於上述積層膜內，於上述第1方向及上述第2方向上延伸，且於上述第3方向上與上述複數個第1板狀部交替地設置，<br/>於上述複數個第2板狀部各自之上表面，不設置橋接部。
如請求項1之半導體裝置，其中上述1個以上之第1部分支柱部，包含上述第1支柱部內之上述複數個部分支柱部中之最下位之部分支柱部。
如請求項6之半導體裝置，其中上述1個以上之第2部分支柱部，包含上述第1支柱部內之上述複數個部分支柱部中之最上位之部分支柱部。
如請求項6之半導體裝置，其中上述1個以上之第2部分支柱部係包含上述第1支柱部內之上述複數個部分支柱部中，除了最下位及最上位以外之部分支柱部。
如請求項6之半導體裝置，其中<br/>上述積層膜係包含於上述第1方向及上述第2方向上延伸且於第3方向上彼此相鄰之複數個第1板狀部，<br/>上述半導體裝置係進而包含：複數個第2板狀部，其等設置於上述積層膜內，於上述第1方向及上述第2方向上延伸，且於上述第3方向上與上述複數個第1板狀部交替地設置；及<br/>複數個橋接部，其等分別設置於上述複數個第2板狀部之上表面。
如請求項1之半導體裝置，其中上述1個以上之第1部分支柱部具有與上述第2方向平行之上述第1長徑、及與上述第2方向垂直之上述第1短徑。
如請求項1之半導體裝置，其中上述1個以上之第2部分支柱部具有與上述第2方向垂直之上述第2長徑、及與上述第2方向平行之上述第2短徑。
如請求項1之半導體裝置，其中上述第1長徑之長度與上述第2長徑之長度相等。
如請求項1之半導體裝置，其中上述第1短徑之長度與上述第2短徑之長度相等。
如請求項1之半導體裝置，其進而包含包含設置於上述階梯部內之上述第2絕緣膜之第2支柱部，<br/>上述第2支柱部包含分別設置於上述複數個部分積層膜內之複數個部分支柱部，<br/>上述第2支柱部內之上述複數個部分支柱部係包含：<br/>1個以上之第3部分支柱部，其等於俯視時具有第3長徑與第3短徑，且上述第2方向與上述第3長徑之角度，小於上述第2方向與上述第3短徑之角度；及<br/>1個以上之第4部分支柱部，其等於俯視時具有第4長徑與第4短徑，且上述第2方向與上述第4長徑之角度，大於上述第2方向與上述第4短徑之角度。
如請求項14之半導體裝置，其中上述1個以上之第2部分支柱部，包含上述第1支柱部內之上述複數個部分支柱部中之最下位之部分支柱部，<br/>上述1個以上之第3部分支柱部，包含上述第2支柱部內之上述複數個部分支柱部中之最下位之部分支柱部。
如請求項15之半導體裝置，其中上述1個以上之第1部分支柱部，包含上述第1支柱部內之上述複數個部分支柱部中之最上位之部分支柱部。
如請求項15之半導體裝置，其中上述1個以上之第1部分支柱部係包含上述第1支柱部內之上述複數個部分支柱部中，除了最下位及最上位以外之部分支柱部。
如請求項15之半導體裝置，其中上述1個以上之第4部分支柱部，包含上述第2支柱部內之上述複數個部分支柱部中之最上位之部分支柱部。
如請求項15之半導體裝置，其中上述1個以上之第4部分支柱部係包含上述第2支柱部內之上述複數個部分支柱部中，除了最下位及最上位以外之部分支柱部。
如請求項14之半導體裝置，其中上述第1長徑之長度係至少與上述第2長徑、上述第3長徑、及上述第4長徑中之任一者之長度不同，且/或<br/>上述第1短徑之長度係至少與上述第2短徑、上述第3短徑、及上述第4短徑中之任一者之長度不同。
一種基板處理方法，用以處理由第1基板與第2基板接合成的重合基板； <br/>於該第2基板，從該第2基板側將剝離促進層及雷射吸收層依此順序疊層形成； <br/>該基板處理方法包含如下步驟： <br/>藉由從該第2基板側對該雷射吸收層照射雷射光，而使應力產生於該雷射吸收層與該剝離促進層的界面；以及 <br/>沿著該雷射吸收層與該剝離促進層之邊界，將該第2基板從該第1基板剝離。
如請求項1之基板處理方法，其中， <br/>於該第2基板，從該第2基板側將該剝離促進層、該雷射吸收層、元件層、及與該第1基板接合之表面膜依此順序疊層形成。
如請求項2之基板處理方法，其中， <br/>於該第2基板，在該雷射吸收層與該元件層之間形成反射膜。
如請求項2之基板處理方法，其中， <br/>於該第1基板，形成包含複數個元件之元件層。
如請求項4之基板處理方法，其中， <br/>在該第1基板的該元件層進一步形成表面膜，且經由該表面膜與該第2基板的該表面膜接合。
如請求項5之基板處理方法，其中， <br/>該第1基板及該第2基板的該表面膜為氧化膜。
如請求項5之基板處理方法，其中， <br/>該第1基板的該表面膜為黏接劑。
一種基板處理裝置，用以處理由第1基板與第2基板接合而成的重合基板； <br/>於該第2基板，從該第2基板側將剝離促進層及雷射吸收層依此順序疊層形成； <br/>該基板處理裝置包含： <br/>雷射照射部，對該雷射吸收層照射雷射光； <br/>剝離部，將該第2基板從該第1基板剝離； <br/>控制部，控制該雷射照射部及剝離部之運作； <br/>該控制部實行包含如下步驟之控制： <br/>藉由從該第2基板側對該雷射吸收層照射雷射光，而使應力產生於該雷射吸收層與該剝離促進層的界面；以及 <br/>沿著該雷射吸收層與該剝離促進層之邊界，將該第2基板從該第1基板剝離。
一種在作為控制裝置之電腦上運作的電腦程式，該控制裝置控制基板處理系統，俾使該基板處理系統實行用以處理由第1基板與第2基板接合而成的重合基板之基板處理方法； <br/>於該第2基板，從該第2基板側將剝離促進層及雷射吸收層依此順序疊層形成； <br/>該基板處理方法包含如下步驟： <br/>藉由從該第2基板側對該雷射吸收層照射雷射光，而使應力產生於該雷射吸收層與該剝離促進層的界面；以及 <br/>沿著該雷射吸收層與該剝離促進層之邊界，將該第2基板從該第1基板剝離。
一種電腦可讀取之電腦記錄媒體，儲存有電腦程式，該電腦程式在作為控制裝置之電腦上運作，該控制裝置控制基板處理系統，俾使該基板處理系統實行用以處理由第1基板與第2基板接合而成的重合基板之基板處理方法； <br/>於該第2基板，從該第2基板側將剝離促進層及雷射吸收層依此順序疊層形成； <br/>該基板處理方法包含如下步驟： <br/>藉由從該第2基板側對該雷射吸收層照射雷射光，而使應力產生於該雷射吸收層與該剝離促進層的界面；以及 <br/>沿著該雷射吸收層與該剝離促進層之邊界，將該第2基板從該第1基板剝離。
一種半導體元件，包括： <br/>一基板； <br/>一底部電極，包括： <br/>位於該基板之上並平行於該基板的一頂表面延伸的一底部分； <br/>從該底部分向上延伸的一第一壁部分；以及 <br/>從該底部分向上延伸並遠離該第一壁部分的一第二壁部分； <br/>一第一支撐層，位於該基板之上並圍繞該第一壁部分和該第二壁部分； <br/>一第二支撐層，位於該第一支撐層之上並圍繞該第一壁部分和該第二壁部分；以及 <br/>一第三支撐層，位於該第二支撐層之上並圍繞該第二壁部分， <br/>其中該第三支撐層的一厚度和該底部電極的一厚度的厚度比介於3:100至8:100之間。
如請求項1所述之半導體元件，其中該底部電極更包括： <br/>一較低部分，位於該第一支撐層與第二支撐層之間； <br/>一中間部分，位於該較低部分之上以及位於該第一支撐層與第二支撐層之間；以及 <br/>一較高部分，位於該中間部分之上以及位於該第二支撐層之上。
如請求項2所述之半導體元件，其中該較低部分的一第一內側壁與該較低部分的一第二內側壁之間的一寬度大於該中間部分的一第三內側壁與該中間部分的一第四內側壁之間的一寬度。
如請求項2所述之半導體元件，其中該中間部分的一第三內側壁與該中間部分的一第四內側壁之間的一寬度大於該較高部分的一第五內側壁與該較高部分的一第六內側壁之間的一寬度。
如請求項2所述之半導體元件，其中該較低部分的一第一內側壁與該較低部分的一第二內側壁之間的一寬度大於該較高部分的一第五內側壁與該較高部分的一第六內側壁之間的一寬度。
如請求項2所述之半導體元件，其中該較低部分的一第一內側壁與該較低部分的一第二內側壁之間的一寬度、該中間部分的一第三內側壁與該中間部分的一第四內側壁之間的一寬度以及該較高部分的一第五內側壁與該較高部分的一第六內側壁之間的一寬度相同。
如請求項1所述之半導體元件，其中該第一壁部分的一頂表面低於該第二壁部分的一頂表面。
如請求項1所述之半導體元件，更包括一介電層，共形地覆蓋該底部電極、該第一支撐層、該第二支撐層和該第三支撐層。
如請求項8所述之半導體元件，更包括一頂部電極，共形地覆蓋該介電層。
如請求項9所述之半導體元件，更包括一接地層，位於該頂部電極上。
一種可固化組成物，包括 <br/>（A）量子點，包括由化學式1表示的第一官能基和由化學式2表示的第二官能基；以及 <br/>（B）可聚合化合物， <br/>其中所述第一官能基的重量為所述第二官能基重量的1至3倍： <br/>[化學式1] <br/><img align="absmiddle" height="18px" width="75px" file="ed10031.jpg" alt="ed10031.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式2] <br/><img align="absmiddle" height="35px" width="84px" file="ed10032.jpg" alt="ed10032.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，在化學式1和化學式2中， <br/>R<sup>1</sup>為經取代或未經取代的C1至C20烷基或經取代或未經取代的C6至C20芳基， <br/>R<sup>2</sup>為經取代或未經取代的乙烯基， <br/>L<sup>1</sup>和L<sup>2</sup>各自獨立地為醚基、經取代或未經取代的C1至C20伸烷基，或經取代或未經取代的C6至C20伸芳基， <br/>L<sup>3</sup>和L<sup>4</sup>各自獨立地為經取代或未經取代的C1至C20伸烷基或經取代或未經取代的C6至C20伸芳基， <br/>L<sup>5</sup>為醚基、酯基、經取代或未經取代的C1至C20伸烷基或經取代或未經取代的C6至C20伸芳基， <br/>M為二價或四價金屬原子，所述金屬原子為Zn或Al， <br/>n為1至10的整數，且 <br/>m為2至4之間的整數。
一種可固化組成物，包括 <br/>（A）量子點，以化學式11表示的第一表面改質材料和以化學式12表示的第二表面改質材料進行表面改質；以及 <br/>（B）可聚合化合物， <br/>其中所述第一表面改質材料在所述量子點表面上以所述第二表面改質材料的重量的1至3倍的重量進行表面改質： <br/>[化學式11] <br/><img align="absmiddle" height="18px" width="67px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式12] <br/><img align="absmiddle" height="35px" width="73px" file="ed10034.jpg" alt="ed10034.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，在化學式11和化學式12中， <br/>R<sup>1</sup>為經取代或未經取代的C1至C20烷基或經取代或未經取代的C6至C20芳基， <br/>R<sup>2</sup>為經取代或未經取代的乙烯基， <br/>L<sup>1</sup>和L<sup>2</sup>各自獨立地為醚基、經取代或未經取代的C1至C20伸烷基，或經取代或未經取代的C6至C20伸芳基， <br/>L<sup>3</sup>和L<sup>4</sup>各自獨立地為經取代或未經取代的C1至C20伸烷基或經取代或未經取代的C6至C20伸芳基， <br/>L<sup>5</sup>為醚基、酯基、經取代或未經取代的C1至C20伸烷基或經取代或未經取代的C6至C20伸芳基， <br/>M為二價或四價金屬原子，所述金屬原子為Zn或Al， <br/>n為1至10的整數，且 <br/>m為2至4之間的整數。
如請求項1或請求項2所述的可固化組成物，其中 <br/>L<sup>1</sup>和L<sup>3</sup>各自獨立地為經取代或未經取代的C1至C20伸烷基，且 <br/>L<sup>2</sup>為醚基。
如請求項1或請求項2所述的可固化組成物，其中 <br/>L<sup>4</sup>為經取代或未經取代的C1至C20伸烷基。
如請求項1或請求項2所述的可固化組成物，其中 <br/>L<sup>5</sup>為酯基。
如請求項1所述的可固化組成物，其中 <br/>所述第一官能基的量大於所述第二官能基的量。
如請求項2所述的可固化組成物，其中 <br/>所述第一表面改質材料的表面改質量大於所述第二表面改質材料的表面改質量。
如請求項1或請求項2所述的可固化組成物，其中 <br/>所述可聚合化合物包括由化學式3表示的化合物： <br/>[化學式3] <br/><img align="absmiddle" height="39px" width="118px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，在化學式3中， <br/>L<sup>6</sup>是經取代或未經取代的C1至C10伸烷基、經取代或未經取代的C3至C20伸環烷基或醚基（*-O-*）， <br/>L<sup>7</sup>和L<sup>8</sup>各自獨立地是單鍵或經取代或未經取代的C1至C10伸烷基，且 <br/>R<sup>3</sup>和R<sup>4</sup>各自獨立地是氫原子或經取代或未經取代的C1至C20烷基。
如請求項1或請求項2所述的可固化組成物，其中 <br/>所述可固化組成物具有15厘泊至30厘泊的黏度。
如請求項1或請求項2所述的可固化組成物，其中 <br/>所述可固化組成物是無溶劑可固化組成物。
如請求項10所述的可固化組成物，其中 <br/>基於所述無溶劑可固化組成物的總量，所述無溶劑可固化組成物包括， <br/>5重量%至60重量%的所述量子點；以及 <br/>40重量%至95重量%的所述可聚合化合物。
如請求項1或請求項2所述的可固化組成物，其中 <br/>所述量子點是非鎘類發光材料。
如請求項12所述的可固化組成物，其中 <br/>所述量子點具有InP/ZnS的核/殼結構或InP/ZnSe/ZnS的核/第一殼/第二殼結構。
如請求項1或請求項2所述的可固化組成物，其中 <br/>所述量子點包括包含Ag、In、Ga和S的核；以及包含從Ag、Ga、Zn和S中選擇的至少兩種的殼。
一種固化層，使用如請求項1或請求項2所述的可固化組成物製造。
一種彩色濾光片，包括如請求項15所述的固化層。
一種顯示裝置，包括如請求項16所述的彩色濾光片。
如請求項17所述的顯示裝置，其中 <br/>所述顯示裝置還包括背光單元（BLU），以及 <br/>其中所述背光單元由三層藍光光源和一層綠光光源組成，以及 <br/>所述綠光光源是有機發光二極體（OLED）。
一種機車警示系統，設置於一機車，包含： <br/> 一偵測裝置，包含一殼體及一偵測雷達，該偵測雷達設置於該殼體中；<br/> 一快拆底座，用以結合於該機車，該殼體以可拆離的方式結合於該快拆底座；以及<br/> 一警示模組，設置於該機車之一後照鏡，包含電性連接之一控制器及一警示器，該偵測雷達與該控制器訊號連接，該控制器接收該偵測雷達發出之一偵測訊號並根據該偵測訊號控制該警示器作動；<br/> 其中當該偵測裝置警示模組偵測該機車車速低於一預定速度；該偵測雷達未偵測該機車周圍有外物；及/或該偵測雷達偵測該機車周圍外物與該機車相距距離大於一預定距離時，該偵測雷達偵測距離降低。
如請求項1所述之機車警示系統，其中當該偵測裝置警示模組偵測該機車車速低於一預定速度；該偵測雷達未偵測該機車周圍有外物；及/或該偵測雷達偵測該機車周圍外物與該機車相距距離大於一預定距離時，該控制器控制該偵測雷達偵測距離降低。
如請求項1所述之機車警示系統，其中當該偵測裝置警示模組偵測該機車車速低於一預定速度；該偵測雷達未偵測該機車周圍有外物；及/或該偵測雷達偵測該機車周圍外物與該機車相距距離大於一預定距離時，該控制器降低數據傳輸功率。
如請求項1所述之機車警示系統，其中該殼體具有一充電口及一遮蔽件，該充電口供連接外部電源以供應該偵測裝置所需之電能，該遮蔽件以可移動的方式設置於該充電口，以封閉或開啟該充電口。
如請求項4所述之機車警示系統，其中，該充電口之開口處的相對兩側分別設置有一軌道供與該遮蔽件卡合，該軌道中設置有軌道肋條，該遮蔽件可移動地設置於該軌道上。
如請求項1所述之機車警示系統，其中該偵測裝置包含一第一藍芽模組設置於該殼體中，該第一藍芽模組與該偵測雷達訊號連接，該警示模組包含一第二藍芽模組及一GPS模組，該控制器訊號連接該第二藍芽模組及該GPS模組，該第一藍芽模組發出該偵測訊號，該控制器透過該第二藍芽模組接收該偵測訊號，該控制器根據該偵測訊號及該GPS模組輸出之一位置訊號控制該警示器作動。
如請求項6所述之機車警示系統，其中當該偵測裝置警示模組偵測該機車車速低於一預定速度；該偵測雷達未偵測該機車周圍有外物；及/或該偵測雷達偵測該機車周圍外物與該機車相距距離大於一預定距離時，該控制器控制該第一藍芽模組降低傳輸速度。
如請求項6所述之機車警示系統，其中該警示器包含至少一警示燈，該至少一警示燈之數量為複數個，該偵測裝置及該快拆底座之數量皆為複數個，該些快拆底座分別設置於該機車之相異位置，該些偵測裝置對應結合於該些快拆底座，該控制器根據各該偵測裝置之該偵測訊號及該位置訊號對應控制各該警示燈作動。
如請求項6所述之機車警示系統，其中該警示器包含至少一警示燈，該至少一警示燈包含一距離警示燈，該控制器根據該偵測訊號及該位置訊號判斷外物與該偵測雷達間之一距離，定義一第一預定距離小於一第二預定距離，該第二預定距離小於一第三預定距離，當該距離小於該第一預定距離，該控制器控制該距離警示燈發出一第一色光；當該距離介於該第一預定距離及該第二預定距離之間，該控制器控制該距離警示燈發出一第二色光，當該距離介於該第二預定距離及該第三預定距離之間，該控制器控制該距離警示燈發出一第三色光。
如請求項6所述之機車警示系統，其中該第一藍芽模組及該第二藍芽模組分別能與一行動裝置訊號連接，當該偵測裝置之供電量處於低電量時該第一藍芽模組發出一第一低電量提示訊息至該行動裝置，當該警示模組之供電量處於低電量時該第二藍芽模組發出一第二低電量提示訊息至該行動裝置。
一種玻璃成形裝置，其具備： <br/>成形室； <br/>固定模具及移動模具，其等上下對向地配置於上述成形室之內部，且成形為規定形狀； <br/>移動軸，其將上述移動模具以能夠相對於上述固定模具而移動之方式支持； <br/>加熱機構，其加熱上述固定模具、上述移動模具、及上述固定模具與上述移動模具之間所載置之玻璃素材； <br/>加壓成形機構，其藉由使上述移動軸向將上述移動模具壓抵於上述固定模具之方向移動，而以上述移動模具及上述固定模具對上述玻璃素材進行加壓，藉此使之成形；及 <br/>洗淨機構，其在未進行上述玻璃素材之成形時，於向上述成形室之內部供給鹵素系氣體之供給路徑之中途產生電漿，將藉由該電漿而自上述鹵素系氣體產生之鹵素自由基供給至上述成形室之內部，藉此洗淨上述固定模具及上述移動模具。
如請求項1之玻璃成形裝置，其中 <br/>上述加熱機構藉由來自紅外線燈之出射光，加熱上述固定模具、上述移動模具及上述玻璃素材。
如請求項1或2之玻璃成形裝置，其中 <br/>上述電漿為電容耦合型電漿(CCP)。
如請求項1之玻璃成形裝置，其中 <br/>上述鹵素系氣體至少包含NF<sub>3</sub>。
一種模具洗淨方法，其係於玻璃成形裝置中，洗淨固定模具及移動模具者，上述玻璃成形裝置具備： <br/>成形室； <br/>上述固定模具及上述移動模具，其等上下對向地配置於上述成形室之內部，且成形為規定形狀； <br/>移動軸，其將上述移動模具以能夠相對於上述固定模具而移動之方式支持； <br/>加熱機構，其加熱上述固定模具、上述移動模具、及上述固定模具與上述移動模具之間所載置之玻璃素材；及 <br/>加壓成形機構，其藉由使上述移動軸向將上述移動模具壓抵於上述固定模具之方向移動，而以上述移動模具及上述固定模具對上述玻璃素材進行加壓，藉此使之成形；且 <br/>上述模具洗淨方法係在未進行上述玻璃素材之成形時，於向上述成形室之內部供給鹵素系氣體之供給路徑之中途產生電漿，將藉由該電漿而自上述鹵素系氣體產生之鹵素自由基供給至上述成形室之內部，藉此洗淨上述固定模具及上述移動模具。
一種多源音訊自適應切換方法，包含： <br/>接收一聲音訊號； <br/>自該聲音訊號取樣多個取樣點，該多個取樣點之其一定義為一第一取樣點，其餘定義為多個第二取樣點； <br/>當判斷各該第二取樣點與該第一取樣點之絕對差值大於一第一閥值，累加一有效值；以及 <br/>當判斷該有效值大於一第二閥值，輸出該聲音訊號。
如請求項1所述之多源音訊自適應切換方法，更包含接收多筆該聲音訊號，該多筆聲音訊號包含一主聲音訊號及一次聲音訊號，當輸出該次聲音訊號之期間判斷該主聲音訊號之該有效值大於該第二閥值，輸出該主聲音訊號。
如請求項2所述之多源音訊自適應切換方法，更包含： <br/>接收多筆影視訊號，各該影視訊號分別對應各該聲音訊號； <br/>接收一選擇訊號，該選擇訊號指定該多筆影視訊號所包含之其一影視訊號；以及 <br/>根據該其一影視訊號所對應之該聲音訊號定義該主聲音訊號。
如請求項1所述之多源音訊自適應切換方法，更包含： <br/>接收多筆該聲音訊號；以及 <br/>當輸出其一該多筆聲音訊號之期間判斷該其一聲音訊號之該有效值小於該第二閥值，接收另一該多筆聲音訊號並判斷該另一聲音訊號之該有效值。
如請求項4所述之多源音訊自適應切換方法，更包含： <br/>接收多筆影視訊號，各該影視訊號分別對應各該聲音訊號； <br/>根據各該多筆影視訊號定義各該聲音訊號之存在狀態，以界定該多筆聲音訊號之一擷取範圍；以及 <br/>於該擷取範圍循環切換以接收該多筆聲音訊號。
如請求項1所述之多源音訊自適應切換方法，更包含： <br/>接收多筆該聲音訊號； <br/>偵測各該聲音訊號之一原始取樣率；以及 <br/>當判斷其一該聲音訊號之該原始取樣率為零，接收另一該多筆聲音訊號並判斷該另一聲音訊號之該原始取樣率。
如請求項1所述之多源音訊自適應切換方法，更包含根據移動時間窗格自該聲音訊號取樣該多個取樣點，該多個取樣點之首個定義為該第一取樣點，其餘定義為該多個第二取樣點。
一種多源音訊自適應切換裝置，包含： <br/>一多工器，用以接收多筆聲音訊號，並輸出其一該多筆聲音訊號；以及 <br/>一音訊偵測器，用以： <br/>接收該其一聲音訊號； <br/>自該其一聲音訊號取樣多個取樣點，該多個取樣點之其一定義為一第一取樣點，其餘定義為多個第二取樣點； <br/>當判斷各該第二取樣點與該第一取樣點之絕對差值大於一第一閥值，累加一有效值；以及 <br/>當判斷該有效值大於一第二閥值，輸出該其一聲音訊號。
如請求項8所述之多源音訊自適應切換裝置，更包含： <br/>一視訊發送器，用以： <br/>接收多筆影視訊號，各該影視訊號分別對應各該聲音訊號； <br/>根據各該多筆影視訊號定義各該聲音訊號之存在狀態，以界定該多筆聲音訊號之一擷取範圍；以及 <br/>發送該擷取範圍至該音訊偵測器；以及 <br/>該音訊偵測器，更用以： <br/>於該擷取範圍循環切換以接收該多筆聲音訊號。
如請求項8所述之多源音訊自適應切換裝置，更包含： <br/>一使用者介面，用以接收一選擇訊號； <br/>一視訊發送器，用以： <br/>接收多筆影視訊號，各該影視訊號分別對應各該聲音訊號； <br/>接收該選擇訊號，該選擇訊號指定該多筆影視訊號所包含之其一影視訊號； <br/>針對該其一影視訊號所對應之該聲音訊號定義一主音頻標記；以及 <br/>發送該主音頻標記至該音訊偵測器；以及 <br/>該音訊偵測器，更用以： <br/>根據該主音頻標記於該多筆聲音訊號內定義一主聲音訊號及該主聲音訊號以外之一次聲音訊號；以及 <br/>當輸出該次聲音訊號之期間判斷該主聲音訊號之該有效值大於該第二閥值，輸出該主聲音訊號。
一種電子裝置，包括：<br/> 一基板；<br/> 一按鍵，設置於該基板上方，且該按鍵可選擇性地相對於該基板移動於一未受壓位置與一受壓位置之間；<br/> 一磁性組件，設置於該基板上方，該磁性組件包括一第一磁性件與一第二磁性件，該第一磁性件連接於該按鍵，該第二磁性件鄰近於該第一磁性件；以及<br/> 一磁感測器，連接於該基板且鄰近於該磁性組件；<br/> 其中，該按鍵於該未受壓位置時，該第一磁性件與該第二磁性件彼此相吸，使該按鍵獲得定位；該按鍵由該未受壓位置移動至該受壓位置的過程中，該第一磁性件與該第二磁性件彼此遠離而產生一磁場變化，該磁感測器根據該磁場變化產生訊號；<br/> 其中，該按鍵的數量與該第一磁性件的數量為複數個，該些第一磁性件分別連接於該些按鍵，且該些按鍵於該未受壓位置時，該些第一磁性件分別與該第二磁性件相吸。
如請求項1所述之電子裝置，其中各該按鍵於該未受壓位置時，各該第一磁性件與該第二磁性件之間具有一第一磁吸力；各該按鍵於該受壓位置時，各該第一磁性件與該第二磁性件之間具有一第二磁吸力，該第二磁吸力小於該第一磁吸力。
如請求項1所述之電子裝置，其中各該第一磁性件為一磁鐵，各該按鍵由該未受壓位置移動至該受壓位置的過程中，各該第一磁性件朝該磁感測器移動接近以產生該磁場變化。
如請求項1所述之電子裝置，其中該第二磁性件為一磁鐵，各該按鍵由該未受壓位置移動至該受壓位置的過程中，各該第一磁性件朝遠離該磁感測器的方向移動以產生該磁場變化。
如請求項1所述之電子裝置，更包括一架體，該架體設置於該基板上，該第二磁性件固定於該架體。
如請求項5所述之電子裝置，其中該架體具有複數個容置槽，該些按鍵分別位於該架體之該些容置槽內。
如請求項1所述之電子裝置，其中各該按鍵具有一凹槽，各該第一磁性件固定於該凹槽內。
如請求項1所述之電子裝置，其中該基板包括一影像顯示區，各該按鍵包括一透光鍵帽，該透光鍵帽的位置對應於該影像顯示區的位置。
如請求項1所述之電子裝置，其中各該按鍵組接一平衡組件，該平衡組件包括一第一平衡桿與一第二平衡桿，該第一平衡桿具有一第一轉軸，該第二平衡桿具有一第二轉軸，該第一轉軸垂直於該第二轉軸。
如請求項9所述之電子裝置，更包括一架體，該架體設置於該基板上，該架體具有一第一組接件與一第二組接件，該第一平衡桿之該第一轉軸可轉動地組接於該第一組接件，該第二平衡桿之該第二轉軸可轉動地組接於該第二組接件。
如請求項9所述之電子裝置，其中各該按鍵具有一第一軸孔與一第二軸孔，該第一平衡桿具有一第一側桿與一第一軸桿，該第一側桿連接於該第一轉軸與該第一軸桿之間，該第二平衡桿具有一第二側桿與一第二軸桿，該第二側桿連接於該第二轉軸與該第二軸桿之間，且該第一軸桿與該第二軸桿分別可轉動地組接於各該按鍵之該第一軸孔與該第二軸孔中。
如請求項1所述之電子裝置，其中各該第一磁性件為一磁鐵，該第二磁性件為一磁性板件，該第二磁性件具有複數個吸附區塊與複數個鏤空部，各該吸附區塊的位置對應於各該第一磁性件的位置，該些鏤空部的其中二者分別位於各該吸附區塊的相對二側。
一種波導結構，用以連接於一天線並包含：一介電層；一第一金屬層及一第二金屬層，分別設置於該介電層的相對兩側，該第一金屬層具有一底面、一頂面及多個缺槽，該底面面對該介電層，該頂面背對該底面，該些缺槽貫穿該底面及該頂面，該些缺槽共同圍繞出呈對稱多邊形的一連接區域，該第一金屬層之該連接區域處用以連接於該天線；多個第一導電通孔，設置於該介電層中並電性連接該第一金屬層及該第二金屬層，該些第一導電通孔分佈於該連接區域外周；以及至少一第二導電通孔，設置於該介電層中並電性連接該第一金屬層及該第二金屬層，該至少一第二導電通孔位於相鄰的該些缺槽之間的至少一間隙中。
如請求項1所述之波導結構，其中該些缺槽的數量為四個且該連接區域呈菱形外形。
如請求項2所述之波導結構，其中該至少一第二導電通孔的數量為多個，相鄰的該四缺槽之間形成的該至少一間隙之數量為兩個，該些第二導電通孔分別位於該二間隙中。
如請求項3所述之波導結構，其中每一該二間隙中的該些第二導電通孔以陣列形式排列。
如請求項2所述之波導結構，其中該第一金屬層更具有一連接槽，該連接槽貫穿該底面及該頂面並連接該些缺槽其中二者。
如請求項5所述之波導結構，更包含多個第三導電通孔，該些第三導電通孔設置於該介電層中並電性連接該第一金屬層及該第二金屬層，該些第三導電通孔位於該連接槽的外周。
如請求項6所述之波導結構，更包含一第四導電通孔，該第四導電通孔設置於該介電層中並電性連接該第一金屬層及該第二金屬層，該連接槽環繞該第四導電通孔。
如請求項1所述之波導結構，其中該些第一導電通孔或該至少一第二導電通孔由銀製成。
如請求項1所述之波導結構，其中該第一金屬層更具有連接該底面及該頂面的一側表面，該些缺槽的至少一者位於該側表面。
如請求項1所述之波導結構，其中該些第一導電通孔沿該些缺槽中相鄰的一者之延伸方向彼此錯位。
一種線路板，包含：一電路基板；一晶片，電性連接於該電路基板；一核心層，電性連接於該電路基板且該晶片位於該核心層中；一第一導電結構，設置於該核心層中並電性連接於該電路基板；以及如請求項1所述之波導結構，其中該第二金屬層設置於該核心層上並電性連接於該第一導電結構。
如請求項11所述之線路板，其中該第一導電結構為同軸穿孔。
如請求項11所述之線路板，更包含一芯板及一第二導電結構，該芯板設置於該核心層上，該第二導電結構設置於該芯板中，該第二金屬層透過該芯板設置於該核心層上，且該第二金屬層透過該第二導電結構電性連接於該第一導電結構。
一種線路板的製造方法，包含：提供一電路基板及電性連接於該電路基板的一晶片；形成電性連接於該電路基板且包覆該晶片的一核心層；以及於該核心層中形成電性連接於該電路基板的一第一導電結構，並將如請求項1所述之波導結構的該第二金屬層設置於該核心層上並電性連接於該第一導電結構。
如請求項14所述之線路板的製造方法，在於該核心層中形成該第一導電結構，並將該第二金屬層設置於該核心層上並電性連接於該第一導電結構的步驟之前，更包含於一芯板中形成一第二導電結構，設置該芯板於該核心層上，並將該第二導電結構電性連接於該第一導電結構，該第二金屬層透過該芯板設置於該核心層上，且該第二金屬層透過該第二導電結構電性連接於該第一導電結構。
一種擬餌，其特徵為其係釣魚用者，且包含：本體部，其在內部具有空腔；及中空之罩構件，其設置於該本體部之空腔內；且 <br/>前述空腔能夠自外部視認一部分或全部，在前述中空之罩構件之外表面，設置能夠將來自前述外部之光鏡面反射之1或複數個反射面或反射體；且 <br/>在前述本體部之前述空腔內進一步具備配重，前述中空之罩構件係構成為自其外側覆蓋該配重，且能夠沿著其延伸方向在該中空之罩構件之內部，沿著該罩構件之延伸方向引導前述配重。
如請求項1之擬餌，其在前述罩構件之內部，沿著其延伸方向設置軸構件，該軸構件構成為能夠以插通前述配重之方式引導該配重。
如請求項2之擬餌，其中前述軸構件係設置為沿著前述罩構件與前述配重成為同心圓般之中心軸延伸。
如請求項1之擬餌，其中能夠將來自前述外部之光鏡面反射之1或複數個反射面或反射體，設置於前述本體部之外表面或前述本體部之內表面之至少任一者。
如請求項1之擬餌，其中前述罩構件係形成為內側形成為中空之形狀，且該形狀係圓柱狀、多角柱狀、拱狀或圓頂狀。
如請求項1之擬餌，其中沿著前述罩構件之周向，在該罩構件之前述外表面設置1或複數個反射體，在設置複數個該反射體之情形下，該反射體沿著該罩構件之周向相互空開間隔地設置。
如請求項1之擬餌，其中在前述罩構件之前述外表面設置1或複數個反射體，該反射體設置為向該罩構件之外方突出。
如請求項1之擬餌，其中前述罩構件係沿著其延伸方向呈直線狀形成、或至少其一部分以彎曲之方式形成。
如請求項4之擬餌，其中在前述1或複數個反射面或反射體設置於前述本體部之內表面之情形下，該1或複數個反射面或反射體係藉由蒸鍍、鍍覆、螢光膜、全息膜、金屬接著、樹脂接著或玻璃片接著而形成。
如請求項1之擬餌，其中前述本體部由樹脂或金屬形成。
一種微氣泡機，包括：<br/> 一泵浦，包括一進水管路及一出水管路；及<br/> 一微氣泡裝置，連通於該進水管路，為一體成型的單一構件，包括一軸孔及一進氣通道，該軸孔包括一入口及一出口，該進氣通道的一端口於該入口與該出口之間連通該軸孔；<br/> 其中，該軸孔包括相連通的一小徑段及一大徑段，該小徑段自該入口朝該大徑段方向漸縮，該小徑段及該大徑段構成一頸縮通道，該進氣通道連通於該頸縮通道，該進氣通道的端口位於該大徑段，該進氣通道的端口鄰近於該大徑段與該小徑段的交接處；<br/> 其中，該微氣泡裝置另包括一凸緣，該凸緣自該小徑段朝該大徑段方向延伸且位於該進氣通道的端口的徑向投影範圍內，該凸緣包括一外側面，該外側面與該進氣通道的端口之間存在一居間空間；<br/> 其中，該外側面為一環斜面，該環斜面自該大徑段的一端緣朝內斜向延伸至位於該大徑段中，該大徑段的端緣與該進氣通道的端口的口緣間隔一距離，該居間空間朝該大徑段漸擴。
如請求項1所述的微氣泡機，其中該小徑段具有一固定徑向尺寸。
如請求項1所述的微氣泡機，其中該進氣通道的端口位於該大徑段；該小徑段包括一漸縮段及一等徑段，該等徑段連通於該大徑段；該大徑段包括多個區段，該多個區段的徑向尺寸自該小徑段朝該出口方向依序變大；該微氣泡裝置另包括一外螺紋段及一內螺紋段，該外螺紋段及該內螺紋段位於該進氣通道的端口的相對二側；該微氣泡機另包括一流量調整裝置，該流量調整裝置連通於該進氣通道且供調整進氣量。
一種物品目錄提供方法，其係藉由電子裝置進行者，其包括如下步驟： <br/>確認與用戶終端對應之用戶資訊； <br/>基於上述用戶資訊，確認包括複數個商店中之至少一個商店之商店目錄； <br/>針對上述至少一個商店而確認包括商店銷售之至少一個物品之物品目錄；及 <br/>將包括上述商店目錄及上述物品目錄之頁面提供至上述用戶終端； <br/>其中上述物品目錄係基於上述物品目錄內之各物品之優先順序而排列； <br/>其中上述優先順序係基於考慮賦予給上述物品之推薦數量資訊、上述物品之訂購次數資訊、上述物品所屬之商店運營者提供之優先順序資訊、上述物品顯示於上述物品所屬之商店之商店詳細頁面上之順序、購買時間資訊、上述用戶之商店訪問資訊、上述用戶之服務連接時間資訊及上述用戶之購買歷史資訊之各者之加權值而確認之一分數而確定。
如請求項1之物品目錄提供方法，其中上述用戶資訊包括上述用戶之檢索歷史資訊、上述商店訪問資訊、偏好物品資訊、折扣券資訊、上述服務連接時間資訊或上述購買歷史資訊中之至少一者。
如請求項1之物品目錄提供方法，其中上述頁面包括上述商店目錄內之各商店之資訊， <br/>上述商店之資訊包括上述商店之名稱、評分、類別、位置或距上述用戶之距離中之至少一者。
如請求項2之物品目錄提供方法，其中在基於上述用戶資訊中之兩個以上之資訊而確認上述商店目錄之情形時，上述商店目錄係基於分數而排列，該分數係考慮賦予給上述兩個以上之資訊各者之加權值而確定者。
如請求項1之物品目錄提供方法，其中上述頁面包括上述物品目錄內之各物品之資訊， <br/>上述物品之資訊包括上述物品之名稱、影像、評分、類別、價格或折扣券資訊中之至少一者。
如請求項1之物品目錄提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>獲得與上述商店目錄內之第1商店之資訊對應之上述用戶的第1輸入；及 <br/>對應於上述第1輸入，提供上述第1商店之商店詳細頁面。
如請求項6之物品目錄提供方法，其中於上述第1商店之商店詳細頁面上，屬於上述物品目錄之物品係與不屬於上述物品目錄之物品不同地顯示。
如請求項1之物品目錄提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>獲得與上述物品目錄內之第1物品之資訊對應之上述用戶的第2輸入；及 <br/>對應於上述第2輸入，提供上述第1物品之物品詳細頁面。
如請求項8之物品目錄提供方法，其中提供上述第1物品之物品詳細頁面之步驟包括如下步驟： <br/>提供以如下方式滾動設定之頁面，即，於上述第1物品所屬之商店之商店詳細頁面內顯示上述第1物品之資訊；及 <br/>於提供上述商店詳細頁面後經過規定時間之後，提供上述第1物品之物品詳細頁面。
如請求項1之物品目錄提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>獲得與上述商店目錄對應之上述用戶之第3輸入；及 <br/>對應於上述第3輸入，將包括新商店目錄及新物品目錄之頁面提供至上述用戶終端。
如請求項1之物品目錄提供方法，其中將基於上述優先順序而排列之上述物品目錄中之設定數量之物品的資訊顯示於上述頁面。
如請求項11之物品目錄提供方法，其中上述設定數量係基於上述頁面之尺寸而確定。
如請求項1之物品目錄提供方法，其中屬於上述商店之物品中之滿足設定條件之物品排除於上述物品目錄之外。
如請求項13之物品目錄提供方法，其中上述設定條件包括不存在與上述物品對應之照片之情形、上述物品屬於酒類之情形、或上述物品屬於配餐之情形中之至少一者。
一種電子裝置，其係提供物品目錄者，其包括： <br/>收發器，其與其他裝置收發資訊；及 <br/>處理器，其控制上述收發器，確認與用戶終端對應之用戶資訊，基於上述用戶資訊而確認包括複數個商店中之至少一個商店之商店目錄，針對上述至少一個商店而確認包括商店銷售之至少一個物品之物品目錄，將包括上述商店目錄及上述物品目錄之頁面提供至上述用戶終端； <br/>其中上述物品目錄係基於上述物品目錄內之各物品之優先順序而排列； <br/>其中上述優先順序係基於考慮賦予給上述物品之推薦數量資訊、上述物品之訂購次數資訊、上述物品所屬之商店運營者提供之優先順序資訊、上述物品顯示於上述物品所屬之商店之商店詳細頁面上之順序、購買時間資訊、上述用戶之商店訪問資訊、上述用戶之服務連接時間資訊及上述用戶之購買歷史資訊之各者之加權值而確認之一分數而確定。
一種非暫時性電腦可讀儲存媒體，其包括以儲存電腦可讀命令之方式構成之媒體， <br/>於藉由處理器而執行上述電腦可讀命令之情形時，上述處理器實行電子裝置中之物品目錄提供方法，該方法包括如下步驟： <br/>確認與用戶終端對應之用戶資訊； <br/>基於上述用戶資訊，確認包括複數個商店中之至少一個商店之商店目錄； <br/>針對上述至少一個商店而確認包括商店銷售之至少一個物品之物品目錄；及 <br/>將包括上述商店目錄及上述物品目錄之頁面提供至上述用戶終端； <br/>其中上述物品目錄係基於上述物品目錄內之各物品之優先順序而排列； <br/>其中上述優先順序係基於考慮賦予給上述物品之推薦數量資訊、上述物品之訂購次數資訊、上述物品所屬之商店運營者提供之優先順序資訊、上述物品顯示於上述物品所屬之商店之商店詳細頁面上之順序、購買時間資訊、上述用戶之商店訪問資訊、上述用戶之服務連接時間資訊及上述用戶之購買歷史資訊之各者之加權值而確認之一分數而確定。
一種記憶體系統的操作方法，包括：<br/> 使用讀取參考電壓對記憶體裝置中的一組記憶體單元執行單次讀取操作，獲取第一位元；<br/> 確定對應於所述一組記憶體單元的第二位元，所述第二位元對應於最初被程式設計到所述一組記憶體單元中的資料；以及<br/> 根據所述第一位元和所述第二位元，確定讀取電壓，其中，使用所述讀取電壓作為用於以下各項中的一個的讀取參考電壓：<br/> 讀取包括所述一組記憶體單元的頁中的碼，<br/> 讀取與包括所述一組記憶體單元的頁相鄰的頁，<br/> 讀取所述一組記憶體單元所在的字元線組的頁，以及<br/> 讀取包括所述一組記憶體單元的超級頁並且與所述一組記憶體單元所在的平面或裸晶不同的平面或裸晶中的頁。
如請求項1所述的記憶體系統的操作方法，其中，所述第一位元和所述第二位元均包括第一位元值和第二位元值；並且<br/> 根據所述第一位元和所述第二位元確定所述讀取電壓包括：<br/> 比較所述第一位元和所述第二位元，確定第一失敗位元數目(FBC)和第二失敗位元數目(FBC)，所述第一FBC是從所述第二位元中的所述第一位元值翻轉到所述第一位元中的所述第二位元值的第一翻轉位元數，所述第二FBC是從所述第二位元中的所述第二位值翻轉到所述第一位元中的所述第一位元值的第二翻轉位元數；以及<br/> 回應於所述第一FBC和所述第二FBC之間的差小於閾值，確定所述讀取參考電壓為所述讀取電壓。
如請求項2所述的記憶體系統的操作方法，其中，<br/> 回應於所述第一FBC與所述第二FBC之間的所述差大於所述閾值，並且所述第二FBC小於所述第一FBC，將所述讀取參考電壓由第一準位調整為第二準位，所述第二準位低於所述第一準位；以及<br/> 回應於所述第一FBC與所述第二FBC之間的所述差大於所述閾值，並且所述第二FBC大於所述第一FBC，將所述讀取參考調壓由所述第一準位調整為第三準位，所述第三準位大於所述第一準位。
如請求項3所述的記憶體系統的操作方法，其中，所述第二準位是基於第一固定階躍電壓確定的，以及，所述第三準位是基於第二固定階躍電壓確定的。
如請求項2所述的記憶體系統的操作方法，其中，<br/> 回應於所述第一FBC與所述第二FBC之間的所述差在預定範圍之外，基於第一階躍電壓調整所述讀取參考電壓，以及<br/> 回應於所述第一FBC與所述第二FBC之間的所述差在所述預定範圍之內，基於低於所述第一階躍電壓的第二階躍電壓調整所述讀取參考電壓。
如請求項1所述的記憶體系統的操作方法，其中，所述記憶體系統的操作方法作為後臺操作被執行。
如請求項1所述的記憶體系統的操作方法，其中，所述讀取電壓用作用於從所述記憶體裝置讀取資料的初始讀取參考電壓。
如請求項1所述的記憶體系統的操作方法，其中，所述記憶體系統的操作方法在改錯碼（ECC）解碼失敗之後被觸發。
如請求項8所述的記憶體系統的操作方法，更包括：<br/> 使用所述讀取電壓作為用於從所述記憶體裝置讀取資料的讀取重試電壓，或者<br/> 使用所述讀取電壓作為用於從所述記憶體裝置讀取資料的軟解碼過程的基準電壓。
如請求項1所述的記憶體系統的操作方法，其中，所述第一位元和所述第二位元均對應虛擬資料，所述虛擬資料是以下各項中的一個：<br/> 屬於被儲存在包括與字元線相關聯的記憶體單元的水平記憶體單元串中的多個頁的碼的資料，以及<br/> 被儲存在包括與字元線相關聯的記憶體單元的水平記憶體單元串中的多個頁的資料。
如請求項10所述的記憶體系統的操作方法，還包括：<br/> 回應於用於讀取當前頁的ECC解碼的失敗，確定以下各項中的一個進行使用所述讀取電壓作為用於讀取所述當前頁的讀取參考電壓：<br/> 所述虛擬資料的所述當前頁、<br/> 所述虛擬資料的所述當前頁的相鄰頁、<br/> 所述當前頁的字元線組、所述當前頁包括所述虛擬資料、或<br/> 屬於超級頁的所述當前頁，其中，所述超級頁在與所述當前頁的平面或裸晶不同的平面或裸晶中包括所述虛擬資料。
如請求項10所述的記憶體系統的操作方法，還包括：<br/> 將所述記憶體裝置中的塊確定為比所述記憶體裝置中的另一塊更易受翻轉位元錯誤影響的弱塊；以及<br/> 將所述虛擬資料寫入所述塊。
如請求項1所述的記憶體系統的操作方法，其中，所述記憶體系統的所述操作方法由所述記憶體系統的記憶體控制器執行，或者，由所述記憶體裝置中的電路裝置執行。
一種記憶體控制器，包括被配置為執行以下操作的電路裝置：<br/> 使用讀取參考電壓對記憶體裝置中的一組記憶體單元執行單次讀取操作，獲取第一位元；<br/> 確定對應於所述一組記憶體單元的第二位元，所述第二位元對應於最初被程式設計到所述一組記憶體單元中的資料；以及<br/> 根據所述第一位元和所述第二位元，確定讀取電壓，其中，使用所述讀取電壓作為用於以下各項中的一個的讀取參考電壓：<br/> 讀取包括所述一組記憶體單元的頁中的碼，<br/> 讀取與包括所述一組記憶體單元的頁相鄰的頁，<br/> 讀取所述一組記憶體單元所在的字元線組的頁，以及<br/> 讀取包括所述一組記憶體單元的超級頁並且與所述一組記憶體單元所在的平面或裸晶不同的平面或裸晶中的頁。
如請求項14所述的記憶體控制器，其中，所述第一位元和所述第二位元均包括第一位元值和第二位元值；並且<br/> 根據所述第一位元和所述第二位元確定所述讀取電壓包括：<br/> 比較所述第一位元和所述第二位元，確定第一失敗位元數目(FBC)和第二失敗位元數目(FBC)，所述第一FBC是從所述第二位元中的所述第一位元值翻轉到所述第一位元中的所述第二位元值的第一翻轉位元數，所述第二FBC是從所述第二位元中的所述第二位值翻轉到所述第一位元中的所述第一位元值的第二翻轉位元數；以及<br/> 回應於所述第一FBC和所述第二FBC之間的差小於閾值，確定所述讀取參考電壓為所述讀取電壓。
如請求項15所述的記憶體控制器，其中，<br/> 回應於所述第一FBC與所述第二FBC之間的所述差大於所述閾值，並且所述第二FBC小於所述第一FBC，將所述讀取參考電壓由第一準位調整為第二準位，所述第二準位低於所述第一準位；以及<br/> 回應於所述第一FBC與所述第二FBC之間的所述差大於所述閾值，並且所述第二FBC大於所述第一FBC，將所述讀取參考調壓由所述第一準位調整為第三準位，所述第三準位大於所述第一準位。
如請求項16所述的記憶體控制器，其中，所述第二準位是基於第一固定階躍電壓確定的，以及，所述第三準位是基於第二固定階躍電壓確定的。
如請求項15所述的記憶體控制器，其中，<br/> 回應於所述第一FBC與所述第二FBC之間的所述差在預定範圍之外，基於第一階躍電壓調整所述讀取參考電壓，以及<br/> 回應於所述第一FBC與所述第二FBC之間的所述差在所述預定範圍之內，基於低於所述第一階躍電壓的第二階躍電壓調整所述讀取參考電壓。
如請求項14所述的記憶體控制器，其中，所述讀取電壓用作用於從所述記憶體裝置讀取資料的初始讀取參考電壓。
如請求項14所述的記憶體控制器，還包括：<br/> 使用所述讀取電壓作為用於從所述記憶體裝置讀取資料的讀取重試電壓，或者<br/> 使用所述讀取電壓作為用於從所述記憶體裝置讀取資料的軟解碼過程的基準電壓。
如請求項14所述的記憶體控制器，其中，所述第一位元和所述第二位元均對應虛擬資料，所述虛擬資料是以下各項中的一個：<br/> 屬於被儲存在包括與字元線相關聯的記憶體單元的水平記憶體單元串中的多個頁的碼的資料，以及<br/> 被儲存在包括與字元線相關聯的記憶體單元的水平記憶體單元串中的多個頁的資料。
如請求項21所述的記憶體控制器，還包括：<br/> 將所述記憶體裝置中的塊確定為比所述記憶體裝置中的另一塊更易受翻轉位元錯誤影響的弱塊；以及<br/> 將所述虛擬資料寫入所述塊。
一種記憶體系統，包括：<br/> 記憶體裝置；以及<br/> 記憶體控制器，所述記憶體控制器被配置為執行以下操作：<br/> 使用讀取參考電壓對所述記憶體裝置中的一組記憶體單元執行單次讀取操作，獲取第一位元；<br/> 確定對應於所述一組記憶體單元的第二位元，所述第二位元對應於最初被程式設計到所述一組記憶體單元中的資料；以及<br/> 根據所述第一位元和所述第二位元，確定讀取電壓，其中，使用所述讀取電壓作為用於以下各項中的一個的讀取參考電壓：<br/> 讀取包括所述一組記憶體單元的頁中的碼，<br/> 讀取與包括所述一組記憶體單元的頁相鄰的頁，<br/> 讀取所述一組記憶體單元所在的字元線組的頁，以及<br/> 讀取包括所述一組記憶體單元的超級頁並且與所述一组記憶體單元所在的平面或裸晶不同的平面或裸晶中的頁。
如請求項23所述的記憶體系統，其中，所述第一位元和所述第二位元均包括第一位元值和第二位元值；並且<br/> 根據所述第一位元和所述第二位元確定所述讀取電壓包括：<br/> 比較所述第一位元和所述第二位元，確定 第一失敗位元數目(FBC)和第二失敗位元數目(FBC)，所述第一FBC是從所述第二位元中的所述第一位元值翻轉到所述第一位元中的所述第二位元值的第一翻轉位元數，所述第二FBC是從所述第二位元中的所述第二位元值翻轉到所述第一位元中的所述第一位元值的第二翻轉位元數；以及<br/> 回應於所述第一FBC和所述第二FBC之間的差小於閾值，確定所述讀取參考電壓為所述讀取電壓。
如請求項24所述的記憶體系統，其中，<br/> 回應於所述第一FBC與所述第二FBC之間的所述差大於所述閾值，並且所述第二FBC小於所述第一FBC，將所述讀取參考電壓由第一準位調整為第二準位，所述第二準位低於所述第一準位；以及<br/> 回應於所述第一FBC與所述第二FBC之間的所述差大於所述閾值，並且所述第二FBC大於所述第一FBC，將所述讀取參考調壓由所述第一準位調整為第三準位，所述第三準位大於所述第一準位。
如請求項25所述的記憶體系統，其中，所述第二電平是基於第一固定階躍電壓確定的，以及，所述第三電平是基於第二固定階躍電壓確定的。
如請求項24所述的記憶體系統，其中，<br/> 回應於所述第一FBC與所述第二FBC之間的所述差在預定範圍之外，基於第一階躍電壓調整所述讀取參考電壓，以及<br/> 回應於所述第一FBC與所述第二FBC之間的所述差在所述預定範圍之內，基於低於所述第一階躍電壓的第二階躍電壓調整所述讀取參考電壓。
如請求項23所述的記憶體系統，其中，所述讀取電壓用作用於從所述記憶體裝置讀取資料的初始讀取參考電壓。
如請求項23所述的記憶體系統，還包括：<br/> 使用所述讀取電壓作為用於從所述記憶體裝置讀取資料的讀取重試電壓，或者<br/> 使用所述讀取電壓作為用於從所述記憶體裝置讀取資料的軟解碼過程的基準電壓。
如請求項23所述的記憶體系統，其中，所述第一位元和所述第二位元均對應虛擬資料，所述虛擬資料是以下各項中的一個：<br/> 屬於被儲存在包括與字元線相關聯的記憶體單元的水平記憶體單元串中的多個頁的碼的資料，以及<br/> 被儲存在包括與字元線相關聯的記憶體單元的水平記憶體單元串中的多個頁的資料。
如請求項30所述的記憶體系統，還包括：<br/> 回應於用於讀取當前頁的ECC解碼的失敗，確定以下各項中的一個進行使用所述讀取電壓作為用於讀取所述當前頁的讀取參考電壓：<br/> 所述虛擬資料的所述當前頁；<br/> 所述虛擬資料的所述當前頁的相鄰頁；<br/> 所述當前頁的字元線組，所述當前頁包括所述虛擬資料；或<br/> 屬於超級頁的所述當前頁，其中，所述超級頁在與所述當前頁的平面或裸晶不同的平面或裸晶中包括所述虛擬資料。
如請求項30所述的記憶體系統，還包括：<br/> 將所述記憶體裝置中的塊確定為比所述記憶體裝置中的另一塊更易受翻轉位元錯誤影響的弱塊；以及<br/> 將所述虛擬資料寫入所述塊。
一種不當行為防止裝置，其特徵為具備： <br/> 上端固定構件，接觸於枕木的頂面； <br/> 下端固定構件，接觸於枕木的底面； <br/> 前述上端固定構件與前述下端固定構件形成連結，並安裝於枕木， <br/> 防挫曲樁板穿過形成於前述上端固定構件的樁板安裝部、及形成於前述下端固定構件的樁板插入部， <br/> 前述上端固定構件的頂壁抵接於枕木之側端部的頂面，從前述頂壁的側端，在前視視角中朝下方傾斜地形成側壁，從前述側壁的下端，在前視視角中朝左右延伸地形成下層壁，前述上端固定構件，在整個前述頂壁、前述側壁及前述下層壁，在側視視角中從左右端部朝上方成為ㄈ字型地形成前壁及後壁，前述下層壁形成有用來與防移動構件連結的連結用螺栓孔， <br/> 前述防移動構件，以1個上片構件與2個下片構件作為1組， <br/> 前述上片構件之上片頂壁的底面、與前述下片構件之下片底壁的頂面，為了卡合而分別形成有相等間隔的鋸齒，前述上片頂壁，在側視視角中從左右端部朝上方成為ㄈ字型地形成上片前壁及上片後壁，前述下片底壁，在側視視角中從左右端部朝下方成為ㄈ字型地形成下片前壁及下片後壁，在前述上片頂壁的兩端部及前述下片底壁的兩端部形成連結用螺栓孔，連結用鎖緊具穿過該連結用螺栓孔而形成連通，前述連結用鎖緊具將前述上片構件及前述下片構件固定， <br/> 其它的連結用鎖緊具穿過前述上端固定構件的前述下層壁及前述下片底壁之另一端的連結用螺栓孔而形成連通，該連結用鎖緊具將前述上端固定構件及前述下片構件固定， <br/> 以圍繞前述下片構件的方式安裝有板簧 <br/> 前述不當行為防止裝置係設成除了使用專用的螺帽板手，否則操作變得困難的構造。
一種用以氫化芳香族化合物的催化劑，其中 <br/>Ni的含量以NiO換算，相對於前述催化劑的全質量在40質量% ~ 90質量%的範圍內， <br/>Si的含量以SiO<sub>2</sub>換算，相對於前述催化劑的全質量在5質量% ~ 30質量%的範圍內， <br/>Mg的含量以MgO換算，相對於前述催化劑的全質量在0.5質量% ~ 20質量%的範圍內， <br/>由氮吸附法所得之細孔分布中，直徑在1nm~10nm之範圍內的細孔的容積(PV<sub>1-10</sub>)為0.2 mL/g 以上，且直徑在1nm~60nm之範圍內的細孔的容積(PV<sub>1-60</sub>)裡前述PV<sub>1-10</sub>所占的比例在60%以上， <br/>以X射線光電子分光法測定之催化劑表面的Ni<sup>3+</sup>濃度在60%以下。
如請求項1所述之催化劑，其比表面積在100m<sup>2</sup>/g~300m<sup>2</sup>/g的範圍內。
如請求項1所述之催化劑，其鎳微晶直徑在2nm~8nm的範圍。
一種具有低電磁干擾的電源轉換器，包含： <br/>一第一橋臂，包含一第一開關及一第二開關，該第一開關與該第二開關串聯連接於一第一接點； <br/>二變壓器，該二變壓器的二初級側形成一初級串接繞組且耦接至該第一接點，該二變壓器的二次級側串接形成一次級串接繞組； <br/>一次級側單元，與該次級串接繞組耦接； <br/>一訊號產生器，配置為分別提供多個控制訊號給該第一開關及該第二開關，以控制該些開關的導通狀態及導通頻率的至少其中之一；及 <br/>一頻率調整器，配置為依據一輸入頻率及一頻率抖動值，而對應地輸出一切換頻率； <br/>其中該訊號產生器接收該切換頻率，並依據該切換頻率對應地設置該些控制訊號所對應的頻率，而且該頻率調整器配置為操作在一頻率漸增模式及一頻率漸減模式之間，在該頻率漸增模式中，逐漸增加該切換頻率所對應的頻率抖動值，直到該頻率抖動值達到一預設最大值，則進入該頻率漸減模式，在該頻率漸減模式中，逐漸減少該切換頻率所對應的頻率抖動值，直到該頻率抖動值達到一預設最小值，則進入該頻率漸增模式。
如請求項1所述之具有低電磁干擾的電源轉換器，其中該電源轉換器另包含一第二橋臂，該第二橋臂並聯連接該第一橋臂，該第二橋臂包含一第三開關及一第四開關，該第三開關與該第四開關串聯連接於一第二接點，該初級串接繞組耦接於該第一接點與該第二接點之間。
如請求項2所述之具有低電磁干擾的電源轉換器，其中該訊號產生器產生一第一控制訊號、一第二控制訊號、一第三控制訊號及一第四控制訊號，分別用以控制該第一開關、該第二開關、該第三開關及該第四開關，而且該第一控制訊號與該第二控制訊號互補，該第三控制訊號與該第四控制訊號互補。
如請求項1所述之具有低電磁干擾的電源轉換器，其中該電源轉換器另包含一輸入電容，該輸入電容耦接至該第二開關，該初級串接繞組耦接於該第一接點與該輸入電容之間。
如請求項1所述之具有低電磁干擾的電源轉換器，其中該電源轉換器包含一第一電容及一第二電容，該第一電容及該第二電容串聯連接於一第二接點且形成一電容組，該電容組並聯連接該第一橋臂，該初級串接繞組耦接於該第一接點與該第二接點之間。
如請求項1所述之具有低電磁干擾的電源轉換器，其中該電源轉換器另包括一電壓控制器，該電壓控制器耦接該訊號產生器，該電壓控制器配置為產生一控制量至該訊號產生器。
如請求項6所述之具有低電磁干擾的電源轉換器，其中該電源轉換器另包括一減法器，該減法器耦接該電壓控制器且配置為接收一回授電壓以及一參考電壓來計算一誤差值，該回授電壓為該次級側單元的一輸出電壓的回授，該參考電壓為該輸出電壓的一參考電壓值。
如請求項1所述之具有低電磁干擾的電源轉換器，其中該頻率調整器包含一頻率抖動器及一比較器，該頻率抖動器耦接該比較器，且該頻率抖動器配置為輸出一頻率抖動值，該比較器配置為計算從該頻率調整器輸出的一切換頻率與該頻率抖動值的加總。
如請求項1所述之具有低電磁干擾的電源轉換器，其中該次級側單元包括半橋式的一整流電路及一輸出電容，該輸出電容耦接該整流電路及用於耦接一負載。
一種具有低電磁干擾的電源轉換器的運作方法，該運作方法包含： <br/>備置一第一橋臂、二變壓器、 一次級側單元、一訊號產生器及一頻率調整器，該些變壓器耦接在該第一橋臂及該次級側單元之間，該頻率調整器耦接該訊號產生器； <br/>將該頻率調整器操作在一頻率漸增模式及一頻率漸減模式之間，使該頻率調整器依據一輸入頻率及一頻率抖動值，而對應地輸出一切換頻率，在該頻率漸增模式中，逐漸增加該切換頻率所對應的頻率抖動值，直到該頻率抖動值達到一預設最大值，則進入該頻率漸減模式，在該頻率漸減模式中，逐漸減少該切換頻率所對應的頻率抖動值，直到該頻率抖動值達到一預設最小值，則進入該頻率漸增模式； <br/>利用該訊號產生器接收該切換頻率，並依據該切換頻率對應地設置多個控制訊號所對應的頻率；及 <br/>透過該訊號產生器分別提供該些控制訊號給該第一橋臂的一第一開關及一第二開關，以控制該些開關的導通狀態及導通頻率的至少其中之一。
一種基於端射輻射子陣列分解之封裝天線，包括： 一天線陣列，包括複數極化天線子陣列，各該極化天線子陣列設置於一複合介電基板； <br/>複數載板，各該載板之一側面接合該複合介電基板； <br/>複數隔離件，設置於該等載板之間，使該等載板彼此相隔一間距堆疊； <br/>複數射頻晶片，分別設置於該等載板上，各該射頻晶片電性連接該極化天線子陣列；以及 <br/>該等載板相對於該天線陣列之一側面可設置於一電路板上，使該天線陣列輻射電磁波之方向垂直於該電路板之表面。
如請求項1所述基於端射輻射子陣列分解之封裝天線，其中各該極化天線子陣列包括複數水平極化天線單元及複數垂直極化天線單元，該複合介電基板包括一第一介電層、一第二介電層及一第三介電層，該第二介電層位於該第一介電層與該第三介電層之間。
如請求項2所述基於端射輻射子陣列分解之封裝天線，其中各該水平極化天線單元包括：一接地共面波導、一第一領結形天線、一帶狀線、一鉤形饋入線、一訊號過孔及一第二領結形天線，該第一領結形天線設置於該第一介電層，該帶狀線及該鉤形饋入線設置於該第二介電層，該訊號過孔連接該接地共面波導且穿過該第一介電層，該帶狀線之二端分別連接該鉤形饋入線與該訊號過孔；該第二領結形天線設置於該第三介電層。
如請求項3所述基於端射輻射子陣列分解之封裝天線，其中該接地共面波導包括：一第一金屬層、一訊號線、一第二金屬層、一第三金屬層及二隔離過孔牆；該第一金屬層及該訊號線設置於該第一介電層，該第一金屬層具有一訊號線槽及一第一饋入槽，該訊號線設置於該訊號線槽內且連接該訊號過孔，該第一領結形天線位於該第一饋入槽之開口兩側而連接該第一金屬層；該第二金屬層夾置於該第一介電層與該第二介電層之間；該第三金屬層夾置於該第二介電層與該第三介電層之間，該第三金屬層具有一第二饋入槽，該第二領結形天線位於該第二饋入槽之開口兩側而連接該第三金屬層；該二隔離過孔牆設置該第二金屬層，包含複數隔離過孔，該等隔離過孔之一端穿過該第一介電層而連接該第一金屬層，該等隔離過孔之另一端穿過該第二介電層而連接該第三金屬層。
如請求項2所述基於端射輻射子陣列分解之封裝天線，其中各該垂直極化天線單元包括：一基板整合波導、二第一磁電單極天線及二第二磁電單極天線，該二第一磁電單極天線夾置於該第二介電層與該第三介電層之間且連接該基板整合波導，該二第二磁電單極天線設置於該第三介電層相對於該二第一磁電單極天線之表面，該二第二磁電單極天線具有連接柱，該連接柱穿過該第三介電層而連接該第一磁電單極天線。
如請求項5所述基於端射輻射子陣列分解之封裝天線，其中該基板整合波導包括一第一金屬層、一微帶線、一第二金屬層、一第三金屬、二隔離過孔牆、一第四金屬層及一反射過孔牆，該第一金屬層及該微帶線設置於該第一介電層，該微帶線連接該第一金屬層；該第二金屬層夾置於該第一介電層與該第二介電層之間，該二隔離過孔牆設置於該第二金屬層，包含複數隔離過孔，該等隔離過孔之一端穿過該第一介電層而連接該第一金屬層，該等隔離過孔之另一端穿過該第二介電層而連接該第三金屬層；該第三金屬層夾置於該第二介電層與該第三介電層之間，該二第一磁電單極天線連接該第三金屬層；該第四金屬層設置於該第三介電層相對於該第三金屬之表面，該反射過孔牆設置於該第四金屬層，包括複數反射過孔，該等反射過孔之一端穿過該第三介電層而連接該第三金屬層。
如請求項4或6所述基於端射輻射子陣列分解之封裝天線，其中該天線陣列之該等水平極化天線單元與該等垂直極化天線單元交錯排列，各該極化天線子陣列中相鄰之該水平極化天線單元與該垂直極化天線單元共用該隔離過孔牆。
如請求項2所述基於端射輻射子陣列分解之封裝天線，其中各該極化天線子陣列中之該等水平極化天線單元鏡像排列。
如請求項1所述基於端射輻射子陣列分解之封裝天線，其中該等隔離件為虛擬晶圓或焊球。
如請求項1所述基於端射輻射子陣列分解之封裝天線，其中該天線陣列輻射電磁波之頻率範圍介於250-310 GHz。
一種含鋁金屬塑膠複合材料之鋁分離回收方法，包括：<br/>準備步驟，準備操作溶液，其為甲酸與乳酸的混合溶液，其中，該操作溶液中含有20至40wt%之甲酸，且甲酸與乳酸之添加體積比為8:1至12:1；<br/>溶解步驟，使含鋁金屬塑膠複合材料與該操作溶液接觸，以使該含鋁金屬塑膠複合材料中的鋁金屬成分脫離塑膠成分、溶解並生成包含甲酸鋁的鋁鹽，其化學反應包含如下反應：<br/>2Al + 6HCOOH → 2Al(HCOO)<sub>3</sub>+ 3H<sub>2</sub>↑；以及<br/>回收步驟，從該操作溶液中回收生成之鋁鹽。
如請求項1之鋁分離回收方法，其中，該操作溶液之pH值介於約0.74至0.1之間。
如請求項1之鋁分離回收方法，其中，該操作溶液之甲酸濃度為25至35wt%，且pH值介於0.59至0.27之間。
如請求項1之鋁分離回收方法，其中，在該溶解步驟中，使該操作溶液在攝氏70度至100度之間的溫度下與該含鋁金屬塑膠複合材料接觸。
如請求項1之鋁分離回收方法，其中，在該溶解步驟中，對該含鋁金屬塑膠複合材料和該操作溶液的混合物施以攪拌或震盪。
如請求項1之鋁分離回收方法，其中，在該溶解步驟中，監測該操作溶液之pH值，當該pH值高於0.74時向該操作溶液中以8:1至12:1的體積比補充甲酸及乳酸，以將該操作溶液之pH值控制在約0.74至0.1的範圍內。
如請求項1之鋁分離回收方法，其中<br/>在該溶解步驟中，持續向該操作溶液中投入含鋁金屬塑膠複合材料，以使其中的鋁金屬成分持續脫離塑膠成分、溶解並生成包含甲酸鋁的鋁鹽，從而使該操作溶液中的該鋁鹽達到飽和而析出，並且<br/>在該回收步驟中，從該操作溶液中回收析出之鋁鹽。
如請求項1之鋁分離回收方法，其中<br/>在該溶解步驟中，進一步向該操作溶液中添加額外的鋁金屬，以使該額外的鋁金屬溶解並生成包含甲酸鋁的鋁鹽，從而使該操作溶液中的該鋁鹽達到飽和而析出，並且<br/>在該回收步驟中，從該操作溶液中回收析出之鋁鹽。
如請求項7或8之鋁分離回收方法，其中，在該回收步驟中，透過離心或過濾的方式從該操作溶液中回收析出之鋁鹽。
如請求項9之鋁分離回收方法，其中，將該回收步驟中回收析出之鋁鹽後所得之上清液或濾液用作該準備步驟中的該操作溶液。
一種展示箱，用於展示一展示物，包含： <br/> 一本體，具有一容置空間及一側開口，該容置空間供放置該展示物；<br/> 一顯示面板，設置於該本體並遮蔽該側開口，該顯示面板具有相背對之一第一側以及一第二側，該第一側面向該容置空間，該第二側則背向該容置空間，且該第一側往該第二側方向之透光率，大於該第二側往該第一側方向之透光率；<br/> 一AI伺服器，設置於該本體並電性連接該顯示面板，該AI伺服器包含一處理單元，用以將接收之一訊號轉換為一文本，該處理單元解析該文本之語意並提出一回覆，該顯示面板顯示該回覆；以及<br/> 一光源，設置於該本體內，且可受控制地開啟或關閉；<br/> 其中該處理單元解析該文本之語意，該處理單元對該文本之語意與該展示物之關聯度進行評分並生成一關聯度評分結果，當該關聯度評分結果低於一預定閥值時，該處理單元提出之該回覆包含該文本之語意與該展示物不相關之提示。
一種展示箱，用於展示一展示物，包含： <br/> 一本體，具有一容置空間及一側開口，該容置空間供放置該展示物；<br/> 一顯示面板，設置於該本體並遮蔽該側開口，該顯示面板具有相背對之一第一側以及一第二側，該第一側面向該容置空間，該第二側則背向該容置空間，且該第一側往該第二側方向之透光率，大於該第二側往該第一側方向之透光率；<br/> 一AI伺服器，設置於該本體並電性連接該顯示面板，該AI伺服器包含一處理單元，用以將接收之一訊號轉換為一文本，該處理單元解析該文本之語意並提出一回覆，該顯示面板顯示該回覆；以及<br/> 一光源，設置於該本體內，且可受控制地開啟或關閉；<br/> ，其中該處理單元解析該文本之語意，該處理單元對該文本之語意之安全度進行評分並生成一安全度評分結果，當該安全度評分結果高於一安全閥值時，該處理單元提出之該回覆包含該文本之語意不恰當之提示。
如請求項1或2所述之展示箱，其中該顯示面板具有一控制介面供使用者輸入一資料，該顯示面板基於該資料輸出該訊號至該AI伺服器。
如請求項1或2所述之展示箱，包含一攝影機，設置於該本體，並與該AI伺服器電性連接，該攝影機擷取一影像輸出至該AI伺服器，該處理單元解析該影像並基於該影像提出一建議，該顯示面板顯示該建議。
如請求項4所述之展示箱，其中該影像包含使用者之身體部位。
如請求項1或2所述之展示箱，包含一語音裝置，設置於該本體，並與該AI伺服器電性連接，該語音裝置供使用者輸入一資料，該語音裝置基於該資料輸出該訊號至該AI伺服器，該語音裝置播放該回覆。
如請求項1或2所述之展示箱，其中該AI伺服器設置於該本體之底部。
如請求項1或2所述之展示箱，其中該回覆包含該展示物之產品資訊。
一種溫度提醒智慧杯墊，包括： <br/>一杯墊本體，包括一底座與一立柱；該底座具有一周圍部位，該立柱係豎直的柱體且以底部連接於該周圍部位的一側； <br/>一溫度感測頭，包括一感測元件外殼與一紅外線溫度感測元件；該感測元件外殼結合於該立柱的頂部，該紅外線溫度感測元件結合於該感測元件外殼，該紅外線溫度感測元件朝向該底座的方向感測一即時溫度；以及 <br/>一溫度提醒系統，係於該杯墊本體設置一啟動開關、一溫度設定鈕、一顯示器、一警示器、一電源供應模組與一控制器；該啟動開關、該溫度設定鈕、該顯示器、該警示器、該電源供應模組，以及該紅外線溫度感測元件分別與該控制器電連接；該啟動開關用以啟動該控制器，該溫度設定鈕用以於該控制器設定一設定溫度，該顯示器用以顯示該即時溫度和/或該設定溫度；該控制器持續由該紅外線溫度感測元件接收該即時溫度與該設定溫度比較，當該即時溫度由高於該設定溫度降低至等於該設定溫度，該控制器控制該警示器發出一警示訊號。
如請求項1所述之溫度提醒智慧杯墊，其中該底座的中間具有一中間部位，該周圍部位連接於該中間部位的周圍；該中間部位具有向上開口的一凹槽，該啟動開關包括一重量感測器，該重量感測器固定於該凹槽的底面，於該凹槽內設置一墊體，該墊體受該重量感測器支撐，當該墊體的表面受力時觸發該重量感測器啟動該控制器。
如請求項2所述之溫度提醒智慧杯墊，其中於該墊體設置一發熱線圈模組，該發熱線圈模組與該控制器電連接。
如請求項1所述之溫度提醒智慧杯墊，其中該底座係盤形的殼體；該電源供應模組與該控制器分別安裝於該底座內固定，該電源供應模組包括一電源插口，該電源插口與該控制器電連接，且該電源插口由該周圍部位的側面向外露出。
如請求項4所述之溫度提醒智慧杯墊，其中該電源供應模組還包括一電池，該電池與該控制器電連接。
如請求項4所述之溫度提醒智慧杯墊，其中該杯墊本體還包括一顯示器外殼，該顯示器外殼的底部連接於該周圍部位的一側，且該顯示器外殼朝向該底座的一側具有一顯示窗口；該顯示器結合於該顯示器外殼且由該顯示窗口向外露出，該啟動開關、該溫度設定鈕，以及該警示器分別結合於該顯示器外殼。
如請求項6所述之溫度提醒智慧杯墊，其中該顯示器係至少兩位數的七段顯示器或液晶顯示器；該啟動開關與該溫度設定鈕分別係按鈕；該警示器係蜂鳴器。
如請求項1所述之溫度提醒智慧杯墊，其中該立柱包括一下段桿體、一上段桿體、一旋轉驅動器，以及一俯仰驅動器；該下段桿體係豎直的桿體且以底部連接於該周圍部位的一側；該上段桿體的底部以同軸且可自轉的方式結合於該下段桿體的頂部，該上段桿體的頂部具有一樞接座；該感測元件外殼以可俯仰擺動的型態樞接於該樞接座；該旋轉驅動器結合於該下段桿體的頂部周圍，用以驅動該上段桿體左右擺動，該旋轉驅動器與該控制器電連接；該俯仰驅動器結合於該上段桿體，用以驅動該感測元件外殼俯仰擺動，該俯仰驅動器與該控制器電連接。
如請求項8所述之溫度提醒智慧杯墊，其中該下段桿體的頂面中央具有一轉軸孔；該上段桿體的底面中央具有一轉軸，該轉軸以可自轉的方式穿置於該轉軸孔；於該上段桿體的周面結合一齒輪，該旋轉驅動器包括一旋轉馬達與一旋轉齒輪，該旋轉馬達結合於該下段桿體且與該控制器電連接，該旋轉齒輪結合於該旋轉馬達且嚙合於該齒輪；於該感測元件外殼連接一俯仰軸，該俯仰軸橫向地樞穿該樞接座，於該俯仰軸套合固定一渦輪；該俯仰驅動器包括一俯仰馬達與一渦桿，該俯仰馬達結合於該上段桿體且與該控制器電連接，該渦桿結合於該俯仰馬達且嚙合於該渦輪。
如請求項8所述之溫度提醒智慧杯墊，其中該底座的中間具有一中間部位，該周圍部位連接於該中間部位的周圍；紅外線溫度感測元件的中央朝向該中間部位的狀態定義為一起始位置；當該啟動開關啟動該控制器，該控制器控制該旋轉驅動器驅動該上段桿體由該起始位置左右擺動一次，且該控制器控制該俯仰驅動器驅動該感測元件外殼由該起始位置俯仰擺動一次；該控制器控制該旋轉驅動器將該上段桿體的位置停止於該上段桿體左右擺動的過程中，該紅外線溫度感測元件感測到溫度最高時的位置；該控制器控制該俯仰驅動器將該感測元件外殼的位置停止於該感測元件外殼俯仰擺動的過程中，該紅外線溫度感測元件感測到溫度最高時的位置。
一種硬碟模組，其特徵在於，包括：<br/> 硬碟本體，所述硬碟本體設有第一電連接部；散熱件，所述散熱件與所述硬碟本體連接並具有相對的第一側和第二側，所述第一側朝向所述硬碟本體設置，所述散熱件設有貫穿所述第一側和所述第二側的第一避位口，所述第一避位口的位置與所述第一電連接部的位置對應，所述散熱件具有液冷腔，所述第二側設有進液部和出液部，所述進液部和所述出液部均與所述液冷腔連通；以及背板，所述背板位於所述第二側並設有第二電連接部，所述第二電連接部與所述第一電連接部中的至少一者穿設於所述第一避位口，以使所述第二電連接部與所述第一電連接部電連接。
如請求項1所述的硬碟模組，其中所述背板設有第二避位口和第三避位口，所述進液部穿設於所述第二避位口，所述出液部穿設於所述第三避位口。
如請求項1所述的硬碟模組，其中所述硬碟本體設有至少兩個，所述第一避位口設有至少兩個並與所述硬碟本體一一對應設置，所述第二電連接部設有至少兩個並與所述硬碟本體一一對應設置。
如請求項1所述的硬碟模組，其中所述硬碟模組還包括安裝件，所述安裝件具有相連通的安裝腔和安裝口，所述安裝腔用於安裝所述硬碟本體，所述第一電連接部朝向所述安裝口設置，所述散熱件設於所述安裝件並位於所述安裝口，所述背板與所述安裝件連接。
如請求項4所述的硬碟模組，其中所述安裝件設有第一安裝部，所述散熱件設有第二安裝部，所述第一安裝部與所述第二安裝部組配，所述安裝件還設有第三安裝部，所述背板設有第四安裝部，所述第三安裝部位於所述第二側，所述第四安裝部與所述第三安裝部組配。
如請求項5所述的硬碟模組，其中所述硬碟模組還包括第一螺紋部件，所述第一安裝部設有第一螺孔，所述第二安裝部設有第一通孔，所述第一螺紋部件穿設於所述第一通孔並與所述第一螺孔螺接。
如請求項5所述的硬碟模組，其中所述硬碟模組還包括第二螺紋部件，所述第三安裝部設有第二螺孔，所述第四安裝部設有第二通孔，所述第二螺紋部件穿設於所述第二通孔並與所述第二螺孔螺接。
如請求項7所述的硬碟模組，其中所述安裝件還設有定位鉤，所述背板開設有條形通孔，所述條形通孔的徑向沿所述背板的第一方向延伸設置，所述定位鉤用於與所述條形通孔組配；<br/> 其中，當所述定位鉤的鉤腹與所述條形通孔的孔壁抵接時，所述第二螺孔的軸線與所述第二通孔的軸線共線；或者，所述背板還設有定位鉤，所述安裝件開設有條形通孔，所述條形通孔的徑向沿所述安裝件的第二方向延伸設置，所述定位鉤用於與所述條形通孔組配；其中，當所述定位鉤的鉤腹與所述條形通孔的孔壁抵接時，所述第二螺孔的軸線與所述第二通孔的軸線共線。
如請求項7所述的硬碟模組，其中所述背板設有組裝通孔，所述組裝通孔包括第一孔段和第二孔段，所述第一孔段和所述第二孔段沿所述背板的第一方向連通設置，所述第一孔段的孔徑小於所述第二孔段的孔徑，所述硬碟模組還包括限位桿，所述限位桿的一端設於所述安裝件，所述限位桿的另一端設有限位部，所述限位部能夠穿過所述第二孔段，所述限位桿能夠在所述第一孔段和所述第二孔段之間往復移動；<br/> 其中，當所述限位桿穿設於所述第一孔段時，所述限位部抵接於所述背板遠離所述散熱件的一側，所述第二螺孔的軸線與所述第二通孔的軸線共線。
一種伺服器，其特徵在於，所述伺服器包括機箱以及如請求項1-9任一項所述的硬碟模組，所述硬碟模組設於所述機箱內。
一種車用液冷散熱器，包括：沖壓上蓋；鍛造下蓋；冷卻液進出結構；及一或多個金屬鰭片；其中，所述沖壓上蓋的凹槽狀區域與所述鍛造下蓋之間形成有供冷卻液流動的流道結構，所述流道結構與所述冷卻液進出結構呈連通設置，所述沖壓上蓋的凹槽狀區域的周圍與所述鍛造下蓋以第一釬焊層形成接合；一或多個所述金屬鰭片位於所述流道結構之中，一或多個所述金屬鰭片與所述沖壓上蓋以第二釬焊層形成接合，一或多個所述金屬鰭片與所述鍛造下蓋以第三釬焊層形成接合；所述鍛造下蓋相對的上下表面分別為散熱接觸面與熱源接觸面，所述散熱接觸面與所述冷卻液形成直接接觸並透過所述第三釬焊層與一或多個所述金屬鰭片形成熱接觸，所述熱源接觸面用以與熱源形成接觸，且所述熱源接觸面形成有至少三個不同面積的凸台或凹槽；其中，所述沖壓上蓋為沖壓成型的沖壓鋁或鋁合金件，所述鍛造下蓋為鍛造成型的鍛造鋁或鋁合金件，所述熱源接觸面形成的所述至少三個不同面積的凸台或凹槽以鍛造方式與所述鍛造下蓋一體成型，所述熱源接觸面形成的所述至少三個不同面積的凸台或凹槽用以接觸所述熱源之表面形成有一膜層，所述膜層包含一或多種以下元素:銅、鎳、銀。
如請求項1所述的車用液冷散熱器，其中，所述冷卻液進出結構設置在所述沖壓上蓋及所述鍛造下蓋的至少其一。
如請求項2所述的車用液冷散熱器，其中，所述冷卻液進出結構為冷卻液進水頭及冷卻液出水頭。
如請求項2所述的車用液冷散熱器，其中，所述冷卻液進出結構為冷卻液進水口及冷卻液出水口。
如請求項1所述的車用液冷散熱器，其中，所述沖壓上蓋的凹槽狀區域形成所述流道結構的上部、左部及右部，所述鍛造下蓋的平板狀區域形成所述流道結構的下半部。
如請求項1所述的車用液冷散熱器，其中，每個所述凸台的拔模角度是大於等於2度。
如請求項1所述的車用液冷散熱器，其中，所述第一釬焊層、所述第二釬焊層、及所述第三釬焊層的至少70%厚度分別是在0.3mm以下。
一種塑膠基材塗敷用的水性液狀組成物，係用於對塑膠基材的塗敷；前述塑膠基材塗敷用的水性液狀組成物係含有：<br/> 丙烯酸樹脂(A)，係酸價為80mgKOH/g以上至260mgKOH/g以下，惟不包含丙烯酸乳液樹脂；<br/> 丙烯酸乳液樹脂(B)，係酸價為10mgKOH/g以上至未達80mgKOH/g，且玻璃轉移溫度為0℃至60℃；<br/> 溶劑(C)，係選自由下述式(c1)中n為1且R<sup>1</sup>以及R<sup>2</sup>為氫原子之烷二醇、下述式(c1)中n為2且R<sup>1</sup>以及R<sup>2</sup>為氫原子之二烷二醇、下述式(c1)中n為3且R<sup>1</sup>以及R<sup>2</sup>為氫原子之三烷二醇、下述式(c1)中n為1且R<sup>1</sup>或R<sup>2</sup>中之一者為氫原子，另一者為烷基之單烷二醇單烷基醚、以及下述式(c1)中n為2以上且R<sup>1</sup>或R<sup>2</sup>中之一者為氫原子，另一者為烷基之聚烷二醇單烷基醚所組成之群組中之至少一種；<br/> 水性媒質(D)，惟不包含前述溶劑(C)；<br/> 大粒徑蠟(E)，係平均粒徑為1.5μm以上，且針入度為7至12；以及<br/> 小粒徑蠟(F)，係平均粒徑為未達1.5μm，且針入度為0.3至7；<br/> 前述針入度係藉由根據JIS K-2235-6.3-93之方法所測定之值；<br/> 相對於前述水性液狀組成物之固體成分的總質量，前述丙烯酸樹脂(A)之固體成分的含量為8.2質量%至60質量%，前述丙烯酸乳液樹脂(B)之固體成分的含量為20質量%至82質量%；<br/> 表示前述丙烯酸乳液樹脂(B)之固體成分相對於前述丙烯酸樹脂(A)之固體成分的質量比之(B)/(A)為0.25/1至10/1；<br/> 表示總揮發成分相對於前述溶劑(C)的質量比之揮發成分/(C)為3/1至20/1；<br/> 相對於前述水性液狀組成物中之固體成分的總質量，前述大粒徑蠟(E)之固體成分與前述小粒徑蠟(F)之固體成分的合計含量為1質量%至20質量%；<br/> R<sup>1</sup>-O-(AO)n-R<sup>2</sup> (c1)<br/> 式(c1)中之R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>分別獨立地為氫原子、或者碳原子數1至碳原子數4之直鏈或支鏈的烷基，R<sup>1</sup>與R<sup>2</sup>係可互為相同，亦可相異，A係碳原子數2至碳原子數4之直鏈或支鏈的伸烷基，n係1至6之整數，在n為2以上之情形，n個A係可互為相同，亦可相異。
如請求項1所記載之塑膠基材塗敷用的水性液狀組成物，其中前述丙烯酸樹脂(A)的重量平均分子量為2,000至20,000。
如請求項1所記載之塑膠基材塗敷用的水性液狀組成物，其中前述溶劑(C)的引火點為0℃至140℃。
如請求項1所記載之塑膠基材塗敷用的水性液狀組成物，其引火點為超過60℃。
如請求項1所記載之塑膠基材塗敷用的水性液狀組成物，其中相對於前述水性液狀組成物的總質量，前述水性液狀組成物之固體成分的總質量為10質量%至40質量%。
如請求項1所記載之塑膠基材塗敷用的水性液狀組成物，其中前述溶劑(C)的沸點為170℃至250℃，且相對於前述水性液狀組成物的總質量，前述溶劑(C)的含量為1質量%至22質量%。
如請求項1所記載之塑膠基材塗敷用的水性液狀組成物，其中前述大粒徑蠟(E)的平均粒徑為1.5μm以上至5μm以下；<br/> 前述小粒徑蠟(F)的平均粒徑為0.4μm以上至未達1.5μm。
如請求項1所記載之塑膠基材塗敷用的水性液狀組成物，其中表示前述溶劑(C)的含量相對於前述大粒徑蠟(E)與前述小粒徑蠟(F)之固體成分的合計含量的質量比之(C)/((E)+(F))為0.5/1至15/1。
如請求項1所記載之塑膠基材塗敷用的水性液狀組成物，係用來與硬化劑一起使用。
如請求項1所記載之塑膠基材塗敷用的水性液狀組成物，係用於選自水性清漆、水性介質、以及水性底漆中之1種以上。
一種水性油墨，係含有如請求項1所記載之塑膠基材塗敷用的水性液狀組成物、以及顏料。
一種積層體，係具有將如請求項11所記載之水性油墨印刷於塑膠基材上所形成之印刷層。
如請求項12所記載之積層體，其中在前述印刷層上進一步具有將鋪印白墨用白色油墨予以印刷所形成之白色印刷層。
如請求項12所記載之積層體，其中前述印刷層的60度鏡面光澤度為70%以上。
一種積層體，係在將鋪印白墨用白色油墨印刷於塑膠基材上所形成之白色印刷層上進一步具有印刷層，前述印刷層係印刷如請求項11所記載之水性油墨所形成。
一種積層體，係在塑膠基材上具有塗敷由如請求項1所記載之塑膠基材塗敷用的水性液狀組成物所構成之水性底漆所形成之底漆層，在前述底漆層上具有印刷如請求項11所記載之水性油墨所形成之印刷層，在前述印刷層上具有將鋪印白墨用白色油墨予以印刷所形成之白色印刷層。
一種積層體，係在塑膠基材上具有塗敷由如請求項1所記載之塑膠基材塗敷用的水性液狀組成物所構成之水性底漆所形成之底漆層，在前述底漆層上具有將鋪印白墨用白色油墨予以印刷所形成之白色印刷層，在前述白色印刷層上具有印刷如請求項11所記載之水性油墨所形成之印刷層。
如請求項12至17中任一項所記載之積層體，其中具有塗敷由如請求項1所記載之塑膠基材塗敷用的水性液狀組成物所構成之水性清漆所形成之清漆層作為最上層。
一種積層體，係在塑膠基材上存在底漆層及清漆層中之一者或兩者、以及含有顏料之印刷層，前述底漆層係不含顏料且相接於前述塑膠基材而設置，前述清漆層係不含顏料且設置於最上層，前述底漆層、前述清漆層、以及前述含有顏料之印刷層中之1層以上為塗敷含有如請求項1所記載之塑膠基材塗敷用的水性液狀組成物之塗敷液所形成之層。
如請求項19所記載之積層體，其中塗敷含有前述水性液狀組成物之塗敷液所形成之層的60度鏡面光澤度為70%以上。
一種標籤，係使用如請求項12至20中任一項所記載之積層體所獲得。
一種包裝材，係使用如請求項12至20中任一項所記載之積層體所獲得。
一種半導體元件，包括： <br/>一基板，具有設置於其上的一第一介電層； <br/>一底部電極結構，設置於該第一介電層之上，其中該底部電極結構包括： <br/>一第一金屬層； <br/>一第二金屬層，設置於該第一金屬層之上； <br/>一第三金屬層，設置於該第二金屬層之上； <br/>一第四金屬層，設置於該第三金屬層之上； <br/>一第五金屬層，設置於該第四金屬層之上； <br/>一第六金屬層，設置於該第五金屬層之上；以及 <br/>一第七金屬層，設置於該第六金屬層之上， <br/>其中該第一金屬層、該第三金屬層、該第五金屬層和該第七金屬層包括一第一金屬材料，且該第二金屬層、該第四金屬層和該第六金屬層包括一第二金屬材料，其與該第一金屬材料不同； <br/>一高介電常數介電結構，設置於該底部電極結構的相對側壁上，其中該底部電極結構的相對側壁為階梯狀； <br/>一頂部電極結構，橫向圍繞該底部電極結構，且透過該高介電常數介電結構與該底部電極結構間隔開； <br/>一第一導電插塞，設置於該頂部電極結構之上； <br/>一第二導電插塞，設置於該底部電極結構之上； <br/>一第三導電插塞，設置於該頂部電極結構之上，其中該第一導電插塞、該第二導電插塞和該第三導電插塞與彼此間隔開；以及 <br/>一第一氣隙結構和一第二氣隙結構，設置於該底部電極結構、該高介電常數介電結構和該頂部電極結構之上，其中該第一氣隙結構設置於該第一導電插塞與該第二導電插塞之間，且該第二氣隙結構設置於該第二導電插塞與該第三導電插塞之間。
如請求項1所述之半導體元件，其中該第一金屬層具有一第一寬度，該第二金屬層具有一第二寬度，該第三金屬層具有一第三寬度，該第四金屬層具有一第四寬度，該第五金屬層具有一第五寬度，該第六金屬層具有一第六寬度，且該第七金屬層具有一第七寬度， <br/>其中該第一寬度大於該第三寬度，該第三寬度大於該第五寬度，且該第五寬度大於該第七寬度，其中該第二寬度大於該第四寬度，且該第四寬度大於該第六寬度。
如請求項2所述之半導體元件，其中該第三寬度大於該第二寬度，該第五寬度大於該第四寬度，且該第七寬度大於該第六寬度。
如請求項1所述之半導體元件，其中該頂部電極結構的一部分延伸於該第一金屬層與該第三金屬層之間。
如請求項4所述之半導體元件，其中該頂部電極結構的另一部分延伸於該第三金屬層與該第五金屬層之間。
如請求項1所述之半導體元件，其中該底部電極結構的一頂表面、該高介電常數介電結構的一頂表面、和該頂部電極結構的一頂表面實質上與彼此共平面。
如請求項1所述之半導體元件，其中該第一介電層透過該高介電常數介電結構與該頂部電極結構間隔開。
如請求項1所述之半導體元件，更包括一第二介電層，設置於該第一介電層之上並透過該高介電常數介電結構與該頂部電極結構橫向間隔開。
如請求項1所述之半導體元件，其中該第一金屬材料為鋁(Al)，且該第二金屬材料為銅(Cu)。
如請求項1所述之半導體元件，其中該第一導電插塞、該第二導電插塞和該第三導電插塞包括銅(Cu)。
如請求項8所述之半導體元件，其中該第一氣隙結構和該第二氣隙結構設置於該第二導電插塞的相對側上。
如請求項11所述之半導體元件，其中該第一氣隙結構包括由一第一襯層封閉的一第一氣隙，且該第二氣隙結構包括由一第二襯層封閉的一第二氣隙。
如請求項12所述之半導體元件，更包括 <br/>一第三介電層，設置於該底部電極結構、該高介電常數介電結構、該頂部電極結構和該第二介電層之上，其中該第一導電插塞、該第二導電插塞、該第三導電插塞、該第一氣隙結構和該第二氣隙結構設置於該第三介電層中；以及 <br/>一第四介電層和一第五介電層，設置於該第三介電層中，其中該第四介電層設置於該第一氣隙結構之上，且該第五介電層設置於該第二氣隙結構之上。
如請求項13所述之半導體元件，其中該第四介電層透過該第一氣隙結構與該底部電極結構、該高介電常數介電結構和該頂部電極結構間隔開，其中該第五介電層透過該第二氣隙結構與該底部電極結構、該高介電常數介電結構和該頂部電極結構間隔開。
如請求項14所述之半導體元件，更包括： <br/>一第一導電焊墊，設置於該第一導電插塞之上； <br/>一第二導電焊墊，設置於該第二導電插塞之上；以及 <br/>一第三導電焊墊，設置於該第三導電插塞之上。
如請求項15所述之半導體元件，其中該第一導電焊墊透過該第一導電插塞電性連接至該頂部電極結構，該第二導電焊墊透過該第二導電插塞電性連接至該底部電極結構，且該第三導電焊墊透過該第三導電插塞電性連接至該頂部電極結構。
一種用於行動裝置的對接適配器，該對接適配器包含： <br/>一適配器本體，其包含一後蓋板，以及耦合到該後蓋板的一連接器本體，該後蓋板配置用於抵靠該行動裝置或內含該行動裝置的一外殼之一後表面之一部分布置，其中當耦合到該行動裝置時，該對接適配器僅接合該行動裝置或內含該行動裝置的該外殼之該後表面和一單一側表面； <br/>一適配器連接器，其至少部分布置在該連接器本體中，該適配器連接器包含配置用於插入到該行動裝置之一母頭連接器中的一公頭插頭，該公頭插頭包含配置用於電耦合至該行動裝置的複數第一接點； <br/>電耦合至該等第一接點並配置用於電耦合至一對接座或其他外部裝置的複數第二接點；以及 <br/>以下兩者擇一：a)永久耦合到該適配器本體之該後蓋板並遠離該後蓋板延伸的一對接按鈕，或b)界定在該適配器本體之該後蓋板中或附接到該後蓋板並配置成收納一對接按鈕的一對接按鈕凹口。
如請求項1之對接適配器，其中該適配器連接器更包含一接觸器，其相對該公頭插頭布置並透過該連接器本體中的一開口暴露，其中該等第二接點係布置在該接觸器上。
如請求項1之對接適配器，更包含第三接點，其配置用於與該行動裝置或該外殼之一後表面上的接點接合。
如請求項1之對接適配器，其中該等第二接點之至少一部分係布置在該對接按鈕或該對接按鈕凹口上。
如請求項4之對接適配器，其中該適配器連接 器更包含一接觸器，其相對該公頭插頭布置並透過該連接器本體中的一開口暴露，其中該等第二接點之另一部分係布置在該接觸器上。
如請求項1之對接適配器，其中該對接按鈕具有選自三角形、正方形、矩形、菱形、梯形、五邊形、六邊形、八邊形、或十邊形的一形狀。
如請求項1之對接適配器，更包含一條帶，其耦合到該適配器本體以供收納一使用者之一手部。
如請求項1之對接適配器，其中該適配器連接器更包含一母頭連接器，其電耦合至該公頭插頭。
如請求項8之對接適配器，其中該母頭連接器係定位為當該行動裝置係耦合到該對接適配器時，鄰接該行動裝置或該外殼之一後表面。
如請求項1之對接適配器，其中該適配器本體包含一外緣，其在該後蓋板之至少一部分周圍延伸。
如請求項1之對接適配器，更包含黏著劑，其布置在至少該後蓋板上。
如請求項11之對接適配器，其中該適配器本體和黏著劑係配置成在該對接適配器係黏著附接到該行動裝置或外殼時，在該對接適配器周圍生成一防水密封。
一種系統，包含： <br/>如請求項1之對接適配器；以及 <br/>一對接座，其配置用於收納該對接適配器之該對接按鈕。
如請求項13之系統，更包含該行動裝置。
如請求項14之系統，更包含一外殼，其配置成內含該行動裝置。
一種用於行動裝置的對接適配器，該對接適配器包含： <br/>一適配器本體，其包含一後蓋板，以及耦合到該後蓋板的一連接器本體，該後蓋板配置用於抵靠該行動裝置或內含該行動裝置的一外殼之一後表面之一部分布置； <br/>一適配器連接器，其至少部分布置在該連接器本體中，該適配器連接器包含配置用於插入到該行動裝置之一母頭連接器中的一公頭插頭，並包含配置用於電耦合至該行動裝置的複數第一接點，以及電耦合至該等第一接點並配置用於電耦合至一對接座或其他外部裝置的複數第二接點； <br/>以下兩者擇一：a)永久耦合到該適配器本體之該後蓋板並遠離該後蓋板延伸的一對接按鈕，或b)界定在該適配器本體之該後蓋板中或附接到該後蓋板並配置成收納一對接按鈕的一對接按鈕凹口；以及 <br/>複數對接按鈕接點，其布置在該對接按鈕或該對接按鈕凹口上並電耦合至該等第一接點。
一種用於行動裝置的對接適配器，該對接適配器包含： <br/>一適配器本體，其包含一後蓋板，以及耦合到該後蓋板的一連接器本體，該後蓋板配置用於抵靠該行動裝置或內含該行動裝置的一外殼之一後表面之一部分布置，其中當耦合到該行動裝置時，該對接適配器僅接合該行動裝置或內含該行動裝置的該外殼之該後表面和一單一側表面； <br/>一適配器連接器，其至少部分布置在該連接器本體中，該適配器連接器包含配置用於插入到該行動裝置之一母頭連接器中的一公頭插頭，並包含配置用於電耦合至該行動裝置的複數第一接點；以及 <br/>以下兩者擇一：a)永久耦合到該適配器本體之該後蓋板並遠離該後蓋板延伸的一對接按鈕，或b)界定在該適配器本體之該後蓋板中或附接到該後蓋板並配置成收納一對接按鈕的一對接按鈕凹口，其中該對接按鈕或對接按鈕凹口包含電耦合至該等第一接點並配置用於電耦合至一對接座或其他外部裝置的複數第二接點。
一種系統，包含： <br/>如請求項17之對接適配器；以及 <br/>一對接座，其配置用於收納該對接適配器之該對接按鈕。
如請求項18之系統，更包含該行動裝置，以及配置成內含該行動裝置的該外殼。
一種波長轉換裝置，係具備：<br/> 記憶單元，係記憶非線性光學晶體的複數個溫度條件各者的轉換效率圖，前述轉換效率圖為將前述非線性光學晶體的基準面處的輸入光的複數個輸入位置各者的波長轉換效率與前述輸入位置建立關聯並記憶而得，前述非線性光學晶體係從前述輸入光的波長來轉換輸出光的波長；<br/> 入射位置決定單元，係基於從前述記憶單元所選擇的兩個以上的前述溫度條件下的前述轉換效率圖來決定將前述輸入光入射至前述非線性光學晶體之入射位置；以及<br/> 控制單元，係控制移動單元，前述移動單元係以前述輸入光入射至藉由前述入射位置決定單元所決定的前述入射位置之方式使前述非線性光學晶體與前述輸入光的相對位置移動。
如請求項1所記載之波長轉換裝置，其中前述入射位置決定單元係基於所選擇的兩個以上的前述溫度條件下的前述轉換效率圖來特定至少一個前述溫度條件中的前述波長轉換效率成為預定的臨限值以上之屬於前述輸入位置的座標之適合座標，並根據前述適合座標來決定前述入射位置。
如請求項1所記載之波長轉換裝置，其中前述入射位置決定單元係基於所選擇的兩個以上的前述溫度條件下的前述轉換效率圖來特定針對複數個前述輸入位置的座標中的各個座標之複數個前述溫度條件下的前述波長轉換效率中之屬於最大的前述波長轉換效率之最大轉換效率，且特定前述最大轉換效率成為預定的臨限值以上之屬於前述輸入位置的座標之適合座標，並根據前述適合座標來決定前述入射位置。
如請求項1所記載之波長轉換裝置，其中前述入射位置決定單元係基於所選擇的兩個以上的前述溫度條件下的前述轉換效率圖來特定複數個前述溫度條件下的前述波長轉換效率成為預定的臨限值以上之屬於前述輸入位置的座標之適合座標，並根據前述適合座標來決定前述入射位置。
如請求項2至4中任一項所記載之波長轉換裝置，其中前述入射位置決定單元係生成僅由複數個前述適合座標所構成的路徑，並根據前述路徑內的前述適合座標來決定前述入射位置。
如請求項5所記載之波長轉換裝置，其中前述入射位置決定單元係將前述路徑內的第一適合座標決定成前述入射位置後再決定下一個前述入射位置時，將與前述第一適合座標鄰接且屬於前述路徑內的前述適合座標之第二適合座標決定成下一個入射位置，後續則重複此種動作。
如請求項6所記載之波長轉換裝置，其中前述入射位置決定單元係以前述路徑成為單行路線之方式來決定前述入射位置。
如請求項5所記載之波長轉換裝置，其中前述非線性光學晶體係接觸至溫度調整單元，前述溫度調整單元係在預定面側處進行非線性光學晶體的溫度調整；前述路徑係包含：複數個第一線段，係朝向沿著預定面；以及第二線段，係連繫前述第一線段；前述第一線段的長度係比前述第二線段的長度還長。
如請求項8所記載之波長轉換裝置，其中前述路徑係以將最接近前述預定面之屬於前述第一線段的前述適合座標作為起點且將最遠離前述預定面之屬於前述第一線段的前述適合座標作為終點之方式所生成，或者以將最遠離前述預定面之屬於前述第一線段的前述適合座標作為起點且將最接近前述預定面之屬於前述第一線段的前述適合座標作為終點之方式所生成。
如請求項1所記載之波長轉換裝置，其中前述非線性光學晶體係接觸至溫度調整單元，前述溫度調整單元係在預定面側處進行前述非線性光學晶體的溫度調整；<br/> 前述控制單元係將基於前述轉換效率圖所特定的前述入射位置中的前述波長轉換效率成為預定的臨限值以上之溫度作為目標溫度，並使前述溫度調整單元調整前述非線性光學晶體的前述溫度。
如請求項1所記載之波長轉換裝置，其中前述控制單元係一邊使前述入射位置於路徑上移動一邊監控前述波長轉換效率，並以前述波長轉換效率被最大化之方式使溫度調整單元調整前述非線性光學晶體的溫度。
如請求項10所記載之波長轉換裝置，其中前述預定面係包含前述非線性光學晶體中之將前述輸入光的入射面以及前述輸出光的輸出面除外之面中的一個至四個面。
如請求項10所記載之波長轉換裝置，其中前述預定面為前述非線性光學晶體中之將前述輸入光的入射面以及前述輸出光的輸出面除外之面中的一個面；<br/> 前述非線性光學晶體係在將前述入射面以及前述輸出面除外之面側處與保持構件接觸，前述保持構件係藉由前述移動單元而變化位置。
如請求項1所記載之波長轉換裝置，其中與所選擇的複數個前述轉換效率圖對應的溫度條件中之彼此相鄰的溫度的溫度差係比前述非線性光學晶體的溫度相位匹配容許寬度還小。
如請求項1所記載之波長轉換裝置，其中與所選擇的複數個前述轉換效率圖對應的溫度條件中之彼此相鄰的溫度的溫度差為前述非線性光學晶體的溫度相位匹配容許寬度的二分之一以下。
如請求項15所記載之波長轉換裝置，其中前述入射位置決定單元係基於前述轉換效率圖來特定預定的基準座標中的前述波長轉換效率成為最大之基準溫度，並基於前述基準溫度中的前述轉換效率圖以及針對與前述基準溫度不同預定溫度的溫度之前述轉換效率圖來決定前述入射位置。
如請求項1所記載之波長轉換裝置，其中前述輸入光係由紫外波段的光與紅外波段的光所構成；<br/> 前述非線性光學晶體係藉由前述紫外波段的光與前述紅外波段的光的加頻混合來轉換波長。
如請求項1所記載之波長轉換裝置，其中在複數個溫度條件下生成前述轉換效率圖並記錄至前述記憶單元。
一種波長轉換方法，係具備下述步驟：<br/> 使記憶單元記憶非線性光學晶體的複數個溫度條件各者的轉換效率圖，前述轉換效率圖為將前述非線性光學晶體的基準面處的輸入光的複數個輸入位置各者的波長轉換效率與前述輸入位置建立關聯並記憶而得，前述非線性光學晶體係從前述輸入光的波長來轉換輸出光的波長；<br/> 使入射位置決定單元基於從前述記憶單元所選擇的兩個以上的前述溫度條件下的前述轉換效率圖來決定將前述輸入光入射至前述非線性光學晶體之入射位置；以及<br/> 以前述輸入光入射至所決定的前述入射位置之方式使移動單元移動前述非線性光學晶體與前述輸入光的相對位置。
一種波長轉換裝置，係具備：<br/> 至少一個記憶體，係儲存命令群；以及<br/> 至少一個處理器，係以下述方式構成：<br/> 執行前述命令群；<br/> 記憶非線性光學晶體的複數個溫度條件各者的轉換效率圖，前述轉換效率圖為將前述非線性光學晶體的基準面處的輸入光的複數個輸入位置各者的波長轉換效率與前述輸入位置建立關聯並記憶而得，前述非線性光學晶體係從前述輸入光的波長來轉換輸出光的波長；<br/> 基於所選擇的兩個以上的前述溫度條件下的前述轉換效率圖來決定將前述輸入光入射至前述非線性光學晶體之入射位置；以及<br/> 控制移動單元，前述移動單元係以前述輸入光入射至所決定的前述入射位置之方式使前述非線性光學晶體與前述輸入光的相對位置移動。
一種電子裝置，包括： <br/>處理器，當獲得更新命令時，經配置以將更新代碼轉換為代碼顯示數據； <br/>記憶體電路，經配置以儲存代碼數據； <br/>時序控制器，經配置以基於所述代碼數據來運行，耦接於所述處理器、所述記憶體電路以及顯示單元，所述時序控制器與所述處理器間設有顯示通道以傳輸代碼顯示數據並產生對應於所述代碼顯示數據的時序；以及 <br/>所述顯示單元，經配置以藉由所述代碼顯示數據的時序在第一特定顯示區域顯示對應於所述代碼顯示數據的影像， <br/>其中所述時序控制器依據所述更新命令擷取對應於所述第一特定顯示區域的所述代碼顯示數據，將所述代碼顯示數據轉換回所述更新代碼，並利用所述更新代碼來更新所述記憶體電路的所述代碼數據。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述處理器經由溝通通道將所述更新命令提供至所述時序控制器。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述時序控制器包括： <br/>擷取電路，經配置以依據所述更新命令獲知所述第一特定顯示區域的位置，並擷取對應於所述第一特定顯示區域的位置的所述代碼顯示數據。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述時序控制器包括： <br/>暫存器，其中所述時序控制器將所述更新代碼儲存至所述暫存器，並將儲存於所述暫存器的所述更新代碼來更新所述記憶體電路的所述代碼數據。
如請求項2所述的電子裝置，其中當所述代碼數據的更新完成時，所述時序控制器經由所述溝通通道告知所述處理器所述代碼數據的更新已完成。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述處理器將所述更新命令轉換為命令顯示數據，並經由顯示通道將所述代碼顯示數據以及所述命令顯示數據提供至所述時序控制器。
如請求項6所述的電子裝置，其中所述顯示單元在第二特定顯示區域中顯示對應於所述命令顯示數據的影像。
如請求項7所述的電子裝置，其中所述第一特定顯示區域以及所述第二特定顯示區域彼此不重疊。
如請求項7所述的電子裝置，其中所述時序控制器包括： <br/>擷取電路，經配置以擷取對應於所述第二特定顯示區域的位置的所述命令顯示數據， <br/>其中所述時序控制器將所述命令顯示數據轉換回所述更新命令，並且 <br/>其中所述擷取電路依據所述更新命令獲知所述第一特定顯示區域的位置，並擷取對應於所述第一特定顯示區域的位置的所述代碼顯示數據。
如請求項6所述的電子裝置，其中所述時序控制器包括： <br/>暫存器，其中所述時序控制器將所述更新代碼以及所述更新命令儲存至所述暫存器，並將儲存於所述暫存器的所述更新代碼來更新所述記憶體電路的所述代碼數據。
如請求項6所述的電子裝置，其中當所述代碼數據的更新完成時，所述時序控制器控制所述顯示單元顯示出所述代碼數據的更新已完成的通知畫面。
如請求項1所述的電子裝置，其中在所述處理器將所述更新代碼轉換為所述代碼顯示數據的轉換操作中，所述處理器對所述更新代碼進行循環冗餘校驗操作以產生偵錯碼，並將所述偵錯碼轉換為偵錯顯示數據。
如請求項12所述的電子裝置，其中當所述偵錯顯示數據轉換回所述偵錯碼錯誤時，所述處理器在下一個幀時段重新執行所述更新命令。
一種用於電子裝置的更新方法，其中所述電子裝置包括處理器、顯示單元、記憶體電路以及時序控制器，其中所述記憶體電路儲存代碼數據，其中所述時序控制器基於所述代碼數據來運行，其中所述更新方法包括： <br/>當獲得更新命令時，由所述處理器將更新代碼轉換為代碼顯示數據； <br/>經由顯示通道將所述代碼顯示數據提供至所述時序控制器； <br/>由所述時序控制器依據所述更新命令擷取對應於所述顯示單元的第一特定顯示區域的所述代碼顯示數據； <br/>由所述時序控制器將所述代碼顯示數據轉換回所述更新代碼；以及 <br/>由所述時序控制器利用所述更新代碼來更新所述記憶體電路的所述代碼數據。
如請求項14所述的更新方法，還包括： <br/>經由溝通通道將所述更新命令提供至所述時序控制器。
如請求項15所述的更新方法，其中所述時序控制器包括擷取電路，其中由所述時序控制器依據所述更新命令擷取對應於所述顯示單元的所述第一特定顯示區域的所述代碼顯示數據的步驟包括： <br/>由所述擷取電路依據所述更新命令獲知所述第一特定顯示區域的位置，並擷取對應於所述第一特定顯示區域的位置的所述代碼顯示數據。
如請求項15所述的更新方法，還包括： <br/>由所述處理器產生所述更新命令；以及 <br/>當所述代碼數據的更新完成時，由所述時序控制器經由所述溝通通道告知所述處理器所述代碼數據的更新已完成。
如請求項14所述的更新方法，還包括： <br/>將所述更新命令轉換為命令顯示數據；以及 <br/>經由顯示通道將所述代碼顯示數據以及所述命令顯示數據提供至所述時序控制器。
如請求項18所述的更新方法，還包括： <br/>由所述顯示單元在第二特定顯示區域顯示所述命令顯示數據。
如請求項19所述的更新方法，其中所述第一特定顯示區域以及所述第二特定顯示區域彼此不重疊。
如請求項19所述的更新方法，其中所述時序控制器包括擷取電路，其中由所述時序控制器依據所述更新命令擷取對應於所述顯示單元的所述第一特定顯示區域的所述代碼顯示數據的步驟包括： <br/>由所述擷取電路擷取對應於所述第二特定顯示區域的位置的所述命令顯示數據； <br/>由所述時序控制器將所述命令顯示數據轉換回所述更新命令；以及 <br/>由所述擷取電路依據所述更新命令獲知所述第一特定顯示區域的位置，並擷取對應於所述第一特定顯示區域的位置的所述代碼顯示數據。
如請求項18所述的更新方法，還包括： <br/>當所述代碼數據的更新完成時，由所述時序控制器控制所述顯示單元顯示出所述代碼數據的更新已完成的通知畫面。
如請求項14所述的更新方法，還包括： <br/>在將所述更新代碼轉換為所述代碼顯示數據的轉換操作中，由所述處理器對所述更新代碼進行循環冗餘校驗操作以產生偵錯碼，並將所述偵錯碼轉換為偵錯顯示數據。
如請求項23所述的更新方法，還包括： <br/>當所述偵錯碼錯誤時，由所述處理器在下一個幀時段重新執行所述更新命令。
一種天線裝置，包括： <br/>一訊號源基板，包括： <br/>一第一基底，具有一上表面； <br/>一訊號源線，設置於該第一基底的該上表面；以及 <br/>一第一接地電極，設置於該第一基底的該上表面，且與該訊號源線於結構上分離； <br/>一饋入基板，部分地設置於該訊號源基板上，其中該饋入基板包括： <br/>一第二基底，具有相對的一上表面及一下表面，其中該饋入基板的該第二基底的該下表面面向該訊號源基板的該第一基底的該上表面，該第二基底具有相連接的一第一部分及一第二部分，該第二基底的該第一部分設置於該訊號源基板上，且該第二基底的該第二部分設置於該訊號源基板的面積外； <br/>一饋入訊號線，設置於該第二基底的該下表面，其中該饋入基板的該饋入訊號線的一部分堆疊於該訊號源基板的該訊號源線的一部分上； <br/>一第二接地電極，設置於該第二基底的該下表面，且與該饋入訊號線於結構上分離，其中該饋入基板的該第二接地電極堆疊於該訊號源基板的該第一接地電極上；以及 <br/>一第三接地電極，設置於該第二基底的該上表面，且與該第二接地電極電性連接； <br/>一導電基板，設置於該饋入基板上，其中該導電基板包括： <br/>一第三基底，具有一上表面，其中該第三基底的該上表面背向該饋入基板的該第二基底的該上表面；以及 <br/>一第四接地電極，設置於該第三基底的該上表面，且與該饋入基板的該第三接地電極電性連接； <br/>一接合元件，接合該導電基板、該饋入基板及該訊號源基板；以及 <br/>一調制結構，設置於該饋入基板的該第二部分上，其中該調制結構包括： <br/>一第四基底； <br/>一第五基底，其中該第四基底位於該第五基底與該饋入基板之間； <br/>一液晶層，設置於該第四基底與該第五基底之間；以及 <br/>一第五接地電極，設置於該第五基底上，且位於該液晶層與該第五基底之間，其中該第五基底具有延伸至該第四基底的面積外的一延伸部，該第五接地電極具有一延伸部，該第五接地電極的該延伸部設置於該第五基底的該延伸部上，且該導電基板的該第四接地電極設置於該調制結構的該第五接地電極的該延伸部下。
如請求項1所述的天線裝置，其中該訊號源基板更包括一第一導電通孔，該訊號源基板的該第一導電通孔設置於該訊號源基板的該第一基底中且電性連接至該訊號源基板的該第一接地電極；該饋入基板更包括一第二導電通孔，該饋入基板的該第二導電通孔設置於該饋入基板的該第二基底中且電性連接至該饋入基板的該第二接地電極及該第三接地電極；該導電基板更包括一第三導電通孔，該導電基板的該第三導電通孔設置於該導電基板的該第三基底中且電性連接至該導電基板的該第四接地電極；該接合元件包括一第一組件，設置於該訊號源基板的該第一導電通孔、該饋入基板的該第二導電通孔及該導電基板的該第三導電通孔中。
如請求項1所述的天線裝置，其中該導電基板的該第四接地電極與該調制結構的該第五接地電極的該延伸部之間存在一空氣間隙。
如請求項1所述的天線裝置，其中該導電基板的該第四接地電極與該調制結構的該第五接地電極的該延伸部在垂直於該導電基板的該第三基底的一方向上具有一距離，且該距離落在0.001mm至1mm的範圍。
如請求項1所述的天線裝置，其中該饋入訊號線的該部分的一線寬大於該訊號源線的該部分的一線寬。
如請求項1所述的天線裝置，其中該饋入訊號線的該部分設置於該第二基底的該第一部分上，該饋入訊號線的另一部分設置於該第二基底的該第二部分上，該饋入訊號線的該部分與該饋入訊號線的該另一部分相連接，且該饋入訊號線的該另一部分的一線寬大於該饋入訊號線的該部分的一線寬。
如請求項1所述的天線裝置，其中該接合元件包括一第一組件及一第二組件，其中該第一組件與該第二組件相配合，以將該導電基板、該饋入基板及該訊號源基板穩固地堆疊在一起。
如請求項7所述的天線裝置，其中該第一組件與該第二組件分別是一螺絲與一螺帽。
一種天線裝置，包括： <br/>一訊號源基板，包括： <br/>一第一基底，具有一上表面； <br/>一訊號源線，設置於該第一基底的該上表面；以及 <br/>一第一接地電極，設置於該第一基底的該上表面，且與該訊號源線於結構上分離； <br/>一饋入基板，部分地設置於該訊號源基板上，其中該饋入基板包括： <br/>一第二基底，具有相對的一上表面及一下表面，其中該饋入基板的該第二基底的該下表面面向該訊號源基板的該第一基底的該上表面，該第二基底具有相連接的一第一部分及一第二部分，該第二基底的該第一部分設置於該訊號源基板上，且該第二基底的該第二部分設置於該訊號源基板的面積外； <br/>一饋入訊號線，設置於該第二基底的該下表面，其中該饋入基板的該饋入訊號線的一部分堆疊於該訊號源基板的該訊號源線的一部分上； <br/>一第二接地電極，設置於該第二基底的該下表面，且與該饋入訊號線於結構上分離，其中該饋入基板的該第二接地電極堆疊於該訊號源基板的該第一接地電極上；以及 <br/>一第三接地電極，設置於該第二基底的該上表面，且與該第二接地電極電性連接； <br/>一導電基板，設置於該饋入基板上，其中該導電基板包括： <br/>一第三基底，具有一上表面及一下表面，其中該第三基底的該上表面背向該饋入基板的該第二基底的該上表面，且該第三基底的該下表面面向該饋入基板的該第二基底的該上表面；以及 <br/>一第四接地電極，設置於該第三基底的該上表面及該第三基底的該下表面的一者上，且與該饋入基板的該第三接地電極電性連接； <br/>一接合元件，接合該導電基板、該饋入基板及該訊號源基板；以及 <br/>一調制結構，設置於該饋入基板的該第二部分上，其中該調制結構包括： <br/>一第四基底； <br/>一第五基底，其中該第四基底位於該第五基底與該饋入基板之間； <br/>一液晶層，設置於該第四基底與該第五基底之間；以及 <br/>一第五接地電極，其中該第四基底與該第五基底的一者具有一延伸部，該第四基底與該第五基底的該者的該延伸部延伸至該第四基底與該第五基底的另一者的面積外，該第五接地電極設置於該第四基底與該第五基底的該者上且位於該液晶層與該第四基底與該第五基底的該者之間，該第五接地電極具有一延伸部，該第五接地電極的該延伸部設置於該第四基底與該第五基底的該者的該延伸部上，該導電基板的該第四接地電極面向該調制結構的該第五接地電極的該延伸部且與該調制結構的該第五接地電極的該延伸部重疊。
一種生理訊號偵測系統，包括： <br/>如請求項9所述的該天線裝置； <br/>一處理元件，電性連接至該天線裝置；以及 <br/>一響應元件，電性連接至該處理元件。
一種基板處理裝置，包括：<br/> 製程腔室，在內部形成處理複數個基板的處理空間；<br/> 基板支撐部，可旋轉地設置在所述處理空間，並在上面形成凹陷的複數個凹槽部，以沿著上部的圓周方向配置所述複數個基板，且以旋轉軸為中心進行旋轉；<br/> 驅動馬達，旋轉所述基板支撐部，並配置有編碼器，所述編碼器隨著所述基板支撐部的旋轉計算旋轉角度以輸出角度資料；<br/> 感應部，設置在所述基板支撐部的上方，在旋轉驅動所述基板支撐部時，感應所述基板支撐部及配置在所述基板支撐部的所述複數個基板的高度變化以輸出距離資料；以及<br/> 控制部，透過從所述編碼器輸出的所述角度資料及從所述感應部輸出的所述距離資料，判斷所述複數個基板的每一個的放置狀態， <br/> 所述控制部透過由所述感應部即時測量的對於所述基板支撐部上面的距離資料及對於所述基板上面的距離資料，計算在所述基板支撐部以所述旋轉軸為中心旋轉的方向上所述凹槽部的內壁與位於所述凹槽部的所述基板之間的橫截面距離。
根據請求項1所述的基板處理裝置，其中，<br/> 在所述感應部相對於所述基板支撐部、所述凹槽部及所述基板移動到放置於所述凹槽部的所述基板時，所述控制部透過測量所述基板支撐部、所述凹槽部及所述基板的距離資料，計算導入距離；以及<br/> 在所述感應部相對於所述基板、所述凹槽部及所述基板支撐部移動到所述基板支撐部時，透過測量所述基板、所述凹槽部及所述基板支撐部的距離資料，計算導出距離。
根據請求項2所述的基板處理裝置，其中，<br/> 所述導入距離為所述凹槽部的導入側內壁至所述基板的導入側側面的距離；以及<br/> 所述導出距離為所述基板的導出側側面至所述凹槽部的導出側內壁的距離。
根據請求項2所述的基板處理裝置，其中，<br/> 所述導入距離為所述感應部通過所述基板支撐部的表面感應至所述凹槽部的底部的區域的橫截面距離；以及<br/> 所述導出距離為所述感應部通過所述基板感應至所述凹槽部的底部的區域的橫截面距離。
根據請求項1所述的基板處理裝置，其中，所述控制部在判斷所述基板支撐部的上面的距離資料與判斷所述基板的上面的距離資料之間，透過測量為低於所述基板支撐部的上面及所述基板的上面的距離資料的數量計算所述基板在所述凹槽部內部中的位置。
根據請求項1所述的基板處理裝置，其中，<br/> 所述控制部根據從所述編碼器輸出的所述角度資料分類由所述感應部對於所述複數個凹槽部感應的所述距離資料；以及<br/> 在所述複數個凹槽部中依同一凹槽部累計計算距離資料。
根據請求項6所述的基板處理裝置，其中，所述控制部在透過所述距離資料判斷為非正常放置所述基板的狀態下，透過從所述編碼器輸出的角度資料確認非正常放置所述基板的凹槽部的位置。
根據請求項1所述的基板處理裝置，其中，<br/> 所述控制部透過由所述感應部對於所述複數個凹槽部感應的所述距離資料的測量數，依測量順序進行分類；以及<br/> 所述複數個凹槽部中依同一凹槽部累計計算距離資料。
根據請求項1所述的基板處理裝置，還包括：<br/> 衛星部，插入於所述凹槽部，透過由所述基板支撐部供應的驅動氣體在所述凹槽部內懸浮旋轉，並在上面形成放置所述基板的放置部。
一種基板處理裝置，包括：<br/> 製程腔室，在內部形成處理複數個基板的處理空間；<br/> 基板支撐部，可旋轉地設置在所述處理空間，並在上面形成凹陷的複數個凹槽部，以沿著上部的圓周方向配置所述複數個基板，且以旋轉軸為中心進行旋轉；<br/> 驅動馬達，旋轉所述基板支撐部，並配置有編碼器，所述編碼器隨著所述基板支撐部的旋轉計算旋轉角度以輸出角度資料；<br/> 衛星部，插入於所述凹槽部，透過由所述基板支撐部供應的驅動氣體在所述凹槽部內懸浮旋轉，並且在上面形成放置所述基板的放置部；<br/> 感應部，設置在所述基板支撐部的上方，在旋轉驅動所述基板支撐部時，感應所述基板支撐部及配置在所述基板支撐部的所述衛星部的高度變化以輸出距離資料；以及<br/> 控制部，透過從所述編碼器輸出的所述角度資料及從所述感應部輸出的所述距離資料，判斷所述衛星部的每一個的放置狀態， <br/> 所述控制部透過由所述感應部即時測量的對於所述基板支撐部上面的距離資料及對於所述衛星部上面的距離資料，計算所述基板支撐部以所述旋轉軸為中心旋轉的方向上所述凹槽部的內壁與位於所述凹槽部的所述衛星部之間的橫截面距離。
根據請求項10所述的基板處理裝置，其中，所述基板支撐部包括固定銷，所述固定銷形成為圓柱形狀，以使所述衛星部的位置固定在所述凹槽部的中心，其下部區域插入在所述凹槽部的底部形成槽的底槽部，其上部區域插入在所述衛星部下面形成槽的固定槽部。
根據請求項10所述的基板處理裝置，其中，<br/> 在所述感應部相對於所述基板支撐部、所述凹槽部及所述衛星部移動到放置於所述凹槽部的所述衛星部時，所述控制部透過測量所述基板支撐部、所述凹槽部及所述衛星部的距離資料，計算導入距離；以及<br/> 在所述感應部相對於所述衛星部、所述凹槽部及所述基板支撐部移動到所述基板支撐部時，透過測量所述衛星部、所述凹槽部及所述基板支撐部的距離資料，計算導出距離。
根據請求項12所述的基板處理裝置，其中，<br/> 所述導入距離為所述凹槽部的導入側內壁至所述衛星部的導入側側面的距離；以及<br/> 所述導出距離為所述衛星部的導出側側面至所述凹槽部的導出側內壁的距離。
根據請求項12所述的基板處理裝置，其中，<br/> 所述導入距離為所述感應部通過所述基板支撐部的表面感應至所述凹槽部的底部的區域的橫截面距離；以及<br/> 所述導出距離為所述感應部透過所述衛星部感應至所述凹槽部的底部的區域的橫截面距離。
根據請求項10所述的基板處理裝置，其中，所述控制部在判斷為所述基板支撐部的上面的距離資料與判斷為所述衛星部的上面的距離資料之間，透過測量為低於所述基板支撐部的上面及所述衛星部的上面的距離資料的數量計算所述衛星部在所述凹槽部內部中的位置。
根據請求項10所述的基板處理裝置，其中，<br/> 所述控制部根據從所述編碼器輸出的所述角度資料分類由所述感應部對於所述複數個凹槽部感應的所述距離資料；以及<br/> 在複數個所述凹槽部中依同一凹槽部累計計算距離資料。
根據請求項16所述的基板處理裝置，其中，所述控制部在透過所述距離資料判斷為非正常放置所述衛星部的狀態下，透過從所述編碼器輸出的角度資料確認非正常放置所述衛星部的凹槽部的位置。
根據請求項10所述的基板處理裝置，其中，<br/> 所述控制部透過由所述感應部對於所述複數個凹槽部感應的所述距離資料的測量數，依測量順序進行分類；以及<br/> 所述複數個凹槽部中依同一凹槽部累計計算距離資料。
一種智能家禽輔助飼養方法，包括：提供一第一人工智能影像判斷模型；收集複數個第一家禽資料；根據該複數個第一家禽資料，產生一訓練集資料、一驗證集資料以及一測試集資料；步驟A：透過該訓練集資料以及該驗證集資料，對該第一人工智能影像判斷模型進行訓練，以產生一第二人工智能影像判斷模型；步驟B：利用該測試集資料輸入該第二人工智能影像判斷模型，產生複數個輸出結果；步驟C：當該複數個輸出結果的一評估運算結果低於一門檻值，收集複數個第二家禽資料，產生該訓練集資料、該驗證集資料以及該測試集資料，回到步驟A，直到該評估運算結果到達該門檻值；將該到達該門檻值的該第二人工智能影像判斷模型作為一第三人工智能影像判斷模型；透過一影像擷取裝置，擷取一家禽飼養場內的一影像，其中該家禽飼養場內有複數個家禽；以及透過該第三人工智能影像判斷模型，辨識該影像中的該複數個家禽之一的狀態。
如請求項第1項所記載之智能家禽輔助飼養方法，其中，透過該訓練集資料以及該驗證集資料，對該人工智能影像判斷模型進行訓練，以產生一第二人工智能影像判斷模型包括下列步驟至少其中之一：將該訓練集資料以及該驗證集資料之圖像進行不同的亮度（Brightness）調整，以增加該訓練集資料以及該驗證集資料的數量；將該訓練集資料以及該驗證集資料之圖像進行不同的切割（Segmentation）調整，以增加該訓練集資料以及該驗證集資料的數量；以及將該訓練集資料以及該驗證集資料之圖像進行不同的旋轉（Rotation）調整，以增加該訓練集資料以及該驗證集資料的數量。
如請求項第1項所記載之智能家禽輔助飼養方法，其中，透過該影像擷取裝置，擷取該家禽飼養場內的該影像，包括：當一壓力感測裝置感測到壓力時，進行一影像攝影，以獲得該影像。
如請求項第1項所記載之智能家禽輔助飼養方法，其中，透過該該第三人工智能影像判斷模型，辨識該影像中的家禽之該狀態，包括：透過家禽的頭冠，判斷家禽的性別。
如請求項第1項所記載之智能家禽輔助飼養方法，其中，透過該第三人工智能影像判斷模型，辨識該影像中的家禽之該狀態，包括：透過家禽的頭冠，判斷家禽的健康狀態。
如請求項第1項所記載之智能家禽輔助飼養方法，其中，當該影像包括複數個家禽時，更包括：辨識每一該複數個家禽的頭部，以獲得每一該複數個家禽的頭部圖樣；取出每一該複數個家禽的頭部圖樣的頭冠，與該影像作比較，以分別找出對應的家禽。
如請求項第1項所記載之智能家禽輔助飼養方法，其中，透過該影像擷取裝置，擷取該家禽飼養場內的該影像，更包括：當一壓力感測裝置感測到壓力時，等待該壓力感測裝置壓力下降後，進行一影像攝影，藉此，增加獲得一家禽排泄物影像的機率。
如請求項第7項所記載之智能家禽輔助飼養方法，其中，當該壓力感測裝置感測到壓力時，等待該壓力感測裝置壓力下降後，進行該影像攝影，以獲得該影像，藉此，增加擷取到家禽排泄物影像的機率，更包括：當家禽在該壓力感測裝置上一預設時間後，啟動一雷射引導裝置，發射一雷射光以引導在該壓力感測裝置上的家禽離開該壓力感測裝置。
如請求項第1項所記載之智能家禽輔助飼養方法，其中，透過該影像擷取裝置，擷取該家禽飼養場內的該影像，更包括：在該家禽飼養場內提供一拖糞帶；以及當該拖糞帶開始運作時，進行一影像攝影，以獲得一家禽排泄物影像。
如請求項第1項所記載之智能家禽輔助飼養方法，其中，透過該影像擷取裝置，擷取該家禽飼養場內的該影像，更包括：當一壓力感測裝置感測到重量時，進行一影像攝影，並透過該第三人工智能影像判斷模型，辨識該影像中的家禽之性別，並記錄該性別以及對應的重量；以及當所記錄的家禽之性別為一第一性別的數目大於一第二性別的數目時，且辨識出在該壓力感測裝置上的家禽之性別為該第一性別時，透過一雷射引導裝置，將該第一性別的家禽引導出該壓力感測裝置，以增加取樣該第二性別的家禽之機率。
如請求項第1項所記載之智能家禽輔助飼養方法，其中，該訓練集資料內部之圖像以及該驗證集資料內部之圖像具有特徵標註（labeling）。
如請求項第11項所記載之智能家禽輔助飼養方法，更包括：利用一第四人工智能影像判斷模型，對該訓練集資料內部之圖像以及該驗證集資料內部之圖像進行特徵標註（pre-labeling）。
一種智能家禽輔助飼養系統，包括：一伺服器，包括一家禽人工智能影像判斷模型；以及一家禽診斷裝置，用以網路連接該伺服器，其中，該家禽診斷裝置包括： 一影像擷取裝置，用以進行一影像攝影；以及 一壓力感測裝置，其中，當該壓力感測裝置測出有壓力時，觸發該影像擷取裝置進行該影像攝影，且該家禽診斷裝置將所擷取的一影像傳送給該伺服器，其中，該伺服器透過該家禽人工智能影像判斷模型，辨識所擷取的該影像中的家禽之一特定部位，藉以判斷一家禽狀態。
如請求項第13項所記載之智能家禽輔助飼養系統，其中，該家禽診斷裝置更用以：將該壓力感測裝置所擷取的一壓力數據以及該影像傳送給該伺服器，其中，該伺服器根據該壓力數值以及該影像所辨識出的家禽數量以及家禽性別，記錄家禽數據，並依照複數個家禽數據之統計結果，判斷家禽成長狀態。
如請求項第14項所記載之智能家禽輔助飼養系統，其中，該家禽診斷裝置更包括：一雷射引導裝置，用以發射一雷射光，其中，當所記錄的家禽之一第一性別的對應數據大於一第二性別的對應數據，且該影像中之家禽被判定為該第一性別時，啟動該雷射引導裝置，將該壓力感測裝置上的家禽引導離開該壓力感測裝置。
如請求項第13項所記載之智能家禽輔助飼養系統，其中，該家禽診斷裝置更包括：一雷射引導裝置，用以發射一雷射光，其中，該家禽診斷裝置更用以：當該壓力感測裝置測出有壓力時，啟動該雷射引導裝置，將該壓力感測裝置上的家禽引導離開該壓力感測裝置，並啟動該影像擷取裝置進行該影像攝影，以擷取家禽之一排泄物影像，並傳送給該伺服器，其中，該家禽人工智能影像判斷模型根據該排泄物影像以判定家禽之健康狀態。
如請求項第13項所記載之智能家禽輔助飼養系統，其中，當該壓力感測裝置感測到壓力時，等待該壓力感測裝置壓力下降後，進行該影像攝影，以獲得該影像，藉此，增加擷取到家禽排泄物影像的機率。
如請求項第13項所記載之智能家禽輔助飼養系統，其中，該家禽人工智能影像判斷模型之訓練步驟包括：提供一第一人工智能影像判斷模型；根據複數個第一家禽資料，產生一訓練集資料、一驗證集資料以及一測試集資料；步驟A：透過該訓練集資料以及該驗證集資料，對該第一人工智能影像判斷模型進行訓練，以產生一第二人工智能影像判斷模型；步驟B：利用該測試集資料輸入該第二人工智能影像判斷模型，產生複數個輸出結果；步驟C：當該複數個輸出結果的一評估運算結果低於一門檻值，收集複數個第二家禽資料，產生該訓練集資料、該驗證集資料以及該測試集資料，回到步驟A，直到該評估運算結果到達該門檻值；將該到達該門檻值的該第二人工智能影像判斷模型作為該家禽人工智能影像判斷模型。
如請求項第18項所記載之智能家禽輔助飼養系統，其中，透過該訓練集資料以及該驗證集資料，對該人工智能影像判斷模型進行訓練，以產生一第二人工智能影像判斷模型包括下列步驟至少其中之一：將該訓練集資料以及該驗證集資料之圖像進行不同的亮度（Brightness）調整，以增加該訓練集資料以及該驗證集資料的數量；將該訓練集資料以及該驗證集資料之圖像進行不同的切割（Segmentation）調整，以增加該訓練集資料以及該驗證集資料的數量；以及將該訓練集資料以及該驗證集資料之圖像進行不同的旋轉（Rotation）調整，以增加該訓練集資料以及該驗證集資料的數量。
如請求項第19項所記載之智能家禽輔助飼養系統，更包括：利用一第四人工智能影像判斷模型，對該訓練集資料內部之影像以及該驗證集資料內部之影像進行特徵標註（pre-labeling），以訓練該家禽人工智能影像判斷模型。
一種智能家禽輔助飼養系統，包括：一伺服器，包括一家禽影像辨識診斷人工智能模型，其中，該家禽人工智能影像判斷模型之產生步驟包括： 提供一第一人工智能影像判斷模型； 根據複數個第一家禽資料，產生一訓練集資料、一驗證集資料以及一測試集資料； 步驟A：透過該訓練集資料以及該驗證集資料，對該第一人工智能影像判斷模型進行訓練，以產生一第二人工智能影像判斷模型； 步驟B：利用該測試集資料輸入該第二人工智能影像判斷模型，產生複數個輸出結果； 步驟C：當該複數個輸出結果的一評估運算結果低於一門檻值，收集複數個第二家禽資料，產生該訓練集資料、該驗證集資料以及該測試集資料，回到步驟A，直到該評估運算結果到達該門檻值； 將該到達該門檻值的該第二人工智能影像判斷模型作為該家禽人工智能影像判斷模型；以及一家禽診斷裝置，用以透過網路連接該伺服器，包括一影像擷取裝置，用以擷取一家禽飼養場內的一影像，並傳送給該伺服器，其中，該伺服器透過該家禽影像辨識診斷人工智能模型，辨識該影像中的家禽之一狀態。
如請求項第21項所記載之智能家禽輔助飼養系統，其中，透過該訓練集資料以及該驗證集資料，對該人工智能影像判斷模型進行訓練，以產生一第二人工智能影像判斷模型包括下列步驟至少其中之一：將該訓練集資料以及該驗證集資料之圖像進行不同的亮度（Brightness）調整，以增加該訓練集資料以及該驗證集資料的數量；將該訓練集資料以及該驗證集資料之圖像進行不同的切割（Segmentation）調整，以增加該訓練集資料以及該驗證集資料的數量；以及將該訓練集資料以及該驗證集資料之圖像進行不同的旋轉（Rotation）調整，以增加該訓練集資料以及該驗證集資料的數量。
如請求項第21項所記載之智能家禽輔助飼養系統，其中，該家禽人工智能影像判斷模型之產生步驟更包括：利用一第四人工智能影像判斷模型，對該訓練集資料內部之影像以及該驗證集資料內部之影像進行特徵標註（pre-labeling），以訓練該家禽人工智能影像判斷模型。
如請求項第21項所記載之智能家禽輔助飼養系統，其中，該家禽診斷裝置更包括：一壓力感測裝置，其中，當該壓力感測裝置測出有壓力時，觸發該影像擷取裝置進行該影像攝影，其中，該家禽診斷裝置將該壓力感測裝置所擷取的一壓力數據以及該影像傳送給該伺服器，其中，該伺服器根據該壓力數值以及該影像所辨識出的家禽數量以及家禽性別，記錄家禽數據，並依照複數個家禽數據之統計結果，判斷家禽成長狀態。
如請求項第24項所記載之智能家禽輔助飼養系統，其中，該家禽診斷裝置更包括：一雷射引導裝置，用以發射一雷射光，其中，當所記錄的家禽之一第一性別的對應數據大於一第二性別的對應數據，且該影像中之家禽被判定為該第一性別時啟動該雷射引導裝置，將該壓力感測裝置上的家禽引導離開該壓力感測裝置。
如請求項第24項所記載之智能家禽輔助飼養系統，其中，該家禽診斷裝置更包括：一雷射引導裝置，用以發射一雷射光，其中，該家禽診斷裝置更用以當該壓力感測裝置測出有壓力時，啟動該雷射引導裝置，將該壓力感測裝置上的家禽引導離開該壓力感測裝置，並啟動該影像擷取裝置進行該影像攝影，以擷取家禽之一排泄物影像，並傳送給該伺服器，其中，該家禽人工智能影像判斷模型根據該排泄物影像以判定家禽之健康狀態。
如請求項第24項所記載之智能家禽輔助飼養系統，其中，當該壓力感測裝置感測到壓力時，等待該壓力感測裝置壓力下降後，進行該影像攝影，以獲得該影像，藉此，增加擷取到家禽排泄物影像的機率。
一種電路設計方法，由一處理器讀取儲存於一記憶體的至少一指令所執行，包含： <br/>提供複數組通路銅柱排列方式，其中該複數組通路銅柱排列方式中的每一組通路銅柱排列方式包含一通路銅柱數量以及一通路銅柱間隔； <br/>提供複數個標準元件； <br/>計算該複數組通路銅柱排列方式中的該每一組通路銅柱排列方式與該複數個標準元件的複數個引腳重疊次數；以及 <br/>選擇該複數個引腳重疊次數中的一最小引腳重疊次數所對應的該複數組通路銅柱排列方式中的一組通路銅柱排列方式以作為一目標通路銅柱排列方式。
如請求項1所述之電路設計方法，更包含： <br/>判斷該目標通路銅柱排列方式是否符合一設計規則；以及 <br/>若該目標通路銅柱排列方式符合該設計規則，以該目標通路銅柱排列方式進行一電路設計。
如請求項1所述之電路設計方法，其中該複數組通路銅柱排列方式包含一第一組通路銅柱排列方式與一第二組通路銅柱排列方式，該複數個引腳重疊次數包含一第一引腳重疊次數與一第二引腳重疊次數，其中選擇該複數個引腳重疊次數中的該最小引腳重疊次數所對應的該複數組通路銅柱排列方式中的該組通路銅柱排列方式以作為該目標通路銅柱排列方式包含： <br/>比較該第一組通路銅柱排列方式與該複數個標準元件的該第一引腳重疊次數與該第二組通路銅柱排列方式與該複數個標準元件的該第二引腳重疊次數；以及 <br/>若該第一引腳重疊次數小於該第二引腳重疊次數，選擇該第一引腳重疊次數所對應的該第一組通路銅柱排列方式以作為該目標通路銅柱排列方式。
如請求項1所述之電路設計方法，其中該複數個標準元件包含一第一標準元件與一第二標準元件，其中提供該複數個標準元件包含： <br/>提供該第一標準元件，其中該第一標準元件包含一第一權重；以及 <br/>提供該第二標準元件，其中該第二標準元件包含一第二權重。
如請求項4所述之電路設計方法，其中計算該複數組通路銅柱排列方式中的該每一組通路銅柱排列方式與該複數個標準元件的該複數個引腳重疊次數包含： <br/>指定該複數組通路銅柱排列方式中的該每一組通路銅柱排列方式與該第一標準元件以及該第二標準元件的一重疊條件；以及 <br/>根據該重疊條件、該第一權重與該第二權重以計算該複數組通路銅柱排列方式中的該每一組通路銅柱排列方式與該第一標準元件以及該第二標準元件的該複數個引腳重疊次數。
一種電路設計裝置，包含： <br/>一記憶體，用以儲存至少一指令； <br/>一處理器，用以讀取該記憶體的該至少一指令以執行以下步驟： <br/>提供複數組通路銅柱排列方式，其中該複數組通路銅柱排列方式中的每一組通路銅柱排列方式包含一通路銅柱數量以及一通路銅柱間隔； <br/>提供複數個標準元件； <br/>計算該複數組通路銅柱排列方式中的該每一組通路銅柱排列方式與該複數個標準元件的複數個引腳重疊次數；以及 <br/>選擇該複數個引腳重疊次數中的一最小引腳重疊次數所對應的該複數組通路銅柱排列方式中的一組通路銅柱排列方式以作為一目標通路銅柱排列方式。
如請求項6所述之電路設計裝置，其中該處理器更讀取該記憶體的該至少一指令以執行以下步驟： <br/>判斷該目標通路銅柱排列方式是否符合一設計規則；以及 <br/>若該目標通路銅柱排列方式符合該設計規則，以該目標通路銅柱排列方式進行一電路設計。
如請求項6所述之電路設計裝置，其中該複數組通路銅柱排列方式包含一第一組通路銅柱排列方式與一第二組通路銅柱排列方式，該複數個引腳重疊次數包含一第一引腳重疊次數與一第二引腳重疊次數，其中該處理器更讀取該記憶體的該至少一指令以執行以下步驟： <br/>比較該第一組通路銅柱排列方式與該複數個標準元件的該第一引腳重疊次數與該第二組通路銅柱排列方式與該複數個標準元件的該第二引腳重疊次數；以及 <br/>若該第一引腳重疊次數小於該第二引腳重疊次數，選擇該第一引腳重疊次數所對應的該第一組通路銅柱排列方式以作為該目標通路銅柱排列方式。
如請求項6所述之電路設計裝置，其中該複數個標準元件包含一第一標準元件與一第二標準元件，其中該處理器更讀取該記憶體的該至少一指令以執行以下步驟： <br/>提供該第一標準元件，其中該第一標準元件包含一第一權重；以及 <br/>提供該第二標準元件，其中該第二標準元件包含一第二權重。
一種非暫態電腦可讀取記錄媒體，儲存一電腦程式，用以執行一種電路設計方法，其中該電路設計方法包含： <br/>提供複數組通路銅柱排列方式，其中該複數組通路銅柱排列方式中的每一組通路銅柱排列方式包含一通路銅柱數量以及一通路銅柱間隔； <br/>提供複數個標準元件； <br/>計算該複數組通路銅柱排列方式中的該每一組通路銅柱排列方式與該複數個標準元件的複數個引腳重疊次數；以及 <br/>選擇該複數個引腳重疊次數中的一最小引腳重疊次數所對應的該複數組通路銅柱排列方式中的一組通路銅柱排列方式以作為一目標通路銅柱排列方式。
一種黑洛神(<i>Hibiscus sabdariffa</i> Linn.，臺東6號)花萼粉或其發酵液用於製造預防及/或治療乾眼症之組合物的用途，其中該組合物為一保健食品組合物或一醫藥組合物，且其中該發酵液係黑洛神花萼粉原料或黑洛神萃取液與糖水及包含酵母菌、醋酸菌等菌種，於37℃下培養6~15天而得。
如請求項1所述之用途，其中該組合物係用於預防及/或治療因淚液分泌不足造成之乾眼症候群。
如請求項2所述之用途，其中該組合物係用於促進淚液分泌。
如請求項2所述之用途，其中該組合物係用於減緩淚腺腺泡細胞退化或凋亡。
如請求項2所述之用途，其中該組合物係用於維持淚腺細胞之正常分泌淚液功能。
如請求項1所述之用途，其中該組合物係用於預防及/或治療因淚液過度蒸發引起的乾眼症候群。
如請求項6所述之用途，其中該組合物係用於延長淚液破裂時間(TBUT)。
如請求項6所述之用途，其中該組合物係用於提升淚膜之品質與穩定度。
如請求項1所述之用途，其中該組合物係用於改善乾眼症候群引發的角膜表面損傷。
如請求項1所述之用途，其中該組合物係用於預防隱形眼鏡配戴時之淚湖高度(TMH)流失及乾澀不適。
一種電連接器，其包含： <br/>殼體，其界定經定位於共同線上之至少四個連續、緊鄰的芯； <br/>第一電接點，其界定第一保持形狀，該第一電接點經定位於該至少四個連續、緊鄰的芯中之第一者中； <br/>第二電接點，其界定第二保持形狀，該第二電接點經定位於該至少四個連續、緊鄰的芯中之第二者中，該第二電接點經定位緊鄰於該第一電接點； <br/>第三電接點，其界定該第一保持形狀，該第三電接點經定位於該至少四個連續、緊鄰的芯中之第三者中，該第三電接點經定位緊鄰於該第二電接點；及 <br/>第四電接點，其界定該第二保持形狀，該第四電接點經定位於該至少四個連續、緊鄰的芯中之第四者中，該第四電接點經定位緊鄰於該第三電接點，其中： <br/>該第一電接點及該第三電接點以第一方向插入至該殼體中，該第二電接點及該第四電接點以與該第一方向相對之第二方向插入至該殼體中，並且該第一電接點、該第二電接點、該第三電接點及該第四電接點皆放置於該共同線上並且被均勻地間隔開及具有相同的接點間距， <br/>該第一電接點和該第三電接點之該第一保持形狀與該第二電接點和該第四電接點之該第二保持形狀在不同高度處接合該至少四個連續、緊鄰的芯之各別一者， <br/>該第一電接點進一步界定第一配合端形狀， <br/>該第二電接點進一步界定第二配合端形狀， <br/>該第三電接點進一步界定該第一配合端形狀， <br/>該第四電接點進一步界定該第二配合端形狀，並且 <br/>該第一配合端形狀與該第二配合端形狀為相同形狀。
如請求項1項所述之電連接器，其中該電連接器為開放式插腳片連接器。
如請求項2所述之電連接器，其進一步包括： <br/>以平行列間隔開的第一電接點列、第二電接點列、第三電接點列及第四電接點列，該第一電接點列、該第二電接點列、該第三電接點列及該第四電接點列各者以平行於或實質上平行於該電連接器之縱向中心線延伸； <br/>該第一電接點列與該第二電接點列間隔開第一列間距； <br/>該第三電接點列與該第二電接點列間隔開第二列間距，該第二列間距大於該第一列間距；且 <br/>該第四電接點列與該第三電接點列間隔開該第一列間距， <br/>其中該第一電接點、該第二電接點、該第三電接點及該第四電接點在該第二電接點列中並且交替地編結至該殼體之頂部及該殼體之底部。
如請求項3所述之電連接器，其中該第一電接點及該第二電接點界定差分對，並且該第三電接點及該第四電接點界定差分對。
如請求項4所述之電連接器，其中該第一保持形狀不同於該第二保持形狀。
如請求項4所述之電連接器，其中該第一電接點、該第二電接點、該第三電接點和該第四電接點之各者的配合端在相同方向上延伸。
如請求項4所述之電連接器，其中： <br/>該第一電接點、該第二電接點、該第三電接點和該第四電接點各者包含配合端和安裝端，該配合端和該安裝端由中間部分連接；且 <br/>該第一電接點、該第二電接點、該第三電接點和該第四電接點各者之該中間部分具有相同寬度。
如請求項7所述之電連接器，其中該第一電接點、該第二電接點、該第三電接點和該第四電接點各者之該中間部分的相同寬度為該接點間距之50%至75%。
如請求項7或8所述之電連接器，其中該第一保持形狀與該第二保持形狀不同。
如請求項4所述之電連接器，其中： <br/>該第一保持形狀包含翼形部，其以第一延伸方向延伸；且 <br/>該第二保持形狀楔形件，其以垂直於或實質上垂直於該第一延伸方向之第二延伸方向延伸。
如請求項1至4中任一項所述之電連接器，其中該殼體沿著縱向中心線延伸並且具有垂直於或實質上垂直於該縱向中心線之中間中心線；且該殼體進一步包括： <br/>第一端壁及與該第一端壁相對之第二端壁； <br/>第一鍵控結構，其經定位毗鄰於該殼體之該第一端壁並且毗鄰於該殼體之配合側；以及 <br/>第二鍵控結構，其經定位毗鄰於該殼體之該第二端壁並且毗鄰於該殼體之該配合側， <br/>該第一鍵控結構及該第二鍵控結構經定位關於該縱向中心線及該中間中心線兩者為不對稱。
如請求項11所述之電連接器，其進一步包括： <br/>第一對準栓釘，其經定位毗鄰於該殼體之該第一端壁並且毗鄰於該殼體之安裝側；及 <br/>第二對準栓釘，其經定位毗鄰於該殼體之該第二端壁並且毗鄰於該殼體之該安裝側；其中 <br/>該第一對準栓釘及該第二對準栓釘皆經定位關於該縱向中心線及該中間中心線為不對稱。
如請求項12所述之電連接器，其中該殼體進一步包括： <br/>以平行列間隔開的第一電接點列、第二電接點列、第三電接點列及第四電接點列，該第一電接點列、該第二電接點列、該第三電接點列及該第四電接點列各者以平行於或實質上平行於該縱向中心線延伸； <br/>該第一電接點列與該第二電接點列間隔開第一列間距； <br/>該第三電接點列與該第二電接點列間隔開第二列間距，該第二列間距大於該第一列間距； <br/>該第四電接點列與該第三電接點列間隔開該第一列間距；以及 <br/>內部肋狀物，其沿著該縱向中心線延伸，並且承載該第一電接點、該第二電接點、該第三電接點及該第四電接點於該第二電接點列中以及承載該第三電接點列，該內部肋狀物界定亦沿著該縱向中心線延伸之至少一個空隙，並且該至少一個空隙經定位於該第二電接點列中之該第一電接點、該第二電接點、該第三電接點及該第四電接點中之一個的配合端和該第三電接點列中之電接點的配合端之間。
如請求項2所述之電連接器，其中該殼體進一步包括： <br/>以平行列間隔開的第一電接點列、第二電接點列、第三電接點列及第四電接點列，該第一電接點列、該第二電接點列、該第三電接點列及該第四電接點列各者以平行於或實質上平行於該縱向中心線延伸； <br/>該第一電接點列與該第二電接點列間隔開第一列間距； <br/>該第三電接點列與該第二電接點列間隔開第二列間距，該第二列間距大於該第一列間距； <br/>該第四電接點列與該第三電接點列間隔開該第一列間距；以及 <br/>內部肋狀物，其承載該第一電接點、該第二電接點、該第三電接點及該第四電接點於該第二電接點列中並且承載該第三電接點列，該內部肋狀物界定至少一個空隙，並且該至少一個空隙經定位於該第二電接點列中之該第一電接點、該第二電接點、該第三電接點及該第四電接點中之一個的安裝端和該第三電接點列中之電接點的安裝端之間。
如請求項11所述之電連接器，其中該殼體進一步包括： <br/>以平行列間隔開的第一電接點列、第二電接點列、第三電接點列及第四電接點列，該第一電接點列、該第二電接點列、該第三電接點列及該第四電接點列各者以平行於或實質上平行於該縱向中心線延伸； <br/>該第一電接點列與該第二電接點列間隔開第一列間距； <br/>該第三電接點列與該第二電接點列間隔開第二列間距，該第二列間距大於該第一列間距； <br/>該第四電接點列與該第三電接點列間隔開該第一列間距；以及 <br/>該電連接器在該第一電接點列與該第二電接點列之間無屏蔽及電源接點。
如請求項15所述之電連接器，其中該電連接器在該第二電接點列與該第三電接點列之間無該屏蔽及該電源接點。
如請求項11所述之電連接器，其中該第一鍵控結構及該第二鍵控結構為關於該中間中心線之偏移鏡像。
如請求項13所述之電連接器，其中該至少一個空隙為複數個空隙。
如請求項11所述之電連接器，其中該第一鍵控結構為第一凹部。
如請求項19所述之電連接器，其中該第一凹部由至少四個側面界定。
如請求項19所述之電連接器，其中該第一凹部由至少五個側面界定。
如請求項11所述之電連接器，其中該第二鍵控結構為第二凹部。
如請求項22所述之電連接器，其中該第二凹部由至少四個側面界定。
如請求項22所述之電連接器，其中該第二凹部由至少五個側面界定
如請求項11所述之電連接器，其中該第一鍵控結構為第一突出部。
如請求項25所述之電連接器，其中該第一突出部由至少四個側面界定。
如請求項25所述之電連接器，其中該第一突出部由至少五個側面界定。
如請求項11所述之電連接器，其中該第二鍵控結構為第二突出部。
如請求項28所述之電連接器，其中該第二突出部由至少四個側面界定。
如請求項28所述之電連接器，其中該第二突出部由至少五個側面界定。
如請求項11所述之電連接器，其中該第一鍵控結構經完全定位於該縱向中心線之第一側上，並且該第二鍵控結構經完全定位於該縱向中心線之與該第一側相對之第二側上。
如請求項11所述之電連接器，其中該第一鍵控結構鄰接該縱向中心線。
如請求項11所述之電連接器，其中該第二鍵控結構鄰接該縱向中心線。
如請求項11所述之電連接器，其中該縱向中心線穿過該第一鍵控結構之一部分。
如請求項11所述之電連接器，其中該縱向中心線穿過該第二鍵控結構之一部分。
如請求項11所述之電連接器，其進一步包括： <br/>以平行列間隔開的第一電接點列、第二電接點列、第三電接點列及第四電接點列，該第一電接點列、該第二電接點列、該第三電接點列及該第四電接點列各者以平行於或實質上平行於該縱向中心線延伸，其中： <br/>該第一電接點列與該第二電接點列間隔開第一列間距， <br/>該第三電接點列與該第二電接點列間隔開第二列間距，該第二列間距大於該第一列間距， <br/>該第四電接點列與該第三電接點列間隔開該第一列間距，並且 <br/>該第一電接點列、該第二電接點列、該第三電接點列及該第四電接點各者包括至少一百個電接點，其各者與各別可熔元件端接。
如請求項4所述之電連接器，其中該第一列間距為2.2±0.05 mm並且該第二列間距為2.4±0.05 mm。
如請求項4所述之電連接器，其中該電連接器具有至少32千兆位元/秒之資料速率，其具有在0 dB與-1.5 dB之間的插入損耗。
如請求項4所述之電連接器，其中該電連接器具有至少4096千兆位元/秒之一彙總資料速率，其具有在0 dB與-1.5 dB之間的插入損耗。
如請求項4所述之電連接器，其中該電連接器具有至少2088千兆位元/平方吋或13467千兆位元/平方公分之資料速率密度，其具有在0 dB與-1.5 dB之間的插入損耗。
如請求項11所述之電連接器，其中： <br/>該殼體進一步包括以平行列間隔開的第一電接點列、第二電接點列、第三電接點列及第四電接點列，該第一電接點列、該第二電接點列、該第三電接點列及該第四電接點列各者以平行於或實質上平行於該縱向中心線延伸， <br/>該第一電接點列與該第二電接點列間隔開第一列間距， <br/>該第三電接點列與該第二電接點列間隔開第二列間距，該第二列間距大於該第一列間距， <br/>該第四電接點列與該第三電接點列間隔開該第一列間距，並且 <br/>該第一電接點列、該第二電接點列、該第三電接點列及該第四電接點各者包括至少一百個電接點，其各者與各別壓入配合插腳端接。
如請求項11所述之電連接器，其中該第一鍵控結構包含傾斜側壁，其鄰接於該縱向中心線。
如請求項11所述之電連接器，其中該第一鍵控結構包含傾斜側壁，其穿過該縱向中心線。
如請求項42所述之電連接器，其中該第二鍵控結構包含第一側壁，其平行於該縱向中心線。
如請求項42所述之電連接器，其中該第二鍵控結構包含第一側壁，其經定位毗鄰於該縱向中心線但是與該縱向中心線間隔開。
如請求項43所述之電連接器，其中該第二鍵控結構包含第一側壁，其平行於該縱向中心線。
如請求項43所述之電連接器，其中該第二鍵控結構包含第一側壁，其經定位毗鄰於該縱向中心線但是與該縱向中心線間隔開。
如請求項11所述之電連接器，其中該第一鍵控結構包含傾斜插頭側壁，其與該縱向中心線間隔開。
如請求項48所述之電連接器，其中該第二鍵控結構包含第一插頭側壁，其平行於該縱向中心線。
如請求項48所述之電連接器，其中該第二鍵控結構包含第一插頭側壁，其經定位毗鄰於該縱向中心線但是與該縱向中心線間隔開。
如請求項4所述之電連接器，其中該第二電接點之該第二保持形狀完全插入於該四個連續、緊鄰的芯中之該第二者中。
如請求項4所述之電連接器，其中該電連接器為夾層式連接器，其與另一夾層式連接器配合。
如請求項4所述之電連接器，其進一步包含在回焊之前附接至該第一電接點之可熔元件。
如請求項4所述之電連接器，其中該電連接器無串擾屏蔽。
如請求項1所述之電連接器，其中該第一電接點、該第二電接點、該第三電接點及該第四電接點各自與壓入配合插腳端接。
如請求項1至4中任一項所述之電連接器，其中： <br/>該殼體包括具有至少三個電接點之第一線性陣列、行或列， <br/>該至少三個電接點包括該第一電接點、該第二電接點及該第三電接點，該第一電接點具有第一固定結構並且該第二電接點具有第二固定結構， <br/>該第一固定結構及該第二固定結構在該殼體之不同高度處接合該殼體，且 <br/>該第一固定結構及該第二固定結構為相同。
如請求項56所述之電連接器，其中該第一固定結構及該第二固定結構各者包括翼形部、楔形件、突出部、引入件或凸塊中之至少一者。
如請求項56所述之電連接器，其進一步包含附接至該至少三個電接點各者之可熔元件。
如請求項1所述之電連接器，其中： <br/>該至少四個連續、緊鄰的芯包括第一芯及第二芯； <br/>該第一電接點包括於該第一芯中； <br/>該第二電接點包括於該第二芯中；且 <br/>該第一芯之形狀與該第二芯之形狀為不同。
如請求項1所述之電連接器，其中： <br/>該至少四個連續、緊鄰的芯包括第一芯及第二芯； <br/>該第一電接點包括於該第一芯中； <br/>該第二電接點包括於該第二芯中；且 <br/>該第一芯之形狀與該第二芯之形狀為相同。
如請求項12所述之電連接器，其中該第一對準栓釘具有0.8±0.05 mm之直徑，且該第二對準栓釘具有0.8±0.05 mm×0.6±0.05 mm之尺寸。
如請求項2至4中任一項所述之電連接器，其中該殼體包含以平行列間隔開的第一電接點列、第二電接點列、第三電接點列及第四電接點列，該第一電接點列、該第二電接點列、該第三電接點列及該第四電接點列各者以平行於或實質上平行於該電連接器之縱向中心線延伸， <br/>該第一電接點列具有一百個電接點，該第二電接點列具有一百個電接點，並且該第一電接點列與該第二電接點列間隔開第一列間距， <br/>該第三電接點列具有一百個電接點，並且與該第二電接點列間隔開第二列間距，該第二列間距大於該第一列間距，以及 <br/>該第四電接點列具有一百個電接點，並且與該第三電接點列間隔開該第一列間距，並且該殼體進一步包含： <br/>配合印刷電路板，其包含： <br/>第一襯墊列，其含有至少一百個襯墊； <br/>第二襯墊列，其含有至少一百個襯墊； <br/>第三襯墊列，其含有至少一百個襯墊； <br/>第四襯墊列，其含有至少一百個襯墊； <br/>該至少一百個襯墊之該第一襯墊列與該至少一百個襯墊之該第二襯墊列間隔開2.2±0.05 mm之第一襯墊列間距； <br/>該至少一百個襯墊之該第三襯墊列與該至少一百個襯墊之該第二襯墊列間隔開2.4±0.05 mm之第二襯墊列間距； <br/>該至少一百個襯墊之該第四襯墊列與該至少一百個襯墊之該第三襯墊列間隔開2.2±0.05 mm之該第一襯墊列間距； <br/>第一對準孔；及 <br/>第二對準孔，其中 <br/>該第一對準孔具有0.8±0.05 mm之直徑，並且與該第三襯墊列沿著同一線進行定位，並且 <br/>該第二對準孔具有0.8±0.05 mm×0.6±0.05 mm之尺寸，經定位於中心線上，該中心線經等距定位於該第二襯墊列與該第三襯墊列之間及平行於或實質上平行於該第二襯墊列及該第三襯墊列，並且經定位毗鄰於該第二襯墊列中之第一襯墊。
一種液冷系統，包含：多個第一液冷板，包含一前第一液冷板以及一後第一液冷板，該前第一液冷板以及該後第一液冷板用以分別熱接觸多個第一發熱元件，其中該前第一液冷板以及該後第一液冷板串聯連接並彼此連通；以及多個液冷模組，包含一第一液冷模組、一第二液冷模組、一第三液冷模組以及一第四液冷模組，該第一液冷模組、該第二液冷模組、該第三液冷模組以及該第四液冷模組串聯連接並彼此連通，該液冷系統用以供一冷卻液依序流經該前第一液冷板、該後第一液冷板、該第一液冷模組、該第二液冷模組、該第三液冷模組與該第四液冷模組，且該前第一液冷板、該後第一液冷板、該第一液冷模組、該第二液冷模組、該第三液冷模組與該第四液冷模組僅形成一個串聯式連通管路，該第一液冷模組、該第二液冷模組、該第三液冷模組以及該第四液冷模組各包含：兩個分流部，連通該些第一液冷板，其中每一該分流部具有多個分流孔；以及多個第二液冷板，用以熱接觸多個第二發熱元件，其中該些第二液冷板設置於該些分流部之間，且該些第二液冷板分別透過該些分流孔連通該些分流部；其中，該些第一液冷板與該些液冷模組串聯連接並彼此連通。
如請求項1所述之液冷系統，其中每一該第二液冷板在相對兩端各具有一凸耳部，該些第二液冷板的該些凸耳部分別插入該些分流孔以穩固該些第二液冷板與該些分流部之間的連接。
如請求項2所述之液冷系統，其中該些凸耳部與該些分流部之間透過焊接連接以強化該些第二液冷板與該些分流部之間的連接密合性。
如請求項1所述之液冷系統，其中該些第二液冷板用以夾持該些第二發熱元件，且該些第二液冷板各自具有一避讓槽以避免與該些第二發熱元件上的凸出部分彼此干涉。
如請求項1所述之液冷系統，其中每一該液冷模組更包含多個柔性導熱墊，該些柔性導熱墊具有可撓性，該些柔性導熱墊分別設置於該些第二液冷板外側以強化該些第二液冷板與該些第二發熱元件之間的熱傳導。
如請求項5所述之液冷系統，其中該些柔性導熱墊為聚醯亞胺材質。
如請求項1所述之液冷系統，其中該第二液冷模組的該些分流部的其中一者與該第三液冷模組的該些分流部的其中一者為一體成型的結構，且該第二液冷模組的該些分流部的另外一者與該第三液冷模組的該些分流部的另外一者為一體成型的結構。
如請求項1所述液冷系統，更包含多個連通管，其中該些連通管為聚四氟乙烯材質且具有可撓性，且該些連通管分別連通該第一液冷模組與該第二液冷模組以及該第三液冷模組與該第四液冷模組。
一種頻率調整裝置，用以根據一供應電源及一運作頻率運作，該頻率調整裝置包含：<br/> 一時脈供應電路，用以輸出多個時脈信號的其中一者作為一供應時脈信號；<br/> 一時脈閘控元件，用以閘控該供應時脈信號以產生一輸出時脈信號；<br/> 一電壓偵測電路，用以偵測該供應電源的一電壓變化斜率及一電壓值；以及<br/> 一控制電路，用以：<br/> 當該供應電源的該電壓變化斜率小於一第一臨界斜率時，降低該輸出時脈信號的一頻率，其中該第一臨界斜率小於零；<br/> 當該電壓變化斜率大於零時，提高該輸出時脈信號的該頻率；以及<br/> 當該電壓變化斜率維持於一穩定斜率區間達一指定時段時，控制該時脈供應電路選擇該多個時脈信號中的一第一時脈信號作為該供應時脈信號，並將該輸出時脈信號的該頻率調整為該第一時脈信號的一頻率，其中該第一時脈信號的該頻率等於該運作頻率。
如請求項1所述之頻率調整裝置，其中該控制電路更用以：<br/> 當該供應電源的該電壓值小於一第一臨界電壓值時，控制該時脈供應電路選擇該多個時脈信號中的該第一時脈信號作為該供應時脈信號，並降低該輸出時脈信號的該頻率。
如請求項1所述之頻率調整裝置，其中該控制電路更用以：<br/> 當該供應電源的該電壓值上升至大於一第二臨界電壓值時，控制該時脈供應電路選擇該多個時脈信號中的一第二時脈信號作為該供應時脈信號，並提高該輸出時脈信號的該頻率，其中該第二時脈信號的一頻率小於該運作頻率。
如請求項3所述之頻率調整裝置，其中該控制電路更用以：<br/> 當該供應電源的該電壓值等於一穩定電壓值達該指定時段時，控制該時脈供應電路選擇該第一時脈信號作為該供應時脈信號，並將該輸出時脈信號的該頻率調整為該第一時脈信號的該頻率。
如請求項4所述之頻率調整裝置，其中該時脈供應電路包含：<br/> 一第一時脈源，用以產生該第一時脈信號；<br/> 一第二時脈源，用以產生該第二時脈信號；以及<br/> 一時脈切換電路，耦接至該第一時脈源、該第二時脈源及該控制電路，用以自該控制電路接收一時脈選擇信號，並根據該時脈選擇信號自該第一時脈信號以及該第二時脈信號中選擇一者作為該供應時脈信號。
如請求項5所述之頻率調整裝置，其中該時脈供應電路更包含：<br/> 一第三時脈源，耦接至該時脈切換電路且用以產生一第三時脈信號，其中該第三時脈信號的一頻率大於該第二時脈信號的該頻率且小於該運作頻率，<br/> 其中該時脈切換電路用以根據該時脈選擇信號自該第一時脈信號、該第二時脈信號及該第三時脈信號中選擇一者作為該供應時脈信號，且<br/> 其中該控制電路更用以在該供應電源的該電壓值上升至大於一第三臨界電壓值時，控制該時脈供應電路選擇該第三時脈信號作為該供應時脈信號，並提高該輸出時脈信號的該頻率，其中該第三臨界電壓值大於該第二臨界電壓值且小於該穩定電壓值。
如請求項1所述之頻率調整裝置，其中該控制電路更用以：<br/> 當該電壓變化斜率上升至大於一第二臨界斜率時，控制該時脈供應電路選擇該多個時脈信號中的一第二時脈信號作為該供應時脈信號，其中該第二時脈信號的一頻率小於該運作頻率。
如請求項1所述之頻率調整裝置，其中該時脈閘控元件用以根據該控制電路所產生的一時脈參數閘控該供應時脈信號，<br/> 其中該時脈參數為包含多個位元的一數位信號，該多個位元各自處於一邏輯高狀態或一邏輯低狀態，且<br/> 該輸出時脈信號的該頻率正相關於處於該邏輯高狀態的該多個位元的數量。
一種頻率調整方法，適用於根據一供應電源及一運作頻率運作的一頻率調整裝置，該頻率調整方法包含：<br/> 藉由一時脈供應電路輸出多個時脈信號的其中一者作為一供應時脈信號；<br/> 藉由一時脈閘控元件閘控該供應時脈信號以產生一輸出時脈信號；<br/> 藉由一電壓偵測電路偵測該供應電源的一電壓變化斜率及一電壓值；<br/> 響應於該供應電源的該電壓變化斜率小於一第一臨界斜率，藉由一控制電路降低該輸出時脈信號的一頻率，其中該第一臨界斜率小於零；<br/> 響應於該電壓變化斜率大於零，藉由該控制電路提高該輸出時脈信號的該頻率；以及<br/> 響應於該電壓變化斜率維持於一穩定斜率區間達一指定時段，藉由該時脈供應電路選擇該多個時脈信號中的一第一時脈信號作為該供應時脈信號，且藉由該控制電路將該輸出時脈信號的該頻率調整為該第一時脈信號的一頻率，其中該第一時脈信號的該頻率等於該運作頻率。
如請求項9所述之頻率調整方法，更包含：<br/> 響應於該供應電源的該電壓值上升至大於一第二臨界電壓值，藉由該時脈供應電路選擇該多個時脈信號中的一第二時脈信號作為該供應時脈信號，且藉由該控制電路提高該輸出時脈信號的該頻率，其中該第二時脈信號的一頻率小於該運作頻率。
一種半導體記憶體結構，包括：<br/> 一基底；<br/> 一第一字元線以及一第二字元線，埋置於該基底中；以及<br/> 一位元線結構，從該第一字元線以及該第二字元線之間的該基底中延伸至該基底上，其中該位元線結構包括：<br/> 一第一導電層；<br/> 一氮化鈦矽層，位於該第一導電層上，其中該氮化鈦矽層包括：<br/> 一下部以及一上部，其中該下部的矽原子百分比大於該上部的矽原子百分比；以及<br/> 一第二導電層，位於該氮化鈦矽層上。
如請求項1所述之半導體記憶體結構，其中該下部的矽原子百分比在35%至45%之間，該上部的矽原子百分比小於5%。
如請求項1所述之半導體記憶體結構，其中該下部的鈦原子百分比在35%至45%之間。
如請求項1所述之半導體記憶體結構，其中該下部的鈦原子百分比與矽原子百分比的比值在0.8至1.2之間。
如請求項1所述之半導體記憶體結構，其中該上部的鈦原子百分比在60%至80%之間，該上部的氮原子百分比在15%至35%之間。
如請求項1所述之半導體記憶體結構，其中該上部的鈦原子百分比與氮原子百分比的比值在1.8至5.3之間。
如請求項1所述之半導體記憶體結構，其中該上部具有一第一厚度，該下部具有一第二厚度，且該第一厚度大於該第二厚度。
如請求項7所述之半導體記憶體結構，其中該第一厚度與該第二厚度的比例在3：2至4：1之間。
如請求項1所述之半導體記憶體結構，其中該第一導電層包括多晶矽，且該第二導電層包括鎢、鋁、及/或銅。
一種半導體記憶體結構的形成方法，包括：<br/> 提供一基底；<br/> 形成埋置於該基底中的一第一字元線以及一第二字元線；以及<br/> 形成一位元線結構，該位元線結構從該第一字元線以及該第二字元線之間的該基底中延伸至該基底上，其中該位元線結構包括：<br/> 一第一導電層；<br/> 一氮化鈦矽層，位於該第一導電層上，其中該氮化鈦矽層包括：<br/> 一下部以及一上部，其中該下部的矽原子百分比大於該上部的矽原子百分比；以及<br/> 一第二導電層，位於該氮化鈦矽層上。
如請求項10所述之半導體記憶體結構的形成方法，其中形成該氮化鈦矽層的該下部或該上部包括：<br/> 對放置在一沉積腔室的一中間結構進行一鈦氮化物製程循環；<br/> 以一第一次數重複進行該鈦氮化物製程循環，以形成一鈦氮化物分子層；<br/> 對該鈦氮化物分子層進行一氮化矽製程循環；<br/> 以一第二次數重複進行該氮化矽製程循環，以形成一氮化矽分子層，且使該氮化矽分子層與該鈦氮化物分子層反應，以完成一氮化鈦矽製程循環，該氮化鈦矽製程循環用以形成一氮化鈦矽分子層；以及<br/> 以一第三次數重複進行該氮化鈦矽製程循環。
如請求項11所述之半導體記憶體結構的形成方法，其中：<br/> 形成該氮化鈦矽層的該下部期間，該中間結構為具有該第一字元線、該第二字元線以及該第一導電層的該基底，以及<br/> 其中形成該氮化鈦矽層的該上部期間，該中間結構為具有該第一字元線、該第二字元線、該第一導電層以及該下部的該基底。
如請求項11所述之半導體記憶體結構的形成方法，其中進行該鈦氮化物製程循環包括：<br/> (a)提供一第一前驅物的脈衝至該沉積腔室中；<br/> (b)在步驟(a)之後淨化該沉積腔室；<br/> (c)在步驟(b)之後提供一第二前驅物的脈衝至該沉積腔室中，以形成一鈦氮化物單層；以及<br/> (d)在步驟(c)之後淨化該沉積腔室。
如請求項13所述之半導體記憶體結構的形成方法，其中進行該氮化矽製程循環包括：<br/> (e)在步驟(d)之後提供一第三前驅物的脈衝至該沉積腔室中；<br/> (f)在步驟(e)之後淨化該沉積腔室；<br/> (g)在步驟(f)之後提供該第二前驅物的脈衝至該沉積腔室中，以形成一氮化矽單層；以及<br/> (h)在步驟(g)之後淨化該沉積腔室。
如請求項11所述之半導體記憶體結構的形成方法，其中形成該氮化鈦矽層的該上部的第一次數與第二次數的比例高於該氮化鈦矽層的該下部。
如請求項11所述之半導體記憶體結構的形成方法，其中形成該氮化鈦矽層的該上部的第三次數低於該氮化鈦矽層的該下部。
一種燒烤食材的製作方法，包含下列步驟：<br/> (A)將多數未熟化食材蒸煮至中心溫度達到72℃以上，使食材熟化，該等未熟化食材是以生鮮肉類灌入腸衣而形成條狀的香腸；<br/> (B)將該等已蒸煮熟化的食材以400~700℃，且燒烤時間為1~3秒進行高溫短時間烙印，且製成多數半成品；及<br/> (C)將該等半成品以油溫160~180℃進行油炸且製成多數成品。
如請求項1所述的燒烤食材的製作方法，其中，該步驟(A)對該等未熟化食材以75~80℃蒸煮，且蒸煮時間為20~30分鐘。
如請求項1所述的燒烤食材的製作方法，其中，該步驟(C)對該等已蒸煮熟化食材以油炸時間1~3分鐘進行油炸。
如請求項1所述的燒烤食材的製作方法，還包含一位於該步驟(C)之後的步驟(D)，以及一位於該步驟(D) 之後的步驟(E)，該步驟(D)是將該等成品裝入一包裝袋並進行抽真空，該步驟(E)是以80~90℃進行蒸煮，蒸煮時間6~20分鐘。
一種具有快速轉換機制的類比至數位轉換裝置，包含：<br/> 一前級取樣開關電路，配置以在一前級取樣致能時間區間中致能以接收一輸入類比訊號並進行一前級取樣與保持以產生一前級類比訊號；<br/> 一前級量化電路，配置以對該前級類比訊號進行一前級量化，以產生一N位元量化結果，其中N為一正數；<br/> 一後級緩衝（buffer）電路；以及<br/> 一後級電路，包含：<br/> 一後級取樣開關電路，透過該後級緩衝電路電性耦接於該前級取樣開關電路，以在一後級取樣致能時間區間中致能而透過該後級緩衝電路接收該前級類比訊號進行一後級取樣與保持以產生一後級類比訊號；以及<br/> 一類比至數位轉換電路，配置以接收該N位元量化結果以及該後級類比訊號，以使該N位元量化結果做為一高位元轉換參考資料，以根據該高位元轉換參考資料以及該後級類比訊號進行一類比至數位轉換以產生一數位訊號。
如請求項1所述之類比至數位轉換裝置，其中該類比至數位轉換電路在一非冗餘架構中將該高位元轉換參考資料直接設置為一最高N位元轉換結果，以根據該最高N位元轉換結果以及該後級類比訊號進行該類比至數位轉換以產生該數位訊號；以及<br/> 該類比至數位轉換電路在一冗餘架構中根據該高位元轉換參考資料進行一冗餘計算以產生一冗餘計算結果，以根據該冗餘計算結果以及該後級類比訊號進行該類比至數位轉換以產生該數位訊號。
如請求項1所述之類比至數位轉換裝置，其中該前級取樣開關電路與該後級緩衝電路間具有影響該前級類比訊號達到一穩定態的一前級電容效應，該後級取樣開關電路與該類比至數位轉換電路間具有影響該後級類比訊號達到該穩定態的一後級電容效應，該前級電容效應以及該後級電容效應分別根據一實際電容或一寄生電容產生。
如請求項1所述之類比至數位轉換裝置，其中該後級取樣致能時間區間與該前級取樣致能時間區間部分重疊，且該後級取樣致能時間區間的一後級取樣致能結束點晚於該前級取樣致能時間區間的一前級取樣致能結束點。
如請求項1所述之類比至數位轉換裝置，其中該後級取樣致能時間區間與該前級取樣致能時間區間不重疊，且該後級取樣致能時間區間晚於該前級取樣致能時間區間。
如請求項1所述之類比至數位轉換裝置，其中該前級量化電路在一第一量化時間、一第二量化時間以及一第三量化時間的至少其中之一內進行該前級量化，該第一量化時間對應於該前級取樣致能時間區間的一結尾區段，該第二量化時間對應於該前級取樣致能時間區間結束後且緊鄰該前級取樣致能時間區間的一鄰接區段，該第三量化時間對應於該前級取樣致能時間區間結束後且與該前級取樣致能時間區間具有一間隔的一間隔區段；<br/> 其中該第一量化時間、該第二量化時間以及該第三量化時間早於該後級取樣致能時間區間的一後級取樣致能結束點。
如請求項1所述之類比至數位轉換裝置，其中該後級電路的數目為M，該M個後級電路皆電性耦接於該後級緩衝電路，且該M個後級電路所對應的該M個後級取樣致能時間區間彼此交錯不重疊，以共同形成一時間交織（time-interleaved）類比數位轉換電路，其中M為大於1的正整數。
如請求項1所述之類比至數位轉換裝置，該前級量化電路包含：<br/> 複數個比較器，該複數個比較器的每一比較器接收該前級類比訊號以與複數個參考電壓其中之一進行比較產生複數個比較結果其中之一；以及<br/> 一編碼電路，配置以根據該複數個比較結果產生該N位元量化結果，其中N大於1。
如請求項1所述之類比至數位轉換裝置，該前級量化電路包含：<br/> 一比較電路，配置以接收一單端形式的該前級類比訊號以與一參考電壓進行比較產生該N位元量化結果，或接收一差動形式的該前級類比訊號進行比較產生該N位元量化結果，其中N為1。
一種具有快速轉換機制的類比至數位轉換方法，應用於一類比至數位轉換裝置中，包含：<br/> 使一前級取樣開關電路在一前級取樣致能時間區間中致能以接收一輸入類比訊號並進行一前級取樣與保持以產生一前級類比訊號；<br/> 使一前級量化電路對該前級類比訊號進行一前級量化，以產生一N位元量化結果，其中N為一正數；<br/> 使一後級電路包含的一後級取樣開關電路透過一後級緩衝電路電性耦接於該前級取樣開關電路，以在一後級取樣致能時間區間中致能而透過該後級緩衝電路接收該前級類比訊號進行一後級取樣與保持以產生一後級類比訊號；以及<br/> 使該後級電路包含的一類比至數位轉換電路接收該N位元量化結果以及該後級類比訊號，以將該N位元量化結果直接設置為一最高N位元轉換結果，以繼續根據該最高N位元轉換結果以及該後級類比訊號進行一類比至數位轉換以產生一數位訊號。
一種光學成像鏡頭，從一物側至一像側沿一光軸依序包括一第一透鏡、一光圈、一第二透鏡、一第三透鏡、一第四透鏡、一第五透鏡及一第六透鏡，且該第一透鏡至該第六透鏡各自包括一朝向該物側且使成像光線通過的物側面及一朝向該像側且使成像光線通過的像側面，該光學成像鏡頭包含： <br/>該第一透鏡的該像側面的一光軸區域為凹面； <br/>該第三透鏡的該物側面的一光軸區域為凸面； <br/>該第四透鏡的該物側面的一圓周區域為凹面；以及 <br/>該第六透鏡的該物側面的一光軸區域為凸面； <br/>其中該光學成像鏡頭的具有屈光率透鏡由以上六個透鏡組成，TL為該第一透鏡的該物側面到該第六透鏡的該像側面在該光軸上的距離、T4為該第四透鏡在該光軸上的厚度、T6為該第六透鏡在該光軸上的厚度，且滿足以下條件式：TL/（T4+T6）≤5.500且該第一透鏡的阿貝數大於該第六透鏡的阿貝數。
一種光學成像鏡頭，從一物側至一像側沿一光軸依序包括一第一透鏡、一光圈、一第二透鏡、一第三透鏡、一第四透鏡、一第五透鏡及一第六透鏡，且該第一透鏡至該第六透鏡各自包括一朝向該物側且使成像光線通過的物側面及一朝向該像側且使成像光線通過的像側面，該光學成像鏡頭包含： <br/>該第一透鏡的該像側面的一光軸區域為凹面、且該第一透鏡的該像側面的一圓周區域為凹面； <br/>該第三透鏡的該物側面的一光軸區域為凸面；以及 <br/>該第四透鏡的該物側面的一圓周區域為凹面； <br/>其中該光學成像鏡頭的具有屈光率透鏡由以上六個透鏡組成，TL為該第一透鏡的該物側面到該第六透鏡的該像側面在該光軸上的距離、T4為該第四透鏡在該光軸上的厚度、T6為該第六透鏡在該光軸上的厚度，且滿足以下條件式：TL/（T4+T6）≤5.500且該第一透鏡的阿貝數大於該第六透鏡的阿貝數。
一種光學成像鏡頭，從一物側至一像側沿一光軸依序包括一第一透鏡、一光圈、一第二透鏡、一第三透鏡、一第四透鏡、一第五透鏡及一第六透鏡，且該第一透鏡至該第六透鏡各自包括一朝向該物側且使成像光線通過的物側面及一朝向該像側且使成像光線通過的像側面，該光學成像鏡頭包含： <br/>該第一透鏡的該像側面的一光軸區域為凹面、且該第一透鏡的該像側面的一圓周區域為凹面；以及 <br/>該第三透鏡的該物側面的一光軸區域為凸面； <br/>其中該光學成像鏡頭的具有屈光率透鏡由以上六個透鏡組成，TL為該第一透鏡的該物側面到該第六透鏡的該像側面在該光軸上的距離、T4為該第四透鏡在該光軸上的厚度、T6為該第六透鏡在該光軸上的厚度、AAG為該第一透鏡至該第六透鏡在該光軸上的五個空氣間隙的總和、Fno為該光學成像鏡頭的光圈值，且滿足以下條件式：TL/（T4+T6）≤5.500、AAG*Fno/T6≤5.700、且該第一透鏡的阿貝數大於該第六透鏡的阿貝數。
一種光學成像鏡頭，從一物側至一像側沿一光軸依序包括一第一透鏡、一光圈、一第二透鏡、一第三透鏡、一第四透鏡、一第五透鏡及一第六透鏡，且該第一透鏡至該第六透鏡各自包括一朝向該物側且使成像光線通過的物側面及一朝向該像側且使成像光線通過的像側面，該光學成像鏡頭包含： <br/>該第二透鏡的該像側面的一圓周區域為凸面； <br/>該第三透鏡的該物側面的一光軸區域為凸面；以及 <br/>該第六透鏡具有負屈光率且該第六透鏡的該物側面的一光軸區域為凸面； <br/>其中該光學成像鏡頭的具有屈光率透鏡由以上六個透鏡組成，AAG為該第一透鏡至該第六透鏡在該光軸上的五個空氣間隙的總和、Fno為該光學成像鏡頭的光圈值、T6為該第六透鏡在該光軸上的厚度，且滿足以下條件式：AAG*Fno/T6≤5.700且該第一透鏡的阿貝數大於該第六透鏡的阿貝數。
如請求項1至請求項4中任一項所述的光學成像鏡頭，其中AAGF為該第一透鏡的該物側面到該第二透鏡的該物側面在該光軸上的距離，且該光學成像鏡頭滿足以下條件：AAGF/T6≤2.000。
如請求項1至請求項4中任一項所述的光學成像鏡頭，其中AAGF為該第一透鏡的該物側面到該第二透鏡的該物側面在該光軸上的距離、ImgH為該光學成像鏡頭的像高，且該光學成像鏡頭滿足以下條件：2.600≤ImgH/AAGF。
如請求項1至請求項4中任一項所述的光學成像鏡頭，其中ALT13為該第一透鏡至該第三透鏡在該光軸上的三個透鏡厚度的總和、G23為該第二透鏡到該第三透鏡在該光軸上的空氣間隙，且該光學成像鏡頭滿足以下條件：ALT13/（T6+G23）≤3.600。
如請求項1至請求項4中任一項所述的光學成像鏡頭，其中ALT24為該第二透鏡至該第四透鏡在該光軸上的三個厚度的總和、G34為該第三透鏡到該第四透鏡在該光軸上的空氣間隙，且該光學成像鏡頭滿足以下條件：ALT24/（T6+G34）≤3.200。
如請求項1至請求項4中任一項所述的光學成像鏡頭，其中ALT為該第一透鏡至該第六透鏡在該光軸上的六個透鏡厚度的總和、BFL為該第六透鏡的該像側面到一成像面在該光軸上的距離，且該光學成像鏡頭滿足以下條件：ALT/（T6+BFL）≤2.400。
如請求項1至請求項4中任一項所述的光學成像鏡頭，其中D11t32為該第一透鏡的該物側面到該第三透鏡的該像側面在光軸上的距離、D32t52為該第三透鏡的該像側面到該第五透鏡的該像側面在該光軸上的距離，且該光學成像鏡頭滿足以下條件：D11t32/D32t52≤1.600。
如請求項1至請求項4中任一項所述的光學成像鏡頭，其中ALT14為該第一透鏡至該第四透鏡在該光軸上的四個厚度的總和、G45為該第四透鏡到該第五透鏡在該光軸上的空氣間隙，且該光學成像鏡頭滿足以下條件：ALT14/（T6+G45）≤3.100。
如請求項1至請求項4中任一項所述的光學成像鏡頭，且滿足以下條件：該第三透鏡的阿貝數大於該第六透鏡的阿貝數。
如請求項1至請求項4中任一項所述的光學成像鏡頭，且滿足以下條件：該第五透鏡的阿貝數大於該第六透鏡的阿貝數。
如請求項1至請求項4中任一項所述的光學成像鏡頭，其中G12為該第一透鏡到該第二透鏡在該光軸上的空氣間隙、T2為該第二透鏡在該光軸上的厚度，且該光學成像鏡頭滿足以下條件：（G12+T2）/T6≤1.600。
如請求項1至請求項4中任一項所述的光學成像鏡頭，其中ALT為該第一透鏡至該第六透鏡在該光軸上的六個透鏡厚度的總和、D51t62為該第五透鏡的該物側面到該第六透鏡的該像側面在該光軸上的距離，且該光學成像鏡頭滿足以下條件：ALT/D51t62≤2.300。
如請求項1至請求項4中任一項所述的光學成像鏡頭，其中T1為該第一透鏡在該光軸上的厚度、G45為該第四透鏡到該第五透鏡在該光軸上的空氣間隙、G56為該第五透鏡到該第六透鏡在該光軸上的空氣間隙，且該光學成像鏡頭滿足以下條件：（T1+G45+G56）/T6≤2.100。
如請求項1至請求項4中任一項所述的光學成像鏡頭，且滿足以下條件：該第二透鏡的阿貝數大於該第六透鏡的阿貝數。
如請求項1至請求項4中任一項所述的光學成像鏡頭，其中T3為該第三透鏡在該光軸上的厚度、G12為該第一透鏡到該第二透鏡在該光軸上的空氣間隙、G56為該第五透鏡到該第六透鏡在該光軸上的空氣間隙、T5為該第五透鏡在該光軸上的厚度，且該光學成像鏡頭滿足以下條件：（T3+G12+G56）/T5≤2.000。
如請求項1至請求項4中任一項所述的光學成像鏡頭，其中ImgH為該光學成像鏡頭的像高、EFL為該光學成像鏡頭的系統焦距，且該光學成像鏡頭滿足以下條件：1.000≤ImgH/EFL。
如請求項1至請求項4中任一項所述的光學成像鏡頭，其中HFOV為該光學成像鏡頭的半視角、且AAGF為該第一透鏡的該物側面到該第二透鏡的該物側面在該光軸上的距離，且該光學成像鏡頭滿足以下條件：85.000 <sup>∘</sup>/mm≤HFOV/AAGF。
一種天線封裝結構，包括： <br/>一電極層； <br/>一第一線路結構，設置於該電極層上，且包括一導電層； <br/>至少一無機介電層，設置於該第一線路結構的該導電層與該電極層之間； <br/>至少一有機介電層，其中該電極層、該第一線路結構及該至少一無機介電層設置於該至少一有機介電層的一下側； <br/>一第二線路結構，其中該第二線路結構的至少一部分設置於該至少一有機介電層的一上側；以及 <br/>一晶片，設置於該至少一有機介電層的該上側，且與該第二線路結構的該至少一部分接合； <br/>其中，該電極層具有相對的一上表面、一下表面及一側面，該電極層的該上表面位於該至少一無機介電層與該電極層的該下表面之間，該電極層的該側面連接該電極層的該上表面與該電極層的該下表面，該電極層的該側面與該電極層的該下表面在該電極層的材質內夾有一角度θ，且0<sup>o</sup>＜θ＜90<sup>o</sup> ；以及 <br/>一導電連接層，共形地覆蓋該電極層的該上表面及該側面。
如請求項1所述的天線封裝結構，其中40<sup>o</sup>≤θ≤60<sup>o</sup>。
如請求項1所述的天線封裝結構，其中該導電連接層的一材質與該電極層的一材質相異。
如請求項3所述的天線封裝結構，其中該導電連接層之該材質與該至少一無機介電層之一材質的一附著力大於該電極層之該材質與該至少一無機介電層之該材質的一附著力。
如請求項3所述的天線封裝結構，其中該電極層的該材質包括銅；該至少一無機介電層的該材質包括含矽的無機材料；該導電連接層的該材質包括鈦、鋁、銦、錫或鈦、鋁、銦、錫之至少一者的氧化物。
如請求項3所述的天線封裝結構，其中該導電連接層的形狀與該電極層的形狀與實質上相同。
如請求項1所述的天線封裝結構，更包括： <br/>一導電通孔，設置於該至少一有機介電層與該至少一無機介電層中，且電性連接該第二線路結構的一部分與該電極層，其中該導電通孔為一體成型。
如請求項1所述的天線封裝結構，其中該第一線路結構更包括： <br/>另一導電層，設置於該電極層上，其中該至少一無機介電層覆蓋該另一導電層，該導電層設置於該至少一無機介電層上，且該至少一無機介電層位於該導電層與該另一導電層之間。
如請求項8所述的天線封裝結構，其中該導電層包括一第一部分及一第二部分，該導電層的該第一部分電性連接於該電極層，且該導電層的該第二部分與該導電層的該第一部分及該電極層隔開。
如請求項9所述的天線封裝結構，其中該另一導電層包括一第一部分及一第二部分，該另一導電層的該第一部分電性連接於該導電層的該第一部分，該另一導電層的該第二部分電性連接於該導電層的該第二部分且與該另一導電層的該第一部分隔開。
一種磁性元件，包含：<br/> 一磁芯，包含一內柱、至少二外柱以及至少一非接合區；<br/> 至少一線圈，纏繞於該內柱或該至少二外柱；以及<br/> 一導熱填料，包覆該磁芯之下部分，使該內柱及該至少二外柱之下部分被該導熱填料包覆，該至少一非接合區之至少一部分不被該導熱填料包覆；<br/> 其中該磁芯包含一第一芯體以及一第二芯體，該內柱包含一懸浮部，該懸浮部位於該第一芯體與該第二芯體之間，該第一芯體與該第二芯體在該至少二外柱處相互接合，該至少一非接合區位於該懸浮部之其中一側，該至少一非接合區具有不被該導熱填料包覆的空隙。
如請求項1所述之磁性元件，其中該磁芯之一內板表面不被該導熱填料包覆。
如請求項1所述之磁性元件，另包含一支架，套設於該內柱上，其中該至少一線圈設置於該支架上，且該導熱填料之高度小於或等於該支架之高度。
如請求項3所述之磁性元件，其中至少一孔洞形成於該支架上，以使該導熱填料接觸該至少一線圈之內側，且增加該導熱填料與該內柱間之接觸面積。
如請求項4所述之磁性元件，其中該至少一孔洞的其中之一自該支架之一上板朝該支架之一下板延伸，且該至少一孔洞的其中之一之邊界在該支架之該上板與該下板重疊。
如請求項1所述之磁性元件，其中該導熱填料包覆該至少二外柱的接合區及該懸浮部的一部份。
如請求項6所述之磁性元件，其中該懸浮部佔該內柱的比例為50%或2%~95%。
如請求項7所述之磁性元件，其中該至少一線圈包含一一次側線圈以及一二次側線圈，該一次側線圈之截面積大於該二次側線圈之截面積，且該懸浮部佔該內柱的比例T滿足50%＜T≦95%。
如請求項7所述之磁性元件，其中該至少一線圈包含一一次側線圈以及一二次側線圈，該一次側線圈之截面積小於該二次側線圈之截面積，且該懸浮部佔該內柱的比例T滿足2%≦T＜50%。
如請求項1所述之磁性元件，另包含一支架，套設於該內柱上，其中該至少一線圈設置於該支架上，該支架之內側具有一凸台，且該內柱之該懸浮部支撐於該凸台。
如請求項10所述之磁性元件，其中該凸台自該內柱之外側朝內側延伸。
如請求項1所述之磁性元件，其中該內柱與該至少二外柱自該第一芯體延伸出，該第一芯體與該第二芯體在該至少二外柱的延伸處相互接合。
如請求項1所述之磁性元件，其中該導熱填料不包覆該第二芯體的一板部。
如請求項1所述之磁性元件，其中該導熱填料不包覆該至少二外柱的上部分。
如請求項1所述之磁性元件，其中該磁芯具有一板部以及一V形槽，該V形槽形成於該板部之一側邊，該側邊為不具有非連續幾何結構的連續側邊。
如請求項15所述之磁性元件，其中該V形槽之該二側邊之間的接合處的位置對應該內柱。
如請求項15所述之磁性元件，其中該V形槽之尖端的弧度大於5。
如請求項1所述之磁性元件，另包含一散熱件，設置於該磁芯上，其中該散熱件接觸該磁芯之一頂面與一側面，其中該散熱件為L形，且該散熱件接觸該磁芯之該側面的部分之長度小於該磁芯之高度，該導熱填料包覆該散熱件接觸該磁芯之該側面之下部分。
如請求項18所述之磁性元件，其中該散熱件藉由肖氏D或肖氏A硬度小於80的膠體貼附於該磁芯上。
如請求項1所述之磁性元件，另包含至少一隔板，套設於該內柱上，其中該至少一線圈與該至少一隔板相互堆疊。
如請求項20所述之磁性元件，其中該至少一線圈包含一一次側線圈以及一二次側線圈，設置於該一次側線圈與該二次側線圈之間的該隔板的材料具有導磁性與電性絕緣性，且該隔板包含設置於該一次側線圈與該二次側線圈之間的一環形結構。
如請求項1所述之磁性元件，另包含一支架，套設於該內柱上，該支架之一上表面接合於該磁芯之一內板表面。
一種粉體壓縮物之製造方法，其係用於製造將粉體壓縮成形而成之固體狀之粉體壓縮物，其特徵在於包含： <br/>第1壓縮步驟，其以第1壓縮速度壓縮前述粉體；及 <br/>第2壓縮步驟，其以較前述第1壓縮速度慢之第2壓縮速度，將前述第1壓縮步驟壓縮之前述粉體之粉體壓縮物，從前述第1壓縮步驟壓縮後之狀態，壓縮至與粉體壓縮物之目標之厚度對應地決定之壓縮狀態下之粉體壓縮物之最終之厚度；且 <br/>上述第2壓縮步驟係在不解除於上述第1壓縮步驟進行之壓縮而自上述第1壓縮步驟接續地狀態下進行。
如請求項1之粉體壓縮物之製造方法，其中在將前述第1壓縮速度設為V <sub>1</sub>，將前述第2壓縮速度設為V <sub>2</sub>時，壓縮速度比V <sub>1</sub>/V <sub>2</sub>為5以上。
如請求項1或2之粉體壓縮物之製造方法，其中前述第2壓縮步驟，以從前述第1壓縮步驟壓縮後之狀態壓縮粉體壓縮物時，壓縮至粉體壓縮物之硬度相對於壓縮距離之變化率降低之狀態之方式，來設定從前述第1壓縮步驟壓縮後之狀態至前述最終之厚度之壓縮距離與前述第2壓縮速度之組合。
一種配合預定記憶體側腳位布局（memory-side ball layout）縮小記憶體訊號貫孔區域（memory signal via region）以調整控制側腳位安排（control-side ball arrangement）以供將一控制電路安裝於一印刷電路板之方法，該印刷電路板具有一第一安裝區域和一第二安裝區域以供分別安裝該控制電路和一記憶體，該第一安裝區域和該第二安裝區域分別在該印刷電路板之兩側，該兩側包含彼此相對的一第一側和一第二側，該方法包含：<br/> 在該控制電路的一封裝（package）之一板側區域上提供一組焊墊（pad），該組焊墊對應於該第一安裝區域內的一組第一焊墊，以充當控制側記憶體訊號焊墊以供導通一組預定記憶體訊號；以及<br/> 在該控制電路的該封裝之該板側區域上提供多個其它焊墊，該多個其它焊墊對應於該第一安裝區域內的一組其餘焊墊，以充當其它用途焊墊以供導通其它訊號，其中該第二安裝區域內的一組第二焊墊分布於該記憶體訊號貫孔區域之內和之外，該印刷電路板上之用來導通該組預定記憶體訊號的多個貫孔貫穿該印刷電路板之該兩側，以容許該組預定記憶體訊號，藉由該組第一焊墊、該多個貫孔和該組第二焊墊，傳輸於該控制電路和該記憶體之間，以及該多個貫孔被排列為緊鄰該組第一焊墊以縮小該記憶體訊號貫孔區域，以供讓出空間給該多個其它焊墊以提升該控制側腳位安排之彈性。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該組第一焊墊在該第一安裝區域上沿著一第一預定方向之一第一間距等於一第一預定長度，該組第一焊墊在該第一安裝區域上沿著一第二預定方向之一第二間距等於一第二預定長度，且所述控制側記憶體訊號焊墊在該板側區域上之一第一腳位安排範圍之大小等於該第一間距之一第一預定倍數乘以該第二間距之一第二預定倍數。
如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該第一預定方向和該第二預定方向分別代表一X軸的方向和一Y軸的方向，且該第一間距和該第二間距分別代表一X間距和一Y間距。
如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該多個貫孔被排列為，沿著至少一第三預定方向，與該組第一焊墊交錯排列，以縮小該記憶體訊號貫孔區域。
如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該記憶體訊號貫孔區域之大小等於該第一間距之一第三預定倍數乘以該第二間距之一第四預定倍數。
如申請專利範圍第5項所述之方法，其中該第三預定倍數大於或等於該第一預定倍數加一，以及該第四預定倍數大於或等於該第二預定倍數加一。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該多個貫孔中靠近該記憶體訊號貫孔區域的邊界之貫孔被排列為包圍該組第一焊墊之各自的中心所形成的網格線（grid line）。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該組第二焊墊中之第一部分第二焊墊在該記憶體訊號貫孔區域內，以及該組第二焊墊中之第二部分第二焊墊在該記憶體訊號貫孔區域外；以及該多個貫孔貫穿該印刷電路板之該兩側，以容許該組預定記憶體訊號中之一部分記憶體訊號，藉由該組第一焊墊中之一部分第一焊墊、該多個貫孔中之一部分貫孔和該第二部分第二焊墊，傳輸於該控制電路和該記憶體之間且於該記憶體訊號貫孔區域之內和之外之間。
一種控制電路，其封裝係根據如申請專利範圍第1項所述之方法來實施，其中該控制電路的該封裝包含：<br/> 該組焊墊，位於該板側區域的一第一子區域，用來充當所述控制側記憶體訊號焊墊，其中該板側區域的該第一子區域係用來作為所述控制側記憶體訊號焊墊在該板側區域上之一第一腳位安排範圍；以及<br/> 該多個其它焊墊，位於該板側區域的一第二子區域，用來充當所述其它用途焊墊，其中該第二子區域和該第一子區域不重疊。
一種印刷電路板，其多個焊墊係根據如申請專利範圍第1項所述之方法來實施，其中該印刷電路板的該多個焊墊包含：<br/> 該組第一焊墊，位於該第一安裝區域的一第一子區域內，該第一安裝區域的該第一子區域對應於所述控制側記憶體訊號焊墊在該板側區域上之一第一腳位安排範圍；以及<br/> 該組其餘焊墊，位於該第一安裝區域的一第二子區域內，其中該第一安裝區域的該第二子區域和該第一安裝區域的該第一子區域不重疊。
一種產生真實化特徵的方法，其包括：<br/> 步驟A：以一生成式AI模組根據多個對應於待辨認樣本的影像，而生成一特徵類型集合；<br/> 步驟B：以該生成式AI模組根據以一使用者對該特徵類型集合的回應所產生的字串資訊，並以該生成式AI模組經由一自然語言資料庫對該字串資訊進行分析與斷詞，產生並發送一回應分析結果，而該生成式AI模組根據該回應分析結果而產生一特徵類型回應結果集合；<br/> 步驟C：以該生成式AI模組學習該特徵類型問題回應結果集合，而產生一供判斷特徵類型是否真實化之判斷特徵類型集合；<br/> 步驟D：以該生成式AI模組學習該特徵類型集合中的多個判斷特徵類型之組合中之至少一者，而將該多個對應於待辨認樣本的影像中之無瑕疵者或具有部份瑕疵者進行外觀變化影像處理，而產生一具有真實化特徵的影像集合。
一種產生真實化特徵的方法，其包括：<br/> 步驟A：以一生成式AI模組根據多個對應於待辨認樣本的影像，而生成一特徵類型集合；<br/> 步驟B：以該生成式AI模組根據以一使用者對該特徵類型集合的回應所產生的字串資訊，並以該生成式AI模組經由一自然語言資料庫對該字串資訊進行分析與斷詞，產生並發送一回應分析結果，而該生成式AI模組根據該回應分析結果而產生一特徵類型回應結果集合；<br/> 步驟C：以該生成式AI模組學習該特徵類型問題回應結果集合，而產生一供判斷特徵類型是否真實化之判斷特徵類型集合；<br/> 步驟D：以該生成式AI模組學習該判斷特徵類型集合中的多個判斷特徵類型之組合中之至少一者，而將多個對應於待辨認樣本的影像中之無瑕疵者或具有部份瑕疵者進行瑕疵化，而產生一具有真實化特徵的影像集合。
如請求項1或2所述的產生真實化特徵的方法，其中該步驟A更包括：以該生成式AI模組根據該多個對應於待辨認樣本的影像中之各特徵類型中之至少一者而生成該特徵類型集合；其中該多個對應於待辨認樣本的影像係包括由至少一真實影像所組成的第一影像來源與來自一影像資料庫之第二影像來源。
如請求項1或2所述的產生真實化特徵的方法，其中該步驟B中更包括：以該生成式AI模組係根據該回應分析結果進行內容解析，並從一特徵類型資料庫中針對該等特徵類型中學習該等特徵類型中所對應的特徵類型，而產生該特徵類型回應結果集合。
如請求項1或2所述的產生真實化特徵的方法，其中該步驟C更包括：以該生成式AI模組學習該特徵類型問題回應結果集合，而產生一判斷特徵集合，且以該生成式AI模組根據該判斷特徵集合而產生該判斷特徵類型集合。
如請求項1或2所述的產生真實化特徵的方法，其中該步驟B更包括：以該生成式AI模組根據以一使用者對該特徵類型集合的回應所產生的字串資訊，並以該生成式AI模組透過該自然語言資料庫進行分析與斷詞，產生並發送該回應分析結果，而該生成式AI模組根據該回應分析結果而根據該使用者對該特徵類型組合集合中之各特徵類型之組合的回應進行賦值，而產生一特徵類型回應結果集合。
一種使用產生真實化特徵的方法的模組產生系統，其包括：<br/> 一輸入模組，用以接收該使用者針對對應於欲產生之模組所欲產生的分析結果所對應之影像所輸入的回應，並將該回應轉換為字串以進行標籤分類處理並產生一字串資訊；<br/> 一生成式AI模組，其係與該輸入模組連接，並根據多個待辨認樣本而生成一特徵類型集合，其中該多個待辨認樣本係為對應於欲產生之模組所欲產生的分析結果的影像；該生成式AI模組係根據以該使用者對該特徵類型集合的回應所產生的字串資訊，並以該生成式AI模組透過一自然語言資料庫對該回應進行分析與斷詞，產生並發送一回應分析結果，而該生成式AI模組根據該回應分析結果而產生一特徵類型回應結果集合；<br/> 一影像判斷模組，其係與該輸入模組連接且該影像判斷模組執行如請求項1至6中任一項所述之方法而根據該多個待辨認樣本而產生對應於欲產生之模組所欲產生的分析結果所需之來自該多個待辨認樣本之具真實化特徵集合，並以該生成式AI模組學習該具有真實化特徵的影像集合；<br/> 一函式組產生單元，其係與該影像判斷模組連接且供根據該生成式AI模組針對該對應於欲產生之模組所欲產生的分析結果所對應之步驟之最佳者而產生一第一函式組，以及供根據該生成式AI模組針對將多個資料處理步驟中於一顯示界面顯示前述欲產生模組中需要該使用者觀看的部份所需之步驟之最佳者而產生一第二函式組； <br/> 一後台模組產生單元，其係與該函式組產生單元連接並經由該第一函式組與該影像判斷模組而產生一後台模組；以及<br/> 一前台模組產生單元，其係與該函式組產生單元連接並經由該第二函式組與該影像判斷模組而產生一前台模組。
如請求項7所述的使用產生真實化特徵的方法的模組產生系統，其中該顯示界面係與該函式組產生單元連接，且該顯示界面係顯示經該使用者確認的多個待辨認樣本。
如請求項7所述的使用產生真實化特徵的方法的模組產生系統，其更包括一資料庫產生單元，其係根據該對應於欲產生之模組所欲產生的分析結果所對應之影像而產生一影像資料庫、該自然語言資料庫或一特徵類型資料庫。
如請求項9所述的使用產生真實化特徵的方法的模組產生系統，其中該後台模組產生單元係更與該影像資料庫、該自然語言資料庫與一特徵類型資料庫連接並執行以下步驟，包括：將來自該影像資料庫、該自然語言資料庫與該特徵類型資料庫的原始資料進行篩選而產生一經篩選資料、將該經篩選資料進行運算而產生一經運算的資料；以及將該經運算資料進行統計分析而產生該分析結果。
如請求項7所述的使用產生真實化特徵的方法的模組產生系統，其更包括一設定單元，該設定單元係與該後台模組產生單元與該前台模組產生單元連接，而供根據該對應於欲產生之模組所執行的多個步驟而分別設定該後台模組產生單元與該前台模組產生單元中之所需之輸入資料之資料型態、該後台模組產生單元所對應的一後台邏輯架構或前台模組產生單元所對應的一前台邏輯架構；其中該前台邏輯架構係為依照該後台邏輯架構所對應之使用者關於該顯示界面觀看之內容與該輸入模組所需輸入之內容將第二函式組中之各者所設定；其中該後台邏輯架構係為依照使用者的分析需求將該第一函式組中之各者所設定。
如請求項11所述的使用產生真實化特徵的方法的模組產生系統，其中該生成式AI模組係與該設定單元連接而提供該設定單元根據對應於該欲產生之模組所執行的多個步驟而分別設定該後台模組產生單元所對應的該後台邏輯架構或前台模組產生單元所對應的該前台邏輯架構。
如請求項7所述的使用產生真實化特徵的方法的模組產生系統，其中該生成式AI模組係與該後台模組產生單元連接而提供該後台模組產生單元該第一函式組，且該生成式AI模組係與該前台模組產生單元連接而提供該前台模組產生單元該第二函式組。
一種半導體裝置，包括： <br/>一支撐基板； <br/>一通道層，平行於該支撐基板的一頂部表面定位，沿著一第一方向延伸，且沿著該第一方向依序包括一汲極、一通道和一源極；以及 <br/>一字線結構，平行於該支撐基板的該頂部表面定位，沿著垂直於該第一方向的一第二方向延伸，且圍繞該通道， <br/>其中該通道的一頂部表面偏離小於其均方根粗糙度的三倍。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該字線結構包括圍繞該通道的一字線介電層和圍繞該字線介電層的一字線導電層。
如請求項2所述之半導體裝置，更包括接觸該汲極的一儲存節點結構。
如請求項3所述之半導體裝置，更包括接觸該源極的一位元線。
如請求項4所述之半導體裝置，更包括分別覆蓋該源極和該汲極的複數個界面絕緣層。
如請求項5所述之半導體裝置，其中該字線介電層的一厚度和該複數個界面絕緣層的一厚度實質上相同。
如請求項5所述之半導體裝置，其中該字線介電層的一厚度和該複數個界面絕緣層的一厚度不同。
如請求項5所述之半導體裝置，更包括覆蓋該字線結構的一字線覆蓋層。
如請求項8所述之半導體裝置，其中該字線覆蓋層的一頂部表面和該位元線的一頂部表面實質上共面。
如請求項9所述之半導體裝置，更包括定位於該字線覆蓋層和該儲存節點結構之間的一節點覆蓋層。
如請求項10所述之半導體裝置，更包括定位於該複數個界面絕緣層和該字線覆蓋層之間的一通道填充介電層。
如請求項11所述之半導體裝置，其中該通道填充介電層的一頂部表面和該節點覆蓋層的一頂部表面實質上共面。
如請求項12所述之半導體裝置，其中該複數個界面絕緣層和該字線介電層包括相同材料。
如請求項12所述之半導體裝置，其中該複數個界面絕緣層和該字線介電層包括不同材料。
一種製造半導體裝置的方法，包括： <br/>提供一支撐基板； <br/>形成平行於該支撐基板的一頂部表面、沿著一第一方向延伸、且沿著該第一方向依序包括一汲極、一通道和一源極的一通道層； <br/>共形形成覆蓋該通道層的一界面絕緣層；以及 <br/>對該通道層和該界面絕緣層執行一第一熱處理， <br/>其中該通道層的一頂部表面偏離小於其均方根粗糙度的三倍， <br/>其中該第一熱處理是一快速熱退火製程。
如請求項15所述之製造半導體裝置的方法，其中該第一熱處理在高於1000℃的溫度下執行。
如請求項15所述之製造半導體裝置的方法，其中該第一熱處理在一非氧化環境下執行。
如請求項17所述之製造半導體裝置的方法，其中該非氧化環境包括氬、氮、氫或其組合。
一種半導體元件，包括： <br/>一基板； <br/>複數個隔離結構，設置於該基板中，其中該些隔離結構的每一者包括設置於該基板中一溝槽中的一隔離層，和設置於該溝槽的側表面上的複數個襯墊； <br/>一位元線，設置於該基板上； <br/>一隔離間隔物，設置於該位元線的一側壁上，其中該隔離間隔物包括一氣隙； <br/>一著陸墊，設置於該位元線之上；以及 <br/>一氣隙保護結構，覆蓋該著陸墊和該氣隙， <br/>其中該些隔離結構的該些隔離層包括氧化矽(SiO<sub>2</sub>)、氮化矽(Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>)、氮氧化矽(N<sub>2</sub>OSi<sub>2</sub>)、氧化氮化矽(N<sub>2</sub>OSi<sub>2</sub>)、或前述之組合，且該些隔離結構的該些襯墊包括鈦、氮化鈦、鈦鎢合金、鉭、氮化鉭、或前述之組合。
如請求項1所述之半導體元件，其中該襯墊的一厚度介於約10 nm和約100 nm之間。
如請求項2所述之半導體元件，其中該襯墊的一電阻率小於該基板的一電阻率。
如請求項1所述之半導體元件，其中該氣隙保護結構包括位於該著陸墊的一頂表面上方的一較高部分和位於該較高部分下方的一較低部分，且該較低部分的一厚度和該較高部分的一厚度的一比值大於0.6且小於0.8。
如請求項1所述之半導體元件，其中該氣隙保護結構包括氮化矽。
如請求項1所述之半導體元件，其中該氣隙保護結構包括碳。
如請求項6所述之半導體元件，其中該氣隙保護結構由原子比等於或大於4.8%的碳組成。
如請求項1所述之半導體元件，其中該氣隙保護結構包括氫。
如請求項4所述之半導體元件，其中該著陸墊定義出一孔，該孔位於該氣隙之上，其中該氣隙保護結構的該較低部分設置於該孔之中。
如請求項9所述之半導體元件，其中由該著陸墊所定義的該孔包括靠近氣隙保護結構的較高部分的一較小孔徑和靠近氣隙保護結構的較低部分的一較大孔徑。
如請求項10所述之半導體元件，其中該孔的一深寬比大於2。
如請求項1所述之半導體元件，更包括： <br/>一電容器接觸，設置於該基板中且透過該隔離間隔物與該位元線間間隔開；以及 <br/>一導電層，設置於該電容器接觸上並靠近該隔離間隔物，其中該導電層包括一第二部分和覆蓋該第二部分的一第一部分，且其中該第二部分包括一半圓形剖面輪廓或一半橢圓形剖面輪廓。
一種半導體元件，包括： <br/>一基板； <br/>一位元線，設置於該基板上； <br/>一隔離間隔物，設置於該位元線的一側壁上，其中該隔離間隔物包括一氣隙； <br/>一導電層，設置於該基板之上且靠近該隔離間隔物，其中該導電層包括一第二部分和覆蓋該第二部分的一第一部分，且其中該第二部分包括一半圓形剖面輪廓或一半橢圓形剖面輪廓； <br/>一著陸墊，設置於該位元線之上；以及 <br/>一氣隙保護結構，覆蓋該著陸墊和該氣隙， <br/>其中該氣隙保護結構包括位於該著陸墊的一頂表面上方的一較高部分和位於該較高部分下方的一較低部分，且該較低部分的一厚度和該較高部分的一厚度的一比值大於0.6且小於0.8。
如請求項13所述之半導體元件，更包含： <br/>一隔離結構，設置於該基板中，其中該隔離結構包括設置於該基板中一溝槽中的一隔離層，及設置於該溝槽的側表面上的一襯墊。
如請求項14所述之半導體元件，其中該隔離結構的該隔離層包括氧化矽(SiO<sub>2</sub>)、氮化矽(Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>)、氮氧化矽(N<sub>2</sub>OSi<sub>2</sub>)、氧化氮化矽(N<sub>2</sub>OSi<sub>2</sub>)、或前述之組合，且該隔離結構的該襯墊包括鈦、氮化鈦、鈦鎢合金、鉭、氮化鉭、或前述之組合。
如請求項15所述之半導體元件，其中該襯墊的一厚度介於約10 nm和約100 nm之間。
如請求項16所述之半導體元件，其中該襯墊的一電阻率小於該基板的一電阻率。
如請求項13所述之半導體元件，其中該導電層的該第一部分覆蓋該第二部分的一頂表面且包括一圓弧形剖面輪廓。
如請求項18所述之半導體元件，其中該第一部分的一頂表面和一底表面是凸面。
如請求項19所述之半導體元件，其中該導電層的該第一部分包括金屬矽化物。
一種蝕刻系統，包括： <br/>一製程腔，經配置以根據一第一蝕刻配方在一第一晶圓上執行一蝕刻製程； <br/>一影像和溫度控制元件，經配置以在該蝕刻製程期間產生該第一晶圓的一熱影像；以及 <br/>一人工智慧(AI)控制模組，經配置以判斷該熱影像是否符合一預定要求，其中當該熱影像不符合該預定要求時，該AI控制模組經配置以根據多個參數更新該第一蝕刻配方，以產生一第二蝕刻配方， <br/>其中該製程腔包括： <br/>一靜電吸座(ESC)，經配置以透過一電吸附來貼附該第一晶圓； <br/>多個熱感測器，經配置以分別感測該第一晶圓的多個溫度資訊；以及 <br/>一基座，經配置以支撐該ESC， <br/>其中該影像和溫度控制元件經配置以取得該多個溫度資訊，以便產生該熱影像。
如請求項1所述之蝕刻系統，其中該AI控制模組整合在該製程腔內。
如請求項1所述之蝕刻系統，其中該基座包括： <br/>一通道，經配置以傳輸一傳熱液體以控制該第一晶圓的一溫度。
如請求項3所述之蝕刻系統，其中即時監控該傳熱液體的一流量，並將該流量傳輸到該AI控制模組，其中當該熱影像不符合該預定要求時，該AI控制模組會根據該流量更新該第一蝕刻配方，產生該第二蝕刻配方。
如請求項4所述之蝕刻系統，其中當該AI控制模組更新該第一蝕刻配方時，該AI控制模組還經配置以根據該熱影像更新該流量。
如請求項1所述之蝕刻系統，其中當該ESC貼附該第一晶圓時，該第一晶圓和該ESC之間存在一氣隙，其中將一傳熱氣體吹掃到該氣隙中，集中即時監控該傳熱氣體的一吹掃壓力，並將該吹掃壓力傳輸到該AI控制模組。
如請求項6所述之蝕刻系統，其中當該熱影像不符合該預定要求時，該AI控制模組根據該吹掃壓力更新該第一蝕刻配方。
如請求項7所述之蝕刻系統，其中當該AI控制模組更新該第一蝕刻配方時，該AI控制模組還經配置以根據該熱影像更新該吹掃壓力。
如請求項1所述之蝕刻系統，其中該多個溫度資訊分別指示該第一晶圓的多個區域的一溫度。
如請求項1所述之蝕刻系統，其中該ESC包括： <br/>一介電體； <br/>一電極，埋設在該介電體中；以及 <br/>一電壓供應器，經配置以提供一電壓給該電極， <br/>其中，由於該電壓的作用，使一第一電荷累積在電極上，並且一第二電荷是藉由該第一電荷所感應而形成並累積在該第一晶圓上。
如請求項1所述之蝕刻系統，其中該ESC包括： <br/>一介電體； <br/>一第一電極，埋設在該介電體中； <br/>一第二電極，埋設在該介電體中並與該第一電極分離；以及 <br/>一電壓供應器，耦接在該第一電極與該第二電極之間，並經配置以提供在該第一電極與該第二電極之間的一電壓， <br/>其中，由於該電壓的作用，一第一正電荷和一第一負電荷分別累積在該第一電極上和在該第二電極上， <br/>其中，一第二負電荷是藉由該第一正電荷所感應而形成並累積在該第一晶圓的一部分上，而一第二正電荷是藉由該第一負電荷所感應而形成並累積在該第一晶圓的另一部分上。
如請求項1所述之蝕刻系統，還包括： <br/>一測量元件，經配置以監控該蝕刻製程的該多個參數，並將該多個參數傳輸到該AI控制模組。
如請求項1所述之蝕刻系統，其中該製程腔還經配置以根據該第二蝕刻配方在一第二晶圓上執行該蝕刻製程，其中該第二蝕刻配方與該第一蝕刻配方不同。
一種蝕刻方法，包括： <br/>電吸附一第一晶圓； <br/>根據一第一蝕刻配方在該第一晶圓上執行一蝕刻製程； <br/>透過多個熱感測器，在該蝕刻製程的執行期間分別取得該第一晶圓的多個溫度資訊以產生該第一晶圓的一熱影像； <br/>透過一人工智慧(AI)控制模組判斷該熱影像是否符合一預定要求； <br/>當該熱影像不符合該預定要求時，該AI控制模組根據該熱影像更新該第一蝕刻配方，以產生一第二蝕刻配方；以及 <br/>根據該第二蝕刻配方在一第二晶圓上執行一蝕刻製程。
如請求項14所述之蝕刻方法，其中根據該第一蝕刻配方在該第一晶圓上執行該蝕刻製程包括： <br/>產生一電漿以蝕刻該第一晶圓； <br/>吹掃一傳熱氣體以控制該第一晶圓的一溫度；以及 <br/>轉移一傳熱液體以控制該第一晶圓的該溫度。
如請求項15所述之蝕刻方法，還包括： <br/>即時監控該傳熱液體的一流量和該傳熱氣體的一吹掃壓力；以及 <br/>當該熱影像不符合該預定要求時，透過該AI控制模組更新該流量和該吹掃壓力。
如請求項16所述之蝕刻方法，其中當根據該第二蝕刻配方在該第二晶圓上執行該蝕刻製程時，以更新的該吹掃壓力來吹掃該傳熱氣體，並以更新的該流量來轉移該傳熱液體。
如請求項15所述之蝕刻方法，其中當在未產生該電漿時，即執行感測該多個溫度資訊。
一種可調整工具置放空間盛盤，主要在於：盛盤為一長方體，該盛盤的內部設有一置放空間，該盛盤兩長邊與兩短邊的側壁處分別設有呈對應配置的複數個插設槽與複數個彈性卡臂，該彈性卡臂的外端處設有一卡固部，作為在該盛盤的兩長邊卡固一個或一個以上的橫向置放架或在該盛盤的兩短邊卡固一個或一個以上的縱向置放架之用，複數個該插設槽與複數個該彈性卡臂之間分別設有複數個定位部，相鄰二該定位部之間的距離相等於該橫向置放架與該縱向置放架的寛度，作為在該盛盤的兩長邊定位一個或一個以上的該橫向置放架或在該盛盤的兩短邊定位一個或一個以上的該縱向置放架之用；<br/>該橫向置放架的長度相當於該盛盤的該置放空間兩長邊之間的距離，該縱向置放架的長度相當於該盛盤的該置放空間兩短邊之間的距離，該橫向置放架與該縱向置放架一端對應於該盛盤的該插設槽處設有一插設部，作為插設於該插設槽之用，該橫向置放架與該縱向置放架另一端對應於該盛盤的該彈性卡臂處設有一定位階緣，作為該彈性卡臂的該卡固部卡彈定位之用者。
如請求項1所述之可調整工具置放空間盛盤，其中：該盛盤上方的中間處樞結設有一握把者。
如請求項1所述之可調整工具置放空間盛盤，其中：該盛盤底面的中間處設有複數個呈橫向配置的固定孔與複數個呈縱向配置的固定孔，該橫向置放架與該縱向置放架對應於該固定孔處設有魚眼孔，作為定位元件穿設之用，該固定孔斜向的一側處向外延伸設有二閃避孔，該固定孔斜向的另一側處設有二定位孔，作為該定位元件定位之用，該定位元件的表面設有一轉動槽，作為轉動該定位元件之用，該定位元件對應於二該閃避孔處設有一呈T字型的穿設桿，作為對正於二該閃避孔之用，該穿設桿兩側對應於二該定位孔處設有二定位凸緣，作為定位於二該定位孔之用者。
一種增益膜片組，包含： <br/>一第一增益片，包含複數個分別沿一第一方向分布的第一增益結構；以及 <br/>一第二增益片，層疊設置於該第一增益片的一側，包含一較接近中央的第一區域以及一較接近外圍的第二區域，該第一區域設置有複數個分別沿一與該第一方向相交之第二方向分布的第二增益結構，該第二區域設置有複數個沿一第三方向分布的第三增益結構； <br/>其中，該增益膜片組在該第一區域的垂直投影範圍的亮度增益效果大於在該第二區域的垂直投影範圍的亮度增益效果。
如請求項1所述的增益膜片組，其中該第一方向與該第二方向正交。
如請求項1所述的增益膜片組，其中該第一增益片包含一第一表面，該第一表面上設置有該複數個第一增益結構，該第二增益片包含一與該第一表面朝向相同方向的第二表面，該第二表面包含該第一區域以及該第二區域。
如請求項1所述的增益膜片組，該第一區域及該第二區域間進一步包含一第三區域，該增益膜片組在該第三區域的垂直投影範圍的亮度增益效果，優於在該第二區域的垂直投影範圍的亮度增益效果，且次於在該第一區域的垂直投影範圍的亮度增益效果。
如請求項1所述的增益膜片組，其中該第一方向與該第二方向夾角較該第一方向與該第三方向夾角接近90度。
如請求項5所述的增益膜片組，其中該第二增益片包含相互拼接的一第一子膜片及一第二子膜片，該第一子膜片及該第二子膜片分別具有該第一區域與該第二區域。
如請求項1所述的增益膜片組，其中該第二方向與該第三方向不同。
如請求項1所述的增益膜片組，其中該第三方向與該第一方向正交。
如請求項1所述的增益膜片組，其中該第一區域的折射率大於該第二區域的折射率。
如請求項1所述的增益膜片組，其中該複數個第二增益結構的垂直於該第一方向的截面，比該複數個第三增益結構的垂直於該第一方向的截面更接近複數個連續分布的完整三角形。
一種增益膜片組，包含： <br/>一第一增益片，包含複數個分別沿一第一方向分布的第一增益結構； <br/>一第二增益片，層疊設置於該第一增益片的一側，包含複數個分別沿一與該第一方向相交之第二方向分布的第二增益結構； <br/>一介面層，設置於該第一增益片及該第二增益片之間，包含一較接近中央的第四區域以及一較接近外圍的第五區域，該第四區域之透光率高於該第五區域之透光率； <br/>其中，該增益膜片組在該第四區域的垂直投影範圍的亮度增益效果大於在該第五區域的垂直投影範圍的亮度增益效果。
如請求項11所述的增益膜片組，該第四區域及該第五區域間進一步包含一第六區域，該增益膜片組在該第六區域的垂直投影範圍的亮度增益效果，優於在該第五區域的垂直投影範圍的亮度增益效果，且次於在該第四區域的垂直投影範圍的亮度增益效果。
一種發光裝置，包含： <br/>一光源；以及 <br/>如請求項1至12任一項所述之增益膜片組，設置於該光源之一側。
如請求項13所述的發光裝置，其中該第一增益片相對於該第一表面的另一面以及該第二增益片相對於該第二表面的另一面，二者至少其中之一進一步層疊設置一霧度膜。
一種電性部件，其包括： <br/>玻璃或藍寶石基板，其限定第一表面和與該第一表面相對的第二表面，以及從該第一表面延伸至該第二表面的內表面，其中該內表面限定從該第一表面延伸到該第二表面的孔； <br/>導電塗覆，其沿著該玻璃或藍寶石基板的該內表面的至少一部分延伸；及 <br/>無孔性端蓋，其被設置在該孔的末端處以定義氣密式密封， <br/>其中該電性部件在該孔中限定從該第一表面延伸到該第二表面的電路徑。
如請求項1所述的電性部件，其中該無孔性端蓋為被設置在該孔的第一末端處的第一無性孔端蓋，並且該電性部件還包括被設置在該孔的第二末端處的第二無性孔端蓋以定義第二氣密式密封，該第二末端與該第一末端相對，以及其中該第一末端鄰近該玻璃或藍寶石基板的該第一表面，並且該第二末端鄰近該玻璃或藍寶石基板的該第二表面。
如請求項2所述的電性部件，其中該第一無性孔端蓋和該第二無性孔端蓋為金屬性。
如請求項3所述的電性部件，還包括被設置在該孔中而在該導電塗覆內部的聚合物。
如請求項4所述的電性部件，其中該聚合物為非導電性。
如請求項5所述的電性部件，其中該聚合物經過硬化。
如請求項5所述的電性部件，其中該聚合物包括硬化的環氧樹脂。
如請求項4所述的電性部件，其中該聚合物為導電性。
如請求項1所述的電性部件，其中該無孔性端蓋包括燒結的導電金屬性顆粒。
如請求項1所述的電性部件，還包括被設置在該孔中而在該導電塗覆內部的金屬性材料。
如請求項10所述的電性部件，其中該金屬性材料包括燒結的金屬性顆粒，其界定被設置在該孔中而在該導電塗覆內部的主體填充物。
如請求項11所述的電性部件，其中該無孔性端蓋包括燒結的最終填充物，並且其中該燒結的最終填充物包括燒結的金屬性顆粒，其小於該主體填充物的該燒結的金屬性顆粒。
如請求項1所述的電性部件，其中該無孔性端蓋包含雷射熔化的金屬。
如請求項1所述的電性部件，其中該導電塗覆界定從該第一表面到該第二表面的導電路徑。
如請求項1所述的電性部件，其中該導電塗覆包括被接合至該內表面的金屬化黏著層，以及被接合至該金屬化黏著層的第二金屬層。
如請求項15所述的電性部件，其中該金屬化黏著層和該第二金屬層包括兩個不同金屬。
如請求項15所述的電性部件，其中該金屬化黏著層和該第二金屬層包括相同金屬。
一種用於合成再生塑膠的單體的製備方法，包括： <br/>回收聚碳酸酯基樹脂的解聚反應所得到的芳香族二醇化合物的步驟； <br/>熔融所述芳香族二醇化合物的步驟； <br/>使所述熔融的芳香族二醇化合物結晶的步驟；以及 <br/>獲得所述結晶的芳香族二醇化合物的步驟， <br/>其中所述結晶的芳香族二醇化合物的純度為99.94%以上。
如請求項1所述的用於合成再生塑膠的單體的製備方法，其中使所述熔融的芳香族二醇化合物結晶的所述步驟包括將所述熔融的芳香族二醇化合物冷卻至158°C以下的溫度。
如請求項1所述的用於合成再生塑膠的單體的製備方法，更包括：在將所述熔融的芳香族二醇化合物結晶的所述步驟之前，將所述熔融的芳香族二醇化合物在130℃至180℃的溫度下熔融純化2至6小時的步驟。
如請求項3所述的用於合成再生塑膠的單體的製備方法，其中所述熔融純化的步驟包括： <br/>冷卻所述熔融的芳香族二醇化合物以形成所述芳香族二醇化合物的晶體的步驟； <br/>部分熔化所述芳香族二醇化合物的所述晶體以回收所述芳香族二醇化合物的純化晶體的步驟；以及 <br/>熔融所述芳香族二醇化合物的所述純化晶體的步驟。
如請求項3所述的用於合成再生塑膠的單體的製備方法，其中所述熔融純化的步驟重複2至5個循環。
如請求項3所述的用於合成再生塑膠的單體的製備方法，其中所述熔融純化的步驟藉由在降膜動態結晶器中的單步分級熔融結晶或多步分級熔融結晶來執行。
如請求項1所述的用於合成再生塑膠的單體的製備方法，其中所述結晶的芳香族二醇化合物的產率為88%以上。
如請求項1所述的用於合成再生塑膠的單體的製備方法，其中所述回收聚碳酸酯基樹脂的解聚反應所得到的芳香族二醇化合物的步驟包括： <br/>使所述聚碳酸酯基樹脂進行解聚反應的步驟； <br/>藉由添加酸來中和所述解聚反應產物的步驟； <br/>從所述中和步驟中形成的水層和有機溶劑層中移除所述水層的步驟；以及 <br/>蒸餾所述有機溶劑層以回收所述芳香族二醇化合物的步驟。
如請求項8所述的用於合成再生塑膠的單體的製備方法，其中所述蒸餾所述有機溶劑層以回收所述芳香族二醇化合物的步驟包括在三個或更多階段中減壓蒸餾所述有機溶劑層的多階段減壓蒸餾步驟。
如請求項9所述的用於合成再生塑膠的單體的製備方法，其中所述多階段減壓蒸餾步驟包括： <br/>第一次減壓蒸餾步驟，在0.45MPa以上的壓力和160℃以上的溫度下將所述有機溶劑層減壓蒸餾至0.12MPa至0.45MPa的壓力和48℃至160℃的溫度； <br/>第二次減壓蒸餾步驟，對所述第一次減壓蒸餾步驟中的殘留溶液在0.45MPa以上的壓力和125℃以上的溫度下加壓，然後在0.009MPa至0.45MPa的壓力和42℃至160℃的溫度下減壓蒸餾；以及 <br/>第三次減壓蒸餾步驟，對所述第二次減壓蒸餾步驟中的殘留溶液在0.0005MPa以上的壓力和155℃以上的溫度下減壓蒸餾，然後在0.0003MPa至0.0005MPa的壓力和42℃至87℃的溫度下減壓蒸餾。
如請求項1所述的用於合成再生塑膠的單體的製備方法，其中所述聚碳酸酯基樹脂的所述解聚反應在含有乙醇的溶劑中進行。
如請求項11所述的用於合成再生塑膠的單體的製備方法，其中所述乙醇含量為10至15莫耳/每莫耳所述聚碳酸酯基樹脂。
如請求項1所述的用於合成再生塑膠的單體的製備方法，其中所述聚碳酸酯基樹脂的所述解聚反應透過含量為0.5莫耳/每莫耳所述聚碳酸酯基樹脂以下的鹼反應以進行。
如請求項1所述的用於合成再生塑膠的單體的製備方法，更包括：在所述回收聚碳酸酯基樹脂的解聚反應所得到的芳香族二醇化合物的步驟之前，使所述聚碳酸酯基樹脂通過孔徑為0.3μm以下的過濾器的預處理步驟。
一種配線板裝置，包含： 一多層板結構，包含一核芯層、至少一第一板材層及複數個彼此層疊之第二板材層，該核芯層夾合於該第一板材層與該些第二板材層之間；以及 <br/>複數個差動對走線，該些差動對走線中每一者包含： <br/>一第一訊號貫孔，包含一第一導通孔及一第一雷射導孔，該第一導通孔位於該核芯層內，該第一雷射導孔依序穿設於該些第二板材層內，且電連接該第一導通孔；以及 <br/>一第二訊號貫孔，包含一第二導通孔及一第二雷射導孔，該第二導通孔位於該核芯層內，該第二雷射導孔依序穿設於該些第二板材層內，且電連接該第二導通孔， <br/>其中以剖視觀之： <br/>該第一訊號貫孔之圖案與該第二訊號貫孔之圖案互為鏡面對稱，該第一導通孔與該第二導通孔相互平行且彼此之間具有一第一間距，該第一雷射導孔與該第二雷射導孔皆完全位於該第一導通孔之假想延長線與該第二導通孔之假想延長線之間，且該第一雷射導孔與該第二雷射導孔之間具有一小於該第一間距之第二間距。
如請求項1所述之配線板裝置，其中該第一雷射導孔與該第二雷射導孔自該核芯層至該些第二板材層之方向彼此平行或逐漸接近或逐漸遠離。
如請求項1所述之配線板裝置，其中該第一雷射導孔之圖案與該第二雷射導孔之圖案皆朝彼此方向靠近。
如請求項3所述之配線板裝置，其中該第一雷射導孔包含一第一段與一第二段，該第一段連接該第二段與該第一導通孔，該第二雷射導孔包含一第三段與一第四段，該第三段連接該第四段與該第二導通孔，該第一段與該第三段之間具有一第一通孔間距，該第二段與該第四段之間具有一第二通孔間距， <br/>其中該第一通孔間距大於該第二通孔間距，或者，該第二通孔間距大於該第一通孔間距。
如請求項1所述之配線板裝置，其中該第一雷射導孔之圖案與該第二雷射導孔之圖案皆為直線狀，且該第一雷射導孔平行該第一導通孔，該第二雷射導孔平行該第二導通孔。
如請求項1所述之配線板裝置，其中該第一訊號貫孔更包含一第一焊球通孔，該第一焊球通孔位於該些第二板材層內，用以連接一第一焊球；以及 <br/>該第二訊號貫孔更包含一第二焊球通孔，該第二焊球通孔位於該些第二板材層內，用以連接一第二焊球， <br/>其中該第一雷射導孔連接該第一導通孔及該第一焊球通孔，該第二雷射導孔連接該第二導通孔及該第二焊球通孔，且該第一焊球通孔與該第二焊球通孔彼此之間具有一大於該第一間距之第一間隔。
如請求項1所述之配線板裝置，其中該第一導通孔之該假想延長線與該第二導通孔之該假想延長線之間彼此具有一配置區， <br/>其中該第一訊號貫孔與該第二訊號貫孔於該配置區以外不具有任何雷射導孔。
如請求項1所述之配線板裝置，其中該第一導通孔與該第二導通孔彼此之軸心連線具有一延伸方向，該第一雷射導孔與該第二雷射導孔分別沿該延伸方向延伸。
如請求項1所述之配線板裝置，其中任兩相鄰之該些差動對走線之相鄰雷射導孔彼此之間具有一走線間距，該走線間距大於該第二間距。
如請求項9所述之配線板裝置，其中該走線間距為該第二間距的6~30倍。
如請求項1所述之配線板裝置，其中該第一雷射導孔之圖案與該第二雷射導孔之圖案皆為階梯狀，彼此對稱配置。
如請求項1所述之配線板裝置，其中該多層板結構更包含一接地層，該接地層開設複數個間隔分配之封閉開口，該些封閉開口中每一者圍繞且暴露對應的該些差動對走線其中之一。
一種電路，包括：<br/>第一位元線和第二位元線；<br/>第一字元線和第二字元線；<br/>第一記憶體單元，耦合到所述第一位元線和所述第一字元線；<br/>第二記憶體單元，耦合到所述第二位元線和所述第二字元線；<br/>第一感測放大器，具有第一端子；<br/>第一位元線電晶體，選擇性地將所述第一位元線耦合到所述第一感測放大器的所述第一端子；以及<br/>第二位元線電晶體，選擇性地將所述第二位元線耦合到所述第一感測放大器的所述第一端子。
如請求項1的所述電路，還包括：<br/>第三位元線和第四位元線；<br/>第三記憶體單元，耦合到所述第三位元線和所述第一字元線；<br/>第四記憶體單元，耦合到所述第四位元線和所述第二字元線；<br/>第二感測放大器，具有第一端子；<br/>第三位元線電晶體，選擇性地將所述第三位元線耦合到所述第二感測放大器的所述第一端子；以及<br/>第四位元線電晶體，選擇性地將所述第四位元線耦合到所述第二感測放大器的所述第一端子。
如請求項1的所述電路，還包括：<br/>第一互補位元線和第二互補位元線；<br/>第三字元線和第四字元線；<br/>第三記憶體單元，耦合到所述第一互補位元線和所述第三字元線；<br/>第四記憶體單元，耦合到所述第二互補位元線和所述第四字元線；<br/>第三位元線電晶體，選擇性地將所述第一互補位元線耦合到所述第一感測放大器的第二端子；以及<br/>第四位元線電晶體，選擇性地將所述第二互補位元線耦合到所述第一感測放大器的所述第二端子。
如請求項1的所述電路，其中所述第一記憶體單元包括第一記憶體單元電晶體和第一記憶體單元電容器，其中所述第一記憶體單元電晶體具有耦合到所述第一位元線的第一端子、耦合到所述第一記憶體單元電容器的第一端子的第二端子和耦合到所述第一字元線的控制端子，以及<br/>其中所述第一位元線電晶體具有耦合到所述第一位元線的第一端子、耦合到所述第一感測放大器的所述第一端子的第二端子和耦合到第一開關線的控制端子。
如請求項1的所述電路，還包括：<br/>第三字元線和第四字元線；<br/>第三記憶體單元，耦合到所述第一位元線和所述第三字元線；以及<br/>第四記憶體單元，耦合到所述第二位元線和所述第四字元線。
一種積體晶片，包括：<br/>半導體基底；<br/>第一感測放大器，沿著所述半導體基底設置，其中第一導電內連線耦合到第一感測放大器；<br/>第一位元線，在所述半導體基底之上；<br/>第二位元線，在所述第一位元線之上；<br/>第一字元線，在所述半導體基底之上；<br/>第二字元線，在所述第一字元線之上；<br/>第一記憶體單元，在所述半導體基底之上並耦合到所述第一位元線和所述第一字元線；<br/>第二記憶體單元，在所述第一記憶體單元之上並耦合到所述第二位元線和所述第二字元線；<br/>第一位元線電晶體，在所述半導體基底之上並與所述第一記憶體單元側向地間隔開，所述第一位元線電晶體包括耦合到所述第一位元線的第一源極/汲極和耦合到所述第一導電內連線的第二源極/汲極；以及<br/>第二位元線電晶體，在所述第一位元線電晶體之上並與所述第二記憶體單元側向地間隔開，所述第二位元線電晶體包括耦合到所述第二位元線的第一源極/汲極和耦合到所述第一導電內連線的第二源極/汲極。
如請求項6的所述積體晶片，還包括：<br/>第二感測放大器，沿著所述半導體基底設置，其中第二導電內連線耦合到所述第二感測放大器；<br/>第三位元線，在所述半導體基底之上並與所述第一位元線側向地間隔開；<br/>第四位元線，在所述第三位元線之上；<br/>第三記憶體單元，在所述半導體基底之上並與所述第一記憶體單元側向地間隔開，所述第三記憶體單元耦合到所述第三位元線與所述第一字元線；<br/>第四記憶體單元，在所述第三記憶體單元之上並耦合到所述第四位元線和所述第二字元線；<br/>第三位元線電晶體，在所述半導體基底之上並與所述第三記憶體單元和所述第一位元線電晶體側向地間隔開，所述第三位元線電晶體包括耦合到所述第三位元線的第一源極/汲極和耦合到所述第二導電內連線的第二源極/汲極；以及<br/>第四位元線電晶體，在所述第三位元線電晶體之上並與所述第四記憶體單元和所述第二位元線電晶體側向地間隔開，所述第四位元線電晶體包括耦合到所述第四位元線的第一源極/汲極和耦合到所述第二導電內連線的第二源極/汲極。
如請求項6的所述積體晶片，其中所述第一記憶體單元包括第一記憶體單元電晶體和第一記憶體單元電容器，<br/>其中所述第一記憶體單元電容器包括第一電極層、第二電極層和在所述第一電極層與所述第二電極層之間的絕緣體層，<br/>其中所述第一記憶體單元電晶體包括耦合到所述第一字元線的第一閘電極、與所述第一閘電極間隔開的第一通道層、從所述第一通道層延伸到所述第一位元線的第一源極/汲極和從所述第一通道層延伸到所述第一記憶體單元電容器的第一電極層的第二源極/汲極，以及<br/>其中所述第一位元線電晶體還包括耦合到第一開關線的第二閘電極和與所述第二閘電極間隔開的第二通道層，其中所述第一位元線電晶體的所述第一源極/汲極從所述第二通道層延伸到所述第一位元線，並且其中所述第一位元線電晶體的所述第二源極/汲極從所述第二通道層延伸到所述第一導電內連線。
如請求項6的所述積體晶片，其中多個導電內連線從所述第一導電內連線延伸到所述第一感測放大器的第一端子並將所述第一導電內連線耦合到所述第一感測放大器的所述第一端子。
一種操作積體晶片的方法，包括：<br/>向第一位元線電晶體的控制端子提供第一開關線電壓，以使所述第一位元線電晶體將第一位元線耦合到第一感測放大器的第一端子，其中第一記憶體單元耦合到所述第一位元線和第一字元線；<br/>向第二位元線電晶體的控制端子提供第二開關線電壓，以使所述第二位元線電晶體將第二位元線與所述第一感測放大器的所述第一端子隔離，其中第二記憶體單元耦合到所述第二位元線和第二字元線；<br/>響應於向所述第一位元線電晶體的所述控制端子提供所述第一開關線電壓以及向所述第二位元線電晶體的所述控制端子提供所述第二開關線電壓而向所述第一位元線提供預充電電壓；<br/>響應於向所述第一位元線提供所述預充電電壓而向所述第一字元線提供第一字元線電壓以導通所述第一字元線；<br/>響應於導通所述第一字元線而確定在所述第一位元線上的所述預充電電壓的變化；以及<br/>根據所述第一位元線上的所述預充電電壓的所述變化來確定儲存在所述第一記憶體單元中的值。
一種非揮發性記憶胞的操作脈波信號控制方法，該記憶胞可被區分為複數個子狀態，以對應於記憶胞中儲存電子的數量，該操作脈波信號控制方法包括下列步驟：<br/> (a)進行一驗證動作，獲得該記憶胞的一第一子狀態值；<br/> (b)產生該操作脈波信號的一脈波至該記憶胞；<br/> (c) 於產生該脈波後，進行該驗證動作，獲得該記憶胞的一第二子狀態值；<br/> (d)當該第二子狀態值代表該記憶胞未到達一目標儲存狀態時，定義一實際差值等於該第二子狀態值減去該第一子狀態值；根據該實際差值來產生下一個脈波；設定該第一子狀態值等於該第二子狀態值；以及，回到該步驟(b)；以及<br/> (e)當該第二子狀態值代表該記憶胞到達該目標儲存狀態時，停止提供下一脈波。
如請求項1所述的操作脈波信號控制方法，其中對該記憶胞進行一編程動作時，該目標儲存狀態為該記憶胞的一編程狀態；或者，對該記憶胞進行一抹除動作時，該目標儲存狀態為該記憶胞的一抹除狀態。
如請求項1所述的操作脈波信號控制方法，其中該步驟(d)更包括：根據該實際差值來調整下一個脈波的一脈波寬度或者一脈波高度。
如請求項1所述的操作脈波信號控制方法，其中步驟(b)更包括：根據一倍數值與一比例值來產生該操作脈波信號的該脈波至該記憶胞；其中，該脈波的一脈波高度等於該倍數值乘以該比例值乘以一參考電壓。
如請求項4所述的操作脈波信號控制方法，其中步驟(d)更包括下列步驟：<br/> (d1)當一旗標暫存器尚未被設定，且該實際差值小於一預設差值時，增加該倍數值且增加該比例值；<br/> (d2)當該旗標暫存器尚未被設定且該實際差值等於該預設差值時，設定該旗標暫存器，維持該倍數值，且維持該比例值；以及<br/> (d3)當該旗標暫存器尚未被設定且該實際差值大於該預設差值時，設定該旗標暫存器，維持該倍數值，且降低該比例值。
如請求項5所述的操作脈波信號控制方法，其中步驟(d)更包括下列步驟：<br/> (d4)當該旗標暫存器被設定且該實際差值小於該預設差值時，維持該倍數值且增加該比例值；<br/> (d5)當該旗標暫存器被設定且該實際差值等於該預設差值時，維持該倍數值，且維持該比例值；以及<br/> (d6)當該旗標暫存器被設定且該實際差值大於該預設差值時，維持該倍數值，且降低該比例值。
如請求項4所述的操作脈波信號控制方法，其中步驟(d)更包括下列步驟：<br/> (d1)當一旗標暫存器尚未被設定，且該實際差值小於一預設差值時，增加該倍數值且增加該比例值；<br/> (d2)當該旗標暫存器尚未被設定且該實際差值等於該預設差值時，設定該旗標暫存器，維持該倍數值，且維持該比例值；<br/> (d3)當該旗標暫存器尚未被設定且該實際差值大於該預設差值時，設定該旗標暫存器，維持該倍數值，且根據一調整函數來產生該比例值；<br/> (d4)當該旗標暫存器被設定且該實際差值小於該預設差值時，維持該倍數值且增加該比例值；<br/> (d5)當該旗標暫存器被設定且該實際差值等於該預設差值時，維持該倍數值，且維持該比例值；以及<br/> (d6)當該旗標暫存器被設定且該實際差值大於該預設差值時，維持該倍數值，且根據該調整函數來產生該比例值。
如請求項7所述的操作脈波信號控制方法，其中該調整函數產生修正後的該比例值，該調整函數為[R+(Y-Z) × O]，R為該比例值，Y為一調整參數，Z為該實際差值，O為一偏移量表示該比例值R每一次的增減數值。
如請求項8所述的操作脈波信號控制方法，其中該調整參數等於一目標儲存狀態值減去該第二子狀態值。
如請求項1所述的操作脈波信號控制方法，其中該記憶胞包括：<br/> 一選擇電晶體，其中該選擇電晶體的一第一源/汲端連接至一源極線，該選擇電晶體的一閘極端連接至一選擇閘極線；<br/> 一浮動閘電晶體，其中該浮動閘電晶體的一第一源/汲端連接至該選擇電晶體的一第二源/汲端；<br/> 一開關電晶體，其中該開關電晶體的一第一源/汲端連接至該浮動閘電晶體的一第二源/汲端，該開關電晶體的一第二源/汲端連接至一位元線，該開關電晶體的一閘極端連接至一字元線；<br/> 一第一電容器，其中該第一電容器的一第一端連接至該浮動閘電晶體的一浮動閘極，該第一電容器一第二端連接至一控制線；以及<br/> 一第二電容器，其中該第二電容器的一第一端連接至該浮動閘電晶體的該浮動閘極，該第二電容器一第二端連接至一抹除線。
如請求項10所述的操作脈波信號控制方法，其中於進行一編程動作時，該源極線與該位元線接收一接地電壓，該字元線與該選擇閘極線接收一開啟電壓，該控制線與該抹除線接收該操作時脈信號。
如請求項10所述的操作脈波信號控制方法，其中於進行一抹除動作時，該源極線、該位元線與該控制線接收一接地電壓，該字元線與該選擇閘極線接收一開啟電壓，該抹除線接收該操作時脈信號。
如請求項10所述的操作脈波信號控制方法，其中於進行該驗證動作時，該源極線接收一接地電壓，該位元線接收一讀取電壓，該字元線與該選擇閘極線接收一開啟電壓，該抹除線與該控制線接收一操作電壓；以及，根據該操作電壓以及該記憶胞產生的一記憶胞電流來決定該記憶胞處於該第一子狀態值或者該第二子狀態值。
如請求項1所述的操作脈波信號控制方法，其中該操作脈波信號由一操作脈波產生器所提供，且該操作脈波產生器包括：<br/> 一帶差參考電路，提供一參考電壓；<br/> 一處理器，接收一子狀態信號以確定該記憶胞的該第一子狀態值或者該第二子狀態值，其中該處理器根據該第一子狀態值與該第二子狀態值提供一倍數值與一比例值；<br/> 一控制器，接收該參考電壓、該比例值與該倍數值，並產生該操作脈波的該下一脈波，其中該下一脈波的一脈波高度等於該倍數值乘以該比例值乘以該參考電壓；<br/> 其中，該處理器根據該子狀態信號選擇性地動作一驗證通過信號；以及，當該驗證通過信號動作時，該控制器停止提供該下一脈波。
如請求項14所述的操作脈波信號控制方法，其中該處理器更胞括一旗標暫存器，當該旗標暫存器被設定時，增加該下一脈波的一脈波寬度。
一種可拆卸的夾持治具，包括： <br/>一夾持單元，包括： <br/>一基座，具有一容置槽，該容置槽內具有一第一通孔； <br/>一夾板，設置於該容置槽內，對應該第一通孔設有一夾持開口；以及 <br/>一蓋板，設置於該基座上，該蓋板具有對應該夾持開口的一第二通孔； <br/>一底座，設置於該夾持單元下方；以及 <br/>二支撐件，該底座與該夾持單元分別設置於該二支撐件之間，該二支撐件連接該底座與該夾持單元的左右兩側，以界定一操作空間連通該第一通孔； <br/>其中，該第一通孔、該夾持開口及該第二通孔共同構成用以容納一第一受測件的一通道，並使位於該通道的該第一受測件被該夾板的夾持部施力夾緊。
如請求項1所述的夾持治具，其中，該夾持單元還包括一緊固孔，該緊固孔內配置有一緊固件用於推動該夾板以夾持該第一受測件。
如請求項2所述的夾持治具，其中， <br/>該底座設有複數第一鎖固孔； <br/>該二支撐件的下側各設有複數第二鎖固孔，且該複數第二鎖固孔的位置各自對應於該複數第一鎖固孔，並通過複數第一鎖固件將該底座與該二支撐件固定連接； <br/>該二支撐件的上側各設有複數第三鎖固孔； <br/>該夾持單元的該基座設有複數第四鎖固孔，該複數第四鎖固孔的位置各自對應於該複數第三鎖固孔，並通過複數第二鎖固件將該夾持單元與該二支撐件固定連接。
如請求項3所述的夾持治具，其中，該緊固孔設置於該基座未設有該複數第四鎖固孔的一側邊。
如請求項3所述的夾持治具，其中，該基座上側的邊緣設有複數第五鎖固孔，該蓋板穿設有對應於該複數第五鎖固孔位置的複數第六鎖固孔，該複數第五鎖固孔和該複數第六鎖固孔通過複數第三鎖固件而被鎖固以向該夾板提供向下壓力。
如請求項1所述的夾持治具，其中，該夾持開口的孔徑小於該第一通孔和該第二通孔。
如請求項1所述的夾持治具，其中，該底座具有一第三通孔，該第三通孔具有一上端、一內壁和一下端，該內壁連通該上端和該下端，該內壁為螺牙結構，該上端用以固定一第二受測件以及該下端用以連接一測試設備。
如請求項7所述的夾持治具，其中，在該操作空間內，該第一受測件與該第二受測件通過一連接件連接。
如請求項1所述的夾持治具，其中，該夾持部呈V形或U形。
如請求項1所述的夾持治具，其中，該夾持單元的該夾板由高強度金屬材料製成。
如請求項1所述的夾持治具，其中，具有至少二個夾板並各自具有該夾持部，該二夾板各自以該夾持部相對的方式形成該夾持開口。
一種用於高爐的熱壓鐵塊的製作方法，該製作方法包含：<br/> 一混合步驟，混合多種材料，以生成多個生球團，該等材料包含：三氧化二鐵（<img align="absmiddle" height="14px" width="32px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>）、氧化鈣（<img align="absmiddle" height="14px" width="23px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>）、二氧化矽（<img align="absmiddle" height="14px" width="24px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>）、氧化鋁（<img align="absmiddle" height="14px" width="31px" file="ed10012.jpg" alt="ed10012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>）及氧化鎂（<img align="absmiddle" height="14px" width="27px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>）；<br/> 一培燒步驟，對該等生球團經一第一階段及一第二階段加熱，以生成多個球結礦，其中該第一階段的一加熱溫度至少在攝氏900度以上，該第一階段的一加熱時間至少為10分以上，該第二階段的一加熱溫度大於該第一階段的加熱溫度，該第二階段的一加熱時間長於該第一階段的加熱時間；<br/> 一還原步驟，提供一還原性氣體對該等球結礦加熱，以進行一第一還原反應，將該等球結礦的氧從氧化鐵中去除，以生成具有金屬鐵的多個還原鐵；及<br/> 一熱壓步驟，對該等還原鐵加熱及加壓，以生成多個熱壓鐵塊，其中該等熱壓鐵塊的密度大於5.0g/cm<sup>3</sup>，而且該等熱壓鐵塊的鹼度為<img align="absmiddle" height="14px" width="23px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>/<img align="absmiddle" height="14px" width="24px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>且在0.8-1.6之間。
如請求項1所述用於高爐的熱壓鐵塊的製作方法，其中在該培燒步驟中，該第二階段的加熱溫度為攝氏1200度，且該第二階段的加熱時間為20分。
如請求項1所述用於高爐的熱壓鐵塊的製作方法，其中該等球結礦包含三氧化二鐵（<img align="absmiddle" height="14px" width="32px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>）、氧化鈣（<img align="absmiddle" height="14px" width="23px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>）、二氧化矽（<img align="absmiddle" height="14px" width="24px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>）、氧化鋁（<img align="absmiddle" height="14px" width="31px" file="ed10012.jpg" alt="ed10012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>）及氧化鎂（<img align="absmiddle" height="14px" width="27px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>），其中三氧化二鐵（<img align="absmiddle" height="14px" width="32px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>）的重量百分比為85wt.%-92wt.%，氧化鈣（<img align="absmiddle" height="14px" width="23px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>）的重量百分比為2.2wt.%-3.2wt.%，二氧化矽（<img align="absmiddle" height="14px" width="24px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>）的重量百分比為2.0wt.%-3.2wt.%，氧化鋁（<img align="absmiddle" height="14px" width="31px" file="ed10012.jpg" alt="ed10012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>）的重量百分比為0.4wt.%-0.6wt.%，氧化鎂（<img align="absmiddle" height="14px" width="27px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>）的重量百分比為0wt.%-0.4wt.%。
如請求項1所述用於高爐的熱壓鐵塊的製作方法，其中在該還原步驟中，該還原性氣體包含一氧化碳、甲烷及氫氣，而且對該等球結礦加熱的加熱溫度為至少攝氏1100度以上，加熱時間至少為2小時以上。
如請求項1所述用於高爐的熱壓鐵塊的製作方法，其中在該還原步驟中，該等還原鐵包含金屬鐵（<img align="absmiddle" height="14px" width="14px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>）、氧化鈣（<img align="absmiddle" height="14px" width="23px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>）、二氧化矽（<img align="absmiddle" height="14px" width="24px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>）、氧化鋁（<img align="absmiddle" height="14px" width="31px" file="ed10012.jpg" alt="ed10012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>）及氧化鎂（<img align="absmiddle" height="14px" width="27px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>），其中金屬鐵（<img align="absmiddle" height="14px" width="14px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>）的重量百分比為80wt.%-92wt.%，氧化鈣（<img align="absmiddle" height="14px" width="23px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>）的重量百分比為2.2wt.%-3.2wt.%，二氧化矽（<img align="absmiddle" height="14px" width="24px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>）的重量百分比為2.0wt.%-3.2wt.%，氧化鋁（<img align="absmiddle" height="14px" width="31px" file="ed10012.jpg" alt="ed10012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>）的重量百分比為0.4wt.%-0.6wt.%，氧化鎂（<img align="absmiddle" height="14px" width="27px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>）的重量百分比為0wt.%-0.4wt.%。
如請求項1所述用於高爐的熱壓鐵塊的製作方法，其中在該熱壓步驟中，對該等還原鐵加熱的加熱溫度為至少攝氏800度以上，對該等還原鐵加壓的壓力範圍為5000psi至5500psi，且加壓時間為至少1秒以上。
如請求項1所述用於高爐的熱壓鐵塊的製作方法，其中在該熱壓步驟之後，該製作方法另包含一驗證步驟，在一高爐中混入礦料及該等熱壓鐵塊且進行加熱，以生成還原金屬鐵，並對該還原金屬鐵的還原率進行驗證。
如請求項7所述用於高爐的熱壓鐵塊的製作方法，其中在該驗證步驟中，該礦料及該等熱壓鐵塊的加熱經一第一階段、一第二階段及一第三階段，在該第一階段中，自攝氏25度升溫至攝氏900度，且升溫速率為攝氏10度/分，在該第二階段中，自攝氏900度升溫至攝氏1200度，且升溫速率為攝氏2度/分，在該第三階段中，自攝氏1200度升溫至攝氏1550度，且升溫速率為攝氏5度/分。
一種用於高爐的熱壓鐵塊，包含：<br/> 多種材料，該等材料包含：金屬鐵（<img align="absmiddle" height="14px" width="14px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>）、氧化鈣（<img align="absmiddle" height="14px" width="23px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>）、二氧化矽（<img align="absmiddle" height="14px" width="24px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>）、氧化鋁（<img align="absmiddle" height="14px" width="31px" file="ed10012.jpg" alt="ed10012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>）及氧化鎂（<img align="absmiddle" height="14px" width="27px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>），該等材料被混合以生成多個生球團，其中該等生球團經一第一階段及一第二階段加熱，以生成多個球結礦，該第一階段的一加熱溫度至少在攝氏900度以上，該第一階段的一加熱時間至少為10分以上，該第二階段的一加熱溫度大於該第一階段的加熱溫度，該第二階段的一加熱時間長於該第一階段的加熱時間；<br/> 其中該等熱壓鐵塊由多個還原鐵加熱及加壓而生成，該等還原鐵是由一還原性氣體對該等球結礦加熱以進行一第一還原反應，再將該等球結礦的氧從氧化鐵中去除而生成，該等熱壓鐵塊的密度大於5.0g/cm<sup>3</sup>，而且該等熱壓鐵塊的鹼度為<img align="absmiddle" height="14px" width="23px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>/<img align="absmiddle" height="14px" width="24px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>且在0.8-1.6之間。
如請求項9所述用於高爐的熱壓鐵塊，其中氧化鈣（<img align="absmiddle" height="14px" width="23px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>）、二氧化矽（<img align="absmiddle" height="14px" width="24px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>）、氧化鋁（<img align="absmiddle" height="14px" width="31px" file="ed10012.jpg" alt="ed10012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>）及氧化鎂（<img align="absmiddle" height="14px" width="27px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>）為礦渣，該等材料中的金屬鐵與礦渣的比例為4:1，而且金屬鐵（<img align="absmiddle" height="14px" width="14px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>）佔80wt.%-92wt.%。
一種電路，包括：<br/> 第一及第二反相器，被配置成對應地接收第一及第二針腳訊號，並產生第一及第二針腳訊號的反轉，所述第一及第二針腳訊號對應為所述電路的第一及第二輸入訊號；以及<br/> 三態反相子電路，包括第一及第二資料電晶體以及睡眠電晶體，<br/> 所述第一及第二資料電晶體的各自的控制端子耦接到具有所述第二針腳訊號的所述反轉的第一節點，<br/> 所述睡眠電晶體的控制端子耦接到具有所述第一針腳訊號的所述反轉的第二節點，且<br/> 所述第一及第二資料電晶體以及所述睡眠電晶體串聯地耦接在具有第一參考電壓的第三節點與具有非參考電壓訊號的第四節點之間。
如請求項1所述的電路，其中：<br/> 所述第四節點以及所述第二節點是相同的節點。
如請求項2所述的電路，更包括：<br/> 傳輸閘極，耦接在所述第一節點與第五節點之間，<br/> 其中：<br/> 所述第五節點具有第一內部訊號，<br/> 所述傳輸閘極並聯地耦接到所述三態反相子電路，<br/> 所述傳輸閘極的第一控制端子被配置成接收所述第一針腳訊號，且<br/> 所述傳輸閘極的第二控制端子耦接到所述第二節點，以接收所述第一針腳訊號的所述反轉。
一種半導體裝置的單元區域，所述單元區域包括：<br/> 多個主動區，沿第一方向延伸，並包括：<br/> 第一類型的第一及第二主動區；以及<br/> 不同的第二類型的第三主動區；<br/> 多個閘極段，沿垂直於所述第一方向的第二方向延伸，並包括：<br/> 第一閘極段，在所述第二及第三主動區上方，並被配置成接收第一針腳訊號；以及<br/> 第二閘極段，在所述第一主動區上方，被配置成接收第二針腳訊號的反轉，並與所述第一閘極段實質上共線；<br/> 多個第一源極/汲極區域，在所述第二及第三主動區中並鄰近所述第一閘極段的第二側，所述多個第一源極/汲極區域被耦接在一起，並被配置成提供所述第一針腳訊號的反轉；<br/> 多個第二源極/汲極區域，在所述第二及第三主動區中，並鄰近所述第一閘極段的第一側，所述第二源極/汲極區域相應地被配置成接收不同的第一及第二參考電壓；以及<br/> 在所述第一主動區中的第一源極/汲極區域，鄰近所述第二閘極段的第二側，且被配置成接收非參考電壓訊號。
如請求項4所述的單元區域，其中：<br/> 所述非參考電壓訊號是單元區域的內部的第一內部訊號。
如請求項4所述的單元區域，其中：<br/> 所述多個閘極段更包括：<br/> 第三閘極段，在所述第二及第三主動區上方，並被配置成接收所述第二針腳訊號，<br/> 所述第三閘極段具有相對於所述第一方向的第一及第二側，<br/> 所述第三閘極段的所述第二側鄰近於所述第一閘極段的所述第一側，<br/> 在所述第二及第三主動區中的所述第二源極/汲極區域鄰近於所述第三閘極段的第二側，且<br/> 第三源極/汲極區域在所述第二及第三主動區中且鄰近所述第三閘極段的第一側，所述第三源極/汲極區域被耦接在一起，並被配置成提供所述第二針腳訊號的所述反轉。
如請求項6所述的單元區域，其中：<br/> 所述多個閘極段更包括：<br/> 第四閘極段，在所述第二主動區上方，並被配置成接收所述第一針腳訊號的所述反轉；以及<br/> 第五閘極段，在所述第三主動區上方，並被配置成接收所述第一針腳訊號，<br/> 所述第四及第五閘極段實質上共線，<br/> 所述第四及第五閘極段的第二側鄰近於所述第三閘極段的所述第一側，<br/> 在所述第二及第三主動區中的所述第三源極/汲極區域對應地鄰近於所述第四及第五閘極段的所述第二側，且<br/> 第四源極/汲極區域在所述第二及第三主動區中對應地鄰近所述第四及第五閘極段的第一側，所述第四源極/汲極區域被耦接在一起，並被配置成提供第一內部訊號，所述第一內部訊號是單元區域的內部訊號。
如請求項7所述的單元區域，更包括：<br/> 在第一金屬化層中，多個金屬化段沿所述第一方向延伸並包括：<br/> 第一金屬化段，覆蓋所述第三主動區以及所述第一、第三及第五閘極段中的每一個，且耦接到所述第一及第五閘極段中的每一個。
如請求項6所述的單元區域，更包括：<br/> 第一絕緣虛設閘極，沿所述第二方向延伸，並位於所述第一主動區上方，<br/> 所述第一絕緣虛設閘極與所述第三閘極段實質上共線，<br/> 所述第一絕緣虛設閘極具有相對於所述第一方向的第一及第二側，<br/> 所述第一絕緣虛設閘極的所述第二側鄰近於所述第二閘極段的第一側，<br/> 在所述第一主動區中的第二源極/汲極區域，鄰近於所述第一絕緣虛設閘極的第二側，且<br/> 在所述第一主動區中的第三源極/汲極區域，鄰近於所述第一絕緣虛設閘極的第一側，並被配置成接收所述第二針腳訊號的所述反轉。
一種製造單元區域的方法，所述方法包括：<br/> 形成沿第一方向延伸的多個主動區，且所述多個主動區包括：<br/> 第一類型的第一及第二主動區；以及<br/> 不同的第二類型的第三主動區；<br/> 摻雜所述多個主動區的多個子區域，以形成多個源極/汲極區域，且包括：<br/> 相對於所述第一方向，將所述多個源極/汲極區域的第一部份彼此對準，且將所述多個源極/汲極區域的第二部分彼此對準；以及<br/> 所述多個主動區的多個部分對應地位於表示通道區域的相鄰的第一及第二源極/汲極區域之間；<br/> 形成沿垂直於所述第一方向的第二方向延伸的多個閘極段，所述多個閘極段包括：<br/> 第一閘極段，位於所述第二及第三主動區的各自的通道區域的對應部分的上方；以及<br/> 第二閘極段，位於所述第一主動區的通道區域的對應部分的上方，並與所述第一閘極段實質上共線；以及<br/> 選擇性地耦接一個或多個的所述多個源極/汲極區域或一個或多個的所述多個閘極段，包括：<br/> 所述第一閘極段接收第一針腳訊號，<br/> 所述第二閘極段接收第二針腳訊號的反轉，<br/> 所述第一源極/汲極區域在所述第二及第三主動區中，且鄰近所述第一閘極段的第二側，且所述第一源極/汲極區域提供所述第一針腳訊號的反轉，<br/> 在所述第三主動區中且鄰近所述第二閘極段的第二側的所述第一源極/汲極區域，接收所述第一針腳訊號的所述反轉；<br/> 在所述第二及第三主動區中且鄰近所述第一閘極段的第一側的所述第二源極/汲極區域，對應地接收不同的第一及第二參考電壓；以及<br/> 在所述第一主動區中且鄰近所述第二閘極段的第二側的所述第一源極/汲極區域，接收非參考電壓訊號。
一種中草藥組合物之深共熔溶劑萃取物用於製備具抗菌及抗發炎活性之醫藥組成物的用途；該醫藥組成物係為液態凝膠敷料，用於抑制痤瘡桿菌(<i>C. acne</i>)之生長活性；其中，該深共熔溶劑萃取物係以深共熔溶劑對中草藥組合物進行超音波萃取後濃縮獲得；該深共熔溶劑的氫鍵受體(HBA)為甜菜鹼(Bet)，該深共熔溶劑的氫鍵供體(HBD)係選自甘油(Gly)、乳酸(LA)或甘露糖(MAN)，該中草藥組合物係選自包括艾草、魚腥草、白花蛇舌草、魚針草及金銀花之組成，或者，選自包括薄荷及澳洲茶樹之組成。
如請求項1所述之用途，該深共熔溶劑係由甜菜鹼及甘油按莫耳比1：1.5至1：2.5混合製成。
如請求項1所述之用途，該深共熔溶劑係由甜菜鹼及乳酸按莫耳比1：0.5至1：1.5混合製成。
如請求項1所述之用途，該深共熔溶劑係由甜菜鹼及甘露糖按莫耳比1：0.5至1：1.5混合製成。
如請求項1所述之用途，以該中草藥組合物之總重量為100wt%計，該中草藥組合物包括20wt%至25wt%的艾草、15wt%至20wt%的魚腥草、15wt%至20wt%的白花蛇舌草、9wt%至13wt%的魚針草以及27wt%至32wt%的金銀花。
如請求項5所述之用途，該醫藥組成物係包括液態凝膠敷料，其中，以該液態凝膠敷料為100wt%計，該液態凝膠敷料包括由10wt%至20wt%的中草藥組合物乾重製得之深共熔溶劑萃取物、5wt%至11wt%的聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、1wt%至3wt%的羥丙基甲基纖維素(HPMC)、0.1wt%至0.3wt%的氯化鈣(CaCl<sub>2</sub>)、0.05wt%至0.15wt%的乙二胺四乙酸二鈉(EDTA-2Na)以及餘量的水。
如請求項6所述之用途，該醫藥組成物係包括該液態凝膠敷料以及額外添加至該液態凝膠敷料的水，以該液態凝膠敷料為100wt%計，該額外添加的水為55wt%至65wt%。
如請求項1所述之用途，以該中草藥組合物之總重量為100wt%計，該中草藥組合物包括45wt%至55wt%的薄荷以及45wt%至55wt%的澳洲茶樹。
如請求項8所述之用途，該醫藥組成物係包括液態凝膠敷料，其中，以該液態凝膠敷料為100wt%計，該液態凝膠敷料包括由10wt%至20wt%的中草藥組合物乾重製得之深共熔溶劑萃取物、5wt%至11wt%的聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、1wt%至3wt%的羥丙基甲基纖維素(HPMC)以及餘量的澳洲茶樹純露。
如請求項1所述之用途，其中，該中草藥組合物係經乾燥後以20目至60目篩網粉碎之中草藥組合物粉末；該中草藥組合物與該深共熔溶劑的固液重量比可為1：5至1：15。
如請求項1所述之用途，其中，該深共熔溶劑係甜菜鹼與甘露糖之組合(Bet-MAN)時，額外添加佔該液態凝膠敷料重量55wt%至65wt%的水至該液態凝膠敷料中形成一第一稀釋凝膠，該第一稀釋凝膠用於抑制痤瘡桿菌(<i>C. acne</i>)、表皮葡萄球菌(<i>S. epidermidis</i>)、金黃色葡萄球菌(<i>S. aureus</i>)或綠膿桿菌(<i>P. aeruginosa</i>)之生長活性。
如請求項11所述之用途，其中，該第一稀釋凝膠用於抑制發炎且對角質細胞(keratinocytes)及THP-1細胞無細胞毒性。
如請求項11所述之用途，其中，該第一稀釋凝膠用於抑制痤瘡桿菌誘發之角質細胞的IL-1β表現及IL-8表現。
如請求項11所述之用途，其中，該第一稀釋凝膠用於抑制痤瘡桿菌誘發之THP-1細胞的IL-1β表現及IL-8表現。
如請求項1所述之用途，其中，該深共熔溶劑係甜菜鹼與乳酸之組合(Bet-LA)時，額外添加佔該液態凝膠敷料重量30wt%至40wt%的水至該液態凝膠敷料中形成一第二稀釋凝膠，該第二稀釋凝膠用於抑制痤瘡桿菌(<i>C. acne</i>)、表皮葡萄球菌(<i>S. epidermidis</i>)、金黃色葡萄球菌(<i>S. aureus</i>)或綠膿桿菌(<i>P. aeruginosa</i>)之生長活性。
一種用於一運輸系統的操作方法，其中該運輸系統包括至少一電動搬運載具、多個無線充電裝置以及一主機，其中該至少一電動搬運載具用於搬運該些無線充電裝置，其中該主機執行該操作方法的多個指令，其中該操作方法包括：<br/> 依據一場域的一佈局定義在該場域中的一可移動區域；<br/> 在該可移動區域中設定該至少一電動搬運載具的多個搬運站；<br/> 依據該些搬運站之間的至少一最短距離建立該些搬運站之間的多個運送路徑；<br/> 在該些運送路徑上鄰近於該些搬運站的多個位置上以及該些運送路徑的交錯處定義多個無線充電位置；以及<br/> 控制該至少一電動搬運載具將該些無線充電裝置移動到該些無線充電位置。
如請求項1所述的操作方法，其中依據該場域的該佈局定義在該場域中的該可移動區域的步驟包括：<br/> 依據該場域的該佈局定義在該場域中的一禁止移動區域；以及<br/> 將該禁止移動區域以外的區域定義為該可移動區域。
如請求項1所述的操作方法，其中該至少一電動搬運載具在該些運送路徑上移動。
如請求項1所述的操作方法，還包括：<br/> 在該至少一電動搬運載具將該些無線充電裝置移動到該些無線充電位置之後，當該至少一電動搬運載具經過或停止於該些無線充電位置的一第一無線充電位置時，位於該第一無線充電位置的一第一無線充電裝置對該至少一電動搬運載具進行無線充電。
如請求項1所述的操作方法，其中該至少一電動搬運載具包括一第一電動搬運載具以及一第二電動搬運載具，其中該操作方法還包括：<br/> 判斷該第一電動搬運載具在該些運送路徑當中的一第一運送路徑上的一路段上閃避該第二電動搬運載具的一次數；以及<br/> 當該次數大於一設定次數時，虛擬地建立一新增路段，<br/> 其中該新增路段與該路段彼此平行。
如請求項1所述的操作方法，還包括：<br/> 依據該些運送路徑縮小一市電傳輸區域的範圍，<br/> 其中被設置於該些無線充電位置的該些無線充電裝置依據來自於該市電傳輸區域的一市電來提供無線電源。
如請求項1所述的操作方法，還包括：<br/> 當該些搬運站的數量被改變時，重新執行該操作方法。
一種運輸系統，包括：<br/> 至少一電動搬運載具，經配置以運輸在一場域的貨物；<br/> 多個無線充電裝置，其中該至少一電動搬運載具用於搬運該些無線充電裝置；以及<br/> 一主機，經配置以：<br/> 依據該場域的一佈局定義在該場域中的一可移動區域，<br/> 在該可移動區域中設定該至少一電動搬運載具的多個搬運站，<br/> 依據該些搬運站之間的至少一最短距離建立該些搬運站之間的多個運送路徑，<br/> 在該些運送路徑上鄰近於該些搬運站的多個位置上以及該些運送路徑的交錯處定義多個無線充電位置，並且<br/> 控制該至少一電動搬運載具將該些無線充電裝置移動到該些無線充電位置。
如請求項8所述的運輸系統，其中該主機依據該場域的該佈局定義在該場域中的一禁止移動區域，並將該禁止移動區域以外的區域定義為該可移動區域。
如請求項8所述的運輸系統，其中該至少一電動搬運載具在該些運送路徑上移動。
如請求項8所述的運輸系統，其中在該至少一電動搬運載具將該些無線充電裝置移動到該些無線充電位置之後，當該至少一電動搬運載具經過或停止於該些無線充電位置的一第一無線充電位置時，位於該第一無線充電位置的一第一無線充電裝置對該至少一電動搬運載具進行無線充電。
如請求項8所述的運輸系統，其中：<br/> 該至少一電動搬運載具包括一第一電動搬運載具以及一第二電動搬運載具，<br/> 該主機判斷該第一電動搬運載具在該些運送路徑當中的一第一運送路徑上的一路段上閃避該第二電動搬運載具的一次數，<br/> 當該次數大於一設定次數時，該主機虛擬地建立一新增路段，並且<br/> 該新增路段與該路段彼此平行。
如請求項12所述的運輸系統，其中該些無線充電裝置的其中之一包括：<br/> 一無線充電器，經配置以接收一市電，並依據該市電輸出一無線電源；以及<br/> 一充電控制器，連接於該無線充電器，並經配置以將對應無線充電裝置的一第一訊息提供至該主機，<br/> 其中該第一訊息包括該無線充電器的位置以及該無線充電器的使用狀況。
如請求項13所述的運輸系統，其中該第一電動搬運載具包括：<br/> 一電池模組；以及<br/> 一無線電源接收器，連接於該電池模組，並經配置以利用感應耦合方式接收來自於該無線充電器的該無線電源，利用該無線電源對該電池模組進行充電。
如請求項14所述的運輸系統，其中該第一電動搬運載具還包括：<br/> 一馬達，其中該第一電動搬運載具基於該馬達的運轉而移動；以及<br/> 一電源轉換器，連接於該電池模組以及該馬達，並經配置以將儲存於該電池模組的一電池電源轉換為一驅動電源，並利用該驅動電源驅動該馬達。
如請求項15所述的運輸系統，其中該第一電動搬運載具還包括：<br/> 一載具控制器，連接於該電源轉換器以及該無線電源接收器，並經配置以將該第一電動搬運載具的一第二訊息提供至該主機，<br/> 其中該第二訊息包括該第一電動搬運載具的位置以及該第一電動搬運載具的使用狀況。
如請求項16所述的運輸系統，其中該主機包括：<br/> 一訊息傳輸電路，經配置以接收該第一訊息以及該第二訊息；以及<br/> 一運算電路，連接於該訊息傳輸電路，並經配置以依據該第一訊息以及該第二訊息來調整該些無線充電位置、調整該至少一電動搬運載具的一指定運送路徑、調整該至少一電動搬運載具的數量以及縮小一市電傳輸區域的範圍的至少其中之一。
如請求項17所述的運輸系統，其中該主機還包括：<br/> 一資料輸出電路，連接於該運算電路，並經配置以儲存並輸出該第一訊息、該第二訊息、該些無線充電位置、該該至少一電動搬運載具的一指定運送路徑、該該至少一電動搬運載具的數量以及該市電傳輸區域的範圍的至少其中之一。
如請求項14所述的運輸系統，其中該電池模組由鋁離子電池來實施。
如請求項8所述的運輸系統，其中該些無線充電裝置的其中之一包括：<br/> 一電路模組，經配置以依據一市電產生一無線電源；<br/> 一電源傳輸線圈，連接於該電路模組，並經配置以輸出該無線電源；以及<br/> 一導磁結構，被設置於該電路模組與該電源傳輸線圈之間。
一種顯示裝置，包括： <br/>一背光模組，包括： <br/> 一反射片，包括一第一部及該第一部外的一第二部，其中該反射片的該第一部具有一開口； <br/> 至少一發光元件，位於該反射片上；以及 <br/> 至少一光學膜片，位於該反射片的上方，其中一第一方向垂直於該至少一光學膜片，該反射片的該第一部與該至少一光學膜片在該第一方向上具有一第一距離，該反射片的該第二部與該至少一光學膜片在該第一方向上具有一第二距離，且該第一距離小於該第二距離；以及 <br/>一顯示面板，設置於該背光模組上。
如請求項1所述的顯示裝置，更包括： <br/> 一攝像元件，對應於該反射片的該第一部的該開口設置。
如請求項2所述的顯示裝置，其中該背光模組更包括： <br/> 一背框，具有一凹陷部，凹向該顯示面板，其中該反射片的該第一部重疊於該背框的該凹陷部，且該攝像元件的至少一部分設置於該背框的該凹陷部中。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該反射片的該第一部的面積與該開口的面積的比值大於120%。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該第二距離與該第一距離的比值落在1.5至5的範圍。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該至少一發光元件包括： <br/> 多個第一發光元件，設置於該反射片的該第一部上；以及 <br/> 多個第二發光元件，設置於該反射片的該第二部上； <br/>其中，一第二方向平行於該至少一光學膜片，該些第一發光元件在該第二方向上以一第一間距排列，該些第二發光元件在該第二方向上以一第二間距排列，且該第一間距小於該第二間距。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該至少一發光元件包括： <br/> 多個第一發光元件，設置於該反射片的該第一部上；以及 <br/> 多個第二發光元件，設置於該反射片的該第二部上； <br/> 其中，一第二方向平行於該至少一光學膜片，該些第一發光元件在該第二方向上以一第一間距排列，該些第二發光元件在該第二方向上以一第二間距排列，且該第二間距與第一間距的比值落在0.99至3的範圍。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該至少一發光元件的每一者包括一發光晶片以及包覆該發光晶片的一透明封裝體，該至少一發光元件包括： <br/> 多個第一發光元件，設置於該反射片的該第一部上，其中每一第一發光元件更包括一散射體，設置於該透明封裝體上；以及 <br/> 多個第二發光元件，設置於該反射片的該第二部上，其中每一第二發光元件的該透明封裝體直接地接觸於該至少一光學膜片與該反射片之間的一空氣間隙。
如請求項8所述的顯示裝置，其中該第一發光元件的該散射體的面積與該第一發光元件的該透明封裝體的面積的比值落在20%至60%的範圍。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該至少一發光元件包括設置於該反射片的該第一部上的多個第一發光元件以及設置於該反射片的該第二部上的多個第二發光元件，該背光模組更包括： <br/> 一反射柵格元件，設置於該反射片上，且具有一第一柵格及多個第二柵格，其中該些第一發光元件設置於同一該第一柵格中，且該些第二發光元件分別設置於該些第二柵格中。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該至少一發光元件包括設置於該反射片的該第一部上的一第一發光元件及設置於該反射片的該第二部上的一第二發光元件，該背光模組更包括： <br/> 一導光板，設置於該反射片的該第一部與該至少一光學膜片之間，其中該導光板具有朝向該反射片的該第一部的一底面、位於該底面之對向的一出光面以及連接該底面與該出光面之間的一入光面，而該第一發光元件設置於該導光板的該入光面旁；以及 <br/> 一擋光元件，隔開該反射片的該第二部與該至少一光學膜片之間的一空氣間隙與該導光板。
如請求項11所述的顯示裝置，其中該導光板在該第一方向上的一厚度與該第一距離的比值落在0.25至1的範圍。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該反射片上的一點與該至少一光學膜片在該第一方向上的一距離隨著該點靠近該開口而逐漸地減少。
一種電子系統，包括： <br/> 一背光模組，包括： <br/> 一反射片，包括一第一部及該第一部外的一第二部， 其中該反射片的該第一部具有一開口； <br/> 至少一發光元件，位於該反射片上；以及 <br/> 至少一光學膜片，位於該反射片的上方，其中一第一方向垂直於該至少一光學膜片，該反射片的該第一部與該至少一光學膜片在該第一方向上具有一第一距離，該反射片的該第二部與該至少一光學膜片在該第一方向上具有一第二距離，且該第一距離小於該第二距離； <br/> 一顯示面板，設置於該背光模組上； <br/> 一攝像元件，對應於該反射片的該第一部的該開口設置；以及 <br/> 一處理元件，電性連接至該攝像元件。
一種傾斜角度量測雲端服務系統，其包含有一雲端量測系統，其中：所述雲端量測系統係用於量測至少一物體，所述雲端量測系統具有至少一傾斜計與至少一推動機構，所述推動機構以至少一液壓動力控制箱進行控制，所述傾斜計及該液壓動力控制箱以有線通訊方式分別與一第一數據收發器及一第二數據收發器連結，所述傾斜計用以量測該物體之包含所述物體於X軸與Y軸上的傾斜角度、所述物體於X軸與Y軸方向上的相對位移量及該物體的高度的數值獲得一量測數據供該第一數據收發器讀取，所述第一數據收發器及該第二數據收發器以無線通訊方式連結一無線路由器，該無線路由器連結一基地台將所述第一數據收發器讀取之該量測數據上傳至一雲端資料庫儲存，一雲端伺服器安裝有一裝置操作介面使用所述雲端資料庫儲存之該量測數據，一終端設備可登入並顯示該裝置操作介面觀看該量測數據，所述液壓動力控制箱設有一操作盒，使用者可藉由該操作盒手動控制所述液壓動力控制箱驅動該推動機構推動所述物體調整其斜度至一公差範圍內，或使用者可藉由該操作盒令所述無線路由器將該量測數據經所述第二數據收發器供該液壓動力控制箱接收，所述液壓動力控制箱根據該量測數據自動控制驅動該推動機構推動所述物體調整其斜度至一公差範圍內，該公差範圍係一由使用者透過所述液壓動力控制箱預先設定或根據該量測數據動態調整之斜度與誤差參數。
如請求項1所述之傾斜角度量測雲端服務系統，其中，該推動機構安裝於所述物體之四方來調整其傾斜度，從而確保該物體的垂直度。
如請求項1所述之傾斜角度量測雲端服務系統，其中，該推動機構安裝於所述物體之底部來調整其傾斜度，從而確保該物體的水平度。
如請求項1所述之傾斜角度量測雲端服務系統，其中，所述終端設備是電腦。
如請求項1所述之傾斜角度量測雲端服務系統，其中，所述終端設備是智慧型手機或平板電腦。
如請求項1所述之傾斜角度量測雲端服務系統，其中，所述無線路由器是以4G無線網路與該基地台通訊。
如請求項1所述之傾斜角度量測雲端服務系統，其中，所述液壓動力控制箱透過該第二數據收發器將該液壓動力控制箱的動作狀態傳送至該雲端資料庫供AI模型訓練。
如請求項1所述之傾斜角度量測雲端服務系統，其中，所述裝置操作介面是以WEB介面呈現該傾斜計所量測到該物體的方向、傾斜角度軌跡、相對位移量及所述液壓動力控制箱驅動該推動機構進行調整的歷史紀錄並可將這些數據產出報表。
如請求項1所述之傾斜角度量測雲端服務系統，其中，所述推動機構是以液壓驅動的千斤頂。
一種半穿透半反射顯示器，包括多個像素，各所述像素具備一穿透區以及一反射區，且各所述像素包括：<br/> 基板；<br/> 啞層（dummy layer），配置於所述基板上，且包括分立的多個啞結構，其中所述多個啞結構位於所述反射區內； <br/> 高反射金屬層，位於所述反射區內，其中所述多個啞結構位於所述基板以及所述高反射金屬層之間；以及<br/> 平坦化層，其中所述高反射金屬層位於所述啞層的所述多個啞結構以及所述平坦化層之間，<br/> 其中所述高反射金屬層具有對應所述多個啞結構的多個高反射凸面，<br/> 其中所述多個啞結構與所述半穿透半反射顯示器的一金屬層同層設置，且與所述金屬層包括相同的材料，所述金屬層包括分立的多個導電結構，所述高反射金屬層具有對應所述多個導電結構的多個高反射凸面。
如請求項1所述的半穿透半反射顯示器，所述金屬層還包括一電極，所述電極電性連接所述半穿透半反射顯示器的一資料線。
如請求項1所述的半穿透半反射顯示器，所述金屬層還包括一電極，所述電極電性連接所述半穿透半反射顯示器的一掃描線。
如請求項1所述的半穿透半反射顯示器，其中各所述導電結構被配置為具備在一平面上的彎曲形狀或鋸齒形狀。
如請求項4所述的半穿透半反射顯示器，其中各所述高反射凸面具備在所述平面上的彎曲形狀或鋸齒形狀。
如請求項1所述的半穿透半反射顯示器，其中所述高反射金屬層對於可見光具備大於或等於90%的反射率。
如請求項1所述的半穿透半反射顯示器，其中所述高反射金屬層包括銀。
如請求項1所述的半穿透半反射顯示器，其中各所述像素的所述高反射金屬層在所述基板的投影具備第一面積，各所述像素的所述穿透區在所述基板的投影具備第二面積，且所述第一面積與所述第二面積的比值大於3。
一種散熱材料，以質量%計，其含有： <br/>Fe：12.0~27.0%、 <br/>Cr：3.0~7.0%、 <br/>Co：20.0~42.0%、 <br/>C：0.10%以下、 <br/>O：0.01~0.10%、 <br/>N：0.10%以下，其餘部分包含Cu及不可避免的雜質。
如請求項1之散熱材料，其中，以質量%計，進一步含有： <br/>Mn：0.01~0.50%。
如請求項1或2之散熱材料，其中，以質量%計，進一步含有： <br/>W：0.01~3.0%、 <br/>Mo：0.01~3.0% <br/>之任一種以上。
一種編碼器的校正及補償方法，包含步驟： <br/>(a) 提供相互電連接之一電機、一編碼器及一驅動器，其中，該驅動器架構於驅動該電機，並與該編碼器電連接，該電機包含一轉子，該編碼器架構於檢測該電機的運轉； <br/>(b) 利用該驅動器持續提供一d軸電流命令至該電機，以驅動該電機旋轉； <br/>(c) 利用該驅動器提供漸增的一正頻率至該電機使該轉子正轉； <br/>(d) 當該電機運轉至一穩態時，利用該驅動器獲取該編碼器之一原點位置，並根據一d軸方向及該編碼器的該原點位置獲取一第一偏移角度； <br/>(e) 利用該驅動器提供漸增的一負頻率至該電機使該轉子反轉； <br/>(f) 當該電機運轉至該穩態時，利用該驅動器獲取該編碼器之該原點位置，並根據該d軸方向及該編碼器的該原點位置獲取一第二偏移角度； <br/>(g) 利用該驅動器根據該第一偏移角度及該第二偏移角度計算一實際偏移角度；以及 <br/>(h) 利用該驅動器根據該實際偏移角度對該編碼器進行補償。
如請求項1之編碼器的校正及補償方法，其中，該第一偏移角度為該實際偏移角度與一落後角度的差，該第二偏移角度為該實際偏移角度與該落後角度的和，其中，該落後角度為該轉子於正轉及反轉時的一旋轉位置與該d軸方向的角度差，其中，該實際偏移角度為該轉子於正轉及反轉時的該旋轉位置與該編碼器的該原點位置的角度差。
如請求項1之編碼器的校正及補償方法，其中，於該步驟(d)及該步驟(f)中，當該電機運轉至該穩態時，該電機之一電機頻率與一目標頻率之間的誤差小於一誤差百分比。
如請求項3之編碼器的校正及補償方法，其中，於該步驟(d)及該步驟(f)中還包含：當該電機運轉至一非穩態時，利用該驅動器輸出一警示訊號至該電機，使該電機停止運轉，其中，當該電機運轉至該非穩態時，該電機之該電機頻率與該目標頻率之間的誤差大於該誤差百分比。
如請求項3之編碼器的校正及補償方法，其中，該誤差百分比為10%。
如請求項1之編碼器的校正及補償方法，其中， 該電機為一個三相電機或一個六相電機。
如請求項1之編碼器的校正及補償方法，還包含步驟：在獲取該實際偏移角度後，該驅動器停止提供該d軸電流命令至該電機。
如請求項1之編碼器的校正及補償方法，其中，於該步驟(b)中，該驅動器係以開迴路方式驅動該電機旋轉。
一種編碼器的校正及補償系統，包含： <br/>一電機，包含一轉子； <br/>一編碼器，電連接於該電機，且架構於檢測該電機的運轉；以及 <br/>一驅動器，電連接於該電機及該編碼器，且架構於驅動及控制該電機，以及控制該編碼器， <br/>其中，該驅動器持續提供一d軸電流命令至該電機，以驅動該電機旋轉， <br/>其中，該驅動器提供漸增的一正頻率至該電機使該電機之該轉子正轉，當該電機運轉至一穩態時，該驅動器獲取該編碼器之一原點位置，並根據一d軸方向及該編碼器的該原點位置獲取一第一偏移角度， <br/>其中，該驅動器提供漸增的一負頻率至該電機使該電機之該轉子反轉，當該電機運轉至該穩態時，該驅動器獲取該編碼器之該原點位置，並根據該d軸方向及該編碼器的該原點位置獲取一第二偏移角度， <br/>其中，該驅動器根據該第一偏移角度及該第二偏移角度計算一實際偏移角度，該實際偏移角度係用於補償該編碼器。
如請求項9之編碼器的校正及補償系統，其中，該第一偏移角度為該實際偏移角度與一落後角度的差，該第二偏移角度為該實際偏移角度與該落後角度的和，其中，該落後角度為該轉子於正轉及反轉時的一旋轉位置與該d軸方向的角度差，其中，該實際偏移角度為該轉子於正轉及反轉時的該旋轉位置與該編碼器的該原點位置的角度差。
如請求項9之編碼器的校正及補償系統，其中，當該電機運轉至該穩態時，該電機之一電機頻率與一目標頻率之間的誤差小於一誤差百分比。
如請求項11之編碼器的校正及補償系統，其中，當該電機運轉至一非穩態時，該驅動器輸出一警示訊號至該電機，使該電機停止運轉，其中，當該電機運轉至該非穩態時，該電機之該電機頻率與該目標頻率之間的誤差大於該誤差百分比。
如請求項11之編碼器的校正及補償系統，其中，該誤差百分比為10%。
如請求項9之編碼器的校正及補償系統，其中，該電機為一個三相電機或一個六相電機。
如請求項9之編碼器的校正及補償系統，其中，在獲取該實際偏移角度後，該驅動器停止提供該d軸電流命令至該電機。
如請求項9之編碼器的校正及補償系統，其中，該驅動器在提供該d軸電流命令至該電機後，係以開迴路方式驅動該電機旋轉。
一種化合物Z，其係由一陰離子A及一陽離子B所組成，且該陰離子A如下式(I)所示及該陽離子B如下式(II)所示：<br/><img align="absmiddle" height="74px" width="258px" file="ed10048.jpg" alt="ed10048.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式(I)，<img align="absmiddle" height="189px" width="208px" file="ed10049.jpg" alt="ed10049.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式(II)；<br/> 其中，n為2；L<sub>1</sub>為伸甲基或伸乙基；L<sub>2</sub>為二價酯基；L<sub>3</sub>為-C(O)O-或無；L<sub>A</sub>為伸苯基；R<sup>1</sup>為H或烷基；R<sup>2</sup>為H、鹵素或烷基；R<sup>3</sup>為無。
如請求項1所述之化合物，其中R<sup>1</sup>為甲基或H。
如請求項1所述之化合物，其中R<sup>2</sup>為F、甲基或H。
一種如請求項1所述之化合物Z的製造方法，其包含：<br/> 製備當L<sub>2</sub>為-C(O)O-時之如下式(I-5)所示之化合物BA’，其包括如下步驟：<br/> 在步驟1中，將如下式(I-1) 所示之化合物MA1與如下式(I-2)所示之化合物BX進行離子交換，以形成如下式(I-3)所示之化合物BA1；及<br/> 在步驟2中，將化合物BA1與如下式(I-4)所示之化合物A2進行酯化反應，以形成式(I-5)所示之化合物BA’，<br/><img align="absmiddle" height="23px" width="53px" file="ed10059.jpg" alt="ed10059.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 式(I-1)，<br/><img align="absmiddle" height="189px" width="208px" file="ed10051.jpg" alt="ed10051.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 式(I-2)<br/><img align="absmiddle" height="51px" width="95px" file="ed10060.jpg" alt="ed10060.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 式(I-3)，<br/><img align="absmiddle" height="27px" width="45px" file="ed10061.jpg" alt="ed10061.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式(I-4)，<br/><img align="absmiddle" height="51px" width="141px" file="ed10062.jpg" alt="ed10062.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式(I-5)，<br/> 其中R<sup>4</sup>為Cl、-OC(O)R<sup>5</sup>、-OH、-OR<sup>6</sup>或-NH<sub>2</sub>；R<sup>5</sup>為烷基；R<sup>6</sup>為烷基或芳基；M為鈉離子、鉀離子、鋰離子或一價鎓離子(onium ion)；X為Cl、Br或I。
如請求項4所述之製造方法，其中，在步驟2中，該酯化反應係在一酸催化劑的存在下進行，且該酸催化劑為三氟乙酸(Trifluoroacetic acid，TFA) 、甲基磺酸(methanesulfonic acid，MSA)、甲基苯磺酸(p-toluenesulfonic acid，PTSA)或對甲苯磺酸吡啶鹽(pyridinium p-toluenesulfonate，PPTS)。
如請求項4所述之製造方法，其中，在步驟2中，該酯化反應係在一鹼催化劑的存在下進行，且該鹼催化劑為吡啶、對二甲胺吡啶(dimethylaminopyridine，DMAP)、三乙胺、二環己基碳二亞胺(Dicyclohexylcarbodiimide，DCC)、二異丙基碳二亞胺(Diisopropylmethanediimine， DIC)、1-乙基-3-(3-二甲基氨基丙基)碳二亞胺(3-[(Ethylimino)methylidene]amino-N,N-dimethylpropan-1-amine，EDCI)或其組合。
一種聚合物，其包含如請求項1所示之化合物Z對應的結構單元及共聚單體M對應的結構單元，其中該共聚單體M為<img align="absmiddle" height="147px" width="93px" file="ed10055.jpg" alt="ed10055.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="113px" file="ed10056.jpg" alt="ed10056.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 、 <img align="absmiddle" height="157px" width="101px" file="ed10057.jpg" alt="ed10057.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或 <img align="absmiddle" height="28px" width="23px" file="ed10058.jpg" alt="ed10058.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中a為1或2；R<sup>7</sup>為碳數1至6的烷基；R<sup>8</sup>為碳數1至6的烷基或是烷氧基。
如請求項7所述之聚合物，其重量平均分子量(Mw)為小於或等於4000。
一種組合物，其包含：如請求項7所述之聚合物；以及一樹脂成分。
如請求項9所述之組合物，其中該樹脂成分為光酸樹脂成分。
如請求項9所述之組合物，其進一步包含一金屬，且該金屬為鈉、鉀、鎂、鋁、鈣、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅、銀、鉛或其組合。
如請求項11所述之組合物，其中各該金屬的含量小於或等於10 ppb。
一種半導體元件，包括： <br/>一基底，具有一主動區； <br/>一閘極結構，設置在該主動區內的一閘極溝槽內； <br/>一雜質區，與該閘極結構相鄰設置； <br/>至少兩個位元線結構，位於該基底上； <br/>一接觸層，位於該基底上且在該至少兩個位元線結構之間；以及 <br/>一導電頸層，位於該接觸層上且在該至少兩個位元線結構之間， <br/>其中該雜質區具有一上部分和一下部分，該上部分界定該雜質區的一頂面，該下部分界定該雜質區的一底面，其中該雜質區之該頂面的一寬度大於該雜質區之該底面的一寬度。
如請求項1所述之半導體元件，其中該閘極結構包括： <br/>一第一阻障層，設置在該閘極溝槽之一側壁的一部分上； <br/>一第一閘極材料，設置在該閘極溝槽內，其中該第一閘極材料包括一第一組件和一第二組件，該第一組件由該第一阻障層環繞，該第二組件從該第一組件朝該基底的一第一頂面延伸，且該第二組件自該第一阻障層突出； <br/>一第二阻障層，設置在該第一阻障層和該第一閘極材料上；以及 <br/>一第二閘極材料，設置在該第二阻障層上。
如請求項1所述之半導體元件，其中該至少兩個位元線結構在一俯視角度下沿著一第一方向延伸且彼此分離，該導電頸層包括兩個第一側，該兩個第一側分別經由一內間隙物層和一外間隙物層接觸該至少兩個位元線結構，且該兩個第一側朝該接觸層漸縮。
如請求項3所述之半導體元件，更包括： <br/>至少兩個分隔層，位於該基底上，彼此隔開，且位於該至少兩個位元線結構之間，其中該至少兩個分隔層與該至少兩個位元線結構共同包圍該接觸層和該導電頸層。
如請求項4所述之半導體元件，其中該導電頸層包括兩個第二側，該兩個第二側接觸該至少兩個分隔層，且該兩個第二側大致上是豎直的。
如請求項5所述之半導體元件，更包括： <br/>複數個內間隙物層，共形地位於該至少兩個位元線結構的側邊上。
如請求項6所述之半導體元件，更包括： <br/>複數個外間隙物層，共形地位於該複數個內間隙物層上。
如請求項1所述之半導體元件，其中該導電頸層之一頂面的一寬度大於該導電頸層之一底面的一寬度。
如請求項5所述之半導體元件，更包括： <br/>一著陸墊，位於該導電頸層上。
如請求項9所述之半導體元件，其中該著陸墊和該導電頸層在該俯視角度下部分地重疊。
如請求項10所述之半導體元件，其中該導電頸層和該著陸墊包括一相同的材料。
一種半導體元件，包括： <br/>一基底，具有一第一頂面； <br/>一第一閘極電極和一第二閘極電極，設置在該基底內，其中該第二閘極電極位於該第一閘極電極的上方； <br/>一第一阻障層和一第二阻障層，設置在該基底內，其中該第二阻障層位於該第一阻障層和該第一閘極電極上； <br/>一閘極蓋層，設置在該第二閘極電極上； <br/>至少兩個位元線結構，位於該基底上； <br/>一接觸層，位於該基底上且在該至少兩個位元線結構之間；以及 <br/>一導電頸層，位於該接觸層上且在該至少兩個位元線結構之間， <br/>其中該第一閘極電極包含一第一組件和一第二組件，該第一組件由該第一阻障層環繞，該第二組件從該第一組件朝該第一頂面延伸，且該第二組件自該第一阻障層突出， <br/>其中該第二閘極電極係位於該第二阻障層上，且該第二閘極電極環繞該第二阻障層和該第一閘極電極的該第二組件， <br/>其中該導電頸層之一頂面的一寬度大於該導電頸層之一底面的一寬度。
如請求項12所述之半導體元件，其中該導電頸層之該頂面的該寬度與該導電頸層之該底面的該寬度的比值在約2.0與約1.3之間。
如請求項12所述之半導體元件，其中該第一組件具有一第一寬度和一第一高度，該第一寬度在不同的垂直高度位置變化，且該第二組件具有一第二寬度和一第二高度，該第二寬度在不同的垂直高度位置變化。
如請求項12所述之半導體元件，其中該第一閘極電極由該第一阻障層和該第二阻障層包圍。
如請求項12所述之半導體元件，其中該閘極蓋層的一頂面與該基底的該第一頂面大致上共平面。
如請求項12所述之半導體元件，其中該至少兩個位元線結構在一俯視角度下沿著一第一方向延伸且彼此分離，該導電頸層包括兩個第一側，該兩個第一側分別經由一內間隙物層和一外間隙物層接觸該至少兩個位元線結構，且該兩個第一側朝該接觸層漸縮。
如請求項17所述之半導體元件，更包括： <br/>至少兩個分隔層，位於該基底上，彼此隔開，且位於該至少兩個位元線結構之間，其中該至少兩個分隔層與該至少兩個位元線結構共同包圍該接觸層和該導電頸層。
如請求項18所述之半導體元件，其中該導電頸層包括兩個第二側，該兩個第二側接觸該至少兩個分隔層，且該兩個第二側大致上是豎直的。
如請求項19所述之半導體元件，更包括： <br/>一著陸墊，位於該導電頸層上。
一種聚呋喃二甲酸乙二酯的製造方法，包括：<br/> 使生質2,5-呋喃二甲酸與生質乙二醇進行酯化反應，所述酯化反應的副產物為水；以及<br/> 在觸媒及二乙二醇抑制劑存在下，進行聚合反應，以製成聚呋喃二甲酸乙二酯，所述二乙二醇抑制劑包括醋酸鈉、四乙基氫氧化銨或其組合，<br/> 其中所述酯化反應的溫度為170℃至210℃，所述酯化反應的壓力為1 bar至1.5 bar，所述酯化反應的時間為1小時至6小時，<br/> 其中所述聚合反應的溫度為220℃至280℃，所述聚合反應的時間為1小時至7小時，所述聚合反應的壓力為0.2 torr至20 torr，<br/> 其中所述觸媒包括三氧化二銻。
如請求項1所述之聚呋喃二甲酸乙二酯的製造方法，其中所述二乙二醇抑制劑的添加量為所述生質乙二醇與所述生質2,5-呋喃二甲酸合計量的5 ppm至100 ppm。
如請求項1所述之聚呋喃二甲酸乙二酯的製造方法，其中所述觸媒的添加量為所述生質乙二醇與所述生質2,5-呋喃二甲酸合計量的200 ppm至800 ppm。
如請求項1所述之聚呋喃二甲酸乙二酯的製造方法，其中所述生質乙二醇與所述生質2,5-呋喃二甲酸進行所述酯化反應的莫耳比為2.1至1.0。
如請求項1所述之聚呋喃二甲酸乙二酯的製造方法，其中所製成之聚呋喃二甲酸乙二酯的二乙二醇含量小於5 mol%。
如請求項1所述之聚呋喃二甲酸乙二酯的製造方法，其中所製成之聚呋喃二甲酸乙二酯的色相L大於65%，b小於15。
如請求項1所述之聚呋喃二甲酸乙二酯的製造方法，其中所製成之聚呋喃二甲酸乙二酯的特性黏度（Intrinsic Viscosity；IV）大於0.60。
如請求項1所述之聚呋喃二甲酸乙二酯的製造方法，其中所製成之聚呋喃二甲酸乙二酯的Tg點大於82℃。
一種支撐腳，包括：<br/> 主體部，包括中空的套接殼體；<br/> 伸縮部，與該主體部滑動連接，相對於該主體部具有伸展狀態與收縮狀態，該伸縮部部分位於該套接殼體內且能相對該套接殼體移動；及<br/> 緩衝機構，用於減緩該伸縮部在收縮狀態與伸展狀態之間轉換時的移動速度，該緩衝機構包括滑動塞，該滑動塞固定於該伸縮部位於該套接殼體內的一端，該滑動塞與該主體部氣密配合以形成容積可變的容氣腔，該滑動塞上設有通氣孔，該容氣腔僅通過該通氣孔與外界連通。
如請求項1所述的支撐腳，其中該主體部包括設於該套接殼體內的固定件和第一導向件，該固定件固定於該套接殼體，該第一導向件的一端與該固定件連接，且該第一導向件沿該伸縮部的伸縮方向設置，該滑動塞具有沿該伸縮部的伸縮方向設置的第一容納槽，該第一導向件可部分容納於該第一容納槽內，該第一導向件與該第一容納槽的槽壁氣密配合以形成該容氣腔，該通氣孔設於該第一容納槽的槽底。
如請求項2所述的支撐腳，其中該第一導向件遠離該固定件的一端環設有氣密凸緣，該氣密凸緣與該第一容納槽的槽壁氣密配合以形成該容氣腔。
如請求項1所述的支撐腳，其中該支撐腳還包括伸縮機構，該伸縮機構設於該主體部和該伸縮部之間且用於實現該伸縮部的伸展和收縮，該主體部還包括設於該套接殼體內的固定件，該固定件固定於該套接殼體，該伸縮機構的兩端分別與該固定件和該滑動塞相抵。
如請求項4所述的支撐腳，其中該主體部內還設有沿該伸縮部的伸縮方向設置的第二導向件，該第二導向件的一端與該固定件連接，該伸縮機構包括一復位件，該復位件套設於該第二導向件上。
如請求項5所述的支撐腳，其中該滑動塞具有沿該伸縮部的伸縮方向設置的第二容納槽，該第二導向件可部分容納於該第二容納槽內，該復位件的兩端分別與該固定件和該第二容納槽的槽底相抵。
如請求項2所述的支撐腳，還包括鎖定機構，該鎖定機構用於將該伸縮部限定於伸展狀態。
如請求項7所述的支撐腳，其中該鎖定機構包括設於該滑動塞上的第一配合件和設於該固定件上的第二配合件，該第一配合件和該第二配合件滑動配合，該第一配合件和該第二配合件中的一者設有阻力部，該第一配合件和該第二配合件中的另一者需克服該阻力部的阻力以實現該伸縮部從伸展狀態向收縮狀態的轉換。
如請求項8所述的支撐腳，其中該第一配合件為滑動件，該滑動件具有導槽，該第二配合件為與該導槽滑動配合的導柱，該阻力部設於該滑動件上。
一種嬰兒床，包括床體、至少一個立柱及至少一個如請求項1至9中任一項所述的支撐腳，該立柱的兩端分別與該床體的底部和該支撐腳的頂部連接。
一種具容置功能的雙層式瓶蓋結構，其包含有： <br/>一上蓋體(10)：該上蓋體(10)筒身上端係為一第一握旋部(11)，下端為一上筒部(12)，其內部為形成一容置部(124)，該上筒部(12)下端開設一斜切口(123)，而第一握旋部(11)與上筒部(12)間形成有一螺接部(112)，該螺接部(112)位於第一壓花部(111)內緣開設有一內螺紋(1121)； <br/>一下蓋體(20)：具有一上下雙通的套合部(22)之筒身，中段為設有一外徑直徑較大的第二壓花部(21)，該下蓋部(20)於第二壓花部(21)上方筒身外環設有外螺紋(221)，第二壓花部(21)下方筒身為下筒部(23)，其底端為下開口(231)，該下筒部(23)套入對應的瓶子(30)上端瓶口(31)口徑內，而第二壓花部(21)與下筒部(23)間形成有一套接部(211)之內槽空間，該套接部(211)位於第二壓花部(21)內緣開設有一套接螺紋(212)可與瓶口(31)外環開設的螺紋(311)螺接； <br/>本發明之特徵在於：該上筒部(12)之筒體外環穿入該下蓋部(20)之套合部(22)內圈的位置處開設有一環槽(121)，並套設有一Ｏ型環(122)，其中該Ｏ型環(122)直徑為大於該環槽(121)的槽深，並受該上筒部(12)之筒體外環穿入該下蓋部(20)之套合部(22)內圈時受套合部(22)內圈擠壓，而該環槽(121)的槽寬為至少大於該Ｏ型環(122)受擠壓外擴的寬度，進一步的該套合部(22)上端開口端內緣，開設有一具有角度(θ)的斜口端(222)，該斜口端(222)的角度(θ)為小於45ﾟ角，該斜口端(222)與該上筒部(12)之筒體外環穿入該下蓋部(20)之套合部(22)內與該上筒部(12)之筒體外環形成一間距一(W1)，而該Ｏ型環(122)直徑凸出於該環槽(121)的槽深外形成一間距二(W2)，該間距一(W1)大於間距二(W2)。
如請求項1所述之一種具容置功能的雙層式瓶蓋結構，其中該第一握旋部(11)外環為第一壓花部(111)；該第二壓花部(21)設計上與第一握旋部(11)之圓徑相同。
如請求項1所述之一種具容置功能的雙層式瓶蓋結構，其中該下開口(231)黏接一封膜(24)。
一種地板材，其特徵在於：其係於板材之上表面具有裝飾層，且於板材之下表面具有衝擊緩和層者，上述地板材於板材之下表面依序具有作為衝擊緩和層之熱黏合不織布、聚乙烯發泡片材，進而，於板材之上表面與裝飾層之間，具有作為衝擊緩和層之聚乙烯發泡片材，上述地板材依據JIS A 5917：2018之「衝擊緩和型榻榻米地板」之硬度試驗所測得之表面之硬度為60 G以下，且依據JIS A 1440-2：2007之「實驗室中之混凝土地板上之地板飾面構造之地板衝擊聲級降低量之測定方法-第2部分：利用標準重量衝擊源之方法」所測得之重型地板衝擊聲級降低量為ΔLH-3以上。
一種地板材，其特徵在於：其係於板材之上表面具有裝飾層，且於板材之下表面具有衝擊緩和層者，上述地板材於板材之下表面依序具有作為衝擊緩和層之熱黏合不織布、聚乙烯發泡片材，進而，於板材之上表面與裝飾層之間，依序具有作為衝擊緩和層之熱黏合不織布、聚乙烯發泡片材，上述地板材依據JIS A 5917：2018之「衝擊緩和型榻榻米地板」之硬度試驗所測得之表面之硬度為60 G以下，且依據JIS A 1440-2：2007之「實驗室中之混凝土地板上之地板飾面構造之地板衝擊聲級降低量之測定方法-第2部分：利用標準重量衝擊源之方法」所測得之重型地板衝擊聲級降低量為ΔLH-3以上。
如請求項1或2之地板材，其中依據JIS A 5917：2018中規定之「衝擊緩和型榻榻米地板」之硬度試驗，將包含板材、衝擊緩和層及裝飾層之試驗體之平面尺寸之縱向設為830 mm，橫向設為830 mm，自直徑為50 mm之荷重板上方對上述試驗體之中心部施加特定量之荷重，將中心部之位移量設為D<sub>0</sub> mm，將於通過該中心之任意方向之直線上距中心50 mm之點之位移量設為D<sub>50</sub> mm，距中心100 mm之點之位移量設為D<sub>100</sub> mm，距中心150 mm之點之位移量設為D<sub>150</sub> mm，此時(D<sub>0</sub>－D<sub>50</sub>)mm為3.00 mm以下，(D<sub>0</sub>－D<sub>100</sub>)mm為4.00 mm以下，(D<sub>50</sub>－D<sub>100</sub>)/50為0.03以下，(D<sub>50</sub>－D<sub>150</sub>)/100為0.02以下，(D<sub>100</sub>－D<sub>150</sub>)/50為0.02以下。
一種肛溫計之複合式套膜，包含： <br/>一內套膜；及 <br/>一外套膜，該外套膜長度小於該內套膜，該外套膜係由該內套膜底部由下往上延伸包覆，且該外套膜之上緣處與該內套膜形成封閉壓合之一撕口虛線，而於該外套膜與該內套膜之間填充一潤滑劑；其中，該外套膜底部外表面更具有一拉扯段。
如請求項1所述之複合式套膜，其中，該撕口虛線壓平視之係為二平線段中間連接向下凹陷之一弧段所構成。
如請求項2所述之複合式套膜，其中，該弧段之該撕口虛線處所施予之外部撕除力係大於該二平線段處之該撕口虛線處之外部撕除力。
如請求項3所述之複合式套膜，其中，該外套膜之最大長度為1.5公分。
如請求項4所述之複合式套膜，其中，該潤滑劑為凡士林。
一種肛溫計套膜裝置，包含： <br/>複數個複合式套膜，分別包含： <br/>一內套膜；及 <br/>一外套膜，該外套膜長度小於該內套膜，該外套膜係由該內套膜底部由下往上延伸包覆，且該外套膜之上緣處與該內套膜形成封閉壓合之一撕口虛線，而於該外套膜與該內套膜之間填充一潤滑劑；其中，該外套膜底部外表面更具有一拉扯段；及 <br/>一套膜機，包含： <br/>一容置室，係供垂直容置該等複合式套膜，並具有一橫側開口； <br/>一第一夾具，設於該容置室上端一側，供以對該等複合式套膜之該內套膜開口依序拉開； <br/>一第二夾具，設於容置室下端一側，供以對該等複合式套膜之該外套膜之該拉扯段依序夾持移除至一移除室；及 <br/>一光學感應控制器，電訊連接該第一夾具與該第二夾具，該光學感應控制器係設於該容置室一側，供偵測當外部插入一肛溫計時，驅動該第二夾具夾持作動並鬆開該第一夾具，使該肛溫計可由該橫側開口側向連同該內套膜移動取用。
如請求項6所述之肛溫計套膜裝置，其中，該撕口虛線壓平視之係為二平線段中間連接向下凹陷之一弧段所構成。
如請求項7所述之肛溫計套膜裝置，其中，該弧段之該撕口虛線處所施予之外部撕除力係大於該二平線段處之該撕口虛線處之外部撕除力。
如請求項8所述之肛溫計套膜裝置，其中，該外套膜之最大長度為1.5公分。
如請求項9所述之肛溫計套膜裝置，其中，該潤滑劑為凡士林。
一種沉積源蒸發裝置之製造方法，其包括： <br/>準備一第一坩堝組，其用於容納一沉積源； <br/>設置一噴灑單元，使其位於該第一坩堝組上； <br/>設置一加熱器，使其位於該第一坩堝組中；以及 <br/>設置一防熱輻射板，以阻擋該第一坩堝組一側之熱輻射， <br/>其中該第一坩堝組及該防熱輻射板中之任一個係包括碳纖維複合材料，且 <br/>其中該碳纖維複合材料係包括藉由加壓及硬化將碳纖維顆粒與第一碳基樹脂混合之結果所獲得的材料； <br/>其中該第一坩堝組包括： <br/>一內坩堝，其用於容納該沉積源； <br/>一外坩堝，其用於容納該內坩堝並被該加熱器加熱； <br/>一殼體，其用於容納該外坩堝及該加熱器；以及 <br/>一冷卻套，其用於容納該殼體且包含一冷卻劑循環單元； <br/>其中，該內坩堝、該外坩堝及該殼體中之任一係形成為單體且包含該碳纖維複合材料。
如請求項1所述之製造方法，其中該碳纖維顆粒之形成係包括將碳纖維切碎來形成碎片及將碳纖維磨碎來形成粉末中之任一。
如請求項2所述之製造方法，其中係藉由將該碎片或該粉末與該第一碳基樹脂混合，以將該碳纖維顆粒製備為糊狀之材料。
如請求項1所述之製造方法，進一步包含： <br/>對該碳纖維複合材料進行真空處理，以去除該碳纖維複合材料的內部間隙中的異物； <br/>將第二碳基樹脂填充至該碳纖維複合材料的內部間隙中；以及 <br/>對填充有該第二碳基樹脂的該碳纖維複合材料進行硬化。
如請求項4所述之製造方法，其中該第二碳基樹脂係與該第一碳基樹脂相同。
如請求項4所述之製造方法，其中該第二碳基樹脂係與該第一碳基樹脂不同。
如請求項1所述之製造方法，其中該防熱輻射板係形成為單體。
如請求項1所述之製造方法，其中該內坩堝係形成為具有單一容納空間之單體。
如請求項1所述之製造方法，其中以該碳纖維複合材料的一散熱板係設置於該殼體的內壁。
如請求項9所述之製造方法，其中該殼體、該散熱板及該外坩堝係以相同材料形成之單體。
如請求項1所述之製造方法，進一步包含： <br/>在該第一坩堝組上設置複數個第一噴灑單元； <br/>準備一第二坩堝組； <br/>在該第二坩堝組上設置複數個第二噴灑單元； <br/>其中該複數個第二噴灑單元係為該複數個第一噴灑單元之鏡像。
一種基板處理系統，其包含： <br/>腔室，其收容由處理液處理之基板； <br/>攝像裝置，其以規定之訊框率對前述腔室內進行攝像，產生複數個訊框圖像； <br/>比較部，其將前述複數個訊框圖像中之第1訊框圖像、與在較前述第1訊框圖像之前產生之至少1個第2訊框圖像進行比較；及 <br/>記憶部；且 <br/>前述訊框圖像各自具有包含1個以上之像素之複數個單位區域； <br/>前述比較部 <br/>就對應之前述單位區域之每一者，將前述第1訊框圖像與前述第2訊框圖像進行比較，判定前述單位區域各者為有變化之變化區域、或無變化之非變化區域；<br/>前述比較部 <br/>對於前述變化區域，使前述第1訊框圖像之資料記憶於前述記憶部，作為前述第1訊框圖像，<br/>對於前述非變化區域，使要參考之表示前述第2訊框圖像之參考值記憶於前述記憶部，作為前述第1訊框圖像。
如請求項1之基板處理系統，其中前述單位區域包含1個前述像素；且 <br/>前述比較部就對應之前述像素之每一者，將前述第1訊框圖像與前述第2訊框圖像進行比較。
如請求項1或2之基板處理系統，其中前述比較部將前述第1訊框圖像之前述單位區域之像素值與前述第2訊框圖像之前述單位區域之像素值進行比較。
如請求項3之基板處理系統，其中前述比較部 <br/>於前述第1訊框圖像之前述單位區域之像素值與前述第2訊框圖像之前述單位區域之像素值之差為臨限值以上時，將前述單位區域判定為前述變化區域，<br/>於前述第1訊框圖像之前述單位區域之像素值與前述第2訊框圖像之前述單位區域之像素值之差未達前述臨限值時，將前述單位區域判定為前述非變化區域。
如請求項1或2之基板處理系統，其中前述比較部無論前述單位區域為前述變化區域或前述非變化區域，均就每規定時間， <br/>對於前述變化區域及前述非變化區域，使前述第1訊框圖像之前述資料記憶於前述記憶部，作為前述第1訊框圖像。
如請求項1或2之基板處理系統，其進一步包含： <br/>基板保持具，其保持前述基板；及 <br/>處理液杯，其包圍前述基板保持具之周圍，且承接自前述基板飛散之前述處理液；且 <br/>前述比較部對於前述訊框圖像中顯示前述處理液杯的至少一部分之區域，降低解析度及訊框率之至少一者而記憶於前述記憶部。
如請求項1或2之基板處理系統，其中前述記憶部記憶有規定對前述基板之處理條件的處理製程條件；且 <br/>前述比較部基於前述處理製程條件，就規定之處理期間，降低解析度及訊框率之至少一者而記憶於前述記憶部。
如請求項7之基板處理系統，其中前述比較部基於前述處理製程條件，使與前述規定之處理期間對應之前述第1訊框圖像、且為規定區域之前述資料降低解析度及訊框率之至少一者而記憶於前述記憶部。
如請求項1或2之基板處理系統，其包含合成部，該合成部藉由將前述第1訊框圖像之前述變化區域之前述資料、和與前述參考值對應之前述第2訊框圖像之前述單位區域之前述資料合成，而產生與前述第1訊框圖像對應之合成訊框圖像。
如請求項9之基板處理系統，其包含判定部，該判定部基於由前述合成部產生之複數個前述合成訊框圖像，判定處理有無異常。
一種監視方法，其包含如下工序： <br/>對收容由處理液處理之基板之腔室內以規定之訊框率進行攝像，產生具有包含1個以上之像素之複數個單位區域之複數個訊框圖像； <br/>就對應之前述單位區域之每一者，將前述複數個訊框圖像中之第1訊框圖像、與在較前述第1訊框圖像之前產生之至少1個第2訊框圖像進行比較； <br/>判定前述單位區域各者為有變化之變化區域、或無變化之非變化區域；及 <br/>對於前述變化區域，使前述第1訊框圖像之資料記憶於記憶部，作為前述第1訊框圖像， <br/>對於前述非變化區域，使要參考之表示前述第2訊框圖像之參考值記憶於前述記憶部，作為前述第1訊框圖像。
如請求項11之監視方法，其中前述單位區域包含1個前述像素；且 <br/>於前述進行比較之工序中，就對應之前述像素之每一者，將前述第1訊框圖像與前述第2訊框圖像進行比較。
如請求項11或12之監視方法，其中於前述進行比較之工序中，將前述第1訊框圖像之前述單位區域之像素值與前述第2訊框圖像之前述單位區域之像素值進行比較。
如請求項13之監視方法，其中於前述進行判定之工序中， <br/>於前述第1訊框圖像之前述單位區域之像素值與前述第2訊框圖像之前述單位區域之像素值之差為臨限值以上時，將前述單位區域判定為前述變化區域，<br/>於前述第1訊框圖像之前述單位區域之像素值與前述第2訊框圖像之前述單位區域之像素值之差未達前述臨限值時，將前述單位區域判定為前述非變化區域。
如請求項11或12之監視方法，其中於前述進行記憶之工序中，無論前述單位區域為前述變化區域或前述非變化區域，均就每規定時間，對於前述變化區域及前述非變化區域，使前述第1訊框圖像之前述資料記憶於前述記憶部，作為前述第1訊框圖像。
如請求項11或12之監視方法，其中於前述進行記憶之工序中，對於前述訊框圖像中之顯示承接自前述基板飛散之前述處理液之處理液杯的至少一部分之區域，降低解析度及訊框率之至少一者而記憶於前述記憶部。
如請求項11或12之監視方法，其中於前述進行記憶之工序中，基於規定對於前述基板之處理條件之處理製程條件，就規定之處理期間，降低解析度及訊框率之至少一者而記憶於前述記憶部。
如請求項17之監視方法，其中於前述進行記憶之工序中，基於前述處理製程條件，使與前述規定之處理期間對應之前述第1訊框圖像、且為規定區域之前述資料降低解析度及訊框率之至少一者而記憶於前述記憶部。
如請求項11或12之監視方法，其進一步包含如下工序：藉由將前述第1訊框圖像之前述變化區域之前述資料、和與前述參考值對應之前述第2訊框圖像之前述單位區域之前述資料合成，而產生與前述第1訊框圖像對應之合成訊框圖像。
如請求項19之監視方法，其進一步包含如下工序：基於在前述產生合成訊框圖像之工序中產生之複數個前述合成訊框圖像，判定處理有無異常。
一種用來驗證一非同步介面電路的訊號產生器，包含：<br/>一幀調變器，用來依據至少一幀控制參數產生一調變訊號；<br/>一時脈產生器，用來依據至少一時脈控制參數產生一時脈訊號；<br/>一介面選擇器，用來依據至少一介面控制參數、該調變訊號以及該時脈訊號產生一接收測試訊號至該非同步介面電路，其中該訊號產生器利用一參考模型依據該接收測試訊號產生一參考訊號，以及該非同步介面電路依據該接收測試訊號產生一傳送測試訊號；<br/>一檢查模組，用來依據該參考訊號以及該傳送測試訊號產生至少一驗證結果。
如申請專利範圍第1項所述之訊號產生器，其中該檢查模組包含：<br/>一比較模組，用來檢查該參考訊號與該傳送測試訊號是否一致以產生該至少一驗證結果中的一比較結果。
如申請專利範圍第2項所述之訊號產生器，其中該檢查模組另包含：<br/>一分析器，其中當該比較結果指出該參考訊號與該傳送測試訊號一致時，該分析器依據該傳送測試訊號中的多個幀間隙產生該至少一驗證結果中的一分析結果。
如申請專利範圍第3項所述之訊號產生器，其中該分析器檢查該傳送測試訊號中的該多個幀間隙的每一者與該參考訊號中的一對應幀間隙是否相符，以產生該分析結果。
如申請專利範圍第3項所述之訊號產生器，其中該分析器檢查該多個幀間隙的一平均值是否符合依據該至少一幀控制參數以及該至少一時脈控制參數決定的一理論值，以產生該分析結果。
如申請專利範圍第3項所述之訊號產生器，其中該分析器檢查該多個幀間隙的每一者是否不小於該至少一幀控制參數決定的一最小幀間隙長度。
如申請專利範圍第3項所述之訊號產生器，其中該分析器檢查該多個幀間隙中是否包含多個連續偏移幀間隙，以產生該分析結果，以及該多個連續偏移幀間隙的每一偏移幀間隙的每一者的長度落在該至少一幀控制參數決定的一偏離區間。
如申請專利範圍第3項所述之訊號產生器，其中該分析器計算該多個幀間隙的一變異數（variance），以產生該分析結果。
如申請專利範圍第1項所述之訊號產生器，另包含：<br/>一加擾器，耦接於該幀調變器與該介面選擇器之間，用來對該調變訊號的內容進行擾亂以產生一加擾訊號；<br/>其中該介面選擇器依據該至少一介面控制參數、該加擾訊號以及該時脈訊號產生該接收測試訊號。
一種用來驗證一非同步介面電路的方法，其中該非同步介面電路耦接至一訊號產生器，以及該方法包含：<br/>利用該訊號產生器的一幀調變器依據至少一幀控制參數產生一調變訊號；<br/>利用該訊號產生器的一時脈產生器依據至少一時脈控制參數產生一時脈訊號；<br/>利用該訊號產生器的一介面選擇器依據至少一介面控制參數、該調變訊號以及該時脈訊號產生一接收測試訊號至該非同步介面電路；<br/>利用該訊號產生器的一參考模型依據該接收測試訊號產生一參考訊號；<br/>利用該非同步介面電路依據該接收測試訊號產生一傳送測試訊號；以及<br/>利用該訊號產生器的一檢查模組依據該參考訊號以及該傳送測試訊號產生至少一驗證結果。
一種揮發性有機氣體之真空熱脫附冷凝回收系統，包括：<br/> 一控制器；<br/> 一廢氣集中塔，其連接至且受控於該控制器；<br/> 一主排氣風機，其連接至且受控於該控制器，並且連接至該廢氣集中塔，該主排氣風機用以透過氣流運輸一有機廢氣至該廢氣集中塔，其中該有機廢氣為揮發性有機氣體(VOCs)；<br/> 一球狀吸附劑流動床，其設置於該廢氣集中塔之內部，該球狀吸附劑流動床具有多個球狀吸附劑，且用以在大風量12,000CMH~150,000CMH、低濃度排氣條件下對該有機廢氣進行濃縮吸附，其中該些球狀吸附劑為球狀樹脂或球狀活性碳；<br/> 一主吸附劑輸送裝置，其設置於該廢氣集中塔之內部，該主吸附劑輸送裝置連接至且受控於該控制器；<br/> 一第一真空熱脫附塔，其連接至且受控於該控制器，並且連接至該主吸附劑輸送裝置，該第一真空熱脫附塔用以接收吸附飽和的該些球狀吸附劑，其中該主吸附劑輸送裝置用於將吸附飽和的該些球狀吸附劑從該球狀吸附劑流動床輸送至該第一真空熱脫附塔；<br/> 一第一加熱閥，其連接至且受控於該控制器，並且連接至該第一真空熱脫附塔，該第一加熱閥連接至一熱氣源且用以供應加熱；<br/> 一第一吸附劑輸送裝置，其連接至且受控於該控制器，並且連接至該第一真空熱脫附塔，該第一吸附劑輸送裝置用以將在該第一真空熱脫附塔內之脫附完成的該些球狀吸附劑輸送至該球狀吸附劑流動床；<br/> 一第一真空閥，其連接至且受控於該控制器，並且連接至該第一真空熱脫附塔；<br/> 一第一破真空閥，其連接至且受控於該控制器，並且連接至該第一真空熱脫附塔，該第一破真空閥用以破除該第一真空熱脫附塔內之真空狀態；<br/> 一第一真空冷凝器，其連接至且受控於該控制器，並且連接至該第一真空閥；<br/> 一真空泵，其連接至且受控於該控制器，該真空泵用以對該第一真空熱脫附塔抽氣，使塔內達到所需之真空度；<br/> 一第一回收儲槽，其連接至該第一真空冷凝器，該第一真空冷凝器用以在該第一真空熱脫附塔脫附過程中，當該第一真空熱脫附塔內壓力達到 - 10KPa 至 - 200KPa、冷凝溫度達到攝氏-2~5 度時，用於將脫附出的氣態之該有機廢氣冷凝為一回收液且排放至該第一回收儲槽；<br/> 一第二真空熱脫附塔，其連接至且受控於該控制器，並且連接至該主吸附劑輸送裝置，該第二真空熱脫附塔用以接收吸附飽和的該些球狀吸附劑，其中該主吸附劑輸送裝置用於將吸附飽和的該些球狀吸附劑從該球狀吸附劑流動床輸送至該第二真空熱脫附塔；<br/> 一第二加熱閥，其連接至且受控於該控制器，並且連接至該第二真空熱脫附塔，該第二加熱閥連接至該熱氣源且用以供應加熱；<br/> 一第二吸附劑輸送裝置，其連接至且受控於該控制器，該第二吸附劑輸送裝置用以將在該第二真空熱脫附塔內之脫附完成的該些球狀吸附劑輸送至該球狀吸附劑流動床；<br/> 一第二真空閥，其連接至且受控於該控制器，並且連接至該第二真空熱脫附塔；以及<br/> 一第二破真空閥，其連接至且受控於該控制器，並且連接至該第二真空熱脫附塔，該第二破真空閥用以破除該第二真空熱脫附塔內之真空狀態，其中在該第一真空熱脫附塔完成熱脫附作業後會關閉相對應的閥門，之後透過該控制器以使該主吸附劑輸送裝置將吸附飽和的該些球狀吸附劑輸送至該第二真空熱脫附塔到高料位後停止輸送，之後透過該控制器關閉對應於該第二真空熱脫附塔之所有閥門且同時開啟該第二真空閥 ，該真空泵來進行抽氣，同時透過該第二加熱閥來供應該熱氣源且加熱到攝氏50-200度來進行脫附，當該真空泵抽氣時，經由該第一真空冷凝器到達-10KPa至200KPa且冷凝溫度在攝氏-2~5度時，開始冷凝該有機廢氣為該回收液且排放到該第一回收儲槽，<br/> 其中透過該控制器以使該主吸附劑輸送裝置將吸附飽和的該些球狀吸附劑輸送至該第一真空熱脫附塔到高料位後停止輸送，之後透過該控制器關閉對應於該第一真空熱脫附塔之所有閥門且同時開啟該第一真空閥，該真空泵來進行抽氣，同時透過該第一加熱閥來供應該熱氣源且加熱到攝氏50-200度進行脫附，當該真空泵抽氣時，經由該第一真空冷凝器到達-10KPa至-200KPa且冷凝溫度在攝氏-2~5度時，開始冷凝該有機廢氣為該回收液且排放到該第一回收儲槽，<br/> 其中脫附完成的該第一真空熱脫附塔透過該第一破真空閥來破真空狀態，該控制器再將脫附完成的該些球狀吸附劑經由該第一吸附劑輸送裝置輸送至到該球狀吸附劑流動床來重新吸附，<br/> 其中脫附完成的該第二真空熱脫附塔透過該第二破真空閥來破真空狀態，該控制器再將脫附完成的該些球狀吸附劑經由該第二吸附劑輸送裝置輸送至到該球狀吸附劑流動床來重新吸附。
如請求項1所述之揮發性有機氣體之真空熱脫附冷凝回收系統，其中使吸附飽和的該些球狀吸附劑在該第一真空熱脫附塔或該第二真空熱脫附塔中進行熱脫附，之後再將脫附完成的該些球狀吸附劑透過該第一吸附劑輸送裝置或該第二吸附劑輸送裝置來氣輸返回至該球狀吸附劑流動床以重新吸附該有機廢氣，如此在兩塔之間切換且循環，以達到連續吸脫附、排放達標及回收該有機廢氣。
如請求項1所述之揮發性有機氣體之真空熱脫附冷凝回收系統，更包括：<br/> 一調壓裝置，其連接至該第一真空冷凝器，該調壓裝置用於配合該真空泵來調整該第一真空熱脫附塔與該第二真空熱脫附塔內的真空度且改變內部壓力，以打破該有機廢氣附在該些球狀吸附劑上的相平衡，進一步使該有機廢氣容易從該些球狀吸附劑之微孔內脫離出來。
如請求項1所述之揮發性有機氣體之真空熱脫附冷凝回收系統，其中該球狀吸附劑的粒徑為 0.3毫米(mm)~2毫米(mm)。
如請求項1所述之揮發性有機氣體之真空熱脫附冷凝回收系統，其中該有機廢氣從該些球狀吸附劑之微孔內脫離出來濃縮倍數為1,000~5,000倍。
一種功率晶片電阻器，包含：<br/>一基板，具有彼此相對之一第一表面與一第二表面、以及彼此相對之一第一端面與一第二端面介於該第一表面與該第二表面之間；<br/>一電阻層，設於該第一表面上，其中該電阻層包含互相接合之一阻值功能部、一第一電極部、與一第二電極部，該第一電極部與該第二電極部分別鄰近該第一端面與該第二端面；<br/>一第一內電極與一第二內電極，分別覆蓋該第一電極部與該第二電極部；<br/>一鈍化層，覆蓋部分之該第一表面、該阻值功能部、部分之該第一內電極、與部分之該第二內電極；<br/>一第一導熱電極，設於該第一內電極與部分之該鈍化層上，且包含一第一凸出部；<br/>一第二導熱電極，設於該第二內電極與另一部分之該鈍化層上，且包含一第二凸出部，其中該第一凸出部與該第二凸出部在該鈍化層上分隔且交錯排列；<br/>一絕緣保護層，覆蓋該鈍化層、部分之該第一導熱電極、與部分之該第二導熱電極；<br/>一第三導熱電極，設於該第二表面上且鄰近該第一端面，並包含一第三凸出部；<br/>一第四導熱電極，設於該第二表面上且鄰近該第二端面，並包含一第四凸出部，其中該第三凸出部與該第四凸出部分隔且交錯排列；<br/>一第一外電極，覆蓋該第一導熱電極、該第一端面、與該第三導熱電極；以及<br/>一第二外電極，覆蓋該第二導熱電極、該第二端面、與該第四導熱電極，並與該第一外電極相隔。
如請求項1所述之功率晶片電阻器，其中該第一導熱電極、該第二導熱電極、該第三導熱電極、與該第四導熱電極之每一者為一類T字形結構。
如請求項2所述之功率晶片電阻器，其中<br/>該第一導熱電極旋轉180度後與該第二導熱電極具有相同之圖型方位；以及<br/>該第三導熱電極旋轉180度後與該第四導熱電極具有相同之圖型方位。
如請求項3所述之功率晶片電阻器，其中該第三導熱電極與該第四導熱電極翻轉180度後分別和該第一導熱電極與該第二導熱電極具有相同之圖型方位。
如請求項3所述之功率晶片電阻器，更包含：<br/>複數個第一凸狀結構，彼此分隔地排列於該第二表面之一第一L形區域上，其中該第三導熱電極位於該第一L形區域上，且覆蓋該些第一凸狀結構；以及<br/>複數個第二凸狀結構，彼此分隔地排列於該第二表面之一第二L形區域上，其中該第二L形區域與該第一L形區域相隔，該第四導熱電極位於該第二L形區域上，且覆蓋該些第二凸狀結構。
如請求項5所述之功率晶片電阻器，其中該第一L形區域與該第二L形區域之間之一間距為50μm至150μm。
如請求項5所述之功率晶片電阻器，其中該些第一凸狀結構與該些第二凸狀結構之每一者為圓形且具有一直徑為50μm 至100μm，該些第一凸狀結構與該些第二凸狀結構之間之一間距為25μm 至 50μm。
如請求項1所述之功率晶片電阻器，其中該第一凸出部、該第二凸出部、該第三凸出部、與該第四凸出部之每一者之一長度為該基板之一長度的1/3，且一寬度為該基板之一寬度的1/4至1/3。
如請求項1所述之功率晶片電阻器，其中<br/>該電阻層更包含：<br/>二導熱部，介於該第一電極部與該第二電極部之間，且分別位於該阻值功能部之相對二側；以及<br/>二連接線，分別將該些導熱部接合至該阻值功能部；以及<br/>該功率晶片電阻器更包含二導熱塊分別覆蓋該些導熱部。
如請求項9所述之功率晶片電阻器，其中<br/>該些導熱部之每一者與該阻值功能部、該第一電極部、與該第二電極部之間均具有一距離，該距離為50μm至150μm；<br/>該些連接線之每一者之一寬度為50μm至150μm；以及<br/>該些連接線之每一者離該第一端面與該第二端面中之較近一者之一距離的範圍為該第一電極部與該第二電極部之每一者之一寬度+該些導熱部之每一者與該阻值功能部、該第一電極部、與該第二電極部之間之該距離+50μm至100μm。
一種散熱水冷頭總成，包含：<br/> 一熱交換座，成形有一熱交換腔室及二連接該熱交換腔室的連接單元，該熱交換座與一待散熱件接觸；<br/> 一第一散熱塊，成形有一入液腔室，一連通該入液腔室的入液單元及一連通該入液腔室並與該二連接單元其中之一連通的給液單元；<br/> 一第二散熱塊，與該熱交換座及該第一散熱塊層疊設置，該第二散熱塊成形有一回液腔室，一連通該熱交換腔室與該回液腔室的回液單元，及一連通該回液腔室的出液單元；以及<br/> 一致冷晶片，設置於該第一散熱塊與該第二散熱塊之間，該第一散熱塊、該致冷晶片、該第二散熱塊與該熱交換座依序作嵌合形成一模組化結構，該致冷晶片的一冷端與一熱端分別接觸該第一散熱塊與該第二散熱塊並形成熱交換關係。
如請求項1所述的散熱水冷頭總成，其中，該散熱水冷頭總成設有至少二分別設於該入液腔室與該回液腔室的鰭片組。
如請求項2所述的散熱水冷頭總成，其中，該第一散熱塊包含二共同形成該入液腔室的第一部件，該散熱水冷頭總成具有至少一設於該二第一部件之間的第一阻水環，該第二散熱塊包含二共同形成該回液腔室的第二部件，該散熱水冷頭總成具有至少一設於該二第二部件之間的第二阻水環。
如請求項1至3任一項所述的散熱水冷頭總成，其中，該給液單元與該回液單元為至少一接頭及至少一連接該接頭的導管。
如請求項1至3任一項所述的散熱水冷頭總成，其中，該熱交換座包含一座本體，及一連接該座本體並與該待散熱件接觸的散熱片，該座本體與該散熱片共同界定出該熱交換腔室。
如請求項5所述的散熱水冷頭總成，其中，該座本體成形一設於該熱交換腔室內的導流結構，該導流結構令該熱交換腔室界定出至少一導流通道。
如請求項6所述的散熱水冷頭總成，其中，該熱交換座具有一設於該座本體與該散熱片之間的導流板，該導流板上設有一缺口，該缺口位在該至少一導流通道上。
一種倒極式電透析處理系統，其包含：<br/> 一倒極式電透析設備（40）（Electrodialysis Reversal，EDR），其具有一輸入端（41）及一輸出端（42）；該輸入端（41）連接一原水流路（51）、一極水流路（52）及一濃水流路（53）；並於該輸出端（42）設有一原水輸出管路（61）、一極水輸出管路（62）及一濃水輸出管路（63）；<br/> 一原水槽（71），其係連接於該原水流路（51），並依序設置一輸送泵（34）及一輸入閥（1）；該原水槽（71）係用以容置原水或濃水，以同時透過該輸送泵（34）分別等壓輸出，使經該原水流路（51）及該濃水流路（53）等壓輸送至該倒極式電透析設備（40）內；以及<br/> 一極水槽（72），其係連接於該極水流路（52），並於該極水流路（52）係設置有一輸送泵（35），且該極水流路（52）及該原水流路（51）之輸送泵（34）及輸入閥（1）間，連通設置有一補充管路，該補充管路設置有一控制閥（3），用以於該控制閥（3）開啟時，原水槽（71）可將原水補充至該極水槽（72）內，以作為極水使用；<br/> 該原水輸出管路（61）及該濃水輸出管路（63），分別設有一調整閥（10、14），用以控制該倒極式電透析設備（40）之輸入及輸出流量者。
如請求項1所述之倒極式電透析處理系統，其中，該原水流路（51）於該輸送泵（34）及該輸入閥（1）之間，更連通設置一反沖洗流路，該反沖洗流路係設有二反沖洗控制閥（4、5），以分歧並分別連通設置於該原水輸出管路（61）及該濃水輸出管路（63）；用以於一反沖洗流程時，係透過開啟所述反沖洗控制閥（4、5），以將原水由該原水輸出管路（61）及該濃水輸出管路（63）輸送至該倒極式電透析設備（40），並經由該濃水流路（53）排放者。
如請求項2所述之倒極式電透析處理系統，其中，該濃水管路更設有一排放閥（2），其係於該反沖洗流程時對應開啟，藉以進行反沖洗之排放者。
如請求項1所述之倒極式電透析處理系統，其中，該原水輸出管路（61）末端，更分別設有一排放管路（81）、一原水回流管路（82）及一淡水管路（83），且該淡水管路（83）係連通設置有一淡水槽（73），該淡水槽（73）係用以貯存經倒極式電透析設備（40）淡化後之淡水；且該淡水槽（73）於相對該淡水管路（83）一端，更設有一輸出泵（36），且該輸出泵（36）係連通設置一使用管路（84）及一迴流管路（85）；該迴流管路（85）設有一迴流閥（18），用以於該原水槽（71）內原水之導電度較高時，進行一迴流程序，對應開啟該迴流閥（18），以將淡水迴流輸送至該原水槽（71）內者。
如請求項4所述之倒極式電透析處理系統，其中，該迴流管路（85）更設有一迴流流量計（30），且於該迴流程序時，該調整閥（10）係依據該迴流流量計（30）以對應控制淡水迴流輸送至該原水槽（71）之流量者。
如請求項4所述之倒極式電透析處理系統，其中，該原水槽（71）、極水槽（72）及淡水槽（73），更分別設有一導電度計（31、32、33） ，以分別偵測原水、極水及淡水之導電度者。
如請求項6所述之倒極式電透析處理系統，其中，該排放管路（81）、原水回流管路（82）及淡水管路（83）更分別設置有一閥體（15、16、17），且該原水輸出管路（61）設有一淡水導電度計（23）、一淡水壓力計（24）及一淡水流量計（25），且所述閥體（15、16、17）之啟閉係可依據該淡水導電度計（23）之讀數以對應控制者。
如請求項7所述之倒極式電透析處理系統，其中，該濃水輸出管路（63）更設有一濃水導電度計（26）、一濃水壓力計（27）及一濃水流量計（28）者；且該倒極式電透析設備（40）係設有一整流裝置，且所述導電度計（31）、淡水導電度計（23）、濃水導電度計（26）及該整流裝置係分別耦接於一控制系統（402），且該控制系統係界定有一導電度範圍，並於所述導電度計（31）、淡水導電度計（23）、濃水導電度計（26）之導電度超出該導電度範圍時，將對應控制該整流裝置，以對應調整該倒極式電透析設備（40）之電壓或電流。
如請求項1至請求項8中任一項所述之倒極式電透析處理系統，其中，該原水輸出管路（61）及該濃水輸出管路（63）係分別設置有一輸出閥（6、9），而該原水輸出管路（61）及該濃水輸出管路（63）係分別於其輸出閥（6、9）前設置有一倒極管路（86、87），且所述倒極管路（86、87）係分別設置有一倒極控制閥（7、8），並分別對應連接於該濃水輸出管路（63）及該原水輸出管路（61）所對應設置輸出閥（6、9）之後端處；用以於該倒極式電透析設備（40）於正極運轉模式時，係對應開啟該輸入閥（1）及輸出閥（6、9），並關閉倒極控制閥（7、8）；而於該倒極式電透析設備（40）於倒極運轉模式時，則係對應開啟該輸入閥（1）及倒極控制閥（7、8），並關閉輸出閥（6、9）者。
如請求項1至請求項8中任一項所述之倒極式電透析處理系統，其中，該極水輸出管路（62）末端更分別連通設置有一原水回流管道（91）、一極水回流管道（92）及一極水排放管道（93）；該原水回流管道（91）係對應連通回流至該原水槽（71），該極水回流管道（92）係對應連通回流至該極水槽（72）；且該原水回流管道（91）、極水回流管道（92）及極水排放管道（93）係分別設置有一開關閥（11、12、13）。
一種頁面生成系統，包括： <br/>儲存裝置，儲存場景分析模組、特徵匹配模組以及要素整合模組；以及 <br/>處理器，耦接所述儲存裝置，並且執行所述場景分析模組、所述特徵匹配模組以及所述要素整合模組， <br/>其中所述場景分析模組根據場景輸入資料生成場景特徵資料，並且所述特徵匹配模組根據所述場景特徵資料生成頁面組成要素資料， <br/>其中所述要素整合模組根據要素空間位置關係資訊以及使用者畫像資料將所述頁面組成要素資料組成頁面， <br/>其中當所述場景輸入資料為文字資料時，所述場景分析模組判斷所述文字資料是否符合資料規範，其中當所述文字資料符合所述資料規範時，所述場景分析模組根據所述文字資料直接生成場景資料，其中當所述文字資料未符合所述資料規範時，所述場景分析模組將所述文字資料輸入至機器學習模型，以生成所述場景資料， <br/>其中當所述場景輸入資料為語音資料時，所述場景分析模組將所述語音資料輸入至自然語言處理模型，以將所述場景輸入資料轉換為文字資料格式，並輸入至所述機器學習模型，以生成所述場景資料， <br/>其中所述場景分析模組判斷所述場景資料的場景維度是否大於或等於維度閾值，其中當所述場景資料的所述場景維度小於所述維度閾值時，所述場景分析模組輸出提示輸入資訊，其中當所述場景資料的所述場景維度大於或等於所述維度閾值時，所述特徵匹配模組根據所述場景資料進行場景類別分析，以決定場景類別。
如請求項1所述的頁面生成系統，其中當所述場景類別分析未判斷出所述場景類別時，所述特徵匹配模組輸出另一提示輸入資訊， <br/>當所述場景類別分析判斷出所述場景類別時，所述特徵匹配模組輸出對應於所述場景類別的場景類別推薦資訊。
如請求項2所述的頁面生成系統，其中所述特徵匹配模組將所述場景特徵資料與要素特徵資料庫提供的要素特徵資料進行特徵向量相似度計算，以決定所述生成頁面組成要素資料。
如請求項3所述的頁面生成系統，其中所述特徵匹配模組根據使用者選擇以及所述場景類別推薦資訊來讀取所述要素特徵資料庫，以取得要素特徵資料。
如請求項3所述的頁面生成系統，其中所述特徵匹配模組根據所述場景類別推薦資訊中經相似度比較的相似度最高的一個，來讀取所述要素特徵資料庫，以取得所述頁面組成要素資料。
如請求項3所述的頁面生成系統，其中所述特徵向量相似度計算為基於餘弦相似度計算的改良來實現。
如請求項1所述的頁面生成系統，其中所述場景資料包括所述使用者畫像資料、時間資訊資料、事件資訊資料、地域資訊資料以及終端資訊資料的至少其中一個。
一種頁面生成方法，包括： <br/>通過場景分析模組根據場景輸入資料生成場景特徵資料； <br/>通過特徵匹配模組根據所述場景特徵資料生成頁面組成要素資料；以及 <br/>通過要素整合模組根據要素空間位置關係資訊以及使用者畫像資料將所述頁面組成要素資料組成頁面， <br/>其中生成所述場景特徵資料的步驟包括： <br/>當所述場景輸入資料為文字資料時，通過所述場景分析模組判斷所述文字資料是否符合資料規範； <br/>當所述文字資料符合所述資料規範時，通過所述場景分析模組根據所述文字資料直接生成場景資料； <br/>當所述文字資料未符合所述資料規範時，通過所述場景分析模組將所述文字資料輸入至機器學習模型，以生成所述場景資料；以及 <br/>當所述場景輸入資料為語音資料時，通過所述場景分析模組將所述語音資料輸入至自然語言處理模型，以將所述場景輸入資料轉換為文字資料格式，並輸入至所述機器學習模型，以生成所述場景資料， <br/>其中生成所述頁面組成要素資料的步驟包括： <br/>通過所述場景分析模組判斷所述場景資料的場景維度是否大於或等於維度閾值； <br/>當所述場景資料的所述場景維度小於所述維度閾值時，通過所述場景分析模組輸出提示輸入資訊；以及 <br/>當所述場景資料的所述場景維度大於或等於所述維度閾值時，通過所述特徵匹配模組根據所述場景資料進行場景類別分析，以決定場景類別。
如請求項11所述的頁面生成方法，其中生成所述頁面組成要素資料的步驟還包括： <br/>當所述場景類別分析未判斷出所述場景類別時，所述特徵匹配模組輸出另一提示輸入資訊；以及 <br/>當所述場景類別分析判斷出所述場景類別時，所述特徵匹配模組輸出對應於所述場景類別的場景類別推薦資訊。
如請求項9所述的頁面生成方法，其中生成所述頁面組成要素資料的步驟還包括： <br/>通過所述特徵匹配模組將所述場景特徵資料與要素特徵資料庫提供的要素特徵資料進行特徵向量相似度計算，以決定所述生成頁面組成要素資料。
如請求項10所述的頁面生成方法，其中生成所述頁面組成要素資料的步驟還包括： <br/>通過所述特徵匹配模組根據使用者選擇以及所述場景類別推薦資訊來讀取所述要素特徵資料庫，以取得要素特徵資料。
如請求項10所述的頁面生成方法，其中生成所述頁面組成要素資料的步驟還包括： <br/>通過所述特徵匹配模組根據所述場景類別推薦資訊中經相似度比較的相似度最高的一個，來讀取所述要素特徵資料庫，以取得所述頁面組成要素資料。
如請求項10所述的頁面生成方法，其中所述特徵向量相似度計算為基於餘弦相似度計算的改良來實現。
如請求項8所述的頁面生成方法，其中所述場景資料包括所述使用者畫像資料、時間資訊資料、事件資訊資料、地域資訊資料以及終端資訊資料的至少其中一個。
一種光學模組，其改良在於：所述光學模組包括： 光波導元件，包括基板和多個光柵區域，所述基板包括相對的第一表面和第二表面，多個所述光柵區域相互間隔設置在所述第一表面，每個所述光柵區域包括凸設在所述基板上的且相互間隔的多個光學微結構；<br/> 第一透光元件，設置在所述基板的所述第一表面所在側；<br/> 第二透光元件，設置在所述基板的所述第二表面所在側；<br/> 透明的第一光學膠，設置在所述第一表面和所述第一透光元件之間、所述第二表面和所述第二透光元件之間中的至少一個，所述第一光學膠設置在雜散光在所述光波導元件中的光路中，且所述第一光學膠在所述基板上的投影與多個所述光柵區域在所述基板上的投影相互間隔。
根據請求項1所述的光學模組，其中，所述第一光學膠的折射率與所述基板的折射率基本一致。
根據請求項1所述的光學模組，其中，所述光學模組還包括透明的第二光學膠，所述第二光學膠粘結在所述第一表面和所述第一透光元件之間、所述第二表面和所述第二透光元件之間，所述第二光學膠圍繞多個所述光柵區域且避開光線在所述光波導元件中的主光路，所述第一光學膠被所述第二光學膠包圍。
根據請求項3所述的光學模組，其中，所述第二光學膠包括圍繞所述多個光柵區域的擋牆，所述第二光學膠延伸覆蓋所述擋牆與所述基板的邊緣之間的區域。
根據請求項3所述的光學模組，其中，所述第一光學膠在所述基板上的投影面積小於所述第二光學膠在所述基板上的投影面積。
根據請求項3所述的光學模組，其中，所述第一光學膠和所述第二光學膠設置在所述基板上除了所述光柵區域和所述主光路以外的區域。
根據請求項3所述的光學模組，其中，所述第二光學膠設置在所述第一表面和所述第一透光元件之間、所述第二表面和所述第二透光元件之間，設置在所述第一表面和所述第一透光元件之間的所述第二光學膠與所述第二表面和所述第二透光元件之間的所述第二光學膠至少部分重疊。
根據請求項1所述的光學模組，其中，所述第一光學膠的厚度不超過0.5mm。
根據請求項1所述的光學模組，其中，所述第一透光元件和所述第二透光元件中的至少一個為具有屈折力的透鏡，或者，<br/> 所述第一透光元件和所述第二透光元件中的至少一個為透光的平板玻璃或平板塑膠。
根據請求項1所述的光學模組，其中，依次層疊的所述第一透光元件、所述光波導元件和所述第二透光元件的周緣連接有遮光膠。
一種增強現實眼鏡，其改良在於：包括投影系統和請求項1至10中任一項所述的光學模組；其中，所述投影系統產生帶有圖像資訊的投射光束投射到所述光學模組中。
一種光學模組的封裝方法，其改良在於：包括：<br/> 提供光波導元件，所述光波導元件包括基板和多個光柵區域，所述基板包括相對的第一表面和第二表面，多個所述光柵區域相互間隔設置在所述第一表面；<br/> 在所述第一表面和所述第二表面上設置固體的擋牆，該擋牆為透明的光學膠，該擋牆圍繞多個所述光柵區域且與每個所述光柵區域間隔設置；<br/> 在所述第一表面或所述第二表面上設置透明的第一光學膠，所述第一光學膠設置在雜光光路中；<br/> 將第一透光元件層疊在所述光波導元件的所述第一表面所在側，將第二透光元件層疊在所述光波導元件的所述第二表面所在側；<br/> 在所述第一透光元件與所述第一表面之間注入透明的液體的光學膠，在所述第二透光元件與所述第二表面之間注入透明的液體的光學膠，並固化液體的光學膠。
一種購物類別顯示方法，其由計算系統執行，其特徵在於，包括： <br/>從用戶終端中接收用戶輸入的菜單按鈕的步驟；以及 <br/>接收到用戶輸入的該菜單按鈕，將用於構成購物類別畫面的資訊發送到該用戶終端的步驟， <br/>該購物類別畫面包括： <br/>導航欄（navigation bar），包括多個主類別（main category）的標籤（label）-該多個主類別分別包括多個子類別（sub-category）-； <br/>子類別顯示區域，包括第1子類別集合及第2子類別集合， <br/>該第1子類別集合對應於該多個主類別中包括的第1主類別，並包括與該第1子類別集合中包括的多個子類別分別對應的類別選擇按鈕， <br/>該第2子類別集合對應於該多個主類別中包括的第2主類別，並包括與該第2子類別集合中包括的多個子類別分別對應的類別選擇按鈕。
根據申請專利範圍第1項所述的購物類別顯示方法，其特徵在於， <br/>該第1子類別集合包括用於區分該第1子類別集合的顯示區域和該第2子類別集合的顯示區域的分隔線（divider）。
根據申請專利範圍第1項所述的購物類別顯示方法，其特徵在於， <br/>該購物類別畫面在該購物類別畫面的上部區域的一部分包括已定義的多個按鈕。
根據申請專利範圍第3項所述的購物類別顯示方法，其特徵在於， <br/>該子類別顯示區域滾動到基準值以上時，該已定義的多個按鈕的顯示區域不再顯示。
根據申請專利範圍第3項所述的購物類別顯示方法，其特徵在於， <br/>在對該子類別顯示區域進行滾動輸入的結果，該購物類別畫面的基準線達到該第1子類別集合的分隔線時，該已定義的多個按鈕的顯示區域不再顯示。
根據申請專利範圍第1項所述的購物類別顯示方法，其特徵在於， <br/>該導航欄響應於對該導航欄的顯示區域的滾動（scroll）輸入，顯示不同的主類別標籤。
根據申請專利範圍第1項所述的購物類別顯示方法，其特徵在於， <br/>該第1子類別集合在該第1子類別集合的頂部的一部分包括與該第1子類別集合對應的主類別的標籤。
根據申請專利範圍第1項所述的購物類別顯示方法，其特徵在於， <br/>該購物類別畫面響應於對該多個主類別的該等標籤中的任何一個的選擇輸入，將該子類別顯示區域滾動到存在與選擇輸入的主類別對應的子類別的區域。
根據申請專利範圍第1項所述的購物類別顯示方法，其特徵在於， <br/>該購物類別畫面響應於對該子類別顯示區域的滾動輸入，顯示不同的子類別集合。
根據申請專利範圍第1項所述的購物類別顯示方法，其特徵在於， <br/>該購物類別畫面基於該子類別顯示區域中顯示的子類別集合的資訊，對該導航欄的該多個主類別的該等標籤中的至少一部分適用視覺突出顯示。
根據申請專利範圍第10項所述的購物類別顯示方法，其特徵在於， <br/>在該購物類別畫面中，在該第1主類別的標籤適用視覺突出顯示的情況下，在對該子類別顯示區域進行滾動輸入的結果，該購物類別畫面的基準線達到該第1子類別集合的分隔線時，在該第2主類別的標籤適用該視覺突出顯示，該第1主類別的該標籤不再適用視覺突出顯示。
根據申請專利範圍第10項所述的購物類別顯示方法，其特徵在於， <br/>在該購物類別畫面中，在該子類別顯示區域中該第1子類別集合顯示在基準值以上的區域的情況下，在對該子類別顯示區域進行滾動輸入的結果，該第2子類別集合顯示在基準值以上的區域時，該第2主類別的標籤適用該視覺突出顯示，該第1主類別的標籤不再適用視覺突出顯示。
根據申請專利範圍第1項所述的購物類別顯示方法，其特徵在於， <br/>該第1子類別集合顯示區域中的該類別選擇按鈕的各個位置由該用戶終端設置。
根據申請專利範圍第1項所述的購物類別顯示方法，其特徵在於， <br/>該第1子類別集合包括一個以上的徽章（badge）， <br/>該徽章包括： <br/>第1類型徽章及第2類型徽章， <br/>該第1類型徽章與該第1子類別中所包括之該用戶終端的用戶購買次數達到基準值以上的商品的子類別對應的類別選擇按鈕相鄰配置， <br/>該第2類型徽章與該第1子類別中所包括之該用戶終端的用戶執行特定設置的商品的子類別對應的類別選擇按鈕相鄰配置。
一種購物類別顯示方法，其由計算系統執行，其特徵在於，包括： <br/>將用戶輸入的菜單按鈕發送到伺服器的步驟； <br/>從該伺服器中接收用於構成購物類別畫面的資訊的步驟；以及 <br/>基於用於構成該購物類別畫面的資訊來渲染（Rendering）該購物類別畫面的步驟， <br/>該購物類別畫面包括： <br/>導航欄，包括多個主類別的標籤-該多個主類別分別包括多個子類別-； <br/>子類別顯示區域，包括第1子類別集合及第2子類別集合， <br/>該第1子類別集合對應於該多個主類別中包括的第1主類別，並包括與該第1子類別集合中包括的多個子類別分別對應的類別選擇按鈕， <br/>該第2子類別集合對應於該多個主類別中包括的第2主類別，並包括與該第2子類別集合中包括的多個子類別分別對應的類別選擇按鈕。
根據申請專利範圍第15項所述的購物類別顯示方法，其特徵在於， <br/>該第1子類別集合包括用於區分該第1子類別集合的顯示區域和該第2子類別集合的顯示區域的分隔線（divider）。
根據申請專利範圍第15項所述的購物類別顯示方法，其特徵在於， <br/>該購物類別畫面在該購物類別畫面的上部區域的一部分包括已定義的多個按鈕。
根據申請專利範圍第15項所述的購物類別顯示方法，其特徵在於， <br/>該導航欄響應於對該導航欄的顯示區域的滾動（scroll）輸入，顯示不同的主類別標籤。
根據申請專利範圍第15項所述的購物類別顯示方法，其特徵在於， <br/>該購物類別畫面響應於對該子類別顯示區域的滾動輸入，顯示不同的子類別集合。
根據申請專利範圍第15項所述的購物類別顯示方法，其特徵在於， <br/>該購物類別畫面基於該子類別顯示區域中顯示的子類別集合的資訊，對該導航欄的該多個主類別的該等標籤中的至少一部分適用視覺突出顯示。
一種商品資訊提供系統，其特徵在於，包括： <br/>一個以上的處理器； <br/>記憶體，存儲由該一個以上的處理器運行的電腦程式， <br/>該電腦程式包括使該處理器執行以下步驟的指令： <br/>從用戶終端中接收用戶輸入的菜單按鈕的步驟；以及 <br/>接收到用戶輸入的該菜單按鈕，將用於構成購物類別畫面的資訊發送到該用戶終端的步驟， <br/>該購物類別畫面包括： <br/>導航欄，包括多個主類別的標籤-該多個主類別分別包括多個子類別-； <br/>子類別顯示區域，包括第1子類別集合及第2子類別集合， <br/>該第1子類別集合對應於該多個主類別中包括的第1主類別，並包括與該第1子類別集合中包括的多個子類別分別對應的類別選擇按鈕， <br/>該第2子類別集合對應於該多個主類別中包括的第2主類別，並包括與該第2子類別集合中包括的多個子類別分別對應的類別選擇按鈕。
一種用戶終端，其特徵在於，包括： <br/>一個以上的處理器； <br/>記憶體，存儲由該一個以上的處理器執運行的電腦程式， <br/>該電腦程式包括使該處理器執行以下步驟的指令： <br/>將用戶輸入的菜單按鈕發送到伺服器的步驟； <br/>從該伺服器中接收用於構成購物類別畫面的資訊的步驟；以及 <br/>基於用於構成該購物類別畫面的資訊來渲染（Rendering）該購物類別畫面的步驟， <br/>該購物類別畫面包括： <br/>導航欄，包括多個主類別的標籤-該多個主類別分別包括多個子類別-； <br/>子類別顯示區域，包括第1子類別集合及第2子類別集合， <br/>該第1子類別集合對應於該多個主類別中包括的第1主類別，並包括與該第1子類別集合中包括的多個子類別分別對應的類別選擇按鈕， <br/>該第2子類別集合對應於該多個主類別中包括的第2主類別，並包括與該第2子類別集合中包括的多個子類別分別對應的類別選擇按鈕。
一種負型感光性樹脂組成物，其特徵為包含： <br/>(A)具有聚醯亞胺前驅物結構的高分子化合物、 <br/>(C)光聚合起始劑、 <br/>(D)下述通式(1)所示的含氮有機化合物、及 <br/>(E)溶劑， <br/><img align="absmiddle" height="92px" width="175px" file="ed10085.jpg" alt="ed10085.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，Q表示氮原子或具有R<sup>q</sup>基的碳原子、T表示氮原子或具有R<sup>t</sup>基的碳原子、U表示氮原子或具有R<sup>u</sup>基的碳原子、V表示氮原子或具有R<sup>v</sup>基的碳原子，R<sup>q</sup>基、R<sup>t</sup>基、R<sup>u</sup>基、和R<sup>v</sup>基表示氫原子、碳數1～15的直鏈狀、支鏈狀或環狀的烷基、碳數6～15的芳基、鹵素原子或硝基，R<sup>q</sup>基和R<sup>t</sup>基、R<sup>t</sup>基和R<sup>u</sup>基、R<sup>u</sup>基和R<sup>v</sup>基可以彼此鍵結並與它們所鍵結的碳原子一起形成環，W表示可以被烷氧基取代的碳數1～15的烷基或碳數6～15的芳基，但(D)成分排除下式所示的化合物， <br/><img align="absmiddle" height="78px" width="305px" file="ed10088.jpg" alt="ed10088.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><u> </u><br/>R<sup>5</sup>及R<sup>7</sup>為氫原子或碳數1～30之有機基，該有機基為選自烷基、烯基、炔基、及芳基，該等係亦可具有取代基， <br/>R<sup>6</sup>為單鍵或碳數1～30之有機基，該有機基為選自伸烷基、伸烯基、伸炔基、伸芳基，及組合該等而成之基，該等係亦可具有取代基， <br/>R<sup>5</sup>～R<sup>7</sup>係可互相結合而形成單環或多環， <br/>D為因熱而被氫原子取代之保護基。
如請求項1之負型感光性樹脂組成物，其中，該(A)成分為具有下述通式(2)所示的聚醯亞胺前驅物結構的高分子化合物， <br/><img align="absmiddle" height="148px" width="337px" file="ed10086.jpg" alt="ed10086.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，X為4價有機基，Y為2價有機基，R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>各自獨立地為氫原子或1價有機基，而且R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>中的至少一者為下述通式(3)所示的基， <br/><img align="absmiddle" height="86px" width="192px" file="ed10087.jpg" alt="ed10087.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，M<sup>1</sup>、M<sup>2</sup>和M<sup>3</sup>各自獨立地為氫原子或碳數1～3的有機基，m為2～10的整數，*表示鍵結。
如請求項1之負型感光性樹脂組成物，其中，包含(B)具有2個以上乙烯性不飽和基的聚合性化合物。
如請求項1之負型感光性樹脂組成物，其中，該(D)成分的通式(1)中的W為第三丁基。
如請求項1之負型感光性樹脂組成物，其中，該(D)成分的通式(1)中的W為芐基。
如請求項1之負型感光性樹脂組成物，其中，相對於該(A)成分100質量份，含有1～10質量份的該(D)成分。
如請求項1之負型感光性樹脂組成物，其中，包含選自經甲醛或甲醛-醇改性的胺基縮合物、1分子中平均具有2個以上羥甲基或烷氧基羥甲基的酚化合物、將多元酚的羥基的氫原子取代為環氧丙基而成的化合物、將多元酚的羥基或多元醇的羥基的氫原子取代為下述式(F-1)所示的取代基而成的化合物、及含有2個以上之下述式(F-2)所示的具有環氧丙基的氮原子的化合物中的1種或2種以上的交聯劑的物質作為(F)熱交聯劑， <br/><img align="absmiddle" height="66px" width="166px" file="ed10090.jpg" alt="ed10090.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，虛線表示原子鍵，Rf為碳數1～6的直鏈狀、支鏈狀或環狀的烷基，c為1或2。
如請求項1之負型感光性樹脂組成物，更含有(G)抗氧化劑。
如請求項1之負型感光性樹脂組成物，更含有(H)矽烷化合物。
如請求項1之負型感光性樹脂組成物，更含有(I)聚合抑制劑。
一種圖案形成方法，其特徵為包括下列步驟： <br/>(1)將如請求項1至10中任一項之負型感光性樹脂組成物塗佈於基板上，形成感光材被膜； <br/>(2)接著在加熱處理後，隔著光遮罩以波長190～500nm的高能射線或電子束對感光材被膜進行曝光； <br/>(3)照射後，使用有機溶劑的顯影液進行顯影。
一種硬化被膜形成方法，其特徵在於包括將藉由如請求項11之圖案形成方法得到的形成有圖案的被膜在溫度100～300℃下進行加熱、後硬化的步驟。
一種層間絕緣膜，其特徵在於其為如請求項1至10中任一項之負型感光性樹脂組成物硬化而成的硬化被膜。
一種表面保護膜，其特徵在於其為如請求項1至10中任一項之負型感光性樹脂組成物硬化而成的硬化被膜。
一種電子零件，其特徵在於具有如請求項13之層間絕緣膜。
一種電子零件，其特徵在於具有如請求項14之表面保護膜。
一種可組合型雙尺寸六角扳手模組，包含：<br/>一第一扳手部，對應一第一尺寸螺絲操作所需之六角孔，並具一六角頭端與一削薄段；<br/>一第二扳手部，對應一第二尺寸螺絲操作所需之六角孔，其中所述第一扳手部與第二扳手部可經幾何對位後疊合，於對應位置構成一第三尺寸螺絲操作所需之六角孔，以達成在厚度受限條件下，同時提供多尺寸螺絲操作功能與第三尺寸支撐結構之效果。
如請求項1所述之可組合型雙尺寸六角扳手模組，其中該第一扳手部之削薄段厚度小於所述第二扳手部之厚度，且所述第一扳手部與第二扳手部疊合後之模組總厚度控制於約8mm以內。
如請求項1所述之可組合型雙尺寸六角扳手模組，其中所述第一扳手部之六角頭端厚度為約3.96mm，所述削薄段厚度為約2.96mm。
如請求項1所述之可組合型雙尺寸六角扳手模組，其中所述第一扳手部與第二扳手部疊合後所構成之第三尺寸六角孔，對應於一M8螺絲之孔徑，並具備足以支撐約20Nm之扭力操作之結構強度。
如請求項1所述之可組合型雙尺寸六角扳手模組，其中該模組可安裝於一折疊式工具主體，並透過轉軸連接於一側板上，於使用狀態下得以旋轉展開，於非使用狀態下可平行收納。
一種偏光板，包括偏光器和形成於所述偏光器一個表面上的阻隔層，<br/> 其中所述阻隔層包括可固化化合物，包括環氧化合物和(甲基)丙烯酸化合物；光引發劑；以及二醇化合物，所述環氧化合物包括環脂族環氧化合物和雙酚型環氧化合物，<br/> 所述可固化化合物包括相對於所述可固化化合物100重量份以30重量份至80重量份的所述環氧化合物，以及以20重量份至70重量份的所述(甲基)丙烯酸化合物；<br/> 所述雙酚型環氧化合物相對於所述可固化化合物的100重量份以20重量份至70重量份的量存在，以及<br/> 所述二醇化合物相對於所述可固化化合物的100重量份以1重量份至15重量份的量存在。
如請求項1所述的偏光板，其中所述雙酚型環氧化合物包括從雙酚A環氧化合物、雙酚F環氧化合物和雙酚S環氧化合物中選擇的至少一種。
如請求項1所述的偏光板，其中所述二醇化合物包括從乙二醇、丙二醇和1,3-丙二醇中選擇的至少一種。
如請求項1所述的偏光板，其中所述二醇化合物相對於所述雙酚型環氧化合物的100重量份以1重量份至15重量份的量存在。
如請求項1所述的偏光板，其中所述環脂族環氧化合物在兩個環脂族環氧基之間含有碳數為4或更多的直鏈或支鏈亞烷基主鏈。
如請求項1所述的偏光板，其中所述環脂族環氧化合物包括由化學式2表示的化合物：<br/> [化學式2]<br/><img align="absmiddle" height="71px" width="335px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中R<sup>1</sup>和R<sup>3</sup>各自獨立地為單鍵或直鏈或支鏈C<sub>1</sub>至C<sub>5</sub>亞烷基，<br/> X<sup>1</sup>和X<sup>2</sup>各自獨立地為-O-C(=O)-或-C(=O)-O-，以及<br/> R<sup>2</sup>為碳數為4或更多的直鏈或支鏈亞烷基，<br/> n為1或更大的整數，<br/> R<sup>4</sup>和R<sup>5</sup>各自獨立地為C<sub>1</sub>至C<sub>5</sub>烷基，以及<br/> a和b各自獨立地為0至9的整數。
如請求項1所述的偏光板，其中所述環脂族環氧化合物包括雙(3,4-環氧環己基甲基)己二酸酯或3,4-環氧環己基甲基-3’,4’-環氧環己烷羧酸酯-改性ε-己內酯中的至少一種。
如請求項1所述的偏光板，其中所述(甲基)丙烯酸化合物包括單官能(甲基)丙烯酸化合物和雙官能(甲基)丙烯酸化合物的混合物。
如請求項8所述的偏光板，其中所述單官能(甲基)丙烯酸化合物和所述雙官能(甲基)丙烯酸化合物在所述混合物中以1：1至1：3（單官能(甲基)丙烯酸化合物：雙官能(甲基)丙烯酸化合物）的重量比存在。
如請求項8所述的偏光板，其中所述單官能(甲基)丙烯酸化合物包括含芳香族基的(甲基)丙烯酸酯，且所述雙官能(甲基)丙烯酸化合物包括含亞烷基二醇基的雙官能(甲基)丙烯酸酯。
如請求項8所述的偏光板，其中所述含芳香族基的(甲基)丙烯酸酯包括苄基(甲基)丙烯酸酯或苯氧基乙基(甲基)丙烯酸酯中的至少一種，且所述含亞烷基二醇基的雙官能(甲基)丙烯酸酯包括二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯或三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯中的至少一種。
如請求項1所述的偏光板，其中所述可固化化合物包括1重量份至50重量份的所述環脂族環氧化合物，20重量份至70重量份的所述雙酚型環氧化合物，以及20重量份至70重量份的所述(甲基)丙烯酸化合物。
如請求項1所述的偏光板，其中所述光引發劑包括光酸發生劑和光敏劑的混合物。
如請求項1所述的偏光板，還包括液晶延遲層。
一種阻隔層的組成物，包括：<br/> 可固化化合物，包括環氧化合物和(甲基)丙烯酸化合物，所述環氧化合物包括環脂族環氧化合物和雙酚型環氧化合物；<br/> 光引發劑；以及<br/> 二醇化合物，<br/> 其中所述可固化化合物包括相對於所述可固化化合物100重量份以30重量份至80重量份的所述環氧化合物，以及以20重量份至70重量份的所述(甲基)丙烯酸化合物；<br/> 所述雙酚型環氧化合物相對於所述可固化化合物的100重量份以20重量份至70重量份的量存在，且<br/> 所述二醇化合物相對於所述可固化化合物的100重量份以1重量份至15重量份的量存在。
如請求項15所述的組成物，其中所述二醇化合物包括從乙二醇、丙二醇和1,3-丙二醇中選擇的至少一種。
如請求項15所述的組成物，其中所述二醇化合物相對於所述雙酚型環氧化合物的100重量份以1重量份至15重量份的量存在。
如請求項15所述的組成物，其中所述(甲基)丙烯酸化合物包括單官能(甲基)丙烯酸化合物和雙官能(甲基)丙烯酸化合物的混合物。
如請求項15所述的組成物，其中所述可固化化合物包括1重量份至50重量份的所述環脂族環氧化合物，20重量份至70重量份的所述雙酚型環氧化合物，以及20重量份至70重量份的所述(甲基)丙烯酸化合物。
一種顯示設備，包括如請求項1至14中任一項所述的偏光板。
一種介面連接器，用於將接合連接器電連接至接合基板，前述介面連接器包含：<br/> 外殼；及<br/> 接觸元件，由前述外殼固定，其中前述接觸元件包含：<br/> 多個觸點，包含與前述接合連接器電連接的多個第一電觸點及與前述接合基板電連接的多個第二電觸點，且前述多個觸點沿前述外殼的寬度方向上以彼此間隔開的方式設置；<br/> 絕緣件，用於固定前述多個觸點，而且前述接合連接器裝配在前述絕緣件中；及<br/> 定位器，設置鄰近前述多個第二電觸點，用於校正前述多個第二電觸點在前述外殼的前述寬度方向上的位置位移；<br/> 前述多個觸點中的每一個觸點為壓縮連接器，前述壓縮連接器包含彈性變形部，在前述介面連接器固定於前述接合基板的狀態下，前述彈性變形部被彈性變形且以預定負載將前述第二電觸點壓向設置在前述接合基板中的端子，使前述介面連接器電連接至前述接合基板；<br/> 前述定位器包含多個間隔壁，前述多個間隔壁設置在沿前述外殼的前述寬度方向上排列的前述多個觸點之間；<br/> 前述多個間隔壁中的至少一些間隔壁，分隔包含前述多個第二電觸點的至少一些觸點的多個前端部，且不設置在多個中間部之間，前述多個中間部從前述絕緣件在相對於前述多個前端部的前述至少一些觸點中的前述多個第一電觸點的一側突出。
如請求項1所述的介面連接器，其中前述至少一些觸點的前述多個中間部的寬度尺寸大於前述至少一些觸點的前述多個前端部的寬度尺寸。
如請求項2所述的介面連接器，其中前述至少一些間隔壁之間的間隙大於前述至少一些觸點的前述多個前端部的寬度尺寸，但小於前述至少一些觸點的前述多個中間部的寬度尺寸。
如請求項3所述的介面連接器，其中：<br/> 前述至少一些觸點的前述多個前端部具有沿前述外殼的厚度方向朝前述外殼外彎曲的彎曲形狀，而且前述多個第二電觸點配置在前述至少一些觸點的前述多個前端部的多個頂部；<br/> 前述至少一些觸點的前述多個前端部的多個開口端設置在前述至少一些隔壁之間，前述多個開口端位於前述多個中間部的相對側。
如請求項1所述的介面連接器，其中前述至少一些觸點的前述多個中間部中的每一個中間部形成有通孔。
如請求項5所述的介面連接器，其中前述介面連接器包含：<br/> 第一觸點組，前述第一觸點組的多個觸點沿前述外殼的前述寬度方向上以彼此間隔開的方式設置；及<br/> 第二觸點組，前述第二觸點組的多個觸點沿前述外殼的前述寬度方向上以彼此間隔開的方式設置；<br/> 前述第二觸點組中的前述多個觸點的前述多個第一電觸點設置在前述外殼的一側且與前述第一觸點組中的前述多個觸點的前述多個第二電觸點的一側相對，前述第二觸點組中的前述多個觸點的前述多個第二電觸點相對於前述第一觸點組中的前述多個觸點的前述多個第一電觸點沿前述外殼的厚度方向設置；<br/> 前述第二觸點組中的前述多個觸點的前述多個第二電觸點設置在前述接合連接器裝配到前述絕緣件中的方向的一側且相對於前述第一觸點組的前述多個觸點的前述多個第二電觸點；<br/> 在前述第一觸點組中的前述多個觸點的前述多個中間部中的每一個中間部形成有前述通孔；<br/> 在前述第二觸點組中的前述多個觸點的前述多個中間部中的每一個中間部未形成有前述通孔。
如請求項6所述的介面連接器，其中包含前述彈性變形部的前述第二觸點組的前述多個觸點從前述絕緣件朝裝配到前述絕緣件的前述接合連接器的方向的一側突出的長度大於包含前述彈性變形部的前述第一觸點組的前述多個觸點從前述絕緣件朝裝配到前述絕緣件的前述接合連接器的方向的前述側突出的長度。
如請求項1至4中任一項所述的介面連接器，其中前述至少一些間隔壁以外的多個間隔壁，分隔前述至少一些觸點以外的前述多個觸點的多個前端部以及其他多個觸點的多個中間部。
如請求項1至4中任一項所述的介面連接器，其中前述外殼為殼體塊，前述殼體塊包含多個具有不同厚度的部件，前述外殼包含第一通孔及第二通孔，插入前述第一通孔的螺釘用於將前述介面連接器固定於前述接合基板，以使前述介面連接器電連接至前述接合基板，前述接合連接器插入前述第二通孔中，以使前述接合連接器裝配到前述絕緣件中。
一種充氣床墊系統，包括： <br/>一床墊，包括一床墊主體、至少一氣囊結構及至少一氣壓閥門，其中該床墊主體用以承載一人體，該至少一氣囊結構配置於該床墊主體，該至少一氣壓閥門連接於該至少一氣囊結構；以及 <br/>一控制器，耦接於該至少一氣壓閥門，其中該控制器用以控制該至少一氣壓閥門對該至少一氣囊結構進行一充氣作業或一抽氣作業， <br/>該至少一氣囊結構基於該充氣作業而沿該床墊主體的上下方向膨脹，以引導該床墊主體上的該人體的兩腿部隨著該至少一氣囊結構的膨脹而抬高和相對張開或相對閉合。
如請求項1所述的充氣床墊系統，其中在該床墊主體的頭尾方向上，該至少一氣囊結構比該床墊主體的中心靠近該床墊主體的尾端。
如請求項1所述的充氣床墊系統，其中該至少一氣囊結構具有一中央部及至少一側部，該至少一側部基於該充氣作業而沿一尺寸增加方向的尺寸增加量不同於該中央部基於該充氣作業而沿該尺寸增加方向的尺寸增加量。
如請求項3所述的充氣床墊系統，其中該至少一氣囊結構在該中央部的可擴張程度大於該至少一氣囊結構在該至少一側部的可擴張程度。
如請求項3所述的充氣床墊系統，其中該尺寸增加方向平行於該床墊主體的上下方向，該至少一氣囊結構基於該充氣作業而具有至少一引導面，該至少一引導面適於引導該人體的兩腿部相對張開或相對閉合。
如請求項5所述的充氣床墊系統，其中該至少一引導面連續地延伸於該中央部與該至少一側部之間。
如請求項5所述的充氣床墊系統，其中該至少一側部基於該充氣作業而沿該尺寸增加方向的尺寸增加量小於該中央部基於該充氣作業而沿該尺寸增加方向的尺寸增加量，而使該至少一氣囊結構具有從該中央部傾斜地往下延伸至該至少一側部的該至少一引導面。
如請求項5所述的充氣床墊系統，其中該至少一氣囊結構包括至少兩氣囊結構，該至少兩氣囊結構的其中之一在該床墊主體的左右方向上比該至少兩氣囊結構的其中之另一靠近該床墊主體的中心，該至少兩氣囊結構的該其中之一的該至少一引導面適於引導該床墊主體上的該人體的兩腿部相對張開，該至少兩氣囊結構的該其中之另一的該至少一引導面適於引導該床墊主體上的該人體的兩腿部相對閉合。
如請求項8所述的充氣床墊系統，其中在該床墊主體的頭尾方向上，該至少兩氣囊結構的該其中之一比該至少兩氣囊結構的該其中之另一靠近該床墊主體的尾端。
如請求項5所述的充氣床墊系統，其中該至少一側部基於該充氣作業而沿該尺寸增加方向的尺寸增加量大於該中央部基於該充氣作業而沿該尺寸增加方向的尺寸增加量，而使該氣囊結構具有從該至少一側部傾斜地往下延伸至該中央部的該至少一引導面。
如請求項5所述的充氣床墊系統，其中該至少一引導面包括兩引導面，該至少一氣囊結構包括兩區塊，該兩區塊分別對應於該兩引導面，當沿該床墊主體的上下方向觀察時，各該區塊沿傾斜於該床墊主體的左右方向的方向延伸而使該至少一氣囊結構為V字形。
如請求項3所述的充氣床墊系統，其中該至少一氣囊結構具有至少兩氣囊部，該至少兩氣囊部相鄰接且不相連通，該充氣作業對該至少兩氣囊部的其中之一充氣以使該至少一側部基於該充氣作業而沿該尺寸增加方向的尺寸增加量小於該中央部基於該充氣作業而沿該尺寸增加方向的尺寸增加量，或對該至少兩氣囊部的其中之另一充氣以使該至少一側部基於該充氣作業而沿該尺寸增加方向的尺寸增加量大於該中央部基於該充氣作業而沿該尺寸增加方向的尺寸增加量。
如請求項12所述的充氣床墊系統，其中該至少兩氣囊部的該其中之一具有多個第一子氣囊部，該些第一子氣囊部沿該床墊主體的上下方向依序疊設，各該第一子氣囊部的位於該中央部的一端的可擴張程度大於各該第一子氣囊部的位於該至少一側部的一端的可擴張程度，該至少兩氣囊部的該其中之另一具有多個第二子氣囊部，該些第二子氣囊部沿該床墊主體的上下方向依序疊設，各該第二子氣囊部的位於該中央部的一端的可擴張程度小於各該第二子氣囊部的位於該至少一側部的一端的可擴張程度。
如請求項3所述的充氣床墊系統，其中該尺寸增加方向平行於該床墊主體的左右方向，該至少一側部基於該充氣作業而沿該尺寸增加方向的尺寸增加量大於該中央部基於該充氣作業而沿該尺寸增加方向的尺寸增加量，使該至少一側部基於該充氣作業而適於沿該尺寸增加方向推動該床墊主體上的該人體的至少一腿部，以引導該人體的兩腿部相對張開。
如請求項3所述的充氣床墊系統，其中該至少一氣囊結構具有多個分支部，該些分支部沿該床墊主體的上下方向依序疊設，該些分支部在該至少一側部彼此相連且在該中央部彼此分離。
如請求項1所述的充氣床墊系統，其中該至少一氣囊結構的底面的可擴張程度大於該至少一氣囊結構的頂面的可擴張程度。
如請求項1所述的充氣床墊系統，更包括至少一輔助氣囊及至少另一氣壓閥門，其中該至少一輔助氣囊配置於該床墊主體，該至少另一氣壓閥門連接於該至少一輔助氣囊，該控制器耦接於該至少另一氣壓閥門，該控制器用以控制該至少另一氣壓閥門對該至少一輔助氣囊抽氣，而使該至少一輔助氣囊沿該床墊主體的上下方向收縮以在該至少一輔助氣囊與該床墊主體上的該人體之間形成容置空間。
如請求項17所述的充氣床墊系統，其中在該床墊主體的頭尾方向上，該至少一氣囊結構比該至少一輔助氣囊靠近該床墊主體的尾端。
一種電荷泵電路，包括：<br/> 多個串聯耦接的電荷泵單元，包括一第一電荷泵單元與一第二電荷泵單元，該第一電荷泵單元被配置以產生一第一泵升電壓，且該第二電荷泵單元被配置以產生一第二泵升電壓；<br/> 一第一電容，耦接於該第一泵升電壓與一第一時脈信號之間；及<br/> 一分壓電容器，耦接於該第二泵升電壓與一第二時脈信號之間，且接收一偏壓電壓，其中該偏壓電壓小於該第二泵升電壓且大於一參考接地電壓。
如請求項1所述的電荷泵電路，其中該分壓電容器包括：<br/> 一電容串，包括串聯耦接的一第二電容與一第三電容，其中該第二電容耦接於該第二泵升電壓與該偏壓電壓之間，且該第三電容耦接於該偏壓電壓與該第二時脈信號之間。
如請求項2所述的電荷泵電路，其中該分壓電容器更包括：<br/> 一偏壓產生器，耦接至該第二電容與該第三電容之間的一偏壓節點，該偏壓產生器被配置為提供該偏壓電壓至該偏壓節點。
如請求項2所述的電荷泵電路，其中該第二電容為氧化矽-氮化矽-氧化矽電容或高電壓耐受度的電晶體電容，且該第三電容為低電壓耐受度的電晶體電容或氧化矽-氮化矽-氧化矽電容。
如請求項3所述的電荷泵電路，其中該偏壓產生器包括：<br/> 一電壓移位器，接收該第二時脈信號與一第一輸入電壓，且基於該第一輸入電壓來對該第二時脈信號進行電壓移位動作，以產生一控制電壓；以及<br/> 一電晶體，該電晶體的一控制端耦接至該電壓移位器以接收該控制電壓，該電晶體的一第一端接收大於等於一基準電壓的一第二輸入電壓，該電晶體的一第二端耦接至該偏壓節點以提供該偏壓電壓，其中該第一輸入電壓大於該第二輸入電壓且小於該第二泵升電壓。
如請求項1所述的電荷泵電路，包括M個該第一電荷泵單元與N-M個該第二電荷泵單元，且包括M個該第一電容與N-M個該分壓電容器，其中N為大於等於2的正整數，且M為小於N的正整數。
如請求項6所述的電荷泵電路，其中M大於N-M。
如請求項1所述的電荷泵電路，其中該第一泵升電壓小於該第二泵升電壓。
如請求項1所述的電荷泵電路，更包括：<br/> 一時脈信號產生器，被配置以產生該第一時脈信號，並根據一致能信號與該第一時脈信號來產生該第二時脈信號，且該致能信號用以禁能或致能該電荷泵電路。
如請求項9所述的電荷泵電路，其中該時脈信號產生器包括：<br/> 一振盪器，用以產生該第一時脈信號及反相的該第一時脈信號；以及<br/> 一邏輯電路，耦接該振盪器，使該致能信號與該第一時脈信號及反相的該第一時脈信號進行邏輯運算，以產生該第二時脈信號以及反相的該第二時脈信號。
如請求項10所述的電荷泵電路，其中響應於用以禁能該電荷泵電路的該致能信號，該邏輯電路被配置以使該第二時脈信號以及反相的該第二時脈信號分別維持在一第一邏輯值以及一第二邏輯值。
如請求項10所述的電荷泵電路，其中響應於用以致能該電荷泵電路的該致能信號，該邏輯電路被配置以使該第二時脈信號以及反相的該第二時脈信號為相位相反的二週期性信號。
一種電壓產生裝置，包括：<br/> 如請求項1至8之任一項所述之電荷泵電路，用以提供一輸出泵升電壓；以及<br/> 一致能信號產生器，耦接至該電荷泵電路，用以根據該輸出泵升電壓與一參考電壓的比較結果來產生用以禁能或致能該電荷泵電路的一致能信號。
如請求項13所述的電壓產生裝置，其中該電荷泵電路更包括：<br/> 一時脈信號產生器，被配置以產生該第一時脈信號，並根據該致能信號與該第一時脈信號來產生該第二時脈信號。
如請求項14所述的電壓產生裝置，其中該時脈信號產生器包括：<br/> 一振盪器，用以產生該第一時脈信號及反相的該第一時脈信號；以及<br/> 一邏輯電路，耦接該振盪器，使該致能信號與該第一時脈信號及反相的該第一時脈信號進行邏輯運算，以產生該第二時脈信號以及反相的該第二時脈信號。
如請求項15所述的電壓產生裝置，其中響應於用以禁能該電荷泵電路的該致能信號，該邏輯電路被配置以使該第二時脈信號以及反相的該第二時脈信號分別維持在一第一邏輯值以及一第二邏輯值。
如請求項15所述的電壓產生裝置，其中響應於用以致能該電荷泵電路的該致能信號，該邏輯電路被配置以使該第二時脈信號以及反相的該第二時脈信號為相位相反的二週期性信號。
一種垂直通道電晶體結構，包括：<br/> 多個氧化物半導體柱，其中每個所述氧化物半導體柱具有頂端和底端；<br/> 第一電極，設置在每個所述氧化物半導體柱的所述底端下方並與其連接；<br/> 第二電極，設置在每個所述氧化物半導體柱的所述頂端上方並與其連接；<br/> 多個字元線，設置在所述多個氧化物半導體柱的不同高度處，其中，在剖面圖中，每個所述字元線的形狀為梯形；以及<br/> 閘氧化層，設置在每個所述氧化物半導體柱和每個所述字元線之間。
如請求項1所述的垂直通道電晶體結構，其中所述多個字元線中的一個與靠近其的所述多個字元線中的另一個設置在所述多個氧化物半導體柱的不同高度處。
如請求項2所述的垂直通道電晶體結構，其中所述多個字元線中的一個與靠近其的所述多個字元線中的另一個之間的最小距離，大於所述多個字元線中的一個與靠近其的所述多個字元線中的另一個之間的水平距離。
如請求項1所述的垂直通道電晶體結構，其中所述多個字元線中的一個沿著平行於平面的方向圍繞一組的所述多個氧化物半導體柱，並且所述多個氧化物半導體柱垂直於所述平面設置。
一種垂直通道電晶體結構，包括：<br/> 多個氧化物半導體柱，其中每個所述氧化物半導體柱具有頂端和底端，其中，在剖面圖中，每個所述氧化物半導體柱的形狀為倒梯形；<br/> 第一電極，設置在每個所述氧化物半導體柱的所述底端下方並與其連接；<br/> 第二電極，設置在每個所述氧化物半導體柱的所述頂端上方並與其連接；<br/> 多個字元線，設置在所述多個氧化物半導體柱的不同高度處；以及<br/> 閘氧化層，設置在每個所述氧化物半導體柱和每個所述字元線之間。
如請求項5所述的垂直通道電晶體結構，其中所述多個字元線中的一個與靠近其的所述多個字元線中的另一個設置在所述多個氧化物半導體柱的不同高度處。
如請求項6所述的垂直通道電晶體結構，其中所述多個字元線中的一個與靠近其的所述多個字元線中的另一個之間的最小距離，大於所述多個字元線中的一個與靠近其的所述多個字元線中的另一個之間的水平距離。
如請求項5所述的垂直通道電晶體結構，其中所述多個字元線中的一個沿著平行於平面的方向圍繞一組的所述多個氧化物半導體柱，並且所述多個氧化物半導體柱垂直於所述平面設置。
一種垂直通道電晶體結構的製造方法，包括：<br/> 在基板上形成多個第一電極；<br/> 在所述第一電極上方的第一高度處形成第一字元線；<br/> 在所述第一電極上方的第二高度處形成第二字元線，其中所述第一高度不同於所述第二高度；<br/> 形成多個通道孔，分別貫穿所述第一字元線與所述第二字元線；<br/> 在每個所述通道孔的側壁上形成閘氧化層；<br/> 在所述多個通道孔中形成多個氧化物半導體柱；以及<br/> 在所述多個氧化物半導體柱上分別形成多個第二電極。
如請求項9所述的垂直通道電晶體結構的製造方法，其中所述第一高度高於所述第二高度。
如請求項9所述的垂直通道電晶體結構的製造方法，其中形成所述第一字元線的方法包括：<br/> 在所述多個第一電極上形成第一絕緣層；<br/> 在所述第一絕緣層上沉積導電材料層；<br/> 在所述導電材料層上形成第一圖案化罩幕；以及<br/> 用所述第一圖案化罩幕作為蝕刻罩幕，對所述導電材料層進行回蝕刻。
如請求項9所述的垂直通道電晶體結構的製造方法，其中形成所述第二字元線的方法包括：<br/> 在所述第一字元線上形成第二絕緣層；<br/> 在所述第二絕緣層上沉積導電材料層；<br/> 在所述導電材料層上形成第二圖案化罩幕；以及<br/> 用所述第二圖案化罩幕作為蝕刻罩幕，對所述導電材料層進行回蝕刻。
如請求項9所述的垂直通道電晶體結構的製造方法，其中形成所述多個通道孔的方法包括：<br/> 在所述第二字元線上形成第三絕緣層；<br/> 在所述第三絕緣層上形成第三圖案化罩幕；以及<br/> 用所述第三圖案化罩幕作為蝕刻罩幕，對所述第三絕緣層、所述第二字元線與所述第一字元線進行蝕刻，直到露出所述多個第一電極。
如請求項13所述的垂直通道電晶體結構的製造方法，其中所述第三圖案化罩幕具有與所述第一字元線對齊的第一開口。
如請求項13所述的垂直通道電晶體結構的製造方法，其中所述第三圖案化罩幕具有與所述第二字元線對齊的第二開口。
一種基於視覺的觸覺感測器，包括：<br/>一支持結構，其係機械性質強韌的透光材料構成；<br/>一接觸主體，其係由具有彈性的透光材料構成，該接觸主體連接該支持結構，據使光線通過該接觸主體；<br/>一保護層，其係由具有彈性的透光材料構成，該保護層耦接該接觸主體，且該接觸主體位於該支持結構與該保護層之間；<br/>一主動光學標記模組，連接該支持結構，該主動光學標記模組包括一投光元件及一標記元件，該投光元件投射光線通過該標記元件形成一光學標記圖案，據此選擇使該主動光學標記模組投射或不投射光學標記圖案；<br/>一投光模組連接該支持結構，該投光模組通過該支持結構對該接觸主體投光；<br/>一相機模組，連接該支持結構，用於捕捉該光學標記圖案。
如請求項1所述之基於視覺的觸覺感測器，其中該支持結構貫穿一透孔，該透孔的兩端分別延伸至該主動光學標記模組及該接觸主體，該相機模組設於該透孔。
如請求項1或2所述之基於視覺的觸覺感測器，其中一反射層係具有彈性的材料構成，該反射層設於該接觸主體及該保護層之間，據使該光學標記圖案成像於該反射層。
如請求項3所述之基於視覺的觸覺感測器，其中該支持結構、該接觸主體及該保護層分別由透明材料構成。
如請求項1或2所述之基於視覺的觸覺感測器，其中該支持結構、該接觸主體及該保護層分別由透明材料構成。
一種阻燃纖維，其包含至少一阻燃劑，該阻燃劑具有磷組份及硫組份，其中該磷組份相對於該阻燃纖維總重量為800至1500ppm；其中該阻燃纖維之極限氧指數（Limit of Oxygen Index，LOI）至少為26，且該阻燃纖維之纖維強度為7.0至10.0g/D。
如請求項1之阻燃纖維，其中該阻燃劑為聚苯基膦酸二苯碸酯（poly[sulfonyl(bis-4-phenyl)phenylphosphonate]，PSPPP）。
如請求項1或2之阻燃纖維，其中該極限氧指數為30至40。
如請求項1或2之阻燃纖維，其中該纖維強度為8.0至9.0g/D。
如請求項1或2之阻燃纖維，該阻燃纖維為一聚酯纖維。
如請求項5之阻燃纖維，其進一步包含聚對苯二甲酸乙二酯（polyethylene terephthalate，PET）。
一種製備請求項1至6中任一項之阻燃纖維的方法，該方法包含下列步驟：將一塑膠粒與一阻燃劑混合並在240至280℃下進行混煉以製得一阻燃母粒，將該阻燃母粒與另一塑膠粒混摻，並以紡絲溫度260至300°C進行紡絲，以製得該阻燃纖維，其中該阻燃劑具有磷組份及硫組份，該另一塑膠粒含水量小於100ppm。
如請求項7之方法，其中該塑膠粒含水量為3,000ppm以下，且該塑膠粒與該阻燃劑以重量比為7:3至17:3之比例混合。
如請求項7或8之方法，其中紡絲過程之壓升小於35KG/日。
如請求項7或8之方法，其中該塑膠粒為聚酯。
如請求項7或8之方法，其中該另一塑膠粒為聚酯。
如請求項7或8之方法，其中該阻燃母粒總量相對於該阻燃纖維總量為4.0至10.0重量%。
一種如請求項1至6中任一項之阻燃纖維的用途，其用於製造安全帶、輸送帶、建築及運輸設備用之工業織物或繩索。
一種製造品，其包含如請求項1至6中任一項之阻燃纖維，其中該製造品係選自由安全帶、輸送帶、建築或運輸設備用之織物、建築或運輸設備用之繩索，及其組合。
一種快閃記憶體裝置，包括：<br/>一記憶體晶片，具有一迷你陣列、一測試記憶胞及一主陣列；以及<br/>一記憶體控制電路，耦接該記憶體晶片，經配置以對該迷你陣列、該測試記憶胞及該主陣列進行一抹除操作，接著針對該迷你陣列、該測試記憶胞及該主陣列量取各自的一汲極電流與一閘極電壓的關係，以記錄分別對應於該主陣列、該測試記憶胞及該迷你陣列的一第一電流電壓曲線、一第二電流電壓曲線以及一第三電流電壓曲線，<br/>其中，該記憶體控制電路分析該第二電流電壓曲線及該第三電流電壓曲線，以取得一目標中間電壓點，該記憶體控制電路分析該第一電流電壓曲線，以取得一左範圍長度，該記憶體控制電路分析該第三電流電壓曲線，以取得一右範圍長度，<br/>該記憶體控制電路根據該目標中間電壓點、該左範圍長度及該右範圍長度，繪製一閾值電壓分佈。
如請求項1所述的快閃記憶體裝置，其中該記憶體控制電路對該第三電流電壓曲線進行微分，以找出微分結果的最大值作為一第一最大值，且將與該第一最大值對應的該閘極電壓作為一初始中間電壓點，<br/>該記憶體控制電路將該初始中間電壓點減去一偏移值，以計算出該目標中間電壓點。
如請求項2所述的快閃記憶體裝置，其中該記憶體控制電路對該第二電流電壓曲線進行微分，以找出微分結果的最大值作為一第二最大值，且將與該第二最大值對應的該閘極電壓作為一最大值電壓，<br/>該記憶體控制電路針對該第二電流電壓曲線找出該汲極電流為一低電流值時的該閘極電壓，且將其作為一低電流閘極電壓，<br/>該記憶體控制電路將該最大值電壓減去該低電流閘極電壓，以計算出該偏移值。
如請求項1所述的快閃記憶體裝置，其中該記憶體控制電路針對該第一電流電壓曲線找出該汲極電流為一低電流值時的該閘極電壓，且將其作為一左範圍電壓點，<br/>該記憶體控制電路將該目標中間電壓點減去該左範圍電壓點，以計算出該左範圍長度。
如請求項1所述的快閃記憶體裝置，其中該記憶體控制電路針對該第三電流電壓曲線找出該汲極電流為一低電流值時的該閘極電壓，且將其作為一迷你陣列右範圍電壓點，<br/>該記憶體控制電路將該目標中間電壓點減去該迷你陣列右範圍電壓點，以計算出一迷你陣列右範圍長度，且將該迷你陣列右範圍長度乘以一統計比率，以計算出該右範圍長度。
如請求項1所述的快閃記憶體裝置，其中該記憶體控制電路將由該左範圍長度及該右範圍長度相加所得的一總範圍長度與一參考範圍長度進行比較，以判斷所繪製的該閾值電壓分佈是否正常。
一種快閃記憶體裝置的測試方法，其中該快閃記憶體裝置包括一迷你陣列、一測試記憶胞及一主陣列，該測試方法包括：<br/>對該迷你陣列、該測試記憶胞及該主陣列進行一抹除操作；<br/>針對該迷你陣列、該測試記憶胞及該主陣列量取各自的一汲極電流與一閘極電壓的關係，以記錄分別對應於該主陣列、該測試記憶胞及該迷你陣列的一第一電流電壓曲線、一第二電流電壓曲線以及一第三電流電壓曲線；<br/>分析該第二電流電壓曲線及該第三電流電壓曲線，以取得一目標中間電壓點；<br/>分析該第一電流電壓曲線，以取得一左範圍長度；<br/>分析該第三電流電壓曲線，以取得一右範圍長度；以及<br/>根據該目標中間電壓點、該左範圍長度及該右範圍長度，繪製一閾值電壓分佈。
如請求項7所述的測試方法，其中分析該第二電流電壓曲線及該第三電流電壓曲線，以取得該目標中間電壓點的步驟包括：<br/>對該第三電流電壓曲線進行微分，以找出微分結果的最大值作為一第一最大值；<br/>將與該第一最大值對應的該閘極電壓作為一初始中間電壓點；以及<br/>將該初始中間電壓點減去一偏移值，以計算出該目標中間電壓點。
如請求項8所述的測試方法，其中分析該第二電流電壓曲線及該第三電流電壓曲線，以取得該目標中間電壓點的步驟更包括：<br/>對該第二電流電壓曲線進行微分，以找出微分結果的最大值作為一第二最大值；<br/>將與該第二最大值對應的該閘極電壓作為一最大值電壓；<br/>針對該第二電流電壓曲線找出該汲極電流為一低電流值時的該閘極電壓，且將其作為一低電流閘極電壓；以及<br/>將該最大值電壓減去該低電流閘極電壓，以計算出該偏移值。
如請求項7所述的測試方法，其中分析該第一電流電壓曲線，以取得該左範圍長度的步驟包括：<br/>針對該第一電流電壓曲線找出該汲極電流為一低電流值時的該閘極電壓，且將其作為一左範圍電壓點；以及<br/>將該目標中間電壓點減去該左範圍電壓點，以計算出該左範圍長度。
如請求項7所述的測試方法，其中分析該第三電流電壓曲線，以取得該右範圍長度的步驟包括：<br/>針對該第三電流電壓曲線找出該汲極電流為一低電流值時的該閘極電壓，且將其作為一迷你陣列右範圍電壓點；<br/>將該目標中間電壓點減去該迷你陣列右範圍電壓點，以計算出一迷你陣列右範圍長度；以及<br/>將該迷你陣列右範圍長度乘以一統計比率，以計算出該右範圍長度。
如請求項7所述的測試方法，更包括：<br/>將由該左範圍長度及該右範圍長度相加所得的一總範圍長度與一參考範圍長度進行比較，以判斷所繪製的該閾值電壓分佈是否正常。
一種注入管頭，包括：<br/> 一主體，供組接於一流體輸出體，包含有一第一管道；及<br/> 一嘴管，可替換地螺接於該主體，包含有一第二管道與一輸出口，該第二管道連通該第一管道與該輸出口；<br/> 其中，該嘴管另包含有相對之一第一端部與一第二端部，該第一端部設有該輸出口，該第二端部螺接於該主體，該嘴管由該第二端部朝向該第一端部漸縮；其中，於該第一端部之外側壁設有至少一階部。
如請求項1所述的注入管頭，其中該嘴管另包含有相對之一第一端部與一第二端部，該第一端部設有該輸出口，該第二端部螺接於該主體；其中，於該第二端部之外側壁設有一防滑結構。
如請求項1所述的注入管頭，其中該主體另包含有一第一螺紋段與一擋止面，該嘴管可拆卸地螺接於該第一螺紋段，該擋止面用以於該第一螺紋段之延伸方向上擋止該嘴管。
如請求項1所述的注入管頭，其中該嘴管另包含有一可透視部，該可透視部可供外界觀看到該嘴管之內部。
如請求項1所述的注入管頭，其中該嘴管另包含有一第二螺紋段，該第二螺紋段供一蓋體螺接，該蓋體供封蓋住該輸出口。
如請求項1至5其中任一項所述的注入管頭，其中該主體另包含有依序相連接之一第一延伸部、一彎曲部與一第二延伸部，該第一延伸部供組接於流體輸出體，該第二延伸部與該嘴管相連接。
如請求項6所述的注入管頭，其中該主體另包含有複數凸肋，該複數凸肋間隔地環於該第一延伸部之外側壁，進而相鄰的二該凸肋與該第二延伸部之外側壁共同界定出一容納空間。
如請求項7所述的注入管頭，其中該第一延伸部與該第二延伸部夾設有一夾角，該夾角小於180度且大於60度。
一種注入管頭，一主體，供組接於一流體輸出體，包含有一第一管道；及<br/> 一嘴管，可替換地螺接於該主體，包含有一第二管道與一輸出口，該第二管道連通該第一管道與該輸出口；<br/> 其中，該嘴管另包含有相對之一第一端部與一第二端部，該第一端部設有該輸出口，該第二端部螺接於該主體，該嘴管由該第二端部朝向該第一端部漸縮；其中，於該第一端部之外側壁設有至少一階部；該嘴管另包含有相對之一第一端部與一第二端部，該第一端部設有該輸出口，該第二端部螺接於該主體；其中，於該第二端部之外側壁設有一防滑結構；該主體另包含有一第一螺紋段與一擋止面，該嘴管可拆卸地螺接於該第一螺紋段，該擋止面用以於該第一螺紋段之延伸方向上擋止該嘴管；該嘴管另包含有一可透視部，該可透視部可供外界觀看到該嘴管之內部；該嘴管另包含有一第二螺紋段，該第二螺紋段供一蓋體螺接，該蓋體供封蓋住該輸出口；該主體另包含有依序相連接之一第一延伸部、一彎曲部與一第二延伸部，該第一延伸部供組接於流體輸出體，該第二延伸部與該嘴管相連接；該主體另包含有複數凸肋，該複數凸肋間隔地環於該第一延伸部之外側壁，進而相鄰的二該凸肋與該第二延伸部之外側壁共同界定出一容納空間；該第一延伸部與該第二延伸部夾設有一夾角，該夾角小於180度且大於60度；於該第二端部之外側壁設有一防滑結構；該主體另包含有一第一螺紋段與一擋止面，該嘴管可拆卸地螺接於該第一螺紋段，該擋止面用以於該第一螺紋段之延伸方向上擋止該嘴管；該嘴管另包含有一可透視部，該可透視部可供外界觀看到該嘴管之內部；該主體另包含有依序相連接之一第一延伸部、一彎曲部與一第二延伸部，該第一延伸部供組接於流體輸出體，該第二延伸部與該嘴管相連接；該主體另包含有複數凸肋，該複數凸肋間隔地環於該第一延伸部之外側壁，進而相鄰的二該凸肋與該第二延伸部之外側壁共同界定出一容納空間；各該凸肋呈板狀；各該凸肋由該第一延伸部朝向該第二延伸部之方向漸縮；該第一延伸部與該第二延伸部夾設有一夾角，該夾角小於180度且大於60度；該嘴管係沿一軸心線呈直線延伸，該至少一階部之數量為複數個，複數該階部於該軸心線之延伸方向上呈等間隔距離配置，各該階部斜向於該軸心線；該防滑結構包含有複數防滑槽；該主體另包含有一第一螺接孔，該第一螺接孔供螺接於該流體輸出體，該嘴管另包含有一第二螺接孔，該第二螺接孔之孔徑同於該第一螺接孔之孔徑，該第二螺接孔可選擇性地螺接於該主體與該流體輸出體；該夾角為125度；整個該嘴管為該可透視部；該嘴管另包含有一第二螺紋段，該第二螺紋段供一蓋體螺接，該蓋體供封蓋住該輸出口。
一種絕對到位感知的移印機，包含：<br/> 一支架，具有一第一端以及一與該第一端間隔排列的第二端；<br/> 一移動機構，安裝在該支架的該第一端與該第二端之間，具有一軌道、一移動座以及一平移驅動源，該平移驅動源能驅使該移動座沿著一配合該軌道的水平路徑移動；<br/> 一移印機構，安裝在該移動座，具有一膠頭以及一垂直驅動源，該垂直驅動源能驅使該膠頭沿著一垂直路徑移動；<br/> 一止擋機構，包括一阻擋件以及一接觸件，該阻擋件設置在該支架，且該接觸件設置在該移動座；<br/> 一電源供應器，分別電性連接於該阻擋件與該接觸件，能在該阻擋件與該接觸件接觸時形成一導通狀態，並在該阻擋件與該接觸件分離時形成一斷路狀態；以及<br/> 一控制裝置，分別電性連接於該平移驅動源以及垂直驅動源，並且可選擇性的與該阻擋件和該接觸件的其中一者電性連接，該控制裝置能夠偵測該電源供應器的該導通狀態以及該斷路狀態；<br/> 其中，當該移動座從一初始位置移動到一目標位置時，該阻擋件會抵觸於該接觸件，使得該移動座固定在該目標位置，並且當該阻擋件與該接觸件接觸時形成該導通狀態，該控制裝置將啟動該垂直驅動源來帶動該膠頭運作。
如請求項1所述絕對到位感知的移印機，其中，該阻擋件包括一第一螺絲以及兩第一螺母，該第一螺絲具有一第一螺紋部以及一第一頭部，該第一螺絲將依序穿過一第一螺母、該支架以及另一第一螺母來安裝在該支架上，並且該第一頭部將面向該移動座，該支架被夾緊在該兩第一螺母之間，使用者能夠透過調整該兩第一螺母在該第一螺紋部的位置來改變該第一頭部凸出於該支架的長度，藉此來改變該阻擋件與該接觸件接觸的位置。
如請求項2所述絕對到位感知的移印機，其中，該接觸件包括一第二螺絲以及一第二螺母，該第二螺絲具有一第二螺紋部以及一第二頭部，該第二螺絲將依序穿過該移動座以及該第二螺母來安裝在該移動座上，使得該移動座被夾緊在該第二螺母以及該第二頭部之間，並且該第二頭部將面向該第一螺絲，使得該阻擋件與該接觸件接觸時透過該第一頭部以及該第二頭部碰撞。
如請求項1所述絕對到位感知的移印機，其中，該阻擋件與該支架之間，以及該接觸件與該支架之間，還分別具有一絕緣件，該絕緣件具有一絕緣套管以及兩絕緣墊片，該絕緣套管設置在該兩絕緣墊片之間，該絕緣件設置在該阻擋件以及該接觸件外圍，並且該兩絕緣墊片將分別設置在該支架兩側以及該移動座兩側，使得該阻擋件以及該接觸件無法與該支架以及該移動座之間導通。
如請求項1所述絕對到位感知的移印機，其中，該電源供應器具有一正極導線以及一負極導線，該正極導線以及該負極導線分別具有一壓接端子設置在一端部，該兩壓接端子分別透過一固定螺絲將該壓接端子固定在該固定螺絲與該阻擋件之間，以及透過另一固定螺絲將另一壓接端子固定在該另一固定螺絲與該接觸件之間。
一種絕對到位感知的移印機，包含：<br/> 一支架，具有一第一端以及一與該第一端間隔排列的第二端；<br/> 一移動機構，安裝在該支架的該第一端與該第二端之間，具有一軌道、一移動座以及一平移驅動源，該平移驅動源能驅使該移動座沿著一配合該軌道的水平路徑移動；<br/> 一移印機構，安裝在該移動座，具有一膠頭以及一垂直驅動源，該垂直驅動源能驅使該膠頭沿著一垂直路徑移動；<br/> 兩止擋機構，分別包括一阻擋件以及一接觸件，該兩阻擋件分別設置在該第一端以及該第二端，且該兩接觸件分別設置在該移動座相對的兩側；<br/> 一電源供應器，電性連接於該兩阻擋件與該兩接觸件，能在任一阻擋件與任一接觸件接觸時形成一導通狀態，並在該阻擋件與該接觸件分離時形成一斷路狀態；以及<br/> 一控制裝置，分別電性連接於該平移驅動源以及垂直驅動源，並且可選擇性的與該阻擋件和該接觸件的其中一者電性連接，該控制裝置能夠偵測該電源供應器的該導通狀態以及該斷路狀態；<br/> 其中，當該移動座從一初始位置移動到一目標位置時，該阻擋件會抵觸於該接觸件，使得該移動座固定在該目標位置，並且當該阻擋件與該接觸件接觸時形成該導通狀態，該控制裝置將啟動該垂直驅動源來帶動該膠頭運作；並且當該移動座從該目標位置移動到該初始位置時，另一阻擋件會抵觸於另一接觸件，使得該移動座固定在該初始位置，並且當該阻擋件與該接觸件接觸時形成該導通狀態，該控制裝置將啟動該垂直驅動源來帶動該膠頭運作。
如請求項6所述絕對到位感知的移印機，其中，該阻擋件包括一第一螺絲以及兩第一螺母，該第一螺絲具有一第一螺紋部以及一第一頭部，該第一螺絲將依序穿過一第一螺母、該支架以及另一第一螺母來安裝在該支架上，並且該第一頭部將面向該移動座，該支架被夾緊在該兩第一螺母之間，使用者能夠透過調整該兩第一螺母在該第一螺紋部的位置來改變該第一頭部凸出於該支架的長度，藉此來改變該阻擋件與該接觸件接觸的位置。
如請求項7所述絕對到位感知的移印機，其中，該接觸件包括一第二螺絲以及一第二螺母，該第二螺絲具有一第二螺紋部以及一第二頭部，該第二螺絲將依序穿過該移動座以及該第二螺母來安裝在該移動座上，使得該移動座被夾緊在該第二螺母以及該第二頭部之間，並且該第二頭部將面向該第一螺絲，使得該阻擋件與該接觸件接觸時透過該第一頭部以及該第二頭部碰撞。
如請求項6所述絕對到位感知的移印機，其中，該阻擋件與該支架之間，以及該接觸件與該支架之間，還分別具有一絕緣件，該絕緣件具有一絕緣套管以及兩絕緣墊片，該絕緣套管設置在該兩絕緣墊片之間，該絕緣件設置在該阻擋件以及該接觸件外圍，並且該兩絕緣墊片將分別設置在該支架兩側以及該移動座兩側，使得該阻擋件以及該接觸件無法與該支架以及該移動座之間導通。
如請求項6所述絕對到位感知的移印機，其中，該電源供應器具有一正極導線以及一負極導線，該正極導線能夠同時與該兩阻擋件連接，而該負極導線能夠同時與該兩接觸件連接，該正極導線以及該負極導線分別具有兩壓接端子設置在兩端部，該壓接端子透過一固定螺絲將該壓接端子固定在該固定螺絲與該阻擋件之間，以及透過另一固定螺絲將另一壓接端子固定在該另一固定螺絲與該接觸件之間。
一種可拉伸顯示器，包括：<br/>一基板，具有至少一畫素區及一線路區，其中該線路區連接該至少一畫素區；<br/>一島狀元件，設置於該基板的該至少一畫素區上，其中該島狀元件包含一畫素驅動電路及一邊緣；<br/>一拉伸緩衝層，覆蓋該島狀元件及該基板的該線路區的至少一部分上；<br/>一輔助緩衝層，覆蓋該島狀元件的該邊緣的至少一部分，其中該輔助緩衝層設置於該線路區的至少一部分上，且延伸到該至少一畫素區的至少一部分上；<br/>一導線，設置於該拉伸緩衝層上，且電性連接該島狀元件的該畫素驅動電路；以及<br/>一絕緣層，設置於該拉伸緩衝層上，且覆蓋該導線及該島狀元件。
如請求項1所述之可拉伸顯示器，其中該導線自該島狀元件的該邊緣進入該島狀元件，且該輔助緩衝層至少部分地與該導線重疊，在該邊緣的一延伸方向上，該輔助緩衝層的一寬度大於該導線的一寬度。
如請求項1所述之可拉伸顯示器，其中該輔助緩衝層位於該導線的下方，且該輔助緩衝層至少部分地與該導線重疊。
如請求項1所述之可拉伸顯示器，其中該島狀元件更包含一上表面及一側壁，該輔助緩衝層覆蓋該島狀元件的該上表面的至少一部分及該側壁的至少一部分。
如請求項1所述之可拉伸顯示器，其中該輔助緩衝層的至少一部分位於該島狀元件與該拉伸緩衝層之間，該輔助緩衝層的至少另一部分位於該拉伸緩衝層與該基板的該線路區之間。
如請求項1所述之可拉伸顯示器，其中該輔助緩衝層設置於該拉伸緩衝層上，且該輔助緩衝層與該導線為一連續圖案。
如請求項1所述之可拉伸顯示器，其中該拉伸緩衝層包含一上表面及一側壁，該輔助緩衝層覆蓋該拉伸緩衝層的該上表面的至少一部分及該側壁的至少一部分。
如請求項1所述之可拉伸顯示器，其中該輔助緩衝層位於該導線的上方，且該輔助緩衝層至少部分地與該導線重疊。
如請求項1所述之可拉伸顯示器，其中該絕緣層包含一上表面及一側壁，該輔助緩衝層覆蓋該絕緣層的該上表面的至少一部分及該側壁的至少一部分。
如請求項1所述之可拉伸顯示器，其中該輔助緩衝層所覆蓋的該島狀元件的該邊緣的該至少一部分未設置該導線。
一種冷板，包括： <br/>底壁部，下表面與發熱零件熱接觸； <br/>頂壁部，覆蓋所述底壁部的上表面； <br/>多個葉片，並排配置於所述底壁部的上表面，並呈直線狀延伸； <br/>側壁部，配置於所述底壁部與所述頂壁部之間，包圍所述葉片並在內部形成供冷媒流通的冷媒流路；以及 <br/>片狀的網格構件，配置於所述頂壁部與所述葉片之間，且包含金屬構件。
如請求項1所述的冷板，其中所述頂壁部中，至少與所述葉片在上下方向上相向的區域由金屬構件構成。
如請求項1或2所述的冷板，其中所述網格構件經由焊接部或釺焊部而固定於所述頂壁部。
如請求項3所述的冷板，其中所述網格構件的網眼小於相鄰的所述葉片之間的間隙。
如請求項4所述的冷板，其中所述網格構件在上下方向上重疊配置有多個。
如請求項5所述的冷板，其中所述網格構件與所述頂壁部及所述葉片接觸。
如請求項1或2所述的冷板，更包括多個柱部，所述多個柱部自所述底壁部的上表面突出且在所述側壁部的內側隔著所述葉片在所述葉片的延伸方向上相向， <br/>所述柱部的上端位於與所述葉片的上端相同的位置或較所述葉片的上端更靠上方的位置。
如請求項7所述的冷板，其中所述柱部與所述葉片介隔間隙在所述延伸方向上相向。
如請求項1或2所述的冷板，更包括彎頭、配置於所述冷媒流路的一端側的流入口、與配置於所述冷媒流路的另一端側的流出口，所述彎頭配置於所述頂壁部的上表面，與所述冷媒流路的所述流入口或所述流出口連接， <br/>所述彎頭中，至少表面由金屬構件構成。
一種鍵帽升降機構，包含：<br/> 一第一支架，包含一第一長臂和間隔設置的二第一支臂，該第一長臂平行於一延伸方向延伸，該二第一支臂自該第一長臂非平行於該延伸方向突出延伸，該第一長臂具有一第一凸塊垂直於該延伸方向突出，該第一凸塊位於該二第一支臂之間；以及<br/> 一第二支架，包含一第二長臂及一第二支臂，該第二長臂平行於該第一長臂延伸，該第二支臂自該第二長臂非平行於該延伸方向突出延伸於該二第一支臂之間，且該第二支臂與該二第一支臂透過一對中軸彼此樞接，該第二支臂末端具有一第二凹口，該第二凹口與該第二長臂位於該對中軸相對兩側，該第一凸塊伸入該第二凹口。
如請求項1所述之鍵帽升降機構，其中該第二支臂具有一末端部及二底軸，該第二凹口及該二底軸位於該末端部，該第二凹口位於該二底軸之間，該第二凹口的底部比該二底軸靠近該對中軸的連線。
如請求項1所述之鍵帽升降機構，更包含一底板，其中該底板包含二底勾，該第二支臂具有一末端部及二底軸，該第二凹口及該二底軸位於該末端部，該第二凹口位於該二底軸之間，該二底軸與該二底勾可轉動地連接，該底勾垂直於該延伸方向遠離該對中軸延伸並於垂直於該延伸方向之一水平方向上定義一固定端點、一自由端點及該固定端點與該自由端點的中點，以及當該第二支架平放於該底板上時，該第一凸塊的末端於該水平方向上位於該自由端點與該中點之間。
如請求項1所述之鍵帽升降機構，其中該二第一支臂其中之一具有一第一凹口，該第一凹口與該第一長臂位於該對中軸相對兩側，該第二支架包含另一第二支臂，自該第二長臂非平行於該延伸方向突出延伸，該第二長臂具有一第二凸塊，該第二凸塊位於該二第二支臂之間，具有該第一凹口的該第一支臂排列於該二第二支臂之間，具有該第一凹口的該第一支臂與該二第二支臂樞接，該第二凸塊伸入該第一凹口。
如請求項1所述之鍵帽升降機構，其中該第二支臂與該二第一支臂繞著一樞轉軸相對旋轉，該第一長臂於該延伸方向上具有一第一部分，該第一部分位於該二第一支臂之間並於垂直於該延伸方向之一第一垂直方向上具有一第一最小寬度，於該第一垂直方向上定義自該樞轉軸至該第一部分遠離該樞轉軸之一邊緣之一第一距離，該第一最小寬度為該第一距離的0.4至0.67倍。
如請求項1所述之鍵帽升降機構，其中該第二支臂與該二第一支臂繞著一樞轉軸相對旋轉，該第一長臂於該延伸方向上具有一第一部分，該第一部分位於該二第一支臂之間並於垂直於該延伸方向之一第一垂直方向上具有一第一最小寬度，於該第一垂直方向上定義自該樞轉軸至該第一部分遠離該樞轉軸之一邊緣之一第一距離，該第二長臂於該延伸方向上具有一第二部分，該第二部分相鄰於該第二支臂並於垂直於該延伸方向之一第二垂直方向上具有一第二最小寬度，於該第二垂直方向上定義自該樞轉軸至該第二部分遠離該樞轉軸之一邊緣之一第二距離，該第一最小寬度對該第一距離之一比值為該第二最小寬度對該第二距離之一比值的0.8至1.2倍。
一種鍵帽升降機構，包含：<br/> 一第一支架，包含一第一長臂和間隔設置的二第一支臂，該第一長臂平行於一延伸方向延伸，該二第一支臂自該第一長臂非平行於該延伸方向突出延伸，該第一長臂於該延伸方向上具有一第一部分，該第一部分位於該二第一支臂之間並於垂直於該延伸方向之一第一垂直方向上具有一第一最小寬度；以及<br/> 一第二支架，包含一第二長臂及一第二支臂，該第二長臂平行於該第一長臂延伸，該第二支臂自該第二長臂非平行於該延伸方向突出延伸，該第二支臂與該二第一支臂透過一對中軸彼此樞接，使得該第二支臂與該二第一支臂繞著一樞轉軸相對旋轉；<br/> 其中，於該第一垂直方向上定義自該樞轉軸至該第一部分遠離該樞轉軸之一邊緣之一第一距離，該第一最小寬度為該第一距離的0.4至0.67倍。
如請求項7所述之鍵帽升降機構，其中該第二長臂於該延伸方向上具有一第二部分，該第二部分相鄰於該第二支臂並於垂直於該延伸方向之一第二垂直方向上具有一第二最小寬度，於該第二垂直方向上定義自該樞轉軸至該第二部分遠離該樞轉軸之一邊緣之一第二距離，該第一最小寬度對該第一距離之一比值為該第二最小寬度對該第二距離之一比值的0.8至1.2倍。
一種鍵帽升降機構，包含：<br/> 一第一支架，包含一第一長臂和間隔設置的二第一支臂，該第一長臂平行於一延伸方向延伸，該二第一支臂自該第一長臂非平行於該延伸方向突出延伸，該第一長臂於該延伸方向上具有一第一部分，該第一部分位於該二第一支臂之間並於垂直於該延伸方向之一第一垂直方向上具有一第一最小寬度；以及<br/> 一第二支架，包含一第二長臂及一第二支臂，該第二長臂平行於該第一長臂延伸，該第二支臂自該第二長臂非平行於該延伸方向突出延伸，該第二支臂與該二第一支臂透過一對中軸彼此樞接，使得該第二支臂與該二第一支臂繞著一樞轉軸相對旋轉，該第二長臂於該延伸方向上具有一第二部分，該第二部分相鄰於該第二支臂並於垂直於該延伸方向之一第二垂直方向上具有一第二最小寬度；<br/> 其中，於該第一垂直方向上定義自該樞轉軸至該第一部分遠離該樞轉軸之一邊緣之一第一距離，於該第二垂直方向上定義自該樞轉軸至該第二部分遠離該樞轉軸之一邊緣之一第二距離，該第一最小寬度對該第一距離之一比值為該第二最小寬度對該第二距離之一比值的0.8至1.2倍。
一種長矩形按鍵結構，該長矩形按鍵結構具有一長邊方向及一矩邊方向，該長矩形按鍵結構包含：<br/> 如請求項1至9其中任一請求項所述之鍵帽升降機構，該延伸方向平行於該長邊方向；以及<br/> 一鍵帽，該鍵帽支撐於該鍵帽升降機構並經由該鍵帽升降機構垂直移動。
一種醫藥調配物之用途，其係用於製備在有需要之人類治療或預防病毒感染的醫藥品，其中該醫藥品係用於吸入投與；其中該醫藥調配物包含：<br/>i. 式I化合物：<br/><img align="absmiddle" height="170px" width="292px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或其醫藥學上可接受之鹽；<br/>ii. 水；及<br/>iii. 環糊精。
如請求項1之用途，其中該醫藥品進一步包含至少一種額外治療劑，或係用於與至少一種額外治療劑併用。
如請求項1之用途，其中該病毒感染為冠狀病毒感染。
如請求項1之用途，其中該病毒感染為SARS-CoV-2感染(COVID-19)。
如請求項1之用途，其中該病毒感染為SARS病毒感染。
如請求項1之用途，其中該病毒感染為MERS病毒感染。
如請求項1之用途，其中該病毒感染為肺病毒科病毒感染。
如請求項7之用途，其中該肺病毒科病毒感染為呼吸道融合病毒感染。
如請求項7之用途，其中該肺病毒科病毒感染為人類間質肺炎病毒感染。
如請求項1之用途，其中該病毒感染為小核糖核酸病毒科病毒感染。
如請求項10之用途，其中該小核糖核酸病毒科病毒感染為人類鼻病毒感染。
如請求項1之用途，其中該病毒感染為黃病毒科病毒感染。
如請求項12之用途，其中該黃病毒科病毒感染為登革熱病毒感染、黃熱病病毒感染、西尼羅河病毒感染(West Nile virus infection)、蜱傳腦炎(tick borne encephalitis)、昆津日本腦炎(Kunjin Japanese encephalitis)、聖路易腦炎(St. Louis encephalitis)、莫雷谷腦炎(Murray valley encephalitis)、鄂本斯克出血熱(Omsk hemorrhagic fever)、牛病毒性腹瀉、茲卡病毒感染(zika virus infection)或HCV感染。
如請求項1之用途，其中該病毒感染為絲狀病毒科病毒感染。
如請求項14之用途，其中該絲狀病毒科病毒感染為伊波拉(ebola)病毒感染或馬堡(Marburg)病毒感染。
如請求項1之用途，其中該病毒感染為正黏液病毒感染。
如請求項16之用途，其中該病毒感染為流感病毒感染。
如請求項1之用途，其中該病毒感染為副黏液病毒科病毒感染。
如請求項18之用途，其中該副黏液病毒科病毒感染為人類副流感病毒、尼帕(nipah)病毒、亨德拉(Hendra)病毒、麻疹或流行性腮腺炎感染。
一種經復水之凍乾醫藥調配物之用途，其係用於製備用於治療或預防有需要之人類之病毒感染的醫藥品，其中該醫藥品係經由吸入投與；其中該凍乾醫藥調配物包含：<br/>i. 式I化合物：<br/><img align="absmiddle" height="170px" width="292px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>或其醫藥學上可接受之鹽；及<br/>ii. 環糊精。
如請求項20之用途，其中該凍乾調配物包含呈1%至10% w/w之量的該式I化合物或其醫藥學上可接受之鹽及呈90%至99% w/w之量的環糊精。
如請求項20之用途，其中該凍乾調配物包含呈5%至10% w/w之量的該式I化合物或其醫藥學上可接受之鹽及呈90%至95% w/w之量的環糊精。
如請求項20之用途，其中該凍乾調配物包含呈5%至7% w/w之量的該式I化合物或其醫藥學上可接受之鹽及呈93%至95% w/w之量的環糊精。
如請求項20之用途，其中該凍乾調配物包含呈6%至7% w/w之量的該式I化合物或其醫藥學上可接受之鹽及呈93%至94% w/w之量的環糊精。
如請求項20之用途，其中該凍乾調配物包含呈6.25% w/w之量的該式I化合物或其醫藥學上可接受之鹽及呈93.75% w/w之量的環糊精。
如請求項20之用途，其中該凍乾調配物包含呈1%至5% w/w之量的該式I化合物或其醫藥學上可接受之鹽及呈95%至99% w/w之量的環糊精。
如請求項20之用途，其中該凍乾調配物包含呈2%至4% w/w之量的該式I化合物或其醫藥學上可接受之鹽及呈96%至98% w/w之量的環糊精。
如請求項20之用途，其中該凍乾調配物包含呈3%至3.6% w/w之量的該式I化合物或其醫藥學上可接受之鹽及呈96.5%至97% w/w之量的環糊精。
如請求項20至28中任一項之用途，其中該環糊精為β-環糊精。
如請求項20至28中任一項之用途，其中該環糊精為選自由以下組成之群的β-環糊精：磺丁基烷基醚-β-環糊精、倍他環糊精-磺丁基醚鈉及羥丙基-β-環糊精。
如請求項20至28中任一項之用途，其中該環糊精為倍他環糊精-磺丁基醚鈉。
如請求項20之用途，其中該凍乾調配物包含呈3.2% w/w之量的該式I化合物或其醫藥學上可接受之鹽及呈96.8% w/w之量的該環糊精倍他環糊精-磺丁基醚鈉。
如請求項1至28中任一項之用途，其中該人類藉由靜脈內輸注接受至少一個劑量之瑞德西韋(remdesivir)。
如請求項33之用途，其中該人類在投與該醫藥品之前藉由靜脈內輸注接受至少一個劑量之瑞德西韋。
一種資料運算中心，該資料運算中心係位於一設置位置以執行一資料運算業務，該資料運算中心係包括：<br/>一地面上設備艙，該地面上設備艙係設置於該設置位置的地面上；<br/>一地面下設備艙，該地面下設備艙係設置於該設置位置的地面下，且該地面下設備艙係具有一地面下儲液槽與一液體補充管路，該地面下儲液槽係提供儲存一液體，該液體補充管路係由該設置位置的地面上延伸至該地面下儲液槽，以於該設置位置的地面上為該地面下儲液槽補充該液體；<br/>一管理設備，該管理設備係容置於該地面上設備艙中而於該設置位置的地面上運行以管理該資料運算業務的執行；<br/>一運算設備，該運算設備係容置於該地面下設備艙中而於該設置位置的地面下運行以執行該資料運算業務；以及<br/>一供電設備，該供電設備係容置於該地面下設備艙中而於該設置位置的地面下運行，以為該管理設備與該運算設備的運行供電；其中，<br/>該地面下儲液槽可為該運算設備或該供電設備提供該液體，以藉由該液體為該運算設備或該供電設備的運行散熱。
如請求項1所述的資料運算中心，其中，該管理設備係包含一網路管理子設備與一電力管理子設備，該網路管理子設備係提供網路管理，該電力管理子設備係提供電力管理。
如請求項1所述的資料運算中心，其中，該供電設備係為電池設備。
如請求項1所述的資料運算中心，其中，該運算設備係為一邊緣運算設備或一微型智算設備。
如請求項4所述的資料運算中心，其中，該地面上設備艙係設置於一路燈、一路邊通訊控制箱或一路邊電力控制箱，使該路燈、該路邊通訊控制箱或該路邊電力控制箱係可以為該管理設備、該運算設備或該供電設備的運行提供電源。
如請求項5所述的資料運算中心，其中，該路邊通訊控制箱還可以為該管理設備、該運算設備或該供電設備的運行提供網路。
如請求項5所述的資料運算中心，其中，該地面上設備艙係具有一地面上設備艙定位結構，該地面上設備艙定位結構係可搭配該路燈、該路邊通訊控制箱或該路邊電力控制箱，以將該地面上設備艙定位於該路燈、該路邊通訊控制箱或該路邊電力控制箱上。
如請求項1所述的資料運算中心，其中，還包括一設備艙連接構件，該設備艙連接構件係連接該地面上設備艙與該地面下設備艙，使該地面上設備艙與該地面下設備艙可以連接成為一體。
如請求項1所述的資料運算中心，其中，還包括一光合作用反應設備，其中，該液體包含一二氧化碳和一水，而該地面下儲液槽可為該光合作用反應設備提供該液體，以藉由該液體為該光合作用反應設備提供該二氧化碳和該水，該光合作用反應設備係設置於該設置位置的地面上以接受太陽能，而可令接受的太陽能跟該二氧化碳和該水反應而生成一光合作用反應生成物。
如請求項9所述的資料運算中心，其中，該地面下設備艙還具有一二氧化碳補充管路，該二氧化碳補充管路係由該地面下儲液槽延伸至該設置位置的地面上，以於該設置位置的地面上為該地面下儲液槽的該液體補充該二氧化碳。
如請求項1所述的資料運算中心，其中，該液體為浸沒式冷卻液(Immersion Cooling liquid)。
如請求項1所述的資料運算中心，其中，還包括一太陽能發電設備，該太陽能發電設備係設置於該設置位置的地面上，該太陽能發電設備係可以接受太陽能而進行發電，以為該管理設備、該運算設備或該供電設備的運行提供電源。
一種密合膜形成用組成物，其特徵為包含： <br/>(A)含有下列通式(1)表示之重複單元、及具有有機磺醯基陰離子結構之重複單元之樹脂，及 <br/>(B)有機溶劑； <br/>提供該有機磺醯基陰離子結構之單體之陰離子係以下式(10-1)~(10-38)中之任一者表示， <br/>該(A)樹脂之重複單元中，該通式(1)表示之重複單元之比率為70mol%以上99.9mol%以下， <br/>該(A)樹脂之重複單元中，該具有有機磺醯基陰離子結構之重複單元之比率為0.1mol%以上30mol%以下； <br/><img align="absmiddle" height="137px" width="413px" file="ed10113.jpg" alt="ed10113.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(1)中，X係單鍵或碳數20以下之芳香環，R<sup>01</sup>係氫原子或甲基，R<sup>02</sup>係氫原子或碳數1~10之一價烷基，R<sup>02</sup>係烷基時，構成其之氫原子亦可取代為羥基； <br/><img align="absmiddle" height="233px" width="371px" file="ed10114.jpg" alt="ed10114.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="245px" width="371px" file="ed10115.jpg" alt="ed10115.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="75px" width="371px" file="ed10116.jpg" alt="ed10116.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="67px" width="400px" file="ed10117.jpg" alt="ed10117.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="266px" width="371px" file="ed10118.jpg" alt="ed10118.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="162px" width="371px" file="ed10119.jpg" alt="ed10119.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="69px" width="264px" file="ed10120.jpg" alt="ed10120.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="67px" width="256px" file="ed10121.jpg" alt="ed10121.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="129px" width="371px" file="ed10122.jpg" alt="ed10122.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="133px" width="378px" file="ed10123.jpg" alt="ed10123.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="158px" width="377px" file="ed10124.jpg" alt="ed10124.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="158px" width="378px" file="ed10125.jpg" alt="ed10125.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="154px" width="378px" file="ed10126.jpg" alt="ed10126.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="63px" width="378px" file="ed10127.jpg" alt="ed10127.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="411px" width="378px" file="ed10128.jpg" alt="ed10128.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="257px" width="378px" file="ed10129.jpg" alt="ed10129.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="171px" width="378px" file="ed10130.jpg" alt="ed10130.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="77px" width="378px" file="ed10131.jpg" alt="ed10131.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="261px" width="252px" file="ed10132.jpg" alt="ed10132.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="192px" width="378px" file="ed10133.jpg" alt="ed10133.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="214px" width="378px" file="ed10134.jpg" alt="ed10134.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="86px" width="378px" file="ed10135.jpg" alt="ed10135.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="93px" width="378px" file="ed10136.jpg" alt="ed10136.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="190px" width="378px" file="ed10137.jpg" alt="ed10137.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="189px" width="378px" file="ed10138.jpg" alt="ed10138.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="267px" width="378px" file="ed10139.jpg" alt="ed10139.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="201px" width="378px" file="ed10140.jpg" alt="ed10140.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="290px" width="378px" file="ed10141.jpg" alt="ed10141.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="220px" width="378px" file="ed10142.jpg" alt="ed10142.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="184px" width="378px" file="ed10143.jpg" alt="ed10143.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="288px" width="378px" file="ed10144.jpg" alt="ed10144.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="206px" width="378px" file="ed10145.jpg" alt="ed10145.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="256px" width="378px" file="ed10146.jpg" alt="ed10146.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="215px" width="378px" file="ed10147.jpg" alt="ed10147.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="212px" width="378px" file="ed10148.jpg" alt="ed10148.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="254px" width="378px" file="ed10149.jpg" alt="ed10149.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="230px" width="378px" file="ed10150.jpg" alt="ed10150.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="207px" width="378px" file="ed10151.jpg" alt="ed10151.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(10-1)~(10-38)中，R<sup>A</sup>各自獨立地為氫原子或甲基，X<sup>BI</sup>各自獨立地為碘原子、溴原子、或氟原子。
如請求項1之密合膜形成用組成物，其中，該(A)樹脂之重量平均分子量為1,000~70,000。
如請求項1之密合膜形成用組成物，其中，該(B)有機溶劑係1種以上之沸點未達150℃之有機溶劑與1種以上之沸點150℃以上且沸點未達220℃之有機溶劑之混合物。
如請求項1之密合膜形成用組成物，更含有選自於(C)熱酸產生劑、(D)界面活性劑、及(E)交聯劑中之1種以上。
一種圖案形成方法，係於被加工基板形成圖案之方法，其特徵在於具有下列步驟： <br/>(I-1)於被加工基板上塗佈如請求項1至4中任一項之密合膜形成用組成物後，進行熱處理，藉此形成密合膜， <br/>(I-2)於該密合膜上使用光阻材料來形成阻劑上層膜， <br/>(I-3)將該阻劑上層膜予以圖案曝光後，以顯影液進行顯影，於該阻劑上層膜形成電路圖案， <br/>(I-4)將該形成了電路圖案之阻劑上層膜作為遮罩，以乾蝕刻將圖案轉印於該密合膜，及 <br/>(I-5)將該形成了圖案之阻劑上層膜及/或密合膜作為遮罩，加工該被加工基板而於該被加工基板形成圖案。
一種圖案形成方法，係於被加工基板形成圖案之方法，其特徵在於具有下列步驟： <br/>(II-1)於被加工基板上形成阻劑下層膜， <br/>(II-2)於該阻劑下層膜上形成含矽阻劑中間膜， <br/>(II-3)於該含矽阻劑中間膜上塗佈如請求項1至4中任一項之密合膜形成用組成物後，進行熱處理，藉此形成密合膜， <br/>(II-4)於該密合膜上使用光阻材料來形成阻劑上層膜， <br/>(II-5)將該阻劑上層膜予以圖案曝光後，以顯影液進行顯影，於該阻劑上層膜形成電路圖案， <br/>(II-6)將該形成了電路圖案之阻劑上層膜作為遮罩，以乾蝕刻將圖案轉印於該密合膜， <br/>(II-7)將該形成了圖案之阻劑上層膜及/或密合膜作為遮罩，以乾蝕刻將圖案轉印於該含矽阻劑中間膜， <br/>(II-8)將該轉印了圖案之含矽阻劑中間膜作為遮罩，以乾蝕刻將圖案轉印於該阻劑下層膜，及 <br/>(II-9)將該轉印了圖案之阻劑下層膜作為遮罩，加工該被加工基板而於該被加工基板形成圖案。
一種圖案形成方法，係於被加工基板形成圖案之方法，其特徵在於具有下列步驟： <br/>(III-1)於被加工基板上形成阻劑下層膜， <br/>(III-2)於該阻劑下層膜上形成選自於矽氧化膜、矽氮化膜、及矽氧化氮化膜中之無機硬遮罩中間膜， <br/>(III-3)於該無機硬遮罩中間膜上塗佈如請求項1至4中任一項之密合膜形成用組成物後，進行熱處理，藉此形成密合膜， <br/>(III-4)於該密合膜上使用光阻材料來形成阻劑上層膜， <br/>(III-5)將該阻劑上層膜予以圖案曝光後，以顯影液進行顯影，於該阻劑上層膜形成電路圖案， <br/>(III-6)將該形成了電路圖案之阻劑上層膜作為遮罩，以乾蝕刻將圖案轉印於該密合膜， <br/>(III-7)將該形成了圖案之阻劑上層膜及/或密合膜作為遮罩，以乾蝕刻將圖案轉印於該無機硬遮罩中間膜上， <br/>(III-8)將該轉印了圖案之無機硬遮罩中間膜作為遮罩，以乾蝕刻將圖案轉印於該阻劑下層膜，及 <br/>(III-9)將該轉印了圖案之阻劑下層膜作為遮罩，加工該被加工基板而於該被加工基板形成圖案。
如請求項7之圖案形成方法，其中，該無機硬遮罩中間膜係藉由CVD法或ALD法形成。
如請求項5之圖案形成方法，其中，於該阻劑上層膜形成電路圖案之方法係使用波長為10nm以上300nm以下之光微影、電子束所為之直接描繪、奈米壓印、或它們之組合。
如請求項5之圖案形成方法，其中，該光阻材料係使用至少含有有機金屬化合物及溶劑者。
如請求項5之圖案形成方法，其中，顯影方法係使用鹼顯影或利用有機溶劑所為之顯影。
如請求項5之圖案形成方法，其中，該被加工基板係使用半導體裝置基板、或於該半導體裝置基板上成膜了金屬膜、金屬碳化膜、金屬氧化膜、金屬氮化膜、金屬氧化碳化膜、及金屬氧化氮化膜中之任意者之基板。
如請求項12之圖案形成方法，其中，該金屬係使用矽、鈦、鎢、鉿、鋯、鉻、鍺、銅、銀、金、鋁、銦、鎵、砷、鈀、鐵、鉭、銥、鈷、錳、鉬、或該等之合金。
一種密合膜之形成方法，係半導體裝置之製造步驟中使用之密合膜之形成方法，其特徵在於： <br/>於被加工基板上旋轉塗佈如請求項1至4中任一項之密合膜形成用組成物，將該塗佈了密合膜形成用組成物之基板於100℃以上300℃以下之溫度、10~600秒之範圍進行熱處理，藉此形成密合膜。
一種密合膜之形成方法，係半導體裝置之製造步驟中使用之密合膜之形成方法，其特徵在於： <br/>於被加工基板上旋轉塗佈如請求項1至4中任一項之密合膜形成用組成物，將該塗佈了密合膜形成用組成物之基板以氧濃度0.1%以上21%以下之環境氣體進行熱處理，藉此形成密合膜。
一種密合膜之形成方法，係半導體裝置之製造步驟中使用之密合膜之形成方法，其特徵在於： <br/>於被加工基板上旋轉塗佈如請求項1至4中任一項之密合膜形成用組成物，將該塗佈了密合膜形成用組成物之基板以氧濃度0.0001%以上且未達0.1%之環境氣體進行熱處理，藉此形成密合膜。
一種拼接顯示裝置，包括： <br/>至少兩個顯示面板，沿著至少一方向相互拼接，且各自具有用於拼接的一第一拼接邊緣，該至少兩個顯示面板各自設有一非自發光顯示區和一自發光顯示區，該自發光顯示區自該第一拼接邊緣延伸至該非自發光顯示區，該至少兩個顯示面板各自包括： <br/> 一顯示介質層，設置在該非自發光顯示區內；以及 <br/> 多個發光元件，設置在該自發光顯示區內；以及 <br/>至少一攝像單元，設置在該至少兩個顯示面板的多個該自發光顯示區內。
如請求項1所述的拼接顯示裝置，其中該至少兩個顯示面板各自還包括一遮光層，設置在該非自發光顯示區與該自發光顯示區內，該自發光顯示區包括一第一子顯示區與一第二子顯示區，該第二子顯示區位於該第一子顯示區與該第一拼接邊緣之間，且該遮光層在該第一子顯示區內的一第一開口率不同於該遮光層在該第二子顯示區內的一第二開口率。
如請求項2所述的拼接顯示裝置，其中該至少一攝像單元至少重疊於該至少兩個顯示面板的一者的該第二子顯示區，且不重疊於該至少兩個顯示面板各自的該第一子顯示區。
如請求項2所述的拼接顯示裝置，其中該至少一攝像單元重疊於該至少兩個顯示面板的至少一者的部分該些發光元件。
如請求項2所述的拼接顯示裝置，其中該至少兩個顯示面板各自還包括： <br/>多個閘極驅動電路，設置在該第一子顯示區內，且不重疊於該至少兩個顯示面板各自的該第二子顯示區。
如請求項5所述的拼接顯示裝置，其中該至少兩個顯示面板各自還包括： <br/>多個畫素結構，設置在該非自發光顯示區內，且用於驅動該顯示介質層，其中該些閘極驅動電路包括： <br/>多個第一閘極驅動電路，電性耦接該些畫素結構；以及 <br/>多個第二閘極驅動電路，電性耦接該些發光元件。
如請求項2所述的拼接顯示裝置，其中該遮光層的該第一開口率小於該第二開口率。
如請求項2所述的拼接顯示裝置，其中該遮光層具有位於該自發光顯示區內的多個第一開口與多個第二開口，該些第一開口分別重疊於該些發光元件，該些第二開口重疊於該至少一攝像單元的一者，且該些第一開口與該些第二開口彼此間隔開來。
如請求項1所述的拼接顯示裝置，其中該至少兩個顯示面板各自還具有用於拼接的一第二拼接邊緣，該第二拼接邊緣連接且相交於該第一拼接邊緣，該至少兩個顯示面板各自還包括一遮光層，設置在該非自發光顯示區與該自發光顯示區內，該自發光顯示區還自該第二拼接邊緣延伸至該非自發光顯示區，該自發光顯示區包括一第一子顯示區與一第二子顯示區，該第一子顯示區位在該第一拼接邊緣與該第二拼接邊緣各自與該非自發光顯示區之間，該第二子顯示區位在該非自發光顯示區與該第二拼接邊緣之間，且該遮光層在該第一子顯示區內的一第一開口率不同於該遮光層在該第二子顯示區內的一第二開口率。
如請求項9所述的拼接顯示裝置，其中該至少一攝像單元至少重疊於該至少兩個顯示面板的一者的該第二子顯示區，且不重疊於該至少兩個顯示面板各自的該第一子顯示區。
如請求項9所述的拼接顯示裝置，其中該至少兩個顯示面板各自還包括： <br/>多個閘極驅動電路，設置在該第一子顯示區內，且不重疊於該至少兩個顯示面板各自的該第二子顯示區。
如請求項11所述的拼接顯示裝置，其中該至少兩個顯示面板各自還包括： <br/>多個畫素結構，設置在該非自發光顯示區內，且用於驅動該顯示介質層，其中該些閘極驅動電路包括： <br/>多個第一閘極驅動電路，電性耦接該些畫素結構；以及 <br/>多個第二閘極驅動電路，電性耦接該些發光元件。
如請求項9所述的拼接顯示裝置，其中該遮光層的該第一開口率小於該第二開口率。
如請求項1所述的拼接顯示裝置，其中該顯示介質層包括液晶層。
如請求項1所述的拼接顯示裝置，其中該至少一攝像單元重疊於該至少兩個顯示面板的相鄰兩者的拼接處。
如請求項15所述的拼接顯示裝置，其中該至少一攝像單元為多個攝像單元。
如請求項1所述的拼接顯示裝置，其中各該至少一攝像單元鄰近該至少兩個顯示面板的相鄰兩者的拼接處，且完全位於該至少兩個顯示面板的該相鄰兩者的其中一者的該自發光顯示區內。
如請求項1所述的拼接顯示裝置，其中該至少兩個顯示面板各自還包括： <br/>一第一偏光片，設置在該顯示介質層的一側，且重疊於該非自發光顯示區與該自發光顯示區，其中該顯示介質層位在該第一偏光片與該些發光元件之間。
如請求項18所述的拼接顯示裝置，其中該至少兩個顯示面板各自還包括： <br/>一第二偏光片，設置在該顯示介質層的另一側，且重疊於該非自發光顯示區，其中該些發光元件位在該第二偏光片與該顯示介質層之間。
如請求項19所述的拼接顯示裝置，其中該自發光顯示區包括一第一子顯示區與一第二子顯示區，該第二子顯示區位於該第一子顯示區與該第一拼接邊緣之間，該至少一攝像單元至少重疊於該至少兩個顯示面板的一者的該第二子顯示區，且不重疊於該至少兩個顯示面板各自的該第一子顯示區，該第二偏光片重疊於該第一子顯示區，且不重疊於該第二子顯示區。
一種基於BIOS的自動上鎖／解鎖方法，係由一電子裝置透過一網路與一伺服器連結，已預設並儲存有一失聯條件資訊，該方法係由該電子裝置執行以下步驟：<br/> 取得一網路日期時間資訊及一使用狀態資訊；<br/> 根據該使用狀態資訊，生成一異常狀態資訊；<br/> 判斷該使用狀態資訊及該異常狀態資訊是否符合該失聯條件資訊；<br/> 若是，則執行一多重鎖定程序；<br/> 若否，則執行一解除鎖定程序；<br/> 其中該使用狀態資訊包括一連結旗標(Connected Flag)狀態資訊或一鎖定旗標(Locked Flag)狀態資訊；<br/> 其中在BIOS的準備啟動階段，將該異常狀態資訊、一BIOS備份時間、該使用狀態資訊設為一唯讀UEFI變數；<br/> 其中於一儲存區(Storage)的一安全區域，取得前次BIOS日期時間，以檢查當前BIOS日期時間，若該當前BIOS日期時間小於或等於該前次BIOS日期時間，則該電子裝置將鎖定。
如請求項1所述之基於BIOS的自動上鎖／解鎖方法，其中該失聯條件資訊包括一計數(Times)資訊或一計時(Days/Minutes)資訊。
如請求項1或2所述之基於BIOS的自動上鎖／解鎖方法，其中該異常狀態資訊包括一計數(Times)模式資訊或一計時(Days/Minutes)模式資訊。
如請求項1所述之基於BIOS的自動上鎖／解鎖方法，其中該多重鎖定程序包括一計數(Times)模式的關閉／禁用鎖定程序、一計數(Times)模式的清除鎖定程序、一計時(Days/Minutes)模式的關閉／禁用鎖定程序、一計時(Days/Minutes)模式的清除鎖定程序或一使用者介面鎖定(Lock UI)程序。
如請求項1所述之基於BIOS的自動上鎖／解鎖方法，當前述步驟執行至「取得一網路日期時間(Internet Date Time)資訊及一使用狀態資訊」，該方法進一步執行以下子步驟：<br/> 接收一當前的網路日期時間(Internet Date Time)資訊；<br/> 判斷是否已上鎖、判斷是否已連線，根據結果接續執行前述「根據該使用狀態資訊，生成一異常狀態資訊」步驟。
如請求項1所述之基於BIOS的自動上鎖／解鎖方法，進一步提供一計數(Times)模式，該計數(Times)模式包括一關閉／禁用鎖定之應用程序、一清除鎖定之應用程序或一UI鎖定(Lock UI)之應用程序。
如請求項1所述之基於BIOS的自動上鎖／解鎖方法，進一步提供一計時(Days/Minutes)模式，該計時(Days/Minutes)模式包括一關閉／禁用鎖定之應用程序、一清除鎖定之應用程序或一UI鎖定(Lock UI)之應用程序。
如請求項1所述之基於BIOS的自動上鎖／解鎖方法，當前述步驟執行至「根據該使用狀態資訊，生成一異常狀態資訊」，該方法進一步包括：<br/> 執行一計數(Times)模式之前處理程序，清除或累積該異常狀態資訊。
如請求項1所述之基於BIOS的自動上鎖／解鎖方法，當前述步驟執行至「判斷該使用狀態資訊及該異常狀態資訊是否符合該失聯條件資訊，若是，則執行一多重鎖定程序」，該方法進一步執行一計數(Times)模式的關閉／禁用鎖定之子步驟：<br/> 若該電子裝置未上鎖，則判斷該異常狀態資訊的計數(Times)模式資訊是否大於預設的一失聯次數N(Times)；<br/> 若是，設為上鎖狀態；<br/> 供使用者輸入一密碼；<br/> 若該密碼輸入錯誤，判斷是否執行一系統關機鎖定程序；<br/> 若該密碼輸入正確，則執行該解除鎖定程序。
如請求項9所述之基於BIOS的自動上鎖／解鎖方法，當前述步驟執行至「若該電子裝置未上鎖，則判斷該異常狀態資訊的計數(Times)模式資訊是否大於預設的一失聯次數N(Times)」，該方法更包括以下步驟：<br/> 若是，則清除該電子裝置的該儲存區(Storage)的所有資料。
如請求項1所述之基於BIOS的自動上鎖／解鎖方法，當前述步驟執行至「根據該使用狀態資訊，生成一異常狀態資訊」，該方法進一步包括：<br/> 執行一計時(Days/Minutes)模式之前處理程序，判斷時間是否出現異常，若否，則進行更新。
如請求項1所述之基於BIOS的自動上鎖／解鎖方法，當前述步驟執行至「判斷該使用狀態資訊及該異常狀態資訊是否符合該失聯條件資訊，若是，則執行一多重鎖定程序」，該方法進一步執行一計時(Days/Minutes)模式的關閉／禁用鎖定之子步驟：<br/> 若該電子裝置未上鎖，判斷該異常狀態資訊的計時(Days/Minutes)模式資訊是否異常；<br/> 若是，設為上鎖狀態；<br/> 供使用者輸入一密碼；<br/> 若該密碼輸入錯誤，判斷是否執行一系統關機鎖定程序；<br/> 若該密碼輸入正確，則執行該解除鎖定程序。
如請求項12所述之基於BIOS的自動上鎖／解鎖方法，前述「判斷該異常狀態資訊的計時(Days/Minutes)模式資訊是否異常」步驟進一步包括：<br/> 根據一時差，係大於一預設天數資訊。
如請求項12所述之基於BIOS的自動上鎖／解鎖方法，前述「判斷該異常狀態資訊的計時(Days/Minutes)模式資訊是否異常」步驟進一步包括：<br/> 根據一時差，係大於一預設分鐘／小時資訊。
如請求項13或14所述之基於BIOS的自動上鎖／解鎖方法，當前述步驟執行至「判斷該異常狀態資訊的計時(Days/Minutes)模式資訊是否異常」，該方法更包括以下步驟：<br/> 若是，則清除該電子裝置的一儲存區(Storage)的所有資料。
如請求項9或12所述之基於BIOS的自動上鎖／解鎖方法，當前述步驟執行至「供使用者輸入一密碼」，該方法更包括以下步驟：<br/> 產生一具有鎖定UI的二維碼(QR Code)；<br/> 輸入作為該密碼的一識別碼(Pin Code)。
如請求項1所述之基於BIOS的自動上鎖／解鎖方法，其中該使用狀態資訊進一步包括一隨機數因子(Nonce Factor)資訊，將該隨機數因子(Nonce Factor)資訊加入該連結旗標(Connected Flag)狀態資訊及該鎖定旗標(Locked Flag)狀態資訊。
如請求項1所述之基於BIOS的自動上鎖／解鎖方法，其中該電子裝置具有一設備唯一碼(Device Unique UUID)。
一種電腦程式產品，係安裝於一用戶端的電腦裝置，並執行如請求項1所述之基於BIOS的自動上鎖／解鎖方法。
一種照明吊燈之檢測方法，適於檢測一照明吊燈之升降模組，該升降模組包括一馬達，以及連接該馬達的一減速機構，該照明吊燈之檢測方法，包括以下步驟：<br/>輸入一第一電壓值至該升降模組，並以一加速度法量測該馬達，以產生一第一實驗數據組，接著，再輸入一第二電壓值至該升降模組，並以該加速度法量測該馬達，以產生一第二實驗數據組，該第一實驗數據組包括一第一電流值、一第一轉速值及一第一位置值，該第二實驗數據組包括一第二電流值、一第二轉速值及一第二位置值；<br/>以一最小平方法分析該第一實驗數據組及該第二實驗數據組，以取得該升降模組之馬達的一馬達參數組，該馬達參數組包括一等效反電動勢常數、一等效轉矩常數、一等效黏滯係數、一等效摩擦力、一電阻值、一等效轉子慣量及一電感值；<br/>將該馬達參數組作為一粒子群最佳化演算法的初始參數並進行運算，以輸出該馬達參數組的最佳解；<br/>對數個升降模組之該馬達參數組的最佳解各別計算平均值及標準差，以建構出該馬達參數組的一參數合理區間；以及<br/>若一待測升降模組之該馬達參數組的最佳解中的至少一者未落於相對應的參數合理區間，則將該待測升降模組判斷為不良品，若該待測升降模組之該馬達參數組的最佳解皆落於相對應的參數合理區間，則將該待測升降模組判斷為良品。
如請求項1所述之照明吊燈之檢測方法，其中， 該粒子群最佳化演算法的初始參數還包括一認知常數、一社會常數及一慣性權重。
如請求項2所述之照明吊燈之檢測方法，其中， 該認知常數及該社會常數皆介於0.5～2.5。
如請求項2所述之照明吊燈之檢測方法，其中，該慣性權重的調整係透過下列方程式：<img align="absmiddle" height="13px" width="120px" file="ed10064.jpg" alt="ed10064.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中，<img align="absmiddle" height="9px" width="17px" file="ed10065.jpg" alt="ed10065.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>：較大的慣性權重；<img align="absmiddle" height="9px" width="16px" file="ed10066.jpg" alt="ed10066.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>：較小的慣性權重；<img align="absmiddle" height="9px" width="17px" file="ed10067.jpg" alt="ed10067.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>：疊代總次數；<img align="absmiddle" height="9px" width="4px" file="ed10068.jpg" alt="ed10068.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>：疊代次數。
如請求項2所述之照明吊燈之檢測方法，其中， 該粒子群最佳化演算法的初始參數還包括一收縮因子，該收縮因子的調整係透過下列方程式：<img align="absmiddle" height="15px" width="57px" file="ed10069.jpg" alt="ed10069.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中，<img align="absmiddle" height="9px" width="5px" file="ed10070.jpg" alt="ed10070.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>=<img align="absmiddle" height="9px" width="6px" file="ed10071.jpg" alt="ed10071.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>+<img align="absmiddle" height="9px" width="7px" file="ed10072.jpg" alt="ed10072.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，且<img align="absmiddle" height="9px" width="5px" file="ed10070.jpg" alt="ed10070.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>＞ 4；<img align="absmiddle" height="9px" width="6px" file="ed10071.jpg" alt="ed10071.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>：表示為認知常數；<img align="absmiddle" height="9px" width="7px" file="ed10072.jpg" alt="ed10072.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>：表示為社會常數。
如請求項1所述之照明吊燈之檢測方法，其中，將該等效轉矩常數設定為該等效反電動勢常數。
如請求項1所述之照明吊燈之檢測方法，其中，以該電阻值及一馬達繞組中電流達到額定值63.2%所需的一電氣時間常數來估測出該電感值。
一種焊接品質檢測方法，其改良在於，所述方法包括：<br/> 獲取目標工件的焊前圖像與焊後圖像，所述焊後圖像具有複數焊點；<br/> 基於所述焊前圖像確定焊接基準參考圖，所述焊接基準參考圖攜帶焊接基準資訊；所述焊接基準資訊包括焊接基準輪廓中心；<br/> 基於所述焊後圖像分析每個所述焊點的焊接資訊；所述焊接資訊包括所述焊點的焊接中心位置；<br/> 基於所述焊點的焊接資訊及所述焊接基準資訊，確定所述焊點的焊接品質；<br/> 所述基於所述焊點的焊接資訊及所述焊接基準資訊，確定所述焊點的焊接品質的步驟包括：<br/> 基於所有的所述焊點的焊接中心位置與預設聚類演算法，將所有所述焊點劃分為至少兩類聚類焊點；<br/> 對每類所述聚類焊點中的所有所述焊點的焊接中心位置與焊接基準輪廓中心間的距離按大小進行排序；<br/> 根據自小到大方式選取預設數量的所述焊點確定為內圈焊點；<br/> 根據內圈焊點來確定焊點的焊接品質是否合格。
如請求項1所述的方法，其中，所述基於所述焊前圖像確定焊接基準參考圖的步驟包括：<br/> 將所述焊前圖像輸入語義分割模型，得到所述焊前圖像對應的焊接基準區域；<br/> 基於所述焊前圖像對應的焊接基準區域，生成所述焊接基準參考圖。
如請求項2所述的方法，其中，所述基於所述焊前圖像對應的焊接基準區域，生成所述焊接基準參考圖的步驟包括：<br/> 基於所述焊前圖像對應的焊接基準區域，將所述焊接基準區域擬合形成所述焊接基準參考圖；<br/> 基於所述焊接基準參考圖，確定焊接基準輪廓、焊接基準輪廓中心與焊接基準半徑；<br/> 將所述焊接基準輪廓、所述焊接基準輪廓中心與所述焊接基準半徑確定為所述焊接基準資訊。
如請求項3所述的方法，其中，所述基於所述焊後圖像分析每個所述焊點的焊接資訊的步驟包括：<br/> 基於所述焊後圖像確定每個所述焊點的特徵點座標；<br/> 基於所述焊點特徵點座標計算所述焊點的焊接中心位置與焊點寬度；<br/> 將所述焊點的焊接中心位置與所述焊點寬度確定為所述焊點的焊接資訊。
如請求項4所述的方法，其中，所述基於所述焊點的焊接資訊及所述焊接基準資訊，確定所述焊點的焊接品質的步驟包括：<br/> 基於所述焊點的焊接中心位置、所述焊接基準輪廓中心以及所述焊接基準半徑，確定所述焊點的偏離距離；<br/> 基於複數所述焊點的焊點寬度，確定所述焊點的焊點平均寬度；<br/> 基於所述焊點的偏離距離與所述焊點的焊點平均寬度，確定所述焊點的偏離程度；<br/> 基於所述焊點的偏離程度與預設標準偏離閾值，確定所述焊點的焊接品質是否合格。
如請求項5所述的方法，其中，所述方法還包括：<br/> 基於所述焊點為所述內圈焊點，執行步驟“基於所述焊點的偏離距離與所述焊點平均寬度，確定所述焊點的偏離程度”。
如請求項4所述的方法，其中，所述基於所述焊後圖像確定每個所述焊點的特徵點座標包括：<br/> 基於所述焊後圖像與所述焊接基準參考圖，形成焊接組合圖；<br/> 將所述焊接組合圖輸入預設焊接檢測模型，得到焊接檢測結果，所述焊接檢測結果包括每個所述焊點的方形畫素框，每個所述焊點的方形畫素框攜帶四個頂點座標；<br/> 基於每個所述焊點的方形畫素框的四個頂點座標，選取至少兩個對角的頂點確定為所述焊點的特徵點座標。
如請求項7所述的方法，其中，所述焊接檢測結果還包括每個所述焊點的虛焊置信度；<br/> 所述基於所述焊點的偏離程度與預設標準偏離閾值，確定所述焊點的焊接品質是否合格的步驟包括：<br/> 基於所述焊點的偏離程度與預設標準偏離閾值，確定所述焊點的偏離程度符合預設標準偏離閾值；<br/> 基於所述焊點的偏離程度符合預設標準偏離閾值、對應的所述焊點的虛焊置信度，確定所述焊點的焊接品質是否合格。
如請求項8所述的方法，其中，還包括：<br/> 統計焊接品質不合格的所述焊點的數量；<br/> 判斷焊接品質不合格的所述焊點的數量是否不大於預設不合格數量；<br/> 基於焊接品質不合格的所述焊點的數量不大於所述預設不合格數量，確定所述目標工件的焊接品質合格。
如請求項9所述的方法，其中，所述基於焊接品質不合格的所述焊點的數量不大於所述預設不合格數量，確定所述目標工件的焊接品質合格的步驟包括：<br/> 若焊接品質不合格的所述焊點的數量不大於所述預設不合格數量，基於所有焊接品質不合格的所述焊點及所述焊點的焊接中心位置，確定焊接品質不合格的所述焊點是否為相鄰焊點；<br/> 基於焊接品質不合格的所述焊點為相鄰焊點，判斷相鄰焊接品質不合格的所述焊點的數量是否不大於預設相鄰不合格數量；其中，所述預設不合格數量大於所述預設相鄰不合格數量；<br/> 基於相鄰焊接品質不合格的所述焊點的數量不大於預設相鄰不合格數量，確定所述目標工件的焊接品質合格。
如請求項7所述的方法，其中，所述焊接檢測結果還包括所述焊點的數量，所述方法還包括：<br/> 判斷所述焊點的數量是否小於標準數量；<br/> 基於所述焊點的數量小於標準數量，確定所述目標工件漏焊。
一種焊接品質檢測裝置，其改良在於，包括用於存儲電腦程式指令的記憶體與用於執行程式指令的處理器，其中，當該電腦程式指令被所述處理器執行時，使所述焊接品質檢測裝置執行如請求項1至11中任意一項所述的方法。
一種電腦可讀存儲介質，其改良在於，所述電腦可讀存儲介質包括存儲的程式，其中，於所述程式運行時控制所述電腦可讀存儲介質所在設備執行如請求項1至11中任意一項所述的方法。
一種延伸性創傷超音波智慧檢測方法，其包含以下步驟：<br/> 通過一超音波檢測裝置檢測一待測者的胸腹部，取得一胸腹部超音波影像，儲存於一記憶裝置；<br/> 通過一處理裝置存取該記憶裝置，對該胸腹部超音波影像執行一影像取樣程序，取得沿著時間序列排列的複數個單幀超音波影像；<br/> 通過該處理裝置執行一影像前處理程序，將該複數個單幀超音波影像轉換為複數個超音波輸入影像；<br/> 通過該處理裝置執行一影像辨識程序，將該複數個超音波輸入影像輸入一超音波影像辨識模型，判斷該複數個超音波輸入影像當中是否包含一異常狀況，若是，接續後續步驟；若否，判斷影像無異常；<br/> 通過該處理裝置執行一異常確認程序，取得包含該異常狀況的一異常超音波影像，確認該異常超音波影像的時間序列後的複數幀超音波影像是否包含相同異常狀況，若是，接續後續步驟；若否，判斷影像無異常；<br/> 通過該處理裝置執行一臟器對比程序，確認該異常超音波影像對應的一臟器位置，取得一檢測結果。
如請求項1所述之延伸性創傷超音波智慧檢測方法，其中該異常狀況包含影像中出現積液、空氣或血液的狀況，該臟器位置包含心臟、肺臟、胸腔或腹腔，該檢測結果包含心包積液、氣胸、血胸或腹腔內積血。
如請求項1所述之延伸性創傷超音波智慧檢測方法，其中該異常確認程序確認該異常超音波影像在時間序列後的連續10幀影像是否包含相同異常狀況。
如請求項1所述之延伸性創傷超音波智慧檢測方法，其中該超音波影像辨識模型的建立係通過收集複數個歷史超音波影像，對該複數個歷史超音波影像進行標註劃分後，採用YOLOv9模型進行訓練。
如請求項1所述之延伸性創傷超音波智慧檢測方法，其中該影像前處理程序包含影像的灰階處理、模糊影像補正及去除雜訊。
一種延伸性創傷超音波智慧檢測系統，其包含：<br/> 一超音波檢測裝置，係朝向一待測者的胸腹部，取得一胸腹部超音波影像；<br/> 一記憶裝置，係連接於該超音波檢測裝置，接收並儲存該胸腹部超音波影像；<br/> 一處理裝置，係連接於該記憶裝置，通過複數個控制指令執行以下程序：<br/> 一影像取樣程序，存取該記憶裝置的該胸腹部超音波影像，取得沿著時間序列排列的複數個單幀超音波影像；<br/> 一影像前處理程序，將該複數個單幀超音波影像轉換為複數個超音波輸入影像；<br/> 一影像辨識程序，將該複數個超音波輸入影像輸入一超音波影像辨識模型，判斷該複數個超音波輸入影像當中是否包含一異常狀況；<br/> 一異常確認程序，取得包含該異常狀況的一異常超音波影像，確認該異常超音波影像的時間序列後的複數幀超音波影像是否包含相同異常狀況；以及<br/> 一臟器對比程序，確認該異常超音波影像對應的一臟器位置，取得一檢測結果。
如請求項6所述之延伸性創傷超音波智慧檢測系統，其中該異常狀況包含影像中出現積液、空氣或血液的狀況，該臟器位置包含心臟、肺臟、胸腔或腹腔，該檢測結果包含心包積液、氣胸、血胸或腹腔內積血。
如請求項6所述之延伸性創傷超音波智慧檢測系統，其中該異常確認程序確認該異常超音波影像在時間序列後的連續10幀影像是否包含相同異常狀況。
如請求項6所述之延伸性創傷超音波智慧檢測系統，其中該超音波影像辨識模型的建立係通過收集複數個歷史超音波影像，對該複數個歷史超音波影像進行標註劃分後，採用YOLOv9模型進行訓練。
如請求項6所述之延伸性創傷超音波智慧檢測系統，其中該影像前處理程序包含影像的灰階處理、模糊影像補正及去除雜訊。
一種發光裝置，包含： <br/> 第一像素，包含第一顯示元件、第一顏色轉換層以及第一吸收層； <br/> 第二像素，包含第二顯示元件、第二顏色轉換層以及第二吸收層；以及 <br/> 第三像素，包含第三顯示元件； <br/> 其中該第一吸收層和該第一顯示元件彼此重疊，該第一顏色轉換層夾在該第一吸收層和該第一顯示元件之間， <br/> 其中該第二吸收層和該第二顯示元件彼此重疊，該第二顏色轉換層夾在該第二吸收層和該第二顯示元件之間， <br/> 其中該第一顯示元件、該第二顯示元件及該第三顯示元件的每個包含堆疊的層， <br/> 其中該堆疊的層包含：第一發光層，其包含發射藍色光的螢光物質；以及第二發光層，其包含螢光物質以外的材料， <br/> 其中該第一顏色轉換層包含將藍色光轉換成綠色光的第一量子點， <br/> 其中該第二顏色轉換層包含將藍色光轉換成紅色光的第二量子點， <br/> 其中該第三像素發射從該第三顯示元件發射的藍色光， <br/> 其中該第一吸收層吸收藍色光、包括在外光中的藍色光和包括在外光中的紅色光，以及 <br/> 其中該第二吸收層吸收藍色光和綠色光。
如請求項1所述的發光裝置，其中在該第二發光層中的該材料發射綠色光。
一種發光裝置，包含： <br/> 第一像素，包含第一顯示元件、第一顏色轉換層以及第一吸收層； <br/> 第二像素，包含第二顯示元件、第二顏色轉換層以及第二吸收層；以及 <br/> 第三像素，包含第三顯示元件； <br/> 其中該第一吸收層和該第一顯示元件彼此重疊，該第一顏色轉換層夾在該第一吸收層和該第一顯示元件之間， <br/> 其中該第二吸收層和該第二顯示元件彼此重疊，該第二顏色轉換層夾在該第二吸收層和該第二顯示元件之間， <br/> 其中該第一顯示元件、該第二顯示元件及該第三顯示元件的每個包含第一發光單元、第二發光單元以及在該第一發光單元和該第二發光單元之間的中間層， <br/> 其中該第一發光單元包含發射藍色光的材料， <br/> 其中該第二發光單元包含發射藍色光的該材料， <br/> 其中該第一顏色轉換層包含將藍色光轉換成綠色光的第一量子點， <br/> 其中該第二顏色轉換層包含將藍色光轉換成紅色光的第二量子點， <br/> 其中該第三像素發射從該第三顯示元件發射的藍色光， <br/> 其中該第一吸收層吸收藍色光和紅色光，以及 <br/> 其中該第二吸收層吸收藍色光和綠色光。
如請求項1或3所述的發光裝置， <br/> 其中該第一量子點具有幾奈米的直徑，以及 <br/> 其中該第二量子點具有幾奈米的直徑。
如請求項1或3所述的發光裝置，其中該第一吸收層吸收包括在外光中的藍色光和包括在外光中的紅色光。
如請求項1或3所述的發光裝置，其中該第二吸收層吸收包括在外光中的藍色光和包括在外光中的綠色光。
如請求項1或3所述的發光裝置，更包含遮光膜，其具有與該第一像素重疊的開口。
如請求項1或3所述的發光裝置，更包含在該第一吸收層和該第二吸收層之上的基材。
如請求項1或3所述的發光裝置，更包含在該第一吸收層和該第二吸收層之上的膜， <br/> 其中該膜的反射率為0.5%以下。
一種內視鏡清潔套管結構，包含：<br/> 一握持件；<br/> 一鏡筒單元，設置於所述握持件前端，所述鏡筒單元包括一外筒件以及一內筒件，所述內筒件設置於所述外筒件內部；<br/> 一導氣單元，配置於所述鏡筒單元並沿所述鏡筒單元延伸，所述導氣單元包括四個氣道、至少一噴氣口以及至少一入氣口，其中，所述氣道彼此間隔設置於所述外筒件與所述內筒件間，各氣道分別具有一上弧彎段、一下弧彎段及連接該上弧彎段及該下弧彎段的二側弧彎段，所述噴氣口設置於所述鏡筒單元的前方，所述入氣口鄰近所述鏡筒單元的後方設置；以及<br/> 一氣閥單元，設置於所述握持件處，並與所述導氣單元的所述入氣口連通，用以外接一氣體供應源，並控制氣體經由所述氣道由所述噴氣口吹出，以清除所述鏡筒單元前方的附著物。
如請求項1所述之內視鏡清潔套管結構，其中，所述鏡筒單元包括數個分隔壁件，所述分隔壁件延伸設置於所述外筒件與所述內筒件之間，並圍繞界定出所述氣道。
如請求項1所述之內視鏡清潔套管結構，其中，所述噴氣口的出氣方向朝向所述內筒件前端的中央區域。
如請求項1所述之內視鏡清潔套管結構，其中，所述外筒件的內徑實質上為3.3mm至3.7mm， 所述內筒件外徑實質上為2.0mm至2.4mm，所述氣道實質上為1.1mm至1.5mm。
如請求項4所述之內視鏡清潔套管結構，其中，所述外筒件的內徑實質上為3.5mm， 所述內筒件外徑實質上為2.2mm，所述氣道實質上為1.3mm。
如請求項1所述之內視鏡清潔套管結構，其中，所述氣體為壓縮空氣或二氧化碳。
如請求項1所述之內視鏡清潔套管結構，其中，所述氣閥單元包括一可開關式控制閥，供使用者選擇性控制氣體吹送與否。
如請求項1所述之內視鏡清潔套管結構，其中，所述氣閥單元包括一魯爾接頭，用以外接所述氣體供應源。
如請求項1所述之內視鏡清潔套管結構，其中，所述握持件包括一中空區域，氣體由所述氣閥單元進入所述中空區域，再由所述入氣口導入所述導氣單元。
一種使用內視鏡清潔套管結構清潔內視鏡鏡頭的方法，包含以下步驟：<br/> 步驟A：提供一內視鏡清潔套管結構，該套管結構包含一握持件、一鏡筒單元、一導氣單元以及一氣閥單元，所述鏡筒單元包括一外筒件與設置於其內部的一內筒件，所述導氣單元包括四個氣道、至少一噴氣口及至少一入氣口，各氣道分別間隔設置於所述外筒件與所述內筒件之間，各氣道分別具有一上弧彎段、一下弧彎段及連接該上弧彎段及該下弧彎段的二側弧彎段；<br/> 步驟B：將所述鏡筒單元插入患者體內手術腔體中，使所述內筒件前端對準目標組織區域；以及<br/> 步驟C：操作所述氣閥單元，導入氣體使其經由所述氣道輸送至所述噴氣口，藉由噴氣口朝向內筒件前端中央區域吹送氣體，清除鏡頭前方的附著物。
如請求項10所述之使用內視鏡清潔套管結構清潔內視鏡鏡頭的方法，其中，氣體為壓縮空氣或二氧化碳，並以單一方向從所述入氣口輸入、由所述噴氣口排出。
一種超音波耦合材複合膜，其是插入超音波探頭表面與皮膚之間的超音波耦合材複合膜，其特徵為包含：由含有水的凝膠構成的凝膠耦合材膜；及含有交聯性的聚矽氧樹脂、和不具有交聯點的聚矽氧油的聚矽氧耦合材膜。
如請求項1之超音波耦合材複合膜，其中，該凝膠耦合材膜具有黏著性。
如請求項1之超音波耦合材複合膜，其中， <br/>該聚矽氧耦合材膜由加成硬化型聚矽氧耦合材組成物的硬化物構成，該加成硬化型聚矽氧耦合材組成物含有：(A)成分的具有烯基的二有機聚矽氧烷、(B)成分的不具有交聯點的聚矽氧油、(C)成分的具有SiH基的有機氫聚矽氧烷、以及(D)成分的鉑族金屬系觸媒。
如請求項3之超音波耦合材複合膜，其中，該(C)成分的SiH基的莫耳數除以(A)成分的烯基的莫耳數而得到的值為0.5~20的範圍。
如請求項3之超音波耦合材複合膜，其中，該(B)成分為在25℃下的動黏度為10~50000mm<sup>2</sup>/s的範圍的不具交聯點、不具有烯基和SiH基的直鏈狀或支鏈狀的二有機聚矽氧烷。
如請求項3之超音波耦合材複合膜，其中，該(B)成分的質量除以該(A)成分、該(B)成分和該(C)成分的合計質量而得到的值為0.20~0.90的範圍。
如請求項3之超音波耦合材複合膜，其中，相對於該(A)~(C)成分的合計100質量份，更含有0.1~10質量份的乾式二氧化矽。
如請求項1之超音波耦合材複合膜，其中，該聚矽氧耦合材膜的膜厚為10~5000μm的範圍。
如請求項1之超音波耦合材複合膜，更在該凝膠耦合材膜的兩側形成膜片，進而在其外側形成黏著膜。
如請求項1之超音波耦合材複合膜，其中，在該超音波耦合材複合膜的一側或兩側更具有離型襯墊膜。
一種不包括對人進行手術、治療或診斷的方法之檢查方法，其係使用如請求項1至9中任一項之超音波耦合材複合膜之超音波檢查方法，其特徵為： <br/>將該超音波耦合材複合膜以該複合膜的凝膠耦合材膜與超音波探頭表面對置且該複合膜的聚矽氧耦合材膜與被檢查體對置的方式插入超音波探頭表面與被檢查體之間， <br/>使該聚矽氧耦合材膜與被檢查體接觸來尋找超音波檢查部位。
如請求項11之不包括對人進行手術、治療或診斷的方法之檢查方法，其中， <br/>反覆進行和該被檢查體的接觸和剝離，或者在被檢查體上滑移來尋找超音波檢查部位。
如請求項11之不包括對人進行手術、治療或診斷的方法之檢查方法，其中， <br/>將該聚矽氧耦合材膜剝離後，使該凝膠耦合材膜與該被檢查體接觸並固定以進行連續超音波檢查。
一種積層結構之形成方法，其特徵在於，將加成硬化型聚矽氧耦合材組成物塗佈在離型襯墊膜上，進行加熱硬化而製成聚矽氧耦合材膜，然後將該聚矽氧耦合材膜貼附在由含有水的凝膠構成的凝膠耦合材膜上，使超音波探頭附著於該凝膠耦合材膜的與該聚矽氧耦合材膜接觸的面的相反側的面而製成積層結構， <br/>該加成硬化型聚矽氧耦合材組成物含有：(A)成分的具有烯基的二有機聚矽氧烷、(B)成分的不具有交聯點的聚矽氧油、(C)成分的具有SiH基的有機氫聚矽氧烷、和(D)成分的鉑族金屬系觸媒。
如請求項14之積層結構之形成方法，其中，藉由從該凝膠耦合材膜剝離該聚矽氧耦合材膜，將該凝膠耦合材膜貼附到超音波探頭。
一種模組式智慧餐盤收餐裝置，其包括有：至少一升降機構，其包括有一管體、一螺桿及一驅動器，該螺桿穿設於該管體，該驅動器固定於該管體一端，且該驅動器驅動該螺桿而伸縮於該管體；一置物盤，其底部設置有至少一旋轉器，並以該旋轉器連結於該螺桿遠離該管體的一端，且該旋轉器驅動該置物盤傾斜任意角度；一底座，其連結該管體於遠離該螺桿的一端，該底座放置有一廚餘回收桶與一餐盤回收桶，又該底座內部裝設有一控制模組，且該控制模組電性連接該驅動器與該旋轉器，並控制該置物盤依序向該廚餘回收桶與該餐盤回收桶方向傾斜。
如請求項1所述的模組式智慧餐盤收餐裝置，其中更包括有一殼體，該殼體圍設於該升降機構的外圍，且該殼體下緣固定於該底座處，而該殼體上緣形成有一餐盤放置口，該置物盤外露於該餐盤放置口提供至少一餐盤的直接放置。
如請求項2所述的模組式智慧餐盤收餐裝置，其中該餐盤放置口處架設有一置物架，且該置物架用於放置至少一餐盤蓋。
如請求項2所述的模組式智慧餐盤收餐裝置，其中該殼體的外表面掛設有一圾垃回收桶與一餐具回收桶。
如請求項2所述的模組式智慧餐盤收餐裝置，其中更包括有一清潔機構，該清潔機構包括有一供水桶與至少一沖水頭，該供水桶掛設於該殼體外表面，該沖水頭裝設於該殼體內表面，並以一管路連接該供水桶與該沖水頭，且該沖水頭位於該廚餘回收桶的上方。
如請求項2所述的模組式智慧餐盤收餐裝置，其中該置物盤位於該廚餘回收桶一端的邊緣彎設有一擋壁，且該擋壁用於防止該餐盤掉落該廚餘回收桶。
如請求項6所述的模組式智慧餐盤收餐裝置，其中該置物盤位於該餐盤回收桶一端的邊緣樞設有一門板，且該門板受到至少一電磁鐵所吸附，而該電磁鐵電性連接該控制模組，又該餐盤回收桶內間隔有複數個餐盤格，於該置物盤傾斜朝向指定該餐盤格時，消除該電磁鐵的吸附磁力而讓該餐盤落入該餐盤回收桶內。
如請求項7所述的模組式智慧餐盤收餐裝置，其中該餐盤回收桶於該餐盤格下方架設有一網體，該網體用於彈性承接落入該餐盤回收桶內的該餐盤。
如請求項1所述的模組式智慧餐盤收餐裝置，其中該底座內裝設有一步進馬達，且該步進馬達電性連接該控制模組，該步進馬達連接有一輸送帶，該輸送帶連接該管體，且該步進馬達驅動該輸送帶而控制該升降機構線性位移。
如請求項9所述的模組式智慧餐盤收餐裝置，其中該管體與該輸送帶之間連結有一角度驅動器，且該角度驅動器電性連接該控制模組，而該角度驅動器用於擺動該管體而形成角度變位。
一種內容可定址記憶體，包含：<br/> 一拉升控制電路，用以根據一字元線的一位準、一寫入致能訊號以及一匹配線的一位準產生一拉升致能訊號；<br/> 一電壓拉升電路，用以根據該拉升致能訊號提升該字元線的該位準；以及<br/> 一遮蔽控制電路，用以根據該寫入致能訊號、該字元線的該位準以及一預充電訊號調整該匹配線的該位準，<br/> 其中當該寫入致能訊號與該字元線的該位準均指示耦接至該字元線的一內容可定址記憶體單元執行一寫入操作時，該遮蔽控制電路將該匹配線的該位準拉低至一預設位準。
如請求項1之內容可定址記憶體，其中該拉升控制電路用以根據該字元線的該位準與該寫入致能訊號產生一偵測訊號，並根據該偵測訊號與該匹配線的該位準產生該拉升致能訊號。
如請求項1之內容可定址記憶體，其中該拉升控制電路包含：<br/> 一寫入偵測電路，用以根據該字元線的該位準與該寫入致能訊號產生一偵測訊號；以及<br/> 一遮蔽偵測電路，用以根據該偵測訊號與該匹配線的該位準產生該拉升致能訊號。
如請求項1之內容可定址記憶體，其中該拉升控制電路包含：<br/> 一反及閘，用以根據該字元線的該位準與該寫入致能訊號產生一偵測訊號；以及<br/> 一反或閘，用以根據該偵測訊號與該匹配線的該位準產生該拉升致能訊號。
如請求項1之內容可定址記憶體，更包含：<br/> 一地址解碼器電路，用以產生一選擇訊號；以及<br/> 一緩衝器電路，用以根據該選擇訊號對該字元線充電，以提高該字元線的位準，<br/> 其中該電壓拉升電路用以根據該拉升致能訊號提高該緩衝器電路的一供應電壓，從而將該字元線的該位準從一第一位準拉升至一第二位準。
如請求項1之內容可定址記憶體，其中該電壓拉升電路包含：<br/> 一電晶體，用以根據該拉升致能訊號選擇性導通，並傳輸一預設電壓至一第一節點；<br/> 一緩衝器電路，用以接收該拉升致能訊號；以及<br/> 一電容，耦接於該緩衝器電路的一輸出端與該第一節點之間，並用以產生一供應電壓，其中該供應電壓用於拉升該字元線的該位準。
如請求項1之內容可定址記憶體，其中該電壓拉升電路用以根據該拉升致能訊號在該遮蔽控制電路將該匹配線的該位準拉低至該預設位準後提升該字元線的該位準。
一種寫入控制方法，經由一內容可定址記憶體執行，該寫入控制方法包含：<br/> 根據該內容可定址記憶體中的一字元線的一位準、一寫入致能訊號以及該內容可定址記憶體中的一匹配線的一位準產生一拉升致能訊號；<br/> 根據該拉升致能訊號提升該字元線的該位準；以及<br/> 根據該寫入致能訊號、該字元線的該位準以及一預充電訊號調整該匹配線的該位準，<br/> 其中當該寫入致能訊號與該字元線的該位準均指示耦接至該字元線的一內容可定址記憶體單元執行一寫入操作時，該匹配線的該位準被拉低至一預設位準。
如請求項8之寫入控制方法，其中根據該拉升致能訊號提升該字元線的該位準包含：<br/> 根據該寫入致能訊號在該匹配線的該位準被拉低至該預設位準後提升該字元線的該位準。
如請求項8之寫入控制方法，其中根據該字元線的該位準、該寫入致能訊號以及該匹配線的該位準產生該拉升致能訊號包含：<br/> 根據該字元線的該位準與該寫入致能訊號產生一偵測訊號；以及<br/> 根據該偵測訊號與該匹配線的該位準產生該拉升致能訊號。
一種記憶體裝置的程式化方法，包括： <br/>選擇多個第一記憶胞串為多個選中記憶胞串，選擇多個第二記憶胞串為多個未選中記憶胞串； <br/>在一第一階段，分別導通該些選中記憶胞串上的多個記憶胞串選擇開關，施加該些選中記憶胞串上的多條位元線一放電電壓； <br/>在一第二階段，施加該些選中記憶胞串上的該些位元線一選中電壓，施加該些未選中記憶胞串上的多條位元線一遮罩電壓；以及 <br/>在一第三階段，提供該些選中記憶胞串上的多個選中記憶胞對應的一字元線一程式化電壓， <br/>其中在該第一階段，被導通的該些記憶胞串選擇開關使該些選中記憶胞串的多個通道與分別對應的該些位元線相互耦合。
如請求項1所述的程式化方法，其中該放電電壓小於或等於0伏特。
如請求項1所述的程式化方法，其中該遮罩電壓大於該選中電壓。
如請求項1所述的程式化方法，其中在該第二階段以及該第三階段，更包括： <br/> 使該些選中記憶胞串的多條源極線電壓為一第一電壓；以及 <br/> 使該些未選中記憶胞串的多條源極線電壓為一第二電壓， <br/> 其中該第二電壓大於該第一電壓。
如請求項1所述的程式化方法，更包括： <br/> 提供該些選中記憶胞串上的多個未選中記憶胞對應的多條字元線一通過電壓，其中該通過電壓小於該程式化電壓。
如請求項1所述的程式化方法，更包括： <br/> 在該第二階段以及該第三階段，使該些記憶胞串選擇開關被切斷。
如請求項1所述的程式化方法，其中該第一階段為通道放電階段，該第二階段為閘極引發汲極漏電流升壓階段，該第三階段為程式化電壓階段。
如請求項1所述的程式化方法，其中該第一階段、該第二階段以及該第三階段依序發生。
一種記憶體裝置，包括： <br/> 多個記憶胞串，在程式化動作中，區分為多個選中記憶胞串以及多個未選中記憶胞串；以及 <br/> 一控制器，耦接至該些記憶胞串，用以： <br/> 在一第一階段，分別導通該些選中記憶胞串上的多個記憶胞串選擇開關，施加該些選中記憶胞串上的多條位元線一放電電壓； <br/> 在一第二階段，施加該些選中記憶胞串上的該些位元線一選中電壓，施加該些未選中記憶胞串上的多條位元線一遮罩電壓； <br/> 在一第三階段，提供該些選中記憶胞串上的多個選中記憶胞對應的一字元線一程式化電壓；以及 <br/> 在該第一階段，被導通的該些記憶胞串選擇開關使該些選中記憶胞串的多個通道與分別對應的該些位元線相互耦合。
如請求項9所述的記憶體裝置，其中該放電電壓小於或等於0伏特。
如請求項9所述的記憶體裝置，其中該遮罩電壓大於該選中電壓。
如請求項9所述的記憶體裝置，其中該控制器更用以： <br/> 在該第二階段以及該第三階段，使該些選中記憶胞串的多條源極線電壓為一第一電壓，使該些未選中記憶胞串的多條源極線電壓為一第二電壓，其中該第二電壓大於該第一電壓。
如請求項9所述的記憶體裝置，其中該控制器更用以： <br/> 提供該些選中記憶胞串上的多個未選中記憶胞對應的多條字元線一通過電壓，其中該通過電壓小於該程式化電壓。
如請求項9所述的記憶體裝置，其中該控制器更用以： <br/> 在該第二階段以及該第三階段，使該些記憶胞串選擇開關被切斷。
如請求項9所述的記憶體裝置，其中該控制器更用以使該第一階段、該第二階段以及該第三階段依序發生。
一種可攜式記憶體測試系統，包含：<br/>一第一記憶體連接器，用以連接一第一待測晶片；<br/>一時脈產生器，用以產生一參考時脈訊號；以及<br/>一訊號延遲裝置，耦接於該第一記憶體連接器及該時脈產生器之間，其中該訊號延遲裝置包含：<br/>一時脈訊號延遲電路，耦接於該時脈產生器，其中該時脈訊號延遲電路用以執行一雙通道延遲模式及一擴展延遲模式其中一者，以調整該參考時脈訊號，藉以透過該第一記憶體連接器輸入調整後的該參考時脈訊號至該第一待測晶片。
如請求項1所述之可攜式記憶體測試系統，更包含：<br/>一第二記憶體連接器，耦接於該訊號延遲裝置，並用以連接一第二待測晶片。
如請求項2所述之可攜式記憶體測試系統，其中該第一記憶體連接器更用以對應插接於該第一待測晶片之複數個第一晶片引腳，其中該第二記憶體連接器更用以對應插接於該第二待測晶片之複數個第二晶片引腳。
如請求項2所述之可攜式記憶體測試系統，更包含：<br/>一處理器，耦接於該訊號延遲裝置，並用以將該第一待測晶片之複數個第一晶片引腳之一第一引腳定義與該第一記憶體連接器之一第二引腳定義進行匹配。
如請求項2所述之可攜式記憶體測試系統，其中該第一待測晶片包含一第二代低功率雙倍資料傳輸速率同步動態隨機存取記憶體至一第五代低功率雙倍資料傳輸速率同步動態隨機存取記憶體、一第二代雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體至一第五代雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體、一無緩衝雙列直插式記憶體模組及一帶暫存器雙列直插式記憶體模組的其中一者。
如請求項2所述之可攜式記憶體測試系統，其中該第二待測晶片包含一小外形雙列直插式記憶體模組。
如請求項4所述之可攜式記憶體測試系統，其中該訊號延遲裝置更用以將該參考時脈訊號延遲一預設時間，以產生調整後的該參考時脈訊號。
如請求項7所述之可攜式記憶體測試系統，其中該訊號延遲裝置更包含：<br/>一時脈訊號中繼電路，耦接於該第一記憶體連接器及該時脈訊號延遲電路之間，並用以消除調整後的該參考時脈訊號之複數個雜訊，藉以產生一延遲時脈訊號。
如請求項8所述之可攜式記憶體測試系統，其中該處理器更用以根據該延遲時脈訊號對該第一待測晶片及該第二待測晶片進行一時序失效分析測試流程。
如請求項9所述之可攜式記憶體測試系統，更包含一測試板，其中該第一記憶體連接器、該第二記憶體連接器、該時脈產生器及該訊號延遲裝置皆設置於該測試板上。
一種滑件，其係拉鏈用之滑件(1)，且具備滑件本體(2)、及以能夠樞轉之方式安裝於上述滑件本體(2)上之拉片(3)，上述拉片(3)與上述滑件本體(2)之拉片安裝部(4)在一處以上接觸，能夠基於該接觸所產生之摩擦，將其自身之姿勢保持為倒立姿勢、倒伏姿勢、及上述倒立姿勢與上述倒伏姿勢之間的傾斜姿勢中的任一姿勢，且上述滑件 <br/>於上述滑件本體(2)被固定為無法位移、且上述拉片(3)能夠於上述滑件本體(2)上樞轉之狀態下，在帶動推動件使上述倒立姿勢之上述拉片(3)倒伏之過程中，上述推動件自上述拉片(3)所承受之荷重之最大值未滿1.0 N。
如請求項1之滑件，其中上述荷重之最大值落於0.2～0.8 N之範圍內。
如請求項1之滑件，其中上述拉片(3)之質量為1 g以下。
如請求項1之滑件，其 <br/>滿足以下(i)～(iii)之至少一個條件： <br/>(i)上述拉片(3)包含含有潤滑劑之樹脂材料； <br/>(ii)至少在上述拉片(3)之軸部(31)及/或桿部(32、33)所接觸之範圍內，於上述拉片安裝部(4)形成有塗覆膜(8)；及 <br/>(iii)於上述拉片(3)之軸部(31)及/或桿部(32、33)之周面形成有塗覆膜(8)。
如請求項4之滑件，其至少滿足上述(i)之條件，且含有相對於上述拉片(3)之質量為20質量%以上之上述潤滑劑。
如請求項5之滑件，其中上述潤滑劑為包含與上述樹脂材料相同之重複單元之樹脂。
如請求項4之滑件，其至少滿足上述(ii)及/或(iii)之條件，且上述塗覆膜(8)被覆上述滑件本體(2)之整個表面。
如請求項7之滑件，其中上述塗覆膜(8)包含聚乙烯或聚丙烯。
如請求項1至8中任一項之滑件，其中上述拉片(3)包含含有潤滑劑之樹脂材料，且至少在上述拉片(3)之軸部(31)所接觸之範圍內，於上述拉片安裝部(4)形成有塗覆膜(8)。
如請求項1至8中任一項之滑件，其中上述推動件為安裝於線性導軌(5)上之測力計(6)之感測用接觸件(6a)。
如請求項1至8中任一項之滑件，其中上述拉片安裝部(4)包含配置於上述拉片(3)之軸部(31)之前後兩側的一對爪部(61、62)。
一種滑件之檢查方法，其係拉鏈用之滑件(1)之檢查方法，該拉鏈用之滑件(1)具備滑件本體(2)、及以能夠樞轉之方式安裝於上述滑件本體(2)上之拉片(3)，上述拉片(3)與上述滑件本體(2)之拉片安裝部(4)在一處以上接觸，能夠基於該接觸所產生之摩擦，將其自身之姿勢保持為倒立姿勢、倒伏姿勢、及上述倒立姿勢與上述倒伏姿勢之間的傾斜姿勢中的任一姿勢，且上述檢查方法包含以下步驟： <br/>以上述拉片(3)能夠樞轉之態樣將上述滑件本體(2)固定為無法位移；及 <br/>測定在帶動推動件使上述倒立姿勢之上述拉片(3)倒伏之過程中，上述推動件自上述拉片(3)所承受之荷重。
如請求項12之滑件之檢查方法，其中上述推動件為安裝於線性導軌(5)上之測力計(6)之感測用接觸件(6a)。
如請求項13之滑件之檢查方法，其中上述接觸件(6a)具有接觸上述拉片(3)之圓弧面。
如請求項12至14中任一項之滑件之檢查方法，其進而包含如下步驟：於上述荷重之最大值未滿1.0 N時，判定為適當，於上述荷重之最大值為1.0 N以上時，判定為不適當。
一種滑件之檢查裝置，其係拉鏈用之滑件(1)之檢查裝置，該拉鏈用之滑件(1)具備滑件本體(2)、及以能夠樞轉之方式安裝於上述滑件本體(2)上之拉片(3)，上述拉片(3)與上述滑件本體(2)之拉片安裝部(4)在一處以上接觸，能夠基於該接觸所產生之摩擦，將其自身之姿勢保持為倒立姿勢、倒伏姿勢、及上述倒立姿勢與上述倒伏姿勢之間的傾斜姿勢中的任一姿勢，且上述檢查裝置具備： <br/>固定部(7)，其以上述拉片(3)能夠樞轉之態樣固定上述滑件本體(2)；及 <br/>測力計(6)，其安裝於線性導軌(5)上，能夠朝向上述固定部(7)直行前進； <br/>上述測力計(6)具有感測用接觸件(6a)，該感測用接觸件(6a)能夠定位在如下高度，即，根據上述測力計(6)朝向上述固定部(7)之直行前進，上述固定部(7)上固定之上述滑件(1)之上述倒立姿勢的上述拉片(3)將被選擇性地按壓之高度。
如請求項16之滑件之檢查裝置，其中上述接觸件(6a)具有接觸上述拉片(3)之圓弧面。
一種滑件之製造方法，其係製造拉鏈用之滑件(1)之方法，該拉鏈用之滑件(1)具備滑件本體(2)、及以能夠樞轉之方式安裝於上述滑件本體(2)上之拉片(3)，上述拉片(3)與上述滑件本體(2)之拉片安裝部(4)在一處以上接觸，能夠基於該接觸所產生之摩擦，將其自身之姿勢保持為倒立姿勢、倒伏姿勢、及上述倒立姿勢與上述倒伏姿勢之間的傾斜姿勢中的任一姿勢，上述滑件之製造方法包含以下步驟： <br/>將上述拉片(3)以不晃動且能夠樞轉之方式安裝於上述滑件本體(2)上；及 <br/>於上述滑件本體(2)被固定為無法位移、且上述拉片(3)能夠於上述滑件本體(2)上樞轉之狀態下，測定在帶動推動件使上述倒立姿勢之上述拉片(3)倒伏之過程中上述推動件所承受之荷重。
一種滑件，其係拉鏈用之滑件(1)，且具備滑件本體(2)、及以能夠樞轉之方式安裝於上述滑件本體(2)上之樹脂製之拉片(3)，上述拉片(3)與上述滑件本體(2)之拉片安裝部(4)在一處以上接觸，能夠基於該接觸所產生之摩擦，將其自身之姿勢保持為倒立姿勢、倒伏姿勢、及上述倒立姿勢與上述倒伏姿勢之間的傾斜姿勢中的任一姿勢，且上述滑件 <br/>滿足以下(i)及(ii)之條件： <br/>(i)上述拉片(3)含有相對於上述拉片(3)之質量為20質量%以上之潤滑劑；及 <br/>(ii)至少在上述拉片(3)之軸部(31)及/或桿部(32、33)所接觸之範圍內，於上述拉片安裝部(4)形成有塗覆膜(8)； <br/>上述塗覆膜(8)之厚度為2 μm以下。
一種連接總成，適用於一第一鋼樑與一第二鋼樑，該連接總成包含：<br/> 一連接件；<br/> 一支撐件與該連接件可相對彼此調整角度；以及<br/> 一基座與該支撐件相互插接；<br/> 其中該基座用以連接至該第一鋼樑，且該連接件用以連接至該第二鋼樑；<br/> 其中該支撐件安排有一第一結構，且該基座排有一第二結構；<br/> 該第一結構與該第二結構的其中之一為一凸部；以及<br/> 該第一結構與該第二結構的其中之另一為一空間可供該凸部插入，使該基座與該支撐件相互插接。
如請求項1之連接總成，其中該第一鋼樑與該第二鋼樑為H型鋼樑。
如請求項1之連接總成，其中該連接件、該支撐件與該基座皆由金屬材質製成。
如請求項1之連接總成，其中當該基座與該支撐件相互插接後，一工作者可施加一焊接作業至該相互插接處，使該基座與該支撐件更加相互固定。
如請求項1之連接總成，其中該支撐件位於該連接件與該基座之間。
如請求項1之連接總成，其中該支撐件與該連接件相互樞接。
如請求項6之連接總成，其中該支撐件與該連接件相對彼此調整至一預定角度後，透過一固定件能夠用以將該支撐件與該連接件相互固定而保持該預定角度。
如請求項7之連接總成，其中該支撐件具有一第一邊、一第二邊以及一主體部延伸於該第一邊與該第二邊之間，且該支撐件與該連接件相互樞接之處係實質上位於該主體部的中間。
如請求項8之連接總成，其中該支撐件更包含一第一肩部與一第二肩部，且該支撐件與該連接件相互樞接之處係實質上位於該第一肩部與該第二肩部之間。
如請求項9之連接總成，其中該第一肩部與該第二肩部的其中之一具有一凹溝。
如請求項2之連接總成，其中該基座具有至少一第一孔可供至少一第一鎖件穿入並鎖固至該第一鋼樑，且該連接件具有至少一第二孔可供至少一第二鎖件穿入並鎖固至該第二鋼樑。
如請求項11之連接總成，更包含複數個凸肋安排於該支撐件的周圍，且該些凸肋支撐於該支撐件與該基座之間。
如請求項12之連接總成，其中：<br/> 該第一鎖件包含一頭部與一桿部；<br/> 該頭部的尺寸大於該桿部的尺寸；以及<br/> 該些凸肋的其中之一具有一輔助孔，用以容納該第一鎖件之頭部的至少一部份。
如請求項13之連接總成，其中該些凸肋的其中之一更具有一吊掛孔。
如請求項12之連接總成，其中：<br/> 該連接件包含一連接部與一支架部用以支撐該連接部；<br/> 該連接部用以連接至該第二鋼樑；<br/> 該支架部與該連接部之間安排有至少一補強塊；以及<br/> 該至少一補強塊具有另一吊掛孔。
如請求項1之連接總成，其中該基座為一板件。
如請求項6之連接總成，其中該支撐件具有一第一邊、一第二邊以及一主體部延伸於該第一邊與該第二邊之間，且該支撐件與該連接件相互樞接之處係位於相鄰該第一邊。
一種連接總成，包含：<br/> 一連接件；<br/> 一支撐件與該連接件相互樞接；以及<br/> 一基座；<br/> 其中該支撐件安排有一凸部，且該基座安排有一空間可供該凸部伸入，使該基座與該支撐件相互連接。
如請求項18之連接總成，其中：<br/> 該基座用以連接至一第一鋼樑，且該連接件用以連接至一第二鋼樑；<br/> 該連接總成更包含複數個彼此之間具有間距的凸肋安排於該支撐件的周圍，且該些凸肋支撐於該支撐件與該基座之間；以及<br/> 該基座為一板件。
一種超導磁鐵裝置，其特徵為，具備： <br/> 超導線圈； <br/> 電源； <br/> 第1超導線圈側電纜及第2超導線圈側電纜，係與前述超導線圈連接； <br/> 第1電源側電纜及第2電源側電纜，係與前述電源連接；及 <br/> 匯流排組件，具備外側匯流排和內側匯流排，前述外側匯流排係連接前述第1超導線圈側電纜與前述第1電源側電纜且和前述第1超導線圈側電纜及前述第1電源側電纜一同形成外側偏向路徑，前述內側匯流排係連接前述第2超導線圈側電纜與前述第2電源側電纜且和前述第2超導線圈側電纜及前述第2電源側電纜一同形成內側偏向路徑， <br/> 前述外側偏向路徑及前述內側偏向路徑並行偏向，前述外側偏向路徑的路徑長度大於前述內側偏向路徑的路徑長度。
如請求項1的超導磁鐵裝置，其中， <br/> 沿著前述外側偏向路徑的前述外側匯流排的長度大於沿著前述內側偏向路徑的前述內側匯流排的長度。
如請求項1或2的超導磁鐵裝置，其中， <br/> 前述匯流排組件具備以前述匯流排間距離支撐前述外側匯流排和前述內側匯流排之支撐體，前述匯流排間距離被設定為前述超導磁鐵裝置以額定電流運轉時在前述外側匯流排與前述內側匯流排之間產生之前述匯流排間電場低於既定上限值。
如請求項1或2的超導磁鐵裝置，其中， <br/> 前述匯流排組件具備配置於前述外側匯流排與前述內側匯流排之間的絕緣構件。
如請求項1或2的超導磁鐵裝置，其中， <br/> 前述第1電源側電纜及前述第2電源側電纜中的一方連接於前述電源的正極，前述第1電源側電纜及前述第2電源側電纜中的另一方連接於前述電源的負極。
如請求項1或2的超導磁鐵裝置，其中， <br/> 前述第1電源側電纜及前述第2電源側電纜分別包括多個電纜。
一種超導磁鐵裝置用匯流排組件，其特徵為，具備： <br/> 外側匯流排，係連接第1超導線圈側電纜與第1電源側電纜且和前述第1超導線圈側電纜及前述第1電源側電纜一同形成外側偏向路徑；及 <br/> 內側匯流排，係連接第2超導線圈側電纜與第2電源側電纜且和前述第2超導線圈側電纜及前述第2電源側電纜一同形成內側偏向路徑， <br/> 前述外側偏向路徑及前述內側偏向路徑並行偏向，前述外側偏向路徑的路徑長度大於前述內側偏向路徑的路徑長度。
一種石墨烯製備系統，包含：石墨烯分離槽，氣源儲存槽，震波差壓儲存槽，旋風式二次震波分離槽，收集槽，氣體回收過濾器，及單向閥；其中，該氣源儲存槽，設有管路經單向閥連接石墨烯分離槽；而使用的物料為石墨材料；其特徵為：該石墨烯分離槽，進一步包含：石墨烯容器，震波反射板；該石墨烯容器，係位於石墨烯分離槽內部，用來裝填原始的物料；該震波反射板，係安置於石墨烯容器的底部；該氣源儲存槽，進一步包含：氣源控制閥、第2回收控制閥，分別位於該氣源儲存槽的出口及回收之管線上；該震波差壓儲存槽，進一步包含：衝擊爆震開關閥、浸潤壓力控制閥、及震波差壓控制閥；該震波差壓儲存槽一側以管路經衝擊爆震開關閥連接石墨烯分離槽，另一側以管路經震波差壓控制閥、浸潤壓力控制閥連接石墨烯分離槽的一開口端；該旋風式二次震波分離槽，係設置在石墨烯分離槽的後段，利用分離槽出口管路一端連接石墨烯分離槽的出口，另一端連接該旋風式二次震波分離槽；該旋風式二次震波分離槽進一步包含：分離爆震開關閥，其係設置於石墨烯分離槽與旋風式二次震波分離槽之間；該收集槽，位於製備系統的末端，以管路連接旋風式二次震波分離槽，該收集槽的上方出口端連接一出口過濾器；該氣體回收過濾器，進一步包含：第1回收控制閥；該氣體回收過濾器一端以管路連接石墨烯分離槽，另一側連接第1回收控制閥，再回到單向閥的入口端預定處；其藉由該氣源控制閥、衝擊爆震開關閥、分離爆震開關閥、浸潤壓力控制閥、震波差壓控制閥、第1回收控制閥、第2回收控制閥的切換，能夠對物料作連續重覆性的震波滲入動作，而能加速黏性物料的分離者。
如申請專利範圍第1項所述之石墨烯製備系統，其中，該衝擊爆震開關閥係裝設在石墨烯分離槽爆震震波的入口管路上，控制氣體快速釋放，藉以啟動衝擊爆震程序。
如申請專利範圍第1項所述之石墨烯製備系統，其中，該浸潤壓力控制閥係設置於石墨烯分離槽一開口端的管線上，另一側以管線經震波差壓控制閥連接震波差壓儲存槽。
如申請專利範圍第1項所述之石墨烯製備系統，其中，藉由對該浸潤壓力控制閥及震波差壓控制閥的調控切換，可以進行浸潤程序，或是切換為其他程序。
如申請專利範圍第1項所述之石墨烯製備系統，其中，其藉由調控該分離爆震開關閥的切換，可以使物料進入旋風式二次震波分離槽，進行浸潤及分離爆震的程序，利用旋風氣流加強物料進一步的剝離。
如申請專利範圍第1項所述之石墨烯製備系統，其中，該分離槽出口管路與水平線形成一預定的夾角(爆震波角度)，該爆震波角度能夠協助物料作內膨脹分離，因而可迅速造成物料內部與外部的差壓，使物料內氣體分子快速膨脹，將物料分層。
如申請專利範圍第1項所述之石墨烯製備系統，其中，該氣體回收過濾器以管線連接第1回收控制閥、單向閥、浸潤壓力控制閥，形成第1氣體回收程序。
如申請專利範圍第1項所述之石墨烯製備系統，其中，該浸潤壓力控制閥、第2回收控制閥、氣源儲存槽，形成第2氣體回收程序。
一種石墨烯製備系統，包含：石墨烯分離槽，氣源儲存槽，震波差壓儲存槽，旋風式二次震波分離槽，收集槽，氣體回收過濾器，及單向閥；其中，該氣源儲存槽，設有管路經單向閥連接石墨烯分離槽；而使用的物料為石墨材料；該氣源儲存槽進一步包含：氣源控制閥、第2回收控制閥；該震波差壓儲存槽進一步包含：衝擊爆震開關閥、浸潤壓力控制閥、及震波差壓控制閥；該旋風式二次震波分離槽進一步包含：分離爆震開關閥，係設置於石墨烯分離槽與旋風式二次震波分離槽之間；該氣體回收過濾器，進一步包含：第1回收控制閥；其特徵為：該物料分離的程序係先開啟該氣源控制閥、震波差壓控制閥，進行建壓程序，接著利用前述氣源控制閥、衝擊爆震開關閥、分離爆震開關閥、浸潤壓力控制閥、震波差壓控制閥、第1回收控制閥、第2回收控制閥的切換，對物料重覆進行浸潤、衝擊爆震、回收程序，最後物料進入旋風式二次震波分離槽之後，再對物料作更進一步的浸潤、分離爆震程序。
如申請專利範圍第9項所述之石墨烯製備系統，其中，該重覆的次數為二或二以上者。
一種供水裝置防結冰凍裂之方法，該供水裝置包括一進水管路、一出水管路以及介於該進水管路與該出水管路之間的一閥腔，該進水管路具一進水端，該閥腔包括一閥件組接部以及一用以連通該進水管路的進水連接部，該方法包括:<br/> 透過一成型模具規劃手段，於其中該進水管路以及該閥腔之該進水連接部界定出一防結冰區域；<br/> 透過一塑膠射出成型手段，於該防結冰區域形成一彈性吸壓層，構成該彈性吸壓層為一體式結合於該防結冰區域之狀態；以及<br/> 令該彈性吸壓層於對應該進水管路中的區域形成有一錐形擴張區段，該錐形擴張區段係為朝該進水端漸形擴大之型態者。
一種供水裝置防結冰凍裂之結構，該供水裝置包括一進水管路、一出水管路以及介於該進水管路與該出水管路之間的一閥腔，該進水管路具一進水端，該閥腔包括一閥件組接部以及一用以連通該進水管路的進水連接部，且其中該進水管路以及該閥腔之該進水連接部更透過射出成型方式結合有一彈性吸壓層，又該彈性吸壓層於對應該進水管路中的區域係形成有一錐形擴張區段，從而界定形成有一縮徑端及一擴徑端，其中該擴徑端鄰近於該進水端，該縮徑端則鄰近於該閥腔之該進水連接部。
如請求項2所述之供水裝置防結冰凍裂之結構，其中該彈性吸壓層係由微球發泡劑及熱可塑性彈性體組合構成；該熱可塑性彈性體包<br/> 括：TPR、TPE、TPU或TPA。
如請求項2所述之供水裝置防結冰凍裂之結構，其中該錐形擴張區段之該縮徑端至該擴徑端之間呈一階梯壁型態者。
如請求項2所述之供水裝置防結冰凍裂之結構，其中該錐形擴張區段之該縮徑端至該擴徑端之間呈一筆直壁型態者。
如請求項2所述之供水裝置防結冰凍裂之結構，其中該閥腔之該進水連接部與該進水管路之間係為不等徑連通關係者。
如請求項2所述之供水裝置防結冰凍裂之結構，其中該進水管路中<br/> 結合有該彈性吸壓層之分佈型態包括局部或全部區域。
如請求項2所述之供水裝置防結冰凍裂之結構，其中該錐形擴張區<br/> 段之該縮徑端至該擴徑端所形成的傾斜角度係介於5度至10度之間<br/> 。
如請求項2所述之供水裝置防結冰凍裂之結構，其中該出水管路更透過射出成型方式結合有該彈性吸壓層。
如請求項2所述之供水裝置防結冰凍裂之結構，其中該供水裝置係為電子定時器或噴水槍。
一種光學顯示模組，其改良在於：包括： 固定支架，開設有貫穿孔；<br/>光波導元件，固定在所述固定支架上，所述光波導元件的局部藉由所述貫穿孔露出；<br/>光引擎，設置在所述固定支架上，所述光引擎和所述光波導元件分別位於所述固定支架的相對側，所述光引擎正對所述貫穿孔；<br/>可變形的彈片，固定套設在所述光引擎上，所述彈片連接所述固定支架並完全覆蓋所述貫穿孔；<br/>密封膠，設置在所述彈片和所述固定支架的連接位置，以使所述彈片固定在所述固定支架上。
根據請求項1所述的光學顯示模組，其中，所述彈片包括結合部和圍繞並連接所述結合部的延展部，所述結合部開設有貫穿其的開孔以供所述光引擎穿過，所述延展部自所述結合部朝外發散延伸，所述延展部遠離所述結合部的一端搭接所述固定支架，所述延展部圍成連通所述開孔的一容置空間，所述光引擎穿過所述開孔並伸入所述容置空間中。
根據請求項2所述的光學顯示模組，其中，由所述結合部指向所述固定支架的方向，所述容置空間的截面面積逐漸增大。
根據請求項2所述的光學顯示模組，其中，所述光引擎包括鏡筒和設置在所述鏡筒中的透鏡組，所述結合部固定套設在所述鏡筒上。
根據請求項4所述的光學顯示模組，其中，所述開孔的直徑等於所述鏡筒的外徑，所述鏡筒的外徑小於所述貫穿孔的直徑。
根據請求項1所述的光學顯示模組，其中，所述光引擎的部分伸入所述貫穿孔中。
根據請求項1所述的光學顯示模組，其中，所述彈片開設有貫穿其的至少一個排氣孔。
根據請求項7所述的光學顯示模組，其中，所述彈片開設有間隔排佈的多個排氣孔。
根據請求項1所述的光學顯示模組，其中，所述彈片包括相對的內表面和外表面，其中所述內表面為朝向所述固定支架的表面，所述密封膠設置在所述彈片的外表面上，且所述密封膠連接在所述光引擎和所述固定支架之間。
一種增強現實眼鏡，其改良在於：包括如請求項1至9中任一項所述的光學顯示模組。
一種半導體處理方法，包括：<br/> 將一含矽前驅物和一含氮前驅物提供至一半導體處理腔室的一處理區域，其中一基板設置在該半導體處理腔室的該處理區域內；<br/> 在該處理區域中形成該含矽前驅物和該含氮前驅物的一電漿，其中該電漿至少部分地由一RF功率形成，該RF功率以小於或約1,000W、小於或約1,000Hz的一脈衝頻率以及介於約10%與90%之間的一工作週期操作；以及<br/> 在該基板上形成一材料層，其中該材料層包含一含矽和氮材料。
如請求項1所述之半導體處理方法，其中該含矽前驅物包括八甲基環四矽氧烷、2,4,6,8-四甲基-2,4,6,8-四乙烯基環四矽氧烷、2,4,6,8-四甲基環四矽氧烷、二甲基二甲氧基矽烷(DMDMOS)、乙氧基二甲基矽烷、異丁基甲基二甲氧基矽烷、乙烯基甲基二甲氧基矽烷、三甲基矽烷、1,1,3,3-四甲基-1,3-二甲氧基二矽氧烷、1,3-二甲基-1,1,3,3-四甲氧基二矽氧烷、甲氧基(二甲基)矽基甲烷、甲基(二甲氧基)矽基甲烷、雙(三甲基矽基)甲烷、1,3-二乙氧基-1,3-二甲基-1,3-二矽環丁烷(EMSCB)、1,1,3,3-四甲基-1,3-二矽環丁烷、1,3-二甲基-1,3-二苯-1,3-二矽環丁烷、六甲基環三矽氮烷(HMCTZ)、六甲基二矽氮烷(HMDS)、雙(二甲胺基)-二甲基矽烷(BDMADMS)、雙(乙烯基二甲基矽基)胺(BVDMSA)、1,3,5-三乙烯基-1,3,5-三甲基環三矽氮烷(3V3MCTZ)、三(二甲胺基)矽烷(TDMAS)或其組合。
如請求項1所述之半導體處理方法，其中該含氮前驅物包括二原子氮(N<sub>2</sub>)或氨(NH<sub>3</sub>)。
如請求項1所述之半導體處理方法，其中在該基板上形成該材料層的同時，該半導體處理腔室內的一溫度維持在小於或約450°C。
如請求項1所述之半導體處理方法，其中在該基板上形成該材料層的同時，該半導體處理腔內的一壓力維持在小於或約50托。
如請求項1所述之半導體處理方法，其中該電漿至少部分地由以小於或約500Hz的一脈衝頻率操作之一RF功率形成。
如請求項1所述之半導體處理方法，其中該電漿至少部分地由以小於或約50%的一工作週期操作的一RF功率形成。
如請求項1所述之半導體處理方法，其中該材料層的特徵為小於或約4.50的一介電常數。
如請求項1所述之半導體處理方法，其中該材料層的特徵為大於或約1.95g/cm<sup>3</sup>的一密度。
如請求項1所述之半導體處理方法，其中該材料層包含一含矽、碳和氮材料。
如請求項1所述之半導體處理方法，其中該材料層的特徵為在1x10<sup>-6</sup>A/cm²下大於或約3.0MV/cm的一擊穿電壓。
一種半導體處理方法，包括：<br/> 提供一含矽和碳前驅物和一含氮前驅物至一半導體處理腔室的一處理區域，其中一基板被設置在該半導體處理腔室的該處理區域內；<br/> 在該處理區域中形成該含矽和碳前驅物及該含氮前驅物的一電漿，其中該電漿至少部分地由一RF功率形成，該RF功率以介於約50W與約750W之間、小於或約10,000Hz的一脈衝頻率以及小於或約90%的一工作週期操作；以及<br/> 在該基板上形成一材料層，其中該材料層包含一含矽材料，且其中該材料層的特徵為小於或約4.50的一介電常數。
如請求項12所述之半導體處理方法，其中該含矽和碳前驅物進一步包括氧。
如請求項12所述之半導體處理方法，其中在該基板上形成該材料層的同時，該半導體處理腔室內的一溫度維持在小於或約500°C。
如請求項12所述之半導體處理方法，其中該電漿至少部分地由以小於或約750Hz的一脈衝頻率操作之一RF功率形成。
如請求項12所述之半導體處理方法，其中該電漿至少部分地由以小於或約70%的一工作週期操作之一RF功率形成。
如請求項12所述之半導體處理方法，其中該材料層的特徵為大於或約1.97g/cm<sup>3</sup>的一密度。
一種半導體處理方法，包括：<br/> 將一含矽和碳前驅物及一含氮前驅物提供至一半導體處理腔室的一處理區域，其中一基板設置於該半導體處理腔室的該處理區域內；<br/> 在該處理區域中形成該含矽和碳前驅物及該含氮前驅物的一電漿，其中該電漿至少部分地由一RF功率形成，該RF功率以介於約50W與約750W之間、小於或約10,000Hz的一脈衝頻率以及小於或約90%的一工作週期操作；以及<br/> 在該基板上形成一材料層，其中該材料層包含一含矽材料，且其中該材料層的特徵為小於或約為4.50的一介電常數及大於或約1.9g/cm<sup>3</sup>的一密度。
如請求項18所述之半導體處理方法，其中該電漿至少部分地由以小於或約1,000W及小於或約的1,000Hz的一脈衝頻率操作的一RF功率形成。
如請求項18所述之半導體處理方法，其中該材料層包含一含矽、碳和氮材料。
一種有機隨機聚合物，其中包含式一結構：<figure><img align="absmiddle" height="130px" width="629px" file="d10109.TIF" alt="化學式ed10109.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10109.png"/></figure>其中，Ar<sup>1</sup>、Ar<sup>4</sup>、Ar<sup>5</sup>、Ar<sup>13</sup>及Ar<sup>14</sup>係獨立地選自具有5至20個環原子之亞芳基或亞雜芳基，Ar<sup>1</sup>、Ar<sup>4</sup>、Ar<sup>5</sup>、Ar<sup>13</sup>及Ar<sup>14</sup>包含有單環、多環或稠環結構，並選擇性地未經取代或被一個或多個相同或不同之R<sup>1</sup>或L<sup>1</sup>取代；Ar<sup>2</sup>及Ar<sup>3</sup>係獨立地選自以下基團之一者：<img align="absmiddle" height="38px" width="39px" file="d10130.TIF" alt="其他非圖式ed10130.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10130.png"/>、<img align="absmiddle" height="42px" width="43px" file="d10131.TIF" alt="其他非圖式ed10131.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10131.png"/>，其中U<sup>1</sup>及U<sup>2</sup>係獨立地選自NR<sup>1</sup>、C=O、O、S、Se、SiR<sup>1</sup>R<sup>2</sup>及CR<sup>1</sup>R<sup>2</sup>中之一者；Ar<sup>6</sup>、Ar<sup>7</sup>、Ar<sup>8</sup>及Ar<sup>9</sup>係獨立地選自具有-CY<sup>1</sup>=CY<sup>2</sup>-、-C≡C-或具有5至20個環原子之亞芳基或亞雜芳基，Ar<sup>6</sup>、Ar<sup>7</sup>、Ar<sup>8</sup>及Ar<sup>9</sup>包含有單環、多環或稠環結構，並選擇性地未經取代或被一個或多個相同或不同之R<sup>1</sup>或L<sup>1</sup>取代；Ar<sup>10</sup>、Ar<sup>11</sup>及Ar<sup>12</sup>係獨立地選自具有5至30個環原子之亞芳基或亞雜芳基，Ar<sup>10</sup>、Ar<sup>11</sup>及Ar<sup>12</sup>包含有單環、多環或稠環結構，並選擇性地未經取代或被一個或多個相同或不同之R<sup>1</sup>或L<sup>1</sup>取代；其中，R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>係獨立地選自H、F、Cl、CN、具有1至30個C原子的直鏈、支鏈及環狀的烷基中之一者，其中烷基中一個或多個CH<sub>2</sub>基團選擇性地被-O-、-S-、-C(=O)-、-C(=S)-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-NR<sup>0</sup>-、-SiR<sup>0</sup>R<sup>00</sup>-、-CF<sub>2</sub>-、-CR<sup>0</sup>=CR<sup>00</sup>-、-CY<sup>1</sup>=CY<sup>2</sup>-及-C≡C-中之至少一者所取代，其中O與S原子不直接連接彼此，並且一個或多個原子選擇性地被F、Cl、Br、I或CN取代，其中一個或多個CH<sub>2</sub>或CH<sub>3</sub>基團選擇性地被陽離子、陰離子基團、芳香基、雜芳香基、芳香基烷基、雜芳香基烷基、芳氧基和雜芳氧基中之至少一者取代，其中前述包含有芳香基及雜芳香基係獨立地選自具有5至20個環原子的單環、多環或稠環結構，烷基選擇性地未被取代或被一個或多個相同或不同之L<sup>1</sup>取代；以及L<sup>1</sup>係選自F、Cl、-NO<sub>2</sub>、-CN、-NC、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、R<sup>0</sup>、OR<sup>0</sup>、SR<sup>0</sup>、-C(=O)X<sup>0</sup>、-C(=O)R<sup>0</sup>、-C(=O)-OR<sup>0</sup>、-O-C(=O)-R<sup>0</sup>、-NH<sub>2</sub>、-NHR<sup>0</sup>、-NR<sup>0</sup>R<sup>00</sup>、-C(=O)NHR<sup>0</sup>、-C(=O)NR<sup>0</sup>R<sup>00</sup>、-SO<sub>3</sub>R<sup>0</sup>、-SO<sub>2</sub>R<sup>0</sup>、-OH、-NO<sub>2</sub>、-CF<sub>3</sub>、-SF<sub>5</sub>、選擇性地被一個或多個雜原子取代或未經取代之具有1至30個碳原子的甲矽烷基、碳基及烴基中之一者，其中雜原子包含N、O、S、Se；其中，R<sup>0</sup>及R<sup>00</sup>係獨立地選自H、具有1至20個碳原子的直鏈或支鏈烷基中之一者，且R<sup>0</sup>及R<sup>00</sup>選擇性地被氟化；以及X<sup>0</sup>為鹵素；Y<sup>1</sup>及Y<sup>2</sup>係獨立地選自H、F、Cl及CN中之一者；a、b、c、d、e、f、g、h、i及j係獨立地選自0或1至10間之任一整數；x及y為莫耳分率，且x+y=1，x≠0；n為重複單元數，其係選自1~1000間之任一整數；RT<sup>1</sup>及RT<sup>2</sup>為拉電子基團；以及<b>＊</b>為鍵結處。
如申請專利範圍第1項所述之有機隨機聚合物，其中Ar<sup>1</sup>進一步選自下列結構中之一者：<figure><img align="absmiddle" height="347px" width="544px" file="d10110.TIF" alt="化學式ed10110.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10110.png"/></figure>其中，W<sup>1</sup>、W<sup>2</sup>及W<sup>3</sup>係獨立地選自S、O、Se、CR<sup>3</sup>R<sup>4</sup>、SiR<sup>3</sup>R<sup>4</sup>、C=O及NR<sup>3</sup>中之一者；以及R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>、R<sup>5</sup>及R<sup>6</sup>獨立地具有如申請專利範圍第1項中R<sup>1</sup>之定義，且彼此選擇性地以共價鍵連接至少一另一者，或各自為單獨基團。
如申請專利範圍第1項所述之有機隨機聚合物，其中Ar<sup>2</sup>及Ar<sup>3</sup>進一步獨立地選自下列結構中之一者：<figure><img align="absmiddle" height="163px" width="546px" file="d10113.TIF" alt="化學式ed10113.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10113.png"/></figure>其中，R<sup>7</sup>及R<sup>8</sup>的定義與申請專利範圍第1項中之R<sup>1</sup>的定義相同。
如申請專利範圍第1項所述之有機隨機聚合物，其中Ar<sup>4</sup>及Ar<sup>5</sup>進一步獨立地選自下列結構及其鏡像結構中之一者：<figure><img align="absmiddle" height="199px" width="581px" file="d10111.TIF" alt="化學式ed10111.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10111.png"/></figure>其中，W<sup>4</sup>、W<sup>5</sup>及W<sup>6</sup>係獨立地選自S、O、Se、CR<sup>9</sup>R<sup>10</sup>、SiR<sup>9</sup>R<sup>10</sup>、C=O及NR<sup>9</sup>中之一者；R<sup>9</sup>及R<sup>10</sup>具有如申請專利範圍第1項中R<sup>1</sup>的定義；以及U<sup>3</sup>具有如申請專利範圍第1項中U<sup>1</sup>之定義。
如申請專利範圍第1項所述之有機隨機聚合物，其中Ar<sup>6</sup>、Ar<sup>7</sup>、Ar<sup>8</sup>及Ar<sup>9</sup>進一步獨立地選自下列結構及其鏡像結構中之一者：<figure><img align="absmiddle" height="126px" width="650px" file="d10112.TIF" alt="化學式ed10112.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10112.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="144px" width="267px" file="d10103.TIF" alt="化學式ed10103.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10103.png"/></figure><br/>其中，W<sup>7</sup>及W<sup>8</sup>係獨立地選自S、O、Se、CR<sup>11</sup>R<sup>12</sup>、SiR<sup>11</sup>R<sup>12</sup>、C=O及NR<sup>11</sup>中之一者；<br/>V<sup>1</sup>及V<sup>2</sup>係獨立地選自CR<sup>11</sup>及N中之一者，其中R<sup>11</sup>及R<sup>12</sup>獨立地具有如申請專利範圍第1項中R<sup>1</sup>的定義；以及<br/>X<sup>1</sup>、X<sup>2</sup>、X<sup>3</sup>及X<sup>4</sup>獨立地具有如申請專利範圍第1項中R<sup>1</sup>之定義。
如申請專利範圍第1項所述之有機隨機聚合物，其中Ar<sup>10</sup>及Ar<sup>11</sup>進一步獨立地選自下列結構及其鏡像結構中之一者：<br/><figure><img align="absmiddle" height="205px" width="656px" file="d10104.TIF" alt="化學式ed10104.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10104.png"/></figure><br/>其中，W<sup>9</sup>、W<sup>10</sup>、W<sup>11</sup>及W<sup>12</sup>係獨立地選自S、O、Se、CR<sup>13</sup>R<sup>14</sup>、SiR<sup>13</sup>R<sup>14</sup>、C=O及NR<sup>13</sup>中之一者；<br/>各V<sup>3</sup>係獨立地選自CR<sup>13</sup>及N中之一者；以及<br/>其中，R<sup>13</sup>及R<sup>14</sup>獨立地具有如申請專利範圍第1項中R<sup>1</sup>之定義；X<sup>5</sup>及X<sup>6</sup>獨立地具有如申請專利範圍第1項中R<sup>1</sup>之定義。
如申請專利範圍第1項所述之有機隨機聚合物，其中Ar<sup>12</sup>進一步選自下列結構及其鏡像結構中之一者：<br/><figure><img align="absmiddle" height="170px" width="647px" file="d10105.TIF" alt="化學式ed10105.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10105.png"/></figure><br/><figure><img align="absmiddle" height="404px" width="698px" file="d10106.TIF" alt="化學式ed10106.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10106.png"/></figure><br/>其中，W<sup>13</sup>、W<sup>14</sup>、W<sup>15</sup>及W<sup>16</sup>係獨立地選自S、O、Se、CR<sup>15</sup>R<sup>16</sup>、SiR<sup>15</sup>R<sup>16</sup>、C=O及NR<sup>15</sup>中之一者；<br/>V<sup>4</sup>及V<sup>5</sup>係獨立地選自CR<sup>15</sup>及N中之一者；以及<br/>R<sup>15</sup>、R<sup>16</sup>、X<sup>7</sup>及X<sup>8</sup>獨立地具有如申請專利範圍第1項中R<sup>1</sup>之定義，且彼此選擇性地以共價鍵連接至少一個另一者，或各自為單獨基團。
如申請專利範圍第1項所述之有機隨機聚合物，其中Ar<sup>13</sup>及Ar<sup>14</sup>進一步選自下列結構及其鏡像結構中之一者：<br/><figure><img align="absmiddle" height="266px" width="649px" file="d10107.TIF" alt="化學式ed10107.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10107.png"/></figure><br/>其中，W<sup>17</sup>及W<sup>18</sup>係獨立地選自S、O、Se、CR<sup>17</sup>R<sup>18</sup>、SiR<sup>17</sup>R<sup>18</sup>、C=O及NR<sup>17</sup>中之一者；<br/>V<sup>6</sup>及V<sup>7</sup>係獨立地選自CR<sup>17</sup>及N中之一者；<br/>R<sup>17</sup>、R<sup>18</sup>、X<sup>9</sup>、X<sup>10</sup>、X<sup>11</sup>及X<sup>12</sup>獨立地具有如申請專利範圍第1項中R<sup>1</sup>之定義，且X<sup>9</sup>、X<sup>10</sup>、X<sup>11</sup>及X<sup>12</sup>彼此選擇性地以共價鍵連接至少一個另一者，或各自為單獨基團；以及<br/>m係獨立地選自0、1、2、3及4中之一者。
如申請專利範圍第1項所述之有機隨機聚合物，其中RT<sup>1</sup>及RT<sup>2</sup>進一步選自下列結構中之一者：<br/><figure><img align="absmiddle" height="568px" width="657px" file="d10108.TIF" alt="化學式ed10108.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10108.png"/></figure><br/>其中，R<sup>19</sup>及R<sup>20</sup>獨立地具有如申請專利範圍第1項中R<sup>1</sup>之定義；以及m係獨立地選自0、1、2、3及4中之一者。
一種有機組合物，包含：<br/>一種如申請專利範圍第1項所述之有機隨機聚合物；以及<br/>一P型有機半導體材料和一N型有機半導體材料中至少一者；<br/>其中該P型有機半導體材料包含有至少一個有機共軛高分子或一個有機共軛小分子，該N型有機半導體材料的能隙為0.5~2.0eV。
一種有機光電元件，其包含一種如申請專利範圍第1項所述之有機隨機聚合物。
一種有機光電元件，包含：<br/>一第一電極；<br/>一主動層，包含一種如申請專利範圍第1項所述之有機隨機聚合物；以及<br/>一第二電極，其中該主動層位於該第一電極及該第二電極之間，且該第一電極和該第二電極至少一者為透明或半透明電極。
一種有機光電元件，包含：<br/>一第一電極；<br/>一主動層，包含一種如申請專利範圍第10項所述之有機組合物；以及<br/>一第二電極，其中該主動層位於該第一電極及該第二電極之間，且該第一電極和該第二電極至少一者為透明或半透明電極。
一種基座，其包含：<br/> 一表面，其構造成在其上支撐一基板；<br/> 複數個通道，其延伸到該表面並相對於該表面的一中心徑向向外，該等通道之每一者包含一遠端，該等通道的該等遠端形成一吹驅周邊，該等通道構造成在一氣體在該等通道徑向流動的期間，產生圍繞該吹驅周邊的該氣體之基本一致的速度和壓力之至少一者；以及<br/> 一外部邊緣，該外部邊緣圍繞該表面的一外周，其中該等通道之每一者包含一漸擴部分，且該漸擴部分的一剖面面積在徑向上朝向該外部邊緣擴大。
如請求項1所述之基座，其中該等通道構造成使得圍繞該吹驅周邊的該氣體之基本一致的速度和壓力之至少一者包含，對於該氣體當中至少75%顆粒之每一者，保持一速度，且該速度與所有氣體顆粒的平均速度的變化不超過一標準偏差。
如請求項1所述之基座，其中該等通道之相鄰二者之間的一角度介於約5<sup>o</sup>和35<sup>o</sup>之間。
如請求項3所述之基座，其中該角度為約15<sup>o</sup>。
如請求項1所述之基座，其中該等通道之至少一者包括一曲線側壁。
如請求項5所述之基座，其中該曲線側壁為一半圓形側壁。
如請求項1所述之基座，其中該等通道之每一者之該漸擴部分彼此不相交。
如請求項1所述之基座，其中該漸擴部分包含一第一邊緣和並未接觸該第一邊緣的一第二邊緣。
如請求項8所述之基座，其中該漸擴部分之該第一邊緣以及該第二邊緣界定一三角形形狀之其中二邊。
如請求項1所述之基座，其更包含一環形通道，該環形通道係設置在該等通道之至少一者的徑向內側並與其流體連通。
如請求項10所述之基座，其更包含一背表面和一或多個孔，該背表面相對於該表面，該一或多個孔延伸於該表面與該背表面之間，其中該一或多個孔在徑向上相較於該漸擴部分更靠近該環形通道。
如請求項1所述之基座，其中該等通道之每一者包含一細長部分，該細長部分係設置在該漸擴部分的徑向內側，且該細長部分的一剖面面積沿著徑向基本恆定。
一種反應腔室，包含如請求項 1-12中任一項所述之基座，其更包含構造成引導氣體流基本垂直於該表面的一噴灑頭。
一種用於由一無線區域網路的一無線通訊裝置進行的無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/>產生包括一特定於第一代的前序信號及一特定於第二代的前序信號的一多代實體層協定資料單元（PPDU），至少部分地基於一無線通訊規範的一第一代來格式化該特定於第一代的前序信號，至少部分地基於該無線通訊規範的一第二代來格式化該特定於第二代的前序信號，其中至少部分地基於該多代PPDU的一聚合頻寬來修改至少該特定於第一代的前序信號或該特定於第二代的前序信號；及<br/>經由一無線通道發送該多代PPDU，其中該無線通道的一第一子通道包括該多代PPDU的該特定於第一代的前序信號，且該無線通道的一第二子通道包括該多代PPDU的該特定於第二代的前序信號。
如請求項1所述的方法，其中該多代PPDU包括：<br/>包括該特定於第一代的前序信號的一特定於第一代的PPDU；及<br/>包括該特定於第二代的前序信號的一特定於第二代的PPDU。
如請求項2所述的方法，其中：<br/>該特定於第一代的PPDU包括被該第一子通道包含的一第一資料欄位；及<br/>該特定於第二代的PPDU包括被該第二子通道包含的一第二資料欄位。
如請求項3所述的方法，其中：<br/>該特定於第一代的PPDU的該第一資料欄位延伸一第一持續時間；<br/>該特定於第二代的PPDU的該第二資料欄位延伸一第二持續時間，該第二持續時間比該第一持續時間長；及<br/>該特定於第一代的PPDU包括一第一填充欄位，其中該特定於第一代的PPDU的一末端至少部分地基於該第一填充欄位與包括該特定於第二代的前序信號的該特定於第二代的PPDU的一末端對準。
如請求項3所述的方法，其中：<br/>該特定於第一代的PPDU的該第一資料欄位使用根據該無線通訊規範的該第一代的一第一音調計畫；及<br/>該特定於第二代的PPDU的該第二資料欄位使用根據該無線通訊規範的該第二代的一第二音調計畫。
如請求項2所述的方法，其中：<br/>該特定於第一代的PPDU包括一第一傳統前序信號，其中該第一子通道包括該第一傳統前序信號；及<br/>該特定於第二代的PPDU包括一第二傳統前序信號，其中該第二子通道包括該第二傳統前序信號。
如請求項2所述的方法，其中：<br/>該特定於第一代的前序信號包括一第一相位旋轉；及<br/>該特定於第二代的前序信號包括一第二相位旋轉。
如請求項2所述的方法，其中：<br/>該特定於第一代的PPDU包括跟在該特定於第一代的前序信號之後的一或多個特定於第一代的訓練欄位；及<br/>該特定於第二代的PPDU包括跟在該特定於第二代的前序信號之後的一或多個特定於第二代的訓練欄位，其中該第二子通道包括該一或多個特定於第二代的訓練欄位。
如請求項2所述的方法，其中：<br/>該特定於第一代的PPDU包括一第一傳統前序信號，其中該第一子通道包括該第一傳統前序信號，且其中該第一傳統前序信號包括一長度欄位，該長度欄位具有根據該無線通訊規範的該第一代的一第一長度；及<br/>該特定於第二代的PPDU包括一第二傳統前序信號，其中該第二子通道包括該第二傳統前序信號，且其中該第二傳統前序信號包括該長度欄位，該長度欄位具有根據該無線通訊規範的該第二代的一第二長度。
如請求項1所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/>產生包括該特定於第一代的前序信號及一第一資料欄位的一特定於第一代的PPDU，其中該第一子通道包括該第一資料欄位；及<br/>產生包括該特定於第二代的前序信號及一第二資料欄位的一特定於第二代的PPDU，其中該第二子通道包括該第二資料欄位；<br/>其中產生該多代PPDU之步驟包括以下步驟：聚合該特定於第一代的PPDU及該特定於第二代的PPDU。
如請求項1所述的方法，其中該多代PPDU包括：<br/>一資料欄位，該資料欄位對該特定於第一代的前序信號及該特定於第二代的前序信號為公共的，其中該第一子通道及該第二子通道包括該資料欄位的相應部分。
如請求項1所述的方法，其中：<br/>該多代PPDU橫跨一頻寬；<br/>該頻寬的一主通道包括該特定於第一代的前序信號；及<br/>該頻寬的一輔通道包括該特定於第二代的前序信號。
如請求項12所述的方法，其中：<br/>該特定於第一代的前序信號指示該頻寬的該主通道；及<br/>該特定於第二代的前序信號指示該頻寬。
如請求項12所述的方法，其中：<br/>該特定於第一代的前序信號指示該頻寬的該主通道；及<br/>該特定於第二代的前序信號指示該頻寬的該輔通道。
一種無線通訊裝置，包括：<br/>一或多個處理器；<br/>一或多個記憶體，該一或多個記憶體與該一或多個處理器耦合；及<br/>一或多個處理器可讀取指令，該一或多個處理器可讀取指令儲存於該一或多個記憶體中且可由該一或多個處理器個別地或集體地執行以使該無線通訊裝置進行以下操作：<br/>產生包括一特定於第一代的前序信號及一特定於第二代的前序信號的一多代實體層協定資料單元（PPDU），至少部分地基於一無線通訊規範的一第一代來格式化該特定於第一代的前序信號，至少部分地基於該無線通訊規範的一第二代來格式化該特定於第二代的前序信號，其中至少部分地基於該多代PPDU的一聚合頻寬來修改至少該特定於第一代的前序信號或該特定於第二代的前序信號；及<br/>經由一無線通道發送該多代PPDU，其中該無線通道的一第一子通道包括該多代PPDU的該特定於第一代的前序信號，且該無線通道的一第二子通道包括該多代PPDU的該特定於第二代的前序信號。
如請求項15所述的無線通訊裝置，其中該多代PPDU包括：<br/>包括該特定於第一代的前序信號的一特定於第一代的PPDU；及<br/>包括該特定於第二代的前序信號的一特定於第二代的PPDU。
如請求項16所述的無線通訊裝置，其中：<br/>該特定於第一代的PPDU包括被該第一子通道包含的一第一資料欄位；及<br/>該特定於第二代的PPDU包括被該第二子通道包含的一第二資料欄位。
如請求項17所述的無線通訊裝置，其中：<br/>該特定於第一代的PPDU的該第一資料欄位延伸一第一持續時間；<br/>該特定於第二代的PPDU的該第二資料欄位延伸一第二持續時間，該第二持續時間比該第一持續時間長；及<br/>該特定於第一代的PPDU包括一第一填充欄位，其中該特定於第一代的PPDU的一末端至少部分地基於該第一填充欄位與包括該特定於第二代的前序信號的該特定於第二代的PPDU的一末端對準。
如請求項16所述的無線通訊裝置，其中：<br/>該特定於第一代的PPDU包括一第一傳統前序信號，其中該第一子通道包括該第一傳統前序信號；及<br/>該特定於第二代的PPDU包括一第二傳統前序信號，其中該第二子通道包括該第二傳統前序信號。
一種非暫時性電腦可讀取媒體，儲存用於在一無線區域網路中進行無線通訊的代碼，該代碼包括可由一或多個處理器執行的指令以進行以下操作：<br/>產生包括一特定於第一代的前序信號及一特定於第二代的前序信號的一多代實體層協定資料單元（PPDU），至少部分地基於一無線通訊規範的一第一代來格式化該特定於第一代的前序信號，至少部分地基於該無線通訊規範的一第二代來格式化該特定於第二代的前序信號，其中至少部分地基於該多代PPDU的一聚合頻寬來修改至少該特定於第一代的前序信號或該特定於第二代的前序信號；及<br/>經由一無線通道發送該多代PPDU，其中該無線通道的一第一子通道包括該多代PPDU的該特定於第一代的前序信號，且該無線通道的一第二子通道包括該多代PPDU的該特定於第二代的前序信號。
一種香莢蘭萃取液的用途，係用以製備提升冷凍豬精液的品質的佐劑，其中，該香莢蘭萃取液係供以0.10%(v/v)的濃度，添加於用以冷凍一豬精液的一冷凍稀釋液中，續將包含該豬精液的冷凍稀釋液進行冷凍，且該香莢蘭萃取液係由包含以下步驟的方法所製備獲得：提供該香莢蘭樣品，該香莢蘭樣品為香莢蘭(<i>Vanilla planifolia</i>)的蒴果；以每1公克之香莢蘭樣品混合介於0.33~1公升之間的水的比例，混合該香莢蘭樣品及水；及於60~65℃的溫度下，以水萃取該香莢蘭樣品，以獲得該香莢蘭萃取液。
一種單體，以下式(A)表示， <br/><img align="absmiddle" height="46px" width="93px" file="ed10296.jpg" alt="ed10296.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，n1為0或1，n2為1或2，n3為1或2，n4為0、1、2、3或4，惟，n1為0時，2≤n2+n3+n4≤5，n1為1時，2≤n2+n3+n4≤7， <br/>R<sup>A</sup>為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基， <br/>X<sup>L</sup>為單鍵或-C(=O)-O-*，*表示與芳香環上的碳原子的原子鍵， <br/>R<sup>1</sup>為鹵素原子、硝基、氰基、羥基、羧基、或亦可含有雜原子的碳數1～20的烴基， <br/>R<sup>AL</sup>為酸不安定基， <br/>惟，n2為1時，-O-R<sup>AL</sup>-和SF<sub>5</sub>各自鍵結在芳香環上的相鄰碳原子上，n2為2時，2個-O-R<sup>AL</sup>中的1個是鍵結在與-SF<sub>5</sub>所鍵結的芳香環上的碳原子相鄰的碳原子上。
如請求項1之單體，以下述式(A1)表示， <br/><img align="absmiddle" height="46px" width="96px" file="ed10297.jpg" alt="ed10297.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，n1、n4、R<sup>A</sup>、X<sup>L</sup>、R<sup>1</sup>和R<sup>AL</sup>與上述相同。
如請求項1之單體，其中，R<sup>AL</sup>為下述式(AL-1)或(AL-2)表示的基， <br/><br/><img align="absmiddle" height="34px" width="143px" file="ed10298.jpg" alt="ed10298.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，n5為0或1，n6為0或1， <br/>R<sup>L1</sup>、R<sup>L2</sup>和R<sup>L3</sup>各自獨立地為碳數1～12的烴基，該烴基的-CH<sub>2</sub>-的一部分也可被-O-或-S-取代，該烴基包含芳香環的情況下，該芳香環的氫原子的一部分或全部也可被鹵素原子、氰基、硝基、亦可含有鹵素原子的碳數1～4的烷基或亦可含有鹵素原子的碳數1～4的烷氧基取代，另外，R<sup>L1</sup>、R<sup>L2</sup>和R<sup>L3</sup>中的任意2個亦可相互鍵結並與它們所鍵結的碳原子一起形成環，該環的-CH<sub>2</sub>-的一部分亦可被-O-或-S-取代， <br/>R<sup>L4</sup>和R<sup>L5</sup>各自獨立地為氫原子或碳數1～10的烴基，R<sup>L6</sup>為碳數1～20的烴基，該烴基的-CH<sub>2</sub>- 的一部分亦可被-O-或-S-取代，另外，R<sup>L5</sup>和R<sup>L6</sup>亦可彼此鍵結而與它們所鍵結的碳原子和L<sup>A</sup>一起形成碳數3～20的雜環基，該雜環基的-CH<sub>2</sub>- 的一部分亦可被-O-或-S-取代， <br/>L<sup>A</sup>為-O-或-S-， <br/>*表示與相鄰的-O-的原子鍵。
一種聚合物，其包含來自如請求項1之單體的重複單元。
如請求項4之聚合物，更包含下述式(a1)或(a2)表示的重複單元， <br/><img align="absmiddle" height="53px" width="85px" file="ed10299.jpg" alt="ed10299.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>A</sup>各自獨立地為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基， <br/>X<sup>1</sup>為單鍵、伸苯基、伸萘基、*-C(=O)-O-X<sup>11</sup>-或*-C(=O)-NH-X<sup>11</sup>-，該伸苯基或伸萘基亦可被羥基、硝基、氰基、亦可含有氟原子之碳數1～10的飽和烴基、亦可含有氟原子的碳數1～10的飽和烴基氧基或鹵素原子取代，X<sup>11</sup>為碳數1～10的飽和伸烴基、伸苯基或伸萘基，該飽和伸烴基亦可包含羥基、醚鍵、酯鍵或內酯環， <br/>X<sup>2</sup>為單鍵、*-C(=O)-O-或*-C(=O)-NH-， <br/>*表示與主鏈的碳原子的原子鍵， <br/>R<sup>11</sup>為鹵素原子、氰基、羥基、硝基、亦可含有雜原子的碳數1～20的烴基、亦可含有雜原子的碳數1～20的烴氧基、亦可含有雜原子的碳數2～20的烴基羰基、亦可含有雜原子的碳數2～20的烴基羰氧基或亦可含有雜原子的碳數2～20的烴氧基羰基， <br/>AL<sup>1</sup>和AL<sup>2</sup>各自獨立地為酸不安定基， <br/>a1為0、1、2、3或4。
如請求項4之聚合物，更包含下述式(a3)表示的重複單元， <br/><img align="absmiddle" height="63px" width="92px" file="ed10300.jpg" alt="ed10300.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，b1為0或1，b2在b1為0時為0、1、2或3，在b1為1時為0、1、2、3、4或5， <br/>R<sup>A</sup>為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基， <br/>X<sup>3</sup>為單鍵、*-C(=O)-O-或*-C(=O)-NH-，*表示與主鏈的碳原子的原子鍵， <br/>X<sup>4</sup>為單鍵、碳數1～4的脂肪族伸烴基、羰基、磺醯基或將它們組合而得到的基， <br/>X<sup>5</sup>和X<sup>6</sup>各自獨立地為氧原子或硫原子，惟，X<sup>4</sup>和X<sup>6</sup>與芳香環的相鄰碳原子鍵結， <br/>R<sup>12</sup>和R<sup>13</sup>各自獨立地為氫原子、或亦可含有雜原子的碳數1～20的烴基，另外，R<sup>12</sup>和R<sup>13</sup>亦可彼此鍵結並與它們所鍵結的碳原子一起形成環， <br/>R<sup>14</sup>表示鹵素原子、羥基、氰基、硝基、亦可含有雜原子的碳數1～20的烴基、亦可含有雜原子的碳數1～20的烴氧基、亦可含有雜原子的碳數2～20的烴氧基羰基、亦可含有雜原子的碳數1～20的烴硫基或-N(R<sup>14A</sup>)(R<sup>14B</sup>)，R<sup>14A</sup>和R<sup>14B</sup>各自獨立地為氫原子或碳數1～6的烴基，b2為2以上時，多個R<sup>14</sup>可以相互鍵結並與它們所鍵結的芳香環的碳原子一起形成環。
如請求項4之聚合物，更包含下述式(b1)或(b2)表示的重複單元， <br/><img align="absmiddle" height="52px" width="91px" file="ed10301.jpg" alt="ed10301.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>A</sup>各自獨立地為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基， <br/>Y<sup>1</sup>為單鍵或*-C(=O)-O-，*表示與主鏈的碳原子的原子鍵， <br/>R<sup>21</sup>為氫原子、或包含選自酚性羥基以外的羥基、氰基、羰基、羧基、醚鍵、酯鍵、磺酸酯鍵、碳酸酯鍵、內酯環、磺內酯環及羧酸酐(-C(=O)-O-C(=O)-)中的至少1個以上的結構的碳數1～20的基， <br/>R<sup>22</sup>為鹵素原子、羥基、羧基、硝基、氰基、亦可含有雜原子的碳數1～20的烴基、亦可含有雜原子的碳數1～20的烴氧基、亦可含有雜原子的碳數2～20的烴基羰基、亦可含有雜原子的碳數2～20的烴基羰氧基或亦可含有雜原子的碳數2～20的烴氧基羰基， <br/>c1為1、2、3或4，c2為0、1、2、3或4，惟，1≤c1+c2≤5。
如請求項4之聚合物，更包含選自下述式(c1)表示的重複單元、下述式(c2)表示的重複單元、下述式(c3)表示的重複單元、下述式(c4)表示的重複單元和下述式(c5)表示的重複單元中的至少1種， <br/><img align="absmiddle" height="154px" width="207px" file="ed10302.jpg" alt="ed10302.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，d1和d2各自獨立地為0、1、2或3， <br/>e1為0或1，e2為0、1、2、3或4，e3為0、1、2、3或4，惟，e1為0時，0≤e2+e3≤4，e1為1時，0≤e2+e3≤6， <br/>R<sup>A</sup>各自獨立地為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基， <br/>Z<sup>1</sup>為單鍵或亦可具有取代基的伸苯基， <br/>Z<sup>2</sup>為單鍵、**-C(=O)-O-Z<sup>21</sup>-、**-C(=O)-NH-Z<sup>21</sup>- 或**-O-Z<sup>21</sup>-，Z<sup>21</sup>為碳數1～6的脂肪族伸烴基、伸苯基或將它們組合而得到的2價基，且亦可含有鹵素原子、羰基、酯鍵、醚鍵或羥基， <br/>Z<sup>3</sup>為單鍵、醚鍵、酯鍵、磺酸酯鍵、醯胺鍵、磺醯胺鍵、碳酸酯鍵或胺基甲酸酯鍵， <br/>Z<sup>4</sup>為單鍵、或碳數1～6的脂肪族伸烴基、伸苯基或將它們組合而得到的2價基，且亦可含有鹵素原子、羰基、酯鍵、醚鍵或羥基， <br/>Z<sup>5</sup>各自獨立地為單鍵、亦可具有取代基的伸苯基、伸萘基或*-C(=O)-O-Z<sup>51</sup>-，Z<sup>51</sup>為碳數1～10的脂肪族伸烴基、伸苯基或伸萘基，該脂肪族伸烴基亦可含有鹵素原子、羥基、醚鍵、酯鍵或內酯環， <br/>Z<sup>6</sup>為單鍵、醚鍵、酯鍵、磺酸酯鍵、醯胺鍵、磺醯胺鍵、碳酸酯鍵或胺基甲酸酯鍵， <br/>Z<sup>7</sup>各自獨立地為單鍵、***-Z<sup>71</sup>-C(=O)-O-、***-C(=O)-NH-Z<sup>71</sup>- 或***-O-Z<sup>71</sup>- Z，Z<sup>71</sup>為亦可含有雜原子的碳數1～20的伸烴基， <br/>Z<sup>8</sup>各自獨立地為單鍵、****-Z<sup>81</sup>-C(=O)-O-、****-C(=O)-NH-Z<sup>81</sup>- 或****-O-Z<sup>81</sup>-，Z<sup>81</sup>為亦可含有雜原子的碳數1～20的伸烴基， <br/>Z<sup>9</sup>為單鍵、亞甲基、伸乙基、伸苯基、氟化伸苯基、被三氟甲基取代的伸苯基、*-C(=O)-O-Z<sup>91</sup>-、*-C(=O)-N(H)-Z<sup>91</sup>- 或*-O-Z<sup>91</sup>-，Z<sup>91</sup>為碳數1～6的脂肪族伸烴基、伸苯基、氟化伸苯基或被三氟甲基取代的伸苯基，且亦可包含羰基、酯鍵、醚鍵或羥基， <br/>*表示與主鏈的碳原子的原子鍵，**表示與Z<sup>1</sup>的原子鍵，***表示與Z<sup>6</sup>的原子鍵，****表示與Z<sup>7</sup>的原子鍵， <br/>L<sup>1</sup>為單鍵、醚鍵、酯鍵、羰基、磺酸酯鍵、磺醯胺鍵、碳酸酯鍵或胺基甲酸酯鍵， <br/>Rf<sup>1</sup>和Rf<sup>2</sup>各自獨立地為氟原子或碳數1～6的氟化飽和烴基， <br/>Rf<sup>3</sup>和Rf<sup>4</sup>各自獨立地為氫原子、氟原子或碳數1～6的氟化飽和烴基， <br/>Rf<sup>5</sup>和Rf<sup>6</sup>各自獨立地為氫原子、氟原子或碳數1～6的氟化飽和烴基，惟，所有Rf<sup>5</sup>和Rf<sup>6</sup>不同時為氫原子， <br/>Rf<sup>7</sup>為氟原子、碳數1～6的氟化烷基、碳數1～6的氟化烷氧基或碳數1～6的氟化烷硫基， <br/>R<sup>31</sup>和R<sup>32</sup>各自獨立地為亦可含有雜原子的碳數1～20的烴基，另外，R<sup>31</sup>和R<sup>32</sup>亦可彼此鍵結並與它們所鍵結的硫原子一起形成環， <br/>R<sup>33</sup>為氟原子以外的鹵素原子或亦可含有雜原子的碳數為1～20的烴基，e3為2、3或4時，多個R<sup>33</sup>可以彼此鍵結並與它們所鍵結的碳原子一起形成環， <br/>M<sup>-</sup>為非親核性相對離子， <br/>A<sup>+</sup>為鎓陽離子。
一種化學增幅阻劑組成物，包含：含有如請求項4至8中任一項之聚合物的基礎聚合物、酸產生劑及有機溶劑。
如請求項9之化學增幅阻劑組成物，更包含淬滅劑。
如請求項9之化學增幅阻劑組成物，更含有界面活性劑。
一種圖案形成方法，包括：使用如請求項9之化學增幅阻劑組成物在基板上形成阻劑膜的步驟；使用高能射線對該阻劑膜進行曝光的步驟；和使用顯影液對該曝光後的阻劑膜進行顯影的步驟。
如請求項12之圖案形成方法，其中，該高能射線為KrF準分子雷射、ArF準分子雷射、電子束或波長3～15nm的極紫外線。
一種散熱系統，所述散熱系統包括：箱體（100），所述箱體（100）中設有發熱部件（200）；其中，箱體（100）包括：第一箱體（110），部分所述發熱部件（200）設置在所述第一箱體（110）中；以及第二箱體（120），所述第一箱體（110）與所述第二箱體（120）連接，並且部分所述發熱部件（200）設置在所述第二箱體（120）中；其中，所述第一箱體（110）的第一端設有冷卻液入口（111），所述第一箱體（110）的第二端設有冷卻液出口（112），所述冷卻液經由所述冷卻液入口（111）和所述冷卻液出口（112）以冷卻所述發熱部件（200）；其中，所述冷卻液入口（111）和所述冷卻液出口（112）設置在同一平面；液冷結構（300），所述液冷結構（300）與所述箱體（100）連接，所述液冷結構（300）用於向所述箱體（100）中流通冷卻液，以冷卻所述發熱部件（200），部分所述液冷結構（300）均設置在所述第二箱體（120）中；以及其中，所述液冷結構（300）包括：連接管路（310），所述連接管路（310）的一端與所述冷卻液入口（111）連通，所述連接管路（310）的另一端與所述冷卻液出口（112）連通；驅動組件（320），所述驅動組件（320）設置在所述連接管路（310）上，所述驅動組件（320）用於驅動所述冷卻液在所述連接管路（310）中流動；以及換熱組件（330），所述換熱組件（330）也設置在所述連接管路（310）上，所述換熱組件（330）與所述驅動組件（320）連通，所述冷卻液經由所述驅動組件（320）進入所述換熱組件（330），所述換熱組件（330）用於散熱；風冷結構（400），所述風冷結構（400）設置在所述箱體（100）的一側，所述風冷結構（400）形成用於冷卻所述液冷結構（300）的風流；其中，所述風冷結構（400）設置在所述第二箱體（120）中。
如請求項1所述的散熱系統，其中所述第一箱體（110）的高度大於所述第二箱體（120）的高度。
如請求項1所述的散熱系統，其中所述驅動組件（320）為泵體，所述驅動組件（320）包括泵入口和泵出口，所述泵入口與所述冷卻液出口（112）通過所述連接管路（310）連通，所述泵出口與所述換熱組件（330）通過所述連接管路（310）連通。
如請求項3所述的散熱系統，其中所述換熱組件（330）為管帶式換熱器，所述換熱組件（330）包括換熱進口和換熱出口，所述換熱進口與所述泵出口通過所述連接管路（310）連通，所述換熱出口與所述冷卻液入口（111）通過所述連接管路（310）連通。
如請求項4所述的散熱系統，其中所述風冷結構（400）為風扇，所述風扇設置在所述第二箱體（120）的一側，所述風扇用於為所述換熱組件散熱。
一種伺服器，包括請求項1至5任一項所述的散熱系統。
一種用於資料處理裝置的散熱裝置，其中，包括：<br/> 第一散熱組件(10)，用於安裝在處理器(30)上方，所述第一散熱組件(10)被配置為吸收處理器(30)的熱量；以及第二散熱組件(20)，設置於所述第一散熱組件(10)上方，所述第二散熱組件(20)至少一端用於安裝在記憶體模組(40)上方，所述第二散熱組件(20)被配置為將記憶體模組(40)的熱量傳遞至所述第二散熱組件(20)內擴散並傳遞至所述第一散熱組件(10)內，所述第二散熱組件(20)包括擴熱件(21)和導熱件(22)，所述擴熱件(21)橫向設置於所述第一散熱組件(10)上方，與所述第一散熱組件(10)導熱連接；兩個所述導熱件(22)分別縱向設置於所述擴熱件(21)的兩端，所述導熱件(22)的一端用於插接在記憶體模組(40)內；所述第一散熱組件(10)包括進液口(12)和出液口(13)，冷卻液從所述進液口(12)流入所述第一散熱組件(10)內，吸收熱量後從所述出液口(13)流出。
如請求項1所述的用於資料處理裝置的散熱裝置，其中，所述第二散熱組件(20)的兩端與所述第一散熱組件(10)之間存在間距，所述第二散熱組件(20)的兩端分別設於記憶體模組(40)上方，所述第一散熱組件(10)設置於所述間距內。
如請求項1所述的用於資料處理裝置的散熱裝置，其中，所述第一散熱組件(10)包括冷卻件(11)，所述冷卻件(11)一端與所述擴熱件(21)連接，另一端用於安裝在處理器(30)上方；所述冷卻件(11)包括進液口(12)和出液口(13)，所述進液口(12)與出液口(13)對側設置。
如請求項3所述的用於資料處理裝置的散熱裝置，其中，所述冷卻件(11)內設有腔室(14)，所述腔室(14)一端與所述進液口(12)連通，另一端與出液口(13)連通，所述腔室(14)被配置為引導冷卻液的流動。
如請求項4所述的用於資料處理裝置的散熱裝置，其中，所述冷卻件(11)為冷板結構，所述冷板結構的腔室(14)內設有流道(15)，所述流道(15)內的冷卻液的流動方向與所述第一散熱組件(10)或第二散熱組件(20)傳遞熱量的方向相垂直。
如請求項5所述的用於資料處理裝置的散熱裝置，其中，所述腔室(14)內設有多個鰭片結構(16)，多個所述鰭片結構(16)與所述進液口(12)的進液方向平行間隔設置形成所述流道(15)。
如請求項1所述的用於資料處理裝置的散熱裝置，其中，所述導熱件(22)包括多個縱向間隔設置的導熱板(221)，多個所述導熱板(221)遠離所述擴熱件(21)的一端分別用於插入在多個記憶體模組(40)之間，所述導熱板(221)的外側壁與記憶體模組(40)的外側壁接觸。
如請求項7所述的用於資料處理裝置的散熱裝置，其中，所述擴熱件(21)內設有多個橫向間隔設置的熱管(211)，所述熱管(211)與所述導熱板(221)連接，所述熱管(211)覆蓋於所述第一散熱組件(10)上，所述熱管(211)被配置為將從所述導熱板(221)吸收的熱量傳遞至所述第一散熱組件(10)。
如請求項1所述的用於資料處理裝置的散熱裝置，其中，所述第一散熱組件(10)與處理器(30)的接觸部分、所述第一散熱組件(10)與所述第二散熱組件(20)的接觸部分、以及所述第二散熱組件(20)與記憶體模組(40)的接觸部分均設有導熱材料。
一種具有自適應補償器之矽基液晶裝置，包括：<br/> 矽基液晶模組，具有熱感測器，設置於電路板上；<br/> 補償器，具有可旋轉裝置，設置於該矽基液晶模組上；及<br/> 處理器，形成在該電路板上，以響應熱訊號之特定顏色響應趨勢，根據該熱感測器所接收之該熱訊號，控制該補償器之旋轉角度；其中該處理器耦合至資料庫，該資料庫儲存對應該旋轉角度之所述熱訊號之該特定顏色響應趨勢。
如請求項1之具有自適應補償器之矽基液晶裝置，其中該矽基液晶模組透過以下步驟進行設定測試：<br/> 依據該熱感測器所測量溫度，監測該矽基液晶模組之特定顏色響應；<br/> 依據該特定顏色響應建立該資料庫；<br/> 透過該處理器基於該資料庫對該補償器進行最佳設定；及<br/> 其中該補償器之所述最佳設定可依據該熱感測器所測量之溫度進行動態調整。
如請求項1之具有自適應補償器之矽基液晶裝置，其中該資料庫為查詢表形式。
如請求項2之具有自適應補償器之矽基液晶裝置，其中該熱訊號之所述特定顏色響應趨勢包括透過對應於每一該熱訊號之各個角度，旋轉該補償器所測量之所述特定顏色響應。
如請求項4之具有自適應補償器之矽基液晶裝置，其中該熱訊號包括與該熱感測器所測量之溫度相對應之電壓訊號。
如請求項1之具有自適應補償器之矽基液晶裝置，其中該矽基液晶模組包括矽背板上液晶層。
如請求項1之具有自適應補償器之矽基液晶裝置，其中該旋轉角度藉由該處理器發送控制訊號，旋轉與該補償器耦合之角度致動器而得。
如請求項1之具有自適應補償器之矽基液晶裝置，其中該旋轉角度介於負10度至正10度間。
如請求項1之具有自適應補償器之矽基液晶裝置，其中該電路板包括軟性印刷電路板。
如請求項1之具有自適應補償器之矽基液晶裝置，其中該補償器設定於該矽基液晶模組之顯示區域上。
一種具有自適應補償器之矽基液晶裝置，包括：<br/> 矽基液晶模組，具有熱感測器，設置於軟性電路板上；<br/> 補償器，設置於該矽基液晶模組之顯示區域上；及<br/> 可旋轉裝置，耦合該補償器，響應熱訊號之特定顏色響應趨勢，依據該熱感測器所接收之該熱訊號，控制該補償器之旋轉角度；其中該可旋轉裝置耦合至資料庫，該資料庫儲存對應該旋轉角度之所述熱訊號之該特定顏色響應趨勢。
如請求項11之具有自適應補償器之矽基液晶裝置，其中該熱感測器包含溫度感測器，嵌入該矽基液晶模組中。
如請求項11之具有自適應補償器之矽基液晶裝置，其中該熱訊號之該特定顏色響應趨勢為透過不同角度旋轉該補償器所測量之溫度相關之特定顏色對比度。
如請求項11之具有自適應補償器之矽基液晶裝置，其中該矽基液晶模組透過以下步驟進行設定測試：<br/> 依據該熱感測器所測量溫度，監測該矽基液晶模組之特定顏色響應；<br/> 依據該特定顏色響應建立該資料庫；<br/> 透過處理器基於該資料庫對該補償器進行最佳設定；及<br/> 其中該補償器之該最佳設定可依據該熱感測器所測量之溫度進行動態調整。
如請求項11之具有自適應補償器之矽基液晶裝置，其中該資料庫為查詢表形式。
如請求項11之具有自適應補償器之矽基液晶裝置，其中該矽基液晶模組包括矽背板上液晶層。
如請求項11之具有自適應補償器之矽基液晶裝置，其中該可旋轉裝置為角度致動器。
如請求項11之具有自適應補償器之矽基液晶裝置，其中該旋轉角度介於負10度至正10度間。
一種開關電路，包含：<br/> 一第一開關，包含一第一端、一第二端、及一控制端；<br/> 一第二開關，包含一第一端、一第二端、及一控制端；<br/> 一第三開關，包含一第一端、一第二端、及一控制端；<br/> 一第一訊號端，耦接於該第一開關之該第一端；<br/> 一第二訊號端，耦接於該第一開關之該第二端及該第二開關之該第一端；<br/> 一第三訊號端，耦接於該第三開關之該第一端；<br/> 一第四訊號端，耦接於該第二開關之該第二端及該第三開關之該第二端；<br/> 一第一控制端，耦接於該第一開關之該控制端，用以接收一第一控制訊號，該第一控制訊號用以控制該第一開關的導通或關斷；<br/> 一第二控制端，耦接於該第二開關之該控制端，用以接收一第二控制訊號，該第二控制訊號用以控制該第二開關的導通或關斷；及<br/> 一第三控制端，耦接於該第三開關之該控制端，用以接收一第三控制訊號，該第三控制訊號用以控制該第三開關的導通或關斷；<br/> 其中，於一第一模式，該第一開關斷開，該第二開關導通，該第三開關斷開，該第二訊號端及該第四訊號端之間藉由該第二開關形成一第一訊號路徑；<br/> 其中，於一第三模式，該第一開關導通，該第二開關斷開，該第三開關導通，該第三訊號端及該第四訊號端之間藉由該第三開關形成一第三訊號路徑，該第一訊號端及該第二訊號端之間藉由該第一開關形成一第四訊號路徑。
如請求項1所述的開關電路，其中：<br/> 於一第二模式，該第一開關導通，該第二開關導通，該第三開關斷開，該第一訊號端及該第四訊號端之間藉由該第一開關及該第二開關形成一第二訊號路徑。
如請求項1所述的開關電路，其中：<br/> 於一第四模式，該第一開關斷開，該第二開關斷開，該第三開關導通，該第三訊號端及該第四訊號端之間藉由該第三開關形成一第五訊號路徑。
如請求項1所述的開關電路，其中：<br/><br/> 於一第五模式，該第一開關斷開，該第二開關導通，該第三開關導通，該第三訊號端及該第二訊號端之間藉由該第二開關及該第三開關形成一第六訊號路徑，且該第三訊號端及該第四訊號端之間藉由該第三開關形成一第七訊號路徑。
如請求項1所述的開關電路，其中：<br/> 於一第六模式，該第一開關導通，該第二開關斷開，該第三開關斷開，該第一訊號端及該第二訊號端之間藉由該第一開關形成一第八訊號路徑。
如請求項5所述的開關電路，其中：<br/> 於一第四模式，該第一開關斷開，該第二開關斷開，該第三開關導通，該第三訊號端及該第四訊號端之間藉由該第三開關形成一第五訊號路徑；<br/> 於一第五模式，該第一開關斷開，該第二開關導通，該第三開關導通，該第三訊號端及該第二訊號端之間藉由該第二開關及該第三開關形成一第六訊號路徑，且該第三訊號端及該第四訊號端之間藉由該第三開關形成一第七訊號路徑。
一種顯示驅動電路，包含：<br/> 複數個接腳，其中每一接腳係該顯示驅動電路之內部及外部之間的一硬體介面，該複數個接腳包含一第一接腳至一第n接腳及至少一源極驅動接腳；<br/> 一電源產生器，包含一第一輸出端至一第n輸出端，用以分別提供一第一源極驅動電壓至一第n源極驅動電壓；<br/> 一源極驅動器，包含一第一輸入端至一第n輸入端，分別耦接於該電源產生器之該第一輸出端至該第n輸出端、及至少一輸出端，該至少一輸出端分別耦接於該至少一源極驅動接腳，用以輸出至少一源極驅動訊號；及<br/> 一第一開關電路，包含一第一訊號端、一第二訊號端、一第三訊號端及一第四訊號端，其中該第一訊號端及該第二訊號端之一者耦接於該電源產生器之該第一輸出端，該第一訊號端及該第二訊號端之另一者耦接於該第一接腳；<br/> 其中n為大於等於1之整數。
如請求項7所述的顯示驅動電路，其中該第一開關電路另包含：<br/> 一第一開關，包含一第一端、一第二端、及一控制端；<br/> 一第二開關，包含一第一端、一第二端、及一控制端；<br/> 一第三開關，包含一第一端、一第二端、及一控制端；<br/> 一第一控制端，耦接於該第一開關之該控制端，用以接收一第一控制訊號，該第一控制訊號用以控制該第一開關的導通或關斷；<br/> 一第二控制端，耦接於該第二開關之該控制端，用以接收一第二控制訊號，該第二控制訊號用以控制該第二開關的導通或關斷；及<br/> 一第三控制端，耦接於該第三開關之該控制端，用以接收一第三控制訊號，該第三控制訊號用以控制該第三開關的導通或關斷；<br/> 其中該第一訊號端耦接於該第一開關之該第一端；<br/> 該第二訊號端耦接於該第一開關之該第二端及該第二開關之該第一端；<br/> 該第三訊號端耦接於該第三開關之該第一端；且<br/> 該第四訊號端耦接於該第二開關之該第二端及該第三開關之該第二端。
如請求項7所述的顯示驅動電路，另包含：<br/> 一記憶體包含一輸入端，耦接於該第一開關電路之該第四訊號端、及一輸出端，用以輸出一預定資料；及<br/> 一查詢電路，包含一輸入端，用以接收該預定資料、及至少一輸出端，用以輸出一查詢結果；<br/> 其中該源極驅動器另包含至少一資料輸入端，耦接於該查詢電路之該至少一輸出端，且該源極驅動器根據至少該查詢結果輸出該至少一源極驅動訊號。
如請求項7所述的顯示驅動電路，其中該複數個接腳另包含至少一閘極驅動接腳，該顯示驅動電路另包含：<br/> 一閘極驅動器，包含至少一輸入端，用以接收至少一閘極驅動電壓、及至少一輸出端，分別耦接於該至少一閘極驅動接腳，用以分別輸出至少一閘極驅動訊號。
如請求項7所述的顯示驅動電路，其中：<br/> 該電源產生器之一第二輸出端至該第n輸出端分別耦接於一第二接腳至該第n接腳，且該第一接腳至該第n接腳分別耦接於一第一電容至一第n電容，且該第一電容至該第n電容設置在該顯示驅動電路的外部。
如請求項7所述的顯示驅動電路，另包含：<br/> 一第二開關電路，包含一第一訊號端、一第二訊號端、一第三訊號端及一第四訊號端，該第二開關電路之該第一訊號端及該第二訊號端之一者耦接於該電源產生器之一第二輸出端，該第二開關電路之該第一訊號端及該第二訊號端之另一者耦接於一第二接腳。
一種電路操作方法，用以控制如請求項8之顯示驅動電路，該電路操作方法包含：<br/> 於一第三模式，該第一開關導通，該第二開關斷開，該第三開關導通，該第三訊號端及該第四訊號端之間藉由該第三開關形成一第三訊號路徑，該第一訊號端及該第二訊號端之間藉由該第一開關形成一第四訊號路徑。
如請求項13所述的電路操作方法，另包含：<br/> 於一第一模式，該第一開關斷開，該第二開關導通，該第三開關斷開，該第二訊號端及該第四訊號端之間藉由該第二開關形成一第一訊號路徑。
如請求項14所述的電路操作方法，另包含：<br/> 於一第二模式，該第一開關導通，該第二開關導通，該第三開關斷開，該第一訊號端及該第四訊號端之間藉由該第一開關及該第二開關形成一第二訊號路徑；<br/> 於一第四模式，該第一開關斷開，該第二開關斷開，該第三開關導通，該第三訊號端及該第四訊號端之間藉由該第三開關形成一第五訊號路徑；<br/> 於一第五模式，該第一開關斷開，該第二開關導通，該第三開關導通，該第三訊號端及該第二訊號端之間藉由該第二開關及該第三開關形成一第六訊號路徑，且該第三訊號端及該第四訊號端之間藉由該第三開關形成一第七訊號路徑；及<br/> 於一第六模式，該第一開關導通，該第二開關斷開，該第三開關斷開，該第一訊號端及該第二訊號端之間藉由該第一開關形成一第八訊號路徑。
如請求項13所述的電路操作方法，另包含：<br/> 於一第二模式，該第一開關導通，該第二開關導通，該第三開關斷開，該第一訊號端及該第四訊號端之間藉由該第一開關及該第二開關形成一第二訊號路徑。
如請求項16所述的電路操作方法，另包含：<br/> 於一第一模式，該第一開關斷開，該第二開關導通，該第三開關斷開，該第二訊號端及該第四訊號端之間藉由該第二開關形成一第一訊號路徑；<br/> 於一第四模式，該第一開關斷開，該第二開關斷開，該第三開關導通，該第三訊號端及該第四訊號端之間藉由該第三開關形成一第五訊號路徑；<br/> 於一第五模式，該第一開關斷開，該第二開關導通，該第三開關導通，該第三訊號端及該第二訊號端之間藉由該第二開關及該第三開關形成一第六訊號路徑，且該第三訊號端及該第四訊號端之間藉由該第三開關形成一第七訊號路徑；及<br/> 於一第六模式，該第一開關導通，該第二開關斷開，該第三開關斷開，該第一訊號端及該第二訊號端之間藉由該第一開關形成一第八訊號路徑。
一種顯示系統，包含：<br/> 如請求項7所述的顯示驅動電路、及一顯示器；<br/> 其中，該顯示驅動電路之該複數個接腳另包含至少一閘極驅動接腳；<br/> 該顯示驅動電路另包含一閘極驅動器，該閘極驅動器包含至少一輸入端，用以接收至少一閘極驅動電壓、及至少一輸出端，分別耦接於該至少一閘極驅動接腳，用以分別輸出至少一閘極驅動訊號；及<br/> 該顯示器包含複數個輸入端，分別耦接於該顯示驅動電路的該至少一源極驅動接腳及該至少一閘極驅動接腳，該顯示器用以根據至少該至少一源極驅動訊號及該至少一閘極驅動訊號以顯示一顯示影像。
一種騎乘車之懸吊結構，包括:<br/>一避震器，包括一伸縮缸體、一復位彈簧以及位於該伸縮缸體內部之一液壓空間，其中該伸縮缸體設有一車架組接部以及一輪體組接部，該液壓空間頂部則具有一貫穿孔；<br/>一上阻尼構件，設於該液壓空間頂部，從而將該液壓空間分隔成一內腔室及一外腔室，該上阻尼構件具有一穿流通道用以連通該內腔室與外腔室，該穿流通道更設有一可升降凸軸，該可升降凸軸具一抵頂端及一流量控制端，該流量控制端藉由一復位元件加以頂撐，該抵頂端則對位穿過該液壓空間頂部之該貫穿孔；<br/>一作動腔，橫設於該液壓空間頂部上方，該作動腔包括一致動端以及一末端，並使該貫穿孔係向上貫穿至該作動腔；<br/>一致動構件，設於該作動腔之該致動端，該致動構件具有一伸縮桿，該伸縮桿係透過一連動構件與該騎乘車所設一煞車控制構件呈連接同動關係；<br/>一導動滑塊，滑設於該作動腔中，該導動滑塊包括一受動端、一尾端以及介於該受動端與該尾端之間的一錐狀導動部，該錐狀導動部包括一錐擴端及一錐縮端，以使該可升降凸軸抵頂端係抵靠於該錐狀導動部，以當導動滑塊朝該尾端方向滑動時，該可升降凸軸會被導動而向下位移；以及<br/>一復位彈簧，係抵撐於該導動滑塊尾端與該作動腔末端之間，以提供該導動滑塊一復位作用力。
如請求項1所述之騎乘車之懸吊結構，其中該作動腔末端更設有一調整螺絲，用以微調該復位彈簧抵撐該導動滑塊之強度大小。
如請求項1所述之騎乘車之懸吊結構，其中該致動構件為一可調式針閥。
如請求項1所述之騎乘車之懸吊結構，其中該導動滑塊之該錐狀導動部係為一圓筒形錐狀態樣者。
如請求項1所述之騎乘車之懸吊結構，其中該導動滑塊之該錐狀導動部係為一圓周不對稱輪廓型態者。
一種光電元件，包含：<br/> 一基板；<br/> 一緩衝層，設置於該基板上，且與該基板採用相同材質；<br/> 一介面層，形成於該緩衝層上，並以一具有一初始內應力值的工作材料所製成；<br/> 一應變層，形成於該介面層上，且是以該工作材料所製成，並包括一貼附於該介面層且具有一內應力值大於該初始內應力值一正比例值的抗壓部，及一貼附於該抗壓部且具有一內應力值小於該初始內應力值一負比例值的抗延部，其中，該正比例值與該負比例值之間的差值為一設定差值，該設定差值為0.2~0.8%；<br/> 一作用層，形成於該應變層上，並以具有該初始內應力值的該工作材料所製成；及<br/> 一開窗層，設置於該作用層上，並界定出一連通於該作用層且適用於供導入光線的導入口。
如請求項1所述的光電元件，其中，該應變層之該抗壓部的厚度與該抗延部的厚度之間的一設定比值為1~4。
如請求項1或2所述的光電元件，其中，該工作材料為砷化鎵銦。
如請求項3所述的光電元件，其中，該基板與該緩衝層的材質為磷化銦。
如請求項1所述的光電元件，還包含一形成於該開窗層上的接觸層，其中，該接觸層包括多個適用於與至少一外界元件接觸而形成連接的電極部。
一種自行車一體式車把手的龍頭結構，係整體呈現造型流線的中空殼體，其包含有:<br/> 一本體，係成型為中空殼體，且整體呈現羊角狀；<br/> 二握把部，係成型為中空管體並一體式延伸於該本體的二側；<br/> 一龍頭部，係成型為中空殼體並一體式銜接於該本體中間處的後端，該龍頭部係可包含有一貫穿夾持孔及一貫穿緊固孔，其中該貫穿緊固孔交錯於該貫穿夾持孔的後方，又該貫穿夾持孔設為互為相對的一上夾持孔及一下夾持孔，且該上夾持孔向下延伸一上夾持環面，而該下夾持孔向上延伸有一下夾持環面，又該上夾持環面與該下夾持環面之間相隔一距離(d)；另設有一縱向剖溝剖向並連接於該貫穿夾持孔的後方，又設有至少一橫向剖溝從該龍頭部的後方外側剖穿該貫穿緊固孔；至少<br/> 一緊固件，係貫穿結合於該龍頭部所設該貫穿緊固孔，以藉該緊固件迫緊該上夾持孔及該下夾持孔；其中該貫穿緊固孔的兩側設有二半圓形墊塊及與其相對應配合的二半圓形凹槽。
如請求項1所述自行車一體式車把手的龍頭結構，其中包含一或複數橫向剖溝。
如請求項1所述自行車一體式車把手的龍頭結構，其中該橫向剖溝剖至該上夾持環面與該下夾持環面之間為止，而該橫向剖溝的寬度(w)小於該距離(d)。
如請求項1所述自行車一體式車把手的龍頭結構，其中該緊固件設為至少一螺栓。
如請求項1所述自行車一體式車把手的龍頭結構，其中該橫向剖溝設為二個且互為呈現上下位置關係，該貫穿緊固孔亦設為二個，並將該二個貫穿緊固孔設於該二個橫向剖溝上。
一種分層散熱式電子裝置，包含：<br/> 一殼體，係具有彼此連通之一進風口與一出風口，用以供一散熱氣流自該進風口流向該出風口；以及<br/> 一分層散熱式主板組件，包含：<br/> 一雙面配置型主板，係設置於該殼體內，在該殼體內分隔出彼此分層排列之一第一散熱流道與一第二散熱流道，並且具有面向該第一散熱流道之一第一配置面與面向該第二散熱流道之一第二配置面，其中該第一散熱流道與該第二散熱流道皆連通於該進風口與該出風口，藉以使該散熱氣流在流至該雙面配置型主板時，分流成一第一散熱氣流與一第二散熱氣流後，分別流入該第一散熱流道與該第二散熱流道；<br/> 至少一第一工作元件，係設置於該第一配置面；<br/> 至少一第二工作元件，係設置於該第二配置面；以及<br/> 一流率調節板，係開設有複數個流率調節孔，設置於該第二散熱流道鄰近於該進風口處，用以在該第二散熱氣流經由該些流率調節孔流入該第二散熱流道時，使該第二散熱氣流之流率低於該第一散熱氣流之流率。
如請求項1所述之分層散熱式電子裝置，更包含一風冷模組，其中該風冷模組係設置於該殼體內，用以產生該散熱氣流。
如請求項1所述之分層散熱式電子裝置，其中，該至少一第一工作元件之至少一第一工作功率高於該至少一第二工作元件之至少一第二工作功率。
如請求項1所述之分層散熱式電子裝置，其中，該至少一第一工作元件包含中央處理器（CPU）與電壓調節電晶體（VR MOS）中之至少一者。
如請求項1所述之分層散熱式電子裝置，其中，該至少一第二工作元件包含至少一雙列記憶體模組（DIMM）。
如請求項1所述之分層散熱式電子裝置，其中，該分層散熱式主板組件更包含一散熱模組，其中該散熱模組係設置於該第一散熱流道，接觸該至少一第一工作元件，用以吸收該至少一第一工作元件在運作時所釋放出之熱能。
如請求項6所述之分層散熱式電子裝置，其中，該散熱模組包含：<br/> 一均熱板，係鄰近該雙面配置型主板，接觸該至少一第一工作元件，用以吸收該至少一第一工作元件在運作時所釋放出之熱能；<br/> 一鰭片組，係固定於該均熱板背向該至少一第一工作元件之一側，用以吸收該均熱板所吸收之熱能；<br/> 至少一延伸凸台，係自該均熱板朝向上述第一工作元件延伸出後，接觸上述第一工作元件；以及<br/> 至少一導熱介面材料，係設置於該至少一第一工作元件與該均熱板之間，用以提升熱傳導效率。
如請求項7所述之分層散熱式電子裝置，其中，該至少一導熱介面材料包含導熱膠與導熱墊片中之至少一者。
如請求項6所述之分層散熱式電子裝置，其中，該分層散熱式主板組件更包含一支撐板，其中該支撐板係設置於該散熱模組與該雙面配置型主板之間，對應該至少一第一工作元件開設有至少一開孔。
如請求項1所述之分層散熱式電子裝置，其中，該分層散熱式主板組件更包含至少一擋風塊，其中該至少一擋風塊係避讓該至少一第二工作元件而設置於該第二配置面，用以阻擋該第二散熱氣流，藉以提高流經該至少一第二工作元件之該第二散熱氣流之流率。
一種防呆放置型雙槽托盤，係用於以一正確承置朝向承置二電路板組件，每一上述電路板組件包含一板體與複數個電子元件，該板體具有一功能配置面，該些電子元件係非對稱性地凸設於該功能配置面，該防呆放置型雙槽托盤包含：<br/>一托盤本體，係開設有以一分隔肋加以分隔之二承置槽；<br/>複數個支撐凸台，係於該二承置槽之邊緣凸伸出，用於支撐該些電路板組件之邊緣；以及<br/>複數個干涉凸台，係非對稱性地自該二承置槽凸伸出；<br/>其中，在任一上述電路板組件以該功能配置面朝向該托盤本體，並沿該正確承置朝向放置於任一上述承置槽時，該些電子元件係與該些干涉凸台相互避讓，藉以使該些支撐凸台與該功能配置面相互接觸，致使上述任一上述電路板組件平整地放置於該防呆放置型雙槽托盤；在任一上述電路板組件以該功能配置面朝向該托盤本體，並沿該正確承置朝向以外之一錯誤承置朝向放置於任一上述承置槽時，該些電子元件係與該些干涉凸台中之至少一者彼此接觸產生干涉，致使上述任一上述電路板組件無法平整地放置於該防呆放置型雙槽托盤。
如請求項1所述之防呆放置型雙槽托盤，係為一體式構件。
如請求項1所述之防呆放置型雙槽托盤，係由塑膠加以製成。
如請求項1所述之防呆放置型雙槽托盤，其中，該托盤本體係鄰近於每一上述承置槽設有一定位標示，該定位標示係用以定位出該正確承置朝向。
如請求項1所述之防呆放置型雙槽托盤，其中，該托盤本體係設有一識別標示，該識別標示係與該二電路板組件相互對應。
如請求項1所述之防呆放置型雙槽托盤，其中，該托盤本體係鄰近於每一上述承置槽之兩側分別開設連通於上述承置槽之二取放槽。
如請求項6所述之防呆放置型雙槽托盤，其中，該二取放槽係彼此交錯設置。
如請求項1所述之防呆放置型雙槽托盤，其中，該承置槽與電路板組件的輪廓皆為非正方形矩形。
一種偏振旋轉裝置，包含：<br/>二基板，間隔且平行相對，該二基板之間形成可切換之一脈衝電場，該脈衝電場的電場值大於1.2伏特每微米，該二基板分別形成高傾角配向及低傾角配向；及<br/>一液晶層，位於該二基板之間，一光線透過該二基板入射該液晶層，該光線的偏振方向旋轉0度〜180度。
如請求項1之偏振旋轉裝置，其中，該二基板之二定向方向的夾角係一旋轉角，該旋轉角是0度至正負180度。
如請求項1之偏振旋轉裝置，其中，該液晶層之雙折射率與該液晶層之厚度的乘積大於0.57微米。
如請求項1之偏振旋轉裝置，其中，該液晶層的液晶材料是負型液晶或雙頻液晶。
如請求項1之偏振旋轉裝置，其中，該液晶層的液晶材料包括一旋性分子，且該旋性分子在該液晶材料中的重量百分濃度小於0.5％。
一種偏振旋轉裝置的操作方法，用於切換一光線通過一偏振旋轉裝置之一液晶層的一偏振方向，包含：<br/>對該液晶層施加一脈衝電場，該脈衝電場的電場值大於1.2伏特每微米，在施加該脈衝電場之一脈衝持續時間內，使該光線通過該液晶層的該偏振方向旋轉180度；及<br/>在該脈衝持續時間後，停止對該液晶層施加該脈衝電場，在一旋轉時間內該偏振方向由旋轉180度恢復至0度。
如請求項6之偏振旋轉裝置的操作方法，其中，在該旋轉時間內，該偏振方向以逆時針方向旋轉。
如請求項6之偏振旋轉裝置的操作方法，其中，在該旋轉時間內，該偏振方向以順時針方向旋轉。
如請求項6之偏振旋轉裝置的操作方法，其中，該脈衝持續時間小於100毫秒。
一種個人化慢性疾病監控管理系統，包含： 一聲音偵測模組，接收一環境噪音訊號； <br/>一計算模組，連接該聲音偵測模組，判斷該環境噪音訊號是否在一預設時間內持續超出一噪音標準值，並於該環境噪音訊號在該預設時間內持續超出該噪音標準值時產生一警報訊息； <br/>一顯示模組，連接該計算模組，顯示該警報訊息；以及 <br/>一動作平衡偵測模組，連接該計算模組，偵測一使用者之一身體平衡狀態並產生一平衡訊號至該計算模組； <br/>其中當該計算模組計算在一平衡預設時間內、該平衡訊號之一平衡角度超過一平衡預設值時，該計算模組產生該警報訊息。
如請求項1所述之個人化慢性疾病監控管理系統，更包含： <br/>一儲存模組及一接收模組，該儲存模組連接該接收模組，該儲存模組及該接收模組連接該計算模組，且該接收模組進一步接收一使用者資訊，並透過該儲存模組儲存該使用者資訊； <br/>其中該計算模組進一步根據該使用者資訊的一類型判斷該使用者資訊是否超出或者未達到一監控標準值，並於該使用者資訊超出或者未達到時該監控標準值產生該警報訊息至該顯示模組，以顯示該警報訊息。
如請求項2所述之個人化慢性疾病監控管理系統，其中該使用者資訊包含一用藥時間、一情緒狀態、一飲食含量、一睡眠狀態以及一運動時間；該監控標準值包含該用藥時間之一預定時間、該情緒狀態之一情緒量表分數、該飲食含量之一食物攝取含量標準值、該睡眠狀態之一預定睡眠時間值以及該運動時間之一運動時間預設值； <br/>其中該計算模組判斷該用藥時間超過該預定時間、該情緒狀態超過該情緒量表分數、該飲食含量超過該食物攝取含量標準值時，以及該計算模組判斷該睡眠狀態未達到該預定睡眠時間值以及該運動時間未達到該運動時間預設值時，產生該警報訊息。
如請求項1所述之個人化慢性疾病監控管理系統，更包含一警報模組，連接該計算模組，接收該警報訊息以產生一警報訊號；其中該警報訊號包含一警報聲響。
如請求項3所述之個人化慢性疾病監控管理系統，更包含一影像辨識模組，連接該計算模組，掃描及辨識一飲食，並產生該飲食之一飲食影像至該計算模組，使該計算模組根據該飲食影像計算該飲食含量。
如請求項1所述之個人化慢性疾病監控管理系統，更包含一影像辨識模組，連接該計算模組，擷取及辨識一使用者之一眼部影像，並產生該使用者之該眼部影像至該計算模組，使該計算模組根據該眼部影像判斷該使用者之一暈眩狀態； <br/>其中當該使用者之一眼部產生抽動時，該計算模組根據該眼部影像判斷該使用者產生該暈眩狀態。
如請求項2所述之個人化慢性疾病監控管理系統，其中該計算模組根據該警報訊息的一發生頻率對應調整該監控標準值的大小。
一種個人化慢性疾病監控管理方法，包含下列方法： 接收一環境噪音訊號； <br/>判斷該環境噪音訊號是否在一預設時間內持續超出一噪音標準值，並於該環境噪音訊號在該預設時間內持續超出該噪音標準值時產生一警報訊息；以及 <br/>偵測一使用者之一身體平衡狀態並產生一平衡訊號； <br/>當該環境噪音訊號在該預設時間內持續超出該噪音標準值時，顯示該警報訊息； <br/>其中當在一平衡預設時間內、該平衡訊號之一平衡角度超過一平衡預設值時，產生該警報訊息。
如請求項8所述之個人化慢性疾病監控管理方法，更包含下列步驟： <br/>接收一使用者資訊，並進一步根據該使用者資訊的一類型判斷該使用者資訊是否超出或者未達到一監控標準值； <br/>當該使用者資訊超出或者未達到時該監控標準值產生及顯示該警報訊息； <br/>其中該使用者資訊包含一用藥時間、一情緒狀態、一飲食含量、一睡眠狀態以及一運動時間；該監控標準值包含該用藥時間之一預定時間、該情緒狀態之一情緒量表分數、該飲食含量之一食物攝取含量標準值、該睡眠狀態之一預定睡眠時間值以及該運動時間之一運動時間預設值； <br/>其中當該用藥時間超過該預定時間、該情緒狀態超過該情緒量表分數、該飲食含量超過該食物攝取含量標準值時，以及該睡眠狀態未達到該預定睡眠時間值、該運動時間未達到該運動時間預設值時，產生該警報訊息。
一種外殼的製備方法，其中，包括以下步驟：<br/> 將長條狀的金屬複合材料製作形成多個複合連接件；其中，每個所述複合連接件內開設有相互連通的開孔和開槽，所述複合連接件包括第一金屬層和第二金屬層，所述開孔貫穿所述第一金屬層，所述開槽貫穿所述第二金屬層，所述開孔從所述開槽中露出，所述第一金屬層包括鈦，所述第二金屬層包括鋁；<br/> 將金屬基板製作形成框體；其中，所述框體上設有通孔，所述框體的材質與所述第一金屬層的材質相同；<br/> 將多個所述複合連接件設置於所述框體，且對應所述通孔設置；其中，所述第一金屬層位於所述框體和所述第二金屬層之間，所述開孔從所述通孔中露出；和<br/> 在所述複合連接件和所述框體之間填充塑膠層，以得到所述外殼。
如請求項1所述的外殼的製備方法，其中，所述將金屬複合材料製作形成複合連接件包括：<br/> 藉由數控機床在所述第一金屬層上形成貫穿所述第一金屬層的開孔；和<br/> 藉由數控機床在所述第二金屬層上形成貫穿所述第二金屬層的開槽，以得到所述複合連接件。
如請求項2所述的外殼的製備方法，其中，所述金屬複合材料經過所述數控機床加工，形成多個所述複合連接件。
如請求項1所述的外殼的製備方法，其中，所述將金屬基板製作形成框體包括：<br/> 提供金屬基板，所述金屬基板為鈦基板，所述鈦基板的厚度小於或等於2mm；<br/> 將所述鈦基板衝壓形成所述框體，所述框體包括底壁和與所述底壁連接且相對設置的兩個側壁；和<br/> 將所述側壁的部分區域減薄，使所述側壁包括連接的第一部分和第二部分，並在所述第二部分上形成凹槽；所述第一部分與所述底壁連接，所述第一部分的厚度小於所述第二部分的厚度；所述第一部分的厚度為T1，T1≥0.5mm；所述第二部分的厚度為T2，0.5＜T2≤2mm。
如請求項4所述的外殼的製備方法，其中，所述將所述複合連接件設置於所述框體包括：<br/> 將所述複合連接件焊接於所述第一部分的內表面，所述第一金屬層位於所述第二金屬層和所述第一部分之間；所述第一金屬層的材質為鈦，所述框體的材質為鈦。
如請求項1所述的外殼的製備方法，其中，還包括：在所述複合連接件上形成螺紋孔，所述螺紋孔貫穿所述第二金屬層。
一種外殼，其中，包括：<br/> 框體，所述框體上設有通孔；<br/> 多個複合連接件，設置於所述框體，且對應所述通孔設置，每個所述複合連接件包括第一金屬層和第二金屬層，所述第一金屬層位於所述框體和所述第二金屬層之間；所述複合連接件上設有連通的開孔和開槽，所述開孔貫穿所述第一金屬層，所述開槽沿貫穿所述第二金屬層，所述開孔從所述開槽和所述通孔中露出；所述框體的材質與所述第一金屬層的材質相同<u>，所述第一金屬層包括鈦，所述第二金屬層包括鋁</u>；和<br/> 塑膠層，設於所述複合連接件和所述框體之間。
如請求項7所述的外殼，其中，所述框體包括底壁和與所述底壁連接且相對設置的兩個側壁，所述通孔形成於所述側壁，所述複合連接件設置於所述側壁的內表面；<br/> 所述側壁包括連接的第一部分和第二部分，所述第一部分與所述底壁連接，所述第一部分的厚度小於所述第二部分的厚度；所述第二部分設有凹槽，部分的塑膠層位於所述凹槽內。
如請求項8所述的外殼，其中，所述側壁靠近通孔處的厚度為H，H≥0.6mm；所述塑膠層靠近所述通孔處的厚度為Z，Z≥0.3mm。
一種電子設備，其中，包括如請求項7至9中任一項所述的外殼。
一種大型多旋翼飛行器之模組化機體，包括有：兩個中央框架、數個機臂架、數個第一快拆結構、數支機臂定位桿以及數個第二快拆結構；<br/> 該中央框架具有一個中央連接件、數支框臂桿、數個框邊連接環及數支框邊橫桿，該中央連接件放射狀形成有數個框臂桿內連接部，各該框臂桿的內端一對一固定於各該框臂桿內連接部，各該框邊連接環各形成有一個框臂桿外連接部及兩個框邊橫桿連接部，各該框邊連接環利用其框臂桿外連接部一對一固定於各該框臂桿的外端，各該框邊橫桿的兩端分別固定於相向的各該框邊橫桿連接部；<br/> 該機臂架具有一支框邊立桿、一支機臂桿、一個機臂桿內連接環及一個機臂桿外連接件，該機臂桿內連接環固定於該框邊立桿，該框邊立桿具有一上組裝段與一下組裝段，該機臂桿內連接環形成有一個機臂桿內連接部，該機臂桿的內端固定於該機臂桿內連接部，該機臂桿外連接件形成有一個機臂桿外連接部及兩個機臂定位桿連接部，該機臂桿外連接件利用其機臂桿外連接部固定於該機臂桿的外端；<br/> 組裝時，將各該機臂架放射狀排列，而讓該兩個中央框架各自的各該框邊連接環一對一套設於各該框邊立桿的上組裝段與下組裝段，且一對一利用各該第一快拆結構把各該框邊連接環連接定位於各該框邊立桿的上組裝段與下組裝段；各該機臂定位桿的兩端一對一利用各該第二快拆結構連接定位於相向的各該機臂定位桿連接部。
如請求項1所述大型多旋翼飛行器之模組化機體，其中，該機臂架還具有一支補強桿與一個補強桿內連接環，該機臂桿外連接件還形成有一個補強桿外連接部，該補強桿內連接環固定於該框邊立桿，該補強桿內連接環形成有一個補強桿內連接部，該補強桿的內端固定於該補強桿內連接部，該補強桿的外端固定於該補強桿外連接部。
如請求項1所述大型多旋翼飛行器之模組化機體，其中，該第一快拆結構具有一第一插銷及一第一插銷穿孔，該第一插銷穿孔形成於該框邊連接環與該框邊立桿，利用該第一插銷穿設於該第一插銷穿孔將該框邊連接環連接定位該框邊立桿。
如請求項3所述大型多旋翼飛行器之模組化機體，其中，該第一快拆結構還具有一內襯塞，該內襯塞形成有該第一插銷穿孔而塞設於該框邊立桿內。
如請求項4所述大型多旋翼飛行器之模組化機體，其中，該第一插銷為平頭帶側孔銷軸搭配R型卡銷。
如請求項1所述大型多旋翼飛行器之模組化機體，其中，該第二快拆結構具有一活動連接套、一固定連接套、一限位環、一第二插銷及一第二插銷穿孔，該活動連接套具有一內端縮口部，該固定連接套固定於該機臂定位桿的端部，該固定連接套延伸具有一軸柱部，該軸柱部恰可穿過該內端縮口部，且將該限位環結合於該軸柱部的頭端，該活動連接套因該內端縮口部受到該限位環的約束而不會脫落，該第二插銷穿孔形成於該軸柱部的徑向，該第二插銷穿設於該第二插銷穿孔洽可令該內端縮口部頂抵於該限位環，而將該活動連接套的外端以套接方式連接定位該機臂定位桿連接部。
如請求項6所述大型多旋翼飛行器之模組化機體，其中，該第二快拆結構還具有一墊片，該墊片夾設於該內端縮口部與該限位環之間。
如請求項7所述大型多旋翼飛行器之模組化機體，其中，該第二插銷為平頭帶側孔銷軸搭配R型卡銷。
一種半導體元件的形成方法，包含：<br/> 在一半導體元件的一裝置層中形成一個或多個積體電路元件；<br/> 在該裝置層上方形成一互連層，<br/> 其中該互連層包含一個或多個介電層以及位於該一個或多個介電層中的一個或多個導電結構，以及<br/> 其中該些積體電路元件的至少一個耦合到該一個或多個導電結構的至少一個；<br/> 使用一第一組光刻遮罩在該半導體元件的一第一區域中的該互連層的一第一部分周圍形成一多重密封環結構的一第一區段；以及<br/> 使用一第二組光刻遮罩在該半導體元件的一第二區域中的該互連層的一第二部分周圍形成該多重密封環結構的一第二區段，<br/> 其中該第一區域和該第二區域在該半導體元件中橫向相鄰，<br/> 其中該互連層的該第一部分和該互連層的該第二部分在該半導體元件中橫向相鄰，以及<br/> 其中該多重密封環結構的該第一區段和該多重密封環結構的該第二區段藕合在一起，使得該多重密封環結構橫向且連續地圍繞該互連層。
如請求項1所述的方法，其中該第一組光刻遮罩用於對該半導體元件的該第一區域和一半導體晶圓上的複數個附加半導體元件的複數個附加第一區域進行圖案化；以及<br/> 其中該第二組光刻遮罩用於對該半導體元件的該第二區域和該半導體晶圓上的該些附加半導體元件的複數個附加第二區域進行圖案化。
如請求項1所述的方法，其中形成該多重密封環結構的該第一區段包含:<br/> 使用該第一組光刻遮罩中的一第一光刻遮罩執行一第一曝光操作以曝光該第一區域，從而在該第一區域中形成該多重密封環結構的該第一區段；以及<br/> 其中形成該多重密封環結構的該第二區段包含:<br/> 在該第一曝光操作後，使用該第二組光刻遮罩中的該第一光刻遮罩執行一第二曝光操作，以曝光該第二區域，從而在該第二區域中形成該多重密封環結構的該第二區段。
如請求項3所述的方法，其中形成該多重密封環結構的該第一區段包含:<br/> 在該第二曝光操作之後，使用該第一組光刻遮罩中的一第二光刻遮罩執行一第三曝光操作，以曝光該第一區域，從而在該第一區域中形成該多重密封環結構的該第一區段；以及<br/> 其中形成該多重密封環結構的該第二區段包含:<br/> 在該第三曝光操作之後，使用該第二組光刻遮罩中的該第二光刻遮罩執行一第四曝光操作，以曝光該第二區域，從而在該第二區域中形成該多重密封環結構的該第二區段。
如請求項1所述的方法，其中形成該多重密封環結構的該第一區段包含:<br/> 使用該第一組光刻遮罩在該第一區域和該第二區域之間的一界面處的一第一緩衝區中形成具有一第一橫向寬度的該多重密封環結構的該第一區段的一第一段；以及<br/> 其中形成該多重密封環結構的該第二區段包含:<br/> 使用該第二組光刻遮罩在該第一區域和該第二區域之間的該界面處的一第二緩衝區中形成具有一第二橫向寬度的該多重密封環結構的該第二區段的一第二段，<br/> 其中該多重密封環結構的該第一區段的該第一段和該多重密封環結構的該第二區段的該第二段在該界面處耦合在一起。
一種半導體元件的形成方法，包含：<br/> 在一半導體元件的一裝置層中形成一個或多個積體電路元件；<br/> 在該裝置層上方形成一互連層；<br/> 其中該互連層包含一個或多個介電層以及位於該一個或多個介電層中的一個或多個導電結構，以及<br/> 其中該些積體電路元件的至少一個耦合至該一個或多個導電結構中的至少一個；<br/> 使用一第一組光刻遮罩，在該半導體元件的一第一區域中的該互連層的一第一部分周圍形成一多重密封環結構的一第一密封環結構的一第一區段和該多重密封環結構的一第二密封環結構的一第一區段，<br/> 其中該第一組光刻遮罩用於形成該第一密封環結構的該第一區段，使得該第一密封環結構的該第一區段包含一切割區段，以及<br/> 其中該第一組光刻遮罩用於形成該第二密封環結構的該第一區段，使得該第二密封環結構的該第一區段包含延伸穿過該切割區段的一第一端子；以及<br/> 使用一第二組光刻遮罩，在該半導體元件的一第二區域中的該互連層的一第二部分周圍形成該多重密封環結構的該第一密封環結構的一第二區段和該多重密封環結構的該第二密封環結構的一第二區段，<br/> 其中該第二組光刻遮罩用於形成該第一密封環結構的該第二區段，使得該第一密封環結構的該第二區段包含從該第一密封環結構的該第二區段橫向延伸的一第二端子。
如請求項6所述的方法，其中該第一區域和該第二區域在該半導體元件中橫向相鄰；<br/> 其中該互連層的該第一部分和該互連層的該第二部分在該半導體元件中橫向相鄰；以及<br/> 其中該多重密封環結構橫向環繞該互連層。
一種半導體元件，包含：<br/> 一裝置層，包含一半導體層；<br/> 一個或多個積體電路元件，位於該裝置層的該半導體層中；<br/> 一互連層，位於該裝置層上方，包含:<br/> 一個或多個介電層；以及<br/> 一個或多個導電結構，位於該一個或多個介電層中，<br/> 其中該些積體電路元件的至少一個耦合至該一個或多個導電結構的至少一個；<br/> 一第一密封環結構，位於該一個或多個介電層中，<br/> 其中該第一密封環結構的一第一段在大致垂直於該第一密封環結構的一長度的一方向上具有一第一橫向寬度，<br/> 其中該第一密封環結構的一第二段在大致垂直於該第一密封環結構的該長度的該方向上具有一第二橫向寬度，<br/> 其中該第一橫向寬度和該第二橫向寬度是不同的橫向寬度；以及<br/> 一第二密封環結構，位於該一個或多個介電層中，<br/> 其中該第二密封環結構橫向環繞該第一密封環結構，<br/> 其中該第二密封環結構的一第三段在大致垂直於該第二密封環結構的一長度的一方向上具有一第三橫向寬度，<br/> 其中該第二密封環結構的一第四段在大致垂直於該第二密封環結構的該長度的該方向上具有一第四橫向寬度，<br/> 其中該第三橫向寬度和該第四橫向寬度是不同的橫向寬度。
如請求項8所述的半導體元件，其中該第一密封環結構的該第一段和該第二密封環結構的該第三段彼此間隔開；<br/> 其中該第一密封環結構的該第一段和該第二密封環結構的該第三段大致彼此平行；<br/> 其中該第一密封環結構的該第二段與該第二密封環結構的該第四段彼此間隔開；以及<br/> 其中該第一密封環結構的該第二段與該第二密封環結構的該第四段大致上彼此平行。
如請求項8所述的半導體元件，其中該第一橫向寬度大於該第二橫向寬度；以及<br/> 其中該第三橫向寬度大於該第四橫向寬度。
一種量測裝置，包括：<br/> 原子力顯微鏡，包括探針，所述探針用於探測傾斜光柵；以及<br/> 傾斜平臺，所述傾斜平臺用於承載所述傾斜光柵；<br/> 其中，所述傾斜平臺的傾角基於所述傾斜光柵的傾斜角度和所述探針的針尖角度設置；所述傾斜平臺包括基座、承載基板以及傾斜機構，所述傾斜機構設置於所述基座上，所述承載基板設置於所述傾斜機構遠離所述基座的一側；所述承載基板用於承載所述傾斜光柵，所述傾斜機構用於控制所述承載基板的傾斜角度。
如請求項1所述之量測裝置，其中，所述傾斜平臺包括基座和至少一個傾斜塊，所述傾斜塊用於固定在所述基座上，以用於承載所述傾斜光柵。
如請求項2所述之量測裝置，其中，所述傾斜塊包括相對設置的兩個端面以及在兩個端面之間依次連接的三個承載面，所述三個承載面圍繞設置以形成閉合棱柱。
如請求項3所述之量測裝置，其中，所述傾斜塊的三個棱角的角度值互不相同。
如請求項4所述之量測裝置，其中，所述傾斜塊的棱角基於不同傾斜角度的所述傾斜光柵和不同針尖角度的所述探針設置。
如請求項2所述之量測裝置，其中，所述傾斜塊的材料為鋁合金。
如請求項2所述之量測裝置，其中，所述傾斜塊的高度低於2cm。
如請求項1所述之量測裝置，其中，所述傾斜機構包括複數升降單元，複數所述升降單元分別對應所述承載基板的不同位置設置，所述傾斜機構用於獨立控制每一所述升降單元。
如請求項1所述之量測裝置，其中，所述探針的針尖角度為所述探針的針尖錐角減去所述探針的抬升角度。
一種記憶體裝置，包含：<br/> 一基板，包括一前側及與該前側相對的一後側；以及<br/> 一記憶體單元，包括一程式化電晶體、一讀取電晶體、及一後側通孔，其中：<br/> 該程式化電晶體設置在該基板之該前側或該後側中之一第一者上，<br/> 該讀取電晶體設置在該基板之該前側或該後側中與該程式化電晶體相對的一第二者上，以及<br/> 該後側通孔從該基板之該後側延伸至該前側，從而以串聯的方式將該程式化電晶體耦接至該讀取電晶體。
如請求項1所述之記憶體裝置，其中：<br/> 該記憶體裝置包括設置在該基板之該後側上的一金屬軌道，以及<br/> 該金屬軌道耦接在該後側通孔與該讀取電晶體或該程式化電晶體中之一者之間。
如請求項1所述之記憶體裝置，其中：<br/> 該程式化電晶體為一第一程式化電晶體，以及<br/> 該記憶體單元進一步包括設置在該基板之該前側或該後側中之該第一者上的一第二程式化電晶體。
如請求項1所述之記憶體裝置，其中：<br/> 該讀取電晶體為一第一讀取電晶體，<br/> 該記憶體單元進一步包括設置在該基板之該前側或該後側中之該第二者上的一第二讀取電晶體，以及<br/> 該第一讀取電晶體與該第二讀取電晶體共同耦接至一位元線。
一種記憶體裝置，包含：<br/> 一基板；以及<br/> 一記憶體單元，包括一第一程式化電晶體、一第一讀取電晶體、一第二讀取電晶體、一第一通孔、及一第二通孔，其中：<br/> 該第一程式化電晶體設置在該基板之一第一表面上，<br/> 該第一讀取電晶體及該第二讀取電晶體設置在該基板的與該第一表面相對的一第二表面上，以及<br/> 該第一程式化電晶體分別經由該第一通孔及該第二通孔以串聯的方式耦接在該第一讀取電晶體與該第二讀取電晶體之間。
如請求項5所述之記憶體裝置，其中：<br/> 該記憶體裝置進一步包括設置在該基板之該第一表面上的一第二程式化電晶體，該第二程式化電晶體以串聯的方式耦接在該第一程式化電晶體與該第一讀取電晶體或該第二讀取電晶體中之一者之間，以及<br/> 該第二程式化電晶體耦接至該第二通孔。
如請求項5所述之記憶體裝置，其中：<br/> 該第一程式化電晶體包括具有一第一介電部分及一第二介電部分的一閘極介電層，以及<br/> 該第一介電部分或該第二介電部分用以隨機崩潰以呈現或一第一邏輯狀態或一第二邏輯狀態。
一種製造一半導體裝置的方法，該方法包含：<br/> 在一基板之一前側上形成一第一電晶體；<br/> 在該前側上形成多個第一互連結構；<br/> 翻轉該基板以曝露該基板的與該前側相對的一後側；<br/> 形成從該後側延伸至該前側並耦接至該第一電晶體的一後側通孔；<br/> 在該後側上形成耦接至該後側通孔的一第二電晶體，使得該第二電晶體經由該後側通孔以串聯的方式耦接至該第一電晶體；以及<br/> 在該後側上形成耦接該第二電晶體的一後側金屬化層。
如請求項8所述之方法，其中：<br/> 該第一電晶體為一記憶體單元之一讀取電晶體，<br/> 該第二電晶體為該記憶體單元之一程式化電晶體，以及<br/> 該記憶體單元為用以呈現一第一邏輯狀態或一第二邏輯狀態的一反熔絲單元。
如請求項8所述之方法，其中：<br/> 該第一電晶體為一記憶體單元之一程式化電晶體，<br/> 該第二電晶體為該記憶體單元之一讀取電晶體，以及<br/> 該記憶體單元為用以呈現或一第一邏輯狀態或一第二邏輯狀態的一反熔絲單元。
一種電子元件，其包括：<br/> 一極化區，該極化區具有一淨電偶極矩且包含一半導體層及被侷限在該半導體層之一晶格內部之至少一非半導體單層；<br/> 複數個隔開的N型區及P型區，其交替排列於該極化區內，以對齊該極化區的該淨電偶極矩；及<br/> 與該極化區相關聯的至少一電極。
如請求項1之電子元件，其更包括位於該極化區及該至少一電極之間的一絕緣體。
如請求項1之電子元件，其中該至少一電極包括一對隔開的指叉式換能器(IDTs)，其定義出一表面聲波(SAW)元件。
如請求項1之電子元件，其中該淨電偶極矩包括一永久電偶極矩。
如請求項1之電子元件，其中該極化區包括位於相鄰N型區及P型區之間的本質區。
如請求項1之電子元件，其中每個N型區及P型區分別具有至少1x10<sup>17</sup>/cm<sup>3</sup>的摻雜物濃度。
如請求項1之電子元件，其中該半導體層及其內部的至少一非半導體單層包括複數個堆疊之層群組，各層群組包含界定出一基底半導體部分之複數個堆疊的基底半導體單層，一相應非半導體單層被侷限在相鄰的基底半導體部分之一晶格內部。
如請求項7之電子元件，其中該些堆疊的基底半導體單層包括矽。
如請求項7之電子元件，其中該些非半導體單層包括氧。
如請求項1之電子元件，其包括耦合至該至少一電極之射頻電路。
一種用於製造一電子元件之方法，包括<br/> 形成一半導體區，使其包含一半導體層及被侷限在該半導體層之一晶格內部之至少一非半導體單層； <br/> 形成複數個隔開的N型區及P型區，使其交替排列於該半導體區內；<br/> 形成與該半導體區相關聯的至少一電極；以及<br/> 利用該些交替排列隔開的交替排列N型區及P型區對該半導體區進行極化，以對齊該半導體區的淨電偶極矩。
如請求項11之方法，其更包括形成位於該極化區及該至少一電極之間的一絕緣體。
如請求項11之方法，其中形成該至少一電極包括形成一對隔開的指叉式換能器(IDTs)，其定義出一表面聲波(SAW)元件。
如請求項11之方法，其中該淨電偶極矩包括一永久電偶極矩。
如請求項11之方法，其中該半導體區包括位於相鄰N型區及P型區之間的本質區。
如請求項11之方法，其中每個N型區及P型區分別具有至少1x10<sup>17</sup>/cm<sup>3</sup>的摻雜物濃度。
如請求項11之方法，其中該半導體層及其內部的至少一非半導體單層包括複數個堆疊之層群組，各層群組包含界定出一基底半導體部分之複數個堆疊的基底半導體單層，一相應非半導體單層被侷限在相鄰的基底半導體部分之一晶格內部。
如請求項17之方法，其中該些堆疊的基底半導體單層包括矽。
如請求項17之方法，其中該些非半導體單層包括氧。
如請求項11之方法，其包括形成耦合至該至少一電極之射頻電路。
一種樹脂組合物，其包含：<br/>10重量份的(a)改性聚苯醚樹脂，其中該改性聚苯醚樹脂包含(a1)末端具有羥基之改性聚苯醚樹脂、及(a2)末端具有不飽和基之改性聚苯醚樹脂，且該末端具有羥基之改性聚苯醚樹脂(a1)與該末端具有不飽和基之改性聚苯醚樹脂(a2)之重量比例為4：6~1：9；<br/>1至10重量份的(b)改性聚苯乙烯彈性體樹脂；<br/>1至10重量份的(c)聚烯烴樹脂；<br/>0.1至1.2重量份的(d)環氧樹脂；<br/>0.1至5重量份的(e)(甲基)丙烯酸成分；及<br/>5至20重量份的(f)無機填料。
如請求項1所述之樹脂組合物，其中該環氧樹脂之添加量為該末端具有羥基之改性聚苯醚樹脂(a1)之添加量的10~30重量%。
一種膠片，其包含：<br/>一補強材；及<br/>如請求項1所述之樹脂組合物，其係藉由含浸而附著於該補強材。
如請求項3所述之膠片，其中該補強材包含玻璃、陶瓷、碳材、樹脂、或上述任二者以上之組合。
如請求項3所述之膠片，其中該補強材之形狀包含纖維、粉體、片狀物、編織物、或上述任二者以上之組合。
一種接著薄膜，其係由如請求項1所述之樹脂組合物所形成。
一種覆金屬積層板，其包含：<br/>經硬化之如請求項3所述之膠片或經硬化之如請求項6所述之接著薄膜；及<br/>一金屬箔，係設於該經硬化之膠片或經硬化之接著薄膜之至少一側。
如請求項7所述之覆金屬積層板，其中該經硬化之膠片或該經硬化之接著薄膜與該金屬箔接觸之面之表面粗糙度(Rz)係小於0.05μm。
如請求項8所述之覆金屬積層板，其中該表面粗糙度係小於0.03μm。
如請求項7所述之覆金屬積層板，其中該金屬箔包含銅箔。
一種智能肩輪系統，包含：<br/>一肩輪裝置(1)，包含一座體(11)與一轉動件(12)，該轉動件(12)係樞設於該座體(11)，以供使用者進行肩部的活動；<br/>一阻力調控模組(2)，用於提供該轉動件(12)相對該座體(11)轉動時的阻力值；<br/>一偵測模組(3)，包含至少一運動訊號偵測器，以感測該轉動件(12)相對該座體(11)轉動時隨時間變化的多個旋轉角度；及<br/>一輔助診斷模組(4)，與該偵測模組(3)耦接，以接收該偵測模組(3)所獲得之隨時間變化的旋轉角度，並轉換成多組角度區間與對應的多組轉動時長；該輔助診斷模組(4)具有預建立的一分析模型(41) ，該分析模型(41)至少根據各該角度區間的各該轉動時長是否超出各該角度區間所對應的一時間閾值，以判斷出使用者的肩部狀態。
如請求項1所述之智能肩輪系統，其中，該輔助診斷模組(4)另與該阻力調控模組(2)耦接，以接收當前的阻力值；該分析模型(41)根據各該角度區間的各該轉動時長是否超出各該角度區間所對應的一時間閾值，並同時考量當前的阻力值是否低於一阻力閾值，以判斷出使用者的肩部狀態。
如請求項1所述之智能肩輪系統，其中，該偵測模組(3)另包含至少一生理訊號偵測器用於設置於使用者身上，以獲取使用者在轉動該轉動件(12)時的一生理電位訊號；該輔助診斷模組(4)另與該生理訊號偵測器耦接，以接收使用者對應各旋轉角度的生理電位訊號；該分析模型(41)根據各該角度區間的各該轉動時長是否超出各該角度區間所對應的一時間閾值，並考量對應各旋轉角度的生理電位訊號是否超出一電位閾值，以判斷出使用者的肩部狀態。
如請求項1所述之智能肩輪系統，其中，該偵測模組(3)另包含至少一生理訊號偵測器用於設置於使用者身上，以獲取使用者在轉動該轉動件(12)時的一生理電位訊號；該輔助診斷模組(4)另分別與該阻力調控模組(2)及該生理訊號偵測器耦接，以接收當前的阻力值與使用者對應各旋轉角度的生理電位訊號；該分析模型(41)根據各該角度區間的各該轉動時長是否超出各該角度區間所對應的一時間閾值，並同時考量當前的阻力值是否低於一阻力閾值，及考量對應各旋轉角度的生理電位訊號是否超出一電位閾值，以判斷出使用者的肩部狀態。
如請求項1至4中任一項所述之智能肩輪系統，其中，以使用者的手臂伸直垂於肩膀下方且與水平面大致為垂直的方向定義對應的旋轉角度為0度，且該旋轉角度以手臂朝外展方向轉動而增大；所述多組角度區間具有一第一角度區間定義為旋轉角度75至105度；對應該第一角度區間，所述多組轉動時長具有一第一轉動時長，該分析模型(41)具有一第一時間閾值；當該第一角度區間的該第一轉動時長超出該第一時間閾值時，該分析模型(41)輸出一第一判斷結果，該第一判斷結果包含喙肱韌帶增厚、上肱盂韌帶增厚、二頭肌腱短頭拉傷及胸大肌拉傷中的至少一種肩部狀態。
如請求項1至4中任一項所述之智能肩輪系統，其中，以使用者的手臂伸直垂於肩膀下方且與水平面大致為垂直的方向定義對應的旋轉角度為0度，且該旋轉角度以手臂朝外展方向轉動而增大；所述多組角度區間具有一第二角度區間定義為旋轉角度165至195度；對應該第二角度區間，所述多組轉動時長具有一第二轉動時長，該分析模型(41)具有一第二時間閾值；當該第二角度區間的該第二轉動時長超出該第二時間閾值時，該分析模型(41)輸出一第二判斷結果，該第二判斷結果包含二頭肌腱長頭腱鞘炎與肩峰骨刺中的至少一種肩部狀態。
如請求項1至4中任一項所述之智能肩輪系統，其中，以使用者的手臂伸直垂於肩膀下方且與水平面大致為垂直的方向定義對應的旋轉角度為0度，且該旋轉角度以手臂朝外展方向轉動而增大；所述多組角度區間具有一第三角度區間定義為旋轉角度240至300度；對應該第三角度區間，所述多組轉動時長具有一第三轉動時長，該分析模型(41)具有一第三時間閾值；當該第三角度區間的該第三轉動時長超出該第三時間閾值時，該分析模型(41)輸出一第三判斷結果，該第三判斷結果包含肩峰下滑囊炎、肩夾擠症候群及肌腱鈣化中的至少一種肩部狀態。
如請求項1至4中任一項所述之智能肩輪系統，其中，以使用者的手臂伸直垂於肩膀下方且與水平面大致為垂直的方向定義對應的旋轉角度為0度，且該旋轉角度以手臂朝外展方向轉動而增大；所述多組角度區間具有一第四角度區間定義為旋轉角度-15至30度；對應該第四角度區間，所述多組轉動時長具有一第四轉動時長，該分析模型(41)具有一第四時間閾值；當該第四角度區間的該第四轉動時長超出該第四時間閾值時，該分析模型(41)輸出一第四判斷結果，該第四判斷結果包含下關節囊增厚與急性肱盂關節炎中的至少一種肩部狀態。
如請求項1至4中任一項所述之智能肩輪系統，另包含一控制模組(5)分別與該阻力調控模組(2)及該偵測模組(3)耦接，該控制模組(5)接收所述隨時間變化的多個旋轉角度，以計算使用者轉動該轉動件(12)的一時間相依指標；當該控制模組(5)判斷前述時間相依指標落後於預定義的一最慢時間指標的情況，該控制模組(5)控制該阻力調控模組(2)以降低當前的阻力值。
如請求項9所述之智能肩輪系統，其中，當該控制模組(5)判斷前述時間相依指標領先於預定義的一最快時間指標的情況，該控制模組(5)控制該阻力調控模組(2)以提高當前的阻力值。
一種承載輥，包括：<br/> 一第一固持盤，具有一第一外周面，及設置該第一外周面的一第一盤固持部，該第一盤固持部具有沿該第一外周面的周向所取的一第一盤固持部寬度；<br/> 一第二固持盤，具有一第二外周面，及設置該第二外周面的兩個第二盤固持部，該等第二盤固持部沿該第二外周面的周向相間隔，每一個該第二盤固持部具有沿該第二外周面的周向所取的一第二盤固持部寬度，該第二盤固持部寬度小於該第一盤固持部寬度；及<br/> 一承載管，具有分別位於相反端的一第一管固持部及兩個第二管固持部，該第一管固持部具有沿該承載管的周向所取的一第一管固持部寬度，該等第二管固持部沿該承載管的周向相間隔，每一個該第二管固持部具有沿該承載管的周向所取的一第二管固持部寬度，該第二管固持部寬度小於該第一管固持部寬度，該第一管固持部構造成固持於該第一盤固持部以使該承載管固定於該第一固持盤，該第一管固持部構造成無法固持於該等第二盤固持部，使得該第二固持盤能擋止該承載管以防止該承載管反裝於該第二固持盤，該等第二管固持部構造成分別固持於該等第二盤固持部以使該承載管固定於該第二固持盤，該等第二管固持部構造成無法固持於該第一盤固持部，使得該第一固持盤能擋止該承載管以防止該承載管反裝於該第一固持盤。
如請求項1所述的承載輥，其中，該第一固持盤還具有連接於該第一外周面的一第一端面，該第一盤固持部延伸至該第一端面，該第二固持盤還具有連接於該第二外周面的一第二端面，該等第二盤固持部延伸至該第二端面。
如請求項1或2所述的承載輥，其中，該第一盤固持部為凸設於該第一外周面的一凸塊，每一個該第二盤固持部為凸設於該第二外周面的一凸塊，該承載管還具有相反的一第一端及一第二端，該第一管固持部為由該第一端朝該第二端凹陷且供該第一盤固持部卡掣的一凹槽，每一個該第二管固持部為由該第二端朝該第一端凹陷且供對應的該第二盤固持部卡掣的一凹槽。
如請求項3所述的承載輥，其中，該第二管固持部寬度小於該第一盤固持部寬度，該第一盤固持部構造成用以擋止該第二端以防止該承載管反裝於該第一固持盤，該等第二盤固持部之間形成有沿該第二外周面的周向所取的一間距，該間距大於該第一管固持部寬度，該等第二盤固持部構造成用以擋止該第一端以防止該承載管反裝於該第二固持盤。
如請求項2所述的承載輥，其中，該第一盤固持部為凹陷於該第一外周面與該第一端面的一凹槽，每一個該第二盤固持部為凹陷於該第二外周面與該第二端面的一凹槽，該承載管還具有一內周面，該第一管固持部為凸設於該內周面且卡掣於該第一盤固持部的一凸塊，每一個該第二管固持部為凸設於該內周面且卡掣於對應的該第二盤固持部的一凸塊。
如請求項5所述的承載輥，其中，該等第二管固持部之間形成有沿該承載管的周向所取的一間距，該間距大於該第一盤固持部寬度，該第一端面構造成用以擋止該等第二管固持部以防止該承載管反裝於該第一固持盤，該第二盤固持部寬度小於該第一管固持部寬度，該第二端面構造成用以擋止該第一管固持部以防止該承載管反裝於該第二固持盤。
如請求項5或6所述的承載輥，其中，該承載管還具有分別連接於該內周面相反端的一第一端及一第二端，該第一管固持部延伸至該第一端，該等第二管固持部延伸至該第二端。
一種黏著滾輪，包含：<br/> 如請求項1至7其中任一項所述的一承載輥；及<br/> 一黏著片，捲繞於該承載輥的該承載管並呈捲狀。
一種場域排放熱點偵測系統，包括：<br/> 一資料庫，儲存一排放源資訊，該排放源資訊包括多種排放設備的設備資料以及排放資料；以及<br/> 一感測裝置，感測一目標場域中的至少一排放設備，而產生一影像感測資料；<br/> 一影像辨識模組，依據該影像感測資料以及該排放源資訊進行影像辨識處理，以辨識該至少一排放設備以及該目標場域的類型；<br/> 一溫室氣體運算模組，依據該排放資料中對應該至少一排放設備的排放係數計算該至少一排放設備的溫室氣體排放量，而產生一溫室氣體排放資料；以及<br/> 一排放熱點生成模組，依據該影像辨識模組的辨識結果以及該溫室氣體排放資料生成一排放熱點分布影像。
如請求項1所述的場域排放熱點偵測系統，其中該感測裝置還感測該至少一排放設備的排放特徵，而產生一排放感測資料，該溫室氣體運算模組還依據該排放感測資料產生該溫室氣體排放資料。
如請求項2所述的場域排放熱點偵測系統，其中該資料庫還儲存一排放標準資訊，該排放標準資訊包括多種排放標準，該資料庫還儲存該至少一排放設備的一待查驗資料，該場域排放熱點偵測系統還包括：<br/> 一文件生成模組，依據該排放標準資訊、該溫室氣體排放資料以及該待查驗資料產生一報告書。
如請求項1所述的場域排放熱點偵測系統，其中該排放熱點生成模組還依據該溫室氣體排放資料產生一設備查驗路徑，該設備查驗路徑指示該至少一排放設備的查驗順序。
如請求項1所述的場域排放熱點偵測系統，其中該排放熱點生成模組依據各排放設備的碳排放強度於該排放熱點分布影像中對各排放設備標示對應的顏色。
如請求項1所述的場域排放熱點偵測系統，其中該溫室氣體運算模組依據各排放設備的活動數據、排放係數以及全球暖化潛勢計算各排放設備的碳排放強度以及碳排放密度。
如請求項6所述的場域排放熱點偵測系統，其中該排放熱點生成模組依據各排放設備的碳排放密度與一碳排放閾值判斷各排放設備的碳排放強度等級，依據各排放設備的碳排放強度等級於該排放熱點分布影像中對各排放設備標示對應的顏色。
如請求項7所述的場域排放熱點偵測系統，其中該碳排放閾值為該至少一排放設備的碳排放密度的平均值或中位數。
一種場域排放熱點偵測方法，包括：<br/> 提供一感測裝置，以感測一目標場域中的至少一排放設備，而產生一影像感測資料；<br/> 提供一影像辨識模組，以依據該影像感測資料以及一排放源資訊進行一影像辨識處理，以辨識該至少一排放設備以及該目標場域的類型，其中該排放源資訊包括多種排放設備的設備資料以及排放資料；<br/> 提供一溫室氣體運算模組，以依據該排放資料中對應該至少一排放設備的排放係數計算該至少一排放設備的溫室氣體排放量，而產生一溫室氣體排放資料；以及<br/> 提供一排放熱點生成模組，以依據該影像辨識處理的辨識結果以及該溫室氣體排放資料生成一排放熱點分布影像。
如請求項9所述的場域排放熱點偵測方法，包括：<br/> 透過該感測裝置感測該至少一排放設備的排放特徵，而產生一排放感測資料；以及<br/> 透過該溫室氣體運算模組依據該排放感測資料產生該溫室氣體排放資料。
如請求項10所述的場域排放熱點偵測方法，包括：<br/> 提供一文件生成模組，以依據一排放標準資訊、該溫室氣體排放資料以及該至少一排放設備的一待查驗資料產生一報告書，其中該排放標準資訊包括多種排放標準。
如請求項9所述的場域排放熱點偵測方法，包括：<br/> 透過該排放熱點生成模組依據該溫室氣體排放資料產生一設備查驗路徑，該設備查驗路徑指示該至少一排放設備的查驗順序。
如請求項9所述的場域排放熱點偵測方法，包括：<br/> 透過該排放熱點生成模組依據各排放設備的碳排放強度於該排放熱點分布影像中對各排放設備標示對應的顏色。
如請求項9所述的場域排放熱點偵測方法，包括：<br/> 透過該溫室氣體運算模組依據各排放設備的活動數據、排放係數以及全球暖化潛勢計算各排放設備的碳排放強度以及碳排放密度。
如請求項14所述的場域排放熱點偵測方法，包括：<br/> 透過該排放熱點生成模組依據各排放設備的碳排放密度與一碳排放閾值判斷各排放設備的碳排放強度等級；以及<br/> 透過該排放熱點生成模組依據各排放設備的碳排放強度等級於該排放熱點分布影像中對各排放設備標示對應的顏色。
如請求項15所述的場域排放熱點偵測方法，其中該碳排放閾值為該至少一排放設備的碳排放密度的平均值或中位數。
一種主動陣列基板的製造方法，包括：<br/>提供基底，其中所述基底具有第一表面及與所述第一表面相對的第二表面；<br/>在所述基底的所述第一表面之上形成第一電晶體的第一半導體層；<br/>在所述第一半導體層上形成保護結構；<br/>在所述基底的所述第二表面之上形成第二電晶體；<br/>在形成所述第二電晶體後，在所述保護結構上形成導電結構；以及<br/>圖案化所述保護結構及所述導電結構，以形成所述第一電晶體的第一源極和第一汲極。
如請求項1所述的主動陣列基板的製造方法，其中形成所述保護結構包括：<br/>在所述第一半導體層上形成第一導電層；<br/>在所述第一導電層上形成第二導電層，其中所述第二導電層的材料與所述第一導電層的材料不同；以及<br/>在所述第二導電層上形成氮化物層。
如請求項2所述的主動陣列基板的製造方法，其中在所述保護結構上形成所述導電結構包括：<br/>移除所述氮化物層；<br/>對所述第二導電層進行表面處理；以及<br/>在所述第二導電層上形成所述導電結構，其中所述第二導電層與所述導電結構之間具有介面層。
如請求項3所述的主動陣列基板的製造方法，其中移除所述氮化物層的方法包括電漿蝕刻，且所述電漿蝕刻還蝕刻至部份所述第二導電層。
如請求項3所述的主動陣列基板的製造方法，其中所述表面處理的方法包括電漿蝕刻方法或化學蝕刻方法。
如請求項1所述的主動陣列基板的製造方法，更包括：<br/>在所述基底的所述第一表面之上形成所述第一電晶體的第一閘極；以及<br/>在所述第一閘極上形成第一閘介電層。
如請求項1所述的主動陣列基板的製造方法，更包括：<br/>在所述第一電晶體上形成平坦層；<br/>在所述平坦層中形成開口，以暴露出所述第一汲極；以及<br/>在所述開口中及所述平坦層上形成第一畫素電極。
如請求項7所述的主動陣列基板的製造方法，其中在圖案化所述保護結構及所述導電結構的過程中，還形成第一底部電極，其中所述第一底部電極與所述第一畫素電極之間產生儲存電容。
如請求項1所述的主動陣列基板的製造方法，其中在圖案化所述保護結構及所述導電結構的過程中，還形成第一導電接墊，其中所述第一導電接墊被配置為與驅動晶片連接。
如請求項1所述的主動陣列基板的製造方法，其中形成所述第二電晶體包括：<br/>在所述基底的所述第二表面上形成第二閘極；<br/>在所述第二閘極上形成第二閘介電層；<br/>在所述第二閘介電層上形成第二半導體層；以及<br/>在所述第二半導體層上形成第二源極和第二汲極。
一種雙面顯示裝置的製造方法，包括：<br/>提供主動陣列基板，其中所述主動陣列基板是由如請求項1至請求項10中任一項所述的方法製造；<br/>在所述主動陣列基板靠近所述第一電晶體的一面上黏接第一電泳顯示薄膜；以及<br/>在所述主動陣列基板靠近所述第二電晶體的一面上黏接第二電泳顯示薄膜。
一種主動陣列基板，包括：<br/>基底，具有第一表面及相對於所述第一表面的第二表面；<br/>第一電晶體，設置於所述基底的所述第一表面上，其中所述第一電晶體包括：<br/>第一半導體層；以及<br/>第一源極和第一汲極，設置於所述第一半導體層上，其中所述第一源極和所述第一汲極各自包括：<br/>保護結構；<br/>第一導電結構，設置於所述保護結構之上；以及<br/>介面層，設置於所述保護結構與所述第一導電結構之間；以及<br/>第二電晶體，設置於所述基底的所述第二表面上。
如請求項12所述的主動陣列基板，其中所述保護結構包括：<br/>第一導電層；以及<br/>第二導電層，設置於所述第一導電層上，其中所述第二導電層的材料與所述第一導電層的材料不同。
如請求項13所述的主動陣列基板，其中所述第一導電結構包括：<br/>第三導電層；以及<br/>第四導電層，設置於所述第三導電層上，其中所述第二導電層的所述材料與所述第三導電層的材料相同，所述第一導電層的所述材料與所述第四導電層的材料相同。
如請求項12所述的主動陣列基板，其中所述介面層包括金屬氟化物和/或金屬氧化物。
如請求項12所述的主動陣列基板，其中所述第二電晶體包括第二源極和第二汲極，所述第二源極和所述第二汲極各自包括第二導電結構，<br/>其中所述第二導電結構包括第五導電層、第六導電層以及第七導電層，其中所述第六導電層位於所述第五導電層與所述第七導電層之間，且所述第五導電層的材料與所述第六導電層的材料不同，所述第五導電層的所述材料與所述第七導電層的材料相同。
如請求項12所述的主動陣列基板，更包括：<br/>第一畫素電極，設置於所述第一電晶體之上並與所述第一電晶體的所述第一汲極電性連接；以及<br/>第一儲存電容，設置於所述基底的所述第一表面上，其中所述第一儲存電容包括：<br/>第一底部電極，包括：<br/>所述保護結構；<br/>所述第一導電結構，設置於所述保護結構之上；以及<br/>所述介面層，設置於所述保護結構與所述第一導電結構之間；以及<br/>第一頂部電極，由部分所述第一畫素電極構成。
如請求項12所述的主動陣列基板，更包括：<br/>第一導電接墊，設置於所述基底的所述第一表面上，其中所述第一導電接墊包括：<br/>所述保護結構；<br/>所述第一導電結構，設置於所述保護結構之上；以及 所述介面層，設置於所述保護結構與所述第一導電結構之間。
一種雙面顯示裝置，包括：<br/>如請求項12至請求項18的任一項所述的主動陣列基板；<br/>第一電泳顯示薄膜，設置於所述主動陣列基板靠近所述第一電晶體的一面上；以及<br/>第二電泳顯示薄膜，設置於所述主動陣列基板靠近所述第二電晶體的一面上。
一種計量系統，用於測量基板上的一層的片電阻，該計量系統包含：<br/>一渦流感測器，包括一第一磁耦合感測器及一第二磁耦合感測器，該第一磁耦合感測器及該第二磁耦合感測器界定該第一磁耦合感測器與該第二磁耦合感測器之間的一間隙，以在該間隙中容納一基板的邊緣；<br/>一感測器控制器，用以從該第一磁耦合感測器及該第二磁耦合感測器接收量測訊號；<br/>一資料處理器，用以處理該量測訊號並產生該基板上之該層的片電阻值；以及<br/>一機器手臂，用以至少部分地在該第一磁耦合感測器與該第二磁耦合感測器之間於一預定路徑中移動該基板，以達成該基板上之該層的片電阻之量測。
如請求項1所述的計量系統，其中該預定路徑包含一直線路徑。
如請求項2所述的計量系統，其中該直線路徑重合於該渦流感測器的一線上掃描路徑。
如請求項1所述的計量系統，其中該預定路徑包含一弧形路徑。
如請求項1所述的計量系統，其中：<br/>複數個預定量測位置係關聯於該基板上的該層；且<br/>該基板上之該層的片電阻值的量測係由該第一磁耦合感測器及該第二磁耦合感測器在該基板之該層上的該複數個預定量測位置中的一或更多者處進行。
如請求項1所述的計量系統，更包含：<br/>一觸發感測器，用以偵測該基板的閾值接近度，並產生一訊號以開始該第一磁耦合感測器及該第二磁耦合感測器的啟動。
如請求項6所述的計量系統，其中該觸發感測器基於所偵測到的該基板離開一處理模組之一出站負載鎖(OBLL)的移動，產生該訊號以開始該第一磁耦合感測器及該第二磁耦合感測器的啟動。
如請求項1所述的計量系統，其中該間隙的一尺寸在3-50 mm的範圍內。
如請求項7所述的計量系統，其中該間隙的尺寸為5 mm。
如請求項1所述的計量系統，其中該渦流感測器係配置成在該基板上的一量測位置進行一量測，其中該量測位置係設置於該基板的中心與該基板的邊緣之間中途的一定位。
如請求項1所述的計量系統，其中該層包含一銅(Cu)晶種基板，且其中所產生的片電阻值在大約0.001至30歐姆每平方(ohm/sq)的範圍內。
如請求項1所述的計量系統，其中該層包含一鈷(Co)晶種基板，且其中所產生的片電阻值在大約1 ohm/sq至10,000 ohm/sq的範圍內。
如請求項1所述的計量系統，其中該計量系統係配置成測量高達50,000 ohm/sq的片電阻。
如請求項1所述的計量系統，其中該渦流感測器係設置緊鄰一處理模組之一出站負載鎖，且配置成在該處理模組的一生產運作期間原位接受基板以用於片電阻量測。
一種由計量系統測量基板上之一層之片電阻的方法，該方法包含：<br/>設置一渦流感測器，該渦流感測器包含一第一磁耦合感測器及一第二磁耦合感測器，該第一磁耦合感測器及該第二磁耦合感測器界定該第一磁耦合感測器與該第二磁耦合感測器之間的一間隙，以在該間隙中容納該基板的邊緣；<br/>配置該渦流感測器，以在該間隙中接受該基板的邊緣；<br/>配置一感測器控制器，以從該渦流感測器接收量測訊號；<br/>配置一資料處理器，以處理該量測訊號並產生該基板上的該層的片電阻值；以及<br/>配置一機器手臂，以至少部分地在該第一磁耦合感測器與該第二磁耦合感測器之間於一預定路徑中移動該基板，而達成該基板上之該層的片電阻之量測。
如請求項15所述的由計量系統測量基板上之一層之片電阻的方法，其中該預定路徑包含一直線路徑。
如請求項16所述的由計量系統測量基板上之一層之片電阻的方法，其中該直線路徑重合於該渦流感測器的一線上掃描路徑。
如請求項15所述的由計量系統測量基板上之一層之片電阻的方法，其中該預定路徑包含一弧形路徑。
如請求項15所述的由計量系統測量基板上之一層之片電阻的方法，其中：<br/>複數個預定量測位置係關聯於該基板上的該層；且<br/>該基板上之該層的片電阻值的量測係由該第一磁耦合感測器及該第二磁耦合感測器在該基板之該層上的該複數個預定量測位置中的一或更多者處進行。
一種非暫態機器可讀儲存媒體，其包含儲存於其中的指令，該指令用於致使一電腦處理器執行用於測量基板上之一層之片電阻的方法，該方法包含：<br/>設置一渦流感測器，該渦流感測器包含一第一磁耦合感測器及一第二磁耦合感測器，該第一磁耦合感測器及該第二磁耦合感測器界定該第一磁耦合感測器與該第二磁耦合感測器之間的一間隙，以在該間隙中容納該基板的邊緣；<br/>配置該渦流感測器，以在該間隙中接受該基板的邊緣；<br/>配置一感測器控制器，以從該渦流感測器接收量測訊號；<br/>配置一資料處理器，以處理該量測訊號並產生該基板上的該層的片電阻值；以及<br/>配置一機器手臂，以至少部分地在該第一磁耦合感測器與該第二磁耦合感測器之間於一預定路徑中移動該基板，而達成該基板上之該層的片電阻之量測。
一種輔助散熱型冷板，係設置於一電路板，該電路板設置有一組主要功能晶片與一組輔助功能晶片，該組輔助功能晶片包含複數個主要輔助晶片與複數個次要輔助晶片，該輔助散熱型冷板係用於對該組輔助功能晶片加以冷卻散熱，並且包含：<br/>一冷板本體，係設有一進液口與一出液口，並在該冷板本體內部開設有分別連通於該進液口與該出液口之一流道以供一冷卻液自該進液口流向該出液口，該流道更包含一主要冷卻段與連通於該主要冷卻段之一次要冷卻段；<br/>複數個散熱鰭片，係設置於該主要冷卻段；<br/>至少一主要導熱凸台，係對應於該主要冷卻段而自該冷板本體向外凸伸出，以供熱連結於該些主要輔助晶片；<br/>至少一次要導熱凸台，係對應於該次要冷卻段而自該冷板本體向外凸伸出，以供熱連結於該些次要輔助晶片；<br/>其中，該些主要輔助晶片與該些次要輔助晶片在運作時產生出之熱能，係分別經由該至少一主要導熱凸台與該至少一次要導熱凸台傳導至該冷板本體內部之該流道後，被該冷卻液加以吸收。
如請求項1所述之輔助散熱型冷板，其中，該些主要輔助晶片之複數個主要運作功耗皆大於該些次要輔助晶片之複數個次要運作功耗。
如請求項1所述之輔助散熱型冷板，其中，該主要冷卻段係為一直線段，且該次要冷卻段係為一彎曲段。
如請求項1所述之輔助散熱型冷板，其中，該冷板本體包含：<br/>一座體，係分別凸伸出該至少一主要導熱凸台與該至少一次要導熱凸台；<br/>一蓋體，係蓋合於該座體，藉以與該座體共同圍構出該流道；以及<br/>二接頭，係分別開設該進液口與該出液口，並且固接於該蓋體。
如請求項1所述之輔助散熱型冷板，更包含複數個固定柱，該些固定柱係自該冷板本體向外凸伸出，用以與該電路板相互固定。
如請求項5所述之輔助散熱型冷板，其中，該些固定柱係開設複數個固定孔，且該些固定孔係與該流道相隔絕，用以供複數個螺絲穿設並鎖固於該電路板，藉以將該輔助散熱型冷板固定於該電路板。
如請求項1所述之輔助散熱型冷板，更包含複數個導熱墊片，該些導熱墊片係分別設置於該至少一主要導熱凸台與該些主要輔助晶片之間，以及該至少一次要導熱凸台與該些次要輔助晶片之間，用以提高熱傳導效率。
一種富含有色金屬液中銅、鎳、鈷的回收方法，其包含以下步驟： <br/>(a1)銅鎳鈷離子檢測步驟：將富含有色金屬液容置於一重金屬溶液槽，進行銅、鎳、鈷離子的濃度檢測，以作為後續處理流程的控制依據； <br/>(a2)活性碳預處理步驟：將該富含有色金屬液導入一活性碳過濾裝置，以去除其中的雜質與部分有機物，獲得預處理溶液，將該預處理溶液隨後被分為兩股，分別導入一第一N型螯合樹脂過濾裝置和一第二N型螯合樹脂過濾裝置； <br/>(a3)第一N型螯合樹脂吸附銅步驟：其中一股預處理溶液以4至15BV/hr的流速通過第一N型螯合樹脂，使銅離子被樹脂官能基保留，而其他金屬離子則順利通過，形成第一N型螯合樹脂過濾液，經(a1)銅鎳鈷離子檢測步驟，若上述檢測步驟之結果銅、鎳、鈷離子的濃度高於預設值，則將該第一N型螯合樹脂過濾液回流至該重金屬溶液槽，重新進行(a1)銅鎳鈷離子檢測步驟，若上述檢測步驟之結果銅、鎳、鈷離子的濃度低於預設值，則將該第一N型螯合樹脂過濾液進行排放； <br/>(a4)第一N型螯合樹脂脫附銅步驟，使用2M(莫耳/升)至8M(莫耳/升)的硫酸(H₂SO₄)，以4至15BV/hr的流速對該第一N型螯合樹脂進行脫附處理，獲得純度達98%以上的硫酸銅溶液，並將其導入一含銅酸液槽中； <br/>(a5)銅溶液反應形成步驟：將該硫酸銅溶液導入一反應槽，並加入銅添加劑進行反應，以形成銅溶液，並流至一第一平衡槽，該銅添加劑包含一礦化劑及還原劑，該礦化劑包含碳酸鈉、碳酸氫鈉及氫氧化鈉，該還原劑包含維他命C及亞硫酸鈉； <br/>(a6)銅溶液管式膜過濾步驟：將該銅溶液導入一管式膜過濾裝置進行過濾，分離出淨化水與含銅濃縮液，該淨化水往外排放，該含銅濃縮液則回流至該第一平衡槽； <br/>(a7)銅金屬富集物壓濾步驟：將經該第一平衡槽平衡後的含銅濃縮液通過一板框式壓濾機進行壓濾脫水，最終得到銅金屬富集物； <br/>(a8)第二N型螯合樹脂吸附鎳鈷步驟：使另一股預處理溶液以4至15BV/hr的流速通過第二N型螯合樹脂，使鎳與鈷離子被樹脂官能基保留，而其他金屬離子則順利通過，形成第二N型螯合樹脂過濾液，經(a1)銅鎳鈷離子檢測步驟，若上述檢測步驟之結果銅、鎳、鈷離子的濃度高於預設值，則將該第二N型螯合樹脂過濾液回流至該重金屬溶液槽，重新回到(a1)銅鎳鈷離子檢測步驟，若上述檢測步驟之結果銅、鎳、鈷離子的濃度低於預設值，則將該第二N型螯合樹脂過濾液進行排放； <br/>(a9)第二N型螯合樹脂脫附鎳鈷步驟，使用2M(莫耳/升)至8M(莫耳/升)的硫酸(H₂SO₄)，以4至15BV/hr的流速對該第二N型螯合樹脂進行脫附處理，獲得純度達98%以上的硫酸鈷和硫酸鎳溶液，並將其導入一含鎳鈷酸液槽中； <br/>(a10)鎳鈷溶液反應形成步驟：將該硫酸鈷和硫酸鎳溶液引入一反應槽，並加入鎳及鈷添加劑進行反應，以形成鎳鈷溶液，並流至一第二平衡槽，該鎳及鈷添加劑包含一礦化劑及還原劑，該礦化劑包含草酸鈉、氫氧化鈉及碳酸鈉，該還原劑包含維他命C及亞硫酸鈉； <br/>(a11)鎳鈷溶液管式膜過濾步驟：將該鎳鈷溶液導入一管式膜過濾裝置進行過濾，分離出淨化水與含鎳鈷濃縮液，該淨化水往外排收，該含鎳鈷濃縮液則回流至該第二平衡槽； <br/>(a12)鎳鈷金屬富集物壓濾步驟：將經該第二平衡槽平衡後的含鎳鈷濃縮液通過一板框式壓濾機進行壓濾脫水，最終得到鎳、鈷金屬富集物。
如請求項1所述之富含有色金屬液中銅、鎳、鈷的回收方法，其中該(a5)銅溶液反應形成步驟，調整pH值至6~9，反應時間30分鐘至48小時，該(a10)鎳鈷溶液反應形成步驟，調整pH值至6~11，反應時間30分鐘至48小時。
一種富含有色金屬液中銅的回收方法，其包含以下步驟： <br/>(b1)銅離子檢測步驟：將富含有色金屬液容置於一重金屬溶液槽，進行銅離子的濃度檢測，以作為後續處理流程的控制依據； <br/>(b2)活性碳預處理步驟：將該富含有色金屬液導入一活性碳過濾裝置，以去除其中的雜質與部分有機物，獲得預處理溶液，將該預處理溶液導入一第一N型螯合樹脂過濾裝置； <br/>(b3)第一N型螯合樹脂吸附銅步驟：該預處理溶液以4至15BV/hr的流速通過第一N型螯合樹脂，使銅離子被樹脂官能基保留，而其他金屬離子則順利通過，形成第一N型螯合樹脂過濾液，經(b1)銅離子檢測步驟，若上述檢測步驟之結果銅離子的濃度高於預設值，則將該第一N型螯合樹脂過濾液回流至該重金屬溶液槽，重新進行(b1)銅離子檢測步驟，若上述檢測步驟之結果銅離子的濃度低於預設值，則將該第一N型螯合樹脂過濾液進行排放； <br/>(b4)第一N型螯合樹脂脫附銅步驟，使用2M(莫耳/升)至8M(莫耳/升)的硫酸(H₂SO₄)，以4至15BV/hr的流速對該第一N型螯合樹脂進行脫附處理，獲得純度達98%以上的硫酸銅溶液，並將其導入一含銅酸液槽中； <br/>(b5)銅溶液反應形成步驟：將該硫酸銅溶液導入一反應槽，並加入銅添加劑進行反應，以形成銅溶液，並流至一平衡槽，該銅添加劑包含一礦化劑及還原劑，該礦化劑包含碳酸鈉、碳酸氫鈉及氫氧化鈉，該還原劑包含維他命C及亞硫酸鈉； <br/>(b6)銅溶液管式膜過濾步驟：將該銅溶液導入一管式膜過濾裝置進行過濾，分離出淨化水與含銅濃縮液，該淨化水往外排放，該含銅濃縮液則回流至該平衡槽； <br/>(b7)銅金屬富集物壓濾步驟：將經該平衡槽平衡後的含銅濃縮液通過一板框式壓濾機進行壓濾脫水，最終得到銅金屬富集物。
如請求項3所述之富含有色金屬液中銅的回收方法，其中該(b5)銅溶液反應形成步驟，調整pH值至6~9，反應時間30分鐘至48小時。
一種富含有色金屬液中鎳、鈷的回收方法，其包含以下步驟： <br/>(c1)鎳鈷離子檢測步驟：將富含有色金屬液容置於一重金屬溶液槽，進行鎳、鈷離子的濃度檢測，以作為後續處理流程的控制依據； <br/>(c2)活性碳預處理步驟：將該富含有色金屬液導入一活性碳過濾裝置，以去除其中的雜質與部分有機物，獲得預處理溶液，將該預處理溶液導入一第二N型螯合樹脂過濾裝置； <br/>(c3)第二N型螯合樹脂吸附鎳鈷步驟：該預處理溶液以4至15BV/hr的流速通過第一N型螯合樹脂，使鎳鈷離子被樹脂官能基保留，而其他金屬離子則順利通過，形成第二N型螯合樹脂過濾液，經(c1)鎳鈷離子檢測步驟，若上述檢測步驟之結果鎳、鈷離子的濃度高於預設值，則將該第二N型螯合樹脂過濾液回流至該重金屬溶液槽，重新進行(c1)鎳鈷離子檢測步驟，若上述檢測步驟之結果鎳、鈷離子的濃度低於預設值，則將該第二N型螯合樹脂過濾液進行排放； <br/>(c4)第二N型螯合樹脂脫附鎳鈷步驟，使用2M(莫耳/升)至8M(莫耳/升)的硫酸(H₂SO₄)，以4至15BV/hr的流速對該第二N型螯合樹脂進行脫附處理，獲得純度達98%以上的硫酸鈷和硫酸鎳溶液，並將其導入一含鎳鈷酸液槽中； <br/>(c5)鎳鈷溶液反應形成步驟：將該硫酸鈷和硫酸鎳溶液引入一反應槽，並加入鎳及鈷添加劑進行反應，以形成鎳鈷溶液，並流至一平衡槽； <br/>(c6)鎳鈷溶液管式膜過濾步驟：將該鎳鈷溶液導入一管式膜過濾裝置進行過濾，分離出淨化水與含鎳鈷濃縮液，該淨化水往外排收，該含鎳鈷濃縮液則回流至該平衡槽，該鎳及鈷添加劑包含一礦化劑及還原劑，該礦化劑包含草酸鈉、氫氧化鈉及碳酸鈉，該還原劑包含維他命C及亞硫酸鈉； <br/>(c7)鎳鈷金屬富集物壓濾步驟：將經該平衡槽平衡後的含鎳鈷濃縮液通過一板框式壓濾機進行壓濾脫水，最終得到鎳、鈷金屬富集物。
如請求項5所述之富含有色金屬液中鎳、鈷的回收方法，其中該(c5)鎳鈷溶液反應形成步驟，調整pH值至6~11，反應時間30分鐘至48小時。
一種照相機模組，包括：<br/>第一光學路徑轉換單元，被配置成在與第一光軸相交的第二光軸的方向上反射或折射沿所述第一光軸入射的光；<br/>第二光學路徑轉換單元，被配置成在分別與所述第一光軸及所述第二光軸相交的第三光軸的方向上反射或折射沿所述第二光軸入射的光；以及<br/>光學成像系統，包括第一透鏡、第二透鏡以及第三透鏡；<br/>其中所述第一透鏡至所述第三透鏡自物側至成像平面依序設置；<br/>其中所述光學成像系統滿足條件表達式0.8＜P1P2/f＜2.0，其中P1P2是自所述第一光軸與所述第二光軸的第一交點至所述第二光軸與所述第三光軸的第二交點的距離，且f為所述光學成像系統的焦距；以及<br/>其中所述第二透鏡的焦距在-50毫米至-6.0毫米的範圍內。
如請求項1所述的照相機模組，其中所述第一透鏡具有凸的物側表面。
如請求項1所述的照相機模組，其中所述第一透鏡具有凸的像側表面。
如請求項1所述的照相機模組，其中所述第二透鏡具有凸的物側表面。
如請求項1所述的照相機模組，其中所述第二透鏡具有凹的像側表面。
如請求項1所述的照相機模組，其中所述第三透鏡具有凸的物側表面。
如請求項1所述的照相機模組，其中所述第三透鏡具有凹的像側表面。
一種照相機模組，包括：<br/>第一光學路徑轉換單元，被配置成在與第一光軸相交的第二光軸的方向上反射或折射沿所述第一光軸入射的光；<br/>第二光學路徑轉換單元，被配置成在分別與所述第一光軸及所述第二光軸相交的第三光軸的方向上反射或折射沿所述第二光軸入射的光；以及<br/>光學成像系統，包括第一透鏡、第二透鏡以及第三透鏡；<br/>其中所述第一透鏡至所述第三透鏡自物側至成像平面依序設置；<br/>其中所述第二透鏡的焦距在-50毫米至-6.0毫米的範圍內；以及<br/>其中所述第二透鏡具有凸的物側表面。
如請求項8所述的照相機模組，其中所述第一透鏡具有凸的物側表面。
如請求項8所述的照相機模組，其中所述第二透鏡具有凸的物側表面。
如請求項8所述的照相機模組，其中所述第三透鏡具有凸的物側表面。
如請求項8所述的照相機模組，其中所述第三透鏡具有凹的像側表面。
如請求項8所述的照相機模組，其中所述光學成像系統還包括具有折射力的第四透鏡。
如請求項13所述的照相機模組，其中所述光學成像系統還包括具有折射力的第五透鏡。
一種安裝裝置，包括： <br/>多個供給模組，供給電子零件； <br/>安裝模組，將所述電子零件安裝於基板；以及 <br/>搬送機構，構成為跨及所述多個供給模組及所述安裝模組而沿俯視下的第一方向延伸，且具有至少一個搬送單元，所述至少一個搬送單元構成為能夠自所述多個供給模組各者中將所述電子零件搬送至所述安裝模組。
如請求項1所述的安裝裝置，其中， <br/>所述安裝模組沿與所述第一方向交叉的第二方向搬送所述電子零件。
如請求項1所述的安裝裝置，其中， <br/>所述多個供給模組包括：第一供給模組，供給第一電子零件；以及第二供給模組，供給與所述第一電子零件不同品種的第二電子零件。
如請求項1所述的安裝裝置，其中， <br/>所述多個供給模組各者自半導體晶圓供給半導體晶粒作為所述電子零件， <br/>所述多個供給模組各者具有對所述半導體晶圓進行保持的晶圓保持器， <br/>所述晶圓保持器構成為能夠沿與俯視下的所述第一方向交叉的第二方向移動。
如請求項1所述的安裝裝置，其中， <br/>所述至少一個搬送單元包括多個搬送頭， <br/>所述多個搬送頭構成為能夠相互獨立地移動。
如請求項1所述的安裝裝置，其中， <br/>所述安裝模組具有多個安裝頭，所述多個安裝頭自所述至少一個搬送單元接收所述電子零件並安裝於所述基板， <br/>所述多個安裝頭構成為能夠相互獨立地移動。
如請求項1至6中任一項所述的安裝裝置，其中， <br/>所述多個供給模組各者自半導體晶圓供給半導體晶粒作為所述電子零件， <br/>所述安裝裝置更包括上推單元，所述上推單元自所述半導體晶圓上推所述半導體晶粒並交接至所述至少一個搬送單元， <br/>所述上推單元構成為能夠在所述多個供給模組的模組間移動。
如請求項1至6中任一項所述的安裝裝置，更包括拾取照相機，所述拾取照相機識別所述多個供給模組中的所述電子零件的位置， <br/>所述拾取照相機構成為能夠在所述多個供給模組的模組間移動。
一種薄膜電晶體基板的製造方法，係含有下述工序：<br/> 在基板上形成第1導電層之工序，該第1導電層橫跨預定在製造後進行切斷的剖切面並且作為短路環發揮功能；<br/> 在前述第1導電層上及未形成有前述第1導電層的前述基板上形成第1絕緣層，在形成於前述第1導電層上的前述第1絕緣層中，在從前述剖切面朝相反的兩個方向分別相隔一定距離以上之處形成接觸孔，並且在橫跨前述剖切面的前述第1導電層的一部分的至少上方形成前述第1絕緣層的開口部之工序；<br/> 在前述第1絕緣層上形成第2導電層之工序，該第2導電層透過前述接觸孔而與前述第1導電層導通，且橫跨前述剖切面並且作為不同於前述短路環的別的短路環發揮功能；<br/> 將位於前述開口部下方的前述第1導電層的一部分去除之工序；及<br/> 形成至少將藉由前述去除而開放的空間填埋的第2絕緣層之工序。
如請求項1之薄膜電晶體基板的製造方法，其中前述第2導電層係以比前述第1導電層不易腐蝕的材料所形成。
如請求項1之薄膜電晶體基板的製造方法，其中前述第2導電層係以MoNb或MoTa所形成。
如請求項2之薄膜電晶體基板的製造方法，其中前述第2導電層係以ITO所形成。
如請求項1之薄膜電晶體基板的製造方法，其進一步含有：<br/> 在前述第1絕緣層上，在與前述第2導電層隔有間隔之處形成未橫跨前述剖切面的第3導電層之工序。
如請求項5之薄膜電晶體基板的製造方法，其中前述第1導電層與前述第3導電層係以相同的材料所形成。
如請求項5之薄膜電晶體基板的製造方法，其中前述第1導電層係對應於TFT的閘極；<br/> 前述第3導電層係對應前述TFT的源極或汲極。
如請求項5之薄膜電晶體基板的製造方法，其中前述第1導電層係對應於TFT的源極或汲極；<br/> 前述第3導電層係對應於前述TFT的閘極。
一種薄膜電晶體基板，係藉由如請求項1至8中任一項之薄膜電晶體基板的製造方法所製造。
一種用於血液透析患者的生理監控系統，適用於在一血液透析患者進行血液透析過程中，即時監測該血液透析患者的生理狀態，並包含：<br/> 一個阻抗量測裝置，包括用以設置在該血液透析患者身上的一個第一阻抗量測模組與一個第二阻抗量測模組，及一個量測控制器，該量測控制器可經由該第一阻抗量測模組對該血液透析患者施予一第一電流訊號，並經由該第一阻抗量測模組量測取得一第一阻抗訊號，該量測控制器可經由該第二阻抗量測模組對該血液透析患者施予一第二電流訊號，並經由該第二阻抗量測模組量測取得一第二阻抗訊號，該第一電流訊號之頻率為8 kHz的電流，該第二電流訊號之頻率為250 kHz的電流；及<br/> 一個監控裝置，訊號連接該阻抗量測裝置，並與該量測控制器整合在一起，包括一個警示模組、一個顯示模組，及一個預警控制模組，該預警控制模組會將該第一阻抗值及該第二阻抗值隨時間變化構成之訊號線同步顯示於該顯示模組，該預警控制模組會於分析該第一阻抗值與該第二阻抗值之訊號線交會時，控制該警示模組發出一個警示訊息。
如請求項1所述的用於血液透析患者的生理監控系統，其中，該第一電流訊號與該第二電流訊號之電流值都介於1～3 mA。
如請求項1所述的用於血液透析患者的生理監控系統，其中，該第一阻抗量測模組適用於設置在該患者的一手臂，該第一阻抗量測模組包括兩個用以沿該手臂延伸方向間隔設置的第一送電電極，及兩個用以沿該手臂延伸方向間隔設置且相對介於該等第一送電電極間的第一阻抗量測電極，該量測控制器會經由該等第一送電電極對該患者施加所述第一電流訊號，且會經由該等第一阻抗量測電極量測所述第一阻抗訊號。
如請求項1或3所述的用於血液透析患者的生理監控系統，其中，該第二阻抗量測模組適用於設置在該患者的胸部，該第二阻抗量測模組包括兩個用以分別設置在該患者的頸部與胸部的第二送電電極，及兩個用以分別設置在該患者的頸部與胸部且相對介於該等第二送電電極間的第二阻抗量測電極，該量測控制器會經由該等第二送電電極對該患者施加所述第二電流訊號，且會經由該等第二阻抗量測電極量測所述第二阻抗訊號。
一種扇框，包含：<br/> 一框體，具有軸向相對的一第一板體及一第二板體，一側牆連接於該第一板體及該第二板體之間，該第一板體與該第二板體之間具有一組裝空間，該第一板體具有至少一第一架設孔，該第二板體具有至少一第二架設孔，該第一架設孔與該第二架設孔於該組裝空間軸向對位；<br/> 至少一結合部，該至少一結合部位於該組裝空間；及<br/> 至少一支撐件，該至少一支撐件可組裝地結合該至少一結合部，該至少一支撐件具有一容置部，該容置部貫穿於該至少一支撐件的相對二端，該容置部軸向對位於該第一架設孔與該第二架設孔。
如請求項1之扇框，其中，該至少一結合部位於該側牆。
如請求項2之扇框，其中，該至少一結合部具有一至少一卡槽，該至少一卡槽位於該側牆的外周壁。
如請求項3之扇框，其中，該至少一結合部具有一凸出肋，該凸出肋徑向突出於該外周壁，該至少一卡槽貫穿於該凸出肋的相對兩側。
如請求項1之扇框，其中，該第一板體具有一突出部，該突出部朝該側牆的外側方向徑向延伸形成，該第二板體具有一突出部，該第二板體的突出部朝該側牆的外側方向徑向延伸形成，該第一板體的突出部與該第二板體的突出部與該側牆的一外周壁共同圍繞形成該組裝空間。
如請求項1之扇框，其中，該第一板體或該第二板體於該組裝空間內各具有一定位槽，該至少一支撐件的至少一端位於該定位槽。
如請求項6之扇框，其中，該定位槽分別徑向延伸至該第一板體或該第二板體的端緣而形成一導引口。
如請求項1之扇框，其中，該至少一支撐件具有至少一卡扣部，該至少一卡扣部徑向突伸於該至少一支撐件的外周面，該至少一結合部具有至少一卡槽，至少一支撐件藉由該至少一卡扣部可組裝地結合於該至少一卡槽。
如請求項8之扇框，其中，該至少一結合部具有一凸出肋，該凸出肋徑向突出於該側牆的外周壁，該凸出肋軸向延伸於該第一板體與該第二板體之間，該至少一卡槽貫穿於該凸出肋的相對兩側，該至少一卡扣部具有一徑向突出段及一側向延伸段，該側向延伸段與該至少一支撐件的外周面之間形成一卡掣空間，該側向延伸段伸入該至少一卡槽，以將該凸出肋卡掣於該卡掣空間內。
如請求項9之扇框，其中，該側向延伸段的自由端具有一鈎部，該鈎部可以朝該卡掣空間延伸。
如請求項1之扇框，其中，該至少一結合部具有一凸出肋，該凸出肋徑向突出於該側牆的外周壁，該凸出肋軸向延伸於該第一板體與該第二板體之間，至少一卡槽貫穿於該凸出肋的相對兩側，該至少一支撐件具有二扣持臂，該二扣持臂之間形成一卡掣空間，該二扣持臂分別結合於該至少一卡槽於該凸出肋相對兩側的開口，以將該凸出肋卡掣於該卡掣空間內。
如請求項11之扇框，其中，該二扣持臂分別具有一卡掣部，該二卡掣部分別由該二扣持臂的一端成相對延伸，該二卡掣部分別具有一抵接面，該二抵接面分別朝向該卡掣空間，該二抵接面卡抵於該至少一卡槽。
如請求項1之扇框，其中，該至少一支撐件的軸向二端之間具有二側向端面，該至少一支撐件藉由該二側向端面熔接於該至少一結合部。
如請求項13之扇框，其中，該至少一支撐件藉由該二側向端面以超音波熔接於該側牆。
如請求項13之扇框，其中，該二側向端面分別具有一熔接部，該二熔接部分別為一熔接凸料以突出於該二側向端面。
如請求項13之扇框，其中，該至少一結合部於該側牆具有二結合端面，該至少一結合部的二結合端面結合於該至少一支撐件的二側向端面。
一種電極結構，包含有： 一電極基板，具有相對的一第一基板表面及一第二基板表面；<br/>一第一梳型單元，設置於該第一基板表面，且包含有：<br/>一第一連接部，沿一第一方向延伸；<br/>複數第一梳部，沿一第二方向延伸，且朝該第二方向之一端為一第一連接端，並且該些第一疏部彼此平行間隔排列；其中，該些第一梳部的該些第一連接端連接該第一連接部；其中，該第一方向與該第二方向垂直；<br/>一第二梳型單元，設置於該第一基板表面，且包含有：<br/>一第二連接部，沿該第一方向延伸，並與該第一梳型單元的該第一連接部平行間隔排列；<br/>複數第二梳部，沿一第三方向延伸，且朝該第三方向之一端為一第二連接端，並且該些第二梳部彼此平行間隔排列；其中，該些第二梳部的該些第二連接端連接該第二連接部；其中，該第二方向與該第三方向相反；<br/>一長型單元，包含有：<br/>複數長型電極部，設置於該第一基板表面，且分別沿該第二方向延伸，並且該些長型電極部平行間隔排列；<br/>一長型連接部，設置於該第二基板表面；<br/>複數長型連接柱，貫穿該電極基板，並且分別連接該些長型電極部及該長型連接部；<br/>其中，該些第一梳部、該些長型電極部及該些第二梳部依序沿該第一方向平行交替排列；<br/>其中，各該長型電極部與相臨的該第一梳部及該第二梳部之間相距一第一距離。
如請求項1所述之電極結構，其中，該些長型電極部朝向該第二方向的一端為一第一端，且朝向該第三方向的另一端為一第二端；其中，該長型單元的各該長型電極部的該第一端與該第一梳型單元的該第一連接部之間相距一第二距離，該長型單元的各該長型電極部的該第二端與該第二梳型單元的第二連接部之間相距一第三距離。
如請求項2所述之電極結構，其中，該第二距離與該第一距離相同，且該第三距離與該第一距離相同。
如請求項1所述之電極結構，其中，該第一梳型單元的該些第一梳部朝向該第三方向的一端為一第一自由端，且該第一自由端與該第二梳型單元的該第二連接部之間相距一第四距離。
如請求項4所述之電極結構，其中，該第四距離與該第一距離相同。
如請求項1所述之電極結構，其中，該第二梳型單元的該第二梳部朝向該第二方向的一端為一第二自由端，且該第二自由端與該第一梳型單元的該第一連接部之間相距一第五距離。
如請求項6所述之電極結構，其中，該第五距離與該第一距離相同。
如請求項1所述之電極結構，其中，該第一梳型單元係一工作電極(Working Electrode；WE)，該長型單元係一參考電極(Reference Electrode；RE)，且該第二梳型單元係一對電極(Counter Electrode；CE)。
如請求項1所述之電極結構，其中，進一步包含有：<br/>一第一底部基板，具有一第一上表面；<br/>一第二底部基板，設置於該第一底部基板的該第一上表面，且具有一第二上表面；<br/>其中，該長型連接部係設置於該第二底部基板的該第二上表面。
如請求項1所述之電極結構，其中，該第一梳型單元、該第二梳型單元及該長型單元的製造材料為鋁銅或氮化鈦。
一種生物感測晶片裝置，包含有：<br/>一基板，具有相對的一第一表面及一第二表面；<br/>複數連接墊，設置在該基板的該第一表面；<br/>如請求項1至10中任一項所述之一電極結構；<br/>其中，該電極結構設置在該基板的該第一表面；<br/>其中，該電極結構的該第一梳型單元、該第二梳型單元及該長型單元電連接該些連接墊。
如請求項11所述之生物感測晶片裝置，其中，該些連接墊包含有：<br/>一第一連接墊，通過一第一連接線電連接該電極結構的該第一梳型單元；<br/>一第二連接墊，通過一第二連接線電連接該電極結構的該長型單元；<br/>一第三連接墊，通過一第三連接線電連接該電極結構的該第二梳型單元。
一種拉鏈，在拉鏈帶的緣部安裝有鏈牙， <br/>所述拉鏈具有藉由將包含聚對苯二甲酸乙二酯作為主要成分的合成樹脂射出成形至所述拉鏈帶而形成的樹脂射出部件， <br/>所述樹脂射出部件的所述合成樹脂中包含結晶成核劑， <br/>所述樹脂射出部件的結晶化度為12%以上， <br/>所述樹脂射出部件是由不會成為使用了銻作為聚合觸媒的聚對苯二甲酸乙二酯樹脂與磷系抗氧化劑及結晶成核劑的組合的合成樹脂製造的部件。
如請求項1所述的拉鏈，其中，所述樹脂射出部件為拉鏈鏈牙、下止擋件、上止擋件、插棒、插座中的任一個或者為其任意多個的組合。
如請求項2所述的拉鏈，其中，所述樹脂射出部件是插棒或插座，在與所述插棒或插座鄰接的拉鏈帶設置有樹脂膜。
如請求項1或2所述的拉鏈，其中，所述樹脂射出部件為藉由注射至溫度未滿30℃的模具中而製造的部件。
一種拉鏈，在拉鏈帶的緣部安裝有鏈牙， <br/>所述拉鏈具有藉由將包含聚對苯二甲酸乙二酯作為主要成分的合成樹脂射出成形至所述拉鏈帶而形成的樹脂射出部件， <br/>在將所述樹脂射出部件的合成樹脂的整體設為100重量%的情況下，所述合成樹脂中包含50 ppm以上的磷、20 ppm以上的鈣。
如請求項5所述的拉鏈，其中，所述合成樹脂中包含成分中含有鈣的潤滑劑。
如請求項1或5所述的拉鏈，其中，作為所述合成樹脂的聚對苯二甲酸乙二酯，包含再生的聚對苯二甲酸乙二酯。
一種服裝，其特徵在於，使用了如請求項1或5所述的拉鏈，藉此能夠進行90℃以上的高溫洗滌。
一種鋰二次電池，其包含有：<br/>一正極；<br/>一負極；<br/>一電解質，其用以傳遞鋰離子於該正極與該負極之間移動；以及<br/>一鋰沉積導引層，其設置於該負極的表面且阻隔該電解質與該負極接觸，該鋰沉積導引層的頂面接收該電解質中的該鋰離子並在底面形成一鋰沉積層，該鋰沉積導引層包含有：<br/>一多軸向的支撐架；以及<br/>一奈米顆粒膜，其披覆於該支撐架，並且該奈米顆粒膜是由數個奈米等級顆粒所鄰接堆疊而成；<br/>其中該鋰沉積導引層的頂面與底面的間距是小於100奈米。
如請求項1所述之鋰二次電池，更包含有一隔離層，其係位於該正極與該負極之間，以避免該正極與該負極直接接觸，該隔離層可允許該電解質通過。
如請求項2所述之鋰二次電池，其中該隔離層是由複數陶瓷粉體所堆疊而成。
如請求項1所述之鋰二次電池，其中該鋰沉積導引層的頂面與底面的間距是小於50奈米。
如請求項1所述之鋰二次電池，其中該鋰沉積導引層是由數個二次顆粒所堆疊而成，每一該二次顆粒是由數個次顆粒所團聚而成，每一該次顆粒包含有一團狀的該支撐架與披覆於該支撐架的該奈米顆粒膜。
如請求項1所述之鋰二次電池，其中該鋰沉積導引層更摻雜有液態金屬奈米粉體。
如請求項1所述之鋰二次電池，其中該負極的頂面具有數個凹陷部，該鋰沉積導引層底面具有數個對應該凹陷部的凸出部，以將該鋰沉積導引層定位在該負極表面。
如請求項1所述之鋰二次電池，其中該鋰沉積導引層更包含有數個桶狀的該支撐架與一黏著材，其係位於相鄰的該支撐架間，以黏固該些支撐架。
如請求項8所述之鋰二次電池，其中該支撐架的側壁更塗覆有一改質層。
如請求項1所述之鋰二次電池，其中該奈米顆粒膜的材質選自於矽、砷、鉍、鋁、銦或上述材料二種以上混合。
如請求項1所述之鋰二次電池，其中該支撐架的材料是選自於碳材且該支撐架可以是片狀或團狀。
如請求項1所述之鋰二次電池，其中該負極包含有一負極集電層與一材料為鋰金屬的負極活性材料層，其係位於該負極電層朝向該正極的表面上。
如請求項12所述之鋰二次電池，其中該負極活性材料層是該鋰二次電池在充電時所沉積形成。
一種人工智慧課程系統，包括：<br/> 一虛擬教師訓練模組，用以訓練一教師的一數位分身；<br/> 一專業知識庫模組，用以產生一課程大綱、一授課內容及對應的一口語文字稿；<br/> 一投影片生成模組，與該專業知識庫模組鏈接或電性連接，用以根據該課程大綱及該授課內容生成一投影片；<br/> 一影片生成模組，與該投影片生成模組鏈接或電性連接，用以根據該投影片生成一授課影片；及<br/> 一影片口語稿管理子系統，與該專業知識庫模組、該影片生成模組及該虛擬教師訓練模組鏈接或電性連接，透過該教師的該數位分身來朗讀該口語文字稿並播放該授課影片；<br/> 其中該專業知識庫模組包括：<br/> 一大語言模型(Large Language Model; LLM)，用以生成該課程大綱、該授課內容、對應的該口語文字稿及回答一課堂問題；及<br/> 一擷取擴增生成(Retrieval-Augmented Generation; RAG)模組，與該大語言模型鏈接或電性連接，用以訓練複數個私有知識文件及複數個網站網址以生成供該大語言模型使用的一知識庫。
如請求項1所述的人工智慧課程系統，還包括：<br/> 一即時問答子系統，與該虛擬教師訓練模組及該專業知識庫模組鏈接或電性連接，用以透過該數位分身及該專業知識庫模組於授課過程中即時回答一學生的一課堂問題。
如請求項2所述的人工智慧課程系統，其中該學生的該問題若涉及該授課內容以外的知識，該即時問答子系統會生成並推薦該學生學習另一對應的課程。
如請求項1所述的人工智慧課程系統，其中該數位分身模擬該教師的形象、嘴型、聲音及/或外貌。
一種執行人工智慧課程系統的方法，包括：<br/> 使用一虛擬教師訓練模組訓練一教師的一數位分身；<br/> 使用一專業知識庫模組產生一課程大綱、一授課內容及對應的一口語文字稿；<br/> 使用一投影片生成模組根據該課程大綱及該授課內容生成一投影片；<br/> 使用一影片生成模組根據該投影片生成一授課影片；及<br/> 透過該教師的該數位分身來朗讀該口語文字稿並播放該授課影片；<br/> 其中該專業知識庫模組包括：<br/> 一大語言模型(Large Language Model; LLM)，用以生成該課程大綱、該授課內容、對應的該口語文字稿及回答一課堂問題；及<br/> 一擷取擴增生成(Retrieval-Augmented Generation; RAG)模組，與該大語言模型鏈接或電性連接，用以訓練複數個私有知識文件及複數個網站網址以生成供該大語言模型使用的一知識庫。
如請求項5所述的方法，還包括：<br/> 透過該數位分身及該專業知識庫模組於授課過程中即時回答一學生的一問題。
如請求項6所述的方法，其中該學生的該問題若涉及該授課內容以外的知識，生成並推薦該學生學習另一對應的課程。
如請求項5所述的方法，其中該數位分身模擬該教師的形象、嘴型、聲音及/或外貌。
一種魚腥草外泌體組合物之製法，其步驟包括：<br/> 深共熔溶劑製備步驟：取聚乙二醇（PEG 6000）及丙二醇（PG）加水配置成深共熔溶劑；以該深共熔溶劑為100vol%計，聚乙二醇的濃度為0.2vol%至0.6vol%，丙二醇的濃度為0.1vol%至0.5vol%；<br/> 魚腥草均質步驟：將新鮮魚腥草加入4至6倍體積的該深共熔溶劑，放入均質機打成一第一混合液；<br/> 超音波萃取步驟：使用超音波萃取機，以150W至450W的功率，在室溫下萃取10分鐘至20分鐘，之後過濾去除殘渣，得到一魚腥草萃取液；<br/> 過濾步驟：將該魚腥草萃取液以4000×g至8000×g之相對離心力，在2°C至10°C下離心5分鐘至15分鐘，接著將離心後的上清液使用孔徑為0.1µm至0.45µm的尼龍膜濾器進行過濾，得到一魚腥草萃取上清液；<br/> 梯度離心步驟：將該魚腥草萃取上清液進行梯度離心，並收集每次離心之上清液以進行下次離心，至取得最終次離心之上清液；<br/> 外泌體富集步驟：於該最終次離心之上清液中加入其體積1/8至1/12之外泌體沉澱劑，在2°C至10°C溫度下，搖晃混合8小時至16小時，形成一第二混合液，將該第二混合液以8000×g至12000×g之相對離心力，在2°C至10°C溫度下離心20分鐘至40分鐘，去除上清液並收集外泌體沉澱物；於該外泌體沉澱物中加入無菌水，使該外泌體沉澱物均勻分散在溶液中，再使用孔徑為0.1µm至0.45µm的尼龍膜濾器進行過濾，得到一魚腥草外泌體組成物。
如請求項1所述之魚腥草外泌體組合物之製法，其中，<br/> 於該超音波萃取步驟中，係使用200目至400目篩網過濾去除殘渣，得到該魚腥草萃取液。
如請求項1所述之魚腥草外泌體組合物之製法，其中，<br/> 該梯度離心步驟中，係將該魚腥草萃取上清液進行三階段梯度離心處理，包括：以1500×g至3000×g之相對離心力於約2°C至10°C條件下離心5分鐘至15分鐘，以收集到第一次上清液；將該第一次上清液再以4000×g至8000×g之相對離心力於約2°C至10°C條件下離心約10分鐘至30分鐘，以收集到第二次上清液；將該第二次上清液進一步以約8000×g至12000×g之相對離心力於約2°C至10°C條件下離心約30分鐘至50分鐘，以收集到第三次離心之上清液。
如請求項1所述之魚腥草外泌體組合物之製法，其中，<br/> 該外泌體沉澱劑係選自聚乙二醇、聚乙烯亞胺（PEI）、右旋糖酐硫酸鹽（Dextran sulfate）或聚蔗糖（Sucrose-based polymer）。
一種醫藥組成物，其包含如請求項1至4中任一項所述之製法製成之魚腥草外泌體組合物，其中，該醫藥組成物包含有效劑量之該魚腥草外泌體組合物以及藥學上可接受的載劑、賦形劑及/或添加劑。
如請求項5所述之醫藥組成物，其中，該醫藥組成物之劑型為水凝膠。
如請求項5所述之醫藥組成物，其中，該醫藥組成物為皮膚敷料或液體貼布。
一種如請求項1至4中任一項所述之製法製成之魚腥草外泌體組合物的用途，其係用於製備治療或抑制細菌感染引發的角質細胞發炎反應之醫藥組成物。
一種如請求項1至4中任一項所述之製法製成之魚腥草外泌體組合物的用途，其係用於製備抑制黑色素生成及降低酪胺酸酶活性之醫藥組成物。
一種如請求項1至4中任一項所述之製法製成之魚腥草外泌體組合物的用途，其係用於製備抑制痤瘡丙酸桿菌活性及/或表皮葡萄球菌活性之皮膚敷料或液體貼布。
一種具原料品質控管功能的製造執行系統，包含：<br/> 一原料製備單元，包括至少一將複數塑膠顆粒熔融後拉伸成一線材的伸線設備；<br/> 一製程管理單元，包括至少一設置於該至少一伸線設備上的檢測設備、一訊號連接該至少一檢測設備的雲端資料庫、一訊號連接該雲端資料庫的分析設備，及至少一訊號連接該分析設備且用於控制該至少一伸線設備的人機介面，該至少一檢測設備用於偵測該至少一伸線設備之該線材的幾何公差，該分析設備根據該至少一檢測設備所偵測到的幾何公差，控制該至少一人機介面來調整該至少一伸線設備對該線材所施加之拉力；及<br/> 一製造單元，接收該至少一伸線設備所生產的線材，並以該至少一伸線設備之該線材進行熱熔沉積成型而製造出產品。
如請求項1所述具原料品質控管功能的製造執行系統，其中，該原料製備單元包括複數伸線設備，每一伸線設備具有一用於熔融及攪拌該等塑膠顆粒的混料機構、一設置於該混料機構下游處且用於將熔融後的該等塑膠顆粒拉伸成該線材的拉料機構、一設置於該拉料機構下游處且用於矯直該線材的矯直機構，及一設置於該矯直機構下游處且用於捲收該線材的捲線機構，該製程管理單元包括分別對應該等伸線設備的複數檢測設備及複數人機介面，每一檢測設備對在該拉料機構至該矯直機構間的線材之線段，及該矯直機構至該捲線機構間的線材之線段進行幾何公差之檢測，每一人機介面根據該分析設備之判斷控制該拉料機構及該捲線機構之輸出，以調整對該線材施加之拉力。
如請求項2所述具原料品質控管功能的製造執行系統，其中，每一伸線設備之該拉料機構具有二彼此相互嚙合並用於拉伸該線材的齒輪，及一帶動該等齒輪旋轉的拉伸馬達，該捲線機構具有一供該線材捲繞的線軸，及一帶動該線軸旋轉的捲收馬達，每一人機介面可控制相對應伸線設備之該拉伸馬達及該捲收馬達之轉速。
如請求項3所述具原料品質控管功能的製造執行系統，其中，每一伸線設備之該混料機構具有一用於盛裝該等塑膠顆粒的料筒、一用於加熱該料筒的加熱模組、一伸置於該料筒中以進行攪拌的螺桿，及一用於帶動該螺桿旋轉的攪拌馬達，每一人機介面可控制相對應伸線設備之攪拌馬達的轉速，並控制該加熱模組的溫度。
如請求項2所述具原料品質控管功能的製造執行系統，其中，每一檢測設備係對該線材欲檢測之線段的三個點位進行檢測，以換算出該線段的真圓度、真直度，及圓柱度，該等點位沿該線段的周向彼此等角度環狀間隔排列。
如請求項1所述具原料品質控管功能的製造執行系統，其中，該原料製備單元包括複數伸線設備，該製程管理單元包括分別對應該等伸線設備的複數檢測設備及複數人機介面，該製造單元包括複數成型裝置，每一成型裝置使用一條或多條線材進行熱熔沉積成型。
一種床架，其中，包括：<br/> 一第一立柱；<br/> 一第二立柱，與所述第一立柱相對設置；以及<br/> 一扶手管機構，活動連接於所述第一立柱和所述第二立柱之間，所述扶手管機構在展開位置和收合位置之間可切換；<br/> 其中，所述扶手管機構包括兩個扶手管，每個所述扶手管均具有第一樞接端及第一滑動端，其中一個所述扶手管的所述第一樞接端與所述第一立柱樞接，且該一個所述扶手管的所述第一滑動端與所述第二立柱樞接且滑動連接，另一個所述扶手管的所述第一樞接端與所述第二立柱樞接，且該另一個所述扶手管的所述第一滑動端與所述第一立柱滑動樞接；<br/> 其中，當所述扶手管機構處於所述展開位置時，所述第一立柱和所述第二立柱相互遠離，且每個所述扶手管至少部分平行於水平面。
根據請求項1所述的床架，其中，每個所述扶手管包括相互連接且呈夾角設置的第一管段和第二管段，所述第一管段遠離所述第二管段的第一端為所述第一樞接端，所述第二管段遠離所述第一管段的第一端為所述第一滑動端；當所述扶手管機構處於所述展開位置時，所述第一管段平行於水平面，且所述第二管段從所述第一管段的第二端向下延伸。
根據請求項1所述的床架，其中，每個所述扶手管包括相互連接且呈夾角設置的第一管段和第二管段，所述第一管段遠離所述第二管段的第一端為所述第一樞接端，所述第二管段遠離所述第一管段的第一端為所述第一滑動端；當所述扶手管機構處於所述展開位置時，兩個所述扶手管在水平方向並列設置且兩個所述扶手管的第一管段在平行於所述第一管段的延伸方向且垂直於所述水平面的豎直面上的投影至少部分重合。
根據請求項2或3所述的床架，其中，所述扶手管機構還包括轉動連接機構，兩個所述扶手管通過所述轉動連接機構樞接。
根據請求項4所述的床架，其中，<br/> 所述轉動連接機構包括轉動件，所述轉動件設有兩個，且各所述轉動件均設有第一連接部和第二連接部，每個所述扶手管對應連接每個所述轉動件的第一連接部，兩個所述第二連接部轉動連接。
根據請求項4所述的床架，其中，<br/> 所述轉動連接機構包括兩個轉動連接部，每個所述轉動連接部均包括夾板和固定於所述夾板上的連接柱，所述夾板上設有第一連接部，兩個所述扶手管分別與兩個所述轉動連接部的所述第一連接部連接，並通過兩個所述轉動連接部的所述連接柱樞接。
根據請求項6所述的床架，其中，<br/> 兩個所述轉動連接部的所述夾板和兩個所述轉動連接部的所述連接柱間圍合形成卡持槽，兩個所述扶手管限位於所述卡持槽內並與對應的所述第一連接部連接。
根據請求項4所述的床架，其中，<br/> 所述轉動連接機構連接於兩個所述扶手管的所述第一管段，且當所述扶手管機構處於所述展開位置時，所述轉動連接機構位於各所述第一管段的下方。
根據請求項4所述的床架，其中，<br/> 至少一個所述扶手管設有第一防護組件，所述第一防護組件位於兩個所述扶手管的樞接處，當所述扶手管機構由所述展開位置向所述收合位置切換時，兩個所述扶手管分別相對於所述轉動連接機構樞轉，並與所述轉動連接機構圍合形成第一剪切夾陷區，所述第一防護組件用於遮擋所述第一剪切夾陷區。
一種床架，其中，包括：<br/> 一第一立柱；<br/> 一第二立柱，與所述第一立柱相對設置；以及<br/> 一扶手管機構，活動連接於所述第一立柱和所述第二立柱之間，所述扶手管機構在展開位置和收合位置之間可切換；<br/> 其中，所述扶手管機構包括兩個扶手管，每個所述扶手管均具有第一樞接端及第一滑動端，其中一個所述扶手管的所述第一樞接端與所述第一立柱樞接，且該一個所述扶手管的所述第一滑動端與所述第二立柱樞接且滑動連接，另一個所述扶手管的所述第一樞接端與所述第二立柱樞接，且該另一個所述扶手管的所述第一滑動端與所述第一立柱滑動樞接；<br/> 其中，每個所述扶手管包括相互連接且呈夾角設置的第一管段和第二管段。
一種床架，其中，包括：<br/> 一第一立柱；<br/> 一第二立柱，與所述第一立柱相對設置；以及<br/> 一扶手管機構，活動連接於所述第一立柱和所述第二立柱之間，所述扶手管機構在展開位置和收合位置之間可切換；<br/> 其中，所述扶手管機構包括兩個扶手管，每個所述扶手管均具有第一樞接端及第一滑動端，其中一個所述扶手管的所述第一樞接端與所述第一立柱樞接，且該一個所述扶手管的所述第一滑動端與所述第二立柱樞接且滑動連接，另一個所述扶手管的所述第一樞接端與所述第二立柱樞接，且該另一個所述扶手管的所述第一滑動端與所述第一立柱滑動樞接；<br/> 其中，所述扶手管機構處於所述展開位置時，所述兩個扶手管在水平方向並列設置，且所述兩個扶手管在所述水平方向上存在部分疊置。
一種床架，其中，包括：<br/> 一第一立柱；<br/> 一第二立柱，與所述第一立柱相對設置；以及<br/> 一扶手管機構，活動連接於所述第一立柱和所述第二立柱之間，所述扶手管機構在展開位置和收合位置之間可切換；<br/> 其中，所述扶手管機構包括兩個扶手管，每個所述扶手管均具有第一樞接端及第一滑動端，其中一個所述扶手管的所述第一樞接端與所述第一立柱樞接，且該一個所述扶手管的所述第一滑動端與所述第二立柱樞接且滑動連接，另一個所述扶手管的所述第一樞接端與所述第二立柱樞接，且該另一個所述扶手管的所述第一滑動端與所述第一立柱滑動樞接，<br/> 其中，所述扶手管機構處於所述展開位置或所述收合位置時，所述扶手管非呈直線型。
一種床架，其中，包括：<br/> 一第一立柱；<br/> 一第二立柱，與所述第一立柱相對設置；以及<br/> 一扶手管機構，活動連接於所述第一立柱和所述第二立柱之間，所述扶手管機構在展開位置和收合位置之間可切換；<br/> 其中，所述扶手管機構包括兩個扶手管，每個所述扶手管均具有第一樞接端及第一滑動端，其中一個所述扶手管的所述第一樞接端與所述第一立柱樞接，且該一個所述扶手管的所述第一滑動端與所述第二立柱樞接且滑動連接，另一個所述扶手管的所述第一樞接端與所述第二立柱樞接，且該另一個所述扶手管的所述第一滑動端與所述第一立柱滑動樞接，<br/> 其中，所述扶手管機構還包括轉動連接機構，兩個所述扶手管通過所述轉動連接機構樞接，<br/> 其中，所述轉動連接機構包括兩個轉動連接部，每個所述轉動連接部均包括夾板和固定於所述夾板上的連接柱，所述夾板上設有第一連接部，兩個所述扶手管分別與兩個所述轉動連接部的所述第一連接部連接，並通過兩個所述轉動連接部的所述連接柱樞接。
一種床架，其中，包括：<br/> 一第一立柱；<br/> 一第二立柱，與所述第一立柱相對設置；以及<br/> 一扶手管機構，活動連接於所述第一立柱和所述第二立柱之間，所述扶手管機構在展開位置和收合位置之間可切換；<br/> 其中，所述扶手管機構包括兩個扶手管，每個所述扶手管均具有第一樞接端及第一滑動端，其中一個所述扶手管的所述第一樞接端與所述第一立柱樞接，且該一個所述扶手管的所述第一滑動端與所述第二立柱樞接且滑動連接，另一個所述扶手管的所述第一樞接端與所述第二立柱樞接，且該另一個所述扶手管的所述第一滑動端與所述第一立柱滑動樞接，<br/> 其中，所述扶手管機構還包括轉動連接機構，兩個所述扶手管通過所述轉動連接機構樞接；<br/> 所述轉動連接機構連接於兩個所述扶手管的第一管段，且當所述扶手管機構處於所述展開位置時，所述轉動連接機構位於各所述第一管段的下方。
一種床架，其中，包括：<br/> 一第一立柱；<br/> 一第二立柱，與所述第一立柱相對設置；以及<br/> 一扶手管機構，活動連接於所述第一立柱和所述第二立柱之間，所述扶手管機構在展開位置和收合位置之間可切換；<br/> 其中，所述扶手管機構包括兩個扶手管，每個所述扶手管均具有第一樞接端及第一滑動端，其中一個所述扶手管的所述第一樞接端與所述第一立柱樞接，且該一個所述扶手管的所述第一滑動端與所述第二立柱樞接且滑動連接，另一個所述扶手管的所述第一樞接端與所述第二立柱樞接，且該另一個所述扶手管的所述第一滑動端與所述第一立柱滑動樞接，<br/> 其中，所述扶手管機構還包括轉動連接機構，兩個所述扶手管通過所述轉動連接機構樞接，<br/> 其中，至少一個所述扶手管設有第一防護組件，所述第一防護組件位於兩個所述扶手管的樞接處，當所述扶手管機構由所述展開位置向所述收合位置切換時，兩個所述扶手管分別相對於所述轉動連接機構樞轉，並與所述轉動連接機構圍合形成第一剪切夾陷區，所述第一防護組件用於遮擋所述第一剪切夾陷區。
一種結構式光變標籤，包括：一載體；以及<br/>一訊息層，其係印刷於前述載體上，且該訊息層包括一訊息區與一背景區；<br/>其中該訊息區設有一第一結構，且該第一結構係由複數個第一幾何次單元所構成；該背景區設有一第二結構，且該第二結構係由複數個第二幾何次單元所構成；<br/>其中該第一結構的高度與該第二結構的高度相異。
如申請專利範圍第1項所述之結構式光變標籤，其中所述載體係為一可印刷之載體。
如申請專利範圍第1項所述之結構式光變標籤，其中所述第一幾何次單元與所述第二幾何次單元中之至少一者係呈多邊形。
如申請專利範圍第3項所述之結構式光變標籤，其中所述第一幾何次單元與所述第二幾何次單元中之至少一者係呈方形、圓形、三角形、星形或心形。
如申請專利範圍第1項所述之結構式光變標籤，其中所述第一幾何次單元與所述第二幾何次單元中之至少一者係呈直線或曲線。
如申請專利範圍第1項所述之結構式光變標籤，其中該第一結構的顏色係與該第二結構的顏色係相同。
如申請專利範圍第1項所述之結構式光變標籤，其中所述複數個第一幾何次單元係分為至少兩個群組，各群組的高度相異。
如申請專利範圍第1項所述之結構式光變標籤，所述複數個第二幾何次單元係分為至少兩個群組，各群組的高度相異。
如申請專利範圍第1項所述之結構式光變標籤，其中該訊息區或該背景區係包括圖案訊息與字元訊息中至少一者。
如申請專利範圍第1項所述之結構式光變標籤，其中構成該第一結構的該複數個第一幾何次單元之各者係具有相同之顏色，且構成該第二結構的該複數個第二幾何次單元之各者係具有相同之顏色。
如申請專利範圍第1項所述之結構式光變標籤，其中該第一結構與該第二結構皆由同種油墨所製成。
一種顯示面板，包括：<br/>一第一基板與一第二基板，沿著一堆疊方向堆疊設置；<br/>一液晶層，設置在該第一基板與該第二基板之間；<br/>多個畫素結構，設置在該第一基板上，且各自具有一反射區與一穿透區，該些畫素結構各自包括：<br/>一反射層，位於該反射區內；<br/>一畫素電極，位於該穿透區內；以及<br/>一金屬層，設置在該反射層與該第一基板之間，且該金屬層具有重疊於該穿透區的一金屬開口；<br/>一遮光圖案，設置在該第二基板上，且具有重疊於該穿透區的一開口；以及<br/>一披覆層，設置在該第二基板上，且具有位於各該些畫素結構的該穿透區內的一凹槽以及定義該凹槽的一側面，且該披覆層的該側面重疊於該遮光圖案，其中該金屬層定義該金屬開口的一金屬邊緣或該反射層的一邊緣在該堆疊方向上重疊於該遮光圖案的該開口。
如請求項1所述的顯示面板，其中該金屬開口沿著垂直於該堆疊方向的一方向的寬度小於該遮光圖案的該開口沿著該方向的寬度。
如請求項1所述的顯示面板，其中該液晶層具有重疊於該披覆層的該凹槽的一第一部分以及重疊於該反射層的一第二部分，該第一部分沿著該堆疊方向的一第一厚度大於該第二部分沿著該堆疊方向的一第二厚度。
如請求項1所述的顯示面板，還包括：<br/>多條掃描線，沿著一第一方向排列並且延伸在一第二方向上，該第一方向與該第二方向垂直於該堆疊方向且彼此相交；以及<br/>多條資料線，沿著該第二方向排列並且延伸在該第一方向上，其中該些畫素結構各自還包括：<br/>一主動元件，電性連接該些掃描線中的一者與該些資料線中的一者；<br/>一電容電極，電性連接該主動元件，且設置在該第一基板與該反射層之間；以及<br/>一共電極，設置在該電容電極與該反射層之間，其中該共電極屬於該金屬層，且設有該金屬邊緣，該金屬開口定義出該穿透區。
如請求項1所述的顯示面板，還包括：<br/>多條掃描線，沿著一第一方向排列並且延伸在一第二方向上，該第一方向與該第二方向垂直於該堆疊方向且彼此相交；以及<br/>多條資料線，沿著該第二方向排列並且延伸在該第一方向上，其中該些畫素結構各自還包括：<br/>一主動元件，電性連接該些掃描線中的一者與該些資料線中的一者；以及<br/>一電容電極，電性連接該主動元件，且設置在該第一基板與該反射層之間，其中該電容電極與該些資料線屬於該金屬層，且設有該金屬邊緣，該遮光圖案還具有定義該開口的一圖案邊緣，該金屬層的該金屬邊緣與該遮光圖案的該圖案邊緣定義出該穿透區。
如請求項1所述的顯示面板，還包括：<br/>多條掃描線，沿著一第一方向排列並且延伸在一第二方向上，該第一方向與該第二方向垂直於該堆疊方向且彼此相交；以及<br/>多條資料線，沿著該第二方向排列並且延伸在該第一方向上，其中該些畫素結構各自還包括：<br/>一主動元件，電性連接該些掃描線中的一者與該些資料線中的一者；以及<br/>一電容電極，電性連接該主動元件，且設置在該第一基板與該反射層之間，<br/>其中該電容電極屬於該金屬層，且設有該金屬邊緣，該金屬開口定義出該穿透區，該些畫素結構包括在該第二方向上彼此相鄰的一第一畫素結構與一第二畫素結構，該第一畫素結構的該主動元件與該第二畫素結構的該主動元件電性連接該些資料線中的同一者，該第一畫素結構的該主動元件電性連接該些掃描線中的一第一掃描線，且該第二畫素結構的該主動元件電性連接該些掃描線中的一第二掃描線。
如請求項1所述的顯示面板，還包括：<br/>一絕緣層，設置在該液晶層與該金屬層之間，其中該絕緣層在朝向該液晶層的一側具有一凹凸表面，該凹凸表面位於該反射區內，且該反射層覆蓋該凹凸表面。
如請求項7所述的顯示面板，其中該絕緣層具有定義該凹凸表面的多個條狀結構，該些條狀結構沿著一第一方向間隔排列並且延伸在一第二方向上，該第一方向與該第二方向垂直於該堆疊方向且彼此相交，該些條狀結構為多個凹槽結構或多個凸起結構。
如請求項7所述的顯示面板，其中該些畫素結構各自還包括：<br/>多個凸塊結構，設置在該反射層與該第一基板之間，且彼此間隔排列在該反射區內，其中該絕緣層覆蓋該些凸塊結構以形成該凹凸表面。
如請求項9所述的顯示面板，還包括：<br/>多條掃描線，沿著一第一方向排列並且延伸在一第二方向上，該第一方向與該第二方向垂直於該堆疊方向且彼此相交；以及<br/>多條資料線，沿著該第二方向排列並且延伸在該第一方向上，其中該些畫素結構各自還包括：<br/>一主動元件，電性連接該些掃描線中的一者與該些資料線中的一者；<br/>一電容電極，電性連接該主動元件，且設置在該第一基板與該些凸塊結構之間；以及<br/>一共電極，設置在該電容電極與該反射層之間，其中該些凸塊結構與該共電極屬於同一膜層，該些凸塊結構的一部分與該共電極具有一共同電位，該些凸塊結構的另一部分具有一浮置電位。
如請求項1所述的顯示面板，其中該些畫素結構各自還包括：<br/>多個反射微結構，設置在該金屬層與該第一基板之間，且位於該反射區內。
如請求項11所述的顯示面板，其中該些反射微結構各自具有背對該第一基板的一反射面，且各該些反射微結構的該反射面朝向該穿透區傾斜。
如請求項1所述的顯示面板，其中該些畫素結構包括在垂直於該堆疊方向的一方向上彼此相鄰的一第一畫素結構與一第二畫素結構，該披覆層位於該第一畫素結構的該穿透區內的一該凹槽與該披覆層位於該第二畫素結構的該穿透區內的另一該凹槽沿著該方向錯位排列。
如請求項13所述的顯示面板，其中該反射層的該邊緣在該堆疊方向上重疊於該遮光圖案的該開口，且定義出該穿透區。
如請求項1所述的顯示面板，其中該披覆層的該側面在該第二基板上的正投影位在該遮光圖案在該第二基板上的正投影內。
如請求項1所述的顯示面板，其中該披覆層還具有位於該穿透區內的一凹槽底面，該凹槽底面與該側面定義出該凹槽，該凹槽底面沿著垂直於該堆疊方向的一方向的寬度大於該金屬開口沿著該方向的寬度。
一種感測器裝置，其包括： <br/>光源； <br/>感測器； <br/>光譜濾光器；以及 <br/>複數個飛行時間(ToF)濾光器， <br/>其中該複數個ToF濾光器包含： <br/>第一ToF濾光器， <br/>第二ToF濾光器，及 <br/>第三ToF濾光器， <br/>其中第一軸連接該第一ToF濾光器及該第二ToF濾光器，且第二軸連接該第二ToF濾光器及該第三ToF濾光器，該第二軸正交於該第一軸。
如請求項1之感測器裝置，其中該光譜濾光器為多通道光譜濾光器。
如請求項1之感測器裝置，其中該感測器配置以在該光源與用於量測目標的區域之間。
如請求項1之感測器裝置，其中該感測器配置以在該光源與該光譜濾光器之間，且 <br/>其中該光譜濾光器及該複數個ToF濾光器配置以在該光源與用於量測目標的區域之間。
如請求項1之感測器裝置，其中該複數個ToF濾光器進一步包含： <br/>第四ToF濾光器。
如請求項1之感測器裝置，其中該裝置在該第一軸上僅包含兩個ToF濾光器，且 <br/>其中該裝置在該第二軸上僅包含兩個ToF濾光器。
如請求項1之感測器裝置，其中該裝置僅包含三個ToF濾光器。
一種感測器裝置，其包括： <br/>光譜濾光器； <br/>飛行時間(ToF)濾光器， <br/>其中該感測器裝置僅包含單一ToF濾光器，且 <br/>其中該單一ToF濾光器為該ToF濾光器；以及 <br/>感測器，其鄰近該光譜濾光器及該ToF濾光器中的一個或多個， <br/>其中該光譜濾光器、該ToF濾光器及該感測器配置以在一個或多個光源與用於量測目標的區域之間。
如請求項8之感測器裝置，其中該光譜濾光器為多通道光譜濾光器。
如請求項8之感測器裝置，其中該光譜濾光器及該ToF濾光器共平面。
如請求項8之感測器裝置，其中該ToF濾光器為該光譜濾光器的一部分。
如請求項8之感測器裝置，其中該光譜濾光器及該ToF濾光器在不同平面。
如請求項8之感測器裝置，其中該ToF濾光器配置以實現該感測器裝置與該量測目標之間距離的量測。
如請求項8之感測器裝置，其中該感測器包含： <br/>一個或多個第一感測器，其配置以判定光譜測定量測；及 <br/>一個或多個第二感測器，其配置以判定ToF量測。
如請求項8之感測器裝置，其中該一個或多個光源配置以提供用於光譜測定量測及ToF量測中一個或多個的光。
如請求項8之感測器裝置，其中該感測器配置以在該一個或多個光源與該光譜濾光器之間。
一種感測器裝置，其包括： <br/>光譜濾光器； <br/>一個或多個飛行時間(ToF)濾光器，其與平面上的該光譜濾光器共平面；以及 <br/>一個或多個感測器，其配置以在一個或多個光源與該平面之間。
如請求項17之感測器裝置，其中該一個或多個ToF濾光器包含兩個ToF濾光器，而該兩個ToF濾光器相對該光譜濾光器在空間上分佈。
如請求項17之感測器裝置，其中該一個或多個ToF濾光器包含： <br/>第一ToF濾光器，及 <br/>第二ToF濾光器， <br/>其中，一軸連接該第一ToF濾光器及該第二ToF濾光器。
如請求項19之感測器裝置， <br/>其中該軸為第一軸，且 <br/>其中該一個或多個ToF濾光器進一步包含： <br/>第三ToF濾光器， <br/>其中正交於該第一軸的第二軸連接該第二ToF濾光器及該第三ToF濾光器。
一種吸盤，包括：<br/> 一基座，包括一附接部及一導線部，該導線部包括至少一捲線軸及至少一導輪；<br/> 一吸盤本體，包括一附接於該附接部的附接面、一與該附接面相對的吸附面、及一開放於該吸附面的氣體通道，該附接面定義為與該附接部相抵接之區域的表面；及<br/> 一抽氣機構，連通於該氣體通道；<br/> 其中，相較於該吸附面，該導線部不低於該附接面；<br/> 其中，在該附接面的徑向上，該至少一捲線軸及該至少一導輪位於該附接面之外。
如請求項1所述的吸盤，其中該附接部及該導線部的底面位於同一平面。
如請求項1所述的吸盤，其中該導線部另包括一連接於該附接部一側的導線座，該捲線軸及該至少一導輪設於該導線座之相對二端，該導線座連續延伸於該捲線軸及該至少一導輪之間。
如請求項3所述的吸盤，其中該導線座另包括一溝槽，該至少一導輪的數量為二個，該溝槽沿該二個導輪之間朝該至少一捲線軸的方向延伸。
如請求項3所述的吸盤，其中該導線座另包括二側壁，該二側壁相間隔且沿該至少一導輪朝該至少一捲線軸的方向延伸。
如請求項5所述的吸盤，其中該二側壁朝該至少一捲線軸的方向漸擴延伸。
如請求項1所述的吸盤，其中與該至少一導輪相切且通過該至少一捲線軸的一中心點的一切線，在該附接面的徑向上位於該附接面之外。
如請求項4所述的吸盤，其中該附接部及該導線部的底面位於同一平面；該至少一捲線軸的數量為一個；該導線座另包括二側壁，該二側壁相間隔且沿該至少一導輪朝該至少一捲線軸的方向延伸；該二側壁朝該至少一捲線軸的方向漸高；該二側壁朝該至少一捲線軸的方向漸擴延伸；與該至少一導輪相切且通過該至少一捲線軸的一中心點的二切線，在該附接面的徑向上位於該附接面之外。
如請求項1至8任一項所述的吸盤，其中各該捲線軸包括一身部及二環凸緣，該身部具有單一直徑，該二環凸緣設於該身部的相對二端，相較於該吸附面，各該導輪的一徑向延伸線高於該二環凸緣的下端點。
如請求項9所述的吸盤，其中該導線部另包括至少一軸桿，各該捲線軸套設於一該軸桿穿設，各該捲線軸的身部包括二第一插孔，該二第一插孔偏一側設置，各該軸桿包括二第二插孔，該二第二插孔偏一側設置，該二第二插孔分別與該二第一插孔徑向相對。
一種用於生成虛擬剪切波彈性影像之系統，其包括：<br/> 一超音波模組，係配置以產生一超音波訊號； <br/> 一超音波影像模組，係配置以將該超音波訊號轉換為一第一超音波影像； <br/> 一虛擬剪切波彈性(virtual shear wave elastography，以下簡稱VSWE)影像生成模組，係配置以接收該第一超音波影像，並根據一經訓練完成之深度學習模型產生並輸出一第一VSWE影像；以及<br/> 一訓練模組，該訓練模組包含一第二生成器模型，其配置以自一第二超音波影像產生一第二VSWE影像以及一鑑別器模型，其接收一作為訓練時基礎事實之SWE影像以及該第二VSWE影像，並配置以預測該第二VSWE影像之真偽，其中，若該預測結果係假的時，將該第二VSWE影像及該SWE影像用於調整該生成器模型，以獲得一調整後之第二生成器模型，進一步，若該預測結果係真的時，該經調整之第二生成器模型係該第一生成器模型； <br/> 其中，該經訓練完成之深度學習模型包括一用以產生一第一VSWE影像之第一生成器模型。
如請求項1所述之系統，其中該第一或該第二生成器模型具有U-Net架構、256-2048之特徵通道數、以及6-8層捲積之編碼器-解碼器結構以及其中該鑑別器具有PatchGAN架構、具有4-8層捲積結構、以及具有16×16、32×32或 70×70之輸出維度。
一種用於生成虛擬剪切波彈性影像之方法，其包括以下步驟：<br/> 提供一超音波模組，以掃描一受測者的一待測區域，並產生一超音波訊號； <br/> 提供一超音波影像模組，以將該超音波訊號轉換為一第一超音波影像；<br/> 提供一深度學習模型，其包括一用以產生一第一VSWE影像之第一生成器模型，其中，該深度學習模型係包含下列步驟：以及<br/> 建立一用以產生一第二VSWE影像之第二生成器模型，該第二生成器模型包括一生成輸入端口、一編碼器、一分別對應該編碼器之解碼器，及一生成輸出端口；<br/> 提供一第二超音波影像，並將該第二超音波影像輸入至該第二生成器模型，以產生一第二VSWE影像；<br/> 建立一用以預測輸入第二VSWE影像真偽之鑑別器模型，該鑑別器模型包括二鑑別輸入端口、一鑑別器，及一鑑別輸出端口； <br/> 提供一剪切波彈性(shear wave elastography，以下簡稱SWE)影像，以作為訓練時之基礎事實(ground truth)，其中該SWE影像係與該第二超音波影像來自相同的受測物或相同受測者的相同待測區域；<br/> 將該第二VSWE彈性影像及該SWE影像輸入至該鑑別器模型，以產生一鑑別該第二VSWE影像是否為真之一預測結果； <br/> 若該預測結果係假的時，將該第二VSWE影像及該SWE影像用於調整該生成器模型，以獲得一調整後之第二生成器模型，並持續訓練；<br/> 若該預測結果係真的時，該經調整之第二生成器模型係可為該第一生成器模型；以及<br/> 接收該第一超音波影像，並藉由該深度學習模型，產生並輸出對應於該第一超音波影像之該第一VSWE影像。
如請求項3所述之方法，其中該第一VSWE影像以及該第二VSWE影像係可進一步藉由顏色映射到楊氏模量之方法而獲得一彈性值。
如請求項3所述之方法，其中該第一或該第二生成器模型具有U-Net架構、256-2048之特徵通道數、以及6-8層捲積之編碼器-解碼結構，其中該編碼器與該解碼器具有跳躍連接機制。
如請求項3所述之方法，其中該鑑別器模型具有PatchGAN架構、具有4-8層捲積結構、以及具有16×16、32×32或 70×70之輸出維度。
如請求項3所述之方法，其中該第二超音波影像係可進一步被選擇出感興趣區域(regions of interest，以下簡稱ROI)，並分割成一子影像，以及將對應的 ROI 應用於 SWE影像，以提取對應的SWE子影像，其中各個子影像資料對係以 -5° 到 5° 之間的隨機角度旋轉以及選自0.95至1.05 之間的縮放因子的隨機縮放而獲得。
如請求項3所述之方法，其中該超音波可為B模式超音波。
一種式<b>(I)</b>化合物或其醫藥上可接受之鹽、酯或異構物， <br/><img align="absmiddle" height="140px" width="120px" file="ed10412.jpg" alt="ed10412.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><b>(I)</b>， <br/>其中 <br/><b>R<sup>1</sup></b>選自甲基、鹵甲基及鹵素， <br/>其中<b> </b><br/><b>G</b>選自O、N<b>R<sup>8</sup></b>、CH<sub>2</sub>、C及C<b>R<sup>8</sup>R<sup>9</sup></b>， <br/>其中 <br/>其中<b>R<sup>2</sup></b>係環狀基團，其中此環狀基團選自由以下組成之群：苯基或包含1、2、3或4個各自獨立地選自N、S及O之雜原子的五至六員雜芳基，其中此環狀基團由一個或兩個相同或不同之取代基<b>R<sup>10</sup></b>取代，<sup> </sup><br/>其中 <br/><b>R<sup>3</sup></b>係H或甲基， <br/><b>R<sup>4</sup></b>係H或甲基， <br/><b>R<sup>5</sup></b>選自H、甲基、-CN、-亞甲基-OH及-CF<sub>3</sub>， <br/>或<b>R<sup>5</sup></b>可不存在， <br/><b>R<sup>6</sup></b>選自H、甲基、-CN、-亞甲基-OH及-CF<sub>3</sub>， <br/>或<b>R<sup>5</sup></b>及<b>R<sup>6</sup></b>與其之間之C原子一起形成選自氧雜環丁烷、四氫呋喃及環丙烷之環， <br/><b>R<sup>7</sup></b>選自H、鹵素、(C<sub>1-3</sub>)-烷基及鹵基-(C<sub>1-3</sub>)-烷基， <br/><b>R<sup>8</sup></b>選自CN、H及甲基， <br/><b>R<sup>9</sup></b>選自H、甲基及鹵素 <br/>或<b>R<sup>9</sup></b>可不存在， <br/>其中每一<b>R<sup>10</sup></b>獨立地選自由以下組成之群：氫、鹵素、鹵烷基、-甲基、-乙基、-NH-CO-甲基、-N(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>、-CH<sub>2</sub>-OH、-NH(CH<sub>3</sub>)、-O-(C<sub>1-3</sub>-烷基)、-CN、-S-CH<sub>3</sub>、-CO-NH<sub>2</sub>、-CH<sub>2</sub>-NH(CH<sub>3</sub>)、-CH<sub>2</sub>-NH<sub>2</sub>、-SO-(CH<sub>3</sub>)、環丙基及-O-<b>R<sup>11</sup></b>， <br/>其中<b>R<sup>11</sup></b>係具有一個或兩個各自獨立地選自N、O及S之雜原子的五或六員雜環， <br/>或<b>G</b>係C<b>R<sup>8</sup>R<sup>9</sup></b>，<b>R<sup>5</sup></b>及<b>R<sup>9</sup></b>不存在，且<b>R<sup>8</sup></b>及<b>R<sup>6</sup></b>及<b>R<sup>8</sup></b>與<b>R<sup>6</sup></b>之間之兩個C原子形成包含一個、兩個或三個各自獨立地選自N、S及O之雜原子的環狀五員芳香族或非芳香族雜環， <br/>或<b>G</b>係C<b>R<sup>8</sup>R<sup>9</sup></b>，且<b>R<sup>8</sup></b>及<b>R<sup>9</sup></b>與<b>R<sup>8</sup></b>及<b>R<sup>9</sup></b>之間之C原子一起形成二氮吮環。
如請求項1之化合物或其醫藥上可接受之鹽、酯或異構物，其中該化合物係式<b>(I’)</b>化合物， <br/><img align="absmiddle" height="131px" width="112px" file="ed10414.jpg" alt="ed10414.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><b>(I’)</b><b>，</b><b> </b><br/>且其中<b>R<sup>1</sup></b>、<b>R<sup>2</sup></b>、<b>R<sup>3</sup></b>、<b>R<sup>4</sup></b>、<b>R<sup>5</sup></b>、<b>R<sup>6</sup></b>、<b>R<sup>7</sup></b>、<b>R<sup>8</sup></b>、<b>R<sup>9</sup></b>、<b>R<sup>10</sup></b><b>、</b><b>R<sup>11</sup></b>及<b>G</b>係如請求項1中所定義。
如請求項1或請求項2之化合物或其醫藥上可接受之鹽、酯或異構物，其選自由以下組成之群： <br/><img align="absmiddle" height="427px" width="301px" file="ed10415.jpg" alt="ed10415.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="430px" width="244px" file="ed10416.jpg" alt="ed10416.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="77px" width="49px" file="ed10417.jpg" alt="ed10417.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="72px" width="49px" file="ed10418.jpg" alt="ed10418.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="71px" width="49px" file="ed10419.jpg" alt="ed10419.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <br/><img align="absmiddle" height="89px" width="49px" file="ed10420.jpg" alt="ed10420.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="71px" width="55px" file="ed10421.jpg" alt="ed10421.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="73px" width="52px" file="ed10422.jpg" alt="ed10422.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <br/><img align="absmiddle" height="73px" width="52px" file="ed10423.jpg" alt="ed10423.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="62px" width="50px" file="ed10424.jpg" alt="ed10424.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="72px" width="52px" file="ed10425.jpg" alt="ed10425.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <br/><img align="absmiddle" height="117px" width="80px" file="ed10426.jpg" alt="ed10426.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="129px" width="79px" file="ed10427.jpg" alt="ed10427.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="129px" width="79px" file="ed10428.jpg" alt="ed10428.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="120px" width="84px" file="ed10429.jpg" alt="ed10429.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="129px" width="92px" file="ed10430.jpg" alt="ed10430.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="127px" width="75px" file="ed10431.jpg" alt="ed10431.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="128px" width="72px" file="ed10432.jpg" alt="ed10432.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="128px" width="72px" file="ed10433.jpg" alt="ed10433.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="119px" width="74px" file="ed10434.jpg" alt="ed10434.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="119px" width="77px" file="ed10435.jpg" alt="ed10435.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="96px" width="69px" file="ed10436.jpg" alt="ed10436.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>及其醫藥上可接受之鹽、酯或異構物。
如請求項1或2之化合物或其醫藥上可接受之鹽、酯或異構物，其係 <br/><img align="absmiddle" height="75px" width="55px" file="ed10437.jpg" alt="ed10437.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或其醫藥上可接受之鹽。
如請求項1或2之化合物或其醫藥上可接受之鹽、酯或異構物，其係 <br/><img align="absmiddle" height="75px" width="55px" file="ed10438.jpg" alt="ed10438.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或其醫藥上可接受之鹽。
如請求項1或2之化合物或其醫藥上可接受之鹽、酯或異構物，其係 <br/><img align="absmiddle" height="74px" width="58px" file="ed10439.jpg" alt="ed10439.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或其醫藥上可接受之鹽。
如請求項1或2之化合物或其醫藥上可接受之鹽、酯或異構物，其係 <br/><img align="absmiddle" height="82px" width="52px" file="ed10440.jpg" alt="ed10440.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或其醫藥上可接受之鹽。
如請求項1或2之化合物或其醫藥上可接受之鹽、酯或異構物，其係 <br/><img align="absmiddle" height="129px" width="79px" file="ed10441.jpg" alt="ed10441.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或其醫藥上可接受之鹽。
如請求項1或2之化合物或其醫藥上可接受之鹽、酯或異構物，其係 <br/><img align="absmiddle" height="120px" width="84px" file="ed10442.jpg" alt="ed10442.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或其醫藥上可接受之鹽。
如請求項1或2之化合物或其醫藥上可接受之鹽、酯或異構物，其係 <br/><img align="absmiddle" height="97px" width="73px" file="ed10443.jpg" alt="ed10443.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或其醫藥上可接受之鹽。
如請求項1或2之化合物或其醫藥上可接受之鹽、酯或異構物，其係 <br/><img align="absmiddle" height="119px" width="77px" file="ed10444.jpg" alt="ed10444.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或其醫藥上可接受之鹽。
如請求項1或2之化合物或其醫藥上可接受之鹽、酯或異構物，其係 <br/><img align="absmiddle" height="75px" width="55px" file="ed10437.jpg" alt="ed10437.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1或2之化合物或其醫藥上可接受之鹽、酯或異構物，其係 <br/><img align="absmiddle" height="75px" width="55px" file="ed10438.jpg" alt="ed10438.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1或2之化合物或其醫藥上可接受之鹽、酯或異構物，其係 <br/><img align="absmiddle" height="74px" width="58px" file="ed10439.jpg" alt="ed10439.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1或2之化合物或其醫藥上可接受之鹽、酯或異構物，其係 <br/><img align="absmiddle" height="82px" width="52px" file="ed10440.jpg" alt="ed10440.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1或2之化合物或其醫藥上可接受之鹽、酯或異構物，其係 <br/><img align="absmiddle" height="129px" width="79px" file="ed10441.jpg" alt="ed10441.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1或2之化合物或其醫藥上可接受之鹽、酯或異構物，其係 <br/><img align="absmiddle" height="120px" width="84px" file="ed10442.jpg" alt="ed10442.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1或2之化合物或其醫藥上可接受之鹽、酯或異構物，其係 <br/><img align="absmiddle" height="97px" width="73px" file="ed10443.jpg" alt="ed10443.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1或2之化合物或其醫藥上可接受之鹽、酯或異構物，其係 <br/><img align="absmiddle" height="119px" width="77px" file="ed10444.jpg" alt="ed10444.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種如請求項1至19中任一項所定義之化合物中之任一者的前藥，其具有 <br/>式<b>(A)</b><br/><img align="absmiddle" height="114px" width="99px" file="ed10445.jpg" alt="ed10445.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><b>(A)</b>， <br/>或式<b>(A’) </b><br/><img align="absmiddle" height="114px" width="97px" file="ed10446.jpg" alt="ed10446.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><b>(A’)</b>， <br/>其中<b>R<sup>12</sup></b>係C<sub>1-4</sub>-烷基、芳基、-CH<sub>2</sub>-(C<sub>6-10</sub>)-芳基、NH-SO<sub>2</sub>-C<sub>1-3</sub>-烷基，且其中<b>R<sup>1</sup></b>、<b>R<sup>2</sup></b>、<b>R<sup>3</sup></b>、<b>R<sup>4</sup></b>、<b>R<sup>5</sup></b>、<b>R<sup>6</sup></b>、<b>R<sup>7</sup></b>、<b>R<sup>8</sup></b>、<b>R<sup>9</sup></b>、<b>R<sup>10</sup></b><b>、</b><b>R<sup>11</sup></b>及<b>G</b>係如請求項1中所定義。
如請求項20之式<b>(A)</b>或式<b>(A’)</b>之前藥，其中<b>R<sup>12</sup></b>係甲基。
一種如請求項1至19中任一項之化合物或其醫藥上可接受之鹽、酯或異構物之用途，其用於製造用於治療可藉由cGAS之抑制得以治療之疾病的藥劑。
如請求項22之用途，其中該疾病選自由以下組成之群：全身性紅斑狼瘡(SLE)、干擾素病、艾卡迪-古鐵雷斯症候群(Aicardi- Goutières syndrome)、年齡相關性黃斑退化(AMD)、肌肉萎縮性脊髓側索硬化症(ALS)、發炎性腸病(IBD)、慢性阻塞性肺病(COPD)、布盧姆氏症候群(Bloom’s syndrome)、薛格連氏症候群(Sjogren’s syndrome)、帕金森氏病(Parkinsons disease)、心臟衰竭、癌症、全身性硬化(SSc)、非酒精性脂肪肝炎(NASH)及間質性肺病(ILD)。
如請求項22之用途，其中該疾病選自由以下組成之群：全身性紅斑狼瘡(SLE)、干擾素病、艾卡迪-古鐵雷斯症候群、年齡相關性黃斑退化(AMD)、肌肉萎縮性脊髓側索硬化症(ALS)、發炎性腸病(IBD)、慢性阻塞性肺病(COPD)、布盧姆氏症候群、薛格連氏症候群及帕金森氏病。
如請求項22之用途，其中該疾病係選自由以下組成之群之纖維化疾病：全身性硬化(SSc)、非酒精性脂肪性肝炎(NASH)、干擾素病及間質性肺病(ILD)。
如請求項23或25之用途，其中該間質性肺病(ILD)係進行性纖維化間質性肺病(PF-ILD)。
如請求項26之用途，其中該進行性纖維化間質性肺病(PF-ILD)係特發性肺纖維化(IPF)。
如請求項22之用途，其中該疾病選自由以下組成之群：年齡相關性黃斑退化(AMD)、心臟衰竭、COVID-19/SARS-CoV-2感染、腎發炎、腎纖維化、代謝障礙、血管疾病、心血管疾病及癌症。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1至19中任一項之化合物或其醫藥上可接受之鹽、酯或異構物及視情況一或多種醫藥上可接受之載劑及/或賦形劑。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1至19中任一項之化合物或其醫藥上可接受之鹽、酯或異構物與一或多種選自由以下組成之群之活性劑的組合：抗發炎劑、抗纖維變性劑、抗過敏劑/抗組織胺、支氣管擴張劑、β 2激動劑/β模擬物、腎上腺素性激動劑、抗膽鹼劑、胺甲喋呤(methotrexate)、嗎替麥考酚酯(mycophenolate mofetil)、白三烯調節劑、JAK抑制劑、抗介白素抗體、干擾素或其他細胞介素/趨化介素；細胞介素/趨化介素受體調節劑、類鐸受體激動劑、免疫檢查點調節劑、Humira™、貝利木單抗(Belimumab)及依那西普(Etanercept)。
一種光學成像系統，包括： <br/>第一透鏡，具有凸出像側表面；<sub> </sub><br/>第二透鏡，具有負折射能力； <br/>第三透鏡，具有折射能力； <br/>第四透鏡，具有折射能力以及凹入物側表面； <br/>第五透鏡，具有正折射能力；以及 <br/>第六透鏡，具有折射能力， <br/>其中所述第一透鏡至所述第六透鏡自物側朝成像平面按次序安置， <br/>其中所述光學成像系統具有折射能力的透鏡共六個， <br/>其中TTL/IMGHT ＜ 1.4且0.6 ＜ |f4/f6| ＜ 1.8，TTL為自所述第一透鏡的物側表面至所述成像平面的距離，IMGHT為所述成像平面的對角線長度的一半，f4為所述第四透鏡的焦距，且f6為所述第六透鏡的焦距。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第二透鏡具有凸出物側表面。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第二透鏡具有凹入像側表面。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第三透鏡具有凸出物側表面。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第四透鏡具有凹入像側表面。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第五透鏡具有凸出物側表面。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第六透鏡具有凸出物側表面。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第六透鏡具有凹入像側表面。
如請求項1所述的光學成像系統，其中1.8 ＜ f數 ＜ 2.3。
一種鐵水的脫磷方法，在向保持於容器中的鐵水供給造渣材料及氧源的同時向所述鐵水中吹入氣體並一邊攪拌一邊進行所述鐵水的脫磷處理時， <br/>以標準狀態的體積基準計，氧源中的以氧氣計的每單位質量鐵水的供給量Q<sub>O2</sub>（Nm<sup>3</sup>/t）與為了攪拌鐵水而供給的氣體的每單位質量鐵水的供給量Q<sub>B</sub>（Nm<sup>3</sup>/t）的比除以所述鐵水中的處理前碳濃度[C]i（質量%）而得的值Q<sub>O2</sub>/（Q<sub>B</sub>[C]i）調整為20（1/質量%）以上且4.2×10<sup>5</sup>（1/質量%）以下的範圍。
如請求項1所述的鐵水的脫磷方法， <br/>在所述脫磷處理之前，在熔解爐中將冷鐵源熔解而獲得鐵水後，將所述鐵水自所述熔解爐出鐵至所述容器時，將與所述鐵水一起流入所述容器中的熔渣自所述鐵水分離。
一種工作模膠，應用於奈米壓印技術中，其改良在於，由以下組分組成：<br/> 具有層狀晶體結構的物質含量為1%~50wt%；<br/> 丙烯酸酯的含量為20%~90wt%；<br/> 甲基丙烯酸酯的含量為5%~20wt%；以及<br/> 光起始劑的含量為1%~10wt%；<br/> 其中，各組分的含量總和為100wt%。
如請求項1所述的工作模膠，其中，所述光起始劑為自由基引發型。
如請求項1所述的工作模膠，其中，所述具有層狀晶體結構的物質可為氮化硼、氮化鋁、二硫化鎢中的至少一種。
一種工作模，其改良在於，包括：<br/> 基底層；以及<br/> 壓印層，覆蓋於所述基底層表面，藉由如請求項1至3中任一項所述的工作模膠製作而成。
一種工作模膠的製備方法，其改良在於，包括如下步驟：<br/> 將丙烯酸酯與甲基丙烯酸酯混合後進行攪拌形成第一混合液；<br/> 向所述第一混合液中加入光起始劑後進行攪拌形成第二混合液；<br/> 邊向溶劑中加入具有層狀晶體結構的物質至少一種邊進行攪拌形成第三混合液；<br/> 將所述第二混合液與所述第三混合液混合後進行攪拌形成第四混合液；<br/> 從所述第四混合液中得到工作模膠。
如請求項5所述的工作模膠的製備方法，其中，所述第三混合液中包括複數奈米顆粒，每一所述奈米顆粒的平均粒徑小於80nm，比表面積大於10m<sup>2</sup>/g。
如請求項5所述的工作模膠的製備方法，其中，在所述邊向溶劑中加入具有層狀晶體結構的物質邊進行攪拌形成第三混合液的步驟中，攪拌時間為30min，攪拌速率大於2000rpm。
如請求項5所述的工作模膠的製備方法，其中，所述從所述第四混合液中得到工作模膠的步驟包括：藉由減壓蒸餾法從所述第四混合液中得到工作模膠。
如請求項5所述的工作模膠的製備方法，其中，所述溶劑可為乙醇、異丙醇、丁酮。
如請求項9所述的工作模膠的製備方法，其中，在進行所述將丙烯酸酯與甲基丙烯酸酯混合後進行攪拌形成第一混合液的步驟時，避免紫外光照射。
一種意識學習適應性之學習導引方法，設置於一學習導引裝置中並提供至少一使用者使用，該學習導引裝置包含一運算模組、一與該運算模組連接之互動模組，及一與該運算模組連接之資料庫模組，該資料庫模組中包括一狀況內容資料庫，及一導引內容資料庫，該學習導引方法包含下列步驟：<br/> 一測驗提供步驟，準備一測驗資料，將該測驗資料提供給該使用者進行作題測驗；<br/> 一測驗觀察步驟，針對該使用者作題時的測驗狀況進行觀察；<br/> 一理解輔助步驟，該狀況內容資料庫中儲存該使用者測驗反應之一測驗反應資料，而該導引內容資料庫中儲存一對應該使用者測驗反應之輔助導引資料，該運算模組會先取得該使用者的測驗狀況，並依據該測驗反應資料分析該使用者的測驗狀況，然後該運算模組比對該測驗反應資料後，控制該互動模組輸出對應之輔助導引資料予該使用者；<br/> 一修正啟動步驟，該輔助導引資料能夠幫助該使用者發現自己的問題並啟動修正方向，以繼續完成該測驗資料的進行；<br/> 一轉化認知步驟，該運算模組紀錄並疏理該使用者的測驗歷程，用以提供給該使用者理解後內化為自我認知，能以正確的學習方向進行該測驗資料的解題練習；<br/> 一遷移應用步驟，該運算模組計算該使用者對該測驗資料之理解內化程度，提供一提升理解方案予該使用者，以強化該使用者的學習效果；及<br/> 一整理輸出步驟，該學習導引裝置更包含一與該運算模組連接之輸出模組，於該整理輸出步驟中，該運算模組分析該使用者的測驗歷程得到一學習分析結果，並透過該輸出模組將該學習分析結果對外輸出。
如請求項1所述意識學習適應性之學習導引方法，其中，於該測驗提供步驟中，該測驗資料具有一潛質分析測驗，用以提供該運算模組分析取得一對應該使用者的潛質分析結果，於該理解輔助步驟中，該運算模組依據該潛質分析結果及該測驗反應資料分析該使用者的測驗狀況，以取得對應之輔助導引資料，於該遷移應用步驟中，該運算模組是依據該潛質分析結果計算對該測驗資料之理解內化程度。
如請求項1所述意識學習適應性之學習導引方法，其中，該資料庫模組中更包括一關鍵內容資料庫，該關鍵內容資料庫中儲存該關鍵字資料，於該測驗觀察步驟中，該使用者針對該測驗資料之重點，標示出至少一關鍵字資料，該運算模組依據該關鍵字資料辨識該使用者標示的重點。
如請求項1所述意識學習適應性之學習導引方法，其中，於該測驗提供步驟中，該互動模組輸出該測驗資料以供該使用者學習，於該理解輔助步驟中，該使用者操作該互動模組以進行該測驗資料，該運算模組藉由該互動模組分析該使用者的測驗狀況。
如請求項1所述意識學習適應性之學習導引方法，其中，該學習導引裝置更包含一與該運算模組連接並用於監視該使用者測驗之攝影模組，於該理解輔助步驟中，該運算模組分析該攝影模組的影像是否符合該測驗反應資料，若符合，該運算模組輸出對應該使用者當下測驗反應的輔助導引資料予該互動模組，以輔助該使用者解題。
如請求項1所述意識學習適應性之學習導引方法，更包含一介於該理解輔助步驟與該修正啟動步驟間的重複步驟，於該重複步驟中，是當該使用者尚未完成該測驗資料時，重複提供該測驗觀察步驟與該理解輔助步驟，直至該使用者完成測驗。
如請求項1所述意識學習適應性之學習導引方法，其中，於該遷移應用步驟中，該運算模組提供該使用者之提升理解方案為一同類型資料及/或一媒合教學資料，該同類型資料中具有一第一測驗內容、一第二測驗內容，及一第三測驗內容，該運算模組依序提供該第一測驗內容、該第二測驗內容，及該第三測驗內容予該使用者，當該使用者學習該第一測驗內容時，該學習導引裝置主動提供該輔助導引資料，當該使用者學習該第二測驗內容時，該使用者控制該學習導引裝置是否提供該輔助導引資料，當該使用者學習該第三測驗內容時，該學習導引裝置不提供該輔助導引資料，該媒合教學資料為適合該使用者之教學者及/或訓練教材。
如請求項1所述意識學習適應性之學習導引方法，其中，該互動模組具有一第一互動組件，及一第二互動組件，該第一互動組件係供該使用者使用，該第二互動組件提供一第三者使用，於該理解輔助步驟中，該第三者觀察該使用者的測驗狀況，並操作該第二互動組件，以將該使用者的測驗狀況傳輸給該運算模組。
一種學習導引裝置，適用如請求項1～8任一項所述之學習導引方法，並提供至少一使用者使用，其包含：<br/> 一運算模組；<br/> 一互動模組，包括一與該運算模組連接之第一互動組件，及一與該運算模組連接之第二互動組件，該第一互動組件提供該使用者操作，該第二互動組件用於針對該使用者的觀察結果傳輸至該運算模組；<br/> 一資料庫模組，包括一測驗內容資料庫、一策略內容資料庫、一關鍵內容資料庫、一狀況內容資料庫，及一導引內容資料庫；<br/> 一攝影模組，與該運算模組連接，用以觀察該使用者，該運算模組透過該攝影模組分析該使用者的身體狀況；及<br/> 一輸出模組，與該運算模組連接並具有一通訊界面，以將該運算模組輸出的資料對外發出；<br/> 該測驗內容資料庫中儲存至少一測驗資料，該策略內容資料庫儲存一測驗策略資料，該測驗資料與該測驗策略資料連結，該測驗資料供該使用者學習，該運算模組依據該測驗資料將對應的測驗策略資料輸出於該互動模組中；<br/> 該關鍵內容資料庫中儲存一關鍵字資料，該運算模組依據該關鍵字資料分析該使用者的測驗狀況，該關鍵字資料對應該測驗資料的重點；<br/> 該狀況內容資料庫中儲存一測驗反應資料，該導引內容資料庫中儲存一輔助導引資料，該輔助導引資料用於依據該測驗反應資料的分析結果提供該使用者能夠意識解題方向，該互動模組與該攝影模組將該使用者的測驗狀況傳輸給該運算模組分析，以取得對應之測驗反應資料並輸出於該互動模組中。
一種泳鏡護墊，該護墊為環狀體，由可受壓力變形之柔軟材料製造，並設於泳鏡主體後方提供與人體接觸，包括：<br/> 一接合部，為環形並可與該泳鏡主體接合，前方具一前表面，該前表面具外周緣；<br/> 一貼靠部，為環形設於該接合部後方，並大致對應人體眼窩曲度設置，後方具一貼靠面；<br/> 一透空部，貫穿該接合部及該貼靠部；<br/> 又該貼靠面對應該接合部之前表面外周緣向後垂直方向位置至該透空部間具大致可與人體眼窩表面貼靠之內貼靠面，該內貼靠面向外徑向延伸大致與眼窩之外側周緣表面貼靠之延伸面；<br/> 其中該貼靠部具配戴時位於眼窩中央上以及下緣之一第一部分；以及位於靠近鼻部之一第二部分；以及位於靠近頭部側方之一第三部分，該內貼靠面對應該第一部分以及該第二部分以及該第三部分分別具一第一內貼靠面以及一第二內貼靠面以及一第三內貼靠面；又該延伸面對應該第一部分以及該第二部分以及該第三部分位置分別具一第一延伸面以及一第二延伸面以及一第三延伸面；又該第一內貼靠面較該第一延伸面靠近後方，該第二內貼靠面較該第二延伸面靠近後方，該第三內貼靠面較該第三延伸面靠近前方。
如請求項1所述之泳鏡護墊，其中該第三延伸面較該第二延伸面靠近後方。
如請求項1所述之泳鏡護墊，其中該第二延伸面對應人體鼻部之一側端緣與該接合部對應位置之前表面外周緣具第一間距；該第三延伸面對應人體頭部外側之一側端緣與該接合部對應位置之前表面外周緣具第二間距，該第二間距大於該第一間距。
如請求項1所述之泳鏡護墊，其中該泳鏡主體可具鏡片或鏡框，並與該護墊組合。
如請求項1所述之泳鏡護墊，其中該接合部對應該透空部環周位置設置一可與該泳鏡主體接合之環狀凹槽。
如請求項1所述之泳鏡護墊，其中該貼靠部環周位置設置至少一凹槽。
如請求項1所述之泳鏡護墊，其中該貼靠部環周設置至少一氣槽。
如請求項1所述之泳鏡護墊，其中該護墊由塑膠或橡膠或矽膠發泡成型。
一種泳鏡護墊，該護墊為環狀體，由可受壓力變形之柔軟材料製造，並設於泳鏡主體後方提供與人體接觸，包括：<br/> 一接合部，為環形並可與該泳鏡主體接合，前方具一前表面，該前表面具外周緣；<br/> 一貼靠部，為環形設於該接合部後方，並大致對應人體眼窩曲度設置，後方具一貼靠面；<br/> 一透空部，貫穿該接合部及該貼靠部；<br/> 又該貼靠面對應該接合部之前表面外周緣向後垂直方向位置至該透空部間具大致可與人體眼窩表面貼靠之內貼靠面，該內貼靠面向外徑向延伸大致與眼窩之外側周緣表面貼靠之延伸面；<br/> 其中該接合部朝向前方設置一環狀凸緣。
一種周轉箱管理方法，透過計算裝置執行，包括如下步驟： <br/>監測多個周轉箱中每個周轉箱的第一參數和第二參數，以確定與第一日期對應的清洗目標； <br/>識別該多個周轉箱中，該第一參數和該第二參數中任意一個參數大於或等於針對該參數設置的閾值的周轉箱；以及 <br/>在識別的該周轉箱中，將空狀態的部分周轉箱確定為清洗目標， <br/>其中，該第一參數表示每個周轉箱的使用次數， <br/>該第二參數表示每個周轉箱的使用時間。
如請求項1所述之周轉箱管理方法，其中， <br/>在識別的該周轉箱中，將空狀態的該部分周轉箱確定為該清洗目標的步驟包括如下步驟： <br/>在識別的該周轉箱中，將不是空狀態的周轉箱登記在清洗佇列中。
如請求項2所述之周轉箱管理方法，其中， <br/>在識別的該周轉箱中，將空狀態的該部分周轉箱確定為該清洗目標的步驟還包括如下步驟： <br/>將登記在清洗佇列中的周轉箱確定為與成為空狀態的日期對應的清洗目標。
如請求項1所述之周轉箱管理方法，其中， <br/>在識別的該周轉箱中，將空狀態的該部分周轉箱確定為該清洗目標的步驟包括如下步驟： <br/>如果確定為該清洗目標的該部分周轉箱超過針對該第一日期預設的處理量，則將該部分周轉箱中超過該處理量數量的周轉箱登記在與該第一日期的後一天對應的清洗佇列中。
如請求項4所述之周轉箱管理方法，其中， <br/>該部分周轉箱分別基於確定為該清洗目標的順序、以及該第一參數的值或該第二參數的值高的順序具有優先順序， <br/>登記在與該第一日期的後一天對應的該清洗佇列中的周轉箱的優先順序低於該部分周轉箱中未登記在該清洗佇列中的周轉箱。
如請求項4所述之周轉箱管理方法，其中， <br/>登記在與該第一日期的後一天對應的該清洗佇列中的周轉箱的優先順序高於確定為與該第一日期的後一天對應的清洗目標的其他周轉箱。
如請求項1所述之周轉箱管理方法，其中， <br/>在識別的該周轉箱中，將空狀態的該部分周轉箱確定為該清洗目標的步驟包括如下步驟： <br/>將確定為該清洗目標的每個該部分周轉箱的該第一參數和該第二參數初始化。
如請求項1所述之周轉箱管理方法，其中， <br/>在識別的該周轉箱中，將空狀態的該部分周轉箱確定為該清洗目標的步驟包括如下步驟： <br/>針對確定為該清洗目標的每個該部分周轉箱設置清洗開始時間。
如請求項1所述之周轉箱管理方法，其中， <br/>在識別的該周轉箱中，將空狀態的該部分周轉箱確定為該清洗目標的步驟包括如下步驟： <br/>控制周轉箱運輸設備以將確定為該清洗目標的該部分周轉箱運輸到清洗區域（station）。
一種周轉箱管理系統，包括： <br/>至少一個處理器；以及 <br/>至少一個記憶體，存儲有當由該至少一個處理器運行時使得該至少一個處理器執行多個操作的指令（instruction）， <br/>該多個操作包括如下操作： <br/>監測多個周轉箱中每個周轉箱的第一參數和第二參數； <br/>識別該多個周轉箱中，該第一參數和該第二參數中任意一個參數大於或等於針對該參數設置的閾值的周轉箱；以及 <br/>在識別的該周轉箱中，將空狀態的部分周轉箱確定為清洗目標， <br/>其中，該第一參數表示每個周轉箱的使用次數， <br/>該第二參數表示每個周轉箱的使用時間。
如請求項10所述之周轉箱管理系統，其中， <br/>在識別的該周轉箱中，將空狀態的該部分周轉箱確定為該清洗目標的操作包括如下操作： <br/>在識別的該周轉箱中，將不是空狀態的周轉箱登記在清洗佇列中。
如請求項11所述之周轉箱管理系統，其中， <br/>在識別的該周轉箱中，將空狀態的該部分周轉箱確定為該清洗目標的操作還包括如下操作： <br/>將登記在清洗佇列中的周轉箱確定為與成為空狀態的日期對應的清洗目標。
如請求項10所述之周轉箱管理系統，其中， <br/>在識別的該周轉箱中，將空狀態的該部分周轉箱確定為該清洗目標的操作包括如下操作： <br/>如果確定為該清洗目標的該部分周轉箱超過針對該第一日期預設的處理量，則將該部分周轉箱中超過該處理量數量的周轉箱登記在與該第一日期的後一天對應的清洗佇列中。
如請求項13所述之周轉箱管理系統，其中， <br/>該部分周轉箱分別基於確定為該清洗目標的順序、以及該第一參數的值或該第二參數的值高的順序具有優先順序， <br/>登記在與該第一日期的後一天對應的該清洗佇列中的周轉箱的優先順序低於該部分周轉箱中未登記在該清洗佇列中的周轉箱。
如請求項13所述之周轉箱管理系統，其中， <br/>登記在與該第一日期的後一天對應的該清洗佇列中的周轉箱的優先順序高於確定為與該第一日期的後一天對應的清洗目標的其他周轉箱。
一種音調偵測裝置，包含：<br/> 一頻譜轉換電路，用以根據一輸入訊號進行頻譜轉換以產生一頻域訊號；<br/> 一輔助估測電路，用以決定該頻域訊號中的一第一功率值與一第二功率值，並確認該第一功率值對應的一第一頻率索引值是否位於一預設頻率範圍，從而選擇性地將一第一計算範圍設定為一預設延遲範圍或是複數個子延遲範圍中之一第一子延遲範圍，其中該預設延遲範圍對應於該預設頻率範圍，該第一功率值與該第二功率值為該頻域訊號中的前兩大功率值，且該複數個子延遲範圍中每一者小於該預設延遲範圍；以及<br/> 一後置濾波器電路，用以根據該輸入訊號以及該第一計算範圍決定該輸入訊號的一當前音調延遲。
如請求項1之音調偵測裝置，其中當該第一頻率索引值不位於該預設頻率範圍內時，該輔助估測電路將該第一計算範圍設定為該預設延遲範圍。
如請求項1之音調偵測裝置，其中當該第一頻率索引值位於該預設頻率範圍內時，該輔助估測電路更用以比較該第一功率值與該第二功率值，以決定是否要調整該第一計算範圍。
如請求項1之音調偵測裝置，其中當該第一頻率索引值位於該預設頻率範圍內時，該輔助估測電路用以確認該第一功率值與一權重值的一乘積是否大於或等於該第二功率值，且當該乘積大於或等於該第二功率值時，該輔助估測電路用以將該第一計算範圍設定為該第一子延遲範圍。
如請求項1之音調偵測裝置，其中該輔助估測電路更用以根據該第一頻率索引值自該複數個子延遲範圍中選出該第一子延遲範圍。
如請求項1之音調偵測裝置，其中該複數個子延遲範圍中的鄰近兩者彼此重疊。
如請求項1之音調偵測裝置，其中該後置濾波器電路用以根據該輸入訊號與該第一計算範圍執行一自相關函數運算以決定一第一音調延遲，根據一先前音調延遲決定一第二音調延遲，並根據該第一音調延遲與該第二音調延遲決定該當前音調延遲，且該先前音調延遲對應於該輸入訊號的前一訊框。
如請求項7之音調偵測裝置，其中當該第一計算範圍不為該預設延遲範圍時，該輔助估測電路更用以確認該先前音調延遲是否位於該第一計算範圍內，從而控制該後置濾波器電路重新決定該第二音調延遲。
如請求項8之音調偵測裝置，其中當該先前音調延遲不位於該第一計算範圍內時，該輔助估測電路用以根據該先前音調延遲、該預設延遲範圍與該第一計算範圍決定一第二計算範圍，且該後置濾波器電路更用以根據該第二計算範圍重新執行該自相關函數運算以重新決定該第二音調延遲。
一種音調偵測方法，經由一音調偵測裝置執行，該音調偵測方法包含：<br/> 對一輸入訊號進行頻譜轉換以產生一頻域訊號；<br/> 決定該頻域訊號中的一第一功率值與一第二功率值；<br/> 確認該第一功率值對應的一第一頻率索引值是否位於一預設頻率範圍，從而選擇性地將一第一計算範圍設定為複數個子延遲範圍中之一第一子延遲範圍或是一預設延遲範圍，其中該預設延遲範圍對應於該預設頻率範圍，該第一功率值與該第二功率值為該頻域訊號中的前兩大功率值，且該複數個子延遲範圍中每一者小於該預設延遲範圍；以及<br/> 根據該輸入訊號與該第一計算範圍決定該輸入訊號的一當前音調延遲。
一種導電膠自動調節裝置，包括：<br/>一承載件，係供設置一測試板；<br/>一固定元件，係設於該測試板上方處，且該固定元件上具有一供一檢測件通過之通道；<br/>數個壓制裝置，係分別設於該固定元件一側處，各該壓制裝置分別具有一可抵觸一導電膠之壓制件，該導電膠係設於該測試板上；<br/>一調整裝置，係設於該承載件一側處，該調整裝置係包括一可活動之基座組、及一設於該基座組前端處並供結合該導電膠一端處之固定件；及<br/>一自動控制裝置，係與各該壓制裝置、該調整裝置及該檢測件資訊連結，以在接收該檢測件之檢測訊號時，依據該檢測訊號決定是否控制各該壓制裝置、及該調整裝置進行作動。
如請求項1所述之導電膠自動調節裝置，其中該固定元件上設有數個分別設於該通道一側處之穿孔，各該穿孔係供各該壓制件穿過予以壓制該導電膠。
如請求項1或2所述之導電膠自動調節裝置，其中各該壓制裝置係分別具有一供設置該壓制件之壓制臂、一設於該壓制臂背離該壓制件端處之壓制座、及一供該壓制座設置之升降裝置。
如請求項1所述之導電膠自動調節裝置，其中該基座組係具有一供設置該固定件之前臂、及至少一設於該前臂一側之活動臂，該活動臂可帶動該前臂進行移動。
如請求項1所述之導電膠自動調節裝置，其中該固定元件面向該導電膠之側處係具有一固定通道，以供該導電膠穿過該固定元件。
一種導電膠自動調節方法，包括：<br/>一檢測件對一設置於一承載件上之測試板進行檢測，且該測試板位於一固定元件下方處，並該測試板上之導電膠係由數個設於數個壓制裝置上的壓制件進行壓制固定，且該檢測件通過一固定元件上之通道進行檢測；<br/>該檢測件檢測該測試板上之一電子件並判斷為不符合期待時，傳送一檢測訊號給予一自動控制裝置；及<br/>該自動控制裝置接收該檢測訊號後，產生一控制指令給一壓制裝置及一調整裝置，以使該調整裝置在各該壓制件離開該導電膠後，利用一基座組帶動一固定該導電膠的固定件，對該導電膠進行移動，以自動調節該導電膠之位置。
如請求項6所述之導電膠自動調節方法，其中該固定元件上設有數個分別設於該通道一側處之穿孔，各該穿孔係供各該壓制件穿過予以壓制該導電膠。
如請求項6或7所述之導電膠自動調節方法，其中各該壓制裝置係分別具有一供設置該壓制件之壓制臂、一設於該壓制臂背離該壓制件端處之壓制座、及一供該壓制座設置之升降裝置。
如請求項6所述之導電膠自動調節方法，其中該基座組係具有一供設置該固定件之前臂、及至少一設於該前臂一側之活動臂，該活動臂可帶動該前臂進行移動。
如請求項6所述之導電膠自動調節方法，其中該固定元件面向該導電膠之側處係具有一固定通道，以供該導電膠穿過該固定元件。
一種快閃記憶體佈局，包含：<br/> 一基底；<br/> 一第一快閃記憶體陣列設置於該基底上，其中該第一快閃記憶體陣列包含複數條位元線與複數字元線，該等位元線沿著一第一方向延伸，該等字元線沿著一第二方向延伸，該第一方向和該第二方向垂直；以及<br/> 二個第一本體接觸區(bulk contact region)，分別設置於該第一快閃記憶體陣列沿著讓第一方向延伸的兩個相對邊緣上，其中各該第一本體接觸區包含複數個第一接觸插塞，該等第一接觸插塞用以將該基底接至一參考電壓，以穩定該基底之電壓。
如請求項1所述之快閃記憶體佈局，其中該參考電壓為接地電壓(V<sub>SS</sub>)。
如請求項1所述之快閃記憶體佈局，另包含：<br/> 二個第二本體接觸區，設置於該第一快閃記憶體陣列沿該第二方向延伸的兩個相對邊緣上，其中各該第二本體接觸區包含複數個第二接觸插塞，該等第二接觸插塞用以將該基底接至該參考電壓，以穩定該基底之電壓。
如請求項3所述之快閃記憶體佈局，其中各該第二本體接觸區中的該等第二接觸插塞排列成一第一行與一第二行，且位於該第一行與該第二行中相對位置的該等第二接觸插塞呈兩兩對稱排列。
如請求項3所述之快閃記憶體佈局，其中各該第二本體接觸區中的該等第二接觸插塞排列成一第一行與一第二行，且該第一行與該第二行中的該等第二接觸插塞呈錯列排列。
如請求項3所述之快閃記憶體佈局，其中各該第二本體接觸區中的該等第二接觸插塞被分為複數個群組，每一群組包含四個第二接觸插塞，該四個第二接觸插塞排列成矩形，各該群組內之該四個第二接觸插塞彼此間的距離小於相鄰兩群組之間的距離。
如請求項1所述之快閃記憶體佈局，其中各該第一本體接觸區中的該等第一接觸插塞排列成一第一列與一第二列，且位於該第一列與該第二列中相對位置的該等第一接觸插塞呈兩兩對稱排列。
如請求項1所述之快閃記憶體佈局，其中各該第一本體接觸區中的該等第一接觸插塞排列成一第一列與一第二列，且該第一列與該第二列中的該等第一接觸插塞呈錯列排列。
如請求項1所述之快閃記憶體佈局，其中各該第一本體接觸區中的該等第一接觸插塞被分為複數個群組，每一群組包含四個第一接觸插塞，該四個第一接觸插塞排列成矩形，各該群組內之該四個第一接觸插塞彼此間的距離小於相鄰兩群組之間的距離。
如請求項1所述之快閃記憶體佈局，另包含：<br/> 一第二快閃記憶體陣列設置於該第一快閃記憶體陣列的一側，其中該第二快閃記憶體陣列的佈局和該第一快閃記憶體陣列的佈局相同；以及<br/> 一第三本體接觸區，設置於該第一快閃記憶體陣列和該第二快閃記憶體陣列之間，其中該三本體接觸區包含複數個第三接觸插塞，該等第三接觸插塞用以將該基底接至該參考電壓，以穩定該基底之電壓。
一種快閃記憶體之故障分析方法，包含：<br/> 提供一快閃記憶體佈局，其中該快閃記憶體佈局包含：<br/> 一基底；<br/> 一快閃記憶體陣列設置於該基底上，其中該快閃記憶體陣列包含複數個快閃記憶體單元，各個快閃記憶體單元分別包含一位元線、一字元線、一源極線、一控制閘極、一抺除閘極和一浮置閘極，該位元線沿著一第一方向延伸，該字元線沿著一第二方向延伸，該第一方向和該第二方向垂直；以及<br/> 二個第一本體接觸區(bulk contact region)分別設置於該快閃記憶體陣列沿著該第一方向延伸的兩個相對邊緣上，各該第一本體接觸區包含複數個第一接觸插塞，該等第一接觸插塞用以將該基底接至一參考電壓，二個第二本體接觸區，設置於該快閃記憶體陣列沿該第二方向延伸的兩個相對邊緣上，其中各該第二本體接觸區包含複數個第二接觸插塞，該等第二接觸插塞用以將該基底接至該參考電壓；其中該故障分析方法包含以下步驟：<br/> 步驟(1)：在該等快閃記憶體單元中，選定一待測快閃記憶體單元；<br/> 步驟(2)：從該等第一本體接觸區與該等第二本體接觸區中，選取距離該待測快閃記憶體單元最近的其中一個該第一本體接觸區或該第二本體接觸區，並對選取的該第一本體接觸區或該第二本體接觸區中的其中一個該等第一接觸插塞或其中一個該等第二接觸插塞施加一參考電壓，同時分別對該待測快閃記憶體單元中的該控制閘極、該抺除閘極、該位元線、該字元線與該源極線分別施加一第一電壓、一第二電壓、一第三電壓、一第四電壓與一第五電壓；以及<br/> 步驟(3)：偵測該待測快閃記憶體單元的異常電流，以判定該待測快閃記憶體單元潛在缺陷或失效位置。
如請求項11所述之故障分析方法，其中該步驟(2)係藉由複數個探針分別接觸選取的該第一本體接觸區或該第二本體接觸區中的其中一個該等第一接觸插塞或其中一個該等第二接觸插塞、該控制閘極、該抺除閘極、該位元線、該字元線與該源極線，以施加該參考電壓、該第一電壓、該第二電壓、該第三電壓、該第四電壓與該第五電壓。
如請求項11所述之故障分析方法，其中所述步驟(3)包含：<br/> 分別量測該待測快閃記憶體單元中的該浮置閘極至該控制閘極、該抺除閘極、該位元線、該字元線與該源極線之間是否存在漏電流。
如請求項11所述之故障分析方法，其中於該步驟(2)中，該快閃記憶體陣列中的該浮置閘極保持未加電壓狀態。
一種快閃記憶體之故障分析設備，包含：<br/> 一快閃記憶體佈局，其中該快閃記憶體佈局包含：<br/> 一基底；<br/> 一快閃記憶體陣列設置於該該基底上，其中該快閃記憶體陣列包含一待測快閃記憶體單元，該待測快閃記憶體單元包含一位元線、一字元線、一源極線、一控制閘極、一抺除閘極與一浮置閘極，該位元線沿著一第一方向延伸，該字元線沿著一第二方向延伸，該第一方向與該第二方向垂直；<br/> 二個第一本體接觸區(bulk contact region)，分別設置於該快閃記憶體陣列沿該第一方向延伸的兩個相對邊緣上，各該第一本體接觸區包含複數個第一接觸插塞，該等第一接觸插塞用以將該基底接至一參考電壓；<br/> 二個第二本體接觸區，設置於該快閃記憶體陣列沿該第二方向延伸的兩個相對邊緣上，其中各該第二本體接觸區包含複數個第二接觸插塞，該等第二接觸插塞用以將該基底接至該參考電壓；<br/> 一載台，用以承載該快閃記憶體佈局；<br/> 一測試區，其中該載台設置於該測試區中；以及<br/> 複數個探針，分別同時接觸該等第一接觸插塞與該等第二接觸插塞之其中之一、該控制閘極、該抺除閘極、該位元線、該字元線與該源極線，以進行該待測快閃記憶體單元之故障分析。
如請求項15所述之快閃記憶體之故障分析設備，其中該等探同時針對該待測快閃記憶體單元的該控制閘極、該抺除閘極、該位元線、該字元線與該源極線分別施加一第一電壓、一第二電壓、一第三電壓、一第四電壓與一第五電壓並且同時對該等第一接觸插塞和該等第二接觸插塞之其中之一施加該參考電壓。
一種加工模具，包括一上模和一下模，用於加工一零件，該零件放置於該下模，且該零件側面設置有朝向該下模延伸的一翻邊，該加工模具還包括：<br/> 一斜頂，包括一座體和沿豎直方向滑動設置於該座體的一成型段，該成型段朝向該上模設置，並與該翻邊的形狀適配；<br/> 一平移組件，沿水平方向滑動設置於該下模，該座體沿水平方向滑動設置於該平移組件；<br/> 一分模組件，能驅動該平移組件相對於該座體水平移動，以使該成型段沿豎直方向與該翻邊分離，並能驅動該平移組件和該座體相對於該下模移動，以使該斜頂沿水平方向遠離該零件。
如請求項1所述的加工模具，其中，該斜頂還設置有一傾斜段，該傾斜段與水平面呈夾角設置，且一端與該成型段連接，另一端沿豎直方向滑動設置於該座體，該平移組件內設置有一斜槽，該傾斜段滑動設置於該斜槽。
如請求項2所述的加工模具，其中，該平移組件包括相互連接的一驅動塊和一滑塊座，該座體滑動設置於該滑塊座，該斜槽設置於該驅動塊。
如請求項1所述的加工模具，其中，該上模具有沿靠近到遠離該下模方向的一加工位、一解鎖位、一脫模位，該上模置於該加工位時，該成型段置於該翻邊內；該上模置於該解鎖位時，該成型段置於該翻邊的下方；該上模置於該脫模位時，該成型段沿水平方向遠離該零件。
如請求項4所述的加工模具，其中，該分模組件包括：<br/> 一動力件，設置於該上模，該動力件用於在該上模靠近和遠離該下模時驅動該平移組件沿水平方向移動；<br/> 一擋塊，用於在該上模自該加工位到該解鎖位時與該座體抵接，使該座體不隨該平移組件相對於該下模移動；並在該上模自該解鎖位到該脫模位時與該座體脫離抵接，使該座體隨該平移組件相對於該下模移動。
如請求項5所述的加工模具，其中，該動力件與豎直方向傾斜設置，該平移組件設置有一驅動槽，該動力件置於該驅動槽內。
如請求項5所述的加工模具，其中，該擋塊設置於該上模，且凸設於該上模靠近該下模的一側，該擋塊與該座體遠離該成型段的一端選擇性抵接。
如請求項5所述的加工模具，其中，該擋塊設置於該下模，並能與該座體卡接以使該座體相對於該下模固定，或與該座體脫離卡接，以使該座體能相對於該下模移動。
如請求項8所述的加工模具，其中，該分模組件還包括一導向塊，該導向塊設置於該平移組件，該導向塊被配置為驅動該擋塊朝向靠近該上模的方向移動以與該座體卡接，或驅動該擋塊朝向遠離該上模的方向移動以與該座體脫離卡接。
如請求項9所述的加工模具，其中，該擋塊設置有一導柱，該導向塊設置有相互導通的一鎖定槽和一脫模槽，該導柱置於該鎖定槽時，該擋塊與該座體卡接；置於該脫模槽時，該擋塊與該座體脫離卡接。
如請求項8所述的加工模具，其中，該分模組件還包括通訊連接的一檢測件和一驅動件，該檢測件用於檢測該上模的位置，該驅動件用於根據該檢測件的檢測結果驅動該擋塊沿豎直方向移動。
如請求項11所述的加工模具，其中，該驅動件設置為一雙向驅動件，該雙向驅動件與該檢測件通訊連接，該雙向驅動件用於驅動該擋塊靠近該上模移動，以使該擋塊與該座體卡接，或用於驅動該擋塊遠離該上模移動，以使該擋塊與該座體脫離卡接。
如請求項11所述的加工模具，其中，該驅動件設置為一單向驅動件，該單向驅動件與該檢測件通訊連接，該分模組件還包括一復位件，該驅動件用於驅動該擋塊遠離該上模移動，以使該擋塊與該座體脫離卡接，該復位件用於驅動該擋塊靠近該上模移動，以使該擋塊與該座體卡接。
如請求項13所述的加工模具，其中，該復位件設置為一彈簧，該下模設置有一安裝槽，該彈簧的一端與該安裝槽的槽底抵接，另一端與該擋塊遠離該座體的一端抵接。
一種黏著劑組合物，其包括：<br/> 100重量份的一聚合物樹脂，所述聚合物樹脂的重均分子量為 200,000 克/莫耳至 300,000 克/莫耳，且係由下列單體共聚而成：8.6重量份的甲基丙烯酸（MAA）、20.6重量份的甲基丙烯酸-2-苯氧基乙酯（PEMA）、25至35重量份的甲基丙烯酸羥基己基酯、15至110重量份的3甲基環己基丙烯酸酯，以及10至130重量份的丙烯酸月桂酯；<br/> 3重量份至15重量份的一第一固化劑，所述第一固化劑為多異氰酸酯； <br/> 0.2重量份至3重量份的一促進劑，所述促進劑為乙醯丙酮化鋁；以及<br/> 100重量份的溶劑，所述溶劑包含乙酸乙酯及甲基乙基酮；<br/> 其中，所述聚合物樹脂還包括5至40重量份的N-烯丙基馬來醯亞胺。
如請求項1所述的黏著劑組合物，其中，所述溶劑包括50重量份的所述乙酸乙酯以及50重量份的所述甲基乙基酮。
如請求項1所述的黏著劑組合物，進一步包括1重量份至6重量份的一第二固化劑。
如請求項3所述的黏著劑組合物，其中，所述第二固化劑為二氨基二苯基甲烷。
一種保護膜，其包括：<br/> 一承載層，所述承載層的玻璃轉化溫度為 130°C 以上，且厚度為 10 至 200 μm；<br/> 一黏著層，由如請求項1至4中任一項所述的黏著劑組合物所形成，所述黏著層位於承載層上；以及<br/> 一離型層，位於所述黏著層上。
如請求項5所述的保護膜，其中，所述黏著層的厚度為5至30μm。
如請求項5所述的保護膜，其中，所述承載層包括聚醯亞胺。
如請求項5所述的保護膜，其中，所述離型層為一聚對苯二甲酸乙二醇酯膜。
一種生物材料，其係由α-酮戊二酸及聚離胺酸奈米羥基磷灰石結合而成，其中該生物材料的製備步驟包含：<br/> 將α-酮戊二酸溶於去離子水中，形成一α-酮戊二酸溶液；<br/> 將聚離胺酸奈米羥基磷灰石加入該α-酮戊二酸溶液，並在室溫下攪拌9小時；以及<br/> 以去離子水進行洗滌並冷凍乾燥。
如請求項1所述之生物材料，其中該聚離胺酸奈米羥基磷灰石的合成步驟包含： <br/>將離胺酸酸加入磷酸氫二銨中進行攪拌30分鐘； <br/>加入等體積的醋酸鈣進行攪拌5分鐘； <br/>加熱至約60℃，並進行攪拌3小時； <br/>以4000 rpm離心15分鐘，收集沉澱物；以及 <br/>以去離子水進行洗滌並冷凍乾燥。
如請求項1所述之生物材料，其中該α-酮戊二酸溶液的濃度為4 mg/mL。
一種如請求項1所述之生物材料的用途，其係用於製備促進成骨細胞分化的醫藥組合物。
如請求項4所述之用途，其中該促進成骨細胞分化包含：提升鹼性磷酸酶活性、促進細胞礦化及提升成骨分化基因的表現。
如請求項5所述之用途，其中該成骨分化基因包含：<i>Runx2</i>基因、<i>Col1a1</i>基因及/或<i>Opn</i>基因。
一種如請求項1所述之生物材料的用途，其係用於製備抑制破骨細胞的醫藥組合物。
如請求項7所述之用途，其中該抑制破骨細胞包含：抑制破骨細胞活性及抑制破骨細胞生成基因的表現。
如請求項8所述之用途，其中該破骨細胞生成基因包含：<i>Trap</i>基因、<i>Dcstamp</i>基因及/或<i>Ctsk</i>基因。
一種高性能防霧膜的製備工藝，將一原材料TAC放卷後依次經過以下步驟：<br/> 一電暈處理、一皂化預拉伸處理、一皂化深拉伸處理、一水洗處理及一乾燥處理，最後進行收卷；<br/> 所述皂化預拉伸處理在一第一皂化槽中進行，所述皂化深拉伸處理在一第二皂化槽中進行；所述第一皂化槽和所述第二皂化槽中均裝有皂化液，皂化液為NaOH溶液，且所述第一皂化槽的NaOH溶液的濃度低於所述第二皂化槽的NaOH溶液的濃度；所述第一皂化槽的一第一入槽位置、所述第一皂化槽的一第一出槽位置和所述第二皂化槽的一第二出槽位置均設有一對壓輪，所述對壓輪的其中一壓輪由氣缸氣壓控制，另一壓輪為主動輪，並由伺服馬達控制轉速；該第一入槽位置、該第一出槽位置及該第二出槽位置的伺服馬達的牽引速率依次增大。
如請求項1所述之高性能防霧膜的製備工藝，其中，所述第一皂化槽中的皂化液配置為：NaOH30%至50%，去離子水50%至70%，液體溫度設定介於40℃至75℃；所述第二皂化槽中的皂化液配置為：NaOH30%至65%，去離子水35%至70%，液體溫度設定介於50℃至85℃。
如請求項1所述之高性能防霧膜的製備工藝，其中，所述第一皂化槽和第二皂化槽上安裝有超聲波清洗機，使超聲波的路線同膜面正對；超聲波清洗機發射的超聲波頻率設定介於20KHz至80KHz；在所述皂化預拉伸處理和所述皂化深拉伸處理過程中，採用低頻超聲波對TAC膜進行處理。
如請求項1所述之高性能防霧膜的製備工藝，其中，所述電暈處理工序採用電暈處理機進行處理，電暈處理機設定參數為：處理寬度在0.6m±0.02m，輸出頻率為15kHz至25kHz，電極間隙在1㎜至1.5㎜，電暈處理功率在3kW至4kW。
如請求項1所述之高性能防霧膜的製備工藝，其中，在防霧膜製備生產過程中，TAC膜的牽引速度設定介於2.0m/min至3.5m/min。
如請求項1所述之高性能防霧膜的製備工藝，其中，所述水洗處理工序為：所述皂化深拉伸處理後的TAC膜依次經由三次水洗、一次中和、三次水洗後完成水洗處理，進入下一道工序。
一種高性能防霧膜的製備工藝，將一原材料TAC放卷後依次經過以下步驟：<br/> 一電暈處理、一皂化預拉伸處理、一皂化深拉伸處理、一水洗處理及一修復處理工序，最後進行收卷；所述皂化預拉伸處理在一第一皂化槽中進行，所述皂化深拉伸處理在一第二皂化槽中進行；所述第一皂化槽和所述第二皂化槽中均裝有皂化液，皂化液為NaOH溶液，且所述第一皂化槽的NaOH溶液的濃度低於所述第二皂化槽的NaOH溶液的濃度；所述第一皂化槽的一第一入槽位置、所述第一皂化槽的一第一出槽位置和所述第二皂化槽的一第二出槽位置均設有一對壓輪，所述對壓輪的其中一壓輪由氣缸氣壓控制，另一壓輪為主動輪，並由伺服馬達控制轉速；該第一入槽位置、該第一出槽位置及該第二出槽位置的伺服馬達的牽引速率依次增大；所述修復處理工序利用一修復箱的溫度控制使TAC膜結構間的分子活躍起來；通過減小處理膜的牽引力，處理TAC模的拉伸內應力慢慢回收變小，修復減小在一傳送方向的延伸；同時利用一修復曲輥來增加處理TAC膜在一橫向方向的延展，該橫向方向垂直於該傳送方向，使材料膜在橫向方向變大減小收縮；最後用一鋼輥來修平定型膜面。
如請求項7所述之高性能防霧膜的製備工藝，其中，所述修復處理工序通過所述修復箱實現，所述修復箱的一入箱位置和一出箱位置均設有一對壓輪，每對壓輪的一個壓輪由氣缸氣壓控制，另一壓輪為主動輪，並由伺服馬達控制轉速，該入箱位置的伺服馬達牽引速率小於該出箱位置的伺服馬達牽引速率；修復箱的設定參數如下：所述修復箱的第一節溫度設定介於30℃至130℃作為乾燥使用、所述修復箱的第二節溫度設定介於30℃至130℃作為修復使用、所述修復箱的第三節溫度設定介於30℃至130℃作為修復使用、所述修復箱的第四節溫度設定介於30℃至130℃作為修復使用、所述修復箱的第五節溫度設定介於30℃至130℃作為定型使用、所述修復箱的第六節溫度設定介於30℃至130℃作為定型使用；在所述修復箱的第一節至第四節中，TAC膜傳送的過程中採用所述修復曲輥進行修復，在所述修復箱的第五節和第六節中，TAC膜傳送的過程中採用所述鋼輥進行定型。
如請求項7所述之高性能防霧膜的製備工藝，其中，所述修復曲輥具有半徑係介於700mm至2500mm的圓弧度。
一種高性能防霧膜，使用如請求項1至6任一項所述之高性能防霧膜的製備工藝製造而成。
一種雙頻天線系統之自我校準方法，包括：<br/> 一主控端雙頻天線模組傳送一主控端慣性資訊及一主控端平台轉動資訊至至少一從屬端雙頻天線模組；<br/> 該至少一從屬端雙頻天線模組取得一從屬端慣性資訊；<br/> 該至少一從屬端雙頻天線模組依據該主控端慣性資訊、該主控端平台轉動資訊及該從屬端慣性資訊，設定該至少一從屬端雙頻天線模組之一從屬端平台轉動資訊；以及<br/> 依據該從屬端平台轉動資訊，控制一從屬端承載平台進行轉動。
如請求項1所述之雙頻天線系統之自我校準方法，更包括：<br/> 取得該至少一從屬端雙頻天線模組之一從屬端天線效能資訊；<br/> 判斷該從屬端天線效能資訊是否滿足一預定條件；<br/> 若該從屬端天線效能資訊不滿足該預定條件，則調整該至少一從屬端雙頻天線模組之該從屬端平台轉動資訊。
如請求項2所述之雙頻天線系統之自我校準方法，其中該從屬端天線效能資訊包括一無線訊號接收強度（Received Signal Strength Indication，RSSI）及一訊號雜訊比（Signal-to-noise ratio，SNR）。
如請求項1所述之雙頻天線系統之自我校準方法，其中該主控端雙頻天線模組之一主控端第一頻段天線及一主控端第二頻段天線之極化方向實質上垂直。
如請求項4所述之雙頻天線系統之自我校準方法，其中該主控端雙頻天線模組之一主控端承載平台同步調整該主控端第一頻段天線及該主控端第二頻段天線。
如請求項1所述之雙頻天線系統之自我校準方法，其中該至少一從屬端雙頻天線模組之一從屬端第一頻段天線及一從屬端第二頻段天線之極化方向實質上垂直。
如請求項6所述之雙頻天線系統之自我校準方法，其中該至少一從屬端雙頻天線模組之該從屬端承載平台同步調整該從屬端第一頻段天線及該從屬端第二頻段天線。
如請求項1所述之雙頻天線系統之自我校準方法，其中該主控端平台轉動資訊或該從屬端平台轉動資訊包括一俯仰角度（pitch）及一偏航角度（yaw）。
一種雙頻天線系統，包括：<br/> 一主控端雙頻天線模組，包括：<br/> 一主控端第一頻段天線；<br/> 一主控端第二頻段天線；<br/> 一主控端承載平台，該主控端第一頻段天線及該主控端第二頻段天線設置於該主控端承載平台上，該主控端承載平台係依據一主控端平台轉動資訊轉動該主控端第一頻段天線及該主控端第二頻段天線；及<br/> 一主控端慣性量測單元，用以量測一主控端慣性資訊；以及<br/> 至少一從屬端雙頻天線模組，包括：<br/> 一從屬端第一頻段天線；<br/> 一從屬端第二頻段天線；<br/> 一從屬端承載平台，該從屬端第一頻段天線及該從屬端第二頻段天線設置於該從屬端承載平台上，該從屬端承載平台係依據一從屬端平台轉動資訊轉動該從屬端第一頻段天線及該從屬端第二頻段天線；<br/> 一從屬端慣性量測單元，用以量測一從屬端慣性資訊；及<br/> 一從屬端處理單元，連接於該從屬端第一頻段天線、該從屬端第二頻段天線及該從屬端慣性量測單元；<br/> 其中該從屬端處理單元依據該主控端慣性資訊、該主控端平台轉動資訊及該從屬端慣性資訊，設定該至少一從屬端雙頻天線模組之該從屬端平台轉動資訊；<br/> 該從屬端處理單元依據該從屬端平台轉動資訊控制該從屬端承載平台進行轉動。
如請求項9所述之雙頻天線系統，其中該從屬端處理單元在一從屬端天線效能資訊不滿足一預定條件時，調整該至少一從屬端雙頻天線模組之該從屬端平台轉動資訊。
如請求項10所述之雙頻天線系統，其中該從屬天線效能資訊包括一無線訊號接收強度（Received Signal Strength Indication，RSSI）及一訊號雜訊比（Signal-to-noise ratio，SNR）。
如請求項9所述之雙頻天線系統，其中該主控端雙頻天線模組之該主控端第一頻段天線及該主控端第二頻段天線之極化方向實質上垂直。
如請求項9所述之雙頻天線系統，其中該主控端雙頻天線模組之該主控端承載平台同步調整該主控端第一頻段天線及該主控端第二頻段天線。
如請求項9所述之雙頻天線系統，其中該至少一從屬端雙頻天線模組之該從屬端第一頻段天線及該從屬端第二頻段天線之極化方向實質上垂直。
如請求項9所述之雙頻天線系統，其中該至少一從屬端雙頻天線模組之該從屬端承載平台同步調整該從屬端第一頻段天線及該從屬端第二頻段天線。
如請求項9所述之雙頻天線系統，其中該主控端平台轉動資訊或該從屬端平台轉動資訊包括一俯仰角度（pitch）及一偏航角度（yaw）。
一種從屬端雙頻天線模組，包括：<br/> 一從屬端第一頻段天線；<br/> 一從屬端第二頻段天線；<br/> 一從屬端承載平台，該從屬端第一頻段天線及該從屬端第二頻段天線設置於該從屬端承載平台上，該從屬端承載平台係依據一從屬端平台轉動資訊轉動該從屬端第一頻段天線及該從屬端第二頻段天線；<br/> 一從屬端慣性量測單元，用以量測一從屬端慣性資訊；以及<br/> 一從屬端處理單元，連接於該從屬端第一頻段天線、該從屬端第二頻段天線及該從屬端慣性量測單元；<br/> 其中該從屬端處理單元依據一主控端雙頻天線模組之一主控端慣性資訊、一主控端平台轉動資訊及該從屬端慣性資訊，設定該從屬端雙頻天線模組之該從屬端平台轉動資訊；<br/> 該從屬端處理單元依據該從屬端平台轉動資訊控制該從屬端承載平台進行轉動。
一種自行車之控制裝置，該控制裝置包含：<br/> 一致動器；以及<br/> 一第一控制器，該第一控制器包含一無線電，且被組配成可進行下列作業：<br/> 響應於該致動器的促動，而產生數個訊息並將該等訊息從該第一控制器傳送至該自行車之一第二控制器，其中，該無線電被組配成可在該等訊息之傳送的一頻率下量測周遭射頻功率，<br/> 將所量測之該周遭射頻功率與一預定周遭臨界射頻功率作比較；以及<br/> 基於該比較，當所量測之該周遭射頻功率大於該預定周遭臨界射頻功率時，將該一或多個訊息的產生及傳送轉變成該等訊息的連續產生及傳送。
如請求項1之控制裝置，其中，該無線電被組配成可在傳送該一或多個訊息中之各個訊息之前量測該周遭射頻功率、在傳送該一或多個訊息中之各個訊息之後量測該周遭射頻功率、或者在傳送該一或多個訊息中之各個訊息之前及之後量測該周遭射頻功率。
如請求項1之控制裝置，其中，該等訊息各含有識別該致動器之該促動的資料。
如請求項1之控制裝置，其中，該第一控制器被組配成可進行下列作業：<br/> 響應於該致動器之促動，而在一預定時段當中以一第一傳送率產生該等訊息，並在該預定時段當中以該第一傳送率將該等訊息從該第一控制器傳送至該第二控制器；以及<br/> 在該預定時段之後，以一第二傳送率產生一或多個訊息，並以該第二傳送率將該一或多個訊息從該第一控制器傳送至該第二控制器，直到該致動器被停用為止，該第一傳送率大於該第二傳送率。
如請求項4之控制裝置，其中，該第一控制器進一步被組配成可響應於該致動器之停用而產生一第二訊息並將該第二訊息從該第一控制器傳送至該第二控制器，該第二訊息含有識別該致動器之該停用的資料。
如請求項4之控制裝置，其中，當所量測之該周遭射頻功率大於該預定周遭臨界射頻功率時，該一或多個訊息之以該第二傳送率的產生及傳送轉變成該等訊息的連續產生及傳送。
一種多探頭超短波智能理療儀，包括：控制器、床體，其中，所述床體側面設置翻轉架，所述翻轉架包括設置在所述床體側壁的旋轉筒，且所述翻轉架連接有翻轉驅動裝置，所述翻轉驅動裝置用以驅動所述旋轉筒轉動，所述旋轉筒上設置有多個支撐桿，所述支撐桿末端設置有超短波理療探頭，任一所述超短波理療探頭連接有開閉控制裝置，所述翻轉架能夠經由所述翻轉驅動裝置驅動所述旋轉筒轉動，使設置於所述旋轉筒上的所述超短波理療探頭翻轉至與人體配合之位置，任一所述支撐桿連接有長度調整裝置。
如請求項1所述的多探頭超短波智能理療儀，其中，所述翻轉驅動裝置包括與所述旋轉筒連接的驅動馬達一，所述驅動馬達一驅動所述旋轉筒的轉動角度為65°~100°，所述超短波理療探頭的線纜穿過所述旋轉筒。
如請求項2所述的多探頭超短波智能理療儀，其中，所述長度調整裝置包括設置在所述旋轉筒上端的調整筒，所述調整筒與所述旋轉筒平行設置，所述調整筒內設置有傳動軸，所述傳動軸上設置有多個調整輪，所述支撐桿連接有與所述調整輪相配合的軟管。
如請求項3所述的多探頭超短波智能理療儀，其中，所述調整輪上設置有與所述軟管相配合的導向溝槽，所述導向溝槽傾斜設置，所述支撐桿在被所述軟管驅動動作的過程中擺動。
如請求項4所述的多探頭超短波智能理療儀，其中，所述調整筒上端設置有與所述支撐桿相配合的滑槽，所述支撐桿上設置有與所述滑槽相配合的滑塊，所述滑塊上設置有所述滑槽相配合的定位裝置，所述滑塊包括滑動架，所述滑動架上設置有與所述支撐桿配合的摩擦輪，所述摩擦輪的主軸固定連接驅動滾輪，所述摩擦輪轉動能夠帶動所述驅動滾輪轉動，進而帶動所述滑動架滑動，所述滑塊與所述軟管配合，提高所述支撐桿擺動的驅動力，所述支撐桿與所述摩擦輪配合的部位是直的，所述摩擦輪表面貼合橡膠層，以提高摩擦力，所述驅動滾輪與所述滑槽上端面配合形成定位裝置，在所述滑動架上還設置有與所述摩擦輪配合的導向輪，所述導向輪的主軸連接從動滾輪，所述導向輪的所述主軸與所述從動滾輪之間轉動連接，所述導向輪對所述支撐桿進行定位，使所述支撐桿與所述摩擦輪壓緊。
如請求項5所述的多探頭超短波智能理療儀，其中，所述支撐桿連接有復位裝置。
如請求項6所述的多探頭超短波智能理療儀，其中，所述復位裝置包括設置在所述調整輪上的卡接件，所述軟管與所述卡接件固定連接。
如請求項6所述的多探頭超短波智能理療儀，其中，所述復位裝置包括與所述調整輪配合的夾緊輪。
如請求項1所述的多探頭超短波智能理療儀，其中，所述超短波理療探頭與所述支撐桿之間設置有角度緩衝裝置，所述角度緩衝裝置包括設置在所述支撐桿末端的調整座，所述超短波理療探頭與所述調整座連接，所述超短波理療探頭上設置有壓力感測器，所述壓力感測器與所述控制器連接。
如請求項1所述的多探頭超短波智能理療儀，其中，所述超短波理療探頭連接有溫度感測器，所述溫度感測器與所述控制器連接。
一種照明控制裝置，其包含： <br/>照明器具，其以規定之照射樣態對行人往來之通道及/或上述通道周邊照射光； <br/>影像處理部，其將自拍攝上述通道之攝像部取得之上述行人之攝像影像進行影像處理；及 <br/>照明控制部，其於基於以該影像處理部影像處理之結果，取得了作為表示了上述規定之照射樣態賦予上述行人之生理反應之生理反應特徵量，顯示具有引起上述行人關注之傾向之結果之情形時，判斷維持或變更上述規定之照射樣態之控制狀態； <br/>上述規定之照射樣態係將照射點之照度之設定、閃爍/無閃爍之設定、閃爍時之時間間隔之設定、發光色之設定、照射點移動之情形時將照射位置範圍與移動速度設為固定值或可變值之設定組合而構成； <br/>上述規定之照射樣態之設定，可指定使用之上述照明器具。
如請求項1之照明控制裝置，其中 <br/>上述生理反應特徵量包含自上述行人之攝像影像擷取到之表情資料及/或步態資料。
如請求項1或2之照明控制裝置，其中 <br/>進而具備通信部，該通信部將對上述行人之攝像影像進行影像處理之結果發送至外部裝置，委託上述外部裝置進行上述規定之照射樣態賦予上述行人之影響之分析，且自上述外部裝置取得委託分析之分析結果。
如請求項1或2之照明控制裝置，其中 <br/>上述照明控制部係 <br/>於上述影像處理部開始取得上述行人之攝像影像起，僅於規定期間內繼續執行上述規定之照射樣態； <br/>於經判斷上述行人之上述生理反應特徵量未指向理想狀態之情形時，直至結束取得上述行人之攝像影像為止，將上述照射樣態切換為不屬於上述規定之照射樣態之通常點亮。
如請求項1或2之照明控制裝置，其中 <br/>上述影像處理部開始取得上述行人之攝像影像起，僅於規定時間內繼續執行上述規定之照射樣態，於經判斷指示上述生理反應特徵量為理想狀態之情形時，上述照明控制部於每次使上述規定之照射樣態之傾向逐漸增加或減少時，分析上述行人腳步之變化及/或表情之變化，藉此取得與分析結果相應之新的生理反應特徵量，上述照明控制部執行與上述新的生理反應特徵量相應之上述規定之照射樣態。
如請求項5之照明控制裝置，其中 <br/>上述照明控制部於藉由使上述規定之照射樣態之傾向繼續增加或減少，而根據上述行人腳步之變化及/或表情之變化判斷未指向理想狀態之情形時，返回至逐漸增加或減少上述規定之照射樣態之傾向前之上述規定之照射樣態。
如請求項1或2之照明控制裝置，其中 <br/>上述照明控制部於上述攝像影像中包含複數個上述行人之情形時， <br/>若複數個上述行人前後分離，則設定將上述通道前後分區塊之照射區域，使上述規定之照射樣態與所設定之每個上述照射區域照射樣態對應； <br/>若複數個上述行人未前後分離，而以橫向排列之方式步行，則以對每個上述行人僅照射前方之上述通道部分之方式，設定以橫向排列之方式分區塊之上述照射區域，以使所設定之每個上述照射區域對應之上述規定之照射樣態照射至被照射面之光照射區域追隨上述行人移動之方式，來控制上述照明器具。
如請求項1或2之照明控制裝置，其中 <br/>上述影像處理部或照明控制部於基於上述攝像部拍攝之上述行人之攝像影像，判定存在複數個上述行人中2個以上之上述行人之群之情形時，將步行於上述群之前頭之前頭者認定為上述群之代表者； <br/>上述照明控制部僅就上述前頭者，變更與上述前頭者所對應之上述生理反應特徵量相應之上述規定之照射樣態之控制狀態。
一種照明控制方法，其包含如下步驟： <br/>以規定之照射樣態對行人往來之通道及/或上述通道周邊照射光； <br/>將自拍攝上述通道之攝像部取得之上述行人之攝像影像進行影像處理；及 <br/>於基於該影像處理之結果，取得了作為表示上述規定之照射樣態賦予上述行人之生理反應之生理反應特徵量，顯示具有引起上述行人關注之傾向之結果之情形時，判斷維持或變更上述規定之照射樣態之控制狀態； <br/>上述規定之照射樣態係將照射點之照度之設定、閃爍/無閃爍之設定、閃爍時之時間間隔之設定、發光色之設定、照射點移動之情形時將照射位置範圍與移動速度設為固定值或可變值之設定組合而構成； <br/>上述規定之照射樣態之設定，可指定使用之上述照明器具。
一種基於壓力變化的照射裝置的控制裝置，包括： <br/>壓力測量裝置，用以檢測用戶的體重所施加的壓力；以及 <br/>處理器，用以將檢測到的壓力值與預設的壓力閾值進行比較，並控制所述照射裝置的運行，從而維持或停止運行所述照射裝置向的所述用戶的身體的施加壓力的點施加壓力並照射能量， <br/>其中所述壓力測量裝置更檢測所述照射裝置的重量變化，並且當檢測到的重量變化高於預設參考值時，所述處理器控制所述照射裝置的運行停止。
如請求項1所述的基於所述壓力變化的所述照射裝置的所述控制裝置， <br/>其中所述壓力測量裝置設置於所述用戶所躺著的床的移動框架上。
如請求項1所述的基於所述壓力變化的所述照射裝置的所述控制裝置， <br/>其中所述壓力測量裝置設置於所述用戶所躺著的床的支撐框架上。
如請求項1所述的基於所述壓力變化的所述照射裝置的所述控制裝置， <br/>其中所述壓力測量裝置設置於所述照射裝置的一側。
如請求項1所述的基於所述壓力變化的所述照射裝置的所述控制裝置， <br/>其中所述壓力測量裝置為稱重感測器。
如請求項1所述的基於所述壓力變化的所述照射裝置的所述控制裝置， <br/>其中當所述壓力值高於所述壓力閾值時，所述處理器控制所述照射裝置的運作停止。
如請求項1所述的基於所述壓力變化的所述照射裝置的所述控制裝置， <br/>其中所述壓力測量裝置更檢測壓力變化，並且當檢測到的壓力變化高於預設參考值時，所述處理器控制所述照射裝置的運行停止。
一種基於壓力變化的照射裝置的控制裝置的控制方法，包括： <br/>透過所述控制裝置的壓力測量裝置檢測用戶的體重所施加的壓力，所述方法包括： <br/>所述控制裝置的處理器將檢測到的壓力值與預設的壓力閾值進行比較；以及 <br/>所述處理器根據比較結果控制所述照射裝置的運行，從而維持或停止運行所述照射裝置向所述用戶的身體的施加壓力的點施加壓力並照射能量， <br/>其中所述壓力測量裝置更檢測所述照射裝置的重量變化，並且當檢測到的重量變化高於預設參考值時，所述處理器控制所述照射裝置的運行停止。
一種基於壓力變化的照射裝置的控制系統，包括： <br/>所述照射裝置，用以向用戶的身體的施加壓力的點施加壓力並照射能量；以及 <br/>一種控制所述照射裝置的控制裝置， <br/>其中所述控制裝置檢測所述用戶的體重所施加的壓力，並將檢測到的壓力值與預設的壓力閾值進行比較，以控制所述照射裝置的運行，使所述照射裝置維持或停止運行， <br/>其中所述控制裝置更檢測所述照射裝置的重量變化，並且當檢測到的重量變化高於預設參考值時，所述控制裝置控制所述照射裝置的運行停止。
一種固定組件，包含：<br/> 一連接件，具有一本體，該本體係具有一第一中空部及一第二中空部，該第一中空部及該第二中空部由一通孔相連通，一桿件穿過該通孔，使該桿件的二端分別容置在該第一中空部及該第二中空部，於該第一中空部的該桿件的第一端係具有一帽頭及該桿件係具有一復位元件，該復位元件使該桿件的第二端復位及在軸向上形成一移動距離；及<br/> 一固定件，與該桿件的該第二端可相磁吸。
如請求項1之固定組件，其中，該第一中空部及該第二中空部係由該本體的內壁徑向凸出的一徑縮部所區分，該通孔貫通該徑縮部。
如請求項2之固定組件，其中，該徑縮部在該第一中空部具有一環體，該環體與該本體的內壁之間形成一環槽。
如請求項1之固定組件，其中，該帽頭的徑向尺寸大於該桿件的徑向尺寸。
如請求項1之固定組件，其中，該桿件的該第二端係具有一螺孔，一螺件螺合於該螺孔，以將一磁鐵固定於該桿件的該第二端。
如請求項5之固定組件，其中，該磁鐵係容置於一金屬殼體當中。
如請求項6之固定組件，其中，該磁鐵或該金屬殼體係具有一第一軸向尺寸，該第一軸向尺寸小於或等於該第二中空部的第二軸向尺寸。
如請求項1之固定組件，其中，該連接件具有一蓋板，該蓋板結合在該本體，以封閉該本體的該第一中空部。
一種橫拉門，包含：<br/> 具有如請求項1至8中任一項之固定組件；及<br/> 一橫拉門，該橫拉門具有一移動端，該連接件固定在該移動端，該固定件固定在一預定位置，該桿件的該第二端朝向該固定件。
如請求項9之橫拉門，其中，該桿件的該第二端與該固定件的頂表面在水平面上形成一位差，該位差之距離小於該桿件的該移動距離。
一種果實蠅性別區分轉盤組，可旋轉地設置於一影像擷取模組及一分流集收模組之間，該果實蠅性別區分轉盤組包含：一圓盤，具有複數個間格，該些間格間隔環設於靠近該圓盤的邊緣，各該間格容納一果實蠅，該圓盤的上表面定義出一拍攝區、一雌性區及一雄性區，且分別包含至少一該間格。
如請求項1所述之果實蠅性別區分轉盤組，其中還包含一頂盤及一底盤與該圓盤同軸設置，該頂盤與該底盤固定連接，而該圓盤可旋轉地設於該頂盤及該底盤之間。
如請求項2所述之果實蠅性別區分轉盤組，其中該圓盤還設有複數個定位柱，該些定位柱垂直該圓盤的上表面並以該圓盤的圓心間隔環繞排列，而該頂盤的上表面設有一孔洞用以穿設一光遮斷感測器，該光遮斷感測器對應其中一該定位柱設置。
如請求項2所述之果實蠅性別區分轉盤組，其中該底盤設有二缺口，該二缺口分別對應該雌性區及該雄性區。
一種果實蠅性別區分系統，包含：<br/> 一影像擷取模組，連接一辨識模組；<br/> 一如請求項1至4任一項所述之果實蠅性別區分轉盤組，設置於該影像擷取模組的下方，該影像擷取模組對應該果實蠅性別區分轉盤組的一拍攝區；<br/> 一分流集收模組，鄰近於該果實蠅性別區分轉盤組，該分流集收模組包含二集收盒，該二集收盒分別對應該果實蠅性別區分轉盤組的一雌性區及一雄性區；以及<br/> 一控制模組，與該分流集收模組及該影像擷取模組連接。
如請求項5所述之果實蠅性別區分系統，其中該辨識模組經由一第八版即時單次物件偵測模型（YOLOv8）及一卷積區塊注意力模型（CBAM）訓練所得。
一種之果實蠅性別分流方法，係使用如請求項5或6所述之果實蠅性別區分系統，其步驟包含：<br/> 一置放步驟，將複數個果實蠅依序放入一果實蠅性別區分轉盤組，位於一置放區的複數個間格，各該間格容納一該果實蠅；<br/> 一拍攝步驟，一影像擷取模組擷取位於一拍攝區的一該間格之影像，並將該影像傳送至一辨識模組；<br/> 一辨識步驟，該辨識模組根據該影像將該間格設定一雌性變數或一雄性變數；<br/> 一轉動步驟，該果實蠅性別區分轉盤組正向轉動一間格的距離，使各該雌性變數或各該雄性變數減去1；以及<br/> 一集收步驟，一控制模組判讀位於該雌性區及該雄性區的該些間格，並在讀取到該些雌性變數及該些雄性變數為0時，驅動一分流集收模組將該些間格中的果實蠅分別推送至二集收盒。
如請求項7所述之果實蠅性別分流方法，其中該拍攝步驟與該辨識步驟之間還包含一校正步驟，該果實蠅性別區分轉盤組反向轉動使已拍攝之該間格標定一初始標記。
如請求項7所述之果實蠅性別分流方法，其中該辨識步驟還包含該辨識模組根據該影像將該間格標示一空拍標記。
如請求項9所述之果實蠅性別分流方法，其中還包含一終止步驟，該控制模組連續讀取三該間格為空拍標記後，停止該影像擷取模組繼續拍攝。
一種相位移位器，包含：<br/> 一切換電路，用以將一第一輸入訊號輸出為一第一訊號與一第二訊號中的一者以及一第三訊號與一第四訊號中的一者，並將一第二輸入訊號輸出為該第一訊號與該第二訊號中的另一者以及該第三訊號與該第四訊號中的另一者；<br/> 複數個放大器電路，用以接收該第一訊號、該第二訊號、該第三訊號與該第四訊號，根據該第一訊號與該第二訊號產生複數個第一放大訊號，並根據該第三訊號與該第四訊號產生複數個第二放大訊號；以及<br/> 一相位產生器電路，用以接收該複數個第一放大訊號與該複數個第二放大訊號，根據該複數個第一放大訊號中的一者與該複數個第二放大訊號中的一者產生一同相訊號，並根據該複數個第一放大訊號中的另一者與該複數個第二放大訊號中的另一者產生一正交訊號。
如請求項1之相位移位器，其中該切換電路包含：<br/> 一第一開關群組，用以將該第一輸入訊號輸出為該第一訊號與該第二訊號中的該者，並用以將該第二輸入訊號輸出為該第一訊號與該第二訊號中的該另一者；以及<br/> 一第二開關群組，用以將該第一輸入訊號輸出為該第三訊號與該第四訊號中的該者，並用以將該第二輸入訊號輸出為該第三訊號與該第四訊號中的該另一者。
如請求項2之相位移位器，其中該第一開關群組包含：<br/> 一第一開關，用以將該第一輸入訊號輸出為該第一訊號；<br/> 一第二開關，用以將該第二輸入訊號輸出為該第一訊號；<br/> 一第三開關，用以將該第一輸入訊號輸出為該第二訊號；以及<br/> 一第四開關，用以將該第二輸入訊號輸出為該第二訊號。
如請求項1之相位移位器，其中該複數個放大器電路耦接於該切換電路與該相位產生器電路之間。
如請求項1之相位移位器，其中該相位產生器電路用以對該複數個第一放大訊號進行濾波以產生一第一輸出訊號與一第二輸出訊號，對該複數個第二放大訊號進行濾波以產生一第三輸出訊號與一第四輸出訊號，組合該第一輸出訊號與該第三輸出訊號以產生該同相訊號，並組合該第二輸出訊號與該第四輸出訊號為該正交訊號。
如請求項1之相位移位器，其中該相位產生器電路包含：<br/> 一第一濾波器電路，用以對該複數個第一放大訊號中的一者進行濾波，以產生一第一輸出訊號；<br/> 一第二濾波器電路，用以對該複數個第一放大訊號中的另一者進行濾波，以產生一第二輸出訊號；<br/> 一第三濾波器電路，用以對該複數個第二放大訊號中的一者進行濾波，以產生一第三輸出訊號；<br/> 一第四濾波器電路，用以對該複數個第二放大訊號中的另一者進行濾波，以產生一第四輸出訊號，<br/> 其中該第一輸出訊號與該第三輸出訊號在一第一輸出節點上組合為該同相訊號，且該第二輸出訊號與該第四輸出訊號在一第二輸出節點上組合為該正交訊號。
如請求項6之相位移位器，其中該第一濾波器電路包含：<br/> 一電容，其中該電容的一第一端接收該複數個第一放大訊號中的該者，且該電容的一第二端耦接至地；以及<br/> 一電阻，其中該電阻的一第一端接耦接至該電容的該第一端，且該電阻的一第二端耦接至該第一輸出節點，並用以輸出該第一輸出訊號。
如請求項6之相位移位器，其中該第三濾波器電路包含：<br/> 一電阻，其中該電阻的一第一端接收該複數個第二放大訊號中的該者，且該電阻的一第二端耦接至地；以及<br/> 一電容，其中該電容的一第一端耦接至該電阻的該第一端，且該電容的一第二端耦接至該第一輸出節點，並用以輸出該第三輸出訊號。
如請求項6之相位移位器，其中該第一濾波器電路與該第二濾波器電路中的每一者為一低通濾波器電路，且該第三濾波器電路與該第四濾波器電路中的每一者為一高通濾波器電路。
如請求項1之相位移位器，其中該相位產生器電路包含複數個電阻電容濾波器電路。
一種動脈粥狀硬化病變辨識方法，其包含：<br/> 利用一顯影劑對一發炎部位進行一顯影，以獲得該發炎部位之一功能性大範圍熱點；以及<br/> 在該功能性大範圍熱點所對應之範圍內進行一電腦斷層掃描，並依據一亨式單位值(HU)範圍，對該電腦斷層掃描影像進行分析，以精準定位找出位於該功能性大範圍熱點中血管之位置。
如請求項1所述之動脈粥狀硬化病變辨識方法，其中該顯影劑係為<sup>68</sup>Ga-APD顯影劑。
如請求項1所述之動脈粥狀硬化病變辨識方法，其中該顯影之方法包含正子斷層造影/電腦斷層掃描(PET/CT)及/或單光子發射電腦斷層造影/電腦斷層掃描(SPECT/CT)。
如請求項1所述之動脈粥狀硬化病變辨識方法，其中該亨式單位值(HU)範圍為15~30。
一種利用人工智慧多參數執行約束監測與決策之方法，配合複數約束帶執行於一目標對象，該利用人工智慧多參數執行約束監測與決策之方法包含以下步驟：<br/> 經由一人機介面輸入一鬆綁時間訊息及下列至少一基本參數：一約束位置訊息、一躁動評估訊息、一施加管路訊息及一用藥訊息；<br/> 在每一所述約束帶設置一偵測單元，偵測該目標對象之下列至少一動態參數：一心跳訊息、一血氧訊息、一拉力訊息與一拉扯次數訊息；<br/> 一人工智慧邊緣運算平台接收上述基本參數與上述動態參數，經一人工智慧軟體而輸出一約束提示訊息至一電子裝置，該人工智慧邊緣運算平台係執行該人工智慧軟體，該人工智慧軟體透過一機器學習而產生，該機器學習係藉由大量已知的該約束位置訊息、該躁動評估訊息、該施加管路訊息、該用藥訊息、該心跳訊息、該血氧訊息、該拉力訊息與該拉扯次數訊息之間的多種不同組合所對應的醫囑與臨床護理處置資料，以其中百分之七十為訓練資料，百分之三十為驗證資料，以開發該人工智慧軟體，該約束提示訊息包含：一掙脫預測訊息、一鬆綁提示訊息、一約束位置建議訊息及一用藥建議訊息。
如請求項1所述之利用人工智慧多參數執行約束監測與決策之方法，其中，所述躁動評估訊息係為下列之一：一鎮靜程度指數(Richmond Agitation-Sedation Scale，RASS)、一昏迷指數(Glasgow Coma Scale，GCS)、一譫妄評估（Confusion Assessment Method for the Intensive Care Unit，CAM-ICU）、一疼痛指數(Pain Scale)。
如請求項1所述之利用人工智慧多參數執行約束監測與決策之方法，其中，該人工智慧邊緣運算平台係另連接一雲端平台，該雲端平台輸出一運算結果至該人工智慧邊緣運算平台及/或該電子裝置。
一種利用人工智慧多參數執行約束監測與決策之系統，配合複數約束帶執行於一目標對象，包含：<br/> 一人機介面，供輸入一鬆綁時間訊息及下列至少一基本參數：一約束位置訊息、一躁動評估訊息、一施加管路訊息及一用藥訊息；<br/> 複數約束帶，所述每一約束帶設置有一偵測單元，該偵測單元偵測該目標對象之下列至少一動態參數：一心跳訊息、一血氧訊息、一拉力訊息與一拉扯次數訊息；<br/> 一人工智慧邊緣運算平台，訊號連接前述人機介面與所述偵測單元，該人工智慧邊緣運算平台執行一人工智慧軟體，該人工智慧軟體透過一機器學習而產生，該機器學習係藉由大量已知的該約束位置訊息、該躁動評估訊息、該施加管路訊息、該用藥訊息、該心跳訊息、該血氧訊息、該拉力訊息與該拉扯次數訊息之間的多種不同組合所對應的醫囑與臨床護理處置資料，以其中百分之七十為訓練資料，百分之三十為驗證資料，以開發該人工智慧軟體，該人工智慧軟體接受上述基本參數與上述動態參數，經運算而輸出一約束提示訊息，該約束提示訊息包含：一掙脫預測訊息、一鬆綁提示訊息、一約束位置建議訊息及一用藥建議訊息；<br/> 一電子裝置，訊號連接該人工智慧邊緣運算平台，該電子裝置接收上述約束提示訊息。
如請求項4所述之利用人工智慧多參數執行約束監測與決策之系統，其中該人工智慧邊緣運算平台係另訊號連接一雲端平台，該雲端平台執行運算而輸出一運算結果至該人工智慧邊緣運算平台及/或該電子裝置。
如請求項4所述之利用人工智慧多參數執行約束監測與決策之系統，其中，所述約束帶有相對的一內表面及一外表面，該內表面凹設有一容置槽，所述偵測單元可拆卸地設置於該容置槽並接觸該目標對象。
如請求項6所述之利用人工智慧多參數執行約束監測與決策之系統，其中，有一結合部設置於該外表面，當該約束帶經由一展開狀態而穿戴於該目標對象的肢體，並經由該結合部而使該約束帶暫時固定於該目標對象的肢體而切換為一使用狀態，所述偵測單元在該使用狀態下開始對目標對象偵測所述動態參數。
如請求項7所述之利用人工智慧多參數執行約束監測與決策之系統，其中，該結合部係相配合的一雙D扣環及一頤帶，該雙D扣環包含一帶體及結合於該帶體的一第一扣環及一第二扣環。
如請求項7所述之利用人工智慧多參數執行約束監測與決策之系統，其中，該結合部係相配合的一公插扣及一母插扣。
一種熱塑性回收料的再利用方法，包含：<br/> 一步驟(a)，混煉一熱塑性回收料及一配方，其中，該熱塑性回收料的用量為50重量份至90重量份且重均分子量為40,000g/mol至90,000g/mol，該配方包括多顆熱塑性聚氨酯粒及一擴鏈劑，該等熱塑性聚氨酯粒的用量為10重量份至50重量份且重均分子量為80,000g/mol至200,000g/mol，該擴鏈劑的用量為0.5重量份至2重量份且選自於苯乙烯-馬來酸酐共聚物、官能度為3以上且小於8的多官能環氧基共聚物，以及官能度為3以上且小於8的多官能聚異氰酸酯的其中至少一種；及<br/> 一步驟(b)，進行造粒而得到多顆有機高分子粒狀物。
如請求項1所述的熱塑性回收料的再利用方法，其中，該熱塑性回收料是回收自一經3D列印且包括熱塑性聚氨酯的部件。
如請求項2所述的熱塑性回收料的再利用方法，其中，該3D列印是選擇性雷射燒結。
如請求項1所述的熱塑性回收料的再利用方法，其中，該步驟(a)是於160℃至210℃進行。
如請求項1所述的熱塑性回收料的再利用方法，還包含一步驟(c)，熔融該等有機高分子粒狀物並與超臨界流體混合後射出成型一成品。
如請求項5所述的熱塑性回收料的再利用方法，其中，該等有機高分子粒狀物在190℃且剪切速率為50s<sup>-1</sup>的剪切黏度為270cP至1000cP，在190℃且剪切速率為500s<sup>-1</sup>的剪切黏度為200cP至600cP，在190℃且剪切速率為2000s<sup>-1</sup>的剪切黏度為150cP至350cP。
如請求項5所述的熱塑性回收料的再利用方法，其中，該步驟(c)是於200℃至220℃熔融該等有機高分子粒狀物。
如請求項5所述的熱塑性回收料的再利用方法，其中，該步驟(c)是於180℃至220℃且壓力為20kg/cm<sup>2</sup>至100kg/cm<sup>2</sup>的工作條件下射出成型。
一種編碼裝置，包含：<br/> 記憶體；及<br/> 電路，連接於前述記憶體，並且配置來進行以下動作：<br/> 從複數個表格中選擇一第1表格，每個前述表格將複數個索引與各自的補正值建立關聯，每個前述表格是使用來改變包含於一圖片的一當前區塊之一移動向量；<br/> 將一參數寫入至一位元流，前述參數是表示在前述第1表格的複數個索引之中的一第1索引；<br/> 特定出與前述第1索引相關聯的一補正值；<br/> 藉由前述補正值在一預定的方向上改變前述移動向量；及<br/> 基於已改變的前述移動向量來編碼前述當前區塊；<br/> 其中在複數個前述補正值之中的2個前述補正值之間的差異是因表格而變化，且在每個前述表格中的前述2個補正值與相同的2個索引相關聯，<br/> 且前述第1表格包含複數個子像素補正值與複數個整數像素補正值。
一種解碼裝置，包含：<br/> 記憶體；及<br/> 電路，連接於前述記憶體，並且配置來進行以下動作：<br/> 從複數個表格來選擇一第1表格，每個前述表格將複數個索引與各自的補正值建立關聯，每個前述表格是使用來改變包含於一圖片的一當前區塊之一移動向量；<br/> 解析表示從前述第1表格所包含的複數個索引之中被選擇的一第1索引之一參數；<br/> 特定出與前述第1索引相關聯的一補正值；<br/> 藉由前述補正值在一預定的方向上改變前述移動向量；及<br/> 基於已改變的前述移動向量來解碼前述當前區塊；<br/> 其中在複數個前述補正值之中的2個前述補正值之間的差異是因表格而變化，且在每個前述表格中的前述2個補正值與相同的2個索引相關聯，<br/> 且前述第1表格包含複數個子像素補正值與複數個整數像素補正值。
一種非暫時性電腦可讀取之媒體，其儲存一位元流，前述位元流包含一解碼裝置執行一預測處理所根據的預測資訊，前述預測處理包含：<br/> 從複數個表格來選擇一第1表格，每個前述表格將複數個索引與各自的補正值建立關聯，每個前述表格是使用來改變包含於一圖片的一當前區塊之一移動向量；<br/> 解析表示從前述第1表格所包含的複數個索引之中被選擇的一第1索引之一參數；<br/> 特定出與前述第1索引相關聯的一補正值；及<br/> 藉由前述補正值在一預定的方向上改變前述移動向量，<br/> 其中前述當前區塊是基於已改變的前述移動向量而被解碼，<br/> 在複數個前述補正值之中的2個前述補正值之間的差異是因表格而變化，且在每個前述表格中的前述2個補正值與相同的2個索引相關聯，<br/> 且前述第1表格包含複數個子像素補正值與複數個整數像素補正值。
一種金屬有機框架纖維之製作方法，其步驟包含：<br/> 將一六水硝酸鎂與一三水硝酸銅以一莫耳數比溶於一溶劑，並攪拌取得一雙金屬溶液；<br/> 將一碳溶液加入該雙金屬溶液取得一混合液；<br/> 將一均苯三甲酸溶液加入該混合液取得一前驅液； <br/> 將該前驅液置於一高溫高壓釜加熱，並以2至3大氣壓下恆溫12至18小時，取得一含碳材強化雙金屬有機框架化合物；<br/> 將該含碳材之雙金屬有機框架化合物、一聚乙烯醇及一水混合形成一紡絲溶液；及<br/> 取該紡絲溶液，並利用一靜電紡絲製程，噴塗一奈米纖維於一高分子聚合物材料之表面，形成一金屬有機框架纖維；<br/> 其中，該莫耳數比係介於1：2至1：4之間，該含碳材之雙金屬有機框架化合物之化學式係MgCu<sub>X</sub>-BTC@Y，其2≤X≤4，Y為C或G，當Y為C時，該碳溶液包含一活性碳，當Y為G時，該碳溶液包含一石墨烯。
如請求項1所述之製作方法，於將一六水硝酸鎂與一三水硝酸銅以一莫耳數比溶於一溶劑之步驟中，該溶劑為一醇類及該水混合，該醇類係一甲醇、一乙醇或一異丙醇。
如請求項1所述之製作方法，於將該前驅液置於一高溫高壓釜加熱之步驟中，該高溫高壓釜加熱至120度至180度之間。
如請求項1所述之製作方法，於取該紡絲溶液，並利用一靜電紡絲製程之步驟中，該靜電紡絲製程之施加電壓為25kV，該靜電紡絲製程的時間為100分鐘，該靜電紡絲製程之流速為80ml/min。
一種金屬有機框架纖維之用途，其係貼附於一濾網基材上，並用於分解甲苯，其中，該金屬有機框架纖維係將包含一含碳材之雙金屬有機框架化合物之一紡絲溶液透過一靜電紡織製程噴塗於一高分子聚合物材料之表面所形成，該含碳材之雙金屬有機框架化合物化學式係MgCu<sub>X</sub>-BTC@Y，其2≤X≤4，Y為C或G，C係活性碳，G係石墨烯。
一種金屬有機框架纖維之用途，其係貼附於一濾網基材上，並用於吸附揮發性有機化合物，其中，該金屬有機框架纖維係將包含一含碳材之雙金屬有機框架化合物之一紡絲溶液透過一靜電紡絲製程噴塗於一高分子聚合物材料之表面所形成，該含碳材之雙金屬有機框架化合物化學式係MgCu<sub>X</sub>-BTC@Y，其2≤X≤4，Y為C或G，C係活性碳，G係石墨烯。
一種過濾分解濾網，其係用於分解甲苯之一裝置，其結構包含：<br/> 一過濾基材；及<br/> 一雙金屬有機框架纖維，其係設置於該濾網基材之上，該雙金屬有機框架纖維對應之一含碳材之雙金屬有機框架化合物化學式係MgCu<sub>X</sub>-BTC@Y，其2≤X≤4，Y為C或G，C係活性碳，G係石墨烯；<br/> 其中，該雙金屬有機框架纖維係以該含碳材之雙金屬有機框架化合物經由一靜電紡絲製程所製成。
如請求項7所述之過濾分解濾網，其中該裝置係一空氣清淨機或一冷氣。
一種嵌入式連接鏡框與鏡腳之眼鏡，包含：<br/>一鏡框，該鏡框具有一正面、一背面與一對連接座，各該連接座設於該鏡框之左右兩外側且由該正面朝該背面方向凸伸，其凸伸之端面形成一抵止面，各該連接座具有面向配戴者之一裝卸面、面向底部之一連接座底面和面向頂部之一連接座頂面，該連接座底面設有一軸孔，該軸孔貫穿至該連接座頂面或該軸孔為盲孔之孔底端面與該連接座頂面相隔一間距而不貫穿；<br/>一對導槽，各設於該抵止面之一展開位置且延伸至該裝卸面之一收合位置，該導槽底部與該軸孔相連通，由該連接座底面視角觀看，該軸孔之中心軸線至該展開位置起，延伸至該收合位置形成一開合調整角之扇形角度；<br/>一對裝卸槽，各具有相連之一延伸部與一開槽部，各該延伸部係由該裝卸面之該導槽沿著該開合調整角的軌跡繼續延伸至一延伸位置而形成一裝卸角，該開槽部係自該延伸位置至該軸孔空間相通之切槽；<br/>一對連接件，各具有一第一連接部、一身部與一末端部，該第一連接部與該末端部分別設置於該身部之頭尾兩端，該第一連接部具有一連接臂與一軸桿，該連接臂一端連接該軸桿，另一端連接該身部，該身部為受外力後彎曲變形且移除該外力後回復原狀之彈性材質製品，該軸桿之軸頂面及/或軸底面具有磁吸力；及<br/>一對鏡腳，各該鏡腳之頭部連接於該連接件之該末端部；<br/>其中，安裝各該連接件於對應之各該連接件時，施加該外力以彎折該身部，使該連接臂之中心軸與該鏡腳之鏡腳長軸形成一夾角，並將該軸桿由該連接座底面穿入該軸孔，同時將該連接臂通過該開槽部置入該延伸部內，再移除該外力後，藉由該身部之材料回復力使該連接臂中心軸與該鏡腳長軸恢復成原始夾角，使該連接臂以該軸孔內之該軸桿為軸心，經該延伸部而轉入該導槽之該開合調整角內移動，當該連接臂轉至該展開位置時，該身部之一前端抵住該抵止面，當該連接臂轉至該收合位置時，該鏡腳尾部之表面抵住該鏡框之該背面。
如請求項1所述嵌入式連接鏡框與鏡腳之眼鏡，其中，該軸桿為一磁件材質製品。
如請求項1所述嵌入式連接鏡框與鏡腳之眼鏡，其中，該軸桿為一空心套筒並於該空心套筒內插入一磁性件。
如請求項1所述嵌入式連接鏡框與鏡腳之眼鏡，其中，該軸桿頂部或底部設有一凹座，且於該凹座嵌入一磁性件。
如請求項1所述嵌入式連接鏡框與鏡腳之眼鏡，其中，該連接件之該身部兩側邊設有相錯位之溝槽，用以增加該身部之彎折角度。
如請求項1所述嵌入式連接鏡框與鏡腳之眼鏡，其中，該身部之該前端具有一抵靠面，當該連接件轉至該展開位置時該抵靠面抵住該抵止面。
如請求項1所述嵌入式連接鏡框與鏡腳之眼鏡，其中，該連接件與該鏡腳為一體成形之結構體。
如請求項1所述嵌入式連接鏡框與鏡腳之眼鏡，其中，該連接件之該末端部與該鏡腳之該頭部間以一公母接頭可分離地接合。
如請求項8所述嵌入式連接鏡框與鏡腳之眼鏡，其中，該公母接頭係於該末端部設凸出之一T形凸塊，且於該鏡腳之該頭部設置對應該T形凸塊之一凹槽。
如請求項8所述嵌入式連接鏡框與鏡腳之眼鏡，其中，該公母接頭係於該鏡腳之該頭部設凸出之一T形凸塊，且於該鏡腳之該末端部設置對應該T形凸塊之一凹槽。
一種高爾夫球桿頭，包含：<br/> 一球頭本體，圍繞界定出一內部空間；及<br/> 一打擊面板，設置於該球頭本體上，並具有一面向該內部空間的背面，及一相反於該背面而位於該內部空間外的擊球面，該打擊面板形成複數由該背面朝該擊球面延伸但不貫穿該擊球面的微結構槽。
如請求項1所述的高爾夫球桿頭，其中，該打擊面板之每一微結構槽的直徑為0.01mm至5mm。
如請求項1所述的高爾夫球桿頭，其中，該打擊面板之每一微結構槽的深度為0.02mm至2mm。
如請求項1所述的高爾夫球桿頭，其中，該打擊面板之該等微結構槽的分布密度是由該背面的邊緣往中央逐漸降低。
一種高爾夫球桿頭的加工方法，包含：<br/> 一成型步驟，製得一高爾夫球桿頭，該高爾夫球桿頭包括一圍繞界定出一內部空間的球頭本體，及一設置於該球頭本體上的打擊面板，該打擊面板具有一面向該內部空間的背面，及一相反於該背面而位於該內部空間外的擊球面；及<br/> 一開槽步驟，對該背面進行加工，以在該背面形成複數由該背面朝該擊球面延伸但不貫穿該擊球面的微結構槽。
如請求項5所述高爾夫球桿頭的加工方法，其中，在該開槽步驟中，每一微結構槽的直徑為0.01mm至5mm。
如請求項5所述高爾夫球桿頭的加工方法，其中，在該開槽步驟中，每一微結構槽的深度為0.02mm至2mm。
如請求項5所述高爾夫球桿頭的加工方法，其中，在該開槽步驟中，該等微結構槽的分布密度是由該背面的邊緣往中央逐漸降低。
如請求項5所述高爾夫球桿頭的加工方法，其中，在該開槽步驟中，是以雷射雕刻方式開設出該等微結構槽。
一種使用複數個夾持臂調整一半導體元件壓靠在一引線接合機上的一支撐結構上的夾持的方法，該方法包括以下步驟： <br/>（a）在該半導體元件的複數個位置處，檢測該半導體元件相對於該支撐結構的一懸浮指標；以及 <br/>（b）根據一夾持力設定，基於該步驟（a）的結果，調整該半導體元件壓靠在該支撐結構上的夾持，該夾持力設定執行以下的至少一種（i）對該等夾持臂的每一個施加不同量的力（ii）對該等夾持臂的每一個施加不同的z軸位置。
如請求項1所述之方法，其中，該步驟（a）和該步驟（b）是作為一引線接合操作的一設置部分而執行的。
如請求項1所述之方法，其中，該步驟（a）和該步驟（b）連同一引線接合操作，以一預定間隔被重複。
如請求項1所述之方法， <br/>其中，該半導體元件壓靠在該支撐結構上的夾持由一裝置夾持件提供，以及 <br/>其中，該步驟（b）包含以該裝置夾持件來調整夾持。
如請求項1所述之方法， <br/>其中，該半導體元件相對於該支撐結構的該懸浮指標是一懸浮高度測量，以及 <br/>其中，該步驟（a）包括以下步驟： <br/>（a1）使用通過該引線接合機的一引線接合工具施加的一按壓力，將該半導體元件的一對應部分壓靠在該支撐結構上；以及 <br/>（a2）釋放該按壓力的至少一部分，以檢測在該半導體元件的該等位置中的各個位置處的該懸浮高度測量。
如請求項5所述之方法，其中，在該步驟（a2）中，將一減小的按壓力施加到該半導體元件的該對應部分，同時在該半導體元件的該等位置中的各個位置處檢測該懸浮高度測量，該減小的按壓力小於該按壓力。
如請求項1所述之方法， <br/>其中，該半導體元件相對於該支撐結構的該懸浮指標是一懸浮高度測量，以及 <br/>其中，該步驟（a）包括以下步驟： <br/>（a1）在該引線接合機的一引線接合工具的下降期間，檢測該半導體元件的一對應部分與該引線接合工具之間的接觸； <br/>（a2）在檢測該半導體元件的該對應部分壓靠在該支撐結構上的同時，繼續降低該引線接合工具；以及 <br/>（a3）使用在該步驟（a1）和該步驟（a2）中獲取的位置資訊，檢測在該半導體元件的該對應部分處的該懸浮高度測量。
如請求項1所述之方法，其中，該懸浮指標與（i）在該半導體元件的該等位置中的每個位置處的該半導體元件的一對應部分和（ii）該支撐結構之間的距離有關。
一種確定用於將一半導體元件夾持至一引線接合機上的一所需夾持力設定的方法，該方法包括以下步驟： <br/>（a）使用該引線接合機的一裝置夾持件以複數個夾持力設定將該半導體元件夾持壓靠在該引線接合機的一支撐結構上，該裝置夾持件包含複數個夾持臂； <br/>（b）在該等夾持力設定的每一個上檢測該半導體元件的複數個位置的一懸浮值；以及 <br/>（c）使用從該步驟（b）獲得的資料，確定用於將該半導體元件夾持在該引線接合機上的該所需夾持力設定，該所需夾持力設定執行以下的至少一種（i）對該等夾持臂的每一個施加不同量的力（ii）對該等夾持臂的每一個施加不同的z軸位置。
如請求項9所述之方法，其中，該半導體元件包含複數個半導體晶粒，以及該裝置夾持件定義複數個開孔，用於在一引線接合操作期間接觸該等半導體晶粒。
如請求項9所述之方法，其中，該步驟（b）包括以下步驟： <br/>（b1）使用通過該引線接合機的一引線接合工具施加的一按壓力，將該半導體元件的一對應部分壓靠在該支撐結構上；以及 <br/>（b2）釋放該按壓力的至少一部分，以檢測在該半導體元件的該等位置中的各個位置處的該懸浮值。
如請求項11所述之方法，其中，在該步驟（b2）中，將一減小的按壓力施加到該半導體元件的該對應部分，同時在該半導體元件的該等位置中的各個位置處檢測該懸浮值，該減小的按壓力小於該按壓力。
如請求項9所述之方法，其中，該步驟（a）包括以下步驟： <br/>（a1）降低該引線接合機的一引線接合工具，並檢測該半導體元件的一對應部分與該引線接合工具之間的接觸； <br/>（a2）繼續降低該引線接合工具，直到檢測到該半導體元件的該對應部分壓靠在該支撐結構上；以及 <br/>（a3）使用在該步驟（a1）和該步驟（a2）中獲取的位置資訊，檢測在該半導體元件的該對應部分處的該懸浮值。
如請求項9所述之方法，其中，該懸浮值與（i）在該半導體元件的該等位置中的每個位置處的該半導體元件的一對應部分和（ii）該支撐結構之間的距離有關。
一種海綿鐵之製造方法，係將氧化鐵粉末與碳質還原粉末裝入容器中，藉由加熱將上述氧化鐵粉末還原而製造海綿鐵的方法； <br/>其對上述碳質還原粉末使用CuK<sub>α</sub>線施行粉末X射線繞射，從所獲得繞射圖案中根據相當於石墨結晶(002)繞射面的繞射尖峰，由下述數式(1)求得的晶粒大小L係0.01nm以上且25.0nm以下； <br/>[數1] <br/>L<img align="absmiddle" height="17px" width="24px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> ・・・(1) <br/>其中，K係謝樂常數0.9，λ係CuK<sub>α</sub>線的波長0.15418(nm)，B係上述繞射尖峰的半峰寬(rad)，θ係相當於石墨結晶(002)繞射面的布拉格角(度)。
如請求項1之海綿鐵之製造方法，其中，上述晶粒大小L係0.05nm以上且20.0nm以下。
一種半導體裝置，包含：<br/>在通道形成區域中含有矽之第一電晶體；<br/>在通道形成區域中含有氧化物半導體之第二電晶體；以及<br/>電容器，<br/>其中，該第一電晶體的閘極與該第二電晶體的源極區域和汲極區域中的一者藉由第一導電層電連接，並且<br/>其中，該第一導電層位於與該第二電晶體的閘極電極同一平面上。
一種半導體裝置，包含：<br/>在通道形成區域中含有矽之第一電晶體；<br/>在通道形成區域中含有氧化物半導體之第二電晶體；以及<br/>電容器，<br/>其中，該第一電晶體的閘極、該第二電晶體的源極區域和汲極區域中的一者以及該電容器的一個電極電連接；<br/>第一絕緣層，位於該第一電晶體的通道形成區域的上方；<br/>第一導電層，具有與該第一絕緣層之頂面接觸的區域，且被用作該電容器的一個電極；<br/>第二絕緣層，位於該第一導電層的上方；<br/>第三導電層，具有位於該第二絕緣層之上方的區域，且被用作該電容器的另一個電極；<br/>第三絕緣層，位於該第三導電層的上方；<br/>第四導電層，具有與該第三絕緣層之頂面接觸的區域，且被用作該第二電晶體的閘極電極；<br/>第五導電層，具有與該第三絕緣層之頂面接觸的區域；<br/>第四絕緣層，具有與該第四導電層之頂面接觸的區域及與該第五導電層之頂面接觸的區域；<br/>氧化物半導體層，具有與該第四導電層重疊的區域，且具有該第二電晶體的通道形成區域；以及<br/>第六導電層，具有位於該氧化物半導體層的上方的區域，且與該第二電晶體的源極區域和汲極區域電連接，<br/>其中，該第六導電層藉由該第五導電層與該第一導電層電連接，<br/>其中，該第一導電層具有與該第一電晶體的通道形成區域重疊的區域，並且<br/>其中，該第三導電層具有與該第一電晶體的通道形成區域重疊的區域。
一種半導體裝置，包含：<br/>在通道形成區域中含有矽之第一電晶體；<br/>在通道形成區域中含有氧化物半導體之第二電晶體；以及<br/>電容器，<br/>其中，該第一電晶體的閘極、該第二電晶體的源極區域和汲極區域中的一者以及該電容器的一個電極電連接，<br/>其中，該第一電晶體的源極區域和汲極區域中的一者與該第二電晶體的源極區域和汲極區域中的另一者電連接；<br/>第一絕緣層，位於該第一電晶體的通道形成區域的上方；<br/>第一導電層，具有與該第一絕緣層之頂面接觸的區域，且被用作該電容器的一個電極；<br/>第二絕緣層，位於該第一導電層的上方；<br/>第三導電層，具有位於該第二絕緣層之上方的區域，且被用作該電容器的另一個電極；<br/>第三絕緣層，位於該第三導電層的上方；<br/>第四導電層，具有與該第三絕緣層之頂面接觸的區域，且被用作該第二電晶體的閘極電極；<br/>第五導電層，具有與該第三絕緣層之頂面接觸的區域；<br/>第四絕緣層，具有與該第四導電層之頂面接觸的區域及與該第五導電層之頂面接觸的區域；<br/>氧化物半導體層，具有與該第四導電層重疊的區域，且具有該第二電晶體的通道形成區域；以及<br/>第六導電層，具有位於該氧化物半導體層的上方的區域，且與該第二電晶體的源極區域和汲極區域電連接，<br/>其中，該第六導電層藉由該第五導電層與該第一導電層電連接，<br/>其中，該第一導電層具有與該第一電晶體的通道形成區域重疊的區域，並且<br/>其中，該第三導電層具有與該第一電晶體的通道形成區域重疊的區域。
如請求項2或3之半導體裝置，包含：<br/>第二導電層，與該第一絕緣層之頂面接觸。
如請求項2或3之半導體裝置，其中，該氧化物半導體層包含銦。
如請求項2或3之半導體裝置，其中：<br/>該氧化物半導體層包含結晶部；以及<br/>該結晶部的尺寸為1nm以上且10nm以下。
如請求項2或3之半導體裝置，其中，該第四導電層與該第五導電層具有相同的材料。
一種定位扣件，包括：<br/> 一基座，包括一主體且該主體內部具有一容置腔，該主體頂面具有與該容置腔連通的限位孔及向上延伸的至少一導板，且該容置腔中設有一收納槽，於該主體底側具有一固定部； <br/> 一固定件，其穿設於該基座之該容置腔中，該固定件包括自該基座之該限位孔中穿出的頭部且該頭部橫向穿設有一定位桿，而該頭部向下延伸有頸部、桿體、擋止體及定位體，於該頭部外部套設有一彈性件且該彈性件之第一定位端固定於該擋止體中，而該彈性件之第二定位端固定於該基座之該收納槽中；以及<br/> 一套蓋，其內部具有一容納室且該容納室中形成有供該定位桿容置及固定的至少一組裝部，與供該基座之該導板旋動時抵持及定位的至少一導引構造，該導引構造包括有第一定位壁、導弧部及第二定位壁，其中，該定位扣件固定於預設第一板材之第一穿孔中，而該套蓋已預先朝第一方向旋動一預定角度且該彈性件呈現未壓縮及已扭轉變形狀態，受到該彈性件撐抵力而使該固定件的該頭部卡合於該基座之該限位孔處，且該擋止體局部及該定位體自該基座底側外露，而該套蓋與該基座之間形成極小間距，且該基座之該導板位於該套蓋之該第一定位壁處；於鎖扣時將該預設第一板材朝向預設第二板材旋動靠近，外露於該基座底側的該定位體恰可對位於該預設第二板材之第二穿孔並迫入其中，並使該固定件朝遠離該預設第一板材方向推移而使該頸部位於該基座之該限位孔處，便使該彈性件產生扭轉復位旋動及壓縮而使該套蓋及該固定件朝第二方向旋動，而使該套蓋與該基座之間形成較大間距，該基座之該導板由該套蓋該第一定位壁順沿該導弧部滑移至該第二定位壁處形成擋止，而使該固定件之該擋止體收納於該基座之該容置腔中及該定位體抵持於該預設第二板材底側形成鎖固狀態；於解鎖時，再度將該套蓋朝第一方向旋動至預定角度，並使該基座底側的該定位體對位於該預設第二板材之第二穿孔，受到該彈性件產生縱向復位力來使該固定件朝靠近該預設第一板材方向推移，並使該固定件的該頭部重新卡合於該基座之該限位孔處，且該擋止體局部及該定位體自該基座底側外露，而便於將該定位體與該預設第二板材分離。
如請求項1所述之定位扣件，其中該基座之該固定部係為透過衝壓鉚合或焊接固定於該預設第一板材之該第一穿孔中。
如請求項1所述之定位扣件，其中該基座之該固定部一側具有呈削切狀之防轉面，且該預設第一板材之該第一穿孔對應該固定部之該防轉面處形成有一擋止邊。
如請求項1所述之定位扣件，其中該基座之該主體上設有二導板且該套蓋內對應具有二導引構造，於該二導板之間形成有呈橢圓形的該限位孔，而供該彈性件之該第二定位端穿設固定的該收納槽係對位於該二導板之其中一者。
如請求項1所述之定位扣件，其中該固定件之該頭部與該桿體二側皆切削形成有對位面，於該頭部與該桿體之間具有呈收縮圓桿狀的頸部，該頭部頂側透設有供該定位桿穿入的穿槽，且該桿體之該二對位面底側形成有呈圓柱狀的該擋止體，於該擋止體徑向表面設有供該彈性件之第一定位端插設固定的定位孔，及該擋止體向下延伸有呈『T』字型的該定位體，且該定位體於二長邊形成斜削的推抵面及於二短邊形成抵持於該預設第二板材底側的鎖定部。
如請求項1所述之定位扣件，其中該套蓋外觀概呈五邊體，且於五邊體其中一角具有指向凸部，於該指向凸部之二側邊形成有呈凸條及凹槽交錯的止滑構造。
如請求項1所述之定位扣件，其中該套蓋設有二組裝部，該組裝部包括由該容納室開口向底側收縮傾斜的導斜面，該導斜面末端具有較大斜率的定位部，越過該定位部形成有供該定位桿容置的限位槽，該套蓋對應該限位槽二端外部皆設有對抗定位桿穿設時向外撐抵應力的缺孔，於該限位槽中間處具有供該固定件之該頭部頂端抵接且呈圓形的凹陷區。
如請求項1所述之定位扣件，其中該套蓋頂面設有包括箭頭及已解開鎖頭之指示圖像。
一種配送資訊管理方法，其係藉由電子裝置進行者，其包括如下步驟： <br/>確認設置為一個以上之物品之配送地址之第1地址； <br/>針對對應於上述第1地址之第1店鋪，確認上述一個以上之物品之庫存資訊； <br/>基於上述庫存資訊，確認上述一個以上之物品中至少一個物品無法從上述第1店鋪訂購； <br/>向用戶終端傳輸停用上述至少一個物品的訂購之購物車頁面； <br/>自用戶終端獲取將配送地址自上述第1地址變更為第2地址之請求； <br/>針對對應於上述第2地址之第2店鋪，確認上述一個以上之物品之更新庫存資訊； <br/>基於上述更新庫存資訊，確認上述至少一個物品可從上述第2店鋪訂購； <br/>向上述用戶終端傳輸請求是否改變訂購物品之用戶介面；及 <br/>回應於獲取改變上述訂購物品之請求，向上述用戶終端傳輸上述至少一個物品的訂購已啟用之購物車頁面。
如請求項1之配送資訊管理方法，其進而包括如下步驟：於上述第2地址位於上述可配送地域之情形時，將上述配送地址設置為上述第2地址。
如請求項1之配送資訊管理方法，其中將配送地址自上述第1地址變更為第2地址之請求係基於如下之輸入中之至少一者而實現： <br/>在用以輸入上述配送地址之欄位中填寫上述第2地址之輸入； <br/>用以將上述用戶終端之當前位置設置為上述第2地址之輸入；及 <br/>於包括一個以上之地址之儲存清單中選擇上述第2地址之輸入。
如請求項1之配送資訊管理方法，其進而包括如下步驟： <br/>於上述用戶終端上顯示用以選擇上述一個以上之物品之畫面； <br/>於上述用戶終端上顯示用以註冊會員之畫面；及 <br/>自上述用戶終端獲取用戶填寫之地址之資訊。
如請求項4之配送資訊管理方法，其中上述第1地址表示備用地址， <br/>上述第2地址表示上述用戶填寫之地址。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，記錄有用以於電腦中執行如請求項1之方法之程式。
一種電子裝置，其包括： <br/>通訊部； <br/>記憶體；及 <br/>控制部； <br/>上述控制部如下： <br/>確認設置為一個以上之物品之配送地址之第1地址； <br/>針對對應於上述第1地址之第1店鋪，確認上述一個以上之物品之庫存資訊； <br/>基於上述庫存資訊，確認上述一個以上之物品中至少一個物品無法從上述第1店鋪訂購； <br/>向用戶終端傳輸停用上述至少一個物品的訂購之購物車頁面； <br/>自用戶終端獲取將配送地址自上述第1地址變更為第2地址之請求； <br/>針對對應於上述第2地址之第2店鋪，確認上述一個以上之物品之更新庫存資訊； <br/>基於上述更新庫存資訊，確認上述至少一個物品可從上述第2店鋪訂購； <br/>向上述用戶終端傳輸請求是否改變訂購物品之用戶介面；及 <br/>回應於獲取改變上述訂購物品之請求，向上述用戶終端傳輸上述至少一個物品的訂購已啟用之購物車頁面。
一種星型起子頭工具，其主要於該起子頭一端有一驅動端，該驅動端為六角形設計，用以結合手動、氣動或電動工具的驅動部位，將扭矩傳輸至連接驅動端的一星型結構，該星型結構外徑上形成多道驅動部，該驅動部與相鄰的驅動部間呈60°間隔，而閉環形成一可套入一與星型結構外型相配合的凹槽的螺結件，其特徵在於：該每道驅動部主要以其第一夾持點一端連接一第一斜邊，該第一斜邊連接一第二斜邊，並形成一第二夾持點，第二斜邊連接一圓弧，並形成一第三夾持點，該圓弧連接一第三斜邊，並形成一第四夾持點，該第三斜邊連接一第四斜邊，並形成一第五夾持點，該第四斜邊與相鄰的驅動部的第一斜邊閉合。
如申請專利範圍第1項所述之星型起子頭工具，其中，該第四斜邊與第一斜邊閉合，並形成一第一夾持點。
如申請專利範圍第1項所述之星型起子頭工具，其中，該第一斜邊與第二斜邊、第三斜邊與第四斜邊及第一斜邊與第四斜邊間形成的夾角為鈍角。
如申請專利範圍第3項所述之星型起子頭工具，其中，該第一斜邊與第二斜邊、第三斜邊與第四斜邊及第一斜邊與第四斜邊間形成的夾角為大於90°的鈍角，該夾角呈90°~150°為最佳。
一種電療裝置，其包括：<br/> 一機體，該機體內部設有一電路板，該電路板具有一電源件及與該電源件相互電性連接之一電流產生件、複數發光單元，該電流產生件產生頻率範圍為 0.1赫茲至1000赫茲的交流電流，該機體對應各發光單元設有一光療部，該光療部的兩側具有複數磁吸件，又該機體具有一電流控制鈕，該電流控制鈕與該電流產生件電性連接，該電流產生件內建有一電流控制單元，按壓該電流控制鈕經由該電路板控制該電流控制單元產生不同大小的電流；<br/> 一貼片，具有對應各磁吸件數量之複數磁吸扣，各磁吸扣活動的與該機體之各磁吸件連接，且該貼片對應該光療部具有一透光部，又該貼片於相反各磁吸扣的一面具有複數黏貼傳導部，當各磁吸件與各磁吸扣相互快速磁吸結合且該電路板進行運作時，該電流產生件經由各磁吸件與各磁吸扣間的結合來傳導產生之電流至各黏貼傳導部。
如請求項1所述之電療裝置，其中該機體具有一電源鈕及向內凹設有一充電孔，該電源鈕與該電源件電性連接，按壓該電源鈕開啟或關閉該電路板的運作，又該電路板具有一匯流排，該匯流排對應該充電孔且顯露於該充電孔內。
如請求項1所述之電療裝置，其中該複數發光單元係區分包含有照射出光波長為650奈米之低功率發光體及光波長為940奈米之高功率發光體。
一種電療裝置之操作方法，其包括：<br/> 開機步驟：取一機體，該機體內部設有一電路板，該電路板具有一電源件，該機體設有一光療部及與該電源件電性相連之一電源鈕，長按壓該電源鈕使啟動該電源件。<br/> 定位步驟：取一貼片，該貼片對應該光療部具有一透光部，又該貼片於相反各磁吸扣的一面具有複數黏貼傳導部，將該透光部對準患部，並以各黏貼傳導部黏貼於皮膚上。<br/> 連接步驟：該機體之該光療部兩側具有複數磁吸件， 該貼片具有對應各磁吸件數量之複數磁吸扣，將各磁吸扣與各磁吸件相互靠近並磁吸連接。<br/> 療程步驟：該電路板對應該透光部具有與該電源件電性連接之複數發光單元，各發光單元所產生之光線係穿透該透光部並朝向患部位置予以照射，刺激患部毛囊細胞的代謝與活性，同時，當各磁吸件與各磁吸扣相互快速磁吸結合且該電路板進行運作時，該電流產生件經由各磁吸件與各磁吸扣間的結合來傳導產生之電流至各黏貼傳導部，刺激患部的末梢神經，又該機體具有一電流控制鈕，該電流控制鈕與該電流產生件電性連接，該電流產生件內建有一電流控制單元，按壓該電流控制鈕經由該電路板控制該電流控制單元產生不同大小的電流，且該電流產生件產生頻率範圍為 0.1赫茲至1000赫茲的交流電流。<br/> 關機步驟：待使用完畢後，長壓該電源鈕以關閉該電源件。
如請求項4所述之電療裝置之操作方法，其中該機體具有向內凹設有一充電孔，該電路板具有一匯流排，該匯流排對應該充電孔且顯露於該充電孔內。
如請求項4所述之電療裝置之操作方法，其中該複數發光單元係區分包含有照射出光波長為650奈米之低功率發光體及光波長為940奈米之高功率發光體。
一種童鎖控制方法，應用於機器人，所述機器人包括充電狀態和非充電狀態，所述機器人包括至少一個按鍵，該童鎖控制方法包括： <br/>在該機器人處於充電狀態的情況下，接收童鎖啓動指令； <br/>根據該童鎖啓動指令，關閉該按鍵對應的按鍵響應；以及 <br/>在該童鎖啓動的情況下，該機器人轉換到非充電狀態，則開啓該按鍵對應的按鍵響應。
如請求項1的童鎖控制方法，還包括：在該機器人處於充電狀態，且該童鎖啓動的情況下，接收童鎖關閉指令，或關機；以及 <br/>根據該童鎖關閉指令，開啓該按鍵對應的按鍵響應。
如請求項1的童鎖控制方法，該接收童鎖啓動指令還包括： <br/>獲取第一語音信息； <br/>在該第一語音信息包含第一預設語音信息的情況下，接收童鎖啓動指令； <br/>或，接收移動客戶端發送的童鎖啓動指令； <br/>或，響應作用於預設按鍵的第一按壓操作，確定該第一按壓操作對應的第一按壓時長；若該第一按壓時長大於時長閾值，則確定該第一按壓操作對應的童鎖啓動指令；以及 <br/>關閉該按鍵對應的按鍵響應，包括：關閉除預設按鍵之外的按鍵對應的按鍵響應。
如請求項3的童鎖控制方法，更包含確定該第一語音信息是成人發送的語音信息還是兒童發送的語音信息，在確定是成人發送的語音信息後，接收童鎖啓動指令。
如請求項2的童鎖控制方法，其中該接收童鎖關閉指令包括： <br/>獲取第二語音信息； <br/>在該第二語音信息包含第二預設語音信息的情況下，接收童鎖關閉指令； <br/>或，接收移動客戶端發送的童鎖關閉指令； <br/>或，在該童鎖啓動後，響應作用於預設按鍵的第二按壓操作，確定該第二按壓操作對應的第二按壓時長；若該第二按壓時長大於時長閾值，則確定該第二按壓操作對應的童鎖關閉指令。
如請求項1的童鎖控制方法，還包括： <br/>在該童鎖啓動後，響應作用於該按鍵的按壓操作，播放無效告警語音。
一種童鎖控制裝置，應用於機器人，該機器人包括充電狀態、脫離充電座的狀態以及非充電狀態，該機器人包括至少一個按鍵，該童鎖控制裝置包括： <br/>指令接收模組，用於在該機器人處於充電狀態的情況下，接收童鎖啓動指令； <br/>童鎖啓動模組，用於根據該童鎖啓動指令，關閉該按鍵對應的按鍵響應； <br/>該裝置還包括童鎖關閉模組，用於在該童鎖啓動的情況下，該機器人轉換到非充電狀態，則開啓該按鍵對應的按鍵響應。
如請求項7的童鎖控制裝置，其中該童鎖關閉模組還用於：在該機器人處於充電狀態或脫離充電座狀態，且該童鎖啓動的情況下，接收童鎖關閉指令，或關機；以及，根據該童鎖關閉指令，開啓該按鍵對應的按鍵響應。
如請求項7的童鎖控制裝置，其中該指令接收模組還被配置爲執行：獲取第一語音信息；在該第一語音信息包含第一預設語音信息的情況下，接收童鎖啓動指令；或，接收移動客戶端發送的童鎖啓動指令；或，響應作用於預設按鍵的第一按壓操作，確定該第一按壓操作對應的第一按壓時長；若該第一按壓時長大於時長閾值，則確定該第一按壓操作對應的童鎖啓動指令；關閉該按鍵對應的按鍵響應，包括：關閉除預設按鍵之外的按鍵對應的按鍵響應。
如請求項9的童鎖控制裝置，其中該指令接收模組還被配置爲執行：確定該第一語音信息是成人發送的語音信息還是兒童發送的語音信息，在確定是成人發送的語音信息後，接收童鎖啓動指令。
如請求項8的童鎖控制裝置，其中該童鎖控制裝置還包括指令確定模組，該指令確定模組被配置爲執行：獲取第二語音信息；在第二語音信息包含第二預設語音信息的情況下，接收童鎖關閉指令；或，接收該移動客戶端發送的童鎖關閉指令；或，在該童鎖啓動後，響應作用於預設按鍵的第二按壓操作，確定該第二按壓操作對應的第二按壓時長；若該第二按壓時長大於時長閾值，則確定該第二按壓操作對應的童鎖關閉指令。
如請求項7的童鎖控制裝置，其特徵在於，該童鎖控制裝置還可以包括： <br/>語音播放模組，用於在童鎖啓動後，響應作用於該按鍵的按壓操作，播放無效告警語音。
一種機器人，其包括如請求項7-12中任一項所述的童鎖控制裝置和至少一個按鍵。
一種計算機可讀取儲存介質，其上儲存計算機程式，其中該計算機程式被處理器執行時實現如請求項1至6中任一項所述的童鎖控制方法。
一種電子設備，其包括： <br/>一個或多個處理器； <br/>儲存裝置，用於儲存計算機程式，當該計算機程式被該一個或多個處理器執行時，使得該一個或多個處理器實現如請求項1至6中任一項所述的童鎖控制方法。
一種高效率長壽命電漿直接熔融方法，其至少包含下列步驟： <br/>廢棄保溫材料前處理步驟：對工業廢棄保溫材料進行至少一種前處理方法，使其成形為具備足夠機械強度或適於進料形狀之結構化保溫材料； <br/>傳送與電漿火炬參數設定步驟：將經前處理形成之該結構化保溫材料透過一傳送裝置，以預定速度穩定地送入一高溫電漿熔融系統中，並確認電漿火炬之高溫作用區範圍，以確保熱能可充分作用至該結構化保溫材料之內部，其中該預定速度設定範圍介於1~100 mm/s之間，並利用電漿火炬產生溫度達10000°C以上之高溫電漿噴流，且該電漿火炬之功率設定範圍介於10~500 kW之間；以及 <br/>超高溫電漿熔融與玻璃化步驟：在集中高溫環境下，對該結構化保溫材料進行直接熔融處理，使該結構化保溫材料於高溫電漿噴流中迅速吸收熱能並轉化為黏稠熔漿，並於離開電漿火炬噴流高溫作用區後經快速冷卻，使其內部原子或分子結構呈現無序化排列並迅速固化為玻璃化產物，該玻璃化產物具有穩定、堅硬且具玻璃態特徵之網絡結構，能有效固封該結構化保溫材料中所含之潛在污染物，進而完成無害化處理。
依申請專利範圍第1項所述之高效率長壽命電漿直接熔融方 <br/>法，其中，該工業廢棄保溫材料選自陶瓷纖維保溫棉或玻璃纖維保溫棉。
依申請專利範圍第1項所述之高效率長壽命電漿直接熔融方 <br/>法，其中，該前處理方法係選自容器盛裝法、塑形加工法，或其任意組合。
依申請專利範圍第3項所述之高效率長壽命電漿直接熔融方 <br/>法，其中，該容器盛裝法係將該工業廢棄保溫材料置入一容器內，該容器選自玻璃管、陶瓷管或其它具耐高溫特性且可提供結構支撐之材質，使置入其中之該工業廢棄保溫材料具備足夠之機械強度。
依申請專利範圍第3項所述之高效率長壽命電漿直接熔融方 <br/>法，其中，該塑形加工法係透過物理或化學手段，將該工業廢棄保溫材料塑形為棒狀或其它適合穩定輸送之固體形狀。
依申請專利範圍第5項所述之高效率長壽命電漿直接熔融方 <br/>法，其中，該塑形為棒狀之工業廢棄保溫材料之直徑範圍介於0.5~10公分之間。
依申請專利範圍第1項所述之高效率長壽命電漿直接熔融方 <br/>法，其中，該傳送裝置選自連續進料器或推桿式送料裝置。
依申請專利範圍第1項所述之高效率長壽命電漿直接熔融方 <br/>法，其中，該傳送與電漿火炬參數設定步驟中，進一步設定該電漿火炬之電壓與電流，並調整進入該電漿火炬之氣體流量，所述氣體包含氬氣（Ar）與氮氣（N<sub>2</sub>）。
依申請專利範圍第1項所述之高效率長壽命電漿直接熔融方法 <br/>法，其中，該方法可達每小時5~500公斤之該工業廢棄保溫材料熔融處理量，以實現連續且高效之電漿熔融作業。
一種模組化培養箱，包含： <br/>一第一箱體，包含一底板及多個側壁，該底板包含一第一透光部，該些側壁圍繞設置於該底板的邊緣以形成一培養空間； <br/>一流體迴路系統，包含 <br/>至少一液體迴路組，設置於該培養空間，其中，該至少一液體迴路組包含一入液組件及一出液組件，且該入液組件及該出液組件相對設置，以及 <br/>至少一氣體迴路組，設置於該培養空間，該至少一氣體迴路組包含一入氣閥、一排氣閥及至少一風扇，且該入氣閥及該排氣閥至少其中之一與該至少一風扇相對設置； <br/>一第一加熱器，設置於該底板； <br/>一攝像系統，可拆卸地設置於該第一箱體下方，該攝像系統包含一攝像裝置，該攝像裝置包含至少一攝像鏡頭，該至少一攝像鏡頭朝向該底板； <br/>一移動系統，包含一第一移動裝置，該攝像裝置設置於該第一移動裝置上，該第一移動裝置使該攝像裝置適於相對該第一箱體作動；以及 <br/>一控制系統，可拆卸地設置於該第一箱體一側，該控制系統包含一控制模組及一操作介面，該控制模組電性連接該流體迴路系統、該第一加熱器、該攝像系統、該第一移動裝置及該操作介面。
如請求項1所述的模組化培養箱，其中，該入液組件、該出液組件、該入氣閥、該排氣閥及該至少一風扇設置於該些側壁。
如請求項1所述的模組化培養箱，其中，每一該至少一入液組件包含一第一基座、多個入液口及多個入液管，每一該至少一出液組件包含一第二基座、多個出液口及多個出液管，該些入液口設置於該第一基座並連接該入液管，該些出液口設置於該第二基座並連接該出液管。
如請求項1所述的模組化培養箱，其中，該流體迴路系統更包含一外接液體管路組及一外接氣體管路組，該外接液體管路組包含至少一引入管路及至少一引出管路，該至少一引入管路連接於該入液組件，該至少一引出管路與該出液組件連接，該外接氣體管路組含一供氣管路及一排氣管路，該供氣管路連接該入氣閥，該排氣管路連接該排氣閥。
如請求項1所述的模組化培養箱，其中，該第一箱體更包含一限位板，該限位板設置於該底板且圍設該第一透光部。
如請求項1所述的模組化培養箱，其中，該第一加熱器設置於該第一透光部。
如請求項1所述的模組化培養箱，更包含一上蓋，該上蓋設置於該第一箱體上方，該上蓋包含一上蓋頂板，該上蓋頂板與該底板相對，該上蓋頂板包含一第二透光部，該第二透光部對應該第一透光部。
如請求項7所述的模組化培養箱，其中，該上蓋的包含兩把手，該兩把手設置於該上蓋頂板。
如請求項7所述的模組化培養箱，更包含一第二加熱器，該第二加熱器設置於該上蓋頂板，並電性連接該控制模組。
如請求項1所述的模組化培養箱，更包含一發光系統，該發光系統可拆卸地設置於該第一箱體上方，該發光系統包含至少一發光元件，該至少一發光元件對應該第一透光部。
如請求項10所述的模組化培養箱，其中，該發光系統與該控制模組電性連接，該至少一發光元件朝向該底板提供一光線，該光線的波長介於200nm至800nm之間。
如請求項11所述的模組化培養箱，其中，該光線的波長介於350nm至650nm之間。
如請求項1所述的模組化培養箱，其中，該攝像系統更包含一儲存裝置，該儲存裝置適於儲存該攝像裝置獲取的圖像訊號。
如請求項1所述的模組化培養箱，其中，該攝像裝置更包含一光感元件，該光感元件設置於該至少一攝像鏡頭下方。
如請求項14所述的模組化培養箱，其中，該攝像裝置更包含一濾鏡組，該濾鏡組設置於該至少一攝像鏡頭與該光感元件的光訊號所行徑光路之間。
如請求項1所述的模組化培養箱，其中，當該至少一攝像鏡頭的數量為多個時，該攝像裝置更包含一轉盤，該轉盤適於連接該些攝像鏡頭。
如請求項1所述的模組化培養箱，其中，該移動系統更包含一第二移動裝置及一支架，該第二移動裝置設置於該第一箱體及該攝像系統之間，該第一移動裝置及該第二移動裝置與該支架連接。
如請求項17所述的模組化培養箱，其中，該第一移動裝置包含兩第一軸及兩第一導引塊，該第二移動裝置包含兩第二軸及兩第二導引塊，該兩第一軸相互平行排列，該兩第一導引塊分別滑設於該兩第一軸，該攝像裝置可拆卸地設置該兩第一導引塊上，該兩第二導引塊分別滑設於該兩第二軸，該第一箱體可拆卸地設置於該兩第二導引塊上，且該兩第一軸的延伸方向及該兩第二軸的延伸方向相互垂直。
如請求項1所述的模組化培養箱，更包含一第二箱體，該第二箱體可拆卸地設置於該第一箱體下方，該攝像系統及至少一部分該控制系統設置於該第二箱體內，該第二箱體具有一箱體頂板，該箱體頂板設有一天窗，該天窗對應該第一透光部，該操作介面設置於該第二箱體的表面。
如請求項19的模組化培養箱，其中，該移動系統更包含一第二移動裝置，該第二移動裝置設置於該第一箱體及該攝像系統之間。
如請求項20的模組化培養箱，其中，該第一移動裝置包含兩第一軸及兩第一導引塊，該第二移動裝置包含兩第二軸及兩第二導引塊，該兩第一軸相互平行排列，該兩第一導引塊分別滑設於該兩第一軸，該攝像裝置可拆卸地設置該兩第一導引塊上，該兩第二軸相互平行排列並設置於該第二箱體的該箱體頂板鄰近該第一箱體的一側，該兩第二導引塊分別滑設於該兩第二軸，該第一箱體可拆卸地設置於該兩第二導引塊上，該兩第一軸及該兩第二軸的延伸方向相互垂直。
如請求項21的模組化培養箱，其中，該第二移動裝置更包含兩凹槽，該兩凹槽相互平行排列並設置於該箱體頂板鄰近該第一箱體的一側，且該兩第二軸分別設置於該兩凹槽內，該兩凹槽適於分別容置該兩第二導引塊，且該兩第二導引塊沿著該兩凹槽的延伸方向作動。
如請求項20的模組化培養箱，其中，該第二移動裝置包含一第一軸、一第二軸及一載台，該第一軸設置於該箱體頂板鄰近該第一箱體的一側，該載台設置於該第一軸上，該第二軸設置於該載台的一側邊，該第一軸及該第二軸的延伸方向相互垂直，該載台設有一觀測口，該第一箱體設置於該載台上，且該觀測口對應該第一透光部。
如請求項1所述的模組化培養箱，更包含一氣體濃度感測器及一溫濕度感測器，該氣體濃度感測器及該溫濕度感測器設置於該培養空間，並電性連接該控制系統。
一種輔助摘茶構造，包含：<br/> 一座體；<br/> 一電源，設置於該座體；<br/> 一驅動模組，電性連接該電源，該驅動模組設置於該座體，該驅動模組有一驅動部；<br/> 一刀具模組，設置於該座體，該刀具模組有沿一軸向延伸的一外管件及一內管件，該外管件有一第一端及一第二端，該內管件伸入該外管件中並有一伸出端自該第二端伸出，該內管件有相對該伸出端的一伸入端，該驅動部自該第一端伸入該外管件並連接於該伸入端，該外管件於靠近該第二端的壁面設有一定位部，該內管件於外表面有凹設一路徑，該定位部嵌入該路徑，該路徑自該伸出端朝該伸入端的方向有沿該軸向延伸的一直線段，以及連接於該直線段的一斜線段，該伸出端沿一徑向設有相對的一刀口及一缺口；<br/> 驅動該驅動模組，使該驅動部推動該內管件，該內管件藉該路徑經由該定位部的導引，當該定位部在該直線段內移動時，該伸出端沿該軸向直線移動而伸出該第二端，並使該刀口及該缺口分別對準一茶菁的一下段及一上段；<br/> 當該驅動部持續推動該內管件而使該定位部接續進入該斜線段內時，係使該伸出端同時旋轉一角度的沿該軸向移動，而使該缺口抵住該茶菁的該下段，該刀口自該上段而分離該茶菁。
如請求項1所述之輔助摘茶構造，其中，該驅動模組有一驅動馬達、一齒輪、一齒條及一滑座，該驅動馬達電性連接該電源，該齒輪設置於該驅動馬達的一輸出軸，該齒輪嚙合於該齒條，該齒條沿該軸向可移動的設置於該滑座，該滑座固定於該座體，該齒條有相對二端，其中一端連接於該驅動部。
如請求項2所述之輔助摘茶構造，其中，該驅動部有一軸體，該軸體有二環槽，該二環槽沿該軸向相隔一間距；該伸入端有一端壁，該端壁有一圓孔，該軸體伸入該圓孔，使二扣環嵌入於該二環槽，該端壁設置介於該二扣環之間，而使該內管件可轉動的連接於該驅動部。
如請求項1所述之輔助摘茶構造，其中，該座體有一上蓋及一底座，該上蓋有一開孔，該上蓋蓋合該底座時，該開孔在該軸向對應該伸出端的位置，有一控制按鈕設置於該上蓋，並電性連接於一控制單元，該電源經由該控制單元電性連接該驅動模組。
如請求項1所述之輔助摘茶構造，其中，該斜線段與該直線段相夾一角度，該角度介於105度至135度之間。
一種記憶體系統，其可連接於主機，具備： <br/>非揮發性記憶體，其包含複數個塊，上述複數個塊各自為資料抹除動作之單位；及 <br/>控制器，其電性連接於上述非揮發性記憶體，其中 <br/>上述控制器配置為： <br/>對未儲存有效資料的塊執行資料抹除動作； <br/>將經執行上述資料抹除動作之上述塊指定作為用於寫入接收自上述主機之資料的目標塊； <br/>回應於上述資料抹除動作，將第1閾值與上述複數個塊之各者之抹除次數中之第1抹除次數及第2抹除次數之間的第1差進行比較，上述第2抹除次數大於上述第1抹除次數； <br/>將累計資料寫入量與第2閾值進行比較； <br/>在上述第1差大於上述第1閾值且上述累計資料寫入量大於上述第2閾值情況下，執行複製動作，將儲存了有效資料之塊中，儲存於第1塊之第1量之有效資料複製至第2塊，上述第2塊未儲存有效資料且具有較上述第1塊大之抹除次數。
如請求項1之記憶體系統，其中上述累計資料寫入量係基於自上述主機接收到之一個以上之寫入指令而被寫入至上述非揮發性記憶體之資料之量。
如請求項1之記憶體系統，其中 <br/>上述第1抹除次數係上述複數個塊各自之上述抹除次數中之最小抹除次數，且 <br/>上述第2抹除次數係上述複數個塊各自之上述抹除次數中之最大抹除次數。
如請求項1之記憶體系統，其中 <br/>上述控制器以如下方式構成： <br/>在上述累計資料寫入量超過上述第2閾值之情形時，在執行上述複製動作後，將上述累計資料寫入量重設。
如請求項1之記憶體系統，其中 <br/>上述控制器以如下方式構成： <br/>回應於上述資料抹除動作，將上述第1差與上述第1閾值及大於上述第1閾值之第3閾值之各者進行比較， <br/>將上述累計資料寫入量與上述第2閾值進行比較； <br/>在上述第1差大於上述第1閾值且小於上述第3閾值且上述累計資料寫入量大於上述第2閾值之情形時，執行上述複製動作，將儲存於上述第1塊中之第2量之有效資料複製至上述第2塊。
如請求項5之記憶體系統，其中 <br/>上述控制器以如下方式構成： <br/>在上述第1差大於上述第3閾值且上述累計資料寫入量大於上述第2閾值之情形時，執行上述複製動作，將儲存於上述第1塊中之第3量之有效資料複製至上述第2塊。
如請求項6之記憶體系統，其中 <br/>上述第3量之有效資料大於上述第2量之有效資料。
如請求項1之記憶體系統，其中 <br/>上述控制器以如下方式構成： <br/>將第4閾值與第2差進行比較，上述第2差係在上述複數個塊各自之上述抹除次數中之最大抹除次數或最小抹除次數與上述複數個塊各自之上述抹除次數之平均值之差； <br/>將上述累計資料寫入量與上述第2閾值進行比較； <br/>在上述第1差大於上述第1閾值且上述第2差等於或小於上述第4閾值且上述累計資料寫入量大於上述第2閾值之情形時，執行上述複製動作，將儲存於上述第1塊中之第4量之有效資料複製至上述第2塊。
如請求項8之記憶體系統，其中 <br/>上述控制器以如下方式構成： <br/>在上述第1差大於上述第1閾值且上述第2差大於上述第4閾值且上述累計資料寫入量大於上述第2閾值之情形時，執行上述複製動作，將儲存於上述第1塊中之第5量之有效資料複製至上述第2塊。
如請求項9之記憶體系統，其中 <br/>上述第5量之有效資料大於上述第4量之有效資料。
一種口鏡裝置，包含：<br/> 一手持模組，包括一載座，該載座為塑料材質並具有一周壁、一連接於該周壁內周的安裝壁，且該周壁與該安裝壁共同界定出分別位於該安裝壁兩側的一第一容室及一第二容室，該安裝壁具有一朝向該第一容室的上表面、一朝向該第二容室的下表面、一連通該第一容室及該第二容室的安裝孔及至少一連通該安裝孔的壓力釋放槽；及<br/> 一旋轉鏡模組，設置於該安裝壁，並包括一旋轉鏡及一驅轉件，該旋轉鏡具有一可轉動地容置於該第一容室的鏡體、一連接該鏡體並穿過該安裝壁的鏡軸及一套設於該鏡軸的軸承，該軸承為金屬材質並容置於該安裝孔。
如請求項1所述的口鏡裝置，其中，該壓力釋放槽呈環狀形成於該上表面。
如請求項1所述的口鏡裝置，其中，該安裝壁具有多個分別該上表面及該下表面的壓力釋放槽，該等壓力釋放槽呈放射狀自該安裝孔徑向地凸出。
如請求項2所述的口鏡裝置，其中，該安裝壁還具有一位於該安裝孔並抵接該軸承的內壁面，該壓力釋放槽的口徑自該上表面朝該內壁面漸縮。
如請求項1所述的口鏡裝置，其中，該安裝壁還具有一位於該安裝孔並抵接該軸承的內壁面，該壓力釋放槽呈環狀形成於該內壁面並徑向向外延伸，該壓力釋放槽自該內壁面朝該下表面漸增。
如請求項1所述的口鏡裝置，其中，該安裝壁具有多個形成於該上表面的壓力釋放槽，該等壓力釋放槽呈放射狀自該安裝孔徑向地凸出並延伸至該周壁。
如請求項1所述的口鏡裝置，其中，該安裝壁還具有一位於該安裝孔並抵接該軸承的內壁面，該等壓力釋放槽自該內壁面凹陷形成且上下交錯地設置，該等壓力釋放槽呈弧形且圍繞該安裝孔。
一種口鏡裝置，包含：<br/> 一手持模組，包括一載座，該載座為塑料材質並具有一周壁、一連接於該周壁內周的安裝壁，且該周壁與該安裝壁共同界定出分別位於該安裝壁兩側的一第一容室及一第二容室，該安裝壁具有一朝向該第一容室的上表面、一朝向該第二容室的下表面、一連通該第一容室及該第二容室的安裝孔及至少一連通該安裝孔的壓力釋放槽；及<br/> 一旋轉鏡模組，設置於該安裝壁，並包括一旋轉鏡及一驅轉件，該旋轉鏡具有一可轉動地容置於該第一容室的鏡體、一連接該鏡體並穿過該安裝壁的鏡軸及一套設於該鏡軸的軸承，該軸承為金屬材質並容置於該安裝孔；<br/> 其中，該安裝壁具有多個形成於該上表面且與該安裝孔間隔的壓力釋放槽，該等壓力釋放槽呈弧形並共同圍繞該安裝孔。
一種口鏡裝置，包含：<br/> 一手持模組，包括一載座，該載座為塑料材質並具有一周壁、一連接於該周壁內周的安裝壁，且該周壁與該安裝壁共同界定出分別位於該安裝壁兩側的一第一容室及一第二容室，該安裝壁具有一朝向該第一容室的上表面、一朝向該第二容室的下表面及一連通該第一容室及該第二容室的安裝孔；及<br/> 一旋轉鏡模組，設置於該安裝壁，並包括一旋轉鏡及一驅轉件，該旋轉鏡具有一可轉動地容置於該第一容室的鏡體、一連接該鏡體並穿過該安裝壁的鏡軸、一套設於該鏡軸的軸承及一套設於該軸承的套接件，該軸承為金屬材質，該軸承及該套接件皆容置於該安裝孔。
如請求項9所述的口鏡裝置，其中，該套接件的材質為TPV或PEBA。
如請求項9所述的口鏡裝置，其中，該套接件的材質與該載座相同。
如請求項9所述的口鏡裝置，其中，該套接件的材質為矽膠。
一種口鏡裝置，包含：<br/> 一手持模組，包括一載座，該載座為塑料材質並具有一周壁、一連接於該周壁內周的安裝壁，且該周壁與該安裝壁共同界定出分別位於該安裝壁兩側的一第一容室及一第二容室；及<br/> 一旋轉鏡模組，設置於該安裝壁，並包括一旋轉鏡、一驅轉件及一鎖接件，該旋轉鏡具有一可轉動地容置於該第一容室的鏡體、一連接該鏡體並穿過該安裝壁的鏡軸及一套設於該鏡軸的軸承，該驅轉件為塑料材質，並具有一與該鏡軸連接的連接軸、多個連接該連接軸的槳葉及一貫穿該連接軸的穿孔，該鎖接件為金屬材質並穿過該穿孔與該鏡軸連接，該連接軸形成多個壓力釋放槽，該等壓力釋放槽呈放射狀自該穿孔徑向地凸出。
一種口腔訓練裝置，包含：<br/> 一本體，該本體具有一第一訓練部，該第一訓練部具有相對的一腔壁抵靠面及一感應面；及<br/> 數個感測單元，位於該本體，至少其中一感測單元位於該感應面用以感測該感應面的壓力；<br/> 其中，該本體具有相對的一第一端及一第二端，該第一訓練部鄰近於該第一端，該本體具有一第二訓練部用以供嘴唇夾抵，該第二訓練部鄰近於該本體的第二端，該第二訓練部具有該感測單元用以感測嘴唇閉合的壓力，該本體具有一咬抵段，該咬抵段位於該第一訓練部與該第二訓練部之間，該本體於該第一端至該第二端的方向為一第一方向，該咬抵段相對於該第二訓練部成傾斜延伸，使該第一訓練部與該第二訓練部彼此形成一第二方向的錯位，該第二方向垂直於該第一方向。
如請求項1之口腔訓練裝置，其中，該咬抵段與該第二訓練部之間具有一間隔件。
如請求項2之口腔訓練裝置，其中，該本體具有一擋止件，該擋止件位於該第二端。
如請求項3之口腔訓練裝置，其中，該擋止件具有一握持部。
一種口腔訓練系統，包含：<br/> 一如請求項1～4中任一項之口腔訓練裝置；及<br/> 一處理單元，耦接該數個感測單元。
一種顯示裝置的驅動方法，該驅動方法包括： 控制供應給一子像素的電壓，該子像素包含： <br/> 一發光元件，配置以發光； <br/> 一驅動電晶體，包含：一閘極電極，位於一第一節點；一汲極電極，連接到一第三節點；以及一源極電極，連接到位於一第二節點的該發光元件，該驅動電晶體配置以驅動該發光元件； <br/> 一掃描電晶體，電性連接在位於該第一節點的該驅動電晶體的該閘極電極與一資料線之間，該掃描電晶體包含一閘極電極、一汲極電極、及一源極電極；以及 <br/> 一感測電晶體，電性連接在位於該第二節點的該驅動電晶體的該源極電極與一參考電壓線之間，該感測電晶體包含一閘極電極、一汲極電極、及一源極電極； <br/>追蹤該感測電晶體的該源極電極的電壓；以及 <br/>感測該感測電晶體的該源極電極的該電壓， <br/>其中，在追蹤該感測電晶體的該源極電極的該電壓的期間，向該掃描電晶體的該汲極電極供應一第一感測電壓，向該驅動電晶體的該汲極電極供應一第二感測電壓，向該掃描電晶體的該閘極電極和該感測電晶體的該閘極電極供應一第三感測電壓，並向該感測電晶體的該源極電極供應一第四感測電壓，以及 <br/>其中，所述追蹤該感測電晶體的該源極電極的該電壓的時段包含：一第一追蹤時段；在該第一追蹤時段之後的一第二追蹤時段；以及在該第二追蹤時段之後的一第三追蹤時段。
一種顯示裝置，包括： <br/>一發光元件，配置以發光； <br/>一驅動電晶體，包含：一閘極電極，位於一第一節點；一第一電極，連接到一第三節點；以及一第二電極，連接到位於一第二節點的該發光元件，該驅動電晶體配置以驅動該發光元件； <br/>一掃描電晶體，電性連接在位於該第一節點的該驅動電晶體的該閘極電極與一資料線之間，該掃描電晶體包含一閘極電極；以及 <br/>一感測電晶體，電性連接在位於該第二節點的該驅動電晶體的該第二電極與一參考電壓線之間，該感測電晶體包含一閘極電極， <br/>其中，在一感測模式期間感測該感測電晶體的感測特性，並基於該感測電晶體的該感測特性，將施加到該感測電晶體的該閘極電極的一掃描訊號從在該感測模式期間施加的一第一電壓調整到小於該第一電壓的一第二電壓，以及 <br/>其中，該感測電晶體的一源極電極的一電壓追蹤時段包含：一第一追蹤時段；在該第一追蹤時段之後的一第二追蹤時段；以及在該第二追蹤時段之後的一第三追蹤時段。
如請求項2所述之顯示裝置，其中，該掃描訊號包含：一閘極高電壓、以及比該閘極高電壓小的一閘極低電壓，且該第一電壓是該閘極低電壓的一第一電壓位準，而該第二電壓是比該第一電壓位準小的該閘極低電壓的一第二電壓位準。
如請求項2所述之顯示裝置，其中，該感測電晶體的該感測特性是該感測電晶體的臨界電壓。
如請求項2所述之顯示裝置，其中，該感測模式包括：一電壓控制時段、在該電壓控制時段之後的該電壓追蹤時段、以及在該電壓追蹤時段之後的一採樣時段，且在該電壓控制時段期間，向該資料線供應一第一感測電壓，向位於該第三節點的該驅動電晶體的該第一電極供應一第二感測電壓，基於該第一電壓向該掃描電晶體的該閘極電極和該感測電晶體的該閘極電極供應一第三感測電壓，並向該參考電壓線供應一第四感測電壓， <br/>其中，該第二感測電壓比該第三感測電壓高，而該第三感測電壓比該第四感測電壓高。
如請求項5所述之顯示裝置，其中，該電壓追蹤時段是該掃描電晶體關閉並追蹤位於一連接節點的電壓期間的時段，該感測電晶體和該參考電壓線在該連接節點電性連接。
如請求項6所述之顯示裝置，其中，在該電壓追蹤時段期間維持該第一節點與該第二節點之間的電壓差， <br/>其中，在該第一追蹤時段期間，該第三節點與該第二節點之間的電壓差比該第一節點與該第二節點之間的電壓差大，在該第二追蹤時段期間，該第三節點與該第二節點之間的電壓差比該第一節點與該第二節點之間的電壓差小，而在該第三追蹤時段期間，該第二節點與該連接節點之間的電壓差比該感測電晶體的該閘極電極與該連接節點之間的電壓差大。
一種熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊(bulk)，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約30 ppm（每百萬份重量中的份數）的物理吸附或化學吸附狀態之質子，其中該<sup>1</sup>H NMR係對該熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>的重量為0.050克的一樣品進行測量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約25 ppm的物理吸附或化學吸附狀態之質子。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約20 ppm的物理吸附或化學吸附狀態之質子。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約15 ppm的物理吸附或化學吸附狀態之質子。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約12 ppm的物理吸附或化學吸附狀態之質子。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約10 ppm的物理吸附或化學吸附狀態之質子。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約6 ppm的物理吸附或化學吸附狀態之質子。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約3 ppm的物理吸附或化學吸附狀態之質子。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約2 ppm的物理吸附或化學吸附狀態之質子。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約1.5 ppm的物理吸附或化學吸附狀態之質子。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約250 ppm的物理吸附或化學吸附狀態之H<sub>2</sub>O殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約200 ppm的物理吸附或化學吸附狀態之H<sub>2</sub>O殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約150 ppm的物理吸附或化學吸附狀態之H<sub>2</sub>O殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約125 ppm的物理吸附或化學吸附狀態之H<sub>2</sub>O殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約100 ppm的物理吸附或化學吸附狀態之H<sub>2</sub>O殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約75 ppm的物理吸附或化學吸附狀態之H<sub>2</sub>O殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約50 ppm的物理吸附或化學吸附狀態之H<sub>2</sub>O殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約25 ppm的物理吸附或化學吸附狀態之H<sub>2</sub>O殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約20 ppm的物理吸附或化學吸附狀態之H<sub>2</sub>O殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約15 ppm的物理吸附或化學吸附狀態之H<sub>2</sub>O殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約12.5 ppm的物理吸附或化學吸附狀態之H<sub>2</sub>O殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約10 ppm的物理吸附或化學吸附狀態之H<sub>2</sub>O殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約0.030 wt%的物理吸附或化學吸附狀態之H<sub>2</sub>O殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約0.025 wt%的物理吸附或化學吸附狀態之H<sub>2</sub>O殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約0.015 wt%的物理吸附或化學吸附狀態之H<sub>2</sub>O殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約0.010 wt%的物理吸附或化學吸附狀態之H<sub>2</sub>O殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約0.008 wt%的物理吸附或化學吸附狀態之H<sub>2</sub>O殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約0.005 wt%的物理吸附或化學吸附狀態之H<sub>2</sub>O殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約0.003 wt%的物理吸附或化學吸附狀態之H<sub>2</sub>O殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約0.002 wt%的物理吸附或化學吸附狀態之H<sub>2</sub>O殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約0.001 wt%的物理吸附或化學吸附狀態之H<sub>2</sub>O殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其中該熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>實質上不含H<sub>2</sub>O。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其中該熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>不含H<sub>2</sub>O。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約1000 ppm的物理吸附或化學吸附狀態之HCl殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約750 ppm的物理吸附或化學吸附狀態之HCl殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約500 ppm的物理吸附或化學吸附狀態之HCl殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約400 ppm的物理吸附或化學吸附狀態之HCl殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約300 ppm的物理吸附或化學吸附狀態之HCl殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約200 ppm的物理吸附或化學吸附狀態之HCl殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約100 ppm的物理吸附或化學吸附狀態之HCl殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約90 ppm的物理吸附或化學吸附狀態之HCl殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約75 ppm的物理吸附或化學吸附狀態之HCl殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約50 ppm的物理吸附或化學吸附狀態之HCl殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其中該熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>實質上不含HCl。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其中該熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>不含HCl。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約0.30重量%的物理吸附或化學吸附狀態之MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub> x H<sub>2</sub>O殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約0.25重量%的物理吸附或化學吸附狀態之MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub> x H<sub>2</sub>O殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約0.20重量%的物理吸附或化學吸附狀態之MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub> x H<sub>2</sub>O殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約0.15重量%的物理吸附或化學吸附狀態之MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub> x H<sub>2</sub>O殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約0.12重量%的物理吸附或化學吸附狀態之MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub> x H<sub>2</sub>O殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約0.10重量%的物理吸附或化學吸附狀態之MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub> x H<sub>2</sub>O殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約0.09重量%的物理吸附或化學吸附狀態之MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub> x H<sub>2</sub>O殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約0.06重量%的物理吸附或化學吸附狀態之MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub> x H<sub>2</sub>O殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約0.03重量%的物理吸附或化學吸附狀態之MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub> x H<sub>2</sub>O殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約0.025重量%的物理吸附或化學吸附狀態之MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub> x H<sub>2</sub>O殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約0.02重量%的物理吸附或化學吸附狀態之MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub> x H<sub>2</sub>O殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約0.015重量%的物理吸附或化學吸附狀態之MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub> x H<sub>2</sub>O殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約0.01重量%的物理吸附或化學吸附狀態之MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub> x H<sub>2</sub>O殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其中該熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>實質上不含MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub> x H<sub>2</sub>O。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其中該熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>不含MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub> x H<sub>2</sub>O。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有少於約0.20重量%的物理吸附或化學吸附狀態之MoO<sub>3</sub>殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有少於約0.15重量%的物理吸附或化學吸附狀態之MoO<sub>3</sub>殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其具有少於約0.10重量%的物理吸附或化學吸附狀態之MoO<sub>3</sub>殘留總含量。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其中該熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>實質上不含MoO<sub>3</sub>。
如請求項1之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其中該熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>不含MoO<sub>3</sub>。
一種熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其中該熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊具有大於約2.0 g/cm<sup>3</sup>的總體密度(bulk density)及具有藉由<sup>1</sup>H NMR測量的少於約30 ppm（每百萬份重量中的份數）的物理吸附或化學吸附狀態之質子，其中該<sup>1</sup>H NMR係對該熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊的重量為0.050克的一樣品進行測量。
如請求項66之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其中該總體密度(bulk density)大於約2.1 g/cm<sup>3</sup>。
如請求項66之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其中該總體密度(bulk density)大於約2.2 g/cm<sup>3</sup>。
如請求項66之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其中該總體密度(bulk density)大於約2.3 g/cm<sup>3</sup>。
如請求項66之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其中該總體密度(bulk density)大於約2.4 g/cm<sup>3</sup>。
如請求項66之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其中該總體密度(bulk density)大於約2.5 g/cm<sup>3</sup>。
如請求項66之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其中該總體密度(bulk density)大於約2.6 g/cm<sup>3</sup>。
如請求項66之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其中該總體密度(bulk density)大於約2.7 g/cm<sup>3</sup>。
如請求項66之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其中該總體密度(bulk density)大於約2.8 g/cm<sup>3</sup>。
如請求項66之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其中該總體密度(bulk density)大於約2.9 g/cm<sup>3</sup>。
如請求項66之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊，其中該總體密度(bulk density)大於約3.0 g/cm<sup>3</sup>。
一種裝有如前述請求項1-76中任一項所述之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊之容器，其具有約0.7 kg/L至約1.5 kg/L容器外部體積的填充密度。
一種裝有如前述請求項1-76中任一項所述之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊之容器，其具有約0.7 kg/L容器外部體積的填充密度。
一種裝有如前述請求項1-76中任一項所述之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊之容器，其具有約0.8 kg/L容器外部體積的填充密度。
一種裝有如前述請求項1-76中任一項所述之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊之容器，其具有約0.9 kg/L容器外部體積的填充密度。
一種裝有如前述請求項1-76中任一項所述之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊之容器，其具有約1.0 kg/L容器外部體積的填充密度。
一種裝有如前述請求項1-76中任一項所述之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊之容器，其具有約1.1 kg/L容器外部體積的填充密度。
一種裝有如前述請求項1-76中任一項所述之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊之容器，其具有約1.2 kg/L容器外部體積的填充密度。
一種裝有如前述請求項1-76中任一項所述之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊之容器，其具有約1.3 kg/L容器外部體積的填充密度。
一種裝有如前述請求項1-76中任一項所述之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊之容器，其具有約1.4 kg/L容器外部體積的填充密度。
一種裝有如前述請求項1-76中任一項所述之熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊之容器，其具有約1.5 kg/L容器外部體積的填充密度。
如請求項77至86中任一項之裝有熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊之容器，其中該容器具有圓柱形狀。
如請求項77至86中任一項之裝有熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊之容器，其中該容器具有至少2/1的高度對直徑比。
如請求項77至86中任一項之裝有熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊之容器，其中該容器具有至少3/1的高度對直徑比。
如請求項77至86中任一項之裝有熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊之容器，其中該容器具有至少4/1的高度對直徑比。
如請求項77至86中任一項之裝有熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊之容器，其中該容器具有至少5/1的高度對直徑比。
一種具有螺旋線圈之變壓器，包括：<br/> 一鐵芯組；<br/> 一螺旋式線圈，由多條導線組成並環繞多個匝數而形成多個線餅，其中各該線餅分別具有一第一區段和一第二區段；及<br/> 多個金屬片，各該金屬片分別具有一缺口；<br/> 其中至少部分之該些線餅之該第一區段係設置於部分之該些金屬片的一第一表面且部分該些導線通過該缺口繞至該些金屬片的一第二表面，使得該第二區段位於該第二表面上，而使該些線餅交錯設置於該些金屬片之間。
如請求項1所述之變壓器，其中該鐵芯組還包括一第一開口，及各該金屬片分別具有至少一引腳，該至少一引腳由該第一開口向外突出於該鐵芯組之外。
如請求項1所述之變壓器，其中該螺旋式線圈之一線頭端係由該些導線之出線端匯集並焊錫而成。
如請求項2所述之變壓器，其中該螺旋式線圈之一出線端係自該第一開口突出並由該鐵芯組之一側面向外突出於該鐵芯組之外。
如請求項4所述之變壓器，其中該出線端向外突出之距離離該鐵芯組之側面至少1.5毫米以上或離該金屬片至少1.5毫米以上。
如請求項1所述之變壓器，其中該螺旋式線圈為該變壓器之初級側，及該些金屬片為該變壓器之次級側。
如請求項1所述之變壓器，其中該些導線被一絕緣層包覆，該絕緣層之材料為鐵氟龍、聚對苯二甲酸乙二酯或聚苯硫醚。
如請求項7所述之變壓器，其中該絕緣層之厚度為0.1毫米以上。
如請求項1所述之變壓器，其中該些線餅是由該些導線並繞而成。
如請求項1所述之變壓器，其中該些導線彼此平行排列。
一種用於增強一電腦系統中之安全性之方法，該電腦系統包括一控制器及可連接至一網路之一資源，該方法包含： <br/>停用關於該網路之該資源之連接性； <br/>經由網路停用資源與該控制器之間的一帶內管理連接及一儲存區域網路(SAN)連接中之至少一者，來啟用在該網路停用資源與該控制器間之一連接； <br/>經由該經啟用之連接，在該控制器之控制下於該網路停用資源上運行一個或多個命令； <br/>在該一個或多個命令之該運行後，停用該連接；及 <br/>在該連接被停用之後，啟用關於該網路之該資源之連接性； <br/>該方法藉此將該資源隔離，使其無法經由該帶內管理連接及/或該SAN連接而連接至該控制器，同時該資源係經啟用以連接至該網路。
如請求項1之方法，其中該電腦系統包括在該資源與該控制器之間的該帶內管理連接，其中啟用在該網路停用資源與該控制器間之該連接之該步驟包含啟用在在該網路停用資源與該控制器間之該帶內管理連接，及其中停用該連接之該步驟包含在該一個或多個命令之該運行後，停用該帶內管理連接。
如請求項1之方法，其中該電腦系統包括在該資源與該控制器之間的該SAN連接，其中啟用在該網路停用資源與該控制器間之該連接之該步驟包含啟用在在該網路停用資源與該控制器間之該SAN連接，及其中停用該連接之該步驟包含在該一個或多個命令之該運行後，停用該帶內管理連接。
如請求項1之方法，其中該電腦系統包括在該資源與該控制器之間的該帶內管理連接及該SAN連接，其中啟用在該網路停用資源與該控制器間之該連接之該步驟包含啟用在該網路停用資源與該控制器之間的該帶內管理連接及該SAN連接，及其中停用該連接之該步驟包含在該一個或多個命令之該運行後，停用該帶內管理連接及該SAN連接。
如請求項1至4之方法，其中該網路包含在該電腦系統外的一網路。
如請求項1至4之方法，其中該網路包含在該電腦系統內的一網路。
如請求項1至4之方法，其進一步包含： <br/>該控制器維持在該資源與該控制器之間的一帶外管理連接。
如請求項7之方法，其進一步包含： <br/>該控制器選擇性地控制在該資源與該控制器之間的該帶外管理連接，使得(1)若該資源至該網路之連接性係經啟用，則停用該帶外管理連接，及(2)若該資源至該網路之連接性係經停用，則啟用該帶外管理連接。
如請求項7之方法，其中該帶外管理連接對該電腦系統之一作業系統係不可見的。
如請求項9之方法，其中該帶內管理連接及/或該SAN連接對該作業系統係可見的。
如請求項1至4之方法，其進一步包含： <br/>判定該資源係待被添加至該電腦系統；及 <br/>回應於判定該資源係待被添加至該電腦系統，執行網路存取停用步驟、連接啟用步驟、運行步驟、連接停用步驟，及網路存取啟用步驟；及 <br/>其中該一個或多個命令包含用於將該資源設置及添加至該電腦系統的命令。
如請求項11之方法，其中該控制器包含一系統狀態、若干系統規則及複數個模板，該方法包含： <br/>該控制器維持在該資源與該控制器間之一帶外管理連接； <br/>其中偵測步驟包含經由該帶外管理連接偵測該資源做為新硬體，且其中該方法進一步包含： <br/>該控制器使用該等系統規則來識別要使用哪個模板來啟動該資源，其中該運行步驟包含從該經識別之模版載入之一影像啟動該資源；及 <br/>該控制器將關於該資源之資訊添加至該系統狀態。
如請求項1至4之方法，其中該資源包含一裸機雲端節點(bare metal cloud node)。
如請求項1至4之方法，其中該資源包含一實體資源。
如請求項14之方法，其中該實體資源包含一虛擬機。
如請求項14之方法，其中該實體資源包含一管理程序(hypervisor)。
如請求項1至4之方法，其中停用該連接之該步驟包含限制該帶內管理連接及/或該SAN連接之一功能性。
如請求項17之方法，其中該限制步驟包含不允許該資源經由該帶內管理連接及/或該SAN連接對該控制器進行寫入。
如請求項1至4之方法，其中該資源包含一計算資源。
如請求項1至4之方法，其中該資源包含一儲存資源。
如請求項1至4之方法，其中該資源包含一網路連接資源。
如請求項1至4之方法，其中停用該連接之該步驟包含斷電、實體斷開或虛擬斷開該連接。
如請求項1至4之方法，其中停用關於該網路之該資源之連接性之該步驟包含斷電、實體斷開或虛擬斷開關於該網路之該資源。
如請求項1至4之方法，其進一步包含： <br/>判定該資源係待由該控制器管理；及 <br/>回應於判定該資源係待由該控制器管理，執行網路存取停用步驟、連接啟用步驟、運行步驟、連接停用步驟，及網路存取啟用步驟；及 <br/>其中該一個或多個命令包含用管理該資源的命令。
一種電腦系統中，其包含： <br/>一控制器； <br/>複數個系統規則； <br/>複數個模板； <br/>一系統狀態；及 <br/>一資源，其可連接至一網路； <br/>其中該控制器經組配以基於該等系統規則、該等模板及該系統狀態而針對該電腦系統提供基礎架構之自動管理，且其中該自動管理包含以下複數個操作： <br/>停用關於該網路之該資源之連接性； <br/>經由網路停用資源與該控制器之間的一帶內管理連接及一儲存區域網路(SAN)連接中之至少一者，來啟用在該網路停用資源與該控制器間之一連接； <br/>經由該經啟用之連接，在該控制器之控制下於該網路停用資源上運行一個或多個命令； <br/>在該一個或多個命令運行後，停用該連接；及 <br/>在該連接被停用之後，啟用關於該網路之該資源之連接性； <br/>該電腦系統藉此經組配以將該資源隔離，使其無法經由該帶內管理連接及/或該SAN連接而連接至該控制器，同時該資源係經啟用以連接至該網路。
一種電腦程式產品，其用於一電腦系統之使用，該電腦系統包括一實體主機、可連接至一網路之一資源及一控制器，該電腦程式產品包含： <br/>可常駐於一非暫時性電腦可讀儲存媒體上之複數個指令，其中在由一處理器執行下，該等指令經組配以致使該處理器進行以下操作： <br/>停用關於該網路之該資源之連接性； <br/>經由網路停用資源與該控制器之間的一帶內管理連接及一儲存區域網路(SAN)連接中之至少一者，來啟用在該網路停用資源與該控制器間之一連接； <br/>經由經啟用之該連接，在該控制器之控制下於該網路停用資源上運行一個或多個命令； <br/>在該一個或多個命令之該運行後，停用該連接；及 <br/>在該連接被停用之後，啟用關於該網路之該資源之連接性； <br/>該等指令藉此經組配以將該資源隔離，使其無法經由該帶內管理連接及/或該SAN連接而連接至該控制器，同時該資源係經啟用以連接至該網路。
一種軌道定位器，適用於設置在一呈中空且沿一第一方向延伸的框架，該框架界定一軌道空間且適用於供二活動框設置，並包含一內頂面，該軌道定位器包含：<br/> 一座體，嵌設在該軌道空間內；<br/> 一蓋體，蓋設於該座體的頂端，並具有一外表面，該外表面沿一相交於該第一方向的第二方向不凸出於該內頂面；及<br/> 一定位柱，連接於該座體與該蓋體，且用於限制該等活動框沿該第一方向移動的距離，該定位柱包括一基部，及一朝遠離該基部的方向延伸的柱段，該柱段凸出於該蓋體的該外表面與該框架的該內頂面，且不凸出於該框架的頂緣，該等活動框能相對於該框架在一開啟位置與一關閉位置間移動，在該開啟位置時，該等活動框遠離該定位柱，在該關閉位置時，其中一該活動框抵接於該定位柱。
如請求項1所述的軌道定位器，其中，該定位柱的該柱段具有一頂端，該頂端不凸出於該框架。
如請求項1所述的軌道定位器，該框架具有一底板，及二間隔設置的側板，其中，該定位柱的該柱段具有一不凸出於該等側板的頂端。
如請求項1所述的軌道定位器，其中，該座體具有一第一插孔，該蓋體還具有一位置對應該第一插孔的第二插孔，該定位柱穿設於該第一插孔與該第二插孔。
如請求項1所述的軌道定位器，還包含數個集線單元，該座體具有數個相間隔的設置槽，該蓋體還具有數個位置分別對應該等設置槽的設置孔，該等集線單元分別設置在該等設置槽與該等設置孔，每一該集線單元界定一用於穿線的穿繩通道。
如請求項1所述的軌道定位器，還包含一固定組，該座體具有數個固定孔，該蓋體還具有數個位置分別對應該等固定孔的固定槽，該固定組包括數個分別固定於該等固定孔與該等固定槽的緊固件。
如請求項6所述的軌道定位器，其中，該固定組還包括數個分別固定在該等固定孔的接合件，該緊固件具有一設置於對應的該固定槽的頭部，及一穿置於該接合件的桿部。
如請求項1所述的軌道定位器，該框架還包含數個能相互對合的軌道，及數個分別設置於該等軌道的框板，該等框板沿該第一方向間隔設置，其中，該座體與該蓋體沿該第一方向的兩相反端分別抵接於該等框板。
如請求項1所述的軌道定位器，該框架還包含數個與該內頂面形成有位差的設置面，其中，該蓋體還具有一相反於該外表面的內表面，該內表面的相反兩側分別抵接於該等設置面。
一種理賠公證系統平台，適用於一保險單位伺服器、一工作人員裝置及一客戶端裝置，該保險單位伺服器儲存一保單資料，該保單資料包含多個分別對應多個承保範圍資料的保險金額及一指定保險類型，該理賠公證系統平台包含：<br/> 一通訊模組，電連接該客戶端裝置及該工作人員裝置；<br/> 一保單串接與判讀模組，電連接該保險單位伺服器；<br/> 一鑑定模組，電連接該通訊模組及該保單串接與判讀模組；及<br/> 一清單模組，電連接該鑑定模組，該清單模組儲存多個分別對應多個保險類型的完整文件類型資料；<br/> 該保單串接與判讀模組接收一來自該保險單位伺服器的保險委派資料，該保險委派資料包含該保單資料；<br/> 該通訊模組接收一來自該工作人員裝置並對應該保險委派資料的現場查勘資料；<br/> 該清單模組根據與該指定保險類型相符的其中一筆該保險類型對應的該完整文件類型資料產生一指定文件類型資料，其中，該指定文件類型資料指示出在申請該保單資料的理賠時可能需準備的資料；<br/> 該清單模組根據該指定文件類型資料產生一必備文件清單，其中，該必備文件清單指示出在申請本次的理賠時必須提供的資料；<br/> 該清單模組透過該通訊模組將該必備文件清單傳送至該客戶端裝置，使該客戶端裝置根據該必備文件清單回傳該客戶端蒐集資料至該通訊模組；<br/> 該通訊模組接收一來自該客戶端裝置並對應該保單資料的客戶端蒐集資料；<br/> 該保單串接與判讀模組根據該保單資料、該現場查勘資料、該客戶端蒐集資料產生一待理賠範圍資料，該待理賠範圍資料指示出該等承保範圍資料的其中一者或多者；<br/> 該鑑定模組根據該待理賠範圍資料、該現場查勘資料、該客戶端蒐集資料產生一符合該待理賠範圍資料的損失計算結果；<br/> 該鑑定模組根據該損失計算結果及該待理賠範圍資料指示的該(等)承保範圍資料對應的該(等)保險金額產生一賠償計算結果。
如請求項1所述的理賠公證系統平台，還適用於一外部消息伺服器，該理賠公證系統平台還包含一電連接該鑑定模組與該外部消息伺服器的多源串接模組，該保險委派資料還包含一案件時間資料及一案件地點資料，<br/> 該多源串接模組根據該案件時間資料及該案件地點資料搜尋該外部消息伺服器以產生一對應該保險委派資料的外部消息資料；<br/> 該清單模組根據該指定文件類型資料及該外部消息資料產生該必備文件清單。
如請求項1所述的理賠公證系統平台，還適用於一工作人員伺服器，該工作人員伺服器儲存多個分別對應多位工作人員的工作人員資料，每一工作人員資料包含一處理類型及一位置資訊，該理賠公證系統平台還包含一人力調度模組，該人力調度模組電連接該鑑定模組及該工作人員伺服器，該保險委派資料還包含一案件地點資料，該保單資料還包含一指定保險類型，<br/> 該人力調度模組自該等工作人員資料中計算出該處理類型與該保單資料的該指定保險類型相符且該位置資訊與該保險委派資料的該案件地點資料相符的其中一筆該工作人員資料產生一指定工作人員資料，該指定工作人員資料指示出相符的其中一筆該工作人員資料。
如請求項1所述的理賠公證系統平台，還適用於一影像辨識模組，該影像辨識模組電連接該鑑定模組，該鑑定模組儲存多筆分別對應多個物品的估價資料，<br/> 該鑑定模組傳送該現場查勘資料至該影像辨識模組，使該影像辨識模組回傳一對應該現場查勘資料的影像辨識結果，該影像辨識結果包含一動產辨識結果；<br/> 該鑑定模組根據該影像辨識結果的該動產辨識結果計算出與該影像辨識結果相符的該等物品；<br/> 該鑑定模組根據與該影像辨識結果相符的該等物品所對應的該等估價資料產生一動產損失金額。
如請求項1所述的理賠公證系統平台，還適用於一影像辨識模組，該影像辨識模組電連接該鑑定模組，該保單資料還包含一責任判斷資料，該責任歸屬資料包含多個分別對應多個責任分擔資料的責任判斷項目，<br/> 該鑑定模組傳送該現場查勘資料及該等責任判斷項目至該影像辨識模組，使該影像辨識模組回傳一對應該現場查勘資料的影像辨識結果，該影像辨識結果包含一責任判斷結果，該責任判斷結果指示出與該影像辨識結果相符的該(等)責任判斷項目；<br/> 該鑑定模組根據該責任判斷結果指示出的該(等)責任判斷項目及與該責任判斷結果指示出的該(等)責任判斷項目對應的該(等)責任分擔資料計算出該責任歸屬結果；<br/> 該鑑定模組根據該責任歸屬結果、該損失計算結果及該保險金額產生該賠償計算結果。
一種理賠公證方法，藉由一理賠公證系統平台實施，該理賠公證系統平台適用於一保險單位伺服器、一工作人員裝置及一客戶端裝置，該保險單位伺服器儲存一保單資料及多個分別對應多個保險類型的完整文件類型資料，該保單資料包含多個分別對應多個承保範圍資料的保險金額及一指定保險類型，該理賠公證方法包含：<br/> 接收一來自該保險單位伺服器的保險委派資料，該保險委派資料包含該保單資料；<br/> 接收一來自該工作人員裝置並對應該保險委派資料的現場查勘資料；<br/> 根據與該指定保險類型相符的其中一筆該保險類型對應的該完整文件類型資料產生一指定文件類型資料，其中，該指定文件類型資料指示出在申請該保單資料的理賠時可能需準備的資料；<br/> 根據該指定文件類型資料產生一必備文件清單，其中，該必備文件清單指示出在申請本次的理賠時必須提供的資料；<br/> 將該必備文件清單傳送至該客戶端裝置，使該客戶端裝置根據該必備文件清單回傳該客戶端蒐集資料；<br/> 接收一來自該客戶端裝置並對應該保單資料的客戶端蒐集資料；<br/> 根據該保單資料、該現場查勘資料、該客戶端蒐集資料產生一待理賠範圍資料，該待理賠範圍資料指示出該等承保範圍資料的其中一者或多者；<br/> 根據該待理賠範圍資料、該現場查勘資料、該客戶端蒐集資料產生一符合該待理賠範圍資料的損失計算結果；及<br/> 根據該損失計算結果及該待理賠範圍資料指示的該(等)承保範圍資料對應的該(等)保險金額產生一賠償計算結果。
如請求項6所述的理賠公證方法，該理賠公證系統平台還適用於一外部消息伺服器，該保險委派資料還包含一案件時間資料及一案件地點資料，該理賠公證方法還包含：<br/> 根據該案件時間資料及該案件地點資料搜尋該外部消息伺服器以產生一對應該保險委派資料的外部消息資料；及<br/> 根據該指定文件類型資料及該外部消息資料產生該必備文件清單。
如請求項6所述的理賠公證方法，該理賠公證系統平台還適用於一工作人員伺服器，該工作人員伺服器儲存多個分別對應多位工作人員的工作人員資料，每一工作人員資料包含一處理類型及一位置資訊，該保險委派資料還包含一案件地點資料，該保單資料還包含一指定保險類型，該理賠公證方法還包含：<br/> 自該等工作人員資料中計算出該處理類型與該保單資料的該指定保險類型相符且該位置資訊與該保險委派資料的該案件地點資料相符的其中一筆該工作人員資料產生一指定工作人員資料，該指定工作人員資料指示出相符的其中一筆該工作人員資料。
如請求項6所述的理賠公證方法，該理賠公證系統平台還適用於一影像辨識模組，該理賠公證系統平台儲存多筆分別對應多個物品的估價資料，該理賠公證方法包含：<br/> 傳送該現場查勘資料至該影像辨識模組，使該影像辨識模組回傳一對應該現場查勘資料的影像辨識結果，該影像辨識結果包含一動產辨識結果；<br/> 根據該影像辨識結果的該動產辨識結果計算出與該影像辨識結果相符的該等物品；及<br/> 根據與該影像辨識結果相符的該等物品所對應的該等估價資料產生一動產損失金額。
如請求項6所述的理賠公證方法，該理賠公證系統平台還適用於一影像辨識模組，該保單資料還包含一責任判斷資料，該責任歸屬資料包含多個分別對應多個責任分擔資料的責任判斷項目，該理賠公證方法還包含：<br/> 傳送該現場查勘資料及該等責任判斷項目至該影像辨識模組，使該影像辨識模組回傳一對應該現場查勘資料的影像辨識結果，該影像辨識結果包含一責任判斷結果，該責任判斷結果指示出與該影像辨識結果相符的該(等)責任判斷項目；<br/> 根據該責任判斷結果指示出的該(等)責任判斷項目及與該責任判斷結果指示出的該(等)責任判斷項目對應的該(等)責任分擔資料計算出該責任歸屬結果；及<br/> 根據該責任歸屬結果、該損失計算結果及該保險金額產生該賠償計算結果。
一種動物運輸裝置，包括： <br/>一底板，其提供一動物承載表面，並且具有至少一底板開口位於該動物承載表面上的一第一位置處； <br/>一側板，連接於該底板的一第一長側，且自該動物運輸裝置的側面觀之，該底板與該側板是連接而呈現一L型結構；以及 <br/>一固位組件，包括： <br/>至少一固定扣帶，其以一端固設於該底板的該動物承載表面上的一第二位置處；及 <br/>至少一固定拉帶，其於該底板的與該動物承載表面相對的一表面上延伸，且其一端自該至少一底板開口伸出，進以與該固定扣帶連接形成一封閉固位結構。
如請求項1所述的動物運輸裝置，其中，該底板具有一第一底板開口和一第二底板開口位於該動物承載表面上且彼此分隔，該固位組件包括： <br/>一第一固定扣帶和一第二固定扣帶，各以其各自一端固設於該底板的該動物承載表面上且彼此分隔；及 <br/>一第一固定拉帶和一第二固定拉帶，其於該底板的與該動物承載表面相對的表面上延伸，並以其各自一端分別自該第一底板開口和該第二底板開口伸出，進以分別與該第一固定扣帶和該第二固定扣帶連接形成一第一封閉固位結構和一第二封閉固位結構。
如請求項2所述的動物運輸裝置，其中該第一封閉固位結構與該第二封閉固位結構彼此平行、或彼此交錯於一中點。
如請求項2所述的動物運輸裝置，還包括一調整裝置，設於該底板的底部以調整該第一底板開口和該第二底板開口的位置。
如請求項1所述的動物運輸裝置，其中該固定拉帶以其另一端連接一定位扣具並且露出於該底板和該側板外。
如請求項1所述的動物運輸裝置，其中該固位組件包括： <br/>至少一固定扣件，連接於該至少一固定扣帶的一相應自由端；以及 <br/>至少一扣合件，連接於該至少一固定拉帶自該第一底板開口伸出的該端； <br/>其中該固位組件通過該固定扣件和該扣合件的扣合而形成該封閉固位結構。
如請求項1所述的動物運輸裝置，還包括一安裝結構位於該底板中，該動物運輸裝置是通過該安裝結構而固定至一車輛後座。
如請求項7所述的動物運輸裝置，其中該安裝結構是一ISOFIX軟性連接結構、一ISOFIX剛性連接架、或一LATCH系統。
如請求項8所述的動物運輸裝置，還包括一上錨定組件，以進一步將該動物運輸裝置固定至該車輛後座的一錨定點，該上錨定組件包括： <br/>一第一繫繩和一第二繫繩，其具有一各自第一端和一各自第二端； <br/>一長度調整器，其一第一端是連接於該第一繫繩和該第二繫繩的該各自第一端； <br/>一連接繫帶，該連接繫帶是以其一第一端能夠活動地連接於該長度調整器的一第二端而形成一可調整端；以及 <br/>一連接鈎件，其連接於該連接繫帶的一第二端； <br/>其中該第一繫繩和該第二繫繩分別以其各自第二端連接至該側板或該底板； <br/>其中該上錨定組件是通過該連接鈎件將該動物運輸裝置固定至該錨定點。
如請求項8所述的動物運輸裝置，其中該ISOFIX軟性連接結構包括一Y型織帶、一第一連接器和一第二連接器； <br/>其中該第一連接器和該第二連接器是分別連接於該Y型織帶的一第一端部和一第二端部，且該Y型織帶的一第三端部是連接一定位扣具； <br/>其中該動物運輸裝置通過該第一連接器和該第二連接器固定至該車輛後座的ISOFIX固定點。
一種用於評估含鐵原料添加之流動行為之方法，由一處理器執行，包括以下步驟：<br/> （a）提供多種含鐵原料；<br/> （b）基於該些含鐵原料的顆粒形狀進行建模，以生成模擬該些鐵原料的一實際顆粒形狀的一模擬顆粒形狀尺寸；<br/> （c）提供該些含鐵原料量測得到的一顆粒基本性質參數，其中該顆粒基本性質參數包括該些含鐵原料的靜摩擦係數、該些含鐵原料的恢復係數、該些含鐵原料的粒徑分佈或其組合；<br/> （d）基於該顆粒基本性質參數模擬該些含鐵原料的模擬安息角或模擬容積密度；<br/> （e）量測該些含鐵原料的實際量測安息角或實際量測容積密度；<br/> （f）調整該些含鐵原料的一交互作用係數，使該模擬安息角與該實際量測安息角近似或相同，或使該模擬容積密度與該實際量測容積密度近似或相同；及<br/> （g）基於該顆粒基本性質參數和調整後的該交互作用係數計算該些含鐵原料的相互作用，及評估該些含鐵原料基於一配料比例的流動變化。
如請求項1所述之方法，其中該模擬顆粒形狀尺寸是通過單球元素法或多球元素法模擬組成該些含鐵原料的形狀尺寸。
如請求項1所述之方法，其中調整該些含鐵原料的該交互作用係數包括調整該些含鐵原料的滾動摩擦係數。
如請求項1所述之方法，其中於該步驟（f）中還包括：（f1）在不改變該些含鐵原料的整體粒徑分布下，調整該模擬顆粒形狀尺寸，以使該模擬容積密度與該實際量測容積密度近似或相同。
如請求項4所述之方法，其中於該步驟（f1）之後還包括：（f2）調整該些含鐵原料的滾動摩擦係數，以使該模擬安息角與該實際量測安息角近似或相同。
如請求項1所述之方法，其中於該步驟（c）還包括：設定該些含鐵原料的粒徑分布。
如請求項1所述之方法，其中該些含鐵原料包括燒結礦、塊鐵礦、熱壓鐵塊、直接還原鐵或其組合。
如請求項1所述之方法，其中該些含鐵原料的該配料比例下的流動變化是通過離散元素分析法分析。
如請求項1所述之方法，其中模擬該些含鐵原料的該模擬安息角或該模擬容積密度是通過離散元素分析法分析。
一種含鐵原料添加系統，包括：<br/> 一執行器，配置用以執行如請求項1至9任一項所述的方法；及<br/> 一控制器，耦接該執行器，該控制器配置用以控制該些含鐵原料的配料比例。
一種水耕生態系統結合綠能發電系統，包含： <br/>一魚菜共生模組，該魚菜共生模組包含一魚菜共生水槽及一固定密封件，該魚菜共生水槽內部形成一容置空間，該容置空間內裝盛有種植液體，並種植有至少一水耕植物，該水耕植物的根部延伸至該容置空間內，並浸置於該種植液體中，該固定密封件設置於該容置空間內，用於穩固該水耕植物，並密封該容置空間，使該水耕植物的莖部及葉部外露於該固定密封件及該容置空間之外； <br/>一發電模組，該發電模組包含一導電正極、一導電負極及一電路，該導電正極及該導電負極浸置於該種植液體中，且分別設於該水耕植物的根部，該電路與該導電正極及該導電負極電性連接，以接收並傳導由該水耕植物根部所產生的電能；及一氣體提取與儲存模組，該氣體提取與儲存模組包含至少一光合作用氣體收集裝置及至少一產氫反應區，該光合作用氣體收集裝置環繞於該水耕植物的莖部及葉部周圍，用以收集並儲存該水耕植物進行光合作用所產生的氣體，以提取氧氣，該產氫反應區與該密封的容置空間相連通，用於收集並儲存由該種植液體中微生物分解有機物所產生的氣體，以提取氫氣。
如請求項1所述之水耕生態系統結合綠能發電系統，其中該魚菜共生水槽為可容置液體之容器或槽體。
如請求項1所述之水耕生態系統結合綠能發電系統，其中該種植液體係為原魚菜共生之養殖水。
如請求項1所述之水耕生態系統結合綠能發電系統，其中該固定密封件設置於該容置空間的上方位置處，且該固定密封件的形狀恰對應該容置空間的上方開口。
如請求項1所述之水耕生態系統結合綠能發電系統，其中該導電正極為銅，該導電負極為鋅。
如請求項1所述之水耕生態系統結合綠能發電系統，其中該發電模組之電路可進行併聯或串聯使用。
如請求項1所述之水耕生態系統結合綠能發電系統，其中該光合作用氣體收集裝置為透明塑膠罩體或透明塑膠薄膜製成之氣囊。
如請求項1所述之水耕生態系統結合綠能發電系統，其中該產氫反應區為塑膠容器。
一種以複合針進行針織的圓針織機結構，包含：<br/> 一複合針，設於一針座並於隨該針座活動時受一織針山角導引，該複合針包含一針勾件及一與該針勾件配合的針舌件，該針勾件具有一勾部，該針舌件沿該針勾件進行一單軸往復運動，該針舌件於該單軸往復運動中令該勾部切換於一關閉狀態及一開放狀態；及<br/> 一喂紗嘴，具有一喂紗端部，及一設於該喂紗端部的導紗凸塊，該喂紗嘴供應的一紗線行經該導紗凸塊；<br/> 其中，該複合針具有一延伸假想線，該延伸假想線被該導紗凸塊阻擋，該複合針出針時，該針勾件掠過該導紗凸塊並在行經該導紗凸塊後收針勾取該紗線，該針勾件掠過該導紗凸塊的過程中該勾部處於該開放狀態。
如請求項1所述以複合針進行針織的圓針織機結構，其中，該喂紗嘴具有一個或一個以上的穿紗孔，該穿紗孔朝該導紗凸塊方向斜向延伸。
如請求項1所述以複合針進行針織的圓針織機結構，其中，該導紗凸塊具有一面向該複合針的導紗斜面，由該喂紗嘴面對該複合針一側直視觀察，該導紗斜面為傾斜延伸。
如請求項1至3任一項所述以複合針進行針織的圓針織機結構，其中，該圓針織機結構具有一申克片，該申克片受一申克片山角導引而與該複合針配合針織。
如請求項4所述以複合針進行針織的圓針織機結構，其中，該針勾件具有一提供該針舌件設置其中的導槽。
一種半導體結構，包括： <br/> 一半導體基板；<br/> 一成核層，位於該半導體基板上；<br/> 一漸變緩衝層，位於該成核層上；<br/> 一超晶格結構，位於該漸變緩衝層上，且包括複數個疊層單元，該些疊層單元各自包括：<br/> 一AlN層；<br/> 一Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N層；以及<br/> 一Al<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>N層，<br/> 其中該Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N層位於該AlN層與該Al<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>N層之間，0.5＜x＜1，0＜y＜0.5，該AlN層與該Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N層相對於該Al<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>N層的一第一厚度比為1：(15~50)；<br/> 一絕緣層，位於該超晶格結構上；<br/> 一通道層，位於該絕緣層上；以及<br/> 一阻障層，位於該通道層上。
如請求項1所述之半導體結構，其中該AlN層、該Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N層及該Al<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>N層的一總厚度為25 nm至45 nm。
如請求項1所述之半導體結構，其中該超晶格結構具有1500 nm至3500 nm的一厚度。
如請求項1所述之半導體結構，其中該超晶格結構包括：<br/> 一第一超晶格結構，包括該些疊層單元的一第一部份，其中在該第一部份中，該AlN層與該Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N層相對於該Al<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>N層的一第二厚度比為1：(15~25)；以及<br/> 一第二超晶格結構，包括該些疊層單元的一第二部份，其中在該第二部份中，該AlN層與該Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N層相對於該Al<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>N層的一第三厚度比為1：(35~50)，該第二超晶格結構位於該第一超晶格結構與該絕緣層之間，或者該第一超晶格結構與該漸變緩衝層之間。
如請求項4所述之半導體結構，其中該第一超晶格結構與該第二超晶格結構的一第四厚度比為1：2至2：1。
如請求項1至5中任一項所述之半導體結構，其中該超晶格結構的一上表面具有一均方根粗糙度，該均方根粗糙度為0.3 nm至1 nm。
一種製造半導體結構的方法，包括：<br/> 形成一成核層於一半導體基板上；<br/> 形成一漸變緩衝層於該成核層上；<br/> 重複執行一沉積製程以形成一超晶格結構於該漸變緩衝層上，其中該沉積製程包括：<br/> 依序沉積一AlN層、一Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N層及一Al<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>N層，或者依序沉積該Al<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>N層、該Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N層及該AlN層，其中0.5＜x＜1，0＜y＜0.5，該AlN層與該Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N層相對於該Al<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>N層的一第一厚度比為1：(15~50)；<br/> 形成一絕緣層於該超晶格結構上；<br/> 形成一通道層於該絕緣層上；以及<br/> 形成一阻障層於該通道層上。
如請求項7所述之方法，其中在950 °C至1050 °C的一溫度下重複執行該沉積製程。
如請求項7所述之方法，其中該沉積製程是藉由有機金屬化合物化學氣相沉積法來執行，沈積該AlN層時的一V/III比為2500至6000，該V/III比為在一前驅氣體中V族元素與III族元素的莫耳比。
如請求項7所述之方法，其中該超晶格結構的一上表面具有一均方根粗糙度，該均方根粗糙度為0.3 nm至1 nm。
一種奇數分頻電路，包括：<br/> 一分頻模塊，包括一第一邏輯運算單元與複數個D型正反器，該些D型正反器係成一級聯組態以對一參考時鐘信號執行一分頻處理以產生一第一時鐘信號；以及<br/> 一控制模塊，耦接該分頻模塊；<br/> 其中，該些D型正反器在該分頻處理過程中同時產生複數個中間數據，且該第一邏輯運算單元被配置成對該些中間數據執行一邏輯運算以產生一邏輯運算數據以回授至該些D型正反器；<br/> 其中，該控制模塊被配置成在該些中間數據的一位元組合符合一目標位元組合時產生一重置信號以重置該分頻模塊，從而使該分頻模塊能夠正常地輸出所述第一時鐘信號；<br/> 其中，該第一邏輯運算單元具有一第一端、一第二端、一第三端、一第四端、一第五端、以及一輸出端，且該複數個D型正反器包括：一第一D型正反器，具有一數據輸入端、一時鐘信號接收端、一重置信號接收端、以及一數據輸出端，該數據輸入端耦接該第一邏輯運算單元的該輸出端，該時鐘信號接收端耦接該參考時鐘信號，該重置信號接收端耦接該控制模塊以接收所述重置信號，且該數據輸出端用以輸出一個所述中間數據；一第二D型正反器，具有一數據輸入端、一時鐘信號接收端、一重置信號接收端、以及一數據輸出端，該數據輸入端耦接該第一D型正反器的該數據輸出端，該時鐘信號接收端耦接該參考時鐘信號，該重置信號接收端耦接該控制模塊以接收所述重置信號，且該數據輸出端用以輸出一個所述中間數據；以及一第三D型正反器，具有一數據輸入端、一時鐘信號接收端、一重置信號接收端、以及一數據輸出端，該數據輸入端耦接該第二D型正反器的該數據輸出端，該時鐘信號接收端耦接該參考時鐘信號，該重置信號接收端耦接該控制模塊以接收所述重置信號，且該數據輸出端用以輸出一個所述中間數據；以及<br/> 其中，在該第一邏輯運算單元中，該第一端耦接至該第一D型正反器的該數據輸出端，該第二端和該第四端耦接至該第二D型正反器的該數據輸出端，且該第三端和該第五端耦接至該第三D型正反器的該數據輸出端。
如請求項1所述之奇數分頻電路，其進一步包括一佔空比調整模塊，該佔空比調整模塊包括：<br/> 一D型正反器，具有一數據輸入端、一時鐘信號接收端、一重置信號接收端、以及一數據輸出端，其中，該數據輸入端耦接該分頻模塊的該輸出端，該時鐘信號接收端耦接該參考時鐘信號，且該重置信號接收端耦接該控制模塊的該輸出端；<br/> 一第二邏輯運算單元，具有一第一輸入端、一第二輸入端與一輸出端，其中，該第一輸入端耦接該分頻模塊的該輸出端，且該第二輸入端耦接該D型正反器的該數據輸出端；以及<br/> 一多工器，具有一第一輸入端、一第二輸入端與一控制端，其中，該第一輸入端耦接該分頻模塊的該輸出端，該第二輸入端耦接該第二邏輯運算單元的該輸出端，且該控制端耦接一選擇信號；<br/> 其中，該D型正反器被配置基於負緣觸發機制以依據該參考時鐘信號將所述第一時鐘信號輸出為一第二時鐘信號；<br/> 其中，該第二邏輯運算單元為一及閘，且被配置以依據該第一時鐘信號和該第二時鐘信號以產生一第三時鐘信號；<br/> 其中，該多工器被配置以依據該選擇信號選擇所述第一時鐘信號或所述第三時鐘信號予以輸出。
如請求項1所述之奇數分頻電路，其中，該控制模塊包括：<br/> 一第一反相器，具有一輸入端與一輸出端，且該輸入端耦接該第一D型正反器的該數據輸出端；<br/> 一第二反相器，具有一輸入端與一輸出端，且該輸入端耦接該第一反相器的該輸出端；<br/> 一緩衝器，具有一輸入端與一輸出端，且該輸入端耦接該第二D型正反器的該數據輸出端；<br/> 一第三反相器，具有一輸入端與一輸出端，且該輸入端耦接該緩衝器的該輸出端；<br/> 一第四反相器，具有一輸入端與一輸出端，且該輸入端耦接該第三反相器的該輸出端；<br/> 一第五反相器，具有一輸入端與一輸出端，且該輸入端耦接該第三D型正反器的該數據輸出端；<br/> 一第六反相器，具有一輸入端與一輸出端，且該輸入端耦接該第五反相器的該輸出端；<br/> 一第一及閘，具有一第一輸入端、一第二輸入端、一第三輸入端、以及一輸出端，其中，該第一輸入端耦接至該第一反相器的該輸出端，該第二輸入端耦接至該第四反相器的該輸出端，且該第三輸入端耦接至該第六反相器的該輸出端；<br/> 一第二及閘，具有一第一輸入端、一第二輸入端、一第三輸入端、以及一輸出端，其中，該第一輸入端耦接至該第二反相器的該輸出端，該第二輸入端耦接至該第三反相器的該輸出端，且該第三輸入端耦接至該第五反相器的該輸出端；<br/> 一非或閘，具有一第一輸入端、一第二輸入端、一使能端、與一輸出端，其中，該第一輸入端耦接至該第一及閘的該輸出端，該第二輸入端耦接至該第二及閘的該輸出端，該使能端耦接一使能信號，且該輸出端耦接至各所述重置信號接收端。
如請求項3所述之奇數分頻電路，其中，該第一邏輯運算單元包括：<br/> 一反相器，具有一輸入端與一輸出端，且該輸入端耦接至該第四端；<br/> 一第三及閘，具有一第一輸入端、一第二輸入端與一輸出端，其中，該第一輸入端耦接至該第五端，且該第二輸入端耦接至該反相器的該輸出端；<br/> 一第四及閘，具有一第一輸入端、一第二輸入端、一第三輸入端、以及與一輸出端，其中，該第一輸入端耦接至該第三端，該第二輸入端耦接至該第二端，且該第三輸入端耦接至該第一端；以及<br/> 一或閘，具有一第一輸入端、一第二輸入端與一輸出端，其中，該第一輸入端耦接至該第三及閘的該輸出端，該第二輸入端耦接至該第四及閘的該輸出端，且該輸出端耦接至該第一邏輯運算單元的該輸出端。
一種電子晶片，其特徵在於，內含至少一個如請求項1至請求項4之中任一項所述之奇數分頻電路。
一種資訊處理裝置，其特徵在於，內含至少一個如請求項5所述之電子晶片。
一種聚酯纖維類複合假撚紗，芯紗由聚對苯二甲酸乙二醇酯/聚對苯二甲酸丙二醇酯（PET/PTT）潛在卷曲絲構成，效果紗由聚酯纖維預取向絲（Partially Oriented Yarn：POY）構成，交織數為4個/m至10個/m。
如請求項1之聚酯纖維類複合假撚紗，其中，所述PET/PTT潛在卷曲絲的最終單紗細度為1旦尼爾至4旦尼爾，聚酯纖維類預取向絲的單紗細度為0.5旦尼爾至5旦尼爾。
如請求項1之聚酯纖維類複合假撚紗，其中，所述聚酯纖維類複合假撚紗的卷曲率為30%以上，表觀密度為0.2g/cm<sup>3</sup>以下。
如請求項1之聚酯纖維類複合假撚紗，其中，在所述聚酯纖維類複合假撚紗中，芯紗的波距小於效果紗的波距。
如請求項1之聚酯纖維類複合假撚紗，其中，所述複合假撚紗的效果紗的波距與芯紗的波距之比大於1.6。
一種聚酯纖維類複合假撚紗的製備方法，使用PET/PTT潛在卷曲絲作為芯紗，使用聚酯纖維類預取向絲（POY）作為效果紗，首先將兩種類型的紗線以4個/m至10個/m的交織數進行交織，將其通過加熱器、假撚部及輥筒，在假撚溫度為250℃至280℃及拉伸比為1.00至1.15的條件下同時進行拉伸及假撚。
一種顯示裝置，包括： <br/>一驅動背板； <br/>一堤岸層，設置於該驅動背板上，且具有一第一開口、一第二開口及一第三開口，其中該第一開口及該第二開口位於該第三開口的同一側； <br/>多個發光元件，位於該第一開口、該第二開口及該第三開口中，且電性連接至該驅動背板，其中該些發光元件包括一第一發光元件； <br/>其中該第一開口的面積與該第三開口的面積不相等，且位於該第一開口中的該些發光元件的一部分的數量與位於該第三開口中的該些發光元件的另一部分的數量不相等；以及 <br/>一彩色濾光基板，設置於該驅動背板的對向，其中該彩色濾光基板包括一黃色濾光圖案及一青色濾光圖案，該黃色濾光圖案位於該第一開口及該第二開口上，且該青色濾光圖案位於該第三開口上。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該第一開口的面積及該第二開口的面積小於該第三開口的面積。
如請求項1所述的顯示裝置，更包括： <br/>一色轉換圖案，設置於該第一開口與該第二開口的一者中，且覆蓋該第一發光元件，其中該色轉換圖案用以將該第一發光元件發出的一第一色光轉換為一紅光，且該色轉換圖案與該黃色濾光圖案重疊。
如請求項3所述的顯示裝置，其中該些發光元件更包括一第二發光元件，該第二發光元件設置於該第一開口與該第二開口的另一者中，該第二發光元件用以發出一第二色光，該第一色光與該第二色光不同，且該黃色濾光圖案更重疊於該第一發光元件及該第二發光元件。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該些發光元件更包括一第二發光元件及一第三發光元件，該第二發光元件及該第三發光元件設置於該第三開口且分別用以發出一第二色光及一第三色光，該第二色光與該第三色光不同，且該青色濾光圖案重疊於該第二發光元件及該第三發光元件。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該些發光元件包括一第三發光元件，該第一發光元件及該第三發光元件分別設置於該第一開口及該第三開口中，該第一發光元件的一長邊方向與該第三發光元件的一長邊方向交錯。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該第一發光元件設置於該第一開口中，該第一發光元件的一長邊方向實質上平行於該第三開口的一長邊方向。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該些發光元件包括一第二發光元件，該顯示裝置更包括： <br/>一備用焊墊組，電性連接至該驅動背板，其中該備用焊墊組與該第二發光元件設置於該第三開口中，該備用焊墊組的多個焊墊的一排列方向與該第二發光元件的一長邊方向交錯。
一種體智能測驗系統，適用於結合體適能及認知功能的測驗，包含：<br/> 一影像取得裝置，用於取得一受測者的一測驗影片並取得該測驗影片中關連於一指定區域的多個影像；<br/> 一記憶體，連接於該影像擷取裝置，用於儲存該測驗影片及該些影像，並預存有一第一模型及一第二模型，該第一模型用於偵測並標記該些影像中該受測者的多個第一人體關節點，且該第二模型用於標記該測驗影片中該受測者的多個第二人體關節點並產生一決策時間及一動作時間，其中該決策時間指示該些第二人體關節點自一第一時間點至離開一起始位置的時間，該動作時間指示該些第二人體關節點自一第一位置至一第二位置的時間；以及<br/> 一處理裝置，連接於該記憶體，用於根據該些第一人體關節點判斷該受測者是否完成指定動作，利用該第二模型取得該決策時間及該動作時間，並根據該決策時間、該動作時間及該受測者是否完成該指定動作產生該受測者的體智能測驗結果。
如請求項1所述的體智能測驗系統，其中該影像取得裝置所取得的該些影像為單視角影像。
如請求項1所述的體智能測驗系統，其中該第一模型相較於該第二模型具有較快的運行速度，且該第一模型係進行二維姿態偵測該些影像中該受測者的該些第一人體關節點。
如請求項1所述的體智能測驗系統，其中該第二模型的複雜度高於該第一模型，且該些第二人體關節點相較於該些第一人體關節點具有較小範圍的標記。
如請求項1所述的體智能測驗系統，其中該處理裝置根據該些第一人體關節點判斷該受測者是否完成該指定動作包括：<br/> 判斷該些第一人體關節點中的任一者是否離開一起始區域；<br/> 若是，則於一第一預定時間內判斷該些第一人體關節點中的任一者是否觸及一目標設定區域；<br/> 若是，則於一第二預定時間內判斷該些第一人體關節點是否返回該起始區域；以及<br/> 若是，則判斷該受測者完成該指定動作。
如請求項1所述的體智能測驗系統，其中該處理裝置利用該第二模型取得該決策時間及該動作時間包括：<br/> 讀取該測驗影片中的多個錄影影像；<br/> 進行二維或三維姿態偵測該些錄影影像中該受測者的該些第二人體關節點；<br/> 根據該受測者的該些第二人體關節點判斷該受測者是否離開該起始位置；<br/> 計算該受測者自該第一時間點至離開該起始位置的該決策時間；<br/> 根據該些第二人體關節點中的一第二關節點判斷該受測者是否觸及一目標設定區域；<br/> 計算該受測者自該第一位置至該第二位置的該動作時間；<br/> 判斷受測者是否返回該起始位置；以及<br/> 計算該受測者的一整體表現時間。
如請求項6所述的體智能測驗系統，其中該影像取得裝置包含多個影像取得元件，該些影像取得元件用於取得多個視角的該測驗影片，且該些視角不同於彼此。
如請求項6所述的體智能測驗系統，其中進行該二維或三維姿態偵測該些錄影影像中該受測者的該些第二人體關節點包括：<br/> 利用一時序關係追蹤演算法修正該二維或三維姿態偵測的誤判結果。
如請求項6所述的體智能測驗系統，其中該整體表現時間包括該決策時間及該動作時間，且計算該受測者的該整體表現時間包括：<br/> 於測驗開始前執行一系統校正；<br/> 根據該系統校正修正一時間延遲；以及<br/> 將該時間延遲及該系統校正的校正資訊納入該決策時間、該動作時間及該整體表現時間的時間計算中。
一種體智能測驗方法，包含：<br/> 取得一受測者的一測驗影片並取得該測驗影片中關連於一指定區域的多個影像；<br/> 偵測並標記該些影像中該受測者的多個第一人體關節點；<br/> 根據該些第一人體關節點判斷該受測者是否完成指定動作；<br/> 標記該測驗影片中該受測者的多個第二人體關節點並產生一決策時間及一動作時間，其中該決策時間指示該些第二人體關節點自一第一時間點至離開一起始位置的時間，該動作時間指示該些第二人體關節點自一第一位置至一第二位置的時間；以及<br/> 根據該決策時間、該動作時間及該受測者是否完成該指定動作產生該受測者的體智能測驗結果。
一種工件輸送裝置，具備：<br/> 基座，其具有開口；<br/> 分度工作臺，其旋轉自如地設置於所述基座上，並在外周部具有收納工件的收納孔；<br/> 電檢查部，其配置於所述分度工作臺的外周，並對所述收納孔內的工件進行電檢查；<br/> 工件排出部，其配置於所述分度工作臺的外周，將所述收納孔內的所述工件排出；<br/> 分度工作臺驅動部，其貫通所述基座的所述開口而延伸，並對所述分度工作臺進行旋轉驅動；<br/> 工件檢測部，其設置於與所述工件排出部對應的位置，並檢測有無所述工件；以及<br/> 控制部，<br/> 所述工件檢測部具有一對受光感測器，其中一個受光感測器位於所述分度工作臺的外緣的半徑方向內側，另一個受光感測器位於所述分度工作臺的外緣的半徑方向外側，<br/> 所述控制部基於來自所述另一個受光感測器的訊號，在所述另一個受光感測器被遮光的情況下，不使所述分度工作臺驅動部進行旋轉驅動。
如請求項1所述的工件輸送裝置，<br/> 所述分度工作臺驅動部具有驅動部主體和驅動軸，所述驅動軸設置於所述驅動部主體內並且與所述分度工作臺連結，<br/> 所述驅動部主體的上端部在俯視時收納於所述基座的開口內，所述驅動部主體的上端部不與所述基座接觸。
如請求項1或2所述的工件輸送裝置，<br/> 所述分度工作臺驅動部和所述基座由不同的支承體獨立地支承。
如請求項2所述的工件輸送裝置，<br/> 所述驅動軸經由升降軸承而支承於所述驅動部主體，所述驅動軸和所述升降軸承通過使將所述驅動部主體和所述升降軸承貫通的偏心銷旋轉，從而能夠相對於所述驅動部主體在上下方向上移動。
如請求項1所述的工件輸送裝置，<br/> 所述分度工作臺驅動部具有驅動部主體和驅動軸，所述驅動軸設置於所述驅動部主體內並且與所述分度工作臺連結，所述驅動軸經由升降軸承而支承於所述驅動部主體，<br/> 在所述升降軸承設置有制動銷，所述制動銷與所述分度工作臺驅動部接觸而抑制所述分度工作臺的旋轉。
一種工件檢查系統，具備：<br/> 如請求項1所述的工件輸送裝置；以及<br/> 包圍所述工件輸送裝置的檢查室，<br/> 所述工件檢查系統設置有對所述檢查室的溫度進行調整的溫度調整裝置。
一種用以解碼一多樹型結構的一經編碼傳信之解碼器，該經編碼傳信包含一最高階層級別的一指示以及關聯不等於該最高階層級別的該多樹型結構之節點的一旗標序列，各旗標指明關聯的節點是否為一中間節點或是子系節點，該解碼器被組配來：<br/> 自一資料串流解碼出該最高階層級別的該指示，並且接著<br/> 以一深度優先或廣度優先走訪順序，藉由跳過該最高階層級別的節點並且自動地指定相同支葉節點，而自該資料串流依序地解碼出該旗標序列，<br/> 其中，該多樹型結構標示一圖像的一樹根區塊的一空間多樹型次分割，其中，該樹根區塊是矩形的，<br/> 其中，該解碼器被組配來使用機率估計脈絡而依序地熵解碼出該等旗標，<br/> 其中，該等機率估計脈絡對於關聯位於該多樹型結構之相同階層級別內的該多樹型結構之節點的旗標是相同的，但是對於位於該多樹型結構之不同階層級別內的該多樹型結構之節點是不同的。
根據請求項1之解碼器，其中，該多樹型結構標示一樹根區塊的一空間多樹型次分割，依據該空間多樹型次分割，該樹根區塊遞迴式被多劃分成為支葉區塊，其中各旗標指明對應於各別旗標關聯之節點的該樹根區塊之一區域是否被多劃分，該解碼器被組配來依序地熵解碼出該等旗標。
根據請求項1之解碼器，其中，該多樹型結構標示以伴隨有深度資訊的方式被編碼成該資料串流的一視訊之一圖像的一樹根區塊的一空間多樹型次分割。
根據請求項1之解碼器，其中該多樹型結構標示一圖像的一樹根區塊的一空間多樹型次分割，該圖像以包含與二個色度樣本陣列在一起的一亮度樣本陣列的方式被編碼成該資料串流，其中，在水平方向上該等色度樣本陣列相對於該亮度樣本陣列的空間解析度的縮放因數不同於在垂直方向上空間解析度的縮放因數。
根據請求項1之解碼器，其中，該多樹型結構標示一圖像的一樹根區塊的一空間多樹型次分割，該圖像以對應於不同色彩成份的不同色彩平面被編碼成該資料串流，並且該解碼器被組配來獨立地對該圖像的該等不同色彩平面進行解碼。
一種用以解碼一多樹型結構的一編碼傳信之方法，該編碼傳信包含一最高階層級別的一指示以及關聯不等於該最高階層級別的該多樹型結構之節點的一旗標序列，各旗標指明關聯的節點是否為一中間節點或是子系節點，該方法包含：<br/> 自一資料串流解碼出該最高階層級別的該指示，並且接著<br/> 以一深度優先或廣度優先走訪順序，藉由跳過該最高階層級別的節點並且自動地指定相同支葉節點，而自該資料串流依序地解碼出該旗標序列，<br/> 其中，該多樹型結構標示一圖像的一樹根區塊的一空間多樹型次分割，其中，該樹根區塊是矩形的，<br/> 其中，該等旗標係使用機率估計脈絡而依序地被熵解碼出，<br/> 其中，該等機率估計脈絡對於關聯位於該多樹型結構之相同階層級別內的該多樹型結構之節點的旗標是相同的，但是對於位於該多樹型結構之不同階層級別內的該多樹型結構之節點是不同的。
根據請求項6之方法，其中該圖像伴隨有深度資訊。
根據請求項6之方法，其中該多樹型結構標示一圖像的一樹根區塊的一空間多樹型次分割，該圖像以包含與二個色度樣本陣列在一起的一亮度樣本陣列的方式被編碼成該資料串流，其中，在水平方向上該等色度樣本陣列相對於該亮度樣本陣列的空間解析度的縮放因數不同於在垂直方向上空間解析度的縮放因數。
根據請求項6之方法，其中，其中該多樹型結構標示一圖像的一樹根區塊的一空間多樹型次分割，該圖像以對應於不同色彩成份的不同色彩平面被編碼成該資料串流，並且該方法包含獨立地對該圖像的該等不同色彩平面進行解碼。
一種用以產生一多樹型結構的一編碼傳信之編碼器，該編碼傳信包含一最高階層級別的一指示以及關聯不等於該最高階層級別的該多樹型結構之節點的一旗標序列，各旗標指明關聯的節點是否為一中間節點或是子系節點，該編碼器被組配來：<br/> 編碼來自一資料串流的該最高階層級別的該指示，並且接著<br/> 以一深度優先或廣度優先走訪順序，藉由跳過該最高階層級別的節點並且自動地指定相同支葉節點，而依序地編碼來自該資料串流的該旗標序列，<br/> 其中，該多樹型結構標示一圖像的一樹根區塊的一空間多樹型次分割，其中，該樹根區塊是矩形的，<br/> 其中，該編碼器被組配來使用機率估計脈絡依序地熵編碼該等旗標，<br/> 其中，該等機率估計脈絡對於關聯位於該多樹型結構之相同階層級別內的該多樹型結構之節點的旗標是相同的，但是對於位於該多樹型結構之不同階層級別內的該多樹型結構之節點是不同的。
根據請求項10之編碼器，其中，該多樹型結構標示以伴隨有深度資訊的方式被編碼成該資料串流的一視訊之一圖像的一樹根區塊的一空間多樹型次分割。
根據請求項10之編碼器，其中，該多樹型結構標示一圖像的一樹根區塊的一空間多樹型次分割，該圖像以包含與二個色度樣本陣列在一起的一亮度樣本陣列的方式被編碼成該資料串流，其中，在水平方向上該等色度樣本陣列相對於該亮度樣本陣列的空間解析度的縮放因數不同於在垂直方向上空間解析度的縮放因數。
根據請求項10之編碼器，其中，該多樹型結構標示一圖像的一樹根區塊的一空間多樹型次分割，該圖像以對應於不同色彩成份的不同色彩平面被編碼成該資料串流，並且該編碼器被組配來獨立地對該圖像的該等不同色彩平面進行編碼。
一種用以產生一多樹型結構的一編碼傳信之方法，該編碼傳信包含一最高階層級別的一指示以及關聯不等於該最高階層級別的該多樹型結構之節點的一旗標序列，各旗標指明關聯的節點是否為一中間節點或是子系節點，該方法包含：<br/> 編碼來自一資料串流的該最高階層級別的該指示，並且接著<br/> 以一深度優先或廣度優先走訪順序，藉由跳過該最高階層級別的節點並且自動地指定相同支葉節點，而依序地編碼來自該資料串流的該旗標序列，<br/> 其中，該多樹型結構標示一圖像的一樹根區塊的一空間多樹型次分割，其中，該樹根區塊是矩形的；<br/> 其中，該等旗標係使用機率估計脈絡依序地被熵編碼；<br/> 其中，該等機率估計脈絡對於關聯位於該多樹型結構之相同階層級別內的該多樹型結構之節點的旗標是相同的，但是對於位於該多樹型結構之不同階層級別內的該多樹型結構之節點是不同的。
根據請求項14之方法，其中，該多樹型結構標示以伴隨有深度資訊的方式被編碼成該資料串流的一視訊之一圖像的一樹根區塊的一空間多樹型次分割。
根據請求項14之方法，其中，該多樹型結構標示一圖像的一樹根區塊的一空間多樹型次分割，該圖像以包含與二個色度樣本陣列在一起的一亮度樣本陣列的方式被編碼成該資料串流，其中，在水平方向上該等色度樣本陣列相對於該亮度樣本陣列的空間解析度的縮放因數不同於在垂直方向上空間解析度的縮放因數。
根據請求項14之方法，其中，該多樹型結構標示一圖像的一樹根區塊的一空間多樹型次分割，該圖像以對應於不同色彩成份的不同色彩平面被編碼成該資料串流，並且該方法包含獨立地對該圖像的該等不同色彩平面進行編碼。
一種用於解碼資料串流之方法，其中該方法包含：<br/> 解碼一資料串流，其中<br/> 一多樹型結構的一傳信被編碼成該資料串流，該資料串流包含：<br/> 一最高階層級別的一指示，以及<br/> 關聯不等於該最高階層級別的該多樹型結構之節點的一旗標序列，各旗標指明關聯的節點是否為一中間節點或是子系節點，<br/> 其中，該旗標序列係依序地，以一深度優先或廣度優先走訪順序，藉由跳過該最高階層級別的節點並且自動地指定相同支葉節點，被編碼成該資料串流，<br/> 其中，該多樹型結構標示一圖像的一樹根區塊的一空間多樹型次分割，其中，該樹根區塊是矩形的，<br/> 其中，該等旗標係使用機率估計脈絡依序地被熵編碼，<br/> 其中，該等機率估計脈絡對於關聯位於該多樹型結構之相同階層級別內的該多樹型結構之節點的旗標是相同的，但是對於位於該多樹型結構之不同階層級別內的該多樹型結構之節點是不同的。
根據請求項18之方法，其中，該多樹型結構標示以伴隨有深度資訊的方式被編碼成該資料串流的一視訊之一圖像的一樹根區塊的一空間多樹型次分割。
根據請求項18之方法，其中，該多樹型結構標示一圖像的一樹根區塊的一空間多樹型次分割，該圖像以包含與二個色度樣本陣列在一起的一亮度樣本陣列的方式被編碼成該資料串流，其中，在水平方向上該等色度樣本陣列相對於該亮度樣本陣列的空間解析度的縮放因數不同於在垂直方向上空間解析度的縮放因數。
根據請求項18之方法，其中，該多樹型結構標示一圖像的一樹根區塊的一空間多樹型次分割，該圖像以對應於不同色彩成份的不同色彩平面被編碼成該資料串流，並且該圖像的該等不同色彩平面被獨立地解碼。
一種用以解碼資料串流之方法，其中，該方法包含：<br/> 解碼一資料串流，其中，一多樹型結構的一傳信被編碼成該資料串流，<br/> 其中，經編碼之該傳信包含一最高階層級別的一指示以及關聯不等於該最高階層級別的該多樹型結構之節點的一旗標序列，各旗標指明關聯的節點是否為一中間節點或是子系節點，其中，經編碼之該傳信係藉由下列步驟產生：<br/> 編碼來自一資料串流的該最高階層級別的該指示，並且接著<br/> 以一深度優先或廣度優先走訪順序，藉由跳過該最高階層級別的節點並且自動地指定相同支葉節點，而依序地編碼來自該資料串流的該旗標序列，<br/> 其中，該多樹型結構標示一圖像的一樹根區塊的一空間多樹型次分割，其中，該樹根區塊是矩形的，<br/> 其中，該等旗標係使用機率估計脈絡依序地被熵編碼，<br/> 其中，該等機率估計脈絡對於關聯位於該多樹型結構之相同階層級別內的該多樹型結構之節點的旗標是相同的，但是對於位於該多樹型結構之不同階層級別內的該多樹型結構之節點是不同的。
一種用於在一多樹型結構上發送資訊之方法，包含：<br/> 在發送媒體上發送一資料串流，其中，<br/> 該多樹型結構的一傳信被編碼成該資料串流，該資料串流包含：<br/> 一最高階層級別的一指示，以及<br/> 關聯不等於該最高階層級別的該多樹型結構之節點的一旗標序列，各旗標指明關聯的節點是否為一中間節點或是子系節點，<br/> 其中，該旗標序列係依序地，以一深度優先或廣度優先走訪順序，藉由跳過該最高階層級別的節點並且自動地指定相同支葉節點，被編碼成該資料串流，<br/> 其中，該多樹型結構標示一圖像的一樹根區塊的一空間多樹型次分割，其中，該樹根區塊是矩形的，<br/> 其中，該等旗標係使用機率估計脈絡依序地被熵編碼，<br/> 其中，該等機率估計脈絡對於關聯位於該多樹型結構之相同階層級別內的該多樹型結構之節點的旗標是相同的，但是對於位於該多樹型結構之不同階層級別內的該多樹型結構之節點是不同的。
根據請求項23之方法，其中，該多樹型結構標示以伴隨有深度資訊的方式被編碼成該資料串流的一視訊之一圖像的一樹根區塊的一空間多樹型次分割。
根據請求項23之方法，其中，該多樹型結構標示一圖像的一樹根區塊的一空間多樹型次分割，該圖像以包含與二個色度樣本陣列在一起的一亮度樣本陣列的方式被編碼成該資料串流，其中，在水平方向上該等色度樣本陣列相對於該亮度樣本陣列的空間解析度的縮放因數不同於在垂直方向上空間解析度的縮放因數。
根據請求項23之方法，其中，該多樹型結構標示一圖像的一樹根區塊的一空間多樹型次分割，其中，該圖像以對應於不同色彩成份的不同色彩平面被編碼成該資料串流，並且該圖像的該等不同色彩平面被獨立地解碼。
一種用於在一多樹型結構上儲存資訊之方法，包含：<br/> 在一數位儲存媒體上儲存一資料串流，其中，<br/> 該多樹型結構的一傳信被編碼成該資料串流，該資料串流包含：<br/> 一最高階層級別的一指示，以及<br/> 關聯不等於該最高階層級別的該多樹型結構之節點的一旗標序列，各旗標指明關聯的節點是否為一中間節點或是子系節點，<br/> 其中，該旗標序列係依序地，以一深度優先或廣度優先走訪順序，藉由跳過該最高階層級別的節點並且自動地指定相同支葉節點，被編碼成該資料串流，<br/> 其中，該多樹型結構標示一圖像的一樹根區塊的一空間多樹型次分割，其中，該樹根區塊是矩形的，<br/> 其中，該等旗標係使用機率估計脈絡依序地被熵編碼，<br/> 其中，該等機率估計脈絡對於關聯位於該多樹型結構之相同階層級別內的該多樹型結構之節點的旗標是相同的，但是對於位於該多樹型結構之不同階層級別內的該多樹型結構之節點是不同的。
根據請求項27之方法，其中，該多樹型結構標示以伴隨有深度資訊的方式被編碼成該資料流的一視訊之一圖像的一樹根區塊的一空間多樹型次分割。
根據請求項27之方法，其中，該多樹型結構標示一圖像的一樹根區塊的一空間多樹型次分割，該圖像以包含與二個色度樣本陣列在一起的一亮度樣本陣列的方式被編碼成該資料串流，其中，在水平方向上該等色度樣本陣列相對於該亮度樣本陣列的空間解析度的縮放因數不同於在垂直方向上空間解析度的縮放因數。
根據請求項27之方法，其中，該多樹型結構標示一圖像的一樹根區塊的一空間多樹型次分割，其中，該圖像以對應於不同色彩成份的不同色彩平面被編碼成該資料串流，並且該圖像的該等不同色彩平面被獨立地解碼。
一種插層摻雜裝置，用於將摻雜劑原子、離子或分子在壓力加速下插入二維材料中，該裝置包括：<br/> 高壓反應室，<br/> 其中，有多個晶圓或基板布置在該反應室內，<br/> 其中，對該多個晶圓或基板的至少一個表面施加2巴至500巴範圍內的高壓，<br/> 其中，該多個晶圓或基板的直徑或邊長為25mm至450mm之間；<br/> 加熱器，<br/> 其中，該加熱器將熱量施加到該多個晶圓或基板上，並且<br/> 其中，該多個晶圓或基板加熱至25°C至500°C之間的溫度；以及<br/> 摻雜劑施加裝置，<br/> 其中，該摻雜劑施加裝置至少包括用於將摻雜劑從該高壓反應室外部輸送至該高壓反應室內部的閥門和管道，或包括坩堝，其內置有該摻雜劑，並置於該高壓反應室內，<br/> 其中，該摻雜劑包括插層摻雜劑，<br/> 其中，該多個晶圓或基板包括單層、少層或多層石墨烯或其他層狀二維材料，<br/> 其中，該單層、少層或多層石墨烯或其他層狀二維材料包括蝕刻圖案，<br/> 其中，該蝕刻圖案包括邊緣，<br/> 其中，當該摻雜劑處於氣相或液相時，該邊緣暴露於該摻雜劑；<br/> 其中，該多個晶圓或基板中的每一個相對於彼此水平放置且表面朝上。
根據請求項1的裝置，<br/> 其中，該插層摻雜可逆地將原子、分子或離子插入該層狀二維材料的層之間。
根據請求項1的裝置，<br/> 其中，該高壓以氣體形式施加。
根據請求項1的裝置，<br/> 其中，該高壓以機械形式施加。
根據請求項1的裝置，<br/> 其中，該反應室為垂直朝向。
根據請求項1的裝置，<br/> 其中，該反應室為水平朝向。
根據請求項1的裝置，<br/> 其中，該摻雜劑施加裝置包括至少一個移動加壓活塞，該活塞設計成不接觸該多個晶圓或基板。
一種插層摻雜裝置，用於將摻雜劑原子、離子或分子在壓力加速下插入層狀二維材料中，該裝置包括：<br/> 高壓反應室，<br/> 其中，有單一或多個晶圓或基板布置在該反應室內，<br/> 其中，對該單一或多個晶圓或基板的至少一個表面施加2巴至500巴範圍內的高壓，<br/> 其中，該單一或多個晶圓或基板的直徑或邊長為 25 毫米至 450 毫米之間；<br/> 加熱器，<br/> 其中，該加熱器將熱量施加到該單一或多個晶圓或基板上，並且<br/> 其中，該單一或多個晶圓或基板加熱至25℃至500℃的溫度；以及<br/> 摻雜劑施加裝置，<br/> 其中，該摻雜劑施加裝置包括至少一個摻雜劑坩堝，<br/> 其中，該摻雜劑包括置於該摻雜劑坩堝原形為固相或液相的材料，並且<br/> 其中，該摻雜劑包括插層摻雜劑，<br/> 其中，該單一或多個晶圓或基板包括單層、少層或多層石墨烯條帶， <br/> 其中，該單層、少層或多層石墨烯條帶包括蝕刻圖案，<br/> 其中，該蝕刻圖案包括邊緣，並且<br/> 其中，當該摻雜劑處於氣相或液相時，該邊緣暴露於該摻雜劑。
根據請求項 8 的裝置，<br/> 其中，該插層摻雜可逆地將原子、分子或離子插入該層狀二維材料的層之間。
根據請求項 8 的裝置，<br/> 其中，該高壓以氣體形式施加。
根據請求項 8 的裝置，<br/> 其中，該高壓以機械形式施加。
根據請求項 8 的裝置，<br/> 其中，該反應室為水平朝向。
根據請求項 8 的裝置，<br/> 其中，該固相摻雜劑昇華成氣相。
根據請求項 8 的裝置，<br/> 其中，該摻雜劑施加裝置包括至少一個移動加壓活塞，該活塞設計成不接觸該單一或多個晶圓或基板。
一種壓力加速插層摻雜方法，包括使用一種用於將摻雜劑原子、離子或分子插入到層狀2D材料中的裝置，該方法包括以下步驟：<br/> 提供高壓反應室、加熱器和摻雜劑施加裝置；<br/> 提供多個晶圓或基板，<br/> 其中，該單一或多個晶圓或基板布置在該高壓反應室內，<br/> 其中，該單一或多個晶圓或基板的直徑或邊長為25mm至450mm之間；且<br/> 將該單一或多個晶圓或基板裝入該高壓反應室；<br/> 使用該加熱器將熱量施加到該多個晶圓或基板，<br/> 其中，該多個晶圓或基板加熱至25°C至500°C之間的溫度；<br/> 對該多個晶圓或基板的至少一個表面施加2巴至500巴範圍內的高壓；<br/> 其中，該摻雜劑施加裝置將摻雜劑帶入該高壓反應室內部及/或保持在該高壓反應室內部，<br/> 其中，該摻雜劑包括插層摻雜劑，<br/> 其中，該單一或多個晶圓或基板包括單層、少層或多層石墨烯條帶或其他層狀二維材料，<br/> 其中，該單層、少層或多層石墨烯條帶或其他層狀二維材料包括蝕刻圖案，<br/> 其中，該蝕刻圖案包括邊緣，<br/> 其中，該邊緣暴露於該摻雜劑；以及<br/> 在該溫度和該高壓下，使用處於氣相或液相狀態的該插層摻雜劑的至少一種處理該單一或多個晶圓或基板；<br/> 其中，該單一或多個晶圓或基板中的每一個相對於彼此水平放置且表面朝上。
根據請求項15的方法，<br/> 其中，該插層摻雜是指將原子、分子或離子可逆地插入該層狀二維材料的層與層間。
根據請求項15的方法，進一步包括如下步驟：<br/> 在該插層摻雜劑的至少一種存在下，在該溫度和該高壓下處理該單一或多個晶圓或基板達一段特定的時間，<br/> 其中，該特定時間至少為以該石墨烯條帶最大寬度的一半除以該插層摻雜的速度的結果，<br/> 其中，該插層摻雜的速度取決於該插層摻雜劑的至少一種的單一或多數類型，以及<br/> 該溫度及該高壓。
根據請求項15的方法，<br/> 其中，該高壓以氣體形式施加。
根據請求項15的方法，<br/> 其中，該高壓以機械形式施加。
根據請求項15的方法，<br/> 其中，該處理包括施加電場以加速該插層摻雜。
根據請求項15的方法，<br/> 其中，該固相摻雜劑昇華成氣相。
根據請求項15的方法，<br/> 其中，該摻雜劑施加裝置包括至少一個移動加壓活塞，該活塞設計成不接觸該單一或多個晶圓或基板。
一種磨石子工法，其包括有 <br/> 一回收建材步驟：由拆除的建築物取得回收建材；將該些回收建材進行分類、破碎和清洗；再將該些回收建材按粒徑大小進行篩選，分類為粒徑較小的回收建材粉末，以及粒徑較大的回收建材碎料； <br/> 一模製粗胚步驟：調製一灌模漿體，將該些回收建材粉末和純水泥粉末以1比1至3比1(回收建材粉末1~3：純水泥粉末1)的重量比例混和，再加入該些回收建材粉末和純水泥粉末兩者總重量之0.4至0.5倍的水；將該些回收建材粉末、純水泥粉末和水混合均勻，製成該灌模漿體；將該灌模漿體灌注於一模具中，待其固化且脫模而形成一粗胚； <br/> 一調製表層漿體步驟：調製一表層漿體，將該些回收建材粉末和純水泥粉末以0比1至1比1(回收建材粉末0~1：純水泥粉末1)的重量比例混和，再加入該些回收建材粉末和純水泥粉末兩者總重量之0.25至0.35倍的水；將該些回收建材粉末、純水泥粉末和水混合均勻，製成該表層漿體； <br/> 一附著回收建材碎料步驟：將該表層漿體和該些回收建材碎料附著於該粗胚；以及 <br/> 一磨石子步驟：待該粗胚上的表層漿體固化形成一表層，對該表層進行打磨。
如請求項1所述之磨石子工法，調製該灌模漿體時或調製該表層漿體時，能將水、水泥增稠劑、減水劑、助流劑等助劑添加於該灌模漿體或該表層漿體。
如請求項1所述之磨石子工法，調製該灌模漿體時或調製該表層漿體時，能將水泥強化劑添加於該灌模漿體或該表層漿體。
如請求項1所述之磨石子工法，調製該表層漿體時，能將色漿、色母或色膏等不同型式的顏料添加於該表層漿體。
如請求項1所述之磨石子工法，調製該灌模漿體時或調製該表層漿體時，能調整該些回收建材粉末和該些純水泥粉末的重量比例。
如請求項1所述之磨石子工法，在所述附著回收建材碎料步驟中，能以該表層漿體或該些回收建材碎料填補該粗胚上之表層漿體的凹陷。
如請求項1所述之磨石子工法，在所述磨石子步驟中能以該表層漿體填補該表層上的孔洞。
如請求項1至7中任一項所述之磨石子工法，所述附著回收建材碎料步驟中，先將該表層漿體塗覆於該粗胚的表面，再將該些回收建材碎料撒佈於該粗胚上的表層漿體。
如請求項1至7中任一項所述之磨石子工法，所述附著回收建材碎料步驟中，在該表層漿體調製完成後，將該些回收建材碎料加入該表層漿體，再將該表層漿體與其中的回收建材碎料一起塗覆該粗胚。
如請求項1至7中任一項所述之磨石子工法，所述所述調製表層漿體步驟中，在將該表層漿體塗覆於該粗胚之前，先在該粗胚的表面塗覆水泥接著劑。
一種無線通訊設備防撞裝置，包含：<br/> 一防撞殼，係以金屬材質所製成，該防撞殼係由一第一殼體、一第二殼體與一第三殼體所組成，該第一殼體與該第二殼體係分別接合於該第三殼體的兩端，該第一殼體、該第二殼體與該第三殼體皆為中空的圓筒狀殼體，其組合後於內部形成一容室，該第一殼體的一端係設為一容室開口，另一端則設為一第一接口，該容室開口的外徑大於該第一接口的外徑，該第一殼體的外側還具有一寬徑部與一窄徑部，該寬徑部與該容室開口相鄰而設，該窄徑部與該第一接口相鄰而設，該窄徑部的外周面由外向內依序形成有一第一外螺紋、複數個第一環槽與一第一凸緣，該等第一環槽套置有該等防水墊圈，該第一凸緣係位於該寬徑部與該窄徑部銜接處；該第二殼體的一端係設為一第二接口，另一端則設置一防水接頭，該第二殼體的外側還具有一銜接部，該銜接部與該第二接口相鄰而設，該銜接部的外周面由外向內依序形成有一第二外螺紋、複數個第二環槽與一第二凸緣，該等第二環槽套置有該等防水墊圈；該第三殼體的兩端設為一第一端口與一第二端口，其內側還具有一第一殼體接合部與一第二殼體接合部，該第一殼體接合部與該第一端口相鄰而設，該第二殼體接合部與該第二端口相鄰而設，該第一殼體接合部的內周面形成有一第一內螺紋，該第二殼體接合部的內周面形成有一第二內螺紋；其中，該第一內螺紋與該第一外螺紋相螺合，該等第一環槽所設置的該等防水墊圈緊貼於該第一殼體接合部，而該第一凸緣用於抵在該第一端口； 該第二內螺紋與該第二外螺紋相螺合，該等第二環槽所設置的該等防水墊圈緊貼於該第二殼體接合部，而該第二凸緣抵在該第二端口； <br/> 一訊號穿透殼，係以具無線訊號穿透性的材質所製成，其包含一訊號穿透部、一防撞殼連結部與一天線導體容置槽，該訊號穿透部與該防撞殼連結部係形成於該訊號穿透殼外側，該訊號穿透部的外徑大於該防撞殼連結部的外徑，使得該訊號穿透部與該防撞殼連結部之間形成一凸階，該天線導體容置槽係形成於該訊號穿透殼的內部，該天線導體容置槽具有一容置槽開口，該容置槽開口與該防撞殼連結部相鄰而設，該防撞殼連結部的外周面形成有複數個防水環槽；<br/> 一無線通訊設備，係設置於該容室中，該無線通訊設備包含一天線，該天線具有一天線導體，該天線係露出該容室開口，並位於該天線導體容置槽內；以及<br/> 複數防水墊圈，該等防水墊圈係設置於該等防水環槽；<br/> 其中，該防撞殼連結部係用於插入該容室開口內側，使得該等防水環槽設置的該等防水墊圈緊貼於該容室開口內側，該凸階抵在該容室開口，以密封該容室。
如請求項1之無線通訊設備防撞裝置，其中該防撞殼外周面係呈圓弧面。
如請求項1之無線通訊設備防撞裝置，其中該防撞殼係呈圓柱狀。
如請求項1之無線通訊設備防撞裝置，其中該訊號穿透殼的材質係選擇自塑膠、玻璃、木材或陶瓷。
如請求項1之無線通訊設備防撞裝置，其中該訊號穿透殼與該容室開口之間設置有一防水墊圈。
如請求項1之無線通訊設備防撞裝置，其中該無線通訊設備係連接一感測器。
如請求項1之無線通訊設備防撞裝置，其中該防撞殼還包含一防水接頭，該防水接頭係設置於該防撞殼；該無線通訊設備還包含一電路板、一電池與一導線，該電路板係設置於該容室中，其分別電性連接該天線、該電池與該導線，該導線一端係由該防撞殼內部通過該防水接頭延伸至該防撞殼外部。
一種釣魚用捲線器，組裝有容許支撐在捲線器本體內的旋轉驅動軸的一方向的旋轉，阻止另一方向的旋轉的單向離合器，其特徵在於：<br/> 該單向離合器具有使第一保持器與第二保持器上下重疊的組裝結構，該第一保持器具備：內環，與外環，與複數個滾動構件，與將複數個各該滾動構件推迫之複數個推迫彈簧，與保持複數個各該推迫彈簧之複數個保持部，該第二保持器安裝於在軸向夾持該外環的該第一保持器，<br/> 該第一保持器對該第二保持器在周向上於規定角度範圍中可相對旋轉地被連結。
如請求項1之釣魚用捲線器，其中該規定角度範圍設定為0度至20度，較佳為設定為0度至16度。
如請求項1之釣魚用捲線器，其中在該第二保持器的內表面具備複數個轂。
如請求項3之釣魚用捲線器，其中複數個各該轂配置於複數個各該推迫彈簧的0.05mm至0.2mm上方。
如請求項3或請求項4之釣魚用捲線器，其中該第二保持器的複數個各該轂在該第一保持器相對旋轉時，對複數個各該推迫彈簧在周向上相對移動而構成。
如請求項1之釣魚用捲線器，其中該第一保持器的複數個各該保持部在周向上具備使該第二保持器的該轂的旋轉移動為可能之缺口部。
如請求項6之釣魚用捲線器，其中該第一保持器的複數個各該保持部具有基部，在該基部具備支撐複數個各該推迫彈簧之支撐壁，與該缺口部。
如請求項1之釣魚用捲線器，其中該第一保持器具有卡止部，該第二保持器具有該卡止部卡止的被卡止部，該卡止部對該被卡止部在周向上可相對旋轉而構成。
如請求項8之釣魚用捲線器，其中該卡止部具有爪狀部，該被卡止部具有開口部與緣部，該爪狀部卡止於該緣部，該爪狀部沿著該緣部在周向上可相對旋轉而構成。
如請求項1之釣魚用捲線器，其中在該單向離合器的鎖定狀態下，藉由複數個各該滾動構件與形成在該第一保持器的內表面的楔形狀面接觸，阻止複數個各該滾動構件的旋轉。
如請求項3之釣魚用捲線器，其中在該單向離合器的鎖定狀態下，複數個各該轂的長度以從上方的投影長度看，為複數個各該推迫彈簧的軸向長度的45%~55%。
如請求項1之釣魚用捲線器，其中該第二保持器的複數個各該轂在該單向離合器的軸向看，與複數個各該滾動構件的至少一部分重疊而被配設。
如請求項1之釣魚用捲線器，其中在該第一保持器更具備用以進行與該第二保持器的相對旋轉動作之操作部。
一種寵物餵食機，包括：<br/> 一飼料倉模組，包括相連接的一上側及一下側，該上側為一中空槽體，該下側連通於該中空槽體且具有至少一出料口，其中該中空槽體適於容置一飼料； <br/> 一閥門模組，包括：<br/> 一主體，位於該中空槽體及該至少一出料口之間且具有至少一第一通道，該至少一第一通道的一端連通於該中空槽體；<br/> 至少一第一閥門，可動地位於該至少一第一通道內；<br/> 至少一第二通道，連通於該至少一第一通道的另一端及該至少一出料口之間；以及<br/> 一電路板，設置於該飼料倉模組內且電性連接於該至少一第一閥門；以及<br/> 至少一容器模組，包括：<br/> 一座體，包括相連接的一底座及一連接側，該連接側可拆卸地連接於該下側且具有一進料口，該底座具有一餵食槽，且該餵食槽連通於該進料口，當該連接側連接於該下側時，該進料口位於該至少一第二通道及該餵食槽之間；以及<br/> 一感應件，設置於該連接側且朝向該餵食槽的方向，並電性連接於該電路板；<br/> 其中當該感應件感應到對應的一目標物時，該至少一第一閥門適於被驅動而使部分的該飼料依序通過該至少一第一通道、該至少一第二通道及該至少一出料口而至該餵食槽。
如請求項1所述的寵物餵食機，其中該飼料倉模組包括一殼體以及一飼料倉，該飼料倉可拆卸地設置於該殼體內且具有孔洞，該飼料倉位於該中空槽體內，該孔洞連通於對應的該至少一第一通道。
如請求項2所述的寵物餵食機，其中該飼料倉模組更包括至少一隔板，該至少一隔板設置於該飼料倉內而將該飼料倉分隔為至少兩子倉，該至少一出料口的數量為至少兩個，該至少兩出料口分別連通於該至少兩子倉。
如請求項2所述的寵物餵食機，其中該飼料倉包括一接點，該接點電性連接於該電路板。
如請求項1所述的寵物餵食機，其中該飼料倉模組更包括一上蓋，該上蓋可拆卸地設置於該上側而適於覆蓋該中空槽體。
如請求項1所述的寵物餵食機，其中該至少一容器模組更包括兩餵食槽隔板，該兩餵食槽隔板設置於該座體的相對兩側，而使該餵食槽位於該連接側及該兩餵食槽隔板之間。
如請求項1所述的寵物餵食機，其中該至少一容器模組更包括一飼料碗，該飼料碗可拆卸地設置於該餵食槽內。
如請求項7所述的寵物餵食機，其中該飼料碗包括一電子秤，該電子秤位於該飼料碗的一底部。
如請求項1所述的寵物餵食機，其中該至少一容器模組更包括一保護蓋，該保護蓋適於覆蓋該餵食槽。
如請求項1所述的寵物餵食機，其中該電路板包括一連接埠，座體具有一連接槽，該連接埠對應於該連接槽。
如請求項1所述的寵物餵食機，其中該閥門模組更包括至少一第二閥門，該至少一第二閥門位於對應的該至少一第一通道內且位於該至少一第一閥門及該至少一出料口之間。
如請求項1所述的寵物餵食機，其中該飼料倉模組的該下側及該座體的該連接側的其中一者包括一磁性件，其中另一者包括另一磁性件或一金屬件，該磁性件對應於該另一磁性件或該金屬件。
如請求項1所述的寵物餵食機，其中該飼料倉模組更包括至少一側蓋，該至少一側蓋可拆卸地連接於該下側且覆蓋該至少一第二通道的一端。
一種具開口結構的金屬屏蔽件，係應用於一端子組件，該金屬屏蔽件呈長條狀，且其上開設有複數個開口，其中，至少一個開口的幾何結構分別用以適配該端子組件中的端子座之一結合凸塊穿過，且至少一個開口的位置實質對準該端子組件中的接地端子。
如請求項1所述之金屬屏蔽件，其中，相鄰二開口之間的側壁區域位置實質對準相鄰二訊號端子之間的間隙。
如請求項1所述之金屬屏蔽件，其中，該金屬屏蔽件設有複數個突出部，各該突出部的幾何結構分別用以適配該端子座中的凹陷部，且至少部分突出部沿垂直軸方向排列有該開口。
如請求項1所述之金屬屏蔽件，其中，該金屬屏蔽件設有複數彈性臂，各該彈性臂沿垂直軸方向排列有該開口。
一種具開口結構之金屬屏蔽件的端子組件，係應用至一連接器中，包括：<br/>複數支訊號端子；<br/>複數支接地端子；<br/>一端子座，係與各該訊號端子與各該接地端子相固定，其中，該端子座之一側設有複數個結合凸塊，至少一個結合凸塊係對應於該接地端子；及<br/>一金屬屏蔽件，係組裝至該端子座的該一側，其設有複數個開口，至少一個開口能供對應的該結合凸塊穿過。
如請求項5所述之端子組件，其中，至少兩支訊號端子彼此相鄰，且相鄰二開口之間的側壁區域位置實質對準相鄰二訊號端子之間的間隙。
如請求項5所述之端子組件，其中，該端子座之該側設有複數個凹陷部，各該凹陷部分別對應於各該接地端子；該金屬屏蔽件設有複數個突出部，各該突出部能伸入至對應的各該凹陷部，且至少部分突出部沿垂直軸方向排列有該開口。
如請求項5所述之端子組件，其中，該金屬屏蔽件設有複數彈性臂，各該彈性臂沿垂直軸方向排列有該開口。
如請求項5所述之端子組件，其中，該金屬屏蔽件設有至少一孔洞，該孔洞係對應於該接地端子，並用以被注入液態焊錫至該焊錫硬化後，使該焊錫、金屬屏蔽件與該接地端子相電氣連接。
一種具開口結構之金屬屏蔽件的連接器，包括：<br/>如請求項5至9任一項所述之端子組件；及<br/>一絕緣本體，其內設有一容納空間，該容納空間用以容納該端子組件。
一種物料回收機之推送構造，包含有：<br/>一機殼，外緣設有一投入口及一退出口，該機殼的內部設有一容置空間，該容置空間連接該投入口，又該容置空間區隔有一推送區，該推送區連接該退出口，該推送區的底部設有一開口部；<br/>一推送單元，設置於該機殼內部，並位於該推送區內，該推送單元設有朝向該退出口伸縮移動的一推桿，以供將一回收物推出該退出口外；<br/>一第一閘門，設置於該機殼內部，並位於該推送區的底部，該第一閘門受到控制後可以活動開啟或關閉該開口部；<br/>一輾壓破碎單元，設置於該機殼內部，並位於該開口部的下方處；<br/>一儲存箱，活動的設置於該機殼內部，並位於該輾壓破碎單元的下方處；<br/>一辨識單元，設置於該機殼內部，藉以辨識該回收物的種類，於確認該回收物為可回收之種類時，則發出一接受訊號，如果確認為不可回收之種類時，則發出一拒絕訊號；<br/>一控制單元，設置於該機殼，該控制單元分別訊號連接該推送單元、該第一閘門、該輾壓破碎單元及該辨識單元，該控制單元控制該輾壓破碎單元啟動或停止運轉，該控制單元於接收到該接受訊號，則控制該第一閘門開啟該開口部，又該控制單元於接收到該拒絕訊號，則控制該第一閘門關閉該開口部，並且控制該推送單元的該推桿移動。
如請求項1之物料回收機之推送構造，其中，該退出口的內側設有電控的一門板，該控制單元訊號連接該門板，藉以控制該門板開啟或遮蔽該退出口。
如請求項1之物料回收機之推送構造，其中，該容置空間區隔成上、下相連通的一辨識區及該推送區。
如請求項3之物料回收機之推送構造，其中，該辨識單元包含一材質光譜辨識單元、一影像外觀辨識單元、一荷重辨識單元的其中之一或其任意組合，該材質光譜辨識單元設置於該辨識區與接該投入口的連接處，該影像外觀辨識單元設置於該辨識區的上方處，以正對於辨識區及該推送區，該荷重辨識單元設置於該第一閘門之底部，並於該材質光譜辨識單元、該影像外觀辨識單元、該荷重辨識單元的其中之一或其任意組合辨識出該回收物之種類後，則發出該接受訊號或該拒絕訊號。
如請求項4之物料回收機之推送構造，其中，該辨識區及該推送區之間設置有活動開啟或關閉的一第二閘門，該第二閘門訊號連接至該控制單元，該第二閘門常態關閉，以阻隔該辨識區及該推送區的連通，於該材質光譜辨識單元及/或該影像外觀辨識單元辨識完成後，則該控制單元控制該第二閘門開啟。
如請求項3之物料回收機之推送構造，其中，該辨識區內設有一光源板，藉以提供辨識時所需之光源。
如請求項1之物料回收機之推送構造，其中，該控制單元設有一觸控螢幕，該觸控螢幕設置於該機殼的外緣。
如請求項1之物料回收機之推送構造，其中，該推送單元係為液壓缸或電動缸，該推桿接設有一推板。
一種運動學耦合件，該運動學耦合件包含：<br/> 一運動學耦合件的一吸盤；<br/> 該運動學耦合件的一吸盤保持器；及<br/> 一第一磁體，該第一磁體附接到該運動學耦合件的該吸盤和該吸盤保持器中的至少一個，以吸引對應的該吸盤和該吸盤保持器的另一個，<br/> 其中該第一磁體位於與該運動學耦合件的一軸線同軸的一位置處，<br/> 由此在該吸盤和該吸盤保持器之間提供沿該運動學耦合件的該軸線指向的一吸引力。
根據請求項1所述的運動學耦合件，其中該第一磁體磁吸引對應的該吸盤和該吸盤保持器的另一個。
根據請求項2所述的運動學耦合件，其中該第一磁體是一電磁體。
根據請求項2所述的運動學耦合件，並且該運動學耦合件進一步包含一第二磁體，<br/> 其中該第二磁體位於與該運動學耦合件的一軸線同軸的一位置處，附接到對應的該吸盤和該吸盤保持器的另一個，以磁吸引該第一磁體。
根據請求項4所述的運動學耦合件，其中該等磁體中的至少一個是一電磁體。
根據請求項1至5中任一項所述的運動學耦合件，其中該運動學耦合件包含一麥克斯韋運動學耦合件。
根據請求項6所述的運動學耦合件，其中該吸盤用於保持一半導體晶圓。
根據請求項1至5中任一項所述的運動學耦合件，其中該運動學耦合件包含一凱爾文運動學耦合件。
根據請求項8所述的運動學耦合件，其中該吸盤用於保持一半導體晶圓。
一種摺疊推車，包含：<br/>一容器本體，包含：一板件組及二側板組，該些側板組分別連接於該板件組相異二側，各該側板組包含相互樞接的一第一摺板及一第二摺板；及<br/>一鎖定機構，用以控制該些側板組呈展開狀態或收摺狀態，包含：<br/>一第一結合件，設置於該第一摺板；<br/>一第二結合件，設置於該第二摺板；<br/>一操作件，介於該第一結合件與該第二結合件之間，具有一操作件本體、一限位結構及設於該限位結構兩側的二限位部；及<br/>一彈性件，連接該操作件並與其協同動作。
如請求項1所述之摺疊推車，其中該板件組包含一底板、一前板及一後板，該前板樞接該底板，該後板可分離地連接該底板。
如請求項2所述之摺疊推車，其中該第一結合件於其相異二端各設有一固定部，各該固定部朝該第一結合件之相異二側分別形成一結合槽及一凸部。
如請求項3所述之摺疊推車，該操作件用以控制該第一結合件與該第二結合件間呈鎖定狀態或呈解鎖狀態，於鎖定狀態時，該限位部對應地嵌入該結合槽；於解鎖狀態時，該些限位部脫離該些結合槽。
如請求項3所述之摺疊推車，其中該些限位部遠離該操作件本體之一側具有一斜面。
如請求項3所述之摺疊推車，其中該第二結合件設有一止擋部，該操作件本體遠離該第一結合件之一側更設有一腔室，該腔室具有相連通的一第一空間及一第二空間，該彈性件置於該第一空間，該止擋部嵌設於該第二空間並與該彈性件接觸。
如請求項2所述之摺疊推車，當該二側板組呈展開狀態時，該二側板組與該底板、該前板、該後板共同形成一第一容置空間；當該二側板組呈收摺狀態時，該前板及該後板共同形成一第二容置空間，該底板自該後板及該二側板組分離並與該二側板組同時收納於該第二容置空間。
如請求項2所述之摺疊推車，其更包含一扣具，樞接於該後板，該扣具得在該二側板組呈收摺狀態時與該前板相扣合。
如請求項7所述之摺疊推車，其更包含一隔板及一上蓋，該隔板與該後板之一隔板組裝槽結合並形成一第三容置空間；該上蓋可拆卸地樞接該隔板，用以遮覆該第一容置空間之一開口；當該上蓋自隔板分離時，其可被收納於該第三容置空間。
如請求項3所述之摺疊推車，其中該操作件具有相對之一第一端及一第二端，該第一端設有一按壓部，該第二端設有一凸簷；該第二結合件設置有一定位座；其中該操作件本體貫穿該定位座的一穿孔，且該凸簷被限制於該定位座之底側。
一種羽球拍用握把套，包含一採用矽膠材質製成一長形且薄料之中空套體，該中空套體於一端具有一收束斜面構成之縮徑部，另一端為在圓孔內壁面具形成有凸環之阻擋部，於該中空套體整個表面佈滿了淺凸紋路形成之粗糙面，以及採規律或不規律形式佈置有多數的透孔。
如請求項1所述羽球拍用握把套，其中該中空套體之整體表面形成有一螺旋紋。
如請求項1所述羽球拍用握把套，其中該中空套體之整體表面之等距佈設有多行透孔，且每行所有透孔之間形成略微下陷之半凹面。
如請求項1所述羽球拍用握把套，其中該中空套體之內面佈滿有網格狀防滑紋。
一種應用手部影像以透過人工智慧辨識手部特徵清洗殘留率之系統，其包含有：<br/>一手部拍照設備，其具有可取得至少一手部影像的功能；<br/>一人工智慧影像標記管理平台，其與該手部拍照設備連線，該人工智慧影像標記管理平台包含有一處理單元及與該處理單元連接之一手部特徵辨識單元、一去背生成單元、一灰階轉換單元、一手部特徵面積計算單元、一手部特徵殘留率運算單元及一傳輸單元，其中該處理單元用於執行系統之各項程式、指令及功能，而該手部特徵辨識單元可以依據該等手部影像判斷出不同的手部特徵，又該去背生成單元具有生成一手部去背影像之功能，另該灰階轉換單元具有生成一螢光殘留影像之功能，再者該手部特徵面積計算單元可用於計算出在不同手部特徵的螢光範圍面積，又該手部特徵殘留率運算單元可用於計算不同手部特徵之面積比，供取得不同手部特徵之一螢光殘留率；<br/>一顯示設備，其可連接該人工智慧影像標記管理平台，具有顯示不同手部特徵的螢光殘留影像和螢光殘留率數據之功能。
如請求項1所述應用手部影像以透過人工智慧辨識手部特徵清洗殘留率之系統，其中該人工智慧影像標記管理平台具有至少一連接該處理單元之資料儲存單元，該等資料儲存單元可用於儲存用戶洗手前及洗手後的手部影像、手部去背影像、螢光殘留影像及相關螢光殘留率之資料，可供用於人工智慧技術以監督式學習法來訓練，以作為用戶洗手後螢光殘留率之訓練模型。
如請求項1所述應用手部影像以透過人工智慧辨識手部特徵清洗殘留率之系統，其中該人工智慧影像標記管理平台之該處理單元內建具有卷積神經網路之人工智慧運算技術。
如請求項1所述應用手部影像以透過人工智慧辨識手部特徵清洗殘留率之系統，其中該人工智慧影像標記管理平台之手部特徵辨識單元可以是利用手掌特徵點偵測〔Hand Landmark Detection 〕之技術來分析。
如請求項1所述應用手部影像以透過人工智慧辨識手部特徵清洗殘留率之系統，其中該人工智慧影像標記管理平台進一步具有一連接該處理單元之傳輸單元，其中該傳輸單元可以有線技術或無線技術連接該手部拍照設備及該顯示設備。
一種具有萬向調整角度的可拆卸組合之X光投射輔具裝置，其特徵在於，包括：(一)一可調高低且可摺合收納之托架；(二)一可拆卸之X光機承載座，設置於所述托架上，所述承載座包括固定座、第一鎖固螺絲、第二鎖固螺絲、L型支撐座與萬向雲台；以及(三)一可攜式X光機，藉由底部螺孔與所述萬向雲台結合並固定；其中：(A)所述固定座可拆卸地固定於所述托架之兩側，並 透過所述第一鎖固螺絲與第二鎖固螺絲 鎖固或鬆脫，以利於安裝與收納；(B)所述L型支撐座固定於所述固定座上；(C)所述萬向雲台固定於所述L型支撐座上，並可藉由其軸向旋轉而調整所述可攜式X光機之投射方向至所需角度；從而提供行動不便使用者於友善照護環境下，進行所需角度之X光投射。
如申請專利範圍第1項所述之具有萬向調整角度的可拆卸組合之X光投射輔具裝置，其中：(一)所述可調高低且可摺合收納之托架，其特徵在於亦可為雙倒V型結構，且於頂端設有一可拆卸之X光機承載座相連；(二)該托架與所述萬向調整角度的可拆卸X光機承載座及可攜式X光機相互結合，組合成一種具有萬向調整角度的可拆卸組合之X光投射輔具裝置；其中，所述L型支撐座固定於固定座上，所述萬向雲台固定於該L型支撐座上，且所述可攜式X光機底部螺孔與該萬向雲台結合固定，並可藉由萬向雲台之軸向旋轉調整投射方向至所需角度。
如申請專利範圍第1項所述之具有萬向調整角度的可拆卸組合之X光投射輔具裝置，其中：(一)所述可調高低且可摺合收納之托架，其特徵在於亦可為雙倒V型結構，且於頂端設有一可拆卸之X光機承載座相連；(二)該托架與所述萬向調整角度的可拆卸X光機承載座及可攜式X光機相互結合，組合成一種具有萬向調整角度的可拆卸組合之X光投射輔具裝置；(三)其中，所述L型支撐座倒掛設置於固定座上，所述萬向雲台固定於該L型支撐座上，且所述可攜式X光機底部螺孔與該萬向雲台結合固定，並可藉由萬向雲台之軸向旋轉調整投射方向至所需角度。
一種針對拋光設備的壓力分佈檢測系統，包括： <br/>拋光設備、壓力分佈檢測設備、晶圓拋光狀態測試矽片和上位機； <br/>所述拋光設備包括拋光頭，所述拋光頭的底座包括多個環狀腔體以及位於底座邊緣的保持環區域，所述環狀腔體分別與所述保持環區域和所述晶圓拋光狀態測試矽片接觸設置，所述晶圓拋光狀態測試矽片用於類比晶圓拋光狀態，所述環狀腔體用於為所述拋光頭提供壓力； <br/>所述壓力分佈檢測設備包括圓形陣列感測器模組和信號採集模組；所述圓形陣列感測器模組包括微結構型柔性壓力感測器陣列；所述微結構型柔性壓力感測器陣列包括多個感測器單元，且多個所述感測器單元呈陣列交叉分佈組成所述圓形陣列感測器模組的感應區域；其中，在所述拋光頭的底座包括的所述多個環狀腔體被充氣時，所述晶圓拋光狀態測試矽片被充氣的所述多個環狀腔體擠壓以及所述壓力分佈檢測設備包括的所述圓形陣列感測器模組被所述晶圓拋光狀態測試矽片擠壓；以及，在所述拋光頭的底座包括的所述保持環區域被充氣時，所述壓力分佈檢測設備包括的所述圓形陣列感測器模組被充氣的所述保持環區域擠壓； <br/>所述圓形陣列感測器模組還包括壓力信號輸出端和圓形陣列感測器模組啟動信號接收端； <br/>所述信號採集模組包括壓力信號接收端、壓力採集信號輸出端、壓力分佈檢測啟動信號接收端和圓形陣列感測器模組啟動信號輸出端； <br/>所述上位機包括壓力採集信號接收端和壓力分佈檢測啟動信號輸出端； <br/>所述壓力分佈檢測啟動信號輸出端與所述壓力分佈檢測啟動信號接收端連接，所述壓力信號輸出端與所述壓力信號接收端連接，所述圓形陣列感測器模組啟動信號輸出端與所述圓形陣列感測器模組啟動信號接收端連接，所述壓力採集信號輸出端和所述壓力採集信號接收端連接。
如請求項1所述的針對拋光設備的壓力分佈檢測系統，其中，所述壓力分佈檢測設備還包括校準模組； <br/>所述校準模組包括預設壓力輸出端、力電曲線接收端和校準信號輸出端； <br/>所述拋光頭包括預設壓力接收端； <br/>所述壓力分佈檢測設備還包括力電曲線輸出端； <br/>所述圓形陣列感測器模組包括校準信號接收端； <br/>所述預設壓力輸出端和所述預設壓力接收端連接，所述力電曲線輸出端和所述力電曲線接收端連接；所述校準信號輸出端和所述校準信號接收端連接。
如請求項1所述的針對拋光設備的壓力分佈檢測系統，其中，所述信號採集模組至少包括偽影消除電路和微控制單元； <br/>所述偽影消除電路用於虛擬隔離所述圓形陣列感測器模組中的被測電阻； <br/>所述微控制單元包括偽影消除電路壓力採集信號輸出端、所述壓力採集信號輸出端、所述壓力分佈檢測啟動信號接收端和所述圓形陣列感測器模組啟動信號輸出端； <br/>所述上位機還包括偽影消除電路壓力採集信號接收端； <br/>所述偽影消除電路壓力採集信號輸出端和所述偽影消除電路壓力採集信號接收端連接。
如請求項3所述的針對拋光設備的壓力分佈檢測系統，其中，所述偽影消除電路至少包括電源、標準電阻、多個運算放大器和多路開關；所述電源分別與所述標準電阻、所述運算放大器和所述多路開關連接。
如請求項4所述的針對拋光設備的壓力分佈檢測系統，其中，所述多路開關的導通電阻均小於等於4Ω。
如請求項1所述的針對拋光設備的壓力分佈檢測系統，其中，所述壓力分佈檢測設備的取樣頻率為50Hz。
如請求項1所述的針對拋光設備的壓力分佈檢測系統，還包括拋光檢漏裝置； <br/>所述拋光檢漏裝置包括平整基底；所述圓形陣列感測器模組位於所述平整基底與所述晶圓拋光狀態測試矽片之間；所述拋光檢漏裝置與所述環狀腔體連接。
如請求項7所述的針對拋光設備的壓力分佈檢測系統，其中，所述拋光檢漏裝置還包括固定單元，所述固定單元分別與所述拋光頭、所述圓形陣列感測器模組和所述平整基底連接。
如請求項1所述的針對拋光設備的壓力分佈檢測系統，其中，所述晶圓拋光狀態測試矽片的厚度為750μm，直徑為12寸。
一種針對拋光設備的壓力分佈檢測裝置，包括如請求項1-9中任一項所述的針對拋光設備的壓力分佈檢測系統。
一種輸送機軌道，包含有：<br/>一架體，兩側分別設有一側板；<br/>一動力源，固定於其中一該側板，該動力源帶動一輸送帶循環轉動；<br/>一側擋單元，固定於該架體，該側擋單元一體成型有一基座及二遮擋部，該二遮擋部係由該基座的兩側，由下往上傾斜設置於該輸送帶的兩側，該二遮擋部分別向外設有一承置部，該二承置部分別跨置於該二側板的頂面，其中一承置部向下凸設有一固定部，該固定部固定於其中一該側板的外側面。
如請求項1之輸送機軌道，其中，該側板的兩端分別設有一第一端及一第二端，該二側板之間於該第一端設置有一從動輪，又該二側板之間於該第二端則設置有一主動輪，該從動輪及該主動輪上係套設有呈圈狀的該輸送帶，該輸送帶區隔出一上輸送路徑及一下輸送路徑。
如請求項2之輸送機軌道，其中，該側擋單元固定於該二側板之間，該側擋單元的該基座位於該輸送帶內圈，藉以區隔出該上輸送路徑及該下輸送路徑。
如請求項2之輸送機軌道，其中，該動力源固定於該側板的該第二端之側邊。
如請求項2之輸送機軌道，其中，該動力源動力連接該主動輪，該動力源動力帶動該主動輪旋轉，該主動輪透過該輸送帶帶動該從動輪旋轉。
如請求項1之輸送機軌道，其中，該動力源係為一伺服馬達。
如請求項1之輸送機軌道，其中，該固定部係藉由複數螺接元件而對應螺固於其中一該側板的外側面。
一種頸部快拆結構，其包括：<br/>一轉接件，其一側面上具有一固定座，該固定座之頂端具有一上定位部，該固定座之底端具有一下定位部；以及<br/>一支撐組件，其具有：<br/>一支撐架；<br/>一上擺動件，其一端具有一上卡扣部，供扣接該上定位部，該上擺動件之中間位置樞接該支撐架，該上擺動件之另一端具有一第一上連動部；<br/>一第一下擺動件，其一端具有一第一下卡扣部，供扣接該下定位部，該第一下擺動件之中間位置具有一第一下連動部，該第一下擺動件之另一端樞接該支撐架；以及<br/>一第一推壓件，其上端具有一第一上推動部，該第一上推動部連接該第一上連動部，該第一推壓件之下端具有一第一下推動部，該第一下推動部連接該第一下連動部；藉以在推動該第一推壓件之後，讓該上卡扣部與該上定位部分離，同時讓該第一下卡扣部與該下定位部分離。
如請求項1之頸部快拆結構，其中該固定座之一側面上具有至少一第一導槽；該支撐架之頂端具有一連接部，該連接部之一側面上具有一凹陷部，供容納該固定座，該凹陷部內具有至少一第一導軌，該至少一第一導軌對應連接該至少一第一導槽。
如請求項2之頸部快拆結構，其更包括一內襯件，該內襯件容納限位於該凹陷部內，該內襯件套接該固定座。
如請求項2之頸部快拆結構，其中該固定座之一側面上具有一第一導線孔，該第一導線孔貫穿該固定座；該連接部之另一側面上具有一第二導線孔，該第二導線孔連通該第一導線孔。
如請求項1之頸部快拆結構，其中該固定座之該上定位部具有至少一上凹槽，該固定座之該下定位部具有至少一下凹槽；該上擺動件之該上卡扣部具有至少一上勾塊，供對應向下扣接該至少一上凹槽，該第一下擺動件之該第一下卡扣部具有至少一第一下勾塊，供對應向上扣接該至少一下凹槽。
如請求項1或5之頸部快拆結構，其更包括一壓板、一第一彈性件及一第二彈性件，該壓板向下連接該支撐架，該第一彈性件之上、下兩端分別抵壓該壓板及該上卡扣部，供該上卡扣部彈性復位，該第二彈性件連接該第一下擺動件，供該第一下卡扣部彈性復位。
如請求項1之頸部快拆結構，其更包括一第二上連動部，該第二上連動部平行該第一上連動部；該上擺動件之中間位置具有一第一樞軸，該第一樞軸之一端連接該第一上連動部之一端，該第一樞軸之另一端連接該第二上連動部之一端，該第一樞軸樞接該支撐架。
如請求項7之頸部快拆結構，其更包括一第二下擺動件，該第二下擺動件及該第一下擺動件分別結合一連接件之兩端，該第二下擺動件平行該第一下擺動件；該第二下擺動件之一端具有一第二下卡扣部，供扣接該下定位部，該第二下擺動件之中間位置具有一第二下連動部，該第二下擺動件之另一端樞接該支撐架。
如請求項8之頸部快拆結構，其更包括一第二推壓件，該第二推壓件之上端具有一第二上推動部，該第二上推動部連接該第二上連動部，該第二推壓件之下端具有一第二下推動部，該第二下推動部連接該第二下連動部。
如請求項8之頸部快拆結構，其更包括一第三彈性件，該第三彈性件連接該第二下擺動件，供該第二下卡扣部彈性復位。
如請求項1之頸部快拆結構，其更包括一第二下擺動件，該第二下擺動件及該第一下擺動件分別連接一連接件之兩端，且該第二下擺動件平行該第一下擺動件；該第二下擺動件之一端具有一第二下卡扣部，供扣接該下定位部，該第二下擺動件之中間位置具有一第二下連動部，該第二下擺動件之另一端樞接該支撐架。
如請求項11之頸部快拆結構，其更包括一第三彈性件，該第三彈性件連接該第二下擺動件，供該第二下卡扣部彈性復位。
一種可緊迫箱體且具有彈性緩衝的定位開箱刀具模組，其包含有：<br/> 一固定座，具有至少四個側面；<br/> 至少四個切割刀組，對應組設於該些側面上，各該切割刀組分別具有一組設於該側面之安裝座，各該安裝座以一彈性緩衝件連接一導板，使各該導板可相對該固定座前後移動，各切割刀組之導板分別於同一側延伸一斜向該固定座之導引斜面，各該導板之下端組設一刀具，以供切割箱體；<br/> 該固定座受外部驅動移動至該箱體，面對該箱體側壁之切割刀組以該導引斜面碰觸該箱體之一側邊角處，該固定座沿一預設方向移動，使該箱體施力於該導引斜面並沿該導引斜面滑動，進而推移該導板後移壓縮該彈性緩衝件，當該導板後移達到預定行程時，該箱體滑移至與該導板相互貼合，該固定座以該箱體爲中心沿該預設方向移動，使位在不同側面之切割刀組依序以該刀具切割該箱體四周側壁面，使該箱體上部與下部分割脫離。
如請求項1所述之可緊迫箱體且具有彈性緩衝的定位開箱刀具模組，其中，該彈性緩衝件包括一軸座和二滑動桿，該軸座組設於該安裝座底部，各該滑動桿以其一端固定連接該導板，其另一端活動穿設於該軸座，且位於該導板與該軸座之間的滑動桿上套設一彈簧，該彈簧受該導板推壓而壓縮。
如請求項2所述之可緊迫箱體且具有彈性緩衝的定位開箱刀具模組，其中，還包括一到位感測器，該到位感測器組設於該軸座並位在該導板後方，用以感測該導板後移是否達到預定行程。
如請求項1所述之可緊迫箱體且具有彈性緩衝的定位開箱刀具模組，其中，該固定座對應各該刀具之後端部分別設有一光遮感測器，各該刀具之後端部對應該光遮感測器設有一擋片，藉由該光遮感測器感測該擋片之位置以判斷該導板後移是否超出預定行程。
如請求項1所述之可緊迫箱體且具有彈性緩衝的定位開箱刀具模組，其中，各該導板之頂部設有一按壓定位組件，該按壓定位組件具有組設於該導板頂部之組裝板，該組裝板包括至少一朝外部伸設之滾輪，用以按壓於該箱體之頂面。
如請求項1所述之可緊迫箱體且具有彈性緩衝的定位開箱刀具模組，其中，各該刀具包括一置刀座和一壓刀板，該置刀座與該壓刀板之間夾設一刀片，該刀片設有至少一安裝孔，用以鎖固於該置刀座上。
如請求項6所述之可緊迫箱體且具有彈性緩衝的定位開箱刀具模組，其中，該刀片具有四個朝向相異之刃部。
一種電動工具的電控裝置，該電動工具包含一用於轉換電能為動能的電機裝置，及一提供電能的電池裝置，該電控裝置包含：<br/> 一載具，安裝在該電動工具，且設置在該電機裝置與該電池裝置間；<br/> 一控制單元，安裝在該載具，包括一電路板；<br/> 一端子單元，連接於該載具，且電連接於該電路板，包括一第一端子組，及一第二端子組，該第一端子組沿一第一方向延伸，該第二端子組沿一不同於該第一方向的第二方向延伸且穿出該載具；及<br/> 一電連接單元，包括一電連接於該第一端子組與該電機裝置的第一接線組，及一電連接於該第二端子組與該電池裝置的第二接線組。
如請求項1所述的電動工具的電控裝置，其中，該載具包括一底壁，及一圍繞該底壁的周緣且與該底壁界定一凹槽的側壁，該凹槽的開口朝向該第一方向，該電路板設置在該凹槽內。
如請求項2所述的電動工具的電控裝置，其中，該載具的側壁沿該第一方向具有一最大高度，該第一端子組具有數個第一端子，每一該第一端子具有一穿置於該電路板的第一連接部，及一由該第一連接部沿該第一方向延伸的第一接線部，該第一接線部具有一大於該最大高度的第一最大長度。
如請求項1或2所述的電動工具的電控裝置，其中，該載具的底壁沿該第二方向具有一最大厚度，該第二端子組具有數個第二端子，每一該第二端子具有一穿置於該電路板的第二連接部，及一由該第二連接部沿該第二方向延伸的第二接線部，該第二接線部沿該第二方向穿出該載具，並具有一大於該最大厚度的第二最大長度。
如請求項1所述的電動工具的電控裝置，其中，該電路板具有數個由一表面沿該第一方向延伸至另一表面的第一穿孔，及二個由該表面沿該第一方向延伸至該另一表面的第二穿孔，該第一端子組通過該等第一穿孔，該第二端子組通過該等第二穿孔。
如請求項1所述的電動工具的電控裝置，其中，該第二方向相反於該第一方向、或實質上垂直於該第一方向。
如請求項1所述的電動工具的電控裝置，其中，該電連接單元還包括一電極插座，該電極插座電連接於該第二接線組，且電連接於該電池裝置。
如請求項1所述的電動工具的電控裝置，其中，該載具設置在該電動工具的一可被操作且用於驅動該電機裝置的扳機裝置與該電機裝置間。
一種電動窗簾，應用於一建築物，包含：<br/>一支撐組件，固定在該建築物；<br/>一轉動件，可轉動地連接該支撐組件；<br/>一電機單元，連接該轉動件以驅使該轉動件相對該支撐組件轉動；<br/>一電池單元，電性連接該電機單元以對該電機單元提供電力；<br/>一簾體，其一端連接該轉動件，使該簾體在該轉動件轉動時被收合或者被展開；<br/>一充電界面，至少部分凸露於該轉動件外並固定地連接該支撐組件，該充電界面包括一電源輸入埠電性連接該電池單元；及<br/>一接收裝置，包含：<br/>一附接件；<br/>一電連接埠，設於該附接件的一第一側；及<br/>一附接電源輸入埠，設於該附接件的一第二側並電性連接該電連接埠；<br/>其中，該第一側與該第二側為該附接件的相同側或相異側；<br/>其中，當該充電界面的該電源輸入埠電性耦接一第一充電設備，係以一第一充電模式對該電池單元充電；其中，該第一充電設備為與市電電性連接的一適配器及一第一移動式電源的其中之一；<br/>其中，當該接收裝置直接或間接地連接該充電界面而使該電連接埠與該電源輸入埠電性耦接，該附接電源輸入埠透過該電連接埠電性連接該電池單元，使該附接電源輸入埠適於耦接一第二充電設備而以一第二充電模式對該電池單元充電；其中，該附接電源輸入埠的硬體介面規格不同於該電源輸入埠的硬體介面規格，且該第二充電設備為一第二移動式電源。
如請求項1所述之電動窗簾，其中該電源輸入埠的硬體介面規格為通用序列匯流排。
如請求項1所述之電動窗簾，其中該第一側與該第二側為該附接件相鄰的兩側，使設在該第一側的該電連接埠的延伸方向與設在該第二側的該附接電源輸入埠的延伸方向具有一第一夾角，且該充電界面的該電源輸入埠的延伸方向與該附接電源輸入埠的延伸方向具有該第一夾角。
如請求項1所述之電動窗簾，其中該第一側與該第二側為該附接件相對的兩側，使設在該第一側的該電連接埠的延伸方向與設在該第二側的該附接電源輸入埠的延伸方向大致平行，且該充電界面的該電源輸入埠的延伸方向與該附接電源輸入埠的延伸方向大致平行。
如請求項1所述之電動窗簾，其中該第二充電設備包含：<br/>一桿體；<br/>一組接部，設於該桿體之一端，包含一電力輸出埠；及<br/>一電力儲存裝置，設於該桿體內且電性連接該電力輸出埠；<br/>其中，當該組接部組接該接收裝置的該附接件而使該電力輸出埠耦接該附接電源輸入埠，該第二充電設備透過該附接電源輸入埠電性連接該電動窗簾之該電池單元並以該第二充電模式對該電池單元充電。
如請求項5所述之電動窗簾，其中該桿體為一可伸縮式套管。
如請求項5所述之電動窗簾，其中該組接部的延伸方向與該桿體的延伸方向具有一第二夾角；該接收裝置的該附接件具有一凹口，且該附接電源輸入埠位於該凹口中；該組接部伸入該凹口使該電力輸出埠耦接該附接電源輸入埠。
如請求項7所述之電動窗簾，其中該附接電源輸入埠包含：<br/>一第一金屬筒；<br/>一第一磁吸套筒，套設在該第一金屬筒外；及<br/>一彈簧導針，與該第一金屬筒絕緣地設在該第一金屬筒中，並從該第一金屬筒之一端面凸伸出；<br/>其中，該第二充電設備的該組接部的該電力輸出埠包含一第二金屬筒、套設在該第二金屬筒外之一第二磁吸套筒及與該第二金屬筒絕緣地設在該第二金屬筒中的一導通接點；該第一磁吸套筒與該第二磁吸套筒之間具有磁吸力；當該組接部伸入該凹口，該第一磁吸套筒與該第二磁吸套筒相吸而使該第二金屬筒接觸該第一金屬筒的該端面，並使該導通接點推壓移動該彈簧導針而使該彈簧導針改變為一電導通狀態，藉此使該電力輸出埠耦接該附接電源輸入埠。
如請求項8所述之電動窗簾，其中該附接件更包含一限位槽及一卡扣凸緣成形於該凹口的一內壁上並且彼此大致相對設置，該第二充電設備的該組接部更包含一導接凸部及一卡扣部；當該第二充電設備的該組接部組接該附接件，該導接凸部抵頂該限位槽之一止擋斜面，且該卡扣部抵頂該卡扣凸緣的一內側邊緣。
如請求項9所述之電動窗簾，其中該接收裝置更包含一復位件，該復位件的二端分別連接該附接電源輸入埠及該附接件之一軸柱；當該附接電源輸入埠在耦接該電力輸出埠後承受一外力而呈一傾斜狀態，該復位件彈性形變且該復位件的延伸方向發生偏移；在該外力移除後，該復位件使該附接電源輸入埠復位。
如請求項7所述之電動窗簾，其中該附接電源輸入埠包含二個極性相異的電源接點及一第一磁吸件，該第二充電設備的該組接部的該電力輸出埠包含二個極性相異的導電接點及一第二磁吸件，其中該第一磁吸件及該第二磁吸件之間具有磁吸力；當該組接部伸入該凹口，該第一磁吸件及該第二磁吸件相吸接合而使該二電源接點分別接觸並且電性連接該二導電接點，藉此使該電力輸出埠耦接該附接電源輸入埠。
如請求項11所述之電動窗簾，其中該附接件更包含一限位槽及一卡扣凸緣成形於該凹口的一內壁上並且彼此大致相對設置，該第二充電設備的該組接部更包含一導接凸部及一卡扣部；當該第二充電設備的該組接部組接該附接件，該導接凸部抵頂該限位槽之一止擋斜面，且該卡扣部抵頂該卡扣凸緣的一內側邊緣。
如請求項12所述之電動窗簾，其中該接收裝置更包含一復位件，該復位件的二端分別連接該附接電源輸入埠及該附接件之一軸柱；當該附接電源輸入埠在耦接該電力輸出埠後承受一外力而呈一傾斜狀態，該復位件彈性形變且該復位件的延伸方向發生偏移；在該外力移除後，該復位件使該附接電源輸入埠復位。
如請求項1所述之電動窗簾，其中該接收裝置更包含一絕緣件，該絕緣件固設在該附接件內，包覆至少部分的該電連接埠及至少部分的該附接電源輸入埠，並完全包覆連接在該電連接埠及該附接電源輸入埠之間的至少二電連接線。
如請求項1所述之電動窗簾，其中該充電界面更包含一異規格電源輸入埠，該異規格電源輸入埠電性連接該電池單元，適於耦接一第三充電設備而以一第三充電模式對該電池單元充電；其中，該異規格電源輸入埠的硬體介面規不同於該電源輸入埠的硬體介面規格，且該異規格電源輸入埠的硬體介面規格不同於該附接電源輸入埠的硬體介面規格。
如請求項15所述之電動窗簾，其中該異規格電源輸入埠的硬體介面規格為直流電插孔，該第三充電設備為一太陽能充電設備。
如請求項1所述之電動窗簾，其中該充電界面包含至少一第一結合結構，且該接收裝置的該附接件包含至少一第二結合結構；該接收裝置的該附接件透過該第二結合結構結合於該第一結合結構而可拆卸地連接該充電界面。
如請求項17所述之電動窗簾，其中該接收裝置的該附接件的各該第二結合結構包含：<br/>一空腔，在該附接件上形成一開口；<br/>一軸向件，可移動地設於該空腔且具有一操作端露出該開口，該軸向件包含至少一卡勾及一抵頂結構；及<br/>一彈性件，設在該空腔中，並且抵頂在該軸向件的該抵頂結構及該空腔的一內壁之間；<br/>其中，當該第二結合結構結合該第一結合結構而使該接收裝置的該附接件連接該充電界面，該彈性件頂推軸向件的該抵頂結構而使該軸向件的該卡勾維持卡接該第一結合結構；當該軸向件露出該開口之該操作端受力而使該軸向件移動，該軸向件的該卡勾脫離該第一結合結構，使該接收裝置的該附接件自該充電界面拆卸。
如請求項18所述之電動窗簾，其中該充電界面包含二個第一結合結構，且該接收裝置包含二個第二結合結構；當該二個第二結合結構分別結合該二個第一結合結構時，若該二個第二結合結構的該二軸向件的該二操作端同時受力而使該二軸向件移動，各該軸向件的卡勾脫離所對應的該第一結合結構，使該接收裝置的該附接件自該至少一充電界面拆卸。
如請求項1所述之電動窗簾，其中該接收裝置直接連接該充電界面，或者該接收裝置透過一傳輸線而間接連接該充電界面，使該電連接埠電性連接該電源輸入埠。
一種電動窗簾，應用於一建築物，包含：<br/>一支撐組件，固定在該建築物；<br/>一第一窗簾組件，連接該支撐組件，包含：<br/>一第一轉動件，可轉動地連接該支撐組件；<br/>一第一電機單元，連接該第一轉動件以驅使該第一轉動件相對該支撐組件轉動；<br/>一第一電池單元，電性連接該第一電機單元以對該第一電機單元提供電力；<br/>一第一簾體，一端連接該第一轉動件，以使該第一簾體在該第一轉動件轉動時被收合或展開；及<br/>一第一充電界面，至少部分凸露於該第一轉動件外並固定地連接該支撐組件，該第一充電界面包括一第一電源輸入埠電性連接該第一電池單元；<br/>一第二窗簾組件，連接該支撐組件且位在該第一窗簾組件下方，包含：<br/>一第二轉動件，可轉動地連接該支撐組件；<br/>一第二電機單元，連接該第一轉動件以驅使該第二轉動件相對該支撐組件轉動；<br/>一第二電池單元，電性連接該第二電機單元以對該第二電機單元提供電力；<br/>一第二簾體，一端連接該第二轉動件，以使該第二簾體在該第二轉動件轉動時被收合或展開；及<br/>一第二充電界面，至少部分凸露於該第二轉動件外並固定地連接該支撐組件，該第二充電界面包括一第二電源輸入埠電性連接該第二電池單元；以及<br/>一接收裝置，包含：<br/>一附接件；<br/>一電連接埠，設於該附接件的一第一側；<br/>一附接電源輸入埠，設於該附接件的一第二側並電性連接該電連接埠；<br/>其中，該第一側與該第二側為該附接件的相同側或相異側；及<br/>一電源輸出埠，設於該附接件的一側並電性連接該附接電源輸入埠；<br/>其中，當該第一充電界面的該第一電源輸入埠或該第二充電界面的該第二電源輸入埠耦接一第一充電設備，係以一第一充電模式對所對應的該第一電池單元或該第二電池單元獨立地充電；其中，該第一充電設備為與市電電性連接的一適配器及一第一移動式電源的其中之一；<br/>其中，當該接收裝置直接或間接地連接該第二充電界面而使該電連接埠與該第二電源輸入埠電性耦接，且該電源輸出埠透過一連接線電性連接該第一充電界面的該第一電源輸入埠，使該接收裝置的該附接電源輸入埠同時電性連接該第一電池單元及該第二電池單元，該附接電源輸入埠適於耦接一第二充電設備而以一第二充電模式同時對該第一電池單元以及該第二電池單元充電；其中，該第二充電設備為一第二移動式電源。
一種往復式電動牙刷，具有刷本體，該刷本體至少包含：<br/> 沿長軸方向設置的頸部；<br/> 設置於該頸部前端的頭部，該頭部係被構形為一圓形槽體，其正面具有開口，且該圓形槽體內具有一環形軌道；<br/> 刷盤，係樞設於該開口處，該刷盤的正面具有植毛面，該刷盤的背面具有至少二樞接件，該二樞接件之間具有間隙，且該樞接件係卡接於該環形軌道，並可於該環形軌道上旋轉；以及<br/> 連動模組，係配置於該頸部，其具有一夾套以及一連動桿，該夾套係軸設一動力軸，該動力軸係連接於該連動桿，該連動桿末端係伸入於該間隙。
如請求項1所述的往復式電動牙刷，該動力軸與該連動桿間利用連接組件相互連接。
如請求項2所述的往復式電動牙刷，該連接組件係為相互卡掣之凹部及凸部。
如請求項1至3任一項所述的往復式電動牙刷，該環形軌道係配置於該圓形槽體之內壁面。
如請求項4所述的往復式電動牙刷，該樞接件一端一體連接於該刷盤的背面，該樞接件之另端則形成有唇邊，以供卡接於該環形軌道。
一種供水裝置之水位控制設備，係包括有出水單元、複數紅外線感測器及至少一個以上之超音波感測器，其中：<br/> 該出水單元係包括供水管道、沿著該供水管道朝水平方向延伸之送水管道，並於該送水管道一側設有朝下方之送水口，且於該出水單元設有控制該送水口進行供水或斷水之控制系統；<br/> 該複數紅外線感測器係朝向該送水管道的該供水管道一側呈縱向排列設置、並與該控制系統連結導通，以供感測位於該送水口下方之預設容器的高度位置；<br/> 該至少一個以上之超音波感測器係設置於該送水管道的的該送水口一側、亦與該控制系統連結導通，以供感測該預設容器內部的水位高度。
如請求項1所述供水裝置之水位控制設備，其中該出水單元係包括呈Ｌ形之該供水管道及該送水管道，該供水管道係縱向設置連結於預設進水管路，而該送水管道則沿著該供水管道相互垂直的水平方向延伸，再於該送水管道的頂部設有操控該控制系統運作之控制部，則該控制部於該送水管道的頂部設有至少一個以上之操作鍵。
如請求項1所述供水裝置之水位控制設備，其中該複數紅外線感測器係供偵測位於該送水口下方該預設容器的高度位置。
如請求項1所述供水裝置之水位控制設備，其中該至少一個以上之超音波感測器係供感測該預設容器內部盛裝之水位高度。
如請求項1所述供水裝置之水位控制設備，其中該複數紅外線感測器及該至少一個以上超音波感測器為分別以有線或無線方式與該控制系統連結導通，該控制系統係設置於該供水管道或該送水管道內部、亦或設置於外部之預設電子單元(如:伺服器系統、微電腦系統或中央處理系統)。
一種殺魚機構，包含：<br/> 一U字形板；<br/> 一對水平安裝於所述U字形板底部的皮帶夾送機構；<br/> 一豎直設置於所述U字形板中部且位於兩皮帶夾送機構之間的鏈壓送機構；<br/> 開設於所述U字形板底部且位於所述鏈壓送機構正下方的長條孔一與長條孔二；<br/> 一轉動安裝於所述U字形板底部且部分穿過所述長條孔一的圓形切刀；<br/> 一用以驅動所述圓形切刀旋轉的旋轉機構；<br/> 一端活動鉸接於所述長條孔二一端的V字形刮板；<br/> 一用以使所述V字形刮板以其鉸接處為中心翻轉的翻轉機構；<br/> 一對對稱固定於所述U字形板底部且位於所述鏈壓送機構兩側的L字形擋板；<br/> 一對對稱固定於所述U字形板底部且位於所述鏈壓送機構兩側的導向板；<br/> 一可豎直滑動並設置於兩所述L字形擋板一側的方形切刀；以及<br/> 一用以驅動所述方形切刀相對於所述L字形擋板上下滑動的升降機構；<br/> 其中，所述鏈壓送機構、所述皮帶夾送機構與所述U字形板底部之間形成一僅供鱔魚通過的間隙；<br/> 所述鏈壓送機構長度大於所述皮帶夾送機構，且其一端與所述皮帶夾送機構對齊；<br/> 所述兩L字形擋板、所述鏈壓送機構與所述U字形板底部之間形成一僅供鱔魚頭部通過的間隙；<br/> 且所述兩導向板呈八字形向所述U字形板一端傾斜展開。
如請求項1所述之殺魚機構，其中所述U字形板底部外圍設有一方形支撐框，且所述方形切刀下方開設有一排廢口，所述排廢口連通至一排廢槽。
如請求項1所述之殺魚機構，其中所述長條孔一與長條孔二下方設有一收集盒，該收集盒設有一把手以便於抽取。
如請求項1所述之殺魚機構，其中所述皮帶夾送機構包含：兩根分別設有齒形帶輪的轉動軸一、一條套設於所述齒形帶輪上的齒形皮帶、設於所述齒形皮帶外周表面的多個防滑條、一根水平方向設置的轉動軸二、設於該轉動軸二上的主動錐齒輪與與其嚙合的從動錐齒輪、以及一用於驅動所述轉動軸二的伺服電機。
如請求項1所述之殺魚機構，其中所述鏈壓送機構包含：一根水平方向設置的轉動軸三、設於該轉動軸三兩端及L字形擋板間的鏈輪一、一條套設於所述鏈輪一上的鏈條一、設於該鏈條一外周表面的多個尖刺、設於一側的鏈輪二與另一側的鏈輪三、一條套設於所述鏈輪二與鏈輪三上的鏈條二，以及用以與皮帶機構同步的傳動機構。
如請求項1所述之殺魚機構，其中所述旋轉機構包含：一與所述圓形切刀連接的轉動軸四、設於其上的傳動小帶輪、設於支撐框內壁上的傳動大帶輪、套設於兩者間的傳動皮帶、以及連接於所述傳動大帶輪上的三相非同步電機。
如請求項1所述之殺魚機構，其中所述翻轉機構包含：滑動穿過設於暫存盒側壁之長條孔三的一滑塊、一固定於所述V字形刮板的限位杆、以及連接該限位杆與所述滑塊的連杆，使得打開一放料擋板時可同步驅動所述刮板翻轉。
如請求項1所述之殺魚機構，其中所述升降機構包含：一固定於所述U字形板頂部的安裝板、一固定於該安裝板上的氣缸二、以及一與所述氣缸活塞桿連接的升降板二，所述方形切刀固定於該升降板二底部，並與所述L字形擋板對齊。
如請求項1所述之殺魚機構，進一步包含一鉸接於所述U字形板頂部的活動蓋板，該活動蓋板用於覆蓋所述L字形擋板上方區域，且其頂部設有一把手。
如請求項1所述之殺魚機構，進一步包含三個對應不同部位設置於設備下方的收集桶，分別為：一魚肉收集桶、一魚血收集桶與一魚頭、內臟及魚骨混合收集桶。
如請求項10所述之殺魚機構，其中每一所述收集桶底部均設有一重量感測模組，並連接至控制系統以即時監測重量變化。
如請求項11所述之殺魚機構，進一步包含一控制主機模組，該控制主機模組具備記錄使用時間、統計宰殺數量及收集桶重量變化之功能，並可將數據儲存於本地或透過無線通訊上傳至一雲端伺服器。
一種破碎機，配合一馬達使用，該破碎機包括：<br/> 一底座，有相鄰設置的一第一區及一第二區，該馬達設置於該第一區，該第二區設有貫穿的一出料口；<br/> 一破碎機本體，設置於該第二區，該破碎機本體有一環壁、至少一轉軸及複數刀片，該環壁設有相連接之一第一活動側牆、一第二活動側牆及二固定側牆，而共同界定一破碎空間，以及連通該破碎空間的一進入口，該破碎空間連通該出料口，該第一活動側牆及該第二活動側牆沿一第一方向間隔排列，該二固定側牆沿一第二方向間隔排列並設置於該底座，該第一方向垂直於該第二方向，該第一活動側牆沿該第一方向可分離的連接於該二固定側牆，前述轉軸沿該第一方向而可分離的設置於該破碎空間，前述刀片沿該第一方向可分離的套設於前述轉軸，該馬達連接於前述轉軸的一端，而驅動前述轉軸以該第一方向為軸心在該破碎空間中轉動。
如請求項1所述之破碎機，其中，有二個前述轉軸，二個前述轉軸沿該第二方向間隔排列，設置於二個前述轉軸的前述刀片分別呈交錯設置。
如請求項1所述之破碎機，其中，有一導引單元，該導引單元有一通道進口，以及連通該通道進口的一導引空間，該導引單元設置於該破碎機本體並連通該進入口，而使該通道進口經由該導引空間而連通該進入口。
如請求項3所述之破碎機，其中，該導引單元有一側邊開口，該側邊開口連通該導引空間，有一壓制單元設置於該破碎機本體並相鄰該進入口，該壓制單元有一壓片輪軸，該壓片輪軸以該第一方向為軸心而可轉動的經由該側邊開口設置於該導引空間，有複數壓片自該壓片輪軸延伸設置，以及有一壓片輪軸鏈輪，該壓片輪軸鏈輪設置於該壓片輪軸的其中一端，有一轉軸第二鏈輪設置前述轉軸的其中一端，該壓片輪軸鏈輪及該轉軸第二鏈輪經由一鏈條相連接。
一種泡點測試儀，用以量測一多孔隙材料，該泡點測試儀包括： <br/>一液體容器，用以盛裝一液體，其中該多孔隙材料置於該液體容器中，且該液體浸潤該多孔隙材料； <br/>一氣體通道，連通該液體容器的底部，其中該多孔隙材料位於該液體與該氣體通道之間； <br/>一壓力控制器，用以調節該氣體通道中的氣壓； <br/>一壓力感測器，用以感測該氣體通道中的氣壓；以及 <br/>一控制器，電性連接至該壓力控制器與該壓力感測器，且用以在一目測模式與一自動檢測模式中運作，其中 <br/>當該控制器在該目測模式中運作時，該控制器用以命令該壓力控制器逐漸增加該氣體通道中的氣壓，且由一使用者目測該多孔隙材料開始出現泡點時記錄當下該壓力感測器所感測到的氣壓； <br/>當該控制器在該自動檢測模式中運作時，該控制器用以命令該壓力控制器逐漸增加該氣體通道中的氣壓，且根據該壓力感測器偵測到的氣壓突然下降的時刻及該氣體通道中的氣體的流量突然上升的時刻的至少其中之一時刻當下，將該壓力感測器所感測到的氣壓作為開始出現泡點時的氣壓。
如請求項1所述的泡點測試儀，其中該控制器用以根據開始出現泡點時的該氣壓推算出該多孔隙材料的最大孔徑。
如請求項1所述的泡點測試儀，其中該控制器用以根據在該目測模式下測得的開始出現泡點時的該氣壓來設定在該自動檢測模式下的測試參數。
如請求項1所述的泡點測試儀，更包括一流量控制器，用以控制該氣體通道中的該氣體的流量，其中該控制器用以根據該流量控制器的流量數值來判斷該氣體通道中的該氣體的流量是否突然上升。
如請求項4所述的泡點測試儀，更包括： <br/>一流量控制閥，在該氣體通道中與該流量控制器並聯；以及 <br/>多個閥門，配置於該氣體通道中，且用以決定該氣體通道中的該氣體通過該流量控制器或該流量控制閥。
一種清潔組件，包括：<br/> 一拖板；以及<br/> 一拖布，設於所述拖板上，所述拖板的頂側包括一第一導流面，所述拖板靠近所述第一導流面的部分區域鏤空，以形成一連通所述拖板的頂部和底部的鏤空區，所述第一導流面至少部分地引導清潔液通過所述鏤空區。
如請求項1所述之清潔組件，其中所述拖布的至少部分區域位於所述鏤空區的底部。
如請求項1或2所述之清潔組件，其中所述第一導流面的至少部分區域繞所述拖板的轉動軸線的周向延伸；和/或<br/> 所述鏤空區的至少部分區域繞所述拖板的所述轉動軸線的周向延伸；和/或<br/> 所述第一導流面至少部分位於所述鏤空區背離所述拖板的所述轉動軸線的一側；和/或，所述第一導流面至少部分位於所述鏤空區靠近所述拖板的所述轉動軸線的一側。
如請求項1或2所述之清潔組件，其中所述拖板包括一拖板主體和一擋水筋，所述拖板主體包括所述鏤空區，所述擋水筋包括所述第一導流面，所述擋水筋至少部分設置在所述鏤空區內。
如請求項4所述之清潔組件，其中所述擋水筋沿所述拖板主體的徑向將所述鏤空區分隔成一第一鏤空區和一第二鏤空區，所述第一鏤空區位於所述擋水筋背離所述拖板的轉動軸線的一側，所述擋水筋的一側包括所述第一導流面，以引導所述清潔液通過所述鏤空區。
如請求項5所述之清潔組件，其中所述第一導流面包括靠近所述第一鏤空區一側的第一斜面；沿靠近所述第一鏤空區的方向，所述第一斜面逐漸向下傾斜；和/或，<br/> 所述第一導流面包括靠近所述第二鏤空區一側的第二斜面；沿靠近所述第二鏤空區的方向，所述第二斜面逐漸向下傾斜。
如請求項4所述之清潔組件，其中所述擋水筋的所述第一導流面的橫截面的至少部分的形狀為圓形、弧形、半圓形、三角形、梯形和菱形構成的組合中的至少一者。
如請求項5所述之清潔組件，其中沿所述拖板主體的徑向，所述第一鏤空區的寬度尺寸大於或等於所述第二鏤空區的寬度尺寸；和/或，<br/> 所述第一鏤空區的面積大於或等於所述第二鏤空區的面積。
如請求項4所述之清潔組件，其中所述拖板主體包括擋水側壁，所述第一導流面的頂端臨近所述擋水側壁設置。
如請求項9所述之清潔組件，其中沿所述清潔組件的厚度方向，所述第一導流面低於所述擋水側壁的頂部區域。
如請求項1或2所述之清潔組件，其中所述第一導流面位於所述鏤空區背離所述拖板的轉動軸線的一側，所述第一導流面至少部分為傾斜斜面。
如請求項11所述之清潔組件，其中沿所述清潔組件的徑向，從背離所述拖板的所述轉動軸線的一側到靠近所述轉動軸線的一側，所述第一導流面逐漸向下傾斜。
如請求項11所述之清潔組件，其中所述拖板的頂側還包括第二導流面，所述第二導流面位於所述鏤空區靠近所述轉動軸線的一側。
如請求項13所述之清潔組件，其中沿背離所述轉動軸線的方向，所述第二導流面至少部分為向下傾斜的傾斜斜面或彎曲面。
如請求項13所述之清潔組件，其中所述拖板包括導流段和外緣段，所述導流段包括所述第一導流面且位於所述外緣段靠近所述鏤空區的一側，所述第一導流面相對所述外緣段的頂面凹陷，以共同形成第一擋水臺階。
如請求項1或2所述之清潔組件，其中所述第一導流面位於所述鏤空區背離所述拖板的轉動軸線的一側，所述第一導流面包括第三斜面和第四斜面，所述第三斜面位於所述第四斜面背離所述鏤空區的一側，沿靠近所述拖板的所述轉動軸線的方向，所述第三斜面和所述第四斜面均為逐漸向下傾斜的傾斜斜面，且所述第四斜面相對所述第三斜面凹陷，以共同形成第二擋水臺階。
一種清潔設備，包括：<br/> 一殼體組件，所述殼體組件包括補水孔；以及<br/> 如請求項1至16中任一項所述之清潔組件，所述清潔組件可轉動地設置在所述殼體組件的底側，所述補水孔的開口朝向所述第一導流面。
如請求項17所述之清潔設備，其中所述清潔組件具有收縮至所述殼體組件底側的收縮狀態，以及相對所述殼體組件伸出的伸出狀態，當所述清潔組件處於所述收縮狀態和所述伸出狀態的至少一者，所述補水孔的所述開口朝向所述第一導流面。
如請求項18所述之清潔設備，其中當所述清潔組件處於所述收縮狀態，所述補水孔的所述開口朝向所述第一導流面的第一區域，當所述清潔組件處於所述伸出狀態，所述補水孔的所述開口朝向所述第一導流面的第二區域。
如請求項17所述之清潔設備，其中在與所述拖板的轉動軸線垂直的平面內，所述補水孔的投影至少部分地位於所述第一導流面的投影的覆蓋範圍內。
一種結合抗附著塗層與太陽能板健康監控模組之生物反應器， <br/>係包括： <br/>數個管柱，各該管柱為透明塑膠材料，其內置有光合微生物，且於內壁表面形成有雙層塗層，該雙層塗層包含設置於該管柱內壁之親水層，及設置於該親水層上的疏水層，用以防止該光合微生物於養殖過程中附著於該管柱內壁，其中，該親水層為聚乙二醇矽烷（PEG-silane），該疏水層為聚二甲基矽氧烷（Polydimethylsiloxane, PDMS）； <br/>數個太陽能板，係用以捕捉太陽能，並轉換為電力； <br/>一太陽能板電力供應模組，連接該數個管柱與該數個太陽能板，用以將各該太陽能板所轉換的電力進行分配處理並輸出至該數個管柱；以及 <br/>數個太陽能板健康監控模組，分別對應連接至該數個太陽能板，每一太陽能板健康監控模組包含一太陽能板健康監控器，該健康監控器設置於其所對應之太陽能板上，配置為即時監測該太陽能板的電壓、電流及溫度數據，並將監測所得之數據傳輸至對應的該太陽能板健康監控模組，該太陽能板健康監控模組據此執行太陽能板健康監控演算法，以進行太陽能板智能故障檢測機制，藉此辨識發電效率異常或潛在故障，並於偵測到發電效率下降時發出太陽能板清潔通知訊息，以提升太陽能發電效率。
依申請專利範圍第1項所述之結合抗附著塗層與太陽能板健康 <br/>監控模組之生物反應器，其中，該光合微生物包含綠藻（Chlorella vulgaris）、壺藻、紅藻、褐藻、光合菌及氫氣菌。
依申請專利範圍第1項所述之結合抗附著塗層與太陽能板健康監控模組之生物反應器，其中，該管柱為聚碳酸酯（Polycarbonate, PC）、聚甲基丙烯酸甲酯（Polymethyl Methacrylate, PMMA）、或聚對苯二甲酸乙二酯 <br/>（Polyethylene Terephthalate, PET）之透明塑膠材料。
依申請專利範圍第1項所述之結合抗附著塗層與太陽能板健康 <br/>監控模組之生物反應器，其中，該親水層可替代性地由聚甲基丙烯酸乙二醇酯（Polyethylene Glycol Dimethacrylate, PEGMA）、或甲基丙烯酸羥基乙酯（Hydroxyethyl methacrylate, HEMA）所形成。
依申請專利範圍第1項所述之結合抗附著塗層與太陽能板健康 <br/>監控模組之生物反應器，其中，該疏水層可替代性地由氟烷基矽烷（Fluoroalkylsilane, FAS）所形成。
依申請專利範圍第1項所述之結合抗附著塗層與太陽能板健康 <br/>監控模組之生物反應器，其中，各該管柱內更設置有一曝氣單元及一照光單元，係由各該太陽能板穩定供電驅動。
依申請專利範圍第1項所述之結合抗附著塗層與太陽能板健康 <br/>監控模組之生物反應器，其中，該太陽能板智能故障檢測機制係運用基於深度學習之太陽能板健康監控演算法，使用PyTorch建構卷積神經網路（Convolutional Neural Network, CNN）預測模型，用以執行故障辨識。
依申請專利範圍第1項所述之結合抗附著塗層與太陽能板健康 <br/>監控模組之生物反應器，係能提升太陽能發電效率5~15%。
一種阻抗監控系統，適用於監控一待測裝置，並包含：<br/> 一監控單元，適用於資訊連接該待測裝置，並用以偵測該待測裝置並產生一含有一有關於該待測裝置對電流流動之阻礙程度之阻抗值的測量結果；及<br/> 一中控單元，資訊連接該監控單元，包括一資訊連接該監控單元且用以儲存該測量結果的儲存模組、一資訊連接該儲存模組且用以顯示該測量結果的顯示模組，及一資訊連接該儲存模組及該顯示模組，且用以在該阻抗值高於一警戒閾值時輸出一警告訊號的判斷模組。
如請求項1所述的阻抗監控系統，其中，該中控單元還包括一資訊連接該儲存模組及該顯示模組，且用以將該阻抗值繪製成一分析圖的統計模組。
如請求項1所述的阻抗監控系統，其中，該中控單元還包括一資訊連接該儲存模組及該顯示模組的設定模組，該設定模組用以設定該儲存模組之一有關於該測量結果之儲存頻率及期限的儲存參數，及該顯示模組之一有關於該測量結果之顯示方式的顯示參數。
如請求項1所述的阻抗監控系統，其中，該中控單元還包括一資訊連接該監控單元及該顯示模組，且用以校正該監控單元之偵測精準度的校正模組。
如請求項1所述的阻抗監控系統，其中，該測量結果還含有一有關於該待測裝置的機台編號，及一有關於該監控單元對該待測裝置測量的時間資訊。
一種智慧吸入噴霧裝置，包含：<br/>一本體；<br/>一吸入蓋，可連接至該本體，以供使用者從該吸入蓋的一端吸入蒸氣；<br/>至少一操作按鈕，設置於該本體上，供該使用者輸入至少一操作指令；<br/>一微控制器，電性連接至該至少一操作按鈕，接收該至少一操作指令；<br/>複數個液體容器，設置於該本體內，該些液體容器分別儲存不同液體；<br/>複數個蒸發器，分別連接該些液體容器，且電性連接該微控制器，透過該微控制器控制以調整加熱模式與蒸發比例；<br/>一電源單元，電性連接該至少一操作按鈕、該微控制器與該些蒸發器，用以提供穩定電壓以供該智慧吸入噴霧裝置操作；以及<br/>一顯示螢幕，設置於該本體上，且電性連接至該微控制器，用於顯示該智慧吸入噴霧裝置的複數個操作模式；<br/>其中，該微控制器根據該操作按鈕所傳送之該至少一操作指令，控制該些蒸發器對該些液體容器的加熱參數與蒸發動作，使該智慧吸入噴霧裝置可操作在一奈米營養補充液吸入模式或一健康吸入模式下。
根據請求項1所述之智慧吸入噴霧裝置，更包含一通訊模組，設置於該本體內，電性連接至該微控制器，可支援藍芽、Wi-Fi或近場通訊(NFC)，用於接收一智慧型裝置之該至少一操作指令，並將該至少一操作指令傳送至該微控制器，也可將該些吸入模式、液體使用紀錄或健康參數的資訊傳送至該至少一智慧型裝置。
根據請求項1所述之智慧吸入噴霧裝置，其中，該電源單元包含一電池模組與一直流/直流(DC-DC) 調壓模組，並電性連接該微控制器與該些蒸發器，以提供快速充電能力與穩定電壓供應。
根據請求項3所述之智慧吸入噴霧裝置，其中，該電池模組可以是一超級電容，而該直流/直流調壓模組用於輸出多段穩定電壓至該微控制器、該些蒸發器與該顯示螢幕。
根據請求項1所述之智慧吸入噴霧裝置，其中，該微控制器可根據所述操作按鈕之按壓時間長短或按壓次數，判斷該至少一操作指令的種類，並觸發不同霧化模式或工作狀態。
根據請求項1所述之智慧吸入噴霧裝置，其中，該些蒸發器可以是一電熱式蒸發器、一超音波式蒸發器或一陶瓷芯蒸發器，以對應不同液體特性進行霧化操作。
根據請求項1所述之智慧吸入噴霧裝置，更包含一驅動模組，電性連接至該微控制器與該複數個蒸發器，用以接收該微控制器所傳送之控制信號，並轉換為驅動該些蒸發器所需之電壓輸出，以控制該些蒸發器之啟動順序、加熱功率與霧化時間參數。
根據請求項1所述之智慧吸入噴霧裝置，更包含一氣體擴散器，套設於該吸入蓋上，用以接收由該吸入蓋之吸入口導出的霧化氣體，進而讓霧氣之集中導流，以提升氣體導入鼻腔或口腔之吸收效率。
根據請求項8所述之智慧吸入噴霧裝置，更包含一吸入面罩，扣合於該氣體擴散器之末端，覆蓋該使用者之口部與鼻部，進而更進一步提升氣體導入鼻腔或口腔之吸收效率。
根據請求項9所述之智慧吸入噴霧裝置， 其中，該奈米營養補充液吸入模式係啟動儲存奈米營養補充液之一個該些液體容器與其對應的一個該些蒸發器，並執行高溫加熱霧化處理，以模擬該奈米營養補充液吸入之氣體濃度與吸入感受，而在該健康吸入模式係啟動儲存奈米營養素或草本溶液之一個該些液體容器與對應的一個該些蒸發器，執行低溫加熱或超音波霧化處理，以產生具健康導入效益之霧化氣體。
根據請求項9所述之智慧吸入噴霧裝置， 其中，該奈米營養補充液吸入模式更包括按壓該按鈕以噴霧方式將該智慧吸入噴霧裝置對著該使用者的口腔釋放該奈米營養補充液。
一種多菌種微生物有機消化分解製劑載體，其特徵在於包含：<br/> 一外層保護殼；<br/> 一中層緩釋層；及<br/> 一核心菌群層，含有多菌種複合菌群 ；其中，該中層緩釋層包覆該核心菌群層，該外層保護殼包覆該中層緩釋層。
如請求項1所述之多菌種微生物有機消化分解製劑載體，其中，該外層保護殼由聚乳酸（PLA）或聚己內酯（PCL）製成。
如請求項1所述之多菌種微生物有機消化分解製劑載體，其中，該中層緩釋層由天然高分子構成。
如請求項3所述之多菌種微生物有機消化分解製劑載體，其中，該中層緩釋層由海藻酸鈉或幾丁聚醣構成。
如請求項1所述之多菌種微生物有機消化分解製劑載體，其中，該核心菌群層更包含酵素、纖維素酶、生物酶或脂肪酶。
如請求項1所述之多菌種微生物有機消化分解製劑載體，其中，該核心菌群層包含蛋白分解菌、澱粉分解菌、乳酸菌與厭氧菌群。
一種線材壓實裝置，設置於一線架之下方，包括：<br/> 一立柱，設置於該線架底部，並具有可上下移動之功能；<br/> 一連接件，設置於該立柱頂端，該連接件具有四個角部；<br/> 四根壓桿，分別可轉動地與該連接件之該些角部連接，其中，該些壓桿於非作動狀態下呈一收納狀態。
如請求項1所述的線材壓實裝置，其中，該四根壓桿於展開狀態下以一十字交叉方式排列，分別使該壓桿的末端圍繞該線材形成一十字壓實區域。
如請求項1所述的線材壓實裝置，其中，該立柱底部與一底座連接，以協助穩定該立柱垂直運動。
如請求項3所述的線材壓實裝置，其中該立柱透過一驅動致動器控制該底座並上下移動，以進行一壓實動作。
如請求項1所述的線材壓實裝置，其中，該些壓桿與該立柱之連接處為一旋轉鉸鏈機構，並具有一限位結構，以控制其轉動角度。
如請求項1所述的線材壓實裝置，其中，該些壓桿之下端分別設有一防滑軟墊或一彈性材料，以避免壓損該線材。
如請求項1所述的線材壓實裝置，其中，該些壓桿之轉動由一同步驅動模組控制，以確保各該壓桿同時展開並保持垂直定位。
如請求項1所述的線材壓實裝置，其中進一步包含一感測模組，用以偵測該線架上的該線材之一厚度，以控制及調整一壓實深度。
如請求項4所述的線材壓實裝置，其中，該線材壓實裝置與一捲線機構連動操作，於一捲線動作完成後自動進行該壓實動作。
如請求項1所述的線材壓實裝置，其中，該線材壓實裝置設有一可調式壓力控制模組，一使用者可依不同線材材質預先設定一壓力值。
一種線材捲收裝置，包含：<br/> 一底座組，包含一第一框座、一第二框座及複數個連接件，其中，該第一框座及該第二框座為一環狀結構且上下相對應設置，其中，該第一框座包含複數個第一凹槽，該第二框座包含複數個第二凹槽，該些第一凹槽及該些第二凹槽分別對應設置，其中，該第一框座及該第二框座透過該些連接件固定在一起；<br/> 一限位框組，包含複數個限位框架，該些限位框架分別與該第一框座及該第二框座固定在一起，其中，每一該些限位框架包含一柱體及一固定件，其中，該柱體之一底端與該固定件連接，形成一L型結構，其中，一鋼帶可穿過任一該些第一凹槽及相對應之一第二凹槽，捆紮捲收於該限位框組內之一線材。
如請求項1所述的線材捲收裝置，其中，各該限位框架還包含一吊掛件，設置於各該柱體之一頂端，該吊掛件具有一凹部結構，呈一倒V形狀，且於該凹部結構的底部設有一貫穿孔洞。
如請求項1所述的線材捲收裝置，其中，該固定件可以伸展及縮短。
如請求項1所述的線材捲收裝置，其中還包含複數個圓柱管，分別設置於該些柱體上，於相對應之該L型結構中，用以減少該鋼帶之摩擦。
如請求項2所述的線材捲收裝置，其中，各該吊掛件之該凹部結構及該貫穿孔洞可與一輸送裝置之一凸塊及該凸塊之一尖部嚙合，用以吊掛該線材捲收裝置。
如請求項1所述的線材捲收裝置，其中，任一該些第一凹槽及相對應之該些第二凹槽，用以與一運輸裝置之一凸部結構相嚙合，用以推送及轉動該線材捲收裝置。
如請求項1所述的線材捲收裝置，其中，任一該些第一凹槽及相對應之一第二凹槽，用於與一捆紮機相對應，該捆紮機透過該鋼帶，於該限位框組內捆紮捲收該線材。
如請求項1所述的線材捲收裝置，其中，該固定件設有一錐形定位裝置，用以固定該線材捲收裝置於一軌道組或一機械機構上。
如請求項1所述的線材捲收裝置，其中，該第二框座之底部還包含複數個母榫，用以與一平台之複數個公榫相嚙合。
如請求項1所述的線材捲收裝置，其中還包含複數個導引件，分別設置於該每一固定件之一端外側。
一種眼模組系統，由一殼體界定出一內部空間，該殼體包含一上端、該內部空間包含一第一端及一第二端，該眼模組系統更進一步包括：<br/> 一處理器；<br/> 一儲存單元，電性連接該處理器；<br/> 一錐狀組件，設置於該眼模組系統的該第一端，且該錐狀組件包含一通孔；<br/> 一攪粉組件，電性連接該處理器，該攪粉組件設置於該眼模組系統的該上端，連通該眼模組系統的該內部空間；<br/> 一第一特徵擷取裝置，電性連接該處理器，該第一特徵擷取裝置設置於該第一端，鄰近於該錐狀組件；<br/> 一眼模組件，電性連接該處理器，該眼模組件設置於該第一端；以及，<br/> 一第二特徵擷取裝置，電性連接該處理器，該第二特徵擷取裝置設置於該第二端。
如請求項1所述的眼模組系統，其中，更包含一警示單元，電性連接該處理器。
如請求項1所述的眼模組系統，其中，該眼模組件更進一步包含一可移動式眼模座。
如請求項1所述的眼模組系統，其中，更包含一輸入單元，電性連接該處理器。
如請求項1所述的眼模組系統，其中，包含一升降裝置設置於該眼模組系統底部，電性連接該處理器。
如請求項1所述的眼模組系統，其中，該第一特徵擷取裝置及該第二特徵擷取裝置更進一步分別包含一影像辨識模組。
如請求項1所述的眼模組系統，其中，該第一特徵擷取裝置更進一步包含一雷射測徑模組。
如請求項1所述的眼模組系統，其中，該第二特徵擷取裝置更進一步包含一雷射測徑模組。
如請求項1所述的眼模組系統，其中，該第一特徵擷取裝置更進一步包含一解碼模組。
一種錐形定位裝置，包含：<br/> 一底端部，包含一錐狀斜面；<br/> 一連接桿，與該底端部連接；<br/> 一高度控制裝置，與該連接桿連接，控制該連接桿之一升降高度；<br/> 一固定座，內部具有一環狀斜面，其中，該環狀斜面與該錐狀斜面對應設置，當該錐狀斜面與該固定座緊密相抵觸時，用以固定該底端部於該固定座上。
如請求項1所述的錐形定位裝置，其中包含一結合端，用以與一機台、一線架或一平台連接。
如請求項1所述的錐形定位裝置，其中，該固定座可設置於一鋼樑或一平台之一側。
如請求項1所述的錐形定位裝置，其中包含一驅動元件，用以驅動該高度控制裝置，以調整該連接桿之該升降高度。
如請求項1所述的錐形定位裝置，其中，該連接桿之一升降方向為與該固定座垂直方向移動。
如請求項2所述的錐形定位裝置，其中，當該底端部之該錐狀斜面與該固定座處於脫離時，與該錐形固定裝置所連接之該機台、該線架及該平台為處於一可移動調整狀態。
如請求項1所述的錐形定位裝置，其中，當該底端部係由強化塑膠、合金材質及橡膠所製成。
一種無動力輥輪夾持裝置，其包含：<br/> 一底部無動力輥輪，橫向設置於該無動力輥輪夾持裝置之一底座上，以相對於該底座呈平行方式設置；<br/> 複數個無動力輥輪，其中，該些無動力輥輪設置於該底部無動力輥輪之兩側，以相對於該底座呈垂直方式設置；<br/> 一頂端無動力輥輪，設置於該無動力輥輪夾持裝置之頂部；<br/> 一轉動軸，設置於該無動力輥輪夾持裝置之頂部，與該頂端無動力輥輪之一端相連接，用以帶動一頂端無動力輥輪軸線，以相對於該底座垂直之一角度轉動至與該底座成平行，其中，一金屬線材之一傳輸路徑相對於該頂端無動力輥輪軸線、一底部無動力輥輪軸線及複數個無動力輥輪軸線呈垂直；<br/> 一固定件，設置於該轉動軸之一側，用於加強緊固該轉動軸。
如請求項1所述的無動力輥輪夾持裝置，其中，該底座之兩側分別包含複數個線性滑軌，用以與一結合端連接並使該底座於該結合端滑動。
如請求項2所述的無動力輥輪夾持裝置，其中包含至少一壓縮彈簧，設置於該底座之一下部。
如請求項3所述的無動力輥輪夾持裝置，其中，該壓縮彈簧之一端固定於該底座，另一端固定於該結合端之一側。
如請求項4所述的無動力輥輪夾持裝置，其中，當該無動力輥輪夾持裝置承受一拉力時，該壓縮彈簧用以產生一推力，並透過該些線性滑軌，於該結合端上移動。
如請求項1所述的無動力輥輪夾持裝置，其中，該些無動力輥輪於該底部無動力輥輪兩端之兩側，以相對應方式設置。
如請求項1所述的無動力輥輪夾持裝置，其中還包含一感應元件及一驅動元件，與該轉動軸電性連接，當該感應元件偵測到該金屬線材時，該驅動元件帶動該轉動軸轉動。
如請求項2所述的無動力輥輪夾持裝置，其中，該結合端可為一機械手臂、一張力臂或一機械機台之一端。
一種用於產生個人化評估內容及治療計畫之電子裝置，包含：<br/> 一或多處理器；及<br/> 儲存電腦可執行指令之非暫態電腦可讀儲存媒體，連接該一或多處理器，<br/> 其中當該一或多處理器執行該電腦可執行指令時，使該一或多處理器至少：<br/> 接收一病患的一主觀資料及一客觀資料； <br/> 基於該主觀資料及該客觀資料，在一知識庫中搜尋並取得其他病患相似的一第一案例紀錄；<br/> 將該主觀資料、該客觀資料、該病患的一歷史病歷紀錄、及該第一案例紀錄輸入至一第一大型語言模型（LLM），使其生成一評估內容；<br/> 基於該評估內容，在該知識庫中搜尋並取得其他病患相似的一第二案例紀錄；及<br/> 將該主觀資料、該客觀資料、該歷史病歷紀錄、該第一案例紀錄及該第二案例紀錄輸入至一第二LLM，使其生成一治療計畫。
如請求項1所述之電子裝置，其中使該第一LLM生成該評估內容時，要求其依據一提示（prompt）生成，該提示中區分該主觀資料與該客觀資料。
如請求項1所述之電子裝置，其中使該第二LLM生成該治療計畫時，要求其依據一提示（prompt）生成，該提示中區分該主觀資料與該客觀資料。
如請求項1所述之電子裝置，其中該主觀資料包括該病患之自述症狀。
如請求項1所述之電子裝置，其中該客觀資料包括該病患之臨床檢查資料。
一種動力源，所述動力源與清潔設備主體可拆卸地連接，所述動力源包括： <br/>殼體，包括容納腔； <br/>動力部，設置於所述容納腔內，將動力傳輸給所述清潔設備主體； <br/>拆裝觸發件，所述拆裝觸發件包括卡塊，所述清潔設備主體設置有卡槽，當所述動力源可拆卸地安裝於所述清潔設備主體上時，所述卡塊與所述卡槽卡接。
如請求項1所述的動力源，其中所述拆裝觸發件為按壓式觸發件，和/或，所述觸發件為撥片式觸發件。
如請求項2所述的動力源，其中所述殼體還包括： <br/>端板和側板，所述側板的一端環繞所述端板的至少部分邊緣設置，所述端板和所述側板圍成所述容納腔。
如請求項3所述的動力源，其中所述拆裝觸發件設置於所述端板，和/或，所述拆裝觸發件設置於所述側板。
如請求項4所述的動力源，其中所述拆裝觸發件為按壓式觸發件，所述按壓式觸發件設置於所述端板，並且所述按壓式觸發件在所述端板上偏心設置。
如請求項5所述的動力源，其中當所述動力源可拆卸地安裝於所述清潔設備主體上時，所述按壓式觸發件相對於所述端板的中心靠近所述清潔設備主體。
如請求項5所述的動力源，其中所述按壓式觸發件包括： <br/>按壓部，設置於所述端板，並且所述按壓部在所述端板上偏心設置； <br/>主體部，設置於所述容納腔內； <br/>其中，所述卡塊與所述主體部連接。
如請求項7所述的動力源，其中所述卡槽的開口朝向第一方向，所述按壓式觸發件被配置為，當所述按壓部被按壓時，所述主體部和所述卡塊沿所述第一方向運動，以使所述卡塊與所述卡槽卡接或分離； 其中，所述第一方向為所述側板的延伸方向。
如請求項7所述的動力源，其中所述卡槽的開口朝向第二方向，所述按壓式觸發件被配置為，當所述按壓部被按壓時，所述主體部和所述卡塊沿所述第二方向運動，以使所述卡塊與所述卡槽卡接或分離； <br/>其中，所述第二方向為與所述側板的延伸方向垂直的方向。
如請求項9所述的動力源，其中所述按壓式觸發件還包括： <br/>聯動塊，設置於所述主體部，並且所述聯動塊設置有第一斜面，所述按壓部靠近所述聯動塊的一面設置有第二斜面，所述第一斜面和所述第二斜面配合，以使所述按壓部被按壓時，所述主體部和所述卡塊沿所述第二方向運動。
如請求項4所述的動力源，其中所述拆裝觸發件為按壓式觸發件，所述按壓式觸發件設置於所述側板，並且所述按壓式觸發件設置於所述側板的周面的第一區域內； <br/>其中，當所述動力源可拆卸地安裝於所述清潔設備主體上時，以所述端板沿第一方向延伸的中心線為第一邊，以所述第一邊為基準邊形成沿第三方向延伸的第一平面，並且以所述第一邊為基準邊形成第二平面和第三平面，所述第二平面和所述第三平面分別向所述第一平面的兩側延伸，且所述第二平面和所述第三平面與所述第一平面之間的夾角均為120度，所述第一區域位於所述第二平面與所述第三平面之間所夾的優角的範圍內；所述第一方向為所述側板的延伸方向，所述第三方向為所述動力源指向所述清潔設備主體的方向。
如請求項11所述的動力源，其中所述按壓式觸發件包括： 按壓部，設置於所述側板，並且所述按壓部設置於所述側板的周面的第一區域內； <br/>主體部，設置於所述容納腔內； <br/>其中，所述卡塊與所述主體部連接。
如請求項12所述的動力源，其中所述卡槽的開口朝向第二方向，所述按壓式觸發件被配置為，當所述按壓部被按壓時，所述主體部和所述卡塊沿所述第二方向運動，以使所述卡塊與所述卡槽卡接或分離； <br/>其中，所述第二方向為與所述側板的延伸方向垂直的方向。
如請求項12所述的動力源，其中所述卡槽的開口朝向第一方向，所述按壓式觸發件被配置為，當所述按壓部被按壓時，所述主體部和所述卡塊沿所述第一方向運動，以使所述卡塊與所述卡槽卡接或分離； <br/>其中，所述第一方向為所述側板的延伸方向。
如請求項14所述的動力源，其中所述按壓式觸發件還包括： <br/>聯動塊，設置於所述主體部，並且所述聯動塊設置有第一斜面，所述按壓部靠近所述聯動塊的一面設置有第二斜面，所述第一斜面和所述第二斜面配合，以使所述按壓部被按壓時，所述主體部和所述卡塊沿所述第一方向運動。
如請求項5所述的動力源，其中所述按壓式觸發件包括： <br/>按壓部，包括：第一按壓部和第二按壓部，所述第一按壓部設置於所述端板，並且所述第一按壓部在所述端板上偏心設置，所述第二按壓部設置於所述側板，並且所述第二按壓部設置於所述側板的周面的第一區域內； <br/>主體部，設置於所述容納腔內； <br/>其中，所述卡塊與所述主體部連接； <br/>其中，當所述動力源可拆卸地安裝於所述清潔設備主體上時，以所述端板沿第一方向延伸的中心線為第一邊，以所述第一邊為基準邊形成沿第三方向延伸的第一平面，並且以所述第一邊為基準邊形成第二平面和第三平面，所述第二平面和所述第三平面分別向所述第一平面的兩側延伸，且所述第二平面和所述第三平面與所述第一平面之間的夾角均為120度，所述第一區域位於所述第二平面與所述第三平面之間所夾的優角的範圍內；所述第一方向為所述側板的延伸方向，所述第三方向為所述動力源指向所述清潔設備主體的方向。
如請求項16所述的動力源，其中所述卡槽的開口朝向第一方向，所述按壓式觸發件被配置為，當所述第一按壓部和/或所述第二按壓部被按壓時，所述主體部和所述卡塊沿所述第一方向運動，以使所述卡塊與所述卡槽卡接或分離； <br/>其中，所述第一方向為所述側板的延伸方向。
如請求項17所述的動力源，其中所述按壓式觸發件還包括： <br/>聯動塊，設置於所述主體部，並且所述聯動塊設置有第一斜面，所述第二按壓部靠近所述聯動塊的一面設置有第二斜面，所述第一斜面和所述第二斜面配合，以使所述第二按壓部被按壓時，所述主體部和所述卡塊沿所述第一方向運動。
如請求項18所述的動力源，其中所述按壓部具有兩個所述第二按壓部，兩個所述第二按壓部沿第二方向相對設置；所述聯動塊設置有兩個所述第一斜面，兩個所述第二按壓部與兩個所述第一斜面一一對應，以使各所述第二按壓部的第二斜面與其對應的所述第一斜面配合； <br/>其中，所述第二方向為與所述側板的延伸方向垂直的方向。
如請求項16所述的動力源，其中所述卡槽的開口朝向第二方向，所述按壓式觸發件被配置為，當所述第一按壓部和/或所述第二按壓部被按壓時，所述主體部和所述卡塊沿所述第二方向運動，以使所述卡塊與所述卡槽卡接或分離； <br/>其中，所述第二方向為與所述側板的延伸方向垂直的方向。
如請求項20所述的動力源，其中所述按壓式觸發件還包括： <br/>聯動塊，設置於所述主體部，並且所述聯動塊設置有第一斜面，所述第一按壓部靠近所述聯動塊的一面設置有第二斜面，所述第一斜面和所述第二斜面配合，以使所述第一按壓部被按壓時，所述主體部和所述卡塊沿所述第二方向運動。
如請求項8或13所述的動力源，其中所述按壓部和所述主體部連接。
如請求項10、15、18、19和21中的任一項所述的動力源，其中所述卡塊與所述主體部的一面連接，所述聯動塊設置於所述主體部背離所述卡塊的一面。
如請求項10、15、18、19和21中的任一項所述的動力源，其中所述第一斜面的斜率和所述第二斜面的斜率相同。
如請求項7至10、12至21中的任一項所述的動力源，其中所述卡塊包括： <br/>第一卡接板，所述第一卡接板的一端與所述主體部連接，所述第一卡接板的另一端向遠離所述主體部的方向延伸； <br/>第二卡接板，所述第二卡接板的一端與所述第一卡接板遠離所述主體部的一端連接，所述第二卡接板的另一端向遠離所述第一卡接板的方向延伸，並且所述第二卡接板與所述卡槽卡接。
如請求項25所述的動力源，其中所述第二卡接板設置有第一導向斜面，所述第一導向斜面設置於所述第二卡接板遠離所述第一卡接板的一端。
如請求項7至10、12至21中的任一項所述的動力源，其中所述拆裝觸發件還包括： <br/>復位件，所述復位件與所述主體部或所述卡塊連接，所述復位件被配置為當所述按壓部被按壓後，產生使所述按壓部、主體部和卡塊恢復至初始位置的力。
如請求項27所述的動力源，其中所述側板設置有安裝平台； <br/>當所述復位件與所述主體部連接時，所述復位件設置於所述主體部和所述安裝平台之間； <br/>當所述復位件與所述卡塊連接時，所述復位件設置於所述卡塊和所述安裝平台之間。
如請求項28所述的動力源，其中所述復位件為彈性元件，當所述按壓部被按壓後，所述彈性元件內部具有恢復力。
一種清潔設備，所述清潔設備包括： <br/>清潔設備主體； <br/>動力源，所述動力源為如請求項1至29任一項所述的動力源，且所述動力源被配置為通過所述拆裝觸發件可拆卸地安裝於所述清潔設備主體上。
如請求項30所述的清潔設備，其中所述拆裝觸發件包括：第一卡接板和第二卡接板，所述第二卡接板設置有第一導向斜面，所述第一導向斜面設置於所述第二卡接板遠離所述第一卡接板的一端； 所述清潔設備主體包括卡槽，所述卡槽的邊緣設置有第二導向斜面，所述第二導向斜面與所述第一導向斜面配合。
如請求項31所述的清潔設備，其中所述第一導向斜面的斜率和所述第二導向斜面的斜率相同。
一種清潔系統，所述清潔系統包括： <br/>基站； <br/>清潔設備，所述清潔設備為如請求項30至32任一項所述的清潔設備，所述清潔設備可放置於所述基站。
一種標高器底座，為標高器底座固定裝置(01)、彈性管固定裝置(02)、鐵條固定裝置(03)、基座固定裝置(04)、基座(05)等；標高器底座為上述各項構件依使用結構強度及使用功能需求繪製圖面後，各項構件之尺寸及位置皆依圖面製作模具，模具製作完成後使用塑膠射出機台，以塑料灌注各項構件依圖面所製作之模具一體成型；本創作之標高器底座具有標高器底座固定裝置(01)，運用4個柱體及4個坡面固定標高器底座，可以平放4種以上不同規格之鋼筋，彈性管固定裝置(02)可以依工程不同需求，使用不同長度之彈性管，鐵條固定裝置(03)可以依工程需求使用鐵條再續接不同長度之彈性管，基座固定裝置(04)係可以將標高器底座，以螺絲或鐵釘加以固定的裝置，基座(05)係連結標高器底座各項裝置：標高器底座固定裝置(01)、彈性管固定裝置(02)、鐵條固定裝置(03)、基座固定裝置(04)等之底部結構，組成標高器底座之結構強度，不會產生平放鋼筋滑落現象，確保施工便利性、降低施工成本及維持施工品質穩定。
一種裝配裝置，用以將密封圈安裝於排線之接口，其改良在於，所述裝配裝置包括：<br/> 底座，設有頂面；<br/> 承載組件，包括轉盤與承載座，所述轉盤可轉動地設於所述頂面，所述承載座固定於所述轉盤遠離所述頂面之一側，所述承載座遠離所述轉盤之表面設有承載槽，所述承載槽被配置為放置所述排線；<br/> 功能組件，包括第一支架、照明件與吹氣件，所述第一支架固定於所述頂面且位於所述轉盤之一側，所述照明件與所述吹氣件連接於所述第一支架，所述照明件之照明端朝向所述承載槽，所述吹氣件之吹氣端朝向所述承載槽；<br/> 導向桿，可分離地設於所述頂面，所述導向桿包括依次連接之接收部與擴口部，所述擴口部遠離所述接收部之一端設有定位槽，所述定位槽被配為將所述導向桿定位於所述接口之上方，所述接收部被配置為接收所述密封圈，所述擴口部被配置為對所述密封圈進行擴張且使所述密封圈套入所述接口。
如請求項1所述之裝配裝置，其中，所述裝配裝置包括觀察組件，所述觀察組件包括第二支架與觀察鏡，所述第二支架固定於所述頂面且位於所述轉盤之一側，所述觀察鏡連接於所述第二支架，所述觀察鏡之鏡面朝向所述承載槽。
如請求項2所述之裝配裝置，其中，所述承載組件包括卡持件，所述卡持件之一端鉸接於所述承載座，所述卡持件之另一端被配置為卡持位於所述承載槽中之所述排線。
如請求項3所述之裝配裝置，其中，所述卡持件設有第一磁性件，所述承載座設有第二磁性件，所述第一磁性件被配置為與所述第二磁性件磁性吸附。
如請求項1所述之裝配裝置，其中，所述承載槽設有吸附孔，所述吸附孔被配置為吸附位於所述承載槽中之所述排線。
如請求項5所述之裝配裝置，其中，所述承載座包括第一座體與第二座體，所述第二座體固定於所述第一座體與所述轉盤之間，所述第一座體與所述第二座體之間設有吸附腔，所述承載槽設於所述第一座體遠離所述第二座體之表面，所述吸附孔連通所述吸附腔，所述吸附腔連通外部之真空設備。
如請求項6所述之裝配裝置，其中，所述底座設有容納腔；所述承載組件包括第一軸體、手輪、第二軸體、第三軸體與複數錐形齒輪，所述第一軸體之一端固定所述轉盤，所述第一軸體之另一端固定一個所述錐形齒輪，所述手輪可轉動地設於所述頂面且位於所述轉盤之一側，所述第二軸體之一端固定於所述手輪，所述第二軸體之另一端伸入所述容納腔中且固定一個所述錐形齒輪，所述第三軸體位於所述容納腔中，所述第三軸體之一端固定一個與所述第一軸體之錐形齒輪嚙合之所述錐形齒輪，所述第三軸體之另一端固定一個與所述第二軸體之錐形齒輪嚙合之所述錐形齒輪。
如請求項7所述之裝配裝置，其中，所述承載組件包括氣管，所述第一軸體設有貫通之套接孔，所述氣管穿過所述套接孔，所述氣管之一端位於所述容納腔中且被配置為與外部之真空設備連通，所述氣管之另一端伸入所述吸附腔中。
如請求項1所述之裝配裝置，其中，所述承載組件包括設於所述頂面之鎖止件，所述轉盤之周側設有鎖槽，所述鎖止件被配置為與所述鎖槽卡接。
如請求項1所述之裝配裝置，其中，所述底座設有凸出於所述頂面之筒體，所述筒體被配置為放置所述導向桿。
一種用於一傳輸系統的接收裝置，包含：<br/> 一解調模組，用來透過該傳輸系統的一數位隔離器接收一調變訊號，並將該調變訊號解調為一解調訊號；<br/> 一比較器，耦接於該解調模組，用來將該解調訊號的一訊號成分與一動態臨界電壓進行比較，以產生一輸出邏輯訊號；以及<br/> 一臨界電壓調整模組，耦接於該解調模組及該比較器，用來判斷該解調訊號的一峰值電壓位準及一共模電壓位準，並根據該峰值電壓位準與該共模電壓位準動態決定該動態臨界電壓；<br/> 其中，該動態臨界電壓為該峰值電壓位準與該共模電壓位準的一平均位準。
如請求項1所述之接收裝置，其中該解調訊號包含該訊號成分及一共模成分，該訊號成分具有該峰值電壓位準，該共模成分具有該共模電壓位準。
如請求項2所述之接收裝置，其中該解調模組包含：<br/> 一放大電路，用來以一第一增益放大該調變訊號以產生一第一放大訊號，並以一第二增益放大該調變訊號以產生一第二放大訊號；以及<br/> 一積分電路，耦接至該放大電路，用來對該第一放大訊號進行積分處理以產生該訊號成分，並對該第二放大訊號進行積分處理以產生該共模成分。
如請求項1所述之接收裝置，其中該解調訊號包含該訊號成分、一共模成分及一高電壓成分，該共模成分具有該共模電壓位準，該高電壓成分具有該峰值電壓位準，且該高電壓成分對應於該調變訊號中的一輔助訊號。
如請求項4所述之接收裝置，其中該解調模組包含：<br/> 一放大電路，用來以一第一增益放大該調變訊號以產生一第一放大訊號，以一第二增益放大該調變訊號以產生一第二放大訊號，以及以一第三增益放大該輔助訊號以產生一第三放大訊號；以及<br/> 一積分電路，耦接至該放大電路，用來對該第一放大訊號進行積分處理以產生該訊號成分，對該第二放大訊號進行積分處理以產生該共模成分，以及對該第三放大訊號進行積分處理以產生該高電壓成分。
如請求項5所述之接收裝置，其中該輔助訊號係經由該傳輸系統的一輔助通道持續傳送。
如請求項5所述之接收裝置，其中該輔助訊號透過分時多工嵌入該調變訊號中，且該解調模組另包含一分時控制電路，用來從該調變訊號中提取該輔助訊號。
如請求項1所述之接收裝置，其中該臨界電壓調整模組包含：<br/> 一峰值偵測電路，耦接於該解調模組，用來偵測並保存該解調訊號的該峰值電壓位準； <br/> 一共模偵測電路，耦接於該解調模組，用來偵測並保存該解調訊號的該共模電壓位準；以及<br/> 一平均電路，耦接於該峰值偵測電路、該共模偵測電路及該比較器，用來平均該峰值電壓位準及該共模電壓位準，以產生該動態臨界電壓，並將該動態臨界電壓輸出至該比較器。
一種傳輸系統，包含：<br/> 一數位隔離器；<br/> 一發射模組，耦接於該數位隔離器，用來將一輸入訊號調變為一調變訊號，並傳送至該數位隔離器；以及<br/> 一接收裝置，包含：<br/> 一解調模組，耦接於該數位隔離器，用來透過該數位隔離器接收該調變訊號，並將該調變訊號解調為一解調訊號；<br/> 一比較器，耦接於該解調模組，用來將該解調訊號的一訊號成分與一動態臨界電壓進行比較，以產生一輸出邏輯訊號；以及<br/> 一臨界電壓調整模組，耦接於該解調模組及該比較器，用來判斷該解調訊號的一峰值電壓位準及一共模電壓位準，並根據該峰值電壓位準與該共模電壓位準動態決定該動態臨界電壓；<br/> 其中，該動態臨界電壓為該峰值電壓位準與該共模電壓位準的一平均位準。
如請求項9所述之傳輸系統，其中該解調訊號包含該訊號成分、一共模成分及一高電壓成分，該共模成分具有該共模電壓位準，該高電壓成分具有該峰值電壓位準，且該高電壓成分對應於該調變訊號中的一輔助訊號，其中該解調模組包含：<br/> 一放大電路，用來以一第一增益放大該調變訊號以產生一第一放大訊號，以一第二增益放大該調變訊號以產生一第二放大訊號，以及以該第一增益放大該輔助訊號以產生一第三放大訊號；以及<br/> 一積分電路，耦接至該放大電路，用來對該第一放大訊號進行積分處理以產生該訊號成分，對該第二放大訊號進行積分處理以產生該共模成分，以及對該第三放大訊號進行積分處理以產生該高電壓成分；<br/> 其中，該輔助訊號係經由該傳輸系統的一輔助通道持續傳送；或者，該輔助訊號係該發射模組透過分時多工嵌入該調變訊號中，且該解調模組另包含一分時控制電路，用來從該調變訊號中提取該輔助訊號。
一種多功能排水接頭結構，其包含一排水接頭，具有一彎管段，該彎管段兩端分別形成一組接段以及一連接段，該組接段與該彎管段間環設一擋止部，且該組接段表面設有複數個環槽，各該環槽皆套有一止水墊圈，該連接段表面由外往內設有複數個環狀齒階以及一環狀擋部。
如請求項1所述之多功能排水接頭結構，其中，該擋止部外徑大於該彎管段以及該組接段之外徑，該環狀擋部外徑大於各該環狀齒階外徑，且該環狀擋部一端朝向該環狀齒階形成一漸縮斜面。
如請求項1所述之多功能排水接頭結構，其中，該排水接頭之組接段組裝一排水直管，該排水直管具有一大徑段以及一小徑段，並於該大徑段以及該小徑段間形成一擋緣，該大徑段用以套接該組接段，並使該組接段於各該環槽內之止水墊圈與該大徑段內徑表面緊密接觸。
如請求項1所述之多功能排水接頭結構，其中，包括一多通管體，該多通管體設一下連結段及至少二連結端口，且該多通管體內部係中空形成一多通腔室，並透過該多通腔室使該下連結段以及至少二該連結端口相互導通，該下連結段表面設有複數個環槽，各該環槽皆套有一止水墊圈，至少二該連結端口用以結合該排水接頭之組接段，從而利用該多通管體與複數個該排水接頭結合達到多通匯集排水之目的。
如請求項4所述之多功能排水接頭結構，其中，該多通管體之下連結段設一擋止環部，該下連結段組裝一排水直管，該排水直管具有一大徑段以及一小徑段，並於該大徑段以及該小徑段間形成一擋緣，該大徑段用以套接該下連結段，並使該下連結段於各該環槽內之止水墊圈與該大徑段內徑表面緊密接觸。
如請求項3或5所述之多功能排水接頭結構，其中，該排水直管可組裝一落水頭蓋上，該落水頭蓋設一組合孔以供該排水直管組入，並於該組合孔周邊設有複數個小排水孔，又該落水頭蓋係對合組設於一落水頭上方，該落水頭內部可再配合組設一防臭水門。
如請求項3或5所述之多功能排水接頭結構，其中，該排水直管可組裝於具有一防臭管塞之一排水口，該排水口為一落水頭的開口或是一地排水管的端口，該防臭管塞內徑設有至少一環狀翼片，該排水直管組入該防臭管塞內，並以外徑緊密接觸該環狀翼片。
如請求項4所述之多功能排水接頭結構，其中，該多通管體包括複數個塞蓋，所述塞蓋用以封蓋用不到的該連結端口。
一種結合彈性鉸鏈的可調節鏡腿，包括：<br/> 一鏡腿主體(10)，其一端為連接端(10a)，另一端為自由端(10b)；<br/> 一彈性鉸鏈機構(20)，設置於該連接端(10a)，其包含：<br/> 一彈性模組(21)，其一端連接於該連接端(10a)；及<br/> 一定位模組(22)，相對於該連接端(10a)設置於該彈性模組(21)之另一端，其配置以決定該鏡腿主體(10)以該彈性鉸鏈機構(20)為樞轉軸：(a) 作步進運動；或 (b) 作彈力慣性運動。
如請求項1所述之結合彈性鉸鏈的可調節鏡腿，其中，該鏡腿主體(10)作步進運動，該定位模組(22)包括一卡接單元(22a)，其依序配置有一連框部(2a)與一單元主體(3a)，其中，該單元主體(3a)一端活動連接該連接端(10a)，另一端固接該彈性模組(21)，使該卡接單元(22a)與該鏡腿主體(10)在連接端(10a)的夾角可調。
如請求項2所述之結合彈性鉸鏈的可調節鏡腿，其中：<br/> 該鏡腿主體(10)更包括一卡槽部(10c)，相對於該連接端(10a)設置於該彈性鉸鏈機構(20)的另一端，其中，該卡槽部(10c)與該彈性模組(21)相對之一側面上設置有卡槽(100c)；及<br/> 該彈性模組(21)依序配置有一定位彈子(4a)及一壓縮彈簧(1a)，其中，該定位彈子(4a)與該卡槽(100c)卡接，使該定位彈子(4a)與該卡槽(100c)相對位置可調。
如請求項3所述之結合彈性鉸鏈的可調節鏡腿，其中，該定位彈子(4a)上在左右方向並列設有多個定位凸起(41a)；該卡槽部(10c)包括一個或多個該卡槽(100c)；該定位凸起(41a)活動插入該卡槽(100c)。
如請求項3所述之結合彈性鉸鏈的可調節鏡腿，其中，該單元主體(3a)的中部向內凹陷形成階梯面(31a)，該階梯面(31a)朝向該連框部(2a)所在端，該階梯面(31a)上向內凹陷形成一安裝槽(32a)，該彈性模組(21)設於該安裝槽(32a)內，以該階梯面(31a)為分界，遠離該連接端(10a)的部分為該連框部(2a)、鄰近該連接端(10a)的部分為該單元主體(3a)；該卡槽部(10c)與該連接端(10a)之間形成一第一容置槽(10d)，其用於容置該單元主體(3a)；相對應於該連框部(2a)，該卡槽部(10c)在與該第一容置槽(10d)同一側面形成一第二容置槽(10e)，其用以容置該連框部(2a)。
如請求項1所述之結合彈性鉸鏈的可調節鏡腿，其中，該鏡腿主體(10)作彈力慣性運動，該定位模組(22)包括一鉸接單元(22b)，沿一第一方向(D1)依序配置有一框部鉸接件(7b)、一緊固件(6b)、一滑動元件(2b)、一導件(3b)及一止動件(5b)，其中，該滑動元件(2b)的一端連接該彈性模組(21)並穿設於該導件(3b)上，該滑動元件(2b)的另一端穿設於該框部鉸接件(7b)，沿一垂直於該第一方向(D1)之第二方向(D2)，該止動件(5b)穿設於該導件(3b)上，該緊固件(6b)穿設於該滑動元件(2b)及該框部鉸接件(7b)。
如請求項6所述之結合彈性鉸鏈的可調節鏡腿，其中：<br/> 該彈性模組(21)包括一拉簧(1b)及一拉簧張緊件(4b)，其中，該拉簧張緊件(4b)在一端與該拉簧(1b)的一端部(12b)接合；<br/> 該滑動元件(2b)具有一第一部分(23b)、一第二部分(24b)、和位於該第一部分(23b)與該第二部分(24b)之間的末端部(26b)，其中在該第一部分(23b)和該第二部分(24b)中的一個的端部附近具有一開口(O)，且該開口(O)配置為與該拉簧(1b)的另一端部(11b)接合；<br/> 該導件(3b)包括第三部分(35b)、第四部分(36b)、位於該第三部分(35b)和該第四部分(36b)之間的中間部分(34b)，其中，在該第三部分(35b)和該第四部分(36b)中分別具有第一導向開口(31b)和第二導向開口(32b)；<br/> 該止動件(5b)穿過該導件(3b)中的該第一導向開口(31b)和該第二導向開口(32b)；及<br/> 該框部鉸接件(7b)具有相對應設置於該末端部(26b)兩側的一第一鉸接開口(71b)及一第二鉸接開口(72b)，使該緊固件(6b)可依序穿過該第一鉸接開口(71b)、該末端部(26b)及該第二鉸接開口(72b)。
如請求項7所述之結合彈性鉸鏈的可調節鏡腿，其中，該導件(3b)具有分別對應該第一部分(23b)和該第二部分(24b)設置的一第一導向槽(33A)及一第二導向槽(33B)，該第一部分(23b)和該第二部分(24b)滑動穿過該第一導向槽(33A)及該第二導向槽(33B)，且該端部(12b)通過力進行拉伸穿過該拉簧張緊件(4b)並固定在該拉簧張緊件(4b)的一張緊件支座(44b)上。
如請求項1至8任一項所述之結合彈性鉸鏈的可調節鏡腿，其中，該鏡腿主體(10)的末端更轉動連接有一防脫件(9)與一避空該防脫件(9)的避空槽(10f)，其中：<br/> 該防脫件(9)包括主體部(91)和凸簷(92)，該凸簷(92)設於該主體部(91)一側；<br/> 該避空槽(10f)包括一避空部(101f)和一鏡腿凹槽(102f)，該避空部(101f)和該鏡腿凹槽(102f)連通；<br/> 該主體部(91)插入該避空部(101f)，該凸簷(92)插入該鏡腿凹槽(102f)內。
一種眼鏡，其包括一鏡框(203)、一第一鏡腿(201)及一第二鏡腿(202)，其中，該第一鏡腿(201)與該第二鏡腿(202)分別連接於該鏡框(203)的相對兩端上，且該第一鏡腿(201)包括如請求項1至8任一項所述之結合彈性鉸鏈的可調節鏡腿，該第二鏡腿(202)包括如請求項1至8任一項所述之結合彈性鉸鏈的可調節鏡腿，其中，該第一鏡腿(201)相同於或不相同於該第二鏡腿(202)。
一種滾刷，用於可轉動地連接在清潔設備上，所述滾刷包括：<br/> 刷體，所述刷體開設有切割槽；<br/> 保護齒，所述保護齒至少部分連接所述切割槽的槽口；<br/> 第一刀體，所述第一刀體置於所述刷體內；以及<br/> 第二刀體，所述第二刀體置於所述刷體內，<br/> 其中，所述第一刀體及所述第二刀體的切割刃至少部分突出所述切割槽，所述第一刀體及所述第二刀體的切割刃低於所述保護齒，所述第一刀體相對所述第二刀體可轉動。
如請求項1所述之滾刷，其還包括：<br/> 傳動組件，所述傳動組件設置於所述刷體內，所述傳動組件連接所述第二刀體，以帶動所述第二刀體相對所述第一刀體轉動。
如請求項2所述之滾刷，其中，所述傳動組件包括：<br/> 驅動件，所述驅動件包括可轉動的驅動部；以及<br/> 蝸輪蝸桿機構，所述蝸輪蝸桿機構包括蝸輪及蝸桿，所述蝸桿連接所述驅動部，所述蝸輪繞著支撐軸可轉動地連接在所述刷體內，<br/> 其中，所述第二刀體連接所述支撐軸或所述蝸輪。
如請求項3所述之滾刷，其中，所述驅動件包括：<br/> 動力輸入軸；<br/> 第一傳動輪，所述第一傳動輪連接所述動力輸入軸，並被配置為所述驅動部；<br/> 第二傳動輪，所述第二傳動輪連接所述蝸桿，所述第二傳動輪和所述第一傳動輪相嚙合。
如請求項4所述之滾刷，其中，所述第二傳動輪的半徑大於所述第一傳動輪的半徑。
如請求項3至5中任一項所述之滾刷，其中，所述刷體包括兩個第二支撐件，所述蝸桿的兩端可轉動地分別連接兩個所述第二支撐件。
如請求項3至5中任一項所述之滾刷，其中，所述刷體包括兩個第一支撐件，所述支撐軸的兩端可轉動地分別連接兩個所述第一支撐件。
如請求項3至5中任一項所述之滾刷，其中，所述第一刀體和所述第二刀體相互貼合。
如請求項8所述之滾刷，其中，所述第一刀體設置在所述第二刀體和所述蝸輪蝸桿機構之間，所述第二刀體背向所述第一刀體的一側和所述刷體之間設置有彈性件。
如請求項9所述之滾刷，其中，所述刷體內設置有容納腔，所述第一刀體和所述第二刀體設置於所述容納腔內，所述第一刀體固定設置於所述容納腔內，所述第二刀體可轉動地置於所述容納腔內。
如請求項10所述之滾刷，其中，所述容納腔的側壁設置有導向部，所述第二刀體的至少部分可轉動地置於所述導向部內。
如請求項10所述之滾刷，其中，所述第一刀體包括定位凸起，所述定位凸起抵靠所述容納腔的側壁。
一種清潔設備，包括如請求項1至12中任一項所述之的滾刷。
一種清潔系統，包括相配合使用的基站以及如請求項13所述之清潔設備。
一種滾刷，用於可轉動地連接在清潔設備上，所述滾刷包括：<br/> 刷體，所述刷體開設有切割槽；<br/> 保護齒，所述保護齒至少部分連接所述切割槽的槽口；<br/> 刀體，所述刀體設於所述刷體內，所述刀體的切割刃至少部分高於所述切割槽，所述刀體的所述切割刃低於所述保護齒；以及<br/> 傳動構件，所述傳動構件包括降低所述刀體運行速度的減速機構，所述傳動構件設於所述刷體內並連接所述刀體，以帶動所述刀體相對所述刷體運動。
如請求項1所述之滾刷，其中，所述減速機構包括行星齒輪減速器。
如請求項1所述之滾刷，其中，所述減速機構包括相嚙合的第二傳動輪和第一傳動輪，所述第二傳動輪的半徑小於所述第一傳動輪的半徑。
如請求項3所述之滾刷，其中，所述第二傳動輪和所述第一傳動輪通過中轉齒輪連接。
如請求項1所述之滾刷，其中，所述刀體和所述切割槽的側壁之間設置有彈性件。
如請求項5所述之滾刷，其中，所述彈性件包括限位凸起。
如請求項1所述之滾刷，其中，所述刀體為兩個，兩個所述刀體相互貼合。
如請求項7所述之滾刷，其中，所述刀體開設有散熱孔。
一種清潔設備，包括如請求項1至8中任一項所述之滾刷。
一種清潔系統，包括相配合使用的基站以及如請求項9所述之清潔設備。
一種球狀頂尖軸承，其包括:一頂尖軸承，該頂尖軸承共有四種，分別為一球狀頂尖軸承、一第一半球狀頂尖軸承、一第二半球狀頂尖軸承和一齊頭頂尖軸承；該球狀頂尖軸承、該第一半球狀頂尖軸承、該第二半球狀頂尖軸承和該齊頭頂尖軸承的底座相同，僅有上方的頂尖部分不相同；該球狀頂尖軸承、該第一半球狀頂尖軸承、該第二半球狀頂尖軸承和該齊頭頂尖軸承的底座下方設有一限位柱，該限位柱上設有一夾扣。
如請求項1所述之球狀頂尖軸承，其中該球狀頂尖軸承的該頂尖部分為球形，該第一半球狀頂尖軸承相比該球狀頂尖軸承，在該球狀頂尖軸承上方圓形頂尖處上橫切一刀，即為該第一半球狀頂尖軸承。
如請求項2所述之球狀頂尖軸承，其中該第二半球狀頂尖軸承在該第一半球狀頂尖軸承的基礎上橫切一刀，該第二半球狀頂尖軸承上方該頂尖部分的高度小於該第一半球狀頂尖軸承上方的該頂尖部分。
如請求項3所述之球狀頂尖軸承，其中該球狀頂尖軸承、該第一半球狀頂尖軸承和該第二半球狀頂尖軸承上設有一中徑面，該第一半球狀頂尖軸承的上底面在該中徑面上方，該第二半球狀頂尖軸承的上底面在該中徑面下方。
如請求項3或4所述之球狀頂尖軸承，其中該球狀頂尖軸承、該第一半球狀頂尖軸承、該第二半球狀頂尖軸承和該齊頭頂尖軸承的底座高度為10mm，直徑為3mm，所述球形的頂尖部分的直徑為3mm，所述限位柱的高度為3.5mm，直徑為1.8mm。
如請求項1-4任一所述之球狀頂尖軸承，更包括兩輔助零件，其包含一鍵棍和一薩克斯單球柱，該鍵棍上開有一鍵孔；該薩克斯單球柱包括一柱體，該柱體上方設有一球臺，該球臺上開有一第一限位孔，該第一限位孔為沈孔結構，該柱體上開有一第二限位孔，該第二限位孔為通孔。
一種薩克斯彎脖泛音鍵用固定底座，包括一薩克斯彎脖本體、一泛音鍵本體和一固定螺栓，其特徵在於:該薩克斯彎脖本體彎曲部位外壁與一固定卡塊連接，該固定卡塊底部與該薩克斯彎脖本體彎曲部位外壁相匹配，該固定卡塊頂部設有一弧狀凸起，該弧狀凸起上開設有一第一卡孔，該泛音鍵本體與一固定底座連接，該固定底座遠離該泛音鍵本體的一側開設有一與該弧狀凸起寬度相匹配的限位槽，該固定底座與該固定卡塊卡接，該固定底座上開設有一第二卡孔，該固定螺栓貫穿該固定卡塊和該固定底座，且與該第一卡孔和該第二卡孔轉動連接，該固定螺栓兩端設有與一螺母相匹配的螺紋槽，該固定螺栓中部為圓杆狀，該固定螺栓用於對該固定卡塊和該固定底座進行限位固定。
如請求項1所述之薩克斯彎脖泛音鍵用固定底座，其中該固定底座靠近該泛音鍵本體的一側設有一凸塊，該泛音鍵本體上設有一底座凹槽，該底座凹槽與該固定底座上該凸塊相匹配，用於對該固定底座位置進行限制。
一種基於複雜灰塵環境巡檢機器人雷達自動清理系統，包含有：<br/> 資料獲取模組：獲取灰塵環境在空間維度的子區域的灰塵濃度；<br/> 環境複雜評估模組：與該資料獲取模組連接，基於每個子區域的灰塵濃度，對等待清理的環境空間的灰塵複雜程度分析，再根據分析結果，識別等待清理的環境空間的灰塵濃度分佈狀態；<br/> 清理確定模組：與該環境複雜評估模組連接，當得到灰塵複雜程度低信號時，設置分析時段，對分析時段內每個子區域的灰塵濃度進行穩定性分析，得到灰塵分散穩定值，基於灰塵分散穩定值，對巡檢機器人是否需要清理環境空間進行判斷；<br/> 清理控制模組：與該清理確定模組連接，當得到清理控制指令時，獲取位元於順序第一的子區域灰塵濃度，以及參考灰塵濃度變率，據此生成巡檢機器人清理時的負壓功率調控值。
根據請求項1所述的基於複雜灰塵環境巡檢機器人雷達自動清理系統，其特徵在於，所述子區域的灰塵濃度的獲取方式為：<br/> 以巡檢機器人初始位置為原點，將巡檢機器人等待清理的環境空間，按照機器人行進的方式進行劃分，得到多個並列的子區域，其中，每個子區域空間體積大小相同；<br/> 在每個子區域的空間內均勻設置有灰塵採集點，每個灰塵採集點安裝有灰塵感測器，得到每個採集點的灰塵濃度，將子區域內所有採集點的灰塵濃度進行均值處理，得到每個子區域的灰塵濃度。
根據請求項2所述的基於複雜灰塵環境巡檢機器人雷達自動清理系統，其特徵在於，所述對等待清理的環境空間的灰塵複雜程度分析的具體過程為：<br/> 基於每個子區域濃度，通過波動分析，輸出得到環境灰塵複雜判斷值，再根據環境灰塵 複雜判斷值對巡檢機器人等待清理空間的灰塵複雜性；<br/> 若環境灰塵複雜判斷值大於或等於環境灰塵複雜判斷閾值時，則說明各個子區域的灰塵濃度不一致，其等待清理的環境空間的灰塵濃度分佈不一致，生成灰塵環境複雜信號。
根據請求項3所述的基於複雜灰塵環境巡檢機器人雷達自動清理系統，其特徵在於，所述環境灰塵複雜判斷值的具體過程為：<br/> 獲取每個子區域濃度，將每個子區域濃度通過方差處理公式，計算得到環境灰塵複雜判斷值。
根據請求項3所述的基於複雜灰塵環境巡檢機器人雷達自動清理系統，其特徵在於，所述識別等待清理的環境空間的灰塵濃度分佈狀態的具體過程為：<br/> 當得到灰塵環境複雜信號時，按照空間的位置，構建不同子區域的灰塵濃度的序列，得到子區域灰塵濃度空序，通過對子區域灰塵濃度空序進行線性分佈分析，得到空間濃度線性分佈值；其中，空間的位置即為子區域中心點距離巡檢機器人之間的距離；若空間濃度線性分佈值小於空間濃度線性分佈閾值時，等待清理的各個子區域濃度隨著距離的變化而呈線性變化程度較高，生成灰塵複雜程度低信號。
根據請求項5所述的基於複雜灰塵環境巡檢機器人雷達自動清理系統，其特徵在於，所述通過對子區域灰塵濃度空序進行線性分佈分析，得到空間濃度線性分佈值的具體過程為：獲取子區域灰塵濃度空序中的子區域灰塵濃度，確定參考灰塵濃度變率和分析灰塵濃度變率；基於參考灰塵濃度變率和分析灰塵濃度變率，分析得到非同步灰塵濃度變率偏差均值與非同步灰塵濃度變率的數量占比；<br/> 通過非同步灰塵濃度變率偏差均值與非同步灰塵濃度變率的數量佔比進乘法運算，得到空間濃度線性分佈值。
根據請求項6所述的基於複雜灰塵環境巡檢機器人雷達自動清理系統，其特徵在 於，所述確定參考灰塵濃度變率和分析灰塵濃度變率的具體過程為：獲取子區域灰塵濃度空序中位於順序第一的子區域灰塵濃度和位於倒序第一的子區域灰塵濃度；將順序第一的子區域灰塵濃度與位於倒序第一的子區域灰塵濃度進行差值計算，得到端部灰塵濃度變化值，獲取順序第一與倒序第一之間的子區域的距離，得到端部距離差值；再將端部灰塵濃度變化值與端部距離差值進行比值計算，得到參考灰塵濃度變率；獲取子區域灰塵濃度空序中位於前一個序列的子區域灰塵濃度和位於後一個序列的子區域灰塵濃度；將前一個序列的子區域灰塵濃度和位於後一個序列的子區域灰塵濃度進行差值計算，得到相鄰灰塵濃度變化值，獲取前一個序列與後一個序列之間的子區域的距 離，得到相鄰距離差值；再將相鄰灰塵濃度變化值與相鄰距離差值進行比值計算，得到分析灰塵濃度變率。
根據請求項6所述的基於複雜灰塵環境巡檢機器人雷達自動清理系統，其特徵在於，所述非同步灰塵濃度變率偏差均值與非同步灰塵濃度變率的數量占比的獲取方式為：<br/> 將所有的分析灰塵濃度變率分別與參考灰塵濃度變率進行差值處理，並將其差值取絕對值，得到分析濃度變率偏差值；<br/> 若分析濃度變率偏差值大於或等於分析濃度變率偏差閾值，說明相鄰區域灰塵濃度變化趨勢與前後兩端區域灰塵濃度變化趨勢相差較大，將其分析灰塵濃度變率標記為非同步灰塵濃度變率；統計非同步灰塵濃度變率的數量，計算非同步灰塵濃度變率的數量占比，同時，將所有非同步灰塵濃度變率與參考灰塵濃度變率進行差值處理，並將其差值取絕對值，得到分析濃度變率偏差值，得到非同步灰塵濃度變率偏差值，將所有的非同步灰塵濃度變率偏差值進行均值計算，得到非同步灰塵濃度變率偏差均值。
根據請求項1所述的基於複雜灰塵環境巡檢機器人雷達自動清理系統，其特徵在於，所述灰塵分散穩定值的獲取方式為：獲取每個子區域在分析時段內灰塵濃度，對分析時段內所有的灰塵濃度進行方差計算，得到每個子區域當前灰塵濃度方差；再將所有的子區域當前灰塵濃度方差進行均值計算，得到灰塵分散穩定值；若灰塵分散穩定值小於灰塵分散穩定閾值時，說明當前時間段內，等待清理的環境空間的灰塵濃度在時間維度上趨於穩定，生成清理控制指令。
根據請求項9所述的基於複雜灰塵環境巡檢機器人雷達自動清理系統，其特徵在於，所述負壓功率調控值的獲取過程為：當得到清理控制指令時，獲取位元於順序第一的子區域灰塵濃度，將位於順序第一的子區域灰塵濃度代入到通過擬合所得到的灰塵濃度與功率曲線，得到巡檢機器人清理時的負壓功率初始設定值；通過公式<i>PT</i>=<i>P</i>1*(1+<i>K*L</i>)，計算得到巡檢機器人清理時的負壓功率調控值PT，其中，P1表示為巡檢機器人清理時的負壓功率初始設定值，K表示為參考灰塵濃度變率，L表示為負壓所要調控的子區域與位於順序第一的子區域之間的距離。
一種以回收廢棄物製成角柱，其結構包括：包覆面料及回收廢棄物，該包覆面料利用一共擠壓出模具擠壓出加熱後的表面料，待表面料形成包覆面料，並將回收廢棄物密封包覆其中，形成一角柱本體。
如申請專利範圍第1項所述之以回收廢棄物製成角柱，該角柱本體係以75%~90%的工業廢棄物配合10%~25%的泛用塑膠製成，二者予以混合，亦在本創作的容許範圍內。
如申請專利範圍第1項所述之以回收廢棄物製成角柱，該共擠壓出模具可更換，更換後可擠壓出不同形狀的板材及角材。
一種雙口味牛軋糖結構，為雙口味牛軋糖組合成型之結構，如牛奶口味牛軋糖黏接草莓口味牛軋糖，在外觀色彩上呈現白色黏接粉紅色的視覺。
如請求項1所述之雙口味牛軋糖結構，口味範例為牛奶口味牛軋糖黏合草莓口味牛軋糖，可延伸為水果組合、茶類組合、巧克力組合、創意組合、懷舊組合。
如請求項2所述之雙口味牛軋糖結構，水果組合如：草莓黏合牛奶、藍莓黏合優格、芒果黏合椰子、檸檬黏合奶酪、白桃黏合優格、百香果黏合牛奶、葡萄黏合酸奶、哈密瓜黏合牛奶、荔枝黏合養樂多。
如請求項2所述之雙口味牛軋糖結構，茶類組合如：抹茶黏合紅豆、烏龍茶黏合黑糖、焙茶黏合牛奶、玄米茶黏合黑豆、紅茶黏合牛奶、煎茶黏合蜂蜜。
如請求項2所述之雙口味牛軋糖結構，巧克力組合如：巧克力黏合薄荷、巧克力黏合柳橙、巧克力黏合焦糖、巧克力黏合花生醬、巧克力黏合櫻桃、巧克力黏合咖啡、巧克力黏合香蕉、巧克力黏合杏仁、白巧克力黏合草莓、白巧克力黏合覆盆子。
如請求項2所述之雙口味牛軋糖結構，創意組合如：鹽黏合焦糖、薑黏合檸檬、荔枝黏合玫瑰、可樂黏合冰沙、紫薯黏合牛奶、黃豆粉黏合黑糖、蜂蜜黏合檸檬、大吉嶺茶黏合伯爵茶、柚子黏合胡椒、蘋果黏合肉桂。
如請求項2所述之雙口味牛軋糖結構，懷舊組合如：西瓜黏合泡泡糖、可爾必思黏合蘇打、梅子黏合紫蘇、牛奶黏合可樂、薄荷黏合巧克力脆片。
如請求項2所述之雙口味牛軋糖結構，可延伸為變化成三口味牛軋糖結構，如牛奶黏合焦糖黏合草莓口味，在外觀色彩上呈現白色黏合棕色黏合粉紅色的視覺。
一種包裝結構，係用於包裝一內容物，該包裝結構包括：<br/> 一片體，具有一第一表面及與該第一表面互為反面之第二表面；以及<br/> 一泡殼，係蓋設於該片體之第一表面，該泡殼形成有複數隆起部位，該些隆起部位與該片體之第一表面之間界定出至少一容置空間，該至少一容置空間用以容納至少一內容物；<br/> 其中該片體之第一表面劃分為一標示區及一內容物區，該標示區設有一塗層，該塗層顯示出一資訊，該至少一容置空間係設於該內容物區；<br/> 其中該泡殼具有透明部位，該透明部位係配置成使該資訊及該至少一內容物自該透明部位顯露出；<br/> 其中該標示區的位置係設置成：在該至少一內容物裝入該至少一容置空間後，該塗層所顯示之資訊不被該內容物遮擋。
如請求項1所述之包裝結構，其中該泡殼進一步形成有一凸框部，自該片體之第一表面之上方俯視，該凸框部係位於該標示區並將該塗層所顯示之資訊圍繞於內部。
如請求項1或2所述之包裝結構，其中該片體為長方形之片體，該標示區與該內容物區係位於該第一表面沿長度方向之不同端。
如請求項3所述之包裝結構，其中該資訊為文字、圖樣或其組合。
如請求項3所述之包裝結構，其中該片體之材質為鋁箔。
如請求項3所述之包裝結構，其中該內容物為藥品或營養品之膠囊或錠劑。
如請求項1所述之包裝結構，其中該片體之第一表面具有色彩，且該標示區與該內容物區之色彩為相同或不同。
如請求項1所述之包裝結構，其中該泡殼具有色彩。
一種可調整角度的消防設備，係包含有：<br/> 一主體，設置有一入水口，該主體上設置有至少一連接組成，該連接組成係具有一臂部，所述之臂部設置有一流道可與入水口相連通，各該臂部之流道分別具有一連接部；<br/> 至少一導水管，具有一中空管，內部形成有一導水流道，各該導水管外側沿軸向間隔設置有數噴頭與該導水流道相連通，各該導水管設置有一套接部與所述之連接部相樞接，該入水口與各該導水管之間形成連通，且各該導水管可以轉動，以調整所述噴頭的角度。
如請求項1所述之可調整角度的消防設備，其中：所述之連接組成設置有一延伸臂，各該連接組成之延伸臂與臂部之間具有一間隔，各該延伸臂上設置有一輔助連接部；各該導水管上也設置有一輔助套接部，該輔助套接部與該輔助連接部相樞接。
如請求項2所述之可調整角度的消防設備，其中：該主體具有一中空管體，內部形成有一主流道；所述之延伸臂內設置有一延伸流道與該主體的主流道相連通，使該入水口可與各該流道、主流道、延伸流道以及該導水流道相通，各該輔助套接部也與該輔助連接部相連通，使該導水管的導水流道可由該臂部的流道以及延伸臂的延伸流道內導水。
如請求項1至3任一項所述之可調整角度的消防設備，其中：該主體係具有二連接組成，該二連接組成係分別位於主體之兩側，該入水口與該二連接組成相連通；二該導水管，分別樞設於該二連接組成之上。
如請求項1至3任一項所述之可調整角度的消防設備，其中：所述之導水管上設置有一把手，所述之把手係凸伸於該主體外。
如請求項5所述之可調整角度的消防設備，其中：所述之導水管上設置有一環凸肋，各該把手設置有一扣片，該扣片組接於該環凸肋上。
如請求項6所述之可調整角度的消防設備，其中：該扣片上設置有一凹入，當各該把手組接於各該導水管上時，該凹入環繞於該臂部，使各該把手可以沿著各該連接組成的臂部轉動，該把手轉動時可連動該導水管轉動。
如請求項1至3任一項所述之可調整角度的消防設備，其中：該主體具有一中空管體，內部形成有一主流道，且該中空管體之頂部沿軸向間隔設置有數噴頭。
如請求項1至3任一項所述之可調整角度的消防設備，其中：該主體底部設置有數輪組。
如請求項9所述之可調整角度的消防設備，其中：該等輪組係設置於該連接組成之底部。
一種以牡蠣殼粉製成之拜香結構，其係包含香腳及包覆於香腳之香柱，其中，香柱係由牡蠣殼粉、備長炭粉末、木粉以及黏粉混合固化所構成。
如請求項1所述之以牡蠣殼粉製成之拜香結構，其中，該香柱原料粉末係由10~30wt%之牡蠣殼粉末、5~15wt%之備長炭粉末、40~60wt%之木粉以及20~30wt%之黏粉混合所構成。
如請求項1所述之以牡蠣殼粉製成之拜香結構，其中，該香腳為桂竹或毛竹。
如請求項1所述之以牡蠣殼粉製成之拜香結構，其中，該木粉為料香、新山香、老山香或沉香。
如請求項1所述之以牡蠣殼粉製成之拜香結構，其中，該黏粉為楠樹皮粉。
如請求項1所述之以牡蠣殼粉製成之拜香結構，其中，該牡蠣殼粉、備長炭粉末、木粉以及黏粉為可通過50~200號篩網之粒徑。
一種球拍貼片，包括：<br/> 一離型底紙；及<br/> 一貼片本體，貫設一第一穿孔，包括一基材層、一顆粒層及一第一黏膠層，該顆粒層及該第一黏膠層疊設於該基材層之相對二側，該第一黏膠層可分離地貼設於該離型底紙。
如請求項1所述的球拍貼片，其中該離型底紙包括二半部，該二半部以一斷線相互斷開。
如請求項1所述的球拍貼片，其中該離型底紙包括一第二穿孔，該第二穿孔與該第一穿孔同心相對。
如請求項1所述的球拍貼片，其中該基材層之厚度不小於該顆粒層之厚度且介於0.3毫米至0.8毫米之間。
如請求項1所述的球拍貼片，其中該顆粒層包括粒徑不一的複數磨砂顆粒，該複數磨砂顆粒之平均粒徑介於0.01毫米至0.80毫米之間，該複數磨砂顆粒於該顆粒層形成一粗糙表面。
如請求項1所述的球拍貼片，其中該顆粒層包括複數磨砂顆粒及一用於連接該複數磨砂顆粒之基質，該複數磨砂顆粒之重量與該基質之重量的比值介於0.3至0.8之間。
如請求項1所述的球拍貼片，另包括一保護膜，其中該保護膜包括相互層疊之一透明膜層及一第二黏膠層，該保護膜藉由該第二黏膠層可分離地貼設於該顆粒層及該離型底紙。
如請求項7所述的球拍貼片，其中該保護膜覆蓋該第一穿孔且設有一對應於該第一穿孔之切口。
如請求項8所述的球拍貼片，其中該離型底紙包括二半部，該二半部以一斷線相互斷開；該離型底紙另包括一第二穿孔，該第二穿孔與該第一穿孔同心相對；該基材層為一透明薄膜，該基材層之厚度不小於該顆粒層之厚度且介於0.3毫米至0.8毫米之間；該顆粒層包括粒徑不一的複數磨砂顆粒，該複數磨砂顆粒之平均粒徑介於0.02毫米至0.10毫米之間，該複數磨砂顆粒於該顆粒層形成一粗糙表面；該顆粒層另包括一用於連接該複數磨砂顆粒之基質，該複數磨砂顆粒之重量與該基質之重量的比值介於0.3至0.8之間；該顆粒層之平均厚度介於0.1毫米至0.3毫米之間；該基材層為一透明薄膜，該複數磨砂顆粒為半透明顆粒，該顆粒層另包括複數色料顆粒；該第一黏膠層之厚度介於0.05毫米至0.15毫米之間；該貼片本體呈圓環形，該貼片本體之直徑介於20毫米至25毫米之間，該第一穿孔之直徑介於10毫米至15毫米之間；及該保護膜完全覆蓋該粗糙表面且徑向突出於該粗糙表面之外周。
一種球拍，使用至少一如請求項1至9任一項所述之球拍貼片，另包括：<br/> 一擊球部，包括沿一厚度方向相對之二拍面及貫設於該二拍面之複數貫孔，各該貼片本體環繞一該貫孔並以該第一黏膠層貼設於一該拍面；及<br/> 一握柄部，連接於該擊球部。
一種洗地機地刷，包括：<br/> 殼體；<br/> 滾刷，所述滾刷可轉動地設置於所述殼體中；<br/> 滾刷驅動機構，設置於所述殼體內或所述滾刷內部，用於驅動所述滾刷轉動；<br/> 噴水組件，設置於所述滾刷的上部，所述噴水組件用於向所述滾刷噴水；<br/> 刮條，沿所述滾刷長度方向設置於所述殼體上，用於在清潔地面時刮除地面的水漬；<br/> 刮水組件，設置於所述滾刷的側部，所述刮水組件用於刮除所述滾刷的髒水；以及<br/> 控制組件，所述控制組件設置於所述殼體中；<br/> 其中，所述控制組件包括動力組件和執行組件，所述動力組件用於向所述執行組件提供動力，所述執行組件與所述刮水組件連接，所述執行組件按照與滾刷軸向平行的方向運動，所述刮水組件按照與滾刷軸向垂直的方向運動。
根據請求項1所述的洗地機地刷，其中，所述控制組件用於控制所述刮水組件與所述滾刷之間的相對距離，使所述刮水組件在第一位置和第二位置之間切換，所述第一位置為刮水位置，所述第二位置為非刮水位置。
根據請求項1所述的洗地機地刷，其中，所述執行組件包括傳動部和至少一個抵頂塊，所述至少一個抵頂塊設置於所述傳動部上，配置為隨著所述傳動部沿與所述滾刷軸向平行的方向運動。
根據請求項3所述的洗地機地刷，其中，所述抵頂塊為2-4個。
根據請求項3所述的洗地機地刷，其中，所述抵頂塊與所述刮水組件的接觸面為斜面，所述斜面的傾斜角度為10度-80度。
根據請求項3所述的洗地機地刷，其中，所述執行組件還包括至少一個限位件，所述限位件配置為使所述抵頂塊隨著所述傳動部沿與所述滾刷軸向平行的方向運動。
根據請求項3所述的洗地機地刷，其中，所述執行組件還包括限位板，所述限位板包括至少一個第一限位孔，所述第一限位孔配置為限制所述抵頂塊的周向運動。
根據請求項7所述的洗地機地刷，其中，所述執行組件還包括從動齒輪，所述限位板還包括第二限位孔，所述第二限位孔配置為限制所述從動齒輪的軸向運動。
根據請求項3所述的洗地機地刷，其中，所述刮水組件包括刮水板，所述刮水板在刮水狀態時至少部分與所述滾刷接觸。
根據請求項9所述的洗地機地刷，其中，所述刮水組件還包括側板，所述側板與所述刮水板固定連接，所述側板配置為在所述抵頂塊的抵頂下朝向所述滾刷方向運動。
根據請求項1所述的洗地機地刷，其中，所述刮水組件還包括扭簧，設置於所述刮水組件的至少一端，配置為使所述刮水組件提供朝向收回狀態的力。
根據請求項5所述的洗地機地刷，其中，所述刮水組件包括抵頂面，所述抵頂面與所述抵頂塊的斜面配合使所述刮水組件按照與滾刷軸向相垂直的方向運動。
根據請求項5所述的洗地機地刷，其中，所述刮水組件的抵頂面為斜面，且與所述抵頂塊的斜面傾斜角度相同。
一種基站，包括用於容納請求項1至13中任一項所述的洗地機地刷的容納空間。
一種清潔系統，包括基站和容納於所述基站中的請求項1至13中任一項所述的洗地機地刷。
一種氣隙式毫米波天線，包括：<br/> 一天線基板，包括一天線圖案；<br/> 一支撐結構，設置於該天線基板上；以及<br/> 一天線罩，設置於該支撐結構上，且對位於該天線圖案，該天線罩與該天線圖案之間形成一氣隙結構，其中，該天線罩係為一下寬上窄結構。
如請求項1所述之氣隙式毫米波天線，其中，該天線罩的側端形成一倒角結構。
如請求項1所述之氣隙式毫米波天線，其中，該天線罩設置成一圓台形狀。
如請求項1所述之氣隙式毫米波天線，其中，該天線罩設置成一錐台形狀。
如請求項1所述之氣隙式毫米波天線，其中，該天線罩設置成一梯形柱體狀。
如請求項1所述之氣隙式毫米波天線，其中，該支撐結構的長度介於該貼片天線的二分之一波長至全波長之間。
如請求項1所述之氣隙式毫米波天線，其中，該天線圖案位於該支撐結構在該天線基板垂直投影範圍區域內。
如請求項1所述之氣隙式毫米波天線，其中，該支撐結構係為一銅柱或一鋁柱。
如請求項1所述之氣隙式毫米波天線，其中，該天線基板係為整合天線設計的一印刷電路板。
如請求項1所述之氣隙式毫米波天線，其中，該天線圖案所對應的天線係為一微帶貼片天線。
如請求項1所述之氣隙式毫米波天線，其中，該天線圖案至該天線基板邊緣之間的距離，小於該天線圖案所對應的天線之二分之一波長。
一種陣列天線模組，包括：數個如請求項1至11中任一項所述之氣隙式毫米波天線，排列成陣列。
一種使用者導向的智慧空調系統，包含：<br/> 一控制模組，取得一使用者識別資訊及一空調機的一運轉參數，且該運轉參數對應該使用者識別資訊；<br/> 一記錄模組，訊號連接該控制模組，該記錄模組將該運轉參數與該使用者識別資訊記錄在對應的複數個時間區間內，以產生N個週期的該複數個時間區間的運轉記錄，其中N為正整數；以及<br/> 一偏好學習模組，訊號連接該控制模組與該記錄模組，該偏好學習模組分析各該時間區間內的該運轉參數，並從該N個週期的記錄中，選取近期M筆運轉參數進行比對，以產生對應於該使用者識別資訊的一偏好設定，其中M為正整數且M≤N；<br/> 其中，該控制模組根據該偏好設定調整該空調機的運轉參數，使該空調機基於調整後的運轉參數進行作動。
如請求項1所述的使用者導向的智慧空調系統，還包括：<br/> 一辨識模組，訊號連接一輸入裝置與該控制模組，該辨識模組接收由該輸入裝置所輸入的一識別輸入資訊，並根據該識別輸入資訊，從預先儲存的使用者識別資訊記錄中進行比對，以辨識出當前的該使用者識別資訊；其中，在無法比對出符合者時，新增一組新的使用者識別資訊；<br/> 其中，該使用者識別資訊是對應於該空調機基於該識別輸入資訊輸入後的運作狀態下所產生的該運轉參數。
如請求項2所述的使用者導向的智慧空調系統，其中，該輸入裝置包含遙控器、感測器、行動裝置、個人電腦、筆記型電腦、穿戴式裝置、聲控裝置、網路連線設備以及與該辨識模組通訊的終端設備中至少其中之一。
如請求項2所述的使用者導向的智慧空調系統，其中，該識別輸入資訊包括使用者識別碼、生物特徵資訊及帳號登入資料至少其中之一。
如請求項4所述的使用者導向的智慧空調系統，其中，該生物特徵資訊包括人體、指紋、臉部影像、虹膜及聲紋中至少其中之一。
如請求項1所述的使用者導向的智慧空調系統，其中，該記錄模組還依據各該時間區間的順序，將該運轉參數與對應的該使用者識別資訊儲存在一資料陣列中。
如請求項1所述的使用者導向的智慧空調系統，其中，該控制模組在單一個該時間區間內有多次調整該運轉參數的狀態，則該記錄模組僅記錄末次的運轉參數作為單一個該時間區間的該運轉參數。
如請求項1所述的使用者導向的智慧空調系統，其中，該運轉參數包括該空調機的開機/關機狀態、設定溫度、風速或節電設定。
如請求項8所述的使用者導向的智慧空調系統，其中，該偏好學習模組產生對應該使用者識別資訊的該偏好設定，還包括符合至少以下其中之一規則：<br/> 根據該M筆開機/關機狀態的記錄，以多數決方式判定該使用者識別資訊的偏好開機/關機設定；<br/> 根據該M筆設定溫度的記錄，以平均值或加權平均值方式判定該使用者識別資訊的偏好設定溫度；<br/> 根據該M筆風速或節電設定的記錄，以多數決方式判定該使用者識別資訊的偏好功能設定。
如請求項9所述的使用者導向的智慧空調系統，其中，該偏好學習模組將該偏好開機/關機設定、偏好設定溫度和偏好功能設定中的至少其中一項編寫為一偏好設定陣列，並將該偏好設定陣列中具有連續或規律且具有相同的該偏好設定的該時間區間編寫為一偏好作息設定值。
如請求項10所述的使用者導向的智慧空調系統，還包括一修正模組，該修正模組訊號連接該偏好學習模組，且該修正模組還設有一修正權重值，該修正模組判斷該偏好作息設定值具有連續Q筆資料中皆與原本的該偏好作息設定值不同的狀態下，該修正模組根據該修正權重值與該偏好作息設定值，計算出一新偏好作息設定值，並對應更新該偏好設定，其中Q為正整數。
如請求項10所述的使用者導向的智慧空調系統，還包括一修正模組，該修正模組訊號連接該偏好學習模組，該修正模組還判斷該偏好作息設定值具有連續Q筆資料中皆與原本的該偏好作息設定值不同的狀態下，該修正模組以該Q筆資料對應的該偏好作息設定值取代原本的該偏好作息設定，其中Q為正整數。
一種空調設備，包括：<br/> 一空調機，輸出符合當前的運轉參數，該運轉參數包括該空調機的開機/關機狀態、設定溫度、風速或節電設定；<br/> 一輸入裝置，訊號連接該空調機，該輸入裝置輸入一識別輸入資訊；以及<br/> 如請求項1至12中任一項所述的使用者導向的智慧空調系統，設在該空調機內，其中，該控制模組取得一使用者識別資訊，該使用者識別資訊是對應於該空調機基於該識別輸入資訊輸入後的運作狀態下所產生的該運轉參數，該控制模組根據該使用者識別資訊的一偏好設定調整該空調機的該運轉參數，並控制該空調機基於調整後的運轉參數進行作動。
一種磨指甲站棍結構，包含：一棍身，具有一長軸方向及一短軸方向，且該棍身之橫截面呈橢圓狀，該橫截面具有兩相對設置之平直面以及連接於該二平直面上下兩端之圓弧面；以及一固定組件，設置於該棍身之一端面；其特徵在於：該棍身之外表面形成有複數沿該長軸方向延伸之突起部與凹槽部，其中該突起部具有一相對光滑表面，該凹槽部具有一相對粗糙表面。
如請求項1所述之磨指甲站棍結構，其中該棍身之材質包含木材，且該棍身之表層具有一防水層，該防水層係滲透於該木材之纖維孔隙內，以封閉該棍身之表層孔隙。
如請求項1所述之磨指甲站棍結構，其中該固定組件包含一螺絲、二墊片及一螺母，該螺絲係固設於該棍身之該端面。
如請求項1所述之磨指甲站棍結構，其中該平直面係平行於該棍身之該長軸方向延伸，且該突起部與該凹槽部係交錯排列於該棍身之外表面。
一種電磁屏之訊號接收電路，其改良在於，所述電磁屏包括n條平行之接收線圈，每條所述接收線圈之第一端並接，所述接收線圈用以接收電磁筆之電磁波訊號，將所述電磁波訊號轉換為電訊號；<br/> 所述訊號接收電路包括第一級放大單元，所述第一級放大單元之輸入端連接每條所述接收線圈之第二端，<br/> 所述第一級放大單元用以接收每條所述接收線圈之電訊號，對每個所述電訊號進行第一級訊號放大處理，獲得多個第一放大訊號；<br/> 所述第一級放大單元包括n-1個放大器，n為大於等於2之正整數；<br/> 每個所述放大器分別連接相鄰之兩條所述接收線圈之第二端，所有所述放大器構成差分鏈式結構。
如請求項1所述之訊號接收電路，其中，所述放大器為第一運算放大器，每個所述第一運算放大器之正相輸入端及反向輸入端分別連接相鄰之兩條所述接收線圈之第二端，所有所述第一運算放大器構成差分鏈式結構。
如請求項2所述之訊號接收電路，其中，所述訊號接收電路還包括第一隔離單元及第二級放大單元，所述第一隔離單元之第一端連接所述第一級放大單元之輸出端，所述第二級放大單元之輸入端連接所述第一隔離單元之第二端；<br/> 所述第一隔離單元用以接收每個所述第一放大訊號，對每個所述第一放大訊號隔離處理；<br/> 所述第二級放大單元用以接收隔離處理後之每個所述第一放大訊號，對每個所述第一放大訊號進行第二級訊號放大處理，獲得多個第二放大訊號作為檢測訊號並輸出。
如請求項3所述之訊號接收電路，其中，所述第二級放大單元包括n-1個第二運算放大器，每個所述第二運算放大器之輸入端用以接收其中一個所述第一放大訊號。
如請求項4所述之訊號接收電路，其中，所述第一運算放大器為差分輸入單端輸出運算放大器，所述第二運算放大器為單端輸入單端輸出運算放大器。
如請求項4所述之訊號接收電路，其中，所述第一運算放大器為差分輸入差分輸出運算放大器；所述第二運算放大器為差分輸入差分輸出運算放大器，或為差分輸入單端輸出運算放大器。
如請求項3所述之訊號接收電路，其中，所述第一隔離單元包括多個電氣隔離元件，每個所述電氣隔離元件之第一端用以接收其中一所述第一放大訊號，每個所述電氣隔離元件之第二端連接所述第二級放大單元；所述電氣隔離元件為電容、電阻或緩衝器。
如請求項3所述之訊號接收電路，其中，還包括第二隔離單元及第三級放大單元，所述第二隔離單元之第一端連接所述第二級放大單元之輸出端，所述第三級放大單元之輸入端連接所述第二隔離單元之第二端；<br/> 所述第二隔離單元用以接收每個所述第二放大訊號，對每個所述第二放大訊號隔離處理；<br/> 所述第三級放大單元用以接收隔離處理後之每個所述第二放大訊號，對每個所述第二放大訊號進行第三級訊號放大處理，獲得多個第三放大訊號作為檢測訊號並輸出。
一種電磁晶片，其改良在於，包括如請求項1至8中任一項所述之訊號接收電路。
一種電磁屏，其改良在於，包括多條平行之接收線圈，多條平行之發射線圈，及如請求項9所述之電磁晶片；<br/> 所述接收線圈與所述發射線圈正交，每條所述接收線圈之第一端並接，所述接收線圈用以接收電磁筆之電磁波訊號，將所述電磁波訊號轉換為電訊號；每條所述發射線圈之第一端並接，每條所述發射線圈之第二端用以接收驅動訊號；<br/> 所述電磁晶片還用以輸出所述驅動訊號，並根據所述檢測訊號確定所述電磁筆於所述電磁屏上之觸點位置。
一種半導體之夾具裝置，包括：<br/>一控制模組；<br/>一驅動裝置，係資訊連結該控制模組，該驅動裝置之動力輸出軸上係固設一主傘齒件；<br/>二帶動傘齒件，係分別與該主傘齒件相互嚙合，使該主傘齒件得驅動各該帶動傘齒件轉動；<br/>二導螺桿組件，係分別於一端與各該帶動傘齒件接設，以受各該帶動傘齒件轉動；<br/>二座體，係分別活動設於各該導螺桿組件上，使各該座體得於各該導螺桿組件上移動；及<br/>二承載組件，係分別設於各該座體上，以透過該座體的帶動使二該承載組件分別朝相反方向行進而供共同承載一晶圓。
如請求項1所述之半導體之夾具裝置，其中各該導螺桿組件係分別具有一供該座體活動設置之螺桿件、二分別設於該螺桿件兩端處之滾珠軸承組件、及二分別用於固定各該滾珠軸承組件之軸座。
如請求項1所述之半導體之夾具裝置，其中各該承載組件係分別具有一與該座體結合之基座、及一與該基座結合之支撐件。
如請求項3所述之半導體之夾具裝置，其中一該承載組件係具有一遮斷件。
如請求項4所述之半導體之夾具裝置，其中該導螺桿組件一側處係設有一與該驅動裝置資訊連結之第一訊號元件、及一位於該第一訊號元件一側且與該驅動裝置資訊連結之第二訊號元件，該遮斷件係供遮斷該第一訊號元件及該第二訊號元件之訊號，以作為該承載組件位置確定之依據。
如請求項3所述之半導體之夾具裝置，其中該基座上係設有一位於該支撐件一側之定位件。
如請求項1所述之半導體之夾具裝置，其中各該導螺桿組件之兩側處係分別設有一軌道，係供各該承載組件活動設置。
如請求項1所述之半導體之夾具裝置，其中該控制模組係為控制電路基板。
如請求項1所述之半導體之夾具裝置，其中該驅動裝置係為電動馬達。
一種按鍵之結構改良，係包括基架、電氣單元及至少一組以上感測單元，其中：<br/> 該基架係包括框體、裝設於該框體處之按壓體，該框體內部具有供該按壓體組裝之容置空間，並於該框體表面設有貫穿至該容置空間之透孔，位於該透孔周邊的該容置空間內表面為設有至少一組以上之限位桿、至少一組以上之桿體，再於該按壓體處設有露出該透孔外部之按壓部，位於該按壓部周邊的該按壓體表面為設有至少一組以上之觸動件；<br/> 該電氣單元係組裝於該框體的該容置空間內、並位於該按壓體一側，係包括預設電路佈局之電路基板、電性連接於該電路基板之顯示器，該電路基板上設有供該至少一組以上的限位桿活動穿置的至少一組以上之限位套筒、供該至少一組以上的桿體穿置的至少一組以上之彈性件、供該至少一組以上的觸動件抵觸而運作的至少一組以上之觸壓開關，且供該顯示器為對位於該按壓體的該按壓部處；<br/> 該至少一組以上感測單元係位於該電氣單元的該電路基板下方，包括結合於該電路基板下方之支架體、設置於該支架體上之控制電路板，該控制電路板上設有供偵測外部影像訊號之感測器。
如請求項1所述按鍵之結構改良，其中該基架於該框體的該透孔周邊設有呈相對設置的該至少一組以上之限位桿，位於該至少一組以上的限位桿側邊設有長度減縮的至少一組以上之桿體。
如請求項1所述按鍵之結構改良，其中該基架於該框體的該透孔周邊設有呈相對設置的該至少一組以上之限位桿，而該電氣單元的該電路基板上的該至少一組以上之限位套筒內部分別設有供各該限位桿穿置之內孔，且各該內孔之深度為大於各該限位桿之長度，再於各該限位套筒與各該限位桿間分別設有防止軸向旋轉、並限制位移方向之嵌卡槽及卡制體。
如請求項1所述按鍵之結構改良，其中該基架於該框體的該透孔周邊，分別設有該至少一組以上之限位桿、該至少一組以上之桿體，而該按壓體的周邊則設有供該至少一組以上的限位桿穿置的至少一組以上之限位槽孔、供該至少一組以上的桿體穿置的至少一組以上之通孔。
如請求項4所述按鍵之結構改良，其中該框體的該透孔周邊係設有二組相對式之該限位桿、位於二組相鄰該限位桿之間設有一組相對式的該桿體，並於該按壓體的周邊設有供該二組的限位桿穿置的二組相對式之該限位槽孔、位於二組相鄰的該限位槽孔之間設有供一組相對應各該桿體穿置的一組相對式之該通孔，且各該限位槽孔分別呈向外破口之Ｃ形狀。
如請求項1所述按鍵之結構改良，其中該框體的該透孔周邊係設有至少一個以上之指示部，該至少一個以上的指示部一側為延伸有二支桿，而於該按壓體的該按壓部周邊設有供該指示部的該二支桿穿設之至少二個以上之穿孔，再於該電氣單元的該電路基板上設有對位於該二支桿之至少二個以上之發光體，則該至少一個以上的指示部及該二支桿係為透光材質，且該至少二個以上的發光體係為發光二極體、微型發光二極體、迷你發光二極體、液晶面板或冷光片。
如請求項1所述按鍵之結構改良，其中該基架之該按壓體係於周邊設有二組相對式之該觸動件，而於該電氣單元之該電路基板周邊則設有與二相對式該觸動件相互對位之二組相對式的該觸壓開關，且該按壓體係設有具透光性或半透光性之該按壓部，並於該電氣單元之該顯示器係為液晶顯示器、發光二極體(LED)顯示器、有機發光二極體(OLED)顯示器或冷光片顯示幕。
如請求項1所述按鍵之結構改良，其中該至少一組以上感測單元之該支架體係以螺釘鎖設方式、鉚釘鉚方式或黏膠黏結方式設置於該電路基板下方，再於該支架體處設有供該感測器露出之卡持孔，再於該卡持孔外部罩覆防護罩。
如請求項8所述按鍵之結構改良，其中該防護罩係為透明之塑膠、矽膠、壓克力或玻璃之各式透明材質所製成。
一種清潔設備，包括： <br/>主體結構，所述主體結構包括手持部，所述手持部用於供操作人員手持； <br/>電器件，所述電器件設置有電連接部和靜電釋放部； <br/>靜電導出件，設置於所述手持部，並與所述靜電釋放部電連接，所述靜電導出件具有凸出部，所述凸出部凸出於所述手持部的表面。
如請求項1所述的清潔設備，其中所述清潔設備還包括： <br/>清潔組件，與所述主體結構連接，並與所述電連接部電連接。
如請求項2所述的清潔設備，其中所述手持部包括： <br/>第一連接件； <br/>第二連接件，與所述第一連接件相對設置； <br/>把手，用於供操作人員手持，所述把手設置於所述第一連接件和所述第二連接件之間，並與所述第一連接件和所述第二連接件連接，所述靜電導出件設置於所述把手，並且所述凸出部凸出於所述把手的表面。
如請求項3所述的清潔設備，其中所述主體結構還包括： <br/>集塵部，所述清潔組件與所述集塵部連接； <br/>其中，所述凸出部凸出於所述把手靠近所述集塵部的表面。
如請求項4所述的清潔設備，其中所述靜電導出件包括： <br/>本體部，設置於所述把手內並與所述把手的內壁固定連接，所述本體部與所述靜電釋放部電連接，所述凸出部設置於所述本體部的表面。
如請求項5所述的清潔設備，其中所述本體部包括： <br/>第一導電板，所述凸出部設置於所述第一導電板； <br/>第二導電板，與所述第一導電板相對設置，並且所述第二導電板位於所述第一導電板背離所述凸出部的一側； <br/>連接板，連接所述第一導電板和所述第二導電板； <br/>其中，所述第一導電板和/或所述第二導電板與所述把手的內壁固定連接。
如請求項6所述的清潔設備，其中所述第一導電板與所述把手的內壁固定連接，所述第二導電板與所述靜電釋放部電連接。
如請求項6所述的清潔設備，其中所述第一導電板與所述靜電釋放部電連接，所述第二導電板與所述把手的內壁固定連接。
如請求項7所述的清潔設備，其中所述本體部還包括： <br/>固定板，與所述第一導電板連接，並且所述固定板通過固定件與所述把手的內壁固定連接。
如請求項9所述的清潔設備，其中所述固定板具有第一固定部，所述固定件能夠穿過所述第一固定部與把手的內壁固定連接，所述第一固定部位於所述第一導電板在所述第一導電板的寬度方向上的一側。
如請求項10所述的清潔設備，其中所述第一固定部具有至少兩個，且所述第一導電板在所述第一導電板的寬度方向上的兩側均具有至少一個所述第一固定部。
如請求項10所述的清潔設備，其中所述固定板向靠近所述第二導電板的方向延伸，所述固定板靠近所述第二導電板的一側設置有缺口，所述第二導電板能夠進入所述缺口內。
如請求項9所述的清潔設備，其中所述第二導電板遠離所述連接板的一側設置有轉接板，所述轉接板與所述靜電釋放部電連接。
如請求項13所述的清潔設備，其中所述清潔設備還包括： <br/>第一連接線，所述第一連接線的一端與所述靜電釋放部電連接； <br/>插接頭，與所述第一連接線的另一端電連接，並且所述插接頭具有插接槽，至少部分所述轉接板伸入所述插接槽內。
如請求項14所述的清潔設備，其中所述電器件為電路板，所述電路板設置於所述主體結構內。
如請求項15所述的清潔設備，其中所述清潔設備還包括：動力部，設置於所述第一連接件遠離所述第二連接件的一側； <br/>所述電路板設置於所述第二連接件內，並且所述轉接板設置於所述第二導電板靠近所述第二連接件的一端。
如請求項16所述的清潔設備，其中所述清潔設備還包括： <br/>第二連接線，所述第二連接線的一端與所述清潔組件電連接，所述第二連接線的另一端與所述電連接部電連接。
如請求項17所述的清潔設備，其中所述集塵部包括： <br/>塵杯，與所述清潔組件連接； <br/>過濾器，位於所述塵杯在第一方向上的一側，一部分所述第二連接線位於所述塵杯和所述過濾器之間； <br/>其中，所述第一方向為所述第一連接件指向所述第二連接件的方向。
如請求項18所述的清潔設備，其中所述塵杯靠近所述過濾器的一面設置有容納槽，位於所述塵杯和所述過濾器之間的部分所述第二連接線位於所述容納槽內。
如請求項19所述的清潔設備，其中所述塵杯靠近所述過濾器的一面設置有開口，所述容納槽環繞部分所述開口設置。
如請求項18所述的清潔設備，其中所述手持部還包括： <br/>加強板，與所述把手相對設置，並與所述第一連接件和所述第二連接件連接，所述電路板設置於所述加強板和所述把手之間；所述塵杯的部分外周面與所述加強板遠離所述把手的一面連接，一部分所述第二連接線設置於所述加強板內。
如請求項18所述的清潔設備，其中所述清潔設備還包括： <br/>連接頭，安裝於所述塵杯，所述連接頭設置有連接端子，所述清潔組件與所述連接頭連接，並與所述連接端子電連接；一部分所述第二連接線設置於所述連接頭內，並與所述連接端子電連接。
如請求項22所述的清潔設備，其中所述清潔組件包括： <br/>清潔頭； <br/>連接桿，所述連接桿的一端與所述清潔頭連接，另一端與所述連接頭連接； <br/>第三連接線，設置於所述連接桿內，並且所述第三連接線的一端與所述清潔頭電連接，另一端與所述連接端子電連接。
如請求項10至23任一項所述的清潔設備，其中所述固定板位於所述第一導電板遠離所述連接板的一端。
如請求項10至23任一項所述的清潔設備，其中所述手持部還包括： <br/>固定導向結構，設置於所述把手的內壁，所述固定導向結構被配置為對所述靜電導出件進行定位和導向，並且所述靜電導出件與所述固定導向結構固定連接，以使所述靜電導出件與所述把手的內壁固定連接。
如請求項25所述的清潔設備，其中所述固定導向結構設置有導向槽，至少部分所述本體部位於所述導向槽內。
如請求項26所述的清潔設備，其中所述固定板具有第一固定部，所述固定導向結構設置有第二固定部，所述第二固定部位於所述導向槽在所述第一導電板的寬度方向上的一側，並且所述固定板和所述固定導向結構通過所述第一固定部和所述第二固定部固定連接。
如請求項27所述的清潔設備，其中所述第一固定部具有至少兩個，所述固定導向結構設置有至少兩個第二固定部，且所述導向槽在所述第一導電板的寬度方向上的兩側均具有至少一個所述第二固定部； <br/>其中，至少兩個所述第一固定部與至少兩個所述第二固定部一一對應，並且各所述第一固定部均與其對應的所述第二固定部固定連接。
如請求項26所述的清潔設備，其中所述把手靠近所述集塵部一面設置有通孔，所述凸出部能夠穿過所述通孔凸出於所述把手靠近所述集塵部的表面。
如請求項29所述的清潔設備，其中所述通孔在第二方向上的投影位於所述導向槽在所述第二方向上的投影內； <br/>其中，所述第二方向為所述集塵部指向所述把手的方向。
如請求項25所述的清潔設備，其中所述固定導向結構和所述把手的內壁為一體式結構。
如請求項5至23任一項所述的清潔設備，其中所述凸出部與所述第一連接件之間具有第一距離，所述凸出部與所述第二連接件之間具有第二距離，所述第一距離和所述第二距離之間的比值為0.5至2。
如請求項1至23任一項所述的清潔設備，其中所述凸出部凸出於所述手持部的表面的高度為0.05mm至0.3mm。
如請求項1至23任一項所述的清潔設備，其中所述凸出部遠離所述手持部的一面的表面積大於或等於40mm<sup>2</sup>。
如請求項1至23任一項所述的清潔設備，其中所述靜電導出件為沖壓件。
如請求項7至23任一項所述的清潔設備，其中所述第一導電板、所述第二導電板和所述連接板的厚度均相同。
如請求項7至23任一項所述的清潔設備，其中所述靜電導出件為彈性件，所述第一導電板和所述第二導電板能夠通過彈性力相互靠近或遠離。
一種清潔系統，包括： <br/>基站； <br/>清潔設備，所述清潔設備為如請求項1至37任一項所述的清潔設備，並且所述清潔設備能夠與所述基站對接。
一種按鍵結構，包含： <br/>一鍵帽； <br/>一非接觸式開關單元，包含一光發射器、一光接收器及一電路板，該電路板設置於該鍵帽下方，該光發射器及該光接收器電連接該電路板，該光發射器發射一光訊號，該光訊號沿著一光傳遞路徑而到達該光接收器；以及 <br/>一橡膠圓頂，設置於該鍵帽及該電路板之間，以提供回復力，該橡膠圓頂包含一柱體部， <br/>其中該鍵帽被按壓時，該鍵帽朝該電路板移動並帶動該橡膠圓頂彈性變形，且該柱體部移動遮擋該光傳遞路徑，進而改變該光接收器接收到的該光訊號的強度。
一種按鍵結構，包含： <br/>一鍵帽； <br/>一非接觸式開關單元，包含一磁鐵、一霍爾感測器及一電路板，該電路板設置於該鍵帽下方，該霍爾感測器電連接該電路板；以及 <br/>一橡膠圓頂，設置於該鍵帽及該電路板之間，以提供回復力，該磁鐵設置於該橡膠圓頂， <br/>其中該鍵帽被按壓時，該鍵帽朝該電路板移動並帶動該橡膠圓頂彈性變形，以改變該磁鐵與該霍爾感測器之間的距離，進而改變該霍爾感測器感測到的該磁鐵的磁場強度。
一種按鍵結構，包含： <br/>一鍵帽； <br/>一非接觸式開關單元，包含一導體件、一電容感應器及一電路板，該電路板設置於該鍵帽下方，該電容感應器設置於該電路板；以及 <br/>一橡膠圓頂，設置於該鍵帽及該電路板之間，以提供回復力，該導體件設置於該橡膠圓頂， <br/>其中該鍵帽被按壓時，該鍵帽朝該電路板移動並帶動該橡膠圓頂彈性變形，以改變該導體件與該電容感應器之間的距離，進而改變該電容感應器感測的電容值。
一種按鍵結構，包含： <br/>一鍵帽； <br/>一非接觸式開關單元，包含一磁鐵、一霍爾感測器及一電路板，該電路板設置於該鍵帽下方，該霍爾感測器電連接該電路板且與該磁鐵保持固定的相對位置；以及 <br/>一橡膠圓頂，設置於該鍵帽及該電路板之間，以提供回復力，該橡膠圓頂包含一柱體部， <br/>其中該鍵帽被按壓時，該鍵帽朝該電路板移動並帶動該橡膠圓頂彈性變形，且該柱體部移動至屏蔽該磁鐵之磁場的位置，進而改變該霍爾感測器感測到的該磁場的強度。
如請求項1或4所述之按鍵結構，其中該電路板具有一避讓槽，以容許該柱體部移動時至少部分穿過該避讓槽。
如請求項5所述之按鍵結構，其中該柱體部更包含一抵接部，該抵接部自該柱體部側向延伸且與該柱體部之自由端相隔設置。
如請求項1所述之按鍵結構，其中該柱體部更包含一側翼部，該側翼部自該柱體部側向延伸，且該側翼部側向延伸之方向與該光傳遞路徑相交。
如請求項1所述之按鍵結構，其中該橡膠圓頂包含一墊高部，且該墊高部界定一第一容置空間及一第二容置空間，且該第一容置空間及該第二容置空間用以供容置該光發射器及該光接收器。
如請求項8所述之按鍵結構，其中該墊高部包含一延伸部，該第一容置空間及該第二容置空間其中之一位於該延伸部。
如請求項8所述之按鍵結構，其中該橡膠圓頂更包含一光柵部，該光柵部具有一光柵孔且位於該光發射器及該光接收器之間。
如請求項1所述之按鍵結構，其中該光發射器及該光接收器位於該橡膠圓頂的垂直投影範圍內。
如請求項4所述之按鍵結構，其中該電路板具有一避讓槽，以容許該柱體部移動時至少部分伸入該避讓槽，且該磁鐵及該霍爾感測器設置於該避讓槽的相對兩側。
如請求項3所述之按鍵結構，其中該導體件為金屬件。
如請求項4所述之按鍵結構，其中該柱體部包含導磁材料，且該導磁材料包含鐵、鈷、鎳或其合金。
如請求項1至4任一項所述之按鍵結構，更包含一支撐機構，其中該支撐機構設置於該鍵帽下方並支撐該鍵帽相對於該電路板移動。
如請求項15所述之按鍵結構，更包含一底板，其中該底板設置於該鍵帽下方，該支撐機構連接於該鍵帽及該底板之間。
如請求項1至4任一項所述之按鍵結構，更包含一座體，其中該鍵帽可移動地與該座體結合，該座體具有一容置空間，該橡膠圓頂設置於該容置空間。
如請求項17所述之按鍵結構，其中該鍵帽具有一鍵頂及一鍵裙，當該鍵帽朝該電路板移動時，該鍵裙於該容置空間中移動。
如請求項18所述之按鍵結構，其中該鍵帽具有一第一導引部，該第一導引部自該鍵頂底部朝該座體延伸，該座體具有一第二導引部，當該鍵帽相對於該座體移動時，該第一導引部沿該第二導引部相對移動。
如請求項18所述之按鍵結構，該鍵帽具有一第一卡合部，該第一卡合部自該鍵頂底部朝該座體延伸，該座體具有一第二卡合部，當該鍵帽與該座體結合時，該第一卡合部與該第二卡合部可移動地卡合。
一種泡殼托盤，包含：<br/> 一頂板，具有一或多個容置凹槽；<br/> 兩側板，連接該頂板之相反兩側，且該兩側板與該頂板共同定義一空間；以及<br/> 一支撐板，連接該兩側板並自該兩側板延伸至該空間中。
如請求項1所述之泡殼托盤，其中該兩側板中之一者與該頂板之連接處形成一樞軸。
如請求項1所述之泡殼托盤，其中該支撐板之一延伸方向與該頂板之一延伸方向相夾一銳角。
如請求項1所述之泡殼托盤，其中該兩側板具有位於該支撐板之遠離該頂板之一側之一鏤空部。
如請求項1所述之泡殼托盤，進一步包含連接於該兩側板中之一者與該支撐板之間之一連接板。
如請求項5所述之泡殼托盤，進一步包含與該兩側板中之一者、該支撐板以及該連接板連接之一抵靠板。
如請求項6所述之泡殼托盤，其中該抵靠板與該頂板平行延伸。
一種泡殼托盤的堆疊結構，包含：<br/> 一第一泡殼托盤，包含一第一頂板以及連接該第一頂板之相反兩側之兩第一側板；以及<br/> 一第二泡殼托盤，設置於該第一泡殼托盤上並包含一第二頂板、連接該第二頂板之相反兩側之兩第二側板以及連接該兩第二側板並自該兩第二側板延伸之一支撐板，其中該支撐板自該兩第二側板延伸至由該第二頂板與該兩第二側板共同定義之一空間中，<br/> 其中該支撐板之遠離該兩第二側板之一側抵靠於該第一頂板上。
如請求項8所述之泡殼托盤的堆疊結構，其中該兩第二側板中之一者與該第二頂板之連接處形成一樞軸。
如請求項8所述之泡殼托盤的堆疊結構，其中該支撐板之一延伸方向與該第二頂板之一延伸方向相夾一銳角。
如請求項8所述之泡殼托盤的堆疊結構，其中該兩第二側板具有位於該支撐板之遠離該第二頂板之一側之一鏤空部。
如請求項8所述之泡殼托盤的堆疊結構，其中該第二泡殼托盤進一步包含連接於該兩第二側板中之一者與該支撐板之間之一連接板。
如請求項12所述之泡殼托盤的堆疊結構，其中該連接板之遠離該第二頂板之一側以及該支撐板之遠離該第二頂板之一側抵靠於該第一頂板上。
如請求項12所述之泡殼托盤的堆疊結構，其中該第二泡殼托盤進一步包含與該兩第二側板中之一者、該支撐板以及該連接板連接之一抵靠板。
如請求項14所述之泡殼托盤的堆疊結構，其中該抵靠板、該第一頂板以及該第二頂板平行延伸。
如請求項14所述之泡殼托盤的堆疊結構，其中該抵靠板抵靠於該第一頂板上。
一種泡殼托盤，包含：<br/> 一頂板，具有一或多個容置凹槽；<br/> 兩側板，連接該頂板之相反兩側，且該兩側板與該頂板共同定義一空間；以及<br/> 一支撐板，連接該兩側板並自該兩側板遠離該空間延伸。
如請求項17所述之泡殼托盤，進一步包含連接於該兩側板中之一者與該支撐板之間之一連接板。
如請求項18所述之泡殼托盤，進一步包含與該兩側板中之一者、該支撐板以及該連接板連接之一抵靠板。
如請求項19所述之泡殼托盤，其中該抵靠板與該頂板平行延伸。
一種飲水機頂蓋的安裝結構，其特徵在於，頂蓋的兩側設置有頂蓋側板，所述頂蓋側板通過向內彎折形成內板，所述內板沿長度方向設置有若干個安裝孔，每一所述安裝孔沿長度方向的前端尺寸大於後端尺寸，飲水機側板的頂端沿長度方向設置有與所述若干個安裝孔配合安裝的若干個安裝柱，每一所述安裝柱沿軸向的上端尺寸大於下端尺寸，每一所述安裝孔的後端尺寸大於每一所述安裝柱的下端尺寸，同時每一所述安裝柱的上端尺寸小於每一所述安裝孔的前端尺寸且大於每一所述安裝孔的後端尺寸。
根據請求項1所述的飲水機頂蓋的安裝結構，其中所述頂蓋的前端設置有卡件，飲水機前面板上設置有與所述卡件配合安裝的卡槽。
根據請求項1所述的飲水機頂蓋的安裝結構，其中所述內板沿長度方向的後端設置有卡口，所述飲水機側板的頂端沿長度方向的後端設置有直立的限位板，安裝完成前，所述卡口的前端面與所述限位板抵接，且此時每一所述安裝孔的大尺寸端與每一所述安裝柱對準，安裝完成後，所述卡口的前端面與所述限位板之間具有間距。
根據請求項1所述的飲水機頂蓋的安裝結構，其中飲水機側板頂端沿長度方向的前端設置有插件，所述內板沿長度方向的前端設置有與所述插件配合安裝的缺口。
根據請求項1所述的飲水機頂蓋的安裝結構，其中所述頂蓋的後端設置有後端板，所述後端板向內彎折形成折邊。
根據請求項1所述的飲水機頂蓋的安裝結構，其中所述頂蓋側板包括與頂蓋主體垂直的立板以及與飲水機側板的頂端端面配合安裝的內板。
根據請求項1所述的飲水機頂蓋的安裝結構，其中所述安裝孔為葫蘆形孔，所述安裝柱為蘑菇形柱。
一種摩托車車架，包含：<br/> 一頭管；<br/> 一前車管，連接於上述頭管的後方；<br/> 兩主側管，分別位於上述前車管的左右兩側，而每一個上述主側管具有一連接於上述前車管的側管前部與一位於上述側管前部後方的側管後部；<br/> 兩下降管，個別位於其中一個上述主側管的下方，而每一個上述下降管的兩端都連接於上述側管後部，使得上述側管後部與下降管共同圍繞形成一位於上述主側管下方的下多角形車架結構；<br/> 兩上升管，個別位於其中一個上述主側管的上方，而每一個上升管的一端連接於其中一個上述主側管的側管後部；以及<br/> 兩連接管，每一個上述連接管的兩端分別連接在上述側管後部與上升管，使得上述側管後部、上升管與連接管共同圍繞形成一位於上述主側管上方的上多角形車架結構；<br/> 其中，上述下多角形車架結構的一部分位於上述上多角形車架結構的下方，使得從上述主側管上側朝向上述主側管的下側觀之，上述上多角形車架結構遮蓋於一部分的上述下多角形車架結構。
如請求項1所述摩托車車架，其中，上述側管後部從上述側管前部向後依序設有一第一後側管段、一第二後側管段與一第三後側管段，上述第一後側管段的下側連接於上述下降管的一端，而上述第二後側管段的上側連接於上述上升管，且上述第三後側管段的上下兩側分別連接於上述連接管與下降管的另一端，使得上述下多角形車架結構的一部分位於上述上多角形車架結構的下方。
如請求項1所述摩托車車架，其中，上述下降管具有一連接於上述側管後部的下降管前段、一連接於上述側管後部的下降管後段與一位於上述下降管前段與下降管後段之間的下降管彎折段，上述下降管彎折段用以讓上述下降管前段斜向排列於上述下降管後段，使得上述下降管前段的軸向延伸線與下降管後段的軸向延伸線之間形成一銳角。
如請求項3所述摩托車車架，其中，上述下降管彎折段的最前點位於上述下降管前段最前點的前方。
如請求項1所述摩托車車架，其中，從其中一個上述主側管朝向另一個上述主側管的方向觀之，上述下多角形車架結構的最前點與下多角形車架結構的最低點兩者都位於上述上多角形車架結構的最前點前方，而上述下多角形車架結構的最後點位於上多角形車架結構的最前點後方。
如請求項5所述摩托車車架，其中，上述下多角形車架結構的最後點位於上述上多角形車架結構的最前點與上多角形車架結構的最後點之間，而上述上多角形車架結構的最前點位於上述下多角形車架結構的最前點與下多角形車架結構的最後點之間。
如請求項1所述摩托車車架，其中，從其中一個上述主側管朝向另一個上述主側管的方向觀之，上述下多角形車架結構最低點的高度位置低於上述上多角形車架結構最低點的高度位置。
一種可攜式能源的超聲波傳感器表面清潔裝置，該可攜式能源的超聲波傳感器表面清潔裝置係至少有:<br/> 一前罩單元，其中，該前罩單元包含；<br/> 一清潔模組，該清潔模組係透過電氣驅動而產生機械震動，作用於該前罩單元表面向外一側，使該前罩單元上所附著之異物被移除；<br/> 一控制模組，係電性連結該至清潔模組；<br/> 一外部電源輸入端，設置於該前罩單元適處；以及<br/> 一可攜式能源，與該外部電源輸入端電性連結。
如請求項1所述之可攜式能源的超聲波傳感器表面清潔裝置，其中，該控制模組進一步的可包含複數個可切換濾波電路，該些濾波電路係可內建或外掛於該控制模組，並與該控制模組電性連結。
如請求項2所述之可攜式能源的超聲波傳感器表面清潔裝置，其中，該控制模組可包含:<br/> 一環境感測器，該環境感測器並與該前罩單元電性連結；<br/> 一具回授監控機制資料庫。
如請求項3所述之可攜式能源的超聲波傳感器表面清潔裝置，其中，該前罩單元可更包含一加熱器，該加熱器並與該前罩單元之表面結合。
如請求項4所述之可攜式能源的超聲波傳感器表面清潔裝置，其中，該加熱器係選自加熱線圈、透明導電膜、奈米碳管薄膜或紅外線加熱器之群組。
如請求項5所述之可攜式能源的超聲波傳感器表面清潔裝置，其中包含一回授單元，該回授單元包含一電壓偵測電路、一電流偵測電路及一溫度感測器。
如請求項6所述之可攜式能源的超聲波傳感器表面清潔裝置，其中，該可切換式濾波電路係為一可切換式LC濾波電路。
如請求項7所述之可攜式能源的超聲波傳感器表面清潔裝置，其中，該加熱器係選自加熱線圈、透明導電膜、奈米碳管薄膜或紅外線加熱器之群組。
一種櫃體， 包括：<br/> 一櫃本體，包括一上櫃及一底櫃，該上櫃設於該底櫃上方，該上櫃構成一容置空間，該底櫃包括一底主體及一底櫃門，該底櫃門可開闔地設於該底主體，該底櫃門設有一鎖部；<br/> 一鎖具，設於該上櫃及該底櫃之間，該鎖具包括一控制部及一鎖定件，該控制部可帶動該鎖定件於一鎖定位置及一解鎖位置之間移動，該控制部外露於該容置空間；<br/> 其中，當該鎖具位於該鎖定位置時，該鎖定件與該鎖部相互鎖定使該底櫃門不能相對該底主體開啟；當該鎖具位於該解鎖位置時，該鎖定件與該鎖部相互解鎖使該底櫃門可相對該底主體開啟。
如請求項1所述的櫃體，其中該鎖部設有一鎖孔；當該鎖定件位於該鎖定位置時，該鎖定件卡設於該鎖孔內；當該鎖定件位於該解鎖位置時，該鎖定件脫離該鎖孔。
如請求項1所述的櫃體，其中該上櫃之一底部及該底櫃之一頂部共構一貫孔，該鎖定件穿設該貫孔且可相對該貫孔移動，該控制部外露於該貫孔且凸入該容置空間。
如請求項3所述的櫃體，其中該上櫃凸設有一限位部，該限位部包圍該鎖具，該限位部於該鎖部的徑向上貫設一通孔，該鎖具另設有一卡抵件，該貫孔定義一軸向延伸之中心線，該鎖定件可沿該中心線於一鎖定位置及一解鎖位置之間移動；其中，當該鎖定件位於該鎖定位置時，該鎖定件與該鎖部相互鎖定且該卡抵件通過該通孔並於該鎖具一轉動方向上卡抵該限位部；其中，當該鎖定件位於該解鎖位置時，該鎖具可相對該限位部轉動，並於該軸向上卡抵該限位部。
如請求項1所述的櫃體，其中該鎖部設於該底櫃門之一內側。
如請求項3所述的櫃體，其中該上櫃包括一上主體及一上櫃門，該上主體設有一罩體，該罩體遮蓋該貫孔及該鎖具，該罩體貫設一穿孔，該控制部從該罩體內穿出該穿孔。
如請求項6所述的櫃體，其中該上櫃門可開闔地設於該上主體，該上櫃門呈關閉狀態時，該鎖具位於該上櫃門的下方。
如請求項6所述的櫃體，其中該上櫃門以至少一轉軸機構可於一擺動路徑上樞擺地設於該上主體；其中，當該鎖定件位於該解鎖位置時，該上櫃門可於該擺動路徑上卡抵該鎖具。
如請求項1所述的櫃體，其中該底櫃門可於一開關路徑移動，該鎖具係橫向於該開關路徑移動。
如請求項7所述的櫃體，其中該鎖部設有一鎖孔；當該鎖具位於該鎖定位置時，該鎖定件卡設於該鎖孔內；當該鎖具位於該解鎖位置時，該鎖定件脫離該鎖孔；該鎖部設於該底櫃門之一內側；該上櫃門以至少一轉軸機構可樞擺地設於該上主體；該底櫃門可於一開關路徑移動，該鎖具係橫向於該開關路徑移動。
一種太陽光電模擬暨檢測系統，用以檢測一XMPP 閘道器的功能，包含：<br/> 一XMPP 雲端平台，具有一XMPP 伺服器之核心，用以提供XMPP 客戶端進行身分認證，並建立起XMPP 客戶端之間的連線，以提供XMPP 網路通訊服務；<br/> 一中央監控模擬平台，用以模擬一配電系統的一中央監控平台，經由該XMPP 雲端平台通訊連接至該XMPP 閘道器，對一或多個太陽光電案場進行監控管理；<br/> 一案場監控平台，經由該XMPP 雲端平台通訊連接至該XMPP 閘道器，對該太陽光電案場進行監控管理；<br/> 一太陽光電陣列模擬器，可模擬實際的太陽光電陣列輸出之電壓－電流曲線，並提供真實之直流電壓、電流及功率輸出；<br/> 一太陽光電變流器，電力連接到該太陽光電陣列模擬器與一電網模擬器，用於正常電網電壓及頻率運轉條件下，將該太陽光電陣列模擬器所輸入之直流電力，轉換為交流電輸出至該電網模擬器，同時以通訊連接至該XMPP 閘道器，以提供設定參數值等資料並接受遠端控制；<br/> 該電網模擬器，用以模擬市電，以提供穩定之交流電壓，並可分別調整三相電壓大小及頻率值，及模擬一電網之電壓或頻率波動事故，該電網模擬器用來與該太陽光電變流器之交流側連接，除提供所需電網電壓外，並可吸收該太陽光電變流器輸出之交流功率，模擬真實太陽光電系統發電饋入電網之情形；及，<br/> 一三相電表，用以量測該電網模擬器與該太陽光電變流器之每相電壓、每相電流、總實功率、總虛功率、功率因數等數據，並連接到該XMPP 閘道器，透過通訊方式提供量測數據至該XMPP 雲端平台，再傳送至該中央監控模擬平台或該案場監控平台。
如請求項1所述之太陽光電模擬暨檢測系統，其中更包含：<br/> 一電力分析儀，分別量測直流側及交流側電力線上之電壓與電流數據，可自動分析各設備所發出或吸收之實功率、虛功率、功率因數等，具備記錄與繪出波形等功能，用於查核比對該中央監控模擬平台及該案場監控平台所接收到量測數據之正確性。
如請求項1所述之太陽光電模擬暨檢測系統，其中對該XMPP 閘道器之測試，係選自以下測試方法的任意組合：一XMPP閘道器資料採集功能檢測、一控制設備功能檢測、一XMPP閘道器設備管理功能檢測、一資安掃描功能檢測。
一種太陽光電模擬暨檢測系統，用以檢測一XMPP 雲端平台的功能，包含：<br/> 一XMPP 閘道器，連接至該XMPP雲端平台，用以XMPP 通訊協定對所接收的訊號進行轉換，並傳輸到XMPP 雲端平台；<br/> 一中央監控模擬平台，用以模擬一配電系統的一中央監控平台，經由該XMPP 雲端平台通訊連接至該XMPP 閘道器，對多個太陽光電案場進行監控管理；<br/> 一太陽光電陣列模擬器，可模擬實際的太陽光電陣列輸出之電壓－電流曲線，並提供真實之直流電壓、電流及功率輸出；<br/> 一太陽光電變流器，電力連接到該太陽光電陣列模擬器與一電網模擬器，用於正常電網電壓及頻率運轉條件下，將該太陽光電陣列模擬器所輸入之直流電力，轉換為交流電輸出至該電網模擬器，同時以通訊連接至該XMPP 閘道器，以提供設定參數值等資料並接受遠端控制；<br/> 該電網模擬器，用以模擬市電，以提供穩定之交流電壓，並可分別調整三相電壓大小及頻率值，及模擬一電網之電壓或頻率波動事故，該電網模擬器用來與該太陽光電變流器之交流側連接，除提供所需電網電壓外，並可吸收該太陽光電變流器輸出之交流功率，模擬真實太陽光電系統發電饋入電網之情形；及，<br/> 一三相電表，用以量測該電網模擬器與該太陽光電變流器之每相電壓、每相電流、總實功率、總虛功率、功率因數等數據，並連接到該XMPP 閘道器，透過通訊方式提供量測數據至該XMPP 雲端平台，再傳送至該中央監控模擬平台。
如請求項4所述之太陽光電模擬暨檢測系統，其中更包含：<br/> 一實際太陽光電案場，透過一第二XMPP 閘道器，將實際案場發電資訊上傳至該中央監控模擬平台，用以交互驗證該XMPP 雲端平台的資料上傳功能。
如請求項4所述之太陽光電模擬暨檢測系統，其中更包含：<br/> 一電力分析儀，分別量測直流側及交流側電力線上之電壓與電流數據，可自動分析各設備所發出或吸收之實功率、虛功率、功率因數等，具備記錄與繪出波形等功能，用於查核比對該中央監控模擬平台所接收到量測數據之正確性。
如請求項1所述之太陽光電模擬暨檢測系統，其中對該XMPP 閘道器之測試，係選自以下測試方法的任意組合：一新案場上線功能檢測、一資料採集功能檢測、一控制設備功能檢測、一中央監控模擬平台重啟功能檢測、一XMPP雲端平台重啟功能檢測、一XMPP 閘道器重啟功能檢測、一資安掃描功能檢測。
一種飲水機純水供應水箱，其特徵在於，包括： <br/>出水口（110），所述出水口（110）設於水箱（100）底部，用於連接出水管（106）； <br/>擋板（112），設於所述水箱（100）底部，並位於所述出水口（110）上方，所述擋板（112）延伸至覆蓋並超出所述出水口（110）的孔徑； <br/>所述擋板（112）與所述出水口（110）之間仍形成有一過流空間，且所述擋板（112）將所述出水口（110）與所述過流空間正上方的區域分隔。
根據請求項1所述的飲水機純水供應水箱，其中還包括進水口a（116），所述進水口a（116）設於所述水箱（100）頂部，用於連接進水管a（102）；所述進水口a（116）與所述出水口（110）位於所述水箱（100）長度方向的同一側。
根據請求項1所述的飲水機純水供應水箱，其中所述擋板（112）底部設有向下延伸的支撐部（113），所述支撐部（113）底端與所述水箱（100）底部連接。
根據請求項2所述的飲水機純水供應水箱，其中還包括進水口b（117），所述進水口b（117）設於所述水箱（100）頂部，用於連接進水管b（103）；所述進水口b（117）與所述出水口（110）位於所述水箱（100）長度方向的同一側。
根據請求項4所述的飲水機純水供應水箱，其中所述擋板（112）距離所述出水口（110）之間的高度為5至20mm。
一種飲水機，其特徵在於：具有如請求項1至5任一項所述的水箱（100），所述水箱（100）頂部連接有進水管，底部連接有出水管（106），所述出水管（106）上設有出水泵（301）。
根據請求項6所述的飲水機，其中還包括加熱體（400），所述水箱（100）底部的所述出水管（106）與所述加熱體（400）進口端連接，所述出水泵（301）將所述水箱（100）內水供向所述加熱體（400）；所述水箱（100）頂部設有進水管a（102）與所述加熱體（400）的出水口連通。
根據請求項7所述的飲水機，其中還包括過濾模組（500）；所述水箱（100）頂部還設有進水管b（103），所述過濾模組（500）的淨水出口通過管路一與所述加熱體（400）進口端連接，所述過濾模組（500）的淨水出口還通過所述進水管b（103）與所述水箱（100）連通。
根據請求項7所述的飲水機，其中所述加熱體（400）和所述水箱（100）在機體內沿長度方向分佈於機體的兩端，所述加熱體（400）和所述水箱（100）之間具有水路安裝區（300），所述出水泵（301）位於所述水路安裝區（300）內；所述水箱（100）的進水管和所述出水管（106）均位於靠近所述水路安裝區（300）的一側。
根據請求項6至9任一項所述的飲水機，其中所述水箱（100）的箱體高度為200至250mm。
根據請求項6至9任一項所述的飲水機，其中所述出水泵（301）的抽水流量為1L/min以上。
根據請求項6至9任一項所述的飲水機，其中所述出水口（110）的孔徑為4至20mm。
一種電動載具之多槍充電系統，其係用於一電動載具，該電動載具設置一電流母線，該電流母線係電性連接至少一充電電池，該系統包含：<br/> 一控制模組；<br/> 一第一充電樁，其電性連接該控制模組，其係設置：<br/> 一第一充電槍，該第一充電槍設置一第一絕緣檢測模組以及一第一充電模組；以及<br/> 一第二充電樁，其電性連接該控制模組，其係包含：<br/> 一第二充電槍，該第二充電槍設置一第二絕緣檢測模組以及一第二充電模組；<br/> 其中，該第一充電槍與該電動載具作電性連接後，該第二充電槍再與該電動載具作電性連接；<br/> 其中，該控制模組於該第一充電槍與該電動載具作電性連接時，該控制模組控制該第一充電槍之該第一絕緣檢測模組對該電動載具執行一絕緣檢測後產生一檢測結果，該控制模組依據該檢測結果利用該第一充電模組對該電動載具之該電流母線充電，該控制模組依據該檢測結果利用該第二充電模組對該電動載具之該電流母線充電。
如請求項1所述之電動載具之多槍充電系統，其中該第一充電樁更包含：一第三充電槍，該第三充電槍設置一第三絕緣檢測模組以及一第三充電模組，該第一充電槍與該電動載具作電性連接後，該第三充電槍再與該電動載具作電性連接，該控制模組依據該檢測結果利用該第三充電模組對該電動載具之該電流母線充電。
如請求項1或2所述之電動載具之多槍充電系統，其中該絕緣檢測係檢測於該第一充電樁或該第二充電樁之一最大工作電壓下之該電動載具之該電流母線之一絕緣電阻需大於100Ω/V，該第一充電模組以及該第二充電模組才對該電流母線充電。
如請求項1所述之電動載具之多槍充電系統，其中該控制模組關閉該第二充電槍之該第二絕緣檢測模組。
一種具有活動隔層的蚓糞收集箱，包含有：<br/> 一箱體，內部形成有一空間，該箱體的底緣可供活動開啟或關閉該空間，該箱體的一側邊開設有一開槽貫穿至該空間；<br/> 一隔板，選擇性的經由該開槽穿入至該箱體內，藉以將該空間區隔成一上空間及一下空間。
如請求項1之具有活動隔層的蚓糞收集箱，其中，該箱體的內部沿著該開槽的兩側分別延伸對應設有一滑軌。
如請求項2之具有活動隔層的蚓糞收集箱，其中，該二滑軌之間對應設有至少一加強肋。
如請求項1之具有活動隔層的蚓糞收集箱，其中，該隔板的一側設有一把手部，以供該把手部阻擋於該開槽外。
如請求項1之具有活動隔層的蚓糞收集箱，其中，該隔板上設有複數穿孔。
如請求項1之具有活動隔層的蚓糞收集箱，其中，該箱體頂緣設有一上開口貫通該空間，一封蓋係蓋設於該箱體頂緣，以供封閉該上開口。
如請求項6之具有活動隔層的蚓糞收集箱，其中，該封蓋上設有一透氣端，該透氣端上設有複數氣孔。
如請求項1之具有活動隔層的蚓糞收集箱，進一步設有一支撐架，該支撐架的底部設有至少一支腳，該支腳向上形成有一支撐部，該支撐部之一側樞設有可活動開啟或關閉的一門板，該支撐部的底部相距設有一置放部，該箱體則放置於該支撐部上，該箱體的底緣設有一下開口貫通該空間，該門板係供活動樞轉開啟或關閉該下開口。
如請求項8之具有活動隔層的蚓糞收集箱，其中，該支撐部的另一側設有一鎖件，以供固定該門板。
如請求項8之具有活動隔層的蚓糞收集箱，其中，該支撐部係設呈為框型的透空形狀。
一種植物葉片的發酵槽構造，配合輸入一無氧氣體或一有氧氣體使用，該植物葉片的發酵槽構造包括：<br/> 一座體；<br/> 一外桶，有一容置空間、包覆該容置空間的一桶壁、以及位於相對二側的二側壁，在該二側壁的外側分別有沿一軸向延伸的二短軸，該外桶經由該二短軸而可轉動的設置於該座體，在該二側壁的內側分別有一桶壁連接部，該桶壁連接部設置在該軸向對應前述短軸的位置，該二短軸分別有一進氣孔及一出氣孔，該進氣孔及該出氣孔分別貫穿該二側壁及該桶壁連接部而連通該容置空間，該桶壁有一開口，有一門板設置於該桶壁並可選擇的封閉或開啟該開口；<br/> 一桶內袋體，設置於該容置空間中，該桶內袋體有一袋內空間及二袋體連接部，該二袋體連接部分別可移除的連接於該二桶壁連接部，使該進氣孔及該出氣孔連通該袋內空間，該桶內袋體有一放入口，該放入口連通該袋內空間，有一蓋體可選擇的封閉該放入口，該放入口對應該開口的位置設置；<br/> 二迴轉接頭，分別連接於該二短軸的該進氣孔及該出氣孔。
如請求項1所述之植物葉片的發酵槽構造，其中，有一鏈輪固定於其中一短軸，一馬達經由一鏈條連接該鏈輪而驅動該外桶在該座體上轉動，有一防護網相鄰該鏈條設置。
如請求項1所述之植物葉片的發酵槽構造，其中，有一電磁閥經由前述迴轉接頭連接於該進氣孔，有一控制單元電性連接該電磁閥，一無氧氣體供應槽及一有氧氣體供應槽分別連接於該電磁閥，該無氧氣體供應槽儲存該無氧氣體，該有氧氣體供應槽儲存該有氧氣體；該控制單元控制該電磁閥，而可選擇的使該無氧氣體供應槽或該有氧氣體供應槽通過該電磁閥連通該進氣孔。
如請求項3所述之植物葉片的發酵槽構造，其中，該無氧氣體供應槽及該有氧氣體供應槽輪流連通該進氣孔，且輪流至少三輪，而分別使該無氧氣體及該有氧氣體輸入該袋內空間至少三次。
如請求項3所述之植物葉片的發酵槽構造，其中，該無氧氣體或該有氧氣體輸入該袋內空間的時間，每一輪分別持續介於三小時至五小時。
如請求項1所述之植物葉片的發酵槽構造，其中，有一抽氣單元連接於該出氣孔；可選擇的使該抽氣單元將該袋內空間內部的氣體抽出，而呈真空狀態。
如請求項1所述之植物葉片的發酵槽構造，其中，在其中一袋體連接部與對應連接之前述桶壁連接部之間設置有一濾網，該出氣孔通過該濾網連通該袋內空間。
如請求項1所述之植物葉片的發酵槽構造，其中，在該桶壁的內側設置有間隔排列的複數補強條，前述補強條沿該軸向延伸。
一種液體霧化裝置，其至少包含：<br/> 一殼體，其內具有容置空間；<br/> 一水箱，容置於該容置空間，該水箱具有一上開口，而該水箱底部設置至少一霧化單元；<br/> 一上蓋體，係蓋設於該上開口，該上蓋體具有可供容置精油吸附體之容置部，該容置部係配置於該上蓋體之頂端，該容置部底部分別具有與該上開口相通之上出霧口及下出霧口，且該上蓋體具有環繞於該容置部外之環壁，而該環壁係由下方朝上方且朝外延伸呈一傾斜狀的導流結構；以及<br/> 一風扇，容置於該容置空間，可提供氣流至該水箱。
如請求項1所述之液體霧化裝置，其中，該精油吸附體係配置於該容置部，且該精油吸附體係遮蔽部分該上出霧口。
如請求項2所述之液體霧化裝置，其中，該容置部內還凸設有複數定位體，該精油吸附體還設置有相對應的複數定位部，該精油吸附體經由各該定位體和各該定位部彼此對應卡扣而定位於該容置部內。
如請求項1至3任一項所述之液體霧化裝置，其中，該風扇係位於該水箱之下方，而該水箱具有至少一導流通道連通該風扇以及該上開口。
如請求項4所述之液體霧化裝置，其中，該導流通道係沿著該水箱之側邊配置，該導流通道之其中一開口係位於該水箱之下方，該導流通道之另一開口則位於該水箱之側邊靠近該上開口處。
如請求項4所述之液體霧化裝置，其中，該風扇下方進一步設置有導水件，該導水件具有一槽部以供容置該風扇，而該槽部內具有至少一頂接部用以抵接於該風扇底部，使該風扇與該槽部底部及內壁具有相通之間隙。
如請求項1至3任一項所述之液體霧化裝置，其中，該殼體外表面具有至少二凹槽，該二凹槽分別位於該殼體二側之相對位置處。
如請求項1至3任一項所述之液體霧化裝置，其中，該殼體相對該容置空間之上方具有至少二凹入部，該二凹入部可讓該上蓋體之側緣至少部分露出。
如請求項1至3任一項所述之液體霧化裝置，其中，進一步具有舒曼波模組，該舒曼波模組係配置於該容置空間內，且該液體霧化裝置具有底面、相對之正面與背面以及連接正面與背面之側面，而該舒曼波模組之輸出方向係朝向該正面。
如請求項1至3任一項所述之液體霧化裝置，其中，進一步具有聲音輸出模組，該聲音輸出模組係配置於該容置空間內，且該液體霧化裝置具有底面、相對之正面與背面以及連接正面與背面之側面，而該聲音輸出模組之輸出方向係朝向該側面或該背面。
如請求項1至3任一項所述之液體霧化裝置，其中，進一步具有光源模組，該光源模組係配置於該容置空間內，且該液體霧化裝置具有底面、相對之正面與背面以及連接正面與背面之側面，而該光源模組之出光方向係朝向該底面。
如請求項1至3任一項所述之液體霧化裝置，其中，該上出霧口與下出霧口之中心軸線係相互錯開設置。
一種沙發坐墊之智慧溫控系統，包括一氣溫感測模組、一溫度感測模組、一微電腦模組及一溫度控制模組，其中：<br/>該氣溫感測模組之訊號輸出端電連接至該微電腦模組之訊號輸入端；<br/>該溫度感測模組之訊號輸出端電連接至該微電腦模組之訊號輸入端；<br/>該微電腦模組之訊號輸出端電連接至該溫度控制模組之訊號輸入端。
一種自動排線設備，包括：<br/> 一基座；<br/> 一供線模組，供沿一第一方向導入複數線材並將該複數線材保持於一分線位置；<br/> 一視覺辨識單元，供擷取該複數線材於該分線位置之一影像並據以辨識該複數線材之相對位置；<br/> 一分線模組，包括一保持單元及一挑線單元，該保持單元包括至少一沿一第二方向延伸之狹槽，該第二方向橫向於該第一方向，該挑線單元供依據該影像將該複數線材按照預定順序排入該至少一狹槽中；及<br/> 一膠合模組，包括一出膠單元，該出膠單元供提供一膠體以固定相並排之該複數線材；<br/> 其中，該供線模組、該視覺辨識單元、該分線模組及該膠合模組整合設置於該基座上，該視覺辨識單元設於該供線模組相對遠離該基座之一側。
如請求項1所述的自動排線設備，其中該供線模組包括一第一夾線單元及一第二夾線單元，該第一夾線單元包括二第一夾桿，該第二夾線單元包括一第一驅動組件及二第二夾桿，該複數線材供夾持於該二第一夾桿及該二第二夾桿之間，該第一驅動組件可帶動該二第二夾桿相對該二第一夾桿移動於一第一位置及一第二位置之間以供導引該複數線材移動至該分線位置。
如請求項2所述的自動排線設備，其中該二第二夾桿其中一者設有複數相間隔排列之線槽；當該第一驅動組件帶動該二第二夾桿自該第一位置移動至該第二位置時，該二第二夾桿相對該二第一夾桿沿該第一方向及該第二方向移動，使該複數線材相對該二第一夾桿朝上傾斜延伸並分別嵌設於一該線槽中。
如請求項1所述的自動排線設備，其中當該複數線材位於該分線位置時，該複數線材於一第三方向上相間隔地並排，該第三方向橫向於該第一方向及該第二方向，該保持單元與該挑線單元分別位於該複數線材之相對二側，該挑線單元可供沿該第二方向壓抵各該線材至一該狹槽中。
如請求項4所述的自動排線設備，其中該保持單元包括一第二驅動組件及一設有該至少一狹槽之座體，該挑線單元包括一第三驅動組件及一壓抵針部，該第二驅動組件可依據該影像帶動該座體沿該第三方向移動，該第三驅動組件可依據該影像帶動該壓抵針部沿該第二方向及該第三方向移動。
如請求項1所述的自動排線設備，其中該出膠單元包括至少一注膠筒，該膠合模組另包括一刮膠單元，該刮膠單元包括一刮膠夾具；當該至少一注膠筒局部地提供該膠體於該複數線材之至少一側後，該刮膠夾具供接觸夾持於該複數線材之相對二側並沿該複數線材之長度方向移動。
如請求項6所述的自動排線設備，其中該刮膠夾具包括一中央刮板部及二側刮板部，該中央刮板部包括一沿該第二方向延伸之第一延伸臂及一垂直於該第一延伸臂之第二延伸臂，該二側刮板部可相對該中央刮板部移動以供夾持各該線材於該第一延伸臂、該第二延伸臂與一該側刮板部之間。
如請求項1至7任一項所述的自動排線設備，其中該保持單元另包括一限位夾臂，該限位夾臂可相對該至少一狹槽移動於一擋止位置及一釋放位置之間；當該限位夾臂位於該擋止位置時，該限位夾臂於該第二方向上卡擋位於該至少一狹槽內之該複數線材。
如請求項8所述的自動排線設備，其中該保持單元另包括一轉動驅動器及一連接座，該連接座不可相對轉動地連接於該轉動驅動器之一輸出軸，該限位夾臂不可相對樞擺地連接於該連接座，該轉動驅動器可帶動該限位夾臂繞該輸出軸擺動。
如請求項3所述的自動排線設備，其中當該複數線材位於該分線位置時，該複數線材於一第三方向上相間隔地並排，該第三方向橫向於該第一方向及該第二方向，該保持單元與該挑線單元分別位於該複數線材之相對二側，該挑線單元可供沿該第二方向通過該二第一夾桿與該第二夾桿之間壓抵各該線材至一該狹槽中；該保持單元包括一第二驅動組件及一設有該至少一狹槽之座體，該挑線單元包括一第三驅動組件及一壓抵針部，該第二驅動組件可依據該影像帶動該座體沿該第三方向移動，該第三驅動組件可依據該影像帶動該壓抵針部沿該第二方向及該第三方向移動；該第二驅動組件可帶動該座體沿該第一方向移動於一備用位置與一工作位置之間，當該座體位於該備用位置時，該座體位於該第二夾線單元相對遠離該第一夾線單元之一側；當該座體位於該工作位置時，該座體位於該第一夾線單元與該第二夾線單元之間；該座體設有二該狹槽及二連通於該二狹槽之擴口部，各該擴口部之一截面尺寸朝一該狹槽之一端口漸減；該出膠單元包括至少一注膠筒，該膠合模組另包括一刮膠單元，該刮膠單元包括一刮膠夾具；當該至少一注膠筒局部地提供該膠體於該複數線材之至少一側後，該刮膠夾具供接觸夾持於該複數線材之相對二側並沿該複數線材之長度方向移動；該刮膠夾具包括一中央刮板部及二側刮板部，該中央刮板部包括一沿該第二方向延伸之第一延伸臂及一垂直於該第一延伸臂之第二延伸臂，該二側刮板部可相對該中央刮板部移動以供夾持各該線材於該第一延伸臂、該第二延伸臂與一該側刮板部之間；各該側刮板部包括一對應於該第二延伸臂之定位卡槽，當該二側刮板部朝該中央刮板部移動時，該第二延伸臂之二端部可分別沿該第三方向嵌入一該定位卡槽中；該膠合模組另包括一設於該保持單元之一側之發光單元，該發光單元供發射一光線以使該膠體固化；該保持單元另包括一限位夾臂，該限位夾臂可相對該至少一狹槽移動於一擋止位置及一釋放位置之間；該座體於該第一方向上之相對二側設有二鄰近於該擴口部之階面，該限位夾臂包括二間隔相對之臂部，當該限位夾臂位於該擋止位置時，該二臂部位於該座體之相對二側且分別抵接於一該階面，該限位夾臂於該第二方向上卡擋位於該至少一狹槽內之該複數線材；該保持單元另包括一轉動驅動器及一連接座，該連接座不可相對轉動地連接於該轉動驅動器之一輸出軸，該限位夾臂不可相對樞擺地連接於該連接座，該轉動驅動器可帶動該限位夾臂繞該輸出軸擺動。
一種電連接器，其中，包括：<br/> 第一殼體，所述第一殼體包括第一主體部以及第一安裝部，所述第一主體部設有第一端子收容槽，所述第一安裝部設有與所述第一端子收容槽相連通的安裝通道以及露出於所述安裝通道中的第一內側面；<br/> 第一線纜組件，所述第一線纜組件至少部分設置於所述第一端子收容槽中，所述第一線纜組件包括第一線纜；<br/> 第一密封圈，所述第一密封圈包括第一套接部以及分別自所述第一套接部延伸的第一延伸片和第二延伸片，所述第一套接部套接在所述第一線纜上且與所述第一內側面相抵接；以及<br/> 尾蓋，所述尾蓋固定於所述第一安裝部，所述第一延伸片以及所述第二延伸片設於所述尾蓋與所述第一線纜之間。
如請求項1所述的電連接器，其中：前述尾蓋包括第一框體部，前述第一框體部設有第一安裝開槽、露出於前述第一安裝開槽中的第一內壁面以及露出於前述第一安裝開槽中且與前述第一內壁面相對的第二內壁面，前述第一線纜穿過前述第一安裝開槽，前述第一延伸片卡持在前述第一線纜與前述第一內壁面之間，前述第二延伸片卡持在前述第一線纜與前述第二內壁面之間。
如請求項2所述的電連接器，其中：前述安裝通道的延伸方向為第一方向；前述第一延伸片以及前述第二延伸片分別自前述第一套接部相對設置的兩個邊緣沿前述第一方向一體延伸而成。
如請求項3所述的電連接器，其中：前述第一延伸片以及前述第二延伸片均沿前述第一方向延伸超出前述第一框體部。
如請求項4所述的電連接器，其中：前述第一延伸片包括沿前述第一方向延伸超出前述第一框體部的第一止退部；<br/> 前述第二延伸片包括沿前述第一方向延伸超出前述第一框體部的第二止退部。
如請求項2所述的電連接器，其中：前述尾蓋包括基礎部，前述第一框體部與前述基礎部相連，前述基礎部套接在前述第一安裝部上。
如請求項6所述的電連接器，其中：前述第一端子收容槽的延伸方向為第二方向；前述基礎部設有鎖扣凸片以及沿前述第二方向貫穿前述鎖扣凸片的鎖扣孔；<br/> 前述第一安裝部設有鎖扣凸塊，前述鎖扣凸塊鎖扣於前述鎖扣孔中。
如請求項6所述的電連接器，其中：前述基礎部設有定位狹槽，前述第一安裝部設有定位凸條，前述定位凸條卡持於前述定位狹槽中。
如請求項1至8中任意一項所述的電連接器，其中：前述第一主體部設有第二端子收容槽，前述安裝通道與前述第二端子收容槽相連通；<br/> 前述電連接器還包括第二線纜組件，前述第二線纜組件至少部分設置於前述第二端子收容槽中，前述第二線纜組件包括第二線纜；<br/> 前述第一密封圈包括第二套接部以及分別自前述第二套接部延伸的第三延伸片和第四延伸片，前述第二套接部套接在前述第二線纜上且與前述第一內側面相抵接；<br/> 前述第三延伸片以及前述第四延伸片設於前述尾蓋與前述第二線纜之間。
如請求項9所述的電連接器，其中：前述尾蓋包括第二框體部，前述第二框體部設有第二安裝開槽、露出於前述第二安裝開槽中的第三內壁面以及露出於前述第二安裝開槽中且與前述第三內壁面相對的第四內壁面，前述第二線纜穿過前述第二安裝開槽，前述第三延伸片卡持在前述第二線纜與前述第三內壁面之間，前述第四延伸片卡持在前述第二線纜與前述第四內壁面之間。
如請求項10所述的電連接器，其中：前述安裝通道的延伸方向為第一方向；前述第三延伸片以及前述第四延伸片分別自前述第二套接部相對設置的兩個邊緣沿前述第一方向一體延伸而成。
如請求項10所述的電連接器，其中：前述第三延伸片以及前述第四延伸片均沿第一方向延伸超出前述第二框體部。
如請求項12所述的電連接器，其中：前述第三延伸片包括沿前述第一方向延伸超出前述第二框體部的第三止退部；<br/> 前述第四延伸片包括沿前述第一方向延伸超出前述第二框體部的第四止退部。
如請求項9所述的電連接器，其中：前述第一延伸片與前述第三延伸片位於前述第一密封圈的同一側，且間隔佈置。
如請求項9所述的電連接器，其中：前述第二延伸片與前述第四延伸片位於前述第一密封圈的同一側，且間隔佈置。
一種付費交易裝置防竄改安全線路盒，包括 :<br/> 一塑膠件；以及<br/> 一PI軟板，其設置於該塑膠件之內側，該塑膠件內側設置有用於放置PI軟板的凹槽，所述PI軟板遠離該塑膠件的一側上設置有一防竄改線路，其中該防竄改線路與該PI軟板一體成型，該防竄改線路還包括一付費交易裝置，該付費交易裝置與該防竄改線路相連，<br/> 其中當該PI軟板被破壞時，該防竄改線路斷路，該付費交易裝置警報。
如請求項1所述之付費交易裝置防竄改安全線路盒，更包括：<br/> 一PCB主機板，該PI軟板設置有一電路金手指，該PCB主機板透過該電路金手指與一付費交易裝置相連。
如請求項1所述之付費交易裝置防竄改安全線路盒，其中導線呈蛇形走向在該PI軟板上進行繞線，該防竄改線路之導線寬度以及導線之間距離為0.1毫米～0.4毫米。
如請求項1所述之付費交易裝置防竄改安全線路盒，其中該防竄改線路的導線呈蛇形走向在該PI軟板上進行繞線，該防竄改線路之導線寬度以及導線之間距離為0.1毫米～0.4毫米。
如請求項1所述之付費交易裝置防竄改安全線路盒，其中該防竄改線路的導線呈蛇形走向在該PI軟板上進行繞線，該防竄改線路之導線寬度以及導線之間距離為0.1毫米～0.4毫米。
如請求項1所述之付費交易裝置防竄改安全線路盒，其中該防竄改線路透過斑馬條與付費交易裝置的顯示器連接。
如請求項1所述之付費交易裝置防竄改安全線路盒，其中該防竄改線路的多層線路形成網狀結構。
一種高速圓柱形物料分選裝置，包括：<br/> 一給料單元，連接於用於儲存所述圓柱形物料的一料倉的下端，用以供給待分選的圓柱形物料；<br/> 一輸送單元，位於所述給料單元的下游，設定為將所述物料依序輸送經過一檢測區，並於所述檢測區上游形成相鄰物料的間隙以利檢測；<br/> 一檢測單元，位於所述輸送單元的上方或側方，用以擷取經過所述檢測區的物料的特徵資訊並產生判定結果；<br/> 一執行單元，位於所述檢測區下游，用以依據所述判定結果將被判定為合格的物料自所述輸送單元導出並執行排料；<br/> 一位置回授感測器，設置於所述輸送單元的驅動軸，用以提供所述輸送單元上物料的位置或運動資訊；以及<br/> 一控制單元，與所述給料單元、所述輸送單元、所述檢測單元、所述執行單元、所述位置回授感測器有線或無線耦接，並配置為基於來自所述位置回授感測器的所述位置或運動資訊，對來自所述檢測單元的判定結果執行時間關聯的觸發控制以驅動所述執行單元的動作，整體處理速率達成至少 300~800 顆/分鐘且維持預定的分選準確度。
如請求項1所述的分選裝置，其中，所述給料單元為離心盤，所述離心盤於其邊緣設有螺旋階梯或或分隔軌道，配置以將散亂物料單列整列並連續輸出至所述輸送單元。
如請求項1或2所述的分選裝置，其中，所述輸送單元為段式輸送帶單元，包括至少一第一輸送帶與一第二輸送帶，且所述第一輸送帶與所述第二輸送帶具有不同的線速度，以使物料在所述第二輸送帶上產生相鄰物料間隙。
如請求項1或2所述的分選裝置，其中，所述檢測單元包括一或多個視覺相機、照明模組與AI分類模組，所述視覺相機配置於所述檢測區以擷取物料影像，所述物料影像經所述AI分類模組輸出分類標籤與信賴度值，且所述檢測單元與所述位置回授感測器及所述控制單元相互通訊以提供拍攝時間戳與位置回授以供時序計算。
如請求項1或2所述的分選裝置，其中，所述位置回授感測器為編碼器，且所述控制單元依據所述編碼器所提供的位置訊號與所述檢測單元的判定結果計算排料觸發時刻。
如請求項1或2所述的分選裝置，其中，所述執行單元為齒輪排料機構，所述齒輪排料機構具有於其周緣的缺口，當齒輪旋轉至設定角位時，所述缺口容納單顆物料並將所述物料推出所述輸送單元，且由一滑梯導引至一收集料盒。
如請求項6所述的分選裝置，其中，所述控制單元具有一人機介面，且被配置為：由所述人機介面接收預設的料盒裝填數；當所述控制單元監測到對應收集料盒的一第一料盒的已裝入數達到或超過所述預設的料盒裝填數時，停止發送一排料觸發訊號予對應的第一排料機構，並於所述人機介面發出更換料盒的警示；同時，於維持所述輸送單元與所述檢測單元連續運轉的情形下，所述控制單元依切換邏輯啟動第二排料機構以接手排料，使後續被判定為合格的物料繼續排入一第二料盒而不中斷分選流程。
如請求項7所述的分選裝置，其中，還包括一標籤列印模組，當所述控制單元確認任一所述收集料盒達到預設裝填條件時，所述控制單元觸發所述標籤列印模組列印所述收集料盒的生產記錄，所述生產記錄包括料盒識別、列印時間、物料規格或批次及裝填數量的至少其中之一，並將滿載、切換、列印及異常事件記錄於一資料記錄模組以供追溯。
如請求項8所述的分選裝置，其中，還包括一NG料盒，當所述檢測單元回傳判定為不合格或信賴度低於預設閾值而標示為待判定時，所述控制單元不對所述物料發出所述排料觸發訊號，所述物料隨所述輸送單元移送至所述NG料盒，且所述控制單元將不合格判定的相關資料記錄於所述資料記錄模組。
如請求項7所述的分選裝置，其中，藉由一馬達轉動次數或一編碼器脈衝計數為處理計數依據，所述控制單元在影像判定為合格且位置回授與一有料感應器的雙重確認均為真時，驅動所述第一排料機構或所述第二排料機構將合格的圓柱形物料由所述輸送單元側向推出至相應的收集料盒。
一種高壓配電盤儀表控制室控制電源改良裝置，包括：一比壓器電源電路、一備用電源電路、一監控控制電源電路與一自動復閉器控制電源電路，該高壓配電盤儀表控制室控制電源改良裝置電性連結一電容跳脫裝置、一保護電驛、一集合式電表、一閉鎖裝置與一自動復閉器；<br/>該比壓器電源電路，設置一三相微型開關作為保護該比壓器電源電路線路，該三相微型開關電性連結一防欠相自動切換電路，該防欠相自動切換電路將三相的電源自動切換將兩相有電的電源輸出，再電性連結至一比壓器電路微型開關，該比壓器電路微型開關電性連結至一比壓器電路隔離變壓器，該比壓器電路隔離變壓器提供該比壓器電源電路電氣上的隔離，該比壓器電路隔離變壓器電性連結一比壓器電源迴路保護開關一，該比壓器電源迴路保護開關一作為該電容跳脫裝置的控制電源，該電容跳脫裝置的輸出電源再電性連結該保護電驛，作為該保護電驛的工作電源，該比壓器電路隔離變壓器電性連結一比壓器電源迴路保護開關二，該比壓器電源迴路保護開關二電性連結至該集合式電表，作為該集合式電表的工作電源，該比壓器電路隔離變壓器電性連結至該一比壓器電源迴路保護開關三，該比壓器電源迴路保護開關三作為該閉鎖裝置的工作電源；<br/>該備用電源電路，設置一不斷電系統電路與一直流電源電路，該不斷電系統電路與該三相微型開關的二次側電性連結，再電性連結一不斷電系統電路微型開關，該不斷電系統電路微型開關作為保護該不斷電系統電路線路，該不斷電系統電路微型開關電性連結一不斷電系統電路隔離變壓器，該不斷電系統電路隔離變壓器提供該不斷電系統電路電氣上的隔離，該不斷電系統電路隔離變壓器電性連結一不斷電系統，作為該不斷電系統的工作電源，該不斷電系統輸出電源電性連結一不斷電系統電路迴路保護開關，該不斷電系統電路迴路保護開關電性連結至該電容跳脫裝置作為該電容跳脫裝置的控制電源輸入之一，該直流電源電路電性連結一直流電源電路微型開關，該直流電源電路微型開關作為保護該直流電源電路電路，該直流電源電路微型開關電性連結至該電容跳脫裝置，作為該電容跳脫裝置的控制電源輸入之一，該電容跳脫裝置的輸出電源再電性連結該保護電驛；<br/>該監控控制電源電路，與該三相微型開關的二次側電性連結，設置一監控控制電源電路微型開關，該監控控制電源電路微型開關作為保護該監控控制電源電路線路，該監控控制電源電路微型開關電性連結一監控控制電源電路隔離變壓器，該監控控制電源電路隔離變壓器提供該監控控制電源電路電氣上的隔離，該監控控制電源電路隔離變壓器電性連結一電源供應器，該電源供應器輸出電源電性連結一監控控制電源電路迴路保護開關，該監控控制電源電路迴路保護開關再電性連結該集合式電表，做為監控控制電源；<br/>該自動復閉器控制電源電路與該三相微型開關的二次側電性連結，設置一自動復閉電路微型開關，該自動復閉電路微型開關作為保護該自動復閉器控制電源電路線路，該自動復閉電路微型開關電性連結一自動復閉電路迴路保護開關，該自動復閉電路迴路保護開關再電性連結至該自動復閉器，做為該自動復閉器的工作電源；<br/>其中該高壓配電盤儀表控制室控制電源改良裝置，對於該電容跳脫裝置、該集合式電表、該閉鎖裝置與該自動復閉器的每個工作電源迴路，皆由該比壓器電源電路、該備用電源電路、該監控控制電源電路與該自動復閉器控制電源電路其中之一以上的控制電源迴路保護，每一電源電路皆有各別設置線路保護的微型開關及保護電子設備的迴路保護開關，該比壓器電源電路、該不斷電系統電路與該監控控制電源電路皆各別設置有一隔離變壓器做為各電源迴路的隔離，達到提昇用電安全的功能。
一種高壓配電盤儀表控制室控制電源改良裝置，包括：一比壓器電源電路與一監控控制電源電路，該高壓配電盤儀表控制室控制電源改良裝置電性連結一電容跳脫裝置、一保護電驛與一集合式電表；該比壓器電源電路，設置一三相微型開關作為保護該比壓器電源電路線路，該三相微型開關電性連結一防欠相自動切換電路，該防欠相自動切換電路將三相的電源自動切換將兩相有電的電源輸出，再電性連結至一比壓器電路微型開關，該比壓器電路微型開關電性連結至一比壓器電路隔離變壓器，該比壓器電路隔離變壓器提供該比壓器電源電路電氣上的隔離，該比壓器電路隔離變壓器電性連結一比壓器電源迴路保護開關一，該比壓器電源迴路保護開關一作為該電容跳脫裝置的控制電源，該電容跳脫裝置的輸出電源再電性連結該保護電驛，作為該保護電驛的工作電源，該比壓器電路隔離變壓器電性連結一比壓器電源迴路保護開關二，該比壓器電源迴路保護開關二電性連結至該集合式電表，作為該集合式電表的工作電源；<br/>該監控控制電源電路，與該三相微型開關的二次側電性連結，設置一監控控制電源電路微型開關，該監控控制電源電路微型開關作為保護該監控控制電源電路線路，該監控控制電源電路微型開關電性連結一監控控制電源電路隔離變壓器，該監控控制電源電路隔離變壓器提供該監控控制電源電路電氣上的隔離，該監控控制電源電路隔離變壓器電性連結一電源供應器，該電源供應器輸出電源電性連結一監控控制電源電路迴路保護開關，該監控控制電源電路迴路保護開關再電性連結該集合式電表，做為監控控制電源；<br/>其中該高壓配電盤儀表控制室控制電源改良裝置，其改良功能將該電容跳脫裝置由該比壓器電源電路控制迴路保護，該集合式電表由該比壓器電源電路與該監控控制電源電路控制迴路保護，具備各別設置微型開關保護線路，具備各別設置隔離變壓器對於電源隔離保護與具備各別設置迴路保護器對於電子設備進行保護，提昇用電安全。
一種清潔系統，包括： <br/>基站，該基站包括基站主體和第一紅外光器組，該第一紅外光器組設置在該基站主體上； <br/>清潔機器人，該清潔機器人包括機器人主體和第二紅外光器組，該第二紅外光器組設置在該機器人主體上；以及 <br/>當該清潔機器人處於位於該基站內的對接狀態，該第一紅外光器組與該第二紅外光器組之間可通過紅外光通訊，以相互傳輸狀態資訊。
如請求項1的清潔系統，其中該第一紅外光器組包括第一發射器和第一接收器，該第二紅外光器組包括第二發射器和第二接收器，該第一發射器與該第二接收器相互對應，該第一接收器與該第二發射器相互對應。
如請求項2的清潔系統，其中該第一發射器為第一序列埠發射器，該第二發射器為第二序列埠發射器，兩者的至少其中之一的發散角度在20°至180°之間；和/或， <br/>該第一接收器為第一序列埠接收器，該第二接收器為第二序列埠接收器，兩者的至少其中之一的接收角度在20°至180°之間。
如請求項3的清潔系統，其中該第一序列埠接收器和該第二序列埠接收器的至少其中之一為直插型紅外光接收管；和/或， <br/>該第一序列埠接收器和該第二序列埠接收器的至少其中之一為紅外光接收電晶體；和/或， <br/>該第一紅外光器組和該第二紅外光器組的響應距離大於或等於5釐米。
如請求項1至4任一項中所述的清潔系統，其中該狀態資訊包括該清潔機器人的電量、該清潔機器人的儲塵量、該清潔機器人的清潔狀態、該基站的儲塵量和該基站的水量的至少其中之一者。
如請求項2至4任一項中所述的清潔系統，其中該第一紅外光器組還包括第一驅動單元，該第一驅動單元與該第一發射器電連接，以通過該第一驅動單元提供的驅動電流和驅動電壓調節該第一發射器的響應距離；和/或， <br/>該第二紅外光器組還包括第二驅動單元，該第二驅動單元與該第二發射器電連接，以通過該第二驅動單元提供的驅動電流和驅動電壓調節該第二發射器的響應距離。
如請求項2至4任一項中所述的清潔系統，其中該第一紅外光器組包括第一接收單元，該第二紅外光器組包括第二接收單元，該第一接收單元與該第一接收器信號連接，以將該第一接收器接收的光電流信號轉換成數位信號；該第二接收單元與該第二接收器信號連接，以將該第二接收器接收的光電流信號轉換成數位信號。
如請求項5所述的清潔系統，其中該狀態資訊包括該基站的水量； <br/>當該清潔機器人處於該對接狀態，且該基站的水量低於第一設定水量，該清潔機器人處於拖布抬升的掃地模式；以及 <br/>當所述清潔機器人處於所述對接狀態，且當該基站的水量高於該第一設定水量，該基站處於對該拖布進行清洗的清洗模式，或向該清潔機器人內補水的補水模式。
如請求項5的清潔系統，其中該狀態資訊包括該清潔機器人的儲塵量和該基站的儲塵量， <br/>當該清潔機器人處於該對接狀態，且該基站的儲塵量低於第一設定儲塵量，該基站處於對該清潔機器人的塵盒進行集塵的集塵模式； <br/>當所述清潔機器人處於所述對接狀態，且當該基站的儲塵量高於該第一設定儲塵量且低於第二設定儲塵量，該基站處於對該塵盒內的部分垃圾進行集塵的部分集塵模式；以及 <br/>當所述清潔機器人處於所述對接狀態，且當該基站的儲塵量高於該第二設定儲塵量，該清潔機器人處於停止清掃狀態。
如請求項5的清潔系統，其中當該清潔機器人處於該對接狀態，且當該清潔機器人的電量低於設定電量，該基站處於對該清潔機器人進行充電的供電狀態。
一種衣物處理裝置（1），其中，包括： <br/>箱體框架（11），構造有安裝腔； <br/>筒體組件（12），收容於該安裝腔，且該筒體組件（12）的外表面與該安裝腔的內壁間隔設置；該筒體組件（12）的外表面包括第一主體部分（1231）和第一避讓部分（1232），在該筒體組件（12）的徑向上，該第一避讓部分（1232）到該筒體組件（12）的中軸線的距離小於該第一主體部分（1231）到該筒體組件（12）的中軸線的距離。
如請求項1所述的衣物處理裝置（1），其中，該第一避讓部分（1232）爲曲面、平面或者平面和曲面的混合。
如請求項2所述的衣物處理裝置（1），其中，該第一避讓部分（1232）和該第一主體部分（1231）沿該筒體組件（12）的周向分布，該第一避讓部分（1232）爲沿該筒體組件（12）的徑向遠離該筒體組件（12）的中軸線凸出的圓弧面，且該第一避讓部分（1232）的曲率半徑大於該第一主體部分（1231）的曲率半徑。
如請求項2所述的衣物處理裝置（1），其中，該第一避讓部分（1232）爲相對該第一主體部分（1231）靠近該筒體組件（12）的中軸線凹設的圓弧面。
如請求項1至4中任意一項所述的衣物處理裝置（1），其中，該筒體組件（12）包括外筒（123）和平衡塊（124）；該第一主體部分（1231）和該第一避讓部分（1232）構造在該外筒（123）上；該平衡塊（124）連接於該外筒（123），該平衡塊（124）的外表面包括第二主體部分（1241）和第二避讓部分（1242），該第二避讓部分（1242）到該筒體組件（12）的中軸線的距離小於該第二主體部分（1241）到該筒體組件（12）的中軸線的距離，在該筒體組件（12）的徑向上，該第一避讓部分（1232）凸出於該第二避讓部分（1242），或者，在該筒體組件（12）的徑向上，該第一避讓部分（1232）平齊於該第二避讓部分（1242）。
如請求項1至4中任意一項所述的衣物處理裝置（1），其中，該箱體框架（11）包括頂板（111），該第一避讓部分（1232）與該頂板（111）相對且間隔設置。
如請求項6所述的衣物處理裝置（1），其中，該衣物處理裝置（1）還包括烘乾組件（13），該烘乾組件（13）位於該筒體組件（12）和該頂板（111）之間，該第一避讓部分（1232）與該烘乾組件（13）的下表面相對且間隔設置。
如請求項7所述的衣物處理裝置（1），其中，該第一避讓部分（1232）與該烘乾組件（13）之間的距離大於15mm。
如請求項8所述的衣物處理裝置（1），其中，該衣物處理裝置（1）還包括第一側板（112）和第二側板（113），該第一側板（112）和該第二側板（113）分別連接該頂板（111）的兩個相對的邊緣，該筒體組件（12）位於該頂板（111）、該第一側板（112）和該第二側板（113）之間；該第一避讓部分（1232）設有多個，多個該第一避讓部分（1232）分別一對一地與該頂板（111）、該第一側板（112）和該第二側板（113）相對且間隔設置。
一種清潔設備，其中，包括如請求項1至9中任意一項所述的衣物處理裝置（1）。
如請求項10所述的清潔設備，其中，該清潔設備還包括基站（2），在該清潔設備的高度方向上，該衣物處理裝置（1）和該基站（2）自上而下分布。
一種清潔系統，其中，包括如請求項11所述的清潔設備。
如請求項12所述的清潔系統，其中，該清潔系統還包括清潔裝置，該清潔裝置與該基站（2）適配。
一種頂升吹掃機構，其改良在於，包括：<br/> 安裝板；<br/> 頂升組件，所述頂升組件設於所述安裝板；<br/> 載板，所述載板用於承載產品，所述產品具有待吹掃區域，所述載板設於所述頂升組件，所述頂升組件帶動所述載板往復運動；<br/> 吹掃組件，所述吹掃組件設於所述頂升組件，所述頂升組件帶動所述吹掃組件與所述載板同步運動，所述吹掃組件具有吹掃孔，所述吹掃孔朝向所述產品之待吹掃區域。
如請求項1所述之頂升吹掃機構，其中，所述頂升組件包括驅動件與頂升板組，所述載板設於所述頂升板組，所述驅動件設於所述安裝板，並具有穿過所述安裝板之驅動軸，所述頂升板組固定於所述驅動軸之端部，所述頂升板組設有安裝槽；所述吹掃組件包括吹掃塊，所述吹掃塊固定於所述安裝槽，所述吹掃孔設於所述吹掃塊朝向所述產品之一側。
如請求項2所述之頂升吹掃機構，其中，所述吹掃塊之側面設有向內凹陷之抽氣槽，所述吹掃組件還包括封堵塊以及氣咀，所述封堵塊設於所述抽氣槽之開口，並密封所述抽氣槽與所述封堵塊之間之縫隙，所述氣咀設於所述吹掃塊之側面，並連通所述抽氣槽，所述氣咀用於藉由氣管連通氣泵。
如請求項2所述之頂升吹掃機構，其中，所述吹掃塊朝向所述產品之表面設有延伸柱，所述吹掃孔設有多個，多個所述吹掃孔貫穿所述延伸柱，沿所述吹掃孔之中心軸線觀察，多個所述吹掃孔位於所述延伸柱之範圍內。
如請求項2所述之頂升吹掃機構，其中，所述頂升板組包括底板與定位板，所述底板與所述驅動軸固定連接，所述定位板設於所述底板遠離所述驅動軸之一側，所述載板設於所述定位板遠離所述底板之一側，所述安裝槽設於所述底板，所述定位板設有與所述安裝槽對齊之讓位槽，所述吹掃塊部分伸入所述讓位槽。
如請求項5所述之頂升吹掃機構，其中，所述頂升組件包括多個定位柱，多個所述定位柱設於所述定位板之角部位置。
如請求項5所述之頂升吹掃機構，其中，所述頂升吹掃機構還包括吸盤，所述載板設有讓位孔，所述吸盤位於所述讓位孔並部分伸出，所述吸盤之底部與所述定位板固定連接。
如請求項5所述之頂升吹掃機構，其中，所述頂升組件包括彈性件，所述彈性件套設於所述驅動軸之外周面，且所述彈性件之一端抵持於所述安裝板，所述彈性件之另一端抵持於所述底板，所述彈性件用於驅動所述底板遠離所述安裝板。
如請求項5所述之頂升吹掃機構，其中，所述頂升組件包括導向軸承與導向柱，所述導向軸承固定於所述安裝板，所述導向柱之一端固定於所述底板，其另一端穿過所述導向軸承，所述導向柱與所述導向軸承可滑移地配合。
如請求項2所述之頂升吹掃機構，其中，所述驅動件為磁環氣缸，所述磁環氣缸之活塞上設有永磁環，所述磁環氣缸旁設有用於檢測所述活塞位置之磁感件，以將機械運動轉化為電信號。
一種檢測裝置，其改良在於，用於檢測顯示幕模塊之薄膜電晶體陣列基板是否破裂，所述檢測裝置包括：<br/> 機臺；<br/> 定位組件，設於所述機臺，用於承載並定位所述顯示幕模塊；<br/> 支撐件，設於所述機臺並位於所述定位組件之一側；<br/> 移動件，沿豎直方向滑動設於所述支撐件並與所述定位組件相對應；<br/> 升降驅動件，設於所述機臺或所述支撐件並與所述移動件連接，用於驅動所述移動件沿所述豎直方向靠近或遠離所述定位組件；<br/> 第一探針，設於所述移動件；<br/> 第二探針，設於所述移動件並與所述第一探針間隔設置，所述第二探針與所述第一探針用在於所述移動件之帶動下分別與所述顯示幕模塊之電路板上之兩個量測點接觸；及<br/> 阻抗檢測模塊，與所述第一探針與所述第二探針分別電連接，用於獲取兩個所述量測點之間之阻抗，並根據兩個所述量測點之間之阻抗檢測所述薄膜電晶體陣列基板是否破裂。
如請求項1所述之檢測裝置，其中，所述定位組件包括：<br/> 定位座，設於所述機臺並位於所述支撐件之一側，用於承載所述顯示幕模塊；<br/> 複數定位件，按照環形陣列連接於所述定位座背離所述機臺之一側，用於從四周抵接定位所述顯示幕模塊。
如請求項2所述之檢測裝置，其中，複數所述定位件相互靠近之側壁均具有引導斜面，每個所述引導斜面均由對應之所述定位件背離所述定位座之側壁朝所述定位座延伸。
如請求項2所述之檢測裝置，其中，所述定位組件還包括吸附件，所述吸附件連接於所述定位座背離所述機臺之一側並位於複數所述定位件之間，所述吸附件用於吸附固定所述顯示幕模塊。
如請求項1所述之檢測裝置，其中，所述支撐件上設有沿所述豎直方向延伸之滑軌，所述移動件滑動設於所述滑軌。
如請求項1所述之檢測裝置，其中，所述檢測裝置還包括緩衝件，所述緩衝件設於所述定位組件並位於所述移動件之移動路徑上。
如請求項1所述之檢測裝置，其中，所述檢測裝置還包括限位件，所述限位件設於所述定位組件並位於所述移動件之移動路徑上，所述限位件用於抵接限位所述移動件，以限制所述移動件靠近所述定位組件之距離。
如請求項1所述之檢測裝置，其中，所述檢測裝置還包括：<br/> 第一柔性固定件，設於所述移動件，所述第一探針沿所述豎直方向插設於所述第一柔性固定件，所述第一探針藉由所述第一柔性固定件與所述移動件連接；<br/> 第二柔性固定件，設於所述移動件並位於所述第一柔性固定件之一側，所述第二探針沿所述豎直方向插設於所述第二柔性固定件，所述第二探針藉由所述第二柔性固定件與所述移動件連接。
如請求項8所述之檢測裝置，其中，所述第一柔性固定件與所述第二柔性固定件均可移動地設於所述移動件。
如請求項1所述之檢測裝置，其中，所述第一探針與所述第二探針均為彈性伸縮結構。
一種書套改良，包括：<br/> 一個本體，包括相互隔開的兩個翼部，每一個所述翼部各自包括一個內表面；<br/> 兩個摺疊收納結構，各自固設在一個所述翼部的所述內表面上，各所述摺疊收納結構包括複數個收納空間，適用來容納至少一文件，兩個所述摺疊收納結構之間適用來與一書本包括的兩個封面頁可拆卸地結合，兩個所述摺疊收納結構位於所述書本與兩個所述翼部之間。
如申請專利範圍第１項所述的書套，兩個所述摺疊收納結構進一步各自包括：<br/> 兩個摺疊部，各自包括一個第一側以及一個第二側，各所述摺疊部的所述第一側固設在所述本體的各所述內表面；<br/> 一個第一分隔件，包括與兩個所述摺疊部各自的所述第二側結合的兩個第一外端；<br/> 一個組裝件，固設在所述第一分隔件上，所述第一分隔件位於所述組裝件與所述第二側之間，所述組裝件包括與所述第一分隔件分離的一個開口邊，各所述開口邊適用來提供所述書本的兩個所述封面頁可拆卸地結合。
如申請專利範圍第２項所述的書套，兩個所述摺疊收納結構進一步各自包括：<br/> 複數個第二分隔件，包括對稱的兩個第二外端，各所述摺疊部各自包括在所述第一側以及所述第二側之間連續彎摺的複數個摺疊面，每一個所述摺疊部改變相鄰之摺疊面之間夾角的角度使得所述第一側以及所述第二側之間隔開的距離可以改變，每一個所述第二分隔件的兩個所述第二外端各自固定於兩個摺疊部的對應摺疊面上，各所述收納空間位於相鄰的任意兩個所述第二分隔件之間、所述第一分隔件與相鄰的一個所述第二分隔件之間以及相鄰的一個所述第二分隔件與所述內表面之間。
如申請專利範圍第１項所述的書套，進一步包括：<br/> 一個繫帶，所述繫帶包括一個固定端以及一個結合端，所述本體的各所述翼部進一步包括與所述內表面隔開的一個外表面，所述繫帶的所述固定端固設在其中一個所述翼部的所述外表面上，所述繫帶的所述結合端可以與所述本體的另一個所述翼部的所述外表面可拆卸地結合。
一種石英純化系統，包括： <br/>一粉碎裝置； <br/>一研磨裝置，連接該粉碎裝置； <br/>一初步清洗及磁選裝置，連接該研磨裝置； <br/>五個酸浸裝置，連接該初步清洗及磁選裝置，且包括一鹽酸溶液槽、一硝酸溶液槽、一磷酸溶液槽、一雙氧水溶液槽及一硫酸溶液槽； <br/>一震盪裝置，連接該五個酸浸裝置； <br/>一乾燥裝置，連接該震盪裝置；以及 <br/>一輸送裝置，依次通過該粉碎裝置、該研磨裝置、該初步清洗及磁選裝置、該五個酸浸裝置的每一者、該震盪裝置及該乾燥裝置。
如請求項1所述的石英純化系統，其中該輸送裝置依次通過的該五個酸浸裝置的一首位裝置選自由該鹽酸溶液槽、該硝酸溶液槽及該硫酸溶液槽組成之群組中的任一者。
如請求項1所述的石英純化系統，其中該輸送裝置依次通過的該五個酸浸裝置的一末位裝置選自由該鹽酸溶液槽、該硝酸溶液槽及該硫酸溶液槽組成之群組中的任一者。
如請求項1所述的石英純化系統，其中該輸送裝置依次通過該鹽酸溶液槽、該硝酸溶液槽、該磷酸溶液槽、該雙氧水溶液槽及該硫酸溶液槽。
如請求項1所述的石英純化系統，其中該輸送裝置依次通過該硫酸溶液槽、該硝酸溶液槽、該磷酸溶液槽、該雙氧水溶液槽及該鹽酸溶液槽。
如請求項1所述的石英純化系統，其中該輸送裝置依次通過該磷酸溶液槽、該鹽酸溶液槽、該硝酸溶液槽、該雙氧水溶液槽及該硫酸溶液槽。
如請求項1所述的石英純化系統，其中該輸送裝置依次通過該雙氧水溶液槽、該硝酸溶液槽、該鹽酸溶液槽、該磷酸溶液槽及該硫酸溶液槽。
如請求項1所述的石英純化系統，其中該震盪裝置為一超音波震盪器。
如請求項1所述的石英純化系統，其中該粉碎裝置、該研磨裝置、該初步清洗及磁選裝置及該五個酸浸裝置相鄰設置。
如請求項1所述的石英純化系統，其中該五個酸浸裝置、該震盪裝置及該乾燥裝置相鄰設置。
一種機器人輸送物品之電梯控制系統，其係用以控制一電梯於各樓層間升降，以供輸送物品之機器人得以於對應樓層執行物品輸送作業，該機器人與該電梯間設有一通訊連結之電梯控制系統，該電梯控制系統包含有一驅動模組，以及一控制模組，其中，該驅動模組具有一作動單元，一設於該作動單元上可往復移動之移動單元，一設於該移動單元上可進行觸壓作動的頂掣單元，以及一設於該頂掣單元一側上之偵測件，該驅動模組可設於該電梯內之樓層選擇鍵旁，在該移動單元於該作動單元上移動，以帶動該頂掣單元對應特定樓層選擇鍵進行觸壓，同時該偵測件偵測觸壓該樓層選擇鍵之燈亮資訊並輸出訊息，另，該控制模組可設於該電梯之樓層選擇鍵一側，且該控制模組具有一收發單元，及一控制單元，前述該收發單元可接收來自該機器人請求訊息連經至該控制單元，而該控制單元分別與該驅動模組及該收發單元連接，並對來自該機器人所請求訊息進行處理，並產生一控制指令經該收發單元轉發，由該驅動模組依接收該控制指令驅動該移動單元移動並使該頂掣單元對應並按壓指定之樓層選擇鍵，以驅動電梯升降至目標樓層，而該控制單元隨即再產生一反饋訊息由該收發單元轉發，係為通知該機器人進行進出電梯作業。
根據請求項1所述之機器人輸送物品之電梯控制系統，其中，該作動單元為螺桿機構或為軌道機構設置。
根據請求項1所述機器人輸送物品之電梯控制系統，其中，該驅動模組可設於該機器人上，由該機器人於電梯內以對應特定樓層選擇鍵進行觸壓控制作業。
一種收納櫃翻轉門板結構，包括：一櫃體，係由複數櫃板繞圍形成，並界定出至少一收納槽；至少一門板，一端兩側分別對應該收納槽中段與該櫃體樞接，毗鄰該收納槽開放端，局部遮蔽該收納槽截面，使該收納槽達到單側遮蔽、單側展示的功能切換；以及複數門扣組，分別對應該櫃體及該門板設置，包括：一磁性件，組設於該櫃體毗鄰該收納槽開放端配置；及一導磁件，組設於該門板遠離樞接端之預設端面，選擇性與該磁性件磁吸，約束該門板運動。
如請求項1所述收納櫃翻轉門板結構，其中該櫃體組設有至少一隔板，並配置於該收納槽內。
如請求項1所述收納櫃翻轉門板結構，其中該導磁件選自導磁性能的材料或磁鐵。
如請求項1所述收納櫃翻轉門板結構，其中該櫃體與該門板係透過複數樞接組件樞接，各該樞接組件包括一伸縮軸及一定位座，分別對應該門板與該櫃體組設。
如請求項1所述收納櫃翻轉門板結構，其中該門板遠離與該櫃體樞接處之邊端截斷面，相距該收納槽槽壁呈預設間距。
如請求項1所述收納櫃翻轉門板結構，其中各該櫃板進一步於該櫃體界定出至少一抽屜槽，提供一抽屜組設。
如請求項1所述收納櫃翻轉門板結構，其中該櫃體外側面進一步組設有複數櫃腳，用以抬升並支撐該櫃體。
一種組合式吊衣架結構包含：一底座，係由二腳座及至少一連接管組成，其中該二腳座底端設有滑輪，該連接管係橫設於二腳座間，二腳座上緣中間各設有一套接孔；左右豎管件，係由若干直管套接組成，該等直管一端為縮管端以相互套接，其位於下端的二直管係套接二腳座之套接孔上；一上掛桿，係設於左右豎管件之頂端；至少一置物承盤，係為周緣具凸出框緣之矩形體，並其左右兩端之中間處分別凸設有一束接套，該束接套係具有一垂直向穿孔供左右豎管件穿設，該穿孔外並延伸出剖溝邊供一束件鎖設。
如申請專利範圍第1項所述之組合式吊衣架結構，其中該上掛桿係藉由兩端處套接之接頭與左右豎管件上端之直管連接固定。
如申請專利範圍第1項所述之組合式吊衣架結構，其中該上掛桿與左右豎管件頂端之直管係為一體式的ㄇ形狀所構成。
一種輸送帶檢測系統，其包含：<br/> 一輸送帶安裝機台，係包含一機台本體及一輸送帶，該輸送帶安裝於該機台本體，該機台本體設置一操作模組以控制該輸送帶的運轉；<br/> 一影像擷取裝置，係設置於該輸送帶安裝機台並朝向該輸送帶的一輸送表面，該影像擷取裝置拍攝該輸送表面的一運轉前表面影像及一運轉後表面影像；<br/> 複數個感知檢測裝置，係設置於該輸送帶安裝機台，檢測該輸送帶的複數個運行數據；以及<br/> 一分析裝置，係連接於該影像擷取裝置及該複數個感知檢測裝置，接收該運轉前表面影像、該運轉後表面影像及該複數個運行數據，該分析裝置執行一影像比對程序以分析該運轉前表面影像及該運轉後表面影像之一影像差異，依據該影像差異判斷該輸送帶的一運轉狀態，並執行一關聯分析程序，結合該運轉狀態與該複數個運行數據以取得一壽命預測及一維護建議。
如請求項1所述之輸送帶檢測系統，其中該運轉前表面影像為該輸送帶安裝於該機台本體後拍攝該輸送表面的一初始影像，該運轉後表面影像為該輸送帶運轉一預定時間後拍攝該輸送表面的一現場影像。
如請求項1所述之輸送帶檢測系統，其中該操作模組記錄該輸送帶的一安裝資訊及一運轉資訊，該安裝資訊包含該輸送帶的一安裝日期、一安裝規格及一安裝參數，該運轉資訊包含一運轉時間及一運轉頻率，該安裝資訊及該運轉前表面影像一同傳送至該分析裝置，該運轉資訊及該運轉後表面影像一同傳送至該分析裝置。
如請求項1所述之輸送帶檢測系統，其中該複數個感知檢測裝置包含一溫度感測器、一震動感測器、一聲音感測器、一電流檢測器、一張力檢測器或一水平檢測器，該複數個運行數據包含該溫度感測器收集的一運行溫度，該震動感測器監測的一震動狀態，該聲音感測器偵測的一異常聲音，該電流檢測器記錄的一電流數值，該張力檢測器記錄的一張力數值，該水平檢測器監測的運行軌跡。
如請求項1所述之輸送帶檢測系統，其中該關聯分析程序係包含一機器學習與預測演算法，該分析裝置通過該機器學習與預測演算法取得該壽命預測及該維護建議。
如請求項1所述之輸送帶檢測系統，其中該影像比對程序係包含一人工智慧演算法，該分析裝置通過該人工智慧演算法自動辨識該影像差異。
如請求項1所述之輸送帶檢測系統，進一步包含一伺服器，係連接該分析裝置，接收該運轉前表面影像、該運轉後表面影像、該影像差異、該運轉狀態、該複數個運行數據、該壽命預測及該維護建議，建立一輸送帶大數據資料庫。
如請求項1所述之輸送帶檢測系統，進一步包含一監控裝置，係連接於該分析裝置，該監控裝置顯示該輸送帶的該運轉狀態、該壽命預測或該維護建議。
如請求項8所述之輸送帶檢測系統，其中該監控裝置包含一監控顯示器或一手持裝置。
如請求項1所述之輸送帶檢測系統，進一步包含一警示裝置，係連接於該分析裝置，該警示裝置於該運轉狀態、該壽命預測或該維護建議產生異常時，傳送一警示訊息至一機台管理者。
一種可乾濕兩用之墊體，包括：<br/> 一墊本體，具有相反之一正面及一底面，該正面供以接觸使用者皮膚，該<br/> 底面供以接觸一平面；以及<br/> 該墊本體呈矩形片狀。
如請求項1所述之可乾濕兩用之墊體，其中，該底面具有複數吸盤。
如請求項2所述之可乾濕兩用之墊體，其中，該墊本體具有相對之一第一側及一第二側，部分該吸盤較靠近該第一側，部分該吸盤較靠近該第二側。
如請求項1所述之可乾濕兩用之墊體，其中，該墊本體具有複數通孔，該等通孔貫穿該正面及該底面。
如請求項4所述之可乾濕兩用之墊體，其中，該等通孔係呈圓孔，該等通孔周緣係導圓角。
如請求項1所述之可乾濕兩用之墊體，其中，該墊本體區分為一中央部及一外圍部，該外圍部位於該中央部外，該外圍部連接於該中央部的一側為一連接側，該外圍部相反於該連接側的一側為一貼合側，該外圍部之厚度係自該連接側至該貼合側的厚度呈漸薄。
如請求項1所述之可乾濕兩用之墊體，其中，該墊本體之材料係包含熱塑性橡膠。
如請求項1所述之可乾濕兩用之墊體，其中，該墊本體係包含重量百分比介於10~15%的複合碳粉、重量百分比介於5~10%的鹼性水溶液、重量百分比介於50~60%的熱塑性橡膠(TPR)、重量百分比介於10~15%的礦物粉。
一種多卡扣的盒體，其中，包括：<br/> 至少一容置槽(19)，該至少一容置槽(19)兩側分別設有補強體(192)，該至少一容置槽(19)兩側的該補強體(192)之間，設有容置腔(190)，該至少一容置槽(19)的開口端設有兩個卡接點(193)，該至少一容置槽(19)的下端設有傾斜體(195)，該至少一容置槽(19)的後端具有凸柱(191)，該至少一容置槽(19) 開口端的兩個卡接點(193)相距第2寬度(h)，該至少一容置槽(19)的後端相距第1寬度(g)，該第1寬度(g)大於該第2寬度(h)，形成該至少一容置槽(19)的後端寬且該至少一容置槽(19)開口端窄的水平縮口，該傾斜體(195) 與該至少一容置槽(19)開口端形成傾斜角(β)，該傾斜角(β)形成該至少一容置槽(19)的後端寬且該至少一容置槽(19)開口端窄的垂直縮口；以及<br/> 至少一扣體(18)，該至少一扣體(18)設於反折片(17)，該反折片(17) 反折該至少一扣體(18)扣合該至少一容置槽(19)，該至少一扣體(18) 前端設有收縮溝(180)，該至少一扣體(18) 前端兩側分別設有頂接點(181)，該至少一扣體(18)與該反折片(17)形成垂直方向的該傾斜角(β)，第3寬度(j) 大於第4寬度(k)形成該至少一扣體(18) 遠離該反折片(17)前端第3寬度(j)寬，靠該反折片(17)的後端第4寬度(k)窄，該至少一扣體(18)的前端第5寬度(s) 大於後端第6寬度(t)；<br/> 其中該至少一容置槽(19)以及該至少一扣體(18)是彈性材料；<br/> 其中，該至少一扣體(18)扣合該至少一容置槽(19)時，該至少一容置槽(19)的開口端設有兩個卡接點(193)壓縮該收縮溝(180)，該至少一扣體(18) 前端兩側分別的該頂接點(181)縮合，該至少一扣體(18)進入該至少一容置槽(19) 後端，由該至少一容置槽(19)後端的該凸柱(191)撐開該收縮溝(180)以及頂接點(181)，該至少一扣體(18) 前端兩側的頂接點(181)分別撐入貼合該至少一容置槽(19)的後端寬的該第1寬度(g)，藉由該至少一容置槽(19)的後端寬且該至少一容置槽(19)開口端窄的水平縮口，該至少一扣體(18)的水平前端第5寬度(s)大於水平後端第6寬度(t)，形成該至少一容置槽(19)緊實卡合該至少一扣體(18)；<br/> 其中，該至少一扣體(18)扣合該至少一容置槽(19)時，該至少一扣體(18)的該傾斜角(β)，與該傾斜體(195)的該傾斜角(β)相扣合，藉由該至少一容置槽(19)的後端寬且該至少一容置槽(19)開口端窄的該傾斜角(β)垂直縮口，形成該至少一容置槽(19)緊實卡合該至少一扣體(18)。
如請求項1所述之多卡扣的盒體，其中，包括：<br/> 至少一載體(1)或至少一蓋體(2)中至少其中之一，其中該至少一容置槽(19) 或該至少一扣體(18) 中至少其中之一，結合於該至少一載體(1)或該至少一蓋體(2)中至少其中之一。
如請求項2所述之多卡扣的盒體，其中，包括：<br/> 至少一載體(1)以及至少一蓋體(2)設有側邊緣部(11, 21)；<br/> 該至少一載體(1)以及該至少一蓋體(2)設有至少一接合槽(41)；以及<br/> 該至少一載體(1)或該至少一蓋體(2)中至少其中之一，設有至少一扣孔(100,20)；<br/> 其中該至少一接合槽(41)接合側邊緣部(11, 21)並扣合該至少一扣孔(100,20)。
如請求項2所述之多卡扣的盒體，其中，該至少一載體(1)或該至少一蓋體(2)中至少其中之一，設有至少一扣孔(100,20)。
如請求項2所述之多卡扣的盒體，其中，包括：<br/> 該至少一載體(1)或該至少一蓋體(2)中至少其中之一，形狀結構是盒狀、片狀、以及盤狀至少其中之一。
如請求項2所述之多卡扣的盒體，該至少一容置槽(19)兩側的該補強體(192)內崁於該至少一載體(1)或該至少一蓋體(2)中至少其中之一。
如請求項2所述之多卡扣的盒體，該至少一容置槽(19)兩側的該補強體(192)外接凸出於該至少一載體(1)或該至少一蓋體(2)中至少其中之一的邊緣。
如請求項2所述之多卡扣的盒體，其中單扣結構，包括：<br/> 該至少一載體(1)的該至少一扣體(18)，扣合該至少一蓋體(2)的至少一容置槽(19)；以及<br/> 該至少一蓋體(2)的該至少一扣體(18)，扣合該該至少一載體(1)的至少一容置槽(19) 的該單扣結構中至少其中之一。
如請求項2所述之多卡扣的盒體，其中雙扣結構，包括：<br/> 該至少一蓋體(2)的該至少一容置槽(19) 扣合該至少一載體(1)的該至少一容置槽(19)後，該至少一載體(1)的該至少一扣體(18)，扣合該至少一蓋體(2)的至少一容置槽(19)；以及<br/> 該至少一載體(1)的該至少一容置槽(19) 扣合該至少一蓋體(2)的該至少一容置槽(19)後，該至少一蓋體(2)的該至少一扣體(18)，扣合該至少一載體(1)的至少一容置槽(19) 的該雙扣結構中至少其中之一。
一種麻將機，其包含有： <br/>一機架； <br/>一台面，該台面設置在該機架上，該台面包含有分別對應四個方位的四個出牌口；以及 <br/>四個起手牌翻立裝置，該四個起手牌翻立裝置安裝於該機架，分別對應所述四個方位，各起手牌翻立裝置位於對應方位的所述出牌口與該台面邊緣之間，該台面設有對應該四個起手牌翻立裝置位置的四個缺口，各起手牌翻立裝置包含： <br/>一驅動機構； <br/>一翻板，該翻板用以封堵對應的缺口，並且能被該驅動機構驅動而於一水平位及一下翻位之間切換，該翻板位於該水平位時，該翻板與該台面平齊，該翻板位於該下翻位時，該翻板靠近該台面邊緣一側的水平高對高於該翻板遠離該台面邊緣一側的水平高度；以及 <br/>一擋牌板，該擋牌板位於該翻板遠離該台面邊緣的一側，並且由該台面向下延伸，當該翻板位於該下翻位時，該擋牌板能阻擋麻將牌。
如請求項1所述之麻將機，其中 <br/>該翻板包含有一第一板體、一第二板體，及一底板； <br/>該底板靠近該台面邊緣的一側與該機架連結，而能相對於該機架轉動； <br/>該第一板體和該第二板體並排，且該第二板體遠離該台面邊緣； <br/>該第一板體能樞轉的連結於該底板，而能向上翻轉。
如請求項2所述之麻將機，其中 <br/>該第一板體遠離該台面邊緣的一側與該底板連結，並且能相對於該底板翻轉； <br/>該第一板體包含一平躺位與一翻牌位，該第一板體位於該平躺位時，該第一板體與該第二板體齊平，該第一板體轉動到該翻牌位，該第一板體與該第二板體形成一夾角。
如請求項3所述之麻將機，其中該第一板體與該底板之間設有至少一復位彈性件。
如請求項3所述之麻將機，其中該第一板體位於該翻牌位時，該第一板體與該擋牌板之間的距離大於所述麻將牌的厚度。
如請求項1所述之麻將機，其中 <br/>該擋牌板包含有沿著該擋牌板長度方向間隔設置的多個第一阻擋件；以及 <br/>該翻板設有多個第二阻擋件，各第二阻擋件伸入相鄰的兩所述第一阻擋件之間； <br/>當該翻板在該水平位和該下翻位之間切換時，該第二阻擋件能相對於該第一阻擋件滑動。
如請求項1所述之麻將機，其中該擋牌板上設有一支撐面，該翻板位於該下翻位時與該支撐面之間的夾角為90°。
如請求項1所述之麻將機，其中 <br/>該翻板靠近該台面邊緣的一側與該機架連結，並能相對於該機架轉動； <br/>該驅動機構包含有能相對於該機架轉動的一凸輪及驅動該凸輪轉動的一電機；該凸輪抵接該翻板。
如請求項1所述之麻將機，其中各起手牌翻立裝置遠離該台面邊緣的一側設有一凸簷，該凸簷突出該台面。
如請求項9所述之麻將機，其中各起手牌發立裝置具有設於該凸簷的一發光組件。
一種折彎裝置，其改良在於，所述折彎裝置包括：<br/> 治具組件，包括承載件和第一驅動組件，所述第一驅動組件傳動連接於所述承載件，用於帶動所述承載件沿第一方向移動；所述承載件用於承載一目標件；<br/> 第一定位組件，沿所述第一方向與所述承載件相對設置，用於壓持所述目標件之一部分；<br/> 第二折彎組件，沿第二方向設置於所述承載件之一側，包括第二折彎件和第二驅動組件；所述第二驅動組件傳動連接於所述第二折彎件，用於帶動所述第二折彎件沿所述第二方向移動，所述第二折彎件用於抵壓所述目標件之另一部分；所述第二方向與所述第一方向相交；<br/> 第三折彎組件，包括第三折彎件和第三驅動組件，所述第三折彎件可活動地設置於所述第一定位組件沿所述第一方向遠離所述治具組件一側；所述第三驅動組件傳動連接於所述第三折彎件，用於帶動所述第三折彎件移動至配合於所述第一定位組件並抵壓部分所述目標件；<br/> 推桿組件，包括推桿和第四驅動組件，所述推桿沿所述第一方向對應部分所述目標件，且所述推桿沿所述第二方向與所述第一定位組件間隔設置，所述推桿用於沿所述第一方向抵頂所述目標件；所述第四驅動組件傳動連接於所述推桿，用於帶動所述推桿沿所述第一方向移動。
如請求項1所述之折彎裝置，其中，<br/> 所述第一定位組件包括第一定位件和第五驅動機構，所述第一定位件沿第三方向可活動地設置，且所述第一定位件設置於所述承載件沿所述第一方向之一側；所述第五驅動機構傳動連接於所述第一定位件，用於帶動所述第一定位件沿所述第三方向移動；<br/> 其中，所述第三方向與所述第二方向和所述第一方向交叉。
如請求項2所述之折彎裝置，其中，<br/> 所述第二驅動組件包括第二驅動件和第一調節件，所述第一調節件連接於所述第二驅動件和所述第二折彎件之間，用於沿所述第一方向和所述第三方向調節所述第二折彎件之位置；<br/> 所述第三驅動組件包括第三驅動件和第二調節件，所述第二調節件連接於所述第三驅動件和所述第三折彎件之間，用於沿所述第二方向和所述第三方向調節所述第三折彎件之位置；<br/> 所述第五驅動機構包括第五驅動件和第三調節件，所述第三調節件連接於所述第五驅動件和所述第一定位件之間，用於沿所述第一方向和所述第二方向調節所述第一定位件之位置。
如請求項3所述之折彎裝置，其中，<br/> 所述第二驅動組件還包括第一力感測器組件，所述第一力感測器組件設置於所述第二驅動件和所述第一調節件之間，用於獲取所述第二驅動件和所述第一調節件之間之力信號；<br/> 和/或，<br/> 所述第三驅動組件還包括第二力感測器組件，所述第二力感測器組件設置於所述第三驅動件和所述第二調節件之間，用於獲取所述第三驅動件和所述第二調節件之間之力信號。
如請求項2所述之折彎裝置，其中，<br/> 所述第一定位件具有第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽分別沿所述第三方向延伸，所述第一凹槽和所述第二凹槽沿所述第二方向並列設置；<br/> 所述第三折彎件具有第一凸起和第二凸起，所述第一凸起適配於所述第一凹槽，所述第二凸起適配於所述第二凹槽。
如請求項1所述之折彎裝置，其中，<br/> 所述承載件設置於所述第一驅動組件沿所述第一方向靠近所述第一定位組件一側；<br/> 所述承載件開設有通孔，所述推桿沿所述第一方向可移動地設於所述通孔。
如請求項1所述之折彎裝置，其中，<br/> 所述折彎裝置還包括黏貼裝置，所述黏貼裝置沿所述第一方向與所述承載件相對設置，用於黏貼固定所述目標件。
如請求項7所述之折彎裝置，其中，<br/> 所述折彎裝置還包括檢測組件，所述檢測組件包括第一檢測組件和第二檢測組件，所述第一檢測組件沿所述第一方向對應所述承載件，用於檢測折彎後所述目標件，並獲取位置信息；所述第二檢測組件沿所述第一方向對應所述承載件，用於檢測所述黏貼裝置貼膠後所述目標件，並獲取狀態信息。
如請求項1所述之折彎裝置，其中，<br/> 所述第二折彎件具有傾斜面，所述傾斜面位於所述第二折彎件沿所述第一方向遠離所述治具組件一側，所述傾斜面之延伸方向與所述第二方向交叉。
如請求項1所述之折彎裝置，其中，<br/> 所述第二折彎件沿所述第二方向靠近所述第一定位組件一側開設有配合槽；<br/> 所述第一定位組件具有沿所述第二方向靠近所述第二折彎件一側之配合端，所述配合端配合於所述配合槽。
一種清潔設備主體，其中，包括： <br/>抽風機，包括排風口； <br/>排風桶，包括：側板和容納腔，所述側板圍成所述容納腔，並且所述排風口與所述容納腔連通；以及 <br/>過濾器，設置於所述容納腔內； <br/>其中，所述過濾器沿第一方向延伸的中心線相對於所述排風桶沿所述第一方向延伸的中心線遠離所述排風口；和/或，在第二方向上，所述過濾器沿所述第一方向延伸的中心線與所述排風桶沿所述第一方向延伸的中心線分離；所述第一方向為所述側板的延伸方向，所述第二方向與所述第一方向及第三方向垂直，所述第三方向為所述排風口指向所述過濾器的方向。
如請求項1所述的清潔設備主體，其中所述清潔設備主體還包括： <br/>塵桶，位於所述排風桶在所述第一方向上的一側，並與所述排風桶連接； <br/>旋風分離器，設置於所述塵桶內，並與所述過濾器連接，所述過濾器沿第一方向延伸的中心線相對於所述旋風分離器沿所述第一方向延伸的中心線遠離所述排風口；和/或，在所述第二方向上，所述過濾器沿所述第一方向延伸的中心線與所述旋風分離器沿所述第一方向延伸的中心線分離。
如請求項2所述的清潔設備主體，其中所述排風桶沿所述第一方向延伸的中心線與所述旋風分離器沿所述第一方向延伸的中心線重合。
如請求項2所述的清潔設備主體，其中所述過濾器沿第一方向延伸的中心線相對於所述塵桶沿所述第一方向延伸的中心線遠離所述排風口；和/或，在所述第二方向上，所述過濾器沿所述第一方向延伸的中心線與所述塵桶沿所述第一方向延伸的中心線分離。
如請求項4所述的清潔設備主體，其中所述塵桶沿所述第一方向延伸的中心線與所述旋風分離器沿所述第一方向延伸的中心線重合。
如請求項2所述的清潔設備主體，其中所述排風桶遠離所述塵桶的一側設置有過濾蓋，所述過濾器沿第一方向延伸的中心線相對於所述過濾蓋沿所述第一方向延伸的中心線遠離所述排風口；和/或，在所述第二方向上，所述過濾器沿所述第一方向延伸的中心線與所述過濾蓋沿所述第一方向延伸的中心線分離。
如請求項6所述的清潔設備主體，其中所述過濾蓋沿所述第一方向延伸的中心線與所述排風桶沿所述第一方向的中心線重合。
如請求項1所述的清潔設備主體，其中所述過濾器的底部具有缺口，所述缺口位於所述過濾器遠離所述排風口的一側。
如請求項1至8中任一項所述的清潔設備主體，其中所述過濾器沿所述第一方向延伸的中心線與所述排風桶沿所述第一方向延伸的中心線之間的距離為2mm至6mm。
如請求項1至8中任一項所述的清潔設備主體，其中在所述清潔設備主體沿所述第一方向上的投影中，所述排風桶遠離所述排風口的內壁與所述過濾器遠離所述排風口的外壁之間的最小距離大於或等於1mm，且小於或等於20mm。
如請求項10所述的清潔設備主體，其中在所述清潔設備主體沿所述第一方向上的投影中，所述排風桶遠離所述排風口的內壁與所述過濾器遠離所述排風口的外壁之間的最小距離大於或等於8mm，且小於或等於10mm。
如請求項1所述的清潔設備主體，其中在所述清潔設備主體沿所述第一方向上的投影中，所述排風口與所述過濾器靠近所述排風口的外壁之間的最小距離大於或等於8mm。
如請求項12所述的清潔設備主體，其中所述排風桶還包括： <br/>進風口，設置於所述側板，並且位於所述過濾器和所述排風口之間，所述排風口與所述進風口連通；在所述清潔設備主體沿所述第一方向上的投影中，所述進風口與所述過濾器靠近所述進風口的外壁之間的最小距離大於或等於8mm。
如請求項1所述的清潔設備主體，其中所述抽風機沿所述第三方向延伸的中心線與所述過濾器沿第一方向延伸的中心線垂直。
如請求項1至8以及12至14中任一項所述的清潔設備主體，其中至少部分抽風機位於所述排風桶中。
如請求項15所述的清潔設備主體，其中在所述排風桶中，位於所述過濾器和排風口之間的部分側板具有凹陷部，至少部分所述抽風機位於所述凹陷部內。
如請求項16所述的清潔設備主體，其中在所述第三方向上，所述凹陷部的深度大於或等於1mm，且小於或等於20mm。
如請求項16所述的清潔設備主體，其中在所述第三方向上，所述凹陷部的深度大於或等於8mm，且小於或等於10mm。
如請求項1至8以及12至14中任一項所述的清潔設備主體，其中所述抽風機還包括： <br/>抽風口，所述抽風機通過所述抽風口與所述過濾器連通。
一種清潔設備，其中，包括： <br/>清潔部；以及 <br/>清潔設備主體，所述清潔設備主體為如請求項1至19中任一項所述的清潔設備主體，所述清潔設備主體與所述清潔部連接。
一種清潔系統，其中，包括： <br/>基站； <br/>清潔設備，所述清潔設備為如請求項20所述的清潔設備，所述清潔設備能夠與所述基站對接。
一種滾刷組件，包括：<br/> 滾刷本體；<br/> 驅動組件，所述驅動組件包括同軸設置的第一輸出軸和第二輸出軸，所述第一輸出軸和所述第二輸出軸分別與所述滾刷本體傳動連接；以及<br/> 驅動馬達，所述第一輸出軸和所述第二輸出軸分別與所述驅動馬達傳動連接；其中，<br/> 所述第一輸出軸與所述第二輸出軸的轉速之比的範圍為1:(0.11~0.5)或1:(2~9)，所述第一輸出軸與所述驅動馬達的轉速之比的範圍為1:(0.11~0.5)或1:(2~9)。
如請求項1所述的滾刷組件，其中，<br/> 所述驅動組件包括第一行星齒輪系與第二行星齒輪系，所述第一行星齒輪系和第二行星齒輪系依次與所述驅動馬達傳動連接，所述第一輸出軸由所述第一行星齒輪系或所述第二行星齒輪系驅動，所述第二輸出軸由所述第二行星齒輪系驅動。
如請求項2所述的滾刷組件，其中，<br/> 所述第一行星齒輪系包括：依次傳動且沿軸向設置的與所述驅動馬達傳動連接的第一太陽齒輪、多個第一行星齒輪、被配置為第一傳動端的第一行星架，或，依次傳動且沿軸向設置的與所述驅動馬達傳動連接的第一行星架、多個第一行星齒輪、被配置為第一傳動端的第一太陽齒輪；和/或，<br/> 所述第二行星齒輪系包括：依次傳動且沿軸向設置的與所述第一傳動端固定連接且被配置為第二傳動端的第二太陽齒輪、第二行星齒輪、被配置為第三傳動端的第二行星架，或，依次傳動且沿軸向設置的與所述第一傳動端固定連接且被配置為第二傳動端的第二行星架、第二行星齒輪、被配置為第三傳動端的第二太陽齒輪。
如請求項3所述的滾刷組件，其中，<br/> 所述第二輸出軸固定連接所述第三傳動端，所述第二輸出軸及所述第三傳動端沿軸向設有貫通孔，所述第一輸出軸穿過所述貫通孔與所述第二傳動端固定連接，或者，<br/> 所述第二輸出軸固定連接所述第三傳動端，所述第二輸出軸、所述第三傳動端及所述第二傳動端沿軸向設有貫通孔，所述第一輸出軸穿過所述貫通孔與所述第一傳動端固定連接。
如請求項3所述的滾刷組件，其中，<br/> 所述驅動組件包括齒圈，所述齒圈與所述第一行星齒輪和所述第二行星齒輪嚙合。
如請求項4至5中任一項所述的滾刷組件，其中，<br/> 所述驅動組件還包括第一輸出端，配置為將所述第一輸出軸傳動連接於所述滾刷本體，所述第一輸出端與所述第一輸出軸同軸，所述第一輸出端設置於所述第一輸出軸遠離所述驅動馬達的一端； <br/> 所述驅動組件還包括第二輸出端，配置為將所述第二輸出軸傳動連接於所述滾刷本體，所述第二輸出端沿軸向設有貫通孔，所述第二輸出端與所述第二輸出軸同軸，所述第二輸出端設置於所述第二輸出軸遠離所述驅動馬達的一端。
如請求項6所述的滾刷組件，其中，<br/> 所述第一輸出端或所述第二輸出端分別與所述滾刷本體嚙合或卡接。
如請求項6所述的滾刷組件，其中，所述驅動組件還包括：<br/> 切換元件，與所述滾刷本體嚙合，所述切換元件與所述第一輸出端或所述第二輸出端嚙合。
如請求項8所述的滾刷組件，其中，<br/> 所述切換元件設置於所述第一輸出端與所述第二輸出端之間，所述切換元件可移動的套設於所述第一輸出軸上。
如請求項8所述的滾刷組件，其中，<br/> 所述切換元件設有外齒，所述滾刷本體設有內齒，所述外齒與所述內齒嚙合。
如請求項8所述的滾刷組件，其中，所述驅動組件還包括：<br/> 彈性件，被配置為使所述切換元件在第一位置或第二位置分別與所述滾刷本體嚙合，所述彈性件設置於所述第二輸出端與所述切換元件之間；<br/> 其中，在所述第一位置時，所述切換元件與所述第一輸出軸卡接，在所述第二位置時，所述切換元件與所述第二輸出軸卡接。
如請求項11所述的滾刷組件，<br/> 所述切換元件還包括第一嚙合槽和第二嚙合槽，所述第一嚙合槽被配置為在所述第一位置與所述第一輸出端卡接，所述第二嚙合槽被配置為在所述第二位置與所述第二輸出端卡接。
如請求項1所述的滾刷組件，其中，<br/> 所述滾刷本體表面設有柔性刷件和/或硬質刷件，和/或，所述滾刷本體包括感應元件。
如請求項13所述的滾刷組件，其中， <br/> 所述滾刷本體表面設有柔性刷件和硬質刷件，其中，所述柔性刷件和所述硬質刷件設於所述滾刷本體的表面，或，所述柔性刷件設於所述滾刷本體表面，所述硬質刷件設於所述滾刷本體內部。
一種清潔設備，包括如請求項1至14中任一項所述的滾刷組件和清潔設備主體，所述滾刷組件裝配於所述清潔設備主體以用於表面清潔。
一種清潔系統，包括如請求項15所述的清潔設備以及與其相配合的基站，所述清潔設備與所述基站訊號連接。
一種虛擬資產綁定法幣與買賣移轉之身分驗證系統，包括：<br/> 儲存器，儲存黑名單；以及<br/> 處理器，耦接該儲存器，並經配置以：<br/> 接收一虛擬資產交易訊息；<br/> 取得並確認用戶的身分訊息；以及<br/> 響應於該身分訊息不存在於該黑名單，完成虛擬資產的交易。
如請求項1所述的虛擬資產綁定法幣與買賣移轉之身分驗證系統，其中該處理器更經配置以：<br/> 透過監管機關驗證該用戶的該身分訊息。
如請求項2所述的虛擬資產綁定法幣與買賣移轉之身分驗證系統，其中該處理器更經配置以：<br/> 透過第一金融機構以及第二金融機構進行該身分訊息的核驗，其中該第一金融機構為虛擬資產商或穩定幣發行商的交割銀行，其中該第二金融機構為該用戶的交割銀行。
如請求項3所述的虛擬資產綁定法幣與買賣移轉之身分驗證系統，其中該處理器更經配置以：<br/> 響應於該虛擬資產交易訊息不符合防制洗錢規定，終止交易並回傳交易失敗訊息；以及<br/> 響應於該虛擬資產交易訊息符合該防制洗錢規定，自該第二金融機構交割該虛擬資產交易對應的金額。
如請求項4所述的虛擬資產綁定法幣與買賣移轉之身分驗證系統，其中該處理器更經配置以：<br/> 監控該用戶的交割帳戶是否存在異常交易以符合該防制洗錢規定，其中該異常交易包括在一預設時間內存在多筆交易紀錄。
如請求項3所述的虛擬資產綁定法幣與買賣移轉之身分驗證系統，其中該處理器更經配置以：<br/> 響應於更新該黑名單，該第一金融機構、該第二金融機構以及該監管機關更新監管名單。
如請求項1所述的虛擬資產綁定法幣與買賣移轉之身分驗證系統，其中該黑名單包括警示身分用戶。
如請求項1所述的虛擬資產綁定法幣與買賣移轉之身分驗證系統，其中該虛擬資產交易訊息包括買或賣加密貨幣以及買或賣穩定幣。
如請求項1所述的虛擬資產綁定法幣與買賣移轉之身分驗證系統，其中該虛擬資產為透過密碼學以及分散式帳本，以數位方式進行儲存、交換或移轉的資產。
一種具鏤空式支架的保護殼結構，其至少包含：<br/>一背板，其設有一鏡頭對應孔；<br/>一裝設部，其設於該背板之一面；<br/>一鏤空部，其設於該背板；以及<br/>一支架，其活動設於該背板之另一面，且該支架可封閉或開啟該鏤空部。
如請求項1所述之具鏤空式支架的保護殼結構，其中更包括有一外接連接部，該外接連接部設於該背板之一側。
如請求項2所述之具鏤空式支架的保護殼結構，其中該外接連接部可移除地連接一鍵盤模組或一蓋板。
如請求項1所述之具鏤空式支架的保護殼結構，其中更包括有一穿套部，該穿套部設於該背板之另一側。
如請求項1所述之具鏤空式支架的保護殼結構，其中該裝設部包括有一限位邊框及二擋板，該限位邊框設於該背板之一側且部分延伸至該背板之兩端，各擋板分別設於該背板之二邊角處。
如請求項5所述之具鏤空式支架的保護殼結構，其中該限位邊框之兩端分別設有一穿孔。
如請求項1所述之具鏤空式支架的保護殼結構，其中該鏤空部位於該背板鄰近一側之位置，且該背板設有一缺口，該缺口對應至該鏤空部與該支架之一側。
如請求項1所述之具鏤空式支架的保護殼結構，其中該支架以一樞軸活動設於該背板之另一面。
一種阻抗調整器的輸出調節電路，其包括︰<br/> n個射頻電極及與其配對使用的隔離濾波模組、帶通濾波模組，所述隔離濾波模組、所述帶通濾波模組與所述射頻電極數量相同，還包括m個高壓直流源，n為≦2的正整數，m為小於等於n的正整數；<br/> 所述帶通濾波模組連接所述射頻電極；<br/> 所述帶通濾波模組包括至少兩個所述帶通濾波器，各個所述帶通濾波器通過的頻率範圍不同；<br/> 所述隔離濾波模組連接在所述射頻電極和所述高壓直流源之間，用於隔離所述高壓直流源與流經至少兩個所述帶通濾波器的頻率信號。
如請求項1所述的阻抗調整器的輸出調節電路，其中，所述帶通濾波器包括可調阻抗濾波器和陷波濾波器，所述可調阻抗濾波器連接所述射頻電極介面，用於調節第一頻率的輸入阻抗；所述陷波濾波器連接所述射頻電極，用於通過第二頻率的射頻信號；所述隔離濾波模組連接在所述射頻電極和所述高壓直流源之間，用於隔離所述高壓直流源與所述第一頻率和所述第二頻率的信號。
如請求項1所述的阻抗調整器的輸出調節電路，其中，n=1，m=1，所述射頻電極連接到高壓直流電源的正極，高壓直流電源的負極接地。
如請求項1所述的阻抗調整器的輸出調節電路，其中，n=1，m=1，所述射頻電極連接到與其配套使用的高壓直流電源的負極，高壓直流電源的正極接地。
如請求項1所述的阻抗調整器的輸出調節電路，其中，n=2，m=2，所述射頻電極與所述高壓直流電源配對使用，所述射頻電極的第一電極連接到與其配對使用的第一高壓直流電源的正極，第一高壓直流電源的負極接地；第二電極連接到與其配套使用的第二高壓直流電源的負極，第二高壓直流電源的正極接地。
如請求項1所述的阻抗調整器的輸出調節電路，其中，n=2，m=1，所述射頻電極的第一電極連接所述高壓直流電源的正極，所述射頻電極的第二電極連接所述直流電源的負極。
如請求項2所述的阻抗調整器的輸出調節電路，其中，還包括VI感測器，所述VI感測器的檢測端連接在所述射頻電極與所述可調阻抗濾波器、陷波濾波器和輸入濾波器之間。
如請求項2所述的阻抗調整器的輸出調節電路，其中，所述可調阻抗濾波器包括第一電感和第一電容；所述第一電感的第一端與所述射頻電極連接，第二端與所述第一電容連接；所述第一電容的第二端接地；所述第一電容為可調電容。
如請求項2所述的阻抗調整器的輸出調節電路，其中，所述陷波濾波器包括第二電感和第二電容；所述第二電感的第一端與所述射頻電極連接，第二端與所述第二電容的第一端連接；所述第二電容的第二端接地。
如請求項2所述的阻抗調整器的輸出調節電路，其中，所述陷波濾波器包括第五電感、第四電容和第六電感；所述第五電感的第一端與所述射頻電極連接，第二端與所述第四電容的第一端連接；所述第四電容的第二端與所述第六電感的第一端連接；所述第六電感的第二端接地。
如請求項1所述的阻抗調整器的輸出調節電路，其中，所述隔離濾波模組包括第四電感和第三電容；所述第四電感的第一端連接所述射頻電極，第二端連接所述第三電容的第一端；所述第三電容的第二端接地；所述第四電感的第二端連接高壓直流源。
一種阻抗調整器，其包括︰如請求項2以及請求項7~10中任一項所述的阻抗調整器的輸出調節電路，還包括主控模組、驅動模組，VI感測器的輸出端連接所述主控模組，用於將檢測到的檢測信號輸入到主控模組，主控模組用於根據所述檢測信號，生成對應的控制信號，主控模組的控制端連接所述驅動模組，驅動模組用於根據主控模組的控制信號驅動改變所述可調阻抗濾波器的阻抗。
一種手錶連接結構，其特徵在於，其包括：<br/> 殼體，具有固定槽，該固定槽的槽底具有凹口部；以及<br/> 板金件，包括主體部與彎曲部，主體部彎曲部該主體部的一端向外延伸並向內彎折形成該彎曲部，該彎曲部具有凸塊與鏤空部位，該凸塊鄰近於鏤空部位，其中該彎曲部嵌合於該固定槽內，該凸塊嵌合於該凹口部內，該主體部的另一端延伸形成連接部，該連接部配置為連接固定錶帶。
如請求項1所述的手錶連接結構，其中，該彎曲部包含第一彎曲段、第二彎曲段與第三彎曲段，該主體部的一端向外延伸形成該第一彎曲段，該第一彎曲段延伸向內彎折形成該第二彎曲段，該第二彎曲段向內延伸形成該第三彎曲段。
如請求項2所述的手錶連接結構，其中，該主體部的兩側寬度小於該第一彎曲段的兩側寬度，該主體部的兩側會逐漸向外側延展形成該第一彎曲段，該第一彎曲段的兩側寬度小於該第二彎曲段的兩側寬度，該第一彎曲段的兩側會向外側延展形成該第二彎曲段，該第二彎曲段的兩側寬度大於該第三彎曲段的兩側寬度，該第二彎曲段的兩側寬度會逐漸向內減縮形成該第三彎曲段。
如請求項3所述的手錶連接結構，其中，該第二彎曲段的兩側寬度對應於該殼體的該固定槽的槽底長度。
如請求項3所述的手錶連接結構，其中，該第三彎曲段越靠近於該主體部的位置，該第三彎曲段距離該第一彎曲段之間的間距會逐漸縮小。
如請求項2所述的手錶連接結構，其中，該凸塊位於該彎曲部的該第三彎曲段的中間。
如請求項2所述的手錶連接結構，其中，該鏤空部位具有兩條切口，兩條該切口位於該凸塊的兩側。
如請求項7所述的手錶連接結構，其中，該切口自該第三彎曲段的延伸末端的側邊裁切，該切口延伸經過該第二彎曲段、該第一彎曲段至主體部。
如請求項2所述的手錶連接結構，其中，該鏤空部位具有開口，該彎曲部更包括支架，該支架的一端自該開口的邊緣向該開口內延伸，該凸塊設置於該支架的延伸末端。
如請求項9所述的手錶連接結構，其中，該開口的範圍自該第三彎曲段的延伸末端開始，該開口範圍延伸經過該第二彎曲段與該第三彎曲段至該主體部的一側。
如請求項10所述的手錶連接結構，其中，該支架包括第一延伸區段、第二延伸區段與第三延伸區段，該第一延伸區段一端自該開口的側邊緣以水平方向延伸於該第一彎曲段的該開口區域，並該第一延伸區段的一端垂直轉向朝該第二彎曲段的該開口區域延伸，該第二延伸區段的一端接續該第一延伸區段的一端垂直彎折，該第二延伸區段以水平方向延伸於該第二彎曲段的該開口區域內，該第二延伸區段的水平延伸方向與該第一延伸區段的水平延伸方向相反，該第二延伸區段的一端再次垂直轉向朝該第三彎曲段的該開口區域延伸，該第三延伸區段的一端接續該第二延伸區段的一端垂直彎折，該第三延伸區段以水平方向延伸於該第三彎曲段的該開口區域內，該第三延伸區段的水平延伸方向與該第一延伸區段的水平延伸方向相同，該第三延伸區段的延伸末段延展擴大成固定端，該第三延伸區段的延伸區段的寬度小於該固定端的寬度，該凸塊設置於該第三延伸區段的該固定端上。
如請求項9所述的手錶連接結構，其中，該支架於該開口內經過至少一次彎折延伸。
如請求項2至12中任一項所述的手錶連接結構，其中，該固定槽具有第一槽口與兩個第二槽口，該第一槽口相對於該固定槽的槽底位置，該第一槽口會沿著該固定槽的槽道延伸方向平行延伸，該第一槽口的槽口長度小於該固定槽的槽底長度，兩個該第二槽口位於該固定槽的槽道兩端，兩個該第二槽口位於該第一槽口的兩側，兩個該第二槽口連通於該第一槽口的兩側，兩個該第二槽口相對於該固定槽的槽底呈現傾斜狀，該板金件的該彎曲部經由兩個該第二槽口之一安裝於該固定槽內。
如請求項13所述的手錶連接結構，其中，該彎曲部的該第一彎曲段與該第三彎曲段分別貼合於該固定槽的槽道內的相對兩個槽側面，該第三彎曲段的延伸末端以及該主體部與該第一彎曲段的連接處會位於該第一槽口的位置。
如請求項13所述的手錶連接結構，其中，該固定槽的槽道的最大內徑大於該第一槽口的槽口口徑。
如請求項1至12中任一項所述的手錶連接結構，其中，該固定槽的該凹口部內具有凹口部側壁，該凹口部側壁相對於該固定槽的槽底具有夾角，該夾角的角度範圍為大於90度至小於180度之間。
如請求項1至12中任一項所述的手錶連接結構，其中，該凸塊具有凸塊側壁，該凸塊側壁相對於該凸塊的凸出端面具有夾角，該夾角的角度範圍為大於90度至小於180度之間。
如請求項1至12中任一項所述的手錶連接結構，其中，該殼體包括殼內空間與推動組件，該凹口部的底部具有孔口，該孔口連通於該殼內空間，該推動組件位於該殼內空間，其中該推動組件包括推塊與彈件，該推塊位於該殼內空間，並該推塊的凸出端對應於該孔口，該彈件位於該推塊與該凹口部之間，該彈件的一端抵接於該孔口一側的該殼內空間的內壁，該彈件的另一端抵接於該推塊，其中該推塊的凸出端配置為推動該凸塊遠離該凹口部。
一種投放畫面的系統，包括：<br/> 一載具，包括；<br/> 一第一攝像裝置，用以擷取該載具周圍的一第一環境影像；<br/> 一顯示裝置，用以顯示一對應資料影像，其中該對應資料影像包括一商品；以及<br/> 一通訊裝置，通訊連接該第一攝像裝置與該顯示裝置，用以接收來自該第一攝像裝置的該第一環境影像；以及<br/> 一伺服器裝置，通訊連接該載具，包括：<br/> 一資料庫，用以儲存複數個資料影像；以及<br/> 一處理器，連接該資料庫，用以：<br/> 接收來自該通訊裝置的該第一環境影像；<br/> 根據該第一環境影像，產生一環境特徵，其中該境特徵包括一人物；<br/> 根據該環境特徵，選取該些資料影像中對應該環境特徵的該對應資料影像；以及<br/> 輸出該對應資料影像至該通訊裝置，使該通訊裝置輸出該對應資料影像至該顯示裝置，該顯示裝置顯示該對應資料影像。
如請求項1所述之系統，其中該載具為一無人載具。
如請求項1所述之系統，進一步包括：<br/> 一第二攝像裝置，通訊連接該通訊裝置，用以在該顯示裝置顯示該對應資料影像，擷取該載具周圍的一第二環境影像；<br/> 其中，該通訊裝置接收來自該第二攝像裝置的該第二環境影像，並將該第二環境影像輸出至該處理器，使該處理器根據該第二環境影像，產生與該對應資料影像相關的一成效資料。
如請求項3所述之系統，其中該第一環境影像與該第二環境影像相異。
一種投放畫面的系統，包括：<br/> 一載具，包括；<br/> 一攝像裝置，用以擷取該載具周圍的一環境影像；以及<br/> 一顯示裝置，用以顯示一對應資料影像；以及<br/> 一伺服器裝置，通訊連接該載具，包括：<br/> 一資料庫，用以儲存複數個資料影像；以及<br/> 一處理器，連接該資料庫，用以：<br/> 接收來自該攝像裝置的該環境影像；<br/> 根據該環境影像以產生一環境特徵；<br/> 根據該環境特徵，選取該些資料影像中對應該環境特徵的該對應資料影像；以及<br/> 輸出該對應資料影像至該顯示裝置，使該顯示裝置顯示該對應資料影像。
如請求項5所述之系統，其中該境特徵包括一人物，該對應資料影像為包括一商品的一廣告影像。
如請求項6所述之系統，其中該境特徵包括一人物，該對應資料影像為不同於該廣告影像的一商品選購影像。
如請求項5所述之系統，其中該處理器更用以執行儲存在該資料庫的一神經網路模型，以根據該環境影像產生該環境特徵。
如請求項5所述之系統，其中該環境特徵包括一職業資料、一年齡資料、以及一性別資料。
如請求項5所述之系統，其中該處理器更用以執行儲存在該資料庫的一神經網路模型，以根據該環境特徵，決定該顯示裝置顯示該對應資料影像的一時間長度。
一種具抗遮陰電路結構之太陽能模組，包含:<br/> 一基板，包含一第一區域與一第二區域；<br/> 一第一電能輸出模組，設置於該基板之該第一區域上，該第一電能輸出模組包含複數個第一電能輸出元件，該些個第一電能輸出元件之分布方式係對稱設置；<br/> 一第一子迴路，用以串聯該些個第一電能輸出元件；<br/> 一第二電能輸出模組，設置於該基板之該第二區域上，且，與該第一電能輸出模組係對稱設置，該第二電能輸出模組包含複數個第二電能輸出元件，該些個第二電能輸出元件之分布方式係對稱設置；<br/> 一第二子迴路，用以串聯該些個第二電能輸出元件；<br/> 一第三電能輸出模組，設置於該基板之該第一區域上，且，與該第一電能輸出模組相鄰設置，該第三電能輸出模組包含複數個第三電能輸出元件，該些個第三電能輸出元件之分布方式係對稱設置；<br/> 一第三子迴路，用以串聯該些個第三電能輸出元件；<br/> 一第四電能輸出模組，設置於該基板之該第二區域上，且，與該第三電能輸出模組係對稱設置，及與該第二電能輸出模組相鄰設置，該第四電能輸出模組包含複數個第四電能輸出元件，該些個第四電能輸出元件係對稱設置；<br/> 一第四子迴路，用以串聯該些個第四電能輸出元件；及<br/> 一旁通二極體，設置於該基板上，且，以並聯形式分別與該第一子迴路、該第二子迴路、該第三子迴路及該第四子迴路電性連接。
依據請求項1所述之具抗遮陰電路結構之太陽能模組，其中，該基板設有複數個分層，使該旁通二極體、該第一子迴路、該第二子迴路、該第三子迴路及該第四子迴路可選擇地自不同分層跨接至同一分層。
依據請求項1所述之具抗遮陰電路結構之太陽能模組，其中，該些個第三電能輸出元件其中之一第一部分與一第二部分係對稱且分離設置於該第一區域上，使該些個第一電能輸出元件位於該第一部分與該第二部分之間，以及該些個第四電能輸出元件其中之一第三部分與一第四部分係對稱且分離設置於該第二區域上，使該些個第二電能輸出元件位於該第三部分與該第四部分之間。
依據請求項3所述之具抗遮陰電路結構之太陽能模組，其中，該第三子迴路串接該些個第三電能輸出元件之該第一部分與該第二部分，使該第一子迴路位於該第三子迴路內側，且，該第四子迴路串接該些個第四電能輸出元件之該第三部分與該第四部分，使該第二子迴路位於該第四子迴路內側。
依據請求項1所述之具抗遮陰電路結構之太陽能模組，其中，該第一子迴路、該第二子迴路、該第三子迴路及該第四子迴路之數量總和為N，N為偶數且大於或等於4，以及該旁通二極體的數量小於N。
一種具抗遮陰電路結構之太陽能模組，包含:<br/> 一基板，包含一第一區域與一第二區域；<br/> 一第一電能輸出模組，設置於該基板之該第一區域上，該第一電能輸出模組包含複數個第一電能輸出元件，該些個第一電能輸出元件之分布方式係對稱設置；<br/> 一第一子迴路，用以串聯該些個第一電能輸出元件；<br/> 一第二電能輸出模組，設置於該基板之該第二區域上，且，與該第一電能輸出模組係對稱設置，該第二電能輸出模組包含複數個第二電能輸出元件，該些個第二電能輸出元件之分布方式係對稱設置；<br/> 一第二子迴路，用以串聯該些個第二電能輸出元件；<br/> 一第三電能輸出模組，設置於該基板之該第一區域上，且，與該第一電能輸出模組相鄰設置，該第三電能輸出模組包含複數個第三電能輸出元件，該些個第三電能輸出元件之分布方式係對稱設置；<br/> 一第三子迴路，用以串聯該些個第三電能輸出元件；<br/> 一第四電能輸出模組，設置於該基板之該第二區域上，且，與該第三電能輸出模組係對稱設置，及與該第二電能輸出模組相鄰設置，該第四電能輸出模組包含複數個第四電能輸出元件，該些個第四電能輸出元件係對稱設置；<br/> 一第四子迴路，用以串聯該些個第四電能輸出元件；<br/> 一第五電能輸出模組，設置於該基板之該第一區域上，與該第三電能輸出模組相鄰設置，該第五電能輸出模組包含複數個第五電能輸出元件，該些個第五電能輸出元件之分布方式係對稱設置；<br/> 一第五子迴路，用以串聯該些個第五電能輸出元件；<br/> 一第六電能輸出模組，設置於該基板之該第二區域上，且，與該第五電能輸出模組係對稱設置，及與該第四電能輸出模組相鄰設置，該第六電能輸出模組包含複數個第六電能輸出元件，該些個第六電能輸出元件係對稱設置；<br/> 一第六子迴路，用以串聯該些個第六電能輸出元件；及<br/> 一旁通二極體，設置於該基板上，且，以並聯形式分別與該第一子迴路、該第二子迴路、該第三子迴路、該第四子迴路、該第五子迴路及該第六子迴路電性連接。
依據請求項6所述之具抗遮陰電路結構之太陽能模組，其中，該基板設有複數個分層，使該旁通二極體、該第一子迴路、該第二子迴路、該第三子迴路、該第四子迴路、該第五子迴路及該第六子迴路可選擇地自不同分層跨接至同一分層。
依據請求項6所述之具抗遮陰電路結構之太陽能模組，其中，該些個第三電能輸出元件其中之一第一部分與一第二部分係對稱且分離設置於該第一區域上，使該些個第一電能輸出元件位於該第一部分與該第二部分之間，該些個第四電能輸出元件其中之一第三部分與一第四部分係對稱且分離設置於該第二區域上，使該些個第二電能輸出元件位於該第三部分與該第四部分之間，該些個第五電能輸出元件其中之一第五部分與一第六部分係對稱且分離設置於該第一區域上，使該些個第三電能輸出元件位於該第五部分與該第六部分之間，以及該些個第六電能輸出元件其中之一第七部分與一第八部分係對稱且分離設置於該第二區域上，使該些個第四電能輸出元件位於該第七部分與該第八部分之間。
依據請求項8所述之具抗遮陰電路結構之太陽能模組，其中，該第三子迴路串接該些個第三電能輸出元件之該第一部分與該第二部分，使該第一子迴路位於該第三子迴路內側，且，該第四子迴路串接該些個第四電能輸出元件之該第三部分與該第四部分，使該第二子迴路位於該第四子迴路內側，且，該第五子迴路串接該第五電能輸出元件之該第五部分與該第六部分，使該第三子迴路位於該第五子迴路內側，且，該第六子迴路串接該第六電能輸出元件之該第七部分與該第八部分，使該第四子迴路位於該第六子迴路內側。
依據請求項6所述之具抗遮陰電路結構之太陽能模組，其中，該第一子迴路、該第二子迴路、該第三子迴路、該第四子迴路、該第五子迴路及該第六子迴路之數量總和為N，N為偶數且大於或等於6，以及該旁通二極體的數量小於N。
一種可區域調光之雙模態液晶顯示器，包含有： <br/>一液晶顯示面板，具有一前側及一後側； <br/>一背光單元，係用以提供一直下式背光光源且設置在該液晶顯示面板之該後側，該背光單元包含有： <br/>一燈板，具有一出光面，該出光面係劃分有複數個區塊，在各該區塊內至少設置一第一發光件與一第二發光件，其中，該第一發光件係配置為在一第一顯示模式下朝向該液晶顯示面板提供一第一光線，該第二發光件係配置為在一第二顯示模式下朝向該液晶顯示面板提供一第二光線，該第二光線中的近紅外光線已濾除。
如請求項1所述可區域調光之雙模態液晶顯示器，其中： <br/>各該第一發光件是白光次毫米發光二極體(Mini LED)； <br/>各該第二發光件包含一白光次毫米發光二極體(Mini LED)及一濾光片，該濾光片用以濾除近紅外光。
如請求項1所述可區域調光之雙模態液晶顯示器，其中： <br/>各該第一發光件為一霓虹次毫米發光二極體(Mini LED)，包含有一藍光次毫米發光二極體(Mini LED)及塗佈在其表面的一氟化物(KSF)螢光層； <br/>各該第二發光件為一藍光次毫米發光二極體(Mini LED)。
如請求項1所述可區域調光之雙模態液晶顯示器，其中，該燈板的各該區塊包含有呈對角排列的至少一個該第一發光件及至少一個該第二發光件。
如請求項1所述可區域調光之雙模態液晶顯示器，其中，該燈板的各該區塊包含有沿著一第一對角線排列的複數個該第一發光件，及沿著一第二對角線排列的複數個該第二發光件。
如請求項1所述可區域調光之雙模態液晶顯示器，其中，該燈板的各該區塊內設置有： <br/>複數個該第一發光件，沿著一第一延伸方向直線對齊排列，且沿著一第二延伸方向直線對齊排列，該第一延伸方向與該第二延伸方向相垂直；且 <br/>複數個該第二發光件，沿著該第一延伸方向直線對齊排列，且沿著該第二延伸方向直線對齊排列。
如請求項6所述可區域調光之雙模態液晶顯示器，其中，該燈板的複數個該第一發光件及複數個該第二發光件係沿著該第一延伸方向交替分布。
如請求項6所述可區域調光之雙模態液晶顯示器，其中，該燈板的複數個該第一發光件及複數個該第二發光件係沿著該第二延伸方向交替分布。
如請求項1所述可區域調光之雙模態液晶顯示器，其中，在該燈板的各該區塊中以至少一個該第一發光件作為一中心發光件，在同一個區塊有複數個該第二發光件環繞在該中心發光件的周圍； <br/>相鄰的該區塊的涵蓋範圍係相互重疊。
如請求項1所述可區域調光之雙模態液晶顯示器，其中，在該燈板的各該區塊中以至少一個該第二發光件作為一中心發光件，在同一個區塊有複數個該第一發光件環繞在該中心發光件的周圍； <br/>相鄰的該區塊的涵蓋範圍係相互重疊。
如請求項1所述可區域調光之雙模態液晶顯示器，其中，該近紅外光線的波長為610nm~930nm。
如請求項1所述可區域調光之雙模態液晶顯示器，其中，該第一顯示模式為一白天模式，該第二顯示模式係一夜間模式。
一種外泌體及胞外囊泡製備暨純化系統，包含以封閉式流體管路依序連接的前處理澄清暨微濾模組、奈米純化模組、後處理去聚集暨定容模組及產物收集暨儲存模組，<br/> 其中，該奈米純化模組包括具有單一個進料口及二個滲透出口之奈米多孔膜濾室、設於該奈米多孔膜濾室之外部之振盪致動單元、與濃縮端形成回流之循環泵及回流迴路，並於該回流迴路上設有分歧元件以引出產品主幹至該後處理去聚集暨定容模組；該產物收集暨儲存模組包括具止回功能之密封導流止回單元及無菌收集容器，且該無菌收集容器的頂部設有透氣過濾器。
如請求項1所述之外泌體及胞外囊泡製備暨純化系統，其中該前處理澄清暨微濾模組包括依序連接的供料暨浸泡容器、剪切式均質單元、粗篩單元、澄清單元及前置微濾單元，且於該前置微濾單元下游設置有固定採樣口。
如請求項1所述之外泌體及胞外囊泡製備暨純化系統，其中該奈米純化模組之循環主幹自進料端至該奈米多孔膜濾室之入口依序設置流量感測元件及膜前壓力感測元件，且於該奈米多孔膜濾室之濃縮端回流線上設置有膜後壓力感測元件，以形成監測循環流量及跨膜壓之管線式量測配置。
如請求項1或3所述之外泌體及胞外囊泡製備暨純化系統，其中，該奈米多孔膜濾室內設晶片切換座以夾持及定位可更換之奈米多孔膜片，該晶片切換座以可在保持密封及對位一致之情況下快速更換不同的包含膜面積及流道間隙的幾何規格之膜片插入件的方式構成。
如請求項1之外泌體及胞外囊泡製備暨純化系統，其中該奈米多孔膜濾室之滲透端採雙側滲透排出，分別經該滲透出口導向獨立之廢液容器，且二個該滲透出口配置為同時排放或採單側排放且另一側密封之等效連線。
如請求項1之外泌體及胞外囊泡製備暨純化系統，其中該振盪致動單元之控制器以可於兩組振盪參數間切換的方式構成，其中一組振盪參數為較高頻小振幅以抑制濃差極化，另一組振盪參數為較低頻大振幅以促進近膜區顆粒之再懸浮，藉以在放行前改善近膜附著之囊泡回歸主流之狀態。
如請求項1之外泌體及胞外囊泡製備暨純化系統，其中該後處理去聚集暨定容模組包含：三通切換閥、緩衝液儲槽、定量泵及設於該三通切換閥的共同端之流量體積計，並且管線以使緩衝液可自該三通切換閥的側支管段匯入，沿與產品相同之流向推送，以進行前向沖洗並回收該主幹滯留體積，且於相同路徑下完成定容。
如請求項7之外泌體及胞外囊泡製備暨純化系統，其中該後處理去聚集暨定容模組於該三通切換閥的下游直管段設置位在該三通切換閥下方的固定採樣口，用以擷取放行前後及定容後之成品線樣品。
如請求項1之外泌體及胞外囊泡製備暨純化系統，其中該產物收集暨儲存模組之該密封導流止回單元設於流入無菌收集容器之前，且該透氣過濾器為僅用於排氣及無菌屏障而不參與液相微濾的過濾器。
如請求項1之外泌體及胞外囊泡製備暨純化系統，其中與產品接觸的部位使用SUS316L、PFA、PTFE或等級相當之材料，且各模組間之連線採無菌快速接頭或衛生級接頭形成封閉式流體管路，以降低暴露及二次汙染風險，並於奈米純化模組之產品分歧下游直管段設置固定採樣口作為奈米純化後的品保節點。
一種充電盒，其包括：<br/> 一第一殼體，該第一殼體具有一第一壁面；<br/> 一第二殼體，轉動連接於該第一殼體，該第二殼體具有可蓋合於該第一殼體且與該第一壁面接觸的一第二壁面，該第二壁面的內壁設置有一限位塊；<br/> 一卡接組件，活動設置於該第一殼體，該卡接組件具有一鎖定位置和一解鎖位置，該卡接組件包括一卡接桿；在該第二殼體蓋合於該第一殼體的狀態下，該卡接組件處於該鎖定位置，該卡接桿能夠止擋該限位塊，該卡接組件處於該解鎖位置時，該卡接桿與該限位塊脫離，其中，該卡接桿在該解鎖位置處與該第一壁面之間的距離大於該卡接桿在該鎖定位置處與該第一壁面之間的距離。
如請求項1所述的充電盒，其中，該卡接組件還包括一連桿結構，該連桿結構的一端轉動連接於該卡接桿，該連桿結構的另一端轉動連接於該第一殼體。
如請求項2所述的充電盒，其中，該連桿結構包括一第一連桿和一第二連桿，該第一連桿和該第二連桿間隔設置，該第一連桿的一端轉動連接於該第一殼體，該第一連桿的另一端轉動連接於該卡接桿的第一端，該第二連桿的一端轉動連接於該第一殼體，該第二連桿的另一端轉動連接於該卡接桿的第二端。
如請求項2所述的充電盒，其中，該充電盒還包括一驅動件，該驅動件的輸出端與該卡接組件連接，該驅動件用於帶動該卡接組件從該鎖定位置移動至該解鎖位置。
如請求項4所述的充電盒，其中，該驅動件包括一操作桿和一轉動套，該轉動套轉動連接於該卡接組件。
如請求項1所述的充電盒，其中，該第一殼體包括在朝向該第二殼體的端面上突出形成的一安裝座，該安裝座內設置有一容納腔，該卡接組件設置於該容納腔中並與該容納腔的側壁連接。
如請求項5所述的充電盒，其中，該第一殼體上設置有一凸台，該凸台上設置有一穿出孔，該操作桿從該穿出孔中伸出該第一殼體。
如請求項7所述的充電盒，其中，該第二壁面設置有一凹槽，在該第二殼體蓋合於該第一殼體的狀態下，該凸台插裝位於該凹槽中。
如請求項2所述的充電盒，其中，該卡接組件還包括一復位彈簧，該復位彈簧連接於該連桿結構和該第一殼體之間，且該卡接組件處於該解鎖位置時，該復位彈簧處於一拉伸狀態或一壓縮狀態。
如請求項3所述的充電盒，其中，該卡接組件還包括一復位彈簧，該復位彈簧連接於該第一連桿和該第二連桿之間，該卡接組件處於該解鎖位置時，該復位彈簧處於一拉伸狀態。
一種覆銅玻璃基板，包括:<br/> 一玻璃基板，其厚度為0.4mm~1.6mm；<br/> 一蝕刻薄層，係蝕刻成形在該玻璃基板的表面，該蝕刻薄層的粗糙度值(Ra)為0.1μm ~0.5μm，霧度值(Haze)為7~15%，彈性模數43 GPa以上，硬度小於8GPa，據以構成一蝕刻玻璃；以及<br/> 一銅箔層，係複合在該蝕刻玻璃之蝕刻薄層的表面，據以構成一覆銅玻璃基板(Copper Glass Core Substrate)。
如申請專利範圍第1項所述之覆銅玻璃基板，其中，該蝕刻薄層的密度為2.3~3.3g/cm<sup>3</sup><img align="absmiddle" height="14px" width="6px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>
如申請專利範圍第1項所述之覆銅玻璃基板，其中，該蝕刻薄層係包括成形在該玻璃基板的上、下表面，該銅箔層係分別複合在該蝕刻薄層的上、下表面。
如申請專利範圍第1項所述之覆銅玻璃基板，其中，該銅箔層包括以壓合、 PVD（物理氣相沉積）或CVD（化學氣相沉積）其中任一方式，複合在該蝕刻玻璃的表面。
如申請專利範圍第4項所述之覆銅玻璃基板，其中，該銅箔層包括以加工溫度200~450 °C複合在該蝕刻玻璃之蝕刻薄層的表面。
如申請專利範圍第1項所述之覆銅玻璃基板，其中，該玻璃基板為鋁矽酸玻璃、鈉鈣玻璃、藍寶石玻璃、超白玻璃及硼鋁矽無鹼玻璃其中任一所構成。
一種抬升裝置，用以抬升料件，其改良在於，所述抬升裝置包括:<br/> 基座，所述基座包括沿第一方向相對設置之第一表面與第二表面，所述第一表面被配置承載所述料件，所述基座設有沿所述第一方向貫通所述第一表面與所述第二表面之第一通孔;<br/> 抬升機構，所述抬升機構包括底座、聯動塊、頂針以及手柄，所述底座設置於所述第二表面一側，所述聯動塊沿所述第一方向可活動地設置於所述底座與所述第二表面之間，所述頂針固定於所述聯動塊且被配置為穿過所述第一通孔，所述手柄包括轉軸以及設置於所述轉軸兩側之輸入力臂與輸出力臂，所述轉軸轉動連接於所述底座，所述輸出力臂抵接所述聯動塊，所述輸入力臂凸伸出所述基座外側。
如請求項1所述之抬升裝置，其中，所述抬升裝置包括定位件所述定位件自所述第一表面沿所述第一方向向遠離所述基座之方向延伸，所述料件設有定位孔，所述定位件配置為穿過所述定位孔。
如請求項1所述之抬升裝置，其中，所述抬升裝置包括導向桿，所述導向桿自所述底座沿所述第一方向向所述基座延伸，所述聯動塊設有沿所述第一方向延伸之導向孔，所述導向桿穿過所述導向孔。
如請求項3所述之抬升裝置，其中，所述抬升裝置包括彈簧，所述彈簧套接於所述導向桿，所述彈簧沿所述第一方向將所述聯動塊向所述底座彈性抵持。
如請求項4所述之抬升裝置，其中，所述導向桿包括沿所述第一方向固定之延伸部與限位部，所述延伸部連接於所述底座與所述限位部之間，沿所述第一方向觀察，所述限位部之尺寸大於所述延伸部之尺寸，所述彈簧套接於所述延伸部，所述彈簧之兩端分別抵接於所述限位部與所述聯動塊。
如請求項1所述之抬升裝置，其中，所述聯動塊包括沿所述第一方向朝向所述底座之第一支撐面，所述第一支撐面設有第一凹部，所述輸出力臂之至少部分位於所述第一凹部中，所述輸出力臂抵接於所述第一凹部面向所述底座之底面。
如請求項1所述之抬升裝置，其中，所述底座包括沿所述第一方向朝向所述聯動塊之第二支撐面，所述第二支撐面設有第一凸部，所述第一凸部設有軸孔，所述軸孔之軸線垂直於所述第一方向，所述轉軸穿過所述軸孔。
如請求項7所述之抬升裝置，其中，所述輸出力臂包括沿所述轉軸之軸向間隔設置兩個子力臂，所述第一凸部位於兩個所述子力臂之間，兩個所述子力臂分別抵接所述聯動塊。
如請求項7所述之抬升裝置，其中，所述第二支撐面設有避讓槽，沿所述第一方向，所述輸入力臂之投影與所述避讓槽之投影有重疊。
如請求項1所述之抬升裝置，其中，所述抬升裝置包括固定板與支架，所述底座固定於所述固定板，所述支架位於所述底座一側且沿所述第一方向固定於所述基座與所述固定板之間。
一種遙控裝置，用以控制一第一線性推桿馬達或一第二線性推桿馬達，其中該第一線性推桿馬達包括可伸縮之一第一內桿與一第一外桿環繞該第一內桿，且其中該第二線性推桿馬達包括可伸縮之一第二內桿與一第二外桿環繞該第二內桿，該遙控裝置包括一正轉按鍵及一反轉按鍵彼此並排，其中該正轉按鍵被第一次按下後，該第一線性推桿馬達及該第二線性推桿馬達會伸長該第一內桿及第二內桿，並驅動一車體板。
如請求項1所述之遙控裝置，其中若該反轉按鍵被按下，該第一線性推桿馬達及該第二線性推桿馬達會停止伸長該第一內桿及該第二內桿，並停止驅動該車體板。
如請求項1所述之遙控裝置，其中該第一線性推桿馬達驅動該車體板時產生一訊號，且其中該訊號的變化量被一控制裝置監控，且其中該訊號的變化量超過一預設門檻時，該控制裝置可使該第一線性推桿馬達及該第二線性推桿馬達停止驅動該車體板，此時即使該遙控裝置的該正轉按鍵再度被按下，該第一線性推桿馬達及該第二線性推桿馬達不會伸長該第一內桿及第二內桿，也不會驅動該車體板。
如請求項3所述之遙控裝置，其中該遙控裝置的該反轉按鍵被按下，該第一線性推桿馬達及該第二線性推桿馬達會縮短該第一內桿及第二內桿，並驅動該車體板。
一種遙控裝置，用以控制一第一線性推桿馬達或一第二線性推桿馬達，其中該第一線性推桿馬達包括可伸縮之一第一內桿與一第一外桿環繞該第一內桿，且其中該第二線性推桿馬達包括可伸縮之一第二內桿與一第二外桿環繞該第二內桿，該遙控裝置包括一正轉按鍵及一反轉按鍵彼此並排，其中該反轉按鍵被第一次按下後，該第一線性推桿馬達及該第二線性推桿馬達會縮短該第一內桿及第二內桿，並驅動一車體板。
如請求項5所述之遙控裝置，其中若該正轉按鍵被按下，該第一線性推桿馬達及該第二線性推桿馬達會停止縮短該第一內桿及該第二內桿，並停止驅動該車體板。
如請求項5所述之遙控裝置，其中該第一線性推桿馬達驅動該車體板時產生一訊號，且其中該訊號的變化量被一控制裝置監控，且其中該訊號的該變化量超過一預設門檻時，該控制裝置會使該第一線性推桿馬達及該第二線性推桿馬達停止驅動該車體板，此時即使該遙控裝置的該反轉按鍵再度被按下，該第一線性推桿馬達及該第二線性推桿馬達不會縮短該第一內桿及第二內桿，也不會驅動該車體板。
如請求項7所述之遙控裝置，其中該遙控裝置的該正轉按鍵被按下，該第一線性推桿馬達及該第二線性推桿馬達會伸長該第一內桿及第二內桿，並驅動該車體板。
如請求項3所述之遙控裝置，其中該第一線性推桿馬達具有一第一驅動速度，且其中該第二線性推桿馬達具有一第二驅動速度。
如請求項9所述之遙控裝置，其中該控制裝置可更包括一穩流模組，連接於該第一線性推桿馬達及該第二線性推桿馬達，用以協調該第一驅動速度及該第二驅動速度，使該車體板保持平衡。
一種自動倉儲結構，包含有：<br/> 一倉儲主體，具有一升降空間、一存料空間及一取料空間；該存料空間與該取料空間分別連通於該升降空間；<br/> 至少一移載盤，設於該倉儲主體，用以放置至少一物料；<br/> 一升降裝置，以可升降的方式設於該倉儲主體之該升降空間，用以將該移載盤升降至一預定高度；<br/> 一水平位移裝置，設於該倉儲主體之該升降空間，用以將該移載盤於該存料空間與該升降空間之間水平移動，或將該移載盤於該升降空間與該取料空間之間水平移動；以及<br/> 一控制裝置，具有一處理模組電性連接於該升降裝置及該水平位移裝置，用以控制該升降裝置與該水平位移裝置移動該移載盤至對應位置。
如請求項1所述之自動倉儲結構，其中該升降空間與該取料空間之間具有一取料口；該倉儲主體更包含有一閘門，用以受控制而於一關閉位置與一開啟位置之間移動；當該閘門移動至該關閉位置時，該閘門阻隔該取料口，使該取料空間不連通於該升降空間；當該閘門移動至該開啟位置時，該閘門離開該取料口，使取料空間與該升降空間相連通。
如請求項1所述之自動倉儲結構，其中該升降裝置包含有一升降載台及一升降驅動單元；該升降載台以可活動的方式設於該倉儲主體之該升降空間中，用以受該升降驅動單元驅動而沿一垂直方向上下移動。
如請求項3所述之自動倉儲結構，其中該升降載台具有二側架，分別設於該倉儲主體之左右二側；及二支撐桿以相隔一預定距離的方式設於該二側架之間，兩端分別連接於該二側架。
如請求項4所述之自動倉儲結構，其中該水平位移裝置設於該升降載台之其中一該側架，並隨該升降載台同步升降。
如請求項1所述之自動倉儲結構，其中該存料空間設有複數個沿一垂直方向排列之料架，用以供容置該移載盤。
如請求項1所述之自動倉儲結構，其中該倉儲主體具有二該存料空間，分別設於該升降空間之前後二側，並沿垂直方向延伸。
如請求項1所述之自動倉儲結構，更包含有一高度感測裝置，具有至少一高度感測器設於該倉儲主體之該升降空間，用以感測該移載盤中之各該物料之高度，並據以產生一高度資料。
如請求項1所述之自動倉儲結構，更包含有一雷射指引裝置，設於該倉儲主體之該取料空間，具有一雷射指引模組用以受控制而發出一雷射光至該取料空間中之該移載盤之一對應物料的位置。
如請求項1所述之自動倉儲結構，其中該控制裝置具有一顯示模組設於該倉儲主體之一側並電性連接於該處理模組，用以供操作而發出一取料指令、一找料指令和/或一存料指令至該處理模組。
一種自動倉儲結構之高度感測裝置，包含有：<br/> 一倉儲主體，具有一升降空間、一存料空間及一取料空間；該存料空間與該取料空間分別連通於該升降空間；該存料空間具有複數個料架，用以放置至少一移載盤； <br/> 一高度感測裝置，具有一高度感測器設於該倉儲主體之該升降空間，用以感測位於該升降空間中之一移載盤中之各物料之高度，據以產生一高度資料；以及一料架分配模組通訊連接於該高度感測器，用以接收該高度感測器產生之該高度資料，並與該存料空間中尚未使用之各該料架之高度進行比對，進而將該移載盤分配至具有足夠高度的該料架中存放。
如請求項1所述之自動倉儲結構之高度感測裝置，其中該升降空間與該取料空間之間具有一取料口；該倉儲主體更包含有一閘門，用以受控制而於一關閉位置與一開啟位置之間移動；當該閘門移動至該關閉位置時，該閘門阻隔該取料口，使該取料空間不連通於該升降空間；當該閘門移動至該開啟位置時，該閘門離開該取料口，使取料空間與該升降空間相連通；其中該高度感測器設於該閘門之一側。
如請求項2所述之自動倉儲結構之高度感測裝置， 其中該高度感測器概呈棒狀，並沿一平行於該閘門之方向延伸。
如請求項2所述之自動倉儲結構之高度感測裝置，其中該高度感測器之長度不大於該閘門之高度。
如請求項1所述之自動倉儲結構之高度感測裝置，其中該高度感測裝置具有二該高度感測器，分別設於該升降空間之相對二側。
一種自動倉儲結構之雷射指引裝置，包含有：<br/> 一倉儲主體，具有一取料空間，用以放置一移載盤供使用者進行取料； 以及<br/> 一雷射指引裝置，具有一雷射指引模組設於該倉儲主體之該取料空間；用以受控制而發出一雷射光至該取料空間中之該移載盤上之一對應物料的位置。
如請求項1所述之自動倉儲結構之雷射指引裝置，其中該雷射指引裝置具有一影像擷取模組，用以擷取該取料空間中之該移載盤上的各該物料之複數個影像資料。
如請求項2所述之自動倉儲結構之雷射指引裝置，其中該雷射指引裝置更具有一物料辨識模組，通訊連接於該影像擷取模組，用以接收該影像擷取模組產生之該影像資料並透過影像辨識技術以辨識各該物料之種類、數量和/或位置，據以產生一物料位置資料。
如請求項3所述之自動倉儲結構之雷射指引裝置，更包含有一控制裝置，具有一處理模組及一顯示模組；該處理模組電性連接於該雷射指引裝置及該顯示模組；該顯示模組用以供操作而發出一找料指令，使該處理模組根據該物料辨識模組產生之該物料位置資料，驅動該雷射指引模組發射雷射光至該移載盤上之該對應物料的位置。
如請求項1所述之自動倉儲結構之雷射指引裝置，其中該雷射指引裝置更包含有一活動軌道及一活動座；該活動軌道設於該取料空間上方，並沿一水平方向延伸；該活動座以可活動的方式設於該活動軌道，且該雷射指引模組設置於該活動座上。
一種細胞培養容器，其包含有：<br/> 一容器部，其包含有：<br/> 一第一容器壁；<br/> 一第二容器壁，其係與該第一容器壁相對設置；以及<br/> 複數個連接壁，其係連接於該第一容器壁與該第二容器壁；<br/> 一傾斜頸部，該傾斜頸部之一縱軸係以一預設角度傾斜於該容器部之一縱軸；<br/> 一過渡部，其係連接於該容器部與該傾斜頸部，該過渡部包含有：<br/> 一第一過渡壁，其係連接於該第一容器壁；<br/> 一第二過渡壁，其係連接於該第二容器壁；以及<br/> 至少一第三過渡壁，其係連接於該第一過渡壁與該第二過渡壁；<br/> 至少一入口埠，其係設置於該第一容器壁或該第一過渡壁；以及<br/> 至少一出口埠，其係設置於該複數個連接壁的其中一者或該第二過渡壁。
如請求項1所述之細胞培養容器，其中該至少一入口埠係設置於該第一容器壁，且該至少一出口埠係設置於該複數個連接壁的該其中一者。
如請求項1所述之細胞培養容器，其中該至少一入口埠係設置於該第一過渡壁，且該至少一出口埠係設置於該複數個連接壁的該其中一者。
如請求項2至3其中任一項所述之細胞培養容器，其中該複數個連接壁的該其中一者形成有至少一導引結構，該至少一導引結構係鄰近於該至少一出口埠且用以導引液體流向該至少一出口埠。
如請求項4所述之細胞培養容器，其中該至少一導引結構為一漏斗狀結構。
如請求項1所述之細胞培養容器，其中該至少一入口埠係設置於該第一過渡壁，且該至少一出口埠係設置於該第二過渡壁。
如請求項1所述之細胞培養容器，其中該至少一入口埠係設置於該第一容器壁，且該至少一出口埠係設置於該第二過渡壁。
如請求項6至7其中任一項所述之細胞培養容器，其中該第二過渡壁形成有至少一導引結構，該至少一導引結構係鄰近於該至少一出口埠且用以導引液體流向該至少一出口埠。
如請求項8所述之細胞培養容器，其中該至少一導引結構為一漏斗狀結構。
如請求項1所述之細胞培養容器，其中當該細胞培養容器呈一水平狀態時，該第二容器壁接觸於一支撐面。
如請求項10所述之細胞培養容器，其中當該細胞培養容器呈該水平狀態時，該至少一入口埠沿一垂直方向之一投影落於該第二容器壁之一周緣輪廓之外。
如請求項10所述之細胞培養容器，其中該第二過渡壁包含有相對於該第二容器壁傾斜之一傾斜段，當該細胞培養容器呈該水平狀態時，該至少一入口埠沿一垂直方向之一投影落於該第二過渡壁之該傾斜段之一周緣輪廓之內。
如請求項10所述之細胞培養容器，其中該第二過渡壁包含有自該第二容器壁平行延伸之一延伸段，當該細胞培養容器呈該水平狀態時，該至少一入口埠沿一垂直方向之一投影落於該第二容器壁之一周緣輪廓或該第二過渡壁之該延伸段之一周緣輪廓之內或落於該第二容器壁之該周緣輪廓與該第二過渡壁之該延伸段之該周緣輪廓的一交界處。
如請求項1所述之細胞培養容器，其中該過渡部之一橫截面積係由該容器部朝該傾斜頸部之一方向逐漸縮減。
一種細胞培養總成，其包含有：<br/> 一細胞培養容器，其包含有：<br/> 一容器部，其包含有：<br/> 一第一容器壁；<br/> 一第二容器壁，其係與該第一容器壁相對設置；以及<br/> 複數個連接壁，其係連接於該第一容器壁與該第二容器壁；<br/> 一傾斜頸部，該傾斜頸部之一縱軸係以一預設角度傾斜於該容器部之一縱軸；<br/> 一過渡部，其係連接於該容器部與該傾斜頸部，該過渡部包含有：<br/> 一第一過渡壁，其係連接於該第一容器壁；<br/> 一第二過渡壁，其係連接於該第二容器壁；以及<br/> 至少一第三過渡壁，其係連接於該第一過渡壁與該第二過渡壁；<br/> 至少一入口埠，其係設置於該第一容器壁或該第一過渡壁；以及<br/> 至少一出口埠，其係設置於該複數個連接壁的其中一者或該第二過渡壁； <br/> 至少一入口管，其係連接於該至少一入口埠；以及<br/> 至少一出口管，其係連接於該至少一出口埠。
一種分度裝置，其改良在於，所述分度裝置包括:<br/> 支撐件，所述支撐件具有沿第一方向延伸之軸線，所述支撐件設有第一凹部所述第一凹部自內而外包括垂直於所述第一方向之底面、自所述底面之邊緣延伸之第一內周面、自所述第一內周面之邊緣延伸且垂直於所述第一方向之環形承載面、以及自所述承載面之外周緣延伸之第二內周面，所述第二內周面凸設有限位齒塊;<br/> 分度盤，所述分度盤包括垂直於所述第一方向之環形第一抵接面、自所述第一抵接面之外周緣延伸之第一外周面、以及自所述第一抵接面之內周緣延伸之第二外周面，沿所述第一方向，所述第一抵接面之正投影與所述承載面之正投影重疊，所述第一外周面被配置為設於所述第二內周面圍設形成之空間內，所述第二外周面設於所述第一內周面圍設形成之空間內，所述第一外周面設有繞所述軸線等間距排列之齒槽，所述限位齒塊被配置為卡持於所述齒槽，所述第二外周面設有環形鎖止槽;<br/> 頂升機構，所述頂升機構設於所述分度盤與所述底面之間，所述頂升機構沿所述第一方向將所述分度盤向遠離所述底面之方向彈性抵持;<br/> 鎖止機構，所述鎖止機構包括鎖止銷，所述鎖止銷沿所述軸線之徑向可活動地連接於所述支撐件，所述鎖止銷包括第一端部與第二端部，所述第一端部位於所述第一內周面圍設形成之空間內且被配置為卡持於所述鎖止槽，所述第二端部位於所述支撐件之外側。
如請求項1所述之分度裝置，其中，所述鎖止機構包括第一彈簧，所述第一彈簧彈性抵持於所述鎖止銷與所述支撐件之間，所述第一彈簧將所述鎖止銷向所述第二外周面之方向彈性抵持。
如請求項1所述之分度裝置，其中，所述鎖止槽包括沿所述第一方向間隔設置之第一壁與第二壁;<br/> 所述第一端部包括繞所述軸線之徑向設置之第三外周面，沿所述第一方向，所述第三外周面之兩側被配置分別抵接所述第一壁與第二壁。
如請求項3所述之分度裝置，其中，所述第一端部包括自所述第三外周面遠離所述第二端部之邊緣延伸之倒角面。
如請求項1所述之分度裝置，其中，複數所述鎖止銷繞所述軸線等間距排列。
如請求項1所述之分度裝置，其中，所述底面設有通孔;<br/> 所述頂升機構包括軸體、第一限位部、第二限位部與第二彈簧，所述軸體沿所述第一方向穿過所述通孔，所述軸體靠近所述分度盤之一端連接所述第一限位部，所述軸體遠離所述分度盤之一端連接所述第二限位部，沿所述軸線之徑向，所述第一限位部之尺寸與所述第二限位部之尺寸均大於所述通孔之孔徑，所述第二彈簧套接於所述軸體之周側，所述第二彈簧彈性抵持於所述第一限位部與所述底面之間，所述第一限位部抵接所述分度盤。
如請求項6所述之分度裝置，其中，所述底面設有朝向所述分度盤凹陷之第二凹部，所述通孔設於所述第二凹部沿所述第一方向靠近所述分度盤之一側，所述第二限位部沿所述第一方向可活動地設於所述第二凹部形成之空間內。
如請求項6所述之分度裝置，其中，所述分度盤包括垂直於所述第一方向之第二抵接面、以及自所述第二抵接面之邊緣延伸之第三內周面，所述第三內周面與所述第二外周面相對設置且位於所述第二外周面之內側，所述第一限位部抵接於所述第二抵接面。
如請求項1所述之分度裝置，其中，所述第二外周面與所述第一內周面接觸連接。
如請求項1所述之分度裝置，其中，複數所述限位齒塊繞所述軸線等間距排列。
一種分度裝置，其改良在於，所述分度裝置包括:<br/> 支撐件，所述支撐件具有沿第一方向延伸之軸線，所述支撐件設有第一凹部，所述第一凹部包括自內而外包括垂直於所述第一方向之底面、自所述底面之邊緣延伸之第一內周面、自所述第一內周面之邊緣延伸且垂直於第一方向之環形承載面、以及自所述承載面之外周緣延伸之第二內周面，所述第二內周面凸設有限位齒塊;<br/> 分度盤，所述分度盤包括垂直於所述第一方向之環形第一抵接面、自所述第一抵接面之外周緣延伸之第一外周面、以及自所述第一抵接面之內周緣延伸之第二外周面，沿所述第一方向，所述第一抵接面之正投影與所述承載面之正投影重疊，所述第一外周面被配置為設於所述第二內周面圍設形成之空間內，所述第二外周面設於所述第一內周面圍設形成之空間內，所述第一外周面設有繞所述軸線等間距排列之齒槽，所述限位齒塊被配置為卡持於所述齒槽;<br/> 頂升機構，所述頂升機構沿所述第一方向可活動地穿設於所述底面，所述頂升機構之第一端沿所述第一方向將所述分度盤向遠離所述底面之方向彈性抵持，所述頂升機構之第二端自所述支撐件遠離所述分度盤之一側顯露;<br/> 磁性機構，所述磁性機構包括第一磁性件與第二磁性件，所述第一磁性件設於所述承載面，所述第二磁性件設於所述第一抵接面，所述第一磁性件與所述第二磁性件之異名磁極沿所述第一方向相對設置且相互吸引;<br/> 驅動機構，所述驅動機構設於所述支撐件遠離所述分度盤之一側，所述驅動機構包括翹桿，所述翹桿抵接於所述頂升機構之第二端。
如請求項1所述之分度裝置，其中，複數所述第一磁性件繞所述軸線等間距排列，複數所述第二磁性件繞所述軸線等間距排列。
如請求項1所述之分度裝置，其中，所述底面設有通孔;<br/> 所述頂升機構包括軸體、第一限位部、第二限位部與彈簧，所述軸體沿所述第一方向穿過所述通孔，所述軸體靠近所述分度盤之一端連接所述第一限位部，所述軸體遠離所述分度盤之一端連接所述第二限位部，沿所述軸線之徑向，所述第一限位部之尺寸與所述第二限位部之尺寸均大於所述通孔之孔徑，所述彈簧套接於所述軸體之周側，所述彈簧彈性抵持於所述第一限位部與所述底面之間，所述第一限位部為所述頂升機構之第一端，所述第二限位部為所述頂升機構之第二端。
如請求項3所述之分度裝置，其中，所述底面設有朝向所述分度盤凹陷之第二凹部，所述通孔設於所述第二凹部沿所述第一方向靠近所述分度盤之一側，所述第二限位部沿所述第一方向可活動地設於所述第二凹部形成之空間內。
如請求項1所述之分度裝置，其中，所述驅動機構包括底座，所述底座固定於所述支撐件遠離所述分度盤之一側，所述翹桿鉸接於所述底座，所述翹桿之一端抵接於所述頂升機構之第二端，所述翹桿之另一端伸出所述底座之外側。
如請求項5所述之分度裝置，其中，所述驅動機構包括轉軸，所述底座設有安裝槽，所述安裝槽包括面向所述頂升機構之第二端之第一開口，以及沿所述軸線之徑向連通所述底座之外側之第二開口，所述翹桿包括位於所述安裝槽中之第一部、以及自所述第二開口伸出之第二部，所述轉軸穿過所述第一部且固定於所述底座，所述第一部自所述第一開口抵接於所述頂升機構之第二端。
如請求項6所述之分度裝置，其中，所述第一部面向所述頂升機構一側設有外凸之弧形面，所述弧形面抵接於所述頂升機構之第二端。
如請求項1所述之分度裝置，其中，所述分度盤包括垂直於所述第一方向之第二抵接面、以及自所述第二抵接面之邊緣延伸之第三內周面，所述第三內周面與所述第二外周面相對設置且位於所述第二外周面之內側，所述頂升機構之第一端抵接於所述第二抵接面。
如請求項1所述之分度裝置，其中，所述第二外周面與所述第一內周面接觸連接。
如請求項1所述之分度裝置，其中，複數所述限位齒塊繞所述軸線間隔排列。
一種拆解裝置，用於拆解產品，其改良在於，包括：<br/> 主體件，設有第一開口與第二開口，所述主體件內設有第一通道，所述第一通道連通所述第一開口與所述第二開口；<br/> 嵌入件，設於所述第一開口，所述嵌入件設有第二通道，所述第二通道連通所述第一通道，所述嵌入件之端部設有引導槽，所述引導槽連通所述第二通道，所述嵌入件之端部具有彈性；<br/> 儲液件，包括儲液部與壓力部，所述儲液部設於所述第二開口，並連通所述第一通道，所述壓力部連接所述儲液部，用於控制所述儲液部內液體之出液量。
如請求項1所述之拆解裝置，其中，所述嵌入件包括第一區段與連接所述第一區段之第二區段，所述第二區段設於所述第一開口，所述第一區段設有第一弧形面、第二弧形面與傾斜面，所述傾斜面連接所述第一弧形面與所述第二弧形面，並形成刃口，所述引導槽設於所述第一弧形面與所述傾斜面，沿垂直於所述嵌入件之長度方向，所述第一弧形面與所述第二弧形面相對設置。
如請求項2所述之拆解裝置，其中，所述第一弧形面向內凹陷形成，所述第二弧形面向外凸出形成，沿所述嵌入件之長度方向，所述第一區段之厚度從所述刃口朝向所述第二區段逐漸增大設置。
如請求項2所述之拆解裝置，其中，沿所述嵌入件之長度方向，所述引導槽之延伸方向與所述第二通道之延伸方向對齊。
如請求項2所述之拆解裝置，其中，所述第一區段設有緩衝層，所述緩衝層之邵氏硬度30A～50A。
如請求項2所述之拆解裝置，其中，所述壓力部包括連接桿與施壓部，所述連接桿連接所述儲液部，所述施壓部連接所述連接桿，所述施壓部朝向所述第一區段傾斜設置。
如請求項6所述之拆解裝置，其中，所述壓力部包括密封件，所述密封件連接所述連接桿伸入所述儲液部之一端，所述連接桿旋轉或滑動連接所述儲液部。
如請求項1所述之拆解裝置，其中，所述嵌入件可拆卸連接所述主體件；與/或，所述儲液部可拆卸連接所述主體件。
如請求項1所述之拆解裝置，其中，所述主體件之至少部分設有防滑層。
如請求項1所述之拆解裝置，其中，所述主體件設有觀察窗，所述第一通道內之液位顯露於所述觀察窗。
一種吸嘴組件，其改良在於，包括： 吸嘴本體，所述吸嘴本體設有氣流通道，所述吸嘴本體用於與移動機構連接；<br/> 吸附頭，所述吸附頭設置於所述吸嘴本體的一端，所述吸附頭與所述氣流通道連通，所述吸附頭用於與一工件表面形成吸附；<br/> 反光件，所述反光件設置於所述吸附頭周邊，用於在所述吸附頭靠近所述工件時反射光線至所述工件，以便相機獲取所述工件的圖像。
如請求項1所述的吸嘴組件，其中，所述吸嘴組件還包括內部發光件，所述內部發光件設於所述吸附頭，所述內部發光件用於反射光線至所述工件。
如請求項1所述的吸嘴組件，其中，所述吸嘴組件還包括安裝基座，所述吸嘴本體包括第一部分及連接所述第一部分的第二部分，所述安裝基座設於所述第一部分，所述安裝基座用於連接所述移動機構，所述第二部分遠離所述第一部分的一端連接所述吸附頭。
如請求項1所述的吸嘴組件，其中，所述反光件為環形結構，所述反光件環繞所述吸附頭的開口設置。
如請求項1所述的吸嘴組件，其中，所述吸附頭的開口處一側凸出形成有限位板，所述限位板用於抵持所述工件的一側。
如請求項1所述的吸嘴組件，其中，所述反光件包括鍍鋁膜或微棱鏡結構的反射膜。
一種吸取裝置，其改良在於，包括機台、定位組件、移動機構、外部發光件以及如請求項1至6中任意一項所述的吸嘴組件，所述定位組件、所述移動機構以及所述外部發光件均設於所述機台，所述吸嘴組件設於所述移動機構，所述移動機構電性連接所述定位組件，所述外部發光件用於發射可見光至所述反光件，所述定位組件用於定位所述工件的位置，所述移動機構用於驅動所述吸嘴組件實現三維運動。
如請求項7所述的吸取裝置，其中，所述定位組件包括相機和影像處理單元，所述相機用於拍攝所述工件的圖像，所述影像處理單元用於對所述圖像進行處理，以確定所述工件在三維空間中的位置訊息。
如請求項7所述的吸取裝置，其中，所述移動機構包括機械臂或三軸平臺中的一種，所述移動機構用於根據所述位置訊息帶動所述工件移動。
如請求項7所述的吸取裝置，其中，所述吸取裝置還包括活動限位組件，所述活動限位件包括限位主體及連接所述限位主體的限位頭，所述限位主體遠離所述限位頭的一端連接所述移動機構，所述限位頭可活動地穿設所述吸嘴本體，所述限位頭用於與所述吸附頭相配合而夾持所述工件。
一種旋動式電連接器，係包括有一座體、一旋動件及一端子組，其中：<br/> 該座體係設有供一預設電連接器插置之對接空間，並於該對接空間前端形成有一對接部，再於該座體內鄰近該對接部側設有複數端子槽，且該座體後側由頂部向下凹設有作動空間，且該作動空間二側各相對形成有一側板；<br/> 該旋動件係組裝於該座體的該作動空間內，並且該旋動件朝向該些端子槽一側設有各別對應該些端子槽內組裝呈橫向排列的複數旋動部，並於各該旋動部之間連接有旋動軸部；<br/> 該端子組係設有穿設於該座體之各該端子槽內的複數端子，而各該端子係設有一固定臂並於該固定臂遠離該對接部一側向上延伸有一支點部，再於該支點部頂部水平延伸有一擺動臂，且該固定臂底部末端延伸有遠離該對接部的一焊接部，其中，該旋動件之該旋動軸部可於扳動成水平狀時產生向下加壓力，強化於該預設電連接器插接後的穩固性，並結合較小尺寸之該座體形成橫向與垂直的雙重鎖定。
如請求項1所述之旋動式電連接器，其中該座體之大小寬及度間距會依對應之該 PIN 數而呈線性變化，其中該座體的該對接空間內之寬度間距係為C+0.10mm到C-0.10mm之間，該側板二側的寬度間距係為B+0.15mm到B-0.15mm之間，而該些端子槽最外二側之間的寬度間距係為A+0.08mm到A-0.08mm之間。
如請求項2所述之旋動式電連接器，其中該PIN數的線性變化係為4 時，A值為1.50mm、 B值為4.00mm、 C值為2.66mm，PIN數為5 時，A值為2.00mm、 B值為4.50mm、 C值為3.16mm，PIN數為6 時，A值為2.50mm、 B值為5.00mm、 C值為3.66mm，PIN數為7 時，A值為3.00mm、 B值為5.50mm、 C值為4.16mm，PIN數為8 時，A值為3.50mm、 B值為6.00mm、 C值為4.66mm，PIN數為9 時，A值為4.00mm、 B值為6.50mm、 C值為5.16mm，PIN數為10 時，A值為4.50mm、 B值為7.00mm、 C值為5.66mm，PIN數為11 時，A值為5.00mm、 B值為7.50mm、 C值為6.16mm，PIN數為12 時，A值為5.50mm、 B值為8.00mm、 C值為6.66mm，PIN數為13 時，A值為6.00mm、 B值為8.50mm、 C值為7.16mm，PIN數為14 時，A值為6.50mm、 B值為9.00mm、 C值為7.66mm，PIN數為15 時，A值為7.00mm、 B值為9.50mm、 C值為8.16mm，PIN數為16 時，A值為7.50mm、 B值為10.00mm、 C值為8.66mm，PIN數為17 時，A值為8.00mm、 B值為10.50mm、 C值為9.16mm，PIN數為18 時，A值為8.50mm、 B值為11.00mm、 C值為9.66mm，PIN數為19 時，A值為9.00mm、 B值為11.50mm、 C值為10.16mm，PIN數為20 時，A值為9.50mm、 B值為12.00mm、 C值為10.66mm，PIN數為21 時，A值為10.00mm、 B值為12.50mm、 C值為11.16mm，PIN數為22 時，A值為10.50mm、 B值為13.00mm、 C值為11.66mm，PIN數為23 時，A值為11.00mm、 B值為13.50mm、 C值為12.16mm，PIN數為24 時，A值為11.50mm、 B值為14.00mm、 C值為12.66mm，PIN數為25 時，A值為12.00mm、 B值為14.50mm、 C值為13.16mm，PIN數為26 時，A值為12.50mm、 B值為15.00mm、 C值為13.66mm，PIN數為27 時，A值為13.00mm、 B值為15.50mm、 C值為14.16mm，PIN數為28 時，A值為13.50mm、 B值為16.00mm、 C值為14.66mm，PIN數為29 時，A值為14.00mm、 B值為16.50mm、 C值為15.16mm，PIN數為30 時，A值為14.50mm、 B值為17.00mm、 C值為15.66mm。
如請求項1所述之旋動式電連接器，其中該座體內為尺寸最小化而其該些端子槽之間的寬度間距係各為0.55mm到0.45mm之間，而各該端子的寬度間距係各為0.18mm到0.12mm之間，並且該座體側面頂部之寬度間距係為2.3mm，而該座體側面底部之寬度間距係為2.25mm，而各該端子之該焊接部底側的寬度間距係為0.35mm。
如請求項1所述之旋動式電連接器，其中該旋動件於該座體上的旋動角度係為92度。
如請求項1所述之旋動式電連接器，其中該座體後側表面設有朝該對接部方向凹陷的收納槽，並於該對接空間朝該對接部方向的內壁面處具有擋止部，且該作動空間於該擋止部之表面具有一擋止面，而該擋止面於該二側板後方鄰近該對接部處係各朝該座體前側設有一扣槽，而該旋動件二相對側邊表面分別遠離該旋動軸部方向朝外部凸設有組裝於該扣槽內之一扣合塊。
如請求項1所述之旋動式電連接器，其中該座體於該作動空間二側各相對形成之該二側板內側各形成有一容置槽，再於各該側板內部向後分別設有與該容置槽連通之連接槽，而各該連接槽係於前側邊緣分別向下設有開口。
如請求項7所述之旋動式電連接器，其中該端子組係設有組裝於該座體的該二連接槽內之二定位端子，且該二定位端子係設有一基部，並且該基部向外水平延伸有一定位臂，在於該定位臂一側表面近末端處分別設有一尖刺部，而該基部底部分別朝基部一側邊方向形成有呈彎曲水平延伸之一接合部，且各該定位端子的該接合部側面底部的寬度間距係為0.80 mm。
如請求項1所述之旋動式電連接器，其中該座體的該對接部的該些端子槽上方係設有各別對應該些端子槽位置呈橫向排列之貫通狀的複數容納槽，而各該端子之該擺動臂的自由端末端分別朝上斜向設置有對應該些容納槽的端部，以及各該端部朝外部水平延伸有伸入該些容納槽內之一延伸部，且各該端部內側與各該擺動臂表面銜接處形成有一缺口。
如請求項1所述之旋動式電連接器，其中該對接部處並於該對接空間內側設有橫向排列呈傾斜狀之複數導引面。
如請求項1所述之旋動式電連接器，其中該旋動軸部相對向外水平延伸有對位軸部，再於各該旋動部之間分別向外凸設有呈平坦狀之複數抵持面，並且該旋動件平行於各該旋動部方向一側邊緣處形成有一弧面，再於各該抵持面一側表面並位於該旋動件二側邊靠近該旋動軸部位置處分別朝各該抵持面方向凸設有一限位凸塊。
如請求項1所述之旋動式電連接器，其中該固定臂之自由端的內側表面分別朝該擺動臂方向凸設有一接觸凸部，且該接觸凸部係銜接於該固定臂之自由端末端的表面處形成有導面，並且各該固定臂內側表面鄰近該支點部位置處分別設有呈凸出尖刺狀之一尖部。
一種貓抓板定位裝置，包括：<br/> 複數定位組件，分別組設於一貓抓板，各該定位組件包含有一連結件與一吸盤，該連結件定位於該貓抓板，該連結件包含有一組接部，該吸盤可分離地組接於該組接部。
如請求項1所述的貓抓板定位裝置，其中該連結件係供穿設過該貓抓板，該連結件之一端設有一卡抵部，該連結件之另端設有該組接部；其中，於該連結件之穿設方向上，該卡抵部供該貓抓板之一側相互擋止，該吸盤供與該貓抓板之另一側相互擋止。
如請求項2所述的貓抓板定位裝置，其中該連結件另包含有一筒體，該卡抵部係徑向凸伸於該筒體之外側，該組接部設於該筒體遠離該卡抵部之一側。
如請求項3所述的貓抓板定位裝置，其中該筒體、該卡抵部與該組接部係一體成型。
如請求項3所述的貓抓板定位裝置，其中該卡抵部係呈環狀且與該筒體之端面齊平。
如請求項3所述的貓抓板定位裝置，其中該組接部徑向凸伸於該筒體之內側，該吸盤包含有一插部、一嵌槽與一盤體，該插部凸伸於該盤體，該嵌槽徑向凹設於該插部，當該插部插接於該筒體時，該組接部嵌入該嵌槽。
如請求項6所述的貓抓板定位裝置，其中於該筒體之徑向上，該卡抵部之長度定義為一第一長度，該組接部之長度定義為一第二長度，該第一長度大於該第二長度。
如請求項6所述的貓抓板定位裝置，其中於該筒體之軸向上，該卡抵部之長度定義為一第三長度，該組接部之長度定義為一第四長度，該第四長度大於該第三長度。
如請求項1所述的貓抓板定位裝置，其中該連結件供套接於該貓抓板，該連結件圍構有一套接口與一套接空間，該套接口供該貓抓板通過，該套接空間供容納該貓抓板之部分。
如請求項9所述的貓抓板定位裝置，其中該連結件包含有一上部、一下部與一側部，該側部橫向連接於該上部與該下部之間，進而共同圍構出該套接口與該套接空間，該吸盤組接於該下部。
如請求項1至10其中任一項所述的貓抓板定位裝置，其中該連結件之硬度大於該貓抓板之硬度。
如請求項4所述的貓抓板定位裝置，其中該卡抵部係呈環狀且與該筒體之端面齊平；該組接部徑向凸伸於該筒體之內側，該吸盤包含有一插部、一嵌槽與一盤體，該插部凸伸於該盤體，該嵌槽徑向凹設於該插部，當該插部插接於該筒體時，該組接部嵌入該嵌槽；於該筒體之徑向上，該卡抵部之長度定義為一第一長度，該組接部之長度定義為一第二長度，該第一長度大於該第二長度；於該筒體之軸向上，該卡抵部之長度定義為一第三長度，該組接部之長度定義為一第四長度，該第四長度大於該第三長度；該連結件之硬度大於該貓抓板之硬度；該貓抓板係為瓦楞紙；該連結件係為塑膠；該連結件之顏色異於該吸盤之顏色，該連結件係為乳白色，該吸盤為透明無色；該第二長度與該第一長度之比值介於0.2至0.5之間；該第三長度與該第四長度之比值介於0.3至0.6之間；該組接部係呈環狀且與該筒體之端面齊平。
如請求項1所述的貓抓板定位裝置，其中各該定位組件包含有一擋件，該連結件之外周壁凹設有至少一凹部，當該連結件穿設過該貓抓板時，該至少一凹部顯露於該貓抓板，該擋件可分離地扣設於該至少一凹部而於該連結件之穿設方向上與該貓抓板呈擋止關係。
一種貓抓板定位裝置，包括：<br/> 複數定位組件，分別組設於一貓抓板，各該定位組件包含有一連結件與一吸盤，該連結件定位於該貓抓板，該連結件包含有一卡槽，該卡槽朝該連結件之徑向開放，該吸盤包括一插部，該插部至少部分可徑向朝該連結件分離地組接於該卡槽。
如請求項1所述的貓抓板定位裝置，其中該連結件包括一筒體，該卡槽周向延伸且徑向凹設於該筒體之內側。
如請求項2所述的貓抓板定位裝置，其中該連結件另設有一組接部，該組接部徑向凸伸於該筒體之內側，該吸盤另包含有一嵌槽與一盤體，該插部凸伸於該盤體，該嵌槽徑向凹設於該插部，當該插部插接於該卡槽時，該組接部嵌入該嵌槽。
如請求項3所述的貓抓板定位裝置，其中該插部朝遠離該盤體漸縮且呈錐形狀。
如請求項1所述的貓抓板定位裝置，其中該連結件係供穿設過該貓抓板，該連結件之外周徑向凸伸複數卡抵部；其中，該複數卡抵部可分別徑向穿刺卡入該貓抓板。
如請求項5所述的貓抓板定位裝置，其中各該卡抵部呈尖錐狀。
如請求項1所述的貓抓板定位裝置，其中該連結件呈中空狀，該連結件設有一與內部連通且徑向開放之開口。
如請求項7所述的貓抓板定位裝置，其中該連結件於該開口之相對二端緣分別貫設二導孔，該二導孔連接於該卡槽之相對二端部，該插部可通過該二導孔。
如請求項1至8其中任一項所述的貓抓板定位裝置，其中該連結件之硬度大於該貓抓板之硬度。
如請求項3所述的貓抓板定位裝置，其中該連結件係供穿設過該貓抓板，該連結件之外周徑向凸伸複數卡抵部；其中，該複數卡抵部可分別徑向穿刺卡入該貓抓板；各該卡抵部呈尖錐狀；該連結件呈中空狀，該連結件設有一與內部連通且徑向開放之開口；該連結件於該開口之相對二端緣分別貫設二導孔，該二導孔連接於該卡槽之相對二端部，該插部可通過該二導孔；該連結件之硬度大於該貓抓板之硬度；該連結件沿一穿設方向穿設該貓抓板，該連結件包括沿該穿設方向相連接之一直段及一錐段，該錐段朝遠離該盤體之方向漸縮；該開口自該直段遠離該錐段之一底端部延伸至該錐段；該貓抓板係為瓦楞紙；該連結件係為塑膠；該連結件之顏色異於該吸盤之顏色，該連結件係為乳白色，該吸盤為透明無色；該筒體、該複數卡抵部與該組接部係一體成型；該插部為可變形材質製成。
一種夾持裝置，其改良在於，包括：<br/> 支架，包括第一壁，所述第一壁設有限位孔；<br/> 第一夾持件，連接所述支架之一端；<br/> 第二夾持件，活動連接所述支架之另一端；<br/> 連桿，設於所述支架內，所述連桿連接所述第二夾持件；<br/> 壓桿，轉動連接所述支架與所述連桿；<br/> 限位元件，連接所述壓桿，並彈性抵持所述第一壁之間；<br/> 所述壓桿轉動帶動所述限位元件移動至所述限位孔，使所述第一夾持件與所述第二夾持件保持夾持狀態。
如請求項1所述之夾持裝置，其中，還包括解鎖件，所述解鎖件轉動連接所述第一壁，所述解鎖件包括凸部，所述凸部用於推動所述限位元件，使所述限位元件退出所述限位孔。
如請求項1所述之夾持裝置，其中，還包括第一轉軸，所述支架包括與所述第一壁相對設置之第二壁，所述第一轉軸連接所述第一壁與所述第二壁，所述第二夾持件轉動連接所述第一轉軸。
如請求項3所述之夾持裝置，其中，還包括第二轉軸，所述第二轉軸固定連接所述第一壁與所述第二壁，所述壓桿包括第一段與連接所述第一段之第二段，所述第一段之至少部分伸出所述支架，所述第二段設於所述支架內，所述第一段與所述第二段之連接處轉動連接所述第二轉軸，所述第二段遠離所述第一段之一端轉動連接所述連桿。
如請求項4所述之夾持裝置，其中，還包括第一彈性件，所述第一彈性件之一端連接所述第一壁與/或所述第二壁，另一端連接所述第二段，當所述壓桿轉動時，所述第一彈性件處於被拉伸狀態。
如請求項3所述之夾持裝置，其中，還包括支撐件，所述第一壁與所述第二壁沿第一方向相對設置，所述支撐件固定連接所述支架，所述支撐件位於所述第一夾持件與所述第二夾持件之間，所述支撐件沿所述第一方向延伸設置。
如請求項6所述之夾持裝置，其中，還包括卡持件，所述支撐件朝向所述支架之一側設有凹槽，所述卡持件固定於所述第一壁，所述卡持件之一端設於所述凹槽。
如請求項2所述之夾持裝置，其中，所述解鎖件包括安裝座、第三轉軸與旋轉塊，所述安裝座固定於所述第一壁，所述第三轉軸連接所述安裝座，所述旋轉塊連接所述第三轉軸，所述凸部設於所述旋轉塊。
如請求項8所述之夾持裝置，其中，所述解鎖件包括第二彈性件，所述第二彈性件連接所述第三轉軸，所述旋轉塊未受力時，所述第二彈性件使所述旋轉塊遠離所述限位孔。
如請求項1所述之夾持裝置，其中，所述第一夾持件包括第一夾持面，所述第一夾持面設有第一柔性部。
一種程式碼自動化測試系統，包含：<br/> 一雲端伺服器，儲存一軟體配置管理軟體和一支持多瀏覽器的自動化測試工具；<br/> 一通訊模組，用於提供連網功能；<br/> 一儲存模組，儲存一測試程式碼；及<br/> 一處理模組，電連接該通訊模組及該儲存模組；其中<br/> 該處理模組透過該通訊模組與該雲端伺服器建立連線，並將該測試程式碼傳送至該雲端伺服器；<br/> 該雲端伺服器收到該測試程式碼時，執行該軟體配置管理軟體其中的一管線功能對該測試程式碼執行編譯、單元測試和打包以完成該測試程式碼的構建；<br/> 該測試程式碼被構建之後，該雲端伺服器執行該管線功能以觸發該自動化測試工具其中的一預設的自動化測試套件對該測試程式碼執行一自動化測試腳本並產生一測試結果；<br/> 該雲端伺服器確認該測試結果是一通過狀態時，執行該管線功能以將該測試程式碼部署至一預設的測試環境以進行驗證並產生一驗證結果；<br/> 該雲端伺服器確認該驗證結果是該通過狀態時，執行該管線功能以將該測試程式碼部署至一生產環境。
如請求項1所述的程式碼自動化測試系統，還適用於多個終端裝置，其中，該雲端伺服器還儲存一通訊軟體；該雲端伺服器產生該測試結果或該驗證結果時，透過該通訊模組將該測試結果或該驗證結果回傳至該處理模組，還執行該通訊軟體以提供一通訊介面，並將該測試結果或該驗證結果傳送至該通訊介面，使得各該終端裝置能藉由執行其中儲存的另一通訊軟體以與該雲端伺服器建立連線，並自該通訊介面取得該測試結果或該驗證結果。
如請求項2所述的程式碼自動化測試系統，其中，該軟體配置管理軟體是Azure DevOps。
如請求項3所述的程式碼自動化測試系統，其中，該自動化測試工具是Playwright。
如請求項3所述的程式碼自動化測試系統，其中，該通訊軟體是Slack。
一種粉刺點振導出裝置，其係連接一控制裝置，該控制裝置係包含一控制單元及一電源，該控制單元係連接於該電源，該粉刺點振導出裝置係用以清潔一頭皮，該粉刺點振導出裝置係包含：<br/> 一手持件，其係包含：<br/> 一本體，其一側連接該控制裝置；<br/> 一連接孔，其設置於該本體之一另一側；<br/> 一第一振動單元，其設置於該連接孔之一內部，該第一振動單元係連接於該控制單元及該電源；及<br/> 一第二振動單元，其係相鄰該第一振動單元設置於該連接孔之該內部，該第一振動單元係連接於該控制單元及該電源；及<br/> 一清潔部，其係連接於該手持件，該清潔部係包含：<br/> 一連接桿，其一側穿設該連接孔，並連接該第一振動單元及該第二振動單元；及<br/> 一刮板，其係設置於該連接桿之一另一側；<br/> 其中，該控制單元係用以控制該第一振動單元驅使該刮板於該頭皮之一表面產生一第一方向之一第一超音波振動，以及控制該第二振動單元驅使該刮板於該頭皮之該表面產生一第二方向之一第二超音波振動，且該第一超音波振動及該第二超音波振動係交錯產生。
如請求項1所述之粉刺點振導出裝置，其中該第一方向及該第二方向之間具有一夾角，該夾角係介於0˚至180˚。
如請求項1所述之粉刺點振導出裝置，其中該第一超音波振動之振動頻率係35kHz至40kHz。
如請求項1所述之粉刺點振導出裝置，其中該第二超音波振動之振動頻率係45kHz至50kHz。
如請求項1所述之粉刺點振導出裝置，其中該刮板係包含弧形、鋸齒形或波浪形。
如請求項1所述之粉刺點振導出裝置，其中該頭皮係指人體頭部之皮膚，其係包含臉部之皮膚、頭顱上方及後方之皮膚或耳後之皮膚。
一種智能送餐系統，其係用於規劃一用餐空間內的送餐配置作業，且該用餐空間內設有複數用餐座位，該智能送餐系統包含有一設於該用餐空間內之導引軌道，至少一可沿著該導引軌道進行位移之送餐單元，以及一可控制該送餐單元進行位移之控制裝置；其特徵在於：<br/> 該導引軌道具有複數連結墊，以及複數可與該等連結墊相互扣合之作動墊，其中，每一該連結墊上設有一移動磁引件，而每一該作動墊上設有一驅動磁引件，以及一定位標籤，而前述每一該驅動磁引件具有至少三朝不同方向設置之端點，該等端點上分別定義不同編號，且該等端點之編號儲存於該控制裝置內，另，該等連結墊與該等作動墊相互拼接形成一送餐迴路，且該等作動墊係設置於對應該等用餐座位處，以及設置於該送餐迴路之起始點與分岔點，以透過該控制裝置預設該送餐單元的送餐路徑，驅使該送餐單元在行經預定的該作動墊上，經由該作動墊的特定該端點處進行移動，確保該送餐單元依照設定的送餐路徑完成送餐配置作業。
根據請求項1所述智能送餐系統，其中，該送餐單元內設有一與該控制裝置連接之處理單元，以透過該處理單元接收控制指令，以及讀取該等定位標籤。
根據請求項1所述智能送餐系統，其中，該用餐空間內設有一備餐區，且該送餐迴路之起始點設於該備餐區內。
一種載具，被配置為用以定位PCB組件，所述PCB組件包括層疊設置的第一主板與第二主板，所述第一主板相對的側壁均凹陷形成第一定位槽，所述第二主板的相對側壁均凹陷形成第二定位槽；其改良在於，所述載具包括載台、多個定位件與校正模塊； 所述載台被配置為用以承載所述PCB組件，使所述第二主板位於所述第一主板背離所述載台的一側；所述載台開設有沿所述載台的厚度方向貫通所述載台的多個第一定位孔；<br/> 所述定位件被配置為沿所述第一定位孔的軸向活動安裝於所述第一定位孔，且所述定位件的至少部分收容於所述第一定位槽；所述定位件背離所述PCB組件的端部為抵接端；<br/> 所述校正模塊被配置為活動安裝於所述載台背離所述PCB組件的底部，所述校正模塊被配置為抵接所述抵接端並推動所述定位件沿軸向移動，使所述定位件的至少部分連接所述第一定位槽與所述第二定位槽；且所述校正模塊被配置為沿水平方向施加作用力於所述定位件，使所述定位件沿側向夾緊所述第一主板與所述第二主板，所述第一主板與所述第二主板相互定位。
如請求項1所述之載具，其中，所述載台包括第一載板與至少一個第二載板，所述第一定位孔貫通所述第一載板與所述第二載板；<br/> 所述第一載板開設有至少一個第一收容槽，所述第二載板被配置為收容於所述第一收容槽；所述第二載板背離所述第一載板的表面開設有至少一個第二收容槽，所述第二收容槽被配置為收容所述PCB組件，使所述第一主板與所述第二主板初步定位。
如請求項1所述之載具，其中，所述定位件包括活動段以及分別設置於所述活動段兩端的定位段和抵接段，所述活動段被配置為活動安裝於所述第一定位孔內，所述抵接段包括抵接端，所述定位段被配置為收容於所述第一定位槽。
如請求項3所述之載具，其中，所述抵接端為半球結構，所述半球結構包括抵接弧面，所述抵接弧面被配置為與所述校正模塊抵接。
如請求項3所述之載具，其中，所述定位件還包括第一限位部與第二限位部，所述第一限位部設置於所述活動段與所述定位段的連接處，所述第二限位部設置於所述活動段與所述抵接段的連接處，所述第一限位部與所述第二限位部被配置為限制所述活動段脫離所述第一定位孔。
如請求項5所述之載具，其中，所述活動段與所述抵接段的連接處設有安裝槽，所述定位件還包括限位件，所述限位件被配置為安裝於所述安裝槽形成所述第二限位部。
如請求項3所述之載具，其中，所述活動段、所述定位段以及所述抵接段為圓柱組合結構。
如請求項4所述之載具，其中，所述校正模塊包括校正塊與校正底座，所述校正塊被配置為活動安裝於所述校正底座面向所述載台的表面；<br/> 所述校正塊包括抵接斜面，所述抵接斜面被配置為抵接所述抵接弧面，使所述校正塊對所述定位件施加水平方向與豎直方向的作用力，使所述定位件沿側向夾緊所述第一主板與所述第二主板。
如請求項8所述之載具，其中，所述校正底座開設有沿所述校正底座的厚度方向貫通所述校正底座的安裝孔與復位孔；<br/> 所述校正塊背離所述載台的表面包括安裝凸起與復位凸起，所述復位凸起套設有彈性件，所述校正塊通過所述安裝凸起與所述復位凸起安裝於所述校正底座，使所述校正塊被配置為沿豎直方向移動，且所述校正塊被配置為通過所述彈性件復位。
如請求項1所述之載具，其中，所述第一主板還包括第二定位孔，所述第二主板還包括第三定位孔，所述第二定位孔沿厚度方向貫通所述第一主板，所述第三定位孔沿厚度方向貫通所述第二主板，所述定位件還被配置為連接所述第一定位孔、所述第二定位孔與所述第三定位孔。
一種檢測機構，其改良在於，包括：<br/> 固定件，具有相對的第一表面和第二表面，所述第一表面設有透光孔，所述透光孔包括第一透光通孔、第二透光通孔和第三透光通孔，所述第一透光通孔、所述第二透光通孔和所述第三透光通孔均貫穿所述第一表面和所述第二表面，所述第一透光通孔、所述第二透光通孔和所述第三透光通孔間隔排列；以及<br/> 檢測組件，位於所述固定件的下方，所述檢測組件包括檢測件，所述檢測件用於探測覆蓋於所述透光孔上方的物料。
如請求項1所述的檢測機構，其中，所述固定件具有多組所述透光孔，多組所述透光孔沿第一方向間隔排列，所述檢測機構包括多個所述檢測組件，所述檢測組件與所述透光孔一一對應。
如請求項2所述的檢測機構，其中，所述第一透光通孔、所述第二透光通孔和所述第三透光通孔沿第二方向間隔排列，所述第二方向與所述第一方向相交。
如請求項1所述的檢測機構，其中，所述檢測件包括光纖。
如請求項1所述的檢測機構，其中，所述檢測機構還包括固定架，至少三個所述檢測件被收納於所述固定架內。
如請求項5所述的檢測機構，其中，所述固定架包括第一側板、第二側板、第三側板和第四側板，所述第一側板和所述第二側板相對設置，所述第三側板和所述第四側板相對設置並且連接所述第一側板和所述第二側板，所述固定架設有通孔，所述通孔貫穿所述第一側板和所述第二側板。
如請求項6所述的檢測機構，其中，所述固定架還設有開窗，所述開窗貫穿所述第三側板。
如請求項6所述的檢測機構，其中，所述第四側板朝向所述第三側板的表面設有定位槽，所述定位槽貫穿所述第四側板的部分表面。
如請求項5所述的檢測機構，其中，所述固定架具有三個定位槽，三個所述定位槽間隔排列，所述定位槽與所述檢測件一一對應。
一種飛達設備，其改良在於，包括放料機構、剝刀以及請求項1至9中任一項所述的檢測機構，所述剝刀位於所述放料機構的一側，所述檢測機構位於所述剝刀背離所述放料機構的一側。
一種動力旋轉工具用之驅動頭，包括：<br/> 一本體，具有一穿設孔；<br/> 一驅動件，可相對該本體往復擺動，具有一容孔；<br/> 一轉動機構，包含一棘輪座、一第一棘齒件、一第二棘齒件、一第一彈抵件及一第二彈抵件，該棘輪座可轉動地設於該穿設孔及該容孔內，該棘輪座之外周設有一外環齒部，該第一棘齒件樞設於該驅動件，該第二棘齒件樞設於該本體，該第一彈抵件推抵該第一棘齒件選擇性地嚙合該外環齒部，該第二彈抵件推抵該第二棘齒件選擇性地嚙合該外環齒部；<br/> 其中，當該第一棘齒件與該外環齒部為嚙合狀態時，該第二棘齒件與該外環齒部為跳脫彈抵狀態以使該棘輪座可相對該本體轉動；當該第一棘齒件與該外環齒部為跳脫彈抵狀態時，該第二棘齒件與該外環齒部為嚙合狀態以使該本體與該棘輪座之間具有一阻力而無法轉動。
如請求項1所述的動力旋轉工具用之驅動頭，其中該驅動件設有由外往內徑向凹陷之一凹部，該驅動件構成徑向連通該容孔之一容置空間及一封閉部，該封閉部於該驅動件設有該凹部之一相對側封閉該容置空間。
如請求項2所述的動力旋轉工具用之驅動頭，其中該本體朝該凹部的方向延伸一凸部，該第二棘齒件鄰近該凸部。
如請求項3所述的動力旋轉工具用之驅動頭，其中該封閉部設有一第一容置孔，該第一彈抵件容置於該第一容置孔且彈抵於該第一容置孔之一孔壁及該第一棘齒件之一第一嚙齒端部之間以使該第一嚙齒端部與該外環齒部嚙合，該凸部設有一第二容置孔，該第二彈抵件容置於該第二容置孔且彈抵於該第二容置孔之一孔壁及該第二棘齒件之一第二嚙齒端部之間，以使該第二嚙齒端部與該外環齒部嚙合。
如請求項1所述的動力旋轉工具用之驅動頭，其中該第一彈抵件包括一第一抵頂件及一第一彈性件，該第二彈抵件包括一第二抵頂件及一第二彈性件，該第一彈性件套設該第一抵頂件以彈抵該第一抵頂件抵頂該第一棘齒件，該第二彈性件套設該第二抵頂件以彈抵該第二抵頂件抵頂該第二棘齒件。
如請求項1所述的動力旋轉工具用之驅動頭，其中該驅動件包括一第一端部及一第二端部，該第一端部設有該容孔，該第二端部設有該第一棘齒件，該驅動件定義一中心垂直線，該中心垂直線通過該容孔之一中心及該第二端部之一中心，該第一棘齒件沿一第一轉動軸線相對該驅動件擺動，該容孔之該中心及該第一轉動軸線定義相互連接之一第一徑向參考線，該第一徑向參考線及該中心垂直線之間定義一夾角，該夾角之角度範圍為2.4度到8.4度。
如請求項1所述的動力旋轉工具用之驅動頭，另包括一結合組件，該結合組件包括一插銷及一扣件，該插銷具有一膨大部及一身部，該身部設有一卡溝，該身部穿設該本體及該第二棘齒件，該第二棘齒件以該插銷為一轉動中心相對該本體擺動，該膨大部卡抵於該本體之一側，該扣件卡扣於該卡溝且卡抵於該本體之另一側。
如請求項1所述的動力旋轉工具用之驅動頭，其中該第一棘齒件沿一第一轉動軸線相對該驅動件擺動，該容孔之一中心及該第一轉動軸線定義相互連接之一第一徑向參考線，該第二棘齒件沿一第二轉動軸線相對該本體擺動，該容孔之該中心及該第二轉動軸線定義相互連接之一第二徑向參考線，該第一徑向參考線及該第二徑向參考線之間定義一內角，該驅動件可相對該本體於一第一位置及一第二位置之間擺動；其中，當該驅動件位於該第一位置時，該內角的角度範圍為57.16度至67.16度；當該驅動件位於該第二位置時，該內角的角度範圍為75.12度至85.12度。
如請求項4所述的動力旋轉工具用之驅動頭，其中該第一彈抵件包括一第一抵頂件及一第一彈性件，該第二彈抵件包括一第二抵頂件及一第二彈性件，該第一彈性件套設該第一抵頂件以彈抵該第一抵頂件抵頂該第一棘齒件，該第二彈性件套設該第二抵頂件以彈抵該第二抵頂件抵頂該第二棘齒件；該第一抵頂件具有一第一弧面，該第一弧面抵頂該第一嚙齒端部，該第二抵頂件具有一第二弧面，該第二弧面抵頂該第二嚙齒端部；該驅動件包括一第一端部及一第二端部，該第一端部設有該容孔，該第二端部設有該第一棘齒件，該驅動件定義一中心垂直線，該中心垂直線通過該容孔之一中心及該第二端部之一中心，該第一棘齒件沿一第一轉動軸線相對該驅動件擺動，該容孔之該中心及該第一轉動軸線定義相互連接之一第一徑向參考線，該第一徑向參考線及該中心垂直線之間定義一夾角，該夾角之角度範圍為2.4度到8.4度；該動力旋轉工具用之驅動頭，另包括一結合組件，該結合組件包括一插銷及一扣件，該插銷具有一膨大部及一身部，該身部設有一卡溝，該身部穿設該本體及該第二棘齒件，該第二棘齒件以該插銷為一轉動中心相對該本體擺動，該膨大部卡抵於該本體之一側，該扣件卡扣於該卡溝且卡抵於該本體之另一側；該第二棘齒件沿一第二轉動軸線相對該本體擺動，該容孔之該中心及該第二轉動軸線定義相互連接之一第二徑向參考線，該第一徑向參考線及該第二徑向參考線之間定義一內角，該驅動件可相對該本體於一第一位置及一第二位置之間擺動；其中，當該驅動件位於該第一位置時，該內角的角度範圍為57.16度至67.16度；當該驅動件位於該第二位置時，該內角的角度範圍為75.12度至85.12度；該本體定義繞該穿設孔之一中心延伸之一第二方向，該第一彈性件彈抵該第一棘齒件朝該第二方向擺動，該第二彈性件彈抵該第二棘齒件朝該第二方向擺動；該第一嚙齒端部之末端具有朝該第二方向延伸之複數第一齒部，該第二嚙齒端部之末端具有朝該第二方向延伸之複數第二齒部；該驅動件定義一邊界線，該邊界線沿該第二端部之一底端面通過該底端面，該驅動件另定義一水平切線，該水平切線平行於該邊界線且與該容孔靠近該邊界線的一端相切，該第一轉動軸線位於該水平切線及該邊界線之間且較靠近該水平切線。
如請求項1至9其中任一項所述的動力旋轉工具用之驅動頭，其中該動力旋轉工具用之驅動頭供用於一動力棘輪扳手，該動力棘輪扳手包括一殼體，該殼體設有一傳動件，該驅動件與該傳動件相組接，藉由該傳動件帶動以使該驅動件相對該本體往復擺動。
一種自行車之水壺支架，其能組裝至少一水壺座，包含： <br/>一基板，其包含一接合區以及二裝設區，該二裝設區係分別位於該接合區之相對兩側； <br/>一承載組件，其包含一支撐座以及一調節板，該支撐座係能拆組地設於該基板之接合區的頂部，且內部形成有開口朝上的一配合空間，該調節板係樞設於該支撐座，且能旋入該配合空間； <br/>一裝配桿，其係能拆組地設於該調節板的頂部，且外周側形成有相互圍繞的複數導軌結構，每一所述導軌結構之內部形成有開口朝該裝配桿之外側的一導引空間，該導引空間係貫穿該裝配桿之前後兩端，每一所述導軌結構於該導引空間之相對二內側壁分別凸伸形成有一限位塊，所述限位塊係彼此相對且鄰近所述導軌結構之開口處； <br/>至少一夾制組件，其能於一釋放狀態以及一夾持狀態之間切換，且包含一滑塊以及一夾持件，該滑塊係能拆組地設於該裝配桿之任一所述導軌結構的導引空間，且相對兩側分別與所述導軌結構之二內側壁相對應，該夾持件係能拆組且能調整位置地螺設於該滑塊，並能與該滑塊組接所述水壺座，於該釋放狀態下，該滑塊能帶動所述水壺座相對所述導軌結構作線性移動，於該夾持狀態下，該夾持件能抵靠所述水壺座，該滑塊能抵靠位置對應的所述導軌結構之限位塊，並使所述水壺座被夾持固定於該裝配桿；以及 <br/>二止擋塊，其係分別能拆組地設於該裝配桿之前後兩端。
如請求項1所述之自行車之水壺支架，其中，每一所述導軌結構之二內側壁係朝相對遠離的方向且朝該裝配桿之外側傾斜延伸。
如請求項1所述之自行車之水壺支架，其中，該裝配桿具有間隔排列的複數鎖孔，所述鎖孔係貫穿該裝配桿之上下兩側，所述自行車之水壺支架包含二固定件，該二固定件能分別穿設任二相鄰的所述鎖孔，並螺設於該調節板之頂部。
如請求項2所述之自行車之水壺支架，其中，該裝配桿具有間隔排列的複數鎖孔，所述鎖孔係貫穿該裝配桿之上下兩側，所述自行車之水壺支架包含二固定件，該二固定件能分別穿設任二相鄰的所述鎖孔，並螺設於該調節板之頂部。
如請求項1至4中任一項所述之自行車之水壺支架，其中，該支撐座具有二組設孔，該調節板具有複數穿孔，所述穿孔係鄰近該調節板之側緣，並沿著該調節板之側緣間隔排列，該調節板能被樞轉並使任一所述穿孔與其一所述組設孔相對應，該承載組件包含一定位件，該定位件係能拆組地穿設於任一所述組設孔以及位置對應的所述穿孔。
如請求項1至4中任一項所述之自行車之水壺支架，其中，該基板之接合區形成有沿前後兩端間隔排列的複數槽孔，所述自行車之水壺支架包含二鎖固件，該二鎖固件係分別能穿設於任二相鄰的所述複數槽孔，並螺設於該支撐座之底部。
如請求項5所述之自行車之水壺支架，其中，該基板之接合區形成有沿前後兩端間隔排列的複數槽孔，所述自行車之水壺支架包含二鎖固件，該二鎖固件係分別能穿設於任二相鄰的所述複數槽孔，且能螺設於該支撐座之底部並抵靠該基板。
如請求項1至4中任一項所述之自行車之水壺支架，其中，該基板之每一所述裝設區形成有複數間隔排列的穿設口。
如請求項5所述之自行車之水壺支架，其中，該基板之每一所述裝設區形成有複數間隔排列的穿設口。
如請求項6所述之自行車之水壺支架，其中，該基板之每一所述裝設區形成有複數間隔排列的穿設口。
如請求項7所述之自行車之水壺支架，其中，該基板之每一所述裝設區形成有複數間隔排列的穿設口。
一種X光平板輔助支架，其用以設置於一牆面，並用以裝載一X光平板；該X光平板輔助支架具有： <br/>一固定座，其用以固設於該牆面； <br/>一承載架，其用以裝載該X光平板； <br/>複數支撐臂，其彼此可轉動地相互串接，並藉此連接該固定座及該承載架；其中一該等支撐臂的一端可轉動地連接於該固定座；另一該等支撐臂的一端可轉動地連接於該承載架； <br/>複數轉軸，其中一該等轉軸設置於該固定座及該其中一支撐臂之間，並使該其中一支撐臂能相對於該固定座轉動；其中另一該等轉軸設置於該另一支撐臂及該承載架之間，並使該承載架能相對於該另一支撐臂轉動；另一該等轉軸設置於其中二該等支撐臂之間，使該其中二支撐臂能相對於彼此轉動； <br/>其中，該X光平板輔助支架能處於一收納狀態及一展開狀態；當該X光平板輔助支架處於該收納狀態時，該承載架、該等支撐臂及該等轉軸貼合該牆面；當該X光平板輔助支架處於該展開狀態時，該等支撐臂能相對於該固定座轉動，使該承載架能遠離該牆面。
如請求項1所述之X光平板輔助支架，其中，該等支撐臂包含有： <br/>一第一支撐臂，其一端可轉動地連接於該固定座； <br/>一第二支撐臂，其呈L形；該L形的一腳可轉動地連接於該第一支撐臂，該L形的另一腳可轉動地連接於該承載架。
如請求項2所述之X光平板輔助支架，其中，該等轉軸包含有： <br/>一第一轉軸，其連接該固定座及該第一支撐臂；該第一轉軸以鉛直方向延伸。
如請求項3所述之X光平板輔助支架，其中： <br/>該第一支撐臂及該第二支撐臂的該L形的一腳分別位於相平行的二平面； <br/>該等轉軸包含有： <br/> 一第二轉軸，其連接該第一支撐臂及該第二支撐臂的該L形的一腳，該第二轉軸以鉛直方向延伸。
如請求項4所述之X光平板輔助支架，其中： <br/>該第二支撐臂的該L形的另一腳以鉛直方向延伸； <br/>該等轉軸包含有： <br/> 一第三轉軸，其連接該第二支撐臂的該L形的另一腳及該承載架，該第三轉軸以水平方向延伸。
如請求項1至5中任一項所述之X光平板輔助支架，其中，該承載架具有二握把，其分別設置於該承載架的二側邊。
如請求項2至5中任一項所述之X光平板輔助支架，其中，該第二支撐臂具有一固定件，其設置於該L形的一腳及該L形的另一腳之間，藉此該第二支撐臂保持L形。
一種窒息急救器之分段式調整負壓結構，主要包含有一外筒、一內筒、一旋轉蓋、一彈簧、一吸管塞及一底蓋，外筒頂部組裝一外環圈，外環圈有一釋放卡止裝置，內筒內中心固定一活塞連桿，外筒底部有一底壁，底壁設有一中心大通孔及數個外圍小通孔，底壁下方為吸管塞及底蓋，彈簧及內筒分別置入外筒內，彈簧位於活塞連桿與外筒的底壁之間，吸管塞供一氣囊面罩組裝；其特徵在於：該旋轉蓋係可套設樞接於內筒上方，該旋轉蓋周邊近頂端位置設有數個凸擋壁，數個凸擋壁皆不同高度，底壁下方與吸管塞之間有一逆止閥片，釋放卡止裝置設有一卡扣爪可以止擋於旋轉蓋之任一凸擋壁上，釋放卡扣爪得以在內筒上方轉動該旋轉蓋，因應數個凸擋壁調整不同高度之內筒，作調整外筒負壓之大小。
如請求項1所述之窒息急救器之分段式調整負壓結構，其中該內筒外週設有數組雙凸條及數條長滑槽，長滑槽位於雙凸條之間，旋轉蓋設有數個長凹槽，長凹槽對應長滑槽，外環圈內壁設有數個凸片，凸片滑入可於長凹槽與長滑槽內，內筒頂部設有數個定位槽，定位槽內置入一小彈簧及一滾動元件，旋轉蓋之內頂面設有四個圓凹點及四個弧條，滾動元件入於旋轉蓋之圓凹點做分段定位。
如請求項1所述之窒息急救器之分段式調整負壓結構，其中該數個凸擋壁係於旋轉蓋周邊分別切割一小面積所形成，數個凸擋壁分別為第一凸擋壁、第二凸擋壁、第三凸擋壁及第四凸擋壁，分別漸次離頂端遠近，以具有不同高度。
如請求項1所述之窒息急救器之分段式調整負壓結構，其中該活塞連桿頂部有一螺孔，相對於旋轉蓋頂面設有一穿孔，以一螺絲穿越一墊圈及該穿孔結合於螺孔。
如請求項1所述之窒息急救器之分段式調整負壓結構，其中該活塞連桿底部外周設有一上凸環、一中凸環及一下凸環，上凸環上方套上一緩衝環，上凸環與中凸環之間套上一上止漏環，及中凸環與下凸環之間套上一下止漏環。
如請求項1所述之窒息急救器之分段式調整負壓結構，其中該釋放卡止裝置係於外環圈設有兩凸耳，兩凸耳之間樞接一保險蓋及一卡扣爪，保險蓋位於卡扣爪外部，有一水平向彈簧定位於卡扣爪內面。
如請求項1所述之窒息急救器之分段式調整負壓結構，其中該逆止閥片中心有一向下大凸球，向下大凸球周邊有大間隙，外圍有兩小向上小凸球，小向上小凸球周邊有小間隙，相對應該吸管塞設有一中心大鏤空及數個外圍小鏤空，底蓋設有一中心大穿孔及外圍穿孔，並外筒底部內壁設有兩定位凸條，相對應該逆止閥片外周設有兩定位凹槽，及該吸管塞頂部外周設有兩定位凹缺，定位凸條嵌入於定位凹槽及定位凹缺內。
如請求項1所述之窒息急救器之分段式調整負壓結構，其中該外筒底部設有外螺紋，該底蓋內壁設有內螺紋，兩相結合。
如請求項1所述之窒息急救器之分段式調整負壓結構，其中該外環圈底部設有一結合外螺紋，外筒頂部設有一結合內螺紋，兩相結合。
如請求項1所述之窒息急救器之分段式調整負壓結構，其中該外筒周邊設有兩圈之止滑花紋。
一種具有減震降噪結構的可穿戴電子設備，包括：<br/> 外殼；<br/> 發聲單元，所述發聲單元安裝在所述外殼內；<br/> 具有多孔結構的柔性吸音片，所述柔性吸音片設在所述發聲單元上以包覆所述發聲單元的至少部分外側壁。
如請求項1所述的具有減震降噪結構的可穿戴電子設備，其中，所述柔性吸音片是由奈米多孔材料製成的具有柔韌性的片狀結構。
如請求項2所述的具有減震降噪結構的可穿戴電子設備，其中，所述奈米多孔材料為沸石粉片、氣凝膠、泡棉、吸音棉中的至少一種。
如請求項1所述的具有減震降噪結構的可穿戴電子設備，其中，所述發聲單元為揚聲器模組。
如請求項4所述的具有減震降噪結構的可穿戴電子設備，其中，所述柔性吸音片通過粘接的方式固定在所述揚聲器模組的殼體的外側壁上。
如請求項4所述的具有減震降噪結構的可穿戴電子設備，其中，所述揚聲器模組具有發音孔，所述外殼上設有與所述發音孔相對的出聲孔。
如請求項4所述的具有減震降噪結構的可穿戴電子設備，其中，所述外殼包括相扣合的上蓋和下蓋，所述上蓋和所述下蓋之間形成有容置腔，所述揚聲器模組位於所述容置腔內。
如請求項1所述的具有減震降噪結構的可穿戴電子設備，其中，所述可穿戴電子設備為具有所述發聲單元的耳機。
如請求項1所述的具有減震降噪結構的可穿戴電子設備，其中，所述可穿戴電子設備為具有所述發聲單元的眼鏡。
如請求項9所述的具有減震降噪結構的可穿戴電子設備，其中，所述發聲單元和所述柔性吸音片設在所述眼鏡的鏡腿內。
一種輪圈式之電腦主機，其包含有一基座，一設於該基座上之支撐組，一設於該支撐組上之主機組，以及一罩蓋該主機組之輪圈，其中，該支撐組具有一由該基座向上延伸之支撐桿，以及一設於該支撐桿上之定位座，而前述該定位座可供該主機組設置，另該輪圈內形成有一容置空間，恰可供該主機組容置，又該基座上設有二轉軸，且該等轉軸恰可供該輪圈置放，同時該輪圈相對於該定位座、該主機組轉動。
根據請求項1所述輪圈式之電腦主機，其中，該基座上加設有一驅動單元，且該驅動單元連動其一該轉軸轉動。
根據請求項1所述輪圈式之電腦主機，其中，該輪圈的外周緣面上開設有複數散熱孔。
根據請求項3所述輪圈式之電腦主機，其中，該等散熱孔呈傾斜設置。
一種微藻吸收煙道氣之疊架式光管反應裝置，包括：一第一煙囪，該第一煙囪以一第一煙道管引出煙道氣，該第一煙道管上裝設有一第一CO<sub>2</sub>偵測器；一超重力處理機，該第一煙道管引出煙道氣導入該超重力處理機，該超重力處理機底部往內裝設一攪拌機，該超重力處理機內頂部裝設一分歧管噴霧器，該分歧管噴霧器往外連接至一光管反應中央塔，由該光管反應中央塔供應藻水至該分歧管噴霧器進行噴灑，該超重力處理機內往上升的霧氣由其上方一管路連接至一除霧器，經除霧後乾淨氣體由一風車往外排送：以及一組光管反應裝置，該超重力處理機內混合二氧化碳(CO<sub>2</sub>)的藻水經一輸送管往該光管反應裝置輸送，該光管反應裝置包括一個微藻中央處理塔接至少一個加壓泵及一個疊架式二層以上的光管反應器，疊架式該光管反應器可大量減少土地使用面積，藻水包括微藻與營養液，得與日光及二氧化碳(CO<sub>2</sub>)進行養殖，減碳的氣體再由一第二煙道管往一第二煙囪輸送排放，該第二煙道管上裝設有一第二CO<sub>2</sub>偵測器者。
如請求項1所述之微藻吸收煙道氣之疊架式光管反應裝置，其中該微藻為纖細棵藻、三角褐指藻、微擬球藻、小球藻、綠球藻、斜生柵藻、雨生紅球藻或鹽藻。
如請求項1所述之微藻吸收煙道氣之疊架式光管反應裝置，其中該營養液為無土栽培營養液，包括無機氮、無機磷、巨量元素、微量元素、維生素及水。
如請求項3所述之微藻吸收煙道氣之疊架式光管反應裝置，其中該營養液的無機氮為氮、磷、鉀的一種或兩種。
如請求項3所述之微藻吸收煙道氣之疊架式光管反應裝置，其中該營養液的無機磷為磷酸二氫鉀。
如請求項3所述之微藻吸收煙道氣之疊架式光管反應裝置，其中該營養液的巨量元素為鈣、鎂、鐵、鈉鹽的一種或幾種混合物。
如請求項3所述之微藻吸收煙道氣之疊架式光管反應裝置，其中該營養液的微量元素為錳、鈷、鋅、銅鹽的一種或幾種混合物。
如請求項3所述之微藻吸收煙道氣之疊架式光管反應裝置，其中該營養液的維生素為B1、B12的一種或二種混合物。
如請求項1所述之微藻吸收煙道氣之疊架式光管反應裝置，其中該微藻的養殖條件係將該微藻與該營養液以1：3至5的比例注入，控制溶氧量為10至20mg/L，PH值為3.5至6，溫度為20至35℃，流速為10至25釐米/秒，工作壓力在2.8大氣壓左右。
如請求項2所述之微藻吸收煙道氣之疊架式光管反應裝置，其中該纖細棵藻的養殖條件係將該纖細棵藻與該營養液以1：10的比例注入，控制溶氧量為15至20mg/L，PH值為4至6，溫度為24至26℃。
如請求項1所述之微藻吸收煙道氣之疊架式光管反應裝置，其中該微藻中央處理塔設有多種感應器，該感應器可為PH值、溫度、葉綠素、氨氮、SOD、溶解氧、密度、電力或氣象感測器。
一種具有壓著偏差補強結構的軟性電路板，包含有： <br/>一軟性電路板本體，包含有： <br/> 一主體區； <br/> 複數端子區，連接該主體區； <br/>複數補強板，設置於該主體區，且各自對應該些端子區。
如請求項1所述之具有壓著偏差補強結構的軟性電路板，其中，該軟性電路板本體進一步包含有一柔性區； <br/>其中，該柔性區位於該主體區及該些端子區之間，且該些端子區分別通過該柔性區連接該主體區。
如請求項1所述之具有壓著偏差補強結構的軟性電路板，其中，該些端子區包含有一第一端子區及一第二端子區； <br/>其中，該主體區具有一連接邊，且該第一端子區及該第二端子區連接該主體區的該連接邊； <br/>其中，該主體區包含有對應該第一端子區的一第一主體區，及對應該第二端子區的一第二主體區； <br/>其中，該些補強板包含有一第一補強板及一第二補強板，且該第一補強板置於該第一主體區，該第二補強板置於該第二主體區。
如請求項3所述之具有壓著偏差補強結構的軟性電路板，其中，該第一主體區及該第二主體區之間具有一分隔線； <br/>其中，該第一端子區面向該第二端子區之一側具有一第一端子側邊； <br/>其中，該第一端子側邊與該分隔線平行，且間隔有一第一距離； <br/>其中，該第一距離大於一第一閾值。
如請求項4所述之具有壓著偏差補強結構的軟性電路板，其中，該第一補強板小於該第二補強板。
如請求項4所述之具有壓著偏差補強結構的軟性電路板，其中，該第一閾值為2毫米。
如請求項3所述之具有壓著偏差補強結構的軟性電路板，其中，該第一主體區及該第二主體區之間具有一分隔線； <br/>其中，該第二端子區面向該第一端子區之一側具有一第二端子側邊； <br/>其中，該第二端子側邊與該分隔線平行，且間隔有一第二距離； <br/>其中，該第二距離大於一第二閾值。
如請求項7所述之具有壓著偏差補強結構的軟性電路板，其中，該第一補強板大於該第二補強板。
如請求項7所述之具有壓著偏差補強結構的軟性電路板，其中，該第二閾值為2毫米。
如請求項1所述之具有壓著偏差補強結構的軟性電路板，其中，該補強板的材質為聚醯亞胺、FR-4、鋼片、鋁片或銅片。
一種刮刀架套組，用於錫膏印刷，包括： <br/>一前刮刀架，包括： <br/>一前連接板；以及 <br/>一前支架，可拆卸地連接於該前連接板；以及 <br/>一後刮刀架，設置於該前刮刀架旁，且包括： <br/>一後連接板； <br/>一左壓塊，連接於該後連接板的一端； <br/>一右壓塊，連接於該後連接板的另一端； <br/>一左支架，可拆卸地連接於該左壓塊；以及 <br/>一右支架，可拆卸地連接於該右壓塊。
如請求項1所述的刮刀架套組，其中 <br/>該前支架形成有位於該前連接板兩側的一第一前鎖孔及一第二前鎖孔； <br/>該左支架形成有對應於該第一前鎖孔的一第一後鎖孔；以及 <br/>該右支架形成有對應於該第二前鎖孔的一第二後鎖孔。
如請求項2所述的刮刀架套組，其中 <br/>該前支架形成有靠近兩端的一第三前鎖孔及一第四前鎖孔； <br/>該左支架形成有對應於該第三前鎖孔的一第三後鎖孔；以及 <br/>該右支架形成有對應於該第四前鎖孔的一第四後鎖孔。
如請求項3所述的刮刀架套組，其中該左壓塊位於該第一後鎖孔與該第三後鎖孔之間，且該右壓塊位於該第二後鎖孔與該第四後鎖孔之間。
如請求項3所述的刮刀架套組，其中該左壓塊的長度小於或等於該第一後鎖孔與該第三後鎖孔之間的距離，且該右壓塊的長度小於或等於該第二後鎖孔與該第四後鎖孔之間的距離。
如請求項3所述的刮刀架套組，其中該第一前鎖孔、該第一後鎖孔、該第二前鎖孔與該第二後鎖孔的每一者為一可調節鎖孔。
如請求項3所述的刮刀架套組，其中該第三前鎖孔、該第三後鎖孔、該第四前鎖孔與該第四後鎖孔的每一者為一固定鎖孔。
如請求項1所述的刮刀架套組，其中該前刮刀架與該後刮刀架的材質包括不銹鋼，且前刮刀架與該後刮刀架具有硬鉻塗層。
如請求項1所述的刮刀架套組，其中該後連接板包括： <br/>一U形板； <br/>一左支臂，連接該左壓塊及該U形板的一端；以及 <br/>一右支臂，連接該右壓塊及該U形板的另一端。
一種錫膏印刷模組，包括： <br/>一如請求項1的刮刀架套組； <br/>一前刀座，連接於該刮刀架套組的該前刮刀架； <br/>一後刀座，連接於該刮刀架套組的該後刮刀架； <br/>一前刀具，連接於該前刀座；以及 <br/>一後刀具，連接於該後刀座。
一種晶圓氣浮轉台的調節機構，包括： <br/>減速器（1），與外部結構固定連接； <br/>調節軸（2），與所述減速器（1）的輸入端連接； <br/>連接杆（3），一端與所述減速器（1）的輸出端連接，另一端用於與所述氣浮轉台連接； <br/>殼體（5），所述殼體（5）與所述減速器（1）固定連接且位於所述減速器（1）的輸入端，所述調節軸（2）安裝於所述殼體（5），且一端伸出所述殼體（5）； <br/>所述殼體（5）遠離所述減速器（1）的端面上設置有多個分度標記，多個所述分度標記沿所述殼體（5）周向均勻分布；所述調節軸（2）上設置有基準標記，指向所述分度標記，從而顯示調節行程。
如請求項1所述的晶圓氣浮轉台的調節機構，還包括驅動組件，所述驅動組件能夠驅動所述調節軸（2）轉動以使所述連接杆（3）運動。
如請求項2所述的晶圓氣浮轉台的調節機構，其中，所述驅動組件安裝於所述調節軸（2）伸出所述殼體（5）的一端，且能夠與所述調節軸（2）一同轉動； <br/>其中，手動操作所述驅動組件能夠帶動所述調節軸（2）轉動，以驅動所述連接杆（3）相對所述氣浮轉台運動。
如請求項3所述的晶圓氣浮轉台的調節機構，其中，所述驅動組件包括： <br/>驅動塊（41），呈長條狀設置，中間設置有通孔能夠套設在所述調節軸（2）上，所述驅動塊（41）的一端設置有沿其長度方向開設至所述通孔的間隙； <br/>鎖緊件（42），設置在所述驅動塊（41）的側面且位於所述驅動塊（41）設置有所述間隙的一端，能夠將所述驅動塊（41）鎖緊至所述調節軸（2）上。
如請求項3所述的晶圓氣浮轉台的調節機構，還包括： <br/>鎖止件（7），設置在所述驅動組件上，且能夠將所述驅動組件鎖止於所述殼體（5）。
如請求項4所述的晶圓氣浮轉台的調節機構，還包括： <br/>防脫件（8），設置在所述調節軸（2）上，防止所述驅動塊（41）掉落以及定位所述驅動塊（41）。
如請求項2所述的晶圓氣浮轉台的調節機構，其中，所述驅動組件包括電機，所述電機安裝於所述調節軸（2）伸出所述殼體（5）的一端，且與所述調節軸（2）傳動連接； <br/>其中，所述電機能夠帶動所述調節軸（2）轉動，以驅動所述連接杆（3）相對所述氣浮轉台運動。
如請求項1所述的晶圓氣浮轉台的調節機構，其中，所述殼體（5）內設置有軸承（61），所述軸承（61）套設在所述調節軸（2）上，以使所述調節軸（2）繞其自身軸線轉動。
如請求項8所述的晶圓氣浮轉台的調節機構，其中，所述軸承（61）在所述殼體（5）內設置有至少兩個，且沿所述調節軸（2）的軸向間隔設置。
一種晶圓加工設備，包括吸盤和用於承載所述吸盤的氣浮轉台，所述吸盤與所述氣浮轉台固定連接，其特徵在於，所述氣浮轉台上設置有至少三個支撐點，至少兩個所述支撐點使用如請求項1至9任一項所述的晶圓氣浮轉台的調節機構。
一種管件結構，包括：<br/> 軟管，具有以二次射出成型所製作出之第一管體及第二管體，該第一管體及該第二管體分別具有相對應之第一彎徑段及第二彎徑段；<br/> 其中，該第一管體與該第二管體之間夾置硬膠體且對應接合，藉由該硬膠體避免成該軟管之管內中空直徑彎折變形，將該硬膠體取出，俾使該軟管具有軟管彎徑段，該軟管彎徑段分別與該第一彎徑段及該第二彎徑段相對應。
如請求項1所述之管件結構，其中該第一管體及該第二管體為可撓曲的圓形長條管件。
如請求項1所述之管件結構，其中該第一彎徑段及該第二彎徑段分別具有至少一第一彎折部及至少一第二彎折部，該至少一第一彎折部與該至少一第二彎折部分別具有不同彎折角度。
如請求項3所述之管件結構，其中該第一彎徑段及該第二彎徑段兩端分別延伸設有第一直徑段及第二直徑段。
如請求項4所述之管件結構，其中該硬膠體形狀與該第一管體之第一彎徑段及第一直徑段相符，且該硬膠體一端具有取出段。
如請求項5所述之管件結構，其中該第一管體及該第二管體放入治具內，將該第一彎徑段及該第二彎徑段略微拉直，透過液壓或氣壓的方式經由該取出段將該硬膠體取出。
如請求項6所述之管件結構，其中該治具係具有治具底座及治具上座。
一種水冷系統的冷板支路分流結構，係包括：<br/> 一第一分流體，具有一入水流道及一第一出水流道，所述入水流道與該第一出水流道間形成有一匯接區，該匯接區連通至少一分流通道； <br/> 一導引體，與該第一分流體組設，且具有一導引入口及一螺旋通道，該導引入口連通所述分流通道與該螺旋通道；<br/> 一第二分流體，與該導引體組設，且具有一第二出水流道連通該螺旋通道，以藉由該螺旋通道延長螺旋流場與旋轉導流，使該第二出水流道流量低於該第一出水流道，並降低該第二出水流道壓降。
如請求項1所述之水冷系統的冷板支路分流結構，其中所述第一出水流道流量大於或等於該第一、第二出水流道的流量總合。
如請求項1所述之水冷系統的冷板支路分流結構，其中所述導引體頂部相對該導引入口外圍形成有一嵌槽及於該嵌槽內設置有一密封件。
如請求項1所述之水冷系統的冷板支路分流結構，其中所述導引體具有一導引通道，該導引通道位於該導引入口與該螺旋通道之間，且一端連通該導引入口，並經該導引入口連通所述分流通道。
如請求項4所述之水冷系統的冷板支路分流結構，其中該導引通道另一端形成有一導引出口，該導引出口連通所述螺旋通道。
如請求項1所述之水冷系統的冷板支路分流結構，其中所述導引體形成有一延伸部，該螺旋通道旋繞該延伸部外圍。
如請求項6所述之水冷系統的冷板支路分流結構，其中所述第二分流體具有一組槽連通所述第二出水流道，該導引體由該延伸部組設該組槽<br/> ，由該組槽封閉該螺旋通道之開口端且使該螺旋通道連通所述第二出水流道。
如請求項1所述之水冷系統的冷板支路分流結構，其中所述第二出水流道出口處形成有一限位部及一展部，該限位部之半徑小於該展部之半徑，以使一出水管插入時，由該展部導入並由所述限位部限位該出水管。
如請求項1所述之水冷系統的冷板支路分流結構，其中該冷板支路分流結構係設置於一水冷系統，該水冷系統包括有一上冷板及一下冷板，該第一出水流道以一第一出水管連通所述上冷板，該第二出水流道以一第二出水管連通所述下冷板。
一種水冷系統的冷板支路分流結構，係包括：<br/> 一第一分流體，具有一入水流道及一第一出水流道，所述入水流道與該第一出水流道間形成有一匯接區，該匯接區連通至少一分流通道，該分流通道係一呈螺旋狀通道；<br/> 一第二分流體，與該第一分流體組設，且具有一第二出水流道連通該呈螺旋狀之分流通道，以藉由該螺旋狀分流通道延長螺旋流場與旋轉導流，使該第二出水流道流量低於該第一出水流道，並降低該第二出水流道壓降。
如請求項10所述之水冷系統的冷板支路分流結構，其中所述第一出水流道流量大於或等於該第一、第二出水流道的流量總合。
如請求項10所述之水冷系統的冷板支路分流結構，其中所述第二出水流道出口處形成有一限位部及一展部，該限位部之半徑小於該展部之半徑，以使一出水管插入時，由該展部導入並由所述限位部限位該出水管。
如請求項10所述之水冷系統的冷板支路分流結構，其中該冷板支路分流結構係設置於一水冷系統，該水冷系統包括有一上冷板及一下冷板，該第一出水流道以一第一出水管連通所述上冷板，該第二出水流道以一第二出水管連通所述下冷板。
一種纜車紙盒裝置，係由一體成形之板片所裁切，經凹摺與貼合後形成一立體纜車車廂造型之紙盒，其包括有：<br/>一盒身，係由同面積之一前側板、一後側板、一左側板及一右側板所圍繞組成；該前側板、該後側板、該左側板與該右側板之中間處設有相互連接之平直摺線，並呈上下窄、中間寬之形狀，該前側板、該後側板、該左側板及該右側板之上方分別以一鄰接板相接，該鄰接板設有一摺收線，使該前側板、該後側板、該左側板與該右側板得以沿該平直摺線及該摺收線向該盒身的前後左右外凸；其中，該前側板之上方該鄰接板外側及下方外側各設有一結合翼片；<br/>一盒底，係由該前側板與該後側板之底緣延伸出同面積之一前底板與一後底板，及由該左側板與該右側板之底緣延伸出同面積之一左底板與一右底板所組成；其中，該前底板與該後底板之一斜側分別形成一前底摺板與一後底摺板，並於該前底板與該前底摺板間，及該後底板與該後底摺板間設有一缺口，令該前底摺板與該左底板貼合，該後底摺板與該右底板貼合，且各該結合翼片貼合於該右側板之邊緣；經由該前底板與該後底板之缺口相對咬合，即形成一盒體以承載物件；以及<br/>一盒蓋，係由該前側板與該後側板之上緣延伸出同面積之二提耳片，及由該左側板與該右側板之上緣延伸出一左蓋板及一右蓋板所組成；其中，該二提耳片內設有一提孔，該右蓋板上開設有一穿設孔，且該左蓋板與該右蓋板之中間對應處設有一插扣槽與一插扣片，該二提耳片中段具預摺線，可摺成L型而分成橫片部及立片部；藉由該左蓋板向下壓摺，該二提耳片之立片部可疊合於該左蓋板上並向中央靠合，令該右蓋板之該穿設孔套合於該二提耳片上，並使該右蓋板的該插扣片與該左蓋板的該插扣槽完成扣合。
依請求項1所述之纜車紙盒裝置，其中，該盒體所承載之物件可為食品或一般物品。
依請求項1所述之纜車紙盒裝置，其中，該前底摺板與該左底板之間，該後底摺板與該右底板之間，以及各該結合翼片與該右側板邊緣之間之貼合，係以膠合、釘合或熱封方式固定。
依請求項1所述之纜車紙盒裝置，其中，該二提耳片之形狀可為半圓形、矩形或梯形。
依請求項1所述之纜車紙盒裝置，其中，該提孔可呈半圓形、矩形或梯形。
依請求項1所述之纜車紙盒裝置，其中，該插扣片與該插扣槽之扣合方式可為卡榫式、滑入式或壓合式。
依請求項1所述之纜車紙盒裝置，其中，該左蓋板可進一步設有二第一開孔，該二提耳片的該橫片部可進一步設有一第二開孔，該右蓋板可進一步設有二可開合之窗口，且於扣合後，所述第一開孔、第二開孔與窗口之位置呈相互重疊對應。
依請求項1所述之纜車紙盒裝置，其中，該盒身之各側板可進一步設有裝飾圖案。
依請求項1所述之纜車紙盒裝置，其中，該紙盒係由食品級紙材構成，並具有防油、防潮塗層，以適用於盛裝食品。
一種保護蓋，包括：<br/> 一個盤體（11），帶有正面與背面；<br/> 一個凸部（21），形成於該盤體（11）的背面；<br/> 一個孔（14），從該盤體（11）的正面貫穿至背面，並位於該凸部（21）中，該孔（14）相對於該盤體（11）幾何中心是偏心的；<br/> 一個實心結構（17），包括：<br/> 一個導流部（18），其開口位於該盤體（11）的正面；<br/> 一個凹部（22），形成於該凸部（21），使其擁有一個薄壁（24）與一個環繞該孔（14）周圍的厚壁（23）；以及<br/> 一個分隔部（25），為該盤體（11）的實心部分，該分隔部（25）隔開該導流部（18）與該凹部（22）。
如請求項1所述的保護蓋，其中，該導流部（18）的底面形成一個紋路構造（19），該紋路構造（19）設計為引導氣流經過該孔（14）兩側之幾何形體，並位於該分隔部（25）的一側。
如請求項1所述的保護蓋，其中，該分隔部（25）用以增強所述薄壁（24）的結構強度。
一種色盤教具，包含：<br/> 一本體；<br/> 一第一區域，位於該本體之一側面；<br/> 一第二區域，位於該本體的該側面並圍繞該第一區域；<br/> 複數基礎色塊，位於該第二區域，每一該基礎色塊包含一色相值，任兩相鄰的該些基礎色塊的該些色相值相減為一色相增量值，該些色相增量值依據一預定不等距序列設定，其中三個該基礎色塊分別為CMY色彩之其中一原色，位於三個該基礎色塊之間的該些基礎色塊為一複色；及<br/> 複數註解區塊，對應該些基礎色塊排列，每一該註解區塊包含一顏色說明。
如請求項1所述之色盤教具，其中一個該原色至另一該原色之間的該色相增量值的總和為一色相變化量，三個該色相變化量為相同。
如請求項2所述之色盤教具，其中兩個該原色的該些基礎色塊之間包含七個該複色的該些基礎色塊。
如請求項1所述之色盤教具，其中該第一區域包含一教具說明區塊，印刷一說明文字於該教具說明區塊。
如請求項1所述之色盤教具，更包含一覆蓋板，覆蓋該本體，該覆蓋板包含複數空色塊與至少一選色孔，該選色孔的數量小於該些空色塊。
如請求項1所述之色盤教具，更包含複數色錐，每一該色錐包含複數延伸色塊，該些色錐位於一教學面板。
如請求項6所述之色盤教具，其中該延伸色塊位於該色錐的一銳角區，該延伸色塊的顏色與任一該基礎色塊的顏色相同，其他的該延伸色塊根據彩度及明度分布於該色錐。
一種色盤教具系統，包含：<br/> 複數如請求項1所述的色盤教具；及<br/> 一教學面板，包含：<br/> 一色盤放置區，設置該些色盤教具；及<br/> 一教學說明區，圍繞該色盤放置區，其中該些色盤教具根據該教學說明區的一教學說明呈現於該色盤放置區。
一種色盤教具系統，包含：<br/> 複數如請求項1所述的色盤教具，其中該些色盤教具的面積為不相等；及<br/> 一固定部，位於該些色盤教具的圓心。
如請求項9所述之色盤教具系統，更包含一呈現板，包含一覆蓋區與一揭露區，該覆蓋區覆蓋該些基礎色塊，該揭露區揭露每一該色盤教具的至少一該基礎色塊。
一種色盤教具系統，包含：<br/> 複數如請求項1所述的色盤教具，其中該些色盤教具的面積為相等；<br/> 一串接部，位於該些色盤教具；及<br/> 一串接件，通過該些串接部以串接該些色盤教具。
如請求項11所述之色盤教具系統，更包含一套袋，容置至少一該色盤教具，其中，該套袋包含該串接部，該串接件通過該些套袋的該些串接部以串接該些色盤教具。
一種青草茶包，主要係設有透水性袋體及破碎成碎末狀之青草茶原料，該透水性袋體內設有容室，該透水性袋體之上方設有開口，該青草茶原料係為破碎成碎末狀之優遁草、白鶴靈芝、肉桂葉及甜菊，該青草茶原料係置入於該透水性袋體之容室內，將該透水性袋體之開口予以封合。
如請求項1所述之青草茶包，其中，該青草茶原料之總成分重量百分比分別為優遁草40%、白鶴靈芝40%、肉桂葉13.4%、甜菊6.6%。
一種基於多模態語意編碼與綜合徵狀關聯分析之中醫健康檢測系統，其包括有：<br/> 一處理器；<br/> 一記憶體，電性連接於該處理器，且儲存有指令以供該處理器執行；<br/> 一資料採集模組，電性連接於該處理器，用於獲取使用者之生理資訊，其中該資料採集模組配置有以下功能單元：<br/> 一影像擷取單元，配置有一攝影單元，並儲存有一標準化拍攝條件，用於拍攝與輸出使用者舌部影像； <br/> 一音訊擷取單元，配置有一收音單元，用於錄製與輸出使用者語音訊號；<br/> 一人機互動單元，配置一語言處理單元，用於接收與輸出由使用者輸入之文字或由語音轉換之文字；<br/> 一切診量測單元，包含一智慧手錶或心率測試裝置，配置成用以量測與輸出受測者之脈搏訊號或心跳頻率；<br/> 一多模態語意編碼模組，電性連接於該處理器，該多模態語意編碼模組包含一語意標籤生成單元，並配置成由該處理器自該影像擷取單元、該音訊擷取單元、該人機互動單元及該切診量測單元取得對應之輸入資訊，由該語意標籤生成單元依照一映射模型或一映射規則集將該輸入資訊轉換為第一語意標籤集合、第二語意標籤集合、第三語意標籤集合及第四語意標籤集合，以形成對應之第一語意編碼、第二語意編碼、第三語意編碼及第四語意編碼；<br/> 一可追溯語意標籤封裝模組，電性連接於該處理器，包含一結構化標籤資料格式，用以將第一語意編碼、第二語意編碼、第三語意編碼及第四語意編碼之語意標籤對應封裝爲結構化標籤資料，且該結構化標籤資料至少包含模態來源識別資訊、時間戳資訊、可信度資訊與語意標籤集合；<br/> 一跨模態徵狀關聯推論模組，電性連接於該處理器，用以彙總該結構化標籤資料並查詢一中醫病理徵狀關聯資料庫，以計算多種中醫體質類型之匹配評分；<br/> 一互動式徵狀驗證模組，電性連接於該處理器，用以依該跨模態徵狀關聯推論模組之輸出生成一徵狀確認列表，且與該人機互動單元配合以輸出該徵狀確認列表並接收確認輸入，以修正該匹配評分；以及，<br/> 一報告生成模組，電性連接於該處理器，根據該互動式徵狀驗證模組所判定結果生成一包含體質說明與養生建議之健康報告，並與該人機互動單元配合以輸出該健康報告。
如請求項1所述之基於多模態語意編碼與綜合徵狀關聯分析之中醫健康檢測系統，其中，該影像擷取單元或該記憶體儲存一標準化拍攝條件，該標準化拍攝條件至少包括色彩校正矩陣、鏡頭畸變校正參數、標準化拍攝距離或視角。
如請求項1所述之基於多模態語意編碼與綜合徵狀關聯分析之中醫健康檢測系統，其中，該音訊擷取單元包含一信號濾波與增強單元，用以對錄製的語音訊號執行背景雜訊濾除與語音頻段增強。
如請求項1所述之基於多模態語意編碼與綜合徵狀關聯分析之中醫健康檢測系統，其中，該人機互動單元配置一用於顯示與輸入之互動介面，用引導使用者回答預設問題或輸入自然語句，並用於顯示該徵狀確認列表與健康報告。
如請求項4所述之基於多模態語意編碼與綜合徵狀關聯分析之中醫健康檢測系統，其中， 該人機互動單元還配置一語言處理單元，用於接收與輸出由使用者輸入之文字或由語言轉換之文字。
如請求項1所述之基於多模態語意編碼與綜合徵狀關聯分析之中醫健康檢測系統，其中，該切診量測單元配置爲透過藍牙、無線網路或有線通訊與智慧手錶或心率測試裝置連線，以回傳脈搏訊號或心跳頻率。
如請求項1所述之基於多模態語意編碼與綜合徵狀關聯分析之中醫健康檢測系統，其中，該語意標籤生成單元係參照至少一標籤字典以生成各語意標籤集合，且該標籤字典包含複數各標籤項目，各該標籤項目至少包含標籤識別碼、標籤名稱、標籤類別與標籤值域定義。
如請求項7所述之基於多模態語意編碼與綜合徵狀關聯分析之中醫健康檢測系統，其中，該標籤字典包含一舌象標籤字典、一聲學標籤字典、一問診標籤字典及一切診標籤字典，以分別對應生成第一語意標籤集合、第二語意標籤集合、第三語意標籤集合及第四語意標籤集合。
如請求項1所述之基於多模態語意編碼與綜合徵狀關聯分析之中醫健康檢測系統，其中，該跨模態徵狀關聯推論模組還包含跨模態互證機制、矛盾偵測機制、可信度導向之權重調整機制、時間戳導向之互證控制機制以及衝突解決與追收詢問觸發機制，配置爲落實第一語意編碼、第二語意編碼、第三語意編碼及第四語意編碼之交互驗證。
如請求項1所述之基於多模態語意編碼與綜合徵狀關聯分析之中醫健康檢測系統，其中，該健康報告還呈現至少一模態來源之關鍵語意標籤，及/或經使用者確認之關鍵徵狀。
一種加工機防噪結構，係包含有:<br/> 一機床，係該機床設有一本體，其中該本體設有一傳動芯軸及一主動軸，且該主動軸接設於該傳動芯軸；<br/> 一套筒，係該套筒裝設於該本體的該傳動芯軸；及<br/> 一防噪組件，係該防噪組件分別設置於該套筒的一上端內部及一下端內部。
如請求項1所述加工機防噪結構，其中該防噪組件包含有一第一吸音件及一第二吸音件，又其中該第一吸音件設於該套筒的該上端內部，而該第二吸音件設於該套筒的該下端內部。
如請求項2所述加工機防噪結構，其中該第一吸音件及該第二吸音件設於該套筒及該傳動芯軸之間，又其中該第一吸音件設有一第一長度，而該第二吸音件設有一第二長度，又其中該第一長度大於該第二長度，另該防噪組件的材質設為PU、EVA、TPE、PVC或矽膠。
如請求項3所述加工機防噪結構，其中該套筒的一端設為螺紋部，且鄰近該螺紋部設有一錐部，又其中該套筒的該上端內部銜接該下端內部中間設有一花鍵部，即該花鍵部位於該第一吸音件、該第二吸音件之間。
如請求項4所述加工機防噪結構，其中該本體的該傳動芯軸穿伸於該套筒的該上端內部及該下端內部，且該傳動芯軸設有一花鍵軸相對應該套筒的該花鍵部。
如請求項1至5任一項所述加工機防噪結構，其中該機床的該主動軸及該傳動芯軸之間分別設有二皮帶輪，且該二皮帶輪之間裝設有一皮帶，使該主動軸的動力傳輸至該傳動芯軸。
一種加工機防噪結構，係包含有:<br/> 一立式加工機，係該立式加工機包含有一本體、一傳動芯軸、一主動軸、一驅動裝置、一進給組件及一加工平台，其中該傳動芯軸及該主動軸分別接設於該驅動裝置，且該進給組件樞接於該傳動芯軸，又該加工平台設於該傳動芯軸的正下方；<br/> 一套筒，係該套筒裝設於該本體的該傳動芯軸；及<br/> 一防噪組件，係該防噪組件分別設置於該套筒的一上端內部及一下端內部。
如請求項7所述加工機防噪結構，其中該防噪組件包含有一第一吸音件及一第二吸音件，又其中該第一吸音件設於該套筒的該上端內部，而該第二吸音件設於該套筒的該下端內部。
如請求項8所述加工機防噪結構，其中該第一吸音件及該第二吸音件設於該套筒及該傳動芯軸之間，又其中該第一吸音件設有一第一長度，而該第二吸音件設有一第二長度，又其中該第一長度大於該第二長度，另該防噪組件的材質設為PU、EVA、TPE、PVC或矽膠。
如請求項8所述加工機防噪結構，其中該套筒的一端設為螺紋部，且鄰近該螺紋部設有一錐部，又其中該套筒的該上端內部銜接該下端內部中間設有一花鍵部，即該花鍵部位於該第一吸音件、該第二吸音件之間。
一種足式機器人，包括：<br/> 一主體；以及<br/> 一足部，樞接於該主體，該足部包括：<br/> 一第一腿部，樞接於該主體；<br/> 一第二腿部，樞接於該第一腿部相對於該主體之一端；<br/> 一輪部，經由一轉軸樞接於該第二腿部相對於該第一腿部之一端；<br/> 一扣止件，具有相對之一第一端及一第二端，該第一端樞接於該第一腿部，該第二端具有一扣止部；以及<br/> 一驅動器，設置於該扣止件之該第一端，並適以驅動該扣止件相對於該第一腿部樞轉，使該扣止部勾扣於該轉軸或解除勾扣於該轉軸。
如請求項1所述之足式機器人，其中足部更包括一伺服馬達，連接於該第一腿部及該第二腿部之間，適以驅動該第二腿部相對該第一腿部運動，當該驅動器驅動該扣止件至該扣止部勾扣於該轉軸時，該伺服馬達進入休眠或低功率模式。
如請求項2所述之足式機器人，其中該扣止部具有一感測器，於該感測器偵測到該扣止部勾扣於該轉軸時，傳送一休止訊號至該伺服馬達，以使該伺服馬達進入休眠或低功率模式。
如請求項1所述之足式機器人，其中該足部更包括一第一腿部馬達，連接於該主體及該第一腿部之間，適以驅動該第一腿部相對該主體運動，當該驅動器驅動該扣止件至該扣止部勾扣於該轉軸時，該第一腿部馬達進入休眠或低功率模式。
如請求項1所述之足式機器人，其中該扣止部係為一卡勾，以勾扣於該轉軸。
如請求項1所述之足式機器人，其中該扣止部包括：<br/> 一卡勾，具有一開口；<br/> 一插銷，設置於該卡勾；及<br/> 一伸縮驅動器．連接該插銷，適以驅動該插銷伸出至遮擋該開口或驅動該插銷收回至開放該開口。
如請求項1所述之足式機器人，其中該扣止件更包括：<br/> 一轉動部，樞設於該第一腿部；以及<br/> 一直桿，可沿一軸向移動地設置於該轉動部；<br/> 其中該扣止部設置於該直桿相對於該轉動部之一端。
如請求項7所述之足式機器人，其中該扣止件更包括一彈性件，套設於該直桿，且該彈性件的二端分別頂抵於該轉動部及該扣止部。
如請求項1所述之足式機器人，其中該足部更包括一位置感測器，設置於該扣止件之該第一端，適以偵測該扣止件的樞轉位置。
如請求項1所述之足式機器人，其中該扣止件之長度足以在該第一腿部及該第二腿部以相連接處相對樞轉至該輪部最靠近該第一腿部樞接於該主體處時，使該扣止部勾扣於該轉軸。
一種空間座位收費管理系統，用以建置於一電子裝置中，其空間座位收費管理系統包含有相互資訊連結之一空間座位管理模組、一餐點管理模組及一使用時數管理模組，其中：<br/> 該空間座位管理模組用以提供一登記座位選單，使該空間座位管理模組可依據該登記座位選單產生相對應的一空間座位使用狀態；<br/> 該餐點管理模組用以提供一餐點選單，使該餐點管理模組可依據該餐點選單產生一包含有其餐點消費金額而可進行線上交易付款之餐點訂單資訊；<br/> 該使用時數管理模組儲存有可依據其餐點消費金額之多寡所分別設定的空間座位使用時數，使該使用時數管理模組可依據該餐點訂單資訊之餐點消費金額核算出相對應之空間座位使用時數，而該使用時數管理模組更提供有一可用以預約或延長空間座位使用時數之延長時數選項，且該使用時數管理模組係依據該延長時數選項產生一包含有延長時數所需金額而可進行線上交易付款之時數訂單資訊，並可透過該空間座位管理模組或該使用時數管理模組就該空間座位使用時間之剩餘時間向消費者傳送一提醒通知。
如請求項1所述的空間座位收費管理系統，其中，該空間座位收費管理系統更包含有一與該空間座位管理模組、該餐點管理模組及該使用時數管理模組相互資訊連結之後台管理模組，該後台管理模組可彙整各筆之訂單資訊以進行營業成本分析，並可對透過該後台管理模組對該空間座位管理模組、該餐點管理模組及該使用時數管理模組進行後台之功能設定、使用規範設定及客製化設定。
如請求項1所述的空間座位收費管理系統，其中，該空間座位管理模組係透過預先儲存之一營業場所的空間座位資訊、或向外擷取一營業場所之空間座位資訊以提供該登記座位選單。
如請求項1所述的空間座位收費管理系統，其中，該餐點管理模組係透過預先儲存之一營業場所的餐點資訊、或向外擷取一營業場所之餐點資訊以提供該餐點選單。
如請求項1所述的空間座位收費管理系統，其中，該登記座位選單包含有登記入座、預約訂位、取消訂位及結束行程之功能選項。
如請求項1所述的空間座位收費管理系統，其中，該空間座位管理模組係透過一顯示螢幕以顯示該空間座位使用狀態，且該空間座位使用狀態包含有預約入座狀態及目前使用狀態。
如請求項1所述的空間座位收費管理系統，其中，該空間座位管理模組更設有可用以顯示該空間座位使用時間之剩餘時間的功能選項。
如請求項1所述的空間座位收費管理系統，其中，該餐點管理模組更設有可針對其餐點訂單資訊進行查詢之線上付款狀態查詢及出餐記錄查詢的功能選項。
如請求項1所述的空間座位收費管理系統，其中，該使用時數管理模組更設有可針對其時數訂單資訊進行查詢之線上付款狀態查詢的功能選項。
如請求項1所述的空間座位收費管理系統，其中，該餐點訂單資訊與該時數訂單資訊分別由一電子帳單構成，而可透過信用卡、電子票證或電子錢包之電子支付方式進行支付。
一種齒輪式蝸桿夾頭組，包括：<br/> 一刀柄；<br/> 一樞轉套，設置於該刀柄，該樞轉套的壁面貫設一調整孔，該調整孔設置一蝸桿，該蝸桿表面具有一螺紋段；<br/> 一固定件，通過該刀柄的中軸並可拆卸設置於該樞轉套的一端；<br/> 一連接軸，其一端設置於該樞轉套，該連接軸的表面設置一蝸輪，該蝸輪嚙合該螺紋段；<br/> 一螺桿，設置於該連接軸；<br/> 一夾爪固定座，設置於該樞轉套，且該夾爪固定座的內壁面貼抵該連接軸的另一端，該夾爪固定座設置複數夾爪；及<br/> 一前套，套設於該夾爪固定座及該樞轉套的外部。
如請求項1所述之齒輪式蝸桿夾頭組，其中，該蝸輪的表面係呈斜齒。
如請求項1所述之齒輪式蝸桿夾頭組，其中，更包括一C形扣，該C形扣套設於該蝸桿的表面，並且位於該調整孔內。
如請求項1所述之齒輪式蝸桿夾頭組，其中，該樞轉套內部具有複數滾珠。
如請求項1所述之齒輪式蝸桿夾頭組，其中，該連接軸的表面環設二限位槽，各該限位槽分別位於該蝸輪的相異兩側，各該限位槽分別套設一第一彈性件，其中一該第一彈性件貼抵於該樞轉套的內壁面，另一該第一彈性件貼抵於該夾爪固定座的內壁面。
如請求項1所述之齒輪式蝸桿夾頭組，其中，該連接軸套設複數滾珠，該複數滾珠的兩面係貼抵於該蝸輪的一側及該樞轉套的內壁面。
如請求項1所述之齒輪式蝸桿夾頭組，其中，該夾爪固定座側邊開設複數夾爪槽，各該夾爪槽用以容設對應之各該夾爪。
如請求項7所述之齒輪式蝸桿夾頭組，其中，該螺桿具有一底座，該底座設置複數滑槽，各該夾爪頂部設置一組設單元，各該滑槽用以容設對應之各該組設單元。
一種具有矽膠止滑結構的鞋墊，其包含：<br/>一鞋墊本體，具有供人體腳底踩踏的一承載面；以及<br/>一止滑結構，結合於該承載面上；<br/>其特徵在於：<br/>該止滑結構是由矽膠材質製成，且該止滑結構自該承載面凸出的高度介於0.2mm至0.4mm之間。
如請求項1所述具有矽膠止滑結構的鞋墊，其中，該止滑結構凸出的高度為0.35mm。
如請求項1所述具有矽膠止滑結構的鞋墊，其中，該止滑結構是全面佈滿於該承載面。
如請求項1所述具有矽膠止滑結構的鞋墊，其中，該止滑結構是局部分佈於該承載面的一前腳掌區及一足跟區。
如請求項1所述具有矽膠止滑結構的鞋墊，其中，該止滑結構的構形是圓形顆粒狀。
如請求項1所述具有矽膠止滑結構的鞋墊，其中，該止滑結構的構形為網格紋狀或菱格紋狀。
如請求項1所述具有矽膠止滑結構的鞋墊，其中，該止滑結構的構形為橫條紋狀，該些橫條紋實質上垂直於該鞋墊的長軸方向排列。
如請求項1所述具有矽膠止滑結構的鞋墊，其中，該止滑結構的構形為人字紋狀，用以提供側向與前後向之止滑力。
如請求項1所述具有矽膠止滑結構的鞋墊，其中，該止滑結構的構形為波浪紋狀。
如請求項1所述具有矽膠止滑結構的鞋墊，其中，該止滑結構的構形為幾何紋狀。
一種具抗菌除臭透氣之草本漢方鞋墊，其主要結構包含一緩衝墊體，其特徵在於：<br/>該緩衝墊體由下而上依序層疊包含一功能性緩衝層以及一親膚面層；其中，該功能性緩衝層包含發泡材料及多種草本漢方物質；該親膚面層為含有抗菌成分的網格紡織布料。
如請求項1所述具抗菌除臭透氣之草本漢方鞋墊，其中，該功能性緩衝層為一草本複合緩衝層，該草本複合緩衝層是由發泡材料與草本漢方物質混合共構。
如請求項2所述具抗菌除臭透氣之草本漢方鞋墊，其中，該發泡材料可選用乳膠(Latex)、乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)、或記憶泡棉(Memory Foam)或聚氨酯(PU)泡棉等軟質彈性材料。
如請求項3所述具抗菌除臭透氣之草本漢方鞋墊，其中，該草本漢方物質包含人參皂苷、苦參、黃柏、防風、白芷、薄荷、艾草、金銀花、連翹中的至少一種、兩種、兩種以上、或全部之混合。
如請求項1所述具抗菌除臭透氣之草本漢方鞋墊，其中，該功能性緩衝層包含一彈性中層以及一草本機能層；該草本機能層位於該彈性中層以及該親膚面層之間。
如請求項5所述具抗菌除臭透氣之草本漢方鞋墊，其中，該彈性中層由發泡材料製成，發泡材料可選用乳膠(Latex)、乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)、或記憶泡棉(Memory Foam)或聚氨酯(PU)泡棉等軟質彈性材料。
如請求項6所述具抗菌除臭透氣之草本漢方鞋墊，其中，該草本機能層包含草本漢方物質，該草本漢方物質包含人參皂苷、苦參、黃柏、防風、白芷、薄荷、艾草、金銀花、連翹中的至少一種、兩種、兩種以上、或全部之混合。
如請求項1所述具抗菌除臭透氣之草本漢方鞋墊，其中，該功能性緩衝層的底面結合一基底層，該基底層是選用格紋布料。
如請求項8所述具抗菌除臭透氣之草本漢方鞋墊，其中，該緩衝墊體的該基底層之下成型結合一足弓支撐構件。
如請求項9所述具抗菌除臭透氣之草本漢方鞋墊，其中，該足弓支撐構件包含一杯狀跟窩部，位於該足弓支撐構件的後段並呈凹陷狀；一內側縱弓支撐部及一外側縱弓支撐部，分別凸設於該足弓支撐構件的中段的內側與外側緣；一橫弓支撐部，位於該足弓支撐構件的前段區域；以及複數個結構加強肋，成型於該足弓支撐構件的中間部位表面。
一種電路板組件，包括： <br/>一電路板，包括相對的一第一面及一第二面； <br/>一開槽，沿一第一方向依序設有一第一槽及一第二槽，該第一槽的一第一開口位於該第一面，該第二槽自該第一槽的一底部沿一第二方向延伸形成，該第一方向與該第二方向正交；以及 <br/>一電容器，鄰近該開槽且設置於該電路板。
如請求項1所述的電路板組件，其中該第二槽的一第二開口位於該第二面。
如請求項1所述的電路板組件，其中該第一槽的寬度相異於該第二槽的寬度。
如請求項1所述的電路板組件，其中該開槽為至少兩個，該電容器位於兩個該開槽之間。
如請求項4所述的電路板組件，其中相鄰的兩個該第一槽之間的距離相異於相鄰的兩個該第二槽之間的距離。
如請求項1所述的電路板組件，其中該電容器對該電路板的正投影至少部分位於該開槽對該第一面的正投影內。
一種電路板組件，包括： <br/>一電路板，包括相對的一第一面及一第二面；以及 <br/>多個電容器，一部分的該些電容器設置於該第一面，另一部分的該些電容器設置於該第二面，該些電容器各包括一接墊，該些電容器中相鄰的兩者的該接墊彼此對準。
如請求項7所述的電路板組件，其中設置於該第一面的該些電容器對該電路板的正投影與設置於該第二面的該些電容器對該電路板的正投影至少部分重疊。
如請求項7所述的電路板組件，其中設置於該第一面的該些電容器對該電路板的正投影與設置於該第二面的該些電容器對該電路板的正投影至少部分錯開。
如請求項7所述的電路板組件，其中該電路板包括至少一開槽，該些電容器對該電路板的正投影至少部分位於該至少一開槽內。
如請求項7所述的電路板組件，其中該些電容器各包括一長邊，該些電容器中相鄰的兩者的該長邊彼此平行或垂直。
一種電源供應器，包括請求項1至6的任一項所述的電路板組件，或請求項7至11的任一項所述的電路板組件。
一種碳排估算金融系統，包含： <br/> 一碳排估算金融伺服器；以及<br/> 一金融客戶手持式電子裝置，連接於該碳排估算金融伺服器，其中該碳排估算金融伺服器接收來自於一金融機構客戶的複數個消費交易資料後，計算複數個碳排放量，並產生一圖表與一分析報告，以傳送至該金融客戶手持式電子裝置，進行顯示。
如請求項1所述之碳排估算金融系統，其中該碳排估算金融伺服器，包含：<br/> 一交易類型識別模組，用以區分複數個交易類型。
如請求項2所述之碳排估算金融系統，其中該碳排估算金融伺服器，更包含：<br/> 一碳排資料庫建構模組，連接於該交易類型識別模組，用以建構一碳排資料庫。
如請求項3所述之碳排估算金融系統，其中該碳排估算金融伺服器，更包含：<br/> 一交易資料取得模組，連接於該碳排資料庫建構模組，以取得該金融機構客戶的該些消費交易資料。
如請求項4所述之碳排估算金融系統，其中該碳排估算金融伺服器，更包含：<br/> 一交易資料歸類模組，連接於該交易資料取得模組，以根據該些交易類型，歸類該些消費交易資料。
如請求項5所述之碳排估算金融系統，其中該碳排估算金融伺服器，更包含：<br/> 一碳排放係數資料串接模組，連接於該交易資料歸類模組，以根據該些消費交易資料的該些交易類型串接對應的碳排放係數。
如請求項6所述之碳排估算金融系統，其中該碳排估算金融伺服器，更包含：<br/> 一碳排放估算模組，連接於該碳排放係數資料串接模組，以估算該些消費交易資料的該些碳排放量。
如請求項7所述之碳排估算金融系統，其中該碳排估算金融伺服器，更包含：<br/> 一圖表產生模組，連接於該碳排放估算模組，以根據該些消費交易資料的該些碳排放量，產生該圖表。
如請求項8所述之碳排估算金融系統，其中該碳排估算金融伺服器，更包含：<br/> 一紅利點數獎勵模組，連接於該圖表產生模組，以根據該些消費交易資料的該些碳排放量的資料，計算紅利點數。
如請求項9所述之碳排估算金融系統，其中該碳排估算金融伺服器，更包含：<br/> 一分析報告產生模組，連接於該紅利點數獎勵模組，以分析該些消費交易資料的該些碳排放量，進而產生該分析報告。
一種機鼻罩固定結構，包含：一無人機，其具一機身前端，該機身前端具有一組合緣，該組合緣供一固定單元之一端組裝，該固定單元另一端扣合覆蓋一機鼻罩體；該固定單元包含一上殼及一下殼，該上殼及下殼兩者結合共構；其中該機鼻罩體之一端設有一喇叭狀扣緣，該喇叭狀扣緣外觀呈由內向外漸擴之喇叭狀開口；該上殼及該下殼於對應該喇叭狀扣緣的位置分別設置一上定位扣緣及一下定位扣緣，且藉由該喇叭狀扣緣所具有之由內往外傾斜的環狀防脫出角度，使該上定位扣緣及下定位扣緣可與該喇叭狀扣緣相互扣合定位。
如請求項1所述之機鼻罩固定結構，其中該組合緣之外緣呈徑向分布多個組合孔；該上殼於對應該組合緣位置設有一上組端，並設有多個對應於該組合緣上半區塊之組合孔之上組部；該下殼於對應該組合緣位置設有一下組端，並設有多個對應於該組合緣下半區塊之組合孔之下組部；使各該上組部、該下組部與各相對應之組合孔可分別藉由一組合件穿鎖固定。
如請求項2所述之機鼻罩固定結構，其中該下殼兩側分別設有一下連結座；該上殼兩側分別設有一對應該下連結座之上連結座；各該下連結座設有多個下連結孔，且各該上連結座於對應該下連結孔位置設有多個上連結部；使各該上連結部與各該下連結孔可分別藉由一連結件穿鎖固定。
如請求項1所述之機鼻罩固定結構，其中該下殼之下定位扣緣包含一下橫向扣部及一下縱向扣部；該上殼之上定位扣緣包含有一上橫向扣部及一上縱向扣部；該機鼻罩體之喇叭狀扣緣於對應該上橫向扣部及該下橫向扣部位置設有一喇叭狀扣部，該喇叭狀扣部與該上橫向扣部及該下橫向扣部呈橫向面迫抵扣合接觸；該喇叭狀扣緣於對應該上縱向扣部及該下縱向扣部位置設有一喇叭狀限位緣，該喇叭狀限位緣與該上縱向扣部及該下縱向扣部呈縱向面迫抵扣合接觸。
如請求項1所述之機鼻罩固定結構，其中該機鼻罩體之該喇叭狀扣緣所形成的由內向外漸擴之開口角度範圍為30度至45度之間。
一種板材的串接結構，包括：<br/> 板材，其長度方向的相對兩端分別具有第一端及第二端，其厚度方向的相對兩側分別具有第一側及第二側；<br/> 第一延伸部，在該第一端沿著該第一側往該第一端的方向延伸一長度，該第一延伸部朝向該第二側的方向形成有定位部；<br/> 第二延伸部，在該第二端沿著該第二側往該第二端的方向延伸一長度，該第二延伸部朝向該第一側的方向形成有定位槽；<br/> 其中，當一個該板材的該第一延伸部與另一個該板材的該第二延伸部相互搭接時，該定位部與該定位槽相互配合定位。
如請求項1所述之板材的串接結構，其中，<br/> 該第一延伸部的端部進一步延伸形成第一插接部；<br/> 該第二延伸部的端部進一步延伸形成第二插接部；<br/> 在該第一端沿著該第二側往該第一端的方向延伸第一突出部，該第一突出部的長度小於該第一延伸部的長度，且該第一延伸部與該第一突出部之間形成第一插接槽；<br/> 在該第二端沿著該第一側往該第二端的方向延伸第二突出部，該第二突出部的長度小於該第二延伸部的長度，且該第二延伸部與該第二突出部之間形成第二插接槽；以及<br/> 當一個該板材的該第一延伸部與另一個該板材的該第二延伸部相互搭接時，該第一插接部插入該第二插接槽，並且該第二插接部插入該第一插接槽。
如請求項2所述之板材的串接結構，其中，<br/> 該第一延伸部與該第一插接部的連接處形成有第一階級部；<br/> 該第二延伸部與該第二插接部的連接處形成有第二階級部；以及<br/> 當該第一插接部插入該第二插接槽且該第二插接部插入該第一插接槽時，該第一階級部與該第二突出部相互抵掣，並且該第二階級部與該第一突出部相互抵掣。
如請求項3所述之板材的串接結構，其中，該第二延伸部朝向該第一側的一面形成有凹陷空間。
如請求項4所述之板材的串接結構，其中，該定位槽內設有黏著劑。
如請求項1所述之板材的串接結構，其中，該板材內部為蜂巢結構。
如請求項6所述之板材的串接結構，其中，該蜂巢結構包含二層蜂巢空間。
一種易攜式音源播放裝置，其包含：<br/>一盒體，其為一矩形盒體，其設置有可掀開的上蓋；<br/>一立體聲喇叭裝置，其由二喇叭共鳴箱所構成；該二喇叭共鳴箱皆為矩形體，且分別設置在該盒體內部的左端與右端；其中，一喇叭共鳴箱的前、後端面分別與該盒體內部的前、後壁面貼合，左側端面與該盒體內部的左側壁面貼合；另一喇叭共鳴箱的前、後端面分別與該盒體內部的前、後壁面貼合，右側端面與該盒體內部的右側壁面貼合；<br/>以及，<br/>一操作台，其為一矩形體，且其內部設置有電路板；該操作台的頂端設置有電源開關、訊號線插口、USB插口、以及隱藏式的天線；該操作台以左右延伸的形態設置在該盒體內部，且其後端面與該盒體內部的後壁面相互貼合；該操作台的左側端面與位於其左側的該喇叭共鳴箱右側端面貼合；該操作台的右側端面與位於其右側的該喇叭共鳴箱左側端面貼合；該操作台的前端面與該盒體的前壁面之間形成一容物空間。
如請求項1所述之易攜式音源播放裝置，其中，該盒體的上蓋相對該喇叭共鳴箱的位置，設置有多數個小孔，以供該喇叭共鳴箱所放出的聲音透出。
一種盒型的音源播放裝置，其包含：<br/>一盒體，其為一矩形盒體，其設置有可掀開的上蓋；<br/>一立體聲喇叭裝置，其內部設置有二個喇叭共鳴箱；該立體聲喇叭裝置呈長條狀的矩形體，且以左右延伸的形態貼靠該盒體內部的後壁面設置；該立體聲喇叭裝置的兩側面分別貼靠該盒體內部的兩側壁面；該二喇叭共鳴箱分別設置在該立體聲喇叭裝置的左、右兩端處；<br/>以及，<br/>一操作台，其為一矩形體，且其內部設置有電路板；該操作台的頂端設置有電源開關、訊號線插口、USB插口、以及隱藏式的天線；該操作台以前後延伸的形態設置在該盒體的中央位置；該操作台以其前端面貼靠該盒體內部的前壁面、後端面貼靠該喇叭共鳴箱的前端面設置；該操作台能夠將該盒體的內部分割成左右二個容物空間。
如請求項1所述之盒型的音源播放裝置，其中，該盒體的上蓋相對該喇叭共鳴箱的位置，設置有多數個小孔，以供該喇叭共鳴箱所放出的聲音透出。
如請求項1所述之盒型的音源播放裝置，其中，該盒體的上蓋包含設置有：一前蓋板、及一後蓋板；該前蓋板的後緣與該後蓋板的前緣相互樞接，令該前蓋板能夠單獨掀開。
一種置鎖停車架，裝設於一自行車，其包括：<br/> 一停車架，該停車架具有一固定件、複數腳柱，該固定件的一端具有一車架連接部，該固定件的另一端具有複數插接部，各腳柱的一端具有一卡接部，並分別以具有該卡接部的一端插入並樞設於各插接部；又該固定件的一側向外凸出形成一樞接部；<br/> 一踩踏件，該踩踏件與該停車架相互組接，且該踩踏件具有一施力部、一樞轉部、複數卡扣部，該樞轉部與該樞接部相互樞接，各卡扣部活動與各卡接部扣接；<br/> 其中，當各卡扣部與各卡接部扣接時，各腳柱抵撐地面並支撐起該自行車，而向下施力於該施力部時，該樞轉部帶動該樞接部樞轉，使各卡扣部脫離各卡接部，輕推該自行車使各腳柱向後擺動收起。
如請求項1所述之置鎖停車架，其中該樞接部進一步具有複數第一耳片，該樞轉部進一步具有複數第二耳片，各第一耳片與各第二耳片相互疊合，且該樞接部與該樞轉部以一樞軸貫穿各第一耳片及各第二耳片進行樞接。
如請求項1所述之置鎖停車架，其中各卡接部進一步具有一卡凸部、一主體部，各卡扣部的一端向外彎折形成一彎折部，各卡扣部活動卡扣於各卡凸部，又當各卡扣部卡扣於各卡凸部時，該彎折部與該主體部之間具有間隙。
如請求項1所述之置鎖停車架，其中該固定件進一步具有一樞接孔，該樞接孔與該固定件之內部相通，一抵頂組件裝設於該樞接孔並且部分凸出於該樞接孔，且該抵頂組件凸出該樞接孔的一端抵頂該踩踏件，另一端抵頂該固定件之內部壁面。
如請求項4所述之置鎖停車架，其中該抵頂組件進一步包含有一抵頂件、一壓縮彈簧，該壓縮彈簧的一端插入該抵頂件，另一端則抵頂該固定件之內部壁面，且該抵頂件的一端凸出該樞接孔抵頂該踩踏件。
如請求項1所述之置鎖停車架，其中各腳柱可以進一步區分為一第一支柱、一第二支柱，該第一支柱朝向該第二支柱的一側具有一推抵部，該第二支柱對應該推抵部具有一連動部，當各腳柱被推動時，該推抵部推動該連動部，使該第一支柱與該第二支柱同時向後擺動。
如請求項1所述之置鎖停車架，其中該踩踏件進一步具有一本體部，該施力部係該本體部朝向該自行車的一側向外延伸凸出形成，且該施力部與該本體部之間形成一夾角，該夾角得為90度。
一種具有曲面顯示的電腦機箱，其特徵在於，所述的電腦機箱包括機殼，所述的機殼的外表面安裝有可拆卸的曲面顯示模組，所述的曲面顯示模組包括第一顯示部和與所述的第一顯示部相連接的第二顯示部，所述的第一顯示部和所述的第二顯示部不共面以形成曲面顯示效果。
如請求項1所述的具有曲面顯示的電腦機箱，其中，所述的機殼具有缺口，所述的曲面顯示模組安裝在所述的缺口中，所述的缺口包括第一區域和第二區域，所述的第一區域與所述的第二區域不共面，所述的第一顯示部安裝在所述的第一區域中，所述的第二顯示部安裝在所述的第二區域中。
如請求項2所述的具有曲面顯示的電腦機箱，其中，所述的機殼具有前面板、後面板、左側板和右側板，所述的缺口的第一區域位於所述的前面板上，所述的缺口的第二區域位於所述的左側板和/或右側板，所述的曲面顯示模組包括連接所述的第一顯示部和第二顯示部的彎曲部，所述的彎曲部位於所述的前面板與左側板的連接處和/或位於所述的前面板與右側板的連接處。
如請求項1所述的具有曲面顯示的電腦機箱，其中，所述的曲面顯示模組的內側藉由磁吸卡扣組件相連接。
如請求項4所述的具有曲面顯示的電腦機箱，其中，所述的磁吸卡扣組件包括第一卡接件和第二卡接件，所述的第一卡接件包括第一磁吸部和圍繞所述的第一磁吸部的周向設置的卡接銷，所述的第二卡接件包括第二磁吸部和圍繞所述的第二磁吸部的周向設置的卡接槽，所述的第一磁吸部與所述的第二磁吸部相匹配以產生磁吸力，所述的卡接銷和所述的卡接槽相匹配。
如請求項1所述的具有曲面顯示的電腦機箱，其中，所述的曲面顯示模組的外側設置外固定座，所述的外固定座具有與所述的曲面顯示模組相匹配的顯示窗口，所述的外固定座用於將所述的曲面顯示模組安裝在所述的機殼上，並藉由所述的顯示窗口顯示所述的曲面顯示模組的曲面顯示螢幕。
如請求項2所述的具有曲面顯示的電腦機箱，其中，所述的機殼配置可替換安裝塊，所述的可替換安裝塊的外輪廓與所述的缺口的外輪廓相匹配，所述的可替換安裝塊用於替換所述的曲面顯示模組安裝在所述的缺口中。
如請求項1所述的具有曲面顯示的電腦機箱，其中，所述的曲面顯示模組與所述的電腦機箱內的主機板電連接。
一種整合人臉辨識和人體感應的門禁系統，包含： <br/>一攝影機； <br/>一電腦裝置，電性連接該攝影機，以根據該攝影機所拍攝的影像進行人臉辨識與驗證，並根據驗證結果輸出一控制指令； <br/>一測距感應器，該測距感應器的感應方向對應該攝影機的拍攝方向； <br/>一電控鎖； <br/>一繼電器，電性連接該電控鎖；以及 <br/>一控制模組，電性連接該電腦裝置、該測距感應器以及該繼電器，該控制模組根據該測距感應器的感應信號以及該電腦裝置所輸出的該控制指令透過該繼電器驅動該電控鎖。
如請求項1所述之整合人臉辨識和人體感應的門禁系統，進一步包含一紅外線感應器，該控制模組電性連接該紅外線感應器，以根據該紅外線感應器的感應信號透過該繼電器驅動該電控鎖。
如請求項1或2所述之整合人臉辨識和人體感應的門禁系統，進一步包含一觸控顯示器；該控制模組電性連接該觸控顯示器，以驗證該觸控顯示器所接收的一密碼，並根據密碼驗證結果透過該繼電器驅動該電控鎖。
如請求項3所述之整合人臉辨識和人體感應的門禁系統，其中，該攝影機與該測距感應器分別設置在該觸控顯示器的相對兩側。
如請求項3所述之整合人臉辨識和人體感應的門禁系統，其中，該電腦裝置將該攝影機所拍攝的影像傳送到該控制模組；該控制模組控制該觸控顯示器所顯示的一操作介面，該操作介面包含一影像框與一鍵盤，該影像框用以顯示該攝影機所拍攝的影像，該鍵盤用以接收該密碼。
如請求項1所述之整合人臉辨識和人體感應的門禁系統，其中，該控制模組根據該測距感應器的感應信號運算出一待測距離，該控制模組預設有一距離門檻值；當該控制模組判斷該待測距離小於或等於該距離門檻值時，該控制模組傳送一觸發訊號給該電腦裝置，該電腦裝置於接收該觸發訊號後進行所述人臉辨識與驗證。
如請求項5所述之整合人臉辨識和人體感應的門禁系統，其中，該控制模組根據該測距感應器的感應信號運算出一待測距離，該控制模組預設有一第一距離門檻值與一第二距離門檻值，該第二距離門檻值大於該第一距離門檻值； <br/>當該控制模組判斷該待測距離小於或等於該第一距離門檻值時，該控制模組傳送一觸發訊號給該電腦裝置，該電腦裝置於接收該觸發訊號後進行所述人臉辨識與驗證，且該電腦裝置將該攝影機所拍攝的影像傳送到該控制模組，以由該控制模組控制該觸控顯示器顯示該影像框與該鍵盤； <br/>當該控制模組判斷該待測距離不小於且不等於該第一距離門檻值、而判斷該待測距離小於或等於該第二距離門檻值時，該控制模組控制該觸控顯示器顯示一警示畫面； <br/>當該控制模組判斷該待測距離大於該第二距離門檻值時，該控制模組控制該觸控顯示器執行節能模式。
一種二合一節能空調，包含：<br/> 一水冷單元，包括一機箱、一儲水槽、一水簾、一送水管路裝置及一水冷風扇，該機箱圍繞界定出一箱室，且具有一出風口，及一反向於該出風口的進風口，該進風口、該出風口與該箱室空間相連通，該儲水槽設置在該箱室且用來裝水，該水簾設置在該箱室且鄰近於該進風口，該水簾用來吸水，該送水管路裝置用來將該儲水槽內的水輸送至該水簾，該水冷風扇鄰近於該出風口且用來將空氣自該進風口進入該箱室，使得空氣流過該水簾後從該出風口流出，以吹出冷風；及<br/> 一冷氣單元，設置於該機箱並利用冷媒的制冷循環產生冷氣，該冷氣單元包括一殼座、一冷凝器、一蒸發器及一壓縮機，該殼座具有一容室，該冷凝器安裝在該容室內且用來將氣態冷媒冷凝成液態冷媒，該蒸發器安裝在該容室內且用來吸熱以將液態冷媒蒸發成氣態冷媒，該壓縮機用來接收該蒸發器的氣態冷媒並加壓後輸送至該冷凝器，該冷氣單元產生的冷氣被導入該箱室內。
如請求項1所述的二合一節能空調，其中，該冷氣單元沿一上下方向安裝在該水冷單元的機箱的上半部。
如請求項2所述的二合一節能空調，其中，該冷氣單元是駐車冷氣。
如請求項1所述的二合一節能空調，其中，該水冷單元的機箱還具有二個在一左右方向上間隔相對的側風口，該水冷單元還包括二個分別設置在該等側風口且用來吸水的濕簾，該送水管路裝置還用來將該儲水槽內的水輸送至該等濕簾。
如請求項1所述的二合一節能空調，其中，該送水管路裝置具有一位於該儲水槽內的送水泵，及一連接該送水泵且延伸至該水簾的一側的水管。
如請求項1所述的二合一節能空調，其中，該水冷風扇是軸流風扇，且具有一圓筒座及一能在該圓筒座內轉動的葉扇。
如請求項1所述的二合一節能空調，其中，該水冷單元的機箱還具有一能擺動地設置在該出風口的擺葉組。
如請求項1所述的二合一節能空調，還包含一插頭，該水冷單元、該冷氣單元與該插頭電連接。
如請求項1所述的二合一節能空調，其中，該冷氣單元還包括一散熱風扇及一冷氣風扇，該散熱風扇鄰近於該冷凝器，該冷氣風扇鄰近於該蒸發器且用來將冷氣導入該箱室內。
一種多段式人體工學分壓床墊結構，包含由高密度記憶泡棉加工而形成的一主體，其特徵在於：<br/> 在該主體的縱向上形成多條於橫向上彼此平行的內通道，該主體的縱向為人體躺臥的方向；<br/> 每一內通道與該主體的同一側表面間形成一切割線槽；<br/> 該些內通道分為五個內通道群，分別適用於人體的頭部、背部、臀部、小腿及足部；及<br/> 該些內通道群的型態在該主體的縱向上為對稱分布。
如請求項1所述的多段式人體工學分壓床墊結構，其中每一內通道剖面形心位置實質落在同一平面上。
如請求項1所述的多段式人體工學分壓床墊結構，其中每一內通道群最外側內通道與相鄰內通道群最外側內通道間的距離，大於同一內通道群內相鄰內通道間的距離。
如請求項1所述的多段式人體工學分壓床墊結構，其中該高密度記憶泡棉由聚氨酯（Polyurethane）發泡材料製成，其密度不小於70kg/m³。
如請求項1所述的多段式人體工學分壓床墊結構，其中該些內通道群中進一步包含一頭部內通道群，該頭部內通道群的頭部內通道間距相等，該些頭部內通道的剖面形狀為圓形。
如請求項5所述的多段式人體工學分壓床墊結構，其中該些內通道群中進一步包含一背部內通道群，位於該頭部內通道群旁，該背部內通道群的背部內通道間距相等，該些背部內通道的剖面形狀為導圓角長方形。
如請求項6所述的多段式人體工學分壓床墊結構，其中該些內通道群中進一步包含一臀部內通道群，位於該背部內通道群旁，該臀部內通道群的臀部內通道間距相等，該些臀部內通道的剖面形狀為平行四邊形。
如請求項7所述的多段式人體工學分壓床墊結構，其中該些內通道群中進一步包含一小腿內通道群，位於該臀部內通道群旁，該小腿內通道群的小腿內通道間距相等，該些小腿內通道的剖面形狀為導圓角長方形。
如請求項8所述的多段式人體工學分壓床墊結構，其中該些內通道群中進一步包含一足部內通道群，位於該小腿內通道群旁，該足部內通道群的足部內通道間距相等，該些足部內通道的剖面形狀為圓形。
一種植栽集水裝置，包含有：<br/> 一背架，係用以能拆卸地固定於一牆面；<br/> 至少一托架，該托架包含有一固定部，以及一自該固定部延伸而出的承載部，該固定部係能拆卸地卡扣於該背架，該固定部包含有朝向相反方向的一前表面及一後表面，該後表面係用以朝向該牆面，該承載部係位於該固定部的前表面且該承載部具有一朝上的承載面；以及<br/> 一集水槽，包含有一底部、一相對於該底部的上開口，以及一位於該底部與該上開口之間的集水空間，該集水槽的底部係放置在該至少一托架的承載面上。
如請求項1所述之植栽集水裝置，其中該托架的承載部包含有沿一水平軸向延伸成長形的一承載區塊，以及分別自該承載區塊二端向上延伸的二擋止區塊，該承載區塊及該二擋止區塊共同形成出一安裝凹槽，該集水槽係局部位於該安裝凹槽內。
如請求項2所述之植栽集水裝置，其中各該擋止區塊包含有一自該承載區塊向上傾斜延伸的傾斜段，以及一自該傾斜段向上延伸且朝向該安裝凹槽內部呈凸出狀的卡接塊，該二擋止區塊分別彈性卡抵於該集水槽的二外側面。
如請求項3所述之植栽集水裝置，其中該集水槽的該二外側面分別包含有一連接該底部的傾斜區塊，以及一連接該傾斜區塊的凹陷區塊，該二外側面的傾斜區塊分別抵接該托架的承載部的該二擋止區塊的傾斜段，該二擋止區塊的卡接塊分別彈性嵌卡於該集水槽的該二外側面的凹陷區塊。
如請求項1所述之植栽集水裝置，其中該托架的固定部係沿一垂直軸向延伸成長形，該固定部的一上端區塊及一下端區塊分別設有一頂部凹槽及一底部凹槽，該背架包含有至少一安裝區塊，該安裝區塊包含有一安裝穿孔、一位於該安裝穿孔一上邊緣的上卡扣部，以及一位於該安裝穿孔一下邊緣的下卡扣部，該托架的固定部係設於該安裝穿孔內，且該上卡扣部及該下卡扣部分別位於該托架的頂部凹槽及底部凹槽內。
如請求項5所述之植栽集水裝置，其中該托架的固定部的上端區塊包含有一內傾斜面、一自該內傾斜面的一前邊緣向上延伸的前擋止段，以及一自該內傾斜面的一後邊緣向上延伸的後擋止段，該內傾斜面、該前擋止段及該後擋止段共同形成出該頂部凹槽，該前擋止段的一頂端在該垂直軸向上的位置係高於該後擋止段的一頂端，該內傾斜面的前邊緣在該垂直軸向上的位置係高於該內傾斜面的後邊緣；該背架的上卡扣部包含有一上傾斜面，該上傾斜面的傾斜方式對應該上端區塊的內傾斜面，該上卡扣部的上傾斜面與該上端區塊的內傾斜面相面對。
如請求項6所述之植栽集水裝置，其中該托架的固定部的上端區塊更包含有一外傾斜面，該外傾斜面係自該後擋止段的頂端延伸至該固定部的後表面，且該外傾斜面在該垂直軸向上的位置高於該固定部的後表面。
如請求項5所述之植栽集水裝置，其中該托架的固定部的下端區塊包含有一內傾斜面、一自該內傾斜面的一前邊緣向下延伸的前擋止段，以及一自該內傾斜面的一後邊緣向下延伸的後擋止段，該內傾斜面、該前擋止段及該後擋止段共同形成出該底部凹槽，該前擋止段的一底端在該垂直軸向上的位置係低於該後擋止段的一底端，該內傾斜面的前邊緣在該垂直軸向上的位置係低於該內傾斜面的後邊緣；該背架的下卡扣部包含有一下傾斜面，該下傾斜面的傾斜方式對應該下端區塊的內傾斜面，該下卡扣部的下傾斜面與該下端區塊的內傾斜面相面對。
如請求項8所述之植栽集水裝置，其中該托架的固定部的下端區塊更包含有一外傾斜面，該外傾斜面係自該後擋止段的底端延伸至該固定部的後表面，且該外傾斜面在該垂直軸向上的位置低於該固定部的後表面。
如請求項5所述之植栽集水裝置，其中該托架的固定部更包含有位於該上端區塊與該下端區塊之間的二側向卡槽，該背架的安裝區塊更包含有分別位於該安裝穿孔二側邊緣的二側卡扣部，該二側卡扣部其中之一係卡入該托架的該二側向卡槽其中之一。
如請求項1所述之植栽集水裝置，其中該集水槽包含有至少一主構件，該主構件包含有一底板，以及自該底板向上延伸的一前板及一後板，該主構件的底板、前板及後板共同形成出至少部分的該集水空間。
如請求項11所述之植栽集水裝置，其中該集水槽包含有複數所述主構件，以及至少一連接件，該連接件係連接二該主構件，該連接件包含有一底板，以及自該底板向上延伸的一前板及一後板，該連接件的底板、前板及後板分別連接該主構件的底板、前板及後板，該等主構件的底板、前板及後板與該至少一連接件的底板、前板及後板共同形成出該集水空間。
如請求項12所述之植栽集水裝置，其中該連接件的底板、前板及後板至少其中之一設有一預切孔痕，用以供一使用者施力於該預切孔痕所圍出的一區塊，藉以去除該區塊而於該連接件形成出一排水孔。
如請求項11所述之植栽集水裝置，其中該集水槽更包含有至少一端蓋，該端蓋設於該主構件一端，該端蓋設有一預切孔痕，用以供一使用者施力於該預切孔痕所圍出的一區塊，藉以去除該區塊而於該端蓋形成出一排水孔。
如請求項11所述之植栽集水裝置，其中該集水槽更包含有一連接件及一端蓋，該連接件係連接該主構件與該端蓋，該連接件包含有一底板，以及自該底板向上延伸的一前板及一後板，該連接件的底板、前板及後板分別連接該主構件的底板、前板及後板，該主構件的底板、前板及後板與該連接件的底板、前板及後板共同形成出至少部分的該集水空間，該連接件的底板、前板及後板至少其中之一設有一預切孔痕，用以供一使用者施力於該預切孔痕所圍出的一區塊，藉以去除該區塊而於該連接件形成出一排水孔。
一種植栽系統，包含有：<br/> 一如請求項1所述之植栽集水裝置；以及<br/> 複數植栽盆，各該植栽盆的一底部設有至少一出水口；<br/> 其中，該背架包含有複數安裝區塊，各該安裝區塊包含有一安裝穿孔，該至少一托架的固定部及該等植栽盆係卡設於該背架的安裝穿孔內，且該集水槽的上開口位於該等植栽盆下方。
一種捲門轉速偵測模組，具有：一外殻，由相對合的一上殻及一下殻組成，該上殻與該下殻內構成一腔室， 於該腔室該上殻內面具沿一第一軸線方向凸起之主軸座，該主軸座呈環狀而具有一軸承孔，對應上殻內面該下殻內面具沿該第一軸線方向凸起之主托環，該主托環呈環狀而具有一內孔； 一偵速轉輪，其結合於該主軸座，包括一偵速盤及於該第一軸線方向的兩相對側分別具有一凸軸及一第二從動齒輪，一主軸孔沿該第一軸線自該第二從動齒輪貫穿至該凸軸，該凸軸插入該主軸座之軸承孔呈樞轉關係；一轉速感應組配置在該偵速轉輪上繞第一軸線一直徑範圍，提供一速度感應元件感應觸發訊號；一主傳動齒輪，以第一軸線為旋轉軸心設於偵速轉輪與下殻內面之間， 其上側相鄰第二從動齒輪，下側抵靠主托環之末端，其中心具有一貫通軸向的中心孔； 一主軸，其軸心位於第一軸線，該主軸穿過該主傳動齒輪並以末段結合至該偵速轉輪之主軸孔形成相互樞轉關係，該主軸對應該主托環具有一軸基部與該內孔呈樞轉關係，而該主傳動齒輪與該主軸結合為同步驅動關係； 該主軸下端做為外部驅動源連結；一第一轉輪，樞設於該下殻內面平行第一軸線方向凸起之一第一軸柱，該第一轉輪包括一第一轉盤及沿其軸心的下側具一第一從動齒輪與該主傳動齒輪相互嚙合，一第一軸柱孔自該第一從動齒輪沿軸線貫穿該第一轉輪，該第一轉盤之周緣各環設有齒部以形成一齒輪並與該第二從動齒輪相互嚙合，以使該偵速轉輪轉速高於該主軸； 一第一編碼組，配置在該第一轉輪上繞軸心一直徑範圍，提供一第一感應元件感應觸發訊號。
如請求項1所述的捲門轉速偵測模組，其中，該第一軸柱下段具一較外擴之基部，該基部上端形成一階級面做為該第一轉盤軸向定位。
如請求項1所述的捲門轉速偵測模組，其中，該主傳動齒輪包括於第一軸線方向的兩相對側分別具有一墊環及一連結軸，一中心孔沿第一軸線自該連結軸貫穿至該墊環，該連結軸與該主軸軸基部兩者間以多數軸向相互嵌合的溝槽及肋結合為同步驅動關係。
如請求項1所述的捲門轉速偵測模組，其中，其進一步包括一第二轉輪樞設於該下殻內面平行該第一軸線方向凸起之一第二軸柱，該第二轉輪包括一第二轉盤，一第二軸柱孔沿軸心貫穿該第二轉輪，該第二轉盤之周緣各環設有齒部以形成一齒輪並與該第一轉盤相互嚙合；一第二編碼組配置在該第二轉輪上繞軸心一直徑範圍，提供一第二感應元件感應觸發訊號。
如請求項4所述的捲門轉速偵測模組，其中，該第二軸柱下段具一較外擴之基部，該基部上端形成一階級面做為該第二轉盤軸向定位。
如請求項5所述的捲門轉速偵測模組，其中，該速度感應元件、該第一感應元件及該第二感應元件選自霍爾感測器、光學編碼器、電感式接近感測器。
如請求項6所述的捲門轉速偵測模組，其中，該速度感應元件設於一主電路板，其為光學編碼器，該轉速感應組是由多數凸齒組成，配置在該偵速盤上繞該第一軸線一直徑範圍，該些凸齒呈片狀朝軸向延伸並依編碼變化寬度及間隔，該感應元件為光學編碼器受凸齒通過觸發產生感應訊號。
如請求項7所述的捲門轉速偵測模組，其中，該第一感應元件及該第二感應元件為光學編碼器設於一編碼感應模組，該第一編碼組及該第二編碼組是由多數感應孔組成， 配置在該第一轉盤及第二轉盤上繞其軸心一直徑範圍，該些感應孔依編碼變化弧長及間隔，該第一感應元件及該第二感應元件受感應孔通過觸發產生感應訊號。
如請求項8所述的捲門轉速偵測模組，其中，該主電路板位於該偵速轉輪上方，該下殻具有兩主支柱以給合螺絲做為鎖固主電路板，該主電路板具有一主插接埠，其插接口顯露於外殻外側；該編碼感應模組具有一模組插接埠，與主插接埠電性連接。
如請求項1至請求項9中任一項所述的捲門轉速偵測模組，其中， 偵速轉輪與主軸轉速比9：1～12：1。
一種包含請求項10所述的捲門轉速偵測模組之捲門驅動裝置，其中，該主軸下端沿其軸心深入一異形結合孔，結合外部驅動源捲門驅動馬達離合器之傳動軸末端；該下殻主托環圍繞有數個螺絲孔，各該螺絲孔以一螺絲穿設鎖固至該離合器上而固定該下殻。
一種具餡料食品之包餡管控裝置，包含：<br/>一機體，係設有一供盛裝餡料，且可感測重量之承部，其內部係設有一包含運算軟體及執行硬體之控制總成，該承部係電性連接於該控制總成；<br/>一顯示單元，係電性連接於該控制總成；俾於包餡作業時，該控制總成會將挖餡後與挖餡前的重量及時間進行比較，並與標準重量進行比對，於該顯示單元顯示當次的包餡重量，且以不同聲響提示過重、過輕或正常，以利於作業人員調整手感，以及可藉由該控制總成計算平均包製時間、平均重量及良率、過重率等數據資料，藉以供進一步推估產能。
如請求項1所述之具餡料食品之包餡管控裝置，其中，該控制總成係包含可發出聲響之發聲元件，以不同聲響提示餡料過重、過輕或正常。
如請求項2所述之具餡料食品之包餡管控裝置，其中，該發聲元件係可為蜂鳴器或其他不同性質之元件。
如請求項1所述之具餡料食品之包餡管控裝置，其中，該控制總成係進一步包含一網路通訊模組，藉由該網路通訊模組透過電信網路係與雲端系統平台連線，將所有作業內容資料傳上該雲端系統平台，以供相關單位於一段時間後稽核。
一種拆裝治具輸送裝置，適用於運輸一拆裝治具，並包含：<br/> 一基座，包括一沿一第一水平方向延伸且界定一向下凹設之滑槽的主平台、一設置於該主平台的安裝件、一可移動地設置於該滑槽內且適用於放置並定位該拆裝治具的移動平台，及數個設置於該主平台下方的滾輪；<br/> 一傳動單元，安裝於該基座之該安裝件且連接該基座之該移動平台，且用以帶動該移動平台沿該第一水平方向移動；及<br/> 一控制單元，安裝於該基座之該安裝件且連接該傳動單元，並用以控制該傳動單元運作。
如請求項1所述的拆裝治具輸送裝置，其中，該傳動單元包括一安裝於該安裝件且用以提供一扭力的減速機馬達，及一套設於該減速機馬達上且連接該基座之該移動平台的鏈條箱，該鏈條箱具有一設置於該安裝件上且界定一收納空間的殼體、一設置於該收納空間內且連接該移動平台的鏈條，及一沿一垂直該第一水平方向的第二水平方向穿伸該殼體且連接該減速機馬達的轉軸，該轉軸用以接收該減速機馬達之該扭力而旋轉，並藉此帶動該鏈條而使該移動平台沿該第一水平方向移動。
如請求項2所述的拆裝治具輸送裝置，該控制單元包括一安裝於該安裝件上且用以控制該傳動單元運作的控制箱，及一有線地連接該控制箱的遙控器。
如請求項3所述的拆裝治具輸送裝置，該控制單元還包括一連接該鏈條箱之該轉軸的螺桿、一設置於該基座之該安裝件上且供該螺桿穿伸的穿伸件、一螺接於該螺桿上的感應塊、及二沿該第二水平方向彼此間隔地設置於該安裝件上且位於該螺桿之上方且電連接該控制箱的近接開關，該螺桿用以在該轉軸帶動而使該感應塊沿該第二水平方向移動，每一該近接開關用以在該感應塊靠近時，使該馬達停止運轉。
一種智能採購維護系統，包含： <br/> 一智能採購維護伺服器；以及<br/> 一採購人員電腦裝置，連接於該智能採購維護伺服器，以經由該智能採購維護伺服器自動且定期地檢核複數個採購文件，進而產生一預定的契約。
如請求項1所述之智能採購維護系統，更包含：<br/> 一採購資料儲存伺服器，連接於該智能採購維護伺服器，以儲存該些採購文件。
如請求項2所述之智能採購維護系統，其中該智能採購維護伺服器，包含：<br/> 一採購資料取得模組，經由該採購資料儲存伺服器取得該些採購文件。
如請求項3所述之智能採購維護系統，其中該智能採購維護伺服器，更包含：<br/> 一人工智能分析模組，連接於該採購資料取得模組，以分析該些採購文件的資料。
如請求項4所述之智能採購維護系統，其中該智能採購維護伺服器，更包含：<br/> 一契約生成模組，連接於該人工智能分析模組，以生成該預定的契約。
如請求項5所述之智能採購維護系統，其中該智能採購維護伺服器，更包含：<br/> 一契約異動模組，連接於該契約生成模組，以進行該預定的契約之內容的修改。
如請求項6所述之智能採購維護系統，其中該智能採購維護伺服器，更包含：<br/> 一序號產生模組，連接於該契約異動模組，以產生該預定的契約的一序號。
如請求項7所述之智能採購維護系統，其中該智能採購維護伺服器，更包含：<br/> 一合約定期審查模組，連接於該序號產生模組，以定期審查該些採購文件。
如請求項8所述之智能採購維護系統，其中該智能採購維護伺服器，更包含：<br/> 一專案管理模組，連接於該合約定期審查模組，以進行該預定的契約的流程管理。
如請求項9所述之智能採購維護系統，其中該採購人員電腦裝置，包含一採購人員手機、一採購人員平板電腦或一採購人員筆電。
一種發光模組，包含：<br/> 一基部，該基部界定一發光面與一軸線，該軸線與該發光面相交，以該軸線界定一水平面，該水平面包含該軸線，以該水平面的垂直線界定一高度方向；<br/> 至少一第一發光單元，設置於該基部，以包圍該第一發光單元且在該發光面上的包絡線界定為一第一發光區；<br/> 複數第二發光單元，設置於該基部，以包圍該些第二發光單元且在該發光面上的包絡線界定為一第二發光區；<br/> 至少一第三發光單元，設置於該基部，以包圍該第三發光單元且在該發光面上的包絡線界定為一第三發光區；<br/> 其中，該第一發光區、該第二發光區與該第三發光區沿該水平面排列，該第二發光區位於該第一發光區與該第三發光區之間，該軸線與該發光面在該第二發光區相交，該第二發光區在該高度方向中的尺寸大於該第一發光區在該高度方向中的尺寸以及該第三發光區在該高度方向中的尺寸。
如請求項1所述之發光模組，其中包含複數之第一發光單元與複數之第三發光單元，該些第一發光單元的數量與該些第三發光單元的數量相同，該些第一發光單元及該些第三發光單元沿該水平面排列。
如請求項1所述之發光模組，其中該些第二發光單元排列為矩形陣列。
如請求項3所述之發光模組，其中該些第二發光單元局部位於該水平面。
如請求項3所述之發光模組，其中該些第二發光單元分別位於該水平面的上、下兩側。
如請求項3所述之發光模組，其中該軸線與該發光面在該第二發光區的中心點相交。
如請求項1所述之發光模組，其中該第一發光單元之光色與該第三發光單元之光色不同。
如請求項7所述之發光模組，其中該第二發光單元之光色有局部與該第一發光單元之光色相同，該其餘之第二發光單元之光色與該第三發光單元之光色相同。
如請求項8所述之發光模組，其中各該些第二發光單元之光色分別在高度方向及水平方向中交替排列。
如請求項9所述之發光模組，其中包含四個第二發光單元，該些第二發光單元中最接近該些第一發光單元者之色光相同於該些第三發光單元，該些第二發光單元中最接近該些第三發光單元者之色光相同於該些第一發光單元。
如請求項1至10中任一項所述之發光模組，更包含一光學單元，該光學單元位於該軸線而能接收該第一發光單元、該些第二發光單元與該第三發光單元發出射向該光學單元的光線，該光學單元具有一光軸與一焦點，該焦點位於該光學單元與該發光面之間、位於該發光面或位於該發光面遠離該光學單元的一側。
如請求項11所述之發光模組，其中該光軸與該軸線重合。
如請求項7至10中任一項所述之發光模組，更包含一驅動電路，該驅動電路連接該第一發光單元、該些第二發光單元與該第三發光單元以對其供應電力，該驅動電路能夠依光色選擇驅動該第一發光單元、該些第二發光單元與該第三發光單元中之局部或驅動該第一發光單元、該些第二發光單元與該第三發光單元之全部。
如請求項1至10中任一項所述之發光模組，更包含一封裝結構，該第一發光單元、該些第二發光單元與該第三發光單元中之全部或局部被封裝在該封裝結構中。
一種半導體散熱封裝構造，包含：<br/> 一散熱層，具有一基部、一限位環部及一凹槽，該限位環部凸設於該基部，且該限位環部環繞該凹槽；<br/> 一導熱材，設置於該凹槽中，該導熱材的一體積不大於該凹槽的一容積，使未固化的該導熱材的一流動區域被限制於該凹槽中；<br/> 一半導體元件，接合於該凹槽中的該導熱材，該半導體元件藉由該導熱材與該散熱層結合成一體，該導熱材被限制於該半導體元件與該散熱層之間；及<br/> 一密封件，密封該半導體元件及該散熱層，且該密封件顯露出該散熱層的該基部。
如請求項1之半導體散熱封裝構造，其中該半導體元件包含一背面金屬層，該背面金屬層形成於該半導體元件的一背面，該半導體元件以該背面金屬層接合於該導熱材。
如請求項1之半導體散熱封裝構造，其另包含一重分佈線路層，該重分佈線路層電性連接該半導體元件，該重分佈線路層具有複數個導接墊及複數個側接墊，該密封件具有一上表面及一側面，該側面包含一凹槽，該些導接墊位於該上表面，該些側接墊位於該凹槽中。
如請求項3之半導體散熱封裝構造，其中該半導體元件具有複數個導接件，該密封件的該上表面顯露出該些導接件，該重分佈線路層電性連接該些導接件。
如請求項3之半導體散熱封裝構造，其另包含一保護層，該保護層形成於該重分佈線路層上，該保護層顯露出該些導接墊及該側接墊。
如請求項5之半導體散熱封裝構造，其另包含一導接層，該導接層形成於該些導接墊及該些側接墊上。
一種防鬆脫之彈匣夾片套體固定結構，包含：<br/>一套體，具有一前端面、一後端面，以及分別連接該前端面與後端面之兩側端面，並於底部設有一底端面，使其內部界定形成一收納空間；其中，該後端面之前側對應該收納空間位置設有一前內側端面，該前內側端面之預定位置設有一母魔鬼氈，且於該母魔鬼氈之上端位置設置一定位布條；<br/>該定位布條之兩端分別形成一側固定部，且各該側固定部係固定結合於該前內側端面之兩側，並於該定位布條之置中位置以若干車縫線車縫固定於該前內側端面，使該定位布條之左右兩側分別界定形成一定位部，且該等定位部於其上下方向形成一貫穿口；以及<br/>一彈匣夾片，具有一後夾片及一前夾片，且該前夾片與該後夾片之底部連接設有一底連接段，其中該後夾片之背面設有一公魔鬼氈；<br/>當該彈匣夾片容置於該套體之該收納空間中時，使該後夾片對應於該套體之該前內側端面，並使該公魔鬼氈黏結固定於該母魔鬼氈，且使該前夾片對應於該套體之該前端面；<br/>其中，該後夾片之頂端兩側各設有一扣凸端，且於該兩扣凸端之間內凹形成一凹緣，使該等扣凸端嵌入該套體之該等定位部的貫穿口中，並使該凹緣擋止限位於該定位布條之置中車縫線位置，以達成防止彈匣夾片鬆脫之固定效果。
如請求項1所述之防鬆脫之彈匣夾片套體固定結構，其中該彈匣夾片之該後夾片係朝向該前夾片之方向，且於其置中位置凸設一後夾凸，並且該前夾片於對應該後夾凸之位置凸設一前夾凸，使該前夾凸與該後夾凸之間提供一彈匣卡入並定位。
一種防鬆脫之彈匣夾片套體固定結構，包含：<br/>一套體，具有一前端面、一後端面，以及分別連接該前端面與後端面之兩側端面，並於底部設有一底端面，使其內部界定形成一收納空間；其中，該後端面之前側對應該收納空間位置設有一前內側端面，該前內側端面之預定位置設有一母魔鬼氈，且於該母魔鬼氈之上端位置設置一定位布條；<br/>該定位布條之兩端分別形成一側固定部，且各該側固定部係固定結合於該前內側端面之兩側，並於該定位布條之置中位置以若干車縫線車縫固定於該前內側端面，使該定位布條之左右兩側分別界定形成一定位部，且該等定位部之上端形成一封閉端，其下端形成一貫穿口；以及<br/>一彈匣夾片，具有一後夾片及一前夾片，且該前夾片與該後夾片之底部連接設有一底連接段，其中該後夾片之背面設有一公魔鬼氈；<br/>當該彈匣夾片容置於該套體之該收納空間中時，使該後夾片對應於該套體之該前內側端面，並使該公魔鬼氈黏結固定於該母魔鬼氈，且使該前夾片對應於該套體之該前端面；<br/>其中，該後夾片之頂端兩側各設有一扣凸端，且於該兩扣凸端之間內凹形成一凹緣，使該等扣凸端自該定位部之貫穿口嵌入，並受該定位部之封閉端限制，且使該凹緣擋止限位於該定位布條之置中車縫線位置，以達成防止彈匣夾片鬆脫之固定效果。
如請求項3所述之防鬆脫之彈匣夾片套體固定結構，其中該彈匣夾片之該後夾片係朝向該前夾片之方向，且於其置中位置凸設一後夾凸，並且該前夾片於對應該後夾凸之位置凸設一前夾凸，使該前夾凸與該後夾凸之間提供一彈匣卡入並定位。
一種可連續均勻翻轉/加熱食品的紅外線烤爐，包含有：一烤爐本體、一翻轉系統及一加熱系統；<br/> 該翻轉系統包含複數個設置於該烤爐本體內部之翻轉構件，用以承載食品並使食品於烤製過程中持續翻轉，且該翻轉系統於該烤爐本體之中央位置形成一間隔區域；<br/> 該加熱系統包含至少二設置於該烤爐本體相對兩側之側邊熱源，以及一設置於該烤爐本體中央位置並對應於該間隔區域之中央熱源；<br/> 該側邊熱源與該中央熱源係共同提供食品烤製所需之熱能，使食品於翻轉過程中由側向及中段同時受熱，以確保食品熟透且加熱均勻。
如請求項1所述之可連續均勻翻轉/加熱食品的紅外線烤爐，其中，該間隔區域係未設置翻轉構件，使中央熱源之上方未承載食品。
如請求項1所述之可連續均勻翻轉/加熱食品的紅外線烤爐，其中，該間隔區域係設置有翻轉構件，且該翻轉構件於對應該中央熱源之位置未承載食品。
如請求項1所述之可連續均勻翻轉/加熱食品的紅外線烤爐，其中，該側邊熱源係以傾斜方式設置，使其所產生之熱量朝向該烤爐本體中央方向傳遞，並配合該間隔區域向上導引，以促進食品於翻轉烘烤過程中之受熱效率。
如請求項1所述之可連續均勻翻轉/加熱食品的紅外線烤爐，其中，該側邊熱源所產生之熱量係朝向該烤爐本體中央方向傳遞，並經由該間隔區域向上導引，以形成垂直方向之熱流路徑。
如請求項1所述之可連續均勻翻轉/加熱食品的紅外線烤爐，其中，該中央熱源係配置於該間隔區域下方或相鄰位置，以提供食品中段所需之補強熱能。
如請求項1所述之可連續均勻翻轉/加熱食品的紅外線烤爐，其中，該翻轉構件之數量及排列間距可依食品尺寸或長度進行調整，且該間隔區域之位置得隨之對應調整。
如請求項1所述之可連續均勻翻轉/加熱食品的紅外線烤爐，其中，該翻轉系統包含齒輪、螺桿、鏈條或其等效傳動構件，以帶動複數翻轉構件同步轉動。
如請求項1所述之可連續均勻翻轉/加熱食品的紅外線烤爐，其中，該中央熱源之加熱功率低於或等於該側邊熱源之加熱功率，以作為中段補強加熱之用途。
如請求項1所述之可連續均勻翻轉/加熱食品的紅外線烤爐，其中，該中央熱源可獨立於該側邊熱源進行啟動、關閉或功率調整。
如請求項1所述之可連續均勻翻轉/加熱食品的紅外線烤爐，其中，該中央熱源係相對於食品翻轉位置而配置，使該中央熱源不位於食品主要油脂滴落路徑上，以降低油脂附著並利於清潔。
如請求項1所述之可連續均勻翻轉/加熱食品的紅外線烤爐，其中，該烤爐本體進一步包含一非翻轉式加熱區，用以對已熟食品進行保溫或預熱。
如請求項1所述之可連續均勻翻轉/加熱食品的紅外線烤爐，其中，該側邊熱源及該中央熱源為電熱式、燃氣式、紅外線加熱式或其等效加熱形式。
一種藥粉分裝結構，包含： <br/>一承載件，具有一容置槽與兩斜置槽，該容置槽與該等斜置槽皆係由該承載件頂面朝底部凹設而成，而該等斜置槽分別形成於該容置槽左側與右側的內壁上，該等斜置槽分別具有傾斜設置的一斜置槽底面； <br/>一置粉組件，包含一斜置框與一斜置板，該斜置框具有一背板、一斜板與一插槽，該背板的底邊與該斜板的底邊接合，該斜板設有一落料孔，當該斜置框置入該等斜置槽中時，該斜板係貼附於該斜置槽底面，而該落料孔係對應於該容置槽，該插槽係與該斜板相鄰而設，該斜置板係可拆式地插置於該插槽中，使得該斜置板、該背板之間形成一置粉空間；以及 <br/>一分裝組件，包含複數個分裝盒，該等分裝盒係可拆式地相鄰併置於該容置槽底部，每一個該分裝盒皆具有一分裝槽。
如請求項1之藥粉分裝結構，其中該斜置框係呈橫向設置的三角柱狀，其長邊與該等斜置槽相對內壁之間的距離吻合，使得該斜置框得以橫向地置入該等斜置槽中。
如請求項1之藥粉分裝結構，其中該斜置框還有兩連接板，該等連接板分別位於該背板與該斜板的左側與右側，用以連接該背板與該斜板。
如請求項3之藥粉分裝結構，其中該插槽係分別形成於該背板與該等連接板內側，且與該斜板相鄰；當該斜置板插置於該插槽中，使得該斜置板貼附於該斜板上，並遮蔽該落料孔。
如請求項1之藥粉分裝結構，其中該承載件底面具有複數個穿孔，該等穿孔相通於該容置槽的底部。
如請求項5之藥粉分裝結構，其中該等穿孔的數量係與該等分裝盒的數量相同；該等穿孔的位置係對應於該等分裝盒於該容置槽內時的位置。
如請求項1之藥粉分裝結構，還包括有至少一隔擋掛件，每一個該隔擋掛件包含一隔擋部與一掛勾部，該隔擋部的輪廓與該置粉空間斷面吻合，其寬度則與每一個該分裝盒的寬度吻合；該掛勾部係形成於該隔擋部一側，其具有開口向下的一凹槽，該凹槽用於掛在該背板的頂部邊緣，使得該隔擋部直立設置於該置粉空間，而該隔擋部的底部與側面的輪廓貼合於該斜置板與該背板的內側。
如請求項7之藥粉分裝結構，其中該隔擋部的寬度係等於該分裝盒的寬度或其倍數，且該隔擋部的寬度不大於該置粉空間的寬度。
如請求項7之藥粉分裝結構，其中該隔擋掛件還包含複數第一磁吸件，該等第一磁吸件係嵌設於各隔擋掛件的兩側面；該斜置框的內側表面設置有一第二磁吸件；該等第一磁吸件用於吸附於不同個體的該等第一磁吸件或該第二磁吸件。
如請求項1之藥粉分裝結構，其中還包含一落粉支架，該落粉支架係設置於該置粉組件與該分裝組件之間，其包括複數分隔板、複數落粉通道與一第三磁吸件，該等分隔板係形成於該落粉支架內，該等分隔板係採縱向設置，且該等分隔板之間的間距與該等分裝盒的寬度吻合，該等落粉通道係形成於該等分隔板之間，該等落粉通道上方對應於該置粉空間，該等落粉通道下方則可對應於該等分裝盒的該等分裝槽，該第三磁吸件係嵌設於該落粉支架的外側表面；該承載件的內側表面嵌設有一第四磁吸件；該第三磁吸件用於吸附該第四磁吸件。
一種禮盒包裝結構，係包含有:<br/> 一外盒框，係該外盒框設有一容置空間，且該容置空間上方設有一入口；<br/> 一支架組，係該支架組設有一背板及一底內座，其中該底內座接設於該背板的底部，且該支架組從該外盒框的入口放入該容置空間；及<br/> 數個食品袋，係該數個食品袋接設於該背板所設數個固定孔。
如請求項1所述禮盒包裝結構，其中該外盒框另包含有二繩體，而該二繩體二端接設於該外盒框所設數個圓孔。
如請求項1所述禮盒包裝結構，其中該支架組更包含有二側板，且該二側板摻穿伸並接設於該背板所設二安裝槽。
如請求項3所述禮盒包裝結構，其中該側板設有一第一凹槽，且該第一凹槽嵌入相對應的該背板的該安裝槽。
如請求項3所述禮盒包裝結構，其中該外盒框、該背板、該底內座及該二側板的材質設為紙材。
如請求項1所述禮盒包裝結構，其中該背板設有二第二凹槽，且該第二凹槽與該底內座互相嵌合。
如請求項1所述禮盒包裝結構，其中該食品袋設有一孔洞，且該食品袋兩個為一組接設於該背板的該固定孔。
如請求項7所述禮盒包裝結構，其中該食品袋接設於該背板的該固定孔方式設為鉚接、螺栓、子母扣或/及紙魔帶。
如請求項1所述禮盒包裝結構，其中該外盒框的表面設有二鏤空部，且該二鏤空部連通於該容置空間。
一種具關門末段行程加速之鉸鏈，係包括：<br/> 一第一鉸鏈片；<br/> 一第二鉸鏈片；<br/> 一轉軸構件，穿置於該第一、二鉸鏈片中，並與該第一鉸鏈片同步旋轉；以及<br/> 一第一緩衝調整構件，至少含有一滾珠、一彈簧及一調整螺絲，依序徑向地裝置於該轉軸構件中，且令該滾珠之前端為該彈簧彈性頂出並抵壓於該第二鉸鏈片，令該滾珠在第一、二鉸鏈片由最大開門位置至完全關門位置接觸該第二鉸鏈片的區域定義為一第一回程緩衝區，且該第一回程緩衝區在鄰接完全關門位置處穿設一釋壓槽孔。
如請求項1所述具關門末段行程加速之鉸鏈，進一步於該第二鉸鏈片上穿設有一定位孔，令該第一、二鉸鏈片張開至一定角度時，該滾珠是對應地扣入該定位孔中，以鎖定該第一、二鉸鏈片張開的角度。
如請求項1所述具關門末段行程加速之鉸鏈，進一步包含一第二緩衝調整構件，至少含有一緩衝滾珠、一緩衝彈簧及一緩衝調整螺絲，依序徑向地裝置於該轉軸構件中，且令該緩衝滾珠之前端為該緩衝彈簧彈性頂出並抵壓於該第二鉸鏈片，令該緩衝滾珠在第一、二鉸鏈片由最大開門位置至完全關門位置接觸該第二鉸鏈片的區域定義為一第二回程緩衝區。
如請求項3所述具關門末段行程加速之鉸鏈，其中該第二回程緩衝區，係形成一第二槽道，令該第二槽道之深度由最大開門位置至完全關門位置越來越淺。
如請求項3所述具關門末段行程加速之鉸鏈，進一步於該第二鉸鏈片上穿設有一定位孔，令該第一、二鉸鏈片張開至一定角度時，該緩衝滾珠是對應地扣入該定位孔中，以鎖定該第一、二鉸鏈片張開的角度。
如請求項1所述具關門末段行程加速之鉸鏈，其中該轉軸構件是含有：一第一轉軸，穿套並鎖固於該第一鉸鏈片的上方，且於該第一轉軸之底端設有一第一聯動部；一第二轉軸，穿套並鎖固於該第一鉸鏈片的下方，且於該第二轉軸之頂端軸向突設一連接軸部；一第三轉軸，穿置並鎖固於該第二鉸鏈片中，且該第三轉軸之底部設有一軸穴，以套接該連接軸部，且該第三轉軸之頂端設有一第二聯動部；以及一復歸扭力彈簧，穿置於該第二鉸鏈片中，令該復歸扭力彈簧之頂端形成一第一簧端，其底端形成一第二簧端，令該第一簧端為該第一聯動部嚙合，令該第二簧端為該第二聯動部嚙合。
如請求項6所述具關門末段行程加速之鉸鏈，進一步包含一第二緩衝調整構件，至少含有一緩衝滾珠、一緩衝彈簧及一緩衝調整螺絲，依序徑向地裝置於該第二轉軸中，且令該緩衝滾珠之前端為該緩衝彈簧彈性頂出並抵壓於該第二鉸鏈片，令該緩衝滾珠在第一、二鉸鏈片由最大開門位置至完全關門位置接觸該第二鉸鏈片的區域定義為一第二回程緩衝區，且該第一緩衝調整構件是裝置在該第二轉軸中。
如請求項6所述具關門末段行程加速之鉸鏈，其中該第一轉軸之周緣係徑向凹設有多數扭力調整孔，並於該第一鉸鏈片上螺合一扭力調整螺絲，令該扭力調整螺絲之末端伸入於其中一所述扭力調整孔中。
如請求項7所述具關門末段行程加速之鉸鏈，其中該第二回程緩衝區，係形成一第二槽道，令該第二槽道之深度由最大開門位置至完全關門位置越來越淺。
如請求項7所述具關門末段行程加速之鉸鏈，進一步於該第二鉸鏈片上穿設有一定位孔，令該第一、二鉸鏈片張開至一定角度時，該滾珠是對應地扣入該定位孔中，以鎖定該第一、二鉸鏈片張開的角度。
如請求項2所述具關門末段行程加速之鉸鏈，其中該第一回程緩衝區係形成一第一槽道，該定位孔及該釋壓槽孔是分別設置於該第一槽道上，為該第一槽道所連接。
一種水位控制裝置，包括：<br/> 一模組電路，包括一交流電路、一直流電路及一轉換器，該交流電路及該直流電路分別電性連接該轉換器，該轉換器將輸入該交流電路之一交流電力轉換成一直流電力且傳輸至該直流電路；<br/> 一水塔液面控制開關，供設於一水塔，電性連接於該直流電路；<br/> 一蓄水池液面控制開關，供設於一蓄水池，電性連接於該直流電路且串聯該水塔液面控制開關；<br/> 一抽水馬達，電性連接於該交流電路；及<br/> 一繼電器，包括相互電性連接之一接觸器及一控制接點，該控制接點電性連接該直流電路且串聯該水塔液面控制開關，該接觸器電性連接該交流電路且串聯該抽水馬達。
如請求項1所述的水位控制裝置，其中該水塔液面控制開關為常態開啟狀態。
如請求項1所述的水位控制裝置，其中自該轉換器之一正極端往該轉換器之一負極端定義一第一方向，朝該第一方向依序串聯該蓄水池液面控制開關、該水塔液面控制開關及該繼電器。
如請求項3所述的水位控制裝置，另包括一水塔低液位燈，朝該第一方向，該水塔低液位燈串聯於該水塔液面控制開關之後且並聯該繼電器。
如請求項3所述的水位控制裝置，另包括一蓄水池液位燈，朝該第一方向，該蓄水池液位燈於該水塔液面控制開關之前串聯於該蓄水池液面控制開關及該轉換器之該負極端。
如請求項3所述的水位控制裝置，另包括一待機燈，朝該第一方向，該待機燈於該蓄水池液面控制開關之前，串聯該轉換器之該正極端及該轉換器之該負極端。
如請求項1所述的水位控制裝置，其中該交流電路包括一火線端部及一中性線端部，該交流電力自該火線端部輸入，自該火線端部依序串聯該接觸器、該抽水馬達及該中性線端部，該轉換器串聯於該火線端部及該中性線端部之間且一端電性連接該接觸器、另一端電性連接該抽水馬達。
如請求項7所述的水位控制裝置，另包括一馬達啟動燈，自該火線端部朝該中性線端部之方向依序串聯該接觸器及該馬達啟動燈，該馬達啟動燈與該抽水馬達並聯。
如請求項8所述的水位控制裝置，其中該水塔液面控制開關為常態開啟狀態；自該轉換器之一正極端往該轉換器之一負極端定義一第一方向，朝該第一方向依序串聯該蓄水池液面控制開關、該水塔液面控制開關及該繼電器；該水位控制裝置另包括一水塔低液位燈，朝該第一方向，該水塔低液位燈串聯於該水塔液面控制開關之後且並聯該繼電器；該水位控制裝置另包括一蓄水池液位燈，朝該第一方向，該蓄水池液位燈於該水塔液面控制開關之前串聯於該蓄水池液面控制開關及該轉換器之該負極端；該交流電力之一電壓範圍為110V至220V，該直流電力之一電壓為24V。
一種自行車座桿組，包括：<br/> 一座桿；及<br/> 一快拆機構，包含有一第一結合部與一第二結合部，該第一結合部設於該座桿，該第二結合部供設於一物件，該第一結合部包含有一第一定位單元與一第一電性連接單元，該第二結合部包含有一第二定位單元與一第二電性連接單元，該第二定位單元可分離地與該第一定位單元相結合，當該第一定位單元與該第二定位單元相結合時，該第一電性連接單元與該第二電性連接單元呈電性連接關係。
如請求項1所述的自行車座桿組，其中該第一定位單元包含有一基部與至少一卡抵件，該至少一卡抵件凸設於該基部且共同界定出至少一容置部；該第二定位單元包含有一固定件與一旋轉件，該旋轉件可以該固定件為中心旋轉於一釋放位置與一鎖定位置，該旋轉件與該固定件共同界定出至少一凹槽，該至少一凹槽用以容納該至少一卡抵件；其中，當該至少一卡抵件沿一結合方向伸入該至少一凹槽並推動該旋轉件至該鎖定位置時，該固定件之部分伸入該至少一容置部，進而該固定件與該至少一卡抵件於該結合方向呈相互擋止關係，該第一結合部與該第二結合部無法分離，當該至少一卡抵件推動該旋轉件由該鎖定位置轉動至該釋放位置時，該固定件未伸入該至少一容置部，該至少一卡抵件可脫離該至少一凹槽，以令該第一結合部與該第二結合部相互分離。
如請求項2所述的自行車座桿組，其中該第一電性連接單元之至少一第一接點係設於該基部，該第二電性連接單元之至少一第二接點係設於該固定件。
如請求項1所述的自行車座桿組，其中該第一定位單元包含有一第一座體與一第一磁吸件，該第一磁吸件設於該第一座體，該第二定位單元包含有一第二座體與一第二磁吸件，該第二磁吸件設於該第二座體，該第二磁吸件與該第一磁吸件可相互磁吸，以令該第一結合部與該第二結合部相互結合定位。
如請求項4所述的自行車座桿組，其中該第一磁吸件係凸出於該第一座體，該第二座體包含有一插接槽，該第一磁吸件係沿一結合方向插入該插接槽地與該第二磁吸件相互磁吸定位。
如請求項5所述的自行車座桿組，其中該插接槽之橫切面面積大於該第一磁吸件之橫切面面積，該第二定位單元另包含有一導引件，該導引件容設於該插接槽，該導引件與該第二磁吸件於該結合方向上呈錯位配置，該導引件之一導引面係面向該插接槽之槽口，該導引面於垂直該結合方向上隨著越靠近該第二磁吸件而越遠離該插接槽之槽口，該第一磁吸件可滑移於該導引面。
如請求項5所述的自行車座桿組，其中該第二定位單元另包含有二抵靠件，二該抵靠件呈間隔配置地容設於該插接槽，二該抵靠件用以夾掣該第一磁吸件。
如請求項1至7其中任一項所述的自行車座桿組，其中該第一電性連接單元包含有電性相連接之至少一第一接點與至少一電線，該至少一電線伸入該座桿之內部。
如請求項3所述的自行車座桿組，其中該第一電性連接單元包含有電性相連接之至少一第一接點與至少一電線，該至少一電線伸入該座桿之內部；該至少一卡抵件之數量為二，二該卡抵件呈對稱配置；該至少一凹槽之數量為二，二該凹槽呈對稱配置，各該凹槽呈圓弧形；該凹槽之輪廓與該卡抵件之外輪廓相互匹配；該基部透過一螺件而可拆卸地定位於該座桿；該至少一第一接點之數量為二，二該第一接點分設於該螺件之相對二側，且二該第一接點與該螺件介於二該卡抵件之間；該固定件包含有一主體與二翼部，二該翼部凸伸於該主體，當二該卡抵件嵌入二該凹槽並驅使該旋轉件至該鎖定位置時，二該翼部可嵌入二該卡抵件之容置部；該至少一第二接點之數量為二，二該第二接點設於該主體。
如請求項6所述的自行車座桿組，其中該第二定位單元另包含有二抵靠件，二該抵靠件呈間隔配置地容設於該插接槽，二該抵靠件用以夾掣該第一磁吸件；該第一電性連接單元包含有電性相連接之至少一第一接點與至少一電線，該至少一電線伸入該座桿之內部；該第二座體另包含有圍構出該插接槽之一槽底壁、一第一側壁、一第二側壁與二第三側壁，該第一側壁與該第二側壁呈面對面配置地凸設於該槽底壁，該第二側壁低於該第一側壁，二該第三側壁呈面對面配置地凸設於該槽底壁且分別橫向連接該第一側壁與該第二側壁，各該第三側壁包含有一第一頂面與一第二頂面，該第一頂面與該第一側壁之頂面等高，該第二頂面斜向連接該第一頂面與該第二側壁之頂面，進而當該第一結合部與該第二結合部相互結合時，該第一頂面與該第一側壁之頂面抵靠於該第一座體，該第一座體與該第二座體於設有該第二側壁的一側會形成一裕度空間；該第一磁吸件之橫切面面積大於該第二磁吸件之橫切面面積；二該抵靠件與該導引件位於該槽底壁之相對二側，沿該結合方向觀之，二該抵靠件位於該導引件之相對二側。
一種飯店弱電系統，包括：<br/> 一電路板；<br/> 一供電單元，可拆卸地設於該電路板；<br/> 複數第一接線單元，該複數第一接線單元設於該電路板且電性連接該供電單元，該複數第一接線單元可分別供電性連接複數第一電子設備；及<br/> 一微控制單元，設於該電路板且電性連接於該供電單元及該複數第一接線單元之間。
如請求項1所述的飯店弱電系統，其中該供電單元可輸出5V直流電、24V直流電或上述組合。
如請求項1所述的飯店弱電系統，其中該複數第一電子設備包括複數可調光之燈具、一廁所開關、一LED燈條、一喇叭、一插卡取電裝置、一打擾燈裝置、一電鈴裝置至少二者。
如請求項1所述的飯店弱電系統，另包括至少一無線通訊模組，該至少一無線通訊模組設於該電路板且電性連接該微控制單元，該至少一無線通訊模組可供接收至少一外部控制訊號，該微控制單元自該至少一無線通訊模組接收該至少一外部控制訊號，以控制至少一該第一電子設備。
如請求項1所述的飯店弱電系統，其中該複數第一接線單元包括複數第一接線接頭及複數第二接線接頭，各該第一接線接頭可輸出24V直流電，各該第二接線接頭可輸出5V直流電。
如請求項1所述的飯店弱電系統，另包括一單相三線輸入接線部，該單相三線輸入接線部設於該電路板，該單相三線輸入接線部電性連接該供電單元及一外部市電。
如請求項6所述的飯店弱電系統，另包括複數第二接線單元及複數繼電器，該複數繼電器電性連接該單相三線輸入接線部、該供電單元及該微控制單元，該複數第二接線單元電性連接該複數繼電器，各該繼電器可選擇性地開啟以導通該單相三線輸入接線部及其中一該第二接線單元，該複數第二接線單元可分別供電性連接複數第二電子設備。
如請求項7所述的飯店弱電系統，另包括一第一過流保護單元及複數第二過流保護單元，該第一過流保護單元電性連接該供電單元及至少部分該複數第一接線單元，該複數第二過流保護單元電性連接至少部分該複數第二接線單元及該單相三線輸入接線部，該第一過流保護單元之一額定電流與各該第二過流保護單元之一額定電流相異。
如請求項1所述的飯店弱電系統，其中一該第一電子設備為一插卡取電裝置，當該插卡取電裝置偵測一插設於內的卡片被拔離時，輸出一拔卡訊號給該微控制單元，該微控制單元根據該拔卡訊號中斷該供電單元與該複數第一接線單元電性連通且歸零一電子設備設定紀錄。
如請求項8所述的飯店弱電系統，其中該供電單元可輸出5V直流電、24V直流電或上述組合；該複數第一電子設備包括複數可調光之燈具、一廁所開關、一LED燈條、一喇叭、一插卡取電裝置、一打擾燈裝置、一電鈴裝置至少二者；該飯店弱電系統另包括複數無線通訊模組，該複數無線通訊模組分別設於該電路板且電性連接該微控制單元，該複數無線通訊模組可分別供接收至少一外部控制訊號，該微控制單元自該至少一無線通訊模組接收該至少一外部控制訊號，以控制至少一該第一電子設備；該複數無線通訊模組包括一Wi-Fi無線通訊模組及一藍牙無線通訊模組；該複數第一接線單元包括複數第一接線接頭及複數第二接線接頭，各該第一接線接頭可輸出24V直流電，各該第二接線接頭可輸出5V直流電；該微控制單元包括複數脈衝寬度調變（PWM）輸出腳位，該複數脈衝寬度調變（PWM）輸出腳位電性連接至少部分該複數第一接線單元，各該脈衝寬度調變（PWM）輸出腳位可輸出一脈衝寬度調變訊號至對應之一該第一電子設備，以藉由調變該脈衝寬度調變訊號來調整對應之一該第一電子設備之亮度；其中一該第一電子設備為該喇叭，該飯店弱電系統另包括一訊號放大單元，該訊號放大單元設於該電路板且電性連接一該無線通訊模組及該喇叭。
一種端子，應用於連接器中，其中，<br/> 該端子順次包括抵接段、本體段和固定段；<br/> 該固定段設有沿長度方向間隔分佈的第一預斷結構和第二預斷結構，該第一預斷結構和第二預斷結構為預折斷槽，該第二預斷結構被配置為與料帶連接，該第二預斷結構設於該第一預斷結構和該料帶之間；<br/> 其中，該固定段被配置成透過對該第一預斷結構和第二預斷結構進行預處理，以使該端子適配夾板式、焊板式、焊線式和板上型四種連接器；其中，該預處理的方式包括對該第一預斷結構和/或第二預斷結構的折斷或保留。
如請求項1所述之端子，其中該端子被構造為撓性材質，該端子的抵接段為彈性抵接端。
如請求項1所述之端子，其中該第一預斷結構和第二預斷結構在該端子上的深度不大於0.5毫米。
如請求項1所述之端子，其中該第一預斷結構和第二預斷結構在該端子上的長度不大於0.1毫米。
如請求項1所述之端子，其中該端子設置有兩排，位於上排的該端子的固定段設置有第一避讓結構，位於下排的該端子的固定段設置有第二避讓結構，該第一避讓結構與該第二避讓結構相對設置以形成避讓空間，以便連接板插入。
一種連接器，其中，包括絕緣本體和設於該絕緣本體內的如請求項1-5任一項該的端子；<br/> 該連接器被構造為夾板式、焊板式、焊線式和板上型四種類型的其中一種。
如請求項6所述之連接器，其中當該連接器被構造為夾板式時，該連接器設置有夾板，該端子設置有兩排，兩排該端子的第一預斷結構和該第二預斷結構均被保留，以在該兩排該端子之間形成夾持空間，該夾持空間用於夾持該夾板。
如請求項6所述之連接器，其中當該連接器被構造為焊板式時，該連接器設置有焊板，該端子的第一預斷結構和該第二預斷結構均被保留，以在背離該第一預斷結構和該第二預斷結構的一側形成焊接端，該焊接端與該焊板焊接。
如請求項6所述之連接器，其中當該連接器被構造為焊線式時，該連接器設置有焊線，該端子的第一預斷結構被折斷，以在端部形成焊口，該焊口與該焊線連接。
如請求項6所述之連接器，其中當該連接器被構造為板上型時，該連接器設置有上板結構，該端子的第一預斷結構被折斷，以使被折斷的一端埋設於與該上板結構中。
一種高斯潑濺數位孿生建構裝置，係適用於商圈與零售場域，其包括：<br/>一影像資料接收模組，用以從不同角度取得商圈街區、店面內部或商品展示空間之多源影像資料；<br/>一空間特徵解析模組，連接該影像資料接收模組，用以對該多源影像資料進行一相機位姿估測與空間特徵解析，生成一空間特徵資料以建立該多源影像資料與實體空間之對應關係；<br/>一高斯潑濺運算模組，連接該空間特徵解析模組，用以利用高斯潑濺演算法，將該空間特徵資料轉換為數個具備位置、方向、顏色及透明度參數之高斯點集合，以形成連續三維場景模型；<br/>一場域語意管理模組，連接該高斯潑濺運算模組，用以對該三維場景模型中的街區、店面、櫃位或商品區域進行語意標註，以支援後續之互動操作與營運應用；以及<br/>一數位孿生場景輸出模組，連接該場域語意管理模組，用以將該三維場景模型轉換為可於數位介面或用戶端呈現環境中即時渲染與互動之數位孿生場景。
依請求項1所述之高斯潑濺數位孿生建構裝置，其中，該多源影像資料包含多視角影像或影像序列。
依請求項1所述之高斯潑濺數位孿生建構裝置，其中，該影像資料接收模組係以多視角攝影裝置或影像序列捕捉裝置取得該多源影像資料。
依請求項1所述之高斯潑濺數位孿生建構裝置，其中，該空間特徵解析模組包含一位姿估測單元，係運用一電腦視覺演算法或一深度學習演算法經神經網路估測該相機在一座標系的多個位置與朝向，得出該相機位姿。
依請求項1所述之高斯潑濺數位孿生建構裝置，其中，該空間特徵解析模組包含一物件辨識單元，用以生成該空間特徵資料之深度資訊，並辨識與分類其中之物件。
依請求項1所述之高斯潑濺數位孿生建構裝置，其中，該高斯潑濺運算模組包含一特徵轉換單元及一參數優化單元，該特徵轉換單元用以將該空間特徵資料轉換為高斯點集合之初始參數，該參數優化單元用以對高斯點集合進行優化，以提升渲染效率與場景擬真度。
依請求項1所述之高斯潑濺數位孿生建構裝置，其中，該場域語意管理模組係在該三維場景模型中的街區、店面、櫃位或商品區域加入物件類別、功能用途或商業屬性之語意資訊。
依請求項1所述之高斯潑濺數位孿生建構裝置，其中，該數位介面或用戶端呈現環境包含網頁、行動裝置應用程式或虛擬電商平台。
依請求項1所述之高斯潑濺數位孿生建構裝置，其中，該數位孿生場景輸出模組係以網頁圖形庫(Web Graphics Library,WebGL)或WebGPU渲染將該數位孿生場景輸出至該數位介面或用戶端呈現環境。
依請求項1所述之高斯潑濺數位孿生建構裝置，其中，該數位孿生場景輸出模組進一步支援即時互動操作，包括場景導覽、商品展示或人流模擬。
一種通知系統，適用於一交易平台，且包含：一通知裝置，用於在一使用者使用該交易平台後產生一交易結果通知；一接收裝置，用於接收來自該使用者的一回覆訊息；以及一處理器，連接於該通知裝置及該接收裝置，該處理器用於：使用多種通道中的一種發送該交易結果通知至該使用者；以及當於一預設時間中未透過該接收裝置接收來自該使用者的該回覆訊息時，使用該些通道中的另一種發送該交易結果通知至該使用者。
如請求項1所述的通知系統，其中該通知裝置包含一通知產生器及一加密器，該加密器連接於該通知產生器及該處理器，且該通知產生器用於產生一未加密交易結果通知，該加密器用於根據該未加密交易結果通知產生該交易結果通知。
如請求項1所述的通知系統，其中該處理器更用於當於該預設時間中未透過該接收裝置接收來自該使用者的該回覆訊息時，判斷該交易結果通知是否屬於一高風險交易，當判斷該交易結果通知屬於該高風險交易時，使用該些通道中的該另一種發送該交易結果通知至該使用者。
如請求項1所述的通知系統，其中該些通道包含行動應用程式推播、簡訊服務及電子郵件。
如請求項1所述的通知系統，更包含一行動裝置，連接於該接收裝置及該處理器，其中該行動裝置用於接收該交易結果通知。
如請求項5所述的通知系統，其中該通知裝置包含一通知產生器及一加密器，該加密器連接於該通知產生器及該處理器，且該通知產生器用於產生一未加密交易結果通知，該加密器用於根據該未加密交易結果通知產生該交易結果通知，其中該交易結果通知具有一加密驗證訊息，且該行動裝置更用於在接收該交易結果通知後確認該交易結果通知是否具有該加密驗證訊息，當該交易結果通知具有該加密驗證訊息時，則產生一確認驗證訊息。
如請求項6所述的通知系統，其中該行動裝置更用於在產生並輸出該確認驗證訊息後，判斷是否接收到回應於該確認驗證訊息的一確認接收指令，當該行動裝置判斷接收到該確認接收指令時，該行動裝置根據該確認接收指令產生該回覆訊息。
一種晶圓加工清潔裝置，其包括:<br/> 一底框，該底框的四個邊角設有向上延伸豎立的一立柱，該立柱遠離該底框的一端設有一上框體，該底框、該立柱與該上框體組成一安裝框架，該安裝框架中設有一安裝板；其中該安裝板上裝設有一移動機構，該移動機構下面設有一除塵機構，該移動機構的上面設有一氣壓組件，該除塵機構通過一導管連接該氣壓組件，該除塵機構、該移動機構與該氣壓組件設置在該安裝框架中；該除塵機構通過一第二吊掛滑座連接該移動機構，該除塵機構包括一除塵頭箱體，該除塵頭箱體的底部設有一底板，該除塵頭箱體的頂部設有一開口，該除塵頭箱體頂端的該開口處設有一箱體密封蓋；該除塵頭箱體內設有由底板上向延伸的一正壓箱，該正壓箱的頂端距離該除塵頭箱體的頂端設有一分離間距；該正壓箱外壁與該除塵頭箱體內壁之間設有該分離間距，該正壓箱的外側設有一負壓腔，該負壓腔設置在該除塵頭箱體內壁與該正壓箱外壁之間；該移動機構包括一第一掛載滑軌、一第一齒條座，該第一齒條座、該第一掛載滑軌固設在該安裝板下面，該第一掛載滑軌與該第一齒條座設置在該安裝板遠離該立柱的一側，該第一齒條座、該第一掛載滑軌與該安裝板平行設置；該第一掛載滑軌上掛設有可滑動的一第一吊掛滑座，該第一吊掛滑座上固設有一第一電機，該第一電機與該第一齒條座齒合傳動連接。
如請求項1所述之晶圓加工清潔裝置，其中該正壓箱遠離底板的一端設有一正壓密封蓋，該正壓密封蓋上設有向上延伸貫穿該箱體密封蓋的一進風筒，該進風筒遠離該正壓箱的一端伸出在該箱體密封蓋上面，該進風筒上端連接該導管，該進風筒與該正壓箱貫通連接；該箱體密封蓋上設有一抽風口，該抽風口 與該負壓腔貫通連接；該正壓箱與該負壓腔分別設置在該除塵頭箱體內，該正壓箱與該負壓腔相互隔離、互不貫通；該正壓箱的底面開設有一橫向貫穿該底板的一第一吹塵縫，靠近該第一吹塵縫兩端的端部設有匹配對稱的一第二吹塵縫，該第二吹塵縫距離該第一吹塵縫頂端設有一側吹間距，該第二吹塵縫與該第一吹塵縫相互貫通的垂直設置；該正壓箱高度：該除塵頭箱體高度比值為2/3～3/4：1。
如請求項2所述之晶圓加工清潔裝置，其中該第一吊掛滑座下面設有一氣件座，該氣件座與該第一吊掛滑座固定連接，該氣件座與該第一掛載滑軌垂直設置，該氣件座的一端延伸在該安裝板的外側；該氣件座遠離該安裝板的一端設有一軸承輪，該軸承輪設置在一支撐橫梁上，該支撐橫梁設置在相鄰的兩條該立柱之間；該氣件座遠離該第一吊掛滑座的一面固設有相互平行的一第二掛載滑軌與一第二齒條座，平行的該第二掛載滑軌、該第二齒條座與該第一掛載滑軌垂直設置；該第二掛載滑軌上掛設有可滑動的一第二吊掛滑座，該第二吊掛滑座上設有一第二電機，該第二電機與該第二齒條座齒合傳動連接；該氣件座遠離該安裝板的一邊設有該氣壓組件，該氣壓組件設置在該安裝板的外側；該氣壓組件包括一負壓風機、一正壓風機，該負壓風機上面設有一負壓高效過濾倉，該負壓高效過濾倉吸風口側向伸出設置在負壓風機外側；該負壓高效過濾倉吸風口通過該導管與該除塵機構的抽風口導通連接，該正壓風機通過另一條該導管與該除塵機構的該進風筒導通連接。
如請求項3所述之晶圓加工清潔裝置，其中該負壓風機一側設有一消音箱，該負壓風機出風口通過該導管連接該消音箱；該消音箱中設有一方框蜂孔筒，該方框蜂孔筒的框架方筒板面上開設若幹通孔，該方框蜂孔筒中設有左右相互交叉的一斜向蜂孔擋板；該斜向蜂孔擋板從該方框蜂孔筒內側壁向上傾斜延伸，兩側的該斜向蜂孔擋板上下交錯排布，兩側的該斜向蜂孔擋板相互交叉，兩側該斜向蜂孔擋板的頂端部分上下豎直方向相互重疊，兩側交叉的該斜向蜂孔擋板在該方框蜂孔筒內形成S形的風道；該負壓風機上設有一側向出風口 ，該側向出風口通過該導管連接該消音箱。
如請求項2所述之晶圓加工清潔裝置，其中該負壓腔的底面開設有橫向貫穿該底板的一第一抽吸縫與一第二抽吸縫，該第一抽吸縫、該第二抽吸縫與該第一吹塵縫平行設置；該第一抽吸縫靠近該第一吹塵縫設置，該第二抽吸縫遠離該第一吹塵縫設置，該第一抽吸縫與該第二抽吸縫之間設有分隔間距；該正壓箱的正壓腔底面上設有匹配對應的兩條變截面杆，該變截面杆與第一吹塵縫平行設置，兩條變截面杆分別設置在第一吹塵縫兩側；該變截面杆設有向內凸起的一壓縮氣流凸包，匹配對應的兩條該變截面杆頂部之間設有一入風間距，兩條該變截面杆中部相對兩側的該壓縮氣流凸包之間設有一凸包間距，該入風間距大於該凸包間距；匹配對應的兩條該變截面杆底部之間設有一出風間距，該正壓腔底面上開設的該第一吹塵縫設有一吹塵間距，該吹塵間距也是該第一吹塵縫的寬度；該入風間距等於該出風間距，該出風間距大於吹塵間距。
如請求項2所述之晶圓加工清潔裝置，其中該壓縮氣流凸包為凸條型；或該壓縮氣流凸包為剖面弧形的長條；或該壓縮氣流凸包為短弦形切面的長條；該入風間距：凸包間距比值為5～10：1；該入風間距等於該出風間距；該吹塵間距：凸包間距比值為1：1～1.5；該負壓腔兩側短邊底面開設有縱向貫穿該底板的一第三抽吸縫，該第三抽吸縫設置在該正壓箱兩側短邊的外壁與該除塵頭箱體內壁之間，該第三抽吸縫與該第二吹塵縫平行設置；該第二吹塵縫靠近正壓箱兩側短邊的內壁設置；該第一吹塵縫寬度：該第一抽吸縫寬度：該第二抽吸縫寬度比值為1：4～5：4~ 5；該第二吹塵縫寬度：該第三抽吸縫寬度比值為1：4～5；該第一吹塵縫風量：該第一抽吸縫風量比值為1：1 .5～3，該第二抽吸縫風量等於該第一抽吸縫風量；該第二吹塵縫風量：該第三抽吸縫風量比值為1：1.5～3。
如請求項1所述之晶圓加工清潔裝置，其中該安裝板設置在安裝框架中部，該安裝板一側與相鄰的兩條該立柱連接，該安裝板另一側通過該豎立板連接該上框體；該安裝板靠近該立柱的一端與底框之間設有一豎立框，遠離該安裝板的兩條該立柱之間設有一支撐橫梁；該移動機構的上面設有該氣壓組件，該除塵機構通過該導管連接該氣壓組件，該除塵機構、該移動機構與該氣壓組件設置在該安裝框架中；該箱體密封蓋通過該第二吊掛滑座連接該移動機構。
如請求項3所述之晶圓加工清潔裝置，其中該安裝板設置在該安裝框架中部，該安裝板一端固定設置在相鄰兩條該立柱的中部，該安裝板遠離該立柱的另一端通過該豎立板連接該上框體；該安裝板靠近該立柱的一端與該底框之間設有一豎立框，遠離該安裝板的兩條該立柱之間設有一支撐橫梁；一第一電機輸出軸上的齒輪與該第一齒條座齒合傳動連接；一第二電機輸出軸上的齒輪與該第二齒條座齒合傳動連接；該第二吊掛滑座遠離該第二掛載滑軌的一端吊設有該除塵機構。
一種空氣調節系統，其包含一出口及一入口並用於降溫一流體，其包含：<br/> 一供水裝置，其係提供一水；<br/> 一噴灑元件，其係管路相接該供水裝置以傳輸該水並進行噴灑該水； <br/> 一水簾片，其係設置於該噴灑元件下方，該噴灑元件將該水噴灑至該水簾片；及<br/> 一第一抽氣元件，其係設置於該噴灑元件之一側； <br/> 其中，該流體經該入口流經該水簾片時，該流體流經該水以降低該流體之一溫度並使該水汽化；以及<br/> 該第一抽氣元件以將該流體引導至該出口流出。
如請求項1所述之空氣調節系統，更包含：<br/> 一容置空間；<br/> 一第一傳輸管道，其係穿設於該容置空間並連接該噴灑元件，該第一傳輸管道將一冷卻水傳遞至該噴灑元件；<br/> 一第二傳輸管道，其係連接該容置空間與一室內空調系統，該第二傳輸管道將一冷凝水傳輸至該容置空間；及<br/> 一第三傳輸管道，其係接收部分從該噴灑元件噴灑之該冷卻水並傳遞至該第一傳輸管道； <br/> 其中，該室內空調系統產生該冷凝水，該冷凝水經由該第二傳輸管道傳遞至該容置空間，該第一傳輸管道傳輸之該水經過該冷凝水降溫產生該冷卻水。
如請求項2所述之空氣調節系統，更包含一輸入風道，其係該輸入風道包含：<br/> 一第一連接部，其係連接該出口；<br/> 一第二連接部，其係連接一排煙裝置之一第一進氣口；以及<br/> 一第三連接部，其係連接一室內場域之一第一出氣口；<br/> 其中，該流體經由該輸入風道移動至該第二連接部及/或該第三連接部，該流體從該第二連接部移動至該第一進氣口及/或從該第三連接部移動至該第一出氣口。
如請求項3所述之空氣調節系統，其中，該排煙裝置更包含一腔室、一第二出氣口、一第二進氣口及一第三出氣口，該第二出氣口設置於該腔室之外側，該流體經由該第一進氣口流入該第二出氣口並進入該室內場域，該流體經由該第二進氣口從該室內場域流入該腔室，並由該腔室移動至該第三出氣口，該流體由該第三出氣口移動至一室外場域。
如請求項4所述之空氣調節系統，更包含一輸出風道，該輸出風道設置於該輸入風道之一側，並連接該第三出氣口，該流體經由該第三出氣口移動至該輸出風道，並從該輸出風道移動至該室外場域。
如請求項3所述之空氣調節系統，其中，該輸入風道更包含一第二抽氣元件，該第二抽氣元件係設置於該出口之一側，該第二抽氣元件將該流體從該出口導入該輸入風道。
如請求項3所述之空氣調節系統，其中，該輸入風道更包含一第三抽氣元件，該第三抽氣元件設置於該第一進氣口之一側，該第三抽氣元件將該流體導入該第一進氣口。
如請求項3所述之空氣調節系統，其中，該輸入風道更包含一第四抽氣元件，該第四抽氣元件設置於該第一出氣口之一側，該第四抽氣元件將該流體導入該第一出氣口。
如請求項1、6、7或8所述之空氣調節系統，其中，更包含一控制模組，其係電性連接該第一抽氣元件、該第二抽氣元件、該第三抽氣元件及該第四抽氣元件。
一種分立分數階電容CLL諧振變換器，其特徵在於：包括依次連接的原邊半橋開關電路、分立分數階電容電路、諧振電感電路、高頻變壓器和副邊全波整流電路；<br/> 所述原邊半橋開關電路包括原邊半橋第一開關管<img align="absmiddle" height="7px" width="5px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>與原邊半橋第二開關管<img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10036.jpg" alt="ed10036.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>串聯連接，原邊半橋第一開關管<img align="absmiddle" height="7px" width="5px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>的漏極與直流側電源正極性端相連，原邊半橋第二開關管<img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10036.jpg" alt="ed10036.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>的源極與直流側電源負極性端相連；<br/> 所述分立分數階電容電路包括原邊第一分立分數階諧振電容<img align="absmiddle" height="7px" width="8px" file="ed10029.jpg" alt="ed10029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>與原邊第二分立分數階諧振電容<img align="absmiddle" height="7px" width="8px" file="ed10030.jpg" alt="ed10030.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，二者串聯連接後並聯於原邊半橋開關電路兩端；<br/> 所述諧振電感電路包括原邊第一諧振電感<img align="absmiddle" height="7px" width="8px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和原邊第二諧振電感<img align="absmiddle" height="7px" width="8px" file="ed10034.jpg" alt="ed10034.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，所述原邊第一諧振電感<img align="absmiddle" height="7px" width="8px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>的一端連接於原邊半橋第一開關管<img align="absmiddle" height="7px" width="5px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>與原邊半橋第二開關管<img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10036.jpg" alt="ed10036.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>的串聯連接結點、另一端連接於原邊第一分立分數階諧振電容<img align="absmiddle" height="7px" width="8px" file="ed10029.jpg" alt="ed10029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>與原邊第二分立分數階諧振電容<img align="absmiddle" height="7px" width="8px" file="ed10030.jpg" alt="ed10030.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>串聯連接的結點；所述原邊第二諧振電感<img align="absmiddle" height="7px" width="8px" file="ed10034.jpg" alt="ed10034.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>一端連接於原邊半橋第一開關管<img align="absmiddle" height="7px" width="5px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>與原邊半橋第二開關管<img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10036.jpg" alt="ed10036.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>的串聯連接結點、另一端連接於高頻變壓器原邊繞組的正極性端；<br/> 所述高頻變壓器包括原邊繞組、副邊第一繞組和副邊第二繞組，所述原邊繞組與副邊第一繞組的匝比以及原邊繞組與副邊第二繞組的匝比均為n:1，所述原邊繞組的負極性端連接於原邊第一分立分數階諧振電容<img align="absmiddle" height="7px" width="8px" file="ed10029.jpg" alt="ed10029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>與原邊第二分立分數階諧振電容<img align="absmiddle" height="7px" width="8px" file="ed10030.jpg" alt="ed10030.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>串聯連接的結點；<br/> 所述副邊全波整流電路包括副邊第三開關管<img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10037.jpg" alt="ed10037.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和副邊第四開關管<img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10038.jpg" alt="ed10038.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，所述副邊第一繞組的正極性端與副邊第三開關管<img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10037.jpg" alt="ed10037.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>的漏極相連，所述副邊第三開關管<img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10037.jpg" alt="ed10037.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>的源極與副邊第四開關管<img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10038.jpg" alt="ed10038.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>的源極相連，所述副邊第四開關管<img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10038.jpg" alt="ed10038.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>的漏極與所述副邊第二繞組的負極性端相連，所述副邊第一繞組的負極性端與所述副邊第二繞組的正極性端相連，所述副邊第一繞組的負極性端與副邊負載正極性端相連，所述副邊第四開關管<img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10038.jpg" alt="ed10038.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>的源極與所述副邊負載負極性端相連。
如申請專利範圍第1項所述之分立分數階電容CLL諧振變換器，其中，所述原邊半橋開關電路和所述副邊全波整流電路的所有開關管均有寄生二極體和寄生結電容。
如申請專利範圍第1項所述之分立分數階電容CLL諧振變換器，其中，所述原邊第一分立分數階諧振電容<img align="absmiddle" height="7px" width="8px" file="ed10029.jpg" alt="ed10029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和原邊第二分立分數階諧振電容<img align="absmiddle" height="7px" width="8px" file="ed10030.jpg" alt="ed10030.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>的兩端均並聯有鉗位二極體。
如申請專利範圍第3項所述之分立分數階電容CLL諧振變換器，其中，所述原邊第一鉗位二極體<img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10031.jpg" alt="ed10031.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>並聯於原邊第一分立分數階諧振電容<img align="absmiddle" height="7px" width="8px" file="ed10029.jpg" alt="ed10029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>兩端，原邊第二鉗位二極體<img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10032.jpg" alt="ed10032.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>並聯於原邊第二分立分數階諧振電容<img align="absmiddle" height="7px" width="8px" file="ed10030.jpg" alt="ed10030.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>兩端，原邊第一鉗位二極體<img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10031.jpg" alt="ed10031.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>的陰極與直流側電源正極性端相連，原邊第二鉗位二極體<img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10032.jpg" alt="ed10032.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>的陽極與直流側電源負極性端相連。
一種數位手術放大鏡，包含：<br/> 一頭戴單元，包括一固定模組、一設置於該固定模組之攝影模組，及一設置於該固定模組之顯示模組；及<br/> 一控制單元，包括一分別與該攝影模組和該顯示模組資訊連接之控制模組，該控制模組接收該攝影模組拍攝的影像資料，並將影像資料傳輸給該顯示模組，以使該顯示模組可以輸出該攝影模組拍攝的影像資料。
如請求項1所述數位手術放大鏡，其中，該頭戴單元更包括一設置於該固定模組之照明模組，該照明模組具有一設置於該固定模組之照明支撐架、一設置於該照明支撐架之照明角度調整件，及一設置於該照明支撐架上的照明組件，該照明角度調整件可以調整該照明模組的照射角度。
如請求項1所述數位手術放大鏡，其中，該攝影模組具有一設置於該固定模組之攝影支撐架、一設置於該攝影支撐架之攝影角度調整件，及一設置於該攝影支撐架上的攝影組件，該攝影角度調整件用以調整該攝影組件的拍攝角度。
如請求項1所述數位手術放大鏡，其中，該固定模組為鏡架結構或頭罩結構。
如請求項1所述數位手術放大鏡，其中，該控制單元更包括一可分離地設置於該控制模組之接頭模組，該接頭模組具有一接頭主體、一設置於該接頭主體之第一接口、一設置於該接頭主體之第二接口，及一設置於該接頭主體之第三接口，該第一接口用於連接該控制模組，該第二接口用於連接該攝影模組，該第三接口用於連接該顯示模組。
如請求項1所述數位手術放大鏡，其中，該控制單元更包括一設置於該控制模組之顯示操作模組，該控制模組將該攝影模組所拍攝的影像顯示於該顯示操作模組，該控制模組為可辨識影像及/或可無線傳輸資訊及/或可分析語音的電子裝置。
如請求項1所述數位手術放大鏡，其中，該顯示模組具有一與該固定模組連接之顯示主體，及一與該顯示主體連接之資訊連接組件，該資訊連接組件與該控制模組相互傳輸資料。
如請求項7所述數位手術放大鏡，其中，該顯示模組還具有一設置於該顯示主體之投影組件，及一設置於該顯示主體之成像組件，該投影組件對該成像組件投出影像，以使該成像組件輸出影像。
如請求項8所述數位手術放大鏡，其中，該頭戴單元更包括一設置於該顯示主體的鏡片結構，該鏡片結構位於該成像組件的側邊。
如請求項1所述數位手術放大鏡，其中，該攝影模組中具有一攝影無線傳輸組件，該顯示模組中具有一顯示無線傳輸組件，該控制模組中具有一控制無線傳輸組件，該控制無線傳輸組件分別與該攝影無線傳輸組件和該顯示無線傳輸組件無線連接，以相互傳輸無線資料。
一種三氟化磷的純化裝置，包含： <br/>除水器； <br/>氫鹵酸移除器，連接該除水器；以及 <br/>進階過濾器，連接該氫鹵酸移除器。
如請求項1所述之純化裝置，其中該除水器包含設置於該除水器的內壁的相轉換元件。
如請求項1所述之純化裝置，更包含液氣轉換器，該液氣轉換器連接該除水器以及該氫鹵酸移除器。
如請求項1所述之純化裝置，更包括吸收液槽，該吸收液槽連接該氫鹵酸移除器。
如請求項1所述之純化裝置，其中該氫鹵酸移除器包含複數吸收液通道、分散於各該吸收液通道之間的中空纖維、以及阻隔一部分的該些吸收液通道的阻擋件。
如請求項5所述之純化裝置，其中複數孔洞分布於該中空纖維的纖維壁上。
如請求項1所述之純化裝置，更包括精餾塔，連接該進階過濾器。
如請求項7所述之純化裝置，更包括氧氣移除塔，連接該精餾塔。
如請求項8所述之純化裝置，更包括三氟化磷集中區，連接該氧氣移除塔。
如請求項1所述之純化裝置，更包括廢液集合區，連接該除水器、該氫鹵酸移除器以及該進階過濾器。
一種中文寫作系統，包含：<br/> 一資料庫，其中包含一學生身分驗證資料以及一教師身分驗證資料；以及<br/> 一伺服器，係與該資料庫耦接，其中包含：<br/> 一學生登入模組，用以接收一學生身分資料，並比對該學生身分資料與該學生身分驗證資料是否相符，並於驗證結果相符時發送一學生身分認證；<br/> 一教師登入模組，用以接收一教師身分資料，並比對該教師身分資料與該教師身分驗證資料是否相符，並於驗證結果相符時發送一教師身分認證；<br/> 一學生學習模組，係與該學生登入模組耦接，以於接收該學生身分認證後啟用，用以：接收並開啟一中文作文作業，以供學生填寫及提交、以及對一已提交之中文作文作業執行批改處理，以形成並發送一作業評分結果；以及<br/> 一教師管理模組，係與該教師登入模組耦接，以於接收該教師身分認證後啟用，用以：接收自該學生學習模組發送之該作業評分結果、以及產生並傳送該中文作文作業至該學生學習模組，以供學生填寫與提交。
如請求項1所述之中文寫作系統，其中該伺服器更包含：一註冊模組，係用以接收一註冊資料，並先驗證該註冊資料是否符合一預設條件，再根據該註冊資料中註冊人的身分類別生成該學生身分驗證資料、或該教師身分驗證資料，並儲存至該資料庫中。
如請求項2所述之中文寫作系統，其中：<br/> 該學生學習模組的功能更包含：顯示學生當前所持有的一學習點數，並於學生每次提交該中文作文作業後，扣除一預設額度的該學習點數，其中：當該學習點數小於該預設額度時，拒絕學生提交該中文作文作業；以及<br/> 該教師管理模組的功能更包含：顯示學生當前所持有的該學習點數，並執行調整指令，以增加、或扣除學生之該學習點數。
如請求項3所述之中文寫作系統，其中：該學生學習模組的功能更包含：顯示該學習點數的餘額、顯示該已提交之中文作文作業的總數、顯示每一該已提交之中文作文作業的該作業評分結果、顯示尚未完成的該中文作文作業、顯示已完成的該中文作文作業、或顯示即將截止的該中文作文作業。
如請求項1所述之中文寫作系統，其中：該教師管理模組的功能更包含：顯示管理中學生的個人資料、顯示管理中學生的總人數、顯示對每一管理中的學生已指派之該中文作文作業的總數量、顯示已指派之該中文作文作業的總數量、顯示每一管理中學生的該作業評分結果的平均值、顯示所有管理中的學生的該作業評分結果的平均值、或顯示每一管理中的學生已完成之該中文作文作業的數量。
如請求項1所述之中文寫作系統，其中該教師管理模組的功能更包含：取得管理中的學生所提交之該中文作文作業的紀錄、取得管理中的學生的名單、取得管理中的學生的個人資料、以及取得每一管理中的學生的每一該作業評分結果。
如請求項1所述之中文寫作系統，其中該教師管理模組的功能更包含：對管理中的學生進行班級之分配、以及對不同班級之學生進行統計分析，以比較各班級中的學生整體的該作業評分結果。
如請求項1所述之中文寫作系統，其中：<br/> 該教師管理模組的功能更包含：發送一公告事項；以及<br/> 該學生學習模組的功能更包含：接收自該教師管理模組發送之該公告事項。
如請求項1所述之中文寫作系統，其中該作業評分結果包含：<br/> 一立意取材評分，係判斷文章選材之豐富性、合理性、以及是否凸顯文章主旨，以進行星等之評級；<br/> 一結構組織評分，係判斷文章結構之完整性、段落是否分明、內容是否連貫、以及起承轉合是否流暢，以進行星等之評級；<br/> 一遣詞造句評分，係判斷文章所使用之詞語及修辭是否精確、描述是否生動，以進行星等之評級；<br/> 一錯別字與標點符號評分，係判斷文章中是否存在錯別字、標點符號使用是否正確，以進行星等之評級；以及<br/> 一總級分，係將該立意取材評分、該結構組織評分、該遣詞造句評分、以及該錯別字與標點符號評分進行加權平均，以計算最後之評級結果，並以星等表示。
如請求項9所述之中文寫作系統，其中該作業評分結果更包含以下資料所組成之群組中的至少一種：題目解析、寫作方向、關鍵詞彙、常見寫作錯誤與缺失、起承轉合之缺點與改進建議、眉批對照、示範改寫、以及成語練習。
一種訊號傳輸電路封裝結構，包括：<br/> 一本體；<br/> 一主電路，設置於該本體；<br/> 多個輸入針腳，設置於該本體的多個側邊，並與該主電路電性連接；<br/> 多個輸出針腳，設置於該本體的多個側邊，並與該主電路電性連接；<br/> 多個電源針腳，對應該主電路設置於該本體之遠離該些側邊的區域，並與該主電路電性連接以供給電源給該主電路；<br/> 多個控制針腳，設置於該些電源針腳之配置區域以及該些輸入針腳與該些輸出針腳之配置區域之間，並與該主電路電性連接；<br/> 多個接地針腳，設置於該些輸入針腳與該些輸出針腳之間，並與該主電路電性連接；以及<br/> 多個可調控針腳，設置於該些電源針腳之配置區域以及該些輸入針腳與該些輸出針腳之配置區域之間，並與該主電路電性連接，其中至少部分該些可調控針腳被設置為一接地腳位，至少另一部分該些可調控針腳被設置為一控制腳位，且至少部分的該些可調控針腳經選擇而被切換為該接地腳位及該控制腳位中的其中另一種。
如請求項1所述的訊號傳輸電路封裝結構，其中該本體有一第一區域以及一第二區域，該第二區域環繞於該第一區域之外，而該些電源針腳、該些控制針腳及該些可調控針腳設置在該第一區域，而該些輸入針腳、該些輸出針腳及該些接地針腳設置在該第二區域。
如請求項2所述的訊號傳輸電路封裝結構，其中該些可調控針腳對應該第一區域的多個角落設置，且該些接地針腳對應該第二區域的多個角落設置。
如請求項2所述的訊號傳輸電路封裝結構，其中該些可調控針腳相對於該第一區域的一中心點對稱配置。
如請求項2所述的訊號傳輸電路封裝結構，其中該些輸入針腳、該些輸出針腳、該些接地針腳、該些控制針腳及該些可調控針腳相對於該第一區域的一中心點對稱配置。
如請求項1所述的訊號傳輸電路封裝結構，其中該些控制針腳環繞該些電源針腳的外側周緣設置且相對遠離該本體的多個側邊。
如請求項2所述的訊號傳輸電路封裝結構，更包括一切換電路，與該主電路電性連接，以使該些可調控針腳在控制腳位及接地腳位之間進行切換。
如請求項7所述的訊號傳輸電路封裝結構，更包括一控制器，與該切換電路電性連接，傳送一控制訊號至該切換電路以對該些可調控針腳進行切換。
如請求項7或8所述的訊號傳輸電路封裝結構，其中該些可調控針腳預設為接地腳位，且經由該切換電路切換為控制腳位。
如請求項7或8所述的訊號傳輸電路封裝結構，其中設置於該第一區域的多個角落的該些可調控針腳預設為控制腳位，且經由該切換電路切換為接地腳位。
一種記憶體冷卻裝置，包含：<br/> 一安裝架，包含有一中央容置空間與二側容置空間，該中央容置空間位於該安裝架的中央，該些側容置空間分別位於該中央容置空間的兩側；<br/> 一分水頭，設於該安裝架的該中央容置空間之頂端處；<br/> 一中央處理器冷卻單元，設於該中央容置空間，並以管線耦接該分水頭；<br/> 二雙列直插式記憶體模組冷卻單元，分別設於該些側容置空間，該些雙列直插式記憶體模組冷卻單元以管線耦接該分水頭；<br/> 一進水管，耦接該分水頭；以及<br/> 一出水管，耦接該雙列直插式記憶體模組冷卻單元。
如請求項1所述之記憶體冷卻裝置，其中，該分水頭包含有一進水口與二出水口，該進水口耦接該進水管；該中央處理器冷卻單元包含有一中水冷頭、一進水頭與一出水頭，該中水冷頭的內部具有水道，該進水頭與該出水頭設於該水冷頭的頂端，並相通該水道，該進水頭耦接該分水頭的該進水口，該出水頭耦接該分水頭的該些出水口。
如請求項2所述之記憶體冷卻裝置，其中，該中央處理器冷卻單元包含有四固定件，該些固定件分別設於該中水冷頭的邊角處。
如請求項2所述之記憶體冷卻裝置，其中，該雙列直插式記憶體模組冷卻單元包含有一水冷頭與一導熱鰭片組，該水冷頭的內部具有水道，該水冷頭的頂端具有一進水口與一出水口，該進水口與該出水口相通該水道，該進水口以管線耦接該分水頭的該出水口，該出水口耦接該出水管，該導熱鰭片組設於該水冷頭的底端，該導熱鰭片組具有複數個鰭片。
如請求項4所述之記憶體冷卻裝置，其中，該雙列直插式記憶體模組冷卻單元具有四緩衝固定件，各該些緩衝固定件設於該導熱鰭片組的兩側邊，該導熱鰭片組與該水冷頭之間具有導熱膏。
如請求項2所述之記憶體冷卻裝置，其中，該雙列直插式記憶體模組冷卻單元包含有一水冷頭與一導熱鰭片組，該水冷頭的內部具有水道，該水冷頭的兩側分別包含有一進水口與一出水口，該進水口與該出水口相通該水道，該進水口以管線耦接該分水頭的該出水口，該出水口耦接該出水管，該導熱鰭片組設於該水冷頭的底端，該導熱鰭片組具有複數個鰭片。
如請求項1所述之記憶體冷卻裝置，更包含有一漏液檢測繩或複數個漏液感測器，該漏液檢測繩繞設於該中央處理器冷卻單元與該分水頭的該管線之耦接處、該些雙列直插式記憶體模組冷卻單元與該分水頭的該管線之耦接處、該進水管該分水頭的耦接處、該出水管與該雙列直插式記憶體模組冷卻單元的耦接處，或者該些漏液感測器設於該中央處理器冷卻單元與該分水頭的該管線之耦接處、該些雙列直插式記憶體模組冷卻單元與該分水頭的該管線之耦接處、該進水管與該分水頭的耦接處、該出水管與該雙列直插式記憶體模組冷卻單元的耦接處。
如請求項1所述之記憶體冷卻裝置，其中，該安裝架包含有四固定腳，該些固定腳分別設於該安裝架的四邊角處。
一種開放式冷卻裝置，包含：<br/> 一水箱單元；<br/> 一水泵，以管線耦接該水箱單元；<br/> 一分布器，包含一出水口、一入水口、一出水管、一入水管與多個快拆接頭，該入水管與該出水管設於該分布器的內部，該出水口與該入水口設於該分布器的一端，該出水口相通該出水管，該出水口以管線耦接該水泵，該入水口相通該入水管，該入水口以管線耦接該水箱單元，該些快拆接頭設於該分布器的一面，該些快拆接頭分別耦接該入水管與該出水管；<br/> 至少一中水冷頭，包含一水道、一出水口與一入水口，該水道設於該中水冷頭的內部，該出水口與該入水口位於該中水冷頭的一端，並相通該水道，該出水口與該入水口分別以管線耦接該些快拆接頭；以及<br/> 至少一圖水冷頭，包含一水室、一出水口、一入水口與一散熱鰭片組，該水室位於該圖水冷頭的內部，該出水口與該入水口設於該圖水冷頭的一端，並相通該水室，該出水口與該入水口分別以管線耦接該些快拆接頭，該散熱鰭片組設於該水室的內部。
如請求項1所述之開放式冷卻裝置，其中，該分布器具有一感測單元與至少一側入水口，該側入水口設於該分布器的一側，該側入水口相通該入水管，該感測單元設於該快拆接頭處，該感測單元具有一蓋體與至少一感測器，該蓋體將該快拆接頭蓋設於該蓋體的內部，該感測器設於該蓋體的內部。
如請求項1所述之開放式冷卻裝置，其中，該水箱單元具有至少一水箱本體、至少一散熱風扇與至少一漏液感測單元，該水箱本體分別以管線耦接該水泵與該分布器的該入水口，該水箱本體具有一液體空間與一導熱組，該導熱組位於該液體空間的一側，該散熱風扇設於該導熱組未面對該液體空間的一面，該漏液感測單元設於該管線、該水泵與該分布器的該入水口的耦接處。
如請求項1所述之開放式冷卻裝置，其中，該中水冷頭具有一中感測單元與複數個緩衝固定件，該緩衝固定件設於該中水冷頭的邊角處，該緩衝固定件具有一螺栓與一彈性件，該螺栓穿過該彈性件與該中水冷頭，該中感測單元設於該中水冷頭具有該出水口與該入水口的一面，該中感測單元具有一蓋體與至少一感測器，該蓋體將該出水口與該入水口蓋設於該蓋體的內部，該感測器設於該蓋體的內部。
如請求項1所述之開放式冷卻裝置，其中，該圖水冷頭具有一圖感測單元，該圖感測單元具有一蓋體與至少一感測器，該蓋體將該出水口與該入水口蓋設於該蓋體的內部，該感測器設於該蓋體的內部。
如請求項5所述之開放式冷卻裝置，其中，該圖水冷頭更具有一導熱墊，該導熱墊位於該散熱鰭片組的下方。
一種無人機收納箱，用以收納一無人機，該無人機收納箱包含：<br/> 一箱體，包含一箱體底面及一箱體開口，該箱體開口相反於該箱體底面；<br/> 一固定基座，位於該箱體內且包含：<br/> 一底板，設置於該箱體底面且概呈矩形；及<br/> 四支撐柱，分別位於該底板的四角落，該四支撐柱用以支撐限位該無人機；以及<br/> 一捲簾裝置，設置於該箱體且包含一捲簾，該捲簾用以可選擇地遮擋該箱體開口；<br/> 其中，該四支撐柱不阻擋該無人機由該箱體開口離開該箱體。
如請求項1所述之無人機收納箱，其中每一該四支撐柱包含依序連接的一下段、一中段以及一上段，對每一該四支撐柱而言，該下段連接該底板，該上段的一直徑最小，該下段的一直徑最大；該無人機的四管夾分別穿設於該四上段，並分別承靠於該四中段中每一者的一上緣。
如請求項2所述之無人機收納箱，其中對每一該四支撐柱而言，該上段最長，該中段最短。
如請求項1所述之無人機收納箱，其中該固定基座更包含二連接部，該二連接部中的一者的兩端分別連接該四支撐柱中相鄰的二者，該二連接部中的另一者的兩端分別連接該四支撐柱中相鄰的另二者。
一種無人機收納箱，用以收納複數無人機，該無人機收納箱包含：<br/> 一箱體，包含一箱體底面及一箱體開口，該箱體開口相反於該箱體底面；<br/> 複數固定基座，間隔排列於該箱體內，每一該些固定基座包含四支撐柱間隔排列成一矩形，每一該些固定基座的該四支撐柱用以支撐每一該些無人機；以及<br/> 一捲簾裝置，設置於該箱體且包含一捲簾，該捲簾用以可選擇地遮擋該箱體開口；<br/> 其中，每一該些固定基座的該四支撐柱不阻擋每一該些無人機由該箱體開口離開該箱體。
如請求項5所述之無人機收納箱，其中每一該些固定基座的每一該四支撐柱包含依序連接的一下段、一中段以及一上段，對每一該些固定基座的每一該四支撐柱而言，該下段連接該箱體底面，該上段的一直徑最小，該下段的一直徑最大；每一該些無人機的四管夾分別穿設於每一該些固定基座的該四上段，並分別承靠於該四中段中每一者的一上緣。
如請求項6所述之無人機收納箱，其中對每一該些固定基座的每一該四支撐柱而言，該上段最長，該中段最短。
如請求項5所述之無人機收納箱，其中每一該些固定基座更包含二連接部，對每一該些固定基座而言，該二連接部中的一者的兩端分別連接該四支撐柱中相鄰的二者，該二連接部中的另一者的兩端分別連接該四支撐柱中相鄰的另二者。
一種無人機，放置於如請求項1所述的無人機收納箱，該無人機包含：<br/> 一機體；<br/> 四螺槳支臂，自該機體朝外延伸，<br/> 四螺槳，分別設置於該四螺槳支臂；以及<br/> 四管夾，分別鎖附於該四螺槳支臂，且每一該些管夾包含一穿孔，該四穿孔分別套設於該四支撐柱。
如請求項9所述之無人機，其中每一該四管夾可拆地設置於每一該四螺槳支臂。
一種轉向操控裝置，設置於一船體且連接一船外機推進裝置，該轉向操控裝置包含：<br/> 二彎折連接桿，每一該二彎折連接桿包含一內側端及一外側端，該二內側端分別連接於該船外機推進裝置的二側；<br/> 一電動油壓缸，包含：<br/> 一中心桿，二端分別與該二外側端限位連接；及<br/> 一缸體，可滑動地套設於該中心桿；<br/> 一位移感測器，包含一內桿及一外管，該內桿限位連接於該二彎折連接桿中的一者；<br/> 一固定管夾，限位套接於該外管並固定於該缸體；以及<br/> 一樞轉連桿組，一端樞接於該缸體，另一端樞接於該船外機推進裝置；<br/> 其中，該缸體相對該中心桿移動並帶動該樞轉連桿組，以調整該船外機推進裝置的一螺槳方向，且該固定管夾帶動該位移感測器的該外管與該缸體同動，以使該位移感測器量測該缸體的一位置。
如請求項1所述之轉向操控裝置，更包含一支撐桿，該支撐桿穿設於該船外機推進裝置，且該支撐桿的二端分別連接於該二內側端。
如請求項1所述之轉向操控裝置，其中該固定管夾包含一底座及一蓋體，該底座包含彼此連接的一第一凹弧及一延伸鎖部，該蓋體蓋設並鎖接於該底座，該蓋體包含一第二凹弧，該第一凹弧及該第二凹弧對組形成圓孔套於該外管，該延伸鎖部鎖於該缸體。
如請求項1所述之轉向操控裝置，更包含一樞板，該樞板凸伸於該缸體且供該樞轉連桿組樞接於其上。
如請求項1所述之轉向操控裝置，其中該轉向操控裝置更包含一鎖附框體，該鎖附框體設置於該二彎折連接桿中的該者，且該內桿鎖附於該鎖附框體。
一種無人船，包含：<br/> 一船體，包含一尾端；<br/> 一船外機推進裝置，設置於該尾端且包含：<br/> 一船外機支架；及<br/> 一船外機，設置於該船外機支架；以及<br/> 一轉向操控裝置，包含：<br/> 二彎折連接桿，每一該二彎折連接桿包含一內側端及一外側端，該二內側端分別連接於該船外機支架的二側；<br/> 一電動油壓缸，包含：<br/> 一中心桿，二端分別與該二外側端限位連接；及<br/> 一缸體，可滑動地套設於該中心桿；<br/> 一位移感測器，包含一內桿及一外管，該內桿限位連接於該二彎折連接桿中的一者；<br/> 一固定管夾，限位套接於該外管並固定於該缸體；及<br/> 一樞轉連桿組，一端樞接於該缸體，另一端樞接於該船外機支架；<br/> 其中，該缸體相對該中心桿移動並帶動該樞轉連桿組，以轉動該船外機，且該固定管夾帶動該位移感測器的該外管與該缸體同動，以使該位移感測器量測該缸體的一位置。
如請求項6所述之無人船，其中該轉向操控裝置更包含一支撐桿，該支撐桿穿設於該船外機支架，且該支撐桿的二端分別連接於該二內側端。
如請求項6所述之無人船，其中該固定管夾包含一底座及一蓋體，該底座包含彼此連接的一第一凹弧及一延伸鎖部，該蓋體蓋設並鎖接於該底座，該蓋體包含一第二凹弧，該第一凹弧及該第二凹弧對組形成圓孔套於該外管，該延伸鎖部鎖於該缸體。
如請求項6所述之無人船，其中該轉向操控裝置更包含一樞板，該樞板凸伸於該缸體且供該樞轉連桿組樞接於其上。
如請求項6所述之無人船，更包含一控制器，該控制器設置於該船體且訊號連接該電動油壓缸及該位移感測器，該控制器用以控制該電動油壓缸且接收該位移感測器量測的該缸體的該位置。
一種組合式水壺架，其包含：<br/> 一固定片；<br/> 至少一第一翼片，該至少一第一翼片自該固定片的一側延伸，該至少一第一翼片具有一第一結合部；<br/> 至少一第二翼片，該至少一第二翼片設於該固定片設有該至少一第一翼片的另一側，並沿與該至少一第一翼片延伸方向相同之方向延伸，該至少一第二翼片具有一第二結合部；<br/> 其中，該至少一第一翼片及該至少一第二翼片可朝彼此方向彎折，使該第一結合部與該第二結合部相互結合並固定，藉以夾持定位一水壺。
如請求項1所述之組合式水壺架，其中，該第一結合部進一步具有一公扣件，該第二結合部進一步具有一母扣件，該公扣件可活動與該母扣件相扣組，使該至少一第一翼片與該至少一第二翼片相組設固定。
如請求項1所述之組合式水壺架，其中，該第一結合部進一步具有一卡組塊，該第二結合部進一步具有相連通之一第二穿孔及一卡合孔，該卡組塊具有一第一穿孔，另設有一固定件，當該卡組塊卡組於該卡合孔，該第一穿孔與該第二穿孔及該卡合孔相連通，而該固定件穿組於該第一穿孔、該第二穿孔及該卡合孔，使該至少一第一翼片與該至少一第二翼片相組設固定。
如請求項1所述之組合式水壺架，其中，該固定片進一步具有一第一端及一第二端，該第一端延伸設有一上接觸部，當該水壺受該至少一第一翼片及該至少一第二翼片夾持定位時，該水壺之部分外表面與該上接觸部相貼抵。
如請求項1所述之組合式水壺架，其中，該固定片進一步具有一第一端及一第二端，該第二端延伸設有一下支撐部，當該水壺受該至少一第一翼片及該至少一第二翼片夾持定位時，該下支撐部用以支撐該水壺。
如請求項1所述之組合式水壺架，其中，該固定片進一步具有複數安裝孔。
如請求項1所述之組合式水壺架，其中，該至少一第一翼片及該至少一第二翼片分別進一步具有複數加強肋。
一種焊接輔助裝置，包含：<br/> 一載台，且包含：<br/> 一基座；<br/> 一轉盤，包含彼此相對之一第一表面與一第二表面，其中該轉盤可轉動地設於該基座上；<br/> 一驅動組件，設置於該基座中，且位於該第二表面下並連接該轉盤，以提供一動力驅動該轉盤轉動；以及<br/> 一承托組件，固設於該第一表面，且配置以承載一圓形待焊件；以及<br/> 一壓合機構，鄰設於該載台，且配置以壓合該圓形待焊件之一外緣，其中該壓合機構包含：<br/> 一支撐架，包含一固定部與一支撐部，且該固定部位於該支撐部之上；<br/> 一第一支撐件，設於該固定部上；<br/> 至少一支撐滾輪，可轉動地設於該第一支撐件且朝向該載台，其中該至少一支撐滾輪配置以支撐該圓形待焊件之一下表面；<br/> 一第二支撐件，與該第一支撐件相隔地設於該第一支撐件之上；<br/> 一調整組件，穿設於該第一支撐件與該第二支撐件之間，以調整該第二支撐件與該第一支撐件之一距離；以及<br/> 至少一下壓滾輪，可轉動地設於該第二支撐件，其中該至少一下壓滾輪配置以壓抵該圓形待焊件之一上表面。
如請求項1所述之焊接輔助裝置，其中該承托組件包含：<br/> 複數個承托件，分別以放射狀地設置於該轉盤之該第一表面，其中該些承托件之每一者包含：<br/> 一第一側面，朝向該轉盤之一軸心；以及<br/> 一第二側面，相對於該第一側面；以及<br/> 複數個止擋件，分別設置於該些承托件之每一者之該第二側面。
如請求項1所述之焊接輔助裝置，其中該第一支撐件包含：<br/> 一第一支撐板，位於該固定部之一側；<br/> 一第二支撐板，相對於該第一支撐板，其中該第一支撐板與該第二支撐板分別沿該轉盤之一切線方向位於該固定部之相對二側；以及<br/> 一第一連接件，接合於該第一支撐板與該第二支撐板之間，且該第一連接件固設於該固定部，其中該至少一支撐滾輪位於該第一連接件。
如請求項3所述之焊接輔助裝置，其中該第二支撐件包含：<br/> 一第三支撐板，位於該第一支撐板之正上方；<br/> 一第四支撐板，位於該第二支撐板之正上方；以及<br/> 一第二連接件，接合於該第三支撐板與該第四支撐板之間，其中該至少一下壓滾輪位於該第二連接件上。
如請求項4所述之焊接輔助裝置，其中該調整組件包含：<br/> 一第一螺栓，穿設於該第一支撐板與該第三支撐板中；<br/> 一第二螺栓，穿設於該第二支撐板與該第四支撐板中，其中該第二螺栓沿該切線方向對齊該第一螺栓；<br/> 一第三螺栓，穿設於該第一支撐板與該第三支撐板中，且與該第一螺栓之間具有一調整距離；<br/> 一第四螺栓，穿設於該第二支撐板與該第四支撐板中，其中該第四螺栓沿該切線方向對齊該第三螺栓；以及<br/> 二彈性件，位於該第一支撐件與該第二支撐件之間，且該二彈性件分別穿設該第一螺栓與該第二螺栓。
如請求項5所述之焊接輔助裝置，其中該二彈性件之每一者為一壓縮彈簧。
如請求項5所述之焊接輔助裝置，其中該第一螺栓之長度小於該第三螺栓之長度，且該第一螺栓之長度與該第二螺栓之長度相同，該第三螺栓之長度與該第四螺栓之長度相同。
如請求項1所述之焊接輔助裝置，其中該至少一支撐滾輪之數量為二時，該至少一下壓滾輪之數量為一。
如請求項8所述之焊接輔助裝置，其中該至少一支撐滾輪之外徑小於該至少一下壓滾輪之外徑。
如請求項1所述之焊接輔助裝置，其中該至少一支撐滾輪之數量為一時，該至少一下壓滾輪之數量為二。
一種組合式鋼管置物架，係由至少四支四方形的立置鋼管建置一架構空間，該架構空間範圍的該至少四支立置鋼管上，係設置有多組置物層，並由該多組置物層，將該架構空間間隔成多個置物空間；該至少四支立置鋼管，係分別在遠離該架構空間的二相鄰外表面，由上而下，對齊排列的開設有多個倒葫蘆形狀的結合孔；每一組該置物層，包括有：<br/>一對橫置鋼管，係分別在一四方形的橫置管體兩端，各裁切一段第一缺口，形成有一第一結合片部及一第一靠置端面部，該第一結合片部內面，相對該至少四支立置鋼管的其中二支該立置鋼管的一該外表面上的該多個結合孔，設有一個以上，T形扣形狀的第一扣孔件，且該對橫置鋼管，並是相同高度的由該第一靠置端面部貼靠其中二支該立置鋼管的一內表面，將該第一扣孔件扣合在其中一該結合孔上固定；<br/>一對縱置鋼管，分別在一四方形的縱置管體兩端，各裁切一段第二缺口，形成有一第二結合片部及一第二靠置端面部，該第二結合片部內面，相對該至少四支立置鋼管的其中二支該立置鋼管的另一該外表面上的該多個結合孔，設有一個以上，T形扣形狀的第二扣孔件，且該對縱置鋼管，並是相同高度的由該第二靠置端面部貼靠其中二支該立置鋼管的另一內表面，將該第二扣孔件扣合在其中一該結合孔上固定；其中，該對縱置鋼管在其中二支該立置鋼管的另一該外表面上的固定高度，係相同於該對橫置鋼管在其中二支該立置鋼管的一該外表面上的固定高度；<br/>一承載板，係平置於該架構空間內，底面被該對橫置鋼管及該對縱置鋼管支撐。
如請求項1所述之組合式鋼管置物架，其中，該對橫置鋼管的該橫置管體兩端的該第一結合片部內面，相對其中二支該立置鋼管一該外表面上的該多個結合孔排列間距，設有二個T形扣形狀的該第一扣孔件；該對縱置鋼管的該縱置管體兩端的該第二結合片部內面，相對其中二支該立置鋼管的另一該外表面上的該多個結合孔排列間距，設有二個T形扣形狀的該第二扣孔件。
如請求項1所述之組合式鋼管置物架，其中，該承載板底面被該對橫置鋼管及該對縱置鋼管支撐，其板體四個角落，相對該至少四支立置鋼管的該內表面，各形成有一呈90度缺口形狀的限定部，並使每一該限定部分別匹配在一該立置鋼管的一該內表面。
一種電連接器保護殼體構件，包含：<br/> 密封內套筒，係由上密封殼體及下密封殼體對向接合而聯合形成，且該密封內套筒區分為前段套筒部及後段套筒部，其中該前段套筒部具有前段外螺紋及前截斷溝，且該後段套筒部具有後段外螺紋及後截斷溝，該前段外螺紋沿著該前段套筒部之軸線方向螺旋地突出形成於該上密封殼體及該下密封殼體對應於該前段套筒部的外緣表面，該前截斷溝沿著該前段套筒部之軸線方向形成於該前段外螺紋而作為截斷該前段外螺紋的溝槽，以及該後段外螺紋沿著該後段套筒部之軸線方向螺旋地突出形成於該上密封殼體及該下密封殼體對應於該後段套筒部的外緣表面，該後截斷溝沿著該後段套筒部之軸線方向形成於該後段外螺紋而作為截斷該後段外螺紋的溝槽，藉此經組裝連接之電連接器的第一接頭與第二接頭為該上密封殼體及該下密封殼體所包覆容納，該第一接頭的電線及該第二接頭的電線分別密封地穿設通過該前段套筒部的端部及該後段套筒部的端部；<br/> 鎖固套環，以設置在該前段套筒部以及該後段套筒部之間的方式可拆裝地連接於該密封內套筒的外緣表面，以箍套在該密封內套筒外；<br/> 前外覆筒體，以內端與該鎖固套環密封地相互接合，且該前外覆筒體具有前筒內螺紋及前切截溝，其中該前筒內螺紋沿著該前外覆筒體之軸線方向螺旋地突出形成於該前外覆筒體的內緣表面，該前切截溝沿著該前外覆筒體之軸線方向形成於該前筒內螺紋而作為截斷該前筒內螺紋的溝槽，該前筒內螺紋嚙合於該前段套筒部的該前段外螺紋而箍套且包覆該前段套筒部，且該第一接頭的電線密封地穿設通過該前外覆筒體的外端；以及<br/> 後外覆筒體，以內端與該鎖固套環密封地相互接合，且該後外覆筒體具有後筒內螺紋及後切截溝，其中該後筒內螺紋沿著該後外覆筒體之軸線方向螺旋地突出形成於該後外覆筒體的內緣表面，該後切截溝沿著該後外覆筒體之軸線方向形成於該後筒內螺紋而作為截斷該後筒內螺紋的溝槽，該後筒內螺紋嚙合於該後段套筒部的該後段外螺紋而箍套且包覆該後段套筒部，且該第二接頭的電線密封地穿設通過該後外覆筒體的外端，藉此<br/> 在該前外覆筒體及該後外覆筒體分別相對於該前段套筒部及該後段套筒部旋轉卸除的過程，於該前截斷溝對應於該前切截溝、該後截斷溝對應於該後切截溝時而分別形成前氣流通道、後氣流通道，以使空氣流入以分別破除該前外覆筒體與該前段套筒部、該後外覆筒體與該後段套筒部之間因緊密連接所造成的真空狀態，以利於該前外覆筒體、該後外覆筒體的拆卸。
如請求項1所述的電連接器保護殼體構件，其中該前截斷溝的數量為二個且分別設置在形成於該上密封殼體及該下密封殼體的該前段外螺紋。
如請求項1所述的電連接器保護殼體構件，其中該後截斷溝的數量為二個且分別設置在形成於該上密封殼體及該下密封殼體的該後段外螺紋。
如請求項1所述的電連接器保護殼體構件，其中該前截斷溝設置在形成於該上密封殼體的該前段外螺紋，以及<br/> 該後截斷溝設置在形成於該下密封殼體的該後段外螺紋。
如請求項1所述的電連接器保護殼體構件，其中該前截斷溝設置在形成於該下密封殼體的該前段外螺紋，以及<br/> 該後截斷溝設置在形成於該上密封殼體的該後段外螺紋。
如請求項1所述的電連接器保護殼體構件，其中該前截斷溝以鄰接於該上密封殼體及該下密封殼體之間接合面的方式形成於該前段外螺紋，以及<br/> 該後截斷溝以鄰接該上密封殼體及該下密封殼體之間接合面的方式形成於該後段外螺紋。
如請求項1所述的電連接器保護殼體構件，其中該前切截溝的數量為四個，且以彼此相互間隔90度角度的方式間隔設置於該前筒內螺紋。
如請求項1所述的電連接器保護殼體構件，其中該後切截溝的數量為四個，且以彼此相互間隔90度角度的方式間隔設置於該後筒內螺紋。
如請求項1所述的電連接器保護殼體構件，其中該前外覆筒體具有前外覆套筒以及前密封端蓋，<br/> 該前外覆套筒的內端為內徑及外徑增大的前擴管段，且該前擴管段的內緣表面抵靠於該鎖固套環的前段密封環而與該鎖固套環密封地相互接合，以及<br/> 該前密封端蓋可拆裝地填塞設置於該前外覆套筒的外端，且經配置而供該第一接頭的電線密封地穿設通過該前密封端蓋的前讓線槽。
如請求項1所述的電連接器保護殼體構件，其中該後外覆筒體具有後外覆套筒以及後密封端蓋，<br/> 該後外覆套筒的內端為內徑及外徑增大的後擴管段，且該後擴管段的內緣表面抵靠於該鎖固套環的後段密封環而與該鎖固套環密封地相互接合，以及<br/> 該後密封端蓋可拆裝地填塞設置於該後外覆套筒的外端，且經配置而供該第二接頭的電線密封地穿設通過後前密封端蓋的後讓線槽。
一種連接器密封殼體構件，包含：<br/> 上密封殼體，沿著軸線方向依序凹陷形成有前後相互連通的第一上半容線槽、上半連接器容置槽以及第二上半容線槽；<br/> 下密封殼體，沿著軸線方向依序凹陷形成有前後相互連通的第一下半容線槽、下半連接器容置槽以及第二下半容線槽，其中該上密封殼體及該下密封殼體可拆裝地上下對向接合成密封內套筒，而由該第一上半容線槽及該第一下半容線槽聯合形成第一容線槽，由該上半連接器容置槽及該下半連接器容置槽聯合形成連接器容置槽，由該第二上半容線槽及該第二下半容線槽聯合形成第二容線槽，而供將經組裝連接之電連接器的第一接頭與第二接頭容置在該連接器容置槽中，以及藉由該第一上半容線槽及該第一下半容線槽的上下包夾而使該第一接頭的電線以密封接觸的方式穿設通過該第一容線槽，並藉由該第二上半容線槽及該第二下半容線槽的上下包夾而使該第二接頭的電線以密封接觸的方式穿設通過該第二容線槽；<br/> 鎖固套環，以將該密封內套筒區分為前段套筒部及後段套筒部的方式可拆裝地箍套在該密封內套筒外，而使該上密封殼體及該下密封殼體相對鎖定；<br/> 前外覆套筒，以內端與該鎖固套環密封地相互接合的方式而箍套且包覆該密封內套筒的該前段套筒部；<br/> 後外覆套筒，以內端與該鎖固套環密封地相互接合的方式而箍套且包覆該密封內套筒的該後段套筒部；<br/> 前密封端蓋，可拆裝地填塞設置於該前外覆套筒的外端，該前密封端蓋係由成對的半部前端蓋對接而成，該半部前端蓋各自凹陷形成半部前讓線槽，以在成對的該半部前端蓋對接時聯合形成前讓線槽，以藉由成對該半部前讓線槽的兩側包夾，而供該第一接頭電線以密封接觸的方式穿設通過該前讓線槽；以及<br/> 後密封端蓋，可拆裝地填塞設置於該後外覆套筒的外端，該後密封端蓋係由成對的半部後端蓋對接而成，該半部後端蓋各自凹陷形成半部後讓線槽，以在成對的該半部後端蓋對接時聯合形成後讓線槽，以藉由成對該半部後讓線槽的兩側包夾，而供該第二接頭的電線以密封接觸的方式穿設通過該後讓線槽，<br/> 其中，藉由將該上密封殼體、該下密封殼體、該鎖固套環、該前外覆套筒、該後外覆套筒、該前密封端蓋以及該後密封端蓋逐層組裝在該電連接器的該第一接頭與該第二接頭之外，而使該電連接器被密封在該連接器密封殼體構件中。
如請求項1所述的連接器密封殼體構件，其中該上密封殼體具有上基殼體以及上殼體密封件，該上殼體密封件可拆裝地組裝於該上基殼體，該上半連接器容置槽凹陷形成於該上基殼體，該第一上半容線槽及該第二上半容線槽間隔設置地凹陷形成於該上殼體密封件，以及<br/> 該下密封殼體具有下基殼體以及下殼體密封件，該下殼體密封件可拆裝地組裝於該下基殼體，該下半連接器容置槽凹陷形成於該下基殼體，該第一下半容線槽及該第二下半容線槽間隔設置地凹陷形成於該下殼體密封件，其中該下基殼體以該上殼體密封件貼靠於該下殼體密封件的方式而可拆裝地連接於該上基殼體，而使該上密封殼體及該下密封殼體可拆裝地上下對向接合成該密封內套筒。
如請求項1所述的連接器密封殼體構件，其中該上密封殼體及該下密封殼體於中央段處的外緣表面具有外螺紋，該鎖固套環的內緣表面具有內螺紋，該鎖固套環藉由與該上密封殼體及該下密封殼體之間的螺紋嚙合而可拆裝地箍套在該密封內套筒外。
如請求項1所述的連接器密封殼體構件，其中該鎖固套環間隔地設置有前段密封環及後段密封環，<br/> 該前外覆套筒的內端為內徑及外徑增大的前擴管段，且該前擴管段的內緣表面抵靠於該鎖固套環的該前段密封環而與該鎖固套環密封地相互接合，該前外覆套筒的內緣表面具有內螺紋而螺紋嚙合於該密封內套筒區的該前段套筒部之外緣表面的外螺紋，以及<br/> 該後外覆套筒的內端為內徑及外徑增大的後擴管段，且該後擴管段的內緣表面抵靠於該鎖固套環的該後段密封環而與該鎖固套環密封地相互接合，該後外覆套筒的內緣表面具有內螺紋而螺紋嚙合於該密封內套筒區的該後段套筒部之外緣表面的外螺紋。
如請求項1所述的連接器密封殼體構件，其中該前外覆套筒之外端的內緣表面徑向地突伸形成前嵌固凸塊，以及<br/> 該前密封端蓋具有前蓋板以及前結合座，該前結合座突伸形成於該前蓋板的內表面，且該前結合座的周緣外表面形成有適配於該前嵌固凸塊的前縱向導引溝以及前周向限位槽，該前縱向導引溝以自該前結合座的端緣朝向該前蓋板延伸的方式凹陷形成於該前結合座，且該前周向限位槽以自該前縱向導引溝而周向延伸預定旋轉範圍角度的方式凹陷形成於該前結合座，藉此<br/> 透過該前嵌固凸塊的縱向滑入該前縱向導引溝並進一步旋轉滑入該前周向限位槽的方式，而將該前密封端蓋的該前結合座以可拆裝的方式組裝於該前外覆套筒、且該前密封端蓋的該前蓋板覆蓋該前外覆套筒的外端開口。
如請求項1所述的連接器密封殼體構件，其中該後外覆套筒之外端的內緣表面徑向地突伸形成後嵌固凸塊，以及<br/> 該後密封端蓋具有後蓋板以及後結合座，該後結合座突伸形成於該後蓋板的內表面，且該後結合座的周緣外表面形成有適配於該後嵌固凸塊的後縱向導引溝以及後周向限位槽，該後縱向導引溝以自該後結合座的端緣朝向該後蓋板延伸的方式凹陷形成於後結合座，且該後周向限位槽以自該後縱向導引溝而周向延伸預定旋轉範圍角度的方式凹陷形成於該後結合座，藉此<br/> 透過該後嵌固凸塊的縱向滑入該後縱向導引溝並進一步旋轉滑入該後周向限位槽的方式，而將該後密封端蓋的該後結合座以可拆裝的方式組裝於該後外覆套筒、且該後密封端蓋的該後蓋板覆蓋該後外覆套筒的外端開口。
如請求項1所述的連接器密封殼體構件，其中該前密封端蓋的每一個該半部前端蓋具有半部前端蓋外殼及半部前端蓋密封塊，<br/> 該半部前端蓋外殼具有前組裝座以及前卡固肋片，該前組裝座具有前半組裝空間，該前卡固肋片自該前組裝座的內緣表面向上延伸形成於該前半組裝空間，<br/> 該半部前端蓋密封塊具有該半部前讓線槽以及前卡固凹孔，該半部前讓線槽凹陷形成於該半部前端蓋密封塊的一接合表面，該前卡固凹孔係以與該半部前讓線槽間隔設置的方式凹陷形成於該半部前端蓋密封塊的相對遠離於該接合表面的組裝表面，其中<br/> 該半部前端蓋密封塊容納設置於該前組裝座的該前半組裝空間而使該組裝表面貼合於該前組裝座的內緣表面，該前卡固肋片插入設置於該前卡固凹孔，以及成對的該半部前端蓋的該半部前端蓋密封塊的該接合表面相互貼合而使該半部前讓線槽聯合形成該前讓線槽。
如請求項1所述的連接器密封殼體構件，其中該後密封端蓋的每一個該半部後端蓋具有半部後端蓋外殼及半部後端蓋密封塊，<br/> 該半部後端蓋外殼具有後組裝座以及後卡固肋片，該後組裝座具有後半組裝空間，該後卡固肋片自該後組裝座的內緣表面向上延伸形成於該後半組裝空間，<br/> 該半部後端蓋密封塊具有該半部後讓線槽以及後卡固凹孔，該半部後讓線槽凹陷形成於該半部後端蓋密封塊的一接合表面，該後卡固凹孔係以與該半部後讓線槽間隔設置的方式凹陷形成於該半部後端蓋密封塊的相對遠離於該接合表面的組裝表面，其中<br/> 該半部後端蓋密封塊容納設置於該後組裝座的該後半組裝空間而使該組裝表面貼合於該後組裝座的內緣表面，該後卡固肋片插入設置於該後卡固凹孔，以及成對的該半部後端蓋的該半部後端蓋密封塊的該接合表面相互貼合而使該半部後讓線槽聯合形成該後讓線槽。
一種改進的防火門組裝結構，包含： 一內骨架(1)，係由金屬板材組成之矩形框體； 一門扇基體(2)，具有一底板(20)及周緣之邊立牆(21)，其內界定有一中空部(22)，兩側之邊立牆(21)分別設有一截面呈C字型之內扣座(23)，且二內扣座(23)之開口端互為背向設置，其中，該內骨架(1)固定於該門扇基體(2)內，並使兩側的該內扣座(23)分別與該內骨架(1)邊緣固接； 一前面蒙板(3)，其兩側邊分別設有一截面呈C字型之外扣座(31)，二外扣座(31)之開口端互為朝向設置；以及 一防火填充物(4)，設置於該中空部(22)內； 其特徵在於： 該對外扣座(31)之開口端之間距(31D)小於該對內扣座(23)之開口端之間距(23D)，藉此使該前面蒙板(3)能透過橫向位移與該門扇基體(2)相互扣接。
如請求項1所述之改進的防火門組裝結構，其中該內骨架(1)係採用高強度金屬板材經冷軋形成之I字型截面構型。
如請求項2所述之改進的防火門組裝結構，其中該內骨架(1)之板材的表面設有凹凸紋路。
如請求項2所述之改進的防火門組裝結構，其中該內骨架(1) 之板材上設有複數個鏤空結構。
如請求項1所述之改進的防火門組裝結構，其中該二內扣座(23)之開口端係面向外側設置，而該二外扣座(31)之開口端係面向內側設置，兩者互呈映像對稱。
如請求項1所述之改進的防火門組裝結構，其中該防火填充物(4)之材質係選自氧化鎂、矽酸鈣、石膏或膨脹珍珠岩其中之一或其組合。
如請求項1所述之改進的防火門組裝結構，其中該前面蒙板(3)與該門扇基體(2)於扣接定位後，係進一步透過焊接或是螺釘固定成一體。
一種金爐，包括一金爐隔熱外筒體與一燃燒內腔體；其中：<br/> 所述金爐隔熱外筒體包括一筒底與連接於所述筒底周緣的周壁，所述筒底與所述周壁界定出一腔室，所述周壁上設有多個通風孔；<br/> 所述燃燒內腔體為包括有腔壁的中空筒形體，所述腔壁為封閉的完整牆面，且所述腔壁與所述筒底界定出一燃燒室，所述腔壁的直徑小於所述周壁的直徑，所述燃燒內腔體設置在所述腔室中，所述腔壁的底緣與所述筒底接觸並與之形成適配連接，所述腔壁、所述周壁及所述筒底界定出環狀氣流通道，所述腔壁的高度低於所述周壁的高度，使所述腔壁的頂緣與所述周壁上緣之間具有高度差，而在該處相對形成第一對流區。
如請求項1所述之金爐，其中，所述筒底對應所述燃燒腔室的位置上設爐架，所述爐架上供金紙放置。
如請求項2所述之金爐，其中，所述筒底包括一通孔，所述通孔的周緣向上延伸有凸緣，所述燃燒室內包括一導風管，所述導風管穿過所述爐架，所述導風管為包括有頂面及以其上緣與所述頂面相連的環壁所形成的開口朝下的中空柱形體，所述環壁的下緣與所述凸緣銜接，使所述通孔與所述導風管內部連通，所述頂面與所述環壁設有多數個通氣孔，令所述導風管內部經所述通氣孔連通至所述燃燒室，所述導風管的高度低於所述腔壁的高度，使所述腔壁的頂緣與所述導風管的所述頂面之間具高度差，而在該處相對形成第二對流區。
如請求項1所述之金爐，其中，所述筒底包括一通孔，所述通孔的周緣向上延伸有凸緣，所述燃燒室內包括一導風管，所述導風管為包括有頂面及以其上緣與所述頂面相連的環壁所形成的開口朝下的中空柱形體，所述環壁的下緣與所述凸緣銜接，使所述通孔與所述導風管內部連通，所述頂面與所述環壁設有多數個通氣孔，令所述導風管內部經所述通氣孔連通至所述燃燒室，所述導風管的高度低於所述腔壁的高度，使所述腔壁的頂緣與所述導風管的所述頂面之間具高度差，而在該處相對形成第二對流區。
如請求項1至4任一項所述之金爐，其中，所述金爐隔熱外筒體的所述周壁上緣對應蓋設有蓋體，所述蓋體設有排煙管，在所述蓋體對應蓋設於所述金爐隔熱外筒體上的狀態下，所述排煙管與所述腔室連通。
如請求項5所述之金爐，其中，所述蓋體上設置二只相對應的把手。
如請求項6所述之金爐，其中，所述金爐隔熱外筒體的所述筒底連設有多數支用於平穩支撐所述金爐的支撐腳。
如請求項6所述之金爐，其中，所述金爐隔熱外筒體的所述周壁上設置二相對應的提把。
如請求項8所述之金爐，其中，所述金爐隔熱外筒體的所述筒底連設有多數支用於平穩支撐所述金爐的支撐腳。
如請求項1至4任一項所述之金爐，其中，所述金爐隔熱外筒體的所述筒底連設有多數支用於平穩支撐所述金爐的支撐腳。
如請求項1至4任一項所述之金爐，其中，所述金爐隔熱外筒體的所述周壁上設置二相對應的提把。
一種承載盒，係包括：<br/>盒體，用以容置目標物；<br/>擋止結構，設於該盒體內側，並具有相對令該目標物限制於該盒體內之擋止狀態，以及使該目標物得以進出該盒體之開啟狀態；以及<br/>連動結構，設於該盒體外側且連動該擋止結構，以令該連動結構帶動該擋止結構進行該擋止狀態與該開啟狀態之切換。
如請求項1所述之承載盒，復包括設於該盒體內側用以置放該目標物之支撐結構。
如請求項2所述之承載盒，其中，該盒體具有相對之頂板與底板以及鄰接該頂板與底板之相對兩側板，該支撐結構包含有設於該兩側板之複數等距間隔排列之軌道及形成於各該軌道中之缺口。
如請求項3所述之承載盒，其中，該擋止結構具有一滑動件及複數設於該滑動件上且對應該缺口位置之擋止塊，使該擋止塊透過該滑動件相對該缺口位移，以令該擋止塊阻斷或未阻斷該軌道。
如請求項4所述之承載盒，其中，當該擋止塊阻斷該軌道時，該擋止結構呈擋止狀態，避免該目標物沿該軌道移動而掉出該盒體，當該擋止塊未阻斷該軌道時，該擋止結構呈開啟狀態，以令該目標物沿該軌道進入或移出該盒體。
如請求項4所述之承載盒，其中，在擋止狀態時，該擋止塊於該軌道方向之投影部分重疊或完全重疊該目標物於該軌道方向之投影，在開啟狀態時，該擋止塊於該軌道方向之投影未重疊該目標物於該軌道方向之投影。
如請求項4所述之承載盒，其中，在擋止狀態時，該擋止塊的底面距離該軌道之頂面小於該目標物的高度，在開啟狀態時，該擋止塊的底面距離該軌道之頂面大於該目標物的高度。
如請求項4所述之承載盒，其中，在擋止狀態時，該擋止塊的底面實質上齊平該軌道之頂面，在開啟狀態時，該擋止塊的底面高於該軌道之頂面。
如請求項1所述之承載盒，復包括對該擋止結構施加彈性推力之彈性結構，使該擋止結構維持擋止狀態。
如請求項1所述之承載盒，其中，該連動結構包含有形成於該盒體之側板之開槽以及設於該開槽中且凸伸出該開槽之桿體。
如請求項10所述之承載盒，其中，該桿體於該開槽中上下移動，當該桿體上移時帶動該擋止結構向上移動，進而使該擋止結構位於該開啟狀態。
如請求項10所述之承載盒，其中，該桿體於該開槽中上下移動，當該桿體下移時帶動該擋止結構向下移動，進而使該擋止結構位於該擋止狀態。
一種封裝機台，係包括：<br/>裝卸平台，用以供如請求項1至12任一項所述之承載盒設置其上；<br/>其中，該裝卸平台設有對應該連動結構之作用件，以令該承載盒放置於該裝卸平台時，該作用件作動該連動結構，使該連動結構帶動該擋止結構，而令該擋止結構位於該開啟狀態。
如請求項13所述之封裝機台，其中，該作用件為凸塊且該連動結構具有設於該盒體外側之桿體，以令該承載盒放置於該裝卸平台時，該凸塊推動該桿體上移而帶動該擋止結構位於該開啟狀態。
一種按摩組件，包含：<br/> 一基座；<br/> 至少一磁性能量件；<br/> 至少一穩定件，係結合該基座而用以將該至少一磁性能量件穩定於該基座上。
如請求項1所述之按摩組件，其中該至少一磁性能量件為球體。
如請求項2所述之按摩組件，其中該基座為一盤形體，該至少一穩定件為一磁石且設置在該盤形體上，該球體與該磁石相互吸引。
如請求項3所述之按摩組件，其中該基座具有一凹陷部，該磁石嵌設於該凹陷部中。
如請求項4所述之按摩組件，其中該凹陷部為一圓形凹槽，該磁石貼設於該圓形凹槽之一槽底；其中該球體的直徑小於該圓形凹槽的直徑。
如請求項2所述之按摩組件，其中該基座呈金元寶造型，且中間部位具有一凹陷部，該至少一穩定件為一磁石且嵌設於該凹陷部中，該球體設置於該凹陷部中並與該磁石相互吸引。
如請求項2所述之按摩組件，其中該基座具有一凹窩，該至少一穩定件為一蓋體且結合該基座，該蓋體具有一圓孔；該球體的一部份位於該凹窩中，一部分自該圓孔突露於外，其中該圓孔的孔徑小於該球體的直徑。
一種臭氧水生成裝置，包含：<br/> 一外殼組，包括二沿一排列方向互相間隔設置的外殼，及數個連接件，每一該外殼具有一基壁、一由該基壁周緣沿該排列方向朝另一該外殼延伸的圍壁、數個設置於該基壁且分別供該等連接件穿設的連接部，及數個形成於該基壁的穿孔，該等基壁與該等圍壁共同界定一容置空間，該等穿孔連通該容置空間與該外殼組的外部； <br/> 一電極組，設置於該容置空間中，該電極組包括至少一正極片，及數個負極片，該等負極片的數量比該正極片數量多一，該至少一正極片與該等負極片沿該排列方向間隔地設置且互相交錯排列；及<br/> 一第一固定組，包括二第一固定件，該等第一固定件沿一垂直於該排列方向的第一方向設置於該電極組的兩相反側，每一該第一固定件具有二沿該排列方向分別位於該電極組兩相反端的第一夾持部、一連接該等第一夾持部且鄰近該電極組外側的第一側部、至少一與該至少一正極片配合且位於該第一側部的第一正極溝槽，及數個分別與該等負極片配合且位於該第一側部的第一負極溝槽，該至少一第一正極溝槽與該等第一負極溝槽間隔排列且沿該排列方向互相交錯。
如請求項1所述的臭氧水生成裝置，其中，該至少一正極片的材質為鈦合金，該等負極片的材質為不鏽鋼。
如請求項1所述的臭氧水生成裝置，其中，該等外殼的材質為矽膠或尼龍。
如請求項1所述的臭氧水生成裝置，其中，每一該外殼還具有一由各自的該基壁周緣沿垂直該排列方向的平面向外延伸的延伸壁，及一由該延伸壁遠離該基壁的周緣向另一該外殼延伸並圍繞各自的該圍壁的限位壁，該等延伸壁、該等限位壁與該等圍壁共同界定一理線空間。
如請求項4所述的臭氧水生成裝置，其中，每一該外殼還具有一形成在各自的該限位壁的吊孔，該吊孔連通該理線空間與該外殼組的外部，該等吊孔沿該排列方向對應設置。
如請求項4所述的臭氧水生成裝置，還包含一電氣單元，該電氣單元包括一接頭模組，及一連接該電極組與該接頭模組間的電線組，該電線組可環繞該等圍壁而部分容置於該理線空間，該電極組還包括一沿該排列方向穿設於該等負極片且電連接該等負極片的栓件，該電線組具有一電連接該至少一正極片的正極線，及一電連接該栓件的負極線。
如請求項6所述的臭氧水生成裝置，其中，每一該圍壁具有有一鄰近另一該圍壁的凹槽，該等圍壁的該等凹槽在該排列方向相對應且共同界定一穿線孔，該穿線孔供該正極線與該負極線穿設。
如請求項6所述的臭氧水生成裝置，其中，該接頭模組具有一用於接收電力的插座、一電連接該插座及該電線組且用於將接收的電力進行轉換的電源轉換器、一電連接該電源轉換器的控制器，及一電連接該控制器的按鈕，當該控制器感測到該按鈕被按壓一次時，會使該控制器切換一第一模式，該電源轉換器轉換電力並持續一第一時間，當該控制器在該第一模式感測到該按鈕被按壓一次時，會使該控制器切換至一第二模式，該電源轉換器轉換電力並持續一與該第一時間相異的第二時間。
如請求項8所述的臭氧水生成裝置，其中，該接頭模組還具有一電連接該控制器的第一發光件，及一電連接該控制器的第二發光件，當該控制器在該第一模式時，該第一發光件通電發光，該第二發光件不通電，當該控制器在該第二模式時，該第一發光件與該第二發光件皆通電發光。
如請求項1所述的臭氧水生成裝置，其中，每一該外殼還具有數個沿該排列方向分別貫穿對應的該等連接部與各自的該基壁的穿槽，每一該連接部具有數個鄰近各自的該穿槽的擋止件，該等擋止件繞該穿槽的中心間隔排列，每一該連接件具有一介於該等外殼間的中間部、沿該排列方向分別連接於該中間部的兩相反側的一第一頸部及一第二頸部、一連接該第一頸部相反該中間部的一側的第一擋止部，及一連接該第二頸部相反該中間部的第二擋止部，該第一頸部穿過其中一外殼的其中一連接部的該等擋止件，該第一擋止部抵於對應的該等擋止件，該第二頸部穿過其中另一外殼的其中一連接部的該等擋止件，該第二擋止部抵於對應的該等擋止件。
如請求項1所述的臭氧水生成裝置，其中，該至少一正極片形成有數個正極片穿槽，每一該負極片形成有數個負極片穿槽。
如請求項1所述的臭氧水生成裝置，其中，該電極組包括二正極片、三負極片，及二材料為導電金屬的栓件，其中一該栓件沿該排列方向穿設於該等正極片且電連接該等正極片，另一該栓件沿該排列方向穿設於該等負極片且電連接該等負極片，該等正極片與該等負極片沿該排列方向間隔地設置且互相交錯排列。
如請求項12所述的臭氧水生成裝置，還包含一第二固定組，該第二固定組包括二第二固定件，該等第二固定件沿一第二方向設置於該電極組的兩相反側，該第二方向垂直該排列方向與該第一方向，每一該第二固定件具有二沿該排列方向分別位於該電極組兩相反端的第二夾持部、一連接該等第二夾持部且鄰近該電極組外側的第二側部、兩個與該等正極片配合且位於該第二側部的第二正極溝槽，及三個分別與該等負極片配合且位於該第二側部的第二負極溝槽，該等第二正極溝槽與該等第二負極溝槽間隔排列且沿該排列方向互相交錯。
一種可增加功率密度並降低寄生電感的功率半導體封裝結構，包括： <br/>一晶片； <br/>一第一閘型立體金屬片，包括一本體、複數個第一電連接部及複數個第二電連接部，該第一閘型立體金屬片的該等第一電連接部間隔配置於該第一閘型立體金屬片的該本體的一第一端，該第一閘型立體金屬片的一第二端具有複數個鰭片，該第一閘型立體金屬片的該第二端的相鄰的二鰭片之間形成一溝槽，該第一閘型立體金屬片的該等第二電連接部分別設置於該第一閘型立體金屬片的該第二端的該等鰭片的底部並且接觸該晶片的頂面； <br/>一第二閘型立體金屬片，包括一本體、複數個第一電連接部及複數個第二電連接部，該第二閘型立體金屬片的該等第一電連接部間隔配置於該第二閘型立體金屬片的一第一端，該第二閘型立體金屬片的一第二端具有複數個鰭片，該第二閘型立體金屬片的該等第二電連接部分別設置於該第二閘型立體金屬片的該第二端的該等鰭片的底部並且接觸該晶片的頂面，該第二閘型立體金屬片的該第二端的相鄰的二鰭片之間形成一溝槽，其中，該第一閘型立體金屬片的該等第二電連接部的一端分別穿過該第二閘型立體金屬片的該第二端的該等溝槽並且交錯地配置於該第二閘型立體金屬片的該等第二電連接部之間，該第一閘型立體金屬片的該等第二電連接部的另一端分別位於該第二閘型立體金屬片的該第二端的該等溝槽之外，使得該第一閘型立體金屬片的該等第二電連接部和該第二閘型立體金屬片的該等第二電連接部之間產生一縫隙，且該第一閘型立體金屬片的該第二端的該等鰭片的寬度大於該第二閘型立體金屬片的該第二端的該等溝槽的寬度；以及 <br/>複數個絕緣層，包括一第一絕緣層及一第二絕緣層，該第一絕緣層覆蓋該晶片、該第一閘型立體金屬片的該本體和該等第二電連接部與該第二閘型立體金屬片的該本體和該等第二電連接部，使得該第一閘型立體金屬片的該等第一電連接部和該第二閘型立體金屬片的該等第一電連接部裸露在該第一絕緣層的外側，該第二絕緣層填充於該縫隙中，該第一絕緣層與該第二絕緣層的材料的導熱係數與介電常數不同。
如請求項1所述的可增加功率密度並降低寄生電感的功率半導體封裝結構，其中，該第一閘型立體金屬片的該本體開設複數個散熱孔，該第一絕緣層填充於該等散熱孔中。
如請求項2所述的可增加功率密度並降低寄生電感的功率半導體封裝結構，其中，各該散熱孔的直徑介於150～300<img align="absmiddle" height="9px" width="4px" file="ed10002.jpg" alt="ed10002.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>m。
如請求項1所述的可增加功率密度並降低寄生電感的功率半導體封裝結構，其中，該第一閘型立體金屬片的該等第一電連接部呈鰭片狀，該第一閘型立體金屬片的相鄰的二第一電連接部之間形成一溝槽，該第二閘型立體金屬片的該等第一電連接部呈鰭片狀，該第二閘型立體金屬片的相鄰的二第一電連接部之間形成一溝槽。
如請求項1所述的可增加功率密度並降低寄生電感的功率半導體封裝結構，其中，該第一閘型立體金屬片和該第二閘型立體金屬片的厚度介於200～500<img align="absmiddle" height="9px" width="4px" file="ed10002.jpg" alt="ed10002.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>m。
如請求項1至5中任一項所述的可增加功率密度並降低寄生電感的功率半導體封裝結構，進一步包括複數根散熱柱，該等散熱柱分別設置於該第一閘型立體金屬片和該第二閘型立體金屬片並且貫穿該第一絕緣層。
如請求項1至5中任一項所述的可增加功率密度並降低寄生電感的功率半導體封裝結構，進一步包括二散熱塊，該等散熱塊的其中之一設置於該第一閘型立體金屬片並且貫穿該第一絕緣層，該等散熱塊的另一者設置於該第二閘型立體金屬片並且貫穿該第一絕緣層。
如請求項7所述的可增加功率密度並降低寄生電感的功率半導體封裝結構，其中，該等散熱塊的其中之一開設複數個散熱孔。
如請求項1所述的可增加功率密度並降低寄生電感的功率半導體封裝結構，其中，該第二絕緣層的材料為高導熱低介電常數絕緣材料，該高導熱低介電常數絕緣材料為添加一高導熱材料的低介電常數的環氧樹脂系列絕緣材料，該高導熱材料包括氮化鋁、氮化矽、氮化硼或氧化鋁。
一種具防止液晶汙染之顯示面板，其包含：<br/> 一基板；<br/> 一有機層，其設置於該基板之一上方；<br/> 一阻隔層，其設置於該有機層之一上方；<br/> 一液晶層，其設置於該阻隔層之一上方；以及<br/> 一框膠，其設置於該液晶層之一側，該有機層面向該框膠之一側具有一斜面，該阻隔層包覆該斜面；<br/> 其中，該阻隔層阻隔該有機層以及該液晶層。
如請求項1所述之具防止液晶汙染之顯示面板，其中該阻隔層以及該液晶層之間設置一第一下透明導電層以及一第一反射層，該第一下透明導電層設置於該液晶層之一下方，該第一反射層設置於該液晶層以及該第一下透明導電層之間。
如請求項1所述之具防止液晶汙染之顯示面板，其中該有機層以及該阻隔層之間設置一第二下透明導電層。
如請求項3所述之具防止液晶汙染之顯示面板，其中該阻隔層以及該液晶層之間設置一第二反射層。
如請求項1所述之具防止液晶汙染之顯示面板，其中該有機層以及該阻隔層之間設置一第三下透明導電層以及一第三反射層，該第三反射層設置於該阻隔層之一下方，該第三下透明導電層設置於該第三反射層以及該有機層之間。
如請求項1所述之具防止液晶汙染之顯示面板，其中該液晶層之一上方設置一上透明導電層。
如請求項6所述之具防止液晶汙染之顯示面板，其中該上透明導電層之一上方設置一彩色濾光層以及一黑色矩陣層，該黑色矩陣層設置於該彩色濾光層之一外側。
如請求項7所述之具防止液晶汙染之顯示面板，其中該框膠設置於該上透明導電層對應該黑色矩陣層之一下方。
如請求項8所述之具防止液晶汙染之顯示面板，其中該框膠以及該基板之間設置一金屬層。
如請求項1所述之具防止液晶汙染之顯示面板，其中該有機層之該上方設置複數個第一微結構，該阻隔層之該上方對應該有機層之該些個第一微結構形成複數個第二微結構。
一種用於測量動物身體狀況之系統，其包括：<br/> 配戴式裝置，係配戴於動物身體外部，其包括充電模組及訊號接收模組；以及<br/> 植入式裝置，係植入於所述動物皮下並電信連接於所述配戴式裝置，其包括電源獲取單元及生理感測單元；<br/> 其中，所述配戴式裝置藉由所述充電模組以無線方式對所述植入式裝置傳輸能量，所述植入式裝置利用所述電源獲取單元將所述能量轉換為電力，以驅動所述生理感測單元量測一生理數據，並將所述生理數據傳輸至所述訊號接收模組。
如請求項1所述之系統，其中所述充電模組包含一線圈，用以發射一電磁場，所述植入式裝置之電源獲取單元包含一感應線圈，藉由電磁感應原理感應所述電磁場以產生電流。
如請求項1所述之系統，其中所述植入式裝置係一無電池之特殊應用積體電路（ASIC），並封裝於一生物玻璃（Bioglass）材質之殼體內。
如請求項1所述之系統，其中所述生理感測單元包括至少一微型心電電極（ECG Electrode），用以接觸所述動物之皮下組織以偵測心肌電位訊號。
如請求項1所述之系統，其中所述生理感測單元包括一慣性測量單元（IMU）及一機電聲學感測器（Mechano-acoustic sensor），所述慣性測量單元用以偵測胸腔起伏，所述機電聲學感測器用以偵測氣流經過呼吸道之震動，藉以計算呼吸頻率。
如請求項1所述之系統，其中所述生理感測單元包括一熱敏電阻（Thermistor），用以測量皮下溫度。
如請求項1所述之系統，其中所述配戴式裝置進一步包括一計時模組，用以控制所述充電模組依據一預設週期發射磁場以喚醒所述植入式裝置，當所述植入式裝置完成量測與傳輸後，所述配戴式裝置停止發射磁場。
如請求項1所述之系統，其中所述植入式裝置係以2.4 GHz頻段將所述生理數據無線傳輸至所述訊號接收模組，且所述配戴式裝置進一步包括一訊號傳輸模組，用以透過Wi-Fi或藍牙通訊協定將所述生理數據上傳至一外部裝置。
如請求項1所述之系統，其中所述植入式裝置具有一唯一識別碼，且所述配戴式裝置係與所述唯一識別碼進行配對，以識別所述生理數據之來源。
如請求項1所述之系統，其中所述配戴式裝置係為一項圈，所述植入式裝置係植入於所述動物頸部且與所述項圈保持一有效無線供電距離。
一種積木式鍋爐預熱器，係用以與一鍋爐連結，該積木式鍋爐預熱器包含： <br/>一殼體； <br/>一熱氣入口，該熱氣入口與該殼體相連通，並且用以與該鍋爐連結，使該鍋爐排出的熱氣能經由該熱氣入口進入該殼體內； <br/>一排出通道，該排出通道與該殼體相連通； <br/>數個熱交換模組，該數個熱交換模組設於該殼體內部，並且依序排列於該熱氣入口與該排出通道之間，所述熱交換模組的總數量大於等於3個； <br/>一第一流體通路，該第一流體通路包含有一第一連通管路以及與該第一連通管路相連通的數個所述熱交換模組，其中與該第一連通管路相連通的所述熱交換模組的數量小於所述熱交換模組的總數量； <br/>一第二流體通路，該第二流體通路包含有未與該第一連通管路相連通的至少一個所述熱交換模組；以及 <br/>一鍋爐接管，該鍋爐接管用於將該第一流體通路或該第二流體通路連接至該鍋爐。
如請求項1所述之積木式鍋爐預熱器，其中 <br/>各熱交換模組包含有多個鰭片及通過該多個鰭片的管道；以及 <br/>該第一連通管路與對應的熱交換模組的管道相連通。
如請求項1所述之積木式鍋爐預熱器，其中 <br/>所述熱交換模組的總數量大於等於4個； <br/>該第二流體通路包含有一第二連通管路，該第二連通管路連通未與該第一連通管路相連通的數個所述熱交換模組。
如請求項3所述之積木式鍋爐預熱器，其中 <br/>各熱交換模組包含有多個鰭片及通過該多個鰭片的管道； <br/>該第一連通管路與對應的熱交換模組的管道相連通；以及 <br/>該第二連通管路與對應的熱交換模組的管道相連通。
一種火災反應式自動門開啟系統，包含：一防火偵測攝影機，係用以擷取一環境影像並進行火焰辨識，該防火偵測攝影機於判定發生火災時輸出一警報訊號；一控制模組，電性連接於該防火偵測攝影機，該控制模組係用以接收該警報訊號並將該警報訊號轉換為一控制訊號；一門控單元，電性連接於該控制模組；以及一電動門，電性連接於該門控單元，該門控單元於接收到該控制訊號時驅動該電動門開啟。
如請求項1所述之火災反應式自動門開啟系統，其中，該防火偵測攝影機具有一警報輸出端，該警報輸出端為一乾接點輸出，該警報輸出端電性連接至該控制模組。
如請求項2所述之火災反應式自動門開啟系統，其中，該警報輸出端包含一常開端以及一公共端。
如請求項1所述之火災反應式自動門開啟系統，其中，該控制模組包含至少一繼電器。
如請求項4所述之火災反應式自動門開啟系統，其中，該繼電器於接收到該警報訊號時動作，以模擬該門控單元之一開門操作訊號。
如請求項1所述之火災反應式自動門開啟系統，其中，該控制模組具有一輸出端，該輸出端連接至該門控單元之一開門端與一公共端。
如請求項1所述之火災反應式自動門開啟系統，其中，該電動門係選自鐵捲門、捲門、推拉門、旋轉門及自動門所組成之群組其中之一。
如請求項1所述之火災反應式自動門開啟系統，其中，該防火偵測攝影機設置於該電動門附近，以偵測該電動門周邊區域之火焰。
如請求項1所述之火災反應式自動門開啟系統，其中，該門控單元於接收到該控制訊號後，使該電動門維持開啟狀態。
如請求項1所述之火災反應式自動門開啟系統，更包含一備用電源模組，電性連接於該防火偵測攝影機、該控制模組以及該門控單元，該備用電源模組係用以於主電源中斷時提供電力。
一種非常駐麻醉醫師與醫療機構之智能媒合系統，包含： <br/>一醫師專檔資料庫，儲存有對應複數麻醉醫師之複數醫師個人檔案，其中該等醫師個人檔案包括歷來媒合紀錄與執行資訊； <br/>一派案接收模組，用以接收來自複數醫療機構之至少一派案需求，並依據該派案需求生成一手術案件，其中該手術案件包含一手術執行時點； <br/>一案件管理模組，與該派案接收模組電訊連接，用以儲存及刊登該手術案件； <br/>一接案接收模組，用以接收來自該等麻醉醫師之複數接案條件並於附加一上傳時間戳記後進行儲存； <br/>一智能媒合模組，與該案件管理模組、該接案接收模組及該醫師專檔資料庫電訊連接，用以執行一媒合程序，該媒合程序係依據該手術案件內容，針對該等醫師個人檔案及該等接案條件進行比對以挑選出符合之該等麻醉醫師，且依該等麻醉醫師之該等接案條件的該上傳時間戳記先後進行排序，進而取得一候選醫師名單； <br/>一指派模組，與該智能媒合模組電訊連接，用以於該手術案件之該手術執行時點與該手術案件之指派時點相差大於等於一設定時長時，執行一安全指派程序；該手術案件之該手術執行時點與該手術案件之指派時點相差小於該設定時長時，執行一警戒指派程序；其中該安全指派程序為指派該候選醫師名單中排序最前之該麻醉醫師作為該手術案件之執行者，並生成一第一媒合結果；該警戒指派程序為挑選該候選醫師名單中排序最前之二個以上的該等麻醉醫師作為該手術案件之預定執行者，並生成一邀請通知； <br/>一通知模組，與該指派模組電訊連接，用以發送該第一媒合結果予對應之該醫療機構及該麻醉醫師；及發送該邀請通知予對應之該等麻醉醫師；及 <br/>一回覆處理模組，與該指派模組及該通知模組電訊連接，用以接收至少一個該麻醉醫師針對該邀請通知之同意回覆，該指派模組係指派該回覆處理模組最早收受之該同意回覆所對應之該麻醉醫師為該手術案件之執行者，並生成一第二媒合結果，供該通知模組將該第二媒合結果發送予對應之該醫療機構及該麻醉醫師。
如請求項1所述之智能媒合系統，其中，該派案接收模組更包含一檢驗單元，用以於接收該派案需求後，確認該派案需求之接收時點與手術之欲執行時點相差是否大於等於該設定時長，若是則生成該手術案件。
如請求項2所述之智能媒合系統，更包含：一取消處理模組，與該智能媒合模組及該指派模組電訊連接，用以接收該麻醉醫師對已指派之該手術案件提出一第一取消要求；其中當該第一取消要求之提出時點與該手術執行時點相差大於等於該設定時長時，驅動該智能媒合模組再次執行該媒合程序，且該指派模組執行該安全指派程序；當該第一取消要求之提出時點與該手術執行時點小於該設定時長時，驅動該智能媒合模組再次執行該媒合程序，且該指派模組執行該警戒指派程序。
如請求項3所述之智能媒合系統，更包含：一評分模組，與該取消處理模組、該回覆處理模組及該醫師專檔資料庫電訊連接，且該等醫師個人檔案係分別具有一醫師評比分數；其中當該第一取消要求之提出時點與該手術執行時點相差小於該設定時長時，該評分模組係降低該麻醉醫師之該醫師評比分數。
如請求項4所述之智能媒合系統，更包含：一醫療機構資料庫，與該案件管理模組及該評分模組電訊連接，該醫療機構資料庫儲存有對應該等醫療機構之複數機構檔案，且該等機構檔案分別具有一機構評比分數；其中該取消處理模組係更用以接收發出該派案需求之該醫療機構的一第二取消要求，當該第二取消要求之提出時點與該手術執行時點相差小於該設定時長，且該手術案件最終未被指派任一該麻醉醫師時，該評分模組係降低該機構評比分數。
如請求項5所述之智能媒合系統，更包含一補償模組，與該取消處理模組及該回覆處理模組電訊連接，當該取消處理模組接收該第一取消要求後，該指派模組執行該警戒指派程序，該補償模組接續針對因應該邀請通知最早同意回覆，而被指派為該手術案件執行者之該麻醉醫師的該醫師個人專檔記錄一補償點數；另當該第二取消要求對應之該手術案件已具有指派之該麻醉醫師時，該補償模組亦針對原指派之該麻醉醫師的該醫師個人專檔記錄該補償點數。
如請求項6所述之智能媒合系統，其中，當該第一取消要求之提出時點與該手術執行時點相差越小，該醫師評比分數之降低權重越大；當該第二取消要求之提出時點與該手術執行時點相差越小，該機構評比分數之降低權重越大。
如請求項7所述之智能媒合系統，其中，該回覆處理模組係更供以接收該醫療機構或該麻醉醫師任一對應該第一媒合結果發出之一拒絕回覆，並驅動該指派模組再次指派該候選醫師名單中排序第二之該麻醉醫師作為該手術案件之執行者，並更新該第一媒合結果，再由該通知模組傳送更新後之該第一媒合結果予對應之該醫療機構及該麻醉醫師。
如請求項8所述之智能媒合系統，其中，當該手術案件之該手術執行時點與該手術案件之指派時點相差小於該設定時長，且更小於一急迫時長之時，該指派模組係執行一機動指派程序；當該第一取消要求之提出時點與該手術執行時點相差小於該急迫時長時，亦驅動該指派模組執行該機動指派程序；其中該機動指派程序為該指派模組生成一機動接案通知；該通知模組儲存有包含多個該麻醉醫師之一機動支援名單，且該通知模組係將該機動接案通知發送至該機動支援名單內之該等麻醉醫師；其中當該機動支援名單內之該等麻醉醫師皆無回應該機動接案通知時，該通知模組係發出一媒合失敗通知予該醫療機構。
如請求項9所述之智能媒合系統，其中，該派案接收模組更包含一資料標準化單元，用以解析該派案需求，並依據一預設標準化欄位集合，將解析結果轉換為該手術案件；其中該預設標準化欄位集合包含一ASA分級、一手術部位及一麻醉方式其中之一或其結合者。
如請求項10所述之智能媒合系統，更包含：一行事曆整合模組，與該接案接收模組及該案件管理模組電訊連接，用以依據該手術案件之該手術執行時點及該接案條件之一出勤時間分別生成一機構行事曆及一醫師行事曆，當該手術案件已指派該麻醉醫師為執行者後，該行事曆整合模組係鎖定該醫師行事曆中對應該手術執行時點之時段，並同步更新該機構行事曆。
如請求項11所述之智能媒合系統，更包含：一報表模組，與該案件管理模組及該醫師專檔資料庫電訊連接，用以基於該案件管理模組所儲存之該手術案件及該醫師專檔資料庫之該等醫師個人檔案，自動生成一手術案件統計資料、一醫師出勤紀錄及一醫療機構使用狀況報表其中之一或其組合者。
如請求項12所述之智能媒合系統，其中，該派案需求更包含地點、手術類別、預估時間、病史摘要及特殊需求其中之一或其組合者；該醫師個人檔案更包含可服務地區、專長手術類別及可攜器材資訊其中之一或其組合者。
一種車用固定架結構，其係包括：一第一本體組及一第二本體； <br/> 該第一本體組係包括至少一第一桿體；該第一桿體為具適當長度之長桿體，該第一桿體一端設有一第一端，該第一桿體另端設有一第二端，該第一端及該第二端分別設於該第一桿體之二端處，該第一桿體係設有一靠抵部，該靠抵部設於該第一端與該第二端之間，或該靠抵部係設於近該第二端處；<br/> 該第二本體係與該第一本體組相組設，該第一本體組係支撐該第二本體一高度。
如請求項1所述之車用固定架結構，其中，該第一本體組設有一第二桿體；該靠抵部之外直徑大於該第一桿體之直徑，該靠抵部略呈圓片塊體狀；該第二桿體係組設於二個該第一桿體之間，該第二桿體二端分別設有一第三端，該第三端分別係與一個該第一桿體之該第一端及另一該第一桿體之該第二端相套設，二個該第三端係不相通，其中近該第二端處之該靠抵部係抵於該第三端之端面處。
如請求項2所述之車用固定架結構，其中，該第二桿體係設有複數第一結合部，該複數第一結合部係與該第三端呈垂直相通，該複數第一結合部係分別設於該第二桿體之上、下二端處，該第一結合部係橫向貫穿該第二桿體，該第一結合部係呈內螺紋孔狀；設有複數第一結合件，該複數第一結合件係組設於該複數第一結合部處，該第一結合件之端部處係分別頂抵於該第一端或該第二端上，該複數第一結合件係使二個該第一桿體與該第二桿體相組設，該複數第一結合件之數目係配合該複數第一結合部之數目相組設，該第一結合件係呈外螺紋桿狀。
如請求項2所述之車用固定架結構，其中，該第二桿體係呈短桿體狀，該第二桿體之長度係短於該第一桿體，該第二桿體之直徑係大於該第一桿體之直徑 ，該第三端係呈非穿透之圓槽狀。
如請求項1所述之車用固定架結構，其中，該第二本體係為一呈斜向延伸之支架體，該第二本體一端係設有一第四端，該第四端係與最上方位置之該第一桿體相組設，該第四端係與該第一端相套設，該第四端呈非貫穿圓槽狀，該第二本體另端設有一第一支撐部，該第一支撐部之軸心相對該第一本體組之軸心呈相平行，該第一支撐部係呈平面架體狀，該第一支撐部係具一容置槽以供工件穿設。
如請求項5所述之車用固定架結構，其中，該第二本體係設有複數第二結合部，該複數第二結合部係橫向貫穿該第四端，該複數第二結合部係與該第四端呈垂直相通；設有複數第二結合件，該複數結合件組設於該複數第二結合部處，該複數第二結合件螺設於該第四端之二側邊，該複數第二結合件端部抵於該第一端上，使該第二本體與該第一本體組相組設，該複數第二結合件之數目與該複數第二結合部之數目相同，該第二結合件呈外螺紋桿狀。
如請求項1所述之車用固定架結構，其中，設有一第一千斤頂，該第一千斤頂係為四輪可移動式千斤頂，該第一千斤頂一端係設有T型拉桿可供使用者推移，該第一千斤頂係包括有一底座、一第二支撐部及一座體；該底座之四角邊處係分别設有四輪體以供該第一千斤頂移動；該第二支撐部係與該底座相樞設，該第二支撐部相對該底座可調整升起或下降，該第二支撐部呈平台狀，該第二支撐部中間位置處係設有一穿槽，該穿槽係呈穿透圓槽狀；該座體配合該第二支撐部處相套合，且該底座係可自該第二支撐部上取下；該第一本體組與該第二本體相組設後，該第一桿體之該第二端係與該穿槽相套設，該靠抵部抵於該第二支撐部之端面，該第一本體組及該第二本體係與該第一千斤頂相組設。
如請求項1所述之車用固定架結構，其中，設有一轉接件及至少二第三結合件；該轉接件上方係設有一第五端，該第五端係與該第一桿體之該第二端相套設，該第五端係呈非貫穿之圓槽狀，該轉接件係設有一第三結合部，該第三結合部係橫向貫穿該第五端，該第三結合部係與該第五端呈垂直相通，該第三結合部係呈內螺紋孔狀，該轉接件另端係設有一第六端，該第六端係呈非貫穿之圓槽狀，該第六端與該第五端係呈不相通狀，該第六端之內直徑係大於該第五端之內直徑，二個該第三結合件係分別螺設於該第三結合部上，二個該第三結合件之端部係頂抵於組設於下方位置處之該第一桿體之該第二端側邊；設有一第二千斤頂，該第二千斤頂係為落地單座式千斤頂，該第二千斤頂一端係設有一第七端，該第七端係與該第六端相套設，該第一本體組、該第二本體、該轉接件及該第二千斤頂係相組設。
如請求項2所述之車用固定架結構，其中，該第一桿體為複數個時，該第二桿體之數目為該第一桿體之數目減一。
一種兩相冷板 ，包含：<br/> 一底座，具有一本體及複數個鰭片，該本體具有一吸熱側及相對該吸熱側之一導熱側，該些鰭片設置於該導熱側上，且該些鰭片彼此間形成複數條液冷流道，其中該些鰭片的頂端上設有至少一覆蓋區；<br/> 一上蓋，設置於該底座上並與該底座界定有一腔室，該上蓋設有與該腔室連通之一入口部、一出口部及位於該入口部與該出口部之間的一隔擋部，該隔擋部與該覆蓋區接觸；以及<br/> 一減速件，設置於該上蓋的該入口部處。
如請求項1所述的兩相冷板，其中每一個該鰭片包含一起始端及一終端，在該些鰭片的該起始端與該終端處分別形成連通該些液冷流道的複數個進液口與複數個出液口，該入口部連通該些進液口，該出口部連通該些出液口。
如請求項1所述的兩相冷板，其中該減速件與該上蓋是一體成形。
如請求項1所述的兩相冷板，其中該減速件包含一環狀阻礙件。
如請求項1所述的兩相冷板，其中該減速件包含一格狀或欄柵結構。
如請求項1所述的兩相冷板，其中該減速件包含一多孔柱體。
如請求項1所述的兩相冷板，其中該入口部具有一輸入開口，該減速件具有一減速開口，該減速開口的尺寸小於該輸入開口的尺寸。
如請求項1所述的兩相冷板 ，其中該入口部具有一輸入開口，該出口部具有一輸出開口，該輸出開口的尺寸大於該輸入開口的尺寸。
如請求項1所述的兩相冷板 ，其中該減速件包含一漏斗形通道。
如請求項1所述的兩相冷板，其中該些鰭片的頂端上更設有一未覆蓋區，該未覆蓋區的高度係小於或等於該覆蓋區的高度。
如請求項1所述的兩相冷板 ，更包含：<br/> 至少一支撐件，設置於該上蓋，該底座上設有一插槽，該支撐件係插設於該插槽，以用來支撐該上蓋並結合該底座。
一種鋁擠型面飾繃布結構，包括有：<br/>至少一鋁擠型支架，由該至少一鋁擠型支架圍繞並具一封閉之中空區，該鋁擠型支架於其至少一側邊設有至少一嵌槽；<br/>至少一繃布，相對位於該鋁擠型支架之中空區，該繃布其每一側邊分別向外延伸設有至少一固定邊，每一該固定邊結合設有至少一嵌條，並令該繃布之固定邊及該嵌條設置於該嵌槽內；<br/>該繃布之固定邊及該嵌條嵌入於該嵌槽內並迫緊，即令該繃布、該嵌條與鋁擠型支架呈恆態彎折一角度型式，俾令相對位於該鋁擠型支架之中空區位置之該繃布呈迫緊之平整狀態。
如請求項1所述之鋁擠型面飾繃布結構，其中該鋁擠型支架係由一體成型所製成一框體並具有封閉之該中空區。
如請求項1所述之鋁擠型面飾繃布結構，其中包括有至少二個以上該鋁擠型支架，並由該等鋁擠型支架相互拼接或鎖接構成一框體並具封閉之該中空區。
如請求項1所述之鋁擠型面飾繃布結構，其中該鋁擠型支架呈一門體型式，該鋁擠型支架於其內側之側邊設有至少二嵌槽，該二個嵌槽係相鄰設置，每一個該嵌槽用以結合有一片該繃布，該二個繃布能以間隔重疊形式結合於該鋁擠型支架，且門體型式之該鋁擠型支架結合設有至少一組之金屬配件。
如請求項1所述之鋁擠型面飾繃布結構，其中該鋁擠型支架於其中空區內部進一步裝設有發光元件，且該繃布於其中一側邊之固定邊與另一側邊之固定邊之交會處分別設有一缺口。
如請求項1、2或3所述之鋁擠型面飾繃布結構，其中該鋁擠型支架於其至少一側邊設有至少二個該嵌槽，該二個嵌槽之間設有一間距，且該二個嵌槽間隔對應設置，該繃布則對應該嵌槽數量設置有至少二片或二片以上，每一片該繃布其邊緣分別設置於其中一個該嵌槽內；該嵌條則對應該嵌槽數量設置有至少二個或二個以上，每一條該嵌條分別嵌入於其中一個該嵌槽內，用以迫緊該整面繃布，令至少二片以上該繃布分別朝不同方向並與該鋁擠型支架呈恆態彎折一角度型式。
如請求項1、2或3所述之鋁擠型面飾繃布結構，其中該鋁擠型支架於其至少一側邊設有至少二個該嵌槽，二個該嵌槽相鄰設置，該繃布則對應該嵌槽數量設置有至少二片或二片以上，每一片該繃布其邊緣分別嵌置於其中一個該嵌槽內，該嵌條則對應該嵌槽數量設置有至少二個或二個以上，每一條該嵌條分別嵌入於其中一個該嵌槽內，用以迫緊整面繃布，令至少二片以上之繃布分別與該鋁擠型支架呈恆態彎折一角度型式，俾令至少二片以上該繃布，能相互重疊並平整的結合設置於該鋁擠型支架。
如請求項1、2或3所述之鋁擠型面飾繃布結構，其中該鋁擠型支架於其二端側邊分別設有至少一嵌槽，二個該嵌槽分別朝不同方向，該繃布則對應該嵌槽數量設置有至少二片或二片以上，每一片該繃布其邊緣分別嵌置於其中一個該嵌槽內，該嵌條則對應該嵌槽數量設置有至少二個或二個以上，每一條該嵌條分別嵌入於其中一個該嵌槽內，用以迫緊整面繃布，令至少二片以上該繃布分別與該鋁擠型支架呈恆態彎折一角度型式。
如請求項1、2或3所述之鋁擠型面飾繃布結構，其中該鋁擠型支架於其二端側邊分別設有至少二個該嵌槽，該鋁擠型支架其每一邊的二個該嵌槽相對應間隔設置，該繃布則對應該嵌槽數量設置有至少四片或四片以上，每一片該繃布其邊緣分別嵌置於其中一個該嵌槽內，該嵌條則對應該嵌槽數量設置有至少四個或四個以上，每一條該嵌條分別嵌入於其中一嵌槽內，用以迫緊整面繃布，令至少四片以上該繃布分別與該鋁擠型支架呈恆態彎折一角度型式。
如請求項1所述之鋁擠型面飾繃布結構，其中該嵌槽其內壁面凸出設有複數個嵌槽齒，而該嵌條其表面進一步凸出設有複數個凸部，該嵌條之凸部與該嵌槽之嵌槽齒相干涉與咬合。
一種警用AI筆錄生成系統，包含有：<br/> 一互動端，包含有：<br/> 一輸入模組，用以供操作而輸入對應之一案情內容資料；以及<br/> 一伺服器端，通訊連接於該互動端，包含有：<br/> 一資料庫，預存有複數個法律條文資料、複數個歷史筆錄資料、複數個歷史起訴書資料、複數個歷史判決書資料及複數個歷史證據資料之至少一者；<br/> 一案情判斷單元，通訊連接於該輸入模組，用以接收該案情內容資料進行特徵提取，在提取出複數個案情特徵資訊後透過大語言模型、深度學習模型及/或自然語言處理技術與該資料庫中之該等法律條文資料、該等歷史筆錄資料、該等歷史起訴書資料及/或該等歷史判決書資料之至少一者進行比對分析，自動分析犯罪構成要件及判斷該案情內容應適用何種法律，據以生成一AI法律判斷結果；以及<br/> 一筆錄問題生成單元，包含有複數個不同的筆錄問題模板，用以透過大語言模型、深度學習模型及/或自然語言處理技術分析該案情內容資料及該案情判斷單元所整理之該AI法律判斷結果，藉以套用其中一該筆錄問題模板以自動生成對應於本次案情之一筆錄問題資料。
如請求項1所述之警用AI筆錄生成系統，其中該伺服器端更包含有一筆錄文件生成單元，通訊連接於輸入模組及該筆錄問題生成單元，用以擷取該筆錄問題生成單元生成之該筆錄問題資料及該輸入模組擷取之一筆錄回答資料，並自動將該筆錄問題資料及該筆錄回答資料套用至少一筆錄文件模板中以自動生成至少一筆錄資料。
如請求項1所述之警用AI筆錄生成系統，其中該伺服器端更包含有一相關卷宗生成單元，用以擷取一案件相關人員之各個人資料及該案情內容資料，並將各該個人資料及各該案情內容資料套用至少一卷宗模板中以自動生成至少一卷宗資料。
如請求項3所述之警用AI筆錄生成系統，其中該卷宗模板包含但不限於權力告知書、逮捕通知書、案件陳報單、拒測確認單。
如請求項1所述之警用AI筆錄生成系統，更包含有一證據上傳端，具有一上傳模組、一證據特徵辨識模組及一證據文件生成模組；該上傳模組用以擷取一證據之至少一紙本影像，並轉化成一證據影像資料的形式上傳至該證據特徵辨識模組；該證據特徵辨識模組用以透過AI影像辨識的技術提取該證據影像資料中的至少一證據特徵資訊，並上傳至該證據文件生成模組；該證據文件生成模組內預存有複數個證據文件模板，用以將該證據特徵辨識模組提取之各該證據資訊結合其中一該證據文件模板並自動整理、排版後，自動生成對應之一數位化證據文件。
如請求項1所述之警用AI筆錄生成系統，其中該輸入模組包含有一語音擷取單元；該語音擷取單元用以擷取一員警及/或一案件相關人員之對話內容，據以生成一案情語音資料傳輸至該伺服器端。
如請求項6所述之警用AI筆錄生成系統，其中該伺服器端具有一語音辨識單元通訊連接於該語音擷取單元，用以透過大語言模型、深度學習模型及/或自然語言處理技術對輸入之該案情語音資料進行分析及處理，據以轉化為對應之一案情文字資料。
如請求項1所述之警用AI筆錄生成系統，其中該輸入模組具有一文字輸入單元，用以供手動操作登打以生成一案情文字資料傳輸至該伺服器端。
如請求項1所述之警用AI筆錄生成系統，其中該互動端更包含有一顯示模組及一操作介面；該顯示模組用以供操作而顯示該操作介面及該伺服器端傳輸之相關資料；該操作介面用以供操作以驅動該互動端執行相對應之指令。
如請求項1所述之警用AI筆錄生成系統，其中該互動端與該伺服器端之間僅透過一內部網路相連接，該互動端及該伺服器端皆無法連接於公共網路。
一種線材組件，包括：<br/> 一電源線，其一端具有一母頭；<br/> 一固定框架，圍繞該電源線的該母頭，且具有至少一固定件，配置以鎖附於一殼體；以及<br/> 一防水元件，位於該固定框架與該母頭之間，且該防水元件的一內緣圍繞該母頭，該防水元件的一外緣由該固定框架圍繞。
如請求項1所述之線材組件，其中該電源線的該母頭具有一環形檔牆，該固定框架抵接該母頭的該環形檔牆的背面。
如請求項2所述之線材組件，其中該防水元件的該內緣具有一第一環形凸部，配置以抵接該母頭的該環形檔牆的正面。
如請求項2所述之線材組件，其中該防水元件的該內緣具有往遠離該環形檔牆凸出的一第二環形凸部，配置以抵接該殼體的電源插座。
如請求項2所述之線材組件，其中該防水元件的該外緣具有往遠離該環形檔牆凸出的一第三環形凸部，配置以抵接電源插座。
如請求項1所述之線材組件，其中該電源線的該母頭的底部具有一凹槽，該防水元件具有一凸出部，且該凸出部與該凹槽耦合。
如請求項1所述之線材組件，其中該固定框架具有四個該固定件，且該四固定件分別位於該固定框架的四角落。
如請求項1所述之線材組件，其中該固定框架具有朝向該防水元件的一階梯狀結構。
如請求項8所述之線材組件，其中該防水元件位於該固定框架的該階梯狀結構上。
一種電力供應組件，包括：<br/> 一殼體，具有一電源插座；以及<br/> 如請求項1至9中任一項所述之線材組件，安裝於該殼體上且連接該電源插座，其中該防水元件配置以抵接該電源插座。
一種皂基製備系統，包含：<br/> 一混合裝置，用以接收一第一皂基原料以及一第二皂基原料，並將該第一皂基原料與該第二皂基原料加熱後攪拌混合，以取得一混合液；<br/> 一乾燥裝置，係與該混合裝置連接，以接收該混合液，並對該混合液乾燥，以取得一粗製皂塊；<br/> 一精煉裝置，係與該乾燥裝置連接，以接收該粗製皂塊，並去除該粗製皂塊中之雜質，以取得一精製皂塊；<br/> 一加壓裝置，係與該精煉裝置連接，以接收該精製皂塊，並將其揉捻以及輪壓，以形成一致密皂塊；<br/> 一擠出裝置，係與該加壓裝置連接，以接收該致密皂塊，並將其於真空條件下擠出，以形成一皂條；以及<br/> 一切割裝置，係與該擠出裝置連接，以接收該皂條，並對其進行切割，以取得複數皂基。
如請求項1所述之皂基製備系統，其中更包含：一壓印裝置，係與該切割裝置連接，以接收各該皂基，並於各該皂基之表面形成壓印紋路。
如請求項1所述之皂基製備系統，其中更包含一包裝裝置，係與該切割裝置連接，以接收各該皂基，並以包裝材料封裝每一該皂基。
如請求項1所述之皂基製備系統，其中：該第一皂基原料與該第二皂基原料包含：甘油、丙二醇(Propylene Glycol)、己六醇(Hexylene Glycol)、氫氧化鈉(NaOH)、脂肪酸、螯合劑或水。
如請求項4所述之皂基製備系統，其中：<br/> 以該第一皂基原料之總重量計，其中該第一皂基原料中包含：≤0.5 wt%的甘油、85.94 wt%的脂肪酸、0.06 wt%的螯合劑以及≤12 wt%的水；以及<br/> 以該第二皂基原料之總重量計，其中該第二皂基原料中包含：15 wt%的甘油、15 wt%的丙二醇(Propylene Glycol)、10 wt%的己六醇(Hexylene Glycol)、10 wt%的氫氧化鈉(NaOH)、34 wt%的脂肪酸、1 wt%的螯合劑以及14.5 wt%的水。
如請求項4所述之皂基製備系統，其中脂肪酸是來自於以下油脂所組成之群組中的一種或多種：椰子油、棕櫚油、棕櫚仁油、橄欖油、葵花籽油、葡萄籽油、芝麻油、大豆油、米糠油、甜杏仁油、酪梨油、蓖麻油、亞麻仁油、花生油、芥花籽油、玉米油、核桃油、榛果油、夏威夷果油、棉籽油、紅花籽油、紫蘇籽油、辣木油、金盞花油、南瓜籽油、印加果油、以及荷荷芭油。
如請求項4所述之皂基製備系統，其中脂肪酸包含：月桂酸（Lauric acid）、肉豆蔻酸（Myristic acid）、棕櫚酸（Palmitic acid）、硬脂酸（Stearic acid）、油酸（Oleic acid）、亞油酸（Linoleic acid）、辛酸（Caprylic acid）、癸酸（Capric acid）或亞麻酸（Linolenic acid）。
如請求項4所述之皂基製備系統，其中：螯合劑是選自以下材料所組成之群組中的一種或多種：乙二胺四乙酸(Ethylenediaminetetraacetic acid, EDTA）、羥基乙叉二膦酸(1-Hydroxyethylidene-1,1-Diphosphonic Acid, HEDP）、二乙烯三胺五乙酸(Diethylenetriaminepentaacetic acid, DTPA)、亞硝基三乙酸(Nitrilotriacetic acid, NTA)、麩胺酸二乙酸四鈉(Tetrasodium Glutamate Diacetate, GLDA)、甲基甘胺二乙酸(Methylglycine Diacetic Acid, MGDA)、亞胺基二琥珀酸(Iminodisuccinic Acid, IDS)、檸檬酸(Citric Acid)、乳酸(Lactic Acid)、植酸(Phytic Acid)、酒石酸(Tartaric Acid)、以及檸檬酸鈉(Sodium Citrate)。
如請求項1所述之皂基製備系統，其中：該第一皂基原料與該第二皂基原料中包含植物萃取物，是選自以下萃取物所組成之群組中的一種或多種：蘆薈萃取物、洋甘菊萃取物、綠茶萃取物、薰衣草萃取物、迷迭香萃取物、金盞花萃取物、積雪草萃取物、燕麥萃取物、茶樹葉萃取物、薄荷萃取物、玫瑰花萃取物、黃瓜萃取物、檸檬皮萃取物、葡萄籽萃取物、藍莓萃取物、海藻萃取物、紫草根萃取物、銀杏葉萃取物、金縷梅萃取物、芍藥根萃取物、人蔘萃取物、何首烏萃取物、靈芝萃取物、蘑菇萃取物、甘草萃取物、杜鵑花酸萃取物、薑萃取物、燕麥β-葡聚醣萃取物、山茶花萃取物、馬尾草萃取物、檀香萃取物、牡丹根萃取物、艾草萃取物、紫蘇葉萃取物、枇杷葉萃取物、苦楝葉萃取物、忍冬花萃取物、竹萃取物、蘋果多酚萃取物、以及葡萄皮萃取物。
如請求項1所述之皂基製備系統，其中該第一皂基原料與該第二皂基原料之重量比例為1至9：1。
如請求項1所述之皂基製備系統，其中該皂基之pH值為8至11、硬度大於85 N、水份小於15 wt%、以及泡沫維持時間大於或等於5分鐘。
一種手機鏡頭保護貼的自動貼膜機，包括：<br/> 取放口，連通該自動貼膜機的內部空間與外界，具有艙門用以封閉該取放口；<br/> 定位運輸裝置，設置於該內部空間中，並具有：<br/> 定位座輸送模組，一端位於該取放口，另一端位於遠離該取放口的該內部空間中，藉由定位座輸送驅動單元，連接定位座輸送螺桿從而控制定位座輸送滑塊移動；<br/> 定位座，設置於該定位座輸送滑塊上，並且初始位置位於該取放口，用以接收使用者的手機；<br/> 鏡頭清潔裝置，設置於該內部空間，並且位於該取放口內側的該定位座輸送模組上方，該鏡頭清潔裝置具有：<br/> 毛刷滾筒，設置於該定位座輸送模組上方，並藉由毛刷滾筒驅動單元遠離或靠近該定位座輸送模組，並且該毛刷滾筒的最外圍具有複數刷毛；<br/> 清潔帶，設置於該毛刷滾筒與該定位座之間，並且該清潔帶的一面抵靠住該毛刷滾筒；<br/> 第一捲筒以及第二捲筒，分別連接該清潔帶相對兩端；以及<br/> 捲筒驅動單元，連接該第一捲筒及/或該第二捲筒，用以控制該第一捲筒及/或該第二捲筒轉動，以捲動該清潔帶；<br/> 保護貼儲存倉，設置於該內部空間中，用以儲存保護貼，該保護貼用以貼附攝影模組，並且該保護貼接觸該攝影模組的一面設置有離型膜，該離型膜具有凸出於該保護貼的撕拉部；<br/> 保護貼拿取裝置，設置於該內部空間中，用以從該保護貼儲存倉拿取該保護貼，並具有：<br/> 貼膜輸送機構，設置於該內部空間，具有：<br/> 第一滑軌，藉由第一驅動單元控制該第一滑軌上的第一滑塊移動；<br/> 垂直導桿，設置於該第一滑塊上，並藉由垂直驅動單元控制該垂直導桿的垂直滑塊移動；以及<br/> 第二滑軌，設置於該垂直滑塊上，並藉由第二驅動單元控制第二滑軌上的第二滑塊移動；<br/> 取貼膜機構，設置於該第二滑塊，並具有：<br/> 吸盤支架，設置於該第二滑塊；<br/> 吸盤，設置於該吸盤支架；以及<br/> 空氣吸力單元，設置於該吸盤支架，並藉由管路連通該吸盤；以及<br/> 校位單元，設置於該內部空間中，並形成有二個相互垂直在水平面上呈L形設置的校準面；<br/> 保護貼貼合裝置，設置於該內部空間，並位於該鏡頭清潔裝置與該定位座輸送模組遠離取放口一端之間的上方，具有貼合滾輪，用以壓合該保護貼與該攝影模組；<br/> 其中，該吸盤藉由該空氣吸力單元產生吸力吸取保護貼後，藉由該貼膜輸送機構移動該吸盤使該保護貼靠近該校位單元；<br/> 其中，該保護貼可水平地相對於該吸盤滑動，該保護貼接觸該校準面時，藉由該保護貼抵靠該校準面產生的反作用力，校正該吸盤與該保護貼的相對位置；以及<br/> 其中，該鏡頭清潔裝置藉由該刷毛滾輪的刷毛與該清潔帶之間形成的點接觸，從而深入該攝影模組之間的縫隙。
如請求項1所述之手機鏡頭保護貼的自動貼膜機，其中，該清潔帶接觸該攝影模組的一面具有凸出於表面的絨毛。
如請求項2所述之手機鏡頭保護貼的自動貼膜機，其中，該吸盤與該保護貼的接觸面設置有凹槽部，並且該空氣吸力單元經由管路連接至該凹槽部；以及<br/> 該凹槽部藉由該空氣吸力單元形成吸力吸取該保護貼。
如請求項3所述之手機鏡頭保護貼的自動貼膜機，其中，該凹槽部對應該撕拉部的位置設置至於該吸盤，用以增加該吸盤對該撕拉部附近的該保護貼的吸力。
如請求項4所述之手機鏡頭保護貼的自動貼膜機，其中，該凹槽部至少為三個；以及<br/> 該等凹槽部設置於靠近該撕拉部一側的數量大於遠離該撕拉部一側的數量。
如請求項1至5中任一項所述之手機鏡頭保護貼的自動貼膜機，還包括撕膜機構，設置於該手機自動貼膜機中，並具有：<br/> 導位夾具；<br/> 夾頭，設置於該導位夾具的頂面側，並與該導位夾具之間維持間隙；以及<br/> 夾頭驅動單元，連接該夾頭；<br/> 其中，該貼膜輸送機構帶著該保護貼使該撕拉部移動至該導位夾具與該夾頭之間的該間隙中；以及<br/> 其中，該夾頭驅動單元控制該夾頭靠近該導位夾具，使該夾頭與該導位夾具夾住該撕拉部，之後該貼膜輸送機構朝上方移動以從該保護貼上撕下該離型膜。
如請求項6所述之手機鏡頭保護貼的自動貼膜機，其中，該保護貼貼合裝置具有：<br/> 貼合裝置支架，設置於該定位座輸送模組旁；<br/> 貼合裝置傳動模組，設置於該貼合裝置支架上，並藉由貼合裝置驅動單元控制該貼合裝置滑塊遠離或靠近該定位座輸送模組；以及<br/> 該貼合滾輪，設置於貼合裝置滑塊上；<br/> 其中，該貼膜輸送裝置將該保護貼放置於該攝影模組上後，該貼合裝置朝該定位座輸送模組靠近，以及該定位座輸送模組將該手機送往該取放口，從而使該貼合裝置接觸該保護貼並壓合該保護貼與該攝影模組。
一種具有校位單元的手機自動貼膜機，包括：<br/> 貼膜輸送機構，設置於該手機自動貼膜機中，具有：<br/> 第一滑軌，藉由第一驅動單元控制該第一滑軌上的第一滑塊移動；<br/> 垂直導桿，設置於該第一滑塊上，並藉由垂直驅動單元控制該垂直導桿的垂直滑塊移動；以及<br/> 第二滑軌，設置於該垂直滑塊上，並藉由第二驅動單元控制該第二滑軌上的第二滑塊移動；以及<br/> 取貼膜機構，設置於該第二滑塊，並具有：<br/> 吸盤支架，設置於該第二滑塊；<br/> 吸盤，設置於該吸盤支架；以及<br/> 空氣吸力單元，設置於該吸盤支架，並藉由管路連通該吸盤；以及<br/> 校位單元，設置於該手機自動貼膜機中，並形成有校準面；<br/> 其中，該吸盤藉由該空氣吸力單元產生吸力吸取保護貼後，藉由該貼膜輸送機構移動該吸盤使該保護貼靠近該校位單元；<br/> 其中，該保護貼可水平地相對於該吸盤滑動，該保護貼接觸該校準面時，藉由該保護貼抵靠該校準面產生的反作用力，校正該吸盤與該保護貼的相對位置；以及<br/> 其中，該保護貼遠離該吸盤的一面設置有離型膜，該離型膜具有凸出於該保護貼的撕拉部。
如請求項1所述之具有校位單元的手機自動貼膜機，其中，該校準面為二個，其中該等校準面相互垂直。
如請求項2所述之具有校位單元的手機自動貼膜機，其中，該吸盤與該保護貼的接觸面設置有凹槽部，並且該空氣吸力單元經由管路連接至該凹槽部；以及<br/> 該凹槽部藉由該空氣吸力單元形成吸力吸取該保護貼。
如請求項3所述之具有校位單元的手機自動貼膜機，其中，該凹槽部對應該撕拉部的位置設置至於該吸盤，用以增加該吸盤對該撕拉部附近的該保護貼的吸力。
如請求項4所述之具有校位單元的手機自動貼膜機，其中，該凹槽部至少為三個；以及<br/> 該等凹槽部設置於靠近該撕拉部一側的數量大於遠離該撕拉部一側的數量。
如請求項1至5中任一項所述之具有校位單元的手機自動貼膜機，還包括撕膜機構，設置於該手機自動貼膜機中，並具有：<br/> 導位夾具；<br/> 夾頭，設置於該導位夾具的頂面側，並與該導位夾具之間維持間隙；以及<br/> 夾頭驅動單元，連接該夾頭；<br/> 其中，該貼膜輸送機構帶著該保護貼使該撕拉部移動至該導位夾具與該夾頭之間的該間隙中；以及<br/> 其中，該夾頭驅動單元控制該夾頭靠近該導位夾具，使該夾頭與該導位夾具夾住該撕拉部，之後該貼膜輸送機構朝上方移動以從該保護貼上撕下該離型膜。
如請求項6所述之具有校位單元的手機自動貼膜機，其中，該導位夾具之頂面的兩側設置有相鄰的斜面部與平面部；以及<br/> 該貼膜輸送機構使該撕拉部從該導位夾具的斜面部的一側靠近該導位夾具，並沿著該斜面部移動至該平面部。
一種自行車輪圈結構，包含：<br/>一輪圈，具有一朝外延伸之外環壁及一朝內延伸之內環壁，其中該外環壁之兩側端部分別設有一延伸部，各該延伸部之內側分別界定有一向內凹設之勾槽，該勾槽係供一輪胎之兩側胎唇嵌設；<br/>二分別連接各該延伸部與該內環壁之凹弧壁，各該凹弧壁與該內環壁之交界處分別界定為一連接端，且該連接端之高度低於該延伸部之頂端位置，令該連接端與該延伸部之頂端位置線性連接形成一凹圓弧弦線，使位於該輪圈兩側之凹圓弧弦線伸後，於該輪圈中間交錯形成一交點並產生一夾角，該夾角小於180度。
如請求項1所述之自行車輪圈結構，其中該凹弧壁開口兩端切線產生一凹弧切線交角，該凹弧切線交角亦小於180度。
如請求項1所述之自行車輪圈結構，其中該凹弧壁與該內環壁之間設有一組裝軸線，該組裝軸線具有一預定傾斜角度，並供一連設一幅條之幅條頭沿該組裝軸線穿設並於該輪圈形成一貫孔，其中該幅條頭具有一頭端。
如請求項3所述之自行車輪圈結構，其中該幅條之末端係組設於一花鼓上，且該貫孔可依該幅條頭與該幅條連接至該花鼓時之最適裝設角度進行貫設，並使該凹弧壁之表面平貼支撐於該幅條頭之頭端兩側。
如請求項1所述之自行車輪圈結構，其中該內環壁為圓弧凹緣型態，該外環壁亦為圓弧凹緣型態，並於該延伸部與該凹弧壁之間設有至少一強化肋，該強化肋係自該延伸部向下延伸至該內環壁，並呈縱向直條肋體型態。
如請求項1所述之自行車輪圈結構，其中該內環壁為V狀壁面型態，該外環壁為圓弧凹緣型態，並於該延伸部與該凹弧壁之間設有至少一強化肋，該強化肋係自該延伸部向下延伸至該內環壁，並呈圓弧形肋體型態。
如請求項1所述之自行車輪圈結構，其中該內環壁為圓弧凹緣型態，該外環壁亦為圓弧凹緣型態，並於該延伸部與該凹弧壁之間設有至少一強化肋，該強化肋係自該延伸部向下傾斜一預定角度延伸至該內環壁，並呈斜向直條肋體型態。
一種串並聯自動定址系統，包含：<br/> 數個中控單元，彼此串聯地資訊連接，每一該中控單元包括數個彼此並聯地資訊連接的控制模組，每一該控制模組包括一用以執行運算的處理件、一資訊連接該處理件並用以處理訊號傳輸的通訊件，及一資訊連接該處理件及該通訊件，且用以設定通訊位址的定址件；<br/> 每一該控制模組可在一主動狀態及一從動狀態間切換，且當其中一個該控制模組處於該主動狀態時，其餘的該等控制模組則處於該從動狀態，當該控制模組處於該主動狀態時，該定址件先設定該通訊件的通訊位址，該控制模組在完成自身定址後執行一從定址流程，當該控制模組處於從動狀態時，該控制模組接收通訊位址，並在接收後執行該從定址流程；<br/> 該從定址流程用以將所處之該中控單元內的下一個未定址並處於該從動狀態的該控制模組設定其通訊位址，當所處的該中控單元已無下一個未定址並處於該從動狀態的該控制模組時，則設定所處之該中控單元所串聯的該中控單元之其中一個未定址的該控制模組之通訊位址，當所處的該中控單元及所串聯的該中控單元已無下一個未定址的該控制模組，則向處於該主動狀態的該控制模組回傳一用以結束該從定址流程的停止訊號。
如請求項1所述的串並聯自動定址系統，其中，在所述從定址流程中，已定址的該控制模組之該通訊件向下一個該通訊件傳送一偵測訊號，並在已定址的該通訊件收到下一個該通訊件所回傳一就緒訊號後，控制該定址件設定下一個該通訊件的該通訊位址。
如請求項1所述的串並聯自動定址系統，其中，在該從定址流程中，當所處的該中控單元及所串聯的該中控單元已無下一個未定址的該控制模組，還向處於該主動狀態的該控制模組回傳一有關於已定址的該等控制模組之數量的統計數值。
如請求項1至3任一項所述的串並聯自動定址系統，還包含一資訊連接該等中控單元，並用以將其中一個該控制模組設定為該主動狀態的外部裝置。
一種液晶儀表板保護墊，其係能拆組地貼附於一液晶儀表板，所述液晶儀表板保護墊包含： <br/>一強化層；以及 <br/>一黏貼層，其具黏著性，且係設於該強化層之底面，所述液晶儀表板保護墊能透過該黏貼層貼附於該液晶儀表板上。
如請求項1所述之液晶儀表板保護墊，其中，該強化層以及該黏貼層之間係相互縫合固定。
如請求項1所述之液晶儀表板保護墊，其中，該強化層以及該黏貼層之間係相互黏合固定。
如請求項1至3中任一項所述之液晶儀表板保護墊，其中，該強化層之頂面形成有一圖案。
一種液晶儀表板保護墊收納組，其包含： <br/>一如請求項1至4中任一項所述之液晶儀表板保護墊；以及 <br/>一置放構件，其係能拆組地設於所述液晶儀表板保護墊之黏貼層的底面。
一種磁性導電連接單元的連接結構，包括至少一組用於相互磁性連接的兩個磁性導電連接單元；<br/> 每個所述磁性導電連接單元包括磁性導電組件（1）和導電連接件（2），所述導電連接件（2）將所述磁性導電組件（1）與相應的電路連通；<br/> 所述兩個磁性導電連接單元之間通過所述磁性導電組件（1）相互磁性吸附連接固定，且通過所述磁性導電組件（1）之間的接觸形成所述兩個磁性導電連接單元之間進行電傳輸和/或訊號傳輸的電通路。
如請求項1所述磁性導電連接單元的連接結構，其中，所述磁性導電組件（1）包括相互吸附的第一磁體（3）和第二磁體（4），所述導電連接件（2）夾持固定在所述第一磁體（3）與所述第二磁體（4）之間並與所述第一磁體（3）電連接。
一種應用模塊，包括至少兩個可通過磁性相互連接的模塊以及一組或以上的磁性連接單元，且至少一組磁性連接單元為如請求項2所述的磁性導電連接單元，每個所述模塊包括：<br/> 模塊本體（5），所述模塊本體（5）具有至少一個用於與相鄰模塊本體（5）連接的連接面（6）；<br/> 磁性導電連接單元，設置於所述模塊本體（5）的所述連接面（6）；<br/> 每個磁性導電連接單元包括磁性導電組件（1）和導電連接件（2），所述磁性導電組件（1）通過所述導電連接件（2）與所述模塊本體（5）的內部電路電連接；<br/> 相互磁性吸合的所述模塊本體（5）之間通過相對應的所述磁性導電組件（1）相互磁性吸附連接固定，且通過所述磁性導電組件（1）之間的接觸形成兩模塊本體（5）之間進行電傳輸和/或訊號傳輸的電通路。
如請求項3所述的應用模塊，其中，所述磁性連接單元還包括磁性物理連接單元，磁性物理連接單元設置於所述模塊本體（5）的連接面（6），相互吸合的所述模塊本體（5）之間通過相對應的磁性物理連接單元相互磁性吸附連接固定。
如請求項4所述的應用模塊，其中，所述連接面（6）處開設有若干孔位（7），所述磁性導電連接單元及所述磁性物理連接單元分別嵌裝在相應的孔位（7）中。
如請求項5所述的應用模塊，其中，<br/> 所述第一磁體（3）設有連接凸台（10）；<br/> 相應的所述孔位（7）為梯級通孔，包括大孔徑通孔（8）和小孔徑通孔（9）；所述第一磁體（3）卡裝在大孔徑通孔（8）內且其連接凸台（10）穿過小孔徑通孔（9）延伸至所述連接面（6）的外表面。
如請求項3所述的應用模塊，其中，每個所述模塊本體（5）具有至少兩個或以上設有所述磁性連接單元的連接面（6）。
如請求項3所述的應用模塊，其中，所述通過磁性相互連接的兩模塊本體（5）的相應連接面（6）上所設置的磁性連接單元至少一組為用於確定連接面（6）的連接方向的定位磁性連接單元。
如請求項8所述的應用模塊，其中，所述定位磁性連接單元相應的連接面（6）上的磁極設置與其他磁性連接單元相應的連接面（6）上的磁極設置相反。
一種可移動裝置的充電應用結構，包括可移動裝置（11）、電池（12）以及如請求項3所述的磁性連接單元，所述可移動裝置（11）設有用於可拆卸地安裝電池（12）的設置，所述可移動裝置（11）與所述電池（12）通過對應磁性連接單元相互磁性吸附固定，其中所述磁性導電連接單元連接所述可移動裝置（11）和所述電池（12）之間的供電介面。
一種組合式夾布拖把，包含:<br/> 一外拖把組件，係設有一外主體，該外主體係包含有第一外固定部<br/> 及一外殼體；可X向移動之一對外夾板；以及與該第一外固定部相配合<br/> 的第二外固定部；<br/> 一內拖把組件，係安裝於該外拖把組件，其設有一內主體，該內主<br/> 體係包含有第一內固定部、與該第一內固定部相配合的第二內固定部；<br/> 可X向移動之一對內夾板；以及可Y向移動之內殼體；<br/> 該內夾板與該外夾板係可拆卸安裝，以構成連接或分離狀態，俾當<br/> 處於分離狀態時，該內拖把組件能夠單獨使用；當處於連接狀態時，該<br/> 外夾板能夠在該內夾板的帶動下進行移動。
如請求項1所述之組合式夾布拖把，其中，該內夾板係設有<br/> 內夾條，該第二內固定部係設於該內夾條的一側；該外夾板上係設有第<br/> 一配合部及第二配合部，該第一配合部及該第二配合部之間形成供該內<br/> 夾條嵌入的配合槽，該第一配合部係位於該第二內固定部的一側；該第<br/> 二配合部係位於該內夾條背向該第二內固定部的一側。
如請求項1或2所述之組合式夾布拖把，其中，該第一內固<br/> 定部上係設有第一卡齒，該第二內固定部上係設有第二卡齒，且該第一<br/> 卡齒及該第二卡齒係呈間隔佈置。
如請求項1所述之組合式夾布拖把，其中，該外殼體與該外<br/> 主體之間係形成一安裝腔，該安裝腔包含：一鎖定組件，係設有一可沿<br/> Z向移動之驅動杆，並具有延伸出該外殼體的解鎖推塊；一連杆，係呈<br/> 可轉動狀；一鎖定杆，係可沿Z向移動且具有延伸出該外殼體的鎖定頭；<br/> 以及一鎖定彈性件，係供作用於該鎖定杆。
如請求項4所述之組合式夾布拖把，其中，該連杆係具有與<br/> 該驅動杆聯動的驅動端，以及與該鎖定杆聯動的鎖定端，該驅動端的轉<br/> 動方向與該鎖定端的轉動方向相反。
如請求項5所述之組合式夾布拖把，其中，該驅動端係開設<br/> 有驅動槽，該驅動杆的一端係形成可勾設在該驅動槽上的驅動勾；該鎖<br/> 定杆係設有與該鎖定端配合的鎖定部。
如請求項1所述之組合式夾布拖把，其中，該外殼體或該外<br/> 主體其中之一係設有限位柱，該外夾板上係設有供該限位柱穿設的限位<br/> 孔。
如請求項1所述之組合式夾布拖把，其中，該內夾板上係設<br/> 有驅動結構，該內殼體於移動過程中可驅動該驅動結構控制該內夾板貼<br/> 靠在該內主體的側邊；該內夾板或該驅動結構上係設有驅動彈性件，藉<br/> 由該驅動彈性件供給該內夾板遠離該內主體的動力；該驅動結構係包括<br/> 相互轉動連接的第一傳動杆及第二傳動杆，該第一傳動杆及該第二傳動<br/> 杆的連接位置係形成有拱起部；該內殼體於移動過程中可作用在該拱起<br/> 部，使該第一傳動杆及該第二傳動杆轉動，從而驅動該第一內固定部靠<br/> 近該第二內固定部。
如請求項1所述之組合式夾布拖把，其中，該內殼體上係設<br/> 有限位扣，該內主體上係設有與該限位扣配合的限位勾邊。
如請求項1所述之組合式夾布拖把，其中，該第一外固定<br/> 部係設有第三卡齒，該第二外固定部上係設有第四卡齒，且該第三卡齒<br/> 與第四卡齒係呈間隔佈置。
一種應用蓄電池的儲能回生電梯救援系統，包含：<br/>一市電；<br/>一馬達驅動器，連接該市電；<br/>一馬達，連接該馬達驅動器；<br/>一雙向直流/直流轉換器，連接該馬達驅動器；<br/>至少一蓄電池，連接該雙向直流/直流轉換器；<br/>一單向直流/直流轉換器，連接該雙向直流/直流轉換器和該至少一蓄電池；<br/>一負載逆變器，連接該單向直流/直流轉換器；以及<br/>至少一交流負載，連接該負載逆變器及該市電。
如請求項1所述之應用蓄電池的儲能回生電梯救援系統，其中該馬達驅動器為變壓變頻驅動器(Variable Voltage Variable Frequency drive,VVVF drive)。
如請求項1所述之應用蓄電池的儲能回生電梯救援系統，其中該馬達為交流馬達。
如請求項1所述之應用蓄電池的儲能回生電梯救援系統，其中該至少一蓄電池之種類包含鉛蓄電池、鎳鎘電池、鎳氫電池或鋰離子電池。
如請求項1所述之應用蓄電池的儲能回生電梯救援系統，其中該至少一蓄電池之連接方式為串聯、並聯或其組合。
如請求項1所述之應用蓄電池的儲能回生電梯救援系統，其中該至少一交流負載包含電梯控制器、電梯煞車器、電梯門開關控制器、電梯車廂燈光或其組合。
如請求項1所述之應用蓄電池的儲能回生電梯救援系統，其中每個該至少一交流負載與該市電和該負載逆變器之間更設有一繼電器。
一種非對稱斜包，其包括：<br/> 一正面層，該正面層的輪廓包括一頭部、一尾部、一第一側及一第二側，該頭部與該尾部彼此位於該正面層的相反位置，該尾部的寬度小於該頭部的寬度，該第一側連接於該頭部及該尾部之間，該第二側連接於該頭部與該尾部之間且相反於該第一側，該第二側輪廓與該第一側輪廓為非對稱形狀；<br/> 一周邊層，其連接並圍繞於該正面層的輪廓，該周邊層對應於該第一側設一主袋開合口，該主袋開合口沿頭尾方向延伸，該主袋開合口的兩端分別靠近該頭部與該尾部且不接觸該頭部與該尾部；<br/> 一背面層，該背面層的輪廓與該正面層的輪廓相同，該背面層的輪廓連接於該周邊層，該背面層與該正面層彼此平行間隔分離；以及<br/> 一背帶，其兩端分別連接於該背面層對應於該頭部與該尾部的位置。
如請求項1所述之非對稱斜包，其中，該正面層內設一間隔層，該間隔層設一隔層拉鍊，該隔層拉鍊沿著頭尾方向延伸且靠近該第一側。
如請求項2所述之非對稱斜包，其中，該間隔層朝向該背面層的方向設有複數分類袋，該些分類袋的開口呈開放狀朝向該第一側且不超過該隔層拉鍊。
如請求項1所述之非對稱斜包，其中，該背面層內設一間隔袋，該間隔袋設一隔袋拉鍊，該隔袋拉鍊沿著頭尾方向延伸且靠近該第一側。
如請求項4所述之非對稱斜包，其中，該背面層朝向該正面層的方向設一網袋，該網袋的開口呈開放狀朝向該第一側且不超過該隔袋拉鍊。
如請求項1所述之非對稱斜包，其中，該第一側大致上呈平坦狀，該第二側由該頭部朝向該尾部依序形成一外凸部及一內凹部，該外凸部呈凸出的弧線狀，該內凹部連接於該外凸部與該尾部之間，該內凹部呈凹入的弧線狀，該內凹部與該外凸部連接處形成一第一曲部，該內凹部與該尾部連接處形成一第二曲部，該內凹部的最凹陷處形成一第三曲部，該第三曲部未超出該第一曲部及該第二曲部之間的連線。
如請求項6所述之非對稱斜包，其中，該主袋開合口一端與該尾部的距離大於該主袋開合口另一端與該頭部的距離，該背面層外表面靠近第一側設一外袋開合口，該外袋開合口沿頭尾方向延伸，該外袋開合口的兩端分別靠近該頭部與該尾部且不接觸該頭部與該尾部，該外袋開合口的內空間未與該主袋開合口的內空間相連通。
如請求項7所述之非對稱斜包，其中，該主袋開合口採用雙頭式拉鍊，該外袋開合口採用單頭式拉鍊，該正面層的外表面設有圖案或文字。
如請求項6所述之非對稱斜包，其中，該非對稱斜包更包括一提帶，該提帶呈倒U字型，該提帶的兩端車縫於該周邊層與該背面層之間且位於對應該頭部的位置。
如請求項6所述之非對稱斜包，其中，該背帶包括一第一段、一第二段及一連接於該第一段及該第二段之間的連接扣，該第一段遠離該連接扣的一端車縫於該周邊層與該背面層之間且位於對應該頭部的位置，該第二段遠離該連接扣的一端車縫於該周邊層與該背面層之間且位於對應該尾部的位置。
一種具符令疏文的片香結構，係包括一片香主體與至少一香腳；所述香腳至少一部份插設在所述片香主體中，而與所述片香主體固定連結一體；<br/> 所述片香主體係一具有預設厚度的片狀體，所述片香主體具有相對設置的前表面與後表面，所述前表面上形成有凸出於所述前表面的三維符令圖騰，所述後表面上形成有凸出於所述後表面的三維祈願疏文，所述後表面上還預設有至少一留白書寫區。
如請求項1所述之具符令疏文的片香結構，其中，所述三維符令圖騰係包含招財、開運、姻緣、文昌、除穢、消災其中之一的符令圖騰。
如請求項1或2所述之具符令疏文的片香結構，其中，所述三維祈願疏文包含招財、開運、姻緣、文昌、除穢、消災其中之一的祈願文字。
如請求項3所述之具符令疏文的片香結構，其中，所述留白書寫區包含祈願人、生辰、地址、日期至少其中之一或其組合的書寫區。
如請求項4所述之具符令疏文的片香結構，其中，所述香腳插入所述片香主體的長度佔所述片香主體的總長度的60-80%。
如請求項5所述之具符令疏文的片香結構，其中，所述香腳插入所述片香主體的長度佔所述片香主體的總長度的70%。
如請求項1或2所述之具符令疏文的片香結構，其中，所述留白書寫區包含祈願人、生辰、地址、日期至少其中之一或其組合的書寫區。
如請求項7所述之具符令疏文的片香結構，其中，所述香腳插入所述片香主體的長度佔所述片香主體的總長度的60-80%。
如請求項8所述之具符令疏文的片香結構，其中，所述香腳插入所述片香主體的長度佔所述片香主體的總長度的70%。
如請求項1或2所述之具符令疏文的片香結構，其中，所述香腳插入所述片香主體的長度佔所述片香主體的總長度的60-80%。
如請求項10所述之具符令疏文的片香結構，其中，所述香腳插入所述片香主體的長度佔所述片香主體的總長度的70%。
一種灑水車之水箱改良結構，其至少包括：<br/> 一水箱，設置在該灑水車上，該水箱具有一後端板；<br/> 複數方向燈，設置在該後端板上；<br/> 一捲收盤，可旋轉地樞設在該後端板上；以及<br/> 一水管，一端連接該水箱，另一端纏繞收納於該捲收盤；<br/> 藉此，透過該方向燈提供行車轉向之警示，並透過該捲收盤供該水管纏繞收納，達成灑水車之水箱改良結構。
如請求項1所述之灑水車之水箱改良結構，其中該後端板設有一軸桿，該捲收盤中心設有一軸孔，該軸孔套設於該軸桿，且該軸桿末端設有一鎖固件，藉此將該捲收盤限位固定於該軸桿上。
如請求項1所述之灑水車之水箱改良結構，其中該捲收盤表面設有一活動手把，供使用者握持以旋轉該捲收盤。
如請求項1所述之灑水車之水箱改良結構，其中該捲收盤表面設有一夾管座，用以固定該水管。
一種具有快拆結構的輪板結構，其特徵在於：<br/> 該輪板結構以成對實施，該輪板結構具有一踩踏板、一輪座，及一組接該踩踏板與該輪座的快拆結構，該踩踏板具有一軸線，該輪座具有一支架，及複數設於該支架上的滑輪，該快拆結構設於該支架上，該快拆結構受操作後快速分離該輪座與該踩踏板，並允許該支架的組裝位置選擇性重疊該軸線或相對該軸線偏轉。
如請求項1所述的具有快拆結構的輪板結構，其中，該支架具有複數相對該軸線偏轉的組裝位置。
如請求項2所述的具有快拆結構的輪板結構，其中，該快拆結構具有一設於該支架的套筒，及一設於該套筒上的操作件，該套筒具有至少一組裝口，及至少一設於該組裝口並受該操作件作用而與該踩踏板組接的限制件。
如請求項3所述的具有快拆結構的輪板結構，其中，該踩踏板具有一踩踏正面及一組裝背面，該踩踏板具有一設於該組裝背面並提供該快拆結構組裝其中的安裝槽。
如請求項4所述的具有快拆結構的輪板結構，其中，該限制件具有一受該操作件作用而可帶動該限制件位移的接觸斜面，該操作件具有一允許該限制件位移至其中的避位槽。
如請求項5所述的具有快拆結構的輪板結構，其中，該踩踏板具有一本體及一設於該本體的蓋板，該本體成形一透孔，該蓋板與該透孔共同成形該安裝槽。
如請求項6所述的具有快拆結構的輪板結構，其中，該限制件為複數，該快拆結構具有一設於該套筒內並兩端分別接觸複數該限制件的彈簧。
如請求項7所述的具有快拆結構的輪板結構，其中，該支架成形一連通該安裝槽並提供該快拆結構設置的開口。
如請求項8所述的具有快拆結構的輪板結構，其中，該踩踏板與該支架分別設有複數定位孔及至少一定位柱，該定位柱安裝於該些定位孔的其中之一上。
如請求項9所述的具有快拆結構的輪板結構，其中，該輪板結構具有複數設於該踩踏板上的綁帶。
一種磚體，包含：<br/> 一第一面，呈沿一長度方向延伸的長方形；<br/> 一第二面，與該第一面相背，並包括沿該長度方向依序連接的一厚面段、一銜接面段，及一薄面段，該厚面段到該第一面的距離大於該薄面段到該第一面的距離；及<br/> 一周面，連接該第一面與該第二面的周緣間。
如請求項1所述的磚體，其中，該銜接面段為向該第一面方向弧凸的弧面。
如請求項1所述的磚體，其中，該銜接面段為向遠離該第一面的方向弧凸的弧面。
如請求項1所述的磚體，其中，該銜接面段為一斜平面。
如請求項1所述的磚體，還包含一沿該長度方向貫穿該周面的貫孔。
如請求項5所述的磚體，還包含一個介於該第一面與該厚面段間的全型部，該全型部正交該長度方向的斷面呈正方形，該貫孔正交貫穿該全型部之斷面中心。
如請求項6所述的磚體，其中，該貫孔具有一外露在該薄面段的溝槽段。
如請求項1所述的磚體，其中，該第二面還包括一個自該厚面段背離該銜接面段的一邊沿該長度方向往該第一面延伸遠離該銜接面段，並連接於該周面的切角面段。
如請求項8所述的磚體，其中，該切角面段為一斜平面。
如請求項8所述的磚體，其中，該切角面段為向該第一面方向弧凸的弧面。
如請求項8所述的磚體，其中，該切角面段為向遠離該第一面的方向弧凸的弧面。
一種磚體組，包含：<br/> 二磚體，每一該磚體包括一呈沿一長度方向延伸的長方形的第一面、一與該第一面相背的第二面，及一連接該第一面與該第二面的周緣間的周面，該第二面包括沿該長度方向依序連接的一厚面段、一銜接面段，及一薄面段，該厚面段到該第一面的距離大於該薄面段到該第一面的距離，每一該磚體具有一沿該長度方向貫穿該周面的貫孔，該等磚體在正交於該長度方向的其他方向上相靠抵地排列； <br/> 二銜接片，分別疊靠於該等磚體在該長度方向的兩端，每一該銜接片具有數個分別與該等磚體的該等貫孔連通的穿孔；及<br/> 數個固定單元，相配合將該等磚體與該等銜接片固定在一起。
如請求項12所述的磚體組，其中，每一該固定單元包括一個穿設於對應連通之該等貫孔與該等穿孔中的螺桿，及兩個分別螺鎖在該螺桿兩端且將該等銜接片相向迫抵於該等磚體的螺帽。
如請求項12所述的磚體組，其中，每一該磚體的該銜接面段為向該第一面方向弧凸的弧面。
如請求項12所述的磚體組，其中，每一該磚體的該第二面還包括一個自該厚面段背離該銜接面段的一邊沿該長度方向往該第一面延伸遠離該銜接面段，並連接於該周面的切角面段。
一種磚體組，包含：<br/> 數個磚體，每一該磚體包括一呈沿一長度方向延伸的長方形的第一面、一與該第一面相背的第二面，及一連接該第一面與該第二面的周緣間的周面，該第二面包括沿該長度方向依序連接的一厚面段、一銜接面段，及一薄面段，該厚面段到該第一面的距離大於該薄面段到該第一面的距離，每一該磚體具有一沿該長度方向貫穿該周面的貫孔，該等磚體沿該長度方向端對端排列，且該等貫孔對應連通；<br/> 數個銜接片，位於相鄰的兩個該磚體之間，以及位於該等磚體靠抵排列的兩端，每一該銜接片具有一個與相靠抵的該等磚體的該等貫孔連通的穿孔；及<br/> 一固定單元，將該等磚體與該等銜接片固定在一起。
如請求項16所述的磚體組，其中，該固定單元包括一個穿設於對應連通之該等貫孔與該等穿孔中的螺桿，及兩個分別螺鎖在該螺桿兩端且將該等銜接片相向迫抵於該等磚體的螺帽。
如請求項16所述的磚體組，其中，每一該磚體的該銜接面段為向該第一面方向弧凸的弧面。
如請求項16所述的磚體組，其中，位於該等磚體堆疊排列的兩端的該等銜接片與位於相鄰的兩個該磚體之間的所述銜接片，沿一正交該長度方向的其他方向錯位排列。
如請求項16所述的磚體組，其中，每一該磚體的該第二面還包括一個自該厚面段背離該銜接面段的一邊沿該長度方向往該第一面延伸遠離該銜接面段，並連接於該周面的切角面段。
一種結合充電線之手機支架，其主要包含有：<br/> 一支架本體，係設有一內部空間，並覆蓋一端版遮蔽該內部空間；<br/> 一電路基板，係架設在該支架本體的內部空間，並設有一輸入埠，該輸入埠用以連結外部電源；<br/> 一充電線，係與該電路基板連結，且該充電線具有一與手機插接的端子接頭者。
如請求項1所述結合充電線之手機支架，其中該端子接頭係採用Type-C。
如請求項1所述結合充電線之手機支架，其中該外部電源為採車輛本身之電力供應設備。
如請求項1所述結合充電線之手機支架，其中進一步包含有一電池單元，該電池單元連結該電路基板，經該外部電源儲存電力於該電池單元中。
如請求項4所述結合充電線之手機支架，其中該外部電源為採市電或行動電源者。
一種研磨加工機，包括：<br/> 一底座；<br/> 一定位單元，設於該底座以供定位一工件；及<br/> 一研磨單元，包含有一基座與一供研磨該工件之研磨組件，該基座可沿一X軸方向移動地設於該底座，該研磨組件可沿一Y軸方向移動且可沿一Z軸方向移動地設於該基座，該研磨組件可相對擺動地設於該基座。
如請求項1所述的研磨加工機，另包括有一修整單元，該修整單元與該定位單元於該X軸方向上呈間隔配置，該研磨單元可沿該X軸方向移動以選擇該修整單元與該定位單元其中一者進行作業。
如請求項2所述的研磨加工機，其中該修整單元包含有一座體、一轉盤與一修整器，該轉盤可相對轉動地設於該座體，該轉盤之軸心線平行於該X軸方向，該修整器設於該轉盤而呈同轉動關係。
如請求項3所述的研磨加工機，其中該修整器為修整砂輪，該修整器係可定點轉動地設於該轉盤，該修整器之軸心線垂直該轉盤之軸心線。
如請求項2所述的研磨加工機，其中於該Z軸方向上，該修整單元係介於該定位單元與該研磨單元之間。
如請求項1至5其中任一項所述的研磨加工機，其中該研磨單元另包含有一第一座部與一第二座部，該第一座部可移動地設於該基座，該第二座部可偏擺地設於該第一座部，該研磨組件可移動地設於該第二座部。
如請求項6所述的研磨加工機，其中該第一座部可沿該Y軸方向移動地設於該基座，該研磨組件可沿該Z軸方向移動地設於該第二座部。
如請求項7所述的研磨加工機，其中該第一座部設有沿該Y軸方向延伸之至少一圓弧形軌道，一基準平面沿該X軸方向通過該至少一圓弧形軌道之圓心，該第二座部滑設於該至少一圓弧形軌道而可相對該基準平面偏擺。
如請求項8所述的研磨加工機，另包含有一量角器與一指標件，該量角器設於該第一座部，該量角器之複數刻度沿該Y軸方向呈間隔分布，該第二座部定義有一沿該Z軸方向延伸之中心軸線，該指標件平行於該中心軸線延伸地凸設於該第二座部，該指標件與該量角器於該X軸方向重合。
如請求項4所述的研磨加工機，其中於該Z軸方向上，該修整單元係介於該定位單元與該研磨單元之間；該研磨單元另包含有一第一座部與一第二座部，該第一座部可移動地設於該基座，該第二座部可偏擺地設於該第一座部，該研磨組件可移動地設於該第二座部；該第一座部可沿該Y軸方向移動地設於該基座，該研磨組件可沿該Z軸方向移動地設於該第二座部；該第一座部設有沿該Y軸方向延伸之至少一圓弧形軌道，一基準平面沿該X軸方向通過該至少一圓弧形軌道之圓心，該第二座部滑設於該至少一圓弧形軌道而可相對該基準平面偏擺；該研磨加工機另包含有一量角器與一指標件，該量角器設於該第一座部，該量角器之複數刻度沿該Y軸方向呈間隔分布，該第二座部定義有一沿該Z軸方向延伸之中心軸線，該指標件平行於該中心軸線延伸地凸設於該第二座部，該指標件與該量角器於該X軸方向重合；該定位單元供令該工件可轉動地沿該Z軸方向定位；該底座另包含有一基座與一護圍，該護圍凸出於該基座而圍構一工作區域，該定位單元、該研磨單元與該修整單元設於該基座且位於該工作區域；該至少一圓弧形軌道之數量為複數個，複數該圓弧形軌道呈同心配置，複數該圓弧形軌道沿該Z軸方向呈間隔配置；該研磨組件係以該中心軸線為軸延伸配置。
一種拉弦桿，其組設於一弓體，用以協助該弓體之一弓弦拉動，該弓體具有至少一滑槽，其中：該拉弦桿包含一樞接部、一延伸部、一組合部及一勾弦部，該組合部的兩端分別與該延伸部的一端及該勾弦部相連接，該組合部具有一組合孔，該勾弦部係用以活動勾組該弓弦，該延伸部的另一端與該樞接部的一端相連接，而該樞接部的另一端樞組於該弓體，另設有一鉚合件及至少一墊片，該鉚合件的一端穿過該組合孔並鉚組於該至少一滑槽，該鉚合件的另一端則與該組合孔相鉚接，而該至少一墊片套組於該鉚合件，且設於該弓體的外表面與該拉弦桿之間；<br/> 其中，當該勾弦部勾組該弓弦時，藉由該樞接部之樞組，使該拉弦桿可相對該弓體擺動，進而帶動該鉚合件於該至少一滑槽內滑移，藉以同步拉動該弓弦。
如請求項1所述之拉弦桿，其中，該鉚合件於鉚設變形後進一步具有一連接部、一卡合部及一鉚接部，該連接部的兩端分別與該卡合部及該鉚接部相連接，該卡合部穿組於該至少一滑槽，而該鉚接部則與該組合孔相互鉚接。
如請求項1所述之拉弦桿，其中，該勾弦部進一步具有一連接孔，另設有一固定片及一固定件，該固定件活動穿過該固定片並與該連接孔相互組設，使該固定片組設於該拉弦桿。
如請求項3所述之拉弦桿，其中，該固定片進一步具有一安裝槽，當該固定片與該拉弦桿相組設，該勾弦部係組設於該安裝槽。
如請求項3所述之拉弦桿，其中，該固定件進一步具有一外螺紋段，該連接孔進一步具有一內螺紋段，該外螺紋段與該內螺紋段相互螺鎖，使該固定片與該拉弦桿相互組設。
如請求項1所述之拉弦桿，其中，該樞接部進一步具有一軸孔，另設有一軸件，該軸件穿過該軸孔並與該弓體相組設，使該拉弦桿與該弓體相互樞組。
如請求項1所述之拉弦桿，其中，另設有至少一外護片，該至少一外護片活動組設於該弓體並遮蓋該拉弦桿之部分。
如請求項1所述之拉弦桿，其中，對該組合孔定義一中心點P，對該勾弦部定義一中心點A，對該延伸部定義一中心點B，該中心點P至該中心點A的連線與該中心點P至該中心點B的連線之間具有一夾角，該夾角小於90度。
如請求項1所述之拉弦桿，其中，該拉弦桿係以板金加工成型。
一種灑水車之灑水控制系統，其至少包括：<br/> 一開關模組，具有複數開關，用以產生一控制訊號；<br/> 一空壓機，提供一氣壓源；<br/> 複數氣動電磁閥，接收該控制訊號而作動，且該空壓機藉由複數第一氣管與該等氣動電磁閥分別流體連通，該等氣動電磁閥受該控制訊號控制而切換該氣壓源之輸出狀態；<br/> 複數氣動球閥，該等氣動電磁閥分別藉由一第二氣管與對應之該等氣動球閥流體連通，以使各該氣動球閥分別受對應之該氣動電磁閥輸出之該氣壓源驅動而切換至一開啟狀態；以及<br/> 一水箱與複數噴嘴，該水箱藉由複數第一水管與該等氣動球閥分別流體連通，且該等氣動球閥分別藉由一第二水管與對應之該等噴嘴流體連通；<br/> 藉此，該氣動電磁閥受該控制訊號驅動而切換，進而控制對應之該氣動球閥，以選擇性地使該水箱供水至對應之該噴嘴進行灑水控制。
如請求項1所述之灑水車之灑水控制系統，其中每一該開關設有一指示燈，該指示燈顯示對應之噴嘴識別資訊，且於該開關被操作時發光以提示啟動狀態。
如請求項1所述之灑水車之灑水控制系統，更包括：<br/> 一電路板，該電路板電性連接於該開關模組與該等氣動電磁閥之間，並設有一無線接收模組，該無線接收模組接收外部遙控器之無線訊號，且該電路板依該無線訊號產生該控制訊號以驅動對應之該氣動電磁閥。
如請求項3所述之灑水車之灑水控制系統，更包括：<br/> 一配電箱，收容該電路板與該等氣動電磁閥，且該配電箱之壁面設有至少一穿孔，供供電線及該第一氣管與該第二氣管穿設，以集中配線佈置。
如請求項1所述之灑水車之灑水控制系統，其中該開關模組可選擇性輸出該控制訊號至該等氣動電磁閥之任一者或複數者，以使該氣動電磁閥同時驅動對應之該氣動球閥，進而控制該等噴嘴之任一者或複數者同時灑水。
一種具人體位移補償功能之牙科治療椅結構，包含有：<br/> 一底座；<br/> 一椅座，設置於該底座上方，供使用者乘坐；<br/> 一椅背，設置於該椅座後側，並可相對該椅座進行轉動；<br/> 一補償機構，配置於該椅座與該底座之間，並具有一固定端連接該底座，以及一活動端連接該椅座；<br/> 以及一動力裝置，與該補償機構連接；其特徵在於：<br/> 當該動力裝置驅動該補償機構而使該椅背進行下降動作時，該補償機構同步驅動該椅座相對該底座產生上升位移，以補償使用者因椅背下降所產生之身體位移，從而減少使用者於椅背下降過程中之身體下滑。
如請求項1所述之具人體位移補償功能之牙科治療椅結構，其中，該補償機構包含：一弧形導引構件；一沿該弧形導引構件進行位移之滑動構件；以及至少一連桿件，該連桿件之一端連接該滑動構件，另一端連接該椅座。
如請求項2所述之具人體位移補償功能之牙科治療椅結構，其中，該弧形導引構件具有一弧形導引部，供該滑動構件沿該弧形導引部進行受控位移。
如請求項3所述之具人體位移補償功能之牙科治療椅結構，其中，該弧形導引部係形成為沿預定弧形路徑延伸之導引結構，以限制該滑動構件沿該弧形導引構件進行受控位移。
如請求項2所述之具人體位移補償功能之牙科治療椅結構，其中，該連桿件於椅背下降過程中，由傾斜狀態轉換為近似直立狀態，以帶動該椅座相對該底座產生上升位移。
如請求項1所述之具人體位移補償功能之牙科治療椅結構，其中，該動力裝置為馬達、氣壓缸或油壓缸其中之一。
如請求項2所述之具人體位移補償功能之牙科治療椅結構，其中，該補償機構鄰近該弧形導引構件處設置一安全開關，當該椅背於動作過程中受到異常阻擋或產生異常位移時，該安全開關被觸發以中斷該動力裝置之驅動。
如請求項7所述之具人體位移補償功能之牙科治療椅結構，其中，該安全開關係藉由該弧形導引構件或該滑動構件之位移或受力變化而被觸發。
如請求項1所述之具人體位移補償功能之牙科治療椅結構，其中，該動力裝置設置於該椅座下方。
如請求項9所述之具人體位移補償功能之牙科治療椅結構，其中，該動力裝置與該補償機構之一滑動構件連接，以驅動該滑動構件沿一弧形導引構件產生位移。
如請求項10所述之具人體位移補償功能之牙科治療椅結構，其中，該補償機構係藉由該滑動構件之位移，同時帶動該椅背進行下降動作，並驅動該椅座相對該底座產生上升位移。
一種水平式濺鍍機之抽屜式遮板結構，包含：<br/> 一真空腔體，具有一腔室、一設在該腔室且用以設置一靶材的靶材座部、及一連通該腔室並對應該靶材座部的腔口；<br/> 一對滑軌，相對設於該靶材座部的上方兩側或下方兩側，並各具有一朝向彼此的滑槽；以及<br/> 一遮板，能夠水平抽拉地設在該真空腔體並位於該靶材與一待濺鍍物之間，該遮板具有一滑設在二該滑槽的框部、一設在該框部並使該框部形成一穿孔的遮蔽部、及一設在該框部一側並用以氣密該腔口的氣密部。
如請求項1所述之水平式濺鍍機之抽屜式遮板結構，其中，該遮板的遮蔽部數量為兩個，二該遮蔽部分別設在該框部的兩側，使該穿孔位於二該遮蔽部之間。
如請求項1所述之水平式濺鍍機之抽屜式遮板結構，其中，該遮板的遮蔽部數量為一個，該遮蔽部設在該框部的中間，使該穿孔的數量為兩個且分別位於該遮蔽部的兩側。
如請求項2或3所述之水平式濺鍍機之抽屜式遮板結構，其中，該遮蔽部的側邊呈波浪狀。
如請求項1所述之水平式濺鍍機之抽屜式遮板結構，其中，該遮板還具有一設在該氣密部側面的握把部。
如請求項1所述之水平式濺鍍機之抽屜式遮板結構，其中，該遮板的氣密部周側凹設有一氣密環槽，該氣密環槽設有一密封件，該密封件與該腔口接觸。
如請求項6所述之水平式濺鍍機之抽屜式遮板結構，其中，該遮板的氣密環槽數量為兩個，該密封件的數量為兩個。
如請求項1所述之水平式濺鍍機之抽屜式遮板結構，其中，該水平式濺鍍機之抽屜式遮板結構還具有一轉扣件，該轉扣件具有一可旋轉地設在該氣密部的旋轉本體、一設在該旋轉本體一側且位於該氣密部內側的扣部、及一設在該旋轉本體另一側且位於該氣密部外側的旋動部，旋動該旋動部以帶動該扣部扣抵或不扣抵在該腔室內側面。
一種椅墊之恆溫控制系統，包括一溫度設定模組、一溫度感測模組、一微處理機模組、一溫度控制模組及一電源模組，其中：<br/>該溫度設定模組之訊號輸出端電連接至該微處理機模組之訊號輸入端，供使用者設定目標溫度；<br/>該溫度感測模組之訊號輸出端電連接至該微處理機模組之訊號輸入端，用以即時回傳溫度數據；<br/>該微處理機模組之訊號輸出端電連接至該溫度控制模組之訊號輸入端，用以發送加熱或冷卻之控制指令；<br/>該電源模組電連接至該溫度控制模組，用以提供穩定之電力。
一種零售資訊顯示系統，包含：<br/> 一顯示裝置，用以顯示一零售資訊，該零售資訊包含一二維碼；<br/> 一伺服器，訊號連接該顯示裝置，並架設有一後端管理平台，該後端管理平台包含：<br/> 一投放模組，用以將該零售資訊傳輸並投放至該顯示裝置；以及<br/> 一商家端裝置，訊號連接該伺服器，並架設有一應用程式，該應用程式包含：<br/> 一設置模組，用以提供一商家透過一操作介面編輯與設置該零售資訊。
如請求項1所述之零售資訊顯示系統，其中該顯示裝置包含：<br/> 一顯示面板；及<br/> 一電池模組，電性連接該顯示面板。
如請求項2所述之零售資訊顯示系統，其中該顯示裝置更包含：<br/> 一太陽能模組，電性連接該電池模組，並用以吸收穿透該顯示面板的一環境光，而生成並儲存電力至該電池模組。
如請求項1所述之零售資訊顯示系統，其中該顯示裝置為膽固醇液晶顯示裝置或半穿半反式液晶顯示裝置之一者。
如請求項1所述之零售資訊顯示系統，其中該後端管理平台更包含：<br/> 一庫存查詢模組，包含一庫存查詢頁面以供檢視一庫存資料。
如請求項5所述之零售資訊顯示系統，其中該二維碼提供掃描以連結至該庫存查詢模組的該庫存查詢頁面。
如請求項5所述之零售資訊顯示系統，其中該後端管理平台更包含：<br/> 一訂購模組，包含一預訂頁面以供預訂商品而生成一訂單資訊。
如請求項7所述之零售資訊顯示系統，其中該二維碼提供掃描以連結至該訂購模組的該預訂頁面。
如請求項7所述之零售資訊顯示系統，其中該應用程式包含：<br/> 一訂單模組，用以提供該商家透過該操作介面檢視該訂單資訊。
如請求項1所述之零售資訊顯示系統，其中該伺服器包含：<br/> 一資料庫，訊號連接該後端管理平台，並包含一庫存資料及一訂單資訊。
如請求項10所述之零售資訊顯示系統，其中該庫存資料可依據該訂單資訊之成立與完成狀態進行更新。
一種篩分機之篩網改良結構，係包括應用於一預設篩分機之一篩網結構，其中：<br/> 該篩網結構係具有之底座內設有一篩網部，再於該底座周緣向上延伸有一進料外框，並於該進料外框之間設有縱向連結的一接合部，其中該底座二側末端的各底座側邊及該進料外框二側末端的各外框側邊係於該接合部處相互連接後形成連續無縫的接合狀態。
如請求項1所述之篩分機之篩網改良結構，其中該進料外框頂部向外延伸有具導引作用之凸緣，並於該凸緣表面形成有一導引面。
如請求項1所述之篩分機之篩網改良結構，其中該底座與該進料外框的各該底座側邊及各該外框側邊透過該接合部進行接合使二者結合形成平整的一整體結構。
如請求項1所述之篩分機之篩網改良結構，其中該篩網結構的該接合部上進一步設有於該接合部上的平整熔接部，且該平整熔接部係採用熱熔接、超音波熔接或雷射熔接等接合方式形成。
如請求項1所述之篩分機之篩網改良結構，其中該篩網結構係適用於直徑大於40cm的該篩網部結構。
一種夾持裝置，適用於試驗機，該夾持裝置包括：<br/> 一上夾持組，包括一上固定座，以及設置於該上固定座的一上第一夾持部、一上第二夾持部及一上氣壓缸，其中該上氣壓缸係用以驅動該上第二夾持部接近或遠離該上第一夾持部，以夾持鋼筋測試件的上側；<br/> 一下夾持組，包括一下固定座，以及設置於該下固定座的一下第一夾持部、一下第二夾持部及一下氣壓缸，其中該下氣壓缸係用以驅動該下第二夾持部接近或遠離該下第一夾持部，以夾持該鋼筋測試件的下側；以及<br/> 至少一延伸量測器，連接於該上固定座與該下固定座之間，用以量測該鋼筋測試件於拉伸試驗過程中之延伸量。
如請求項1所述的夾持裝置，其中該上夾持組還包括一設置於該上固定座的上滑軌及一滑設於該上滑軌的上滑塊，其中該上滑塊連接於該上第二夾持部，且該上氣壓缸係用以驅動該上滑塊相對該上滑軌滑移，藉此驅動該上第二夾持部接近或遠離該上第一夾持部；<br/> 該下夾持組還包括一設置於該下固定座的下滑軌及一滑設於該下滑軌的下滑塊，其中該下滑塊連接於該下第二夾持部，且該下氣壓缸係用以驅動該下滑塊相對該下滑軌滑移，藉此驅動該下第二夾持部接近或遠離該下第一夾持部。
如請求項2所述的夾持裝置，其中該上夾持組另包括一設置於該上固定座端側的上氣缸操作桿，用以啟動該上氣壓缸驅動該上滑塊；<br/> 該下夾持組另包括一設置於該下固定座端側的下氣缸操作桿，用以啟動該下氣壓缸驅動該下滑塊。
如請求項1所述的夾持裝置，其中該至少一延伸量測器的數量為一對，且該對延伸量測器分別設置於該上固定座與該下固定座之間的左右兩側。
如請求項4所述的夾持裝置，其中該對延伸量測器係分別沿該鋼筋測試件的軸線方向配置，以量測該鋼筋測試件於拉伸試驗過程中之延伸量。
如請求項1所述的夾持裝置，其中還包括一治具，該治具具有一上連接端及一下連接端，該上連接端連接於該試驗機的上夾具，該下連接端承接該鋼筋測試件的上側，且該鋼筋測試件的下側由該下夾持組及該試驗機的下夾具共同固定。
如請求項6所述的夾持裝置，其中該鋼筋測試件為T頭鋼筋。
一種具備人工智慧的自動整料系統，適用於一儲料場，該具備人工智慧的自動整料系統包括：<br/> 一刮板取料機，設於該儲料場，該刮板取料機具有一取料臂及一刮板組，該取料臂之一端具有一樞接端，樞接於一機體，另一端可上下擺動，該刮板組環繞運轉於該取料臂；<br/> 一測距模組，設置於該取料臂，該測距模組具有相互對應設置之一第一測距組及一第二測距組，該第一測距組分別設置於該取料臂之一第一位置的左右兩側，用以偵測該儲料場中一料堆並取得一第一料堆距離，該第二測距組分別設置於該取料臂之一第二位置的左右兩側，用以偵測該料堆並取得一第二料堆距離，其中該第一位置與該第二位置沿該取料臂之長度方向間隔設置；以及<br/> 一智慧控制模組，電性連接該刮板取料機及該測距模組，該智慧控制模組包含一運算單元及一控制單元；<br/> 其中，該運算單元接收該第一料堆距離及該第二料堆距離，並依據該第一料堆距離及該第二料堆距離計算該料堆相對於該取料臂之一坡度狀態，該控制單元依據該運算單元之計算結果控制該取料臂下降至一整料高度，並控制該刮板組運轉，自該料堆頂部刮移一原料，使該原料沿一斜面下滑以達到一安息角度，當該第一料堆距離與該第二料堆距離之差值符合一預設條件時，該控制單元控制該刮板取料機停止整料作業。
如申請專利範圍第1項所述的具備人工智慧的自動整料系統，其中該刮板取料機更包含一驅動系統，該驅動系統包括一行走馬達、一升降馬達及一刮板馬達，該行走馬達用以驅動該機體移動，該升降馬達用以驅動該取料臂上下擺動，該刮板馬達用以驅動該刮板組運轉。
如申請專利範圍第2項所述的具備人工智慧的自動整料系統，其中該控制單元係電性連接至該驅動系統，以控制該行走馬達、該升降馬達及該刮板馬達之啟閉與轉速。
如申請專利範圍第1項所述的具備人工智慧的自動整料系統，其中該機體係可移動地設置於該儲料場之一軌道上，該機體之型式為一門型結構或一半門型結構。
如申請專利範圍第1項所述的具備人工智慧的自動整料系統，其中該測距模組可為但不限於雷達波測距儀、紅外線測距儀、雷射測距儀或超音波測距儀其中之一或其組合。
如申請專利範圍第1項所述的具備人工智慧的自動整料系統，其中該第一測距組設置有兩個相互對稱的測距儀，以及該第二測距組係設置有兩個相互對稱的測距儀。
如申請專利範圍第1項所述的具備人工智慧的自動整料系統，其中該第二位置較該第一位置靠近該取料臂之該樞接端。
如申請專利範圍第1項所述的具備人工智慧的自動整料系統，其中該智慧控制模組更包含一人機介面，該人機介面提供一操作者輸入一整料參數及發送一啟動指令。
如申請專利範圍第8項所述的具備人工智慧的自動整料系統，其中該整料參數包含該取料臂之一下降角度以及該料堆之一整料邊界範圍。
如申請專利範圍第1項所述的具備人工智慧的自動整料系統，其中該原料係為煤炭、礦石或砂石散料。
一種可調枕高之組合式枕頭，係至少包含：<br/>一底墊模組，其頂部設有一第一組接部，該底墊模組之底部設有一平面部；<br/>至少一調整模組，其可移除地設於該底墊模組，該調整模組之底部設有一第一對接部，且該調整模組之頂部設有一第二對接部，並該第一對接部可移除地結合該第一組接部；以及<br/>一枕靠模組，其可移除地設於該調整模組，該枕靠模組之底部設有一第二組接部，且該枕靠模組之頂部設有一枕靠部，並該第二組接部可移除地結合該第二對接部。
如請求項1所述之可調枕高之組合式枕頭，其中該第一組接部具有至少二第一組接凹槽及至少一第一組接凸體，該等第一組接凹槽與該第一組接凸體相鄰設置。
如請求項2所述之可調枕高之組合式枕頭，其中該第一對接部具有至少二第一對接凸體及至少一第一對接凹槽，該等第一對接凸體與該第一對接凹槽相鄰設置，且該等第一對接凸體分別可移除地結合該等第一組接凹槽，並該第一對接凹槽可移除地結合該第一組接凸體。
如請求項1所述之可調枕高之組合式枕頭，其中該第二對接部具有至少二第二對接凹槽及至少一第二對接凸體，該第二對接凹槽與該第二對接凸體相鄰設置。
如請求項4所述之可調枕高之組合式枕頭，其中該第二組接部具有至少二第二組接凸體及至少一第二組接凹槽，該等第二組接凸體與該第二組接凹槽相鄰設置，且該等第二組接凸體分別可移除地結合該第二對接凹槽，並該第二組接凹槽可移除地結合該第二對接凸體。
如請求項1所述之可調枕高之組合式枕頭，其中該枕靠部呈連續之弧面。
如請求項1所述之可調枕高之組合式枕頭，其中該底墊模組、該調整模組與該枕靠模組為乳膠材質或矽膠材質。
一種具芳香溫敷的按摩輔助器具，係至少包含：<br/>一罐體，該罐體係由耐熱材質製成，且該罐體的外周係圓弧狀設計，該罐體的兩端係分別設有一第一開口與一第二開口，該等開口係彼此連通可供熱與氣味傳導，該第一開口的外周圍穿設有複數第一通風孔，該第二開口的內側設有一頸托部，該頸托部的下端外周圍穿設有複數第二通風孔；<br/>一網蓋，該網蓋可拆卸設於該第一開口的內側，該網蓋的外周圍設有複數結合部，該等結合部可彈性嵌設該第一開口的內側，該網蓋的底部樞接設有一拉環；<br/>一定位桿，該定位桿係延伸設於該網蓋的頂部，該定位桿的底端係相對於該網蓋頂部之表面彎延形成有一夾置部，該定位桿可供一點燃的薰料插置固定；<br/>一芳香包，該芳香包係可拆卸置於該頸托部上，該芳香包係容置有一定量的芳香材料。
如請求項1所述之具芳香溫敷的按摩輔助器具，其中該定位桿上所插置的薰料係至少由艾草或多種芳香植物材料之其一者所製成。
如請求項1所述之具芳香溫敷的按摩輔助器具，其中該芳香包的芳香材料係可為藥草材料、花草材料之至少一種。
如請求項1所述之具芳香溫敷的按摩輔助器具，其中該芳香包的芳香材料係可為至少一精油。
如請求項1所述之具芳香溫敷的按摩輔助器具，其中更包含有一導熱調節片、一藥材片、一芳香片之至少其一者，該導熱調節片、藥材片、芳香片可拆卸設於該網蓋的頂部。
如請求項5所述之具芳香溫敷的按摩輔助器具，其中該導熱調節片、藥材片或芳香片係可被該夾置部夾置固定或被該定位桿穿置固定。
如請求項5所述之具芳香溫敷的按摩輔助器具，其中該導熱調節片係可為石墨片或金屬片，該藥材片係為片狀的植物藥材，該芳香片係為具芳香性的片狀草本植物。
如請求項5所述之具芳香溫敷的按摩輔助器具，其中該導熱調節片、藥材片或芳香片的面積係小於該網蓋頂部的面積。
如請求項1所述之具芳香溫敷的按摩輔助器具，其中更包含有一矽膠環，該矽膠環可拆卸套設於該罐體的第一開口上。
如請求項9所述之具芳香溫敷的按摩輔助器具，其中該矽膠環的外周緣或內周緣之至少其一者可加大寬度。
一種壓力產生裝置，適用於連接一吸取器，包含：<br/> 一主機，包括，<br/> 一外殼，具有一界定出一容置空間的殼體、一穿過該殼體與該容置空間連通的一連接孔，及至少一穿過該殼體與該容置空間連通的排氣孔；<br/> 一壓力產生單元，位於該容置空間，包括一馬達、一可轉動地樞接於該馬達的螺桿、一與該螺桿相連接的活塞，及一定義出具有一開口的一壓力腔的一腔體，該活塞與該腔體的開口配合並可封閉該壓力腔，且該活塞可被該螺桿帶動沿平行該螺桿的方向移動，以改變該壓力腔的壓力；<br/> 一操作氣閥，分別與該壓力腔及該吸取器相連通，供控制該壓力腔提供至該吸取器的壓力；<br/> 一洩壓氣閥，與該壓力腔相連通，供用於調整該壓力腔的內壓；及<br/> 一控制電路板，與該壓力產生單元電訊號連接，供用於控制該馬達，以調整該壓力腔的壓力。
如請求項1所述的壓力產生裝置，還包含一與該控制電路板耦接的操作單元，供用於一操作者操控該壓力產生單元、該操作氣閥，及該洩壓氣閥。
如請求項2所述的壓力產生裝置，其中，該操作單元包括一顯示器，該顯示器供用於顯示該壓力產生單元、該洩壓氣閥及該操作氣閥的其中至少一者的狀態資訊。
如請求項3所述的壓力產生裝置，其中，該操作單元還包括至少一用於控制該馬達的馬達控制鍵。
如請求項3所述的壓力產生裝置，其中，該操作單元還包括一重置鍵，供用於控制該洩壓氣閥，以調整該壓力腔的壓力。
如請求項3所述的壓力產生裝置，其中，該操作單元還包括一平衡鍵，供用於控制該壓力腔的壓力於一預定壓力值。
如請求項3所述的壓力產生裝置，其中，該操作單元還包括一靜音鍵，供用於關閉該壓力產生裝置產生的一提示音。
如請求項3所述的壓力產生裝置，其中，該操作單元還包括一開始鍵，供用於開啟該壓力產生裝置的自動量測功能。
如請求項1所述的壓力產生裝置，其中，該主機還包括一壓力感測器，該壓力感測器與該控制電路板耦接，供用於感測該壓力腔的內部壓力以產生一壓力訊號，且該控制電路板可依據該壓力訊號控制該洩壓氣閥及該操作氣閥的其中至少一者。
如請求項1所述的壓力產生裝置，其中，該主機還包括一位於該殼體並與該控制電路板電連接的電源鍵。
一種美甲磁吸工具組結構，包含多組磁吸模組，該等磁吸模組以多段銜接方式共構成多節形態之工具組件，其中，各該磁吸模組之一端分別設有一銜接端，各該銜接端分別設有一不同外觀形態之磁吸部，且各該磁吸部底端分別設有一對應其磁吸部外觀形態之磁吸端，該多組磁吸模組除最頂端之組磁吸模組外，各該磁吸模組之另一端分別設有一容室容納上一組磁吸模組之磁吸部；<br/>該多組磁吸模組包含一第一磁吸模組、一第二磁吸模組、一第三磁吸模組、一第四磁吸模組及一第五磁吸模組；其中：<br/>該第一磁吸模組之外緣刻印成形有至少一第一預覽圖像，其底緣設有一第一銜接端，該第一銜接端底部設有一第一螺組段，該第一螺組段底端設有一第一磁吸部，該第一磁吸部底端設有一第一磁吸端，該第一磁吸端外觀形態與該第一預覽圖像對應；<br/>該第二磁吸模組之外緣刻印有至少一第二預覽圖像，其頂端設有一第二頂緣，該第二頂緣內緣具有一第二內螺紋以可螺合該第一螺組段，該第二內螺紋內部形成一第二容室以容納該第一磁吸部；該第二磁吸模組底緣設有一第二銜接端，該第二銜接端底部設有一第二螺組段，該第二螺組段底端設有一第二磁吸部，該第二磁吸部底端設有一第二磁吸端，該第二磁吸端外觀形態與該第二預覽圖像對應；<br/>該第三磁吸模組之外緣刻印有至少一第三預覽圖像，其頂端設有一第三頂緣，該第三頂緣內緣具有一第三內螺紋以可螺合該第二螺組段，該第三內螺紋內部形成一第三容室以容納該第二磁吸部；該第三磁吸模組底緣設有一第三銜接端，該第三銜接端底部設有一第三螺組段，該第三螺組段底端設有一第三磁吸部，該第三磁吸部底端設有一第三磁吸端，該第三磁吸端外觀形態與該第三預覽圖像對應；<br/>該第四磁吸模組之外緣刻印有至少一第四預覽圖像，其頂端設有一第四頂緣，該第四頂緣內緣具有一第四內螺紋以可螺合該第三螺組段，該第四內螺紋內部形成一第四容室以容納該第三磁吸部；該第四磁吸模組底緣設有一第四銜接端，該第四銜接端底部設有一第四螺組段，該第四螺組段底端設有一第四磁吸部，該第四磁吸部底端設有一第四磁吸端，該第四磁吸端外觀形態與該第四預覽圖像對應；及<br/>該第五磁吸模組之外緣刻印有至少一第五預覽圖像，其頂端設有一第五頂緣，該第五頂緣內緣具有一第五內螺紋以可螺合該第四螺組段，該第五內螺紋內部形成一第五容室以容納該第四磁吸部；該第五磁吸模組底端設有一第五銜接端，該第五銜接端底部設有一第五螺組段，該第五螺組段底端設有一第五磁吸部，該第五磁吸部底端設有一第五磁吸端，該第五磁吸端外觀形態與該第五預覽圖像對應；<br/>其中該第五磁吸模組之底端設有一底蓋，該底蓋頂端具一蓋合緣，該蓋合緣內緣設有一內螺紋，該內螺紋內部形成一蓋室，用以封蓋該第五磁吸部；該底蓋末端面嵌設一固化燈，且該底蓋外部設有一電源鍵及一充電孔。
如請求項1所述之美甲磁吸工具組結構，其中該底蓋之蓋室下方設有一安裝空間，該安裝空間內裝設有一燈光模組，該燈光模組至少包含一電路板、一儲能單元、一充電單元及一開關單元，該儲能單元、充電單元、固化燈及開關單元電性連接該電路板，該電源鍵對應該開關單元位置、該充電孔對應該充電單元位置。
如請求項1所述之美甲磁吸工具組結構，其中該第一磁吸端為長矩形外觀；該第二磁吸端為小圓形外觀；該第三磁吸端為兩長矩形高低並聯形態；該第四磁吸端為花狀外觀；及該第五磁吸端為大圓形外觀。
如請求項1所述之美甲磁吸工具組結構，其中該第一磁吸模組之頂端設置一頂部連接座，該頂部連接座一端設有一繫掛繩。
一種砧板結構，該砧板係由一長方形平板狀的本體所形成，該本體係包含可供處理生食肉類之第一表面，以及可供處理蔬果或熟食之第二表面，以及與該第一表面及該第二表面連結之端部及側邊，其特徵在於：<br/> 該本體係以純鈦金屬材質所製成，藉由該純鈦金屬材質所具備高度穩定性及生物相容性之特性，使該砧板得以於使用後不留殘味、不吸油、不吸味、不藏污而更乾淨。
如請求項1所述之砧板結構，其中，該本體之該第一表面鄰近該側邊處，係分別設有適當長度之防溢流槽，俾當使用該第一表面處理生食肉類時，處理過程所產生之肉汁，可由該第一表面流入該防溢流槽。
如請求項2所述之砧板結構，其中，該防溢流槽係以彎弧狀由該第一表面凹陷，以形成彎弧狀之槽部。
如請求項1所述之砧板結構，其中，該本體鄰近該端部處係分別設有供提拿或掛持之穿孔。
如請求項1所述之砧板結構，其中，該第一表面及該第二表面係分別以圖案或文字，標示供處理生食肉類或供處理蔬果、熟食，以利使用者清楚辨識。
一種具熱電偶支撐架之溫控結構，設置於一烘烤爐體內，包括有：<br/> 一承載架，用於放置至少一半導體元件；<br/> 一熱電偶支撐架，係以一第一螺絲固定於該承載架上；以及<br/> 一熱電偶感測器，包括一熱電偶以及一細管，該熱電偶穿設於該細管內且係以一第二螺絲固定於該熱電偶支撐架上，並將該熱電偶前端之一感測頭露出於該細管外一露出距離，使得該細管緊鄰該半導體元件之表面，用以監測該半導體元件的實際溫度。
如請求項1所述之具熱電偶支撐架之溫控結構，其中，該半導體元件係為晶圓或面板。
如請求項1所述之具熱電偶支撐架之溫控結構，其中，該熱電偶支撐架包括一第一架體、一第二架體及一第三架體，該第一架體係以一第一螺絲固定於該承載架上，該第二架體係以一第三螺絲固定於該第一架體上，且該第二架體可相對該第一架體進行樞轉再以該第三螺絲固定於該第一架體上，該第三架體係以一第四螺絲固定於該第二架體上，使該細管固定於該第二架體與該第三架體之間，該熱電偶另以一第五螺絲可調整地固定於該第二架體上。
如請求項1所述之具熱電偶支撐架之溫控結構，其中，該熱電偶支撐架更開設有一長條孔，該第一螺絲穿過於該長條孔固定於該承載架上，可選擇地調整固定於該承載架上的位置。
如請求項1所述之具熱電偶支撐架之溫控結構，其中，該細管係為細鋼管。
如請求項1所述之具熱電偶支撐架之溫控結構，其中，該細管直徑小於2mm。
一種抽水機之引擎驅動的電力控制系統，其主要係包括有電力控制系統；其中：<br/> 該電力控制系統，其設有微控制器，於該微控制器分別連接有系統電池、引擎驅動泵電池分析模組、繼電器觸發控制模組，該系統電池供應整體系統所需用電，令該引擎驅動泵電池分析模組與引擎驅動泵電池連接，使得利用該引擎驅動泵電池分析模組對該引擎驅動泵電池相關狀態進行檢測，該引擎驅動泵電池則供啟動引擎驅動泵，該繼電器觸發控制模組分別連接有無線通訊模組、功率控制器、引擎驅動泵控制器，以令該繼電器觸發控制模組能分別切換控制所連接之該無線通訊模組、該功率控制器、該引擎驅動泵控制器進行作動，該無線通訊模組可供無線傳輸相關訊息，該功率控制器供連接直流接觸器，且令該直流接觸器與該引擎驅動泵電池連接，以令該功率控制器控制一穩定功率經由該直流接觸器讓該引擎驅動泵電池對該引擎驅動泵穩定提供電能，該引擎驅動泵控制器連接引擎驅動泵發電模組，且令該引擎驅動泵發電模組連接該引擎驅動泵電池，以令該引擎驅動泵控制器驅動控制該引擎驅動泵發電模組進行作動，讓該引擎驅動泵發電模組能對該引擎驅動泵電池進行充電。
如請求項1所述抽水機之引擎驅動的電力控制系統，其中，該引擎驅動泵電池為鉛酸電池。
如請求項1所述抽水機之引擎驅動的電力控制系統，其中，該引擎驅動泵電池分析模組對該引擎驅動泵電池之蓄電量、健康狀態進行檢測。
如請求項1所述抽水機之引擎驅動的電力控制系統，其中，該無線通訊模組供傳輸相關訊息至遠端監控端。
如請求項1所述抽水機之引擎驅動的電力控制系統，其中，該無線通訊模組供傳輸相關訊息至相關人員行動裝置處。
如請求項1所述抽水機之引擎驅動的電力控制系統，其中，該微控制器連接有水位計，該水位計供偵測水位高低。
如請求項1所述抽水機之引擎驅動的電力控制系統，其中，該繼電器觸發控制模組連接有充放電控制器，令該繼電器觸發控制模組能切換控制該充放電控制器進行作動，該充放電控制器供連接該系統電池，且令該引擎驅動泵發電模組連接電流控制器，而該電流控制器與該充放電控制器連接，以令該引擎驅動泵發電模組能透過該電流控制器經由該充放電控制器之控制對該系統電池進行充電。
一種智慧型室內二氧化碳捕集與監測設備，包含：<br/> 一吸溼單元，內部填充吸水性材料，一管路之一吸氣端位於該吸溼單元；<br/> 一二氧化碳吸收單元，內部填充二氧化碳吸附材料，該二氧化碳吸收單元透過該管路連通該吸溼單元；<br/> 一感測模組，具有數個感測單元，該數個感測單元分別位於該管路的不同段落，各該感測單元偵測通過該管路之空氣的溫度、溼度、二氧化碳濃度；<br/> 一處理單元，耦合連接該感測模組，該處理單元接收該感測模組的偵測結果，並計算空氣在該管路的溼度變化量及二氧化碳濃度變化量；及<br/> 一泵浦，耦合連接該處理單元，該泵浦透過該管路連通該二氧化碳吸收單元，該管路之一排氣端位於該泵浦，該處理單元控制該泵浦加壓空氣。
如請求項1之智慧型室內二氧化碳捕集與監測設備，其中，該管路導引空氣由該吸氣端進入，空氣沿該管路依序通過該吸溼單元、該二氧化碳吸收單元及該泵浦，並在該排氣端釋放空氣。
如請求項1之智慧型室內二氧化碳捕集與監測設備，其中，該吸溼單元內部的吸水性材料是矽膠。
如請求項1之智慧型室內二氧化碳捕集與監測設備，其中，該二氧化碳吸收單元內部的二氧化碳吸附材料是沸石。
如請求項1之智慧型室內二氧化碳捕集與監測設備，其中，該感測單元位於空氣進入該吸溼單元前的該管路，另一感測單元位於空氣從該二氧化碳吸收單元排出後的該管路，再一感測單元位於該吸溼單元與該二氧化碳吸收單元之間的該管路上。
如請求項5之智慧型室內二氧化碳捕集與監測設備，其中，該處理單元將空氣通過該吸溼單元前的溼度減去通過該吸溼單元後的溼度，若溼度差值為正則該處理單元判斷設備繼續運作；若溼度差值趨近於零則該處理單元判斷更換該吸溼單元或進行加熱再生處理。
如請求項5之智慧型室內二氧化碳捕集與監測設備，其中，該處理單元將空氣通過該二氧化碳吸收單元前的二氧化碳濃度減去通過該二氧化碳吸收單元後的二氧化碳濃度，若二氧化碳濃度差值為正則該處理單元判斷設備繼續運作；若二氧化碳濃度差值趨近於零則該處理單元判斷更換該二氧化碳吸收單元或進行加熱再生處理。
如請求項1之智慧型室內二氧化碳捕集與監測設備，其中，該處理單元判斷溼度變化量或二氧化碳濃度變化量異常，該處理單元控制該泵浦停止運轉。
如請求項1～8中任一項之智慧型室內二氧化碳捕集與監測設備，另包含一顯示單元，該顯示單元耦合連接該處理單元，該顯示單元即時呈現該感測模組的偵測結果。
如請求項9之智慧型室內二氧化碳捕集與監測設備，其中，該處理單元判斷溼度變化量或二氧化碳濃度變化量異常，該處理單元透過該顯示單元發出一警示資訊。
一種逃生導引裝置，其包括：<br/> 一基座；以及<br/> 一指向性結構，形成於該基座之表面，並具一非對稱梯度設置以界定一導引方向。
如請求項1所述之逃生導引裝置，其中，該指向性結構包含：<br/> 至少一突起部，自該基座之表面朝遠離該基座之方向延伸形成，且各該突起部之物理高度係獨自或共同沿該導引方向形成該非對稱梯度設置。
如請求項1所述之逃生導引裝置，其中，該指向性結構包含：<br/> 至少一突起部，自該基座之表面朝遠離該基座之方向延伸形成，且各該突起部之物理長度係獨自或共同沿該導引方向形成該非對稱梯度設置。
如請求項1所述之逃生導引裝置，其中，該指向性結構包含：<br/> 至少一凹陷部，由該基座之表面朝該基座內部之方向延伸形成，且各該凹陷部之物理深度係獨自或共同沿該導引方向形成該非對稱梯度設置。
如請求項1所述之逃生導引裝置，其中，該指向性結構包含：<br/> 至少一凹陷部，由該基座之表面朝該基座內部之方向延伸形成，且各該凹陷部之物理寬度係獨自或共同沿該導引方向形成該非對稱梯度設置。
如請求項1所述之逃生導引裝置，其中，該基座進一步包含：<br/> 一基部；以及<br/> 一透光殼體，罩覆於該基部表面，並與該基部之間共同圍設形成一容納空間，且該指向性結構設置於該透光殼體之表面；<br/> 而該逃生導引裝置進一步包括：<br/> 一電路載體，設於該容納空間內；<br/> 一控制處理模組，設於該電路載體上；以及<br/> 至少一發光模組，設於該電路載體上，並與該控制處理模組電性連接，其包含：<br/> 複數發光元件，且該些發光元件沿該導引方向呈序列狀設置。
如請求項6所述之逃生導引裝置，其中，該複數發光元件分別設置於該指向性結構之垂直投影區域內。
如請求項6所述之逃生導引裝置，其中，該些發光模組透過該控制處理模組驅動以產生具方向性之一序列流動光，且該序列流動光之移動方向與該導引方向保持一致。
如請求項6所述之逃生導引裝置，進一步包括：<br/> 至少一語音模組及至少一訊號連接模組，分別設於該電路載體上，並分別與該控制處理模組電性連接。
如請求項6至9中任一項之逃生導引裝置，其中，該透光殼體之表面呈霧面或半透明狀。
一種智慧電源延長線插座，包括：<br/> 一插座座體，具有複數個容置槽；<br/> 一電路板模組，包含一工作主板及複數個接口部，該工作主板位於該插座座體內，用以藉由一交流電線路網格電連接一市電系統，該些接口部中每一者固定於該工作主板上且外露於該些容置槽其中之一內；<br/> 複數個工作插件，分別可移除地位於該些容置槽內，且該些工作插件中每一者具有一接頭部，該些工作插件之該些接頭部分別可插拔地連接該些容置槽內之該些接口部，其中該些接頭部具有彼此相同之訊號腳位定義；以及<br/> 一電力線通訊(PLC)模組，位於該插座座體內，且固定於該工作主板上，用以依據一PLC協定方式沿著該交流電線路網格電連接一網路設備，該PLC模組用以將該些工作插件所分別傳來的工作訊號轉換為PLC訊號，或者將從該交流電線路網格傳來的另一PLC訊號轉換為合適該些工作插件之另一工作訊號。
如請求項1所述之智慧電源延長線插座，其中該些接頭部與一USB Type-C連接埠具有彼此相同外觀，該些接頭部中每一者之所述訊號腳位定義與該USB Type-C連接埠之訊號腳位定義不同。
如請求項2所述之智慧電源延長線插座，其中該些接頭部中每一者之所述訊號腳位定義係選自由以下組成的群組：聲音傳輸腳位、影像傳輸腳位、網路傳輸腳位、接地傳輸腳位、串列傳輸腳位、序列傳輸腳位及電力傳輸腳位及其組合。
如請求項1所述之智慧電源延長線插座，其中該些工作插件中每一者包含一通訊傳輸裝置、一USB Type-C連接埠、一USB-PD連接埠、一USB Type A連接埠、一USB Type C Alt-mode連接埠、一PoE連接埠、一DP模組、一HDMI傳送埠、一HDMI接收埠、一RJ-45連接埠、一RS-232連接埠、一RS-485連接埠及一USB 橋接模組至少其中之一，其中該通訊傳輸裝置為藍芽與WIFI模組其中之一。
如請求項1所述之智慧電源延長線插座，其中該插座座體具有至少一市電插口，該市電插口藉由該交流電線路網格電連接一市電系統。
如請求項1所述之智慧電源延長線插座，其中該些工作插件中每一者更具有一連接埠，該連接埠與該接頭部分別位於該工作插件之二相對側面，或者位於該工作插件之二相鄰面。
如請求項1所述之智慧電源延長線插座，其中該些接口部其中之一包含彼此並列之二個母插槽，該些接頭部其中之一包含彼此並列之二個公接頭，該二個公接頭分別插入該二個母插槽。
如請求項1所述之智慧電源延長線插座，其中該電路板模組上內建有一影像輸入輸出單元，該影像輸入輸出單元位於該工作主板上，用以由該工作主板接收或傳出影像訊號。
如請求項8所述之智慧電源延長線插座，其中該電路板模組上內建有一切換鍵，該切換鍵電連接該工作主板，用以切換控制所述影像訊號之輸入或輸出。
如請求項1所述之智慧電源延長線插座，其中該插座座體具有至少一低速用通訊介面，該低速用通訊介面透過一網路架構電連接一監控裝置。
一種智慧電源延長線控制系統，包含：<br/> 如請求項1至9中任一項所述之智慧電源延長線插座，其中該插座座體具有至少一低速用通訊介面；以及<br/> 一監控裝置，透過一網路架構電連接該智慧電源延長線插座之該低速用通訊介面，用以監控、分析或遠端控制該智慧電源延長線插座與該些工作插件至少其中之一的用電值及使用數據。
一種財富集中再分配系統，包含：<br/> 一身份驗證模組，用以提供一驗證程序以驗證多個使用者之身份；<br/> 一綁定模組，用以根據該身份驗證模組之該驗證程序綁定該多個使用者；<br/> 一定額扣款模組，用以根據該綁定模組之資訊，於一固定時間對該多個使用者之帳戶收取一固定金額；<br/> 一金流串接模組，用以將所收取之該固定金額匯集至一資金集中帳戶；以及<br/> 一定額分配模組，用以依據一抽獎模組之抽獎結果，將該資金集中帳戶內之一總金額換算為一獎金金額後進行分配。
如請求項1所述之財富集中再分配系統，其中該抽獎模組係根據一演算法對該多個使用者進行分組後，再分別於各分組內抽取至少一獲獎者。
如請求項2所述之財富集中再分配系統，更包含一領獎模組，用以驗證該至少一獲獎者之資訊並進行獎金之發放。
如請求項2所述之財富集中再分配系統，更包含一參與者資料庫及一中獎者資料庫，該參與者資料庫用以儲存該多個使用者之身份資訊，該中獎者資料庫用以儲存該至少一獲獎者之身份資訊。
如請求項2所述之財富集中再分配系統，更包含一公平性驗證模組，其可由該至少一獲獎者進行下一輪之抽獎。
如請求項2所述之財富集中再分配系統，更包含一公開查詢資料庫，用以查詢該至少一獲獎者之部分資訊。
一種智慧型衛浴設備，包含：<br/> 一馬桶單元，包括一馬桶及一樞設於該馬桶的馬桶墊，該馬桶墊具有一座墊圈及一座墊蓋，該座墊圈具有一圈前端部及一樞設於該馬桶的圈後端部，該座墊蓋具有一蓋前端部及一樞設於該座墊圈的蓋後端部；及<br/> 一面向偵測控制單元，用以產生一相關於一使用者的面向方向的面向資訊而驅動該馬桶單元的該馬桶墊，該面向偵測控制單元包括：<br/> 一驅動裝置，設置於該馬桶單元並可被控制地驅動該座墊圈樞轉於貼靠該馬桶的一使用位置與該圈前端部相對遠離該馬桶的一上掀位置，以及驅動該座墊蓋於貼靠該座墊圈的一閉合位置與該蓋前端部相對遠離該馬桶的一直立位置樞轉；<br/> 一壓力感測器，臨靠該馬桶地設置於地面，用以供該使用者踩踏而獲得一壓力分布數據，該壓力分布數據相關於該使用者之腳底對於該壓力感測器所施加的壓力；<br/> 一運算控制器，電連接該壓力感測器以接收該壓力分布數據，並電連接該驅動裝置以驅動該馬桶墊，該運算控制器根據該壓力分布數據判斷該使用者之腳底的跖丘與足跟分別的位置而產生該面向資訊；<br/> 其中，該運算控制器判斷該面向資訊是否指示為一第一面向及一第二面向的其中一者，該第一面向相關於該使用者的面向方向是朝向該馬桶，該第二面向相關於該使用者的面向方向是背對該馬桶；<br/> 其中，當該面向資訊指示為該第一面向時，該運算控制器指示該驅動裝置驅動該座墊蓋於該直立位置，及驅動該座墊圈於該使用位置；<br/> 其中，當該面向資訊指示為該第二面向時，該運算控制器指示該驅動裝置驅動該座墊蓋於該直立位置，及驅動該座墊圈於該使用位置。
如請求項1所述的智慧型衛浴設備，其中，該馬桶單元還包括一用以向該馬桶提供液體的沖水組件，<br/> 其中，當該壓力感測器沒有產生該壓力分布數據時，該運算控制器響應於沒有自該壓力感測器接收到該壓力分布數據而指示該沖水組件啟動而向該馬桶提供液體，並指示該驅動裝置驅動該座墊蓋於該閉合位置，以及驅動該座墊圈於該使用位置。
如請求項1所述的智慧型衛浴設備，其中，該壓力感測器包括一第一區塊、一第二區塊、一第三區塊及一第四區塊，該壓力分布數據具有複數筆源自該第一區塊、該第二區塊、該第三區塊及該第四區塊所產生的壓力數據。
如請求項3所述的智慧型衛浴設備，其中，對於該壓力分布數據，當該第一區塊與該第三區塊所產生的該等壓力數據高於該第二區塊與該第四區塊所產生的該等壓力數據時，該運算控制器判斷該使用者之跖丘相對足跟是更接近該馬桶而產生指示該第一面向的該面向資訊。
如請求項3所述的智慧型衛浴設備，其中，對於該壓力分布數據，當該第一區塊與該第三區塊所產生的該等壓力數據低於該第二區塊與該第四區塊所產生的該等壓力數據時，該運算控制器判斷該使用者之跖丘相對足跟是更遠離該馬桶而產生指示該第二面向的該面向資訊。
一種面向偵測控制單元，適用於一包括一馬桶及一馬桶墊的馬桶單元，該馬桶墊具有一座墊圈及一座墊蓋，該座墊圈具有一圈前端部及一樞設於該馬桶的圈後端部，該座墊蓋具有一蓋前端部及一樞設於座墊圈的蓋後端部，該面向偵測控制單元包含：<br/> 一驅動裝置，設置於該馬桶單元並可被控制地驅動該座墊圈樞轉於一貼靠該馬桶的使用位置與一該圈前端部相對遠離該馬桶的上掀位置，以及驅動該座墊蓋樞轉於一貼靠該座墊圈的閉合位置與一該蓋前端部相對遠離該馬桶的直立位置；<br/> 一壓力感測器，臨靠該馬桶地設置於地面，用以供一使用者踩踏而獲得一壓力分布數據，該壓力分布數據相關於該使用者之的腳底對於該壓力感測器所施加的壓力；及<br/> 一運算控制器，電連接該壓力感測器以接收該壓力分布數據，並電連接該驅動裝置以驅動該馬桶墊，該運算控制器根據該壓力分布數據判斷該使用者之腳底的跖丘與足跟分別的位置而產生一面向資訊；<br/> 其中，該運算控制器判斷該面向資訊是否指示為一第一面向及一第二面向的其中一者，該第一面向相關於該使用者的面向方向是朝向該馬桶，該第二面向相關於該使用者的面向方向是背對該馬桶；<br/> 其中，當該面向資訊指示為該第一面向時，該運算控制器指示該驅動裝置驅動該座墊蓋於該直立位置，及驅動該座墊圈於該使用位置；<br/> 其中，當該面向資訊指示為該第二面向時，該運算控制器指示該驅動裝置驅動該座墊蓋於該直立位置，及驅動該座墊圈於該使用位置。
如請求項6所述的面向偵測控制單元，該馬桶單元還包括一沖水組件，<br/> 其中，當該壓力感測器沒有產生該壓力分布數據時，該運算控制器響應於沒有自該壓力感測器接收到該壓力分布數據而指示該沖水組件啟動而向該馬桶提供液體，並指示該驅動裝置驅動該座墊蓋於該閉合位置，以及驅動該座墊圈於該使用位置。
如請求項6所述的面向偵測控制單元，其中，該壓力感測器包括分別供該使用者踩踏的一第一區塊、一第二區塊、一第三區塊及一第四區塊，該壓力分布數據具有複數筆源自該第一區塊、該第二區塊、該第三區塊及該第四區塊所產生的壓力數據。
如請求項8所述的面向偵測控制單元，其中，對於該壓力分布數據，當該第一區塊與該第三區塊所產生的該等壓力數據低於該第二區塊與該第四區塊所產生的該等壓力數據時，該運算控制器判斷該使用者之跖丘相對足跟是更接近該馬桶而產生指示該第一面向的該面向資訊。
如請求項8所述的面向偵測控制單元，其中，對於該壓力分布數據，當該第一區塊與該第三區塊所產生的該等壓力數據高於該第二區塊與該第四區塊所產生的該等壓力數據時，該運算控制器判斷該使用者之跖丘相對足跟是更遠離該馬桶而產生指示該第二面向的該面向資訊。
一種配電盤改良結構，其用於固定複數個配件，且包含： <br/> 一底盤，其包含有複數個安裝部，各該安裝部設有位置相對的一固定座及一安裝孔；以及 <br/> 複數個卡扣，各該卡扣設於對應的其中一所述安裝部的安裝孔，且包含 <br/> 一安裝座，該安裝座結合於該安裝孔； <br/> 一活動扣件，其設於該安裝座，且能相對該安裝座移動而靠近或遠離該固定座；以及 <br/> 一彈性件，其設於該安裝座與該活動扣件之間，且能以彈力推動該活動扣件朝向該固定座移動，使該活動扣件能卡抵住所述配件，讓所述配件固定於該固定座與該活動扣件之間。
如請求項1所述之配電盤改良結構，其中所述卡扣包含有一滑軌，該滑軌設於該安裝座及該活動扣件的其中一者，該安裝座及該活動扣件的另外一者則嵌入該滑軌而能沿著該滑軌移動。
如請求項2所述之配電盤改良結構，其中所述安裝座設有一通孔，該活動扣件設有一中柱，該中柱能穿置該通孔活動，該彈性件係環繞該中柱設置，且抵靠於該通孔的邊緣。
如請求項1所述之配電盤改良結構，其中所述安裝座設有一通孔，該活動扣件設有一中柱，該中柱能穿置該通孔活動，該彈性件係環繞該中柱設置，且抵靠於該安裝座於該通孔周邊的部分。
如請求項1至4中任一項所述之配電盤改良結構，其中所述安裝座設有一卡合部，該卡合部能彈性變形而卡合於該安裝孔。
如請求項1至4中任一項所述之配電盤改良結構，其中所述活動扣件與該安裝座之間形成一內部空間，該彈性件位於該內部空間，該安裝座設有一開口，該開口連通該內部空間與外界。
如請求項1至4中任一項所述之配電盤改良結構，其中所述活動扣件上設有一卡抵凸部，該卡抵凸部朝向該固定座的方向凸伸，且能伸入所述配件的一卡抵孔中而卡抵所述配件。
如請求項1至4中任一項所述之配電盤改良結構，其中所述活動扣件設有一直立部，該直立部朝向遠離該底盤的方向延伸而成。
如請求項1至4中任一項所述之配電盤改良結構，其中所述活動扣件凸設有一凸伸部，該彈性件朝向該固定座推動該活動扣件一段距離後，該凸伸部能抵靠於該安裝座，使該活動扣件停止移動。
如請求項1至4中任一項所述之配電盤改良結構，其中所述底盤設有一頭座、一尾座、複數個中間座，以及至少一銅排，該頭座、該複數個中間座及該尾座沿著一直線依序拼接組合並固定於該底盤的一盤體上，該至少一銅排設於該頭座、該複數個中間座及該尾座上，各該安裝部的固定座形成於該至少一銅排上。
一種用於伸縮縫的高架地板防震結構，包括有：<br/> 一槽鋼，具有一溝槽，該溝槽的開口面向該槽鋼底部；<br/> 一第一腳架，分別設置於該槽鋼的兩端，該第一腳架的頂端位於該溝槽內，且該第一腳架的底端分別固定並鄰近於一伸縮縫兩側，該伸縮縫位於相鄰二樓板之間；<br/> 一第二腳架，分別設置於二該樓板上，且與該第一腳架相距至少一距離；<br/> 一第一收邊高架地板，設置於二該樓板其中之一上，該第一收邊高架地板一側固定於該第二腳架上，且相對於該第一收邊高架地板該測的另一側疊放於該槽鋼的一端上；<br/> 一第二收邊高架地板，設置於二該樓板其中之另一上，該第二收邊高架地板一側固定於另一該第二腳架上，且相對於該第二收邊高架地板該測的另一側疊放於該槽鋼的另一端上；以及<br/> 一防震單元，設置於該第一收邊高架地板與該第二收邊高架地板之間，且該防震單元疊放於該槽鋼上，該防震單元包括有：<br/> 一第三收邊高架地板，該第三收邊高架地板相對的二側之一具有一切割面，而另一側固定於該槽鋼上；<br/> 一第一滑動塊，為直角梯形外形，具有一第一斜面以及一直角面，該直角面與該切割面抵靠；以及<br/> 一第二滑動塊，為直角梯形外形，具有一第二斜面，該第二斜面與該第一斜面貼合；<br/> 其中，該槽鋼頂面承載部分的該第一收邊高架地板、部分的該第二收邊高架地板以及該防震單元。
如請求項1所述的用於伸縮縫的高架地板防震結構，其中，該第一腳架包括有一支撐管、一底板以及一頂板，該底板係連接於該支撐管底端，該底板以螺栓固定於該樓板上，該頂板底部固設有垂直方向延伸的一螺桿，該螺桿係螺接於該支撐管，該螺桿上螺接有螺帽，可將螺桿鎖固於該支撐管上。
如請求項2所述的用於伸縮縫的高架地板防震結構，其中，該槽鋼兩端的其中之一與該頂板以螺栓固定於該溝槽底面。
如請求項2所述的用於伸縮縫的高架地板防震結構，其中，該第一收邊高架地板相對的二側之一固定於該第二腳架上，是以一固定螺栓由上往下穿過該第一收邊高架地板並鎖固於該頂板，而另一側不被固定於該第二腳架上。
如請求項1所述的用於伸縮縫的高架地板防震結構，其中，該第二腳架包括有一支撐管、一底板以及一頂板，該底板係連接於該支撐管底端，該底板以螺栓固定於該樓板上，該頂板底部固設有垂直方向延伸的一螺桿，該螺桿係螺接於該支撐管，該螺桿上螺接有螺帽，可將螺桿鎖固於該支撐管上。
如請求項5所述的用於伸縮縫的高架地板防震結構，其中，該第二收邊高架地板一側固定於另一該第二腳架上，是以一固定螺栓由上往下穿過該第二收邊高架地板並鎖固於該頂板。
如請求項1所述的用於伸縮縫的高架地板防震結構，其中，該槽鋼具有一第一長度，該防震單元具有一第二長度，該第一長度大於該第二長度。
如請求項7所述的用於伸縮縫的高架地板防震結構，其中，該第一收邊高架地板具有一第三長度，該第二收邊高架地板具有一第四長度，該第一長度大於該第三長度，該第一長度大於該第四長度。
如請求項8所述的用於伸縮縫的高架地板防震結構，其中，該距離小於該第三長度；該距離小於該第四長度。
如請求項1所述的用於伸縮縫的高架地板防震結構，其中，該第三收邊高架地板頂面、該第一滑動塊頂面以及該第二滑動塊頂面，三者為同一平面接合；該第一收邊高架地板頂面、該第二收邊高架地板頂面以及該防震結構頂面，三者為同一平面接合。
如請求項1所述的用於伸縮縫的高架地板防震結構，其中，該第一滑動塊以及該第二滑動塊透過該第一斜面與該第二斜面進行一斜面運動，該斜面運動將利用斜面結構來耗散地震能量，降低傳遞加速度。
如請求項2所述的用於伸縮縫的高架地板防震結構，其中，該第三收邊高架地板一側固定於該溝槽底部，是以一固定螺栓由上往下穿過該第三收邊高架地板以及該槽鋼，並鎖固於該溝槽底部，該槽鋼固定於該第一腳架上且該第三收邊高架地板另一側不被固定於該槽鋼上。
一種具雙層結構的容器，其包含： <br/> 一外層盒體，其包含有一第一容納空間、一外盒口及一外盒壁，該外盒口連通該第一容納空間，該外盒壁圍繞該外盒口及該第一容納空間；以及 <br/> 一內層盒體，其容納於該第一容納空間，且包含有一第二容納空間、一內盒口及一內盒壁，該內盒口連通該第二容納空間，該內盒壁圍繞該第二容納空間及該內盒口，且於該內盒口的周邊向外凸設有一凸緣，該凸緣卡抵於該外盒壁的內側，使該內層盒體維持在該第一容納空間中的固定位置。
如請求項1所述之具雙層結構的容器，其中所述外盒壁的內側凹設有一凹溝，該內盒壁的凸緣卡入該外盒壁的凹溝內。
如請求項1所述之具雙層結構的容器，其中所述外盒壁的內側設有一階級緣，該內盒壁的凸緣卡抵於該階級緣上。
如請求項1所述之具雙層結構的容器，其中所述外盒壁的內側為一平滑面。
如請求項1至4中任一項所述之具雙層結構的容器，其中所述外層盒體的外盒壁沿著該外盒口朝向該第一容納空間的方向漸縮。
如請求項1至4中任一項所述之具雙層結構的容器，其中所述凸緣位於該內盒壁的頂端，該內盒壁的底端連接一內盒底，該凸緣與該內盒壁的底端係同時卡抵於該外盒壁的內側，使該內層盒體維持在固定位置。
如請求項6所述之具雙層結構的容器，其中所述內盒壁與該內盒底之間的夾角定義為一內盒角度，該外盒壁與該內盒底之間的夾角定義為一外盒角度，該外盒角度大於該內盒角度。
如請求項1至4中任一項所述之具雙層結構的容器，其中所述內層盒體能以該凸緣卡抵於該外盒壁的內側而遮蓋該外層盒體的外盒口。
如請求項1至4中任一項所述之具雙層結構的容器，其中所述內盒壁連接有複數個提拿片，該複數個提拿片能於該第二容納空間內相對該內盒壁擺動。
如請求項9所述之具雙層結構的容器，其中所述內層盒體於該內盒壁上貫設有複數個連通孔，該複數個連通孔連通該第一容納空間及該第二容納空間，各該提拿片連接於對應的其中一所述連通孔的邊緣，且各該提拿片的輪廓與對應之所述連通孔的輪廓相匹配。
一種強化型過濾燒結板，其包含：<br/> 一基座，其具有一第一面及相反於該第一面之一第二面，其中，該第二面沿該基座之外周緣環凹設一密封槽；以及<br/> 一過濾板，其與該基座一體成形，該過濾板具有相反設置之一第一端部及一第二端部，該過濾板之該第一端部與該基座之該第二面連結，其中，該過濾板具有一框體及一過濾部，該過濾部設置於該框體之對稱兩側面，該過濾部具有複數凹部、複數凸部、複數第一斜面及複數第二斜面，各該凹部與各該凸部連續間隔連結形成波浪狀，各該第一斜面分別連結於該第一端部且傾斜設置於各該凹部，各該第二斜面連結於該第二端部且傾斜設置於各該凹部，且各該第一斜面及各該第二斜面之兩側邊連結於相鄰之該兩凸部。
如請求項1所述之強化型過濾燒結板，其中，該框體具有兩第一框面及兩第二框面，該兩第二框面連結於該兩第一框面之間，該過濾部設於該兩第二框面。
如請求項2所述之強化型過濾燒結板，其中，各該第一斜面由該兩第二框面往各該凹部內傾斜。
如請求項2所述之強化型過濾燒結板，其中，各該第二斜面由該兩第二框面往各該凹部內傾斜。
如請求項2至4中任一項所述之強化型過濾燒結板，其中，該兩第一框面為弧形狀。
如請求項5所述之強化型過濾燒結板，其中，該兩第二框面為平面狀。
如請求項1所述之強化型過濾燒結板，其中，該第一面與該第二面之間貫穿複數開孔。
如請求項7所述之強化型過濾燒結板，其中，各該開孔為不規則形狀且為漸縮狀。
如請求項7或8所述之強化型過濾燒結板，其中，各該開孔由該第一面往該第二面方向漸縮。
如請求項1所述之強化型過濾燒結板，更具有一相接件，其一體連結於該過濾板之該第二端部。
一種棘輪衣架，係包含定位桿、上蓋、棘爪、旋轉棘輪、延伸桿、下蓋和衣架主體所組合而成，其中，定位桿有固定的尺寸，用於限制棘爪的位置及旋轉方向，棘爪共2個，呈不對稱傾斜菱形，位於定位桿兩側，該棘爪受定位桿和旋轉棘輪限制其僅能單一方向旋轉，旋轉棘輪兩個，位於棘爪外側，可繞其中心軸單一方向旋轉，定位桿、棘爪和旋轉棘輪受上蓋、和下蓋闔上以固定相對位置，其機構與習知的棘輪扳手相似，延伸桿的旋轉中心與旋轉棘輪中心軸重合並且同步旋轉，將旋轉棘輪中心軸安裝在衣架主體之上即可，使用時，只需分別轉動延伸桿，該延伸桿可以任意停留在不同的角度，藉以調整衣架的寬度。
一種電熱管結構，其可拆裝式地連接於一儲存裝置，該儲存裝置具有一儲存管及連接於該儲存管一端的一基座，該基座貫穿設置有一第一安裝孔及設於該第一安裝孔周圍的複數第一固定孔，該電熱管結構包含：<br/> 一止漏件，其設於該基座遠離該儲存管一側，該止漏件對應該第一安裝孔及該些第一固定孔分別同軸貫穿設置有一第二安裝孔及複數第二固定孔；<br/> 一固定裝置，其設於該止漏件遠離該儲存管一側，該固定裝置具有一安裝件、一定位件及複數固定件，該安裝件係對應於該第二安裝孔設置，該定位件設於該安裝件遠離該儲存管一側，該定位件對應該些第二固定孔同軸貫穿設置有複數第三固定孔，各該固定件貫穿固定於對應的各該第一固定孔、各該第二固定孔及各該第三固定孔；以及<br/> 一電熱管體，其具有一加熱段及一安裝段，該加熱段穿過該第一安裝孔及該第二安裝孔以設置於該儲存管中，該安裝段固定連接於該安裝件。
如請求項1所述之電熱管結構，其中，該止漏件朝向該儲存管之方向凸設有一第一卡接部，該第一卡接部卡設於該第一安裝孔，該第二安裝孔貫穿設於該第一卡接部。
如請求項1所述之電熱管結構，其中，該安裝件朝向該儲存管之方向凸設有一第二卡接部，該第二卡接部卡設於該第二安裝孔。
如請求項3所述之電熱管結構，其中，該第二卡接部貫穿設置有複數第三安裝孔，該安裝段穿接固定於該些第三安裝孔。
如請求項1所述之電熱管結構，其中，該安裝件及該定位件為一體成型。
如請求項1所述之電熱管結構，其中，該定位件包含呈對稱設置的一第一定位部及一第二定位部，該第一定位部及該第二定位部抵壓於該安裝件遠離該儲存管一側。
如請求項6所述之電熱管結構，其中，該第一定位部與該第二定位部為一體成型。
如請求項6所述之電熱管結構，其中，該第一定位部與該第二定位部之間具有一間隔距離。
如請求項1所述之電熱管結構，其中，該止漏件及該固定裝置之材質皆為非銅金屬。
一種教具，包括一坡度部件以及至少一無動力自走移動部件；其中：<br/> 所述坡度部件，包括一坡度架以及一架設在所述坡度架上而具一傾斜度的坡度板；<br/> 所述無動力自走移動部件，包括部件主體，所述部件主體設有向下延伸的固定支撐部以及活動支撐部，所述固定支撐部係固定設置於所述部件主體，所述活動支撐部係偏心活動組接於所述部件主體，且所述活動支撐部相對位於所述固定支撐部後方，在所述無動力自走移動部件放置於所述坡度板上的狀態下，所述無動力自走移動部件因自重力位能釋放產生下坡動力而得在所述坡度板上自走移動。
如請求項1所述之教具，其中，所述坡度板的其一表面為光滑面，而相對所述光滑面的另一表面為粗糙面。
如請求項1或2所述之教具，其中，所述坡度架包括有位在左、右二側的支撐側板，並在二側的所述支撐側板上設有多數個由上而下排列且相對應成對的坡度調整卡槽，每一對所述坡度調整卡槽為所述坡度板的一端嵌入卡設。
如請求項3所述之教具，其中，所述坡度架還包括一支撐橫板，所述支撐橫板在其中一邊設有二第一卡接槽，二所述第一卡接槽之間相距一預設距離，二所述支撐側板的下端各設有一第二卡接槽，二所述第一卡接槽對應嵌設二所述第二卡接槽，令所述支撐橫板橫設架接於二所述支撐側板的下端之間。
如請求項4所述之教具，其中，所述部件主體包括有二平行設置的造型板件，二所述造型板件各向下設有一延伸段，二所述延伸段相對應且形成所述固定支撐部，所述活動支撐部樞組於二所述造型板件之間，並能在一預設的角度範圍內自由擺動。
如請求項5所述之教具，其中，二所述延伸段之間橫設一前載板，所述前載板上設有一第三卡接槽，一前加重板，其上設有一第四卡接槽，所述第四卡接槽與所述第三卡接槽對應嵌合卡接，令所述前加重板組設於所述前載板上。
如請求項6所述之教具，其中，所述活動支撐部包括二對應的活動側板與一橫設在二所述活動側板之間的銜接橫板。
如請求項7所述之教具，其中，二所述造型板件之間設有至少一組接橫板。
如請求項8所述之教具，其中，在其一所述組接橫板上凸伸有立柱，至少一後加重板，其設有第五卡接槽，所述第五卡接槽為所述立柱對應嵌合，使所述後加重板組設於所述立柱上。
如請求項9所述之教具，其中，設有所述立柱的所述組接橫板設有取拿缺口。
如請求項1或2所述之教具，其中，所述部件主體包括有二平行設置的造型板件，二所述造型板件各向下設有一延伸段，二所述延伸段相對應且形成所述固定支撐部，所述活動支撐部樞組於二所述造型板件之間，並能在一預設的角度範圍內自由擺動。
如請求項11所述之教具，其中，二所述延伸段之間橫設一前載板，所述前載板上設有一第三卡接槽，一前加重板，其上設有一第四卡接槽，所述第四卡接槽與所述第三卡接槽對應嵌合卡接，令所述前加重板組設於所述前載板上。
如請求項12所述之教具，其中，所述活動支撐部包括二對應的活動側板與一橫設在二所述活動側板之間的銜接橫板。
如請求項13所述之教具，其中，二所述造型板件之間設有至少一組接橫板。
如請求項14所述之教具，其中，在其一所述組接橫板上凸伸有立柱，至少一後加重板，其設有第五卡接槽，所述第五卡接槽為所述立柱對應嵌合，使所述後加重板組設於所述立柱上。
如請求項15所述之教具，其中，設有所述立柱的所述組接橫板設有取拿缺口。
一種掌上型無線實物攝影機，包含有：<br/> 一連接件，一端設有一裝設部；以及<br/> 一影像擷取裝置，安裝於該連接件之該裝設部，中央設有一鏡頭單元用以擷取周圍影像以產生一影像資料。
如請求項1所述之掌上型無線實物攝影機，其中該影像擷取裝置具有一本體，該鏡頭單元設於該本體之中央；及複數個補光單元設於該本體並環繞於該鏡頭單元周圍。
如請求項2所述之掌上型無線實物攝影機，其中該影像擷取裝置具有一收音單元，設於該本體內部，用以擷取該本體周圍的聲音以產生一音訊資料。
如請求項2所述之掌上型無線實物攝影機，其中該影像擷取裝置具有一無線連接單元，通訊連接於一顯示設備，用以將該鏡頭單元產生之該影像資料傳輸至該顯示設備顯示。
如請求項1所述之掌上型無線實物攝影機，更包含有一基座；其中該連接件以可拆離的方式連接於該基座，藉此該連接件可固定於該基座上進行影像擷取，或從該基座拆下而供使用者手持移動進行影像擷取。
如請求項5所述之掌上型無線實物攝影機，其中該基座具有一第一支架及一第二支架；該第一支架以可轉動的方式樞接於該基座；該第二支架以可轉動的方式樞接於該第一支架相對該基座之一側。
如請求項6所述之掌上型無線實物攝影機，其中該第一支架具有一外架及一內架，該外架連接於該基座；該內架以可升降的方式穿設於該外架內部，並可沿該外架之軸向移動。
如請求項6所述之掌上型無線實物攝影機，其中該連接件具有一第三支架及一第四支架；該第三支架以可拆離的方式連接於該第二支架；該第四支架以可轉動的方式連接於該第三支架相對該第二支架之一端。
如請求項8所述之掌上型無線實物攝影機，其中該裝設部以可轉動的方式連接於該第四支架。
如請求項8所述之掌上型無線實物攝影機，其中該第二支架相對該第一支架之一端設有一第一連接單元，該第三支架相對該第四支架之一端設有一第二連接單元；藉此當該連接件連接於該基座時，該第二連接單元以可拆離的方式結合於該第一連接單元。
如請求項1所述之掌上型無線實物攝影機，其中該裝設部內部更包含有一環形補光燈，環繞於該影像擷取裝置之外周緣。
如請求項1所述之掌上型無線實物攝影機，其中該裝設部之一端設有一第三連接單元，該影像擷取裝置之一端設有一第四連接單元；藉此當該影像擷取裝置連接於該連接件時，該第四連接單元以可拆離的方式結合於該第三連接單元。
如請求項1所述之掌上型無線實物攝影機，其中該影像擷取裝置以磁吸的方式連接於該連接件。
如請求項5所述之掌上型無線實物攝影機，其中該基座具有一控制面板，該控制面板設有複數個控制鍵，用以控制該影像擷取裝置之運作。
一種具有後背包空間之雨衣，其雨衣的背片部主要包含有一上背布及下背布，其中：<br/> 在該下背布二側相對應處分別設有折疊段，並將該下背布上端結合於該上背布，而該下背布下端與一收襟布結合一起，該二折疊段能撐張鼓起形成一容置後背包的包覆空間者。
如請求項1所述具有後背包空間之雨衣，其中該上背布與下背布結合處設有反光飾條。
一種具防水透氣之鞋墊結構，包含：<br/>一軟質鞋墊，具有一第一端及一第二端，其中該第一端之外周成形有呈立體周面型態之一外側緣，且該外側緣內側成形有一內側緣；該第二端之頂端表面分佈有複數止滑顆粒，且該外側緣上亦分佈有複數止滑顆粒；該軟質鞋墊具有一底端面，該底端面亦分佈有複數止滑顆粒，且該軟質鞋墊於預定位置貫穿形成有複數透氣孔；以及<br/>一防水透氣布層，係覆設結合於該軟質鞋墊之頂端表面，使該軟質鞋墊之止滑顆粒成型浮凸並外露於該防水透氣布層之表面，以同時達成防水、透氣及止滑之功效。
如請求項1所述之具防水透氣之鞋墊結構，其中該軟質鞋墊之材質係由聚氨酯(Polyurethane，PU)製成。
如請求項1所述之具防水透氣之鞋墊結構，其中該防水透氣布層係由尼龍結合膨體聚四氟乙烯(ePTFE)所構成，並採用具防水透氣特性之膜層結構製成。
如請求項1所述之具防水透氣之鞋墊結構，其中該防水透氣布層係藉由高周波熔接技術外覆結合於該軟質鞋墊之頂端表面。
一種組合式格柵結構，包含： <br/>一基座板體(1)，其一基座底板表面(12)貫穿有複數個第一固定孔； <br/>一延伸件(2)，具有一第一延伸側板(21)、一第二延伸側板(22)與一延伸底板(23)，其中該第一延伸側板(21)的一端與該第二延伸側板(22)的一端分別連接於該延伸底板(23)的兩端，而該第一延伸側板(21)的另一端與該第二延伸側板(22)的另一端連接於該基座板體(1)之該基座底板表面(12)，且在該延伸底板(23)上開設有複數個第二固定孔；以及 <br/>一裝飾件(3)，連接於該延伸件(2)之該延伸底板(23)，其一裝飾外側(31)的一外側表面(31a)開設有一嵌槽(311)，且該嵌槽(311)、該延伸件(2)與該基座板體(1)位於同一軸線上，並藉由複數個固定組件(4)設置於該裝飾件(3)之該嵌槽(311)，以及穿過該延伸件(2)之複數個第二固定孔與該基座板體(1)之複數個第一固定孔，將該裝飾件(3)、該延伸件(2)與該基座板體(1)彼此固定在一起。
如請求項1所述之組合式格柵結構，其中該基座板體(1)具有一基座頂板表面(11)，該基座頂板表面(11)與該基座底板表面(12)彼此對應，且在該基座頂板表面(11)開設有一容置槽(111)，該容置槽(111)於該基座頂板表面(11)形成一容置口(1111)。
如請求項1所述之組合式格柵結構，其中該基座板體(1)之該基座底板表面(12)延伸出兩個支撐板(121)，該兩個支撐板(121)之間用於容置每一該固定組件(4)的一部份，且該基座板體(1)之該兩個支撐板(121)貼合著該延伸件(2)之該第一延伸側板(21)與該第二延伸側板(22)，使該延伸件(2)穩固的設置於該基座板體(1)之該基座底板表面(12)。
如請求項3所述之組合式格柵結構，其中該基座板體(1)之該兩個支撐板(121)位於該延伸件(2)之該第一延伸側板(21)與該第二延伸側板(22)之間。
如請求項4所述之組合式格柵結構，其中該基座板體(1)之該兩個支撐板(121)自該基座底板表面(12)延伸至該延伸件(2)的一延伸底板內表面(23a)，使該兩個支撐板(121)抵頂住該延伸件(2)的該延伸底板內表面(23a)。
如請求項1所述之組合式格柵結構，其中該裝飾件(3)之該嵌槽(311)於該外側表面(31a)形成一槽口(3111)，且該槽口(3111)的一槽口寬度(D1)小於該嵌槽(311)的一槽底寬度(D2)，使該嵌槽(311)的兩側於該裝飾件(3)之該外側表面(31a)內形成兩個嵌合部(312)。
如請求項1所述之組合式格柵結構，其中該延伸件(2)的一延伸底板外表面(23b)凸設有一接合部(231)，該接合部(231)用於卡合至該裝飾件(3)之該嵌槽(311)內，以增加該延伸件(2)與該裝飾件(3)連接的穩定度。
如請求項1所述之組合式格柵結構，其中該裝飾件(3)為矩形格柵。
如請求項1所述之組合式格柵結構，其中該裝飾件(3)為圓形格柵。
如請求項1所述之組合式格柵結構，其中每一該固定組件(4)包含一螺絲(41)與一螺帽(42)。
如請求項2所述之組合式格柵結構，其中該基座板體(1)之該基座頂板表面(11)的該容置口(1111)處設有一固定裝置，該固定裝置用於使該基座板體(1)穩固的固定於一延伸骨架上，使該基座板體(1)藉由該延伸骨架固定於一建築表面(W)。
一種格柵之組裝裝置，包含： <br/>一連接板體(1)，其向一第一方向(X)延伸； <br/>一基座板體(2)，其向一第二方向(Y)延伸，且該基座板體(2)的一基座頂板(21)與該連接板體(1)的一連接底板(12)彼此連接，且該基座頂板(21)開設有一嵌槽(211)，該嵌槽(211)自該基座板體(2)的一端向該第二方向(Y)延伸至該基座板體(2)的另一端，並且在該嵌槽(211)與該基座頂板(21)之間形成有一槽口(2111)，使一第一固定組件(4a)嵌合於該嵌槽(211)內，並穿過該槽口(2111)及該連接板體(1)之該連接底板(12)上的複數個底部連接孔的其中一者內，使該基座板體(2)與該連接板體(1)藉由該第一固定組件(4a)鎖固在一起；以及 <br/>一延伸組件(3)，其向該第二方向(Y)延伸，且該延伸組件(3)的一端與該基座板體(2)的一基座底板(22)彼此連接，且該基座底板(22)與該基座頂板(21)彼此對應； <br/>其中在該基座板體(2)之該嵌槽(211)之一槽底表面(2112)的一中央位置凹設有一V型槽(212)，該V型槽(212)用於供該槽底表面(2112)開設複數個孔洞，使該複數個孔洞位於該嵌槽(211)的該中央位置，供複數個第二固定組件(4b)將該基座板體(2)與該延伸組件(3)固定在一起時，該基座板體(2)與該延伸組件(3)位於同一軸線(L)上。
如請求項1所述之格柵之組裝裝置，其中該V型槽(212)的開設有一角度(θ)，該角度(θ)為50度至120度，以供不同尺寸的鑽頭進行一鑽孔動作。
如請求項1所述之格柵之組裝裝置，其中該嵌槽(211)之該槽口(2111)的一槽口寬度(D1)小於該嵌槽(211)的一槽底寬度(D2)，使該嵌槽(211)的兩側於該基座頂板(21)向內形成兩個嵌合部(213)，以供該第一固定組件(4a)設置。
如請求項1所述之格柵之組裝裝置，其中該第一固定組件(4a)包含一螺絲與一螺帽，並且該嵌槽(211)用於容置該第一固定組件(4a)之該螺帽，而該第一固定組件(4a)之該螺絲藉由穿過該連接板體(1)之該底部連接孔，並鎖固至該嵌槽(211)內的該螺帽中，使該基座板體(2)與該連接板體(1)彼此鎖固。
如請求項1所述之格柵之組裝裝置，其中每一該第二固定組件(4b)包含一螺絲與一螺帽，使該基座板體(2)與該延伸組件(3)藉由複數個第二固定組件(4b)彼此固定在一起。
如請求項1所述之格柵之組裝裝置，其中該延伸組件(3)包含一延伸件(31)與一裝飾件(32)，該延伸件(31)連接於該基座板體(2)的該基座底板(22)，該裝飾件(32)連接於該延伸件(31)遠離該基座底板(22)的一側。
如請求項1所述之格柵之組裝裝置，其中該第一方向(X)與該第二方向(Y)彼此垂直。
如請求項7所述之格柵之組裝裝置，更包含複數個該連接板體(1)、複數個該基座板體(2)與複數個該延伸組件(3)，且該連接板體(1)、該基座板體(2)為骨架，該延伸組件(3)為格柵組件，而複數個該連接板體(1)與複數個該基座板體(2)彼此縱橫相交連接，以形成一格柵牆面。
如請求項8所述之格柵之組裝裝置，其中該連接板體(1)之一連接頂板(11)貫穿有複數個頂部連接孔，使複數個第三固定組件(4c)藉由穿過該複數個頂部連接孔將該連接板體(1)固定於一建築表面(W)。
如請求項9所述之格柵之組裝裝置，其中該建築表面(W)為天花板、室內牆壁或建築物外牆。
如請求項1所述之格柵之組裝裝置，其中該基座板體(2)的該基座頂板(21)的該槽口(2111)處設有一固定裝置，該固定裝置向該第二方向(Y)延伸，並且該固定裝置用於使該基座板體(2)更穩固的連接於該連接板體(1)。
一種醫療電子裝置，包含： <br/> 一導熱框體，具有一導熱板及一邊框，該邊框環繞該導熱板的一第一面而與該導熱板形成一容置區域，該導熱板提供一導熱接觸面；<br/> 一顯示構件，設置於該容置區域；<br/> 一處理單元，熱接觸於該導熱接觸面；以及<br/> 一背板，罩覆於該導熱板的一第二面，其中該第二面相反於該第一面。
如請求項1所述之醫療電子裝置，其中該導熱接觸面位於該第二面，該背板罩覆該處理單元。
如請求項2所述之醫療電子裝置，更包括一散熱背件，該散熱背件及該導熱接觸面分別位於該處理單元的相反側。
如請求項3所述之醫療電子裝置，其中該散熱背件構成該背板的一部分。
如請求項3所述之醫療電子裝置，其中該散熱背件具有至少一掛接部，該掛接部係凹設於該散熱背件之表面，以供一外部固定件伸入。
如請求項1所述之醫療電子裝置，其中該處理單元抵接於該導熱接觸面。
如請求項1所述之醫療電子裝置，更包括一散熱片，該處理單元透過該散熱片連接該導熱接觸面。
如請求項1所述之醫療電子裝置，其中該導熱板開設有至少一開孔。
如請求項1所述之醫療電子裝置，其中該導熱框體為金屬框體。
如請求項1所述之醫療電子裝置，其中該背板的密度小於該導熱框體的密度。
一種線切割機之循環過濾噴流系統，該線切割機包含一盛裝加工液的加工槽，及一設置於該加工槽中的放電加工機構，該循環過濾噴流系統包含：<br/> 一儲存槽，用於盛裝加工液；<br/> 一泵浦，對應該儲存槽設置；<br/> 一過濾模組；<br/> 一連接管路，兩端分別連通該泵浦與該過濾模組；<br/> 一噴流模組，設置於該加工槽內，並包括一連接閥、至少一設置於該連接閥上且可受操作而調整方向的萬向管，與至少一設置於該萬向管末端的噴嘴；及<br/> 一輸液管路，兩端分別連通該連接閥與該過濾模組。
如請求項1所述的線切割機之循環過濾噴流系統，其中，該過濾模組包括複數彼此相互連通的過濾筒，該連接管路及該輸液管路分別連接於不同的兩個過濾筒上。
如請求項1所述的線切割機之循環過濾噴流系統，其中，該噴流模組之該至少一萬向管具有複數彼此頭尾相接的管體組件，每一管體組件可相對於相鄰管體組件沿多向活動，且位於頭尾兩端的兩個管體組件分別連接該噴嘴及該連接閥。
如請求項3所述的線切割機之循環過濾噴流系統，其中，該至少一萬向管之每一管體組件具有一錐形筒部，及一連接該錐形筒部的球關節部，該球關節部可活動地嵌設於相鄰管體組件之錐形筒部。
一種特殊工件的固定治具，包含：<br/> 一主體單元，圍繞界定出一移動空間，並形成複數連通該移動空間且各自沿一移動方向延伸的限位槽，該等限位槽沿一垂直該移動方向的寬度方向彼此間隔排列；<br/> 一定位單元，可沿該移動方向移動地設置於該移動空間中，並形成複數沿該寬度方向彼此間隔排列的穿槽，與複數沿該移動方向相對遠離該等限位槽並分別同軸對準該等穿槽的螺合槽，該等穿槽沿該移動方向分別對齊該等限位槽；及<br/> 一動力單元，包括一可帶動該定位單元沿該移動方向於該移動空間中往復移動的直線致動器，及一可帶動該主體單元以一平行該寬度方向之旋轉軸線傾轉的旋轉致動器。
如請求項1所述特殊工件的固定治具，其中，該主體單元包括一底板、二沿該寬度方向彼此相間隔且立設於該底板上的側板、一沿該寬度方向延伸且固定於該等側板之一端的端板，及一立設於該底板上且固定於該等側板之另一端的限位板，該底板、該等側板、該端板，及該限位板相配合界定出該移動空間，該限位板沿該寬度方向延伸且形成該等限位槽。
如請求項2所述特殊工件的固定治具，其中，該定位單元包括一沿該寬度方向延伸且可被該動力單元之直線致動器帶動的滑動板、一沿該移動方向與該滑動板相間隔的定位板、複數沿該移動方向延伸而連接該滑動板與該定位板的連接件，及複數設置於該滑動板上且沿該寬度方向彼此間隔設置的螺接件，該定位板由頂面向下凹陷形成該等穿槽，該等螺接件分別形成該等螺合槽。
如請求項3所述特殊工件的固定治具，其中，該主體單元還包括複數沿該移動方向穿設該定位單元之該滑動板及該定位板的滑桿，每一滑桿的兩端分別固定於該端板及該限位板上，該動力單元之該直線致動器可帶動該滑動板，使該滑動板及該定位板沿該等滑桿移動。
如請求項3所述特殊工件的固定治具，其中，該動力單元之直線致動器具有一設置於該端板上的液壓缸、一由該液壓缸沿該移動方向延伸且穿伸通過該端板而伸置於該移動空間中的液壓桿，及一連接該液壓桿與該定位單元之該滑動板的連接塊。
如請求項2所述特殊工件的固定治具，其中，該動力單元之該旋轉致動器具有二沿該寬度方向分別位於該主體單元之底板的相反兩側且連接該底板的分度頭，及一用於帶動其中一分度頭旋轉的旋轉動力源。
如請求項1所述特殊工件的固定治具，其中，該主體單元之每一限位槽具有一朝上的開口，該開口在該寬度方向上的寬度小於該限位槽的內徑。
一種產線終端的收刮料裝置，其能配置於一產線的一機台上，並位於該機台中被驅動的一輸送鋼帶的終端，並包括： <br/>一收刮料機構，其設置在該機台且鄰近該輸送鋼帶的終端，該收刮料機構包括一收刮料承接板盤，一板盤樞接組件以及一彈力供給器，該板盤樞接組件結合該彈力供給器組設在該機台，並以該板盤樞接組件連接該收刮料承接板盤的中段底面，該收刮料承接板盤具有位置在上的一收刮料邊端及位置在下的一出料端，該彈力供給器提供之彈力能經由該板盤樞接組件帶動該收刮料承接板盤，使該收刮料承接板盤的收刮料邊端貼抵在該輸送鋼帶的終端表面；以及 <br/>一或二可調式邊端加壓機構，其配置在該機台的一側或相對兩側，且所述可調式邊端加壓機構能與該收刮料承接板盤結合及脫離，所述可調式邊端加壓機構連接該收刮料機構時，對該收刮料承接板盤的收刮料邊端一側或兩側加壓，使該收刮料邊端維持在貼抵在該輸送鋼帶的終端表面的狀態。
如請求項1所述之產線終端的收刮料裝置，其中，該收刮料承接板盤具有一底板以及自該底板的兩側分別朝上延伸的兩邊板，該收刮料邊端與該輸送鋼帶的寬度相匹配，該出料端的寬度小於該收刮料邊端的寬度； <br/>所述可調式邊端加壓機構包括： <br/>一受壓承塊，其係裝設在該收刮料承接板盤的收刮料邊端的邊板，且具有伸出該收刮料邊端外的一承壓部； <br/>一基座，其能裝設在該機台上，且位於該收刮料邊端的外側； <br/>一可調式施壓組件，其設置在該基座中，並包括一活動部件以及一施壓部件，該活動部件具有一活動塊及設於該活動塊一端的一對位連接塊，該活動部件以該活動塊能移動地裝設在該基座中，該對位連接塊位於該基座外側且鄰近該受壓承塊，該對位連接塊的底端具有一對位凹口，對位凹口能提供該受壓承塊的承壓部對位置入，該施壓部件裝設於該對位連接塊中且能對進入該對位凹口內的承壓部施以壓力，且能調整作用在該承壓部的壓力大小； <br/>一操作組件，其設於該基座且能帶動該可調式施壓組件連接該受壓承塊； <br/>一復歸彈簧，其連接該基座與該活動部件，並能提供該可調式施壓組件脫離該受壓承塊的復歸彈力；以及 <br/>一安全扣件，其裝設在該基座上，並能在該操作組件將可調式施壓組件推出及對該受壓承塊施以壓力時，將該操作組件予以鎖定。
如請求項2所述之產線終端的收刮料裝置，其中，該基座具有一座體，該座體中具有朝向該受壓承塊方向的一滑槽，座體上還具有平行於該滑槽的一長孔； <br/>該活動部件之活動塊裝設在該座體的滑槽中，該活動塊上具有一導塊及一從動部，該導塊位於該長孔且伸出該座體的頂面，該長孔限制該活動部件之運動行程，該導塊結合該復歸彈簧連接該座體，該從動部則伸出該座體外，該操作組件能經由該從動部帶動該可調式施壓組件移動。
如請求項2所述之產線終端的收刮料裝置，其中，該施壓部件具有一壓力調整件、一壓縮彈簧以及一壓塊，該壓力調整件螺設在該活動部件的對位連接塊中，該壓塊結合該壓縮彈簧裝設在該對位連接塊內，該壓塊自該對位連接塊內伸至該對位凹口中，並能調整該壓力調整件螺設在該對位連接塊的位置而調整該壓縮彈簧作用在該壓塊上的力量，改變該施壓部件之壓塊作用在該承壓部的壓力大小。
如請求項1至4中任一項所述之產線終端的收刮料裝置，其中，該刮料裝置進一步包括一餘料收集機構，該餘料收集機構能裝設在該機台且配置在該收刮料承接板盤的下方。
如請求項5所述之產線終端的收刮料裝置，其中，該餘料收集機構具有一餘料收集板盤以及一餘料導槽，該餘料收集板盤斜向設置，且該餘料收集板盤的上端邊位於收刮料承接板盤的收刮料邊端下方，並鄰接該輸送鋼帶的終端表面，該餘料導槽設於該餘料收集板盤的下端邊的下方。
一種模組盒的組裝治具，包含：<br/> 一底座，包括二彼此平行間隔的長側邊、二分別銜接於該等長側邊相反兩端且長度短於該等長側邊的短側邊，及一朝向上方且具有一適用於設置該模組盒之定位區的頂面，定義一平行於該等長側邊的第一軸線，及一垂直於該第一軸線且平行於該等短側邊的第二軸線；<br/> 一第一定位單元，設置於該底座之該頂面上，且包括一沿平行該第一軸線之方向與該定位區相間隔的第一基台、一設置於該第一基台上的第一支架，及一連接於該第一支架且適用於固定設置在該定位區之該模組盒的第一頂抵件；及<br/> 一第二定位單元，設置於該底座之該頂面上，並沿平行該第一軸線的方向而與該第一定位單元分別位於該定位區的相反兩側，且包括一以相對於該第一軸線及該第二軸線傾斜之方向與該定位區相間隔的第二基台、一設置於該第二基台上的第二支架，及一連接於該第二支架且適用於固定設置在該定位區之該模組盒的第二頂抵件。
如請求項1所述模組盒的組裝治具，其中，該第一定位單元之該第一支架具有一連結於該第一頂抵件且能以一平行於該頂面之轉軸線轉動的第一樞轉機構，及一連接於該第一樞轉機構且適用於供握持而操作的第一握把。
如請求項1所述模組盒的組裝治具，其中，該第二定位單元之該第二支架具有一連結於該第二頂抵件且能以一平行於該頂面之轉軸線轉動的第二樞轉機構，及一連接於該第二樞轉機構且適用於供握持而操作的第二握把。
如請求項1至3任一項所述模組盒的組裝治具，其中，定義該定位區為一矩形，該第一定位單元之該第一頂抵件及該第二定位單元之該第二頂抵件是分別對位於該矩形的兩個對角。
一種電動蔬果搬運車，其包括有：一車體，其包括有二立架與一承載平台，兩該立架支撐於該承載平台的兩側，又該立架處裝設有複數個車輪； 複數個電動馬達，其分別對應驅動至少二該車輪；以及一電控模組，其包括有裝設於該立架的一控制箱與一電池，該控制箱電性連接該電池與複數個該電動馬達，且該控制箱分別控制至少二該車輪的轉速與轉向，使該車體執行差動轉向或原地迴轉。
如請求項1所述的電動蔬果搬運車，其中該立架處設置有一第一握把，該第一握把固定有至少一操作器，且該操作器電性連接至該控制箱，又該操作器包含有速度、方向、啟閉之操作功能。
如請求項2所述的電動蔬果搬運車，其中該立架處設置有一第二握把，該第二握把固定有一副操作器，該副操作器包含有速度、方向之操作功能，又該副操作器電性連接於該控制箱，兩該立架分別設置該第一握把與該第二握把，且該第一握把與該第二握把相對位於該車體的對角線位置。
如請求項1所述的電動蔬果搬運車，其中該立架與該承載平台之間具有可拆式機械連接件，使該立架與該承載平台可分離收納或運送。
如請求項4所述的電動蔬果搬運車，其中該立架朝向該承載平台開設有複數個管孔，該承載平台的兩側位置皆朝向該立架凸設有複數個管體，又該承載平台以複數個該管體插設於兩該立架之該管孔，又該管孔與該管體構成該可拆式機械連接件。
如請求項5所述的電動蔬果搬運車，其中該電動馬達、該控制箱與該電池之間以複數條電線連接，且該電線於兩該立架與該承載平台之交接處皆設置有一可分離式快接連接器，於分離兩該立架與該承載平台進行運送與收納時，由該可分離式快接連接器分離該電線而形成快速拆卸功能。
如請求項5所述的電動蔬果搬運車，其中該立架於該管孔處相通開設至少一貫穿孔，該貫穿孔處插設有一插銷，該管體間隔開設有複數個插孔，複數個該插孔提供該插銷的選擇穿設，進而調整該承載平台的抬升高度。
如請求項1所述的電動蔬果搬運車，其中該立架於相鄰該承載平台處螺鎖有一螺桿，該螺桿以螺轉方式頂高該承載平台。
如請求項1所述的電動蔬果搬運車，其中該承載平台於兩側皆裝設有一延伸架，該承載平台於兩側開設有複數個通孔，兩該延伸架分別穿設於一側的該通孔處，兩該延伸架向外側延伸該承載平台的置物面積。
如請求項1所述的電動蔬果搬運車，其中該控制箱無線連接有一遙控器，該遙控器包含有速度、方向、啟閉之操作功能，且該遙控器用於遠端控制該車體移動。
一種自行車傳動軸座，其用以與一自行車的一車架及一傳動系統連結，該自行車傳動軸座包含有一本體，該本體包含有一中軸座、一左下叉安裝座，及一右下叉安裝座，該中軸座用以安裝所述傳動系統的一中軸，該左下叉安裝座及該右下叉安裝座位於該中軸座的後側，並且左、右排列，該左下叉安裝座用以可拆卸的連結所述車架的一後下叉的一左下叉，該右下叉安裝座用以可拆卸的連結所述車架的所述後下叉的一右下叉。
如請求項1所述之自行車傳動軸座，其中 <br/>該左下叉安裝座自該中軸座向後延伸，並且設有至少一左鎖孔；以及 <br/>該右下叉安裝座自該中軸座向後延伸，並且設有至少一右鎖孔。
如請求項2所述之自行車傳動軸座，其中 <br/>該左下叉安裝座包含有一左中空部，該至少一左鎖孔包含有圍繞於該左中空部外圍的複數個所述左鎖孔；以及 <br/>該右下叉安裝座包含有一右中空部，該至少一右鎖孔包含有圍繞於該右中空部外圍的複數個所述右鎖孔。
如請求項3所述之自行車傳動軸座，其中 <br/>該中軸座包含有一容置槽； <br/>該左中空部延伸至該中軸座的容置槽； <br/>該右中空部延伸至該中軸座的容置槽。
如請求項1至4中任一項所述之自行車傳動軸座，其中該自行車傳動軸座包含有一連結座，該連結座可拆卸的與該本體連結，並且用以連結所述車架的一立管及一下管。
如請求項5所述之自行車傳動軸座，其中 <br/>該本體包含有一支撐座，該支撐座位於該中軸座的上側；以及 <br/>該連結座通過至少一座緊固件可拆卸的連結於該支撐座。
如請求項6所述之自行車傳動軸座，其中 <br/>該支撐座包含有自該中軸座延伸的兩支臂，該兩支臂伸入該連結座； <br/>該至少一座緊固件包含有兩所述座緊固件，該兩座緊固件分別穿過該兩支臂，而將該連結座可拆卸地連結於該支撐座。
一種公仔娃娃結構，係至少包含：<br/>一毛巾本體，該毛巾本體依其對角對折成一大三角形，該大三角形可再對折成一小三角形；<br/>複數繩體，該複數繩體至少區分為一第一繩體、一第二繩體與一第三繩體，該第一繩體係綁束於該小三角形之毛巾本體的前端形成一定位端，該毛巾本體可攤開變回該大三角形並將該定位端反折收到該毛巾本體的內側，變回該大三角形之毛巾本體的左右兩端分別向內捲曲後該毛巾本體可上下對折，使該定位端相對朝下並令該毛巾本體形成一毛巾塊體，該第二繩體係綁束於該毛巾塊體的下半部暨該定位端，令該毛巾塊體的下段形成一身部，該第三繩體係綁束於該毛巾塊體的上半部暨該定位端，令該毛巾塊體的中段與上段分別形成一臉部與一頭部；<br/>至少一第一套體，該第一套體可拆卸地套設於該毛巾塊體的身部上作為衣服；以及<br/>至少一第二套體，該第二套體可拆卸地套設於該毛巾塊體的頭部上作為帽子或頭飾。
如請求項1所述之公仔娃娃結構，其中該第一套體係由一第一片體環繞形成，該第一片體的兩端係分別為一第一對接部與一第一組接部，該第一對接部可移除地結合於該第一組接部。
如請求項2所述之公仔娃娃結構，其中該第一片體更可延伸設有至少一第一飾片，該第一片體與該第一飾片分別預先設有一圖案。
如請求項1所述之公仔娃娃結構，其中該第二套體係由一第二片體環繞形成，該第二片體的兩端係分別為一第二對接部與一第二組接部，該第二對接部可移除地結合於該第二組接部。
如請求項4所述之公仔娃娃結構，其中該第二片體更可延伸設有至少一第二飾片，該第二片體與該第二飾片分別預先設有一圖案。
如請求項1所述之公仔娃娃結構，其中該毛巾本體的表面對應該毛巾塊體的臉部處係可預先設有一圖案。
如請求項6所述之公仔娃娃結構，其中該臉部的圖案係以印製或繡製之至少其一者設於該毛巾本體上。
如請求項1所述之公仔娃娃結構，其中該繩體係為透明結構。
一種磁吸快拆型散熱風扇，包括： <br/>一扇框，具有一承載架及環設在該承載架外圍的一外框； <br/>一第一連接器，固定在該外框的內周壁且配置在該承載架的一端，該第一連接器具有一第一導接組件及一第一磁吸件； <br/>一磁吸快拆支架，包含可組卸地固接在該承載架上的一支架本體及固接於該支架本體一端且能與該第一連接器可組卸地對接的一第二連接器，該第二連接器具有能與該第一導接組件電性導接的一第二導接組件及能與該第一磁吸件磁性吸附的一第二磁吸件；以及 <br/>一風扇主體，可轉動地安裝在該支架本體上且與該第二導接組件電性連接。
如請求項1所述之磁吸快拆型散熱風扇，其中該第一連接器為一彈簧針連接器，該第一導接組件為呈直線間隔並列的複數彈簧針，該第二導接組件為呈同心圓間隔並列的複數導電環，各該彈簧針能與各該導電環電性導接。
如請求項1所述之磁吸快拆型散熱風扇，其中該外框內部設有一收容空間，該第一連接器具有裸露在該收容空間內的一插接端，該插接端為舌片或連接埠。
如請求項3所述之磁吸快拆型散熱風扇，其中該第一連接器更具有穿接於該外框的一第一絕緣體，該第一導接組件與該插接端穿接於該第一絕緣體且裸露在該第一絕緣體兩端，該第一磁吸件套接在該第一絕緣體的一端且環設在該第一導接組件的外圍。
如請求項1所述之磁吸快拆型散熱風扇，其中該支架本體延伸有一直立環圈，該第二磁吸件穿接於該直立環圈，該第二連接器更具有穿接於該第二磁吸件的一第二絕緣體，該第二絕緣體具有裸露於該直立環圈的一端面，該第二導接組件設置在該端面上。
如請求項1所述之磁吸快拆型散熱風扇，其更包括一電線，該承載架與該支架本體之間形成有自該承載架或該支架本體開設的一走線通道，該電線收容於該走線通道內且其兩端分別連接該第二導接組件與該風扇主體。
如請求項6所述之磁吸快拆型散熱風扇，其中該支架本體鄰近該第一連接器的一端延伸有一直立環圈，及設有對應該直立環圈配置且連通該走線通道的一缺口，該電線能穿設於該缺口。
如請求項6所述之磁吸快拆型散熱風扇，其中該支架本體在其中間處延伸有一軸筒，該風扇主體包含可轉動地安裝於該軸筒的一葉輪及設置在該軸筒與該葉輪之間的一定轉子組，該定轉子組與該電線連接。
如請求項1所述之磁吸快拆型散熱風扇，其中該支架本體一端固接有該第二連接器及另一端以鎖固、扣接或卡合方式固接於該承載架。
如請求項1所述之磁吸快拆型散熱風扇，其更包括一螺絲，該承載架設有一第一鎖孔，該支架本體遠離該第二連接器的一端設有一第二鎖孔，該螺絲穿固於該第一鎖孔與該第二鎖孔。
一種儲備式電源裝置，主要係設有一磷酸鐵鋰電池、一純正弦波逆變器及一鍋具所組成，該磷酸鐵鋰電池儲存直流電能，該磷酸鐵鋰電池以第一連接線電性連接於該純正弦波逆變器，該純正弦波逆變器將該直流電能轉換為純正弦波之交流電能，該純正弦波逆變器以第二連接線電性連接於該鍋具，該第二連接線將該交流電能供應至該鍋具，該鍋具上設有電源開關。
一種具多方向配置之連接器，包括：<br/> 一絕緣本體，其第一側設有相互區隔之複數個插接構件，其第二側設有複數個端子開口，各該端子開口分別對應配置於其中一個插接構件，且每一個插接構件對應複數個端子開口；及<br/> 複數支金屬端子，分別經由對應之各該端子開口，延伸至與其中一個插接構件相對應的位置，使得各該插接構件所對應之金屬端子的數量為複數；<br/> 其中，至少部分插接構件之間、至少部分金屬端子之間，或至少部分插接構件與其所對應之金屬端子之間，其排列方向不同。
如請求項1所述之連接器，其中，至少兩個插接構件沿第一方向排列，且其中至少一個插接構件中的各該金屬端子沿第二方向排列，該第二方向不同於第一方向。
如請求項1所述之連接器，其中，該等插接構件中，至少兩個插接構件沿第一方向排列，至少兩個插接構件沿第二方向排列，該第二方向不同於第一方向。
如請求項3所述之連接器，其中，至少一個插接構件同時屬於第一方向排列與第二方向排列。
如請求項4所述之連接器，其中，同時屬於第一方向排列與第二方向排列的各該插接構件，位於僅屬於單一方向排列之另一插接構件的相對界限間所界定之映射範圍內。
如請求項5所述之連接器，其中，僅屬於單一方向排列之該另一插接構件的頂壁，係與其映射範圍內之其中一個插接構件的頂壁，實質上位於相同水平基準面；僅屬於單一方向排列之該另一插接構件的底壁，係與其映射範圍內之其中另一個插接構件的底壁，實質上位於相同水平基準面。
如請求項1所述之連接器，其中，該等插接構件中，至少二個插接構件中的各該金屬端子，分別沿不同方向排列。
如請求項7所述之連接器，其中一個插接構件之至少一側壁長度，實質上相同於另一個插接構件之至少一側壁長度。
如請求項1至8任一項所述之連接器，其中，該插接構件為凹槽的形式，其內形成一對接空間，該對接空間與各該端子開口相連通，且各該金屬端子能延伸至該對接空間中。
如請求項1至8任一項所述之連接器，其中，該插接構件為凸柱的形式，其設有複數個容納空間，各該容納空間分別與對應之各該端子開口相連通，且各該金屬端子能配置至對應之各該容納空間中。
如請求項1至8任一項所述之連接器，其中，至少一個插接構件的至少一角落處具有一傾斜面。
如請求項1至8任一項所述之連接器，其中，該絕緣本體之該第一側與該第二側彼此相對。
一種具纜線固定之端蓋結構，其係組設於防爆盒體之一端側，用以固定穿設至防爆盒體之纜線，該具纜線固定之端蓋結構係包含有：<br/> 一端蓋本體，係設有一第一側面與相對設置之一第二側面，並沿該端蓋本體之週側自該第一側面環凸設形成一第一環側壁與一容置空間，且自該第一側面於該容置空間內沿該第一環側壁凸設形成一第二環側壁，該第一環側壁與該第二環側壁間並形成有一卡制槽組設於防爆盒體；<br/> 一線材固定部，係自該端蓋本體鄰接該容置空間之該第一側面凸設形成該線材固定部，該線材固定部並沿其軸向形成一第一線材通道；<br/> 一多邊形卡止部，係自該端蓋本體所設置之該第二側面凸設形成，且沿該多邊形卡止部軸向形成一第二線材通道與該第一線材通道連通；以及<br/> 一纜線迫緊模組，其係自該第二線材通道置入而鎖設固定於該第一線材通道，該纜線迫緊模組並貫設有一第三線材通道，且該第三線材通道與該第二線材通道彼此相連通；<br/> 其中，該第一線材通道、該第二線材通道與該第三線材通道係用以使纜線穿設通過，且該纜線係與該纜線迫緊模組呈緊配狀態。
如請求項1所述之具纜線固定之端蓋結構，進一步地，該線材固定部內之該第一線材通道係包含有一鎖設段、一連接段與一穿孔，該連接段一端係鄰接該鎖設段，而另一端係鄰接該穿孔，其中，該穿孔係連通組設之防爆盒體使纜線穿設通過，且該鎖設段係設有一螺紋。
如請求項2所述之具纜線固定之端蓋結構，進一步地，該纜線迫緊模組係具有一緊配單元與一迫緊單元間，該緊配單元係容置於該連接段且沿其軸向貫設有一緊配貫孔，而該迫緊單元係鎖設於該鎖設段並抵接該緊配單元，且該迫緊單元沿其軸向並貫設有一迫緊貫孔，其中，該緊配貫孔一端連通該迫緊貫孔而形成該第三線材通道而連通該第一線材通道之該穿孔。
如請求項3所述之具纜線固定之端蓋結構，進一步地，該緊配單元與該迫緊單元間設有一墊片單元，該墊片單元沿其軸向設有一墊片貫孔，該墊片貫孔一端連通該迫緊貫孔，另一端連通該緊配貫孔。
如請求項2所述之具纜線固定之端蓋結構，進一步地，該穿孔具有一穿孔徑寬，該連接段具有一連接徑寬，而該第二線材通道具有一第二線材通道徑寬，其中，該連接徑寬係大於該穿孔徑寬且小於該第二線材通道徑寬。
如請求項1所述之具纜線固定之端蓋結構，進一步地，該第一環側壁至該第一側面係具有一第一高度，而該第二環側壁至該第一側面係具有一第二高度，其中，該第二高度係小於該第一高度且大於零。
如請求項2所述之具纜線固定之端蓋結構，進一步地，該線材固定部之外徑係自該第一側面端朝該穿孔方向漸縮。
如請求項7所述之具纜線固定之端蓋結構，其中，該線材固定部之外徑於該第一側面端與該穿孔端之間設有一段差。
如請求項1所述之具纜線固定之端蓋結構，進一步地，該端蓋本體於部分之該卡制槽係自該第一側面凸設形成一限位壁，而該第二環側壁於鄰接該限位壁係會彎折。
如請求項1所述之具纜線固定之端蓋結構，進一步地，該端蓋本體係設有一接地單元。
一種複合式冷卻系統，用以熱耦合於一熱源，並容納一第一冷卻流體與一第二冷卻流體，該複合式冷卻系統包含：<br/> 一水冷板，用以熱耦合於該熱源；一水冷排；一板式熱交換器，具有不相連通的一熱側管路以及一冷側管路，該水冷排直接與該水冷板相連通，或是該水冷排透過該熱側管路與該水冷板相連通而分別構成部分流道共用的一第一循環流道與一第二循環流道，且該第一循環流道與該第二循環流道用以容納該第一冷卻流體；至少一氣流產生器，設置於該水冷排之一側，並用以對該水冷排產生氣流；以及一外接液冷裝置，該外接液冷裝置與該冷側管路相連通並共同構成一第三循環流道，且該第三循環流道用以容納該第二冷卻流體。
如請求項1所述之複合式冷卻系統，其中該水冷排位於該板式熱交換器之上游處。
如請求項2所述之冷卻系統，更包含一三通閥以及一三通接頭，該水冷排與該水冷板透過該三通閥與該三通接頭直接相連通，以構成該第一循環流道，或該水冷排與該熱側管路的入口透過該三通閥相連通，且該熱側管路的出口與該水冷板透過該三通接頭相連通，以構成該第二循環流道。
如請求項1所述之冷卻系統，其中該板式熱交換器位於該水冷排之上游處。
如請求項4所述之冷卻系統，更包含一三通閥以及一三通接頭，該水冷排與該水冷板透過該三通閥與該三通接頭直接相連通，以構成該第一循環流道，或該水冷板與該熱側管路的入口透過該三通閥相連通，且該熱側管路的出口與該水冷排透過該三通接頭相連通，以構成該第二循環流道。
如請求項1所述之複合式冷卻系統，更包含一流體驅動件，該流體驅動件與該水冷排相連通，且該流體驅動件用以驅動該第一冷卻流體於該第一循環流道或該第二循環流道內循環流動。
如請求項1所述之複合式冷卻系統，更包含一機殼，該水冷排與該板式熱交換器設置於該機殼內。
如請求項7所述之複合式冷卻系統，更包含二快拆接頭，該二快拆接頭設置於該機殼，且該冷側管路透過該二快拆接頭而與該外接液冷裝置相連通。
如請求項1所述之複合式冷卻系統，其中該外接液冷裝置為冷卻水塔或冰水機。
一種冷卻流體分配裝置，用以連接於一外接液冷裝置並透過一水冷板而熱耦合於一熱源，且該冷卻流體分配裝置用以容納一第一冷卻流體與一第二冷卻流體，該冷卻流體分配裝置包含：<br/> 一水冷排；一板式熱交換器，具有不相連通的一冷側管路及一熱側管路，該水冷排用以直接與該水冷板相連通，或是該水冷排用以透過該熱側管路與該水冷板相連通而分別構成部分流道共用的一第一循環流道與一第二循環流道，該第一循環流道與該第二循環流道用以容納該第一冷卻流體，該冷側管路用以與該外接液冷裝置相連通並共同構成一第三循環流道，且該第三循環流道用以容納該第二冷卻流體；至少一氣流產生器，設置於該水冷排之一側，並用以對該水冷排產生氣流；以及一流體驅動件，該流體驅動件與該水冷排相連通，且該流體驅動件用以驅動該第一冷卻流體於該第一循環流道內循環流動。
一種無人載具引爆控制裝置，連接一信號端，其包含：<br/> 一電源模組；<br/> 一控制模組，分別與該電源模組，及該信號端連接；及<br/> 一驅動模組，分別與該電源模組，及該控制模組連接，並包括一變壓組件、一與該變壓組件連接之儲能組件、一與該儲能組件連接之開關組件，及一分別與該儲能組件及該開關組件連接之驅動輸出端，該變壓組件改變該電源模組的電壓，並將電能儲存於該儲能組件中。
如請求項1所述無人載具引爆控制裝置，其中，該控制模組包括一與該控制模組連接之定位組件，該定位組件為陀螺儀。
如請求項1所述無人載具引爆控制裝置，其中，該驅動模組還包括一與該電源模組連接之電源輸入端。
如請求項1所述無人載具引爆控制裝置，其中，該驅動模組還包括一與該控制模組連接之儲能信號輸入端，用於控制該儲能組件儲存電能。
如請求項1所述無人載具引爆控制裝置，其中，該驅動模組還包括一與該控制模組連接之引爆信號輸入端，用以控制該開關組件。
如請求項1所述無人載具引爆控制裝置，其中，該驅動模組還包括一與該儲能組件連接之釋能組件，該釋能組件釋放該儲能組件中儲存的電能。
如請求項6所述無人載具引爆控制裝置，其中，該驅動模組還包括一與該控制模組連接之釋能信號輸入端，用以控制該釋能組件釋放該儲能組件儲存的電能。
如請求項1所述無人載具引爆控制裝置，更包含一組合模組，該組合模組包括一與該電源模組連接之組合組件，及一可分離地與該組合組件連接之基座組件，該控制模組與該驅動模組設置於該基座組件上。
如請求項8所述無人載具引爆控制裝置，其中，該組合組件是電磁鐵，並以磁力吸附該基座組件。
如請求項1所述無人載具引爆控制裝置，其中，該控制模組更包括一與該控制模組連接之蓄電組件，及一與該控制模組連接之計時組件，該蓄電組件用以儲存該電源模組的電力，該開關組件控制該儲能組件是否從該驅動輸出端輸出電能，該計時組件用以計時該開關組件的延遲輸出信號。
一種可調式伸縮支架，適用於組裝在兩個相間隔的立柱之間，該可調式伸縮支架包含：<br/> 一第一伸縮桿，呈長桿形且沿一長度方向延伸；及<br/> 一第二伸縮桿，呈長桿形且沿該長度方向延伸，該第二伸縮桿可沿該長度方向滑動地連接於該第一伸縮桿，該第一伸縮桿及該第二伸縮桿其中之一可被操作而沿該長度方向相對於該第一伸縮桿及該第二伸縮桿其中另一伸縮滑動，使得該第一伸縮桿及該第二伸縮桿能分別組裝於該等立柱。
如請求項1所述的可調式伸縮支架，其中，該第一伸縮桿可滑動地套設於該第二伸縮桿並界定出沿該長度方向延伸且供該第二伸縮桿穿伸的一長導槽，該第一伸縮桿與該第二伸縮桿部分重疊。
如請求項2所述的可調式伸縮支架，其中，該第一伸縮桿包括一第一前長立板、分別由該第一前長立板的上下兩端朝後彎折延伸的兩個第一長平板，及分別由該等第一長平板後端朝上及朝下彎折延伸且間隔位於該第一前長立板後方的兩個後長立板，該第一前長立板、該等第一長平板及該等後長立板共同界定出該長導槽。
如請求項3所述的可調式伸縮支架，其中，該第二伸縮桿包括一第二前長立板，及分別由該第二前長立板的上下兩端朝後彎折延伸的兩個第二長平板，該第二前長立板位於該第一前長立板後方且能被該第一前長立板擋止，該等第二長平板位於該等第一長平板之間且分別能被該等第一長平板擋止，該等第二長平板分別位於該等後長立板前方且分別能被該等後長立板擋止。
如請求項4所述的可調式伸縮支架，其中，每一個該立柱具有一側立面，該第一伸縮桿還包括由該第一前長立板一側朝前彎折延伸的一第一側立板，該第一側立板垂直於該第一前長立板且界定出多個第一側導引孔，該第一側立板用以通過面接觸方式抵靠於對應的該立柱的該側立面，該第二伸縮桿還包括由該第二前長立板遠離該第一側立板的一側朝前彎折延伸的一第二側立板，該第二側立板垂直於該第二前長立板且界定出多個第二側導引孔，該第一側立板與該第二側立板沿該長度方向相間隔，該第二側立板用以通過面接觸方式抵靠於對應的該立柱的該側立面。
如請求項3至5其中任一項所述的可調式伸縮支架，其中，該第一前長立板界定出沿該長度方向水平地相間隔排列的多個第一前導引孔。
如請求項4至5其中任一項所述的可調式伸縮支架，其中，該第一前長立板界定出沿該長度方向水平地相間隔排列的多個第一前導引孔，該第二前長立板界定出沿該長度方向水平地相間隔排列的多個第二前導引孔。
如請求項1所述的可調式伸縮支架，其中，每一個該立柱具有一側立面，該第一伸縮桿可滑動地套設於該第二伸縮桿，該第一伸縮桿包括一第一前長立板，及由該第一前長立板一側朝前彎折延伸的一第一側立板，該第一側立板垂直於該第一前長立板，該第一側立板用以通過面接觸方式抵靠於對應的該立柱的該側立面，該第二伸縮桿包括一第二前長立板，及由該第二前長立板遠離該第一側立板的一側朝前彎折延伸的一第二側立板，該第二側立板垂直於該第二前長立板，該第一側立板與該第二側立板沿該長度方向相間隔，該第二側立板用以通過面接觸方式抵靠於對應的該立柱的該側立面。
如請求項1所述的可調式伸縮支架，其中，該第一伸縮桿可滑動地套設於該第二伸縮桿，該第一伸縮桿及該第二伸縮桿至少其中之一界定出沿該長度方向水平地相間隔排列的多個前導引孔。
如請求項1所述的可調式伸縮支架，其中，該第一伸縮桿及該第二伸縮桿各自是由具備預定剛性及結構強度的材質所製成，該第一伸縮桿及該第二伸縮桿各自為一體式單一構件。
一種防潮乾燥蓋，其用以可拆卸地設置於一容器上，並用以封閉該容器的一容器開口；該防潮乾燥蓋具有： 一蓋體，其用以可拆卸地設置於該容器，並可封閉該容器的該容器開口；該蓋體具有： <br/> 一內表面，其為該蓋體用以朝向該容器開口的一面； <br/>一容置盒體，其可拆卸地設置於該蓋體的該內表面，且形成有： <br/> 一乾燥件容置空間； <br/> 至少一連通孔，其從該容置盒體的一內側面貫穿至該容置盒體的一外側面，並使該乾燥件容置空間用以連通該容器的一內部空間。
如請求項1所述之防潮乾燥蓋，其中，該容置盒體具有： <br/>一主體件，其可拆卸地設置於該蓋體的該內表面，且形成有一容置開口，其形成於該主體件遠離該內表面的一側； <br/>一開啟件，其連接於該主體件，且可相對該主體件翻轉以開啟或封閉該主體件的該容置開口。
如請求項2所述之防潮乾燥蓋，其中， <br/>該主體件具有一第一卡合部； <br/>該開啟件具有： <br/> 一第二卡合部，其形成於該開啟件的一側，且可與該第一卡合部相卡合以限制該開啟件相對該主體件翻轉。
如請求項1至3任一項所述之防潮乾燥蓋，其中，該至少一連通孔相鄰該蓋體的該內表面。
如請求項2或3所述之防潮乾燥蓋，其中，該至少一連通孔形成於該主體件，且相鄰該蓋體的該內表面。
如請求項1至3任一項所述之防潮乾燥蓋，其中， <br/>該蓋體具有二突出部，其突出設置於該內表面上； <br/>該容置盒體被該二突出部可拆卸地夾設。
如請求項5所述之防潮乾燥蓋，其中， <br/>該蓋體具有二突出部，其突出設置於該內表面上，各二突出部為環狀； <br/>該容置盒體的該主體件為環狀且被該二突出部可拆卸地夾設，且該至少一連通孔與該二突出部相錯開。
如請求項1至3任一項所述之防潮乾燥蓋，其更具有一密封件，該密封件貼合於該蓋體的該內表面，且用以被夾設於該蓋體與該容器開口之間。
如請求項1至3任一項所述之防潮乾燥蓋，其更具有一防潮乾燥件，該防潮乾燥件設置於該容置盒體的該乾燥件容置空間中。
如請求項9所述之防潮乾燥蓋，其中，該防潮乾燥件為可變色防潮乾燥劑，以使該防潮乾燥件的顏色隨該乾燥件容置空間的溼度變化。
一種防爆安全箱，包含：<br/> 一箱體，包含一第一空間與一第二空間，其中，該第一空間連通於該第二空間；<br/> 一過濾模組，設置於該第二空間；<br/> 一感測模組，設置於該第一空間，用以偵測一異常事件，並於偵測到該異常事件時發出一異常訊號通知；及<br/> 一排氣模組，設置於該箱體上而連通該第二空間至該箱體外，其中，該排氣模組依據該異常訊號通知啟動，而將一氣體自該第一空間內單向排往至該第二空間，並經由該過濾模組過濾後而排出該箱體外。
如請求項1所述之防爆安全箱，更包含一壓力釋放模組，設置於該第一空間與該第二空間之間，其中，該壓力釋放模組依據該異常訊號通知而啟動開啟連通該第一空間與該第二空間。
如請求項1所述之防爆安全箱，更包含一氣體產生模組，設置於該第一空間，該氣體產生模組依據該異常訊號通知啟動，並產生一惰性氣體而將該氣體自該第一空間內單向排往至該第二空間。
如請求項1所述之防爆安全箱，更包含一陶瓷層，塗佈於該箱體之內表面。
如請求項1所述之防爆安全箱，更包含一離子液層，塗佈於該箱體之內表面。
如請求項1所述之防爆安全箱，其中，該感測模組包含一煙霧感測器，用以偵測一煙霧。
如請求項1所述之防爆安全箱，其中，該感測模組包含一一氧化碳感測器，用以偵測一一氧化碳含量。
如請求項1所述之防爆安全箱，其中，該感測模組包含一溫度感測器，用以偵測一溫度。
如請求項1所述之防爆安全箱，其中，該感測模組包含一液體感測器，用以偵測電池電解液流出。
如請求項1所述之防爆安全箱，更包含一電源模組，電性連接於該感測模組，用以提供一電源，其中，該電源模組依據該異常訊號通知而停止提供該電源。
一種防爆安全系統，包含：<br/> 一防爆安全箱，包含：<br/> 一箱體，包含一第一空間與一第二空間，其中，該第一空間連通於該第二空間；<br/> 一過濾模組，設置於該第二空間；<br/> 一感測模組，設置於該第一空間，用以偵測一異常事件，並於偵測到該異常事件時發出一異常訊號通知；及<br/> 一排氣模組，設置於該箱體上而連通該第二空間至該箱體外，其中，該排氣模組依據該異常訊號通知啟動，而將一氣體自該第一空間內單向排往至該第二空間，並經由該過濾模組過濾後而排出該箱體外；<br/> 一遠端管理平台，連線於該防爆安全箱，用以接收該異常訊號通知；及<br/> 一監視模組，連線於該遠端管理平台，並設置鄰近於該防爆安全箱，用以對該防爆安全箱拍攝一監視影像，並傳送該監視影像至該遠端管理平台。
如請求項11所述之防爆安全系統，更包含一行動裝置，連線於該遠端管理平台，用以同步接收該異常訊號通知。
如請求項11所述之防爆安全系統，更包含一自動滅火裝置，連線於該遠端管理平台，並設置鄰近於該防爆安全箱，依據該遠端管理平台之一啟動通知而對該防爆安全箱執行覆蓋滅火。
如請求項11所述之防爆安全系統，其中，該防爆安全箱更包含一壓力釋放模組，設置於該第一空間與該第二空間之間，其中，該壓力釋放模組依據該異常訊號通知而啟動開啟連通該第一空間與該第二空間。
如請求項11所述之防爆安全系統，其中，該防爆安全箱更包含一氣體產生模組，設置於該第一空間，該氣體產生模組依據該異常訊號通知啟動，並產生一惰性氣體而將該氣體自該第一空間內單向排往至該第二空間。
如請求項11所述之防爆安全系統，其中，該防爆安全箱更包含一陶瓷層，塗佈於該箱體之內表面。
如請求項11所述之防爆安全系統，其中，該防爆安全箱更包含一離子液層，塗佈於該箱體之內表面。
如請求項11所述之防爆安全系統，其中，該感測模組為一煙霧感測器，用以偵測一煙霧。
如請求項11所述之防爆安全系統，其中，該感測模組為一一氧化碳感測器，用以偵測一一氧化碳含量。
如請求項11所述之防爆安全系統，其中，該感測模組為一溫度感測器，用以偵測一溫度。
如請求項11所述之防爆安全系統，其中，該感測模組包含一液體感測器，用以偵測電池電解液流出。
如請求項11所述之防爆安全系統，其中，該防爆安全箱更包含一電源模組，電性連接於該感測模組，用以提供一電源，其中，該電源模組依據該異常訊號通知而停止提供該電源。
一種基於三稜鏡原理的斜視檢測系統，其檢測系統包括：<br/>一檢測設備，在檢測室內準備一板凳、用於受測者斜視檢測配戴的一分視鏡片、用於受測者斜視檢測的一電腦、一電腦螢幕以及用於控制所述電腦的一控制器；<br/>一三稜鏡設計程式，內建於該電腦的系統程式內，具有一稜鏡量計算公式，該三稜鏡設計程式透過該電腦螢幕顯示一視標、一右上方視窗以及一左上方視窗，該視標可透過該控制器移動，該右上方視窗以及左上方視窗用以顯示經該稜鏡量計算公式運行計算出的稜鏡量數值，該稜鏡量計算公式為稜鏡量△=d/h，其中d為受測者固定坐於板凳上與該電腦螢幕間的距離，h為受測者觀測該視標，並透過該控制器移動該視標的偏移量。
如請求項1所述之基於三稜鏡原理的斜視檢測系統，其中，所述控制器為滑鼠、遙控器或平板。
如請求項2所述之基於三稜鏡原理的斜視檢測系統，其中，所述控制器用於遙控電腦螢幕上3D偏振分視或紅綠分視所分離的視標，然後使電腦螢幕上分離的視標對齊或重疊。
如請求項3所述之基於三稜鏡原理的斜視檢測系統，其中，所述板凳的底部設置有一與所述板凳相匹配的調節滑軌，所述板凳可以在所述滑軌上滑動調節，用以調整所述板凳與電腦之間的距離。
如請求項4所述之基於三稜鏡原理的斜視檢測系統，其中，所述d的單位為m，h的單位為cm。
如請求項5所述之基於三稜鏡原理的斜視檢測系統，其中，所述稜鏡量的定義為：當一個稜鏡能使光線通過一米後，光線偏離一厘米，則此稜鏡為一個稜鏡度。
一種多功能容器，可透裝且適用於與一裝飾品配合，且包含：<br/> 一環繞一軸線的圍壁，包括一開口朝上的瓶口；及<br/> 一由該圍壁的一端沿該軸線的方向朝另一端延伸的底壁，該底壁與該圍壁共同界定一連通該瓶口的容納空間，及界定一開口朝下且適用於容納該裝飾品的裝飾空間。
如請求項1所述的多功能容器，其中，該裝飾空間的形狀可以是圓形、半圓形、或橢圓形的一半。
如請求項1所述的多功能容器，其外型呈球棒形狀。
一種棒球造型容器裝置，適用於與一裝飾品配合，且包含：<br/> 一如請求項1所述的多功能容器，呈球棒造型；<br/> 一放置板，包括一上表面、一相反於該上表面的下表面，及一由該上表面朝該下表面延伸且用於放置該多功能容器的第一凹槽；及<br/> 一攪拌棒，置放於該放置板的上表面，且包括一握持段，及一相反於該握持段的攪拌段。
如請求項4所述的棒球造型容器裝置，其中，該握持段的材料為木材或塑膠。
如請求項4所述的棒球造型容器裝置，其中，該攪拌段的材料為金屬。
如請求項6所述的棒球造型容器裝置，其中，該攪拌棒還界定一與外部隔絕且容納一保冷劑的保冰空間。
如請求項4所述的棒球造型容器裝置，其中，該放置板外型為五邊形。
如請求項4所述的棒球造型容器裝置，還包含一置放在該放置板的上表面的漏斗。
如請求項4所述的棒球造型容器裝置，還包含四個飲用杯，且該放置板還包括四個第二凹槽，該第一凹槽位於該上表面的中心，該等第二凹槽環繞該第一凹槽，每一該飲用杯設置在各自的第二凹槽。
一種多段式磁化方向電機，包括有一定子及一轉子，該定子裝設於該轉子的內部，該定子包含有一定子鐵心，該定子鐵心具有多數個齒部，該些齒部分別捲繞有一線圈，該轉子包含有一飛輪，該飛輪的內周面設有環形排列的複數個N極磁石及複數個S極磁石，該些N極磁石與該些S極磁石分別交替設置；<br/> 其中，該些N極磁石分別具有一主磁極及位於該主磁極兩側的一第一輔助磁極及一第二輔助磁極，該些S極磁石分別具有一主磁極及位於該主磁極兩側的一第一輔助磁極及一第二輔助磁極，藉由主磁極與輔助磁極之多段式磁化方向配置，使磁通集中導引於該定子齒部。
如請求項1所述的多段式磁化方向電機，其中該些N極磁石與該些S極磁石的材質為非稀土磁性材料。
如請求項2所述的多段式磁化方向電機，其中該非稀土磁性材料為氧化鐵。
如請求項1所述的多段式磁化方向電機，其中該些N極磁石的該主磁極，其磁化方向為指向定子，該第一輔助磁極的磁化方向與該第二輔助磁極的磁化方向，皆為貼近該主磁極的磁化方向。
如請求項4所述的多段式磁化方向電機，其中該第一輔助磁極的磁化方向與該第二輔助磁極的磁化方向，是以該主磁極的磁化方向為中心作鏡射。
如請求項1所述的多段式磁化方向電機，其中該些S極磁石的該主磁極，其磁化方向為指向外部，該第一輔助磁極的磁化方向與該第二輔助磁極的磁化方向，皆為遠離該主磁極的磁化方向。
如請求項6所述的多段式磁化方向電機，其中該第一輔助磁極的磁化方向與該第二輔助磁極的磁化方向，是以該主磁極的磁化方向為中心作鏡射。
一種多功能智慧梳具，其包括有：<br/> 一梳具主體，具有一握持部及一連接於該握持部之頭部；<br/> 複數梳針，植設於該頭部，該些梳針中至少部分設有一感測單元以及一加熱單元；<br/> 一光學指示模組，設置於該握持部之表面；<br/> 一控制模組，設於該梳具主體內部並分別電性連接該感測單元、該加熱單元；<br/> 一供電模組，設於該梳具主體內部並電性連接至該控制模組，以供應運作所需電力；<br/> 一無線充電接收模組，設置於該梳具主體內部並電性連接該供電模組，用於接收外部電源以對該供電模組充電；<br/> 其中，該控制模組被配置為執行一護理程式，該護理程式包含透過該感測單元偵測接觸該些梳針之髮質狀態以產生一檢測訊號，並依據該檢測訊號控制該光學指示模組發出對應顏色之光訊號；且當該控制模組判斷該檢測訊號符合一預設之乾燥條件時，自動驅動該加熱單元使該些梳針產生熱能。
如請求項1所述之多功能智慧梳具，其中，該感測單元為設置於該些梳針表面之導電電極，該控制模組係透過量測接觸電阻或生物阻抗變化以產生該檢測訊號。
如請求項1所述之多功能智慧梳具，其中，該光學指示模組包含複數個發光元件，該控制模組依據該檢測訊號之數值區間，選擇性地驅動該些發光元件發出藍色、黃色或紅色之光訊號，分別對應健康、輕微受損及嚴重受損之髮質狀態。
如請求項1所述之多功能智慧梳具，其中，該梳具主體內部進一步設有一震動馬達，該震動馬達受該控制模組控制以產生震動波傳導至該些梳針。
如請求項1所述之多功能智慧梳具，其中，該加熱單元為正溫度係數熱敏電阻或電熱絲，設置於該些梳針之內部中空處。
如請求項1所述之多功能智慧梳具，其中，該無線充電接收模組包含一感應線圈，該感應線圈設置於該握持部相異於該些梳針之側面。
如請求項1所述之多功能智慧梳具，其中，還包括一收納盒，該收納盒具有一盒體及一可開合之蓋體，該盒體具有一容置空間以容納該梳具梳具主體，該盒體設有一電源連接埠、一無線充電發射模組以及一紫外線殺菌模組，該電源連接埠用以連接外部電源以供應電力至該無線充電發射模組及該紫外線殺菌模組；該盒體進一步設有一電性連接至該紫外線殺菌模組及該電源連接埠之一狀態感測器，當該狀態感測器偵測道該梳具主體置入該容置空間且該蓋體處於閉合狀態時，該狀態感測器自動啟動該紫外線殺菌模組，以對該梳具主體殺菌。
一種多功能植物種植裝置，其包括：<br/> 一框架本體，具有一頂部及一底部，該頂部與該底部之間設有一用於放置植栽之容置空間，其該底部設有複數個滾輪；<br/> 一防蟲網單元，設置於該框架本體之外側以包覆該容置空間，該防蟲網單元由透氣網狀材質製成；<br/> 一自動澆水模組，設置於該框架本體，包含一蓄水箱、一輸水管路及至少一噴灑頭，該噴灑頭設於該容置空間內並透過該輸水管路連通該蓄水箱，用以澆灌該容置空間內之植栽；<br/> 一集水單元，設置於該框架本體之底部，位置對應該容置空間，用以承接液體；以及，<br/> 一控制模組，設置於該框架本體之該頂部並電性連接該自動澆水模組，該控制模組包含一處理器、一顯示單元及一設定單元，該顯示單元及該設定單元分別電性連接至該處理器，該控制模組被配置為用以控制該自動澆水模組於一預定時間啟動。
如請求項1所述之多功能植物種植裝置，其中，該自動澆水模組更包含一抽水馬達，該抽水馬達電性連接至該控制模組，用以驅動該蓄水箱內之水經由該輸水管路輸送至該噴灑頭。
如請求項1所述之多功能植物種植裝置，其中，該顯示單元為一液晶顯示熒幕或一LED顯示器，用以顯示當前時間資訊。
如請求項1所述之多功能植物種植裝置，其中，該設定單元包含複數個實體按鈕或一觸控介面，用以供使用者設定該預定時間及一澆水持續時間。
如請求項1所述之多功能植物種植裝置，其中，該防蟲網單元係可拆卸地結合於該框架本體，且該防蟲網單元之一側設有可開閉之一開口。
如請求項1所述之多功能植物種植裝置，其中，該集水單元係為一抽屜式集水盤，可自該框架本體之底部水平抽出。
如請求項1所述之多功能植物種植裝置，其中，該蓄水箱係整合於該框架本體之該底部或該頂部。
一種互動式磁振造影模擬裝置，用以透過遊戲教學方式認識核磁造影的原理，該互動式磁振造影模擬裝置係包含有：<br/> 一核磁造影本體模組，其係包含有一隧道式貫孔、一容室、一磁力線圈單元、一磁鐵單元與一震動單元，而該隧道式貫孔係沿該核磁造影本體模組之軸向貫設形成，該核磁造影本體模組並於對應該隧道式貫孔之徑向週側凹設形成該容室，該容室並依序置入該磁力線圈單元與組設於該磁力線圈單元外側之一該磁鐵單元，而該震動單元係組設於該核磁造影本體模組之週側；<br/> 一輸送模組，係設有一驅動單元、至少一承載移動單元與一滑槽，該滑槽係沿該輸送模組之軸向凹設形成，而該等承載移動單元係容置於該滑槽，使該驅動單元控制該等承載移動單元於該滑槽沿該輸送模組之軸向移動；<br/> 一床體單元，係設於該輸送模組上且與該等承載移動單元相組設；以及<br/> 一控制模組，係包含有一處理單元、一電源單元、至少一控制單元與一聲音產生單元，而該處理單元電性連接該電源單元、該等控制單元、該聲音產生單元與該震動單元； <br/> 其中，該控制模組之該處理單元依該等控制單元所傳輸之控制訊號而控制該聲音產生單元產生聲響，或控制該震動單元使該核磁造影本體模組產生震動。
如請求項1所述之互動式磁振造影模擬裝置，進一步地，該核磁造影本體模組之該隧道式貫孔於鄰接該輸送模組端沿其徑向設有複數擬磁力線單元，該等擬磁力線單元係電性連接該處理單元且彼此係各維持有一間距，其中，該處理單元接收其中之一該控制單元之控制訊號控制該等擬磁力線單元進行模擬之訊號時，該處理單元控制該等擬磁力線單元依序朝該隧道式貫孔之方向發光。
如請求項1所述之互動式磁振造影模擬裝置，進一步地，該輸送模組係部份穿設該核磁造影本體模組之該隧道式貫孔，而該處理單元使該驅動單元控制該承載移動單元，並使其組設之該床體單元沿該滑槽移動而進入或移出該隧道式貫孔。
如請求項1所述之互動式磁振造影模擬裝置，進一步地，該隧道式貫孔內並設有一影像擷取單元，而該控制模組之該處理單元並電性連接一顯示單元，該影像擷取單元將該隧道式貫孔內所擷取之影像傳輸經該處理單元而顯示於該顯示單元。
如請求項1所述之互動式磁振造影模擬裝置，進一步地，該處理單元電性連接之一異物偵測單元，當該異物偵測單元感測有異物被該磁鐵單元與該磁力線圈單元產生之磁力吸引而貼覆於該隧道式貫孔之表面時，該異物偵測單元將控制訊號傳輸之該處理單元，使該處理單元控制該聲音產生單元產生警示聲響。
如請求項2所述之互動式磁振造影模擬裝置，進一步地，該磁力線圈單元係電性連接該處理單元，該處理單元依其中之一該控制單元之控制訊號，而由該電源單元提供該磁力線圈單元所需之電力，並使該等擬磁力線單元依序產生閃光。
如請求項1所述之互動式磁振造影模擬裝置，進一步地，一終端處理模組係透過無線通訊模式與該控制模組之該處理單元構成連接，而該終端處理模組掃描該核磁造影本體模組時，該終端處理模組會模擬顯示該磁力線圈單元與該磁鐵單元產生之磁力線。
如請求項1所述之互動式磁振造影模擬裝置，進一步地，該處理單元電性連接之一水霧噴灑單元，該處理單元依其中之一該控制單元之控制訊號，使該水霧噴灑單元產生水霧。
如請求項1所述之互動式磁振造影模擬裝置，進一步地，一底板單元係組設該核磁造影本體模組、該輸送模組與該控制模組。
一種具無線射頻辨識標籤的手術器械，包含：<br/> 器械本體，具有指套操作部、延伸連接部以及手術工作部，其中該指套操作部係經配置而供操作者的手指穿入，以及該延伸連接部位在該指套操作部及該手術工作部之間且連接該指套操作部以及該手術工作部；以及<br/> 無線射頻辨識晶片，安裝於該器械本體的該指套操作部，且該無線射頻辨識晶片係經配置而具有該器械本體的手術管理相關資訊，以供耦接該無線射頻辨識晶片的讀取器取得該手術管理相關資訊，藉此<br/> 該操作者的手指控制該指套操作部作動，則連接於該指套操作部的該延伸連接部帶動該手術工作部執行手術作業，以及<br/> 該無線射頻辨識晶片設置於該指套操作部而相對遠離該手術工作部，以確保該操作者操控該器械本體執行該手術作業的過程不受該無線射頻辨識晶片阻擋。
如請求項1所述的具無線射頻辨識標籤的手術器械，其中該指套操作部為成對的指部容置環以供操作者的二根手指分別一對一的穿入，且成對的該指部容置環以在同一平面可彼此張開、閉闔作動的方式並列設置，以及該無線射頻辨識晶片安裝於成對的該指部容置環中的至少一個。
如請求項2所述的具無線射頻辨識標籤的手術器械，其中成對的該指部容置環中的每一個具有棘齒鎖片，成對的該指部容置環的該棘齒鎖片朝向彼此突伸且為彼此可脫離地對應扣合連接，以使成對的該指部容置環在張開狀態以及閉闔狀態之間切換，以及該無線射頻辨識晶片為安裝於成對的該指部容置環之該棘齒鎖片中的至少一個。
如請求項2所述的具無線射頻辨識標籤的手術器械，其中成對的該指部容置環中的每一個具有棘齒鎖片，成對的該指部容置環的該棘齒鎖片朝向彼此突伸且為彼此可脫離地對應扣合連接，以使成對的該指部容置環在張開狀態以及閉闔狀態之間切換，以及該無線射頻辨識晶片以設置於自該指部容置環延伸出該棘齒鎖片之處的方式安裝於成對的該指部容置環中的至少一個。
如請求項1所述的具無線射頻辨識標籤的手術器械，其中該器械本體為手術剪。
如請求項1所述的具無線射頻辨識標籤的手術器械，其中該器械本體為止血鉗。
如請求項1所述的具無線射頻辨識標籤的手術器械，其中該指套操作部具有組裝座，該組裝座自該指套操作部的外表面向下凹陷形成，以及該無線射頻辨識晶片嵌設於該組裝座且該無線射頻辨識晶片向上突伸出該指套操作部的外表面。
如請求項7所述的具無線射頻辨識標籤的手術器械，更具有黏著層，黏著貼設於該組裝座的底面與該無線射頻辨識晶片的下表面之間。
如請求項8所述的具無線射頻辨識標籤的手術器械，更具有粗糙結構體，設置於該黏著層，以增加該黏著層與該組裝座之間的接觸面積。
如請求項1所述的具無線射頻辨識標籤的手術器械，更具有覆蓋體，以覆蓋該無線射頻辨識晶片的方式密封連接於該指套操作部的外表面，其中該無線射頻辨識晶片為封裝包覆在該覆蓋體以及該指套操作部之間。
一種寶石戒指，其具有： <br/>一環形部； <br/>一嵌合部，其設置於該環形部的外環側面； <br/>至少一寶石，其嵌合於該嵌合部； <br/>至少一雷射雕刻反光層，其位於該嵌合部上朝向該寶石的側面；該雷射雕刻反光層能使反光產生繞射現象。
如請求項1所述之寶石戒指，其中： <br/>該至少一寶石共為一個該寶石； <br/>該嵌合部具有： <br/>複數爪鉤，該爪鉤的一端連接於該環形部，另一端與該寶石嵌合。
如請求項2所述之寶石戒指，其中，該至少一雷射雕刻反光層共為多個該雷射雕刻反光層，其分別位於該等爪鉤上與該寶石嵌合的該另一端，並與該寶石相貼合。
如請求項2所述之寶石戒指，其中，該至少一雷射雕刻反光層共為一個該雷射雕刻反光層，其位於該等爪鉤與該環形部連接處。
如請求項2所述之寶石戒指，其中，該至少一雷射雕刻反光層為多個該雷射雕刻反光層，其中一該雷射雕刻反光層位於該等爪鉤與該環形部連接處，其餘該雷射雕刻反光層分別位於該等爪鉤上與該寶石嵌合的該另一端，並與該寶石相貼合。
如請求項1所述之寶石戒指，其中： <br/>該至少一寶石共為多個該寶石； <br/>該嵌合部呈一長槽狀，並形成有兩內側面及一底側面，該底側面位於該兩內側面之間；該兩內側面夾持該多個寶石；且 <br/>該至少一雷射雕刻反光層位於該嵌合部的該兩內側面或該底側面。
如請求項1至6中任一項所述之寶石戒指，其中，該至少一雷射雕刻反光層係為一經過雷射雕刻技術加工之金屬片，該金屬片設置於該嵌合部上。
如請求項1至6中任一項所述之寶石戒指，其中，該至少一雷射雕刻反光層係以雷射雕刻技術加工形成於該嵌合部的表面。
一種寶石戒指，其具有： <br/>一C字形環部，其形成有一開口； <br/>至少一寶石，其嵌合於該C字形環部的該開口； <br/>至少一雷射雕刻反光層，其位於該C字形環部的該開口；該雷射雕刻反光層能使反光產生繞射現象。
一種戒台，其具有： <br/>一環形部； <br/>一嵌合部，其設置於該環形部的外環側面，並用以嵌合一寶石； <br/>至少一雷射雕刻反光層，其位於該嵌合部上朝向該寶石的側面；該雷射雕刻反光層能使反光產生繞射現象。
一種眼鏡結構，其包含：<br/> 一木質鏡框，其包括有一左框體、一右框體及一鼻樑部，該鼻樑部之兩端分別連接該左框體之內側與該右框體之內側，並該左框體之外側設有一左切口部，該右框體之外側設有一右切口部；<br/> 二鏡片，其分別設於該左框體之內緣與該右框體之內緣；<br/> 二鼻托部，其分別設於該左框體之內側與該右框體之內側，且各該鼻托部鄰近該鼻樑部； <br/> 一左鏡腳，其包括有一左鉸鏈、一左木質連接部及一左金屬彈性耳掛部，該左鉸鏈結合於該左切口部，該左木質連接部之一端結合於該左鉸鏈，該左金屬彈性耳掛部之一端結合於該左鉸鏈，並該左金屬彈性耳掛部之前段位於該左木質連接部之外側，該左金屬彈性耳掛部之後段位於該左木質連接部之內側；以及<br/> 一右鏡腳，其包括有一右鉸鏈、一右木質連接部及一右金屬彈性耳掛部，該右鉸鏈結合於該右切口部，該右木質連接部之一端結合於該右鉸鏈，該右金屬彈性耳掛部之一端結合於該右鉸鏈，並該右金屬彈性耳掛部之前段位於該右木質連接部之外側，該右金屬彈性耳掛部之後段位於該右木質連接部之內側。
如請求項1所述之眼鏡結構，其中該左框體更包括有一左縱向組接部，該左縱向組接部設於該左切口部之一面。
如請求項2所述之眼鏡結構，其中該左鉸鏈之一端具有一左縱向對接部，該左縱向對接部配合二固定元件固定於該左縱向組接部，使該左鉸鏈以該左縱向對接部於結合後封閉該左切口部。
如請求項1所述之眼鏡結構，其中該右框體更包括有一右縱向組接部，該右縱向組接部設於該右切口部之一面。
如請求項4所述之眼鏡結構，其中該右鉸鏈之一端具有一右縱向對接部，該右縱向對接部配合二固定元件固定於該右縱向組接部，使該右鉸鏈以該右縱向對接部於結合後封閉該右切口部。
一種頸動脈教學裝置，用以透過模擬教學方式讓使用者知悉人體其頸部位置處之頸動脈位置，該頸動脈教學裝置係包含有：<br/> 一本體，其係具一頸部、一胸腔部與一氣管單元，其中，該氣管單元係設於該本體之該頸部內；<br/> 一心臟單元，係設於該本體之該胸腔部內，並用以模擬人體心臟之位置；<br/> 二頸動脈單元，係設於該頸部內且分別設於該氣管單元之相對兩側邊，其中，該等頸動脈單元係鄰近該頸部之表面，且該等頸動脈單元沿該等頸動脈單元之軸向各形成有一容置空間；<br/> 至少一頸動脈支架，係設置於該等頸動脈單元之至少一者內，並配置於該容置空間中，用以模擬人體頸動脈內之支撐結構；<br/> 至少一發光單元，係分別容置於該等頸動脈單元之該等容置空間；以及<br/> 一控制模組，係鄰接於該本體週側，且其一端係分別電性連接該等發光單元； <br/> 其中，該控制模組控制該等發光單元於對應之該等容置空間產生亮光。
如請求項1所述之頸動脈教學裝置，進一步地，該本體係為可透光材質所製成，使該等發光單元於該等容置空間所產生之亮光可以穿透該頸部讓使用者辨識該等頸動脈單元之位置。
如請求項1所述之頸動脈教學裝置，進一步地，該本體係依序具有該胸腔部、該頸部、該氣管單元與一頭部，其中，該頸部一端連接該胸腔部而另一端連接該頭部，而該氣管單元一端係自該胸腔部經該頸部朝該頭部方向組設。
如請求項1所述之頸動脈教學裝置，進一步地，該控制模組並電性連接一血管脈動單元，該血管脈動單元係鄰接該等頸動脈單元，並用以提供該等頸動脈單元模擬血管搏動。
如請求項1所述之頸動脈教學裝置，進一步地，該控制模組可控制該等發光單元產生不同顏色之亮光，用以呈現該頸動脈單元的血流狀態。
一種預先線上申請理財設備，適用於接收一介面裝置的一輸入資訊，該輸入資訊具有一客戶帳號資訊、一客戶密碼資訊與一金額輸入資訊，且該預先線上申請理財設備包含：<br/> 一銀行伺服器，通訊連接該介面裝置，根據該輸入資訊產生一客戶驗證資料與一理財申請資訊，根據該客戶驗證資料與一客戶清單，產生一安全驗證結果，該安全驗證結果用以指示該客戶清單中是否有相關於該客戶驗證資料的一客戶帳戶資訊，且根據該客戶帳戶資訊與該理財申請資訊產生一理財預約資訊；及<br/> 一分行裝置，通訊連接該銀行伺服器以接收該理財預約資訊，並產生一相關於該理財預約資訊的理財紙本文件。
如請求項1所述的預先線上申請理財設備，其中，該銀行伺服器還包括一通訊連接該介面裝置的線上申請模組，該線上申請模組自該介面裝置接收該輸入資訊，產生一理財條件資訊，其中，該理財條件資訊具有一理財金額設定。
如請求項1所述的預先線上申請理財設備，其中，該銀行伺服器還包括一通訊連接該介面裝置的電子存單模組，該電子存單模組自該介面裝置接收該輸入資訊，產生一選擇資訊，其中，該選擇資訊具有一紙本選擇與一電子選擇。
如請求項1所述的預先線上申請理財設備，其中，該銀行伺服器還包括一資料儲存裝置與一通訊連接該介面裝置的身分驗證模組，該身分驗證模組電連接該資料儲存裝置以接收該客戶清單，該身分驗證模組接收該輸入資訊產生該客戶驗證資料，且根據該客戶驗證資料與該客戶清單產生該安全驗證結果。
如請求項2所述的預先線上申請理財設備，其中，該銀行伺服器還包括一餘額查詢模組，該餘額查詢模組接收一相關於該客戶帳戶資訊的帳戶餘額，該餘額查詢模組根據該理財金額設定與該帳戶餘額產生一餘額判斷結果，該餘額判斷結果用以指示該帳戶餘額是否不小於該理財金額設定。
如請求項1所述的預先線上申請理財設備，其中，該銀行伺服器包括一預約編號生成模組與一資料儲存裝置，該資料儲存裝置用以儲存該理財申請資訊，該預約編號生成模組電連接該資料儲存裝置，以接收該理財申請資訊產生該理財預約資訊並儲存於該資料儲存裝置，且該理財預約資訊具有一預約編號。
如請求項1所述的預先線上申請理財設備，其中，該分行裝置包括一臨櫃快速辦理模組與一電連接該臨櫃快速辦理模組的印表機，根據該理財預約資訊產生一臨櫃申請資料，該印表機根據該臨櫃申請資料產生該理財紙本文件。
如請求項2所述的預先線上申請理財設備，其中，該理財申請資訊是一定存單申請資訊，該理財金額設定是一定存單金額設定，且該理財條件資訊還具有一定存單期數設定與一定存單轉期設定。
如請求項2所述的預先線上申請理財設備，其中，該理財申請資訊是一基金憑證申請資訊，該理財金額設定是一基金申購金額設定，且該理財條件資訊還具有一基金名稱與一投資方式設定。
如請求項2所述的預先線上申請理財設備，其中，該理財申請資訊是一保險單申請資訊，該理財金額設定是一保險付款金額設定，且該理財條件資訊還具有一保險名稱、一保險期數設定與一保險繳付方式設定。
一種農具結構，其包括:<br/> 一農具動力設備，其具備一機架、一設置於該機架上之動力設備、一設置於該機架上之連接結構，其中該連接結構界定一第一板件及二分別由該第一板件兩側分別彎折延伸之第二板件，其中該第一板件形成至少一供一固定螺栓螺鎖之螺孔，其中各該第二板件分別形成相對應且可供一插銷穿設之穿設孔；及<br/> 一農具設備，其具備一農用機具及一設置於該農用機具之對接結構，其中該對接結構界定一第一對接板件及二分別由該第一對接板件兩側分別彎折延伸之第二對接板件，其中該第一對接板件相對應該第一板件且供該固定螺栓抵頂，各該第二對接板件分別位於該第二板件一側，其中各該第二對接板件形成至少一對應該螺孔之對接螺孔，由該固定螺栓分別穿設該螺孔及對接螺孔固定該連接結構及該對接結構的結構位置。
如請求項1所述之農具結構，其中該第一板件及各該第二板件共同界定一可供各該第二對接板件插入之第一空間。
如請求項1所述之農具結構，其中該第一對接板件及各該第二對接板件共同界定一可供各該第二板件插入之第二空間。
如請求項2或3所述之農具結構，其中該固定螺栓經該第一板件上的該螺孔於該第一空間或該第二空間對該第一對接板件抵頂。
一種足弓溫熱按摩器，包括：<br/> 一基座，具有一座體，該座體上凹設有一滾動軌道與一容置槽，該座體上並凸出形成有一擋牆，該擋牆位於該滾動軌道與該容置槽之間；<br/> 一按摩球，裝設於該滾動軌道；<br/> 一按摩墊，具有一墊體，該墊體其中一面凸出形成有複數凸塊，該墊體裝設於該容置槽；<br/> 一溫熱足套，具有一用於設於該按摩墊上的足套，該足套設置有一電熱器者。
如請求項1所述之足弓溫熱按摩器，其中，該容置槽內凹設有複數凹孔者。
一種線對板連接器組，包括：<br/> 一板端連接器，係包含：<br/> 一第一絕緣座，係呈U形，並包含：<br/> 一連接部，係嵌入並排的多支第一端子；以及<br/> 二L形側部，係相向設置並一體連接該連接部的二端，且各該側部係一體包含一長側部及一短擋部；以及<br/> 二L形金屬件，係分別包覆在該第一絕緣座的該二L形側部的該二長側部；以及<br/> 一線端連接器，係沿著第一軸方向匹配插接於該板端連接器中，並包含：<br/> 一第二絕緣座，其中嵌入並排的多支第二端子，且該些第二端子係分別接觸對應該些第一端子，又該第二絕緣座的二相對側向外形成二凸柱，該二凸柱係抵止於該二L形金屬件對應該二短擋部之部分；以及<br/> 一金屬殼，係設置在該第二絕緣座外，且與該第二絕緣座一併容置於該第一絕緣座內，並與該二L形金屬件相卡合；以及<br/> 一滑蓋，係沿著第二軸方向滑設在該板端連接器，以選擇地蓋合該板端連接器與該線端連接器的插接處；其中該第二軸方向與該第一軸方向正交。
如請求項1所述之線對板連接器組，其中：<br/> 各該L形金屬件對應該長側部之部分係一體包含：<br/> 一內直板，係位在該長側部之內側，並向內形成一水平凸肋；<br/> 一外直板，係平行於該內直板，且位在該長側部之外側；以及<br/> 一橫板，係連接該內直板及該外直板，且位在該長側部之頂面；以及<br/> 該金屬殼的二相對側壁係分別對應該二L形金屬件的該二水平凸肋形成二水平凹槽，以卡合該二L形金屬件的該二水平凸肋。
如請求項2所述之線對板連接器組，其中該滑蓋係包含有：<br/> 二側滑軌，係分別滑設在該第一絕緣座的該二長側部及其上該二L形金屬件；以及<br/> 一水平部，係一體連接該二側滑軌，並選擇地位在該板端連接器與該線端連接器的插接處的上方。
如請求項3所述之線對板連接器組，其中：<br/> 該二L形金屬件的該二外直板係分別形成二第二卡塊；以及<br/> 該滑蓋的各該側滑軌的直部係對應該第二卡塊前、後形成二第二扣合槽，令該第二卡塊依滑動位置選擇地位於該二第二扣合槽的其中之一內。
如請求項4所述之線對板連接器組，其中：<br/> 該第一絕緣座的各該長側部的該外側係向外形成一第一卡塊；<br/> 各該L形金屬件的該外直板係對應該第一卡塊形成一第一扣合槽，以卡合至該第一扣合槽中。
如請求項5所述之線對板連接器組，其中該滑蓋係進一步包含二側爪，該二側爪係分別自該二直部的前側沿著一第三軸方向相向延伸，以位在該第一絕緣座的前側；其中該第三軸方向係與第一軸方向及第二軸方向正交。
如請求項2所述之線對板連接器組，其中該金屬殼的該二側壁匹配該第二絕緣座的該二凸柱係呈ㄇ形，以滑設且卡合於該第二絕緣座的該二凸柱。
如請求項1所述之線對板連接器組，其中：<br/> 各該第一端子係一體包含：<br/> 一彈性夾部，係嵌設於該第一絕緣座的該連接部，並自該第一絕緣座的該連接部之頂面外露；以及<br/> 一第一焊接部，係沿著第二軸方向自該第一絕緣座的該連接部穿出；以及<br/> 各該第二端子係一體包含：<br/> 一刀部，係插入對應該第一端子的該彈性夾部中；以及<br/> 一第二焊接部，係一體連接該刀部。
如請求項8所述之線對板連接器組，其中該第二焊接部係沿著第三軸方向自該刀部一體延伸，以偏位一體連接該刀部。
如請求項7所述之線對板連接器組，其中：<br/> 該板端連接器係進一步包含二彈性偵測端子，係分別嵌入該第一絕緣座的該連接部，其中各該彈性偵測端子係一體包含：<br/> 一接觸部，係自該第一絕緣座的該連接部突出；以及<br/> 一第三焊接部，係沿著第一軸方向穿出該第一絕緣座的該連接部；以及<br/> 該金屬殼對應該二彈性偵測端子的該二接觸部沿著第一軸方向延伸二偵測部，以與該二接觸部接觸。
如請求項2至4中任一項所述之線對板連接器組，其中各該L形金屬件的該外直板係沿著第一軸方向延伸一接地接腳，且各該L形金屬件對應該短擋部之部分亦沿著第一軸方向延伸另一接地接腳。