一種替代凝血因子VIII功能的多特異性抗原結合分子之用途，其係用以製造用於凝血因子IX異常症的預防和/或治療之醫藥，上述替代凝血因子VIII功能的多特異性抗原結合分子係辨識凝血因子IX和/或活性型凝血因子IX以及凝血因子X的雙特異性抗體，且 <br/>該雙特異性抗體為下述抗體： <br/>為第一多肽與第三多肽形成對，第二多肽與第四多肽形成對的雙特異性抗體，由第一多肽為包含序列編號: 1、2、3(Q499的H鏈CDR)記載的H鏈CDR1、2、3的胺基酸序列的H鏈，第二多肽為包含序列編號: 4、5、6(J327的H鏈CDR)記載的H鏈CDR1、2、3的胺基酸序列的H鏈，第三多肽與第四多肽為包含序列編號: 7、8、9(L404的L鏈CDR)記載的L鏈CDR1、2、3的胺基酸序列的共通L鏈所構成的雙特異性抗體。
如申請專利範圍第1項之用途，其中，該雙特異性抗體為下述抗體： <br/>為第一多肽與第三多肽形成對，第二多肽與第四多肽形成對的雙特異性抗體，由第一多肽為包含序列編號: 13記載的H鏈可變區域的胺基酸序列的H鏈，第二多肽為包含序列編號: 14記載的H鏈可變區域的胺基酸序列的H鏈，以及第三多肽與第四多肽為包含序列編號: 15記載的L鏈可變區域的胺基酸序列的共通L鏈所構成的雙特異性抗體。
如申請專利範圍第1項之用途，其中，該雙特異性抗體為下述抗體： <br/>為第一多肽與第三多肽形成對，第二多肽與第四多肽形成對的雙特異性抗體，由第一多肽為由序列編號: 10記載的胺基酸序列所構成的H鏈，第二多肽為由序列編號: 11記載的胺基酸序列所構成的H鏈，以及第三多肽與第四多肽為序列編號: 12記載的共通L鏈所構成的雙特異性抗體。
如申請專利範圍第1項之用途，其中，凝血因子IX異常症，係經由凝血因子IX和/或活性型凝血因子IX的活性降低、功能異常和/或缺損而發症及/或進展的疾病。
如申請專利範圍第1項之用途，其中，凝血因子IX異常症係先天性或後天性的疾病。
如申請專利範圍第1項之用途，其中，凝血因子IX異常症係血友病B或凝血因子IX缺乏症。
如申請專利範圍第1項之用途，其中，醫藥為用於與凝血因子IX製劑併用之醫藥。
如申請專利範圍第1項之用途，其中，醫藥為用於增強凝血因子IX製劑的凝血活性之醫藥。
一種替代凝血因子VIII功能的多特異性抗原結合分子與凝血因子IX製劑之用途，其係用以製造用於凝血因子IX異常症的預防和/或治療之併用醫藥，上述替代凝血因子VIII功能的多特異性抗原結合分子係辨識凝血因子IX和/或活性型凝血因子IX以及凝血因子X的雙特異性抗體，且 <br/>該雙特異性抗體為下述抗體： <br/>為第一多肽與第三多肽形成對，第二多肽與第四多肽形成對的雙特異性抗體，由第一多肽為包含序列編號: 1、2、3(Q499的H鏈CDR)記載的H鏈CDR1、2、3的胺基酸序列的H鏈，第二多肽為包含序列編號: 4、5、6(J327的H鏈CDR)記載的H鏈CDR1、2、3的胺基酸序列的H鏈，第三多肽與第四多肽為包含序列編號: 7、8、9(L404的L鏈CDR)記載的L鏈CDR1、2、3的胺基酸序列的共通L鏈所構成的雙特異性抗體。
一種替代凝血因子VIII功能的多特異性抗原結合分子之用途，其係用以製造用於增強於凝血因子IX異常症患者中凝血因子IX製劑的凝血活性之醫藥，上述替代凝血因子VIII功能的多特異性抗原結合分子係辨識凝血因子IX和/或活性型凝血因子IX以及凝血因子X的雙特異性抗體，且 <br/>該雙特異性抗體為下述抗體： <br/>為第一多肽與第三多肽形成對，第二多肽與第四多肽形成對的雙特異性抗體，由第一多肽為包含序列編號: 1、2、3(Q499的H鏈CDR)記載的H鏈CDR1、2、3的胺基酸序列的H鏈，第二多肽為包含序列編號: 4、5、6(J327的H鏈CDR)記載的H鏈CDR1、2、3的胺基酸序列的H鏈，第三多肽與第四多肽為包含序列編號: 7、8、9(L404的L鏈CDR)記載的L鏈CDR1、2、3的胺基酸序列的共通L鏈所構成的雙特異性抗體。
如申請專利範圍第9或10項之用途，其中該雙特異性抗體為下述抗體： <br/>為第一多肽與第三多肽形成對，第二多肽與第四多肽形成對的雙特異性抗體，由第一多肽為包含序列編號: 13記載的H鏈可變區域的胺基酸序列的H鏈，第二多肽為包含序列編號: 14記載的H鏈可變區域的胺基酸序列的H鏈，以及第三多肽與第四多肽為包含序列編號: 15記載的L鏈可變區域的胺基酸序列的共通L鏈所構成的雙特異性抗體。
如申請專利範圍第9或10項之用途，其中該雙特異性抗體為下述抗體： <br/>為第一多肽與第三多肽形成對，第二多肽與第四多肽形成對的雙特異性抗體，由第一多肽為由序列編號: 10記載的胺基酸序列所構成的H鏈，第二多肽為由序列編號: 11記載的胺基酸序列所構成的H鏈，以及第三多肽與第四多肽為序列編號: 12記載的共通L鏈所構成的雙特異性抗體。
一種T細胞調節多聚體多肽(TMMP)，其包含至少一種異源二聚體，該異源二聚體自N末端至C末端依序包含：a)第一多肽，該第一多肽包含：i)威爾姆斯瘤-1(WT-1)肽抗原決定基；和ii)第一I類主要組織相容性複合體(MHC)多肽，其中該第一I類MHC多肽為β2微球蛋白(β2M)多肽；及b)第二多肽，該第二多肽包含：i)第二I類MHC多肽，其中該第二I類MHC多肽為I類MHC重鏈多肽；ii)2個免疫調節多肽；及iii)免疫球蛋白(Ig)Fc多肽，其中該2個免疫調節多肽各自包含變異介白素-2(IL-2)多肽，其中與SEQ ID NO：15所示之胺基酸序列相比，該變異IL-2多肽包含於位置16非為His之Ala和於位置42非為Phe之Ala，且其中該變異IL-2多肽結合IL-2受體(IL-2R)且當藉由生物層干涉術(BLI)檢測於相同條件下進行量測時展現與包含SEQ ID NO：15所示之胺基酸序列的對照組IL-2多肽與人類野生型IL-2R的結合親和力相比呈與該IL-2R多肽降低之結合親和力。
如請求項1之TMMP，其中：a1)該第一多肽自N末端至C末端依序包含：i)該WT-1肽抗原決定基；ii)連接子；及iii)β2M多肽；且b1)該第二多肽自N末端至C末端依序包含：i)該第一降低親和力之變異IL-2多肽；ii)連接子；iii)該第二降低親和力之變異IL-2多肽；iv)連接子；v)MHC重鏈多肽；vi)連接子；及vii)變異Ig Fc多肽。
如請求項1之TMMP，其中：a1)該第一多肽自N末端至C末端依序包含：i)該WT-1肽抗原決定基；ii)連接子；及iii)β2M多肽；且b1)該第二多肽自N末端至C末端依序包含：i)MHC重鏈多肽；ii)連接子；iii)變異Ig Fc多肽；iv)連接子；v)該第一降低親和力之變異IL-2多肽；vi)連接子；及vii)該第二降低親和力之變異IL-2多肽。
如請求項1至3中任一項之TMMP，其中該I類MHC重鏈多肽係人類白血球抗原(HLA)-A重鏈。
如請求項1之TMMP，其中該TMMP包含介於該β2M多肽之Cys殘基與該I類MHC重鏈多肽之Cys殘基之間的二硫鍵。
如請求項1之TMMP，其中該TMMP包含介於該β2M多肽於位置12之Cys殘基與該I類MHC重鏈多肽於位置236之Cys殘基之間的二硫鍵。
如請求項1之TMMP，其中該第一多肽包含介於該WT-1肽抗原決定基與該β2M多肽之間的含有Cys之連接子，且其中該TMMP包含介於該含有Cys之連接子之該Cys與該I類MHC重鏈多肽之Cys之間的二硫鍵。
如請求項1之TMMP，其中該Ig Fc多肽包含選自由SEQ ID NO：204和212至215組成之群的胺基酸序列。
一種TMMP，其包含如請求項1至8中任一項所述之第一和第二異源二聚體，其中該第一和第二異源二聚體係相同且彼此藉由介於該第一和第二異源二聚體之該Ig Fc多肽之間的1或多個二硫鍵共價鍵結。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1至9中任一項之TMMP。
一種核酸，其包含編碼如請求項1至9中任一項所述之第一或第二多肽的核苷酸序列。
一種表現載體，其包含如請求項11之核酸。
一種宿主細胞，其係經如請求項11之核酸或如請求項12之表現載體轉形。
一種活體外選擇性調節T細胞活性之方法，其包含使該T細胞與如請求項1至9中任一項之TMMP接觸。
一種如請求項1至9中任一項之TMMP或如請求項10之醫藥組合物於製備藥物之用途，該藥物係用於治療個體的癌症。
一種胰高血糖素樣肽1受體(GLP1R)激動劑之用途，其中該GLP1R激動劑為(S)-2-{[(3S,8S)-3-[4-(3,4-二氯-苄氧基)-苯基]-7-((S)-1-苯基-丙基)-2,3,6,7,8,9-六氫-[1,4]二氧雜環己二烯并[2,3-g]異喹啉-8-羰基]-胺基}-3-[4-(2,3-二甲基-吡啶-4-基)-苯基]-丙酸、(S)-2-{[(3S,8S)-3-[4-(3,4-二氯-苄氧基)-苯基]-7-((S)-1-苯基-丙基)-2,3,6,7,8,9-六氫-[1,4]二氧雜環己二烯并[2,3-g]異喹啉-8-羰基]-胺基}-3-[4-(2,3-二甲基-吡啶-4-基)-苯基]-丙酸鹽酸鹽(1:2)或前述任一者之組合，該用途係用於製造藥物，該藥物用於下列方法： <br/>其中該藥物係用在減輕體重的方法、 <br/>其中該藥物係用在治療肥胖的方法、或 <br/>其中該藥物係用在降低收縮壓的方法， <br/>該等方法中的任一者包括向有需要的個體每天給藥0.1 mg/kg至3.0 mg/kg或10 mg至500 mg的該GLP1R激動劑； <br/>其中： <br/>該給藥包含口服給藥該GLP1R激動劑；且 <br/>該個體為人類。
如請求項1之用途，其中該藥物係進一步用在減輕體重的方法。
如請求項1之用途，其中該藥物係進一步用在改善血糖控制的方法，或該方法進一步包含降低空腹血糖(FPG)的方法。
如請求項1、2或3之用途，其中該給藥包含每天一次或多次，例如一天一次、一天兩次、或一天三次給藥該GLP1R激動劑；且 <br/>該一次或多次給藥中的至少一次是與食物一起給藥。
如請求項4之用途，其中： <br/>該給藥包含一天兩次給藥該GLP1R激動劑； <br/>較佳為其中該給藥包含一天兩次是與食物一起給藥該GLP1R激動劑。
如請求項1、2或3之用途，其中： <br/>該給藥包括給藥該GLP1R激動劑一段時間： <br/>不少於一周，或 <br/>不少於二周，或 <br/>不少於三周，或 <br/>不少於六周，或 <br/>不少於九周，或 <br/>不少於十二周。
如請求項1、2或3之用途，其中： <br/>該給藥該GLP1R激動劑包含每天給藥10 mg至500 mg的該GLP1R激動劑。
如請求項1、2或3之用途，其中： <br/>該給藥該GLP1R激動劑包含每天給藥一次150 mg的該GLP1R激動劑。
如請求項1、2或3之用途，其中： <br/>該給藥該GLP1R激動劑包含每天給藥二次150 mg的該GLP1R激動劑。
如請求項1、2或3之用途，其中： <br/>該給藥該GLP1R激動劑包含每天給藥30 mg至200 mg的該GLP1R激動劑。
如請求項1、2或3之用途，其中： <br/>該方法進一步包含向該個體共同給藥與該GLP1R激動劑組合的一種或多種抗糖尿病藥物； <br/>較佳為其中該一種或多種抗糖尿病藥物係選自由以下所組成之群：胰島素、胰島素類似物(包括賴脯胰島素、門冬胰島素、穀賴胰島素、低精蛋白胰島素、鋅胰島素、甘精胰島素和地特胰島素)、雙胍類(包括二甲雙胍、苯乙雙胍和丁雙胍)、噻唑烷二酮類(包括羅格列酮、吡格列酮和曲格列酮)、磺脲類(包括甲苯磺丁脲、乙醯苯磺醯環己脲、妥拉磺脲、氯磺丙脲、格列吡嗪、格列本脲、格列美脲、格列齊特、格列吡脲和格列喹酮)、氯茴苯酸類(包括瑞格列奈和那格列奈)、α-葡糖苷酶抑制劑(包括米格列醇、阿卡波糖和伏格列波糖)、胰高血糖素樣肽類似物和激動劑(包括艾塞那肽、利拉魯肽、索馬魯肽、他司魯泰、利西拉肽、阿必魯肽和杜拉魯肽)、胃抑制肽類似物，二肽基肽酶-4 (DPP-4)抑制劑(包括維格列汀、西格列汀、沙格列汀、利格列汀、阿格列汀、septagliptin、替格列汀和吉格列汀)、胰澱素激動劑類似物、鈉/葡萄糖協同轉運蛋白2(SGLT2)抑制劑和葡萄糖激酶激動劑。
如請求項11之用途，其中： <br/>該一種或多種抗糖尿病藥物為二甲雙胍； <br/>較佳為其中該共同給藥包含每天一次或多次，例如一天一次、一天兩次、一天三次、或一天四次共同給藥二甲雙胍； <br/>較佳為其中該共同給藥包含一天兩次共同給藥二甲雙胍； <br/>較佳為其中該共同給藥包括一天兩次與食物一起共同給藥二甲雙胍。
如請求項12之用途，其中： <br/>共同給藥二甲雙胍包括向需要的人類個體共同給藥： <br/>每天100至1500 mg、或 <br/>每天100至1400 mg、或 <br/>每天100至1300 mg、或 <br/>每天100至1200 mg、或 <br/>每天200至1500 mg、或 <br/>每天200至1400 mg、或 <br/>每天200至1300 mg、或 <br/>每天200至1200 mg、或 <br/>每天300至1500 mg、或 <br/>每天300至1400 mg、或 <br/>每天300至1300 mg、或 <br/>每天300至1200 mg <br/>的二甲雙胍。
如請求項1、2或3之用途，其中： <br/>減輕體重包含該個體在12周平均減少0.6 kg至0.9 kg。
如請求項1、2或3之用途，其中： <br/>減輕體重包含該個體在12周平均減少0.6 kg±0.5 kg。
如請求項1、2或3之用途，其中： <br/>減輕體重包含該個體在12周平均減少0.9 kg±0.5 kg。
一種偏光膜，係用於反射率為50%以下之自體發光面板；該偏光膜係由包含鹵化物之聚乙烯醇系樹脂薄膜構成，且相對於聚乙烯醇系樹脂100重量份，該偏光膜含有5重量份~20重量份之鹵化物，前述鹵化物為碘化鉀、碘化鈉、碘化鋰或氯化鈉，將該偏光膜配置在前述自體發光面板之一面時，包含前述自體發光面板與前述偏光膜的積層體之不包括表面反射之反射率為0.5%~1.0%；該偏光膜之單體透射率為46%~47%；具備該偏光膜之偏光板其寬度為1000mm以上，沿寬度方向之位置的單體透射率之最大值與最小值之差為0.7%以下，50cm<sup>2</sup>區域內的單體透射率之最大值與最小值之差為0.3%以下。
如請求項1之偏光膜，其在令前述自體發光面板之反射率為R[%]時，正交透射率Tc[%]滿足50/R≦Tc≦100/R。
如請求項1或2之偏光膜，其厚度為8μm以下，且碘含量為3重量%以下。
一種附有相位差層之偏光板，具有如請求項1至3中任一項之偏光膜與相位差層，前述相位差層之面內相位差Re(550)為100nm~200nm，且前述偏光膜之吸收軸與前述相位差層之慢軸所形成之角度為38°~52°；在此，Re(550)表示在23℃下以波長550nm之光測得的面內相位差。
如請求項4之附有相位差層之偏光板，其在貼合至玻璃板之狀態下，於85℃之氣體環境下加熱500小時後，於前述偏光膜之吸收軸方向上的尺寸變化率為0.4%以下。
一種艾拉菲諾(elafibranor)的L-精胺酸鹽(L-arginine salt)的結晶鹽類。
如請求項1所述之結晶鹽類，其具有包含峰值(以角度程度±0.2°的2θ表示)在5.9°、8.8°、11.7°、13.2°、19.8°以及19.9°的X射線粉末繞射圖樣。
一種製備如請求項1或2所述之艾拉菲諾的L-精胺酸鹽的結晶鹽類的方法，其包含步驟：<br/> (i)避光，將艾拉菲諾的游離酸及提供用於鹽類形成之相對離子的鹼，依據合適的溶劑中的鹼以選自1：1至2：1的酸/鹼莫耳比溶解；<br/> (ii)於從40°C至100°C的溫度下攪拌艾拉菲諾的游離酸及鹼；<br/> (iii)將合適的溶劑加入(ii)所得之混合物並慢慢降溫至室溫，或(iii)移除(ii)所得之混合物的溶劑，將合適的結晶溶劑加入殘留物中；<br/> (iv)藉由過濾分離沉澱的結晶，其中<br/> 該鹼為L-精胺酸；以及<br/> 該合適的溶劑由丙酮及水組成。
如請求項3所述之方法，其中該步驟(ii)於50°C的溫度下進行。
一種藥物組合物，其包含如請求項1或請求項2所述之艾拉菲諾的L-精胺酸鹽的結晶鹽類及藥學上可接受的載體。
如請求項5所述之藥物組合物，其以可注射懸浮劑、凝膠、油劑、丸劑、栓劑、粉末、膠囊錠(gel caps)、膠囊、噴霧劑的形式配製。
一種如請求項1或請求項2所述之艾拉菲諾的L-精胺酸鹽的結晶鹽類在製備用於治療疾病之藥物的用途，其中該疾病選自原發型膽汁性膽管炎(PBC)、原發性硬化性膽管炎(PSC)、姙娠肝內膽汁滯留症(intrahepatic cholestasis of pregnancy)、進行性家族性肝內膽汁鬱積(progressive familial intrahepatic cholestasis)、膽道閉鎖、膽石病(Cholelithiasis)、感染性膽管炎(Infectious Cholangitis)、與蘭格漢氏細胞組織細胞增多病相關的膽管炎(Cholangitis associated with Langerhans cell histiocytosis)、Alagille症候群(Alagille syndrome)、非症候群性膽管缺乏(Non syndromic ductal paucity)、藥物引發的膽汁鬱積及全靜脈營養療法相關的膽汁鬱積(Total parenteral nutrition-associated cholestasis)。
一種結合OX40之多肽，其包含至少一個VHH域，其中該VHH域包含SEQ ID NO: 9之胺基酸序列。
如請求項1之多肽，其中該VHH域係人類化的。
如請求項1之多肽，其包含兩個、三個或四個VHH域。
如請求項1之多肽，其中該多肽包含至少一個結合除OX40以外之第二抗原之結合域。
如請求項4之多肽，其中該第二抗原係選自PD-1、PD-L1及41BB。
如請求項1之多肽，其中各VHH域結合OX40。
如請求項6之多肽，其中各VHH域包含SEQ ID NO: 9之胺基酸序列。
如請求項1之多肽，其中該多肽包含Fc域。
如請求項7之多肽，其中該多肽包含Fc域。
如請求項8或9之多肽，其中該Fc域包含選自SEQ ID NO: 25及26之胺基酸序列。
如請求項1之多肽，其中該多肽包含SEQ ID NO: 14之胺基酸序列。
如請求項11之多肽，其中該多肽包含Fc域。
一種結合OX40之多肽，其包含SEQ ID NO: 15之胺基酸序列。
如請求項1、8、9、12及13中任一項之多肽，其在生理條件下形成二聚體。
如請求項8、9、12及13中任一項之多肽，其中該多肽： <br/>i) 活體外及/或活體內增加CD4 <sup>+</sup>及/或CD8 <sup>+</sup>T細胞增殖； <br/>ii) 在調節性T (Treg)細胞之存在下增加CD4 <sup>+</sup>及/或CD8 <sup>+</sup>T細胞增殖； <br/>iii) 活體外增加CD4 <sup>+</sup>及/或CD8 <sup>+</sup>T細胞上之CD25表現； <br/>iv) 活體外增加CD4 <sup>+</sup>及/或CD8 <sup>+</sup>T細胞上之CD71表現； <br/>v) 活體外增加CD4 <sup>+</sup>及/或CD8 <sup>+</sup>T細胞中之NFκB信號傳遞；及/或 <br/>vi) 活體外增加CD4 <sup>+</sup>及/或CD8 <sup>+</sup>T細胞中之IFNγ表現。
如請求項8、9、12及13中任一項之多肽，其係OX40生物活性之促效劑。
如請求項8、9、12及13中任一項之多肽，其中該OX40係人類OX40。
如請求項8、9、12及13中任一項之多肽，其中該多肽以小於10 nM、小於5 nM、小於2 nM或小於1 nM之親和力(K <sub>D</sub>)結合人類OX40及/或食蟹獼猴OX40。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1至18中任一項之多肽及醫藥學上可接受之載劑。
一種經分離之核酸，其編碼如請求項1至18中任一項之多肽。
一種載體，其包含如請求項20之核酸。
一種宿主細胞，其包含如請求項20之核酸或如請求項21之載體。
一種宿主細胞，其表現如請求項1至18中任一項之多肽。
如請求項23之宿主細胞，其係初代人類細胞或初代人類T細胞。
如請求項23之宿主細胞，其係嵌合抗原受體(CAR)-T細胞。
一種產生如請求項1至18中任一項之多肽之方法，其包含：在適合於表現該多肽之條件下培育如請求項22或23之宿主細胞。
如請求項26之方法，其進一步包含分離該多肽。
一種如請求項1至18中任一項之多肽、如請求項19之醫藥組合物或如請求項22至25中任一項之宿主細胞之用途，其用於製備治療癌症之醫藥品。
如請求項28之用途，其中該癌症係選自基底細胞癌、膽道癌；膀胱癌；骨癌；大腦及中樞神經系統癌症；乳癌；腹膜癌；子宮頸癌；絨毛膜癌；結腸及直腸癌症；結締組織癌；消化系統癌症；子宮內膜癌；食道癌；眼癌；頭頸癌；胃癌；胃腸癌；神經膠母細胞瘤；肝癌；肝細胞瘤；上皮內贅瘤；腎臟癌或腎癌；喉癌；肝癌；肺癌；小細胞肺癌；非小細胞肺癌；肺腺癌；肺鱗狀細胞癌；黑素瘤；骨髓瘤；神經母細胞瘤；口腔癌；卵巢癌；胰臟癌；前列腺癌；視網膜母細胞瘤；橫紋肌肉瘤；直腸癌；呼吸系統癌症；唾液腺癌；肉瘤；皮膚癌；鱗狀細胞癌；胃癌；睪丸癌；甲狀腺癌；子宮或子宮內膜癌；泌尿系統癌症；外陰癌；淋巴瘤；霍奇金氏淋巴瘤(Hodgkin's lymphoma)；非霍奇金氏淋巴瘤(non-Hodgkin's lymphoma)；B細胞淋巴瘤；低級/濾泡性非霍奇金氏淋巴瘤(NHL)；小淋巴球性(SL)NHL；中級/濾泡性NHL；中級彌漫性NHL；高級免疫母細胞性NHL；高級淋巴母細胞性NHL；高級小無裂細胞NHL；腫塊性病變NHL；套細胞淋巴瘤；AIDS相關淋巴瘤；瓦爾登斯特倫氏巨球蛋白血症(Waldenstrom's macroglobulinemia)；慢性淋巴球性白血病(CLL)；急性淋巴母細胞性白血病(ALL)；毛細胞白血病；及慢性骨髓母細胞性白血病。
如請求項28或29之用途，其中該醫藥品進一步包含額外治療劑或療法或與額外治療劑或療法組合使用。
如請求項30之用途，其中該額外治療劑係抗癌劑。
如請求項31之用途，其中該抗癌劑係選自化學治療劑、抗癌生物製劑及溶瘤病毒。
如請求項32之用途，其中該抗癌生物製劑係抑制VISTA、gpNMB、B7H3、B7H4、HHLA2、CD73、CTLA、TIGIT、PD-1及/或PD-L1之藥劑。
如請求項33之用途，其中該抗癌生物製劑係選自納武單抗(nivolumab)、皮立珠單抗(pidilizumab)、帕博利珠單抗(pembrolizumab)、德瓦魯單抗(durvalumab)、阿特珠單抗(atezolizumab)、阿維魯單抗(avelumab)、AMP-224、BMS-936559、AMP-514、MDX-1105、TSR-042、STI-A1010及STI-A1110。
如請求項31之用途，其中該抗癌劑係抗體。
如請求項32之用途，其中該抗癌生物製劑係細胞介素。
如請求項28或29之用途，其中該治療進一步包含腫瘤切除術、CAR-T療法及/或放射療法。
一種組成物，其包含：可固化氟聚合物，其包含含腈固化部位；及基於該可固化氟聚合物總莫耳數之0.01至10莫耳%之固化劑，其中該固化劑包含有機鎓陽離子及由下式代表之陰離子：<figure><img align="absmiddle" height="99px" width="358px" file="d10015.TIF" alt="化學式ed10015.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10015.png"/></figure>其中各R及R'獨立地係氫、鹵素、烷基、芳基、芳基伸烷基、或烷基伸芳基，其中該烷基、芳基、芳基伸烷基、或烷基伸芳基各自可係未經取代或各自可經一或多個鹵素取代，前提是R'不是鹵素，或者R及R'可連接在一起以形成環；各Rf係RCF<sub>2</sub>-或具有至多8個碳原子之全氟烷基；X係非氟化或至少部分氟化的有機鍵聯基；且n係1或2，其中該組成物不含金屬陽離子或包含不大於20百萬分點的金屬陽離子，且其中該組成物不含二氧化矽或包含小於0.5重量百分比的二氧化矽，其係以該組成物之總重量計。
如請求項1之組成物，其中該組成物包含不大於2ppm的具有4至18個碳原子之氟化酸或其鹽。
如請求項1之組成物，其中該可固化氟聚合物係非晶形可固化氟聚合物，且其中該組成物進一步包含部分結晶氟聚合物。
如請求項1至3中任一項之組成物，其中各R係F，且其中R'係氫、苯基、甲氧苯基、甲苯甲醯基(toluyl)、氟苯基、三氟甲基苯基、或三氟甲基。
如請求項1至3中任一項之組成物，其中該有機鎓陽離子係四烷基鏻陽離子或四烷基銨陽離子。
如請求項1至3中任一項之組成物，其中該固化劑係四丁基鏻2-對甲苯甲醯基-1,1,1,3,3,3-六氟異丙酸酯。
如請求項1至3中任一項之組成物，其中該可固化氟聚合物包含四氟乙烯與不同的全氟化烯烴、部分氟化烯烴、非氟化烯烴、全氟烷基乙烯基醚、或全氟烷氧基烷基乙烯基醚中之至少一者的交互聚合單元。
如請求項7之組成物，其中該等交互聚合單元進一步包含全氟(8-氰基-5-甲基-3,6-二氧雜-1-辛烯)、CF<sub>2</sub>=CFO(CF<sub>2</sub>)<sub>L</sub>CN、CF<sub>2</sub>=CFO(CF<sub>2</sub>)<sub>u</sub>OCF(CF<sub>3</sub>)CN、CF<sub>2</sub>=CFO[CF<sub>2</sub>CF(CF<sub>3</sub>)O]<sub>q</sub>(CF<sub>2</sub>O)<sub>y</sub>CF(CF<sub>3</sub>)CN、或CF<sub>2</sub>=CF[OCF<sub>2</sub>CF(CF<sub>3</sub>)]<sub>r</sub>O(CF<sub>2</sub>)<sub>t</sub>CN中之至少一者，其中L係在2至12之範圍內；u係在2至6之範圍內；q係在0至4之範圍內；y係在0至6之範圍內；r係在1至2之範圍內；且t係在1至4之範圍內。
一種氟彈性體，其係藉由固化如請求項1至3中任一項之組成物而製備。
一種製造氟彈性體物品之方法，該方法包含：提供如請求項1至3中任一項之組成物，使該組成物成形；及使該組成物交聯以形成該氟彈性體物品。
如請求項10之方法，其中交聯包含在溫度設定為高於300℃的環境中加熱該組成物。
一種用於製造如請求項1至3中任一項之組成物的製程，該製程包含：提供含有該可固化氟聚合物之粒子的水性組成物；藉由使該水性組成物與礦酸接觸或藉由冷凍凝聚中之至少一者使該固化氟聚合物凝聚；單離該可固化氟聚合物；及將該可固化氟聚合物與該固化劑組合。
一種修飾透明質酸(modified hyaluronic acid (HA))，其中至少一N-乙醯基-D-葡糖胺單元(N-acetyl-D-glucosamine unit)的-CH<sub>2</sub>-OH基被改質成具有-CH<sub>2</sub>-O-CH<sub>2</sub>-CHO結構的醛基，<br/> 其中改質程度(degree of modification)係為1.8％至7.0％，改質程度係定義為-CH<sub>2</sub>-O-CH<sub>2</sub>-CHOH-CH<sub>2</sub>OH基的數目除以存在於該修飾透明質酸中的N-乙醯基-D-葡糖胺單元的總數，和/或其中該修飾透明質酸的重量平均分子量(weight average molecular weight)係為0.1MDa至2.5MDa。
如請求項1所述之修飾透明質酸，包含下述結構之至少一個二糖單元(disaccharide unit)<br/><img align="absmiddle" height="68px" width="154px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/> 其中R係選自氫和鹼金屬離子。
如請求項2所述之修飾透明質酸，進一步包含下述結構之至少一個二糖單元<br/><img align="absmiddle" height="45px" width="154px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/> 其中R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>和R<sup>4</sup>係獨立地選自H和-CH<sub>2</sub>-CHO，以及R<sup>5</sup>係選自氫和鹼金屬離子，前提是R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>和R<sup>5</sup>中的至少一者係為-CH<sub>2</sub>-CHO，以及如果R<sup>1</sup>係為-CH<sub>2</sub>-CHO，則R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>和R<sup>5</sup>中的至少一者係為-CH<sub>2</sub>-CHO。
一種製備請求項1-3中任一項所述之修飾透明質酸的方法，其包括以下步驟：<br/> a)提供一甘油修飾透明質酸(glycerol-modified hyaluronic acid)，其特徵在於將至少一N-乙醯基-D-葡糖胺單元(N-acetyl-D-glucosamine unit)的-CH<sub>2</sub>-OH基改質成下述通式-CH<sub>2</sub>-O-CH<sub>2</sub>-CHOH-CH<sub>2</sub>OH的一官能基(moiety)；<br/> b)將該甘油修飾透明質酸溶解於一水性介質中，以獲得一溶解的甘油修飾透明質酸(solubilized glycerol-modified hyaluronic acid)；<br/> c)使所述溶解的甘油修飾透明質酸與一氧化劑進行反應，以將所述-CH<sub>2</sub>-O-CH<sub>2</sub>-CHOH-CH<sub>2</sub>OH基的至少一部分轉化成具有通式-CH<sub>2</sub>-O-CH<sub>2</sub>-CHO的醛基，從而獲得一醛修飾透明質酸(aldehyde-modified hyaluronic acid)。
如請求項4所述之方法，還包括以下步驟中的一者或多者：<br/> d)終止步驟c)的反應，係藉由加入一鄰二醇(vicinal diol)(1,2-二醇)；<br/> e)純化該修飾透明質酸，係藉由於一有機溶劑中使該修飾透明質酸沉澱，將沉澱物重新溶解於鹽水中，以及於所述有機溶液中使該修飾透明質酸重新沉澱；<br/> f)乾燥於步驟e)中所獲得的該修飾透明質酸。
如請求項4或5所述之方法，其中所述甘油修飾透明質酸的重量平均分子量(weight average molecular weight)係為0.1MDa至5.0MDa，和/或所述甘油修飾透明質酸的改質程度(degree of modification)係為1.8％至7.0％，改質程度係定義為-CH<sub>2</sub>-O-CH<sub>2</sub>-CHOH-CH<sub>2</sub>OH基的數目除以存在於該甘油修飾透明質酸中的N-乙醯基-D-葡糖胺單元的總數，<br/> 和/或其中<br/> (i) 步驟c)係於4°C至35°C之溫度下進行；和/或<br/> (ii) 步驟c)係於5分鐘至120分鐘之期間進行；和/或<br/> (iii) 該氧化劑的存在量係為0.01莫耳當量至0.5莫耳當量，基於該甘油修飾透明質酸的二糖重複單元的莫耳量；和/或<br/> (iv) 所述甘油修飾透明質酸的存在量係為2 g/L至50 g/L。
一種藉由如請求項4至6中任一項所述的方法所獲得的修飾透明質酸，其中所述修飾透明質酸係<br/> i) 具有1.8％至7.0％之改質程度，改質程度係定義為‑CH<sub>2</sub>-O-CH<sub>2</sub>-CHO基的數目除以存在於該修飾透明質酸中的N-乙醯基-D-葡糖胺單元的總數，和/或<br/> ii) 具有0.1 MDa至2.5 MDa之重量平均分子量，和/或<br/> iii) 包含下述結構之至少一個二糖單元<br/><img align="absmiddle" height="68px" width="154px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/> 其中R係選自氫和鹼金屬離子。
如請求項7所述之修飾透明質酸，其中所述修飾透明質酸係進一步包含具有下述結構之至少一個二糖單元<br/><img align="absmiddle" height="45px" width="154px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/> 其中R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>和R<sup>4</sup>係獨立地選自氫和<br/> -CH<sub>2</sub>-CHO，以及R<sup>5</sup>係選自氫和鹼金屬離子，前提是R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>和R<sup>5</sup>中的至少一者係為-CH<sub>2</sub>-CHO，以及如果R<sup>1</sup>係為-CH<sub>2</sub>-CHO，則R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>和R<sup>5</sup>中的至少一者係為-CH<sub>2</sub>-CHO。
一種如請求項1至3和7至8中任一項所述的修飾透明質酸之用途，用於製備外觀應用中原位形成一交聯的水凝膠(crosslinked hydrogel)之藥物。
如請求項9所述之用途，用於製備治療皮膚的皺紋(wrinkles)及細紋(lines)，包括皺眉紋(glabellar lines)、法令紋(nasolabial folds)、雙下巴(chin folds)、木偶紋(marionette lines)、下頜輪廓(jawlines)、頰部連合(buccal commissures)、口周皺紋(perioral wrinkles)、魚尾紋(crow’s feet)、皮膚凹陷(cutaneous depressions)、疤痕(scars)、太陽穴(temples)、眉毛的皮下支撐(subdermal support of the brows)、顴頰脂肪墊(malar and buccal fat pads)、淚溝(tear troughs)、鼻子、嘴唇、臉頰、口周區域(perioral region)、眶下區域(infraorbital region)、面部不對稱之藥物。
一種如請求項1至3和7至8中任一項所述的修飾透明質酸之用途，用於形成一預形成的交聯水凝膠(pre-formed crosslinked hydrogel)。
一種如請求項1至3和7至8中任一項所述的修飾透明質酸，用以原位形成一交聯的水凝膠(crosslinked hydrogel)以使用治療應用。
如請求項12所述的修飾透明質酸，用於壓力性尿失禁(stress urinary incontinence)、陰道乾澀(vaginal dryness)、膀胱輸尿管逆流(vesico-ureteral reflux)、 聲帶褶不足(vocal fold insufficiency)和聲帶褶內移(vocal fold medialization)之處理。
如請求項12所述的修飾透明質酸，其中所述修飾透明質酸與一第二多醣衍生物一起使用，所述第二多醣衍生物包含一或多個親核官能基(nucleophilic functional groups)，該一或多個親核官能基係能夠與該修飾透明質酸的一或多個醛基形成一共價鍵，其中該第二多醣係為一透明質酸以及所述親核官能基係為一醯肼官能基(hydrazide functional group)，以及其中該第二多醣係為一包含具有下述結構之至少一個二糖單元之透明質酸：<br/><img align="absmiddle" height="90px" width="154px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項9至11之任一項所述的修飾透明質酸之用途，其中所述修飾透明質酸與一第二多醣衍生物一起使用，所述第二多醣衍生物包含一或多個親核官能基(nucleophilic functional groups)，該一或多個親核官能基係能夠與該修飾透明質酸的一或多個醛基形成一共價鍵，其中該第二多醣係為一透明質酸以及所述親核官能基係為一醯肼官能基(hydrazide functional group)，以及其中該第二多醣係為一包含具有下述結構之至少一個二糖單元之透明質酸：<br/><img align="absmiddle" height="90px" width="154px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項14所述之修飾透明質酸，其中<br/> (i) 藉由將該修飾透明質酸和該第二多醣衍生物共同注射(co-injecting)到一受試者之身體內的一目標位置，該修飾透明質酸之醛基和該第二多醣衍生物之親核官能基係自發地形成一共價鍵，從而在該目標位置處形成一交聯的水凝膠(crosslinked hydrogel)，或<br/> (ii) 當所述修飾透明質酸和所述第二多醣衍生物接觸時，所述修飾透明質酸之醛基和所述第二多醣衍生物之親核官能基係自發地形成一共價鍵，其中所述修飾透明質酸和所述第二多醣衍生物係存在於一緩衝介質中。
如請求項15所述之修飾透明質酸之用途，用於製備藥物，其中<br/> (i) 藉由將該修飾透明質酸和該第二多醣衍生物共同注射(co-injecting)到一受試者之身體內的一目標位置，該修飾透明質酸之醛基和該第二多醣衍生物之親核官能基係自發地形成一共價鍵，從而在該目標位置處形成一交聯的水凝膠(crosslinked hydrogel)，或<br/> (ii) 當所述修飾透明質酸和所述第二多醣衍生物接觸時，所述修飾透明質酸之醛基和所述第二多醣衍生物之親核官能基係自發地形成一共價鍵，其中所述修飾透明質酸和所述第二多醣衍生物係存在於一緩衝介質中。
一種交聯的水凝膠(crosslinked hydrogel)，包含下述結構單元：<br/><img align="absmiddle" height="161px" width="193px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/> 其中「 Ac」係表示為-C(O)CH<sub>3</sub>，以及R係選自氫和鹼金屬離子。
如請求項18所述之交聯的水凝膠，其中所述交聯的水凝膠係為一預形成的交聯水凝膠(pre-formed crosslinked hydrogel)。
如請求項19所述之交聯的水凝膠，其中所述交聯的水凝膠係進一步包含一未交聯的多醣(uncrosslinked polysaccharide)，和/或其中所述交聯的水凝膠係進一步包含一麻醉劑。
一種交聯的水凝膠(crosslinked hydrogel)，其係藉由使如請求項1至3和7至8中任一項所述之修飾透明質酸與如請求項14所定義之第二多醣衍生物接觸而獲得，其中所述交聯的水凝膠係包含下述結構單元：<br/><img align="absmiddle" height="161px" width="193px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/> 其中「 Ac」係表示為-C(O)CH<sub>3</sub>，以及R係選自氫和鹼金屬離子。
如請求項21所述之交聯的水凝膠，其中所述接觸係原位進行(performed in situ)。
如請求項21所述之交聯的水凝膠，其中所述接觸係體外進行(performed in vitro)，其中所述接觸係於一緩衝液中進行。
一種製備一交聯的水凝膠(crosslinked hydrogel)之藥物的方法，該方法包括以下步驟：<br/> a)分開地提供包含如請求項1至3和7至8中任一項的修飾透明質酸之一第一前驅溶液以及包含如請求項14的第二多醣衍生物之一第二前驅溶液；<br/> b)將該第一前驅溶液和該第二前驅溶液混合成一原位可交聯的混合物(in situ crosslinkable mixture)；以及<br/> c)將該原位可交聯的混合物注射到一患者之身體內的一目標位置，以在該目標部位處形成一交聯的凝膠(crosslinked gel)。
如請求項24所述之製備交聯的水凝膠之藥物的方法，其中在步驟a)中，所述第一前驅溶液和所述第二前驅溶液係存在於一多筒注射器(multi-barrel syringe)的不同筒中，以及步驟b)的混合係發生於從所述多筒注射器擠出的過程中。
一種製備一交聯的水凝膠(crosslinked hydrogel)的方法，該方法包括以下步驟：<br/> a) 提供一緩衝液；<br/> b) 將如請求項1至3和7至8中任一項的修飾透明質酸添加到該緩衝液中，以及將如請求項14中定義的第二多醣衍生物添加到該緩衝液中，<br/> 以及向該緩衝液中添加未交聯的多醣(uncrosslinked polysaccharide)；<br/> c) 使該修飾透明質酸和該第二多醣衍生物於該緩衝液中交聯，從而製備一交聯的水凝膠(crosslinked hydrogel)；<br/> d)將未交聯的多醣添加到步驟c)中所獲得的該交聯的水凝膠中；<br/> e)將步驟c)或d)中所獲得的水凝膠篩選(sieving)和除氣(degassing)；<br/> f)將步驟c)、d)或e)中所獲得的水凝膠填充到一容器中，該容器係較佳地為一注射器；<br/> g)將包含步驟f)中所獲得之凝膠的該容器進行滅菌(sterilizing)。
一種用於原位形成一交聯的水凝膠(crosslinked hydrogel)的套組(kit)，包括(i) 一第一容器，包含具有如請求項1至3和7至8中任一項所述的修飾透明質酸之一第一前驅溶液，以及(ii)一第二容器，包含具有如請求項14所定義的第二多醣衍生物之一第二前驅溶液，以及(iii)使用說明(instructions for use)。
一種經掩蔽之抗體，其包含：<br/>a) 抗CTLA4抗體或其抗原結合片段，其包含輕鏈可變(VL)域及重鏈可變(VH)域；及<br/>b) 掩蔽肽，其包含SEQ ID NO: 5之胺基酸序列；<br/>其中該掩蔽肽經由包含可裂解肽之連接子連接至該VL域或該VH域之胺基端或羧基端；且<br/>其中該VL域包含(i)CDR-L1，其包含SEQ ID NO: 438之胺基酸序列，(ii)CDR-L2，其包含SEQ ID NO: 439之胺基酸序列，及(iii)CDR-L3，其包含SEQ ID NO: 440之胺基酸序列；及該VH域包含(i)CDR-H1，其包含SEQ ID NO: 441之胺基酸序列，(ii)CDR-H2，其包含SEQ ID NO: 442之胺基酸序列，及(iii)CDR-H3，其包含SEQ ID NO: 443之胺基酸序列。
如請求項1之經掩蔽之抗體，其中該包含可裂解肽之連接子包含可裂解肽，其包含選自由SEQ ID NO: 47-88、464-469及479-508組成之群之胺基酸序列。
如請求項2之經掩蔽之抗體，其中該可裂解肽包含胺基端及羧基端，且該包含可裂解肽之連接子包含第一間隔連接子及第二間隔連接子，其中該第一間隔連接子連接至該可裂解肽之胺基端且包含選自由SEQ ID NO: 89-112及415-420組成之群之胺基酸序列，且該第二間隔連接子連接至該可裂解肽之羧基端且包含選自由SEQ ID NO: 89-112及415-420組成之群之胺基酸序列。
如請求項1之經掩蔽之抗體，其中該包含可裂解肽之連接子包含選自由SEQ ID NO: 454-462組成之群之胺基酸序列。
如請求項1至4中任一項之經掩蔽之抗體，其中該經掩蔽之抗體包含選自由SEQ ID NO: 113-231及444-453組成之群之胺基酸序列。
如請求項1至4中任一項之經掩蔽之抗體，其中該抗CTLA4抗體或其抗原結合片段為人類化抗體或嵌合抗體。
如請求項1至4中任一項之經掩蔽之抗體，其中該VL域包含SEQ ID NO: 322之胺基酸序列，且該VH域包含SEQ ID NO: 324之胺基酸序列。
如請求項1至4中任一項之經掩蔽之抗體，其中該VL域包含於輕鏈內，該輕鏈包含選自由SEQ ID NO: 334-341、350-365及422-431組成之群之胺基酸序列，且該VH域包含於重鏈內，該重鏈包含選自由SEQ ID NO: 373-380、391-397及421組成之群之胺基酸序列。
如請求項1至4中任一項之經掩蔽之抗體，其中該經掩蔽之抗體包含SEQ ID NO: 421之胺基酸序列，且包含選自由SEQ ID NO: 358及422-431組成之群之胺基酸序列。
如請求項1至4中任一項之經掩蔽之抗體，其中該抗CTLA4抗體或其抗原結合片段係與藥劑結合。
如請求項10之經掩蔽之抗體，其中該藥劑為微管蛋白聚合抑制劑、DNA損傷劑或DNA合成抑制劑。
一種經掩蔽之雙特異性抗體，其包含如請求項1至9中任一項之經掩蔽之抗體。
一種經掩蔽之抗體，其包含：<br/>a) 抗CTLA4抗體或其抗原結合片段，其包含輕鏈可變(VL)域及重鏈可變(VH)域；及<br/>b) 掩蔽肽，其包含SEQ ID NO: 5之胺基酸序列；<br/>其中該掩蔽肽經由包含可裂解肽之連接子連接至該VL域之胺基端；<br/>其中該包含可裂解肽之連接子包含可裂解肽，其包含SEQ ID NO: 86之胺基酸序列；<br/>該VL域包含：包含SEQ ID NO: 438之胺基酸序列之CDR-L1、包含SEQ ID NO: 439之胺基酸序列之CDR-L2及包含SEQ ID NO: 440之胺基酸序列之CDR-L3；及該VH域包含：包含SEQ ID NO: 441之胺基酸序列之CDR-H1、包含SEQ ID NO: 442之胺基酸序列之CDR-H2及包含SEQ ID NO: 443之胺基酸序列之CDR-H3。
一種經掩蔽之抗體，其包含：<br/>a) 抗CTLA4抗體或其抗原結合片段，其包含輕鏈可變(VL)域及重鏈可變(VH)域；及<br/>b) 掩蔽肽，其包含SEQ ID NO: 19之胺基酸序列；<br/>其中該掩蔽肽經由包含可裂解肽之連接子連接至該VL域之胺基端；<br/>其中該包含可裂解肽之連接子包含可裂解肽，其包含SEQ ID NO:50之胺基酸序列；且<br/>該VL域包含：包含SEQ ID NO: 438之胺基酸序列之CDR-L1、包含SEQ ID NO: 439之胺基酸序列之CDR-L2及包含SEQ ID NO: 440之胺基酸序列之CDR-L3；及該VH域包含：包含SEQ ID NO: 441之胺基酸序列之CDR-H1、包含SEQ ID NO: 442之胺基酸序列之CDR-H2及包含SEQ ID NO: 443之胺基酸序列之CDR-H3。
一種核酸，其編碼如請求項1至9中任一項之經掩蔽之抗體、如請求項12之經掩蔽之雙特異性抗體或如請求項13或14之經掩蔽之抗體。
一種載體，其包含如請求項15之核酸。
一種宿主細胞，其包含如請求項15之核酸。
一種製備經掩蔽之抗體之方法，其包含在產生該經掩蔽之抗體之條件下培養宿主細胞，其中該宿主細胞包含如請求項15之核酸或如請求項16之載體。
一種醫藥組合物，其包含a)如請求項1至9中任一項之經掩蔽之抗體、如請求項12之經掩蔽之雙特異性抗體或如請求項13或14之經掩蔽之抗體，及b)醫藥學上可接受之載劑。
一種套組，其包含如請求項1至9中任一項之經掩蔽之抗體、如請求項12之經掩蔽之雙特異性抗體或如請求項13或14之經掩蔽之抗體。
一種如請求項1至9中任一項之經掩蔽之抗體、如請求項12之經掩蔽之雙特異性抗體、如請求項13或14之經掩蔽之抗體或如請求項19之醫藥組合物之用途，其係用於製造在個體中供治療癌症之醫藥品。
一種化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物選自<figure><img align="absmiddle" height="870px" width="566px" file="d10002.TIF" alt="化學式ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="997px" width="563px" file="d10003.TIF" alt="化學式ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="800px" width="592px" file="d10004.TIF" alt="化學式ed10004.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10004.png"/></figure>
一種化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物係由下方結構所描述：<figure><img align="absmiddle" height="206px" width="278px" file="d10005.TIF" alt="化學式ed10005.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10005.png"/></figure>
一種化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物係由下方結構所描述：<figure><img align="absmiddle" height="193px" width="259px" file="d10006.TIF" alt="化學式ed10006.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10006.png"/></figure>
一種化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物係由下方結構所描述：<figure><img align="absmiddle" height="195px" width="269px" file="d10007.TIF" alt="化學式ed10007.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10007.png"/></figure>
一種化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物係由下方結構所描述：<figure><img align="absmiddle" height="202px" width="296px" file="d10008.TIF" alt="化學式ed10008.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10008.png"/></figure>
一種化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物係由下方結構所描述：<figure><img align="absmiddle" height="192px" width="258px" file="d10009.TIF" alt="化學式ed10009.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10009.png"/></figure>
一種醫藥組成物，其包含：如請求項1至6中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽；及醫藥學上可接受之賦形劑。
一種如請求項1至6中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽於製備藥物之用途，該藥物係用於抑制PI4激酶。
如請求項8之用途，其中該PI4激酶為PI4-III激酶。
一種如請求項1至6中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽於製備藥物之用途，該藥物係用於治療個體之感染性病狀，該感染性病狀由感染對PI4激酶抑制敏感之病原體引起。
一種如請求項1至6中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽於製備藥物之用途，該藥物係用於治療個體之癌症。
如請求項11之用途，其進一步包含：量測自該個體獲得之生物樣品的癌細胞中PI4KIIIβ之表現水準或活性水準；及判定該等癌細胞中PI4KIIIβ之表現水準或活性水準相對於一或多個對照細胞是否升高。
如請求項11或12之用途，其進一步包含共投與該個體有效量之其他劑。
一種如請求項1至6中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽於製備藥物之用途，該藥物係用於抑制個體之癌細胞增殖。
一種抗癌套組，其包含：有效劑量之如請求項1至6中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽；有效劑量之其他抗癌劑；及用於治療癌症之說明書。
一種用於當蓄電池用於將電力提供至負載時在純蓄電池模式(battery only mode)中操作蓄電池充電器之方法，其中上述純蓄電池模式中之上述蓄電池之最大蓄電池放電電流被設置為第一電流臨限位準，上述方法包括： <br/>接收上述純蓄電池模式之第一指示； <br/>回應於上述第一指示，致使來自上述蓄電池之電壓經由蓄電池控制電晶體對(a pair of battery control transistors)而提供至上述負載； <br/>接收上述蓄電池之上述電壓已放電低於第二電壓臨限位準之第二指示；及 <br/>回應於上述第二指示，使用耦合於升降壓結構(buck-boost configuration)中之複數個開關電晶體，藉由於反向升壓模式中操作上述蓄電池充電器，致使經調節之電壓自上述蓄電池提供至上述負載，上述複數個開關電晶體不同於上述蓄電池控制電晶體對及至少旁路電晶體對(at least a pair of bypass transistors)； <br/>其中上述反向升壓模式包括：將上述蓄電池控制電晶體對之NGATE FET維持於OFF狀態，及將上述旁路電晶體對維持於ON狀態； <br/>其中上述反向升壓模式中之上述蓄電池之上述最大蓄電池放電電流也被設置為上述第一電流臨限位準。
如請求項1之方法，其中致使將來自上述蓄電池之上述電壓提供至上述負載包括：將上述蓄電池充電器自理想二極體模式(ideal diode mode)轉變至上述反向升壓模式。
如請求項2之方法，其中上述理想二極體模式包括：將上述蓄電池控制電晶體對維持於ON狀態，且將上述旁路電晶體對維持於OFF狀態。
如請求項1之方法，其中接收上述第一及第二指示包含自外部實體接收信號。
如請求項4之方法，其中上述外部實體包括嵌入式控制器。
一種蓄電池充電器，其於蓄電池用於將電力提供至負載時具有純蓄電池模式，其中上述純蓄電池模式中之上述蓄電池之最大蓄電池放電電流被設置為第一電流臨限位準，上述蓄電池充電器包括： <br/>正常模式模組，其構成為：致使來自上述蓄電池之電壓經由蓄電池控制電晶體對而提供至上述負載；及 <br/>反向升壓模組，其構成為：回應於上述蓄電池之上述電壓已放電低於第二電壓臨限位準之指示，使用耦合於升降壓結構中之複數個開關電晶體，藉由於反向升壓模式中操作上述蓄電池充電器，致使經調節之電壓自上述蓄電池提供至上述負載，上述複數個開關電晶體不同於上述蓄電池控制電晶體對及至少旁路電晶體對； <br/>其中上述反向升壓模式包括：將上述蓄電池控制電晶體對之NGATE FET維持於OFF狀態，及將上述旁路電晶體對維持於ON狀態， <br/>其中上述反向升壓模式中之上述蓄電池之上述最大蓄電池放電電流也被設置為上述第一電流臨限位準。
如請求項6之蓄電池充電器，其中上述反向升壓模式包括：使用經脈寬調變之控制信號來控制上述複數個開關電晶體。
如請求項6之蓄電池充電器，其中上述正常模式模組係構成為：藉由在理想二極體模式中操作上述蓄電池充電器，致使來自上述蓄電池之上述電壓提供至上述負載。
如請求項8之蓄電池充電器，其中上述理想二極體模式包括：將上述蓄電池控制電晶體對維持於ON狀態，且將上述旁路電晶體對維持於OFF狀態。
如請求項6之蓄電池充電器，其中上述指示係接收自外部實體。
如請求項10之蓄電池充電器，其中上述外部實體包括嵌入式控制器。
一種由包含15至100 vol% H<sub>2</sub>S的原料氣體以及硫酸料流製備硫的方法，其涉及以下步驟： <br/>a. 提供克勞斯反應爐進料流，其包含該原料氣體、一定量之硫酸及一定量之氧氣，其中氧氣之量為亞化學計量， <br/>b. 將該克勞斯反應爐進料流導引至在高溫下操作的克勞斯反應爐，從而提供克勞斯轉化器進料氣體， <br/>c. 冷卻該克勞斯轉化器進料氣體，以提供冷卻的克勞斯轉化器進料氣體， <br/>d. 將該冷卻的克勞斯轉化器進料氣體導引至與在克勞斯反應中具有催化活性的材料接觸， <br/>e. 從來自在克勞斯反應中該具有催化活性的材料的流出物中抽取克勞斯尾氣及元素硫， <br/>f. 將包含該克勞斯尾氣的料流導引至克勞斯尾氣處理， <br/>其特徵在於導引至該克勞斯反應爐的該硫酸為液滴形式，其液滴尺寸分佈特徵在於90%質量的液滴具有小於500 µm的直徑。
如請求項1之方法，其中該原料氣體係50 vol%至99 vol%。
如請求項1之方法，其中在步驟a中，該克勞斯反應爐進料流包含一定量的燃料。
如請求項1之方法，其中在步驟b中，將該克勞斯反應爐進料流導引至在高於900℃之高溫下操作的克勞斯反應爐。
如請求項1之方法，其中在步驟c中，冷卻該克勞斯轉化器進料氣體，以提供冷卻的克勞斯轉化器進料氣體，且自氣體抽取元素硫。
如請求項1之方法，其中在步驟d中，在再加熱之後，將該冷卻的克勞斯轉化器進料氣體導引至與在克勞斯反應中具有催化活性的材料接觸。
如請求項1之方法，其中在步驟e中，藉由冷卻來自在克勞斯反應中該具有催化活性的材料的流出物，抽取克勞斯尾氣及元素硫。
如請求項1之方法，其中該液滴尺寸分佈特徵在於90%質量的液滴具有小於200 µm的直徑。
如請求項1之方法，其中該液滴尺寸分佈特徵在於90%質量的液滴具有小於100 µm的直徑。
如請求項1之方法，其中至少一定量的硫酸經由至少一個氣動噴嘴被導引至該克勞斯反應爐，該噴嘴接收硫酸及霧化介質。
如請求項10之方法，其中該霧化介質為壓縮空氣，且流量為25 Nm<sup>3 </sup>空氣/噸酸至500 Nm<sup>3 </sup>空氣/噸酸。
如請求項11之方法，其中該流量為50 Nm<sup>3 </sup>空氣/噸酸至200 Nm<sup>3 </sup>空氣/噸酸。
如請求項1之方法，其中至少一定量的硫酸經由至少一個液壓噴嘴被導引至該克勞斯反應爐。
如請求項1至13中任一項之方法，其中在該克勞斯反應爐中的平均方法氣體滯留時間小於5秒。
如請求項1至13中任一項之方法，其中在該克勞斯反應爐中的平均方法氣體滯留時間小於2秒。
如請求項1至13中任一項之方法，其中該克勞斯反應爐包含擾流增進劑。
如請求項1至13中任一項之方法，其中該克勞斯反應爐包含撞擊裝置。
如請求項1至13中任一項之方法，其中該克勞斯尾氣處理涉及以下步驟 <br/>g. 將包含該克勞斯尾氣、氧氣及燃料作為原料氣體的料流導引至在高於900°C的溫度操作的克勞斯尾氣燃燒器或用於氧化的催化裝置，以提供SO<sub>2</sub>轉化器進料氣體， <br/>h. 導引該SO<sub>2</sub>轉化器進料氣體與SO<sub>2</sub>氧化為SO<sub>3</sub>時具有催化活性的材料接觸，提供富含SO<sub>3</sub>的氣體， <br/>i. 藉由SO<sub>3</sub>在硫酸中的吸收或將SO<sub>3</sub>水合，將硫酸冷卻及冷凝，將該富含SO<sub>3</sub>的氣體轉化為濃硫酸， <br/>j. 將至少部分製造的硫酸回收至該克勞斯反應爐。
如請求項1至13中任一項之方法，其中一定量的硫酸來自克勞斯尾氣處理以外的其他來源。
如請求項之1至13中任一項之方法，其中該硫酸料流中的硫量高於從該方法抽取元素硫總量的1莫耳%且小於25莫耳%。
如請求項之1至13中任一項之方法，其中該硫酸料流中的硫量高於從該方法抽取元素硫總量的3莫耳%且小於21莫耳%。
如請求項之1至13中任一項之方法，其中該硫酸料流中的硫量高於從該方法抽取元素硫總量的5莫耳%且小於17莫耳%。
一種製備硫的設備，其包含克勞斯反應爐、克勞斯廢熱鍋爐、克勞斯轉化區段、克勞斯尾氣燃燒器及硫酸區段，其中該克勞斯反應爐具有爐入口、酸噴嘴入口及出口，該克勞斯廢熱鍋爐具有氣體入口、氣體出口及元素硫出口，該克勞斯轉化區段具有氣體入口、氣體出口及元素硫出口，該克勞斯尾氣燃燒器具有入口及出口，且該硫酸區段具有氣體入口、氣體出口及硫酸出口，且其中該克勞斯反應爐入口經配置以接收原料氣體及氧化劑，且該克勞斯反應爐出口經配置以與該克勞斯廢熱鍋爐入口流體連通，其中該克勞斯廢熱鍋爐出口經配置以與該克勞斯轉化區段入口流體連通，且其中該克勞斯尾氣燃燒器入口經配置以與該克勞斯轉化區段氣體出口之出口流體連通，該克勞斯尾氣燃燒器出口經配置以與該硫酸區段入口流體連通，其進一步特徵在於該硫酸區段的該硫酸出口與該克勞斯反應爐的該酸噴嘴入口流體連通。
如請求項23之製備硫的設備，其進一步包含硫儲存槽，其體積對應於在1天至4天內從該硫酸區段的該硫酸出口抽取的硫酸量。
一種具有下式中之任一者的化合物或其醫藥學上可接受之鹽、互變異構體或立體異構體， <br/><img align="absmiddle" height="147px" width="114px" file="ed10175.jpg" alt="ed10175.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>（II-A）、 <img align="absmiddle" height="148px" width="114px" file="ed10176.jpg" alt="ed10176.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>（III-A）、 <img align="absmiddle" height="147px" width="114px" file="ed10178.jpg" alt="ed10178.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>（II-B）、 <img align="absmiddle" height="151px" width="114px" file="ed10177.jpg" alt="ed10177.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>（III-B） <br/>其中： <br/><img align="absmiddle" height="4px" width="15px" file="ed10179.jpg" alt="ed10179.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示單鍵或雙鍵； <br/>Cy為苯基； <br/>X為O或S； <br/>R <sub>1</sub>為H或C <sub>1-6</sub>烷基； <br/>R <sub>2</sub>係選自H、OH、鹵素及C <sub>1-6</sub>烷基； <br/>R <sub>3</sub>係選自H、C <sub>1-6</sub>烷基及鹵素； <br/>R <sub>4</sub>係H； <br/>R <sub>5</sub>為H或C <sub>1-6</sub>烷基； <br/>R <sub>6</sub>係H； <br/>R <sub>7</sub>及R <sub>8</sub>中之各者係獨立地選自： <br/>- 氫； <br/>- C <sub>1-4</sub>烷基，其視需要經一或多個各自獨立地選自由以下者組成之群之取代基取代：氟、三氟甲基及3至7員飽和環，該3至7員飽和環之各者視需要經一或多個各自獨立地選自以下者之取代基取代：C <sub>1-6</sub>烷基及鹵基C <sub>1-6</sub>烷基；及 <br/>- 氧呾基、環丙基或環丁基，其視需要經一或多個各自獨立地選自以下者的取代基取代：OH、甲基、氟及三氟甲基； <br/>或R <sub>7</sub>及R <sub>8</sub>連同其所附接之氮原子形成氮呾，其視需要經一或多個氟取代；且 <br/>Ra、Rb、Rc及Rd係各自獨立地選自由以下者組成之群：氫、鹵素、CN、C <sub>1</sub>- <sub>6</sub>烷基及鹵基C <sub>1</sub>- <sub>6</sub>烷基。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、互變異構體或立體異構體，其中： R <sub>2</sub>為H、C <sub>1-6</sub>烷基或OH；及 <b/><br/>R <sub>3</sub>為H、C <sub>1-6</sub>烷基或鹵素。
如請求項1或2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、互變異構體或立體異構體，其中Cy為苯基，R <sub>1</sub>為CH <sub>3</sub>，R <sub>3</sub>為H、甲基、氯或溴，R <sub>5</sub>為氫或甲基，且R <sub>6</sub>為氫。
如請求項1或2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、互變異構體或立體異構體，其中： <br/>R <sub>7</sub>係選自由以下者組成之群：氫、甲基、乙基、異丙基、三級丁基、環丙基、環丁基、 <br/><img align="absmiddle" height="210px" width="379px" file="ed10185.jpg" alt="ed10185.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；及/或 <br/>R <sub>8</sub>係選自由以下者組成之群：氫、甲基、乙基、異丙基、三級丁基、環丙基、環丁基、 <br/><img align="absmiddle" height="181px" width="376px" file="ed10186.jpg" alt="ed10186.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種化合物或其醫藥學上可接受之鹽、互變異構體或立體異構體，其中所述化合物係選自由以下者組成之群： - 順-2-(2-(二甲胺基)-2-側氧乙醯基)-7-甲基-N-(3,4,5-三氟苯基)-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-b:3',4'-f][1,4,5]氧硫氮口辛（oxathiazocine）-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- 順-N-(4-氟-3-甲基苯基)-7-甲基-2-(2-((3-甲基氧呾-3-基)胺基)-2-側氧乙醯基)-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-b:3',4'-f][1,4,5]氧硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- (3aR,10aR)-N-(4-氟-3-甲基苯基)-7-甲基-2-(2-((3-甲基氧呾-3-基)胺基)-2-側氧乙醯基)-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-b:3',4'-f][1,4,5]氧硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- (3aR,10aR)-7-甲基-2-(2-((3-甲基氧呾-3-基)胺基)-2-側氧乙醯基)-N-(3,4,5-三氟苯基)-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-b:3',4'-f][1,4,5]氧硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- (3aR,10aR)-N-(3-氯-4-氟苯基)-7-甲基-2-(2-((3-甲基氧呾-3-基)胺基)-2-側氧乙醯基)-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-b:3',4'-f][1,4,5]氧硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- (3aR,10aR)-N-(3-氰基-4-氟苯基)-7-甲基-2-(2-((3-甲基氧呾-3-基)胺基)-2-側氧乙醯基)-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-b:3',4'-f][1,4,5]氧硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- (3aR,10aR)-2-(2-(三級丁胺基)-2-側氧乙醯基)-N-(4-氟-3-甲基苯基)-7-甲基-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-b:3',4'-f][1,4,5]氧硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- (3aR,10aR)-2-(2-(環丙胺基)-2-側氧乙醯基)-N-(4-氟-3-甲基苯基)-7-甲基-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-b:3',4'-f][1,4,5]氧硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- (3aR,10aR)-N-(4-氟-3-甲基苯基)-7-甲基-2-(2-側氧基-2-(((R)-1,1,1-三氟丙-2-基)胺基)乙醯基)-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-b:3',4'-f][1,4,5]氧硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- 順N-(4-氟-3-甲基苯基)-7-甲基-2-(2-(甲基胺基)-2-側氧乙醯基)-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-b:3',4'-f][1,4,5]氧硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- 順-2-(2-胺基-2-側氧乙醯基)-N-(4-氟-3-甲基苯基)-7-甲基-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-b:3',4'-f][1,4,5]氧硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- 順-7-甲基-2-(2-(甲基胺基)-2-側氧乙醯基)-N-(3,4,5-三氟苯基)-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-b:3',4'-f][1,4,5]氧硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- 順-2-(2-胺基-2-側氧乙醯基)-7-甲基-N-(3,4,5-三氟苯基)-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-b:3',4'-f][1,4,5]氧硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- (3aR,10aR)-2-(2-((3,3-二氟環丁基)胺基)-2-側氧乙醯基)-N-(4-氟-3-甲基苯基)-7-甲基-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-b:3',4'-f][1,4,5]氧硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- (3aR,10aR)-N-(4-氟-3-甲基苯基)-7-甲基-2-(2-側氧基-2-(((S)-1,1,1-三氟丙-2-基)胺基)乙醯基)-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-b:3',4'-f][1,4,5]氧硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- (3aR,10aR)-N-(4-氟-3-甲基苯基)-2-(2-(異丁胺基)-2-側氧乙醯基)-7-甲基-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-b:3',4'-f][1,4,5]氧硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- (3aR,10aR)-N-(4-氟-3-甲基苯基)-7-甲基-2-(2-側氧基-2-((2,2,2-三氟乙基)胺基)乙醯基)-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-b:3',4'-f][1,4,5]氧硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- (3aR,10aR)-N-(4-氟-3-甲基苯基)-7-甲基-2-(2-((1-甲基環丙基)胺基)-2-側氧乙醯基)-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-b:3',4'-f][1,4,5]氧硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- (3aR,10aR)-N-(4-氟-3-甲基苯基)-7-甲基-2-(2-側氧基-2-((1-(三氟甲基)環丙基)胺基)乙醯基)-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-b:3',4'-f][1,4,5]氧硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- (3aR,10aR)-2-(2-((環丙基甲基)胺基)-2-側氧乙醯基)-N-(4-氟-3-甲基苯基)-7-甲基-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-b:3',4'-f][1,4,5]氧硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- (3aR,10aR)-N-(4-氟-3-甲基苯基)-2-(2-(異丙胺基)-2-側氧乙醯基)-7-甲基-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-b:3',4'-f][1,4,5]氧硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- (3aR,10aR)-2-(2-(環丁胺基)-2-側氧乙醯基)-N-(4-氟-3-甲基苯基)-7-甲基-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-b:3',4'-f][1,4,5]氧硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- (3aR,10aR)-2-(2-(環丙胺基)-2-側氧乙醯基)-N-(4-氟-3-甲基苯基)-7-甲基-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-c:3',4'-g][1,6,2]二硫氮口辛（dithiazocine）-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- (3aR,10aR)-N-(4-氟-3-甲基苯基)-7-甲基-2-(2-側氧基-2-(((R)-1,1,1-三氟丙-2-基)胺基)乙醯基)-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-c:3',4'-g][1,6,2]二硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- 順-2-(2-(環丙胺基)-2-側氧乙醯基)-N-(4-氟-3-甲基苯基)-7,10a-二甲基-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-b:3',4'-f][1,4,5]氧硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- 順-N-(4-氟-3-甲基苯基)-7,10a-二甲基-2-(2-側氧基-2-(((R)-1,1,1-三氟丙-2-基)胺基)乙醯基)-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-b:3',4'-f][1,4,5]氧硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- 順-N-(4-氟-3-甲基苯基)-3a,7-二甲基-2-(2-側氧基-2-(((R)-1,1,1-三氟丙-2-基)胺基)乙醯基)-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-b:3',4'-f][1,4,5]氧硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- 順-2-(2-(環丙胺基)-2-側氧乙醯基)-N-(4-氟-3-甲基苯基)-3a,7-二甲基-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-b:3',4'-f][1,4,5]氧硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- (3aR,10aR)-2-(2-(3,3-二氟氮呾-1-基)-2-側氧乙醯基)-N-(4-氟-3-甲基苯基)-7-甲基-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-b:3',4'-f][1,4,5]氧硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- 反-N-(4-氟-3-甲基苯基)-7-甲基-2-(2-側氧基-2-(((R)-1,1,1-三氟丙-2-基)胺基)乙醯基)-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-b:3',4'-f][1,4,5]氧硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- 反-2-(2-(環丙胺基)-2-側氧乙醯基)-N-(4-氟-3-甲基苯基)-7-甲基-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-b:3',4'-f][1,4,5]氧硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- (3aR,10aR)-N-(4-氟-3-甲基苯基)-7-甲基-2-(2-側氧基-2-((1,1,1-三氟-2-甲基丙-2-基)胺基)乙醯基)-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-b:3',4'-f][1,4,5]氧硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- (3aR,10aR)-N-(4-氟-3-甲基苯基)-7-甲基-2-(2-側氧基-2-((1-(三氟甲基)環丁基)胺基)乙醯基)-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-b:3',4'-f][1,4,5]氧硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- (3aR,10aR)-2-(2-胺基-2-側氧乙醯基)-N-(4-氟-3-甲基苯基)-7-甲基-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-c:3',4'-g][1,6,2]二硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- (3aR,10aR)-N-(4-氟-3-甲基苯基)-7-甲基-2-(2-(甲基胺基)-2-側氧乙醯基)-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-c:3',4'-g][1,6,2]二硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- (3aR,10aR)-2-(2-(3,3-二氟氮呾-1-基)-2-側氧乙醯基)-N-(4-氟-3-甲基苯基)-7-甲基-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-c:3',4'-g][1,6,2]二硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- (3aR,10aR)-N-(4-氟-3-甲基苯基)-7-甲基-2-(2-側氧基-2-(((S)-1,1,1-三氟丙-2-基)胺基)乙醯基)-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-c:3',4'-g][1,6,2]二硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- (3aR,10aR)-N-(4-氟-3-甲基苯基)-7-甲基-2-(2-側氧基-2-((2,2,2-三氟乙基)胺基)乙醯基)-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-c:3',4'-g][1,6,2]二硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- (3aR,10aR)-2-(2-((環丙基甲基)胺基)-2-側氧乙醯基)-N-(4-氟-3-甲基苯基)-7-甲基-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-c:3',4'-g][1,6,2]二硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- (3aR,10aR)-N-(4-氟-3-甲基苯基)-7-甲基-2-(2-((1-甲基環丙基)胺基)-2-側氧乙醯基)-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-c:3',4'-g][1,6,2]二硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- (3aR,10aR)-2-(2-((3,3-二氟環丁基)胺基)-2-側氧乙醯基)-N-(4-氟-3-甲基苯基)-7-甲基-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-c:3',4'-g][1,6,2]二硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- (3aR,10aR)-N-(4-氟-3-甲基苯基)-7-甲基-2-(2-((3-甲基氧呾-3-基)胺基)-2-側氧乙醯基)-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-c:3',4'-g][1,6,2]二硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- (3aR,10aR)-N-(3-氯-4-氟苯基)-7-甲基-2-(2-側氧基-2-(((R)-1,1,1-三氟丙-2-基)胺基)乙醯基)-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-b:3',4'-f][1,4,5]氧硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- (3aR,10aR)-N-(3,4-二氟苯基)-7-甲基-2-(2-側氧基-2-(((R)-1,1,1-三氟丙-2-基)胺基)乙醯基)-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-b:3',4'-f][1,4,5]氧硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- (3aR,10aR)-N-(3-(二氟甲基)-4-氟苯基)-7-甲基-2-(2-側氧基-2-(((R)-1,1,1-三氟丙-2-基)胺基)乙醯基)-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-b:3',4'-f][1,4,5]氧硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- (3aR,10aR)-N-(4-氟-3-(三氟甲基)苯基)-7-甲基-2-(2-側氧基-2-(((R)-1,1,1-三氟丙-2-基)胺基)乙醯基)-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-b:3',4'-f][1,4,5]氧硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- (3aR,10aR)-6-氯-N-(3-氯-4-氟苯基)-7-甲基-2-(2-側氧基-2-(((R)-1,1,1-三氟丙-2-基)胺基)乙醯基)-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-b:3',4'-f][1,4,5]氧硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- (3aR,10aR)-6-氯-N-(3,4-二氟苯基)-7-甲基-2-(2-側氧基-2-(((R)-1,1,1-三氟丙-2-基)胺基)乙醯基)-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-b:3',4'-f][1,4,5]氧硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- (3aR,10aR)-6-氯-N-(3-(二氟甲基)-4-氟苯基)-7-甲基-2-(2-側氧基-2-(((R)-1,1,1-三氟丙-2-基)胺基)乙醯基)-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-b:3',4'-f][1,4,5]氧硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- (3aR,10aR)-6-氯-N-(4-氟-3-(三氟甲基)苯基)-7-甲基-2-(2-側氧基-2-(((R)-1,1,1-三氟丙-2-基)胺基)乙醯基)-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-b:3',4'-f][1,4,5]氧硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- (3aR,10aR)-6-氯-N-(4-氟-3-甲基苯基)-7-甲基-2-(2-側氧基-2-(((R)-1,1,1-三氟丙-2-基)胺基)乙醯基)-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-b:3',4'-f][1,4,5]氧硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- (3aR,10aR)-6-溴-N-(4-氟-3-甲基苯基)-7-甲基-2-(2-側氧基-2-(((R)-1,1,1-三氟丙-2-基)胺基)乙醯基)-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-b:3',4'-f][1,4,5]氧硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- (3aR,10aR)-N-(4-氟-3-甲基苯基)-6,7-二甲基-2-(2-側氧基-2-(((R)-1,1,1-三氟丙-2-基)胺基)乙醯基)-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-b:3',4'-f][1,4,5]氧硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物； <br/>- 反-8-(2-(環丙胺基)-2-側氧乙醯基)-N-(4-氟-3-甲基苯基)-2-甲基-5,5a,6,7,8,9,9a,10-八氫-2H-吡啶并[4,3-f]吡咯并[3,4-b][1,4,5]氧硫氮口辛-1-甲醯胺4,4-二氧化物； <br/>- 反-8-(2-(3,3-二氟氮呾-1-基)-2-側氧乙醯基)-N-(4-氟-3-甲基苯基)-2-甲基-5,5a,6,7,8,9,9a,10-八氫-2H-吡啶并[4,3-f]吡咯并[3,4-b][1,4,5]氧硫氮口辛-1-甲醯胺4,4-二氧化物； <br/>- 反-N-(4-氟-3-甲基苯基)-2-甲基-8-(2-側氧基-2-(((S)-1,1,1-三氟丙-2-基)胺基)乙醯基)-5,5a,6,7,8,9,9a,10-八氫-2H-吡啶并[4,3-f]吡咯并[3,4-b][1,4,5]氧硫氮口辛-1-甲醯胺4,4-二氧化物； <br/>- 反-N-(4-氟-3-甲基苯基)-2-甲基-8-(2-側氧基-2-((2,2,2-三氟乙基)胺基)乙醯基)-5,5a,6,7,8,9,9a,10-八氫-2H-吡啶并[4,3-f]吡咯并[3,4-b][1,4,5]氧硫氮口辛-1-甲醯胺4,4-二氧化物； <br/>- 反-N-(4-氟-3-甲基苯基)-2-甲基-8-(2-側氧基-2-((1,1,1-三氟-2-甲基丙-2-基)胺基)乙醯基)-5,5a,6,7,8,9,9a,10-八氫-2H-吡啶并[4,3-f]吡咯并[3,4-b][1,4,5]氧硫氮口辛-1-甲醯胺4,4-二氧化物； <br/>- 反-N-(4-氟-3-甲基苯基)-2-甲基-8-(2-側氧基-2-(((R)-1,1,1-三氟丙-2-基)胺基)乙醯基)-5,5a,6,7,8,9,9a,10-八氫-2H-吡啶并[4,3-f]吡咯并[3,4-b][1,4,5]氧硫氮口辛-1-甲醯胺4,4-二氧化物； <br/>- 順-N-(4-氟-3-甲基苯基)-2-甲基-7-(2-側氧基-2-(((R)-1,1,1-三氟丙-2-基)胺基)乙醯基)-5,5a,6,7,8,9,9a,10-八氫-2H-吡啶并[3,4-f]吡咯并[3,4-b][1,4,5]氧硫氮口辛-1-甲醯胺4,4-二氧化物； <br/>- 順-N-(4-氟-3-甲基苯基)-2-甲基-7-(2-側氧基-2-((2,2,2-三氟乙基)胺基)乙醯基)-5,5a,6,7,8,9,9a,10-八氫-2H-吡啶并[3,4-f]吡咯并[3,4-b][1,4,5]氧硫氮口辛-1-甲醯胺4,4-二氧化物； <br/>- 順-N-(4-氟-3-甲基苯基)-2-甲基-7-(2-側氧基-2-((1,1,1-三氟-2-甲基丙-2-基)胺基)乙醯基)-5,5a,6,7,8,9,9a,10-八氫-2H-吡啶并[3,4-f]吡咯并[3,4-b][1,4,5]氧硫氮口辛-1-甲醯胺4,4-二氧化物； <br/>- 順-7-(2-(3,3-二氟氮呾-1-基)-2-側氧乙醯基)-N-(4-氟-3-甲基苯基)-2-甲基-5,5a,6,7,8,9,9a,10-八氫-2H-吡啶并[3,4-f]吡咯并[3,4-b][1,4,5]氧硫氮口辛-1-甲醯胺4,4-二氧化物； <br/>- 順-7-(2-(環丙胺基)-2-側氧乙醯基)-N-(4-氟-3-甲基苯基)-2-甲基-5,5a,6,7,8,9,9a,10-八氫-2H-吡啶并[3,4-f]吡咯并[3,4-b][1,4,5]氧硫氮口辛-1-甲醯胺4,4-二氧化物； <br/>- 順-N-(4-氟-3-甲基苯基)-2-甲基-7-(2-側氧基-2-(((S)-1,1,1-三氟丙-2-基)胺基)乙醯基)-5,5a,6,7,8,9,9a,10-八氫-2H-吡啶并[3,4-f]吡咯并[3,4-b][1,4,5]氧硫氮口辛-1-甲醯胺4,4-二氧化物； <br/>- 反-N-(4-氟-3-甲基苯基)-2-甲基-7-(2-側氧基-2-(((R)-1,1,1-三氟丙-2-基)胺基)乙醯基)-5,5a,6,7,8,9,9a,10-八氫-2H-吡啶并[3,4-f]吡咯并[3,4-b][1,4,5]氧硫氮口辛-1-甲醯胺4,4-二氧化物； <br/>- 反-7-(2-(環丙胺基)-2-側氧乙醯基)-N-(4-氟-3-甲基苯基)-2-甲基-5,5a,6,7,8,9,9a,10-八氫-2H-吡啶并[3,4-f]吡咯并[3,4-b][1,4,5]氧硫氮口辛-1-甲醯胺4,4-二氧化物； <br/>- 反-N-(4-氟-3-甲基苯基)-2-甲基-7-(2-側氧基-2-((2,2,2-三氟乙基)胺基)乙醯基)-5,5a,6,7,8,9,9a,10-八氫-2H-吡啶并[3,4-f]吡咯并[3,4-b][1,4,5]氧硫氮口辛-1-甲醯胺4,4-二氧化物； <br/>- 反-N-(4-氟-3-甲基苯基)-2-甲基-7-(2-側氧基-2-((1,1,1-三氟-2-甲基丙-2-基)胺基)乙醯基)-5,5a,6,7,8,9,9a,10-八氫-2H-吡啶并[3,4-f]吡咯并[3,4-b][1,4,5]氧硫氮口辛-1-甲醯胺4,4-二氧化物； <br/>- 反-7-(2-(3,3-二氟氮呾-1-基)-2-側氧乙醯基)-N-(4-氟-3-甲基苯基)-2-甲基-5,5a,6,7,8,9,9a,10-八氫-2H-吡啶并[3,4-f]吡咯并[3,4-b][1,4,5]氧硫氮口辛-1-甲醯胺4,4-二氧化物； <br/>- 反-N-(4-氟-3-甲基苯基)-2-甲基-7-(2-側氧基-2-(((S)-1,1,1-三氟丙-2-基)胺基)乙醯基)-5,5a,6,7,8,9,9a,10-八氫-2H-吡啶并[3,4-f]吡咯并[3,4-b][1,4,5]氧硫氮口辛-1-甲醯胺4,4-二氧化物； <br/>- 順-N-(4-氟-3-甲基苯基)-2-甲基-8-(2-側氧基-2-(((R)-1,1,1-三氟丙-2-基)胺基)乙醯基)-5,5a,6,7,8,9,9a,10-八氫-2H-吡啶并[4,3-f]吡咯并[3,4-b][1,4,5]氧硫氮口辛-1-甲醯胺4,4-二氧化物； <br/>- 順-N-(4-氟-3-甲基苯基)-2-甲基-8-(2-側氧基-2-((2,2,2-三氟乙基)胺基)乙醯基)-5,5a,6,7,8,9,9a,10-八氫-2H-吡啶并[4,3-f]吡咯并[3,4-b][1,4,5]氧硫氮口辛-1-甲醯胺4,4-二氧化物； <br/>- (3aR,10aR)-N-(4-氟-3-甲基苯基)-7,10a-二甲基-2-(2-側氧基-2-(((R)-1,1,1-三氟丙-2-基)胺基)乙醯基)-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-b:3',4'-f][1,4,5]氧硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物；及 <br/>- (3aS,10aS)-N-(4-氟-3-甲基苯基)-10a-羥基-7-甲基-2-(2-側氧基-2-(((R)-1,1,1-三氟丙-2-基)胺基)乙醯基)-2,3,3a,4,10,10a-六氫-1H,7H-二吡咯并[3,4-b:3',4'-f][1,4,5]氧硫氮口辛-8-甲醯胺5,5-二氧化物。
一種如請求項1至5中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、互變異構體或立體異構體，其用於醫療用途。
如請求項6之所使用之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、互變異構體或立體異構體，其中該用途係治療及/或預防HBV感染及/或關於HBV感染之病況。
如請求項7之所使用之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、互變異構體或立體異構體，其中該關於HBV感染之病況係選自由以下者組成之群：HBV/HDV共感染、HBV/HCV共感染及HBV/HIV共感染。
如請求項7或8所使用之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、互變異構體或立體異構體，其中該HBV感染及/或關於HBV感染之病況係由任何基因型（包括基因型A、B、C、D或E）之HBV引起，及/或該HBV感染或病況係由抗藥性HBV突變體引起。
如請求項6至8中任一項之所使用之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、互變異構體或立體異構體，其中其之使用係與至少一種其他治療劑組合。
如請求項10之所使用之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、互變異構體或立體異構體，其中該至少一種其他治療劑係選自由以下者組成之群：治療性疫苗；RNA干擾治療劑/反義寡核苷酸；免疫調節劑；預防性疫苗；cccDNA調節劑；殼體組裝抑制劑/調節劑；核心或X蛋白靶向劑；核苷酸類似物；核苷類似物；干擾素或經修飾的干擾素；具有獨特或未知機制的HBV抗病毒劑；親環蛋白（cyclophilin）抑制劑；sAg釋放抑制劑；二核苷酸；SMAC抑制劑；HDV靶向劑；病毒成熟抑制劑；反轉錄酶抑制劑；或其組合。
如請求項10之所使用之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、互變異構體或立體異構體，其中該至少一種其他治療劑係選自：HBsAG-HBIG、HB-Vac、ABX203、NASVAC、GS-4774、GX-110（HB-110E）、CVI-HBV-002、RG7944（INO-1800）、TG-1050、FP-02（Hepsyn-B）、AIC649、VGX-6200、KW-2、TomegaVax-HBV、ISA-204、NU-500、INX-102-00557、HBV MVA及PepTcell；TKM-HBV（ARB-1467）、ARB-1740、ARC-520、ARC-521、BB-HB-331、REP-2139、ALN-HBV、ALN-PDL、LUNAR-HBV、GS3228836及GS3389404；TLR促效劑；SB-9200；INO-9112或重組IL12；BMS-936558（納武單抗（nivolumab））或派立珠單抗（pembrolizumab）；Myrcludex B、IVIG-Tonrol或GC-1102；直接cccDNA抑制劑、cccDNA形成或維持之抑制劑、cccDNA表觀遺傳調節劑及cccDNA轉錄抑制劑；BAY 41-4109、NVR 3-778、GLS-4、NZ-4（W28F）、Y101、ARB-423、ARB-199、ARB-596、AB-506、JNJ-56136379、ASMB-101（AB-V102）、ASMB-103、CHR-101、CC-31326、AT-130、EP-027367及RO7049389；干擾素α（IFN-α）、聚乙二醇化干擾素α（PEG-IFN-α）、干擾素α-2a、重組干擾素α-2a、聚乙二醇化干擾素α-2a（Pegasys）、干擾素α-2b（Intron A）、重組干擾素α-2b、干擾素α-2b XL、聚乙二醇化干擾素α-2b、經糖基化干擾素α-2b、干擾素α-2c、重組干擾素α-2c、干擾素β、干擾素β-la、聚乙二醇化干擾素β-la、干擾素δ、干擾素λ（IFN-λ）、聚乙二醇化干擾素λ-1、干擾素ω、干擾素τ、干擾素γ（IFN-γ）、干擾素alfacon-1、干擾素α-nl、干擾素α-n3、alb干擾素α-2b、BLX-883、DA-3021、PI 101（亦稱為AOP2014）、PEG-茵菲干擾素（PEG-infergen）、貝利羅芬（Belerofon）、INTEFEN-IFN、白蛋白/干擾素α 2a融合蛋白、rHSA-IFN α 2a、rHSA-IFN α 2b、PEG-IFN-SA及生物較佳干擾素α；AT-61（(E)-N-(1-氯-3-側氧基-1-苯基-3-(哌啶-1-基)丙-1-烯-2-基)苯甲醯胺）、AT130（(E)-N-(1-溴-1-(2-甲氧基苯基)-3-側氧基-3-(哌啶-1-基)丙-1-烯-2-基)-4-硝基苯甲醯胺）、其類似物、REP-9AC（REP-2055）、REP-9AC'（REP-2139）、REP-2165及HBV-0259；OCB-030（NVP-018）、SCY-635、SCY-575及CPI-431-32；因提弗（entecavir）、拉美芙錠（lamivudine）、替比夫定（telbivudine）、克來夫定（clevudine）、拜斯福韋（besifovir）、阿丹弗（adefovir）、田諾弗（tenofovir）、反丁烯二酸田諾弗地索普西（tenofovir disoproxil fumarate）、反丁烯二酸田諾弗艾拉酚胺（tenofovir alafenamide fumarate，TAF）、乳清酸田諾弗地索普西（tenofovir disoproxil orotate）（DA-2802）、天冬胺酸田諾弗地索普西（CKD-390）、AGX-1009及CMX157；SB9200；比林納潘特（Birinapant）；洛那法尼（Lonafamib）；RG7834或AB-452。 <b/>
一種醫藥組成物，其單獨包含如請求項1至5中任一項中所定義之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、互變異構體或立體異構體或與至少一種其他治療劑組合，及至少一種醫藥學上可接受之賦形劑。
如請求項13之醫藥組成物，其中該至少一種其他治療劑如請求項11及/或12中所定義。
如請求項13或14之醫藥組成物，其如請求項7至9中任一項中所定義地使用。
一種用於合成如請求項1中所定義之式（II-A）、（III-A）或（III-B）化合物或其醫藥學上可接受之鹽、互變異構體或立體異構體的方法，其中R <sub>1</sub>為甲基，且Cy、X、R <sub>2</sub>、R <sub>3</sub>、R <sub>4</sub>、R <sub>5</sub>、R <sub>6</sub>、R <sub>7</sub>、R <sub>8</sub>、Ra、Rb、Rc及Rd如請求項1中所定義，該方法包含以下步驟中之至少一者： <br/><img align="absmiddle" height="58px" width="61px" file="ed10180.jpg" alt="ed10180.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="30px" width="76px" file="ed10181.jpg" alt="ed10181.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>- 使式（5a）化合物（其中Y是C(R <sub>4</sub>) <sub>2</sub>且m及n各自獨立地為1或2）與式（8a）化合物或與式（8b）化合物反應； <br/><img align="absmiddle" height="71px" width="60px" file="ed10182.jpg" alt="ed10182.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>- 使式（6）化合物（其中Y是C(R <sub>4</sub>) <sub>2</sub>且m及n各自獨立地為1或2）與式NHR <sub>7</sub>R <sub>8</sub>之胺反應； <br/><img align="absmiddle" height="69px" width="60px" file="ed10183.jpg" alt="ed10183.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>- 使式（7）化合物（其中Y是C(R <sub>4</sub>) <sub>2</sub>且m及n各自獨立地為1或2）與式NHR <sub>7</sub>R <sub>8</sub>之胺反應； <br/>該方法視需要進一步包含以下步驟中之至少一者： <br/>- 使式（5a）化合物與2-氯-2-側氧基乙酸甲酯反應，以獲得式（6）化合物； <br/>- 在鹼存在下水解式（6）化合物，以獲得式（7）化合物； <br/><img align="absmiddle" height="74px" width="60px" file="ed10184.jpg" alt="ed10184.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>- 使式（9）化合物（其中Y是C(R <sub>4</sub>) <sub>2</sub>且m及n各自獨立地為1或2且R <sub>3</sub>=H）與硫醯二氯在如二氯甲烷之溶劑中反應，以獲得其中R <sub>3</sub>=Cl的式（9）化合物； <br/>- 使式（9）化合物（其中Y是C(R <sub>4</sub>) <sub>2</sub>且m及n各自獨立地為1或2且R <sub>3</sub>=H）與N-溴琥珀醯亞胺在如氯仿之溶劑中反應，以獲得其中R <sub>3</sub>=Br的式（9）化合物。
一種偏光膜，係以含碘之聚乙烯醇系樹脂薄膜構成；該偏光膜於表面形成有處理層；該處理層係以包含酸及聚乙烯醇系樹脂且pH在3.0以下之處理液形成者；並且，該偏光膜在溫度60℃及相對濕度95%下進行240小時之耐久試驗後，波長600nm下之吸光度Abs<sub>240</sub>相對於該耐久試驗前之吸光度Abs<sub>0</sub>滿足以下關係：Abs<sub>240</sub>/Abs<sub>0</sub>>1.00。
如請求項1之偏光膜，其單體透射率為43.0%以上。
如請求項1或2之偏光膜，其厚度為8μm以下。
一種偏光板，具有如請求項1至3中任一項之偏光膜與配置於該偏光膜之至少一側的保護層。
一種偏光膜之製造方法，係製造如請求項1至3中任一項之偏光膜之方法，該製造方法包含以下步驟：於長條狀熱塑性樹脂基材之單側形成聚乙烯醇系樹脂層而製成積層體；將該積層體延伸及染色，以將該聚乙烯醇系樹脂層製成偏光膜；及使該偏光膜接觸pH在3.0以下之處理液。
如請求項5之製造方法，其包含：於前述偏光膜塗佈前述處理液。
如請求項5之製造方法，其包含：將前述偏光膜浸漬於前述處理液中。
如請求項5至7中任一項之製造方法，其中於前述熱塑性樹脂基材之單側形成包含碘化物或氯化鈉與聚乙烯醇系樹脂之聚乙烯醇系樹脂層。
如請求項8之製造方法，其包含下述步驟：對前述積層體依序施行空中輔助延伸處理、染色處理、水中延伸處理與乾燥收縮處理，該乾燥收縮處理係一邊將前述積層體沿長邊方向輸送一邊加熱，藉此使其於寬度方向收縮2%以上。
如請求項9之製造方法，其中前述乾燥收縮處理係使用加熱輥來進行。
如請求項10之製造方法，其中前述加熱輥之溫度為60℃~120℃。
一種偏光膜之製造方法，係製造如請求項1或2之偏光膜之方法，該製造方法包含以下步驟：將聚乙烯醇系樹脂薄膜延伸及染色，以將該聚乙烯醇系樹脂薄膜製成偏光膜；及使該偏光膜接觸pH在3.0以下之處理液。
一種式(I)化合物或其醫藥學上可接受之鹽， <br/><img align="absmiddle" height="52px" width="174px" file="ed10222.jpg" alt="ed10222.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中： <br/>R<sup>7</sup>為包含以下序列中之至少一者的肽： <br/>ADDQNPWRAYLDLLFPTDTLLLDLLWCG (SEQ ID NO: 1；Pv1)； <br/>AEQNPIYWARYADWLFTTPLLLLDLALLVDADECG (SEQ ID NO: 2；Pv2)； <br/>Ac-AAEQNPIYWARYADWLFTTPLLLLDLALLVDADEGTKCG (SEQ ID NO: 4；Pv4)；及 <br/>AAEQNPIYWARYADWLFTTPLLLLDLALLVDADEGTC (SEQ ID No. 5；Pv5)； <br/>且其中R<sup>7</sup>經由R<sup>7</sup>之半胱胺酸殘基連接至Q； <br/>R<sup>8</sup>係： <br/><img align="absmiddle" height="338px" width="424px" file="ed10224.jpg" alt="ed10224.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>Q係： <br/><img align="absmiddle" height="169px" width="359px" file="ed10226.jpg" alt="ed10226.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/>R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>各自獨立地選自H、C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>1-4</sub>烯基、C<sub>6-10</sub>芳基、C<sub>3-10</sub>環烷基、5至10員雜芳基、4至10員雜環烷基、鹵基、CN、NO<sub>2</sub>、OR<sup>a1</sup>、SR<sup>a1</sup>、C(O)R<sup>b1</sup>、C(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、C(O)OR<sup>a1</sup>、OC(O)R<sup>b1</sup>、OC(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、NR<sup>c1</sup>C(O)R<sup>b1</sup>、NR<sup>c1</sup>C(O)OR<sup>a1</sup>及NR<sup>c1</sup>C(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>，其中該C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>1-4</sub>烯基、C<sub>6-10</sub>芳基、C<sub>3-10</sub>環烷基、5至10員雜芳基及4至10員雜環烷基各自未經取代或經1、2或3個獨立地選自以下之取代基取代：鹵基、CN、NO<sub>2</sub>、OR<sup>a1</sup>、SR<sup>a1</sup>、C(O)R<sup>b1</sup>、C(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、C(O)OR<sup>a1</sup>、OC(O)R<sup>b1</sup>、OC(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、NR<sup>c1</sup>C(O)R<sup>b1</sup>、NR<sup>c1</sup>C(O)OR<sup>a1</sup>及NR<sup>c1</sup>C(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>； <br/>或R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>與其所連接之碳原子一起形成C<sub>3-14</sub>環烷基或4至14員雜環烷基，其各自未經取代或經1、2或3個獨立地選自以下之取代基取代：C<sub>1-4</sub>烷基、鹵基、CN、NO<sub>2</sub>、OR<sup>a1</sup>、SR<sup>a1</sup>、C(O)R<sup>b1</sup>、C(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、C(O)OR<sup>a1</sup>、OC(O)R<sup>b1</sup>、OC(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、NR<sup>c1</sup>C(O)R<sup>b1</sup>、NR<sup>c1</sup>C(O)OR<sup>a1</sup>及NR<sup>c1</sup>C(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>； <br/>或R<sup>1</sup>及R<sup>3</sup>與其所連接之碳原子一起形成C<sub>3-14</sub>環烷基或4至14員雜環烷基，其各自未經取代或經1、2或3個獨立地選自以下之取代基取代：C<sub>1-4</sub>烷基、鹵基、CN、NO<sub>2</sub>、OR<sup>a1</sup>、SR<sup>a1</sup>、C(O)R<sup>b1</sup>、C(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、C(O)OR<sup>a1</sup>、OC(O)R<sup>b1</sup>、OC(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、NR<sup>c1</sup>C(O)R<sup>b1</sup>、NR<sup>c1</sup>C(O)OR<sup>a1</sup>及NR<sup>c1</sup>C(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>； <br/>或R<sup>2</sup>及R<sup>3</sup>與其所連接之碳原子一起形成C<sub>3-14</sub>環烷基或4至14員雜環烷基，其各自未經取代或經1、2或3個獨立地選自以下之取代基取代：C<sub>1-4</sub>烷基、鹵基、CN、NO<sub>2</sub>、OR<sup>a1</sup>、SR<sup>a1</sup>、C(O)R<sup>b1</sup>、C(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、C(O)OR<sup>a1</sup>、OC(O)R<sup>b1</sup>、OC(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、NR<sup>c1</sup>C(O)R<sup>b1</sup>、NR<sup>c1</sup>C(O)OR<sup>a1</sup>及NR<sup>c1</sup>C(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>； <br/>或R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>與其所連接之碳原子一起形成C<sub>3-14</sub>環烷基或4至14員雜環烷基，其各自未經取代或經1、2或3個獨立地選自以下之取代基取代：C<sub>1-4</sub>烷基、鹵基、CN、NO<sub>2</sub>、OR<sup>a1</sup>、SR<sup>a1</sup>、C(O)R<sup>b1</sup>、C(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、C(O)OR<sup>a1</sup>、OC(O)R<sup>b1</sup>、OC(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、NR<sup>c1</sup>C(O)R<sup>b1</sup>、NR<sup>c1</sup>C(O)OR<sup>a1</sup>及NR<sup>c1</sup>C(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>； <br/>R<sup>a1</sup>、R<sup>b1</sup>、R<sup>c1</sup>及R<sup>d1</sup>各自獨立地選自H、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、OH、CN、NO<sub>2</sub>及CO<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>；其中該C<sub>1-6</sub>烷基及C<sub>2-6</sub>烯基各自未經取代或經OH、CN、NO<sub>2</sub>或CO<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>取代。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中： R<sup>7</sup>為包含以下序列中之至少一者的肽： <br/>ADDQNPWRAYLDLLFPTDTLLLDLLWCG (SEQ ID NO: 1；Pv1)； <br/>AEQNPIYWARYADWLFTTPLLLLDLALLVDADECG (SEQ ID NO: 2；Pv2)； <br/>Ac-AAEQNPIYWARYADWLFTTPLLLLDLALLVDADEGTKCG (SEQ ID NO: 4；Pv4)；及 <br/>AAEQNPIYWARYADWLFTTPLLLLDLALLVDADEGTC (SEQ ID No. 5；Pv5)； <br/>且其中R<sup>7</sup>經由R<sup>7</sup>之半胱胺酸殘基連接至Q； <br/>R<sup>8</sup>係： <br/><br/><img align="absmiddle" height="410px" width="499px" file="ed10228.jpg" alt="ed10228.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>Q係： <br/><img align="absmiddle" height="161px" width="356px" file="ed10230.jpg" alt="ed10230.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>各自獨立地選自H、C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>1-4</sub>烯基、C<sub>6-10</sub>芳基、5至10員雜芳基、鹵基、CN、NO<sub>2</sub>、OR<sup>a1</sup>、SR<sup>a1</sup>、C(O)R<sup>b1</sup>、C(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、C(O)OR<sup>a1</sup>、OC(O)R<sup>b1</sup>、OC(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、NR<sup>c1</sup>C(O)R<sup>b1</sup>、NR<sup>c1</sup>C(O)OR<sup>a1</sup>及NR<sup>c1</sup>C(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>，其中該C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>1-4</sub>烯基、C<sub>6-10</sub>芳基及5至10員雜芳基各自未經取代或經1、2或3個獨立地選自以下之取代基取代：鹵基、CN、NO<sub>2</sub>、OR<sup>a1</sup>、SR<sup>a1</sup>、C(O)R<sup>b1</sup>、C(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、C(O)OR<sup>a1</sup>、OC(O)R<sup>b1</sup>、OC(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、NR<sup>c1</sup>C(O)R<sup>b1</sup>、NR<sup>c1</sup>C(O)OR<sup>a1</sup>及NR<sup>c1</sup>C(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>； <br/>或R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>與其所連接之碳原子一起形成C<sub>3-7</sub>環烷基，其未經取代或經1、2或3個獨立地選自以下之取代基取代：鹵基、CN、NO<sub>2</sub>、OR<sup>a1</sup>、SR<sup>a1</sup>、C(O)R<sup>b1</sup>、C(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、C(O)OR<sup>a1</sup>、OC(O)R<sup>b1</sup>、OC(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、NR<sup>c1</sup>C(O)R<sup>b1</sup>、NR<sup>c1</sup>C(O)OR<sup>a1</sup>及NR<sup>c1</sup>C(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>； <br/>或R<sup>1</sup>及R<sup>3</sup>與其所連接之碳原子一起形成C<sub>3-7</sub>環烷基，其未經取代或經1、2或3個獨立地選自以下之取代基取代：鹵基、CN、NO<sub>2</sub>、OR<sup>a1</sup>、SR<sup>a1</sup>、C(O)R<sup>b1</sup>、C(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、C(O)OR<sup>a1</sup>、OC(O)R<sup>b1</sup>、OC(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、NR<sup>c1</sup>C(O)R<sup>b1</sup>、NR<sup>c1</sup>C(O)OR<sup>a1</sup>及NR<sup>c1</sup>C(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>； <br/>或R<sup>2</sup>及R<sup>3</sup>與其所連接之碳原子一起形成C<sub>3-7</sub>環烷基，其未經取代或經1、2或3個獨立地選自以下之取代基取代：鹵基、CN、NO<sub>2</sub>、OR<sup>a1</sup>、SR<sup>a1</sup>、C(O)R<sup>b1</sup>、C(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、C(O)OR<sup>a1</sup>、OC(O)R<sup>b1</sup>、OC(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、NR<sup>c1</sup>C(O)R<sup>b1</sup>、NR<sup>c1</sup>C(O)OR<sup>a1</sup>及NR<sup>c1</sup>C(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>； <br/>或R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>與其所連接之碳原子一起形成C<sub>3-7</sub>環烷基，其未經取代或經1、2或3個獨立地選自以下之取代基取代：鹵基、CN、NO<sub>2</sub>、OR<sup>a1</sup>、SR<sup>a1</sup>、C(O)R<sup>b1</sup>、C(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、C(O)OR<sup>a1</sup>、OC(O)R<sup>b1</sup>、OC(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、NR<sup>c1</sup>C(O)R<sup>b1</sup>、NR<sup>c1</sup>C(O)OR<sup>a1</sup>及NR<sup>c1</sup>C(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>； <br/>R<sup>a1</sup>、R<sup>b1</sup>、R<sup>c1</sup>及R<sup>d1</sup>各自獨立地選自H、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、OH、CN、NO<sub>2</sub>及CO<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>；其中該C<sub>1-6</sub>烷基及C<sub>2-6</sub>烯基各自未經取代或經OH、CN、NO<sub>2</sub>或CO<sub>2</sub>CH取代。
如請求項1或2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>7</sup>為包含以下序列中之至少一者的肽： <br/>ADDQNPWRAYLDLLFPTDTLLLDLLWCG (SEQ ID NO: 1；Pv1)及 <br/>AEQNPIYWARYADWLFTTPLLLLDLALLVDADECG (SEQ ID NO: 2；Pv2)， <br/>且其中R<sup>7</sup>經由R<sup>7</sup>之半胱胺酸殘基連接至Q。
如請求項1或2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>7</sup>為包含以下序列之肽：ADDQNPWRAYLDLLFPTDTLLLDLLWCG (SEQ ID NO: 1；Pv1)。
如請求項1或2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>7</sup>為包含以下序列之肽：AEQNPIYWARYADWLFTTPLLLLDLALLVDADECG (SEQ ID NO: 2；Pv2)。
如請求項1或2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>各自獨立地選自H、C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>1-4</sub>烯基、C<sub>6-10</sub>芳基、5至10員雜芳基、鹵基、CN、NO<sub>2</sub>、OR<sup>a1</sup>、SR<sup>a1</sup>、C(O)R<sup>b1</sup>、C(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、C(O)OR<sup>a1</sup>、OC(O)R<sup>b1</sup>、OC(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、NR<sup>c1</sup>C(O)R<sup>b1</sup>、NR<sup>c1</sup>C(O)OR<sup>a1</sup>及NR<sup>c1</sup>C(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>，其中該C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>1-4</sub>烯基、C<sub>6-10</sub>芳基及5至10員雜芳基各自未經取代或經1、2或3個獨立地選自以下之取代基取代：鹵基、CN、NO<sub>2</sub>、OR<sup>a1</sup>、SR<sup>a1</sup>、C(O)R<sup>b1</sup>、C(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、C(O)OR<sup>a1</sup>、OC(O)R<sup>b1</sup>、OC(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、NR<sup>c1</sup>C(O)R<sup>b1</sup>、NR<sup>c1</sup>C(O)OR<sup>a1</sup>及NR<sup>c1</sup>C(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>。
如請求項1或2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>1</sup>及R<sup>3</sup>與其所連接之碳原子形成C<sub>3-14</sub>環烷基或4至14員雜環烷基，其各自未經取代或經1、2或3個獨立地選自以下之取代基取代：C<sub>1-4</sub>烷基、鹵基、CN、NO<sub>2</sub>、OR<sup>a1</sup>、SR<sup>a1</sup>、C(O)R<sup>b1</sup>、C(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、C(O)OR<sup>a1</sup>、OC(O)R<sup>b1</sup>、OC(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、NR<sup>c1</sup>C(O)R<sup>b1</sup>、NR<sup>c1</sup>C(O)OR<sup>a1</sup>及NR<sup>c1</sup>C(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>。
如請求項1或2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>1</sup>及R<sup>3</sup>與其所連接之碳原子一起形成環戊基、環己基、環庚基、1,2,3,4-四氫萘基、四氫呋喃基或四氫哌喃基。
如請求項1或2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>1</sup>及R<sup>3</sup>與其所連接之碳原子一起形成C<sub>3-7</sub>環烷基。
如請求項1或2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>1</sup>及R<sup>3</sup>與其所連接之碳原子一起形成環己基。
如請求項1或2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中Q為： <img align="absmiddle" height="91px" width="101px" file="ed10232.jpg" alt="ed10232.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1或2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>各自獨立地選自H及甲基。
如請求項1或2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>各自為H。
如請求項1或2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>與其所連接之碳原子一起形成C<sub>3-7</sub>環烷基。
如請求項1或2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>與其所連接之碳原子一起形成環丁基。
如請求項1或2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>各自為H。
如請求項1或2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>2</sup>及R<sup>4</sup>各自為H。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其具有式(II)： <br/><img align="absmiddle" height="136px" width="252px" file="ed10234.jpg" alt="ed10234.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>或其醫藥學上可接受之鹽，其中： <br/>環Z為單環C<sub>5-7</sub>環烷基環或單環5至7員雜環烷基環； <br/>各R<sup>Z</sup>係獨立地選自C<sub>1-4</sub>烷基、鹵基、CN、NO<sub>2</sub>、OR<sup>a1</sup>、SR<sup>a1</sup>、C(O)R<sup>b1</sup>、C(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、C(O)OR<sup>a1</sup>、OC(O)R<sup>b1</sup>、OC(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、NR<sup>c1</sup>C(O)R<sup>b1</sup>、NR<sup>c1</sup>C(O)OR<sup>a1</sup>及NR<sup>c1</sup>C(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>； <br/>或兩個相鄰R<sup>Z</sup>與其所連接之原子一起形成稠合單環C<sub>5-7</sub>環烷基環、稠合單環5至7員雜環烷基環、稠合C<sub>6-10</sub>芳環或稠合6至10員雜芳環，其中之每一者未經取代或經1、2或3個獨立地選自以下之取代基取代：C<sub>1-4</sub>烷基、鹵基、CN、NO<sub>2</sub>、OR<sup>a1</sup>、SR<sup>a1</sup>、C(O)R<sup>b1</sup>、C(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、C(O)OR<sup>a1</sup>、OC(O)R<sup>b1</sup>、OC(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、NR<sup>c1</sup>C(O)R<sup>b1</sup>、NR<sup>c1</sup>C(O)OR<sup>a1</sup>及NR<sup>c1</sup>C(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>； <br/>R<sup>a1</sup>、R<sup>b1</sup>、R<sup>c1</sup>及R<sup>d1</sup>各自獨立地選自H、C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>2-4</sub>烯基、C<sub>2-4</sub>炔基，其各自未經取代或經1、2或3個獨立地選自以下之取代基取代：鹵基、OH、CN及NO<sub>2</sub>；及 <br/>n為0、1、2或3。
如請求項18之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>7</sup>經由R<sup>7</sup>之半胱胺酸殘基連接至核，其中式II中之二硫化物部分的硫原子中之一者衍生自該半胱胺酸殘基。
如請求項18或19之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中環Z為單環C<sub>5-7</sub>環烷基環。
如請求項18或19之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中環Z為環戊基環。
如請求項18或19之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中環Z為環己基環。
如請求項18或19之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中環Z為環庚基環。
如請求項18或19之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中環Z為單環5至7員雜環烷基環。
如請求項18或19之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中環Z為5員雜環烷基環。
如請求項18或19之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中環Z為6員雜環烷基環。
如請求項18或19之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中環Z為7員雜環烷基環。
如請求項18或19之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中兩個相鄰R<sup>Z</sup>與其所連接之原子一起形成稠合單環C<sub>5-7</sub>環烷基環、稠合單環5至7員雜環烷基環、稠合C<sub>6-10</sub>芳環或稠合6至10員雜芳環，其中之每一者未經取代或經1、2或3個獨立地選自以下之取代基取代：C<sub>1-4</sub>烷基、鹵基、CN、NO<sub>2</sub>、OR<sup>a1</sup>、SR<sup>a1</sup>、C(O)R<sup>b1</sup>、C(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、C(O)OR<sup>a1</sup>、OC(O)R<sup>b1</sup>、OC(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>、NR<sup>c1</sup>C(O)R<sup>b1</sup>、NR<sup>c1</sup>C(O)OR<sup>a1</sup>及NR<sup>c1</sup>C(O)NR<sup>c1</sup>R<sup>d1</sup>。
如請求項18或19之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中n為0。
如請求項18或19之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中n為1。
如請求項18或19之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中n為2。
如請求項18或19之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中n為3。
如請求項18或19之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其具有式(III)、式(IV)或式(V)： <br/><img align="absmiddle" height="297px" width="270px" file="ed10236.jpg" alt="ed10236.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="166px" width="267px" file="ed10238.jpg" alt="ed10238.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>或其醫藥學上可接受之鹽。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其係選自： <br/><img align="absmiddle" height="416px" width="260px" file="ed10240.jpg" alt="ed10240.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="659px" width="259px" file="ed10242.jpg" alt="ed10242.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="890px" width="366px" file="ed10244.jpg" alt="ed10244.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及 <br/><img align="absmiddle" height="281px" width="330px" file="ed10246.jpg" alt="ed10246.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>或其醫藥學上可接受之鹽； <br/>其中Pv2為包含以下序列的肽： <br/>AEQNPIYWARYADWLFTTPLLLLDLALLVDADECG (SEQ ID NO: 2)。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其係選自： <br/><img align="absmiddle" height="451px" width="276px" file="ed10248.jpg" alt="ed10248.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="724px" width="243px" file="ed10250.jpg" alt="ed10250.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="774px" width="255px" file="ed10252.jpg" alt="ed10252.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="721px" width="240px" file="ed10254.jpg" alt="ed10254.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="1002px" width="372px" file="ed10256.jpg" alt="ed10256.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="318px" width="329px" file="ed10258.jpg" alt="ed10258.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="306px" width="405px" file="ed10260.jpg" alt="ed10260.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="279px" width="359px" file="ed10262.jpg" alt="ed10262.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>或其醫藥學上可接受之鹽； <br/>其中Pv1為包含以下序列的肽： <br/>ADDQNPWRAYLDLLFPTDTLLLDLLWCG (SEQ ID NO: 1)。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其係： <br/><img align="absmiddle" height="338px" width="393px" file="ed10264.jpg" alt="ed10264.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，或其醫藥學上可接受之鹽； <br/>其中Pv1為包含以下序列的肽： <br/>ADDQNPWRAYLDLLFPTDTLLLDLLWCG (SEQ ID NO: 1)。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其係： <br/><img align="absmiddle" height="151px" width="169px" file="ed10266.jpg" alt="ed10266.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，或其醫藥學上可接受之鹽； <br/>其中Pv1為包含以下序列的肽： <br/>ADDQNPWRAYLDLLFPTDTLLLDLLWCG (SEQ ID NO: 1)。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1至37中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽。
一種如請求項1至37中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽用於製備治療有需要之患者之癌症之藥劑的用途，其中該癌症包含實體腫瘤。
如請求項39之用途，其中該癌症係選自膀胱癌、骨癌、神經膠質瘤、乳癌、子宮頸癌、結腸癌、子宮內膜癌、上皮細胞癌、食道癌、尤文氏肉瘤(Ewing's sarcoma)、胰臟癌、膽囊癌、胃癌、胃腸道腫瘤、頭頸癌、卡波西氏肉瘤(Kaposi's sarcoma)、腎癌、喉癌、肝癌、肺癌、黑素瘤、前列腺癌、直腸癌、腎透明細胞癌、皮膚癌、胃癌、睪丸癌、甲狀腺癌及子宮癌。
如請求項39之用途，其中該癌症係選自乳癌、結腸直腸癌及胃癌。
如請求項39之用途，其中該癌症為乳癌，且其中該乳癌為三陰性乳癌。
如請求項39之用途，其中該癌症為乳癌。
如請求項39之用途，其中該癌症為卵巢癌。
如請求項39之用途，其中該癌症為腸癌。
一種密封用樹脂片材，其特徵在於，其係用以對元件進行密封之密封用樹脂片材， <br/>包含： <br/>由熱固性樹脂形成之基質、 <br/>由非層狀填料形成且分散於上述基質中之第1區、及 <br/>由層狀填料形成且分散於上述基質中之第2區，且 <br/>具有上述第2區位於上述第1區之間的共分散區域；且 <br/>上述熱固性樹脂係選自由環氧樹脂、聚矽氧樹脂、胺基甲酸酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、脲樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯樹脂所組成之群中之至少一種， <br/>上述密封用樹脂片材中之上述熱固性樹脂之含有比率為5質量%以上30質量%以下， <br/>上述密封用樹脂片材中之上述非層狀填料之含有比率之下限為50質量%， <br/>相對於上述非層狀填料100質量份，上述層狀填料之含有份數之上限為20質量份。
如請求項1之密封用樹脂片材，其中藉由下述之第1步驟～第4步驟求出之上述第2區之最大長度A之平均值a及上述第1區之最大長度B之平均值b滿足下述式(1)， <br/>0.2＜a/b＜5 (1) <br/>第1步驟：對上述密封用樹脂片材進行TEM觀察，獲得一視野圖像， <br/>第2步驟：讓10名觀察者觀察上述一視野圖像，測定上述第2區中之最大之上述第2區之上述最大長度A與上述第1區中之最大之上述第1區之上述最大長度B， <br/>第3步驟：獲得上述最大長度A之上述10名觀察者之上述平均值a與上述最大長度B之上述10名觀察者之上述平均值b， <br/>第4步驟：將上述平均值a、及上述平均值b代入至上述式(1)。
如請求項2之密封用樹脂片材，其中上述第2區之上述最大長度A之上述平均值a大於上述第1區之上述最大長度B之上述平均值b。
如請求項2或3之密封用樹脂片材，其中上述第2區之上述最大長度A之上述平均值a為1 μm以上且10 μm以下。
如請求項1或2之密封用樹脂片材，其中對上述密封用樹脂片材進行TEM觀察而獲得一視野圖像，藉由上述一視野圖像所確認之上述第2區具有2以上之縱橫比。
如請求項1或2之密封用樹脂片材，其中對上述密封用樹脂片材進行TEM觀察而獲得一視野圖像，藉由上述一視野圖像所確認之上述第1區具有大致圓形狀。
一種用於高頻寬記憶體耦接的裝置，包括： 模式暫存器，用以指示用於高頻寬記憶體堆疊裝置的操作模式，該高頻寬記憶體堆疊裝置包括邏輯層和堆疊在該邏輯層之上的複數個記憶體裝置；以及 <br/>在該邏輯層的電路，用以執行邏輯，該邏輯用以： <br/>讀取該模式暫存器的位元值； <br/>基於該模式暫存器的該位元值，使該邏輯層之底側上的部分輸入/輸出(I/O)觸點有效，而其餘部分I/O觸點無效，該部分I/O觸點被配置成接收或傳送用於一或多個資料通道的I/O信號以存取該複數個記憶體裝置；以及 <br/>使I/O信號經由該一或多個資料通道被路由通過該部分I/O觸點，使得該邏輯層下面的重定向層使該高頻寬記憶體堆疊裝置能夠通過減少數量的I/O觸點與封裝基板連接。
如請求項1之裝置，包括該邏輯以使該I/O信號以第一每秒傳輸速率經由該一或多個資料通道被路由通過該部分I/O觸點，若該I/O信號經由該一或多個資料通道被路由通過該部分I/O觸點及該其餘部分I/O觸點二者，該第一每秒傳輸速率為第二每秒傳輸速率的兩倍。
如請求項1之裝置，包括該高頻寬記憶體堆疊裝置，以經由第一觸點與該封裝基板連接，該些第一觸點相較於對應於該邏輯層之該底側上的有效及無效I/O觸點二者的第二觸點，在該些第一觸點之間具有較大的間距。
如請求項3之裝置，包括該封裝基板，其包括在該高頻寬記憶體裝置和中央處理單元或圖形處理單元之間路由的I/O信號路徑，該I/O信號路徑用以與該些第一觸點耦合。
如請求項1之裝置，包括用於該一或多個資料通道中之第一資料通道的複數個I/O觸點中包括的該部分和該其餘部分I/O觸點，該第一資料通道用以存取該複數個記憶體裝置中的一記憶體裝置處的記憶體陣列，該部分包括該複數個I/O觸點的一半。
如請求項1之裝置，包括用於該一或多個資料通道中之第一資料通道及第二資料通道的複數個I/O觸點中包括的該部分和該其餘部分I/O觸點，該第一資料通道存取該複數個記憶體裝置中的一記憶體裝置處的第一記憶體陣列，該第二資料通道存取該記憶體裝置處的第二記憶體陣列，該部分包括用於該第一及該第二資料通道的該複數個I/O觸點的一半。
如請求項6之裝置，還包括該邏輯以： <br/>基於該模式暫存器的該位元值，使該邏輯層之該底側上的部分命令及位址(CA)觸點有效而其餘部分CA觸點無效，該部分CA觸點被配置成接收或發送用於該第一及該第二資料通道的CA信號，以促進對該複數個記憶體裝置的存取；以及 <br/>使用於該第一及該第二資料通道的CA信號被路由通過該部分CA觸點，使得該邏輯層下方的重定向層使該高頻寬記憶體堆疊裝置能夠通過減少數量的CA觸點與封裝基板連接。
如請求項1之裝置，包含包括動態隨機存取記憶體的該複數個記憶體裝置。
一種記憶體裝置，包括： <br/>複數個堆疊式記憶體晶粒； <br/>模式暫存器以指示操作模式；以及 <br/>位在該複數個堆疊式記憶體晶粒下方的邏輯層，該邏輯層包括電路以執行邏輯，該邏輯用以： <br/>讀取該模式暫存器的位元值； <br/>基於該模式暫存器的該位元值，使該邏輯層之底側上的部分輸入/輸出(I/O)觸點有效，而其餘部分I/O觸點無效，該部分I/O觸點被配置成接收或發送用於一或多個資料通道的I/O信號以存取保持在該複數個堆疊式記憶體晶粒之至少一個記憶體晶粒上的至少一個記憶體陣列；以及 <br/>使I/O信號經由該一或多個資料通道被路由通過該部分I/O觸點，使得在該邏輯層下方的重定向層使該記憶體裝置能夠通過減少數量的I/O觸點與封裝基板連接。
如請求項9之記憶體裝置，包括該邏輯以使該I/O信號以第一每秒傳輸速率經由該一或多個資料通道被路由通過該部分I/O觸點，若該I/O信號經由該一或多個資料通道被路由通過該部分I/O觸點及該其餘部分I/O觸點二者，該第一每秒傳輸速率為第二每秒傳輸速率的兩倍。
如請求項10之記憶體裝置，包括該記憶體裝置，用以經由第一觸點與封裝基板連接，該些第一觸點相較於對應於該邏輯層之該底側上的有效及無效I/O觸點二者的第二觸點，在該些第一觸點之間具有較大的間距。
如請求項11之記憶體裝置，包括該封裝基板，其包括在該記憶體裝置和中央處理單元或圖形處理單元之間路由的I/O信號路徑，該I/O信號路徑用以與該些第一觸點耦合。
如請求項9之記憶體裝置，包括用於該一或多個資料通道中的第一資料通道的複數個I/O觸點中包括的該部分及該其餘部分I/O觸點，該第一資料通道存取保持在該至少一個記憶體晶粒上的第一記憶體陣列，該部分包括該複數個I/O觸點的一半。
如請求項9之記憶體裝置，包括用於該一或多個資料通道中之第一資料通道及第二資料通道的複數個I/O觸點中包括的該部分和該其餘部分I/O觸點，該第一資料通道存取保持在該至少一個記憶體晶粒上的第一記憶體陣列，該第二資料通道存取保持在該至少一個記憶體晶粒上的第二記憶體陣列，該部分包括用於該第一及該第二資料通道的該複數個I/O觸點的一半。
如請求項14之記憶體裝置，還包括該邏輯以： <br/>基於該模式暫存器的該位元值，使該邏輯層之該底側上的部分命令及位址(CA)觸點有效而其餘部分CA觸點無效，該部分CA觸點被配置成接收或發送用於該第一及該第二資料通道的CA信號，以促進對該第一及該第二記憶體陣列的存取；以及 <br/>使用於該第一及該第二資料通道的CA信號被路由通過該部分CA觸點，使得該邏輯層下方的重定向層使該記憶體裝置能夠通過減少數量的CA觸點與封裝基板連接。
如請求項9之記憶體裝置，包含包括動態隨機存取記憶體的該複數個記憶體晶粒。
一種用於高頻寬記憶體耦接的方法，包括： <br/>經由模式暫存器，確定用於高頻寬記憶體堆疊裝置的操作模式，該高頻寬記憶體堆疊裝置包括邏輯層和堆疊在該邏輯層上方的複數個記憶體裝置； <br/>基於該確定的操作模式，使該邏輯層之底側上的部分輸入/輸出(I/O)觸點有效而其餘部分I/O觸點無效，該部分I/O觸點被配置成接收或傳送用於一或多個資料通道的I/O信號以存取該複數個記憶體裝置；以及 <br/>使I/O信號經由該一或多個資料通道被路由通過該部分I/O觸點，使得在該邏輯層下方的重定向層使該高頻寬記憶體堆疊裝置能夠通過減少數量的I/O觸點與封裝基板連接。
如請求項17之方法，還包括： <br/>使該I/O信號以第一每秒傳輸速率經由該一或多個資料通道被路由通過該部分I/O觸點，若該I/O信號經由該一或多個資料通道被路由通過該部分I/O觸點及該其餘部分I/O觸點二者，該第一每秒傳輸速率為第二每秒傳輸速率的兩倍。
如請求項17之方法，包括該高頻寬記憶體堆疊裝置，以經由第一觸點與該封裝基板連接，該些第一觸點相較於對應於該邏輯層之該底側上的有效及無效I/O觸點二者的第二觸點，在該些第一觸點之間具有較大的間距。
如請求項19之方法，包括該封裝基板，其包括在該HBM裝置和中央處理單元或圖形處理單元之間路由的I/O信號路徑，該I/O信號路徑用以與該些第一觸點耦合。
如請求項17之方法，包括用於該一或多個資料通道中之第一資料通道的複數個I/O觸點中包括的該部分和該其餘部分I/O觸點，該第一資料通道用以存取該複數個記憶體裝置中的一記憶體裝置處的記憶體陣列，該部分包括該複數個I/O觸點的一半。
如請求項17之方法，包括用於該一或多個資料通道中之第一資料通道及第二資料通道的複數個I/O觸點中包括的該部分和該其餘部分I/O觸點，該第一資料通道存取該複數個記憶體裝置中的一記憶體裝置處的第一記憶體陣列，該第二資料通道存取該記憶體裝置處的第二記憶體陣列，該部分包括用於該第一及該第二資料通道的該複數個I/O觸點的一半。
如請求項22之方法，還包括： <br/>基於該確定的操作模式，使該邏輯層之該底側上的部分命令及位址(CA)觸點有效而其餘部分CA觸點無效，該部分CA觸點被配置成接收或發送用於該第一及該第二資料通道的CA信號，以促進對該複數個記憶體裝置的存取；以及 <br/>使用於該第一及該第二資料通道的CA信號被路由通過該部分CA觸點，使得該邏輯層下方的重定向層使該高頻寬記憶體堆疊裝置能夠通過減少數量的CA觸點與封裝基板連接。
如請求項17之方法，包含包括動態隨機存取記憶體的該複數個記憶體裝置。
一種機器可讀取媒體，包括複數個指令，該複數個指令回應於由系統執行而使該系統執行依據請求項17至24中任一項所述的方法。
一種用於高頻寬記憶體耦接的裝置，包括用於執行請求項17至24中任一項所述之方法的機構。
一種塗料組成物，其係含有：包含無機氧化物粒子與三聚氰酸鋅粒子的分散質粒子與液體介質與樹脂，被塗裝面為選自由鋁基材、鐵系基材、銅系基材、金系基材、銀系基材、鉑系基材、鏡材、玻璃基材、矽基材、木材、樹脂薄膜及樹脂成型物所成群組之至少1種， <br/>前述三聚氰酸鋅粒子為藉由穿透式電子顯微鏡之測定中，一次粒子的長軸為400nm～3,000nm，且一次粒子的短軸為10nm～300nm，該長軸與該短軸之比為1.3～300， <br/>前述分散質粒子係藉由雷射繞射法之測定中，平均粒徑為80nm～5,000nm的粒子， <br/>前述液體介質為水， <br/>前述樹脂為樹脂乳液的形態、水溶性聚合物，或膠體狀分散的形態， <br/>前述分散質粒子係以質量比計以1：0.01～1：100的比例包含無機氧化物粒子：三聚氰酸鋅粒子， <br/>前述分散質粒子與樹脂之比例係以(分散質粒子)：(樹脂)的質量比計為1：0.1～1：20， <br/>前述塗料組成物中之全固體成分的比例為1～50質量%。
如請求項1之塗料組成物，其中前述樹脂為樹脂乳液的形態，該形態為水中油滴型乳液、或油中水滴型乳液，且為含有作為樹脂之選自由丙烯酸系樹脂、丙烯酸-苯乙烯系樹脂、丙烯酸-聚矽氧系樹脂、乙酸乙烯酯系樹脂、苯乙烯系樹脂、烯烴系樹脂、乙烯-乙酸乙烯酯系樹脂、酯系樹脂、環氧系樹脂、酚系樹脂、醯胺系樹脂、乙烯醇系樹脂、氟系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、三聚氰胺系樹脂、苯二甲酸系樹脂、聚矽氧系樹脂、醇酸系樹脂及氯乙烯系樹脂所成群組之1種或2種以上之樹脂成分的樹脂乳液。
如請求項1之塗料組成物，其中前述樹脂為水溶性聚合物、或膠體狀分散的形態，且為包含作為樹脂之選自由丙烯酸系樹脂、丙烯酸-苯乙烯系樹脂、丙烯酸-聚矽氧系樹脂、乙酸乙烯酯系樹脂、苯乙烯系樹脂、烯烴系、乙烯-乙酸乙烯酯系樹脂、酯系樹脂、環氧系樹脂、酚系樹脂、醯胺系樹脂、乙烯醇系樹脂、氟系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、三聚氰胺系樹脂、苯二甲酸系樹脂、聚矽氧系樹脂、醇酸系樹脂及氯乙烯系樹脂所成群組之1種或2種以上之樹脂成分的水溶性樹脂、或膠體狀分散。
如請求項1至請求項3中任一項之塗料組成物，其中前述無機氧化物粒子為選自由Si、Al、Ti、Zr、Fe、Cu、Zn、Li、Na、K、Mg、Ca、Cs、Sr、Ba、B、Ga、Y、Nb、Mo、In、Sn、Sb、Ta、W、Ge、Pb、P、As、Rb、Bi及Ce所成群組之至少1種原子的氧化物。
如請求項4之塗料組成物，其中前述無機氧化物粒子為選自由Si、Al、Ti、Zr、Fe、Cu、Zn、Li、Na、K、Mg、Ca、Cs、Sr、Ba、B、Ga、Y、Nb、Mo、In、Sn、Sb、Ta、W、Ge、Pb、P、As、Rb、Bi及Ce所成群組之2種以上之原子的複合氧化物、或混合氧化物。
如請求項1至請求項3中任一項之塗料組成物，其中前述無機氧化物粒子為選自由Si、Al、Ti、Zr、Fe、Cu、Zn、Li、Na、K、Mg、Ca、Cs、Sr、Ba、B、Ga、Y、Nb、Mo、In、Sn、Sb、Ta、W、Ge、Pb、P、As、Rb、Bi及Ce所成群組之至少1種原子的膠體狀氧化物。
如請求項6之塗料組成物，其中前述無機氧化物粒子為選自由Si、Al、Ti、Zr、Fe、Cu、Zn、Li、Na、K、Mg、Ca、Cs、Sr、Ba、B、Ga、Y、Nb、Mo、In、Sn、Sb、Ta、W、Ge、Pb、P、As、Rb、Bi及Ce所成群組之2種以上之原子的膠體狀複合氧化物，或膠體狀混合氧化物。
如請求項1至請求項3中任一項之塗料組成物，其中前述無機氧化物粒子為選自由Si、Al、Ti、Zr、Fe、Cu、Zn、Li、Na、K、Mg、Ca、Cs、Sr、Ba、B、Ga、Y、Nb、Mo、In、Sn、Sb、Ta、W、Ge、Pb、P、As、Rb、Bi及Ce所成群組之至少1種原子之氧化物的粉體（無機氧化物粉體）。
如請求項8之塗料組成物，其中前述無機氧化物粒子為選自由Si、Al、Ti、Zr、Fe、Cu、Zn、Li、Na、K、Mg、Ca、Cs、Sr、Ba、B、Ga、Y、Nb、Mo、In、Sn、Sb、Ta、W、Ge、Pb、P、As、Rb、Bi及Ce所成群組之2種以上之原子之複合物的粉體，或混合氧化物的粉體。
一種如請求項1至請求項9中任一項之塗料組成物的塗膜，其係形成於選自由鋁基材、鐵系基材、銅系基材、金系基材、銀系基材、鉑系基材、鏡材、玻璃基材、矽基材、木材、樹脂薄膜及樹脂成型物所成群組之至少1種的基材上。
一種塗膜，其係如請求項1至請求項9中任一項之塗料組成物的塗膜，具有0.1μm～100μm的膜厚。
如請求項11之塗膜，其中前述塗膜為旋塗膜、棒塗膜、輥塗膜或浸塗膜。
一種如請求項1至請求項9中任一項之塗料組成物之製造方法，其係含有：將包含無機氧化物粒子與三聚氰酸鋅粒子之分散質粒子分散於液體介質的分散液與樹脂，使用液中分散機混合的步驟。
如請求項13之塗料組成物之製造方法，其中前述分散液中之分散質粒子的固體成分濃度為0.1～50質量%。
一種如請求項13或請求項14之塗料組成物之製造方法，其係含有：將包含無機氧化物粒子與三聚氰酸鋅粒子之分散質粒子分散於液體介質的分散液、前述樹脂及固體成分濃度為0.1～50質量%的無機氧化物粉體的漿料，使用液中分散機混合的步驟。
如請求項15之塗料組成物之製造方法，其中分散液中之固體成分、樹脂、無機氧化物粉體之漿料之固體成分的比例為(分散液中之固體成分)：(樹脂)：(漿料之固體成分)的質量比計為1：0.1～20：0.1～1。
如請求項13至請求項16中任一項之塗料組成物之製造方法，其中前述液中分散機為攪拌機、旋轉剪切型攪拌機、膠體狀磨機、輥磨機、高壓噴射式分散機、超音波分散機、容器驅動型磨機、介質攪拌磨機、或捏合機。
如請求項13至請求項16中任一項之塗料組成物之製造方法，其係在使用前述液中分散機混合之步驟前，進一步包含使用粉碎裝置混合無機氧化物粒子與三聚氰酸鋅粒子或其漿料之混合液的步驟。
如請求項18之塗料組成物之製造方法，其中前述粉碎裝置為球磨機、珠磨機、或砂磨機。
一種塗料添加劑，其係用於請求項1之塗料組成物的塗料添加劑， <br/>包含無機氧化物粒子與三聚氰酸鋅粒子之分散質粒子分散於液體介質的塗料添加劑， <br/> 前述無機氧化物粒子為無機氧化物粉體， <br/> 前述無機氧化物粉體係比表面積為1～800m<sup>2</sup>/g，且疏充填體積密度(Aerated Bulk Density)為0.03～3.0g/cm<sup>3</sup>， <br/>其中前述分散質粒子係藉由雷射繞射法之測定中，平均粒徑為200nm～5,000nm的粒子。
如請求項20之塗料添加劑，其中前述無機氧化物粉體為選自由Si、Al、Ti、Zr、Fe、Cu、Zn、Li、Na、K、Mg、Ca、Cs、Sr、Ba、B、Ga、Y、Nb、Mo、In、Sn、Sb、Ta、W、Ge、Pb、P、As、Rb、Bi及Ce所成群組之至少1種原子的氧化物。
如請求項20或請求項21之塗料添加劑，其中前述塗料添加劑中的分散質粒子係固體成分濃度為0.1～50質量%。
一種如請求項20至請求項22中任一項之塗料添加劑的製造方法，其係包含使用粉碎裝置，將預先粉碎處理無機氧化物粒子而得之無機氧化物粉體與三聚氰酸鋅粒子或其漿料的混合液，進行混合的步驟。
一種塗料添加劑，其係用於請求項1之塗料組成物的塗料添加劑，其係包含無機氧化物粒子與三聚氰酸鋅粒子的分散質粒子分散於液體介質的塗料添加劑， <br/> 前述無機氧化物粒子為排除以膠體狀二氧化矽為主成分之粒子的膠體狀金屬氧化物粒子， <br/>前述分散質粒子係藉由雷射繞射法之測定中，平均粒徑為80nm～2,000nm的粒子。
如請求項24之塗料添加劑，其中前述膠體狀金屬氧化物粒子包含選自由Al、Ti、Zr、Fe、Cu、Zn、Li、Na、K、Mg、Ca、Cs、Sr、Ba、B、Ga、Y、Nb、Mo、In、Sn、Sb、Ta、W、Ge、Pb、P、As、Rb、Bi及Ce所成群組之至少1種原子的氧化物。
如請求項24或請求項25之塗料添加劑，其中前述塗料添加劑中的分散質粒子係固體成分濃度為0.1～50質量%。
一種積層體，係在照射外光的環境下使用的積層體，其特徵在於，具備： <br/>在膜內具有在折射率相對較低的區域中，具備折射率相對較高的複數區域的內部結構的光擴散控制膜；及 <br/>位在較上述光擴散控制膜更靠外光入射側的紫外線吸收層， <br/>上述光擴散控制膜，含有受阻胺系化合物， <br/>在上述光擴散控制膜中的上述受阻胺系化合物的含量為0.4質量%以上、5質量%以下， <br/>上述內部結構具有：在折射率相對較低的區域中，在膜厚方向使折射率相對較高的複數柱狀物林立而成的柱形結構，以及折射率不同的複數板狀區域沿著膜面的任意一方向交互配置而成的百葉結構中的至少一者， <br/>上述紫外線吸收層的波長380nm的光線穿透率為1%以下。
如請求項1所述之積層體，其中上述光擴散控制膜，係由含有高折射率成分、具有較該高折射率成分低的折射率的低折射率成分、及受阻胺系化合物的組成物所得。
如請求項1所述之積層體，其中上述光擴散控制膜含有紫外線吸收劑。
如請求項1所述之積層體，其中上述積層體係窗膜。
如請求項4所述之積層體，其中在上述光擴散控制膜的兩面側具備紫外線吸收層。
如請求項1至3之任何一項所述之積層體，其中上述積層體為外光利用型顯示體。
一種光擴散控制膜的用途，其係在膜內具有折射率相對較低的區域中具備折射率相對較高的複數區域的內部結構， <br/>含有受阻胺系化合物的光擴散控制膜的用途，其特徵在於： <br/>在上述光擴散控制膜中的上述受阻胺系化合物的含量為0.4質量%以上、5質量%以下， <br/>上述內部結構具有：在折射率相對較低的區域中，在膜厚方向使折射率相對較高的複數柱狀物林立而成的柱形結構，以及折射率不同的複數板狀區域沿著膜面的任意一方向交互配置而成的百葉結構中的至少一者， <br/>在照射外光的環境下使用，使用於具備上述光擴散控制膜，及位在較上述光擴散控制膜更靠外光入射側，波長380nm的光線穿透率為1%以下的紫外線吸收層的積層體。
一種具下式之化合物或其水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽：<figure><img align="absmiddle" height="127px" width="257px" file="d10077.TIF" alt="化學式ed10077.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10077.png"/></figure>
如請求項1之化合物或其水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽，其係：<figure><img align="absmiddle" height="131px" width="248px" file="d10075.TIF" alt="化學式ed10075.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10075.png"/></figure>
一種醫藥組合物，其包含具下式之化合物或其水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽，及醫藥上可接受之載劑：<figure><img align="absmiddle" height="129px" width="244px" file="d10076.TIF" alt="化學式ed10076.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10076.png"/></figure>
如請求項3之醫藥組合物，其包含下列化合物係：<figure><img align="absmiddle" height="140px" width="279px" file="d10078.TIF" alt="化學式ed10078.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10078.png"/></figure>
如請求項3或4之醫藥組合物，其經製備用於局部投與。
一種用於測定一或多種KLK蛋白酶之蛋白水解活性之活體外(<i>in vitro</i>)分析方法，其包括：a)製備皮膚提取物；b)使受質及具下式之化合物或其水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽：<figure><img align="absmiddle" height="131px" width="259px" file="d10079.TIF" alt="化學式ed10079.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10079.png"/></figure>曝露於該皮膚提取物；及c)測定該受質之蛋白水解裂解之速率，其中：該受質為肽-對硝基醯胺苯(pNA)。
如請求項6之方法，其中該受質為Tyr-Arg-Ser-Arg-pNA或Lys-His-Leu-Tyr-pNA。
如請求項6之方法，其中於步驟b)，受質及下列化合物曝露於該皮膚提取物：<figure><img align="absmiddle" height="135px" width="268px" file="d10080.TIF" alt="化學式ed10080.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10080.png"/></figure>
如請求項6或8之方法，其中該皮膚提取物為人類皮膚提取物。
一種發光裝置，其特徵在於：其係具備發光元件、及配置於上述發光元件之光出射側之波長轉換構件者，且 <br/>上述發光元件經調整而能顯色藍色光中混色有發光強度弱於上述藍色光之紅色光及綠色光而成的近白色光，上述發光元件係藍色LED中組合有紅色螢光體及綠色螢光體而成之構成， <br/>上述波長轉換構件係包含紅色螢光粒子及綠色螢光粒子之波長轉換片材，來自上述發光元件之光經由上述波長轉換構件而發出白色光。
如請求項1之發光裝置，其中複數個上述發光元件以能選擇欲使其發光的上述發光元件之方式呈矩陣狀地配置， <br/>來自1個以上之上述發光元件之顯色光經由上述波長轉換構件從上述波長轉換構件之表面發出白色光。
如請求項1或2之發光裝置，其中上述波長轉換構件塗佈或貼合於部分反射片材之表面。
一種燒結設備，用於加工光伏裝置，其特徵在於包括：<br/>燒結段（102），用於對光伏裝置進行燒結處理；<br/>光處理段（104），用於對燒結處理後的光伏裝置進行光處理；<br/>冷卻段（103），所述冷卻段（103）設置在所述燒結段（102）和所述光處理段（104）之間，所述冷卻段（103）包括第一冷卻分區（112）和第二冷卻分區（113），其中所述第一冷卻分區（112）與所述燒結段（102）連接，所述第一冷卻分區（112）被配置成以輻射冷卻方式冷卻光伏裝置，所述第二冷卻分區（113）被配置成以對流冷卻方式冷卻光伏裝置，所述第一冷卻分區（112）將所述光伏裝置冷卻至第一溫度範圍，所述第二冷卻分區（112）將所述光體裝置冷卻至第二溫度範圍。
如請求項1之燒結設備，其中：<br/>所述第二溫度範圍為180℃-250℃。
如請求項1之燒結設備，其中：<br/>所述第一溫度範圍為280℃-350℃。
如請求項1之燒結設備，其中：<br/>所述第一冷卻分區（112）包括至少一個輻射冷卻模組，所述輻射冷卻模組包括第一上部換熱器（401）和第一下部換熱器（402），所述第一上部換熱器（401）和第一下部換熱器（402）之間設有允許光伏裝置通過的間距，所述第一上部換熱器（401）和第一下部換熱器（402）的表面為黑色。
如請求項4之燒結設備，其中：<br/>所述第一上部換熱器（401）和第一下部換熱器（402）的表面的黑色由鋁氧化製程形成或由塗敷塗層形成。
如請求項4之燒結設備，其中：<br/>所述第一上部換熱器（401）和第一下部換熱器（402）為翅片管式換熱器，所述翅片管式換熱器包括盤管和多個依次排列的翅片，相鄰的所述翅片之間設有間距，所述盤管穿過所述翅片。
如請求項1之燒結設備，其中：<br/>所述第二冷卻分區（113）包括至少一個對流冷卻模組，所述對流冷卻模組包括第二上部換熱器（601）和第二下部換熱器（602），所述第二上部換熱器（601）和第二下部換熱器（602）之間設有允許光伏裝置通過的間距，所述第二上部換熱器（601）的上方設有至少一個風扇（605），所述至少一個風扇（605）被配置成使氣流能夠從第二上部換熱器（601）流向第二下部換熱器（602）；<br/>所述風扇（605）的底部與所述第二上部換熱器（601）的頂部之間的間距不小於25CM。
如請求項7之燒結設備，其中：<br/>所述第二上部換熱器（601）和第二下部換熱器（602）為翅片管式換熱器，所述翅片管式換熱器包括盤管和多個依次排列的翅片，相鄰的所述翅片之間設有間距，所述盤管穿過所述翅片。
如請求項7之燒結設備，其中：<br/>所述至少一個風扇（605）為多個風扇，所述多個風扇在所述第二上部換熱器（601）上方均勻分佈，所述多個風扇的功率可調節；<br/>所述第二冷卻分區（113）包括風扇支架，所述多個風扇安裝在風扇支架上。
如請求項1之燒結設備，其中：<br/>所述第二冷卻分區（113）與所述燒結段（102）之間的距離不小於0.85m。
一種監視系統，其係密封裝置的監視系統，該密封裝置藉由殼體將基板處理裝置密封，並以既定之環境氣體填滿該密封後的空間；該監視系統，具有：雷射感測器，其將該殼體與該基板處理裝置之間的空間中人可能進入的區域，設為偵測區域；及控制裝置，其基於該雷射感測器的偵測結果，而對於該基板處理裝置或是該密封裝置輸出控制訊號，或是輸出基於該偵測結果之通知訊號；該殼體具有頂面及四側面；該雷射感測器，係配置於該殼體與該基板處理裝置間之空間中在俯視觀察下位於對角線上的角隅部，且該雷射感測器的設置高度係從底面起算100~300mm；此外，該雷射感測器具有在既定角度的範圍內往返旋轉並以雷射光束呈輻射狀進行掃描之構成。
如請求項1所述之監視系統，其中，該密封裝置具有供給部，用以供給將該密封後的空間以該既定的環境氣體填滿用之既定氣體；該控制裝置，在藉由該雷射感測器偵測到物體時，對於該密封裝置輸出不執行由該供給部所進行之該既定氣體之供給的控制訊號。
如請求項1或2所述之監視系統，更包含：拍攝裝置，用以拍攝該人可能進入的區域；藉由該雷射感測器偵測到物體時，藉由該拍攝裝置至少拍攝偵測到該物體的區域。
如請求項3所述之監視系統，其中，將藉由該雷射感測器所獲得的偵測結果，與該拍攝到的影像賦予關聯。
如請求項1或2所述之監視系統，其中，該密封裝置，具有：可自由開關的扉部，用以進出該密封後的空間內；及該扉部之栓鎖機構；該控制裝置基於該雷射感測器的偵測結果，輸出用以切換該扉部之栓鎖機構的動作之訊號。
如請求項1或2所述之監視系統，其中，基於該雷射感測器的偵測結果而對該基板處理裝置輸出的控制訊號，係用以將該基板處理裝置互鎖之訊號。
一種洗淨劑組合物，其係含有(A)陰離子界面活性劑[以下，稱為(A)成分]、(B)非離子界面活性劑[以下，稱為(B)成分]、及水者，且 <br/>含有(A1)具有烴基及酸型或鹽型之磺酸基之陰離子界面活性劑[以下，稱為(A1)成分]作為(A)成分， <br/>含有選自由(B1-1)具有碳數8以上10以下之直鏈烴基之非離子界面活性劑[以下，稱為(B1-1)成分]、及(B1-2)具有碳數8以上22以下之支鏈烴基之非離子界面活性劑[以下，稱為(B1-2)成分]所組成之群中的1種或2種以上之非離子界面活性劑[以下，稱為(B1)成分]、以及(B1)成分以外之非離子界面活性劑[以下，稱為(B2)成分]作為(B)成分， <br/>(A)成分中，(A1)成分之比率為30質量%以上100質量%以下， <br/>(B)成分中，(B1)成分之比率為70質量%以上90質量%以下， <br/>(B1)成分為HLB11.5以上15.4以下之非離子界面活性劑， <br/>(B2)成分為下述通式(b2)所表示之非離子界面活性劑， <br/>R<sup>5</sup>-O-(A<sup>3</sup>O)<sub>n3</sub>-R<sup>6</sup> (b2) <br/>[式中，R<sup>5</sup>為碳數11以上14以下之直鏈烴基，R<sup>6</sup>為氫原子，A<sup>3</sup>O基為選自伸乙氧基及伸丙氧基中之1種以上之基，n3為平均加成莫耳數，且為選自3以上25以下之數中之數]。
如請求項1之洗淨劑組合物，其中(A1)成分為選自內部烯烴磺酸鹽、烷基苯磺酸鹽、α-磺基脂肪酸酯鹽、及二烷基磺基琥珀酸鹽中之1種或2種以上之陰離子界面活性劑。
如請求項1或2之洗淨劑組合物，其含有內部烯烴磺酸鹽作為(A1)成分。
如請求項1或2之洗淨劑組合物，其含有具有碳數18之烴基之內部烯烴磺酸鹽作為(A1)成分。
如請求項1或2之洗淨劑組合物，其中(B1-1)成分為聚氧伸烷基癸醚。
如請求項1或2之洗淨劑組合物，其中(B1-2)成分為碳數10之吉布特醇之環氧烷加成物。
如請求項1或2之洗淨劑組合物，其含有0.01質量%以上70質量%以下之(A1)成分。
如請求項1或2之洗淨劑組合物，其含有0.01質量%以上70質量%以下之(B1)成分。
如請求項1或2之洗淨劑組合物，其中作為(A1)成分之含量與(B1)成分之含量之質量比的(A1)/(B1)為0.1以上10以下。
如請求項1或2之洗淨劑組合物，其用於纖維製品。
一種纖維製品之洗淨方法，其係利用將如請求項1至10中任一項之洗淨劑組合物及水進行混合而獲得之洗淨液洗淨纖維製品，其後用水漂洗該纖維製品。
一種鋰電池用非水電解質溶液，該溶液包含i)液體電解質介質，其係選自非環狀碳酸酯、環狀碳酸酯、醚、含硫化合物及硼酸酯、以及前述中之任兩者或更多者之混合物；ii)含鋰鹽，其中該電解質溶液中該含鋰鹽之典型濃度在0.1M至2.5M之範圍內；及iii)至少一種溴化阻燃劑，其具有一阻燃量，其中：(A)該至少一種溴化阻燃劑係選自：(1)1,2-二溴乙烷與2,3-二溴-2-丙烯-1-醇之混合物；(2)1,3-二溴苯；及(3)溴氯甲烷；且相對於該溶液之總重量，該阻燃量為至少20重量%；或者(B)該溴化阻燃劑係選自1,2-二溴乙烷及1,3-二溴丙烷，且該溶液亦包含2-苯氧基-2,4,4,6,6-五氟-1,3,5,2λ5,4λ5,6λ5三氮雜三膦，且1,2-二溴乙烷或1,3-二溴丙烷與2-苯氧基-2,4,4,6,6-五氟-1,3,5,2λ5,4λ5,6λ5三氮雜三膦之重量比為1.5：1至3：1，且相對於該非水電解質溶液之總重量，該阻燃量為6重量%或更多之阻燃劑分子。
如請求項1之溶液，其進一步包含至少一種選自以下之電化學添加劑：a)含有三至六個碳原子之不飽和環狀碳酸酯，b)含有三至五個碳原子及一至四個氟原子之含氟飽和環狀碳酸酯，c)含有三至九個碳原子之亞磷酸參(三烴基矽烷基)酯，d)含有三至十二個碳原子之磷酸三烴基酯，e)含有三至八個碳原子之環狀磺內酯，f)具有5員或6員環且含有二至六個碳原子之飽和環狀烴基亞硫酸酯，g)具有5員或6員環且含有二至六個碳原子之飽和環狀烴基硫酸酯，h)具有6員、7員或8員環且含有二至六個碳原子之環狀二氧雜二硫代多氧化物化合物，i)另一含鋰鹽，及j)前述中之任兩者或更多者之混合物。
如請求項2之溶液，其中該電化學添加劑係選自：a)含有三至四個碳原子之不飽和環狀碳酸酯，b)含有三至四個碳原子及一至兩個氟原子之含氟飽和環狀碳酸酯，c)含有三至六個碳原子之亞磷酸參(三烴基矽烷基)酯，d)含有三至九個碳原子之磷酸三烴基酯，e)含有三至四個碳原子之環狀磺內酯，f)具有5員環且含有二至四個碳原子之飽和環狀烴基亞硫酸酯，g)具有5員環且含有二至四個碳原子之飽和環狀烴基硫酸酯，h)具有6員或7員環且含有二至四個碳原子之環狀二氧雜二硫代多氧化物化合物，i)另一含鋰鹽，及j)前述中之任兩者或更多者之混合物。
如請求項2或3之溶液，其中該電化學添加劑係選自：a)相對於該非水電解質溶液之總重量，0.5重量%至12重量%之量的不飽和環狀碳酸酯，b)相對於該非水電解質溶液之總重量，0.5重量%至8重量%之量的含氟飽和環狀碳酸酯，c)相對於該非水電解質溶液之總重量，0.1重量%至5重量%之量的亞磷酸參(三烴基矽烷基)酯，d)相對於該非水電解質溶液之總重量，0.5重量%至5重量%之量的磷酸三烴基酯，e)相對於該非水電解質溶液之總重量，0.25重量%至5重量%之量的環狀磺內酯，f)相對於該非水電解質溶液之總重量，0.5重量%至5重量%之量的飽和環狀烴基亞硫酸酯，g)相對於該非水電解質溶液之總重量，0.25重量%至5重量%之量的飽和環狀烴基硫酸酯，h)相對於該非水電解質溶液之總重量，0.5重量%至5重量%之量的環狀二氧雜二硫代多氧化物化合物，i)相對於該非水電解質溶液之總重量，0.5重量%至5重量%之量的另一含鋰鹽，及j)前述中之任兩者或更多者之混合物。
如請求項2或3之溶液，其中該電化學添加劑為飽和環狀烴基硫酸酯、環狀磺內酯、亞磷酸參(三烴基矽烷基)酯或另一含鋰鹽。
如請求項2之溶液，其中該電化學添加劑為：1重量%至4重量%之量的飽和環狀烴基硫酸酯、0.5重量%至4重量%之量的環狀磺內酯、0.2重量%至3重量%之量的亞磷酸參(三烴基矽烷基)酯或1重量%至4重量%之量的另一含鋰鹽，各自相對於該非水電解質溶液之總重量。
如請求項2之溶液，其中該電化學添加劑為1,3,2-二氧雜硫雜環戊烷2,2-二氧化物、1,3-丙烯磺內酯、1,3-丙烷磺內酯、參(三甲基矽烷基)亞磷酸酯或雙(草酸根合)硼酸鋰。
如請求項6或7之溶液，其中各電化學添加劑不與其他電化學添加劑一起使用。
如請求項2或3之溶液，其中該電化學添加劑係選自碳酸伸乙烯酯、4-氟-碳酸乙二酯、參(三甲基矽烷基)亞磷酸酯、磷酸三烯丙酯、1-丙烷-1,3-磺內酯、1-丙烯-1,3-磺內酯、亞硫酸乙二酯、1,3,2-二氧雜硫雜環戊烷2,2-二氧化物、1,5,2,4-二氧雜二硫雜環己烷2,2,4,4-四氧化物、雙(草酸根合)硼酸鋰，及此等中之任兩者或更多者之混合物。
如請求項9之溶液，其中該電化學添加劑係選自：相對於該非水電解質溶液之總重量，0.5重量%至3重量%之量的碳酸伸乙烯酯；相對於該非水電解質溶液之總重量，8重量%至11重量%之量的碳酸伸乙烯酯；相對於該非水電解質溶液之總重量，1.5重量%至5重量%之量的4-氟-碳酸乙二酯；相對於該非水電解質溶液之總重量，0.2重量%至3重量%之量的參(三甲基矽烷基)亞磷酸酯；相對於該非水電解質溶液之總重量，1重量%至5重量%之量的磷酸三烯丙酯；相對於該非水電解質溶液之總重量，0.5重量%至4重量%之量的1,3-丙烷磺內酯或1,3-丙烯磺內酯；相對於該非水電解質溶液之總重量，1重量%至4重量%之量的1,3,2-二氧雜硫雜環戊烷2-氧化物；相對於該非水電解質溶液之總重量，1重量%至4重量%之量的1,3,2-二氧雜硫雜環戊烷2,2-二氧化物；相對於該非水電解質溶液之總重量，1重量%至4重量%之量的1,5,2,4-二氧雜二硫雜環己烷2,2,4,4-四氧化物；相對於該非水電解質溶液之總重量，1重量%至4重量%之量的雙(草酸根合)硼酸鋰；及此等中之任兩者或更多者之混合物。
如請求項9之溶液，其中該電化學添加劑係：選自1-丙烷-1,3-磺內酯、1-丙烯-1,3-磺內酯、1,3,2-二氧雜硫雜環戊烷2,2-二氧化物、參(三甲基矽烷基)亞磷酸酯及雙(草酸根合)硼酸鋰。
如請求項9之溶液，其中該電化學添加劑係：選自0.5重量%至4重量%之量的1-丙烷-1,3-磺內酯、0.5重量%至4重量%之量的1-丙烯-1,3-磺內酯、1重量%至4重量%之量的1,3,2-二氧雜硫雜環戊烷2,2-二氧化物及1重量%至4重量%之量的雙(草酸根合)硼酸鋰，各自相對於該非水電解質溶液之總重量。
如請求項11之溶液，其中各電化學添加劑不與其他電化學添加劑一起使用。
如請求項1之溶液，其中該非水電解質溶液進一步包含相對於該非水電解質溶液之總重量為8重量%至11重量%之量的碳酸伸乙烯酯。
如請求項1或14中任一項之溶液，其中該液體電解質介質為碳酸乙二酯、碳酸甲乙酯或其混合物，及/或其中該含鋰鹽為六氟磷酸鋰或雙(草酸根合)硼酸鋰。
一種非水鋰電池，其包括正極、負極及如請求項1至15中任一項之非水電解質溶液。
一種用於生產鋰電池用非水電解質溶液之方法，該方法包括將包含以下之組分組合：i)液體電解質介質，其係選自碳酸甲乙酯、二氧戊環、甲磺醯氯、亞硫酸乙二酯、1,3-丙二醇硼酸酯、及前述中之任兩者或更多者之混合物；ii)含鋰鹽，其中該電解質溶液中該含鋰鹽之典型濃度在0.95M至1.5M之範圍內；及iii)至少一種溴化阻燃劑，其具有一阻燃量，其中：(A)該至少一種溴化阻燃劑係選自：(1)1,2-二溴乙烷與2,3-二溴-2-丙烯-1-醇之混合物；(2)1,3-二溴苯；及(3)溴氯甲烷；且相對於該溶液之總重量，該阻燃量為至少20重量%；或者(B)該溴化阻燃劑係選自1,2-二溴乙烷及1,3-二溴丙烷，且該溶液亦包含2-苯氧基-2,4,4,6,6-五氟-1,3,5,2λ5,4λ5,6λ5三氮雜三膦，且1,2-二溴乙烷或1,3-二溴丙烷與2-苯氧基-2,4,4,6,6-五氟-1,3,5,2λ5,4λ5,6λ5三氮雜三膦之重量比為1.5：1至3：1，且相對於該非水電解質溶液之總重量，該阻燃量為6重量%或更多之阻燃劑分子。
如請求項17之方法，其中該等組分進一步包含至少一種選自以下之電化學添加劑：a)含有三至六個碳原子之不飽和環狀碳酸酯，b)含有三至五個碳原子及一至四個氟原子之含氟飽和環狀碳酸酯，c)含有三至九個碳原子之亞磷酸參(三烴基矽烷基)酯，d)含有三至十二個碳原子之磷酸三烴基酯，e)含有三至八個碳原子之環狀磺內酯，f)具有5員或6員環且含有二至六個碳原子之飽和環狀烴基亞硫酸酯，g)具有5員或6員環且含有二至六個碳原子之飽和環狀烴基硫酸酯，h)具有6員、7員或8員環且含有二至六個碳原子之環狀二氧雜二硫代多氧化物化合物，i)另一含鋰鹽，及j)前述中之任兩者或更多者之混合物。
如請求項17之方法，其中該等組分進一步包含至少一種選自以下之電化學添加劑：碳酸伸乙烯酯、4-氟-碳酸乙二酯、參(三甲基矽烷基)亞磷酸酯、磷酸三烯丙酯、1-丙烷-1,3-磺內酯、1-丙烯-1,3-磺內酯、亞硫酸乙二酯、1,3,2-二氧雜硫雜環戊烷2,2-二氧化物、1,5,2,4-二氧雜二硫雜環己烷2,2,4,4-四氧化物、雙(草酸根合)硼酸鋰，及此等中之任兩者或更多者之混合物。
一種試劑盒之用途，其係用於製造應用於壓鑄之芯部，該試劑盒作為獨立組分而含有：(A)模製原料，其選自由以下組成之群組：石英砂、鉻礦砂、橄欖砂、矽酸鋁砂及其混合物；(B)粒子非晶二氧化矽或者含有粒子非晶二氧化矽的添加劑混合物；(C)包括水玻璃的溶液或分散體或者含有用於製造包括水玻璃的溶液或分散體之原料的試劑盒；(D)用於製造覆層的組成，其中該組成包括：(D1)運載液體，其選自由以下組成之群組，水及水與一或多個醇的混合物；(D2)一種成分，其選自由以下組成之群組：(D2a)溶於該運載液體中的一或多個酸，其中該運載液體透過溶於其中之酸而形成的水相具有5或更小的PH值，(D2b)下式(I)的一或多個有機化合物：<figure><img align="absmiddle" height="87px" width="191px" file="d10007.TIF" alt="化學式ed10007.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10007.png"/></figure>其中R1及R2各為單價基團，其獨立地含有1至26個碳原子，其中該基團R1透過一個在該基團R1中含有的碳原子或者透過一個在該基團R1中含有的氧原子而鍵合，且其中該基團R2透過一個在該基團R2中含有的碳原子而鍵合，或者係彼此連結以形成環形結構，使得該環形結構共包括4至7個環原子並且該等基團R1及R2共包括2至26個碳原子，其中該基團R1透過一個在該基團中含有的碳原子或者透過一個在該基團R1中含有的氧原子而鍵合，且其中R2透過一個在該基團中含有的碳原子而鍵合；(D3)一或多個形式為片狀粒子的耐火材料，(D4)一或多個形式為粒狀粒子的耐火材料，其中相對組分(D)中之一或多個耐火材料(D3)及一或多個耐火材料(D4)之總質量而言，該一或多個耐火材料(D3)的比例為15%至80%。
如請求項1之試劑盒之用途，其中在組分(D)中，該等成分(D1)、(D2a)或(D2b)、(D3)及(D4)相對該組分(D)之總質量而言的濃度如下：(D1)20%至75%，(D2a)0.1%至10%或(D2b)0.1%至10%，(D3)10%至58%，(D4)14%至64%。
如請求項1或2之試劑盒之用途，其中在組分(D)中，(D2a)該等酸選自由以下組成之群組：有機酸，其選自由以下組成之群組：一元羧酸、二羧酸及三羧酸，及無機酸，其選自由以下組成之群組：鹽酸、硝酸、磷酸及酸性磷酸鹽；(D2b)下式(I)的有機化合物選自由以下組成之群組：酯、內酯及酸酐；以及/或者(D3)形式為片狀粒子的耐火材料選自由粗晶石墨、α-氮化硼及層狀矽酸鹽組成之群組；以及/或者(D4)形式為粒狀粒子之耐火材料選自由以下組成之群組：微晶石墨、碳黑、焦炭、矽酸鋯、紅柱石、矽錳礦、藍晶石、石英、石英玻璃、莫來石、耐火土、氧化鋁、鋁土礦、矽灰石、二氧化鈦、橄欖石、組成M<sub>5</sub>(PO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>OH之鹼土金屬磷酸鹽，其中M為鹼土金屬、氮化矽及金紅石。
如請求項3之試劑盒之用途，其中有機酸選自由以下組成之群組：在25℃及101.3kPa條件下之固態一元羧酸、二羧酸及三羧酸；無機酸選自由以下組成之群組：鹽酸、硝酸、磷酸及酸性磷酸鹽；式(I)的有機化合物係水溶性。
如請求項4之試劑盒之用途，其中有機酸選自由檸檬酸及草酸組成之群組：無機酸選自由鹽酸、硝酸及磷酸組成之群組；式(I)的有機化合物選自由以下組成之群組：甲酸甲酯、甲酸乙酯、碳酸丙烯酯、γ-丁內酯、雙醋精、三醋精、二元酯、醋酸酐、碳酸甲酯及ε-己內酯。
如請求項3之試劑盒之用途，其中在組分(D)中該等耐火材料(D4)還包括：(D4a)非晶粒子二氧化矽，其中相對該等耐火材料(D4)之總質量而言，非晶粒子二氧化矽的比例為3%至30%。
如請求項1之試劑盒之用途，其中該非晶粒子二氧化矽在組分(B)及在該組分(D)之成分(D4)中，相互獨立地選自由以下組成之群組：微粒狀合成非晶二氧化矽，其作為次要成分而至少具有碳，其中相對該微粒狀合成非晶二氧化矽與該等次要成分之總質量而言，二氧化矽之比例為90%或更高；微粒狀合成非晶二氧化矽，其作為次要成分而具有鋯氧化物；微粒狀合成非晶二氧化矽，其可透過藉由含氧氣體氧化金屬矽製成；微粒狀合成非晶二氧化矽，其可透過二氧化矽熔體之淬火製成；熱解矽酸；以及上述之混合物。
如請求項7之試劑盒之用途，其中微粒狀合成非晶二氧化矽係透過在電弧爐中還原石英製成；微粒狀合成非晶二氧化矽係透過ZrSiO<sub>4</sub>之熱分解製成；熱解矽酸係透過四氯化矽之熱解而製成。
如請求項1、2、7及8中任一項之試劑盒之用途，其中組分(B)為含有以下之粉末狀添加劑混合物：粒子非晶二氧化矽，其中相對該粉末狀添加劑混合物(B)之總質量而言，粒子非晶二氧化矽的總濃度為25%至99.5%，以及一或多個氧化硼化合物，其選自由以下組成之群組：硼酸鹽、硼酸、硼酸酐、矽酸硼、磷酸硼及硼磷矽酸鹽，其中相對該粉末狀添加劑混合物(B)之總質量而言，氧化硼化合物的總濃度為0.5%至8%。
如請求項9之試劑盒之用途，其中該粒子非晶二氧化矽的總濃度為40%至95%，以及相對該粉末狀添加劑混合物(B)之總質量而言，該氧化硼化合物的總濃度為2%至5%。
如請求項1、2、7及8中任一項之試劑盒之用途，其中組分(C)為一或多個氧化硼化合物，其選自由硼酸鹽、硼酸及硼酸酐組成之群組，其中相對該組分(C)之總質量而言，作為B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>之氧化硼化合物的總濃度為0.4%至1.0%。
如請求項11之試劑盒之用途，其中相對該組分(C)之總質量而言，作為B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>之氧化硼化合物的總濃度為0.5%至0.8%。
如請求項1、2、7及8中任一項之試劑盒之用途，其中組分(C)為包括含鋰水玻璃的溶液或分散體，其中相對該組分(C)之總質量而言，作為Li<sub>2</sub>O之鋰的總濃度為0.4%至1.0%，或者為含有用於製造包括含鋰水玻璃的溶液或分散體的原料之試劑盒。
如請求項13之試劑盒之用途，其中相對該組分(C)之總質量而言，作為Li<sub>2</sub>O之鋰的總濃度為0.4%至0.7%。
一種製造應用於壓鑄之芯部的方法，其包括以下步驟：(a)透過將組分(A)、(B)及(C)混合在一起來製造模製材料混合物，(b)將該模製材料混合物成型，(c)對該成型的模製材料混合物實施熱固化，以形成待製造芯部之本體，(d)將組成(D)或者透過用運載液體(D1)稀釋組成(D)而形成的塗層組成施覆至該本體並且隨後進行乾燥，從而在該本體上製成覆層，其中形成芯部，該芯部包括該本體及佈置在該本體上的覆層，該覆層至少在該芯部之在鑄造過程中與金屬熔體發生接觸的整個表面上延伸，其中該組分(A)、(B)及(C)及組成(D)之定義如下：(A)模製原料，其選自由以下組成之群組：石英砂、鉻礦砂、橄欖砂、矽酸鋁砂及其混合物；(B)粒子非晶二氧化矽或者含有粒子非晶二氧化矽的添加劑混合物；(C)包括水玻璃的溶液或分散體或者含有用於製造包括水玻璃的溶液或分散體之原料的試劑盒；(D)用於製造覆層的組成，該組成包括：(D1)運載液體，其選自由以下組成之群組，水及水與一或多個醇的混合物；(D2)一種成分，其選自由以下組成之群組：(D2a)溶於該運載液體中的一或多個酸，其中該運載液體透過溶於其中之酸而形成的水相具有5或更小的PH值，(D2b)下式(I)的一或多個有機化合物<figure><img align="absmiddle" height="87px" width="171px" file="d10008.TIF" alt="化學式ed10008.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10008.png"/></figure>其中R1及R2各為單價基團，其獨立地含有1至26個碳原子，其中該基團R1透過一個在該基團R1中含有的碳原子或者透過一個在該基團R1中含有的氧原子而鍵合，且其中該基團R2透過一個在該基團R2中含有的碳原子而鍵合，或者係彼此連結以形成環形結構，使得該環形結構共包括4至7個環原子並且該等基團R1及R2共包括2至26個碳原子，其中該基團R1透過一個在該基團中含有的碳原子或者透過一個在該基團R1中含有的氧原子而鍵合，且其中R2透過一個在該基團中含有的碳原子而鍵合；(D3)一或多個形式為片狀粒子的耐火材料，(D4)一或多個形式為粒狀粒子的耐火材料，其中相對組分(D)中之一或多個耐火材料(D3)及一或多個耐火材料(D4)之總質量而言，該一或多個耐火材料(D3)的比例為15%至80%。
如請求項15之方法，其中在步驟(c)中，在100℃至300℃的溫度條件下實施熱固化。
如請求項15之方法，其中在步驟(d)中，施覆該組成(D)或該塗層組成時，該本體的溫度係低於80℃；以及/或者透過選自由以下組成之群組的方法來將該組成(D)或該塗層組成施覆至該本體的表面：噴鍍、浸沒、灌入及塗抹；以及/或者在80℃至220℃的溫度條件下實施乾燥。
如請求項15至17中任一項之方法，其中在步驟(c)中，在100℃至250℃的溫度條件下實施熱固化；在步驟(d)中，施覆該組成(D)或該塗層組成時，該本體的溫度為15℃至35℃，透過浸沒來將該組成(D)或該塗層組成施覆至該本體的表面，以及/或者在100℃至140℃的溫度條件下實施乾燥。
如請求項15至17中任一項之方法，其中(D3)之粒子具有三個維度，該三個維度包含彼此垂直之長度、寬度及厚度，其中該長度為最大維度，該厚度為最小維度，且厚度/長度之比為0.2或更小。
一種利用特徵補償的成像裝置，包括： <br/>一外觀偵測模組，係接收至少一目標物之一影像訊號，該目標物具有至少一局部特徵，該外觀偵測模組根據該影像訊號產生對應於該目標物之一立體網格資訊，並據以產生一成像訊號； <br/>一語音偵測模組，係接收該目標物之一語音訊號，並根據該語音訊號偵測該目標物之至少一特定發音，據以產生對應的一標識碼並輸出一標識訊號； <br/>一局部特徵資料庫，係儲存對應於該局部特徵及該標識碼之複數個補償網格資訊；以及 <br/>一立體成像模組，係電性連接於該外觀偵測模組、該語音偵測模組及該局部特徵資料庫，係接收該成像訊號、該標識訊號及該等補償網格資訊，並從該局部特徵資料庫中選取對應於該標識碼之該等補償網格資訊，並從該等補償網格資訊之中選取最接近該成像訊號中的圖框序列的至少其中一者，且將該成像訊號中內含之該目標物之立體網格資訊結合被選取的該等補償網格資訊之至少其中一者，而成為一立體影像。
如請求項1之成像裝置，其中該立體成像模組係從該標識訊號解析得到對應於該目標物之該特定發音之該標識碼，並從該局部特徵資料庫中選取該標識碼對應之該等補償網格資訊之至少其中一者。
如請求項2之成像裝置，其中該立體成像模組包括： <br/>一畫面緩衝單元，係電性連接於該外觀偵測模組以接收該成像訊號，並儲存該成像訊號中的該等圖框序列對應的立體模型及時間戳記； <br/>一局部特徵讀取單元，係電性連接於該語音偵測模組以接收該標識訊號，並從該標識訊號解析得到該標識碼，據以讀取該標識碼對應的該等補償網格資訊；以及 <br/>一畫面補償單元，係電性連接於該畫面緩衝單元及該局部特徵讀取單元，係從該等補償網格資訊之中選取最接近該成像訊號中的該等圖框序列的至少其中一者。
如請求項1之成像裝置，其中該局部特徵係為該目標物之至少一嘴型特徵，該嘴型特徵係對應於該目標物之該特定發音，且對應於該嘴型特徵之複數個補償網格資訊係儲存於該局部特徵資料庫。
如請求項1之成像裝置，其中若該成像訊號之一第一速率大於或等於使用者需求的一圖框速率，則該立體成像模組根據該成像訊號中內含之該目標物之立體網格資訊直接形成為該立體影像。
如請求項1之成像裝置，更包括： <br/>一影像擷取模組，係電性連接於該外觀偵測模組，係擷取該目標物之影像並據以產生該影像訊號； <br/>一聲音擷取模組，係電性連接於該語音偵測模組，係擷取該目標物之聲音並據以產生該語音訊號；以及 <br/>一影像輸出模組，係電性連接於該立體成像模組，係輸出該立體影像，或對於該立體影像進行後續影像處理。
一種利用特徵補償的成像方法，包括以下步驟： <br/>根據至少一目標物之一影像訊號產生對應於該目標物之一立體網格資訊，並據以產生一成像訊號，其中該目標物具有至少一局部特徵； <br/>根據該目標物之一語音訊號偵測該目標物之至少一特定發音，並據以產生該特定發音對應的一標識碼且輸出一標識訊號；以及 <br/>從一局部特徵資料庫中選取對應於該標識碼之複數個補償網格資訊，其中該等補償網格資訊對應於該局部特徵，並從該等補償網格資訊之中選取最接近該成像訊號中的圖框序列的至少其中一者，並將該成像訊號中內含之該目標物之立體網格資訊結合被選取的該等補償網格資訊之至少其中一者，而成為一立體影像。
如請求項7之成像方法，其中從該局部特徵資料庫中選取該等補償網格資訊的步驟包括以下子步驟： <br/>儲存該成像訊號中的該等圖框序列對應的立體模型及時間戳記； <br/>從該標識訊號解析得到對應於該特定發音之該標識碼； <br/>從該局部特徵資料庫中選取該標識碼對應的該等補償網格資訊；以及 <br/>從該等補償網格資訊之中選取最接近該成像訊號中的該等圖框序列的至少其中一者。
如請求項7之成像方法，其中該局部特徵係為該目標物之至少一嘴型特徵，該嘴型特徵係對應於該目標物之該特定發音，且該嘴型特徵之複數個補償網格資訊係儲存於該局部特徵資料庫。
如請求項9之成像方法，其中該特定發音係對應於於單一文字語音。
如請求項7之成像方法，更包括以下步驟： <br/>判斷該成像訊號之一第一速率與使用者需求的一圖框速率之間的關係，若判斷結果為該第一速率大於或等於使用者需求的該圖框速率，則根據該成像訊號中內含之該目標物之立體網格資訊直接形成為該立體影像。
一種玻璃系製品，包含：<br/> 一組成物包含一鋰系鋁矽酸鹽，具有大於或等於0.5莫耳%的B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>；<br/> 第一和第二相對表面，界定該玻璃系製品的一厚度(<i>t</i>)，其中該玻璃系製品的該厚度大於或等於100 µm且小於或等於1000 µm；<br/> 根據掉落測試法(Drop Test Method)在180粒度砂紙上測量得到之大於或等於100 cm的一破壞高度(failure height)；以及<br/> 大於或等於6.0 N且小於或等於12.0 N的努氏刮擦閾值(Knoop Scratch threshold)。
如請求項1所述之玻璃系製品，其中該玻璃系製品的該厚度大於或等於400 µm且小於或等於800 µm。
如請求項1所述之玻璃系製品，其中該玻璃系製品的該厚度大於或等於400 µm且小於或等於700 µm。
如請求項1所述之玻璃系製品，其中根據掉落測試法在180粒度砂紙上測量得到的該玻璃系製品的該破壞高度大於或等於150 cm。
如請求項1所述之玻璃系製品，其中根據掉落測試法在180粒度砂紙上測量得到的該玻璃系製品的該破壞高度大於或等於180 cm。
如請求項1所述之玻璃系製品，其中該玻璃系製品具有大於或等於7.0 N且小於或等於12.0 N的努氏刮擦閾值。
如請求項1所述之玻璃系製品，其中該玻璃系製品具有大於或等於650 °C且小於或等於950 °C的一軟化點。
如請求項1所述之玻璃系製品，其中該玻璃系製品具有大於或等於650 °C且小於或等於800 °C的一軟化點。
如請求項1所述之玻璃系製品，其中該玻璃系製品具有由V形缺口短棒法(chevron notch short bar method)測得之大於或等於0.70的K<sub>1C</sub>破壞韌性。
如請求項1至9中任一項所述之玻璃系製品，其中該玻璃系製品具有一組成物，該組成物包含：<br/> 大於或等於50.0莫耳%且小於或等於70.0莫耳%的SiO<sub>2</sub>；<br/> 大於或等於10.0莫耳%且小於或等於25.0莫耳%的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>；<br/> 大於或等於0.0莫耳%且小於或等於5.0莫耳%的P<sub>2</sub>O<sub>5</sub>；<br/> 大於或等於0.5莫耳%且小於或等於10.0莫耳%的B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>；<br/> 大於或等於5.0莫耳%且小於或等於15.0莫耳%的Li<sub>2</sub>O； <br/> 大於或等於1.0莫耳%且小於或等於15.0莫耳%的Na<sub>2</sub>O；以及<br/> 大於或等於0.0莫耳%且小於或等於1.0莫耳%的K<sub>2</sub>O。
如請求項10所述之玻璃系製品，其中：<br/> R<sub>2</sub>O係大於或等於11.0莫耳%且小於或等於23.0莫耳%，其中R<sub>2</sub>O為存在該玻璃系製品中之鹼金屬氧化物以莫耳%計之總和；<br/> Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>+R<sub>2</sub>O係大於或等於26.0莫耳%且小於或等於40.0莫耳%；且<br/> -0.1 ≤ (Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-(R<sub>2</sub>O+RO))/Li<sub>2</sub>O ≤ 0.3，其中RO為存在該玻璃系製品中之鹼土金屬氧化物以莫耳%計之總和。
如請求項11所述之玻璃系製品，其中R<sub>2</sub>O係大於或等於15.0莫耳%且小於或等於19.0莫耳%。
如請求項11所述之玻璃系製品，其中Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>+R<sub>2</sub>O係大於或等於28.0莫耳%且小於或等於36.0莫耳%。
如請求項11所述之玻璃系製品，其中0.0 ≤ (Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-(R<sub>2</sub>O+RO))/Li<sub>2</sub>O ≤ 0.1。
如請求項1至9中任一項所述之玻璃系製品，其中該玻璃系製品係一經強化玻璃系製品，並具有大於或等於0.15<i>t</i>的一壓縮深度。
如請求項15所述之玻璃系製品，其中該經強化玻璃系製品具有大於或等於600 MPa的一壓縮應力。
如請求項15所述之玻璃系製品，其中該經強化玻璃系製品具有大於或等於20.0 MPa的一最大中心張力。
如請求項15所述之玻璃系製品，其中該經強化玻璃系製品具有大於或等於5.0 µm之一層深度。
一種使用者裝備(UE)，包括：一收發機，其被配置成無線地向一網路實體發送通訊訊號和從該網路實體接收通訊訊號；一記憶體；及通訊地耦合至該收發機和該記憶體的一處理器，該處理器被配置成：經由該收發機在一實體層上行鏈路通道上向該網路實體發送一定位輔助請求以使該網路實體提供定位輔助資訊，該定位輔助資訊指示用於該UE和另一設備之間的一或多個定位參考訊號的訊號交換的一或多個參數；經由該收發機在一實體層下行鏈路通道上從該網路實體接收該定位輔助資訊；基於該定位輔助資訊來決定該UE的哪些實體資源要用於執行該一或多個UE-設備定位功能；及根據該定位輔助資訊來執行一或多個UE-設備定位功能。
如請求項1之UE，其中該定位輔助請求包括一單個位元。
如請求項1之UE，其中該定位輔助請求具有用於請求一上行鏈路准予的一排程請求的一格式，該上行鏈路准予供該UE在一實體上行鏈路共享通道上進行傳送。
如請求項1之UE，其中該處理器被進一步配置成經由該收發機在該實體層上行鏈路通道上向該網路實體發送對定位技術特性的一或多個指示。
如請求項4之UE，其中該對定位技術特性的一或多個指示包括下列之一者，或兩者或多者的結合：將由該UE傳送的一或多個參考訊號類型；或者該UE被配置成用來決定定位的一定位技術；或者該UE被配置成用來決定定位的一訊號技術；或者一量測間隙請求；或者一頻寬、時間訊窗和資源請求；或者將由該UE用於定位決定的一頻帶或載波；或者一鄰點UE的一位置、或速度、或軌跡或其中兩者或更多者的一組合。
如請求項1之UE，其中該處理器被配置成在一半持久實體上行鏈路共享通道上發送該定位輔助請求。
如請求項1之UE，其中該處理器被配置成在一實體上行鏈路控制通道上發送該定位輔助請求。
如請求項7之UE，其中該處理器被進一步配置成經由該收發機在一實體上行鏈路共享通道上向該網路實體發送對定位技術特性的一或多個指示。
如請求項8之UE，其中該實體上行鏈路共享通道是一半持久實體上行鏈路共享通道。
如請求項1之UE，其中該處理器被配置成基於該定位輔助資訊來決定以下至少一者：要傳送以用於UE-設備定位的一定位訊號的一類型、或用於該定位訊號的一發射功率位準、或一定位訊號傳送歷時、或用於傳送該定位訊號的一第一量測間隙、或用於接收來自另一UE的一傳入定位訊號的一第二量測間隙。
如請求項1之UE，其中該處理器被配置成使用該定位輔助資訊中的一UE身份來解擾定位訊號。
一種使用者裝備(UE)，包括：用於在一實體層上行鏈路通道上向一網路實體發送一定位輔助請求以使該網路實體提供定位輔助資訊的裝置，該定位輔助資訊指示用於該UE和另一設備之間的一或多個定位參考訊號的訊號交換的一或多個參數；用於在一實體層下行鏈路通道上從該網路實體接收該定位輔助資訊的裝置；用於基於該定位輔助資訊來決定該UE的哪些實體資源要用於執行該一或多個UE-設備定位功能的裝置；及用於根據該定位輔助資訊來執行一或多個UE-設備定位功能的裝置。
如請求項12之UE，其中該定位輔助請求包括一單個位元。
如請求項12之UE，其中該定位輔助請求具有用於請求上行鏈路准予的一排程請求的一格式，該上行鏈路准予供該UE在一實體上行鏈路共享通道上進行傳送。
如請求項12之UE，其中用於發送該定位輔助請求的裝置用於在該實體層上行鏈路通道上與該定位輔助請求相關聯地向該網路實體發送對定位技術特性的一或多個指示，並且其中該對定位技術特性的一或多個指示包括下列之一者，或兩者或多者的結合：將由該UE傳送的一或多個參考訊號類型；或者該UE被配置成用來決定定位的一定位技術；或者該UE被配置成用來決定定位的一訊號技術；或者一量測間隙請求；或者一頻寬、時間訊窗和資源請求；或者將由該UE用於定位決定的一頻帶或載波；或者一鄰點UE的一位置、或速度、或軌跡或其中兩者或更多者的組合。
如請求項12之UE，其中用於發送該定位輔助請求的裝置用於在實體上行鏈路控制通道上發送該定位輔助請求。
如請求項16之UE，進一步包括用於在一實體上行鏈路共享通道上向該網路實體發送與該定位輔助請求相關聯的對定位技術特性的一或多個指示的裝置。
如請求項12之UE，進一步包括用於基於以下至少一者來決定該UE的哪些實體資源要用於執行該一或多個UE-設備定位功能的決定裝置：要傳送以用於UE-設備定位的一定位訊號的一類型、或用於該定位訊號的一發射功率位準、或一定位訊號傳送歷時、或用於傳送該定位訊號的一第一量測間隙、或用於接收來自另一UE的一傳入定位訊號的一第二量測間隙。
一種用於一使用者裝備(UE)的定位方法，該方法包括以下步驟：在一實體層上行鏈路通道上從該UE向一網路實體發送一定位輔助請求以使該網路實體提供定位輔助資訊，該定位輔助資訊指示用於該UE和另一設備之間的一或多個定位參考訊號的訊號交換的一或多個參數；在該UE處在一實體層下行鏈路通道上從該網路實體接收該定位輔助資訊；基於該定位輔助資訊來決定該UE的哪些實體資源要用於執行該一或多個UE-設備定位功能；及在該UE處根據該定位輔助資訊來執行一或多個UE-設備定位功能。
如請求項19之方法，其中該定位輔助請求包括一單個位元。
如請求項19之方法，其中該定位輔助請求具有用於請求一上行鏈路准予的一排程請求的一格式，該上行鏈路准予供該UE在一實體上行鏈路共享通道上進行傳送。
如請求項19之方法，進一步包括在該實體層上行鏈路通道上與該定位輔助請求相關聯地向該網路實體發送對定位技術特性的一或多個指示，並且其中該對定位技術特性的一或多個指示包括下列之一者，或兩者或多者的結合：將由該UE傳送的一或多個參考訊號類型；或者該UE被配置成用來決定定位的一定位技術；或者該UE被配置成用來決定定位的一訊號技術；或者一量測間隙請求；或者一頻寬、時間訊窗和資源請求；或者將由該UE用於定位決定的一頻帶或載波；或者一鄰點UE的一位置、或速度、或軌跡或其中兩者或更多者的組合。
如請求項19之方法，其中發送該定位輔助請求包括在一實體上行鏈路控制通道上發送該定位輔助請求。
如請求項23之方法，進一步包括在一實體上行鏈路共享通道上從該UE向該網路實體發送與該定位輔助請求相關聯的對定位技術特性的一或多個指示。
如請求項24之方法，其中該實體上行鏈路共享通道是一半持久實體上行鏈路共享通道。
如請求項19之方法，其中決定該UE的哪些實體資源要用於執行該一或多個UE-設備定位功能包括基於該定位輔助資訊來決定以下至少一者：要傳送以用於UE-設備定位的一定位訊號的一類型、或用於該定位訊號的一發射功率位準、或一定位訊號傳送歷時、或用於傳送該定位訊號的一第一量測間隙、或用於接收來自另一UE的一傳入定位訊號的一第二量測間隙。
如請求項19之方法，進一步包括使用該定位輔助資訊中的一UE身份來解擾定位訊號。
一種非瞬態處理器可讀儲存媒體，其包括被配置成使一使用者裝備(UE)的一處理器執行以下操作的處理器可讀取指令：在一實體層上行鏈路通道上向一網路實體發送一定位輔助請求以使該網路實體提供定位輔助資訊，該定位輔助資訊指示用於該UE和另一設備之間的一或多個定位參考訊號的訊號交換的一或多個參數；在一實體層下行鏈路通道上從該網路實體接收該定位輔助資訊；基於該定位輔助資訊來決定該UE的哪些實體資源要用於執行該一或多個UE-設備定位功能；及根據該定位輔助資訊來執行一或多個UE-設備定位功能。
一種光學零件，包含環狀烯烴系共聚物（A），且 <br/>所述環狀烯烴系共聚物（A）具有： <br/>下述通式（I）所表示的至少一種源自烯烴的結構單元（a）； <br/>下述通式（II）所表示的至少一種源自環狀烯烴的結構單元（b）；以及 <br/>下述通式（III）所表示的至少一種源自環狀烯烴的結構單元（c）， <br/>當將所述結構單元（a）、所述結構單元（b）及所述結構單元（c）的合計含量設為100莫耳%時，所述結構單元（a）的含量為35莫耳%以上、49莫耳%以下，所述環狀烯烴系共聚物（A）中的所述結構單元（b）的含量與所述結構單元（c）的含量之莫耳比，即（b）/（c）為2以上、13以下， <br/>藉由示差掃描熱量計所測定的所述環狀烯烴系共聚物（A）的玻璃轉移溫度即Tg為140℃以上， <br/><br/><img align="absmiddle" height="139px" width="278px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>所述通式（I）中，R<sup>300</sup>表示氫原子或碳原子數1～29的直鏈狀或分支狀的烴基， <br/><br/><img align="absmiddle" height="148px" width="307px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>所述通式（II）中，R<sup>1</sup>～R<sup>8</sup>分別獨立地為氫原子、鹵素原子或碳數4以下的烴基，R<sup>5</sup>～R<sup>8</sup>可相互鍵結而形成單環，且所述單環可具有雙鍵，另外可由R<sup>5</sup>與R<sup>6</sup>或者由R<sup>7</sup>與R<sup>8</sup>形成亞烷基， <br/><br/><img align="absmiddle" height="165px" width="400px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>所述通式（III）中，n為0或1，m為0或正整數，n+m為正整數，q為0或1，R<sup>1</sup>～R<sup>18</sup>以及R<sup>a</sup>及R<sup>b</sup>分別獨立地為氫原子、鹵素原子或烴基，R<sup>15</sup>～R<sup>18</sup>可相互鍵結而形成單環或多環，且所述單環或多環可具有雙鍵，另外可由R<sup>15</sup>與R<sup>16</sup>或者由R<sup>17</sup>與R<sup>18</sup>形成亞烷基。
如請求項1所述的光學零件，其中 <br/>所述環狀烯烴系共聚物（A）中的所述結構單元（b）包含源自雙環[2.2.1]-2-庚烯的重複單元，所述環狀烯烴系共聚物（A）中的所述結構單元（c）包含源自四環[4.4.0.1<sup>2,5</sup>.1<sup>7,10</sup>]-3-十二烯的重複單元。
如請求項1所述的光學零件，其中 <br/>所述環狀烯烴系共聚物（A）中的所述結構單元（a）包含源自乙烯的重複單元。
如請求項1所述的光學零件，其中 <br/>所述環狀烯烴系共聚物（A）中的所述結構單元（a）包含源自乙烯的重複單元，所述環狀烯烴系共聚物（A）中的所述結構單元（b）包含源自雙環[2.2.1]-2-庚烯的重複單元，所述環狀烯烴系共聚物（A）中的所述結構單元（c）包含源自四環[4.4.0.1<sup>2,5</sup>.1<sup>7,10</sup>]-3-十二烯的重複單元。
如請求項1至請求項4中任一項所述的光學零件，其中 <br/>所述光學零件為fθ透鏡、攝像透鏡、感測器透鏡、稜鏡或導光板。
如請求項1至請求項4中任一項所述的光學零件，其中 <br/>所述光學零件為車載照相機透鏡或可攜式設備用照相機透鏡。
一種毫米波介電質波導，包括： <br/>包含第一材料和第一包覆體的第一區段； <br/>包含第二材料和第二包覆體的第二區段；以及 <br/>在該第一區段和該第二區段之間的第三區段，其中，該第三區段包含第三材料和第三包覆體， <br/>其中，該第一材料是固體材料，該第二材料在其中具有縱向開口，該第三材料在其中具有縱向開口，以及該縱向開口的直徑在靠近該第二區段時增加。
如請求項1之毫米波介電質波導，其中，該第一材料和該第二材料具有相同的材料成分。
如請求項1之毫米波介電質波導，其中，該第一包覆體和該第二包覆體具有相同的材料成分。
如請求項1之毫米波介電質波導，其中，該第三材料的直徑在靠近該第二區段時增加。
如請求項1之毫米波介電質波導，其中，該第一區段還包含塗層，該第一包覆體在該塗層和該第一材料之間，以及該塗層具有的損耗正切大於該第一包覆體的損耗正切。
如請求項5之毫米波介電質波導，其中，該塗層未延伸到該第二區段。
如請求項5之毫米波介電質波導，其中，該塗層包含導電粒子或纖維，或該塗層包含鐵氧體材料。
一種毫米波通訊系統，包括： <br/>第一微電子組件； <br/>第二微電子組件；以及 <br/>毫米波介電質波導，其在該第一微電子組件和該第二微電子組件之間通訊耦接，其中，該毫米波介電質波導包含： <br/>包含第一材料和第一包覆體的第一區段，以及 <br/>包含第二材料和第二包覆體的第二區段， <br/>其中，該第一區段包含吸收性塗層以及該第二區段未包含吸收性塗層。
如請求項8之毫米波介電質波導，其中，該毫米波介電質波導的外側直徑沿著該毫米波介電質波導的縱向方向非固定的。
如請求項8之毫米波通訊系統，其中，該毫米波介電質波導是在纜線中的多個毫米波介電質波導中的一個。
如請求項8之毫米波通訊系統，其中，該毫米波介電質波導被包含在封裝基板或中介物中。
如請求項8之毫米波通訊系統，其中，該第一微電子組件包含毫米波通訊收發器。
一種毫米波介電質波導，包括： <br/>包含第一材料和第一包覆體的第一區段； <br/>包含第二材料和第二包覆體的第二區段；以及 <br/>包含第三材料和第三包覆體的第三區段， <br/>其中，該第一材料是第一固體材料，該第二材料是第二固體材料，該第二材料在其中具有開口，該第二區段在該第一區段和該第三區段之間，以及該第二材料的直徑大於該第一材料的直徑且大於該第三材料的直徑。
如請求項13之毫米波介電質波導，其中： <br/>在沿著該毫米波介電質波導的縱向方向的橫截面中，該開口具有： <br/>沿著該毫米波介電質波導的該縱向方向的第一點處的第一尺寸，以及 <br/>沿著該毫米波介電質波導的該縱向方向的第二點處的第二尺寸，其中，該第二尺寸大於該第一尺寸。
如請求項13之毫米波介電質波導，其中，該第三區段沒有開口。
如請求項13之毫米波介電質波導，其中： <br/>該開口在該第二材料內並被該第二材料包圍。
如請求項16之毫米波介電質波導，其中，該開口沿著該毫米波介電質波導的一部分縱向延伸，以及其中，該毫米波介電質波導的該一部分中，該第二材料在該第二包覆體和該開口之間。
如請求項16之毫米波介電質波導，其中，該開口的橫截面沿著該毫米波介電質波導的縱向方向改變。
一種毫米波介電質波導，包括： <br/>第一區段，該第一區段包含第一材料、第一包覆體和塗層，其中，該第一包覆體在該塗層和該第一材料之間，該塗層具有的損耗正切大於該第一包覆體的損耗正切，以及該塗層包含導電粒子或纖維，或該塗層包含鐵氧體材料；以及 <br/>第二區段，該第二區段包含第二材料和第二包覆體， <br/>其中，該第一材料是固體材料，以及該第二材料在其中具有縱向開口。
如請求項19之毫米波介電質波導，其中，該塗層未延伸到該第二部分。
如請求項19之毫米波介電質波導，還包括： <br/>在該第一區段和該第二區段之間的第三區段，其中，該第三區段包含第三材料和第三包覆體，該第三材料在其中具有另外的縱向開口，以及該另外的縱向開口的直徑在靠近該第二區段時增加。
如請求項21之毫米波介電質波導，其中，該第三材料的直徑在靠近該第二區段時增加。
如請求項19之毫米波介電質波導，其中，該第一材料和該第二材料具有相同的材料成分。
如請求項19之毫米波介電質波導，其中，該第一包覆體和該第二包覆體具有相同的材料成分。
如請求項19之毫米波介電質波導，其中，該縱向開口的橫截面沿著該毫米波介電質波導的縱向方向改變。
一種銅粒子，其具備包含銅之芯粒子、及被覆該芯粒子之表面之被覆層，且 <br/>上述被覆層由包含脂肪族有機酸之銅鹽之表面處理劑形成， <br/>上述銅粒子之一次粒子之平均粒徑為0.05 μm以上1.0 μm以下， <br/>上述銅離子於1504 cm<sup>-1</sup>以上1514 cm<sup>-1</sup>以下之範圍內具有紅外線吸收峰，且於1584 cm<sup>-1</sup>以上1596 cm<sup>-1</sup>以下之範圍內不具有紅外線吸收峰。
如請求項1之銅粒子，其中上述被覆層由脂肪族有機酸之銅鹽形成。
如請求項1之銅粒子，其中於熱重量分析中，質量減少值相對於500℃下之質量減少值之比率成為10%之溫度為150℃以上220℃以下。
如請求項1之銅粒子，其中上述脂肪族有機酸之碳原子數為6以上18以下。
一種如請求項1至4中任一項之銅粒子之製造方法，其係使包含銅之芯粒子、與包含脂肪族有機酸之銅鹽之溶液接觸而將該芯粒子之表面被覆。
一種導體膜之製造方法，其包括如下步驟：將包含如請求項1至4中任一項之銅粒子及有機溶劑之導電性組合物塗佈於基板上而製成塗膜，並對該塗膜進行加熱。
一種基板處理裝置，具有<br/>基板旋轉部，其係保持在表面形成有金屬膜的基板並予以旋轉；<br/>第1供給部，其係朝向上述基板供給包含螯合劑及溶劑的第1處理液；<br/>第2供給部，其係朝向上述基板供給包含水的第2處理液；及<br/>控制部，其係控制上述基板旋轉部、上述第1供給部及上述第2供給部，<br/>上述控制部係一面藉由上述基板旋轉部使上述基板旋轉，一面<br/>藉由上述第1供給部，朝向上述基板供給上述第1處理液而生成包含上述金屬及上述螯合劑的錯合體，<br/>於上述錯合體之生成後，藉由上述第2供給部，朝向上述基板供給上述第2處理液而使上述錯合體溶解於上述第2處理液，<br/>上述第2處理液具有至少可與位於已溶解的上述錯合體之正下方的金屬原子形成新非動態膜之溶氧之濃度。
如請求項1之基板處理裝置，其中<br/>上述第2處理液為水或水溶液。
如請求項1或2之基板處理裝置，其中<br/>上述控制部係當在上述基板之表面之全體形成上述第2處理液之液膜時，停止上述第2供給部所致的上述第2處理液之供給。
如請求項1或2之基板處理裝置，其中<br/>上述控制部係一面藉由上述基板旋轉部使上述基板旋轉，一面重複上述第1供給部所致的上述第1處理液之供給，和上述第2供給部所致的上述第2處理液之供給。
如請求項1或2之基板處理裝置，其中<br/>具有朝向上述基板供給水溶性之第3處理液的第3供給部，<br/>上述控制部係於上述錯合物之生成後，並且上述第2處理液之供給前，藉由上述第3供給部朝向上述基板供給上述第3處理液而除去殘留在上述基板的上述螯合劑。
如請求項1或2之基板處理裝置，其中<br/>上述控制部係將上述第2處理液之溫度控制成25℃以下。
如請求項1或2之基板處理裝置，其中<br/>具有第4供給部，其係朝向上述基板供給能夠除去附著於上述金屬之膜之表面的異物的第4處理液，<br/>上述控制部係於上述第1處理液之供給前，一面藉由上述基板旋轉部使上述基板旋轉，一面藉由上述第4供給部朝向上述基板供給上述第4處理液。
如請求項1或2之基板處理裝置，其中<br/>上述控制部係於上述第2處理液之供給後，繼續上述基板之旋轉而使上述基板之表面乾燥。
如請求項1或2之基板處理裝置，其中<br/>上述控制部係<br/>一面藉由上述基板旋轉部使上述基板旋轉，一面依第1次數重複上述第1供給部所致的上述第1處理液之供給，和上述第2供給部所致的上述第2處理液之供給，<br/>於上述第1次數的重複之後，繼續上述基板之旋轉而進行上述基板之表面的第1乾燥，<br/>將上述第1次數的重複和上述第1乾燥，依第2次數予以重複。
如請求項9之基板處理裝置，其中<br/>上述控制部係<br/>上述第1次數的重複和上述第1乾燥的重複數越多，越減少上述第1次數。
一種基板處理方法，具有<br/>一面使在表面形成有金屬膜之基板旋轉，一面朝向上述基板供給包含螯合劑及溶劑之第1處理液，生成包含上述金屬及上述螯合劑的錯合體的工程；及<br/>於生成上述錯合體之工程之後，一面使上述基板旋轉，一面朝向上述基板供給包含水之第2處理液體，而使上述錯合體溶解於上述第2處理液的工程，<br/>上述第2處理液具有至少可與位於已溶解的上述錯合體之正下方的金屬原子形成新非動態膜之溶氧之濃度。
如請求項11之基板處理方法，其中<br/>上述第2處理液為水或水溶液。
如請求項11或12之基板處理方法，其中<br/>供給上述第2處理液之工程係<br/>具有當在上述基板之表面的全體形成上述第2處理液之液膜時，停止上述第2處理液之供給的工程。
如請求項11或12之基板處理方法，其中<br/>重複供給上述第1處理液的工程，和供給上述第2處理液的工程。
如請求項11或12之基板處理方法，其中<br/>於生成上述錯合體之工程之後，並且供給上述第2處理液之工程之前，具有朝向上述基板供給水溶性之第3處理液而除去殘留在上述基板上之上述螯合劑的工程。
如請求項11或12之基板處理方法，其中<br/>上述第2處理液之溫度被控制成25℃以下。
如請求項11或12之基板處理方法，其中<br/>具有於供給上述第1處理液之工程之前，一面使上述基板旋轉，一面朝向上述基板供給能夠除去附著於上述金屬之膜之表面的異物的第4處理液的工程。
如請求項11或12之基板處理方法，其中<br/>具有於供給上述第2處理液之工程之後，繼續上述基板之旋轉而使上述基板之表面乾燥的工程。
一種在車輛到萬物（V2X）設備處提供導航輔助的方法，所述方法包括： <br/>接收車輛的目的地的輸入； <br/>接收所述車輛的車輛資訊，所述車輛資訊包括所述車輛的加速度、速度和地理位置中的一項或多項； <br/>經由直接將所述V2X設備連接到一個或多個邊緣網路設備的一個或多個無線通訊鏈路來向所述一個或多個邊緣網路設備發送所述車輛資訊和所述目的地，其中所述一個或多個邊緣網路設備為路邊單元，其為包括分佈在所述車輛的所述地理位置周圍的多個邊緣網路設備的導航網路的一部分，其中每個邊緣網路設備被配置為：（i）基於所述車輛資訊及所述目的地確定建議，所述建議為路線建議、車道建議和/或車輛速度建議中的一個或多個；以及（ii）將所述建議發送到所述V2X設備； <br/>經由所述一個或多個無線通訊鏈路從所述一個或多個邊緣網路設備接收所述建議；以及 <br/>在所述V2X設備的顯示器上顯示所述建議。
根據請求項1所述的方法，其中，所述一個或多個無線通訊鏈路包括直接PC5通信鏈路。
根據請求項1所述的方法，其中，所述一個或多個無線通訊鏈路包括本地Uu介面。
根據請求項1所述的方法，其中，所述建議包括路線建議。
根據請求項4所述的方法，其中，所述一個或多個邊緣網路設備包括部署在交叉路口的路邊單元，以及其中，所述路線建議被優化為使得包括駕駛時間和交叉路口等待時間的行駛時間最小化或使得燃油消耗最小化。
根據請求項1所述的方法，其中，所述一個或多個邊緣網路設備被配置為感測道路狀況和事件、從使用者收集即時交通狀況並執行局域導航演算法。
根據請求項1所述的方法，其中，所述建議是車道建議。
根據請求項1所述的方法，其中，所述建議是車輛速度建議。
根據請求項1所述的方法，其中，所述車輛資訊是經由與所述車輛的有線或無線連接來接收的。
根請求項1所述的方法，其中，所述V2X設備包括智慧型電話，並且所述車輛資訊是由所述智慧型電話的一個或多個感測器提供的。
一種車輛到萬物（V2X）設備，包括： <br/>收發機； <br/>記憶體；以及 <br/>一個或多個處理單元，其與所述收發機和所述記憶體通信地耦合，所述一個或多個處理單元被配置為： <br/>接收車輛的目的地的輸入； <br/>接收所述車輛的車輛資訊，所述車輛資訊包括所述車輛的加速度、速度和地理位置中的一項或多項； <br/>使用所述收發機，經由直接將所述V2X設備連接到一個或多個邊緣網路設備的一個或多個無線通訊鏈路來向所述一個或多個邊緣網路設備發送所述車輛資訊和所述目的地，其中所述一個或多個邊緣網路設備為路邊單元，其為包括分佈在所述車輛的所述地理位置周圍的多個邊緣網路設備的導航網路的一部分，其中每個邊緣網路設備被配置為：（i）基於所述車輛資訊及所述目的地確定建議，所述建議為路線建議、車道建議和/或車輛速度建議中的一個或多個；以及（ii）將所述建議發送到所述V2X設備； <br/>使用所述收發機，經由所述一個或多個無線通訊鏈路從所述一個或多個邊緣網路設備接收所述建議；以及 <br/>顯示所述建議。
根據請求項11所述的V2X設備，其中，所述收發機被配置為經由直接PC5通信鏈路進行通信。
根據請求項11所述的V2X設備，其中，所述收發機被配置為經由本地Uu介面進行通信。
根據請求項11所述的V2X設備，其中，所述一個或多個處理單元被配置為從所述建議來確定路線建議。
根據請求項14所述的V2X設備，其中，所述一個或多個邊緣網路設備包括部署在交叉路口的路邊單元，以及其中，所述路線建議被優化為使得包括駕駛時間和交叉路口等待時間的行駛時間最小化或使得燃油消耗最小化。
根據請求項11所述的V2X設備，其中，所述一個或多個邊緣網路設備被配置為感測道路狀況和事件、從使用者收集即時交通狀況並執行局域導航演算法。
根據請求項11所述的V2X設備，其中，所述一個或多個處理單元被配置為從所述建議來確定車道建議。
根據請求項11所述的V2X設備，其中，所述一個或多個處理單元被配置為從所述建議來確定車輛速度建議。
根據請求項11所述的V2X設備，其中，所述一個或多個處理單元被配置為經由與所述車輛的有線或無線連接來接收所述車輛資訊。
根據請求項11所述的V2X設備，其中，所述V2X設備包括智慧型電話，所述智慧型電話被配置為經由所述智慧型電話的一個或多個感測器來接收所述車輛資訊。
一種用以提供導航輔助的設備，包括： <br/>用於接收車輛的目的地的輸入的單元； <br/>用於接收所述車輛的車輛資訊的單元，所述車輛資訊包括所述車輛的加速度、速度和地理位置中的一項或多項； <br/>用於經由直接將所述V2X設備連接到一個或多個邊緣網路設備的一個或多個無線通訊鏈路來向所述一個或多個邊緣網路設備發送所述車輛資訊和所述目的地的單元，其中所述一個或多個邊緣網路設備為路邊單元，其為包括分佈在所述車輛的所述地理位置周圍的多個邊緣網路設備的導航網路的一部分，其中每個邊緣網路設備被配置為：（i）基於所述車輛資訊及所述目的地確定建議，所述建議為路線建議、車道建議和/或車輛速度建議中的一個或多個；以及（ii）將所述建議發送到所述V2X設備； <br/>用於經由所述一個或多個無線通訊鏈路從所述一個或多個邊緣網路設備接收所述建議的單元；以及 <br/>用於在顯示器上顯示所述建議的單元。
根據請求項21所述的設備，其中，所述用於發送的單元包括用於經由直接PC5通信鏈路進行發送的單元。
根據請求項21所述的設備，其中，所述用於發送的單元包括用於經由本地Uu介面進行發送的單元。
根據請求項21所述的設備，還包括：用於從所述建議來確定路線建議的單元。
根據請求項24所述的設備，其中，所述一個或多個邊緣網路設備包括部署在交叉路口的路邊單元，以及其中，所述路線建議被優化為使得包括駕駛時間和交叉路口等待時間的行駛時間最小化或使得燃油消耗最小化。
根據請求項21所述的設備，其中，所述一個或多個邊緣網路設備被配置為感測道路狀況和事件、從使用者收集即時交通狀況並執行局域導航演算法。
根據請求項21所述的設備，還包括：用於從所述建議來確定車道建議的單元。
根據請求項21所述的設備，還包括：用於從所述建議來確定車輛速度建議的單元。
根據請求項21所述的設備，還包括：用於經由與所述車輛的有線或無線連接來接收所述車輛資訊的單元。
一種儲存用於在車輛到萬物（V2X）設備處提供導航輔助的指令的非暫時性電腦可讀媒體，所述指令包括用於進行以下操作的代碼： <br/>接收車輛的目的地的輸入； <br/>接收所述車輛的車輛資訊，所述車輛資訊包括所述車輛的加速度、速度和地理位置中的一項或多項； <br/>經由直接將所述V2X設備連接到一個或多個邊緣網路設備的一個或多個無線通訊鏈路來向所述一個或多個邊緣網路設備發送所述車輛資訊和所述目的地，其中所述一個或多個邊緣網路設備為路邊單元，其為包括分佈在所述車輛的所述地理位置周圍的多個邊緣網路設備的導航網路的一部分，其中每個邊緣網路設備被配置為：（i）基於所述車輛資訊及所述目的地確定建議，所述建議為路線建議、車道建議和/或車輛速度建議中的一個或多個；以及（ii）將所述建議發送到所述V2X設備； <br/>經由所述一個或多個無線通訊鏈路從所述一個或多個邊緣網路設備接收所述建議；以及 <br/>在所述V2X設備的顯示器上顯示所述建議。
一種樹脂薄片，其係由含有(A)熱硬化性成分及(C)導熱性填料之樹脂組成物所形成之樹脂薄片，其中前述(A)熱硬化性成分含有(A1)第1馬來醯亞胺樹脂，前述(A1)第1馬來醯亞胺樹脂係在溫度25℃下為固體，且，1分子中具有2個以上之馬來醯亞胺基且連結至少1對之2個馬來醯亞胺基之結合基係在主鏈具有4個以上之亞甲基者，前述(C)導熱性填料包含(C1)氮化硼粒子及(C2)氧化鋁粒子，以樹脂組成物之固體成分之總量基準計，前述(C1)氮化硼粒子及(C2)氧化鋁粒子之含量之合計為50質量%以上，前述樹脂薄片之熱硬化後之熱擴散率為1.0×10<sup>-6</sup>m<sup>2</sup>/s以上，前述樹脂薄片之厚度為10μm以上200μm以下，將熱硬化後之前述樹脂薄片在向前述樹脂薄片之與表面為垂直方向切斷之剖面(P)之中，觀察被一邊為前述樹脂薄片之厚度之4倍之正方形所包圍，且包含前述樹脂薄片之2個面之區域(P1)時，滿足下述數式(F1)所示之條件；0.25≦Ld/Lt≦1‧‧‧(F1)Ld：前述(C)導熱性填料之中之剖面直徑之垂直方向長度為最大者之前述垂直方向上之長度Lt：前述樹脂薄片之前述垂直方向上之長度。
如請求項1之樹脂薄片，其中前述(A)熱硬化性成分更含有(A4)具有三嗪骨架之化合物。
如請求項2之樹脂薄片，其中前述(A4)具有三嗪骨架之化合物為具有三嗪骨架之咪唑化合物。
如請求項1之樹脂薄片，其中前述(A)熱硬化性成分更含有(A5)烯丙基樹脂。
如請求項1之樹脂薄片，其中以樹脂組成物之固體成分之總量基準計，前述(C1)氮化硼粒子及(C2)氧化鋁粒子之含量之合計為78.5質量%以上。
如請求項1至請求項5中任一項之樹脂薄片，其係使用於：密封半導體元件，或，介於前述半導體元件與其他電子零件之間。
如請求項1至請求項5中任一項之樹脂薄片，其係使用在介於散熱器與電子零件之間。
如請求項1至請求項5中任一項之樹脂薄片，其係使用於：密封使用化合物半導體之半導體元件，或，介於前述使用化合物半導體之半導體元件與其他電子零件之間。
如請求項1至請求項5中任一項之樹脂薄片，其中前述樹脂薄片為前述樹脂組成物之塗膜。
一種樹脂片製造用硬化型組成物，含有下述（A）成分～（D）成分，且 <br/>於組成物中的（A）成分、（B）成分及（C）成分的合計量100重量%中，以0.1重量%～20重量%的比例含有（A）成分； <br/>（A）成分：選自由（A-1）含有有時亦具有取代基的苯環、及乙烯基或異丙烯基的單體化合物、（A-2）（A-1）成分的寡聚物、以及（A-3）（A-1）成分的聚合物所組成的群組中的一種以上； <br/>（B）成分：具有兩個以上的(甲基)丙烯醯基的化合物； <br/>（C）成分：（A）成分及（B）成分以外的具有乙烯性不飽和基的化合物；以及 <br/>（D）成分：自由基聚合起始劑， <br/>其中於（A）成分～（C）成分的合計量100重量%中，（B）成分的含有比例為75重量%～99.9重量%， <br/>其中所述（B）成分包含（B-1）具有碳數4～20的直鏈狀或分支狀伸烷基的二(甲基)丙烯酸酯或具有三個以上的(甲基)丙烯醯基的化合物。
如請求項1所述的樹脂片製造用硬化型組成物，其中所述（A）成分包含選自由作為（A-1）成分的苯乙烯或其衍生物、作為（A-2）成分的苯乙烯或其衍生物的寡聚物、以及作為（A-3）成分的苯乙烯或其衍生物的聚合物所組成的群組中的一種以上，其中苯乙烯衍生物為選自對乙烯基甲苯、α-甲基苯乙烯及二乙烯基苯所組的族群中的一種以上。
如請求項1所述的樹脂片製造用硬化型組成物，其中所述（B-1）成分為選自由1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,9-壬二醇二(甲基)丙烯酸酯及新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯所組成的群組中的一種以上。
如請求項1至請求項3中任一項所述的樹脂片製造用硬化型組成物，其中所述（D）成分包含（D-1）光自由基聚合起始劑。
如請求項1至請求項3中任一項所述的樹脂片製造用硬化型組成物，其中所述（D）成分包含（D-2）熱自由基聚合起始劑。
一種樹脂片製造用熱硬化型組成物，包含如請求項1至請求項5中任一項所述的組成物。
一種樹脂片，包含所述如請求項1至請求項6中任一項所述的組成物的硬化物。
如請求項7所述的樹脂片，於彎曲試驗中的彎曲彈性係數為2.5 GPa以上，使用了40 g且前端半徑為5 mm的錘的落錘試驗中的63%破壞高度為40 cm以上，鉛筆硬度為3H以上，且吸水率為1.0%以下。
如請求項7或請求項8所述的樹脂片，其中硬化物的厚度為100 μm～10 mm。
如請求項7或請求項8所述的樹脂片，其中厚度1 mm下的總光線透過率為90%以上。
一種樹脂片的製造方法，包括:在以基材、用以設置堰的基材以及基材的順序構成的成形模具中灌入如請求項6所述的組成物後進行加熱。
一種選自於式<b>1</b>及其<i>N</i>-氧化物或鹽類之化合物， <br/><img align="absmiddle" height="58px" width="46px" file="ed10150.jpg" alt="ed10150.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中 <br/>R<sup>1</sup>為F； <br/>A為N或CR<sup>3</sup>； <br/>R<sup>2</sup>為H、鹵素、CN、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>鹵烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>4</sub>環烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>4</sub>鹵環烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷氧基、或C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>鹵烷氧基； <br/>R<sup>3</sup>為H、鹵素、CN、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>鹵烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>4</sub>環烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>4</sub>鹵環烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷氧基、或C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>鹵烷氧基； <br/>R<sup>4</sup>選自U-31至U-35及U-44至U-48： <br/>每一R<sup>v</sup>係獨立地為H、氰基、鹵素、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>鹵烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>鹵炔基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>鹵環烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>氰基烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>羥基烷基、C<sub>4</sub>-C<sub>10</sub>烷基環烷基、C<sub>4</sub>-C<sub>10</sub>環烷基烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烯基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>鹵環烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基烷基、C<sub>4</sub>-C<sub>10</sub>環烷氧基烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>烷氧基烷氧基烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烷基硫基烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烷基亞磺醯基烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷氧基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>鹵環烷氧基、C<sub>4</sub>-C<sub>10</sub>環烷基烷氧基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基氧基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>鹵烯基氧基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基烷氧基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烷基羰基氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基硫基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基硫基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基硫基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基亞磺醯基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基亞磺醯基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基磺醯基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基磺醯基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基磺醯基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基胺基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>二烷基胺基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基胺基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>鹵二烷基胺基、或C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基胺基； <br/>r為1或2； <br/>R<sup>5</sup>為H、鹵素、CN、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>鹵烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>4</sub>環烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>4</sub>鹵環烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷氧基、或C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>鹵烷氧基； <br/>Q為6元芳族環，其含有選自於碳原子與至多2個氮原子之環成員， 每一環任意地在碳原子環成員上以獨立地選自於一或多個R<sup>w</sup>之至多5個取代基取代；且s為取代基之數量； <br/>R<sup>w</sup>係獨立地為H、氰基、鹵素、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷氧基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>鹵烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>鹵炔基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>鹵環烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>氰基烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>羥基烷基、C<sub>4</sub>-C<sub>10</sub>烷基環烷基、C<sub>4</sub>-C<sub>10</sub>環烷基烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烯基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>鹵環烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基烷基、C<sub>4</sub>-C<sub>10</sub>環烷氧基烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>烷氧基烷氧基烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烷基硫基烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烷基亞磺醯基烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷氧基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷氧基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>鹵環烷氧基、C<sub>4</sub>-C<sub>10</sub>環烷基烷氧基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基氧基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>鹵烯基氧基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基烷氧基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烷基羰基氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基硫基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基硫基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基硫基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基亞磺醯基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基亞磺醯基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基亞磺醯基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基磺醯基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基磺醯基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基磺醯基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基胺基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>二烷基胺基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基胺基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>鹵二烷基胺基、或C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基胺基；或相鄰碳原子上的兩個R<sup>w</sup>一起可形成-OCF2O-、-OCH2O-、-OCF2S-、-OCH2CH2)-、OCF2CF2O-環醚環； <br/>s為1、2、3、4、或5。
如請求項1之化合物，其中： <br/>A為CR<sup>3</sup>； <br/>R<sup>2</sup>為H、鹵素、CN、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>鹵烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>4</sub>環烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>4</sub>鹵環烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷氧基、或C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>鹵烷氧基； <br/>R<sup>3</sup>為H、鹵素、CN、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>鹵烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>4</sub>環烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>4</sub>鹵環烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷氧基、或C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>鹵烷氧基； <br/>每一R<sup>v</sup>係獨立地為H、鹵素、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷氧基； <br/>r為1或2； <br/>R<sup>5</sup>為H、鹵素、CN、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>鹵烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>4</sub>環烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>4</sub>鹵環烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷氧基、或C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>鹵烷氧基； <br/>Q為在環上具有0至2個N之6元芳族環，每一環任意地在碳原子環成員上以獨立地選自於R<sup>w</sup>之至多5個取代基取代； <br/>R<sup>w</sup>係獨立地為氰基、鹵素、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>鹵烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>鹵炔基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基硫基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基硫基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基亞磺醯基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基亞磺醯基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基磺醯基、或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基磺醯基； <br/>s為1、2、3、4、或5。
如請求項2之化合物，其中： <br/>R<sup>2</sup>為H、鹵素、或C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基； <br/>R<sup>3</sup>為H、鹵素、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>鹵烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷氧基、或C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>鹵烷氧基； <br/>r為1或2； <br/>R<sup>5</sup>為H、鹵素、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>鹵烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷氧基、或C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>鹵烷氧基； <br/>R<sup>w</sup>為C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>鹵烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>鹵炔基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基硫基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基亞磺醯基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基磺醯基； <br/>s為1或2。
如請求項3之化合物，其中： <br/>R<sup>2</sup>為H； <br/>R<sup>3</sup>為H或鹵素； <br/>R<sup>v</sup>為H； <br/>R<sup>5</sup>為H或鹵素； <br/>Q為苯環、吡啶環、嘧啶環、或吡𠯤環，每一環任意地在碳原子環成員上以獨立地選自於R<sup>w</sup>之至多2個取代基取代； <br/>R<sup>w</sup>為OCF<sub>3</sub>、SCF<sub>3</sub>、CF<sub>3</sub>、CF<sub>2</sub>CF<sub>3</sub>、SOCF<sub>3</sub>、或SO<sub>2</sub>CF<sub>3</sub>。
如請求項3之化合物，其中： <br/>R<sup>2</sup>為C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基； <br/>R<sup>3</sup>為H或鹵素； <br/>R<sup>v</sup>為H； <br/>r為2； <br/>R<sup>5</sup>為H； <br/>Q為苯環、吡啶環、嘧啶環、或吡𠯤環，每一環任意地在碳原子環成員上以獨立地選自於R<sup>w</sup>之至多2個取代基取代； <br/>R<sup>w</sup>為OCF<sub>3</sub>、SCF<sub>3</sub>、CF<sub>3</sub>、CF<sub>2</sub>CF<sub>3</sub>、SOCF<sub>3</sub>、或SO<sub>2</sub>CF<sub>3</sub>。
如請求項1之化合物，其中該化合物係選自於由： <br/>3-氟-4-[氟[4-（三氟甲氧基）苯基]甲基]-5-（2<i>H</i>-1,2,3-三唑-2-基）吡啶； <br/>3-氯-4-[氟[4-（三氟甲氧基）苯基]甲基]-5-（2<i>H</i>-1,2,3-三唑-2-基）吡啶； <br/>3-氟-4-[氟[4-[（三氟甲基）硫基]苯基]甲基]-5-（2<i>H</i>-1,2,3-三唑-2-基）吡啶； <br/>3-氯-4-[氟[4-[（三氟甲基）硫基]苯基]甲基]-5-（2<i>H</i>-1,2,3-三唑-2-基）吡啶； <br/>3-氟-4-[氟[4-（三氟甲基）苯基]甲基]-5-（2<i>H</i>-1,2,3-三唑-2-基）吡啶； <br/>3-氟-4-[氟[4-[（三氟甲基）亞磺醯基]苯基]甲基]-5-（2<i>H</i>-1,2,3-三唑-2-基）吡啶；以及 <br/>3-溴-4-[氟[4-[（三氟甲基）硫基]苯基]甲基]-5-（2<i>H</i>-1,2,3-三唑-2-基）吡啶所組成之群組。
如請求項6之化合物，其中該化合物係選自於由： <br/>3-氟-4-[氟[4-（三氟甲氧基）苯基]甲基]-5-（2<i>H</i>-1,2,3-三唑-2-基）吡啶； <br/>3-氯-4-[氟[4-（三氟甲氧基）苯基]甲基]-5-（2<i>H</i>-1,2,3-三唑-2-基）吡啶； <br/>3-氯-4-[氟[4-[（三氟甲基）硫基]苯基]甲基]-5-（2<i>H</i>-1,2,3-三唑-2-基）吡啶； <br/>3-氟-4-[氟[4-[（三氟甲基）硫基]苯基]甲基]-5-（2<i>H</i>-1,2,3-三唑-2-基）吡啶；以及 <br/>3-溴-4-[氟[4-[（三氟甲基）硫基]苯基]甲基]-5-（2<i>H</i>-1,2,3-三唑-2-基）吡啶所組成之群組。
一種組成物，其包含如請求項1至7中任一項之化合物及選自於由界面活性劑、固體稀釋劑、及液體稀釋劑所組成群組之至少一額外之組分，該組成物任意地進一步包含至少一額外之生物學上活性化合物或試劑。
如請求項8之組成物，其中該至少一額外之生物學上活性化合物或試劑係選自於由阿巴汀、歐殺松、亞醌蟎、啶蟲脒、阿納寧、雙丙環蟲酯、安米氟美、三亞蟎、阿维菌素、印楝素、穀速松-甲酯、免扶克、殺蟲磺、畢芬寧、畢芬載、雙三氟蟲脲、硼酸鹽、溴蟲苯甲醯胺、布芬淨、加保利、加保扶、培丹、伐蟲脒、氯蟲苯甲醯胺、克凡派、克福隆、陶斯松、陶斯松-甲酯、環蟲醯肼、克芬蟎、噻蟲胺、氰蟲醯胺、環胺普羅、乙氰菊脂、環氧蟲啶、丁氟蟎酯、賽扶寧、貝他賽扶寧、氯氟氰蟲醯胺、賽洛寧、伽瑪賽洛寧、拉目達賽洛寧、賽滅寧、阿爾發賽滅寧、齊他位賽滅寧、賽滅淨、第滅寧、汰芬諾克、大利松、二氯蟲苯甲醯胺、狄氏劑、二福隆、四氟甲醚菊酯、殺蟲雙、大滅松、呋蟲胺、苯蟲醚、因滅汀、安殺番、益化利、乙蟲清、依芬寧、依殺蟎、芬布錫、撲滅松、苯硫威、芬諾克、芬普寧、芬化利、費普尼、芬滅克、氟啶蟲醯胺、氟蟲雙醯胺、護賽寧、氟芬內林、氟芬隆、氟菌蟎酯、氟噻蟲碸、氟吡菌醯胺、氟吡呋喃酮、 福化利、陶福化利、地蟲磷、複滅蟎、噻唑磷、合芬隆、七氟甲醚菊酯、六伏隆、合賽多、愛美松、吡蟲啉、因得克、殺蟲皂、異柳磷、祿芬隆、馬拉硫磷、氟醚菊酯、氰氟蟲胺、蝸牛敵、達馬松、滅大松、滅賜克、納乃得、美賜平、甲氧滴滴涕、滅芬諾、甲氧苄氟菊酯、亞素靈、單氟菌素、尼古丁、<i>N</i>-[1,1-二甲基-2-（甲基硫基）乙基]-7-氟-2-（3-吡啶基）-2<i>H</i>-吲唑-4-羧醯胺、<i>N</i>-[1,1-二甲基-2-（甲基亞磺醯基）乙基]-7-氟-2-（3-吡啶基）-2<i>H</i>-吲唑-4-羧醯胺、<i>N</i>-[1,1-二甲基-2-（甲基磺醯基）乙基]-7-氟-2-（3-吡啶基）-2<i>H</i>-吲唑-4-羧醯胺、N-（1-甲基環丙基）-2-（3-吡啶基）-2H-吲唑-4-羧醯胺、<i>N</i>-[1-（二氟甲基）環丙基]-2-（3-吡啶基）-2<i>H</i>-吲唑-4-羧醯胺、烯啶蟲胺、硝乙脲噻唑、諾伐隆、多氟脲、歐殺滅、巴拉松、巴拉松-甲酯、百滅寧、福瑞松、裕必松、益滅松、福賜米松、比加普、布飛松、丙氟菊酯、毆蟎多、丙苯烴菊酯、批氟布米德、派滅淨、氟蟲腈、必列寧、比達本、啶蟲丙醚、哌氟喹腙、嘧蟎胺、派瑞樂、百利普芬、魚藤酮、雷諾丁、矽護芬、斯平托蘭、賜諾殺、賜派芬、螺甲蟎酯、螺蟲乙酯、硫丙磷、氟啶蟲胺腈、得芬諾、得芬瑞、得福隆、七氟菊酯、四氯蟲苯甲醯胺、樂本松、治滅寧、四氟醚菊酯、噻蟲啉、噻蟲嗪、硫敵克、殺蟲雙-單鈉、替沙沙芬、脫芬瑞、泰滅寧、唑蚜威、三氯松、三氟甲嘧啶、三福隆、蘇雲金芽孢桿菌δ-內毒素、昆蟲病原菌、昆蟲病原病毒、及昆蟲病原真菌組成之群組。
一種用於保護動物免於無脊椎動物寄生性害蟲之組成物，其包含一殺寄生蟲上有效量之如請求項1至7中任一項之化合物及至少一載劑。
一種用於防制無脊椎動物害蟲之方法，其包含以一生物學上有效量之如請求項1至7中任一項之化合物，或如請求項8至10中任一項之組成物接觸該無脊椎動物害蟲或其環境，前提是該方法不屬於人體或動物身體的治療方法。
如請求項11之方法，其中該無脊椎動物害蟲包含蝽科（Pentatomidae）之臭蟲。
一種化合物或其醫藥學上可接受之鹽，該化合物係選自由以下組成之群<br/><img align="absmiddle" height="62px" width="51px" file="ed10339.jpg" alt="ed10339.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<br/><img align="absmiddle" height="55px" width="57px" file="ed10350.jpg" alt="ed10350.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="62px" width="60px" file="ed10352.jpg" alt="ed10352.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="74px" width="72px" file="ed10353.jpg" alt="ed10353.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="60px" width="68px" file="ed10355.jpg" alt="ed10355.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="62px" width="51px" file="ed10356.jpg" alt="ed10356.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="60px" width="68px" file="ed10357.jpg" alt="ed10357.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="65px" width="47px" file="ed10366.jpg" alt="ed10366.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="63px" width="48px" file="ed10367.jpg" alt="ed10367.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="51px" width="54px" file="ed10368.jpg" alt="ed10368.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="51px" width="54px" file="ed10369.jpg" alt="ed10369.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="51px" width="54px" file="ed10370.jpg" alt="ed10370.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="51px" width="54px" file="ed10371.jpg" alt="ed10371.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="49px" width="47px" file="ed10372.jpg" alt="ed10372.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="52px" width="63px" file="ed10373.jpg" alt="ed10373.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="56px" width="62px" file="ed10374.jpg" alt="ed10374.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="65px" width="47px" file="ed10375.jpg" alt="ed10375.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="60px" width="67px" file="ed10376.jpg" alt="ed10376.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="47px" width="52px" file="ed10377.jpg" alt="ed10377.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="47px" width="54px" file="ed10378.jpg" alt="ed10378.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="66px" width="45px" file="ed10379.jpg" alt="ed10379.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="53px" width="46px" file="ed10380.jpg" alt="ed10380.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="49px" width="39px" file="ed10381.jpg" alt="ed10381.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="49px" width="51px" file="ed10382.jpg" alt="ed10382.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="49px" width="55px" file="ed10383.jpg" alt="ed10383.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="49px" width="54px" file="ed10384.jpg" alt="ed10384.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="46px" width="52px" file="ed10385.jpg" alt="ed10385.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<br/><img align="absmiddle" height="53px" width="44px" file="ed10386.jpg" alt="ed10386.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="47px" width="46px" file="ed10387.jpg" alt="ed10387.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="49px" width="48px" file="ed10388.jpg" alt="ed10388.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="46px" width="48px" file="ed10389.jpg" alt="ed10389.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="47px" width="46px" file="ed10393.jpg" alt="ed10393.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="54px" width="57px" file="ed10394.jpg" alt="ed10394.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="50px" file="ed10395.jpg" alt="ed10395.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="49px" width="48px" file="ed10396.jpg" alt="ed10396.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="54px" width="50px" file="ed10397.jpg" alt="ed10397.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="54px" width="43px" file="ed10398.jpg" alt="ed10398.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="49px" width="47px" file="ed10399.jpg" alt="ed10399.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="50px" file="ed10400.jpg" alt="ed10400.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="54px" width="59px" file="ed10401.jpg" alt="ed10401.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="49px" width="45px" file="ed10403.jpg" alt="ed10403.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及<img align="absmiddle" height="50px" width="55px" file="ed10404.jpg" alt="ed10404.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物具有以下結構：<img align="absmiddle" height="65px" width="47px" file="ed10405.jpg" alt="ed10405.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物具有以下結構：<br/><img align="absmiddle" height="95px" width="69px" file="ed10406.jpg" alt="ed10406.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物具有以下結構：<img align="absmiddle" height="95px" width="69px" file="ed10407.jpg" alt="ed10407.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物具有以下結構：<br/><img align="absmiddle" height="77px" width="81px" file="ed10408.jpg" alt="ed10408.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物具有以下結構：<br/><img align="absmiddle" height="77px" width="81px" file="ed10409.jpg" alt="ed10409.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物具有以下結構：<br/><img align="absmiddle" height="77px" width="81px" file="ed10410.jpg" alt="ed10410.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物具有以下結構：<br/><img align="absmiddle" height="52px" width="63px" file="ed10411.jpg" alt="ed10411.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物具有以下結構：<br/><img align="absmiddle" height="66px" width="45px" file="ed10412.jpg" alt="ed10412.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物具有以下結構：<br/><img align="absmiddle" height="83px" width="86px" file="ed10413.jpg" alt="ed10413.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物具有以下結構：<img align="absmiddle" height="49px" width="48px" file="ed10414.jpg" alt="ed10414.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物具有以下結構：<br/><img align="absmiddle" height="54px" width="43px" file="ed10415.jpg" alt="ed10415.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物具有以下結構：<br/><img align="absmiddle" height="50px" width="55px" file="ed10416.jpg" alt="ed10416.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物具有以下結構：<br/><img align="absmiddle" height="50px" width="48px" file="ed10417.jpg" alt="ed10417.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物具有以下結構：<br/><img align="absmiddle" height="89px" width="116px" file="ed10418.jpg" alt="ed10418.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物具有以下結構：<br/><img align="absmiddle" height="109px" width="85px" file="ed10419.jpg" alt="ed10419.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種醫藥組成物，其包含治療有效量之如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽及醫藥學上可接受之載劑。
一種如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽的用途，其係用於製備醫藥品，該醫藥品係用於治療哺乳動物之不受控細胞增殖病症。
一種如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽的用途，其係用於製備醫藥品，該醫藥品係用於治療哺乳動物之癌症。
如請求項19之用途，其中該癌症為固態腫瘤。
如請求項19之用途，其中該癌症為液態腫瘤。
一種如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽的用途，其係用於製備醫藥品，該醫藥品係用於治療哺乳動物之感染。
如請求項22之用途，其中該感染為病毒感染。
如請求項23之用途，其中該病毒感染係歸因於DNA病毒。
如請求項23之用途，其中該病毒感染係歸因於RNA病毒。
如請求項22之用途，其中該感染為細菌感染。
一種用於製造積體電路裝置的方法，所述方法包括： <br/>將第一積體電路（IC）晶粒的作用側安裝到第二積體電路晶粒的作用側以提供第一晶粒堆疊； <br/>薄化所述第一晶粒堆疊的所述第二積體電路晶粒的基板，其中所述第一積體電路晶粒在進行所述薄化期間代替載體來提供機械支撐； <br/>將第三積體電路晶粒的作用側安裝到第四積體電路晶粒的作用側以提供第二晶粒堆疊； <br/>薄化所述第二晶粒堆疊的所述第四積體電路晶粒的基板，其中所述第三積體電路晶粒在進行所述薄化期間代替所述載體來提供所述機械支撐； <br/>將所述第一晶粒堆疊與所述第二晶粒堆疊彼此安裝以提供第三晶粒堆疊； <br/>薄化所述第三晶粒堆疊的所述第一積體電路晶粒和所述第三積體電路晶粒中一者或更多的基板，其中所述第三晶粒堆疊的其他積體電路晶粒在進行所述薄化期間代替所述載體來提供所述機械支撐；以及 <br/>在安裝所述第一晶粒堆疊和所述第二晶粒堆疊以形成所述第三晶粒堆疊之後，薄化所述第三晶粒堆疊的所述第一積體電路晶粒和所述第三積體電路晶粒中一者或多個的所述基板，其中所述薄化的實行無需使用外部載體，並且所述第三晶粒堆疊中的其他積體電路晶粒在所述薄化期間提供所述機械支撐。
根據請求項1所述的方法，所述方法還包括： <br/>將經薄化的所述第三晶粒堆疊安裝到封裝基板；以及 <br/>將第五積體電路晶粒安裝到所述封裝基板，使得所述第五積體電路晶粒經由所述封裝基板而電連接到經薄化的所述第三晶粒堆疊以提供封裝組件。
根據請求項2所述的方法，其中所述第一積體電路晶粒、所述第二積體電路晶粒、所述第三積體電路晶粒和所述第四積體電路晶粒包括記憶體並且所述第五積體電路晶粒包括邏輯器件，使得所述封裝組件形成高帶寬記憶體裝置。
根據請求項1所述的方法，其中所述第一積體電路晶粒的電路系統和所述第二積體電路晶粒的電路系統彼此成鏡像。
根據請求項1所述的方法，其中所述第一積體電路晶粒的所述作用側和所述第二積體電路晶粒的所述作用側包括彼此成鏡像之相應的接觸墊，使得所述第一積體電路晶粒的所述接觸墊和所述第二積體電路晶粒的所述接觸墊彼此對準。
根據請求項1所述的方法，其中： <br/>所述第一積體電路晶粒包括經過金屬填充的矽通孔（TSV），其延伸穿過所述第一積體電路晶粒的所述基板； <br/>所述第二積體電路晶粒包括經過金屬填充的矽通孔（TSV），其延伸穿過所述第二積體電路晶粒的所述基板；以及 <br/>將所述第一晶粒堆疊與所述第二晶粒堆疊彼此安裝包括將所述第一晶粒堆疊與所述第二晶粒堆疊彼此安裝而使得所述第一晶粒堆疊的所述矽通孔和所述第二晶粒堆疊的所述矽通孔彼此對準。
根據請求項1所述的方法，其中對所述第二積體電路晶粒、所述第四積體電路晶粒以及所述第一積體電路晶粒和所述第三積體電路晶粒中一者或更多的所述基板的所述薄化在多個階段中依序地實行，而在所述多個階段之間無需附接和分離任何外部載體。
根據請求項1所述的方法，其中在所述第一積體電路晶粒、所述第二積體電路晶粒、所述第三積體電路晶粒和所述第四積體電路晶粒的所述作用側上進行所述安裝包括混用接合，所述混用接合包括被嵌入在介電片中的金屬連接材料，所述介電片被設置在所述作用側之間。
根據請求項1所述的方法，其中在製造所述第三晶粒堆疊期間無需將任何臨時載體基板附接至或分離自所述第一積體電路晶粒、所述第二積體電路晶粒、所述第三積體電路晶粒和所述第四積體電路晶粒中的任一者。
一種選自式1、其互變異構體、 <i>N</i>-氧化物，及其鹽類之殺真菌化合物， <br/><img align="absmiddle" height="73px" width="77px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中 <br/>W為O； <br/>R <sup>1</sup>為C <sub>1</sub>-C <sub>2</sub>烷基； <br/>R <sup>2</sup>為H、鹵素、氰基、C <sub>1</sub>-C <sub>2</sub>烷基、C <sub>1</sub>-C <sub>2</sub>鹵代烷基、C <sub>1</sub>‑C <sub>2</sub>烷氧基，或C <sub>1</sub>-C <sub>2</sub>鹵代烷氧基； <br/>P為0或1； <br/>式1中之虛線表示任選鍵，條件為當p為0時存在該任選鍵，而當p為1時不存在該任選鍵； <br/>R <sup>3</sup>為H或甲基； <br/>每個R <sup>4</sup>與R <sup>5</sup>獨立地為氰基或鹵素；或C <sub>1</sub>-C <sub>2</sub>烷基或C <sub>1</sub>-C <sub>2</sub>烷氧基，每個任選地被最多3個獨立地選自鹵素的取代基取代；或‑U‑V‑T； <br/>每個U獨立地為一直接鍵、O，或NH； <br/>每個V獨立地為CH <sub>2</sub>、CH <sub>2</sub>CH <sub>2</sub>，或C（=O）； <br/>每個T獨立地為NR <sup>7a</sup>R <sup>7b</sup>或OR <sup>8</sup>； <br/>每個R <sup>7a</sup>與R <sup>7b</sup>獨立地為H或C <sub>1</sub>-C <sub>2</sub>烷基； <br/>每個R <sup>8</sup>獨立地為甲基或乙基； <br/>m與n各自獨立地為1至3；且 <br/>R <sup>4</sup>或R <sup>5</sup>至少一個位於鄰位。
如請求項1所述之殺真菌化合物，其中 <br/>R <sup>1</sup>為甲基或乙基； <br/>R <sup>2</sup>為H、鹵素、C <sub>1</sub>-C <sub>2</sub>烷基，或甲氧基； <br/>p為0；以及 <br/>每個R <sup>4</sup>與R <sup>5</sup>獨立地為鹵素或甲氧基。
如請求項2所述之殺真菌化合物，其中 <br/>R <sup>1</sup>為甲基； <br/>R <sup>2</sup>為Br、Cl、甲基、乙基，或甲氧基； <br/>每個R <sup>4</sup>與R <sup>5</sup>獨立地為Br、Cl、F，或甲氧基； <br/>m為2且該R <sup>4</sup>取代基連接於第2及第6位置；或m為2且該R <sup>4</sup>取代基連接於第2及第4位置；或m為2且該R <sup>4</sup>取代基連接於第3及第5位置；以及 <br/>n為2且該R <sup>5</sup>取代基連接於第3及第5位置；或n為2且該R <sup>5</sup>取代基連接於第2及第4位置；或n為2且該R <sup>5</sup>取代基連接於第2及第5位置；或n為2且該R <sup>5</sup>取代基連接於第2及第6位置；或n為3且該R <sup>5</sup>取代基連接於第2、第3，以及第5位置。
如請求項3所述之殺真菌化合物，其中 <br/>R <sup>2</sup>為Cl、甲基、乙基，或甲氧基； <br/>每個R <sup>4</sup>獨立地為Cl或F；以及 <br/>每個R <sup>5</sup>獨立地為Br、Cl、F，或甲氧基。
如請求項4所述之殺真菌化合物，其中 <br/>R <sup>2</sup>為Cl或甲基； <br/>每個R <sup>5</sup>獨立地為Cl、F，或甲氧基。
如請求項1所述之殺真菌化合物，其係選自下列群組： <br/>6-（2-氯-3,5-二甲氧基苯基）-5-（2-氯-4-氟苯基）-2-甲基-3（2 <i>H</i>）-嗒𠯤酮； <br/>4-氯-6-（2-氯-3,5-二甲氧基苯基）-5-（2,6-二氟苯基）-2-甲基-3（2H）-嗒𠯤酮； <br/>5,6-雙（2-氯-4-氟苯基）-2,4-二甲基-3（2 <i>H</i>）-嗒𠯤酮； <br/>4-氯-6-（2-氯-5-甲氧基苯基）-5-（2,6-二氟苯基）-2-甲基-3（2 <i>H</i>）-嗒𠯤酮； <br/>4-氯-6-（2-氯-3,5-二甲氧基苯基）-5-（2-氯-4-氟苯基）-2-甲基-3（2 <i>H</i>）-嗒𠯤酮； <br/>6-（2-溴-3,5-二甲氧基苯基）-5-（2-氯-4-氟苯基）-2,4-二甲基-3（2 <i>H</i>）-嗒𠯤酮； <br/>6-（2-氯-3,5-二甲氧基苯基）-5-（2-氯-4-氟苯基）-2,4-二甲基-3（2 <i>H</i>）-嗒𠯤酮； <br/>6-（2-氯-5-甲氧基苯基）-5-（2,6-二氟苯基）-2,4-二甲基-3（2 <i>H</i>）-嗒𠯤酮； <br/>6-（2-溴-3,5-二甲氧基苯基）-4-氯-5-（2-氯-4-氟苯基）-2-甲基-3（2 <i>H</i>）-嗒𠯤酮； <br/>6-（2-氯-3,5-二甲氧基苯基）-5-（2-氯-4-氟苯基）-4-甲氧基-2-甲基-3（2 <i>H</i>）-嗒𠯤酮； <br/>4-氯-5-（2-氯-4-氟苯基）-6-（2-氯-5-甲氧基苯基）-2-甲基-3（2 <i>H</i>）-嗒𠯤酮； <br/>5-（2-氯-4-氟苯基）-6-（2-氯-5-甲氧基苯基）-2,4-二甲基-3（2 <i>H</i>）-嗒𠯤酮； <br/>5-（2-氯-4-氟苯基）-6-（2-氯-5-甲氧基苯基）-4-乙基-2-甲基-3（2 <i>H</i>）-嗒𠯤酮； <br/>6-（2-氯-5-甲氧基苯基）-5-（2,6-二氟苯基）-4-乙基-2-甲基-3（2 <i>H</i>）-嗒𠯤酮；以及 <br/>6-（2-氯-3,5-二甲氧基苯基）-5-（2,6-二氟苯基）-2,4-二甲基-3（2 <i>H</i>）-嗒𠯤酮。
一種殺真菌之組合物，包含（a）一如請求項1之殺真菌化合物；以及（b）至少一種其他殺真菌劑。
一種殺真菌之組合物，其包含（a）一如請求項1之殺真菌化合物；以及（b）至少一種選自由介面活性劑、固體稀釋劑以及液體稀釋劑所組成群組的添加組成分。
一種防治由真菌植物病原體引起的植物病害之方法，包含向該植物或其部分施用約1 g/ha至約5,000 g/ha之如請求項1之殺真菌化合物，或向植物種子施用一約0.001 g至約10 g/千克種子之如請求項1之殺真菌化合物。
如請求項1所述之殺真菌化合物，其中 <br/>R <sup>1</sup>為甲基； <br/>R <sup>2</sup>為甲基或乙基； <br/>p為0； <br/>每個R <sup>4</sup>獨立地為Cl或F； <br/>每個R <sup>5</sup>獨立地為Cl或甲氧基；以及 <br/>n為2且該R <sup>5</sup>取代基連接於第2及第5位置；或n為3且該R <sup>5</sup>取代基連接於第2、第3，以及第5位置。
如請求項1所述之殺真菌化合物，其選自由下列化合物所組成的群組： <br/><br/><br/><br/>
一種全自動化微流控系統，係用於在單次運行中偵測多個不同分析物，其包含：一遠程電腦系統；一微流控分析器，其與該遠程電腦系統連接且具有一照明源及一偵測模組；以及一匣體；其具有多個燈泡、一樣本槽及至少一試劑槽，其中各燈泡包含：一入口微流控通道；一燈泡腔，用以避免氣泡被捕集；以及一連接於燈泡腔的腔，用以裝載由液體流入燈泡腔而產生的壓縮空氣。
如請求項1所述之全自動化微流控系統，其中，該燈泡腔為一燈泡卵形腔，其內部表面呈圓形。
如請求項1所述之全自動化微流控系統，其中，該連接於燈泡腔的腔為一倒黑桃型腔。
如請求項1所述之全自動化微流控系統，其中，該微流控通道是可密封。
如請求項1所述之全自動化微流控系統，其中，該微流控通道是可由密封線密封，其密封線是用以產生熱以融化該微流控通道，藉此密封燈泡的入口。
如請求項1所述之全自動化微流控系統，其中，該偵測模組包含一攝影機。
如請求項1所述之全自動化微流控系統，其中，該匣體包含用以容納多達40個呼吸道病原體的空間。
如請求項1所述之全自動化微流控系統，其中，該匣體包含一萃取模組，該萃取模組包含一長淚滴形的腔室。
如請求項1所述之全自動化微流控系統，其中，該匣體包含一隔離提供膜及除泡器。
如請求項1所述之全自動化微流控系統，其中，該匣體包含一RT-PCR腔，該RT-PCR腔包含一U形腔。
如請求項10所述之全自動化微流控系統，其中，該U形腔的兩端設置斜坡。
如請求項1所述之全自動化微流控系統，其中，該匣體包含一塞子，其匣體的流體移動由該塞子的垂直移動而實現。
如請求項7所述之全自動化微流控系統，其中，該遠程電腦系統於約1小時完成分析。
一種黃體激素組合物於製備局部藥劑之用途，該局部藥劑係用於投與至人類個體之前額以治療或預防該個體的發炎性眼部疾病或病况，其中該用途進一步包含將淚管塞(punctal plug)及局部皮質類固醇組合物投與至該個體之眼睛。
如請求項<b>1</b>之用途，其中該發炎性眼部疾病或病況包含眼部移植物抗宿主病、乾眼症、瞼板腺疾病、甲狀腺眼病、眼瞼炎、薛格連氏症候群(Sjogren’s syndrome)、周邊潰瘍性角膜炎或史蒂芬斯-強森症候群(Stevens-Johnson syndrome)。
如請求項<b>1</b>之用途，其中該發炎性眼部疾病或病況係眼部移植物抗宿主病。
一種黃體激素組合物於製備局部藥劑之用途，該局部藥劑係用於投與至人類個體之前額以在該個體中在白內障手術之前改良角膜健康及/或在白內障手術之後促進角膜癒合，其中該用途進一步包含將淚管塞(punctal plug)及局部皮質類固醇組合物投與至該個體之眼睛。
如請求項<b>1</b>至<b>4</b>中任一項之用途，其中該皮質類固醇包含低至中等強度皮質類固醇。
如請求項<b>1</b>至<b>4</b>中任一項之用途，其中該皮質類固醇包含依碳酸氯替潑諾(loteprednol etabonate)、倍他米松(betamethasone)、地塞米松(dexamethasone)、二氟潑尼酯(difluprednate)、普賴蘇龍(prednisolone)、曲安奈龍(triamcinolone)、利美索龍(rimexolone)或氟米龍(fluorometholone)。
如請求項<b>1</b>至<b>4</b>中任一項之用途，其中該皮質類固醇係調配成凝膠或軟膏劑。
一種黃體激素組合物於製備局部藥劑之用途，該局部藥劑係用於投與至人類個體之前額以治療該個體之眼部移植物抗宿主病，其中該用途進一步包含將淚管塞及局部皮質類固醇依碳酸氯替潑諾(loteprednol etabonate)軟膏劑組合物投與至該個體之眼睛。
如請求項<b>1</b>至<b>4</b>及<b>8</b>中任一項之用途，其中該黃體激素組合物包含以重量計0.01%至10%黃體激素。
如請求項<b>1</b>至<b>4</b>及<b>8</b>中任一項之用途，其中該黃體激素組合物包含以重量計0.1%至5%黃體激素。
如請求項<b>8</b>之用途，其包含每天兩次或每天一次投與該黃體激素組合物。
如請求項<b>8</b>之用途，其包含每天投與0.01mg至10mg黃體激素。
如請求項<b>1</b>至<b>4</b>及<b>8</b>中任一項之用途，其中該皮質類固醇組合物包含0.05%至1%皮質類固醇。
如請求項<b>1</b>至<b>4</b>及<b>8</b>中任一項之用途，其包含每天一次投與該皮質類固醇組合物。
如請求項<b>1</b>至<b>4</b>及<b>8</b>中任一項之用途，其中該方法進一步包含投與至少一種額外療法。
一種黃體激素於製備局部藥劑之用途，該局部藥劑係每天兩次投與至人類個體之前額以治療該個體之眼部移植物抗宿主病，其中該藥劑包含1%黃體激素，該用途進一步包含將淚管塞及0.5%局部皮質類固醇依碳酸氯替潑諾軟膏劑組合物投與給該個體之眼睛。
一種用於治療或預防人類個體之發炎性眼部疾病或病況之黃體激素之局部組合物，其中該組合物係與淚管塞及局部皮質類固醇組合物聯合投與至該個體之眼睛。
一種用於在白內障手術之前改良人類個體之角膜健康及/或在白內障手術之後促進角膜癒合之黃體激素之局部組合物，其中該組合物係與淚管塞及局部皮質類固醇組合物聯合投與至該個體之眼睛。
一種用於治療人類個體之眼部移植物抗宿主病之黃體激素之局部組合物，其中該組合物係與淚管塞及局部皮質類固醇依碳酸氯替潑諾軟膏劑組合物聯合投與至該個體之眼睛。
一種光學積層體，其具備：防眩膜、及配置於該防眩膜之單側之偏光板，且該防眩膜具備：透明基材、及配置於該透明基材之至少一面之防眩層，該防眩層包含防眩區域與非防眩區域，於該非防眩區域中，該防眩層之與該透明基材相反之側的表面為平滑面，該防眩區域之最大高度Ry與該非防眩區域之最大高度Ry的差(防眩區域之最大高度Ry-非防眩區域之最大高度Ry)為0.1μm以上，該防眩區域之算術平均表面粗糙度Ra與該非防眩區域之算術平均表面粗糙度Ra的差(防眩區域之算術平均表面粗糙度Ra-非防眩區域之算術平均表面粗糙度Ra)為0.05μm以上，且該防眩區域之平均傾斜角θa與該非防眩區域之平均傾斜角θa的差(防眩區域之平均傾斜角θa-非防眩區域之平均傾斜角θa)為0.5°以上，該偏光板包含偏光元件，該偏光元件具有非偏光部，以上述防眩膜中之非防眩區域與上述偏光板中之非偏光部的至少一部分重疊之方式將該防眩膜與該偏光板積層。
如請求項1之光學積層體，其中上述非防眩區域為上述防眩層之貫通孔。
一種組合物用於製備治療乾眼症的藥物的用途，經由在有需要的哺乳動物受試者的眼睛中局部施用而用於治療乾眼症，所述組合物包含可逆的熱可逆水凝膠作為活性成分，所述水凝膠按總組合物的重量百分比包含： <br/>5%-25%的泊洛沙姆407；以及 <br/>0.05%-10%的二-PPG-2肉豆蔻油醇聚醚-10己二酸酯， <br/>其中所述組合物不包含任何其他活性成分。
如請求項1所述之用途，其中所述哺乳動物受試者是人類患者。
如請求項2所述之用途，其中所述患者是女人。
如請求項3所述之用途，其中所述女人選自由下列所組成的群組：處於更年期的婦女及更年期後的婦女。
一種製備治療乾眼症的組合物的方法，包括在低溫下將泊洛沙姆407溶解在磷酸鹽緩衝溶液中，將溫度升至室溫，加入二-PPG-2肉豆蔻油醇聚醚-10己二酸酯，然後將pH調整至7.2~7.6； <br/>其中所述組合物包含可逆的熱可逆水凝膠作為活性成分，所述水凝膠按總組合物的重量百分比包含： <br/>5%-25%的泊洛沙姆407；以及 <br/>0.05%-10%的二-PPG-2 肉豆蔻油醇聚醚-10 己二酸酯， <br/>其中所述組合物不包含任何其他活性成分。
如請求項5所述之方法，其中所述將pH調整至7.2~7.6是通過添加1M HCl及/或1M NaOH進行調整。
一種半導體裝置，包括：包括第一電路的半導體晶片、第一外部端子、以及包括第二電路的層；以及第二外部端子，其中，該第二電路為電流型邏輯電路，其中，該半導體晶片更包括第一連接端子及第二連接端子，其中該第一電路藉由該第一連接端子與該第二電路電連接，其中，該半導體晶片設置在鄰接該層的一個面，其中，該第一外部端子設置在鄰接該層的另一個面，其中，該第一電路包括第一電晶體，其中，該第二電路包括第二電晶體，其中，該第二電路與該第一外部端子電連接，其中該第一電晶體之通道形成區域包含矽，其中，該第二電晶體之通道形成區域包括金屬氧化物，以及其中，該金屬氧化物包含銦。
如請求項1之半導體裝置，更包括絕緣體，其中該絕緣體覆蓋該層的該一個面及該半導體晶片的側面與頂面。
如請求項1之半導體裝置，其中該第一外部端子與該第二外部端子之間的間距寬度大於該第一連接端子與該第二連接端子之間的間距寬度。
如請求項1之半導體裝置，其中該金屬氧化物更包含鎵及鋅。
如請求項1之半導體裝置，其中該第一電晶體之該通道形成區域與該第二電晶體之該通道形成區域彼此覆蓋。
如請求項1之半導體裝置，其中該第一電晶體與該第一外部端子隔著該第二電晶體而層疊。
如請求項1之半導體裝置，其中該第一外部端子包含凸塊。
一種可固化封裝組成物，其包括：一多官能乙醯乙酸酯化合物，一具有至少三個(甲基)丙烯酸酯基團之(甲基)丙烯酸酯化合物，一催化劑，以及一填料，其中，該具有至少三個(甲基)丙烯酸酯基團之(甲基)丙烯酸酯化合物與該多官能乙醯乙酸酯化合物之當量比係大於1.5，其中該可固化封裝組成物不包含發泡劑(blowing agent)。
根據請求項1所述之可固化封裝組成物，其中該多官能乙醯乙酸酯化合物具有至少2個乙醯乙酸酯基團。
根據請求項1所述之可固化封裝組成物，其中具有至少三個(甲基)丙烯酸酯基團之(甲基)丙烯酸酯化合物與多官能乙醯乙酸酯化合物之當量比為1.6至2.0。
根據請求項1所述之可固化封裝組成物，其中該多官能乙醯乙酸酯化合物係由甘油(glycerol)、三羥甲丙烷(trimethylolpropane)、乙醇異山梨酯(ethanol isosorbide)、新戊二醇(neopentylglycol)、季戊四醇(pentaerythritol)、二羥甲基丙烷(di-methylolpropane)、二季戊四醇(di-pentaerythritol)、丙氧基化單醣(propoxylated monosaccharides)、三羥甲基乙烷(trimethylol ethane)及其組合所得到之乙醯乙醯化多元醇(acetoacetylated polyol)。
根據請求項1所述之可固化封裝組成物，其中該(甲基)丙烯酸酯化合物具有至少4個(甲基)丙烯酸酯基團。
根據請求項1所述之可固化封裝組成物，其中該(甲基)丙烯酸酯化合物係選自三羥甲丙烷三(甲基)丙烯酸酯(trimethylolpropane tri(meth)acrylate)、乙氧基化三羥甲丙烷三(甲基)丙烯酸酯(ethoxylated trimethylolpropane tri(meth)acrylate)、丙氧基化三羥甲丙烷三(甲基)丙烯酸酯(propoxylated trimethylolpropanetri(meth)acrylate)、三羥甲丙烷三(甲基)丙烯酸酯(trimethylolpropanetri(meth)acrylate)、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯二-三羥甲丙烷四(甲基)丙烯酸酯(pentaerythritoltetra(meth)acrylate di-trimethylolpropanetertra(meth)acrylate)、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯(di-pentaerythritolhexa(meth)acrylate)、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯(di-pentaerthritolpenta(meth)acrylate)、乙氧基化三羥甲丙烷三(甲基)丙烯酸酯(ethoxylated trimethylolpropane tri(meth)acrylate)及其組合。
根據請求項1至6中任一項所述之可固化封裝組成物，其中該催化劑係選自1,5-二氮雜雙環[4.3.0]壬-5-烯(1,5-diazabicyclo[4.3.0]non-5-ene，DBN)、三氮雜雙環癸烯(triazabicyclodecene，TBD)、四甲基胍(tetramethylguanidine，TMG)、三辛基膦(trioctylphosphine，TOP)、三苯基膦(triphenylphosphine，TPP)、(四丁基氫氧化銨(Tetrabutylammonium hydroxide))TBAOH、NaOH、KOH、NaOEt、KOEt、膦氮烯(phosphazanes)及其組合。
根據請求項1至6中任一項所述之可固化封裝組成物，其中該封裝組成物之固化產物具有130℃至200℃之玻璃轉換溫度。
根據請求項1至6中任一項所述之可固化封裝組成物，其中該催化劑與該多官能乙醯乙酸酯化合物之莫耳比為0.01至5。
根據請求項1至6中任一項所述之可固化封裝組成物，其中該填料以該可固化封裝組成物重量之50%至90%之量存在。
根據請求項1至6中任一項所述之可固化封裝組成物，其包含基本上無界面活性劑。
一種雙組分之可固化封裝組成物，其包括一第一組分，其包括一多官能乙醯乙酸酯化合物，以及一第二組分，其包括一具有至少三個(甲基)丙烯酸酯基團之(甲基)丙烯酸酯化合物，其中，該第一組分和該第二組分中之至少一者進一步包括一催化劑，其中，該第一組分和該第二組分中之至少一者進一步包括一填料，以及其中，該具有至少三個(甲基)丙烯酸酯基團之(甲基)丙烯酸酯化合物與該多官能乙醯乙酸酯化合物之當量比係大於1.5，其中該雙組分之可固化封裝組成物不包含發泡劑。
一種根據請求項1至11中任一項之可固化封裝組成物或根據請求項12之雙組分之可固化封裝組成物之固化產物。
一種根據請求項1至11中任一項之可固化封裝組成物或根據請求項12之雙組分之可固化封裝組成物在電子設備製造中之用途。
一種攝像鏡頭，從物體側朝向像面側依序由以下所構成：<br/> 第1透鏡，具有負的折射力；<br/> 第2透鏡；<br/> 第3透鏡，具有正的折射力；<br/> 第4透鏡，具有負的折射力；<br/> 第5透鏡，具有正的折射力；及<br/> 第6透鏡，具有負的折射力，<br/> 前述攝像鏡頭滿足以下條件：<br/> 前述第1透鏡到前述第6透鏡的至少一個是10＜νd＜20且1.65＜nd＜1.76，<br/> 其中，<br/> νd：對d線的阿貝數，<br/> nd：對d線的折射率，<br/> 前述第5透鏡為：<br/> 1.5＜f5/f＜3.5，<br/> 其中，<br/> f：前述攝像鏡頭的全系統的焦點距離，<br/> f5：前述第5透鏡的焦點距離。
如請求項1之攝像鏡頭，其中更滿足以下的條件：<br/> 前述第1透鏡到前述第6透鏡的前述至少一個是11＜νd＜18且1.67＜nd＜1.73。
如請求項1之攝像鏡頭，其中更滿足以下的條件：<br/> 前述第1透鏡到前述第6透鏡的前述至少一個是<br/> nd ≧ -0.0078×νd+1.78，<br/> nd ≦ -0.0078×νd +1.84。
一種攝像裝置，其具備：<br/> 如請求項1至3中任一項之攝像鏡頭；及<br/> 攝像元件，輸出因應光學像的攝像訊號，前述光學像是藉由前述攝像鏡頭所形成的。
一種攜帶機器，其具備如請求項4之攝像裝置。
一種感應磁響應性粒子，其具備：磁響應性粒子，其具有核心粒子及至少一層以上之磁性層，該磁性層配置於上述核心粒子上且由具有磁性之金屬及/或其氧化物之微粒子所構成；及載持於上述磁響應性粒子上之與目標物產生特異性作用之物質；且將上述核心粒子之體積、重量設為v<sub>c</sub>、w<sub>c</sub>，將上述磁響應性粒子之體積、重量設為v<sub>e</sub>、w<sub>e</sub>時，磁性體密度[(w<sub>e</sub>-w<sub>c</sub>)/(v<sub>e</sub>-v<sub>c</sub>)]滿足下式1，2.0≦(w<sub>e</sub>-w<sub>c</sub>)/(v<sub>e</sub>-v<sub>c</sub>) 式1。
如請求項1之感應磁響應性粒子，其中，磁分離性為40%以上。
如請求項1或2之感應磁響應性粒子，其中，於上述磁性層與和目標物產生特異性作用之物質之間，進而具有由非磁性之金屬氧化物及/或有機金屬化合物所構成之非磁性層。
如請求項1或2之感應磁響應性粒子，其中，上述與目標物產生特異性作用之物質藉由1段或多段之反應而化學鍵結於上述磁性層上。
如請求項3之感應磁響應性粒子，其中，上述與目標物產生特異性作用之物質經由1段或多段之化學鍵結而鍵結於上述非磁性層上。
如請求項1或2之感應磁響應性粒子，其中，上述磁響應性粒子之重量平均粒徑之變異係數為15%以下。
如請求項6之感應磁響應性粒子，其中，上述磁響應性粒子之體積平均粒徑之變異係數為20%以下。
一種異質性免疫測定方法，其使用請求項1至7中任一項之感應磁響應性粒子。
一種免疫測定試藥，其使用請求項1至7中任一項之感應磁響應性粒子。
一種醫療用注射器筒，係具備：筒狀之筒身部，其用以於內部收容內用液；圓筒狀之射出噴嘴部，其形成於此筒身部之一端；及凸緣部，其設於前述筒身部之另一端之開口部且朝半徑方向外側突出，其特徵在於，前述筒身部包含：中間筒身部，其外徑小於前述射出噴嘴部之外徑；及筒狀之大外徑筒身部，其形成在前述凸緣部與前述中間筒身部之間；前述射出噴嘴部、前述中間筒身部及前述大外徑筒身部係一體成形的成形品，該大外徑筒身部之外徑係與前述射出噴嘴部之外徑相同，前述大外徑筒身部的壁厚係與前述中間筒身部的壁厚相同，前述大外徑筒身部與前述中間筒身部之間係藉由帶有錐形的部分而連接。
如請求項1之醫療用注射器筒，其中前述大外徑筒身部之內徑係大於前述中間筒身部之內徑。
一種醫療用注射器筒的包裝體，係將至少一個注射器筒保持於巢狀筒座內，該巢狀筒座具有平板狀構件及筒狀構件，前述平板狀構件設置有至少一個開口，前述筒狀構件係形成為將其一端結合於前述開口且將另一端作為朝上方突出之突出端，其特徵在於：保持於前述巢狀筒座內之注射器筒係具有：用以於內部收容內用液之筒狀之筒身部、形成於此筒身部之一端之圓筒狀之射出噴嘴部、及設於前述筒身部之另一端之開口部且朝半徑方向外側突出之凸緣部，前述筒身部包含：中間筒身部，外徑小於前述射出噴嘴部之外徑；及筒狀之大外徑筒身部，形成在前述凸緣部與前述中間筒身部之間；該大外徑筒身部之外徑係與前述射出噴嘴部之外徑相同，前述筒狀構件的內徑係被設定為大於前述大外徑筒身部之外徑，且前述筒狀構件的外徑係被設定為小於前述凸緣部之外徑，前述凸緣部抵接於前述筒狀構件之突出端，前述筒狀構件的軸向長度係比前述大外徑筒身部的軸向長度還長，且前述大外徑筒身部係保持於前述筒狀構件內，前述大外徑筒身部與前述中間筒身部之間係藉由帶有錐形的部分而連接。
如請求項3之醫療用注射器筒的包裝體，其中前述大外徑筒身部中與射出噴嘴部的外徑相等的部分之軸向長度加上凸緣部之厚度而得的長度，係為筒狀構件的軸向長度加上平板構件的厚度而得的長度之40%~60%。
如請求項3之醫療用注射器筒的包裝體，其中前述筒狀構件的外徑被設定成小於前述凸緣部的外徑，使得可在將前述射出噴嘴部朝向下側而將前述注射器筒放入前述筒狀構件時，藉由手臂的前端支持前述凸緣部。
一種碳材料，以碳六角網面為基本骨架，以置換碳元素的方式摻雜有硼元素，所述碳材料的特徵在於，碳材料中的硼元素的含量為0.005莫耳%~15莫耳%，當將利用X射線光電子光譜法測定的以置換碳材料表面的碳元素的方式摻雜的硼元素的含量設為X(莫耳%)，將利用感應偶合電漿發光光譜分析法測定的碳材料中的硼元素的含量設為Y(莫耳%)時，0.01<X/Y<0.4，所述碳材料包含選自由碳黑、石墨、石墨烯奈米片、石墨烯、碳纖維、碳奈米管、碳奈米纖維、碳奈米角、碳奈米刷、活性碳、多孔質碳及奈米多孔碳所組成的群組中的至少一種，所述碳材料的平均厚度150nm~50μm。
如請求項1所述的碳材料，其中，所述碳黑包含選自由乙炔黑、科琴黑、爐黑、中熱碳黑及石墨化碳黑所組成的群組中的至少一種。
一種導電性組成物，包含如請求項1或請求項2所述的碳材料、及黏合劑樹脂或溶媒的至少一者。
如請求項3所述的導電性組成物，其中，所述碳材料包含不同的兩種以上的碳材料。
如請求項3或請求項4所述的導電性組成物，其更包含導電助劑。
如請求項3或請求項4所述的導電性組成物，其更含有活性物質，且作為用以形成蓄電元件用的正極或負極的複合材料油墨使用。
如請求項5所述的導電性組成物，其更含有活性物質，且作為用以形成蓄電元件用的正極或負極的複合材料油墨使用。
一種導電膜，由如請求項3至請求項7中任一項所述的導電性組成物形成。
一種蓄電元件，包括電極，所述電極具有由如請求項7所述的導電性組成物形成的複合材料層。
一種由一使用者設備（UE）進行的無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 接收用於通道狀態反饋（CSF）的複數個神經網路訓練配置，每個配置對應於一不同的神經網路框架；<br/> 根據所接收的該等訓練配置來訓練複數個神經網路解碼器或編碼器對之每一者神經網路解碼器/編碼器對；及<br/> 接收一訊息，該訊息指示或啟用或停用要訓練的神經網路對的一數量以及何者神經網路對要用於一特定的通道狀態資訊（CSI）數量。
根據請求項1之方法，其中每個配置與一參考信號集合相關聯。
根據請求項1之方法，其中每個配置與報告的一數量相關聯。
根據請求項1之方法，其中每個配置對應於一不同的超參數集合。
根據請求項4之方法，其中每個超參數集合是基於期望的反饋精度、反饋管理負擔、UE計算能力和網路實體天線配置的。
根據請求項4之方法，其中該等超參數包括神經網路層的一數量、每個神經網路層的一類型、針對一核心的每個層或維度的隱藏單元的一數量及/或針對每個層的啟用函數。
根據請求項4之方法，其中該等超參數包括一壓縮比、一學習速率配置、一最佳化器配置及/或與一CSI數量相關聯的一損失度量。
根據請求項4之方法，其中該等超參數指示一編碼器或解碼器對的一結構是否是基於一天線部署特徵的，及/或是否要考慮一無線通道的一時域相關性。
根據請求項4之方法，其中該等超參數集合包括第一複數個子集和第二複數個子集，該第一複數個子集包括UE共用或CSF共用超參數，該第二複數個子集包括特定於UE或特定於CSF數量的超參數。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟：指示所支援的神經網路的一最大數量。
一種由一網路實體進行的無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 向一使用者設備（UE）傳輸用於通道狀態反饋（CSF）的複數個神經網路訓練配置，每個配置對應於一不同的神經網路框架；<br/> 接收根據該等神經網路訓練配置來訓練的一神經網路解碼器或編碼器對；及<br/> 傳輸一訊息，該訊息指示或啟用或停用要訓練的神經網路對的一數量以及何者神經網路對要用於一特定的通道狀態資訊（CSI）數量。
根據請求項11之方法，其中每個配置與一參考信號集合相關聯。
根據請求項11之方法，其中每個配置與報告的一數量相關聯。
根據請求項11之方法，其中每個配置對應於一不同的超參數集合。
根據請求項14之方法，其中每個超參數集合是基於期望的反饋精度、反饋管理負擔、UE計算能力和網路實體天線配置的。
根據請求項14之方法，其中該等超參數包括神經網路層的一數量、每個神經網路層的一類型、針對一核心的每個層或維度的隱藏單元的一數量及/或針對每個層的啟用函數。
根據請求項14之方法，其中該等超參數包括一壓縮比、一學習速率配置、一最佳化器配置及/或與一CSI數量相關聯的一損失度量。
根據請求項14之方法，其中該等超參數指示一編碼器或解碼器對的一結構是否是基於一天線部署特徵的，及/或是否要考慮一無線通道的一時域相關性。
根據請求項14之方法，其中該等超參數集合包括第一複數個子集和第二複數個子集，該第一複數個子集包括UE共用或CSF共用超參數，該第二複數個子集包括特定於UE/特定於CSF數量的超參數。
根據請求項11之方法，亦包括以下步驟：接收對所支援的神經網路的一最大數量的一指示。
一種用於無線通訊的UE（使用者設備），包括：<br/> 一記憶體，以及<br/> 至少一個處理器，其操作地耦合到該記憶體，該記憶體和該至少一個處理器被配置為進行以下操作：<br/> 接收用於通道狀態反饋（CSF）的複數個神經網路訓練配置，每個配置對應於一不同的神經網路框架；<br/> 根據所接收的該等訓練配置來訓練每個神經網路解碼器或編碼器對；及<br/> 接收一訊息，該訊息指示/啟用/停用要訓練的神經網路對的一數量以及何者神經網路對要用於一特定的通道狀態資訊（CSI）數量。
根據請求項21之UE，其中每個配置與一參考信號集合相關聯。
根據請求項21之UE，其中每個配置與報告的一數量相關聯。
根據請求項21之UE，其中每個配置對應於一不同的超參數集合。
根據請求項24之UE，其中每個超參數集合是基於期望的反饋精度、反饋管理負擔、UE計算能力和網路實體天線配置的。
根據請求項24之UE，其中該等超參數包括神經網路層的一數量、每個神經網路層的一類型、針對一核心的每個層或維度的隱藏單元的一數量及/或針對每個層的啟用函數。
根據請求項24之UE，其中該等超參數包括一壓縮比、一學習速率配置、一最佳化器配置及/或與一CSI數量相關聯的一損失度量。
根據請求項24之UE，其中該等超參數指示一編碼器或解碼器對的一結構是否是基於一天線部署特徵的，及/或是否要考慮一無線通道的一時域相關性。
根據請求項24之UE，其中該等超參數集合包括第一複數個子集和第二複數個子集，該第一複數個子集包括UE共用或CSF共用超參數，該第二複數個子集包括特定於UE或特定於CSF數量的超參數。
根據請求項21之UE，其中該至少一個處理器亦被配置為：指示所支援的神經網路的一最大數量。
一種用於無線通訊的網路實體，包括：<br/> 一記憶體，以及<br/> 至少一個處理器，其操作地耦合到該記憶體，該記憶體和該至少一個處理器被配置為進行以下操作：<br/> 向一使用者設備（UE）傳輸用於通道狀態反饋（CSF）的複數個神經網路訓練配置，每個配置對應於一不同的神經網路框架；<br/> 接收根據該等神經網路訓練配置來訓練的一神經網路解碼器或編碼器對；及<br/> 傳輸一訊息，該訊息指示或啟用或停用要訓練的神經網路對的一數量以及何者神經網路對要用於一特定的通道狀態資訊（CSI）數量。
根據請求項31之網路實體，其中每個配置與一參考信號集合相關聯。
根據請求項31之網路實體，其中每個配置與報告的一數量相關聯。
根據請求項31之網路實體，其中每個配置對應於一不同的超參數集合。
根據請求項34之網路實體，其中每個超參數集合是基於期望的反饋精度、反饋管理負擔、UE計算能力和網路實體天線配置的。
根據請求項34之網路實體，其中該等超參數包括神經網路層的一數量、每個神經網路層的一類型、針對一核心的每個層或維度的隱藏單元的一數量及/或針對每個層的啟用函數。
根據請求項34之網路實體，其中該等超參數包括一壓縮比、一學習速率配置、一最佳化器配置及/或與一CSI數量相關聯的一損失度量。
根據請求項34之網路實體，其中該等超參數指示一編碼器或解碼器對的一結構是否是基於一天線部署特徵的，及/或是否要考慮一無線通道的一時域相關性。
根據請求項34之網路實體，其中該等超參數集合包括第一複數個子集和第二複數個子集，該第一複數個子集包括UE共用或CSF共用超參數，該第二複數個子集包括特定於UE或特定於CSF數量的超參數。
根據請求項31之網路實體，其中該至少一個處理器亦被配置為：接收對所支援的神經網路的一最大數量的一指示。
一種用於無線通訊的UE（使用者設備），包括：<br/> 用於接收用於通道狀態反饋（CSF）的複數個神經網路訓練配置的構件，每個配置對應於一不同的神經網路框架；<br/> 用於根據所接收的該等訓練配置來訓練每個神經網路解碼器或編碼器對的構件；及<br/> 用於接收一訊息的構件，該訊息指示或啟用或停用要訓練的神經網路對的一數量以及何者神經網路對要用於一特定的通道狀態資訊（CSI）數量。
根據請求項41之UE，其中每個配置與一參考信號集合相關聯。
根據請求項41之UE，其中每個配置與報告的一數量相關聯。
根據請求項41之UE，其中每個配置對應於一不同的超參數集合。
根據請求項44之UE，其中每個超參數集合是基於期望的反饋精度、反饋管理負擔、UE計算能力和網路實體天線配置的。
根據請求項44之UE，其中該等超參數包括神經網路層的一數量、每個神經網路層的一類型、針對一核心的每個層或維度的隱藏單元的一數量及/或針對每個層的啟用函數。
根據請求項44之UE，其中該等超參數包括一壓縮比、一學習速率配置、一最佳化器配置（例如，隨機梯度下降、ADAM）及/或與一CSI數量相關聯的一損失度量。
根據請求項44之UE，其中該等超參數指示一編碼器或解碼器對的一結構是否是基於一天線部署特徵的，及/或是否要考慮一無線通道的一時域相關性。
根據請求項44之UE，其中該等超參數集合包括第一複數個子集和第二複數個子集，該第一複數個子集包括UE共用或CSF共用超參數，該第二複數個子集包括特定於UE或特定於CSF數量的超參數。
根據請求項41之UE，亦包括：用於指示所支援的神經網路的一最大數量的構件。
一種用於無線通訊的網路實體，包括：<br/> 用於向一使用者設備（UE）傳輸用於通道狀態反饋（CSF）的複數個神經網路訓練配置的構件，每個配置對應於一不同的神經網路框架；<br/> 用於接收根據該等神經網路訓練配置來訓練的一神經網路解碼器或編碼器對的構件；及<br/> 用於傳輸一訊息的構件，該訊息指示或啟用或停用要訓練的神經網路對的一數量以及何者神經網路對要用於一特定的通道狀態資訊（CSI）數量。
根據請求項51之網路實體，其中每個配置與一參考信號集合相關聯。
根據請求項51之網路實體，其中每個配置與報告的一數量相關聯。
根據請求項51之網路實體，其中每個配置對應於一不同的超參數集合。
根據請求項54之網路實體，其中每個超參數集合是基於期望的反饋精度、反饋管理負擔、UE計算能力和網路實體天線配置的。
根據請求項54之網路實體，其中該等超參數包括神經網路層的一數量、每個神經網路層的一類型、針對一核心的每個層或維度的隱藏單元的一數量及/或針對每個層的啟用函數。
根據請求項54之網路實體，其中該等超參數包括一壓縮比、一學習速率配置、一最佳化器配置及/或與一CSI數量相關聯的一損失度量。
根據請求項54之網路實體，其中該等超參數指示一編碼器及解碼器對的一結構是否是基於一天線部署特徵的，及/或是否要考慮一無線通道的一時域相關性。
根據請求項54之網路實體，其中該等超參數集合包括第一複數個子集和第二複數個子集，該第一複數個子集包括UE共用或CSF共用超參數，該第二複數個子集包括特定於UE或特定於CSF數量的超參數。
根據請求項51之網路實體，亦包括：用於接收對所支援的神經網路的一最大數量的一指示的構件。
一種非暫時性電腦可讀取媒體，其具有記錄在其上的程式碼，該程式碼由一UE（使用者設備）執行以及包括：<br/> 用於接收用於通道狀態反饋（CSF）的複數個神經網路訓練配置的程式碼，每個配置對應於一不同的神經網路框架；<br/> 用於根據所接收的該等訓練配置來訓練每個神經網路解碼器或編碼器對的程式碼；及<br/> 用於接收一訊息的程式碼，該訊息指示或啟用或停用要訓練的神經網路對的一數量以及何者神經網路對要用於一特定的通道狀態資訊（CSI）數量。
一種非暫時性電腦可讀取媒體，其具有記錄在其上的程式碼，該程式碼由一網路實體執行以及包括：<br/> 用於向一使用者設備（UE）傳輸用於通道狀態反饋（CSF）的複數個神經網路訓練配置的程式碼，每個配置對應於一不同的神經網路框架；<br/> 用於接收根據該等神經網路訓練配置來訓練的一神經網路解碼器或編碼器對的程式碼；及<br/> 用於傳輸一訊息的程式碼，該訊息指示或啟用或停用要訓練的神經網路對的一數量以及何者神經網路對要用於一特定的通道狀態資訊（CSI）數量。
一種用於藉由一分散式系統之一應用伺服器提供資料之方法，該方法包括： <br/>在一ZooKeeper伺服器上執行事件監視； <br/>根據該事件監視之一結果自該ZooKeeper伺服器接收與包含於第一資料中之一第一欄位之一改變相關之資訊； <br/>當自一用戶端輸入對於該第一資料之一請求信號時，自一第一儲存器讀取該第一資料；及 <br/>在自該ZooKeeper伺服器接收之該資訊之基礎上改變包含於該經讀取第一資料中之該第一欄位之一值且將具有該第一欄位之該經改變值之該第一資料提供至該用戶端， <br/>其中該將具有該第一欄位之該經改變值之該第一資料提供至該用戶端包括： <br/>當該應用伺服器用於一線上商店時檢查該用戶端之位置資訊，該第一欄位指示一履行中心是否可操作，且該第一欄位之該經改變值係指示該履行中心之關閉之一值；及 <br/>當檢查結果係該用戶端定位於距該履行中心之一預定範圍內時將需要自該履行中心發放之一產品缺貨或必須由一關連運送人裝運之一指示提供至該用戶端。
如請求項1之方法，其中自該ZooKeeper伺服器接收之與該第一欄位之該改變相關之該資訊係儲存於一第二儲存器中之針對該第一欄位之經改變細節之存取路徑資訊。
如請求項2之方法，其中一第一儲存器係一資料庫，且第二儲存器係一網頁儲存器。
如請求項2之方法，其中該第二儲存器及該ZooKeeper伺服器自一更新程式使用者介面(UI)分別接收該第一欄位之該等經改變細節及針對該第一欄位之該等經改變細節之該存取路徑資訊。
如請求項4之方法，其中該更新程式UI： <br/>接收一映射檔案或設定資料之至少一者； <br/>自該映射檔案及該設定資料之該經接收至少一者剖析該第一欄位之該等經改變細節；且 <br/>將該剖析之結果傳輸至該第二儲存器。
如請求項1之方法，其中該應用伺服器具有用以將資料傳輸至該ZooKeeper伺服器且自該ZooKeeper伺服器接收資料之一更新程式軟體開發套組(SDK)。
如請求項1之方法，其進一步包括在將需要自該履行中心發放之一產品缺貨或必須由一關連運送人裝運之一指示提供至該用戶端之後： <br/>由於該ZooKeeper伺服器上之該事件監視而自該ZooKeeper伺服器接收指示該第一欄位之該值已被改變至指示該履行中心之該關閉結束之一值之資訊；及 <br/>將關於需要自該履行中心發放之該產品之庫存數量之資訊提供至該用戶端。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其具有記錄於其上供一電腦執行如請求項1之方法之一程式。
一種用於將資料提供至一分散式系統之電子設備，該電子設備包括： <br/>一記憶體，其經組態以儲存至少一個指令；及 <br/>一處理器，其經組態以執行該至少一個指令以： <br/>在一ZooKeeper伺服器上執行事件監視； <br/>根據該事件監視之一結果自該ZooKeeper伺服器接收與包含於第一資料中之一第一欄位之一改變相關之資訊； <br/>當自一用戶端輸入對於該第一資料之一請求信號時，自一第一儲存器讀取該第一資料；且 <br/>在自該ZooKeeper伺服器接收之該資訊之基礎上改變包含於該經讀取第一資料中之該第一欄位之一值且將具有該第一欄位之該經改變值之該第一資料提供至該用戶端， <br/>其中該處理器經組態以: <br/>當應用伺服器用於一線上商店時檢查該用戶端之位置資訊，該第一欄位指示一履行中心是否可操作，且該第一欄位之該經改變值係指示該履行中心之關閉之一值；及 <br/>當檢查結果係該用戶端定位於距該履行中心之一預定範圍內時將需要自該履行中心發放之一產品缺貨或必須由一關連運送人裝運之一指示提供至該用戶端。
一種用於一人力驅動車輛之操作裝置，其包括： <br/>一基座構件，其在一縱向方向上延伸，該基座構件包含 <br/>一第一端部分，其具有經組態以耦合至一車把之一耦合表面，及<br/>一第二端部分，其在該縱向方向上與該第一端部分相對，該第二端部分包含一鞍橋部分及自該鞍橋部分延伸之一端表面，該端表面在該縱向方向上配置於該耦合表面之一相反側上；<br/>一操作構件，其繞一樞轉軸線在一靜止位置與一經操作位置之間可移動地耦合至該基座構件，該操作構件在一延伸方向上自一近端部分延伸至一遠端部分；及 <br/>一指示器，其經組態以指示與該人力驅動車輛相關之資訊，該指示器設置至該端表面； <br/>其中介於該遠端部分及該鞍橋部分之間之一第一距離大於介於該遠端部分及該指示器之間之一第二距離。
一種用於一人力驅動車輛之操作裝置，其包括： <br/>一基座構件，其在一縱向方向上延伸，該基座構件包含 <br/>一第一端部分，其具有經組態以耦合至一車把之一耦合表面，及<br/>一第二端部分，其在該縱向方向上與該第一端部分相對，該第二端部分包含一鞍橋部分及自該鞍橋部分延伸之一端表面，該端表面在該縱向方向上配置於該耦合表面之一相反側上；<br/>一操作構件，其繞一樞轉軸線在一靜止位置與一經操作位置之間可移動地耦合至該基座構件，該操作構件在一延伸方向上自一近端部分延伸至一遠端部分；及 <br/>一指示器，其經組態以指示與該人力驅動車輛相關之資訊，該指示器設置至該端表面； <br/>其中該指示器經配置以便在沿著該延伸方向自該鞍橋部分觀看時隱藏在視線之外。
如請求項1之操作裝置，其中 <br/>該基座構件包含在該縱向方向上設置於該第一端部分與該第二端部分之間的一抓握部分， <br/>該抓握部分包含可讓使用者的手被安排於其上之一抓握表面，且 <br/>該第二端部分設置於該抓握表面之一相反側上。
如請求項1之操作裝置，其中 <br/>該基座構件包含一基座主體及一封蓋，該封蓋經組態以附接至該基座主體以至少部分地覆蓋該基座主體，且 <br/>該指示器經設置至該端表面以便自該封蓋暴露出。
如請求項1之操作裝置，其中 <br/>該指示器包含設置至該第二端部分之該端表面之一光透射構件。
如請求項5之操作裝置，其中 <br/>該光透射構件由具有透光性之一透明材料製成。
如請求項5之操作裝置，其中 <br/>該指示器包含經組態以發射光之一發光器，且 <br/>該發光器設置於其中自該發光器發射之光穿過該光透射構件到達該操作裝置之一外部空間的一位置中。
如請求項7之操作裝置，其中 <br/>該發光器經組態以發射具有複數個不同色彩之光。
如請求項5之操作裝置，其中 <br/>該端表面由沒有透光性或具有第一透光性之一有色材料製成，且 <br/>該光透射構件由具有比該端表面之該第一透光性高之第二透光性之一透明材料製成。
一種用於一人力驅動車輛之操作裝置，其包括： <br/>一基座構件，其在一縱向方向上延伸，該基座構件包含 <br/>一第一端部分，其具有經組態以耦合至一車把之一耦合表面，及<br/>一第二端部分，其在該縱向方向上與該第一端部分相對，該第二端部分包含一鞍橋部分及自該鞍橋部分延伸之一端表面，該端表面在該縱向方向上配置於該耦合表面之一相反側上；<br/>一操作構件，其繞一樞轉軸線在一靜止位置與一經操作位置之間可移動地耦合至該基座構件，該操作構件在一延伸方向上自一近端部分延伸至一遠端部分；及 <br/>一指示器，其經組態以指示與該人力驅動車輛相關之資訊，該指示器設置至該端表面； <br/>其中該指示器包含設置至該第二端部分之該端表面之一光透射構件；且 <br/>其中該光透射構件嵌入於該端表面中。
如請求項5之操作裝置，其中 <br/>該光透射構件包含設置於該端表面上之一發光表面，且 <br/>當在該縱向方向上觀看時，該發光表面相對於該樞轉軸線沿著一樞轉軸線方向延伸。
如請求項5之操作裝置，其中 <br/>該第二端部分包含一側向表面及在平行於該樞轉軸線之一樞轉軸線方向上設置於該側向表面之一相反側上之一額外側向表面， <br/>該光透射構件包含設置於該端表面上之一發光表面，且 <br/>該發光表面之一中心自該第二端部分之一橫向中心平面朝向該側向表面及該額外側向表面中之一者偏移。
如請求項1之操作裝置，其中 <br/>該端表面包含經組態以在其中該耦合表面耦合至該車把之一安裝狀態中面向下之一傾斜表面，且 <br/>該指示器經設置至該端表面之該傾斜表面。
一種用於一人力驅動車輛之操作裝置，其包括： <br/>一基座構件，其經組態以耦合至一車把； <br/>一操作構件，其可移動地耦合至該基座構件；及 <br/>一指示器，其經組態以指示與該人力驅動車輛相關之資訊， <br/>該指示器包含整體地設置至該基座構件之一光透射構件，該光透射構件由具有透光性之一有色透明材料製成；且 <br/>其中該指示器包含經組態以發射光之一發光器且該光透射構件不同於該發光器。
如請求項14之操作裝置，其中 <br/>該發光器設置於其中自該發光器發射之光穿過該光透射構件到達該操作裝置之一外部空間的一位置中。
如請求項14之操作裝置，其中 <br/>該基座構件包含一基座主體及附接至該基座主體以覆蓋該基座主體之一封蓋，且 <br/>該光透射構件經設置至該基座主體以便自該封蓋暴露出。
如請求項16之操作裝置，其中 <br/>該基座主體由沒有透光性或具有第一透光性之一有色材料製成，且 <br/>該光透射構件由具有比該基座主體之該第一透光性高之第二透光性之一透明材料製成。
如請求項14之操作裝置，其中 <br/>該光透射構件係藉由模製形成的。
一種基於纖維素及/或纖維素衍生物之連續纖維，其中，<br/> 該纖維素及/或該等纖維素衍生物係以脫水形式存在，<br/> 其氧含量為29至39 wt%，<br/> 其氧指數LOI為25至40（根據DIN EN ISO 6941; 2004-05），且<br/> 其密度為1.3至1.45 g/cm<sup>3</sup>（根據DIN 65569-1; 1992-10）。
如請求項1之連續纖維，其中，該纖維素及/或該等纖維素衍生物的脫水率為至少1.0。
如請求項2之連續纖維，其中，該脫水率為至少2.5。
如請求項1之連續纖維，其中，該氧含量為29至32 wt%，該氧指數LOI為28至37以及/或者該密度為1.35至1.45。
如請求項1之連續纖維，其中，該等連續纖維之纖維強度為5至30 cN/tex（根據DIN EN ISO 5079; 1996-02），該等連續纖維之斷裂伸長率為10至25%（根據DIN EN ISO 5079; 1996-02），以及/或者該等連續纖維之細度為0.5至18 dtex（根據DIN EN ISO 1973; 1995-12）。
如請求項1之連續纖維，其中，包含該脫水纖維素之連續纖維係基於再生纖維素纖維，以及，該等包含脫水纖維素衍生物的連續纖維係基於纖維素酯或醚之連續纖維。
一種製造基於纖維素及/或纖維素衍生物之連續纖維的方法，其中，<br/> （1）使基於纖維素及/或纖維素衍生物的連續纖維與溶液發生接觸，該溶液為在該等後續熱條件下釋放用於使纖維素及/或纖維素衍生物脫水之脫水酸的鹽之溶液，其中該鹽以磺酸之銨鹽的形式存在，<br/> （2）將經如此整理的連續纖維加熱至180℃至300℃的溫度，並且將該溫度保持至少5分鐘，其中在該相應之加熱過程中以及在該等加熱步驟之間，在惰性氣氛中，將該等經整理的連續纖維置於5 mbar至500 mbar的真空下，從而透過該所形成的脫水酸而致使該纖維素及/或該纖維素衍生物脫水。
如請求項7之製造基於纖維素及/或纖維素衍生物的連續纖維之方法，其中，在該階段（2）中，將該等根據階段（1）進行整理的連續纖維加熱至第一溫度，並且將該第一溫度保持至少5分鐘的時間，隨後將該等經整理的連續纖維加熱至至少一高於該第一溫度的第二溫度，並且亦將該第二溫度保持至少5分鐘的時間，其中在該相應之加熱過程中以及在該等加熱步驟之間，在惰性氣氛中，將該等經整理的連續纖維置於5 mbar至500 mbar的真空下，從而透過該所形成的脫水酸而致使該纖維素及/或該纖維素衍生物脫水。
如請求項7或8之方法，其中，在該等階段（1）與階段（2）之間進行乾燥。
如請求項7或8之方法，其中，該磺酸鹽具有化學式（Ⅰ）<br/><img align="absmiddle" height="36px" width="63px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中：R<sup>1</sup>為烴基，K<sup>+</sup>為化學式（Ⅱ）<br/><img align="absmiddle" height="45px" width="48px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 中的陽離子，其中R<sup>2</sup>至R<sup>5</sup>彼此獨立地表示H原子或具有1至20個C原子的有機基團，並且該陽離子表示取代或未取代的銨離子。
如請求項10之方法，其中，相對於該等經整理的連續纖維之乾重，該等經整理的連續纖維包含0.1至5 wt%的硫。
如請求項10之方法，其中，該化學式（Ⅰ）之磺酸鹽在水中的溶解度為每100重量份水至少10重量份（在20℃及1 bar的常溫常壓下）。
如請求項8之方法，其中，在該階段（2）中，將在該等經整理的連續纖維逐步從該第一溫度加熱至至少另一溫度，然後加熱至該第二溫度，其中該等時間上相繼實施的加熱步驟之間的溫差為至少5℃，且其中在至少3分鐘的時間內將該等經整理的連續纖維保持在該至少一溫度下。
如請求項8或13之方法，其中，將該階段（2）中的第二溫度設定為比該第一溫度高至少30℃。
如請求項13之方法，其中，在該階段（2）中將該等經整理的連續纖維在該第一溫度、該第二溫度及至少一選擇性的中間溫度下保持至少10分鐘。
一種如請求項1至6中任一項之連續纖維的用途，係用於製造用於耐火工作服、耐火休閒裝的阻燃織物，用作用於技術用途、及用於過濾或隔熱的耐火織物材料以及用作用於建築領域的耐火織物材料。
一種如請求項1至6中任一項之連續纖維用於製造碳纖維的用途，該碳纖維的製造係藉由碳化，且視需要藉由隨後的石墨化來進行。
一種由如請求項1至6中任一項之連續纖維製成的碳纖維，<br/> 其密度為1.55至1.75 g/cm<sup>3</sup>（根據DIN 65569-1; 1992-10），<br/> 其纖維強度為2.0至5 GPa（根據DIN EN ISO 5079; 1996-02），<br/> 其斷裂伸長率為2至5%（根據DIN EN ISO 5079; 1996-02）。
如請求項9之方法，其中，在該等階段（1）與階段（2）之間，透過接觸熱在處於在60℃至140℃之溫度下的經加熱的導絲輥上或者在熱空氣通道中進行乾燥。
如請求項19之方法，其中，在該等階段（1）與階段（2）之間，在處於在60℃至140℃之溫度下的熱空氣通道中進行乾燥。
如請求項9之方法，其中，在該等階段（1）與階段（2）之間進行乾燥，以將饋送至該階段（2）之連續纖維的水分含量調整至約1至4 wt%。
一種<i>N</i>-(1-(3-氟丙基)氮雜環丁烷-3-基)-6-((6S,8R)-8-甲基-7-(2,2,2-三氟乙基)-6,7,8,9-四氫-3H-吡唑并[4,3-f]異喹啉-6-基)吡啶-3-胺 (AZD9833)之用途， <br/><img align="absmiddle" height="60px" width="65px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其係用於製備治療癌症之藥物，其中該藥物係用於每天口服一次投與75 mg劑量之AZD9833，且其中該癌症係ER陽性HER2陰性晚期乳癌。
如請求項1之用途，其中該AZD9833係用於以單個劑量單位或多個劑量單位投與。
如請求項1之用途，其中該AZD9833係用於以單個錠劑投與。
如請求項1至3中任一項之用途，其中該AZD9833係用於與另外的抗癌療法組合投與。
如請求項1至3中任一項之用途，其中該AZD9833係用於與CDK抑制劑組合投與。
如請求項5之用途，其中該CDK抑制劑係選自帕布昔利布(palbociclib)、瑞博西尼(ribociclib)、阿貝西利(abemaciclib)、勒羅西利(lerociclib)或曲拉西利(trilaciclib)。
如請求項1至3中任一項之用途，其中該AZD9833係用於與帕布昔利布組合投與。
如請求項1至3中任一項之用途，其中該AZD9833係用於與mTOR抑制劑組合投與。
如請求項8之用途，其中該mTOR抑制劑係依維莫司(everolimus)。
如請求項1至3中任一項之用途，其中該AZD9833係用於投與給絕經前或絕經後婦女。
如請求項1至3中任一項之用途，其中該AZD9833係用於投與給ER陽性HER2陰性晚期乳癌患者，該患者先前已經用 ≥ 1線內分泌療法和 ≤ 2線先前化學療法治療。
如請求項1至3中任一項之用途，其中該AZD9833係用於投與給其癌症對非甾體芳香化酶抑制劑(non-steroidal aromatase inhibitor)具有抗性之患者。
如請求項1至3中任一項之用途，其中投與該劑量之AZD9833 i) 在癌症患者中達到10 ng/mL至1000 ng/mL的平均峰值血漿濃度；及/或 ii) 在癌症患者中達到8 h至14 h的中位終末期半衰期。
如請求項13之用途，其中投與該劑量之AZD9833在癌症患者中達到12 h的中位終末期半衰期。
如請求項1至3中任一項之用途，其中以AZD9833治療達到至少10%的客觀反應率。
如請求項1至3中任一項之用途，其中以AZD9833治療不會在癌症患者中引起任何嚴重副作用。
一種多孔質膜，其具有多孔質基材及設置於所述多孔質基材之雙面上的塗膜，<br/> 所述塗膜具有：氧化纖維素，其具有伯羥基氧化成羧基之結構；無機填料，<br/> 所述多孔質膜的熱變形為5%以下，<br/> 所述無機填料係氧化鋁，且<br/> 所述氧化纖維素的添加量相對於所述氧化鋁為0.5質量%以上且1.5質量%以下。
如請求項1所述之多孔質膜，其中，所述多孔質基材係含有50質量%以上的聚乙烯的聚烯烴。
如請求項1所述之多孔質膜，其中，所述塗膜包含羧基甲基纖維素。
如請求項3所述之多孔質膜，其中，所述羧基甲基纖維素與所述氧化纖維素之間的比例為1：a，a為0.2以上且0.4以下。
如請求項4所述之多孔質膜，其中，所述塗膜包含樹脂以作為黏結劑。
如請求項5所述之多孔質膜，其中，所述塗膜包含界面活性劑。
如請求項4所述之多孔質膜，其中，所述氧化纖維素的寬度為1000nm以下。
一種多孔質膜的製造方法，具有：<br/> (a) 製備具有伯羥基氧化成羧基之結構的氧化纖維素之步驟；<br/> (b)透過混合所述氧化纖維素、無機填料、溶劑而形成塗液之步驟；<br/> (c)將所述塗液塗覆於多孔質基材之雙面上，以形成塗膜之步驟；<br/> 其中，所述氧化纖維素係以下化合物：<br/> [化5]<br/><img align="absmiddle" height="93px" width="198px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，X<sup>+</sup>為抗衡離子，n係代表平均重複數而為1以上的數，<br/> 所述多孔質膜的熱變形為5%以下，<br/> 所述無機填料係氧化鋁，且<br/> 所述氧化纖維素的添加量為相對於所述氧化鋁為0.5質量%以上且1.5質量%以下。
如請求項8所述之多孔質膜的製造方法，其中，所述多孔質基材係含有50質量%以上的聚乙烯的聚烯烴。
如請求項8所述之多孔質膜的製造方法，其中，所述塗液包含羧基甲基纖維素。
如請求項10所述之多孔質膜的製造方法，其中，所述羧基甲基纖維素與所述氧化纖維素之間的比例為1：a，a為0.2以上且0.4以下。
如請求項11所述之多孔質膜的製造方法，其中，所述塗液包含樹脂以作為黏合劑。
如請求項12所述之多孔質膜的製造方法，其中，所述塗液包含界面活性劑。
如請求項8所述之多孔質膜的製造方法，其中，所述氧化纖維素的寬度為1000nm以下。
一種式(I)化合物或其對映異構物、非對映異構物、互變異構物、外消旋物、水合物、N-氧化物、同位素或氘化衍生物、或其等與醫藥學上可接受之酸或鹼的加成鹽， <br/><img align="absmiddle" height="265px" width="317px" file="ed10648.jpg" alt="ed10648.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中： <br/>R表示氫原子、鹵素原子或烷基， <br/>Z1、Z2、Z3各自獨立地表示碳或氮原子，應理解含有Z1、Z2及Z3之6員環可具有0、1或2個氮原子， <br/>-X1-不存在或表示-O-、-S-或-N(R'a)-，其中R'a表示氫原子或烷基， <br/>-X2-表示視情況經一或多個相同或不同的取代基取代之烷二基，該等取代基係選自鹵素原子、多鹵代烷基、烷氧基、羥基、胺基、烷胺基、二烷胺基及氰基， <br/>應理解，當-X1-表示-O-、-S-或-N(R'a)-時，-N(Ra)之α位置中之碳原子及-X1-之α位置中之碳原子不能經氧或氮雜原子取代， <br/>-X3-表示視情況經一或多個相同或不同的取代基取代之烷二基，該等取代基係選自鹵素原子、多鹵代烷基、烷氧基、羥基、胺基、烷胺基、二烷胺基、氰基、環烷基及雜環烷基， <br/>應理解，當A1表示氮原子時，-O-之α位置中之碳原子及A1之α位置中之碳原子不能經氧或氮雜原子取代， <br/>Ra表示氫原子或烷基， <br/>應理解，當Ra表示烷基時，Ra之一個碳原子可連接至-X2-之碳原子或連接至-X3-之碳原子以形成含有5或6個環成員之環狀部分， <br/>A表示 <br/>式(a)之芳族或部分氫化之環狀基團： <br/><img align="absmiddle" height="130px" width="141px" file="ed10649.jpg" alt="ed10649.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中 <br/>A1、A4各自獨立地表示碳原子或氮原子， <br/>A2、A3、A5各自獨立地表示碳原子、氧原子、硫原子或氮原子， <br/>應理解，A1、A2、A3、A4及A5不能同時表示雜原子， <br/>或式(b)之芳族或部分氫化之環狀基團： <br/><img align="absmiddle" height="140px" width="178px" file="ed10650.jpg" alt="ed10650.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中A'1、A'2、A'3、A'4各自獨立地表示碳原子或氮原子， <br/>應理解，*意謂鍵連接至X3， <br/>如此定義之該芳族或部分氫化之環狀基團A係視情況經一或多個相同或不同的取代基取代，該等取代基係選自以下：鹵素原子、烷基、烷氧基、羥基、側氧基、烷氧基烷基、烷氧基烷氧基、多鹵代烷基、多鹵代烷氧基、雜環烷基、雜環烷基烷基、(烷氧基烷基)(烷基)胺基、胺基、烷胺基、二烷胺基、環烷基、(雜環烷基)(烷基)胺基、二烷胺基烷基、雜環烷基烷氧基、氰基及氰基烷基， <br/>其中如此定義之該雜環烷基及環烷基可視情況經一或多個選自以下之取代基取代：烷基、鹵素原子、多鹵代烷基、多鹵代烷氧基、烷氧基、烷氧基烷基、羥基、氰基及側氧基。
如請求項1之化合物或其對映異構物、非對映異構物、互變異構物、外消旋物、水合物、N-氧化物、同位素或氘化衍生物、或其等之加成鹽，其中R表示氫原子。
如請求項1之化合物或其對映異構物、非對映異構物、互變異構物、外消旋物、水合物、N-氧化物、同位素或氘化衍生物、或其等之加成鹽，其中R表示鹵素原子。
如請求項1之化合物或其對映異構物、非對映異構物、互變異構物、外消旋物、水合物、N-氧化物、同位素或氘化衍生物、或其等之加成鹽，其中Z1、Z2及Z3同時表示碳原子。
如請求項1之化合物或其對映異構物、非對映異構物、互變異構物、外消旋物、水合物、N-氧化物、同位素或氘化衍生物、或其等之加成鹽，其中Z1或Z2中之一者表示氮原子且Z3表示碳原子。
如請求項1之化合物或其對映異構物、非對映異構物、互變異構物、外消旋物、水合物、N-氧化物、同位素或氘化衍生物、或其等之加成鹽，其中-X1-表示-O-。
如請求項1之化合物或其對映異構物、非對映異構物、互變異構物、外消旋物、水合物、N-氧化物、同位素或氘化衍生物、或其等之加成鹽，其中-X2-表示具有2、3、4或5個碳原子之直鏈或分支鏈的烷二基。
如請求項7之化合物或其對映異構物、非對映異構物、互變異構物、外消旋物、水合物、N-氧化物、同位素或氘化衍生物、或其等之加成鹽，其中-X2-表示-(CH<sub>2</sub>)<sub>3</sub>-、-CH(CH<sub>3</sub>)-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-、-CH<sub>2</sub>-CHF-CH<sub>2</sub>-、-CH<sub>2</sub>-CF<sub>2</sub>-CH<sub>2</sub>-或-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-CH(CH<sub>3</sub>)-。
如請求項1之化合物或其對映異構物、非對映異構物、互變異構物、外消旋物、水合物、N-氧化物、同位素或氘化衍生物、或其等之加成鹽，其中Ra為氫原子。
如請求項1之化合物或其對映異構物、非對映異構物、互變異構物、外消旋物、水合物、N-氧化物、同位素或氘化衍生物、或其等之加成鹽，其中-X3-表示具有1、2、3、4或5個碳原子之直鏈或分支鏈的烷二基。
如請求項10之化合物或其對映異構物、非對映異構物、互變異構物、外消旋物、水合物、N-氧化物、同位素或氘化衍生物、或其等之加成鹽，其中-X3-表示-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-、-CH<sub>2</sub>-或-CH(CH<sub>3</sub>)-。
如請求項1之化合物或其對映異構物、非對映異構物、互變異構物、外消旋物、水合物、N-氧化物、同位素或氘化衍生物、或其等之加成鹽，其中A表示式(b)之基團： <br/><img align="absmiddle" height="139px" width="178px" file="ed10651.jpg" alt="ed10651.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中A'1、A'2、A'3、A'4及*如請求項1中所定義。
如請求項12之化合物或其對映異構物、非對映異構物、互變異構物、外消旋物、水合物、N-氧化物、同位素或氘化衍生物、或其等之加成鹽，其中A表示 <br/><img align="absmiddle" height="127px" width="589px" file="ed10652.jpg" alt="ed10652.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>如此定義之A基團未經取代或視情況經取代。
如請求項12之化合物或其對映異構物、非對映異構物、互變異構物、外消旋物、水合物、N-氧化物、同位素或氘化衍生物、或其等之加成鹽，其中A表示苯基。
如請求項12之化合物或其對映異構物、非對映異構物、互變異構物、外消旋物、水合物、N-氧化物、同位素或氘化衍生物、或其等之加成鹽，其中A表示吡啶基。
如請求項12之化合物或其對映異構物、非對映異構物、互變異構物、外消旋物、水合物、N-氧化物、同位素或氘化衍生物、或其等之加成鹽，其中A表示吡𠯤基。
如請求項1之化合物或其對映異構物、非對映異構物、互變異構物、外消旋物、水合物、N-氧化物、同位素或氘化衍生物、或其等之加成鹽，其中A表示式(a)之基團： <br/><img align="absmiddle" height="139px" width="148px" file="ed10653.jpg" alt="ed10653.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中A1、A2、A3、A4、A5及*如請求項1中所定義。
如請求項17之化合物或其對映異構物、非對映異構物、互變異構物、外消旋物、水合物、N-氧化物、同位素或氘化衍生物、或其等之加成鹽，其中A表示 <br/><img align="absmiddle" height="108px" width="588px" file="ed10654.jpg" alt="ed10654.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="103px" width="538px" file="ed10655.jpg" alt="ed10655.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>如此定義之A基團未經取代或視情況經取代。
如請求項17之化合物或其對映異構物、非對映異構物、互變異構物、外消旋物、水合物、N-氧化物、同位素或氘化衍生物、或其等之加成鹽，其中A表示三唑基。
如請求項17之化合物或其對映異構物、非對映異構物、互變異構物、外消旋物、水合物、N-氧化物、同位素或氘化衍生物、或其等之加成鹽，其中A表示吡唑基。
如請求項12之化合物或其對映異構物、非對映異構物、互變異構物、外消旋物、水合物、N-氧化物、同位素或氘化衍生物、或其等之加成鹽，其中A未經取代。
如請求項12之化合物或其對映異構物、非對映異構物、互變異構物、外消旋物、水合物、N-氧化物、同位素或氘化衍生物、或其等之加成鹽，其中A經一或多個選自以下之基團取代：鹵素原子、氰基、氰基烷基、側氧基、烷氧基、烷基、環烷基及雜環烷基。
如請求項1之化合物或其對映異構物、非對映異構物、互變異構物、外消旋物、水合物、N-氧化物、同位素或氘化衍生物、或其等之加成鹽，其中該化合物為具式(I-a)化合物： <br/><img align="absmiddle" height="216px" width="285px" file="ed10656.jpg" alt="ed10656.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中X1、X2、X3、Ra及A如請求項1中所定義。
如請求項23之化合物或其對映異構物、非對映異構物、互變異構物、外消旋物、水合物、N-氧化物、同位素或氘化衍生物、或其等之加成鹽，其中該化合物為具式(I-b)化合物： <br/><img align="absmiddle" height="217px" width="284px" file="ed10657.jpg" alt="ed10657.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中X2、X3、Ra及A如請求項1中所定義。
如請求項23之化合物或其對映異構物、非對映異構物、互變異構物、外消旋物、水合物、N-氧化物、同位素或氘化衍生物、或其等之加成鹽，其中該化合物為具式(I-c)或(I-c')化合物： <br/><img align="absmiddle" height="231px" width="599px" file="ed10658.jpg" alt="ed10658.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中X1、X2、X3、Ra、A'1、A'2及A'4如請求項1中所定義。
如請求項25之化合物或其對映異構物、非對映異構物、互變異構物、外消旋物、水合物、N-氧化物、同位素或氘化衍生物、或其等之加成鹽，其中該化合物為具式(I-d)或(I-d')化合物： <br/><img align="absmiddle" height="224px" width="569px" file="ed10659.jpg" alt="ed10659.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中X2、X3、Ra、A'1、A'2及A'4如針對式(I)所定義。
如請求項23之化合物或其對映異構物、非對映異構物、互變異構物、外消旋物、水合物、N-氧化物、同位素或氘化衍生物、或其等之加成鹽，其中該化合物為具式(I-e)化合物： <br/><img align="absmiddle" height="253px" width="297px" file="ed10660.jpg" alt="ed10660.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中X1、X2、X3、Ra、A1、A2及A5如針對式(I)所定義。
如請求項27之化合物或其對映異構物、非對映異構物、互變異構物、外消旋物、水合物、N-氧化物、同位素或氘化衍生物、或其等之加成鹽，其中該化合物為具式(I-f)化合物： <br/><img align="absmiddle" height="246px" width="296px" file="ed10661.jpg" alt="ed10661.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中X2、X3、Ra、A1、A2及A5如針對式(I)所定義。
如請求項23之化合物或其對映異構物、非對映異構物、互變異構物、外消旋物、水合物、N-氧化物、同位素或氘化衍生物、或其等之加成鹽，其中該-X1-X2-N(Ra)-C(O)O-X3-鏈表示-O-(CH<sub>2</sub>)<sub>3</sub>-NHC(O)O-CH<sub>2</sub>-、-O-CH(CH<sub>3</sub>)-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-NHC(O)O-CH<sub>2</sub>-、-O-CH<sub>2</sub>-CHF-CH<sub>2</sub>-NHC(O)O-CH<sub>2</sub>-、-O-CH<sub>2</sub>-CF<sub>2</sub>-CH<sub>2</sub>-NHC(O)O-CH<sub>2</sub>-、-O-CH(CH<sub>3</sub>)-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-NHC(O)O-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-或-O-CH(CH<sub>3</sub>)-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-NH-C(O)O-CH(CH<sub>3</sub>)-。
如請求項1之化合物或其對映異構物、非對映異構物、互變異構物、外消旋物、水合物、N-氧化物、同位素或氘化衍生物、或其等之加成鹽，其中該化合物為： <br/>8,14‐二氧雜‐4,10,19,20‐四氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>10‐甲基‐8,14‐二氧雜‐4,10,19,20‐四氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4, 6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐氟‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23), 15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>8,14‐二氧雜‐10,19,20,23‐四氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23), 15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>10‐(丙‐2‐基)‐8,14‐二氧雜‐4,10,19,20‐四氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>8,14‐二氧雜‐5,10,19,20‐四氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23), 15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐甲氧基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4, 6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>4-溴-8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23), 15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>5‐氟‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23), 15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>5‐甲基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23), 15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐(吡咯啶‐1‐基)‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20), 2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐[4‐(丙‐2‐基)哌𠯤‐1‐基]‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐{2‐氧雜‐6‐氮雜螺[3.4]辛-6-基}‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐[4‐(氧雜環丁-3‐基)哌𠯤‐1‐基]‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐(𠰌啉‐4‐基)‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20), 2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐[(2R,6S)‐2,6‐二甲基𠰌啉‐4‐基]‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐甲基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23), 15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>5‐甲氧基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4, 6(23),15, 17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐(4,4‐二氟哌啶‐1‐基)‐8,14‐二氧雜‐10,19,20-三氮雜四環[13.5.2. 1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐(3,3‐二氟吡咯啶‐1‐基)‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>7‐甲基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐[4‐(2‐甲氧基乙基)哌啶‐1‐基]‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>9,14‐二氧雜‐11,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐10‐酮； <br/>4‐[(3R)‐3‐羥基吡咯啶‐1‐基]‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐[(2‐甲氧基乙基)(甲基)胺基]‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐氯‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23), 15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐氟‐5‐甲基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2, 4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>4,5‐二氟‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4, 6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>5-溴-8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐(4‐甲基哌𠯤‐1‐基)‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐(3‐甲氧基氮雜環丁烷‐1‐基)‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2, 4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>1‐{9‐側氧基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23), 15,17,21‐七烯‐4‐基}哌啶‐4‐甲腈； <br/>4‐[4‐(吡咯啶‐1‐基)哌啶‐1‐基]‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐(氮雜環丁烷‐1‐基)‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2, 4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐(哌啶‐1‐基)‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2, 4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐(2,5‐二氫呋喃‐3‐基)‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐[4‐(𠰌啉‐4‐基)哌啶‐1‐基]‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐(1‐甲基‐1,2,3,6‐四氫吡啶‐4‐基)‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐[(2S,5S)‐2,5‐二甲基𠰌啉‐4‐基]‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐[(𠰌啉‐4‐基)甲基]‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐[(吡咯啶‐1‐基)甲基]‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐[(吡咯啶‐1‐基)甲基]‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐[(4‐甲基哌𠯤‐1‐基)甲基]‐8,14‐二氧雜‐10,19,20-三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>5‐(𠰌啉‐4‐基)‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐[4‐(2‐甲氧基乙基)哌𠯤‐1‐基]‐8,14‐二氧雜‐10,19,20-三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐(二乙基胺基)‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2, 4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>4-環丙基-8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2, 4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>5‐(4‐甲基哌𠯤‐1‐基)‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>13‐甲基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23), 15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>8,14-二氧雜-4,5,10,19,20-五氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,5</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳-1(20),2(23),3, 15(22),16,18(21)-六烯‐9‐酮； <br/>4‐[甲基(氧雜環丁-3‐基)胺基]‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2. 1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐[(二甲基胺基)甲基]‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>4,10‐二甲基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4, 6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐(丙‐2‐基氧基)‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐氟‐7‐甲基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐[1‐(氧雜環丁-3‐基)‐1,2,3,6‐四氫吡啶‐4‐基]‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐(3‐甲基哌啶‐1‐基)‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐[(3S)‐3‐羥基吡咯啶‐1‐基]‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐氟‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜五環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.1<sup>7,10</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十四碳‐1(20), 2(24),3,5,15(22),16,18(21)‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐(氧雜環戊‐3‐基)‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20), 2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>(13S)-13‐甲基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20), 2(23),3,5,15(22),16,18(21)‐七烯‐9‐酮； <br/>(13R)-13‐甲基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20), 2(23),3,5,15(22),16,18(21)‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐(1‐甲基‐1H‐吡唑‐3‐基)‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23),3,5,15(22),16,18(21)‐七烯‐9‐酮； <br/>(7S)‐7‐甲基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20), 2(23),3,5,15(22),16,18(21)‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐[2‐(𠰌啉‐4‐基)乙氧基]‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2. 1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23),3,5,15(22),16,18(21)‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐(2‐甲氧基乙基)‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20), 2(23), 3,5,15(22),16,18(21)‐七烯‐9‐酮； <br/>(7R)-7-甲基-8,14-二氧雜-10,19,20-三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳-1(20), 2(23),3,5,15(22),16,18(21)-七烯-9-酮； <br/>5-環丙基-8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳-1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐(2‐甲氧基乙氧基)‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐氟‐13‐甲基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20), 2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>11‐甲基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23), 15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐(3‐側氧基𠰌啉‐4‐基)‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23),3,5,15(22),16,18(21)‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐(2‐側氧基吡咯啶‐1‐基)‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23),3,5,15(22),16,18(21)‐七烯‐9‐酮； <br/>5‐(2‐側氧基吡咯啶‐1‐基)‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23),3,5,15(22),16,18(21)‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐(2‐甲基吡咯啶‐1‐基)‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23),3,5,15(22),16,18(21)‐七烯‐9‐酮； <br/>2‐{9‐側氧基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23), 3,5,15(22),16,18(21)‐七烯‐4‐基}乙腈； <br/>(11R)‐11‐甲基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20), 2(23),3,5,15(22),16,18(21)‐七烯‐9‐酮； <br/>(11S)‐11‐甲基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20), 2(23),3,5,15(22),16,18(21)‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐乙炔基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23),3,5,15(22),16,18(21)‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐(哌𠯤‐1‐基)‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20), 2(23),3,5,15(22),16,18(21)‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐(1,2,3,6‐四氫吡啶‐4‐基)‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23),3,5,15(22),16,18(21)‐七烯‐9‐酮； <br/>11‐(甲氧基甲基)‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23),3,5,15(22),16,18(21)‐七烯‐9‐酮； <br/>8,14‐二氧雜‐5,10,19,20,23‐五氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,5</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23),3, 15(22),16,18(21)‐六烯‐9‐酮； <br/>11‐甲基‐8,14‐二氧雜‐4,5,10,19,20‐五氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,5</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20), 2(23),3,15(22),16,18(21)‐六烯‐9‐酮； <br/>12‐甲基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23),3,5, 15(22),16,18(21)‐七烯‐9‐酮； <br/>11‐乙基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23),3,5, 15(22),16,18(21)‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐氟‐5,7‐二甲基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23), 3,5,15(22),16,18(21)‐七烯‐9‐酮； <br/>4‐氟‐5‐甲氧基‐7‐甲基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23),3,5,15(22),16,18(21)‐七烯‐9‐酮； <br/>5‐氟‐4,7‐二甲基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20-三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23),3,5,15(22),16,18(21)‐七烯‐9‐酮； <br/>8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜五環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.1<sup>7,10</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十四碳‐1(20),2(24),3,5, 15(22),16,18(21)‐七烯‐9‐酮； <br/>13‐甲基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20,23‐四氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20), 2(23),3,5,15(22),16,18(21)‐七烯‐9‐酮； <br/>12‐甲基‐8,14‐二氧雜‐4,5,10,19,20‐五氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,5</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20), 2(23),3,15(22),16,18(21)‐六烯‐9‐酮； <br/>7‐甲基‐8,14‐二氧雜‐4,5,10,19,20‐五氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,5</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20), 2(23),3,15(22),16,18(21)‐六烯‐9‐酮； <br/>5‐氟‐4‐甲氧基‐7‐甲基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23),3,5,15(22),16,18(21)‐七烯‐9‐酮； <br/>(7R,13R)‐7,13‐二甲基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23),3,5,15(22),16,18(21)‐七烯‐9‐酮； <br/>(13R)-13-甲基-8,14-二氧雜-4,5,10,19,20-五氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,5</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳-1(20),2(23),3,15,17,21-六烯‐9‐酮； <br/>8,15‐二氧雜‐4,10,20,21‐四氮雜五環[14.5.2.1<sup>2,6</sup>.1<sup>10,13</sup>.0<sup>19,22</sup>]二十五碳‐1(21),2(25), 3,5,16(23),17,19(22)‐七烯‐9‐酮； <br/>8,14-二氧雜-5,10,19,20-四氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,5</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳-1(20),2(23),3,15(22),16,18(21)-六烯‐9‐酮； <br/>(13S)‐4‐氟‐13‐甲基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23),3,5,15(22),16,18(21)‐七烯‐9‐酮； <br/>(13R)‐4‐氟‐13‐甲基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23),3,5,15(22),16,18(21)‐七烯‐9‐酮； <br/>(13R)‐13‐甲基‐8,14‐二氧雜‐4,10,19,20‐四氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23),3,5,15(22),16,18(21)‐七烯‐9‐酮； <br/>6-環丙基-8,14‐二氧雜‐4,5,10,19,20‐五氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,5</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20), 2(23),3,15(22),16,18(21)‐六烯‐9‐酮； <br/>7‐乙基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>(13R)-13‐乙基‐8,14‐二氧雜‐5,10,19,20,23‐五氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23), 15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>(7R,13R)‐4-氟-7,13‐二甲基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>7‐甲基‐8,14‐二氧雜‐4,10,19,20‐四氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4, 6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>(7R)-4-氟-7‐甲基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>(7S)-4-氟-7‐甲基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>6‐甲基‐8,14‐二氧雜‐4,5,10,19,20‐五氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,5</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20), 2(23),3,15,17,21‐六烯‐9‐酮； <br/>7‐甲基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20,23‐四氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4, 6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>6‐(丙‐2‐基)‐8,14‐二氧雜‐4,5,10,19,20‐五氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,5</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23),3,15(22),16,18(21)‐六烯‐9‐酮； <br/>(13R)‐7,13‐二甲基‐8,14‐二氧雜‐4,5,10,19,20‐五氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,5</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23),3,15(22),16,18(21)‐六烯‐9‐酮； <br/>(13R)‐13‐甲基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20,23‐四氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>(7R)-7‐乙基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4, 6(23),15, 17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>(7S)-7‐乙基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4, 6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>(13R)‐13‐甲基‐8,14‐二氧雜‐5,10,19,20‐四氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>6‐(㗁烷‐4‐基)‐8,14‐二氧雜‐4,5,10,19,20‐五氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,5</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23),3,15,17,21‐六烯‐9‐酮； <br/>4‐乙基‐8,14‐二氧雜‐5,10,19,20,23‐五氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,5</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20), 2(23),15,17,21‐五烯‐9‐酮； <br/>(13R)‐23‐氟‐13‐甲基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>9,14‐二氧雜‐4,5,11,19,20‐五氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,5</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23), 3,15,17,21‐六烯‐10‐酮； <br/>4‐乙基‐8,14‐二氧雜‐5,10,19,20,23‐五氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,5</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20), 2(23),3,15,17,21‐六烯‐9‐酮； <br/>3,9,15‐三氧雜‐4,11,20,21‐四氮雜四環[14.5.2.1<sup>2,5</sup>.0<sup>19,22</sup>]二十四碳‐1(21),2(24), 4,16,18,22‐六烯‐10‐酮； <br/>(13R)‐16‐氟‐13‐甲基‐8,14‐二氧雜‐4,10,19,20‐四氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>(13R)‐4‐氯‐13‐甲基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20,23‐四氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23),3,5,15(22),16,18(21)‐七烯‐9‐酮； <br/>8,14‐二氧雜‐2,4,10,19,20‐五氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,5</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),3,5(23), 15(22),16,18(21)‐六烯‐9‐酮； <br/>(13R)‐4‐甲氧基‐13‐甲基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20,23‐四氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>(13R)‐13‐甲基‐9‐側氧基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐5‐甲腈； <br/>(13R)‐13‐甲基‐4‐(吡咯啶‐1‐基)‐8,14‐二氧雜‐5,10,19,20,23-五氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>(7S,13R)‐7,13‐二甲基‐8,14‐二氧雜‐5,10,19,20,23‐五氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>(7R,13R)‐7,13‐二甲基‐8,14‐二氧雜‐5,10,19,20,23‐五氮雜四環[13.5.2. 1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>(13R)‐16‐氟‐13‐甲基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>(13R)‐13‐甲基‐8,14‐二氧雜‐4,10,19,20,23‐五氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>8,14‐二氧雜‐4‐硫雜‐10,19,20,23‐四氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,5</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,5(23), 15,17,21‐六烯‐9‐酮； <br/>8,14‐二氧雜‐3‐硫雜‐10,19,20,23‐四氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,5</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23),4,15,17,21‐六烯‐9‐酮； <br/>(7R,13R)‐7,13‐二甲基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20,23‐四氮雜四環[13.5.2. 1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>(13R)‐4‐[(3R)‐3‐甲氧基吡咯啶‐1‐基]‐13‐甲基‐8,14‐二氧雜‐5,10,19,20,23-五氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>(13R)‐16‐氯‐13‐甲基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2, 4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>(13R)‐13,16‐二甲基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4, 6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>(13R)‐13‐甲基‐8,14‐二氧雜‐3,10,19,20,23‐五氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>8‐氧雜‐10,14,19,20‐四氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23),3,5, 15(22),16,18(21)‐七烯‐9‐酮鹽酸鹽； <br/>8‐氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23),3,5,15(22),16, 18(21)‐七烯‐9‐酮； <br/>(13R)‐5‐甲氧基‐13‐甲基‐8,14‐二氧雜‐4,10,19,20-四氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>(13R)‐13‐甲基‐8,14‐二氧雜‐4,10,19,20‐四氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2, 6(23),15,17,21‐六烯‐5,9‐二酮； <br/>4‐甲基‐8,14‐二氧雜‐3,4,10,19,20‐五氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,5</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2, 5(23),15(22),16,18(21)‐六烯‐9‐酮； <br/>(13R)‐16‐氟‐13‐甲基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20,23‐四氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,6(23),15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>7,13‐二氧雜‐4‐硫雜‐9,18,19,22‐四氮雜四環[12.5.2.1<sup>2,5</sup>.0<sup>17,20</sup>]二十二碳‐1(19),2,5(22),14(21),15,17(20)‐六烯‐8‐酮； <br/>(13R)‐4,13‐二甲基‐8,14‐二氧雜‐5,10,19,20,23‐五氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23),3,5,15(22),16,18(21)‐七烯‐9‐酮； <br/>8,14‐二氧雜‐23‐硫雜‐4,10,19,20‐四氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,5</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,15(22), 16,18(21)‐六烯‐9‐酮； <br/>(7S,13R)‐7,13‐二甲基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20,23‐四氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23),3,5,15(22),16,18(21)‐七烯‐9‐酮； <br/>(13R)‐13‐甲基‐9‐側氧基‐8,14‐二氧雜‐5,10,19,20‐四氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,5</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20), 2(23),3,15(22),16,18(21)‐六烯‐4‐甲腈； <br/>12,12‐二氟‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23), 3,5,15(22),16,18(21)‐七烯‐9‐酮； <br/>(13R)‐17‐氟‐13‐甲基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23),3,5,15(22),16,18(21)‐七烯‐9‐酮； <br/>(7S,13R)‐7,13‐二甲基‐8,14‐二氧雜‐4,10,19,20,23‐五氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23),3,5,15(22),16,18(21)‐七烯‐9‐酮； <br/>(7R,13R)‐7,13‐二甲基‐8,14‐二氧雜‐4,10,19,20,23‐五氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23),3,5,15(22),16,18(21)‐七烯‐9‐酮； <br/>(13S)‐13‐甲基‐8,14‐二氧雜‐4,10,19,20,23‐五氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23),3,5,15(22),16,18(21)‐七烯‐9‐酮； <br/>(13R)‐13‐甲基‐8,14‐二氧雜‐10,19,20,22‐四氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20), 2(23),3,5,15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>(12R)‐4,12‐二甲基‐7,13‐二氧雜‐4,9,18,19,22‐五氮雜四環[12.5.2.1<sup>2,5</sup>.0<sup>17,20</sup>]二十二碳‐1(19),2,5(22),14(21),15,17(20)‐六烯‐8‐酮； <br/>(13R)‐13‐甲基‐8,14‐二氧雜‐4,5,10,19,20,23‐六氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,5</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23),3,15,17,21‐六烯‐9‐酮； <br/>(13R)‐13‐甲基‐8,14‐二氧雜‐23‐硫雜‐4,10,19,20‐四氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,5</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,4,15,17,21‐六烯‐9‐酮； <br/>(13R)‐4,13‐二甲基‐8,14‐二氧雜‐4,10,19,20,23‐五氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,5</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2,5(23),15(22),16,18(21)‐六烯‐9‐酮； <br/>(13R)‐13‐甲基‐8,14‐二氧雜‐10,16,19,20‐四氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23),3,5,15(22),16,18(21)‐七烯‐9‐酮； <br/>14‐甲基‐8‐氧雜‐10,14,19,20‐四氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23),3,5, 15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>(13R)‐13‐甲基‐8,14‐二氧雜‐4,10,19,20,22‐五氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳-1(20),2(23),3,5,15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>(13R)‐13‐甲基‐8,14‐二氧雜‐10,17,19,20‐四氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23),3,5,15(22),16,18(21)‐七烯‐9‐酮； <br/>8,14‐二氧雜‐4,5,10,19,20,23‐六氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,5</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23),3, 15(22),16,18(21)‐六烯‐9‐酮； <br/>12,12‐二氟‐8,14‐二氧雜‐4,5,10,19,20,23‐六氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,5</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23),3,15(22),16,18(21)‐六烯‐9‐酮； <br/>(12R)‐12‐氟‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23), 3,5,15(22),16,18(21)‐七烯‐9‐酮； <br/>(12S)‐12‐氟‐8,14‐二氧雜‐10,19,20‐三氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23), 3,5,15(22),16,18(21)‐七烯‐9‐酮； <br/>12,12‐二氟‐8,14‐二氧雜‐4,10,19,20,23‐五氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23),3,5,15(22),16,18(21)‐七烯‐9‐酮； <br/>(12S)‐12‐氟‐8,14‐二氧雜‐4,10,19,20,23‐五氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23),3,5,15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>(12R)‐12‐氟‐8,14‐二氧雜‐4,10,19,20,23‐五氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23),3,5,15,17,21‐七烯‐9‐酮； <br/>(12S)‐12‐氟‐8,14‐二氧雜‐4,5,10,19,20,23‐六氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,5</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23),3,15,17,21‐六烯‐9‐酮； <br/>(12R)‐12‐氟‐8,14‐二氧雜‐4,5,10,19,20,23‐六氮雜四環[13.5.2.1<sup>2,5</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三碳‐1(20),2(23),3,15,17,21‐六烯‐9‐酮；或 <br/>8',14'‐二氧雜‐10',19',20'‐三氮雜螺[環丙烷‐1,13'‐四環[13.5.2.1<sup>2,6</sup>.0<sup>18,21</sup>]二十三烷]‐1'(20'),2'(23'),3',5',15'(22'),16',18'(21')‐七烯‐9'‐酮。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1至30中任一項之式(I)化合物或其對映異構物、非對映異構物、互變異構物、外消旋物、水合物、N-氧化物、同位素或氘化衍生物、或其等之加成鹽、以及一或多種醫藥學上可接受之賦形劑。
一種如請求項31之醫藥組合物的用途，其用用於製備LRRK2激酶活性之抑制劑。
一種如請求項31之醫藥組合物的用途，其用於製備用於治療神經疾病、胞內體-溶酶體病症、發炎性疾病、細菌、病毒或寄生蟲感染、心血管疾病、自體免疫疾病或癌症之藥劑。
如請求項33之用途，其中該神經疾病係選自帕金森氏症(Parkinson's disease)、阿茲海默氏症(Alzheimer's disease)、肌萎縮性脊髓側索硬化(ALS)、失智症、糖尿病神經病變、年齡相關之記憶功能異常、輕度認知障礙、嗜銀顆粒型失智症、皮克氏病(Pick's disease)、癲癇症、tau蛋白病、突觸核蛋白病、額顳葉型失智症、與染色體17相關之遺傳性額顳葉型失智症及帕金森氏症(FTDP-17)、與藥物成癮相關之戒斷症狀/復發、左旋多巴誘導之運動障礙、缺血性中風、創傷性腦損傷、脊髓損傷及多發性硬化症。
如請求項34之用途，其中該突觸核蛋白病係多發性系統萎縮症。
如請求項34之用途，其中該藥劑用於治療帕金森氏症或阿茲海默氏症。
如請求項33之用途，其中該胞內體-溶酶體病症係選自A型、B型或C型尼曼匹克(Niemann-Pick)症、高雪氏症(Gaucher's disease)、克拉伯氏症(Krabbe's disease)、法布瑞氏症(Fabry's disease)及具有粒線體缺陷之病症。
如請求項33之用途，其中該發炎性疾病係選自血管炎、肺病、特發性肺纖維化、發炎性肌病、僵直性脊椎炎。
如請求項38之用途，其中該肺病係慢性阻塞性肺病。
如請求項33之用途，其中該自體免疫性疾病係選自克羅恩氏病(Crohn's disease)、發炎性腸道疾病、類風濕性關節炎、潰瘍性結腸炎、狼瘡、自體免疫性溶血性貧血、純紅血球再生不良、特發性血小板減少性紫癲、I型糖尿病、肥胖症、伊文氏症候群(Evans syndrome)、大皰性皮膚病、修格蘭氏症候群(Sjogren's syndrome)、德維克氏病(Devic's disease)及痲瘋。
如請求項33之用途，其中該癌症係選自甲狀腺癌、腎癌、乳癌、激素相關之癌症、腺狀及鱗狀肺癌、非小細胞肺癌、結腸癌、前列腺癌、皮膚癌、白血病及淋巴瘤。
如請求項33之用途，其中心血管疾病為中風。
如請求項33之用途，其中細菌或病毒感染係選自痲瘋、肺結核、SARS-CoV、MERS-CoV及SARS-CoV-2、HIV、西尼羅河病毒(West Nile virus)及屈公病毒(chikungunya virus)。
一種如請求項1至30中任一項之式(I)化合物或其對映異構物、非對映異構物、互變異構物、外消旋物、水合物、N-氧化物、同位素或氘化衍生物、或其等之加成鹽的用途，其用於製備用於治療帕金森氏症、阿茲海默氏症、肌萎縮性脊髓側索硬化(ALS)、失智症、糖尿病神經病變、年齡相關之記憶功能異常、輕度認知障礙、嗜銀顆粒型失智症、皮克氏病、癲癇症、tau蛋白病、突觸核蛋白病、額顳葉型失智症、與染色體17相關之遺傳性額顳葉型失智症或帕金森氏症(FTDP-17)、與藥物成癮相關之戒斷症狀/復發、左旋多巴誘導之運動障礙、缺血性中風、創傷性腦損傷、脊髓損傷、多發性硬化症、A型、B型或C型尼曼匹克症、高雪氏症、克拉伯氏症、法布瑞氏症、具有粒線體缺陷之病症、克羅恩氏病、發炎性腸道疾病、類風濕性關節炎、潰瘍性結腸炎、狼瘡、自體免疫性溶血性貧血、純紅血球再生不良、特發性血小板減少性紫癲、I型糖尿病、肥胖症、伊文氏症候群、大皰性皮膚病、修格蘭氏症候群、德維克氏病、痲瘋、甲狀腺癌、腎癌(包括乳頭狀腎細胞癌)、乳癌、激素相關之癌症、腺狀及鱗狀肺癌、非小細胞肺癌、結腸癌、前列腺癌、皮膚癌、白血病(包括急性骨髓性白血病)、淋巴瘤、中風、痲瘋、肺結核、SARS-CoV、MERS-CoV、SARS-CoV-2、HIV、西尼羅河病毒或屈公病毒感染之藥劑。
如請求項34或44之用途，其中該tau蛋白病係選自進行性核上麻痹或皮質基底核退化症。
一種具有式(Ic)之結構之化合物或其醫藥學上可接受之鹽， <br/><img align="absmiddle" height="263px" width="227px" file="ed10177.jpg" alt="ed10177.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(Ic) <br/>其中： <br/>L為 <br/><img align="absmiddle" height="43px" width="189px" file="ed10179.jpg" alt="ed10179.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中， <br/>t為0、1、2、3、4、5、6或7； <br/>q為0、1、2、3、4、5、6或7； <br/>L<sup>1</sup>為直接鍵、-C(O)NH-或-C(O)-；及 <br/>L<sup>2</sup>為-C(O)NH-、-O-或-NH-；或 <br/>L為 <br/><img align="absmiddle" height="70px" width="231px" file="ed10181.jpg" alt="ed10181.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中， <br/>w為1、2或3； <br/>v為1或2； <br/>p為1、2、3、4或5； <br/>Y<sup>1</sup>為直接鍵、-(CH<sub>2</sub>)<sub>p</sub>-或-O-； <br/>Y<sup>2</sup>為直接鍵、-(CH<sub>2</sub>)<sub>p</sub>-、-C(O)-或-C(O)-CH<sub>2</sub>-， <br/>X<sup>3</sup>及X<sup>4</sup>獨立地為N或C(R)，其中R為H或C<sub>1-3</sub>烷基； <br/>L<sup>4</sup>為直接鍵、-NH-、-NHC(O)-，或 <br/>L<sup>4</sup>為<img align="absmiddle" height="30px" width="43px" file="ed10183.jpg" alt="ed10183.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="30px" width="43px" file="ed10185.jpg" alt="ed10185.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="36px" width="76px" file="ed10187.jpg" alt="ed10187.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="43px" file="ed10189.jpg" alt="ed10189.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="27px" width="45px" file="ed10191.jpg" alt="ed10191.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="36px" width="38px" file="ed10193.jpg" alt="ed10193.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="40px" width="43px" file="ed10195.jpg" alt="ed10195.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="46px" width="43px" file="ed10197.jpg" alt="ed10197.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="46px" width="43px" file="ed10199.jpg" alt="ed10199.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="40px" width="43px" file="ed10201.jpg" alt="ed10201.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="40px" width="43px" file="ed10203.jpg" alt="ed10203.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="43px" width="44px" file="ed10205.jpg" alt="ed10205.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="47px" width="73px" file="ed10207.jpg" alt="ed10207.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="37px" width="55px" file="ed10209.jpg" alt="ed10209.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="36px" width="85px" file="ed10211.jpg" alt="ed10211.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="36px" width="85px" file="ed10213.jpg" alt="ed10213.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="27px" width="77px" file="ed10215.jpg" alt="ed10215.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>;且 <br/>其中LHM靶向CRBN且具有式(Id)之結構： <br/><img align="absmiddle" height="100px" width="227px" file="ed10217.jpg" alt="ed10217.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(Id) <br/>其中， <br/>W為-C(R<sup>g</sup>)-或-N-； <br/>Z<sub>1</sub>為-C(O)-、-C(S)-、-C(NR<sup>g</sup>)-、-C(R<sup>g</sup>)<sub>2</sub>-、-C(R<sup>g</sup>)<sub>2</sub>-C(O)-、-C(O)-N(R<sup>g</sup>)-、-CR<sup>g</sup>=CR<sup>g</sup>-、-C(R<sup>g</sup>)=N-、-C(R<sup>g</sup>)<sub>2</sub>-C(S)-或-C(R<sup>g</sup>)<sub>2</sub>-C(R<sup>g</sup>)<sub>2</sub>-； <br/>q為0、1或2； <br/>R<sup>g</sup>為氫或C<sub>1-6</sub>烷基；及 <br/>R<sup>a</sup>為C<sub>1-6</sub>烷基、鹵基、鹵C<sub>1-6</sub>烷基、-N(R<sup>g</sup>)<sub>2</sub>、CN、硝基、-O-C<sub>1-4</sub>烷基或羥基；或 <br/>其中LHM靶向VHL且具有以下結構之一者： <br/><img align="absmiddle" height="86px" width="95px" file="ed10219.jpg" alt="ed10219.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="87px" width="95px" file="ed10221.jpg" alt="ed10221.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="103px" width="95px" file="ed10222.jpg" alt="ed10222.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="103px" width="95px" file="ed10223.jpg" alt="ed10223.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="103px" width="95px" file="ed10224.jpg" alt="ed10224.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="95px" width="95px" file="ed10225.jpg" alt="ed10225.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中L具有以下結構中之一者： <br/><img align="absmiddle" height="253px" width="555px" file="ed10226.jpg" alt="ed10226.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="125px" width="547px" file="ed10227.jpg" alt="ed10227.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="44px" width="342px" file="ed10228.jpg" alt="ed10228.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中L具有以下結構中之一者： <br/><img align="absmiddle" height="781px" width="605px" file="ed10229.jpg" alt="ed10229.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="879px" width="595px" file="ed10230.jpg" alt="ed10230.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="223px" width="580px" file="ed10231.jpg" alt="ed10231.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="136px" width="553px" file="ed10232.jpg" alt="ed10232.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中L為以下結構中之任一者： <br/><img align="absmiddle" height="452px" width="540px" file="ed10233.jpg" alt="ed10233.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="427px" width="550px" file="ed10234.jpg" alt="ed10234.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="63px" width="309px" file="ed10235.jpg" alt="ed10235.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該LHM具有以下結構中之一者： <br/><img align="absmiddle" height="93px" width="381px" file="ed10236.jpg" alt="ed10236.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其選自由以下組成之群： <br/><img align="absmiddle" height="127px" width="138px" file="ed10237.jpg" alt="ed10237.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>,<img align="absmiddle" height="61px" width="193px" file="ed10238.jpg" alt="ed10238.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="123px" width="107px" file="ed10239.jpg" alt="ed10239.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="111px" width="162px" file="ed10240.jpg" alt="ed10240.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="116px" width="171px" file="ed10241.jpg" alt="ed10241.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="147px" width="139px" file="ed10242.jpg" alt="ed10242.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="123px" width="131px" file="ed10243.jpg" alt="ed10243.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>,<img align="absmiddle" height="134px" width="150px" file="ed10244.jpg" alt="ed10244.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="93px" width="217px" file="ed10245.jpg" alt="ed10245.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="120px" width="141px" file="ed10246.jpg" alt="ed10246.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="126px" width="118px" file="ed10247.jpg" alt="ed10247.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="149px" width="176px" file="ed10248.jpg" alt="ed10248.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="127px" width="138px" file="ed10249.jpg" alt="ed10249.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="105px" width="125px" file="ed10250.jpg" alt="ed10250.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="103px" width="152px" file="ed10251.jpg" alt="ed10251.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="120px" width="122px" file="ed10252.jpg" alt="ed10252.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="92px" width="131px" file="ed10253.jpg" alt="ed10253.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="149px" width="131px" file="ed10254.jpg" alt="ed10254.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="154px" width="211px" file="ed10255.jpg" alt="ed10255.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="149px" width="199px" file="ed10256.jpg" alt="ed10256.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="94px" width="236px" file="ed10257.jpg" alt="ed10257.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="98px" width="211px" file="ed10258.jpg" alt="ed10258.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="140px" width="148px" file="ed10259.jpg" alt="ed10259.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="140px" width="148px" file="ed10260.jpg" alt="ed10260.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="122px" width="131px" file="ed10261.jpg" alt="ed10261.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="122px" width="157px" file="ed10262.jpg" alt="ed10262.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="136px" width="148px" file="ed10263.jpg" alt="ed10263.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="103px" width="178px" file="ed10264.jpg" alt="ed10264.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="117px" width="176px" file="ed10265.jpg" alt="ed10265.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="116px" width="200px" file="ed10266.jpg" alt="ed10266.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="116px" width="175px" file="ed10267.jpg" alt="ed10267.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="128px" width="170px" file="ed10268.jpg" alt="ed10268.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="118px" width="180px" file="ed10269.jpg" alt="ed10269.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="119px" width="205px" file="ed10270.jpg" alt="ed10270.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="116px" width="182px" file="ed10271.jpg" alt="ed10271.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="121px" width="226px" file="ed10272.jpg" alt="ed10272.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="94px" width="242px" file="ed10273.jpg" alt="ed10273.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="128px" width="147px" file="ed10274.jpg" alt="ed10274.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="117px" width="232px" file="ed10275.jpg" alt="ed10275.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="105px" width="340px" file="ed10276.jpg" alt="ed10276.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="95px" width="265px" file="ed10277.jpg" alt="ed10277.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="120px" width="189px" file="ed10278.jpg" alt="ed10278.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="90px" width="141px" file="ed10279.jpg" alt="ed10279.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="116px" width="86px" file="ed10280.jpg" alt="ed10280.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="88px" width="119px" file="ed10281.jpg" alt="ed10281.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="84px" width="106px" file="ed10282.jpg" alt="ed10282.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="58px" width="138px" file="ed10283.jpg" alt="ed10283.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="56px" width="136px" file="ed10284.jpg" alt="ed10284.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="72px" width="124px" file="ed10285.jpg" alt="ed10285.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="70px" width="110px" file="ed10286.jpg" alt="ed10286.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="80px" width="97px" file="ed10287.jpg" alt="ed10287.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="84px" width="164px" file="ed10288.jpg" alt="ed10288.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="108px" width="95px" file="ed10289.jpg" alt="ed10289.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="106px" width="89px" file="ed10290.jpg" alt="ed10290.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="178px" width="461px" file="ed10291.jpg" alt="ed10291.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="334px" width="314px" file="ed10292.jpg" alt="ed10292.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="276px" width="385px" file="ed10293.jpg" alt="ed10293.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="207px" width="329px" file="ed10294.jpg" alt="ed10294.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="277px" width="309px" file="ed10295.jpg" alt="ed10295.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="209px" width="392px" file="ed10296.jpg" alt="ed10296.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="278px" width="324px" file="ed10297.jpg" alt="ed10297.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="306px" width="363px" file="ed10298.jpg" alt="ed10298.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="299px" width="260px" file="ed10299.jpg" alt="ed10299.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="354px" width="268px" file="ed10300.jpg" alt="ed10300.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="277px" width="289px" file="ed10301.jpg" alt="ed10301.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="188px" width="426px" file="ed10302.jpg" alt="ed10302.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="330px" width="213px" file="ed10303.jpg" alt="ed10303.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="313px" width="375px" file="ed10304.jpg" alt="ed10304.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="306px" width="362px" file="ed10305.jpg" alt="ed10305.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="192px" width="414px" file="ed10306.jpg" alt="ed10306.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="253px" width="359px" file="ed10307.jpg" alt="ed10307.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="208px" width="368px" file="ed10308.jpg" alt="ed10308.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="271px" width="324px" file="ed10309.jpg" alt="ed10309.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="87px" width="103px" file="ed10310.jpg" alt="ed10310.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="83px" width="97px" file="ed10311.jpg" alt="ed10311.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="113px" width="200px" file="ed10312.jpg" alt="ed10312.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="102px" width="147px" file="ed10313.jpg" alt="ed10313.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="127px" width="191px" file="ed10314.jpg" alt="ed10314.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="115px" width="141px" file="ed10315.jpg" alt="ed10315.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="90px" width="173px" file="ed10316.jpg" alt="ed10316.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="168px" width="143px" file="ed10317.jpg" alt="ed10317.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="128px" width="183px" file="ed10318.jpg" alt="ed10318.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="147px" width="182px" file="ed10319.jpg" alt="ed10319.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="102px" width="180px" file="ed10320.jpg" alt="ed10320.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="62px" width="180px" file="ed10321.jpg" alt="ed10321.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="82px" width="180px" file="ed10322.jpg" alt="ed10322.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="66px" width="190px" file="ed10323.jpg" alt="ed10323.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="86px" width="118px" file="ed10324.jpg" alt="ed10324.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="91px" width="118px" file="ed10325.jpg" alt="ed10325.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="89px" width="118px" file="ed10326.jpg" alt="ed10326.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="86px" width="143px" file="ed10327.jpg" alt="ed10327.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="98px" width="207px" file="ed10328.jpg" alt="ed10328.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="104px" width="239px" file="ed10329.jpg" alt="ed10329.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="125px" width="194px" file="ed10330.jpg" alt="ed10330.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="93px" width="141px" file="ed10331.jpg" alt="ed10331.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="150px" width="106px" file="ed10332.jpg" alt="ed10332.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, and <img align="absmiddle" height="160px" width="110px" file="ed10333.jpg" alt="ed10333.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或其醫藥學上可接受之鹽。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1至6中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，及醫藥學上可接受之賦形劑或載劑。
如請求項7之醫藥組合物，其進一步包含一或多種額外治療劑或其醫藥學上可接受之鹽。
一種如請求項1至6中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽的用途，其用於製造用於治療有需要個體中與造血前驅細胞激酶1 (hematopoietic progenitor kinase 1；HPK1)活性增加相關之疾病或病症的藥劑。
一種如請求項1至6中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽的用途，其用於製造用於增加有需要個體中T細胞活化之藥劑。
一種如請求項1至6中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽的用途，其用於製造用於治療有需要個體中癌症之藥劑。
如請求項11之用途，其中該癌症係選自由以下組成之群：膀胱癌、乳癌、大腸直腸癌、胃癌、頭頸部鱗狀細胞癌、霍奇金淋巴瘤(Hodgkin lymphoma)、麥克爾細胞癌(Merkel-cell carcinoma)、間皮瘤、黑色素瘤、肺癌、卵巢癌、胰臟癌、前列腺癌、腎細胞癌、移行細胞癌(transitional cell carcinoma)及尿道上皮癌。
一種如請求項1至6中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽的用途，其用於製造用於抑制有需要個體中癌細胞的生長或增殖之藥劑。
如請求項13之用途，其中該藥劑係與選自由以下組成之群之一或多種額外治療劑併用：利妥昔單抗(rituximab)、多柔比星(doxorubicin)、吉西他濱(gemcitabine)、納武單抗(nivolumab)、派姆單抗(pembrolizumab)、皮立珠單抗(pidilizumab)、PDR001、TSR-001、阿特珠單抗(atezolizumab)、德瓦魯單抗(durvalumab)、阿維魯單抗(avelumab)、TSR-042、BMS-986016、魯索替尼(ruxolitinib)、N-(氰基甲基)-4-[2-(4-(N-𠰌啉基)苯胺基)嘧啶-4-基]苯甲醯胺、XL147、BKM120、GDC-0941、BAY80-6946、PX-866、CH5132799、XL756、BEZ235及GDC-0980、渥曼青黴素(wortmannin)、LY294002、TGR-1202、AMG-319、GSK2269557、X-339、X-414、RP5090、KAR4141、XL499、OXY111A、IPI-145、IPI-443、GSK2636771、BAY 10824391、布帕利塞(buparlisib)、BYL719、RG7604、MLN1117、WX-037、AEZS-129、PA799、ZSTK474、AS252424、TGX221、TG100115、IC87114、IPI-549、INCB050465、(S)-2-(1-((9H-嘌呤-6-基)胺基)丙基)-5-氟-3-苯基喹唑啉-4(3H)-酮、(S)-2-(1-((9H-嘌呤-6-基)胺基)乙基)-6-氟-3-苯基喹唑啉-4(3H)-酮、(S)-2-(1-((9H-嘌呤-6-基)胺基)乙基)-3-(2,6-二氟苯基)喹唑啉-4(3H)-酮、(S)-4-胺基-6-((1-(5-氯-4-側氧基-3-苯基-3,4-二氫喹唑啉-2-基)乙基)胺基)嘧啶-5-甲腈及伊匹單抗(ipilimumab)或前述物質中任一者的醫藥學上可接受之鹽，或其任何組合。
如請求項13之用途，其中該一或多種額外治療劑係選自由以下組成之群：艾代拉里斯(idelalisib)、替拉替尼(tirabrutinib)、莫羅替尼(momelotinib)及恩妥替尼(entospletinib)或前述任一者的醫藥學上可接受之鹽，或其任何組合。
一種如請求項1至6中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽的用途，其用於製造用於治療或預防有需要個體中B型肝炎病毒(hepatitis B virus；HBV)感染的藥劑。
如請求項16之用途，其中該藥劑係與選自由以下組成之群之一或多種額外治療劑併用：阿丹弗(adefovir)、反丁烯二酸替諾福韋地索普西(tenofovir disoproxil fumarate) + 恩曲他濱(emtricitabine)、反丁烯二酸替諾福韋地索普西、因提弗(entecavir)、拉米夫定(lamivudine)、替諾福韋艾拉酚胺(tenofovir alafenamide)、替諾福韋(tenofovir)、替諾福韋地索普西(tenofovir disoproxil)、反丁烯二酸替諾福韋艾拉酚胺(tenofovir alafenamide fumarate)、半反丁烯二酸替諾福韋艾拉酚胺(tenofovir alafenamide hemifumarate)、替比夫定(telbivudine)、Clevudine®、恩曲他濱、聚乙二醇干擾素α-2b、Multiferon®、干擾素α 1b、干擾素α-2b、聚乙二醇化干擾素α-2a、干擾素α-n1、利巴韋林(ribavirin)、干擾素β-1a、拜氟隆(Bioferon)、因加容(Ingaron)、因木塔(Inmutag) (因氟隆(Inferon))、艾爾吉隆(Algeron)、羅擾素-A (Roferon-A)、寡苷酸、努特徹(Zutectra)、沙氟隆(Shaferon)、干擾素α-2b (Axxo)、阿法菲酮(Alfaferone)、干擾素α-2b、菲隆(Feron)、干擾素-α 2 (CJ)、貝維克(Bevac)、拉氟隆(Laferonum)、維皮格(Vipeg)、布勞氟隆-B (Blauferon-B)、布勞氟隆-A、因特瑪斯α (Intermax Alpha)、瑞爾迪隆(Realdiron)、蘭斯嗪(Lanstion)、匹伽氟隆(Pegaferon)、PD氟隆-B (PDferon-B)、α干擾素2b、卡爾氟隆(Kalferon)、匹格納咯(Pegnano)、氟隆雪(Feronsure)、匹格赫普(PegiHep)、奧替匹格A (Optipeg A)、里阿法2B (Realfa 2B)、瑞力氟隆(Reliferon)、聚乙二醇干擾素α-2b、里阿非隆-EC (Reaferon-EC)、普羅喹氟(Proquiferon)、優尼氟隆(Uniferon)、優瑞福(Urifron)、干擾素α-2b、安特氟隆(Anterferon)、山氟隆(Shanferon)、MOR-22、介白素-2 (IL-2)、重組人類介白素-2 (Shenzhen Neptunus)、雷氟隆(Layfferon)、卡舒寧(Ka Shu Ning)、上生雷泰(Shang Sheng Lei Tai)、因特芬(Intefen)、賽諾金(Sinogen)、福康泰(Fukangtai)、阿洛菲隆(Alloferon)及西莫介白素(celmoleukin)或前述任一者的醫藥學上可接受之鹽，或其任何組合。
如請求項17之用途，其中該一或多種額外治療劑係選自由以下組成之群：因提弗、阿丹弗、反丁烯二酸替諾福韋地索普西、替諾福韋艾拉酚胺、替諾福韋、替諾福韋地索普西、反丁烯二酸替諾福韋艾拉酚胺、半反丁烯二酸替諾福韋艾拉酚胺、替比夫定及拉米夫定或前述任一者的醫藥學上可接受之鹽，或其任何組合。
如請求項17之用途，其中該一或多種額外治療劑係選自由以下組成之群：替諾福韋艾拉酚胺、反丁烯二酸替諾福韋艾拉酚胺及半反丁烯二酸替諾福韋艾拉酚胺或前述任一者的醫藥學上可接受之鹽，或其任何組合。
一種如請求項1至6中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽的用途，其用於製造用於治療或預防有需要個體中人類免疫缺乏病毒(human immunodeficiency virus；HIV)感染的藥劑。
如請求項20之用途，其中該藥劑係與選自由以下組成之群之一或多種額外治療劑併用：4'-乙炔基-2-氟-2'-去氧腺苷、比替拉韋(bictegravir)、硫酸阿巴卡韋(abacavir sulfate)、替諾福韋、替諾福韋地索普西、反丁烯二酸替諾福韋地索普西、半反丁烯二酸替諾福韋地索普西(tenofovir disoproxil hemifumarate)、替諾福韋艾拉酚胺及半反丁烯二酸替諾福韋艾拉酚胺或前述任一者的醫藥學上可接受之鹽，或其任何組合。
如請求項21之用途，其中該一或多種額外治療劑係選自由以下組成之群：4'-乙炔基-2-氟-2'-去氧腺苷、比替拉韋、替諾福韋艾拉酚胺、反丁烯二酸替諾福韋艾拉酚胺或半反丁烯二酸替諾福韋艾拉酚胺或前述任一者的醫藥學上可接受之鹽，或其任何組合。
如請求項21之用途，其中該一或多種額外治療劑係選自由以下組成之群：4′-乙炔基-2-氟-2'-去氧腺苷、比替拉韋或其醫藥學上可接受之鹽、替諾福韋地索普西、半反丁烯二酸替諾福韋地索普西或反丁烯二酸替諾福韋地索普西或前述任一者的醫藥學上可接受之鹽，或其任何組合。
一種靜電夾盤總成，其包括： <br/>一基座層，其包含： <br/>一上基座層表面及一下基座層表面； <br/>一基座層裝置開口，其延伸穿過該基座層且經調適以含納執行該靜電夾盤總成之一操作之一裝置之一部分； <br/>一氣流導管，其在該基座層之一區域上水平延伸，該氣流導管包括與該基座層裝置開口連接之一導管分段（132(c)）；及 <br/>一氣流進口，其通至該基座層中且連接至該氣流導管， <br/>其中該氣流導管進一步包括一圓形導管分段及自該基座之一中心處之一位置向外延伸至該圓形導管分段之多個輻分段，其中該等輻分段連接至該圓形導管分段，及該導管分段連接至該等輻分段之一。
如請求項1之靜電夾盤總成，其中該氣流導管包括圍繞該基座層裝置開口之一周邊延伸之一氣流導管分段。
如請求項1或2之靜電夾盤總成，其中該氣流導管包括該基座層之一上表面處之一通路。
如請求項1或2之靜電夾盤總成，其進一步包括安置於該基座層上方之一陶瓷層，該陶瓷層包括： <br/>一上陶瓷層表面； <br/>一下陶瓷層表面； <br/>多個氣流通氣口，其等延伸於該下陶瓷層表面與該上陶瓷層表面之間，該等氣流通氣口與該氣流導管流體連通；及 <br/>一陶瓷層裝置開口，其延伸穿過該陶瓷層，連接至該基座層裝置開口且經調適以含納該裝置之一部分。
如請求項4之靜電夾盤總成，其進一步包括該上陶瓷層表面上之隆起，該等隆起經調適以將一工件支撐於該上陶瓷層表面上方且形成該工件之一下表面與該上陶瓷層表面之間的一氣流層。
如請求項1或2之靜電夾盤總成，其中該裝置經調適以執行一移動、影響一狀況或執行一量測。
如請求項1或2之靜電夾盤總成，其中： <br/>該基座層包含穿過該基座層之至少兩個基座層裝置開口且各基座層裝置開口含納一可移動探頭，且 <br/>該至少兩個徑向導管分段之各者連接至該等基座層裝置開口之一者。
一種處理一工件之方法，該方法包括： <br/>將一工件支撐在一靜電夾盤總成上，該靜電夾盤總成包括： <br/>一基座層，其包含： <br/>一上基座層表面及一下基座層表面； <br/>一基座層裝置開口，其延伸穿過該基座層且經調適以含納執行該靜電夾盤總成之一操作之一裝置之一部分； <br/>一氣流導管，其在該基座之一區域上水平延伸，該氣流導管包括與該基座層裝置開口連接之一導管分段； <br/>一氣流進口，其通至該基座中且連接至該氣流導管；及 <br/>一陶瓷層，其安置於該基座層上方，該陶瓷層包括： <br/>一上陶瓷層表面； <br/>一下陶瓷層表面；及 <br/>多個氣流通氣口，其等延伸於該下陶瓷層表面與該上陶瓷層表面之間，該等通氣口與該氣流導管流體連通；及 <br/>一陶瓷層裝置開口，其延伸穿過該陶瓷層，連接至該基座層裝置開口且經調適以含納該裝置之一部分， <br/>其中該工件支撐於該上陶瓷層表面上；及 <br/>引起氣體流動至該氣流進口中且通過該氣流導管， <br/>其中該氣流導管進一步包括一圓形導管分段及自該基座之一中心處之一位置向外延伸至該圓形導管分段之多個輻分段，其中該等輻分段連接至該圓形導管分段，及該導管分段連接至該等輻分段之一。
如請求項8之方法，其中該氣流導管包括圍繞該基座層裝置開口之一周邊延伸之一氣流導管分段。
如請求項8或9之方法，其中該靜電夾盤包括一電極且該方法包括產生該工件上之一電荷及該電極上之一相反電荷，以引起該工件被靜電地吸引至該靜電夾盤總成。
如請求項8或9之方法，其進一步包括使該工件之一溫度維持於自攝氏-30度至攝氏100度之一範圍內。
一種晶片上之光學同調接收器，包含：該晶片上之光學放大器，其中，該光學放大器用以接收光學訊號，並基於所接收之該光學訊號，產生放大訊號；該晶片上之本地振盪器(local oscillator，LO)，其中，該LO用以產生LO光學訊號；該晶片上之光學90度混合器(optical 90° hybrid)，其中，該光學90度混合器在該晶片上與該光學放大器及該LO光學耦合，且其中，該光學90度混合器用以接收該放大訊號及該LO光學訊號，並輸出調諧光學訊號(tuned optical signal)；以及該晶片上之矽波導光偵測器(silicon-waveguide photodetector，SiPD)，其中，該SiPD在該晶片上與該光學混合器光學耦合，且其中，該SiPD用以偵測該調諧光學訊號上的資料。
如請求項1之光學同調接收器，其中，該晶片為整合的矽光子晶片。
如請求項1之光學同調接收器，更包含互連，以與該光偵測器電性耦合來接收所偵測之資料。
如請求項1之光學同調接收器，其中，該LO產生器輸出為可調諧的。
如請求項1之光學同調接收器，其中，該光學放大器為矽基光學放大器(silicon-based optical amplifier)。
如請求項1之光學同調接收器，其中，該SiPD以每秒64吉位元(Gb/s)的速度運作。
一種形成整合的矽光子晶片上之光學同調接收器的方法，該方法包含：基於CMOS製程，形成該整合的矽光子晶片的矽基板上之光學放大器，其中，該光學放大器被配置以將光束接收至該光學放大器，以產生放大光束；基於該CMOS製程，形成該整合的矽光子晶片的該矽基板上之本地振盪器(LO)，其中，該LO被配置成產生LO光學訊號；基於該CMOS製程，形成該整合的矽光子晶片的該矽基板上之光學90度混合器，其中，該光學90度混合器被配置以基於該放大光束及該LO光學訊號，產生調諧光學訊號；以及基於該CMOS製程，形成該整合的矽光子晶片的該矽基板上之矽波導光偵測器(SiPD)，其中，該SiPD被配置以偵測該調諧光學訊號上的資料。
如請求項7之方法，更包含藉由與該SiPD耦合之互連，接收所偵測之該資料。
如請求項8之方法，其中，該互連係選自以下其中之一：互連橋、嵌入式多晶粒互連橋(embedded multi-die interconnect bridge，EMIB)、矽中介層、開放式共振腔橋(open cavity bridge)、基板上的有機繞線(organic routing)或基板上的重分佈層(redistribution layer，RDL)。
如請求項7之方法，其中，該光學90度混合器為矽混合器。
如請求項7之方法，其中該光學放大器為矽基光學放大器。
如請求項7之方法，其中，該SiPD以每秒64吉位元(Gb/s)的速度運作。
一種光學通訊系統，包含：晶片上之光學同調接收器，其中，該晶片上之該光學同調接收器包含：該晶片上之光學放大器，其中，該光學放大器被配置以接收光學訊號，並基於所接收之該光學訊號，產生放大訊號；該晶片上之本地振盪器(local oscillator，LO)，其中，該LO被配置以產生LO光學訊號；該晶片上之光學90度混合器(optical 90° hybrid)，其中，該光學90度混合器在該晶片上與該光學放大器及該LO光學耦合，且其中，該光學90度混合器被配置以基於該放大訊號及該LO光學訊號，輸出調諧光學訊號(tuned optical signal)；以及該晶片上之矽波導光偵測器(SiPD)，其中，該SiPD在該晶片上與該光學90度混合器光學耦合，且被配置以偵測該調諧光學訊號上的資料；電子介面，與該SiPD耦合，其中，該電子介面被配置以將所偵測之該資料路由至另一個組件；以及其中，該光學放大器、該LO及該90度混合器為矽基組件。
如請求項13之系統，更包含與該光學放大器光學耦合之一個或多個光纖。
如請求項13之系統，其中，該晶片包含矽基板。
一種雷射設備，包括：複數個發射(Tx)鏈，用以發射雷達Tx訊號；以及複數個接收(Rx)鏈，用以處理雷達Rx訊號，該等雷達Rx訊號係基於該等雷達Tx訊號，其中，該複數個Rx鏈中的一Rx鏈包括多核心低雜訊放大器(LNA)，係配置成基於輸入節點處的輸入射頻(RF)訊號而提供輸出節點處之放大後的RF訊號，該多核心LNA包括並聯地連接在該輸入節點與該輸出節點之間的複數個LNA核心，該複數個LNA核心包括：第一LNA核心，包括連接至該輸入節點的第一LNA核心輸入和連接至該輸出節點的第一LNA核心輸出，該第一LNA核心由第一偏電壓來予以偏壓；以及第二LNA核心，包括連接至該輸入節點的第二LNA核心輸入和連接至該輸出節點的第二LNA核心輸出，該第二LNA核心由與該第一偏電壓不同的第二偏電壓來予以偏壓，其中，該第一偏電壓或該第二偏電壓的至少一者係基於基頻(BB)訊號，該BB訊號係基於該放大後的RF訊號，其中，該第一偏電壓和該第二偏電壓係配置成使得該Rx鏈之包含該多核心LNA、混頻器及BB電路的複數個Rx鏈元件之第n階的總輸出攔截點(OIPn)大於不包含該多核心LNA之該複數個Rx鏈元件的OIPn。
如請求項1之雷達設備，其中，該第一偏電壓和該第二偏電壓係基於該Rx鏈之該BB電路的一或多個互調(IM)產物來予以配置的。
如請求項2之雷達設備，其中，該IM產物包括第三階的IM(IM3)產物。
如請求項1之雷達設備，其包括控制器，該控制器係配置成基於該BB訊號而自適應地校準該第一偏電壓或該第二偏電壓的至少一者。
如請求項4之雷達設備，其中，該控制器係配置成基於包括該多核心LNA、該混頻器及該BB電路之該複數個Rx鏈元件的該總OIPn來校準該第一偏電壓或該第二偏電壓的至少一者。
如請求項1之雷達設備，其包括控制器，該控制器係配置成校準該第一偏電壓或該第二偏電壓的至少一者，以使該複數個Rx鏈元件的該總OIPn達最大。
如請求項1之雷達設備，其中，n為3。
如請求項1之雷達設備，其中，包括該多核心LNA、該混頻器及該BB電路之該複數個Rx鏈元件的該總OIPn大於該多核心LNA的OIPn。
如請求項1之雷達設備，其包括本地振盪器(LO)以產生具有至少30千兆赫茲(GHz)之頻率的LO訊號，其中，該混頻器係配置成基於混頻器輸入訊號和該LO訊號而產生混頻器輸出訊號，其中，該混頻器輸入訊號係基於該放大後的RF訊號，以及該BB訊號係基於該混頻器輸出訊號。
一種雷達裝置，包括：複數個發射(Tx)天線；複數個Tx鏈，用以經由該複數個Tx天線來發射雷達Tx訊號；複數個接收(Rx)天線；以及複數個Rx鏈，用以處理經由該複數個Rx天線所接收到的雷達Rx訊號，該等雷達Rx訊號係基於該等雷達Tx訊號，其中，該複數個Rx鏈中的一Rx鏈包括多核心低雜訊放大器(LNA)，係配置成基於輸入節點處的輸入射頻(RF)訊號而提供輸出節點處之放大後的RF訊號，該多核心LNA包括並聯地連接在該輸入節點與該輸出節點之間的複數個LNA核心，該複數個LNA核心包括：第一LNA核心，包括連接至該輸入節點的第一LNA核心輸入和連接至該輸出節點的第一LNA核心輸出，該第一LNA核心由第一偏電壓來予以偏壓；以及第二LNA核心，包括連接至該輸入節點的第二LNA核心輸入和連接至該輸出節點的第二LNA核心輸出，該第二LNA核心由與該第一偏電壓不同的第二偏電壓來予以偏壓，其中，該第一偏電壓或該第二偏電壓的至少一者係基於基頻(BB)訊號，該BB訊號係基於該放大後的RF訊號，其中，該第一偏電壓和該第二偏電壓係配置成使得該Rx鏈之包含該多核心LNA、混頻器及BB電路的複數個Rx鏈元件之第n階的總輸出攔截點(OIPn)大於不包含該多核心LNA之該複數個Rx鏈元件的OIPn；以及處理器，用以基於由該等Rx鏈所處理的該等雷達Rx訊號而產生雷達資訊。
如請求項10之雷達裝置，其中，該第一偏電壓和該第二偏電壓係基於該Rx鏈之該BB電路的一或多個互調(IM)產物來予以配置的。
如請求項11之雷達裝置，其中，該IM產物包括第三階的IM(IM3)產物。
如請求項10之雷達裝置，其包括控制器，該控制器係配置成基於該BB訊號而自適應地校準該第一偏電壓或該第二偏電壓的至少一者。
如請求項13之雷達裝置，其中，該控制器係配置成基於包括該多核心LNA、該混頻器及該BB電路之該複數個Rx鏈元件的該總OIPn來校準該第一偏電壓或該第二偏電壓的至少一者。
如請求項10之雷達裝置，其包括控制器，該控制器係配置成校準該第一偏電壓或該第二偏電壓的至少一者，以使該複數個Rx鏈元件的該總OIPn達最大。
如請求項10之雷達裝置，其中，n為3。
如請求項10之雷達裝置，其中，包括該多核心LNA、該混頻器及該BB電路之該複數個Rx鏈元件的該總OIPn大於該多核心LNA的OIPn。
如請求項10之雷達裝置，其包括本地振盪器(LO)以產生具有至少30千兆赫茲(GHz)之頻率的LO訊號，其中，該混頻器係配置成基於混頻器輸入訊號和該LO訊號而產生混頻器輸出訊號，其中，該混頻器輸入訊號係基於該放大後的RF訊號，以及該BB訊號係基於該混頻器輸出訊號。
一種車輛，包括：系統控制器，係配置成基於雷達資訊來控制該車輛的一或多個車輛系統；以及雷達裝置，係配置成將該雷達資訊提供給該系統控制器，該雷達裝置包括：複數個發射(Tx)天線；複數個Tx鏈，用以經由該複數個Tx天線來發射雷達Tx訊號；複數個接收(Rx)天線；以及複數個Rx鏈，用以處理經由該複數個Rx天線所接收到的雷達Rx訊號，該等雷達Rx訊號係基於該等雷達Tx訊號，其中，該複數個Rx鏈中的一Rx鏈包括多核心低雜訊放大器(LNA)，係配置成基於輸入節點處的輸入射頻(RF)訊號而提供輸出節點處之放大後的RF訊號，該多核心LNA包括並聯地連接在該輸入節點與該輸出節點之間的複數個LNA核心，該複數個LNA核心包括：第一LNA核心，包括連接至該輸入節點的第一LNA核心輸入和連接至該輸出節點的第一LNA核心輸出，該第一LNA核心由第一偏電壓來予以偏壓；以及第二LNA核心，包括連接至該輸入節點的第二LNA核心輸入和連接至該輸出節點的第二LNA核心輸出，該第二LNA核心由與該第一偏電壓不同的第二偏電壓來予以偏壓，其中，該第一偏電壓或該第二偏電壓的至少一者係基於基頻(BB)訊號，該BB訊號係基於該放大後的RF訊號，其中，該第一偏電壓和該第二偏電壓係配置成使得該Rx鏈之包含該多核心LNA、混頻器及BB電路的複數個Rx鏈元件之第n階的總輸出攔截點(OIPn)大於不包含該多核心LNA之該複數個Rx鏈元件的OIPn；以及處理器，用以基於由該等Rx鏈所處理的該等雷達Rx訊號而產生雷達資訊。
如請求項19之車輛，其中，該第一偏電壓和該第二偏電壓係基於該Rx鏈之該BB電路的一或多個互調(IM)產物來予以配置的。
如請求項19之車輛，其中，該雷達裝置包括控制器，係配置成基於該BB訊號而自適應地校準該第一偏電壓或該第二偏電壓的至少一者。
如請求項21之車輛，其中，該控制器係配置成基於包括該多核心LNA、該混頻器及該BB電路之該複數個Rx鏈元件的該總OIPn來校準該第一偏電壓或該第二偏電壓的至少一者。
如請求項19之車輛，其中，n為3。
如請求項19之車輛，其中，包括該多核心LNA、該混頻器及該BB電路之該複數個Rx鏈元件的該總OIPn大於該多核心LNA的OIPn。
如請求項19之車輛，其包括本地振盪器(LO)以產生具有至少30千兆赫茲(GHz)之頻率的LO訊號，其中，該混頻器係配置成基於混頻器輸入訊號和該LO訊號而產生混頻器輸出訊號，其中，該混頻器輸入訊號係基於該放大後的RF訊號，以及該BB訊號係基於該混頻器輸出訊號。
一種用於磊晶生長一摻雜硼及鎵的矽鍺層之方法，其包含：<br/> 在一反應器室中提供一基材，其中該基材包含一第一表面及一第二表面，其中該第一表面係一單晶表面，其中該第一表面具有氫終端，其中該單晶表面包括一矽表面或一矽鍺表面，其中該第二表面係一介電性表面；及<br/> 將一矽前驅物、一鍺前驅物、一硼前驅物、及一鎵前驅物引入至該反應器室中，藉此在該單晶表面上磊晶生長一摻雜硼及鎵的矽鍺層；<br/> 其中該矽前驅物、該鍺前驅物、該硼前驅物、及該鎵前驅物實質上不含氯；<br/> 其中該反應器室維持在300°C到600°C之溫度；<br/> 其中該反應器室維持在10托到150托之壓力；<br/> 其中該矽前驅物係選自由矽烷、環矽烷、烷基矽烷、及炔基矽烷所組成之列表；<br/> 其中該鍺前驅物係選自由鍺烷、環鍺烷、烷基鍺烷、及炔基鍺烷所組成之列表；<br/> 其中該硼前驅物係選自由硼烷及有機硼氫化物所組成之列表，該等有機硼氫化物具有通式R<sub>x</sub>M(BH<sub>4</sub>)<sub>3-x</sub>，其中R係獨立地選自H、CH<sub>3</sub>、C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>、C<sub>6</sub>H<sub>5</sub>、及NH<sub>2</sub>；M係選自鎵、鋁、及銦的IIIA族金屬；及x係1或2的整數；<br/> 其中該鎵前驅物係選自由Ga(BH<sub>4</sub>)<sub>3</sub>、及GaH<sub>3</sub>所組成之列表；及<br/> 其中該摻雜硼及鎵的矽鍺層係選擇性地且磊晶生長於該第一表面上。
一種用於磊晶生長一摻雜硼及鎵的矽鍺層之方法，其包含：<br/> 在一反應器室中提供一基材，其中該基材包含一第一表面及一第二表面，其中該第一表面係一單晶表面，其中該第一表面具有氫終端，其中該單晶表面包括一矽表面或一矽鍺表面，其中該第二表面係一介電性表面；及<br/> 將一矽前驅物、一鍺前驅物、一硼前驅物、一鎵前驅物引入，藉此在該單晶表面上磊晶生長一摻雜硼及鎵的矽鍺層；<br/> 其中該反應器室維持在300°C到600°C之溫度；<br/> 其中該反應器室維持在10托到150托之壓力；<br/> 其中該矽前驅物係選自由矽烷、環矽烷、烷基矽烷、及炔基矽烷所組成之列表；<br/> 其中該鍺前驅物係選自由鍺烷、環鍺烷、烷基鍺烷、及炔基鍺烷所組成之列表；<br/> 其中該硼前驅物係選自由硼烷及有機硼氫化物所組成之列表，該等有機硼氫化物具有通式R<sub>x</sub>M(BH<sub>4</sub>)<sub>3-x</sub>，其中R係獨立地選自H、CH<sub>3</sub>、C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>、C<sub>6</sub>H<sub>5</sub>、及NH<sub>2</sub>；M係選自鎵、鋁、及銦的IIIA族金屬；及x係1或2的整數；<br/> 其中該鎵前驅物係選自由Ga(BH<sub>4</sub>)<sub>3</sub>、及GaH<sub>3</sub>所組成之列表；及<br/> 其中該摻雜硼及鎵的矽鍺層係選擇性地且磊晶生長於該第一表面上。
如請求項1所述之方法，其中，該矽前驅物、該鍺前驅物、該硼前驅物、及該鎵前驅物實質上不含鹵素。
如請求項1所述之方法，其中，該方法進一步包含將一載體氣體引入至該反應器室中，其中該載體氣體不含氯。
如請求項4所述之方法，其中，該載體氣體不含鹵素。
如請求項4或5所述之方法，其中，該載體氣體係選自由氫、稀有氣體、氮、及其混合物所組成之列表。
如請求項1至5中任一所述之方法，其中，該矽前驅物包含選自由矽烷(SiH<sub>4</sub>)、二矽烷(Si<sub>2</sub>H<sub>6</sub>)、三矽烷(Si<sub>3</sub>H<sub>8</sub>)、四矽烷(Si<sub>4</sub>H<sub>10</sub>)、及五矽烷(Si<sub>5</sub>H<sub>12</sub>)所組成之列表之一化合物。
如請求項1至5中任一所述之方法，其中，該矽前驅物包含甲基矽烷(CH<sub>3</sub>-SiH<sub>3</sub>)。
如請求項1至5中任一所述之方法，其中，該鍺前驅物包含選自由鍺烷(GeH<sub>4</sub>)、二鍺烷(Ge<sub>2</sub>H<sub>6</sub>)、三鍺烷(Ge<sub>3</sub>H<sub>8</sub>)、及鍺基矽烷(H<sub>3</sub>Ge-SiH<sub>3</sub>)所組成之列表之一化合物。
如請求項1至5中任一所述之方法，其中，該硼前驅物包含二硼烷(B<sub>2</sub>H<sub>6</sub>)。
如請求項1所述之方法，其進一步包含以下步驟：<br/> 將一或多個蓋層前驅物引入至該反應器室中，藉此形成上覆於該摻雜硼及鎵的矽鍺層的一磊晶蓋層；及<br/> 將一蝕刻氣體引入至該反應器室中，藉此蝕刻該磊晶蓋層。
如請求項11所述之方法，其中以下步驟：<br/> -將該矽前驅物、該鍺前驅物、該硼前驅物、該鎵前驅物、及該載體氣體引入至該反應器室中；<br/> -將一或多個蓋層前驅物引入至該反應器室中；及<br/> -將一蝕刻氣體引入至該反應器室中；<br/> 係經重複直至該第一表面上之該摻雜硼及鎵的磊晶矽鍺層已達到一預定厚度為止。
如請求項11所述之方法，其中，該一或多個蓋層前驅物包含一矽前驅物及一硼前驅物，且其中該蓋層包含矽及硼。
如請求項11所述之方法，其中該蝕刻氣體包含一鹵素。
如請求項1所述之方法，其中，該第二表面係選自由以下所組成之列表：氧化矽表面、氮化矽表面、碳氧化矽表面、氮氧化矽表面、氧化鉿表面、氧化鋯表面、及氧化鋁表面。
如請求項1所述之方法，其中，該矽前驅物包含SiH<sub>4</sub>，其中該鍺前驅物包含GeH<sub>4</sub>，且其中該硼前驅物包含B<sub>2</sub>H<sub>6</sub>。
如請求項1至5中任一所述之方法，其中，該單晶表面包含一摻雜硼及鎵的矽鍺表面。
一種用於磊晶生長一摻雜硼及鎵的矽鍺層之系統，其包含一或多個反應室、一氣體注入系統、及一控制器，該控制器經組態用於致使該系統執行如請求項1至17中任一項所述之方法。
一種透明導電性膜，其依序具備第1透明導電層、基材、及第2透明導電層， <br/>該第1透明導電層包含金屬奈米線，該金屬奈米線之長度為1 μm～1000 μm，該金屬奈米線之粗細未達500 nm，該金屬奈米線之長徑比為10～100000， <br/>該第2透明導電層包含金屬氧化物， <br/>該第1透明導電層之厚度為10 nm～500 nm， <br/>以上述第1透明導電層為外側，將上述透明導電性膜架設於直徑2 mm之圓桿而使其撓曲時之上述第1透明導電層側之表面電阻值之上升率為20%以下，上述表面電阻值之上升率係藉由[((撓曲後之表面電阻值/撓曲前之表面電阻值)－1)×100]算出。
如請求項1之透明導電性膜，其中構成上述第2透明導電層之金屬氧化物為銦-錫複合氧化物。
如請求項1或2之透明導電性膜，其中上述基材之拉伸斷裂強度為100 MPa以上。
如請求項1或2之透明導電性膜，其中上述基材包含環烯烴系樹脂。
如請求項3之透明導電性膜，其中上述基材包含環烯烴系樹脂。
一種研磨用組成物，其係使用在含有多晶陶瓷之研磨對象物的研磨之研磨用組成物，其特徵為含有研磨粒及水，且前述研磨粒的平均2次粒子徑為5nm以上40nm以下，前述研磨粒為膠體二氧化矽，前述研磨用組成物之pH為1.5以上9.0以下。
如請求項1之研磨用組成物，其中，前述多晶陶瓷為含有鋁之氧化物及含有鋁之氮化物的至少一者。
如請求項1或請求項2之研磨用組成物，其中，前述研磨對象物為前述多晶陶瓷之粉末的燒結體。
如請求項1或請求項2之研磨用組成物，其中，前述研磨粒的含量為1質量%以上30質量%以下。
一種研磨方法，其係使用如請求項1~4中任一項之研磨用組成物，研磨含有多晶陶瓷之研磨對象物。
如請求項5之研磨方法，其係將研磨前之研磨墊的表面粗度Ra定為0.75μm以下。
如請求項5或請求項6之研磨方法，其係將研磨前之研磨墊使用修整器修整，該修整器係含有平均粒徑10μm以下之研磨粒。
一種處理方法，其係對於基板之主面上具有形成有圖案之圖案形成區域與未形成前述圖案之圖案未形成區域的半導體基板之前述主面進行處理的處理方法，所述圖案具有圖案尺寸為30 nm以下的凹凸結構；其包含：表面處理工序，使包含矽化劑的表面處理劑組成物接觸前述半導體基板之前述主面的前述圖案形成區域及前述圖案未形成區域；以及評價工序，判斷於前述表面處理工序後的前述圖案未形成區域之表面上之以下述程序求出之對2-丙醇的IPA接觸角在室溫25度下是否為2°以上且／或以下述程序求出之對純水的水接觸角在室溫25度下是否為50°以上；（程序）在將前述半導體基板靜置於水平台的狀態下，對於形成於前述圖案未形成區域之前述表面處理劑層的表面，在室溫25度下滴下1 μL之2-丙醇或純水的液滴，之後，將在5秒後的靜置接觸角之值分別定為IPA接觸角（°）、水接觸角（°）。
如請求項1所述之處理方法，其中前述圖案尺寸係在前述主面之面內方向上之至少一幅寬方向的尺寸及／或在相對於前述主面為垂直之方向上之至少一高度方向的尺寸。
如請求項1所述之處理方法，其中前述表面處理工序係於前述半導體基板之前述主面之整體形成表面處理劑層者；於前述表面處理劑層之表面上之前述水接觸角在室溫25度下為55°以上。
如請求項1所述之處理方法，其中前述凹凸結構包含選自由Si、Ti、Ge、W以及Ru、包含1種以上之此等的氧化物、氮化物、氮氧化物、碳氮化物及碳氧化物而成之群組之一者或二者以上。
如請求項1所述之處理方法，其中前述表面處理劑組成物包含溶媒。
如請求項5所述之處理方法，其中前述溶媒包含非質子性溶媒。
如請求項6所述之處理方法，其中前述溶媒在前述溶媒100質量%中以100質量%之含量包含前述非質子性溶媒。
如請求項6所述之處理方法，其中前述非質子性溶媒包含選自由烴、酯、醚、酮、含鹵素溶媒、亞碸、碳酸酯溶媒、多元醇的衍生物、含氮溶媒及矽氧溶媒而成之群組之一者或二者以上。
如請求項6所述之處理方法，其中前述溶媒包含碳酸酯溶媒或內酯。
如請求項6所述之處理方法，其中前述溶媒包含碳酸丙烯酯或γ-丁內酯。
如請求項6所述之處理方法，其中前述溶媒包含選自由多元醇的衍生物、烴及醚而成之群組之一者或二者以上。
如請求項1所述之處理方法，其中前述矽化劑包含由下述通式［1］所示之矽化物，R<sup>1</sup><sub>a</sub>Si(H)<sub>b</sub>X<sub>4−a−b</sub> ［1］（上述通式［1］中，R<sup>1</sup>分別彼此獨立為包含一部分或全部之氫亦可取代為氟的碳數1～18之烴基的有機基，X分別彼此獨立為鍵結於Si元素之元素為氮、氧、碳或鹵素的1價之官能基，a為1～3之整數，b為0～2之整數，a與b之總和為1～3）。
如請求項1所述之處理方法，其中前述矽化劑具有三烷基矽基。
如請求項1所述之處理方法，其中前述矽化劑之鍵結於Si元素之元素為氮。
如請求項1所述之處理方法，其中前述矽化劑的含量在前述表面處理劑組成物100質量%中為0.1質量%以上且50質量%以下。
如請求項1所述之處理方法，其中前述表面處理劑組成物包含觸媒。
如請求項16所述之處理方法，其中前述觸媒包含選自由三氟乙酸三甲基矽酯、三氟甲磺酸三甲基矽酯、三氟乙酸二甲基矽酯、三氟甲磺酸二甲基矽酯、三氟乙酸二甲基丁基矽酯、三氟甲磺酸二甲基丁基矽酯、三氟乙酸二甲基己基矽酯、三氟甲磺酸二甲基己基矽酯、三氟乙酸二甲基辛基矽酯、三氟甲磺酸二甲基辛基矽酯、三氟乙酸二甲基癸基矽酯、三氟甲磺酸二甲基癸基矽酯、由下述通式［3］所示之磺酸、該磺酸的酐、該磺酸的鹽、由下述通式［4］所示之磺酸衍生物、由下述通式［5］所示之磺酸酯、由下述通式［6］及［7］所示之磺醯亞胺、由下述通式［8］及［9］所示之磺醯亞胺衍生物、由下述通式［10］所示之磺醯甲基化物（sulfonyl methide）、由下述通式［11］所示之磺醯甲基化物衍生物、酸的醯亞胺化物、含氮化合物、含氮雜環化合物及矽化雜環化合物而成之群組之一者或二者以上，R<sup>8</sup>－S(＝O)<sub>2</sub>OH ［3］［上述通式［3］中，R<sup>8</sup>係選自由一部分或全部之氫亦可取代為氟的碳數1～8之1價之烴基及羥基而成之群組之基］R<sup>8</sup><sup>′</sup>－S(＝O)<sub>2</sub>O－Si(H)<sub>3−r</sub>(R<sup>9</sup>)<sub>r</sub> ［4］［上述通式［4］中，R<sup>8</sup><sup>′</sup>係一部分或全部之氫亦可取代為氟的碳數1～8之1價之烴基，R<sup>9</sup>分別彼此獨立為選自一部分或全部之氫亦可取代為氟的碳數1～18之1價之烴基之至少1者之基，r為1～3的整數］R<sup>10</sup>－S(＝O)<sub>2</sub>OR<sup>11</sup> ［5］［上述通式［5］中，R<sup>10</sup>係選自由一部分或全部之氫亦可取代為氟的碳數1～8之1價之烴基及氟而成之群組之基，R<sup>11</sup>係碳數1～18之1價之烷基］(R<sup>12</sup>－S(＝O)<sub>2</sub>)<sub>2</sub>NH ［6］［上述通式［6］中，R<sup>12</sup>分別彼此獨立為選自由一部分或全部之氫亦可取代為氟的碳數1～8之1價之烴基及氟而成之群組之基］<img align="absmiddle" height="43px" width="171px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>［上述通式［7］中，R<sup>13</sup>係一部分或全部之氫亦可取代為氟的碳數1～8之2價之烴基］((R<sup>14</sup>－S(＝O)<sub>2</sub>)<sub>2</sub>N)<sub>s</sub>Si(H)<sub>t</sub>(R<sup>15</sup>)<sub>4−s−t</sub> ［8］［上述通式［8］中，R<sup>14</sup>分別彼此獨立為選自由一部分或全部之氫亦可取代為氟的碳數1～8之1價之烴基及氟而成之群組之基，R<sup>15</sup>分別彼此獨立為一部分或全部之氫亦可取代為氟的碳數1～18之1價之烴基，s為1～3的整數，t為0～2的整數，s與t的總和為3以下］<img align="absmiddle" height="51px" width="288px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>［上述通式［9］中，R<sup>16</sup>分別彼此獨立為一部分或全部之氫亦可取代為氟的碳數1～8之2價之烴基，R<sup>17</sup>分別彼此獨立為一部分或全部之氫亦可取代為氟的碳數1～18之1價之烴基，u為1～3的整數，v為0～2的整數，u與v的總和為3以下］(R<sup>18</sup>－S(＝O)<sub>2</sub>)<sub>3</sub>CH ［10］［上述通式［10］中，R<sup>18</sup>分別彼此獨立為選自由一部分或全部之氫亦可取代為氟的碳數1～8之1價之烴基及氟而成之群組之基］((R<sup>19</sup>－S(＝O)<sub>2</sub>)<sub>3</sub>C)<sub>w</sub>Si(H)<sub>x</sub>(R<sup>20</sup>)<sub>4−w−x</sub> ［11］［上述通式［11］中，R<sup>19</sup>分別彼此獨立為選自由一部分或全部之氫亦可取代為氟的碳數1～8之1價之烴基及氟而成之群組之基，R<sup>20</sup>分別彼此獨立為一部分或全部之氫亦可取代為氟的碳數1～18之1價之烴基，w為1～3的整數，x為0～2的整數，w與x的總和為3以下］。
如請求項16所述之處理方法，其中前述觸媒的含量在前述表面處理劑組成物100質量%中為0.005質量%以上且20質量%以下。
如請求項1所述之處理方法，其中前述表面處理劑組成物不含水或在前述表面處理劑組成物100質量%中以2質量%以下之含量含有水。
如請求項1所述之處理方法，其在前述表面處理工序中使用旋塗法使前述表面處理劑組成物接觸主面。
如請求項1所述之處理方法，其包含至少一個以上之清洗工序，在前述表面處理工序之前使前述半導體基板之前述主面與水性清洗溶液接觸。
如請求項21所述之處理方法，其中前述水性清洗溶液包含選自由水、醇、氫氧化銨水溶液、四甲基銨水溶液、鹽酸水溶液、過氧化氫水溶液、硫酸水溶液及有機溶媒而成之群組之一者或二者以上。
如請求項21所述之處理方法，其包含第一潤洗工序，在前述清洗工序之後且前述表面處理工序之前使前述半導體基板之前述主面與第一潤洗溶液接觸。
如請求項1所述之處理方法，其包含第二潤洗工序，在前述表面處理工序之後使前述半導體基板之前述主面與第二潤洗溶液接觸。
如請求項1所述之處理方法，其包含乾燥工序，在前述表面處理工序之後使前述半導體基板之前述主面乾燥。
如請求項1所述之處理方法，其包含去除工序，在前述表面處理工序之後將透過前述表面處理工序形成於前述半導體基板之前述主面上之表面處理劑層自前述主面去除。
一種處理方法，其係對於基板之主面上具有形成有圖案之圖案形成區域與形成於前述圖案形成區域之周緣且具有傾斜面之斜角區域的半導體基板之主面進行處理的處理方法，所述圖案具有圖案尺寸為30 nm以下的凹凸結構；其包含：表面處理工序，使用旋轉方式，使包含矽化劑及溶媒的係為液體之表面處理劑組成物接觸前述半導體基板之主面的前述圖案形成區域及前述斜角區域上；以及潤洗工序，在前述表面處理工序之後使前述半導體基板之主面與潤洗溶液接觸，使用旋轉方式甩掉前述潤洗溶液；前述矽化劑包含由下述通式［1］所示之矽化物，R<sup>1</sup><sub>a</sub>Si(H)<sub>b</sub>X<sub>4−a−b</sub> ［1］（上述通式［1］中，R<sup>1</sup>分別彼此獨立為包含一部分或全部之氫亦可取代為氟的碳數1～18之烴基的有機基，X分別彼此獨立為鍵結於Si元素之元素為氮、氧、碳或鹵素的1價之官能基，a為1～3之整數，b為0～2之整數，a與b之總和為1～3）；前述矽化劑的含量在前述表面處理劑組成物100質量%中為0.1質量%以上且50質量%以下；前述表面處理劑組成物之以下述程序求出之IPA後退角在室溫25度下為3°以上且／或以下述程序求出之水後退角在室溫25度下為40°以上；（程序）對表面平滑且由氧化矽所構成之氧化矽基板之表面，使前述表面處理劑組成物接觸來進行表面處理；在靜置於水平台的狀態下對經表面處理的前述氧化矽基板之表面，在室溫25度下滴下3 μL之2-丙醇，之後量測於60秒後的接觸角之值，將此值定為前述IPA後退角（°），在室溫25度下滴下30 μL之純水，之後以6 μL／秒之速度吸引純水，量測液滴大小正在減少中的接觸角之值，將此值定為前述水後退角（°）。
如請求項1所述之處理方法，其中前述圖案尺寸係在前述半導體基板之主面之面內方向上之至少一幅寬方向的尺寸及／或在相對於前述半導體基板之主面為垂直之方向上之至少一高度方向的尺寸。
如請求項1所述之處理方法，其中前述凹凸結構包含選自由Si、Ti、Ge、W以及Ru、包含1種以上之此等的氧化物、氮化物、氮氧化物、碳氮化物及碳氧化物而成之群組之一者或二者以上。
如請求項1所述之處理方法，其中前述表面處理劑組成物包含溶媒。
如請求項4所述之處理方法，其中前述溶媒包含非質子性溶媒。
如請求項5所述之處理方法，其中前述溶媒在前述溶媒100質量%中以100質量%之含量包含前述非質子性溶媒。
如請求項5所述之處理方法，其中前述非質子性溶媒包含選自由烴、酯、醚、酮、含鹵素溶媒、亞碸、碳酸酯溶媒、多元醇的衍生物、含氮溶媒、矽氧溶媒而成之群組之一者或二者以上。
如請求項5所述之處理方法，其中前述溶媒包含碳酸酯溶媒或內酯。
如請求項5所述之處理方法，其中前述溶媒包含碳酸丙烯酯或γ-丁內酯。
如請求項5所述之處理方法，其中前述溶媒包含多元醇的衍生物。
如請求項1所述之處理方法，其中前述矽化劑具有三烷基矽基。
如請求項1所述之處理方法，其中前述矽化劑之鍵結於Si元素之元素為氮。
如請求項1所述之處理方法，其中前述表面處理劑組成物包含觸媒。
如請求項14所述之處理方法，其中前述觸媒包含選自由三氟乙酸三甲基矽酯、三氟甲磺酸三甲基矽酯、三氟乙酸二甲基矽酯、三氟甲磺酸二甲基矽酯、三氟乙酸二甲基丁基矽酯、三氟甲磺酸二甲基丁基矽酯、三氟乙酸二甲基己基矽酯、三氟甲磺酸二甲基己基矽酯、三氟乙酸二甲基辛基矽酯、三氟甲磺酸二甲基辛基矽酯、三氟乙酸二甲基癸基矽酯、三氟甲磺酸二甲基癸基矽酯、由下述通式［3］所示之磺酸、該磺酸的酐、該磺酸的鹽、由下述通式［4］所示之磺酸衍生物、由下述通式［5］所示之磺酸酯、由下述通式［6］及［7］所示之磺醯亞胺、由下述通式［8］及［9］所示之磺醯亞胺衍生物、由下述通式［10］所示之磺醯甲基化物（sulfonyl methide）、由下述通式［11］所示之磺醯甲基化物衍生物、酸的醯亞胺化物、含氮化合物、含氮雜環化合物及矽化雜環化合物而成之群組之一者或二者以上，R<sup>8</sup>－S(＝O)<sub>2</sub>OH ［3］［上述通式［3］中，R<sup>8</sup>係選自由一部分或全部之氫亦可取代為氟的碳數1～8之1價之烴基及羥基而成之群組之基］R<sup>8</sup><sup>′</sup>－S(＝O)<sub>2</sub>O－Si(H)<sub>3−r</sub>(R<sup>9</sup>)<sub>r</sub> ［4］［上述通式［4］中，R<sup>8</sup><sup>′</sup>係一部分或全部之氫亦可取代為氟的碳數1～8之1價之烴基，R<sup>9</sup>分別彼此獨立為選自一部分或全部之氫亦可取代為氟的碳數1～18之1價之烴基之至少1者之基，r為1～3的整數］R<sup>10</sup>－S(＝O)<sub>2</sub>OR<sup>11</sup> ［5］［上述通式［5］中，R<sup>10</sup>係選自由一部分或全部之氫亦可取代為氟的碳數1～8之1價之烴基及氟而成之群組之基，R<sup>11</sup>係碳數1～18之1價之烷基］(R<sup>12</sup>－S(＝O)<sub>2</sub>)<sub>2</sub>NH ［6］［上述通式［6］中，R<sup>12</sup>分別彼此獨立為選自由一部分或全部之氫亦可取代為氟的碳數1～8之1價之烴基及氟而成之群組之基］<img align="absmiddle" height="43px" width="171px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>［上述通式［7］中，R<sup>13</sup>係一部分或全部之氫亦可取代為氟的碳數1～8之2價之烴基］((R<sup>14</sup>－S(＝O)<sub>2</sub>)<sub>2</sub>N)<sub>s</sub>Si(H)<sub>t</sub>(R<sup>15</sup>)<sub>4−s−t</sub> ［8］［上述通式［8］中，R<sup>14</sup>分別彼此獨立為選自由一部分或全部之氫亦可取代為氟的碳數1～8之1價之烴基及氟而成之群組之基，R<sup>15</sup>分別彼此獨立為一部分或全部之氫亦可取代為氟的碳數1～18之1價之烴基，s為1～3的整數，t為0～2的整數，s與t的總和為3以下］<img align="absmiddle" height="51px" width="288px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>［上述通式［9］中，R<sup>16</sup>分別彼此獨立為一部分或全部之氫亦可取代為氟的碳數1～8之2價之烴基，R<sup>17</sup>分別彼此獨立為一部分或全部之氫亦可取代為氟的碳數1～18之1價之烴基，u為1～3的整數，v為0～2的整數，u與v的總和為3以下］(R<sup>18</sup>－S(＝O)<sub>2</sub>)<sub>3</sub>CH ［10］［上述通式［10］中，R<sup>18</sup>分別彼此獨立為選自由一部分或全部之氫亦可取代為氟的碳數1～8之1價之烴基及氟而成之群組之基］((R<sup>19</sup>－S(＝O)<sub>2</sub>)<sub>3</sub>C)<sub>w</sub>Si(H)<sub>x</sub>(R<sup>20</sup>)<sub>4−w−x</sub> ［11］［上述通式［11］中，R<sup>19</sup>分別彼此獨立為選自由一部分或全部之氫亦可取代為氟的碳數1～8之1價之烴基及氟而成之群組之基，R<sup>20</sup>分別彼此獨立為一部分或全部之氫亦可取代為氟的碳數1～18之1價之烴基，w為1～3的整數，x為0～2的整數，w與x的總和為3以下］。
如請求項14所述之處理方法，其中前述觸媒的含量在前述表面處理劑組成物100質量%中為0.005質量%以上且20質量%以下。
如請求項1所述之處理方法，其中前述表面處理劑組成物不含水或在前述表面處理劑組成物100質量%中以2質量%以下之含量含有水。
如請求項1所述之處理方法，其中前述IPA後退角在室溫25度下為5°以上且／或前述水後退角在室溫25度下為50°以上。
如請求項1所述之處理方法，其中以下述程序量測之IPA接觸角在室溫25度下為2°以上且10°以下且／或以下述程序量測之水接觸角在室溫25度下為50°以上；（程序）對表面平滑且由氧化矽所構成的氧化矽基板之表面，使前述表面處理劑組成物接觸來進行表面處理；在靜置於水平台的狀態下對經表面處理的前述氧化矽基板之表面，在室溫25度下滴下1 μL之2-丙醇之液滴，之後量測在5秒後的接觸角之值，將此值定為前述IPA接觸角（°），在室溫25度下滴下1 μL之純水，之後量測在5秒後的接觸角之值，將此值定為前述水接觸角（°）。
如請求項1所述之處理方法，其包含至少一個以上之清洗工序，在前述表面處理工序之前使前述半導體基板之主面與水性清洗溶液接觸。
如請求項20所述之處理方法，其中前述水性清洗溶液包含選自由水、醇、氫氧化銨水溶液、四甲基銨水溶液、鹽酸水溶液、過氧化氫水溶液、硫酸水溶液及有機溶媒而成之群組之一者或二者以上。
如請求項20所述之處理方法，其包含第一潤洗工序，在前述清洗工序之後且前述表面處理工序之前使前述半導體基板之主面與第一潤洗溶液接觸。
如請求項1所述之處理方法，其包含乾燥工序，在前述表面處理工序之後使前述半導體基板之主面乾燥。
如請求項1所述之處理方法，其包含去除工序，在前述表面處理工序之後將透過前述表面處理工序形成於前述半導體基板之主面上之表面處理劑層自主面去除。
一種用於積層製造系統的列印引擎，包含：<br/> 一列印站，被配置用以容納一可拆卸墨水匣，所述可拆卸墨水匣包含一粉末床；<br/> 一雷射引擎，包括一機架用以容納至少一個現場可更換單元，所述至少一個現場可更換單元可拆卸並具有至少一些雷射光學器件或圖案化光學器件，其中一雷射束自所述現場可更換單元被導向至所述可拆卸墨水匣；以及<br/> 一光學校準系統，附接到所述列印站或所述雷射引擎中的至少一個，以將所述至少一個現場可更換單元與所述可拆卸墨水匣進行光學校準。
如請求項1所述之用於積層製造系統的列印引擎，其中所述可拆卸墨水匣包括一可密封腔室，該可密封腔室具有所述粉末床和一雷射透明視窗。
如請求項2所述之用於積層製造系統的列印引擎，其中所述可拆卸墨水匣包括一可密封腔室，和位於該可密封腔室內的一粉末撒佈器，用以將粉末從一粉末料斗分配到所述粉末床上。
如請求項1所述之用於積層製造系統的列印引擎，其中所述機架是主動地機械式減振。
如請求項1所述之用於積層製造系統的列印引擎，其中一雷射在多個所述現場可更換單元之間通過。
如請求項1所述之用於積層製造系統的列印引擎，其中更包含與一設備站之間的連接，該設備站用以向可拆卸的所述至少一個現場可更換單元和所述可拆卸墨水匣提供一種或多種的氣體、流體、電氣、控制和資料庫系統。
如請求項1所述之用於積層製造系統的列印引擎，其中更包含一列印墨水匣運輸器單元。
如請求項1所述之用於積層製造系統的列印引擎，其中更包含一現場可更換單元運輸器單元。
如請求項1所述之用於積層製造系統的列印引擎，其中所述雷射引擎可以將一二維圖案化雷射束引導到所述可拆卸墨水匣中。
如請求項1所述之用於積層製造系統的列印引擎，其中可拆卸的所述現場可更換單元可以在彼此之間引導一雷射束。
一種積層製造列印方法，包含以下步驟：<br/> 將一可拆卸墨水匣置於一列印站，所述可拆卸墨水匣包含一粉末床；<br/> 自包括一機架的一雷射引擎引導一雷射束至所述可拆卸墨水匣，該機架容納可拆卸的至少一個現場可更換單元，所述至少一個現場可更換單元具有至少一些雷射光學器件或圖案化光學器件；以及<br/> 使用附接到所述列印站或所述雷射引擎中至少一個的一光學校準系統，以將所述至少一個現場可更換單元與所述可拆卸墨水匣進行光學校準。
如請求項11所述之積層製造列印方法，其中所述可拆卸墨水匣包括一可密封腔室，該可密封腔室具有所述粉末床和一雷射透明視窗。
如請求項12所述之積層製造列印方法，其中所述可拆卸墨水匣包括一可密封腔室，和位於該可密封腔室內的一粉末撒佈器，用以將粉末從一粉末料斗分配到所述粉末床上。
如請求項11所述之積層製造列印方法，其中所述機架是主動地機械式減振。
如請求項11所述之積層製造列印方法，其中一雷射在多個所述現場可更換單元之間通過。
如請求項11所述之積層製造列印方法，其中更包含與一設備站之間的連接，該設備站用以向可拆卸的所述至少一個現場可更換單元和所述可拆卸墨水匣提供氣體、流體、電氣、控制和資料庫系統。
如請求項11所述之積層製造列印方法，其中更包含一列印墨水匣運輸器單元。
如請求項11所述之積層製造列印方法，其中更包含一現場可更換單元運輸器單元。
如請求項11所述之積層製造列印方法，其中所述雷射引擎可以將一二維圖案化雷射束引導到所述可拆卸墨水匣中。
如請求項11所述之積層製造列印方法，其中可拆卸的所述現場可更換單元可以在彼此之間引導一雷射束。
一種用於積層製造系統的列印引擎，包含：<br/> 一列印站，被配置用以容納一可拆卸墨水匣，所述可拆卸墨水匣包含一可密封腔室，所述可密封腔室設有一粉末床；<br/> 一雷射引擎，包括一機架用以容納可拆卸的多個現場可更換單元，所述每一個現場可更換單元具有至少一些雷射光學器件或圖案化光學器件，以將一雷射束導向至所述列印站中的所述可拆卸墨水匣，其中所述機架提供一氣體、一流體、一電氣及一通訊中的至少一種給所述每一個現場可更換單元；以及<br/> 一光學校準系統，附接於所述列印站或所述雷射引擎中至少一個，用以將所述至少一個現場可更換單元與所述可拆卸墨水匣進行光學校準。
如請求項21所述之用於積層製造系統的列印引擎，其中<br/> 所述雷射束在被引導進入所述可拆卸墨水匣之前經過所述多個現場可更換單元。
一種後鏈輪總成，其係安裝於人力驅動車用之後輪轂總成者，且 <br/>前述後鏈輪總成具備： <br/>第1鏈輪及第2鏈輪； <br/>前述第1鏈輪包含： <br/>第1鏈輪體、在相對於前述後鏈輪總成之旋轉中心軸心之徑向上自前述第1鏈輪體之第1外周朝徑向外方延伸之複數個第1鏈輪齒、至少1個第1升檔促進區域、及至少1個第1降檔促進區域； <br/>前述複數個第1鏈輪齒包含至少1個第1鏈條低干涉齒； <br/>前述第1鏈輪具有與前述複數個第1鏈輪齒相關之第1總計齒數； <br/>前述至少1個第1升檔促進區域構成為促進自行車用鏈條自前述第1鏈輪朝向與前述第1鏈輪鄰接之小鏈輪移動之第1升檔動作，前述小鏈輪在相對於前述旋轉中心軸心之軸向上於前述小鏈輪與前述第1鏈輪之間未介置其他鏈輪而與前述第1鏈輪鄰接； <br/>前述複數個第1鏈輪齒包含構成為於前述第1升檔動作期間最先自前述自行車用鏈條脫離之至少1個第1升檔開始齒，前述至少1個第1升檔開始齒配置於前述至少1個第1升檔促進區域； <br/>前述至少1個第1降檔促進區域構成為促進前述自行車用鏈條自前述小鏈輪朝向前述第1鏈輪移動之第1降檔動作； <br/>前述複數個第1鏈輪齒包含構成為於前述第1降檔動作期間最先卡合於前述自行車用鏈條之至少1個第1降檔開始齒，前述至少1個第1降檔開始齒配置於前述至少1個第1降檔促進區域； <br/>前述第2鏈輪包含： <br/>第2鏈輪體、在前述徑向上自前述第2鏈輪體之第2外周朝徑向外方延伸之複數個第2鏈輪齒、至少1個第2升檔促進區域、及至少1個第2降檔促進區域； <br/>前述第2鏈輪具有與前述複數個第2鏈輪齒相關之第2總計齒數，前述第2總計齒數較前述第1總計齒數多1個； <br/>前述第2鏈輪在前述軸向上於前述第1鏈輪與前述第2鏈輪之間未介置其他鏈輪而與前述第1鏈輪鄰接； <br/>前述至少1個第2升檔促進區域構成為促進前述自行車用鏈條自前述第2鏈輪朝向前述第1鏈輪移動之第2升檔動作； <br/>前述複數個第2鏈輪齒包含構成為於前述第2升檔動作期間最先自前述自行車用鏈條脫離之至少1個第2升檔開始齒，前述至少1個第2升檔開始齒配置於前述至少1個第2升檔促進區域； <br/>前述至少1個第2降檔促進區域構成為促進前述自行車用鏈條自前述第1鏈輪朝向前述第2鏈輪移動之第2降檔動作； <br/>前述複數個第2鏈輪齒包含構成為於前述第2降檔動作期間最先卡合於前述自行車用鏈條之至少1個第2降檔開始齒，前述至少1個第2降檔開始齒配置於前述至少1個第2降檔促進區域； <br/>前述至少1個第1鏈條低干涉齒於自前述軸向觀察時，在相對於前述旋轉中心軸心之周向上，於前述至少1個第2降檔開始齒與前述至少1個第1鏈條低干涉齒之間未介置其他齒，而相對於前述後鏈輪總成之驅動旋轉方向鄰接於前述至少1個第2降檔開始齒之下游側； <br/>前述至少1個第1鏈條低干涉齒具有：第1驅動面、第1非驅動面、及在前述周向上位於前述第1驅動面與前述第1非驅動面之間之第1最外方齒頂； <br/>為了於前述第2降檔動作期間減少與前述自行車用鏈條之干涉，前述第1非驅動面形成為自前述第1最外方齒頂朝徑向內方傾斜； <br/>前述第1鏈輪具有第1節圓半徑； <br/>前述至少1個第1鏈條低干涉齒具有較前述第1節圓半徑為小之第1最大齒頂半徑。
如請求項1之後鏈輪總成，其中前述第1節圓半徑與前述第1最大齒頂半徑之差為0.5 mm以上且1.5 mm以下。
如請求項1之後鏈輪總成，其中前述複數個第2鏈輪齒包含至少1個第2鏈條低干涉齒。
如請求項3之後鏈輪總成，其中前述後鏈輪總成更具備第3鏈輪；且 <br/>前述第3鏈輪包含： <br/>第3鏈輪體、在前述徑向上自前述第3鏈輪體之第3外周朝徑向外方延伸之複數個第3鏈輪齒、至少1個第3升檔促進區域、及至少1個第3降檔促進區域； <br/>前述第3鏈輪具有與前述複數個第3鏈輪齒相關之第3總計齒數，前述第3總計齒數較前述第2總計齒數多1個； <br/>前述第3鏈輪在前述軸向上於前述第2鏈輪與前述第3鏈輪之間未介置其他鏈輪而與前述第2鏈輪鄰接； <br/>前述至少1個第3升檔促進區域構成為促進前述自行車用鏈條自前述第3鏈輪朝向前述第2鏈輪移動之第3升檔動作； <br/>前述複數個第3鏈輪齒包含構成為於前述第3升檔動作期間最先自前述自行車用鏈條脫離之至少1個第3升檔開始齒，前述至少1個第3升檔開始齒配置於前述至少1個第3升檔促進區域； <br/>前述至少1個第3降檔促進區域構成為促進前述自行車用鏈條自前述第2鏈輪朝向前述第3鏈輪移動之第3降檔動作； <br/>前述複數個第3鏈輪齒包含構成為於前述第3降檔動作期間最先卡合於前述自行車用鏈條之至少1個第3降檔開始齒，前述至少1個第3降檔開始齒配置於前述至少1個第3降檔促進區域； <br/>前述至少1個第2鏈條低干涉齒於自前述軸向觀察時，在相對於前述旋轉中心軸心之前述周向上，於前述至少1個第3降檔開始齒與前述至少1個第2鏈條低干涉齒之間未介置其他齒，而相對於前述後鏈輪總成之前述驅動旋轉方向鄰接於前述至少1個第3降檔開始齒之下游側。
如請求項4之後鏈輪總成，其中前述至少1個第2鏈條低干涉齒具有：第2驅動面、第2非驅動面、及在前述周向上位於前述第2驅動面與前述第2非驅動面之間的第2最外方齒頂；且 <br/>為了於前述第3降檔動作期間減少與前述自行車用鏈條之干涉，前述第2非驅動面形成為自前述第2最外方齒頂朝徑向內方傾斜； <br/>前述第2鏈輪具有第2節圓半徑； <br/>前述至少1個第2鏈條低干涉齒具有較前述第2節圓半徑為小之第2最大齒頂半徑。
如請求項4之後鏈輪總成，其中前述複數個第3鏈輪齒包含至少1個第3鏈條低干涉齒。
如請求項6之後鏈輪總成，其中前述後鏈輪總成更具備第4鏈輪；且 <br/>前述第4鏈輪包含： <br/>第4鏈輪體、在前述徑向上自前述第4鏈輪體之第4外周朝徑向外方延伸之複數個第4鏈輪齒、至少1個第4升檔促進區域、及至少1個第4降檔促進區域； <br/>前述第4鏈輪具有與前述複數個第4鏈輪齒相關之第4總計齒數，前述第4總計齒數較前述第3總計齒數多1個； <br/>前述第4鏈輪在前述軸向上於前述第3鏈輪與前述第4鏈輪之間未介置其他鏈輪而與前述第3鏈輪鄰接； <br/>前述至少1個第4升檔促進區域構成為促進前述自行車用鏈條自前述第3鏈輪朝向前述第4鏈輪移動之第4升檔動作； <br/>前述複數個第4鏈輪齒包含構成為於前述第4升檔動作期間最先自前述自行車用鏈條脫離之至少1個第4升檔開始齒，前述至少1個第4升檔開始齒配置於前述至少1個第4升檔促進區域； <br/>前述至少1個第4降檔促進區域構成為促進前述自行車用鏈條自前述第3鏈輪朝向前述第4鏈輪移動之第4降檔動作； <br/>前述複數個第4鏈輪齒包含構成為於前述第4降檔動作期間最先卡合於前述自行車用鏈條之至少1個第4降檔開始齒，前述至少1個第4降檔開始齒配置於前述至少1個第4降檔促進區域； <br/>前述至少1個第3鏈條低干涉齒於自前述軸向觀察時，在相對於前述旋轉中心軸心之前述周向上，於前述至少1個第4降檔開始齒與前述至少1個第3鏈條低干涉齒之間未介置其他齒，而相對於前述後鏈輪總成之前述驅動旋轉方向鄰接於前述至少1個第4降檔開始齒之下游側。
如請求項7之後鏈輪總成，其中前述至少1個第3鏈條低干涉齒具有：第3驅動面、第3非驅動面、及在前述周向上位於前述第3驅動面與前述第3非驅動面之間的第3最外方齒頂；且 <br/>為了於前述第4降檔動作期間減少與前述自行車用鏈條之干涉，前述第3非驅動面形成為自前述第3最外方齒頂朝徑向內方傾斜； <br/>前述第3鏈輪具有第3節圓半徑； <br/>前述至少1個第3鏈條低干涉齒具有較前述第3節圓半徑為小之第3最大齒頂半徑。
如請求項7之後鏈輪總成，其中前述複數個第4鏈輪齒包含至少1個第4鏈條低干涉齒。
如請求項9之後鏈輪總成，其中前述後鏈輪總成更具備第5鏈輪；且 <br/>前述第5鏈輪包含： <br/>第5鏈輪體、在前述徑向上自前述第5鏈輪體之第5外周朝徑向外方延伸之複數個第5鏈輪齒、至少1個第5升檔促進區域、及至少1個第5降檔促進區域； <br/>前述第5鏈輪具有與前述複數個第5鏈輪齒相關之第5總計齒數，前述第5總計齒數較前述第4總計齒數多1個； <br/>前述第5鏈輪在前述軸向上於前述第4鏈輪與前述第5鏈輪之間未介置其他鏈輪而與前述第4鏈輪鄰接； <br/>前述至少1個第5升檔促進區域構成為促進前述自行車用鏈條自前述第5鏈輪朝向前述第4鏈輪移動之第5升檔動作； <br/>前述複數個第5鏈輪齒包含構成為於前述第5升檔動作期間最先自前述自行車用鏈條脫離之至少1個第5升檔開始齒，前述至少1個第5升檔開始齒配置於前述至少1個第5升檔促進區域； <br/>前述至少1個第5降檔促進區域構成為促進前述自行車用鏈條自前述第4鏈輪朝向前述第5鏈輪移動之第5降檔動作； <br/>前述複數個第5鏈輪齒包含構成為於前述第5降檔動作期間最先卡合於前述自行車用鏈條之至少1個第5降檔開始齒，前述至少1個第5降檔開始齒配置於前述至少1個第5降檔促進區域； <br/>前述至少1個第4鏈條低干涉齒於自前述軸向觀察時，在相對於前述旋轉中心軸心之前述周向上，於前述至少1個第5降檔開始齒與前述至少1個第4鏈條低干涉齒之間未介置其他齒，而相對於前述後鏈輪總成之前述驅動旋轉方向鄰接於前述至少1個第5降檔開始齒之下游側。
如請求項10之後鏈輪總成，其中前述至少1個第4鏈條低干涉齒具有：第4驅動面、第4非驅動面、及在前述周向上位於前述第4驅動面與前述第4非驅動面之間之第4最外方齒頂；且 <br/>為了於前述第5降檔動作期間減少與前述自行車用鏈條之干涉，前述第4非驅動面形成為自前述第4最外方齒頂朝徑向內方傾斜； <br/>前述第4鏈輪具有第4節圓半徑； <br/>前述至少1個第4鏈條低干涉齒具有較前述第4節圓半徑為小之第4最大齒頂半徑。
如請求項5之後鏈輪總成，其中前述第2節圓半徑與前述第2最大齒頂半徑之差為0.5 mm以上且1.5 mm以下。
如請求項8之後鏈輪總成，其中前述第3節圓半徑與前述第3最大齒頂半徑之差為0.5 mm以上且1.5 mm以下。
如請求項11之後鏈輪總成，其中前述第4節圓半徑與前述第4最大齒頂半徑之差為0.5 mm以上且1.5 mm以下。
如請求項1之後鏈輪總成，其中前述後鏈輪總成更具備前述小鏈輪；且 <br/>前述小鏈輪包含： <br/>鏈輪體、及在前述徑向上自前述鏈輪體之外周朝徑向外方延伸之複數個鏈輪齒； <br/>前述複數個鏈輪齒包含至少1個鏈條低干涉齒； <br/>前述小鏈輪具有與前述複數個鏈輪齒相關之總計齒數，前述第1總計齒數較前述小鏈輪之前述總計齒數多1個； <br/>前述至少1個鏈條低干涉齒於自前述軸向觀察時，在前述周向上，於前述至少1個第1降檔開始齒與前述至少1個鏈條低干涉齒之間未介置其他齒，而相對於前述後鏈輪總成之前述驅動旋轉方向鄰接於前述至少1個第1降檔開始齒之下游側； <br/>前述至少1個鏈條低干涉齒具有：驅動面、非驅動面、及在前述周向上位於前述驅動面與前述非驅動面之間之最外方齒頂； <br/>為了於前述第1降檔動作期間減少與前述自行車用鏈條之干涉，前述非驅動面形成為自前述最外方齒頂朝徑向內方傾斜； <br/>前述小鏈輪具有節圓半徑； <br/>前述至少1個鏈條低干涉齒具有較前述節圓半徑為小之最大齒頂半徑。
如請求項15之後鏈輪總成，其中前述節圓半徑與前述最大齒頂半徑之差為0.5 mm以上且1.5 mm以下。
如請求項15之後鏈輪總成，其中前述小鏈輪為最小之鏈輪。
如請求項15之後鏈輪總成，其中前述小鏈輪之前述總計齒數為10以下。
一種後鏈輪總成，其係安裝於人力驅動車用之後輪轂總成者，且 <br/>前述後鏈輪總成具備： <br/>小鏈輪及第1鏈輪； <br/>前述小鏈輪包含： <br/>鏈輪體、及在相對於前述後鏈輪總成之旋轉中心軸心之徑向上自前述鏈輪體之外周朝徑向外方延伸之複數個鏈輪齒； <br/>前述複數個鏈輪齒包含至少1個鏈條低干涉齒，前述小鏈輪具有與前述複數個鏈輪齒相關之總計齒數； <br/>前述第1鏈輪包含： <br/>第1鏈輪體、在相對於前述後鏈輪總成之前述旋轉中心軸心之前述徑向上自前述第1鏈輪體之第1外周朝徑向外方延伸之複數個第1鏈輪齒、至少1個第1升檔促進區域、及至少1個第1降檔促進區域； <br/>前述複數個第1鏈輪齒具有第1鏈條低干涉齒，前述第1鏈輪具有與前述複數個第1鏈輪齒相關之第1總計齒數，前述第1總計齒數較前述總計齒數多1個； <br/>前述至少1個第1升檔促進區域構成為促進自行車用鏈條自前述第1鏈輪朝向與前述第1鏈輪鄰接之前述小鏈輪移動之第1升檔動作，前述小鏈輪在相對於前述旋轉中心軸心之軸向上於前述小鏈輪與前述第1鏈輪之間未介置其他鏈輪而與前述第1鏈輪鄰接； <br/>前述複數個第1鏈輪齒包含構成為於前述第1升檔動作期間最先自前述自行車用鏈條脫離之至少1個第1升檔開始齒，前述至少1個第1升檔開始齒配置於前述至少1個第1升檔促進區域； <br/>前述至少1個第1降檔促進區域構成為促進前述自行車用鏈條自前述小鏈輪朝向前述第1鏈輪移動之第1降檔動作； <br/>前述複數個第1鏈輪齒包含構成為於前述第1降檔動作期間最先卡合於前述自行車用鏈條之至少1個第1降檔開始齒，前述至少1個第1降檔開始齒配置於前述至少1個第1降檔促進區域； <br/>前述至少1個鏈條低干涉齒於自前述軸向觀察時，在相對於前述旋轉中心軸心之周向上，於前述至少1個第1降檔開始齒與前述至少1個鏈條低干涉齒之間未介置其他齒，而相對於前述後鏈輪總成之驅動旋轉方向鄰接於前述至少1個第1降檔開始齒之下游側； <br/>前述至少1個鏈條低干涉齒具有：驅動面、非驅動面、及在前述周向上位於前述驅動面與前述非驅動面之間之最外方齒頂； <br/>為了於前述第1降檔動作之期間減少與前述自行車用鏈條之干涉，前述非驅動面形成為自前述最外方齒頂朝徑向內方傾斜； <br/>前述小鏈輪具有節圓半徑； <br/>前述至少1個鏈條低干涉齒具有較前述節圓半徑為小之最大齒頂半徑。
一種由氟聚合物組合物組成之用於基於奈米尺寸磷酸鋰-橄欖石之陰極之黏結劑，其中該組合物包含至少一種熱塑性氟聚合物，該氟聚合物包含至少一種功能單體且由布氏黏度計在室溫下測試，在具有5重量%固體含量之NMP中在10s<sup>-1</sup>下具有介於0.3Pa.s至1Pa.s之間的溶液黏度，其中該熱塑性氟聚合物包含氟化乙烯基單體及至少另一種具有選自羧基、環氧基、羰基或羥基之官能基之共單體。
如請求項1之黏結劑，其中該氟聚合物包含選自包含以下之群之氟化乙烯基單體：偏二氟乙烯(VDF)、四氟乙烯(TFE)、三氟乙烯(TrFE)、氯三氟乙烯(CTFE)、六氟丙烯(HFP)、氟乙烯(VF)、六氟異丁烯(HFIB)、全氟丁基乙烯(PFBE)、五氟丙烯、3,3,3-三氟-1-丙烯、2-三氟甲基-3,3,3-三氟丙烯、2,3,3,3-四氟丙烯、氟化乙烯基醚，包括全氟甲基醚(PMVE)、全氟乙基乙烯基醚(PEVE)、全氟丙基乙烯基醚(PPVE)、全氟丁基乙烯基醚(PBVE)、較長烷基鏈全氟化乙烯基醚、氟化二氧唑、C4及更高之部分或全氟化α烯烴、C3及更高之部分或全氟化環烯烴，及其組合。
如請求項1或2中任一項之黏結劑，其中該氟聚合物係選自聚(偏二氟乙烯)均聚物及偏二氟乙烯及至少一種其他共單體之共聚物，其中該VDF表示至少50莫耳%，該等共單體係選自：氟乙烯、三氟乙烯、氯三氟乙烯(CTFE)、1,2-二氟乙烯、四氟乙烯(TFE)、六氟丙烯(HFP)、全氟(烷基乙烯基)醚，諸如全氟(甲基乙烯基)醚(PMVE)、全氟(乙基乙烯基)醚(PEVE)或全氟(丙基乙烯基)醚(PPVE)、全氟(1,3-二氧唑)、全氟(2,2-二甲基-1,3-二氧唑)(PDD)、式CF<sub>2</sub>=CFOCF<sub>2</sub>CF(CF<sub>3</sub>)OCF<sub>2</sub>CF<sub>2</sub>X之產品，其中X係SO<sub>2</sub>F、CO<sub>2</sub>H、CH<sub>2</sub>OH、CH<sub>2</sub>OCN或CH<sub>2</sub>OPO<sub>3</sub>H，式CF<sub>2</sub>=CFOCF<sub>2</sub>CF<sub>2</sub>SO<sub>2</sub>F之產品、式F(CF<sub>2</sub>)<sub>n</sub>CH<sub>2</sub>OCF=CF<sub>2</sub>之產品，其中n係1、2、3、4或5，式R1CH<sub>2</sub>OCF=CF<sub>2</sub>之產品，其中R1係氫或F(CF<sub>2</sub>)<sub>z</sub>且z具有值1、2、3或4，式R3OCF=CH<sub>2</sub>之產品，其中R3係F(CF<sub>2</sub>)<sub>z</sub>且z具有值1、2、3或4，或亦全氟丁基乙烯(PFBE)、氟化乙烯丙烯(FEP)、3,3,3-三氟丙烯、2-三氟甲基-3,3,3-三氟-1-丙烯、2,3,3,3-四氟丙烯或HFO-1234yf、E-1,3,3,3-四氟丙烯或HFO-1234zeE、Z-1,3,3,3-四氟丙烯或HFO-1234zeZ、1,1,2,3-四氟丙烯或HFO-1234yc、1,2,3,3-四氟丙烯或HFO-1234ye、1,1,3,3-四氟丙烯或HFO-1234zc，及氯四氟丙烯或HCFO-1224。
如請求項1或2中任一項之黏結劑，其中基於該氟聚合物組合物之重量，官能基在該氟聚合物中之分率係至少0.01重量%且小於或等於0.2重量%。
一種Li離子電池正電極材料，其包含至少一種導電添加劑、作為電極活性材料之可與鋰可逆地形成插入化合物之奈米尺寸磷酸鐵鋰，及聚合物黏結劑，其中該黏結劑由如請求項1至4中任一項之氟聚合物組合物組成。
一種Li離子電池正電極材料，其包含至少一種導電添加劑、作為電極活性材料之可與鋰可逆地形成插入化合物之奈米尺寸磷酸鐵錳鋰LiMn<sub>x</sub>Fe<sub>1-x</sub>PO<sub>4</sub>，其中0<x<1，及聚合物黏結劑，其中該黏結劑由如請求項1至4中任一項之氟聚合物組合物組成。
一種Li離子電池正電極材料，其包含至少一種導電添加劑、作為電極活性材料之可與鋰可逆地形成插入化合物之奈米尺寸磷酸鐵鋰及磷酸鐵錳鋰之摻合物，及聚合物黏結劑，其中該黏結劑由如請求項1至4中任一項之氟聚合物組合物組成。
如請求項5至7中任一項之Li離子電池正電極材料，其中該材料具有包含以下之調配物：a)相對於該陰極調配物之總重量，介於0.5至5重量%之範圍內之含量之該至少一種導電添加劑；b)相對於該陰極調配物之總重量，介於90至99重量%之範圍內之含量之作為電極活性材料之該奈米尺寸磷酸鋰-橄欖石；c)相對於該陰極調配物之總重量，介於0.5至5重量%之範圍內之含量之該聚合物黏結劑，所有百分比之總和合計為100%。
如請求項5至7中任一項之Li離子電池正電極材料，其中該導電添加劑係選自碳之不同同素異形體或導電有機聚合物。
一種用於製備如請求項5至9中任一項之電極材料之方法，其包括：i)將以下列舉之成分混合於溶劑或溶劑之混合物中：- 導電添加劑；- 聚合物黏結劑；- 作為電極活性材料之奈米尺寸磷酸鋰-橄欖石，以獲得具有40至60重量%之固體含量之漿體，ii)自(i)中製備之漿體開始製備膜，iii)將該膜塗佈於集電器上並蒸發該溶劑。
如請求項10之方法，其中該溶劑係有機溶劑。
如請求項10之方法，其中該有機溶劑係選自N-甲基吡咯啶酮、環戊酮、二甲基甲醯胺、二甲基亞碸、二甲基乙醯胺，及其組合。
一種Li離子電池，其包含如請求項5至9中任一項之正電極材料。
一種一電子設備之提供物品資訊之方法，該方法包括： <br/>根據一第一輸入查看關於一主要物品之資訊； <br/>識別與該主要物品有關之至少一個額外物品； <br/>查看關於該至少一個額外物品之資訊； <br/>提供一第一頁面，該第一頁面包含含有關於該主要物品之該資訊之一第一區域、含有關於該至少一個額外物品之該資訊之一第二區域及含有與物品購買有關之一第一介面之一第三區域； <br/>基於對應於該第二區域之一第二輸入識別選自該至少一個額外物品之一或多個額外物品； <br/>產生用於識別一套組物品之套組識別資訊，該套組物品包含該主要物品及經選擇之該至少一個額外物品；及 <br/>基於該套組識別資訊提供與該套組物品之一購買有關的資訊， <br/>其中產生該套組識別資訊之步驟包括：當自一使用者接收到修改該套組物品之一指示時，更新該套組識別資訊之一值， <br/>其中修改該套組物品之該指示包含添加至少一個物品至第一物品套組之一第一類型指示及將包含於該第一物品套組之至少一個物品刪除之第二類型指示之至少一者， <br/>其中當該電子設備接收到購買與該套組物品不相同之一不同套組物品之一指示時，該電子設備設定與該組識別資訊不相同之不同套組識別資訊，且 <br/>其中提供該第一頁面之步驟包括： <br/>當該至少一個額外物品之一數目等於或大於一特定數目時，基於一預定準則選擇該至少一個額外物品之一部分，其中該至少一個額外物品之經選擇之該部分之資訊將包含於該第二區域中；及 <br/>當該至少一個額外物品之該數目小於該特定數目時，基於該至少一個額外物品之一銷售量判定用於在該第二區域中顯示該至少一個額外物品之一顯示優先級。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>回應於該選定之一或多個額外物品之該識別而改變顯示於該第一介面上之與該購買有關之資訊。
如請求項1之方法，其中與該套組物品之該購買有關之該資訊包含與該套組物品中之物品之遞送有關之資訊，且針對各物品分開顯示與該等物品之該遞送有關之該資訊。
如請求項1之方法，其中與該套組物品之該購買有關之該資訊係顯示於在該第一頁面上顯示之一第四區域中，且 <br/>該第四區域包含用於該套組物品之支付之一第二介面及用於將該套組物品添加至一購物車清單之一第三介面。
如請求項1之方法，其中關於該至少一個額外物品之該資訊之該查看包括： <br/>查看與該主要物品有關之促銷識別資訊；及 <br/>識別具有對應於該促銷識別資訊之促銷識別資訊之該至少一個額外物品。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>向該使用者之一終端機提供用於包含該套組物品之複數個套組物品之一購買之一第二頁面， <br/>其中該第二頁面顯示具有待辨別之不同套組識別資訊值之該等套組物品。
如請求項1之方法，其中回應於該使用者之一第三輸入而基於該套組識別資訊將該套組物品添加至一購物車清單。
如請求項1之方法，其中該第一頁面包含用於選擇各額外物品之一核取方塊。
如請求項7之方法，其進一步包括： <br/>向該使用者之一終端機提供用於回應於一第四輸入而顯示包含於該購物車清單中之該套組物品之一第三頁面， <br/>其中該第三頁面顯示具有待辨別之不同套組識別資訊值之該等套組物品。
如請求項6之方法，其中該第二頁面包含指示作為該主要物品之一價格與該至少一個額外物品之一價格之一總和之一第一價格的第一資訊，及指示對該第一價格應用一套組折扣所針對之一第二價格的第二資訊。
如請求項10之方法，其中該第二頁面進一步包含指示該第一價格與該第二價格之間的一差之第三資訊。
如請求項6之方法，其中該第二頁面包含用於供該使用者調整該套組物品之一購買數量之一介面。
如請求項1之方法，其中關於該至少一個額外物品之該資訊包含指示被應用在針對各額外物品購買時應用之一折扣之一價格的資訊。
如請求項5之方法，其進一步包括： <br/>查看用於辨別具有相同促銷識別資訊值之物品之捆綁識別資訊； <br/>基於包含於該捆綁識別資訊中之該等物品之一銷售量識別至少一個代表性物品；及 <br/>向該使用者之一終端機提供該至少一個代表性物品。
一種用於提供物品資訊之電子設備，該電子設備包括： <br/>一處理器， <br/>其中該處理器經組態以： <br/>根據一第一輸入查看關於一主要物品之資訊； <br/>識別與該主要物品有關之至少一個額外物品； <br/>查看關於該至少一個額外物品之資訊； <br/>提供一第一頁面，該第一頁面包含含有關於該主要物品之該資訊之一第一區域、含有關於該至少一個額外物品之該資訊之一第二區域及含有與物品購買有關之一第一介面之一第三區域； <br/>基於對應於該第二區域之一第二輸入識別選自該至少一個額外物品之一或多個額外物品； <br/>產生用於識別一套組物品之套組識別資訊，該套組物品包含該主要物品及經選擇之該至少一個額外物品；及 <br/>基於該套組識別資訊提供與該套組物品之一購買有關的資訊， <br/>其中該處理器經組態以藉由以下產生該套組識別資訊：當自一使用者接收到修改該套組物品之一指示時，更新該套組識別資訊之一值， <br/>其中修改該套組物品之該指示包含添加至少一個物品至第一物品套組之一第一類型指示及將包含於該第一物品套組之至少一個物品刪除之第二類型指示之至少一者， <br/>其中當該處理器接收到購買與該套組物品不相同之一不同套組物品之一指示時，該處理器設定與該組識別資訊不相同之不同套組識別資訊，且 <br/>其中該處理器經組態以藉由以下步驟提供該第一頁面： <br/>當該至少一個額外物品之該數目等於或大於一特定數目時，基於一預定準則選擇該至少一個額外物品之一部分，其中該至少一個額外物品之經選擇之該部分之資訊將包含於該第二區域中；及 <br/>當該至少一個額外物品之一數目小於該特定數目時，基於該至少一個額外物品之一銷售量判定用於在該第二區域中顯示該至少一個額外物品之一顯示優先級。
一種非暫時性電腦可讀儲存媒體，其中： <br/>該媒體經組態以儲存電腦可讀指令， <br/>其中在該等電腦可讀指令藉由一處理器執行時，該處理器經組態以執行： <br/>根據一第一輸入查看關於一主要物品之資訊； <br/>識別與該主要物品有關之至少一個額外物品； <br/>查看關於該至少一個額外物品之資訊； <br/>提供一第一頁面，該第一頁面包含含有關於該主要物品之該資訊之一第一區域、含有關於該至少一個額外物品之該資訊之一第二區域及含有與物品購買有關之一第一介面之一第三區域； <br/>基於對應於該第二區域之一第二輸入識別選自該至少一個額外物品之一或多個額外物品； <br/>產生用於識別一套組物品之套組識別資訊，該套組物品包含該主要物品及經選擇之該至少一個額外物品；及 <br/>基於該套組識別資訊提供與該套組物品之一購買有關的資訊， <br/>其中產生該套組識別資訊之步驟包括：當自一使用者接收到修改該套組物品之一指示時，更新該套組識別資訊之一值， <br/>其中修改該套組物品之該指示包含添加至少一個物品至第一物品套組之一第一類型指示及將包含於該第一物品套組之至少一個物品刪除之第二類型指示之至少一者， <br/>其中當該處理器接收到購買與該套組物品不相同之一不同套組物品之一指示時，該處理器設定與該組識別資訊不相同之不同套組識別資訊，且 <br/>其中提供該第一頁面之步驟包括： <br/>當該至少一個額外物品之一數目等於或大於一特定數目時，基於一預定準則選擇該至少一個額外物品之一部分，其中該至少一個額外物品之經選擇之該部分之資訊將包含於該第二區域中；及 <br/>當該至少一個額外物品之該數目小於該特定數目時，基於該至少一個額外物品之一銷售量判定用於在該第二區域中顯示該至少一個額外物品之一顯示優先級。
一種微型發光二極體(LED)像素單元，其包括：一第一彩色LED結構，其形成於一IC基板上，其中該第一彩色LED結構包含一第一發光層，且一第一反射結構經形成於該第一發光層之一底部上；一第一接合金屬層，其形成於該第一彩色LED結構之一底部處，且經組態以將該IC基板與該第一彩色LED結構接合；一第二接合金屬層，其形成於該第一彩色LED結構之一頂部上；一第二彩色LED結構，其形成於該第二接合金屬層上，其中該第二彩色LED結構包含一第二發光層，且一第二反射結構經形成於該第二發光層之一底部上；一頂部電極層，其覆蓋該第一彩色LED結構及該第二彩色LED結構且與該第一彩色LED結構及該第二彩色LED結構電接觸，其中該IC基板與該第一彩色LED結構及該第二彩色LED結構電連接；及一反射杯，其圍繞該第一彩色LED結構及該第二彩色LED結構；其中自該第一發光層及該第二發光層發射之到達該反射杯且藉由該反射杯向上反射之光係實質上在一水平方向上。
如請求項1之微型發光二極體像素單元，其中該第一反射結構包含至少一個第一反射層且該第二反射結構包含至少一個第二反射層，該第一反射層或該第二反射層之反射率高於60%。
如請求項2之微型發光二極體像素單元，其中該第一反射層或該第二反射層之一材料包括Rh、Al、Ag或Au之一或多者。
如請求項2之微型發光二極體像素單元，其中該第一反射結構包含兩個第一反射層且該兩個第一反射層之折射率係不同的，且其中該第二反射結構包含兩個第二反射層且該兩個第二反射層之折射率係不同的。
如請求項4之微型發光二極體像素單元，其中該兩個第一反射層分別包括SiO<sub>2</sub>及Ti<sub>3</sub>O<sub>5</sub>，且該兩個第二反射率層分別包括SiO<sub>2</sub>及Ti<sub>3</sub>O<sub>5</sub>。
如請求項2之微型發光二極體像素單元，其中該第一反射結構進一步包含在該第一反射層上之一第一透明層，且該第二反射結構進一步包含在該第二反射層上之一第二透明層。
如請求項6之微型發光二極體像素單元，其中該第一透明層包括氧化銦錫(ITO)或SiO<sub>2</sub>之一或多者，且該第二透明層包括ITO或SiO<sub>2</sub>之一或多者。
如請求項1之微型發光二極體像素單元，其中該第一彩色LED結構進一步包含一第一底部導電接觸層及一第一頂部導電接觸層，且該第二彩色LED結構進一步包含一第二底部導電接觸層及一第二頂部導電接觸層；其中該第一發光層係在該第一底部導電接觸層與該第一頂部導電接觸層之間，且該第二發光層係在該第二底部導電接觸層與該第二頂部導電接觸層之間；其中該第一底部導電接觸層係透過一第一接觸通孔經由第一反射結構及第一接合金屬層與IC基板電連接，且該第二底部導電接觸層係透過一第二接觸通孔與該IC基板電連接；且其中該第一頂部導電接觸層之一邊緣與該頂部電極層接觸，且該第二頂部導電接觸層之一頂表面與該頂部電極層接觸。
如請求項1之微型發光二極體像素單元，其進一步包括形成於該第一發光層之一頂部上之一第三反射結構，及形成於該第二發光層之一頂部上之一第四反射結構。
如請求項1之微型發光二極體像素單元，其進一步包括形成於該頂部電極層上方之一微透鏡。
如請求項10之微型發光二極體像素單元，其進一步包括形成於該微透鏡與該頂部電極層之間的一間隔件。
如請求項11之微型發光二極體像素單元，其中該間隔件之一材料包括氧化矽。
如請求項10之微型發光二極體像素單元，其中該微透鏡之一橫向尺寸大於該第一彩色LED結構之一主動發射區域之橫向尺寸；且該微透鏡之該橫向尺寸大於該第二彩色LED結構之一主動發射區域之橫向尺寸。
如請求項1之微型發光二極體像素單元，其中該第一彩色LED結構及該第二彩色LED結構具有一相同橫向尺寸。
如請求項1之微型發光二極體像素單元，其中該第一彩色LED結構及該第二彩色LED結構具有一相同中心軸。
如請求項2之微型發光二極體像素單元，其中該至少一個第一反射層之一厚度係在5nm至10nm之一範圍內，且該至少一個第二反射層之一厚度係在5nm至10nm之一範圍內，且其中該第一彩色LED結構之一厚度不大於300nm，且該第二彩色LED結構之一厚度不大於300nm。
一種在一客戶端與一伺服器之間傳送時間同步資料的方法，該方法包括以下步驟： <br/>由一客戶端將該客戶端的一時鐘與一時鐘源同步； <br/>在一應用程式級從該客戶端向一伺服器發送指示以下項的資訊： <br/>該時鐘源； <br/>該客戶端的一服務細胞服務區的一細胞服務區識別符；及 <br/>該時鐘源作為一時間值的精度； <br/>從該客戶端向該伺服器發送包括資料和與一事件相關的一時間戳記的一訊息，該事件與基於該時鐘的該資料相關聯；及 <br/>回應於該訊息，由該客戶端從該伺服器接收產生的資料。
如請求項1所述之方法，其中該時鐘源是以下之一： <br/>一基於衛星的定位系統， <br/>一蜂巢時鐘， <br/>一精確時間協定，或 <br/>一網路時間協定。
如請求項1所述之方法，其中該時鐘源是一蜂巢時鐘，並且其中同步該時鐘之步驟包括以下步驟： <br/>該客戶端基於一基地台與該伺服器時間同步，而從該基地台接收時間資訊；及 <br/>基於該時間資訊設置該時鐘。
如請求項1所述之方法，其中該資訊進一步指示以下一項或多項： <br/>為該客戶端提供服務的一網路的一網路識別符； <br/>該服務細胞服務區的一或多個鄰點細胞服務區；及 <br/>在其中發送該資訊的一系統訊框號。
如請求項1所述之方法，其中該訊息指示與該時間戳記對應的一時域單元的一索引。
如請求項1所述之方法，進一步包括以下步驟： <br/>由該客戶端從該服務細胞服務區交遞到一目標細胞服務區；及 <br/>基於該交遞將更新的資訊從該客戶端發送到該伺服器，該更新的資訊指示： <br/>該目標細胞服務區的一細胞服務區識別符；及 <br/>該目標細胞服務區的一或多個鄰點細胞服務區。
如請求項1所述之方法，其中該產生的資料包括一或多個渲染的視訊訊框，並且進一步包括以下步驟：由該客戶端顯示該一或多個渲染的視訊訊框。
一種用於在一客戶端與一伺服器之間傳送時間同步資料的方法，該方法包括以下步驟： <br/>一伺服器在一應用程式級從一客戶端接收指示以下項的資訊： <br/>由該客戶端用於同步該客戶端的一時鐘的一時鐘源； <br/>該客戶端的一服務細胞服務區的一細胞服務區識別符；及 <br/>該時鐘源作為一時間值的精度； <br/>該伺服器從該客戶端接收包括資料和與一事件相關的一時間戳記的一訊息，該事件與基於該時鐘的該資料相關聯； <br/>回應於該訊息，由該伺服器基於該資訊、該資料和該時間戳記產生客戶端資料；及 <br/>從該伺服器向該客戶端發送該客戶端資料。
如請求項8所述之方法，其中該時鐘源是以下項之一： <br/>一基於衛星的定位系統， <br/>一蜂巢時鐘， <br/>一精確時間協定，或 <br/>一網路時間協定。
如請求項8所述之方法，進一步包括以下步驟：將該伺服器的一伺服器時鐘與該時鐘源同步。
如請求項8所述之方法，其中該資訊進一步指示以下一項或多項： <br/>為該客戶端提供服務的一網路的一網路識別符； <br/>該服務細胞服務區的一或多個鄰點細胞服務區；及 <br/>在其中發送該資訊的一系統訊框號。
如請求項8所述之方法，其中該訊息指示與該時間戳記對應的一時域單元的一索引。
如請求項8所述之方法，進一步包括以下步驟：由該伺服器從該客戶端接收更新的資訊，該更新的資訊指示： <br/>該客戶端所交遞到的一目標細胞服務區的一細胞服務區識別符；及 <br/>該目標細胞服務區的一或多個鄰點細胞服務區。
如請求項8所述之方法，其中該資料包括該客戶端的位置資料。
如請求項8所述之方法，其中產生該客戶端資料之步驟包括以下步驟：渲染一或多個視訊訊框。
如請求項15所述之方法，其中渲染該一或多個視訊訊框之步驟包括以下步驟： <br/>基於該時間戳記決定該一或多個視訊訊框中的物件的一定位。
如請求項8所述之方法，其中產生該客戶端資料之步驟包括以下步驟： <br/>基於該時間戳記在某一時間啟動對該客戶端資料的產生。
如請求項8所述之方法，進一步包括以下步驟：從一或多個附加客戶端接收對應資訊，其中產生該客戶端資料之步驟包括以下步驟： <br/>基於該一或多個附加客戶端之每一者客戶端的每個對應時間戳記，而在某一時間啟動對該客戶端資料的產生。
如請求項8所述之方法，其中發送該客戶端資料之步驟係基於該時間戳記在某一時間被執行。
如請求項8所述之方法，進一步包括以下步驟：從一或多個附加客戶端接收對應資訊，其中發送該客戶端資料之步驟係基於該一或多個附加客戶端之每一者客戶端的每個對應時間戳記在某一時間被執行。
一種用於在其與一伺服器之間傳送時間同步資料的裝置，該裝置包括： <br/>一處理器，該處理器被配置為將該裝置的一時鐘與一時鐘源同步； <br/>耦接到該處理器的一記憶體； <br/>一發送器，該發送器被配置為： <br/>在一應用程式級向一伺服器發送指示以下項的資訊： <br/>該時鐘源， <br/>該裝置的一服務細胞服務區的一細胞服務區識別符，以及 <br/>該時鐘源作為一時間值的精度；及 <br/>向該伺服器發送包括資料和與一事件相關的一時間戳記的一訊息，該事件與基於該時鐘的該資料相關聯；及 <br/>一接收器，該接收器被配置為回應於來自該伺服器的訊息而接收產生的資料。
一種用於在一客戶端與其之間傳送時間同步資料的裝置，該裝置包括： <br/>一接收器，該接收器被配置為： <br/>在一應用程式級從一客戶端接收指示以下項的資訊： <br/>該客戶端用於同步該客戶端的一時鐘的一時鐘源， <br/>該客戶端的一服務細胞服務區的一細胞服務區識別符，以及 <br/>該時鐘源作為一時間值的精度；及 <br/>從該客戶端接收包括資料和與一事件相關的一時間戳記的訊息，該事件與基於該時鐘的該資料相關聯； <br/>一處理器，該處理器被配置為回應於該訊息，基於該資訊、該資料和該時間戳記產生客戶端資料； <br/>耦接到該處理器的一記憶體；及 <br/>一發送器，該發送器被配置為向該客戶端發送該客戶端資料。
一種用於在其與一伺服器之間傳送時間同步資料的裝置，該裝置包括： <br/>用於經由該裝置將該裝置的一時鐘與一時鐘源同步的構件； <br/>用於在一應用程式級從該裝置向一伺服器發送指示以下項的資訊的構件： <br/>該時鐘源； <br/>該裝置的一服務細胞服務區的一細胞服務區識別符；及 <br/>該時鐘源作為一時間值的精度； <br/>用於從該裝置向該伺服器發送包括資料和與一事件相關的一時間戳記的一訊息的構件，該事件與基於該時鐘的該資料相關聯；及 <br/>用於回應於該訊息而由該裝置從該伺服器接收產生的資料的構件。
一種用於在一客戶端與其之間傳送時間同步資料的裝置，該裝置包括： <br/>用於由該裝置在一應用程式級從一客戶端接收資訊的構件，該資訊指示以下項： <br/>由該客戶端用於同步該客戶端的一時鐘的一時鐘源； <br/>該客戶端的一服務細胞服務區的一細胞服務區識別符；及 <br/>該時鐘源作為一時間值的精度； <br/>用於由該裝置從該客戶端接收包括資料和與一事件相關的一時間戳記的一訊息的構件，該事件與基於該時鐘的該資料相關聯； <br/>用於回應於該訊息而由該裝置基於該資訊、該資料和該時間戳記產生客戶端資料的構件；及 <br/>用於從該裝置向該客戶端發送該客戶端資料的構件。
一種電腦可讀取媒體，具有儲存在其上的多個指令，該等指令用於： <br/>由一客戶端將該客戶端的一時鐘與一時鐘源同步； <br/>在一應用程式級從該客戶端向一伺服器發送指示以下項的資訊： <br/>該時鐘源； <br/>該客戶端的一服務細胞服務區的一細胞服務區識別符；及 <br/>該時鐘源作為一時間值的精度； <br/>從該客戶端向該伺服器發送包括資料和與一事件相關的一時間戳記的一訊息，該事件與基於該時鐘的該資料相關聯；及 <br/>回應於該訊息，由該客戶端從該伺服器接收產生的資料。
一種電腦可讀取媒體，具有儲存在其上的多個指令，該等指令用於： <br/>由一伺服器在一應用程式級從一客戶端接收指示以下項的資訊： <br/>由客戶端用於同步該客戶端的一時鐘的一時鐘源； <br/>該客戶端的一服務細胞服務區的一細胞服務區識別符；及 <br/>該時鐘源作為一時間值的精度； <br/>由該伺服器從該客戶端接收包括資料和與一事件相關的一時間戳記的一訊息，該事件與基於該時鐘的該資料相關聯； <br/>回應於該訊息，由該伺服器基於該資訊、該資料和該時間戳記產生客戶端資料；及 <br/>從該伺服器向該客戶端發送該客戶端資料。
一種處理腔室的清潔方法，包括： <br/>(a) 提供處理腔室，在該處理腔室的至少一些部件上具有錫氧化物層； <br/>(b) 將該處理腔室中的該錫氧化物層暴露至包括碳氫化合物及氫(H <sub>2</sub>)的處理氣體，以將該錫氧化物層的至少一部份轉化為揮發性化合物，其中將該錫氧化物層暴露至包括碳氫化合物及氫(H <sub>2</sub>)的該處理氣體進一步造成非揮發性含碳聚合物的形成；以及 <br/>(c) 透過將該含碳聚合物暴露至含氧反應物或H <sub>2</sub>以移除該含碳聚合物，其中暴露至H <sub>2</sub>係在缺乏碳氫化合物的情況下執行。
如請求項1之處理腔室的清潔方法，其中藉由將該含碳聚合物暴露至該含氧反應物，以在(c)中移除該含碳聚合物。
如請求項1之處理腔室的清潔方法，其中藉由將該含碳聚合物暴露至從O <sub>2</sub>、O <sub>3</sub>及H <sub>2</sub>O <sub>2</sub>構成的群組中選擇的該含氧反應物，以在(c)中移除該含碳聚合物。
如請求項1之處理腔室的清潔方法，其中該含氧反應物為經電漿活化的O <sub>2</sub>。
如請求項1之處理腔室的清潔方法，其中該含氧反應物為O <sub>3</sub>。
如請求項1至4中任一項之處理腔室的清潔方法，更包括重複進行(b)及(c)。
如請求項1至4中任一項之處理腔室的清潔方法，更包括在(b)過後吹淨該處理腔室。
如請求項1至4中任一項之處理腔室的清潔方法，其中該處理腔室包括金屬部件。
如請求項1至4中任一項之處理腔室的清潔方法，其中該處理腔室包括鋁部件。
如請求項1至4中任一項之處理腔室的清潔方法，其中該處理腔室係選自於由ALD腔室、CVD腔室及PVD腔室構成的群組。
如請求項10之處理腔室的清潔方法，其中該處理腔室係PEALD腔室或PECVD腔室。
如請求項1至4中任一項之處理腔室的清潔方法，其中(c)包括在電漿中將該含碳聚合物暴露至實質由H <sub>2</sub>構成、或是實質由H <sub>2</sub>及惰性氣體的混合物構成的處理氣體。
如請求項1至4中任一項之處理腔室的清潔方法，其中(c)包括在該含碳聚合物的移除期間加熱該處理腔室。
一種半導體基板的處理設備，包括： <br/>(a) 處理腔室，包括處理氣體的輸入口，以及 <br/>(b) 控制器，包括從該處理腔室清除錫氧化物層的複數程式指令，其中該等程式指令係配置以： <br/>(i) 將該處理腔室中的該錫氧化物層暴露至包括碳氫化合物及氫(H <sub>2</sub>)的處理氣體，以將該錫氧化物層的至少一部份轉化為揮發性化合物，其中將該錫氧化物層暴露至包括碳氫化合物及氫(H <sub>2</sub>)的該處理氣體進一步造成非揮發性含碳聚合物的形成；以及 <br/>(ii) 透過將該含碳聚合物暴露至含氧反應物或H <sub>2</sub>以移除該含碳聚合物，其中暴露至H <sub>2</sub>係在缺乏碳氫化合物的情況下執行。
如請求項14之半導體基板的處理設備，其中該含氧反應物係選自於由O <sub>2</sub>、O <sub>3</sub>及H <sub>2</sub>O <sub>2</sub>構成的群組。
如請求項14之半導體基板的處理設備，其中該設備包括電漿產生系統，且其中(ii)的該等程式指令係配置以將該含碳聚合物暴露至經電漿活化的O <sub>2</sub>。
如請求項14之半導體基板的處理設備，其中該設備包括加熱器，且其中(ii)的該等程式指令係配置以在經加熱的處理腔室中將該含碳聚合物暴露至經電漿活化的O <sub>2</sub>。
如請求項14之半導體基板的處理設備，其中該等程式指令係進一步配置以重複進行(i)及(ii)。
一種用於蝕刻半導體基板上的錫氧化物層的方法，包括： <br/>(a) 提供半導體基板，其具有暴露錫氧化物層； <br/>(b) 將處理腔室中的該暴露錫氧化物層接觸至包括碳氫化合物及氫(H <sub>2</sub>)的處理氣體，以將該錫氧化物層的至少一部份轉化為揮發性化合物，其中將該錫氧化物層接觸至包括碳氫化合物及氫(H <sub>2</sub>)的該處理氣體進一步造成非揮發性含碳聚合物的形成；以及 <br/>(c) 透過將該含碳聚合物暴露至含氧反應物或H <sub>2</sub>以移除該含碳聚合物，其中暴露至H <sub>2</sub>係在缺乏碳氫化合物的情況下執行。
如請求項19之用於蝕刻半導體基板上的錫氧化物層的方法，更包括： <br/>在(b)之前將光阻塗覆至該半導體基板； <br/>將該光阻曝光； <br/>將該光阻圖案化，並將該圖案轉移至該半導體基板，其中係在(b)之前將該圖案轉移至該半導體基板，或其中將該圖案轉移至該半導體基板包括將該半導體基板暴露至(b)中包括該碳氫化合物及氫的該處理氣體，以對該錫氧化物層進行蝕刻；以及 <br/>將該光阻從該半導體基板選擇性移除。
如請求項19之用於蝕刻半導體基板上的錫氧化物層的方法，更包括在(a)之前，使用含錫前驅物沉積該錫氧化物層，其中該含錫前驅物係選自於由下列所構成的群組：SnF <sub>2</sub>、SnCl <sub>4</sub>、SnBr <sub>4</sub>、SnH <sub>4</sub>、四乙基錫(SnEt <sub>4</sub>)、四甲基錫(SnMe <sub>4</sub>)、肆(二甲基胺基)錫(Sn(NMe <sub>2</sub>) <sub>4</sub>)、肆(二乙基胺基)錫(Sn(NEt <sub>2</sub>) <sub>4</sub>)、肆(乙基甲基胺基)錫(Sn(NMeEt) <sub>4</sub>)、(二甲基胺基)三甲基錫(IV)(Me <sub>3</sub>Sn(NMe <sub>2</sub>))、二乙酸二丁基錫(Bu <sub>2</sub>Sn(OAc) <sub>2</sub>)、Sn(II)(1,3-雙(1,1-二甲基乙基)-4,5-二甲基-(4R,5R)-1,3,2-二吖錫𠷬-2-亞基)、N <sup>2</sup>,N <sup>3</sup>-二(三級丁基)丁烷-2,3-二胺基錫(II)、雙[雙(三甲基矽基)胺基]錫(II) <br/><img align="absmiddle" height="59px" width="120px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中TMS為三甲基矽基， <br/>二丁基二苯基錫 <br/><img align="absmiddle" height="124px" width="213px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>六苯基二錫(IV) <br/><img align="absmiddle" height="145px" width="213px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>四烯丙基錫 <br/><img align="absmiddle" height="108px" width="213px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>四乙烯基錫 <br/><img align="absmiddle" height="86px" width="213px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>乙醯丙酮錫(II) <br/><img align="absmiddle" height="72px" width="213px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>氫化三環己基錫 <br/><img align="absmiddle" height="160px" width="113px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>三甲基(苯基乙炔基)錫 <br/><img align="absmiddle" height="83px" width="213px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>三甲基苯基錫 <br/><img align="absmiddle" height="144px" width="213px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>氯化三甲基錫 <br/><img align="absmiddle" height="122px" width="152px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>二氯二甲基錫 <br/><img align="absmiddle" height="97px" width="166px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，及 <br/>三氯甲基錫 <br/><img align="absmiddle" height="116px" width="175px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項19之用於蝕刻半導體基板上的錫氧化物層的方法，更包括在(a)之前，使用含錫前驅物沉積該錫氧化物層，其中該含錫前驅物係選自於由下列所構成的群組：四甲基錫(SnMe <sub>4</sub>)、四乙基錫(SnEt <sub>4</sub>)、肆(二甲基胺基)錫及(二甲基胺基)三甲基錫(IV)。
一種半導體基板的處理設備，包括： <br/>(a) 處理腔室，包括處理氣體的輸入口，及用於將半導體基板固持於原地的基板支撐件；以及 <br/>(b) 控制器，包括對該半導體基板上的錫氧化物層進行蝕刻的複數程式指令，其中該等程式指令係配置以： <br/>(i) 將該半導體基板上的該錫氧化物層接觸至包括碳氫化合物及氫(H <sub>2</sub>)的處理氣體，以將該錫氧化物層的至少一部份轉化為揮發性化合物，其中將該錫氧化物層暴露至包括碳氫化合物及氫(H <sub>2</sub>)的該處理氣體進一步造成非揮發性含碳聚合物的形成；以及 <br/>(ii) 透過將該含碳聚合物暴露至含氧反應物或H <sub>2</sub>以移除該含碳聚合物，其中暴露至H <sub>2</sub>係在缺乏碳氫化合物的情況下執行。
一種印刷物，係於在聚酯膜基材的至少一面具有塗佈層之易接著性聚酯膜的前述塗佈層上，積層選自紫外線硬化型油墨、溶劑型油墨、氧化聚合型油墨、熱轉印油墨帶、雷射束印表機色劑中的至少一層油墨層而成；並且，前述塗佈層係由含有具聚碳酸酯結構之胺基甲酸酯樹脂、交聯劑、及聚酯樹脂之組成物所硬化而成；針對前述塗佈層，基於利用X射線光電子分光法進行之深度方向之元素分佈測定所得的氮元素分佈曲線中，於將相對於前述聚酯膜基材為相反側之塗佈層表面的氮原子比率設為A(at%)，將氮原子比率之最大值設為B(at%)，將氮原子比率顯示最大值B(at%)之蝕刻時間設為b(秒)，將於b(秒)以後氮原子比率達到1/2B(at%)時之蝕刻時間設為c(秒)時，滿足下述式(i)至(iii)式，並且，於藉由X射線光電子分光法所測定之表面分析光譜中，將源自C1s光譜區域的各鍵種類之波峰面積合計設為100(%)，將源自OCOO鍵之波峰面積設為X(%)時，滿足下述式(iv)；<br/> 將前述具聚碳酸酯結構之胺基甲酸酯樹脂加以合成、聚合時的聚碳酸酯多元醇成分與聚異氰酸酯成分之質量比(聚碳酸酯多元醇成分之質量／聚異氰酸酯成分之質量)為0.5至2.5；<br/> 於將前述組成物中之前述聚酯樹脂、前述胺基甲酸酯樹脂及前述交聯劑的固形物總和設為100質量%時，前述交聯劑的固形物之含有率為10質量%至50質量%；<br/> 前述交聯劑為具3官能以上之異氰酸酯基之封閉異氰酸酯；<br/> (i)0.5≤B－A(at%)≤3.0<br/> (ii)30≤b(秒)≤180<br/> (iii)30≤c－b(秒)≤300<br/> (iv)2.0≤X(%)≤10.0。
如請求項1所記載之印刷物，其中前述易接著性聚酯膜之霧度為1.5(%)以下。
一種式I之基於胺基酸之可聚合化合物： <br/><br/><img align="absmiddle" height="30px" width="37px" file="ed10053.jpg" alt="ed10053.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>其中R係H、C(=O)R<sup>3</sup>，或R與其所附接之氮一起形成可聚合基團，其中R<sup>3</sup>係C<sub>1</sub>-C<sub>25</sub>烷基或環烷基； <br/>R<sup>1</sup>係精胺酸(arg)、天冬醯胺酸(asn)或組胺酸(his)胺基酸殘基、-CH<sub>2</sub>-SO<sub>3</sub>R<sup>5</sup>、或-CH<sub>2</sub>-S-L-P<sub>g</sub>，其中R<sup>5</sup>係H、金屬陽離子、或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基，L係鍵聯基，且P<sub>g</sub>係可聚合基團；且 <br/>R<sup>2</sup>係OR<sup>4</sup>或N(H)-L-P<sub>g</sub>，其中R<sup>4</sup>係H、金屬陽離子、或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基，L係鍵聯基，且P<sub>g</sub>係可聚合基團， <br/>其中該化合物含有至少一個可聚合基團。
如請求項1所述之化合物，其中L係伸烷基、伸環烷基、雜伸環烷基、伸芳基、雜伸芳基、氧雜伸烷基、伸烷基-醯胺-伸烷基、伸烷基-胺-伸烷基、或伸烷基-酯-伸烷基。
如請求項1至2中任一項所述之化合物，其中P<sub>g</sub>包含苯乙烯基、乙烯基碳酸酯、乙烯基醚、乙烯基胺甲酸酯、N-乙烯基內醯胺、N-乙烯基醯胺、(甲基)丙烯酸酯、或(甲基)丙烯醯胺。
如請求項1至2中任一項所述之化合物，其中R係H。
如請求項1至2中任一項所述之化合物，其中R係C(=O)R<sup>3</sup>且R<sup>3</sup>係C<sub>5</sub>-C<sub>20</sub>烷基。
如請求項5所述之化合物，其中R<sup>3</sup>係C<sub>7</sub>-C<sub>15</sub>烷基。
如請求項1至2中任一項所述之化合物，其中R與其所附接之氮一起形成可聚合基團。
如請求項7所述之化合物，其中R與其所附接之氮一起形成(甲基)丙烯醯胺基團。
如請求項1至2中任一項所述之化合物，其中R<sup>2</sup>係OR<sup>4</sup>且R<sup>4</sup>係H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基。
如請求項1至2中任一項所述之化合物，其中R<sup>2</sup>係N(H)-L-P<sub>g</sub>。
如請求項10所述之化合物，其中L係伸烷基、伸環烷基、雜伸環烷基、伸芳基、雜伸芳基、氧雜伸烷基、伸烷基-醯胺-伸烷基、伸烷基-胺-伸烷基、或伸烷基-酯-伸烷基。
如請求項10所述之化合物，其中P<sub>g</sub>包含苯乙烯基、乙烯基碳酸酯、乙烯基醚、乙烯基胺甲酸酯、N-乙烯基內醯胺、N-乙烯基醯胺、(甲基)丙烯酸酯、或(甲基)丙烯醯胺。
如請求項1所述之化合物，其為式II、III、IV、V、或VI： <br/><br/><br/>其中R<sup>3</sup>係C<sub>1</sub>-C<sub>25</sub>烷基、或環烷基；R<sup>4</sup>係H、金屬陽離子、或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基；R<sup>5</sup>係H、金屬陽離子、或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基；且R<sup>6</sup>係H或甲基。
如請求項1所述之化合物，其係： <br/>
一種眼用裝置，其包含如請求項1至14中任一項所述之化合物之自由基反應產物、及適用於製造該眼用裝置之一或多種單體。
如請求項15所述之眼用裝置，其中適用於製造該眼用裝置之該單體係選自親水性組分、疏水性組分、含聚矽氧組分、或其二或更多者之混合物。
如請求項15至16中任一項所述之眼用裝置，其係人工水晶體或軟式隱形眼鏡。
如請求項17所述之眼用裝置，其係水凝膠隱形眼鏡。
如請求項18所述之眼用裝置，其係習知（非聚矽氧）水凝膠或聚矽氧水凝膠。
一種用於處理一基板之製程模組，包括： <br/>複數個載物台，各配置以容納一基板； <br/>一區域，在該等載物台之間；以及 <br/>一殼體，圍封該等載物台，該殼體包括一底部、一頂板、以及從該底部延伸至該頂板之複數個側壁， <br/>其中，在剖面側視圖中，該頂板之一形狀界定向上延伸的一凸出部，並且其中向上延伸的該凸出部的一頂點設置在該等載物台之間的該區域上方。
如請求項1之製程模組，其中該殼體更包括一剛性結構，經設置在向上延伸的該凸出部的該頂點處的該頂板上方並跨該頂板設置，該剛性結構包括一升降機構，該升降機構經附接至該頂板以用於維持向上延伸的該凸出部的一向上延伸。
如請求項2之製程模組，其中該升降機構係可調整，以用於調整向上延伸的該凸出部的該頂點及與該等側壁接觸的該頂板的一周邊部分的高度。
如請求項3之製程模組，其中該升降機構包括一螺紋桿，該螺紋桿經附接至該頂板之一對應螺紋部分，其中向上延伸的該凸出部的該頂點及與該等側壁接觸的該頂板的該周邊部分的一高度可藉由該桿與該頂板之該對應螺紋部分的相對旋轉來調整。
如請求項2之製程模組，其中該剛性結構包括設置在該頂板上方並跨該頂板設置的一剛性樑。
如請求項2之製程模組，其中該頂板包括一蓋總成，該蓋總成包括對應於該等載物台的複數個蓋，且其中該剛性結構在成對的該等蓋之間延伸。
如請求項1之製程模組，其中複數個蓋係設置在該等載物台的各別者上方，其中該等蓋並未平行於該等各別載物台。
如請求項7之製程模組，其中該等載物台之數目及該等蓋之數目各係四個，其中該等載物台及該等蓋係各以2x2之一矩陣布置。
如請求項1之製程模組，其中該凸出部之一頂點在比該頂板之一周緣高0.2毫米至4毫米的一範圍內突出。
如請求項1之製程模組，其中該殼體的該底部向外延伸以形成一凸形狀。
一種用於處理一基板之製程模組，包括： <br/>一或多個載物台，各配置以容納一基板； <br/>一殼體，圍封該一或多個載物台，該殼體包括一底部、一頂板、及從該底部延伸至該頂板之複數個側壁：以及 <br/>一剛性結構，經設置在該頂板上方，該剛性結構包括具有一第一端及一第二端之一樑，其中該樑之該第一端及該第二端連接至該頂板，該剛性結構更包括一可調整升降機構，該升降機構經附接至該頂板並在該樑之該第一端及該第二端之間之一點處經附接至該樑，其中該升降機構配置以調整該頂板與該樑之該第一端及該第二端之間之該點之間的一高度。
如請求項11之製程模組，其中該剛性結構具有比該頂板更大的剛性。
如請求項11之製程模組，其中該升降機構包括： <br/>一公螺紋；以及 <br/>一母螺紋，配置以與該公螺紋耦接，並可相對於該公螺紋旋轉， <br/>其中該公螺紋及該母螺紋中之一者係附接至該剛性結構，且該公螺紋及該母螺紋中之另一者係附接至該頂板。
如請求項11之製程模組，其中該頂板包括複數個蓋，其中該等載物台之數目及該等蓋之數目係四個，且 <br/>其中該等載物台及該等蓋係各以2x2之一矩陣布置，且該剛性結構係設置在兩蓋的兩列之間。
如請求項11之製程模組，其中，在由上而下視圖中，該樑的該第一端及該第二端之間的該點偏心。
一種半導體處理系統，包括： <br/>一傳遞室； <br/>一或多個處理模組，經附接至該傳遞室，該一或多個處理模組各包括： <br/>複數個載物台，各配置以容納一基板； <br/>一殼體，圍封該一或多個載物台，該殼體包括： <br/>一底部； <br/>一頂板； <br/>一門，可對該傳遞室開啟；以及 <br/>一側壁，相對於該門，並從該底部延伸至該頂板， <br/>其中，在剖面側視圖中，該頂板具有一凸形狀， <br/>其中該凸形狀具有一頂點，相較於該可開啟的門，該頂點更靠近相對於該門的該側壁。
如請求項16之半導體處理系統，其中該頂板包括一蓋總成，其中各載物台具有設置在該蓋總成中之一各別蓋，其中該凸形狀可改變成一平坦形狀，其中一經在該等載物台上處理該等基板，該等蓋係平行於各別的該等載物台。
如請求項16之半導體處理系統，更包括一剛性結構，該剛性結構具有一升降機構以用於調整該頂點及連接至該側壁的該頂板的一周邊部分之間的一高度。
如請求項18之半導體處理系統，其中該升降機構包括： <br/>一公螺紋；以及 <br/>一母螺紋，配置以與該公螺紋耦接，並可相對於該公螺紋旋轉， <br/>其中該公螺紋及該母螺紋中之一者係附接至該剛性結構，且該公螺紋及該母螺紋中之另一者係附接至該頂板。
一種用於處理半導體基板之方法，包括： <br/>提供一半導體製程模組，包括： <br/>一殼體，圍封用於容納供處理之複數個半導體基板之複數個載物台，該殼體包括一底部、一頂板、及從該底部延伸至該頂板的複數個側壁，其中該頂板包括複數個蓋，其等各對應於該等載物台中之一者；以及 <br/>一剛性結構，經設置在該頂板上方，該剛性結構包括可調整的一升降機構，該升降機構經附接至該頂板，以用於改變該頂板之一形狀； <br/>針對一半導體製程判定一製程溫度及一製程壓力的一或兩者；以及 <br/>基於該製程溫度及該製程壓力的一或兩者以該升降機構調整該頂板的一形狀。
如請求項20之方法，其中以該升降機構調整該頂板的該形狀之步驟包括基於該製程溫度及該製程壓力兩者改變該頂板的該形狀。
如請求項21之方法，其中以該升降機構調整該頂板之該形狀之步驟包括增加經附接至該升降機構之該頂板的一部分之一高度。
如請求項20之方法，更包括將該等載物台加熱至該製程溫度，並將該等載物台抽空至該製程壓力。
如請求項23之方法，更包括後續在該等載物台中處理複數個半導體基板。
如請求項24之方法，其中將該等載物台加熱至該製程溫度及將該等載物台抽空至該製程壓力使向上偏折的該頂板之該形狀變平。
如請求項25之方法，其中該等蓋在處理半導體基板期間係平行於該等載物台。
如請求項24之方法，其中處理半導體基板包括處理液晶顯示器面板。
一種用於減少雷達處理中的誤報的方法，該方法包括以下步驟：<br/>經由混合（1）與一雷達發射訊號的反射相關聯的一接收訊號和（2）該雷達發射訊號的一本端版本(local version)，獲得一數位訊號；<br/>使用該數位訊號執行一或多個變換，以產生跨越一距離軸、一到達方向（DoA）軸或一速度軸中的至少一個的一第一域的一頻譜值陣列；<br/>從該頻譜值陣列中辨識一或多個頻譜值，其中對於該一或多個頻譜值中的每一個，（1）該頻譜值與一距離估計相關聯，以及（2）該頻譜值超過基於該距離估計的一四次函數建立的一距離相關最大閾值；<br/>排除或獲得被辨識為超過該距離相關最大閾值的該一或多個頻譜值的一或多個縮減幅度值，以產生跨越該距離軸、該DoA軸或該速度軸中的至少一個的該第一域的一修改頻譜值陣列；及<br/>使用該修改頻譜值陣列來產生一距離估計、一DoA估計或一速度估計，或其任意組合。
根據請求項1之方法，其中基於該距離估計的該四次函數，該距離相關最大閾值的一分量包括一運算式-40*log<sub>10</sub>*R分貝（dB），其中R代表該距離估計。
根據請求項1之方法，其中該頻譜值陣列包括一三維陣列，並且該第一域跨越該距離軸、該DoA軸和該速度軸。
根據請求項3之方法，其中對於該一或多個頻譜值中的每一個，（1）該頻譜值亦與一DoA估計相關聯，以及（2）該距離相關最大閾值亦基於該DoA估計。
根據請求項4之方法，其中對於該一或多個頻譜值中的每一個，該距離相關最大閾值包括基於該DoA估計的一TX增益分量和基於該DoA估計的一RX增益分量。
根據請求項1之方法，其中該頻譜值陣列包括一一維陣列，並且該第一域僅跨越該距離軸。
根據請求項6之方法，其中該距離相關最大閾值亦包括獨立於任何DoA估計的一TX增益分量和獨立於任何DoA估計的一RX增益分量。
根據請求項6之方法，其中：<br/>該修改頻譜值陣列用於產生該距離估計，並且<br/>該方法亦包括基於該修改頻譜值陣列執行一都卜勒變換和一DoA變換，以產生該DoA估計和該速度估計。
根據請求項1之方法，其中該頻譜值陣列包括一二維陣列，並且該第一域跨越該距離軸和該DoA軸。
根據請求項9之方法，其中對於該一或多個頻譜值中的每一個，（1）該頻譜值亦與一DoA估計相關聯，以及（2）該距離相關最大閾值亦基於該DoA估計。
根據請求項10之方法，其中對於該一或多個頻譜值中的每一個，該距離相關最大閾值包括基於該DoA估計的一TX增益分量和基於該DoA估計的一RX增益分量。
根據請求項9之方法，其中：<br/>該修改頻譜值陣列用於產生該距離估計和該DoA估計，並且<br/>該方法亦包括基於該修改頻譜值陣列執行一都卜勒變換，以產生該速度估計。
根據請求項1之方法，亦包括，在從該頻譜值陣列中辨識出該一或多個頻譜值超過該距離相關最大閾值之前：<br/>產生一雷達三維影像；<br/>基於該雷達三維影像，探測一或多個目標；及<br/>儲存該一或多個探測目標的每一個的一距離估計和一DoA估計，<br/>其中對於該一或多個頻譜值中的每一個，（1）該頻譜值對應於與該等探測到的目標之一相關聯的一距離估計，（2）該距離相關最大閾值亦基於與位於該距離估計處的一或多個該等探測到的目標相關聯的一或多個該等儲存的DoA估計。
根據請求項13之方法，其中對於該一或多個頻譜值中的每一個，該距離相關最大閾值包括（1）基於與位於該距離估計處的一或多個該等探測到的目標相關聯的一或多個該等儲存的DoA估計，從一或多個TX增益分量中選擇的一最大TX增益分量，以及（2）基於與位於該距離估計處的一或多個該等探測到的目標相關聯的一或多個該等儲存的DoA估計，從一或多個RX增益分量中選擇的一最大RX增益分量。
一種用於減少雷達處理中的誤報的裝置，該裝置包括：<br/>一記憶體；及<br/>至少一個處理器，耦接到該記憶體，被配置為：<br/>經由混合（1）與一雷達發射訊號的反射相關聯的一接收訊號和（2）該雷達發射訊號的一本端版本(local version)，獲得一數位訊號；<br/>使用該數位訊號執行一或多個變換，以產生跨越一距離軸、一到達方向（DoA）軸或一速度軸中的至少一個的一第一域的一頻譜值陣列；<br/>從該頻譜值陣列中辨識一或多個頻譜值，其中對於該一或多個頻譜值中的每一個，（1）該頻譜值與一距離估計相關聯，以及（2）該頻譜值超過基於該距離估計的一四次函數建立的一距離相關最大閾值；<br/>排除或獲得被辨識為超過該距離相關最大閾值的該一或多個頻譜值的一或多個縮減幅度值，以產生跨越該距離軸、該DoA軸或該速度軸中的至少一個的該第一域的一修改頻譜值陣列；及<br/>使用該修改頻譜值陣列來產生一距離估計、一DoA估計或一速度估計，或其任意組合。
根據請求項15之裝置，其中基於該距離估計的該四次函數，該距離相關最大閾值的分量包括一運算式-40*log<sub>10</sub>*R分貝（dB），其中R代表該距離估計。
根據請求項15之裝置，其中該頻譜值陣列包括一三維陣列，並且該第一域跨越該距離軸、該DoA軸和該速度軸。
根據請求項17之裝置，其中對於該一或多個頻譜值中的每一個，（1）該頻譜值亦與一DoA估計相關聯，以及（2）該距離相關最大閾值亦基於該DoA估計。
根據請求項18之裝置，其中對於該一或多個頻譜值中的每一個，該距離相關最大閾值包括基於該DoA估計的一TX增益分量和基於該DoA估計的一RX增益分量。
根據請求項15之裝置，其中該頻譜值陣列包括一一維陣列，並且該第一域僅跨越該距離軸。
根據請求項20之裝置，其中該距離相關最大閾值亦包括獨立於任何DoA估計的一TX增益分量和獨立於任何DoA估計的一RX增益分量。
根據請求項20之裝置，<br/>其中該至少一個處理器被配置為使用該修改頻譜值陣列產生該距離估計，並且<br/>其中該至少一個處理器被配置為基於該修改頻譜值陣列執行一都卜勒變換和一DoA變換，以產生該DoA估計和該速度估計。
根據請求項15之裝置，其中該頻譜值陣列包括一二維陣列，並且該第一域跨越該距離軸和該DoA軸。
根據請求項23之裝置，其中對於該一或多個頻譜值中的每一個，（1）該頻譜值亦與一DoA估計相關聯，以及（2）該距離相關最大閾值亦基於該DoA估計。
根據請求項24之裝置，其中對於該一或多個頻譜值中的每一個，該距離相關最大閾值包括基於該DoA估計的一TX增益分量和基於該DoA估計的一RX增益分量。
根據請求項23之裝置，<br/>其中該至少一個處理器被配置為使用該修改頻譜值陣列產生該距離估計和該DoA估計，並且<br/>其中該至少一個處理器被配置為基於該修改頻譜值陣列執行一都卜勒變換，以產生該速度估計。
根據請求項15之裝置，<br/>其中在從該頻譜值陣列中辨識出該一或多個頻譜值超過該距離相關最大閾值之前，該至少一個處理器被配置為：<br/>產生一雷達三維影像；<br/>基於該雷達三維影像，探測一或多個目標；及<br/>儲存該一或多個探測目標的每一個的一距離估計和一DoA;<br/>其中對於該一或多個頻譜值中的每一個，（1）該頻譜值對應於與該等探測到的目標之一相關聯的一距離估計，（2）該距離相關最大閾值亦基於與位於該距離估計處的一或多個該等探測到的目標相關聯的一或多個該等儲存的DoA估計。
根據請求項27之裝置，其中對於該一或多個頻譜值中的每一個，該距離相關最大閾值包括（1）基於與位於該距離估計處的一或多個該等探測到的目標相關聯的一或多個該等儲存的DoA估計，從一或多個TX增益分量中選擇的一最大TX增益分量，以及（2）基於與位於該距離估計處的一或多個該等探測到的目標相關聯的一或多個該等儲存的DoA估計，從一或多個RX增益分量中選擇的一最大RX增益分量。
一種儲存有由一或多個處理單元執行的複數個指令的非暫時性電腦可讀取媒體，包括該等指令以：<br/>經由混合（1）與一雷達發射訊號的反射相關聯的一接收訊號和（2）該雷達發射訊號的一本端版本(local version)，獲得一數位訊號；<br/>使用該數位訊號執行一或多個變換，以產生跨越一距離軸、一到達方向（DoA）軸或一速度軸中的至少一個的一第一域的一頻譜值陣列；<br/>從該頻譜值陣列中辨識一或多個頻譜值，其中對於該一或多個頻譜值中的每一個，（1）該頻譜值與一距離估計相關聯，以及（2）該頻譜值超過基於該距離估計的一四次函數建立的一距離相關最大閾值；<br/>排除或獲得被辨識為超過該距離相關最大閾值的該一或多個頻譜值的一或多個縮減幅度值，以產生跨越該距離軸、該DoA軸或該速度軸中的至少一個的該第一域的一修改頻譜值陣列；及<br/>使用該修改頻譜值陣列來產生一距離估計、一DoA估計或一速度估計，或其任意組合。
一種用於減少雷達處理中的誤報的系統，該系統包括：<br/>用於經由混合（1）與一雷達發射訊號的反射相關聯的一接收訊號和（2）該雷達發射訊號的一本端版本(local version)以獲得一數位訊號的部件；<br/>用於使用該數位訊號執行一或多個變換，以產生跨越一距離軸、一到達方向（DoA）軸或一速度軸中的至少一個的一第一域的一頻譜值陣列的部件；<br/>用於從該頻譜值陣列中辨識一或多個頻譜值的部件，其中對於該一或多個頻譜值中的每一個，（1）該頻譜值與一距離估計相關聯，以及（2）該頻譜值超過基於該距離估計的一四次函數建立的一距離相關最大閾值；<br/>用於排除或獲得被辨識為超過該距離相關最大閾值的該一或多個頻譜值的一或多個縮減幅度值，以產生跨越該距離軸、該DoA軸或該速度軸中的至少一個的該第一域的一修改頻譜值陣列的部件；及<br/>用於使用該修改頻譜值陣列來產生一距離估計、一DoA估計或一速度估計，或其任意組合的部件。
一種用於測量熱特性之方法，包含：接收感測器的溫度資料；根據所接收的該溫度資料，確定從該感測器到至少一個材料的熱滲透的溫度分佈；對該溫度分佈施加校正，以獲得所校正的溫度分佈；迭代分析所校正的該溫度分佈，以確定接觸區域的複數個熱特性；並且輸出該接觸區域的該複數個熱特性，該接觸區域是該感測器和該至少一個材料之間的區域。
如請求項1之方法，其中該溫度資料是該感測器隨時間的溫度，並且其中該迭代分析是非線性擬合分析。
如請求項1之方法，其中該接觸區域包括該感測器並且在該至少一個材料中的兩個材料之間。
如請求項1至3中任一項之方法，更包含：確定該至少一個材料的複數個熱特性；並且使用該接觸區域的該複數個熱特性確定該至少一個材料的複數個校正熱特性。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該溫度分佈是在適當的時間窗口期間根據來自該感測器的該溫度資料加以確定，該方法更包含自動確定用於該溫度資料的該適當的時間窗口，以確定該至少一個材料的複數個熱特性，以最小化該接觸區域的複數個效應。
如請求項1或2之方法，其中在該感測器和該至少一個材料之間存在薄膜，並且所校正的該溫度分佈的該迭代分析確定該薄膜的複數個熱特性。
一種用於測量熱特性之方法，包含：在第一材料和第二材料之間的接觸區域中佈置感測器；將該感測器加熱預定時間；確定該感測器對該第一材料或該第二材料的熱滲透的溫度分佈；迭代分析該溫度分佈，以獲得所迭代分析的溫度分佈；並且從所迭代分析的該溫度分佈，確定該接觸區域的複數個熱特性，該接觸區域是該第一材料和該第二材料之間的區域。
如請求項7之方法，更包含在從所迭代分析該溫度分佈，確定該接觸區域的該複數個熱特性之前，對該溫度分佈施加校正。
如請求項7或8之方法，更包含：確定該第一材料和該第二材料的複數個熱特性；並且使用該接觸區域的該複數個熱特性確定該第一材料和該第二材料的複數個校正熱特性。
如請求項7或8之方法，其中該溫度分佈是在適當的時間窗口期間根據來自該感測器的溫度資料加以確定，該方法更包含自動確定用於該溫度資料的該適當的時間窗口，以確定該第一材料和該第二材料的複數個熱特性，以最小化該接觸區域的複數個效應。
一種用於在一反應空間中的一基材上形成一含鉬薄膜之製程，該製程包含一沉積循環，其包含： <br/>使該基材接觸一含氣相鉬前驅物的第一反應物，該氣相鉬前驅物含有一鹵化鉬；並隨後使該基材接觸一含CO的第二反應物和一含H <sub>2</sub>的第三反應物， <br/>其中該沉積循環重複兩次或多次以形成該含鉬薄膜；以及 <br/>在該含鉬薄膜上沉積一含鈷薄膜。
如請求項1所述之製程，其中該薄膜包含鉬和碳。
如請求項1所述之製程，其中該基材係交替並依序接觸該第一反應物、該第二反應物和該第三反應物。
如請求項1所述之製程，其中該基材係同時接觸該第二反應物和該第三反應物。
如請求項1所述之製程，其中該沉積循環更包含在該基材接觸該第一反應物之後且在該基材接觸該第二反應物與該第三反應物之前，該反應空間若有過量的氣相鉬前驅物和反應副產物，從該反應空間將其去除。
如請求項1所述之製程，其中該鉬前驅物包含MoCl <sub>5</sub>、MoBr <sub>2</sub>或MoI <sub>3</sub>中之至少一者。
如請求項1所述之製程，其中該鉬前驅物包含一鹵氧化鉬。
如請求項7所述之製程，其中該鉬前驅物包含MoOCl <sub>4</sub>或MoO <sub>2</sub>Cl <sub>2</sub>中之至少一者。
如請求項8所述之製程，其中該薄膜是一鉬薄膜。
如請求項1所述之製程，其中該含鉬薄膜包含MoC、Mo <sub>2</sub>C、和MoOC中之一者。
如請求項1所述之製程，其中該沉積製程更包含使該基材接觸一含NH <sub>3</sub>的第四反應物。
如請求項11所述之製程，其中該含鉬和碳的薄膜包含MoOCN或MoCN中之一者。
如請求項1所述之製程，其中該等僅使用在該沉積循環中的反應物是鉬前驅物、CO和H <sub>2</sub>。
如請求項1所述之製程，其更包含使該基材接觸一氧反應物。
如請求項14所述之製程，其中該氧反應物包含H <sub>2</sub>O、O <sub>3</sub>、H <sub>2</sub>O <sub>2</sub>、N <sub>2</sub>O、NO <sub>2</sub>或NO中之至少一者。
如請求項1所述之製程，其中該沉積循環依序包含： <br/>使該基材接觸該含氣相鉬前驅物的第一反應物； <br/>使該基材接觸該含CO的第二氣相反應物；及 <br/>使該基材接觸該含H <sub>2</sub>的第三氣相反應物。
如請求項1所述之製程，其中該第三反應物更包含NH <sub>3</sub>。
如請求項1所述之製程，其中該沉積循環依序包含： <br/>使該基材接觸該含氣相鉬前驅物的第一反應物；及 <br/>使該基材同時接觸該第二反應物和該第三反應物。
如請求項1所述之製程，其中該製程是一原子層沉積製程。
一種用於在一反應空間中的一基材上形成一含鉬、碳和氮薄膜的氣相沉積製程，該氣相沉積製程包含一沉積循環，該沉積循環包含： <br/>使該基材接觸一含氣相鹵化鉬的第一反應物； <br/>隨後使基材接觸一含CO的第二反應物和一含NH <sub>3</sub>的第三反應物，並 <br/>重複該沉積循環以形成一含鉬、碳和氮薄膜；以及 <br/>在該含鉬、碳和氮薄膜上沉積一含鈷薄膜。
如請求項20所述之氣相沉積製程，其中該沉積循環更包含在該基材接觸該第一反應物之後且在該基材接觸該第二反應物或該第三反應物之前，該反應空間若有過量的第一反應物和反應副產物，從該反應空間將其去除。
如請求項20所述之氣相沉積製程，其中該鹵化鉬包含MoCl <sub>5</sub>、MoBr <sub>2</sub>、MoI <sub>3</sub>、MoOCl <sub>4</sub>或MoO <sub>2</sub>Cl <sub>2</sub>。
如請求項20所述之氣相沉積製程，其中該等僅使用在該沉積循環中的反應物是鹵化鉬、CO和NH <sub>3</sub>。
如請求項20所述之氣相沉積製程，其中該第三反應物另外包含H <sub>2</sub>。
如請求項20所述之氣相沉積製程，其中該等僅使用在沉積循環中的反應物是鹵化鉬、CO、NH <sub>3</sub>和H <sub>2</sub>。
一種樹脂片，其為成型用的樹脂片，並包括含有熱可塑性樹脂之基材層，該熱可塑性樹脂係由聚碳酸酯樹脂及ABS樹脂、或是ABS樹脂及AS樹脂構成； 該樹脂片，在杜邦衝擊測試中的衝擊強度為1.0J以上，在拉伸試驗所得的應力應變曲線中，從原點到斷裂時的應變為止，積分值為80N/m<sup>2</sup>以下。
如請求項1記載之樹脂片，其更包括疊層於該基材層的至少其中一面上的表面層； 該表面層，含有聚碳酸酯樹脂、ABS樹脂及AS樹脂中的至少一種，以及導電材料。
如請求項1或2記載之樹脂片，其中， 該基材層更包含無機填料。
如請求項3記載之樹脂片，其中， 該基材層內之該無機填料的含量為以該基材層總量為基準的0.3～2.8質量%。
如請求項3或4記載之樹脂片，其中， 該無機填料的平均一次粒徑為10nm～5.0µm。
如請求項3或4記載之樹脂片，其中， 該基材層包含碳黑作為該無機填料。
如請求項2記載之樹脂片，其中， 該表面層中的該導電材料的含量為以該表面層總量為基準的10～30質量%。
如請求項2記載之樹脂片，其中， 該基材層的厚度為相對於該樹脂片整體厚度的70～97%。
一種樹脂片，其為成型用的樹脂片，並包括含有第一熱可塑性樹脂之基材層、以及疊層於該基材層的至少一面上之含有第二熱可塑性樹脂與導電材料的表面層； 該第二熱可塑性樹脂含有聚碳酸酯樹脂及聚酯樹脂； 該第一熱可塑性樹脂含有ABS樹脂及AS樹脂中的至少一種、聚碳酸酯樹脂、及聚酯樹脂； 該基材層含有由與該導電材料相同的材料所得的無機填料； 該樹脂片，在杜邦衝擊測試中的衝擊強度為1.0J以上，在拉伸試驗所得的應力應變曲線中，從原點到斷裂時的應變為止，積分值為80N/m<sup>2</sup>以下。
如請求項9記載之樹脂片，其中， 該基材層含有回收材料； 該回收材料係來自基材層及表面層疊加後的疊層片；該基材層係含有與該第一熱可塑性樹脂相同的樹脂；該表面層係含有與該第二熱可塑性樹脂相同的樹脂、和由與該導電材料相同的材料所得的無機填料。
如請求項10記載之樹脂片，其中， 在該基材層中之該回收材料的配比為以基材層總量為基準的2～30質量%。
如請求項9或10記載之樹脂片，其中， 該基材層內之該無機填料的含量為以該基材層總量為基準的0.3～2.8質量%。
如請求項9或10記載之樹脂片，其中， 該無機填料的平均一次粒徑為10nm～5.0µm。
如請求項9或10記載之樹脂片，其中， 該基材層包含碳黑作為該無機填料。
如請求項9或10記載之樹脂片，其中， 該表面層中的該導電材料的含量為以該表面層總量為基準的10～30質量%。
如請求項9或10記載之樹脂片，其中， 該基材層的厚度為相對於該樹脂片整體厚度的70～97%。
一種容器，其為請求項1～16中任一項記載之樹脂片之成型體。
一種承載帶，其為請求項1～16中任一項記載之樹脂片之成型體，設有一可收納物品的收納部。
一種電子元件封裝體，包括如請求項18記載之承載帶、一收納於該承載帶的該收納部內的電子元件、以及一接著至該承載帶作為覆蓋材料的覆蓋膜。
一種電光波導調變器裝置，包括：<br/> 一晶種層，直接位於一基板的一表面上，該基板的該表面具有一第一結晶學取向，該晶種層具有與該晶種層之一表面及該基板的該表面的該第一結晶學取向對準的一第一結晶學平面；<br/> 一電光通道，在該晶種層上沿一第一方向延伸並且具有與該晶種層之該表面對準的一第二結晶學平面；<br/> 一絕緣體層，在垂直於該第一方向之一第二方向上位於該基板上之該電光通道兩側上；<br/> 一電極阻障層，在該電光通道及該絕緣體層上；以及<br/> 一或多個電極，沿該第二方向延伸，其中<br/> 該晶種層及該絕緣體層各自包括具有一折射率低於該電光通道之材料。
如請求項1所述之電光波導調變器裝置，其中該晶種層包括具有與該晶種層之該表面對準的(001)結晶學平面的氧化鎂(MgO)。
如請求項2所述之電光波導調變器裝置，其中該電光通道包括選自鈦酸鋇(BaTiO<sub>3</sub>)及鈦酸鍶鋇(BaO<sub>4</sub>SrTi,BSTO)之材料，該材料具有與該晶種層之該表面對準的(001)結晶學平面。
如請求項1所述之電光波導調變器裝置，其中該晶種層之厚度在約0.25 nm至約5 nm之間。
如請求項1所述之電光波導調變器裝置，其中該電光通道在該第二方向上之一寬度在約4 nm與約500 nm之間，以及一厚度在約100 nm與約300 nm之間。
如請求項1所述之電光波導調變器裝置，其中該晶種層包含鈦酸鍶(SrTiO<sub>3</sub>)。
如請求項1所述之電光波導調變器裝置，其中該電光通道包含鈦酸鑭(La<sub>2</sub>Ti<sub>2</sub>O<sub>7</sub>)。
如請求項1所述之電光波導調變器裝置，其中該一或多個電極直接位於該電極阻障層上並在該電光通道上方。
如請求項8所述之電光波導調變器裝置，其中該電光通道包含一材料，該材料經配置以在藉由施加一電偏壓至該一或多個電極來產生一電場時改變該電光通道的一折射率。
如請求項1所述之電光波導調變器裝置，其中該電極阻障層包含氮化鉭(TaN)、氮化鈦(TiN)、鈦(Ti)及/或氧化鉭(Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>)。
如請求項1所述之電光波導調變器裝置，其中：<br/> 該基板包含矽；<br/> 該第一結晶學取向對準(001)結晶學平面；以及<br/> 該晶種層包含與該晶種層之該表面對準的(001)結晶學平面的氧化鎂(MgO)。
如請求項11所述之電光波導調變器裝置，其中該電光通道包括選自鈦酸鋇(BaTiO<sub>3</sub>)及鈦酸鍶鋇(BaO<sub>4</sub>SrTi,BSTO)之材料，該材料具有與該晶種層之該表面對準的(001)結晶學平面。
如請求項12所述之電光波導調變器裝置，其中該一或多個電極直接位於該電極阻障層上並在該電光通道上方。
一種形成一電光波導調變器裝置的方法，包括以下步驟：<br/> 透過選自一離子束輔助沉積製程及一脈衝雷射沉積製程的一製程在一基板上沉積一晶種層；<br/> 對該沉積之晶種層進行退火以使該晶種層之一第一結晶學平面與該晶種層之一表面對準；<br/> 在該晶種層上沉積一電光材料層；<br/> 對該沉積之電光材料層進行退火以使該電光材料層之一第二結晶學平面與該晶種層的該表面對準；以及<br/> 對該電光材料層及該晶種層進行圖案化以形成在該晶種層上沿一第一方向延伸的一電光通道，其中<br/> 該晶種層包括一折射率低於該電光通道的材料。
如請求項14所述之方法，其中<br/> 該對該沉積之晶種層進行退火之步驟包括一雷射退火製程，以及<br/> 該對該沉積之電光材料層進行退火之步驟包括一雷射退火製程。
如請求項14所述之方法，其中重複該沉積該晶種層之步驟及該對該沉積之晶種層進行退火之步驟。
如請求項14所述之方法，其中重複該沉積該電光材料層之步驟及該對該沉積之電光材料層進行退火之步驟。
如請求項14所述之方法，還包括以下步驟：<br/> 在該基板上沉積該晶種層之前，對該基板進行預清潔。
如請求項14所述之方法，還包括以下步驟：<br/> 在垂直於該第一方向之一第二方向上在該基板上的該電光通道的任一側上沉積一絕緣體層；<br/> 一電極阻障層，在該電光通道及該絕緣體層上；以及<br/> 一或多個電極，在該第二方向上延伸，其中<br/> 該晶種層及該絕緣體層各自包括一折射率低於該電光通道之材料。
如請求項14所述之方法，其中<br/> 該晶種層包括氧化鎂(MgO)，氧化鎂具有與該晶種層之該表面對準的(001)結晶學平面，以及<br/> 該電光通道包括選自鈦酸鋇(BaTiO<sub>3</sub>)及鈦酸鍶鋇(BaO<sub>4</sub>SrTi,BSTO)的材料，該材料具有與該晶種層之該表面對準的(001)結晶學平面。
如請求項14所述之方法，其中<br/> 該晶種層之一厚度在約0.25 nm與約5 nm之間，以及<br/> 該電光通道之一寬度在約4 nm與約500 nm之間，以及一厚度在約100 nm與約300 nm之間。
如請求項14所述之方法，其中<br/> 該晶種層包括鈦酸鍶(SrTiO<sub>3</sub>)，及該電光通道包括鈦酸鑭(La<sub>2</sub>Ti<sub>2</sub>O<sub>7</sub>)。
一種化學機械研磨設備,包含：<br/> 複數個研磨站，其中各研磨站包括用以支撐一研磨墊的一平臺及用以將來自一研磨液體供應源的一研磨液體通過一端口輸送至該研磨墊上的一研磨液體分配器； <br/> 複數個承載頭，該複數個承載頭可在該等研磨站之間移動以對著一所選研磨墊握持一基板；<br/> 一乙太網路控制自動化技術（EtherCAT）匯流排；<br/> 一液體流量控制器陣列，該液體流量控制器陣列包括耦合至該乙太網路控制自動化技術（EtherCAT）匯流排的複數個可獨立控制的液體流量控制器（LFC），該複數個液體流量控制器（LFC）包括一第一複數個液體流量控制器（LFC），該第一複數個液體流量控制器（LFC）中的各個個別液體流量控制器（LFC）控制來自該研磨液體供應源往一個別端口的研磨液體的流量；<br/> 一控制系統，該控制系統經配置以<br/> 獲得針對該複數個液體流量控制器（LFC）之各者的更新後控制器配置資料，其中，該複數個液體流量控制器（LFC） 之至少一者的更新後的該控制器配置資料與該複數個液體流量控制器（LFC） 之另一者的該更新後的控制器配置資料不同，及<br/> 自動地通過該乙太網路控制自動化技術（EtherCAT）匯流排向該複數個液體流量控制器（LFC）之各者依序傳送命令，以致使該等液體流量控制器（LFC）之各者依序通過乙太網路控制自動化技術（EtherCAT）匯流排下載該更新後控制器配置資料的一複本。
如請求項1之化學機械研磨設備，其中各研磨站包括用以通過一相應端口輸送一清潔液體以清潔該研磨墊的一清潔液體分配器，以及該複數個液體流量控制器（LFC）包括一第二複數個液體流量控制器（LFC），該第二複數個液體流量控制器（LFC）中的各個個別液體流量控制器（LFC）控制來自一洗淨液體供應源往該相應端口的該清潔液體的流量。
如請求項1之化學機械研磨設備，其中各研磨站包括一溫度控制液體分配器，該溫度控制液體分配器用以通過一相應端口輸送一加熱的或冷卻的液體至該研磨墊以控制，以及該複數個液體流量控制器（LFC）包括一第二複數個液體流量控制器（LFC），該第二複數個液體流量控制器（LFC）中的各個個別液體流量控制器（LFC）控制往該相應端口的該加熱的或冷卻的液體的流量。
如請求項1之化學機械研磨設備，包含一傳遞站及洗滌液體分配器以通過一相應端口輸送一洗滌液體到被定位於該傳遞站處的一基板上，且該複數個液體流量控制器（LFC）包括一第二液體流量控制器（LFC）以控制該洗滌液體往該相應端口的流量。
如請求項1之化學機械研磨設備，包含一或更多個清潔及/或乾燥站以在基板已於該等研磨站、該等清潔及/或乾燥站中之一或更多者處被研磨之後清潔及/或乾燥該等基板，該等研磨站、該等清潔及/或乾燥站中之該一或更多者乃選自包括一預清潔拋光站、一毛刷清潔器、一超音速清潔器、及一馬蘭哥尼乾燥器的群組，及該複數個液體流量控制器（LFC）包括一或更多個第二液體流量控制器（LFC）以控制一清潔及/或乾燥流體往一相應清潔及/或乾燥站中的一相應端口的流量。
如請求項1之化學機械研磨設備，其中該複數個液體流量控制器（LFC）具有十個到五十個液體流量控制器（LFC）。
如請求項1之化學機械研磨設備，其中該控制器配置資料包含用於至少一個控制器參數的至少一個值。
如請求項7之化學機械研磨設備，其中該至少一個控制器參數包含一流率。
如請求項1之化學機械研磨設備，其中該控制器配置資料包含控制器韌體。
如請求項9之化學機械研磨設備，其中該控制器韌體包含該控制器韌體的一版本更新。
一種操作一基板處理系統的方法，包含：<br/> 獲得用於該基板處理系統之複數個液體流量控制器（LFC）之各者的更新後控制器配置資料，其中該複數個液體流量控制器（LFC） 之至少一者的更新後的該控制器配置資料與該複數個液體流量控制器（LFC） 之另一者的該更新後的控制器配置資料不同；<br/> 藉由耦合至一乙太網路控制自動化技術（EtherCAT）匯流排的複數個液體流量控制器（LFC）之各者，通過該乙太網路控制自動化技術（EtherCAT）匯流排自動地下載該更新後控制器配置資料的一複本，該複數個液體流量控制器之各者控制來自該基板處理系統中之複數個流體線的一分離流體線的流體流量；及<br/> 利用具有該更新後控制器配置資料的該複數個液體流量控制器來控制通過該複數個流體線的流體流量。
如請求項11之方法，其中該控制器配置資料包含用於至少一個控制器參數的至少一個值。
如請求項12之方法，其中該至少一個控制器參數包含一流率。
如請求項11之方法，其中該控制器配置資料包含控制器韌體。
如請求項14之方法，其中該控制器韌體包含該控制器韌體的一版本更新。
一種經有形地實施在一非暫時性電腦可讀取媒體中的電腦程式產品，包含指令以致使一或更多個處理器進行以下操作：<br/> 接收用於該基板處理系統之複數個液體流量控制器（LFC）之各者的更新後控制器配置資料，其中該複數個液體流量控制器（LFC） 之至少一者的更新後的該控制器配置資料與該複數個液體流量控制器（LFC） 之另一者的該更新後的控制器配置資料不同；<br/> 自動地通過一乙太網路控制自動化技術（EtherCAT）匯流排向複數個液體流量控制器（LFC）之各者依序傳送命令，以致使該等液體流量控制器（LFC）之各者依序通過該乙太網路控制自動化技術（EtherCAT）匯流排下載該更新後控制器配置資料的一複本；及<br/> 致使該基板處理系統處理一基板，通過該基板處理系統中之複數個流體線之各者的流體流量由具有該更新後控制器配置資料的一相應液體流量控制器（LFC）所控制。
如請求項16之電腦程式產品，包含用以確認各液體流量控制器（LFC）已經更新來使用該更新後控制器配置資料的指令。
如請求項17之電腦程式產品，其中該用以確認的指令包括用以通過乙太網路控制自動化技術（EtherCAT）匯流排接收來自各液體流量控制器（LFC）的一核對和並將該核對和與一經儲存核對和值做比較的指令。
如請求項17之電腦程式產品，包含用以產生給一使用者之一通知的指令，該通知查證各液體流量控制器（LFC）已經更新以使用該更新後控制器配置資料。
如請求項16之電腦程式產品，包含用以認證該複數個液體流量控制器（LFC）之各者的指令。
一種積體元件封裝： <br/>一載體； <br/>一絕緣材料，在所述載體的上表面的一部分之上； <br/>一積體元件晶片，安裝到所述載體並且至少部分地嵌入所述絕緣材料中，所述積體元件晶片包括有源電路系統；以及 <br/>一虛設元件，安裝到所述載體並且至少部分地嵌入所述絕緣材料中，所述虛設元件與所述積體元件晶片間隔開，所述虛設元件沒有有源電路系統， <br/>其中所述虛設元件和所述積體元件晶片沿著一鍵合介面在沒有粘合劑的情況下被直接鍵合到所述載體，其中所述虛設元件和所述積體元件晶片沿著所述鍵合介面具有一平面化鍵合表面，其中所述虛設元件自一電子元件的一外側邊緣橫向插入並設置在所述外側邊緣以及所述積體元件晶片之間，且其中所述積體元件晶片的至少一橫向側邊緣位於與所述虛設元件相交的平面中。
根據請求項1所述的積體元件封裝，其中所述載體包括一第二積體元件晶片。
根據請求項1所述的積體元件封裝，其中所述載體包括一襯底。
根據請求項1所述的積體元件封裝，其中所述虛設元件的熱膨脹係數（CTE）小於約7ppm/°C。
根據請求項1所述的積體元件封裝，其中所述絕緣材料在所述積體元件封裝的所述外側邊緣處裸露。
根據請求項5所述的積體元件封裝，還包括：沿著所述外側邊緣的分割標記，所述分割標記指示分割工藝。
根據請求項6所述的積體元件封裝，其中所述分割標記包括切割標記。
根據請求項1所述的積體元件封裝，還包括：至少部分地嵌入所述絕緣材料中的多個虛設元件，所述多個虛設元件沒有有源電路系統。
根據請求項1所述的積體元件封裝，其中所述積體元件晶片完全嵌入所述絕緣材料中。
一種積體元件封裝： <br/>一載體； <br/>一絕緣材料； <br/>一積體元件晶片，至少部分地嵌入所述絕緣材料中，所述積體元件晶片包括有源電路系統；以及 <br/>多個虛設元件，至少部分地嵌入所述絕緣材料中，所述多個虛設元件沒有有源電路系統，所述多個虛設元件通過至少所述絕緣材料彼此間隔開，所述多個虛設元件沿著一鍵合介面在沒有粘合劑的情況下被直接鍵合到所述載體，所述多個虛設元件中的每一個虛設元件沿著所述鍵合介面具有一平面化鍵合表面， <br/>其中所述多個虛設元件中的至少一虛設元件自所述積體元件封裝的一外側邊緣橫向插入，其中所述至少一虛設元件設置在所述外側邊緣以及所述積體元件晶片之間，且其中所述至少一虛設元件的至少一橫向側邊緣位於與所述積體元件晶片相交的平面中。
根據請求項10所述的積體元件封裝，其中所述絕緣材料在所述積體元件封裝的所述外側邊緣處裸露。
根據請求項11所述的積體元件封裝，還包括：沿著所述絕緣材料的裸露側邊緣的分割標記，所述分割標記指示分割工藝。
根據請求項10所述的積體元件封裝，其中所述多個虛設元件圍繞所述積體元件晶片設置。
一種電子元件，包括： <br/>一載體，具有一第一非導電場區域和一第一導電接觸； <br/>一第一元件，在沒有粘合劑的情況下直接混合鍵合到所述載體，所述第一元件的一第二非導電場區域沿著一鍵合介面在沒有粘合劑的情況下直接鍵合到所述載體的所述第一非導電場區域，使得所述第一非導電場區域接觸所述第二非導電場區域、並且所述第一元件的一第二導電接觸直接鍵合到所述載體的所述第一導電接觸，所述第一元件沿著所述鍵合介面具有平面化鍵合表面；以及 <br/>一第二元件，沿著所述鍵合介面在沒有粘合劑的情況下直接鍵合到所述載體，使得僅所述第二元件的一第三非導電場區域被直接鍵合到所述載體的所述第一非導電場區域，且使得所述第三非導電場區域接觸所述第一非導電場區域，其中所述第二元件沿著所述鍵合介面具有平面化鍵合表面，其中所述第二元件自所述電子元件的一外側邊緣的一單片表面橫向插入，其中所述第二元件設置在所述外側邊緣以及所述第一元件之間，且其中所述第一元件的至少一橫向側邊緣位於與所述第二元件相交的平面中。
根據請求項14所述的電子元件，其中所述第一元件包括積體元件晶片，並且所述第二元件包括沒有有源電路系統的虛設元件。
根據請求項15所述的電子元件，還包括：一絕緣材料，所述第一元件和所述第二元件至少部分地嵌入所述絕緣材料中。
根據請求項16所述的電子元件，其中所述絕緣材料在所述電子元件的所述外側邊緣處裸露。
根據請求項14所述的電子元件，其中所述第三非導電場區域包括一未經圖案化的絕緣層。
一種電子元件，包括： <br/>一載體，具有一第一非導電場區域和一第一多個導電接觸； <br/>一第一元件，在沒有粘合劑的情況下直接混合鍵合到所述載體，所述第一元件的一第二非導電場區域沿著一鍵合介面在沒有粘合劑的情況下直接鍵合到所述載體的所述第一非導電場區域，使得所述第一非導電場區域接觸所述第二非導電場區域，並且所述第一元件的一第二多個導電接觸在沒有粘合劑的情況下直接鍵合到所述載體的所述第一多個導電接觸，所述第一元件沿著所述鍵合介面具有平面化鍵合表面；以及 <br/>一第二元件，在沒有粘合劑的情況下直接鍵合到所述載體，使得所述第二元件接觸所述載體，其中所述第二元件不包括被直接鍵合到所述載體的任何導電接觸，其中所述第二元件沿著所述鍵合介面具有平面化鍵合表面，其中所述第二元件自所述電子元件的一外側邊緣的一單片表面橫向插入，其中所述第二元件設置在所述外側邊緣以及所述第一元件之間，且其中所述第一元件的至少一橫向側邊緣位於與所述第二元件相交的平面中。
根據請求項19所述的電子元件，其中所述第一元件包括積體元件晶片，並且所述第二元件包括沒有有源電路系統的虛設元件。
根據請求項19所述的電子元件，還包括：在所述載體之上的一絕緣材料，所述第一元件和所述第二元件至少部分地嵌入所述絕緣材料中。
根據請求項20所述的電子元件，其中所述第一元件與所述第二元件其中每一者具有一活化鍵合表面。
根據請求項1所述的電子元件，其中所述絕緣材料包括一模塑膠。
根據請求項1所述的電子元件，其中所述虛設元件與所述積體元件晶片其中每一者具有一活化鍵合表面。
根據請求項1所述的電子元件，其中所述絕緣材料之一部分設置於所述外側邊緣與所述虛設元件之間。
根據請求項10所述的電子元件，其中所述多個虛設元件的至少一虛設元件包括一應力補償元件。
根據請求項10所述的電子元件，其中所述載體包括一有源電路系統。
根據請求項10所述的電子元件，其中所述多個虛設元件的其中每一個虛設元件具有一活化鍵合表面。
根據請求項10所述的電子元件，其中所述絕緣材料之一部分設置於所述外側邊緣與所述至少一虛設元件之間。
根據請求項10所述的電子元件，其中所述載體為一第二積體元件晶片。
根據請求項14所述的電子元件，其中所述第一元件與所述第二元件其中每一者具有一活化鍵合表面。
一種連接器殼體元件，其包括：<br/>殼體(10)，其具有至少一個容納空間(101)，每一所述容納空間(101)具有在所述殼體(10)之橫向上相對之左右兩個側壁；<br/>至少一個分隔裝置(30)，其分別沿所述殼體(10)之縱向插裝至每一所述至少一個容納空間(101)中，每一分隔裝置(30)將對應的一個容納空間(101)分隔成上插入腔(101a)及下插入腔(101b)；以及<br/>至少一個屏蔽裝置(40)，其分別安裝至每一所述至少一個分隔裝置(30)上，<br/>其特徵在於：<br/>每一所述至少一個屏蔽裝置(40)具有分別自所述分隔裝置(30)之兩側曝露之接觸彈片(40a、40b、40c)，所述接觸彈片(40a、40b、40c)分別擠壓在所述容納空間(101)之左右兩個側壁上，<br/>所述分隔裝置(30)具有頂板(31)，在所述頂板(31)上形成有一個懸臂式上彈性卡扣(30a)，所述屏蔽裝置(40)具有與所述分隔裝置(30)之頂板(31)相對之頂壁板(41)，在所述頂壁板(41)上未形成用於避讓所述上彈性卡扣(30a)之槽口。
如請求項1之連接器殼體元件，其中：<br/>所述分隔裝置(30)具有底板(32)，在所述底板(32)上形成有一個懸臂式下彈性卡扣(30b)，所述屏蔽裝置(40)具有與所述分隔裝置(30)之底板(32)相對之底壁板(42)，在所述底壁板(42)上未形成用於避讓所述下彈性卡扣(30b)之槽口。
如請求項2之連接器殼體元件，其中：<br/>所述分隔裝置(30)進一步具有位於所述頂板(31)及所述底板(32)之左右兩側之一對側板(33)及位於所述頂板(31)及所述底板(32)之前側之前側板(34)；<br/>在所述頂板(31)、所述底板(32)與所述前側板(34)之間界定一個左右開放安裝室(30d)，所述屏蔽裝置(40)插裝至所述安裝室(30d)中，並且所述接觸彈片(40a、40b、40c)分別自所述安裝室(30d)左右兩側之開口曝露。
如請求項3之連接器殼體元件，其中：<br/>所述屏蔽裝置(40)進一步具有位於所述頂壁板(41)及所述底壁板(42)之前側之前壁板(43)，所述接觸彈片(40a、40b、40c)包括分別連接至所述前壁板(43)、所述底壁板(42)及所述頂壁板(41)之邊緣之第一接觸彈片(40a)、第二接觸彈片(40b)及第三接觸彈片(40c)。
如請求項4之連接器殼體元件，其中：<br/>所述第一接觸彈片(40a)密封所述分隔裝置(30)之側面與所述容納空間(101)之側壁之間的水平延伸之頂部縫隙；<br/>所述第二接觸彈片(40b)密封所述分隔裝置(30)之側面與所述容納空間(101)之側壁之間的水平延伸之底部縫隙；<br/>所述第三接觸彈片(40c)密封所述分隔裝置(30)之側面與所述容納空間(101)之側壁之間的豎直延伸之前部縫隙。
如請求項1之連接器殼體元件，其中：<br/>在所述屏蔽裝置(40)之頂壁板(41)上形成有朝向所述分隔裝置(30)之頂板(31)凸出的上凸起部(41b、41c)，所述頂壁板(41)之與所述上彈性卡扣(30a)之自由端部對應的局部區域(41a)未朝向所述頂板(31)凸出，以增大所述上彈性卡扣(30a)之自由端部與所述頂壁板(41)之間的間距且保證所述上彈性卡扣(30a)之自由端部具有足夠之移動空間。
如請求項6之連接器殼體元件，其中：<br/>所述上彈性卡扣(30a)伸入至所述上插入腔(101a)中，適於將插入至所述上插入腔(101a)中之配對連接器鎖扣在所述上插入腔(101a)中；<br/>在將所述配對連接器插入所述上插入腔(101a)之過程中，所述配對連接器推動所述上彈性卡扣(30a)之自由端部朝向所述屏蔽裝置(40)之頂壁板(41)移動。
如請求項6之連接器殼體元件，其中：<br/>所述上凸起部(41b、41c)包括形成在所述頂壁板(41)上之一個矩形第一上凸起部(41b)及兩個條形第二上凸起部(41c)，所述第一上凸起部(41b)位於所述頂壁板(41)中間位置，所述兩個第二上凸起部(41c)分別位於所述第一上凸起部(41b)之左右兩側。
如請求項6之連接器殼體元件，其中：<br/>所述頂壁板(41)之後側部(41d)被彎折以向外抬起，且在所述頂壁板(41)之後側部(41d)上形成朝外凸起之與頂板(31)接觸之接觸凸起(41e)。
如請求項2之連接器殼體元件，其中：<br/>在所述屏蔽裝置(40)之底壁板(42)上形成有朝向所述分隔裝置(30)之底板(32)凸出之下凸起部(42b、42c)，所述底壁板(42)之與所述下彈性卡扣(30b)之自由端部對應的局部區域(42a)未朝向所述底板(32)凸出，以增大所述下彈性卡扣(30b)之自由端部與所述底壁板(42)之間的間距且保證所述下彈性卡扣(30b)之自由端部具有足夠之移動空間。
如請求項10之連接器殼體元件，其中：<br/>所述下彈性卡扣(30b)伸入至所述下插入腔(101b)中，適於將插入至所述下插入腔(101b)中之配對連接器鎖扣在所述下插入腔(101b)中；<br/>在將所述配對連接器插入所述下插入腔(101b)之過程中，所述配對連接器推動所述下彈性卡扣(30b)之自由端部朝向所述屏蔽裝置(40)之底壁板(42)移動。
如請求項10之連接器殼體元件，其中：<br/>所述下凸起部(42b、42c)包括形成在所述底壁板(42)上之一個矩形第一下凸起部(42b)及兩個條形第二下凸起部(42c)，所述第一下凸起部(42b)位於所述底壁板(42)中間位置，所述兩個第二下凸起部(42c)分別位於所述第一下凸起部(42b)之左右兩側。
如請求項10之連接器殼體元件，其中：<br/>所述底壁板(42)之後側部(42d)被彎折以向外抬起，且在所述底壁板(42)之後側部(42d)上形成朝外凸起之與底板(32)接觸之接觸凸起(42e)。
如請求項2之連接器殼體元件，其中：<br/>所述分隔裝置(30)具有分別自其頂板(31)及底板(32)之左右兩側之邊緣部向外伸出之多個連接舌(30c)，所述多個連接舌(30c)分別插入至所述容納空間(101)之左右兩個側壁上之插孔中並且被彎折且貼靠在所述容納空間(101)之左右兩個側壁上，以將所述分隔裝置(30)固定在所述殼體(10)中。
如請求項1之連接器殼體元件，其中：<br/>所述殼體(10)具有多個所述容納空間(101)，所述多個容納空間(101)沿所述殼體(10)之橫向排列成一行；<br/>所述連接器殼體元件包括多個所述分隔裝置(30)，所述多個分隔裝置(30)沿所述殼體(10)之橫向排列成一行；<br/>一行分隔裝置(30)將所述殼體(10)之一行容納空間(101)分隔成一行上插入腔(101a)及一行下插入腔(101b)。
如請求項15之連接器殼體元件，其中：<br/>所述殼體(10)包括頂壁(11)、底壁(12)、一對側壁(13)及至少一個分隔壁(14)，所述至少一個分隔壁(14)將所述殼體(10)之內部空間分隔成所述多個容納空間(101)。
如請求項16之連接器殼體元件，其中：<br/>所述一行容納空間(101)中之最左側或最右側之容納空間(101)之左右兩個側壁由所述殼體(10)之一個側壁(13)及一個分隔壁(14)構成；<br/>所述一行容納空間(101)中之除最左側及最右側之外的容納空間(101)之左右兩個側壁由所述殼體(10)之兩個分隔壁(14)構成。
如請求項16之連接器殼體元件，其中：<br/>所述連接器殼體元件亦包括電磁屏蔽彈片(20)，所述電磁屏蔽彈片(20)安裝在所述殼體(10)之前側之四周壁上。
如請求項1之連接器殼體元件，其中：<br/>每一所述分隔裝置(30)為藉由衝壓單片料板形成之一體式衝壓部件；並且<br/>每一所述屏蔽裝置(40)為藉由衝壓單片料板形成之一體式衝壓部件。
一種用於產生用於擴展現實體驗的混淆控制介面的方法，包括以下步驟：<br/> 決定一擴展現實設備在與該擴展現實設備相關聯的一實體環境的一映射場景內的一姿態；<br/> 由該擴展現實設備在該映射場景內呈現一虛擬控制介面，該虛擬控制介面根據一配置而被呈現，該配置包括一第一尺寸、相對於該擴展現實設備的該姿態的一第一方位、輸入元素的一第一順序和輸入元素的一第一數量；<br/> 基於來自該擴展現實設備的一或多個感測器的感測器資料，由該擴展現實設備，來決定該實體環境中的一隱私條件，該隱私條件與在該實體環境中存在一人、一或多個記錄設備和一或多個物件中的至少一個相關聯，該一或多個物件使得能夠從該實體環境的外部對該實體環境中的一或多個區域可進行觀看；及<br/> 回應於決定該實體環境中的該隱私條件，由該擴展現實設備，來調整由該擴展現實設備呈現的該虛擬控制介面的該配置，該調整後的配置包括一第二尺寸、輸入元素的一第二順序、輸入元素的一第二數量和相對於該擴展現實設備的該姿態且不同於該第一方位的一第二方位中的至少一個。
根據請求項1之方法，還包括以下步驟：<br/> 經由該虛擬控制介面接收多個輸入；及<br/> 基於經由該虛擬控制介面接收該多個輸入，將該虛擬控制介面的呈現從該配置切換到包括該調整後的配置的一第二配置。
根據請求項1之方法，還包括以下步驟：<br/> 決定該虛擬控制介面被映射到該實體環境中的一區域，該區域位於該人、該一或多個記錄設備和該一或多個物件中的至少一個的一視場（FOV）內，其中該人不同於與該擴展現實設備相關聯的一使用者；及<br/> 基於決定該虛擬控制介面被映射到該實體環境中的該區域，將該虛擬控制介面的該呈現從該配置切換到該調整後的配置。
根據請求項1之方法，其中調整該虛擬控制介面的該配置包括以下步驟：根據該輸入元素的第二順序對該虛擬控制介面的一或多個輸入元素重新排序，該一或多個輸入元素相對於該虛擬控制介面的一或多個不同輸入元素而被重新排序，並且其中對該一或多個輸入元素重新排序包括以下步驟：根據與該輸入元素的第一順序相對應的該一或多個不同輸入元素的一方位和一順序中的至少一個，來呈現該一或多個輸入元素。
根據請求項1之方法，其中根據該配置呈現該虛擬控制介面包括以下步驟：在該第一方位呈現該虛擬控制介面的一或多個輸入元素，並且其中調整該虛擬控制介面的該配置包括以下步驟：在該第二方位呈現該虛擬控制介面的一或多個不同輸入元素。
根據請求項1之方法，其中該虛擬控制介面包括一虛擬鍵盤，並且該等輸入元素包括虛擬按鍵，該方法進一步包括以下步驟：<br/> 當根據該配置呈現該虛擬鍵盤時，接收對該虛擬鍵盤的一虛擬按鍵的一選擇；及<br/> 在接收到對該虛擬按鍵的該選擇後，根據該調整後的配置呈現該虛擬鍵盤。
根據請求項6之方法，其中調整該虛擬鍵盤的該配置包括以下步驟：在該映射場景內用於在該配置期間呈現該虛擬按鍵的相同方位處呈現該虛擬按鍵，同時在該映射場景內用於在該配置期間呈現一或多個不同虛擬按鍵的不同方位處呈現該虛擬鍵盤的該一或多個不同虛擬按鍵。
根據請求項6之方法，其中調整該虛擬鍵盤的該配置包括以下步驟：根據該第二尺寸和該第二方位，來呈現該虛擬鍵盤，該第二尺寸和該第二方位不同於該第一尺寸和該第一方位。
根據請求項6之方法，還包括以下步驟：<br/> 當根據該配置呈現該虛擬鍵盤時，呈現一預測輸入元素集合，該預測輸入元素集合根據一附加配置而被呈現，該附加配置包括一第三尺寸、一第三方位和相對於彼此的一第三順序中的至少一個；<br/> 基於對該虛擬按鍵的該選擇，更新與該預測輸入元素集合中的一或多個預測元素相關聯的一內容和一功能中的至少一個；及<br/> 將該預測輸入元素集合的該呈現從該附加配置切換到一不同附加配置，該不同附加配置包括一第四尺寸、一第四方位和相對於彼此的一第四順序中的至少一個。
根據請求項1之方法，還包括以下步驟：<br/> 偵測該實體環境內的一區域，該區域被估計為在與該擴展現實設備相關聯的一使用者的一視場（FOV）內並且在該人、該一或多個記錄設備和該一或多個物件中的至少一個的一相應FOV之外，其中基於被估計為在該使用者的該FOV內和在該人、該一或多個記錄設備和該一或多個物件中的至少一個的該相應FOV之外的區域，來選擇該第一方位、該第二方位、該第一尺寸和該第二尺寸中的至少一個。
根據請求項10之方法，還包括以下步驟：<br/> 呈現一誘導輸入元素，該誘導輸入元素是在根據該配置呈現該虛擬控制介面之後被呈現的；<br/> 接收對該誘導輸入元素的一選擇；及<br/> 回應於對該誘導輸入元素的該選擇，根據該調整後的配置呈現該虛擬控制介面。
根據請求項1之方法，還包括以下步驟：<br/> 偵測與該虛擬控制介面相關聯的一或多個事件，該一或多個事件包括一超時事件、一安全條件和一意外輸入中的至少一個；及<br/> 基於該一或多個事件，將該虛擬控制介面的該呈現從該配置切換到該調整後的配置。
一種擴展現實裝置，包括：<br/> 記憶體；及 <br/> 耦合到該記憶體的一或多個處理器，該一或多個處理器被配置為進行以下操作：<br/> 決定該擴展現實裝置在與該擴展現實裝置相關聯的一實體環境的一映射場景內的一姿態；<br/> 在該映射場景內呈現一虛擬控制介面，該虛擬控制介面根據一配置而被呈現，該配置包括一第一尺寸、相對於該擴展現實裝置的該姿態的一第一方位、輸入元素的一第一順序和輸入元素的一第一數量；<br/> 基於來自該擴展現實裝置的一或多個感測器的感測器資料，來決定該實體環境中的一隱私條件，該隱私條件與在該實體環境中存在一人、一或多個記錄設備和一或多個物件中的至少一個相關聯，該一或多個物件使得能夠從該實體環境的外部對該實體環境中的一或多個區域可進行觀看；及<br/> 回應於決定該實體環境中的該隱私條件，來調整由該擴展現實裝置呈現的該虛擬控制介面的該配置，該調整後的配置包括一第二尺寸、輸入元素的一第二順序、輸入元素的一第二數量和相對於該擴展現實裝置的該姿態且不同於該第一方位的一第二方位中的至少一個。
根據請求項13之擴展現實裝置，該一或多個處理器被配置為進行以下操作：<br/> 經由該虛擬控制介面接收多個輸入；及<br/> 基於經由該虛擬控制介面接收該多個輸入，將該虛擬控制介面的呈現從該配置切換到該調整後的配置。
根據請求項13之擴展現實裝置，該一或多個處理器被配置為進行以下操作：<br/> 決定該虛擬控制介面被映射到該實體環境中的一區域，該區域位於該人、該一或多個記錄設備和該一或多個物件中的至少一個的一視場（FOV）內，其中該人不同於與該擴展現實裝置相關聯的一使用者；及<br/> 基於決定該虛擬控制介面被映射到該實體環境中的該區域，將該虛擬控制介面的該呈現從該配置切換到該調整後的配置。
根據請求項13之擴展現實裝置，其中為了調整該虛擬控制介面的該配置，該一或多個處理器被配置為進行以下操作：<br/> 根據該輸入元素的第二順序，對該虛擬控制介面的一或多個輸入元素重新排序，該一或多個輸入元素相對於該虛擬控制介面的一或多個不同輸入元素而被重新排序，並且其中對該一或多個輸入元素重新排序包括：根據與該輸入元素的第一順序相對應的該一或多個不同輸入元素的一方位和一順序中的至少一個，來呈現該一或多個輸入元素。
根據請求項13之擴展現實裝置，其中為了根據該配置呈現該虛擬控制介面，該一或多個處理器被配置為進行以下操作：<br/> 在該第一方位呈現該虛擬控制介面的一或多個輸入元素，並且其中調整該虛擬控制介面的該配置包括：在該第二方位呈現該虛擬控制介面的一或多個不同輸入元素。
根據請求項13之擴展現實裝置，其中該虛擬控制介面包括一虛擬鍵盤，並且該等輸入元素包括虛擬按鍵，該一或多個處理器被配置為進行以下操作：<br/> 當根據該配置呈現該虛擬鍵盤時，接收對該虛擬鍵盤的一虛擬按鍵的一選擇；及<br/> 在接收到對該虛擬按鍵的該選擇後，根據該調整後的配置呈現該虛擬鍵盤。
根據請求項18之擴展現實裝置，其中為了調整該虛擬鍵盤的該配置，該一或多個處理器被配置為進行以下操作：<br/> 在該映射場景內用於在該配置期間呈現該虛擬按鍵的相同方位處呈現該虛擬按鍵，同時在該映射場景內用於在該配置期間呈現一或多個不同虛擬按鍵的不同方位處呈現該虛擬鍵盤的該一或多個不同虛擬按鍵。
根據請求項18之擴展現實裝置，其中為了調整該虛擬鍵盤的該配置，該一或多個處理器被配置為進行以下操作：<br/> 根據該第二尺寸和該第二方位，來呈現該虛擬鍵盤，該第二尺寸和該第二方位不同於該第一尺寸和該第一方位。
根據請求項18之擴展現實裝置，該一或多個處理器被配置為進行以下操作：<br/> 當根據該配置呈現該虛擬鍵盤時，呈現一預測輸入元素集合，該預測輸入元素集合根據一附加配置而被呈現，該附加配置包括一第三尺寸、一第三方位和相對於彼此的一第三順序中的至少一個；<br/> 基於對該虛擬按鍵的該選擇，更新與該預測輸入元素集合中的一或多個預測元素相關聯的一內容和一功能中的至少一個；及<br/> 將該預測輸入元素集合的該呈現從該附加配置切換到一不同附加配置，該不同附加配置包括一第四尺寸、一第四方位和相對於彼此的一第四順序中的至少一個。
根據請求項13之擴展現實裝置，該一或多個處理器被配置為進行以下操作：<br/> 偵測該實體環境內的一區域，該區域被估計為在與該擴展現實裝置相關聯的一使用者的一視場（FOV）內並且在該人、該一或多個記錄設備和該一或多個物件中的至少一個的一相應FOV之外，其中基於被估計為在該使用者的該FOV內和在該人、該一或多個記錄設備和該一或多個物件中的至少一個的該相應FOV之外的區域，來選擇該第一方位、該第二方位、該第一尺寸和該第二尺寸中的至少一個。
根據請求項22之擴展現實裝置，該一或多個處理器被配置為進行以下操作：<br/> 呈現一誘導輸入元素，該誘導輸入元素是在根據該配置呈現該虛擬控制介面之後被呈現的；<br/> 接收對該誘導輸入元素的一選擇；及<br/> 回應於對該誘導輸入元素的該選擇，根據該調整後的配置呈現該虛擬控制介面。
根據請求項13之擴展現實裝置，該一或多個處理器被配置為進行以下操作：<br/> 偵測與該虛擬控制介面相關聯的一或多個事件，該一或多個事件包括一超時事件、一安全條件和一意外輸入中的至少一個；及<br/> 基於該一或多個事件，將該虛擬控制介面的該呈現從該配置切換到該調整後的配置。
一種一擴展現實設備的非暫時性電腦可讀取儲存媒體，包括儲存在其上的指令，當由一或多個處理器執行時，使該一或多個處理器進行以下操作：<br/> 決定一擴展現實設備在與該擴展現實設備相關聯的一實體環境的一映射場景內的一姿態；<br/> 在用於該擴展現實設備的該映射場景內呈現一虛擬控制介面，該虛擬控制介面根據一配置而被呈現，該配置包括一第一尺寸、相對於該擴展現實設備的該姿態的一第一方位、輸入元素的一第一順序和輸入元素的一第一數量；<br/> 基於來自該擴展現實設備的一或多個感測器的感測器資料，來決定該實體環境中的一隱私條件，該隱私條件與在該實體環境中存在一人、一或多個記錄設備和一或多個物件中的至少一個相關聯，該一或多個物件使得能夠從該實體環境的外部對該實體環境中的一或多個區域可進行觀看；及<br/> 回應於決定該實體環境中的該隱私條件，來調整由該擴展現實設備呈現的該虛擬控制介面的該配置，該調整後的配置包括一第二尺寸、輸入元素的一第二順序、輸入元素的一第二數量和相對於該擴展現實設備的該姿態且不同於該第一方位的第二方位中的至少一個。
根據請求項25之非暫時性電腦可讀取儲存媒體，包括儲存在其上的指令，當由該一或多個處理器執行時，使該一或多個處理器進行以下操作：<br/> 偵測與該虛擬控制介面相關聯的一或多個事件，該一或多個事件包括一輸入和一超時事件中的至少一個；及<br/> 基於該一或多個事件，將該虛擬控制介面的該呈現從該配置切換到該調整後的配置。
根據請求項25之非暫時性電腦可讀取儲存媒體，該非暫時性電腦可讀取儲存媒體包括儲存在其上的指令，當由該一或多個處理器執行時，使該一或多個處理器進行以下操作：<br/> 決定該虛擬控制介面被映射到該實體環境中的一區域，該區域位於該人、該一或多個記錄設備和該一或多個物件中的至少一個的一視場（FOV）內，其中該人不同於與該擴展現實設備相關聯的一使用者；及<br/> 基於決定該虛擬控制介面被映射到該實體環境中的該區域，將該虛擬控制介面的該呈現從該配置切換到該調整後的配置。
根據請求項25之非暫時性電腦可讀取儲存媒體，其中調整該虛擬控制介面的該配置包括以下操作中的至少一個：根據該輸入元素的第二順序對該虛擬控制介面的一或多個輸入元素重新排序以及在該第二方位呈現該虛擬控制介面的一或多個不同輸入元素。
根據請求項25之非暫時性電腦可讀取儲存媒體，其中該虛擬控制介面包括一虛擬鍵盤，並且該等輸入元素包括虛擬按鍵，該非暫時性電腦可讀取儲存媒體包括儲存在其上的指令，當由該一或多個處理器執行時，使該一或多個處理器進行以下操作：<br/> 當根據該配置呈現該虛擬鍵盤時，接收對該虛擬鍵盤的一虛擬按鍵的一選擇；及<br/> 在接收到對該虛擬按鍵的該選擇後，根據該調整後的配置呈現該虛擬鍵盤。
根據請求項25之非暫時性電腦可讀取儲存媒體，該非暫時性電腦可讀取儲存媒體包括儲存在其上的指令，當由該一或多個處理器執行時，使該一或多個處理器進行以下操作：<br/> 偵測該實體環境內的一區域，該區域被估計為在與該擴展現實設備相關聯的一使用者的一視場（FOV）內並且在該人、該一或多個記錄設備和該一或多個物件中的至少一個的一相應FOV之外，其中基於被估計為在該使用者的該FOV內和在該人、該一或多個記錄設備和該一或多個物件中的至少一個的該相應FOV之外的區域，來選擇該第一方位、該第二方位、該第一尺寸和該第二尺寸中的至少一個。
一種用於電路製造之方法，其包括： <br/>界定待形成於一電路基板上之一導電跡線之一軌跡(locus)； <br/>藉由雷射誘導正向轉移(LIFT)之一程序來使一金屬之熔融液滴自接近該電路基板之一施體基板射出至該界定軌跡上，藉此該等熔融液滴沿該界定軌跡之一長度黏附至該電路基板且在其上硬化；及 <br/>在該等熔融液滴硬化之後，以足夠能量導引一雷射射束朝向該界定軌跡以引起該等硬化液滴中之該金屬熔融且聚結(coalesce)至沿該界定軌跡之該長度延伸之一塊體層中， <br/>其中使該等熔融液滴射出包括將該等熔融液滴沈積於該電路基板上呈沿該界定軌跡之該長度延伸之一單一列，藉此藉由熔融該單一列來形成該導電跡線， <br/>其中該施體基板係透明的且具有對置之第一表面及第二表面，且包括該金屬之一施體膜安置於該第二表面上，使得該施體膜接近該界定軌跡， <br/>其中該施體膜包括一第一金屬，且其中包括一第二金屬之一黏附膜安置於該施體基板上之該施體膜上，且 <br/>其中該第二金屬比該第一金屬更快氧化，使得當該雷射射束照射該施體膜時，該第二金屬形成該第一金屬之該等熔融液滴上之一外層且該外層在該等熔融液滴衝擊該電路基板之後即黏附至該電路基板。
如請求項1之方法，其中使該等熔融液滴射出包括導引雷射輻射之脈衝穿過該施體基板之該第一表面且撞擊該施體膜以誘導自該施體膜射出至該金屬之該等熔融液滴之該界定軌跡上。
如請求項2之方法，其中在該LIFT程序中導引雷射輻射之該等脈衝及導引該雷射射束朝向該界定軌跡包括使用具有一可變脈衝持續時間之一單一雷射來使該等熔融液滴射出且使該等硬化液滴中之該金屬熔融。
如請求項1之方法，其中該黏附膜比該施體膜薄。
如請求項1之方法，其中該第一金屬包括銅，且其中該第二金屬係選自由鈦、錫、鉍及其等之合金組成之一群組。
如請求項1之方法，其中使該等熔融液滴射出且導引該雷射射束朝向該界定軌跡包括： <br/>使該等熔融液滴之一第一層射出至該電路基板上且導引該雷射射束熔融該第一層中之該等硬化液滴以形成該導電跡線之一下層；及 <br/>使該等熔融液滴之至少一第二層射出至該下層上且導引該雷射射束熔融該至少第二層中之該等硬化液滴以完成該導電跡線。
如請求項1之方法，其中導引該雷射射束包括使用該雷射射束來將足夠能量施加於該等硬化液滴以熔融該導電跡線中之該等硬化液滴之整個體積。
如請求項1之方法，其中導引該雷射射束包括使用該雷射射束來將足夠能量施加於該等硬化液滴以僅熔融該等硬化液滴之一外層且不熔融沿該界定軌跡之該長度之該等硬化液滴之整個體積。
如請求項1之方法，其中導引該雷射射束包括導引雷射能量之一脈衝序列沿該界定軌跡之該長度撞擊該等硬化液滴。
如請求項9之方法，其中該等脈衝之各者具有小於10 μs之一脈衝持續時間。
如請求項9之方法，其中導引該脈衝序列包括沿該軌跡掃描該雷射射束，使得該脈衝序列中之各脈衝具有與該脈衝序列中之一先前脈衝之一預定重疊。
如請求項1之方法，其中該等熔融液滴之各者與該單一列中之一先前熔融液滴重疊不超過該熔融液滴之一直徑之50%。
如請求項1之方法，其中界定該軌跡包括識別該電路基板上之第一端子與第二端子之間的一間隙，且其中使該等熔融液滴射出包括沈積該等熔融液滴以填充該間隙。
如請求項13之方法，其中該第一端子及該第二端子包括一第一金屬，且該第二金屬具有不同於該第一金屬之一組成，且其中導引該雷射射束包括熔融該第一金屬及該第二金屬以形成該第一端子及該第二端子處之異質金屬鍵。
如請求項13之方法，其中識別該間隙包括偵測已形成於該電路基板上之一電路跡線中之一缺陷，且其中藉由沈積該等熔融液滴且接著導引該雷射射束熔融該等硬化液滴來修復該缺陷。
一種用於在一電路基板上製造一導電跡線之設備，該設備包括： <br/>一沈積模組，其經組態以藉由雷射誘導正向轉移(LIFT)之一程序來使一金屬之熔融液滴自接近該電路基板之一施體基板射出至該導電跡線之一界定軌跡上，藉此該等熔融液滴沿該界定軌跡之一長度黏附至該電路基板且在其上硬化；及 <br/>一雷射模組，其經組態以使用足夠能量來導引一雷射射束朝向該界定軌跡以引起該等硬化液滴中之該金屬熔融且聚結至沿該界定軌跡之該長度延伸之一塊體層中， <br/>其中該沈積模組經組態以將該等熔融液滴沈積於該電路基板上呈沿該界定軌跡之該長度延伸之一單一列，其中該導電跡線由該單一列形成， <br/>其中該施體基板係透明的且具有對置之第一表面及第二表面，且包括該金屬之一施體膜安置於該第二表面上，使得該施體膜接近該界定軌跡， <br/>其中該施體膜包括一第一金屬，且其中包括一第二金屬之一黏附膜安置於該施體基板上之該施體膜上，且 <br/>其中該第二金屬比該第一金屬更快氧化，使得當該雷射射束照射該施體膜時，該第二金屬形成該第一金屬之該等熔融液滴上之一外層且該外層在該等熔融液滴衝擊該電路基板之後即黏附至該電路基板。
如請求項16之設備，其中該雷射模組經組態以導引雷射輻射之脈衝穿過該施體基板之該第一表面且撞擊該施體膜以誘導自該施體膜射出至該金屬之該等熔融液滴之該界定軌跡上。
如請求項17之設備，其中該雷射模組包括具有一可變脈衝持續時間之一單一雷射，其用於導引該LIFT程序中之雷射輻射之該等脈衝及導引該雷射射束熔融該等硬化液滴中之該金屬。
如請求項16之設備，其中該沈積模組及該雷射模組經組態以使該等熔融液滴之一第一層射出至該電路基板上且導引該雷射射束熔融該第一層中之該等硬化液滴以形成該導電跡線之一下層，且使該等熔融液滴之至少一第二層射出至該下層上且導引該雷射射束熔融該至少第二層中之該等硬化液滴以完成該導電跡線。
如請求項16之設備，其中該雷射模組經組態以使用該雷射射束來將足夠能量施加於該等硬化液滴以熔融該導電跡線中之該等硬化液滴之整個體積。
如請求項16之設備，其中該雷射模組經組態以使用該雷射射束來將足夠能量施加於該等硬化液滴以僅熔融該等硬化液滴之一外層且不熔融沿該界定軌跡之該長度之該等硬化液滴之整個體積。
如請求項21之設備，其中該雷射模組經組態以導引雷射能量之一脈衝序列沿該界定軌跡之該長度撞擊該等硬化液滴。
如請求項22之設備，其中該等脈衝之各者具有小於10 μs之一脈衝持續時間。
如請求項22之設備，其中該雷射模組經組態以沿該軌跡掃描該雷射射束，使得該等脈衝之各者具有與該序列中之一先前脈衝之一預定重疊，其中該等熔融液滴之各者與該單一列中之一先前熔融液滴重疊不超過該熔融液滴之一直徑之50%。
如請求項16之設備，其包括控制電路系統(circuitry)，該控制電路系統經組態以識別該電路基板上之第一端子與第二端子之間的一間隙且控制該沈積模組沈積該等熔融液滴以填充該間隙。
如請求項25之設備，其中該第一端子及該第二端子包括一第一金屬，且該第二金屬具有不同於該第一金屬之一組成，且其中該雷射模組經組態以導引該雷射射束熔融該第一金屬及該第二金屬以形成該第一端子及該第二端子處之異質金屬鍵。
一種用於一處理腔室的噴頭，包括：<br/>一面板，該面板具有穿過其設置的複數個氣體分配孔；及<br/>一個或多個纜線，該一個或多個纜線與該面板接合且經配置對該面板施加預應力（prestress），其中該面板包括一個或多個通道，該一個或多個通道在該面板的一上表面上以容納該一個或多個纜線，其中該一個或多個通道包括一環形部分和徑向部分，該環形部分圍繞該面板的一外周延伸，該等徑向部分從該環形部分延伸到該面板的一外側壁。
如請求項1所述之噴頭，進一步包括一個或多個蓋板，該一個或多個蓋板設置在該面板上以覆蓋該一個或多個通道。
如請求項1所述之噴頭，其中該一個或多個通道包括兩個通道，及該等兩個通道中的各者的該等徑向部分以彼此成約180度設置。
如請求項1所述之噴頭，其中該一個或多個纜線設置在該面板的徑向外側。
如請求項1所述之噴頭，其中該一個或多個纜線包括複數個交織的金屬股線。
如請求項1至5中任一項所述之噴頭，進一步包括一錨固件，該錨固件耦接到該一個或多個纜線的各端且經配置將該一個或多個纜線保持在一受應力位置（stressed position）以對該面板施加預應力。
如請求項1至5中任一項所述之噴頭，進一步包括複數個固持構件，該複數個固持構件耦接到該面板的該外側壁，及其中該一個或多個纜線延伸穿過該複數個固持構件。
如請求項1至5中任一項所述之噴頭，其中該面板的該上表面包括一環形密封槽，該環形密封槽從該一個或多個纜線徑向向內設置。
如請求項1至5中任一項所述之噴頭，進一步包括一阻隔板，該阻隔板具有複數個通孔，該複數個通孔耦接到該面板的該上表面。
一種處理腔室，包括：<br/>一腔室主體，該腔室主體耦接到一蓋組件以在其中界定一內部空間；<br/>一基板支撐件，該基板支撐件設置在該內部空間中；及<br/>一面板，該面板具有靜置在該腔室主體上的一外周，其中該面板包括穿過其延伸的複數個氣體分配孔，該複數個氣體分配孔設置在該內部空間中且與該基板支撐件相對，其中一個或多個纜線靠近該面板的該外周設置且經配置對該面板施加預應力。
如請求項10所述之處理腔室，其中該一個或多個纜線嵌入在該面板中。
如請求項10所述之處理腔室，其中該面板包括一個或多個通道，該一個或多個通道在該面板的一上表面上以容納該一個或多個纜線，及其中一個或多個蓋板設置在該一個或多個纜線上方以覆蓋該一個或多個通道。
如請求項10至12中任一項所述之處理腔室，進一步包括圍繞該基板支撐件的一上襯墊和一下襯墊。
一種減少一處理腔室中使用的一面板下垂的方法，包括以下步驟：<br/>經由一個或多個纜線對該面板施加一壓縮力，該一個或多個纜線在該面板的一外周附近與該面板接合。
如請求項14所述之方法，進一步包括以下步驟：在將該面板安裝在該處理腔室中之後，隨後經由該處理腔室中的該一個或多個纜線對該面板重新施加一壓縮力。
如請求項14所述之方法，進一步包括以下步驟：在施加該壓縮力之後，使用錨固件來將該一個或多個纜線保持在一受應力狀態。
如請求項14至16中任一項所述之方法，其中該一個或多個纜線的兩端彼此相鄰。
如請求項14至16中任一項所述之方法，其中該一個或多個纜線的兩端彼此成約180度設置。
如請求項14至16中任一項所述之方法，其中施加該壓縮力的步驟包括以下步驟：在另一端被錨定或夾緊時，在該一個或多個纜線的一端上拉動。
一種電氣裝置，其包括：<br/>金屬阻障層(102)，<br/>陽極多孔氧化物區域(AAO)，其是在所述金屬阻障層上，<br/>在所述陽極多孔氧化物區域周圍的溝槽(104)，所述溝槽到達所述金屬阻障層，<br/>襯墊(107)，其是至少在所述溝槽在所述陽極多孔氧化物區域的側邊的壁(106)上，所述襯墊形成電隔離阻障並且具有在所述陽極多孔氧化物區域之上的開口(109)，<br/>硬遮罩(108)，其被配置在所述溝槽以及所述襯墊之上，所述硬遮罩具有在所述陽極多孔氧化物區域之上的至少一開口(109)。
如請求項1之裝置，其中所述襯墊(107)是以保形的方式而被配置在所述溝槽(104)的兩個壁上以及在所述溝槽的底部上。
如請求項1或2之裝置，其中所述硬遮罩的厚度是被選擇以大於在至少部分被填入所述襯墊的所述溝槽中的空孔的寬度(W1)的一半。
如請求項1或2之裝置，其中所述襯墊是被沉積以使得第一餘留的溝槽被配置在所述溝槽中，並且：<br/>所述硬遮罩包括在所述第一餘留的溝槽的高度的額外的開口，或是<br/>所述硬遮罩的厚度是被選擇以使得第二餘留的溝槽被配置在所述第一餘留的溝槽中。
如請求項1或2之裝置，其中所述溝槽的深寬比是低於2。
如請求項1或2之裝置，其中所述硬遮罩的所述開口的邊緣是與所述溝槽在所述陽極多孔氧化物區域的側邊的壁對齊的、或是在此區域的中心的方向上與所述溝槽在所述陽極多孔氧化物區域的側邊的壁間隔開一給定距離(W2)。
如請求項6之裝置，其中所述給定距離是大於500奈米。
如請求項1或2之裝置，其中所述襯墊包括二氧化矽、或是矽氮化物、或是鉬或鎢。
如請求項1或2之裝置，其中所述陽極多孔氧化物區域包括氧化鋁。
如請求項1或2之裝置，其進一步包括一電容器，其包含第一導電層、覆蓋所述第一導電層的第一絕緣體層、以及覆蓋所述第一絕緣體層的第二導電層，所述電容器是被形成在所述陽極多孔氧化物區域的孔隙內域。
一種製造包括陽極多孔氧化物區域的電氣裝置之方法，包括：<br/>在金屬阻障層(102)上形成可陽極化的金屬層(103)，<br/>在所述可陽極化的金屬層中，在所述可陽極化的金屬層的一部分(105)周圍形成溝槽(104)，所述部分在陽極化之後將會包含所述陽極多孔氧化物區域(AAO)，所述溝槽到達所述金屬阻障層，<br/>至少在所述溝槽在所述可陽極化的金屬層的所述部分的側邊上的壁(106)上形成襯墊(107)，其具有在所述陽極多孔氧化物區域之上的開口，<br/>在所述溝槽以及所述襯墊之上形成硬遮罩(108)，其具有至少一在所述可陽極化的金屬層的所述部分之上的開口，<br/>陽極化所述可陽極化的金屬層的所述部分，以獲得所述陽極多孔氧化物區域(AAO)，<br/>其中所述襯墊在所述陽極多孔氧化物區域周圍形成電隔離阻障。
如請求項11之方法，其中形成所述襯墊包括在所述溝槽的兩個壁上以及在所述溝槽的底部上以保形的方式沉積所述襯墊。
如請求項11或12之方法，其中所述硬遮罩的所述開口的邊緣是與所述溝槽在所述可陽極化的層的所述部分的側邊上的壁對齊、或是在此部分的中心的方向上與所述溝槽在所述可陽極化的層的所述部分的側邊上的壁間隔開一給定距離(W2)。
如請求項11或12之方法，其中形成所述襯墊包括沉積二氧化矽、或是矽氮化物、或是鉬或鎢。
如請求項11或12之方法，其進一步包括形成電容器，其包含：形成第一導電層、形成覆蓋所述第一導電層的第一絕緣體層、以及形成覆蓋所述第一絕緣體層的第二導電層，所述電容器是被形成在所述陽極多孔氧化物區域的孔隙內。
一種樹脂組成物，其係包含(A)環氧樹脂，(B)應力緩和材、(C)無機填充材及(E)馬來醯亞胺化合物，其中，(E)成分包含(E1)包含與馬來醯亞胺之氮原子直接鍵結之碳原子數5以上之脂肪族基的馬來醯亞胺化合物、(E1)具有下述式(E1-8)表示之結構的馬來醯亞胺化合物及(E2)包含三甲基茚滿骨架的馬來醯亞胺化合物之1種以上，樹脂組成物中之不揮發成分之合計設為100質量%時，(C)成分的含量為30質量%以上85質量%以下，以下述<Stud pull試驗條件>進行5次試驗時，下述<剝離模式之判定基準>之中，表示剝離模式I或剝離模式III，且剝離時之荷重值為180kgf/cm<sup>2</sup>以上，<Stud pull試驗條件>在進行了粗化處理之貼銅積層板設置該樹脂組成物之層，以溫度T<sub>1</sub>加熱90分鐘，使樹脂組成物硬化，得到評價基板，該評價基板之樹脂組成物之硬化物層上，以環氧接著劑固定螺柱銷，以150℃加熱1小時接著，使用Stud pull試驗機，以2kgf/秒之速度，將螺柱銷對於評價基板之主面呈垂直方向拉伸，觀察硬化物層剝離時點之荷重值與剝離模式，又，溫度T<sub>1</sub>係指使用示差掃描熱量計，在昇溫速度5℃/分鐘的條件下，由30℃昇溫至350℃時，該樹脂組成物所呈現之放熱峰之溫度為T時，表示(T+10)以上的溫度，在此，釘狀冶具係接著面之直徑為2.7mm的釘狀冶具，荷重值之單位為kgf/cm<sup>2</sup>，T<sub>1</sub>、T各自之單位為℃，<剝離模式之判定基準>剝離模式I：在貼銅積層板-硬化物層之界面產生剝離為3次以上剝離模式II：硬化物層產生凝聚破壞為3次以上剝離模式III：在硬化物層-螺柱銷之界面產生剝離為3次以上，<figure><img align="absmiddle" height="112px" width="334px" file="d10004.TIF" alt="化學式ed10004.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10004.png"/></figure>(式(E1-8)中，A<sup>11</sup>表示單鍵、伸烷基或伸烯基，環Z<sup>1</sup>表示可具有選自烷基及烯基之基的非芳香族環，nB11表示0~10之整數，A<sup>11</sup>為複數時，彼等可相同或相異，環Z<sup>1</sup>為複數時，彼等可相同或相異)。
如請求項1之樹脂組成物，相對於(B)成分時，(E)成分之質量比((E)成分/(B)成分)為0.15~5。
如請求項1之樹脂組成物，其中樹脂組成物中之不揮發成分之合計設為100質量%時，(B)成分之含量為1質量%以上30質量%以下。
如請求項1之樹脂組成物，其中樹脂組成物中之樹脂成分之合計設為100質量%時，(B)成分的含量為15~50質量%。
如請求項1之樹脂組成物，其中(B)成分之數平均分子量(Mn)為1,000以上。
如請求項1之樹脂組成物，其中(B)成分為選自玻璃轉移溫度(Tg)為25℃以下的樹脂及25℃下，液狀之樹脂之1種以上。
如請求項1之樹脂組成物，其中(B)成分為分子內具有選自由聚丁二烯結構、聚矽氧烷結構、聚(甲基)丙烯酸酯結構、聚伸烷基結構、聚氧化烯羥結構、聚異戊二烯結構、聚異丁烯結構及聚碳酸酯結構之1種以上之結構的樹脂。
如請求項1之樹脂組成物，其中(E)成分包含(E1)包含與馬來醯亞胺之氮原子直接鍵結之碳原子數5以上之脂肪族基的馬來醯亞胺化合物。
如請求項8之樹脂組成物，其中(E)成分包含下述式(E1-1)表示的化合物，<figure><img align="absmiddle" height="130px" width="348px" file="d10005.TIF" alt="化學式ed10005.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10005.png"/></figure>(式(E1-1)中，A<sup>1</sup>表示可具有取代基之碳原子數5以上之脂肪族基，L<sup>1</sup>表示單鍵或2價之連結基，nB1表示0~20之整數，A<sup>1</sup>為複數時，彼等可相同或相異，L<sup>1</sup>為複數時，彼等可相同或相異)。
如請求項1之樹脂組成物，其中(E)成分包含(E2)包含三甲基茚滿骨架的馬來醯亞胺化合物。
如請求項10之樹脂組成物，其中(E2)成分包含式(E2-2)表示之結構，<figure><img align="absmiddle" height="216px" width="670px" file="d10006.TIF" alt="化學式ed10006.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10006.png"/></figure>(式(E2-2)中，Ar<sup>a1</sup>表示可具有取代基之2價之芳香族環基，R<sup>a1</sup>及R<sup>a2</sup>各自獨立表示取代基，R<sup>a3</sup>表示2價之脂肪族烴基，n<sub>a1</sub>表示正整數，n<sub>a2</sub>各自獨立表示0~4之整數，n<sub>a3</sub>各自獨立表示0~3之整數，R<sup>a1</sup>為複數時，彼等可相同或相異，R<sup>a2</sup>為複數時，彼等可相同或相異，複數的R<sup>a3</sup>彼此可相同或相異)。
如請求項1之樹脂組成物，其中進一步包含(D)硬化劑。
如請求項12之樹脂組成物，(B)成分對(A)成分與(D)硬化劑的質量比((B)成分/[(A)成分+(D)成分])之質量比為0.2~1.5。
如請求項1之樹脂組成物，其中樹脂組成物中之不揮發成分之合計設為100質量%時，(C)成分之含量為40質量%以上85質量%以下。
如請求項1之樹脂組成物，其中進一步包含(F)硬化促進劑。
如請求項1之樹脂組成物，其係印刷配線板之絕緣層用。
如請求項1之樹脂組成物，其係封裝用。
一種樹脂薄片，其係包含支撐體，及設置於該支撐體上之如請求項1~17中任一項之樹脂組成物之層。
一種印刷配線板，其係包含由如請求項1~16中任一項之樹脂組成物之硬化物所構成的絕緣層。
一種半導體晶片封裝，其係包含由如請求項1~15、17中任一項之樹脂組成物之硬化物所構成的密封層。
如請求項20之半導體晶片封裝，其係扇出(Fan-Out)型封裝。
一種半導體裝置，其係包含由如請求項1~17中任一項之樹脂組成物之硬化物所構成之層。
一種樹脂組成物，含有：<br/> 聚苯醚化合物，具有下述式(1)及式(2)所示基團中之至少一者；<br/> 硬化劑，可與前述聚苯醚化合物反應；<br/> 苯乙烯系聚合物，具有下述式(3)及式(4)所示結構單元，且前述式(4)所示結構單元中之至少一部分為下述式(5)所示結構單元；及<br/> 無機充填劑，包含氮化硼；<br/> 相對於前述聚苯醚化合物、前述硬化劑及前述苯乙烯系聚合物之合計100質量份，前述無機充填劑之含量為100~320質量份；<br/> [化學式1]<br/><img align="absmiddle" height="96px" width="226px" file="ed10028.jpg" alt="ed10028.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (式(1)中，s表示0~10之整數；Z表示伸芳基；R<sub>1</sub>~R<sub>3</sub>分別獨立表示氫原子或烷基)<br/> [化學式2]<br/><img align="absmiddle" height="69px" width="198px" file="ed10029.jpg" alt="ed10029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (式(2)中，R<sub>4</sub>表示氫原子或烷基)<br/><br/> [化學式3]<br/><img align="absmiddle" height="160px" width="148px" file="ed10030.jpg" alt="ed10030.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [化學式4]<br/><img align="absmiddle" height="89px" width="156px" file="ed10031.jpg" alt="ed10031.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (式(3)中，R<sub>35</sub>~R<sub>37</sub>分別獨立表示氫原子或烷基，R<sub>38</sub>表示氫原子或烷基；<br/> 式(4)中，R<sub>39</sub>~R<sub>42</sub>分別獨立表示氫原子或烷基，R<sub>39</sub>及R<sub>40</sub>分別獨立為烷基時，R<sub>41</sub>及R<sub>42</sub>為氫原子，或者是，R<sub>41</sub>及R<sub>42</sub>分別獨立為烷基時，R<sub>39</sub>及R<sub>40</sub>為氫原子)<br/> [化學式5]<br/><img align="absmiddle" height="109px" width="161px" file="ed10032.jpg" alt="ed10032.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之樹脂組成物，其中前述硬化劑包含選自於由下述化合物所構成群組中之至少1種：分子中具有2個以上丙烯醯基之多官能丙烯酸酯化合物、分子中具有2個以上甲基丙烯醯基之多官能甲基丙烯酸酯化合物、分子中具有2個以上乙烯基之多官能乙烯基化合物、苯乙烯衍生物、分子中具有烯丙基之烯丙基化合物、分子中具有馬來醯亞胺基之馬來醯亞胺化合物、分子中具有苊結構之苊化合物及分子中具有三聚異氰酸酯基之三聚異氰酸酯化合物。
如請求項1之樹脂組成物，其中前述無機充填劑更包含選自於由二氧化矽、無水碳酸鎂、氧化鋁、氮化矽所構成群組中之至少1種。
如請求項1之樹脂組成物，其中前述聚苯醚化合物具有前述式(2)所示基團。
如請求項1之樹脂組成物，其中相對於前述聚苯醚化合物、前述硬化劑及前述苯乙烯系聚合物之合計100質量份，前述苯乙烯系聚合物之含量為5~25質量份。
如請求項1之樹脂組成物，其中相對於前述聚苯醚化合物、前述硬化劑及前述苯乙烯系聚合物之合計100質量份，前述聚苯醚化合物之含量為50~90質量份。
如請求項1之樹脂組成物，其中前述苯乙烯系聚合物中，前述式(3)所示結構單元之莫耳分率為5~50莫耳%。
如請求項1之樹脂組成物，其中前述苯乙烯系聚合物之重量平均分子量為10,000~200,000。
如請求項1之樹脂組成物，其中前述無機充填劑包含二氧化矽及氮化硼。
如請求項9之樹脂組成物，其中前述無機充填劑中，二氧化矽與氮化硼之含有比率(二氧化矽：氮化硼)以質量比計為80~20：20~80。
如請求項1至10中任一項之樹脂組成物，其中前述樹脂組成物之硬化物的熱傳導率為1.0W/m・K以上，且頻率10GHz下的介電損耗正切為0.003以下。
一種預浸體，具備：如請求項1至11中任一項之樹脂組成物或前述樹脂組成物之半硬化物；及纖維質基材。
一種附樹脂之薄膜，具備：樹脂層，包含如請求項1至11中任一項之樹脂組成物或前述樹脂組成物之半硬化物；及支持薄膜。
一種附樹脂之金屬箔，具備：樹脂層，包含如請求項1至11中任一項之樹脂組成物或前述樹脂組成物之半硬化物；及金屬箔。
一種覆金屬積層板，具備：絕緣層，包含如請求項1至11中任一項之樹脂組成物之硬化物或如請求項12之預浸體之硬化物；及金屬箔。
一種配線板，具備：絕緣層，包含如請求項1至11中任一項之樹脂組成物之硬化物或如請求項12之預浸體之硬化物；及配線。
一種從一材料的一表面向內形成一三維特徵的方法，包含以下步驟：<br/> 提供一噴墨印表機，其具有一或多個噴嘴，每一噴嘴包含一液滴分配器，該液滴分配器包括一出口；<br/> 分配其中具有一反應物的一液體材料的離散液滴，該反應物能夠與該等液滴所接觸的該材料層的部分發生反應並且藉此移除該材料層的該等部分；<br/> 在該噴墨印表機下方提供一支撐件；<br/> 在該支撐件上支撐該材料層，該支撐件與該噴墨印表機的該液滴分配器可相對於彼此移動；<br/> 移動該支撐件與該噴墨印表機的該液滴分配器中的至少一者，使得該液滴分配器的該出口可定位於該材料的該表面的不同離散區域上方；以及<br/> 經由相對於該液滴分配器定位該支撐件，而使該材料層的該表面定位於該液滴分配器下方，並且將液滴分配到在一期望區域中的該材料的該表面的離散部分，以移除該期望區域中的該材料層的至少一部分並且藉此從該材料的該表面向內形成一三維凹陷；<br/> 透過該一或多個噴嘴施加其中具有一淬火化學物質的一液體材料，該淬火化學物質能夠藉由與其中具有一反應物的該液體材料中的該反應物反應而淬火其中具有一反應物的該液體材料與該材料層之間的該反應；<br/> 其中該液滴分配器包含一第一供給管線及一第二供給管線，該第一供給管線包含具有均勻濃度或莫耳濃度的一蝕刻劑，且該第二供給管線包含具有一均勻濃度的淬火化學物質。
如請求項1所述的方法，進一步包含以下步驟：將該液體材料的不同量的液滴分配到該期望區域的不同部分。
如請求項2所述的方法，其中跨該期望區域的一跨度，所分配的液滴的一數量在其中正形成的該三維特徵較深的區域中較大。
如請求項1所述的方法，其中從該液滴分配器分配的液體材料的該等液滴具有一均勻濃度的該反應物；<br/> 液體的該等液滴在該期望區域上方分配，並且<br/> 其中施加其中具有能夠淬火其中具有一反應物的該液體材料與該材料層之間的該反應的一淬火反應物的該液體材料之步驟包含利用該液滴分配器分配具有能夠淬火其中具有一反應物的該液體材料與該材料層之間的該反應的一淬火反應物的該液體材料；<br/> 該淬火反應物透過該液滴分配器在一時間跨度上施加到該期望區域，其中將移除一較大量的材料的該期望區域的部分與其中將移除一較少量的材料的該期望區域的部分相比，在一較晚時間接收額外的蝕刻劑；以及<br/> 在將該淬火化學物質施加到該期望區域後，將一沖洗劑施加至該基板。
如請求項4所述的方法，其中該等液體液滴具有該均勻濃度的反應物。
如請求項1所述的方法，進一步包含以下步驟：將其中具有不同濃度的該反應物的液體液滴提供到該期望區域的不同離散部分。
如請求項6所述的方法，其中將其中具有一較大濃度的該反應物的液滴分配到其中正形成的該三維特徵較深的一區域的離散部分，並且將其中具有一較低濃度的該反應物的液滴分配到其中正形成的該三維特徵與該等其較深部分相比較淺的一區域的離散部分。
如請求項1所述的方法，進一步包含以下步驟：將具有不同體積的液體液滴提供到該期望區域的不同離散部分。
如請求項8所述的方法，其中具有不同體積的該等液滴於其中具有該均勻濃度的該反應物。
如請求項8所述的方法，其中將具有一較大體積的該等液滴分配到其中正形成的該三維特徵較深的一區域的離散部分，並且將具有一較低體積的液滴分配到其中正形成的該三維特徵與該等其較深部分相比較淺的一區域的離散部分。
如請求項1所述的方法，其中該材料的該表面係一不期望的特徵，進一步包含以下步驟：分配液體液滴以從該異常特徵的該表面向內形成一三維特徵。
如請求項1所述的方法，其中該材料在一下層第二材料上方設置，並且該材料在該期望區域中移除以暴露該下層第二材料的一下層表面。
一種其中具有一三維特徵的材料層，藉由以下操作製造：<br/> 提供一噴墨印表機，其具有一或多個噴嘴，每一噴嘴包含一液滴分配器，該液滴分配器包括一出口；<br/> 分配其中具有一反應物的一液體材料的離散液滴，該反應物能夠與該等液滴所接觸的該材料層的部分發生反應並且藉此移除該材料層的該等部分；<br/> 在該噴墨印表機下方提供一支撐件；<br/> 在該支撐件上支撐該材料層，該支撐件與該噴墨印表機的該液滴分配器可相對於彼此移動；<br/> 移動該支撐件與該噴墨印表機的該液滴分配器中的至少一者，使得該液滴分配器的該出口可定位於該材料的該表面的不同離散區域上方；以及<br/> 經由相對於該液滴分配器定位該支撐件，而使該材料層的該表面定位於該液滴分配器下方，並且將液滴分配到在一期望區域中的該材料的該表面的離散部分，以移除該期望區域中的該材料層的至少一部分並且藉此從該材料的該表面向內形成一三維凹陷；<br/> 透過該一或多個噴嘴施加其中具有一淬火化學物質的一液體材料，該淬火化學物質能夠藉由與其中具有一反應物的該液體材料中的該反應物反應而淬火其中具有一反應物的該液體材料與該材料層之間的該反應；<br/> 其中該液滴分配器包含一第一供給管線及一第二供給管線，該第一供給管線包含具有均勻濃度或莫耳濃度的一蝕刻劑，且該第二供給管線包含具有一均勻濃度的淬火化學物質。
如請求項13所述的材料層，進一步包含將該液體材料的不同量的液滴分配到該期望區域的不同部分。
如請求項13所述的材料層，其中從該液滴分配器分配的液體材料的該等液滴具有一均勻濃度的該反應物；<br/> 液體的該等液滴在該期望區域上方分配，並且<br/> 其中施加其中具有能夠淬火其中具有一反應物的該液體材料與該材料層之間的該反應的一淬火反應物的該液體材料之步驟包含利用該液滴分配器分配具有能夠淬火其中具有一反應物的該液體材料與該材料層之間的該反應的一淬火反應物的該液體材料；<br/> 該淬火反應物透過該液滴分配器在一時間跨度上施加到該期望區域，其中將移除一較大量的材料的該期望區域的部分與其中將移除一較少量的材料的該期望區域的部分相比，在一較晚時間接收額外的蝕刻劑；以及<br/> 在將該淬火化學物質施加到該期望區域後，將一沖洗劑施加至該基板。
如請求項13所述的材料層，進一步包含將其中具有不同濃度的該反應物的液體液滴提供到該期望區域的不同離散部分。
如請求項13所述的材料層，進一步包含將具有不同體積的液體液滴提供到該期望區域的不同離散部分。
一種在一材料層上形成一圖案化的光阻劑的方法，包含以下步驟；<br/> 提供一噴墨印表機，其具有一或多個噴嘴，每一噴嘴包含一液滴分配器，該液滴分配器包括一出口，該出口被構造為從其中分配一液體材料的離散液滴；<br/> 提供一支撐件，經構造為支撐其上的該材料層，該支撐件及該液滴分配器可相對於彼此移動；<br/> 移動該支撐件與該噴墨印表機的該液滴分配器中的至少一者，使得該液滴分配器的該出口可定位於該材料的該表面的不同離散區域上方；<br/> 提供一第一液體，該第一液體可由該液滴分配器以液滴形式分配，且包含一光阻聚合物；<br/> 提供一第二液體，該第二液體包含一致敏劑，當與該聚合物混合時，改變該聚合物對電磁能量的一反應性；<br/> 將該材料層的該表面定位於該液滴分配器下方，並且將該第一液體的離散部分的液滴分配到該材料層的該整個表面，並且僅將該第二液體的液滴分配到該材料層的一期望離散區域，以便在該材料層的該期望離散區域中使該第一液體與該第二液體混合；以及<br/> 施加其中具有一淬火化學物質的一液體材料，該淬火化學物質能夠藉由與一反應物反應而淬火其中具有該反應物的該液體材料與該材料層之間的該反應；<br/> 其中該液滴分配器包含一第一供給管線及一第二供給管線，該第一供給管線包含具有均勻濃度或莫耳濃度的一蝕刻劑，且該第二供給管線包含具有一均勻濃度的淬火化學物質。
如請求項18所述的方法，其中在該離散區域內，將不同量的該第一液體分配到該離散區域的不同部分。
如請求項19所述的方法，其中將該第一液體的多個子層相繼塗佈到該材料層上，該材料層的一第一子層及後續子層在彼此上方形成，並且接收該第二液體的該離散區域的該部分從該第一子層增加到所形成的該最終子層。
一種半導體裝置，其包括： <br/>基板，其包括： <br/>第一基板側面， <br/>與所述第一基板側面相對的第二基板側面， <br/>基板外側壁，其在所述第一基板側面與所述第二基板側面之間，及 <br/>基板內側壁，其在所述第一基板側面與所述第二基板側面之間限定空腔； <br/>裝置堆疊，其在所述空腔中且包括： <br/>第一電子裝置；及 <br/>第二電子裝置，其堆疊於所述第一電子裝置上； <br/>第一內部互連件，其耦合到所述基板和所述裝置堆疊； <br/>堆疊蓋，其在所述裝置堆疊的頂側上； <br/>囊封物，其覆蓋所述基板內側壁和所述裝置堆疊且填充所述空腔 <br/>其中： <br/>所述堆疊蓋在所述囊封物的頂側處暴露；且 <br/>所述裝置堆疊在所述囊封物的底側處暴露。
根據請求項1所述的半導體裝置，其中： <br/>所述基板包括鄰近所述基板的第一邊緣的基板擱架； <br/>所述基板擱架在所述第一基板側面處包括內部端子；且 <br/>所述囊封物覆蓋所述第一基板側面，但使所述基板擱架和所述內部端子暴露。
根據請求項2所述的半導體裝置，其中： <br/>所述囊封物在與所述基板擱架的介面處包括凹陷的側壁；且 <br/>所述凹陷的側壁傾斜成與所述第一基板側面成銳角。
根據請求項1所述的半導體裝置，其進一步包括： <br/>垂直互連件，其在所述第一基板側面上耦合到第一內部端子； <br/>其中所述垂直互連件延伸通過所述囊封物且在所述囊封物的頂側處暴露。
根據請求項1所述的半導體裝置，其中： <br/>所述裝置堆疊的至少一側不由所述基板限界。
根據請求項1所述的半導體裝置，其中： <br/>所述堆疊蓋包括蓋熱膨脹係數； <br/>所述裝置堆疊包括裝置熱膨脹係數； <br/>所述囊封物包括囊封物熱膨脹係數；且 <br/>所述蓋熱膨脹係數與所述裝置熱膨脹係數的差值小於與所述囊封物熱膨脹係數的差值。
根據請求項6所述的半導體裝置，其中： <br/>所述蓋熱膨脹係數與所述裝置熱膨脹係數基本上相同。
根據請求項1所述的半導體裝置，其包括： <br/>第一外部互連件；及 <br/>第二外部互連件； <br/>其中： <br/>所述基板包括鄰近所述基板的第一邊緣的基板第一擱架，及在所述基板第一擱架下方在所述第二基板側面處的第一外部端子； <br/>所述基板包括鄰近所述基板的第二邊緣的基板第二擱架，及在所述基板第二擱架下方在所述第二基板側面處的第二外部端子； <br/>所述囊封物覆蓋所述第一基板側面，但使所述基板第一擱架和所述基板第二擱架暴露； <br/>所述第一外部互連件在所述囊封物的覆蓋區外部在所述基板第一擱架下方耦合到所述第一外部端子；且 <br/>所述第二外部互連件在所述囊封物的所述覆蓋區外部在所述基板第二擱架下方耦合到所述第二外部端子。
一種製造半導體裝置的方法，其包括： <br/>接收基板，其包括： <br/>第一基板側面， <br/>與所述第一基板側面相對的第二基板側面， <br/>基板外側壁，其在所述第一基板側面與所述第二基板側面之間，及 <br/>基板內側壁，其在所述第一基板側面與所述第二基板側面之間限定空腔； <br/>提供裝置堆疊，所述裝置堆疊在所述空腔中且包括： <br/>第一電子裝置；及 <br/>第二電子裝置，其堆疊於所述第一電子裝置上； <br/>提供第一內部互連件，所述第一內部互連件耦合到所述基板和所述裝置堆疊； <br/>提供堆疊蓋，所述堆疊蓋在所述裝置堆疊的頂側上；及 <br/>提供囊封物，所述囊封物覆蓋所述基板內側壁和所述裝置堆疊且填充所述空腔。
根據請求項9所述的方法，其進一步包括： <br/>在提供所述囊封物之前提供在所述第一基板側面上耦合到第一內部端子的垂直互連件； <br/>其中所述垂直互連件延伸通過所述囊封物且在所述囊封物的頂側處暴露。
根據請求項9所述的方法，其中： <br/>所述基板包括鄰近所述基板的第一邊緣的基板第一擱架，及在所述基板第一擱架下方在所述第二基板側面處的第一外部端子； <br/>所述基板包括鄰近所述基板的第二邊緣的基板第二擱架，及在所述基板第二擱架下方在所述第二基板側面處的第二外部端子；且 <br/>所述囊封物覆蓋所述第一基板側面，但使所述基板第一擱架和所述基板第二擱架暴露； <br/>所述方法進一步包括： <br/>提供在所述囊封物的覆蓋區外部在所述基板第一擱架下方耦合到所述第一外部端子的第一外部互連件；及 <br/>提供在所述囊封物的所述覆蓋區外部在所述基板第二擱架下方耦合到所述第二外部端子的第二外部互連件。
一種半導體裝置，其包括： <br/>基底基板，其具有第一側和在所述第一側上的內部基底端子； <br/>在所述基底基板上方的第一模組，所述第一模組包括： <br/>基板，其包括： <br/>第一基板側面， <br/>與所述第一基板側面相對的第二基板側面， <br/>基板外側壁，其在所述第一基板側面與所述第二基板側面之間，及 <br/>基板內側壁，其在所述第一基板側面與所述第二基板側面之間限定空腔； <br/>裝置堆疊，其在所述空腔中且包括： <br/>第一電子裝置；及 <br/>第二電子裝置，其堆疊於所述第一電子裝置上； <br/>第一內部互連件，其耦合到所述基板和所述裝置堆疊；及 <br/>第一囊封物，其覆蓋所述基板內側壁和所述裝置堆疊且填充所述空腔； <br/>在所述第一模組上方的第二模組； <br/>第二囊封物，其在所述基底基板上方且接觸所述第一模組和所述第二模組的橫向側；及 <br/>所述第二囊封物中的外部互連件，其接觸所述基底基板的頂側和所述第一模組的所述基板的底側。
根據請求項12所述的半導體裝置，其進一步包括： <br/>模組互連件，其在所述第二囊封物中、與所述內部基底端子和所述第一模組的所述基板耦合。
根據請求項13所述的半導體裝置，其中： <br/>所述第一模組的所述基板包括鄰近所述基板的第一邊緣的基板擱架； <br/>所述基板擱架在所述第一基板側面處包括內部端子； <br/>所述第一囊封物覆蓋所述第一基板側面，但使所述基板擱架和所述內部端子暴露；且 <br/>所述模組互連件與所述內部端子耦合。
根據請求項14所述的半導體裝置，其中： <br/>所述第一囊封物在與所述基板擱架的介面處包括凹陷的側壁；且 <br/>所述凹陷的側壁傾斜成與所述第一基板側面成銳角。
根據請求項13所述的半導體裝置，其中： <br/>所述第一模組包括在所述第一基板側面上耦合到第一內部端子的垂直互連件； <br/>所述垂直互連件延伸通過所述第一囊封物且在所述第一囊封物的頂側處暴露；且 <br/>所述模組互連件經由所述垂直互連件與所述基板耦合。
根據請求項12所述的半導體裝置，其中： <br/>所述第一模組在所述裝置堆疊的頂側上包括堆疊蓋。
一種半導體裝置，其包括： <br/>第一模組，其包括： <br/>第一基板，其包括第一空腔和第一內部端子； <br/>第一裝置堆疊，其在所述第一空腔中且包括多個電子裝置，其中所述多個電子裝置中的第一電子裝置包含第一裝置端子； <br/>第一囊封物，其在所述第一空腔中且覆蓋所述第一裝置堆疊的所述多個電子裝置的橫向側；以及 <br/>第一內部互連件，其在所述第一囊封物中且與所述第一內部端子和所述第一裝置端子耦合； <br/>其中： <br/>所述第一基板包括基板擱架； <br/>所述第一基板包括基板凸緣部分以及從所述基板凸緣部分延伸的基板垂直部分，所述基板凸緣部分包括凸緣； <br/>所述基板凸緣部分界定所述第一空腔的第一寬度，並且所述基板垂直部分界定所述第一空腔的第二寬度，所述第一空腔的所述第二寬度大於所述第一空腔的所述第一寬度；並且 <br/>所述基板擱架包括所述凸緣，並且所述凸緣包括所述第一內部端子。
根據請求項18所述的半導體裝置，其中： <br/>所述第一囊封物覆蓋所述凸緣的頂側以及所述凸緣的橫向側。
根據請求項18所述的半導體裝置，其中： <br/>所述基板擱架的頂側沒有被所述第一囊封物覆蓋。
根據請求項20所述的半導體裝置，其中： <br/>所述第一囊封物的側壁相對於所述基板擱架的所述頂側呈現一銳角。
根據請求項18所述的半導體裝置，其中： <br/>所述第一囊封物經由所述第一基板的底側而露出。
根據請求項18所述的半導體裝置，其中： <br/>所述第一電子裝置經由所述第一基板的底側而露出。
根據請求項18所述的半導體裝置，其包括： <br/>第二模組，其在所述第一模組上方，其中所述第二模組包括： <br/>第二基板，其包括第二空腔和第二內部端子； <br/>第二裝置堆疊，其在所述第二空腔中且包括第二多個電子裝置，其中所述第二多個電子裝置中的第二電子裝置包括第二裝置端子； <br/>第二囊封物，其在所述第二空腔中且覆蓋所述第二裝置堆疊的所述第二多個電子裝置的橫向側；以及 <br/>第二內部互連件，其在所述第二囊封物中且與所述第二內部端子及所述第二裝置端子耦合； <br/>其中所述第二基板包括第二基板擱架。
根據請求項24所述的半導體裝置，其中： <br/>所述第一基板的橫向側是與所述第二基板的橫向側齊平。
根據請求項24所述的半導體裝置，其中： <br/>所述第一基板的橫向側偏移所述第二基板的橫向側。
根據請求項24所述的半導體裝置，其包括： <br/>基底基板，其中所述第一模組和所述第二模組在所述基底基板上方；以及 <br/>主要囊封物，其在所述基底基板上方且覆蓋所述第一模組和所述第二模組的橫向側。
根據請求項27所述的半導體裝置，其包括： <br/>第一導電黏合劑，其在所述基底基板的頂側以及所述第一基板的底側之間；以及 <br/>第二導電黏合劑，其在所述第一基板的頂側以及所述第二基板的底側之間。
一種半導體裝置，其包括： <br/>第一模組，其包括： <br/>第一基板，其包括頂側、底側、在所述第一基板中的第一空腔以及第一導電結構； <br/>第一裝置堆疊，其包括在所述第一空腔中的第一電子裝置以及在所述第一空腔外部的第二電子裝置，其中所述第一電子裝置包括第一裝置端子並且所述第二電子裝置包括第二裝置端子； <br/>第一囊封物，其在所述第一空腔中； <br/>第二囊封物，其在所述第一基板的所述頂側上方，其中所述第一囊封物覆蓋所述第一電子裝置的橫向側並且所述第二囊封物覆蓋所述第二電子裝置的橫向側； <br/>第一內部互連件，其在所述第一囊封物中且與所述第一裝置端子以及所述第一導電結構耦合；以及 <br/>第二內部互連件，其在所述第二囊封物中且與所述第二裝置端子以及所述第一導電結構耦合。
根據請求項29所述的半導體裝置，其中所述第一模組還包括: <br/>第一外部互連件，其在所述第一基板的所述底側處；以及 <br/>第二外部互連件，其在所述第一基板的所述頂側處且在所述第二囊封物的開口中。
根據請求項30所述的半導體裝置，其中： <br/>所述第一囊封物覆蓋覆蓋所述第一基板的所述底側且覆蓋所述第一外部互連件的橫向側。
根據請求項30所述的半導體裝置，其中： <br/>所述第二外部互連件的頂側在所述第二囊封物的頂側下方。
根據請求項30所述的半導體裝置，其包括： <br/>第二模組，其在所述第一模組上方且包括： <br/>第二基板，其包括頂側、底側、在所述第二基板中的第二空腔以及第二導電結構； <br/>第二裝置堆疊，其包括在所述第二空腔中的第三電子裝置以及在所述第二空腔外部的第四電子裝置，其中所述第三電子裝置包括第三裝置端子且所述第四電子裝置包括第四裝置端子； <br/>第三囊封物，其在所述第二空腔中； <br/>第四囊封物，其在所述第二基板的所述頂側上方，其中所述第三囊封物覆蓋所述第三電子裝置的橫向側且所述第四囊封物覆蓋所述第四電子裝置的橫向側； <br/>第三內部互連件，其在所述第三囊封物中且與所述第三裝置端子以及所述第二導電結構耦合； <br/>第四內部互連件，其在所述第四囊封物中且與所述第四裝置端子以及所述第二導電結構耦合；以及 <br/>第三外部互連件，其在所述第二基板的所述底側處； <br/>其中所述第三外部互連件與在所述第二囊封物的所述開口中的所述第二外部互連件耦合。
一種半導體裝置，其包括： <br/>基底基板，其包括頂側、底側以及多個內部基底端子； <br/>第一模組，其包括： <br/>第一基板，其包括第一空腔以及第一導電結構； <br/>第一裝置堆疊，其包括位在所述第一空腔中的第一電子裝置，所述第一電子裝置包含第一裝置端子； <br/>第一囊封物，其在所述第一空腔中且覆蓋所述第一電子裝置的橫向側；以及 <br/>第一內部互連件，其在所述第一囊封物中且與所述第一導電結構以及所述第一裝置端子耦合； <br/>第二模組，其在所述第一模組上方且包括： <br/>第二基板，其包括第二空腔以及第二導電結構； <br/>第二裝置堆疊，其包括位於所述第二空腔中的第二電子裝置，所述第二電子裝置包括第二裝置端子； <br/>第二囊封物，其在所述第二空腔中且覆蓋所述第二電子裝置的橫向側；以及 <br/>第二內部互連件，其在所述第二囊封物中且與所述第二導電結構以及所述第二裝置端子耦合； <br/>主要囊封物，其在所述基底基板上方； <br/>第一模組互連件，其在所述主要囊封物中且與所述第一導電結構以及所述多個內部基底端子的第一內部基底端子耦合；以及 <br/>第二模組互連件，其在所述主要囊封物中且與所述第二導電結構以及所述多個內部基底端子的第二內部基底端子耦合； <br/>其中： <br/>所述第一裝置堆疊包括在所述第一囊封物中以及在所述第一空腔外部的第二電子裝置； <br/>所述第一囊封物在所述第一基板以及所述基底基板的頂側之間；並且 <br/>所述第一囊封物在所述第二電子裝置的頂側以及所述基底基板的頂側之間，其中所述第二電子裝置的所述頂側面向所述基底基板的所述頂側。
根據請求項34所述的半導體裝置，其中： <br/>所述第一囊封物覆蓋所述第一基板的橫向側；並且 <br/>所述第二囊封物覆蓋所述第二基板的橫向側。
一種用於對控制資訊進行多工的方法，所述方法包括：在通信系統中的實體通道上對所述控制資訊進行多工，其中所述控制資訊包括重複請求應答部分；基於包含於對應於所述通信系統中的動態授與訊務的所述重複請求應答部分中的應答類型的量來判定可變臨限值；以及基於所判定的所述可變臨限值，為所述重複請求應答部分分配所述實體通道的資源量。
如請求項1所述的方法，其中分配所述資源量包括基於對所述動態授與訊務的所述應答量超過所述臨限值來分配可變資源量。
如請求項2所述的方法，其中所述多工包括速率匹配。
如請求項1所述的方法，其中分配所述資源量包括基於對所述動態授與訊務的所述應答量小於所述臨限值來分配保留資源量。
如請求項4所述的方法，其中所述應答量包括應答位元的數目。
如請求項4所述的方法，其中所述多工包括擊穿。
如請求項1所述的方法，其中所述重複請求應答部分包括碼簿。
如請求項7所述的方法，其中：所述實體通道包括實體上行鏈路共用通道(PUSCH)；且所述碼簿包括類型2混合自動重複請求應答(HARQ-ACK)碼簿。
如請求項1所述的方法，其中所述臨限值包括：基於第一應答類型的第一分量；以及基於第二應答類型的第二分量。
如請求項9所述的方法，其中：所述第一分量包括基於對半持久排程訊務的一或多個應答的可變量；且所述第二分量包括基於對動態授與訊務的一或多個應答的固定量。
如請求項9所述的方法，其中：所述第一分量是基於用於半持久排程訊務的一或多個組態；且所述第二分量包括基於對所述動態授與訊務的一或多個應答的量。
如請求項1所述的方法，其中分配所述資源量包括基於所述臨限值及所述應答部分的大小來分配保留資源量。
如請求項1所述的方法，其中：分配所述資源量包括基於所述臨限值及所述應答部分的大小來分配可變資源量；且所述多工包括速率匹配。
如請求項1所述的方法，其中所述臨限值是基於所述重複請求應答部分的大小的錯誤機率。
如請求項14所述的方法，其中所述錯誤機率是基於下行鏈路控制資訊(DCI)傳輸的數目。
一種用於對控制資訊進行多工的裝置，所述裝置包括：收發器，經組態以在實體通道上對重複請求應答酬載進行多工；以及控制器，經組態以執行以下操作：基於包含於對應於動態授與訊務的所述重複請求應答酬載中的應答的數目來判定可變臨限值；以及基於所判定的所述可變臨限值，將所述實體通道的資源量分配給所述重複請求應答酬載。
如請求項16所述的裝置，其中所述控制器進一步經組態以基於對包含於所述酬載中的動態授與訊務的應答的所述數目及對包含於所述酬載中的半持久排程訊務的應答的數目來分配保留資源量。
一種檢查夾具，包括：棒狀的多個接觸件；第一支撐部，支撐所述多個接觸件的一端部側；以及第二支撐部，支撐所述多個接觸件的另一端部側，所述第一支撐部包括相向支撐板，所述相向支撐板相對於所述第二支撐部而隔離地相向配置，且形成有供所述多個接觸件插通的多個貫穿孔，所述各貫穿孔的剖面具有長軸在沿著所述相向支撐板的面方向的、規定的特定方向上延伸的橢圓形狀，所述多個接觸件具有圓柱形狀，所述剖面的所述特定方向的兩端部的曲率半徑小於所述各接觸件的半徑。
如請求項1所述的檢查夾具，其中所述多個貫穿孔分為沿著規定的第一方向而彼此平行地延伸的奇數列以及偶數列而配置，所述偶數列的各貫穿孔位於通過所述奇數列的各貫穿孔的中心且與所述第一方向正交的第二方向的各直線之間。
如請求項2所述的檢查夾具，其中在所述各奇數列中沿所述第一方向鄰接的所述貫穿孔彼此的中心間的距離，比沿所述第二方向鄰接的所述奇數列彼此的貫穿孔的中心間的距離短，在所述各偶數列中沿所述第一方向鄰接的所述貫穿孔彼此的中心間的距離，比沿所述第二方向鄰接的所述偶數列彼此的貫穿孔的中心間的距離短，所述特定方向為所述第二方向。
如請求項1至3中任一項所述的檢查夾具，其中所述各貫穿孔中的、所述第二支撐部側的開口緣部經倒角。
如請求項1至3中任一項所述的檢查夾具，其中在所述各貫穿孔的內表面形成用於減輕摩擦的滑層，所述滑層相對於所述接觸件的摩擦係數，比所述相向支撐板中的所述滑層的底層部分的摩擦係數小。
如請求項4所述的檢查夾具，其中所述各貫穿孔中的、所述第二支撐部側的開口緣部被設為經倒角的倒角部，在所述各貫穿孔的包含所述倒角部的內表面中的除了所述倒角部以外的部分即貫穿孔本體部、以及所述倒角部的至少一者，形成用於減輕摩擦的滑層，所述滑層相對於所述接觸件的摩擦係數，比所述相向支撐板中的所述滑層的底層部分的摩擦係數小。
如請求項1至3中任一項所述的檢查夾具，其中所述第一支撐部包含位於所述相向支撐板的與所述第二支撐部為相反的一側的支撐板，所述相向支撐板的彎曲強度比所述支撐板強。
如請求項1至3中任一項所述的檢查夾具，其中所述第一支撐部包含位於所述相向支撐板的與所述第二支撐部為相反的一側的支撐板，在所述支撐板，形成有多個貫穿孔，所述多個貫穿孔相對於所述相向支撐板的多個貫穿孔而相對應，以供同一接觸件插通，關於所述相對應的所述相向支撐板的貫穿孔與所述支撐板的貫穿孔，所述相向支撐板的貫穿孔的位置與所述支撐板的貫穿孔的位置相對於垂線的方向而偏離，以使所述接觸件相對於所述相向支撐板的所述垂線而傾斜，所述偏離的方向沿著所述特定方向。
如請求項2或3所述的檢查夾具，其中所述多個貫穿孔沿著所述特定方向而配置有多列，且沿著與所述第一方向交叉的第三方向而配置有多列，在所述貫穿孔等間隔地排列的區域內，沿所述特定方向排列的列數比沿所述第三方向排列的列數少。
一種檢查裝置，包括：如請求項1至9中任一項所述的檢查夾具；以及檢查處理部，基於通過使所述接觸件接觸至設於檢查對象物的檢查點而獲得的電信號，來進行所述檢查對象物的檢查。
一種具有電力閘架構之積體電路裝置，其包含： <br/>記憶體電路系統，其藉由一經電力閘控電源啟動； <br/>位準偏移電路系統，其接收在一第一電壓域中的一開關控制信號、將在該第一電壓域中的該開關控制信號偏移至一第二電壓域、並提供在該第二電壓域中的該開關控制信號；及 <br/>電力閘控電路系統，其藉由在該第二電壓域中的該開關控制信號啟動，其中該電力閘控電路系統在藉由在該第二電壓域中的該開關控制信號啟動時，將該經電力閘控電源提供至該記憶體電路系統以使用該經電力閘控電源觸發該記憶體電路系統的啟動， <br/>其中該第一電壓域係指一周邊電壓域，且其中該第二電壓域係指一核心電壓域。
如請求項1之裝置，其中該電力閘控電路系統提供在該第二電壓域中的該經電力閘控電源。
如請求項1之裝置，其中該電力閘控電路系統接收在該第二電壓域中的一來源電壓電源，並基於在該第二電壓域中的該來源電壓電源將在該第二電壓域中的該經電力閘控電源提供至該記憶體電路系統。
如請求項1之裝置，其中該電力閘控電路系統包含一p型金屬氧化物半導體(PMOS)電晶體，該PMOS電晶體操作為基於接收在該第二電壓域中的該開關控制信號的一電力閘。
如請求項1之裝置，其中該位準偏移電路系統包含一位準偏移器及多個緩衝器，該位準偏移器及多個緩衝器串聯耦接至該電力閘控電路系統。
如請求項1之裝置，其中該記憶體電路系統係指非揮發性記憶體(NVM)電路系統。
如請求項6之裝置，其中該NVM電路系統包含磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)。
一種具有電力閘架構之積體電路裝置，其包含： <br/>記憶體電路系統，其藉由一經電力閘控電源啟動； <br/>位準偏移電路系統，其接收在一第一電壓域中的一開關控制信號、將在該第一電壓域中的該開關控制信號偏移至一第二電壓域、並提供在該第二電壓域中的該開關控制信號；及 <br/>電力閘控電路系統，其藉由在該第二電壓域中的該開關控制信號啟動， <br/>其中該電力閘控電路系統在藉由在該第二電壓域中的該開關控制信號啟動時，將該經電力閘控電源提供至該記憶體電路系統以使用該經電力閘控電源觸發該記憶體電路系統的啟動，及 <br/>其中該位準偏移電路系統進一步接收在該第一電壓域中的一保持控制信號、將在該第一電壓域中的該保持控制信號偏移至該第二電壓域、並提供在該第二電壓域中的該保持控制信號。
一種具有電力閘架構之積體電路裝置，其包含： <br/>記憶體電路系統，其藉由一經電力閘控電源啟動； <br/>位準偏移電路系統，其接收在一第一電壓域中的一開關控制信號、將在該第一電壓域中的該開關控制信號偏移至一第二電壓域、並提供在該第二電壓域中的該開關控制信號；及 <br/>電力閘控電路系統，其藉由在該第二電壓域中的該開關控制信號啟動，其中該電力閘控電路系統在藉由在該第二電壓域中的該開關控制信號啟動時，將該經電力閘控電源提供至該記憶體電路系統以使用該經電力閘控電源觸發該記憶體電路系統的啟動；及 <br/>邏輯電路系統，其在啟動時將該經電力閘控電源耦接至接地，其中該邏輯電路系統係基於在該第二電壓域中的該開關控制信號並基於在該第二電壓域中的一保持控制信號而啟動。
一種位準偏移器，其包含： <br/>資料控制電路系統，其提供在該第一電壓域中的啟動信號； <br/>邏輯電路系統，其基於在該第一域中的該等啟動信號提供在一第二電壓域中的一輸出信號；及 <br/>鎖存電路系統，其基於該等啟動信號提供一經鎖存控制信號至該邏輯電路系統的一電力閘，以觸發該邏輯電路系統的啟動，從而提供在該第二電壓域中的該輸出信號。
如請求項10之位準偏移器，其中該等啟動信號包括一第一啟動信號及係該第一啟動信號的一互補的一第二啟動信號。
如請求項10之位準偏移器，其中該資料控制電路系統具有一第一反相器及一第二反相器，且其中該第一反相器接收在該第一電壓域中的一資料控制信號並提供在該第一電壓域中的一第一啟動信號，且其中該第二反相器接收在該第一電壓域中的該第一啟動信號並提供在該第一電壓域中的一第二啟動信號。
如請求項12之位準偏移器，其中該邏輯電路系統包括第一邏輯電路系統及第二邏輯電路系統，且其中該第一邏輯電路系統包括串聯耦接在該第二域中的一來源電壓電源與接地之間的作為該電力閘的一第一經電力閘控開關及第一反相邏輯，且其中該第二邏輯電路系統包括串聯耦接在該第二域中的該來源電壓電源與接地之間的一第二經電力閘控開關及第二反相邏輯。
如請求項13之位準偏移器，其中該第一經電力閘控開關係藉由該經鎖存控制信號啟動，其中該第一反相邏輯係藉由該第一啟動信號啟動，其中該第二經電力閘控開關係藉由該輸出信號啟動，且其中該第二反相邏輯係藉由該第二啟動信號啟動。
如請求項13之位準偏移器，其中該第二反相邏輯將一經緩衝啟動信號提供至該鎖存電路系統，且其中該鎖存電路系統操作為一半鎖存器，該半鎖存器接收該經緩衝啟動信號並將該經鎖存控制信號提供至該邏輯電路系統以啟動該第一經電力閘控開關。
如請求項13之位準偏移器，其進一步包含： <br/>一第一箝位電晶體，其耦接在一第一節點與接地之間，其中該第一節點係設置在該資料控制電路系統的該第一反相器與該邏輯電路系統的該第一反向邏輯之間；及 <br/>一第二箝位電晶體，其耦接在該第一域中的一來源電壓電源與一第二節點之間，其中該第二節點係設置在該資料控制電路系統的該第二反相器與該邏輯電路系統的該第二反向邏輯之間。
如請求項16之位準偏移器，其中該第一箝位電晶體係基於衍生自該第一電壓域及該第二電壓域的一第一控制信號啟動，且其中該第二箝位電晶體係基於衍生自該第一電壓域及該第二電壓域的一第二控制信號啟動，且其中該第一控制信號與該第二控制信號不同。
如請求項10之位準偏移器，其中該第一電壓域係指一周邊電壓域，且其中該第二電壓域係指一核心電壓域。
一種電壓追蹤器，其包含： <br/>第一反相邏輯，其耦接在一核心電壓與接地之間，其中該第一反相邏輯經組態以基於一輸入信號提供一第一控制信號； <br/>第二反向邏輯，其耦接在該輸入信號與接地之間，其中該第二反相邏輯經組態以接收該第一控制信號並在藉由該第一控制信號啟動時提供一第二控制信號；及 <br/>電力閘邏輯，其耦接在一周邊電壓與該第一反相邏輯之間，其中該電力閘邏輯係藉由該第二控制信號啟動，從而提供該周邊電壓至該第一反相邏輯， <br/>其中該第一反相邏輯及該電力閘邏輯經耦接在一起以操作為一電壓位準偵測器。
一種組合物，其包含： <br/>(a) 第一有機聚矽氧烷，其平均每個分子包含2個或更多個巰基烷基且不含烯基官能基； <br/>(b) 第二有機聚矽氧烷，其平均每個分子包含一個或多個烯基及一個或多個烷氧基； <br/>(c) 四烷氧基矽烷，其選自由以下組成之群組：四甲氧基矽烷（TMOS）、四乙氧基矽烷（TEOS）、四(正丙氧基)矽烷（TPOS）及四(正丁氧基)矽烷及四(三級丁氧基)矽烷； <br/>(d) 紫外光光起始劑；以及 <br/>(e) 縮合催化劑； <br/>其中該第一有機聚矽氧烷與該第二有機聚矽氧烷的濃度使得巰基烷基相對於烯基的莫耳比在0.4至3.0範圍內。
如請求項1之組合物，該第一有機聚矽氧烷具有以下結構： <br/>(R<sub>2</sub>R"SiO<sub>1/2</sub>)<sub>2</sub>(RR'SiO<sub>2/2</sub>)<sub>m</sub>(R<sub>2</sub>SiO<sub>2/2</sub>)<sub>n</sub><br/>其中： <br/>各R在每次出現時獨立地選自由烷基及芳基組成之群組； <br/>各R'在每次出現時獨立地選自由巰基烷基組成之群組； <br/>R"在每次出現時獨立地選自R及R'的選項； <br/>下標m為每個分子的(RR'SiO<sub>2/2</sub>)基團平均數目，且為2或更大且同時為100或更小；並且 <br/>下標n為每個分子的(R<sub>2</sub>SiO<sub>2/2</sub>)基團平均數目，且為0或更大，同時為1000或更小。
如請求項1或2之組合物，其中該第二有機聚矽氧烷具有以下結構： <br/>(SiO<sub>4/2</sub>)<sub>x</sub>(R<sup>a</sup><sub>2</sub>SiO<sub>2/2</sub>)<sub>y</sub>(R<sup>a</sup>BSiO<sub>2/2</sub>)<sub>y</sub><sub>'</sub>(R<sup>a</sup><sub>2</sub>BSiO<sub>1/2</sub>)<sub>z</sub><br/>其中： <br/>R<sup>a</sup>在每次出現時獨立地選自烷基及芳基； <br/>B在每次出現時獨立地選自烯基及烷氧基及含有烷氧基的基團，以便達成平均每個分子一個或多個烯基及一個或多個烷氧基； <br/>平均而言，x為0或更大的值且同時為10或更小； <br/>平均而言，y與y'的總和為20或更大的值，同時為1000或更小；並且 <br/>平均而言，z具有2或更大的值且同時為20或更小。
如請求項1或2之組合物，其中該第二有機聚矽氧烷具有以下結構： <br/>(SiO<sub>4/2</sub>) (R<sup>a</sup><sub>2</sub>SiO<sub>2/2</sub>)<sub>y</sub>(R<sup>a</sup><sub>2</sub>BSiO<sub>1/2</sub>)<sub>4</sub><br/>其中y具有20或更大的平均值，同時為1000或更小；R<sup>a</sup>在每次出現時獨立地選自烷基及芳基；一個或超過一個B為乙烯基且一個或超過一個B為-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2 </sub>-O-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-Si(OCH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>。
如請求項1或2之組合物，其中四烷氧基矽烷之濃度相對於組合物重量為0.1重量%至5.0重量%。
如請求項1或2之組合物，其中紫外光光起始劑之濃度為0.01重量%至5重量%且縮合催化劑之濃度為0.01重量%至10重量%，其中重量百分比係相對於組合物重量。
如請求項1或2之組合物，其中該組合物進一步包含以下其他組分中之任一者或任何組合或超過一者：（i）烯基官能性無烷氧基有機聚矽氧烷；（ii）烷基三烷氧基矽烷；（iii）自由基清除劑；以及（iv）填充劑。
一種使用如請求項1至7中任一項之組合物的方法，該方法包含將該組合物塗覆於基板上以及視情況使該組合物暴露於紫外光。
一種製品，其包含與基板接觸的如請求項1至7中任一項之組合物。
一種電路，包括： <br/>一半導體元件，包括一前側和一後側； <br/>一金屬化結構，與該半導體元件的該前側相鄰佈置，該金屬化結構包括一前側金屬線； <br/>一後側金屬線，與該半導體元件的該後側相鄰佈置，該後側金屬線耦合到該半導體元件； <br/>一後側-前側連接結構，在一第一方向上延伸，以將該後側金屬線耦合到該前側金屬線；及 <br/>一虛設閘極，其中： <br/>該後側-前側連接結構在一第二方向上與該虛設閘極相鄰佈置，該第二方向和該第一方向正交；及 <br/>該後側-前側連接結構在該第二方向上與該虛設閘極分離。
根據請求項1之電路，還包括： <br/>在該第二方向上與該虛設閘極相鄰佈置的一第二虛設閘極， <br/>其中： <br/>該後側-前側連接結構還被佈置在該虛設閘極與該第二虛設閘極之間。
根據請求項1之電路，其中該後側-前側連接結構包括一導電垂直互連通路（通孔）。
根據請求項1之電路，其中該後側-前側連接結構包括一穿過該半導體元件的至少一部分佈置的一穿矽通孔（TSV）。
根據請求項1之電路，其中該前側金屬線耦合到該半導體元件。
根據請求項1之電路，還包括一後側金屬接觸件，該後側金屬接觸件耦合到該半導體元件和該後側金屬線。
根據請求項1之電路，其中該後側-前側連接結構包括： <br/>一前側通孔，耦合到該前側金屬線；及 <br/>一後側通孔，耦合到該後側金屬線。
根據請求項1之電路，其中： <br/>該半導體元件包括具有一前側和一後側的一半導體層； <br/>該半導體層的該前側與該金屬化結構相鄰佈置；並且 <br/>該半導體層的該後側與一基板相鄰佈置；並且 <br/>該後側-前側連接結構包括： <br/>一通孔，該通孔從該半導體層的該前側延伸穿過該半導體層到該半導體層的該後側，並且耦合到該前側金屬線和該後側金屬線。
根據請求項1之電路，還包括一場效應電晶體（FET）電路，包括： <br/>FET，包括： <br/>一傳導溝道，佈置在一基板上方； <br/>一源極，佈置在該傳導溝道的一第一端部中； <br/>一汲極，佈置在該傳導溝道的、與該第一端部相對的一第二端部中；及 <br/>一閘極，佈置在該傳導溝道的至少一部分上方並且在該傳導溝道的該第一端部與該第二端部之間；並且 <br/>該後側金屬線與該FET的該源極、該汲極和該閘極中的一個接觸。
根據請求項9之電路，還包括一後側金屬接觸件，該後側金屬接觸件與該源極的一背表面、該汲極的一背表面和該閘極的一背表面中的一個耦合； <br/>該後側金屬接觸件耦合到該後側金屬線。
根據請求項1之電路，該電路被整合到一設備中，該設備選自由以下項組成的組：一機上盒；一娛樂單元；一導航設備；一通訊設備；一固定位置資料單元；一行動位置資料單元；一全球定位系統（GPS）設備；一行動電話；一蜂巢式電話；一智慧電話；一通信期發起協定（SIP）電話；一平板計算機；一平板手機；一伺服器；一計算機；一便攜式計算機；一行動計算設備；一可穿戴計算設備；一桌上型計算機；一個人數位助理（PDA）；一監控器；一計算機監控器；一電視；一調諧器；一收音機；一衛星廣播；一音樂播放機；一數位音樂播放機；一便攜式音樂播放機；一數位視訊播放機；一視訊播放機；一數位視訊光碟（DVD）播放機；一便攜式數位視訊播放機；一汽車；一交通工具部件；一航空電子系統；一無人機；及一多軸飛行器。
根據請求項1之電路，該電路被整合到一半導體晶粒中。
一種製造一電路的方法，包括： <br/>提供一基板； <br/>在該基板上形成一半導體元件，該半導體元件包括一前側和與該基板相鄰佈置的一後側； <br/>形成與該半導體元件的該前側相鄰的一金屬化結構，該金屬化結構包括一前側金屬線； <br/>形成與該半導體元件的該後側相鄰的一後側金屬線； <br/>將該後側金屬線耦合到該半導體元件； <br/>形成一後側-前側連接結構，該後側-前側連接結構在一第一方向上延伸，以將該後側金屬線耦合到該前側金屬線；及 <br/>形成一虛設閘極，其中： <br/>該後側-前側連接結構在一第二方向上與該虛設閘極相鄰佈置，該第二方向和該第一方向正交；及 <br/>該後側-前側連接結構在該第二方向上與該虛設閘極分離。
根據請求項13之方法，還包括： <br/>形成在該第二方向上與該虛設閘極相鄰佈置的一第二虛設閘極， <br/>其中形成該後側-前側連接結構還包括：將該後側-前側連接結構佈置在該虛設閘極與該第二虛設閘極之間。
根據請求項13之方法，其中： <br/>在該基板上形成該半導體元件包括形成一場效應電晶體（FET）電路，包括： <br/>形成一傳導溝道，該傳導溝道佈置在該基板上方； <br/>形成一源極，該源極佈置在該傳導溝道的一第一端部中； <br/>形成一汲極，該汲極佈置在該傳導溝道的、與該第一端部相對的一第二端部中；及 <br/>形成一閘極，該閘極佈置在該傳導溝道的至少一部分上方並且佈置在該傳導溝道的該第一端部與該第二端部之間；並且 <br/>該後側金屬線與該FET電路的該源極、該汲極和該閘極中的一個接觸。
一種互補金屬氧化物半導體（CMOS）電路，包括： <br/>一正（P）型（P-type）場效應電晶體（FET）（PFET）； <br/>一負（N）型（N-type）FET（NFET）； <br/>一金屬化結構，與該PFET和該NFET中的至少一個的一前側相鄰佈置，該金屬化結構包括一前側金屬線； <br/>一後側金屬線，與該NFET和該PFET中的至少一個的一後側相鄰佈置，該後側金屬線耦合到該NFET和該PFET中的至少一個； <br/>一後側-前側連接結構，在一第一方向上延伸，以將該後側金屬線耦合到該前側金屬線；及 <br/>一虛設閘極，其中： <br/>該後側-前側連接結構在一第二方向上與該虛設閘極相鄰佈置，該第二方向和該第一方向正交；及 <br/>該後側-前側連接結構在該第二方向上與該虛設閘極分離。
根據請求項16之CMOS電路，還包括： <br/>一第二虛設閘極，在該第二方向上與該虛設閘極相鄰佈置， <br/>其中： <br/>該後側-前側連接結構還佈置在該虛設閘極與該第二虛設閘極之間。
一種記憶體內計算（CIM）位元單元電路，包括：<br/> 一寫入存取開關，包括：<br/> 一輸入端子，耦合到一寫入位元輸入；<br/> 一控制端子，耦合到一寫入字輸入；及<br/> 一輸出端子；<br/> 該寫入存取開關被配置為：回應於被供應給該寫入字輸入的一寫入字電壓而將該寫入位元輸入耦合到該輸出端子；及<br/> 一電容性儲存電路，包括：<br/> 一第一埠，耦合到該寫入存取開關的該輸出端子；<br/> 一第二埠，耦合到一讀取位元輸出；及<br/> 一金屬氧化物半導體（MOS）場效應電晶體（FET）（MOSFET）；<br/> 其中：<br/> 該電容性儲存電路的該第一埠被耦合至該MOSFET的一閘極；<br/> 該電容性儲存電路的該第二埠包含耦合至該讀取位元輸出的該MOSFET的一源極/汲極；<br/> 該MOSFET進一步包含一第三埠，該第三埠包含耦合至一啟用輸入的一汲極/源極；以及<br/> 該電容性儲存電路經配置以：<br/> 儲存基於一寫入位元電壓的一權重資料，該寫入位元電壓回應於被供應給該寫入字輸入的該寫入字電壓而在該寫入位元輸入上被供應；及<br/> 基於一啟用信號和所儲存的該權重資料，在該讀取位元輸出上產生一乘積電壓。
根據請求項1所述之記憶體內計算（CIM）位元單元電路，其中該MOSFET亦包括一P型FET（PFET）。
根據請求項1所述之記憶體內計算（CIM）位元單元電路，其中該MOSFET亦包括一N型FET（NFET）。
根據請求項1所述之記憶體內計算（CIM）位元單元電路，其中該寫入存取開關包括一電晶體。
根據請求項4所述之記憶體內計算（CIM）位元單元電路，其中該寫入存取開關包括一P型場效應電晶體（PFET）。
根據請求項4所述之記憶體內計算（CIM）位元單元電路，其中該寫入存取開關包括一N型場效應電晶體（NFET）。
根據請求項1所述之記憶體內計算（CIM）位元單元電路，其中該電容性儲存電路亦被配置為將該啟用輸入耦合到該讀取位元輸出。
一種記憶體內計算（CIM）位元單元陣列電路，包括CIM位元單元電路的一陣列，該CIM位元單元電路的陣列包括CIM位元單元電路的複數個行和CIM位元單元電路的複數個列，其中：<br/> 該複數個行中的每一行包括一對應啟用線和一對應寫入字線，該對應啟用線耦合到在該行中的該等CIM位元單元電路之每一者CIM位元單元電路中的一啟用輸入，該對應寫入字線耦合到在該行中的該等CIM位元單元電路之每一者CIM位元單元電路中的一寫入字輸入；<br/> 該複數個列中的每一列包括一對應寫入位元線和一對應讀取位元線，該對應寫入位元線耦合到在該列中的該等CIM位元單元電路之每一者CIM位元單元電路中的一寫入位元輸入，該對應讀取位元線耦合到在該列中的該等CIM位元單元電路之每一者CIM位元單元電路中的一讀取位元輸出；及<br/> 該等CIM位元單元電路之每一者CIM位元單元電路包括：<br/> 一寫入存取開關，包括：<br/> 一輸入端子，耦合到該寫入位元輸入；<br/> 一控制端子，耦合到該寫入字輸入；及<br/> 一輸出端子；及<br/> 一電容性儲存電路，包括：<br/> 一第一埠，耦合到該寫入存取開關的該輸出端子；<br/> 一第二埠，耦合到該讀取位元輸出；及<br/> 一金屬氧化物半導體（MOS）場效應電晶體（FET）（MOSFET）；<br/> 其中：<br/> 該電容性儲存電路的該第一埠被耦合至該MOSFET的一閘極；<br/> 該電容性儲存電路的該第二埠包含耦合至該讀取位元輸出的該MOSFET的一源極/汲極；<br/> 該MOSFET進一步包含一第三埠，該第三埠包含耦合至一啟用輸入的一汲極/源極；以及<br/> 該電容性儲存電路經配置以：<br/> 儲存基於一寫入位元電壓的一權重資料，該寫入位元電壓回應於被供應給該寫入字輸入的一寫入字電壓而在該寫入位元輸入上被供應；及<br/> 基於一啟用信號和所儲存的該權重資料，在該讀取位元輸出上產生一乘積電壓。
根據請求項8所述之記憶體內計算（CIM）位元單元陣列電路，其中該電容性儲存電路亦被配置為將該啟用輸入耦合到該讀取位元輸出。
根據請求項8所述之記憶體內計算（CIM）位元單元陣列電路，亦被配置為，<br/> 回應於：<br/> CIM位元單元電路的該複數個列中的一第一列中的該寫入位元線供應該寫入位元電壓；及<br/> CIM位元單元電路的該複數個行中的一第一行中的該寫入字線供應該寫入字電壓，<br/> 將基於該寫入位元電壓的該權重資料儲存在該複數個列中的該第一列，以及該複數個行中的該第一行中的該等CIM位元單元電路的該等電容性儲存電路中。
根據請求項8所述之記憶體內計算（CIM）位元單元陣列電路，亦被配置為：<br/> 基於儲存在該複數個列中的一第二列中的該等CIM位元單元電路的該等電容性儲存電路中的該權重資料，以及該複數個行中的該等啟用線上的該等啟用信號，在該第二列的該讀取位元線上產生一讀取總和電壓；及<br/> 在一求和電路中產生指示該讀取總和電壓的一總和，其中該總和包括一類比信號或一數位信號。
根據請求項8所述之記憶體內計算（CIM）位元單元陣列電路，被整合到一積體電路（IC）中。
根據請求項8所述之記憶體內計算（CIM）位元單元陣列電路，被整合到如下一設備中，該設備選自由以下各項組成的群組：一機上盒；一娛樂單元；一導航設備；一通訊設備；一固定位置資料單元；一行動位置資料單元；一全球定位系統（GPS）設備；一行動電話；一蜂巢式電話；一智慧型電話；一通信期啟動協定（SIP）電話；一平板電腦；一平板手機；一伺服器；一電腦；一可攜式電腦；一行動計算設備；一可穿戴計算設備；一桌上型電腦；一個人數位助理（PDA）；一顯示器；一電腦顯示器；一電視；一調諧器；一無線電；一衛星無線電；一音樂播放機；一數位音樂播放機；一可攜式音樂播放機；一數位視訊播放機；一視訊播放機；一數位視訊光碟（DVD）播放機；一可攜式數位視訊播放機；一機動車；一車輛元件；航空電子系統；一無人機；及一多旋翼飛行器。
一種半導體裝置，包括： <br/>在基底上的第一鰭狀圖案，所述第一鰭狀圖案在第一方向上延伸； <br/>在所述基底上的第二鰭狀圖案，所述第二鰭狀圖案在所述第一方向上延伸且在第二方向上與所述第一鰭狀圖案間隔開； <br/>在所述第一鰭狀圖案上的第一磊晶圖案，所述第一磊晶圖案包含連接至所述第一鰭狀圖案的底表面； <br/>在所述第二鰭狀圖案上的第二磊晶圖案，所述第二磊晶圖案包含連接至所述第二鰭狀圖案的底表面且與所述第一磊晶圖案分離； <br/>在所述基底上的場絕緣層，所述場絕緣層覆蓋所述第一鰭狀圖案的側壁、所述第二鰭狀圖案的側壁、所述第一磊晶圖案的側壁的一部分以及所述第二磊晶圖案的側壁的一部分； <br/>蝕刻終止層，沿所述場絕緣層的頂表面、所述第一磊晶圖案的所述側壁以及所述第二磊晶圖案的所述側壁延伸，且與所述場絕緣層接觸；以及 <br/>在所述第一磊晶圖案及所述第二磊晶圖案上的源極/汲極接點，所述源極/汲極接點連接至所述第一磊晶圖案及所述第二磊晶圖案， <br/>其中所述場絕緣層的所述頂表面高於所述第一磊晶圖案的所述底表面及所述第二磊晶圖案的所述底表面，且 <br/>其中所述場絕緣層包含： <br/>下部場絕緣層，其覆蓋所述第一鰭狀圖案的所述側壁的至少一部分及所述第二鰭狀圖案的至少一部分；以及 <br/>在所述下部場絕緣層上的支撐場絕緣層，其覆蓋且直接接觸所述第一磊晶圖案的所述側壁的一部分及所述第二磊晶圖案的所述側壁的一部分， <br/>其中所述支撐場絕緣層的頂表面所處的水平面高於所述下部場絕緣層的頂表面，且所述支撐場絕緣層的所述頂表面為所述場絕緣層的所述頂表面。
如請求項1所述的半導體裝置，其中所述第一磊晶圖案及所述第二磊晶圖案中的每一者包含沿其側壁的面部相交點，在所述面部相交點處，所述第一磊晶圖案及所述第二磊晶圖案在所述第二方向上的寬度最大，以及 <br/>其中所述場絕緣層的所述頂表面低於所述第一磊晶圖案的所述面部相交點及所述第二磊晶圖案的所述面部相交點或處於與所述第一磊晶圖案的所述面部相交點及所述第二磊晶圖案的所述面部相交點相同的水平面。
如請求項1所述的半導體裝置，其中所述第一磊晶圖案與所述第二磊晶圖案之間的所述場絕緣層的所述頂表面具有凹面形狀。
如請求項1所述的半導體裝置，其中所述第一磊晶圖案與所述第二磊晶圖案之間的所述場絕緣層的所述頂表面包含具有凹面形狀的第一部分及具有凸面形狀的第二部分。
如請求項1所述的半導體裝置，其中包含於所述支撐場絕緣層中的氟的濃度大於包含於所述下部場絕緣層中的氟的濃度。
如請求項1所述的半導體裝置，其中所述源極/汲極接點包含在豎直方向上不與所述第一磊晶圖案及所述第二磊晶圖案交疊的連接部分， <br/>其中所述蝕刻終止層包含在所述第一磊晶圖案與所述第二磊晶圖案之間沿所述場絕緣層的所述頂表面延伸的連接部分，以及 <br/>其中所述源極/汲極接點的所述連接部分在所述豎直方向上與所述蝕刻終止層的所述連接部分間隔開。
如請求項1所述的半導體裝置，其中所述源極/汲極接點包含在豎直方向上不與所述第一磊晶圖案及所述第二磊晶圖案交疊的連接部分， <br/>其中所述蝕刻終止層包含在所述第一磊晶圖案與所述第二磊晶圖案之間沿所述場絕緣層的所述頂表面延伸的連接部分，以及 <br/>其中所述源極/汲極接點的所述連接部分與所述蝕刻終止層的所述連接部分接觸。
如請求項1所述的半導體裝置，其中所述源極/汲極接點包含在豎直方向上不與所述第一磊晶圖案及所述第二磊晶圖案交疊的連接部分， <br/>其中所述蝕刻終止層包含在所述第一磊晶圖案與所述第二磊晶圖案之間沿所述場絕緣層的所述頂表面延伸的連接部分，以及 <br/>其中所述源極/汲極接點的所述連接部分穿透所述蝕刻終止層的所述連接部分。
如請求項1所述的半導體裝置，更包括： <br/>多個第一佈線，連接至所述源極/汲極接點且處於第一金屬水平面；以及 <br/>第二佈線，處於高於所述第一金屬水平面的第二金屬水平面且經組態以連接所述多個第一佈線。
如請求項9所述的半導體裝置，其中所述源極/汲極接點包含： <br/>線部分，在所述第一方向上延伸且經組態以將所述第一磊晶圖案連接至所述第二磊晶圖案；以及 <br/>第一突出部分及第二突出部分，經組態以自所述源極/汲極接點的所述線部分突出且連接至所述多個第一佈線。
如請求項10所述的半導體裝置，其中所述源極/汲極接點的所述線部分、所述源極/汲極接點的所述第一突出部分以及所述源極/汲極接點的所述第二突出部分具有整合結構。
如請求項1所述的半導體裝置，更包括： <br/>在所述第一鰭狀圖案上的閘極電極，所述閘極電極與所述第一鰭狀圖案相交；以及 <br/>薄片圖案，與所述第一鰭狀圖案間隔開且由所述閘極電極包圍。
一種半導體裝置，包括： <br/>第一磊晶圖案及第二磊晶圖案，在基底的第一區中且彼此分離第一距離； <br/>第三磊晶圖案及第四磊晶圖案，在所述基底的第二區中且彼此分離第二距離； <br/>第一鰭狀圖案，在所述基底的所述第一區中且連接至所述第一磊晶圖案的底表面；以及 <br/>第二鰭狀圖案，在所述基底的所述第二區中且連接至所述第三磊晶圖案的底表面， <br/>第一場絕緣層，其在所述第一磊晶圖案與所述第二磊晶圖案之間的所述基底上覆蓋所述第一磊晶圖案的側壁的一部分及所述第二磊晶圖案的側壁的一部分； <br/>第二場絕緣層，其在所述第三磊晶圖案與所述第四磊晶圖案之間的所述基底上覆蓋所述第三磊晶圖案的側壁的一部分及所述第四磊晶圖案的側壁的一部分； <br/>第一蝕刻終止層，其沿所述第一場絕緣層的頂表面、所述第一磊晶圖案的側壁以及所述第二磊晶圖案的側壁延伸，且與所述第一場絕緣層接觸； <br/>第二蝕刻終止層，其沿所述第二場絕緣層的頂表面、所述第三磊晶圖案的側壁以及所述第四磊晶圖案的側壁延伸，且與所述第二場絕緣層接觸； <br/>第一源極/汲極接點，其連接至所述第一磊晶圖案及所述第二磊晶圖案；以及 <br/>第二源極/汲極接點，其連接至所述第三磊晶圖案及所述第四磊晶圖案， <br/>其中所述第一磊晶圖案及所述第三磊晶圖案中的每一者包含沿其側壁的面部相交點，在所述面部相交點處，所述第一磊晶圖案及所述第三磊晶圖案的寬度最大， <br/>其中所述第一距離小於所述第二距離，以及 <br/>其中自所述第一磊晶圖案的所述面部相交點至所述第一場絕緣層的所述頂表面的深度小於自所述第三磊晶圖案的所述面部相交點至所述第二場絕緣層的所述頂表面的深度，以及 <br/>其中所述第一場絕緣層包含： <br/>下部場絕緣層，其覆蓋所述第一鰭狀圖案的所述側壁的至少一部分及所述第二鰭狀圖案的至少一部分；以及 <br/>在所述下部場絕緣層上的支撐場絕緣層，其覆蓋且直接接觸所述第一磊晶圖案的所述側壁的一部分及所述第二磊晶圖案的所述側壁的一部分， <br/>其中所述支撐場絕緣層的頂表面所處的水平面高於所述下部場絕緣層的頂表面，且所述支撐場絕緣層的所述頂表面為所述第一場絕緣層的所述頂表面。
如請求項13所述的半導體裝置，其中所述第一場絕緣層的所述頂表面低於所述第一磊晶圖案的所述面部相交點，以及 <br/>其中所述第二場絕緣層的所述頂表面低於所述第二磊晶圖案的所述面部相交點。
如請求項13所述的半導體裝置， <br/>其中所述第一場絕緣層的所述頂表面高於所述第一磊晶圖案的所述底表面。
一種半導體裝置，包括： <br/>第一鰭狀圖案，在基底的PMOS區中，在第一方向上延伸，且由鰭溝渠界定； <br/>第二鰭狀圖案，在所述基底的NMOS區中，在第二方向上與所述第一鰭狀圖案間隔開，在所述第一方向上延伸，且由所述鰭溝渠界定； <br/>在所述第一鰭狀圖案上的第一磊晶圖案，所述第一磊晶圖案包含連接至所述第一鰭狀圖案的底表面； <br/>在所述第二鰭狀圖案上的第二磊晶圖案，所述第二磊晶圖案與所述第一磊晶圖案分離且包含連接至所述第二鰭狀圖案的底表面； <br/>在所述基底上的場絕緣層，所述場絕緣層覆蓋所述第一鰭狀圖案的側壁、所述第二鰭狀圖案的側壁、所述第一磊晶圖案的側壁的一部分以及所述第二磊晶圖案的側壁的一部分； <br/>蝕刻終止層，沿所述場絕緣層的頂表面、所述第一磊晶圖案的所述側壁以及所述第二磊晶圖案的所述側壁延伸，且與所述場絕緣層接觸；以及 <br/>在所述第一磊晶圖案及所述第二磊晶圖案上的源極/汲極接點，所述源極/汲極接點連接至所述第一磊晶圖案及所述第二磊晶圖案， <br/>其中所述源極/汲極接點包含與所述第一磊晶圖案豎直交疊的第一部分及與所述第二磊晶圖案豎直交疊的第二部分，以及 <br/>其中自所述鰭溝渠的底表面至在與所述第一鰭狀圖案交疊的部分處的所述源極/汲極接點的所述第一部分的底表面的高度大於自所述鰭溝渠的所述底表面至在與所述第二鰭狀圖案交疊的部分處的所述源極/汲極接點的所述第二部分的底表面的高度，以及 <br/>其中所述場絕緣層包含： <br/>下部場絕緣層，其覆蓋所述第一鰭狀圖案的所述側壁的至少一部分及所述第二鰭狀圖案的至少一部分；以及 <br/>在所述下部場絕緣層上的支撐場絕緣層，其覆蓋且直接接觸所述第一磊晶圖案的所述側壁的一部分及所述第二磊晶圖案的所述側壁的一部分， <br/>其中所述支撐場絕緣層的頂表面所處的水平面高於所述下部場絕緣層的頂表面，且所述支撐場絕緣層的所述頂表面為所述場絕緣層的所述頂表面。
如請求項16所述的半導體裝置，其中自所述鰭溝渠的所述底表面至所述第一磊晶圖案的所述底表面的高度小於自所述鰭溝渠的所述底表面至所述第二磊晶圖案的所述底表面的高度。
如請求項16所述的半導體裝置，其中所述第一磊晶圖案包含沿其側壁的面部相交點，在所述面部相交點處，所述第一磊晶圖案在所述第二方向上的寬度最大，以及 <br/>其中所述場絕緣層的所述頂表面高於所述第一磊晶圖案的所述底表面且低於所述第一磊晶圖案的所述面部相交點。
如請求項16所述的半導體裝置，更包括： <br/>多個第一佈線，連接至所述源極/汲極接點且處於第一金屬水平面；以及 <br/>第二佈線，處於高於所述第一金屬水平面的第二金屬水平面且經組態以連接所述多個第一佈線。
一種位準移位器，包括： <br/>輸入電路，經配置以基於在第一電壓位準與第二電壓位準之間轉換的輸入訊號來產生並輸出第一中間訊號及第二中間訊號； <br/>前饋電路，經配置以自所述輸入電路接收所述第一中間訊號且產生並輸出在啟用所述第一中間訊號的時段的一部分內啟用的第三中間訊號，且自所述輸入電路接收所述第二中間訊號且產生並輸出在啟用所述第二中間訊號的時段的一部分內啟用的第四中間訊號；以及 <br/>位準移位電路，經配置以自所述輸入電路接收所述第一中間訊號及所述第二中間訊號且自所述前饋電路接收所述第三中間訊號及所述第四中間訊號，且將所述輸入訊號移位至在第三電壓位準與所述第二電壓位準之間轉換的輸出訊號，其中所述第三電壓位準與所述第一電壓位準不同。
如請求項1所述的位準移位器，其中啟用所述第一中間訊號的時間比啟用所述第三中間訊號的時間更快，且啟用所述第二中間訊號的時間比啟用所述第四中間訊號的時間更快。
如請求項2所述的位準移位器，其中停用所述第一中間訊號的時間與停用所述第三中間訊號的時間相同，且停用所述第二中間訊號的時間與停用所述第四中間訊號的時間相同。
如請求項1所述的位準移位器，其中所述前饋電路包括： <br/>第一延遲單元，經配置以接收所述第一中間訊號，將所述第一中間訊號延遲預定時間，且輸出延遲第一中間訊號；以及 <br/>第一及閘，經配置以對所述第一中間訊號及所述延遲第一中間訊號執行第一及運算，且將所述第一及運算的結果輸出為所述第三中間訊號。
如請求項4所述的位準移位器，其中所述前饋電路更包括： <br/>第二延遲單元，經配置以接收所述第二中間訊號，將所述第二中間訊號延遲預定時間，且輸出延遲第二中間訊號；以及 <br/>第二及閘，經配置以對所述第二中間訊號及所述延遲第二中間訊號執行第二及運算，且將所述第二及運算的結果輸出為所述第四中間訊號，且 <br/>其中所述位準移位電路包括第一前饋電晶體，所述第一前饋電晶體基於所述第三中間訊號進行閘控，且經配置以向所述位準移位電路提供所述第二中間訊號。
如請求項5所述的位準移位器， <br/>其中所述位準移位電路更包括第二前饋電晶體，所述第二前饋電晶體基於所述第四中間訊號進行閘控，且經配置以向所述位準移位電路提供所述第一中間訊號，以及 <br/>其中所述輸入電路包括電晶體，所述電晶體的尺寸小於所述第一前饋電晶體及所述第二前饋電晶體中的每一者的尺寸。
如請求項1所述的位準移位器， <br/>其中所述第三電壓位準大於所述第一電壓位準， <br/>其中所述輸入電路包括經配置以藉由使所述輸入訊號反相來產生所述第一中間訊號的第一反相器，以及 <br/>其中包含於所述第一反相器中的電晶體的臨限電壓小於包含於所述位準移位電路中的電晶體的臨限電壓。
如請求項1所述的位準移位器， <br/>其中所述第三電壓位準大於所述第一電壓位準， <br/>其中所述輸入電路包括經配置以藉由使所述輸入訊號反相來產生所述第一中間訊號的第一反相器，以及經配置以藉由使所述第一中間訊號反相來產生所述第二中間訊號的第二反相器，以及 <br/>其中包含於所述第一反相器及所述第二反相器中的每一者中的電晶體的臨限電壓與包含於所述位準移位電路中的電晶體的臨限電壓相同。
一種位準移位器，包括： <br/>第一下拉電晶體，基於藉由使在第一電壓位準與第二電壓位準之間轉換的輸入訊號反相而產生的第一中間訊號進行閘控，且經配置以將第一節點的電壓位準下拉至所述第二電壓位準； <br/>第二下拉電晶體，基於藉由使所述第一中間訊號反相而產生的第二中間訊號進行閘控，且經配置以將第一輸出節點的電壓位準下拉至所述第二電壓位準； <br/>第一上拉電晶體，基於所述第一節點的所述電壓位準進行閘控，且經配置以將所述第一輸出節點上拉至大於所述第一電壓位準的第三電壓位準； <br/>第一前饋電晶體，基於藉由延遲所述第一中間訊號而產生的第三中間訊號進行閘控，且經配置以向所述第一節點提供所述第二中間訊號；以及 <br/>第二前饋電晶體，基於藉由延遲所述第二中間訊號而產生的第四中間訊號進行閘控，且經配置以向所述第一輸出節點提供所述第一中間訊號。
如請求項9所述的位準移位器，其中啟用所述第一中間訊號的時間比啟用所述第三中間訊號的時間更快，且停用所述第一中間訊號的時間與停用所述第三中間訊號的時間相同。
如請求項10所述的位準移位器，其中啟用所述第二中間訊號的時間比啟用所述第四中間訊號的時間更快，且停用所述第二中間訊號的時間與停用所述第四中間訊號的時間相同。
如請求項9所述的位準移位器，更包括第三下拉電晶體，所述第三下拉電晶體基於所述第一輸出節點的所述電壓位準的反相電壓位準進行閘控，且經配置以將所述第一節點下拉至所述第二電壓位準。
如請求項12所述的位準移位器，更包括： <br/>第一保持器電晶體，基於所述第一輸出節點的所述電壓位準進行閘控，且經配置以將所述第一節點維持在所述第三電壓位準處；以及 <br/>第二保持器電晶體，基於所述第一輸出節點的所述電壓位準的所述反相電壓位準進行閘控，且經配置以將所述第一輸出節點維持在所述第二電壓位準處。
如請求項13所述的位準移位器，更包括第一電晶體及第二電晶體，所述第一電晶體及所述第二電晶體經配置以使所述第一輸出節點的所述電壓位準反相，且向第二輸出節點提供所述反相電壓位準。
如請求項9所述的位準移位器，其中所述第一上拉電晶體及所述第二下拉電晶體中的每一者包括鰭式場效電晶體，且由所述第一上拉電晶體的閘極電極交疊的鰭的數目與由所述第二下拉電晶體的閘極電極交疊的鰭的數目相同。
如請求項9所述的位準移位器，更包括： <br/>第一電晶體，經配置以產生所述第一中間訊號；以及 <br/>第二電晶體，經配置以產生所述第二中間訊號， <br/>其中所述第一電晶體的臨限電壓小於所述第二前饋電晶體的臨限電壓。
如請求項16所述的位準移位器，其中所述第一電晶體及所述第二下拉電晶體中的每一者包括鰭式場效電晶體，且由所述第一電晶體的閘極電極交疊的鰭的數目小於由所述第二下拉電晶體的閘極電極交疊的鰭的數目。
一種位準移位器，包括： <br/>第一電晶體，經配置以接收在第一電壓位準與第二電壓位準之間轉換的輸入訊號，且藉由使所述輸入訊號反相來產生第一中間訊號； <br/>第二電晶體，經配置以接收所述第一中間訊號且藉由使所述第一中間訊號反相來產生第二中間訊號； <br/>第一下拉電晶體，基於所述第一中間訊號進行閘控且經配置以將第一節點的電壓位準下拉至所述第二電壓位準； <br/>第二下拉電晶體，基於所述第二中間訊號進行閘控且經配置以將第一輸出節點的電壓位準下拉至所述第二電壓位準； <br/>第一上拉電晶體，基於所述第一節點的所述電壓位準進行閘控，且經配置以將所述第一輸出節點上拉至與所述第一電壓位準不同的第三電壓位準； <br/>第一前饋電晶體，基於第三中間訊號進行閘控且經配置以向所述第一節點提供所述第二中間訊號；以及 <br/>第二前饋電晶體，基於第四中間訊號進行閘控且經配置以向所述第一輸出節點提供所述第一中間訊號， <br/>其中所述第一電晶體的臨限電壓小於所述第二下拉電晶體的臨限電壓。
如請求項18所述的位準移位器，其中所述第一電晶體的所述臨限電壓為0.5伏至1伏，且所述第二下拉電晶體的所述臨限電壓為1伏至1.5伏。
如請求項18所述的位準移位器，其中所述第二電晶體及所述第一下拉電晶體中的每一者包括鰭式場效電晶體，且由所述第二電晶體的閘極電極交疊的鰭的數目小於由所述第一下拉電晶體的閘極電極交疊的鰭的數目。
一種充電器器件，其包括： <br/>感應式充電器電路，其具有：輸入節點、輸出節點、與上述輸入節點及第一充電器節點可操作地耦合之降壓電晶體、及與上述第一充電器節點耦合之電感器；上述降壓電晶體具有降壓體二極體(buck body diode)，上述降壓體二極體具有與上述輸入節點耦合之陰極終端及與上述第一充電器節點耦合之陽極終端；及 <br/>直接充電器電路，其具有在上述感應式充電器電路之上述第一充電器節點處與上述感應式充電器電路可操作地耦合之第一電晶體，且具有在共同節點處與上述第一電晶體耦合之第二電晶體，且上述第二電晶體與電池組件耦合，上述第一電晶體具有第一體二極體，上述第一體二極體具有與上述共同節點耦合之陰極終端及與上述感應式充電器電路之上述第一充電器節點耦合之陽極終端，且上述第二電晶體具有第二體二極體，上述第二體二極體具有與上述共同節點耦合之陰極終端及與上述電池組件耦合之陽極終端。
如請求項1之器件，其中上述輸入節點及上述第一充電器節點係在第一器件節點處與功率源之輸出節點可操作地耦合。
如請求項1之器件，其中上述輸入節點係在第一器件節點處與輸入控制器電晶體之輸出節點及與上述第一電晶體可操作地耦合。
如請求項1之器件，其中上述第二電晶體係在第二器件節點處與上述電池組件可操作地耦合。
如請求項4之器件，其中上述直接充電器電路係在第三器件節點處可操作地耦合至上述感應式充電器電路之上述輸出節點。
如請求項5之器件，其中上述直接充電器電路包括：旁路輸出開關，其將上述第二器件節點與上述第三器件節點可操作地耦合。
如請求項6之器件，其中上述旁路輸出開關包括功率MOSFET。
如請求項2之器件，其進一步包括： <br/>第一輸入控制器電晶體，其具有第一體二極體；及 <br/>第二輸入控制器電晶體，其具有在第二共同節點處與上述第一輸入控制器電晶體耦合之第二體二極體，且與上述第一充電器節點耦合。
如請求項1之器件，其中上述感應式充電器電路包括降壓充電器及降壓-升壓充電器中之至少一者。
一種充電器系統，其包括： <br/>感應式充電器電路，其具有輸入節點、輸出節點、與上述輸入節點及第一充電器節點可操作地耦合之降壓電晶體、及與上述第一充電器節點耦合之電感器，上述降壓電晶體具有降壓體二極體，上述降壓體二極體具有與上述輸入節點可操作地耦合之陰極終端及與上述第一充電器節點可操作地耦合之陽極終端；及 <br/>直接充電器電路，其具有在上述感應式充電器電路之上述第一充電器節點處與上述感應式充電器電路可操作地耦合之第一電晶體，且具有在共同節點處與上述第一電晶體耦合之第二電晶體，且上述第二電晶體與電池組件耦合，上述第一電晶體具有第一體二極體，上述第一體二極體具有與上述共同節點可操作地耦合之陰極終端及與上述感應式充電器電路之上述第一充電器節點可操作地耦合之陽極終端，且上述第二電晶體具有第二體二極體，上述第二體二極體具有與上述共同節點耦合之陰極終端及與上述電池組件耦合之陽極終端。
一種印刷配線板之製造方法，其包含：(A)於內層電路基板上形成包含樹脂組成物的硬化物之絕緣層之步驟，及(B)將包含SF<sub>6</sub>、Ar及O<sub>2</sub>之混合氣體電漿化並對絕緣層表面進行電漿處理，形成通孔或溝槽之步驟；樹脂組成物包含無機填充材，無機填充材之含量於將樹脂組成物中之不揮發成分設為100質量%時，為60質量%以上。
一種印刷配線板之製造方法，其包含：(A)於內層電路基板上形成包含樹脂組成物的硬化物之絕緣層之步驟，及(B)將包含SF<sub>6</sub>、Ar及O<sub>2</sub>之混合氣體電漿化並對絕緣層表面進行電漿處理，形成通孔或溝槽之步驟；樹脂組成物包含無機填充材，無機填充材之含量於將樹脂組成物中之不揮發成分設為100體積%時，為38體積%以上。
如請求項1或2之印刷配線板之製造方法，其中進而包含(D)形成導體層之步驟。
如請求項3之印刷配線板之製造方法，其中步驟(D)係藉由濺鍍形成導體層。
如請求項1或2之印刷配線板之製造方法，其中樹脂組成物包含硬化性樹脂。
一種影像感測器封裝，包括：電路板；影像感測器晶片，位於所述電路板上；堆疊凸塊結構，包括位於所述影像感測器晶片上的第一凸塊，以及位於所述第一凸塊上的第二凸塊；接合導線，將所述電路板連接到所述堆疊凸塊結構；堤堰元件，位於所述影像感測器晶片上，所述堤堰元件覆蓋所述堆疊凸塊結構與所述接合導線二者；以及模製元件，位於所述電路板上接觸所述堤堰元件，所述模製元件覆蓋所述影像感測器晶片與所述接合導線二者，其中在剖面圖上，所述第二凸塊相對於所述第一凸塊為傾斜的，使得所述第二凸塊的最大寬度在相對於所述第一凸塊的最大寬度延伸通過的單獨平面成角度的平面中延伸，使得所述平面和所述單獨平面彼此相交。
如請求項1所述的影像感測器封裝，其中所述堤堰元件包括與所述模製元件的材料不同的材料。
如請求項1所述的影像感測器封裝，其中從所述電路板的上表面到所述接合導線在豎直方向上的最大高度小於所述影像感測器晶片在所述豎直方向上的厚度與所述堤堰元件在所述豎直方向上的厚度的總和，所述豎直方向垂直於所述電路板的所述上表面。
如請求項1所述的影像感測器封裝，其中所述堤堰元件鄰近所述影像感測器晶片的相對外表面，且光學元件更位於鄰近所述影像感測器晶片的所述相對外表面的所述堤堰元件上。
如請求項1所述的影像感測器封裝，其中所述電路板與所述接合導線以球接合的方式彼此接合，使得所述影像感測器封裝在所述接合導線與所述電路板的基板接墊之間包括球凸塊，或者所述電路板與所述接合導線以訂合式接合的方式彼此接合，使得所述接合導線直接接合到所述電路板的所述基板接墊，而在所述接合導線與所述基板接墊之間沒有任何球凸塊。
如請求項1所述的影像感測器封裝，其中所述第一凸塊與所述接合導線為單一連續件材料的分離部分。
如請求項1所述的影像感測器封裝，其中，在剖面圖上，所述第一凸塊的寬度等於或大於所述第二凸塊的寬度或直徑。
一種影像感測器封裝，包括：電路板；影像感測器晶片，位於所述電路板上；堆疊凸塊結構，鄰近所述影像感測器晶片的外表面，所述堆疊凸塊結構包括第一凸塊與位於所述第一凸塊上的第二凸塊；接合導線，具有：第一端，位於所述第一凸塊與所述第二凸塊之間，以及相對的第二端，位於所述電路板上並將所述影像感測器晶片連接到所述電路板；堤堰元件，覆蓋所述堆疊凸塊結構與所述接合導線二者，所述堤堰元件沿著所述影像感測器晶片的周邊定位，所述堤堰元件包括至少部分地界定所述堤堰元件內的內腔的至少一個內表面；以及模製元件，位於所述電路板上沿著所述堤堰元件的周邊定位且密封所述影像感測器晶片與所述接合導線二者，其中在剖面圖上，所述第二凸塊相對於所述第一凸塊為傾斜的，使得所述第二凸塊的最大寬度在相對於所述第一凸塊的最大寬度延伸通過的單獨平面成角度的平面中延伸，使得所述平面和所述單獨平面彼此相交。
如請求項8所述的影像感測器封裝，更包括位於所述堤堰元件上的光學元件。
如請求項9所述的影像感測器封裝，其中所述模製元件圍繞所述光學元件。
如請求項8所述的影像感測器封裝，其中所述堆疊凸塊結構鄰近所述影像感測器晶片的相對外表面，且所述接合導線將所述堆疊凸塊結構與所述電路板彼此連接。
如請求項8所述的影像感測器封裝，其中所述堆疊凸塊結構鄰近所述影像感測器晶片的四個外表面，且所述接合導線將所述電路板連接到所述堆疊凸塊結構。
如請求項8所述的影像感測器封裝，其中所述堤堰元件包括與所述模製元件的材料不同的材料。
一種影像感測器封裝，包括：電路板；影像感測器晶片，位於所述電路板上；堆疊凸塊結構，鄰近所述影像感測器晶片的相對外表面，所述堆疊凸塊結構包括第一凸塊與位於所述第一凸塊上的第二凸塊；接合導線，具有：第一端，位於所述第一凸塊與所述第二凸塊之間，以及相對的第二端，位於所述電路板上並將所述影像感測器晶片連接到所述電路板；堤堰元件，覆蓋所述堆疊凸塊結構與所述接合導線二者，所述堤堰元件鄰近所述影像感測器晶片的所述相對外表面，所述堤堰元件包括至少部分地界定所述堤堰元件內的內腔的至少一個內表面，所述內腔暴露出所述影像感測器晶片的中央部分；光學元件，位於所述堤堰元件上；以及模製元件，密封所述影像感測器晶片與所述接合導線二者，所述模製元件位於所述光學元件的相對外表面，其中所述模製元件包括與所述堤堰元件的材料不同的材料，其中在剖面圖上，所述第二凸塊相對於所述第一凸塊為傾斜的，使得所述第二凸塊的最大寬度在相對於所述第一凸塊的最大寬度延伸通過的單獨平面成角度的平面中延伸，使得所述平面和所述單獨平面彼此相交。
如請求項14所述的影像感測器封裝，其中所述堤堰元件包括鄰近所述內腔且朝向所述堤堰元件的外表面向內凹陷的內凹部與相對於所述內凹部遠離所述內腔且自所述內腔向外突出的外突部。
如請求項14所述的影像感測器封裝，其中所述模製元件的上表面與所述光學元件的上表面共面。
如請求項14所述的影像感測器封裝，其中所述模製元件的上表面至少部分地處於比所述光學元件的上表面低的水平高度處。
一種積體電路結構，包含：在基板上方的複數個閘極結構，該些閘極結構的每一者包括在其上的閘極絕緣層；與該複數個閘極結構交替的複數個導電溝槽接觸結構，該些導電溝槽接觸結構之各者包括在其上的溝槽絕緣層；在該複數個閘極結構或該複數個導電溝槽接觸結構的一部分之上的雙嵌段共聚物之殘留物；在該雙嵌段共聚物之上、該複數個閘極結構之上、以及該複數個導電溝槽接觸結構之上的層間介電材料；該層間介電材料中的開口；以及該開口中的導電結構，該導電結構與該些導電溝槽接觸結構相應的一者直接接觸，其中該複數個導電溝槽接觸結構與該複數個閘極結構在半導體鰭上。
如請求項1之積體電路結構，其中該雙嵌段共聚物之殘留物包含聚苯乙烯(PS)。
如請求項1或2之積體電路結構，其中該雙嵌段共聚物之殘留物包含聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。
如請求項1或2之積體電路結構，更包含：與該複數個閘極結構和該複數個導電溝槽接觸結構交替的複數個介電間隔物。
一種積體電路結構，包含：在基板上方的複數個閘極結構，該些閘極結構的每一者包括在其上的閘極絕緣層；與該複數個閘極結構交替的複數個導電溝槽接觸結構，該些導電溝槽接觸結構之各者包括在其上的溝槽絕緣層；在該複數個閘極結構或該複數個導電溝槽接觸結構的一部分之上的雙嵌段共聚物之殘留物；在該雙嵌段共聚物之上、該複數個閘極結構之上、以及該複數個導電溝槽接觸結構之上的層間介電材料；該層間介電材料中的開口；以及該開口中的導電結構，該導電結構與該些閘極結構相應的一者直接接觸，其中該複數個導電溝槽接觸結構與該複數個閘極結構在半導體鰭上。
如請求項5之積體電路結構，其中該雙嵌段共聚物之殘留物包含聚苯乙烯(PS)。
如請求項5或6之積體電路結構，其中該雙嵌段共聚物之殘留物包含聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。
如請求項5或6之積體電路結構，更包含：與該複數個閘極結構和該複數個導電溝槽接觸結構交替的複數個介電間隔物。
一種計算裝置，包含：板材；以及耦接到該板材的組件，該組件包括積體電路結構，包含：在基板上方的複數個閘極結構，該些閘極結構的各者包括在其上的閘極絕緣層；與該複數個閘極結構交替的複數個導電溝槽接觸結構，該些導電溝槽接觸結構之各者包括在其上的溝槽絕緣層；在該複數個閘極結構或該複數個導電溝槽接觸結構的一部分之上的雙嵌段共聚物之殘留物；在該雙嵌段共聚物之上、該複數個閘極結構之上、以及該複數個導電溝槽接觸結構之上的層間介電材料；該層間介電材料中的開口；以及該開口中的導電結構，該導電結構與該些導電溝槽接觸結構相應的一者直接接觸，其中該複數個導電溝槽接觸結構與該複數個閘極結構在半導體鰭上。
如請求項9之計算裝置，更包含：耦接到該板材的記憶體。
如請求項9或10之計算裝置，更包含：耦接到該板材的通訊晶片。
如請求項9或10之計算裝置，更包含：耦接到該板材的相機。
如請求項9或10之計算裝置，其中該組件是封裝積體電路晶粒。
一種計算裝置，包含：板材；以及耦接到該板材的組件，該組件包括積體電路結構，包含：在基板上方的複數個閘極結構，該些閘極結構的各者包括在其上的閘極絕緣層；與該複數個閘極結構交替的複數個導電溝槽接觸結構，該些導電溝槽接觸結構之各者包括在其上的溝槽絕緣層；在該複數個閘極結構或該複數個導電溝槽接觸結構的一部分之上的雙嵌段共聚物之殘留物；在該雙嵌段共聚物之上、該複數個閘極結構之上、以及該複數個導電溝槽接觸結構之上的層間介電材料；該層間介電材料中的開口；以及該開口中的導電結構，該導電結構與該些閘極結構相應的一者直接接觸，其中該複數個導電溝槽接觸結構與該複數個閘極結構在半導體鰭上。
如請求項14之計算裝置，更包含：耦接到該板材的記憶體。
如請求項14或15之計算裝置，更包含：耦接到該板材的通訊晶片。
如請求項14或15之計算裝置，更包含：耦接到該板材的相機。
如請求項14或15之計算裝置，其中該組件是封裝積體電路晶粒。
一種薄膜電容器，包括：第一電極，包含銥及氧的第一化合物，其中該第一電極包含不少於30%的氧；第二電極，包含銥及氧的第二化合物；位於該第一電極與該第二電極之間包含鈦及氧的第三化合物的介電質層；位於該第一電極上包含鈦的第一層；銅層；及位於該第二電極與該銅層之間包含銥且實質上不含氧的第二層。
如請求項1所述的薄膜電容器，其中，該第一層位於第二銅層上。
如請求項1所述的薄膜電容器，其中，該介電質層具有20至100nm範圍內的厚度。
如請求項1所述的薄膜電容器，其中，該介電質層包含奈米晶狀或非晶質氧化鈦中之一種。
一種具有薄膜電容器的系統，該系統包括：電源供應器；位於封裝基板上且耦合至該電源供應器的積體電路晶粒；及位於該封裝基板中的薄膜電容器，該薄膜電容器包括：第一電極，包含銥及氧的第一化合物，其中，該第一電極包含不少於30%的氧；第二電極，包含銥及氧的第二化合物；位於該第一電極與該第二電極之間包含鈦及氧的第三化合物的介電質層；位於該第一電極上包含鈦的第一層；銅層；及位於該第二電極與該銅層之間包含銥且實質上不含氧的第二層。
如請求項5所述的系統，其中，該薄膜電容器還包括第二銅層，該第一層位於該第二銅層上。
如請求項5所述的系統，其中，該介電質層包含具有20nm至100nm範圍內的厚度的奈米晶狀或非晶質氧化鈦。
一種形成薄膜電容器的方法，包括：在基板上形成第一導電層；在該第一導電層上方設置第一電極層；在該第一電極層上設置包含鈦及氧的介電質層；在該介電質層上設置第二電極層；在該第二電極層上方設置第二導電層；及圖案化該第一電極層、該介電質層、該第二電極層、該第一導電層及該第二導電層以形成薄膜電容器，該薄膜電容器包括位於該第一導電層上方的第一電極、位於該第一電極上方的該介電質層、位於該介電質層上方的第二電極以及位於該第二電極上方的該第二導電層，其中該第一電極包含銥及氧的第一化合物，且該第一電極包含不少於30%的氧；該第二電極包含銥及氧的第二化合物；且該第二導電層包含銥且實質上不含氧。
如請求項8所述的方法，其中，該介電質層具有20nm至100nm範圍內的厚度。
一種積體電路結構，包含：包含鎵和氮的層；設置在該包含鎵和氮的層上方的極化層；在該極化層上方的複數個閘極結構；在該等閘極結構的第一側上的源極區；在該等閘極結構的第二側上的汲極區，該第二側相對於該第一側；在該汲極區上方的汲極場板(field plate)，其中該汲極場板耦合至該源極區；以及位於該源極區之一側及該汲極區之一側的H2-植入淺溝槽隔離層。
如請求項1之積體電路結構，其中與該汲極場板相關聯的電壓不同於與該等閘極結構相關聯的閘極電壓。
如請求項1之積體電路結構，其中該汲極場板耦合至接地。
如請求項1、2或3之積體電路結構，其中該汲極場板具有頂面，其中該汲極場板的該頂面與該等閘極結構的頂面實質上共平面。
如請求項1、2或3之積體電路結構，其中該等閘極結構其中之一或多者具有T形閘極結構。
如請求項1、2或3之積體電路結構，更包含：汲極金屬接點，其中該汲極場板之至少一部分橫向位於該汲極金屬接點與該等閘極結構之間。
一種積體電路結構，包含：包含鎵和氮的層，該包含鎵和氮的層在埋入氧化層上方，該埋入氧化層在基板上方；在該包含鎵和氮的層下方的極化層；穿過該極化層的一個或多個閘極結構；在該一個或多個閘極結構的第一側上橫向鄰近該包含鎵和氮的層的源極區；以及在該一個或多個閘極結構的第二側上橫向鄰近該包含鎵和氮的層的汲極區，該第二側相對於該第一側。
如請求項7之積體電路結構，更包含：源極接點，從該包含鎵和氮的層上方延伸至該源極區；以及汲極接點，從該包含鎵和氮的層上方延伸至該汲極區。
如請求項7或8之積體電路結構，其中該一個或多個閘極結構為複數個閘極結構。
如請求項7或8之積體電路結構，其中該一個或多個閘極結構為單閘極結構。
如請求項7或8之積體電路結構，其中該一個或多個閘極結構至少其中之一具有T形閘極結構。
一種積體電路結構，包含：包含鎵和氮的層，該包含鎵和氮的層在埋入氧化層上方，該埋入氧化層在基板上方；設置在該包含鎵和氮的層上方的極化層；在該極化層上方的閘極結構；在該閘極結構的第一側上橫向鄰近該包含鎵和氮的層的源極區；以及在該閘極結構的第二側上橫向鄰近該包含鎵和氮的層的汲極區，該第二側相對於該第一側。
如請求項12之積體電路結構，更包含：源極接點，從該包含鎵和氮的層上方延伸至該源極區；以及汲極接點，從該包含鎵和氮的層上方延伸至該汲極區。
如請求項12或13之積體電路結構，更包含鄰近該包含鎵和氮的層的結構穿孔(through structure via，TSV)。
如請求項14之積體電路結構，其中該結構穿孔(TSV)耦合至在該包含鎵和氮的層下方的接地面。
如請求項12或13之積體電路結構，更包含耦合至該閘極結構的T形閘極接點。
如請求項12或13之積體電路結構，更包含在該包含鎵和氮的層上方的氣隙(air gap)。
一種積體電路結構，包含：具有第一區和第二區的層或基板，該層或基板包含鎵和氮；在該包含鎵和氮的層或基板的該第一區中或上之GaN基元件(GaN-based device)；在該包含鎵和氮的層或基板的該第二區上方之基於CMOS的元件，該基於CMOS的元件包含藉由接合層接合至該包含鎵和氮的層或基板之通道層或通道結構；其中，該GaN基元件包含極化層、在該極化層的第一側和第二側上的源極結構或汲極結構以及完全穿過該極化層的閘極結構。
如請求項18之積體電路結構，更包含耦合該GaN基元件及該基於CMOS的元件之互連結構。
如請求項19之積體電路結構，其中該基於CMOS的元件的該通道層或通道結構包含在PMOS區上方的NMOS區。
如請求項20之積體電路結構，其中該PMOS區包含：包含矽和鍺的水平奈米線或奈米帶之垂直堆疊、圍繞該包含矽和鍺的水平奈米線或奈米帶之垂直堆疊之閘極介電質以及圍繞該閘極介電質之閘極電極。
如請求項20之積體電路結構，其中該NMOS區包含：包含矽的水平奈米線或奈米帶之垂直堆疊、圍繞該包含矽的水平奈米線或奈米帶之垂直堆疊之閘極介電質以及圍繞該閘極介電質之閘極電極。
如請求項19之積體電路結構，其中該基於CMOS的元件的該通道層或通道結構包含在NMOS區上方的PMOS區。
如請求項23之積體電路結構，其中該PMOS區包含：包含矽和鍺的水平奈米線或奈米帶之垂直堆疊、圍繞該包含矽和鍺的水平奈米線或奈米帶之垂直堆疊之第一閘極介電質及圍繞該第一閘極介電質之第一閘極電極，以及其中該NMOS區包含：包含矽的水平奈米線或奈米帶之垂直堆疊、圍繞該包含矽的水平奈米線或奈米帶之垂直堆疊之第二閘極介電質以及圍繞該第二閘極介電質之第二閘極電極。
一種具高可用性的網路位址轉換方法，包含以下步驟：<br/> 提供在包括複數個運算設備之一運算環境中執行的複數個工作負載，所述複數個運算設備中的每個運算設備包括一處理設備和一儲存設備，所述複數個工作負載中的每個工作負載可以是一應用程式、一守護程序(daemon)、一網路服務、一操作系統、一容器或能夠由一電腦執行的任何運算程序；<br/> 提供在所述運算環境中執行的一第一節點，所述第一節點被程式化用以透過執行網路位址轉換(NAT)作為所述運算環境和一外部網路間的一第一閘道，所述運算環境被配置為使所述複數個工作負載透過所述第一節點與所述外部網路進行通訊；<br/> 提供在所述運算環境中執行的一第二節點，所述第二節點被程式化為透過執行NAT作為所述運算環境和所述外部網路間的一第二閘道；<br/> 配置所述第二節點用以映射所述第一節點的一NAT 狀態；<br/> 為所述第一節點上的所述複數個工作負載建立複數個第一接口，並為所述第二節點上的所述複數個工作負載建立與所述複數個第一接口相同的複數個第二接口；<br/> 所述第二節點檢測到所述第一節點的故障；以及<br/> 基於回應於檢測到所述第一節點的故障，由所述第二節點執行以下步驟：<br/> 配置所述運算環境以使得所述複數個工作負載透過所述第二節點使用所述複數個第二接口與所述外部網路進行通訊，所述複數個第二接口是早於所述第一節點故障前即被建立；以及<br/> 根據所述第一節點的該NAT狀態執行NAT；<br/> 其中所述複數個第一接口是一第一虛擬專用網路(VPN) 連接的複數個子接口，所述複數個第二接口是一第二虛擬專用網路(VPN) 連接的複數個子接口。
如請求項1所述之具高可用性的網路位址轉換方法，其中更包含：<br/> 所述運算環境定義一路由表；<br/> 其中配置所述運算環境以使得所述複數個工作負載透過所述第二節點與所述外部網路進行通訊的步驟包括使用對所述第二節點的一參考來替換所述路由表中對所述第一節點的一參考。
如請求項1所述之具高可用性的網路位址轉換方法，其中所述NAT狀態是指包括所述複數個工作負載之私有網際網路協議(IP)位址和所述複數個工作負載之公共網際網路協議(IP)位址間映射的一NAT表。
如請求項1所述之具高可用性的網路位址轉換方法，其中所述複數個第一接口具有與其相關聯之所述複數個工作負載的複數個媒體存取控制(MAC)位址，並且所述複數個第二接口具有與其相關聯的所述複數個媒體存取控制(MAC)位址。
如請求項1所述之具高可用性的網路位址轉換方法，其中：<br/> 所述第一節點透過所述第一VPN連接連接到一中樞節點，所述中樞節點提供所述第一節點和所述外部網路間的連接； <br/> 其中，所述第二節點透過所述第二VPN連接連接到一中樞節點，所述中樞節點提供所述第二節點和所述外部網路間的連接。
如請求項5所述之具高可用性的網路位址轉換方法，其中所述運算環境為一雲運算環境，並且所述第一節點和所述第二節點在所述雲運算環境中的一虛擬私有雲(VPC)內執行。
如請求項6所述之具高可用性的網路位址轉換方法，其中更包含以下步驟：<br/> 在所述第一節點上為所述複數個工作負載維護複數個協議狀態機；<br/> 複製所述複數個協議狀態機到所述第二節點；以及<br/> 回應檢測到所述第一節點的故障，由所述第二節點執行，繼續由所述第二節點根據所述複數個協議狀態機為所述複數個工作負載路由流量。
如請求項7所述之具高可用性的網路位址轉換方法，其中所述複數個協議狀態機的每個協議狀態機都是一傳輸控制協議 (TCP) 狀態機。
如請求項8所述之具高可用性的網路位址轉換方法，其中更包含配置所述運算環境以使得所述複數個工作負載透過所述第二節點與所述外部網路通訊，而不需要所述複數個工作負載建立新的 複數個TCP 會話。
如請求項1所述之具高可用性的網路位址轉換方法，其中更包含配置所述運算環境以使得所述複數個工作負載透過所述第二節點與所述外部網路通訊，而不需要所述複數個工作負載建立新的 複數個TCP 會話。
如請求項1所述之具高可用性的網路位址轉換方法，其中更包含：<br/> 由所述第一節點維護包括所述NAT狀態的一第一資料庫；<br/> 由所述第二節點維護一第二資料庫；以及<br/> 由所述第一節點和所述第二節點將所述第一資料庫與所述第二資料庫進行同步。
一種具高可用性的網路位址轉換方法，包含以下步驟：<br/> 在一運算環境中執行複數個工作負載，所述複數個工作負載中的每個工作負載可以是一應用程式、一守護程序(daemon)、一網路服務、一操作系統、一容器或能夠由一電腦執行的任何運算程序；<br/> 在所述運算環境中執行一第一節點，所述第一節點連接到所述複數個工作負載並管理所述複數個工作負載與所述運算環境外部之一外部網路間的網路通訊；<br/> 由所述第一節點為所述複數個工作負載產生複數個第一網路接口以與所述外部網路進行通訊；<br/> 透過在所述運算環境中執行的一第二節點產生供所述複數個工作負載使用並且具有與所述複數個第一網路接口相同位址的複數個第二網路接口；<br/> 所述第二節點檢測到所述第一節點的故障；以及<br/> 基於回應於檢測到所述第一節點的故障，由所述第二節點執行以下步驟：<br/> 配置所述運算環境以使得所述複數個工作負載透過所述複數個第二網路接口與所述第二節點和所述外部網路進行通訊，所述複數個第二網路接口是早於所述第一節點故障前即被建立，其中所述複數個第一接口是一第一虛擬專用網路(VPN) 連接的複數個子接口，所述複數個第二接口是一第二虛擬專用網路(VPN) 連接的複數個子接口。
如請求項12所述之具高可用性的網路位址轉換方法，其中更包含：<br/> 由所述第一節點執行所述運算環境中所使用之所述複數個工作負載的私有位址映射到所述外部網路中使用的公共位址之一第一NAT表來執行網路位址轉換(NAT)；<br/> 由所述第二節點維護與所述第一NAT表相同的一第二 NAT 表；以及<br/> 基於回應於檢測到所述第一節點的故障，由所述第二節點使用所述第二NAT表執行NAT 。
如請求項12所述之具高可用性的網路位址轉換方法，其中所述第一虛擬專用網路(VPN)連接是到將所述第一節點連接到所述外部網路的一中樞節點；<br/> 其中，所述第二虛擬專用網路(VPN)連接是到將所述第二節點連接到所述外部網路的所述中樞節點。
如請求項14所述之具高可用性的網路位址轉換方法，其中更包含：<br/> 由所述中樞節點透過在所述第一節點上建立一第一NAT表來管理網路位址轉換(NAT)，所述第一NAT表將所述運算環境中使用的所述複數個工作負載的私有位址映射到所述外部網路中使用的公共位址； 以及<br/> 由所述中樞節點在所述第二節點上建立與所述第一 NAT 表相同的一第二 NAT 表。
如請求項12所述之具高可用性的網路位址轉換方法，其中所述運算環境為一雲運算平台。
如請求項16所述之具高可用性的網路位址轉換方法，其中所述第一節點和所述第二節點在所述雲運算平台內的一虛擬私有雲(VPC)內執行。
如請求項16所述之具高可用性的網路位址轉換方法，其中所述第一節點和所述第二節點分別執行於耦合到同一本地網路之不同運算設備上。
一種近紅外線遮蔽膜，其由通式Cs<sub>x</sub>W<sub>y</sub>O<sub>z</sub>所示的銫複合鎢氧化物的連續膜構成，該連續膜包含選自斜方晶、菱面體晶和六方晶中的1種以上，在該通式中，4.8≦x≦14.6，20.0≦y≦26.7，62.2≦z≦71.4，x＋y＋z＝100。
如請求項1之近紅外線遮蔽膜，其中，該斜方晶與該六方晶以(001)H//(001)R、(110)H//(100)R、(-110)H//(010)R的晶格對應結合，其中，H與R分別表示六方晶和斜方晶， 該斜方晶的(010)R面、或選自該六方晶的棱鏡面即(100)H、(010)H、(110)H和底面(001)H中的1種以上的至少一部分具有面狀或線狀的晶格缺陷。
如請求項2之近紅外線遮蔽膜，其中，該晶格缺陷包含選自鎢缺損和銫缺損中的1種以上。
如請求項2或3之近紅外線遮蔽膜，其中，構成選自該斜方晶、該菱面體晶和該六方晶中的1種以上的結晶，且由鎢(W)和氧(O)形成的W-O八面體的O的一部分進一步隨機地缺損。
如請求項1～3中任一項之近紅外線遮蔽膜，其中，選自該斜方晶或該六方晶的結晶中的六角隧道的空隙、和該菱面體晶的結晶中的燒綠石型空隙中的1種以上的空隙配置有選自過剩的O<sup>2-</sup>、OH<sup>-</sup>和OH<sub>2</sub>中的1種以上。
如請求項1～3中任一項之近紅外線遮蔽膜，其中，該銫複合鎢氧化物的六方晶換算的晶格常數為7.61Å≦c≦7.73Å，7.38Å≦a≦7.53Å。
如請求項1～3中任一項之近紅外線遮蔽膜，其光學特性滿足η≦0.005VLT＋0.3，其中，η為日照熱取得率，VLT為可見光透射率。
如請求項1～3中任一項之近紅外線遮蔽膜，其表面電阻值為10<sup>5</sup>Ω/□以上。
如請求項1～3中任一項之近紅外線遮蔽膜，其膜厚為30nm以上1200nm以下。
一種近紅外線遮蔽膜之製造方法，其具有:<br/>成膜工序，在基材上藉由乾式法將未熱處理膜進行成膜;以及<br/>熱處理工序，將該未熱處理膜在400℃以上且小於1000℃的溫度進行熱處理，製成銫複合鎢氧化物的連續膜，<br/>該銫複合鎢氧化物由通式Cs<sub>x</sub>W<sub>y</sub>O<sub>z</sub>表示，其中，4.8≦x≦14.6，20.0≦y≦26.7，62.2≦z≦71.4，x＋y＋z＝100，<br/>該連續膜包含選自斜方晶、菱面體晶和六方晶中的1種以上。
如請求項10之近紅外線遮蔽膜之製造方法，其中，該斜方晶與該六方晶以(001)H//(001)R、(110)H//(100)R、(-110)H//(010)R的晶格對應結合，其中，H與R分別表示六方晶和斜方晶，<br/>該斜方晶的(010)R面、或選自該六方晶的棱鏡面即(100)H、(010)H、(110)H和底面(001)H中的1種以上的至少一部分具有面狀或線狀的晶格缺陷。
如請求項11之近紅外線遮蔽膜之製造方法，其中，該晶格缺陷包含選自鎢缺損和銫缺損中的1種以上。
如請求項11或12之近紅外線遮蔽膜之製造方法，其中，構成選自該斜方晶、該菱面體晶和該六方晶中的1種以上的結晶，且由鎢(W)和氧(O)形成的W-O八面體的O的一部分進一步隨機地缺損。
如請求項10～12中任一項之近紅外線遮蔽膜之製造方法，其中，選自該斜方晶或該六方晶的結晶中的六角隧道的空隙、和該菱面體晶的結晶中的燒綠石型空隙中的1種以上的空隙配置有選自過剩的O<sup>2-</sup>、OH<sup>-</sup>和OH<sub>2</sub>中的1種以上。
如請求項10～12中任一項之近紅外線遮蔽膜之製造方法，其中，該銫複合鎢氧化物的六方晶換算的晶格常數為7.61Å≦c≦7.73Å，7.38Å≦a≦7.53Å。
一種濃度控制模塊，其特徵在於，該濃度控制模塊用於原料氣化系統，該原料氣化系統將載氣導入到被收容在罐內的液體或固體的原料而使其氣化，並供給由此生成的原料氣體，該濃度控制模塊包含：<br/> 濃度檢測部，其檢測該原料氣體的濃度；<br/> 閥，其設置在將該原料氣體從該罐導出的導出管；<br/> 壓力目標值計算部，其通過將該罐內的壓力乘以該濃度檢測部的濃度檢測值與該原料氣體的濃度目標值之比、即該濃度檢測值/該濃度目標值來計算該罐內的壓力目標值；<br/> 延遲濾波器，其對通過該壓力目標值計算部得到的壓力目標值提供預定的時間延遲而生成壓力控制值；以及<br/> 第一閥控制部，其使用通過該延遲濾波器得到的壓力控制值與該罐內的壓力之間的偏差來對該閥進行反饋控制。
根據請求項1所述的濃度控制模塊，其中該延遲濾波器針對該壓力目標值進行一階延遲運算而生成該壓力控制值。
根據請求項1所述的濃度控制模塊，其中該延遲濾波器使該壓力目標值以恆定的比例連續地變化而生成該壓力控制值。
根據請求項1所述的濃度控制模塊，其中該壓力目標值計算部通過將該濃度目標值和該濃度檢測值帶入預定的運算式，從而計算該壓力目標值。
根據請求項1所述的濃度控制模塊，其中該濃度控制模塊還具備第二閥控制部，該第二閥控制部使用從外部接收的該罐內的壓力目標值與該罐內的壓力之間的偏差來對該閥進行反饋控制，該濃度控制模塊構成為能夠切換通過該壓力目標值計算部、該延遲濾波器和該第一閥控制部進行的濃度控制模式與通過該第二閥控制部進行的壓力控制模式。
根據請求項5所述的濃度控制模塊，其中該第一閥控制部的控制參數與該第二閥控制部的控制參數相同。
根據請求項6所述的濃度控制模塊，其中該控制參數為比例積分微分系數。
一種使用請求項1至7之中任一項所述的濃度控制模塊來控制原料氣體的濃度的原料氣化系統，其特徵在於，該原料氣化系統將載氣導入到被收容在罐內的液體或固體的原料而使其氣化，並供給由此生成的原料氣體。
一種由第一設備執行的無線通訊方法，所述方法包括：獲取用於以第一傳輸功率傳輸第一實體層協定資料單元(PPDU)的傳輸機會(TXOP)；基於所述第一設備與所述第二設備之間的路徑損失以及所述第二設備與第三設備之間的路徑損失中的至少一者判定對第二設備的第二傳輸功率的限制且至少部分地基於對所述第二傳輸功率的所判定的限制來與所述第二設備共用所述傳輸機會；以及在共用的所述傳輸機會中以所述第一傳輸功率將所述第一實體層協定資料單元傳輸至所述第三設備。
如請求項1所述的無線通訊方法，更包括：接收至少一個訊框；基於所述至少一個訊框來識別組態成支援空間複用的至少一個鄰近設備；以及判定至少一個路徑損失。
如請求項2所述的無線通訊方法，更包括：自所述至少一個鄰近設備當中選擇所述第二設備，其中選擇所述第二設備包括：識別所述第三設備；以及基於所識別的所述第三設備及所述至少一個路徑損失來選擇所述第二設備。
如請求項1所述的無線通訊方法，其中判定對所述第二傳輸功率的所述限制包括基於第一路徑損失及第二路徑損失來判定所述第二傳輸功率，所述第一路徑損失包括所述第一設備與所述第三設備之間的路徑損失，且所述第二路徑損失包括所述第二設備與所述第三設備之間的路徑損失。
如請求項4所述的無線通訊方法，其中判定所述第二傳輸功率包括基於所述第三設備的第一接收功率與所述第三設備的第二接收功率之間的差等於或大於參考值來計算所述第二傳輸功率，其中所述第一接收功率對應於所述第一傳輸功率與所述第一路徑損失之間的差，且其中所述第二接收功率對應於所述第二傳輸功率與所述第二路徑損失之間的差。
如請求項4所述的無線通訊方法，其中判定對所述第二傳輸功率的所述限制更包括將設備識別資訊傳輸至所述第二設備，所述設備識別資訊包含所述第二設備的識別符及關於所述第二傳輸功率的資訊。
如請求項4所述的無線通訊方法，更包括：自所述第三設備接收關於所述第一路徑損失的資訊、關於所述第二路徑損失的資訊或兩者。
如請求項1所述的無線通訊方法，更包括：將對應於所述第一實體層協定資料單元的至少一個第一應答及對應於第二實體層協定資料單元的至少一個第二應答分配至各別的不同無線電資源，所述第二實體層協定資料單元在共用的所述傳輸機會中由所述第二設備傳輸；以及將關於所述至少一個第一應答及所述至少一個第二應答的資源分配資訊傳輸至所述第二設備。
如請求項8所述的無線通訊方法，其中將所述至少一個第一應答及所述至少一個第二應答分配至各別的不同無線電資源包括：將所述至少一個第一應答分配至第一帶；以及將所述至少一個第二應答分配至與所述第一帶不同的第二帶。
如請求項1所述的無線通訊方法，更包括：輸出包括能力資訊及傳輸功率資訊的信標訊框，所述能力資訊指示對空間複用的支援且所述傳輸功率資訊指示所述信標訊框的傳輸功率。
如請求項1所述的無線通訊方法，更包括：判定對第四設備的第三傳輸功率的限制以便與所述第四設備共用所述傳輸機會。
如請求項11所述的無線通訊方法，更包括：將所述第二設備的傳輸及所述第四設備的傳輸分配至各別的不同無線電資源；以及將關於所述第二設備的所述傳輸及所述第四設備的所述傳輸的資源分配資訊傳輸至所述第二設備及所述第四設備。
一種由第二設備執行的無線通訊方法，所述第二設備與第一設備共用傳輸機會(TXOP)，所述方法包括：輸出包括能力資訊及第一傳輸功率資訊的訊框，所述能力資訊指示對空間複用的支援且所述第一傳輸功率資訊指示所述訊框的第一傳輸功率；自所述第一設備接收第二傳輸功率資訊；以及在所述傳輸機會中以第一傳輸功率將實體層協定資料單元(PPDU)傳輸至至少一個第三設備，所述第一傳輸功率等於或低於由所述第二傳輸功率資訊指示的所述第二傳輸功率。
如請求項13所述的無線通訊方法，更包括：自所述第一設備接收設備識別資訊；以及基於所述設備識別資訊來識別所述傳輸機會的共用。
如請求項13所述的無線通訊方法，更包括：自所述第一設備接收關於對應於所述實體層協定資料單元的至少一個應答的資源分配資訊；以及將所述資源分配資訊傳輸至所述至少一個第三設備。
如請求項13所述的無線通訊方法，更包括：在接收到對應於在所述傳輸機會中由所述第一設備傳輸的所述實體層協定資料單元的至少一個第一應答之後自所述至少一個第三設備接收至少一個第二應答。
一種由第三設備執行的無線通訊方法，所述第三設備在由第一設備及第二設備共用的傳輸機會(TXOP)中接收實體層協定資料單元(PPDU)，所述方法包括：基於自所述第一設備接收到的第一訊框來判定所述第一設備與所述第三設備之間的第一路徑損失；基於自所述第二設備接收到的第二訊框來判定所述第二設備與所述第三設備之間的第二路徑損失；將關於所述第一路徑損失及所述第二路徑損失的資訊傳輸至所述第一設備；以及在所述傳輸機會中自所述第一設備接收所述實體層協定資料單元。
如請求項17所述的無線通訊方法，其中判定所述第一路徑損失包括：自所述第一訊框識別傳輸功率資訊；量測所述第一訊框的接收功率；以及基於所述傳輸功率資訊及所量測的接收功率來計算所述第一路徑損失。
如請求項17所述的無線通訊方法，更包括：自所述第一設備接收關於對應於所述實體層協定資料單元的應答的資源分配資訊；以及基於所述資源分配資訊來將所述應答傳輸至所述第一設備。
如請求項19所述的無線通訊方法，其中所述資源分配資訊指示用於傳輸所述應答的頻帶。
一種物品攜具(90; 290; 390; 590; 690; 890)，用以接合至少一件物品(B) ，該物品攜具(90; 290; 390; 590; 690; 890)包括隔開的板片(12, 18/20; 112, 118/120; 212, 254; 312, 318/320; 412, 418/420; 512, 518/520; 612, 618/620; 712, 718/720; 812, 818/820)，該等板片包含一上板片(18/20; 118/120; 254; 318/320; 418/420; 518/520; 618/620; 718/720; 818/820)及一下板片(12; 112; 212; 312; 412; 512; 612; 712; 812)，該物品攜具(90; 290; 390; 590; 690; 890)另包括從該上板片(18/20; 118/120; 254; 318/320; 418/420; 518/520; 618/620; 718/720; 818/820)形成的一鎖固片(80; 180; 280; 380; 480; 580; 680; 780; 880)，該鎖固片(80; 180; 280; 380; 480; 580; 680; 780; 880)提供一固持裝置，據以將該上板片(18/20; 118/120; 254; 318/320; 418/420; 518/520; 618/620; 718/720; 818/820)固定在該下板片(12; 112; 212; 312; 412; 512; 612; 712; 812)上方，其中該鎖固片(80; 180; 280; 380; 480; 580; 680; 780; 880)至少有一部分是設在該上板片(18/20; 118/120; 254; 318/320; 418/420; 518/520; 618/620; 718/720; 818/820)與該下板片(12; 112; 212; 312; 412; 512; 612; 712; 812)之間，使其彼此維持一間隔；且該鎖固片(80; 180; 280; 380; 480; 580; 680; 780; 880)是經由該下板片(12; 112; 212; 312; 412; 512; 612; 712; 812)的一開口(A2; RC)往下伸出，以致使該鎖固片(80; 180; 280; 380; 480; 580; 680; 780; 880) 的肩部(S; S1, S2)提供接合緣以接合該下板片(12; 112; 212; 312; 412; 512; 612; 712; 812)的該開口(A2; RC)的周邊。
如申請專利範圍第1項所述之物品攜具，其中該上板片(18/20; 118/120; 254; 318/320; 418/420; 518/520; 618/620; 718/720; 818/820)包括一片由一上覆蓋襟片(20; 120; 320; 420; 520; 620; 720; 820)及一下覆蓋襟片(18; 118; 318; 418; 518; 618; 718; 818)構成的複合覆蓋板片(18/20; 118/120; 318/320; 418/420; 518/520; 618/620; 718/720; 818/820)，該上覆蓋襟片(20; 120; 320; 420; 520; 620; 720; 820)及下覆蓋襟片(18; 118; 318; 418; 518; 618; 718; 818)至少部分疊合，其中該上覆蓋襟片(20; 120; 320; 420; 520; 620; 720; 820)包括該鎖固片(80; 180; 280; 380; 480; 580; 680; 780; 880)，該下覆蓋襟片(18; 118; 318; 418; 518; 618; 718; 818)則包括由一片或以上的凸片(392, 394, 396; 492, 494, 496; 594; 692, 694a, 694b, 694c, 694d, 696; 792, 794, 796)界定的一開口。
如申請專利範圍第2項所述之物品攜具，其中該鎖固片(80; 180; 280; 380; 480; 580; 680; 780; 880)是與界定該下覆蓋襟片(18; 118; 318; 418; 518; 618; 718; 818)的該開口的該等凸片(392, 394, 396; 492, 494, 496; 594; 692, 694a, 694b, 694c, 694d, 696; 792, 794, 796)中的至少一片接合。
如申請專利範圍第3項所述之物品攜具，其中界定該下覆蓋襟片(18; 118; 318; 418; 518; 618; 718; 818)的該開口的該等凸片(392, 394, 396; 492, 494, 496; 594; 692, 694a, 694b, 694c, 694d, 696; 792, 794, 796)中的至少一片是經由該下板片(12; 112; 212; 312; 412; 512; 612; 712; 812)的該開口往下伸出。
如申請專利範圍第3項所述之物品攜具，其中該鎖固片(80; 180; 280; 380; 480; 580; 680; 780; 880)是接合到該下板片(12; 112; 212; 312; 412; 512; 612; 712; 812)的該開口的周邊，並接合到界定該下覆蓋襟片(18; 118; 318; 418; 518; 618; 718; 818)的該開口的該等凸片(392, 394, 396; 492, 494, 496; 594; 692, 694a, 694b, 694c, 694d, 696; 792, 794, 796)中的至少一片的一凹口部分。
如申請專利範圍第2項所述之物品攜具，其中界定該下覆蓋襟片(18; 118; 318; 418; 518; 618; 718; 818)的該開口的該一片或以上凸片(392, 394, 396; 492, 494, 496; 594; 692, 694a, 694b, 694c, 694d, 696; 792, 794, 796)的至少有一部分是設在該上板片(18/20; 118/120; 254; 318/320; 418/420; 518/520; 618/620; 718/720; 818/820)與該下板片(12; 112; 212; 312; 412; 512; 612; 712; 812)之間，使其彼此維持一間隔。
如申請專利範圍第1項所述之物品攜具，其中該鎖固片(80; 180; 280; 380; 480; 580; 680; 780; 880)包括一個或以上的分離元件，據以界定出一接合部(580c, 680c)的一接合緣，該接合緣則設成用以接合該下板片(12; 112; 212; 312; 412; 512; 612; 712; 812)的一第一表面。
如申請專利範圍第7項所述之物品攜具，其中該一個或以上分離元件界定出一側翼部(680b)的一支撐緣，該支撐緣是設成接合該下板片(12; 112; 212; 312; 412; 512; 612; 712; 812)的一第二表面，該下板片的該第二表面則是在該下板片(12; 112; 212; 312; 412; 512; 612; 712; 812)的該第一表面的對向。
如申請專利範圍第7項所述之物品攜具，其中該一個或以上分離元件係由一切割線(587, 687)提供。
如申請專利範圍第9項所述之物品攜具，其中該鎖固片(80; 180; 280; 380; 480; 580; 680; 780; 880)係不對稱於一假想線，該假想線將用以使該鎖固片(80; 180; 280; 380; 480; 580; 680; 780; 880)鉸接至一所述板片的一鉸接部切分成兩半。
如申請專利範圍第10項所述之物品攜具，其中該鎖固片(80; 180; 280; 380; 480; 580; 680; 780; 880)包含一對所述肩部(S; S1, S2)以提供多個所述接合緣，該些接合緣中之一第一接合緣係較該些接合緣中之一第二接合緣鄰近該鉸接部。
如申請專利範圍第10項所述之物品攜具，其中該切割線(587, 687)係相對傾斜於位於該鎖固片(80; 180; 280; 380; 480; 580; 680; 780; 880)與該上板片(18/20; 118/120; 254; 318/320; 418/420; 518/520; 618/620; 718/720; 818/820)之間的所述鉸接部。
如申請專利範圍第1項所述之物品攜具，其中該鎖固片(80; 180; 280; 380; 480; 580; 680; 780; 880)的取向相對於該上板片和該下板片(12, 18/20; 112, 118/120; 212, 254; 312, 318/320; 412, 418/420; 512, 518/520; 612, 618/620; 712, 718/720; 812, 818/820)是斜向。
如申請專利範圍第1項所述之物品攜具，其中該上板片(18/20; 118/120; 254; 318/320; 418/420; 518/520; 618/620; 718/720; 818/820)包括一片由一上覆蓋襟片(20; 120; 320; 420; 520; 620; 720; 820)及一下覆蓋襟片(18; 118; 318; 418; 518; 618; 718; 818)構成的複合覆蓋板片(18/20; 118/120; 254; 318/320; 418/420; 518/520; 618/620; 718/720; 818/820)，該上覆蓋襟片(20; 120; 320; 420; 520; 620; 720; 820)及該下覆蓋襟片(18; 118; 318; 418; 518; 618; 718; 818)至少部分疊合，其中該上覆蓋襟片(20; 120; 320; 420; 520; 620; 720; 820)包括一第一陽鎖固片(880)，而該下覆蓋襟片(18; 118; 318; 418; 518; 618; 718; 818)則包括一個由一第二陽鎖固片(882)界定出的開口。
如申請專利範圍第14項所述之物品攜具，其中該第二陽鎖固片(882)的物理尺寸不小於該第一陽鎖固片(880)。
如申請專利範圍第14項所述之物品攜具，其中該第一陽鎖固片(880)透過具有第一折疊阻力的第一鉸鏈鉸接該上覆蓋襟片(20; 120; 320; 420; 520; 620; 720; 820)，該第二陽鎖固片(882) 透過具有第二折疊阻力的第二鉸鏈鉸接該下覆蓋襟片(18; 118; 318; 418; 518; 618; 718; 818)，該第二折疊阻力小於該第一折疊阻力。
一種胚片(10; 110; 210A, 210B; 310; 410; 510; 610; 710; 810)，用以形成一物品攜具(90; 290; 390; 590; 690; 890)，該胚片(10; 110; 210A, 210B; 310; 410; 510; 610; 710; 810)包括在一組立的攜具上設成隔開的一對板片(12, 18/20; 112, 118/120; 212, 254; 312, 318/320; 412, 418/420; 512, 518/520; 612, 618/620; 712, 718/720; 812, 818/820)，該對板片包含一上板片(18/20; 118/120; 254; 318/320; 418/420; 518/520; 618/620; 718/720; 818/820)及一下板片(12; 112; 212; 312; 412; 512; 612; 712; 812)，該胚片(10; 110; 210A, 210B; 310; 410; 510; 610; 710; 810)另包括一從該上板片(18/20; 118/120; 254; 318/320; 418/420; 518/520; 618/620; 718/720; 818/820)形成的鎖固片(80; 180; 280; 380; 480; 580; 680; 780; 880)，該鎖固片(80; 180; 280; 380; 480; 580; 680; 780; 880)提供一固持裝置，據以在一鎖定狀態時將該上板片(18/20; 118/120; 254; 318/320; 418/420; 518/520; 618/620; 718/720; 818/820)固定在該下板片(12; 112; 212; 312; 412; 512; 612; 712; 812)上方，其中該鎖固片(80; 180; 280; 380; 480; 580; 680; 780; 880)至少有一部分是設於該上板片(18/20; 118/120; 254; 318/320; 418/420; 518/520; 618/620; 718/720; 818/820)及下板片(12; 112; 212; 312; 412; 512; 612; 712; 812)之間，使其彼此在該鎖定狀態時維持一間隔；且該鎖固片(80; 180; 280; 380; 480; 580; 680; 780; 880)是經由該下板片(12; 112; 212; 312; 412; 512; 612; 712; 812)的一開口(A2; RC)往下伸出，以致使該鎖固片(80; 180; 280; 380; 480; 580; 680; 780; 880) 的肩部(S; S1, S2)提供接合緣以在該組立的攜具(90; 290; 390; 590; 690; 890)中接合該下板片(12; 112; 212; 312; 412; 512; 612; 712; 812)的該開口(A2; RC)的周邊。
一種用於脈衝雷射沈積(PLD)之氮化鋁鈧(ScAlN)靶體之製造方法，該方法包括以下步驟：<br/>提供鈧鋁合金體；<br/>將該鈧鋁合金體粉碎成鈧鋁粒子；<br/>將該等鈧鋁粒子氮化成氮化鋁鈧粒子；<br/>將該等氮化鋁鈧粒子熱壓成氮化鋁鈧靶體。
如請求項1之方法，其中該等鈧鋁粒子之該氮化包括以下步驟：在氮或氨(NH<sub>3</sub>)之一氣流中供給該等鈧鋁粒子，同時使該氨氣及鈧鋁粒子混合物之一溫度維持超過500°C。
如請求項1或2之方法，其中該等氮化鋁鈧粒子在一均衡熱壓中熱壓。
如請求項1或2之方法，其中該等氮化鋁鈧粒子以超過90 MPa之一壓力熱壓。
如請求項1或2之方法，其中該等氮化鋁鈧粒子以超過1600°C之一溫度熱壓。
如請求項1或2之方法，其中藉由研磨該體來粉碎該鈧鋁合金體。
如請求項1或2之方法，其中在該粉碎步驟之後，該等鈧鋁粒子具有小於10微米之一粒徑。
如請求項1或2之方法，其中該氮化鋁鈧靶體包括至少20 at%鈧。
如請求項1或2之方法，其中將該等氮化鋁鈧粒子熱壓成具有高於80%之一相對密度之氮化鋁鈧靶體。
一種溫度推定裝置，其具有推定部， <br/>該推定部係對已產生時間序列模型，依次輸入與上述處理空間內之狀態相關之新的時間序列之程序資料，藉此，依次推定溫度資料；其中，上述已產生時間序列模型係以如下方式產生：基於藉由依次輸入與處理空間內之狀態相關之時間序列之程序資料而從時間序列模型依次輸出之溫度資料、及於上述處理空間內測得之時間序列之溫度資料的各時間之資料的誤差，來決定上述時間序列模型之參數。
如請求項1之溫度推定裝置，其中與上述處理空間內之狀態相關之新的時間序列之程序資料係複數個感測器各自新測得之複數個時間序列之程序資料。
如請求項2之溫度推定裝置，其中上述複數個感測器包含以下感測器中之至少任一者：測定上述處理空間內之壓力之感測器、測定對上述處理空間內供給之氣體之氣體流量之感測器、測定電漿處理用RF電源之電量之感測器、用以測定腔室阻抗之感測器、及測定將上述處理空間內加熱之加熱器之電量之感測器。
如請求項2之溫度推定裝置，其中與上述處理空間內之狀態相關之新的時間序列之程序資料係於電漿處理開始之前或進行電漿處理之過程中，新測定之複數個時間序列之程序資料。
如請求項2之溫度推定裝置，其中上述已產生時間序列模型係使用上述已產生時間序列模型之參數，將上述新的時間序列之程序資料中的相較當前之程序資料而言為過去之規定時間範圍之程序資料、及相較作為推定對象之溫度資料而言為過去所推定出之規定時間範圍之溫度資料進行加權相加，藉此輸出作為推定對象之溫度資料。
如請求項1之溫度推定裝置，其進而具有模型產生部，該模型產生部係基於藉由依次輸入與供進行電漿處理之處理空間內之狀態相關之時間序列之程序資料而從時間序列模型依次輸出之溫度資料、及於上述處理空間內測得之時間序列之溫度資料的各時間之資料的誤差，來決定時間序列模型之參數，藉此提供上述已產生時間序列模型。
如請求項6之溫度推定裝置，其中上述模型產生部係基於在上述處理空間內之預定位置測得之時間序列之溫度資料與各時間之資料之誤差，而決定上述時間序列模型之參數，藉此提供與所測得之位置相應之已產生時間序列模型。
如請求項1之溫度推定裝置，其具有： <br/>製程配方調整部，其基於藉由上述推定部推定之溫度資料判定程序條件是否恰當，並基於上述程序條件是否恰當之判定結果調整製程配方。
一種電漿處理系統，其具有： <br/>如請求項1至8中任一項之溫度推定裝置；及 <br/>警報輸出裝置，其於由上述推定部依次推定出之溫度資料超出預定之溫度範圍之情形時，輸出警報。
如請求項9之電漿處理系統，其進而具有控制裝置，該控制裝置係以於開始電漿處理之前或電漿處理過程中，由上述推定部依次推定出之溫度資料達到目標溫度之方式，設定電漿處理之處理時間。
如請求項9之電漿處理系統，其進而具有控制裝置，該控制裝置係以於開始上述電漿處理之前或電漿處理過程中，由上述推定部依次推定出之溫度資料達到目標溫度之方式，設定RF電源之電量。
一種溫度推定方法，其具有： <br/>推定工序，其對已產生時間序列模型，依次輸入與上述處理空間內之狀態相關之新的時間序列之程序資料，藉此，依次推定溫度資料；其中，上述已產生時間序列模型係以如下方式產生：基於藉由依次輸入與處理空間內之狀態相關之時間序列之程序資料而從時間序列模型依次輸出之溫度資料、及於上述處理空間內測得之時間序列之溫度資料的各時間之資料的誤差，來決定上述時間序列模型之參數。
如請求項12之溫度推定方法，其具有： <br/>製程配方調整工序，其基於藉由上述推定工序推定之溫度資料判定程序條件是否恰當，並基於上述程序條件是否恰當之判定結果調整製程配方。
一種溫度推定程式，其用於使電腦執行： <br/>推定工序，其對已產生時間序列模型，依次輸入與上述處理空間內之狀態相關之新的時間序列之程序資料，藉此，依次推定溫度資料；其中，上述已產生時間序列模型係以如下方式產生：基於藉由依次輸入與處理空間內之狀態相關之時間序列之程序資料而從時間序列模型依次輸出之溫度資料、及於上述處理空間內測得之時間序列之溫度資料的各時間之資料的誤差，來決定上述時間序列模型之參數。
如請求項14之溫度推定程式，其用於使電腦執行： <br/>製程配方調整工序，其基於藉由上述推定工序推定之溫度資料判定程序條件是否恰當，並基於上述程序條件是否恰當之判定結果調整製程配方。
一種分離的特異性結合CCR8的抗原結合蛋白，其包含抗體重鏈或其片段和抗體輕鏈或其片段，該抗體重鏈或其片段包含HCDR1、HCDR2和HCDR3，該抗體輕鏈或其片段包含LCDR1、LCDR2和LCDR3，其中，該HCDR1、HCDR2、HCDR3、LCDR1、LCDR2和LCDR3選自以下任意一組：(1)SEQ ID NO：111所示的LCDR1，SEQ ID NO：127所示的LCDR2，SEQ ID NO：142所示的LCDR3，SEQ ID NO：22所示的HCDR1，SEQ ID NO：48所示的HCDR2，和SEQ ID NO：80所示的HCDR3；(2)SEQ ID NO：111所示的LCDR1，SEQ ID NO：127所示的LCDR2，SEQ ID NO：142所示的LCDR3，SEQ ID NO：22所示的HCDR1，SEQ ID NO：38所示的HCDR2，和SEQ ID NO：72所示的HCDR3；(3)SEQ ID NO：111所示的LCDR1，SEQ ID NO：127所示的LCDR2，SEQ ID NO：142所示的LCDR3，SEQ ID NO：22所示的HCDR1，SEQ ID NO：38所示的HCDR2，和SEQ ID NO：80所示的HCDR3；(4)SEQ ID NO：111所示的LCDR1，SEQ ID NO：127所示的LCDR2，SEQ ID NO：142所示的LCDR3，SEQ ID NO：22所示的HCDR1，SEQ ID NO：38所示的HCDR2，和SEQ ID NO：81所示的HCDR3；(5)SEQ ID NO：111所示的LCDR1，SEQ ID NO：127所示的LCDR2，SEQ ID NO：142所示的LCDR3，SEQ ID NO：22所示的HCDR1，SEQ ID NO：48所示的HCDR2，和SEQ ID NO：81所示的HCDR3；(6)SEQ ID NO：111所示的LCDR1，SEQ ID NO：127所示的LCDR2，SEQ ID NO：142所示的LCDR3，SEQ ID NO：22所示的HCDR1，SEQ ID NO：48所示的HCDR2，和SEQ ID NO：82所示的HCDR3；(7)SEQ ID NO：111所示的LCDR1，SEQ ID NO：127所示的LCDR2，SEQ ID NO：142所示的LCDR3，SEQ ID NO：22所示的HCDR1，SEQ ID NO：48所示的HCDR2，和SEQ ID NO：83所示的HCDR3；(8)SEQ ID NO：106所示的LCDR1，SEQ ID NO：127所示的LCDR2，SEQ ID NO：142所示的LCDR3，SEQ ID NO：16所示的HCDR1，SEQ ID NO：38所示的HCDR2，和SEQ ID NO：65所示的HCDR3；(9)SEQ ID NO：105所示的LCDR1，SEQ ID NO：127所示的LCDR2，SEQ ID NO：142所示的LCDR3，SEQ ID NO：15所示的HCDR1，SEQ ID NO：38所示的HCDR2，和SEQ ID NO：65所示的HCDR3；(10)SEQ ID NO：105所示的LCDR1，SEQ ID NO：127所示的LCDR2，SEQ ID NO：142所示的LCDR3，SEQ ID NO：16所示的HCDR1，SEQ ID NO：38所示的HCDR2，和SEQ ID NO：65所示的HCDR3；(11)SEQ ID NO：106所示的LCDR1，SEQ ID NO：127所示的LCDR2，SEQ ID NO：142所示的LCDR3，SEQ ID NO：15所示的HCDR1，SEQ ID NO：38所示的HCDR2，和SEQ ID NO：65所示的HCDR3；(12)SEQ ID NO：106所示的LCDR1，SEQ ID NO：127所示的LCDR2，SEQ ID NO：142所示的LCDR3，SEQ ID NO：16所示的HCDR1，SEQ ID NO：38所示的HCDR2，和SEQ ID NO：68所示的HCDR3；(13)SEQ ID NO：106所示的LCDR1，SEQ ID NO：127所示的LCDR2，SEQ ID NO：142所示的LCDR3，SEQ ID NO：16所示的HCDR1，SEQ ID NO：38所示的HCDR2，和SEQ ID NO：72所示的HCDR3；(14)SEQ ID NO：106所示的LCDR1，SEQ ID NO：127所示的LCDR2，SEQ ID NO：142所示的LCDR3，SEQ ID NO：16所示的HCDR1，SEQ ID NO：38所示的HCDR2，和SEQ ID NO：73所示的HCDR3；(15)SEQ ID NO：106所示的LCDR1，SEQ ID NO：127所示的LCDR2，SEQ ID NO：142所示的LCDR3，SEQ ID NO：21所示的HCDR1，SEQ ID NO：38所示的HCDR2，和SEQ ID NO：65所示的HCDR3；(16)SEQ ID NO：106所示的LCDR1，SEQ ID NO：127所示的LCDR2，SEQ ID NO：142所示的LCDR3，SEQ ID NO：22所示的HCDR1，SEQ ID NO：38所示的HCDR2，和SEQ ID NO：65所示的HCDR3；(17)SEQ ID NO：106所示的LCDR1，SEQ ID NO：127所示的LCDR2，SEQ ID NO：142所示的LCDR3，SEQ ID NO：22所示的HCDR1，SEQ ID NO：38所示的HCDR2，和SEQ ID NO：72所示的HCDR3；(18)SEQ ID NO：106所示的LCDR1，SEQ ID NO：127所示的LCDR2，SEQ ID NO：142所示的LCDR3，SEQ ID NO：22所示的HCDR1，SEQ ID NO：38所示的HCDR2，和SEQ ID NO：73所示的HCDR3；(19)SEQ ID NO：106所示的LCDR1，SEQ ID NO：127所示的LCDR2，SEQ ID NO：150所示的LCDR3，SEQ ID NO：16所示的HCDR1，SEQ ID NO：38所示的HCDR2，和SEQ ID NO：65所示的HCDR3；(20)SEQ ID NO：106所示的LCDR1，SEQ ID NO：127所示的LCDR2，SEQ ID NO：151所示的LCDR3，SEQ ID NO：16所示的HCDR1，SEQ ID NO：38所示的HCDR2，和SEQ ID NO：65所示的HCDR3；(21)SEQ ID NO：106所示的LCDR1，SEQ ID NO：127所示的LCDR2，和SEQ ID NO：152所示的LCDR3，SEQ ID NO：16所示的HCDR1，SEQ ID NO：38所示的HCDR2，和SEQ ID NO：65所示的HCDR3；(22)SEQ ID NO：107所示的LCDR1，SEQ ID NO：127所示的LCDR2，SEQ ID NO：142所示的LCDR3，SEQ ID NO：16所示的HCDR1，SEQ ID NO：38所示的HCDR2，和SEQ ID NO：65所示的HCDR3；(23)SEQ ID NO：107所示的LCDR1，SEQ ID NO：127所示的LCDR2，SEQ ID NO：142所示的LCDR3，SEQ ID NO：16所示的HCDR1，SEQ ID NO：38所示的HCDR2，和SEQ ID NO：68所示的HCDR3；(24)SEQ ID NO：111所示的LCDR1，SEQ ID NO：127所示的LCDR2，SEQ ID NO：142所示的LCDR3，SEQ ID NO：16所示的HCDR1，SEQ ID NO：38所示的HCDR2，和SEQ ID NO：65所示的HCDR3；(25)SEQ ID NO：111所示的LCDR1，SEQ ID NO：127所示的LCDR2，SEQ ID NO：142所示的LCDR3，SEQ ID NO：22所示的HCDR1，SEQ ID NO：38所示的HCDR2，和SEQ ID NO：73所示的HCDR3；以及(26)SEQ ID NO：112所示的LCDR1，SEQ ID NO：127所示的LCDR2，SEQ ID NO：142所示的LCDR3，SEQ ID NO：16所示的HCDR1，SEQ ID NO：38所示的HCDR2，和SEQ ID NO：65所示的HCDR3。
如請求項1所述的分離的特異性結合CCR8的抗原結合蛋白，其包含抗體重鏈可變區VH和抗體輕鏈可變區VL，且該VH和VL包含選自以下任意一組的胺基酸序列：(1)VL：SEQ ID NO：237，且VH：SEQ ID NO：208；(2)VL：SEQ ID NO：237，且VH：SEQ ID NO：196；(3)VL：SEQ ID NO：237，且VH：SEQ ID NO：206；(4)VL：SEQ ID NO：237，且VH：SEQ ID NO：207；(5)VL：SEQ ID NO：237，且VH：SEQ ID NO：209；(6)VL：SEQ ID NO：237，且VH：SEQ ID NO：210；(7)VL：SEQ ID NO：237，且VH：SEQ ID NO：211；(8)VL：SEQ ID NO：214，且VH：SEQ ID NO：169；(9)VL：SEQ ID NO：217，且VH：SEQ ID NO：172；(10)VL：SEQ ID NO：220，且VH：SEQ ID NO：172；(11)VL：SEQ ID NO：223，且VH：SEQ ID NO：177；(12)VL：SEQ ID NO：227，且VH：SEQ ID NO：172；(13)VL：SEQ ID NO：228，且VH：SEQ ID NO：172；(14)VL：SEQ ID NO：220，且VH：SEQ ID NO：181；(15)VL：SEQ ID NO：220，且VH：SEQ ID NO：182；(16)VL：SEQ ID NO：220，且VH：SEQ ID NO：183；(17)VL：SEQ ID NO：220，且VH：SEQ ID NO：184；(18)VL：SEQ ID NO：220，且VH：SEQ ID NO：185；(19)VL：SEQ ID NO：220，且VH：SEQ ID NO：186；(20)VL：SEQ ID NO：220，且VH：SEQ ID NO：187；(21)VL：SEQ ID NO：220，且VH：SEQ ID NO：188；(22)VL：SEQ ID NO：220，且VH：SEQ ID NO：189；(23)VL：SEQ ID NO：220，且VH：SEQ ID NO：190；(24)VL：SEQ ID NO：220，且VH：SEQ ID NO：191；(25)VL：SEQ ID NO：220，且VH：SEQ ID NO：192；(26)VL：SEQ ID NO：220，且VH：SEQ ID NO：193；(27)VL：SEQ ID NO：229，且VH：SEQ ID NO：172；(28)VL：SEQ ID NO：230，且VH：SEQ ID NO：172；(29)VL：SEQ ID NO：232，且VH：SEQ ID NO：172；(30)VL：SEQ ID NO：233，且VH：SEQ ID NO：172；(31)VL：SEQ ID NO：234，且VH：SEQ ID NO：172；(32)VL：SEQ ID NO：229，且VH：SEQ ID NO：185；(33)VL：SEQ ID NO：229，且VH：SEQ ID NO：188；(34)VL：SEQ ID NO：229，且VH：SEQ ID NO：191；(35)VL：SEQ ID NO：230，且VH：SEQ ID NO：185；(36)VL：SEQ ID NO：230，且VH：SEQ ID NO：188；(37)VL：SEQ ID NO：230，且VH：SEQ ID NO：191；(38)VL：SEQ ID NO：232，且VH：SEQ ID NO：185；(39)VL：SEQ ID NO：232，且VH：SEQ ID NO：188；(40)VL：SEQ ID NO：232，且VH：SEQ ID NO：191；(41)VL：SEQ ID NO：229，且VH：SEQ ID NO：194；(42)VL：SEQ ID NO：229，且VH：SEQ ID NO：195；(43)VL：SEQ ID NO：236，且VH：SEQ ID NO：194；(44)VL：SEQ ID NO：236，且VH：SEQ ID NO：195；(45)VL：SEQ ID NO：232，且VH：SEQ ID NO：196；(46)VL：SEQ ID NO：232，且VH：SEQ ID NO：197；(47)VL：SEQ ID NO：237，且VH：SEQ ID NO：197；(48)VL：SEQ ID NO：229，且VH：SEQ ID NO：188；(49)VL：SEQ ID NO：232，且VH：SEQ ID NO：185；(50)VL：SEQ ID NO：242，且VH：SEQ ID NO：172；(51)VL：SEQ ID NO：243，且VH：SEQ ID NO：172；以及(52)VL：SEQ ID NO：244，且VH：SEQ ID NO：172。
如請求項1或請求項2所述的分離的特異性結合CCR8的抗原結合蛋白，其包括全長抗體、Fab、Fab’、F(ab’)2、Fv、scFv、di-scFv、雙特異性抗體或多特異性抗體，或由上述抗體製得的單株抗體和/或多株抗體。
如請求項1或請求項2所述的分離的特異性結合CCR8的抗原結合蛋白，其中該抗體選自下組：單株抗體、嵌合抗體、人源化抗體和全人源抗體。
如請求項1或請求項2所述的分離的特異性結合CCR8的抗原結合蛋白，其還包括源自人IgG的重鏈恆定區。
如請求項5所述的分離的特異性結合CCR8的抗原結合蛋白，其還包括源自人IgG1的重鏈恆定區。
如請求項1或請求項2所述的分離的特異性結合CCR8的抗原結合蛋白，其包括抗體重鏈和輕鏈抗體，其中：(1)該抗體重鏈包含SEQ ID NO：317的胺基酸序列，且該抗體輕鏈包含SEQ ID NO：344的胺基酸序列；(2)該抗體重鏈包含SEQ ID NO：308的胺基酸序列，且該抗體輕鏈包含SEQ ID NO：344的胺基酸序列；(3)該抗體重鏈包含SEQ ID NO：302的胺基酸序列，且該抗體輕鏈包含SEQ ID NO：344的胺基酸序列；(4)該抗體重鏈包含SEQ ID NO：281的胺基酸序列，且該抗體輕鏈包含SEQ ID NO：344的胺基酸序列；(5)該抗體重鏈包含SEQ ID NO：300的胺基酸序列，且該抗體輕鏈包含SEQ ID NO：344的胺基酸序列；(6)該抗體重鏈包含SEQ ID NO：299的胺基酸序列，且該抗體輕鏈包含SEQ ID NO：344的胺基酸序列；(7)該抗體重鏈包含SEQ ID NO：301的胺基酸序列，且該抗體輕鏈包含SEQ ID NO：344的胺基酸序列；(8)該抗體重鏈包含SEQ ID NO：307的胺基酸序列，且該抗體輕鏈包含SEQ ID NO：344的胺基酸序列；(9)該抗體重鏈包含SEQ ID NO：313的胺基酸序列，且該抗體輕鏈包含SEQ ID NO：344的胺基酸序列；(10)該抗體重鏈包含SEQ ID NO：303的胺基酸序列，且該抗體輕鏈包含SEQ ID NO：344的胺基酸序列；(11)該抗體重鏈包含SEQ ID NO：309的胺基酸序列，且該抗體輕鏈包含SEQ ID NO：344的胺基酸序列；(12)該抗體重鏈包含SEQ ID NO：314的胺基酸序列，且該抗體輕鏈包含SEQ ID NO：344的胺基酸序列；(13)該抗體重鏈包含SEQ ID NO：304的胺基酸序列，且該抗體輕鏈包含SEQ ID NO：344的胺基酸序列；(14)該抗體重鏈包含SEQ ID NO：310的胺基酸序列，且該抗體輕鏈包含SEQ ID NO：344的胺基酸序列；(15)該抗體重鏈包含SEQ ID NO：318的胺基酸序列，且該抗體輕鏈包含SEQ ID NO：344的胺基酸序列；(16)該抗體重鏈包含SEQ ID NO：315的胺基酸序列，且該抗體輕鏈包含SEQ ID NO：344的胺基酸序列；(17)該抗體重鏈包含SEQ ID NO：311的胺基酸序列，且該抗體輕鏈包含SEQ ID NO：344的胺基酸序列；(18)該抗體重鏈包含SEQ ID NO：305的胺基酸序列，且該抗體輕鏈包含SEQ ID NO：344的胺基酸序列；(19)該抗體重鏈包含SEQ ID NO：306的胺基酸序列，且該抗體輕鏈包含SEQ ID NO：344的胺基酸序列；(20)該抗體重鏈包含SEQ ID NO：312的胺基酸序列，且該抗體輕鏈包含SEQ ID NO：344的胺基酸序列；或者(21)該抗體重鏈包含SEQ ID NO：316的胺基酸序列，且該抗體輕鏈包含SEQ ID NO：344的胺基酸序列。
一種或多種分離的核酸分子，其編碼如請求項1至5中任一項所述的分離的特異性結合CCR8的抗原結合蛋白。
一種載體，其包含如請求項8所述的核酸分子。
一種細胞，其包含如請求項8所述的核酸分子或如請求項9所述的載體。
一種製備如請求項1至7中任一項所述的分離的特異性結合CCR8的抗原結合蛋白的方法，該方法包括在使得如請求項1至7中任一項所述的分離的特異性結合CCR8的抗原結合蛋白表達的條件下，培養如請求項10所述的細胞。
一種嵌合抗原受體，其包含如請求項1至7中任一項所述的抗原結合蛋白。
一種基因修飾的細胞，其包含如請求項12所述的嵌合抗原受體。
如請求項13所述的基因修飾的細胞，其中該基因修飾的細胞為分離的人免疫細胞。
如請求項14所述的基因修飾的細胞，其中所述免疫細胞為T細胞，或NK細胞。
一種抗體藥物偶聯物，其包含細胞毒性劑，以及如請求項1至7中任一項所述的抗原結合蛋白。
一種醫藥組成物，其包含如請求項1至7中任一項所述的分離的特異性結合CCR8的抗原結合蛋白、如請求項13-15中任一項所述的基因修飾的細胞，和/或如請求項16所述的抗體藥物偶聯物，以及任選地藥學上可接受的載體。
一種試劑盒或給藥裝置，其包括如請求項1至7中任一項所述的分離的特異性結合CCR8的抗原結合蛋白、如請求項13-15中任一項所述的基因修飾的細胞、如請求項16中所述的抗體藥物偶聯物和/或如請求項17或18所述的醫藥組成物。
如請求項18所述的試劑盒或給藥裝置，其中該試劑盒還包括(i)施用該抗原結合蛋白、該核酸分子、該載體、該細胞、該嵌合抗原受體、該基因修飾的細胞、該抗體藥物偶聯物和/或該醫藥組成物的裝置；和/或(ii)使用說明。
一種如請求項1至7中任一項所述的分離的特異性結合CCR8的抗原結合蛋白、如請求項13-15中任一項所述的基因修飾的細胞、如請求項16中所述的抗體藥物偶聯物和/或如請求項17或18所述的醫藥組成物在製備藥物中的用途，該藥物用於預防、緩解和/或治療CCR8介導的疾病或病症。
如請求項20所述的用途，其中該CCR8介導的疾病或病症包括腫瘤。
如請求項21所述的用途，其中該腫瘤為乳腺癌、腎癌、胰腺癌、膀胱癌、胃癌、宮頸癌和/或結腸癌。
一種封裝裝置，包括：<br/> 一基板；<br/> 一第一電子元件，其附連至該基板的一第一表面靠近該基板的一中心；<br/> 一第二電子元件，其附連至該基板的該第一表面靠近該基板的一邊緣；及<br/> 一連接，其位於該基板的該第一表面上並且是用於電信號的一路徑的一部分，該連接被耦合在該第一電子元件與該第二電子元件之間，<br/> 其中該連接具有平行於該基板的該第一表面的一長度、平行於該基板的該第一表面且垂直於該長度的一寬度、及垂直於該長度和該寬度的一高度，<br/> 其中該高度在整個該連接中是統一的，<br/> 其中該高度大於該寬度，及<br/> 其中該連接的一上表面比該第一電子元件的一頂表面更遠離該基板的該第一表面。
如請求項1之封裝裝置，其中該第一電子元件是一主動元件。
如請求項1之封裝裝置，其中該第一電子元件是一主動元件，而該第二電子元件是一被動元件。
如請求項1之封裝裝置，其中該第一電子元件是一主動元件或一被動元件中的一者，而該第二電子元件是一主動元件或一被動元件中的一者。
如請求項1之封裝裝置，其中該高度大於50 µm。
如請求項1之封裝裝置，其中該裝置被納入到從包括以下各項的一群組中選擇的一設備中：一音樂播放機、一視訊播放機、一娛樂單元、一導航設備、一通訊設備、一行動設備、一行動電話、一智慧型電話、一個人數位助理、一固定位置終端、一平板電腦、一電腦、一可穿戴設備、一膝上型電腦、一伺服器，以及一機動交通工具中的一設備。
一種封裝裝置，包括：<br/> 用於支撐的構件；<br/> 一第一電子元件，其附連至該用於支撐的構件的一第一表面靠近該用於支撐的構件的一中心； <br/> 一第二電子元件，其附連至該用於支撐的構件的該第一表面靠近該用於支撐的構件的一邊緣；及<br/> 用於耦合的構件，其位於該用於支撐的構件的該第一表面上，該用於耦合的構件被耦合在該第一電子元件與該第二電子元件之間，<br/> 其中該用於耦合的構件包括一連接，該連接具有平行於該用於支撐的構件的該第一表面的一長度、平行於該用於支撐的構件的該第一表面且垂直於該長度的一寬度、及垂直於該長度和該寬度的一高度，<br/> 其中該連接是用於電信號的一路徑的一部分，<br/> 其中該高度在整個該連接中是統一的，<br/> 其中該高度大於該寬度，及<br/> 其中該連接的一上表面比該第一電子元件的一頂表面更遠離該用於支撐的構件的該第一表面。
如請求項7之封裝裝置，其中該第一電子元件是一主動元件。
如請求項7之封裝裝置，其中該第一電子元件是一主動元件，而該第二電子元件是一被動元件。
如請求項7之封裝裝置，其中該第一電子元件是一主動元件或一被動元件中的一者，而該第二電子元件是一主動元件或一被動元件中的一者。
如請求項7之封裝裝置，其中該高度大於50 µm。
如請求項7之封裝裝置，其中該裝置被納入到從包括以下各項的一群組中選擇的一設備中：一音樂播放機、一視訊播放機、一娛樂單元、一導航設備、一通訊設備、一行動設備、一行動電話、一智慧型電話、一個人數位助理、一固定位置終端、一平板電腦、一電腦、一可穿戴設備、一膝上型電腦、一伺服器，以及一機動交通工具中的一設備。
一種用於製造一裝置的方法，該方法包括以下步驟：<br/> 提供一基板；<br/> 將一第一電子元件附連至該基板的一第一表面靠近該基板的一中心；<br/> 將一第二電子元件附連至該基板的該第一表面靠近該基板的一邊緣；及<br/> 在該第一電子元件與該第二電子元件之間連接位於該基板的該第一表面上的一連接，<br/> 其中該連接是用於電信號的一路徑的一部分，<br/> 其中該連接具有平行於該基板的該第一表面的一長度、平行於該基板的該第一表面且垂直於該長度的一寬度、及垂直於該長度和該寬度的一高度，<br/> 其中該高度在整個該連接中是統一的，<br/> 其中該高度大於該寬度，及<br/> 其中該連接的一上表面比該第一電子元件的一頂表面更遠離該基板的該第一表面。
如請求項13之方法，其中該第一電子元件是一主動元件。
如請求項13之方法，其中該第一電子元件是一主動元件，而該第二電子元件是一被動元件。
如請求項13之方法，其中該第一電子元件是一主動元件或一被動元件中的一者，而該第二電子元件是一主動元件或一被動元件中的一者。
如請求項13之方法，其中該高度大於50 µm。
如請求項13之方法，進一步包括以下步驟：將該裝置納入到選自由以下各項組成的一群組中的一設備中：一音樂播放機、一視訊播放機、一娛樂單元、一導航設備、一通訊設備、一行動設備、一行動電話、一智慧型電話、一個人數位助理、一固定位置終端、一平板電腦、一電腦、一可穿戴設備、一膝上型電腦、一伺服器和一機動交通工具中的一設備。
一種包括指令的非暫時性電腦可讀取媒體，該等指令在由一處理器執行時使該處理器執行一方法，該方法包括以下步驟：<br/> 提供一基板；<br/> 將一第一電子元件附連至該基板的一第一表面靠近該基板的一中心；<br/> 將一第二電子元件附連至該基板的該第一表面靠近該基板的一邊緣；及<br/> 在該第一電子元件與該第二電子元件之間連接位於該基板的該第一表面上的一連接，<br/> 其中該連接是用於電信號的一路徑的一部分，<br/> 其中該連接具有平行於該基板的該第一表面的一長度、平行於該基板的該第一表面且垂直於該長度的一寬度、及垂直於該長度和該寬度的一高度，<br/> 其中該高度在整個該連接中是統一的，<br/> 其中該高度大於該寬度，及<br/> 其中該連接的一上表面比該第一電子元件的一頂表面更遠離該基板的該第一表面。
如請求項19之非暫時性電腦可讀取媒體，其中該第一電子元件是一主動元件。
如請求項19之非暫時性電腦可讀取媒體，其中該第一電子元件是一主動元件，而該第二電子元件是一被動元件。
如請求項19之非暫時性電腦可讀取媒體，其中該第一電子元件是一主動元件或一被動元件中的一者，而該第二電子元件是一主動元件或一被動元件中的一者。
如請求項19之非暫時性電腦可讀取媒體，其中該高度大於50 µm。
如請求項19之非暫時性電腦可讀取媒體，其中該方法進一步包括將該基板納入到選自由以下各項組成的一群組的一設備中：一音樂播放機、一視訊播放機、一娛樂單元、一導航設備、一通訊設備、一行動設備、一行動電話、一智慧型電話、一個人數位助理、一固定位置終端、一平板電腦、一電腦、一可穿戴設備、一膝上型電腦、一伺服器，以及一機動交通工具中的一設備。
一種包括至少部分形成於碳化矽(SiC)基板內的單位單元的器件，該單位單元包括：形成於該SiC基板中並且具有第一導電類型的漂移區；閘極導體；設在該閘極導體與該SiC基板之間的閘極絕緣體膜；形成於該漂移區中並且具有第二導電類型的井區；在該SiC基板的頂面中並且與該井區對準的溝槽；形成於該漂移區中、具有該第二導電類型、與該溝槽對準並且具有深度等於或大於該井區的深度的第一下沉區；形成於該漂移區中並且具有該第二導電類型的第二下沉區；以及其中，該第一下沉區與該漂移區接觸形成第一接面；以及其中，該第二下沉區與該漂移區接觸形成第二接面。
如請求項1所述之器件，其中，該第一下沉區的深度大於該第二下沉區的深度，並且該第二下沉區的寬度大於該第一下沉區的寬度。
如請求項1所述之器件，其中：該第一導電類型為N型；以及該第二導電類型為P型。
如請求項1所述之器件，復包括設於該溝槽中並且與該井區導電耦合的導體。
如請求項1所述之器件，復包括：設於該溝槽中的導體；以及設於該溝槽底部並且與該導體以及該井區接觸的矽化物。
如請求項1所述之器件，復包括形成於該井區中並且具有該第一導電類型的源極區。
如請求項1所述之器件，復包括：形成於該井區中並且具有該第一導電類型的源極區；設於該閘極導體上方的絕緣體區；以及設於該溝槽中、位於該絕緣體區上方並且與該井區以及該源極區導電耦合的源極金屬。
一種形成至少部分設於碳化矽(SiC)基板內的單位單元的方法，其中，該SiC基板包含第一導電類型的漂移區，該方法包括：經由該SiC基板的頂面形成溝槽；在該漂移區中形成第二導電類型的井區至第一深度；在該漂移區中形成該第二導電類型的第一下沉區至第二深度，該第二深度大於該第一深度，使得該第一下沉區與該漂移區形成第一接面，其中，該第一下沉區與該溝槽對準；在該漂移區中形成該第二導電類型的第二下沉區至第三深度，該第三深度大於該第二深度，使得該第二下沉區與該漂移區形成第二接面；在該SiC基板上方形成閘極絕緣體膜；以及在該閘極絕緣體膜上方形成閘極導體。
如請求項8所述之方法，其中：該第一導電類型為N型；以及該第二導電類型為P型。
如請求項8所述之方法，其中，形成第一下沉區包括形成至少與該第二下沉區一樣深的該第一下沉區。
如請求項8所述之方法，復包括形成位於該溝槽之底部與該井區接觸的矽化物。
如請求項8所述之方法，復包括於該井區中形成具有該第一導電類型的源極區。
如請求項8所述之方法，復包括：於該井區中形成具有該第一導電類型的源極區；在該閘極導體上方形成絕緣體層；以及在該絕緣體層上方以及該溝槽中形成與該井區以及該源極區導電耦合的源極金屬。
一種器件，包括：碳化矽(SiC)基板；設於該SiC基板中並且具有第一導電類型的漂移區；設於該漂移區中並且具有第二導電類型的第一下沉區；設於鄰近該第一下沉區的該漂移區中並且具有該第二導電類型的第二下沉區；設於該第二下沉區上方並且具有該第二導電類型的井區；設於該井區中並且具有該第一導電類型的源極區；設於該第一下沉區上方的該漂移區中的溝槽；設於該SiC基板上方的閘極絕緣體；以及設於該閘極絕緣體上方的閘極導體。
如請求項14所述之器件，其中：該第一導電類型為N型；以及該第二導電類型為P型。
如請求項14所述之器件，其中，該溝槽延伸至該源極區中。
如請求項14所述之器件，其中，該溝槽延伸通過該源極並且延伸至該井區中。
如請求項14所述之器件，其中，該第一下沉區比該第二下沉區延伸到該漂移區更深處。
如請求項14所述之器件，復包括：設於該閘極導體上方的絕緣體；以及設於該溝槽中以及該絕緣體上方並且與該源極區導電耦合的源極金屬。
如請求項14所述之器件，復包括：設於該閘極導體上方的絕緣體；設於該溝槽之底部與該井區以及該源極區接觸的矽化物；以及設於該絕緣體上方以及該溝槽中與該該矽化物的源極金屬。
一種用於在基板上沉積鈀塗層之組合物，該組合物包含： <br/>(i)鈀離子， <br/>(ii)氯離子， <br/>(iii)乙二胺(EDA)， <br/>(iv)乙二胺二琥珀酸鹽(EDDS)，及 <br/>(v)至少一種還原劑， <br/>其中該鈀離子與該乙二胺(EDA)之莫耳比率為1:2至1:6，且 <br/>其中該組合物不包含任何硼氫化物及/或亞磷酸鹽化合物。
如請求項1之組合物，其中該組合物具有5.5至6.8之範圍內之pH。
如請求項1或2之組合物，其中該組合物包含基於該組合物之總體積計0.3 g/L至2.0 g/L之範圍內之總濃度之該鈀離子。
如請求項1或2之組合物，其中於該組合物中，該鈀離子與該乙二胺(EDA)之莫耳比率為1:3至1:5。
如請求項1或2之組合物，其中該組合物包含10 mM至75 mM之總濃度之該乙二胺(EDA)。
如請求項1或2之組合物，其中該組合物包含25 mM至200 mM之總濃度之該氯離子。
如請求項1或2之組合物，其中該組合物包含5 mM至60 mM之總濃度之該乙二胺二琥珀酸鹽(EDDS)。
如請求項1或2之組合物，其中該組合物包含200 mM至1000 mM之總濃度之該還原劑。
一種如請求項1至8中任一項之組合物之用途，其用於在基板上沉積純鈀塗層。
如請求項9之用途，其中該組合物提供至多20次金屬轉換(MTO)，其中該金屬轉換(MTO)對應於在沉積期間在必須更換該組合物之前可添加鈀離子至該組合物中之次數。
一種經鎳塗覆之基板，其中該基板之一表面包含藉由如請求項9或10中任一項使用組合物獲得之純鈀塗層。
一種電池組組合系統，包括：<br/>電池芯供應單元，被配置成以對準狀態供應多個電池芯；<br/>機器手臂，被配置成移動所述多個電池芯；<br/>電漿處理單元，被配置成利用電漿處理所述多個電池芯；<br/>組合單元，在所述組合單元中設置有被配置成在其中接納所述多個電池芯的電池組殼體；以及<br/>散熱件，設置於所述電池組殼體中，<br/>其中所述機器手臂被控制成使得在所述多個電池芯設置於所述電漿處理單元上方以便與所述電漿處理單元間隔開預定距離的狀態下執行電漿處理，以增加所述散熱件和所述多個電池芯之間的黏合力，<br/>其中所述預定距離為1毫米。
如請求項1所述的電池組組合系統，其中黏合劑被施加至所述散熱件的第一表面。
如請求項2所述的電池組組合系統，其中在所述散熱件的所述第一表面被利用所述電漿處理的狀態下，所述黏合劑被施加至所述散熱件的所述第一表面。
如請求項1所述的電池組組合系統，其中所述電漿處理單元設置於所述電池芯供應單元與所述組合單元之間。
如請求項1所述的電池組組合系統，其中所述機器手臂包括被配置成保持或放下所述多個電池芯的抓持器。
如請求項1所述的電池組組合系統，其中<br/>框架構件安裝於所述電池組殼體中，且<br/>所述多個電池芯設置於所述框架構件處。
一種使用如請求項1至6中任一項所述的電池組組合系統的電池組組合方法，所述電池組組合方法包括：<br/>（a）使所述電池芯供應單元中的所述多個電池芯對準；<br/>（b）在保持所述多個電池芯的狀態下將所述多個電池芯轉移至所述電漿處理單元；<br/>（c）利用所述電漿處理所述多個電池芯；以及<br/>（d）將步驟（c）的所述多個電池芯設置於所述電池組殼體中。
如請求項7所述的電池組組合方法，其中在所述步驟（c）中，所述多個電池芯與電漿處理單元之間的距離是恆定的。
如請求項7所述的電池組組合方法，更包括：<br/>製備欲設置於所述電池組殼體中的散熱件；<br/>利用所述電漿處理所述散熱件的第一表面；以及<br/>將黏合劑施加至所述散熱件的被利用所述電漿處理的所述第一表面。
一種二苯并哌喃色素，其由下述通式(1)表示， <br/><br/><img align="absmiddle" height="49px" width="364px" file="ed10048.jpg" alt="ed10048.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[式(1)中，Xn<sup>1</sup>及Xn<sup>2</sup>分別獨立地表示下述通式(2)所表示之基， <br/>Ar表示下述通式(3)所表示之基， <br/>An表示陰離子，a表示整數1～3，b表示整數0～6；b為2以上時，所存在之複數個An可相同亦可不同] <br/><br/><img align="absmiddle" height="104px" width="266px" file="ed10049.jpg" alt="ed10049.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[式(2)中，R<sup>1</sup>～R<sup>4</sup>分別獨立地表示氫原子、 <br/>可具有取代基之碳原子數1～30之直鏈狀或支鏈狀之烷基、 <br/>或可具有取代基之碳原子數6～30之芳香族烴基； <br/>R<sup>5</sup>及R<sup>6</sup>分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、 <br/>可具有取代基之碳原子數1～30之直鏈狀或支鏈狀之烷基、 <br/>或可具有取代基之碳原子數6～30之芳香族烴基， <br/>R<sup>1</sup>～R<sup>6</sup>亦可以相鄰基彼此相互鍵結而形成環； <br/>波浪線表示與Ar之鍵結部] <br/><br/><img align="absmiddle" height="46px" width="232px" file="ed10050.jpg" alt="ed10050.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[式(3)中，Ar<sup>1</sup>及Ar<sup>2</sup>分別獨立地表示 <br/>可具有取代基之碳原子數6～30之芳香族烴基、或 <br/>可具有取代基之碳原子數1～30之雜環基； <br/>L為連結基，且表示由選自由-O-、可具有取代基之碳原子數1～30之直鏈狀或支鏈狀之烷二基、及可具有取代基之碳原子數6～30之芳香族烴基所組成之群中之至少1種所構成之基， <br/>波浪線表示與上述通式(2)所表示之基之鍵結部]。
如請求項1之二苯并哌喃色素，其中於上述通式(3)中，Ar<sup>1</sup>及Ar<sup>2</sup>為可具有取代基之碳原子數6～30之苯基。
如請求項1之二苯并哌喃色素，其中於上述通式(3)中，Ar<sup>1</sup>及Ar<sup>2</sup>為可具有取代基之碳原子數8～30之吲哚基。
如請求項1至3中任一項之二苯并哌喃色素，其中於上述通式(1)中，An為選自由鹵化物離子、磺醯亞胺陰離子、及磺酸陰離子所組成之群中之至少1種。
如請求項1至3中任一項之二苯并哌喃色素，其中於使用上述二苯并哌喃色素之濃度0.005～0.02 mmol/L之丙二醇單甲醚(PGME)溶液，於23～27℃下進行測定之350～750 nm之波長範圍中顯示最大吸光度之極大吸收波長之透過率為5%的紫外可見透射光譜中， <br/>關於較極大吸收波長更長波長側之透過率為90%以上97%以下之範圍， <br/>使用最小平方法算出之回歸直線之回歸係數S<sub>a</sub>為0.7以上。
如請求項4之二苯并哌喃色素，其中於使用上述二苯并哌喃色素之濃度0.005～0.02 mmol/L之丙二醇單甲醚(PGME)溶液，於23～27℃下進行測定之350～750 nm之波長範圍中顯示最大吸光度之極大吸收波長之透過率為5%的紫外可見透射光譜中， <br/>關於較極大吸收波長更長波長側之透過率為90%以上97%以下之範圍， <br/>使用最小平方法算出之回歸直線之回歸係數S<sub>a</sub>為0.7以上。
一種著色組合物，其含有如請求項1至6中任一項之二苯并哌喃色素。
一種彩色濾光片用著色劑，其含有如請求項7之著色組合物。
一種彩色濾光片，其使用如請求項8之彩色濾光片用著色劑。
一種銪賦活β型矽鋁氮氧化物螢光體，含有選自由釔、鈦、及釓組成之群中之至少一種元素，其中該至少一種元素之合計之含量大於0ppm且426.5ppm以下。
如請求項1之銪賦活β型矽鋁氮氧化物螢光體，其中該至少一種元素為釔。
如請求項1之銪賦活β型矽鋁氮氧化物螢光體，其中該至少一種元素為鈦。
如請求項1之銪賦活β型矽鋁氮氧化物螢光體，其中該至少一種元素為釔及鈦。
如請求項1至4中任一項之銪賦活β型矽鋁氮氧化物螢光體，其中 <br/>該至少一種元素含有釔及鈦中之至少一者；且 <br/>該釔及該鈦之合計之含量為0.1～426.5ppm。
如請求項1至4中任一項之銪賦活β型矽鋁氮氧化物螢光體，其中該至少一種元素含有釔及鈦中之至少一者；且對於波長600nm的激發光之吸收率為5%以下。
如請求項1之銪賦活β型矽鋁氮氧化物螢光體，其中該至少一種元素為釓。
如請求項7之銪賦活β型矽鋁氮氧化物螢光體，其中該釓之含量為0.1～300ppm。
如請求項7或8之銪賦活β型矽鋁氮氧化物螢光體，其中對於波長600nm的激發光之吸收率為6%以下。
一種銪賦活β型矽鋁氮氧化物螢光體，含有鹼土金屬元素，其中該鹼土金屬元素之合計之含量大於0ppm且264.2ppm以下。
如請求項10之銪賦活β型矽鋁氮氧化物螢光體，其中該鹼土金屬元素為鎂或鍶。
如請求項10或11之銪賦活β型矽鋁氮氧化物螢光體，其中該鹼土金屬元素之合計之含量為0.1～264.2ppm。
如請求項10或11之銪賦活β型矽鋁氮氧化物螢光體，其中對於波長600nm的激發光之吸收率為7%以下。
一種發光裝置，具備發出一次光之發光元件、以及吸收該一次光的一部分而發出具有比一次光的波長長的波長之二次光之波長轉換體，其中 <br/>該波長轉換體包含如請求項1至13中任一項之銪賦活β型矽鋁氮氧化物螢光體。
一種鈦酸鍶微粒子之製造方法，其具有下述步驟： <br/>反應步驟，在肼或醯肼化合物之存在下，以pH為12以上、反應溫度為150℃以上且250℃以下、反應時間為0.5小時以上且2小時以下、反應壓力為2～5 MPa之條件，使有機鈦酸酯與鍶化合物進行反應；且 <br/>上述肼或醯肼化合物相對於上述有機鈦酸酯之莫耳比（肼或醯肼化合物/有機鈦酸酯）為10～75， <br/>上述反應步驟在胺基矽烷化合物之存在下進行， <br/>粒子形狀為球形。
如請求項1之鈦酸鍶微粒子之製造方法，其具有下述步驟：混合步驟，將有機鈦酸酯與肼或醯肼化合物在溶劑中進行混合，獲得混合液；調整步驟，將上述混合液之pH調整為12以上；及上述反應步驟。
如請求項1或2之鈦酸鍶微粒子之製造方法，其中，上述反應步驟在多元醇之存在下進行。
如請求項3之鈦酸鍶微粒子之製造方法，其中，上述多元醇為乙二醇。
如請求項1或2之鈦酸鍶微粒子之製造方法，其中，上述有機鈦酸酯為乳酸鈦。
如請求項1或2之鈦酸鍶微粒子之製造方法，其中，上述鍶化合物選自乙酸鍶、甲酸鍶中之至少一種。
如請求項1或2之鈦酸鍶微粒子之製造方法，其中，上述胺基矽烷化合物為3-胺基丙基三乙氧基矽烷。
一種雌馬酚（Equol）測定套組，其藉由表面增強拉曼散射光譜法測定雌馬酚，且含有貴金屬成分分散於分散介質中之表面增強拉曼散射劑， <br/>上述分散介質於25℃、剪切速度10（1/s）時之黏度為50 mPa･s以上。
一種雌馬酚之測定方法，其藉由表面增強拉曼散射光譜法測定雌馬酚，且使用貴金屬成分分散於分散介質中之表面增強拉曼散射劑， <br/>上述分散介質於25℃、剪切速度10（1/s）時之黏度為50 mPa･s以上。
如請求項2之雌馬酚之測定方法，其藉由在選自1530～1630 cm<sup>-1</sup>、1230～1330 cm<sup>-1</sup>、1140～1240 cm<sup>-1</sup>及535～635 cm<sup>-1</sup>之群中之至少1個波數域所出現之波峰之分析來測定雌馬酚。
一種雌馬酚產生能力之檢查方法，其係檢查受驗者是否具有雌馬酚產生能力之方法，且包括：藉由請求項2或3之雌馬酚之測定方法，測定自受驗者所採集之檢體中之雌馬酚。
一種雌馬酚測定用表面增強拉曼散射劑，其含有貴金屬成分，且係貴金屬成分分散於分散介質中者， <br/>上述分散介質於25℃、剪切速度10（1/s）時之黏度為50 mPa･s以上。
一種表面增強拉曼散射劑，其含有：於25℃、剪切速度10（1/s）時之黏度為50 mPa・s以上之黏稠液體；及 <br/>分散於上述黏稠液體中之含有貴金屬之薄小片， <br/>上述黏稠液體為凝膠狀分散液。
如請求項1之表面增強拉曼散射劑，其中，上述貴金屬為金、銀或銅。
如請求項1之表面增強拉曼散射劑，其中，上述含有貴金屬之薄小片係如下構造體：微小柱狀體林立於薄小片之表面，且上述微小柱狀體之至少一部分由貴金屬層或貴金屬粒子形成。
如請求項2之表面增強拉曼散射劑，其中，上述含有貴金屬之薄小片係如下構造體：微小柱狀體林立於薄小片之表面，且上述微小柱狀體之至少一部分由貴金屬層或貴金屬粒子形成。
如請求項1至4中任一項之表面增強拉曼散射劑，其中，上述薄小片係由具有羥基之無機氧化物所構成之薄小片。
如請求項1至4中任一項之表面增強拉曼散射劑，其中，上述薄小片係玻璃、二氧化矽、滑石、雲母、或氧化鈦之薄小片。
一種表面增強拉曼散射測定套組，其含有請求項1至6中任一項之表面增強拉曼散射劑。
一種表面增強拉曼散射測定方法，其係使用請求項1至6中任一項之表面增強拉曼散射劑，進行表面增強拉曼散射測定。
一種表面增強拉曼散射劑之製造方法，其係請求項1至6中任一項之表面增強拉曼散射劑之製造方法，且包括： <br/>將含有貴金屬之薄板於25℃、剪切速度10（1/s）時之黏度為50 mPa・s以上之黏稠液體中粉碎之步驟。
一種光子封裝的製造方法，包括：將矽層圖案化以形成第一波導，其中所述矽層位於埋入式氧化物層的第一側上，其中所述埋入式氧化物層位於基底之上；在所述第一波導之上形成第一重佈線結構；將第一半導體晶粒接合到所述第一重佈線結構；移除所述基底以暴露出所述埋入式氧化物層的第二側，其中所述埋入式氧化物層的所述第二側與所述埋入式氧化物層的所述第一側相對；在所述埋入式氧化物層的所述第二側上形成第二波導；在所述第二波導之上及所述埋入式氧化物層的所述第二側之上形成第一介電層；以及形成延伸穿過所述第一介電層以與所述第一重佈線結構進行電接觸及實體接觸的貫穿孔。
如請求項1所述的光子封裝的製造方法，更包括：在所述埋入式氧化物層的所述第二側之上形成雷射二極體，其中所述雷射二極體光學耦合到所述第一波導。
如請求項1所述的光子封裝的製造方法，更包括：在所述埋入式氧化物層的所述第一側上形成光檢測器，其中所述光檢測器光學耦合到所述第一波導，其中所述光檢測器電連接到所述重佈線結構。
如請求項1所述的光子封裝的製造方法，更包括：將所述矽層圖案化以形成光柵耦合器，其中所述光柵耦合器光學耦合到所述第一波導。
如請求項1所述的光子封裝的製造方法，更包括：將支撐結構貼合在所述第一半導體晶粒之上及所述埋入式氧化物層的所述第一側之上。
一種光子封裝，包括：多個矽波導，位於氧化物層的第一側上；多個光子元件，位於所述氧化物層的所述第一側上，其中所述光子元件耦合到所述多個矽波導；重佈線結構，位於所述氧化物層的所述第一側之上，其中所述重佈線結構電連接到所述多個光子元件；混合內連線結構，位於所述氧化物層的第二側上，其中所述混合內連線結構包括第一氮化矽波導；以及多個貫穿孔，延伸穿過所述混合內連線結構及所述氧化物層，其中所述貫穿孔與所述重佈線結構進行實體連接及電連接。
如請求項6所述的光子封裝，更包括：第一半導體元件，貼合到所述重佈線結構，其中所述第一半導體元件實體連接及電連接到所述重佈線結構。
如請求項7所述的光子封裝，更包括：支撐結構，位於所述氧化物層的所述第一側之上；以及熱模組，貼合到所述支撐結構。
一種光子封裝的製造方法，包括：在第一基底上形成第一混合內連線結構，包括：將所述第一基底的第一矽層圖案化，以形成第一波導，其中所述第一矽層位於所述第一基底的第一氧化物層上；在所述第一波導中形成光子元件；在所述第一氧化物層之上形成第一重佈線結構，其中所述重佈線結構電連接到所述光子元件；在所述第一氧化層上沉積第一介電層；將所述第一介電層圖案化，以形成多個第二波導；以及將半導體元件接合到所述第一混合內連線結構的所述重佈線結構，其中所述半導體元件電連接到所述重佈線結構。
一種光子封裝的製造方法，包括：在第一基底上形成第一混合內連線結構，包括：將所述第一基底的第一矽層圖案化以形成第一波導，其中所述第一矽層位於所述第一基底的第一氧化物層上；在所述第一波導中形成至少一個第一光子元件；在所述第一氧化物層之上形成第一重佈線結構，其中所述第一重佈線結構中的至少一者電連接到所述至少一個第一光子元件；將半導體元件接合到所述第一重佈線結構，其中所述半導體元件電連接到所述第一重佈線結構；以及在所述第一氧化物層中形成第一接觸焊墊，其中所述第一接觸焊墊電連接到所述第一重佈線結構；在第二基底上形成第二混合內連線結構，包括：將所述第二基底的第二矽層圖案化以形成第二波導，其中所述第二矽層位於所述第二基底的第二氧化物層上；在所述第二波導中形成至少一個第二光子元件；以及在所述第二氧化物層之上形成第二重佈線結構，其中所述第二重佈線結構中的至少一者電連接到所述至少一個第二光子元件；以及將所述第二混合內連線結構接合到所述第一混合內連線結構，包括將所述第二重佈線結構接合到所述第一接觸焊墊，其中所述第二重佈線結構實體連接及電連接到所述第一接觸焊墊。
一種顯示處理的方法，包括以下步驟：<br/> 儲存用於至少一個顯示面板的一或多個像素轉換因數；<br/> 決定是否在該至少一個顯示面板處從一先前的訊框刷新率切換到一更新的訊框刷新率；<br/> 基於從該先前的訊框刷新率切換到該更新的訊框刷新率的決定，標識與該更新的訊框刷新率相關聯的該一或多個像素轉換因數中的一像素轉換因數，其中該一或多個像素轉換因數對應於至少一個伽馬表；<br/> 基於與該像素轉換因數相關聯的該更新的訊框刷新率，刷新該至少一個顯示面板；及<br/> 基於打開至少一個自我調整可變速率（AVR）部件，停止刷新該至少一個顯示面板的一內部刷新。
如請求項1之方法，其中該一或多個像素轉換因數與從一數位像素值到一類比像素亮度值的一轉換或從一數位子像素值到一類比子像素亮度值的一轉換相關聯。
如請求項1之方法，進一步包括以下步驟：<br/> 發送與該更新的訊框刷新率相關聯的該一或多個像素轉換因數中的該像素轉換因數。
如請求項3之方法，進一步包括以下步驟：<br/> 基於該像素轉換因數的發送，打開該至少一個AVR部件。
如請求項4之方法，其中該至少一個AVR部件是基於從一應用處理器（AP）到一顯示驅動器積體電路（DDIC）的命令打開的。
如請求項3之方法，進一步包括以下步驟：<br/> 在發送該像素轉換因數時，應用與該更新的訊框刷新率相關聯的該像素轉換因數。
如請求項3之方法，其中一應用處理器（AP）在該像素轉換因數被發送之後休眠一時間段。
如請求項3之方法，其中該像素轉換因數經由一顯示序列介面（DSI）鏈路被發送到一顯示處理器或一顯示驅動器積體電路（DDIC）。
如請求項1之方法，進一步包括以下步驟：<br/> 基於該更新的訊框刷新率，傳送一下一訊框的像素資料。
如請求項9之方法，進一步包括以下步驟：<br/> 基於該下一訊框的該像素資料的傳送時，關閉該至少一個AVR部件。
如請求項10之方法，其中該至少一個AVR部件是基於從一應用處理器（AP）到一顯示驅動器積體電路（DDIC）的一命令關閉的。
如請求項1之方法，進一步包括以下步驟：<br/> 在決定從該先前的訊框刷新率切換到該更新的訊框刷新率時，將該至少一個顯示面板切換到該更新的訊框刷新率。
如請求項12之方法，其中該至少一個顯示面板由一應用處理器（AP）切換到該更新的訊框刷新率。
如請求項1之方法，其中該更新的訊框刷新率對應於該至少一個顯示面板的一訊框刷新時間或一每秒訊框數（FPS）值中的至少一個。
如請求項1之方法，其中該一或多個像素轉換因數與該至少一個顯示面板的一亮度水平或一訊框刷新率中的至少一個相關聯。
一種用於顯示處理的設備，包括：<br/> 記憶體；和<br/> 至少一個處理器，其耦合到該記憶體並被配置為：<br/> 儲存用於至少一個顯示面板的一或多個像素轉換因數；<br/> 決定是否在該至少一個顯示面板處從一先前的訊框刷新率切換到一更新的訊框刷新率；<br/> 基於從該先前的訊框刷新率切換到該更新的訊框刷新率的決定，標識與該更新的訊框刷新率相關聯的該一或多個像素轉換因數中的一像素轉換因數，其中該一或多個像素轉換因數對應於至少一個伽馬表；<br/> 基於與該像素轉換因數相關聯的該更新的訊框刷新率，刷新該至少一個顯示面板；及<br/> 基於打開至少一個自我調整可變速率（AVR）部件，停止刷新該至少一個顯示面板的一內部刷新。
如請求項16之設備，其中該一或多個像素轉換因數與從一數位像素值到一類比像素亮度值的一轉換或從一數位子像素值到一類比子像素亮度值的一轉換相關聯。
如請求項16之設備，其中該至少一個處理器進一步被配置為：<br/> 發送與該更新的訊框刷新率相關聯的該一或多個像素轉換因數中的該像素轉換因數。
如請求項18之設備，其中該至少一個處理器進一步被配置為：<br/> 基於該像素轉換因數的發送，打開該至少一個AVR部件。
如請求項19之設備，其中為了打開該該至少一個AVR部件，該至少一個處理器被配置為：基於從一應用處理器（AP）到一顯示驅動器積體電路（DDIC）的一命令，打開該至少一個AVR部件。
如請求項18之設備，其中該至少一個處理器進一步被配置為：<br/> 在發送該像素轉換因數時，應用與該更新的訊框刷新率相關聯的該像素轉換因數。
如請求項18之設備，其中一應用處理器（AP）被配置為：在該像素轉換因數的發送之後，休眠一時間段。
如請求項18之設備，其中為了發送該像素轉換因數，該至少一個處理器被配置為：將該像素轉換因數經由一顯示序列介面（DSI）鏈路發送到一顯示處理器或一顯示驅動器積體電路（DDIC）。
如請求項16之設備，其中該至少一個處理器進一步被配置為：<br/> 基於該更新的訊框刷新率，傳送一下一訊框的像素資料。
如請求項24之設備，其中該至少一個處理器進一步被配置為：<br/> 基於該下一訊框的該像素資料的傳送，關閉該至少一個AVR部件。
如請求項25之設備，其中為了關閉該至少一個AVR部件，該至少一個處理器被配置為：基於從一應用處理器（AP）到一顯示驅動器積體電路（DDIC）的一命令，關閉該至少一個AVR部件。
如請求項16之設備，其中該至少一個處理器進一步被配置為：<br/> 在決定從該先前的訊框刷新率切換到該更新的訊框刷新率時，將該至少一個顯示面板切換到該更新的訊框刷新率。
如請求項27之設備，其中為了切換該至少一個顯示面板，該至少一個處理器被配置為：由一應用處理器（AP）將該至少一個顯示面板切換到該更新的訊框刷新率。
如請求項16之設備，其中該更新的訊框刷新率對應於該至少一個顯示面板的一訊框刷新時間或一每秒訊框數（FPS）值中的至少一個。
如請求項16之設備，其中該一或多個像素轉換因數與該至少一個顯示面板的一亮度水平或一訊框刷新率中的至少一個相關聯。
一種用於顯示處理的設備，包括：<br/> 用於儲存用於至少一個顯示面板的一或多個像素轉換因數的部件；<br/> 用於決定是否在該至少一個顯示面板處從一先前的訊框刷新率切換到一更新的訊框刷新率的部件；<br/> 用於基於從該先前的訊框刷新率切換到該更新的訊框刷新率的決定，標識與該更新的訊框刷新率相關聯的一或多個像素轉換因數中的一像素轉換因數的部件，其中該一或多個像素轉換因數對應於至少一個伽馬表；<br/> 用於基於與該像素轉換因數相關聯的該更新的訊框刷新率，刷新該至少一個顯示面板的部件；及<br/> 用於基於打開至少一個自我調整可變速率（AVR）部件，停止刷新該至少一個顯示面板的一內部刷新的部件。
如請求項31之設備，其中該一或多個像素轉換因數與從一數位像素值到一類比像素亮度值的一轉換或從一數位子像素值到一類比子像素亮度值的一轉換相關聯。
如請求項31之設備，進一步包括：<br/> 用於發送與該更新的訊框刷新率相關聯的該一或多個像素轉換因數中的該像素轉換因數的部件。
如請求項33之設備，進一步包括：<br/> 用於基於該像素轉換因數的發送，打開該至少一個AVR部件的部件。
如請求項34之設備，其中該至少一個AVR部件是基於從一應用處理器（AP）到一顯示驅動器積體電路（DDIC）的一命令打開的。
如請求項33之設備，進一步包括：<br/> 用於在發送該像素轉換因數時，應用與該更新的訊框刷新率相關聯的該像素轉換因數的部件。
如請求項33之設備，其中一應用處理器（AP）在該像素轉換因數被發送之後休眠一時間段。
如請求項33之設備，其中該像素轉換因數經由一顯示序列介面（DSI）鏈路被發送到一顯示處理器或一顯示驅動器積體電路（DDIC）。
如請求項31之設備，進一步包括：<br/> 用於基於該更新的訊框刷新率，傳送一下一訊框的像素資料的部件。
如請求項39之設備，進一步包括：<br/> 用於基於該下一訊框的該像素資料的傳送，關閉該至少一個AVR部件的部件。
如請求項40之設備，其中該至少一個AVR部件是基於從一應用處理器（AP）到一顯示驅動器積體電路（DDIC）的一命令關閉的。
如請求項31之設備，進一步包括：<br/> 用於在決定從該先前的訊框刷新率切換到該更新的訊框刷新率時，將該至少一個顯示面板切換到該更新的訊框刷新率的部件。
如請求項42之設備，其中該至少一個顯示面板由一應用處理器（AP）切換到該更新的訊框刷新率。
如請求項31之設備，其中該更新的訊框刷新率對應於該至少一個顯示面板的一訊框刷新時間或一每秒訊框數（FPS）值中的至少一個。
如請求項31之設備，其中該一或多個像素轉換因數與該至少一個顯示面板的一亮度水平或一訊框刷新率中的至少一個相關聯。
一種儲存用於顯示處理的電腦可執行代碼的非暫時性電腦可讀取媒體，該代碼在由一處理器執行時，促使該處理器：<br/> 儲存用於至少一個顯示面板的一或多個像素轉換因數；<br/> 決定是否在該至少一個顯示面板處從一先前的訊框刷新率切換到一更新的訊框刷新率；<br/> 基於從該先前的訊框刷新率切換到該更新的訊框刷新率的決定，標識與該更新的訊框刷新率相關聯的該一或多個像素轉換因數中的一像素轉換因數，其中該一或多個像素轉換因數對應於至少一個伽馬表；<br/> 基於與該像素轉換因數相關聯的該更新的訊框刷新率，刷新該至少一個顯示面板；及<br/> 基於打開至少一個自我調整可變速率（AVR）部件，停止刷新該至少一個顯示面板的一內部刷新。
一種固態攝像裝置，其具備矩陣狀排列之複數個像素；且 <br/>前述像素各者具備： <br/>第1半導體層； <br/>光電轉換膜，其配置於前述第1半導體層之第1面側； <br/>蓄積電極，其接近配置於前述第1半導體層之與前述第1面為相反側之第2面側； <br/>半導體配線，其自前述第1半導體層之前述第2面伸出； <br/>讀出電極，其經由前述半導體配線而連接於前述第1半導體層；及 <br/>第1閘極電極，其與前述半導體配線接近配置； <br/>前述蓄積電極包含前述第1半導體層側之第3面， <br/>前述讀出電極包含前述第1半導體側之第4面， <br/>前述半導體配線之至少一部分設置於：包含前述第3面之平面與包含前述第4面之平面之間。
如請求項1之固態攝像裝置，其中前述蓄積電極較前述第1閘極電極更接近前述第1半導體層而配置。
如請求項1之固態攝像裝置，其中前述蓄積電極及前述第1閘極電極配置於同一平面。
如請求項1之固態攝像裝置，其中前述複數個像素中相鄰之像素連接於共通之前述讀出電極。
如請求項1之固態攝像裝置，其中前述像素各者進一步具備： <br/>第2閘極電極，其在較前述第1閘極電極更靠近前述讀出電極之位置與前述半導體配線接近配置；及 <br/>記憶體電極，其在前述第1閘極電極與前述第2閘極電極之間之位置與前述半導體配線接近配置。
如請求項5之固態攝像裝置，其中前述第1閘極電極於前述複數個像素間結線；且 <br/>前述記憶體電極於前述複數個像素間結線。
如請求項5之固態攝像裝置，其中前述像素各者進一步具備位於前述第1半導體層與前述讀出電極之間之第2半導體層；且 <br/>前述半導體配線具備： <br/>第1半導體配線，其自前述第1半導體層伸出，且連接於前述第2半導體層；及 <br/>第2半導體配線，其自前述第2半導體層伸出，且連接於前述讀出電極； <br/>前述第1閘極電極與前述第1半導體配線接近配置； <br/>前述記憶體電極與前述第2半導體層接近配置； <br/>前述第2閘極電極與前述第2半導體配線接近配置。
如請求項1之固態攝像裝置，其中前述第1閘極電極配置於包圍前述半導體配線之側面之位置。
如請求項1之固態攝像裝置，其中前述蓄積電極配置於包圍前述半導體配線之側面之位置。
如請求項1之固態攝像裝置，其中前述半導體配線之剖面為圓形或多角形。
如請求項1之固態攝像裝置，其中前述半導體配線具備自前述第1半導體層至前述讀出電極為縮徑之錐形形狀。
如請求項1之固態攝像裝置，其具備複數個晶載透鏡，前述複數個晶載透鏡相對於前述光電轉換膜配置於與前述第1半導體層為相反側；且 <br/>前述複數個晶載透鏡中之至少1個配置為跨於前述複數個像素中相鄰之至少2個像素。
如請求項1之固態攝像裝置，其中前述像素各者進一步具備配置於前述光電轉換膜之光之入射面側之彩色濾光器。
如請求項1之固態攝像裝置，其中前述像素各者進一步具備配置於隔著前述第1半導體層與前述光電轉換膜相反側之彩色濾光器。
如請求項1之固態攝像裝置，其中前述光電轉換膜係有機膜。
如請求項1之固態攝像裝置，其中前述第1半導體層具備： <br/>第1層，其與前述光電轉換膜接觸；及 <br/>第2層，其位於隔著前述第1層與前述光電轉換膜相反側。
如請求項1之固態攝像裝置，其中前述像素各者進一步具備配置於與相鄰之像素之邊界的屏蔽電極。
如請求項1之固態攝像裝置，其中前述像素各者進一步具備配置於與相鄰之像素之邊界的固定電荷膜。
如請求項18之固態攝像裝置，其中前述固定電荷膜具備與由前述光電轉換膜藉由光電轉換而產生之電荷相同之極性。
一種電子機器，其具備： <br/>請求項1之固態攝像裝置； <br/>透鏡，其將入射光之像成像於前述固態攝像裝置；及 <br/>處理電路，其對自前述固態攝像裝置輸出之信號執行特定處理。
一種對準晶片，其特徵在於，具備：基板，具有經由黏著劑而貼附於構成探針卡之配線基板之探針設置面之第1面；金屬膜，形成於上述基板之與上述第1面相反側之第2面上；以及樹脂膜，形成於上述基板之上述第2面上，且包圍上述金屬膜；與上述樹脂膜之表面對應之符號周邊區域，具有低於與上述金屬膜之表面對應之對準符號之反射率。
如請求項1之對準晶片，其中，上述金屬膜具備：露出之第1金屬層、以及形成於上述第1金屬層及上述基板之間之第2金屬層，上述第2金屬層由楊氏模數高於上述第1金屬層之材料構成，形成為較上述第1金屬層更厚。
如請求項1之對準晶片，其中，以將預先形成於上述探針設置面之上述對準符號加以覆蓋之方式來貼附。
一種探針卡，其特徵在於，具備：配線基板，具有形成有探針用電極焊墊之探針設置面；探針，安裝於上述探針用電極焊墊；以及對準晶片，貼附於上述探針設置面；上述對準晶片具備：基板，具有經由黏著劑而貼附於上述探針設置面之第1面；金屬膜，形成於上述基板之與上述第1面相反側之第2面上；以及樹脂膜，形成於上述基板之上述第2面上，且包圍上述金屬膜；與上述樹脂膜之表面對應之符號周邊區域，具有低於與上述金屬膜之表面對應之對準符號之反射率。
如請求項4之探針卡，其中，上述金屬膜具備：露出之第1金屬層、以及形成於上述第1金屬層及上述基板之間之第2金屬層，上述第2金屬層由楊氏模數高於上述第1金屬層之材料構成，形成為較上述第1金屬層更厚。
如請求項4之探針卡，其中，上述對準晶片係以將預先形成於上述探針設置面之上述對準符號加以覆蓋之方式來貼附。
一種探針卡修補方法，其係將具備具有探針設置面之配線基板之探針卡進行修補者，上述探針設置面形成有：用以安裝探針之探針用電極焊墊、以及用以於檢查前進行位置對準之第1對準符號；其特徵在於：使用黏著劑而於上述探針設置面貼附如請求項1至3中任一項之對準晶片，上述對準晶片覆蓋上述第1對準符號，並且形成於上述對準晶片之與上述配線基板相反側之符號面的第2對準符號係與上述第1對準符號重疊而配置。
一種電腦系統，包含：包含顯示器的蓋；基底，在該基底之一端部經由轉軸設備耦接至該蓋，該基底界定一或更多開口，其鄰近在該蓋耦接至該基底處的該端部；以及實心板，位於鄰近在該基底中的該開口，使得該板部分地阻塞該基底之開口，該實心板包含面對該基底的第一側且界定耦接至該轉軸設備之齒輪的齒輪齒，以及包含對向於該第一側的第二側且面對該開口，其中該實心板組態以基於該蓋相對該基底移動與該轉軸設備之該齒輪同軸地旋轉。
如請求項1所述的電腦系統，其中該實心板係用以當該蓋被定位大約與該基底平行時阻塞鄰近該蓋的該開口之頂部部分，並且該實心板係用以當該蓋被定位在相對該基底大於90°的角度時阻塞該開口之底部部分。
如請求項1所述的電腦系統，其中該基底更包含處理器和耦接至該處理器的熱交換器，該熱交換器定位鄰近由該基底界定的該開口。
如請求項1所述的電腦系統，其中該電腦系統為筆記型電腦。
一種電腦可讀媒體，包含指令，其當由機器執行時，引起該機器進行：獲得相對筆記型電腦之基底的該筆記型電腦之蓋位置的指示；獲得用於該筆記型電腦之處理器的工作負載的指示；基於該蓋位置和該處理器之該工作負載選擇該筆記型電腦之一或更多排氣開口之位置；以及基於選定的該位置將該一或更多排氣開口定向。
如請求項5所述的電腦可讀媒體，其中該指令更用以獲得鄰近該蓋耦接至該筆記型電腦之基底處該蓋的一端的溫度之指示，並且基於該溫度指示來選擇該一或更多排氣開口的位置。
如請求項6所述的電腦可讀媒體，其中該溫度指示係用於耦接至該筆記型電腦之該蓋的顯示器之表皮溫度。
如請求項5所述的電腦可讀媒體，其中該指令係用以從用於該一或更多排氣開口之成組的位置選擇一位置。
一種電腦系統，包含：包含顯示器的蓋；基底，在該基底之一端部處耦接至該蓋；處理器；排氣埠設備，其鄰近在該蓋所耦接處的該基底之端部而耦接至該基底，該排氣埠設備界定一或更多開口；蓋位置感測器，用以偵測該蓋相對於該基底的位置；以及用以基於從該蓋位置感測器接收的資訊和基於該處理器之目前的該工作負載選擇該排氣埠開口相對於該蓋的位置並引起該排氣埠開口被擺在選定的該位置上的電路。
如請求項9所述的電腦系統，更包含溫度感測器，用以偵測鄰近該蓋所耦接處的該基底之該端部的溫度，其中該電路係用以進一步基於從該溫度感測器接收的資訊來選擇該排氣埠開口之該位置。
如請求項10所述的電腦系統，其中該溫度感測器係用以測量該蓋耦接至該基底處該蓋的該端部處的該顯示器之溫度。
如請求項9所述的電腦系統，其中該電腦系統為筆記型電腦。
如請求項1所述的電腦系統，其中該實心板之該齒輪齒和該轉軸設備之該齒輪共同形成齒輪齒條型(rack and pinion-type)齒輪機制。
一種製造半導體封裝用基板材料之方法，其依序包括：<br/> 對具有金屬箔、1片以上的預浸體及金屬箔且依序積層該等之積層體，加壓前述積層體並且使前述積層體的溫度上升至熱壓製溫度之工序；及<br/> 藉由加壓前述積層體並且在前述熱壓製溫度以上的溫度下加熱前述積層體，形成具有由前述預浸體形成之絕緣基板及設置於該絕緣基板的兩面上之前述金屬箔之基板材料之工序，<br/> 前述預浸體含有無機纖維基材及含浸於該無機纖維基材之熱固性樹脂組成物，以前述預浸體的質量為基準，前述熱固性樹脂組成物的含量為40～80質量%，<br/> 在加壓前述積層體並且使前述積層體的溫度上升至前述熱壓製溫度之工序中，在前述預浸體的最低熔融黏度成為5000Pa･s以下之加熱條件下加熱前述積層體，前述熱壓製溫度為100～250℃，並且，前述加熱條件為，隨著前述積層體的溫度的上升，前述預浸體的熔融黏度在溫度T1[℃]降低至10000Pa･s，之後經由最低熔融黏度在溫度T2[℃]上升至10000Pa･s，T1與T2之差成為20℃以上之條件。
如請求項1所述之方法，其中<br/> 前述加熱條件為前述預浸體的最低熔融黏度成為1000Pa･s以上且5000Pa･s以下之條件。
如請求項1所述之方法，其中<br/> 前述加熱條件為T1與T2之差成為50℃以下之條件。
如請求項1或請求項2所述之方法，其中<br/> 加壓前述積層體並且使前述積層體的溫度上升至前述熱壓製溫度之工序依序包括：<br/> 使前述積層體的溫度上升至在前述預浸體顯示最低熔融黏度之溫度±20℃的範圍內且低於前述熱壓製溫度之保持溫度之步驟；<br/> 在前述保持溫度下將前述積層體保持5～90分鐘之步驟；及<br/> 使前述積層體的溫度從前述保持溫度上升至前述熱壓製溫度之步驟。
一種預浸體，其包含無機纖維基材及含浸於該無機纖維基材之熱固性樹脂組成物，<br/> 以前述預浸體的質量為基準，前述熱固性樹脂組成物的含量為40～80質量%，<br/> 以升溫速度4℃/分鐘測量之前述預浸體的最低熔融黏度為5000Pa･s以下，<br/> 以升溫速度4℃/分鐘測量之前述預浸體的熔融黏度在溫度T1[℃]降低至10000Pa･s，之後經由最低熔融黏度在溫度T2[℃]上升至10000Pa･s，T1與T2之差為20℃以上。
如請求項5所述之預浸體，其中<br/> T1與T2之差為50℃以下。
如請求項5或請求項6所述之預浸體，其用作用於藉由請求項1至請求項4之任一項所述之方法製造半導體封裝用基板材料之預浸體。
一種用於製造半導體封裝用基板材料之應用，其係請求項5或請求項6所述之預浸體的用於藉由請求項1至請求項4之任一項所述之方法製造半導體封裝用基板材料之應用。
一種半導體封裝用基板材料，其具備絕緣基板，前述絕緣基板具有絕緣樹脂層及設置於該絕緣樹脂層內之無機纖維基材，<br/> 以前述絕緣基板的質量為基準，前述絕緣樹脂層的含量為40～80質量%，<br/> 前述絕緣基板係由請求項5或請求項6所述之預浸體所形成，<br/> 該半導體封裝用基板材料的厚度的標準偏差為4μm以下。
如請求項9所述之半導體封裝用基板材料，其進一步具備設置於前述絕緣基板的兩面上之金屬箔。
一種用於連續地製造氣溶膠產生製品(1，2)之方法，該方法包括：(i)提供氣溶膠產生基質(10)的連續幅材(34)或連續條(218)；(ii)提供感受器材料的連續幅材(40)；(iii)連續地切割該感受器材料的連續幅材(40)，以形成多個感受器貼片(28)；(iv)將該多個感受器貼片(28)連續地施加到該氣溶膠產生基質(10)的連續幅材(34)或連續條(218)的表面，其中每個相繼的感受器貼片(28)之間具有預定且恆定的間隔(74)；以及(v)將該氣溶膠產生基質(10)的連續幅材(34)或連續條(218)以及施加到該氣溶膠產生基質(10)的連續幅材(34)或連續條(218)的該表面上的該等感受器貼片(28)形成為連續桿(88)；其中，使用旋轉切割單元(64)來執行步驟(iii)，該旋轉切割單元包括支撐滾筒(66)和切割滾筒(68)，該支撐滾筒在其週邊周圍支撐該感受器材料的連續幅材(40)，該切割滾筒具有在其週邊周圍的多個周向間隔開的切割元件(72)，其中，該等切割元件(72)與該支撐滾筒(66)協作來剪切切割該感受器材料的連續幅材(40)以形成該多個感受器貼片(28)；其中，藉由允許該感受器材料的連續幅材(40)與該支撐滾筒(66)之間在切割該感受器材料的連續幅材(40)以形成感受器貼片(28)之後緊接著的預定時間段內進行相對移動來獲得在每個相繼的感受器貼片(28)之間的該預定且恆定的間隔(74)，使得該感受器材料的連續幅材(40)在該預定時間段內保持靜止或以減小的速度行進。
如請求項1所述之方法，其中，步驟(iii)包括在預定且恆定的間隔處均勻地切割該感受器材料的連續幅材(40)，使得該等感受器貼片(28)具有沿該感受器材料的連續幅材(40)的行進方向的大致相同長度。
如請求項1或請求項2所述之方法，其中，該支撐滾筒(66)包括在其週邊周圍的多個周向間隔開的凹部(70)，並且在該切割滾筒(68)上的該等切割元件(72)在該支撐滾筒(66)和該切割滾筒(68)兩者的旋轉期間與該等周向間隔開的凹部(70)協作來剪切切割該感受器材料的連續幅材(40)以形成該多個感受器貼片(28)。
如請求項1或請求項2所述之方法，其中，該支撐滾筒(66)係抽吸滾筒，並且該感受器材料的連續幅材(40)以及該等感受器貼片(28)中的一個或多個感受器貼片由抽吸力支撐在該抽吸滾筒的週邊周圍。
如請求項1所述之方法，其中，藉由減小施加到該感受器材料的連續幅材(40)的抽吸力來獲得該感受器材料的連續幅材(40)與該支撐滾筒(66)之間的相對移動。
如請求項1或請求項2所述之方法，其中，該多個感受器貼片(28)中的每個感受器貼片具有大致相同的尺寸。
如請求項1或請求項2所述之方法，其中，每個感受器貼片(28)的長度在5mm與50mm之間。
如請求項1或請求項2所述之方法，其中，每個相繼的感受器貼片(28)之間的該預定且恆定的間隔(74)在1mm與20mm之間。
如請求項1或請求項2所述之方法，其中，步驟(iv)包括將該等感受器貼片(28)黏附到該氣溶膠產生基質(10)的連續幅材(34)或連續條(218)的表面。
如請求項1或請求項2所述之方法，其中，步驟(iv)包括將該等感受器貼片(28)按壓到該氣溶膠產生基質(10)的連續幅材(34)或連續條(218)的表面上。
如請求項1或請求項2所述之方法，其中，在步驟(i)中提供的該氣溶膠產生基質(10)的連續幅材(34)或連續條(218)包括具有中心線(118)的大致平坦表面，並且步驟(iv)包括大致沿該中心線(118)將該多個感受器貼片(28)連續地施加到該大致平坦表面。
如請求項1或請求項2所述之方法，其中，該方法進一步包括：(vi)切割該連續桿(88)以形成多個單獨的氣溶膠產生製品(1，2)，每個氣溶膠產生製品均包括至少一個感受器貼片(28)。
如請求項12所述之方法，其中，步驟(vi)包括在相鄰的感受器貼片(28)之間的位置切割該連續桿(88)。
如請求項13所述之方法，其中，步驟(vi)包括大致在相鄰的感受器貼片(28)之間的中點處切割該連續桿(88)。
如請求項7所述之方法，其中，每個感受器貼片(28)的長度在10mm與30mm之間。
如請求項8所述之方法，其中，該預定且恆定的間隔(74)在2mm與10mm之間。
如請求項10所述之方法，其中，使用凸輪輥(76)來執行該按壓步驟。
一種對一人上皮生長因子受體(epithelium growth factor receptor，EGFR)具有結合專一性之人EGFR結合肽，包含一可變重(VH)鏈及一可變輕(VL)鏈，其中該VH鏈包含SEQ ID NO.37之一胺基酸序列且該VL鏈包含SEQ ID NO.39之一胺基酸序列，或該VH鏈包含SEQ ID NO.41之一胺基酸序列且該VL鏈包含SEQ ID NO.43之一胺基酸序列。
如請求項1之EGFR結合肽，包含一scFv域，其中該scFv域包含該VH鏈及該VL鏈，且其中該scFv域包含SEQ ID NO.57、61、63、65、67、69、71、73、75、77、79、81或83之一胺基酸序列。
如請求項2之EGFR結合肽，包含與該scFv域之至少一端連接的一組胺酸殘基，且其中該EGFR結合肽包含SEQ ID NO.57之一胺基酸序列。
如請求項1之EGFR結合肽，包含一Fab域，其中該Fab域包含該VH鏈及該VL鏈。
如請求項4之EGFR結合肽，進一步包含與該Fab域連接之Fc域以提供一Fab-單Fc融合蛋白，其中該Fc域包含選自SEQ ID NO.45及47之一胺基酸序列。
一種對人EGFR具有結合專一性之抗體樣蛋白，包含具有一可變重(VH)鏈及一可變輕(VL)鏈之一EGFR結合域，其中該VH鏈包含SEQ ID NO.37之一胺基酸序列且該VL鏈包含SEQ ID NO.39之一胺基酸序列，或該VH鏈包含SEQ ID NO.41之一胺基酸序列且該VL鏈包含SEQ ID NO.43之一胺基酸序列。
如請求項6之抗體樣蛋白，包含具有SEQ ID NO.57、59、61、63、65、67、69、71、73、75、77、79、81、83或其一組合之一胺基酸序列的一scFv域。
如請求項6之抗體樣蛋白，其中該抗體樣蛋白係包含SEQ ID NO.137、139；141、143；141、149、151、139；145、147或其一組合之一胺基酸序列的一單專一性抗體。
如請求項6之抗體樣蛋白，其中該抗體樣蛋白係包含SEQ ID NO.137、145、139、147、141、145、143、147、141、145、149、147、151、145、139、147或其一組合之一胺基酸序列的一雙專一性抗體。
如請求項6之抗體樣蛋白，其中該抗體樣蛋白係包含SEQ ID NO.85、87；89、91；93、95、97、99、101、103、105、107或其一組合之一胺基酸序列的一五專一性抗體。
如請求項6之抗體樣蛋白，其中該抗體樣蛋白係包含SEQ ID NO.109、111、113、115、117、119或其一組合之一胺基酸序列的一六專一性抗體。
如請求項6之抗體樣蛋白，包含一重鏈(HC)及一輕鏈(LC)，<br/> 其中該HC包含SEQ ID NO.85、89、93、97、101、105、109、113、117、137、141、145或151之一胺基酸序列；且<br/> 其中該LC包含SEQ ID NO.87、91、95、99、103、107、111、115、119、139、143、147或149之一胺基酸序列。
如請求項6之抗體樣蛋白，包含一重鏈單體及一輕鏈單體，其中該重鏈單體具有一N端及一C端，自該N端至該C端串聯包含：<br/> 於該N端之一第一結合域(D1)，<br/> 包含一輕鏈之作為一第二結合域(D2)的一Fab域，<br/> 一Fc域，<br/> 一第三結合域(D3)，及<br/> 於該C端之一第四結合域(D4)，<br/> 其中該輕鏈包含共價連接至該C端之一第五結合域(D5)、共價連接至該N端之一第六結合域(D6)或其一組合，且其中D1、D2、D3、D4、D5及D6中之至少一個包含該EGFR結合域。
如請求項13之抗體樣蛋白，其中D1或D2中的至少一個包含該EGFR結合域。
如請求項13之抗體樣蛋白，其中D3、D4、D5及D6中的每一個都包含該EGFR結合域。
如請求項13之抗體樣蛋白，其中該抗體樣蛋白係包含SEQ ID NO.137、145、139、147；141、145、143、147；141、145、149、147；151、145、139或147之一胺基酸序列的雙專一性抗體。
如請求項16之抗體樣蛋白，其中該雙專一性抗體與包含該EGFR結合域之D2不對稱，且該D3對CD3具有結合專一性。
如請求項6之抗體樣蛋白，其具有一N端及一C端，包含：<br/> 一第一單體，自該N端至該C端包含一第一結合域(mD1)、一可變重(VH)鏈、一CHl域、一第一鉸鏈、一第一CH2域、一第一CH3域及一第四結合域(mD4)，<br/> 一第二單體，自該N端至該C端包含一第二結合域(mD2)、一可變輕(VL)鏈、一CL域、一第二鉸鏈、一第二CH2域及一第二CH3域以及一第五結合域(mD5)，<br/> 其中該CH鏈及該CL鏈形成一第三結合域(mD3)，<br/> 其中該第一單體及該第二單體係經由該CH1域與該CL域之間的至少一個二硫鍵及該第一鉸鏈與該第二鉸鏈之間的至少一個二硫鍵共價配對，且<br/> 其中該多專一性抗體樣蛋白至少為雙專一性的。
如請求項18之抗體樣蛋白，其中mD1、mD2、mD3、mD4及mD5中的至少一個包含該EGFR結合域。
如請求項18之抗體樣蛋白，其中該mD3或mD2域中的至少一個包含該EGFR結合域。
如請求項18之抗體樣蛋白，其中該mD2、mD4、mD5各自包含該EGFR結合域。
如請求項18之抗體樣蛋白，包含SEQ ID NO.121、123、125、127、129、131、133、135或其一組合之一胺基酸序列。
一種重鏈，包含SEQ ID NO.121、125、129或133之一胺基酸序列。
一種輕鏈，包含SEQ ID NO.123、127、131或135之一胺基酸序列。
一種編碼如請求項6之抗體樣蛋白的經分離核酸序列。
一種包含如請求項25之經分離核酸序列的表現載體。
一種包含如請求項25之經分離核酸序列的宿主細胞。
一種藥物組合物，包含如請求項6之抗體樣蛋白及一藥學上可接受之載劑。
一種免疫結合物，包含如請求項6之抗體樣蛋白及一細胞毒性劑。
一種藥物組合物，包含如請求項29之免疫結合物及一藥學上可接受之載劑。
一種產生如請求項6之抗體樣蛋白的方法，包含以下步驟：<br/> 培養一宿主細胞使得編碼如請求項8之抗體樣蛋白的DNA序列得以表現，及<br/> 純化多專一性抗體樣蛋白。
一種電晶體配置，包括：包括介電質材料的背側層；電性傳導線；半導體材料的奈米帶，其中，該奈米帶的縱軸基本上平行於該背側層，以及其中，該背側層是在該奈米帶和該電性傳導線之間；電晶體，其包含：包含該奈米帶的該半導體材料的一部分之通道部分，至少部分地圍繞該通道部分之閘極堆疊，以及在該通道部分的兩側上、在該奈米帶中之第一區和第二區，其中，該第一區和該第二區中的一者為該電晶體的源極區，以及該第一區和該第二區中的另一者為該電晶體的汲極區；以及包含通孔的背側接點，該通孔延伸穿過該背側層，該通孔具有第一部分，該第一部分具有與該電性傳導線直接電連接的第一端，以及該通孔進一步具有第二部分，該第二部分具有與該第一區直接電連接的第二端，其中，在該奈米帶的該縱軸的方向中且在該奈米帶的中部中的該第一區的尺寸小於在該奈米帶的該縱軸的該方向中的該通孔的該第一部分的尺寸，以及其中，該第一區和該電性傳導線之間的距離小於該第二區和該電性傳導線之間的距離。
如請求項1之電晶體配置，其中：該介電質材料是第一介電質材料，該通孔的一個或多個側壁襯有第二介電質材料，以及該第二介電質材料的介電質常數高於該第一介電質材料的介電質常數且低於6。
如請求項2之電晶體配置，其中，該第一介電質材料的該介電質常數低於3.5。
如請求項2之電晶體配置，其中，該第二介電質材料的該介電質常數在大約3.5和大約5.5之間。
如請求項2之電晶體配置，其中，該第二介電質材料的密度高於該第一介電質材料的密度。
如請求項5之電晶體配置，其中，該第一介電質材料的該密度低於每立方公分1.8克。
如請求項5之電晶體配置，其中，該第二介電質材料的該密度在每立方公分1.8克之上。
如請求項5之電晶體配置，其中，該第二介電質材料的該密度在每立方公分大約1.9和大約2.5克之間。
如請求項2之電晶體配置，其中，該通孔的該一個或多個側壁具有：在該通孔的該第一部分和該第二部分之間的水平側壁部分，該水平側壁部分基本上平行於該奈米帶的該縱軸的平面，以及在該水平側壁部分和該背側層的表面之間的垂直側壁部分，其中該第二介電質材料在該水平側壁部分上方的厚度小於該第二介電質材料在該垂直側壁部分上方的厚度。
如請求項2之電晶體配置，進一步包含在該第二區和該第一介電質材料之間的該第二介電質材料。
如請求項1之電晶體配置，其中：該電晶體的該第一區包含材料，該通孔的該第二部分具有第一子部分和第二子部分，該第一子部分在該第一區和該第二子部分之間，該通孔的該第二部分的該第一子部分包含該材料，以及該通孔的該第一部分和該通孔的該第二部分的該第二子部分中的個別者包含該背側接點的一個或多個電性傳導材料。
如請求項1之電晶體配置，其中，該電性傳導線是電力軌。
如請求項1之電晶體配置，進一步包括在該奈米帶上方的第一級互連體層，其中，帶有該電晶體的層在該背側層和該第一級互連體層之間。
如請求項1之電晶體配置，其中，針對在該奈米帶的該縱軸的該方向中的該第一區的全部部分，該奈米帶的該縱軸的該方向中的該第一區的該尺寸小於在該奈米帶的該縱軸的該方向中的該通孔的該第一部分的該尺寸。
如請求項1之電晶體配置，其中，在該奈米帶的該縱軸的該方向中的該第一區的所有部分所具有的尺寸都不大於在該奈米帶的該縱軸的該方向中的該通孔的該第一部分的該尺寸。
如請求項1之電晶體配置，其中，該第一區的材料的一部分自該奈米帶向該電性傳導線延伸，該第二區的材料的一部分自該奈米帶向該電性傳導線延伸，以及該電性傳導線與自該奈米帶向該電性傳導線延伸的該第一區的該材料的該部分之間的距離小於該電性傳導線與自該奈米帶向該電性傳導線延伸的該第二區的該材料的該部分之間的距離。
一種電晶體配置，包括：包括介電質材料的背側層；電性傳導線；半導體材料的奈米帶，其中，該奈米帶的縱軸基本上平行於該背側層，以及其中，該背側層是在該奈米帶和該電性傳導線之間；電晶體，其包含：包含該奈米帶的該半導體材料的一部分之通道部分，至少部分地圍繞該通道部分之閘極堆疊，以及在該通道部分的兩側上、在該奈米帶中之第一區和第二區，其中，該第一區和該第二區中的一者為該電晶體的源極區，以及該第一區和該第二區中的另一者為該電晶體的汲極區；以及延伸穿過該背側層的通孔，該通孔具有第一部分，該第一部分具有與該電性傳導線直接電連接的第一端，以及該通孔進一步具有第二部分，該第二部分具有與該第一區直接電連接的第二端，其中，在該奈米帶的該縱軸的方向中且在該奈米帶的中部中的該第一區的尺寸小於在該奈米帶的該縱軸的該方向中的該通孔的該第一部分的尺寸，在該奈米帶的該縱軸的該方向中的該通孔的該第二部分的尺寸小於在該奈米帶的該縱軸的該方向中的該通孔的該第一部分的尺寸，該通孔的該第二部分的一部分具有子部分，該子部分比該通孔的該第二部分的剩餘部分更靠近該第一區，以及該第一區延伸到該子部分中。
如請求項17之電晶體配置，其中：該介電質材料是第一介電質材料，該通孔的該第一部分的側壁襯有第二介電質材料，該通孔的該第二部分的側壁襯有該第二介電質材料，以及位於該通孔的該第一部分的該側壁處的該第二介電質，與位於該通孔的該第二部份的該側壁處的該第二介電質材料在材料上連續。
一種電晶體配置，包括：包括第一介電質材料的背側層；電性傳導線；半導體材料的奈米帶，其中，該奈米帶的縱軸基本上平行於該背側層，以及其中，該背側層是在該奈米帶和該電性傳導線之間；電晶體，其包含：包含該奈米帶的該半導體材料的一部分之通道部分，至少部分地圍繞該通道部分之閘極堆疊，以及在該通道部分的兩側上、在該奈米帶中之第一區和第二區，其中，該第一區和該第二區中的一者為該電晶體的源極區，以及該第一區和該第二區中的另一者為該電晶體的汲極區；以及延伸穿過該背側層的通孔，該通孔包括：第一部分，其具有與該電性傳導線直接電連接的第一端，第二部分，其具有與該第一區直接電連接的第二端，以及在該第二部分內的子部分，其中，該子部分比該通孔的該第二部分的剩餘部分更靠近該第一區，以及其中，該第一區延伸到該子部分中；以及第二介電質材料，其中，該第二介電質材料的第一部分在該通孔的側壁上，以及該第二介電質材料的第二部分在該第二區和該第一介電質材料之間，其中，該電性傳導線和延伸到該子部分中的該第一區之間的距離小於該電性傳導線和該第二介電質材料的該第二部分之間的距離。
如請求項19之電晶體配置，其中，該第二介電質材料的該第二部分與該第二介電質材料的該第一部分在材料上連續。
一種修整光阻劑圖案之方法，其包括：(a)提供半導體基底；(b)在該半導體基底上形成光阻劑圖案，其中該光阻劑圖案由包含光酸產生劑和含有酸可分解基團的聚合物的光阻劑組成物形成，其中該光阻劑組成物之聚合物包含基於乙烯基芳香族化合物的聚合物，且其中該聚合物中超過80莫耳%的聚合單元由乙烯基芳香族單體形成；(c)將光阻劑圖案修整組成物塗覆在該光阻劑圖案上，其中，該光阻劑圖案修整組成物包含：聚合物，該聚合物包含含有酸可分解基團的單體作為聚合單元，該基團的分解在該聚合物上形成羧酸基團；非聚合物酸或非聚合物熱酸產生劑；以及包含一種或多種有機溶劑的基於有機物的溶劑系統，其中，該光阻劑圖案修整組成物的聚合物不含酸基團；以及該基於有機物的溶劑系統包含一種或多種非極性有機溶劑；(d)加熱經塗覆的光阻劑圖案；以及(e)用沖洗劑沖洗經塗覆並加熱的光阻劑圖案以除去該光阻劑圖案的表面區域。
如請求項1所述之方法，其中，該光阻劑圖案修整組成物中的酸可分解基團係三級烷基酯。
如請求項1所述之方法，其中，該光阻劑圖案修整組成物中的酸可分解基團係縮醛基團。
如請求項1至3中任一項所述之方法，其中，該光阻劑圖案修整組成物中的聚合物復包含含有以下基團的單體作為聚合單元：(i)氟醇基團，或(ii)酸可分解基團，該基團的分解在該聚合物上形成氟醇基團。
如請求項1至3中任一項所述之方法，其中，該光阻劑圖案修整組成物中的聚合物復包含為未取代的C1-C10烷基(甲基)丙烯酸酯單體的單體作為聚合單元。
如請求項1至3中任一項所述之方法，其中，於該光阻劑圖案修整組成物中，含有酸可分解基團的單體的所有聚合單元的組合含量基於該聚合物的總聚合單元係30至100莫耳%，該基團的分解在該聚合物上形成羧酸基團。
如請求項1至3中任一項所述之方法，其中，該基於有機物的溶劑系統包含單醚。
如請求項7所述之方法，其中，該基於有機物的溶劑系統復包含醇和/或酯。
如請求項1至3中任一項所述之方法，其中，該沖洗劑係四甲基氫氧化銨水溶液。
如請求項1至3中任一項所述之方法，其中，該光阻劑圖案藉由KrF或EUV光刻形成。
一種半導體裝置，包括：配線基板，具有第一表面；半導體晶片，具有配置著複數端子的第二表面以及與該第二表面相對的第三表面，且該半導體晶片係安裝在該配線基板上，使得該第二表面係面向該配線基板的該第一表面；熱釋放片，配置在該半導體晶片的該第三表面上以覆蓋整個該半導體晶片，且該熱釋放片的面積大於該半導體晶片的該第三表面的面積；以及覆蓋元件，覆蓋著整個該半導體晶片、整個該熱釋放片以及該配線基板的一部份，且該熱釋放片係固定至該覆蓋元件，其中該覆蓋元件具有第一部分，面向該半導體晶片的該第三表面；凸緣部分，配置在該第一部分的周緣中且透過第一接合元件而接合及固定至該配線基板的該第一表面上；以及第二部分，配置在該第一部分與該凸緣部分之間，在從該熱釋放片進行檢視的該覆蓋元件的平面圖中，該熱釋放片係透過部分配置在該熱釋放片與該覆蓋元件之間的第二接合元件而接合及固定至該覆蓋元件。
如請求項1之半導體裝置，其中該熱釋放片係透過被配置在與該覆蓋元件的該第二部分重疊的位置處的該第二接合元件而接合及固定至該覆蓋元件。
如請求項2之半導體裝置，其中該第二接合元件並未被配置在與該覆蓋元件的該第一部分重疊的位置處。
如請求項1之半導體裝置，其中該熱釋放片係透過彼此分隔的複數該第二接合元件而接合及固定至該覆蓋元件。
如請求項1之半導體裝置，更包括：電子構件，安裝在該配線基板上且被該覆蓋元件覆蓋，其中該電子構件包括暴露於該覆蓋元件及該配線基板所圍繞的空間的電極，在平面圖中，該熱釋放片具有四個側部及四個角，其中該四個側部的其中二側部係在該四個角處彼此相交，以及該第二接合元件係與該熱釋放片的該四個角的各者接合。
如請求項1之半導體裝置，更包括：半導體構件，安裝在該配線基板上且被該覆蓋元件覆蓋，其中該熱釋放片是配置以覆蓋該半導體晶片及該半導體構件各者。
一種半導體裝置，包括：配線基板，具有第一表面；半導體晶片，具有配置著複數端子的第二表面以及與該第二表面相對的第三表面，且該半導體晶片係安裝在該配線基板上，使得該第二表面係面向該配線基板的該第一表面；熱釋放片，配置在該半導體晶片的該第三表面上以覆蓋整個該半導體晶片，且該熱釋放片的面積大於該半導體晶片的該第三表面的面積；以及覆蓋元件，覆蓋著整個該半導體晶片、整個該熱釋放片以及該配線基板的一部份，且該熱釋放片係固定至該覆蓋元件，其中該覆蓋元件具有第一部分，面向該半導體晶片的該第三表面；凸緣部分，配置在該第一部分的周緣中且透過第一接合元件而接合及固定至該配線基板的該第一表面上；以及第二部分，配置在該第一部分與該凸緣部分之間，在從該熱釋放片進行檢視的該覆蓋元件的平面圖中，該熱釋放片係透過配置在與該覆蓋元件的該第二部分重疊的位置處的第二接合元件而接合及固定至該覆蓋元件。
如請求項7之半導體裝置，其中該熱釋放片具有面向該半導體晶片的第四表面以及與該第四表面相對的第五表面，該第二接合元件為帶狀元件，該帶狀元件包括膜層以及形成在該膜層的任一表面上的黏著層，以及該第二接合元件的該黏著層係附接至該熱釋放片的該第四表面以及該覆蓋元件。
如請求項8之半導體裝置，其中該熱釋放片係透過彼此分隔的複數該第二接合元件而接合及固定至該覆蓋元件。
如請求項8之半導體裝置，更包括：電子構件，安裝在該配線基板上且被該覆蓋元件覆蓋，其中該電子構件包括暴露於該覆蓋元件及該配線基板所圍繞的空間的電極，在平面圖中，該熱釋放片具有四個側部及四個角，其中該四個側部的其中二側部係在該四個角處彼此相交，以及該第二接合元件係與該熱釋放片的該四個角的各者接合。
一種半導體裝置的製造方法，包括下列步驟：(a)製備具有第一表面的配線基板、具有配置著複數端子的第二表面以及與該第二表面相對的第三表面的半導體晶片以及與熱釋放片接合的覆蓋元件；(b)將該半導體晶片安裝在該配線基板的該第一表面上，使該第二表面與該第一表面係面向彼此；以及(c)在該步驟(b)後，將該覆蓋元件接合及固定至該配線基板的該第一表面上，以覆蓋著整個該半導體晶片、整個該熱釋放片以及該配線基板的一部份，並且使該熱釋放片與該半導體晶片的該第三表面係面向彼此，其中該覆蓋元件具有第一部分，在該步驟(c)中係面向該半導體晶片的該第三表面；凸緣部分，配置在該第一部分的周緣中且透過第一接合元件而接合及固定至該配線基板的該第一表面上；以及第二部分，配置在該第一部分與該凸緣部分之間，該熱釋放片的面積大於該半導體晶片的該第三表面的面積，在該步驟(a)中，在從該熱釋放片進行檢視的該覆蓋元件的平面圖中，該熱釋放片係透過部分配置在該熱釋放片與該覆蓋元件之間的第二接合元件而接合及固定至該覆蓋元件。
一種半導體裝置的製造方法，包括下列步驟：(a)製備具有第一表面的配線基板、具有配置著複數端子的第二表面以及與該第二表面相對的第三表面的半導體晶片以及與熱釋放片接合的覆蓋元件；(b)將該半導體晶片安裝在該配線基板的該第一表面上，使該第二表面與該第一表面係面向彼此；以及(c)在該步驟(b)後，將該覆蓋元件接合及固定至該配線基板的該第一表面上，以覆蓋著整個該半導體晶片、整個該熱釋放片以及該配線基板的一部份，並且使該熱釋放片與該半導體晶片的該第三表面係面向彼此，其中該覆蓋元件具有第一部分，在該步驟(c)中係面向該半導體晶片的該第三表面；凸緣部分，配置在該第一部分的周緣中且透過第一接合元件而接合及固定至該配線基板的該第一表面上；以及第二部分，配置在該第一部分與該凸緣部分之間，該熱釋放片具有面向該半導體晶片的第四表面以及與該第四表面相對的第五表面，該熱釋放片的該第四表面的面積大於該半導體晶片的該第三表面的面積，在該步驟(a)中，在從該熱釋放片進行檢視的該覆蓋元件的平面圖中，該熱釋放片係透過配置在與該第二部分重疊的位置處的第二接合元件而接合及固定至該覆蓋元件。
一種用於解碼經編碼點雲資料以重構一點雲的設備，該設備包括： <br/>被配置成儲存該經編碼點雲資料的一記憶體；及 <br/>一或多個處理器，其在電路系統中被實現，並且被配置成： <br/>針對該點雲中的一點，基於一第一預測值和一第一殘餘值，來決定一第一顏色分量的一第一屬性值； <br/>在該經編碼點雲資料中接收指示一標量值的一語法元素，其中該標量值是一整數值； <br/>將一縮放因數應用於該第一殘餘值，以決定一所預測的第二殘餘值，其中該縮放因數具有一非整數值，並且其中為了將該縮放因數應用於該第一殘餘值，該一或多個處理器被進一步配置成： <br/>執行與該標量值的一乘法；及 <br/>執行一右移運算，其中與該標量值的該乘法和該右移運算的一組合結果等於該縮放因數； <br/>針對該點雲中的該點，在該經編碼點雲資料中接收一第二殘餘值； <br/>基於該所預測的第二殘餘值和該所接收的第二殘餘值，來決定一最終的第二殘餘值；及 <br/>針對該點雲中的該點，基於一第二預測值和該最終的第二殘餘值，來決定一第二顏色分量的一第二屬性值。
如請求項1之設備，其中該右移運算包括右移2位元。
如請求項1之設備，其中該語法元素指示與該標量值和一先前所決定的標量值之間的一差相對應的一差值。
如請求項3之設備，其中該語法元素包括指示該差值的一可變長度語法元素。
如請求項3之設備，其中該點雲包括用於一第一細節級別的一點雲，並且該先前所決定的標量值用於不同於該第一細節級別的一第二細節級別。
如請求項1之設備，其中為了接收該語法元素，該一或多個處理器被進一步配置成在一屬性切片頭部語法結構中接收該語法元素。
如請求項1之設備，其中該一或多個處理器被進一步配置成基於該點雲中的一或多個不同的點的值，來決定該點雲中的該點的該第二預測值。
如請求項1之設備，其中該點雲包括用於一第一細節級別的一點雲，並且其中為了決定該縮放因數，該一或多個處理器被進一步配置成基於用於與該第一細節級別不同的一第二細節級別的一縮放因數，來決定該縮放因數。
如請求項1之設備，其中該第一顏色分量包括一第一色度顏色分量，並且該第二顏色分量包括一第二色度顏色分量。
如請求項9之設備，其中該一或多個處理器被進一步配置成針對該點雲中的該點，決定一第三顏色分量的一第三屬性值，其中該第三顏色分量包括一亮度顏色分量。
如請求項1之設備，其中該一或多個處理器被進一步配置成重構該點雲。
如請求項11之設備，其中該一或多個處理器被進一步配置成基於該所重構的點雲，來產生一建築物的一內部的一地圖。
如請求項11之設備，其中該一或多個處理器被進一步配置成基於該所重構的點雲，來執行一自主導航操作。
如請求項11之設備，其中該一或多個處理器被進一步配置成基於該所重構的點雲，來產生電腦圖形。
如請求項11之設備，其中該一或多個處理器被配置成： <br/>基於該所重構的點雲，來決定一虛擬物件的一位置；及 <br/>產生其中該虛擬物件位於該所決定的位置的一擴展現實（XR）視覺化。
如請求項11之設備，進一步包括用於基於該所重構的點雲來呈現影像的一顯示器。
如請求項1之設備，其中該設備是一行動電話或平板電腦中的一者。
如請求項1之設備，其中該設備為一交通工具。
如請求項1之設備，其中該設備為一擴展現實設備。
一種解碼經編碼點雲資料以重構一點雲的方法，該方法包括以下步驟： <br/>針對該點雲中的一點，基於一第一預測值和一第一殘餘值，來決定一第一顏色分量的一第一屬性值； <br/>在該經編碼點雲資料中接收指示一標量值的一語法元素，其中該標量值是一整數值； <br/>將一縮放因數應用於該第一殘餘值，以決定一所預測的第二殘餘值，其中該縮放因數具有一非整數值，並且其中將該縮放因數應用於該第一殘餘值之步驟包括以下步驟： <br/>執行與該標量值的一乘法；及 <br/>執行一右移運算，其中與該標量值的該乘法和該右移運算的一組合結果等於該縮放因數； <br/>針對該點雲中的該點，在該經編碼點雲資料中接收一第二殘餘值； <br/>基於該所預測的第二殘餘值和該所接收的第二殘餘值，來決定一最終的第二殘餘值；及 <br/>針對該點雲中的該點，基於一第二預測值和該最終的第二殘餘值，來決定一第二顏色分量的一第二屬性值。
如請求項20之方法，其中該右移運算包括右移2位元。
如請求項20之方法，其中該語法元素指示與該標量值和一先前所決定的標量值之間的一差相對應的一差值。
如請求項20之方法，其中該語法元素包括指示該差值的一可變長度語法元素。
如請求項22之方法，其中該點雲包括用於一第一細節級別的一點雲，並且該先前所決定的標量值用於不同於該第一細節級別的一第二細節級別。
如請求項20之方法，其中接收該語法元素之步驟包括以下步驟：在一屬性切片頭部語法結構中接收該語法元素。
如請求項20之方法，進一步包括以下步驟：基於該點雲中的一或多個不同的點的值，來決定針對該點雲中的該點的該第二預測值。
如請求項20之方法，其中決定該縮放因數之步驟包括以下步驟：基於用於一第二細節級別的一縮放因數，來決定該縮放因數。
如請求項20之方法，其中該第一顏色分量包括一第一色度顏色分量，並且該第二顏色分量包括一第二色度顏色分量。
如請求項28之方法，進一步包括以下步驟：針對該點雲中的該點，決定一第三顏色分量的一第三屬性值，其中該第三顏色分量包括一亮度顏色分量。
一種用於編碼點雲資料的設備，該設備包括： <br/>被配置成儲存該經編碼點雲資料的一記憶體；及 <br/>一或多個處理器，其在電路系統中被實現，並且被配置成： <br/>針對一點雲中的一點，決定一第一顏色分量的一第一屬性值； <br/>將該第一顏色分量的該第一屬性值編碼為一第一預測值和一第一殘餘值； <br/>針對該點雲中的該點，決定一第二顏色分量的一第二屬性值； <br/>決定該第二顏色分量的該第二屬性值的一第二預測值； <br/>決定該第二顏色分量的該第二屬性值的一第二殘餘值； <br/>將一縮放因數應用於該第一殘餘值，以決定一所預測的第二殘餘值，其中該縮放因數具有，並且其中為了將該縮放因數應用於該第一殘餘值，該一或多個處理器被進一步配置成： <br/>執行與一標量值的一乘法；及 <br/>執行一右移運算，其中與該標量值的該乘法和該右移運算的一組合結果等於該縮放因數；及 <br/>產生指示該標量值的一語法元素，以供包括在該經編碼點雲資料中。
如請求項30之設備，其中該右移運算包括右移2位元。
如請求項30之設備，其中該語法元素指示與該標量值和一先前所決定的標量值之間的一差相對應的一差值。
如請求項32之設備，其中該語法元素包括指示該差值的一可變長度語法元素。
如請求項32之設備，其中該點雲包括用於一第一細節級別的一點雲，並且該先前所決定的標量值用於不同於該第一細節級別的一第二細節級別。
如請求項30之設備，其中為了產生該語法元素，該一或多個處理器被進一步配置成在一屬性切片頭部語法結構中包括用於決定該標量值的該語法元素。
如請求項30之設備，其中該一或多個處理器被進一步配置成基於該點雲中的一或多個不同的點的值，來決定該點雲中的該點的該第二預測值。
如請求項30之設備，其中該點雲包括用於一第一細節級別的一點雲，並且其中為了決定該縮放因數，該一或多個處理器被進一步配置成基於用於與該第一細節級別不同的一第二細節級別的一縮放因數，來決定該縮放因數。
如請求項30之設備，其中該第一顏色分量包括一第一色度顏色分量，並且該第二顏色分量包括一第二色度顏色分量。
如請求項38之設備，其中該一或多個處理器被進一步配置成針對該點雲中的該點，決定一第三顏色分量的一第三屬性值，其中該第三顏色分量包括一亮度顏色分量。
如請求項30之設備，進一步包括用於產生該經編碼點雲資料的一感測器。
一種編碼點雲資料的方法，該方法包括以下步驟： <br/>針對一點雲中的一點，決定一第一顏色分量的一第一屬性值； <br/>將該第一顏色分量的該第一屬性值編碼為一第一預測值和一第一殘餘值； <br/>針對該點雲中的該點，決定一第二顏色分量的一第二屬性值； <br/>決定該第二顏色分量的該第二屬性值的一第二預測值； <br/>決定該第二顏色分量的該第二屬性值的一第二殘餘值； <br/>將一縮放因數應用於該第一殘餘值，以決定一所預測的第二殘餘值，其中該縮放因數具有一非整數值，並且其中將該縮放因數應用於該第一殘餘值之步驟包括以下步驟： <br/>執行與一標量值的一乘法；及 <br/>執行一右移運算，其中與該標量值的該乘法和該右移運算的一組合結果等於該縮放因數；及 <br/>產生指示該標量值的一語法元素，以供包括在該經編碼點雲資料中。
如請求項41之方法，其中該右移運算包括右移2位元。
如請求項41之方法，其中該語法元素指示與該標量值和一先前所決定的標量值之間的一差相對應的一差值。
如請求項43之方法，其中該語法元素包括指示該差值的一可變長度語法元素。
如請求項43之方法，其中該點雲包括用於一第一細節級別的一點雲，並且該先前所決定的標量值用於不同於該第一細節級別的一第二細節級別。
如請求項41之方法，其中產生該語法元素之步驟包括以下步驟：在一屬性切片頭部語法結構中包括用於決定該標量值的該語法元素。
如請求項41之方法，進一步包括以下步驟：基於該點雲中的一或多個不同的點的值，來決定針對該點雲中的該點的該第二預測值。
如請求項41之方法，其中決定該縮放因數之步驟包括以下步驟：基於用於一第二細節級別的一縮放因數，來決定該縮放因數。
如請求項41之方法，其中該第一顏色分量包括一第一色度顏色分量，並且該第二顏色分量包括一第二色度顏色分量。
如請求項49之方法，進一步包括以下步驟：針對該點雲中的該點，決定一第三顏色分量的一第三屬性值，其中該第三顏色分量包括一亮度顏色分量。
一種儲存有指令的電腦可讀取儲存媒體，該等指令在由一或多個處理器執行時使得該一或多個處理器： <br/>針對經編碼點雲資料的一點雲中的一點，基於一第一預測值和一第一殘餘值，來決定一第一顏色分量的一第一屬性值； <br/>在該經編碼點雲資料中接收指示一標量值的一語法元素，其中該標量值是一整數值； <br/>將一縮放因數應用於該第一殘餘值，以決定一所預測的第二殘餘值，其中該縮放因數具有一非整數值，並且其中為了將該縮放因數應用於該第一殘餘值，該一或多個處理器被進一步配置成： <br/>執行與該標量值的一乘法；及 <br/>執行一右移運算，其中與該標量值的該乘法和該右移運算的一組合結果等於該縮放因數； <br/>針對該點雲中的該點，在該經編碼點雲資料中接收一第二殘餘值； <br/>基於該所預測的第二殘餘值和該所接收的第二殘餘值，來決定一最終的第二殘餘值；及 <br/>針對該點雲中的該點，基於一第二預測值和該最終的第二殘餘值，來決定一第二顏色分量的一第二屬性值。
一種儲存有指令的電腦可讀取儲存媒體，該等指令在由一或多個處理器執行時使得該一或多個處理器： <br/>針對一點雲中的一點，決定一第一顏色分量的一第一屬性值； <br/>將該第一顏色分量的該第一屬性值編碼為一第一預測值和一第一殘餘值； <br/>針對該點雲中的該點，決定一第二顏色分量的一第二屬性值； <br/>決定該第二顏色分量的該第二屬性值的一第二預測值； <br/>決定該第二顏色分量的該第二屬性值的一第二殘餘值； <br/>將一縮放因數應用於該第一殘餘值，以決定一所預測的第二殘餘值，其中該縮放因數具有一非整數值，並且其中為了將該縮放因數應用於該第一殘餘值，該一或多個處理器被進一步配置成： <br/>執行與一標量值的一乘法；及 <br/>執行一右移運算，其中與該標量值的該乘法和該右移運算的一組合結果等於該縮放因數；及 <br/>產生指示該標量值的一語法元素，以供包括在經編碼點雲資料中。
一種用於對編碼的點雲資料進行解碼以重建點雲的設備，所述設備包括： <br/>記憶體，其被配置為儲存所述編碼的點雲資料；以及 <br/>利用電路來實現的一個或多個處理器，所述一個或多個處理器被配置為： <br/>對於所述點雲中的點，基於第一預測值和第一殘差值來確定第一顏色分量的第一顏色值； <br/>在所述編碼的點雲資料中接收指示標量值的語法元素，其中所述標量值是整數值； <br/>向所述第一殘差值應用縮放因子以確定預測的第二殘差值，其中，所述縮放因子具有非整數值，並且其中為了向所述第一殘差值應用所述縮放因子，所述一個或多個處理器進一步被配置為： <br/>用所述標量值執行乘法；以及 <br/>執行右移運算，其中所述標量值的所述乘法及所述右移運算的組合的結果等於所述縮放因子； <br/>對於所述點雲中的所述點，接收所述編碼的點雲資料中的第二殘差值； <br/>基於所述預測的第二殘差值和所接收的第二殘差值來確定最終第二殘差值；以及 <br/>對於所述點雲中的所述點，基於第二預測值和所述最終第二殘差值來確定第二顏色分量的第二顏色值。
根據請求項1所述的設備，其中所述右移運算包括右移2。
根據請求項1所述的設備，其中，指示所述標量值的所述語法元素包括：與所述標量值和先前確定的標量值之間的差相對應的差值。
根據請求項3所述的設備，其中，所述點雲包括用於第一細節級別的點雲，並且所述先前確定的標量值用於與所述第一細節級別不同的第二細節級別。
根據請求項1所述的設備，其中，為了接收指示所述語法元素，所述一個或多個處理器進一步被配置為：在屬性切片標頭語法結構中接收所述語法元素。
根據請求項1所述的設備，其中，所述一個或多個處理器進一步被配置為：基於所述點雲的不同點的值，來確定針對所述點雲中的所述點的所述第二預測值。
根據請求項1所述的設備，其中，所述點雲包括用於第一細節級別的點雲，並且其中，為了確定所述縮放因子，所述一個或多個處理器進一步被配置為：基於用於與所述第一細節級別不同的第二細節級別的縮放因子，來確定所述縮放因子。
根據請求項1所述的設備，其中，所述第一顏色分量包括綠色分量，並且所述第二顏色分量包括紅色分量。
根據請求項1所述的設備，其中，所述第一顏色分量包括綠色分量，並且所述第二顏色分量包括藍色分量。
根據請求項1所述的設備，其中，所述一個或多個處理器進一步被配置為： <br/>向所述第一殘差值應用第二縮放因子以確定預測的第三殘差值，其中，所述第二縮放因子具有非整數值或大於一的絕對值中的一者或兩者； <br/>對於所述點雲中的所述點，接收所述編碼的點雲資料中的第三殘差值； <br/>基於所述預測的第三殘差值和所接收的第三殘差值，確定最終第三殘差值；以及 <br/>對於所述點雲中的所述點，基於第三預測值和所述最終第三殘差值來確定第三顏色分量的第三顏色值。
根據請求項1所述的設備，其中，所述一個或多個處理器進一步被配置為重建所述點雲。
根據請求項11所述的設備，其中，所述一個或多個處理器進一步被配置為基於所述重建的點雲，生成建築物內部的地圖。
根據請求項11所述的設備，其中，所述一個或多個處理器進一步被配置為：基於所述重建的點雲來執行自主導航操作。
根據請求項11所述的設備，其中，所述一個或多個處理器進一步被配置為基於所述重建的點雲來生成計算機圖形。
根據請求項11所述的設備，其中，所述一個或多個處理器進一步被配置為： <br/>基於所述重建的點雲來確定虛擬對象的位置；以及 <br/>生成延展實境（XR）可視化，其中所述虛擬對象位於所確定的位置。
根據請求項11所述的設備，還包括： <br/>顯示器，其用於基於所述重建的點雲來呈現圖像。
根據請求項1所述的設備，其中，所述設備包括行動電話、平板計算機、車輛或延展實境設備中的一個或多個。
一種對編碼的點雲資料進行解碼以重建點雲的方法，所述方法包括： <br/>對於所述點雲中的點，基於第一預測值和第一殘差值來確定第一顏色分量的第一顏色值； <br/>在所述編碼的點雲資料中接收指示標量值的語法元素，其中所述標量值是整數值； <br/>向所述第一殘差值應用縮放因子以確定預測的第二殘差值，其中，所述縮放因子具有非整數值，並且其中向所述第一殘差值應用所述縮放因子包括： <br/>用所述標量值執行乘法；以及 <br/>執行右移運算，其中所述標量值的所述乘法及所述右移運算的組合的結果等於所述縮放因子； <br/>對於所述點雲中的所述點，接收所述編碼的點雲資料中的第二殘差值； <br/>基於所述預測的第二殘差值和所接收的第二殘差值來確定最終第二殘差值；以及 <br/>對於所述點雲中的所述點，基於第二預測值和所述最終第二殘差值來確定第二顏色分量的第二顏色值。
根據請求項18所述的方法，其中執行右移運算包括：包括應用右移2。
根據請求項18所述的方法，其中，指示所述標量值的所述語法元素包括：與所述標量值和先前確定的標量值之間的差相對應的差值。
根據請求項20所述的方法，其中，所述點雲包括用於第一細節級別的點雲，並且所述先前確定的標量值用於與所述第一細節級別不同的第二細節級別。
根據請求項18所述的方法，其中，接收所述語法元素包括：在屬性切片標頭語法結構中接收所述語法元素。
根據請求項18所述的方法，還包括： <br/>基於所述點雲的不同點的值，來確定針對所述點雲中的所述點的所述第二預測值。
根據請求項18所述的方法，還包括： <br/>基於用於第二細節級別的縮放因子，來確定所述縮放因子。
根據請求項18所述的方法，其中，所述第一顏色分量包括綠色分量，並且所述第二顏色分量包括紅色分量。
根據請求項18所述的方法，其中，所述第一顏色分量包括綠色分量，並且所述第二顏色分量包括藍色分量。
根據請求項18所述的方法，還包括： <br/>向所述第一殘差值應用第二縮放因子以確定預測的第三殘差值，其中，所述第二縮放因子具有非整數值或大於一的絕對值中的一者或兩者； <br/>對於所述點雲中的所述點，接收所述編碼的點雲資料中的第三殘差值； <br/>基於所述預測的第三殘差值和所接收的第三殘差值，確定最終第三殘差值；以及 <br/>對於所述點雲中的所述點，基於第三預測值和所述最終第三殘差值來確定第三顏色分量的第三顏色值。
一種儲存指令的計算機可讀儲存媒體，當所述指令被一個或多個處理器執行時，使所述一個或多個處理器執行以下操作： <br/>對於編碼的點雲資料的點雲中的點，基於第一預測值和第一殘差值來確定第一顏色分量的第一顏色值； <br/>在所述編碼的點雲資料中接收指示標量值的語法元素，其中所述標量值是整數值； <br/>向所述第一殘差值應用縮放因子以確定預測的第二殘差值，其中，所述縮放因子具有非整數值，，並且其中為了向所述第一殘差值應用所述縮放因子，所述指令使述一個或多個處理器執行以下操作： <br/>用所述標量值執行乘法；以及 <br/>執行右移運算，其中所述標量值的所述乘法及所述右移運算的組合的結果等於所述縮放因子； <br/>對於所述點雲中的所述點，接收所述編碼的點雲資料中的第二殘差值； <br/>基於所述預測的第二殘差值和所接收的第二殘差值來確定最終第二殘差值；以及 <br/>對於所述點雲中的所述點，基於第二預測值和所述最終第二殘差值來確定第二顏色分量的第二顏色值。
一種用於對點雲資料進行編碼以生成編碼的點雲資料的設備，所述設備包括： <br/>記憶體，其被配置為儲存所述點雲資料；以及 <br/>利用電路來實現的一個或多個處理器，所述一個或多個處理器被配置為： <br/>對於點雲中的點，確定第一顏色分量的第一顏色值； <br/>將所述第一顏色分量的所述第一顏色值編碼為第一預測值和第一殘差值； <br/>對於所述點雲中的所述點，確定第二顏色分量的第二顏色值； <br/>確定針對所述第二顏色分量的所述第二顏色值的第二預測值； <br/>確定針對所述第二顏色分量的所述第二顏色值的第二殘差值； <br/>將縮放因子應用於所述第一殘差值以確定預測的第二殘差值，其中，所述縮放因子具有非整數值，其中為了向所述第一殘差值應用所述縮放因子，所述一個或多個處理器進一步被配置為： <br/>用所述標量值執行乘法；以及 <br/>執行右移運算，其中所述標量值的所述乘法及所述右移運算的組合的結果等於所述縮放因子；以及 <br/>生成用於包含在所述編碼的點雲資料中的指示所述標量值得語法元素。
根據請求項29所述的設備，其中所述右移運算包括右移2。
根據請求項29所述的設備，其中，指示所述標量值的所述語法元素包括：與所述標量值和先前確定的標量值之間的差相對應的差值。
根據請求項31所述的設備，其中，所述點雲包括用於第一細節級別的點雲，並且所述先前確定的標量值用於與所述第一細節級別不同的第二細節級別。
根據請求項29所述的設備，其中，為了在所述點雲資料中包括所述語法元素，所述一個或多個處理器進一步被配置為：在屬性切片標頭語法結構中包括所述語法元素。
根據請求項29所述的設備，其中，所述一個或多個處理器進一步被配置為：基於所述點雲的不同點的值，來確定針對所述點雲中的所述點的所述第二預測值。
根據請求項29所述的設備，其中，所述點雲包括用於第一細節級別的點雲，並且其中，為了確定所述縮放因子，所述一個或多個處理器進一步被配置為：基於用於與所述第一細節級別不同的第二細節級別的縮放因子，來確定所述縮放因子。
根據請求項29所述的設備，其中，所述第一顏色分量包括綠色分量，並且所述第二顏色分量包括紅色分量。
根據請求項29所述的設備，其中，所述第一顏色分量包括綠色分量，並且所述第二顏色分量包括藍色分量。
根據請求項29所述的設備，還包括： <br/>感測器，其用於生成所點雲資料。
一種用以在用於投影微影之一投影曝光設備的一光源與一照明光學單元之間限定一照明光射束路徑的光闌設備， - 包含一光闌，配置在該射束路徑中，且具有供從該光源發出的使用照明光通過的一孔徑， - 包含至少一位移裝置，用於橫向於該照明光射束路徑位移該光闌， - 包含一光闌載體，具有一通孔，該孔徑位於該通孔內，其中該光闌可通過該位移裝置相對於該光闌載體位移。
如請求項1所述之光闌設備，包含至少兩個位移裝置，用於沿橫向於該照明光射束路徑的兩個獨立位移方向分量來位移該光闌。
如請求項1或2所述之光闌設備，其特徵在於該位移裝置係實施為一致動器。
如請求項3所述之光闌設備，其特徵在於該位移裝置係實施為一線性致動器。
如請求項3所述之光闌設備，其特徵在於該位移裝置係實施為一旋轉致動器。
如請求項1至2的其中任一項所述之光闌設備，其中該光闌載體包含該光闌設備的其他功能組件。
如請求項6所述之光闌設備，其特徵在於該光闌通過實施為一線性致動器的該等位移裝置中的至少一個而連接到一中間載體，其中該中間載體經由實施為一線性致動器的至少一個另外的位移裝置而連接到該光闌載體或一另外的中間載體。
如請求項1至2的其中任一項所述之光闌設備，其特徵在於該位移裝置包含一步進馬達。
一種光闌系統， - 包含如請求項1至8的其中任一項所述的一光闌設備， - 包含一量測裝置，用於量測穿過該孔徑的一照明光射束的一位置， - 包含一開迴路/閉迴路控制裝置，其信號連接到該至少一位移裝置和該量測裝置。
一種照明光學單元，用於照明該投影曝光設備的一物場，其中可配置具有待成像結構的一物體的至少一部分，其特徵在於： - 如請求項1至8的其中任一項所述的一光闌設備，或 - 如請求項9所述的一光闌系統。
一種照明系統，包含如請求項10所述的一照明光學單元，包含用於該照明光的一光源，並包含用於將該照明光聚焦在該光闌的區域中的一集光器。
一種光學系統，包含如請求項10所述的一照明光學單元，並包含用於將該物場成像到一影像場中的一投影光學單元，該影像場中可配置一晶圓的至少一部分，在該至少一部分上將成像該物體結構。
一種包含如請求項12所述的一光學系統的投影曝光設備，包含用於該照明光的一光源，並包含用於將該照明光聚焦在該光闌的區域中的一集光器。
一種用以產生一結構化組件的方法，包含以下方法步驟： - 提供一光罩和一晶圓， - 在如請求項13所述的該投影曝光設備的協助下將該光罩上的一結構投影到該晶圓的一感光層上， - 在該晶圓上產生一微結構及/或奈米結構。
一種結構化組件，其根據如請求項14所述的一方法來生產。
一種用於音頻分析的設備，包括： <br/>記憶體，其被配置成儲存多個用戶的多個用戶話音輪廓；以及 <br/>一個或多個處理器，其被配置成： <br/>在第一功率模式下確定音頻流是否對應於至少兩個不同講話者的話音； <br/>基於確定所述音頻流對應於至少兩個不同講話者的話音，在第二功率模式下分析所述音頻流的音頻特徵資料以生成分段結果，所述分段結果指示所述音頻流的講話者同源音頻分段； <br/>執行所述多個用戶話音輪廓與第一講話者同源音頻分段的第一多個音頻特徵資料集中的第一音頻特徵資料集的比較以確定所述第一音頻特徵資料集是否與所述多個用戶話音輪廓中的任一者匹配；以及 <br/>基於確定所述第一音頻特徵資料集不與所述多個用戶話音輪廓中的任一者匹配來進行以下操作： <br/>基於所述第一多個音頻特徵資料集來生成第一用戶話音輪廓；以及 <br/>向所述多個用戶話音輪廓添加所述第一用戶話音輪廓。
如請求項1所述的設備，其中所述第一音頻特徵資料集包括第一音頻特徵向量。
如請求項1所述的設備，其中所述一個或多個處理器被配置成通過對所述音頻特徵資料應用講話者分段神經網路來分析所述音頻特徵資料。
如請求項1所述的設備，其中所述一個或多個處理器被配置成：基於確定所述分段結果指示所述第一音頻特徵資料集對應於第一講話者的話音並且所述第一音頻特徵資料集不與所述多個用戶話音輪廓中的任一者匹配來進行以下操作： <br/>將所述第一音頻特徵資料集儲存在與所述第一講話者相關聯的第一登記緩衝器中；以及 <br/>將與所述第一講話者的話音相對應的後續音頻特徵資料集儲存在所述第一登記緩衝器中，直到停止條件得到滿足，其中所述第一講話者同源音頻分段的所述第一多個音頻特徵資料集包括所述第一音頻特徵資料集和所述後續音頻特徵資料集。
如請求項4所述的設備，其中所述一個或多個處理器被配置成：響應於確定在所述音頻流中檢測到長於閾值的靜默而確定所述停止條件得到滿足。
如請求項4所述的設備，其中所述一個或多個處理器被配置成：至少部分地基於確定特定音頻特徵資料集對應於單個講話者的話音來將所述特定音頻特徵資料集添加到所述第一登記緩衝器，其中所述單個講話者包括所述第一講話者。
如請求項1所述的設備，其中所述一個或多個處理器被配置成：基於確定儲存在第一登記緩衝器中的所述第一講話者同源音頻分段的所述第一多個音頻特徵資料集的計數大於登記閾值，根據所述第一多個音頻特徵資料集來生成所述第一用戶話音輪廓。
如請求項1所述的設備，其中所述一個或多個處理器被配置成：基於確定所述第一音頻特徵資料集與特定用戶話音輪廓匹配，根據所述第一音頻特徵資料集來更新所述特定用戶話音輪廓。
如請求項8所述的設備，其中所述一個或多個處理器被配置成：至少部分地基於確定所述第一音頻特徵資料集對應於單個講話者的話音，根據所述第一音頻特徵資料集來更新所述特定用戶話音輪廓。
如請求項1所述的設備，其中所述一個或多個處理器被配置成：確定第二講話者同源音頻分段的第二多個音頻特徵資料集中的第二音頻特徵資料集是否與所述多個用戶話音輪廓中的任一者匹配。
如請求項10所述的設備，其中所述一個或多個處理器被配置成：基於確定所述第二音頻特徵資料集不與所述多個用戶話音輪廓中的任一者匹配來進行以下操作： <br/>基於所述第二多個音頻特徵資料集來生成第二用戶話音輪廓；以及 <br/>向所述多個用戶話音輪廓添加所述第二用戶話音輪廓。
如請求項10所述的設備，其中所述一個或多個處理器被配置成：基於確定所述第二音頻特徵資料集與所述多個用戶話音輪廓中的特定用戶話音輪廓匹配，根據所述第二音頻特徵資料集來更新所述特定用戶話音輪廓。
如請求項1所述的設備，其中所述記憶體被配置成儲存輪廓更新資料，並且其中所述一個或多個處理器被配置成： <br/>響應於生成所述第一用戶話音輪廓，更新所述輪廓更新資料以指示所述第一用戶話音輪廓被更新；以及 <br/>基於確定所述輪廓更新資料指示所述多個用戶話音輪廓中的第一計數個用戶話音輪廓已被更新，輸出所述第一計數作為在所述音頻流中檢測到的講話者的計數。
如請求項1所述的設備，其中所述記憶體被配置成儲存用戶互動資料，並且其中所述一個或多個處理器被配置成： <br/>響應於生成所述第一用戶話音輪廓，基於所述第一講話者同源音頻分段的話音歷時來更新所述用戶互動資料以指示與所述第一用戶話音輪廓相關聯的第一用戶在所述話音歷時內進行了互動；以及 <br/>至少輸出所述用戶互動資料。
如請求項1所述的設備，其中相較於所述第二功率模式而言所述第一功率模式是較低功率模式。
如請求項1所述的設備，其中所述一個或多個處理器被配置成： <br/>在所述第一功率模式下確定所述音頻流的音頻資訊，所述音頻資訊包括在所述音頻流中檢測到的講話者的計數、語音活動檢測（VAD）資訊、或這兩者； <br/>在所述第二功率模式下啟動一個或多個音頻分析應用；以及 <br/>向一個或多個音頻分析應用提供所述音頻資訊。
如請求項1所述的設備，其中所述一個或多個處理器被配置成：響應於確定所述分段結果指示所述音頻流的一個或多個第二音頻分段對應於多個講話者，抑制基於所述一個或多個第二音頻分段來更新所述多個用戶話音輪廓。
一種音頻分析方法，包括： <br/>在一設備處在第一功率模式下確定音頻流是否對應於至少兩個不同講話者的話音； <br/>基於確定所述音頻流對應於至少兩個不同講話者的話音，在第二功率模式下分析所述音頻流的音頻特徵資料以生成分段結果，所述分段結果指示所述音頻流的講話者同源音頻分段； <br/>在所述設備處執行多個用戶話音輪廓與第一講話者同源音頻分段的第一多個音頻特徵資料集中的第一音頻特徵資料集的比較以確定所述第一音頻特徵資料集是否與所述多個用戶話音輪廓中的任一者匹配；以及 <br/>基於確定所述第一音頻特徵資料集不與所述多個用戶話音輪廓中的任一者匹配： <br/>在所述設備處基於所述第一多個音頻特徵資料集來生成第一用戶話音輪廓；以及 <br/>在所述設備處向所述多個用戶話音輪廓添加所述第一用戶話音輪廓。
如請求項18所述的方法，進一步包括：對所述音頻特徵資料應用講話者分段神經網路。
如請求項18所述的方法，進一步包括：基於確定所述分段結果指示所述第一音頻特徵資料集對應於第一講話者的話音並且所述第一音頻特徵資料集不與所述多個用戶話音輪廓中的任一者匹配來進行以下操作： <br/>將所述第一音頻特徵資料集儲存在與所述第一講話者相關聯的第一登記緩衝器中；以及 <br/>將與所述第一講話者的話音相對應的後續音頻特徵資料集儲存在所述第一登記緩衝器中，直到停止條件得到滿足，其中所述第一講話者同源音頻分段的所述第一多個音頻特徵資料集包括所述第一音頻特徵資料集和所述後續音頻特徵資料集。
如請求項20所述的方法，進一步包括：在所述設備處響應於在所述音頻流中檢測到長於閾值的靜默而確定所述停止條件得到滿足。
如請求項20所述的方法，進一步包括：在所述設備處至少部分地基於確定特定音頻特徵資料集對應於單個講話者的話音來將所述特定音頻特徵資料集添加到所述第一登記緩衝器，其中所述單個講話者包括所述第一講話者。
如請求項18所述的方法，進一步包括：基於確定儲存在第一登記緩衝器中的所述第一講話者同源音頻分段的所述第一多個音頻特徵資料集的計數大於登記閾值，根據所述第一多個音頻特徵資料集來生成所述第一用戶話音輪廓。
如請求項18所述的方法，進一步包括：基於確定所述第一音頻特徵資料集與特定用戶話音輪廓匹配，根據所述第一音頻特徵資料集來更新所述特定用戶話音輪廓。
如請求項24所述的方法，進一步包括：至少部分地基於確定所述第一音頻特徵資料集對應於單個講話者的話音，根據所述第一音頻特徵資料集來更新所述特定用戶話音輪廓。
如請求項18所述的方法，進一步包括：基於確定第二講話者同源音頻分段的第二多個音頻特徵資料集中的第二音頻特徵資料集與所述多個用戶話音輪廓中的特定用戶話音輪廓匹配，根據所述第二音頻特徵資料集來更新所述特定用戶話音輪廓。
一種儲存指令的非瞬態計算機可讀儲存媒體，所述指令在由一個或多個處理器執行時使所述處理器進行以下操作： <br/>在第一功率模式下確定音頻流是否對應於至少兩個不同講話者的話音； <br/>基於確定所述音頻流對應於至少兩個不同講話者的話音，在第二功率模式下分析所述音頻流的音頻特徵資料以生成分段結果，所述分段結果指示所述音頻流的講話者同源音頻分段； <br/>執行多個用戶話音輪廓與第一講話者同源音頻分段的第一多個音頻特徵資料集中的第一音頻特徵資料集的比較以確定所述第一音頻特徵資料集是否與所述多個用戶話音輪廓中的任一者匹配；以及 <br/>基於確定所述第一音頻特徵資料集不與所述多個用戶話音輪廓中的任一者匹配： <br/>基於所述第一多個音頻特徵資料集來生成第一用戶話音輪廓；以及 <br/>向所述多個用戶話音輪廓添加所述第一用戶話音輪廓。
如請求項27所述的非瞬態計算機可讀儲存媒體，其中所述指令在由所述一個或多個處理器執行時使所述處理器：基於確定儲存在第一登記緩衝器中的所述第一講話者同源音頻分段的所述第一多個音頻特徵資料集的計數大於登記閾值，根據所述第一多個音頻特徵資料集來生成所述第一用戶話音輪廓。
一種裝備，包括： <br/>用於儲存多個用戶的多個用戶話音輪廓的構件； <br/>用於在第一功率模式下確定音頻流是否對應於至少兩個不同講話者的話音的構件； <br/>用於在第二功率模式下分析所述音頻流的音頻特徵資料以生成分段結果的構件，所述音頻特徵資料是基於確定所述音頻流對應於至少兩個不同講話者的話音在所述第二功率模式下分析的，其中所述分段結果指示所述音頻流的講話者同源音頻分段； <br/>用於執行所述多個用戶話音輪廓與第一講話者同源音頻分段的第一多個音頻特徵資料集中的第一音頻特徵資料集的比較以確定所述第一音頻特徵資料集是否與所述多個用戶話音輪廓中的任一者匹配的構件； <br/>用於基於所述第一多個音頻特徵資料集來生成第一用戶話音輪廓的構件，所述第一用戶話音輪廓是基於確定所述第一音頻特徵資料集不與所述多個用戶話音輪廓中的任一者匹配來生成的；以及 <br/>用於向所述多個用戶話音輪廓添加所述第一用戶話音輪廓的構件。
如請求項29所述的裝備，其中用於儲存的構件、用於確定的構件、用於分析的構件、用於執行的構件、用於生成的構件和用於添加的構件被檢測到以下各項中的至少一者中：行動通訊設備、智慧型電話、蜂窩電話、智慧型揚聲器、音箱、膝上型計算機、計算機、平板設備、個人數位助理、顯示設備、電視、遊戲控制台、音樂播放器、收音機、數位視頻播放器、數位視頻光碟（DVD）播放器、調諧器、相機、導航設備、交通工具、頭戴式設備、擴增實境頭戴式設備、虛擬實境頭戴式設備、空中交通工具、家用自動化系統、語音啟動式設備、無線揚聲器和語音啟動式設備、便攜式電子設備、汽車、計算設備、通訊設備、物聯網（IoT）設備、虛擬實境（VR）設備、基站、行動設備、或其任何組合。
一種基板處理裝置，具備： <br/>基板固持部，以可旋轉方式固持著基板； <br/>流體供給部，供給含有受加壓之純水的蒸氣或霧滴之流體； <br/>處理液供給部，供給至少含有硫酸之處理液；以及 <br/>噴嘴，連接至該流體供給部及該處理液供給部，將該流體與該處理液混合而噴吐至該基板； <br/>且該噴嘴具備： <br/>第一噴吐口，噴吐由該流體供給部供給之該流體； <br/>第二噴吐口，噴吐由該處理液供給部供給之該處理液；以及 <br/>導出通道，連通至該第一噴吐口及該第二噴吐口，並導出由該第一噴吐口噴吐之該流體與由該第二噴吐口噴吐之該處理液之混合流體； <br/>且該導出通道的剖面積大於該第一噴吐口的剖面積。
如請求項1之基板處理裝置，其中， <br/>該噴嘴，具備複數之該第一噴吐口及複數之該第二噴吐口，並具備連通至複數之該第一噴吐口及複數之該第二噴吐口的一個該導出通道。
如請求項1之基板處理裝置，其中， <br/>該噴嘴，具備複數之該第一噴吐口及複數之該第二噴吐口，並具備複數個該導出通道，各個該導出通道連通至一個該第一噴吐口及一個該第二噴吐口。
如請求項1～3中任一項之基板處理裝置，其中， <br/>該導出通道，在下端具備複數之噴射口， <br/>該噴射口的剖面積小於該導出通道的剖面積。
如請求項1～3中任一項之基板處理裝置，其中， <br/>具備：輔助噴嘴，係與該噴嘴個別地設置，將該流體噴吐至該基板。
如請求項1～3中任一項之基板處理裝置，其中， <br/>更具備： <br/>噴嘴移動部，使該噴嘴在該基板固持部的上方之處理位置與該基板固持部的外方之待機位置之間移動；以及 <br/>清洗機構，配置在該待機位置，將該噴嘴加以清洗。
如請求項6之基板處理裝置，其中， <br/>該清洗機構具備： <br/>清洗槽，收納該噴嘴； <br/>清洗液噴吐部，將清洗液噴吐至該清洗槽的內部；以及 <br/>液滴接取構件，配置在該清洗槽的內部； <br/>該液滴接取構件，使存在於該噴嘴與該液滴接取構件之間而銜接於該噴嘴及該液滴接取構件雙方之該清洗液的液滴，從該噴嘴移動至該液滴接取構件。
如請求項7之基板處理裝置，其中， <br/>該液滴接取構件，親水性高於該噴嘴。
如請求項1～3中任一項之基板處理裝置，其中， <br/>該處理液，係硫酸與過氧化氫水溶液的混合液即SPM液。
一種對一點雲端進行編碼的方法，該方法包括以下步驟： <br/>經由一或多個處理器來決定用於擷取表示該點雲端的光偵測和測距（LIDAR）資料的鐳射的一數量；及 <br/>經由該一或多個處理器來對針對該點雲端的一當前節點的一鐳射索引進行編碼，其中對該鐳射索引進行編碼之步驟包括以下步驟： <br/>獲得該當前節點的一預測的鐳射索引值； <br/>決定針對該當前節點的一殘差鐳射索引值，其中決定該殘差鐳射索引值之步驟包括以下步驟：基於所決定的該鐳射數量來約束該殘差鐳射索引值和該預測的鐳射索引值的一總和；及 <br/>在一位元串流中對表示該殘差鐳射索引值的一或多個語法元素進行編碼。
根據請求項1之方法，其中基於所決定的該鐳射數量來約束該殘差鐳射索引值和該預測的鐳射索引值的該總和之步驟包括以下步驟： <br/>將該殘差鐳射索引值和該預測的鐳射索引值的該總和約束為：大於或等於零並且小於或等於所決定的該鐳射數量減一。
根據請求項2之方法，其中約束該殘差鐳射索引值和該預測的鐳射索引值的該總和之步驟包括以下步驟：將該殘差鐳射索引值和該預測的鐳射索引值的該總和限幅為：大於或等於零並且小於或等於所決定的該鐳射數量減一。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟： <br/>在該位元串流中對表示所決定的該鐳射數量的一語法元素進行編碼。
根據請求項1之方法，其中對該鐳射索引進行編碼之步驟包括以下步驟：回應於決定使用預測幾何譯碼的一角度譯碼模式對該當前節點進行編碼，來對該鐳射索引進行編碼。
根據請求項1之方法，其中該一或多個處理器被包括在一車輛或一頭戴式設備（HMD）中。
一種對一點雲端進行解碼的方法，該方法包括以下步驟： <br/>經由一或多個處理器來決定用於擷取表示該點雲端的光偵測和測距（LIDAR）資料的鐳射的一數量；及 <br/>經由該一或多個處理器來對針對該點雲端的一當前節點的一鐳射索引進行解碼，其中對該鐳射索引進行解碼之步驟包括以下步驟： <br/>獲得該當前節點的一預測的鐳射索引值； <br/>從一位元串流對表示針對該當前節點的一殘差鐳射索引值的一或多個語法元素進行解碼；及 <br/>重建該當前節點的作為該殘差鐳射索引值和該預測的鐳射索引值的一總和的該鐳射索引，其中該當前節點的該鐳射索引是基於所決定的該鐳射數量來約束的。
根據請求項7之方法，其中為了基於所決定的該鐳射數量進行約束，該當前節點的該鐳射索引被約束為：大於或等於零並且小於或等於所決定的該鐳射數量減一。
根據請求項8之方法，其中為了基於所決定的該鐳射數量進行約束，該當前節點的該鐳射索引被限幅為：大於或等於零並且小於或等於所決定的該鐳射數量減一。
根據請求項7之方法，亦包括以下步驟： <br/>從該位元串流對表示所決定的該鐳射數量的一語法元素進行解碼。
根據請求項7之方法，其中對該鐳射索引進行解碼之步驟包括以下步驟：回應於決定該當前節點是使用預測幾何譯碼的一角度譯碼模式進行編碼的，來對該鐳射索引進行解碼。
一種用於對一點雲端進行編碼的設備，該設備包括： <br/>一記憶體，其被配置為儲存該點雲端的至少一部分；及 <br/>一或多個處理器，其是在電路系統中實現的並且被配置為： <br/>決定用於擷取表示該點雲端的光偵測和測距（LIDAR）資料的鐳射的一數量；及 <br/>對針對該點雲端的一當前節點的一鐳射索引進行編碼，其中為了對該鐳射索引進行編碼，該一或多個處理器被配置為： <br/>獲得該當前節點的一預測的鐳射索引值； <br/>決定針對該當前節點的一殘差鐳射索引值，其中為了決定該殘差鐳射索引值，該一或多個處理器被配置為：基於所決定的該鐳射數量來約束該殘差鐳射索引值和該預測的鐳射索引值的一總和；及 <br/>在一位元串流中對表示該殘差鐳射索引值的一或多個語法元素進行編碼。
根據請求項12之設備，其中為了基於所決定的該鐳射數量來約束該殘差鐳射索引值和該預測的鐳射索引值的該總和，該一或多個處理器被配置為： <br/>基於所決定的該鐳射數量來將該殘差鐳射索引值和該預測的鐳射索引值的該總和約束為：大於或等於零並且小於或等於所決定的該鐳射數量減一。
根據請求項13之設備，其中為了約束該殘差鐳射索引值和該預測的鐳射索引值的該總和，該一或多個處理器被配置為： <br/>基於所決定的該鐳射數量來將該殘差鐳射索引值和該預測的鐳射索引值的該總和限幅為：大於或等於零並且小於或等於所決定的該鐳射數量減一。
根據請求項12之設備，其中該一或多個處理器亦被配置為： <br/>在該位元串流中對表示所決定的該鐳射數量的一語法元素進行編碼。
根據請求項12之設備，其中為了對該鐳射索引進行編碼，該一或多個處理器被配置為：回應於決定使用預測幾何譯碼的一角度譯碼模式對該當前節點進行編碼，來對該鐳射索引進行編碼。
根據請求項12之設備，其中該設備是一車輛或一頭戴式設備（HMD）。
一種用於對一點雲端進行解碼的設備，該設備包括： <br/>一記憶體，其被配置為儲存該點雲端的至少一部分；及 <br/>一或多個處理器，其是在電路系統中實現的並且被配置為： <br/>決定用於擷取表示該點雲端的光偵測和測距（LIDAR）資料的鐳射的一數量；及 <br/>對針對該點雲端的一當前節點的一鐳射索引進行解碼，其中為了對該鐳射索引進行解碼，該一或多個處理器被配置為： <br/>獲得該當前節點的一預測的鐳射索引值； <br/>從一位元串流對表示針對該當前節點的一殘差鐳射索引值的一或多個語法元素進行解碼；及 <br/>重建該當前節點的作為該殘差鐳射索引值和該預測的鐳射索引值的一總和的該鐳射索引，其中該當前節點的該鐳射索引是基於所決定的該鐳射數量來約束的。
根據請求項18之設備，其中為了基於所決定的該鐳射數量進行約束，該當前節點的該鐳射索引被約束為：大於或等於零並且小於或等於所決定的該鐳射數量減一。
根據請求項19之設備，其中為了基於所決定的該鐳射數量進行約束，該當前節點的該鐳射索引被限幅為：大於或等於零並且小於或等於所決定的該鐳射數量減一。
根據請求項18之設備，其中該一或多個處理器亦被配置為： <br/>從該位元串流對表示所決定的該鐳射數量的一語法元素進行解碼。
根據請求項18之設備，其中為了對該鐳射索引進行解碼，該一或多個處理器被配置為：回應於決定該當前節點是使用預測幾何譯碼的一角度譯碼模式進行編碼的，來對該鐳射索引進行解碼。
一種偏光板，係積層有保護膜與偏光片而成者， <br/>前述保護膜的穿刺彈性模數為200g/mm以上550g/mm以下；厚度為25μm以下；且於溫度40℃、相對濕度92%RH時之透濕度為300g/(m<sup>2</sup>．24小時)以下， <br/>前述偏光片含有聚乙烯醇系樹脂及硼，硼含量為4.5質量%以下， <br/>該偏光板係使用在可撓性顯示裝置。
如請求項1所述之偏光板，其中前述偏光片的硼含量為3.0質量%以上。
如請求項1或2所述之偏光板，其中前述偏光片的厚度為12μm以下。
如請求項1或2所述之偏光板，其中前述保護膜係由(甲基)丙烯酸系樹脂所構成。
如請求項1或2所述之偏光板，其更具有：配置在前述偏光片之與前述保護膜側為相反側之相位差體。
如請求項5所述之偏光板，其中前述相位差體係具有由聚合性液晶化合物硬化而成之層。
如請求項1或2所述之偏光板，其中前述偏光板的厚度為40μm以下。
一種顯示裝置，係具備如請求項1至7中任一項所述之偏光板。
一種可撓性顯示裝置，係具備如請求項1至7中任一項所述之偏光板。
一種用於沉積材料之方法，包括： <br/>將具備一階梯式結構的一基板定位於一反應室中，該階梯式結構包括一頂表面、一底表面及一側壁； <br/>控制該反應室的一壓力至一製程壓力； <br/>提供包括一鹵化矽烷的一前驅物； <br/>提供一反應物；以及 <br/>利用一射頻電漿功率提供一電漿， <br/>其中藉由在將該製程壓力控制為小於或等於200帕及將該射頻電漿功率的密度控制為該基板的一表面的每平方公分大於或等於0.21瓦時，同時提供該前驅物、該反應物及該電漿，該材料係被沉積於該階梯式結構的該頂表面、該底表面及該側壁上， <br/>其中在沉積製程期間，提供該前驅物之步驟、提供該反應物之步驟、以及利用該射頻電漿功率提供該電漿之步驟是連續的。
如請求項1之方法，其中該射頻電漿功率之一射頻頻率係落在13.55百萬赫至27.13百萬赫之範圍中。
如請求項1之方法，其中該方法包括在該階梯式結構之該頂表面、該底表面及該側壁上沉積氮化矽（SiN）。
如請求項1之方法，其中該鹵化矽烷為二氯矽烷、三氯矽烷、或六氯二矽烷。
如請求項1之方法，其中該反應物包括一氮反應物。
如請求項5之方法，其中該氮反應物包括NH <sub>3</sub>。
如請求項1之方法，其中將該基板定位於該反應室中係包括將該基板定位在兩個電極之間並平行於該兩個電極，且該電漿係藉由將該射頻電漿功率施加至該兩個電極之至少一者而提供。
如請求項1之方法，其中沉積於該側壁上之該材料的濕式蝕刻速率除以沉積於頂部上之該材料的濕式蝕刻速率係大於2.5。
如請求項1之方法，更包括提供一蝕刻劑以蝕刻該沉積材料的一側壁部分，進而移除該側壁部分。
如請求項9之方法，其中提供該蝕刻劑包括提供一氟化氫（HF）溶液。
如請求項9之方法，其中提供該蝕刻劑包括提供一磷酸溶液。
如請求項1之方法，其中該反應物包括NH <sub>3</sub>並與氮氣和氬氣一起提供至該反應室。
如請求項1之方法，其中沉積於該側壁上之該材料的濕式蝕刻速率除以沉積於頂部上之該材料的濕式蝕刻速率係大於3.5。
一種聚合物組合物，其包含： <br/>(i)約1-10% (w/v)之丙烯醯化明膠； <br/>(ii)約0.5-2% (w/v)之至少一種化學改性聚(乙二醇) (PEG)； <br/>(iii)至少一種聚合物交聯引發劑；及 <br/>(iv)約0.5-10% (w/v)之至少一種化學改性透明質酸 (HA)。
如請求項1之聚合物組合物，其中該至少一種化學改性PEG包含約1-2% (w/v)之聚乙二醇二丙烯酸酯(PEGDA)。
如請求項1之聚合物組合物，其中該化學改性透明質酸(HA)包含至少一種經丙烯醯基取代之HA。
如請求項3之聚合物組合物，其中該至少一種經丙烯醯基取代之HA包含：甲基丙烯酸酯化透明質酸(MeHA)、甲基丙烯酸酐-透明質酸(HAMA)、或甲基丙烯酸縮水甘油酯-透明質酸(HAGM)。
如請求項1之聚合物組合物，其中該聚合物組合物另包含至少一種交聯劑。
如請求項5之聚合物組合物，其中該至少一種交聯劑包含：戊二醛、環氧化物、氧化聚葡萄糖、對疊氮基苯甲醯肼、N-(a-順丁烯二醯亞胺乙醯氧基)琥珀醯亞胺酯、對疊氮苯基乙二醛一水合物、雙((4-疊氮基柳基醯胺基)乙基)二硫化物、雙(磺基琥珀醯亞胺基)辛二酸酯、二硫雙(丙酸琥珀醯亞胺酯)、辛二酸二琥珀醯亞胺酯、1-乙基-3-(3-二甲胺基丙基)碳二亞胺鹽酸鹽(EDC)、乙氧基化三甲基丙烷三丙烯酸酯、N-羥基琥珀醯亞胺(NHS)、聚氧化乙烯二甲基丙烯酸酯、亞甲基雙丙烯醯胺、亞甲基雙(2-甲基丙烯醯胺)、亞甲基二丙烯酸酯、亞甲基雙(2-甲基丙烯酸酯)、二乙二醇二丙烯酸酯、六亞甲基二丙烯酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、氧基雙(亞甲基)雙(2-甲基丙烯酸酯)、氧基雙(乙烷-2,l-二基)雙(2-甲基丙烯酸酯)、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、新戊四醇三丙烯酸酯、參(2-羥乙基)異氰尿酸三丙烯酸酯、異氰尿酸參(2-丙烯醯氧基乙基)酯、乙氧基化三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、三丙烯酸新戊四醇酯及甘油三丙烯酸酯、氧膦基參(氧乙烯)三丙烯酸酯、其衍生物或其組合。
如請求項1之聚合物組合物，其中該至少一種聚合物交聯引發劑包含黃色曙紅(eosin Y)、N-乙烯基吡咯啶酮、三乙醇胺或其任何組合。
如請求項1之聚合物組合物，其中該聚合物組合物另包含至少一種治療劑。
如請求項1至8中任一項之聚合物組合物，其中該聚合物組合物具有約1%至約50%之間的溶脹比。
一種前驅體聚合物組合物，其包含如請求項1至9中任一項之聚合物組合物。
如請求項10之前驅體聚合物組合物，其包含約1-5% (w/v)之間的丙烯醯化明膠。
如請求項10之前驅體聚合物組合物，其包含丙烯醯基取代度(DOA)為約30-50%的丙烯醯化明膠。
如請求項11或12之前驅體聚合物組合物，其中該丙烯醯化明膠係甲基丙烯醯化明膠(GelMA)。
一種凝膠聚合物組合物，其中該凝膠聚合物組合物係藉由使如請求項10之前驅體聚合物組合物光交聯而形成。
如請求項14之凝膠聚合物組合物，其中該凝膠聚合物組合物為水凝膠。
一種如請求項10之前驅體聚合物組合物之用途，其用於製備供治療個體之目標軟組織之缺損、損傷及/或疾病所用的組合物，其中該治療包含： <br/>將該前驅體聚合物組合物投與至該個體之該目標軟組織之表面上或附近；及 <br/>藉由使該前驅體聚合物組合物中之至少一種聚合物交聯引發劑暴露於交聯條件而使該前驅體聚合物組合物交聯，其中該前驅體聚合物組合物之交聯產生凝膠聚合物組合物。
一種如請求項16之用途，其中該前驅體聚合物組合物係投與在軟組織缺損、損傷及/或疾病之位置處。
如請求項16之用途，其中該凝膠聚合物組合物經工程改造以使治療劑、細胞、或細胞前驅體分佈至該目標軟組織。
如請求項16之用途，其中該目標軟組織為眼部組織。
一種如請求項14之凝膠聚合物組合物之用途，其用於製備供治療個體之目標軟組織之缺損、損傷及/或疾病所用的組合物，該治療包含： <br/>將該凝膠聚合物組合物投與至該個體之該目標軟組織之表面上或附近。
如請求項20之用途，其中該凝膠聚合物組合物係投與在軟組織缺損、損傷及/或疾病之位置處。
如請求項20之用途，其中該凝膠聚合物組合物經工程改造以使治療劑、細胞、或細胞前驅體分佈至該目標軟組織。
如請求項20之用途，其中該目標軟組織為眼部組織。
如請求項21之用途，其中該目標軟組織之該缺損、損傷及/或疾病包含眼部缺損、損傷及/或疾病。
一種硬塗覆膜，其為具備基材膜與在前述基材膜的至少一方的面側設置的硬塗覆層之硬塗覆膜，其特徵在於，<br/>前述硬塗覆層含有抗病毒劑，<br/>前述抗病毒劑為粒子狀，<br/>霧度值為3.0%以上、30%以下。
如請求項1之硬塗覆膜，其中前述抗病毒劑為鉬系化合物。
如請求項1之硬塗覆膜，其中前述硬塗覆層中的前述抗病毒劑的含量為0.01質量%以上、30質量%以下。
如請求項1之硬塗覆膜，其中前述硬塗覆層含有前述抗病毒劑以外的填料。
如請求項1之硬塗覆膜，其中全光線透過率為80%以上。
如請求項1之硬塗覆膜，其中0.125mm、0.25mm、0.5mm、1.0mm及2.0mm的光學梳(optical comb)的圖像鮮明度的合計值為200以上、480以下。
如請求項1之硬塗覆膜，其中前述硬塗覆層側的表面的鉛筆硬度為F以上。
如請求項1之硬塗覆膜，其中前述硬塗覆層的厚度為0.5μm以上、20μm以下。
如請求項1~8中任一項之硬塗覆膜，其為光學用。
一種檢查裝置，對於以包含透光性的透明部且收納晶圓的方式構成的收納容器進行檢查，其特徵為包含： <br/>平面型照明，其配置成對該收納容器的包含該透明部的至少一部分在內的被檢查部照射光線；以及 <br/>相機，其配置成將該收納容器的該被檢查部夾在中間而與該平面型照明互相對向，並以拍攝該被檢查部進而檢測該收納容器的該被檢查部的異物及／或缺陷的方式構成； <br/>該收納容器，包含收納容器本體； <br/>該收納容器本體，包含：底面、與該底面對向的開口部，以及該底面與該開口部之間的側面； <br/>該平面型照明，配置成對作為該被檢查部的該底面的外側以及該側面的外側的至少一部分照射光線； <br/>該相機，配置成從該收納容器本體的該開口部，拍攝該收納容器本體的內側。
如請求項1之檢查裝置，其中， <br/>該收納容器本體，係由該透明部、半透明部以及著色部所構成。
如請求項1之檢查裝置，其中， <br/>該相機配置成從下方拍攝該收納容器本體的該內側。
如請求項1之檢查裝置，其中， <br/>該收納容器，包含用以封裝該收納容器的蓋部； <br/>該蓋部，包含作為該收納容器的外側面的蓋表面，以及該蓋表面的背面側的蓋背面； <br/>該平面型照明，配置成對作為該被檢查部的該蓋部的該蓋表面或該蓋背面進行照明。
如請求項1之檢查裝置，其中， <br/>更包含以固持該收納容器的方式構成的支架； <br/>該支架包含以相對於該平面型照明以及該相機令該收納容器旋轉的方式構成的旋轉機構。
如請求項1之檢查裝置，其中， <br/>該相機，以偵測穿透該收納容器的該透明部的穿透光、來自該收納容器的一部分的反射光，或該穿透光以及該反射光二者的方式構成。
如請求項1至6項中任一項之檢查裝置，其中， <br/>更包含長條型照明，其配置成將該收納容器的該被檢查部夾在中間而與該平面型照明互相對向。
一種檢查方法，其檢測以包含透光性的透明部且收納晶圓的方式構成的收納容器的異物及／或缺陷，其特徵為包含以下步驟： <br/>準備包含平面型照明與相機的檢查裝置； <br/>將該平面型照明配置成對該收納容器的包含該透明部的至少一部分在內的被檢查部照射光線，且將該相機配置成將該收納容器的該被檢查部夾在中間而與該平面型照明互相對向； <br/>從該平面型照明對該收納容器的該被檢查部照射光線；以及 <br/>利用該相機拍攝該被檢查部，以檢測該收納容器的該被檢查部的異物及／或缺陷； <br/>關於該收納容器，係以包含收納容器本體在內者為檢查對象，該收納容器本體包含底面、與該底面對向的開口部，以及該底面與該開口部之間的側面； <br/>從該平面型照明，對作為該被檢查部的該底面的外側以及該側面的外側的至少一部分照射光線； <br/>從該開口部用該相機拍攝該收納容器本體的內部，以檢查該收納容器本體。
如請求項8之檢查方法，其中， <br/>關於該收納容器本體，係以由該透明部、半透明部以及著色部所構成者為檢查對象。
如請求項8之檢查方法，其中， <br/>將該收納容器本體配置成該開口部朝向下方，並利用該相機從下方進行拍攝。
如請求項8之檢查方法，其中， <br/>關於該收納容器，係以包含蓋部在內者為檢查對象，該蓋部用以封裝該收納容器，且包含作為該收納容器的外側面的蓋表面，以及該蓋表面的背面側的蓋背面； <br/>從該平面型照明對該蓋部的該蓋表面或該蓋背面的其中一方照射光線，接著，將該蓋部翻面，對該蓋表面或該蓋背面的另一方照射光線，並用該相機分別拍攝該蓋部的該蓋表面以及該蓋背面，以檢查該蓋部。
如請求項8之檢查方法，其中， <br/>關於該檢查裝置，係使用更包含支架者，該支架以固持該收納容器的方式構成，且包含以相對於該平面型照明以及該相機令該收納容器旋轉的方式構成的旋轉機構； <br/>利用該支架的該旋轉機構令該收納容器旋轉，以用1個該平面型照明以及1個該相機，對該收納容器進行檢查。
如請求項8之檢查方法，其中， <br/>利用該相機，偵測穿透該收納容器的該透明部的穿透光、來自該收納容器的一部分的反射光，或該穿透光以及該反射光二者，並拍攝該被檢查部，以檢查該收納容器的該被檢查部。
如請求項8之檢查方法，其中， <br/>用該相機，檢測該收納容器內的異物、裂縫、缺口及／或零件的缺陷，並對該收納容器的該被檢查部進行檢查。
如請求項8至14項中任一項之檢查方法，其中， <br/>將長條型照明，配置成將該收納容器的該被檢查部夾在中間而與該平面型照明互相對向； <br/>除了該平面型照明之外，更從該長條型照明對該收納容器的該被檢查部照射光線。
一種防護薄膜黏合劑，其為以丙烯酸聚合物作為基材的黏合劑，所述丙烯酸聚合物包含以下材料作為單體組分：(A)(甲基)丙烯酸烷基酯，具有C<sub>4</sub>或小於C<sub>4</sub>的烷基；以及(B)(甲基)丙烯酸酯，具有醚鍵，在全部的所述單體組分中，所述(B)(甲基)丙烯酸酯的比率為40質量%至79質量%。
如請求項1所述的防護薄膜黏合劑，更包含(C)不飽和單體作為單體組分，所述(C)不飽和單體具有羧基或羥基。
如請求項1所述的防護薄膜黏合劑，其中在全部的所述單體組分中，所述(A)(甲基)丙烯酸烷基酯的比率為20質量%至59質量%。
如請求項2所述的防護薄膜黏合劑，其中在全部的所述單體組分中，所述(C)不飽和單體的比率為1質量%至15質量%。
如請求項1所述的防護薄膜黏合劑，其中具有C<sub>4</sub>或小於C<sub>4</sub>的烷基的所述(A)(甲基)丙烯酸烷基酯是具有C<sub>4</sub>烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯。
如請求項1所述的防護薄膜黏合劑，其中具有醚鍵的所述(B)(甲基)丙烯酸酯是具有環氧乙烷基的(甲基)丙烯酸酯。
一種防護薄膜黏合劑，包含丙烯酸聚合物作為基材，所述丙烯酸聚合物包含以下材料作為單體組分：具有C<sub>4</sub>烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯；具有環氧乙烷基的(甲基)丙烯酸酯；以及(C)具有羧基或羥基的不飽和單體，在全部的所述單體組分中，所述具有環氧乙烷基的(甲基)丙烯酸酯的比率為40質量%至79質量%。
如請求項1或請求項7所述的防護薄膜黏合劑，其中所述防護薄膜黏合劑用於製造ArF防護薄膜。
一種具有黏合劑層的防護薄膜框架，包括：防護薄膜框架；以及黏合劑層，設置於所述防護薄膜框架的一個端面上且自如請求項1或請求項7所述的防護薄膜黏合劑獲得。
一種防護薄膜，包括：防護薄膜膜片；防護薄膜框架，在其一個端面上設置有所述防護薄膜膜片；以及黏合劑層，設置於所述防護薄膜框架的另一端面上且自如請求項1或請求項7所述的防護薄膜黏合劑獲得。
一種帶防護薄膜的曝光原板，包括：曝光原板；以及如請求項10所述的防護薄膜，安裝於所述曝光原板上。
一種曝光方法，包括使用如請求項11所述的帶防護薄膜的曝光原板進行曝光。
如請求項12所述的曝光方法，其中曝光光源是ArF。
一種半導體的製造方法，包括使用如請求項11所述的帶防護薄膜的曝光原板進行曝光的步驟。
如請求項14所述的半導體的製造方法，其中曝光光源是ArF。
一種液晶顯示板的製造方法，包括使用如請求項11所述的帶防護薄膜的曝光原板進行曝光的步驟。
如請求項16所述的液晶顯示板的製造方法，其中曝光光源是ArF。
一種分離的抗HER3抗體，其中該抗HER3抗體包含重鏈可變區和輕鏈可變區，其中，a.該重鏈可變區包含分別如SEQ ID NO：9，SEQ ID NO：10和SEQ ID NO：11所示的HCDR1，HCDR2和HCDR3；該輕鏈可變區包含分別如SEQ ID NO：12，SEQ ID NO：13和SEQ ID NO：14所示的LCDR1，LCDR2和LCDR3；如上所述的CDR區按Chothia編號規則確定；或b.該重鏈可變區包含分別如SEQ ID NO：15，SEQ ID NO：16和SEQ ID NO：17所示的HCDR1，HCDR2和HCDR3；該輕鏈可變區包含分別如SEQ ID NO：18，SEQ ID NO：19和SEQ ID NO：20所示的LCDR1，LCDR2和LCDR3；如上所述的CDR區按IMGT編號規則確定；或c.該重鏈可變區包含分別如SEQ ID NO：21，SEQ ID NO：22和SEQ ID NO：23所示的HCDR1，HCDR2和HCDR3；該輕鏈可變區包含分別如SEQ ID NO：24，SEQ ID NO：25和SEQ ID NO：26所示的LCDR1，LCDR2和LCDR3；如上所述的CDR區按Kabat編號規則確定。
如請求項1所述的分離的抗HER3抗體，其中該抗HER3抗體是人抗體或抗原結合片段。
如請求項1所述的分離的抗HER3抗體，其包含重鏈可變區和輕鏈可變區，其中，該重鏈可變區的胺基酸序列與SEQ ID NO：7具有至少90%的序列同一性，和該輕鏈可變區的胺基酸序列與SEQ ID NO：8具有至少90%的序列同一性。
如請求項1所述的分離的抗HER3抗體，其包含重鏈可變區和輕鏈可變區，其中，該重鏈可變區的胺基酸序列如SEQ ID NO：7所示；和該輕鏈可變區的胺基酸序列如SEQ ID NO：8所示。
如請求項1所述的分離的抗HER3抗體，其包含：與SEQ ID NO：27具有至少85%序列同一性的重鏈，和與SEQ ID NO：28具有至少85%序列同一性的輕鏈。
如請求項1所述的分離的抗HER3抗體，其包含：如SEQ ID NO：27所示的重鏈和如SEQ ID NO：28所示的輕鏈。
如請求項1所述的分離的抗HER3抗體，其中該抗HER3抗體具有以下特徵中的一種或多種：a．該抗HER3抗體以小於0.5nM的表觀親和力EC<sub>50</sub>與HER3蛋白結合，該表觀親和力EC<sub>50</sub>是藉由ELISA方法測定的；b．該抗HER3抗體以小於0.2nM的表觀親和力EC<sub>50</sub>與MCF7細胞表達的HER3蛋白結合，該表觀親和力EC<sub>50</sub>是藉由FACS方法測定的；c．該抗HER3抗體能被表達人HER3的細胞內吞；當採用DT3C抗體內吞實驗測定該抗HER3抗體時，其IC<sub>50</sub>小於2nM；d．該抗HER3抗體能被表達人HER3的細胞內吞；當採用pHrodo抗體內吞實驗測定該抗HER3抗體時，其FITC信號大於300。
一種核酸分子，其編碼如請求項1至7中任一項所述的分離的抗HER3抗體。
一種宿主細胞，其包含如請求項8所述的核酸分子。
一種免疫偶聯物，其包含：如請求項1至7中任一項所述的分離的抗HER3抗體和效應分子，其中，該效應分子偶聯至該抗HER3抗體；該效應分子選自抗腫瘤劑、免疫調節劑、生物反應修飾劑、凝集素、細胞毒性藥物、發色團、螢光團、化學發光化合物、酶、金屬離子，以及其任何組合。
一種通式(Pc-L<sub>a</sub>-Y-D)所示的抗體-藥物偶聯物或其藥學上可接受的鹽，<figure><img align="absmiddle" height="222px" width="563px" file="d10028.TIF" alt="化學式ed10028.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10028.png"/></figure>其中，Pc為如請求項1至7中任一項所述的抗HER3抗體；m為0至4的整數；n為1至10，n是小數或整數；R<sup>1</sup>選自鹵素、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、C<sub>1-6</sub>氘代烷基、C<sub>3-6</sub>環烷基、C<sub>3-6</sub>環烷基C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基C<sub>1-6</sub>烷基和雜環基；R<sup>2</sup>選自氫原子、鹵素、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、C<sub>1-6</sub>氘代烷基、C<sub>3-6</sub>環烷基、C<sub>3-6</sub>環烷基C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基C<sub>1-6</sub>烷基和雜環基；或者，R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>與其相連接的碳原子一起形成C<sub>3-6</sub>環烷基或雜環基；該雜環基包含3至6個環原子，其中1至3個是選自氮、氧和硫的雜原子；W選自C<sub>1-8</sub>烷基、C<sub>1-8</sub>烷基-C<sub>3-6</sub>環烷基和1至8個鏈原子的直鏈雜烷基，該1至8個鏈原子的直鏈雜烷基包含1至3個選自N、O和S的雜原子；L<sup>2</sup>選自-NR<sup>4</sup>(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)p<sup>1</sup>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>C(O)-、-NR<sup>4</sup>(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)p<sup>1</sup>CH<sub>2</sub>C(O)-、-S(CH<sub>2</sub>)p<sup>1</sup>C(O)-和化學鍵，其中p<sup>1</sup>為1至20的整數；L<sup>3</sup>為由2至7個胺基酸殘基構成的肽殘基；R<sup>5</sup>選自氫原子、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、C<sub>1-6</sub>氘代烷基和C<sub>1-6</sub>羥烷基；R<sup>6</sup>和R<sup>7</sup>相同或不同，且各自獨立地選自氫原子、鹵素、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、C<sub>1-6</sub>氘代烷基和C<sub>1-6</sub>羥烷基。
如請求項11所述的通式(Pc-L<sub>a</sub>-Y-D)所示的抗體-藥物偶聯物或其藥學上可接受的鹽，該抗體-藥物偶聯物為：<figure><img align="absmiddle" height="184px" width="600px" file="d10029.TIF" alt="化學式ed10029.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10029.png"/></figure>其中，n為1至8，n是小數或整數；HER3-29為抗HER3抗體，其包含如SEQ ID NO：27所示的重鏈和如SEQ ID NO：28所示的輕鏈。
如請求項12所述的通式(Pc-L<sub>a</sub>-Y-D)所示的抗體-藥物偶聯物或其藥學上可接受的鹽，其中n為3至8，n是小數或整數。
一種醫藥組成物，其包含如請求項1至7中任一項所述的分離的抗HER3抗體，或如請求項8所述的核酸分子，或如請求項11至13中任一項所述的抗體-藥物偶聯物或其藥學上可接受的鹽；以及一種或多種藥學上可接受的賦形劑、稀釋劑或載體。
一種如請求項1至7中任一項所述的分離的抗HER3抗體、或如請求項8所述的核酸分子、或如請求項11至13中任一項所述的抗體-藥物偶聯物或其藥學上可接受的鹽、或如請求項14所述的醫藥組成物在製備用於治療HER3介導的疾病或病症的藥物中的用途。
一種如請求項1至7中任一項所述的分離的抗HER3抗體、或如請求項8所述的核酸分子、或如請求項11至13中任一項所述的抗體-藥物偶聯物或其藥學上可接受的鹽，或如請求項14所述的醫藥組成物在製備用於治療和/或預防腫瘤的藥物中的用途。
如請求項16所述的用途，其中該腫瘤選自乳腺癌、非小細胞肺癌、胃癌、卵巢癌、前列腺癌、膀胱癌、結腸直腸癌、頭頸部鱗狀細胞癌和黑色素瘤。
一種試劑盒，其包含如請求項1至7中任一項所述的分離的抗HER3抗體，或如請求項8所述的核酸分子，或如請求項11至13所述的抗體-藥物偶聯物或其藥學上可接受的鹽，或如請求項14所述的醫藥組成物。
一種布瓦西坦藥物組合物，其中該藥物組合物由藥物活性成分、基質形成劑和溶脹劑所組成，或者該藥物組合物由藥物活性成分、基質形成劑、溶脹劑和潤滑劑所組成；<br/> 該藥物活性成分選自布瓦西坦或其藥學上可接受鹽，其中該藥物組合物的重量百分比為9.09%～11.10%，該重量百分比是指該藥物活性成分的重量占該布瓦西坦藥物組合物總重量的百分比；<br/> 該基質形成劑為KSR和卡波姆，該基質形成劑的重量百分比為30.00%～50.00%，該重量百分比是指該基質形成劑的重量占該布瓦西坦藥物組合物總重量的百分比；<br/> 該溶脹劑為交聯聚乙烯吡咯烷酮和聚氧化乙烯，該溶脹劑的重量百分比為20.00%～50.00%，該重量百分比是指該溶脹劑的重量占該布瓦西坦藥物組合物總重量的百分比。
如請求項1所述的布瓦西坦藥物組合物，其中： <br/> 該潤滑劑選自滑石、硬脂酸、硬脂酸金屬鹽、硬脂酸酯、山崳酸甘油酯、月桂基硫酸鈉、氫化植物油、礦物油、泊洛沙姆、聚乙二醇和氯化鈉中的一種、兩種或更多種。
如請求項2所述的布瓦西坦藥物組合物，其中：<br/> 該硬脂酸金屬鹽選自包括硬脂酸鈣、硬脂酸鎂和硬脂酸鋅中的一種、兩種或更多種。
如請求項1所述的布瓦西坦藥物組合物，其中：<br/> 該潤滑劑的重量百分比為0.50%～2.00%，該重量百分比是指潤滑劑的重量占該布瓦西坦藥物組合物總重量的百分比。
如請求項1至4任一項所述的布瓦西坦藥物組合物，其中該藥物活性成分選自布瓦西坦。
如請求項1所述的布瓦西坦藥物組合物，其中，<br/> 該布瓦西坦藥物組合物選自以下任一配方：<br/> 配方一：9.1%布瓦西坦、40.0% KSR、20.0%交聯聚乙烯吡咯烷酮、20.8%聚氧化乙烯、9.1%卡波姆和1.0%硬脂酸鎂；該百分比是指重量百分比，該重量百分比是指單個組分的重量占藥物組合物總重量的百分比；<br/> 配方二：11.1%布瓦西坦、40.0% KSR、20.0%交聯聚乙烯吡咯烷酮、17.9%聚氧化乙烯、10.0%卡波姆和1.0%硬脂酸鎂；該百分比是指重量百分比，該重量百分比是指單個組分的重量占該布瓦西坦藥物組合物總重量的百分比。
一種布瓦西坦緩釋片，其中，該布瓦西坦緩釋片由片芯和包衣組成，該片芯包含請求項1至6任一項所述的藥物組合物。
一種如請求項1至6任一項所述的布瓦西坦藥物組合物或請求項7所述的布瓦西坦緩釋片的製備方法，其中，該製備方法為直接壓片法、乾法製粒、濕法製粒或者熔融製粒法。
一種如請求項1至6任一項所述的布瓦西坦藥物組合物或請求項7所述的布瓦西坦緩釋片在製備藥物中的應用；<br/> 該藥物用於治療：癲癇症、帕金森、偏頭痛、顫動、特發性震顫、雙向情感障礙、神經性疼痛、支氣管疾病或過敏性疾病。
一種如請求項1至6任一項所述的布瓦西坦藥物組合物或請求項7所述的布瓦西坦緩釋片在製備藥物中的應用；<br/> 該藥物用於治療哮喘。
一種具有包括p型金屬氧化物半導體（PMOS）裝置和n型金屬氧化物半導體（NMOS）裝置的金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）單元的半導體架構，所述半導體架構包括： <br/>基底； <br/>第一半導體裝置，設置於所述基底上，所述第一半導體裝置為所述n型金屬氧化物半導體裝置； <br/>第二半導體裝置，設置於所述基底上，所述第二半導體裝置為所述p型金屬氧化物半導體裝置且設置於所述第一半導體裝置下方，所述第二半導體裝置是距離所述第一半導體裝置最近的p型金屬氧化物半導體裝置； <br/>第一電力軌，經組態以將電力供應至所述第一半導體裝置；以及 <br/>第二電力軌，經組態以將電力供應至所述第二半導體裝置， <br/>其中所述第一電力軌及所述第二電力軌中的至少一者設置於所述第一半導體裝置與所述第二半導體裝置之間的垂直水平高度處。
如請求項1所述的具有金屬氧化物半導體場效電晶體單元的半導體架構，更包括： <br/>第一垂直接觸件，設置於所述第一半導體裝置上；以及 <br/>第二垂直接觸件，設置於所述第二半導體裝置上。
如請求項2所述的具有金屬氧化物半導體場效電晶體單元的半導體架構，其中所述第一電力軌設置於所述第一垂直接觸件上，且 <br/>其中所述第二電力軌設置於所述第二垂直接觸件上。
如請求項3所述的具有金屬氧化物半導體場效電晶體單元的半導體架構，其中所述第一垂直接觸件朝下延伸至所述第一半導體裝置與所述第二半導體裝置之間的所述垂直水平高度。
如請求項4所述的具有金屬氧化物半導體場效電晶體單元的半導體架構，其中所述第二垂直接觸件朝上延伸至所述第一半導體裝置與所述第二半導體裝置之間的所述垂直水平高度。
如請求項5所述的具有金屬氧化物半導體場效電晶體單元的半導體架構，其中所述第一電力軌及所述第二電力軌設置於所述第一半導體裝置與所述第二半導體裝置之間的所述垂直水平高度處。
如請求項6所述的具有金屬氧化物半導體場效電晶體單元的半導體架構，更包括： <br/>至少一個金屬層，經組態以路由信號，所述至少一個金屬層設置於所述p型金屬氧化物半導體裝置及所述n型金屬氧化物半導體裝置上方。
如請求項4所述的具有金屬氧化物半導體場效電晶體單元的半導體架構，其中所述第二垂直接觸件朝下延伸至所述第一半導體裝置及所述第二半導體裝置下方的下部水平高度。
如請求項8所述的具有金屬氧化物半導體場效電晶體單元的半導體架構，其中所述第一電力軌設置於所述第一半導體裝置與所述第二半導體裝置之間的所述垂直水平高度處，且 <br/>其中所述第二電力軌設置於所述第一半導體裝置及所述第二半導體裝置下方的所述下部水平高度處。
如請求項9所述的具有金屬氧化物半導體場效電晶體單元的半導體架構，其中所述第二電力軌為內埋於所述基底中的內埋電力軌。
如請求項2所述的具有金屬氧化物半導體場效電晶體單元的半導體架構，其中所述第一垂直接觸件的高度及所述第二垂直接觸件的高度小於所述第一半導體裝置與所述第二半導體裝置之間的垂直距離。
一種具有金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）單元的半導體架構，所述半導體架構包括： <br/>晶圓； <br/>p型金屬氧化物半導體（PMOS）裝置，設置於所述晶圓上； <br/>n型金屬氧化物半導體（NMOS）裝置，設置於不同於所述p型金屬氧化物半導體裝置的垂直水平高度處，所述n型金屬氧化物半導體裝置是距離所述p型金屬氧化物半導體裝置最近的n型金屬氧化物半導體裝置； <br/>第一電力軌，經組態以將電力供應至所述p型金屬氧化物半導體裝置；以及 <br/>第二電力軌，經組態以將電力供應至所述n型金屬氧化物半導體裝置， <br/>其中所述p型金屬氧化物半導體裝置及所述n型金屬氧化物半導體裝置包含於所述金屬氧化物半導體場效電晶體單元中，且 <br/>其中所述第一電力軌及所述第二電力軌中的至少一者設置於所述p型金屬氧化物半導體裝置與所述n型金屬氧化物半導體裝置之間的垂直水平高度處。
如請求項12所述的具有金屬氧化物半導體場效電晶體單元的半導體架構，其中所述第一電力軌經由第一垂直接觸件連接至所述p型金屬氧化物半導體裝置，且 <br/>其中所述第二電力軌經由第二垂直接觸件連接至所述n型金屬氧化物半導體裝置。
如請求項13所述的具有金屬氧化物半導體場效電晶體單元的半導體架構，其中所述第一垂直接觸件的高度及所述第二垂直接觸件的高度小於所述p型金屬氧化物半導體裝置與所述n型金屬氧化物半導體裝置之間的垂直距離。
如請求項12所述的具有金屬氧化物半導體場效電晶體單元的半導體架構，其中所述第一電力軌及所述第二電力軌兩者均設置於所述p型金屬氧化物半導體裝置與所述n型金屬氧化物半導體裝置之間的所述垂直水平高度處。
如請求項12所述的具有金屬氧化物半導體場效電晶體單元的半導體架構，其中所述第一電力軌及所述第二電力軌中的一者在垂直方向上設置於所述p型金屬氧化物半導體裝置及所述n型金屬氧化物半導體裝置下方。
如請求項16所述的具有金屬氧化物半導體場效電晶體單元的半導體架構，其中設置於所述p型金屬氧化物半導體裝置及所述n型金屬氧化物半導體裝置下方的所述第一電力軌及所述第二電力軌中的所述一者為內埋於所述晶圓中的內埋電力軌。
一種具有包括p型金屬氧化物半導體（PMOS）裝置和n型金屬氧化物半導體（NMOS）裝置的金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）單元的半導體架構，所述半導體架構包括： <br/>第一半導體裝置，包含於所述金屬氧化物半導體場效電晶體單元中且為所述n型金屬氧化物半導體裝置； <br/>第二半導體裝置，包含於所述金屬氧化物半導體場效電晶體單元中且為所述p型金屬氧化物半導體裝置並設置於所述第一半導體裝置上方，所述第二半導體裝置是距離所述第一半導體裝置最近的p型金屬氧化物半導體裝置； <br/>第一電力軌，經組態以將電力供應至所述第一半導體裝置，所述第一電力軌設置於所述第一半導體裝置與所述第二半導體裝置之間的垂直水平高度處；以及 <br/>第二電力軌，經組態以將電力供應至所述第二半導體裝置，所述第二電力軌設置於不同於所述第一半導體裝置及所述第二半導體裝置的垂直水平高度處。
一種熱傳導性片材，其係含有黏合劑樹脂、鱗片狀之第一熱傳導性填料、及非鱗片狀之第二熱傳導性填料，上述第一熱傳導性填料及上述第二熱傳導性填料分散於上述黏合劑樹脂中者， <br/>上述第一熱傳導性填料為氮化硼， <br/>上述第一熱傳導性填料之平均粒徑為10 μm以上100 μm以下， <br/>上述熱傳導性片材中之第一熱傳導性填料之含量為20體積%以上45體積%以下， <br/>上述第一熱傳導性填料之長軸於該熱傳導性片材之厚度方向配向，上述第一熱傳導性填料之短軸於該熱傳導性片材之面內方向無規配向。
如請求項1之熱傳導性片材，其中上述黏合劑樹脂係矽酮主劑與硬化劑之二液性之加成反應型液態矽酮樹脂， <br/>上述矽酮主劑與上述硬化劑之質量比(矽酮主劑：硬化劑)為5：5～7：3。
如請求項1或2之熱傳導性片材，其中上述第一熱傳導性填料之長徑比(長軸/短軸)為10～100。
如請求項1或2之熱傳導性片材，其中上述第二熱傳導性填料含有氮化鋁粒子及氧化鋁粒子。
如請求項4之熱傳導性片材，其中上述氮化鋁粒子之含量為10～25體積%，上述氧化鋁粒子之含量為10～25體積%。
如請求項1或2之熱傳導性片材，其中於對厚度方向施加0.5～3 kgf/cm<sup>2</sup>之負載時，有效熱傳導率之最大值與最小值之差為1.5 W/m・K以下。
如請求項5之熱傳導性片材，其中於對厚度方向施加0.5～3 kgf/cm<sup>2</sup>之負載時，有效熱傳導率之最大值與最小值之差為1.5 W/m・K以下。
如請求項1或2之熱傳導性片材，其中上述第一熱傳導性填料及上述第二熱傳導性填料之總含量為未達70體積%。
如請求項1或2之熱傳導性片材，其中於片材表面具有花紋，該花紋具有相互不正交之邊。
如請求項1或2之熱傳導性片材，其厚度為1～2 mm。
一種熱傳導性片材之製造方法，其包括： <br/>步驟A，其係藉由使鱗片狀之第一熱傳導性填料及非鱗片狀之第二熱傳導性填料分散於硬化性樹脂組合物中，而製備熱傳導性片材形成用樹脂組合物； <br/>步驟B，其係由上述熱傳導性片材形成用樹脂組合物形成成形體塊；及 <br/>步驟C，其係將上述成形體塊切片成片狀而獲得熱傳導性片材； <br/>上述第一熱傳導性填料為氮化硼， <br/>上述第一熱傳導性填料之平均粒徑為10 μm以上100 μm以下， <br/>上述熱傳導性片材中之第一熱傳導性填料之含量為20體積%以上45體積%以下， <br/>上述熱傳導性片材中，上述第一熱傳導性填料之長軸於厚度方向配向，上述第一熱傳導性填料之短軸於面內方向無規配向。
如請求項11之熱傳導性片材之製造方法，其中於上述步驟B中，使熱傳導性片材形成用樹脂組合物通過具有相互不正交之邊的開口部。
如請求項12之熱傳導性片材之製造方法，其中上述開口部為多邊形或圓形。
如請求項11至13中任一項之熱傳導性片材之製造方法，其中於上述步驟C中，將上述成形體塊沿相對於上述熱傳導性片材形成用樹脂組合物之擠出方向大致垂直之方向進行切片而獲得熱傳導性片材。
一種電子機器，其具備： <br/>發熱體、 <br/>散熱體、及 <br/>配置於發熱體與散熱體之間的如請求項1至10中任一項之熱傳導性片材。
一種劃線工具，包括： <br/>接頭，可繞第1軸旋轉地被支持； <br/>保持器，沿著相對該第1軸傾斜的第2軸固定於該接頭；以及 <br/>刀片，固定於該保持器， <br/>其中該刀片具有軸上點，其為位於該第1軸上的點， <br/>其中該刀片是由具有沿著該第2軸的＜100＞方位的鑽石所形成。
如請求項1的劃線工具，其中： <br/>該保持器相對於該接頭在該第2軸的圓周上的擺設角能夠變更，該刀片具有複數個點能夠藉由該擺設角的變更而成為該軸上點。
如請求項2的劃線工具，其中： <br/>該接頭及該保持器之間設置有嵌合構造，使得該擺設角只能夠離散地變更。
如請求項3的劃線工具，其中： <br/>該保持器相對於該接頭，能夠取至少第1擺設角及第2擺設角來作為該擺設角，該刀片具有至少第1點及第2點來做為該複數的點，該第1點及該第2點分別對應於該第1擺設角及該第2擺設角而成為該軸上點。
如請求項2的劃線工具，其中： <br/>該刀片的該複數的點配置成，只要變更該保持器在該第2軸的圓周上的該擺設角就能成為該軸上點。
如請求項5的劃線工具，更包括： <br/>定位構件，限制相對於該接頭的沿著該第2軸的該保持器的位置。
如請求項6的劃線工具，更包括： <br/>固定螺絲，在該定位構件所決定的位置，將該保持器相對於該接頭固定。
如請求項6的劃線工具，其中： <br/>該保持器至少部分地由磁性體組成， <br/>該劃線工具更包括：磁鐵，產生對該保持器作用的磁力，使該定位構件及該保持器吸在一起。
如請求項1至8任一項的劃線工具，其中： <br/>該保持器具有繞著該第2軸的旋轉對稱性。
如請求項1至8任一項的劃線工具，更包括： <br/>備用接頭，藉由與該接頭交換，而可繞該第1軸旋轉地被支持， <br/>該備用接頭具有嵌合構造，用以將該保持器沿著第3軸固定於該備用接頭，該第3軸相對於該第1軸及該第2軸傾斜。
一種劃線裝置，包括： <br/>如請求項1至10任一項的劃線工具；以及 <br/>劃線頭，以可繞該第1軸旋轉的方式保持該劃線工具的該接頭。
一種接頭，為用以保持固定有刀片的保持器，包括： <br/>軸部，沿著第1軸； <br/>本體部，固定於該軸部； <br/>空洞部，用以讓該保持器插入而設置於該本體部，沿著於相對於該第1軸傾斜的第2軸，構成能夠使該保持器在該第2軸的圓周上的擺設角離散地變更的嵌合構造；以及 <br/>定位插銷，藉由部分地塞入該空洞部，而用以限制該保持器沿著該第2軸的位置。
一種處理一基板的方法，包括以下步驟：<br/> 定位一基板在一製程腔室的一處理空間中；<br/> 沉積一類鑽碳(DLC)層於該基板上；及<br/> 在沉積該DLC層之後，藉由執行一電漿處理而降低該DLC層的一膜應力，該電漿處理包括：<br/> 針對一300毫米大小基板而言，在約500 sccm到約5,000 sccm的一流動速率下流動一非反應性氣體進入該處理空間中，該非反應性氣體包括氬；及<br/> 藉由施加一約100 W到約10,000 W的射頻(RF)偏壓功率，自該處理空間中的該非反應性氣體產生一電漿以處理該DLC層。
如請求項1所述之方法，其中該RF偏壓功率係約100 W到約400 W。
如請求項1所述之方法，其中該非反應性氣體進一步包括氦、N<sub>2</sub>或上述之組合。
如請求項1所述之方法，其中該非反應性氣體進一步包括N<sub>2</sub>、氬、氦、氖、氪、氙、氡或上述之組合。
如請求項4所述之方法，其中該DLC層的一厚度係5kÅ至15kÅ。
如請求項1所述之方法，其中沉積該DLC層與執行該電漿處理的步驟係在該相同的製程腔室中執行。
如請求項1所述之方法，其中：<br/> 該基板在該電漿處理的過程中維持在一從約–40℃到約40℃的溫度下； <br/> 該處理空間在該電漿處理的過程中維持在一從約1 mTorr到約500 mTorr的壓力下；或<br/> 上述之一組合。
如請求項7所述之方法，其中在該電漿處理的過程中：<br/> 該基板的該溫度維持在約–10℃到約10℃；<br/> 該處理空間的該壓力維持在約5 mTorr到約100 mTorr；或<br/> 上述之組合。
如請求項1所述之方法，其中該RF偏壓功率係約200 W到約5,000 W。
如請求項1所述之方法，其中在該電漿處理後之該DLC層的一sp<sup>3</sup>含量係約60%或更高，由拉曼光譜測定。
如請求項1所述之方法，其中該DLC層的該膜應力降低約10%到約50%，由橢圓測量法確定。
一種處理一基板的方法，包括以下步驟：<br/> 定位一基板在一製程腔室的一處理空間中；<br/> 沉積一類鑽碳(DLC)層於該基板上；及 <br/> 在沉積該DLC層之後，藉由執行一電漿處理而降低該DLC層的一膜應力，該電漿處理包括：<br/> 針對一300毫米大小基板而言，在約500 sccm到約5,000 sccm的一流動速率下流動一非反應性氣體進入該處理空間中，該非反應性氣體包括氬；及<br/> 藉由施加一約100 W到約1,000 W的射頻(RF)偏壓功率而自該處理空間中的該非反應性氣體產生一電漿，以處理該DLC層。
如請求項12所述之方法，其中該非反應性氣體進一步包括氦、N<sub>2</sub>或上述之組合。
如請求項12所述之方法，其中該非反應性氣體包括N<sub>2</sub>氦、氖、氪、氙、氡或上述之組合。
如請求項14所述之方法，其中該DLC層的一厚度係5kÅ至15kÅ。
如請求項12所述之方法，其中該執行該電漿處理的步驟進一步包括：<br/> 維持該基板在一從約–40℃到約40℃的溫度下；<br/> 維持該處理空間在一從約1 mTorr到約500 mTorr的壓力下；<br/> 一從約100 W到約400 W的RF偏壓功率；或<br/> 上述之組合。
如請求項16所述之方法，其中該溫度係從約–10℃到約10℃，該壓力係從約5 mTorr到約100 mTorr，或上述之一組合。
一種處理一基板的方法，包括以下步驟：<br/> 定位一基板在一製程腔室的一處理空間中；<br/> 沉積一類鑽碳(DLC)層於該基板上；及 <br/> 在沉積該DLC層之後，藉由執行一電漿處理而降低該DLC層的一膜應力，該電漿處理包括：<br/> 針對一300毫米大小基板而言，在約500 sccm到約5,000 sccm的一流動速率下流動一非反應性氣體進入該處理空間中，該非反應性氣體包括N<sub>2</sub>或氦的一者或多者；<br/> 藉由施加一約1,000 W或更低的射頻(RF)偏壓功率而自該處理空間中的該非反應性氣體產生一電漿，以處理該DLC層；及<br/> 在該電漿處理過程中維持該基板在一從約–40℃到約40℃的溫度下。
如請求項18所述之方法，其中在該電漿處理過程中該處理空間係在一從約1 mTorr到約500 mTorr的壓力下。
如請求項19所述之方法，其中在該電漿處理過程中：<br/> 該基板的該溫度係從約–10℃到約10℃；及<br/> 該壓力係從約5 mTorr到約100 mTorr。
一種固態攝像裝置，其具備： <br/>複數個單位像素，其等2維格柵狀排列； <br/>仲裁器，其調停對上述複數個單位像素之讀出； <br/>第1信號處理電路，其處理自上述單位像素各者輸出之第1信號； <br/>第2信號處理電路，其處理自上述第2像素輸出之上述第2信號；及 <br/>驅動電路，其驅動上述第2像素而讀出上述第2信號；且 <br/>上述單位像素各自具備： <br/>複數個光電轉換部，其等2維格柵狀排列； <br/>複數個檢測電路，其等基於自上述光電轉換部各者流出之光電流，檢測對上述光電轉換部之入射光之亮度變化而輸出上述第1信號； <br/>第1像素，其包含上述光電轉換部與上述檢測電路，檢測入射光之亮度變化並輸出上述第1信號；及 <br/>第2像素，其檢測入射光之亮度並輸出第2信號；且 <br/>上述複數個光電轉換部配置於第1晶片； <br/>上述檢測電路各者之至少一部分、上述仲裁器、及上述第1信號處理電路配置在積層於上述第1晶片之第2晶片； <br/>供上述複數個光電轉換部排列之上述第1晶片中之第1區域、與供上述檢測電路各者之至少一部分排列之上述第2晶片中之第2區域，於上述第1晶片與上述第2晶片之積層方向上至少一部分重疊； <br/>包含上述仲裁器及上述第1信號處理電路之邏輯電路配置於上述第2晶片中之與上述第2區域至少一部分相鄰之第3區域； <br/>上述第2信號處理電路包含於上述邏輯電路； <br/>上述驅動電路配置於上述第2晶片中隔著上述第3區域與上述第2區域相反之側。
如請求項1之固態攝像裝置，其中 <br/>將上述邏輯電路與外部連接之1個以上之第1焊墊與上述第2晶片之第1晶片端接近排列。
如請求項1之固態攝像裝置，其中 <br/>將上述邏輯電路與外部連接之2個以上之第1焊墊分開排列於上述第2晶片之第1晶片端、及與上述第1晶片端附近為相反側之第2晶片端附近各者。
如請求項1之固態攝像裝置，其中 <br/>上述第2像素包含： <br/>上述光電轉換部；及 <br/>像素電路，其基於存儲於上述光電轉換部之電荷，檢測對上述光電轉換部之入射光之亮度並輸出上述第2信號。
如請求項1之固態攝像裝置，其中 <br/>將上述邏輯電路及上述驅動電路與外部連接之1個以上之第1焊墊與上述第2晶片之第1晶片端接近排列。
如請求項5之固態攝像裝置，其中 <br/>輸出上述第1焊墊中基於上述第2信號的信號之第2焊墊，接近排列於與上述第1晶片端不同之第3晶片端。
如請求項6之固態攝像裝置，其中 <br/>輸出上述第1焊墊中基於上述第1信號的信號之第3焊墊，與上述第3晶片端接近排列。
如請求項1之固態攝像裝置，其中 <br/>將上述邏輯電路及上述驅動電路與外部連接之1個以上之第1焊墊分開排列於上述第2晶片之第1晶片端附近、及與上述第1晶片端為相反側之第2晶片端附近各者。
如請求項1之固態攝像裝置，其進而具備將自上述第2像素輸出之上述第2信號轉換為數位之轉換電路；且 <br/>上述轉換電路配置於第4區域，該第4區域為上述第2晶片中隔著上述第3區域與上述第2區域相反之側，且位於與距上述驅動電路最近之第4晶片端為大致直角關係的第5晶片端與上述第2區域之間。
如請求項5之固態攝像裝置，其進而具備： <br/>轉換電路，其將自上述第2像素輸出之上述第2信號轉換為數位；及 <br/>第4焊墊，其配置於上述第2晶片，對上述轉換電路供給輔助電力；且 <br/>上述轉換電路配置於第4區域，該第4區域為上述第2晶片中隔著上述第3區域與上述第2區域相反之側，且位於與距上述驅動電路最近之第4晶片端為大致直角關係的第5晶片端與上述第2區域之間； <br/>上述第1焊墊包含對上述轉換電路供給電力之第5焊墊； <br/>上述第4焊墊與上述第2晶片中位於上述轉換電路附近之第6晶片端接近配置。
如請求項5之固態攝像裝置，其進而具備接近配置於與上述第1晶片端不同之第7晶片端的動作測試用之複數個測試焊墊。
如請求項2之固態攝像裝置，其中 <br/>上述第2晶片之中心相對於上述第2區域之中心，偏向與上述第1晶片端平行之方向或垂直之方向。
一種固態攝像裝置，其具備： <br/>複數個單位像素，其等各自包含檢測入射光之亮度變化而輸出第1信號之第1像素、與檢測入射光之亮度而輸出第2信號之第2像素，且2維格柵狀排列； <br/>仲裁器，其調停對上述第1像素之讀出； <br/>第1信號處理電路，其處理自上述第1像素各者輸出之上述第1信號； <br/>驅動電路，其驅動上述第2像素而讀出上述第2信號；及 <br/>第2信號處理電路，其處理自上述第2像素輸出之上述第2信號；且 <br/>上述單位像素各自具備： <br/>複數個光電轉換部，其等2維格柵狀排列；及 <br/>複數個檢測電路，其等基於自上述光電轉換部各者流出之光電流，檢測對上述光電轉換部之入射光之亮度變化而輸出上述第1信號；且 <br/>上述複數個光電轉換部配置於第1晶片； <br/>上述檢測電路各者之至少一部分配置在積層於上述第1晶片之第2晶片； <br/>上述仲裁器、上述第1信號處理電路、上述驅動電路、及上述第2信號處理電路配置在積層於上述第2晶片之與上述第1晶片相反側的第3晶片； <br/>供上述複數個光電轉換部排列之上述第1晶片中之第1區域、與供上述檢測電路各者之至少一部分排列之上述第2晶片中之第2區域，於上述第1晶片與上述第2晶片之積層方向上至少一部分重疊。
一種電子機器，其具備： <br/>如請求項1之固態攝像裝置； <br/>系統控制部，其控制上述固態攝像裝置；及 <br/>處理器，其處理自上述固態攝像裝置輸出之資料。
一種液晶配向劑，含有下述(A)成分、(B)成分及(C)成分：(A)聚合體，選自由聚醯胺酸、聚醯胺酸酯、聚醯亞胺、聚有機矽氧烷、及具有源自具有碳-碳不飽和鍵的單量體的結構單元的聚合體所組成的群組中的至少一種；所述(B)成分選自式(b1)~式(b13)中的至少一種；所述(C)成分選自式(c1)~式(c15)中的至少一種，<figure><img align="absmiddle" height="481px" width="579px" file="d10001.TIF" alt="化學式ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="740px" width="624px" file="d10002.TIF" alt="化學式ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="541px" width="622px" file="d10003.TIF" alt="化學式ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/></figure>在式(c1)、式(c2)及式(c4)中，R<sup>7</sup>為保護基；R<sup>11</sup>、R<sup>12</sup>及R<sup>13</sup>中的一個為甲基，其餘為氫原子；R<sup>14</sup>、R<sup>15</sup>及R<sup>16</sup>中的一個為甲基，其餘為氫原子；R<sup>17</sup>、R<sup>18</sup>及R<sup>19</sup>中的一個為甲基，其餘為氫原子，相對於所述(A)成分的總量100質量份，所述(B)成分的含量為1質量份以上且20質量份以下，所述(C)成分的含量為1質量份以上且20質量份以下。
一種液晶配向劑，含有下述(A)成分、(B)成分及(C)成分：(A)聚合體，選自由聚醯胺酸、聚醯胺酸酯、聚醯亞胺、聚有機矽氧烷、及具有源自具有碳-碳不飽和鍵的單量體的結構單元的聚合體所組成的群組中的至少一種；所述(B)成分選自由以下組成中的群組中的至少一種：富馬酸、丙二酸、己二酸、對苯二甲酸、間苯二甲酸、癸二酸、二苯基醚-4,4'-二羧酸、吡啶-2,6-二羧酸、1,2,4-丁烷三羧酸、1,2,3-環己烷三羧酸、偏苯三甲酸、1,2,4-萘三羧酸、1,2,3,4-環丁烷四羧酸、2,3,5-三羧基環戊基乙酸、環戊烷四羧酸、環己烷四羧酸、均苯四甲酸、式(b2-1)~式(b2-3)分別所表示的化合物；所述(C)成分選自由以下組成中的群組中的至少一種：乙二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、1,6-己二醇二縮水甘油醚、甘油二縮水甘油醚、三羥甲基丙烷三縮水甘油醚、2,2-二溴新戊二醇二縮水甘油醚、1,3,5,6-四縮水甘油基-2,4-己二醇、N,N,N',N'-四縮水甘油基-對苯二胺、N,N,N',N'-四縮水甘油基-4,4'-二氨基二苯基甲烷、N,N,N',N'-四縮水甘油基-4,4'-二氨基二苯基醚、N,N,N',N'-四縮水甘油基-2,2'-二甲基-4,4'-二氨基聯苯、三羥甲基丙烷三縮水甘油醚、N,N,N',N'-四縮水甘油基-間苯二胺、1,3-雙(N,N-二縮水甘油基氨基甲基)環己烷、N,N,N',N'-四縮水甘油基-4,4'-二氨基二苯基甲烷、N,N,N',N'-四縮水甘油基-4,4'-二氨基二苯基戊烷、N,N-二縮水甘油基-苄基胺、N,N-二縮水甘油基-氨基甲基環己烷、N,N-二縮水甘油基-環己基胺、N,N,N',N'-四縮水甘油基-1,4-二氨基環己烷、雙(N,N-二縮水甘油基-4-氨基環己基)甲烷、1,4-雙(N,N-二縮水甘油基氨基甲基)環己烷、1,4-雙(N,N-二縮水甘油基氨基甲基)苯、1,3,5-三(N,N-二縮水甘油基氨基甲基)環己烷、下述式(c2-1)~式(c2-9)分別所表示的化合物、下述式(c2-10)~式(c2-16)分別所表示的化合物、下述式(c2-17)~式(c2-21)分別所表示的化合物，<figure><img align="absmiddle" height="170px" width="589px" file="d10004.TIF" alt="化學式ed10004.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10004.png"/></figure>在式(b2-1)~式(b2-3)中，L<sup>2</sup>分別獨立地為氫原子、碳數1~5的一價烴基、或熱脫離性基，其中，一分子內的多個L<sup>2</sup>中的至少一個為熱脫離性基，<figure><img align="absmiddle" height="327px" width="593px" file="d10005.TIF" alt="化學式ed10005.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10005.png"/></figure>在式(c2-5)中，a為1~3的整數，<figure><img align="absmiddle" height="365px" width="627px" file="d10006.TIF" alt="化學式ed10006.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10006.png"/></figure>在式(c2-16)中，b為1~10的整數，<figure><img align="absmiddle" height="425px" width="579px" file="d10007.TIF" alt="化學式ed10007.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10007.png"/></figure>相對於所述(A)成分的總量100質量份，所述(B)成分的含量為1質量份以上且20質量份以下，所述(C)成分的含量為1質量份以上且20質量份以下。
一種液晶配向膜，使用如請求項1或2所述的液晶配向劑而形成。
一種液晶配向膜的製造方法，將如請求項1或2所述的液晶配向劑塗布於基板上，在所述塗布後進行光照射而賦予液晶配向能力。
一種液晶元件，包括如請求項3所述的液晶配向膜。
一種液晶元件的製造方法，包括：將如請求項1或2所述的液晶配向劑塗布於具有導電膜的一對基板的各自的所述導電膜上而形成塗膜的步驟；將塗布有所述液晶配向劑的一對基板配置成所述塗膜夾持液晶層而相向，來構建液晶單元的步驟；以及在對所述導電膜間施加電壓的狀態下對所述液晶單元進行光照射的步驟。
一種吹洗系統，包含：<br/> 一桿；<br/> 一舉升系統，耦合至該桿；<br/> 一底部凸緣，耦合至該舉升系統；<br/> 一頂部凸緣，耦合至一處理腔室的一外部表面；<br/> 一伸縮囊，耦合至該底部凸緣及該頂部凸緣，其中該舉升系統、該底部凸緣、該伸縮囊及該頂部凸緣在該桿四周界定一吹洗空間，而流體耦合至該處理腔室的一處理空間；<br/> 一吹洗氣體入口，與該吹洗空間流體連通，該吹洗氣體入口穿過該頂部凸緣而佈置；及<br/> 一吹洗環，佈置於該處理腔室的該外部表面及在該頂部凸緣中的一凹槽之間，該吹洗環在該吹洗環的一內部表面及該桿之間形成一吹洗間隙，其中該吹洗環可操作以在該吹洗空間內及該凹槽內移動，以改變其橫向位置。
如請求項1所述之吹洗系統，其中從該吹洗環的該內部表面至該桿的一吹洗間隙距離在該桿四周為固定或實質上固定的。
一種吹洗系統，包含：<br/> 一桿；<br/> 一舉升系統，耦合至該桿；<br/> 一底部凸緣，耦合至該舉升系統；<br/> 一頂部凸緣，耦合至一處理腔室的一外部表面；<br/> 一伸縮囊，耦合至該底部凸緣及該頂部凸緣，其中該舉升系統、該底部凸緣、該伸縮囊及該頂部凸緣在該桿四周界定一吹洗空間，而流體耦合至該處理腔室的一處理空間；<br/> 一吹洗氣體入口，與該吹洗空間流體連通，該吹洗氣體入口穿過該頂部凸緣而佈置；及<br/> 一吹洗環，佈置於該處理腔室的該外部表面及在該頂部凸緣中的一凹槽之間，該吹洗環在該吹洗環的一內部表面及該桿之間形成一吹洗間隙，其中該吹洗環的該內部表面至該桿的一吹洗間隙距離在該桿四周為固定或實質上固定的，且其中該吹洗環的該橫向位置可操作以調整成平衡一壓力差，該壓力差來自在該吹洗間隙的不同部分處穿過該吹洗空間提供的一吹洗氣體。
如請求項3所述之吹洗系統，其中該吹洗環的該橫向位置調整成維持該吹洗間隙距離在約1 mm至約2 mm。
如請求項1所述之吹洗系統，其中當提供吹洗氣體至該吹洗空間時，該吹洗環可操作以接觸該處理腔室的該外部表面。
如請求項1所述之吹洗系統，進一步包含一O形環，佈置於該頂部凸緣及該處理腔室的該外部表面之間。
一種吹洗系統，包含：<br/> 一桿；<br/> 一舉升系統，耦合至該桿；<br/> 一底部凸緣，耦合至該舉升系統；<br/> 一頂部凸緣，耦合至一處理腔室的一外部表面；<br/> 一旋轉軸承，耦合於該底部凸緣及該桿之間，該旋轉軸承可操作以促進該桿的旋轉；<br/> 一伸縮囊，耦合至該底部凸緣及該頂部凸緣，其中該舉升系統、該底部凸緣、該伸縮囊及該頂部凸緣在該桿四周界定一吹洗空間，而流體耦合至該處理腔室的一處理空間；<br/> 一吹洗氣體入口，與該吹洗空間流體連通，該吹洗氣體入口穿過該頂部凸緣而佈置；及<br/> 一吹洗環，佈置於該處理腔室的該外部表面及在該頂部凸緣中的一凹槽之間，該吹洗環在該吹洗環的一內部表面及該桿之間形成一吹洗間隙，該吹洗環包括一徑向向內邊緣、一水平表面及一有角度的表面（angled surface）。
如請求項7所述之吹洗系統，其中從該吹洗環的該內部表面至該桿的一吹洗間隙距離在該桿四周為固定或實質上固定的。
如請求項8所述之吹洗系統，其中該吹洗環的一橫向位置可操作以調整成平衡一壓力差，該壓力差來自在該吹洗間隙的不同部分處穿過該吹洗空間提供的一吹洗氣體，其中該吹洗環的該橫向位置調整成維持該吹洗間隙距離在約1 mm至約2 mm。
如請求項7所述之吹洗系統，其中該吹洗環包括一徑向向內邊緣、一水平表面及一有角度的表面。
一種使用吹洗系統之方法，包含以下步驟：<br/> 流動一吹洗氣體至一吹洗空間中，該吹洗空間佈置於一處理腔室的一下部部分中，其中該吹洗空間形成於一桿四周，該桿透過一開口穿過該處理腔室的該下部部分及一處理空間而佈置，該開口將該處理空間連接至該吹洗空間；<br/> 穿過該處理腔室的該開口流動該吹洗氣體，其中該吹洗氣體透過一吹洗間隙穿過該開口流動至該處理空間，該吹洗間隙界定於一吹洗環的一內部表面及一桿之間，該桿穿過該吹洗空間及該處理空間而佈置，該吹洗環部分佈置於該處理腔室的該下部部分的一凹槽中，且部分佈置於該吹洗空間中；及<br/> 調整該吹洗環的一橫向位置，以維持一吹洗間隙距離在該桿的四周為固定或實質上固定的，其中該吹洗間隙距離為從該吹洗環的該內部表面至該桿，其中該橫向位置調整成平衡一壓力差，該壓力差來自在該吹洗間隙的不同部分處的該吹洗氣體。
如請求項11所述之方法，其中該下部部分的一第一配置包括：<br/> 一舉升系統，耦合至該桿；<br/> 一頂部凸緣，耦合至該處理空間的一腔室底部；<br/> 一底部凸緣，耦合至該舉升系統；及<br/> 一伸縮囊，佈置於該頂部凸緣及該底部凸緣之間。
如請求項12所述之方法，其中該吹洗空間藉由該舉升系統、該開口、該頂部凸緣、該底部凸緣及該伸縮囊來界定。
如請求項11所述之方法，其中該下部部分的一第二配置包括：<br/> 一舉升系統，耦合至該桿；<br/> 一頂部凸緣，耦合至該處理空間的一腔室底部；<br/> 一底部凸緣，耦合至該舉升系統；<br/> 一旋轉軸承，耦合於該底部凸緣及該桿之間；及<br/> 一伸縮囊，佈置於該頂部凸緣及該底部凸緣之間。
如請求項14所述之方法，其中該旋轉軸承促進該處理空間之中的該桿的旋轉。
如請求項11所述之方法，進一步包含以下步驟：流動一處理氣體至該處理空間中，其中該吹洗氣體避免該處理氣體進入該吹洗空間。
如請求項11所述之方法，其中該吹洗環的該橫向位置調整成維持該吹洗間隙距離在約1 mm至約2 mm。
如請求項11所述之方法，其中該吹洗環的該橫向位置經調整使得該吹洗環的該內部表面與在該處理空間中耦合至該桿的一基板支撐件垂直。
如請求項11所述之方法，其中該吹洗氣體為一惰性氣體。
如請求項11所述之方法，其中該吹洗空間壓力比該處理空間的一腔室壓力更高，使得該吹洗氣體從該吹洗空間流動至該處理空間。
一種自由基產生膜形成組成物，含有： <br/>成分(A)：作為橫電場驅動用液晶配向劑之配向成分使用之聚合物，及 <br/>成分(B)：係含有下式(1)表示之基且具有來自具聚合性碳-碳不飽和鍵之單體之結構單元的聚合物； <br/><img align="absmiddle" height="11px" width="59px" file="ed10063.jpg" alt="ed10063.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(1)中，＊表示鍵結部位，R<sup>1</sup>表示單鍵、-CH<sub>2</sub>-、-O-、-COO-、-OCO-、-NHCO-、-CONH-、-NH-、-CH<sub>2</sub>O-、-N(CH<sub>3</sub>)-、-CON(CH<sub>3</sub>)-、或-N(CH<sub>3</sub>)CO-； <br/>R<sup>2</sup>表示單鍵、或非取代或經氟原子取代之碳數1~20之伸烷基，該伸烷基之任意之-CH<sub>2</sub>-或-CF<sub>2</sub>-中之1個以上亦可各自獨立被選自-CH＝CH-、亦可具有取代基之二價碳環、及亦可具有取代基之二價雜環中之基取代，再者，該伸烷基之任意之-CH<sub>2</sub>-或-CF<sub>2</sub>-中之1個以上亦可按下列所舉之任一基亦即-O-、-COO-、-OCO-、-NHCO-、-CONH-、或-NH-互不相鄰為條件，被該等基之至少任一者取代； <br/>R<sup>3</sup>表示下式[Y]所示之誘發自由基聚合之有機基； <br/><img align="absmiddle" height="80px" width="90px" file="ed10066.jpg" alt="ed10066.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式[Y]中，＊表示鍵結部位，Ar表示選自由也可具有有機基及/或鹵素原子作為取代基之伸苯基、伸萘基、及伸聯苯基構成之群組中之芳香族烴基，R<sup>9</sup>及R<sup>10</sup>各自獨立地表示碳數1~10之烷基或碳數1~10之烷氧基，R<sup>9</sup>與R<sup>10</sup>為烷基時，亦可末端互相鍵結並形成環結構； <br/>Q表示下列任意之結構； <br/><img align="absmiddle" height="32px" width="219px" file="ed10065.jpg" alt="ed10065.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>11</sup>表示-CH<sub>2</sub>-、-NR-、-O-、或-S-，R各自獨立地表示氫原子或碳數1~4之烷基，＊表示鍵結部位； <br/>S<sup>3</sup>表示單鍵、-O-、-NR-或-S-，R表示氫原子或碳數1~14之烷基。
如請求項1之自由基產生膜形成組成物，其中，作為該成分(A)之該聚合物係聚醯亞胺前驅物或聚醯亞胺。
如請求項1之自由基產生膜形成組成物，其中作為該成分(A)之該聚合物不含有誘發自由基聚合之有機基。
如請求項1之自由基產生膜形成組成物，其中，該成分(B)之含量相對於該成分(A)為0.1~20質量%。
一種自由基產生膜，係使用如請求項1之自由基產生膜形成組成物獲得。
一種液晶顯示元件之製造方法，包括下列步驟： <br/>準備具有如請求項5之自由基產生膜之第一基板及也可具有自由基產生膜之第二基板； <br/>以該第一基板中之該自由基產生膜和該第二基板對向之方式，將該第一基板及該第二基板予以對向配置； <br/>於該第一基板與該第二基板之間，填充含有液晶及自由基聚合性化合物之液晶組成物；及 <br/>在使該液晶組成物接觸該自由基產生膜之狀態下，使該自由基聚合性化合物進行聚合反應。
如請求項6之液晶顯示元件之製造方法，其中，該第二基板係不具有自由基產生膜之第二基板。
如請求項6之液晶顯示元件之製造方法，其中，該第二基板係塗覆了具有單軸配向性之液晶配向膜的基板。
如請求項8之液晶顯示元件之製造方法，其中，該具有單軸配向性之液晶配向膜係水平配向用之液晶配向膜。
如請求項6之液晶顯示元件之製造方法，其中，該第一基板及該第二基板中之任一者為具有梳齒電極之基板。
一種液晶顯示元件，其特徵為： <br/>具有第一基板、和該第一基板對向而配置之第二基板、及填充於該第一基板與該第二基板之間的液晶， <br/>在使該含有液晶及自由基聚合性化合物之液晶組成物接觸如請求項5之具有自由基產生膜之該第一基板之該自由基產生膜的狀態下，使該自由基聚合性化合物進行聚合反應而成。
一種自由基產生膜形成組成物，含有： <br/>成分(A)：作為橫電界驅動用液晶配向劑之配向成分使用之聚合物、及 <br/>成分(B)：具有下式(1)表示之基之含矽化合物； <br/><img align="absmiddle" height="11px" width="59px" file="ed10059.jpg" alt="ed10059.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(1)中，＊表示鍵結部位，R<sup>1</sup>表示單鍵、-CH<sub>2</sub>-、-O-、-COO-、-OCO-、-NHCO-、-CONH-、-NH-、-CH<sub>2</sub>O-、-N(CH<sub>3</sub>)-、-CON(CH<sub>3</sub>)-、或-N(CH<sub>3</sub>)CO-； <br/>R<sup>2</sup>表示單鍵、或非取代或經氟原子取代之碳數1～20之伸烷基，該伸烷基之任意之-CH<sub>2</sub>-或-CF<sub>2</sub>-中之一者以上，亦可各自獨立地被選自-CH＝CH-、二價碳環、及二價雜環中之基取代，再者，該伸烷基之任意之-CH<sub>2</sub>-或-CF<sub>2</sub>-中之一者以上，亦可按下列所舉之基亦即-O-、-COO-、-OCO-、-NHCO-、-CONH-、或-NH-互不相鄰為條件，以該等中之至少任一基取代； <br/>R<sup>3</sup>表示下式[Y]表示之誘發自由基聚合之有機基， <br/><img align="absmiddle" height="48px" width="58px" file="ed10063.jpg" alt="ed10063.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式[Y]中，＊表示鍵結部位，Ar表示選自由亦可具有有機基及/或鹵素原子作為取代基之伸苯基、伸萘基、及伸聯苯基構成之群組中之芳香族烴基，R<sup>9</sup>及R<sup>10</sup>各自獨立地表示碳數1～10之烷基或碳數1～10之烷氧基，R<sup>9</sup>與R<sup>10</sup>為烷基時，亦可於末端互相鍵結並形成環結構，Q表示下列任一結構； <br/><img align="absmiddle" height="32px" width="219px" file="ed10062.jpg" alt="ed10062.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>11</sup>表示-CH<sub>2</sub>-、-NR-、-O-、或-S-，R各自獨立地表示氫原子或碳數1～4之烷基，＊表示鍵結部位；S<sup>3</sup>表示單鍵、-O-、-NR-(R表示氫原子或碳數1～14之烷基)、或-S-。
如請求項1之自由基產生膜形成組成物，其中，該具有式(1)表示之基之含矽化合物，為下式(2)表示之含矽化合物、含有下式(2)表示之含矽化合物之水解性有機矽化合物之水解縮合物、及使用下式(2)表示之含矽化合物而經表面修飾之微粒中之至少任一者； <br/><img align="absmiddle" height="31px" width="97px" file="ed10060.jpg" alt="ed10060.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(2)中，Z為該式(1)表示之基，R各自獨立地表示氫原子或碳數1～5之烷基，R<sup>4</sup>表示碳數1～10之伸烷基，R’表示碳數1～5之烷基，x表示2或3。
如請求項1之自由基產生膜形成組成物，其中，作為該成分(A)之該聚合物係聚醯亞胺前驅物或聚醯亞胺。
如請求項1之自由基產生膜形成組成物，其中，作為該成分(A)之該聚合物，不具有誘發自由基聚合之有機基。
如請求項1之自由基產生膜形成組成物，其中，該成分(B)相對於該成分(A)之含量為0.1～20質量%。
一種自由基產生膜，係使用如請求項1之自由基產生膜形成組成物而獲得。
一種液晶顯示元件之製造方法，包括下列步驟： <br/>準備具有如請求項6之自由基產生膜之第一基板及也可具有自由基產生膜之第二基板； <br/>以該第一基板中之該自由基產生膜和該第二基板對向之方式，將該第一基板及該第二基板予以對向配置； <br/>於該第一基板與該第二基板之間，填充含有液晶及自由基聚合性化合物之液晶組成物；及 <br/>於使該液晶組成物接觸該自由基產生膜之狀態，使該自由基聚合性化合物進行聚合反應。
如請求項7之液晶顯示元件之製造方法，其中，該第二基板係不具自由基產生膜之第二基板。
如請求項7之液晶顯示元件之製造方法，其中，該第二基板係塗覆了具有單軸配向性之液晶配向膜的基板。
如請求項9之液晶顯示元件之製造方法，其中，該具有單軸配向性之液晶配向膜係水平配向用之液晶配向膜。
如請求項7之液晶顯示元件之製造方法，其中，該第一基板及該第二基板中之任一者為具有梳齒電極之基板。
一種液晶顯示元件，其特徵為： <br/>具有第一基板、和該第一基板對向而配置之第二基板、及填充於該第一基板與該第二基板之間的液晶， <br/>以使該含有液晶及自由基聚合性化合物之液晶組成物接觸如請求項6之具有自由基產生膜之該第一基板之該自由基產生膜的狀態，使該自由基聚合性化合物進行聚合反應而成。
一種可交聯組合物，其包含：乙烯類聚合物；具有式(I)之聚胺基矽氧烷(PAS)[RSi(OZ)<sub>2</sub>O<sub>1/2</sub>]<sub>q</sub>[RSi(OZ)O<sub>2/2</sub>]<sub>m</sub>[RSiO<sub>3/2</sub>]<sub>n</sub>其中R為具有苯基部分之C<sub>6</sub>-C<sub>20</sub>胺基烷基，Si為矽原子，O為氧原子，Z為氫原子或C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烴基，q、m及n各自個別地為2至1,000,000之整數；且1/2表示式(II)之末端嵌段結構<img align="absmiddle" height="64px" width="79px" file="d10001.TIF" alt="其他非圖式ed10001.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10001.png"/>，2/2表示式(III)之線性結構<figure><img align="absmiddle" height="63px" width="126px" file="d10002.TIF" alt="化學式ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/></figure>3/2表示式(IV)之分支結構<img align="absmiddle" height="93px" width="84px" file="d10003.TIF" alt="其他非圖式ed10003.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10003.png"/>；及視情況選用之過氧化物。
如請求項1之可交聯組合物，其中該乙烯類聚合物具有0.91g/cc至0.93g/cc之密度；及0.5g/10min至5.0g/10min之熔體指數。
如請求項1至2中任一項之可交聯組合物，其包含80wt%至99wt%之該乙烯類聚合物；0.05wt%至3wt%之該聚胺基矽氧烷；及大於0wt%至小於2wt%過氧化物。
如請求項1至2中任一項之可交聯組合物，其包含選自由以下組成之群的添加劑：抗氧化劑、防焦劑、助劑、成核劑、加工助劑、增量油、碳黑、奈米粒子、UV穩定劑及其組合。
一種交聯組合物，其包含：乙烯類聚合物；具有式(I)之聚胺基矽氧烷(PAS)[RSi(OZ)<sub>2</sub>O<sub>1/2</sub>]<sub>q</sub>[RSi(OZ)O<sub>2/2</sub>]<sub>m</sub>[RSiO<sub>3/2</sub>]<sub>n</sub>其中R為具有苯基部分之C<sub>6</sub>-C<sub>20</sub>胺基烷基，Si為矽原子，O為氧原子，Z為氫原子或C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烴基，q、m及n各自個別地為2至1,000,000之整數；且1/2表示式(II)之末端嵌段結構<img align="absmiddle" height="61px" width="75px" file="d10004.TIF" alt="其他非圖式ed10004.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10004.png"/>，2/2表示式(III)之線性結構<img align="absmiddle" height="69px" width="99px" file="d10005.TIF" alt="其他非圖式ed10005.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10005.png"/>，且3/2表示式(IV)之分支結構<figure><img align="absmiddle" height="94px" width="134px" file="d10006.TIF" alt="化學式ed10006.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10006.png"/></figure>
如請求項5之交聯組合物，其中該乙烯類聚合物具有0.91g/cc至0.93g/cc之密度；及0.5g/10min至5.0g/10min之熔體指數。
如請求項5至6中任一項之交聯組合物，其包含選自由以下組成之群的添加劑：抗氧化劑、防焦劑、助劑、成核劑、加工助劑、增量油、碳黑、奈米粒子、UV穩定劑及其組合。
如請求項5至6中任一項之交聯組合物，其包含90wt%至99wt%之該乙烯類聚合物；0.1wt%至1.0wt%之該PAS；及該交聯組合物具有3%至12%之平均WTL。
如請求項8之交聯組合物，其中該式(I)之PAS係苯基胺基丙基三甲氧基矽烷之聚合反應產物。
如請求項8之交聯組合物，其中該式(I)之PAS係胺基苯基三甲氧基矽烷之聚合反應產物。
一種針織系統（18），包含以下特徵：<br/>至少一導針裝置（3），其具有一基座表面（12），其指向一高程方向（H），<br/>至少一導引凹槽（4）其係配置在該導針裝置（3）的該基座表面（12）上以及實質上在工作方向（A）延伸，其中該工作方向（A）係與該高程方向（H）成直角，<br/>至少一邊緣凹槽（6），其係配置在該導針裝置（3）的該基座表面（12）上以及係在周邊方向（U）及工作方向（A）相對於該至少一導引凹槽（4）偏移，其中該周邊方向（U）係與該工作方向（A）及該高程方向（H）成直角，<br/>至少一針（1），在其指向正工作方向（A）的第一端部包含合併的一環成形元件（2）的一工作部分（10），在指向負工作方向（A）的第二端部包含一柄部分（8），<br/>其中，在該柄部分（8）以及該工作部分（10）之間，插入一彎曲部分（9），其中該至少一針（1）具有在周邊方向（U）及工作方向（A）中有方向分量的一彎折（bend），<br/>其中，該至少一針（1）的該工作部分（10）係容納在一邊緣凹槽（6）中以及該至少一針（1）的該柄部分（8）在一導引凹槽（4）中，<br/>其特徵在於，<br/>在該至少一針（1）的彎曲部分（9）中，至少一凹部（11）係配置在其指向周邊方向（U）或高程方向（H）的至少一側表面（23），及/或該至少一針（1）的該彎曲部分（9）係塑性地成形，以在周邊方向（U）產生在該工作部分（10）及該柄部分（8）之間的一塑性柄偏移S<sub>PL</sub>，<sub/><br/>其中，在指向周邊方向（U）的一基座表面（23）的至少一凹部（11）具有10μm至100μm的一凹部深度（22），及/或其中，在指向高程方向（H）的一基座表面（23）的至少一凹部（11）具有150μm至500μm的一凹部深度（22）。
如請求項1所述的針織系統（18），其中該至少一凹部（11）在高程方向（H）延伸過整個針高度（13）。
如請求項1所述的針織系統（18），其中在一延伸狀態及/或一縮回狀態下，該至少一針（1）的該至少一凹部（11）係完全在該至少一邊緣凹槽（6）及/或該至少一導引凹槽（4）的外側。
如請求項1所述的針織系統（18），其中在該縮回狀態的該至少一針（1）的至少一凹部（11）係在至少一導引凹槽（4）之外側，到一幅度至少為凹部長度（24）的60%，這對應至該凹部（11）在工作方向（A）的延伸處，及/或在該延伸狀態的該至少一針（1）的該至少一凹部（11）係在該至少一邊緣凹槽（6）之外側，到一幅度至少為凹部長度（24）的60%。
如請求項1所述的針織系統（18），其中<br/>至少一驅動凸片（16），其係配置在該至少一針（1）的該柄部分（8）中以及在高程方向（H）突出於周圍的該柄部分（8），<br/>以及一彎曲部分間隙（19），在工作方向（A）對應至在該至少一驅動凸片（16）以及該彎曲部分（9）之間的距離，其中該彎曲部分間隙（19）至少與對應至該針（1）在該縮回狀態及該延伸狀態之間在工作方向（A）的路徑的一延伸處長度（25）一樣大。
如請求項1所述的針織系統（18），其中該至少一針（1）的該工作部分（10）及該柄部分（8）在工作方向（A）實質上彼此平行延伸。
如請求項1所述的針織系統（18），其中<br/>至少一導引壁（5），在周邊方向（U）限制該至少一導引凹槽（4），<br/>至少一附加桿（21），在工作方向（A）與該至少一導引壁（5）相鄰以及係配置在該導針裝置（3）的該基座表面上，其中，該導引壁寬度（b<sub>FS</sub>）與該附加桿寬度（b<sub>HS</sub>）的寬度比（V），V=b<sub>FS</sub>/b<sub>HS</sub>，採用以下：<br/>2.0 ≤ V ≤ 2.5<br/>較佳為2.1≤V≤2.4。
如請求項1所述的針織系統（18），其中<br/>在沿著刀具縱向方向（z）延伸在該工作部分（10）中間的一工作部分中心線（28）以及在沿著刀具縱向方向（z）延伸在該柄部分（8）中間的柄部分中心線（27）之間，存在一在周邊方向（U）的柄偏移（S），其係由一彈性變形產生的一塑性柄偏移S<sub>PL</sub>及一彈性柄偏移S<sub>EL</sub>組成，即S = S<sub>PL</sub>+ S<sub>EL</sub>，<br/>對於柄偏移（S），作為一間距（t）及柄寬度（d<sub>S</sub>）的函數，採用關係式S=（t-d<sub>S</sub>）/2。
如請求項1所述的針織系統（18），其中<br/>至少二針（1）的該柄部分（8）係容納在相同的導引凹槽（4）中。
一種針（1），具有以下特徵：<br/>一環成形元件（2），配置在該針（1）的一第一端部，該第一端部指向一正工作方向（A），<br/>一柄部分（8），其係適合容納在一導針裝置（3）的一導引凹槽（4）中，以及係配置在該針（1）的一第二端部，該第二端指向負工作方向，<br/>一工作部分（10），合併該環成形元件（2），以及係適合容納在一導針裝置（3）的一邊緣凹槽（6）中，<br/>一彎曲部分（9），其係在工作方向（A）插入在該柄部分（8）以及該工作部分（10）之間，<br/>其特徵在於<br/>在該針（1）的該彎曲部分（9）中，至少一凹部（11）係配置在其至少一側表面（23）上，其指向與該工作方向（A）成直角的周邊方向（U），或指向與工作方向（A）及周邊方向（U）成直角的高程方向（H），及/或該彎曲部分（9）係塑性地成形，以在與該工作方向（A）成直角的一周邊方向（U），在該工作部分（10）及該柄部分（8）之間產生一塑性柄偏移（S<sub>PL</sub>），<br/>其中，在指向周邊方向（U）的一基座表面（23）的至少一凹部（11）具有10μm至100μm的一凹部深度（22），及/或在指向高程方向（H）的一基座表面（23）的至少一凹部（11）具有150μm至500μm的一凹部深度（22）。
如請求項10所述的針（1），其中<br/>該至少一凹部（11）在高程方向（H）延伸過整個針高度（13）。
如請求項10所述的針（1），其中<br/>該至少一凹部（11）在高程方向（H）最多延伸過針高度（13）的90%。
如請求項10所述的針（1），其中<br/>該工作部分（10）及該柄部分（8）在工作方向（A）實質上彼此平行延伸。
一種由一接收器設備執行的無線通訊的方法，包括：<br/>從一網路實體接收對報告針對一第一分量載波上的一第一定位頻率層和一第二分量載波上的一第二定位頻率層的一功率延遲分佈（PDP）相似性度量的一請求；<br/>決定針對在該第一定位頻率層上接收的一第一參考信號的一第一PDP和針對在該第二定位頻率層上接收的一第二參考信號的一第二PDP；<br/>基於該第一PDP和該第二PDP來決定該PDP相似性度量；及<br/>向該網路實體發送該PDP相似性度量，其中該接收器設備週期性地、半持久地或依須求地發送該PDP相似性度量。
根據請求項1之方法，其中該第一分量載波和該第二分量載波是相同的分量載波。
根據請求項1之方法，其中該第一分量載波和該第二分量載波是不同的分量載波。
根據請求項1之方法，其中：<br/>該接收器設備是一使用者設備（UE），<br/>該第一參考信號是一第一下行鏈路定位參考信號（PRS），<br/>該第二參考信號是一第二下行鏈路PRS，以及<br/>該網路實體是一服務基地台或一位置伺服器。
根據請求項1之方法，其中：<br/>該接收器設備是一基地台，<br/>該第一參考信號是一第一探測參考信號（SRS），<br/>該第二參考信號是一第二SRS，以及<br/>該網路實體是一位置伺服器或一使用者設備，從該位置伺服器或該使用者設備接收該第一參考信號和該第二參考信號。
根據請求項1之方法，其中決定該PDP相似性度量包括：<br/>決定該第一PDP與該第二PDP之間的一餘弦相似性；及<br/>基於該餘弦相似性來設定該PDP相似性度量的一值。
根據請求項1之方法，其中決定該PDP相似性度量包括：<br/>決定該第一PDP與該第二PDP之間的一差異的一範數；及<br/>基於該範數來設定該PDP相似性度量的一值。
根據請求項7之方法，其中該範數包括：<br/>一p-範數，<br/>一1-範數，<br/>一2-範數，或<br/>一無窮-範數。
根據請求項1之方法，其中決定該PDP相似性度量包括：<br/>決定該第一PDP的一第一潛在表示和該第二PDP的一第二潛在表示；<br/>決定該第一潛在表示與該第二潛在表示之間的一距離；及<br/>基於該第一潛在表示與該第二潛在表示之間的該距離來設定該PDP相似性度量的一值。
根據請求項9之方法，其中該第一潛在表示和該第二潛在表示由一神經網路來決定。
根據請求項1之方法，其中決定該PDP相似性度量包括：<br/>將該第一PDP的一時域表示與該第二PDP的一時域表示進行比較；及<br/>決定該第一PDP的該時域表示是否在該第二PDP的該時域表示的一第一閾值內。
根據請求項11之方法，其中決定該PDP相似性度量還包括：<br/>基於該第一PDP的該時域表示在該第二PDP的該時域表示的該第一閾值內，將該第一PDP的一頻域表示與該第二PDP的一頻域表示進行比較；及<br/>決定該第一PDP的該頻域表示是否在該第二PDP的該頻域表示的一第二閾值內。
根據請求項12之方法，其中決定該PDP相似性度量還包括：<br/>基於該第一PDP的該頻域表示在該第二PDP的該頻域表示的該第二閾值內，將該PDP相似性度量的一值設定為指示該第一定位頻率層和該第二定位頻率層是相似的；及<br/>基於該第一PDP的該頻域表示不在該第二PDP的該頻域表示的該第二閾值內，將該PDP相似性度量的值設定為指示該第一定位頻率層和該第二定位頻率層是不相似的。
根據請求項11之方法，其中決定該PDP相似性度量還包括：<br/>基於該第一PDP的該時域表示不在該第二PDP的該時域表示的該第一閾值內，將該PDP相似性度量的一值設定為指示該第一定位頻率層和該第二定位頻率層是不相似的。
根據請求項1之方法，其中該第一分量載波具有比該第二分量載波更大的一頻寬，該方法還包括：<br/>對該第一分量載波進行二次取樣，以決定在該第二分量載波的一頻寬下的該第一PDP。
根據請求項1之方法，還包括：<br/>僅使用該第一PDP和該第二PDP的一子集來決定該PDP相似性度量。
根據請求項1之方法，還包括：<br/>將該第一PDP或該第二PDP移位以解決該第一分量載波與該第二分量載波之間的時序差異。
根據請求項1之方法，其中該PDP相似性度量指示該第一PDP與該第二PDP之間的一差異水平。
根據請求項1之方法，其中該PDP相似性度量指示該第一參考信號和該第二參考信號是否具有一准共址（QCL）關係。
根據請求項19之方法，其中該QCL關係指示該第一參考信號和該第二參考信號具有相同的延遲擴展。
根據請求項1之方法，其中該網路實體是位置伺服器。
根據請求項1之方法，還包括：<br/>在一時域、一頻域或兩者中將該第一參考信號和該第二參考信號的量測聚合；及<br/>向該網路實體報告該等量測。
一種接收器設備，包括：<br/>一記憶體；<br/>至少一個收發器；及<br/>通訊耦接到該記憶體和該至少一個收發器的至少一個處理器，該至少一個處理器被配置為：<br/>從一網路實體接收對報告針對一第一分量載波上的一第一定位頻率層和一第二分量載波上的一第二定位頻率層的一功率延遲分佈（PDP）相似性度量的一請求；<br/>決定針對在該第一定位頻率層上接收的一第一參考信號的一第一PDP和針對在該第二定位頻率層上接收的一第二參考信號的一第二PDP；<br/>基於該第一PDP和該第二PDP來決定該PDP相似性度量；及<br/>向該網路實體發送該PDP相似性度量，其中該接收器設備週期性地、半持久地或依須求地發送該PDP相似性度量。
根據請求項23之接收器設備，其中該第一分量載波和該第二分量載波是相同的分量載波。
根據請求項23之接收器設備，其中該第一分量載波和該第二分量載波是不同的分量載波。
根據請求項23之接收器設備，其中：<br/>該接收器設備是一使用者設備（UE），<br/>該第一參考信號是一第一下行鏈路定位參考信號（PRS），<br/>該第二參考信號是一第二下行鏈路PRS，以及<br/>該網路實體是一服務基地台或一位置伺服器。
根據請求項23之接收器設備，其中：<br/>該接收器設備是一基地台，<br/>該第一參考信號是一第一探測參考信號（SRS），<br/>該第二參考信號是一第二SRS，以及<br/>該網路實體是一位置伺服器或一使用者設備，從該位置伺服器或該使用者設備接收該第一參考信號和該第二參考信號。
根據請求項23之接收器設備，其中該至少一個處理器被配置為決定該PDP相似性度量包括該至少一個處理器被配置為執行以下操作：<br/>決定該第一PDP與該第二PDP之間的一餘弦相似性；及<br/>基於該餘弦相似性來設定該PDP相似性度量的一值。
根據請求項23之接收器設備，其中該至少一個處理器被配置為決定該PDP相似性度量包括該至少一個處理器被配置為執行以下操作：<br/>決定該第一PDP與該第二PDP之間的一差異的一範數；及<br/>基於該範數來設定該PDP相似性度量的一值。
根據請求項29之接收器設備，其中該範數包括：<br/>一p-範數，<br/>一1-範數，<br/>一2-範數，或<br/>一無窮-範數。
根據請求項23之接收器設備，其中該至少一個處理器被配置為決定該PDP相似性度量包括該至少一個處理器被配置為執行以下操作：<br/>決定該第一PDP的一第一潛在表示和該第二PDP的一第二潛在表示；<br/>決定該第一潛在表示與該第二潛在表示之間的一距離；及<br/>基於該第一潛在表示與該第二潛在表示之間的該距離來設定該PDP相似性度量的一值。
根據請求項31之接收器設備，其中該第一潛在表示和該第二潛在表示由一神經網路來決定。
根據請求項23之接收器設備，其中該至少一個處理器被配置為決定該PDP相似性度量包括該至少一個處理器被配置為執行以下操作：<br/>將該第一PDP的一時域表示與該第二PDP的一時域表示進行比較；及<br/>決定該第一PDP的時域表示是否在該第二PDP的時域表示的一第一閾值內。
根據請求項33之接收器設備，其中該至少一個處理器被配置為決定該PDP相似性度量包括該至少一個處理器被配置為執行以下操作：<br/>基於該第一PDP的時域表示在該第二PDP的該時域表示的該第一閾值內，將該第一PDP的一頻域表示與該第二PDP的一頻域表示進行比較；及<br/>決定該第一PDP的該頻域表示是否在該第二PDP的該頻域表示的一第二閾值內。
根據請求項34之接收器設備，其中該至少一個處理器被配置為決定該PDP相似性度量包括該至少一個處理器被配置為執行以下操作：<br/>基於該第一PDP的該頻域表示在該第二PDP的該頻域表示的該第二閾值內，將該PDP相似性度量的一值設定為指示該第一定位頻率層和該第二定位頻率層是相似的；及<br/>基於該第一PDP的該頻域表示不在該第二PDP的該頻域表示的該第二閾值內，將該PDP相似性度量的該值設定為指示該第一定位頻率層和該第二定位頻率層是不相似的。
根據請求項33之接收器設備，其中該至少一個處理器被配置為決定該PDP相似性度量包括該至少一個處理器被配置為執行以下操作：<br/>基於該第一PDP的該時域表示不在該第二PDP的該時域表示的該第一閾值內，將該PDP相似性度量的一值設定為指示該第一定位頻率層和該第二定位頻率層是不相似的。
根據請求項23之接收器設備，其中：<br/>該第一分量載波具有比該第二分量載波更大的一頻寬，<br/>該接收器設備對該第一分量載波進行二次取樣，以決定在該第二分量載波的一頻寬下的該第一PDP。
根據請求項23之接收器設備，其中該接收器設備僅使用該第一PDP和該第二PDP的一子集來決定該PDP相似性度量。
根據請求項23之接收器設備，其中該至少一個處理器還被配置為：<br/>將該第一PDP或該第二PDP移位以解決該第一分量載波與該第二分量載波之間的時序差異。
根據請求項23之接收器設備，其中該PDP相似性度量指示該第一PDP與該第二PDP之間的一差異水平。
根據請求項23之接收器設備，其中該PDP相似性度量指示該第一參考信號和該第二參考信號是否具有一准共址（QCL）關係。
根據請求項41之接收器設備，其中該QCL關係指示該第一參考信號和該第二參考信號具有相同的延遲擴展。
根據請求項23之接收器設備，其中該網路實體是一位置伺服器。
根據請求項23之接收器設備，其中該至少一個處理器還被配置為：<br/>在一時域、一頻域或兩者中將該第一參考信號和該第二參考信號的量測聚合；及<br/>向該網路實體報告該等量測。
一種接收器設備，包括：<br/>用於從一網路實體接收對報告針對一第一分量載波上的一第一定位頻率層和一第二分量載波上的一第二定位頻率層的一功率延遲分佈（PDP）相似性度量的一請求的構件；<br/>用於決定針對在該第一定位頻率層上接收的一第一參考信號的一第一PDP和針對在該第二定位頻率層上接收的一第二參考信號的一第二PDP的構件；<br/>用於基於該第一PDP和該第二PDP來決定該PDP相似性度量的構件；及<br/>用於向該網路實體發送該PDP相似性度量的構件，其中該接收器設備週期性地、半持久地或依須求地發送該PDP相似性度量。
一種儲存電腦可執行指令的非暫時性電腦可讀取媒體，該等電腦可執行指令包括：<br/>指導一接收器設備從一網路實體接收對報告針對一第一分量載波上的一第一定位頻率層和一第二分量載波上的一第二定位頻率層的一功率延遲分佈（PDP）相似性度量的一請求的至少一個指令；<br/>指導該接收器設備決定針對在該第一定位頻率層上接收的一第一參考信號的一第一PDP和針對在該第二定位頻率層上接收的一第二參考信號的一第二PDP的至少一個指令；<br/>指導該接收器設備基於該第一PDP和該第二PDP來決定該PDP相似性度量的至少一個指令；及<br/>指導該接收器設備向該網路實體發送該PDP相似性度量的至少一個指令，其中該接收器設備週期性地、半持久地或依須求地發送該PDP相似性度量。
一種式(V)化合物或其醫藥學上可接受之鹽， <br/><img align="absmiddle" height="156px" width="119px" file="ed10066.jpg" alt="ed10066.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中： <br/>L 為-C(=O)-或-CH<sub>2</sub>-； <br/>R<sup>1a</sup>及R<sup>1b</sup> 獨立地為H或視情況經-CO<sub>2</sub>H取代之C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基； <br/>R<sup>3</sup> 為C<sub>4</sub>-C<sub>5</sub>烷基、C<sub>4</sub>-C<sub>5</sub>烯基或經C<sub>3</sub>-C<sub>5</sub>環烷基取代之C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基；及 <br/>R<sup>4</sup> 為經1至3個選自-CF<sub>3</sub>、-OCHF<sub>2</sub>、-OH、氟及氯之取代基取代的苯基或吡啶基。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>1a</sup>及R<sup>1b</sup>各獨立地為H或C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>1a</sup>為甲基且R<sup>1b</sup>為H。
如請求項1至3中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>3</sup>為： <br/><img align="absmiddle" height="83px" width="729px" file="ed10068.jpg" alt="ed10068.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="80px" width="564px" file="ed10070.jpg" alt="ed10070.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="76px" width="166px" file="ed10072.jpg" alt="ed10072.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1至3中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>4</sup>為經1至3個選自-CF<sub>3</sub>、-OCHF<sub>2</sub>、-OH、氟及氯之取代基取代的苯基。
如請求項1至3中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>4</sup>為經1至3個選自-CF<sub>3</sub>、-OCHF<sub>2</sub>、-OH、氟及氯之取代基取代的吡啶基。
如請求項1至3中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>4</sup>為： <br/><img align="absmiddle" height="28px" width="199px" file="ed10074.jpg" alt="ed10074.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="18px" width="29px" file="ed10076.jpg" alt="ed10076.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1至3中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中-L-R<sup>4</sup>為： <br/><img align="absmiddle" height="91px" width="655px" file="ed10078.jpg" alt="ed10078.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="92px" width="557px" file="ed10080.jpg" alt="ed10080.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種化合物，其選自下列： <br/>或其醫藥學上可接受之鹽。
如請求項9之化合物，其中該化合物係 <br/><img align="absmiddle" height="48px" width="75px" file="ed10082.jpg" alt="ed10082.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>或其醫藥學上可接受之鹽。
如請求項9之化合物，其中該化合物係 <br/><img align="absmiddle" height="48px" width="75px" file="ed10091.jpg" alt="ed10091.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>或其醫藥學上可接受之鹽。
如請求項9之化合物，其中該化合物係 <br/><img align="absmiddle" height="48px" width="79px" file="ed10101.jpg" alt="ed10101.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>或其醫藥學上可接受之鹽。
如請求項9之化合物，其中該化合物係 <br/><img align="absmiddle" height="48px" width="80px" file="ed10103.jpg" alt="ed10103.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>或其醫藥學上可接受之鹽。
如請求項9之化合物，其中該化合物係 <br/><img align="absmiddle" height="48px" width="77px" file="ed10104.jpg" alt="ed10104.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>或其醫藥學上可接受之鹽。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1至14中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，及醫藥學上可接受之載劑。
一種如請求項1至14中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或如請求項15之醫藥組合物之用途，其係用於製備調節肝細胞生長因子之藥物。
一種如請求項1至14中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或如請求項15之醫藥組合物之用途，其係用於製備治療疾病、病狀或損傷之藥物，其中該疾病、病狀或損傷為神經退化性疾病、脊髓損傷、創傷性腦損傷或感覺神經性聽覺喪失。
如請求項17之用途，其中該疾病、病狀或損傷為神經退化性疾病，及該神經退化性疾病為阿茲海默氏病(Alzheimer's disease)、帕金森氏病(Parkinson's disease)、亨廷頓氏病(Huntington's disease)或肌肉萎縮性側索硬化症(ALS)。
如請求項18之用途，其中該神經退化性疾病為肌肉萎縮性側索硬化症(ALS)。
一種如請求項1至14中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或如請求項15之醫藥組合物之用途，其係用於製備治療或減緩癡呆或認知功能障礙之進展之藥物。
如請求項20之用途，其中該癡呆係與阿茲海默氏病或帕金森氏病有關。
一種如請求項1至14中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或如請求項15之醫藥組合物之用途，其係用於製備治療或修復與神經組織有關之疾病、病狀或損傷之藥物。
一種如請求項1至14中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或如請求項15之醫藥組合物之用途，其係用於製備治療中樞神經系統之疾病或病症、周邊神經系統之疾病或病症、神經痛、焦慮或抑鬱之藥物。
一種用於使用電子裝置氣溶膠化與吸入之水性調配物，該調配物包含：鹽水組分；酸組分，其中該酸組分包括乳酸；菸鹼組分；及薄荷醇組分，其中該水性調配物之pH值量測在大約2與大約5之間。
如請求項1之水性調配物，其中該鹽水組分包括0.9% NaCl鹽水溶液。
如請求項1之水性調配物，其中該鹽水組分為該調配物之大約30質量%至大約99.998質量%。
如請求項1之水性調配物，其中該酸組分進一步包括苯甲酸、蘋果酸、酒石酸、水楊酸、乙醯丙酸、及鹽酸中之一或多者。
如請求項1之水性調配物，其中該酸組分為該調配物之大約0.001質量%至大約25質量%。
如請求項1之水性調配物，其中該菸鹼組分包括呈質子化形式之菸鹼及呈非質子化形式之菸鹼。
如請求項1之水性調配物，其中該菸鹼組分為該調配物之大約0.001質量%至大約5質量%。
如請求項1之水性調配物，其中該水性調配物之該pH值量測為大約3.38。
如請求項1之水性調配物，其中該薄荷醇組分為該調配物之大約0.001質量%至大約15質量%。
如請求項1之水性調配物，其進一步包含乙醇組分。
如請求項10之水性調配物，其中該乙醇組分為該調配物之大約0.001質量%至大約10質量%。
如請求項1之水性調配物，其進一步包含界面活性劑組分，其中該界面活性劑組分包括一或多種不同界面活性劑。
如請求項12之水性調配物，其中該界面活性劑組分包括聚氧乙烯山梨糖醇酐單油酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇酐單硬脂酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇酐單月桂酸酯、卵磷脂及泊洛沙姆(poloxamer)中之一或多者。
如請求項12之水性調配物，其中該界面活性劑組分為該調配物之大約0.001質量%至大約10質量%。
如請求項1之水性調配物，其進一步包含乙醇組分及界面活性劑組分。
一種製備用於使用電子裝置氣溶膠化與吸入之水性調配物的方法，其包含：將菸鹼組分與酸組分混合以形成第一混合物；分開地，將薄荷醇組分與鹽水組分混合以形成第二混合物；及將該第一混合物與該第二混合物混合以形成目標水性調配物，該目標水性調配物之pH值量測在大約2與大約5之間。
一種製備用於使用電子裝置氣溶膠化與吸入之水性調配物的方法，其包含：(a)將菸鹼組分與酸組分混合以形成第一混合物；(b)分開地，將薄荷醇組分與乙醇組分混合以形成第二混合物；(c)將鹽水組分與該第二混合物混合以形成第三混合物；及(d)將該第一混合物與該第三混合物混合以形成目標水性調配物，該目標水性調配物之pH值量測在大約2與大約5之間。
一種製備用於使用電子裝置氣溶膠化與吸入之水性調配物的方法，其包含：(a)將菸鹼組分與酸組分混合以形成第一混合物；(b)將鹽水組分與該第一混合物混合以形成第二混合物；(c)分開地，將薄荷醇組分、乙醇組分、與界面活性劑組分混合以形成第三混合物；及(d)將該第二混合物與該第三混合物混合以形成目標水性調配物，該目標水性調配物之pH值量測在大約2與大約5之間。
一種式I化合物或其立體異構物、其水合物或前述任一者之醫藥學上可接受之鹽， <br/><img align="absmiddle" height="80px" width="109px" file="ed10535.jpg" alt="ed10535.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式I <br/>其中： <br/>R<sup>1</sup>為-(C(R<sup>4</sup>)<sub>2</sub>)<sub>n</sub>R<sup>5</sup>； <br/>X為-NH； <br/>n為0； <br/>R<sup>5</sup>為經0或1個R<sup>5</sup><sup>'</sup>取代之苯基； <br/>R<sup>2</sup>為經至少一個R<sup>7</sup>及0、1或2個R<sup>8</sup>取代之苯基；及 <br/>R<sup>3</sup>為經0、1、2或3個R<sup>12</sup>取代之吡唑基； <br/>各R<sup>5</sup><sup>'</sup>獨立地為C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、3至6員單環雜環烷基、鹵基、羥基或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基，其中該3至6員單環雜環烷基包含至少一個選自氧、氮及硫之雜原子； <br/>R<sup>7</sup>為<img align="absmiddle" height="27px" width="45px" file="ed10537.jpg" alt="ed10537.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>R<sup>8</sup>為氟； <br/>Y為-C(=O)-； <br/>R<sup>9</sup>、R<sup>9</sup><sup>'</sup>及R<sup>9</sup><sup>''</sup>為氫； <br/>R<sup>10</sup>為氫；及 <br/>各R<sup>12</sup>獨立地為甲基、異丙基、三級丁基、羥乙基、甲氧基乙基、三氟甲基、三氟乙基、氯、氰基、𠰌啉基或環丙基。
如請求項1之化合物或其立體異構物、其水合物或前述任一者之醫藥學上可接受之鹽，其中各R<sup>5</sup><sup>'</sup>獨立地為甲基、乙基、三級丁基、吡咯啶基、哌啶基、哌𠯤基、𠰌啉基、氟、氯、氰基、羥基、甲氧基、乙氧基、氟甲基、二氟甲基或三氟甲基。
如請求項2之化合物或其立體異構物、其水合物或前述任一者之醫藥學上可接受之鹽，其中各R<sup>5</sup><sup>'</sup>獨立地為甲基、𠰌啉基、氟、氯、甲氧基、氟甲基、二氟甲基或三氟甲基。<b> </b>
如請求項1至3中任一項之化合物或其立體異構物、其水合物或前述任一者之醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>2</sup>經1或2個R<sup>8</sup>取代。
<b> </b>如請求項1至3中任一項之化合物或其立體異構物、其水合物或前述任一者之醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>2</sup>經0個R<sup>8</sup>取代。<b> </b><br/><img align="absmiddle" height="0px" width="207px" file="ed10538.jpg" alt="ed10538.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>
如請求項1至3中任一項之化合物或其立體異構物、其水合物或前述任一者之醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>3</sup>未經取代。
如請求項1至3中任一項之化合物或其立體異構物、其水合物或前述任一者之醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>3</sup>經至少1個R<sup>12</sup>取代。
如請求項7之化合物或其立體異構物、其水合物或前述任一者之醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>3</sup>經至少2個R<sup>12</sup>取代。
如請求項8之化合物或其立體異構物、其水合物或前述任一者之醫藥學上可接受之鹽，其中各R<sup>12</sup>獨立地為甲基、羥乙基、甲氧基乙基、三氟乙基或氯。
如請求項9之化合物或其立體異構物、其水合物或前述任一者之醫藥學上可接受之鹽，其中各R<sup>12</sup>獨立地為甲基或氯。
如請求項1至3中任一項之化合物或其立體異構物、其水合物或前述任一者之醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>5</sup><sup>'</sup>為氟甲基、二氟甲基或三氟甲基。
如請求項1至3中任一項之化合物或其立體異構物、其水合物或前述任一者之醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>12</sup>為甲基。
如請求項1至3中任一項之化合物或其立體異構物、其水合物或前述任一者之醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物具有式I-A、式I-B、式I-C、式I-D、式I-E、式I-F或式I-G： <br/><img align="absmiddle" height="103px" width="173px" file="ed10539.jpg" alt="ed10539.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式I-A； <br/><img align="absmiddle" height="121px" width="142px" file="ed10541.jpg" alt="ed10541.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式I-B； <br/><img align="absmiddle" height="82px" width="157px" file="ed10543.jpg" alt="ed10543.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式I-C； <br/><img align="absmiddle" height="145px" width="239px" file="ed10536.jpg" alt="ed10536.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式I-D； <br/><img align="absmiddle" height="143px" width="188px" file="ed10545.jpg" alt="ed10545.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式I-E； <br/><img align="absmiddle" height="102px" width="229px" file="ed10546.jpg" alt="ed10546.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式I-F； <br/><img align="absmiddle" height="118px" width="190px" file="ed10547.jpg" alt="ed10547.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式I-G。
如請求項1之化合物或其立體異構物、其水合物或前述任一者之醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物係選自： <br/>
如請求項14之化合物或其立體異構物、其水合物或前述任一者之醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為： <br/><img align="absmiddle" height="53px" width="74px" file="ed10580.jpg" alt="ed10580.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1至15中任一項之化合物或其立體異構物、其水合物或前述任一者之醫藥學上可接受之鹽，及醫藥學上可接受之載劑。
一種如請求項1至15中任一項之化合物或其立體異構物、其水合物或前述任一者之醫藥學上可接受之鹽之用途，用於製備治療個體中之癌症之藥劑。
如請求項17之用途，其中該癌症為膀胱癌、前列腺癌、乳癌、子宮頸癌、大腸直腸癌、子宮內膜癌、胃癌、神經膠母細胞瘤、頭頸癌或肺癌。
如請求項17之用途，其中該癌症為非小細胞肺癌。
如請求項18之用途，其中該個體中之癌症包含EGFR突變，其包含外顯子18中之取代、外顯子19中之缺失、外顯子20中之取代、外顯子20中之插入、細胞外域中之突變或外顯子21中之取代。
如請求項20之用途，其中該EGFR突變係選自del19/T790M EGFR、L858R/T790M EGFR、L858R EGFR、L861Q EGFR、G719X EGFR、763insFQEA EGFR、767insTLA EGFR、769insASV EGFR、769insGE EGFR、770insSVD EGFR、770insNPG EGFR、770insGT EGFR、770insGF EGFR、770insG EGFR、771insH EGFR、771insN EGFR、772insNP EGFR、773insNPH EGFR、773insH EGFR、773insPH EGFR、EGFRvii、EGFRviii、A767_dupASV EGFR、773insAH EGFR、M766_A767insAI EGFR及其任何組合。
一種在一物理氣相沉積（PVD）腔室中使用的夾具，包含： <br/>一夾具主體及從該夾具主體延伸的一向外延伸的架子，其中該向外延伸的架子包括一夾持表面，配置成將一隔絕環夾持至該PVD腔室的一腔室主體，其中該向外延伸的架子的一高度為該夾具主體的一高度的約百分之15至約百分之40，且其中該夾具主體包括一中心開口，配置成在其中保持一緊固件。
如請求項1所述之夾具，其中該夾具主體包括從該夾具主體的一上部表面延伸的一垂直溝槽。
如請求項2所述之夾具，其中該垂直溝槽包括一上部部分及一下部部分，其中該上部部分比該下部部分更寬。
如請求項1所述之夾具，其中該夾具主體包括從該夾具主體的一第一側延伸至該中心開口的一水平溝槽。
如請求項1所述之夾具，其中該夾具以一聚合物材料製成。
如請求項1至5任一項所述之夾具，其中該向外延伸的架子包括傾斜的一標靶面向表面。
如請求項6所述之夾具，其中該標靶面向表面以約45度至約85度的一角度傾斜。
如請求項6所述之夾具，其中該標靶面向表面包括具有一第一斜度的一上部部分及具有一第二斜度的一下部部分，其中該第二斜度不同於該第一斜度。
如請求項1至5任一項所述之夾具，其中該夾具主體在相對於該向外延伸的架子的該夾具主體的一側上包括斜的側壁。
一種在一處理腔室中使用的夾具，包含： <br/>一夾具主體及從該夾具主體延伸的一向外延伸的架子，其中該向外延伸的架子包括一夾持表面，配置成將一隔絕環夾持至該處理腔室的一腔室主體，其中該向外延伸的架子包括以約30度至約85度的一角度傾斜的一標靶面向表面，且其中該夾具主體包括一中心開口，配置成在其中保持一緊固件。
如請求項10所述之夾具，其中該標靶面向表面以一固定角度傾斜。
如請求項10至11任一項所述之夾具，其中該向外延伸的架子從該夾具主體延伸約0.04至約0.14英吋。
如請求項10至11任一項所述之夾具，其中該夾具主體具有約0.75英吋至約1.5英吋的一高度。
一種處理腔室，包含： <br/>一腔室蓋，佈置於一腔室主體頂上，該腔室主體中界定一內部空間，該腔室蓋配置成支撐一標靶組件且該腔室主體包括一上部腔室配接器； <br/>一隔絕環，佈置於該上部腔室配接器上，且配置成當安裝於該腔室蓋中時支撐該標靶組件；及 <br/>一或更多隔絕環夾具，佈置於該隔絕環四周，以將該隔絕環夾持至該上部腔室配接器，其中該一或更多隔絕環夾具為如請求項1-5或請求項10-11任一項所述者。
如請求項14所述之處理腔室，其中該一或更多隔絕環夾具包含在該隔絕環四周以規則間隔佈置的二或更多夾具。
如請求項14所述之處理腔室，其中該一或更多隔絕環夾具佈置於多個口袋中，該等口袋形成於該上部腔室配接器的一上部表面上。
如請求項14所述之處理腔室，其中該一或更多隔絕環夾具包括一中心開口，且一緊固件佈置於該中心開口中，以將該一或更多隔絕環夾具耦合至該上部腔室配接器。
如請求項14所述之處理腔室，其中該標靶組件包含一標靶及一標靶背板。
如請求項14所述之處理腔室，其中該標靶組件包括倒角的一周圍邊緣。
一種用於一濕式洗滌器之分佈板，該分佈板包括一頂面、一底面，及連接該頂面與該底面且界定一腔穴之一圓周壁； <br/>該圓周壁包括經配置以與一濕式洗滌器之一洗滌流體供應口流體連通之一導管； <br/>該分佈板進一步包括在該頂面與該底面之間延伸之一個或多個通道；其中該或各通道經配置以在使用中允許流體自該頂面朝向該底面通過，且反之亦然； <br/>該底面包括經配置以允許一洗滌流體自該腔穴流動之複數個孔徑。
如請求項1之分佈板，其中該或各通道係由經構形以使該通道與該腔穴分離之一分離壁定界。
如請求項1或請求項2之分佈板，其中至少一個該通道包括一文土里洗滌器。
一種用於氣體減量之濕式洗滌器，其包括界定一腔室之一洗滌容器、用於供應待洗滌之一氣體之一氣體入口，及用於允許一洗滌氣體外出之一氣體出口，該入口及出口係彼此流體連通； <br/>一個或多個洗滌流體供應口； <br/>該濕式洗滌器包括各經連接至用於在該腔室內部分佈一洗滌流體之一洗滌流體供應口的至少第一及第二分佈元件； <br/>其中該第一分佈元件經配置以在該腔室內部分佈原始洗滌流體； <br/>且該第二分佈元件經配置以在該腔室內部分佈再循環洗滌流體， <br/>其中至少一個分佈元件包括如請求項1至3任一項所述之該分佈板。
如請求項4之濕式洗滌器，其中該第二分佈元件係流體地位於該第一分佈元件與該氣體入口之間。
如請求項4之濕式洗滌器，其中該洗滌容器係一實質上垂直延伸之支柱；且該第二分佈元件係實質上位於該洗滌容器之下半部分中。
如請求項4之濕式洗滌器，其中該洗滌容器係一實質上垂直延伸之支柱；且該第二分佈元件實質上位係於該洗滌容器之最下三分之一部分中。
一種用於氣體減量之濕式洗滌器，其包括界定一腔室之一洗滌容器、用於供應待洗滌之一氣體之一氣體入口，及用於允許一洗滌氣體外出之一氣體出口；該入口及出口係彼此流體連通； <br/>一個或多個洗滌流體供應口； <br/>該濕式洗滌器包括經連接至用於在該腔室內部分佈一洗滌流體之一洗滌流體供應口的至少一個分佈元件； <br/>其中至少一個該分佈元件係如請求項1至3任一項所述之該分佈板。
如請求項8之濕式洗滌器，其包括第一及第二分佈元件；其中該第一及第二分佈元件係分佈板。
如請求項8或請求項9之濕式洗滌器，其中該或各分佈板之該等孔徑係跨該分佈板之底面實質上均勻地間隔。
如請求項8之濕式洗滌器，其中該洗滌容器含有包裝材料；及該包裝材料係實質上與至少一個分佈板鄰接；且該包裝材料係實質上與各分佈板鄰接。
一種顯示處理的方法，包括以下步驟：<br/> 標識用於映射至一訊框的一或多層中的一或多個顯示疊加資源；<br/> 從一圖形處理單元（GPU）接收該訊框的該一或多層中的每一層的內容資訊；<br/> 由一顯示處理單元（DPU）決定該一或多層中的至少一層的該內容資訊包含至少一種優先順序格式，其中該至少一種優先順序格式包含高清晰度（HD）視訊、高動態範圍（HDR）視訊、HD視訊重播、HDR視訊重播、視訊錄製、至少一種應用用例、或至少一項突出的顯示活動中的至少一種，其中該至少一種優先順序格式包含可配置的一優先順序格式次序；<br/> 基於該一或多層中的該至少一層的該內容資訊包含該至少一種優先順序格式，決定該一或多層的一優先順序次序，其中該至少一層在該優先順序次序中具有高於該一或多層中的至少一個其他層的一較高優先順序；及<br/> 基於該一或多層的所決定的該優先順序次序，將該一或多個顯示疊加資源中的每一個映射到該一或多層中的一對應層，其中該至少一層被映射至該一或多個顯示疊加資源中的位於該DPU的至少一個第一顯示疊加資源，而該至少一個其他層被映射至該一或多個顯示疊加資源中的位於該GPU的至少一個第二顯示疊加資源，其中該DPU處的該至少一個第一顯示疊加資源與該GPU處的該至少一個第二顯示疊加資源不同，其中該至少一層係基於DPU對該至少一個第一顯示疊加資源的一保留而映射至該DPU處的該至少一個第一顯示疊加資源，<br/> 其中該內容資訊包含該一或多層中的每一層的一或多個內容屬性，<br/> 其中該一或多個內容屬性包含內容中繼資料、像素中繼資料、維度中繼資料或效果中繼資料中的至少一個，且<br/> 其中該一或多層中的每一層皆藉由該DPU處的所映射的該顯示疊加資源進行處理。
如請求項1所述的方法，其中該一或多個顯示疊加資源對應於一或多個DPU管道、一或多個DPU引擎、一或多個DPU時鐘或一DPU記憶體頻寬中的至少一個。
如請求項1所述的方法，其中該一或多個顯示疊加資源被包含在該DPU中。
如請求項1所述的方法，其中該一或多層的該優先順序次序由該DPU、一複合器、一複合器後端、一DPU驅動器或DPU韌體中的至少一個決定。
如請求項1所述的方法，其中該一或多層對應於一或多個應用層或者一或多個系統使用者介面（UI）層中的至少一個。
如請求項1所述的方法，其中當該一或多層的全部層的該內容資訊不包含該至少一種優先順序格式時，該一或多個顯示疊加資源中的每一個皆基於該一或多層的像素屬性被映射到該一或多層中的每一層。
如請求項1所述的方法，其中該一或多層在該DPU處藉由所映射的該顯示疊加資源處理後被發送到一顯示面板。
一種用於顯示處理的裝置，包括：<br/> 記憶體；及<br/> 至少一個處理器，該至少一個處理器耦接到該記憶體並被配置為：<br/> 標識用於映射至一訊框的一或多層中的一或多個顯示疊加資源；<br/> 從一圖形處理單元（GPU）接收該訊框的該一或多層中的每一層的內容資訊；<br/> 由一顯示處理單元（DPU）決定該一或多層中的至少一層的該內容資訊包含至少一種優先順序格式，其中該至少一種優先順序格式包含高清晰度（HD）視訊、高動態範圍（HDR）視訊、HD視訊重播、HDR視訊重播、視訊錄製、至少一種應用用例、或至少一項突出的顯示活動中的至少一種，其中該至少一種優先順序格式包含可配置的一優先順序格式次序；<br/> 基於該一或多層中的該至少一層的該內容資訊包含該至少一種優先順序格式，決定該一或多層的一優先順序次序，其中該至少一層在該優先順序次序中具有高於該一或多層中的至少一個其他層的一較高優先順序；及<br/> 基於該一或多層的所決定的該優先順序次序，將該一或多個顯示疊加資源中的每一個映射到該一或多層中的一對應層，其中該至少一層被映射至該一或多個顯示疊加資源中的位於該DPU的至少一個第一顯示疊加資源，而該至少一個其他層被映射至該一或多個顯示疊加資源中的位於該GPU的至少一個第二顯示疊加資源，其中該DPU處的該至少一個第一顯示疊加資源與該GPU處的該至少一個第二顯示疊加資源不同，其中該至少一層係基於DPU對該至少一個第一顯示疊加資源的一保留而映射至該DPU處的該至少一個第一顯示疊加資源，<br/> 其中該內容資訊包含該一或多層中的每一層的一或多個內容屬性，<br/> 其中該一或多個內容屬性包含內容中繼資料、像素中繼資料、維度中繼資料或效果中繼資料中的至少一個，且<br/> 其中該一或多層中的每一層皆藉由該DPU處的所映射的該顯示疊加資源進行處理。
如請求項8所述的裝置，其中該一或多個顯示疊加資源對應於一或多個DPU管道、一或多個DPU引擎、一或多個DPU時鐘或一DPU記憶體頻寬中的至少一個。
如請求項8所述的裝置，其中該一或多個顯示疊加資源被包含在該DPU中。
如請求項8所述的裝置，其中該至少一個處理器進一步被配置為：利用該DPU、一複合器、一複合器後端、一DPU驅動器或DPU韌體中的至少一個來決定該一或多層的該優先順序次序。
如請求項8所述的裝置，其中該一或多層對應於一或多個應用層或者一或多個系統使用者介面（UI）層中的至少一個。
如請求項8所述的裝置，其中該至少一個處理器進一步被配置為：當該一或多層的全部層的該內容資訊不包含該至少一種優先順序格式時，基於該一或多層的像素屬性，將該一或多個顯示疊加資源中的每一層映射到該一或多層中的該對應層。
如請求項8所述的裝置，其中該一或多層在該DPU處藉由所映射的該顯示疊加資源處理後被發送到一顯示面板。
一種用於顯示處理的裝置，包括：<br/> 用於標識用於映射至一訊框的一或多層中的一或多個顯示疊加資源的構件；<br/> 用於從一圖形處理單元（GPU）接收該訊框的該一或多層中的每一層的內容資訊的構件；<br/> 用於由一顯示處理單元（DPU）決定該一或多層中的至少一層的該內容資訊包含至少一種優先順序格式的構件，其中該至少一種優先順序格式包含高清晰度（HD）視訊、高動態範圍（HDR）視訊、HD視訊重播、HDR視訊重播、視訊錄製、至少一種應用用例、或至少一項突出的顯示活動中的至少一種，其中該至少一種優先順序格式包含可配置的一優先順序格式次序；<br/> 用於基於該一或多層中的該至少一層的該內容資訊包含該至少一種優先順序格式決定該一或多層的一優先順序次序的構件，其中該至少一層在該優先順序次序中具有高於該一或多層中的至少一個其他層的一較高優先順序；及<br/> 用於基於該一或多層的所決定的該優先順序次序將該一或多個顯示疊加資源中的每一個映射到該一或多層中的一對應層的構件，其中該至少一層被映射至該一或多個顯示疊加資源中的位於該DPU的至少一個第一顯示疊加資源，而該至少一個其他層被映射至該一或多個顯示疊加資源中的位於該GPU的至少一個第二顯示疊加資源，其中該DPU處的該至少一個第一顯示疊加資源與該GPU處的該至少一個第二顯示疊加資源不同，其中該至少一層係基於DPU對該至少一個第一顯示疊加資源的一保留而映射至該DPU處的該至少一個第一顯示疊加資源，<br/> 其中該內容資訊包含該一或多層中的每一層的一或多個內容屬性，<br/> 其中該一或多個內容屬性包含內容中繼資料、像素中繼資料、維度中繼資料或效果中繼資料中的至少一個，且<br/> 其中該一或多層中的每一層皆藉由該DPU處的所映射的該顯示疊加資源進行處理。
如請求項15所述的裝置，其中該一或多個顯示疊加資源對應於一或多個該DPU管道、一或多個DPU引擎、一或多個DPU時鐘或一DPU記憶體頻寬中的至少一個。
如請求項15所述裝置，其中該一或多個顯示疊加資源被包含在該DPU中。
如請求項15所述的裝置，其中該一或多層的該優先順序次序由該DPU、一複合器、一複合器後端、一DPU驅動器或DPU韌體中的至少一個決定。
如請求項15所述的裝置，其中該一或多層對應於一或多個應用層或者一或多個系統使用者介面（UI）層中的至少一個。
如請求項15所述的裝置，其中當該一或多層的全部層的該內容資訊不包含該至少一種優先順序格式時，該一或多個顯示疊加資源中的每一個皆基於該一或多層的像素屬性被映射到該一或多層中的每一層。
如請求項15所述的裝置，其中該一或多層中的每一層在該DPU處藉由所映射的該顯示疊加資源處理。
一種儲存用於顯示處理的電腦可執行代碼的非暫時性電腦可讀取媒體，該代碼在由一處理器執行時使該處理器：<br/> 標識用於映射至一訊框的一或多層中的一或多個顯示疊加資源；<br/> 從一圖形處理單元（GPU）接收該訊框的該一或多層中的每一層的內容資訊；<br/> 由一顯示處理單元（DPU）決定該一或多層中的至少一層的該內容資訊包含至少一種優先順序格式，其中該至少一種優先順序格式包含高清晰度（HD）視訊、高動態範圍（HDR）視訊、HD視訊重播、HDR視訊重播、視訊錄製、至少一種應用用例、或至少一項突出的顯示活動中的至少一種，其中該至少一種優先順序格式包含可配置的一優先順序格式次序；<br/> 基於該一或多層中的該至少一層的該內容資訊包含該至少一種優先順序格式，決定該一或多層的一優先順序次序，其中該至少一層在該優先順序次序中具有高於該一或多層中的至少一個其他層的一較高優先順序；及<br/> 基於該一或多層的所決定的該優先順序次序將一或多個顯示疊加資源中的每一個映射到該一或多層中的每一層一對應層，其中該至少一層被映射至該一或多個顯示疊加資源中的位於該DPU的至少一個第一顯示疊加資源，而該至少一個其他層被映射至該一或多個顯示疊加資源中的位於該GPU的至少一個第二顯示疊加資源，其中該DPU處的該至少一個第一顯示疊加資源與該GPU處的該至少一個第二顯示疊加資源不同，其中該至少一層係基於DPU對該至少一個第一顯示疊加資源的一保留而映射至該DPU處的該至少一個第一顯示疊加資源，<br/> 其中該內容資訊包含該一或多層中的每一層的一或多個內容屬性，<br/> 其中該一或多個內容屬性包含內容中繼資料、像素中繼資料、維度中繼資料或效果中繼資料中的至少一個，且<br/> 其中該一或多層中的每一層皆藉由該DPU處的所映射的該顯示疊加資源進行處理。
一種電去離子水製造裝置，在陽極與陰極之間具備有以1對的離子交換膜來區隔之脫鹽室，並於該脫鹽室填充有離子交換樹脂； 將0.1mm以上且為0.4mm以下之粒徑設為小粒徑，將超過0.4mm之粒徑設為大粒徑，<br/>在該脫鹽室中，沿著該脫鹽室中之被處理水之水流配置有由大粒徑之離子交換樹脂所構成之大粒徑層、以及混合有大粒徑之離子交換樹脂與小粒徑之離子交換樹脂的混合粒徑層，而構成該脫鹽室；<br/>配置於該脫鹽室內之該混合粒徑層，包含大粒徑之陰離子交換樹脂與小粒徑之陰離子交換樹脂混合而成之陰離子交換樹脂之混合粒徑層。
如請求項1記載之電去離子水製造裝置，其中，<br/>配置於該脫鹽室之該大粒徑層，包含由大粒徑之陰離子交換樹脂所構成之大粒徑層。
如請求項1或2記載之電去離子水製造裝置，其中，<br/>該脫鹽室中，在自該脫鹽室之處理水的出口沿著該被處理水之水流的該脫鹽室之長度的25%之範圍內包含有該混合粒徑層之至少一部分。
如請求項1或2記載之電去離子水製造裝置，其中，<br/>沿著該被處理水之水流而在該混合粒徑層之上游側配置至少1個該大粒徑層。
如請求項1或2記載之電去離子水製造裝置，其中，<br/>在該混合粒徑層中沿著該被處理水之水流的離子交換樹脂之填充高度的總和，為沿著該被處理水之水流的該脫鹽室之長度的20%以上且為80%以下。
如請求項1或2記載之電去離子水製造裝置，其中，<br/>將該大粒徑之離子交換樹脂的表觀體積設為L，將該小粒徑之離子交換樹脂的表觀體積設為S，且在該混合粒徑層中，以L：S為1：1至20：1之範圍內的混合比率來混合該大粒徑之離子交換樹脂與該小粒徑之離子交換樹脂。
一種電去離子水製造裝置，係在陽極與陰極之間具備有以1對的離子交換膜來區隔之脫鹽室，並於該脫鹽室填充有離子交換樹脂；<br/>將0.1mm以上且為0.4mm以下之粒徑設為小粒徑，將超過0.4mm之粒徑設為大粒徑，<br/>將大粒徑之陰離子交換樹脂的表觀體積設為L，將小粒徑之陰離子交換樹脂的表觀體積設為S，將以L：S為1：1至20：1的範圍內之混合比率來混合該大粒徑之陰離子交換樹脂與該小粒徑之陰離子交換樹脂的混合粒徑層配置於該脫鹽室內，且<br/>將含硼之被處理水供給至該脫鹽室以自該被處理水去除硼。
如請求項1、2、7中任一項記載之電去離子水製造裝置，其中，<br/>該脫鹽室具備位在與該1對之離子交換膜之間的中間之離子交換膜，而藉由該中間之離子交換膜來區隔出第1小脫鹽室及第2小脫鹽室，以將該被處理水供給至該第1小脫鹽室及該第2小脫鹽室其中之一者的小脫鹽室，而使自該一者之小脫鹽室所流出之水流入至另一者之小脫鹽室的方式來連通該第1小脫鹽室及該第2小脫鹽室。
如請求項8記載之電去離子水製造裝置，其中，<br/>於第1小脫鹽室及該第2小脫鹽室中較靠近於該陽極之側的小脫鹽室填充有陰離子交換樹脂，於較靠近於該陰極之側的小脫鹽室的一部分填充有陽離子交換樹脂。
一種去離子水的製造方法，在陽極與陰極之間施加直流電壓，並使被處理水通入到設置於該陽極與該陰極之間且以1對的離子交換膜來區隔之脫鹽室，藉此獲得去離子水；<br/>將0.1mm以上且為0.4mm以下之粒徑設為小粒徑，將超過0.4mm之粒徑設為大粒徑，<br/>在該脫鹽室中，將該被處理水通入到由大粒徑之離子交換樹脂所構成之大粒徑層、以及混合有大粒徑之離子交換樹脂與小粒徑之離子交換樹脂的混合粒徑層兩者；<br/>該被處理水通過的該混合粒徑層，包含大粒徑之陰離子交換樹脂與小粒徑之陰離子交換樹脂混合而成之混合粒徑層。
如請求項10記載之去離子水的製造方法，其中，<br/>該被處理水通過之該大粒徑層，包含由大粒徑之陰離子交換樹脂所構成之大粒徑層。
一種去離子水的製造方法，在陽極與陰極之間施加直流電壓，並使含硼之被處理水通入到設置於該陽極與該陰極之間並以1對的離子交換膜來區隔的脫鹽室，藉此獲得去離子水；<br/>將0.1mm以上且為0.4mm以下之粒徑設為小粒徑，將超過0.4mm之粒徑設為大粒徑，<br/>在該脫鹽室中將大粒徑之陰離子交換樹脂的表觀體積設為L，將小粒徑之陰離子交換樹脂的表觀體積設為S，使該被處理水通入到以L：S為1：1至20：1之範圍內的混合比率來混合該大粒徑之陰離子交換樹脂與該小粒徑之陰離子交換樹脂的混合粒徑層，以去除該被處理水中之硼。
一種除污設備，具備：將用來實施工作間內部除污的除污用藥液轉換為除污用薄霧，並將該除污用薄霧供給至前述工作間的內部的薄霧供給裝置；使具備複數的超音波發射器的振動盤做超音波振動，從盤面向垂直方向由超音波產生聲流(acoustic flow)，使該聲流的聲音輻射壓力(acoustic radiation pressure)形成的擠壓力作用在前述除污用薄霧並使其循環散佈在前述工作間內的薄霧循環散佈裝置；以及具有用來偵檢前述超音波發射器的運轉的超音波接收器(ultrasonic receiver)，偵檢前述振動盤所具有的複數超音波發射器的全部及/或一個一個的超音波發射器的運轉的超音波偵檢裝置，係此種除污設備。
如申請專利範圍第1項所述之除污設備，其中前述薄霧循環散佈裝置，配備控制前述振動盤所具有的複數超音波發射器運轉的運轉控制機制；藉由使前述複數的超音波發射器一個接一個運轉，可以個別的確認各超音波發射器的運轉，以此作為特徵。
如申請專利範圍第1項或第2項所述之除污設備，其中前述薄霧循環散佈裝置，具備將前述振動盤所具有的複數超音波發射器產生的超音波的頻率和輸出做成可變的(variable)，及/或間歇性地發送超音波的聲波發送控制機制，以此作為特徵。
一種基板固定裝置，其包括： <br/>一基底板；及 <br/>一靜電夾盤，其固定至該基底板以藉由靜電力吸附一基板，該靜電夾盤包括： <br/>一吸附層，其由陶瓷形成且其接觸該基板以吸附並固持該基板； <br/>一第一加熱層，其形成於該吸附層上且其包括經組態以產生熱之一第一電極； <br/>一第二加熱層，其形成於該第一加熱層上且其包括經組態以產生熱之一第二電極；及 <br/>一通孔，其設置於該第一電極及該第二電極之間以使該第一電極及該第二電極彼此電連接； <br/>其中該通孔包括一主體部分、及連接至該主體部分之一端部分， <br/>該主體部分穿透該第一電極及該第二電極之至少一者， <br/>該端部分係形成於該主體部分所穿透之該第一電極及該第二電極的該至少一者上，及 <br/>該端部分之直徑大於該主體部分之直徑。
如請求項1之基板固定裝置，其中， <br/>該吸附層包括經施加電壓之電極。
如請求項1之基板固定裝置，其中， <br/>該第一加熱層進一步包括覆蓋該第一電極之絕緣樹脂。
如請求項1之基板固定裝置，其中， <br/>該第二加熱層進一步包括覆蓋該第二電極之絕緣樹脂。
如請求項1之基板固定裝置，其中， <br/>該通孔在平面圖中與該第一電極及該第二電極重疊。
如請求項1之基板固定裝置，其中， <br/>該基底板包括冷凍劑所通過的冷凍劑通道。
如請求項1之基板固定裝置，其中， <br/>該第一加熱層進一步包括形成於該第一電極上之第一電極墊，及 <br/>該第一電極墊在平面圖中與該第二電極重疊。
如請求項7之基板固定裝置，其中， <br/>該第一電極墊接觸該主體部分。
如請求項1之基板固定裝置，其中， <br/>該第二加熱層進一步包括形成於該第二電極上之第二電極墊，及 <br/>該第二電極墊在平面圖中與該第一電極重疊。
如請求項9之基板固定裝置，其中， <br/>該第二加熱層進一步包括使該第二電極墊及該基底板彼此電連接的功率饋送部分。
一種靜電夾盤，其包括： <br/>一吸附層，其由陶瓷形成且藉由靜電力吸附並固持一基板； <br/>一第一加熱層，其形成於該吸附層上且其包括經組態以產生熱之一第一電極； <br/>一第二加熱層，其形成於該第一加熱層上且其包括經組態以產生熱之一第二電極；及 <br/>一通孔，其設置於該第一電極及該第二電極之間以使該第一電極及該第二電極彼此電連接； <br/>其中該通孔包括一主體部分、及連接至該主體部分之一端部分， <br/>該主體部分穿透該第一電極及該第二電極之至少一者， <br/>該端部分接觸該主體部分所穿透之該第一電極及該第二電極的該至少一者，及 <br/>該端部分之直徑大於該主體部分之直徑。
一種靜電夾盤之製造方法，其包括： <br/>形成包括一電極及包圍該電極之陶瓷的一吸附層； <br/>於該吸附層上形成一第一加熱層，其中該第一加熱層包括經組態以產生熱之一第一電極、及覆蓋該第一電極之一絕緣樹脂； <br/>於該絕緣樹脂上形成一第二電極，其中該第二電極具有一開口部分且經組態以產生熱； <br/>於該絕緣樹脂中在該開口部分之一位置處形成一通孔孔洞以暴露出該第一電極之一部分； <br/>於該通孔孔洞及該開口部分中填充一導電材料以形成使該第一電極及該第二電極彼此連接的一通孔；及 <br/>利用一絕緣樹脂覆蓋該通孔及該第二電極； <br/>其中該通孔包括： <br/>設置於該通孔孔洞及該開口部分中之一主體部分；及 <br/>連接至該主體部分且形成於該第二電極上之一端部分，且 <br/>該端部分之直徑大於該主體部分之直徑。
一種健康狀態監測、評估、及回應系統，包含：一介面，建構以自配置在一基板處理系統中的一第一感測器接收一第一信號；及一控制器，包含一健康狀態指數模組，其中，該健康狀態指數模組係建構以執行一演算法，其包括：取得一窗口及一邊界閾值，監測自該第一感測器輸出的該第一信號，判定該第一信號是否已越過該邊界閾值，更新一健康狀態指數分量，其中該健康狀態指數分量係一個二進制數值且對越過該邊界閾值的該第一信號響應而在高位與低位數值之間變遷，及基於該健康狀態指數分量而生成一第一健康狀態指數數值，且在至少該窗口的持續時間期間將該第一健康狀態指數數值從100%降低至0%，且該控制器係建構以基於該第一健康狀態指數數值而執行一對策。
如請求項1之健康狀態監測、評估、及回應系統，其中：該健康狀態指數模組係建構以將該第一健康狀態指數數值生成為在該窗口的一持續時間期間該健康狀態指數分量的更新數值的一平均值；且該健康狀態指數分量的該等更新數值係在該演算法的各別迭代期間加以決定。
如請求項1之健康狀態監測、評估、及回應系統，其中：該健康狀態指數模組係建構以在該演算法的各個迭代期間生成一更新的健康狀態指數數值；且該控制器係建構以基於該更新的健康狀態指數數值而執行該對策。
如請求項1之健康狀態監測、評估、及回應系統，其中該健康狀態指數模組係建構以選擇該窗口及該邊界閾值，俾使該健康狀態指數數值在該第一信號達到一警報限制之前或之時降低至0%。
如請求項1之健康狀態監測、評估、及回應系統，其中該健康狀態指數模組係建構以在該演算法的迭代期間適應性地調整該邊界閾值，以將該健康狀態指數數值從100%降低至0%的時間量加以延長。
如請求項1之健康狀態監測、評估、及回應系統，其中該健康狀態指數模組係建構以在該演算法的迭代期間適應性地調整該邊界閾值，俾使在該第一信號等於一警報限制之前或之時該健康狀態指數數值降低至0%。
如請求項1之健康狀態監測、評估、及回應系統，其中該健康狀態指數模組係建構以：實現一有限脈衝響應濾波器，以確定該第一信號的劣化率；及基於該劣化率而調整該邊界閾值。
如請求項1之健康狀態監測、評估、及回應系統，其中該健康狀態指數模組係建構以，基於該第一信號的劣化率、該窗口的持續時間、及一警報限制而確定該邊界閾值。
如請求項1之健康狀態監測、評估、及回應系統，其中該健康狀態指數模組係建構以：將該第一信號的劣化率估計為在該第一信號中的加權變化的和；及基於所估計的該劣化率而確定該邊界閾值。
如請求項1之健康狀態監測、評估、及回應系統，其中該控制器係建構以，對該第一健康狀態指數數值降低、達到一預定位準或在一預定範圍之內其中至少一者響應，執行該對策。
如請求項1之健康狀態監測、評估、及回應系統，其中：該介面係建構以自配置在該基板處理系統之中的N個感測器接收N個信號，其中N係大於或等於二，其中該N個信號包含該第一信號，且其中該N個感測器包含該第一感測器；該健康狀態指數模組係建構以監測分別自該N個感測器所輸出的該N個信號，評估該N個信號以確定包含該第一健康狀態指數數值的多數個健康狀態指數數值，及彙集該多數個健康狀態指數數值以確定一系統健康狀態指數數值；且該控制器係建構以，對該系統健康狀態指數數值降低、達到一預定位準或在一預定範圍之內其中至少一者響應，執行該對策。
一種健康狀態監測、評估、及回應系統，包含：一介面，建構以自配置在一基板處理系統之中的N個感測器接收資料，其中N係大於或等於二；及一控制器，包含一健康狀態指數模組，其中，該健康狀態指數模組係建構以接收分別自該N個感測器所輸出的多組資料，評估所接收的該多組資料，以確定多數個健康狀態指數數值，及彙集該多數個健康狀態指數數值，以確定一系統健康狀態指數數值，及該控制器係建構以，對該系統健康狀態指數數值降低、達到一預定位準或在一預定範圍之內其中至少一者響應，執行一對策。
如請求項12之健康狀態監測、評估、及回應系統，其中該健康狀態指數模組係建構以：分別針對自該N個感測器所接收的該多組資料，確定二階多項式；及基於所確定的二階多項式的係數，確定該一個以上健康狀態指數數值。
如請求項13之健康狀態監測、評估、及回應系統，其中該健康狀態指數模組係建構以：將該等係數與一統計分佈進行比較；及基於該等係數與該統計分佈的該比較的結果，確定該多數個健康狀態指數數值。
如請求項13之健康狀態監測、評估、及回應系統，其中該健康狀態指數模組係建構以：確定該等係數的分佈；將該等分佈與健康狀態指數邊界進行比較；及基於將該等分佈與該等健康狀態指數邊界比較的結果，確定該一個以上健康狀態指數數值。
如請求項12之健康狀態監測、評估、及回應系統，其中該健康狀態指數模組係建構以，基於與該基板處理系統的物理或功能分解其中至少一者對應的健康狀態指數計算的階層結構化，確定該系統健康狀態指數數值。
如請求項12之健康狀態監測、評估、及回應系統，其中該健康狀態指數模組係建構以，當確定該多數個健康狀態指數數值及該系統健康狀態指數數值之時，實現一彙集演算法及對應於冗餘度或缺乏冗餘度而使用布林運算。
如請求項12之健康狀態監測、評估、及回應系統，其中該健康狀態指數模組係建構以，當生成該系統健康狀態指數數值時，選擇該基板處理系統的一階層級別或一子系統級別其中至少一者的一最小健康狀態指數數值。
如請求項12之健康狀態監測、評估、及回應系統，其中該多數個健康狀態指數數值及該系統健康狀態指數數值每一者係介於0-100%。
如請求項12之健康狀態監測、評估、及回應系統，其中該控制器係建構以定義該基板處理系統的一事件，其基於該系統健康狀態指數數值而指示為異常，但在一可接受範圍之內，俾使該控制器避免生成一警報或停止該基板處理系統的運作。
如請求項12之健康狀態監測、評估、及回應系統，其中該健康狀態指數模組係建構以，基於由該N個感測器所偵測的該基板處理系統的N組各別的事件，生成該多數個健康狀態指數數值。
如請求項21之健康狀態監測、評估、及回應系統，其中該健康狀態指數模組係建構以，基於該N組各別的事件是否落入定義的正常操作條件之內，生成該多數個健康狀態指數數值。
如請求項12之健康狀態監測、評估、及回應系統，其中該健康狀態指數模組係建構以：使用在由該基板處理系統的確定狀態所定義的一時間段期間來自一類比感測器的取得資料；使用一數學模型而計算在該時間段期間基板處理系統運作的二級數值之特徵；及基於該二級數值而生成該系統健康狀態指數數值。
如請求項12之健康狀態監測、評估、及回應系統，其中該健康狀態指數模組係建構以在一定義的邊界位準與一警報位準之間將該系統健康狀態指數數值加以定標，以指示超出該定義的邊界位準的一操作條件的嚴重性。
如請求項24之健康狀態監測、評估、及回應系統，其中該健康狀態指數模組使用非線性定標。
如請求項12之健康狀態監測、評估、及回應系統，其中該控制器包含一感測器映射模組，建構以顯示與該N個感測器相關聯的資訊及該基板處理系統的至少一部分。
如請求項26之健康狀態監測、評估、及回應系統，其中該感測器映射模組係建構以就該基板處理系統的該至少一部分而顯示感測器識別符、感測器狀態、及該多數個健康狀態指數數值。
如請求項26之健康狀態監測、評估、及回應系統，其中該感測器映射模組係建構成以階層格式顯示該多數個健康狀態指數數值。
如請求項26之健康狀態監測、評估、及回應系統，其中該感測器映射模組係建構以指示在該基板處理系統之中該N個感測器的物理位置。
如請求項26之健康狀態監測、評估、及回應系統，其中該感測器映射模組係建構以，至少基於所接收的指令，針對該基板處理系統的一選定階層級別而選擇性顯示該多數個健康狀態指數數值其中一者以上。
如請求項26之健康狀態監測、評估、及回應系統，其中該感測器映射模組係建構以針對該N個感測器而顯示歷史健康狀態指數數值。
如請求項26之健康狀態監測、評估、及回應系統，其中該感測器映射模組係建構以，基於一接收的指令，顯示該多數個健康狀態指數數值的一彙集級別。
如請求項12之健康狀態監測、評估、及回應系統，其中該健康狀態指數模組係建構以：基於操作該基板處理系統於一正常狀態達一段選定時間，確定正常操作的邊界；及基於該正常操作的邊界，偵測一潛在的問題或故障。
如請求項12之健康狀態監測、評估、及回應系統，其中該健康狀態指數模組係建構以將介於該基板處理系統的定義操作之間的時間間隔使用作為一基礎來確定該多數個健康狀態指數數值。
如請求項12之健康狀態監測、評估、及回應系統，其中該健康狀態指數模組係建構以基於條件而使用一數學模組，以將所接收的資料化簡為一組數值，該多數個健康狀態指數數值係基於該組數值加以計算。
如請求項12之健康狀態監測、評估、及回應系統，其中該健康狀態指數模組係建構以基於由該N個感測器所偵測的該基板處理系統的一個以上所偵測事件且週期性地確定該多數個健康狀態指數數值。
如請求項12之健康狀態監測、評估、及回應系統，其中該健康狀態指數模組係建構以，基於該基板處理系統的操作接近一警報限制的程度，確定該多數個健康狀態指數數值。
如請求項12之健康狀態監測、評估、及回應系統，其中：該健康狀態指數模組係建構以，基於各別的參數分佈邊界，確定該多數個健康狀態指數數值；及該等參數分佈邊界每一者係針對一對應參數位在一正常操作範圍與一警報限制之間。
如請求項12之健康狀態監測、評估、及回應系統，其中該控制器包含一資料登錄模組，其中該資料登錄模組係建構以收集及存儲來自該N個感測器的資料。
如請求項39之健康狀態監測、評估、及回應系統，其中該資料登錄模組係建構以，基於該N個感測器的輸出數值的變化率或該多數個健康狀態指數數值其中至少一者，啟動來自該N個感測器或該N個感測器的一子集合之資料收集。
如請求項39之健康狀態監測、評估、及回應系統，其中該資料登錄模組係建構以，基於該N個感測器的輸出數值的變化率或該多數個健康狀態指數數值其中至少一者，增加資料取樣率且以增加的資料速率從該N個感測器或該N個感測器的一子集合收集資料。
如請求項12之健康狀態監測、評估、及回應系統，其中該健康狀態指數模組係建構以：基於該系統健康狀態指數數值而偵測在該基板處理系統之中的劣化；及收集額外的資料以確定所偵測劣化的原因。
如請求項12之健康狀態監測、評估、及回應系統，更包含該N個感測器。
一種感測器映射系統，包含：N個感測器，建構以偵測一基板處理系統的各別參數，其中N大於或等於二；一介面，建構以自該N個感測器接收資料；及一控制器，包含一感測器映射模組，其中該感測器映射模組係建構以接收指令以顯示針對該N個感測器的感測器資訊，接收分別輸出自該N個感測器的資料，及在該基板處理系統的至少一部分的一視圖上顯示該N個感測器的位置以及該感測器資訊。
如請求項44之感測器映射系統，其中該感測器資訊包含一電流感測器數值、一歷史彙集數值、一健康狀態指數數值、一部件號、或一序號其中至少一者。
如請求項44之感測器映射系統，其中該感測器映射模組係建構以在該基板處理系統的該至少一部分的該視圖上顯示該N個感測器其中至少一者的一狀態。
如請求項44之感測器映射系統，其中：該控制器更包含一健康狀態指數模組，建構以分別針對該N個感測器而生成多數個健康狀態指數數值；及該感測器映射模組係建構以在該基板處理系統的該至少一部分的該視圖上顯示該多數個健康狀態指數數值。
如請求項47之感測器映射系統，其中該感測器映射模組係建構以從該健康狀態指數模組接收指令，其中該等指令包含從一組M個感測器選擇該N個感測器，其中M大於N。
如請求項44之感測器映射系統，其中該感測器映射模組係建構以：接收一指令信號；及基於該指令信號，對從該N個感測器其中一者以上所接收的資料進行展繪。
如請求項44之感測器映射系統，其中該感測器映射模組係建構以：接收一輸入以針對該N個感測器其中一者顯示一資料圖；及顯示一圖表，包含展繪來自該N個感測器的該其中一者的資料，其中該圖表係展示在與該基板處理系統的該至少一部分的該視圖相同的螢幕上。
如請求項44之感測器映射系統，其中該感測器映射模組係建構以，基於一接收的輸入，改變一螢幕級別或該基板處理系統的一顯示階層級別其中至少一者。
如請求項44之感測器映射系統，其中該感測器映射模組係建構以，基於一輸入，顯示針對該基板處理處理系統的M個感測器的感測器資訊而非針對該N個感測器的感測器資訊，其中M大於或等於2。
如請求項52之感測器映射系統，其中該M個感測器不含該N個感測器。
如請求項52之感測器映射系統，其中該M個感測器包含該N個感測器其中一者以上。
一種資料登錄系統，包含：N個感測器，建構以偵測一基板處理系統的各別參數，其中N大於或等於二；一介面，建構以自該N個感測器接收資料；及一控制器，包含一資料登錄模組，其中該資料登錄模組係建構以接收指令以選擇該N個感測器其中一者以上及觸發資訊，監測該N個感測器其中至少一者且偵測由該觸發資訊所識別的一個以上觸發事件，及響應偵測到該一個以上觸發事件，對該N個感測器的所選擇之一者以上的輸出進行資料登錄，以提供登錄的資料，其中，該控制器係建構以分析該登錄的資料，以及基於分析該登錄的資料之結果，執行一對策。
如請求項55之資料登錄系統，其中該資料登錄模組係建構以：自一健康狀態指數模組接收指令，其中該等指令包含選定的一組感測器及觸發點；及基於該等觸發點，登錄來自選定的該組感測器之資料。
如請求項56之資料登錄系統，其中選定的該組感測器不包含該N個感測器。
如請求項55之資料登錄系統，其中：該資料登錄模組係建構以基於觸發點、閾值或條件其中至少一者而執行資料登錄；及該控制器包含一健康狀態指數模組，建構以對該基板處理系統的一個以上操作係發生於定義的正常操作條件之內或之外進行分類，基於經分類的該一個以上操作，生成多數個健康狀態指數數值，及基於該多數個健康狀態指數數值的彙集，執行該對策。
如請求項55之資料登錄系統，其中該資料登錄模組係建構以：在該一個以上觸發事件之前，緩存資料；在該一個以上觸發事件之前，存儲資料達一設定的時間段。
如請求項55之資料登錄系統，其中該資料登錄模組係建構以，基於與一個以上其他感測器相關聯的觸發事件，針對該N個感測器而登錄資料。
如請求項55之資料登錄系統，其中該資料登錄模組係建構以基於該基板處理系統的偵測之一個以上條件，針對該N個感測器而登錄資料。
如請求項55之資料登錄系統，其中該資料登錄模組係建構以，每次一觸發事件發生，藉由記錄自該N個感測器所輸出的資料達一設定時間段，擷取間歇性事件。
一種製備適合用於即刻投與個體之調節T細胞(Treg)群之方法，其包含以下步驟：(a) 自樣本中分離出Treg群，(b) 將編碼FOXP3多肽之聚核苷酸引入Treg群中，(c) 冷凍保存該Treg群，及(d) 將該Treg群解凍，其中該Treg群在冷凍保存後的CD62L表現高於冷凍保存後的對應非工程化Treg群，且其中在(d)步驟之後，並未進行進一步培養或擴增。
如請求項1之方法，其中該樣本由全血、臍帶血、白血球錐、血錐、外周血液單核細胞(PBMC)或一或多種白血球採集物組成。
如請求項1或2之方法，其中步驟(b)包含以下步驟： <br/>(bi)將該Treg群懸浮於冷凍保存培養基中； <br/>(bii)冷凍(bi)之該Treg群；及 <br/>(biii)在低於-130℃之溫度下儲存(bii)之該Treg群。
如請求項3之方法，其中該方法進一步包含以下步驟： <br/>在步驟(b)之前，將該Treg群及/或待用於冷凍保存步驟中之任何一或多種試劑及裝置預冷卻； <br/>以每分鐘約-1℃之可控冷凍速率冷凍保存根據步驟(b)之該Treg群；及/或 <br/>在步驟(biii)之前將該Treg群在-80℃下儲存至多24小時。
如請求項1之方法，其中解凍該Treg群包含將該Treg群自低於-130℃之溫度升溫至約0℃至10℃之間的溫度。
如請求項1之方法，其中該Treg群係藉由選擇以下而分離： <br/>(i) CD4<sup>+</sup>CD25<sup>+</sup>CD127<sup>-</sup>及/或CD4<sup>+</sup>CD25<sup>+</sup>CD127<sup>低</sup>細胞；或 <br/>(ii) CD4<sup>+</sup>CD25<sup>高</sup>CD127<sup>-</sup>及/或CD4<sup>+</sup>CD25<sup>+</sup>CD127<sup>低</sup>細胞。
如請求項1之方法，其中該Treg群係藉由選擇CD45RA<sup>+</sup>細胞。
如請求項7之方法，其中該Treg群係藉由選擇CD4<sup>+</sup>CD25<sup>+</sup>CD127<sup>低</sup>CD45RA<sup>+</sup>細胞來分離。
如請求項1之方法，其中該FOXP3多肽包含與SEQ ID NO. 1至少80%一致之胺基酸序列或其功能片段。
如請求項1之方法，其中該編碼FOXP3多肽之聚核苷酸處於表現載體內。
如請求項1之方法，其進一步包含將編碼外源T細胞受體(TCR)之聚核苷酸或編碼嵌合抗原受體(CAR)之聚核苷酸引入該Treg群中。
如請求項11之方法，其中該編碼FOXP3多肽之聚核苷酸及該編碼外源TCR或CAR之聚核苷酸藉由單一表現載體提供。
如請求項12之方法，其中該載體包含編碼該FOXP3多肽之第一聚核苷酸及編碼該外源TCR或CAR之第二聚核苷酸，其中該第一聚核苷酸及該第二聚核苷酸可操作地連接於同一啟動子，且其中該第一聚核苷酸位於該第二聚核苷酸上游。
如請求項13之方法，其中在該編碼FOXP3之聚核苷酸與該編碼外源TCR或CAR之聚核苷酸之間存在內部自裂解序列。
一種Treg群的用途，其用於製造供預防及/或治療疾病用之藥物，其中該Treg群係藉由請求項1之方法獲得，且其中該Treg群係用於在解凍後即刻投與個體。
如請求項15之用途，其中該疾病為自體免疫或過敏性疾病。
如請求項15之用途，其中該疾病為移植排斥反應或移植物抗宿主疾病。
如請求項15之用途，其用於抑制免疫反應。
如請求項15之用途，其中該疾病為神經退化性疾病。
如請求項15之用途，其中該疾病為I型糖尿病。
一種氮化矽膜之成膜方法，係使氮化矽膜成膜在處理腔室內所收納的基板，具有：<br/>(a)在不會將高頻電力供給至該處理腔室內的狀態下來供給含鹵化矽氣體之氣體的工序；<br/>(b)在該(a)工序之後，停止該含鹵化矽氣體之氣體的供給，且對該處理腔室內進行排氣的工序；<br/>(c)在該(b)工序之後，將含氮氣體供給至該處理腔室內的工序；<br/>(d)在該(c)工序之後，將該高頻電力供給至該處理腔室內以使電漿產生的工序；<br/>(e)在該(d)工序之後，停止該含氮氣體的供給及該高頻電力的供給，且對該處理腔室內進行排氣的工序；以及<br/>在形成預先決定之膜厚的該氮化矽膜前，將該(a)至該(e)之工序對應地反覆執行X次(X≧1)的工序；<br/>在該(a)至該(e)之工序中係會將該基板之溫度控制在200℃以下；<br/>該基板的表面係形成有會包含氧化物半導體之層。
如申請專利範圍第1項之氮化矽膜之成膜方法，其中該含鹵化矽氣體之氣體係包含四氟化矽氣體(SiF<sub>4</sub>)、四氯化矽氣體(SiCl<sub>4</sub>)、六氟化二矽氣體(Si<sub>2</sub>F<sub>6</sub>)、及六氯化二矽氣體(Si<sub>2</sub>Cl<sub>6</sub>)的至少任一者。
如申請專利範圍第1或2項之氮化矽膜之成膜方法，其中該含氮氣體係包含氮氣(N<sub>2</sub>)及氨(NH<sub>3</sub>)的至少任一者。
如申請專利範圍第1或2項之氮化矽膜之成膜方法，其中該基板的表面係形成有多個凹部與凸部，至少一部分之該凹部或該凸部的側面係藉由傾斜面來被加以構成，而至少該傾斜面會形成該氮化矽膜。
如申請專利範圍第1項之氮化矽膜之成膜方法，其中該氮化矽膜係會將該基板的表面上所形成之發光元件及驅動該發光元件而包含該氧化物半導體之驅動元件密封的密封膜。
如申請專利範圍第1或2項之氮化矽膜之成膜方法，其中在該(a)至該(e)之工序中係會將該基板之溫度控制在100℃以下。
如申請專利範圍第1或2項之氮化矽膜之成膜方法，其係對該含氮氣體添加預先決定之濃度的H<sub>2</sub>氣體及/或惰性氣體。
一種成膜裝置，係具有處理腔室及控制部，會使氮化矽膜成膜在該處理腔室內所收納的基板；<br/>該控制部會控制：<br/>(a)在不會將高頻電力供給至該處理腔室內的狀態下來供給含鹵化矽氣體之氣體的工序；<br/>(b)在該(a)工序之後，停止該含鹵化矽氣體之氣體的供給，且對該處理腔室內進行排氣的工序；<br/>(c)在該(b)工序之後，將含氮氣體供給至該處理腔室內的工序；<br/>(d)在該(c)工序之後，將該高頻電力供給至該處理腔室內以使電漿產生的工序；<br/>(e)在該(d)工序之後，停止該含氮氣體的供給及該高頻電力的供給，且對該處理腔室內進行排氣的工序；以及<br/>在形成預先決定之膜厚的該氮化矽膜前，將該(a)至該(e)之工序對應地反覆執行X次(X≧1)的工序；<br/>進一步會在該(a)至該(e)之工序中將該基板之溫度控制在200℃以下；<br/>該基板的表面係形成有會包含氧化物半導體之層。
一種記憶裝置，其特徵係具備：複數的記憶元件，其係分別具有：磁化方向被固定的固定層、磁化方向可變更的記憶層、及被設在前述固定層與前述記憶層之間的絕緣層；底層，其係陣列狀設有前述複數的記憶元件；及半導體基板，其係於表面層疊前述底層，前述底層係具有對於前述表面傾斜的傾斜面及與前述表面平行的平面，前述複數的記憶元件的任一個係被設在前述平面及前述傾斜面。
如請求項1記載的記憶裝置，其中，前述底層係具有對於前述表面的傾斜角度不同的複數的前述傾斜面，前述複數的記憶元件係被設在前述平面及前述複數的傾斜面。
如請求項1記載的記憶裝置，其中，前述底層係具有對於前述表面的傾斜方向不同的複數的前述傾斜面，前述複數的記憶元件的任一個係被設在前述複數的傾斜面。
如請求項3記載的記憶裝置，其中，前述底層係具有彼此的面間的離開距離朝向前述表面而慢慢地擴大的複數的前述傾斜面，前述複數的記憶元件的任一個係被設在前述複數的傾斜面。
如請求項3記載的記憶裝置，其中，前述複數的傾斜面的各個的傾斜角度為相同。
如請求項3記載的記憶裝置，其中，前述複數的傾斜面的各個的傾斜角度為不同。
如請求項1記載的記憶裝置，其中，前述底層係包含被電性連接至在前述傾斜面所設的前述記憶元件之貫通配線。
如請求項7記載的記憶裝置，其中，前述傾斜面係包含前述貫通配線從前述底層露出的露出面，被電性連接至前述貫通配線的前述記憶元件係被設在前述露出面內。
一種電子機器，其特徵係具備記憶資訊的記憶裝置，前述記憶裝置係具備：複數的記憶元件，其係分別具有：磁化方向被固定的固定層、磁化方向可變更的記憶層、及被設在前述固定層與前述記憶層之間的絕緣層；底層，其係陣列狀設有前述複數的記憶元件；及半導體基板，其係於表面層疊前述底層，前述底層係具有對於前述表面傾斜的傾斜面及與前述表面平行的平面，前述複數的記憶元件的任一個係被設在前述平面及前述傾斜面。
一種記憶裝置的製造方法，其特徵為：在半導體基板的表面形成具有傾斜面及與前述表面平行的平面的底層，在前述平面及前述傾斜面上形成記憶元件，該記憶元件係具有：磁化方向被固定的固定層、磁化方向可變更的記憶層、及被設在前述固定層與前述記憶層之間的絕緣層。
一種工件加工用片，具備基材膜及設置於前述基材膜上之黏著劑層；<br/> 前述黏著劑層含有金屬皂；<br/> 前述黏著劑層的每單位面積的金屬含量為0.0004μg/cm<sup>2</sup>以上至0.5μg/cm<sup>2</sup>以下。
如請求項1所記載之工件加工用片，其中前述金屬皂以填料狀存在於前述黏著劑層中，填料狀的前述金屬皂的平均粒徑為50nm以下。
如請求項1或2所記載之工件加工用片，其中前述金屬皂為脂肪酸鋯鹽、脂肪酸鋅鹽、脂肪酸鋁鹽或脂肪酸鎳鹽。
如請求項1或2所記載之工件加工用片，其中作為前述金屬皂之脂肪酸金屬鹽的脂肪酸的碳數為5至20。
一種切割黏晶片，具備：<br/> 如請求項1至4中任一項所記載之工件加工用片；及<br/> 膜狀接著劑，設置於前述黏著劑層中之與前述基材膜為相反側的第1面上。
一種內面保護膜形成用複合片，具備：<br/> 如請求項1至4中任一項所記載之工件加工用片；及<br/> 保護膜形成用膜，設置於前述黏著劑層中之與前述基材膜為相反側的第1面上。
一種工件加工物之製造方法，具有：<br/> 將如請求項1至4中任一項所記載之工件加工用片貼附於工件的內面之步驟；及<br/> 切割步驟，將前述工件進行刀片切割而獲得工件加工物。
一種電子零件之製造方法， <br/>其具有以下之步驟：步驟（1），其係於至少一表面具有硬化型黏著劑層之支持帶之上述硬化型黏著劑層上配置晶片零件； <br/>步驟（2），其係自配置有上述晶片零件之上述支持帶之與上述晶片零件所積層之面為相反側之面照射能量線；及 <br/>步驟（3），其係自上述支持帶之與上述晶片零件所積層之面為相反側之面施加刺激，使晶片零件自支持帶轉印至下一構件；且 <br/>上述硬化型黏著劑層含有聚合性聚合物及反應起始劑， <br/>上述硬化型黏著劑層之上述能量線照射前之於365 nm之波長之紫外線吸收率為95%以上， <br/>上述能量線照射後之於365 nm之波長之紫外線吸收率為95%以上， <br/>上述能量線照射後之上述硬化型黏著劑層之剝離力為0.5 N/25 mm以下。
如請求項1之電子零件之製造方法，其中，上述能量線係300 nm以上450 nm以下之波長之光。
如請求項1或2之電子零件之製造方法，其中，上述刺激係300 nm以上370 nm以下之波長之雷射。
如請求項1或2之電子零件之製造方法，其中，上述硬化型黏著劑層含有紫外線吸收劑。
如請求項4之電子零件之製造方法，其中，上述硬化型黏著劑層含有利用紫外線之光反應起始劑、及利用紫外線之光反應起始劑以外之紫外線吸收劑。
如請求項4之電子零件之製造方法，其中，上述紫外線吸收劑之合計含量相對於上述聚合性聚合物100重量份為6重量份以上。
如請求項5之電子零件之製造方法，其中，上述利用紫外線之光反應起始劑之含量相對於上述聚合性聚合物100重量份為1重量份以上，相對於上述紫外線吸收劑之合計100重量%為50重量%以下。
如請求項1或2之電子零件之製造方法，其中，上述硬化型黏著劑層之上述能量線照射後之上述紫外線吸收率為99%以上。
如請求項1或2之電子零件之製造方法，其中，上述硬化型黏著劑層之上述能量線照射後之凝膠分率為90%以上。
如請求項1或2之電子零件之製造方法，其中，上述支持帶係雙面黏著帶，上述雙面黏著帶之未配置上述晶片零件之面之黏著劑層之300～450 nm之能量線透射率為90%以上。
如請求項1或2之電子零件之製造方法，其中，上述支持帶具有基材，上述基材之300～450 nm之能量線透射率為90%以上。
一種顯示裝置之製造方法， <br/>其具有以下之步驟：步驟（1），其係於至少一表面具有硬化型黏著劑層之支持帶之上述硬化型黏著劑層上配置微型LED晶片； <br/>步驟（2），其係自配置有上述微型LED晶片之上述支持帶之與上述微型LED晶片所積層之面為相反側之面照射能量線；及 <br/>步驟（3），其係自上述支持帶之與上述微型LED晶片所積層之面為相反側之面施加刺激，使微型LED晶片自支持帶轉印至下一構件；且 <br/>上述硬化型黏著劑層含有聚合性聚合物及反應起始劑， <br/>上述硬化型黏著劑層之上述能量線照射前之於365 nm之波長之紫外線吸收率為99%以上， <br/>上述能量線照射後之於365 nm之波長之紫外線吸收率為95%以上， <br/>上述能量線照射後之上述硬化型黏著劑層之剝離力為0.5 N/25 mm以下。
一種支持帶，其於至少一表面具有硬化型黏著劑層，且 <br/>上述硬化型黏著劑層含有聚合性聚合物及反應起始劑， <br/>上述硬化型黏著劑層之能量線照射前之於365 nm之波長之紫外線吸收率為95%以上， <br/>上述能量線照射後之於365 nm之波長之紫外線吸收率為95%以上， <br/>上述能量線照射後之上述硬化型黏著劑層之剝離力為0.5 N/25 mm以下。
一種用於無線通信的裝置，包括：<br/>記憶體；以及<br/>處理器，耦合到所述記憶體，所述處理器和所述記憶體被配置為：<br/>獲得用於到接收實體的傳輸的資料、以及與所述傳輸相關聯的無線電條件，<br/>至少部分基於所述無線電條件來確定與所述資料相關聯的發射時間，以及<br/>至少部分基於所確定的所述發射時間和射頻（RF）曝露極限，以發射功率向所述接收實體發射指示所述資料的信號，<br/>其中所述發射時間是從與多個發射功率相關聯的多個發射時間中選擇的；以及所述多個發射功率包括所述信號以其被發射的所述發射功率，以及<br/>其中所述多個發射時間包括與由所述裝置支持的瞬時功率極限相關聯的第一發射時間、以及與對應於所述RF曝露極限的平均功率相關聯的第二發射時間。
根據請求項1所述的裝置，其中：<br/>如果所述第一發射時間小於或等於與符合所述RF曝露極限的所述瞬時功率極限相關聯的突發發射時間，則所述發射功率受到所述瞬時功率極限的限制，其中所述突發發射時間小於與所述RF曝露極限相關聯的時間窗口；<br/>如果所述第二發射時間大於或等於與所述RF曝露極限相關聯的所述時間窗口，則所述發射功率受到所述平均功率的限制；以及<br/>如果與所述多個發射功率中的任何一個發射功率相關聯的所述發射時間小於或等於所述時間窗口、並且大於或等於所述突發發射時間，則所述發射功率針對所述發射時間的第一部分小於或等於所述瞬時功率極限、並且大於所述平均功率，並且所述發射功率針對所述發射時間的第二部分小於所述平均功率。
根據請求項1所述的裝置，其中：<br/>如果所述發射時間小於或等於與符合所述RF曝露極限的所述瞬時功率極限相關聯的突發發射時間，則所述發射功率根據時間平均模式來設置，其中所述突發發射時間小於與所述RF曝露極限相關聯的時間窗口；<br/>如果所述發射時間大於或等於與所述RF曝露極限相關聯的所述時間窗口，則所述發射功率根據峰值模式來設置；以及<br/>如果與所述多個發射功率中的任何一個發射功率相關聯的所述發射時間小於或等於所述時間窗口、並且大於或等於所述突發發射時間，則所述發射功率根據所述時間平均模式來設置，使得所述發射功率針對所述發射時間的第一部分小於或等於所述瞬時功率極限、並且大於所述平均功率，並且所述發射功率針對所述發射時間的第二部分小於所述平均功率。
根據請求項1所述的裝置，其中所述無線電條件包括以下至少一項：<br/>所述裝置與所述接收實體之間的通道品質；<br/>與所述傳輸相關聯的調變和編碼方案（MCS）；<br/>與所述傳輸相關聯的編碼速率；或者<br/>與到所述接收實體的傳輸相關聯的週期性。
根據請求項1所述的裝置，其中所述處理器和所述記憶體還被配置為：<br/>基於所述無線電條件來確定與向所述接收實體發射所述資料相關聯的資料速率；以及<br/>基於所述資料速率和與所述資料相關聯的大小來確定所述發射時間。
根據請求項1所述的裝置，其中所述處理器和所述記憶體還被配置為至少部分基於未來預測的無線電條件來確定在與所述裝置相關聯的移動性條件下的所述發射時間。
根據請求項6所述的裝置，其中所述處理器和所述記憶體還被配置為利用機器學習來生成所述未來預測的無線電條件。
根據請求項1所述的裝置，其中所述處理器和所述記憶體還被配置為至少部分基於與所述資料相關聯的緩衝區大小來確定所述發射時間。
根據請求項1所述的裝置，其中所述處理器和所述記憶體被配置為基於與第一時間窗口相關聯的樣式來確定所述無線電條件，其中所述第一時間窗口與關聯於所述RF曝露極限的第二時間窗口是分開的。
一種由無線設備進行無線通信的方法，包括：<br/>獲得用於到接收實體的傳輸的資料、以及與所述傳輸相關聯的無線電條件；<br/>至少部分基於所述無線電條件來確定與所述資料相關聯的發射時間；以及<br/>至少部分基於所確定的所述發射時間和射頻（RF）曝露極限，以發射功率向所述接收實體發射指示所述資料的信號，<br/>其中所述發射時間是從與多個發射功率相關聯的多個發射時間中選擇的；以及所述多個發射功率包括所述信號以其被發射的所述發射功率，以及<br/>其中所述多個發射時間包括與由所述無線設備支持的瞬時功率極限相關聯的第一發射時間、以及與對應於所述RF曝露極限的平均功率相關聯的第二發射時間。
根據請求項10所述的方法，其中：<br/>如果所述第一發射時間小於或等於與符合所述RF曝露極限的所述瞬時功率極限相關聯的突發發射時間，則所述發射功率受到所述瞬時功率極限的限制，其中所述突發發射時間小於與所述RF曝露極限相關聯的時間窗口；<br/>如果所述第二發射時間大於或等於與所述RF曝露極限相關聯的所述時間窗口，則所述發射功率受到所述平均功率的限制；以及<br/>如果與所述多個發射功率中的任何一個發射功率相關聯的所述發射時間小於或等於所述時間窗口、並且大於或等於所述突發發射時間，則所述發射功率針對所述發射時間的第一部分小於或等於所述瞬時功率極限、並且大於所述平均功率，並且所述發射功率針對所述發射時間的第二部分小於所述平均功率。
根據請求項10所述的方法，其中：<br/>如果所述發射時間小於或等於與符合所述RF曝露極限的所述瞬時功率極限相關聯的突發發射時間，則所述發射功率根據時間平均模式來設置，所述突發發射時間小於與所述RF曝露極限相關聯的時間窗口；<br/>如果所述發射時間大於或等於與所述RF曝露極限相關聯的所述時間窗口，則所述發射功率根據峰值模式來設置；以及<br/>如果與所述多個發射功率中的任何一個發射功率相關聯的所述發射時間小於或等於所述時間窗口、並且大於或等於所述突發發射時間，則所述發射功率根據所述時間平均模式來設置，使得所述發射功率針對所述發射時間的第一部分小於或等於所述瞬時功率極限、並且大於所述平均功率，並且所述發射功率針對所述發射時間的第二部分小於所述平均功率。
根據請求項10所述的方法，其中所述無線電條件包括以下至少一項：<br/>所述無線設備與所述接收實體之間的通道品質；<br/>與所述傳輸相關聯的調變和編碼方案（MCS）；<br/>與所述傳輸相關聯的編碼速率；或者<br/>與到所述接收實體的傳輸相關聯的週期性。
根據請求項10所述的方法，其中確定所述發射時間包括：<br/>基於所述無線電條件來確定與向所述接收實體發射所述資料相關聯的資料速率；以及<br/>基於所述資料速率和與所述資料相關聯的大小來確定所述發射時間。
根據請求項10所述的方法，其中確定所述發射時間包括：至少部分基於未來預測的無線電條件來確定在與所述無線設備相關聯的移動性條件下的所述發射時間。
根據請求項10所述的方法，其中確定所述發射時間包括：至少部分基於與所述資料相關聯的緩衝區大小來確定所述發射時間。
一種6-(((R)-2-羥基-2-甲基丁-3-炔-1-基)氧基)-4-(6-(6-((6-甲氧基吡啶-3-基)甲基)-3,6二氮雜雙環[3.1.1]庚烷-3-基)吡啶-3-基)吡唑並[1,5-a]吡啶-3-甲腈的晶型，所述晶型為晶型I、晶型II、晶型III、晶型IV或晶型V，其中： <br/>晶型I的X-射線粉末繞射圖譜在2θ為5.0±0.2°處具有繞射峰；或者在9.6±0.2°處具有繞射峰；或者在15.0±0.2°處具有繞射峰；或者在17.2±0.2°處具有繞射峰；或者在22.2±0.2°處具有繞射峰；或者在19.4±0.2°處具有繞射峰；或者在30.2±0.2°處具有繞射峰；或者在8.2±0.2°處具有繞射峰；或者在25.1±0.2°處具有繞射峰；或者在26.9±0.2°處具有繞射峰；包含上述繞射峰中的任意2-5處，或者3-5處，或者3-6處，或者3-8處，或者5-8處，或者6-8處；或 <br/>晶型I的X-射線粉末繞射圖譜在2θ為5.0±0.2°處具有繞射峰；或者在8.2±0.2°處具有繞射峰；或者在9.6±0.2°處具有繞射峰；或者在12.9±0.2°處具有繞射峰；或者在15.0±0.2°處具有繞射峰；或者在17.2±0.2°處具有繞射峰；或者在15.4±0.2°處具有繞射峰；或者在16.6±0.2°處具有繞射峰；或者在17.7±0.2°處具有繞射峰；或者在18.5±0.2°處具有繞射峰；包含上述繞射峰中的任意2-5處，或者3-5處，或者3-6處，或者3-8處，或者5-8處，或者6-8處； <br/>晶型II的X-射線粉末繞射圖譜在2θ為4.8±0.2°處具有繞射峰；或者在17.7±0.2°處具有繞射峰；或者在16.6±0.2°處具有繞射峰；或者在9.4±0.2°處具有繞射峰；或者在18.4±0.2°處具有繞射峰；或者在19.1±0.2°處具有繞射峰；或者在17.0±0.2°處具有繞射峰；或者在18.6±0.2°處具有繞射峰；或者在4.5±0.2°處具有繞射峰；或者在15.4±0.2°處具有繞射峰；包含上述繞射峰中的任意2-5處，或者3-5處，或者3-6處，或者3-8處，或者5-8處，或者6-8處； <br/>晶型III的X-射線粉末繞射圖譜在2θ為4.6±0.2°處具有繞射峰；或者在15.2±0.2°處具有繞射峰；或者在9.9±0.2°處具有繞射峰；或者在16.7±0.2°處具有繞射峰；或者在18.2±0.2°處具有繞射峰；或者在17.9±0.2°處具有繞射峰；或者在25.5±0.2°處具有繞射峰；或者在15.0±0.2°處具有繞射峰；或者在19.5±0.2°處具有繞射峰；或者在23.6±0.2°處具有繞射峰；包含上述繞射峰中的任意2-5處，或者3-5處，或者3-6處，或者3-8處，或者5-8處，或者6-8處； <br/>晶型IV的X-射線粉末繞射圖譜在2θ為5.0±0.2°處具有繞射峰；或者在4.8±0.2°處具有繞射峰；或者在15.0±0.2°處具有繞射峰；或者在19.1±0.2°處具有繞射峰；或者在14.3±0.2°處具有繞射峰；或者在10.0±0.2°處具有繞射峰；或者在23.9±0.2°處具有繞射峰；或者在25.1±0.2°處具有繞射峰；或者在30.3±0.2°處具有繞射峰；或者在9.6±0.2°處具有繞射峰；包含上述繞射峰中的任意2-5處，或者3-5處，或者3-6處，或者3-8處，或者5-8處，或者6-8處； <br/>晶型V的X-射線粉末繞射圖譜在2θ為4.7±0.2°處具有繞射峰；或者在18.2±0.2°處具有繞射峰；或者在10.1±0.2°處具有繞射峰；或者在18.8±0.2°處具有繞射峰；或者在15.6±0.2°處具有繞射峰；或者在17.0±0.2°處具有繞射峰；或者在21.8±0.2°處具有繞射峰；或者在14.7±0.2°處具有繞射峰；或者在19.3±0.2°處具有繞射峰；或者在25.8±0.2°處具有繞射峰；包含上述繞射峰中的任意2-5處，或者3-5處，或者3-6處，或者3-8處，或者5-8處，或者6-8處。
如請求項1所述化合物的晶型，其中，晶型I的X-射線粉末繞射圖譜在2θ為5.0±0.2°處具有繞射峰；或者在9.6±0.2°處具有繞射峰；或者在15.0±0.2°處具有繞射峰；或者在17.2±0.2°處具有繞射峰；或者在22.2±0.2°處具有繞射峰；或者在19.4±0.2°處具有繞射峰；或者在30.2±0.2°處具有繞射峰；或者在8.2±0.2°處具有繞射峰；或者在25.1±0.2°處具有繞射峰；或者在26.9±0.2°處具有繞射峰；包含其中任意6處、7處或8處；或 <br/>晶型I的X-射線粉末繞射圖譜在2θ為5.0±0.2°處具有繞射峰；或者在8.2±0.2°處具有繞射峰；或者在9.6±0.2°處具有繞射峰；或者在12.9±0.2°處具有繞射峰；或者在15.0±0.2°處具有繞射峰；或者在17.2±0.2°處具有繞射峰；或者在15.4±0.2°處具有繞射峰；或者在16.6±0.2°處具有繞射峰；或者在17.7±0.2°處具有繞射峰；或者在18.5±0.2°處具有繞射峰；包含其中任意6處、7處或8處； <br/>晶型II的X-射線粉末繞射圖譜在2θ為4.8±0.2°處具有繞射峰；或者在17.7±0.2°處具有繞射峰；或者在16.6±0.2°處具有繞射峰；或者在9.4±0.2°處具有繞射峰；或者在18.4±0.2°處具有繞射峰；或者在19.1±0.2°處具有繞射峰；或者在17.0±0.2°處具有繞射峰；或者在18.6±0.2°處具有繞射峰；或者在4.5±0.2°處具有繞射峰；或者在15.4±0.2°處具有繞射峰；包含其中任意6處、7處或8處； <br/>晶型III的X-射線粉末繞射圖譜在2θ為4.6±0.2°處具有繞射峰；或者在15.2±0.2°處具有繞射峰；或者在9.9±0.2°處具有繞射峰；或者在16.7±0.2°處具有繞射峰；或者在18.2±0.2°處具有繞射峰；或者在17.9±0.2°處具有繞射峰；或者在25.5±0.2°處具有繞射峰；或者在15.0±0.2°處具有繞射峰；或者在19.5±0.2°處具有繞射峰；或者在23.6±0.2°處具有繞射峰；包含其中任意6處、7處或8處； <br/>晶型IV的X-射線粉末繞射圖譜在2θ為5.0±0.2°處具有繞射峰；或者在4.8±0.2°處具有繞射峰；或者在15.0±0.2°處具有繞射峰；或者在19.1±0.2°處具有繞射峰；或者在14.3±0.2°處具有繞射峰；或者在10.0±0.2°處具有繞射峰；或者在23.9±0.2°處具有繞射峰；或者在25.1±0.2°處具有繞射峰；或者在30.3±0.2°處具有繞射峰；或者在9.6±0.2°處具有繞射峰；包含其中任意6處、7處或8處； <br/>晶型V的X-射線粉末繞射圖譜在2θ為4.7±0.2°處具有繞射峰；或者在18.2±0.2°處具有繞射峰；或者在10.1±0.2°處具有繞射峰；或者在18.8±0.2°處具有繞射峰；或者在15.6±0.2°處具有繞射峰；或者在17.0±0.2°處具有繞射峰；或者在21.8±0.2°處具有繞射峰；或者在14.7±0.2°處具有繞射峰；或者在19.3±0.2°處具有繞射峰；或者在25.8±0.2°處具有繞射峰；包含其中任意6處、7處或8處。
如請求項1所述化合物的晶型，其中，晶型I的X-射線粉末繞射圖譜包含位於2θ為5.0±0.2°、9.6±0.2°、15.0±0.2°的繞射峰；任選的，進一步還包含2θ為17.2±0.2°、22.2±0.2°、19.4±0.2°、30.2±0.2°或8.2±0.2°中的至少一處； <br/>或者，包含位於2θ為5.0±0.2°、9.6±0.2°、15.0±0.2°、17.2±0.2°、22.2±0.2°和19.4±0.2°處的繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為5.0±0.2°、9.6±0.2°、15.0±0.2°、17.2±0.2°、22.2±0.2°和8.2±0.2°處的繞射峰； <br/>晶型I的X-射線粉末繞射圖譜包含位於2θ為5.0±0.2°、8.2±0.2°、9.6±0.2°的繞射峰；任選的，進一步還包含2θ為12.9±0.2°、15.0±0.2°、17.2±0.2°、15.4±0.2°或16.6±0.2°中的至少一處； <br/>或者，包含位於2θ為5.0±0.2°、8.2±0.2°、9.6±0.2°、12.9±0.2°、15.0±0.2°和17.2±0.2°處的繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為5.0±0.2°、9.6±0.2°、12.9±0.2°、15.0±0.2°、17.2±0.2°和15.4±0.2°處的繞射峰； <br/>晶型II的X-射線粉末繞射圖譜包含位於2θ為4.8±0.2°、17.7±0.2°、16.6±0.2°的繞射峰；任選的，進一步還包含2θ為9.4±0.2°、18.4±0.2°、19.1±0.2°、17.0±0.2°或18.6±0.2°中的至少一處； <br/>或者，包含位於2θ為4.8±0.2°、17.7±0.2°、16.6±0.2°、9.4±0.2°、18.4±0.2°和19.1±0.2°處的繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為4.8±0.2°、17.7±0.2°、16.6±0.2°、9.4±0.2°、18.4±0.2°和17.0±0.2°處的繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為4.8±0.2°、17.7±0.2°、16.6±0.2°、9.4±0.2°、18.4±0.2°和18.6±0.2°處的繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為4.8±0.2°、17.7±0.2°、9.4±0.2°、18.4±0.2°、19.1±0.2°和17.0±0.2°處的繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為4.8±0.2°、16.6±0.2°、9.4±0.2°、18.4±0.2°、19.1±0.2°和17.0±0.2°處的繞射峰； <br/>晶型III的X-射線粉末繞射圖譜包含位於2θ為4.6±0.2°、15.2±0.2°和9.9±0.2°的繞射峰；任選的，進一步還包含2θ為16.7±0.2°、18.2±0.2°、17.9±0.2°、25.5±0.2°或15.0±0.2°中的至少一處； <br/>或者，包含位於2θ為4.6±0.2°、15.2±0.2°、9.9±0.2°、16.7±0.2°、18.2±0.2°和17.9±0.2°處的繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為4.6±0.2°、15.2±0.2°、9.9±0.2°、16.7±0.2°、18.2±0.2°和25.5±0.2°處的繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為4.6±0.2°、15.2±0.2°、9.9±0.2°、16.7±0.2°、18.2±0.2°和15.0±0.2°處的繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為4.6±0.2°、15.2±0.2°、9.9±0.2°、16.7±0.2°、18.2±0.2°和25.5±0.2°處的繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為4.6±0.2°、15.2±0.2°、9.9±0.2°、18.2±0.2°、17.9±0.2°和15.0±0.2°處的繞射峰； <br/>晶型IV的X-射線粉末繞射圖譜包含位於2θ為5.0±0.2°、4.8±0.2°和15.0±0.2°的繞射峰；任選的，進一步還包含2θ為19.1±0.2°、14.3±0.2°、10.0±0.2°、23.9±0.2°或25.1±0.2°中的至少一處； <br/>或者，包含位於2θ為5.0±0.2°、4.8±0.2°、15.0±0.2°、19.1±0.2°、14.3±0.2°和10.0±0.2°處的繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為5.0±0.2°、4.8±0.2°、15.0±0.2°、19.1±0.2°、14.3±0.2°和23.9±0.2°處的繞射峰； <br/>晶型V的X-射線粉末繞射圖譜包含位於2θ為4.7±0.2°、18.2±0.2°和10.1±0.2°的繞射峰；任選的，進一步還包含2θ為18.8±0.2°、15.6±0.2°、17.0±0.2°、21.8±0.2°或14.7±0.2°中的至少一處； <br/>或者，包含位於2θ為4.7±0.2°、18.2±0.2°、10.1±0.2°、18.8±0.2、15.6±0.2°和17.0±0.2°處的繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為4.7±0.2°、18.2±0.2°、10.1±0.2°、18.8±0.2、15.6±0.2°和21.8±0.2°處的繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為4.7±0.2°、18.2±0.2°、10.1±0.2°、18.8±0.2、15.6±0.2°和14.7±0.2°處的繞射峰。
如請求項3所述化合物的晶型，其中，晶型I的X-射線粉末繞射圖譜包含位於2θ為5.0±0.2°、9.6±0.2°、15.0±0.2°的繞射峰；任選的，進一步還包含2θ為17.2±0.2°、22.2±0.2°、19.4±0.2°、30.2±0.2°或8.2±0.2°中的2處、3處、4處或5處； <br/>或者，包含位於2θ為5.0±0.2°、9.6±0.2°、15.0±0.2°、17.2±0.2°、22.2±0.2°和19.4±0.2°處的繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為5.0±0.2°、9.6±0.2°、15.0±0.2°、17.2±0.2°、22.2±0.2°和8.2±0.2°處的繞射峰； <br/>晶型I的X-射線粉末繞射圖譜包含位於2θ為5.0±0.2°、8.2±0.2°、9.6±0.2°的繞射峰；任選的，進一步還包含2θ為12.9±0.2°、15.0±0.2°、17.2±0.2°、15.4±0.2°或16.6±0.2°中的2處、3處、4處或5處； <br/>或者，包含位於2θ為5.0±0.2°、8.2±0.2°、9.6±0.2°、12.9±0.2°、15.0±0.2°和17.2±0.2°處的繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為5.0±0.2°、9.6±0.2°、12.9±0.2°、15.0±0.2°、17.2±0.2°和15.4±0.2°處的繞射峰； <br/>晶型II的X-射線粉末繞射圖譜包含位於2θ為4.8±0.2°、17.7±0.2°、16.6±0.2°的繞射峰；任選的，進一步還包含2θ為9.4±0.2°、18.4±0.2°、19.1±0.2°、17.0±0.2°或18.6±0.2°中的2處、3處、4處或5處； <br/>或者，包含位於2θ為4.8±0.2°、17.7±0.2°、16.6±0.2°、9.4±0.2°、18.4±0.2°和19.1±0.2°處的繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為4.8±0.2°、17.7±0.2°、16.6±0.2°、9.4±0.2°、18.4±0.2°和17.0±0.2°處的繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為4.8±0.2°、17.7±0.2°、16.6±0.2°、9.4±0.2°、18.4±0.2°和18.6±0.2°處的繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為4.8±0.2°、17.7±0.2°、9.4±0.2°、18.4±0.2°、19.1±0.2°和17.0±0.2°處的繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為4.8±0.2°、16.6±0.2°、9.4±0.2°、18.4±0.2°、19.1±0.2°和17.0±0.2°處的繞射峰； <br/>晶型III的X-射線粉末繞射圖譜包含位於2θ為4.6±0.2°、15.2±0.2°和9.9±0.2°的繞射峰；任選的，進一步還包含2θ為16.7±0.2°、18.2±0.2°、17.9±0.2°、25.5±0.2°或15.0±0.2°中的2處、3處、4處或5處； <br/>或者，包含位於2θ為4.6±0.2°、15.2±0.2°、9.9±0.2°、16.7±0.2°、18.2±0.2°和17.9±0.2°處的繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為4.6±0.2°、15.2±0.2°、9.9±0.2°、16.7±0.2°、18.2±0.2°和25.5±0.2°處的繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為4.6±0.2°、15.2±0.2°、9.9±0.2°、16.7±0.2°、18.2±0.2°和15.0±0.2°處的繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為4.6±0.2°、15.2±0.2°、9.9±0.2°、16.7±0.2°、18.2±0.2°和25.5±0.2°處的繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為4.6±0.2°、15.2±0.2°、9.9±0.2°、18.2±0.2°、17.9±0.2°和15.0±0.2°處的繞射峰； <br/>晶型IV的X-射線粉末繞射圖譜包含位於2θ為5.0±0.2°、4.8±0.2°和15.0±0.2°的繞射峰；任選的，進一步還包含2θ為19.1±0.2°、14.3±0.2°、10.0±0.2°、23.9±0.2°或25.1±0.2°中的2處、3處、4處或5處； <br/>或者，包含位於2θ為5.0±0.2°、4.8±0.2°、15.0±0.2°、19.1±0.2°、14.3±0.2°和10.0±0.2°處的繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為5.0±0.2°、4.8±0.2°、15.0±0.2°、19.1±0.2°、14.3±0.2°和23.9±0.2°處的繞射峰； <br/>晶型V的X-射線粉末繞射圖譜包含位於2θ為4.7±0.2°、18.2±0.2°和10.1±0.2°的繞射峰；任選的，進一步還包含2θ為18.8±0.2°、15.6±0.2°、17.0±0.2°、21.8±0.2°或14.7±0.2°中的2處、3處、4處或5處； <br/>或者，包含位於2θ為4.7±0.2°、18.2±0.2°、10.1±0.2°、18.8±0.2、15.6±0.2°和17.0±0.2°處的繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為4.7±0.2°、18.2±0.2°、10.1±0.2°、18.8±0.2、15.6±0.2°和21.8±0.2°處的繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為4.7±0.2°、18.2±0.2°、10.1±0.2°、18.8±0.2、15.6±0.2°和14.7±0.2°處的繞射峰。
如請求項1所述化合物的晶型，其中，晶型I的X-射線粉末繞射圖譜任選還包含位於2θ為10.0±0.2°、25.4±0.2°、26.9±0.2°、13.0±0.2°、12.9±0.2°或20.0±0.2中的一處或多處繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為5.0±0.2°、9.6±0.2°、15.0±0.2°、17.2±0.2°、22.2±0.2°、19.4±0.2°、26.9±0.2°和10.0±0.2°處的繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為5.0±0.2°、9.6±0.2°、15.0±0.2°、17.2±0.2°、22.2±0.2°、19.4±0.2°、26.9±0.2°和25.4±0.2°處的繞射峰； <br/>晶型I的X-射線粉末繞射圖譜任選還包含位於2θ為15.4±0.2°、16.6±0.2°、17.7±0.2°、18.5±0.2°、19.3±0.2°或24.0±0.2中的一處或多處繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為5.0±0.2°、8.2±0.2°、9.6±0.2°、15.4±0.2°、16.6±0.2°、17.7±0.2°、18.5±0.2°和19.3±0.2°處的繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為5.0±0.2°、8.2±0.2°、9.6±0.2°、16.6±0.2°、17.7±0.2°、18.5±0.2°、19.3±0.2°和24.0±0.2處的繞射峰； <br/>晶型II的X-射線粉末繞射圖譜任選還包含位於2θ為4.5±0.2°、15.4±0.2°、14.6±0.2°、24.0±0.2°、21.5±0.2°、20.5±0.2°或18.0±0.2中的一處或多處繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為4.8±0.2°、17.7±0.2°、16.6±0.2°、9.4±0.2°、18.4±0.2°、19.1±0.2°、4.5±0.2°和15.4±0.2°處的繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為4.8±0.2°、17.7±0.2°、16.6±0.2°、9.4±0.2°、18.4±0.2°、19.1±0.2°、4.5±0.2°和14.6±0.2°處的繞射峰； <br/>晶型III的X-射線粉末繞射圖譜任選還包含位於2θ為19.5±0.2°、23.6±0.2°、26.1±0.2°、22.0±0.2°、20.2±0.2°、21.1±0.2°或27.4±0.2中的一處或多出繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為4.6±0.2°、15.2±0.2°、9.9±0.2°、16.7±0.2°、18.2±0.2°、17.9±0.2°、19.5±0.2°和23.6±0.2°處的繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為4.6±0.2°、15.2±0.2°、9.9±0.2°、16.7±0.2°、18.2±0.2°、17.9±0.2°、19.5±0.2°和26.1±0.2°處的繞射峰； <br/>晶型IV的X-射線粉末繞射圖譜任選還包含位於2θ為30.3±0.2°或9.6±0.2°中的一處或多出繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為5.0±0.2°、4.8±0.2°、15.0±0.2°、19.1±0.2°、14.3±0.2°、10.0±0.2°、23.9±0.2°和30.3±0.2°處的繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為5.0±0.2°、4.8±0.2°、15.0±0.2°、19.1±0.2°、14.3±0.2°、10.0±0.2°、23.9±0.2°和9.6±0.2°處的繞射峰； <br/>晶型V的X-射線粉末繞射圖譜任選還包含位於2θ為19.3±0.2°、25.8±0.2°、15.2±0.2°、17.8±0.2°、20.4±0.2°、23.5±0.2°或25.6±0.2°中的一處或多處繞射峰； <br/>或者，包含位於4.7±0.2°、18.2±0.2°、10.1±0.2°、18.8±0.2°、15.6±0.2°、17.0±0.2°、19.3±0.2°和25.8±0.2°處的繞射峰； <br/>或者，包含位於4.7±0.2°、18.2±0.2°、10.1±0.2°、18.8±0.2°、15.6±0.2°、17.0±0.2°、19.3±0.2°和15.2±0.2°處的繞射峰。
如請求項5所述化合物的晶型，其中，晶型I的X-射線粉末繞射圖譜任選還包含位於2θ為10.0±0.2°、25.4±0.2°、26.9±0.2°、13.0±0.2°、12.9±0.2°或20.0±0.2中的任意2處、3處、4處、5處或6處繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為5.0±0.2°、9.6±0.2°、15.0±0.2°、17.2±0.2°、22.2±0.2°、19.4±0.2°、26.9±0.2°和10.0±0.2°處的繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為5.0±0.2°、9.6±0.2°、15.0±0.2°、17.2±0.2°、22.2±0.2°、19.4±0.2°、26.9±0.2°和25.4±0.2°處的繞射峰； <br/>晶型I的X-射線粉末繞射圖譜任選還包含位於2θ為15.4±0.2°、16.6±0.2°、17.7±0.2°、18.5±0.2°、19.3±0.2°或24.0±0.2中的任意2處、3處、4處、5處或6處繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為5.0±0.2°、8.2±0.2°、9.6±0.2°、15.4±0.2°、16.6±0.2°、17.7±0.2°、18.5±0.2°和19.3±0.2°處的繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為5.0±0.2°、8.2±0.2°、9.6±0.2°、16.6±0.2°、17.7±0.2°、18.5±0.2°、19.3±0.2°和24.0±0.2處的繞射峰； <br/>晶型II的X-射線粉末繞射圖譜任選還包含位於2θ為4.5±0.2°、15.4±0.2°、14.6±0.2°、24.0±0.2°、21.5±0.2°、20.5±0.2°或18.0±0.2中的任意2處、3處、4處、5處、6處、7處繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為4.8±0.2°、17.7±0.2°、16.6±0.2°、9.4±0.2°、18.4±0.2°、19.1±0.2°、4.5±0.2°和15.4±0.2°處的繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為4.8±0.2°、17.7±0.2°、16.6±0.2°、9.4±0.2°、18.4±0.2°、19.1±0.2°、4.5±0.2°和14.6±0.2°處的繞射峰； <br/>晶型III的X-射線粉末繞射圖譜任選還包含位於2θ為19.5±0.2°、23.6±0.2°、26.1±0.2°、22.0±0.2°、20.2±0.2°、21.1±0.2°或27.4±0.2中的任意2處、3處、4處、5處、6處、7處繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為4.6±0.2°、15.2±0.2°、9.9±0.2°、16.7±0.2°、18.2±0.2°、17.9±0.2°、19.5±0.2°和23.6±0.2°處的繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為4.6±0.2°、15.2±0.2°、9.9±0.2°、16.7±0.2°、18.2±0.2°、17.9±0.2°、19.5±0.2°和26.1±0.2°處的繞射峰； <br/>晶型IV的X-射線粉末繞射圖譜任選還包含位於2θ為30.3±0.2°或9.6±0.2°中的任意1-2處繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為5.0±0.2°、4.8±0.2°、15.0±0.2°、19.1±0.2°、14.3±0.2°、10.0±0.2°、23.9±0.2°和30.3±0.2°處的繞射峰； <br/>或者，包含位於2θ為5.0±0.2°、4.8±0.2°、15.0±0.2°、19.1±0.2°、14.3±0.2°、10.0±0.2°、23.9±0.2°和9.6±0.2°處的繞射峰； <br/>晶型V的X-射線粉末繞射圖譜任選還包含位於2θ為19.3±0.2°、25.8±0.2°、15.2±0.2°、17.8±0.2°、20.4±0.2°、23.5±0.2°或25.6±0.2°中的任意2處、3處、4處、5處、6處、7處繞射峰； <br/>或者，包含位於4.7±0.2°、18.2±0.2°、10.1±0.2°、18.8±0.2°、15.6±0.2°、17.0±0.2°、19.3±0.2°和25.8±0.2°處的繞射峰； <br/>或者，包含位於4.7±0.2°、18.2±0.2°、10.1±0.2°、18.8±0.2°、15.6±0.2°、17.0±0.2°、19.3±0.2°和15.2±0.2°處的繞射峰。
如請求項1所述化合物的晶型，其中，晶型I的X-射線粉末繞射圖譜包含位於2θ為5.0±0.2°、9.6±0.2°、15.0±0.2°、17.2±0.2°、22.2±0.2°、19.4±0.2°、30.2±0.2°、25.1±0.2°、10.0±0.2°、25.4±0.2°、26.9±0.2°、13.0±0.2°、12.9±0.2°或20.0±0.2中任選的4處、5處、6處、8處或10處繞射峰； <br/>晶型I的X-射線粉末繞射圖譜在2θ為以下位置處有繞射峰： <br/>9.6±0.2°、15.0±0.2°和17.2±0.2°處； <br/>或者，5.0±0.2°、9.6±0.2°、15.0±0.2°和17.2±0.2°處； <br/>或者，5.0±0.2°、9.6±0.2°、15.0±0.2°和22.2±0.2°處； <br/>或者，5.0±0.2°、9.6±0.2°、15.0±0.2°、17.2±0.2°、22.2±0.2°和25.1±0.2°處； <br/>晶型I的X-射線粉末繞射圖譜包含位於2θ為5.0±0.2°、8.2±0.2°、9.6±0.2°、12.9±0.2°、15.0±0.2°、17.2±0.2°、15.4±0.2°、16.6±0.2°、17.7±0.2°、18.5±0.2°、19.3±0.2°或24.0±0.2中任選的4處、5處、6處、8處或10處繞射峰； <br/>晶型I的X-射線粉末繞射圖譜在2θ為以下位置處有繞射峰： <br/>8.2±0.2°、9.6±0.2°、12.9±0.2°、15.0±0.2°、17.2±0.2°、15.4±0.2°、16.6±0.2°和17.7±0.2°處； <br/>或者，5.0±0.2°、8.2±0.2°、9.6±0.2°、12.9±0.2°、15.0±0.2°、17.2±0.2°、15.4±0.2°、16.6±0.2°、17.7±0.2°和18.5±0.2°處； <br/>或者，8.2±0.2°、9.6±0.2°、12.9±0.2°、15.0±0.2°、17.2±0.2°、15.4±0.2°、16.6±0.2°、17.7±0.2°、18.5±0.2°和19.3±0.2°處； <br/>晶型II的X-射線粉末繞射圖譜包含位於2θ為4.8±0.2°、17.7±0.2°、16.6±0.2°、9.4±0.2°、18.4±0.2°、19.1±0.2°、17.0±0.2°、18.6±0.2°、4.5±0.2°、15.4±0.2°、14.6±0.2°、24.0±0.2°、21.5±0.2°、20.5±0.2°或18.0±0.2中任選的4處、5處、6處、8處或10處繞射峰； <br/>晶型II的X-射線粉末繞射圖譜在2θ為以下位置處有繞射峰： <br/>4.8±0.2°、17.7±0.2°、16.6±0.2°和9.4±0.2°處； <br/>或者，4.8±0.2°、17.7±0.2°、16.6±0.2°和18.4±0.2°處； <br/>或者，4.8±0.2°、17.7±0.2°、16.6±0.2°、9.4±0.2°、18.4±0.2°和20.5±0.2°處； <br/>或者，4.8±0.2°、17.7±0.2°、16.6±0.2°、9.4±0.2°、18.4±0.2°、19.1±0.2°、17.0±0.2°和18.6±0.2°處； <br/>或者，4.8±0.2°、17.7±0.2°、16.6±0.2°、9.4±0.2°、18.4±0.2°、19.1±0.2°、17.0±0.2°、18.6±0.2°、4.5±0.2°、14.6±0.2°處； <br/>晶型III的X-射線粉末繞射圖譜包含位於2θ為2θ為4.6±0.2°、15.2±0.2°、9.9±0.2°、16.7±0.2°、18.2±0.2°、17.9±0.2°、25.5±0.2°、15.0±0.2°、19.5±0.2°、23.6±0.2°、26.1±0.2°、22.0±0.2°、20.2±0.2°、21.1±0.2°或27.4±0.2中任選的4處、5處、6處、8處或10處繞射峰； <br/>晶型III的X-射線粉末繞射圖譜在2θ為以下位置處有繞射峰： <br/>4.6±0.2°、15.2±0.2°、9.9±0.2°和16.7±0.2°處； <br/>或者，4.6±0.2°、15.2±0.2°、9.9±0.2°和18.2±0.2°處； <br/>或者，4.6±0.2°、15.2±0.2°、16.7±0.2°和18.2±0.2°處； <br/>或者，4.6±0.2°、15.2±0.2°、9.9±0.2°、16.7±0.2°、18.2±0.2°和17.9±0.2°處； <br/>或者，4.6±0.2°、15.2±0.2°、9.9±0.2°、16.7±0.2°、18.2±0.2°、17.9±0.2°、26.1±0.2°和22.0±0.2°處； <br/>或者，4.6±0.2°、15.2±0.2°、9.9±0.2°、16.7±0.2°、18.2±0.2°、17.9±0.2°、25.5±0.2°、15.0±0.2°、19.5±0.2°和23.6±0.2°處； <br/>晶型IV的X-射線粉末繞射圖譜包含位於2θ為2θ為5.0±0.2°、4.8±0.2°、15.0±0.2°、19.1±0.2°、14.3±0.2°、10.0±0.2°、23.9±0.2°、25.1±0.2°、30.3±0.2°或9.6±0.2°中任選的4處、5處、6處、8處或10處繞射峰； <br/>晶型IV的X-射線粉末繞射圖譜在2θ為以下位置處有繞射峰： <br/>包含位於2θ為5.0±0.2°、4.8±0.2°、15.0±0.2°和19.1±0.2°處的繞射峰； <br/>或者，5.0±0.2°、4.8±0.2°、15.0±0.2°和14.3±0.2°處； <br/>或者，5.0±0.2°、4.8±0.2°、15.0±0.2°、19.1±0.2°、23.9±0.2°和25.1±0.2°處； <br/>或者，5.0±0.2°、4.8±0.2°、15.0±0.2°、19.1±0.2°、14.3±0.2°、10.0±0.2°、23.9±0.2°和25.1±0.2°處； <br/>或者，5.0±0.2°、4.8±0.2°、15.0±0.2°、19.1±0.2°、14.3±0.2°、10.0±0.2°、23.9±0.2°、25.1±0.2°和30.3±0.2°處； <br/>或者，5.0±0.2°、4.8±0.2°、15.0±0.2°、19.1±0.2°、14.3±0.2°、10.0±0.2°、23.9±0.2°、25.1±0.2°、30.3±0.2°和9.6±0.2°處； <br/>晶型V的X-射線粉末繞射圖譜包含位於2θ為4.7±0.2°、18.2±0.2°、10.1±0.2°、18.8±0.2°、15.6±0.2°、17.0±0.2°、21.8±0.2°、14.7±0.2°、19.3±0.2°、25.8±0.2°、15.2±0.2°、17.8±0.2°、20.4±0.2°、23.5±0.2°或25.6±0.2°中任選的4處、5處、6處、8處或10處繞射峰； <br/>晶型V的X-射線粉末繞射圖譜在2θ為以下位置處有繞射峰： <br/>4.7±0.2°、18.2±0.2°、10.1±0.2°和18.8±0.2處； <br/>或者，4.7±0.2°、10.1±0.2°、18.8±0.2°、15.6±0.2°、17.0±0.2°和21.8±0.2°處； <br/>或者，4.7±0.2°、18.2±0.2°、10.1±0.2°、18.8±0.2°、15.6±0.2°、17.0±0.2°、21.8±0.2°和14.7±0.2°處； <br/>或者，4.7±0.2°、18.2±0.2°、10.1±0.2°、18.8±0.2°、15.6±0.2°、17.0±0.2°、21.8±0.2°、14.7±0.2°、19.3±0.2°和15.2±0.2°處。
如請求項1所述化合物的晶型，其中，晶型I的X-射線粉末繞射圖譜如圖1所示；晶型II的X-射線粉末繞射圖譜如圖4所示；晶型III的X-射線粉末繞射圖譜如圖7所示；晶型IV的X-射線粉末繞射圖譜如圖10所示；晶型V的X-射線粉末繞射圖譜如圖13所示。
如請求項1所述化合物的晶型，其中，晶型I、晶型II、晶型III、晶型IV、晶型V的X-射線粉末繞射圖譜中相對峰強度為前十強的繞射峰位置分別與圖1、圖4、圖7、圖10和圖13對應位置繞射峰的2θ誤差為±0.2°。
如請求項1所述化合物的晶型，其中， <br/>晶型I具有如圖2所示的DSC圖譜；或者具有如圖3所示的TGA圖譜； <br/>晶型II具有如圖5所示的DSC圖譜；或者具有如圖6所示的TGA圖譜； <br/>晶型III具有如圖8所示的DSC圖譜；或者具有如圖9所示的TGA圖譜； <br/>晶型IV具有如圖11所示的DSC圖譜；或者具有如圖12所示的TGA圖譜； <br/>晶型V具有如圖14所示的DSC圖譜；或者具有如圖15所示的TGA圖譜。
如請求項1所述化合物的晶型，其中，晶型為無水晶型。
一種製備請求項1至11中任一項所述化合物的晶型的方法，具體包括如下步驟： <br/>1)秤取適量的自由鹼，用不良溶劑混懸，懸浮密度為50~200mg/mL； <br/>2)以上所得混懸液振搖，溫度為0~50℃； <br/>3)將以上混懸液快速離心，去除上清液，剩餘固體乾燥得到目標產物； <br/>其中： <br/>不良性溶劑選自乙腈、丙酮、乙酸乙酯、甲醇或乙醇的一種或多種。
一種製備請求項1至11中任一項所述化合物的晶型的方法，具體包括如下步驟： <br/>1)秤取適量的自由鹼，用良溶劑溶解； <br/>2)任選地，向以上所得溶液中加入不良溶劑； <br/>3)攪拌至固體析出，析晶溫度選自0~50℃； <br/>4)任選地，將以上混懸液快速離心； <br/>5)去除上清液，剩餘固體乾燥得到目標產物； <br/>其中： <br/>良性溶劑選自二氯甲烷、四氫呋喃、2-甲基-四氫呋喃、1,4-二氧六環、二甲基亞碸、乙腈或2-丁酮中的一種或多種； <br/>不良溶劑選自水、正庚烷、環己烷或甲基叔丁基醚中的一種或多種。
一種藥物組合物，其包括治療有效劑量的請求項1至11中所示的各通式化合物的晶型以及一種或多種藥學上可接受的載體賦形劑。
一種如請求項1至11中任一項所述化合物的晶型，或如請求項14所述的藥物組合物在製備RET抑制劑藥物中的應用。
一種如請求項1至11中任一項所述化合物的晶型，或如請求項14所述的藥物組合物在製備用於治療和/或預防腫瘤藥物中的應用，其中，腫瘤選自非小細胞肺癌、纖維肉瘤、胰腺腫瘤、甲狀腺髓樣癌、甲狀腺乳頭狀腫瘤、軟組織肉瘤、高度實性腫瘤、乳腺腫瘤和結腸腫瘤。
一種用於電池單元平衡之裝置，其包括：一電路，其耦合至以串聯配置連接之一第一電池單元及一第二電池單元，該電路包括：一第一切換元件，其中該第一切換元件之一端子連接至該第一電池單元之一端子；一第二切換元件；一第三切換元件；一第四切換元件，其中該等第一、第二、第三及第四切換元件係以串聯配置連接，且該第四切換元件之一端子連接至該第二電池單元之一端子；一電容器，其中該電容器之一第一端子連接至定位於該第一切換元件與該第二切換元件之間的一第一節點，且該電容器之一第二端子連接至定位於該第三切換元件與該第四切換元件之間的一第二節點；一電感器，其中該電感器之一第一端子連接至定位於該第二切換元件與該第三切換元件之間的一第三節點，且該電感器之一第二端子連接至該第一電池單元與該第二電池單元之間的一第四節點；及其中該等第一、第二、第三及第四切換元件經組態以自一控制器接收複數個驅動器信號，以執行該第一電池單元與該第二電池單元之間的電池單元平衡。
如請求項1之裝置，其中該等第一、第二、第三及第四切換元件之各者係一金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)。
如請求項1之裝置，其中該電容器係一第一電容器，且該裝置進一步包括：一第二電容器，其中該第二電容器之一第一端子連接至定位於該第一切換元件與該第一電池單元之間的一第五節點，且該第二電容器之一第二端子連接至該電感器之該第二端子；及一第三電容器，其中該第三電容器之一第一端子連接至定位於該第四切換元件與該第二電池單元之間的一第六節點，且該第三電容器之一第二端子連接至該電感器之該第二端子。
如請求項1之裝置，其中由該第一切換元件及該第三切換元件之一啟動形成之一閉環引起電流從該第一電池單元流至該電容器及該電感器，且引起電荷從該電容器及該電感器流至該第一電池單元。
如請求項1之裝置，其中由該第二切換元件及該第四切換元件之一啟動形成之一閉環引起電流從該第二電池單元流至該電容器及該電感器，且引起電荷從該電容器及該電感器流至該第二電池單元。
一種系統，其包括第一電池單元、第二電池單元及如請求項1之裝置。
一種用於電池單元平衡之系統，其包括：一電路，其耦合至一第一電池單元及一第二電池單元，該電路包括：一第一切換元件，其中該第一切換元件之一端子連接至該第一電池單元之一端子；一第二切換元件；一第三切換元件；一第四切換元件，其中該等第一、第二、第三及第四切換元件以串聯配置連接，且該第四切換元件之一端子連接至該第二電池單元之一端子；一電容器，其中該電容器之一第一端子連接至定位於該第一切換元件與該第二切換元件之間的一第一節點，且該電容器之一第二端子連接至定位於該第三切換元件與該第四切換元件之間的一第二節點；一電感器，其中該電感器之一第一端子連接至定位於該第二切換元件與該第三切換元件之間的一第三節點，且該電感器之一第二端子連接至該第一電池單元與該第二電池單元之間的一第四節點；及一控制器，其連接至該電路，該控制器經組態以產生複數個驅動器信號，以控制該等第一、第二、第三及第四切換元件以執行該第一電池單元與該第二電池單元之間的電池單元平衡。
如請求項7之系統，其中該等第一、第二、第三及第四切換元件之各者係一金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)。
如請求項7之系統，其中該電容器係一第一電容器，且裝置進一步包括：一第二電容器，其中該第二電容器之一第一端子連接至定位於該第一切換元件與該第一電池單元之間的一第五節點，且該第二電容器之一第二端子連接至該電感器之該第二端子；及一第三電容器，其中該第三電容器之一第一端子連接至定位於該第四切換元件與該第二電池單元之間的一第六節點，且該第三電容器之一第二端子連接至該電感器之該第二端子。
如請求項7之系統，其中該控制器包括：一第一放大器，其經組態以判定第一電壓與第二電壓之間的一電壓差；一第二放大器，其經組態以判定該電感器之電流與該電感器之一電流限制之間的一電流差；一信號產生器，其經組態以基於該電壓差及該電流差產生一控制信號；一脈寬調變器，其經組態以用一預定信號對該控制信號執行脈寬調變以產生複數個脈寬調變信號；及一閘極驅動器，其經組態以基於該複數個脈寬調變信號產生該複數個驅動器信號。
如請求項7之系統，其中該控制器包括：一平均器，其經組態以判定該第一電池單元之一第一電壓與該第二電池單元之一第二電壓之間的一平均電壓；一第一放大器，其經組態以判定該平均電壓與該第一電池單元之該第一電壓之間的一第一電壓差；一第二放大器，其經組態以判定該平均電壓與該第二電池單元之該第二電壓之間的一第二電壓差；一第三放大器，其經組態以判定該電感器之該電流與該電感器之一電流限制之間的一電流差；一第一信號產生器，其經組態以基於該第一電壓差及該電流差產生一第一控制信號；一第二信號產生器，其經組態以基於該第二電壓差及該電流差產生一第二控制信號；一脈寬調變器，其經組態以對該第一控制信號、該第二控制信號及一預定信號執行脈寬調變以產生複數個脈寬調變信號；及一閘極驅動器，其經組態以基於該複數個脈寬調變信號產生該複數個驅動器信號。
如請求項7之系統，其中由該第一切換元件及該第三切換元件之一啟動形成之一閉環引起電流從該第一電池單元流至該電容器及該電感器，且引起電荷從該電容器及該電感器流至該第一電池單元。
如請求項7之系統，其中由該第二切換元件及該第四切換元件之一啟動形成之一閉環引起電流從該第二電池單元流至該電容器及該電感器，且引起電荷從該電容器及該電感器流至該第二電池單元。
如請求項7之系統，其中該控制器經組態以：基於該電感器之一電流位準識別該等第一、第二、第三及第四切換元件當中之至少一個切換元件；及啟動該至少一個經識別切換元件以執行該第一電池單元與該第二電池單元之間的該電池單元平衡。
一種用於平衡一對電池單元之方法，該方法包括：偵測一第一電池單元之一第一電壓及一第二電池單元之一第二電壓，其中該第一電池單元及該第二電池單元係以一串聯配置連接；及基於該等第一及第二電壓判定至少一個電壓差；偵測耦合至該第一電池單元及該第二電池單元之一電路中之一電感器的一電流，其中該電感器之一第一端子連接至定位於該第一電池單元與該第二電池單元之間的一節點；判定該電感器之該電流與該電感器之一電流限制之間的一電流差；基於該至少一個電壓差及該電流差產生一控制信號；用一預定信號對該控制信號執行脈寬調變以產生複數個脈寬調變信號；基於該複數個脈寬調變信號產生複數個驅動器信號；及使用該複數個驅動器信號以控制耦合至該第一電池單元及該第二電池單元之該電路中之複數個切換元件，其中該複數個切換元件包括：一第一切換元件，其連接至該第一電池單元；一第二切換元件，其以串聯配置連接至該第一切換元件，其中該電路中之一電容器之一第一端子連接至定位於該第一切換元件與該第二切換元件之間的一節點；一第三切換元件，其以串聯配置連接至該第二切換元件，其中該電感器之一第二端子連接至定位於該第二切換元件與該第三切換元件之間的一節點；及一第四切換元件，其以串聯配置連接至該第三切換元件，其中該電容器之一第二端子連接至定位於該第三切換元件與該第四切換元件之間的一節點，且該第四切換元件連接至該第二電池單元。
如請求項15之方法，其中該等第一、第二、第三及第四切換元件之各者係一金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)。
如請求項15之方法，其進一步包括啟動該第一切換元件及該第三切換元件以引起電流從該第一電池單元流至該電容器及該電感器，且引起電荷從該電容器及該電感器流至該第一電池單元。
如請求項15之方法，其進一步包括啟動該第二切換元件及該第四切換元件以引起電流從該第二電池單元流至該電容器及該電感器，且引起電荷從該電容器及該電感器流至該第二電池單元。
如請求項15之方法，其中該至少一個電壓差包括該第一電壓與該第二電壓之間的一電壓差。
如請求項15之方法，其中該至少一個電壓差包括一第一電壓差及一第二電壓差，且基於該等第一及第二電壓判定該至少一個電壓差包括：判定該第一電壓與該第二電壓之間的一平均電壓；判定該平均電壓與該第一電池單元之該第一電壓之間的一第一電壓差；判定該平均電壓與該第二電池單元之該第二電壓之間的一第二電壓差。
一種光吸收異向性板，其係包含膜基材及光吸收異向性膜者， <br/>上述光吸收異向性膜係包含聚合性液晶化合物、含有反應性基之非液晶化合物及二色性色素之液晶組合物之硬化膜，其係上述聚合性液晶化合物及二色性色素在配向於與該光吸收異向性膜平面垂直之方向上之狀態下硬化而成之硬化膜，其中 <br/>含有反應性基之非液晶化合物具有選自丙烯醯氧基及甲基丙烯醯氧基中之至少1種反應性基， <br/>含有反應性基之非液晶化合物於分子內具有2個以上12個以下之反應性基， <br/>含有反應性基之非液晶化合物之含量相對於聚合性液晶化合物100質量份為0.2質量份以上15質量份以下，且 <br/>膜基材與光吸收異向性膜鄰接。
如請求項1之光吸收異向性板，其中含有反應性基之非液晶化合物為選自單官能(甲基)丙烯酸酯及多官能(甲基)丙烯酸酯中之至少1種。
如請求項1或2之光吸收異向性板，其中含有反應性基之非液晶化合物所具有之反應性基、與聚合性液晶化合物所具有之聚合性基相同。
如請求項1或2之光吸收異向性板，其中聚合性液晶化合物為呈層列型液晶相之液晶化合物。
如請求項1或2之光吸收異向性板，其中二色性色素為偶氮色素。
如請求項1或2之光吸收異向性板，其中光吸收異向性膜之厚度為未達2 μm。
如請求項1或2之光吸收異向性板，其中光吸收異向性膜於X射線繞射測定中顯示布勒格波峰。
如請求項1或2之光吸收異向性板，其中膜基材為包含選自由聚醯亞胺系樹脂、纖維素酯系樹脂、環狀烯烴系樹脂、聚酯系樹脂及聚(甲基)丙烯酸系樹脂所組成之群中之至少1種的樹脂膜。
一種光吸收異向性板之製造方法，其係包含膜基材及光吸收異向性膜之光吸收異向性板之製造方法，其包括： <br/>於膜基材上形成包含聚合性液晶化合物、含有反應性基之非液晶化合物及二色性色素之液晶組合物之塗膜之步驟； <br/>使所獲得之塗膜乾燥而獲得乾燥塗膜之步驟；及， <br/>使上述塗膜中之聚合性液晶化合物及二色性色素在配向於與上述塗膜平面垂直之方向上之狀態下硬化之步驟，其中 <br/>含有反應性基之非液晶化合物具有選自丙烯醯氧基及甲基丙烯醯氧基中之至少1種反應性基， <br/>含有反應性基之非液晶化合物於分子內具有2個以上12個以下之反應性基， <br/>含有反應性基之非液晶化合物之含量相對於聚合性液晶化合物100質量份為0.2質量份以上15質量份以下，且 <br/>膜基材與光吸收異向性膜鄰接。
如請求項9之光吸收異向性板之製造方法，其中光吸收異向性板為長條狀，上述製造方法包括： <br/>捲出捲繞成卷狀之長條狀膜基材，於該膜基材上形成包含聚合性液晶化合物、含有反應性基之非液晶化合物及二色性色素之液晶組合物之塗膜之步驟； <br/>連續地使所獲得之塗膜乾燥而獲得乾燥塗膜之步驟；及， <br/>使上述乾燥塗膜中之聚合性液晶化合物及二色性色素配向於與上述塗膜平面垂直之方向上，藉由連續照射活性能量線而使其硬化之步驟。
一種顯示材料，其包含如請求項1至8中任一項之光吸收異向性板。
一種顯示裝置，其包含如請求項1至8中任一項之光吸收異向性板。
一種資料處理裝置，包括： <br/>接收電路，其被配置為識別使用者在螢幕上的摩擦，指定佈置有多個像素的觸摸顯示面板中的發生螢幕摩擦的摩擦區域，並且隨後從指定包括所述摩擦區域的像素感測區域的外部裝置接收所述像素感測區域的感測區域資料；以及 <br/>劣化補償電路，其被配置為使用所述感測區域資料將所述像素感測區域中所佈置的像素分類為感測物件，從像素感測裝置接收所述感測物件的像素感測資料，使用所述像素感測資料來判斷在所述像素感測區域中是否發生老化，並且在判斷為在所述像素感測區域中發生老化的情況下對所述感測物件進行劣化補償， <br/>其中，所述劣化補償電路被配置為在從所述像素感測裝置接收所述像素感測資料之前，預先儲存作為所有所述多個像素的像素感測資料的總體感測資料； <br/>其中，所述劣化補償電路被配置為從所述總體感測資料中選擇要與所述像素感測資料進行比較的比較用感測資料，並且使用所述像素感測資料和所述比較用感測資料來判斷在所述像素感測區域中是否發生老化， <br/>其中，所述像素感測資料包括所述感測物件的特性值，所述比較用感測資料包括所述像素感測區域的週邊區域中所佈置的比較物件像素的特性值，以及 <br/>在所述感測物件的特性值和所述比較物件像素的特性值之間的差等於或大於預定基準的情況下，所述劣化補償電路判斷為在所述像素感測區域中發生老化。
根據請求項1所述的資料處理裝置，其中，所述劣化補償電路被配置為預先儲存包括所述多個像素的補償值的查閱資料表， <br/>其中，所述像素感測資料包括所述感測物件的特性值，並且所述劣化補償電路使用所述特性值來對所述查閱資料表中的所述感測物件的補償值進行校正。
一種顯示裝置，包括： <br/>觸摸驅動裝置，其被配置為藉由觸摸顯示面板中所佈置的多個觸摸感測器來識別使用者在所述觸摸顯示面板上的觸摸，以產生包括所述觸摸的觸摸座標資訊的觸摸資料，並且將所產生的觸摸資料發送到外部裝置； <br/>像素感測裝置，其被配置為感測所述觸摸顯示面板中所佈置的多個像素的特性值；以及 <br/>資料處理裝置，其被配置為在所述外部裝置使用所述觸摸資料而判斷為在所述觸摸顯示面板上出現針對使用者的螢幕摩擦的摩擦區域的情況下，從所述外部裝置接收包括所述摩擦區域的像素感測區域的感測區域資料，使用所述感測區域資料將所述像素感測區域中所佈置的像素分類為感測物件，從所述像素感測裝置接收僅包括所述感測物件的特性值的像素感測資料，並且隨後使用所述像素感測資料來判斷在所述像素感測區域中是否發生老化， <br/>其中，所述觸摸驅動裝置在預定時間段內將一個或多個觸摸資料發送到所述外部裝置，以及 <br/>所述外部裝置使用所述一個或多個觸摸資料來判斷使用者的觸摸是否連續地施加於所述觸摸顯示面板的區域中，並且在判斷為用戶的觸摸在所述區域的一側和另一側施加了兩次或更多次的情況下，所述外部裝置將所述區域指定為所述摩擦區域。
根據請求項3所述的顯示裝置，其中， <br/>所述資料處理裝置在接收到所述像素感測資料之前預先儲存作為所有所述多個像素的感測資料的總體感測資料，在接收到所述像素感測資料之後從所述總體感測資料中選擇要與所述像素感測資料進行比較的比較用感測資料，並且使用所述像素感測資料和所述比較用感測資料來判斷在所述像素感測區域中是否發生老化， <br/>其中，所述比較用感測資料包括所述像素感測區域的週邊區域中所佈置的比較物件像素的特性值，以及 <br/>在所述感測物件的特性值和所述比較物件像素的特性值之間的差等於或大於預定基準的情況下，所述資料處理裝置判斷為在所述像素感測區域中發生老化， <br/>其中，所述資料處理裝置對包括所述多個像素的補償值的查閱資料表中的所述感測物件的補償值進行校正。
一種資料處理裝置的劣化補償方法，所述劣化補償方法包括： <br/>區域資訊接收操作，其中在從觸摸驅動裝置接收觸摸資料的外部裝置使用所述觸摸資料判斷為在觸摸顯示面板中發生針對使用者的螢幕摩擦的摩擦區域的情況下，從所述外部裝置接收包括所述摩擦區域的像素感測區域的感測區域資料； <br/>感測區域分類操作，其中使用所述感測區域資料將所述像素感測區域的像素分類為感測物件； <br/>部分感測資料接收操作，其中從感測所述觸摸顯示面板中所佈置的多個像素的特性值的像素感測裝置接收僅包括所述感測物件的特性值的部分感測資料； <br/>劣化判斷操作，其中從預先儲存的包括所述多個像素的特性值的總體感測資料中選擇要與所述部分感測資料進行比較的比較用感測資料，並且使用所述部分感測資料和所述比較用感測資料來判斷在所述像素感測區域中是否發生老化；以及 <br/>劣化補償操作，其中在判斷為在所述像素感測區域中發生老化的情況下，對所述感測物件進行劣化補償。
根據請求項5所述的劣化補償方法，其中， <br/>在所述劣化補償操作中，所述比較用感測資料包括所述像素感測區域的週邊區域中所佈置的比較物件像素的特性值，以及 <br/>在所述感測物件的特性值和所述比較物件像素的特性值之間的差等於或大於預定基準的情況下，所述資料處理裝置判斷為在所述像素感測區域中發生老化。
根據請求項5所述的劣化補償方法，其中， <br/>在所述劣化補償操作中，對包括所述多個像素的補償值的查閱資料表中的所述感測物件的補償值進行校正，並且藉由將所述查閱資料表應用於從所述外部裝置接收到的處理後的圖像資料來去除所述像素感測區域的老化。
一種含矽的組成物，含有：聚矽氧烷，具有下式(1)所表示的第一結構單元及下式(3)所表示的第三結構單元；以及溶劑，<figure><img align="absmiddle" height="131px" width="308px" file="d10023.TIF" alt="化學式ed10023.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10023.png"/></figure>所述式(1)中，X為鹼解離性基；a為1~3的整數，且於a為2以上的情況下，多個X相同或不同；R<sup>1</sup>為碳數1~20的一價有機基、羥基或鹵素原子；b為0~2的整數，且於b為2的情況下，兩個R<sup>1</sup>相互相同或不同；其中，a+b為3以下，其中，所述式(1)中的X由下式(1-1)(其中由下式(1-2)及下式(1-3)表示的情況除外)、下式(1-2)(其中由下式(1-3)表示的情況除外)或下式(1-3)表示，<figure><img align="absmiddle" height="110px" width="417px" file="d10024.TIF" alt="化學式ed10024.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10024.png"/></figure>所述式(1-1)中，L<sup>1</sup>為單鍵或二價連結基，＊是與所述式(1)中的矽原子鍵結的鍵，R<sup>2</sup>為氫原子，R<sup>3</sup>為氫原子，R<sup>4</sup>為碳數1~5的一價含雜原子的基；<figure><img align="absmiddle" height="120px" width="455px" file="d10025.TIF" alt="化學式ed10025.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10025.png"/></figure>所述式(1-2)中，L<sup>2</sup>為單鍵或二價連結基，＊是與所述式(1)中的矽原子鍵結的鍵；R<sup>5</sup>為碳數1~10的一價有機基；<figure><img align="absmiddle" height="102px" width="412px" file="d10026.TIF" alt="化學式ed10026.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10026.png"/></figure>所述式(1-3)中，L<sup>3</sup>為單鍵或二價連結基，＊是與所述式(1)中的矽原子鍵結的鍵，R<sup>6</sup>為碳數1~10的一價有機基，<figure><img align="absmiddle" height="110px" width="331px" file="d10027.TIF" alt="化學式ed10027.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10027.png"/></figure>所述式(3)中，R<sup>11</sup>為經取代或未經取代的碳數6~20的芳基，d為1~3的整數，於d為2以上的情況下，多個R<sup>11</sup>相同或不同，其中，於構成所述聚矽氧烷的所有結構單元中，所述第一結構單元所佔的含有比例為0.5莫耳%以上40莫耳%以下，所述第三結構單元所佔的含有比例為1莫耳%以上30莫耳%以下。
如請求項1所述的含矽的組成物，其中，所述式(1-2)中的R<sup>5</sup>及所述式(1-3)中的R<sup>6</sup>分別獨立地為碳數1~10的一價含雜原子的基。
如請求項1或2所述的含矽的組成物，其中，所述聚矽氧烷具有下式(2)所表示的第二結構單元，<figure><img align="absmiddle" height="149px" width="308px" file="d10028.TIF" alt="化學式ed10028.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10028.png"/></figure>所述式(2)中，R<sup>12</sup>為經取代或未經取代的碳數1~20的一價烷氧基、羥基或鹵素原子，e為0~3的整數，且於e為2以上的情況下，多個R<sup>12</sup>相同或不同。
如請求項3所述的含矽的組成物，其中，於構成所述聚矽氧烷的所有結構單元中，所述第二結構單元所佔的含有比例為40莫耳%以上95莫耳%以下。
如請求項1或2所述的含矽的組成物，用於形成抗蝕劑底層膜。
一種半導體基板的製造方法，包括：將如請求項1或2所述的含矽的組成物直接或間接地塗敷於基板而形成含矽膜的步驟；於所述含矽膜上，直接或間接地塗敷抗蝕劑膜形成用組成物而形成抗蝕劑膜的步驟；對所述抗蝕劑膜利用放射線進行曝光的步驟；以及對所述曝光後的抗蝕劑膜進行顯影而形成抗蝕劑圖案的步驟。
如請求項6所述的半導體基板的製造方法，更包括以下步驟：於所述含矽膜形成步驟之前，於所述基板上直接或間接地形成有機底層膜。
如請求項6或7所述的半導體基板的製造方法，其中，所述曝光後的抗蝕劑膜的顯影為鹼顯影。
一種包含4-胺基-N-[4-(甲氧基甲基)苯基]-7-(1-甲基環丙基)-6-(3-嗎啉代丙-1-炔-1-基)-7H-吡咯并[2,3-d]嘧啶-5-甲醯胺或其鹽之組成物在製備一藥物的用途，該藥物係供用於一治療患有具RET基因異常的非小細胞肺癌(NSCLC)之人類患者之方法中，該方法包含向該人類患者投予等效於每日約40 mg至約3000 mg之4-胺基-N-[4-(甲氧基甲基)苯基]-7-(1-甲基環丙基)-6-(3-嗎啉代丙-1-炔-1-基)-7H-吡咯并[2,3-d]嘧啶-5-甲醯胺游離鹼之一劑量。
一種包含4-胺基-N-[4-(甲氧基甲基)苯基]-7-(1-甲基環丙基)-6-(3-嗎啉代丙-1-炔-1-基)-7H-吡咯并[2,3-d]嘧啶-5-甲醯胺或其鹽之組成物在製備一藥物的用途，該藥物係供用於一治療患有具RET基因異常的局部晚期或轉移性非小細胞肺癌(NSCLC)之人類患者之方法中，該方法包含向該人類患者投予等效於每日約40 mg至約1000 mg 之4-胺基-N-[4-(甲氧基甲基)苯基]-7-(1-甲基環丙基)-6-(3-嗎啉代丙-1-炔-1-基)-7H-吡咯并[2,3-d]嘧啶-5-甲醯胺游離鹼之一劑量。
一種包含4-胺基-N-[4-(甲氧基甲基)苯基]-7-(1-甲基環丙基)-6-(3-嗎啉代丙-1-炔-1-基)-7H-吡咯并[2,3-d]嘧啶-5-甲醯胺或其鹽之組成物在製備一藥物的用途，該藥物係供用於一治療患有具RET基因異常並伴有腦及/或軟腦膜轉移的轉移性非小細胞肺癌(NSCLC)之人類患者之方法中，該方法包含向該人類患者投予一有效劑量之4-胺基-N-[4-(甲氧基甲基)苯基]-7-(1-甲基環丙基)-6-(3-嗎啉代丙-1-炔-1-基)-7H-吡咯并[2,3-d]嘧啶-5-甲醯胺或其鹽。
如請求項3之用途，其中該有效劑量為等效於每日約40 mg至約3000 mg之4-胺基-N-[4-(甲氧基甲基)苯基]-7-(1-甲基環丙基)-6-(3-嗎啉代丙-1-炔-1-基)-7H-吡咯并[2,3-d]嘧啶-5-甲醯胺游離鹼之一劑量。
如請求項3之用途，其中該腦及/或軟腦膜轉移係無症狀的。
一種包含4-胺基-N-[4-(甲氧基甲基)苯基]-7-(1-甲基環丙基)-6-(3-嗎啉代丙-1-炔-1-基)-7H-吡咯并[2,3-d]嘧啶-5-甲醯胺或其鹽之組成物在製備一藥物的用途，該藥物係供用於一治療患有具RET基因異常的實體腫瘤之人類患者之方法中，其中該RET基因異常包含在胺基酸殘基位置810之突變。
如請求項6之用途，其中該RET基因異常更包含下列中之至少一者：RET基因融合、點突變、缺失突變、RET基因之增加的副本數、其任一或多者的過度表現以及RET基因的過度表現。
如請求項6之用途，其中該RET基因異常更包含RET基因與編碼CCDC6、KIF5B或TRIM33之基因融合；或RET蛋白之鉸鏈區中之突變。
如請求項6之用途，其中該RET基因異常更包含RET蛋白在胺基酸殘基位置730、736、760、772、804、806、807、808、809及/或883上之突變。
一種包含4-胺基-N-[4-(甲氧基甲基)苯基]-7-(1-甲基環丙基)-6-(3-嗎啉代丙-1-炔-1-基)-7H-吡咯并[2,3-d]嘧啶-5-甲醯胺或其鹽之組成物在製備一藥物的用途，該藥物係供用於一治療患有具RET基因異常並伴有腦及/或軟腦膜轉移的實體腫瘤之人類患者之方法中，該方法包含向該人類患者投予一有效劑量之4-胺基-N-[4-(甲氧基甲基)苯基]-7-(1-甲基環丙基)-6-(3-嗎啉代丙-1-炔-1-基)-7H-吡咯并[2,3-d]嘧啶-5-甲醯胺或其鹽。
如請求項10之用途，其中該有效劑量為等效於每日約40 mg至約3000 mg之4-胺基-N-[4-(甲氧基甲基)苯基]-7-(1-甲基環丙基)-6-(3-嗎啉代丙-1-炔-1-基)-7H-吡咯并[2,3-d]嘧啶-5-甲醯胺游離鹼之一劑量。
如請求項10之用途，其中該腦及/或軟腦膜轉移係無症狀的。
如請求項1至5及10至12中任一項之用途，其中該RET基因異常包含下列中之至少一者：RET基因融合、點突變、缺失突變、RET基因之增加的副本數、其任一或多者的過度表現，以及RET基因的過度表現。
如請求項1至5及10至12中任一項之用途，其中該RET基因異常包含：RET基因與一編碼CCDC6、KIF5B或TRIM33之基因融合；RET蛋白之抗性突變；或RET蛋白的溶劑前沿突變及/或RET蛋白之鉸鏈區中之突變。
如請求項1至5及10至12中任一項之用途，其中該RET基因異常包含RET蛋白在胺基酸殘基位置730、736、760、772、804、806、807、808、809、810及/或883上之突變。
如請求項1至12中任一項之用途，其中該RET基因異常包含RET蛋白之一突變，其包含：<br/> a) 一V804X突變，其中X為任一胺基酸，除了纈胺酸或麩胺酸之外；<br/> b) 一Y806X突變，其中X為任一胺基酸，除了酪胺酸之外；<br/> c) 一A807X突變，其中X為任一胺基酸，除了丙胺酸之外；<br/> d) 一K808X突變，其中X為任一胺基酸，除了離胺酸之外；<br/> e) 一Y809X突變，其中X為任一胺基酸，除了酪胺酸之外；及/或<br/> f) 一G810X突變，其中X為任一胺基酸，除了甘胺酸之外。
如請求項1至12中任一項之用途，其中該RET基因異常包含RET蛋白之一突變，其包含：<br/> a) 一L730Q或L730R突變；<br/> b) 一G736A突變；<br/> c) 一L760Q突變；<br/> d) 一L772M突變；<br/> e) 一V804L或V804M突變；<br/> f) 一Y806C、Y806S、Y806H或Y806N突變；<br/> g) 一G810R、G810S、G810C、G810V、G810D或G810A突變；及/或<br/> h) 一A883V突變。
如請求項1至12中任一項之用途，其中該組成物係擬口服投予。
如請求項1至12中任一項之用途，其中該組成物係擬以單錠劑或多錠劑來口服投予。
如請求項19之用途，其中每一錠劑包含等效於約10 mg或約50 mg之4-胺基-N-[4-(甲氧基甲基)苯基]-7-(1-甲基環丙基)-6-(3-嗎啉代丙-1-炔-1-基)-7H-吡咯并[2,3-d]嘧啶-5-甲醯胺游離鹼之一劑量。
如請求項1至12中任一項之用途，其中該組成物包含4-胺基-N-[4-(甲氧基甲基)苯基]-7-(1-甲基環丙基)-6-(3-嗎啉代丙-1-炔-1-基)-7H-吡咯并[2,3-d]嘧啶-5-甲醯胺之二-氫氯酸鹽。
如請求項1至12中任一項之用途，其中該組成物更包含檸檬酸、微晶纖維素、乳糖、聚乙烯基N-吡咯烷酮、十二烷基硫酸鈉及/或二十二酸甘油酯。
如請求項1至12中任一項之用途，其中該組成物係擬每日一次(QD)或每日二次(BID)來投予。
如請求項1至12中任一項之用途，其中該組成物係擬以至少一個21日治療週期進行投予。
如請求項1至12中任一項之用途，其中該癌症或該腫瘤對至少一種多激酶抑制劑具有抗性。
如請求項1至12中任一項之用途，其中該癌症或該腫瘤對至少一種RET選擇性抑制劑具有抗性。
如請求項1至12中任一項之用途，其中該癌症或該腫瘤對於賽泊卡替尼(selpercatinib)及/或普拉西替尼(pralsetinib)具有抗性。
如請求項1至12中任一項之用途，其中擬接受治療的該癌症或該腫瘤在對該癌症或該腫瘤的一先前治療之後惡化。
如請求項1至12中任一項之用途，其中該人類患者：之前接受過對該癌症或腫瘤的先前治療；對該癌症或腫瘤的先前治療發展出不耐性；先前接受過一多激酶抑制劑；先前接受過RET選擇性抑制劑；先前並未接受過RET選擇性抑制劑；或患有唾腺癌、肺癌、大腸直腸癌、甲狀腺癌、乳癌、胰臟癌、卵巢癌、皮膚癌和腦癌中之至少一者。
如請求項1至12中任一項之用途，其中該人類患者先前接受過卡博替尼、凡德他尼、樂伐替尼及/或RXDX-105。
如請求項1至12中任一項之用途，其中該人類患者先前接受過賽泊卡替尼及/或普拉西替尼。
一種用於一處理腔室的處理套組，包含：<br/> 一狹縫門，該狹縫門具有一弓形輪廓並且包括可滑動地耦接至一第二板的一第一板，其中該第一板經配置以耦接至一致動器，其中該第二板具有包括矽的一內表面，其中該內表面包括複數個凹槽，並且其中該第二板經安置在該第一板上並且經由緊固件耦接至該第一板，該等緊固件延伸穿過該第一板並且至該第二板的開口中。
如請求項1所述之處理套組，其中該等緊固件包含兩個緊固件，並且一樞軸銷經安置在該兩個緊固件之間並從該第一板的一頂表面向上延伸。
如請求項1所述之處理套組，進一步包含安置在該第二板的每一該等開口中的一插入件，其中該插入件包括一螺紋中央開口以接收該等緊固件。
如請求項1所述之處理套組，其中該一或多個支腿從該第一板的一外表面延伸，並且該第一板包括從該第一板的一內表面穿過該一或多個支腿中的每一者的一開口，以容納用於將該第一板耦接至該致動器的一緊固件。
如請求項1至請求項4中任一項所述之處理套組，其中該第二板完全由多晶矽或碳化矽(SiC)製成。
如請求項1至請求項4中任一項所述之處理套組，進一步包含安置在該複數個凹槽中的緩衝器，其中該緩衝器從該第二板的該內表面突出。
如請求項6所述之處理套組，其中該等緩衝器由一導電材料或一絕緣材料製成。
如請求項1至請求項4中任一項所述之處理套組，進一步包含安置在該第一板與該第二板之間的墊圈，以在該第一板與該第二板之間提供一間隙。
一種用於一處理腔室的狹縫門組件，包含：<br/> 一處理套組，具有一狹縫門，該狹縫門具有一弓形輪廓且包括耦接至一第二板的一第一板，其中該第一板具有從該第一板的一外表面延伸的一或多個支腿，其中該第二板具有包括多晶矽的一內表面；<br/> 緩衝器，安置在於該第二板的一內表面上形成的一或多個凹槽中；以及<br/> 一致動器，耦接至該第一板的該一或多個支腿且經配置以在一垂直方向及一水平方向上移動該狹縫門，<br/> 其中該第二板經安置在該第一板上並且經由緊固件耦接至該第一板，該等緊固件延伸穿過該第一板並且至該第二板的開口中。
如請求項9所述之狹縫門組件，其中由一聚合物製成的一插入件安置在該第二板的每一該等開口中，其中該插入件包括一螺紋中央開口以接收該等緊固件。
如請求項9所述之狹縫門組件，其中該第一板由鋁製成，並且該第二板由多晶矽、碳化矽(SiC)或塗佈有多晶矽或碳化矽(SiC)的一材料製成。
如請求項9至請求項11中任一項所述之狹縫門組件，其中該致動器包括能夠在一垂直方向及一水平方向上移動該狹縫門的一雙動氣缸。
如請求項9至請求項11中任一項所述之狹縫門組件，其中該致動器經配置以圍繞一樞軸樞轉以在該水平方向上移動該狹縫門。
一種處理腔室，包含：<br/> 一腔室主體，在其中界定一內部空間且具有用於傳送一基板的穿過該腔室主體的側壁延伸的一開口，並且具有圍繞該腔室主體的一內表面上的該開口安置的一腔室空腔；<br/> 一襯裡，安置在該內部空間中並且至少部分地在其中界定處理空間，其中該襯裡包括與該腔室主體的該開口對準的一基板傳送槽；<br/> 一狹縫門，具有安置在該腔室空腔中與該基板傳送槽相鄰的一弓形輪廓，其中該狹縫門包括在該狹縫門的一內表面上的緩衝器；<br/> 一致動器，耦接至該狹縫門且經配置以在一垂直方向及一水平方向兩者上移動該狹縫門，以選擇性地覆蓋或暴露該襯裡的該基板傳送槽；以及<br/> 一基板支撐件，安置在該內部空間中以支撐一基板。
如請求項14所述之處理腔室，其中該狹縫門具有可滑動地耦接至一第二板的一第一板，並且該等緩衝器安置在該第二板上。
如請求項14所述之處理腔室，其中該致動器延伸穿過該腔室主體中的一壁架。
如請求項14至請求項16中任一項所述之處理腔室，其中該基板傳送槽具有約13吋至約22吋的一寬度。
如請求項14至請求項16中任一項所述之處理腔室，其中該襯裡具有一C形橫截面輪廓。
如請求項14至請求項16中任一項所述之處理腔室，其中該狹縫門經配置以移動約0.1吋至約0.2吋的一水平距離及約2.5吋至約3.5吋的一垂直距離。
一種著色光敏樹脂組成物，其包含：(A)共聚物；(B)可光聚合的化合物；(C)光聚合引發劑；以及(D)顏料，其中當該共聚物(A)包含第一共聚物(A1)時，該顏料(D)包含白色顏料(D1)，當該共聚物(A)包含第二共聚物(A2)時，該顏料(D)包含除白色顏料之外的顏料(D2)，其中，該除白色顏料之外的顏料(D2)係選自由黃色顏料、紫色顏料、紅色顏料、橙色顏料、藍色顏料和黑色顏料組成之群組中的至少一種，該第一共聚物(A1)包含(a1)衍生自烯鍵式不飽和羧酸、烯鍵式不飽和羧酸酐或其組合的結構單元；(a2)衍生自含有芳族環的烯鍵式不飽和化合物的結構單元；(a3)衍生自含有環氧基的烯鍵式不飽和化合物的結構單元；和(a4)衍生自不同於(a1)至(a3)的烯鍵式不飽和化合物的結構單元，並且該第二共聚物(A2)包含(b1)衍生自烯鍵式不飽和羧酸、烯鍵式不飽和羧酸酐或其組合的結構單元；(b2)衍生自含有環氧基的烯鍵式不飽和化合物的結構單元；和(b3)衍生自含有氟的烯鍵式不飽和化合物的結構單元。
如請求項1所述之著色光敏樹脂組成物，其中，該白色顏料(D1)係選自由氧化鈦(TiO<sub>2</sub>)、氧化鋯(ZrO<sub>2</sub>)、氧化鋅(ZnO)和二氧化矽(SiO<sub>2</sub>)組成之群組中的至少一種。
如請求項1所述之著色光敏樹脂組成物，其中，該白色顏料(D1)以相對於100重量份的該第一共聚物(A1)為20至65重量份的量使用(基於固體含量)。
如請求項1所述之著色光敏樹脂組成物，其中，該白色顏料(D1)的粒徑為120nm至400nm。
如請求項1所述之著色光敏樹脂組成物，其中，該第二共聚物(A2)包含(b4)衍生自不同於(b1)至(b3)的烯鍵式不飽和化合物的結構單元。
如請求項1所述之著色光敏樹脂組成物，其中，該除白色顏料之外的顏料(D2)以相對於100重量份的該第二共聚物(A2)為3至30重量份的量使用(基於固體含量)。
如請求項1所述之著色光敏樹脂組成物，其中，該除白色顏料之外的顏料(D2)的粒徑為50nm至200nm。
如請求項1所述之著色光敏樹脂組成物，其進一步包含選自由以下組成之群組中的至少一種添加劑：環氧化合物、光鹼產生劑、基於硫醇的化合物、衍生自環氧樹脂的化合物、和黏附補充劑。
一種多層固化膜，其包含由第一著色光敏樹脂組成物形成的第一固化膜和由第二著色光敏樹脂組成物形成的第二固化膜，其中該第一著色光敏樹脂組成物包含(A1)第一共聚物；(B)可光聚合的化合物；(C)光聚合引發劑；以及(D1)白色顏料，該第二著色光敏樹脂組成物包含(A2)第二共聚物；(B)可光聚合的化合物；(C)光聚合引發劑；以及(D2)除白色顏料之外的顏料，其中，該除白色顏料之外的顏料(D2)係選自由黃色顏料、紫色顏料、紅色顏料、橙色顏料、藍色顏料和黑色顏料組成之群組中的至少一種，並且該多層固化膜的總厚度為6μm或更大。
如請求項9所述之多層固化膜，其中，該多層固化膜的藉由SCI(包括鏡面反射分量)方法測量的反射率R<sub>SCI</sub>和藉由SCE(不包括鏡面反射分量)方法測量的反射率R<sub>SCE</sub>分別滿足以下關係式：(關係式1)50%<img align="absmiddle" height="13px" width="11px" file="d10001.TIF" alt="其他非圖式ed10001.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10001.png"/>R<sub>SCI</sub>(關係式2)40%<img align="absmiddle" height="13px" width="11px" file="d10002.TIF" alt="其他非圖式ed10002.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10002.png"/>R<sub>SCE</sub>(關係式3)50%<img align="absmiddle" height="13px" width="11px" file="d10003.TIF" alt="其他非圖式ed10003.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10003.png"/>R<sub>SCE</sub>/R<sub>SCI</sub>。
如請求項9所述之多層固化膜，其中，該第一固化膜和該第二固化膜分別具有10μm或更小的厚度。
如請求項11所述之多層固化膜，其中，該第二固化膜由多個層構成。
如請求項12所述之多層固化膜，其中，該第二固化膜由2至10個層構成。
如請求項9所述之多層固化膜，其中，該多層固化膜的總厚度為6μm至20μm。
如請求項9所述之多層固化膜，其中，該多層固化膜作為量子點阻擋肋的結構使用。
一種製備多層固化膜的方法，其包括：(1)在基底上塗覆第一著色光敏樹脂組成物並且將其固化以形成第一固化膜；(2)在該第一固化膜上塗覆第二著色光敏樹脂組成物並且將其固化以形成第二固化膜；以及(3)將其曝光和顯影以形成圖案並且然後將其後烘烤，其中該第一著色光敏樹脂組成物包含(A1)第一共聚物；(B)可光聚合的化合物；(C)光聚合引發劑；以及(D1)白色顏料，該第二著色光敏樹脂組成物包含(A2)第二共聚物；(B)可光聚合的化合物；(C)光聚合引發劑；以及(D2)除白色顏料之外的顏料，其中，該除白色顏料之外的顏料(D2)係選自由黃色顏料、紫色顏料、紅色顏料、橙色顏料、藍色顏料和黑色顏料組成之群組中的至少一種，並且該多層固化膜的總厚度為6μm或更大。
如請求項16所述之製備多層固化膜的方法，其中，在步驟(1)和(2)中，該固化在70℃至140℃下進行50秒至900秒。
如請求項17所述之製備多層固化膜的方法，其中，該固化包括在70℃至100℃下預烘烤50秒至400秒；以及在80℃至140℃下中間烘烤100秒至500秒。
如請求項16所述之製備多層固化膜的方法，其中，步驟(3)中的該後烘烤在150℃至300℃下進行10分鐘至60分鐘。
一種圖像處理系統，其具備：<br/> 產業機械；<br/> 視覺感測器；<br/> 視覺圖案，其配置於工件的檢測對象處，用以特定出前述視覺感測器與該視覺圖案的相對位置關係；<br/> 圖像處理部，其從藉由前述視覺感測器拍攝前述視覺圖案所得的圖像，來決定前述視覺感測器與前述視覺圖案的相對位置關係；及<br/> 合焦動作控制部，其在前述視覺感測器的視野拍到前述視覺圖案的狀態下，根據已決定的前述相對位置關係，在以前述視覺圖案作為基準的預定方向上，一面變更前述視覺感測器與前述視覺圖案的相對位置，一面藉由前述視覺感測器拍攝前述視覺圖案，來求出前述視覺圖案的合焦度，藉此使前述視覺感測器合焦於前述視覺圖案，<br/> 前述視覺感測器搭載於前述產業機械的預定的可動部位，<br/> 前述合焦動作控制部是在前述視覺感測器的視野拍到前述視覺圖案的狀態下，根據前述相對位置關係，一面藉由前述產業機械使前述視覺感測器往前述預定方向移動，一面藉由前述視覺感測器拍攝前述視覺圖案，來求出前述視覺圖案的合焦度，藉此使前述視覺感測器移動至合焦於前述視覺圖案的合焦位置，<br/> 前述視覺感測器已將使用了前述視覺圖案之校準實施完畢，前述合焦動作控制部為了使前述視覺感測器朝向以前述視覺圖案作為基準的前述預定方向，而利用以前述產業機械的預定的基準位置作為基準之表示前述視覺感測器的位置及姿勢的校正資料。
如請求項1之圖像處理系統，其中前述合焦動作控制部是在對於前述視覺圖案的形成面預先規定的方向上，變更前述視覺感測器與前述視覺圖案的相對位置。
如請求項1或2之圖像處理系統，其中前述合焦動作控制部令前述視覺感測器相對於前述視覺圖案在預定的動作範圍內移動，藉由比較前述視覺圖案的合焦度最高時的合焦度基準值、與一面移動前述視覺感測器所獲得的前述合焦度，來使前述視覺感測器移動至前述合焦位置。
如請求項1或2之圖像處理系統，其中前述產業機械為產業用機器人。
如請求項3之圖像處理系統，其中前述產業機械為產業用機器人。
一種圖像處理方法，是在圖像處理系統中執行的圖像處理方法，前述圖像處理方法包含以下工序：<br/> 從以視覺感測器拍攝配置於工件的檢測對象處的視覺圖案所得的圖像，來決定該視覺感測器與該視覺圖案的相對位置關係；以及<br/> 在前述視覺感測器的視野拍到前述視覺圖案的狀態下，根據已決定的前述相對位置關係，在以前述視覺圖案作為基準的預定方向上，一面變更前述視覺感測器與前述視覺圖案的相對位置，一面藉由前述視覺感測器拍攝前述視覺圖案，來求出前述視覺圖案的合焦度，藉此使前述視覺感測器合焦於前述視覺圖案，<br/> 前述視覺感測器搭載於產業機械的預定的可動部位，<br/> 在使前述視覺感測器合焦於前述視覺圖案的工序中，在前述視覺感測器的視野拍到前述視覺圖案的狀態下，根據前述相對位置關係，一面藉由前述產業機械使前述視覺感測器往前述預定方向移動，一面藉由前述視覺感測器拍攝前述視覺圖案，來求出前述視覺圖案的合焦度，藉此使前述視覺感測器移動至合焦於前述視覺圖案的合焦位置，<br/> 前述視覺感測器已將使用了前述視覺圖案之校準實施完畢，<br/> 前述圖像處理方法為了使前述視覺感測器朝向以前述視覺圖案作為基準的前述預定方向，而利用以前述產業機械的預定的基準位置作為基準之表示前述視覺感測器的位置及姿勢的校正資料。
一種用於在基板上沉積金屬層之電鍍設備，該電鍍設備包含： <br/>一電鍍槽，用於承接一電鍍溶液； <br/>一電極； <br/>一相對電極； <br/>一基板固定裝置； <br/>一阻抗元件；以及 <br/>一除泡器裝置，其相鄰於該阻抗元件可旋轉地支撐，以產生或引導電鍍溶液流通過該阻抗元件。
如請求項1所述之電鍍設備，其中該除泡器裝置在使用中可旋轉，以產生電鍍溶液的向上流動通過該阻抗元件，以去除困在其下之氣泡。
如請求項1所述之電鍍設備，其中該除泡器裝置可安裝於該基板固定裝置中。
如請求項1所述之電鍍設備，其中該除泡器裝置包含一晶圓狀平板。
如請求項1所述之電鍍設備，其中該除泡器裝置包含一流動生成元件。
如請求項5所述之電鍍設備，其中該流動生成元件包含一葉輪。
如請求項1所述之電鍍設備，其中該除泡器裝置包含一流動控制元件。
如請求項7所述之電鍍設備，其中該流動控制元件包含一橫肋。
一種用於在基板上沉積金屬層之電鍍設備之除泡方法，該電鍍設備包含一電鍍槽、一基板固定裝置、一阻抗元件以及一除泡器裝置，該方法包含： <br/>引入電鍍溶液進該電鍍槽； <br/>支撐一基板於該基板固定裝置中； <br/>使用該阻抗元件沉積一金屬層於該基板上；以及 <br/>使用該除泡器裝置產生電鍍溶液的向上流動通過該阻抗元件，以釋放困在該阻抗元件下之氣泡。
如請求項9所述之除泡方法，其中產生電鍍溶液的向上流動通過該阻抗元件包含安裝該除泡器裝置於該基板固定裝置中，且旋轉該除泡器裝置以產生該向上流動。
如請求項10所述之除泡方法，其中旋轉該除泡器裝置包含使該除泡器裝置相對於該阻抗元件時鐘式旋轉(clocking)至一時鐘位置。
如請求項10所述之除泡方法，更包含在旋轉該除泡器裝置時，使該除泡器裝置朝向該阻抗元件前進或遠離該阻抗元件後退。
一種用於除泡電鍍設備之除泡器裝置，該除泡器裝置包含： <br/>一背板、以及 <br/>至少一流動生成元件、或 <br/>至少一流動控制元件。
如請求項13所述之除泡器裝置，其中該背板為晶圓狀，且該除泡器裝置可安裝於該電鍍設備之一基板固定裝置中。
如請求項14所述之除泡器裝置，其中該至少一流動生成元件包含一葉輪。
如請求項15所述之除泡器裝置，其中該葉輪之一遠端設置於該背板之邊緣或鄰近於該背板之邊緣。
如請求項13所述之除泡器裝置，其中該至少一流動控制元件包含一肋。
如請求項13所述之除泡器裝置，其中該電鍍設備包含一阻抗裝置，且其中該除泡器裝置之該至少一流動控制元件配置為在該除泡器裝置之一時鐘位置與該阻抗裝置之一流動控制元件相互作用。
如請求項13所述之除泡器裝置，其中該至少一流動控制元件在該背板上之邊緣位置之間完全延伸橫過該除泡器裝置。
如請求項13所述之除泡器裝置，更包含多個流動控制元件，每一流動控制元件與該除泡器裝置之相對應時鐘位置相關聯。
一種用於除泡電鍍設備之除泡器裝置，該除泡器裝置包含： <br/>一背板，該背板具有晶圓狀構造，使得該除泡器裝置可安裝於該電鍍設備之一基板固定裝置中； <br/>一流動生成元件之佈置，包含多個以交叉線圖案排列之線性肋，每一線性肋在該背板之邊緣位置之間延伸並突出於該背板之下側，該等線性肋之該交叉線圖案包含多個肋連接點以及設置於相鄰肋之間的多個直線凹部；以及 <br/>多個流動控制元件，每一流動控制元件包含一線性擋板，其在該背板之多個邊緣位置之間延伸，該線性擋板配置為相鄰於一電鍍設備中之該除泡器裝置的一時鐘位置中之一阻抗元件之一相對流動控制元件。
一種由一位置伺服器執行的用於支援複數個使用者設備（UE）的聯合定位的方法，包括以下步驟：<br/>選擇用於量測的一公共定位參考信號集，該公共定位參考信號集包括來自一或多個基地台的要由該複數個UE中的每一個UE量測的下行鏈路定位參考信號、來自該複數個UE的要由該一或多個基地台量測的上行鏈路定位參考信號、來自該複數個UE中的UE的要由該複數個UE中的其他UE量測的側鏈路定位參考信號、或一其組合；<br/>向該複數個UE中的每一個UE發送一訊息，該訊息包括該公共定位參考信號集的一指示；<br/>從該複數個UE中的每一個UE、該一或多個基地台或一其組合中的一或多個接收位置資訊，該位置資訊包括基於該公共定位參考信號集的該指示產生的下行鏈路定位參考信號量測、上行鏈路定位參考信號量測、往返時間量測、側鏈路定位參考信號量測、或該其組合；和<br/>使用所接收的該位置資訊聯合決定該複數個UE中的每個UE的對應的位置估計，其中在選擇該公共定位參考信號集之前，選擇該複數個UE。
如請求項1所述的方法，其中選擇用於量測的該公共定位參考信號集包括以下步驟：<br/>決定該複數個UE的一位置估計；和<br/>基於該複數個UE的該位置估計和該複數個UE中包括的該等UE，決定該公共定位參考信號集中包括的該等下行鏈路定位參考信號、該等上行鏈路定位參考信號、該等側鏈路定位參考信號、或該其組合。
如請求項1所述的方法，其中選擇用於量測的該公共定位參考信號集包括以下步驟：<br/>從該複數個UE中的一或多個UE接收對要在該公共定位參考信號集中包括的該等下行鏈路定位參考信號、該等上行鏈路定位參考信號、該等側鏈路定位參考信號、或該其組合的一推薦；和<br/>基於從該一或多個UE接收的該推薦，來決定在該公共定位參考信號集中包括的該等下行鏈路定位參考信號、該等上行鏈路定位參考信號、該等側鏈路定位參考信號、或該其組合。
如請求項1所述的方法，其中選擇用於量測的該公共定位參考信號集包括以下步驟：<br/>從該複數個UE中的一或多個UE接收一位置量測報告；和<br/>基於從該一或多個UE接收的該位置量測報告，決定在該公共定位參考信號集中包括的該等下行鏈路定位參考信號、該等上行鏈路定位參考信號、該等側鏈路定位參考信號、或該其組合。
如請求項1所述的方法，進一步包括利用該一或多個基地台排程包括在該公共定位參考信號集中的該等下行鏈路定位參考信號。
如請求項1所述的方法，其中該公共定位參考信號集包括：定位參考信號（PRS）資源識別符（ID）、PRS資源集ID、傳輸點（TRP）ID、細胞ID、側鏈路PRS ID、UE ID、用戶身份模組（SIM）、或其任何組合中的一或多個。
如請求項1所述的方法，進一步包括向該複數個UE中的每一個UE發送一對應的位置估計。
一種位置伺服器，被配置為支援複數個使用者設備（UE）的聯合定位，包括：<br/>一通訊介面，被配置為與一無線網路中的實體進行通訊；<br/>至少一個記憶體；和<br/>至少一個處理器，耦合到該通訊介面和該至少一個記憶體，其中該至少一個處理器被配置為：<br/>選擇用於量測的一公共定位參考信號集，該公共定位參考信號集包括來自一或多個基地台的要由該複數個UE中的每一個UE量測的下行鏈路定位參考信號、來自該複數個UE的要由該一或多個基地台量測的上行鏈路定位參考信號、來自該複數個UE中的UE的要由該複數個UE中的其他UE量測的側鏈路定位參考信號、或一其組合；<br/>經由該通訊介面向該複數個UE中的每一個UE發送一訊息，該訊息包括該公共定位參考信號集的一指示；<br/>經由該通訊介面從該複數個UE中的每一個UE、一或多個基地台或一其組合中的一或多個接收位置資訊，該位置資訊包括基於該公共定位參考信號集的該指示產生的下行鏈路定位參考信號量測、上行鏈路定位參考信號量測、往返時間量測、側鏈路定位參考信號量測、或該其組合；和<br/>使用所接收的該位置資訊聯合決定該複數個UE中的每個UE的對應的位置估計，其中在選擇該公共定位參考信號集之前，選擇該複數個UE。
如請求項8所述的位置伺服器，其中該至少一個處理器被配置為藉由如下配置選擇用於量測的該公共定位參考信號集:<br/>決定該複數個UE的一位置估計；和<br/>基於該複數個UE的該位置估計和該複數個UE中包括的該等UE，決定該公共定位參考信號集中包括的該等下行鏈路定位參考信號、該等上行鏈路定位參考信號、該等側鏈路定位參考信號、或該其組合。
如請求項8所述的位置伺服器，其中該至少一個處理器被配置為藉由如下配置選擇用於量測的該公共定位參考信號集:<br/>經由該通訊介面從該複數個UE中的一或多個UE接收關於要在該公共定位參考信號集中包括的該等下行鏈路定位參考信號、該等上行鏈路定位參考信號、該等側鏈路定位參考信號、或該其組合的一推薦；和<br/>基於從該一或多個UE接收的該推薦，來決定包括在該公共定位參考信號集中的該等下行鏈路定位參考信號、該等上行鏈路定位參考信號、該等側鏈路定位參考信號、或該其組合。
如請求項8所述的位置伺服器，其中該至少一個處理器被配置為藉由如下配置選擇用於量測的該公共定位參考信號集:<br/>經由該通訊介面從該複數個UE中的一或多個UE接收一位置量測報告；和<br/>基於從一或多個UE接收的該位置量測報告，決定包括在該公共定位參考信號集中的該等下行鏈路定位參考信號、該等上行鏈路定位參考信號、該等側鏈路定位參考信號、或該其組合。
如請求項8所述的位置伺服器，其中該至少一個處理器進一步被配置為利用該一或多個基地台來排程包括在該公共定位參考信號集中的該等下行鏈路定位參考信號。
如請求項8所述的位置伺服器，其中該公共定位參考信號集包括：定位參考信號（PRS）資源識別符（ID）、PRS資源集ID、傳輸點（TRP）ID、細胞ID、側鏈路PRS ID、UE ID、用戶身份模組（SIM）、或其任何組合中的一或多個。
如請求項8所述的位置伺服器，其中該至少一個處理器進一步被配置為經由該通訊介面向該複數個UE中的每一個UE發送一對應的位置估計。
一種位置伺服器，被配置為支援複數個使用者設備（UE）的聯合定位，包括：<br/>用於選擇用於量測的一公共定位參考信號集的構件，該公共定位參考信號集包括來自一或多個基地台的要由該複數個UE中的每一個UE量測的下行鏈路定位參考信號、來自該複數個UE的要由該一或多個基地台量測的上行鏈路定位參考信號、來自該複數個UE中的UE的要由該複數個UE中的其他UE量測的側鏈路定位參考信號、或一其組合；<br/>用於向該複數個UE中的每一個UE發送一訊息的構件，該訊息包括該公共定位參考信號集的一指示；<br/>用於從該複數個UE中的每一個UE、該一或多個基地台或一其組合中的一或多個接收位置資訊的構件，該位置資訊包括基於該公共定位參考信號集的該指示產生的下行鏈路定位參考信號量測、上行鏈路定位參考信號量測、往返時間量測、側鏈路定位參考信號量測、或該其組合；和<br/>用於使用所接收的該位置資訊聯合決定該複數個UE中的每個UE的對應的位置估計的構件，其中在選擇該公共定位參考信號集之前，選擇該複數個UE。
一種非暫時性儲存媒體，包括儲存在其上的程式碼，該程式碼可操作為在一位置伺服器中配置至少一個處理器，以支援複數個使用者設備（UE）的聯合定位，包括：<br/>用於選擇用於量測的一公共定位參考信號集的程式碼，該公共定位參考信號集包括來自一或多個基地台的要由該複數個UE中的每一個UE量測的下行鏈路定位參考信號、來自該複數個UE的要由該一或多個基地台量測的上行鏈路定位參考信號、來自該複數個UE中的UE的要由該複數個UE中的其他UE量測的側鏈路定位參考信號、或一其組合；<br/>用於向該複數個UE中的每一個UE發送一訊息的程式碼，該訊息包括該公共定位參考信號集的一指示；<br/>用於從該複數個UE中的每一個UE、該一或多個基地台或一其組合中的一或多個接收位置資訊的程式碼，該位置資訊包括基於該公共定位參考信號集的該指示產生的下行鏈路定位參考信號量測、上行鏈路定位參考信號量測、往返時間量測、側鏈路定位參考信號量測、或該其組合；和<br/>用於使用所接收的該位置資訊聯合決定該複數個UE中的每個UE的對應的位置估計的程式碼，其中在選擇該公共定位參考信號集之前，選擇該複數個UE。
一種由複數個使用者設備（UE）中的一第一UE執行的用於支援該複數個UE的聯合定位的方法，包括以下步驟：<br/>向一位置伺服器發送對於來自一或多個基地台的要由複數個UE中的每一個UE量測的下行鏈路定位參考信號、來自該複數個UE的要由該一或多個基地台量測的上行鏈路定位參考信號、來自該複數個UE中的UE的要由該複數個UE中的其他UE量測的側鏈路定位參考信號、或一其組合的一推薦，以用於該複數個UE的聯合定位，其中該位置伺服器基於該推薦選擇用於量測的一公共定位參考信號集，該公共定位參考信號集包括所選擇的下行鏈路定位參考信號、上行鏈路定位參考信號、側鏈路定位參考信號、或一其組合；<br/>從該位置伺服器接收包括用於由該第一UE量測的該公共定位參考信號集的一指示的一訊息；<br/>基於該公共定位參考信號集的該指示，執行該等下行鏈路定位參考信號、該等側鏈路定位參考信號、發送上行鏈路定位參考信號、或該其組合的定位量測。
如請求項17所述的方法，其中用於該聯合定位的該複數個UE由該位置伺服器選擇。
如請求項17所述的方法，其中該公共定位參考信號集包括：定位參考信號（PRS）資源識別符（ID）、PRS資源集ID、傳輸點（TRP）ID、細胞ID、側鏈路PRS ID、UE ID、用戶身份模組（SIM）、或其任何組合中的一或多個。
如請求項17所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/>向該位置伺服器發送包括該等下行鏈路定位參考信號、該等側鏈路定位參考信號、或該其組合的該等定位量測的一位置資訊報告。
如請求項20所述的方法，其中該位置伺服器基於該位置資訊報告和從至少一個其他UE和該一或多個基地台或一其組合接收的位置資訊報告，來聯合決定該複數個UE中的每一個UE的一位置估計。
如請求項21所述的方法，進一步包括從該位置伺服器接收該第一UE的該位置估計。
一種複數個使用者設備(UE)中的第一UE，被配置為支援該複數個UE的聯合定位，包括:<br/>一無線收發器，被配置為與一無線網路中的實體通訊；<br/>至少一個記憶體；和<br/>至少一個處理器，耦合到該無線收發器和該至少一個記憶體，其中該至少一個處理器被配置為：<br/>經由該無線收發器向一位置伺服器發送對於來自一或多個基地台的要由該複數個UE中的每一個UE量測的下行鏈路定位參考信號、來自該複數個UE的要由該一或多個基地台量測的上行鏈路定位參考信號、來自該複數個UE中的UE的要由該複數個UE中的其他UE量測的側鏈路定位參考信號、或一其組合的一推薦，以用於該複數個UE的聯合定位，其中該位置伺服器基於該推薦選擇用於量測的一公共定位參考信號集，該公共定位參考信號集包括所選擇的下行鏈路定位參考信號、上行鏈路定位參考信號、側鏈路定位參考信號、或一其組合；<br/>經由該無線收發器接收來自該位置伺服器的一訊息，該訊息包括用於由該第一UE量測的該公共定位參考信號集合的一指示；和<br/>基於該公共定位參考信號集的該指示，執行該等下行鏈路定位參考信號、該等側鏈路定位參考信號、發送上行鏈路定位參考信號、或該其組合的定位量測。
如請求項23所述的第一UE，其中用於該聯合定位的該複數個UE由該位置伺服器選擇。
如請求項23所述的第一UE，其中該公共定位參考信號集包括：定位參考信號（PRS）資源識別符（ID）、PRS資源集ID、傳輸點（TRP）ID、細胞ID、側鏈路PRS ID、UE ID、用戶身份模組（SIM）、或其任何組合中的一或多個。
如請求項23所述的第一UE，其中該至少一個處理器進一步被配置為：<br/>經由該無線收發器向該位置伺服器發送一位置資訊報告，該位置資訊報告包括該等下行鏈路定位參考信號、該等側鏈路定位參考信號、或該其組合的該等定位量測。
如請求項26所述的第一UE，其中該位置伺服器基於該位置資訊報告和從其他UE接收的位置資訊報告，來聯合決定該複數個UE中的每一個UE的一位置估計。
如請求項27所述的第一UE，其中該至少一個處理器進一步被配置為經由該無線收發器從該位置伺服器接收該第一UE的該位置估計。
一種複數個使用者設備(UE)中的第一UE，被配置為支援該複數個UE的聯合定位，包括:<br/>用於向一位置伺服器發送對於來自一或多個基地台的要由該複數個UE中的每一個UE量測的下行鏈路定位參考信號、來自該複數個UE的要由該一或多個基地台量測的上行鏈路定位參考信號、來自該複數個UE中的UE的要由該複數個UE中的其他UE量測的側鏈路定位參考信號、或一其組合的一推薦，以用於該複數個UE的聯合定位的構件，其中該位置伺服器基於該推薦選擇用於量測的一公共定位參考信號集，該公共定位參考信號集包括所選擇的下行鏈路定位參考信號、上行鏈路定位參考信號、側鏈路定位參考信號或一其組合；<br/>用於從該位置伺服器接收包括用於由該第一UE量測的該公共定位參考信號集的一指示的一訊息的構件；<br/>用於基於該公共定位參考信號集的該指示、執行該等下行鏈路定位參考信號、該等側鏈路定位參考信號、發送上行鏈路定位參考信號或該其組合的定位量測的構件。
一種非暫時性儲存媒體，包括儲存在其上的程式碼，該程式碼可操作以在複數個使用者設備（UE）中的一第一UE中配置至少一個處理器，以支援該複數個UE的聯合定位，包括：<br/>用於向一位置伺服器發送對於來自一或多個基地台的要由該複數個UE中的每一個UE量測的下行鏈路定位參考信號、來自該複數個UE的要由該一或多個基地台量測的上行鏈路定位參考信號、來自該複數個UE中的UE的要由該複數個UE中的其他UE量測的側鏈路定位參考信號、或一其組合的一推薦，以用於該複數個UE的聯合定位的程式碼，其中該位置伺服器基於該推薦選擇用於量測的一公共定位參考信號集，該公共定位參考信號集包括所選擇的下行鏈路定位參考信號、上行鏈路定位參考信號、側鏈路定位參考信號或一其組合；<br/>用於從該位置伺服器接收包括用於由該第一UE量測的該公共定位參考信號集的一指示的一訊息的程式碼；<br/>用於基於該公共定位參考信號集的該指示、執行該等下行鏈路定位參考信號、該等側鏈路定位參考信號、發送上行鏈路定位參考信號或該其組合的定位量測的程式碼。
一種皮膚用皮膜形成組成物，係含有下述成分(A)、(B)及(C)： <br/>(A)聚矽氧系皮膜形成劑； <br/>(B)平均纖維徑0.1μm以上且7μm以下、長寬比(平均纖維長/平均纖維徑)10以上且300以下的纖維，相對於皮膜形成組成物全體為0.05質量%以上且2質量%以下； <br/>(C)(C1)水及非揮發性之20℃呈液狀油劑； <br/>成分(B)與成分(A)的質量比(B/A)係0.05以上且1以下； <br/>成分(C1)相對於成分(C)的質量比例(C1)/(C)係0.5以上且0.90以下。
如請求項1之皮膚用皮膜形成組成物，其中，成分(B)係含有水不溶性聚合物的纖維。
如請求項1之皮膚用皮膜形成組成物，其中，成分(A)含量相對於皮膜形成組成物全體係0.01質量%以上且10質量%以下。
如請求項1之皮膚用皮膜形成組成物，其中，更進一步含有成分(D)粉體。
如請求項1之皮膚用皮膜形成組成物，其中，成分(A)係從三甲基矽烷氧基矽酸及丙烯酸聚矽氧樹枝狀高分子中選擇1種以上。
一種皮膚表面上的皮膜之製造方法，係包括有將請求項1至5中任一項之皮膚用皮膜形成組成物，使用於皮膚的步驟。
一種皮膜，係含有請求項1至5中任一項之皮膚用皮膜形成組成物。
一種皮膚用皮膜形成組成物之使用，係將請求項1至5中任一項之皮膚用皮膜形成組成物使用為乳化型化妝料。
一種供彩妝及/或紫外線防禦之使用，係將請求項1至5中任一項之皮膚用皮膜形成組成物，塗抹於皮膚。
一種供彩妝及/或紫外線防禦之使用，係將請求項1至5中任一項之皮膚用皮膜形成組成物，塗抹於臉部。
一種皮膚用皮膜形成組成物之使用，係請求項1至5中任一項之皮膚用皮膜形成組成物的使用，供使用於在皮膚表面上製造化妝皮膜。
一種2-氯-2'-去氧腺苷（下文中稱作克拉屈濱）或其醫藥學上可接受之鹽之用途，其係用於製造供治療或改善已知具有針對NMDA受體之抗體的患者之自體免疫腦炎（下文中稱作AE）之醫藥品。
如請求項1之用途，其中該醫藥品係以單位劑型製造。
如請求項2之用途，其中該醫藥品係以錠劑、膠囊或液體調配物形式製造。
如請求項2之用途，其中該醫藥品係用於以單劑形式每天投予。
如請求項2之用途，其中該醫藥品係以每單位劑量包含1至30 mg之單位劑型製造。
如請求項5之用途，其中該醫藥品係以每單位劑量包含5至30 mg之單位劑型製造。
如請求項1之用途，其中該醫藥品係用於經口投予。
如請求項7之用途，其中該醫藥品係以每單位劑量包含20至26 mg之單位劑型製造。
如請求項1之用途，其中該醫藥品為適於腸胃外投予之液體調配物。
如請求項9之用途，其中該腸胃外投予為注射。
如請求項9之用途，其中該醫藥品係以每單位劑量包含8至12 mg之單位劑型製造。
如請求項1至11中任一項之用途，其中該AE難以用標準治療來治療。
如請求項1至11中任一項之用途，其中已知該患者具有抗腦抗體。
如請求項1至11中任一項之用途，其中該患者患有AE。
如請求項1至7及9至11中任一項之用途，其中該治療係按兩個療程給予，各療程包含連續五天投予一或兩個含有10 mg克拉屈濱之錠劑或膠囊，或在五天中之每一天飲用或輸注於液體調配物中的相似量之克拉屈濱。
一種發送裝置，其具備：<br/>驅動器電路，其具有各自具備複數個電晶體之複數個輸出電路，且基於輸入至上述複數個電晶體各者之複數個驅動器輸入信號，自上述複數個輸出電路輸出構成差動信號之信號位準互不相同之複數個輸出信號；<br/>複數個時序調整電路，其基於時序設定信號，調整上述複數個驅動器輸入信號向上述驅動器電路之輸入時序；及<br/>控制電路，其將相對於上述複數個時序調整電路各者之上述時序設定信號之設定值變更為與自上述驅動器電路輸出之上述複數個輸出信號各者可採取之信號位準之複數個移轉狀態相應之值；且<br/>上述控制電路具有：<br/>狀態判定電路，其基於與上述複數個輸出信號對應之複數個第1輸入信號、與使上述複數個第1輸入信號延遲之複數個第2輸入信號，將上述時序設定信號之設定值變更為與上述複數個移轉狀態相應之值。
如請求項1之發送裝置，其中<br/>上述時序設定信號包含上升用時序設定信號與下降用時序設定信號；<br/>上述複數個時序調整電路可分別基於上述上升用時序設定信號與上述下降用時序設定信號，調整上述複數個驅動器輸入信號各者之上升時序與下降時序；<br/>上述控制電路將上述上升用時序設定信號與上述下降用時序設定信號各者之設定值變更為與上述複數個移轉狀態相應之值。
如請求項1之發送裝置，其中<br/>上述複數個時序調整電路分別具有：<br/>延遲電路，其產生使與上述驅動器輸入信號對應之信號延遲之複數個延遲信號；及<br/>選擇電路，其基於上述時序設定信號，選擇上述複數個延遲信號中任1者之延遲信號作為上述驅動器輸入信號而輸出。
如請求項1之發送裝置，其中<br/>上述控制電路進而具有：<br/>複數個第1同步電路，其基於時脈信號使上述複數個第1輸入信號各者延遲，輸出上述複數個第2輸入信號；及<br/>複數個第2同步電路，其基於上述時脈信號使上述複數個第2輸入信號各者延遲，對上述複數個時序調整電路各者輸出第3輸入信號。
如請求項1之發送裝置，其中<br/>上述差動信號具有4值以上之差動信號位準。
一種電子機器，其包含：<br/>發送裝置，其發送差動信號；及<br/>接收裝置，其接收自上述發送裝置發送之上述差動信號；且<br/>上述發送裝置具備：<br/>驅動器電路，其具有各自具備複數個電晶體之複數個輸出電路，且基於輸入至上述複數個電晶體各者之複數個驅動器輸入信號，自上述複數個輸出電路輸出構成上述差動信號之信號位準互不相同之複數個輸出信號；<br/>複數個時序調整電路，其基於時序設定信號，調整上述複數個驅動器輸入信號向上述驅動器電路之輸入時序；及<br/>控制電路，其將相對於上述複數個時序調整電路各者之上述時序設定信號之設定值變更為與自上述驅動器電路輸出之上述複數個輸出信號各者可採取之信號位準之複數個移轉狀態相應之值；且<br/>上述控制電路具有：<br/>狀態判定電路，其基於與上述複數個輸出信號對應之複數個第1輸入信號、與使上述複數個第1輸入信號延遲之複數個第2輸入信號，將上述時序設定信號之設定值變更為與上述複數個移轉狀態相應之值。
如請求項6之電子機器，其進而包含接收無線信號並作為接收信號輸出至上述接收裝置之天線；且<br/>上述接收裝置以將來自上述天線之上述接收信號之狀態成為期望之狀態之方式，將上述發送裝置中控制上述時序設定信號之設定值之時序控制信號，發送至上述發送裝置。
如請求項7之電子機器，其進而包含於上述發送裝置與上述接收裝置之間傳送上述差動信號之傳送線路；且<br/>上述接收裝置基於藉由將自上述傳送線路放射之放射雜訊耦合於上述天線而產生之天線耦合雜訊之位準、或上述天線之無線感度之狀態，產生上述時序控制信號。
如請求項7之電子機器，其中<br/>上述發送裝置可基於動作控制信號，以來自上述天線之上述接收信號之狀態成為期望之狀態之方式，變更上述發送裝置之動作頻率；<br/>上述接收裝置基於藉由將因上述發送裝置之動作而引起之放射雜訊耦合於上述天線而產生之天線耦合雜訊之位準、或上述天線之無線感度之狀態，產生上述動作控制信號並發送至上述發送裝置。
一種式(IIIa<sub>1</sub>)化合物、其立體異構體或其藥學上可接受鹽，<figure><img align="absmiddle" height="161px" width="274px" file="d10182.TIF" alt="化學式ed10182.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10182.png"/></figure>其中，R<sub>2</sub>和R<sub>3</sub>各自獨立地選自氫、氘、鹵素、C<sub>1-4</sub>烷基、鹵取代C<sub>1-4</sub>烷基、氘取代C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>3-6</sub>環烷基和3-6員雜環基，或者，R<sub>2</sub>和R<sub>3</sub>與其直接相連的碳原子一起形成C<sub>3-6</sub>環烷基或3-6員雜環基；R<sub>4</sub>選自氫、氘、C<sub>1-4</sub>烷基和C<sub>3-6</sub>環烷基，上述基團視需要進一步被一個或多個選自氘、鹵素、羥基、氰基、C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>1-4</sub>烷氧基、C<sub>3-6</sub>環烷基、C<sub>3-6</sub>環烷氧基、3-6員雜環基和3-6員雜環氧基的取代基所取代；R<sub>5</sub>、R<sub>7</sub>和R<sub>8</sub>各自獨立地為氫或甲基；R<sub>9a</sub>選自氫、氘、鹵素、氰基、C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>2-4</sub>鏈烯基、C<sub>2-4</sub>鏈炔基、C<sub>3-6</sub>環烷基、3-6員雜環基和C<sub>6-8</sub>芳基，上述基團視需要進一步被一個或多個選自氘、鹵素、羥基、C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>2-4</sub>鏈烯基、C<sub>2-4</sub>鏈炔基、鹵取代C<sub>1-4</sub>烷基、氘取代C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>1-4</sub>烷氧基、C<sub>3-6</sub>環烷基、C<sub>3-6</sub>環烷氧基、3-6員雜環基、3-6員雜環氧基、C<sub>6-8</sub>芳基、C<sub>6-8</sub>芳氧基、5-8員雜芳基、5-8員雜芳氧基和-NR<sub>15</sub>R<sub>16</sub>的取代基所取代。
如請求項1所述的式(IIIa<sub>1</sub>)化合物、其立體異構體或其藥學上可接受鹽，其中，R<sub>2</sub>和R<sub>3</sub>各自獨立地選自氫、氘、氟、氯、溴、甲基、乙基、丙基、異丙基、三氟甲基、二氟甲基、三氘甲基、二氘甲基、環丙基、環丁基、氧雜環丁基和氮雜環丁基，或者，R<sub>2</sub>和R<sub>3</sub>與其直接相連的碳原子一起形成環丙基、環丁基、環戊基、環己基、氧雜環丁基、氮雜環丁基、氧雜環戊基或氮雜環戊基，上述環丙基、環丁基、環戊基、環己基、氧雜環丁基、氮雜環丁基、氧雜環戊基或氮雜環戊基視需要進一步被一個或多個選自氘、氟、氯、溴、氰基、甲基、乙基、丙基、異丙基、乙烯基、乙炔基、三氟甲基、二氟甲基、三氘甲基、二氘甲基、環丙基和環丁基的取代基所取代；R<sub>4</sub>選自氫、氘、甲基、乙基、丙基、異丙基、環丙基和環丁基，上述基團視需要進一步被一個或多個選自氘、氟、氯、溴、羥基、氰基、甲基、乙基、丙基、異丙基、甲氧基、乙氧基、環丙基、環丁基、氧雜環丁基和氮雜環丁基的取代基所取代；R<sub>5</sub>、R<sub>7</sub>和R<sub>8</sub>各自獨立地為氫或甲基；R<sub>9a</sub>選自氫、氘、氟、氯、溴、氰基、甲基、乙基、丙基、異丙基、乙烯基、乙炔基、三氟甲基、二氟甲基、三氘甲基、二氘甲基、環丙基、環丁基和苯基，該苯基視需要進一步被一個或多個選自氘、氟、氯、溴、羥基、甲基、乙基、丙基、異丙基、乙烯基、乙炔基、三氟甲基、二氟甲基、三氘甲基、二氘甲基、甲氧基、乙氧基、環丙基、環丁基、氧雜環丁基和氮雜環丁基的取代基所取代。
如請求項1或2所述的式(IIIa<sub>1</sub>)化合物、其立體異構體或其藥學上可接受鹽，其中，選自如下化合物：<figure><img align="absmiddle" height="264px" width="556px" file="d10183.TIF" alt="化學式ed10183.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10183.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="383px" width="557px" file="d10184.TIF" alt="化學式ed10184.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10184.png"/></figure>
一種如請求項1所述的式(IIIa<sub>1</sub>)化合物、其立體異構體或其藥學上可接受鹽的製備方法，其中，包括如下步驟：<figure><img align="absmiddle" height="134px" width="531px" file="d10185.TIF" alt="化學式ed10185.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10185.png"/></figure>其中，X<sub>1</sub>為氟、氯或溴；R<sub>2</sub>、R<sub>3</sub>、R<sub>4</sub>、R<sub>5</sub>、R<sub>7</sub>、R<sub>8</sub>和R<sub>9a</sub>如請求項1中所定義。
一種醫藥組成物，其包含如請求項1至3中任一項所述的式(IIIa<sub>1</sub>)化合物、其立體異構體或其藥學上可接受鹽及可藥用的載體。
一種如請求項1至3中任一項所述的式(IIIa<sub>1</sub>)化合物、其立體異構體或其藥學上可接受鹽在製備治療和/或預防至少部分與EGFR外顯子20插入、缺失或其他突變相關的癌症、腫瘤或轉移性疾病的藥物中的用途。
一種如請求項1至3中任一項所述的式(IIIa<sub>1</sub>)化合物、其立體異構體或其藥學上可接受鹽在製備預防和/或治療由過度增殖和誘導細胞死亡障礙引起的腫瘤、癌症和或轉移性疾病的藥物中的用途。
一種如請求項1至3中任一項所述的式(IIIa<sub>1</sub>)化合物、其立體異構體或其藥學上可接受鹽在製備預防和/或治療至少部分與EGFR外顯子20插入、缺失或其他突變相關的肺癌、胰腺癌、白血病、骨髓增生異常綜合症、惡性淋巴瘤、頭頸部腫瘤、胸腔腫瘤、胃腸道腫瘤、內分泌腫瘤、乳腺和其他婦科腫瘤、泌尿科腫瘤、皮膚腫瘤、肉瘤、鼻腔鼻竇內翻性乳頭狀瘤或鼻腔鼻竇內翻性乳頭狀瘤相關的鼻腔鼻竇鱗狀細胞癌的藥物中的用途。
如請求項8所述的用途，其中，該頭頸部腫瘤為頭頸癌；該肺癌為非小細胞肺癌；該胃腸道腫瘤為結腸癌或胃癌；該乳腺和其他婦科腫瘤為乳腺癌、卵巢癌或子宮癌。
一種被配置用於無線信號傳輸的用戶設備，所述用戶設備包括： <br/>介面； <br/>記憶體；以及 <br/>處理器，通信地耦接到所述介面和所述記憶體，並被配置為： <br/>經由所述介面接收PRS（定位參考信號）和用於非定位的補充信號，所述補充信號是廣播信號並且跨越第一頻率範圍，所述第一頻率範圍至少部分地在所述PRS跨越的第二頻率範圍之外； <br/>組合地處理所述PRS和所述補充信號，產生大於所述第二頻率範圍的有效信號頻寬，以決定位置資訊，以及 <br/>以下中的至少一項： <br/>經由所述介面向網路實體發送能力訊息，所述能力訊息指示所述用戶設備組合地處理所述PRS和所述補充信號的處理能力；或者 <br/>經由所述介面向所述網路實體發送信號組合指示，所述信號組合指示指示所述處理器組合地處理所述PRS和所述補充信號以決定所述位置資訊。
根據請求項1所述的用戶設備，其中所述補充信號是同步信號區塊信號。
根據請求項1所述的用戶設備，其中所述處理器被配置為相干地組合所述PRS和所述補充信號以決定所述位置資訊。
根據請求項1所述的用戶設備，其中所述處理器被配置為發送所述能力訊息，所述能力訊息還指示所述處理器是否能夠結合具有不同參數集的PRS和補充信號來處理所述PRS和所述補充信號。
根據請求項1所述的用戶設備，其中，所述處理器被配置為發送所述能力訊息，所述能力訊息指示所述用戶設備組合地處理所述PRS和所述補充信號的處理能力以及對應的頻帶或對應的頻帶組合。
根據請求項1所述的用戶設備，其中所述處理器被配置為發送所述能力訊息，所述能力訊息指示所述第一頻率範圍和所述第二頻率範圍的最小重疊。
根據請求項1所述的用戶設備，其中所述處理器被配置為發送所述能力訊息，所述能力訊息指示與所述PRS和所述補充信號相關聯的最大時間。
根據請求項1所述的用戶設備，其中所述處理器被配置為發送所述能力訊息，所述能力訊息指示位置資訊精確度以及以下中的至少一項：所述PRS和所述補充信號是否在頻率上重疊、所述PRS和所述補充信號的頻率重疊量、時間漂移精確度、或相位偏移精確度。
根據請求項1所述的用戶設備，其中所述處理器被配置為發送指示所述位置資訊的精確度的所述信號組合指示。
一種被配置用於無線信號傳輸的用戶設備，所述用戶設備包括： <br/>用於接收PRS（定位參考信號）和用於非定位的補充信號的構件，所述補充信號是廣播信號並且跨越第一頻率範圍，所述第一頻率範圍至少部分地在所述PRS跨越的第二頻率範圍之外； <br/>用於組合地處理所述PRS和所述補充信號、產生大於所述第二頻率範圍的有效信號頻寬以決定位置資訊的構件，以及 <br/>以下中的至少一項： <br/>第一發送構件，用於向網路實體發送能力訊息，所述能力訊息指示所述用戶設備組合地處理所述PRS和所述補充信號的處理能力，或者 <br/>第二發送構件，用於向所述網路實體發送信號組合指示，所述信號組合指示指示所述用戶設備組合地處理所述PRS和所述補充信號以決定所述位置資訊。
根據請求項10所述的用戶設備，其中所述補充信號是同步信號區塊信號。
根據請求項10所述的用戶設備，其中用於處理的構件包括用於相干地組合所述PRS和所述補充信號以決定所述位置資訊的構件。
根據請求項10所述的用戶設備，其中所述用戶設備包括所述第一發送構件，其中所述能力訊息還指示所述用戶設備是否能夠結合具有不同參數集的PRS和補充信號來處理所述PRS和所述補充信號。
根據請求項10所述的用戶設備，其中所述用戶設備包括所述第一發送構件，所述用戶設備還包括用於產生用來指示所述用戶設備組合地處理所述PRS和所述補充信號的處理能力以及對應的頻帶或對應的頻帶組合的能力訊息的構件。
根據請求項10所述的用戶設備，其中所述用戶設備包括所述第一發送構件，所述用戶設備還包括用於產生用來指示所述第一頻率範圍和所述第二頻率範圍的最小重疊的能力訊息的構件。
根據請求項10所述的用戶設備，其中所述用戶設備包括所述第一發送構件，所述用戶設備還包括用於產生用來指示與所述PRS和所述補充信號相關聯的最大時間的能力訊息的構件。
根據請求項10所述的用戶設備，其中所述用戶設備包括所述第一發送構件，所述用戶設備還包括用於產生用來指示位置資訊精確度以及以下中的至少一項的能力訊息的構件：所述PRS和所述補充信號是否在頻率上重疊、所述PRS和所述補充信號的頻率重疊量、時間漂移精確度、或相位偏移精確度。
根據請求項10所述的用戶設備，其中所述用戶設備包括所述第二發送構件，所述用戶設備還包括用於產生用來指示所述位置資訊的精確度的所述信號組合指示的構件。
一種信號處理方法，包括： <br/>在UE（用戶設備）處接收PRS（定位參考信號）和用於非定位的補充信號，所述補充信號是廣播信號並且跨越第一頻率範圍，所述第一頻率範圍至少部分地在所述PRS跨越的第二頻率範圍之外； <br/>在所述UE處組合地處理所述PRS和所述補充信號，產生大於所述第二頻率範圍的有效信號頻寬，以決定位置資訊；以及 <br/>以下中的至少一項： <br/>從所述UE向網路實體發送能力訊息，所述能力訊息指示所述UE組合地處理所述PRS和所述補充信號的處理能力；或者 <br/>從所述UE向所述網路實體發送信號組合指示，所述信號組合指示指示所述UE組合地處理所述PRS和所述補充信號以決定所述位置資訊。
根據請求項19所述的信號處理方法，其中所述補充信號是同步信號區塊信號。
根據請求項19所述的信號處理方法，其中組合地處理所述PRS和所述補充信號包括相干地組合所述PRS和所述補充信號以決定所述位置資訊。
根據請求項19所述的信號處理方法，其中所述信號處理方法包括發送所述能力訊息，所述信號處理方法還包括產生用來指示所述UE是否能夠結合具有不同參數集的PRS和補充信號來處理所述PRS和所述補充信號的能力訊息。
根據請求項19所述的信號處理方法，其中所述信號處理方法包括發送所述能力訊息，所述信號處理方法還包括產生用來指示所述UE組合地處理所述PRS和所述補充信號的處理能力以及對應的頻帶或對應的頻帶組合的能力訊息。
根據請求項19所述的信號處理方法，其中所述信號處理方法包括發送所述能力訊息，所述信號處理方法還包括產生用來指示所述第一頻率範圍和所述第二頻率範圍的最小重疊的能力訊息。
根據請求項19所述的信號處理方法，其中所述信號處理方法包括發送所述能力訊息，所述信號處理方法還包括產生用來指示與所述PRS和所述補充信號相關聯的最大時間的能力訊息。
根據請求項19所述的信號處理方法，其中所述信號處理方法包括發送所述能力訊息，所述信號處理方法還包括產生用來指示位置資訊精確度以及以下中的至少一項的能力訊息：所述PRS和所述補充信號是否在頻率上重疊、所述PRS和所述補充信號的頻率重疊量、時間漂移精確度、或相位偏移精確度。
根據請求項19所述的信號處理方法，其中所述信號處理方法包括發送所述信號組合指示，所述信號處理方法還包括產生用來指示所述位置資訊的精確度的所述信號組合指示。
一種包括處理器可讀指令的非暫時性處理器可讀儲存媒體，所述處理器可讀指令被配置為使UE（用戶設備）的處理器： <br/>接收PRS（定位參考信號）和用於非定位的補充信號，所述補充信號是廣播信號並且跨越第一頻率範圍，所述第一頻率範圍至少部分地在所述PRS跨越的第二頻率範圍之外； <br/>組合地處理所述PRS和所述補充信號，產生大於所述第二頻率範圍的有效信號頻寬，以決定位置資訊，以及 <br/>以下中的至少一項： <br/>向網路實體發送能力訊息，所述能力訊息指示所述UE組合地處理所述PRS和所述補充信號的處理能力；或者 <br/>向所述網路實體發送信號組合指示，所述信號組合指示指示所述處理器組合地處理所述PRS和所述補充信號以決定所述位置資訊。
一種網路實體，包括： <br/>介面； <br/>記憶體；以及 <br/>處理器，通信地耦接到所述介面和所述記憶體，並被配置為： <br/>經由所述介面接收能力訊息，所述能力訊息指示用戶設備組合地處理PRS（定位參考信號）和用於非定位的補充信號的處理能力，所述補充信號是廣播信號；以及 <br/>根據一個或多個標準從TRP（發送/接收點）請求發送所述PRS和所述補充信號，來使所述用戶設備能夠組合地處理所述PRS和所述補充信號以滿足至少一個精確度閾值。
一種信號發送請求方法，包括： <br/>在網路實體處從用戶設備接收能力訊息，所述能力訊息指示所述用戶設備組合地處理PRS（定位參考信號）和用於非定位的補充信號的處理能力，所述補充信號是廣播信號；以及 <br/>根據一個或多個標準從TRP（發送/接收點）請求發送所述PRS和所述補充信號，來使所述用戶設備能夠組合地處理所述PRS和所述補充信號以滿足至少一個精確度閾值。
一種用於在牙管中形成牙髓水泥之牙科產品，該產品包括至少： <br/>粉末組合物，其質量含量包含在40%至55%之間，其包含至少一種磷酸鈣且能夠在水分存在下形成羥磷灰石， <br/>黏合劑，其質量含量包含在0.5%至5%之間，該黏合劑係選自：羧甲基纖維素、聚乙烯吡咯啶酮及其混合物，及 <br/>液體介質，其質量含量包含在30%至50%之間，該液體介質包含以下化合物中之至少一者：甘油、丙二醇、水及其混合物。
如請求項1之產品，其中該粉末組合物之質量含量包含在43%至52%之間。
如請求項1或2之產品，其中該粉末組合物包含磷酸二鈣及磷酸四鈣之混合物。
如請求項1之產品，其中該粉末組合物具有小於或等於50 µm之平均粒度D50。
如請求項1之產品，其中該黏合劑之質量含量包含在0.5%至3.5%之間。
如請求項1之產品，其進一步包含質量含量為小於或等於15%之不透射線之造影劑。
如請求項1之產品，其進一步包含質量含量為小於或等於1.5%之懸浮劑。
如請求項1之產品，其進一步包含質量含量為小於或等於10%之水泥凝固促進劑。
如請求項1之產品，其中： <br/>該粉末組合物之質量含量包含在43%至52%之間， <br/>該黏合劑之質量含量包含在0.5%至1%之間， <br/>該液體介質為非水性且其質量含量包含在30%至40%之間， <br/>該產品包含質量含量包含在5%至15%之間之不透射線之造影劑，且<b><i> </i></b><br/>該產品包含質量含量包含在4%至7%之間之水泥凝固促進劑。
如請求項9之產品，其中該不透射線之造影劑包含硫酸鋇且其中該粉末組合物之質量含量包含在43%至48%之間。
如請求項9之產品，其中該不透射線之造影劑包含氧化鋯且其中該粉末組合物之質量含量包含在48%至52%之間。
如請求項1之產品，其中 <br/>該粉末組合物之質量含量包含在43%至52%之間， <br/>該黏合劑之質量含量包含在3%至3.5%之間， <br/>該液體介質包含水且其質量含量包含在30%至40%之間，且 <br/>該產品包含質量含量包含在5%至15%之間之不透射線之造影劑。
一種用於填充及密封牙管之套組，該套組包含至少如請求項1至12中任一項之產品於適用於將該產品引入至牙管中之引入裝置中。
一種用於人力車輛的發電機，該發電機包含：軸，其具有第一軸向端及第二軸向端，其沿著該軸的軸向方向彼此隔開；定子，其具有第一軸向定子端及第二軸向定子端，其沿著該軸向方向彼此隔開，該第一軸向定子端沿著該軸向方向面向該軸的該第一軸向端，該第二軸向定子端沿著該軸向方向面向該軸的該第二軸向端；轉子，其被可旋轉地安裝在該軸上，以繞著該發電機的旋轉中心軸線旋轉，該旋轉中心軸線平行該軸向方向延伸；及第一電纜線，其在該定子的該第一軸向定子端上被電連接於該定子，該第一電纜線被設置成沿著該軸向方向朝向該定子的該第二軸向定子端軸向地延伸通過該定子。
如請求項1所述之用於人力車輛的發電機，其中該轉子包括至少一個磁鐵。
如請求項1所述之用於人力車輛的發電機，其中該定子包括電樞，該電樞被設置在該軸上，且該第一電纜線軸向地延伸通過該電樞。
如請求項3所述之用於人力車輛的發電機，其中該電樞包括繞線線圈及繞線架，及該第一電纜線在該繞線線圈的徑向向外的一點處軸向地延伸通過該電樞。
如請求項1所述之用於人力車輛的發電機，還包含電路板，其中該第一電纜線被電連接於該電路板。
如請求項5所述之用於人力車輛的發電機，其中該電路板被設置成在軸向方向上於該定子的該第二軸向定子端處鄰近該定子。
如請求項5所述之用於人力車輛的發電機，其中該電路板被設置成垂直於該旋轉中心軸線，該電路板具有面向該定子的第一軸向面向表面及背向該定子的第二軸向面向表面。
如請求項7所述之用於人力車輛的發電機，其中該第一電纜線被電連接於該電路板的第二軸向面向表面。
如請求項5所述之用於人力車輛的發電機，還包含外殼，該電路板被設置在該外殼中。
如請求項9所述之用於人力車輛的發電機，其中該外殼被設置成在該軸向方向上於該定子的該第二軸向定子端處鄰近該定子。
如請求項9所述之用於人力車輛的發電機，其中該外殼具有面向該定子的該第二軸向定子端之第一表面，且該第一電纜線從該第一表面朝向該定子延伸。
一種輪轂總成，其包含如請求項5所述之用於人力車輛的發電機，且還包含輪轂體，其被可旋轉地安裝在該軸上，以繞著該發電機的旋轉中心軸線旋轉。
如請求項12所述之輪轂總成，還包含第二電纜線，其被電連接於該電路板且從該輪轂體延伸出去。
如請求項12所述之輪轂總成，還包含至少一個電容器，其被電連接於該電路板。
如請求項12所述之輪轂總成，還包含鏈輪支撐結構，其以可繞著該旋轉中心軸線旋轉之方式被設置，以在繞著該旋轉中心軸線於驅動旋轉方向上旋轉的同時將驅動力傳送至該輪轂體。
如請求項15所述之輪轂總成，還包含受偵測部件，其被耦接於該鏈輪支撐結構，及旋轉偵測感測器，其被建構成偵測該受偵測部件，以偵測該鏈輪支撐結構繞著該旋轉中心軸線的旋轉。
如請求項16所述之輪轂總成，其中該旋轉偵測感測器被設置在該輪轂體中。
如請求項1所述之用於人力車輛的發電機，其中該轉子被設置成相對於該定子徑向向外。
如請求項1所述之用於人力車輛的發電機，其中該定子包括繞線線圈及至少一部分的該第一電纜線設置成在該轉子與該繞線線圈之間的該繞線線圈的徑向向外處。
如請求項1所述之用於人力車輛的發電機，其中該第一電纜線被設置以從該第一軸向定子端朝向在第一位置的該軸的第一軸向端，及在不同於該第一位置的第二位置電連接於該定子。
一種用於熱控制的設備，經組配來將電子組件接合至一電子基板，該設備包含：<br/>一腔室外殼，包括一隧道，該隧道延伸穿過多個處理區帶；<br/>一輸送機，經組配來在該隧道中運輸該電子基板穿過該等多個處理區帶；<br/>一熱偵測系統，包括至少一個溫度感測器，該至少一個溫度感測器耦接至該腔室外殼，該至少一個溫度感測器經組配來偵測接近於該至少一個溫度感測器傳送的該電子基板之溫度，該熱偵測系統進一步經組配來基於偵測到的該等溫度而產生溫度資料；以及<br/>一控制器，耦接至該等多個處理區帶、該輸送機及該熱偵測系統，該控制器經組配來接收來自該熱偵測系統的溫度資料，<br/>其中該至少一個溫度感測器包括至少一個感測器總成，該至少一個感測器總成包括一支撐結構、耦接至該支撐結構的一支撐托架，及緊固至該支撐托架的一IR相機，並且<br/>其中該支撐結構包括一護罩，該護罩裝配在該腔室的一頂壁上，該護罩經組配來包圍該腔室的該頂壁內的一開口以使該隧道之一溫度能夠藉由該IR相機感測。
如請求項1所述之設備，其中該支撐結構包括安置在該隧道之一頂部上的一裝配板片及裝配在該裝配板片上的該護罩。
如請求項2所述之設備，其中該護罩經組配來包圍該裝配板片內的該開口以使該隧道之該溫度能夠藉由該IR相機感測。
如請求項1所述之設備，其中該支撐托架包括用以連接至一惰性氣體源的一埠。
如請求項1所述之設備，其中該支撐托架包括用以保護該IR相機的一玻璃覆蓋。
如請求項1所述之設備，其中該支撐托架經組配來以一所要的高度及一所要的方位將該IR相機裝配在該隧道之頂部上，以達成一完全視場。
如請求項1所述之設備，其中該至少一個感測器總成包括多個IR相機以量測該隧道內的選擇位置內的二或更多個分離位置。
如請求項1所述之設備，其中該熱偵測系統以該控制器組配，以使用該至少一個感測器總成提供該等多個處理區帶之該等區帶溫度之封閉迴路控制。
如請求項8所述之設備，其中該至少一個感測器總成經組配來獲得在該電子基板上的特定位置處及某些處理區帶中的溫度資料。
如請求項9所述之設備，其中溫度資料用來提供該電子基板的可追溯性，其中該電子基板的資料提供在與該控制器相關聯的一顯示器上。
如請求項9所述之設備，其中溫度資料用來找到該腔室外殼內的熱斑區帶/位準。
如請求項9所述之設備，其中溫度資料用來最佳化該設備之效能且/或提供處理裝備之下游輸入且/或決定藉由該至少一個感測器總成對該電子基板執行的掃描之開始及結束時間且/或產生高於及低於該電子基板的該電子基板的一分佈。
如請求項8所述之設備，其中該封閉迴路控制包括控制該等多個處理區帶中的該輸送機之一速度。
如請求項1所述之設備，其中當該電子基板在該輸送機上行進穿過該腔室外殼時，該控制器可經組配來達成一掃描模式以量測該電子基板之組件之該溫度。
如請求項1所述之設備，其中該支撐托架包括一埠，該埠用以連接至一氮氣(N2)源以提供該護罩內之一惰性氣氛。
如請求項15所述之設備，其中該支撐托架進一步包括用以將一感測器連接至該支撐托架的一輸入埠。
一種在如請求項1所述之設備中將電子組件接合至一電子基板的方法，該方法包含以下步驟：<br/>運輸該電子基板穿過該等多個處理區帶；<br/>偵測接近於該熱偵測系統傳送的該等電子基板之溫度；以及<br/>以該控制器接收來自該熱偵測系統的溫度資料，該控制器耦接至該等多個處理區帶、該輸送機及該熱偵測系統。
一種用於人力車輛的輪轂，該輪轂包含： <br/> 輪轂軸； <br/> 構件，其被設置於該輪轂軸； <br/> 纜線，其延伸通過通道； <br/> 密封元件，其被建構成佔據該通道和該纜線之間的空間； <br/> 第一間隔件，其位於該密封元件相對於該纜線的纜線中心軸線的第一軸向側上；及 <br/> 第二間隔件，其位於該密封元件相對於該纜線中心軸線的第二軸向側上，該第二軸向側相對於該纜線中心軸線與該第一軸向側相反，其中 <br/> 該密封元件抵靠於該第一間隔件及該第二間隔件。
如請求項1所述之用於人力車輛的輪轂，其中 <br/> 該密封元件具有接觸該纜線的內周邊表面、及接觸該通道的外周邊表面。
如請求項2所述之用於人力車輛的輪轂，其中 <br/> 該密封元件的該內周邊表面藉由沿著該纜線的纜線中心軸線來接收力而變形，且該密封元件的該內周邊表面與該纜線的外表面接觸。
如請求項2所述之用於人力車輛的輪轂，其中 <br/> 該密封元件的該外周邊表面藉由沿著該纜線的纜線中心軸線來接收力而變形，且該密封元件的該外周邊表面與該通道的內表面接觸。
如請求項1所述之用於人力車輛的輪轂，其中 <br/> 該構件包括第一抵靠部，其限制該第一間隔件在第一軸向方向上的移動，且 <br/> 該輪轂軸包括第二抵靠部，其限制該第二間隔件在第二軸向方向上的移動，該第二軸向方向相對於該纜線中心軸線與該第一軸向方向相反。
如請求項5所述之用於人力車輛的輪轂，其中 <br/> 該第一間隔件沿著該纜線中心軸線抵靠於該構件，且 <br/> 該第二間隔件沿著該纜線中心軸線抵靠於該輪轂軸。
如請求項1所述之用於人力車輛的輪轂，其中 <br/> 該構件界定該通道。
如請求項7所述之用於人力車輛的輪轂，其中 <br/> 該構件包括端蓋，其被設置在該輪轂軸的一端上，且 <br/> 該端蓋包括作為該纜線延伸通過的該通道之開口。
如請求項1所述之用於人力車輛的輪轂，其中 <br/> 該輪轂軸界定該通道。
如請求項9所述之用於人力車輛的輪轂，其中 <br/> 該構件包括軸承間隔件，其被設置在該輪轂軸上且經由軸承而支撐輪轂體。
如請求項9所述之用於人力車輛的輪轂，其中 <br/> 該輪轂軸具有第一軸向端、第二軸向端、及在該第一軸向端和該第二軸向端之間延伸的軸向孔，且該通道在該第一軸向端和該第二軸向端之間的位置處與該軸向孔連通。
如請求項11所述之用於人力車輛的輪轂，其中 <br/> 該軸向孔具有第一孔區段及第二孔區段， <br/> 該第一孔區段具有第一內直徑， <br/> 該第二孔區段具有第二內直徑， <br/> 該第二內直徑小於該第一內直徑，且 <br/> 該通道與該第一孔區段連接。
如請求項11所述之用於人力車輛的輪轂，其中 <br/> 該通道以未垂直於該軸向孔之方式延伸。
如請求項1所述之用於人力車輛的輪轂，其中 <br/> 該密封元件是彈性環。
如請求項1所述之用於人力車輛的輪轂，還包含 <br/> 電組件，且 <br/> 該纜線是被電耦接於該電組件之電纜線。
如請求項1所述之用於人力車輛的輪轂，還包含 <br/> 發電機，且 <br/> 該纜線是被電耦接於該發電機之電纜線。
一種用於人力車輛的輪轂，該輪轂包含： <br/> 輪轂軸； <br/> 端蓋，其被設置在該輪轂軸的一端，該端蓋包括通道； <br/> 纜線，其延伸通過該通道； <br/> 密封元件，其被建構成佔據該通道和該纜線之間的空間。
如請求項17所述之用於人力車輛的輪轂，還包含 <br/> 固定構件，其被建構成將該端蓋附接於該輪轂軸， <br/> 其中該密封元件被建構成在該端蓋藉由該固定構件而被附接於該輪轂軸之狀態下變形。
一種用於人力車輛的輪轂總成，該輪轂總成包含：輪轂軸；輪轂體，其被可旋轉地安裝在該輪轂軸上，以繞著該輪轂總成的旋轉中心軸線旋轉；軸承間隔件，其具有內周邊端及外周邊端，該內周邊端不可旋轉地耦接至該輪轂軸，該外周邊端在相對於該旋轉中心軸線的徑向方向上與該內周邊端徑向向外地隔開；及第一輪轂體軸承，其被設置在該軸承間隔件的該外周邊端處且可旋轉地支撐該輪轂體。
如請求項1所述之用於人力車輛的輪轂總成，其中該軸承間隔件包括軸向開口，該軸向開口在該輪轂總成被安裝於該人力車輛之安裝狀態下被至少部分地形成在被界定於水平向前方向和垂直於該水平向前方向的垂直向上方向之間的角度區域中，由該水平向前方向及該垂直向上方向所界定的中心角度等於90度，且該水平向前方向及該垂直向上方向從該旋轉中心軸線延伸。
如請求項1所述之用於人力車輛的輪轂總成，還包含電路板，其被設置在該輪轂體中，及感測器，其被設置在該輪轂體中，該感測器藉由第一導體而被電連接於該電路板。
如請求項3所述之用於人力車輛的輪轂總成，其中該感測器在平行於該旋轉中心軸線的方向上被配置於與該電路板分開的位置處。
如請求項4所述之用於人力車輛的輪轂總成，其中該電路板被配置成垂直於該旋轉中心軸線。
如請求項3所述之用於人力車輛的輪轂總成，其中該軸承間隔件包括軸向開口，且該感測器在該軸承間隔件的該軸向開口內被設置在軸向地對準之位置處。
如請求項3所述之用於人力車輛的輪轂總成，其中該電路板藉由第二導體而被電連接於電容器。
如請求項7所述之用於人力車輛的輪轂總成，其中該電路板具有弧形，且具有第一周圍端部分、第二周圍端部分及至少一個弧形邊緣，該至少一個弧形邊緣至少部分地從該第一周圍端部分延伸至該第二周圍端部分，且該第二導體從該第一周圍端部分及該第二周圍端部分中的一者延伸。
如請求項8所述之用於人力車輛的輪轂總成，其中該至少一個弧形邊緣包括相對於該旋轉中心軸線之內弧形邊緣及外弧形邊緣中的至少一者。
如請求項8所述之用於人力車輛的輪轂總成，還包含外殼，其被設置在該輪轂體中，且具有界定內部空間的外周邊表面，該電路板被設置在該內部空間中。
如請求項10所述之用於人力車輛的輪轂總成，其中該外殼不可相對於該輪轂軸旋轉。
如請求項3所述之用於人力車輛的輪轂總成，還包含第二輪轂體軸承，其可旋轉地支撐該輪轂體的一端，且該第一輪轂體軸承可旋轉地支撐該輪轂體之相對於該旋轉中心軸線的另一端。
如請求項6所述之用於人力車輛的輪轂總成，還包含鏈輪支撐結構，其以可繞著該旋轉中心軸線旋轉之方式被設置，以在繞著該旋轉中心軸線的驅動旋轉方向上旋轉的同時將驅動力傳送至該輪轂體。
如請求項13所述之用於人力車輛的輪轂總成，還包含受偵測部件，其被耦接於該鏈輪支撐結構，且該感測器包括旋轉偵測感測器，其被建構成偵測該受偵測部件，使得該鏈輪支撐結構繞著該旋轉中心軸線的旋轉被偵測。
如請求項13所述之用於人力車輛的輪轂總成，還包含第一鏈輪支撐軸承，其可旋轉地支撐該鏈輪支撐結構的第一端，及第二鏈輪支撐軸承，其可旋轉地支撐該鏈輪支撐結構的第二端，該第一鏈輪支撐軸承及該第二鏈輪支撐軸承具有小於該軸承間隔件的外周邊端之外直徑。
如請求項1所述之用於人力車輛的輪轂總成，還包含發電機，其被設置在該輪轂體中，且被建構成藉由該輪轂體的旋轉而產生電力。
一種用於人力車輛的電組件，該電組件使用於如請求項1所述之輪轂總成並且包含：電路板，其具有弧形，且具有第一周圍端部分、第二周圍端部分及至少一個弧形邊緣，該至少一個弧形邊緣至少部分地從該第一周圍端部分延伸至該第二周圍端部分；至少一個導體，其被建構成從該第一周圍端部分及該第二周圍端部分中的一者延伸；及至少一個電容器，其被電連接於該至少一個導體。
如請求項17所述之用於人力車輛的電組件，還包含感測器，其被設置在與該電路板分開的位置處，及附加導體，其將該感測器及該電路板電連接。
一種用於解碼一視訊資料的方法，包括： <br/>獲得與該視訊資料相關聯的一資訊集合，由該視訊資料表示的各圖片的各樣本由複數個顏色分量表示，其中該資訊集合包括一語法元素，該語法元素用一第一值表明一第一顏色分量的值從一第一動態範圍映射到一第二動態範圍的一第一變換在該資訊集合中被明確地傳訊、以及用一第二值表明該第一變換從一第二變換被推斷，該第二變換在該資訊集合中被傳訊且將一第二顏色分量的值從一第三動態範圍映射到一第四動態範圍；以及 <br/>基於該語法元素解碼該視訊資料。
如請求項1所述的方法，其中該第一顏色分量是一色度分量以及該第二顏色分量是一亮度分量。
如請求項1所述的方法，其中該第一變換是基於該第二顏色分量而將該第一顏色分量的值從該第一動態範圍映射到該第二動態範圍的一跨分量變換。
如請求項1所述的方法，其中，回應於該語法元素具有該第二值，從表示該第二變換的一斜率的一資訊得出該第一變換。
如請求項1所述的方法，其中該第一顏色分量是一第一色度分量以及該第二顏色分量是一第二色度分量。
如請求項1所述的方法，其中，回應於該語法元素具有該第二值，藉由將用於該第一變換的在該資訊集合中傳訊的差值加至表示了在該資訊集合中傳訊的該第二變換的一資訊，從該第二變換得出該第一變換。
一種用於解碼一視訊資料的裝置，包括一電子電路，該電子電路被配置用於： <br/>獲得與該視訊資料相關聯的一資訊集合，由該視訊資料表示的各圖片的各樣本由複數個顏色分量表示，其中該資訊集合包括一語法元素，該語法元素用一第一值表明一第一顏色分量的值從一第一動態範圍映射到一第二動態範圍的一第一變換在該資訊集合中被明確地傳訊、以及用一第二值表明該第一變換從一第二變換被推斷，該第二變換在該資訊集合中被傳訊且將一第二顏色分量的值從一第三動態範圍映射到一第四動態範圍；以及 <br/>基於該語法元素解碼該視訊資料。
如請求項7所述的裝置，其中該第一顏色分量是一色度分量以及該第二顏色分量是一亮度分量。
如請求項7所述的裝置，其中該第一變換是基於該第二顏色分量而將該第一顏色分量的值從該第一動態範圍映射到該第二動態範圍的一跨分量變換。
如請求項7所述的裝置，其中，回應於該語法元素具有該第二值，該第一變換從表示該第二變換的一斜率的一資訊被得出。
如請求項7所述的裝置，其中該第一顏色分量是一第一色度分量以及該第二顏色分量是一第二色度分量。
如請求項7所述的裝置，其中，回應於該語法元素具有該第二值，該第一變換是藉由將用於該第一變換的在該資訊集合中傳訊的差值加至表示了在該資訊集合中傳訊的該第二變換的一資訊而從該第二變換被得出。
一種用於編碼一視訊資料的方法，包括： <br/>傳訊與該視訊資料相關聯的一資訊集合，由該視訊資料表示的各圖片的各樣本由複數個顏色分量表示，其中該資訊集合包括一語法元素，該語法元素用一第一值表明一第一顏色分量的值從一第一動態範圍映射到一第二動態範圍的一第一變換在該資訊集合中被明確地傳訊、以及用一第二值表明該第一變換從一第二變換被推斷，該第二變換在該資訊集合中被傳訊且將一第二顏色分量的值從一第三動態範圍映射到一第四動態範圍。
如請求項13所述的方法，其中該第一顏色分量是一色度分量以及該第二顏色分量是一亮度分量。
如請求項13所述的方法，其中該第一變換是基於該第二顏色分量而將該第一顏色分量的值從該第一動態範圍映射到該第二動態範圍的一跨分量變換。
如請求項13所述的方法，其中，回應於該語法元素具有該第二值，從表示該第二變換的一斜率的一資訊得出該第一變換。
如請求項13所述的方法，其中該第一顏色分量是一第一色度分量以及該第二顏色分量是一第二色度分量。
如請求項13所述的方法，其中，回應於該語法元素具有該第二值，藉由將用於該第一變換的在該資訊集合中傳訊的差值加至表示了在該資訊集合中傳訊的該第二變換的一資訊，從該第二變換得出該第一變換。
一種用於編碼一視訊資料的裝置，包括一電子電路，該電子電路被配置用於： <br/>傳訊與該視訊資料相關聯的一資訊集合，由該視訊資料表示的各圖片的各樣本由複數個顏色分量表示，其中該資訊集合包括一語法元素，該語法元素用一第一值表明一第一顏色分量的值從一第一動態範圍映射到一第二動態範圍的一第一變換在該資訊集合中被明確地傳訊、以及用一第二值表明該第一變換從一第二變換被推斷，該第二變換在該資訊集合中被傳訊且將一第二顏色分量的值從一第三動態範圍映射到一第四動態範圍。
如請求項19所述的裝置，其中該第一顏色分量是一色度分量以及該第二顏色分量是一亮度分量。
如請求項19所述的裝置，其中該第一變換是基於該第二顏色分量而將該第一顏色分量的值從該第一動態範圍映射到該第二動態範圍的一跨分量變換。
如請求項19所述的裝置，其中，回應於該語法元素具有該第二值，該第一變換從表示該第二變換的一斜率的一資訊被得出。
如請求項19所述的裝置，其中該第一顏色分量是一第一色度分量以及該第二顏色分量是一第二色度分量。
如請求項19所述的裝置，其中，回應於該語法元素具有該第二值，該第一變換是藉由將用於該第一變換的在該資訊集合中傳訊的差值加至表示了在該資訊集合中傳訊的該第二變換的一資訊而從該第二變換被得出。
一種電腦程式，包括用於實施如請求項1所述的方法的程式碼指令。
一種儲存程式碼指令的資訊儲存媒體，該程式碼指令用於實施如請求項1所述的方法。
一種電腦程式，包括用於實施如請求項13所述的方法的程式碼指令。
一種儲存程式碼指令的資訊儲存媒體，該程式碼指令用於實施如請求項13所述的方法。
一種製造具備半導體晶片之半導體裝置之方法，該方法包括：<br/> 形成臨時固定積層體之步驟，前述臨時固定積層體具備載體及密封結構體，前述密封結構體設置於該載體的主面上且包含複數個半導體晶片和密封前述複數個半導體晶片之密封部；及<br/> 從前述臨時固定積層體去除前述載體之步驟，<br/> 前述半導體晶片具有：具有第1面及其相反側的第2面之晶片主體部；及設置於前述第1面上之連接端子，<br/> 前述密封部具有：覆蓋前述複數個半導體晶片的前述第2面，且在前述臨時固定積層體中與前述載體相鄰之一體型的保護層；及與前述保護層一起密封前述複數個半導體晶片之密封材料層，<br/> 前述保護層為固化之固化性樹脂膜，<br/> 藉由對前述臨時固定積層體照射非同調光，前述保護層與前述載體分離，藉此從前述臨時固定積層體去除前述載體，<br/> 其中前述固化性樹脂膜對波長355nm的光顯示50%以下的透射率，<br/> 前述固化性樹脂膜在25℃溫度條件下貼合於玻璃基板時，前述固化性樹脂膜與前述玻璃基板之間的90度剝離強度在25℃下為10N/m以上。
如請求項1所述之方法，其中<br/> 前述非同調光的光源為氙燈。
如請求項1或請求項2所述之方法，其中<br/> 前述保護層為設置於前述半導體裝置之永久膜。
如請求項1或請求項2所述之方法，該方法進一步包括藉由雷射光的照射在前述保護層的表面進行刻印之步驟。
如請求項1或請求項2所述之方法，其中<br/> 前述載體具有：透射前述非同調光之支撐基板；及設置於該支撐基板上，且包含吸收前述非同調光而產生熱之導電體之光吸收層，<br/> 在前述臨時固定積層體中前述光吸收層與前述保護層相鄰。
如請求項1或請求項2所述之方法，其中<br/> 前述臨時固定積層體藉由進一步依序包括如下步驟之方法形成：<br/> 將前述載體與前述固化性樹脂膜貼合之步驟；<br/> 在前述固化性樹脂膜的與前述載體相反側的面上，將前述複數個半導體晶片以前述第2面與前述固化性樹脂膜相接之朝向配置之步驟；<br/> 藉由固化前述固化性樹脂膜，將前述複數個半導體晶片固定於作為固化之前述固化性樹脂膜亦即前述保護層上之步驟；及<br/> 將前述密封材料層形成於前述保護層上，藉此形成具有前述保護層及前述密封材料層之前述密封部之步驟。
如請求項1或請求項2所述之方法，其中<br/> 前述臨時固定積層體藉由進一步依序包括如下步驟之方法形成：<br/> 形成臨時固定積層體之步驟，前述臨時固定積層體具有臨時固定材料、以前述第1面朝向前述臨時固定材料側之朝向臨時固定於該臨時固定材料上之前述複數個半導體晶片、及將前述複數個半導體晶片密封在前述臨時固定材料上之前述密封材料層，且前述複數個半導體晶片的前述第2面從前述密封材料層露出；<br/> 設置覆蓋前述第2面及前述密封材料層之前述固化性樹脂膜之步驟；<br/> 將前述固化性樹脂膜與前述載體貼合之步驟；<br/> 使前述固化性樹脂膜固化而形成前述保護層之步驟；及<br/> 從前述臨時固定積層體去除前述臨時固定材料之步驟。
如請求項1或請求項2所述之方法，其中<br/> 前述固化性樹脂膜包含熱塑性樹脂，前述熱塑性樹脂的玻璃轉移溫度為-40℃以上且40℃以下。
如請求項1或請求項2所述之方法，其中<br/> 前述固化性樹脂膜包含二氧化矽填料。
如請求項1或請求項2所述之方法，其中<br/> 前述固化性樹脂膜實質上不包含具有聚矽氧烷鏈之矽酮化合物。
如請求項1或請求項2所述之方法，其中<br/> 前述固化性樹脂膜的剪切黏度在100℃下為5000～100000Pa·s。
如請求項1或請求項2所述之方法，其中<br/> 前述固化性樹脂膜的固化後的儲存模量在25℃下為300～6000MPa，在250℃下為0.1～200MPa。
如請求項1或請求項2所述之方法，其中<br/> 該方法進一步包括如下步驟：從前述臨時固定積層體去除前述載體後，分割前述密封結構體，藉此形成單片化之半導體裝置之步驟。
如請求項13所述之方法，其中<br/> 該方法藉由分割具備前述複數個半導體晶片及包含前述保護層之密封部之前述密封結構體，形成單片化之前述半導體裝置。
一種感放射線性組成物，含有：（A）聚合物，包含具有與芳香環鍵結的羥基的結構單元；以及 <br/>酸產生化合物（其中，所述（A）聚合物除外），具有感放射線性鎓陽離子結構與有機陰離子結構，且 <br/>選自由所述（A）聚合物及所述酸產生化合物所組成的群組中的一種以上的化合物於相同的化合物或不同的化合物中包含具有2個以上的選自由氟烷基及氟基（其中，氟烷基中的氟基除外）所組成的群組中的至少一種取代基β的感放射線性鎓陽離子結構[X]、與具有碘基的有機陰離子結構[Y]， <br/>所述（A）聚合物及所述酸產生化合物的至少一者具有包含感放射線性鎓陽離子結構與有機陰離子結構的結構單元（III）， <br/>所述結構單元（III）具有源自包含所述感放射線性鎓陽離子結構[X]及所述有機陰離子結構[Y]中的至少任一者的單體的結構單元。
一種感放射線性組成物，含有：（A）聚合物，包含具有與芳香環鍵結的羥基的結構單元；以及 <br/>酸產生化合物（其中，所述（A）聚合物除外），具有感放射線性鎓陽離子結構與有機陰離子結構，且 <br/>選自由所述（A）聚合物及所述酸產生化合物所組成的群組中的一種以上的化合物於相同的化合物或不同的化合物中包含具有2個以上的選自由氟烷基及氟基（其中，氟烷基中的氟基除外）所組成的群組中的至少一種取代基β的感放射線性鎓陽離子結構[X]、與具有碘基的有機陰離子結構[Y]， <br/>所述酸產生化合物為下述式（9）所表示的鎓鹽化合物， <br/><br/><img align="absmiddle" height="17px" width="72px" file="ed10042.jpg" alt="ed10042.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>（式（9）中，E<sup>-</sup>為R<sup>51</sup>-COO<sup>-</sup>、R<sup>52</sup>-SO<sub>2</sub>-N<sup>-</sup>-R<sup>51</sup>或R<sup>51</sup>-SO<sub>3</sub><sup>-</sup>所表示的有機陰離子；R<sup>51</sup>及R<sup>52</sup>分別獨立地為碳數1～30的一價有機基；其中，於E<sup>-</sup>為R<sup>51</sup>-SO<sub>3</sub><sup>-</sup>所表示的有機陰離子的情況下，在SO<sub>3</sub><sup>-</sup>所鍵結的碳原子上並未鍵結氟原子；Z<sup>+</sup>為感放射線性鎓陽離子）。
一種感放射線性組成物，含有：（A）聚合物，包含具有與芳香環鍵結的羥基的結構單元；以及 <br/>酸產生化合物（其中，所述（A）聚合物除外），具有感放射線性鎓陽離子結構與有機陰離子結構，且 <br/>選自由所述（A）聚合物及所述酸產生化合物所組成的群組中的一種以上的化合物於相同的化合物或不同的化合物中包含具有4個以上的選自由氟烷基及氟基（其中，氟烷基中的氟基除外）所組成的群組中的至少一種取代基β的感放射線性鎓陽離子結構[X]、與具有碘基的有機陰離子結構[Y]。
一種感放射線性組成物，含有：（A）聚合物，包含具有與芳香環鍵結的羥基的結構單元；以及 <br/>酸產生化合物（其中，所述（A）聚合物除外），具有感放射線性鎓陽離子結構與有機陰離子結構，且 <br/>選自由所述（A）聚合物及所述酸產生化合物所組成的群組中的一種以上的化合物於相同的化合物或不同的化合物中包含具有2個以上的選自由氟烷基及氟基（其中，氟烷基中的氟基除外）所組成的群組中的至少一種取代基β的感放射線性鎓陽離子結構[X]、與具有碘基的有機陰離子結構[Y]， <br/>所述具有與芳香環鍵結的羥基的結構單元為下述式（i）所表示的結構單元， <br/><br/><img align="absmiddle" height="52px" width="94px" file="ed10041.jpg" alt="ed10041.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>（式（i）中，R<sup>1</sup>為氫原子、氟基、甲基或三氟甲基；L<sup>2</sup>為-O-、-CO-、-COO-或-CONH-；Y<sup>1</sup>為具有與芳香環鍵結的羥基的一價基）。
如請求項1至請求項4中任一項所述的感放射線性組成物，其中所述感放射線性鎓陽離子結構[X]具有鋶陽離子結構或錪陽離子結構。
如請求項5所述的感放射線性組成物，其中所述感放射線性鎓陽離子結構[X]含有具有1個以上的與鋶陽離子或錪陽離子鍵結的芳香環Z且於所述芳香環Z中的1個以上的相同的芳香環上鍵結有2個以上的所述取代基β的結構，或者含有具有2個以上的所述芳香環Z且於所述芳香環Z中的2個以上的不同的芳香環上分別鍵結有1個以上的所述取代基β的結構。
如請求項1至請求項4中任一項所述的感放射線性組成物，其中所述有機陰離子結構[Y]具有於芳香環上鍵結有碘基的結構。
如請求項1至請求項4中任一項所述的感放射線性組成物，其中所述（A）聚合物及與所述（A）聚合物不同的聚合物中的至少任一者包含具有酸解離性基的結構單元。
如請求項1至請求項4中任一項所述的感放射線性組成物，用於藉由極紫外線的曝光來形成抗蝕劑圖案。
如請求項1至請求項4中任一項所述的感放射線性組成物，其中含有具有所述感放射線性鎓陽離子結構[X]及所述有機陰離子結構[Y]中的至少任一者、且與聚合物不同的化合物作為所述酸產生化合物。
如請求項2至請求項4中任一項所述的感放射線性組成物，其中所述（A）聚合物及所述酸產生化合物的至少一者具有包含感放射線性鎓陽離子結構與有機陰離子結構的結構單元（III）， <br/>所述結構單元（III）具有源自包含所述感放射線性鎓陽離子結構[X]及所述有機陰離子結構[Y]中的至少任一者的單體的結構單元。
如請求項11所述的感放射線性組成物，其中所述結構單元（III）為源自下述式（3B）所表示的單體的結構單元， <br/><br/><img align="absmiddle" height="42px" width="40px" file="ed10044.jpg" alt="ed10044.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>（式（3B）中，L<sup>7</sup>為參與聚合的基；「Z<sup>+</sup>」為感放射線性鎓陽離子；「L<sup>7</sup>-M<sup>-</sup>」為有機陰離子；其中，Z<sup>+</sup>及M<sup>-</sup>滿足以下條件（a）及條件（b）中的至少任一者； <br/>（a）Z<sup>+</sup>包含所述感放射線性鎓陽離子結構[X]； <br/>（b）M<sup>-</sup>包含所述有機陰離子結構[Y]）。
如請求項1所述的感放射線性組成物，其中所述結構單元（III）為源自下述式（3B）所表示的單體的結構單元， <br/><br/><img align="absmiddle" height="42px" width="40px" file="ed10044.jpg" alt="ed10044.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>（式（3B）中，L<sup>7</sup>為參與聚合的基；「Z<sup>+</sup>」為感放射線性鎓陽離子；「L<sup>7</sup>-M<sup>-</sup>」為有機陰離子；其中，Z<sup>+</sup>及M<sup>-</sup>滿足以下條件（a）及條件（b）中的至少任一者； <br/>（a）Z<sup>+</sup>包含所述感放射線性鎓陽離子結構[X]； <br/>（b）M<sup>-</sup>包含所述有機陰離子結構[Y]）。
如請求項1至請求項4中任一項所述的感放射線性組成物，其中包含第一酸產生體、以及藉由曝光而產生比所述第一酸產生體所產生的酸弱的酸的第二酸產生體作為所述酸產生化合物。
如請求項1至請求項4中任一項所述的感放射線性組成物，其中所述感放射線性組成物中所含的感放射線性鎓陽離子結構中的所述感放射線性鎓陽離子結構[X]的比例為10莫耳%以上。
如請求項1、請求項2或請求項4所述的感放射線性組成物，其中所述酸產生化合物於相同的化合物中包含具有2個以上的選自由氟烷基及氟基（其中，氟烷基中的氟基除外）所組成的群組中的至少一種取代基β的感放射線性鎓陽離子結構[X]、與具有碘基的有機陰離子結構[Y]。
如請求項3所述的感放射線性組成物，其中所述酸產生化合物於相同的化合物中包含具有4個以上的選自由氟烷基及氟基（其中，氟烷基中的氟基除外）所組成的群組中的至少一種取代基β的感放射線性鎓陽離子結構[X]、與具有碘基的有機陰離子結構[Y]。
一種抗蝕劑圖案形成方法，包括： <br/>使用如請求項1至請求項17中任一項所述的感放射線性組成物於基板上形成抗蝕劑膜的步驟； <br/>對所述抗蝕劑膜進行曝光的步驟；以及 <br/>對經曝光的所述抗蝕劑膜進行顯影的步驟。
如請求項18所述的抗蝕劑圖案形成方法，其中使用極紫外線對所述抗蝕劑膜進行曝光。
一種由以下化學式2或3表示的雜環化合物：<figure><img align="absmiddle" height="277px" width="573px" file="d10003.TIF" alt="化學式ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="336px" width="531px" file="d10004.TIF" alt="化學式ed10004.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10004.png"/></figure>其中，在化學式2及3中，R1到R6及Re彼此相同或不同，且各自獨立地選自由以下組成的群組：氫；及氘；L1及L2彼此相同或不同，且各自獨立地是直接鍵；或者經取代或未經取代的C6至C60伸芳基；L3是經取代或未經取代的C6至C60伸芳基；或者經取代或未經取代的C2至C60伸雜芳基；Ar3是經取代或未經取代的苯基；經取代或未經取代的聯苯基；經取代或未經取代的萘基；經取代或未經取代的菲基；經取代或未經取代的二甲基芴基；經取代或未經取代的二苯基芴基；經取代或未經取代的螺環二芴基；經取代或未經取代的二苯并呋喃基；經取代或未經取代的二苯并噻吩基；或者經取代或未經取代的咔唑基；Ar1及Ar2彼此相同或不同，且各自獨立地選自由以下組成的群組：經取代或未經取代的苯基；經取代或未經取代的聯苯基；經取代或未經取代的萘基；經取代或未經取代的聯伸三苯基；經取代或未經取代的菲基；經取代或未經取代的苯并苊基；經取代或未經取代的二甲基芴基；經取代或未經取代的二苯基芴基；經取代或未經取代的螺環二芴基；經取代或未經取代的二苯并呋喃基；經取代或未經取代的二苯并噻吩基；經取代或未經取代的咔唑基；苯環稠合的二苯并呋喃基；苯環稠合的二苯并噻吩基；或者苯環稠合的二甲基芴基；q是為1到4的整數；a1是為0到2的整數；p、a及m是為0到4的整數；並且當q、p、a及m是為2或大於2的整數或者a1是為2的整數時，括號中的取代基彼此相同或不同，“經取代或未經取代”意指經選自由以下組成的群組的一個或多個取代基取代：氘；C1至C60直鏈或支鏈烷基；C6至C60單環或多環芳基；或者C2至C60單環或多環雜芳基；或未經取代，或者經連結選自以上示出的取代基中的兩個或更多個取代基的取代基取代，或未經取代。
如請求項1所述的雜環化合物，其中化學式2由以下化學式2-1到2-3中的任一者表示：<figure><img align="absmiddle" height="253px" width="546px" file="d10005.TIF" alt="化學式ed10005.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10005.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="259px" width="550px" file="d10006.TIF" alt="化學式ed10006.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10006.png"/></figure>[化學式2-3]<figure><img align="absmiddle" height="292px" width="506px" file="d10007.TIF" alt="化學式ed10007.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10007.png"/></figure>在化學式2-1到2-3中，R1到R6、Re、L1到L3、Ar1到Ar3、a1、p、q、m及a具有與化學式2中相同的定義。
如請求項1所述的雜環化合物，其中化學式3由以下化學式3-1到3-3中的任一者表示：<figure><img align="absmiddle" height="316px" width="472px" file="d10008.TIF" alt="化學式ed10008.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10008.png"/></figure>[化學式3-2]<figure><img align="absmiddle" height="296px" width="505px" file="d10009.TIF" alt="化學式ed10009.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10009.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="339px" width="498px" file="d10010.TIF" alt="化學式ed10010.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10010.png"/></figure>在化學式3-1到3-3中，R1到R6、Re、L1到L3、Ar1到Ar3、a1、p、q、m及a具有與化學式3中相同的定義。
如請求項1所述的雜環化合物，其中化學式2及3由以下化合物中的任一者表示：<figure><img align="absmiddle" height="793px" width="665px" file="d10011.TIF" alt="化學式ed10011.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10011.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="845px" width="627px" file="d10012.TIF" alt="化學式ed10012.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10012.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="837px" width="607px" file="d10013.TIF" alt="化學式ed10013.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10013.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="848px" width="617px" file="d10014.TIF" alt="化學式ed10014.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10014.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="843px" width="652px" file="d10015.TIF" alt="化學式ed10015.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10015.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="826px" width="642px" file="d10016.TIF" alt="化學式ed10016.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10016.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="834px" width="603px" file="d10017.TIF" alt="化學式ed10017.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10017.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="850px" width="626px" file="d10018.TIF" alt="化學式ed10018.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10018.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="843px" width="662px" file="d10019.TIF" alt="化學式ed10019.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10019.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="845px" width="630px" file="d10020.TIF" alt="化學式ed10020.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10020.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="827px" width="620px" file="d10021.TIF" alt="化學式ed10021.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10021.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="862px" width="660px" file="d10022.TIF" alt="化學式ed10022.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10022.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="850px" width="630px" file="d10023.TIF" alt="化學式ed10023.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10023.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="860px" width="652px" file="d10024.TIF" alt="化學式ed10024.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10024.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="831px" width="577px" file="d10025.TIF" alt="化學式ed10025.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10025.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="828px" width="610px" file="d10026.TIF" alt="化學式ed10026.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10026.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="839px" width="563px" file="d10027.TIF" alt="化學式ed10027.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10027.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="823px" width="579px" file="d10028.TIF" alt="化學式ed10028.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10028.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="836px" width="646px" file="d10029.TIF" alt="化學式ed10029.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10029.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="844px" width="611px" file="d10030.TIF" alt="化學式ed10030.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10030.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="820px" width="516px" file="d10031.TIF" alt="化學式ed10031.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10031.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="814px" width="560px" file="d10032.TIF" alt="化學式ed10032.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10032.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="830px" width="597px" file="d10033.TIF" alt="化學式ed10033.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10033.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="838px" width="605px" file="d10034.TIF" alt="化學式ed10034.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10034.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="882px" width="671px" file="d10035.TIF" alt="化學式ed10035.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10035.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="872px" width="658px" file="d10036.TIF" alt="化學式ed10036.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10036.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="883px" width="624px" file="d10037.TIF" alt="化學式ed10037.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10037.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="899px" width="596px" file="d10038.TIF" alt="化學式ed10038.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10038.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="879px" width="603px" file="d10039.TIF" alt="化學式ed10039.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10039.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="855px" width="566px" file="d10040.TIF" alt="化學式ed10040.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10040.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="859px" width="568px" file="d10041.TIF" alt="化學式ed10041.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10041.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="856px" width="595px" file="d10042.TIF" alt="化學式ed10042.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10042.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="856px" width="595px" file="d10043.TIF" alt="化學式ed10043.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10043.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="856px" width="602px" file="d10044.TIF" alt="化學式ed10044.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10044.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="867px" width="606px" file="d10045.TIF" alt="化學式ed10045.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10045.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="842px" width="605px" file="d10046.TIF" alt="化學式ed10046.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10046.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="873px" width="558px" file="d10047.TIF" alt="化學式ed10047.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10047.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="842px" width="586px" file="d10048.TIF" alt="化學式ed10048.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10048.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="846px" width="556px" file="d10049.TIF" alt="化學式ed10049.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10049.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="862px" width="552px" file="d10050.TIF" alt="化學式ed10050.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10050.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="867px" width="730px" file="d10051.TIF" alt="化學式ed10051.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10051.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="865px" width="649px" file="d10052.TIF" alt="化學式ed10052.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10052.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="563px" width="668px" file="d10053.TIF" alt="化學式ed10053.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10053.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="860px" width="655px" file="d10054.TIF" alt="化學式ed10054.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10054.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="856px" width="635px" file="d10055.TIF" alt="化學式ed10055.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10055.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="849px" width="651px" file="d10056.TIF" alt="化學式ed10056.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10056.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="860px" width="605px" file="d10057.TIF" alt="化學式ed10057.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10057.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1022px" width="682px" file="d10058.TIF" alt="化學式ed10058.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10058.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="863px" width="654px" file="d10059.TIF" alt="化學式ed10059.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10059.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="856px" width="672px" file="d10060.TIF" alt="化學式ed10060.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10060.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="869px" width="659px" file="d10061.TIF" alt="化學式ed10061.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10061.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="843px" width="668px" file="d10062.TIF" alt="化學式ed10062.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10062.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="827px" width="626px" file="d10063.TIF" alt="化學式ed10063.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10063.png"/></figure>
一種有機發光元件，包括：第一電極；第二電極，與所述第一電極相對設置；以及一個或多個有機材料層，設置在所述第一電極與所述第二電極之間，其中所述有機材料層中的一個或多個層包含如請求項1到4中任一項所述的雜環化合物。
如請求項5所述的有機發光元件，其中包含所述雜環化合物的所述有機材料層進一步包含由以下化學式A表示的雜環化合物；或者由以下化學式B表示的雜環化合物：<figure><img align="absmiddle" height="162px" width="509px" file="d10064.TIF" alt="化學式ed10064.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10064.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="164px" width="545px" file="d10065.TIF" alt="化學式ed10065.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10065.png"/></figure>在化學式A及B中，L101與L102彼此相同或不同，且各自獨立地是直接鍵；經取代或未經取代的C6至C60伸芳基；或者經取代或未經取代的C2至C60伸雜芳基；N-het是經取代或未經取代且包含一個或多個N的單環或多環雜環基；R101是經取代或未經取代的C1至C60烷基；經取代或未經取代的C6至C60芳基；經取代或未經取代的C2至C60雜芳基；或者-NR103R104；R102是氫；氘；經取代或未經取代的C1至C60烷基；經取代或未經取代的C6至C60芳基；經取代或未經取代的C2至C60雜芳基；或者-NR103R104；R301選自由以下組成的群組：氫；氘；鹵素；氰基；經取代或未經取代的C1至C60烷基；經取代或未經取代的C6至C60芳基；以及經取代或未經取代的C2至C60雜芳基；R103與R104彼此相同或不同，且各自獨立地是經取代或未經取代的C1至C60烷基；經取代或未經取代的C6至C60芳基；或者經取代或未經取代的C2至C60雜芳基；m1是為0到8的整數；m2是為0到6的整數；並且a11及a2是為0到4的整數，且當m1、m2、a11及a2為2或大於2時，括號中的取代基彼此相同或不同。
如請求項6所述的有機發光元件，其中由化學式A表示的所述雜環化合物是選自以下化合物中的任一者：<figure><img align="absmiddle" height="827px" width="657px" file="d10066.TIF" alt="化學式ed10066.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10066.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="875px" width="644px" file="d10067.TIF" alt="化學式ed10067.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10067.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="855px" width="596px" file="d10068.TIF" alt="化學式ed10068.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10068.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="856px" width="638px" file="d10069.TIF" alt="化學式ed10069.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10069.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="823px" width="634px" file="d10070.TIF" alt="化學式ed10070.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10070.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="820px" width="648px" file="d10071.TIF" alt="化學式ed10071.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10071.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="872px" width="649px" file="d10072.TIF" alt="化學式ed10072.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10072.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="873px" width="622px" file="d10073.TIF" alt="化學式ed10073.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10073.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="859px" width="667px" file="d10074.TIF" alt="化學式ed10074.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10074.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="803px" width="662px" file="d10075.TIF" alt="化學式ed10075.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10075.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="768px" width="659px" file="d10076.TIF" alt="化學式ed10076.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10076.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="846px" width="672px" file="d10077.TIF" alt="化學式ed10077.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10077.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="830px" width="667px" file="d10078.TIF" alt="化學式ed10078.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10078.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="767px" width="700px" file="d10079.TIF" alt="化學式ed10079.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10079.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="849px" width="674px" file="d10080.TIF" alt="化學式ed10080.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10080.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="581px" width="697px" file="d10081.TIF" alt="化學式ed10081.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10081.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="873px" width="628px" file="d10082.TIF" alt="化學式ed10082.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10082.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="866px" width="632px" file="d10083.TIF" alt="化學式ed10083.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10083.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="847px" width="692px" file="d10084.TIF" alt="化學式ed10084.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10084.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="852px" width="688px" file="d10085.TIF" alt="化學式ed10085.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10085.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="849px" width="648px" file="d10086.TIF" alt="化學式ed10086.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10086.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="837px" width="658px" file="d10087.TIF" alt="化學式ed10087.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10087.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="827px" width="611px" file="d10088.TIF" alt="化學式ed10088.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10088.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="892px" width="701px" file="d10089.TIF" alt="化學式ed10089.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10089.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="860px" width="658px" file="d10090.TIF" alt="化學式ed10090.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10090.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="843px" width="596px" file="d10091.TIF" alt="化學式ed10091.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10091.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="879px" width="678px" file="d10092.TIF" alt="化學式ed10092.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10092.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="840px" width="685px" file="d10093.TIF" alt="化學式ed10093.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10093.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="814px" width="638px" file="d10094.TIF" alt="化學式ed10094.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10094.png"/></figure>
如請求項6所述的有機發光元件，其中化學式B的所述雜環化合物由以下化合物中的任一者表示：<figure><img align="absmiddle" height="787px" width="692px" file="d10095.TIF" alt="化學式ed10095.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10095.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="873px" width="685px" file="d10096.TIF" alt="化學式ed10096.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10096.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="843px" width="664px" file="d10097.TIF" alt="化學式ed10097.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10097.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="892px" width="692px" file="d10098.TIF" alt="化學式ed10098.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10098.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="860px" width="635px" file="d10099.TIF" alt="化學式ed10099.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10099.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="870px" width="695px" file="d10100.TIF" alt="化學式ed10100.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10100.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="1017px" width="658px" file="d10101.TIF" alt="化學式ed10101.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10101.png"/></figure>
如請求項5所述的有機發光元件，其中所述有機材料層包括發光層，且所述發光層包含化學式2及3的所述雜環化合物。
如請求項5所述的有機發光元件，其中所述有機材料層包括發光層，所述發光層包含主體材料，且所述主體材料包括化學式2及3的所述雜環化合物。
如請求項5所述的有機發光元件，進一步包括選自由發光層、電洞注入層、電洞轉移層、電子注入層、電子轉移層、電子阻擋層及電洞阻擋層組成的群組的一個、兩個或更多個層。
一種用於有機發光元件的有機材料層的組合物，所述組合物包含：如請求項1到4中任一項所述的雜環化合物；以及由以下化學式A或以下化學式B表示的雜環化合物，其中，在所述組合物中，所述雜環化合物：由化學式A或化學式B表示的所述雜環化合物具有為1：10到10：1的重量比：<figure><img align="absmiddle" height="164px" width="515px" file="d10102.TIF" alt="化學式ed10102.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10102.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="162px" width="520px" file="d10103.TIF" alt="化學式ed10103.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10103.png"/></figure>其中，在化學式A及B中，L101與L102彼此相同或不同，且各自獨立地是直接鍵；經取代或未經取代的C6至C60伸芳基；或者經取代或未經取代的C2至C60伸雜芳基；N-het是經取代或未經取代且包含一個或多個N的單環或多環雜環基；R101是經取代或未經取代的C1至C60烷基；經取代或未經取代的C6至C60芳基；經取代或未經取代的C2至C60雜芳基；或者-NR103R104；R102是氫；氘；經取代或未經取代的C1至C60烷基；經取代或未經取代的C6至C60芳基；經取代或未經取代的C2至C60雜芳基；或者-NR103R104；R301選自由以下組成的群組：氫；氘；鹵素；氰基；經取代或未經取代的C1至C60烷基；經取代或未經取代的C6至C60芳基；以及經取代或未經取代的C2至C60雜芳基；R103與R104彼此相同或不同，且各自獨立地是經取代或未經取代的C1至C60烷基；經取代或未經取代的C6至C60芳基；或者經取代或未經取代的C2至C60雜芳基；m1是為0到8的整數；m2是為0到6的整數；並且a11及a2是為0到4的整數，且當m1、m2、a11及a2為2或大於2時，括號中的取代基彼此相同或不同。
一種用於製造有機發光元件的方法，所述方法包括：製備襯底；在所述襯底上形成第一電極；在所述第一電極上形成一個或多個有機材料層；以及在所述一個或多個有機材料層上形成第二電極，其中形成所述一個或多個有機材料層包括使用如請求項12所述的用於有機材料層的組合物。
如請求項13所述的用於製造有機發光元件的方法，其中形成所述一個或多個有機材料層包括在預混合化學式2及3的所述雜環化合物與化學式A的所述雜環化合物或化學式B的所述雜環化合物之後使用熱真空沉積方法。
一種光電子裝置(10; 32; 34; 36)，包含：軸向發光二極體(LED)之一陣列(15)，該等發光二極體各自包含一主動區(20)，該主動區(20)經組態以發射所具有的一發射光譜在一第一波長(λ<sub>C</sub>)處包含一最大值的一電磁輻射，該等發光二極體(LED) 經配置成具實質上恆定的節距的陣列，該陣列形成一光子晶體，該光子晶體經組態以能夠形成在至少一第二波長、一第三波長及一第四波長(λ<sub>T1</sub>, λ<sub>T2</sub>, λ<sub>T3</sub>)處放大該電磁輻射之強度的三個共振峰，其中該第二波長、該第三波長及該第四波長(λ<sub>T1</sub>, λ<sub>T2</sub>, λ<sub>T3</sub>)中之一者在430 nm至480 nm範圍內，其中該第二波長、該第三波長及該第四波長中之另一者(λ<sub>T2</sub>)在510 nm至570 nm範圍內，且其中該第二波長、該第三波長及該第四波長中之再另一者在600 nm至720 nm範圍內。
如請求項1所述之裝置，其中各主動區(20)經組態以發射所具有的一發射光譜具有大於100 nm的一半峰全幅值的該電磁輻射。
如請求項1所述之裝置，其中該光子晶體係一二維光子晶體。
如請求項1所述之裝置，其中該陣列中的該節距在400 nm至475 nm範圍內，且其中各發光二極體係圓柱形的，其中一平均直徑在270 nm至300 nm範圍內。
如請求項1所述之裝置，其中該等發光二極體(LED)係一基於III-V族或II-VI族化合物。
如請求項1所述之裝置，其中該等發光二極體(LED)由一電絕緣材料(24)分開，該電絕緣材料(24)具有在1.3至1.6、較佳地1.45至1.56範圍內的一折射率。
如請求項1所述之裝置，其中該主動區(20)之該發射光譜在該第二波長(λ<sub>T1</sub>)處具有能量。
如請求項7所述之裝置，進一步包含：一第一光學濾波器(F<sub>R</sub>)，該第一光學濾波器(F<sub>R</sub>)覆蓋發光二極體(LED)之該陣列(15)之至少一第一部分，該第一光學濾波器經組態以阻擋在包含該第一波長、該第三波長及該第四波長(λ<sub>C</sub>, λ<sub>T2</sub>, λ<sub>T3</sub>)的一第一波長範圍內的該放大輻射且允許在包含該第二波長(λ<sub>T1</sub>)的一第二波長範圍內的該放大輻射通過。
如請求項7所述之裝置，其中該主動區(20)之該發射光譜在該第三波長(λ<sub>T2</sub>)處具有能量。
如請求項9所述之裝置，進一步包含：一第二光學濾波器(F<sub>G</sub>)，該第二光學濾波器(F<sub>G</sub>)覆蓋發光二極體(LED)之該陣列(15)之至少一第二部分，該第二光學濾波器經組態以阻擋在包含該第一波長、該第二波長及該第四波長(λ<sub>C</sub>, λ<sub>CT1</sub>, λ<sub>T3</sub>)的一第三波長範圍內的該放大輻射且允許在包含該第三波長(λ<sub>T2</sub>)的一第四波長範圍內的該放大輻射通過。
如請求項9所述之裝置，其中該主動區(20)之該發射光譜在該第四波長(λ<sub>T3</sub>)處具有能量。
如請求項11所述之裝置，進一步包含：一第三光學濾波器(F<sub>B</sub>)，該第三光學濾波器(F<sub>B</sub>)覆蓋發光二極體(LED)之該陣列(15)之至少一第三部分，該第三光學濾波器經組態以阻擋在包含該第一波長、該第二波長及該第三波長(λ<sub>C</sub>, λ<sub>CT1</sub>, λ<sub>CT2</sub>)的一第五波長範圍內的該放大輻射且允許在包含該第四波長(λ<sub>T3</sub>)的一第六波長範圍內的該放大輻射通過。
如請求項1所述之裝置，包含：一支撐件(12)，該支撐件(12)在其上具有該等發光二極體(LED)，各發光二極體包含擱置於該支撐件上的一第一半導體部分(18)、與該第一半導體部分接觸的該主動區(20)及與該主動區(20)接觸的一第二半導體部分(22)之一堆疊。
如請求項13所述之裝置，其中該等發光二極體(LED)之該等第二半導體部分(22)覆蓋有一電傳導層(26)，該電傳導層(26)對由該等發光二極體(LED)發射的該輻射至少部分透明。
如請求項1所述之裝置，其中該等共振峰中之至少一者相對於其他共振峰衰減。
如請求項13所述之裝置，其中該等共振峰中之至少一者相對於其他共振峰衰減，其中至少部分該等發光二極體(LED)之該等第一半導體部分及該等第二半導體部分(18, 22)之側壁覆蓋有一護套(35)。
如請求項14所述之裝置，其中該等共振峰中之至少一者相對於其他共振峰衰減，其中該電傳導層(26)之覆蓋該等發光二極體(LED)之一第一群的一第一部分具有一第一厚度，且該電傳導層(26)之覆蓋該等發光二極體之一第二群的一第二部分具有小於該第一厚度的一第二厚度。
如請求項15所述之裝置，其中該等發光二極體之一第一群中之該等發光二極體(LED)由具有一第一折射率的一第一電絕緣材料(24)分開，且該等發光二極體之一第二群中之該等發光二極體(LED)由具有不同於該第一折射率的一第二折射率的一第二電絕緣材料分開。
一種製造一光電子裝置(10; 32; 34; 36)之方法，該光電子裝置(10; 32; 34; 36)包含：軸向發光二極體(LED)之一陣列(15)，該等發光二極體各自包含一主動區(20)，該主動區(20)經組態以發射所具有的一發射光譜在一第一波長(λ<sub>C</sub>)處包含一最大值的一電磁輻射，該等發光二極體(LED) 經配置成具實質上恆定的節距的陣列，該陣列形成一光子晶體，該光子晶體經組態以能夠形成在至少一第二波長、一第三波長及一第四波長(λ<sub>T1</sub>, λ<sub>T2</sub>, λ<sub>T3</sub>)處放大該電磁輻射之強度的三個共振峰，其中該第二波長、該第三波長及該第四波長(λ<sub>T1</sub>, λ<sub>T2</sub>, λ<sub>T3</sub>)中之一者在430 nm至480 nm範圍內，其中該第二波長、該第三波長及該第四波長中之另一者(λ<sub>T2</sub>)在510 nm至570 nm範圍內，且其中該第二波長、該第三波長及該第四波長中之再另一者在600 nm至720 nm範圍內。
如請求項19所述之方法，其中各主動區(20)經組態以發射所具有的一發射光譜具有大於100 nm的一半峰全幅值的該電磁輻射。
如請求項19所述之方法，其中形成該陣列(15)中之該等發光二極體(LED)之步驟包含以下步驟：<br/> - 將第二半導體部分(22)形成於一基板(42)上，該等第二半導體部分彼此分開該陣列之節距；<br/> - 將一主動區(20)形成於各第二半導體部分上；及<br/> - 將一第一半導體部分(18)形成於各主動區上。
如請求項19所述之方法，其中該等發光二極體分佈於發光二極體之至少一第一群及一第二群中，該方法包含以下步驟：將一第一光學濾波器形成於該第一群上及將一第二光學濾波器形成於該第二群上，該第二光學濾波器不同於該第一光學濾波器。
如請求項19所述之方法，包含以下步驟：在該形成該等發光二極體之後使該等共振峰中之至少一者相對於其他共振峰衰減。
一種用於語音生成的設備，包括： <br/>一個或多個處理器，被配置為： <br/>接收輸入語音信號； <br/>接收指示目標語音特徵的一個或多個控制參數； <br/>對所述輸入語音信號執行音頻特徵提取以生成所述輸入語音信號的梅爾標度頻譜圖、基頻（F0）特點或其組合；以及 <br/>使用多編碼器基於所述一個或多個控制參數來處理語音的輸入表示，以生成對應於音頻信號的編碼資料，所述音頻信號表示基於目標語音特徵的所述語音的版本，其中所述語音的輸入表示包括所述輸入語音信號的梅爾標度頻譜圖、基頻（F0）特點或其組合。
根據請求項1所述的設備，其中，所述一個或多個控制參數指示要使用其語音特徵的目標人物、目標情緒、目標語速或其組合。
根據請求項1所述的設備，其中，所述一個或多個處理器還被配置為基於所述輸入表示以及所述一個或多個控制參數生成合併的樣式資料，並且其中，所述合併的樣式資料在處理所述輸入表示期間由所述多編碼器使用。
根據請求項1所述的設備，其中，所述多編碼器包括： <br/>第一編碼器，被配置為獨立於所述一個或多個控制參數對所述輸入表示進行編碼以生成第一編碼資料；以及 <br/>一個或多個第二編碼器，被配置為基於所述一個或多個控制參數對所述輸入表示進行編碼以生成第二編碼資料， <br/>其中，所述編碼資料包括所述第一編碼資料和所述第二編碼資料。
根據請求項4所述的設備，其中，所述一個或多個處理器還被配置為： <br/>在語音特徵編碼器處，基於所述一個或多個控制參數中的至少一個，處理所述輸入表示以生成編碼的輸入語音表示； <br/>在編碼器前置網路處，至少部分地基於所述編碼的輸入語音表示，生成合併的樣式資料； <br/>將所述輸入表示提供給所述第一編碼器以生成所述第一編碼資料；以及 <br/>將所述合併的樣式資料提供給所述一個或多個第二編碼器以生成所述第二編碼資料。
根據請求項4所述的設備，還包含多編碼器變換器，其包括所述多編碼器和解碼器，其中所述第一編碼器包括第一注意力網路，其中所述一個或多個第二編碼器中的每一個包括第二注意力網路，並且其中所述解碼器包括與所述第一注意力網路以及所述一個或多個第二編碼器中的每一個所述第二注意力網路不同的解碼器注意力網路。
根據請求項6所述的設備，其中： <br/>所述第一編碼器包括： <br/>第一層，包括所述第一注意力網路，其中所述第一注意力網路對應於第一多頭注意力網路；以及 <br/>第二層，包括第一神經網路，以及 <br/>所述一個或多個第二編碼器中的每一個包括： <br/>第一層，包括所述第二注意力網路，其中所述第二注意力網路對應於第二多頭注意力網路；以及 <br/>第二層，包括第二神經網路。
根據請求項4所述的設備，還包括： <br/>解碼器，耦合到所述多編碼器，所述解碼器包括解碼器網路，所述解碼器網路被配置為基於所述第一編碼資料和所述第二編碼資料生成輸出頻譜資料；以及 <br/>語音合成器，被配置為基於所述輸出頻譜資料生成所述音頻信號，所述音頻信號表示基於所述目標語音特徵的所述語音的版本。
根據請求項8所述的設備，其中，所述解碼器網路包括解碼器注意力網路，所述解碼器注意力網路包括： <br/>第一多頭注意力網路，被配置為處理所述第一編碼資料； <br/>一個或多個第二多頭注意力網路，被配置為處理所述第二編碼資料；以及 <br/>組合器，被配置為將所述第一多頭注意力網路的輸出和所述一個或多個第二多頭注意力網路的輸出進行組合。
根據請求項9所述的設備，其中，所述解碼器還包括： <br/>一個被掩蔽的多頭注意力網路，耦合到所述解碼器注意力網路的輸入；以及 <br/>解碼器神經網路，耦合到所述解碼器注意力網路的輸出。
根據請求項1所述的設備，其中，所述一個或多個處理器還被配置為： <br/>從所述音頻信號生成一個或多個估計的控制參數；以及 <br/>基於所述一個或多個控制參數與所述一個或多個估計的控制參數的比較，訓練所述多編碼器、一個或多個語音特徵編碼器、編碼器前置網路、解碼器網路、或其組合的一個或多個神經網路權重。
根據請求項1所述的設備，其中，還包含麥克風，其中所述一個或多個處理器被配置為經由所述麥克風接收所述輸入語音信號。
根據請求項1所述的設備，其中，所述一個或多個處理器還被配置為從語音儲存庫接收所述輸入語音信號。
根據請求項1所述的設備，其中，所述一個或多個處理器被配置為接收包含所述輸入語音信號與視頻信號的輸入信號。
一種語音生成的方法，包括： <br/>在設備處接收輸入語音信號； <br/>在所述設備處，接收指示目標語音特徵的一個或多個控制參數； <br/>在所述設備處，對所述輸入語音信號執行音頻特徵提取以生成所述輸入語音信號的梅爾標度頻譜圖、基頻（F0）特點或其組合；以及 <br/>使用多編碼器基於所述一個或多個控制參數來處理語音的輸入表示，以生成對應於音頻信號的編碼資料，所述音頻信號表示基於目標語音特徵的所述語音的版本，其中所述語音的輸入表示包括所述輸入語音信號的梅爾標度頻譜圖、基頻（F0）特點或其組合。
根據請求項15所述的方法，其中，所述一個或多個控制參數指示要使用其語音特徵的目標人物、目標情緒、目標語速或其組合。
根據請求項15所述的方法，還包含在所述設備處，基於所述輸入表示以及所述一個或多個控制參數生成合併的樣式資料，其中，所述合併的樣式資料在處理所述輸入表示期間由所述多編碼器使用。
根據請求項15所述的方法，還包括： <br/>在所述多編碼器的第一編碼器處，獨立於所述一個或多個控制參數對所述輸入表示進行編碼以生成第一編碼資料；以及 <br/>在所述多編碼器的一個或多個第二編碼器處，基於所述一個或多個控制參數對所述輸入表示進行編碼以生成第二編碼資料， <br/>其中，所述編碼資料包括所述第一編碼資料和所述第二編碼資料。
根據請求項18所述的方法，還包括： <br/>在語音特徵編碼器處，基於所述一個或多個控制參數中的至少一個，處理所述輸入表示以生成編碼的輸入語音表示； <br/>在編碼器前置網路處，至少部分地基於所述編碼的輸入語音表示，生成合併的樣式資料； <br/>將所述輸入表示提供給所述第一編碼器以生成所述第一編碼資料；以及 <br/>將所述合併的樣式資料提供給所述一個或多個第二編碼器以生成所述第二編碼資料。
根據請求項18所述的方法，其中，多編碼器變換器中包括所述多編碼器和解碼器，其中所述第一編碼器包括第一注意力網路，其中所述一個或多個第二編碼器中的每一個包括第二注意力網路，並且其中所述解碼器包括解碼器注意力網路。
根據請求項20所述的方法，其中： <br/>所述第一編碼器包括： <br/>第一層，包括所述第一注意力網路，其中所述第一注意力網路對應於第一多頭注意力網路；以及 <br/>第二層，包括第一神經網路，以及 <br/>所述一個或多個第二編碼器中的每一個包括： <br/>第一層，包括所述第二注意力網路，其中所述第二注意力網路對應於第二多頭注意力網路；以及 <br/>第二層，包括第二神經網路。
根據請求項18所述的方法，還包括： <br/>在解碼器的解碼器網路處，基於所述第一編碼資料和所述第二編碼資料生成輸出頻譜資料；以及 <br/>在語音合成器處，基於所述輸出頻譜資料生成所述音頻信號，所述音頻信號表示基於所述目標語音特徵的所述語音的版本。
根據請求項22所述的方法，還包括： <br/>在解碼器注意力網路的第一多頭注意力網路處，處理所述第一編碼資料，其中所述解碼器網路包括所述解碼器注意力網路； <br/>在所述解碼器注意力網路的一個或多個第二多頭注意力網路處，處理所述第二編碼資料；以及 <br/>在組合器處，將所述第一多頭注意力網路的輸出和所述一個或多個第二多頭注意力網路的輸出進行組合。
根據請求項15所述的方法，還包括： <br/>在所述設備處，從所述音頻信號生成一個或多個估計的控制參數；以及 <br/>基於所述一個或多個控制參數與所述一個或多個估計的控制參數的比較，訓練所述多編碼器、一個或多個語音特徵編碼器、編碼器前置網路、解碼器網路、或其組合的一個或多個神經網路權重。
根據請求項15所述的方法，其中所述輸入語音信號經由麥克風被接收。
根據請求項15所述的方法，其中所述輸入語音信號從語音儲存庫被接收。
一種儲存指令的非暫態電腦可讀儲存媒體，所述指令當由一個或多個處理器執行時使所述一個或多個處理器： <br/>接收輸入語音信號； <br/>接收指示目標語音特徵的一個或多個控制參數； <br/>對所述輸入語音信號執行音頻特徵提取以生成所述輸入語音信號的梅爾標度頻譜圖、基頻（F0）特點或其組合；以及 <br/>使用多編碼器基於所述一個或多個控制參數來處理語音的輸入表示，以生成對應於音頻信號的編碼資料，所述音頻信號表示基於目標語音特徵的所述語音的版本，其中所述語音的輸入表示包括所述輸入語音信號的梅爾標度頻譜圖、基頻（F0）特點或其組合。
根據請求項27所述的非暫態電腦可讀儲存媒體，其中所述指令當由所述一個或多個處理器執行時使所述一個或多個處理器接收包含所述輸入語音信號與視頻信號的輸入信號。
一種用於語音生成的裝置，包括： <br/>用於接收輸入語音信號的構件； <br/>用於接收指示目標語音特徵的一個或多個控制參數的構件； <br/>用於對所述輸入語音信號執行音頻特徵提取以生成所述輸入語音信號的梅爾標度頻譜圖、基頻（F0）特點或其組合的構件；以及 <br/>用於使用多編碼器基於所述一個或多個控制參數來處理語音的輸入表示以生成對應於音頻信號的編碼資料的構件，所述音頻信號表示基於目標語音特徵的所述語音的版本，其中所述語音的輸入表示包括所述輸入語音信號的梅爾標度頻譜圖、基頻（F0）特點或其組合。
根據請求項29所述的裝置，其中，所述用於接收所述輸入語音信號的構件、所述用於接收所述一個或多個控制參數的構件、所述用於執行音頻特徵提取的構件，和所述用於處理所述輸入表示的構件被整合到虛擬助理、家用電器、智慧型設備、物聯網（IoT）設備、通信設備、耳機、載具、電腦、顯示設備、電視、遊戲控制台、音樂播放器、收音機、視頻播放器、娛樂裝置、個人媒體播放器、數位視頻播放器、相機或導航設備中的至少一個。
一種3-羥丁酸結晶的製造方法，特徵在於其包含冷凍乾燥含3-羥丁酸之溶液的步驟，且<br/> 將前述3-羥丁酸的總量設為100質量%時，<br/> (1)R體含量為95~100質量%以上，或<br/> (2)S體含量為95~100質量%以上。
如請求項1之3-羥丁酸結晶的製造方法，其中前述含3-羥丁酸之溶液中的溶劑為極性溶劑。
如請求項1或2之3-羥丁酸結晶的製造方法，其中前述極性溶劑為水。
一種3-羥丁酸的結晶多形體，其在粉末X射線繞射圖譜中，於2θ＝11.9±0.2°、12.1±0.2°、15.0±0.2°、18.8±0.2°、及20.9±0.2°具有繞射峰值。
一種製造一冷板之方法，該方法包括： <br/>使一流體回路由一粉末構建材料以一逐層方式形成於一構建表面上，該流體回路包括： <br/>複數個周邊壁； <br/>其中該複數個周邊壁之各者至少部分地界定一主通道；且 <br/>其中該等周邊壁之一縱向延伸周邊壁係該複數個周邊壁之一第一周邊壁且經形成以包含經構形以允許過量構建材料通過之孔隙，且其中該等周邊壁之該縱向延伸周邊壁由一多孔材料及複數個鰭片之一者形成；及 <br/>一中心壁，其至少部分地界定該主通道及流體連接至該主通道之複數個輔助通道； <br/>藉由使用一搖動、振動或真空技術透過該複數個周邊壁之該第一周邊壁排出該過量構建材料而透過該等孔隙移除過量構建材料； <br/>使一外蓋形成於該冷板上；及 <br/>在移除該過量構建材料之後，密封該複數個周邊壁之該第一周邊壁， <br/>其中該複數個周邊壁係安置於該冷板之一側壁之一內側上。
如請求項1之方法，其中該流體回路使用一基於粉末之積層製造技術形成。
如請求項1之方法，其中密封該等周邊壁之該第一周邊壁包括使用一焊接或銅焊技術將一固體材料附接至該等周邊壁之該第一周邊壁。
如請求項1之方法，其中該複數周邊壁之該第一周邊壁鄰接該複數個周邊壁之一第二周邊壁，該複數個周邊壁之該第二周邊壁包括一流體入口及一流體出口之一者。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>形成具有延伸穿過其中之複數個第三級通道之該中心壁。
如請求項5之方法，其中該複數個第三級通道之一第一通道流體連接該複數個輔助通道之一第一通道及該主通道。
如請求項6之方法，其中該複數個第三級通道之一第二通道流體連接該複數個輔助通道之該第一通道及該複數個輔助通道之一第二通道。
如請求項5之方法，其中該複數個第三級通道之至少一者包括鰭片。
如請求項5之方法，其中該複數個第三級通道之至少一者包括一多孔材料及經構形以允許一定量之流體流過其中之一柵格結構之一者。
一種光阻劑組成物，其包含：包含第一重複單元的第一聚合物，該第一重複單元包含酸不穩定基團；和第二聚合物，該第二聚合物包含衍生自一種或多種具有式(4)的單體的重複單元；光酸產生劑；以及溶劑，<figure><img align="absmiddle" height="121px" width="219px" file="d10001.TIF" alt="化學式ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/></figure>其中，在式(4)中，Z<sup>1</sup>和Z<sup>2</sup>各自獨立地是單鍵或包含以下中的一個或多個的二價連接基團：取代或未取代的C<sub>1-30</sub>伸烷基、取代或未取代的C<sub>1-30</sub>伸雜烷基、取代或未取代的C<sub>3-30</sub>伸環烷基、取代或未取代的C<sub>2-30</sub>伸雜環烷基、取代或未取代的C<sub>6-30</sub>伸芳基、取代或未取代的C<sub>1-30</sub>伸雜芳基、-O-、-C(O)-、-N(R<sup>3</sup>)-、-S-、或-S(O)<sub>2</sub>-，其中R<sup>3</sup>係氫、取代或未取代的C<sub>1-20</sub>烷基、取代或未取代的C<sub>1-20</sub>雜烷基、取代或未取代的C<sub>3-20</sub>環烷基、或取代或未取代的C<sub>2-20</sub>雜環烷基，R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>各自獨立地是取代或未取代的C<sub>1-30</sub>烷基、取代或未取代的C<sub>1-30</sub>雜烷基、取代或未取代的C<sub>3-30</sub>環烷基、取代或未取代的C<sub>2-30</sub>雜環烷基、取代或未取代的C<sub>2-30</sub>烯基、取代或未取代的C<sub>6-30</sub>芳基、取代或未取代的C<sub>7-30</sub>芳基烷基、取代或未取代的C<sub>7-30</sub>烷基芳基、取代或未取代的C<sub>1-30</sub>雜芳基、取代或未取代的C<sub>2-30</sub>雜芳基烷基、取代或未取代的C<sub>2-30</sub>烷基雜芳基、-OR<sup>4</sup>、或-N(R<sup>5</sup>)<sub>2</sub>，其中R<sup>4</sup>和R<sup>5</sup>各自獨立地是取代或未取代的C<sub>1-30</sub>烷基、取代或未取代的C<sub>1-30</sub>雜烷基、取代或未取代的C<sub>3-30</sub>環烷基、取代或未取代的C<sub>2-20</sub>雜環烷基、取代或未取代的C<sub>6-30</sub>芳基、取代或未取代的C<sub>7-30</sub>芳基烷基、取代或未取代的C<sub>7-30</sub>烷基芳基、取代或未取代的C<sub>1-30</sub>雜芳基、取代或未取代的C<sub>2-30</sub>雜芳基烷基、或取代或未取代的C<sub>2-30</sub>烷基雜芳基，L係單鍵或多價連接基團，並且P係可聚合基團，其中，該第一聚合物與該第二聚合物的重量比係1：1至1,000：1。
如請求項1所述之光阻劑組成物，其中，該第一聚合物的第一重複單元衍生自一種或多種具有式(1a)、(1b)、(1c)、(1d)或(1e)的單體：<figure><img align="absmiddle" height="161px" width="622px" file="d10002.TIF" alt="化學式ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/></figure>其中，R<sup>a</sup>係氫、氟、氰基、取代或未取代的C<sub>1-10</sub>烷基、或取代或未取代的C<sub>1-10</sub>氟烷基；R<sup>7</sup>至R<sup>12</sup>各自獨立地是氫、直鏈或支鏈的C<sub>1-20</sub>烷基、單環或多環的C<sub>3-20</sub>環烷基、單環或多環的C<sub>2-20</sub>雜環烷基、直鏈或支鏈的C<sub>2-20</sub>烯基、單環或多環的C<sub>3-20</sub>環烯基、單環或多環的C<sub>3-20</sub>雜環烯基、單環或多環的C<sub>6-20</sub>芳基、或者單環或多環的C<sub>1-20</sub>雜芳基，其中的每一個係取代或未取代的；前提係R<sup>7</sup>至R<sup>9</sup>中僅一個可以是氫並且R<sup>10</sup>至R<sup>12</sup>中僅一個可以是氫；R<sup>7</sup>至R<sup>9</sup>中的任何兩個一起可以形成環，並且R<sup>7</sup>至R<sup>9</sup>中的每一個可以進一步包含作為其結構的一部分的選自-O-、-C(O)-、-C(O)-O-、-S-、-S(O)<sub>2</sub>-、以及-N(R<sup>19</sup>)-S(O)<sub>2</sub>-的一個或多個基團，其中R<sup>19</sup>係氫、直鏈或支鏈的C<sub>1-20</sub>烷基、單環或多環的C<sub>3-20</sub>環烷基、或者單環或多環的C<sub>2-20</sub>雜環烷基；R<sup>10</sup>至R<sup>12</sup>中的任何兩個一起可以形成環，並且R<sup>10</sup>至R<sup>12</sup>中的每一個可以進一步包含作為其結構的一部分的選自-O-、-C(O)-、-C(O)-O-、-S-、-S(O)<sub>2</sub>-、以及-N(R<sup>20</sup>)-S(O)<sub>2</sub>-的一個或多個基團，其中R<sup>20</sup>係氫、直鏈或支鏈的C<sub>1-20</sub>烷基、單環或多環的C<sub>3-20</sub>環烷基、或者單環或多環的C<sub>2-20</sub>雜環烷基；L<sup>1</sup>係包含至少一個碳原子、至少一個雜原子或其組合的二價連接基團；R<sup>13</sup>至R<sup>14</sup>各自獨立地是氫、直鏈或支鏈的C<sub>1-20</sub>烷基、單環或多環的C<sub>3-20</sub>環烷基、單環或多環的C<sub>2-20</sub>雜環烷基、單環或多環的C<sub>6-20</sub>芳基、或單環或多環的C<sub>1-20</sub>雜芳基，其中除氫之外的每一個係取代或未取代的，R<sup>15</sup>係直鏈或支鏈的C<sub>1-20</sub>烷基、單環或多環的C<sub>3-20</sub>環烷基、或單環或多環的C<sub>2-20</sub>雜環烷基，其中的每一個係取代或未取代的，其中R<sup>13</sup>或R<sup>14</sup>之一視需要與R<sup>15</sup>一起形成雜環；R<sup>16</sup>至R<sup>18</sup>各自獨立地是直鏈或支鏈的C<sub>1-20</sub>烷基、單環或多環的C<sub>3-20</sub>環烷基、單環或多環的C<sub>2-20</sub>雜環烷基、單環或多環的C<sub>6-20</sub>芳基、或單環或多環的C<sub>1-20</sub>雜芳基，其中的每一個係取代或未取代的；R<sup>16</sup>至R<sup>18</sup>中的任何兩個一起可以形成環，並且R<sup>16</sup>至R<sup>18</sup>中的每一個可以進一步包含作為其結構的一部分的選自-O-、-C(O)-、-C(O)-O-、-S-、-S(O)<sub>2</sub>-、以及N(R<sup>21</sup>)-S(O)<sub>2</sub>-的一個或多個基團，其中R<sup>21</sup>係氫、直鏈或支鏈的C<sub>1-20</sub>烷基、單環或多環的C<sub>3-20</sub>環烷基、或者單環或多環的C<sub>2-20</sub>雜環烷基；X<sup>a</sup>係選自降莰基和乙烯基的可聚合基團；n係0或1；並且L<sup>2</sup>係單鍵或二價連接基團，其前提係當X<sup>a</sup>係乙烯基時，L<sup>2</sup>不是單鍵。
如請求項1所述之光阻劑組成物，其中，該第一聚合物進一步包含衍生自一種或多種具有式(2)的單體的重複單元：<figure><img align="absmiddle" height="144px" width="119px" file="d10003.TIF" alt="化學式ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/></figure>其中，R<sup>b</sup>係氫、氟、氰基、取代或未取代的C<sub>1-10</sub>烷基、或取代或未取代的C<sub>1-10</sub>氟烷基；L<sup>3</sup>係單鍵或包含以下中的一個或多個的二價連接基團：取代或未取代的C<sub>1-30</sub>伸烷基、取代或未取代的C<sub>1-30</sub>伸雜烷基、取代或未取代的C<sub>3-30</sub>伸環烷基、取代或未取代的C<sub>2-30</sub>伸雜環烷基、取代或未取代的C<sub>6-30</sub>伸芳基、取代或未取代的C<sub>7-30</sub>芳基伸烷基、或取代或未取代的C<sub>1-30</sub>伸雜芳基、或取代或未取代的C<sub>2-30</sub>雜芳基伸烷基，其中L<sup>3</sup>可以進一步包含選自-O-、-C(O)-、-C(O)-O-、-S-、-S(O)<sub>2</sub>-和-N(R<sup>23</sup>)-S(O)<sub>2</sub>-的一個或多個基團，其中R<sup>23</sup>係氫、直鏈或支鏈的C<sub>1-20</sub>烷基、單環或多環的C<sub>3-20</sub>環烷基、或單環或多環的C<sub>2-20</sub>雜環烷基；並且R<sup>22</sup>係單環、多環或稠合多環的含有C<sub>4-20</sub>內酯的基團、或單環、多環或稠合多環的含有C<sub>4-20</sub>磺內酯的基團。
如請求項1所述之光阻劑組成物，其中，該第一聚合物進一步包含衍生自一種或多種具有式(3)的單體的重複單元：<figure><img align="absmiddle" height="129px" width="174px" file="d10004.TIF" alt="化學式ed10004.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10004.png"/></figure>其中，R<sup>c</sup>係氫、氟、氰基、取代或未取代的C<sub>1-10</sub>烷基、或取代或未取代的C<sub>1-10</sub>氟烷基；Q<sup>1</sup>係以下中的一個或多個：取代或未取代的C<sub>1-30</sub>伸烷基、取代或未取代的C<sub>3-30</sub>伸環烷基、取代或未取代的C<sub>2-30</sub>伸雜環烷基、取代或未取代的C<sub>6-30</sub>伸芳基、取代或未取代的C<sub>1-30</sub>伸雜芳基、或-C(O)-O-；並且W係包含以下的鹼溶性基團：-C(O)-OH；-C(CF<sub>3</sub>)<sub>2</sub>OH；醯胺；醯亞胺；或-NH-S(O)<sub>2</sub>-Y<sup>1</sup>，其中Y<sup>1</sup>係F或C<sub>1-4</sub>全氟烷基；並且a係1至3的整數。
如請求項1所述之光阻劑組成物，其中，該第二聚合物包含衍生自一種或多種具有式(4a)的單體的重複單元：<figure><img align="absmiddle" height="154px" width="208px" file="d10005.TIF" alt="化學式ed10005.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10005.png"/></figure>其中，R<sup>a</sup>係氫、氟、氰基、取代或未取代的C<sub>1-10</sub>烷基、或取代或未取代的C<sub>1-10</sub>氟烷基；L係單鍵或多價連接基團；Z<sup>1</sup>和Z<sup>2</sup>係相同的，其中Z<sup>1</sup>和Z<sup>2</sup>選自單鍵、-O-、包含具有式-C(O)-的基團的二價連接基團、或包含具有式-C(O)-O-的基團的二價連接基團；並且R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>各自獨立地是取代或未取代的C<sub>1-30</sub>烷基。
如請求項1所述之光阻劑組成物，其中，L係具有式-C(O)-C<sub>1-10</sub>伸烷基-O-的基團；Z<sup>1</sup>和Z<sup>2</sup>各自係-O-；並且R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>各自獨立地是取代或未取代的C<sub>1-30</sub>烷基。
如請求項1所述之光阻劑組成物，其中，該光酸產生劑係非聚合的。
如請求項1所述之光阻劑組成物，其進一步包含：可光分解的淬滅劑、鹼性淬滅劑、或其組合。
一種圖案形成方法，其包括：(a)在基底上施加如請求項1至8中任一項所述之光阻劑組成物的層；(b)將該光阻劑組成物層以圖案方式暴露於活化輻射；以及(c)使所暴露的光阻劑組成物層顯影以提供抗蝕劑浮雕圖像。
一種基板，包括：<br/>一芯層；<br/>至少部分地位於該芯層中的一匹配結構，該匹配結構包括：<br/>複數個第一匹配互連，包括：<br/>在該匹配結構中垂直延伸的一第一匹配通孔；和<br/>在該匹配結構中水平延伸的一第一匹配跡線，<br/>其中該第一匹配通孔和該第一匹配跡線橫向位於該芯層；<br/>在該匹配結構中垂直延伸的至少一個第二匹配互連，其中該複數個第一匹配互連和該至少一個第二匹配互連被配置用於偏斜匹配；及<br/>至少橫向位於該芯層的至少一個結構介電層；<br/>耦合到該芯層的一第一表面的至少一個第一介電層；及<br/>耦合到該芯層的一第二表面的至少一個第二介電層。
如請求項1所述的基板，其中該至少一個結構介電層至少部分地位於該芯層中，及<br/>其中該芯層是位於該至少一個第一介電層和該至少一個第二介電層之間的一單芯層。
如請求項1所述的基板，其中該匹配結構進一步包括一結構芯層，其中垂直延伸的該複數個第一匹配互連的至少一部分和垂直延伸的該第二匹配互連的至少一部分位於該結構芯層的一腔內。
如請求項1所述的基板，<br/>其中該複數個第一匹配互連被配置成為一正信號提供一電路徑；並且<br/>其中該至少一個第二匹配互連被配置成為一負信號提供一電路徑。
如請求項4所述的基板，其中該正信號和該負信號被配置為一對差分信號。
如請求項1所述的基板，其中該複數個第一匹配互連和該至少一個第二匹配互連被配置為一對差分匹配互連。
如請求項1所述的基板，其中該至少一個第二匹配互連包括互連的至少一個轉彎。
如請求項1所述的基板，其中兩個第一端子之間的包括該複數個第一匹配互連的一第一電路徑距離與兩個第二端子之間的包括該至少一個第二匹配互連的一第二電路徑距離近乎相同。
如請求項1所述的基板，<br/>其中該複數個第一匹配互連在該匹配結構的該至少一個結構介電層中垂直和水平延伸；並且<br/>其中該至少一個第二匹配互連在該匹配結構的該至少一個結構介電層中垂直延伸。
如請求項1所述的基板，其中該基板被併入從包括以下各項的一群組中選擇的一裝置中：一音樂播放機、一視訊播放機、一娛樂單元、一導航裝置、一通訊裝置、一行動裝置、一行動電話、一智慧型電話、一個人數位助理、一固定位置終端、一平板電腦、一電腦、一可穿戴裝置、一膝上型電腦、一伺服器、一物聯網路（IoT）裝置、以及一機動交通工具中的一裝置。
一種封裝，包括：<br/>一集成裝置；及<br/>耦合到該集成裝置的一基板，該基板包括：<br/>一芯層；<br/>至少部分地位於該芯層中的一匹配結構，該匹配結構包括：<br/>複數個第一匹配互連，包括：<br/>在該匹配結構中垂直延伸的一第一匹配通孔；和<br/>在該匹配結構中水平延伸的一第一匹配跡線，<br/>其中該第一匹配通孔和該第一匹配跡線橫向位於該芯層；<br/>在該匹配結構中垂直延伸的至少一個第二匹配互連，其中該至少一個第一匹配互連和該至少一個第二匹配互連被配置用於偏斜匹配；及<br/>至少橫向位於該芯層的至少一個結構介電層；<br/>耦合到該芯層的一第一表面的至少一個第一介電層；及<br/>耦合到該芯層的一第二表面的至少一個第二介電層。
如請求項11所述的封裝，其中該至少一個結構介電層至少部分地位於該芯層中，及<br/>其中該芯層是位於該至少一個第一介電層和該至少一個第二介電層之間的一單芯層。
如請求項11所述的封裝，其中該匹配結構進一步包括一結構芯層，其中垂直延伸的該複數個第一匹配互連的至少一部分和垂直延伸的該第二匹配互連的至少一部分位於該結構芯層的一腔內。
如請求項11所述的封裝，<br/>其中該複數個第一匹配互連被配置成為一正信號提供一電路徑；並且<br/>其中該至少一個第二匹配互連被配置成為一負信號提供一電路徑。
如請求項14所述的封裝，其中該正信號和該負信號被配置為一對差分信號。
如請求項11所述的封裝，其中該複數個第一匹配互連和該至少一個第二匹配互連被配置為一對差分互連。
如請求項11所述的封裝，其中兩個第一端子之間的包括該複數個第一匹配互連的一第一電路徑距離與兩個第二端子之間的包括該至少一個第二匹配互連的一第二電路徑距離近乎相同。
一種設備，包括：<br/>一芯層；<br/>至少部分地位於該芯層中的用於偏斜匹配的構件，該用於偏斜匹配的構件包括：<br/>在該芯層中垂直和水平延伸的用於偏斜匹配的一第一構件；及<br/>在該用於偏斜匹配的構件中垂直延伸的用於偏斜匹配的一第二構件，其中用於偏斜匹配的該第一構件和用於偏斜匹配的該第二第二構件被配置成為一第一信號和一第二信號提供時間信號匹配；和<br/>至少橫向位於該芯層的至少一個結構介電層；<br/>耦合到該芯層的一第一表面的至少一個第一介電層；及<br/>耦合到該芯層的一第二表面的至少一個第二介電層。
如請求項18所述的設備，<br/>其中用於偏斜匹配的該第一構件被配置成為一正信號提供一電路徑；並且<br/>其中用於偏斜匹配的該第二構件被配置成為一負信號提供一電路徑。
如請求項18所述的設備，其中兩個第一端子之間的包括用於偏斜匹配的該第一構件的一第一電路徑距離與兩個第二端子之間的包括用於偏斜匹配的該第二構件的一第二電路徑距離近乎相同。
一種用於製造一基板的方法，包括以下步驟：<br/>提供具有至少一個腔的一芯層；<br/>將一匹配結構放置在該芯層的該至少一個腔中，該匹配結構包括：<br/>在該匹配結構中垂直和水平延伸的至少一個第一匹配互連；<br/>在該匹配結構中垂直延伸的至少一個第二匹配互連，其中該至少一個第一匹配互連和該至少一個第二匹配互連被配置用於偏斜匹配；及<br/>至少橫向位於該芯層的至少一個結構介電層；<br/>將至少一個第一介電層形成到該芯層的一第一表面上方；及<br/>將至少一個第二介電層形成到該芯層的一第二表面上方。
如請求項21所述的方法，其中該匹配結構進一步包括：<br/>一結構芯層，其中垂直延伸的該第一匹配互連的至少一部分和垂直延伸的該第二匹配互連的至少一部分位於該結構芯層的一腔內。
如請求項21所述的方法，<br/>其中該至少一個第一匹配互連被配置成為一正信號提供一電路徑；並且<br/>其中該至少一個第二匹配互連被配置成為一負信號提供一電路徑。
如請求項21所述的方法，其中兩個第一端子之間的包括該至少一個第一匹配互連的一第一電路徑距離與兩個第二端子之間的包括該至少一個第二匹配互連的一第二電路徑距離近乎相同。
一種在行動設備中抑制噪音的方法，所述方法包括： <br/>接收來自另一行動設備的包括語音信號及所述噪音的聲音信號； <br/>偵測所接收的聲音信號中的噪音； <br/>識別所接收的聲音信號中的噪音； <br/>在用戶介面(UI)中顯示所識別的噪音； <br/>從所述UI接收對所顯示的所識別的噪音的選擇；以及 <br/>從所接收的聲音信號中過濾所接收的對所顯示的所識別的噪音的選擇以輸出所述語音信號，其中具有經訓練的神經網路的機器學習模組係用以偵測和識別所接收的聲音信號中的所述噪音。
根據請求項1所述的方法，還包括： <br/>發送所述經過濾的聲音信號。
根據請求項2所述的方法，其中，所述聲音信號是從麥克風產生的。
根據請求項3所述的方法，其中，所述經過濾的聲音信號被發送到另一行動設備。
根據請求項3所述的方法，還包括： <br/>將所接收的聲音信號從類比信號轉換為數位信號。
根據請求項2所述的方法，其中，所述經過濾的聲音信號被發送到揚聲器。
根據請求項6所述的方法，還包括： <br/>將所述經過濾的聲音信號從數位信號轉換為類比信號。
根據請求項1所述的方法，還包括： <br/>使用所述行動設備的位置來識別所接收的聲音信號中的所述噪音。
根據請求項1所述的方法，其中，所述UI在所述經識別的噪音旁顯示核取方塊，以接收所顯示的所識別的噪音的所述選擇。
一種行動設備，包括： <br/>記憶體；以及 <br/>通信地耦接到所述記憶體的處理器，所述處理器被配置為： <br/>接收來自另一行動設備的包括語音信號及噪音的聲音信號； <br/>利用具有經訓練的神經網路的機器學習模組偵測所接收的聲音信號中的所述噪音； <br/>利用具有所述經訓練的神經網路的所述機器學習模組識別所接收的聲音信號中的所述噪音； <br/>在用戶介面(UI)中顯示所識別的噪音； <br/>從所述UI接收對所顯示的所識別的噪音的選擇；以及 <br/>從所接收的聲音信號中過濾所接收的對所顯示的所識別的噪音的選擇以輸出所述語音信號。
根據請求項10所述的行動設備，還包括： <br/>收發器，其被配置為發送經過濾的聲音信號。
根據請求項11所述的行動設備，其中，所述經過濾的聲音信號被發送到揚聲器。
根據請求項12所述的行動設備，還包括： <br/>編解碼器，其被配置為將所接收的經過濾的聲音信號從數位信號轉換為類比信號。
根據請求項10所述的行動設備，還包括： <br/>麥克風，其被配置為從所述行動設備的用戶接收所述聲音信號。
根據請求項14所述的行動設備，還包括： <br/>編解碼器，其被配置為將所接收的聲音信號從類比信號轉換為數位信號。
根據請求項10所述的行動設備，其中，所述經過濾的聲音信號被發送到另一行動設備。
根據請求項10所述的行動設備，其中，所述處理器還被配置為使用所述行動設備的位置來識別所接收的聲音信號中的噪音。
根據請求項10所述的行動設備，其中，所述UI在經識別的噪音旁顯示核取方塊，以接收所顯示的所識別的噪音的所述選擇。
一種行動設備，包括： <br/>用於接收來自另一個行動設備的包括語音信號及所述噪音的聲音信號的構件； <br/>用於偵測所接收的聲音信號中的噪音的構件； <br/>用於識別所接收的聲音信號中的噪音的構件； <br/>用於利用具有經訓練的神經網路的機器學習模組偵測和識別所接收的聲音信號中的所述噪音的構件； <br/>用於在用戶介面(UI)中顯示所識別的噪音的構件； <br/>用於從所述UI接收對所顯示的所識別的噪音的選擇的構件；以及 <br/>用於從所接收的聲音信號中過濾所接收的對所顯示的所識別的噪音的選擇的構件。
根據請求項19所述的行動設備，還包括： <br/>用於發送經過濾的聲音信號的構件。
根據請求項19所述的行動設備，還包括： <br/>用於使用所述行動設備的位置來識別所接收的聲音信號中的噪音的構件。
根據請求項19所述的行動設備，其中，所述UI在經識別的噪音旁顯示核取方塊，以接收所顯示的所識別的噪音的所述選擇。
一種包括碼的非暫時性計算機可讀儲存媒體，所述碼在由處理器執行時使所述處理器在行動設備中抑制聲音信號中的噪音，所述非暫時性計算機可讀儲存媒體包括： <br/>用於接收來自另一個行動設備的包括語音信號及所述噪音的聲音信號的碼； <br/>用於偵測所接收的聲音信號中的噪音的碼； <br/>用於識別所接收的聲音信號中的噪音的碼； <br/>用於利用具有經訓練的神經網路的機器學習模組偵測和識別所接收的聲音信號中的所述噪音的碼； <br/>用於在用戶介面(UI)中顯示所識別的噪音的碼； <br/>用於從所述UI接收對所顯示的所識別的噪音的選擇的碼；以及 <br/>用於從所接收的聲音信號中過濾所接收的對所顯示的所識別的噪音的選擇以輸出所述語音信號的碼。
根據請求項23所述的非暫時性計算機可讀儲存媒體，還包括： <br/>用於發送經過濾的聲音信號的碼。
根據請求項23所述的非暫時性計算機可讀儲存媒體，還包括： <br/>用於使用所述行動設備的位置來識別所接收的聲音信號中的噪音的碼。
根據請求項23所述的非暫時性計算機可讀儲存媒體，還包括：<br/>用於在經識別的噪音旁顯示核取方塊，以接收所顯示的所識別的噪音的所述選擇的碼。
一種吊具，係固定於貨物的安裝面上，並於所述貨物的懸掛作業時使用， <br/>所述吊具之特徵在於，包括： <br/>旋轉連結部件，係以所述貨物的安裝面的垂直方向為軸進行旋轉，以及 <br/>錨固件，係具有與設置在所述貨物的安裝面上的內螺紋部螺合之外螺紋部，並對所述旋轉連結部件進行樞轉支撐； <br/>所述旋轉連結部件具有： <br/>主體部， <br/>設置於所述主體部的上方之拱形的樑部，以及 <br/>藉由在所述主體部的上部設置所述樑部而形成之開口部； <br/>所述樑部的寬度方向上的兩端部所具有的兩個側面中之至少任一側面的至少一部分係為下述形狀：在俯視觀察所述旋轉連結部件時，於所述樑部的延伸方向上的所述樑部的中點、或從所述中點沿所述延伸方向偏移既定量的位置向外側突出之形狀。
如請求項1所述之吊具，其中， <br/>所述側面係藉由使朝向外側彎折的至少兩個平面接合而構成； <br/>在俯視觀察所述旋轉連結部件時，所述側面的頂點係配置於經過所述樑部的延伸方向上的中點且沿與所述樑部的延伸方向垂直的方向延伸之直線上。
如請求項1所述之吊具，其中， <br/>所述側面係藉由使朝向外側彎折的至少兩個平面接合而構成； <br/>在俯視觀察所述旋轉連結部件時，所述側面的頂點係配置於從所述樑部的延伸方向上的中點向所述樑部的兩端部的任一端部側偏移既定量之位置。
如請求項1所述之吊具，其中， <br/>所述開口部設置為所述開口部的中心軸與所述旋轉連結部件的旋轉軸垂直。
如請求項1所述之吊具，其中， <br/>與所述旋轉連結部件卡合之鏈節係插通於所述開口部。
如請求項5所述之吊具，其中， <br/>所述鏈節係將棒部件彎曲成橢圓形狀而成，所述橢圓形狀具有兩個半圓弧部和連接所述兩個半圓弧部的兩個直線部； <br/>所述開口部的直徑比所述棒部件的直徑大，且比設於所述鏈節的兩個半圓弧部的最大半徑小。
如請求項1所述之吊具，其中， <br/>所述錨固件具有將所述旋轉連結部件呈旋轉自如地加以連結之配件連結部； <br/>所述配件連結部的上表面的外形大於所述主體部的下表面的外形。
一種基板台，其包含： <br/>一核心主體，其包含： <br/>複數個瘤節，其經組態以支撐一物件，其中該複數個瘤節包括： <br/>一第一瘤節，其安置於該核心主體之一第一區中；及 <br/>一第二瘤節，其安置於該核心主體之一第二區中，其中該第二瘤節之一長度大於該第一瘤節之一長度，且其中該第二瘤節之一硬度小於該第一瘤節之一硬度；及 <br/>複數個溝槽，其中該複數個溝槽包括： <br/>一第一溝槽，其包圍該第一瘤節；及 <br/>一第二溝槽，其包圍該第二瘤節，其中該第一溝槽之一深度小於該第二溝槽之一深度， <br/>其中該複數個瘤節中之每一瘤節係由該複數個溝槽中之一各別溝槽包圍。
如請求項1之基板台，其中： <br/>該核心主體之至少一部分係由經矽化碳化矽(SiSiC)或碳化矽(SiC)形成； <br/>該複數個瘤節之至少一部分係由類金剛石碳(DLC)、氮化鋁(AlN)、氮化矽(SiN)或氮化鉻(CrN)形成；及/或 <br/>該複數個瘤節中之至少一個瘤節具有小於約10兆牛頓/米(10<sup>7</sup> Nm<sup>-</sup><sup>1</sup>)之一硬度。
如請求項1之基板台，其中： <br/>該第一瘤節具有： <br/>朝向該第一瘤節之一頂部之一第一錐角；及 <br/>朝向該第一瘤節之一底部之一第二錐角；及/或 <br/>該核心主體進一步經組態以連接至包含經組態以收納該核心主體之該複數個瘤節的複數個孔隙之一靜電板，使得該核心主體之該複數個瘤節與該靜電板之該複數個孔隙對齊。
一種用於製造一基板台之設備，該設備包含： <br/>一真空板，其包含： <br/>複數個真空連接件；及 <br/>複數個凹槽，其經組態以收納一核心主體之複數個瘤節，其中該複數個瘤節包括： <br/>一第一瘤節，其安置於該核心主體之一第一區中；及 <br/>一第二瘤節，其安置於該核心主體之一第二區中，其中該第二瘤節之一長度大於該第一瘤節之一長度，且其中該第二瘤節之一硬度小於該第一瘤節之一硬度。
如請求項4之設備，其中該真空板之至少一部分係由熔融矽石形成，及/或其中該真空板之一硬度小於該核心主體之一硬度。
如請求項4之設備，其中該真空板經組態以： <br/>將該核心主體安裝至一靜電板，該靜電板包含經組態以收納該核心主體之該複數個瘤節之複數個孔隙， <br/>其中該真空板之該複數個凹槽經組態以與該靜電板之該複數個孔隙對齊。
如請求項6之設備，其中該真空板經組態以回應於一真空至該真空板之該複數個真空連接件之一施加而將該靜電板真空夾持至該真空板。
如請求項6之設備，其中： <br/>該真空板之一硬度小於該核心主體之一硬度； <br/>該真空板之該硬度大於該靜電板之一硬度，及/或 <br/>該真空板包含一塗層，該塗層安置在該真空板之面向該靜電板之一表面的至少一部分上。
如請求項6之設備，其中： <br/>該真空板包含一電極層，該電極層包含一或多個電極；且 <br/>該真空板經組態以回應於一或多個電壓至該真空板之該電極層中的該一或多個電極中之一或多者之一施加而靜電地將該靜電板夾持至該真空板。
一種用於製造一基板台之系統，該系統包含： <br/>一真空總成，其包含一柔性層(compliant layer)，其中該柔性層包含： <br/>第一複數個瘤節，其經組態以支撐一真空板，其中該真空板經組態以附接至一核心主體，其中該核心主體包含安置在其上的第二複數個瘤節，該第二複數個瘤節包括： <br/>一第一瘤節，其安置於該核心主體之一第一區中；及 <br/>一第二瘤節，其安置於該核心主體之一第二區中，其中該第二瘤節之一長度大於該第一瘤節之一長度，且其中該第二瘤節之一硬度小於該第一瘤節之一硬度；及 <br/>複數個真空連接件。
如請求項10之系統，其中： <br/>該第一複數個瘤節包含： <br/>瘤節之一第一子集，其安置於該柔性層之一第一區中；及 <br/>瘤節之一第二子集，其安置於該柔性層之一第二區中，其中瘤節之該第一子集之一第一瘤節間間隔(inter-burl spacing)小於瘤節之該第二子集之一第二瘤節間間隔。
如請求項10之系統，其中： <br/>該第一複數個瘤節之一第一圖案對應於該第二複數個瘤節之一第二圖案。
如請求項10之系統，其中： <br/>該複數個真空連接件為一第一複數個真空連接件； <br/>該真空總成進一步包含一歧管(manifold)； <br/>該歧管包含一第二複數個真空連接件；且 <br/>該第二複數個真空連接件經組態以與該第一複數個真空連接件對齊。
如請求項13之系統，其中： <br/>該柔性層進一步包含一第一大氣壓力連接件； <br/>該歧管進一步包含一第二大氣壓力連接件；且 <br/>該第二大氣壓力連接件經組態以與該第一大氣壓力連接件對齊。
一種吊具，係安裝於貨物上，並且包括連接吊起部件的旋轉配件，所述吊具之特徵在於， <br/>所述旋轉配件包括： <br/>錨固件，係固定於所述貨物的安裝面上， <br/>旋轉連結部件，係利用與所述貨物的安裝面垂直的旋轉軸樞轉支撐於所述錨固件， <br/>第一軸承，係將所述旋轉連結部件支撐為相對於所述錨固件旋轉自如，以及 <br/>第二軸承，係將所述旋轉連結部件支撐為相對於所述錨固件旋轉自如，並且相對於所述第一軸承在所述旋轉軸的軸向上分離； <br/>所述旋轉連結部件上設置有向所述錨固件突出的旋轉軸部； <br/>所述錨固件上設置有安裝於所述貨物的固定部和與所述固定部一體化的配件連結部； <br/>所述配件連結部上設置有供所述旋轉軸部插通的連結凹部； <br/>所述第一軸承具有：從所述連結凹部的內壁面凹陷之外接凹槽，從所述旋轉軸部的外周面凹陷並且與所述外接凹槽相對向之內接凹槽，以及被插入到由所述內接凹槽和所述外接凹槽形成的環形通路中之多個第一軸承滾珠； <br/>所述第二軸承具有：設置於供所述旋轉軸部插入的所述連結凹部的開口部分並且從內徑側向外徑側凹陷之外接階梯部，設置於所述旋轉軸部的根部部分並且與所述外接階梯部相對向之內接階梯部，以及被插入到由所述外接階梯部和所述內接階梯部形成的環形通路中之多個第二軸承滾珠。
如請求項1所述之吊具，其中， <br/>所述固定部包括錨固件座部，所述錨固件座部具有與所述貨物的安裝面緊貼之支撐面。
如請求項1所述之吊具，其中， <br/>所述第二軸承滾珠的直徑係設置成小於所述第一軸承滾珠的直徑。
如請求項2所述之吊具，其中， <br/>所述第二軸承滾珠的直徑係設置成小於所述第一軸承滾珠的直徑。
如請求項1至4中任一項所述之吊具，其中， <br/>在所述配件連結部中之所述連結凹部的開口部分的周圍，突出形成有從與所述軸向垂直的第一軸向面向所述旋轉連結部件突出之凸狀部； <br/>從所述外接階梯部的底部至所述凸狀部的頂部之所述軸向上的突出高度，係設置成大於所述第二軸承滾珠的直徑。
如請求項5所述之吊具，其中， <br/>所述旋轉連結部件上設置有從與所述第一軸向面相對的第二軸向面凹陷之對向凹部； <br/>藉由所述凸狀部進入所述對向凹部而形成迷宮結構。
一種吊具的製造方法，所述吊具係安裝於貨物上並且包括連接吊起部件的旋轉配件，所述吊具的製造方法之特徵在於， <br/>所述旋轉配件包括： <br/>錨固件，係固定於所述貨物的安裝面上， <br/>旋轉連結部件，係利用與所述貨物的安裝面垂直的旋轉軸樞轉支撐於所述錨固件， <br/>第一軸承，係將所述旋轉連結部件支撐為相對於所述錨固件旋轉自如，以及 <br/>第二軸承，係將所述旋轉連結部件支撐為相對於所述錨固件旋轉自如，並且相對於所述第一軸承在所述旋轉軸的軸向上分離； <br/>所述旋轉連結部件上設置有向所述錨固件突出的旋轉軸部； <br/>所述錨固件上設置有安裝於所述貨物的固定部和與所述固定部一體化的配件連結部； <br/>所述配件連結部上設置有供所述旋轉軸部插通的連結凹部； <br/>所述第一軸承具有：從所述連結凹部的內壁面凹陷之外接凹槽，從所述旋轉軸部的外周面凹陷並且與所述外接凹槽相對向之內接凹槽，以及被插入到由所述內接凹槽和所述外接凹槽形成的環形通路中之多個第一軸承滾珠； <br/>所述第二軸承具有：設置於供所述旋轉軸部插入的所述連結凹部的開口部分並且從內徑側向外徑側凹陷之外接階梯部，設置於所述旋轉軸部的根部部分並且與所述外接階梯部相對向之內接階梯部，以及被插入到由所述外接階梯部和所述內接階梯部形成的環形通路中之多個第二軸承滾珠； <br/>並且，所述吊具的製造方法執行以下步驟： <br/>軸部插入步驟，係將所述旋轉軸部向所述連結凹部插入既定深度； <br/>夾具配置步驟，係繼所述軸部插入步驟之後或者所述軸部插入步驟之前，將夾具配置於所述錨固件與所述旋轉連結部件在與所述軸向垂直的方向上相對的相對部位，在所述相對部位上形成所述第二軸承滾珠能夠移動的間隙； <br/>前滾珠配置步驟，係將多個所述第二軸承滾珠插入藉由所述夾具配置步驟形成的間隙中，並使多個所述第二軸承滾珠配置於所述外接階梯部； <br/>夾具拆卸步驟，係在所述前滾珠配置步驟之後，將所述夾具從所述相對部位拆卸並將所述旋轉軸部插入到所述連結凹部的內側，形成所述外接階梯部和所述內接階梯部雙方與所述第二軸承滾珠抵接之狀態； <br/>後滾珠配置步驟，係在所述夾具拆卸步驟之後，從自所述配件連結部的外周面至所述外接凹槽之投入孔插入多個所述第一軸承滾珠，形成使多個所述第一軸承滾珠與所述外接凹槽和所述內接凹槽雙方抵接之狀態；以及 <br/>封閉步驟，係在所述後滾珠配置步驟之後，將所述投入孔封閉。
一種光學補償膜，其包含：(a)聚(α,β,β-三氟苯乙烯)；及(b)藉由包含以下之單體之聚合製備之丙烯酸共聚物：(i)以基於(i)及(ii)之總重量計70重量%至95重量%之量之甲基丙烯酸甲酯(MMA)；及(ii)以基於(i)及(ii)之總重量計5重量%至30重量%之量之一或多種非MMA的乙烯性不飽和單體，該乙烯性不飽和單體選自包含丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸正己酯、甲基丙烯酸正己酯、丙烯酸2-甲氧基乙酯、丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸2-乙基己酯及其組合之群，其中該丙烯酸共聚物具有65℃至98℃之玻璃化轉變溫度(T<sub>g</sub>)，且其中該光學補償膜具有在15μm至50μm之膜厚度下量測之小於2.25%之霧度、5%至15%之斷裂伸長率及2GPa至4GPa之楊氏模量。
如請求項1之光學補償膜，其中該光學補償膜包含：(a)基於(a)及(b)之總重量計20重量%至50重量%聚(α,β,β-三氟苯乙烯)；及(b)基於(a)及(b)之總重量計50重量%至80重量%丙烯酸共聚物。
如請求項1之光學補償膜，其中該光學補償膜包含：(a)基於(a)及(b)之總重量計30重量%至45重量%之該聚(α,β,β-三氟苯乙烯)；及(b)基於(a)及(b)之總重量計55重量%至70重量%之該丙烯酸共聚物。
如請求項1至3中任一項之光學補償膜，其中該丙烯酸共聚物包含：(i)基於(i)及(ii)之總重量計80重量%至90重量%之該MMA；及(ii)基於(i)及(ii)之總重量計10重量%至20重量%之該一或多種非MMA的乙烯性不飽和單體。
如請求項1至3中任一項之光學補償膜，其中該一或多種非MMA的乙烯性不飽和單體係選自由丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸2-乙基己酯及其組合組成之群。
如請求項1至3中任一項之光學補償膜，其中該丙烯酸共聚物具有85℃至98℃之T<sub>g</sub>。
如請求項1至3中任一項之光學補償膜，其中該光學補償膜具有小於1.5%之霧度。
如請求項1至3中任一項之光學補償膜，其中該光學補償膜具有7%至15%之斷裂伸長率。
如請求項1至3中任一項之光學補償膜，其中該光學補償膜具有2.5GPa至3.5GPa之楊氏模量。
如請求項1至3中任一項之光學補償膜，其中該光學補償膜藉由溶液澆鑄製備。
如請求項1至3中任一項之光學補償膜，其中該光學補償膜藉由擠出製備。
如請求項1至3中任一項之光學補償膜，其中該光學補償膜經單軸或雙軸拉伸。
如請求項12之光學補償膜，其中該經拉伸之光學補償膜為具有在15μm至30μm之膜厚度下在550nm之光波長下量測之-80nm至-300nm之平面內阻滯(R<sub>e</sub>)及40nm至200nm之平面外阻滯(R<sub>th</sub>)的負性A-板或正性雙軸膜。
一種多層膜，其包含如請求項13之負性A-板及具有n<sub>x</sub>>n<sub>y</sub>=n<sub>z</sub>之折射率譜之正性A-板。
一種多層膜，其包含如請求項13之正性雙軸膜及具有n<sub>x</sub>>n<sub>y</sub>>n<sub>z</sub>之折射率譜之負性雙軸膜。
一種封裝，包括：<br/> 一集成裝置，該集成裝置包括：<br/> 一第一芯；和<br/> 一第二芯；及<br/> 耦合到該集成裝置的一基板，該基板包括：<br/> 一第一功率互連，其被配置成提供用於一第一功率資源至該集成裝置的該第一芯的一第一電路徑； <br/> 一第二功率互連，其被配置成提供用於一第二功率資源至該集成裝置的該第二芯的一第二電路徑；及<br/> 耦合到該第一功率互連和該第二功率互連的一開關，其中若該開關被接通，則該開關被配置成使得來自該第二功率資源的至少一些功率資源能夠貢獻於該集成裝置的該第一芯，<br/> 其中該第一功率資源和該第二功率資源是一電網資源的一部分，該電網資源被配置成耦合到一或多個功率管理集成裝置。
如請求項1所述的封裝，其中若該開關被關斷，則該開關被配置成使得來自該第二功率資源的該功率不經由該開關貢獻於該第一芯。
如請求項1所述的封裝，其中該開關包括至少一個電晶體。
如請求項3所述的封裝，其中該至少一個電晶體包括一源極互連、一汲極互連、一溝道和一閘極互連。
如請求項1所述的封裝， <br/> 其中該第一功率互連包括一第一功率平面，並且<br/> 其中該第二功率互連包括一第二功率平面。
如請求項5所述的封裝，其中該第一功率平面和該第二功率平面位於該基板的一同一金屬層上。
如請求項1所述的封裝，其中該開關被配置成由該集成裝置來控制。
如請求項1所述的封裝，進一步包括耦合到該第一功率互連和該第二功率互連的一第二開關，其中若該第二開關被接通，則該第二開關被配置成使得來自該第二功率資源的至少一些該功率資源能夠貢獻於該集成裝置的該第一芯。
如請求項1所述的封裝， <br/> 其中該集成裝置進一步包括一第三芯，<br/> 其中該基板進一步包括：<br/> 一第三功率互連，其被配置成提供用於一第三功率資源至該集成裝置的該第三芯的一第三電路徑；及<br/> 耦合到該第三功率互連和該第二功率互連的一第二開關，其中若該第二開關被接通，則該第二開關被配置成使得來自該第二功率資源的至少一些該功率資源能夠貢獻於該集成裝置的該第三芯。
如請求項1所述的封裝，其中若該開關被接通，則來自該第二功率資源的一些該功率資源貢獻於該集成裝置的該第一芯，且來自該第二功率資源的一些該功率資源貢獻於該集成裝置的該第二芯。
一種封裝，包含： <br/> 一集成裝置，該集成裝置包括：<br/> 一第一芯；和<br/> 一第二芯；及<br/> 耦合到該集成裝置的一基板，該基板包括：<br/> 一第一功率互連，其被配置成提供用於一第一功率資源至該集成裝置的該第一芯的一第一電路徑； <br/> 一第二功率互連，其被配置成提供用於一第二功率資源至該集成裝置的該第二芯的一第二電路徑；及<br/> 耦合到該第一功率互連和該第二功率互連的一開關，其中若該開關被接通，則該開關被配置成使得來自該第二功率資源的至少一些功率資源能夠貢獻於該集成裝置的該第一芯，<br/> 其中該第一功率資源包括來自一功率管理集成裝置的一第一電流，並且<br/> 其中該第二功率資源包括來自該功率管理集成裝置的一第二電流。
如請求項1所述的封裝，其中該集成裝置被配置成：<br/> 決定該集成裝置的該第一芯是否需要更多功率；並且<br/> 若決定該第一芯需要更多功率，則接通該開關以將該第二功率資源中的一些功率資源重新路由到該集成裝置的該第一芯。
如請求項12所述的封裝，其中該集成裝置被進一步配置成：<br/> 決定該集成裝置的該第一芯是否不需要更多功率；並且<br/> 若決定該第一芯不需要更多功率，則關斷該開關以停止經由該開關將該第二功率資源中的一些功率資源重新路由到該集成裝置的該第一芯。
如請求項13所述的封裝，其中該集成裝置被進一步配置成：<br/> 決定該集成裝置的該第一芯是否需要進一步的功率；並且<br/> 若決定該第一芯需要進一步的功率，則接通在耦合到該第一芯的該第一功率互連與耦合到該第二芯的該第二功率互連之間耦合的一第二開關，以將該第二功率資源中的更多功率資源重新路由到該集成裝置的該第一芯。
一種封裝，包括：<br/> 一第一集成裝置；<br/> 一第二集成裝置；及<br/> 耦合到該第一集成裝置和該第二集成裝置的一基板，該基板包括：<br/> 一第一功率互連，其被配置成提供用於一第一功率資源至該第一集成裝置的一第一電路徑；及<br/> 一第二功率互連，其被配置成提供用於一第二功率資源至該第二集成裝置的一第二電路徑；及<br/> 耦合到該第一功率互連和該第二功率互連的一開關，其中若該開關被接通，則該開關被配置成使得來自該第二功率資源的至少一些該功率資源能夠貢獻於該第一集成裝置，<br/> 其中該第一功率資源包括來自一功率管理集成裝置的一第一電流，並且<br/> 其中該第二功率資源包括來自該功率管理集成裝置的一第二電流。
如請求項15所述的封裝，其中若該開關被關斷，則該開關被配置成使得來自該第二功率資源的該功率不經由該開關貢獻於該第一集成裝置。
如請求項15所述的封裝，其中該開關包括至少一個電晶體。
如請求項17所述的封裝，其中該至少一個電晶體包括一源極互連、一汲極互連、一溝道和一閘極互連。
如請求項15所述的封裝，其中該開關被配置成由該第一集成裝置及/或該第二集成裝置來控制。
如請求項15所述的封裝，其中該第一功率資源和該第二功率資源是一電網資源的一部分，該電網資源被配置成耦合到一或多個功率管理集成裝置。
一種封裝，包含：<br/> 一第一集成裝置；<br/> 一第二集成裝置；及<br/> 耦合到該第一集成裝置和該第二集成裝置的一基板，該基板包括：<br/> 一第一功率互連，其被配置成提供用於一第一功率資源至該第一集成裝置的一第一電路徑；及<br/> 一第二功率互連，其被配置成提供用於一第二功率資源至該第二集成裝置的一第二電路徑；及<br/> 耦合到該第一功率互連和該第二功率互連的一開關，其中若該開關被接通，則該開關被配置成使得來自該第二功率資源的至少一些該功率資源能夠貢獻於該第一集成裝置，<br/> 其中該第一功率資源與該第二功率資源為一電網資源的一部分，該電網資源被配置成耦合到一或多個功率管理集成裝置。
如請求項15所述的封裝，其中該第一集成裝置被配置成：<br/> 決定該集成裝置是否需要更多功率；並且<br/> 若決定該第一集成裝置需要更多功率，則接通該開關以將該第二功率資源中的一些功率資源重新路由到該第一集成裝置。
如請求項22所述的封裝，其中該第一集成裝置被進一步配置成：<br/> 決定該第一集成裝置是否不需要更多功率；並且<br/> 若決定該第一集成裝置不需要更多功率，則關斷該開關以停止經由該開關將該第二功率資源中的一些功率資源重新路由到該第一集成裝置。
如請求項23所述的封裝，其中該第一集成裝置被進一步配置成：<br/> 決定該第一集成裝置是否需要進一步的功率；並且<br/> 若決定該第一集成裝置需要進一步的功率，則接通在耦合到該第一集成裝置的該第一功率互連與耦合到該第二集成裝置的該第二功率互連之間耦合的一第二開關，以將該第二功率資源中的更多功率資源重新路由到該第一集成裝置。
如請求項15所述的封裝，其中該封裝被併入從包括以下各項的一組中選擇的一裝置中：一音樂播放機、一視訊播放機、一娛樂單元、一導航裝置、一通訊裝置、一行動裝置、一行動電話、一智慧型電話、一個人數位助理、一固定位置終端、一平板電腦、一電腦、一可穿戴裝置、一膝上型電腦、一伺服器、一物聯網路（IoT）裝置、以及一機動交通工具中的一裝置。
一種用於將功率路由到集成裝置的方法，包括以下步驟：<br/> 操作包括一第一芯和一第二芯的一集成裝置，其中一第一功率資源被定向到該第一芯，並且一第二功率資源被定向到該第二芯；<br/> 決定該集成裝置的該第一芯需要更多功率；及<br/> 接通至少一個開關以將該第二功率資源中的一些功率資源重新路由到該集成裝置的該第一芯，<br/> 其中接通至少一個開關包括接通在耦合到該第一芯的一第一功率互連與耦合到該第二芯的一第二功率互連之間耦合的一些開關但不是全部該等開關。
如請求項26所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 決定該集成裝置的該第一芯不需要更多功率；及<br/> 關斷一或多個開關以停止將該第二功率資源中的至少一些功率資源重新路由到該集成裝置的該第一芯。
如請求項26所述的方法，其中接通至少一個開關包括接通在耦合到該第一芯的一第一功率互連與耦合到該第二芯的一第二功率互連之間耦合的全部該等開關。
如請求項26所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 決定該集成裝置的該第一芯需要進一步的功率；及<br/> 接通在耦合到該第一芯的該第一功率互連與耦合到該第二芯的該第二功率互連之間耦合的所有該等開關，以將該第二功率資源中的更多功率資源重新路由到該集成裝置的該第一芯。
如請求項26所述的方法，其中該第一功率資源和該第二功率資源行進穿過一功率管理集成裝置。
一種用於將功率路由至集成裝置的方法，包括以下步驟：<br/> 操作一第一集成裝置，其中一第一功率資源被定向到該第一集成裝置；<br/> 操作一第二集成裝置，其中一第二功率資源被定向到該第二集成裝置；<br/> 決定該第一集成裝置需要更多功率；及<br/> 接通至少一個開關以將該第二功率資源中的一些功率資源重新路由到該第一集成裝置，<br/> 其中接通至少一個開關包括接通在耦合到該第一集成裝置的一第一功率互連與耦合到該第二集成裝置的一第二功率互連之間耦合的一些開關但不是全部該等開關。
如請求項31所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 決定該第一集成裝置不需要更多功率；及<br/> 關斷一或多個開關以停止將該第二功率資源中的至少一些功率資源重新路由到該第一集成裝置。
如請求項31所述的方法，其中接通至少一個開關包括接通在耦合到該第一集成裝置的一第一功率互連與耦合到該第二集成裝置的一第二功率互連之間耦合全部該等開關。
如請求項31所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 決定該第一集成裝置需要進一步的功率；及<br/> 接通在耦合到該第一集成裝置的該第一功率互連與耦合到該第二集成裝置的該第二功率互連之間耦合的所有該等開關，以將該第二功率資源中的更多功率資源重新路由到該第一集成裝置。
如請求項31所述的方法，其中該第一功率資源和該第二功率資源行進穿過一功率管理集成裝置。
一種在提花式編織機(M)上之開口機構(7)，此機構包含：外殼(300)，其根據縱向方向(X100、X200、X300)延伸；至少一個可移動針鉤(13)，其藉由刀具(14)在該外殼中根據縱向方向在下死點位置與上死點位置之間移動，處於或接近該上死點位置，該針鉤可藉由選擇裝置(400)保持，該選擇裝置至少包含：<br/>電磁體(100)，其安裝且固定於該外殼(300)中且包括<br/>鐵磁芯(102)，其包含第一極面(S122)及第二極面(S124)，此等極面根據該縱向方向(X100、X200、X300)彼此偏移，及<br/>非磁性部分(104、106、108、110)，其與該鐵磁芯成一體，<br/>保持桿(200)，其經組態以在該可移動針鉤處於或接近其上死點位置時保持此可移動針鉤，該保持桿以可繞振盪軸線(A144)在遠離該電磁體之位置與接觸該電磁體之位置之間樞轉的方式安裝，且包含鐵磁性銜鐵(202)，該鐵磁性銜鐵與該等第一及第二極面以磁性方式相互作用以控制該保持桿繞該振盪軸線之角度位置，<br/>該開口機構之特徵在於：<br/>該電磁體之該非磁性部分包含用於該保持桿(200)繞該振盪軸線(A144)之樞轉移動的導引表面(S144)，此導引表面在遠端位置與接觸位置之間在徑向於該振盪軸線(A144)之方向上與該保持桿協作，且<br/>其中該導引表面(S144)為圓柱形的，其具有圓形基座，以該振盪軸線為中心。
如請求項1之在提花式編織機(M)上之開口機構(7)，其中該導引表面(S144)為導引軸(144)之外周邊表面，該保持桿(200)圍繞該導引軸以可樞轉方式安裝。
如請求項1之在提花式編織機(M)上之開口機構(7)，其中該電磁體之該非磁性部分亦包含凸緣(142)，該導引表面(S144)自該凸緣延伸，且其中用於收納該保持桿之部分(206)的容積(V1)根據徑向於該振盪軸線(A144)之方向藉由該導引表面(S144)且根據平行於該振盪軸線之方向藉由該凸緣(142)而劃定。
如請求項3之在提花式編織機(M)上之開口機構(7)，其中該導引表面(S144)為導引軸(144)之外周邊表面，該保持桿(200)圍繞該導引軸以可樞轉方式安裝，且其中該凸緣(142)圍繞該導引軸(144)之一個末端以環形配置。
如請求項3之在提花式編織機(M)上之開口機構(7)，其中該導引表面(S144)為導引軸(144)之外周邊表面，該保持桿(200)圍繞該導引軸以可樞轉方式安裝，其中該外殼(300)由用於收納該選擇裝置(400)之半殼(302)以及蓋(308)形成，該半殼及該蓋在該外殼之第二方向(Z300)上堆疊，該第二方向垂直於該縱向方向，其中該振盪軸線(A144)在該外殼之該第二方向(Z300)上延伸，其中該半殼(302)或該蓋(308)形成凹進外殼(344、336)，該凹進外殼之形狀與該導引軸(144)及圍繞中空外殼而形成之環形表面(338)互補，其中該導引軸(144)之與該凸緣(142)相對的自由末端(144E)嚙合於該中空外殼(344)中且根據該外殼之該第二方向(Z300)，壓抵此中空外殼之底部(346)，且其中根據該外殼之該第二方向(Z300)，該保持桿(200)之部分(206)配置於該凸緣與該環形表面之間。
如請求項1至5中任一項之在提花式編織機(M)上之開口機構(7)，其中該鐵磁芯(102)之該第一極面(S122)為以該振盪軸線(A144)為中心之圓柱體之部分，其中該保持桿之該銜鐵(202)之部分徑向於該振盪軸線(A144)而插入於該導引表面(S144)與該第一極面(S122)之間，且其中該導引表面(S144)與該保持桿之間的該協作確保在該保持桿之該接觸位置與該遠端位置之間，在該第一極面(S122)與該銜鐵之間不存在接觸。
如請求項6之在提花式編織機(M)上之開口機構(7)，其中該第一極面(S122)在穿過該振盪軸線(A144)且垂直於該縱向方向(X100、X200、X300)的橫向平面(P144)之任一側延伸，且其中以下兩者之間的比率介於0.2與0.4之間：一方面，該第一極面的相對於該橫向平面與該第二極面(S124)位於同一側之部分(S122A)的角度幅值(α1)；及另一方面，該第一極面之總角度幅值(α)。
如請求項6之在提花式編織機(M)上之開口機構(7)，其中以下兩者之間的比率等於0.33：一方面，該第一極面的相對於該橫向平面與該第二極面(S124)位於同一側之部分(S122A)的角度幅值(α1)；及另一方面，該第一極面之總角度幅值(α)。
如請求項1至5中任一項之在提花式編織機(M)上之開口機構(7)，其中該保持桿(200)之該銜鐵(202)包含外吸引表面(S208)，當該保持桿處於其接觸該電磁體之位置時，該外吸引表面與該第二極面相對，其中該保持桿(200)包含非磁性主體(204)，該非磁性主體與該銜鐵成一體且包含至少一個鄰接表面(S204)，該至少一個鄰接表面<br/>鄰近於該外吸引表面(S208)<br/>相對於該外吸引表面在該電磁體(100)之方向上突出<br/>當該保持桿處於其遠離該電磁體之位置時遠離該電磁體；且<br/>當該保持桿處於其接觸該電磁體之位置時與該電磁體接觸，<br/>且其中當該保持桿處於其接觸該電磁體之位置時，該外吸引表面(S208)遠離該第二極面(S124)。
如請求項1至5中任一項之在提花式編織機(M)上之開口機構(7)，其中該電磁體之該非磁性部分包含框架(104)，該框架包含該導引表面(S144)且由包覆模製於該鐵磁芯(102)上之聚合物材料製成。
如請求項1至5中任一項之在提花式編織機(M)上之開口機構(7)，其中該電磁體係藉由形式協作而固定於該外殼(300)中，其中根據該外殼之垂直於其縱向方向(X300)的方向(Z300)，將居中銷(146)裝配於居中外殼(320)中。
如請求項1至5中任一項之在提花式編織機(M)上之開口機構(7)，其中該電磁體之該非磁性部分包含框架(104)，該框架包含該導引表面(S144)，該框架係在其與該鐵磁芯(102)組裝之前形成，且一定量之聚合物材料(108)圍繞該芯及該框架延伸以將該電磁體固持於該外殼(300)中。
如請求項1至5中任一項之在提花式編織機(M)上之開口機構(7)，其中該選擇裝置(400)包含至少兩個保持桿(200)，該至少兩個保持桿在該外殼(300)中配置於同一縱向層級處，根據垂直於該縱向方向(X100、X200、X300)之方向(Y300)在該電磁體(100)之每一側，且各自與該鐵磁芯(102)之兩個下部極面(S124)中之一者及兩個上部極面(S122)中之一者相互作用，且其中各自與保持桿協作之該等導引表面(S144)形成於該電磁體之彼此成一體的部分(144)上。
如請求項1至5中任一項之在提花式編織機(M)上之開口機構(7)，其中該電磁體(100)之繞組(106)捲繞於該鐵磁芯(102)之在縱向上配置於該第一極面與該第二極面之間的中間部分(120)周圍，且與該鐵磁芯(102)之至少一個側向面(120C、120D)接觸。
如請求項1至5中任一項之在提花式編織機(M)上之開口機構(7)，其中該保持桿之第一縱向末端(206)的表面(S210)與該導引表面(S144)協作以用於使該桿在該遠端位置與該接觸位置之間樞轉，且其中在該機構之操作組態中，該保持桿(200)通常根據該縱向方向(X100、X200、X300)自該第一縱向末端(206)向下延伸。
一種提花式編織機(M)，其特徵在於其包含如請求項1至15中任一項之開口機構(7)。
一種工件處理片，具備： <br/>基材；以及 <br/>界面剝蝕層，積層在前述基材的一個面側上，可以在保持小工件的同時，因雷射光的照射而進行界面剝蝕， <br/>其特徵在於： <br/>前述基材為樹脂膜， <br/>前述界面剝蝕層含有紫外線吸收劑， <br/>前述界面剝蝕層中的前述紫外線吸收劑的含有量為1質量%以上、75質量%以下， <br/>前述紫外線吸收劑為參[2,4,6-[2-{4-（辛基-2-甲基乙酸酯）氧基-2-羥基苯基}]-1,3,5-三嗪、2-（2-羥基-4-[1-辛基氧羰基乙氧基]苯基）-4,6-雙（4-苯基苯基）-1,3,5-三嗪、2-（5-氯基-2H-苯并三唑-2-基）-6-（1,1-二甲基乙基）-4-甲基酚及2,2'-二羥基-4-甲氧基二苯甲酮的至少一種。
如請求項1所述的工件處理片，其中前述工件處理片在波長355nm的光線的吸光度為2.0以上。
如請求項1所述的工件處理片，其中前述工件處理片在波長355nm的光線的透過率為1.0%以下。
如請求項1所述的工件處理片，其中前述界面剝蝕層為黏著劑層。
如請求項4所述的工件處理片，其中構成前述黏著劑層的黏著劑為丙烯酸系黏著劑。
如請求項1所述的工件處理片，其中前述雷射光具有紫外區的波長。
如請求項1所述的工件處理片，其中在使前述界面剝蝕層產生界面剝蝕時，在該界面剝蝕所產生的位置形成氣泡。
如請求項1所述的工件處理片，其是為了藉由使前述界面剝蝕層中局部地產生的界面剝蝕，將複數個小工件之中的任意的小工件從前述界面剝蝕層選擇性地分離而使用，前述複數個小工件保持在前述界面剝蝕層中與前述基材相反的面上。
如請求項8所述的工件處理片，其中將保持在前述界面剝蝕層中與前述基材相反的面上的工件，藉由在該面上進行個片化而得到前述小工件。
如請求項8所述的工件處理片，其中前述小工件為選自半導體零件及半導體裝置中的至少一種。
如請求項8所述的工件處理片，其中前述小工件為選自次毫米發光二極體（mini LED）及微發光二極體（micro LED）中的發光二極體。
一種裝置製造方法，具備： <br/>準備步驟，在具備樹脂膜的基材、積層在前述基材的一個面側上且含有紫外線吸收劑的界面剝蝕層的工件處理片中，準備在前述界面剝蝕層側的面上保持有複數個小工件的積層體； <br/>配置步驟，以使前述積層體的前述小工件側的面，面對於可以收容前述小工件的對象物的方式配置前述積層體；以及 <br/>分離步驟，對前述積層體的前述界面剝離層的至少一個前述小工件所貼附的位置照射雷射光，藉由使前述界面剝蝕層的前述照射位置產生界面剝蝕，將產生前述界面剝離的位置所存在的前述小工件從前述工件處理片分離，以將前述小工件載置到前述對象物上， <br/>其特徵在於： <br/>前述界面剝蝕層中的前述紫外線吸收劑的含有量為1質量%以上、75質量%以下， <br/>前述紫外線吸收劑為參[2,4,6-[2-{4-（辛基-2-甲基乙酸酯）氧基-2-羥基苯基}]-1,3,5-三嗪、2-（2-羥基-4-[1-辛基氧羰基乙氧基]苯基）-4,6-雙（4-苯基苯基）-1,3,5-三嗪、2-（5-氯基-2H-苯并三唑-2-基）-6-（1,1-二甲基乙基）-4-甲基酚及2,2'-二羥基-4-甲氧基二苯甲酮的至少一種。
如請求項12所述的裝置製造方法，其中在前述準備步驟中，將保持在前述界面剝蝕層中與前述基材相反的面上的工件，藉由在前述面上進行個片化而得到前述小工件。
如請求項12所述的裝置製造方法，其中前述小工件為選自半導體零件及半導體裝置中的至少一種。
如請求項12所述的裝置製造方法，其中使用選自次毫米發光二極體及微發光二極體中的發光二極體作為前述小工件，製造具備複數個前述發光二極體的發光裝置。
如請求項15所述的裝置製造方法，其中前述發光裝置為顯示器。
一種用於執行數位微影的伺服器，該伺服器包括：<br/> 一記憶體，該記憶體包括一虛擬遮罩檔案，該虛擬遮罩檔案包括單元格，該等單元格包括形成一或多個多邊形的子單元格；以及<br/> 一控制器，該控制器耦接至該記憶體，該控制器被配置為：<br/> 接收一替換表，該替換表包括替換該虛擬遮罩檔案的該等單元格的指令；<br/> 根據該替換表用替換單元格替換該等單元格，以創建一經編輯的虛擬遮罩檔案；以及<br/> 其中基於來自該替換表的指令，該等替換單元格中之至少一者啟用、停用、移位或替換該等替換單元格的子單元格中之至少一者；<br/> 其中該伺服器可操作以用於基於該經編輯的虛擬遮罩檔案在一基板上執行數位微影。
如請求項1所述之伺服器，其中該伺服器可操作以基於該替換表來啟用或停用該等子單元格。
如請求項1所述之伺服器，其中該伺服器可操作以基於該替換表來使該等子單元格移位。
如請求項1所述之伺服器，其中該經編輯的虛擬遮罩檔案包括該等替換單元格中的至少一個替換單元格。
如請求項1所述之伺服器，其中該虛擬遮罩檔案包括一遮罩圖案。
如請求項1所述之伺服器，其中該伺服器進一步包括一掃描場解析器和一GPU。
如請求項1所述之伺服器，其中該替換表係由從耦接至該伺服器的一計量工具提供的一缺陷列表形成。
如請求項1所述之伺服器，其中該虛擬遮罩檔案包括該等單元格的層。
如請求項1所述之伺服器，其中該虛擬遮罩檔案包括該等單元格的陣列，該等單元格包括一像素單元格、一邊框單元格、一接觸單元格、一氧化銦錫(ITO)單元格、或一顯示單元格。
一種用於執行數位微影的方法，包括以下步驟：<br/> 將一虛擬遮罩檔案加載到一無遮罩微影裝置的一伺服器的一記憶體中，該虛擬遮罩檔案包括單元格，該等單元格包括形成一或多個多邊形的子單元格；<br/> 向該伺服器發送一替換表，該替換表包括替換該虛擬遮罩檔案的該等單元格的指令；以及<br/> 根據該替換表用替換單元格替換該等單元格，以創建一經編輯的虛擬遮罩檔案，該經編輯的虛擬遮罩檔案係在該無遮罩微影裝置的該伺服器中創建的，其中基於來自該替換表的指令，該等替換單元格中之至少一者啟用、停用、移位或替換該等替換單元格的子單元格中之至少一者。
如請求項10所述之方法，其中該伺服器可操作以基於該替換表來啟用或停用該等子單元格。
如請求項10所述之方法，其中該伺服器可操作以基於該替換表來使該等子單元格移位。
如請求項10所述之方法，其中該經編輯的虛擬遮罩檔案包括該等替換單元中的至少一個替換單元。
如請求項10所述之方法，其中該虛擬遮罩檔案包括一遮罩圖案。
如請求項10所述之方法，其中該伺服器進一步包括一掃描場解析器和一GPU。
如請求項10所述之方法，其中該虛擬遮罩檔案的該等單元格係重疊的。
如請求項10所述之方法，其中該虛擬遮罩檔案包括該等單元格的層。
如請求項10所述之方法，其中該虛擬遮罩檔案包括該等單元格的陣列，該等單元格包括一像素單元格、一邊框單元格、一接觸單元格、一氧化銦錫(ITO)單元格、或一顯示單元格。
如請求項10所述之方法，進一步包括以下步驟：將該經編輯的虛擬遮罩檔案發送到該無遮罩微影裝置的一處理單元。
一種非暫時性電腦可讀取媒體，該非暫時性電腦可讀取媒體儲存指令，該等指令當由一處理器執行時使得一電腦系統執行以下步驟：<br/> 將一虛擬遮罩檔案加載到一無遮罩微影裝置的一伺服器的一記憶體中，該虛擬遮罩檔案包括單元格，該等單元格包括形成一或多個多邊形的子單元格；<br/> 向該伺服器發送一替換表，該替換表包括替換該虛擬遮罩檔案的該等單元格的指令；以及<br/> 根據該替換表用替換單元格替換該等單元格，以創建一經編輯的虛擬遮罩檔案，該經編輯的虛擬遮罩檔案係在該無遮罩微影裝置的該伺服器中創建的，其中基於來自該替換表的指令，該等替換單元格中之至少一者啟用、停用、移位或替換該等替換單元格的子單元格中之至少一者。
一種用於一微影裝置中之一倍縮光罩載物台(reticle stage)的倍縮光罩載物台清潔裝置，該裝置包含： <br/>一基板，其具有一前側及與該前側相對之一背側；及 <br/>一導電層，其包含具有低於該基板之一硬度的一硬度之一導電聚合物，該導電層安置於該基板之該前側上且經組態以接觸該倍縮光罩載物台以耗散該倍縮光罩載物台上之電荷且經由該導電層與該倍縮光罩載物台之間產生的一靜電場移除該倍縮光罩載物台上之微粒。
如請求項1之裝置，其中： <br/>該導電聚合物包含一導電聚醯亞胺，其中該導電聚醯亞胺包含一經摻雜聚醯亞胺，該經摻雜聚醯亞胺包含碳、石墨、碳黑、碳奈米管、碳富勒烯、金屬粒子及/或其某一組合。
如請求項1之裝置，其進一步包含： <br/>一第二層，其安置於該導電層與該基板之間，其中該第二層包含一絕緣聚合物且其中該導電層為實質上平坦的；及 <br/>一定位器，其耦接至該基板之該背側且經組態以相對於該倍縮光罩載物台平移該導電層。
如請求項1之裝置，其進一步包含電耦接至該導電層之一電壓源，其中該電壓源安置於該基板內，且其中該導電層具有不大於8微米之一厚度以便在該導電層與該倍縮光罩載物台之間產生該靜電場。
如請求項1之裝置，其進一步包含經組態以經由該第二導電層與該倍縮光罩載物台之間產生的一第二靜電場移除該倍縮光罩載物台上之微粒的一第二導電層，其中： <br/>該基板包含複數個凹槽； <br/>該導電層安置於該基板之該前側上及安置於該複數個凹槽之一底部表面上；且 <br/>該第二導電層安置於該複數個凹槽之該底部表面中之該導電層頂上。
如請求項5之裝置，其中： <br/>該第二導電層之一硬度低於該導電層之一硬度； <br/>該第二導電層包含一導電聚合物； <br/>該導電聚合物包含具有大於8微米之一厚度的一區段或一薄片；且 <br/>該複數個凹槽包含一錐形橫截面，其中該複數個凹槽在一平面圖中以矩形列、矩形行、一同心形狀、一螺旋形狀、一橢圓形狀、一正方形形狀及/或一多邊形形狀配置。
一種微影裝置，其包含： <br/>一照明系統，其經組態以照明一圖案化器件； <br/>一投影系統，其經組態以將該圖案化器件之一影像投影至一圖案化基板上； <br/>一倍縮光罩載物台，其經組態以支撐該圖案化器件且包含一夾盤及包含複數個瘤節之一靜電夾具；及 <br/>一倍縮光罩載物台清潔裝置，其經組態以耗散該靜電夾具上之電荷且移除該靜電夾具上之微粒，該倍縮光罩載物台清潔裝置包含： <br/>一基板，其具有一前側及與該前側相對之一背側；及 <br/>一導電層，其包含具有低於該基板之一硬度的一硬度之一導電聚合物，該導電層安置於該基板之該前側上且經組態以接觸該靜電夾具之該複數個瘤節且經由該導電層與該靜電夾具之間產生的一靜電場移除該靜電夾具上之微粒。
如請求項7之微影裝置，其進一步包含經組態以經由該第二導電層與該靜電夾具之間產生的一第二靜電場移除該靜電夾具上之微粒的一第二導電層，其中： <br/>該基板包含複數個凹槽； <br/>該導電層安置於該基板之該前側上及該複數個凹槽之一底部表面上；且 <br/>該第二導電層安置於該複數個凹槽之該底部表面中之該導電層頂上。
如請求項7之微影裝置，其進一步包含耦接至該基板之該背側且經組態以相對於該靜電夾具之該複數個瘤節平移該導電層的一定位器。
一種形成用於移除一微影裝置中之一倍縮光罩載物台上之微粒的一倍縮光罩載物台清潔裝置的方法，該方法包含： <br/>在具有一前側及與該前側相對之一背側的一基板中形成複數個凹槽； <br/>將包含具有低於該基板之一硬度的一硬度之一導電聚合物之一導電層安置於該基板之該前側上及安置於該複數個凹槽之一底部表面上；及 <br/>將一第二導電層安置於該複數個凹槽之該底部表面中之該導電層頂上(atop)， <br/>其中該第二導電層包含具有低於該導電層之一硬度的一硬度之一導電聚合物。
如請求項10之方法，其中安置該導電聚合物包含安置一旋塗導電聚合物。
如請求項10之方法，其中安置該第二導電層包含將一旋塗黏著劑安置於該複數個凹槽中且將該導電聚合物安置於該複數個凹槽中之該旋塗黏著劑頂上。
如請求項10之方法，其中形成該複數個凹槽包含蝕刻該基板使得該複數個凹槽包含一錐形橫截面。
如請求項10之方法，其中安置該第二導電層包含將該導電聚合物之一區段或一薄片安置於該複數個錐形凹槽內。
一種研磨布，其係具備不織布與浸漬於該不織布之聚胺酯樹脂作為形成研磨布之形成材料者，<br/>Asker-C硬度為80以上，<br/>上述形成材料之100 μm寬度之縱豐度比之平均值之四分位距為10.5以下。
如請求項1之研磨布，其壓縮率為5%以下，厚度為0.8 mm以上且3.0 mm以下。
如請求項1或2之研磨布，其中上述形成材料之表觀密度為0.30 g/cm<sup>3</sup>以上且0.50 g/cm<sup>3</sup>以下。
一種式(III-B)之化合物、其藥學上可接受的鹽或立體異構物，<figure><img align="absmiddle" height="159px" width="234px" file="d10038.TIF" alt="化學式ed10038.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10038.png"/></figure>其中：R<sup>2</sup>係氫、鹵素、-CN、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、-OR<sup>2a</sup>、-NR<sup>2a</sup>R<sup>2b</sup>、-C(O)R<sup>2a</sup>、-C(O)OR<sup>2a</sup>、-C(O)NR<sup>2a</sup>R<sup>2b</sup>、-SO<sub>2</sub>R<sup>2a</sup>、-SO<sub>2</sub>NR<sup>2a</sup>R<sup>2b</sup>、-P(O)R<sup>2a</sup>R<sup>2b</sup>、-NR<sup>2a</sup>C(O)R<sup>2b</sup>、-NR<sup>2a</sup>C(O)OR<sup>2b</sup>、-NR<sup>2a</sup>SO<sub>2</sub>R<sup>2b</sup>、-NR<sup>2a</sup>SO<sub>2</sub>NR<sup>2b</sup>R<sup>2c</sup>、3-12員碳環基、3-12員雜環基、6-10員芳基、或5-10員雜芳基；其中該由R<sup>2</sup>所示的C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、3-12員碳環基、3-12員雜環基、6-10員芳基、或5-10員雜芳基係選擇性地由一個或多個R<sup>2d</sup>取代；其中，R<sup>2a</sup>、R<sup>2b</sup>及R<sup>2c</sup>各自獨立地選自由氫、C<sub>1-6</sub>烷基、3-12員碳環基、3-12員雜環基、6-10員芳基及5-10員雜芳基所構成之群組；或R<sup>2a</sup>及R<sup>2b</sup>或R<sup>2b</sup>及R<sup>2c</sup>與此等所連結的N或P原子一起形成4-12員雜環基或5-10員雜芳基；其中該由R<sup>2a</sup>、R<sup>2b</sup>或R<sup>2c</sup>所示者或者在由R<sup>2a</sup>、R<sup>2b</sup>或R<sup>2c</sup>所示的基團中之C<sub>1-6</sub>烷基、碳環基、雜環基、芳基、或雜芳基係選擇性地由一個或多個R<sup>2d</sup>取代；其中，R<sup>2d</sup>，在各出現中，係氫、鹵素、側氧基、-CN、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、-OR<sup>2e</sup>、-NR<sup>2e</sup>R<sup>2f</sup>、-C(O)R<sup>2e</sup>、-C(O)OR<sup>2e</sup>、-C(O)NR<sup>2e</sup>R<sup>2f</sup>、-SO<sub>2</sub>R<sup>2e</sup>、-SO<sub>2</sub>NR<sup>2e</sup>R<sup>2f</sup>、-P(O)R<sup>2e</sup>R<sup>2f</sup>、-NR<sup>2e</sup>C(O)R<sup>2f</sup>、-NR<sup>2e</sup>C(O)OR<sup>2f</sup>、-NR<sup>2e</sup>SO<sub>2</sub>R<sup>2f</sup>、-NR<sup>2e</sup>SO<sub>2</sub>NR<sup>2f</sup>R<sup>2g</sup>、3-12員碳環基、3-12員雜環基、6-10員芳基、或5-10員雜芳基；R<sup>2e</sup>、R<sup>2f</sup>及R<sup>2g</sup>各自獨立地選自由氫及C<sub>1-6</sub>烷基所構成之群組；R<sup>5</sup>係氫、甲基或乙基；R<sup>6</sup>係氫、-OH、鹵素、-CN、側氧基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、-SO<sub>2</sub>R<sup>6a</sup>、-SO<sub>2</sub>NR<sup>6a</sup>R<sup>6b</sup>、-P(O)R<sup>6a</sup>R<sup>6b</sup>、-C(O)NR<sup>6a</sup>R<sup>6b</sup>、-NR<sup>6a</sup>C(O)R<sup>6a</sup>、-NR<sup>6a</sup>C(O)NR<sup>6a</sup>R<sup>6b</sup>、-(CH<sub>2</sub>)<sub>s</sub>NR<sup>6a</sup>R<sup>6b</sup>、-O(CH<sub>2</sub>)<sub>t</sub>NR<sup>6a</sup>R<sup>6b</sup>、3-12員碳環基、3-12員雜環基、6-10員芳基、5-10員雜芳基；其中該由R<sup>6</sup>所示之C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、3-12員碳環基、3-12員雜環基、6-10員芳基、或5-10員雜芳基係選擇性地由一個至多個R<sup>6c</sup>取代；其中，R<sup>6a</sup>及R<sup>6b</sup>各自獨立地係氫或C<sub>1-6</sub>烷基，或者R<sup>6a</sup>及R<sup>6b</sup>與此等所連結的N或P原子一起形成4-7員雜環基；s係0至3的整數；t係2至4的整數；R<sup>6c</sup>，在各出現中，係氫、-OH、鹵素、-CN、側氧基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>3-6</sub>環烷基、-NR<sup>6a</sup>R<sup>6b</sup>、-SO<sub>2</sub>R<sup>6a</sup>、-SO<sub>2</sub>NR<sup>6a</sup>R<sup>6b</sup>、-C(O)NR<sup>6a</sup>R<sup>6b</sup>、-P(O)R<sup>6a</sup>R<sup>6b</sup>、-NR<sup>6a</sup>C(O)R<sup>6a</sup>、-NR<sup>6a</sup>C(O)NR<sup>6a</sup>R<sup>6b</sup>、-(CH<sub>2</sub>)<sub>s</sub>NR<sup>6a</sup>R<sup>6b</sup>或-O(CH<sub>2</sub>)<sub>t</sub>NR<sup>6a</sup>R<sup>6b</sup>；其中該由R<sup>6c</sup>所示之C<sub>1-6</sub>烷基或C<sub>3-6</sub>環烷基係選擇性地由選自鹵素、-OH及-NR<sup>6a</sup>R<sup>6b</sup>之一個至多個基團取代；R<sup>7</sup>及R<sup>8</sup>與此等所連結的N原子一起形成5-10員雜環基或5員雜芳基，其個別係選擇性地由選自鹵素、-CN、側氧基、-OH、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、-C(O)R<sup>7c</sup>、-C(O)OR<sup>7c</sup>，以及選擇性地由CN取代的吡啶基之一至三個基團取代；R<sup>7c</sup>獨立地選自由氫、選擇性地由-CN或-OH取代的C<sub>1-4</sub>烷基所構成之群組；以及，n係0、1、2或3；其中，該雜環基包含選自O、N及S的1-4雜原子；以及，該雜芳基包含選自O、N及S的1-4雜原子。
如請求項1所述之化合物、其藥學上可接受的鹽或立體異構物，其中R<sup>6</sup>係氫、鹵素、C<sub>1-4</sub>烷基、或-(CH<sub>2</sub>)NR<sup>6a</sup>R<sup>6b</sup>；其中該由R<sup>6</sup>所示之C<sub>1-4</sub>烷基係選擇性地由選自鹵素及-OH之一個至多個基團取代；及R<sup>6a</sup>及R<sup>6b</sup>各自獨立地係氫或C<sub>1-4</sub>烷基。
如請求項1所述之化合物、其藥學上可接受的鹽或立體異構物，其中R<sup>5</sup>係甲基。
如請求項1所述之化合物、其藥學上可接受的鹽或立體異構物，其中，R<sup>2</sup>係氫、鹵素、-CN、C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>2-4</sub>烯基、3-6員單環環烷基、5-6員單環雜環基、苯基、或5-10員雜芳基；其中該由R<sup>2</sup>所示之C<sub>1-4</sub>烷基、3-6員單環環烷基、5-6員單環雜環基、苯基、或5-10員雜芳基係選擇性地由一至三個R<sup>2d</sup>取代；R<sup>2d</sup>，在各出現中，係氫、鹵素、側氧基、-CN、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、C<sub>1-6</sub>羥基烷基、-OR<sup>2e</sup>、-NR<sup>2e</sup>R<sup>2f</sup>、-SO<sub>2</sub>R<sup>2e</sup>、-P(O)R<sup>2e</sup>R<sup>2f</sup>、COOR<sup>2e</sup>、CONR<sup>2e</sup>R<sup>2f</sup>、3-6員單環碳環基、3-6員單環雜環基、苯基、或5-10員雜芳基；以及R<sup>2e</sup>及R<sup>2f</sup>係各自獨立地選自由氫及C<sub>1-6</sub>烷基所構成之群組。
如請求項1所述之化合物、其藥學上可接受的鹽或立體異構物，其中，R<sup>2</sup>係苯基或5-10員雜芳基；其中該苯基或5-10員雜芳基係選擇性地由一至三個R<sup>2d</sup>取代；R<sup>2d</sup>，在各出現中，係氫、鹵素、-CN、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、C<sub>1-6</sub>羥基烷基、-OR<sup>2e</sup>、-NR<sup>2e</sup>R<sup>2f</sup>、-SO<sub>2</sub>R<sup>2e</sup>、-P(O)R<sup>2e</sup>R<sup>2f</sup>、COOR<sup>2e</sup>、CONR<sup>2e</sup>R<sup>2f</sup>、3-6員單環碳環基、3-6員單環雜環基、苯基、或5-10員雜芳基；以及R<sup>2e</sup>及R<sup>2f</sup>係各自獨立地選自由氫及C<sub>1-6</sub>烷基所構成之群組。
如請求項5所述之化合物、其藥學上可接受的鹽或立體異構物，其中R<sup>2</sup>係苯基、吡啶基、嘧啶基、咪唑基、吡唑基、咪唑并[1,2-a]嘧啶、咪唑并[1,2-a]吡啶或三唑并[4,3-a]吡啶，其個別係選擇性地由一至三個R<sup>2d</sup>取代；其中R<sup>2d</sup>係選自由氫、鹵素、-CN、-CH<sub>3</sub>、-CF<sub>3</sub>、-NH<sub>2</sub>、-S(O)<sub>2</sub>Me、-OCH<sub>3</sub>、COOH、CONH<sub>2</sub>、COOMe、-P(O)(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>、-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>OH及-CH<sub>2</sub>CHF<sub>2</sub>所構成之群組。
如請求項6所述之化合物、其藥學上可接受的鹽或立體異構物，其中R<sup>2</sup>係苯基或吡啶基，其個別係選擇性地由一至三個R<sup>2d</sup>取代；其中R<sup>2d</sup>係選自由氫、鹵素、-CN、-CH<sub>3</sub>、-CF<sub>3</sub>、-NH<sub>2</sub>、-S(O)<sub>2</sub>Me、-OCH<sub>3</sub>、COOH、CONH<sub>2</sub>、COOMe、-P(O)(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>、-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>OH及-CH<sub>2</sub>CHF<sub>2</sub>所構成之群組。
如請求項1所述之化合物、其藥學上可接受的鹽或立體異構物，其中R<sup>2</sup>係選自由H,F,Br,CH<sub>3</sub>,-CN,<img align="absmiddle" height="39px" width="37px" file="d10066.TIF" alt="其他非圖式ed10066.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10066.png"/>,<img align="absmiddle" height="45px" width="30px" file="d10067.TIF" alt="其他非圖式ed10067.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10067.png"/>,<img align="absmiddle" height="63px" width="53px" file="d10068.TIF" alt="其他非圖式ed10068.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10068.png"/>,<figure><img align="absmiddle" height="193px" width="368px" file="d10039.TIF" alt="化學式ed10039.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10039.png"/></figure><img align="absmiddle" height="73px" width="64px" file="d10072.TIF" alt="其他非圖式ed10072.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10072.png"/>,<img align="absmiddle" height="70px" width="67px" file="d10073.TIF" alt="其他非圖式ed10073.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10073.png"/>,<img align="absmiddle" height="94px" width="76px" file="d10074.TIF" alt="其他非圖式ed10074.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10074.png"/>,<img align="absmiddle" height="92px" width="77px" file="d10075.TIF" alt="其他非圖式ed10075.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10075.png"/>，及<img align="absmiddle" height="98px" width="101px" file="d10076.TIF" alt="其他非圖式ed10076.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10076.png"/>所構成之群組，其中R<sup>2d</sup>係選自由氫、鹵素、-CN、-CH<sub>3</sub>、-CF<sub>3</sub>、-NH<sub>2</sub>、-S(O)<sub>2</sub>Me、-OCH<sub>3</sub>、COOH、CONH<sub>2</sub>、COOMe、-P(O)(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>、-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>OH及-CH<sub>2</sub>CHF<sub>2</sub>所構成之群組。
如請求項1所述之化合物、其藥學上可接受的鹽或立體異構物，其中R<sup>7</sup>及R<sup>8</sup>與此等連結的原子一起形成選自由<figure><img align="absmiddle" height="181px" width="267px" file="d10040.TIF" alt="化學式ed10040.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10040.png"/></figure><img align="absmiddle" height="61px" width="39px" file="d10069.TIF" alt="其他非圖式ed10069.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10069.png"/>,<img align="absmiddle" height="62px" width="43px" file="d10070.TIF" alt="其他非圖式ed10070.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10070.png"/>，及<img align="absmiddle" height="72px" width="53px" file="d10071.TIF" alt="其他非圖式ed10071.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10071.png"/>所構成之群組的雜環基，其個別係選擇性地由選自-F、-CN、側氧基、-OH、甲基、異丙基、甲氧基、-C(O)R<sup>7c</sup>、-C(O)OR<sup>7c</sup>，以及選擇性地由CN取代的吡啶基之一至三個基團取代。
一種選自由：<figure><img align="absmiddle" height="931px" width="710px" file="d10041.TIF" alt="化學式ed10041.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10041.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="867px" width="715px" file="d10042.TIF" alt="化學式ed10042.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10042.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="951px" width="710px" file="d10043.TIF" alt="化學式ed10043.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10043.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="984px" width="704px" file="d10044.TIF" alt="化學式ed10044.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10044.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="774px" width="711px" file="d10045.TIF" alt="化學式ed10045.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10045.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="783px" width="692px" file="d10046.TIF" alt="化學式ed10046.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10046.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="494px" width="701px" file="d10047.TIF" alt="化學式ed10047.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10047.png"/></figure><img align="absmiddle" height="237px" width="177px" file="d10078.TIF" alt="其他非圖式ed10078.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10078.png"/>、<img align="absmiddle" height="230px" width="175px" file="d10079.TIF" alt="其他非圖式ed10079.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10079.png"/>、<img align="absmiddle" height="167px" width="183px" file="d10080.TIF" alt="其他非圖式ed10080.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10080.png"/>及<img align="absmiddle" height="168px" width="189px" file="d10077.TIF" alt="其他非圖式ed10077.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10077.png"/>所組成群組之化合物或其藥學上可接受的鹽或立體異構物。
一種化合物、其藥學上可接受的鹽或立體異構體，其中該化合物為<figure><img align="absmiddle" height="231px" width="255px" file="d10048.TIF" alt="化學式ed10048.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10048.png"/></figure>
一種醫藥組成物，係包含如請求項1至11中任一項所述之化合物、其藥學上可接受的鹽或立體異構體，以及藥學上可接受的載體或賦形劑。
一種如請求項1至11中任一項所述之化合物、其藥學上可接受的鹽或立體異構體於製備用於治療患有疾病和/或病症的受試者的藥物之用途，其中抑制SOS1及RAS家族蛋白或RAC1的相互作用具有治療益處。
一種如請求項1至11中任一項所述之化合物、其藥學上可接受的鹽或立體異構體於製備用於治療患有癌症之受試者的藥物之用途。
如請求項14所述之用途，其中該化合物或其藥學上可接受的鹽或立體異構物與治療有效量的至少一種其他藥理活性物質組合施用。
如請求項15所述之用途，其中該至少一種其他藥理活性物質係MEK和/或其突變體的抑制劑。
如請求項14所述之用途，其中該癌症係選自由胰腺癌、肺癌、結腸直腸癌、膽管癌、多發性骨髓瘤、黑色素瘤、子宮癌、子宮內膜癌、甲狀腺癌、急性髓系白血病、膀胱癌、尿路上皮癌、胃癌、宮頸癌，頭頸部鱗狀細胞癌、瀰漫性大B細胞淋巴瘤、食道癌、慢性淋巴細胞白血病、肝細胞癌、乳腺癌、卵巢癌、前列腺癌、膠質母細胞瘤、腎癌及肉瘤所組成之群組。
一種確定用於判定車輛速度之數據的裝置，所述車輛特別是自行車，所述裝置具有：<br/> 磁體（26），其可附接於車輪（20），並在所述車輪（20）旋轉時進行圓周運動；以及<br/> 感測器單元（10），其用於記錄由所述磁體（26）的所述圓周運動所造成的訊號，其中，所述感測器單元（10）可固定在所述車輛的組件上，所述磁體（26）在固定在所述車輪（20）的狀態下移動經過所述組件，<br/> 其中，感測器（12、13、14）被配置以在至少200 Hz的採樣頻率對磁場或磁場強度變化採樣，<br/> 其中，所述感測器單元（10）包括用於測量磁場強度及/或所述磁場強度變化的至少兩個感測器（12、13、14），且<br/> 其中，用於測量所述磁場強度及/或所述磁場強度變化的所述至少兩個感測器（12、13、14）以特定距離d<sub>s</sub>被排列在所述磁體（26）的所述圓周運動的方向（22）上，且彼此相鄰排列，使得所述磁體（26）在所述圓周運動過程中依序經過所述感測器（12、13、14）。
如請求項1所述之裝置，其中，用於測量定量磁場強度變化的所述感測器（12、13、14）為霍爾感測器。
一種用於判定車輛速度的評估裝置，所述車輛特別是自行車，所述評估裝置藉助於如請求項1或2所述之裝置，並具有用以基於定量磁場強度變化的曲線（k<sub>1</sub>、k<sub>2</sub>、k<sub>3</sub>）確定所述車輛速度的評估單元。
如請求項3所述之評估裝置，其中，所述評估單元被設計以分析磁場強度變化的持續時間Δ4，特別是存在高於閾值（h<sub>s</sub>）的持續時間，以確定所述車輛速度。
如請求項3或4所述之評估裝置，其中，所述評估單元被設計以分析兩個相鄰的所述感測器之數據的時距Δ1、Δ2來測量定量磁場強度變化，以確定所述車輛速度。
如請求項3所述之評估裝置，其中，所述評估單元被設計以計算磁場強度變化的時序重複率，以確定所述車輛速度。
如請求項3所述之評估裝置，其中，所述評估單元被設計以藉助於預定目標輪廓比較磁場強度變化的所述曲線（k<sub>1</sub>、k<sub>2</sub>、k<sub>3</sub>）。
如請求項3所述之評估裝置，其中，在用於確定所述數據的所述裝置與所述評估裝置之間的數據傳輸被設計為安全的，特別是加密的，且<br/> 其中，所述評估裝置被配置以安全，特別是加密的方式執行數據傳輸至下游處理單元。
一種確定用於判定車輛速度之數據的方法，所述車輛特別是自行車，所述方法是將磁體（26）附接於車輪（20），以在所述車輪（20）旋轉期間執行圓周運動（27），<br/> 其中，用於記錄由所述磁體（26）的所述圓周運動（27）所造成的訊號的感測器單元（10）被固定在所述車輛的組件上，所述磁體（26）移動時經過所述組件，<br/> 其中，磁場強度及/或磁場強度變化的測量係藉助於所述感測器單元（10）來進行，<br/> 其中，所述測量係在至少200 Hz的採樣頻率下進行，<br/> 其中選擇包括用於測量所述磁場強度及/或所述磁場強度變化的至少兩個感測器（12、13、14）的感測器單元來作為所述感測器單元（10），且<br/> 其中，當所述磁體（26）附接於所述車輪（20）時，用於測量所述磁場強度及/或所述磁場強度變化的至少兩個所述感測器（12、13、14）以特定距離d<sub>s</sub>被排列在所述磁體（26）的所述圓周運動的方向（22）上，且彼此相鄰排列，使得所述磁體（26）在所述圓周運動過程中依序經過所述感測器（12、13、14）。
如請求項9所述之方法，其中，評估磁場強度變化的持續期間，特別是存在高於閾值（h<sub>s</sub>）的持續時間，以確定所述車輛速度。
如請求項9或10所述之方法，其中，所述感測器單元（10）在相鄰的位置進行磁場強度變化的至少兩次定量測量，所述相鄰的位置排列在所述磁體（26）的所述圓周運動的所述方向（22）上，且<br/> 其中，評估所述至少兩次定量測量的時距Δ1、Δ2，以確定所述車輛速度。
如請求項9所述之方法，其中，評估所述磁場強度變化的時序重複率，以確定所述車輛速度。
如請求項9所述之方法，其中，分析所述磁場強度變化的輪廓以識別操控。
一種經突變之FimH多肽，其相對於野生型FimH多肽之胺基酸序列，包含G15A突變、G16A突變及V27A突變中的每一者，其中該等胺基酸位置係根據SEQ ID NO：59編號。
如請求項1之經突變之FimH多肽，其中該多肽進一步包含經由甘胺酸-絲胺酸連接子所連接之FimG肽。
如請求項1之經突變之FimH多肽，其包含SEQ ID NO：54或62之序列。
如請求項1至3中任一項之經突變之FimH多肽，其中該多肽經分離。
一種核酸分子，其包含編碼如請求項1至4中任一項之經突變之FimH多肽之核苷酸序列。
如請求項5之核酸分子，其中該核酸分子係RNA。
如請求項6之核酸分子，其中該RNA係經核苷修飾之mRNA(modRNA)。
一種醫藥組合物，其包含(i)如請求項1至4中任一項之經突變之FimH多肽或如請求項5至7中任一項之核酸分子，及(ii)醫藥學上可接受之載劑。
一種免疫原性組合物，其包含如請求項1至4中任一項之經突變之FimH多肽或如請求項5至7中任一項之核酸分子。
如請求項9之免疫原性組合物，其進一步包含至少一種額外抗原。
如請求項10之免疫原性組合物，其中該至少一種額外抗原為多醣或蛋白。
如請求項9之免疫原性組合物，其進一步包含至少一種佐劑。
如請求項1至3中任一項之經突變之FimH多肽，其中該多肽為免疫原性的。
一種重組哺乳動物細胞，其包含編碼如請求項1至4中任一項之經突變之FimH多肽的聚核苷酸。
一種培養物，其包含如請求項14之重組哺乳動物細胞，其中該培養物之體積大小為至少5公升。
一種用於產生如請求項1至4中任一項之經突變之FimH多肽的方法，該方法包含在適合的條件下培養如請求項14之重組哺乳動物細胞，藉此表現該多肽；及收集該多肽。
一種如請求項8之醫藥組合物或如請求項9至12中任一項之免疫原性組合物在製備醫藥品之用途，其中該醫藥品係用於(i)誘導個體中對抗腸外病原性大腸桿菌(<i>E.coli</i>)之免疫反應，或(ii)誘導個體中產生調理吞噬活性抗體(opsonophagocytic antibody)及/或中和抗體，該等抗體對腸外病原性大腸桿菌具有特異性。
如請求項17之用途，其中該個體具有發展泌尿道感染之風險。
如請求項17之用途，其中該個體具有發展菌血症之風險。
如請求項17之用途，其中該個體具有發展敗血症之風險。
一種如請求項8之醫藥組合物或如請求項9至12中任一項之免疫原性組合物之用途，其係用於製備引發哺乳動物中對抗大腸桿菌之免疫反應之醫藥品。
如請求項21之用途，其中該免疫反應包含針對大腸桿菌之調理吞噬活性抗體及/或中和抗體。
如請求項21之用途，其中該免疫反應保護該哺乳動物免受大腸桿菌感染。
一種如請求項8之醫藥組合物或如請求項9至12中任一項之免疫原性組合物之用途，其係用於製備預防、治療或改善個體中大腸桿菌感染、疾病或病狀之醫藥品。
一種控制方法，係帶電粒子束裝置的控制方法，該帶電粒子束裝置藉由對層積有複數個層的試料照射聚焦離子束，而以規定的角度亦即加工角度將前述試料的截面加工，包含：圖像生成步驟，對前述試料照射電子束，檢測從前述試料產生的二次電子或反射電子，基於檢測結果生成試料的截面的圖像亦即觀察像，該圖像中涵括複數個層，該複數個層包含觀察對象的層亦即觀察對象層；及角度偏離算出步驟，基於前述觀察像示出的示意觀察對象層的厚度之距離，算出前述截面的角度與前述加工角度之角度偏離；及控制步驟，以藉由前述角度偏離算出步驟算出的前述角度偏離消失之方式控制前述試料的姿勢或電子束的照射方向。
如請求項1記載之控制方法，其中，前述觀察像，涵括包含觀察對象的層亦即觀察對象層之複數個層，更包含：厚度算出步驟，基於前述截面的圖像算出前述觀察對象層的厚度，前述角度偏離算出步驟，當將算出的前述觀察對象層的厚度訂為Ld，前述觀察對象層的厚度的設計值訂為Ld，前述角度偏離訂為θ的情形下，藉由式(1)算出前述角度偏離：θ=cos<sup>-1</sup>(Lm/Ld)...式(1)。
如請求項1記載之控制方法，其中，更包含：第1加工步驟，一面對前述試料照射前述聚焦離子束一面執行前述試料的截面的加工；及第2加工步驟，於前述第1加工步驟中得到的前述觀察像中，當2個層於上下或是左右交雜的情形下，判斷有層的交界處而令前述第1加工步驟中的加工停止，藉由前述聚焦離子束將前述試料的截面加工恰好一定量；及層邊緣位置算出步驟，基於前述第2加工步驟前的前述觀察像算出層的交替的位置亦即第1層邊緣位置，基於前述第2加工步驟後的前述觀察像算出層的交替的位置亦即第2層邊緣位置；前述角度偏離算出步驟，當將藉由前述層邊緣位置算出步驟求出的前述第1層邊緣位置與第2層邊緣位置之間的距離亦即位置偏離訂為Lp，前述一定量訂為Lf，前述角度偏離訂為θ的情形下，藉由式(2)算出前述角度偏離：θ=tan<sup>-1</sup>(Lf/Lp)...式(2)。
如請求項1記載之控制方法，其中，包含：加工步驟，一面對前述試料照射前述聚焦離子束一面執行前述試料的截面的加工；及停止步驟，於前述加工步驟中得到的前述觀察像中，當2個層於上下或是左右交雜的情形下，判斷有層的交界處而令前述加工步驟中的加工停止；及圖像生成步驟，令前述電子束的加速電壓變化，生成前述試料的表面像與穿透像作為前述觀察像；及層邊緣位置算出步驟，基於前述表面像算出層的交替的位置亦即第1層邊緣位置，基於前述穿透像算出層的交替的位置亦即第2層邊緣位置；前述角度偏離算出步驟，當將藉由前述層邊緣位置算出步驟求出的前述第1層邊緣位置與第2層邊緣位置之間的距離亦即位置偏離訂為Lr，前述試料的表面起算的前述電子束的穿透量訂為Lt，前述角度偏離訂為θ的情形下，藉由式(3)算出前述角度偏離：θ=tan<sup>-1</sup>(Lt/Lr)...式(3)。
一種帶電粒子束裝置，具備：聚焦離子束鏡筒，藉由對層積有複數個層的試料照射聚焦離子束，而以規定的角度亦即加工角度將前述試料的截面加工；及電子束鏡筒，對前述試料照射電子束；及電子檢測器，檢測從前述試料產生的二次電子或反射電子；及觀察像生成部，基於從前述電子檢測器輸出的訊號而生成試料的截面的圖像亦即觀察像，該圖像中涵括複數個層，該複數個層包含觀察對象的層亦即觀察對象層；及算出部，基於前述觀察像示出的示意觀察對象層的厚度之距離，算出前述截面的角度與前述加工角度之角度偏離；及修正部，以藉由前述算出部算出的前述角度偏離消失之方式控制前述試料的姿勢或前述電子束的照射方向。
一種程式，係令電腦執行後述之處理，其中該電腦控制帶電粒子束裝置，該帶電粒子束裝置藉由對層積有複數個層的試料照射聚焦離子束，而以規定的角度亦即加工角度將前述試料的截面加工，該處理為：對前述試料照射電子束，檢測從前述試料產生的二次電子或反射電子，基於檢測結果生成試料的截面的圖像亦即觀察像，該圖像中涵括複數個層，該複數個層包含觀察對象的層亦即觀察對象層，基於前述觀察像示出的示意觀察對象層的厚度之距離，算出前述截面的角度與前述加工角度之角度偏離，以算出的前述角度偏離消失之方式控制前述試料的姿勢或電子束的照射方向。
一種刮削加工裝置，其決定藉由為了將工件之表面平坦化而由機器人以刮刀進行刮削之刮削加工所應形成於該表面之複數個凹部之位置，且具備： <br/>輸入受理部，其通過可由操作員輸入資料之輸入裝置，受理上述表面之形狀資訊、及確定該表面上之各個上述凹部之位置關係之圖案資訊之輸入；及 <br/>位置決定部，其基於上述輸入受理部所受理之上述形狀資訊及上述圖案資訊，自動決定上述表面中之各個上述凹部之上述位置。
一種刮削加工裝置，其決定藉由為了將工件之表面平坦化而由機器人以刮刀進行刮削之刮削加工所應形成於該表面之複數個凹部之位置，且具備： <br/>輸入受理部，其受理上述表面之形狀資訊、及該表面上之上述複數個凹部之圖案資訊之輸入，上述圖案資訊包含花紋資訊，其指定將上述複數個凹部格柵狀排列配置於確定於上述表面上之列方向及行方向之花紋的種類；及 <br/>位置決定部，其基於上述輸入受理部所受理之上述形狀資訊及上述圖案資訊，自動決定上述表面中之各個上述凹部之上述位置。
如請求項2之刮削加工裝置，其中上述圖案資訊進而包含間距資訊，其設定上述列方向或上述行方向上彼此相鄰之2個上述凹部之間之間距。
如請求項2或3之刮削加工裝置，其中上述圖案資訊進而包含角度資訊，其設定上述列方向或上述行方向相對於就上述表面而定之基準方向之角度。
一種刮削加工裝置，其決定藉由為了將工件之表面平坦化而由機器人以刮刀進行刮削之刮削加工所應形成於該表面之複數個凹部之位置，且具備： <br/>輸入受理部，其受理上述表面之形狀資訊、及該表面上之上述複數個凹部之圖案資訊之輸入，上述圖案資訊包含位置取消條件，其於上述凹部之假想佔有區域之一部分自上述表面之端緣向外側突出之情形時，確定是否取消決定之該位置；及 <br/>位置決定部，其基於上述輸入受理部所受理之上述形狀資訊及上述圖案資訊，自動決定上述表面中之各個上述凹部之上述位置。
如請求項1至3中任一項之刮削加工裝置，其中上述圖案資訊進而包含偏移資訊，其設定上述凹部相對於上述表面之端緣之偏移距離， <br/>上述位置決定部以上述凹部相對於上述端緣偏移上述偏移距離之方式決定上述位置。
如請求項1至3中任一項之刮削加工裝置，其中上述圖案資訊進而包含： <br/>加工區域設定資訊，其於上述表面設定應執行上述刮削加工之加工區域；或 <br/>非加工區域設定資訊，其於上述表面設定不執行上述刮削加工之非加工區域；且 <br/>上述位置決定部 <br/>於上述加工區域內決定上述位置，或 <br/>以避開上述非加工區域之方式決定上述位置。
如請求項1至3中任一項之刮削加工裝置，其中上述輸入受理部進而受理用以使上述機器人執行上述刮削加工之加工條件之輸入， <br/>上述刮削加工裝置進而具備路徑產生部，其基於上述輸入受理部所受理之上述加工條件、與上述位置決定部決定之1個上述凹部之上述位置，自動產生形成該1個凹部時之上述機器人之移動路徑。
如請求項8之刮削加工裝置，其中上述加工條件包含： <br/>上述凹部之尺寸資訊；及 <br/>軌跡控制資訊，其規定於上述刮削加工中上述機器人使上述刮刀移動而與上述表面抵接之角度；且 <br/>上述路徑產生部基於上述尺寸資訊及上述軌跡控制資訊，自動計算規定上述移動路徑之教示點。
一種機器人系統，其具備：機器人，其使刮刀移動； <br/>如請求項1至9中任一項之刮削加工裝置；及 <br/>機器人控制部，其基於上述位置決定部決定之上述位置，以執行上述刮削加工之方式控制上述機器人之動作。
一種刮削加工方法，其決定藉由為了將工件之表面平坦化而由機器人以刮刀進行刮削之刮削加工所應形成於該表面之複數個凹部的位置，且 <br/>處理器 <br/>通過可由操作員輸入資料之輸入裝置，受理上述表面之形狀資訊、及確定該表面上之各個上述凹部之位置關係之圖案資訊之輸入， <br/>基於所受理之上述形狀資訊及上述圖案資訊，自動決定上述表面中之各個上述凹部之上述位置。
一種在無線通信系統中利用接收裝置及可重構智能表面（RIS）履行射頻（RF）感測之方法，該方法包含： <br/>將該RIS組態以向該接收裝置反射視線（LOS）無線信號，其中該LOS無線信號包含由該無線通信系統之傳輸接收點（TRP）傳送的第一無線參考信號； <br/>將該RIS組態以向該接收裝置反射回波信號，其中該回波信號包含由該無線通信系統之該TRP傳送的第二無線參考信號離開對象的反射； <br/>基於以下各項來決定該對象之方位： <br/>該RIS相對於該TRP的方位，以及 <br/>該LOS無線信號在該接收裝置處的第一抵達時間（ToA）與該回波信號在該接收裝置處的第二抵達時間之間的時間差；以及 <br/>提供該對象之該方位。
如請求項1之方法，其中將該RIS組態以向該接收裝置反射該LOS無線信號及該回波信號包含利用該TRP或伺服器來控制該RIS。
如請求項2之方法，其中該伺服器控制該RIS，並且其中該伺服器進一步： <br/>決定該接收裝置之方位；並且 <br/>將該RIS組態以基於該接收裝置之該方位向該接收裝置反射該LOS無線信號及該回波信號。
如請求項1之方法，進一步包含在該第一無線參考信號及該第二無線參考信號中包括該RIS之識別符。
如請求項1之方法，其中該接收裝置包含行動裝置或另一TRP。
如請求項1之方法，其中該接收裝置決定該對象之該方位。
如請求項6之方法，進一步包含利用該接收裝置決定接收角度，該接收角度包含在該RIS處接收該回波信號的角度，並且其中該接收裝置另外基於該接收角度來決定該對象之該方位。
如請求項6之方法，進一步包含利用該接收裝置決定時間間隙，該時間間隙包含該TRP傳送該第一無線參考信號的時間與該TRP傳送該第二無線參考信號的時間之間的差值，其中決定該對象之該方位進一步基於該時間間隙。
如請求項8之方法，其中決定該時間間隙包含從伺服器接收對該時間間隙的指示。
如請求項6之方法，其中提供該對象之該方位包含將該對象之該方位提供給由該接收裝置執行的應用。
如請求項6之方法，進一步包含從伺服器向該接收裝置發送指示該RIS相對於該TRP的該方位的資訊。
如請求項1之方法，其中伺服器決定該對象之該方位。
如請求項12之方法，進一步包含： <br/>在該伺服器處從該接收裝置接收指示該第一ToA及該第二ToA的資訊；以及 <br/>利用該伺服器根據指示該第一ToA及該第二ToA的該資訊來決定該第一ToA與該第二ToA之間的該時間差。
如請求項12之方法，進一步包含： <br/>利用該伺服器基於從複數個接收裝置接收的資訊的多點定位來決定接收角度，該接收角度包含在該RIS處接收該回波信號的角度； <br/>其中該伺服器另外基於該接收角度來決定該對象之該方位。
如請求項12之方法，進一步包含利用該伺服器決定時間間隙，該時間間隙包含該TRP傳送該第一無線參考信號的時間與該TRP傳送該第二無線參考信號的時間之間的差值，其中決定該對象之該方位進一步基於該時間間隙。
如請求項1之方法，進一步包含將該RIS組態以調整該LOS無線信號或該回波信號中的任一者或兩者之相位、幅度或兩者。
一種射頻（RF）裝置，包含： <br/>收發器； <br/>記憶體；以及 <br/>與該收發器及該記憶體通信地耦合的一個或多個處理單元，該一個或多個處理單元被組態以： <br/>將可重構智能表面（RIS）組態以向接收裝置反射視線（LOS）無線信號，其中該LOS無線信號包含由無線通信系統之傳輸接收點（TRP）傳送的第一無線參考信號； <br/>將該RIS組態以向該接收裝置反射回波信號，其中該回波信號包含由該無線通信系統之該TRP傳送的第二無線參考信號離開對象的反射； <br/>基於以下各項來決定該對象之方位： <br/>該RIS相對於該TRP的方位，以及 <br/>該LOS無線信號在該接收裝置處的第一抵達時間（ToA）與該回波信號在該接收裝置處的第二抵達時間之間的時間差；以及 <br/>提供該對象之該方位。
如請求項17之裝置，其中： <br/>該裝置包含該TRP或伺服器；並且 <br/>為了將該RIS組態以向該接收裝置反射該LOS無線信號及該回波信號，該一個或多個處理單元被組態以經由該收發器控制該RIS。
如請求項18之裝置，其中該裝置包含該伺服器，並且其中該一個或多個處理單元進一步被組態以： <br/>決定該接收裝置之方位；並且 <br/>將該RIS組態以基於該接收裝置之該方位向該接收裝置反射該LOS無線信號及該回波信號。
如請求項17之裝置，其中該一個或多個處理單元進一步被組態以在該第一無線參考信號及該第二無線參考信號中包括該RIS之識別符。
如請求項17之裝置，其中該接收裝置包含行動裝置或另一TRP。
如請求項17之裝置，其中該裝置包含該接收裝置。
如請求項22之裝置，其中該一個或多個處理單元進一步被組態以決定接收角度，該接收角度包含在該RIS處接收該回波信號的角度，並且其中該一個或多個處理單元被組態以另外基於該接收角度來決定該對象之該方位。
如請求項22之裝置，其中該一個或多個處理單元進一步被組態以決定時間間隙，該時間間隙包含該TRP傳送該第一無線參考信號的時間與該TRP傳送該第二無線參考信號的時間之間的差值，並且其中該一個或多個處理單元被組態以決定該對象之該方位進一步基於該時間間隙。
如請求項24之裝置，其中為了決定該時間間隙，該一個或多個處理單元被組態以從伺服器接收對該時間間隙的指示。
如請求項22之裝置，其中為了提供該對象之該方位，該一個或多個處理單元被組態以將該對象之該方位提供給由該接收裝置執行的應用。
如請求項22之裝置，其中該一個或多個處理單元被組態以經由該收發器從伺服器接收指示該RIS相對於該TRP的該方位的資訊。
如請求項17之裝置，其中該裝置包含伺服器。
如請求項28之裝置，其中該一個或多個處理單元被組態以： <br/>經由該收發器從該接收裝置接收指示該第一ToA及該第二ToA的資訊；並且 <br/>根據指示該第一ToA及該第二ToA的該資訊來決定該第一ToA與該第二ToA之間的該時間差。
如請求項28之裝置，其中該一個或多個處理單元被組態以： <br/>基於從複數個接收裝置接收的資訊的多點定位來決定接收角度，該接收角度包含在該RIS處接收該回波信號的角度；並且 <br/>另外基於該接收角度來決定該對象之該方位。
如請求項28之裝置，其中該一個或多個處理單元被組態以： <br/>決定時間間隙，該時間間隙包含該TRP傳送該第一無線參考信號的時間與該TRP傳送該第二無線參考信號的時間之間的差值；並且 <br/>另外基於該時間間隙來決定該對象之該方位。
如請求項17之裝置，其中該一個或多個處理單元被組態以將該RIS組態以調整該LOS無線信號或該回波信號中的任一者或兩者之相位、幅度或兩者。
一種射頻（RF）裝置，包含： <br/>用於將可重構智能表面（RIS）組態以向接收裝置反射視線（LOS）無線信號的構件，其中該LOS無線信號包含由無線通信系統之傳輸接收點（TRP）傳送的第一無線參考信號； <br/>用於將該RIS組態以向該接收裝置反射回波信號的構件，其中該回波信號包含由該無線通信系統之該TRP傳送的第二無線參考信號離開對象的反射； <br/>用於基於以下各項來決定該對象之方位的構件： <br/>該RIS相對於該TRP的方位，以及 <br/>該LOS無線信號在該接收裝置處的第一抵達時間（ToA）與該回波信號在該接收裝置處的第二抵達時間之間的時間差；以及 <br/>用於提供該對象之該方位的構件。
如請求項33之裝置，其中用於將該RIS組態以向該接收裝置反射該LOS無線信號及該回波信號的構件包含用於利用該TRP或伺服器來控制該RIS的構件。
如請求項33之裝置，其中該裝置包含該接收裝置。
如請求項33之裝置，其中該裝置包含伺服器。
一種儲存指令的非暫時性計算機可讀媒體，該指令用於在無線通信系統中利用接收裝置及可重構智能表面（RIS）履行射頻（RF）感測，該指令包含用於進行以下各項的代碼： <br/>將該RIS組態以向接收裝置反射視線（LOS）無線信號，其中該LOS無線信號包含由該無線通信系統之傳輸接收點（TRP）傳送的第一無線參考信號； <br/>將該RIS組態以向該接收裝置反射回波信號，其中該回波信號包含由該無線通信系統之該TRP傳送的第二無線參考信號離開對象的反射； <br/>基於以下各項來決定該對象之方位： <br/>該RIS相對於該TRP的方位，以及 <br/>該LOS無線信號在該接收裝置處的第一抵達時間（ToA）與該回波信號在該接收裝置處的第二抵達時間之間的時間差；以及 <br/>提供該對象之該方位。
一種熱射線屏蔽樹脂片材，其含有近紅外線吸收材料粒子以及樹脂， <br/>該近紅外線吸收材料粒子含有由通式M<sub>x</sub>W<sub>y</sub>O<sub>z</sub>表示的複合鎢氧化物的粒子，其中，M元素為選自Cs、Rb、Na、K、Tl、In、Ba、Li、Ca、Sr、Fe、Sn中的1種以上的元素，W為鎢，O為氧，0.001≦x/y≦1，3.03≦z/y＜3.4， <br/>該熱射線屏蔽樹脂片材具有至少含有該樹脂的複數的片層， <br/>複數的該片層中，1個以上的該片層含有該近紅外線吸收材料粒子， <br/>作為該片層，具有第1表面片層、第2表面片層、中間片層以及連接片層， <br/>該第1表面片層、該中間片層和該第2表面片層被依序層疊，該連接片層將該第1表面片層、該中間片層和該第2表面片層之間進行連接， <br/>該第1表面片層包含作為該熱射線屏蔽樹脂片材的外表面的第1表面， <br/>該第2表面片層包含位於與該第1表面相反側，且作為該熱射線屏蔽樹脂片材的外表面的第2表面， <br/>該第1表面片層與該第2表面片層之間包含空隙，具有中空多層結構。
如請求項1之熱射線屏蔽樹脂片材，其中， <br/>該複合鎢氧化物的粒子包含選自六方晶、正方晶和立方晶中的1種以上的晶體結構的結晶。
如請求項1或請求項2之熱射線屏蔽樹脂片材，其中， <br/>該近紅外線吸收材料粒子的粒徑為10nm以上100nm以下。
如請求項1或請求項2之熱射線屏蔽樹脂片材，其中， <br/>該樹脂為聚碳酸酯樹脂或丙烯酸樹脂。
如請求項1之熱射線屏蔽樹脂片材，其中， 全部的該片層含有該近紅外線吸收材料粒子。
如請求項1之熱射線屏蔽樹脂片材，其中， <br/>僅該第1表面片層與該第2表面片層的任一層含有該近紅外線吸收材料粒子。
如請求項1之熱射線屏蔽樹脂片材，其中， <br/>僅該第1表面片層和該第2表面片層含有該近紅外線吸收材料粒子。
一種液態氫用可搬型裝卸設備，其係介隔存在於船側低溫液罐與陸地側低溫液罐之間，自上述船側低溫液罐及上述陸地側低溫液罐中之一者向另一者移送液態氫者；其包括： <br/>液態氫配管，包括可與自上述船側低溫液罐延伸之船側液管之端部連接之第1接頭、以及可與自上述陸地側低溫液罐延伸之陸地側液管之端部連接之第2接頭，來引導液態氫； <br/>緊急脫離裝置，配置於上述液態氫配管； <br/>阻斷閥，配置於上述液態氫配管中之上述緊急脫離裝置與上述第2接頭之間之部分； <br/>大氣曝露裝置，包括：大氣曝露流路，其一端和上述液態氫配管中之上述第1接頭與上述阻斷閥之間之部分連通，另一端曝露於大氣中；開關閥，對上述大氣曝露流路進行開關；以及加溫部，其配置於上述大氣曝露流路，對由上述大氣曝露流路所引導之液態氫或者液態氫氣化而成之氫氣進行加溫； <br/>氫氣配管，包括可與自上述船側低溫液罐延伸之船側氣體管之端部連接之第3接頭； <br/>排氣配管，一端連接於上述氫氣配管，另一端曝露於大氣中，將自上述船側低溫液罐導入之氫氣排放； <br/>配置於上述氫氣配管之第2緊急脫離裝置，與上述緊急脫離裝置亦即第1緊急脫離裝置不同；以及 <br/>連接配管，將上述液態氫配管中之上述第1接頭與上述阻斷閥之間之部分和上述氫氣配管連接； <br/>上述大氣曝露流路，由上述連接配管、上述排氣配管、以及上述氫氣配管中之上述連接配管與上述排氣配管之間之部分形成， <br/>上述開關閥配置於上述連接配管，且 <br/>上述加溫部配置於上述排氣配管、或者上述氫氣配管中之上述連接配管與上述排氣配管之間之部分。
如請求項1之液態氫用可搬型裝卸設備，其中 <br/>上述連接配管之口徑等於上述液態氫配管之口徑，或大於上述液態氫配管之口徑。
如請求項1或2之液態氫用可搬型裝卸設備，其中還包括： <br/>沖洗氣體供給裝置，構成為可將氮氣及氫氣選擇性地作為沖洗氣體來供給至上述液態氫配管。
如請求項1或2之液態氫用可搬型裝卸設備，其中還包括： <br/>控制裝置，以於上述阻斷閥關閉後且上述緊急脫離裝置之脫離開始之前，打開上述開關閥之方式來控制上述開關閥之開關。
如請求項4之液態氫用可搬型裝卸設備，其中 <br/>上述控制裝置除控制上述開關閥之開關以外，亦控制上述阻斷閥之開關以及上述緊急脫離裝置之脫離。
一種液態氫用可搬型裝卸設備，其係介隔存在於船側低溫液罐與陸地側低溫液罐之間，自上述船側低溫液罐及上述陸地側低溫液罐中之一者向另一者移送液態氫者；其包括： <br/>液態氫配管，包括可與自上述船側低溫液罐延伸之船側液管之端部連接之第1接頭、以及可與自上述陸地側低溫液罐延伸之陸地側液管之端部連接之第2接頭，來引導液態氫； <br/>緊急脫離裝置，配置於上述液態氫配管； <br/>阻斷閥，配置於上述液態氫配管中之上述緊急脫離裝置與上述第2接頭之間之部分；以及 <br/>大氣曝露裝置，包括：大氣曝露流路，其一端和上述液態氫配管中之上述第1接頭與上述阻斷閥之間之部分連通，另一端曝露於大氣中；開關閥，對上述大氣曝露流路進行開關；以及加溫部，其配置於上述大氣曝露流路，對由上述大氣曝露流路所引導之液態氫或者液態氫氣化而成之氫氣進行加溫； <br/>上述阻斷閥為第1阻斷閥， <br/>於上述船側液管配置有第2阻斷閥，且 <br/>上述可搬型裝卸設備還包括控制裝置，其控制上述第1阻斷閥及上述第2阻斷閥之兩者之開關。
如請求項6之液態氫用可搬型裝卸設備，其中 <br/>上述第1阻斷閥及第2阻斷閥分別為藉由供給空氣或者不供給空氣而於關狀態與開狀態之間切換之第1空氣驅動閥及第2空氣驅動閥，並且 <br/>上述可搬型裝卸設備還包括空氣供給裝置，其由上述控制裝置所控制，向上述第1空氣驅動閥及上述第2空氣驅動閥供給空氣。
一種緊急脫離方法，其於緊急時將液態氫移送系統分離為船側及陸地側，上述液態氫移送系統包括：液管，自船側低溫液罐及陸地側低溫液罐中之一者向另一者引導液態氫；緊急脫離裝置，配置於上述液管；第1阻斷閥，配置於上述液管中之上述緊急脫離裝置與上述陸地側低溫液罐之間之部分；第2阻斷閥，配置於上述液管中之上述緊急脫離裝置與上述船側低溫液罐之間之部分；以及開關閥，可將上述液管中之上述第1阻斷閥與上述第2阻斷閥之間之部分曝露於大氣中；並且 <br/>將上述第1阻斷閥及上述第2阻斷閥關閉， <br/>打開上述開關閥，且 <br/>於將上述第1阻斷閥及上述第2阻斷閥關閉以及將上述開關閥打開之後，開始上述緊急脫離裝置之脫離。
一種液態氫用可搬型裝卸設備，其係將儲留於陸地側低溫槽中之液態氫移送至船側低溫槽者，具備： <br/>液態氫配管，具有：可與自上述船側低溫槽延伸之船側液管之端部連接之第1接頭、以及可與自上述陸地側低溫槽延伸之陸地側液管之端部連接之第2接頭，引導液態氫； <br/>第1緊急脫離裝置，配置於上述液態氫配管； <br/>氫氣配管，具有可與自上述船側低溫槽延伸之船側氣體管之端部連接之第3接頭，引導液態氫氣化而成之氫氣； <br/>第2緊急脫離裝置，配置於上述氫氣配管； <br/>排氣配管，一端連接於上述氫氣配管，另一端開放於大氣中；以及 <br/>框架，支持上述液態氫配管及上述氫氣配管； <br/>上述第1緊急脫離裝置具有陸地側之第1聯結器、以及以可分離之方式與上述第1聯結器連接之船側之第2聯結器， <br/>上述第2緊急脫離裝置具有陸地側之第3聯結器、以及以可分離之方式與上述第3聯結器連接之船側之第4聯結器， <br/>上述第1聯結器及上述第3聯結器以與上述第2聯結器及上述第4聯結器分別連接之狀態支持於上述框架。
如請求項1之液態氫用可搬型裝卸設備，其進一步具備： <br/>加溫部，配置於上述排氣配管。
如請求項1之液態氫用可搬型裝卸設備，其中， <br/>上述液態氫配管中之上述第1緊急脫離裝置與上述第1接頭之間之至少一部分以第1可撓性軟管構成， <br/>上述氫氣配管中之上述第2緊急脫離裝置與上述第3接頭之間之至少一部分以第2可撓性軟管構成。
如請求項1之液態氫用可搬型裝卸設備，其進一步具備： <br/>受液部，配置於上述第1緊急脫離裝置及上述第2緊急脫離裝置之下方。
如請求項3之液態氫用可搬型裝卸設備，其中， <br/>上述液態氫配管具有： <br/>固定液管，固定於上述框架； <br/>第1軟管，包含上述第1可撓性軟管；以及 <br/>第1緊急脫離組件，包含上述第1緊急脫離裝置、可與上述固定液管之端部連接之第4接頭、以及可與上述第1軟管之端部連接之第5接頭； <br/>上述氫氣配管具有： <br/>固定氣體管，固定於上述框架； <br/>第2軟管，包含上述第2可撓性軟管；以及 <br/>第2緊急脫離組件，包含上述第2緊急脫離裝置、可與上述固定氣體管之端部連接之第6接頭、以及可與上述第2軟管之端部連接之第7接頭。
如請求項5之液態氫用可搬型裝卸設備，其中， <br/>上述框架具有：框架上部，位於上述第1緊急脫離裝置及上述第2緊急脫離裝置之上方；以及框架下部，位於上述第1緊急脫離裝置及上述第2緊急脫離裝置之下方； <br/>上述固定液管之端部及上述固定氣體管之端部配置於較上述框架下部更上方； <br/>上述可搬型裝卸設備進一步具備升降裝置，其將上述第1緊急脫離組件及上述第2緊急脫離組件舉起至可與上述固定液管之端部及上述固定氣體管之端部連接之位置。
如請求項1至6中任一項之液態氫用可搬型裝卸設備，其中， <br/>上述第1緊急脫離裝置係以自上述第1聯結器分離之上述第2聯結器因自重而落下之方式來配置， <br/>上述第2緊急脫離裝置係以自上述第3聯結器分離之上述第4聯結器因自重而落下之方式來配置， <br/>上述可搬型裝卸設備進一步具備衝擊緩和裝置，其將上述第2聯結器及上述第4聯結器之落下衝擊加以緩和。
如請求項1至6中任一項之液態氫用可搬型裝卸設備，其中， <br/>上述可搬型裝卸設備進一步具備移動裝置，其支持自上述第1聯結器分離之上述第2聯結器、及自上述第3聯結器分離之上述第4聯結器，並且可進行上述第2聯結器及上述第4聯結器之相對於上述框架之相對移動。
一種液態氫用可搬型裝卸設備，其係將儲留於陸地側低溫槽中之液態氫移送至船側低溫槽者，具備： <br/>液態氫配管，具有：可與自上述船側低溫槽延伸之船側液管之端部連接之第1接頭、以及可與自上述陸地側低溫槽延伸之陸地側液管之端部連接之第2接頭，引導液態氫； <br/>第1緊急脫離裝置，配置於上述液態氫配管； <br/>氫氣配管，具有可與自上述船側低溫槽延伸之船側氣體管之端部連接之第3接頭，引導液態氫氣化而成之氫氣； <br/>第2緊急脫離裝置，配置於上述氫氣配管；以及 <br/>排氣配管，一端連接於上述氫氣配管，另一端開放於大氣中； <br/>於上述液態氫配管中之上述第2接頭與上述第1緊急脫離裝置之間之部分，配置有構成為可手動操作之阻斷閥， <br/>上述阻斷閥配置於較上述排氣配管之排放口更下方、且於俯視時自上述排放口向水平方向離開5 m以上之位置。
如請求項1或9之液態氫用可搬型裝卸設備，其中， <br/>上述可搬型裝卸設備為行駛車輛，其進一步具備： <br/>框架，支持上述液態氫配管及上述氫氣配管； <br/>車體，支持上述框架；以及 <br/>行駛驅動源，支持於上述車體。
一種銅構件，具有上面、下面及側面，該銅構件包含由該下面往該上面依序積層之第一層及第二層，且包含銅作為形成該第一層之第一金屬，在該上面的一部分或全部設置包含銅氧化物之層，該上面與該下面平行，該上面及該下面各具有第一相對邊及第二相對邊，該第一相對邊的長度係比該第二相對邊的長度長，該第一相對邊為平行，垂直於該上面且於該第一相對邊之直線部分垂直於該直線之截面中的規定比例中，或於該第一相對邊之曲線部分與該曲線的切線垂直之截面中的規定比例中，來自該上面之線段的端點，及與該端點位於同一側且係由該線段隔開2 μm之直線與來自該側面之線的交點，將該端點及該交點連接的直線與來自該上面之線段所成的角度為未滿90°。
一種銅構件，具有上面、下面及側面，該銅構件包含由該下面往該上面依序積層之第一層及第二層，且包含銅作為形成該第一層之第一金屬，包含鎳作為形成該第二層之第二金屬，該上面與該下面平行，該上面及該下面各具有第一相對邊及第二相對邊，該第一相對邊的長度係比該第二相對邊的長度長，該第一相對邊為平行，垂直於該上面且於該第一相對邊之直線部分垂直於該直線之截面中的規定比例中，或於該第一相對邊之曲線部分與該曲線的切線垂直之截面中的規定比例中，來自該上面之線段的端點，及與該端點位於同一側且係由該線段隔開2 μm之直線與來自該側面之線的交點，將該端點及該交點連接的直線與來自該上面之線段所成的角度為未滿90°。
一種銅構件，具有上面、下面及側面，該銅構件包含由該下面往該上面依序積層之第一層及第二層，該第二層係藉由第二金屬形成，該第二層的附著量為0.5～9.0 mg/dm<sup>2</sup>，該上面與該下面平行，該上面及該下面各具有第一相對邊及第二相對邊，該第一相對邊的長度係比該第二相對邊的長度長，該第一相對邊為平行，垂直於該上面且於該第一相對邊之直線部分垂直於該直線之截面中的規定比例中，或於該第一相對邊之曲線部分與該曲線的切線垂直之截面中的規定比例中，來自該上面之線段的端點，及與該端點位於同一側且係由該線段隔開2 μm之直線與來自該側面之線的交點，將該端點及該交點連接的直線與來自該上面之線段所成的角度為未滿90°。
如請求項1至3中任一項之銅構件，其中，該截面中，來自該下面之線段的長度相對於來自該上面之線段的長度之比例為小於1.4。
如請求項1至3中任一項之銅構件，其中，該截面中，來自該下面之線段的長度相對於來自該上面之線段的長度之比例為小於1.0。
如請求項1至3中任一項之銅構件，其中，窄縮率係在該上面與該下面之間隔的40～60%之間的規定部分最大。
如請求項1至3中任一項之銅構件，其中，形成該第一層之第一金屬相較於形成該第二層之第二金屬，具有藉由形成該銅構件之蝕刻方法被快速去除的特性。
如請求項3之銅構件，其中，包含銅作為形成該第一層之第一金屬。
如請求項1或3之銅構件，其中，包含鎳作為形成該第二層之第二金屬。
如請求項1或2之銅構件，其中，該第二層係藉由第二金屬形成，該第二層的附著量為0.5～9.0 mg/dm<sup>2</sup>。
如請求項1至3中任一項之銅構件，其中，該第二層為鍍敷皮膜。
如請求項7之銅構件，其中，該蝕刻方法包含酸處理。
如請求項1至3中任一項之銅構件，其中，寬度為100 μm以下。
一種印刷佈線板用導體，係由如請求項1至13中任一項之銅構件形成。
一種印刷佈線板用構件，包含：<br/> 如請求項14之該導體；及<br/> 絕緣體，係積層於該導體的底面。
如請求項15之印刷佈線板用構件，其中，該絕緣體包含樹脂基材。
一種印刷佈線板，包含如請求項15或16之印刷佈線板用構件。
如請求項17之印刷佈線板，其中，該印刷佈線板用構件係以該導體間的間隔為100 μm以下之方式形成佈線。
一種印刷電路板，包含電子零件及如請求項17或18之印刷佈線板。
一種印刷佈線板用構件的製造方法，係如請求項15或16之印刷佈線板用構件的製造方法，具有：<br/> 在包含第一金屬之導體箔的表面形成第二層的步驟；<br/> 在與該導體箔的形成有該第二層的面為相反側之面積層絕緣層的步驟；<br/> 在該導體箔的形成有該第二層之面形成光阻層的步驟；<br/> 將形成有該光阻層之該導體箔蝕刻處理的步驟；及<br/> 由經該蝕刻處理之該導體箔去除該光阻層的步驟。
一種包含W1/O/W2形式之微球之貯庫組成物，該W1/O/W2形式之微球包含第一水相(W1)層、油(O)層以及第二水相(W2)層，其中該W1/O/W2形式之微球之該W1層包含活性成分，其中該O層包含生物可降解聚合物及疏水性胺基酸，且其中該W1/O/W2形式之微球在該O層中包含以100重量份的該生物可降解聚合物為基準計，少於1.5重量份的量的該疏水性胺基酸。
如請求項1之貯庫組成物，其中該W1/O/W2形成之微球進一步包含在該W2層中的該疏水性胺基酸。
如請求項1或2之貯庫組成物，其中該微球具有0.1g/ml或更大的總體密度(BD)及介於-8mV與-30mV之間的ζ電位。
如請求項1或2之貯庫組成物，其中該疏水性胺基酸係選自由纈胺酸、甲硫胺酸、丙胺酸、苯基丙胺酸、色胺酸、異白胺酸和白胺酸所組成之群組。
如請求項2之貯庫組成物，其中該W1/O/W2形式之微球包含以整體W2層為基準計，0.05%(w/v)至25%(w)的量之疏水性胺基酸。
如請求項1或2之貯庫組成物，其中該生物可降解聚合物為包含乳酸交酯及乙交酯作為單體之聚合物。
如請求項6之貯庫組成物，其中該生物可降解聚合物具有0.35至0.65dL/g之固有黏度(25℃)。
一種製備貯庫組成物之方法，其包含：將包含水溶性溶劑的第一水相(水相1：W1)溶液與油相(O)溶液混合以製備W1/O乳液；且將該油相溶液或W1/O乳液引入第二水相(水相2：W2)溶液中以形成W1/O/W2乳液，其中該W1/O乳液之該W1溶液包含活性成分，且其中該W1/O乳液之該O溶液包含以100重量份的生物可降解聚合物為基準計，少於1.5重量份的量的疏水性胺基酸。
如請求項8之方法，其中該W2溶液進一步包含疏水性胺基酸。
如請求項9之方法，其中該疏水性胺基酸以整體W2溶液為基準計之0.05%至25.0%(w/v)的量包含在內。
如請求項8或9之方法，進一步包含在乾燥及/或過濾上文所製備的該W1/O/W2乳液之後離心以回收微球之步驟。
一種用於使用CVE條目來驗證一網路設備的漏洞的方法，包括：<br/> 由一電腦化數據處理單元對每個CVE條目進行索引，定義一索引的CVE條目；<br/> 由該電腦化數據處理單元對與該網路設備相關的電腦網路上的網路分組進行解碼，定義與該網路設備的身份相關的一解碼串；<br/> 由該電腦化數據處理單元將該解碼串與該索引的CVE條目進行匹配，如果發現匹配，則發出一警報；<br/> 其中，該索引包括根據每個CVE條目產生一CVE樹，定義該索引的CVE條目；<br/> 其中，所述產生包括識別易受攻擊配置欄位，並針對每個易受攻擊配置欄位提取包括一運算元屬性和嵌套一CPE記錄的易受攻擊條件的集合，其中，該CVE樹被設置有該運算符屬性作為一節點，以及該CPE記錄作為來自該節點的葉子；<br/> 其中，所述產生還包括通過名稱屬性對每個CPE記錄進行分割，定義分割CPE記錄，該分割CPE記錄被設置有第一個名稱屬性作為CPE父節點，以及每個後續名稱屬性分別作為來自前一個名稱屬性的CPE葉子並且作為後一個名稱屬性的CPE節點；<br/> 其中，該CVE樹中的每個CPE記錄被相關的分割CPE記錄取代，其中最後一個名稱屬性作為來自該運算符屬性的CPE葉子；<br/> 其中針對具有更多葉子的CVE樹的節點進行分割；<br/> 其中，該解碼包括以具有預定大小的多個n元語法的序列對該解碼串進行標記解析；並且<br/> 其中，所述匹配包括在該CVE樹中查找該等多個n元語法的序列，如果當該運算符屬性對應於OR時，在至少一個CPE記錄之間發現匹配，則發出該警報，以及如果當該運算符屬性對應於AND時，在所有CPE記錄之間發現匹配，則發出該警報；<br/> 其中所述匹配包括從最小的n元語法開始到最大的n元語法在該CVE樹中查找該等多個n元語法的序列，其中產生該等n元語法的移動視窗等於1；<br/> 其中所述匹配包括從分割節點的第一個名稱屬性開始並回溯該CVE樹直到該父節點，在該CVE樹中查找該等多個n元語法的序列；並且<br/> 對具有更多葉子的CVE樹的後續節點反覆運算進行分割和匹配。
如請求項1所述之用於使用CVE條目來驗證網路設備的漏洞的方法，其中所述產生包括標識多個易受攻擊配置字段，並進一步針對每個易受攻擊配置字段，提取至少一個主運算符屬性和易受攻擊條件的多個嵌套集合，並且<br/> 其中，該CVE樹被設置有該主運算符屬性作為節點，以及易受攻擊條件的每個集合作為來自該節點的葉子。
如請求項1所述之用於使用CVE條目來驗證網路設備的漏洞的方法，其中所述匹配包括從第一個名稱屬性開始在該CVE樹中查找該等多個n元語法的序列，如果當該運算符屬性對應於OR時，在至少一個分割CPE記錄的所有名稱屬性之間發現匹配，則發出該警報，以及如果當該運算元屬性對應於AND時， 在所有分割CPE記錄的所有名稱屬性之間發現匹配，則發出該警報。
如請求項1所述之用於使用CVE條目來驗證網路設備的漏洞的方法，其中所述匹配包括從第一個名稱屬性開始並回溯該CVE樹，在該CVE樹中查找該等多個n元語法的序列；並且<br/> 其中，當沒有找到與n元語法的匹配時，則跳過n元語法。
如請求項1所述之用於使用CVE條目來驗證網路設備的漏洞的方法，其中該網路分組是該網路設備用來通告其身份的發現協定類型。
如請求項5所述之用於使用CVE條目來驗證網路設備的漏洞的方法，其中該網路分組是思科發現協定。
如請求項1所述之用於使用CVE條目來驗證網路設備的漏洞的方法，其中該等n元語法的大小包括在1至5之間，該等n元語法的大小包括在1至3之間。
如請求項1所述之用於使用CVE條目來驗證網路設備的漏洞的方法，其中該等易受攻擊配置字段由vuln：vulnerable-configuration標籤識別。
如請求項1所述之用於使用CVE條目來驗證網路設備的漏洞的方法，其中該運算符屬性由cpe-lang：logical-test運算符標籤所識別。
如請求項1所述之用於使用CVE條目來驗證網路設備的漏洞的方法，其中該CPE記錄由cpe-lang：fact-ref標籤所識別。
如請求項1所述之用於使用CVE條目來驗證網路設備的漏洞的方法，其中該名稱屬性由cpe-lang：fact-ref標籤所識別，通過冒號間隔開。
如請求項1所述之用於使用CVE條目來驗證網路設備的漏洞的方法，其中在該標記解析之前，通過將每個大寫字元變換成其小寫變體並且通過用空格替換下劃線、括弧和引號字元來對該解碼串進行規範化。
一種分級退返產品管理倉儲之電腦實施的系統，包括：一或多個記憶體裝置，儲存指令；以及一或多個處理器，被配置成執行所述指令以實行包括以下的操作：自使用者裝置接收退返產品辨識符及對產品進行分級的請求；基於所述退返產品辨識符產生階層式模型，所述階層式模型包括多個資料結構；產生被配置成遍歷所述階層式模型的所述多個資料結構的代理，其中遍歷所述多個資料結構包括：在第一資料結構處：經由工作者裝置掃描所述產品的標記；基於所掃描的所述標記，在資料庫中搜尋與所述產品相關聯的產品資訊且辨識與所述產品相關聯的所述產品資訊；基於所述產品資訊，自所述資料庫擷取至少一個第一提示；以及修改所述資料庫以基於所掃描的所述標記向所述退返產品辨識符分派對所述第一提示的至少一個響應；在第二資料結構處：經由所述工作者裝置掃描所述產品的所述標記；基於所掃描的所述標記，在所述資料庫中搜尋與所述產品相關聯的產品資訊且辨識與所述產品相關聯的所述產品資訊；基於所述產品資訊，自所述資料庫擷取至少一個第二提示；將所述第二提示發射至所述工作者裝置；經由所述工作者裝置提交對所述第二提示的至少一個響應；以及修改所述資料庫以向所述退返產品辨識符分派對所述第二提示的至少一個響應；在第三資料結構處：確定與所述產品相關聯的產品狀況；以及將所述產品狀況分派給所述退返產品辨識符；基於所述產品狀況確定所述產品的價格；修改所述資料庫以將所述價格分派給所述退返產品辨識符；向所述使用者裝置發射以所確定的所述價格轉售所述產品的通知；以及針對經由所述使用者裝置的呈現提供包括所述通知的使用者介面。
如請求項1所述的電腦實施的系統，其中產生所述階層式模型包括：經由組織內部使用者裝置產生所述階層式模型；基於所述退返產品辨識符確定與所述產品相關聯的參數的階層；以及基於所述參數的階層佈置所述多個資料結構。
如請求項2所述的電腦實施的系統，其中所述參數包括以下中的至少一者：產品價格、產品類別、產品過期日期、與產品供應商的顧客關係、產品損壞、或接收所述產品的履行中心的類型。
如請求項1所述的電腦實施的系統，其中所述操作更包括接收與所述退返產品辨識符相關聯的所述產品的至少一個影像及廣告宣傳的所述產品的至少一個影像。
如請求項4所述的電腦實施的系統，其中所述操作更包括：向所述工作者裝置發射查驗與所述退返產品辨識符相關聯的所述產品的所述至少一個影像的請求；以及針對經由所述工作者裝置的呈現提供使用者介面，所述使用者介面包括查驗與所述退返產品辨識符相關聯的所述產品的所述至少一個影像及廣告宣傳的所述產品的所述至少一個影像的所述請求。
如請求項5所述的電腦實施的系統，其中所述使用者介面更包括用於查驗與所述退返產品辨識符相關聯的所述產品的所述至少一個影像的能夠選擇的介面元素。
如請求項6所述的電腦實施的系統，其中所述操作更包括：自所述工作者裝置接收所述產品較廣告宣傳的所述產品的所述至少一個影像中所繪示被損壞得多的指示；以及修改所述資料庫以將所述指示分派給所述退返產品辨識符。
如請求項6所述的電腦實施的系統，其中所述操作更包括：自所述工作者裝置接收所述產品較廣告宣傳的所述產品的所述至少一個影像中所繪示被損壞得少的指示；以及修改所述資料庫以將所述指示分派給所述退返產品辨識符。
如請求項6所述的電腦實施的系統，其中所述操作更包括：確定所述產品狀況是嚴重受損；以及修改所述資料庫以將對所述第一資料結構及所述第二資料結構的響應分派給所述退返產品辨識符，其中所分派的所述響應指示所述產品是能夠回收的。
如請求項6所述的電腦實施的系統，其中所述操作更包括：確定所述產品狀況是嚴重受損；以及修改所述資料庫以將對所述第一資料結構及所述第二資料結構的響應分派給所述退返產品辨識符，其中所分派的所述響應指示所述產品是不能夠回收的。
一種分級退返產品管理倉儲之電腦實施的方法，包括：自使用者裝置接收退返產品辨識符及對產品進行分級的請求；基於所述退返產品辨識符產生階層式模型，所述階層式模型包括多個資料結構；產生被配置成遍歷所述階層式模型的所述多個資料結構的代理，其中遍歷所述多個資料結構包括：在第一資料結構處：經由工作者裝置掃描所述產品的標記；基於所掃描的所述標記，在資料庫中搜尋與所述產品相關聯的產品資訊且辨識與所述產品相關聯的所述產品資訊；基於所述產品資訊，自所述資料庫擷取至少一個第一提示；以及修改所述資料庫以基於所掃描的所述標記向所述退返產品辨識符分派對所述第一提示的至少一個響應；在第二資料結構處：經由所述工作者裝置掃描所述產品的所述標記；基於所掃描的所述標記，在所述資料庫中搜尋與所述產品相關聯的產品資訊且辨識與所述產品相關聯的所述產品資訊；基於所述產品資訊，自所述資料庫擷取至少一個第二提示；將所述第二提示發射至所述工作者裝置；經由所述工作者裝置提交對所述第二提示的至少一個響應；以及修改所述資料庫以向所述退返產品辨識符分派對所述第二提示的至少一個響應；在第三資料結構處：確定與所述產品相關聯的產品狀況；以及將所述產品狀況分派給所述退返產品辨識符；基於所述產品狀況確定所述產品的價格；修改所述資料庫以將所述價格分派給所述退返產品辨識符；向所述使用者裝置發射以所確定的所述價格轉售所述產品的通知；以及針對經由所述使用者裝置的呈現提供包括所述通知的使用者介面。
如請求項11所述的方法，其中產生所述階層式模型包括：經由組織內部使用者裝置產生所述階層式模型；基於所述退返產品辨識符確定與所述產品相關聯的參數的階層；以及基於所述參數的階層佈置所述多個資料結構。
如請求項11所述的方法，更包括接收與所述退返產品辨識符相關聯的所述產品的至少一個影像及廣告宣傳的所述產品的至少一個影像。
如請求項13所述的方法，更包括：向所述工作者裝置發射查驗與所述退返產品辨識符相關聯的所述產品的所述至少一個影像的請求；以及針對經由所述工作者裝置的呈現提供使用者介面，所述使用者介面包括查驗與所述退返產品辨識符相關聯的所述產品的所述至少一個影像及廣告宣傳的所述產品的所述至少一個影像的所述請求。
如請求項14所述的方法，其中所述使用者介面更包括用於查驗與所述退返產品辨識符相關聯的所述產品的所述至少一個影像的能夠選擇的介面元素。
如請求項15所述的方法，更包括：自所述工作者裝置接收所述產品較廣告宣傳的所述產品的所述至少一個影像中所繪示被損壞得多的指示；以及修改所述資料庫以將所述指示分派給所述退返產品辨識符。
如請求項15所述的方法，更包括：自所述工作者裝置接收所述產品較廣告宣傳的所述產品的所述至少一個影像中所繪示被損壞得少的指示；以及修改所述資料庫以將所述指示分派給所述退返產品辨識符。
如請求項15所述的方法，更包括：確定所述產品狀況是嚴重受損；以及修改所述資料庫以將對所述第一資料結構及所述第二資料結構的響應分派給所述退返產品辨識符，其中所分派的所述響應指示所述產品是能夠回收的。
如請求項15所述的方法，更包括：確定所述產品狀況是嚴重受損；以及修改所述資料庫以將對所述第一資料結構及所述第二資料結構的響應分派給所述退返產品辨識符，其中所分派的所述響應指示所述產品是不能夠回收的。
一種分級退返產品管理倉儲之電腦實施的系統，包括：一或多個記憶體裝置，儲存指令；以及一或多個處理器，被配置成執行所述指令以實行包括以下的操作：自使用者裝置接收模擬退返產品辨識符及對產品進行分級的模擬請求；基於所述模擬退返產品辨識符產生階層式模型，所述階層式模型包括多個資料結構；產生被配置成遍歷所述階層式模型的所述多個資料結構的代理，其中遍歷所述多個資料結構包括：在第一資料結構處：經由工作者裝置掃描所述產品的標記；基於所掃描的所述標記，在資料庫中搜尋與所述產品相關聯的產品資訊且辨識與所述產品相關聯的所述產品資訊；基於所述產品資訊，自所述資料庫擷取至少一個第一提示；以及修改所述資料庫以基於所掃描的所述標記向所述模擬退返產品辨識符分派對所述第一提示的至少一個響應；在第二資料結構處：經由所述工作者裝置掃描所述產品的所述標記；基於所掃描的所述標記，在所述資料庫中搜尋與所述產品相關聯的產品資訊且辨識與所述產品相關聯的所述產品資訊；基於所述產品資訊，自所述資料庫擷取至少一個第二提示；將所述第二提示發射至所述工作者裝置；經由所述工作者裝置提交對所述第二提示的至少一個響應；以及修改所述資料庫以向所述模擬退返產品辨識符分派對所述第二提示的至少一個響應；在第三資料結構處：確定與所述產品相關聯的產品狀況；以及將所述產品狀況分派給所述模擬退返產品辨識符；基於所述產品狀況確定所述產品的價格；修改所述資料庫以將所述價格分派給所述模擬退返產品辨識符；向所述使用者裝置發射以所確定的所述價格轉售所述產品的通知；針對經由所述使用者裝置的呈現提供包括所述通知的使用者介面；對所確定的所述價格實行驗證測試；基於確定出所確定的所述價格通過所述驗證測試，將所述階層式模型應用於真實退返產品辨識符及真實請求；以及基於確定出所確定的所述價格未通過所述驗證測試，藉由修改所述多個資料結構中的至少一個資料結構或兩個資料結構之間的至少一個連接來修改所述階層式模型。
一種用於整合一影像感測器與一發光二極體（LED）的方法，該方法包含以下步驟：<br/> 在一基板上形成複數個空腔，該複數個空腔具有至少一個空腔輪廓並且被配置為接納該發光二極體的一發射器像素結構或該影像感測器的一感測器像素結構；<br/> 在該基板上的該複數個空腔中的一至少第一個空腔中形成至少一個發射器像素結構，其中該至少一個發射器像素結構被配置為在一同一側和一同一高度下具有複數個暴露的直接發射器接觸區域；以及<br/> 在該基板上的該複數個空腔中的一至少第二個空腔中形成至少一個感測器像素結構，其中該至少一個感測器像素結構被配置為在一同一側和一同一高度下具有複數個暴露的直接感測器接觸區域。
如請求項1所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：<br/> 在該複數個暴露的直接發射器接觸區域上的該至少一個發射器像素結構上形成接點；以及 <br/> 在該複數個暴露的感測器接觸區域上的該至少一個感測器像素結構上形成接點。
如請求項2所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：<br/> 在該基板上形成一重分佈層；和<br/> 將至少一個驅動器電路經由該重分佈層互連到該至少一個發射器像素結構，以控制該發光二極體的該至少一個發射器像素結構中的至少一個發射器像素結構。
如請求項2所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：<br/> 在該基板上形成一重分佈層；和<br/> 將至少一個讀出電路經由該重分佈層互連到該至少一個感測器像素結構，以控制該影像感測器的該至少一個感測器像素結構中的至少一個感測器像素結構。
如請求項1所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：<br/> 平坦化該基板的一底表面以暴露該至少一個發射器像素結構或該至少一個感測器像素結構的一底部區域。
如請求項1所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：<br/> 在該基板上形成一模製層；和<br/> 藉由蝕刻該模製層中的複數個空腔，以在該基板上形成該複數個空腔。
如請求項1所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：<br/> 藉由蝕刻複數個空腔進入一基板材料，以在該基板上形成該複數個空腔。
如請求項1所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：<br/> 使用一原子層沉積(ALD)處理、一化學氣相沉積(CVD)處理或一分子束外延(MBE)處理形成該至少一個發射器像素結構；和<br/> 使該至少一個發射器像素結構結晶。
如請求項1所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：<br/> 使用一原子層沉積(ALD)處理、一化學氣相沉積(CVD)處理或一分子束外延(MBE)處理形成該至少一個感測器像素結構；和<br/> 使該至少一個感測器像素結構結晶。
一種用於整合一影像感測器與一發光二極體（LED）的方法，該方法包含以下步驟：<br/> 在一基板上形成一硬遮罩圖案；<br/> 基於該硬遮罩圖案在該基板上形成複數個空腔，該複數個空腔具有至少一個空腔輪廓並且被配置為接納該發光二極體的一發射器像素結構或該影像感測器的一感測器像素結構；<br/> 在該基板上的該複數個空腔中的一至少第一個空腔中形成至少一個共形發射器像素結構，其中該至少一個共形發射器像素結構被配置為在一同一側和一同一高度下具有複數個暴露的直接發射器接觸區域； <br/> 在該基板上的該複數個空腔中的一至少第二個空腔中形成至少一個共形感測器像素結構，其中該至少一個共形感測器像素結構被配置為在一同一側和一同一高度下具有複數個暴露的直接感測器接觸區域；<br/> 在該複數個暴露的直接發射器接觸區域上的該至少一個共形發射器像素結構上形成接點；以及 <br/> 在該複數個暴露的直接感測器接觸區域上的該至少一個共形感測器像素結構上形成接點。
如請求項10所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：<br/> 在該基板上形成一模製層；和<br/> 藉由蝕刻該模製層中的複數個空腔，以在該基板上形成該複數個空腔。
如請求項10所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：<br/> 藉由蝕刻複數個空腔進入一基板材料，以在該基板上形成該複數個空腔。
如請求項10所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：<br/> 使用一原子層沉積(ALD)處理、一化學氣相沉積(CVD)處理或一分子束外延(MBE)處理形成該至少一個共形發射器像素結構；和<br/> 使該至少一個共形發射器像素結構結晶。
如請求項10所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：<br/> 使用一原子層沉積(ALD)處理、一化學氣相沉積(CVD)處理或一分子束外延(MBE)處理形成該至少一個共形感測器像素結構；和<br/> 使該至少一個共形感測器像素結構結晶。
如請求項10所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：<br/> 在該基板上形成一重分佈層；<br/> 將至少一個驅動器電路經由該重分佈層互連到該至少一個共形發射器像素結構，以控制該發光二極體的該至少一個共形發射器像素結構中的至少一個共形發射器像素結構；以及<br/> 將至少一個讀出電路經由該重分佈層互連到該至少一個共形感測器像素結構，以控制該影像感測器的該至少一個共形感測器像素結構中的至少一個共形感測器像素結構。
如請求項15所述之方法，其中該至少一個驅動器電路或該至少一個讀出電路被形成在與該至少一個共形發射器像素結構相鄰或與該至少一個共形感測器像素結構相鄰的一基板材料中。
一種非暫態性電腦可讀取媒體，其上儲存了指令，該等指令在被執行時使得一種用於整合一影像感測器與一發光二極體(LED)的方法被執行，該方法包含以下步驟：<br/> 在一基板上形成複數個空腔，該複數個空腔具有至少一個空腔輪廓並且被配置為接納該發光二極體的一發射器像素結構或該影像感測器的一感測器像素結構；<br/> 在該基板上的該複數個空腔中的一至少第一個空腔中形成至少一個發射器像素結構，其中該至少一個發射器像素結構被配置為在一同一側和一同一高度下具有複數個暴露的直接發射器接觸區域；以及<br/> 在該基板上的該複數個空腔中的一至少第二個空腔中形成至少一個感測器像素結構，其中該至少一個感測器像素結構被配置為在一同一側和一同一高度下具有複數個暴露的直接感測器接觸區域。
如請求項17所述之非暫態性電腦可讀取媒體，其中該至少一個空腔輪廓包括用於該至少一個發射器像素結構的一第一空腔輪廓和用於該至少一個感測器像素結構的一第二空腔輪廓。
如請求項17所述之非暫態性電腦可讀取媒體，其中該方法進一步包含以下步驟：<br/> 使用一原子層沉積(ALD)處理、一化學氣相沉積(CVD)處理或一分子束外延(MBE)處理形成該至少一個發射器像素結構；或<br/> 使用一原子層沉積(ALD)處理、一化學氣相沉積(CVD)處理或一分子束外延(MBE)處理形成該至少一個感測器像素結構；和<br/> 使該至少一個發射器像素結構結晶。
如請求項17所述之非暫態性電腦可讀取媒體，其中該方法進一步包含以下步驟：<br/> 在該基板上形成一模製層；和<br/> 藉由蝕刻該模製層中的複數個空腔，以在該基板上形成該複數個空腔；或 <br/> 藉由蝕刻複數個空腔進入一基板材料，以在該基板上形成該複數個空腔。
一種靜電卡盤，包括：一陶瓷本體；一裝置，嵌入該陶瓷本體內；以及一界面層，經形成為上覆於該裝置，其中該界面層與該陶瓷本體形成一固體溶液。
如請求項1之靜電卡盤，其中該陶瓷本體包括氮化鋁、氮化硼、碳化矽、及硝酸矽中之一或多者。
如請求項1之靜電卡盤，其中該陶瓷本體包括一添加劑，且該添加劑選自由Al<sub>2</sub>MgO<sub>4</sub>、Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、MgO、CaF<sub>2</sub>、及LiF中之一或多者所組成之群組。
如請求項1之靜電卡盤，其中該裝置包括一加熱元件，該加熱元件包括鉬、鎢、Mo<sub>X</sub>W<sub>y</sub>、MoSi<sub>X</sub>、及WSi<sub>X</sub>中之一或多者。
如請求項1之靜電卡盤，其中該裝置包括一加熱元件，該加熱元件包括一導線。
如請求項5之靜電卡盤，其中該加熱元件包括一鉬合金或一鎢合金。
如請求項6之靜電卡盤，其中該鉬合金包括鉬以及約1原子百分比至約50原子百分比的選自由W及Si所組成之群組的一元素。
如請求項1之靜電卡盤，其中相較於不包括該界面層的一靜電卡盤，該界面層降低該陶瓷本體隨溫度的體積膨脹。
如請求項1之靜電卡盤，其中該界面層包括一陶瓷化合物，該陶瓷化合物包括選自由Mg、Ca、Mn、Al、Ba、Be、Zr、Co、Zn、Cr所組成之群組的一金屬，以及氧、氮、碳及磷中之一或多者。
如請求項9之靜電卡盤，其中該界面層更包括一添加劑，該添加劑選自由CaO、MnO、MgO、AlON、BaO、BeO、ZrO<sub>2</sub>、CoO、ZnO、Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>及Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>所組成之群組。
一種形成一靜電卡盤之方法，該方法包括下列步驟：在一模具內提供陶瓷前驅物材料；提供一裝置；用一界面材料塗佈該裝置，以形成一經塗佈裝置；將該經塗佈裝置放置於該陶瓷前驅物材料之上或之內；以及燒結該陶瓷前驅物材料，以形成該靜電卡盤，其中該界面材料在介於該裝置與該燒結步驟期間所形成的陶瓷材料之間形成一界面層。
如請求項11之方法，其中提供陶瓷前驅物材料之該步驟包括提供氮化鋁、氮化硼、碳化矽、及硝酸矽粉末中之一或多者。
如請求項11所述之方法，更包括下列之一步驟：提供選自由Al<sub>2</sub>MgO<sub>4</sub>、Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、MgO、CaF<sub>2</sub>、LiF所組成之群組的一添加劑到該模具。
如請求項11之方法，其中燒結之該步驟包括火花電漿燒結。
如請求項11之方法，其中塗佈之該步驟包括物理氣相沉積及/或化學氣相沉積。
如請求項11之方法，其中塗佈之該步驟包括電化學沉積。
如請求項11之方法，其中塗佈之該步驟包括在一擠出製程期間，將該界面材料或一界面金屬施加於該裝置之一表面上。
如請求項11之方法，其中塗佈之該步驟包括沉積一金屬及後續在一爐中的氧化、氮化及/或磷化。
如請求項11之方法，其中塗佈之該步驟包括一氣體相沉積製程。
如請求項11之方法，其中該裝置包括鉬及鎢中之一或多者，且其中該界面材料包括選自由Mg、Ca、Mn、Al、Ba、Be、Zr、Co、Zn、Cr所組成之群組的一金屬，以及氧、氮、氟化物及磷酸鹽中之一或多者。
一種25-羥基維生素D<sub>3</sub>之延長釋放調配物之用途，其係用於製備治療患有慢性腎病5期且具有繼發性副甲狀腺高能症及血清總25-羥基維生素D小於30 ng/mL之患者之醫藥品，其中該患者每週進行三次血液透析，其中該治療包含每週300-900 mcg之劑量之25-羥基維生素D<sub>3</sub>，該劑量分成每週兩個或三個劑量。
如請求項1之用途，其中該患者具有≥150 pg/mL且＜600 pg/mL之血清完整副甲狀腺激素(iPTH)含量。
如請求項2之用途，其中該患者具有≥400 pg/mL且＜900 pg/mL之血清iPTH含量。
如請求項1之用途，其中該醫藥品係用於以每週兩次或每週三次之時間表向該患者投與25-羥基維生素D<sub>3</sub>。
如請求項4之用途，其中該醫藥品係用於以每週兩次之時間表向該患者投與25-羥基維生素D<sub>3</sub>。
如請求項4之用途，其中該醫藥品係用於以每週三次之時間表向該患者投與25-羥基維生素D<sub>3</sub>。
如請求項1之用途，其中該醫藥品係用於向該患者每週投與600-900 mcg之劑量之25-羥基維生素D<sub>3</sub>。
如請求項1之用途，其中該醫藥品係用於向該患者每週投與300 mcg之劑量之25-羥基維生素D<sub>3</sub>。
如請求項7之用途，其中該醫藥品係用於向該患者每週投與600 mcg之劑量之25-羥基維生素D<sub>3</sub>。
如請求項7之用途，其中該醫藥品係用於向該患者每週投與900 mcg之劑量之25-羥基維生素D<sub>3</sub>。
如請求項1之用途，其中該醫藥品係用於向該患者投與25-羥基維生素D<sub>3</sub>以提高該患者的血清25-羥基維生素D<sub>3</sub>含量到至少50 ng/ml。
如請求項11之用途，其中該醫藥品係用於向該患者投與25-羥基維生素D<sub>3</sub>以提高該患者的血清25-羥基維生素D<sub>3</sub>含量至50 ng/ml至200 ng/mL之範圍中。
如請求項1之用途，其中該治療降低該患者之血清PTH含量。
如請求項13之用途，其中該治療降低該患者之血清PTH含量至少30%。
如請求項1之用途，其中該醫藥品係用於以膠囊形式口服投與。
如請求項1之用途，其中該延長釋放25-羥基維生素D<sub>3</sub>之治療不會誘發高鈣血症。
如請求項1之用途，其中該延長釋放25-羥基維生素D<sub>3</sub>之治療不會誘發高磷酸鹽血症。
一種25-羥基維生素D<sub>3</sub>之延長釋放調配物之用途，其係用於製備治療患有慢性腎病5期且具有繼發性副甲狀腺高能症及維生素D不足之患者之醫藥品，其中該患者每週進行三次血液透析，其中該醫藥品係用於向該患者每週投與600 mcg至900 mcg之劑量之25-羥基維生素D<sub>3</sub>，該劑量分成每週兩個或三個劑量。
如請求項18之用途，其中該患者之血清25-羥基維生素D<sub>3</sub>含量提高至50 ng/ml至200 ng/mL之範圍中，以及該治療不會誘發高鈣血症且不會誘發高磷酸鹽血症。
一種25-羥基維生素D<sub>3</sub>之延長釋放調配物之用途，其係用於製備治療患有慢性腎病5期且具有繼發性副甲狀腺高能症及維生素D不足之患者之醫藥品，其中該患者每週進行三次血液透析，其中該醫藥品係用於每週口服投與600 mcg至900 mcg之劑量之25-羥基維生素D<sub>3</sub>，該劑量係每週分成3次投與，且該醫藥品提高該患者之血清25-羥基維生素D<sub>3</sub>含量至50 ng/ml至200 ng/mL之範圍中，其中該治療不會誘發高鈣血症且不會誘發高磷酸鹽血症。
一種式(I)化合物或其醫藥學上可接受之鹽、或前述任一者之立體化學異構物或互變異構形式， <br/><img align="absmiddle" height="53px" width="86px" file="ed10669.jpg" alt="ed10669.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>式(I) <br/>其中： <br/>A為-N(CH<sub>2</sub>R<sup>N1</sup>)(CH<sub>2</sub>R<sup>N2</sup>)或含有至少一個N之4-7員雜環基環，其中該4-7員雜環基環視情況地經0-6個R<sup>3</sup>取代； <br/>各X獨立地為–O–、–N(R<sup>1</sup>)–或–N(R<sup>2</sup>)–； <br/>R<sup>1</sup>選自由視情況經取代之C<sub>1</sub>-C<sub>31</sub>脂族及類固醇基組成之群； <br/>R<sup>2</sup>選自由視情況經取代之C<sub>1</sub>-C<sub>31</sub>脂族及類固醇基組成之群； <br/>R<sup>3</sup>為視情況經取代之C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>脂族； <br/>R<sup>N1</sup>及R<sup>N2</sup>各自獨立地為氫、羥基-C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基或C<sub>3</sub>-C<sub>7</sub>環烷基； <br/>L<sup>1</sup>選自由視情況經取代之C<sub>1</sub>-C<sub>20</sub>伸烷基鏈及二價視情況經取代之C<sub>2</sub>-C<sub>20</sub>伸烯基鏈組成之群； <br/>L<sup>2</sup>選自由視情況經取代之C<sub>1</sub>-C<sub>20</sub>伸烷基鏈及二價視情況經取代之C<sub>2</sub>-C<sub>20</sub>伸烯基鏈組成之群；且 <br/>L<sup>3</sup>為鍵、視情況經取代之C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>伸烷基鏈或二價視情況經取代之 C<sub>3</sub>-C<sub>7</sub>伸環烷基；且 <br/>條件為當A為-N(CH<sub>3</sub>)(CH<sub>3</sub>)且X為O時，L<sup>3</sup>不為C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>伸烷基鏈。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、或前述任一者之立體化學異構物或互變異構形式，其中R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>各自獨立地為視情況經取代之C<sub>1</sub>-C<sub>31</sub>烷基或視情況經取代之C<sub>2</sub>-C<sub>31</sub>烯基。
如請求項1或2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、或前述任一者之立體化學異構物或互變異構形式，其中該化合物為式(I-a)化合物： <img align="absmiddle" height="59px" width="119px" file="ed10670.jpg" alt="ed10670.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>式(I-a) <br/>其中： <br/>A為僅含有一個N的4-7員雜環基環； <br/>各R<sup>3</sup>獨立地為C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烯基，其中各C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烯基視情況經1-3個C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基或-OH取代； <br/>L<sup>3</sup>為鍵或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>伸烷基鏈；及 <br/>m為0、1、2、3、4、5或6。
如請求項3之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、或前述任一者之立體化學異構物或互變異構形式，其中該化合物為式(I-b)化合物： <img align="absmiddle" height="59px" width="118px" file="ed10671.jpg" alt="ed10671.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>式(I-b) <br/>其中： <br/>n為0、1、2或3；且 <br/>m為0、1、2、3、4、5或6。
如請求項3之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、或前述任一者之立體化學異構物或互變異構形式，其中該化合物為式(I-bii)化合物： <img align="absmiddle" height="70px" width="137px" file="ed10672.jpg" alt="ed10672.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>式(I-bii) <br/>其中： <br/>m為0、1、2或3；且 <br/>p及q各自獨立地為0、1、2或3，其中q+p小於或等於3。
如請求項1或2中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、或前述任一者之立體化學異構物或互變異構形式，其中R<sup>3</sup>為C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烯基，其中各C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烯基視情況經1-3個C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基或-OH取代。
如請求項1或2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、或前述任一者之立體化學異構物或互變異構形式，其中A為-N(CH<sub>2</sub>R<sup>N1</sup>)(CH<sub>2</sub>R<sup>N2</sup>)，且R<sup>N1</sup>及R<sup>N2</sup>各自獨立地選自氫、-CH<sub>2</sub>CH=CH<sub>2</sub>、–CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>OH、<img align="absmiddle" height="9px" width="14px" file="ed10674.jpg" alt="ed10674.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="11px" width="18px" file="ed10675.jpg" alt="ed10675.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種化合物或其醫藥學上可接受之鹽、或前述任一者之立體化學異構物或互變異構形式，其中該化合物選自由以下組成之群： <br/><img align="absmiddle" height="63px" width="161px" file="ed10676.jpg" alt="ed10676.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="63px" width="158px" file="ed10678.jpg" alt="ed10678.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="63px" width="157px" file="ed10680.jpg" alt="ed10680.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="65px" width="153px" file="ed10682.jpg" alt="ed10682.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="75px" width="146px" file="ed10684.jpg" alt="ed10684.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="42px" width="104px" file="ed10686.jpg" alt="ed10686.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="63px" width="155px" file="ed10688.jpg" alt="ed10688.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="67px" width="155px" file="ed10690.jpg" alt="ed10690.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="63px" width="161px" file="ed10692.jpg" alt="ed10692.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="63px" width="149px" file="ed10694.jpg" alt="ed10694.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="166px" file="ed10696.jpg" alt="ed10696.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="63px" width="156px" file="ed10698.jpg" alt="ed10698.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="63px" width="164px" file="ed10700.jpg" alt="ed10700.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="63px" width="160px" file="ed10702.jpg" alt="ed10702.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="63px" width="160px" file="ed10704.jpg" alt="ed10704.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="61px" width="161px" file="ed10706.jpg" alt="ed10706.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="63px" width="160px" file="ed10708.jpg" alt="ed10708.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="63px" width="161px" file="ed10710.jpg" alt="ed10710.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="63px" width="157px" file="ed10712.jpg" alt="ed10712.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="63px" width="161px" file="ed10714.jpg" alt="ed10714.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="63px" width="169px" file="ed10716.jpg" alt="ed10716.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="63px" width="174px" file="ed10718.jpg" alt="ed10718.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="42px" width="107px" file="ed10720.jpg" alt="ed10720.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="63px" width="155px" file="ed10722.jpg" alt="ed10722.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="63px" width="156px" file="ed10724.jpg" alt="ed10724.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="63px" width="155px" file="ed10726.jpg" alt="ed10726.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="63px" width="175px" file="ed10728.jpg" alt="ed10728.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="63px" width="182px" file="ed10730.jpg" alt="ed10730.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、、<img align="absmiddle" height="61px" width="150px" file="ed10733.jpg" alt="ed10733.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="63px" width="167px" file="ed10741.jpg" alt="ed10741.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="63px" width="168px" file="ed10743.jpg" alt="ed10743.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及<img align="absmiddle" height="63px" width="168px" file="ed10745.jpg" alt="ed10745.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項8之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、或前述任一者之立體化學異構物或互變異構形式，其中該化合物選自 <img align="absmiddle" height="63px" width="155px" file="ed10735.jpg" alt="ed10735.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="63px" width="155px" file="ed10737.jpg" alt="ed10737.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及 <br/><img align="absmiddle" height="67px" width="155px" file="ed10739.jpg" alt="ed10739.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種化合物或其醫藥學上可接受之鹽、或前述任一者之立體化學異構物或互變異構形式，其中該化合物為 <br/><img align="absmiddle" height="63px" width="155px" file="ed10737.jpg" alt="ed10737.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種脂質奈米顆粒(LNP)，其包含可電離脂質（ionizable lipid），其中該可電離脂質為如請求項1至10中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、或前述任一者之立體化學異構物或互變異構形式。
如請求項11之LNP，其進一步包含輔助脂質、結構脂質及聚乙二醇(PEG)-脂質。
如請求項12之LNP，其中該PEG-脂質為 (i) 式(A')化合物： <br/><img align="absmiddle" height="13px" width="54px" file="ed10749.jpg" alt="ed10749.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>式(A′) <br/>或其醫藥學上可接受之鹽、或前述任一者之立體化學異構物或互變異構形式，其中： <br/>n為10至200之間的整數，包括所有端點； <br/>L<sup>P1′</sup>為鍵、–C(O)–、–[(CH<sub>2</sub>)<sub>0-3</sub>–C(O)O]<sub>1-3</sub>–、–(CH<sub>2</sub>)<sub>0-3</sub>–C(O)O–(CH<sub>2</sub>)<sub>1-3</sub>–OC(O)–或–C(O)N(H)–； <br/>R<sup>P1′</sup>為C<sub>5</sub>-C<sub>25</sub>烷基或C<sub>5</sub>-C<sub>25</sub>烯基；且 <br/>R<sup>P2′</sup>為氫或–CH<sub>3</sub>；或 <br/>(ii) DMG-PEG(2000)或DPG-PEG(2000)。
如請求項13之LNP，其中該PEG-脂質選自由以下組成之群： <br/>HO-(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>n</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>17</sub>CH<sub>3</sub>，n平均為約100； <br/>HO-(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>n</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>17</sub>CH<sub>3</sub>，n平均為約20； <br/>HO-(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>n</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>15</sub>CH<sub>3</sub>，n平均為約20； <br/>HO-(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>n</sub>-C<sub>18</sub>H<sub>35</sub>，n平均為約20； <br/>HO-(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>n</sub>-CH<sub>2</sub>C(O)O-(CH<sub>2</sub>)<sub>17</sub>CH<sub>3</sub>，n平均為約45； <br/>H<sub>3</sub>CO-(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>n</sub>-CH<sub>2</sub>C(O)O-(CH<sub>2</sub>)<sub>17</sub>CH<sub>3</sub>，n平均為約45； <br/>HO-(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>n</sub>-CH<sub>2</sub>C(O)O-(CH<sub>2</sub>)<sub>15</sub>CH<sub>3</sub>，n平均為約45； <br/>HO-(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>n</sub>-CH<sub>2</sub>C(O)O-(CH<sub>2</sub>)<sub>13</sub>CH<sub>3</sub>，n平均為約45； <br/>HO-(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>n</sub>-C(O)N(H)-(CH<sub>2</sub>)<sub>17</sub>CH<sub>3</sub>，n平均為約45； <br/>HO-(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>n</sub>-C(O)-(CH<sub>2</sub>)<sub>14</sub>CH<sub>3</sub>，n平均為約100； <br/>HO-(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>n</sub>-C(O)-(CH<sub>2</sub>)<sub>14</sub>CH<sub>3</sub>，n平均為約50； <br/>HO-(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>n</sub>-C(O)-(CH<sub>2</sub>)<sub>14</sub>CH<sub>3</sub>，n平均為約40； <br/>HO-(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>n</sub>-C(O)-(CH<sub>2</sub>)<sub>16</sub>CH<sub>3</sub>，n平均為約100； <br/>HO-(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>n</sub>-C(O)-(CH<sub>2</sub>)<sub>16</sub>CH<sub>3</sub>，n平均為約50；及 <br/>HO-(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>n</sub>-C(O)-(CH<sub>2</sub>)<sub>16</sub>CH<sub>3</sub>，n平均為約40； <br/>或前述任一者之立體化學異構物或互變異構形式。
如請求項12之LNP，其中該輔助脂質選自二硬脂醯-sn-甘油-磷酸乙醇胺、二硬脂醯磷脂醯膽鹼(DSPC)、二油醯磷脂醯膽鹼(DOPC)、二棕櫚醯磷脂醯膽鹼(DPPC)、二油醯磷脂醯甘油(DOPG)、二棕櫚醯磷脂醯甘油(DPPG)、二油醯磷脂醯乙醇胺(DOPE)、棕櫚醯油醯磷脂醯膽鹼(POPC)、棕櫚醯油醯磷脂醯乙醇胺(POPE)、二油醯磷脂醯乙醇胺4-(N-馬來醯亞胺甲基)-環己烷-l-羧酸鹽(DOPE-mal)、二棕櫚醯磷脂醯乙醇胺(DPPE)、二肉豆蔻醯磷酸乙醇胺(DMPE)、二硬脂醯磷脂醯乙醇胺(DSPE)、單甲基磷脂醯乙醇胺、二甲基磷脂醯乙醇胺、18-1-反式PE、l-硬脂醯-2-油醯磷脂醯乙醇胺(SOPE)、氫化大豆磷脂醯膽鹼(HSPC)、卵磷脂醯膽鹼(EPC)、二油醯磷脂醯絲胺酸(DOPS)、鞘磷脂(SM)、二肉豆蔻醯磷脂醯膽鹼(DMPC)、二肉豆蔻醯磷脂醯甘油(DMPG)、二硬脂醯磷脂醯甘油(DSPG)、二芥醯磷脂醯膽鹼(DEPC)、棕櫚醯油醯磷脂醯甘油(POPG)、二反油醯磷脂醯乙醇胺(DEPE)、卵磷脂、磷脂醯乙醇胺、溶血卵磷脂、溶血磷脂醯乙醇胺、磷脂醯絲胺酸、磷脂醯肌醇、鞘磷脂、蛋鞘磷脂(ESM)、腦磷脂、心磷脂、磷脂酸、腦苷脂、二鯨蠟基磷酸酯、溶血磷脂醯膽鹼、二亞油醯磷脂醯膽鹼或其混合物。
如請求項12之LNP，其中該結構脂質為類固醇。
如請求項11之LNP，其中與缺少如請求項1至9中任一項之可電離脂質的對照LNP相比，該LNP在活體內誘導降低之免疫反應。
如請求項17之LNP，其中該免疫反應為LNP之加速血液清除(ABC)或為IgM反應。
如請求項12之LNP，其中： 該可電離脂質係由下列表示： <br/><img align="absmiddle" height="63px" width="155px" file="ed10737.jpg" alt="ed10737.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 或<img align="absmiddle" height="67px" width="155px" file="ed10739.jpg" alt="ed10739.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，或其醫藥學上可接受之鹽、或前述任一者之立體化學異構物或互變異構形式， <br/>該結構脂質為膽固醇， <br/>該輔助脂質為DSPC，及 <br/>該PEG-脂質為選自由下列組成之群組者： <br/>HO-(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>n</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>17</sub>CH<sub>3</sub>，n平均為約100； <br/>HO-(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>n</sub>-CH<sub>2</sub>C(O)O-(CH<sub>2</sub>)<sub>13</sub>CH<sub>3</sub>，n平均為約45； <br/>HO-(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>n</sub>-CH<sub>2</sub>C(O)O-(CH<sub>2</sub>)<sub>17</sub>CH<sub>3</sub>，n平均為約45；及 <br/>其醫藥學上可接受之鹽、或前述任一者之立體化學異構物或互變異構形式。
如請求項19之LNP，其中： 該可電離脂質係<img align="absmiddle" height="63px" width="155px" file="ed10737.jpg" alt="ed10737.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示，或其醫藥學上可接受之鹽、或前述任一者之立體化學異構物或互變異構形式； <br/>該輔助脂質為DSPC， <br/>該結構脂質為膽固醇，及 <br/>該PEG-脂質為HO-(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>n</sub>-CH<sub>2</sub>C(O)O-(CH<sub>2</sub>)<sub>13</sub>CH<sub>3</sub>，n平均為約45，或其醫藥學上可接受之鹽、或前述任一者之立體化學異構物或互變異構形式。
如請求項12之LNP，其中該LNP包含莫耳比為約40%至約70%的可電離脂質，約0.1%至約4%之PEG-脂質，約5%至約50%之結構脂質及約5%至約50%之輔助脂質。
如請求項21之LNP，其中： (i) 該LNP包含莫耳比為約45%至約55%之可電離脂質、約5%至約9%之輔助脂質、約36%至約44%之結構脂質及約2.5%至約3.5%之PEG-脂質；或 <br/>(ii) 該LNP包含莫耳比為約49%至約60%之可電離脂質、約18%至約22%之輔助脂質、約22%至約28%之結構脂質及約0.2%至約0.8%之PEG-脂質；或 <br/>(iii) 該LNP包含莫耳比為約44%至約54%之可電離脂質、約19%至約25%之輔助脂質、約25%至約33%之結構脂質及約0.2%至約0.8%之PEG-脂質；或 <br/>(iv) 該LNP包含莫耳比為約44%至約54%之可電離脂質、約19%至約25%之輔助脂質、約24%至約32%之結構脂質及約1.2%至約1.8%之PEG-脂質；或 <br/>(v) 該LNP包含莫耳比為約44%至約54%之可電離脂質、約8%至約14%之輔助脂質、約35%至約43%之膽固醇及約1.2%至約1.8%之PEG-脂質。
如請求項12之LNP，其中該LNP包含莫耳比為50：7：40：3之可電離脂質：輔助脂質：結構脂質：PEG-脂質。
如請求項20之LNP，其中該LNP包含莫耳比為50：7：40：3之可電離脂質：輔助脂質：結構脂質：PEG-脂質。
如請求項11至24中任一項之LNP，其中該LNP包封有效載荷分子。
如請求項25之LNP，其中該有效載荷分子包含核酸、陰離子蛋白質、陰離子肽或其組合中之一或多者。
如請求項26之LNP，其中該核酸分子包含： <br/>(i) 單鏈RNA(ssRNA)、siRNA、微小RNA、mRNA、環狀RNA、小活化RNA、CRISPR之指導RNA、自擴增RNA、病毒RNA(vRNA)、單鏈DNA(ssDNA)、雙鏈DNA(dsDNA)、互補DNA(cDNA)、閉合環狀DNA(ccDNA)、複製子或其組合；或 <br/>(ii) 編碼一或多種治療性蛋白之核苷酸序列；或 <br/>(iii) 來自病毒基因組之核苷酸序列。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1至10中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、或前述任一者之立體化學異構物或互變異構形式、或如請求項11至27中任一項之LNP，及醫藥學上可接受之賦形劑、載劑或稀釋劑。
一種醫藥組合物，其包含：(1)有效載荷分子；及(2)如請求項11至27中任一項之LNP。
如請求項29之醫藥組合物，其中該有效載荷分子包含核酸分子或編碼柯沙奇病毒或SVV之合成RNA病毒基因組。
如請求項28至30中任一項之醫藥組合物，其中該醫藥組合物經調配用於多次投與。
一種如請求項11至27中任一項之LNP或如請求項30至32中任一項之醫藥組合物之用途，用於製備治療有需要之患者之疾病或病症之醫藥品。
如請求項32之用途，其中該疾病或病症為癌症。
一種用於晶圓解吸附驗證（wafer dechucking verification）的裝置，包括：<br/> 一馬達，該馬達耦接一升舉銷，該馬達配置成調整該升舉銷在一基座上方的一高度，該升舉銷用於升高或降低一晶圓；<br/> 至少一個處理器，該至少一個處理器配置成:<br/> 控制該馬達；<br/> 啟動一晶圓移送操作以在一半導體處理系統的多個部件之間移送該晶圓，該半導體處理系統包括一可程式化邏輯控制器（PLC），該PLC耦接一馬達驅動器，該馬達驅動器耦接該馬達；<br/> 分析由一轉矩施加至該升舉銷的一力，該轉矩是由該馬達所供應，該分析是藉由下述操作達成：將供應至該馬達的第一電流與一第一預定電流範圍進行比較，該第一電流是由該馬達驅動器所決定，該第一預定電流範圍儲存在該PLC中，其中<br/> 該PLC與該馬達驅動器是經由一PLC至馬達驅動器的電路系統而電氣連通，<br/> 該馬達驅動器將一第一訊號經由該PLC至馬達驅動器的電路系統供應至該PLC，該第一訊號對應於供應至該馬達的該第一電流，該第一電流與由該馬達供應的該轉矩呈比例；<br/> 該PLC藉由比較該第一電流與該第一預定電流範圍而分析由該馬達驅動器供應的該第一訊號；以及<br/> 根據該第一電流與該第一預定電流範圍的比較而改變施加至該升舉銷的該力，其中該PLC經由該PLC至馬達驅動器的電路系統供應一第二訊號至該馬達驅動器，該第二訊號對應增加或減少施加至該升舉銷的該力的一指令。
如請求項1所述之裝置，其中該等部件包括該基座、一分度器（indexer）、一機器人（robot）、或上述各者之組合。
如請求項1所述之裝置，其中：<br/> 該第一電流與該第一預定電流範圍是在該基座上方的一第一晶圓位置處測量。
如請求項1所述之裝置，其中該至少一個處理器進一步配置成在下述情況時引發該馬達停止：<br/> 當該第一電流在該第一預定電流範圍之外時。
如請求項4所述之裝置，其中在引發該馬達停止之後，該至少一個處理器進一步配置成：<br/> 引發該馬達再度啟動；及<br/> 降低該升舉銷。
如請求項1所述之裝置，其中當該第一電流在該第一預定電流範圍之內時，該至少一個處理器進一步配置成：<br/> 測量充電該馬達的一第二電流且確定該第二電流與一第二預定電流範圍之間的差。
如請求項6所述之裝置，其中：<br/> 該第二電流與該第二預定電流範圍是在該基座上方的一第二晶圓位置處測量。
一種用於晶圓解吸附驗證的方法，包括：<br/> 啟動一晶圓移送操作，以在一半導體處理系統的多個部件之間移送一晶圓，該半導體處理系統包括一可程式化邏輯控制器（PLC），該PLC耦接一馬達驅動器，該馬達驅動器耦接一馬達，該馬達耦接一升舉銷，該馬達配置成調整該升舉銷在一基座上方的一高度，該升舉銷配置成升高及降低該晶圓；<br/> 分析由一轉矩施加至該升舉銷的一力，該轉矩是由該馬達所供應，該分析是藉由下述操作達成：將供應至該馬達的第一電流與一第一預定電流範圍進行比較，該第一電流是由該馬達驅動器所決定，該第一預定電流範圍儲存在該PLC中，其中<br/> 該PLC與該馬達驅動器是經由一PLC至馬達驅動器的電路系統而電氣連通，<br/> 該馬達驅動器將一第一訊號經由該PLC至馬達驅動器的電路系統供應至該PLC，該第一訊號對應於供應至該馬達的該第一電流，該第一電流與由該馬達供應的該轉矩呈比例；<br/> 該PLC藉由比較該第一電流與該第一預定電流範圍而分析由該馬達驅動器供應的該第一訊號；以及<br/> 根據該第一電流與該第一預定電流範圍的比較而改變施加至該升舉銷的該力，其中該PLC經由該PLC至馬達驅動器的電路系統供應一第二訊號至該馬達驅動器，該第二訊號對應增加或減少施加至該升舉銷的該力的一指令。
如請求項8所述之方法，其中：<br/> 該第一電流是在該基座上方的一第一晶圓位置處測量。
如請求項8所述之方法，進一步包括：確定供應至該馬達的該第一電流相對於一晶圓位置的導數（derivative）。
如請求項8所述之方法，進一步包括：在下述情況時引發該馬達停止：<br/> 當該第一電流在該第一預定電流範圍之外時。
如請求項11所述之方法，其中在引發該馬達停止之後，該方法進一步包括：<br/> 引發該馬達再度啟動；及<br/> 降低該升舉銷。
如請求項8所述之方法，其中當供應至該馬達的該第一電流在該第一預定電流範圍之內時，該方法進一步包括：<br/> 測量供應至該馬達的一第二電流，該第二電流由該馬達驅動器偵測：及<br/> 確定該第二電流與一第二預定電流範圍之間的差，該第二預定電流範圍儲存於該PLC中。
一種非暫態電腦可讀媒體，該非暫態電腦可讀媒體儲存多個指令，當在一處理器上執行該等指令時執行用於晶圓解吸附驗證的多個操作，該等操作包括：<br/> 啟動一晶圓移送操作，以在一半導體處理系統的多個部件之間移送一晶圓，該半導體處理系統包括一可程式化邏輯控制器（PLC），該PLC耦接一馬達驅動器，該馬達驅動器耦接一馬達，該馬達耦接一升舉銷，該馬達配置成調整該升舉銷在一基座上方的一高度，該升舉銷配置成升高及降低該晶圓；<br/> 分析由一轉矩施加至該升舉銷的一力，該轉矩是由該馬達所供應，該分析是藉由下述操作達成：將供應至該馬達的第一電流與一第一預定電流範圍進行比較，該第一電流是由該馬達驅動器所決定，該第一預定電流範圍儲存在該PLC中，其中<br/> 該PLC與該馬達驅動器是經由一PLC至馬達驅動器的電路系統而電氣連通，<br/> 該馬達驅動器將一第一訊號經由該PLC至馬達驅動器的電路系統供應至該PLC，該第一訊號對應於供應至該馬達的該第一電流，該第一電流與由該馬達供應的該轉矩呈比例；<br/> 該PLC藉由比較該第一電流與該第一預定電流範圍而分析由該馬達驅動器供應的該第一訊號；以及<br/> 根據該第一電流與該第一預定電流範圍的比較而改變施加至該升舉銷的該力，其中該PLC經由該PLC至馬達驅動器的電路系統供應一第二訊號至該馬達驅動器，該第二訊號對應增加或減少施加至該升舉銷的該力的一指令。
如請求項14所述之非暫態電腦可讀媒體，其中：<br/> 該第一電流是在該基座上方的一第一晶圓位置處測量。
如請求項14所述之非暫態電腦可讀媒體，其中該等操作進一步包括在下述情況時引發該馬達停止：<br/> 當該第一電流在該第一預定電流範圍之外時。
如請求項16所述之非暫態電腦可讀媒體，其中在引發該馬達停止之後，該等操作進一步包括：<br/> 引發該馬達再度啟動；及<br/> 降低該升舉銷。
如請求項14所述之非暫態電腦可讀媒體，其中當該第一電流在該第一預定電流範圍之內時，該等操作進一步包括：<br/> 測量供應至該馬達的一第二電流，及將該第二電流與一第二預定電流範圍進行比較，該第二電流由該馬達驅動器所決定，該第二預定電流範圍儲存於該PLC中。
一種非暫態電腦可讀媒體，該非暫態電腦可讀媒體儲存多個指令，當在一處理器上執行該等指令時執行用於晶圓解吸附的方法，該方法包括：<br/> 啟動一晶圓移送操作，以在一半導體處理系統的多個部件之間移送一晶圓，該半導體處理系統包括一可程式化邏輯控制器（PLC），該PLC耦接一馬達驅動器，該馬達驅動器耦接一馬達，該馬達耦接一升舉銷，該馬達配置成調整該升舉銷在一基座上方的一高度，該升舉銷配置成升高及降低該晶圓；<br/> 分析由一轉矩施加至該升舉銷的一力，該轉矩是由該馬達所供應，該分析是藉由下述操作達成：測量在該晶圓移送操作期間供應至該馬達的一第一電流，該第一電流由該馬達驅動器偵測，其中該第一電流與由該馬達供應的該轉矩呈比例；<br/> 經由一PLC至馬達驅動器的電路系統從該馬達驅動器供應一第一訊號至該PLC，該第一訊號對應於供應至該馬達的該第一電流；<br/> 藉由將供應至該馬達的該第一電流與一第一預定電流範圍進行比較而分析該第一訊號，該第一預定電流範圍儲存於該PLC中；<br/> 經由該PLC至馬達驅動器的電路系統從該PLC供應一第二訊號至該馬達驅動器，該第二訊號對應於增加或減少施加至該升舉銷的該力的一指令；以及<br/> 根據供應至該馬達的該第一電流，改變由該轉矩施加至該升舉銷的該力，該轉矩由該馬達供應。
如請求項19所述之非暫態電腦可讀媒體，其中供應至該馬達的該第一電流是在一第一晶圓位置處測量。
如請求項19所述之非暫態電腦可讀媒體，進一步包括：確定供應至該馬達的該第一電流相對於一晶圓位置的導數。
如請求項19所述之非暫態電腦可讀媒體，進一步包括：當該第一電流在該第一預定電流範圍之外時，引發該馬達停止。
如請求項22所述之非暫態電腦可讀媒體，其中在引發該馬達停止之後，該方法進一步包括：<br/> 引發該馬達再度啟動；及<br/> 降低該升舉銷。
如請求項19所述之非暫態電腦可讀媒體，其中當供應至該馬達的該第一電流在該第一預定電流範圍之內時，該方法進一步包括：<br/> 測量供應至該馬達的一第二電流，該第二電流由該馬達驅動器所偵測；及<br/> 確定該第二電流與一第二預定電流範圍之間的差，該第二預定電流範圍儲存於該PLC中。
一種使用者設備（UE），包括：<br/> 一收發器，被配置為發送和接收無線訊號；<br/> 一記憶體；及<br/> 一處理器，通訊地耦合到該收發器和該記憶體並被配置為：<br/> 經由該收發器發送指示該UE被配置為量測一第一類型的下行鏈路定位參考訊號（DL-PRS）和一第二類型的DL-PRS的能力報告，其中該第一類型的DL-PRS和該第二類型的DL-PRS具有不同的傳輸特性質，並且其中該第一類型的DL-PRS僅與一發送/接收點（TRP）相關聯，而該第二類型的DL-PRS與一TRP和一可重構智慧表面（RIS）兩者相關聯；<br/> 量測直接從一TRP接收的該第一類型的DL-PRS或經由一RIS從該TRP接收的該第二類型的DL-PRS，或其之一組合。
根據請求項1之UE，其中該處理器亦被配置為回應於由該UE進行的具有至少一閾值品質的對該第一類型的DL-PRS的一量測，禁用對該第二類型的DL-PRS的量測。
根據請求項2之UE，其中該處理器亦被配置為經由該收發器向一網路實體發送來自該UE的一量測報告將缺少對該第二類型的DL-PRS的一量測的一指示。
根據請求項1之UE，其中該處理器亦被配置為回應於該處理器無法獲得具有至少一閾值品質的對該第一類型的DL-PRS的一量測，量測該第二類型的DL-PRS。
根據請求項1之UE，其中該處理器亦被配置為：<br/> 獲得對該第一類型的DL-PRS的一第一量測和對該第二類型的DL-PRS的一第二量測；<br/> 決定該第一量測或該第二量測中的哪一個具有一較高的量測品質作為一較高品質量測；<br/> 決定該第一量測或該第二量測中的哪一個具有一較低的量測品質作為一較低品質量測；及<br/> 在向一網路實體發送該較低品質量測（若有的話）之前，經由該收發器向該網路實體發送該較高品質量測。
根據請求項1之UE，其中該處理器亦被配置為基於該TRP的一標識和該RIS的一標識來對該第二類型的DL-PRS進行解擾。
一種定位參考訊號量測方法，包括以下步驟：<br/> 從一使用者設備（UE）發送指示該UE被配置為量測一第一類型的下行鏈路定位參考訊號（DL-PRS）和一第二類型的DL-PRS的能力報告，其中該第一類型的DL-PRS和該第二類型的DL-PRS具有不同的傳輸特性質，並且其中該第一類型的DL-PRS僅與一發送/接收點（TRP）相關聯，而該第二類型的DL-PRS與一TRP和一可重構智慧表面（RIS）兩者相關聯；及<br/> 量測直接從一TRP接收的該第一類型的DL-PRS或經由一RIS從該TRP接收的該第二類型的DL-PRS，或其之一組合。
根據請求項7之方法，亦包括回應於由該UE進行的具有至少一閾值品質的對該第一類型的DL-PRS的一量測，禁用對該第二類型的DL-PRS的量測。
根據請求項8之方法，亦包括從該UE向一網路實體發送來自該UE的一量測報告將缺少對該第二類型的DL-PRS的一量測的一指示。
根據請求項7之方法，其中回應於該UE無法獲得具有至少一閾值品質的對該第一類型的DL-PRS的一量測，量測該第二類型的DL-PRS被執行。
根據請求項7之方法，其中量測該第一類型的DL-PRS和該第二類型的DL-PRS包括獲得對該第一類型的DL-PRS的一第一量測和對該第二類型的DL-PRS的一第二量測，該方法亦包括以下步驟：<br/> 決定該第一量測或該第二量測中的哪一個具有一較高的量測品質作為一較高品質量測；<br/> 決定該第一量測或該第二量測中的哪一個具有一較低的量測品質作為一較低品質量測；及<br/> 在向一網路實體發送該較低品質量測（若有的話）之前，從該UE向該網路實體發送該較高品質量測。
根據請求項7之方法，亦包括基於該TRP的一標識和該RIS的一標識來對該第二類型的DL-PRS進行解擾。
一種使用者設備（UE），包括：<br/> 用於發送指示該UE被配置為量測一第一類型的下行鏈路定位參考訊號（DL-PRS）和一第二類型的DL-PRS的一能力報告的部件，其中該第一類型的DL-PRS和該第二類型的DL-PRS具有不同的傳輸特性質，並且其中該第一類型的DL-PRS僅與一發送/接收點（TRP）相關聯，而該第二類型的DL-PRS與一TRP和一可重構智慧表面（RIS）兩者相關聯；及<br/> 用於量測直接從一TRP接收的該第一類型的DL-PRS或經由一RIS從該TRP接收的該第二類型的DL-PRS，或其之一組合的部件。
根據請求項13之UE，亦包括用於回應於由該UE進行的具有至少一閾值品質的對該第一類型的DL-PRS的一量測而禁用對該第二類型的DL-PRS的量測的部件。
根據請求項14之UE，亦包括用於從該UE向一網路實體發送來自該UE的一量測報告將缺少對該第二類型的DL-PRS的一量測的一指示的部件。
根據請求項13之UE，其中該用於量測該第二類型的DL-PRS的部件包括用於回應於該UE無法獲得具有至少一閾值品質的對該第一類型的DL-PRS的一量測而量測該第二類型的DL-PRS的部件。
根據請求項13之UE，其中該用於量測該第一類型的DL-PRS的部件和該用於量測該第二類型的DL-PRS的部件包括用於獲得對該第一類型的DL-PRS的一第一量測和對該第二類型的DL-PRS的一第二量測的部件，該UE亦包括：<br/> 用於決定該第一量測或該第二量測中的哪一個具有一較高的量測品質作為一較高品質量測的部件；<br/> 用於決定該第一量測或該第二量測中的哪一個具有一較低的量測品質作為一較低品質量測的部件；及<br/> 用於在向一網路實體發送該較低品質量測（若有的話）之前，向該網路實體發送該較高品質量測的部件。
根據請求項13之UE，亦包括用於基於該TRP的一標識和該RIS的一標識來對該第二類型的DL-PRS進行解擾的部件。
一種包括處理器可讀取指令的非暫時性、處理器可讀儲存媒體，該等處理器可讀取指令使一使用者設備（UE）的處理器：<br/> 發送指示該UE被配置為量測一第一類型的下行鏈路定位參考訊號（DL-PRS）和一第二類型的DL-PRS的一能力報告，其中該第一類型的DL-PRS和該第二類型的DL-PRS具有不同的傳輸特性質，並且其中該第一類型的DL-PRS僅與一發送/接收點（TRP）相關聯，而該第二類型的DL-PRS與一TRP和一可重構智慧表面（RIS）兩者相關聯；及<br/> 量測直接從一TRP接收的該第一類型的DL-PRS或經由一RIS從該TRP接收的該第二類型的DL-PRS，或其之一組合。
根據請求項19之儲存媒體，亦包括處理器可讀取指令以使該處理器回應於由該UE進行的具有至少一閾值品質的對該第一類型的DL-PRS的一量測，禁用對該第二類型的DL-PRS的量測。
根據請求項20之儲存媒體，亦包括處理器可讀取指令以使該處理器向一網路實體發送來自該UE的一量測報告將缺少對該第二類型的DL-PRS的一量測的一指示。
根據請求項19之儲存媒體，其中使該處理器量測該第二類型的DL-PRS的該等處理器可讀取指令包括使該處理器回應於該UE無法獲得具有至少一閾值品質的對該第一類型的DL-PRS的一量測而量測該第二類型的DL-PRS的處理器可讀取指令。
根據請求項19之儲存媒體，其中使該處理器量測該第一類型的DL-PRS和該第二類型的DL-PRS的處理器可讀取指令包括使該處理器獲得對該第一類型的DL-PRS的一第一量測和對該第二類型的DL-PRS的一第二量測的處理器可讀取指令，該儲存媒體亦包括使該處理器執行以下操作的處理器可讀取指令：<br/> 決定該第一量測或該第二量測中的哪一個具有一較高的量測品質作為一較高品質量測；<br/> 決定該第一量測或該第二量測中的哪一個具有一較低的量測品質作為一較低品質量測；及<br/> 在向一網路實體發送該較低品質量測（若有的話）之前，向該網路實體發送該較高品質量測。
根據請求項19之儲存媒體，亦包括處理器可讀取指令以使該處理器基於該TRP的一標識和該RIS的一標識來對該第二類型的DL-PRS進行解擾。
一種網路實體，包括：<br/> 一收發器，被配置為發送和接收無線訊號；<br/> 一記憶體；及<br/> 一處理器，通訊地耦合到該收發器和該記憶體並被配置為：<br/> 經由該收發器發送一第一類型的下行鏈路定位參考訊號（DL-PRS）的一第一DL-PRS，其中該第一類型的DL-PRS僅與一發送/接收點（TRP）相關聯；及<br/> 經由該收發器向一可重構智慧表面（RIS）發送一第二類型的DL-PRS的一第二DL-PRS，其中該第一類型的DL-PRS和該第二類型的DL-PRS具有不同的傳輸特性值，並且其中該第二類型的DL-PRS與一TRP和一特定RIS兩者相關聯。
根據請求項25之網路實體，其中該處理器亦被配置為使用該網路實體的一標識和該RIS的一標識對該第二DL-PRS進行加擾。
根據請求項25之網路實體，其中該處理器亦被配置為以每個實例比該第一DL-PRS更高的一重複次數來發送該第二DL-PRS。
根據請求項25之網路實體，其中該處理器亦被配置為以與該第一DL-PRS不同的一載波頻率，或與該第一DL-PRS不同的一頻寬，或與該第一DL-PRS不同的一或多個定時特性，或與該第一DL-PRS不同的一編碼字元，或其任何組合來發送該第二DL-PRS。
根據請求項25之網路實體，其中該處理器亦被配置為：<br/> 經由該收發器發送一第一類型的源訊號的一第一源訊號；及<br/> 經由該收發器向該RIS發一送第二類型的源訊號的一第二源訊號。
根據請求項29之網路實體，其中該處理器亦被配置為：<br/> 經由該收發器從一UE接收指示與所接收的源訊號對應的一第一傳輸波束的一指示；<br/> 向該UE發送指示一第二傳輸波束相對於該第一傳輸波束的一准共址（QCL）類型的一QCL指示；及<br/> 使用與該第一傳輸波束准共址的該第二傳輸波束向該UE發送該第一DL-PRS或該第二DL-PRS中的一者。
根據請求項29之網路實體，其中該處理器亦被配置為：<br/> 經由該收發器向該RIS發送該第二類型的源訊號的一第三源訊號，該第二源訊號與具有一第一準共址類型的該第二DL-PRS准共址，該第三源訊號與具有一第二准共址類型的該第二DL-PRS准共址；及<br/> 發送具有一相同索引號的該第二源訊號和該第三源訊號。
根據請求項29之網路實體，其中該處理器亦被配置為經由該收發器向一UE發送該第二類型的源訊號的定時和頻率。
一種提供定位參考訊號的方法，該方法包括以下步驟：<br/> 從一網路實體發送一第一類型的下行鏈路定位參考訊號（DL-PRS）的一第一DL-PRS，其中該第一類型的DL-PRS僅與一發送/接收點（TRP）相關聯；及<br/> 從該網路實體向一可重構智慧表面（RIS）發送一第二類型的DL-PRS的一第二DL-PRS，其中該第一類型的DL-PRS和該第二類型的DL-PRS具有不同的傳輸特性值，並且其中該第二類型的DL-PRS與一TRP和該RIS兩者相關聯。
根據請求項33之方法，亦包括使用該網路實體的一標識和該RIS的一標識對該第二DL-PRS進行加擾。
根據請求項33之方法，其中發送該第二DL-PRS包括以每個實例比該第一DL-PRS更高的一重複次數來發送該第二DL-PRS。
根據請求項33之方法，其中發送該第二DL-PRS包括以與該第一DL-PRS不同的一載波頻率，或與該第一DL-PRS不同的一頻寬，或與該第一DL-PRS不同的一或多個定時特性，或與該第一DL-PRS不同的一編碼字元，或其任何組合來發送該第二DL-PRS。
根據請求項33之方法，亦包括以下步驟：<br/> 發送一第一類型的源訊號的一第一源訊號；及<br/> 向該RIS發送一第二類型的源訊號的一第二源訊號。
根據請求項37之方法，亦包括以下步驟：<br/> 在該網路實體處從一UE接收指示與所接收的一源訊號對應的一第一傳輸波束的一指示；及<br/> 向該UE發送指示一第二傳輸波束相對於該第一傳輸波束的一准共址（QCL）類型的一QCL指示；<br/> 使用與該第一傳輸波束准共址的該第二傳輸波束向該UE發送該第一DL-PRS或該第二DL-PRS中的一者。
根據請求項37之方法，亦包括以下步驟：<br/> 從該網路實體向該RIS發送該第二類型的源訊號的一第三源訊號，該第二源訊號與具有一第一準共址類型的該第二DL-PRS准共址，該第三源訊號與具有一第二准共址類型的該第二DL-PRS准共址；及<br/> 發送具有一相同索引號的該第二源訊號和該第三源訊號。
根據請求項37之方法，亦包括從該網路實體向一UE發送該第二類型的源訊號的定時和頻率。
一種網路實體，包括：<br/> 用於發送一第一類型的下行鏈路定位參考訊號（DL-PRS）的一第一DL-PRS的部件，其中該第一類型的DL-PRS僅與一發送/接收點（TRP）相關聯；及<br/> 用於向一可重構智能表面（RIS）發送一第二類型的DL-PRS的一第二DL-PRS的部件，其中該第一類型的DL-PRS和該第二類型的DL-PRS具有不同的傳輸特性值，並且其中該第二類型的DL-PRS與一TRP和一特定RIS兩者相關聯。
根據請求項41之網路實體，亦包括用於使用該網路實體的一標識和該RIS的一標識對該第二DL-PRS進行加擾的部件。
根據請求項41之網路實體，其中該用於發送該第二DL-PRS的部件包括用於以每個實例比該第一DL-PRS更高的一重複次數來發送該第二DL-PRS的部件。
根據請求項41之網路實體，其中該用於發送該第二DL-PRS的部件包括用於以與該第一DL-PRS不同的一載波頻率，或與該第一DL-PRS不同的一頻寬，或與該第一DL-PRS不同的一或多個定時特性，或與該第一DL-PRS不同的一編碼字元，或其任何組合來發送該第二DL-PRS的部件。
根據請求項41之網路實體，亦包括：<br/> 用於發送一第一類型的源訊號的一第一源訊號的部件；及<br/> 用於向該RIS發送一第二類型的源訊號的一第二源訊號的部件。
根據請求項45之網路實體，亦包括：<br/> 用於從一UE接收指示與所接收的一源訊號對應的一第一傳輸波束的一指示的部件；及<br/> 用於向該UE發送指示一第二傳輸波束相對於該第一傳輸波束的一准共址（QCL）類型的一QCL指示的部件；<br/> 使用與該第一傳輸波束准共址的該第二傳輸波束向該UE發送該第一DL-PRS或該第二DL-PRS中的一者。
根據請求項45之網路實體，亦包括：<br/> 用於向該RIS發送該第二類型的源訊號的一第三源訊號的部件，該第二源訊號與具有一第一準共址類型的該第二DL-PRS准共址，該第三源訊號與具有一第二准共址類型的該第二DL-PRS准共址；及<br/> 用於發送具有一相同索引號的該第二源訊號和該第三源訊號的部件。
根據請求項45之網路實體，亦包括用於從該網路實體向一UE發送該第二類型的源訊號的定時和頻率的部件。
一種包括處理器可讀取指令的非暫時性、處理器可讀儲存媒體，該等處理器可讀取指令使一網路實體的處理器：<br/> 發送一第一類型的下行鏈路定位參考訊號（DL-PRS）的一第一DL-PRS，其中該第一類型的DL-PRS僅與一發送/接收點（TRP）相關聯；及<br/> 向一可重構智能表面（RIS）發送一第二類型的DL-PRS的一第二DL-PRS，其中該第一類型的DL-PRS和該第二類型的DL-PRS具有不同的傳輸特性值，並且其中該第二類型的DL-PRS與一TRP和一特定RIS兩者相關聯。
根據請求項49之儲存媒體，亦包括處理器可讀取指令以使該處理器使用該網路實體的一標識和該RIS的一標識對該第二DL-PRS進行加擾。
根據請求項49之儲存媒體，其中使該處理器發送該第二DL-PRS的該等處理器可讀取指令包括使該處理器以每個實例比該第一DL-PRS更高的一重複次數來發送該第二DL-PRS的處理器可讀取指令。
根據請求項49之儲存媒體，其中使該處理器發送該第二DL-PRS的該等處理器可讀取指令包括使該處理器以與該第一DL-PRS不同的一載波頻率，或與該第一DL-PRS不同的一頻寬，或與該第一DL-PRS不同的一或多個定時特性，或與該第一DL-PRS不同的一編碼字元，或其任何組合來發送該第二DL-PRS的處理器可讀取指令。
根據請求項49之儲存媒體，亦包括使該處理器執行以下操作的處理器可讀取指令：<br/> 發送一第一類型的源訊號的一第一源訊號；及<br/> 向該RIS發送一第二類型的源訊號的第二源訊號。
根據請求項53之儲存媒體，亦包括使該處理器執行以下操作的處理器可讀取指令：<br/> 從一UE接收指示與所接收的一源訊號對應的一第一傳輸波束的一指示；及<br/> 向該UE發送指示一第二傳輸波束相對於該第一傳輸波束的一准共址（QCL）類型的一QCL指示；<br/> 使用與該第一傳輸波束准共址的該第二傳輸波束向該UE發送該第一DL-PRS或該第二DL-PRS中的一者。
根據請求項53之儲存媒體，亦包括使該處理器執行以下操作的處理器可讀取指令：<br/> 向該RIS發送該第二類型的源訊號的一第三源訊號，該第二源訊號與具有一第一準共址類型的該第二DL-PRS准共址，該第三源訊號與具有一第二准共址類型的該第二DL-PRS准共址；及<br/> 發送具有一相同索引號的該第二源訊號和該第三源訊號。
根據請求項53之儲存媒體，亦包括處理器可讀取指令以使該處理器向一UE發送該第二類型的源訊號的定時和頻率。
一種半導體裝置的製造方法，其具備： <br/>準備基材之步驟； <br/>準備分別具有連接端子之多個半導體元件之步驟； <br/>準備具有2500mm <sup>2</sup>以下的表面積且設置有第1配線之帶配線之基板之步驟； <br/>將前述多個半導體元件配置於前述基材上之步驟； <br/>用絕緣材料覆蓋前述基材上的前述多個半導體元件之步驟； <br/>以在用前述絕緣材料覆蓋之前述多個半導體元件的前述連接端子的至少一部分上連接前述第1配線的方式，將前述帶配線之基板配置於前述多個半導體元件內的至少1個半導體元件上之步驟；以及 <br/>在前述第1配線的周邊製作第2配線之步驟， <br/>前述第1配線具有比前述第2配線更微細的配線，且包括線寬為5μm以下的配線。
如請求項1所述之半導體裝置的製造方法，其中 <br/>使前述多個半導體元件的前述連接端子朝向與前述基材相反的一側的方式，將前述多個半導體元件配置於前述基材上。
如請求項1所述之半導體裝置的製造方法，其中 <br/>以前述多個半導體元件的前述連接端子朝向前述基材的方式，將前述多個半導體元件配置於前述基材上。
一種半導體裝置的製造方法，其具備： <br/>準備基材之步驟； <br/>準備分別具有連接端子之多個半導體元件之步驟； <br/>準備具有2500mm <sup>2</sup>以下的表面積且設置有第1配線之帶配線之基板之步驟； <br/>將前述帶配線之基板配置於前述基材上之步驟； <br/>在前述基材上且在前述帶配線之基板的周邊製作第2配線之步驟； <br/>以前述多個半導體元件的前述連接端子的至少一部分與前述第1配線連接的方式，將前述多個半導體元件配置於前述基材上之步驟；以及 <br/>用絕緣材料覆蓋前述基材上的前述多個半導體元件之步驟， <br/>前述第1配線具有比前述第2配線更微細的配線，且包括線寬為5μm以下的配線。
如請求項1至請求項4之任一項所述之半導體裝置的製造方法，其中 <br/>前述帶配線之基板具有基部絕緣層和設置於前述基部絕緣層上之前述第1配線。
如請求項5所述之半導體裝置的製造方法，其中 <br/>前述基部絕緣層包括玻璃布。
如請求項6所述之半導體裝置的製造方法，其中 <br/>前述玻璃布的基材的厚度為30μm以上且500μm以下。
如請求項5至請求項7之任一項所述之半導體裝置的製造方法，其中 <br/>前述基部絕緣層的厚度為50μm以上且300μm以下。
如請求項5至請求項7之任一項所述之半導體裝置的製造方法，其中 <br/>前述基部絕緣層的厚度偏差為前述基部絕緣層的平均厚度的1%以下。
如請求項5至請求項7之任一項所述之半導體裝置的製造方法，其中 <br/>前述帶配線之基板在前述基部絕緣層上具有覆蓋前述第1配線之配線絕緣層， <br/>構成前述基部絕緣層及前述配線絕緣層的至少一方之絕緣材料的熱膨脹係數為80ppm/℃以下。
如請求項10所述之半導體裝置的製造方法，其中 <br/>前述基部絕緣層厚於前述配線絕緣層。
如請求項5至請求項7之任一項所述之半導體裝置的製造方法，其中 <br/>前述基部絕緣層的形成有前述第1配線之面的表面粗糙度為200nm以下。
如請求項5至請求項7之任一項所述之半導體裝置的製造方法，其中 <br/>前述基部絕緣層為包括第1絕緣層和第2絕緣層之積層體， <br/>與前述第1配線相接之前述第1絕緣層的表面粗糙度大於前述第2絕緣層的表面粗糙度。
如請求項13所述之半導體裝置的製造方法，其中 <br/>前述第1絕緣層包括玻璃布，前述第2絕緣層不包括玻璃布。
如請求項1至請求項4之任一項所述之半導體裝置的製造方法，其中 <br/>前述第1配線與前述多個半導體元件的前述連接端子的至少一部分直接連接。
如請求項1至請求項4之任一項所述之半導體裝置的製造方法，其中 <br/>前述帶配線之基板的前述第1配線與前述多個半導體元件內的至少2個半導體元件連接。
如請求項1至請求項4之任一項所述之半導體裝置的製造方法，其中 <br/>前述第2配線包括第1端及與前述第1端相反的一側的第2端， <br/>前述第2配線在前述第1端，與前述多個半導體元件的前述連接端子的至少一部分連接，在前述第2端，從覆蓋前述第2配線之絕緣材料露出而與外部端子連接。
如請求項17所述之半導體裝置的製造方法，其中 <br/>覆蓋前述第2配線之前述絕緣材料不包括玻璃布。
一種帶配線之基板，其用於請求項1至請求項18之任一項所述之半導體裝置的製造方法，前述帶配線之基板具備： <br/>基部絕緣層；以及 <br/>第1配線，設置於前述基部絕緣層上且包括線寬為5μm以下的配線， <br/>前述帶配線之基板的表面積為2500mm <sup>2</sup>以下。
一種半導體裝置，其具備： <br/>裝置配線層； <br/>多個半導體元件，配置於前述裝置配線層上；以及 <br/>絕緣密封部，用絕緣材料覆蓋前述多個半導體元件， <br/>在前述裝置配線層中，內置有具有以跨越之方式連接於前述多個半導體元件之微細配線之帶配線之基板，前述帶配線之基板的表面積為2500mm <sup>2</sup>以下且包括線寬為5μm以下的配線。
一種樹脂組成物，其係含有(A)環氧樹脂、(B)硬化劑、(C)無機填充材及(E-1)環氧基矽烷系矽烷偶合劑之樹脂組成物， <br/> 以包含下述壓縮成型步驟及後硬化步驟之硬化方法使該樹脂組成物硬化時，所得之硬化物顯示0.002%～2%之範圍內的空隙率， <br/> 此處，空隙率為硬化物之SEM剖面影像中的空隙區域之面積比例(%)； <br/>＜壓縮成型步驟＞ <br/> 以與矽晶圓接合之方式配置樹脂組成物後，於壓力15噸、溫度130℃及10分鐘之條件下進行壓縮成型，得到經接合至矽晶圓的厚度300μm之樹脂組成物的壓縮成型體之步驟； <br/>＜後硬化步驟＞ <br/> 將所得之樹脂組成物的壓縮成型體在氮環境下、溫度150℃及1小時之條件下加熱而得到硬化物之步驟。
如請求項1之樹脂組成物，其中空隙率係於倍率27000倍的SEM剖面影像中，藉由將厚度方向尺寸1000像素×面內方向尺寸1000像素的觀察區域進行影像解析，算出作為空隙影像所取得的空隙區域之相對於前述觀察區域的面積比例(%)而得。
如請求項1之樹脂組成物，其中空隙率係針對硬化物的50處之SEM剖面影像而得的空隙區域之面積比例(%)的算術平均值。
如請求項1之樹脂組成物，其中前述壓縮成型步驟依序包含以下步驟(c1)～(c4)： <br/> (c1)於安裝有脫模薄膜的模具，配置矽晶圓與樹脂組成物之步驟； <br/> (c2)在樹脂組成物的配置後90秒以內進行閉模，而使矽晶圓與樹脂組成物接合之步驟； <br/> (c3)將模具內減壓到0～0.7torr之範圍內的減壓度為止之步驟；以及 <br/> (c4)於壓力15噸、溫度130℃及10分鐘之條件進行壓縮成型，得到經接合至矽晶圓的厚度300μm之樹脂組成物的壓縮成型體之步驟。
如請求項1之樹脂組成物，其中前述後硬化步驟依序包含以下步驟(p1)～(p2)： <br/> (p1)藉由將從模具取出之樹脂組成物的壓縮成型體投入至經設定在氮環境下、溫度150℃及1大氣壓的烘箱，等待1小時的經過，而得到硬化物之步驟；以及 <br/> (p2)於步驟(p1)之後120秒以內，從烘箱取出硬化物，於常溫常壓環境下放置冷卻之步驟。
如請求項1之樹脂組成物，其中於進行影像解析而作為空隙影像取得的空隙區域之中，將以(C)無機填充材的外形區域所畫成的區域內之空隙區域排除在外，表示所得之樹脂成分區域中的空隙區域之相對於前述觀察區域的面積比例之樹脂空隙率係在0.002%～2%之範圍內。
如請求項1之樹脂組成物，其中將樹脂組成物中的不揮發成分當作100質量%時，(C)成分為30質量%以上。
如請求項1之樹脂組成物，其中(A)成分包含(A-1)液狀的環氧樹脂。
如請求項1之樹脂組成物，其中(E-1)成分為單數種類。
如請求項1之樹脂組成物，其中(E-1)成分為複數種類。
如請求項1之樹脂組成物，其中將樹脂組成物中的不揮發成分當作100質量%時，溶劑之含量為3質量%以下。
如請求項1之樹脂組成物，其中使用E型黏度計所測定的25℃之黏度係在1Pa・s～1000Pa・s之範圍內。
如請求項1之樹脂組成物，其中硬化物的介電率(Dk)之值未達3.6。
如請求項1之樹脂組成物，其中硬化物的介電正切(Df)之值未達0.03。
如請求項1之樹脂組成物，其中硬化物的斷裂點強度超過45MPa。
如請求項1之樹脂組成物，其中前述硬化物的硬化度為95%以上。
如請求項1之樹脂組成物，其係用於形成半導體晶片封裝體的絕緣層者。
如請求項1之樹脂組成物，其係再配線形成層用。
一種樹脂糊膏，其係包含如請求項1～18中任一項之樹脂組成物而形成者。
一種如請求項1～18中任一項之樹脂組成物的硬化物。
一種硬化物，其係以包含下述壓縮成型步驟及後硬化步驟之硬化方法來使含有(A)環氧樹脂、(B)硬化劑、(C)無機填充材及(E-1)環氧基矽烷系矽烷偶合劑之樹脂組成物硬化而成的硬化物，其中 <br/> 該硬化物具有0.002%～2%之範圍內的空隙率，此處，空隙率為硬化物之SEM剖面影像中的空隙區域之面積比例(%)， <br/>＜壓縮成型步驟＞ <br/> 以與矽晶圓接合之方式配置樹脂組成物後，於壓力15噸、溫度130℃及10分鐘之條件下進行壓縮成型，得到經接合至矽晶圓的厚度300μm之樹脂組成物的壓縮成型體之步驟； <br/>＜後硬化步驟＞ <br/> 將所得之樹脂組成物的壓縮成型體在氮環境下、溫度150℃及1小時之條件下加熱而得到硬化物之步驟。
一種半導體晶片封裝體，其具備由如請求項1～18中任一項之樹脂組成物的硬化物所成之絕緣層。
如請求項22之半導體晶片封裝體，其中絕緣層為再配線形成層。
如請求項22之半導體晶片封裝體，其為扇出(Fan-out)型封裝體。
一種半導體裝置，其包含如請求項22之半導體晶片封裝體。
一種光學薄膜，其係具備：<br/> 薄片狀之透明基材、<br/> 形成在該透明基材之第一面側且含有色素之著色層、及<br/> 形成在該著色層上之光學功能層；<br/> 該色素係至少含有：<br/> 極大吸收波長在470～530nm之範圍內且吸光光譜之半高寬為15～45nm的第一色材、<br/> 極大吸收波長在560～620nm之範圍內且吸光光譜之半高寬為15～55nm的第二色材、及<br/> 於400～800nm之波長範圍中穿透率最低之波長在650～800nm之範圍內的第三色材中之任兩者以上；<br/> 於該色素之吸收波長帶的470nm～530nm、560nm～620nm、650～800nm中，僅任一波長帶之極大吸收波長的穿透率為1%以上且小於50%，<br/> 該光學功能層係包含：依據JIS L 1925之紫外線遮蔽率為85%以上，且表面在500g負重下的鉛筆硬度為H以上之層，<br/> 屬於耐光性試驗前後之色度差之ΔE*ab係滿足下述式(1)，其中該耐光性試驗係在溫度45℃/濕度50%RH條件下，照射在波長300～400nm下之照度為60W/cm<sup>2</sup>之氙燈120小時：<br/> ΔE*ab≦5 式(1)。
如請求項1之光學薄膜，其中該著色層含有自由基捕捉劑、過氧化物分解劑、或單重態氧淬滅劑(singlet oxygen quencher)的1種以上。
如請求項2之光學薄膜，其中該自由基捕捉劑為分子量2000以上之受阻胺系光安定劑。
如請求項2之光學薄膜，其中該單重態氧淬滅劑為二烷基磷酸鹽、二烷基二硫胺甲酸鹽或苯二硫醇或者是其類似二硫醇的過渡金屬錯合物。
如請求項1至4中任一項之光學薄膜，其中該光學功能層包含具有透氧度10cc/(m<sup>2</sup>・day・atm)以下之氧氣阻隔性的氧氣阻隔層。
如請求項1至4中任一項之光學薄膜，其中該光學功能層包含由含有能量線硬化型化合物、光聚合起始劑及紫外線吸收劑之組成物的硬化膜所構成之紫外線遮蔽層，<br/> 該光聚合起始劑之紫外線區域中的吸收波長區域不同於該紫外線吸收劑之紫外線區域中的吸收波長區域，<br/> 該紫外線吸收劑之紫外線區域中的吸收波長區域為290～370nm之範圍。
如請求項1至4中任一項之光學薄膜，其中該光學功能層包含由含有能量線硬化型化合物、光聚合起始劑及紫外線吸收劑之組成物的硬化膜所構成之紫外線遮蔽層，<br/> 該光學功能層係從該著色層側依序包含該紫外線遮蔽層、及折射率低於該紫外線遮蔽層之低折射率層。
如請求項1至4中任一項之光學薄膜，其中該光學功能層包含由含有能量線硬化型化合物、光聚合起始劑及紫外線吸收劑之組成物的硬化膜所構成之紫外線遮蔽層，<br/> 該光學功能層係從該著色層側依序包含該紫外線遮蔽層、及防眩層。
如請求項1至4中任一項之光學薄膜，其中該光學功能層包含由含有能量線硬化型化合物、光聚合起始劑及紫外線吸收劑之組成物的硬化膜所構成之紫外線遮蔽層，<br/> 該紫外線遮蔽層為含有紫外線吸收劑之防眩層。
如請求項1至4中任一項之光學薄膜，其中該光學功能層包含由含有能量線硬化型化合物、光聚合起始劑及紫外線吸收劑之組成物的硬化膜所構成之紫外線遮蔽層，<br/> 該光學功能層係從該著色層側依序包含該紫外線遮蔽層、及折射率低於該紫外線遮蔽層之低折射率層，<br/> 該紫外線遮蔽層為含有紫外線吸收劑之防眩層。
如請求項1至4中任一項之光學薄膜，其中該著色層中所含該色素係包含：從包含具有卟啉結構、部花青素結構、酞青素結構、偶氮結構、花青結構、方酸鎓鹽(squarylium)結構、香豆素結構、多烯結構、醌結構、四(二卟啉)結構、吡咯亞甲基結構及靛藍結構中之任一者的化合物及其金屬錯合物之群組中所選出的1個以上之化合物。
一種顯示裝置，其係具備：<br/> 光源、及<br/> 將該透明基材之與該第一面相反側之第二面側朝向該光源而配置之如請求項1至11中任一項之光學薄膜。
一種工件處理片，為具備： <br/>基材，及積層在上述基材中的單面側的可用以維持工件小片，並且藉由雷射光的照射進行界面燒蝕的界面燒蝕層的工件處理片，其特徵在於： <br/>上述界面燒蝕層含有光聚合起始劑且不含有氣體產生劑， <br/>上述工件處理片的波長355nm的光線的吸光度為1.5以上。
如請求項1所述之工件處理片，其中，上述光聚合起始劑在200nm以上，400nm以下的波長的範圍中具有吸收峰值。
如請求項1所述之工件處理片，其中，上述界面燒蝕層為黏著劑層。
如請求項3所述之工件處理片，其中，構成上述黏著劑層的黏著劑為活性能量線硬化性黏著劑。
如請求項3所述之工件處理片，其中，構成上述黏著劑層的黏著劑為丙烯酸系黏著劑。
如請求項1所述之工件處理片，其中，上述雷射光為具有紫外線區域的波長者。
如請求項1所述之工件處理片，其中，在上述界面燒蝕層使界面燒蝕發生時，在該界面燒蝕發生的位置形成有膨泡。
如請求項1所述之工件處理片，其中，被使用在藉由在上述界面燒蝕層上使其局部地發生界面燒蝕，將維持在上述界面燒蝕層中的與上述基材相反的面上的複數個工件小片當中的任意的工件小片，從上述界面燒蝕層選擇性地進行分離者。
如請求項8所述之工件處理片，其中，上述工件小片為將維持在上述界面燒蝕層中的與上述基材相反的面上的工件，在該面上進行個片化所獲得者。
如請求項8所述之工件處理片，其中，上述工件小片為選自半導體組件以及半導體裝置當中的至少1種。
如請求項8所述之工件處理片，其中，上述工件小片為選自迷你發光二極體以及微發光二極體當中的發光二極體。
一種裝置製造方法，其特徵在於，具備： <br/>準備具備基材，及積層在上述基材中的單面側的含有光聚合起始劑且不含有氣體產生劑的界面燒蝕層，波長355nm的光線的吸光度為1.5以上的工件處理片，在上述界面燒蝕層側的面上維持有複數個工件小片而成的積層體的準備步驟； <br/>對於可容納上述工件小片的對象物，以面對上述積層體中的上述工件小片側的面的方式，配置上述積層體的配置步驟；以及 <br/>對於上述積層體中的上述界面燒蝕層中的貼附有至少1個上述工件小片的位置，照射雷射光，藉由使上述界面燒蝕層中的上述被照射的位置上發生界面燒蝕，將存在於該界面燒蝕發生位置上的上述工件小片，從上述工件處理片分離，而將上述工件小片載置於上述對象物上的分離步驟。
如請求項12所述之裝置製造方法，其中，藉由在上述準備步驟中，將維持在上述界面燒蝕層中的與上述基材相反的面上的工件，在該面上進行個片化，獲得上述工件小片。
如請求項12所述之裝置製造方法，其中，上述工件小片為選自半導體組件以及半導體裝置當中的至少1種。
如請求項12所述之裝置製造方法，其中，使用選自迷你發光二極體以及微發光二極體當中的發光二極體作為上述工件小片，製造具備複數個上述發光二極體的發光裝置。
如請求項15所述之裝置製造方法，其中，上述發光裝置為顯示器。
一種保護膜形成膜，具能量線硬化性；<br/> 前述保護膜形成膜含有：不具有能量線硬化性基之丙烯酸樹脂(b)、以及無機填充材(d)；<br/> 前述保護膜形成膜進一步含有多官能(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯低聚物來作為能量線硬化性成分(a)；<br/> 前述不具有能量線硬化性基之丙烯酸樹脂(b)的重量平均分子量為1100000以下，分散度為超過3.0；<br/> 前述保護膜形成膜中，前述無機填充材(d)以外之成分的合計含量相對於前述無機填充材(d)的含量之比例為40質量%以上。
一種保護膜形成用複合片，係具備：支撐片、以及設置於前述支撐片之一側的面上之保護膜形成膜；<br/> 前述保護膜形成膜係如請求項1所記載之保護膜形成膜。
一種具保護膜之晶片的製造方法，前述具保護膜之晶片係具備：晶片、以及設置於前述晶片的內面之保護膜；<br/> 前述具保護膜之晶片的製造方法係具有以下步驟：<br/> 於前述晶圓的前述內面貼附如請求項1所記載之保護膜形成膜，藉此製作出前述保護膜形成膜及前述晶圓在其厚度方向上積層而構成之第1積層膜，或是於前述晶圓的前述內面貼附如請求項2所記載之保護膜形成用複合片中的前述保護膜形成膜，藉此製作出前述支撐片、前述保護膜形成膜及前述晶圓依序在其厚度方向上積層而構成之第1積層複合片之步驟；<br/> 使前述第1積層膜中的或是前述第1積層複合片中的前述保護膜形成膜經過能量線硬化來形成前述保護膜，藉此製作出前述保護膜及前述晶圓在其厚度方向上積層而構成之第2積層膜，或是製作出前述支撐片、前述保護膜及前述晶圓依序在其厚度方向上積層而構成之第2積層複合片之步驟；<br/> 在前述第2積層膜的前述保護膜側設置有切割片之狀態下，分割前述第2積層膜中的前述晶圓並切斷前述保護膜，藉此製作出複數個前述具保護膜之晶片固定在前述切割片上而構成之第3積層膜，或是分割前述第2積層複合片中的前述晶圓並切斷前述保護膜，藉此製作出複數個前述具保護膜之晶片固定在前述支撐片上而構成之第3積層複合片之步驟；以及<br/> 藉由將前述第3積層膜中的前述具保護膜之晶片自前述切割片扯離，或是藉由將前述第3積層複合片中的前述具保護膜之晶片自前述支撐片扯離，來進行拾取之步驟。
一種掩模框架支撐單元，包含：<br/> 一殼體；<br/> 一突出主體，該突出主體在該殼體下方延伸，該突出主體包含一漸縮區域和一圓柱形區域，該漸縮區域包含耦接到該殼體的具有一第一直徑的一第一端部並且包含與該第一端部相對的具有一第二直徑的一第二端部，其中該第二直徑小於該第一直徑，並且其中該漸縮區域在該第二端部處耦接到該圓柱形區域；和<br/> 一工作站，該工作站具有設置在該殼體上方的一平坦頭部；<br/> 其中該殼體容納複數個部件，該複數個部件包含：<br/> 一上接收板，該上接收板與該工作站接觸；<br/> 一下接收板，該下接收板設置在該上接收板下方；<br/> 一平坦頭部單元移動支撐機構，該平坦頭部單元移動支撐機構設置在該下接收板與該突出主體之間；和<br/> 一對中部件，該對中部件配置以當該掩模框架支撐單元上不存在負載時，將該工作站返回到一中心位置。
如請求項1所述的掩模框架支撐單元，其中該平坦頭部移動支撐機構包含設置在一滾珠保持器中的一組滾珠。
如請求項1所述的掩模框架支撐單元，其中該對中部件包含一組拉伸彈簧，每個拉伸彈簧具有附接到該殼體的一第一端部和附接到一對中環的一第二端部。
如請求項1所述的掩模框架支撐單元，其中該殼體是一圓形殼體，並且該平坦頭部是一圓形平坦頭部。
如請求項1所述的掩模框架支撐單元，其中該對中部件回應於設置在該工作站上的一負載的移除而將該工作站對中到一中間位置。
如請求項1所述的掩模框架支撐單元，其中：<br/> 該突出主體具有在約30mm與約50mm之間的一高度和在約31.2mm與約41.2mm之間的一長度；<br/> 該殼體具有在約34mm與約36mm之間的一高度和在約65mm與約75mm之間的一長度；並且<br/> 該工作站具有在約10mm與約16mm之間的一高度和在約52mm與約60mm之間的一長度。
如請求項6所述的掩模框架支撐單元，其中：<br/> 該突出主體具有約40.1mm的一高度和約36.2mm的一長度；<br/> 該殼體具有約34.75mm的一高度和約70mm的一長度；並且<br/> 該工作站具有約13mm的一高度和約56mm的一長度。
一種系統，該系統包含：<br/> 一掩模框架；<br/> 一對準軸，該對準軸包含具有一開口的一中空圓柱體；和<br/> 複數個掩模框架支撐單元，該複數個掩模框架支撐單元包含一平坦頭部單元，該平坦頭部單元包含：<br/> 一殼體；<br/> 一突出主體，該突出主體在該殼體下方延伸並且經由該開口整合在該對準軸中；和<br/> 一工作站，該工作站具有設置在該殼體上方的一平坦頭部；<br/> 其中該殼體容納複數個部件，該複數個部件包含：<br/> 一上接收板，該上接收板與該工作站接觸；<br/> 一下接收板，該下接收板設置在該上接收板下方；<br/> 一平坦頭部單元移動支撐機構，該平坦頭部單元移動支撐機構設置在該下接收板與該突出主體之間；和<br/> 一對中部件，該對中部件配置以當該些掩模框架支撐單元上不存在負載時，將該工作站返回到一中心位置。
如請求項8所述的系統，其中該平坦頭部移動支撐機構包含設置在一滾珠保持器中的一組滾珠。
如請求項8所述的系統，其中該對中部件包含一組拉伸彈簧，每個拉伸彈簧具有附接到該殼體的一第一端部和附接到一對中環的一第二端部。
如請求項8所述的系統，其中該殼體是一圓形殼體，並且該平坦頭部是一圓形平坦頭部。
如請求項8所述的系統，其中該複數個掩模框架支撐單元包含6個平坦頭部支撐單元和2個滾珠傳送單元。
如請求項8所述的系統，其中該對中部件回應於該掩模框架從該工作站的移除而將該工作站對中到一中間位置。
如請求項8所述的系統，其中：<br/> 該突出主體具有在約30mm與約50mm之間的一高度和在約31.2mm與約41.2mm之間的一長度；<br/> 該殼體具有在約34mm與約36mm之間的一高度和在約65mm與約75mm之間的一長度；並且<br/> 該工作站具有在約10mm與約16mm之間的一高度和在約52mm與約60mm之間的一長度。
如請求項8所述的系統，其中：<br/> 該突出主體包含一漸縮區域和一圓柱形區域；<br/> 該漸縮區域包含耦接到該殼體的具有一第一直徑的一第一端部，並且包含與該第一端部相對的具有一第二直徑的一第二端部；<br/> 該第二直徑小於該第一直徑；並且<br/> 該漸縮區域在該第二端部處耦接到該圓柱形區域。
一種形成一掩模框架支撐單元的方法，包含以下步驟：<br/> 將一上接收板和一下接收板插入一殼體內；<br/> 在該殼體內形成一對中部件；<br/> 將一突出主體固定到該殼體的一底部，該突出主體包含一漸縮區域和一圓柱形區域，該漸縮區域包含耦接到該殼體的具有一第一直徑的一第一端部並且包含與該第一端部相對的具有一第二直徑的一第二端部，其中該第二直徑小於該第一直徑，並且其中該漸縮區域在該第二端部處耦接到該圓柱形區域；和<br/> 將具有一平坦頭部的一工作站固定到該殼體的一頂部。
如請求項16所述的方法，其中形成該對中部件之步驟包含以下步驟：<br/> 在該下接收板上放置一組拉伸彈簧；和<br/> 將該一組拉伸彈簧附接到一對中環。
如請求項17所述的方法，進一步包含以下步驟：<br/> 將包含複數個滾珠位置的一滾珠保持器放置在該上接收板上，其中該一組拉伸彈簧中的每個拉伸彈簧設置在該滾珠保持器的一相應間隙之間；和<br/> 在該複數個滾珠位置的每一者內插入一滾珠。
如請求項16所述的方法，進一步包含以下步驟：在一對中環內形成一中心銷。
如請求項16所述的方法，進一步包含以下步驟：將一平坦頭部單元安裝在包括一掩模框架的一掩模對準系統內，其中安裝該平坦頭部單元之步驟包含以下步驟：將該突出主體整合到一對準軸中。
一種用於無線通訊的裝置，包括：<br/>一記憶體；及<br/>一處理器，耦接到該記憶體，該處理器被配置為：<br/>接收關於針對一隨機存取通道（RACH）訊息的一或多個重複而被計數的一或多個第一時槽的一第一指示和關於該一或多個重複的一數量的一第二指示，該RACH訊息的該一或多個重複中的每一個重複皆在可用於上行鏈路通訊的一時槽期間；<br/>接收指示可用於上行鏈路通訊的一或多個第二時槽的一系統資訊訊息；<br/>接收指示一上行鏈路容許的一隨機存取回應，其中該第一指示是基於如該系統資訊訊息中所指示的可用於上行鏈路通訊的該一或多個第二時槽和如該隨機存取回應中所指示的該上行鏈路容許的；及<br/>根據該第一指示和該第二指示來向一基地站傳輸該RACH訊息和該一或多個重複。
根據請求項1之裝置，其中該處理器亦被配置為：經由該隨機存取回應來接收該第二指示。
根據請求項1之裝置，其中該處理器亦被配置為：<br/>傳輸一隨機存取前序信號；及<br/>接收回應於該隨機存取前序信號的該隨機存取回應。
根據請求項1之裝置，其中該系統資訊訊息包括剩餘最小系統資訊（RMSI）。
根據請求項1之裝置，其中該處理器亦被配置為：<br/>基於該第一指示和該第二指示來選擇要用於該一或多個重複的一或多個第三時槽；及<br/>在該一或多個第三時槽中傳輸該一或多個重複。
根據請求項1之裝置，其中該處理器亦被配置為：<br/>傳輸一隨機存取前序信號；<br/>接收回應於該隨機存取前序信號的該隨機存取回應；及<br/>回應於該隨機存取回應來傳輸該RACH訊息和該一或多個重複。
根據請求項1之裝置，其中該處理器亦被配置為：經由一實體上行鏈路共享通道（PUSCH）來傳輸該RACH訊息和該一或多個重複。
根據請求項1之裝置，其中該第一指示包括：<br/>關於僅對可用於上行鏈路通訊的該一或多個第二時槽進行計數的一指示；或者<br/>關於對可用於上行鏈路通訊的該一或多個第二時槽和不可用於上行鏈路通訊的一或多個其他時槽兩者進行計數的一指示。
根據請求項1之裝置，其中該處理器亦被配置為：至少部分地基於與和該基地站的通訊相關聯的一上行鏈路-下行鏈路雙工程序、頻率範圍或次載波間隔來決定針對該一或多個重複而被計數的該一或多個第一時槽。
一種用於無線通訊的裝置，包括：<br/>一記憶體；及<br/>一處理器，耦接到該記憶體，該處理器被配置為：<br/>傳輸關於針對一隨機存取通道（RACH）訊息的一或多個重複而被計數的一或多個第一時槽的一第一指示和關於該一或多個重複的一數量的一第二指示，該RACH訊息的該一或多個重複中的每一個重複皆在可用於上行鏈路通訊的一時槽期間；<br/>傳輸指示可用於上行鏈路通訊的一或多個第二時槽的一系統資訊訊息；<br/>傳輸指示一上行鏈路容許的一隨機存取回應，其中該第一指示是基於如該系統資訊訊息中所指示的可用於上行鏈路通訊的該一或多個第二時槽和如該隨機存取回應中所指示的該上行鏈路容許的；及<br/>根據該第一指示和該第二指示來從一使用者設備（UE）接收該RACH訊息或該一或多個重複中的至少一者。
根據請求項10之裝置，其中該處理器亦被配置為：經由該隨機存取回應來傳輸該第二指示。
根據請求項10之裝置，其中該處理器亦被配置為：<br/>接收一隨機存取前序信號；及<br/>回應於該隨機存取前序信號來傳輸該隨機存取回應。
根據請求項10之裝置，其中該系統資訊訊息包括剩餘最小系統資訊（RMSI）。
根據請求項10之裝置，其中該處理器亦被配置為：<br/>基於該第一指示和該第二指示來選擇要用於該一或多個重複的一或多個第三時槽；及<br/>在該一或多個第三時槽中接收該一或多個重複。
根據請求項10之裝置，其中該處理器亦被配置為：<br/>接收一隨機存取前序信號；<br/>回應於該隨機存取前序信號而傳輸該隨機存取回應；及<br/>接收回應於該隨機存取回應的、該RACH訊息或該一或多個重複中的至少一者。
根據請求項10之裝置，其中該處理器亦被配置為：經由一實體上行鏈路共享通道（PUSCH）接收該RACH訊息或該一或多個重複中的至少一者。
根據請求項11之裝置，其中該第一指示包括：<br/>關於僅對可用於上行鏈路通訊的該一或多個第二時槽進行計數的一指示；或者<br/>關於對可用於上行鏈路通訊的該一或多個第二時槽和不可用於上行鏈路通訊的一或多個其他時槽兩者進行計數的一指示。
根據請求項10之裝置，其中該處理器亦被配置為：至少部分地基於與和該UE的通訊相關聯的一上行鏈路-下行鏈路雙工程序、頻率範圍或次載波間隔來決定針對該一或多個重複而被計數的該一或多個第一時槽。
一種用於由一使用者設備（UE）進行無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/>接收關於針對一隨機存取通道（RACH）訊息的一或多個重複而被計數的一或多個第一時槽的一第一指示和關於該一或多個重複的一數量的一第二指示，該RACH訊息的該等重複中的每一個重複皆在可用於上行鏈路通訊的一時槽期間；<br/>其中接收該第一指示和該第二指示之步驟包括以下步驟：<br/>接收指示可用於上行鏈路通訊的一或多個第二時槽的一系統資訊訊息；及<br/>接收指示一上行鏈路容許的一隨機存取回應，其中該第一指示是基於如在該系統資訊訊息中所指示的可用於上行鏈路通訊的該一或多個第二時槽和如在該隨機存取回應中所指示的該上行鏈路容許的；及<br/>根據該第一指示和該第二指示來向一基地站傳輸該RACH訊息和該一或多個重複。
根據請求項19之方法，其中接收該第一指示和該第二指示之步驟亦包括以下步驟：經由該隨機存取回應來接收該第二指示。
根據請求項19之方法，亦包括以下步驟：<br/>傳輸一隨機存取前序信號；<br/>基於該第一指示和該第二指示來選擇要用於該一或多個重複的一或多個第三時槽；<br/>其中接收該隨機存取回應之步驟包括以下步驟：接收回應於該隨機存取前序信號的該隨機存取回應；及<br/>其中傳輸該一或多個重複之步驟包括以下步驟：在該一或多個第三時槽中傳輸該一或多個重複。
根據請求項19之方法，其中該系統資訊訊息包括剩餘最小系統資訊（RMSI）。
一種用於由一基地站進行無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/>傳輸關於針對一隨機存取通道（RACH）訊息的一或多個重複而被計數的一或多個第一時槽的一第一指示和關於該一或多個重複的一數量的一第二指示，該RACH訊息的該一或多個重複中的每一個重複皆在可用於上行鏈路通訊的一時槽期間；<br/>其中傳輸該第一指示和該第二指示之步驟包括以下步驟：<br/>傳輸指示可用於上行鏈路通訊的一或多個第二時槽的一系統資訊訊息；及<br/>傳輸指示一上行鏈路容許的一隨機存取回應，其中該第一指示是基於如該系統資訊訊息中所指示的可用於上行鏈路通訊的該一或多個第二時槽和如該隨機存取回應中所指示的該上行鏈路容許的；及<br/>根據該第一指示和該第二指示來從一使用者設備（UE）接收該RACH訊息或該一或多個重複中的至少一者。
根據請求項23之方法，其中傳輸該第一指示和該第二指示之步驟亦包括以下步驟：經由該隨機存取回應來傳輸該第二指示。
根據請求項23之方法，亦包括以下步驟：<br/>接收一隨機存取前序信號；<br/>基於該第一指示和該第二指示來選擇要用於該一或多個重複的一或多個第三時槽；<br/>其中傳輸該隨機存取回應之步驟包括以下步驟：回應於該隨機存取前序信號來傳輸該隨機存取回應；及<br/>其中接收該一或多個重複之步驟包括以下步驟：在該一或多個第三時槽中接收該一或多個重複。
根據請求項23之方法，其中該系統資訊訊息包括剩餘最小系統資訊（RMSI）。
一種纖維強化聚對苯二甲酸丁二酯樹脂組成物之製造方法，係以雙軸擠製機製造由各成分之合計為100質量%之(A)聚對苯二甲酸丁二酯樹脂40~90質量%、(B)強化纖維10~60質量%、及(C)其他聚合物或添加劑0~35質量%構成的纖維強化聚對苯二甲酸丁二酯樹脂組成物之方法； <br/>使用平均重量為16mg以上且29mg以下之聚對苯二甲酸丁二酯樹脂丸粒作為(A)的原料； <br/>包括將(A)與(C)在第1混練部進行混練的第1步驟、在第1混練部之下游部添加該(B)並在第2混練部進行混練的第2步驟、以及在第2混練部之下游部使通氣孔成為減壓狀態並進行去揮發及擠製的第3步驟； <br/>第1混練部係由組合了R揉合盤、N揉合盤、L揉合盤、L螺桿、密封環、混合螺桿、或轉子螺桿中之2種以上之長度為5.0~9.0D(D為缸筒徑)之組成所構成； <br/>該第2混練部係由組合了R揉合盤、N揉合盤、L揉合盤、L螺桿、密封環、混合螺桿中之1種或2種以上之組成所構成； <br/>以螺桿軸扭矩密度為11.5~19Nm/cm<sup>3</sup>的條件進行製造， <br/>所謂該螺桿軸扭矩密度，係定義為將為了驅動每1根螺桿所需要的扭矩Nm除以螺桿軸芯間距離的3次方後所得的值。
如請求項1之纖維強化聚對苯二甲酸丁二酯樹脂組成物之製造方法，其中，該(C)中，含有按(A)~(C)之合計為100質量%之基準計為5~30質量%的苯乙烯系聚合物。
如請求項1或2之纖維強化聚對苯二甲酸丁二酯樹脂組成物之製造方法，其中，第3步驟中剛擠製出之樹脂之股線的溫度為290~310℃。
如請求項1或2之纖維強化聚對苯二甲酸丁二酯樹脂組成物之製造方法，其中，(A)聚對苯二甲酸丁二酯樹脂的固有黏度為0.72~0.83dl/g。
如請求項1或2之纖維強化聚對苯二甲酸丁二酯樹脂組成物之製造方法，其中，第2混練部之總計長度為2.5D以上且5.0D以下。
如請求項1或2之纖維強化聚對苯二甲酸丁二酯樹脂組成物之製造方法，其中，獲得之樹脂組成物之依循ISO179-1,2的具缺口之夏皮衝擊強度為9kJ/m<sup>2</sup>以上。
如請求項1或2之纖維強化聚對苯二甲酸丁二酯樹脂組成物之製造方法，其中，獲得之樹脂組成物之依循ISO527的拉伸強度為140MPa以上。
如請求項1或2之纖維強化聚對苯二甲酸丁二酯樹脂組成物之製造方法，其中，該螺桿軸扭矩密度為13~19Nm/cm<sup>3</sup>。
一種實行干擾白化操作的無線通訊裝置的操作方法，所述操作方法包括： <br/>獲得所述無線通訊裝置的第一通道狀態資訊； <br/>自與所述干擾白化操作相關的多個模式之中選擇所選擇模式，所述所選擇模式對應於所述第一通道狀態資訊，所述多個模式中的每一者對應於多個價值函數預期值中的一個對應的價值函數預期值； <br/>根據所述所選擇模式獲得通道效能資訊；以及 <br/>基於所述第一通道狀態資訊、所述所選擇模式及所述通道效能資訊來更新第一價值函數預期值，所述第一價值函數預期值位於所述多個價值函數預期值之中，且所述第一價值函數預期值對應於所述所選擇模式。
如請求項1所述的操作方法，其中所述多個模式包括干擾白化啟用模式及干擾白化禁用模式。
如請求項2所述的操作方法，其中所述干擾白化啟用模式是多個干擾白化啟用模式中的一者，所述多個干擾白化啟用模式中的每一者對應於分派至干擾白化的不同數目的資源區塊。
如請求項1所述的操作方法，其中選擇所述所選擇模式是基於針對所述第一通道狀態資訊的政策資訊。
如請求項1所述的操作方法，其中選擇所述所選擇模式包括： <br/>根據特定機率隨機選擇所述所選擇模式；以及 <br/>根據所述特定機率的倒數而基於針對所述第一通道狀態資訊的政策資訊選擇所述所選擇模式。
如請求項5所述的操作方法，更包括：基於所獲得的第二價值函數預期值大於第三價值函數預期值來改變所述政策資訊，所述第二價值函數預期值是基於藉由隨機選擇而獲得的對應的所述所選擇模式，且所述第三價值函數預期值是基於基於所述政策資訊獲得的對應的所述所選擇模式。
如請求項1所述的操作方法，其中 <br/>更新所述第一價值函數預期值包括產生與所述通道效能資訊對應的即時獎勵值，所述通道效能資訊對應於根據所述所選擇模式獲得的第二通道狀態資訊，以及 <br/>基於所述即時獎勵值及基於所述第二通道狀態資訊獲得的未來獎勵值來更新所述第一價值函數預期值。
如請求項7所述的操作方法，其中基於所述即時獎勵值及所述未來獎勵值更新所述第一價值函數預期值包括基於所述第二通道狀態資訊及與所述多個模式對應的所述多個價值函數預期值來確定所述未來獎勵值。
如請求項8所述的操作方法，其中更新所述第一價值函數預期值包括藉由基於學習率對更新預期值與先前預期值進行加權平均來產生經更新第一價值函數預期值，所述更新預期值是基於所述即時獎勵值及所述未來獎勵值產生。
如請求項9所述的操作方法，其中產生所述經更新第一價值函數預期值包括藉由將所述即時獎勵值與藉由將所述未來獎勵值乘以貼現率而獲得的值相加來產生所述更新預期值。
如請求項1所述的操作方法，其中所述第一通道狀態資訊包括訊號對干擾加雜訊比，以及 <br/>所述通道效能資訊包括通道容量與臨限值之間的差值的絕對值。
如請求項1所述的操作方法，更包括： <br/>因應於將所述無線通訊裝置的通訊處理器初始化而將針對所述價值函數預期值的政策資訊初始化。
一種實行干擾白化操作的無線通訊裝置的操作方法，所述操作方法包括： <br/>獲得所述無線通訊裝置的目標通道狀態資訊； <br/>基於政策資訊在多個模式之中選擇與所述目標通道狀態資訊對應的目標模式，指定所述多個模式中的每一者的所述政策資訊與相應的通道狀態資訊及相應的價值函數預期值相關聯；以及 <br/>根據所述目標模式實行通訊， <br/>其中所述政策資訊是根據針對所述多個模式中的每一者獲得的通道效能資訊來確定， <br/>其中所述操作方法更包括因應於將所述無線通訊裝置的通訊處理器初始化而將針對所述價值函數預期值的所述政策資訊初始化。
如請求項13所述的操作方法，其中所述多個模式包括干擾白化啟用模式及干擾白化禁用模式，且 <br/>其中實行所述通訊包括藉由因應於選擇所述干擾白化啟用模式而實行干擾白化操作來實行通訊，且在因應於選擇所述干擾白化禁用模式而不實行所述干擾白化操作的情況下實行通訊。
如請求項13所述的操作方法，更包括： <br/>計算在第一通道狀態下分別與所述多個模式對應的多個價值函數預期值；以及 <br/>藉由指定所述多個模式之中與所述多個價值函數預期值之中的最大價值函數預期值對應的模式來更新所述政策資訊，所述多個價值函數預期值與所述第一通道狀態的通道狀態資訊相關聯。
如請求項15所述的操作方法，其中計算所述多個價值函數預期值包括： <br/>藉由在所述第一通道狀態下針對所述多個模式中的每一者實行操作來獲得第二通道狀態資訊； <br/>基於所述第二通道狀態資訊產生與經更新通道效能資訊對應的即時獎勵值；以及 <br/>基於所述即時獎勵值及根據所述多個模式中的每一者產生的未來獎勵值來計算所述多個價值函數預期值。
如請求項16所述的操作方法，其中基於所述即時獎勵值及所述未來獎勵值計算所述多個價值函數預期值包括基於與所述第二通道狀態資訊相關聯的一或多個價值函數預期值之中的最高價值函數預期值來確定所述未來獎勵值。
如請求項13所述的操作方法，其中所述目標通道狀態資訊包括訊號對干擾加雜訊比，以及 <br/>其中所述通道效能資訊包括通道容量與臨限值之間的差值的絕對值。
一種無線通訊裝置，包括： <br/>處理電路系統，被配置成， <br/>獲得第一通道狀態資訊， <br/>自與干擾白化操作相關的多個模式之中選擇所選擇模式，所述所選擇模式對應於所述第一通道狀態資訊，所述多個模式中的每一者對應於多個價值函數預期值中的一個對應的價值函數預期值， <br/>獲得與所述所選擇模式對應的通道效能資訊，以及 <br/>基於所述第一通道狀態資訊、所述所選擇模式及所述通道效能資訊來更新第一價值函數預期值，所述第一價值函數預期值位於所述多個價值函數預期值之中，且所述第一價值函數預期值對應於所述所選擇模式。
如請求項19所述的無線通訊裝置，其中所述多個模式包括干擾白化啟用模式及干擾白化禁用模式。
一種程式評價裝置，適於評價機器人用的動作程式，該動作程式為用於使機器人使用工具對加工對象進行加工的程式，該機器人具有根據該工具的磨損量校正該工具位置的功能，該程式評價裝置包括動作確認部，用於確認該機器人在所設定範圍內的數個磨損量下分別是否按照該動作程式正常運作； <br/>其中，該動作程式包括至少一個與該工具在加工該加工對象之加工點的配置相關的參數，該程式評價裝置包括程式修正部，當由該動作確認部確認該機器人在至少一個該磨損量下不正常運作時，修正該參數； <br/>其中，該參數是該加工點的位置，該程式修正部修正該加工點的位置。
如請求項1所述的程式評價裝置，其中，該動作確認部當該機器人運作過程中在至少一個該磨損量下發生所設定的問題時，判斷該機器人為不正常運作，該所設定的問題包括以下至少一項：該機器人的位置超出該機器人的動作範圍、該機器人被配置為奇異點、以及該機器人干擾到周遭物體。
如請求項1所述的程式評價裝置，其中，該動作程式包含數個該參數，數個該參數被設有優先順位，該程式修正部依照該優先順位從高至低的順序修正該參數。
如請求項1至3中任一項所述的程式評價裝置，其中，該工具為點焊槍，該磨損量為該點焊槍的固定側電極頭的磨損量。
如請求項1至3中任一項所述的程式評價裝置，其中，該動作確認部透過模擬該機器人在各個該磨損量下的運作，離線確認該機器人是否正常運作。
一種教示裝置，適於教示機器人的動作，該教示裝置具備如請求項1至5中任一項所述的程式評價裝置。
一種洗淨或蝕刻含釕層用之藥液，其包含 <br/> 原過碘酸(A)、 <br/> 鹼成分(B)、 <br/> 選自含氮雜環化合物、有機膦酸及有機碳酸所成之群之化合物(C)，及 <br/> pH緩衝成分(D)， <br/> 前述鹼成分(B)係有機鹼成分及無機鹼成分之任一種， <br/> 前述pH緩衝成分(D)係選自由檸檬酸鹽、乙酸銨、磷酸鹽、硼酸鹽、碳酸氫鹽及硫酸鹽所成之群之1種以上， <br/> 前述原過碘酸(A)之含量相對於前述藥液之總質量為0.01~8質量%， <br/> 前述鹼成分(B)之含量相對於前述藥液之總質量為0.01質量%以上20質量%以下， <br/> 前述化合物(C)之含量相對於前述藥液之總質量為0.001質量%以上10質量%以下， <br/> 前述pH緩衝成分(D)之含量相對於前述藥液之總質量為0.001質量%以上1質量%以下。
如請求項1之藥液，其中前述藥液之pH為8以上10以下。
如請求項1或2之藥液，其進而包含有機胺氧化物(E)。
如請求項1或2之藥液，其中前述化合物(C)為含氮雜環化合物。
如請求項4之藥液，其中前述含氮雜環化合物係其構造中具有三唑環之化合物。
如請求項4之藥液，其中前述含氮雜環化合物係其構造中具有吡啶環之化合物。
如請求項1或2之藥液，其中前述化合物(C)為有機膦酸。
如請求項1或2之藥液，其中前述化合物(C)為有機碳酸。
一種釕配線之製造方法，其包含下述步驟： <br/> 於基板上形成具有溝槽之絕緣膜之步驟， <br/> 以嵌埋前述溝槽之方式，使用含釕之導電材料，形成含釕層之步驟， <br/> 將前述含釕層及前述絕緣膜之各表面平坦化之步驟， <br/> 使用如請求項1至8中任一項之藥液，蝕刻前述經平坦化之前述含釕層之表面，而形成凹槽之步驟。
一種由一使用者設備（UE）執行的無線通訊的方法，該方法包括以下步驟：<br/> 由該UE回應於一先聽後說（LBT）程序的成功來在一共享通訊頻譜上建立用於UE傳輸的一當前通道佔用時間（COT）；<br/> 由該UE產生一COT結構資訊（COT-SI）訊息，該COT-SI訊息至少包括該當前COT的一剩餘持續時間以及該當前COT的一時間和頻率資源集合，其中該COT-SI訊息更指示被預留用於由該UE進行的通訊的一額外的時間和頻率預留資源集合；<br/> 由該UE經由側行鏈路傳輸向一或多個相鄰UE傳輸該COT-SI訊息；及<br/> 由該UE在該當前COT的該時間和頻率資源集合內傳輸該等UE傳輸；<br/> 其中該等UE傳輸和該COT-SI訊息是在該額外的時間和頻率預留資源集合內傳輸的；且<br/> 其中該額外的時間和頻率預留資源集合定義一共享資源區域，該共享資源區域可由該UE和該一或多個相鄰UE共享並且由在該額外的時間和頻率預留資源集合之外並且在該當前COT的該時間和頻率資源集合內的一剩餘時間和頻率資源集合來決定。
根據請求項1之方法，其中該額外的時間和頻率預留資源集合辨識以下各項中的一項：<br/> 具有連續時間資源和複數個頻率資源的一單個資源區域；或者<br/> 複數個資源區域，其中該複數個資源區域之每一者資源區域包括連續時間資源和複數個頻率資源，並且該複數個資源區域之每一者後續資源區域被定位為以下情況中的一種情況：在時間上連續的，或者在距該複數個資源區域中的一先前資源區域的一預先決定的閾值時間內。
根據請求項2之方法，亦包括以下步驟：<br/> 由該UE決定對於該等UE傳輸的額外傳輸；<br/> 由該UE辨識在該當前COT內落入該共享資源區域內的一下一可用資源；及<br/> 由該UE執行一縮短LBT程序，以與該一或多個相鄰UE爭用對該共享通訊頻譜的存取。
根據請求項2之方法，亦包括以下步驟：<br/> 由該UE決定對該等UE傳輸的一修改；<br/> 由該UE產生一新的COT-SI訊息，該新的COT-SI訊息包括在該當前COT的該時間和頻率資源集合內的一新的時間和頻率預留資源集合，該新的時間和頻率預留資源集合定義該當前COT內的一或多個新的預留資源區域和一或多個新的共享資源區域；及<br/> 由該UE經由一新的側行鏈路傳輸向該一或多個相鄰UE傳輸該新的COT-SI訊息。
根據請求項2之方法，其中傳輸該COT-SI訊息所經由的該側行鏈路傳輸包括以下各項中的一項：<br/> 向其添加該COT-SI訊息的一現有側行鏈路傳輸；或者<br/> 用於該COT-SI訊息的一專用側行鏈路傳輸。
根據請求項2之方法，亦包括以下步驟：<br/> 由該UE在一第一類型的側行鏈路控制資訊（SCI1）訊息內辨識在該當前COT內被預留用於由該UE進行的傳輸的多達兩個時槽。
一種被配置用於無線通訊的裝置，包括：<br/> 用於經由一使用者設備（UE）回應於一先聽後說（LBT）程序的成功來在一共享通訊頻譜上建立用於UE傳輸的一當前通道佔用時間（COT）的構件；<br/> 用於經由該UE產生一COT結構資訊（COT-SI）訊息的構件，該COT-SI訊息至少包括該當前COT的一剩餘持續時間以及該當前COT的一時間和頻率資源集合，其中該COT-SI訊息更指示被預留用於由該UE進行的通訊的一額外的時間和頻率預留資源集合；<br/> 用於經由該UE經由側行鏈路傳輸向一或多個相鄰UE傳輸該COT-SI訊息的構件；及<br/> 用於經由該UE在該當前COT的該時間和頻率資源集合內傳輸該等UE傳輸的構件；<br/> 其中該等UE傳輸和該COT-SI訊息是在該額外的時間和頻率預留資源集合內傳輸的；且<br/> 其中該額外的時間和頻率預留資源集合定義一共享資源區域，該共享資源區域可由該UE和該一或多個相鄰UE共享並且由在該額外的時間和頻率預留資源集合之外並且在該當前COT的該時間和頻率資源集合內的一剩餘時間和頻率資源集合來決定。
根據請求項7之裝置，其中該額外的時間和頻率預留資源集合辨識以下各項中的一項：<br/> 具有連續時間資源和複數個頻率資源的一單個資源區域；或者<br/> 複數個資源區域，其中該複數個資源區域之每一者資源區域包括連續時間資源和複數個頻率資源，並且該複數個資源區域之每一者後續資源區域被定位為以下情況中的一種情況：在時間上連續的，或者在距該複數個資源區域中的一先前資源區域的一預先決定的閾值時間內。
根據請求項8之裝置，亦包括：<br/> 用於經由該UE決定對於該等UE傳輸的額外傳輸的構件；<br/> 用於經由該UE辨識在該當前COT內落入該共享資源區域內的一下一可用資源的構件；及<br/> 用於經由該UE執行一縮短LBT程序，以與該一或多個相鄰UE爭用對該共享通訊頻譜的存取的構件。
根據請求項8之裝置，亦包括：<br/> 用於經由該UE決定對該等UE傳輸的一修改的構件；<br/> 用於經由該UE產生一新的COT-SI訊息的構件，該新的COT-SI訊息包括在該當前COT的該時間和頻率資源集合內的一新的時間和頻率預留資源集合，該新的時間和頻率預留資源集合定義該當前COT內的一或多個新的預留資源區域和一或多個新的共享資源區域；及<br/> 用於經由該UE經由一新的側行鏈路傳輸向該一或多個相鄰UE傳輸該新的COT-SI訊息的構件。
根據請求項8之裝置，其中傳輸該COT-SI訊息所經由的該側行鏈路傳輸包括以下各項中的一項：<br/> 向其添加該COT-SI訊息的一現有側行鏈路傳輸；或者<br/> 用於該COT-SI訊息的一專用側行鏈路傳輸。
根據請求項8之裝置，亦包括：<br/> 經由該UE在一第一類型的側行鏈路控制資訊（SCI1）訊息內辨識在該當前COT內被預留用於由該UE進行的傳輸的多達兩個時槽。
一種具有記錄在其上的程式碼的非暫時性電腦可讀取媒體，該程式碼包括：<br/> 由一電腦可執行以用於使得該電腦經由一使用者設備（UE）回應於一先聽後說（LBT）程序的成功來在一共享通訊頻譜上建立用於UE傳輸的一當前通道佔用時間（COT）的程式碼；<br/> 由該電腦可執行以用於使得該電腦經由該UE產生一COT結構資訊（COT-SI）訊息的程式碼，該COT-SI訊息至少包括該當前COT的一剩餘持續時間以及該當前COT的一時間和頻率資源集合，其中該COT-SI訊息更指示被預留用於由該UE進行的通訊的一額外的時間和頻率預留資源集合；<br/> 由該電腦可執行以用於使得該電腦經由該UE經由側行鏈路傳輸向一或多個相鄰UE傳輸該COT-SI訊息的程式碼；及<br/> 由該電腦可執行以用於使得該電腦經由該UE在該當前COT的該時間和頻率資源集合內傳輸該等UE傳輸的程式碼；<br/> 其中該等UE傳輸和該COT-SI訊息是在該額外的時間和頻率預留資源集合內傳輸的；且<br/> 其中該額外的時間和頻率預留資源集合定義一共享資源區域，該共享資源區域可由該UE和該一或多個相鄰UE共享並且由在該額外的時間和頻率預留資源集合之外並且在該當前COT的該時間和頻率資源集合內的一剩餘時間和頻率資源集合來決定。
根據請求項13之非暫時性電腦可讀取媒體，其中該額外的時間和頻率預留資源集合辨識以下各項中的一項：<br/> 具有連續時間資源和複數個頻率資源的一單個資源區域；或者<br/> 複數個資源區域，其中該複數個資源區域之每一者資源區域包括連續時間資源和複數個頻率資源，並且該複數個資源區域之每一者後續資源區域被定位為以下情況中的一種情況：在時間上連續的，或者在距該複數個資源區域中的一先前資源區域的一預先決定的閾值時間內。
根據請求項14之非暫時性電腦可讀取媒體，亦包括：<br/> 由該電腦可執行以用於使得該電腦經由該UE決定對於該等UE傳輸的額外傳輸的程式碼；<br/> 由該電腦可執行以用於使得該電腦經由該UE辨識在該當前COT內落入該共享資源區域內的一下一可用資源的程式碼；及<br/> 由該電腦可執行以用於使得該電腦經由該UE執行一縮短LBT程序以與該一或多個相鄰UE爭用對該共享通訊頻譜的存取的程式碼。
根據請求項14之非暫時性電腦可讀取媒體，亦包括：<br/> 由該電腦可執行以用於使得該電腦經由該UE決定對該等UE傳輸的一修改的程式碼；<br/> 由該電腦可執行以用於使得該電腦經由該UE產生一新的COT-SI訊息的程式碼，該新的COT-SI訊息包括在該當前COT的該時間和頻率資源集合內的一新的時間和頻率預留資源集合，該新的時間和頻率預留資源集合定義該當前COT內的一或多個新的預留資源區域和一或多個新的共享資源區域；及<br/> 由該電腦可執行以用於使得該電腦經由該UE經由一新的側行鏈路傳輸向該一或多個相鄰UE傳輸該新的COT-SI訊息的程式碼。
根據請求項14之非暫時性電腦可讀取媒體，其中傳輸該COT-SI訊息所經由的該側行鏈路傳輸包括以下各項中的一項：<br/> 向其添加該COT-SI訊息的一現有側行鏈路傳輸；或者<br/> 用於該COT-SI訊息的一專用側行鏈路傳輸。
根據請求項14之非暫時性電腦可讀取媒體，亦包括：<br/> 由該電腦可執行以用於使得該電腦經由該UE在一第一類型的側行鏈路控制資訊（SCI1）訊息內辨識在該當前COT內被預留用於由該UE進行的傳輸的多達兩個時槽的程式碼。
一種被配置用於無線通訊的裝置，該裝置包括：<br/> 至少一個處理器；及<br/> 一記憶體，其耦合到該至少一個處理器，<br/> 其中該至少一個處理器被配置為：<br/> 經由一使用者設備（UE）回應於一先聽後說（LBT）程序的成功來在一共享通訊頻譜上建立用於UE傳輸的一當前通道佔用時間（COT）；<br/> 經由該UE產生一COT結構資訊（COT-SI）訊息，該COT-SI訊息至少包括該當前COT的一剩餘持續時間以及該當前COT的一時間和頻率資源集合，其中該COT-SI訊息更指示被預留用於由該UE進行的通訊的一額外的時間和頻率預留資源集合；<br/> 經由該UE經由側行鏈路傳輸向一或多個相鄰UE傳輸該COT-SI訊息；及<br/> 經由該UE在該當前COT的該時間和頻率資源集合內傳輸該等UE傳輸；<br/> 其中該等UE傳輸和該COT-SI訊息是在該額外的時間和頻率預留資源集合內傳輸的；且；<br/> 其中該額外的時間和頻率預留資源集合定義一共享資源區域，該共享資源區域可由該UE和該一或多個相鄰UE共享並且由在該額外的時間和頻率預留資源集合之外並且在該當前COT的該時間和頻率資源集合內的一剩餘時間和頻率資源集合來決定。
根據請求項19之裝置，其中該額外的時間和頻率預留資源集合辨識以下各項中的一項：<br/> 具有連續時間資源和複數個頻率資源的一單個資源區域；或者<br/> 複數個資源區域，其中該複數個資源區域之每一者資源區域包括連續時間資源和複數個頻率資源，並且該複數個資源區域之每一者後續資源區域被定位為以下情況中的一種情況：在時間上連續的，或者在距該複數個資源區域中的一先前資源區域的一預先決定的閾值時間內。
根據請求項20之裝置，亦包括該至少一個處理器用於進行以下操作的配置：<br/> 經由該UE決定對於該等UE傳輸的額外傳輸；<br/> 經由該UE辨識在該當前COT內落入該共享資源區域內的一下一可用資源；及<br/> 經由該UE執行一縮短LBT程序，以與該一或多個相鄰UE爭用對該共享通訊頻譜的存取。
根據請求項20之裝置，亦包括該至少一個處理器用於進行以下操作的配置：<br/> 經由該UE決定對該等UE傳輸的一修改；<br/> 經由該UE產生一新的COT-SI訊息，該新的COT-SI訊息包括在該當前COT的該時間和頻率資源集合內的一新的時間和頻率預留資源集合，該新的時間和頻率預留資源集合定義該當前COT內的一或多個新的預留資源區域和一或多個新的共享資源區域；及<br/> 經由該UE經由一新的側行鏈路傳輸向該一或多個相鄰UE傳輸該新的COT-SI訊息。
根據請求項20之裝置，其中傳輸該COT-SI訊息所經由的該側行鏈路傳輸包括以下各項中的一項：<br/> 向其添加該COT-SI訊息的一現有側行鏈路傳輸；或者<br/> 用於該COT-SI訊息的一專用側行鏈路傳輸。
根據請求項20之裝置，亦包括該至少一個處理器用於進行以下操作的配置：<br/> 經由該UE在一第一類型的側行鏈路控制資訊（SCI1）訊息內辨識在該當前COT內被預留用於由該UE進行的傳輸的多達兩個時槽。
一種衣料用構件，具有以立體方式堆疊樹脂纖維於厚度方向的構造； <br/>其係在維持該樹脂纖維之纖維間的空隙的狀態下來堆疊該樹脂纖維； <br/>其係藉由該樹脂纖維之堆疊量的差異而改變在面方向的厚度。
如請求項1記載之衣料用構件，其係具有以沿著穿著者之身體的一部分之方式而朝第1面側膨出之形狀，第1面之平滑度高於作為該第1面之相反側的第2面之平滑度。
如請求項1或2記載之衣料用構件，其係具有樹脂材料之種類、樹脂纖維之直徑、及樹脂纖維之密度其中至少任一者為不同的複數樹脂纖維層。
如請求項3記載之衣料用構件，其中， <br/>該複數樹脂纖維層包含第1層及第2層； <br/>該第2層之厚度大於該第1層之厚度。
如請求項4記載之衣料用構件，其中， <br/>該複數樹脂纖維層更包含第3層，且將該第2層配置於該第1層與該第3層之間； <br/>該第2層之厚度大於該第1層之厚度及該第3層之厚度中的任一者。
如請求項5記載之衣料用構件，其中， <br/>該第2層之樹脂纖維之密度低於該第1層之樹脂纖維之密度及該第3層之樹脂纖維之密度中的任一者。
一種衣料用構件之製造方法，使用熔噴法，並進行基材之位置及姿勢的控制，來在基材上於常壓條件下以立體方式堆疊樹脂纖維。
如請求項7記載之衣料用構件之製造方法，其中， <br/>該基材之表面具有凹面狀的凹面部； <br/>於該基材之凹面部上噴塗該樹脂纖維以使該樹脂纖維堆疊。
如請求項7或8記載之衣料用構件之製造方法，其係藉由在該基材之面方向中，改變樹脂之噴出壓、該樹脂纖維之噴塗時間、風量、自樹脂纖維之噴出口到該基材之距離其中至少任一者，而在面方向改變該衣料用構件之厚度。
如請求項7或8記載之衣料用構件之製造方法，其係藉由在該基材之鉛直方向中，改變樹脂材料之種類、樹脂之噴出壓、該樹脂纖維之噴塗時間、風量、自樹脂纖維之噴出口到該基材之距離其中至少任一者，來在厚度方向改變該衣料用構件之特性。
如請求項7或8記載之衣料用構件之製造方法，其係藉由使樹脂材料之種類、樹脂纖維之直徑、及樹脂纖維之密度其中至少任一者產生差異，來形成複數樹脂纖維層。
如請求項7或8記載之衣料用構件之製造方法，包含： <br/>準備藉由三維疊層成型法所製作出之該基材的步驟； <br/>將該基材固持於基材位置控制裝置之基材固持部的步驟；以及 <br/>使該基材固持部移動，並藉由熔噴法來使該樹脂纖維堆疊於該基材上的步驟。
一種液晶配向劑，其特徵為含有下列(A)成分及(B)成分: <br/>(A)成分：聚醯胺酸(A)，係芳香族四羧酸二酐之含量為全部四羧酸衍生物成分之100莫耳%的四羧酸衍生物成分與含有下式(d <sub>AL</sub>)表示之二胺之二胺成分之反應產物， <br/>(B)成分：聚醯胺酸(B)，係選自由非環族脂肪族四羧酸二酐及脂環族四羧酸二酐構成之群組中之至少1種四羧酸二酐之含量為全部四羧酸衍生物成分之5莫耳%以上之四羧酸衍生物成分與含有下式(d <sub>AL</sub>)表示之二胺及下式(d <sub>n</sub>)表示之二胺之二胺成分之反應產物， <br/><img align="absmiddle" height="15px" width="87px" file="ed10067.jpg" alt="ed10067.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(d <sub>AL</sub>)中，A表示具有基「＊ <sub>11</sub>-(CH <sub>2</sub>) <sub>n</sub>-O-＊ <sub>12</sub>」(＊ <sub>11</sub>表示和氧原子鍵結之原子鍵或和構成苯環之碳原子鍵結之原子鍵，＊ <sub>12</sub>表示原子鍵;n表示1~5之整數)之2價有機基;和NH <sub>2</sub>基鍵結之上述苯環之任意氫原子也可被1價基取代， <br/><img align="absmiddle" height="11px" width="55px" file="ed10068.jpg" alt="ed10068.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(d <sub>n</sub>)中，Y表示具有選自由含氮原子之雜環及基「＊ <sub>21</sub>-NR-＊ <sub>22</sub>」(＊ <sub>21</sub>、及＊ <sub>22</sub>表示和構成芳香族環之碳原子鍵結之原子鍵，惟該碳原子不和R所鍵結之氮原子形成環;R表示氫原子或1價有機基，上述1價有機基以羰基碳以外之碳原子和氮原子鍵結)表示之胺基構成之群組中之含氮原子之結構之2價有機基。
如請求項1之液晶配向劑，其中，該聚醯胺酸(A)之構成成分中，上式(d <sub>AL</sub>)表示之二胺之含量為該聚醯胺酸(A)之製造中使用的全部二胺成分之10莫耳%以上。
如請求項1之液晶配向劑，其中，該聚醯胺酸(B)之構成成分中，上式(d <sub>AL</sub>)表示之二胺之含量為該聚醯胺酸(B)之製造中使用的全部二胺成分之5~80莫耳%。
如請求項1之液晶配向劑，其中，該聚醯胺酸(B)之構成成分中，上式(d <sub>n</sub>)表示之二胺之含量為該聚醯胺酸(B)之製造中使用的全部二胺成分之20~95莫耳%。
如請求項1之液晶配向劑，其中，上式(d <sub>AL</sub>)表示之二胺係下式(d <sub>AL</sub>-1)~(d <sub>AL</sub>-9)表示之二胺， <br/><img align="absmiddle" height="166px" width="230px" file="ed10069.jpg" alt="ed10069.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之液晶配向劑，其中，上式(d <sub>n</sub>)表示之二胺係選自由2,6-二胺基吡啶、3,4-二胺基吡啶、2,4-二胺基嘧啶、3,6-二胺基咔唑、N-甲基-3,6-二胺基咔唑、1,4-雙-(4-胺基苯基)-哌𠯤、3,6-二胺基吖啶、N-乙基-3,6-二胺基咔唑、N-苯基-3,6-二胺基咔唑、及下式(d <sub>n</sub>-1)~(d <sub>n</sub>-3)表示之二胺構成之群組中之至少1種之二胺， <br/><img align="absmiddle" height="1016px" width="1550px" file="ed10070.jpg" alt="ed10070.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(d <sub>n</sub>-1)中，m1、及m1’各自獨立地為1~2之整數;n1為1~3之整數;R <sub>1</sub>和上述「＊ <sub>21</sub>-NR-＊ <sub>22</sub>」表示之胺基中之R為同義; <br/>R <sub>1</sub>、及m1’有多個存在時，多個R <sub>1</sub>、及m1’可相同也可不同; <br/>式(d <sub>n</sub>-2)中，X <sub>2</sub>表示1價之含氮原子之雜環基;n1為1~2之整數，n2為符合n1＋n2＝2之整數;L <sub>1</sub>、及L <sub>2</sub>各自獨立地表示單鍵、-CO-、碳數1~6之伸烷基、或在該碳數1~6之伸烷基之碳-碳鍵間或末端插入了-O-或-CO-而成且係和氮原子以碳原子鍵結之2價有機基;R表示氫原子或甲基; <br/>X <sub>2</sub><sub>、</sub>L <sub>2</sub>、及R有多個存在時，多個X <sub>2</sub><sub>、</sub>L <sub>2</sub>、及R可相同也可不同; <br/>式(d <sub>n</sub>-3)中，X <sub>3</sub>表示具有含氮原子之雜環之2價基;Ar <sub>3</sub>表示2價芳香族環基、或2價飽和含氮原子之雜環基;芳香族環基、及飽和含氮原子之雜環基之任意氫原子也可被1價基取代; <br/>L <sub>3</sub>表示單鍵、-(CH <sub>2</sub>) <sub>n</sub>-(n為1~6之整數)、-NR’-、-(CH <sub>2</sub>) <sub>n</sub>-NR’-(n為1~6之整數)、-O-、-NR’-CO-、-CO-NR’-、-O-CO-、或-CO-O-，R’表示氫原子、甲基、或第三丁氧基羰基; <br/>m3、及m3’各自獨立地表示0~2之整數，且m3及m3’中任一者為1以上之整數; <br/>Ar <sub>3</sub>及L <sub>3</sub>有多個存在時，多個Ar <sub>3</sub>及L <sub>3</sub>可相同也可不同。
如請求項1之液晶配向劑，其中，該(B)成分中之上述非環族脂肪族四羧酸二酐及脂環族四羧酸二酐，係具有選自由環丁烷環結構、環戊烷環結構及環己烷環結構構成之群組中之至少一種次結構之四羧酸二酐。
如請求項1之液晶配向劑，其中，該(A)成分及(B)成分之含有比例，按[(A)成分]/[(B)成分]之質量比計，為10/90~90/10。
一種液晶配向膜，係使用如請求項1至8中任一項之液晶配向劑形成。
一種液晶顯示元件，具備如請求項9之液晶配向膜。
一種液晶顯示元件之製造方法，包括下列步驟(1)~(3): <br/>步驟(1)：將如請求項1至8中任一項之液晶配向劑塗佈在基板上， <br/>步驟(2)：將已塗佈之該液晶配向劑進行煅燒並獲得膜， <br/>步驟(3)：對於步驟(2)獲得之該膜進行配向處理。
一種處理電路的方法，包括： <br/>判定影像的第一像素的類別，所述第一像素具有多個相鄰像素，所述多個相鄰像素中的每一者具有類別；以及 <br/>基於經判定的所述類別處理所述影像， <br/>所述判定包括： <br/>計算所述多個相鄰像素中的每一者的可信度加權度量，所述可信度加權度量基於在所述多個相鄰像素中的每一者中的最大可信度值；以及 <br/>基於所述多個相鄰像素中的每一者的所述可信度加權度量且基於所述多個相鄰像素中的一者的所述類別來判定所述第一像素的所述類別。
如請求項1所述的方法，其中所述可信度加權度量進一步基於空間濾波函數。
如請求項2所述的方法，其中所述空間濾波函數對於第一相鄰像素的值大於對於第二相鄰像素的值，所述第一像素更接近所述第一相鄰像素而非所述第二相鄰像素。
如請求項3所述的方法，其中： <br/>所述空間濾波函數在(x2 – x) (y2 – y) / ((x2 – x1) (y2 – y1))的30%內， <br/>x1及y1為所述第一相鄰像素的座標， <br/>x2及y2為所述第二相鄰像素的座標，且 <br/>x及y為所述第一像素的座標。
如請求項4所述的方法，其中對於所述多個相鄰像素中的每一者，所述空間濾波函數在所述第一像素與所述多個相鄰像素中的所述每一者之間的座標差的高斯函數的30%內。
如請求項1所述的方法，其中所述可信度加權度量進一步基於區間濾波函數。
如請求項6所述的方法，其中所述區間濾波函數對於第一相鄰像素的值大於對於第二相鄰像素的值，所述第一像素在強度方面更接近所述第一相鄰像素而非所述第二相鄰像素。
如請求項6所述的方法，其中所述可信度加權度量進一步基於空間濾波函數。
如請求項1所述的方法，其中所述第一像素的所述類別的判定包括判定所述第一像素的所述類別為所述多個相鄰像素中的具有最大可信度加權度量的像素的所述類別。
如請求項1所述的方法，其中所述第一像素的所述類別的判定包括判定所述第一像素的所述類別為在所述類別中的所有所述多個相鄰像素上的所述可信度加權度量總和最大的所述類別。
一種包括處理電路的系統，所述處理電路經組態以： <br/>判定影像的第一像素的類別，所述第一像素具有多個相鄰像素，所述多個相鄰像素中的每一者具有類別；以及 <br/>基於經判定的所述類別處理所述影像， <br/>所述判定包括： <br/>計算所述多個相鄰像素中的每一者的可信度加權度量，所述可信度加權度量基於所述多個相鄰像素中的每一者的最大可信度值；以及 <br/>基於所述多個相鄰像素中的每一者的所述可信度加權度量且基於所述多個相鄰像素中的一者的所述類別來判定所述第一像素的所述類別。
如請求項11所述的系統，其中所述可信度加權度量進一步基於空間濾波函數。
如請求項12所述的系統，其中所述空間濾波函數對於第一相鄰像素的值大於對於第二相鄰像素的值，所述第一像素更接近所述第一相鄰像素而非所述第二相鄰像素。
如請求項13所述的系統，其中： <br/>所述空間濾波函數在(x2 – x) (y2 – y) / ((x2 – x1) (y2 – y1))的30%內， <br/>x1及y1為所述第一相鄰像素的座標， <br/>x2及y2為所述第二相鄰像素的座標，且 <br/>x及y為所述第一像素的座標。
如請求項14所述的系統，其中對於所述多個相鄰像素中的每一者，所述空間濾波函數在所述第一像素與所述多個相鄰像素中的所述每一者之間的座標差的高斯函數的30%內。
如請求項11所述的系統，其中所述可信度加權度量進一步基於區間濾波函數。
如請求項16所述的系統，其中所述區間濾波函數對於第一相鄰像素的值大於對於第二相鄰像素的值，所述第一像素在強度方面更接近所述第一相鄰像素而非所述第二相鄰像素。
如請求項16所述的系統，其中所述可信度加權度量進一步基於空間濾波函數。
如請求項11所述的系統，其中所述第一像素的所述類別的判定包括判定所述第一像素的所述類別為所述多個相鄰像素中的具有最大可信度加權度量的像素的所述類別。
一種包括處理器件的系統，所述處理器件經組態以： <br/>判定影像的第一像素的類別，所述第一像素具有多個相鄰像素，所述多個相鄰像素中的每一者具有類別；以及 <br/>基於經判定的所述類別處理所述影像， <br/>所述判定包括： <br/>計算所述多個相鄰像素中的每一者的可信度加權度量，所述可信度加權度量基於所述多個相鄰像素中的每一者的最大可信度值；以及 <br/>基於所述多個相鄰像素中的每一者的所述可信度加權度量且基於所述多個相鄰像素中的一者的所述類別來判定所述第一像素的所述類別。
一種媒體系統，其包括： <br/>一中心，其包括一攝像機且經組態以提供用於在一裝置上顯示之內容；及 <br/>一安裝件，其經組態以將該中心固定至複數個結構，該安裝件經組態以經由一磁性連接耦合至該中心，其中該磁性連接經組態以允許該中心相對於該安裝件傾斜以調整該攝像機之一視域； <br/>其中該安裝件包括容置一磁體之一突起； <br/>該中心包括經組態以接納該突起之至少一部分以將該中心磁性耦合至該安裝件之一凹部； <br/>一織物纏繞在該中心之頂部、底部及側面周圍；且 <br/>該凹部安置於該中心之該底部中且中斷該織物。
如請求項1之媒體系統，其進一步包括經組態以提供用於消散來自該中心之一或多個發熱元件之熱之一路徑之一熱架構。
如請求項2之媒體系統，其中： <br/>該熱架構係經組態以消散由該攝像機產生之熱之一第一熱架構； <br/>該媒體系統進一步包括經組態以提供用於消散來自該中心之一或多個電路板之熱之一第二路徑之一第二熱架構；且 <br/>該第二熱架構與該第一熱架構分開以最小化該攝像機與該一或多個電路板之間的溫度影響。
如請求項1之媒體系統，其中： <br/>該突起及該凹部具有互補丸狀，該等互補丸狀允許該中心相對於該安裝件向上及向下傾斜以調整該攝像機之該視域； <br/>該磁體具有一外圓角形狀橫截面；且 <br/>該凹部經橡膠塗佈以促進將該中心固持於一傾斜位置中。
如請求項1之媒體系統，其中該安裝件包括： <br/>一第一部分；及 <br/>一第二部分，其可樞轉地連接至該第一部分且可相對於該第一部分在一第一位置與一第二位置之間移動， <br/>其中在該第一位置中，該第二部分閉合至該第一部分以將該中心固定至一桌面或其他平坦表面，及 <br/>其中在該第二位置中，該第二部分自該第一部分鉸接敞開以將該中心固定至該裝置。
如請求項5之媒體系統，其中該安裝件包括： <br/>防滑腳，其等位於該第二部分之該底部上以促進將該安裝件抓握至該桌面或其他平坦表面；及 <br/>一或多個抓握表面，其或其等位於該等第一及第二部分上以促進該等第一及第二部分抓握至該裝置。
如請求項1之媒體系統，其中該中心包括： <br/>一滑動件，其經組態以選擇性地覆蓋該攝像機； <br/>一偏置機構，其包括一過中心彈簧，該過中心彈簧基於該滑動件之位置將該滑動件偏置至覆蓋該攝像機之一第一位置或曝露該攝像機之一第二位置之一者； <br/>一或多個麥克風； <br/>一麥克風開關，其經組態以選擇性地開啟或關閉該一或多個麥克風；及 <br/>一連接器井，其安置於該中心之一後部中且經組態以接納一或多根纜線。
如請求項1之媒體系統，其進一步包括經組態以操作該中心之一遙控器，該遙控器包括： <br/>一矽膠包覆成型頂部表面，其提供無縫按鈕；及 <br/>一全底電池門。
一種經組態以提供用於在一裝置上顯示之內容之中心，該中心包括： <br/>一攝像機，其經組態以擷取使用者動作； <br/>一凹部，其經組態以接納一安裝件之至少一部分，該凹部經塑形以允許該中心相對於該安裝件傾斜以調整該攝像機之一視域；及 <br/>一托架，其定位成相鄰於該凹部且經組態以與該安裝件之一磁體磁性介接以將該中心磁性耦合至該安裝件； <br/>其中該安裝件包括容置該磁體之一突起； <br/>該凹部經組態以接納該突起之至少一部分； <br/>一織物纏繞在該中心之頂部、底部及側面周圍；且 <br/>該凹部安置於該中心之該底部中且中斷該織物。
如請求項9之中心，其進一步包括： <br/>一第一熱架構，其經組態以提供用於消散由該攝像機產生之熱之一第一路徑；及 <br/>一第二熱架構，其經組態以提供用於消散由該中心之一或多個電路板產生之熱之一第二路徑。
如請求項9之中心，其中： <br/>該凹部安置於該中心之一底部中且具有一丸狀；且 <br/>該凹部經橡膠塗佈以促進將該中心固持於一傾斜位置中。
如請求項9之中心，其進一步包括： <br/>一或多個麥克風； <br/>一麥克風開關，其經組態以選擇性地開啟或關閉該一或多個麥克風；及 <br/>一連接器井，其安置於該中心之一後部中且經組態以接納一或多根纜線。
如請求項9之中心，其進一步包括： <br/>一滑動件，其經組態以選擇性地覆蓋該攝像機；及 <br/>一滑動件機構，其具有一過中心彈簧，該過中心彈簧基於該滑動件之位置將該滑動件卡扣至一第一位置或一第二位置之一者，該第一位置覆蓋該攝像機，該第二位置曝露該攝像機。
一種媒體系統，其包括： <br/>如請求項9之中心； <br/>一安裝件，其經組態以將該中心固定至一平坦表面或該裝置，該安裝件經組態以經由一磁性連接耦合至該中心，其中該磁性連接允許該中心相對於該安裝件傾斜以調整該攝像機之一視域；及 <br/>一遙控器，其經組態以操作該中心，該遙控器包括： <br/>一矽膠包覆成型頂部表面，其提供無縫按鈕；及 <br/>一全底電池門。
一種組裝媒體系統之方法，其包括： <br/>經由一磁性連接將一中心耦合至一安裝件，其中該中心包括一攝像機且經組態以提供用於在一裝置上顯示之數位內容，且其中該磁性連接允許該中心相對於該安裝件傾斜以調整該攝像機之一視域；及 <br/>經由該安裝件將該中心固定至一結構，其中該安裝件係可重新組態以將該中心固定至複數個結構；且 <br/>其中該安裝件包括容置一磁體之一突起； <br/>該中心包括經組態以接納該突起之至少一部分以將該中心磁性耦合至該安裝件之一凹部； <br/>一織物纏繞在該中心之頂部、底部及側面周圍； <br/>該凹部安置於該中心之該底部中且中斷該織物。
如請求項15之組裝媒體系統之方法，其中該固定該中心包括： <br/>將該安裝件之一第一部分閉合至該安裝件之一第二部分以將該中心固定至一桌面或其他平坦表面；及 <br/>將該第二部分自該第一部分鉸接敞開以將該中心固定至該裝置。
如請求項15之組裝媒體系統之方法，其進一步包括用該中心之一滑動件選擇性地覆蓋該攝像機。
如請求項15之組裝媒體系統之方法，其進一步包括使該中心相對於該安裝件傾斜以調整該攝像機之該視域。
如請求項15之組裝媒體系統之方法，其進一步包括使用一遙控器來操作該中心。
一種鎳基合金組成物，其以重量百分比計，基本上由以下所組成： <br/>介於約4.5與約7.0之間的鈷(Co)； <br/>介於約10.2與約11.5之間的鉻(Cr)； <br/>介於約0.5與約2.5之間的鉬(Mo)； <br/>介於約4.0與約5.5之間的鎢(W)； <br/>介於約0與約1.2之間的錸(Re)； <br/>介於約6.2與約6.8之間的鋁(Al)； <br/>介於約4.8與約5.2之間的鉭(Ta)； <br/>介於約0與約0.4之間的鈦(Ti)； <br/>介於約0與約0.5之間的鉿(Hf)； <br/>介於約0與約0.2之間的碳(C)； <br/>介於約0與約0.02之間的硼(B)；及 <br/>其餘鎳(Ni)與其他偶發雜質， <br/>其中以重量百分比計，鉬、鎢、錸、及鉭相關，使得(Mo x 2) + W + Re +Ta介於約12.5與約15.5之間。
如請求項1之組成物，其中以重量百分比計： <br/>介於約5.0與約7.0之間的鈷(Co)； <br/>介於約10.2與約11.5之間的鉻(Cr)； <br/>介於約1.5與約1.9之間的鉬(Mo)； <br/>介於約4.0與約5.0之間的鎢(W)； <br/>介於約0.5與約1.2之間的錸(Re)； <br/>介於約6.2與約6.8之間的鋁(Al)； <br/>介於約4.8與約5.2之間的鉭(Ta)； <br/>介於約0與約0.4之間的鈦(Ti)； <br/>介於約0與約0.5之間的鉿(Hf)； <br/>介於約0與約0.2之間的碳(C)； <br/>介於約0與約0.02之間的硼(B)；及 <br/>其餘鎳(Ni)與其他偶發雜質。
如請求項1之組成物，其中以重量百分比計： <br/>6.2的鈷(Co)； <br/>10.5的鉻(Cr)； <br/>1.9的鉬(Mo)； <br/>4.7的鎢(W)； <br/>1.0的錸(Re)； <br/>6.4的鋁(Al)； <br/>5.0的鉭(Ta)； <br/>0.3的鈦(Ti)； <br/>0.14的鉿(Hf)； <br/>0.04的碳(C)； <br/>0.004的硼(B)；及 <br/>其餘鎳(Ni)與其他偶發雜質。
如請求項1之組成物，其中以重量百分比計，該組成物包括約20 ppm之一或多種稀土元素。
如請求項1之組成物，其中以重量百分比計，該組成物包括約小於1 ppm之硫(S)。
如請求項1之組成物，其中以重量百分比計：稀土或鑭系元素含量高達約20 ppm。
一種鎳基合金組成物，其以重量百分比計，基本上由以下所組成： <br/>介於約5.9與約6.5之間的鈷(Co)； <br/>介於約10.3與約11之間的鉻(Cr)； <br/>介於約1.75與約1.95之間的鉬(Mo)； <br/>介於約4.5與約4.9之間的鎢(W)； <br/>介於約0.9與約1.1之間的錸(Re)； <br/>介於約6.25與約6.5之間的鋁(Al)； <br/>介於約4.8與約5.2之間的鉭(Ta)； <br/>介於約0.2與約0.4之間的鈦(Ti)； <br/>介於約0.1與約0.2之間的鉿(Hf)； <br/>介於約0.03與約0.1之間的碳(C)； <br/>介於約0.003與約0.01之間的硼(B)；及 <br/>其餘鎳(Ni)與其他偶發雜質。
如請求項1之組成物，其中以重量百分比計： <br/>介於約4.5與約5.0之間的鈷(Co)； <br/>介於約10.2與約11.5之間的鉻(Cr)； <br/>介於約2與約2.5之間的鉬(Mo)； <br/>介於約4與約5之間的鎢(W)； <br/>0.0的錸(Re)； <br/>介於約6.2與約6.8之間的鋁(Al)； <br/>介於約4.8與約5.2之間的鉭(Ta)； <br/>介於約0與約0.4之間的鈦(Ti)； <br/>介於約0與約0.5之間的鉿(Hf)； <br/>介於約0與約0.2之間的碳(C)； <br/>介於約0與約0.02之間的硼(B)；及 <br/>其餘鎳(Ni)與其他偶發雜質。
如請求項1之組成物，其中以重量百分比計： <br/>5.0的鈷(Co)； <br/>10.5的鉻(Cr)； <br/>2.4的鉬(Mo)； <br/>4.5的鎢(W)； <br/>0的錸(Re)； <br/>6.6的鋁(Al)； <br/>5.2的鉭(Ta)； <br/>0.1的鈦(Ti)； <br/>0.15的鉿(Hf)； <br/>0.04的碳(C)； <br/>0.004的硼(B)；及 <br/>其餘鎳(Ni)與其他偶發雜質。
如請求項1之組成物，其中以重量百分比計： <br/>介於約4.7與約5.0之間的鈷(Co)； <br/>介於約10.3與約11之間的鉻(Cr)； <br/>介於約2.2與約2.5的鉬(Mo)； <br/>介於約4.2與約4.7之間的鎢(W)； <br/>約0之間的錸(Re)； <br/>介於約6.5-與約6.7之間的鋁(Al)； <br/>介於約4.8與約5.2之間的鉭(Ta)； <br/>介於約0與約0.2之間的鈦(Ti)； <br/>介於約0.1與約0.2之間的鉿(Hf)； <br/>介於約0.03與約0.1之間的碳(C)； <br/>介於約0.003與約0.01之間的硼(B)；及 <br/>其餘鎳(Ni)與其他偶發雜質。
如請求項1之組成物，其中以重量百分比計： <br/>介於約5.0與約7.0之間的鈷(Co)； <br/>介於約10.2與約11.5之間的鉻(Cr)； <br/>介於約0.5與約1.5之間的鉬(Mo)； <br/>介於約4.5與約5.5之間的鎢(W)； <br/>介於約0.5與約1之間的錸(Re)； <br/>介於約6.2與約6.8之間的鋁(Al)； <br/>介於約4.8與約5.2之間的鉭(Ta)； <br/>介於約0與約0.4之間的鈦(Ti)； <br/>介於約0與約0.5之間的鉿(Hf)； <br/>介於約0與約0.2之間的碳(C)； <br/>介於約0與約0.02之間的硼(B)；及 <br/>其餘鎳(Ni)與其他偶發雜質。
如請求項1之組成物，其中以重量百分比計： <br/>6.6的鈷(Co)； <br/>10.8的鉻(Cr)； <br/>0.8的鉬(Mo)； <br/>5.0的鎢(W)； <br/>0.8的錸(Re)； <br/>6.4的鋁(Al)； <br/>5.2的鉭(Ta)； <br/>0.1的鈦(Ti)； <br/>0.15的鉿(Hf)； <br/>0.04的碳(C)； <br/>0.004的硼(B)；及 <br/>其餘鎳(Ni)與其他偶發雜質。
如請求項1之組成物，其中以重量百分比計： <br/>介於約6.4與約6.8之間的鈷(Co)； <br/>介於約10.6與約11.0之間的鉻(Cr)； <br/>介於約0.7與約0.9之間的鉬(Mo)； <br/>介於約4.8與約5.2之間的鎢(W)； <br/>介於約0.7與約0.9之間的錸(Re)； <br/>介於約6.25與約6.55之間的鋁(Al)； <br/>介於約4.8與約5.2之間的鉭(Ta)； <br/>介於約0與約0.2之間的鈦(Ti)； <br/>介於約0.1與約0.2之間的鉿(Hf)； <br/>介於約0.03與約0.1之間的碳(C)； <br/>介於約0.003與約0.01之間的硼(B)；及 <br/>其餘鎳(Ni)與其他偶發雜質。
一種鎳基合金組成物，其以重量百分比計，基本上由以下所組成： <br/>6.2的鈷(Co)； <br/>10.5的鉻(Cr)； <br/>1.9的鉬(Mo)； <br/>4.7的鎢(W)； <br/>1.0的錸(Re)； <br/>6.4的鋁(Al)； <br/>5.0的鉭(Ta)； <br/>0.3的鈦(Ti)； <br/>0.14的鉿(Hf)； <br/>0.04的碳(C)； <br/>0.004的硼(B)；及 <br/>其餘鎳(Ni)與其他偶發雜質。
一種鎳基合金製造物品，該物品包含組成物，該組成物以重量百分比計，基本上由以下所組成： <br/>6.2的鈷(Co)； <br/>10.5的鉻(Cr)； <br/>1.9的鉬(Mo)； <br/>4.7的鎢(W)； <br/>1.0的錸(Re)； <br/>6.4的鋁(Al)； <br/>5.0的鉭(Ta)； <br/>0.3的鈦(Ti)； <br/>0.14的鉿(Hf)； <br/>0.04的碳(C)； <br/>0.004的硼(B)；及 <br/>其餘鎳(Ni)與其他偶發雜質。
如請求項15之製造物品，其中該物品包括選自包括下列一或多者之群組的渦輪機熱氣體路徑組件：渦輪葉片；渦輪噴嘴；罩殼；殼體；壓縮機部件；圍板(shroud)；葉(vane)；靜輪葉環(diaphragm)；及內燃燒筒(combustion liners)、部件及過渡件(transition piece)。
一種鎳基合金製造物品之製造方法，該方法包括： <br/>形成鎳基合金，該鎳基合金以重量百分比計，基本上由以下所組成： <br/>6.2的鈷(Co)； <br/>10.5的鉻(Cr)； <br/>1.9的鉬(Mo)； <br/>4.7的鎢(W)； <br/>1.0的錸(Re)； <br/>6.4的鋁(Al)； <br/>5.0的鉭(Ta)； <br/>0.3的鈦(Ti)； <br/>0.14的鉿(Hf)； <br/>0.04的碳(C)； <br/>0.004的硼(B)；及 <br/>其餘鎳(Ni)與其他偶發雜質，及 <br/>從該鎳基合金形成該物品。
如請求項17之方法，其中形成該物品包括形成一渦輪機械熱氣體路徑組件，該渦輪機製造熱氣體路徑組件選自包括下列一或多者之群組：渦輪葉片；渦輪噴嘴；罩殼；殼體；壓縮機部件；圍板；葉；靜輪葉環；及內燃燒筒、部件及過渡件。
一種由一無線網路中的一第一設備產生一感測餘量報告（HR）的方法，包括：<br/> 從該第一設備的一或多個發送鏈以一第一發送功率在一無線媒體上發送一無線電偵測和測距（雷達）無線信號；<br/> 感測該雷達無線信號；<br/> 基於感測該雷達無線信號來產生一感測HR，其中該感測HR包括一感測餘量的一指示，其中該感測餘量是感測的該雷達無線信號的一自干擾（SI）功率和用於感測的一最大SI功率之間的一差；及<br/> 向該無線網路中的一網路實體提供該感測HR。
根據請求項1之方法，其中感測該雷達無線信號包括直接從該第一設備的一或多個發送鏈中的至少一個感測該雷達無線信號，其中感測的該雷達無線信號的該SI功率對應於直接從該第一設備的一或多個發送鏈中的至少一個感測的該雷達無線信號。
根據請求項1之方法，其中：<br/> 當該最大SI功率大於該SI功率時，該感測餘量為正；及<br/> 當該最大SI功率小於該SI功率時，該感測餘量為負。
根據請求項2之方法，其中感測該雷達無線信號進一步包括：<br/> 在該無線媒體上感測該雷達無線信號的一反射，其中該雷達無線信號的該反射的一測量的第一接收功率對應於在該無線媒體上感測的該反射；及<br/> 在該無線媒體上感測一雜訊，其中：<br/> 一測量的雜訊功率對應於在該無線媒體上感測的該雜訊；及<br/> 該感測HR包括以下一或多個的一指示：<br/> 該SI功率減去該雜訊功率；<br/> 該接收功率減去該SI功率減去該雜訊功率；或者<br/> 該接收功率減去該雜訊功率。
根據請求項2之方法，其中該感測HR包括用於感測的一功率餘量（PH）的一指示，其中用於感測的該PH是用於感測的一最大發送功率和用於感測的一期望發送功率之間的一差。
根據請求項5之方法，其中：<br/> 當用於感測的該最大發送功率大於該期望發送功率時，用於感測的該PH為正；及<br/> 當用於感測的該最大發送功率小於該期望發送功率時，用於感測的該PH為負。
根據請求項5之方法，其中用於感測的該期望發送功率是以下之一：<br/> 由該第一設備決定的用於感測的一發送功率；或者<br/> 一請求的發送功率，其中該請求的發送功率的一指示從以下之一獲得：<br/> 該無線網路的一雷達伺服器，其中該第一設備是一基地台；<br/> 服務於該第一設備的一基地台，其中該第一設備是一使用者設備（UE）；或者<br/> 一中繼UE，其中該第一設備是在該中繼UE的範圍內的一UE。
根據請求項1之方法，進一步包括：<br/> 獲得該無線網路的一雷達伺服器對調整用於感測的一當前發送功率的一請求，其中該調整基於該感測HR。
根據請求項1之方法，其中向該網路實體提供該感測HR包括以下之一：<br/> 向該無線網路中的一第二設備單播該感測HR；<br/> 向該第二設備廣播該感測HR；<br/> 向該第二設備多播該感測HR；或者<br/> 將該感測HR發送到該無線網路的一雷達伺服器，其中該第一設備是一基地台。
根據請求項9之方法，其中該第二設備是以下之一：<br/> 服務於該第一設備的一基地台；或者<br/> 該第一設備和該無線網路的基地台之間的一中繼UE。
根據請求項10之方法，其中在以下一項或多項中提供該感測HR：<br/> 到該基地台的一NR-Uu介面上的一上行鏈路（UL）媒體存取控制層控制元素（MAC-CE）；或者<br/> 到該中繼UE的一基於NR的側鏈路MAC-CE。
根據請求項1之方法，進一步包括獲得提供該感測HR的一觸發，其中：<br/> 該觸發是在以下之一中獲得的：<br/> 到服務於該第一設備的一基地台的一NR-Uu介面上的下行鏈路控制資訊（DCI）；或者<br/> 一基於NR的側鏈路上的側鏈路控制資訊（SCI）；<br/> 回應於獲得該觸發，該感測HR被提供給該網路實體；及<br/> 該觸發基於來自該無線網路的一雷達伺服器對來自該第一設備的該感測HR的一請求。
根據請求項1之方法，其中該感測HR被週期性地提供給該網路實體。
根據請求項1之方法，進一步包括獲得用於產生該感測HR的一或多個參數的一指示。
根據請求項14之方法，其中：<br/> 該指示是在到服務於該第一設備的一基地台的一NR-Uu介面上或一基於NR的側鏈路上的一媒體存取控制層控制元素（MAC-CE）中獲得的；及<br/> 該一或多個參數的配置被持續用於一或多個感測HR，直到獲得該一或多個參數的另一指示。
根據請求項14之方法，其中該一或多個參數的指示是在以下一項或多項中週期性地獲得的：<br/> 來自服務於該第一設備的一基地台的一無線電資源控制（RRC）訊息；<br/> 來自服務於該第一設備的該基地台的一長期演進（LTE）定位協定（LPP）訊息；或者<br/> 一基於NR的側鏈路上的一訊息。
根據請求項1之方法，進一步包括：<br/> 產生一功率HR，其中該功率HR指示與該無線媒體上的通訊相關聯的一第一功率測量；及<br/> 向該網路實體提供該功率HR，其中該感測HR指示該第一功率測量和與該無線媒體上的感測相關聯的一第二功率測量之間的一差。
根據請求項1之方法，其中該感測HR是指示在多次感測嘗試中的複數個功率測量的一聚合報告。
根據請求項18之方法，其中該多次感測嘗試包括以下之一：<br/> 隨著時間的推移的以相同發送頻率進行的多次感測嘗試；或者<br/> 多次感測嘗試，其中每次感測嘗試以一不同的發送頻率進行。
根據請求項1之方法，進一步包括決定用於感測的一最終發送功率，其中決定該最終發送功率包括：<br/> 將用於發送該雷達無線信號的一發送功率設置為一初啟始送功率；<br/> 以該發送功率發送一雷達無線信號一次或多次；<br/> 嘗試感測該雷達無線信號的一反射；及<br/> 基於一次或多次感測嘗試失敗，經由一功率斜升步長遞迴地增加該發送功率，以一增加的發送功率發送該雷達無線信號一次或多次，以及嘗試感測該雷達無線信號的該反射，直到該第一設備成功感測該雷達無線信號的該反射，其中用於成功感測嘗試的該增加的發送功率是用於感測的該最終發送功率。
根據請求項20之方法，其中在決定以相同發送功率的該一次或多次感測嘗試失敗之前，以一相同發送功率發送該雷達無線信號直到發送的一最大數量。
根據請求項21之方法，進一步包括：<br/> 產生用於一次或多次失敗的感測嘗試的一或多個感測HR；及<br/> 向該網路實體提供該一或多個感測HR。
根據請求項22之方法，其中用於該一次或多次失敗的感測嘗試的該一或多個感測HR包括以下的一或多個指示：<br/> 該發送功率；<br/> 該第一設備以相同發送功率進行的發送的一數量的一發送計數器；或者<br/> 該發送功率已經經由該功率斜升步長增加的一次數的一功率斜升計數器。
根據請求項21之方法，進一步包括獲得將由用於感測的該第一設備配置的一或多個設備參數的一指示，其中該一或多個設備參數包括以下一項或多項：<br/> 該初啟始送功率；<br/> 該功率斜升步長；<br/> 以該相同發送功率進行的發送的該最大數量；或者<br/> 在該第一設備決定感測失敗之前要執行的發送的一總的最大數量。
根據請求項1之方法，其中該第一設備是一使用者設備（UE）。
根據請求項25之方法，其中該網路實體是以下一項或多項：<br/> 服務於該UE的一基地台；或者<br/> 該UE的範圍內的一或多個相鄰UE。
根據請求項1之方法，其中該第一設備是一基地台，以及該網路實體是一雷達伺服器。
一種無線網路中的設備，被配置用於產生一感測餘量報告（HR）,包括：<br/> 至少一個收發器；<br/> 至少一個記憶體；及<br/> 耦合到該至少一個收發器和該至少一個記憶體的至少一個處理器，其中該至少一個處理器被配置為使該設備：<br/> 經由該至少一個收發器從該設備的一或多個發送鏈以第一發送功率在一無線媒體上發送一無線電偵測和測距（雷達）無線信號；<br/> 經由該至少一個收發器感測該雷達無線信號；<br/> 經由該至少一個處理器基於感測該雷達無線信號來產生感測HR，其中該感測HR包括一感測餘量的一指示，其中該感測餘量是感測的該雷達無線信號的一自干擾（SI）功率和用於感測的一最大SI功率之間的一差；及<br/> 經由該至少一個收發器向該無線網路中的一網路實體提供該感測HR。
根據請求項28之設備，其中感測該雷達無線信號包括直接從該第一設備的一或多個發送鏈中的至少一個感測該雷達無線信號，其中感測的該雷達無線信號的該SI功率對應於直接從該第一設備的一或多個發送鏈中的至少一個感測的該雷達無線信號。
根據請求項28之設備，其中：<br/> 當該最大SI功率大於該SI功率時，該感測餘量為正；及<br/> 當該最大SI功率小於該SI功率時，該感測餘量為負。
根據請求項29該該的設備，其中：<br/> 該至少一個處理器被配置為進一步使該設備：<br/> 經由該至少一個收發器在該無線媒體上感測該雷達無線信號的一反射，其中該雷達無線信號的該反射的一測量的第一接收功率對應於在該無線媒體上感測的該反射；及<br/> 經由該至少一個收發器感測與感測該反射相關聯的一雜訊，其中：<br/> 一測量的雜訊功率對應於在該無線媒體上感測的該雜訊；及<br/> 該感測HR包括以下一或多個的指示：<br/> 該SI功率減去該雜訊功率；<br/> 該接收功率減去該SI功率減去該雜訊功率；或者<br/> 該接收功率減去該雜訊功率。
根據請求項29之設備，其中該感測HR包括用於感測的一功率餘量（PH）的一指示，其中用於感測的該PH是用於感測的一最大發送功率和用於感測的一期望發送功率之間的一差。
根據請求項32之設備，其中：<br/> 當用於感測的該最大發送功率大於該期望發送功率時，用於感測的該PH為正；及<br/> 當用於感測的該最大發送功率小於該期望發送功率時，用於感測的該PH為負。
根據請求項32之設備，其中用於感測的該期望發送功率是以下之一：<br/> 由該設備決定的用於感測的一發送功率；或者<br/> 一請求的發送功率，其中該請求的發送功率的一指示從以下之一獲得：<br/> 該無線網路的一雷達伺服器，其中該設備是一基地台；<br/> 服務於該設備的一基地台，其中該設備是一使用者設備（UE）；或者<br/> 一中繼UE，其中該設備是該中繼UE的範圍內的一UE。
根據請求項28之設備，其中該至少一個處理器被配置為進一步使該設備經由該至少一個收發器獲得該無線網路的一雷達伺服器對調整用於感測的一當前發送功率的一請求，其中該調整基於該感測HR。
根據請求項28之設備，其中向該網路實體提供該感測HR包括以下之一：<br/> 向該無線網路中的一第二設備單播該感測HR；<br/> 向該第二設備廣播該感測HR；<br/> 向該第二設備多播該感測HR；或者<br/> 將該感測HR發送到該無線網路的一雷達伺服器，其中該設備是一基地台。
根據請求項36之設備，其中該第二設備是以下之一：<br/> 服務於該設備的一基地台；或者<br/> 該第一設備和該無線網路的一基地台之間的一中繼UE。
根據請求項37之設備，其中在以下一項或多項中提供該感測HR：<br/> 到該基地台的一NR-Uu介面上的一上行鏈路（UL）媒體存取控制層控制元素（MAC-CE）；或者<br/> 到該中繼UE的一基於NR的側鏈路MAC-CE。
根據請求項28之設備，其中該至少一個處理器被配置為進一步使得該設備經由該至少一個收發器獲得提供該感測HR的一觸發，其中：<br/> 該觸發是在以下之一中獲得的：<br/> 到服務於該設備的一基地台的一NR-Uu介面上的下行鏈路控制資訊（DCI）；或者<br/> 一基於NR的側鏈路上的側鏈路控制資訊（SCI）；<br/> 回應於獲得該觸發，該感測HR被提供給該網路實體；及<br/> 該觸發基於來自該無線網路的一雷達伺服器對來自該設備的該感測HR的一請求。
根據請求項28之設備，其中該至少一個處理器被配置為進一步使得該設備經由該至少一個收發器週期性地向該網路實體提供一感測HR。
根據請求項28之設備，其中該至少一個處理器被配置為進一步使得該設備經由該至少一個收發器獲得用於產生該感測HR的一或多個參數的一指示。
根據請求項41之設備，其中：<br/> 該指示是在到服務於該設備的一基地台的一NR-Uu介面上或一基於NR的側鏈路上的一媒體存取控制層控制元素（MAC-CE）中獲得的；及<br/> 該一或多個參數的配置被持續用於一或多個感測HR，直到獲得該一或多個參數的另一指示。
根據請求項41之設備，其中該一或多個參數的指示是在以下一項或多項中週期性地獲得的：<br/> 來自服務於該設備的一基地台的一無線電資源控制（RRC）訊息；<br/> 來自服務於該設備的該基地台的一長期演進（LTE）定位協定（LPP）訊息；或者<br/> 一基於NR的側鏈路上的一訊息。
根據請求項28之設備，其中：<br/> 該至少一個處理器被配置為進一步使該設備：<br/> 經由該至少一個處理器產生一功率HR，其中該功率HR指示與該無線媒體上的通訊相關聯的一第一功率測量；及<br/> 經由該至少一個收發器向該網路實體提供該功率HR，其中該感測HR指示該第一功率測量和與該無線媒體上的感測相關聯的一第二功率測量之間的一差。
根據請求項28之設備，其中該感測HR是指示在多次感測嘗試中的複數個功率測量的一聚合報告。
根據請求項45之設備，其中該多次感測嘗試包括以下之一：<br/> 隨著時間的推移的以相同發送頻率進行的多次感測嘗試；或者<br/> 多次感測嘗試，其中每次感測嘗試以一不同的發送頻率進行。
根據請求項28之設備，其中該至少一個處理器被配置為進一步使得該設備經由該至少一個處理器決定用於感測的一最終發送功率，其中決定該最終發送功率包括：<br/> 將用於發送該雷達無線信號的一發送功率設置為一初啟始送功率；<br/> 經由該至少一個收發器以該發送功率發送一雷達無線信號一次或多次；<br/> 經由該至少一個收發器嘗試感測該雷達無線信號的一反射；及<br/> 基於一次或多次感測嘗試失敗，經由一功率斜升步長遞迴地增加該發送功率，經由該至少一個收發器以一增加的發送功率發送該雷達無線信號一次或多次，以及經由該至少一個收發器嘗試感測該雷達無線信號的該反射，直到該設備成功感測該雷達無線信號的該反射，其中用於成功感測嘗試的該增加的發送功率是用於感測的該最終發送功率。
根據請求項47之設備，其中該至少一個處理器被配置為在決定以相同發送功率的該一次或多次感測嘗試失敗之前，進一步使該設備經由該至少一個收發器以一相同發送功率發送該雷達無線信號直到發送的一最大數量。
根據請求項48之設備，其中：<br/> 該至少一個處理器被配置為進一步使該設備：<br/> 經由該至少一個處理器產生用於一次或多次失敗的感測嘗試的一或多個感測HR；及<br/> 經由該至少一個處理器向該網路實體提供該一或多個感測HR。
根據請求項49之設備，其中用於該一次或多次失敗的感測嘗試的該一或多個感測HR包括以下的一或多個指示：<br/> 該發送功率；<br/> 該設備以該相同發送功率進行的發送的一數量的一發送計數器；或者<br/> 該發送功率已經經由該功率斜升步長增加的一次數的一功率斜升計數器。
根據請求項48之設備，其中該至少一個處理器被配置為進一步使該設備經由該至少一個收發器獲得將由用於感測的該設備配置的一或多個設備參數的一指示，其中該一或多個設備參數包括以下一項或多項：<br/> 該初啟始送功率；<br/> 該功率斜升步長；<br/> 以該相同發送功率進行的發送的該最大數量；或者<br/> 在該設備決定感測失敗之前要執行的發送的一總的最大數量。
根據請求項28之設備，其中該設備是一使用者設備（UE）。
根據請求項52之設備，其中該網路實體是以下之一：<br/> 服務於該UE的一基地台；或者<br/> 該UE的範圍內的一或多個相鄰UE。
根據請求項28之設備，其中該設備是一基地台，以及該網路實體是一雷達伺服器。
一種儲存指令的非暫時性電腦可讀取媒體，當由一無線網路中被配置用於產生一感測餘量報告（HR）的一設備的至少一個處理器執行時，該等指令使得該設備：<br/> 經由該設備的至少一個收發器從該設備的一或多個發送鏈以一第一發送功率在一無線媒體上發送一無線電偵測和測距（雷達）無線信號；<br/> 經由該至少一個收發器感測該雷達無線信號；<br/> 經由該至少一個處理器基於感測該雷達無線信號來產生該感測HR，其中該感測HR包括一感測餘量的一指示，其中該感測餘量是感測的該雷達無線信號的一自干擾（SI）功率和用於感測的一最大SI功率之間的一差；及<br/> 經由該至少一個收發器向該無線網路中的一網路實體提供該感測HR。
根據請求項55之電腦可讀取媒體，其中感測該雷達無線信號包括直接從該第一設備的一或多個發送鏈中的至少一個感測該雷達無線信號，其中該感測的該雷達無線信號的該SI功率對應於直接從該第一設備的一或多個發送鏈中的至少一個感測的該雷達無線信號。
根據請求項55之電腦可讀取媒體，其中：<br/> 當該最大SI功率大於該SI功率時，該感測餘量為正；及<br/> 當該最大SI功率小於該SI功率時，該感測餘量為負。
根據請求項56之電腦可讀取媒體，其中：<br/> 該等指令的執行還使得該設備：<br/> 經由該至少一個收發器在該無線媒體上感測該雷達無線信號的一反射，其中該雷達無線信號的該反射的一測量的第一接收功率對應於在該無線媒體上感測的該反射；及<br/> 經由該至少一個收發器感測與感測該反射相關聯的一雜訊，其中：<br/> 一測量的雜訊功率對應於在該無線媒體上感測的該雜訊；及<br/> 該感測HR包括以下一或多個的一指示：<br/> 該SI功率減去該雜訊功率；<br/> 該接收功率減去該SI功率減去該雜訊功率；或者<br/> 該接收功率減去該雜訊功率。
根據請求項56之電腦可讀取媒體，其中該感測HR包括用於感測的一功率餘量（PH）的一指示，其中用於感測的該PH是用於感測的一最大發送功率和用於感測的一期望發送功率之間的一差。
根據請求項59之電腦可讀取媒體，其中：<br/> 當用於感測的該最大發送功率大於該期望發送功率時，用於感測的該PH為正；及<br/> 當用於感測的該最大發送功率小於該期望發送功率時，用於感測的該PH為負。
根據請求項59之電腦可讀取媒體，其中用於感測的該期望發送功率是以下之一：<br/> 由該設備決定的用於感測的一發送功率；或者<br/> 一請求的發送功率，其中該請求的發送功率的一指示從以下之一獲得：<br/> 該無線網路的一雷達伺服器，其中該設備是一基地台；<br/> 服務於該設備的一基地台，其中該設備是一使用者設備（UE）；或者<br/> 一中繼UE，其中該設備是該中繼UE的範圍內的一UE。
根據請求項55之電腦可讀取媒體，其中該等指令的執行還使得該設備經由該至少一個收發器獲得該無線網路的一雷達伺服器對調整用於感測的一當前發送功率的一請求，其中該調整基於該感測HR。
根據請求項55之電腦可讀取媒體，其中向該網路實體提供該感測HR包括以下之一：<br/> 向該無線網路中的一第二設備單播該感測HR；<br/> 向該第二設備廣播該感測HR；<br/> 向該第二設備多播該感測HR；或者<br/> 將該感測HR發送到該無線網路的一雷達伺服器，其中該設備是一基地台。
根據請求項61之電腦可讀取媒體，其中該第二設備是以下之一：<br/> 服務於該設備的一基地台；或者<br/> 該第一設備和該無線網路的一基地台之間的一中繼UE。
根據請求項64之電腦可讀取媒體，其中在以下一項或多項中提供該感測HR：<br/> 到該基地台的一NR-Uu介面上的一上行鏈路（UL）媒體存取控制層控制元素（MAC-CE）；或者<br/> 到該中繼UE的一基於NR的側鏈路MAC-CE。
根據請求項55之電腦可讀取媒體，其中該等指令的執行還使得該設備經由該至少一個收發器獲得提供該感測HR的一觸發，其中：<br/> 該觸發是在以下之一中獲得的：<br/> 到服務於該設備的一基地台的一NR-Uu介面上的下行鏈路控制資訊（DCI）；或者<br/> 一基於NR的側鏈路上的側鏈路控制資訊（SCI）；<br/> 回應於獲得該觸發，該感測HR被提供給該網路實體；及<br/> 該觸發基於來自該無線網路的一雷達伺服器對來自該設備的該感測HR的一請求。
根據請求項55之電腦可讀取媒體，其中該等指令的執行還使得該設備經由該至少一個收發器週期性地向該網路實體提供一感測HR。
根據請求項55之電腦可讀取媒體，其中該等指令的執行還使得該設備經由該至少一個收發器獲得用於產生該感測HR的一或多個參數的一指示。
根據請求項68之電腦可讀取媒體，其中：<br/> 該指示是在到服務於該設備的一基地台的一NR-Uu介面上或一基於NR的側鏈路上的一媒體存取控制層控制元素（MAC-CE）中獲得的；及<br/> 該一或多個參數的配置被持續用於一或多個感測HR，直到獲得該一或多個參數的另一指示。
根據請求項68之電腦可讀取媒體，其中該一或多個參數的指示是在以下一項或多項中週期性地獲得的：<br/> 來自服務於該設備的一基地台的一無線電資源控制（RRC）訊息；<br/> 來自服務於該設備的該基地台的一長期演進（LTE）定位協定（LPP）訊息；或者<br/> 一基於NR的側鏈路上的一訊息。
根據請求項55之電腦可讀取媒體，其中：<br/> 該等指令的執行還使得該設備：<br/> 經由該至少一個處理器產生一功率HR，其中該功率HR指示與該無線媒體上的通訊相關聯的一第一功率測量；及<br/> 經由該至少一個收發器向該網路實體提供該功率HR，其中該感測HR指示該第一功率測量和與該無線媒體上的感測相關聯的一第二功率測量之間的一差。
根據請求項55之電腦可讀取媒體，其中該感測HR是指示在多次感測嘗試中的複數個功率測量的一聚合報告。
根據請求項72之電腦可讀取媒體，其中該多次感測嘗試包括以下之一：<br/> 隨著時間的推移的以相同發送頻率進行的多次感測嘗試；或者<br/> 多次感測嘗試，其中每次感測嘗試以一不同的發送頻率進行。
根據請求項55之電腦可讀取媒體，其中該等指令的執行還使得該設備經由該至少一個處理器決定用於感測的一最終發送功率，其中決定該最終發送功率包括：<br/> 將用於發送該雷達無線信號的一發送功率設置為一初啟始送功率；<br/> 經由該至少一個收發器以該發送功率發送一雷達無線信號一次或多次；<br/> 經由該至少一個收發器嘗試感測該雷達無線信號的一反射；及<br/> 基於一次或多次感測嘗試失敗，經由一功率斜升步長遞迴地增加該發送功率，經由該至少一個收發器以一增加的發送功率發送該雷達無線信號一次或多次，以及經由該至少一個收發器嘗試感測該雷達無線信號的該反射，直到該設備成功感測該雷達無線信號的該反射，其中用於成功感測嘗試的該增加的發送功率是用於感測的該最終發送功率。
根據請求項74之電腦可讀取媒體，其中該等指令的執行還使得該設備在決定以一相同發送功率的該一次或多次感測嘗試失敗之前，經由該至少一個收發器以該相同發送功率發送該雷達無線信號直到發送的一最大數量。
根據請求項75之電腦可讀取媒體，其中：<br/> 該等指令的執行還使得該設備：<br/> 經由該至少一個處理器產生用於一次或多次失敗的感測嘗試的一或多個感測HR；及<br/> 經由該至少一個處理器向該網路實體提供該一或多個感測HR。
根據請求項76之電腦可讀取媒體，其中用於該一次或多次失敗的感測嘗試的該一或多個感測HR包括以下的一或多個指示：<br/> 該發送功率；<br/> 該設備以該相同發送功率進行的發送的一數量的一發送計數器；或者<br/> 該發送功率已經經由該功率斜升步長增加的一次數的一功率斜升計數器。
根據請求項75之電腦可讀取媒體，其中該等指令的執行還使得該設備經由該至少一個收發器獲得將由用於感測的該設備配置的一或多個設備參數的一指示，其中該一或多個設備參數包括以下一項或多項：<br/> 該初啟始送功率；<br/> 該功率斜升步長；<br/> 以該相同發送功率進行的發送的該最大數量；或者<br/> 在該設備決定感測失敗之前要執行的發送的總的一最大數量。
根據請求項55之電腦可讀取媒體，其中該設備是一使用者設備（UE）。
根據請求項79之電腦可讀取媒體，其中該網路實體是以下之一：<br/> 服務於該UE的一基地台；或者<br/> 該UE的範圍內的一或多個相鄰UE。
根據請求項55之電腦可讀取媒體，其中該設備是一基地台，以及該網路實體是一雷達伺服器。
一種用於在一無線網路中產生一感測餘量報告（HR）的設備，包括：<br/> 用於從一或多個發送鏈以第一發送功率在一無線媒體上發送一無線電偵測和測距（雷達）無線信號的構件；<br/> 用於感測該雷達無線信號的構件；<br/> 用於基於感測該雷達無線信號來產生一感測HR的構件，其中該感測HR包括一感測餘量的一指示，其中該感測餘量是感測的該雷達無線信號的一自干擾（SI）功率和用於感測的一最大SI功率之間的一差；及<br/> 用於向該無線網路中的一網路實體提供該感測HR的構件。
根據請求項82之設備，其中用於感測該雷達無線信號的構件包括用於直接從該一或多個發送鏈中的至少一個感測該雷達無線信號的構件，其中感測的該雷達無線信號的該SI功率對應於直接從該一或多個發送鏈中的至少一個感測的該雷達無線信號。
根據請求項82之設備，其中：<br/> 當該最大SI功率大於該SI功率時，該感測餘量為正；及<br/> 當該最大SI功率小於該SI功率時，該感測餘量為負。
根據請求項83之設備，其中用於感測該雷達無線信號的構件進一步包括：<br/> 用於在該無線媒體上感測該雷達無線信號的一反射的構件，其中該雷達無線信號的該反射的一測量的第一接收功率對應於在該無線媒體上感測的該反射；及<br/> 用於在該無線媒體上感測一雜訊的構件，其中：<br/> 一測量的雜訊功率對應於在該無線媒體上感測的雜訊；及<br/> 該感測HR包括以下一或多個的一指示：<br/> 該SI功率減去該雜訊功率；<br/> 該接收功率減去該SI功率減去該雜訊功率；或者<br/> 該接收功率減去該雜訊功率。
根據請求項83之設備，其中該感測HR包括用於感測的一功率餘量（PH）的一指示，其中用於感測的該PH是用於感測的一最大發送功率和用於感測的一期望發送功率之間的差。
根據請求項86之設備，其中：<br/> 當用於感測的該最大發送功率大於該期望發送功率時，用於感測的該PH為正；和<br/> 當用於感測的該最大發送功率小於該期望發送功率時，用於感測的該PH為負。
根據請求項86之設備，其中用於感測的該期望發送功率是以下之一：<br/> 由該設備決定的用於感測的一發送功率；或者<br/> 一請求的發送功率，其中該請求的發送功率的一指示從以下之一獲得：<br/> 該無線網路的一雷達伺服器，其中該設備是一基地台；<br/> 服務於該設備的一基地台，其中該設備是一使用者設備（UE）；或者<br/> 一中繼UE，其中該設備是該中繼UE的範圍內的一UE。
根據請求項82之設備，進一步包括：<br/> 用於獲得該無線網路的一雷達伺服器對調整用於感測的一當前發送功率的一請求的構件，其中該調整基於感測HR。
根據請求項82之設備，其中用於向該網路實體提供該感測HR的構件包括以下之一：<br/> 用於向該無線網路中的一第二設備單播該感測HR的構件；<br/> 用於向該第二設備廣播該感測HR的構件；<br/> 用於向該第二設備多播該感測HR的構件；或者<br/> 用於將該感測HR發送到該無線網路的一雷達伺服器的構件，其中該設備是一基地台。
根據請求項90之設備，其中該第二設備是以下之一：<br/> 服務於該設備的一基地台；或者<br/> 該設備和該無線網路的一基地台之間的一中繼UE。
根據請求項91之設備，其中在以下一項或多項中提供該感測HR：<br/> 到該基地台的一NR-Uu介面上的一上行鏈路（UL）媒體存取控制層控制元素（MAC-CE）；或者<br/> 到該中繼UE的一基於NR的側鏈路MAC-CE。
根據請求項82之設備，進一步包括用於獲得提供該感測HR的一觸發的構件，其中：<br/> 該觸發是在以下之一中獲得的：<br/> 到服務於該設備的一基地台的一NR-Uu介面上的下行鏈路控制資訊（DCI）；或者<br/> 一基於NR的側鏈路上的側鏈路控制資訊（SCI）；<br/> 回應於獲得該觸發，該感測HR被提供給該網路實體；及<br/> 該觸發基於來自該無線網路的一雷達伺服器對來自該設備的該感測HR的一請求。
根據請求項82之設備，其中該感測HR被週期性地提供給該網路實體。
根據請求項82之設備，進一步包括用於獲得用於產生該感測HR的一或多個參數的一指示的構件。
根據請求項95之設備，其中：<br/> 該指示是在到服務於該設備的一基地台的一NR-Uu介面上或一基於NR的側鏈路上的一媒體存取控制層控制元素（MAC-CE）中獲得的；及<br/> 該一或多個參數的配置被持續用於一或多個感測HR，直到獲得該一或多個參數的另一指示。
根據請求項95之設備，其中該一或多個參數的指示是在以下一項或多項中週期性地獲得的：<br/> 來自服務於該設備的一基地台的一無線電資源控制（RRC）訊息；<br/> 來自服務於該設備的該基地台的一長期演進（LTE）定位協定（LPP）訊息；或者<br/> 一基於NR的側鏈路上的一訊息。
根據請求項82之設備，進一步包括：<br/> 用於產生一功率HR的構件，其中該功率HR指示與該無線媒體上的通訊相關聯的一第一功率測量；及<br/> 用於向該網路實體提供該功率HR的構件，其中該感測HR指示該第一功率測量和與該無線媒體上的感測相關聯的一第二功率測量之間的一差。
根據請求項82之設備，其中該感測HR是指示在多次感測嘗試中的複數個功率測量的一聚合報告。
根據請求項99之設備，其中多次感測嘗試包括以下之一：<br/> 隨著時間的推移的以相同發送頻率進行的多次感測嘗試；或者<br/> 多次感測嘗試，其中每次感測嘗試以不同的發送頻率進行。
根據請求項82之設備，進一步包括用於決定用於感測的一最終發送功率的構件，其中決定該最終發送功率包括：<br/> 將用於發送該雷達無線信號的一發送功率設置為一初啟始送功率；<br/> 以該發送功率發送一雷達無線信號一次或多次；<br/> 嘗試感測該雷達無線信號的一反射；及<br/> 基於一次或多次感測嘗試失敗，經由一功率斜升步長遞迴地增加該發送功率，以一增加的發送功率發送該雷達無線信號一次或多次，以及嘗試感測該雷達無線信號的該反射，直到該設備成功感測該雷達無線信號的該反射，其中用於成功感測嘗試的該增加的發送功率是用於感測的該最終發送功率。
根據請求項101之設備，其中在決定以一相同發送功率的該一次或多次感測嘗試失敗之前，以該相同發送功率發送該雷達無線信號直到發送的一最大數量。
根據請求項102之設備，進一步包括：<br/> 用於產生用於一次或多次失敗的感測嘗試的一或多個感測HR的構件；及<br/> 用於向該網路實體提供該一或多個感測HR的構件。
根據請求項103之設備，其中用於該一次或多次失敗的感測嘗試的該一或多個感測HR包括以下的一或多個指示：<br/> 該發送功率；<br/> 該設備以相同發送功率進行的發送的一數量的一發送計數器；或者<br/> 該發送功率已經經由該功率斜升步長增加的一次數的一功率斜升計數器。
根據請求項102之設備，進一步包括用於獲得將由用於感測的該設備配置的一或多個設備參數的一指示的構件，其中該一或多個設備參數包括以下一項或多項：<br/> 該初啟始送功率；<br/> 該功率斜升步長；<br/> 以該相同發送功率進行的發送的該最大數量；或者<br/> 在該設備決定感測失敗之前要執行的發送的總的一最大數量。
根據請求項82之設備，其中該設備是一使用者設備（UE）。
根據請求項106之設備，其中該網路實體是以下一項或多項：<br/> 服務於該UE的一基地台；或者<br/> 該UE的範圍內的一或多個相鄰UE。
根據請求項82之設備，其中該設備是一基地台，以及該網路實體是一雷達伺服器。
一種化合物，由下述式1所表示：<br/><img align="absmiddle" height="53px" width="244px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所記載之化合物，由下述式2所表示：<br/><img align="absmiddle" height="51px" width="245px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所記載之化合物，由下述式3所表示：<br/><img align="absmiddle" height="49px" width="245px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種組成物，包含如請求項1至3中任一項所記載之化合物。
如請求項4所記載之組成物，進而包含L-麥角組織胺基硫。
如請求項5所記載之組成物，其中相對於前述L-麥角組織胺基硫100質量份，前述化合物的含量為50質量份以下。
如請求項5所記載之組成物，其中相對於前述L-麥角組織胺基硫100質量份，前述化合物的含量為0.0001質量份以上。
一種發炎抑制劑，包含如請求項1至3中任一項所記載之化合物。
一種發炎抑制劑，包含如請求項4至7中任一項所記載之組成物。
一種如請求項1至3中任一項所記載之化合物之製造方法，係包括使核糖基升半胱胺酸與還原劑反應之步驟。
如請求項10所記載之化合物之製造方法，其中前述還原劑包含硼氫化鋰、硼氫化鈉、或硼氫化鋅。
一種劑量輸送裝置，包括：<br/> 一殼體(4)；<br/> 一活塞桿(6)，被設置為可相對於該殼體(4)軸向移動而不轉動，該活塞桿(6)包括一活塞桿螺紋(8)；<br/> 一螺帽(16)，其係與該活塞桿螺紋(8)嚙合；<br/> 一劑量選擇器(74)，其係旋轉鎖固至該螺帽(16)；<br/> 一連接器(20), (120)，被設置為可相對於該殼體(4)軸向移動而不轉動；<br/> 一第一齒輪 (28), (128)，被設置為相對於該殼體(4)在不作軸向移動的狀況下旋轉，該第一齒輪(28), (128)藉一第一卡接連接到該連接器 (20), (120)，該第一卡接是一第一螺旋螺紋(31),(131)；<br/> 一第二齒輪(30), (130)，其與螺帽(16)相耦接，以允許第二齒輪(30,130)與螺帽(16)之間相對旋轉，但不允許相對軸向移動，該第二齒輪(30), (130)藉一第二卡接連接到該連接器(20), (120)，並藉一第三卡接連接到該第一齒輪(28), (128)。
如請求項1所述之劑量輸送裝置，其中，該第三卡接是一直線軌道（33），用以相對軸向移動，但防止該第一及第二齒輪(28), (30)之間相對旋轉。
如請求項2所述之劑量輸送裝置，其中，該第二卡接是一第二螺旋螺紋(32)；<br/> 第一及第二螺旋螺紋(31), (32)具有相同的旋向；且<br/> 該第二螺旋螺紋(32)的螺距小於該第一螺旋螺紋(31)的螺距。
如請求項1所述之劑量輸送裝置，其中，該第二卡接是一直線軌道(132)，其用以相對軸向移動，但防止該第二齒輪(130)及該連接器(120)之間相對旋轉。
如請求項4所述之劑量輸送裝置，其中，該第三卡接是一第三螺旋螺紋(133)；<br/> 該第一及第三螺旋螺紋(131), (133)的旋向相同；且<br/> 該第三螺旋螺紋(133)的螺距小於該第一螺旋螺紋(131)的螺距。
如請求項1至5項中任一項所述之劑量輸送裝置，更包括一劑量刻度套筒(26)，該劑量刻度套筒(26)設置用以相對該連接器(20)，(120)，在沒有軸向移動的情況下旋轉，該劑量刻度套筒(26)經由一套筒螺紋(27)卡接合該殼體(4)。
如請求項6所述之劑量輸送裝置，其中，該劑量選擇器 (74)可相對該劑量刻度套筒(26)軸向移動，以這種方式：<br/> 在劑量設定模式中，該劑量選擇器(74)被旋轉鎖固至該劑量刻度套筒(26)但轉動脫離該連接器(20), (120)；且<br/> 在劑量輸送模式中，該劑量選擇器(74)被轉動脫離該劑量刻度套筒(26)。
如請求項7所述之劑量輸送裝置，更包括在該劑量選擇器(74)及該連接器(20),(120)之間用以在該劑量選擇器(74)的劑量設定模式下，相對於該連接器(20),(120)旋轉時產生咔噠聲的咔嗒機構(88),(92)； 並且在該劑量輸送模式中，將該劑量選擇器(74)旋轉鎖固至該連接器(20), (120)。
一種操作劑量輸送裝置的方法，包括一殼體(4)及一活塞桿(6)，該活塞桿(6)被設置可相對於該殼體(4)軸向移動而不旋轉；<br/> 該方法包括：<br/> 在一劑量設定模式下，相對於殼體(4)旋轉一劑量選擇器(74)，使其鎖固至一螺帽(16)，藉以沿著該活塞桿(6)的螺紋(8)經由一第一軸向距離(d1)向後移動；且<br/> 將該螺帽(16) 的軸向運動經由該傳動機構傳遞至一連接器 (20),(120)，該連接器 (20),(120)被設用以相對於該殼體 (4)，在不旋轉的狀況下軸向移動，以便使該連接器(20),(120)從一原始位置通過大於該第一軸向距離（d1）的第二軸向距離（d2）；<br/> 其中，該傳動機構包括：<br/> 一第一齒輪 (28),(128)相對於殼體 (4) 在未軸向移動的狀況下旋轉，該第一齒輪 (28), (128)藉一第一卡接連接至該連接器 (20),(120)，該第一卡接是一第一螺旋螺紋 (31),(131)；且<br/> 一第二齒輪(30),130)，其與螺帽(16)相耦接，以允許第二齒輪(30,130)與螺帽(16)之間相對旋轉，但不允許相對軸向移動，該第二齒輪(30),(130)藉一第二卡接連接至該連接器(20),(120)，且藉一第三卡接連接至該第一齒輪(28),(128)。
如請求項9所述之方法，其中，該劑量選擇器(74)連接至該連接器(20), (120)，而使該劑量選擇器(74)也移動通過該第二軸向距離(d2)。
一種難溶性功效物質傳遞體，其包含：<br/> 轉運體，所述轉運體包括包含磷脂以及單鏈非離子表面活性劑的雙層結構，及所述雙層結構內的油，<br/> 其中所述磷脂為選自由氫化卵磷脂、氫化磷脂醯膽鹼、磷脂醯肌醇、磷脂醯乙醇胺以及磷脂醯甘油組成的組中的一者或多者，<br/> 其中所述單鏈非離子表面活性劑為選自由PPG類、PEG類、聚山梨醇酯類、聚甘油類、糖類以及生物表面活性劑組成的組中的一者或多者，及<br/> 所述磷脂的疏水性尾部以及單鏈非離子表面活性劑的疏水性尾部彼此具有不同的碳原子數，且碳原子數之差為3以上，<br/> 其中所述磷脂和單鏈非離子表面活性劑的重量比為1:1以上，及<br/> 其中所述難溶性功效物質是在所述雙層結構內捕獲。
根據請求項1之難溶性功效物質傳遞體，其中：<br/> 所述單鏈非離子表面活性劑包括選自由PPG-13-癸基十四醇聚醚-24、PEG-60氫化蓖麻油、PEG-40氫化蓖麻油、聚山梨醇酯20、PPG聚甘油-6-辛酸酯、聚甘油-10硬脂酸酯、聚甘油-10月桂酸酯、異十三烷醇聚醚-9、蔗糖硬脂酸酯、枯草菌脂肽鈉、十九醯次氮基三乙酸、花生四烯醯次氮基三乙酸、二十五醯次氮基三乙酸以及二十五烷二炔醯次氮基三乙酸而成的組中的1種以上。
根據請求項1之難溶性功效物質傳遞體，其中：<br/> 所述磷脂以及單鏈非離子表面活性劑在雙層結構內按照規則或者不規則交叉設置。
根據請求項1之難溶性功效物質傳遞體，其中：<br/> 所述磷脂和單鏈非離子表面活性劑的重量比為1:1至20。
根據請求項1之難溶性功效物質傳遞體，其中：<br/> 所述油包括碳氫類油以及矽類油中的1種以上。
根據請求項5之難溶性功效物質傳遞體，其中：<br/> 所述油包括選自由角鯊烷、辛酸/癸酸甘油三酯、鯨蠟醇乙基己酸酯、己二酸二丁酯、新戊二醇二庚酸酯、丁二醇二辛酸酯/二癸酸酯、苯基聚三甲基矽氧烷、甲基聚三甲基矽氧烷、環五聚二甲基矽氧烷、環己矽氧烷、辛基聚甲基矽氧烷、聚二甲基矽氧烷以及三矽氧烷而成的組中的1種以上。
根據請求項1之難溶性功效物質傳遞體，其中：<br/> 所述難溶性功效物質傳遞體包括轉運體，所述轉運體包括包含磷脂以及2種以上的單鏈非離子表面活性劑的雙層結構；<br/> 所述2種以上的單鏈非離子表面活性劑中的1種以上的單鏈非離子表面活性劑的疏水性尾部與所述磷脂的疏水性尾部彼此包括不同的碳原子數。
根據請求項7之難溶性功效物質傳遞體，其中：<br/> 所述2種以上的單鏈非離子表面活性劑彼此具有不同的HLB值。
根據請求項8之難溶性功效物質傳遞體，其中：<br/> 所述2種以上的單鏈非離子表面活性劑的HLB之差為1.5以上。
根據請求項1之難溶性功效物質傳遞體，其中：<br/> 所述難溶性功效物質傳遞體的顆粒大小為5至20nm。
根據請求項1之難溶性功效物質傳遞體，其中：<br/> 所述難溶性功效物質為油溶性、疏水性或者水不溶性功效物質。
根據請求項1之難溶性功效物質傳遞體，其中：<br/> 所述難溶性功效物質包括選自由植物固醇、植物鞘氨醇、水楊醯植物鞘氨醇、麝香草酚三甲氧基肉桂酸酯、神經醯胺NP、神經醯胺NS、神經醯胺AS、神經醯胺AP、神經醯胺EOP、羥丙基雙月桂醯胺MEA、羥丙基雙棕櫚醯胺MEA、積雪草苷、積雪草酸、羥基積雪草酸以及阿魏酸而成的組中的1種以上的物質。
一種組合物，其包括請求項1、5、6、8、11至18中任一項所述的難溶性功效物質傳遞體以及難溶性功效物質。
根據請求項13之組合物，其中：<br/> 所述組合物中，難溶性功效物質相對於組合物總重量的含量為0.001重量%至10重量%。
根據請求項13之組合物，其中：<br/> 相對於所述組合物中包含的難溶性功效物質總重量的難溶性功效物質傳遞體總重量比為1:1至100。
根據請求項13之組合物，其中：<br/> 所述難溶性功效物質傳遞體中包含的油相對於組合物總重量，含有0.001至10重量%。
根據請求項13之組合物，其中：<br/> 所述組合物為皮膚外用劑。
根據請求項13之組合物，其中：<br/> 所述組合物為化妝料組合物。
根據請求項13之組合物，其中：<br/> 所述組合物為藥劑學組合物。
一種電動線性致動器，具備：外筒；電動機，安裝於前述外筒；滾珠螺桿，將前述電動機輸出的旋轉運動變換為特定方向的直線運動；以及滾珠花鍵，僅傳達前述特定方向的直線運動，其中前述滾珠螺桿具備：螺軸，連結於前述電動機的軸；及第一螺帽，與前述螺軸嵌合，其中前述滾珠花鍵具備：花鍵軸，連接於前述第一螺帽；及第二螺帽，安裝於前述外筒，與前述花鍵軸嵌合，其中前述外筒具備：蓋部，塞住該外筒之前述特定方向上之一端側的開口；及連結部，在前述特定方向上配置於前述蓋部與前述電動機之間所形成之空間內，連結前述蓋部與前述電動機之反負載側的托架。
如請求項1所述的電動線性致動器，其中前述電動機之負載側及反負載側的托架被固定於前述外筒。
一種電動線性致動器，具備：外筒；電動機，安裝於前述外筒；滾珠螺桿，將前述電動機輸出的旋轉運動變換為特定方向的直線運動；以及滾珠花鍵，僅傳達前述特定方向的直線運動，其中前述滾珠螺桿具備：螺軸，連結於前述電動機的軸；及第一螺帽，與前述螺軸嵌合，其中前述滾珠花鍵具備：花鍵軸，連接於前述第一螺帽；及第二螺帽，安裝於前述外筒，與前述花鍵軸嵌合，其中前述電動機之負載側及反負載側的托架被固定於前述外筒。
如請求項3所述的電動線性致動器，其中前述外筒具備：蓋部，塞住前述外筒之前述特定方向上之一端側的開口；及連結部，在前述特定方向上配置於前述蓋部與前述電動機之間所形成之空間內，連結前述蓋部與前述電動機之反負載側的托架。
如請求項1~4中任一項所述的電動線性致動器，其中前述花鍵軸的前述第一螺帽所連接的第一端側形成有孔，前述孔在可收容前述螺軸的一端部的前述特定方向上延伸。
如請求項1~4中任一項所述的電動線性致動器，具備：軸承，可旋轉地支持傳達前述旋轉運動的軸；前述外筒具有筒狀的基部；前述電動機之負載側的托架被固定於前述基部的一端部；前述軸承固定於前述基部的另一端部。
如請求項6所述的電動線性致動器，具備：連結器，連結前述電動機的軸與前述螺軸；前述螺軸被前述軸承所支持。
如請求項6所述的電動線性致動器，其中前述外筒具有：複數個筒部，在前述特定方向並列連結；前述複數個筒部包含：電動機收容部，收容前述電動機；前述基部；滾珠螺桿收容部，收容前述滾珠螺桿；及滾珠花鍵收容部，收容前述滾珠花鍵，其中前述電動機收容部、前述基部、前述滾珠螺桿收容部及前述滾珠花鍵收容部係以此順序在前述特定方向並列連結。
如請求項1～4中任一項所述的電動線性致動器，其中前述電動機的額定輸出為3kW以上，轉動部的轉動力矩為0.01kg·m<sup>2</sup>以下，可進行超過100Hz的重複頻率下的往返直線驅動。
一種一次性可程式化（OTP）記憶體設備，包括： <br/>存取電晶體，包含： <br/>閘極結構，位於基底上；以及 <br/>第一雜質區及第二雜質區，位於所述基底的與所述閘極結構相鄰的相應部分處； <br/>字元線，電連接至所述閘極結構； <br/>電壓線，電連接至所述第一雜質區； <br/>第一井，位於所述基底的上部部分處，所述第一井摻雜有具有第一導電類型的雜質； <br/>第一填充氧化層，位於所述第一井上；<sub> </sub><br/>第一半導體層，位於所述第一填充氧化層上，所述第一半導體層摻雜有具有所述第一導電類型的雜質且電連接至所述第二雜質區；以及 <br/>位元線，電連接至所述第一井， <br/>當將高於所述存取電晶體的臨限電壓的選擇電壓施加至所述字元線、將高於所述第一填充氧化層的擊穿電壓的程式電壓施加至所述電壓線以及將程式允許電壓施加至所述位元線時，擊穿所述第一填充氧化層，使得所述第一井及所述第一半導體層彼此電短路。
如請求項1所述的OTP記憶體設備，其中所述第一導電類型為n型。
如請求項1所述的OTP記憶體設備，其中所述第一雜質區及所述第二雜質區中的每一者包含具有所述第一導電類型的雜質。
如請求項1所述的OTP記憶體設備，更包括： <br/>第二井，位於所述基底的所述上部部分處，所述第二井摻雜有具有與所述第一導電類型不同的第二導電類型的雜質， <br/>其中所述存取電晶體形成於所述第二井上。
如請求項4所述的OTP記憶體設備，更包括： <br/>第二填充氧化層，位於所述第二井上；以及 <br/>第二半導體層，位於所述第二填充氧化層上， <br/>其中所述第一雜質區及所述第二雜質區形成於所述第二半導體層中，且 <br/>其中所述閘極結構接觸所述第二半導體層的上部表面。
如請求項1所述的OTP記憶體設備，更包括： <br/>第一接觸插塞，電連接至所述閘極結構及所述字元線，且所述第一接觸插塞安置於所述閘極結構與所述字元線之間； <br/>第二接觸插塞，電連接至所述第一雜質區及所述電壓線，且所述第二接觸插塞安置於所述第一雜質區與所述電壓線之間；以及 <br/>第三接觸插塞，電連接至所述第一井及所述位元線，且所述第三接觸插塞安置於所述第一井與所述位元線之間。
如請求項1所述的OTP記憶體設備，其中： <br/>所述存取電晶體、所述第一井、所述第一填充氧化層以及所述第一半導體層形成一次性可程式化記憶體單元， <br/>所述字元線在與所述基底的上部表面平行的第一方向上延伸， <br/>所述電壓線及所述位元線中的每一者在與所述基底的所述上部表面平行且與所述第一方向交叉的第二方向上延伸，且 <br/>所述一次性可程式化記憶體單元為在所述第一方向及所述第二方向上配置成矩陣圖案的多個一次性可程式化記憶體單元中的一者。
一種一次性可程式化（OTP）記憶體設備，包括： <br/>存取電晶體，包含： <br/>第一閘極結構，位於基底上；以及 <br/>第一雜質區及第二雜質區，位於所述基底的與所述第一閘極結構相鄰的相應部分處； <br/>第一井，位於所述基底的上部部分處，所述第一井摻雜有具有第一導電類型的雜質； <br/>第一填充氧化層，位於所述第一井上； <br/>第一半導體層，位於所述第一填充氧化層上，所述第一半導體層的至少一部分摻雜有具有所述第一導電類型的雜質； <br/>反熔絲，包含： <br/>第二閘極結構，位於所述第一半導體層上；以及 <br/>第三雜質區及第四雜質區，位於所述第一半導體層的與所述第二閘極結構相鄰的相應部分處； <br/>字元線，電連接至所述第一閘極結構； <br/>位元線，電連接至所述第一雜質區； <br/>電壓線，電連接至所述第四雜質區；以及 <br/>感測線，電連接至所述第一井， <br/>其中所述第二閘極結構及所述第二雜質區彼此電連接， <br/>所述第二閘極結構包含堆疊於所述第一半導體層上的閘極絕緣圖案及閘極電極，且 <br/>當將高於所述存取電晶體的臨限電壓的選擇電壓施加至所述字元線、將高於所述閘極絕緣圖案的擊穿電壓及/或所述第一填充氧化層的擊穿電壓的程式電壓施加至所述電壓線以及將程式允許電壓施加至所述位元線及/或所述感測線時，擊穿所述閘極絕緣圖案及/或所述第一填充氧化層，使得： <br/>所述閘極電極及所述第一半導體層彼此電短路，及/或 <br/>所述第一井及所述第一半導體層彼此電短路。
如請求項8所述的OTP記憶體設備，其中所述第一導電類型為n型。
如請求項8所述的OTP記憶體設備，其中所述第一雜質區及所述第二雜質區中的每一者包含具有所述第一導電類型的雜質。
如請求項8所述的OTP記憶體設備，更包括： <br/>第二井，位於所述基底的所述上部部分處，所述第二井摻雜有具有與所述第一導電類型不同的第二導電類型的雜質， <br/>其中所述存取電晶體形成於所述第二井上。
如請求項11所述的OTP記憶體設備，更包括： <br/>第二填充氧化層，位於所述第二井上；以及 <br/>第二半導體層，位於所述第二填充氧化層上， <br/>其中所述第一雜質區及所述第二雜質區形成於所述第二半導體層中，且 <br/>其中所述第一閘極結構接觸所述第二半導體層的上部表面。
如請求項8所述的OTP記憶體設備，更包括： <br/>第一接觸插塞，電連接至所述第一閘極結構及所述字元線，且所述第一接觸插塞安置於所述第一閘極結構與所述字元線之間； <br/>第二接觸插塞，電連接至所述第一雜質區及所述位元線，且所述第二接觸插塞安置於所述第一雜質區與所述位元線之間； <br/>第三接觸插塞，電連接至所述第一井及所述感測線，且所述第三接觸插塞安置於所述第一井與所述感測線之間；以及 <br/>第四接觸插塞，電連接至所述第四雜質區及所述電壓線，且所述第四接觸插塞安置於所述第四雜質區與所述電壓線之間。
如請求項8所述的OTP記憶體設備，其中： <br/>所述存取電晶體、所述第一井、所述第一填充氧化層、所述第一半導體層以及所述反熔絲形成一次性可程式化記憶體單元， <br/>所述字元線及所述電壓線中的每一者在與所述基底的上部表面平行的第一方向上延伸， <br/>所述位元線及所述感測線中的每一者在與所述基底的所述上部表面平行且與所述第一方向交叉的第二方向上延伸，且 <br/>所述一次性可程式化記憶體單元為在所述第一方向及所述第二方向上配置成矩陣圖案的多個一次性可程式化記憶體單元中的一者。
一種聚酯多元醇，其特徵在於：其為使二羧酸成分(A)與二醇成分(B)反應而成之聚酯多元醇，該二羧酸成分(A)包含下述通式(I)所示之二羧酸(a1)及下述通式(II)所示之二羧酸(a2)，<br/> 該二羧酸成分(A)總量100質量%中之該二羧酸(a1)的含量為97.00～99.98質量%，<br/> 該二羧酸成分(A)總量100質量%中之該二羧酸(a2)的含量為0.02～3.00質量%，<br/><img align="absmiddle" height="300px" width="582px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 該通式(I)及(II)中，R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>4</sup>及R<sup>5</sup>各自獨立地表示碳數1～3之2價烴基，R<sup>3</sup>及R<sup>6</sup>各自獨立地表示碳數1～3之1價烴基。
如請求項1之聚酯多元醇，其中相對於100質量份之該二羧酸成分(a1)，該二羧酸成分(a2)之含量為3.00質量份以下。
如請求項1或2之聚酯多元醇，其中該通式(I)及(II)中之R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>4</sup>及R<sup>5</sup>皆為亞甲基。
一種胺基甲酸酯預聚物，其係由如請求項1至3中任一項之聚酯多元醇與多異氰酸酯化合物反應而得。
一種聚胺基甲酸酯，其中使用到如請求項1至3中任一項之聚酯多元醇或如請求項4之胺基甲酸酯預聚物。
一種式II-1所示的化合物或其藥學上可接受的鹽，<figure><img align="absmiddle" height="156px" width="206px" file="d10046.TIF" alt="化學式ed10046.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10046.png"/></figure>其中，Q為<img align="absmiddle" height="68px" width="167px" file="d10069.TIF" alt="其他非圖式ed10069.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10069.png"/>，其中，L<sup>1</sup>為-(CH<sub>2</sub>)<sub>m</sub>-，該-(CH<sub>2</sub>)-視需要被選自O、S、N的雜原子替換；L<sup>2</sup>為-(CH<sub>2</sub>)<sub>n</sub>-，該-(CH<sub>2</sub>)-視需要被選自O、S、N的雜原子替換；m選自0、1、2、3、4、5、6；n選自1、2、3、4、5、6；該L<sup>2</sup>的-(CH<sub>2</sub>)-視需要被A取代；X選自O和S；R<sup>1</sup>選自C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-8</sub>環烷基、3-12員雜環基；該C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-8</sub>環烷基、3-12員雜環基視需要被基團B取代；R<sup>2</sup>選自C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-8</sub>環烷基、3-12員雜環基；該C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-8</sub>環烷基、3-12員雜環基視需要被基團B取代；R<sup>3</sup>選自C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-8</sub>環烷基、3-12員雜環基；該C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-8</sub>環烷基、3-12員雜環基視需要被基團B取代；或者，R<sup>1</sup>與R<sup>2</sup>或R<sup>2</sup>與R<sup>3</sup>，與其連接的N原子一起形成含有1-3個雜原子的3-12員雜環基；該3-12員雜環基視需要被基團B取代；A選自H、-COOH、-NH<sub>2</sub>、-OH、鹵素、氰基、硝基、側氧、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>3-8</sub>環烷基、3-12員雜環基、-COR<sup>4</sup>、-NHCOR<sup>4</sup>、-OCOR<sup>4</sup>；該-NH<sub>2</sub>、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>3-8</sub>環烷基、3-12員雜環基視需要被R<sup>4</sup>取代；R<sup>4</sup>選自鹵素、-NH<sub>2</sub>、-OH、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>3-8</sub>環烷基、3-12員雜環基；該C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>3-8</sub>環烷基、3-12員雜環基視需要被選自-COOH、-NH<sub>2</sub>、-OH、鹵素、氰基、硝基、側氧、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基的一個或多個基團取代；基團B選自H、-COOH、-NH<sub>2</sub>、-OH、鹵素、氰基、硝基、側氧。
如請求項1所述的式II-1所示的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，X為O。
如請求項1所述的式II-1所示的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，n選自2、3、4、5。
如請求項1所述的式II-1所示的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，n選自2和3。
如請求項1所述的式II-1所示的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，m選自0、1、2、3、4、5。
如請求項1所述的式II-1所示的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，m選自0、1、2、3。
如請求項1所述的式II-1所示的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，A選自H、-COOH、-NH<sub>2</sub>、-OH、鹵素、氰基、硝基、側氧、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>3-8</sub>環烷基、3-12員雜環基；該C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>3-8</sub>環烷基、3-12員雜環基視需要被R<sup>4</sup>取代；R<sup>4</sup>選自鹵素、-NH<sub>2</sub>、-OH、C<sub>1-6</sub>烷基。
如請求項7所述的式II-1所示的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，A選自H、-COOH、-NH<sub>2</sub>、-OH、鹵素、氰基、硝基。
如請求項1所述的式II-1所示的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，L<sup>1</sup>為-CH<sub>2</sub>-O-。
如請求項1所述的式II-1所示的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，L<sup>1</sup>為-(CH<sub>2</sub>)<sub>m</sub>-，m為0。
如請求項1所述的式II-1所示的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，L<sup>2</sup>為-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-。
如請求項1所述的式II-1所示的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，R<sup>1</sup>選自C<sub>1-6</sub>烷基。
如請求項1所述的式II-1所示的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，R<sup>2</sup>選自C<sub>1-6</sub>烷基。
如請求項1所述的式II-1所示的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，R<sup>3</sup>選自C<sub>1-6</sub>烷基。
如請求項14所述的式II-1所示的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，R<sup>3</sup>選自C<sub>1-3</sub>烷基。
如請求項1所述的式II-1所示的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，X為O；L<sup>1</sup>為-(CH<sub>2</sub>)<sub>m</sub>-，m為0；或L<sup>1</sup>為-CH<sub>2</sub>-O-；L<sup>2</sup>為-(CH<sub>2</sub>)<sub>n</sub>-，n選自2和3；R<sup>1</sup>選自甲基、乙基、正丙基、異丙基；R<sup>2</sup>選自甲基、乙基、正丙基、異丙基；R<sup>3</sup>選自甲基、乙基、正丙基、異丙基。
如請求項16所述的式II-1所示的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，R<sup>1</sup>選自甲基，R<sup>2</sup>選自甲基，R<sup>3</sup>選自甲基。
如請求項1所述的式II-1所示的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中該化合物選自：<figure><img align="absmiddle" height="185px" width="405px" file="d10047.TIF" alt="化學式ed10047.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10047.png"/></figure>
一種醫藥組成物，其包含至少一種如請求項1至18中任一項所述的式II-1所示的化合物或其藥學上可接受的鹽，以及藥學上可接受的賦形劑。
一種如請求項1至18中任一項所述的式II-1所示的化合物或其藥學上可接受的鹽、或者如請求項19所述的醫藥組成物在製備用於預防和/或治療血管加壓素受體相關疾病的藥物中的用途。
一種如請求項1至18中任一項所述的式II-1所示的化合物或其藥學上可接受的鹽、或者如請求項19所述的醫藥組成物在製備用於預防和/或治療高血壓、水腫、腹水病、心衰竭、腎功能障礙、血管加壓素分泌異常綜合症、肝硬化、低鈉血症、低鉀血症、糖尿病、循環功能不全、多囊腎疾病、腦梗死、心肌梗死的藥物中的用途。
一種圓偏光板，其自視認側起依序具備偏光板、第1液晶配向固化層、第2液晶配向固化層、保護層及黏著劑層， <br/>該保護層係直接積層於該第2液晶配向固化層， <br/>該黏著劑層設置於該保護層之與該第2液晶配向固化層相反一側之表面上， <br/>該保護層之透濕度為920(g/m<sup>2</sup>・24hr)以下， <br/>該保護層之厚度為0.01 μm以上5 μm以下。
如請求項1之圓偏光板，其中上述第1液晶配向固化層之面內相位差Re(550)為100 nm～180 nm，並且滿足Re(450)＜Re(550)＜Re(650)之關係。
如請求項1或2之圓偏光板，其中上述第2液晶配向固化層顯示出nz＞nx＝ny之折射率特性。
如請求項1或2之圓偏光板，其中上述保護層包含環氧系樹脂或丙烯酸系樹脂，並且該保護層為該樹脂之有機溶劑溶液之塗佈膜之固化物或熱硬化物。
如請求項4之圓偏光板，其中上述保護層之玻璃轉移溫度為85℃以上，並且上述樹脂之重量平均分子量Mw為25000以上。
如請求項1或2之圓偏光板，其於上述偏光板與上述第1液晶配向固化層之間具備至少1個另一保護層。
如請求項1或2之圓偏光板，其厚度為100 μm以下。
一種圖像顯示裝置，其包括請求項1至7中任一項之圓偏光板。
一種電漿處理裝置，其具有： <br/>處理容器； <br/>電極，其配置於上述處理容器之內部，被施加所期望之高頻功率； <br/>構件，其具有上述電極；及 <br/>嵌埋構件，其配置於上述構件；且 <br/>上述嵌埋構件包含：第1構件，其於外周形成有複數之外側流路；及 <br/>第2構件，其形成有藉由與上述第1構件接合而與上述外側流路相連之複數之內側流路，且其係與上述第1構件互為分離之個體；且 <br/>上述外側流路與上述內側流路連通。
如請求項1之電漿處理裝置，其中 <br/>上述第2構件之上述內側流路之流路長度，較於上述第2構件之外周設置有與上述第1構件之外側流路相連之流路來代替於上述第2構件設置上述內側流路之情形時的該流路之流路長度長。
如請求項2之電漿處理裝置，其中 <br/>上述第2構件之上述內側流路之流路長度係於上述第2構件設置有上述外側流路之情形時的該外側流路之流路長度之4/π倍。
如請求項1至3中任一項之電漿處理裝置，其中 <br/>上述內側流路包含相互連通之2個以上之流路， <br/>上述2個以上之流路之流路長度相同。
如請求項4之電漿處理裝置，其中 <br/>上述2個以上之流路以互為直角之關係配置。
一種基板支持部，其具有： <br/>電極，其被施加所期望之高頻功率； <br/>構件，其具有上述電極；及 <br/>嵌埋構件，其配置於上述構件中所設之貫通孔； <br/>上述嵌埋構件包含：第1構件，其於外周形成有1個以上之外側流路；及 <br/>第2構件，其形成有藉由與上述第1構件接合而與上述外側流路相連之1個以上之內側流路；且 <br/>上述外側流路與上述內側流路連通。
一種ABS樹脂改質劑，其含有馬來醯亞胺系樹脂(A)和聚醯胺樹脂(B)， <br/>所述馬來醯亞胺系樹脂(A)具有馬來醯亞胺系單體單元、苯乙烯系單體單元、以及不飽和二羧酸酐系單體單元， <br/>將所述馬來醯亞胺系樹脂(A)整體設為100質量%時， <br/>所述馬來醯亞胺系樹脂(A)中含有的所述苯乙烯系單體單元的量為40~70質量%， <br/>所述馬來醯亞胺系樹脂(A)中含有的所述不飽和二羧酸酐系單體單元的量為1~10質量%， <br/>所述馬來醯亞胺系樹脂(A)中含有的所述馬來醯亞胺系單體單元的量為10質量%~68質量%， <br/>所述ABS樹脂改質劑具有分散相， <br/>所述分散相的平均粒徑為100nm以下。
如請求項1所述的ABS樹脂改質劑，其中， <br/>基於JIS K7161於23℃、濕度50%的恒溫槽中進行16小時狀態調整之後的試件在拉伸速度50mm/min下測定得到的拉伸斷裂標稱應變為10%以上。
如請求項1或2所述的ABS樹脂改質劑，其中所述聚醯胺樹脂(B)的末端氨基量為2.6~3.3mgKOH/g。
一種樹脂組成物，其含有請求項1至3中任一項所述的ABS樹脂改質劑和樹脂(C)， <br/>所述樹脂(C)是選自ABS樹脂、SAN樹脂、ASA樹脂、AES樹脂中的至少1種樹脂。
如請求項4所述的樹脂組成物，其中， <br/>將所述樹脂組成物整體設為100質量%時，所述樹脂組成物中含有的所述聚醯胺樹脂(B)小於20質量%。
如請求項4或5所述的樹脂組成物，其中， <br/>基於JIS K7111-1，使用在23℃、濕度50%的恒溫槽中進行16小時狀態調整之後的帶缺口試件，採用沿側向作為打擊方向測定得到的夏比衝擊強度為12KJ/m<sup>2</sup>以上。
一種樹脂組成物的製造方法，其包括使用擠出機對原料進行熔融混煉的步驟， <br/>所述原料含有請求項1至3中任一項所述的ABS樹脂改質劑和樹脂(C)，所述樹脂(C)是選自ABS樹脂、SAN樹脂、ASA樹脂、AES樹脂中的至少1種。
一種成型體，其是對請求項4至6中任一項所述的樹脂組成物進行成型而得到的。
一種雜環化合物，由以下化學式1-2至化學式1-4中的任一者表示： <br/>[化學式1-2] <br/><img align="absmiddle" height="114px" width="126px" file="ed10310.jpg" alt="ed10310.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式1-3] <br/><img align="absmiddle" height="135px" width="115px" file="ed10312.jpg" alt="ed10312.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式1-4] <br/><img align="absmiddle" height="167px" width="88px" file="ed10314.jpg" alt="ed10314.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>在化學式1-2至化學式1-4中， <br/>Rm1與Rm2彼此相同或不同，且各自獨立地是氫；氘；具有6至60個碳原子的芳基；或者具有2至60個碳原子的經取代或未經取代的雜芳基， <br/>L1與L2彼此相同或不同，且各自獨立地是直接鍵；具有6至60個碳原子的經取代或未經取代的伸芳基；或者具有2至60個碳原子的經取代或未經取代的伸雜芳基，a及b是0至3的整數，且當a及b各自為2或高於2時，括號中的取代基各自獨立， <br/>Ar1是經取代或未經取代的單環或多環雜環基，且包括一或多個N，且 <br/>Ar2是-NAr3Ar4；具有6至60個碳原子的經取代或未經取代的芳基；或者具有2至60個碳原子的經取代或未經取代的雜芳基，且Ar3與Ar4彼此相同或不同，且各自獨立地是具有6至60個碳原子的經取代或未經取代的芳基；或者具有2至60個碳原子的經取代或未經取代的雜芳基。
如請求項1所述的雜環化合物，其中Ar1由以下化學式2表示： <br/>[化學式2] <br/><img align="absmiddle" height="40px" width="72px" file="ed10315.jpg" alt="ed10315.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>在化學式2中， <br/>X1是CR21或N，X2是CR22或N，X3是CR23或N，X4是CR24或N，且X5是CR25或N，且 <br/>R21至R25彼此相同或不同，且各自獨立地選自由氫；氘；鹵素；氰基；具有1至60個碳原子的經取代或未經取代的烷基；具有2至60個碳原子的經取代或未經取代的烯基；具有2至60個碳原子的經取代或未經取代的炔基；具有1至20個碳原子的經取代或未經取代的烷氧基；具有3至60個碳原子的經取代或未經取代的環烷基；具有2至60個碳原子的經取代或未經取代的雜環烷基；具有6至60個碳原子的經取代或未經取代的芳基；具有2至60個碳原子的經取代或未經取代的雜芳基；經取代或未經取代的氧化膦基；以及經取代或未經取代的胺基組成的群組，或者二或更多個相鄰基團彼此鍵合以形成經取代或未經取代的脂族或芳族烴環或雜環，且此處，<img align="absmiddle" height="20px" width="29px" file="ed10316.jpg" alt="ed10316.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是連結至L1的位點。
如請求項2所述的雜環化合物，其中化學式2由以下化學式3至化學式6中的任一者表示： <br/>[化學式3] <br/><img align="absmiddle" height="68px" width="76px" file="ed10317.jpg" alt="ed10317.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式4] <br/><img align="absmiddle" height="70px" width="118px" file="ed10318.jpg" alt="ed10318.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式5] <br/><img align="absmiddle" height="82px" width="94px" file="ed10319.jpg" alt="ed10319.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式6] <br/><img align="absmiddle" height="76px" width="138px" file="ed10320.jpg" alt="ed10320.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>在化學式3中，X1、X3及X5中的一或多者是N，且X1、X3及X5中的其他者與請求項2所述的化學式2中所定義者相同， <br/>在化學式4中，X1、X2及X5中的一或多者是N，且X1、X2及X5中的其他者與請求項2所述的化學式2中所定義者相同， <br/>在化學式5中，X1至X3中的一或多者是N，且X1至X3中的其他者與請求項2所述的化學式2中所定義者相同， <br/>在化學式6中，X1、X2及X5中的一或多者是N，且X1、X2及X5中的其他者與請求項2所述的化學式2中所定義者相同，且Y1是O；或者S，且 <br/>R22、R24及R26至R29彼此相同或不同，且各自獨立地選自由氫；氘；鹵素；氰基；具有1至60個碳原子的經取代或未經取代的烷基；具有2至60個碳原子的經取代或未經取代的烯基；具有2至60個碳原子的經取代或未經取代的炔基；具有1至20個碳原子的經取代或未經取代的烷氧基；具有3至60個碳原子的經取代或未經取代的環烷基；具有2至60個碳原子的經取代或未經取代的雜環烷基；具有6至60個碳原子的經取代或未經取代的芳基；具有2至60個碳原子的經取代或未經取代的雜芳基；經取代或未經取代的氧化膦基；以及經取代或未經取代的胺基組成的群組，或者二或更多個相鄰基團彼此鍵合以形成經取代或未經取代的脂族或芳族烴環或雜環，且此處，<img align="absmiddle" height="18px" width="30px" file="ed10321.jpg" alt="ed10321.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是連結至L1的位點。
如請求項1所述的雜環化合物，其中由化學式1表示的所述雜環化合物的氘含量為0%至100%。
一種雜環化合物，由以下化合物中的任一者表示： <br/><img align="absmiddle" height="206px" width="209px" file="ed10322.jpg" alt="ed10322.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="200px" width="199px" file="ed10323.jpg" alt="ed10323.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="209px" width="200px" file="ed10324.jpg" alt="ed10324.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="210px" width="202px" file="ed10325.jpg" alt="ed10325.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="225px" width="211px" file="ed10326.jpg" alt="ed10326.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="230px" width="202px" file="ed10327.jpg" alt="ed10327.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="221px" width="217px" file="ed10328.jpg" alt="ed10328.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="219px" width="231px" file="ed10329.jpg" alt="ed10329.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="206px" width="212px" file="ed10330.jpg" alt="ed10330.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="219px" width="212px" file="ed10331.jpg" alt="ed10331.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="245px" width="206px" file="ed10332.jpg" alt="ed10332.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="222px" width="208px" file="ed10333.jpg" alt="ed10333.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="221px" width="215px" file="ed10334.jpg" alt="ed10334.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="263px" width="229px" file="ed10335.jpg" alt="ed10335.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="246px" width="230px" file="ed10336.jpg" alt="ed10336.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種有機發光元件，包括： <br/>第一電極； <br/>第二電極；以及 <br/>有機材料層，具有設置於所述第一電極與所述第二電極之間的一或多個層， <br/>其中所述有機材料層的所述一或多個層包含如請求項1至請求項5中任一項所述的雜環化合物。
如請求項6所述的有機發光元件，其中所述有機材料層包括發光層，且所述發光層包含所述雜環化合物。
如請求項7所述的有機發光元件，其中所述發光層包含主體材料，且所述主體材料包括所述雜環化合物。
如請求項7所述的有機發光元件，其中在所述發光層中，使用由化學式1-2至1-4中的任一者表示的所述雜環化合物中的二或更多者。
如請求項6所述的有機發光元件，更包括選自由發光層、電洞注入層、電洞傳輸層、電子注入層、電子傳輸層、電洞輔助層及電洞阻擋層組成的群組的一個層或者二或更多個層。
一種製備鄰，對-、鄰，鄰-及/或對，對-雙酚A的方法，其包含下列之步驟： <br/>(a) 使原料酚和原料丙酮於催化劑系統存在下縮合，其中該催化劑系統包含離子交換樹脂催化劑和含硫共催化劑， <br/>其特徵在於步驟(a)中存在的α-甲基苯乙烯之量相對於原料酚的總重量為1至2000 ppm之範圍，其中在催化劑系統中至少部分的含硫共催化劑在方法步驟(a)開始時既未共價亦未離子結合至該離子交換樹脂催化劑，且含硫共催化劑係選自由下列所組成之群組：巰丙酸、硫化氫、烷基硫醚、巰烷基吡啶、巰烷胺、四氫噻唑、胺基硫酚及其混合物。
根據請求項1的方法，其特徵在於在催化劑系統中至少75 mol-%的含硫共催化劑在方法步驟(a)開始時既未共價亦未離子結合至該離子交換樹脂催化劑。
根據請求項1或2的方法，其特徵在於步驟(a)係在額外存在4-異丙苯基酚(4-cumylphenol)下進行。
根據請求項1或2的方法，其特徵在於該方法額外包括下列步驟： <br/>(b) 將步驟(a)之後獲得之混合物分離成包含鄰，對-、鄰，鄰-或對，對-雙酚A中之至少一者的雙酚A級分(fraction)和酚級分，其中該酚級分包含未反應的酚和由於α-甲基苯乙烯存在於步驟(a)中而形成的至少一種不純物。
根據請求項4的方法，其特徵在於步驟(b)中的分離係使用結晶技術進行。
根據請求項4的方法，其特徵在於由於α-甲基苯乙烯存在於步驟(a)中而形成的至少一種不純物為4-異丙苯基酚。
根據請求項4的方法，其特徵在於該方法包含下列之額外步驟： <br/>(c) 使用至少一部分的步驟(b)中獲得之酚級分作為步驟(a)中的浸提物。
根據請求項1或2的方法，其特徵在於步驟(a)中存在的α-甲基苯乙烯係以原料酚中之不純物引入方法步驟(a)。
一種製備聚碳酸酯的方法，其包含下列之步驟： <br/>(i) 根據請求項1至8中任一項的方法獲得鄰，對-、鄰，鄰-及/或對，對-雙酚A，及 <br/>(ii) 聚合步驟(i)中獲得之該鄰，對-、鄰，鄰-及/或對，對-雙酚A，視需要地在至少一種其他單體存在下以獲得聚碳酸酯。
根據請求項9的方法，其特徵在於該方法步驟(i)另外包含純化該鄰，對-、鄰，鄰-及/或對，對-雙酚A之步驟，以減少於步驟(a)中由於α-甲基苯乙烯存在而形成的至少一種不純物之量。
根據請求項9或10的方法，其特徵在於該方法為一種相間光氣化方法，其係在步驟(ii)中使用至少一種鏈終止劑。
根據請求項11的方法，其特徵在於該鏈終止劑係與鄰，對-、鄰，鄰-及/或對，對-雙酚A同時引入該方法中。
一種金屬層壓包裝材，用以形成具有下述元件的容器：<br/> 開口；<br/> 筒狀主體部，從該開口周緣垂下；及<br/> 底部，由該主體部的下側周緣所圍繞；<br/> 該包裝材包含：<br/> 屏障層，由厚度為40μm～200μm的金屬箔所形成；<br/> 熱熔接層，由熱熔接性樹脂所形成，積層於該屏障層的內側，構成該容器的內面；及<br/> 保護層，由膜狀合成樹脂所形成，積層於該屏障層的外側，構成該容器的外表面；<br/> 該熱熔接性樹脂及/或該合成樹脂包含源自生質之樹脂；<br/> 其中該膜狀合成樹脂，<br/> 其行進方向（MD）中的拉伸彈性模數（δ<sup>1</sup><sub>（</sub><sub>MD</sub><sub>）</sub>）為500MPa～2500MPa，<br/> 並且其寬度方向（TD）中的拉伸彈性模數（δ<sup>1</sup><sub>（</sub><sub>TD</sub><sub>）</sub>）亦為500MPa～2500MPa，<br/> 且此等的比（δ<sup>1</sup><sub>（</sub><sub>MD</sub><sub>）</sub>/δ<sup>1</sup><sub>（</sub><sub>TD</sub><sub>）</sub>）為0.9～1.1。
一種金屬層壓包裝材，用以形成具有下述元件的容器：<br/> 開口；<br/> 筒狀主體部，從該開口周緣垂下；及<br/> 底部，由該主體部的下側周緣所圍繞；<br/> 該包裝材包含：<br/> 屏障層，由厚度為40μm～200μm的金屬箔所形成；<br/> 熱熔接層，由熱熔接性樹脂所形成，積層於該屏障層的內側，構成該容器的內面；及<br/> 保護層，由膜狀合成樹脂所形成，積層於該屏障層的外側，構成該容器的外表面；<br/> 該熱熔接性樹脂及/或該合成樹脂包含源自生質之樹脂；其中該膜狀合成樹脂，<br/> 其行進方向（MD）中破裂時的拉伸強度（δ<sup>2</sup><sub>（</sub><sub>MD</sub><sub>）</sub>）為30MPa～70MPa，<br/> 並且其寬度方向（TD）中破裂時的拉伸強度（δ<sup>2</sup><sub>（</sub><sub>TD</sub><sub>）</sub>）亦為30MPa～70MPa，<br/> 且此等的比（δ<sup>2</sup><sub>（</sub><sub>MD</sub><sub>）</sub>/δ<sub>2</sub><sub>（</sub><sub>MD</sub><sub>）</sub>）為0.9～1.1。
一種金屬層壓包裝材，用以形成具有下述元件的容器：<br/> 開口；<br/> 筒狀主體部，從該開口周緣垂下；及<br/> 底部，由該主體部的下側周緣所圍繞；<br/> 該包裝材包含：<br/> 屏障層，由厚度為40μm～200μm的金屬箔所形成；<br/> 熱熔接層，由熱熔接性樹脂所形成，積層於該屏障層的內側，構成該容器的內面；及<br/> 保護層，由膜狀合成樹脂所形成，積層於該屏障層的外側，構成該容器的外表面；<br/> 該熱熔接性樹脂及/或該合成樹脂包含源自生質之樹脂；其中該膜狀合成樹脂，<br/> 其行進方向（MD）中破裂時的拉伸伸度（E<sub>（</sub><sub>MD</sub><sub>）</sub>）為500%～900%，<br/> 並且其寬度方向（TD）中破裂時的拉伸伸度（E<sub>（</sub><sub>TD</sub><sub>）</sub>）亦為500%～900%，<br/> 且此等的比（E<sub>（</sub><sub>MD</sub>）/E<sub>（</sub><sub>TD</sub><sub>）</sub>）為0.8～1.2。
如請求項1至3中任一項所述之金屬層壓包裝材，其中該熱熔接層為多層，其至少一層係由源自生質之樹脂所構成，且此源自生質之樹脂為源自生質之聚烯烴。
如請求項4所述之金屬層壓包裝材，其中源自生質之聚烯烴係選自由源自生質之聚乙烯、源自生質之乙烯-丙烯無規共聚物及源自生質之乙烯-丙烯嵌段共聚物所組成之群組中的至少一種。
如請求項1至3中任一項所述之金屬層壓包裝材，其中該保護層為多層，其至少一層係由源自生質之樹脂所構成，且此源自生質之樹脂為源自生質之聚酯及/或源自生質之聚烯烴。
如請求項6所述之金屬層壓包裝材，其中源自生質之聚酯為源自生質之聚對苯二甲酸乙二酯。
如請求項6所述之金屬層壓包裝材，其中源自生質之聚烯烴係選自由源自生質之聚乙烯、源自生質之乙烯-丙烯無規共聚物及源自生質之乙烯-丙烯嵌段共聚物所組成之群組中的至少一種。
如請求項1至3中任一項所述之金屬層壓包裝材，其中單位面積中的金屬箔使用量在質量基準下為50～90%。
一種容器，具有：<br/> 開口；<br/> 筒狀主體部，從該開口周緣垂下；及<br/> 底部，由該主體部的下側周緣所圍繞；<br/> 該容器<br/> 係將如請求項1至9中任一項所述之金屬層壓包裝材以熱熔接層為該容器之內面的方式進行壓製成形而成，<br/> 該主體部與該底部連續成為一體而構成該容器。
一種容器，具有<br/> 開口；<br/> 筒狀主體部，從該開口周緣垂下；及<br/> 底部，由該主體部的下側周緣所圍繞；<br/> 該容器中，<br/> 該主體部為筒狀構件，其係由如請求項1至9中任一項所述之金屬層壓包裝材形成的主體部用毛坯所構成，<br/> 該底部係將由如請求項1至9中任一項所述之金屬層壓包裝材所形成之底部用毛坯以該包裝材的保護層形成該容器之外表面的方式進行壓製成形而成的構件，<br/> 構成該底部的構件係由水平的本體部、從該本體部外周緣部向下延伸之垂下部所形成，其剖面為倒U形。
一種包裝體，其係由下表面具有熱熔接層的蓋、如請求項10所述之容器及內容物所形成的經密封之包裝體，<br/> 該密封係藉由形成該蓋之下表面的熱熔接層與形成該容器之開口周緣的熱熔接層之熱熔接所進行。
一種包裝體，其係由下表面具有熱熔接層的蓋、如請求項11所述之容器及內容物所形成的經密封之包裝體，其中，<br/> 該密封係藉由該形成蓋之下表面的熱熔接層與形成該容器之開口周緣的熱熔接層之熱熔接所進行。
一種基板位置控制方法，係基板處理系統之基板位置控制方法，該基板處理系統係具有：<br/>搬送室，係具有會藉由控制旋轉角度之旋轉控制與控制伸縮距離之伸縮控制來進行基板之搬送的搬送機構；<br/>第1處理室，係連接於該搬送室；<br/>第2處理室，係連接於該搬送室；以及<br/>加載互鎖室，係連接於該搬送室且具有會進行該基板之位置調整的位置調整機構；<br/>該基板位置控制方法係具有：<br/>第1計算工序，係參照會儲存用於對從該加載互鎖室被搬送至該第1處理室之該基板進行位置調整的第1位置調整資訊與用於對從該加載互鎖室被搬送至該第2處理室之該基板進行位置調整的第2位置調整資訊之記憶部來計算出差分資訊，該差分資訊係表示根據該第1位置調整資訊來調整位置後的該基板被搬送至該第2處理室之情形的位置與根據該第2位置調整資訊來調整位置後的該基板被搬送至該第2處理室之情形的位置之間在旋轉方向上的旋轉方向之偏差及在伸縮方向上的伸縮方向之偏差；<br/>第2計算工序，係計算出會修正該差分資訊所表示的該旋轉方向之偏差的該旋轉角度之旋轉修正值；以及<br/>第3計算工序，係計算出會修正該差分資訊所表示的該伸縮方向之偏差、與因依據該旋轉修正值來修正該基板在該旋轉方向上的位置所產生之伸縮方向的旋轉修正所致之偏差的伸縮修正值。
如申請專利範圍第1項之基板位置控制方法，其中該第2計算工序係在將該基板從該第1處理室搬送至該第2處理室之情形，會藉由從該旋轉角度的可修正數值範圍之中檢索出使該旋轉方向之偏差減少的該旋轉角度之二分搜尋來計算出該旋轉修正值。
如申請專利範圍第2項之基板位置控制方法，其中該第2計算工序係反覆預先決定次數的處理來計算出該旋轉修正值；<br/>該處理係以該可修正數值範圍作為檢索範圍來取得該檢索範圍的最大值、該檢索範圍的最小值、該最大值與該最小值之間的中央值，計算出從該中央值在該旋轉方向上往該最大值一側或該最小值一側偏移預先決定之搜尋值後的暫定值，並根據使該基板以該中央值為依據而在該旋轉方向上偏移之情形下該旋轉方向之偏差被修正的量與使該基板以該暫定值為依據而在該旋轉方向上偏移之情形下該旋轉方向之偏差被修正的量之比較結果來縮小該檢索範圍，根據被縮小後的該檢索範圍來更新該最大值、該最小值、及該中央值。
如申請專利範圍第2項之基板位置控制方法，其中該第2計算工序係在反覆以該可修正數值範圍作為檢索範圍來取得該檢索範圍的最大值、該檢索範圍的最小值、該最大值與該最小值之間的中央值，計算出從該中央值在該旋轉方向上往該最大值一側或該最小值一側偏移預先決定之搜尋值後的暫定值，並根據使該基板以該中央值為依據而在該旋轉方向上偏移之情形下該旋轉方向之偏差被修正的量與使該基板以該暫定值為依據而在該旋轉方向上偏移之情形下該旋轉方向之偏差被修正的量之比較結果來縮小該檢索範圍，根據被縮小後的該檢索範圍來更新該最大值、該最小值、及該中央值的處理時，在使該檢索範圍往該最大值一側及該最小值一側的任一者縮小而被修正的量皆不會產生變化之情形，便將該中央值或該暫定值之中的任一者作為該旋轉修正值來加以計算出。
如申請專利範圍第1至4項中任一項之基板位置控制方法，其進一步具有：<br/>位置調整工序，係使該位置調整機構根據該第1位置調整資訊來調整該基板的位置；<br/>第1搬送工序，係在進行該位置調整工序後，會使該搬送機構將該基板搬送至該第1處理室；以及<br/>第2搬送工序，係在使該搬送機構將該基板從該第1處理室往該第2處理室搬送時，會根據該旋轉修正值及該伸縮修正值來修正該基板的位置。
如申請專利範圍第5項之基板位置控制方法，其中該記憶部所儲存之該第1位置調整資訊及該第2位置調整資訊係包含會藉由該位置調整機構而在三處來調整該基板的位置之資訊；<br/>該位置調整工序會使用該第1位置調整資訊來使該位置調整機構在三處來進行位置的調整。
如申請專利範圍第5項之基板位置控制方法，其進一步具有處理工序，係在藉由該第1搬送工序來將該基板搬送至該第1處理室後，藉由該第2搬送工序來將該基板從該第1處理室往該第2處理室搬送前，會在該第1處理室內對該基板施予既定處理。
如申請專利範圍第6項之基板位置控制方法，其進一步具有處理工序，係在藉由該第1搬送工序來將該基板搬送至該第1處理室後，藉由該第2搬送工序來將該基板從該第1處理室往該第2處理室搬送前，會在該第1處理室內對該基板施予既定處理。
一種基板處理系統，係具備：<br/>搬送室，係具有會藉由控制旋轉角度之旋轉控制與控制伸縮距離之伸縮控制來進行基板之搬送的搬送機構；<br/>第1處理室，係連接於該搬送室；<br/>第2處理室，係連接於該搬送室；<br/>加載互鎖室，係連接於該搬送室且具有會進行該基板之位置調整的位置調整機構；以及<br/>控制部；<br/>該控制部會執行包含下述工序的處理；<br/>第1計算工序，係參照會儲存用於對從該加載互鎖室被搬送至該第1處理室之該基板進行位置調整的第1位置調整資訊與用於對從該加載互鎖室被搬送至該第2處理室之該基板進行位置調整的第2位置調整資訊之記憶部來計算出差分資訊，該差分資訊係表示根據該第1位置調整資訊來調整位置後的該基板被搬送至該第2處理室之情形的位置與根據該第2位置調整資訊來調整位置後的該基板被搬送至該第2處理室之情形的位置之間在旋轉方向上的旋轉方向之偏差及在伸縮方向上的伸縮方向之偏差；<br/>第2計算工序，係在將該基板從該第1處理室搬送至該第2處理室之情形，會藉由從可修正該旋轉角度的數值範圍之中檢索出使該差分資訊所表示的該旋轉方向之偏差減少的該旋轉角度之二分搜尋，來計算出會修正該差分資訊所表示的該旋轉方向之偏差的旋轉修正值；以及<br/>第3計算工序，係計算出會修正該差分資訊所表示的該伸縮方向之偏差、與因依據該旋轉修正值來修正該基板在該旋轉方向上的位置所產生之伸縮方向的旋轉修正所致之偏差的伸縮修正值。
一種鑄模造模用黏結劑樹脂之製造方法，其係製造含有呋喃甲醇、雙羥甲基呋喃及呋喃樹脂之鑄模造模用黏結劑樹脂之方法， <br/>具有步驟A，即，於選自磷酸及硼酸中之1種以上之觸媒a以及中和鹽a之存在下使呋喃甲醇與甲醛反應， <br/>於使用磷酸作為觸媒a之情形時，中和鹽a為磷酸一中和鹽， <br/>於使用硼酸作為觸媒a之情形時，中和鹽a為硼酸一中和鹽， <br/>於上述步驟A中，相對於1莫耳之呋喃甲醇，上述觸媒a之使用量為0.0002莫耳以上0.01莫耳以下，相對於1莫耳之呋喃甲醇，上述中和鹽a之使用量以酸換算為0.003莫耳以上。
如請求項1之製造方法，其中上述步驟A之反應開始前之反應液之pH值為2以上5.5以下。
如請求項1或2之製造方法，其中於上述步驟A中，相對於1莫耳之呋喃甲醇，上述中和鹽a之使用量以酸換算為0.15莫耳以下。
如請求項1或2之製造方法，其中上述中和鹽a係選自鹼金屬鹽及胺鹽中之1種以上。
如請求項1或2之製造方法，其中上述鑄模造模用黏結劑樹脂中之呋喃甲醇之含量為30質量%以下。
如請求項1或2之製造方法，其中上述鑄模造模用黏結劑樹脂中之雙羥甲基呋喃之含量為8質量%以上。
如請求項1或2之製造方法，其中上述鑄模造模用黏結劑樹脂中之呋喃甲醇之含量為10質量%以上。
如請求項1或2之製造方法，其中上述鑄模造模用黏結劑樹脂中之雙羥甲基呋喃之含量為40質量%以下。
如請求項1或2之製造方法，其中上述鑄模造模用黏結劑樹脂中之呋喃樹脂之含量為30質量%以上60質量%以下。
如請求項1或2之製造方法，其中上述呋喃樹脂係選自由以下物質所組成之群中之1種以上： <br/>選自由呋喃甲醇與脲及醛類之縮合物、及呋喃甲醇與醛類之縮合物所組成之群中之1種以上；以及 <br/>選自上述由呋喃甲醇與脲及醛類之縮合物、及呋喃甲醇與醛類之縮合物所組成之群中之2種以上之共縮合物。
如請求項1或2之製造方法，其中上述觸媒a之中和度[中和鹽a/(觸媒a+中和鹽a)]為25%以上且未達100%。
一種鑄模造模用黏結劑組合物，其含有呋喃甲醇(成分A)、雙羥甲基呋喃(成分B)、呋喃樹脂(成分C)及水(成分D)，且 <br/>滿足下述條件(1)～(4)： <br/>條件(1)：上述鑄模造模用黏結劑組合物中之上述成分A之含量為30質量%以下； <br/>條件(2)：上述鑄模造模用黏結劑組合物中之上述成分B之含量為7質量%以上； <br/>條件(3)：上述鑄模造模用黏結劑組合物中之上述成分D之含量為25質量%以下； <br/>條件(4)：100 g上述鑄模造模用黏結劑組合物中，選自磷酸及硼酸中之1種以上之觸媒a之含量為0.01 g以上0.50 g以下，並且中和鹽a之含量以酸換算含有0.13 g以上， <br/>於使用磷酸作為觸媒a之情形時，中和鹽a為磷酸一中和鹽， <br/>於使用硼酸作為觸媒a之情形時，中和鹽a為硼酸一中和鹽。
如請求項12之鑄模造模用黏結劑組合物，其中上述呋喃樹脂含有選自由以下物質所組成之群中之1種以上： <br/>選自由呋喃甲醇與脲及醛類之縮合物、及呋喃甲醇與醛類之縮合物所組成之群中之1種以上；以及 <br/>選自上述由呋喃甲醇與脲及醛類之縮合物、及呋喃甲醇與醛類之縮合物所組成之群中之2種以上之共縮合物。
如請求項12或13之鑄模造模用黏結劑組合物，其中上述鑄模造模用黏結劑組合物中之上述成分A之含量超過0質量%。
如請求項12或13之鑄模造模用黏結劑組合物，其中上述鑄模造模用黏結劑組合物中之上述成分B之含量為30質量%以下。
如請求項12或13之鑄模造模用黏結劑組合物，其中100 g上述鑄模造模用黏結劑組合物中之上述中和鹽a之含量為15 g以下。
如請求項12或13之鑄模造模用黏結劑組合物，其中上述鑄模造模用黏結劑組合物中之上述成分C之含量相對於上述成分B之含量之比(上述成分C之含量/上述成分B之含量)為1以上7以下。
如請求項12或13之鑄模造模用黏結劑組合物，其中上述鑄模造模用黏結劑組合物中之上述成分C之含量為25質量%以上50質量%以下。
如請求項12或13之鑄模造模用黏結劑組合物，其中上述中和鹽a之以酸換算之含量相對於上述觸媒a之含量與上述中和鹽a之以酸換算之含量之合計量的比[中和鹽a之以酸換算之含量/觸媒a之含量+中和鹽a之以酸換算之含量]為0.25以上且未達1。
一種鑄模造模用組合物，其含有如請求項12至19中任一項之鑄模造模用黏結劑組合物、及包含使該鑄模造模用黏結劑組合物硬化之硬化劑之硬化劑組合物。
一種鑄模用組合物，其含有耐火性粒子、如請求項12至19中任一項之鑄模造模用黏結劑組合物、及包含使該鑄模造模用黏結劑組合物硬化之硬化劑之硬化劑組合物。
一種鑄模之製造方法，其包括：混合步驟，其係將耐火性粒子、如請求項12至19中任一項之鑄模造模用黏結劑組合物、及包含使該鑄模造模用黏結劑組合物硬化之硬化劑之硬化劑組合物進行混合而獲得鑄模用組合物；及硬化步驟，其係將上述鑄模用組合物裝填於模框中，並使該鑄模用組合物硬化。
一種式（Ⅰ）所示化合物、其光學異構體或其藥學上可接受的鹽， <br/><img align="absmiddle" height="42px" width="84px" file="ed10189.jpg" alt="ed10189.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中，環A為苯基； <br/>L<sub>1</sub>選自-O-和-S-； <br/>R<sub>8</sub>獨立地選自F、Cl、Br、I和CN； <br/>m獨立地為1或2； <br/>結構單元<img align="absmiddle" height="38px" width="48px" file="ed10190.jpg" alt="ed10190.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>選自<img align="absmiddle" height="25px" width="29px" file="ed10191.jpg" alt="ed10191.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="27px" width="29px" file="ed10192.jpg" alt="ed10192.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="27px" width="29px" file="ed10193.jpg" alt="ed10193.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="27px" width="29px" file="ed10194.jpg" alt="ed10194.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="26px" width="29px" file="ed10195.jpg" alt="ed10195.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="29px" file="ed10196.jpg" alt="ed10196.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="27px" width="29px" file="ed10197.jpg" alt="ed10197.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
根據請求項1所述化合物、其光學異構體或其藥學上可接受的鹽，其中，結構單元<img align="absmiddle" height="24px" width="34px" file="ed10198.jpg" alt="ed10198.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>選自<img align="absmiddle" height="24px" width="29px" file="ed10199.jpg" alt="ed10199.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="27px" file="ed10200.jpg" alt="ed10200.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="24px" width="25px" file="ed10201.jpg" alt="ed10201.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
根據請求項1所述化合物、其光學異構體或其藥學上可接受的鹽，其選自： <br/><img align="absmiddle" height="30px" width="48px" file="ed10203.jpg" alt="ed10203.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="30px" width="48px" file="ed10205.jpg" alt="ed10205.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="30px" width="48px" file="ed10206.jpg" alt="ed10206.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="33px" width="48px" file="ed10207.jpg" alt="ed10207.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="33px" width="48px" file="ed10208.jpg" alt="ed10208.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="32px" width="48px" file="ed10209.jpg" alt="ed10209.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="31px" width="48px" file="ed10210.jpg" alt="ed10210.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="26px" width="48px" file="ed10211.jpg" alt="ed10211.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="32px" width="48px" file="ed10212.jpg" alt="ed10212.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="32px" width="48px" file="ed10213.jpg" alt="ed10213.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="32px" width="48px" file="ed10214.jpg" alt="ed10214.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種如下式所示的化合物或其藥學上可接受的鹽，其選自： <br/><img align="absmiddle" height="40px" width="58px" file="ed10215.jpg" alt="ed10215.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="40px" width="58px" file="ed10216.jpg" alt="ed10216.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="40px" width="58px" file="ed10217.jpg" alt="ed10217.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="40px" width="53px" file="ed10218.jpg" alt="ed10218.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
根據請求項1~4任意一項所述化合物或其可藥用鹽在製備用於預防或治療HIF2α介導的疾病的藥物的用途。
根據請求項5所述的用途，其中，所述HIF2α介導的疾病選自腎癌、腦膠質瘤、Von Hippel-Lindau症候群、肺癌、結直腸癌、卵巢癌、乳腺癌、宮頸癌、胃癌、肝癌、甲狀腺癌、多發性骨髓瘤、胰腺導管癌、肺鱗狀細胞癌、結腸癌、血管瘤、肺動脈高壓和炎症性腸病。
一種由一使用者設備（UE）執行的用於發送位置資訊的方法，該方法包括以下步驟：<br/> 接收衛星定位系統（SPS）訊號；<br/> 決定所接收的SPS訊號是否可靠；<br/> 決定要發送給其他UE的一位置估計，其中若所接收的SPS訊號被決定為可靠，則用於決定該位置估計一的資訊源是該SPS訊號，並且若所接收的SPS訊號被決定為不可靠，則用於決定該位置估計的該資訊源是非SPS資訊；及<br/> 向一或多個UE發送一無線訊息，該無線訊息包括該UE的該位置估計和用於產生該位置估計的該資訊源的一指示，其中該資訊源的指示包括指示該資訊源是該SPS訊號還是該非SPS資訊的一變數，且其中該非SPS資訊指示基於無線訊號的一資訊源，該資訊源包含以下中的至少一個：蜂巢訊號、區域網路（LAN）訊號、側鏈訊號、到達時間差（TDOA）定位、到達角（AoA）定位、接收訊號強度（RSS）定位，或它們的任何組合。
根據請求項1之方法，其中在發送給該一或多個UE的一位置資訊訊息中的一資訊元素中提供該資訊源的一指示。
根據請求項1之方法，亦包括在發送到該一或多個UE的該無線訊息中提供該SPS訊號是否可靠的一指示。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟：<br/> 基於該SPS訊號來決定一第一位置估計；<br/> 基於該非SPS資訊來決定一第二位置估計；及<br/> 比較該第一位置估計與該第二位置估計；<br/> 其中基於該第一位置估計與該第二位置估計的該比較來決定所接收的SPS訊號是否可靠。
根據請求項4之方法，其中決定要發送給該其他UE的該位置估計包括，若所接收的SPS訊號被決定為可靠，則選擇該第一位置估計要發送給該其他UE，並且若所接收的SPS訊號被決定為不可靠，則選擇該第二位置估計要發送給該其他UE。
根據請求項1之方法，其中該非SPS資訊包括以下中的至少一個：該UE的一緩存的位置、感測器資訊、其他UE的接收的位置資訊、接收的蜂巢訊號、接收的區域網路（LAN）訊號，或它們的一組合。
根據請求項1之方法，其中該UE是以下中的一個：基於一車輛的UE、一路邊單元、行人手持UE或一智慧設備。
根據請求項1之方法，其中該無線訊息是以下中的一個：一車輛到一切（V2X）訊息、一對等訊息、基於基礎設施的訊息、一公共感知訊息（CAM）、一分散通知訊息（DENM）或一基本安全訊息（BSM）。
一種被配置用於發送位置資訊的使用者設備（UE），該UE包括：<br/> 至少一個無線收發器，被配置為與一無線網路中的實體無線通訊；<br/> 一衛星定位系統（SPS）接收器，被配置為接收SPS訊號；<br/> 至少一個記憶體；及<br/> 至少一個處理器，耦接到該至少一個無線收發器、該SPS接收器和該至少一個記憶體，其中該至少一個處理器被配置為：<br/> 經由該SPS接收器接收SPS訊號；<br/> 決定所接收的SPS訊號是否可靠；<br/> 決定要發送給其他UE的一位置估計，其中若所接收的SPS訊號被決定為可靠，則用於決定該位置估計的一資訊源是該SPS訊號，並且若所接收的SPS訊號被決定為不可靠，則用於決定該位置估計的該資訊源是非SPS資訊；及<br/> 經由該至少一個無線收發器向一或多個UE發送一無線訊息，該無線訊息包括該UE的該位置估計和用於產生該位置估計的該資訊源的指示，其中該資訊源的指示包括指示該資訊源是該SPS訊號還是該非SPS資訊的一變數，且其中該非SPS資訊指示基於無線訊號的一資訊源，該資訊源包含以下中的至少一個：蜂巢訊號、區域網路（LAN）訊號、側鏈訊號、到達時間差（TDOA）定位、到達角（AoA）定位、接收訊號強度（RSS）定位，或它們的任何組合。
根據請求項9之UE，其中在發送給該一或多個UE的一位置資訊訊息中的資訊元素中提供該資訊源的一指示。
根據請求項9之UE，其中該至少一個處理器亦被配置為在發送到該一或多個UE的該無線訊息中提供該SPS訊號是否可靠的一指示。
根據請求項9之UE，其中該至少一個處理器亦被配置為：<br/> 基於該SPS訊號來決定一第一位置估計；<br/> 基於該非SPS資訊來決定一第二位置估計；及<br/> 比較該第一位置估計與該第二位置估計；<br/> 其中基於該第一位置估計與該第二位置估計的該比較來決定所接收的SPS訊號是否可靠。
根據請求項12之UE，其中該至少一個處理器經由被配置為進行以下，被配置為決定要發送給該其他UE的該位置估計：若所接收的SPS訊號被決定為可靠，則選擇該第一位置估計要發送給該其他UE，並且若所接收的SPS訊號被決定為不可靠，則選擇該第二位置估計要發送給該其他UE。
根據請求項9之UE，其中該非SPS資訊包括以下中的至少一個：該UE的一緩存的位置、感測器資訊、其他UE的接收的位置資訊、接收的蜂巢訊號、接收的區域網路（LAN）訊號，或它們的一組合。
根據請求項9之UE，其中該UE是以下中的一個：一基於車輛的UE、一路邊單元、行人手持UE或一智慧設備。
根據請求項9之UE，其中該無線訊息是以下中的一個：一車輛到一切（V2X）訊息、一對等訊息、一基於基礎設施的訊息、一公共感知訊息（CAM）、一分散通知訊息（DENM）或一基本安全訊息（BSM）。
一種被配置用於發送位置資訊的使用者設備（UE），該UE包括：<br/> 用於接收衛星定位系統（SPS）訊號的部件；<br/> 用於決定所接收的SPS訊號是否可靠的部件；<br/> 用於決定要發送給其他UE的一位置估計的部件，其中若所接收的SPS訊號被決定為可靠，則用於決定該位置估計的一資訊源是該SPS訊號，並且若所接收的SPS訊號被決定為不可靠，則用於決定該位置估計的該資訊源是非SPS資訊；及<br/> 用於向一或多個UE發送一無線訊息的部件，該無線訊息包括該UE的該位置估計和用於產生該位置估計的該資訊源的一指示，其中該資訊源的指示包括指示該資訊源是該SPS訊號還是該非SPS資訊的一變數，且其中該非SPS資訊指示基於無線訊號的一資訊源，該資訊源包含以下中的至少一個：蜂巢訊號、區域網路（LAN）訊號、側鏈訊號、到達時間差（TDOA）定位、到達角（AoA）定位、接收訊號強度（RSS）定位，或它們的任何組合。
根據請求項17之UE，其中在發送給該一或多個UE的位置資訊無線訊息中的一資訊元素中提供該資訊源的一指示。
根據請求項17之UE，亦包括：<br/> 用於基於該SPS訊號來決定一第一位置估計的部件；<br/> 用於基於該非SPS資訊來決定一第二位置估計的部件；及<br/> 用於比較該第一位置估計和該第二位置估計的部件；<br/> 其中基於該第一位置估計與該第二位置估計的該比較來決定所接收的SPS訊號是否可靠。
一種機器人晶圓裝卸設備，包括：<br/>校準艙，用於校準所述機器人晶圓裝卸設備，所述校準艙包括艙體，配置成用於通過所述機器人晶圓裝卸設備來處理、至少三個雷射裝置，設置在所述艙體的底部上以及電源模組，設置在所述艙體上或所述艙體中，且可操作地連接以對所述至少三個雷射裝置供電；<br/>半導體元件製造設備的裝載埠，所述裝載埠具有帶有橫向圖案的多個對準引腳，且所述裝載埠更具有帶有相同橫向圖案的多個對準特徵，其中所述多個對準特徵的橫向圖案相對於所述裝載埠的所述多個對準引腳的橫向圖案具有橫向偏移；以及<br/>配置成將相關聯的晶圓載體裝載於所述裝載埠中的機器人，相關聯的所述晶圓載體配置成攜載半導體晶圓盒，且具有帶有多個孔的底部，所述多個孔具有與所述裝載埠的所述對準引腳相同的橫向圖案，使得所述晶圓載體裝載於所述裝載埠中時，所述裝載埠的所述對準引腳匹配到所述晶圓載體的所述底部；<br/>其中所述機器人與所述裝載埠之間未橫向對準具有所述橫向偏移，且所述橫向偏移為所述裝載埠的所述多個對準特徵的所述橫向圖案相對於所述裝載埠的所述多個對準引腳的所述橫向圖案之間的所述橫向偏移。
如請求項1所述的機器人晶圓裝卸設備，其中所述艙體包括配置成攜載所述半導體晶圓盒的晶圓載體，所述所述晶圓載體具有帶有至少三個孔的底部，以用於在所述半導體元件製造設備的所述裝載埠中對準放置所述晶圓載體，且所述至少三個雷射裝置對應於所述晶圓載體的所述底部中的所述至少三個孔，且每一雷射裝置安裝在所述晶圓載體的所述底部的相應孔中。
如請求項2所述的機器人晶圓裝卸設備，其中所述至少三個雷射裝置定向成在所述校準艙在所述裝載埠上方時從所述艙體的所述底部朝向所述裝載埠輸出光，且所述至少三個雷射裝置定向成提供相對於所述校準艙的二正交平移方向以及所述校準艙的旋轉的橫向對準。
如請求項2所述的機器人晶圓裝卸設備，其中所述電源模組設置在所述艙體的所述底部上。
如請求項1所述的機器人晶圓裝卸設備，其中通過修改晶圓載體來製造所述校準艙，所述晶圓載體配置成攜載半導體晶圓盒且配置成用於通過所述機器人艙裝卸設備來處理，所述修改包括：<br/>將所述雷射裝置安裝在所述晶圓載體的底部中的孔中；<br/>將所述電源模組安裝在所述晶圓載體的所述底部上；以及<br/>將所述雷射裝置連接到所述電源模組。
一種機器人晶圓裝卸設備，包括：<br/>半導體元件製造設備的裝載埠，所述裝載埠具有帶有橫向圖案的多個對準引腳；<br/>配置成將相關聯的晶圓載體裝載於所述裝載埠中的機器人，相關聯的所述晶圓載體配置成攜載半導體晶圓盒，且具有帶有多個孔的底部，所述多個孔具有與所述裝載埠的所述對準引腳相同的橫向圖案；以及<br/>校準艙，配置成用於通過機器人來處理，且所述校準艙包括具有底部的艙體和多個雷射裝置，所述雷射裝置以與所述裝載埠的所述對準引腳相同的橫向圖案設置在所述艙體的所述底部上，且從所述校準艙發射雷射光束；<br/>其中所述裝載埠包含多個光學檢測器，所述多個光學檢測器具有與所述多個雷射的所述橫向圖案相同的橫向圖案，其中所述多個雷射的所述橫向圖案與所述對準引腳的橫向圖案之間具有橫向偏移<img align="absmiddle" height="7px" width="7px" file="ed10002.jpg" alt="ed10002.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/>當所述雷射光束與所述裝載埠的所述對準引腳對準時，所述機器人與所述裝載埠橫向對準，且當所述多個雷射的所述雷射光束由所述多個光學檢測器中的相應光學檢測器檢測到時，所述機器人與所述裝載埠之間的未橫向對準具有所述橫向偏移<img align="absmiddle" height="7px" width="7px" file="ed10002.jpg" alt="ed10002.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項6所述的機器人晶圓裝卸設備，更包括：機器人配置記憶體以用於儲存所述機器人與所述裝載埠的所述橫向對準。
一種校準機器人的方法，所述機器人配置成將晶圓載體裝載於半導體元件製造設備的裝載埠中，所述半導體元件製造設備包括使所述裝載埠的所述對準引腳匹配到所述晶圓載體的底部的相應孔，所述方法包括：<br/>操作機器人以在裝載埠上方移動校準艙，以使得校準艙的多個雷射裝置將雷射光束從校準艙往下輸出到裝載埠上；<br/>通過操作機器人以調整校準艙的橫向位置以使雷射光束與裝載埠的對應對準特徵對準來確定機器人相對於裝載埠的橫向對準，其中所述對準特徵具有與所述裝載埠的所述對準引腳相同的橫向圖案，但所述對準特徵的所述橫向圖案相對於所述對準引腳的所述橫向圖案具有橫向偏移；以及<br/>將所確定橫向對準儲存在機器人配置記憶體中。
如請求項8所述的方法，其中所述裝載埠的所述對準特徵是貼紙，且所述貼紙為所述裝載埠的平坦表面中的雕刻或所述平坦表面上的凸起部。
如請求項8所述的方法，更包括：<br/>由晶圓載體建構所述校準艙，所述晶圓載體配置成由所述機器人裝載於所述裝載埠中，所述建構包含將所述多個雷射裝置中的所述雷射插入到所述晶圓載體的底部中的孔中。
一種軸的支持構造，具備：<br/> 軸；及<br/> 支持構件，具有供前述軸從一端壓入的孔，<br/> 前述軸具有前述一端的直徑比周面的直徑還小的錐度面部，<br/> 前述錐度面部係在與周面連接的連接部被施以曲面加工，<br/> 前述軸具有從前述一端貫通另一端的貫通孔，<br/> 前述貫通孔為，從前述一端側算起在軸線方向上既定長度之區域中的孔徑大於前述另一端側的孔徑。
一種磁性檢測裝置，具備：<br/> 經磁化的磁石；<br/> 磁性感測器，偵測源自於該磁石的磁通；<br/> 磁石保持器，保持前述磁石；<br/> 軸，將前述磁石以可旋轉的方式支持；及<br/> 支持構件，具有供前述軸從一端壓入的孔，<br/> 前述軸係從周面的一端算起在軸線方向上既定長度之區域，且被壓入於前述孔，<br/> 前述軸具有錐度面部，前述錐度面部之前述一端的直徑小於周面的直徑，<br/> 前述錐度面部係在與周面連接的連接部被施以曲面加工，<br/> 前述軸具有從前述一端貫通到另一端之貫通孔，<br/> 前述貫通孔為，從前述一端側算起在軸線方向上既定長度之區域中的孔徑大於前述另一端側的孔徑。
如請求項2之磁性檢測裝置，其具備：<br/> 磁石支持部，將前述磁石支持在前述軸的前端側；及<br/> 磁石保持部，從前述軸的前端側覆蓋前述磁石及前述磁石支持部且將前述磁石保持在前述軸的前端側，<br/> 前述磁石保持部係由斷裂伸度特性比前述磁石支持部的斷裂伸度特性大的材料所形成，且具有：磁石接合部，與前述磁石的前述軸的前端側的面及外周部相接；及嵌裝部，與前述磁石支持部的外周部嵌裝。
一種絕對型編碼器，其具備如請求項2或3之磁性檢測裝置。
一種具有非化學計量組成之化合物用密封材，其包含可配置於前述具有非化學計量組成之化合物側之聚合物層、及與前述具有非化學計量組成之化合物相反之一側之前述聚合物層上的無機氧化物絕緣體層，且 <br/>前述無機氧化物絕緣體層係使用原子層沉積法或濺鍍法而形成者， <br/>前述聚合物層包含含有機溶劑可溶性聚合物之第1聚合物層、及位於前述第1聚合物層與前述無機氧化物絕緣體層之間的第2聚合物層， <br/>前述第2聚合物層由化學氣相沉積膜形成。
如請求項1之密封材，其中，前述第1聚合物層、前述第2聚合物層及前述無機氧化物絕緣體層之合計厚度為100 nm以下。
如請求項1或2之密封材，其中，前述有機溶劑可溶性聚合物為丙烯酸系聚合物、苯乙烯系聚合物、氟系聚合物、熱交聯性聚合物、或其等之組合。
如請求項1或2之密封材，其中，前述無機氧化物絕緣體層之無機氧化物絕緣體為AlOx、HfOx、ZrOx、SiOx、TiOx、或其等之組合。
如請求項1或2之密封材，其中，前述化學氣相沉積膜為聚對二甲苯。
如請求項1或2之密封材，其中，前述具有非化學計量組成之化合物為非晶質金屬氧化物無機半導體膜。
如請求項6之密封材，其中，前述非晶質金屬氧化物無機半導體膜具有於與前述非晶質金屬氧化物無機半導體膜之主表面垂直之方向上缺氧狀態不同之分布，且表面之缺氧較內部多。
一種電子元件，其包含請求項1至7中任一項之密封材。
一種具有非化學計量組成之化合物用密封材之製造方法，其包含以下步驟： <br/>準備基板； <br/>製備溶解有第1聚合物之有機溶劑； <br/>於前述基板上塗佈前述溶解有第1聚合物之有機溶劑而形成包含第1聚合物層之聚合物層；及 <br/>使用原子層沉積法或濺鍍法，於前述聚合物層上形成無機氧化物絕緣體層而獲得密封材， <br/>前述形成聚合物層包含使用化學氣相沉積法，於前述第1聚合物層上形成作為化學氣相沉積膜之第2聚合物層，且 <br/>前述形成無機氧化物絕緣體層包含於前述第2聚合物層上形成前述無機氧化物絕緣體層。
一種推進器風扇陣列，其包括： <br/>複數個推進器風扇，其等經構形以共同產生推力，該複數個推進器風扇之各者包含: <br/>一葉片風扇，其具有複數個葉片，其中該複數個葉片之各葉片之一尖端被張緊，使得該複數個葉片在推力產生期間之一俯仰實質上相同於該複數個葉片在靜止時之一俯仰；及 <br/>一張力環，其包含一本體及該本體中之複數個開口，該複數個開口之各開口延伸穿過該張力環之該本體之一整個徑向厚度， <br/>其中該複數個葉片之各葉片包含一第一端、一第二端及該第一端與該第二端之間的一翼片，其中該複數個葉片之各葉片之該第一端係安置於該張力環之該複數個開口之一對應者內以維持該複數個葉片在推力產生期間之該俯仰實質上相同於該等複數個葉片在靜止時之該俯仰，及 <br/>其中安置於該複數個開口之該對應者內之該複數個葉片之各葉片之該第一端之一寬度係寬於該翼片之一第一端，該葉片之該第一端係自該翼片之該第一端延伸，其中該翼片之該第一端不安置於該複數個開口之該對應者內。
如請求項1之推進器風扇陣列，其中該複數個葉片係配置在一圓環內，該複數個葉片之各葉片之該第二端相較於各葉片之該第一端更靠近該圓環之一中心。
如請求項1之推進器風扇陣列，其中該複數個推進器風扇之各者包括至少部分環繞該葉片風扇之一風管。
如請求項1之推進器風扇陣列，其中該複數個葉片包含超過五個葉片。
如請求項4之推進器風扇陣列，其中該複數個葉片包含至少20個葉片和至多840個葉片。
如請求項2之推進器風扇陣列，其中該複數個葉片之各者之該第一端包含位於該翼片之該第一端處之一第一鎖定端，而該複數個葉片之各者之該第二端包含一第二鎖定端，其位於與該翼片之該第一端對置之該翼片之一第二端處，該翼片之該第二端更靠近由該複數個葉片形成之該圓環之中心；及 <br/>其中該第一鎖定端在一第一方向之一寬度以及該第一鎖定端在不同於該第一方向之一第二方向之一厚度係分別大於該翼片之該第一端在該第一方向之一寬度與該翼片之該第一端在該第二方向之一厚度，而該第二鎖定端在該第一方向之一寬度以及該第二鎖定端在該第二方向之一厚度係分別大於該翼片之該第二端在該第一方向之一寬度與該翼片之該第二端在該第二方向之一厚度。
如請求項6之推進器風扇陣列，其中該複數個葉片之各葉片之該第一鎖定端經構形以藉由在安置於該張力環之該複數個開口之該對應者中時直接與該張力環之該本體接觸來張緊該個別葉片之該尖端。
如請求項1之推進器風扇陣列，其中該複數個葉片之各葉片與該複數個葉片之至少另一者部分重疊。
如請求項6之推進器風扇陣列，其中該複數個推進器風扇之各推進器風扇進一步包括經構形以連接至該葉片風扇之一鎖定環，該鎖定環包括： <br/>一第一端，其具有一第一直徑； <br/>一第二端，其與該第一端對置，該第二端具有大於該第一直徑之一第二直徑； <br/>複數個突出部，其自該鎖定環之該第一端朝向該鎖定環之該第二端延伸； <br/>複數個狹槽，其等位於該鎖定環之該第一端處，該複數個狹槽之各者安置於來自該複數個突出部之一對突出部之間；及 <br/>複數個螺紋，其位於該鎖定環之一內表面，該複數個螺紋自該鎖定環之該第二端延伸至該複數個狹槽之端部。
如請求項9之推進器風扇陣列，其中各第二鎖定端安置於該鎖定環之該複數個狹槽之一對應者內以將該鎖定環直接連接至該葉片風扇。
如請求項10之推進器風扇陣列，其中各第二鎖定端與形成其中安置該第二鎖定端之一狹槽之該對突出部直接接觸以在推力產生期間及靜止時維持該複數個葉片之各者之一根部之一俯仰而不會接觸該複數個葉片之另一第二鎖定端。
一種飛機，其包括： <br/>一機身； <br/>複數個機翼，其等連接至該機身；及 <br/>複數個推進器風扇陣列，該複數個推進器風扇陣列之各者整合至該複數個機翼之一對應者中且包括： <br/>複數個推進器風扇，其等經構形以共同產生該飛機之推力，該複數個推進器風扇之各推進器風扇者包含: <br/>一葉片風扇，其具有複數個葉片，其中該複數個葉片之各葉片之一尖端被張緊，使得該複數個葉片在推力產生期間之一俯仰實質上相同於該複數個葉片在靜止時之一俯仰；及 <br/>一張力環，其包含一本體及該本體中之複數個開口，該複數個開口之各開口延伸穿過該張力環之該本體之一整個徑向厚度， <br/>其中該複數個葉片之各葉片包含一第一端、一第二端及該第一端與該第二端之間的一翼片，其中該複數個葉片之各葉片之該第一端係安置於該張力環之該複數個開口之一對應者內以維持該複數個葉片在推力產生期間之該俯仰實質上相同於該等複數個葉片在靜止時之該俯仰，及 <br/>其中安置於該複數個開口之該對應者內之該複數個葉片之各葉片之該第一端之一寬度係寬於該翼片之一第一端，該葉片之該第一端係自該翼片之該第一端延伸，其中該翼片之該第一端不安置於該複數個開口之該對應者內。
如請求項12之飛機，其中該複數個葉片係配置在一圓環內，該複數個葉片之各葉片之該第二端相較於各葉片之該第一端更靠近該圓環之一中心。
如請求項12之飛機，其中該複數個葉片包含超過五個葉片。
如請求項13之飛機，其中該複數個葉片之各者之該第一端包含位於該翼片之該第一端處之一第一鎖定端，而該複數個葉片之各者之該第二端包含一第二鎖定端，其位於與該翼片之該第一端對置之該翼片之一第二端處，該翼片之該第二端更靠近由該複數個葉片形成之該圓環之中心；及 <br/>其中該第一鎖定端在一第一方向之一寬度以及該第一鎖定端在不同於該第一方向之一第二方向之一厚度係分別大於該翼片之該第一端在該第一方向之一寬度與該翼片之該第一端在該第二方向之一厚度，而該第二鎖定端在該第一方向之一寬度以及該第二鎖定端在該第二方向之一厚度係分別大於該翼片之該第二端在該第一方向之一寬度與該翼片之該第二端在該第二方向之一厚度。
如請求項15之飛機，其中該複數個葉片之各葉片之該第一鎖定端經構形以藉由在安置於該張力環之該複數個開口之該對應者中時直接與該張力環之該本體接觸來張緊該個別葉片之該尖端。
如請求項15之飛機，其中該複數個推進器風扇之各推進器風扇進一步包括經構形以連接至該葉片風扇之一鎖定環，該鎖定環包括： <br/>一第一端，其具有一第一直徑； <br/>一第二端，其與該第一端對置，該第二端具有大於該第一直徑之一第二直徑； <br/>複數個突出部，其自該鎖定環之該第一端朝向該鎖定環之該第二端延伸； <br/>複數個狹槽，其等位於該鎖定環之該第一端處，該複數個狹槽之各者安置於來自該複數個突出部之一對突出部之間；及 <br/>複數個螺紋，其位於該鎖定環之一內表面，該複數個螺紋自該鎖定環之該第二端延伸至該複數個狹槽之端部。
如請求項17之飛機，其中各第二鎖定端安置於該鎖定環之該複數個狹槽之一對應者內以將該鎖定環連接至該葉片風扇。
如請求項18之飛機，其中各第二鎖定端與形成其中安置該第二鎖定端之一狹槽之該對突出部直接接觸以在推力產生期間及靜止時維持該複數個葉片之各者之一根部之一俯仰而不會接觸該複數個葉片之另一第二鎖定端。
如請求項17之飛機，其進一步包括： <br/>一輪轂，其具有一第一端與一第二端，該輪轂包含複數個螺紋，該等螺紋自該輪轂之該第二端朝向該輪轂之該第一端延伸，而不會延伸至該輪轂之該第一端， <br/>其中該輪轂之該第二端被插入至該鎖定環之該第二端，使得該輪轂之該複數個螺紋連接至該鎖定環之該複數個螺紋。
一種排氣控制系統，其包括： <br/>一尾錐，其經構形以直接連接至一推進器風扇之一定子，該尾錐包含： <br/>該尾錐之一第一端，其具有複數個同心環，該等同心環具有一第一環與一第二環，該第一環具有經構形以連接至該推進器風扇之該定子之一第一端及與該第一環之該第一端對置之一第二端，而該第二環具有與該第一環之該第二端重疊之一第一端，從而該第一環之該第二端被插入至該第二環之該第一端與該第二環之該第二端中； <br/>該尾錐之一第二端，其與該第一端對置；及 <br/>一中間部分，其具有一端，該第二環之該第二端係插入至該中間部分之該端，且該中間部分係安置於該第二環之該第二端與該尾錐之該第二端之間，該中間部分具有一直徑，其大於該尾錐之該第一端之一直徑及該尾錐之該第二端之一直徑；及 <br/>一控制機構，其經構形以調整該第一環之該第二端與該尾錐之該第二環之該第一端之間的一重疊量，並調整該第二環之該第二端與該尾錐之該中間部分之間的一重疊量，以調整該尾錐之一長度，使得該推進器風扇之一出口內之該中間部分之一位置改變，藉此變動該推進器風扇之該出口之一區域。
如請求項1之排氣控制系統，其中該控制機構係連接至該尾錐之該第二端。
如請求項2之排氣控制系統，其中該控制機構經構形以增加該複數個同心環之間的該重疊量以減小該尾錐之該長度，使得該中間部分更靠近該第一端，藉此增大該推進器風扇之該出口之該區域來增大推力。
如請求項3之排氣控制系統，其中該控制機構經構形以減少該複數個同心環之間的該重疊量以增大該尾錐之該長度，使得該中間部分更遠離該第一端，藉此減小該推進器風扇之該出口之該區域來減小推力。
如請求項4之排氣控制系統，其中該推進器風扇之該出口之一最小區域對應於該中間部分之一部分之一第一位置，該中間部分具有一最大直徑，該最大直徑對準該推進器風扇之該出口之一後緣，而該推進器風扇之該出口之一最大區域對應於該中間部分之該部分之一第二位置，當一最大重疊量在該複數個同心環之間時，該中間部分自該推進器風扇之該出口之該後緣後緣嵌入。
一種推進器系統，其包括： <br/>一推進器風扇，其經構形以產生推力，該推進器風扇包含： <br/>一定子；及 <br/>一尾錐，其經構形以連接至該定子，該尾錐包含： <br/>該尾錐之一第一端，其具有複數個同心環，該等同心環具有一第一環與一第二環，該第一環具有經構形以連接至該推進器風扇之該定子之一第一端及與該第一環之該第一端對置之一第二端，而該第二環具有與該第一環之該第二端重疊之一第一端，從而該第一環之該第二端被插入至該第二環之該第一端與該第二環之該第二端中； <br/>該尾錐之一第二端，其與該第一端對置；及 <br/>一中間部分，其具有一端，該第二環之該第二端係插入至該中間部分之該端，且該中間部分係安置於該第二環之該第二端與該尾錐之該第二端之間，該中間部分具有一直徑，其大於該尾錐之該第一端之一直徑及該尾錐之該第二端之一直徑；及 <br/>一控制機構，其經構形以調整該第一環之該第二端與該尾錐之該第二環之該第一端之間的一重疊量，並調整該第二環之該第二端與該尾錐之該中間部分之間的一重疊量，以調整該尾錐之一長度，使得該推進器風扇之一出口內之該中間部分之一位置改變，藉此變動該推進器風扇之該出口之一區域。
如請求項6之推進器系統，其中該控制機構係連接至該尾錐之該第二端。
如請求項7之推進器系統，其中該控制機構經構形以增加該複數個同心環之間的該重疊量以減小該尾錐之該長度，使得該中間部分更靠近該第一端，藉此增大該推進器風扇之該出口之該區域來增大推力。
如請求項8之推進器系統，其中該控制機構經構形以減少該複數個同心環之間的該重疊量以增大該尾錐之該長度，使得該中間部分更遠離該第一端，藉此減小該推進器風扇之該出口之該區域來減小推力。
如請求項9之推進器系統，其中該推進器風扇之該出口之一最小區域對應於該中間部分之一部分之一第一位置，該中間部分具有一最大直徑，該最大直徑對準該推進器風扇之該出口之一後緣，而該推進器風扇之該出口之一最大區域對應於該中間部分之該部分之一第二位置，當一最大重疊量在該複數個同心環之間時，該中間部分自該推進器風扇之該出口之該後緣嵌入。
第一UE（用戶裝備），包含： <br/>收發器； <br/>記憶體；以及 <br/>處理器，其通信地耦合到該收發器及該記憶體，該處理器被組態以： <br/>識別在該第一UE之可接受接近度內的複數個候選UE； <br/>基於與該第一UE相關聯的第一PRS（定位參考信號）組態及各自與該複數個候選UE中的相應一個候選UE相關聯的第二PRS組態之重疊，來從該複數個候選UE中選擇第二UE作為位置資訊施體； <br/>經由該收發器與該第二UE進行通信，以識別將由該第二UE進行的第一PRS測量； <br/>經由該收發器經由側行鏈路通信從該第二UE接收基於該第一PRS測量的第一位置資訊；以及 <br/>經由該收發器向網路實體傳送該第一位置資訊。
如請求項1之第一UE，其中，該處理器進一步被組態以：決定該第二UE與該第一UE的接近度，以及基於該第二UE與該第一UE的該接近度可接受地接近來向該網路實體傳送該第一位置資訊。
如請求項1之第一UE，其中，該處理器進一步被組態以： <br/><br/>基於該複數個候選UE之處理能力來從該複數個候選UE中選擇該第二UE用作位置資訊施體。
如請求項1之第一UE，其中，該處理器進一步被組態以： <br/>基於該複數個候選UE中該第二UE距離該第一UE最近來從該複數個候選UE中選擇該第二UE用作位置資訊施體。
如請求項1之第一UE，其中，該處理器進一步被組態以：向該第二UE傳送針對該第二UE以週期性、半持久性或非週期性地中的一種方式請求的週期來傳送該第一位置資訊的請求。
如請求項5之第一UE，其中，該請求的週期是基於該第一UE針對該第一位置資訊的報告週期的。
如請求項1之第一UE，其中，該處理器進一步被組態以：針對該第一PRS測量向該第二UE指示傳送/接收點（TRP）、或該TRP及PRS資源集、或該TRP及該PRS資源集及PRS資源、或UE-ID（UE身份）、或該UE-ID及側行鏈路PRS資源相關ID。
如請求項1之第一UE，其中，該處理器進一步被組態以：藉由將該第一PRS測量與由除該第二UE以外的裝置進行的類似測量進行比較來驗證在該第一位置資訊中指示的該第一PRS測量。
如請求項1之第一UE，其中，該處理器進一步被組態以： <br/>測量PRS資源以決定第二PRS測量；以及 <br/>基於該第二PRS測量來經由該收發器向該網路實體傳送第二位置資訊。
如請求項1之第一UE，其中，該處理器進一步被組態以：向該網路實體傳送具有指示包括該第一UE及該第二UE的組的組指示的該第一位置資訊。
一種位置資訊報告方法，包含： <br/>識別在第一UE之可接受接近度內的複數個候選UE； <br/>基於與該第一UE相關聯的第一PRS（定位參考信號）組態及各自與該複數個候選UE中的相應一個候選UE相關聯的第二PRS組態之重疊，來從該複數個候選UE中選擇第二UE作為位置資訊施體； <br/>由第一UE（用戶裝備）與該第二UE進行通信，以識別將由該第二UE進行的第一PRS測量； <br/>由該第一UE經由側行鏈路通信從該第二UE接收基於該第一PRS測量的第一位置資訊；以及 <br/>從該第一UE向網路實體傳送該第一位置資訊。
如請求項11之方法，進一步包含：決定該第二UE與該第一UE的接近度，其中，向該網路實體傳送該第一位置資訊包含：基於該第二UE與該第一UE的該接近度可接受地接近來向該網路實體傳送該第一位置資訊。
如請求項11之方法，進一步包含： <br/>基於該複數個候選UE之處理能力來從該複數個候選UE中選擇該第二UE用作位置資訊施體。
如請求項11之方法，進一步包含： <br/>基於該複數個候選UE中該第二UE距離該第一UE最近來從該複數個候選UE中選擇該第二UE用作位置資訊施體。
如請求項11之方法，進一步包含：向該第二UE傳送針對該第二UE以週期性、半持久性或非週期性地中的一種方式請求的週期來傳送該第一位置資訊的請求。
如請求項15之方法，其中，該請求的週期是基於該第一UE針對該第一位置資訊的報告週期的。
如請求項11之方法，進一步包含：由該第一UE針對該第一PRS測量向該第二UE指示傳送/接收點（TRP）、或該TRP及PRS資源集、或該TRP及該PRS資源集及PRS資源、或UE-ID（UE身份）、或該UE-ID及側行鏈路PRS資源相關ID。
如請求項11之方法，進一步包含：藉由將該第一PRS測量與由除該第二UE以外的裝置進行的類似測量進行比較來驗證在該第一位置資訊中指示的該第一PRS測量。
如請求項11之方法，進一步包含： <br/>由該第一UE測量PRS資源以決定第二PRS測量；以及 <br/>基於該第二PRS測量來從該第一UE向該網路實體傳送第二位置資訊。
如請求項11之方法，進一步包含：向該網路實體傳送具有指示包括該第一UE及該第二UE的組的組指示的該第一位置資訊。
第一UE（用戶裝備），包含： <br/>用於識別在該第一UE之可接受接近度內的複數個候選UE的構件； <br/>用於基於與該第一UE相關聯的第一PRS（定位參考信號）組態及各自與該複數個候選UE中的相應一個候選UE相關聯的第二PRS組態之重疊，來從該複數個候選UE中選擇第二UE作為位置資訊施體的構件； <br/>用於與該第二UE進行通信以識別將由該第二UE進行的第一PRS測量的構件； <br/>用於經由側行鏈路通信從該第二UE接收基於該第一PRS測量的第一位置資訊的構件；以及 <br/>用於向網路實體傳送該第一位置資訊的構件。
如請求項21之第一UE，進一步包含：用於決定該第二UE與該第一UE的接近度的構件，其中，該用於向該網路實體傳送該第一位置資訊的構件包含：用於基於該第二UE與該第一UE的該接近度可接受地接近來向該網路實體傳送該第一位置資訊的構件。
如請求項21之第一UE，進一步包含： <br/>用於基於該複數個候選UE之處理能力來從該複數個候選UE中選擇該第二UE用作位置資訊施體的構件。
如請求項21之第一UE，進一步包含： <br/>用於基於該複數個候選UE中該第二UE距離該第一UE最近來從該複數個候選UE中選擇該第二UE用作位置資訊施體的構件。
如請求項21之第一UE，進一步包含：用於向該第二UE傳送針對該第二UE以週期性、半持久性或非週期性地中的一種方式請求的週期來傳送該第一位置資訊的請求的構件。
如請求項25之第一UE，其中，該請求的週期是基於該第一UE針對該第一位置資訊的報告週期的。
如請求項21之第一UE，進一步包含：用於針對該第一PRS測量向該第二UE指示傳送/接收點（TRP）、或該TRP及PRS資源集、或該TRP及該PRS資源集及PRS資源、或UE-ID（UE身份）、或該UE-ID及側行鏈路PRS資源相關ID的構件。
如請求項21之第一UE，進一步包含：用於藉由將該第一PRS測量與由除該第二UE以外的裝置進行的類似測量進行比較來驗證在該第一位置資訊中指示的該第一PRS測量的構件。
如請求項21之第一UE，進一步包含： <br/>用於測量PRS資源以決定第二PRS測量的構件；以及 <br/>用於基於該第二PRS測量來向該網路實體傳送第二位置資訊的構件。
如請求項21之第一UE，進一步包含：用於向該網路實體傳送具有指示包括該第一UE及該第二UE的組的組指示的該第一位置資訊的構件。
一種非暫時性處理器可讀儲存媒體，包含用於使得第一UE（用戶裝備）之處理器進行以下操作的處理器可讀指令： <br/>識別在該第一UE之可接受接近度內的複數個候選UE； <br/>基於與該第一UE相關聯的第一PRS（定位參考信號）組態及各自與該複數個候選UE中的相應一個候選UE相關聯的第二PRS組態之重疊，來從該複數個候選UE中選擇第二UE作為位置資訊施體； <br/>與該第二UE進行通信以識別將由該第二UE進行的第一PRS測量； <br/>經由側行鏈路通信從該第二UE接收基於該第一PRS測量的第一位置資訊；以及 <br/>向網路實體傳送該第一位置資訊。
如請求項31之儲存媒體，進一步包含用於使得該處理器進行以下操作的處理器可讀指令：決定該第二UE與該第一UE的接近度，其中，該用於使得該處理器向該網路實體傳送該第一位置資訊的指令包含用於使得該處理器進行以下操作的處理器可讀指令：基於該第二UE與該第一UE的該接近度可接受地接近來向該網路實體傳送該第一位置資訊。
如請求項31之儲存媒體，進一步包含用於使得該處理器進行以下操作的處理器可讀指令： <br/>基於該複數個候選UE之處理能力來從該複數個候選UE中選擇該第二UE用作位置資訊施體。
如請求項31之儲存媒體，進一步包含用於使得該處理器進行以下操作的處理器可讀指令： <br/>基於該複數個候選UE中該第二UE距離該第一UE最近來從該複數個候選UE中選擇該第二UE用作位置資訊施體。
如請求項31之儲存媒體，進一步包含用於使得該處理器進行以下操作的處理器可讀指令：向該第二UE傳送針對該第二UE以週期性、半持久性或非週期性地中的一種方式請求的週期來傳送該第一位置資訊的請求。
如請求項35之儲存媒體，其中，該請求的週期是基於該第一UE針對該第一位置資訊的報告週期的。
如請求項31之儲存媒體，進一步包含用於使得該處理器進行以下操作的處理器可讀指令：針對該第一PRS測量向該第二UE指示傳送/接收點（TRP）、或該TRP及PRS資源集、或該TRP及該PRS資源集及PRS資源、或UE-ID（UE身份）、或該UE-ID及側行鏈路PRS資源相關ID。
如請求項31之儲存媒體，進一步包含用於使得該處理器進行以下操作的處理器可讀指令：藉由將該第一PRS測量與由除該第二UE以外的裝置進行的類似測量進行比較來驗證在該第一位置資訊中指示的該第一PRS測量。
如請求項31之儲存媒體，進一步包含用於使得該處理器進行以下操作的處理器可讀指令： <br/>測量PRS資源以決定第二PRS測量；以及 <br/>基於該第二PRS測量來向該網路實體傳送第二位置資訊。
如請求項31之儲存媒體，進一步包含用於使得該處理器進行以下操作的處理器可讀指令：向該網路實體傳送具有指示包括該第一UE及該第二UE的組的組指示的該第一位置資訊。
第一UE（用戶裝備），包含： <br/>收發器； <br/>記憶體；以及 <br/>處理器，其通信地耦合到該收發器及該記憶體，該處理器被組態以： <br/>經由該收發器經由側行鏈路通信向第二UE傳送該第一UE之位置資訊共用能力； <br/>經由該收發器經由側行鏈路通信從該第二UE接收針對第一位置資訊的請求； <br/>測量從網路實體接收的PRS資源（定位參考信號資源）以決定PRS測量；以及 <br/>基於該PRS測量經由該收發器經由側行鏈路通信向該第二UE傳送該第一位置資訊， <br/>其中，該第一UE是基於與該第二UE相關聯的第二PRS組態及各自與在該第二UE之可接受接近度內的複數個候選UE中的相應一個候選UE相關聯的第一PRS組態之重疊，來從該複數個候選UE中選擇作為位置資訊施體。
如請求項41之第一UE，其中，該處理器被組態以：僅當該處理器獨立於針對該第一位置資訊的該請求來測量該PRS資源時，才傳送該第一位置資訊。
如請求項41之第一UE，其中，該處理器被組態以：響應於接收到該請求來測量該PRS資源，使得該PRS測量是除了該處理器在沒有接收到該請求的情況下將進行的一個或多個其它PRS測量之外的額外測量。
如請求項41之第一UE，其中，該PRS資源是第一PRS資源，並且該PRS測量是第一PRS測量，並且其中，該處理器進一步被組態以： <br/>測量第二PRS資源以決定第二PRS測量；以及 <br/>避免向該第二UE傳送該第二PRS測量。
如請求項44之第一UE，其中，該處理器進一步被組態以：基於該第一PRS測量的抵達時間早於該第二PRS測量，來避免向該第二UE傳送該第二PRS測量。
如請求項44之第一UE，其中，該處理器進一步被組態以：基於該第一PRS資源是以與該第二PRS資源相比更強的功率接收的，來避免向該第二UE傳送該第二PRS測量。
如請求項44之第一UE，其中，該處理器進一步被組態以：基於該第一PRS資源及該第二PRS資源兩者是以下情況中的至少一種情況來避免向該第二UE傳送該第二PRS測量：與單個傳送/接收點相關聯、或與單個PRS資源集相關聯、或與單個PRS源站點相關聯。
一種位置資訊共用方法，包含： <br/>經由側行鏈路通信從第一UE（用戶裝備）向第二UE傳送該第一UE之位置資訊共用能力； <br/>在該第一UE處經由側行鏈路通信從該第二UE接收針對第一位置資訊的請求； <br/>在該第一UE處測量從網路實體接收的PRS資源（定位參考信號資源）以決定PRS測量；以及 <br/>基於該PRS測量經由側行鏈路通信從該第一UE向該第二UE傳送該第一位置資訊， <br/>其中，該第一UE是基於與該第二UE相關聯的第二PRS組態及各自與在該第二UE之可接受接近度內的複數個候選UE中的相應一個候選UE相關聯的第一PRS組態之重疊，來從該複數個候選UE中選擇作為位置資訊施體。
如請求項48之方法，其中，傳送該第一位置資訊包含：僅當該第一UE獨立於針對該第一位置資訊的該請求來測量該PRS資源時，才傳送該第一位置資訊。
如請求項48之方法，其中，測量該PRS資源包含：響應於接收到該請求來測量該PRS資源，使得該PRS測量是除了該第一UE在沒有接收到該請求的情況下將進行的一個或多個其它PRS測量之外的額外測量。
如請求項48之方法，其中，該PRS資源是第一PRS資源，並且該PRS測量是第一PRS測量，並且該方法進一步包含： <br/>由該第一UE測量第二PRS資源以決定第二PRS測量；以及 <br/>避免從該第一UE向該第二UE傳送該第二PRS測量。
如請求項51之方法，其中，該第一UE基於該第一PRS測量的抵達時間早於該第二PRS測量，來避免向該第二UE傳送該第二PRS測量。
如請求項51之方法，其中，該第一UE基於該第一PRS資源是以與該第二PRS資源相比更強的功率接收的，來避免向該第二UE傳送該第二PRS測量。
如請求項51之方法，其中，該第一UE基於該第一PRS資源及該第二PRS資源兩者是以下情況中的至少一種情況來避免向該第二UE傳送該第二PRS測量：與單個傳送/接收點相關聯、或與單個PRS資源集相關聯、或與單個PRS源站點相關聯。
第一UE（用戶裝備），包含： <br/>用於經由側行鏈路通信向第二UE傳送該第一UE之位置資訊共用能力的構件； <br/>用於經由側行鏈路通信從該第二UE接收針對第一位置資訊的請求的構件； <br/>用於測量從網路實體接收的PRS資源（定位參考信號資源）以決定PRS測量的構件；以及 <br/>用於基於該PRS測量經由側行鏈路通信向該第二UE傳送該第一位置資訊的構件， <br/>其中，該第一UE是基於與該第二UE相關聯的第二PRS組態及各自與在該第二UE之可接受接近度內的複數個候選UE中的相應一個候選UE相關聯的第一PRS組態之重疊，來從該複數個候選UE中選擇作為位置資訊施體。
如請求項55之第一UE，其中，該用於傳送該第一位置資訊的構件包含：用於僅當該第一UE獨立於針對該第一位置資訊的該請求來測量該PRS資源時，才傳送該第一位置資訊的構件。
如請求項55之第一UE，其中，該用於測量該PRS資源的構件包含：用於響應於接收到該請求來測量該PRS資源，使得該PRS測量是除了該第一UE在沒有接收到該請求的情況下將進行的一個或多個其它PRS測量之外的額外測量的構件。
如請求項55之第一UE，其中，該PRS資源是第一PRS資源，並且該PRS測量是第一PRS測量，並且該第一UE進一步包含： <br/>用於由該第一UE測量第二PRS資源以決定第二PRS測量的構件；以及 <br/>用於避免從該第一UE向該第二UE傳送該第二PRS測量的構件。
如請求項58之第一UE，其中，該用於避免傳送該第二PRS測量的構件包含：用於基於該第一PRS測量的抵達時間早於該第二PRS測量，來避免向該第二UE傳送該第二PRS測量的構件。
如請求項58之第一UE，其中，該用於避免傳送該第二PRS測量的構件包含：用於基於該第一PRS資源是以與該第二PRS資源相比更強的功率接收的，來避免向該第二UE傳送該第二PRS測量的構件。
如請求項58之第一UE，其中，該用於避免傳送該第二PRS測量的構件包含：用於基於該第一PRS資源及該第二PRS資源兩者是以下情況中的至少一種情況來避免向該第二UE傳送該第二PRS測量的構件：與單個傳送/接收點相關聯、或與單個PRS資源集相關聯、或與單個PRS源站點相關聯。
一種非暫時性處理器可讀儲存媒體，包含用於使得第一UE（用戶裝備）之處理器進行以下操作的處理器可讀指令： <br/>經由側行鏈路通信向第二UE傳送該第一UE之位置資訊共用能力； <br/>經由側行鏈路通信從該第二UE接收針對第一位置資訊的請求； <br/>測量從網路實體接收的PRS資源（定位參考信號資源）以決定PRS測量；以及 <br/>基於該PRS測量經由側行鏈路通信向該第二UE傳送該第一位置資訊， <br/>其中，該第一UE是基於與該第二UE相關聯的第二PRS組態及各自與在該第二UE之可接受接近度內的複數個候選UE中的相應一個候選UE相關聯的第一PRS組態之重疊，來從該複數個候選UE中選擇作為位置資訊施體。
如請求項62之儲存媒體，其中，該包含用於使得該處理器傳送該第一位置資訊的處理器可讀指令的處理器可讀儲存媒體包含：包含用於使得該處理器進行以下操作的處理器可讀指令的處理器可讀儲存媒體：僅當該第一UE獨立於針對該第一位置資訊的該請求來測量該PRS資源時，才傳送該第一位置資訊。
如請求項62之儲存媒體，其中，該包含用於使得該處理器測量該PRS資源的處理器可讀指令的處理器可讀儲存媒體包含：包含用於使得該處理器進行以下操作的處理器可讀指令的處理器可讀儲存媒體：響應於接收到該請求來測量該PRS資源，使得該PRS測量是除了該第一UE在沒有接收到該請求的情況下將進行的一個或多個其它PRS測量之外的額外測量。
如請求項62之儲存媒體，其中，該PRS資源是第一PRS資源，並且該PRS測量是第一PRS測量，並且該儲存媒體進一步包含：包含用於使得該處理器進行以下操作的處理器可讀指令的處理器可讀儲存媒體： <br/>測量第二PRS資源以決定第二PRS測量；以及 <br/>避免從該第一UE向該第二UE傳送該第二PRS測量。
如請求項65之儲存媒體，其中，該包含用於使得該處理器避免傳送該第二PRS測量的處理器可讀指令的處理器可讀儲存媒體包含：包含用於使得該處理器進行以下操作的處理器可讀指令的處理器可讀儲存媒體：基於該第一PRS測量的抵達時間早於該第二PRS測量，來避免向該第二UE傳送該第二PRS測量。
如請求項65之儲存媒體，其中，該包含用於使得該處理器避免傳送該第二PRS測量的處理器可讀指令的處理器可讀儲存媒體包含：包含用於使得該處理器進行以下操作的處理器可讀指令的處理器可讀儲存媒體：基於該第一PRS資源是以與該第二PRS資源相比更強的功率接收的，來避免向該第二UE傳送該第二PRS測量。
如請求項65之儲存媒體，其中，該包含用於使得該處理器避免傳送該第二PRS測量的處理器可讀指令的處理器可讀儲存媒體包含：包含用於使得該處理器進行以下操作的處理器可讀指令的處理器可讀儲存媒體：基於該第一PRS資源及該第二PRS資源兩者是以下情況中的至少一種情況來避免向該第二UE傳送該第二PRS測量：與單個傳送/接收點相關聯、或與單個PRS資源集相關聯、或與單個PRS源站點相關聯。
一種用於具有多個子碼本的動態混合式自動重送請求應答碼本的方法，包括： <br/>由使用者設備（UE）接收一或多個第一傳輸； <br/>由所述使用者設備對所述一或多個第一傳輸進行解碼，以產生第一子碼本，所述第一子碼本包括各自具有第一長度的一或多個對應的混合式自動重送請求應答（HARQ ACK）位元串，所述第一長度與分量載波的碼區塊群組的數目無關； <br/>由所述使用者設備接收一或多個第二傳輸； <br/>由所述使用者設備對所述一或多個第二傳輸進行解碼，以產生第二子碼本，所述第二子碼本包括各自具有第二長度的一或多個對應的混合式自動重送請求應答位元串，其中所述第二長度大於所述第一長度； <br/>由所述使用者設備接收一或多個第三傳輸；以及 <br/>由所述使用者設備對所述一或多個第三傳輸進行解碼，以產生第三子碼本，所述第三子碼本包括各自具有第三長度的一或多個對應的混合式自動重送請求應答位元串，其中所述第三長度大於所述第二長度。
如請求項1所述的方法，其中所述第一長度為1。
如請求項1所述的方法，其中所述第一長度、所述第二長度及所述第三長度中的每一者被進行無線電資源控制（RRC）配置。
如請求項1所述的方法，其中產生所述第三子碼本包括： <br/>接收碼區塊群組（CBG），所述碼區塊群組具有大於所述第二長度且小於或等於所述第三長度的一數目個碼區塊； <br/>產生一組混合式自動重送請求應答位元，所述一組混合式自動重送請求應答位元各自對應於多個所述碼區塊群組中的相應一者；以及 <br/>填充所述一組混合式自動重送請求應答位元以形成具有所述第三長度的混合式自動重送請求應答位元串。
如請求項1所述的方法，其中產生所述第二子碼本包括： <br/>接收碼區塊群組（CBG），所述碼區塊群組具有大於所述第一長度且小於或等於所述第二長度的一數目個碼區塊； <br/>產生一組混合式自動重送請求應答位元，所述一組混合式自動重送請求應答位元各自對應於多個所述碼區塊群組中的相應一者；以及 <br/>填充所述一組混合式自動重送請求應答位元以形成具有所述第二長度的混合式自動重送請求應答位元串。
如請求項1所述的方法，更包括： <br/>接收所述一或多個第二傳輸的計數下行鏈路指配指示符（C-DAI）及所述一或多個第二傳輸的總下行鏈路指配指示符（T-DAI）； <br/>根據所述計數下行鏈路指配指示符以及根據所述總下行鏈路指配指示符確定出所述一或多個第二傳輸中的傳輸被遺失；以及 <br/>將否定應答位元的具有所述第二長度的位元串包括於所述第二子碼本中。
如請求項6所述的方法，更包括： <br/>接收所述一或多個第三傳輸的計數下行鏈路指配指示符及所述一或多個第三傳輸的總下行鏈路指配指示符，所述一或多個第三傳輸的所述計數下行鏈路指配指示符不同於所述一或多個第二傳輸的所述計數下行鏈路指配指示符，且所述一或多個第三傳輸的所述總下行鏈路指配指示符不同於所述一或多個第二傳輸的所述總下行鏈路指配指示符； <br/>根據所述一或多個第三傳輸的所述計數下行鏈路指配指示符以及根據所述一或多個第三傳輸的所述總下行鏈路指配指示符確定出所述一或多個第三傳輸中的傳輸被遺失；以及 <br/>將否定應答位元的具有所述第三長度的位元串包括於所述第二子碼本中。
如請求項6所述的方法，更包括： <br/>使用所述一或多個第二傳輸的所述計數下行鏈路指配指示符及所述一或多個第二傳輸的所述總下行鏈路指配指示符接收所述一或多個第三傳輸的總下行鏈路指配指示符； <br/>根據所述一或多個第三傳輸的計數下行鏈路指配指示符以及根據所述一或多個第三傳輸的所述總下行鏈路指配指示符確定出所述一或多個第三傳輸中的傳輸被遺失；以及 <br/>將否定應答位元的具有所述第三長度的位元串包括於所述第二子碼本中。
如請求項1所述的方法，更包括： <br/>由所述使用者設備接收一或多個第四傳輸；以及 <br/>由所述使用者設備對所述一或多個第四傳輸進行解碼，以產生第四子碼本，所述第四子碼本包括各自具有第四長度的一或多個對應的混合式自動重送請求應答位元串，其中所述第四長度大於所述第三長度。
一種使用者設備（UE），包括： <br/>無線電；以及 <br/>處理電路， <br/>所述處理電路被配置成： <br/>接收一或多個第一傳輸； <br/>對所述一或多個第一傳輸進行解碼，以產生第一子碼本，所述第一子碼本包括各自具有第一長度的一或多個對應的混合式自動重送請求應答（HARQ ACK）位元串，所述第一長度與分量載波的碼區塊群組的數目無關； <br/>接收一或多個第二傳輸； <br/>對所述一或多個第二傳輸進行解碼，以產生第二子碼本，所述第二子碼本包括各自具有第二長度的一或多個對應的混合式自動重送請求應答位元串，其中所述第二長度大於所述第一長度； <br/>接收一或多個第三傳輸；以及 <br/>對所述一或多個第三傳輸進行解碼，以產生第三子碼本，所述第三子碼本包括各自具有第三長度的一或多個對應的混合式自動重送請求應答位元串，其中所述第三長度大於所述第二長度。
如請求項10所述的使用者設備，其中所述第一長度為1。
如請求項10所述的使用者設備，其中所述第一長度、所述第二長度及所述第三長度中的每一者被進行無線電資源控制（RRC）配置。
如請求項10所述的使用者設備，其中產生所述第三子碼本包括： <br/>接收碼區塊群組（CBG），所述碼區塊群組具有大於所述第二長度且小於或等於所述第三長度的一數目個碼區塊； <br/>產生一組混合式自動重送請求應答位元，所述一組混合式自動重送請求應答位元各自對應於多個所述碼區塊群組中的相應一者；以及 <br/>填充所述一組混合式自動重送請求應答位元以形成具有所述第三長度的混合式自動重送請求應答位元串。
如請求項10所述的使用者設備，其中產生所述第二子碼本包括： <br/>接收碼區塊群組（CBG），所述碼區塊群組具有大於所述第一長度且小於或等於所述第二長度的一數目個碼區塊； <br/>產生一組混合式自動重送請求應答位元，所述一組混合式自動重送請求應答位元各自對應於多個所述碼區塊群組中的相應一者；以及 <br/>填充所述一組混合式自動重送請求應答位元以形成具有所述第二長度的混合式自動重送請求應答位元串。
如請求項10所述的使用者設備，其中所述處理電路更被配置成： <br/>接收所述一或多個第二傳輸的計數下行鏈路指配指示符（C-DAI）及所述一或多個第二傳輸的總下行鏈路指配指示符（T-DAI）； <br/>根據所述計數下行鏈路指配指示符以及根據所述總下行鏈路指配指示符確定出所述一或多個第二傳輸中的傳輸被遺失；以及 <br/>將否定應答位元的具有所述第二長度的位元串包括於所述第二子碼本中。
如請求項15所述的使用者設備，其中所述處理電路更被配置成： <br/>接收所述一或多個第三傳輸的計數下行鏈路指配指示符及所述一或多個第三傳輸的總下行鏈路指配指示符，所述一或多個第三傳輸的所述計數下行鏈路指配指示符不同於所述一或多個第二傳輸的所述計數下行鏈路指配指示符，且所述一或多個第三傳輸的所述總下行鏈路指配指示符不同於所述一或多個第二傳輸的所述總下行鏈路指配指示符； <br/>根據所述一或多個第三傳輸的所述計數下行鏈路指配指示符以及根據所述一或多個第三傳輸的所述總下行鏈路指配指示符確定出所述一或多個第三傳輸中的傳輸被遺失；以及 <br/>將否定應答位元的具有所述第三長度的位元串包括於所述第二子碼本中。
如請求項15所述的使用者設備，其中所述處理電路更被配置成： <br/>使用所述一或多個第二傳輸的所述計數下行鏈路指配指示符及所述一或多個第二傳輸的所述總下行鏈路指配指示符接收所述一或多個第三傳輸的總下行鏈路指配指示符； <br/>根據所述一或多個第三傳輸的計數下行鏈路指配指示符以及根據所述一或多個第三傳輸的所述總下行鏈路指配指示符確定出所述一或多個第三傳輸中的傳輸被遺失；以及 <br/>將否定應答位元的具有所述第三長度的位元串包括於所述第二子碼本中。
如請求項10所述的使用者設備，其中所述處理電路更被配置成： <br/>由所述使用者設備接收一或多個第四傳輸；以及 <br/>由所述使用者設備對所述一或多個第四傳輸進行解碼，以產生第四子碼本，所述第四子碼本包括各自具有第四長度的一或多個對應的混合式自動重送請求應答位元串，其中所述第四長度大於所述第三長度。
一種使用者設備（UE），包括： <br/>無線電；以及 <br/>處理構件， <br/>所述處理構件被配置成： <br/>接收一或多個第一傳輸； <br/>對所述一或多個第一傳輸進行解碼，以產生第一子碼本，所述第一子碼本包括各自具有第一長度的一或多個對應的混合式自動重送請求應答（HARQ ACK）位元串，所述第一長度與分量載波的碼區塊群組的數目無關； <br/>接收一或多個第二傳輸； <br/>對所述一或多個第二傳輸進行解碼，以產生第二子碼本，所述第二子碼本包括各自具有第二長度的一或多個對應的混合式自動重送請求應答位元串，其中所述第二長度大於所述第一長度； <br/>接收一或多個第三傳輸；以及 <br/>對所述一或多個第三傳輸進行解碼，以產生第三子碼本，所述第三子碼本包括各自具有第三長度的一或多個對應的混合式自動重送請求應答位元串，其中所述第三長度大於所述第二長度。
如請求項19所述的使用者設備，其中所述第一長度為1。
一種半導體排列，包含：<br/> 一記憶體陣列，該記憶體陣列包含複數個位元格；以及<br/> 一周邊邏輯區塊，該周邊邏輯區塊用於存取該些位元格，該周邊邏輯區塊包含：<br/> 一第一奈米結構其具有一第一寬度，該第一奈米結構用以提供電力至該周邊邏輯區塊之一第一邏輯單元； <br/> 一第二奈米結構，該第二奈米結構與該第一奈米結構軸向對準，且具有小於該第一寬度的一第二寬度，用以提供電力至該周邊邏輯區塊的一第二邏輯單元；以及<br/> 相鄰於該第一奈米結構的一第三奈米結構，該第三奈米結構形成於一第一半導體層上方，該第一半導體層具有一第一導電類型，其中：<br/> 該第一奈米結構形成於一第二半導體層上方，該第二半導體層具有不同於該第一導電類型的一第二導電類型。
如請求項1所述之半導體排列，其中該周邊邏輯區塊包含十二個奈米結構，該些奈米結構包含與該記憶體陣列之四個位元格相關的該第一奈米結構及該第二奈米結構。
如請求項1所述之半導體排列，其中：<br/> 該第一邏輯單元包含以下各者中之至少一者：一寫入驅動器、一寫入邏輯、一讀取行多工器、一感測放大器、一資料輸出電路或一預充電/等化電路；且<br/> 該第二邏輯單元包含以下各者中的至少一者：一寫入輔助電路、一內置自測/資料輸入電路，或一行冗餘電路。
如請求項1所述之半導體排列，其中：<br/> 該第一奈米結構包含一頭端電晶體，該頭端電晶體包含耦接至一電源端子的一第一閘極及一第一源極/汲極區；<br/> 該第三奈米結構包含一邏輯裝置，進而讀取儲存於該些位元格中的值，該邏輯裝置包含一第二閘極及一第二源極/汲極區；且<br/> 該半導體排列包含：<br/> 一源極/汲極接點，該源極/汲極接點連接至該第一源極/汲極區及該第二源極/汲極區，以提供藉由該頭端電晶體在該電源端子處接收的一電力信號至該邏輯裝置。
如請求項1所述之半導體排列，其中：<br/> 該第一奈米結構包含一頭端電晶體，該頭端電晶體包含耦接至一電源端子的一第一閘極及一第一源極/汲極區；<br/> 該第三奈米結構包含一邏輯裝置，進而讀取儲存於該些位元格中的值，該邏輯裝置包含一第二閘極及一第二源極/汲極區；且<br/> 該半導體排列包含：<br/> 一第一源極/汲極接點，該第一源極/汲極接點連接至該第一源極/汲極區；<br/> 一第二源極/汲極接點，該第二源極/汲極接點連接至該第二源極/汲極區；以及<br/> 一導電接線，該導電接線連接至該第一源極/汲極接點及該第二源極/汲極接點，以提供藉由該頭端電晶體在該電源端子處接收的一電力信號至該邏輯裝置。
一種半導體排列，包含：<br/> 一記憶體陣列，該記憶體陣列包含數個位元格；以及<br/> 一周邊邏輯區塊，該周邊邏輯區塊用於存取該些位元格，包含：<br/> 具有一第一寬度的一第一奈米結構，該第一奈米結構用於提供電力至該周邊邏輯區塊之一第一邏輯單元；<br/> 具有小於該第一寬度之一第二寬度的一第二奈米結構，該第二奈米結構用於提供電力至該周邊邏輯區塊的一第二邏輯單元；<br/> 一第三奈米結構，該第三奈米結構具有該第一寬度且相鄰於該第一奈米結構，該第三奈米結構形成於一第一半導體層上方，該第一半導體層具有一第一導電類型，該第一奈米結構形成於一第二半導體層上方，該第二半導體層具有不同於該第一導電類型的一第二導電類型；以及<br/> 一第四奈米結構，該第四奈米結構具有該第二寬度且相鄰於該第二奈米結構。
一種半導體排列，包含：<br/> 一記憶體陣列，該記憶體陣列包含數個位元格；以及<br/> 一周邊邏輯區塊，該周邊邏輯區塊用於存取該些位元格，包含：<br/> 一阱區，該阱區具有沿著一第一方向延伸的一最長尺寸；<br/> 一第一主動區列，該第一主動區列覆蓋該阱區且具有沿著該第一方向延伸的該最長尺寸；以及<br/> 一擴散阻斷結構，該擴散阻斷結構覆蓋該第一主動區列且沿著一第二方向延伸，其中：<br/> 該第一主動區列的一第一部分在該擴散阻斷結構的一第一側上具有在該第二方向上測量到的一第一寬度，<br/> 該第一主動區列的一第二部分在該擴散阻斷結構的相反於該第一側的一第二側上具有在該第二方向上測量到的一第二寬度，且<br/> 該第二寬度小於該第一寬度。
一種半導體排列的形成方法，適用於一半導體排列，包含以下步驟：<br/> 在一半導體層上方形成一奈米結構層；<br/> 圖案化該奈米結構層，以界定具有一第一寬度的一第一奈米結構及具有小於該第一寬度之一第二寬度的一第二奈米結構； <br/> 執行一蝕刻製程，以實體隔離該第一奈米結構與該第二奈米結構；<br/> 形成一擴散阻斷結構於該第一奈米結構與該第二奈米結構之間；<br/> 形成一第一閘極結構於該第一奈米結構上方；以及<br/> 形成一第二閘極結構於該第二奈米結構上方，其中該擴散阻斷結構平行於該第一閘極結構以及該第二閘極結構。
一種半導體排列的形成方法，適用於一半導體排列，包含以下步驟：<br/> 在一半導體層上方形成一奈米結構層；<br/> 圖案化該奈米結構層，以界定一第一奈米結構、一第二奈米結構及一第三奈米結構，其中該第二奈米結構在一第一方向上與該第一奈米結構對齊，該第三奈米結構在一第二方向上與該第一奈米結構分開；<br/> 在該第一奈米結構及該第三奈米結構下方形成一阱區，使得該第一奈米結構及該第三奈米結構共享該阱區；以及<br/> 在該第一奈米結構及該第二奈米結構之間形成一擴散阻斷結構。
一種半導體排列的形成方法，適用於一半導體排列，包含以下步驟：<br/> 形成一奈米結構層；以及<br/> 圖案化該奈米結構層，以界定：<br/> 一第一奈米結構，<br/> 一第二奈米結構，在一第一方向上與該第一奈米結構軸向地對齊，<br/> 一第三奈米結構，在一第二方向上與該第一奈米結構分開一第一距離，以及<br/> 一第四奈米結構，在該第二方向上與該第二奈米結構分開一第二距離，且在該第一方向上與該第三奈米結構軸向地對齊，其中該第一距離與該第二距離不同，<br/> 其中該第三奈米結構形成於一第一半導體層上方，該第一半導體層具有一第一導電類型，該第一奈米結構形成於一第二半導體層上方，該第二半導體層具有不同於該第一導電類型的一第二導電類型。
一種多環化合物，由以下化學式2至以下化學式4中的任一者表示： <br/>[化學式2] <br/><img align="absmiddle" height="327px" width="266px" file="ed10272.jpg" alt="ed10272.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式3] <br/><img align="absmiddle" height="308px" width="300px" file="ed10273.jpg" alt="ed10273.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式4] <br/><img align="absmiddle" height="170px" width="366px" file="ed10274.jpg" alt="ed10274.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>在化學式2至以下化學式4中， <br/>A1與A2彼此相同或不同，且各自獨立地為氫；氘；經取代或未經取代的C1至C60烷基；經取代或未經取代的C6至C60芳基；或者經取代或未經取代的C2至C60雜芳基， <br/>R1至R5彼此相同或不同，且各自獨立地選自由氫；及氘組成的群組， <br/>L1、L1'及L2彼此相同或不同，且各自獨立地為直接鍵；經取代或未經取代的C6至C60伸芳基；或者經取代或未經取代的C2至C60伸雜芳基， <br/>Ar1為經取代或未經取代的C6至C60芳基；或者經取代或未經取代的C2至C60雜芳基， <br/>Ar2及Ar3彼此相同或不同，且各自獨立地為經取代或未經取代的C1至C60烷基；經取代或未經取代的C6至C60芳基；或者經取代或未經取代的C2至C60雜芳基， <br/>m、m'及n各自為0至3的整數， <br/>p為1至5的整數， <br/>當m、m'、n及p各自為2或高於2時，括號中的取代基彼此相同或不同， <br/>R11為氫；或者氘，且 <br/>a為0至4的整數，b為0至3的整數，且當a及b各自為2或高於2的整數時，括號中的取代基彼此相同或不同。
如請求項1所述的多環化合物，其中Ar1由以下結構式中的任一者表示： <br/><img align="absmiddle" height="474px" width="500px" file="ed10317.jpg" alt="ed10317.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>在所述結構式中， <br/>X1為O；S；或者CRaRb， <br/>Ra與Rb彼此相同或不同，且各自獨立地為經取代或未經取代的C1至C60烷基；或者經取代或未經取代的C6至C60芳基，且 <br/>所述結構式的氘含量為0%或100%。
如請求項1所述的多環化合物，其中化學式1的所述多環化合物的所述氘含量為0%至100%。
如請求項1所述的多環化合物，其中化學式2至以下化學式4中的任一者由以下化合物中的任一者表示： <br/><img align="absmiddle" height="780px" width="600px" file="ed10275.jpg" alt="ed10275.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="737px" width="600px" file="ed10276.jpg" alt="ed10276.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="720px" width="600px" file="ed10277.jpg" alt="ed10277.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="723px" width="600px" file="ed10278.jpg" alt="ed10278.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="718px" width="600px" file="ed10279.jpg" alt="ed10279.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="751px" width="600px" file="ed10280.jpg" alt="ed10280.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="731px" width="600px" file="ed10281.jpg" alt="ed10281.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="760px" width="600px" file="ed10282.jpg" alt="ed10282.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="690px" width="600px" file="ed10283.jpg" alt="ed10283.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="742px" width="600px" file="ed10284.jpg" alt="ed10284.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="735px" width="600px" file="ed10285.jpg" alt="ed10285.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="707px" width="600px" file="ed10286.jpg" alt="ed10286.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="768px" width="600px" file="ed10287.jpg" alt="ed10287.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="763px" width="600px" file="ed10288.jpg" alt="ed10288.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="720px" width="600px" file="ed10289.jpg" alt="ed10289.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="765px" width="600px" file="ed10290.jpg" alt="ed10290.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="796px" width="600px" file="ed10291.jpg" alt="ed10291.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="776px" width="600px" file="ed10292.jpg" alt="ed10292.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="748px" width="600px" file="ed10293.jpg" alt="ed10293.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="837px" width="600px" file="ed10294.jpg" alt="ed10294.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="777px" width="600px" file="ed10296.jpg" alt="ed10296.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="685px" width="600px" file="ed10298.jpg" alt="ed10298.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="802px" width="600px" file="ed10300.jpg" alt="ed10300.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="761px" width="600px" file="ed10302.jpg" alt="ed10302.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="724px" width="600px" file="ed10304.jpg" alt="ed10304.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="773px" width="600px" file="ed10306.jpg" alt="ed10306.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="844px" width="600px" file="ed10308.jpg" alt="ed10308.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="737px" width="600px" file="ed10310.jpg" alt="ed10310.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="771px" width="600px" file="ed10312.jpg" alt="ed10312.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="626px" width="600px" file="ed10314.jpg" alt="ed10314.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="733px" width="600px" file="ed10316.jpg" alt="ed10316.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種有機發光元件，包括： <br/>第一電極； <br/>第二電極，被設置成面對所述第一電極；以及 <br/>有機材料層，具有設置於所述第一電極與所述第二電極之間的一或多個層， <br/>其中所述有機材料層的所述一或多個層包含如請求項1至請求項4中任一項所述的多環化合物中的一或多種。
如請求項5所述的有機發光元件，其中所述有機材料層包括發光層，且所述發光層包含所多雜環化合物。
如請求項5所述的有機發光元件，其中所述有機材料層包括發光層，所述發光層包含主體材料，且所述主體材料包括所述多環化合物。
如請求項5所述的有機發光元件，其中所述有機材料層包括電洞傳輸層，且所述電洞傳輸層包含所述多環化合物。
如請求項5所述的有機發光元件，其中所述有機材料層包括電子注入層或電子傳輸層，且所述電子注入層或所述電子傳輸層包含所述多環化合物。
如請求項5所述的有機發光元件，其中所述有機材料層包括電子阻擋層或電洞阻擋層，且所述電子阻擋層或所述電洞阻擋層包含所述多環化合物。
如請求項5所述的有機發光元件，更包括選自由發光層、電洞注入層、電洞傳輸層、電子注入層、電子傳輸層、電子阻擋層及電洞阻擋層組成的群組中的一個層或者二或更多個層。
一種用於一無線設備處的無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 從一無線網路節點接收針對與一無線通訊網路中的語音傳輸量相關聯的一資料無線電承載的一配置，該配置指示與在該無線通訊網路上傳送的該語音傳輸量相關聯的一或多個參數；<br/> 至少部分地基於與該語音傳輸量相關聯的該一或多個參數來產生包括該語音傳輸量的一傳輸塊，其中產生該傳輸塊包括產生包括具有一標頭中的一欄位的一媒體存取控制協定資料單元的該傳輸塊，該欄位包括一位元，其中該位元的一值指示在該傳輸塊中串接的媒體存取控制服務資料單元的一數量；及<br/> 在該無線通訊網路上發送所產生的包括該語音傳輸量的傳輸塊。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟：<br/> 接收與該資料無線電承載相關聯的一辨識符；及<br/> 至少部分地基於與該資料無線電承載相關聯的該辨識符來決定該資料無線電承載與該語音傳輸量相關聯，其中該傳輸塊的該產生是至少部分地基於決定該資料無線電承載與該語音傳輸量相關聯的。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟：<br/> 至少部分地基於接收該配置來辨識與該語音傳輸量相關聯的該一或多個參數；及<br/> 至少部分地基於該一或多個參數來決定該資料無線電承載與該語音傳輸量相關聯，其中該傳輸塊的該產生是至少部分地基於決定該資料無線電承載與該語音傳輸量相關聯的。
根據請求項1之方法，其中產生該傳輸塊亦包括以下步驟：<br/> 至少部分地基於該資料無線電承載與該無線通訊網路中的該語音傳輸量相關聯，來在該傳輸塊中不包括一服務資料適配協定標頭的情況下，辨識一服務品質流辨識符，其中該傳輸塊的該產生是至少部分地基於與該資料無線電承載相關聯的一服務品質簡檔的。
根據請求項1之方法，其中產生該傳輸塊亦包括以下步驟：<br/> 產生包括具有一第一長度的一封包資料彙聚協定序號的該傳輸塊，該第一長度小於跟與其他類型的傳輸量相關聯的其他資料無線電承載相關聯的該封包資料彙聚協定序號的一第二長度。
根據請求項1之方法，其中產生該傳輸塊亦包括以下步驟：<br/> 產生不包括用於完整性的一訊息認證碼的該傳輸塊。
根據請求項1之方法，其中產生該傳輸塊亦包括以下步驟：<br/> 產生不具有分段的包括一語音封包的該傳輸塊，該傳輸塊包括一無線電鏈路控制層協定資料單元。
根據請求項1之方法，其中產生該傳輸塊亦包括以下步驟：<br/> 產生包括兩個或更少的無線電鏈路控制分段的該傳輸塊。
根據請求項1之方法，其中產生該傳輸塊亦包括以下步驟：<br/> 產生在該傳輸塊中包括一無線電鏈路控制層協定資料單元而不包括一無線電鏈路控制標頭的該傳輸塊。
根據請求項1之方法，其中產生該傳輸塊亦包括以下步驟：<br/> 在一無線電鏈路控制層處使用一透明模式來產生該傳輸塊。
根據請求項1之方法，其中產生該傳輸塊亦包括以下步驟：<br/> 產生在該傳輸塊中包括一媒體存取控制標頭的該傳輸塊。
根據請求項1之方法，其中產生該傳輸塊亦包括以下步驟：<br/> 產生包括一媒體存取控制協定資料單元的該傳輸塊，該媒體存取控制協定資料單元包括與用於該語音傳輸量的承載相關聯的一邏輯通道辨識符，該邏輯通道辨識符包括一預留的編碼點或一重新目的化的編碼點。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟：<br/> 根據複數個編碼點與複數個邏輯通道辨識符之間的一映射來辨識針對一語音資料無線電承載預留的一編碼點，其中該傳輸塊的該產生包括以下步驟：產生包括與所辨識的編碼點相對應的一邏輯通道辨識符的該傳輸塊。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟：<br/> 辨識複數個編碼點與複數個邏輯通道辨識符之間的一映射，該映射與一非地面網路相關聯，其中該傳輸塊的該產生包括以下步驟：產生包括與該複數個編碼點中的至少一個編碼點相對應的一邏輯通道辨識符的該傳輸塊。
根據請求項1之方法，其中產生該傳輸塊亦包括以下步驟：<br/> 產生包括具有一邏輯通道辨識符的一媒體存取控制協定資料單元的該傳輸塊，該邏輯通道辨識符指示一媒體存取控制服務資料單元的一長度。
根據請求項15之方法，其中該媒體存取控制服務資料單元的該長度是經由一無線電資源控制訊號或一廣播訊號來配置的。
根據請求項1之方法，其中產生該傳輸塊亦包括以下步驟：<br/> 產生包括一第一欄位和一第二欄位的該傳輸塊，該第一欄位包括一第一位元，並且該第二欄位包括一第二位元，其中該第一位元和該第二位元的一組合指示在該傳輸塊中串接的無線電鏈路控制服務資料單元的一數量。
根據請求項1之方法，其中產生該傳輸塊亦包括以下步驟：<br/> 產生包括一邏輯通道辨識符的該傳輸塊，該邏輯通道辨識符指示一媒體存取控制協定資料單元的一長度，該媒體存取控制協定資料單元包括一或多個媒體存取控制服務資料單元、或一或多個媒體存取控制層控制元素、或其之一組合。
根據請求項1之方法，其中用於與該語音傳輸量相關聯的該資料無線電承載的一第一經配置准許被配置有針對一傳輸塊大小的一第一週期。
根據請求項19之方法，其中：<br/> 一第二經配置准許被配置有具有一起始偏移的一第二週期，<br/> 該第二經配置准許用於發送一緩衝器狀態報告媒體存取控制層控制元素、一功率餘量報告媒體存取控制層控制元素、或一分散穩健標頭壓縮回饋、或其之一組合。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟：<br/> 傳送一排程請求，該排程請求指示用於與該語音傳輸量相關聯的該資料無線電承載的一時間和頻率資源集合，其中傳送該排程請求包括以下步驟：發送該排程請求或接收該排程請求。
根據請求項1之方法，其中產生該傳輸塊亦包括以下步驟：<br/> 產生在一協定資料單元的一封包資料彙聚協定標頭中包括一第一欄位、一第二欄位和一第三欄位的該傳輸塊，其中該第一欄位指示該協定資料單元包括資料還是控制資訊，該第二欄位指示一穩健標頭壓縮標頭是否被包括在一封包資料彙聚協定控制封包中，以及該第三欄位包括一封包資料彙聚協定序號。
根據請求項22之方法，其中產生該傳輸塊亦包括以下步驟：<br/> 產生包括一封包資料彙聚協定控制協定資料單元的該傳輸塊，該封包資料彙聚協定控制協定資料單元包括該穩健標頭壓縮標頭和該封包資料彙聚協定序號。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟：<br/> 產生一串接封包，該串接封包包括在協定資料單元中串接的一第一語音資料封包和一第二語音資料封包，該第一語音資料封包包括一先前語音資料封包的一重傳，以及該第二語音資料封包包括一當前語音資料封包的一原始傳輸。
根據請求項24之方法，亦包括以下步驟：<br/> 重傳包括該第一語音資料封包和該第二語音資料封包的該串接封包達一閥值傳輸數量。
根據請求項1之方法，其中用於與該語音傳輸量相關聯的該資料無線電承載的一第一經配置准許與一資訊封包相關聯，以及用於與該語音傳輸量相關聯的該資料無線電承載的一第二經配置准許與該資訊封包的一副本相關聯。
根據請求項26之方法，其中用於與該語音傳輸量相關聯的該資料無線電承載的該第二經配置准許包括一穩健標頭壓縮回饋封包、一穩健標頭壓縮標頭、或經由一媒體存取控制層控制元素丟棄的該資訊封包的該副本、或其之一組合。
根據請求項1之方法，其中該無線通訊網路包括一非地面網路。
根據請求項1之方法，更包括以下步驟：<br/> 至少根據該配置，辨識該經配置准許辨識符與該資源無線電承載之間的一映射，其中產生該傳輸塊至少部分基於該映射。
一種用於一無線設備處的無線通訊的裝置，包括：<br/> 一處理器；<br/> 與該處理器耦合的記憶體；及<br/> 指令，其被儲存在該記憶體中並且可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 從一無線網路節點接收針對與一無線通訊網路中的語音傳輸量相關聯的一資料無線電承載的一配置，該配置指示與在該無線通訊網路上傳送的該語音傳輸量相關聯的一或多個參數；<br/> 至少部分地基於與該語音傳輸量相關聯的該一或多個參數來產生包括該語音傳輸量的一傳輸塊，其中該等用於產生該傳輸塊的指令亦可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：產生包括具有一標頭中的一欄位的一媒體存取控制協定資料單元的該傳輸塊，該欄位包括一位元，其中該位元的一值指示在該傳輸塊中串接的媒體存取控制服務資料單元的一數量；及<br/> 在該無線通訊網路上發送所產生的包括該語音傳輸量的傳輸塊。
根據請求項30之裝置，其中該等指令亦可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 接收與該資料無線電承載相關聯的一辨識符；及<br/> 至少部分地基於與該資料無線電承載相關聯的該辨識符來決定該資料無線電承載與該語音傳輸量相關聯，其中該傳輸塊的該產生是至少部分地基於決定該資料無線電承載與該語音傳輸量相關聯的。
根據請求項30之裝置，其中該等指令亦可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 至少部分地基於接收該配置來辨識與該語音傳輸量相關聯的該一或多個參數；及<br/> 至少部分地基於該一或多個參數來決定該資料無線電承載與該語音傳輸量相關聯，其中該傳輸塊的該產生是至少部分地基於決定該資料無線電承載與該語音傳輸量相關聯的。
根據請求項30之裝置，其中該等用於產生該傳輸塊的指令亦可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 至少部分地基於該資料無線電承載與該無線通訊網路中的該語音傳輸量相關聯來在該傳輸塊中包括一服務品質流辨識符而不包括一服務資料適配協定標頭，其中該傳輸塊的該產生是至少部分地基於與該資料無線電承載相關聯的一服務品質簡檔的。
根據請求項30之裝置，其中該等用於產生該傳輸塊的指令亦可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 產生包括具有一第一長度的一封包資料彙聚協定序號的該傳輸塊，該第一長度小於跟與其他類型的傳輸量相關聯的其他資料無線電承載相關聯的該封包資料彙聚協定序號的一第二長度。
根據請求項30之裝置，其中該等用於產生該傳輸塊的指令亦可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 產生不包括用於完整性的一訊息認證碼的該傳輸塊。
根據請求項30之裝置，其中該等用於產生該傳輸塊的指令亦可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 產生不具有分段的包括一語音封包的該傳輸塊，該傳輸塊包括一無線電鏈路控制層協定資料單元。
根據請求項30之裝置，其中該等用於產生該傳輸塊的指令亦可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 產生包括兩個或更少的無線電鏈路控制分段的該傳輸塊。
根據請求項30之裝置，其中該等用於產生該傳輸塊的指令亦可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 產生在該傳輸塊中包括一無線電鏈路控制層協定資料單元而不包括一無線電鏈路控制標頭的該傳輸塊。
根據請求項30之裝置，其中該等用於產生該傳輸塊的指令亦可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 在一無線電鏈路控制層處使用一透明模式來產生該傳輸塊。
根據請求項30之裝置，其中該等用於產生該傳輸塊的指令亦可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 產生在該傳輸塊中包括一媒體存取控制標頭的該傳輸塊。
根據請求項30之裝置，其中該等用於產生該傳輸塊的指令亦可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 產生包括一媒體存取控制協定資料單元的該傳輸塊，該媒體存取控制協定資料單元包括與用於該語音傳輸量的承載相關聯的一邏輯通道辨識符，該邏輯通道辨識符包括一預留的編碼點或一重新目的化的編碼點。
根據請求項30之裝置，其中該等指令亦可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 根據複數個編碼點與複數個邏輯通道辨識符之間的一映射來辨識針對一語音資料無線電承載預留的一編碼點，其中該傳輸塊的該產生包括：產生包括與所辨識的編碼點相對應的一邏輯通道辨識符的該傳輸塊。
根據請求項30之裝置，其中該等指令亦可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 辨識複數個編碼點與複數個邏輯通道辨識符之間的一映射，該映射與一非地面網路相關聯，其中該傳輸塊的該產生包括：產生包括與該複數個編碼點中的至少一個編碼點相對應的一邏輯通道辨識符的該傳輸塊。
根據請求項30之裝置，其中該等用於產生該傳輸塊的指令亦可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 產生包括具有一邏輯通道辨識符的一媒體存取控制協定資料單元的該傳輸塊，該邏輯通道辨識符指示一媒體存取控制服務資料單元的一長度。
根據請求項44之裝置，其中該媒體存取控制服務資料單元的該長度是經由一無線電資源控制訊號或一廣播訊號來配置的。
根據請求項30之裝置，其中該等用於產生該傳輸塊的指令亦可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 產生包括一第一欄位和一第二欄位的該傳輸塊，該第一欄位包括一第一位元，並且該第二欄位包括一第二位元，其中該第一位元和該第二位元的一組合指示在該傳輸塊中串接的無線電鏈路控制服務資料單元的一數量。
根據請求項30之裝置，其中該等用於產生該傳輸塊的指令亦可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 產生包括一邏輯通道辨識符的該傳輸塊，該邏輯通道辨識符指示一媒體存取控制協定資料單元的一長度，該媒體存取控制協定資料單元包括一或多個媒體存取控制服務資料單元、或一或多個媒體存取控制層控制元素、或其之一組合。
根據請求項30之裝置，其中用於與該語音傳輸量相關聯的該資料無線電承載的一第一經配置准許被配置有針對一傳輸塊大小的一第一週期。
根據請求項48之裝置，其中：<br/> 一第二經配置准許被配置有具有一起始偏移的一第二週期，<br/> 該第二經配置准許用於發送一緩衝器狀態報告媒體存取控制層控制元素、一功率餘量報告媒體存取控制層控制元素、或一分散穩健標頭壓縮回饋、或其之一組合。
根據請求項30之裝置，其中該等指令亦可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 傳送一排程請求，該排程請求指示用於與該語音傳輸量相關聯的該資料無線電承載的一時間和頻率資源集合，其中傳送該排程請求包括：發送該排程請求或接收該排程請求。
根據請求項30之裝置，其中該等用於產生該傳輸塊的指令亦可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 產生一在協定資料單元的一封包資料彙聚協定標頭中包括一第一欄位、一第二欄位和一第三欄位的該傳輸塊，其中該第一欄位指示該協定資料單元包括資料還是控制資訊，該第二欄位指示一穩健標頭壓縮標頭是否被包括在一封包資料彙聚協定控制封包中，以及該第三欄位包括一封包資料彙聚協定序號。
根據請求項51之裝置，其中該等用於產生該傳輸塊的指令亦可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 產生包括一封包資料彙聚協定控制協定資料單元的該傳輸塊，該封包資料彙聚協定控制協定資料單元包括該穩健標頭壓縮標頭和該封包資料彙聚協定序號。
根據請求項30之裝置，其中該等指令亦可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 產生一串接封包，該串接封包包括在一協定資料單元中串接的一第一語音資料封包和一第二語音資料封包，該第一語音資料封包包括一先前語音資料封包的一重傳，以及該第二語音資料封包包括一當前語音資料封包的一原始傳輸。
根據請求項53之裝置，其中該等指令亦可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 重傳包括該第一語音資料封包和該第二語音資料封包的該串接封包達一閥值傳輸數量。
根據請求項30之裝置，其中用於與該語音傳輸量相關聯的該資料無線電承載的一第一經配置准許與一資訊封包相關聯，以及用於與該語音傳輸量相關聯的該資料無線電承載的一第二經配置准許與該資訊封包的一副本相關聯。
根據請求項55之裝置，其中用於與該語音傳輸量相關聯的該資料無線電承載的第二經配置准許包括一穩健標頭壓縮回饋封包、一穩健標頭壓縮標頭、或經由一媒體存取控制層控制元素丟棄的該資訊封包的該副本、或其之一組合。
根據請求項30之裝置，其中該無線通訊網路包括一非地面網路。
根據請求項30之裝置，其中該等指令亦可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 至少根據該配置，辨識該經配置准許辨識符與該資源無線電承載之間的一映射，其中產生該傳輸塊至少部分基於該映射。
一種用於製備彈性薄膜的聚合物乳膠組成物，其包含有：<br/> (I) 一種藉由一包含有烯系不飽和單體的組成物之自由基乳化聚合而被獲得的乳膠聚合物之粒子，該乳膠聚合物包含有一個官能基團(I-a)；以及<br/> (II) 一種矽烷化合物，其包含有至少兩個末端矽烷官能基團(II-a)以及一個熱可逆性鍵結(II-b)。
如請求項1的聚合物乳膠組成物，其中該熱可逆性鍵結(II-b)係能夠在一為200℃或者更低的溫度下破裂並且重排；和/或<br/> 其中該熱可逆性鍵結(II-b)是選自於由下列所構成的群組之中：二硫化物、四硫化物、碳酸酯、脲、硫脲、酯、β-羥基酯、硫酯、β-羥基胺、β-羥基硫醚、醯胺、胺甲酸乙酯、烯胺、亞胺、半縮醛、縮醛、半縮酮、縮酮、硼酸酯、矽氧烷、肟、醯腙、醛醇、二硫化秋蘭姆和三硫碳酸酯；和/或<br/> 其中該乳膠聚合物(I)的該等粒子之該等官能基團(I-a)是選自於由下列所構成的群組之中：碳-碳雙鍵、羧酸、羥基、環氧基、乙醯乙醯基、一級或二級胺基、乙醯氧基、異氰酸基、烷氧基、二氧雜環戊酮、鹵化物官能基團、硫醇基、羥基胺、㗁唑啉并基、吖𠰂基、亞胺基、碳二亞胺基、乙二醇、酯、醯肼基、醛、酮以及此等的組合。
如請求項1或2的聚合物乳膠組成物，其中該矽烷化合物(II)具有下列結構：<br/><img align="absmiddle" height="82px" width="277px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中X是該熱可逆性鍵結(II-b)，選自於包含有下列的群組之中：二硫化物、四硫化物、碳酸酯、脲、硫脲、酯、β-羥基酯、硫酯、β-羥基胺、β-羥基硫醚、醯胺、胺甲酸乙酯、烯胺、亞胺、半縮醛、縮醛、半縮酮、縮酮、硼酸酯、矽氧烷、肟、醯腙、醛醇、二硫化秋蘭姆和三硫碳酸酯；<br/> R是獨立地選自於氫、鹵素、羥基、烷氧基、烴基、矽烷或此等的混合物；以及<br/> R<sup>1</sup>獨立地係為一個直鏈的或一個支鏈的C<sub>1</sub>-C<sub>20</sub>烷二基、環狀的C<sub>3</sub>-C<sub>20</sub>烷基或烯基或者亞芳二基；和/或<br/> 其中該矽烷化合物(II)是選自於由下列所構成的群組之中：雙[3-(三烷氧基矽烷基丙基)]二硫化物、雙[3-(三烷氧基矽烷基)丙基]四硫化物、雙[3-(三烷氧基矽烷基)丙基]碳酸酯、<i>N</i>,<i>N’</i>-雙[3-(三烷氧基矽烷基)丙基]脲、<i>N</i>,<i>N’</i>-雙[3-(三烷氧基矽烷基)丙基]硫脲、2-羥基-3-[3-(三烷氧基矽烷基)丙氧基]丙基3-(三羥基矽烷基)丙酸酯、2-羥基-7-(三烷氧基矽烷基)庚基3-(三羥基矽烷基)丙酸酯、9,9-二烷氧基-1,1,1-三羥基-10-氧-5-硫-1,9-二矽十二烷-4-酮、N-[3-(三烷氧基矽烷基)丙基]-3-(三羥基矽烷基)丙烯醯胺、(三烷氧基矽烷基)甲基N-[3-(三烷氧基矽烷基)丙基]胺甲酸酯、(7E)-4,4,12,12-四烷氧基-3,13-二氧-8-氮-4,12-二矽十五烷-7-烯、4,4,11,11-四烷氧基-3,6,12-三氧-4,11-二矽十四烷-7-醇、4,4,10,10-四烷氧基-7-[3-(三烷氧基矽烷基)丙基]-3,6,8,11-四氧-4,10-二矽十三烷、寡聚矽氧烷以及此等的組合；和/或<br/> 其中該矽烷化合物(II)是從一種第一矽烷化合物(IV)被就地形成，該第一矽烷化合物(IV)包含有一個末端矽烷官能基團(IV-a)以及至少一個額外的官能基團(IV-b)能夠與一種第二矽烷化合物(IV)之一額外的官能基團(IV-b)來形成一個熱可逆性鍵結(IV-c)。
如請求項3的聚合物乳膠組成物，其中該第一矽烷化合物(IV)的該至少一個額外的官能基團(IV-b)和/或該第二矽烷化合物(IV)的該至少一個額外的官能基團(IV-b)係被封堵；和/或<br/> 其中該矽烷化合物(IV)具有下列結構式：<br/><img align="absmiddle" height="98px" width="156px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中R<sup>2</sup>是獨立地選自於氫、鹵素、羥基、烷氧基、烴基或此等的混合物；<br/> R<sup>3</sup>係為直鏈的或支鏈的C<sub>1</sub>-C<sub>20</sub>烷二基、環狀的C<sub>3</sub>-C<sub>20</sub>烷基或烯基或者亞芳二基；以及<br/> Y是該官能基團(IV-b)，係選自於由下列所構成的群組之中：環氧基、硫醇基、羥基、羥基胺、一級或二級胺基、異氰酸基、㗁唑啉并基、吖𠰂基、亞胺基、碳二亞胺基、乙二醇、酯、乙醯氧基、羧酸、二氧雜環戊酮、醯肼基、醛、酮以及此等的組合；和/或<br/> 其中該矽烷化合物(IV)是選自於由下列所構成的群組之中：(3-環氧丙基氧基丙基)三烷氧基矽烷、(3-環氧丙基氧基丙基)三烷氧基矽烷、β-(3,4-環氧基環己基乙基三烷氧基矽烷)、二烷氧基(3-環氧丙基丙基)烷基矽烷、3-環氧丙氧基丙基二烷基烷氧基矽烷、5,6-環氧基己基三烷氧基矽烷、胺基丙基三烷氧基矽烷、羥基甲基三烷氧基矽烷、3-巰基丙基三烷氧基矽烷、3-氯丙基三烷氧基矽烷、乙烯基三烷氧基矽烷、3-(三烷氧基矽烷基)呋喃、降𦯉烯基三烷氧基矽烷、羧基乙基矽烷三醇、3-異氰酸基丙基三烷氧基矽烷、三[3-(三烷氧基矽烷基)丙基]異氰尿酸酯、三烷氧基矽烷基丁醛、脲基丙基三烷氧基矽烷、氰基甲基[3-(三烷氧基矽烷基)丙基]三硫碳酸酯、S-(辛醯基)巰基丙基三烷氧基矽烷以及此等的組合。
如請求項1或2的聚合物乳膠組成物，其進一步包含有一種矽烷化合物(V)，其中該矽烷化合物(V)包含有一個末端矽烷官能基團(V-a)以及至少一個額外的官能基團(V-b)可與該乳膠聚合物(I)的該官能基團(I-a)來反應。
如請求項5的聚合物乳膠組成物，其中該矽烷化合物(V)的該官能基團(V-b)是選自於由下列所構成的群組之中：碳-碳雙鍵、鹵化物官能基團、環氧基、硫醇基、羥基、羥基胺、一級或二級胺基、異氰酸基、㗁唑啉并基、吖𠰂基、亞胺基、碳二亞胺基、乙二醇、酯、乙醯氧基、羧酸、二氧雜環戊酮、醯肼基、醛、酮以及此等的組合；和/或<br/> 其中該矽烷化合物(V)具有下列結構式：<br/><img align="absmiddle" height="26px" width="40px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中R<sup>4</sup>是獨立地選自於氫、鹵素、羥基、烷氧基、烴基或此等的混合物；<br/> R<sup>5</sup>係為直鏈的或支鏈的C<sub>1</sub>-C<sub>20</sub>烷二基、環狀的C<sub>3</sub>-C<sub>20</sub>烷基或烯基或者亞芳二基；以及<br/> Z係為可與該乳膠聚合物(I)的該等粒子之該官能基團(I-a)來反應的該官能基團(V-b)；和/或<br/> 其中該矽烷化合物(V)是選自於由下列所構成的群組之中：(3-環氧丙基氧基丙基)三烷氧基矽烷、(3-環氧丙基氧基丙基)三烷氧基矽烷、β-(3,4-環氧基環己基乙基三烷氧基矽烷)、二烷氧基(3-環氧丙基氧基丙基)烷基矽烷、3-環氧丙氧基丙基二烷基乙氧基矽烷、5,6-環氧基己基三烷氧基矽烷、胺基丙基三烷氧基矽烷、羥基甲基三烷氧基矽烷、3-巰基丙基三烷氧基矽烷、3-氯丙基三烷氧基矽烷、乙烯基三烷氧基矽烷、3-(三烷氧基矽烷基)呋喃、降𦯉烯基三烷氧基矽烷、羧基乙基矽烷三醇、3-異氰酸基丙基三烷氧基矽烷、三[3-(三烷氧基矽烷基)丙基]異氰尿酸酯、三烷氧基矽烷基丁醛、脲基丙基三烷氧基矽烷、氰基甲基[3-(三烷氧基矽烷基)丙基]三硫碳酸酯、S-(辛醯基)巰基丙基三烷氧基矽烷以及此等的組合。
如請求項1或2的聚合物乳膠組成物，其中用來獲得一種乳膠聚合物(I)的該等粒子之單體組成物包含有：<br/> (i) 15至99 wt.-%的共軛二烯；<br/> (ii) 1至80 wt.-%的選自於烯系不飽和腈化合物的單體；<br/> (iii) 0至10 wt.-%的一種包含有一個官能基團(a)之不同於(i)和(ii)的烯系不飽和化合物；<br/> (iv) 0至80 wt.-%的乙烯基芳香族單體；以及<br/> (v) 0至65 wt.-%的烯系不飽和酸的烷基酯；<br/> 該等重量百分比係根據該單體組成物中的單體之總重量。
如請求項7的聚合物乳膠組成物，其中：<br/> (i) 該等共軛二烯是選自於丁二烯、異戊二烯、2,3-二甲基-1,3-丁二烯、2-乙基-1,3-丁二烯、1,3-戊二烯以及此等的組合；<br/> (ii) 該等烯系不飽和腈化合物是選自於(甲基)丙烯腈、α-氰基乙基丙烯腈、反丁烯二腈、α-氯腈以及此等的組合；<br/> (iii) 該等包含有一個官能基團(a)之不同於(i)和(ii)的烯系不飽和化合物是選自於：<br/> (iii1) 具有至少兩個不相同的烯系不飽和基團之烯系不飽和化合物；<br/> (iii2) 烯系不飽和酸及其鹽類；<br/> (iii3) 羥基官能性烯系不飽和化合物；<br/> (iii4) 環氧乙烷官能性烯系不飽和化合物；<br/> (iii5) 乙醯乙醯基官能性烯系不飽和化合物；<br/> (iii6) 帶有一個一級或二級胺基基團的烯系不飽和化合物；<br/> (iii7) 乙醯氧基官能性烯系不飽和化合物；<br/> (iii8) 異氰酸基官能性烯系不飽和化合物；<br/> (iii9) 烷氧基矽烷基官能性烯系不飽和化合物；<br/> (iii10) 烷氧基官能性烯系不飽和化合物；<br/> (iii11) 二氧雜環戊酮官能性烯系不飽和化合物；<br/> (iii12) 鹵化物官能性烯系不飽和化合物；<br/> (iii13) 硫醇基官能性烯系不飽和化合物；<br/> (iii14) 羥基胺官能性烯系不飽和化合物；<br/> (iii15) 㗁唑啉并基官能性烯系不飽和化合物；<br/> (iii16) 吖𠰂基官能性烯系不飽和化合物；<br/> (iii17) 亞胺基官能性烯系不飽和化合物；<br/> (iii18) 碳二亞胺基官能性烯系不飽和化合物；<br/> (iii19) 乙二醇官能性烯系不飽和化合物；<br/> (iii20) 醯肼基官能性烯系不飽和化合物；<br/> (iii21) 醛官能性烯系不飽和化合物；<br/> (iii22) 酮官能性烯系不飽和化合物；<br/> 以及此等的組合；<br/> (iv) 該等乙烯基芳香族單體可以選自於苯乙烯、α-甲基苯乙烯以及此等的組合；<br/> (v) 烯系不飽和酸的烷基酯可以選自於(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯以及此等的組合；<br/> 以及此等的組合；<br/> 用於乳膠聚合物(I)的烯系不飽和單體之混合物任選地包含有選自於下列的烯系不飽和單體：<br/> (vi) 羧酸乙烯酯；<br/> (vii) 具有至少兩個相同的烯系不飽和基團的單體；<br/> 以及此等的組合。
如請求項6的聚合物乳膠組成物，其中：<br/> 該等官能基團(I-a)是選自於具有一個碳-碳雙鍵的基團以及該等官能基團(V-b)是選自於具有碳-碳雙鍵的基團和硫醇基；或<br/> 該等官能基團(I-a)是選自於羧酸官能基團以及該等官能基團(V-b)是選自於環氧基、硫醇基、羥基、一級或二級胺基、異氰酸基、㗁唑啉并基、吖𠰂基、亞胺基、碳二亞胺基、乙二醇基團、酯基團以及乙醯氧基；或<br/> 該等官能基團(I-a)是選自於羥基以及該等官能基團(V-b)是選自於：烷氧基矽烷基，羧酸官能基團；異氰酸基，一級或二級胺基，醛、硼酸和酯基團；或<br/> 該等官能基團(I-a)是選自於環氧基以及該等官能基團(V-b)是選自於羧酸官能基團、羥基和酯基團；或<br/> 該等官能基團(I-a)是選自於乙醯乙醯基以及該等官能基團(V-b)是選自於具有碳-碳雙鍵的基團、異氰酸基、醛、肼、醯肼以及一級或二級胺基；或<br/> 該等官能基團(I-a)是選自於一級或二級胺基以及該等官能基團(V-b)是選自於羧酸官能基團、環氧基、酯基團和二氧雜環戊酮基團；或<br/> 該等官能基團(I-a)是選自於乙醯氧基以及該等官能基團(V-b)是選自於醯肼基以及一級或二級胺基；或<br/> 該等官能基團(I-a)是選自於異氰酸基以及該等官能基團(V-b)是選自於羧酸官能基團、羥基、一級或二級胺基和硫醇基；或<br/> 該等官能基團(I-a)是選自於烷氧基矽烷基以及該等官能基團(V-b)是選自於羥基和烷氧基矽烷基；或<br/> 該等官能基團(I-a)是選自於烷氧基以及該等官能基團(V-b)是選自於酯基團；或<br/> 該等官能基團(I-a)是選自於酯基團以及該等官能基團(V-b)是選自於羥基、羧酸基團和酯基團；<br/> 該等官能基團(I-a)是選自於二氧雜環戊酮基團以及該等官能基團(V-b)是選自於一級或二級胺基；<br/> 該等官能基團(I-a)是選自於鹵化物官能基團以及該等官能基團(V-b)是選自於羧酸；<br/> 該等官能基團(I-a)是選自於硫醇基官能基團以及該等官能基團(V-b)是選自於碳-碳雙鍵、羧酸官能基團和異氰酸基；<br/> 該等官能基團(I-a)是選自於羥基胺以及該等官能基團(V-b)是選自於醛；<br/> 該等官能基團(I-a)是選自於㗁唑啉并基以及該等官能基團(V-b)是選自於羧酸；<br/> 該等官能基團(I-a)是選自於吖𠰂基以及該等官能基團(V-b)是選自於羧酸和羥基；<br/> 該等官能基團(I-a)是選自於亞胺基以及該等官能基團(V-b)是選自於羧酸；<br/> 該等官能基團(I-a)是選自於碳二亞胺基以及該等官能基團(V-b)是選自於羧酸；<br/> 該等官能基團(I-a)是選自於乙二醇基團以及該等官能基團(V-b)是選自於羧酸官能基團；<br/> 該等官能基團(I-a)可以選自於醯肼基以及該等官能基團(V-b)是選自於醛；<br/> 該等官能基團(I-a)是選自於醛以及該等官能基團(V-b)是選自於羥基、乙醯乙醯基、羥基胺和醯肼基；<br/> 該等官能基團(I-a)是選自於酮以及該等官能基團(V-b)是選自於羥基。
一種用於製備聚合物乳膠組成物的方法，其包括：<br/> (A) 在一個乳化聚合製程中，將一包含有用於乳膠聚合物(I)之烯系不飽和單體的組成物聚合，該等烯系不飽和單體包含有至少一種單體在聚合之後導致一個官能基團(I-a)，俾以獲得一種包含有乳膠聚合物(I)的粒子之乳膠，該乳膠聚合物(I)包含有官能基團(I-a)；以及<br/> (B1) 加入一種矽烷化合物(II)，它包含有至少兩個末端矽烷官能基團(II-a)以及一個熱可逆性鍵結(II-b)；<br/> 以及<br/> (C) 任選地加入一種化合物(V)，它包含有一個末端矽烷官能基團(V-a)以及至少一個額外的官能基團(V-b)可與該乳膠聚合物(I)的該等粒子之該等官能基團(I-a)來反應。
一種如請求項1至9之中任何一項的聚合物乳膠組成物之用途，係用於生產彈性物件或者用於塗覆或浸漬一個基材。
一種適合用於生產浸漬成形的物件之複合化聚合物乳膠組成物，其包含有：如請求項1至9之中任何一項的聚合物乳膠組成物，以及任選地選自於硫磺硫化劑、硫化用加速劑、自由基起始劑、色素以及此等的組合之佐劑，並且任選地包含有多價陽離子和/或以二氧化矽為基底的填料。
一種藉由下列來製造浸漬成形的物件之方法：<br/> (a) 提供如請求項12的複合化聚合物乳膠組成物；<br/> (b) 將一具有最終物件之所想要的形狀的模具浸入於一個包含有一金屬鹽類之溶液的凝聚劑浴中；<br/> (c) 從該凝聚劑浴移出該模具並且任選地乾燥該模具；<br/> (d) 將如步驟b)以及c)中所處理的該模具浸入於步驟a)的該複合化聚合物乳膠組成物中；<br/> (e) 在該模具的表面上凝聚出一個乳膠薄膜；<br/> (f) 從該複合化聚合物乳膠組成物移出經乳膠塗覆的模具並且任選地將該經乳膠塗覆的模具浸入於一個水浴中；<br/> (g) 任選地乾燥該經乳膠塗覆的模具；<br/> (h) 在一為40℃至180℃的溫度下來熱處理從步驟e)或f)所獲得之經乳膠塗覆的模具；和/或將從步驟e)或f)所獲得之經乳膠塗覆的模具曝露於紫外線輻射；<br/> (i) 從該模具移出該乳膠物件。
一種用於製造彈性物件的方法，其包括：<br/> (a) 從如請求項1至9之中任何一項的聚合物乳膠組成物來獲得一個連續彈性薄膜；<br/> (b) 任選地熱處理該連續彈性薄膜和/或將該連續彈性薄膜曝露於紫外線輻射；<br/> (c) 對齊兩個獨立的連續彈性薄膜；<br/> (d) 將該等被對齊的連續彈性薄膜切割或衝壓成為一個預選形狀，俾以獲得呈該預選形狀的兩個疊加的彈性薄膜層；<br/> (e) 在周邊的一個預選部位將該等疊加的層接合在一起以形成一個彈性物件。
一種藉由使用如請求項1至9之中任何一項的聚合物乳膠組成物或者如請求項12的複合化聚合物乳膠組成物而被製造出的物件。
一種感光性樹脂組成物，包含:具有光聚合性基之芳香族二胺化合物與具有3個以上之芳香族環之四羧酸衍生物之反應產物，及溶劑，<br/> 該反應產物係聚醯胺酸或將聚醯胺酸予以脫水閉環而獲得之聚醯亞胺，<br/> 該聚醯胺酸至少具有下式(1)表示之結構單元，<br/> 且該聚醯亞胺至少具有下式(2)表示之結構單元，<br/> 該式(1)中之Ar<sub>2</sub>及該式(2)中之Ar<sub>4</sub>係下式(3)表示之4價有機基，<br/> 該式(1)中之Ar<sub>1</sub>及該式(2)中之Ar<sub>3</sub>係下式(6)表示之2價有機基，<br/><img align="absmiddle" height="54px" width="116px" file="ed10057.jpg" alt="ed10057.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式(1)中，Ar<sub>1</sub>表示具有光聚合性基及芳香族環之2價有機基，Ar<sub>2</sub>表示具有3個以上之芳香族環之4價有機基，<br/><img align="absmiddle" height="54px" width="106px" file="ed10058.jpg" alt="ed10058.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式(2)中，Ar<sub>3</sub>表示具有光聚合性基及芳香族環之2價有機基，Ar<sub>4</sub>表示具有3個以上之芳香族環之4價有機基，<br/><img align="absmiddle" height="38px" width="135px" file="ed10059.jpg" alt="ed10059.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式(3)中，X<sub>1</sub>及X<sub>2</sub>各自獨立地表示醚鍵、酯鍵、胺甲酸酯鍵、脲鍵、硫醚鍵或磺醯基鍵;R<sub>1</sub>及R<sub>2</sub>各自獨立地表示亦可經取代之碳原子數1至6之烷基;Y表示下式(3-1)或(3-2)表示之2價有機基;n1及n2各自獨立地表示0至3之整數;R<sub>1</sub>有多個時，多個R<sub>1</sub>可相同也可不同;R<sub>2</sub>有多個時，多個R<sub>2</sub>可相同也可不同;＊表示原子鍵;<br/><img align="absmiddle" height="88px" width="127px" file="ed10060.jpg" alt="ed10060.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式(3-1)中，Z<sub>1</sub>表示直接鍵結、醚鍵、酯鍵、胺甲酸酯鍵、脲鍵、硫醚鍵、或磺醯基鍵;R<sub>3</sub>及R<sub>4</sub>各自獨立地表示亦可經取代之碳原子數1至6之烴基;m1表示0至3之整數;n3及n4各自獨立地表示0至4之整數;Z<sub>1</sub>有多個時，多個Z<sub>1</sub>可相同也可不同;n4有多個時，多個n4可相同也可不同;R<sub>3</sub>有多個時，多個R<sub>3</sub>可相同也可不同;R<sub>4</sub>有多個時，多個R<sub>4</sub>可相同也可不同;＊表示原子鍵;<br/> 式(3-2)中，Z<sub>2</sub>表示下式(4)或(5)表示之2價有機基;R<sub>5</sub>及R<sub>6</sub>各自獨立地表示亦可經取代之碳原子數1至6之烴基;n5及n6各自獨立地表示0至4之整數;R<sub>5</sub>有多個時，多個R<sub>5</sub>可相同也可不同;R<sub>6</sub>有多個時，多個R<sub>6</sub>可相同也可不同;＊表示原子鍵;<br/><img align="absmiddle" height="405px" width="1689px" file="ed10061.jpg" alt="ed10061.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式(4)中，R<sub>7</sub>及R<sub>8</sub>各自獨立地表示氫原子、或也可被鹵素原子取代之碳原子數1至6之烴基;＊表示原子鍵;<br/> 式(5)中，R<sub>9</sub>及R<sub>10</sub>各自獨立地表示亦可經取代之碳原子數1至6之伸烷基或亦可經取代之碳原子數6至10之伸芳基;＊表示原子鍵，<br/><img align="absmiddle" height="73px" width="84px" file="ed10062.jpg" alt="ed10062.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式(6)中，Z<sub>3</sub>表示醚鍵、酯鍵、醯胺鍵、胺甲酸酯鍵或脲鍵，Z<sub>4</sub>表示直接鍵結、酯鍵或醯胺鍵;Z<sub>5</sub>表示直接鍵結、醚鍵、酯鍵、醯胺鍵、胺甲酸酯鍵、脲鍵、硫醚鍵、或磺醯基鍵;m2表示0至1之整數;R<sub>11</sub>表示直接鍵結、或亦可被羥基取代之碳原子數2至6之伸烷基，R<sub>12</sub>表示氫原子或甲基;＊表示原子鍵。
如請求項1之感光性樹脂組成物，其中，該式(6)中之Z<sub>3</sub>及Z<sub>4</sub>為酯鍵。
如請求項1或2之感光性樹脂組成物，其中，該式(6)中之R<sub>11</sub>為1,2-伸乙基。
如請求項1或2之感光性樹脂組成物，更含有光自由基聚合起始劑。
如請求項1或2之感光性樹脂組成物，更含有交聯性化合物。
如請求項1或2之感光性樹脂組成物，係絕緣膜形成用。
如請求項1或2之感光性樹脂組成物，係負型感光性樹脂組成物。
一種樹脂膜，係如請求項1至7中任一項之感光性樹脂組成物之塗佈膜之煅燒物。
如請求項8之樹脂膜，係絕緣膜。
一種感光性阻劑薄膜，具有:基材薄膜;由如請求項1至7中任一項之感光性樹脂組成物形成之感光性樹脂層;及表覆薄膜。
一種附硬化起伏圖案之基板之製造方法，包括下列步驟:<br/> (1)將如請求項1至7中任一項之感光性樹脂組成物塗佈在基板上而將感光性樹脂層形成於該基板上;<br/> (2)將該感光性樹脂層進行曝光;<br/> (3)將該曝光後之感光性樹脂層進行顯影而形成起伏圖案;<br/> (4)將該起伏圖案進行加熱處理而形成硬化起伏圖案。
如請求項11之附硬化起伏圖案之基板之製造方法，其中，該顯影中使用的顯影液為有機溶劑。
一種附硬化起伏圖案之基板，係利用如請求項11或12之附硬化起伏圖案之基板之製造方法製造。
一種半導體裝置，具備半導體元件以及設於該半導體元件之上部或下部之硬化膜，<br/> 該硬化膜係由如請求項1至7中任一項之感光性樹脂組成物形成之硬化起伏圖案。
一種製備N,N<sup>'</sup>-雙(2,2,6,6-四甲基哌啶-4-基)己烷-1,6-二胺之方法，其中該方法包含： <br/>i. 用1,6-己二胺使2,2,6,6-四甲基哌啶-4-酮亞胺化，獲得包含N,N<sup>'</sup>-(己烷-1,6-二基)雙(2,2,6,6-四甲基哌啶-4-亞胺)之第一混合物； <br/>ii. 氫化該第一混合物之N,N<sup>'</sup>-(己烷-1,6-二基)雙(2,2,6,6-四甲基哌啶-4-亞胺)，獲得包含50至99.5重量% N,N<sup>'</sup>-雙(2,2,6,6-四甲基哌啶-4-基)己烷-1,6-二胺之經氫化第二混合物；及 <br/>iii. 在固定床反應器中連續氫化該第二混合物，獲得N,N<sup>'</sup>-雙(2,2,6,6-四甲基哌啶-4-基)己烷-1,6-二胺。
如請求項1之方法，其中步驟(i)中所製備之該第一混合物包含3至7重量%範圍內之含水量。
如請求項1或2之方法，其進一步包含自該第一混合物移除水以具有小於2重量%之含水量的步驟。
如請求項1或2之方法，其進一步包含自該第二混合物移除水以具有小於2重量%之含水量的步驟。
如請求項1或2之方法，其中在步驟(ii)中該第二混合物包含65至95重量之N,N<sup>'</sup>-雙(2,2,6,6-四甲基哌啶-4-基)己烷-1,6-二胺。
如請求項1或2之方法，其中該步驟(ii)中之該氫化係使用至少一種第一過渡金屬催化。
如請求項6之方法，其中該第一過渡金屬係選自銅、鎳、鈷、釕、鉑及鈀。
如請求項6之方法，其中該第一過渡金屬為鉑。
如請求項1或2之方法，其中步驟(iii)之該連續氫化係使用至少一種第二過渡金屬催化。
如請求項9之方法，其中該第二過渡金屬係選自銅、鎳、鈷、釕、鉑及鈀。
如請求項9之方法，其中該第二過渡金屬為鈀。
如請求項1或2之方法，其中該氫化步驟(ii)及該步驟(iii)中之氫壓在1至200 bar範圍內。
如請求項1或2之方法，其中該步驟(i)至該步驟(iii)之溫度在60至200℃範圍內。
如請求項1或2之方法，其中步驟(iii)中所獲得之N,N<sup>'</sup>-雙(2,2,6,6-四甲基哌啶-4-基)己烷-1,6-二胺的APHA值在90至400範圍內。
如請求項1或2之方法，其中1,6-己二胺與2,2,6,6-四甲基哌啶-4-酮之莫耳比在0.1:5至5:0.1範圍內。
如請求項1或2之方法，其中步驟(iii)中之氫與N,N<sup>'</sup>-雙(2,2,6,6-四甲基哌啶-4-基)己烷-1,6-二胺之莫耳比在0.5:0.1至40:5範圍內。
一種處理半導體之方法，其包括： <br/>提供包含一表面上之一金屬組件之一基板； <br/>使用分子層沈積在該表面上沈積一聚合物層，其中該聚合物層包含一金屬錐，且其中該聚合物層具有自1 nm至20 nm之一厚度；及 <br/>對該聚合物層進行退火，使得在該聚合物層中發生一結構變化，其中該退火在該金屬組件之焊接或接合期間發生，及其中該結構變化係移除該聚合物層之至少部分。
如請求項1之方法，其進一步包括在沈積該聚合物層之前對該表面進行一表面處理，其中該表面處理減小該表面。
如請求項2之方法，其中該表面處理使用氫電漿。
如請求項1之方法，其中該沈積包含複數個循環，並且其中該等循環之各者形成1 Å或多於1 Å之該聚合物層。
如請求項4之方法，其中至少四個該等循環在不同物種之間交替。
如請求項5之方法，其中該等循環之一者使用二元醇、三元醇或多元醇，且該等循環之另一者使用二乙基鋅、三甲基鋁或四二甲氨基鋯。
如請求項4之方法，其中該沈積包含在該等循環之各者之間注入一吹掃氣體。
如請求項7之方法，其中該吹掃氣體為N<sub>2</sub>或Ar。
如請求項4之方法，其中該等循環之各者形成自1 Å至3 Å之該聚合物層。
如請求項1之方法，其中該沈積發生在一腔室中，並且其中在該沈積期間該腔室之一壓力為自0.001托至10托。
如請求項1之方法，其中該厚度自1 nm至5 nm。
如請求項1之方法，其中該金屬錐為一鋅錐、一鋁錐或一鋯錐。
如請求項1之方法，其進一步包括在該表面與該聚合物層之間沈積一介電質層。
如請求項1之方法，其進一步包括在該聚合物層之與該表面相對的一側上沈積一介電質層。
如請求項1之方法，其中該金屬組件係銅或鋁。
如請求項1之方法，其中該結構變化係該聚合物層之該至少部分之緻密化。
如請求項1之方法，其中該結構變化係該聚合物層之一厚度變化。
一種具有使用如請求項1之方法沈積之聚合物層之基板。
一種用於人力車輛的撥鏈器，包括： <br/> 基座構件，被建構為安裝到該人力車輛； <br/> 可相對於該基座構件移動的鏈條導引件； <br/> 連桿結構，被建構為將該鏈條導引件可移動地耦接到該基座構件；以及 <br/> 偏置構件，被建構為將偏置力施加到該連桿結構及該鏈條導引件中的至少一個； <br/> 該連桿結構包括第一連桿，該第一連桿繞第一連桿樞轉軸線樞轉地耦接到該基座構件， <br/> 該鏈條導引件包括第一鏈條導引件，該第一鏈條導引件圍繞與該第一連桿樞轉軸線間隔開的第一導引樞轉軸線樞轉地耦接到該第一連桿，該第一鏈條導引件包括： <br/> 第一導引體，包括被建構為與鏈條接觸的第一導引面，以及 <br/> 第一導引突部，從該第一導引體突出並且圍繞該第一導引樞轉軸線樞轉地耦接到該第一連桿，該第一導引突部在相對於該第一導引樞轉軸線的軸向上與該第一連桿間隔開，以定義該第一導引突部及該第一連桿之間於該軸向上的中間空間，該中間空間沒有彈簧； <br/> 該中間空間於該軸向上提供在該第一導引突部及該偏置構件之間。
如請求項1所述的撥鏈器，其中 <br/> 該偏置構件提供在該中間空間之外。
根據請求項1所述的撥鏈器，其中 <br/> 在該基座構件安裝到該人力車輛的安裝狀態下，該第一導引突部提供在該鏈條導引件的前側。
根據請求項1所述的撥鏈器，其中 <br/> 該第一連桿包括第一連桿體及該從第一連桿體突出的第一連桿突部， <br/> 該第一導引突部繞該第一導引樞轉軸線樞轉地耦接到該第一連桿突部，以及 <br/> 該第一導引突部在該軸向上與該第一連桿突部間隔開，以在該軸向上定義該第一導引突部及該第一連桿突部之間的該中間空間。
根據請求項4所述的撥鏈器，其中 <br/> 該中間空間及該第一連桿突部於該軸向上被提供在該第一導引突部及偏置構件之間。
如請求項4所述的撥鏈器，其中 <br/> 該第一導引體包括第一最外端及第一附加最外端，並且沿著該第一導引面在該第一最外端及該第一附加最外端之間延伸，以及 <br/> 該第一導引突部提供在該第一最外端。
根據請求項6所述的撥鏈器，其中 <br/> 該第一導引突部比該第一附加最外端更靠近該基座構件。
根據請求項6所述的撥鏈器，其中 <br/> 該第一鏈條導引件包括從該第一導引體突出的第一附加導引突部，該第一附加導引突部在該軸向上與該第一導引突部間隔開，以及 <br/> 該第一導引突部比該第一附加導引突部更遠離該第一附加最外端。
如請求項4所述的撥鏈器，其中 <br/> 該第一連桿包括從該第一連桿體突出的第一附加連桿突部，該第一附加連桿突部在該軸向上與該第一連桿突部間隔開，以及 <br/> 該第一連桿突部及該第一附加連桿突部在該軸向上被提供在該第一導引突部及第一附加導引突部之間。
如請求項9所述的撥鏈器，其中 <br/> 第一距離係定義在該軸向上在該第一導引突部及該第一連桿突部之間， <br/> 第一附加距離係定義在該軸向上在該第一附加導引突部及該第一附加連桿突部之間，以及 <br/> 該第一距離長於該第一附加距離。
如請求項1所述的撥鏈器，其中 <br/> 該連桿結構包括沿該第一導引樞轉軸線延伸的第一連桿銷，以及 <br/> 該第一連桿銷被建構為圍繞該第一導引樞轉軸線將該第一導引突部樞轉地耦接到該第一連桿。
如請求項11所述的撥鏈器，還包括： <br/> 調整結構，被建構為改變該鏈條導引件的端位置，其中 <br/> 該調整結構包括調整螺栓及調整支撐件， <br/> 該調整支撐件樞轉地耦接至該第一連桿銷並包括支撐孔，以及 <br/> 該調整螺栓延伸穿過該支撐孔。
如請求項12所述的撥鏈器，還包括： <br/> 傳遞構件，被建構為將致動力傳遞至該連桿結構，其中 <br/> 該第一連桿包括螺紋孔， <br/> 該調整螺栓包括： <br/> 與該螺紋孔螺紋嚙合的外螺紋部，及 <br/> 接觸端，被建構為與該傳遞構件接觸以將該鏈條導引件定位在該端位置。
如請求項1所述的撥鏈器，其中 <br/> 該連桿結構包括第二連桿，該第二連桿繞第二連桿樞轉軸線樞轉地耦接到該基座構件，以及 <br/> 該鏈條導引件包括第二鏈條導引件，該第二鏈條導引件圍繞與該第二連桿樞轉軸線間隔開的第二導引樞轉軸線樞轉地耦接到該第二連桿， <br/> 該第二鏈條導引件耦接到該第一鏈條導引件以與該第一鏈條導引件一起相對於該基座構件移動。
如請求項1所述的撥鏈器，還包括： <br/> 馬達單元，被建構為向該鏈條導引件及該連桿結構中的至少一個施加致動力以相對於該基座構件移動該鏈條導引件。
一種用於人力車輛的撥鏈器，包括： <br/> 基座構件，被建構為安裝到該人力車輛； <br/> 鏈條導引件，可在內齒輪位置及外齒輪位置之間相對於該基座構件移動，當該鏈條導引件處於該內齒輪位置時，比起當該鏈條導引件處於該外齒輪位置的時候而言，該鏈條導引件被提供得更靠近該人力車輛的中心平面； <br/> 連桿結構，被建構為將該鏈條導引件可移動地耦接到該基座構件，以在該內齒輪位置及該外齒輪位置之間相對於該基座構件移動； <br/> 馬達單元，被建構為向該鏈條導引件及該連桿結構中的至少一個施加致動力以相對於該基座構件移動該鏈條導引件；以及 <br/> 偏置構件，被建構成將該鏈條導引件偏置向該內齒輪位置， <br/> 該連桿結構包括第一連桿，該第一連桿繞第一連桿樞轉軸線樞轉地耦接到該基座構件， <br/> 該鏈條導引件包括第一鏈條導引件，該第一鏈條導引件圍繞第一導引樞轉軸線樞轉地耦接到該第一連桿，該第一鏈條導引件包括： <br/> 第一導引體，包括被建構為與鏈條接觸的第一導引面， <br/> 第一導引突部，從該第一導引體突出並且圍繞該第一導引樞轉軸線樞轉地耦接到該第一連桿，以及 <br/> 第一附加導引突部，從該第一導引體突出並且圍繞該第一導引樞轉軸線樞轉地耦接到該第一連桿，該第一附加導引突部在相對於該第一導引樞轉軸線的軸向上與該第一導引突部間隔開，該第一連桿在該軸向上提供在該第一導引突部及該第一附加導引突部之間； <br/> 該第一連桿包括第一連桿突部、第一附加連桿突部及第一連桿體，該第一連桿體係連該第一連桿突部與該第一附加連桿突部；從該第一連桿樞轉軸線看去，該第一連桿體係偏移了延伸通過該第一連桿樞轉軸線及該第一導引樞轉軸線的平面。
如請求項16所述的撥鏈器，其中 <br/> 該第一附加連桿突部在該軸向上與該第一連桿突部間隔開， <br/> 該第一導引突部繞該第一導引樞轉軸線樞轉地耦接到該第一連桿突部，以及 <br/> 該第一附加導引突部繞該第一導引樞轉軸線樞轉地耦接到該第一附加連桿突部。
根據請求項17所述的撥鏈器，其中 <br/> 該第一連桿突部繞該第一連桿樞轉軸線樞轉地耦接到該基座構件，以及 <br/> 該第一附加連桿突部繞該第一連桿樞轉軸線樞轉地耦接到該基座構件。
如請求項18所述的撥鏈器，其中 <br/> 該第一連桿突部包括第一連桿耦接部及第一導引耦接部， <br/> 該第一連桿耦接部繞該第一連桿樞轉軸線樞轉地耦接到該基座構件， <br/> 該第一導引耦接部繞該第一導引樞轉軸線樞轉地耦接到該第一導引突部，以及 <br/> 該第一導引耦接部在該軸向上從該第一連桿耦接部偏移。
如請求項19所述的撥鏈器，其中 <br/> 該第一導引耦接部在該軸向上比該第一連桿耦接部更靠近該第一導引突部。
一種用於製備包含氣凝膠顆粒以及陶瓷纖維的複合製品的方法，該方法包含：<br/> 提供包含一陶瓷纖維的一纖維製品；<br/> 提供包含一氣凝膠粉末以及一有機溶劑的一氣凝膠組合物；<br/> 結合該纖維製品以及該氣凝膠組合物；以及<br/> 部分地或全部地移除該有機溶劑以獲得該複合製品，該複合製品具有氣凝膠；<br/> 其中該陶瓷纖維係選自(a)、(b)或(c)其中之一者，(a)該陶瓷纖維包括80 wt%或大於80 wt%的氧化鋁、0 wt%至20 wt%的二氧化矽，(b) 該陶瓷纖維包括2 wt%至小於80 wt%的氧化鋁、10 wt%至98 wt%的二氧化矽，或(c)該陶瓷纖維包括小於2 wt%的氧化鋁、50 wt%至85 wt%的二氧化矽以及15 wt%至50 wt%的鹼土金屬氧化物；<br/> 其中該纖維製品係選自紙、棉絮、不織布、墊子、氈或針軋纖維毯；<br/> 其中該氣凝膠粉末係選自氧化矽、氧化鋁、氧化鋯、氧化鈦、氧化鉿以及氧化釔中的一種或多種；<br/> 其中該有機溶劑係選自烴類溶劑、醇溶劑或烴類溶劑以及醇溶劑的混合物；<br/> 其中該氣凝膠組合物係該氣凝膠粉末分散於該有機溶劑中，且該氣凝膠組合物包括2 wt%至20 wt%的氣凝膠；以及<br/> 其中藉由將該氣凝膠組合物注射至、浸漬或浸泡該纖維製品而結合該纖維製品以及該氣凝膠組合物。
如請求項1所述之用於製備複合製品的方法，基於該陶瓷纖維的總重量，其中該陶瓷纖維包括80 wt%或大於80 wt%的氧化鋁、0 wt%至20 wt%的二氧化矽，其中該陶瓷纖維包括小於2 wt%的除了二氧化矽以及氧化鋁以外的其他成分。
如請求項1所述之用於製備複合製品的方法，基於該陶瓷纖維的總重量，其中該陶瓷纖維包括2 wt%至小於80 wt%的氧化鋁以及10 wt%至 98 wt%的二氧化矽。
如請求項1所述之用於製備複合製品的方法，其中該陶瓷纖維包括小於2 wt%的氧化鋁、50 wt%至85 wt%的二氧化矽以及15 wt%至50 wt%的鹼土金屬氧化物。
如請求項1所述之用於製備複合製品的方法，其中該氣凝膠為二氧化矽氣凝膠。
如請求項1所述之用於製備複合製品的方法，根據等溫吸附及解吸的測定，其中該氣凝膠具有85 %或大於85%的孔隙率。
如請求項1所述之用於製備複合製品的方法，根據DIN ISO 9277 2003-05的「使用BET方法透過氣體吸附測定固體的比表面積」的測定，其中該氣凝膠具有300 m<sup>2</sup>/g或大於300 m<sup>2</sup>/g的比表面積。
如請求項1所述之用於製備複合製品的方法，其中該氣凝膠組合物為在該有機溶劑中的該氣凝膠粉末的分散體，且基於該氣凝膠組合物的總重量，該氣凝膠組合物中的該氣凝膠粉末以及該有機溶劑的含量和為90 wt%或大於 90%。
如請求項1所述之用於製備複合製品的方法，基於該複合製品的總重量，其中該複合製品包括15 wt%至70 wt%的該氣凝膠。
如請求項1所述之用於製備複合製品的方法，其中該複合製品的該陶瓷纖維中的至少50 %具有10 mm或大於10mm的長度。
如請求項1所述之用於製備複合製品的方法，其中該複合製品中的一種或多種該氣凝膠與一種或多種該陶瓷纖維的重量比為1：4。
一種如請求項1所述之用於製備包含氣凝膠顆粒以及陶瓷纖維的複合製品的方法的複合製品，其滿足下列條件(i)至(vi)中的一項或多項：<br/> (i) 該複合製品包括小於2 wt%的一有機化合物；<br/> (ii) 該複合製品中的一纖維的至少50 %具有5 mm或大於5 mm的長度；<br/> (iii) 該複合製品包括小於 10 wt%的一黏合劑；<br/> (iv) 當在一氮氣氣氛中以10 °C/min的升溫速度由30 °C加熱至1100 °C時，該複合製品在熱重分析中展現的總重量損失小於 35 wt%；<br/> (v) 該複合製品中的一種或多種該氣凝膠與一種或多種該纖維的重量比為1：8或大於1：8；<br/> (vi) 該複合製品具有60分鐘或大於60分鐘的燒穿時間，其中抗燒穿性的測定是使用DIN A4且具有1 mm至3 mm厚度的片材形態的該複合製品，並且使用一銲槍對該複合製品的一第一主表面的中心以具有1400 °C的火焰進行處理，其中燒穿時間是從開始進行火焰處理直到一第二主表面的中心達到1000 °C的持續時間。
一種複合製品，其藉由如請求項1所述之方法獲得。
一種肌肉電刺激程式，其係用於將電刺激賦予肌肉之程式，其特徵係 <br/>使具備向電極群施加電壓訊號之訊號施加部之電刺激裝置的電腦執行： <br/>藉由控制該訊號施加部，重複複數個脈衝波形群作為該電壓訊號而施加於該電極群之功能； <br/>該複數個脈衝波形群，係包含： <br/>於每個對應於15Hz～25Hz頻率之第一週期間歇地施加之第一脈衝波形群、及 <br/>於該第一週期中該第一脈衝波形群之施加期間外施加之第二脈衝波形群； <br/>該脈衝波形群，係在同一個該第一週期內於每個較該第一週期短的第二週期重複施加； <br/>該第一週期中之一個該第二週期之一部分為該第一脈衝波形群之施加期間； <br/>施加於該電極群之功能，係藉由控制該訊號施加部，在各個連續之複數個區段期間重複該複數個脈衝波形群而施加於該電極群。
如請求項1所述之肌肉電刺激程式，其中，該第一脈衝波形群之脈衝輸出時間，係較該第二脈衝波形群之脈衝輸出時間更長。
如請求項1所述之肌肉電刺激程式，其中，該第一脈衝波形群之脈衝電壓，係較該第二脈衝波形群之脈衝電壓更高。
如請求項1所述之肌肉電刺激程式，其中，該第一脈衝波形群之脈衝輸出時間，係較該第二脈衝波形群之脈衝輸出時間更長，且 <br/>該第一脈衝波形群之脈衝電壓，係較該第二脈衝波形群之脈衝電壓更高。
如請求項1至4中任一項所述之肌肉電刺激程式，其中，各個該複數個區段期間，在該脈衝波形群之脈衝波形或該區段期間之時間長中至少有一者相異。
如請求項1至4中任一項所述之肌肉電刺激程式，其中，施加於該電極群之功能，係藉由控制該訊號施加部，將賦予左腳電刺激之左腳用EMS（Electric Muscle Stimulation）波形群、及賦予右腳電刺激之右腳用EMS波形群作為該電壓訊號而交互地施加於該電極群； <br/>該左腳用EMS波形群及該右腳用EMS波形群，係該複數個脈衝波形群之重複。
一種電刺激裝置，其特徵係具備： <br/>將電刺激賦予使用者之電極群、 <br/>向該電極群施加電壓訊號之訊號施加部、及 <br/>執行如請求項1至6中任一項所述之肌肉電刺激程式之控制部。
一種燈，包括： <br/>- 包括一個或多個LED型二極體的一光源； <br/>- 用於向該光源提供電流的一功率模組，該功率模組由一控制資訊或一控制訊號控制； <br/>- 一控制模組，該控制模組用於調整由該光源產生的光強度；該控制模組包括： <br/>一光感測器，該光感測器用於感測來自該燈的持有者的環境的光，該控制模組被配置為根據由該光感測器產生的資訊來產生該控制資訊或該控制訊號， <br/>其特徵在於，該控制模組還包括： <br/>一加速度計，該加速度計被配置為以規則的間隔提供表示該燈的沿至少一個水平軸和一個垂直軸的加速度的資料； <br/>其中，該控制模組包括一電路，該電路被配置為數位地儲存和處理表示該加速度的資料，並確定從儲存在一記憶體內的一組預定身體活動輪廓中選擇的一身體活動輪廓； <br/>其中，該控制模組包括儲存在該記憶體內的一查閱資料表（LUT），該LUT提供用於產生該控制資訊或該控制訊號的至少一個值或參數； <br/>其中，由該電路選擇的該身體活動輪廓用作存取該LUT的入口指針； <br/>其中，從該LUT讀取的該值或參數與該光感測器產生的資訊結合使用，以確定該控制資訊或該控制訊號。
如請求項1所述的燈，其中，該加速度計產生沿兩個水平軸X1、Z1和沿垂直軸Y1的一加速度資料；以及 <br/>其中，該一組預定身體活動輪廓包括表示步行、跑步和騎行的輪廓。
如請求項1所述的燈，其中，由該控制模組調整的光束的功率在分別為一低臨界值和一高臨界值的兩個臨界值之間變化，並且其中，該低臨界值由直接從該LUT中提取的值設置。
如請求項1所述的燈，其中，被配置為儲存和處理表示該加速度的資料的該電路使用基於該燈的垂直加速度分量μy的方差的測量的數字和統計處理方法。
如請求項4所述的燈，其中，被配置為儲存和處理表示該加速度的資料的該電路使用基於該燈的兩個加速度分量的方差的測量的數字和統計處理方法。
如請求項1所述的燈，其中，從該LUT中提取的資料使得能夠定義在寬光束、窄聚焦光束、和/或寬光束和窄聚焦光束兩者中選擇的光束的最小光功率臨界值和特定幾何形狀。
如請求項1所述的燈，其中，該燈是頭燈，並且該控制模組被配置為處理來自該加速度計的資料以檢測使用者的跌倒。
如請求項7所述的燈，其中，該控制模組傳輸使用者跌倒資訊以產生傳輸到行動電話的電子警報。
如請求項8所述的燈，其中，該控制模組被配置為控制旨在尋求説明的光警報序列。
一種如請求項1至請求項9中任一項所述的一燈的光調節方法，包括以下步驟： <br/>- 以規則的間隔產生由該加速度計提供的一組加速度資料μx、μy和μz； <br/>- 將該加速度資料μx、μy和μz儲存在隨機存取記憶體內； <br/>- 對該加速度資料μx、μy和μz執行數位處理，以確定從儲存在非揮發性記憶體中的一組的N個預定輪廓中選擇的一身體活動輪廓； <br/>- 使用所選擇的身體活動輪廓作為存取一LUT對應關係表的入口指標，該LUT對應關係表中儲存有特定於允許產生用於調整光功率的該控制資訊或該控制訊號的機制的值和參數； <br/>- 讀取該LUT對應關係表並提取儲存在其中的一個或多個參數或值； <br/>- 根據從該LUT對應關係表中提取的一個或多個值以及由該光感測器提供的資訊來確定該控制資訊或該控制訊號； <br/>- 返回第一步驟以讀取和處理新的加速度資料。
如請求項10所述的方法，其中，讀取該LUT對應關係表提供了定義由該燈產生的最小光功率的值。
一種安全設備，其包含：<br/> 一密碼編譯電路系統，其包括：<br/> 多個密碼功能單元(CFU)，其用以執行密碼編譯演算法；及<br/> 干擾器電路系統，其用以產生雜訊以保護該等多個CFU免受旁道攻擊，該干擾器電路系統包括：<br/> 一正反器陣列，其包括用以切換狀態以產生該雜訊之多個正反器；及<br/> 一隨機數產生器，其用以產生一第一整數值及一第二整數值，該第一整數值具有用於要由該正反器陣列所產生之該雜訊的一第一量之一第一位元長度，該第二整數值具有用於要由該正反器陣列所產生之該雜訊的一第二量之一第二位元長度。
如請求項1之安全設備，其中該干擾器電路系統遮蔽藉由該等密碼編譯演算法處理安全資料而產生的信號。
如請求項2之安全設備，其中該干擾器電路系統藉由添加該雜訊而降低在一CFU處所產生之該等信號之一信號對雜訊比來遮蔽該等信號。
如請求項3之安全設備，其中該等多個CFU中之各者執行一不同密碼編譯演算法。
如請求項1之安全設備，其中該干擾器電路系統進一步包含用以接收來自該隨機數產生器的該等整數值且將該等整數值轉換成一位元向量之一狀態解碼器。
如請求項5之安全設備，其中該位元向量之一值係由該第一整數值及該第二整數值所判定。
如請求項6之安全設備，其中該等多個正反器儲存該位元向量。
如請求項7之安全設備，其中該等多個正反器之閘控輸出狀態及該等狀態之該切換產生該雜訊。
如請求項2之安全設備，其中該密碼編譯電路系統進一步包含用以接收控制信號以啟用及停用該干擾器電路系統之控制電路系統。
一種用以增強一運算系統之安全的方法，其包含：<br/> 在一密碼功能單元(CFU)處經由一密碼編譯演算法處理資料；及<br/> 在干擾器電路系統處產生雜訊以遮蔽在該CFU處所處理之該資料，該產生雜訊之步驟包括：<br/> 接收具有一第一位元長度之一第一整數值；<br/> 在一正反器陣列處基於該第一整數值來產生該雜訊之一第一量；<br/> 接收一第二整數值；及<br/> 在該正反器陣列處基於該第二整數值來產生該雜訊之一第二量。
如請求項10之方法，進一步包含：<br/> 將該第一整數值轉換成一第一位元向量；及<br/> 將該第二整數值轉換成一第二位元向量。
如請求項11之方法，其中產生該雜訊遮蔽由該密碼編譯演算法處理之安全資料。
一種安全引擎，其包含：<br/> 一微控制器，其用以對一電腦系統平台執行安全服務；及<br/> 以通訊方式耦接至該微控制器之一密碼編譯電路系統，其包括：<br/> 多個密碼功能單元(CFU)，其用以執行密碼編譯演算法；及<br/> 干擾器電路系統，其用以產生雜訊以保護該等多個CFU免受旁道攻擊，該干擾器電路系統包括：<br/> 一正反器陣列，其包括用以切換狀態以產生該雜訊之多個正反器；及<br/> 一隨機數產生器，其用以產生一第一整數值及一第二整數值，該第一整數值具有用於要由該正反器陣列所產生之該雜訊的一第一量之一第一位元長度，該第二整數值具有用於要由該正反器陣列所產生之該雜訊的一第二量之一第二位元長度。
如請求項13之安全引擎，其中該干擾器電路系統包含：<br/> 一狀態解碼器，其用以接收來自該隨機數產生器的該等整數值且將該等整數值轉換成一位元向量。
如請求項14之安全引擎，其中該位元向量之一值係由該第一整數值及該第二整數值所判定。
如請求項15之安全引擎，其中該等多個正反器儲存該位元向量。
如請求項16之安全引擎，其中該等多個正反器之閘控輸出狀態及該等狀態之該切換產生該雜訊。
如請求項13之安全引擎，其中該密碼編譯電路系統進一步包含用以接收來自該微控制器的控制信號以啟用及停用該干擾器電路系統之控制電路系統。
一種氣缸櫃，係具有以立設狀態收納氣瓶的收納空間，該氣缸櫃具備： <br/>滾輪單元，位於前述收納空間的底部，並且具有供前述氣瓶以立設狀態放置的放置面；以及 <br/>位於前述滾輪單元的下方的重量測量構件或調高構件，該重量測量構件係測量氣瓶的重量，該調高構件係與該重量測量構件高度相同；且 <br/>前述氣瓶能夠以立設狀態在前述放置面上朝收納空間內外方向移動； <br/>前述滾輪單元可從以立設狀態放置前述氣瓶時的設置位置移動； <br/>前述重量測量構件與前述調高構件可交替更換。
如請求項1所述之氣缸櫃，其中，前述滾輪單元從前述收納空間裝拆自如。
如請求項1或2所述之氣缸櫃，其中， <br/>前述滾輪單元具有： <br/>在收納空間內外方向延伸的一對支撐部；以及 <br/>在前述支撐部之間被軸支撐成轉動自如，並且在收納空間內外方向以既定的間隔配置的複數個滾輪。
如請求項3所述之氣缸櫃，其中，前述放置面為前述複數個滾輪的頂面。
一種氣瓶存放器，可收容複數根氣瓶者，該氣瓶存放器係具備： <br/>一對框架，係左右相對向地配置而形成作為保管對象的氣瓶所放入的空間，並且朝深度方向延伸； <br/>搬運輥，係在該一對框架的下端部跨及左右的框架，並且朝深度方向設置複數個； <br/>氣瓶保持片，係設在前述框架，朝搬運方向開放但朝反方向不開放，並且對應於被收容的氣瓶的數量而朝深度方向以既定間隔設置；以及 <br/>阻擋構件，係設在前述搬運方向的最後方，並與被搬運的氣瓶抵接使該氣瓶的移動停止， <br/>前述搬運輥由驅動輥及不驅動的自由輥構成，配置在搬運路徑的兩端部的至少一根為前述自由輥。
如請求項1所述之氣瓶存放器，其中，前述搬運方向中之最靠入側的搬運輥以及最靠後側的搬運輥為前述自由輥。
如請求項2所述之氣瓶存放器，其中，前述搬運方向中之最靠入側的自由輥及最靠後側的自由輥的直徑比其他搬運輥還細。
一種氣瓶存放器組，係並列配置複數個如請求項1至3中任一項所述之氣瓶存放器，且相鄰的氣瓶存放器彼此係藉由連結具連結而構成。
一種氣瓶保管庫，係在箱體內收容如請求項1至3中任一項所述之氣瓶存放器而構成。
一種升舉銷組件，該升舉銷組件包括：<br/> 一升舉銷，該升舉銷包括一長軸、一頭部和一耦接端，該頭部位於該軸頂部，該耦接端位於該軸的一底部，該頭部構造成靠在一靜電吸盤上；<br/> 一上引導件，該上引導件包括一頂端、一底端和一第一開口，該第一開口從該頂端延伸到該底端，其中該軸設置為穿過該第一開口並且可軸向移動穿過該第一開口；<br/> 一下引導件，該下引導件包括一頂端、一底端、一第二開口和一第三開口，該第二開口和該第三開口從該頂端延伸至該底端，其中該第三開口大於該第二開口，且其中該軸設置為穿過該第二開口和該第三開口並且可軸向移動穿過該第二開口和該第三開口；和<br/> 一偏置機構，該偏置機構耦接到該軸並且構造成將該升舉銷沿著從該升舉銷的該頭部到該升舉銷的該耦合端的一向下方向偏置朝向該靜電吸盤。
如請求項1所述的升舉銷組件，其中該偏置機構包括：<br/> 一夾持器，該夾持器包括一頂端和一底端，其中該夾持器在該夾持器的該頂端耦接至該升舉銷的該耦接端，且該夾持器的該底端包括一凸緣；和<br/> 一彈簧，該彈簧圍繞該軸定位在該下引導件的該第三開口中，其中該彈簧的一頂端面向該下引導件的一頂端，並且該彈簧的一底端面向該夾持器的該頂端， <br/> 其中該彈簧被配置為沿該向下方向偏置該夾持器。
如請求項2所述的升舉銷組件，其中沿一向上方向移動該夾持器導致該彈簧沿該向下方向偏置該升舉銷。
如請求項1所述的升舉銷組件，其中該偏置機構包括：<br/> 一夾持器，該夾持器包括一頂端和一底端，其中該夾持器在該夾持器的該頂端耦接至該升舉銷的該耦接端，且該夾持器包含：<br/> 一凸緣，該凸緣從該夾持器在該頂端和該底端之間延伸，以及<br/> 一螺栓，該螺栓在該底端耦接到該夾持器，其中該螺栓被配置為包括額外的重量以沿該向下方向偏置升舉銷。
如請求項4所述之升舉銷組件，其中該夾持器進一步包括設置在該螺栓和該底端之間的一墊圈。
如請求項1所述之升舉銷組件，其中該升舉銷被配置為插入形成在該靜電吸盤中的一升舉銷孔中，該升舉銷孔包括： <br/> 一開口，該開口用於該升舉銷的該軸，以及<br/> 一突出部分，該突出部分從該軸的該開口向外和可選地向上延伸， <br/> 其中該頭部的一基部被成形為當該升舉銷處於一縮回位置時與該突出部分緊密接觸，並且<br/> 其中當該升舉銷處於該縮回位置時，該頭部的該頂部與該靜電吸盤的一頂表面齊平或從其凹入。
如請求項6所述之升舉銷組件，其中該頭部的該基部具有介於約4和64微英寸之間的一Ra粗糙度。
如請求項1至6中任一項所述之升舉銷組件，其中該頭部從該軸水平向外延伸，該頭部和該軸形成一「T」形。
如請求項6所述之升舉銷組件，其中該升舉銷孔包括從該突出部分垂直向上延伸到該靜電吸盤的一上表面的一側壁。
如請求項1至6中任一項所述之升舉銷組件，其中該頭部從該軸水平向外並向上延伸，該頭部和該軸形成一「Y」形。
如請求項6所述之升舉銷組件，其中該升舉銷孔包括從該突出部分垂直向上並向外延伸到該靜電吸盤的一上表面的一漸縮側壁。
一種基板支座，包括：<br/> 一靜電吸盤，該靜電吸盤具有配置為支撐一基板的一表面並具有複數個升舉銷孔；<br/> 一底板，該底板位於該靜電吸盤下方；和<br/> 複數個升舉銷組件，該複數個升舉銷組件設置在該底板內，並且被配置為允許對應的複數個升舉銷穿過該靜電吸盤的對應的升舉銷孔，複數個升舉銷組件中的每一個升舉銷組件包括 <br/> 一升舉銷，該升舉銷包括一長軸、一頭部和一耦接端，該頭部位於該軸頂部，該耦接端位於該軸的一底部，該頭部構造成靠在該靜電吸盤上；<br/> 一上引導件，該上引導件包括一頂端、一底端和一第一開口，該第一開口從該頂端延伸到該底端，其中該軸設置為穿過該第一開口並且可軸向移動穿過該第一開口；<br/> 一下引導件，該下引導件包括一頂端、一底端、一第二開口和一第三開口，該第二開口和該第三開口從該頂端延伸至該底端，其中該第三開口大於該第二開口，且其中該軸設置為穿過該第二開口和該第三開口並且可軸向移動穿過該第二開口和該第三開口；<br/> 一偏置機構，該偏置機構耦接到該軸並且構造成施加一偏置力以將該升舉銷沿著從該升舉銷的該頭部到該升舉銷的該耦合端的一向下方向偏置朝向該靜電吸盤；和<br/> 一升舉板，該升舉板設置在該底板內並構造成選擇性地提供抵靠該等升舉銷的一底部的一力，該力足以克服該偏置力並將該等升舉銷的該等頭部提升到該靜電吸盤的該表面上方。
如請求項12所述之基板支座，其中該偏置機構包括：<br/> 一夾持器，該夾持器包括一頂端和一底端，其中該夾持器在該夾持器的該頂端耦接至該升舉銷的該耦接端，且該夾持器的該底端包括一凸緣；和<br/> 一彈簧，該彈簧圍繞該軸定位在該下引導件的該第三開口中，其中該彈簧的一頂端面向該下引導件的一頂端，並且該彈簧的一底端面向該夾持器的該頂端， <br/> 其中該彈簧被配置為沿該向下方向偏置該夾持器。
如請求項13所述的基板支座，其中沿一向上方向移動該夾持器導致該彈簧沿該向下方向偏置該升舉銷。
如請求項12所述之基板支座，其中該偏置機構包括：<br/> 一夾持器，該夾持器包括一頂端和一底端，其中該夾持器在該夾持器的該頂端耦接至該升舉銷的該耦接端，且該夾持器包含：<br/> 一凸緣，該凸緣從該夾持器在該頂端和該底端之間延伸，以及<br/> 一螺栓，該螺栓在該底端耦接到該夾持器，其中該螺栓被配置為包括額外的重量以沿該向下方向偏置升舉銷。
如請求項12所述之基板支座，其中每個升舉銷孔包括： <br/> 一開口，該開口用於一對應的升舉銷的該軸，以及<br/> 一突出部分，該突出部分從該軸的該開口向外和可選地向上延伸， <br/> 其中該頭部的一基部被成形為當該對應的升舉銷處於一縮回位置時與該突出部分緊密接觸，並且<br/> 其中當該對應的升舉銷處於該縮回位置時，該頭部的一頂部與該靜電吸盤的一頂表面齊平或從其凹入。
如請求項16所述之基板支座，其中該頭部的該基部具有介於約4和64微英寸之間的一Ra粗糙度。
如請求項12至16中任一項所述之基板支座，其中該頭部從該軸水平向外延伸，該頭部和該軸形成一「T」形。
如請求項12至16中任一項所述之基板支座，其中該頭部從該軸水平向外並向上延伸，該頭部和該軸形成一「Y」形。
如請求項12所述之基板支座，進一步包括：<br/> 一第一板與一第二板，該第一板與該第二板在該靜電吸盤下方，該第一板被配置用於耦合到一RF電源，其中<br/> 該底板設置於該第一板與該第二板下方，且 <br/> 複數個升舉銷組件設置在該底板、該第一板和該第二板內。
一種阻劑下層膜形成組成物，其包含：末端負載有酸化合物之聚合物，及溶劑； <br/> 其中前述末端為下述式(I)所示者： <br/><img align="absmiddle" height="224px" width="743px" file="ed10058.jpg" alt="ed10058.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式(I)中，A<sup>1</sup>表示酸化合物，B表示鹼性構造，＊為與聚合物殘基之鍵結部位； <br/> 前述酸化合物為選自由磺酸化合物、鎓鹽化合物、磺醯亞胺化合物、及二磺醯基重氮甲烷化合物所成群者。
一種阻劑下層膜形成組成物，其包含：末端負載有酸化合物之聚合物，及溶劑； <br/> 其中前述聚合物為具有下述式(1)所示之重複單位構造之聚合物； <br/><img align="absmiddle" height="258px" width="881px" file="ed10059.jpg" alt="ed10059.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，A<sub>1</sub>、A<sub>2</sub>、A<sub>3</sub>、A<sub>4</sub>、A<sub>5</sub>及A<sub>6</sub>係各自表示氫原子、甲基或乙基， <br/> X<sub>1</sub>表示式(2)、式(3)、式(4)或式(0)： <br/><img align="absmiddle" height="314px" width="987px" file="ed10060.jpg" alt="ed10060.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式中，R<sub>1</sub>及R<sub>2</sub>係各自表示氫原子、鹵素原子、碳原子數1~6之烷基、碳原子數3~6之烯基、苄基或苯基，且，前述碳原子數1~6之烷基、碳原子數3~6之烯基、苄基及苯基亦可經選自由碳原子數1~6之烷基、鹵素原子、碳原子數1~6之烷氧基、硝基、氰基、羥基、羧基及碳原子數1~6之烷硫基所成群之基所取代，又，R<sub>1</sub>與R<sub>2</sub>亦可互相結合而形成碳原子數3~6之環，R<sub>3</sub>表示鹵素原子、碳原子數1~6之烷基、碳原子數3~6之烯基、苄基或苯基，且，前述苯基亦可經選自由碳原子數1~6之烷基、鹵素原子、碳數1~6之烷氧基、硝基、氰基、羥基、及碳原子數1~6之烷硫基所成群之基所取代)； <br/> Q表示式(5)或式(6)： <br/><img align="absmiddle" height="316px" width="778px" file="ed10061.jpg" alt="ed10061.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式中，Q<sub>1</sub>表示碳原子數1~10之伸烷基、伸苯基、伸萘基或伸蒽基，且，前述伸烷基、伸苯基、伸萘基及伸蒽基係各自可經選自由碳原子數1~6之烷基、碳原子數2~7之羰氧基烷基、鹵素原子、碳原子數1~6之烷氧基、苯基、硝基、氰基、羥基、碳原子數1~6之烷硫基、具有二硫醚基之基、羧基或由該等之組合所構成之基所取代，前述伸烷基亦可被二硫醚鍵所中斷，n<sub>1</sub>及n<sub>2</sub>係各自表示0或1之數，X<sub>2</sub>表示式(2)、式(3)、或式(0))； <br/> 前述酸化合物係與存在於聚合物末端之鹼經離子鍵結者。
如請求項1之阻劑下層膜形成組成物，其中前述酸化合物係與存在於聚合物末端之鹼經離子鍵結者。
如請求項2之阻劑下層膜形成組成物，其中前述末端為下述式(I)所示者： <br/><img align="absmiddle" height="224px" width="743px" file="ed10058.jpg" alt="ed10058.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式(I)中，A<sup>1</sup>表示酸化合物，B表示鹼性構造，＊為與聚合物殘基之鍵結部位。
如請求項1或4之阻劑下層膜形成組成物，其中前述B包含氮原子。
如請求項1或4之阻劑下層膜形成組成物，其中前述B為R<sup>1</sup>R<sup>2</sup>R<sup>3</sup>N， <br/> R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>係各自獨立表示可經取代之直鏈或分支之飽和或不飽和之脂肪族烴基， <br/> R<sup>1</sup>與R<sup>2</sup>係隔著雜原子或不隔著雜原子而亦可形成環， <br/> R<sup>3</sup>表示可經取代之芳香族基，或可經取代之直鏈或分支之飽和或不飽和之脂肪族烴基， <br/> 在R<sup>1</sup>與R<sup>2</sup>並未形成環時，R<sup>3</sup>為可經取代之芳香族基。
如請求項6之阻劑下層膜形成組成物，其中前述B為 <br/><img align="absmiddle" height="110px" width="346px" file="ed10063.jpg" alt="ed10063.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[式中，R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>係各自獨立表示可經取代之直鏈或分支之飽和或不飽和之脂肪族烴基，R<sup>3</sup>表示可經取代之芳香族基]； <br/>或下述式(II)所示之鹼， <br/><img align="absmiddle" height="213px" width="593px" file="ed10065.jpg" alt="ed10065.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[式(II)中，R為氫原子、硝基、氰基、胺基、羧基、鹵素原子、碳數1~10之烷氧基、碳數1~10之烷基、碳數2~10之烯基、碳數6~40之芳基、包含醚鍵之有機基、包含酮鍵之有機基、包含酯鍵之有機基，或組合該等而成之基， <br/> R’為 <br/><img align="absmiddle" height="106px" width="625px" file="ed10067.jpg" alt="ed10067.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/> R<sup>a</sup>及R<sup>b</sup>係各自獨立表示經任意取代之烷基， <br/> X為O、S、或SO<sub>2</sub>， <br/> n及m係各自獨立為2、3、4、5或6]。
如請求項7之阻劑下層膜形成組成物，其中上述R<sup>3</sup>表示可經取代之苯基、萘基、蒽基或菲基， <br/> 上述R為氫原子、甲基、乙基、烯丙基或氰基甲基， <br/> 上述R’為 <br/><img align="absmiddle" height="106px" width="748px" file="ed10069.jpg" alt="ed10069.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>所示之鹼。
如請求項1或4中任一項之阻劑下層膜形成組成物，其中前述A<sup>1</sup>為下述式(III)所示者； <br/><img align="absmiddle" height="79px" width="474px" file="ed10071.jpg" alt="ed10071.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式(III)中，A為可經取代之直鏈、分支或環狀之飽和或不飽和之脂肪族烴基、可經羧基以外之基所取代之芳基，或可經取代之雜芳基。
如請求項1之阻劑下層膜形成組成物，其中前述聚合物為具有下述式(1)所示之重複單位構造之聚合物； <br/><img align="absmiddle" height="258px" width="881px" file="ed10059.jpg" alt="ed10059.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，A<sub>1</sub>、A<sub>2</sub>、A<sub>3</sub>、A<sub>4</sub>、A<sub>5</sub>及A<sub>6</sub>係各自表示氫原子、甲基或乙基， <br/> X<sub>1</sub>表示式(2)、式(3)、式(4)或式(0)： <br/><img align="absmiddle" height="314px" width="987px" file="ed10060.jpg" alt="ed10060.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式中，R<sub>1</sub>及R<sub>2</sub>係各自表示氫原子、鹵素原子、碳原子數1~6之烷基、碳原子數3~6之烯基、苄基或苯基，且，前述碳原子數1~6之烷基、碳原子數3~6之烯基、苄基及苯基亦可經選自由碳原子數1~6之烷基、鹵素原子、碳原子數1~6之烷氧基、硝基、氰基、羥基、羧基及碳原子數1~6之烷硫基所成群之基所取代，又，R<sub>1</sub>與R<sub>2</sub>亦可互相結合而形成碳原子數3~6之環，R<sub>3</sub>表示鹵素原子、碳原子數1~6之烷基、碳原子數3~6之烯基、苄基或苯基，且，前述苯基亦可經選自由碳原子數1~6之烷基、鹵素原子、碳數1~6之烷氧基、硝基、氰基、羥基、及碳原子數1~6之烷硫基所成群之基所取代)； <br/> Q表示式(5)或式(6)： <br/><img align="absmiddle" height="316px" width="778px" file="ed10061.jpg" alt="ed10061.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式中，Q<sub>1</sub>表示碳原子數1~10之伸烷基、伸苯基、伸萘基或伸蒽基，且，前述伸烷基、伸苯基、伸萘基及伸蒽基係各自可經選自由碳原子數1~6之烷基、碳原子數2~7之羰氧基烷基、鹵素原子、碳原子數1~6之烷氧基、苯基、硝基、氰基、羥基、碳原子數1~6之烷硫基、具有二硫醚基之基、羧基或由該等之組合所構成之基所取代，前述伸烷基亦可被二硫醚鍵所中斷，n<sub>1</sub>及n<sub>2</sub>係各自表示0或1之數，X<sub>2</sub>表示式(2)、式(3)、或式(0))。
如請求項1或2之阻劑下層膜形成組成物，其中更包含交聯劑。
如請求項1或2之阻劑下層膜形成組成物，其中更包含酸產生劑。
一種阻劑下層膜，其特徵為塗佈膜之燒成物，該塗佈膜係由如請求項1~12中任一項之阻劑下層膜形成組成物所構成。
一種經圖型化基板之製造方法，其包含： <br/> 在半導體基板上塗佈如請求項1~12中任一項之阻劑下層膜形成組成物並進行烘烤而形成阻劑下層膜的步驟； <br/> 在前述阻劑下層膜上塗佈阻劑並進行烘烤而形成阻劑膜的步驟； <br/> 將前述阻劑下層膜與被前述阻劑所被覆之半導體基板予以曝光的步驟；及， <br/> 將曝光後之前述阻劑膜予以顯影進行圖型化之步驟。
一種半導體裝置之製造方法，其特徵為包含： <br/> 在半導體基板上形成由如請求項1~12中任一項之阻劑下層膜形成組成物所構成之阻劑下層膜的步驟； <br/> 在前述阻劑下層膜之上形成阻劑膜的步驟； <br/> 藉由對阻劑膜照射光或電子線與其後之顯影而形成阻劑圖型的步驟； <br/> 藉由隔著經形成之前述阻劑圖型來蝕刻前述阻劑下層膜而形成經圖型化之阻劑下層膜的步驟；及， <br/> 藉由經圖型化之前述阻劑下層膜來加工半導體基板的步驟。
一種包含至少一個式(I)單元的化合物， <br/><img align="absmiddle" height="80px" width="171px" file="ed10032.jpg" alt="ed10032.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (I) <br/>其中X為酮或碸基， <br/>其中Z為包含至少一個三級碳原子和至少一個直接鍵結至該等氧原子中的一者之芳香族6環的結構要素， <br/>且其中Y為包含至少一個帶正電荷之氮原子的結構要素，且Y鍵結至該Z的三級碳原子。
如請求項1之化合物，其特徵在於該化合物由式(Ia)或(Ib)所表示， <br/><img align="absmiddle" height="76px" width="264px" file="ed10034.jpg" alt="ed10034.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Ia) <br/><img align="absmiddle" height="76px" width="212px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Ib) <br/>其中V表示相同或不同的鹵素，且M為1至1000之整數。
如請求項2之化合物，其中V為氟基且M為5至500之整數。
如請求項1或2之化合物，其特徵在於結構要素Y表示式(IIa)、(IIb)或(IIc)之單元， <br/><img align="absmiddle" height="75px" width="40px" file="ed10053.jpg" alt="ed10053.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (IIa) <br/><br/><img align="absmiddle" height="98px" width="34px" file="ed10037.jpg" alt="ed10037.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (IIb) <br/><br/><img align="absmiddle" height="49px" width="44px" file="ed10038.jpg" alt="ed10038.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (IIc) <br/>其中n表示脂族鏈之碳原子數，且n為0至9；R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>和R<sub>3</sub>為相同或不同的具有1至9個碳原子之烷基。
如請求項4之化合物，其中n為0至5；R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>和R<sub>3</sub>各自為甲基。
如請求項1或2之化合物，其特徵在於該化合物中存在的結構要素Y在其出現時大於5%表示式(IIa)、(IIb)或(IIc)之單元。
如請求項6之化合物，其特徵在於該化合物中存在的結構要素Y在其出現時大於50%表示式(IIa)、(IIb)或(IIc)之單元。
如請求項6之化合物，其特徵在於該化合物中存在的結構要素Y在其出現時大於90%表示式(IIa)、(IIb)或(IIc)之單元。
如請求項1或2之化合物，其特徵在於結構要素Z表示式(III)之單元： <br/><img align="absmiddle" height="74px" width="127px" file="ed10039.jpg" alt="ed10039.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (III) <br/>其中R<sub>4</sub>、R<sub>5</sub>、R<sub>6</sub>和R<sub>7</sub>為相同或不同的具有1至4個碳原子之烷基。
如請求項9之化合物，其中R<sub>4</sub>、R<sub>5</sub>、R<sub>6</sub>和R<sub>7</sub>各自為甲基、異丙基或三級丁基。
如請求項9之化合物，其中R<sub>4</sub>、R<sub>5</sub>、R<sub>6</sub>和R<sub>7</sub>各自為甲基。
如請求項1或2之化合物，其特徵在於該化合物由式(IVa)至(IVf)中的至少一者表示： <br/><img align="absmiddle" height="110px" width="346px" file="ed10040.jpg" alt="ed10040.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(IVa) <br/><br/><img align="absmiddle" height="111px" width="367px" file="ed10041.jpg" alt="ed10041.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(IVb) <br/><br/><img align="absmiddle" height="119px" width="346px" file="ed10042.jpg" alt="ed10042.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(IVc) <br/><br/><img align="absmiddle" height="120px" width="367px" file="ed10043.jpg" alt="ed10043.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(IVd) <br/><br/><img align="absmiddle" height="92px" width="346px" file="ed10044.jpg" alt="ed10044.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(IVe) <br/><br/><img align="absmiddle" height="92px" width="366px" file="ed10045.jpg" alt="ed10045.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(IVf) <br/>其中n表示脂族鏈之碳原子數，且n為0至9；且其中M<sub>a</sub>、M<sub>b</sub>和M<sub>c</sub>各自為1至1000之整數。
如請求項12之化合物，其中n為0至5且其中M<sub>a</sub>、M<sub>b</sub>和M<sub>c</sub>各自為5至500之整數。
如請求項1或2之化合物，其中該直接鍵結至該等氧原子中的一者之芳香族6環進一步經一或多個鹵素及/或一或多個C<sub>1</sub>-至C<sub>4</sub>-烷基取代。
如請求項14之化合物，其中烷基係選自由以下者組成的列表：甲基、異丙基和三級丁基。
如請求項14之化合物，其中烷基為甲基。
如請求項1或2之化合物，其中直接鍵結至該等氧原子中的一者之該芳香族6環未經一或多個鹵素及/或一或多個C<sub>1</sub>-至C<sub>4</sub>-烷基進一步取代。
一種製備如請求項1至17中的任一項之化合物之方法，該方法包含下列步驟： <br/>a) 提供第一反應物（educt），其中該第一反應物包含至少一個式(VIa)或(VIb)之化合物，其中V表示相同或不同的鹵素， <br/><img align="absmiddle" height="57px" width="121px" file="ed10046.jpg" alt="ed10046.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (VIa) <br/><br/><img align="absmiddle" height="48px" width="121px" file="ed10047.jpg" alt="ed10047.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (VIb) <br/>b) 提供第二反應物，其中該第二反應物包含至少一個選自式(VIIa)、(VIIb)、(VIIc)或(VIId)之化合物， <br/><img align="absmiddle" height="119px" width="130px" file="ed10048.jpg" alt="ed10048.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (VIIa) <br/><br/><img align="absmiddle" height="102px" width="130px" file="ed10049.jpg" alt="ed10049.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (VIIb) <br/><br/><img align="absmiddle" height="119px" width="138px" file="ed10050.jpg" alt="ed10050.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (VIIc) <br/><br/><img align="absmiddle" height="94px" width="130px" file="ed10051.jpg" alt="ed10051.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (VIId) <br/>c) 使該第一反應物與該第二反應物反應； <br/>d) 獲得至少一個根據請求項1至17之化合物。
如請求項18之方法， <br/>a) 其中V表示氟。
如請求項18之方法，其特徵在於，在其步驟之至少一者中使用烷基化試劑。
如請求項20之方法，其特徵在於，在其步驟之至少一者中使用甲基化試劑。
如請求項18或20之方法，其係用於製備根據請求項14之化合物，其特徵在於，該化合物之芳香族環經一或多個鹵素及/或一或多個C<sub>1</sub>-至C<sub>4</sub>-烷基進一步取代。
如請求項22之方法，其中烷基係選自由以下者組成的列表：甲基、異丙基和三級丁基。
如請求項22之方法，其中烷基為甲基。
如請求項18或20之方法，其係用於製備根據請求項17之化合物，其特徵在於，該化合物之芳香族環未經一或多個鹵素及/或一或多個C<sub>1</sub>-至C<sub>4</sub>-烷基進一步取代。
一種如請求項1至17中任一項的化合物之用途，其係作為陰離子傳導膜或用於製造陰離子傳導膜。
一種具有陰離子傳導膜之電化電池，其特徵在於，該陰離子傳導膜包含至少一種根據請求項1至17中至少一者的化合物。
如請求項27之電化電池，其特徵在於，電化電池為電解槽（electrolyzer）的組件或者燃料電池或氧化還原液流電池的組件。
一種電化學製程之執行方法，其係藉由根據請求項27或28之電化電池來執行。
如請求項29之電化學製程之執行方法，其中該電化學製程為電解、或電透析、或在燃料電池的操作過程中進行的電化學製程，或在氧化還原液流電池的操作過程中進行的電化學製程。
一種下式化合物或其醫藥學上可接受之鹽，<figure><img align="absmiddle" height="174px" width="467px" file="ed10001.bmp" alt="化學式ed10001.bmp" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>其中R為氫、-P(=O)(OH)<sub>2</sub>、<figure><img align="absmiddle" height="98px" width="454px" file="ed10002.bmp" alt="化學式ed10002.bmp" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R為氫。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R為-P(=O)(OH)<sub>2</sub>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R為：<figure><img align="absmiddle" height="89px" width="146px" file="ed10003.bmp" alt="化學式ed10003.bmp" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R為：<figure><img align="absmiddle" height="93px" width="155px" file="ed10004.bmp" alt="化學式ed10004.bmp" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R為：<figure><img align="absmiddle" height="101px" width="157px" file="ed10005.bmp" alt="化學式ed10005.bmp" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為：<figure><img align="absmiddle" height="165px" width="443px" file="ed10006.bmp" alt="化學式ed10006.bmp" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>
如請求項7之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為：<figure><img align="absmiddle" height="169px" width="442px" file="ed10007.bmp" alt="化學式ed10007.bmp" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>
如請求項8之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其為：<figure><img align="absmiddle" height="165px" width="430px" file="ed10009.bmp" alt="化學式ed10009.bmp" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>
如請求項1或請求項2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為：<figure><img align="absmiddle" height="179px" width="414px" file="ed10010.bmp" alt="化學式ed10010.bmp" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>
如請求項10之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其為：<figure><img align="absmiddle" height="162px" width="419px" file="ed10008.bmp" alt="化學式ed10008.bmp" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>
如請求項6之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為：<figure><img align="absmiddle" height="234px" width="374px" file="ed10011.bmp" alt="化學式ed10011.bmp" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>
如請求項12之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其為：<figure><img align="absmiddle" height="224px" width="373px" file="ed10012.bmp" alt="化學式ed10012.bmp" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為：<figure><img align="absmiddle" height="224px" width="377px" file="ed10013.bmp" alt="化學式ed10013.bmp" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>
如請求項3之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為：<figure><img align="absmiddle" height="198px" width="382px" file="ed10014.bmp" alt="化學式ed10014.bmp" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>
如請求項5之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為：<figure><img align="absmiddle" height="230px" width="390px" file="ed10015.bmp" alt="化學式ed10015.bmp" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>
一種如請求項1至16中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽的用途，其用於製造供治療異位性皮膚炎之藥劑。
一種如請求項1至16中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽的用途，其用於製造供治療全身性紅斑狼瘡之藥劑。
一種如請求項1至16中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽的用途，其用於製造供治療狼瘡性腎炎之藥劑。
一種如請求項1至16中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽的用途，其用於製造供治療類風濕性關節炎之藥劑。
一種如請求項1至16中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽的用途，其用於製造供治療發炎性腸病之藥劑。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1至16中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽及一或多種醫藥學上可接受之載劑、稀釋劑或賦形劑。
一種製備醫藥組合物之方法，其包含摻合如請求項1至16中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽與一或多種醫藥學上可接受之載劑、稀釋劑或賦形劑。
一種偏光片保護薄膜，其為多層薄膜，該多層薄膜具有包含茀系聚酯樹脂的聚酯系樹脂層及包含丙烯酸系樹脂的丙烯酸系樹脂層，且是延伸來製膜而成，<br/> 前述茀系聚酯樹脂為共聚聚酯樹脂，該共聚聚酯樹脂包含下述通式(1)及下述通式(3)表示的重複單元：<br/><img align="absmiddle" height="159px" width="892px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式(1)中，A表示苯殘基、萘殘基、環己烷殘基、十氫萘殘基、或下述通式(2)表示的茀殘基，Z<sup>1</sup>及Z<sup>2</sup>為相同或不同且表示伸苯基或伸萘基，R<sup>1a</sup>及R<sup>1b</sup>為相同或不同且表示C<sub>2</sub><sub>－6</sub>伸烷基，m及n為相同或不同且表示1～5的整數，R<sup>2a</sup>及R<sup>2b</sup>為相同或不同且表示烷基、烷氧基、芳基、環烷基、芳烷基、環烷氧基、芳氧基、烷硫基、二烷胺基、鹵素原子、硝基、或氰基，h1及h2為相同或不同且表示0～2的整數，R<sup>3a</sup>及R<sup>3b</sup>為相同或不同且表示對反應呈惰性的取代基，k1及k2為相同或不同且表示0～4的整數；<br/><img align="absmiddle" height="64px" width="495px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式(2)中，R<sup>4a</sup>及R<sup>4b</sup>為相同或不同且表示C<sub>1</sub><sub>－8</sub>伸烷基，p1及p2為相同或不同且表示1～5的整數，R<sup>5a</sup>及R<sup>5b</sup>為相同或不同且表示對反應呈惰性的取代基，q1及q2分別表示0～4的整數；<br/><img align="absmiddle" height="57px" width="495px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式(3)中，A表示苯殘基、萘殘基、環己烷殘基、十氫萘殘基、或前述通式(2)表示的茀殘基，R<sup>1c</sup>表示C<sub>2</sub><sub>－4</sub>伸烷基，r表示1～3的整數；<br/> 前述丙烯酸系樹脂包含下述通式(4)、(5)或(6)之中的任一種表示的重複單元：<br/><img align="absmiddle" height="58px" width="495px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式(4)中，R<sup>6a</sup>及R<sup>6b</sup>為相同或不同且表示氫原子或C<sub>1</sub><sub>－8</sub>烷基，R<sup>7a</sup>及R<sup>7b</sup>為相同或不同且表示氫原子、C<sub>1</sub><sub>－18</sub>烷基、C<sub>3</sub><sub>－12</sub>環烷基、或包含C<sub>5</sub><sub>－15</sub>芳香環的取代基，s及t表示莫耳分率，且s＋t＝1；<br/><img align="absmiddle" height="58px" width="495px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式(5)中，R<sup>8</sup>表示氫原子或碳數1～20的範圍的有機殘基，前述有機殘基可包含氧原子，R<sup>9</sup>表示氫原子、C<sub>1</sub><sub>－18</sub>烷基、C<sub>3</sub><sub>－12</sub>環烷基、或包含C<sub>5</sub><sub>－15</sub>芳香環的取代基，R<sup>10</sup>表示氫原子或C<sub>1</sub><sub>－8</sub>烷基；<br/><img align="absmiddle" height="83px" width="495px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式(6)中，R<sup>11</sup>及R<sup>12</sup>為相同或不同且表示氫原子或C<sub>1</sub><sub>－8</sub>烷基，R<sup>13</sup>表示氫原子、C<sub>1</sub><sub>－18</sub>烷基、C<sub>3</sub><sub>－12</sub>環烷基、或包含C<sub>5</sub><sub>－15</sub>芳香環的取代基；<br/> 前述聚酯系樹脂層在整體中所佔的厚度比例為1～30％，<br/> 波長589 nm時的厚度方向的相位差Rth(589)為－50 nm以上且50 nm以下，<br/> 波長550 nm時的面內相位差Ro(550)為0 nm以上且50 nm以下。
如請求項1所述的偏光片保護薄膜，其中，包含前述茀系聚酯樹脂的前述聚酯系樹脂層為聚合物合膠，該聚合物合膠包含茀系聚酯樹脂及聚碳酸酯樹脂。
如請求項1所述的偏光片保護薄膜，其中，前述丙烯酸系樹脂包含聚甲基丙烯酸甲酯。
如請求項1所述的偏光片保護薄膜，其中，包含前述丙烯酸系樹脂的前述丙烯酸系樹脂層為聚合物合膠，該聚合物合膠包含：丙烯酸系樹脂、及聚酯樹脂或聚碳酸酯樹脂。
如請求項4所述的偏光片保護薄膜，其中，前述丙烯酸系樹脂層中所含的前述聚酯樹脂或前述聚碳酸酯樹脂為茀系聚酯樹脂或茀系聚碳酸酯樹脂。
如請求項1所述的偏光片保護薄膜，其中，前述聚酯系樹脂層與前述丙烯酸系樹脂層的構成為在不經由以接著為目的的層的情形下相接在一起。
如請求項1所述的偏光片保護薄膜，其中，前述多層薄膜的最外層為前述丙烯酸系樹脂層，且前述多層薄膜具有3層以上的層。
如請求項1所述的偏光片保護薄膜，其中，前述聚酯系樹脂層含有紫外線吸收劑。
如請求項1所述的偏光片保護薄膜，其中，前述多層薄膜的380 nm時的分光線穿透率為10％以下，總光線穿透率為85％以上。
如請求項1所述的偏光片保護薄膜，其表面具有表面處理層。
如請求項1所述的偏光片保護薄膜，其中，前述表面處理層具有硬塗、防眩、抗反射、低反射、防污及防指紋之中的任一種或複數種效果。
一種偏光板，其經以紫外線硬化型接著劑來將請求項1至11中任一項所述的偏光片保護薄膜與偏光片貼合在一起，該偏光片是由聚乙烯醇系樹脂所形成。
如請求項12所述的偏光板，其中，前述紫外線硬化型接著劑為一組成物，其含有：具有9,9-雙(芳基)茀骨架的聚酯多元醇與二異氰酸酯化合物與含羥基的丙烯酸酯化合物的反應產物、及單官能丙烯酸酯化合物。
一種影像顯示裝置，其具備：請求項12或13所述的偏光板。
一種影像顯示裝置，其具備：請求項12或13所述的偏光板、及觸摸偵測器。
如請求項15所述的影像顯示裝置，其中，前述觸摸偵測器為On-Cell方式或In-Cell方式。
如請求項15或16所述的影像顯示裝置，其中，前述觸摸偵測器為具有至少一個導電性薄膜的電容式的觸摸偵測器。
如請求項17所述的影像顯示裝置，其中，前述導電性薄膜的基材為聚酯樹脂、環烯烴樹脂、聚碳酸酯樹脂、或聚醯亞胺樹脂。
如請求項17或18所述的影像顯示裝置，其中，前述導電性薄膜包含複數條金屬細線。
如請求項19所述的影像顯示裝置，其中，前述金屬細線是由銀、銅、或包含銀及銅之中的至少1種的合金所構成。
如請求項18所述的影像顯示裝置，其中，前述導電性薄膜包含氧化銦錫(ITO)、摻雜有銻的氧化錫(ATO)、導電性高分子及碳系材料之中的至少1種。
如請求項14或15所述的影像顯示裝置，其能夠使形狀變更。
如請求項14或15所述的影像顯示裝置，其是用於車載。
一種資訊處理裝置，其具備：請求項14至23中任一項所述的影像顯示裝置。
一種製造用於製造聚烯烴聚合物之球狀觸媒成分之方法，該方法包含：<br/> a) 將鹵化鎂化合物溶於溶劑中而形成均質溶液，該溶劑包含醇；<br/> b) 將該均質溶液在界面活性劑、支援電子予體、視情況及第一內電子予體存在下以第一鈦化合物處理，而形成固態沈澱物；<br/> c) 將該固態沈澱物在第二內電子予體存在下以第二鈦化合物處理，而形成球狀觸媒成分，該球狀觸媒成分包括鹵化鎂化合物基底且帶有鈦單元、該支援電子予體、該第二內電子予體、視情況及該第一電子予體；及<br/> 其中該球狀觸媒成分包含具有實質上球形且呈現D<sub>50</sub>為從約3微米至約150微米之粒子；其中該方法係不使用甲苯而進行。
一種製造用於製造聚烯烴聚合物之球狀觸媒成分之方法，該方法包含：<br/> a) 將鹵化鎂化合物溶於溶劑中而形成均質溶液，該溶劑包含醇；<br/> b) 將該均質溶液在界面活性劑與支援電子予體存在下以第一鈦化合物處理，而形成固態沈澱物；<br/> c) 將該固態沈澱物以第二鈦化合物處理，而形成球狀觸媒成分，該球狀觸媒成分包括鹵化鎂化合物基底且帶有鈦單元與該支援電子予體；及<br/> 其中該球狀觸媒成分包含具有實質上球形且呈現D<sub>50</sub>為從約3微米至約150微米之粒子；其中該方法係不使用甲苯而進行。
如請求項1或2之方法，其中該第一及該第二鈦化合物為相同或不同，且以下式表示：<br/> Ti(OR<sup>29</sup>)<sub>g</sub>X<sup>3</sup><sub>4-g</sub>；<br/> 其中：<br/> 各R<sup>29</sup>獨立為C<sub>1</sub>-C<sub>20</sub>烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>20</sub>環烷基、或C<sub>6</sub>-C<sub>30</sub>芳基；X<sup>3</sup>為Br、Cl或I；及<br/> g為0、1、2、3、或4。
如請求項1或2之方法，其中該鹵化鎂化合物為式Mg(OR<sup>30</sup>)<sub>n</sub>Cl<sub>2-n</sub>之化合物，其中R<sup>30</sup>為烷基或鹵烷基，及n為0或1。
如請求項4之方法，其中該鹵化鎂化合物為二氯化鎂。
如請求項1或2之方法，其中該支援電子予體包含芳基酯。
如請求項1或2之方法，其中該支援電子予體以下式表示：<br/><img align="absmiddle" height="67px" width="58px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中：<br/> R<sup>21</sup>為具有1至20個碳原子之烷基、環烷基或芳基、雜原子、或其組合；<br/> 各R<sup>22</sup>-R<sup>26</sup>獨立為H、具有1至20個碳原子之烷基、環烷基或芳基、雜原子、或其任二或以上的組合。
如請求項1或2之方法，其中該支援電子予體包含苯甲酸烷酯。
如請求項1或2之方法，其中該支援電子予體包含苯甲酸乙酯。
如請求項1或2之方法，其中該支援電子予體以約0.1重量百分比至約15重量百分比存在於該球狀觸媒成分中。
如請求項1之方法，其中該第一及該第二內電子予體獨立選自下列至少其中之一：二醚、琥珀酸酯、羧酸酯衍生物、碳酸酯、胺甲酸酯、有機酸酯、多羧酸酯、多羥基酯、雜環狀多羧酸酯、無機酸酯、脂環狀多羧酸酯、具有2至30個碳原子之經羥基取代的羧酸酯化合物、具有至少一個醚基與至少一個酮基之化合物、或其混合物。
如請求項1之方法，其中該第一及該第二內電子予體獨立地表示為：<br/><img align="absmiddle" height="59px" width="75px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> 其中：<br/> X<sup>1</sup>與X<sup>2</sup>各為O、S、或NR<sup>47</sup>；<br/> R<sup>15</sup>至R<sup>20</sup>各獨立為H、雜原子、烷基、環烷基、環烷基烷基、芳基、芳烷基、雜環基、雜環基烷基、雜芳基、或雜芳基烷基；及q為0至12之整數；在一些具體實施例中，R<sup>15</sup>至R<sup>20</sup>各獨立為F、Cl、Br、I、NR<sub>2</sub><sup>46</sup>、SiR<sup>80</sup><sub>3</sub>、烷基、環烷基、環烷基烷基、芳基、芳烷基、雜環基、雜環基烷基、雜芳基、或雜芳基烷基；q為0至12之整數；<br/> 各R<sup>46</sup>獨立選自H、C<sub>1</sub>-C<sub>20</sub>烷基、C<sub>6</sub>-C<sub>20</sub>芳基或烷基芳基；<br/> R<sup>47</sup>為H、C<sub>1</sub>-C<sub>20</sub>烷基、C<sub>6</sub>-C<sub>20</sub>芳基、C<sub>6</sub>-C<sub>20</sub>芳烷基；<br/> 各R<sup>80</sup>個別為烷基、環烷基、烷氧基、環烷基烷基、芳基、芳烷基、雜環基、雜環基烷基、雜芳基、或雜芳基烷基；及<br/> q為0至12之整數。
如請求項1之方法，其中該第一及該第二內電子予體獨立地表示為：<br/><img align="absmiddle" height="63px" width="76px" file="ed10012.jpg" alt="ed10012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中：<br/> X<sup>1</sup>與X<sup>2</sup>各為O、S、或NR<sup>47</sup>；<br/> R<sup>36</sup>與R<sup>37</sup>各獨立選自F、Cl、Br、I、烷基、環烷基、環烷基烷基、芳基、芳烷基、烷基芳基、-OR<sup>45</sup>、或-NR<sub>2</sub><sup>46</sup>；<br/> R<sup>40</sup>、R<sup>41</sup>、R<sup>42</sup>、與R<sup>43</sup>各獨立為H、雜原子、烷基、環烷基、環烷基烷基、芳基、烷基芳基、雜環基、雜環基烷基、雜芳基、雜芳基烷基、或-OR<sup>44</sup>；<br/> R<sup>44</sup>為C<sub>1</sub>-C<sub>20</sub>烷基、C<sub>6</sub>-C<sub>30</sub>芳基、C<sub>6</sub>-C<sub>30</sub>芳烷基、或C<sub>6</sub>-C<sub>30</sub>烷基芳基；<br/> R<sup>45</sup>為C<sub>1</sub>-C<sub>20</sub>烷基、C<sub>6</sub>-C<sub>20</sub>芳基、或烷基芳基；<br/> R<sup>46</sup>為H、C<sub>1</sub>-C<sub>20</sub>烷基、C<sub>6</sub>-C<sub>20</sub>芳基、C<sub>6</sub>-C<sub>20</sub>芳烷基；及<br/> R<sup>47</sup>為H、C<sub>1</sub>-C<sub>20</sub>烷基、C<sub>6</sub>-C<sub>20</sub>芳基、C<sub>6</sub>-C<sub>20</sub>芳烷基。
如請求項1之方法，其中該第一及該第二內電子予體獨立由下式之一表示：<br/><img align="absmiddle" height="63px" width="76px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中：<br/> R<sup>38</sup>、R<sup>39</sup>、R<sup>40</sup>、R<sup>41</sup>、R<sup>42</sup>、與R<sup>43</sup>各獨立為H、雜原子、烷基、環烷基、環烷基烷基、芳基、烷基芳基、雜環基、雜環基烷基、雜芳基、雜芳基烷基、或-OR<sup>44</sup>；及<br/> R<sup>44</sup>為C<sub>1</sub>-C<sub>20</sub>烷基、C<sub>6</sub>-C<sub>30</sub>芳基、C<sub>6</sub>-C<sub>30</sub>芳烷基、或C<sub>6</sub>-C<sub>30</sub>烷基芳基。
如請求項1之方法，其中該第一及該第二內電子予體獨立由下式之一表示：<br/><img align="absmiddle" height="81px" width="78px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中：<br/> 各R<sup>50</sup>、R<sup>51</sup>、R<sup>52</sup>、R<sup>53</sup>、R<sup>54</sup>、R<sup>55</sup>、R<sup>56</sup>、與R<sup>57</sup>獨立為H、雜原子、烷基、環烷基、環烷基烷基、芳基、芳烷基、雜環基、雜環基烷基、雜芳基、或雜芳基烷基。
如請求項1之方法，其中該球狀觸媒成分含有約1至約25重量百分比之量的該第一及/或該第二內電子予體。
如請求項1之方法，其中該支援予體與該第一及/或該第二內電子予體係相同。
如請求項1或2之方法，其中該醇包含C<sub>1</sub>-C<sub>20</sub>醇。
如請求項1或2之方法，其中該界面活性劑包含丙烯酸酯或聚丙烯酸酯。
如請求項1或2之方法，其中處理該均質溶液進一步包含添加二-(C<sub>1</sub>-C<sub>12</sub>)-烷基醚。
如請求項1或2之方法，其進一步包含添加含有Si-O基、O-Si-O基、或兩者之有機矽化合物。
如請求項21之方法，其中該有機矽化合物包含以下列表示的化合物：<br/> R<sup>27</sup><sub>n</sub>Si(OR<sup>28</sup>)<sub>4-n</sub><br/> 聚矽氧烷、或其任二或以上的混合物，<br/> 其中：<br/> 各R<sup>27</sup>為H、烷基、環烷基、芳基、芳烷基、或烷芳基；<br/> 各R<sup>28</sup>為H、烷基、環烷基、芳基、芳烷基、或烷芳基；及<br/> n為0、1、2、或3。
如請求項1或2之方法，其中形成沈澱物係在烴溶劑、芳香族溶劑、或其混合物存在下進行。
一種球狀觸媒成分，其係依照如請求項1至23中任一項之方法所製造。
一種用於烯烴聚合之觸媒系統，其包含如請求項24之球狀觸媒成分、有機鋁化合物。
如請求項25之觸媒系統，其中該有機鋁為烷基鋁化合物。
如請求項26之觸媒系統，其中該烷基鋁化合物包含三乙鋁、三異丁鋁、或三正辛鋁。
如請求項25至27中任一項之觸媒系統，其進一步包含外電子予體。
如請求項28之觸媒系統，其中該外電子予體包含有機矽，其為聚矽氧烷或下式之化合物：<br/> R<sup>40</sup><sub>n</sub>Si(OR<sup>41</sup>)<sub>4-n</sub><br/> 其中：各R<sup>40</sup>與R<sup>41</sup>獨立為烴，及n為0≤n＜4。
如請求項25至27中任一項之觸媒系統，其進一步包含活性限制劑。
一種聚合或共聚合烯烴單體之方法，該方法包含將烯烴單體以如請求項25至30中任一項之觸媒系統接觸，而形成聚烯烴。
一種包含聚烯烴粒子之聚合物組成物，該聚烯烴粒子包含在如請求項24之球狀觸媒成分存在下而製備之聚烯烴，該聚烯烴粒子呈現b/l3縱橫比大於0.75，球度指數(SPHT)大於0.80，及總體密度(bulk density)大於約0.36克/cc。
如請求項32之聚合物組成物，其中該聚合物粒子呈現球度指數(SPHT)大於0.95。
如請求項32或33之聚合物組成物，其中該聚合物粒子的總體密度大於約0.40克/cc。
一種光檢測裝置，其具備： <br/>第1半導體層，其具有光電轉換部，且其中一面為光入射面，另一面為元件形成面； <br/>絕緣層，其積層於上述第1半導體層之上述光入射面側； <br/>電極墊，其在與上述第1半導體層之間介置有上述絕緣層之狀態下，自上述絕緣層之與上述第1半導體層側之面相反側之面露出；及 <br/>絕緣環，其係於厚度方向貫通上述第1半導體層且於俯視時包圍上述電極墊、具有絕緣性之環；且 <br/>上述絕緣環包含第1絕緣環、及於俯視時包圍上述第1絕緣環之至少1條第2絕緣環。
如請求項1之光檢測裝置，其中俯視時之上述絕緣環之外側輪廓與內側輪廓之間之寬度為10 nm以上300 nm以下。
如請求項1之光檢測裝置，其中上述絕緣環包含絕緣材料與空隙中之至少一者。
如請求項1之光檢測裝置，其具備：第1配線層，其與上述第1半導體層之上述元件形成面重疊； <br/>第2配線層，其重疊於上述第1配線層之與上述第1半導體層側之面相反側之面；及 <br/>第2半導體層，其重疊於上述第2配線層之與上述第1配線層側之面相反側之面；且 <br/>上述第1配線層具有面向上述第1配線層之與上述第1半導體層側之面相反側之面、且與上述電極墊電性連接之第1連接墊； <br/>上述第2配線層具有面向上述第2配線層之與上述第2半導體層側之面相反側之面、且與上述第1連接墊接合之第2連接墊； <br/>上述電極墊、上述第1連接墊及上述第2連接墊於厚度方向重疊。
如請求項1之光檢測裝置，其具備：第1配線層，其與上述第1半導體層之上述元件形成面重疊，且包含金屬層； <br/>插塞環，其於上述第1半導體層之厚度方向貫通上述第1半導體層，於俯視時為環狀且配置於較上述電極墊之輪廓更內側；及 <br/>第2絕緣層，其介置於上述第1半導體層與上述插塞環之間；且 <br/>上述插塞環係一端與上述電極墊連接，另一端與上述金屬層連接，且將上述電極墊與上述金屬層電性連接。
如請求項5之光檢測裝置，其中上述插塞環包含第1插塞環、與於俯視時包圍上述第1插塞環之至少1條第2插塞環。
如請求項5之光檢測裝置，其中俯視時之上述插塞環之外側輪廓與內側輪廓之間之寬度，於厚度方向上靠近上述電極墊側者，比靠近上述金屬層側者粗。
如請求項5之光檢測裝置，其中俯視時之上述插塞環之外側輪廓與內側輪廓之間之寬度，於厚度方向上靠近上述電極墊側者，比靠近上述金屬層側者細。
如請求項1之光檢測裝置，其中上述電極墊之露出之面，與積層於上述光入射面側之上述絕緣層之上述第1半導體層側之面之相反側之面位於同一平面上。
一種電子機器，其具備光檢測裝置、與使來自被攝體之像光成像於上述光檢測裝置之光學系統；且 <br/>上述光檢測裝置具有： <br/>第1半導體層，其具有光電轉換部，且其中一面為光入射面，另一面為元件形成面； <br/>絕緣層，其積層於上述第1半導體層之上述光入射面側； <br/>電極墊，其在與上述第1半導體層之間介置有上述絕緣層之狀態下，自上述絕緣層之與上述第1半導體層側之面相反側之面露出；及 <br/>絕緣環，其係於厚度方向貫通上述第1半導體層且於俯視時包圍上述電極墊、具有絕緣性之環；且 <br/>上述絕緣環包含第1絕緣環、及於俯視時包圍上述第1絕緣環之至少1條第2絕緣環。
一種正型感光性樹脂組合物，其包括：<br/> 一第一聚合物，包括選自於由聚醯胺酸酯、聚醯胺酸以及聚醯亞胺所組成的群組中的而任一個以上的結構；<br/> 一第二聚合物，在重複單元中包括至少一個以上的羥基；<br/> 一感光劑；以及，<br/> 一溶劑；<br/> 相對於該第一聚合物的羥基（OH基）當量的所述該第二聚合物的羥基（OH基）當量的比例為1:0.04至1:74，且<br/> 其中該第一聚合物包括以下述化學式8表示的重複單元以及以化學式9表示的重複單元：<br/> [化學式8]<br/><img align="absmiddle" height="33px" width="90px" file="ed10062.jpg" alt="ed10062.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [化學式9]<br/><img align="absmiddle" height="60px" width="163px" file="ed10063.jpg" alt="ed10063.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 在該化學式8以及該化學式9中，R<sub>3</sub>為具有兩個以上的碳原子的2價至8價的有機基團，R<sub>4</sub>為具有兩個以上的碳原子的2價至8價的有機基團，R<sub>5</sub>以及R<sub>6</sub>各自獨立地為氫原子或碳數量為1至20的有機基團，a以及b各自獨立地為0至4，c以及d各自獨立地為0至2，a+b為1以上，<br/> 在該a、b、c或d為0的情況下相應的取代基為氫原子，<br/> 該m、n分別代表以該化學式8表示的重複單元以及以該化學式9表示的重複單元的0至100的摩爾比，且m+n=100。
如請求項1所述之正型感光性樹脂組合物，其中<br/> 該第二聚合物包括下述化學式1或化學式2中的任一個以上的重複單元：<br/> [化學式1]<br/><img align="absmiddle" height="44px" width="36px" file="ed10040.jpg" alt="ed10040.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [化學式2]<br/><img align="absmiddle" height="43px" width="42px" file="ed10041.jpg" alt="ed10041.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 在該化學式1中，R<sub>1</sub>為碳數量為1至20的有機基團，<br/> 在該化學式2中，R<sub>1</sub>至R<sub>4</sub>各自獨立地為氫、碳數量為1至30的有機基團或下述化學式3的取代基：<br/> [化學式3]<br/><img align="absmiddle" height="19px" width="56px" file="ed10042.jpg" alt="ed10042.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 在該化學式3中，R<sub>5</sub>為碳數量為1至3的烷基，m為1或2的整數。
如請求項2所述之正型感光性樹脂組合物，其中該化學式2的R<sub>1</sub>至R<sub>4</sub>中的至少一個以上包括該化學式3的取代基。
如請求項2所述之正型感光性樹脂組合物，其中該第二聚合物包括以該化學式1表示的重複單元但不包括以該化學式2表示的重複單元。
如請求項2所述之正型感光性樹脂組合物，其中該第二聚合物包括該R<sub>1</sub>的結構互不相同的兩種以上的以該化學式1表示的重複單元。
如請求項2所述之正型感光性樹脂組合物，其中<br/> 該第二聚合物，包括以下至少一種以上：<br/> 該R<sub>1</sub>包括芳香族環結構的以該化學式1表示的重複單元；以及，<br/> 該R<sub>1</sub>不包括芳香族環結構的以該化學式1表示的重複單元。
如請求項2所述之正型感光性樹脂組合物，其中<br/> 該化學式1包括以下述化學式4表示的重複單元以及化學式5表示的重複單元中的至少一種以上：<br/> [化學式4]<br/><img align="absmiddle" height="107px" width="62px" file="ed10065.jpg" alt="ed10065.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [化學式5]<br/><img align="absmiddle" height="83px" width="67px" file="ed10067.jpg" alt="ed10067.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 在該化學式5中，R<sub>1</sub>為碳數量為1至20的脂肪族有機基團。
如請求項2所述之正型感光性樹脂組合物，其中<br/> 該第二聚合物還包括以下述化學式6至化學式7表示的重複單元中的至少一種以上的重複單元：<br/> [化學式6]<br/><img align="absmiddle" height="43px" width="44px" file="ed10069.jpg" alt="ed10069.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [化學式7]<br/><img align="absmiddle" height="41px" width="23px" file="ed10071.jpg" alt="ed10071.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 在該化學式6中，R<sub>2</sub>為取代或未取代的碳數量為6至30的芳基或碳數量為1至10的烷基。
如請求項8所述之正型感光性樹脂組合物，其中相對於該第二聚合物的所有重複單元，以該化學式6至該化學式7表示的重複單元的合為30摩爾%以下。
如請求項1所述之正型感光性樹脂組合物，其中該第一聚合物以及第二聚合物的重量平均分子量（Mw）各自獨立地為1,000至50,000 g/mol。
如請求項1所述之正型感光性樹脂組合物，其中該第一聚合物與該第二聚合物的重量比為50:50至95:5。
如請求項1所述之正型感光性樹脂組合物，其中相對於該第一聚合物以及第二聚合物的整體100重量份，包含該感光劑5至50重量份。
如請求項1所述之正型感光性樹脂組合物，其中該感光劑為醌二疊氮化合物。
如請求項1所述之正型感光性樹脂組合物，其中其還包括含有酚羥基的交聯化合物。
如請求項14所述之正型感光性樹脂組合物，其中<br/> 該含有酚羥基的交聯化合物包括選自於由以下述化學式10至化學式27表示的化合物所組成的群組中的任一個以上：<br/> 在該化學式10至該化學式27中，R'各自獨立地為氫原子、碳數量為1至3的烷基或下述化學式28的取代基中的一個，R'中的至少一個以上為下述化學式28的取代基，<br/> 在下述化學式28中，n為1至6的整數，R<sub>7</sub>為碳數量為1至3的烷基：<br/> [化學式28]<br/><img align="absmiddle" height="27px" width="70px" file="ed10074.jpg" alt="ed10074.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述之正型感光性樹脂組合物，其中該溶劑包括選自於由γ-丁內酯（gamma-buturolactone；GBL）、N-甲基吡咯烷酮（N-Methyl-2-Pyrrolidinone；NMP）、丙二醇甲醚乙酸酯（propylene glycol methyl ether acetate；PGMEA）、乳酸乙酯（ethyl lactate；EL）、3-甲氧基丙酸甲酯（methyl 3-methoxypropionate；MMP）、丙二醇單甲醚（propylene glycol monomethyl ether PGME）、二乙二醇甲乙醚（diethylene glycol methyl Ethyl Ether；MEDG）、二乙二醇丁甲醚（diethylene glycol butyl methyl ether；MBDG）、二乙二醇二甲醚（diethylene glycol dimethyl ether；DMDG）、二乙二醇而乙醚（diethylene glycol diethyl ether；DEDG）以及其混合物所組成的群組中的任一個以上。
如請求項1所述之正型感光性樹脂組合物，其中該正型感光性樹脂組合物還包括選自於由熱生酸劑以及紫外線（UV）吸收劑所組成的群組中的一個以上的添加劑。
一種絕緣膜，其包括如請求項1至請求項17中的任一項所述之正型感光性樹脂組合物的固化體。
一種顯示裝置，其包括如請求項18所述之絕緣膜。
一種著色感光性樹脂組合物，其特徵在於：其係含有(a)著色劑、(b)鹼可溶性樹脂、(c)光聚合起始劑、(d)光聚合性化合物及(e)撥液劑者， <br/>上述(a)著色劑含有(a1)白色顏料， <br/>上述(a)著色劑之含有比率係相對於著色感光性樹脂組合物之總固形物成分量而言為30質量%以下， <br/>上述(b)鹼可溶性樹脂之雙鍵當量為370 g/mol以下，且 <br/>上述(e)撥液劑含有具有交聯基且具有氟原子及/或矽氧烷鏈之化合物(e1)。
如請求項1之著色感光性樹脂組合物，其中上述(b)鹼可溶性樹脂含有具有下述通式(I)所示之部分結構之丙烯酸系共聚樹脂(b1)： <br/>[化1] <br/><img align="absmiddle" height="346px" width="248px" file="ed10041.jpg" alt="ed10041.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式(I)中，R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>分別獨立地表示氫原子或甲基；＊表示鍵結鍵)。
如請求項2之著色感光性樹脂組合物，其中上述(b)鹼可溶性樹脂中之上述丙烯酸系共聚樹脂(b1)之含有比率為40質量%以上。
如請求項1之著色感光性樹脂組合物，其中上述(a)著色劑中之上述(a1)白色顏料之含有比率為50質量%以上。
如請求項4之著色感光性樹脂組合物，其中上述(b)鹼可溶性樹脂含有具有下述通式(I)所示之部分結構之丙烯酸系共聚樹脂(b1)； <br/>[化2] <br/><img align="absmiddle" height="346px" width="248px" file="ed10041.jpg" alt="ed10041.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式(I)中，R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>分別獨立地表示氫原子或甲基；＊表示鍵結鍵)。
如請求項5之著色感光性樹脂組合物，其中上述(b)鹼可溶性樹脂中之上述丙烯酸系共聚樹脂(b1)之含有比率為40質量%以上。
如請求項1至6中任一項之著色感光性樹脂組合物，其中上述(a1)白色顏料之一次粒子之平均粒徑為100 nm以上。
如請求項1至6中任一項之著色感光性樹脂組合物，其中上述(a1)白色顏料包含氧化鈦、氧化鋯、氧化鋁及氧化鉿中之至少1種。
如請求項8之著色感光性樹脂組合物，其中上述(a1)白色顏料至少包含氧化鈦。
如請求項1至6中任一項之著色感光性樹脂組合物，其中上述(c)光聚合起始劑之含有比率係相對於著色感光性樹脂組合物之總固形物成分量而言為3質量%以下。
如請求項1至6中任一項之著色感光性樹脂組合物，其含有溶劑。
一種硬化物，其係使如請求項1至11中任一項之著色感光性樹脂組合物硬化而成者。
一種阻隔壁，其包含如請求項12之硬化物。
一種有機電致發光元件，其具備如請求項13之阻隔壁。
一種包含發光性奈米結晶粒子之彩色濾光器，其具備如請求項13之阻隔壁。
一種圖像顯示裝置，其具備如請求項13之阻隔壁。
一種光學玻璃，其中， <br/>Si<sup>4+</sup>的含量為10~50陽離子%， <br/>B<sup>3+</sup>的含量為20~60陽離子%， <br/>Si<sup>4+</sup>及B<sup>3+</sup>的總含量[Si<sup>4+</sup>＋B<sup>3+</sup>]為50陽離子%以上， <br/>B<sup>3+</sup>的含量、與Si<sup>4+</sup>及B<sup>3+</sup>的總含量的陽離子比[B<sup>3+</sup>/(Si<sup>4+</sup>＋B<sup>3+</sup>)]為0.44以上， <br/>Li<sup>+</sup>、Na<sup>+</sup>及K<sup>+</sup>的總含量R、與該總含量R和Mg<sup>2+</sup>、Ca<sup>2+</sup>、Sr<sup>2+</sup>、Ba<sup>2+</sup>及Zn<sup>2+</sup>的總含量R’的合計的陽離子比[R/(R＋R’)]為0.55以上， <br/>Nb<sup>5+</sup>的含量超過0陽離子%且為11.5陽離子%以下， <br/>Zr<sup>4+</sup>的含量為1.0~8.5陽離子%， <br/>Ti<sup>4+</sup>的含量為0~20陽離子%， <br/>W<sup>6+</sup>的含量為0~20陽離子%， <br/>Bi<sup>3+</sup>的含量為0~20陽離子%， <br/>Ta<sup>5+</sup>的含量為0~20陽離子%， <br/>O<sup>2-</sup>的含量為90~100陰離子%， <br/>所述光學玻璃滿足下述(i)及(ii)中的一項以上： <br/>(i) Zr<sup>4+</sup>的含量與上述總含量R’、Nb<sup>5+</sup>、Ti<sup>4+</sup>、W<sup>6+</sup>、Bi<sup>3+</sup>及Ta<sup>5+</sup>的總含量的陽離子比[Zr<sup>4+</sup>/(R’＋Nb<sup>5+</sup>＋Ti<sup>4+</sup>＋W<sup>6+</sup>＋Bi<sup>3+</sup>＋Ta<sup>5+</sup>)]為0.17以上， <br/>(ii) Zr<sup>4+</sup>及Ta<sup>5+</sup>的總含量與上述總含量R’、Nb<sup>5+</sup>、Ti<sup>4+</sup>、W<sup>6+</sup>及Bi<sup>3+</sup>的總含量的陽離子比[(Zr<sup>4+</sup>＋Ta<sup>5+</sup>)/(R’＋Nb<sup>5+</sup>＋Ti<sup>4+</sup>＋W<sup>6+</sup>＋Bi<sup>3+</sup>)]為0.25以上。
如請求項1所述的光學玻璃，其中， <br/>Zr<sup>4+</sup>及Ta<sup>5+</sup>的總含量為1.0~8.5陽離子%。
如請求項1或2所述的光學玻璃，其中， <br/>Zr<sup>4+</sup>及Ta<sup>5+</sup>的總含量與R’、Nb<sup>5+</sup>、Ti<sup>4+</sup>、W<sup>6+</sup>及Bi<sup>3+</sup>的總含量的陽離子比[(Zr<sup>4+</sup>＋Ta<sup>5+</sup>)/(R’＋Nb<sup>5+</sup>＋Ti<sup>4+</sup>＋W<sup>6+</sup>＋Bi<sup>3+</sup>)]為3.10以下，所述R’為Mg<sup>2+</sup>、Ca<sup>2+</sup>、Sr<sup>2+</sup>、Ba<sup>2+</sup>及Zn<sup>2+</sup>的總含量。
一種光學元件，其由請求項1~3中任一項所述的光學玻璃製成。
一種塗料，其特徵為，包含： <br/>（A）酸改質聚丙烯100質量份；以及 <br/>（B）有機溶劑550質量份以上， <br/>所述（A）酸改質聚丙烯之熔點為90℃以下； <br/>所述（B）有機溶劑， <br/>由（B1）芳香烴系溶劑92質量%~99質量%；以及 <br/>（B2）選自由酯系溶劑、酮系溶劑、以及醇系溶劑構成的群之一種以上的溶劑1質量%~8質量%構成， <br/>此處，所述（B1）芳香烴系溶劑之摻合比例與（B2）溶劑之摻合比例之和為100質量%。
如請求項1所述的塗料，其中，進一步包含（C）1個分子中具有2個以上能夠與羧基形成化學鍵結之官能基的化合物0.1質量份~20質量份。
如請求項2所述的塗料，其中，所述（C）1個分子中具有2個以上能夠與羧基形成化學鍵結之官能基的化合物為不具有水解性基者。
如請求項1所述的塗料，其中，所述（B2）選自由酯系溶劑、酮系溶劑、以及醇系溶劑構成的群之一種以上具有5g以上之水溶解度，或為水溶性。
如請求項1至請求項3中任一項所述的塗料，其中，所述（A）酸改質聚丙烯之酸改質量為0.1質量%~2.8質量%。
一種塗層，其特徵為，由使用如請求項1至請求項5中任一項所述的塗料形成。
如請求項6所述的塗層，其中，厚度為0.05μm以上且小於5μm。
如請求項7所述的塗層，其中，所述塗層由使用作為固體成分包含70質量%以上（A）酸改質聚丙烯之塗料形成。
如請求項8所述的塗層，其中，所述作為固體成分包含70質量%以上（A）酸改質聚丙烯之塗料包含： <br/>（A）酸改質聚丙烯100質量份；以及 <br/>（C）1個分子中具有2個以上能夠與羧基形成化學鍵結之官能基的化合物0.1質量份~20質量份。
如請求項9所述的塗層，其中，所述（C）1個分子中具有2個以上能夠與羧基形成化學鍵結之官能基的化合物為不具有水解性基者。
一種積層體，其特徵為，包含： <br/>基材薄膜、以及形成於所述基材薄膜之至少一表面上的如請求項6至請求項10中任一項所述的塗層， <br/>所述塗層直接形成於所述基材薄膜之表面上。
如請求項11所述的積層體，其中，所述基材薄膜為聚對萘二甲酸乙二酯（polyethylene naphthalate）樹脂薄膜、聚醯亞胺樹脂薄膜、或聚苯硫醚（polyphenylene sulfide）樹脂薄膜。
如請求項11或請求項12所述的積層體，其中，所述基材薄膜之至少一表面上依次具有所述塗層、以及黏接性樹脂層。
如請求項13所述的積層體，其中，所述黏接性樹脂層為聚烯系熱熔黏接劑層。
一種柔性扁平電纜，其特徵為，包含：如請求項11至請求項14中任一項所述的積層體。
一種攝像裝置，其包含二維格子狀排列之複數個像素，且 <br/>前述像素各者包含： <br/>光電轉換部，其設置於半導體基板之第1面側，將入射光進行光電轉換； <br/>縱型閘極電極，其以自與前述第1面為相反側之第2面側接近前述光電轉換部之方式，設置於前述半導體基板； <br/>閘極絕緣膜，其設置於前述縱型閘極電極與前述半導體基板之間； <br/>傳送閘極電極，其在前述半導體基板之前述第2面上連接於前述縱型閘極電極；及 <br/>第1擴散區域，其設置於前述半導體基板之第2面側；且 <br/>前述縱型閘極電極具備：構造，其前述光電轉換部側之底部較前述傳送閘極電極側之上部被擴徑， <br/>於基板厚度方向，前述被擴徑之整個前述底部設置於較前述第1擴散區域之深度位置更深之位置。
如請求項1之攝像裝置，其中前述像素各者進一步包含絕緣膜，該絕緣膜設置於前述縱型閘極電極之前述上部之側面、且至少為前述縱型閘極電極與前述第1擴散區域之間。
如請求項1之攝像裝置，其進一步包含像素分離部，該像素分離部將前述半導體基板之前述第2面區劃成複數個像素區域， <br/>前述像素各者係相對於前述像素區域各者一對一地設置。
如請求項3之攝像裝置，其中前述像素各者進一步包含第2擴散區域，該第2擴散區域設置於前述半導體基板之前述第2面側， <br/>前述第1擴散區域配置於前述像素區域之複數個角中之1個角， <br/>前述第2擴散區域係配置於前述像素區域之前述複數個角中，位於與配置有前述第1擴散區域之角對角之角。
如請求項4之攝像裝置，其中前述縱型閘極電極由包含第1縱型閘極電極、與第2縱型閘極電極之複數個縱型閘極電極構成。
如請求項5之攝像裝置，其中前述第1縱型閘極電極與前述第2縱型閘極電極，以連結前述第1擴散區域與前述第2擴散區域而成之線為中心線配置為線對稱。
如請求項4之攝像裝置，其中前述縱型閘極電極之側面之至少一部分，隔著前述閘極絕緣膜與前述像素分離部相接。
如請求項4之攝像裝置，其中設置於前述縱型閘極電極之側面且為前述像素分離部之間之前述閘極絕緣膜之膜厚，較設置於前述縱型閘極電極之底面之前述閘極絕緣膜之膜厚為厚。
如請求項4之攝像裝置，其中在垂直於連結前述第1擴散區域與前述第2擴散區域而成之直線之面上之前述縱型閘極電極之剖面形狀，為隨著靠近底面而縮徑之錐形形狀。
如請求項4之攝像裝置，其中前述縱型閘極電極之前述底部包含：第1擴徑部，其向前述第1擴散區域側突出；及第2擴徑部，其向前述第2擴散區域側突出；且 <br/>前述第1擴徑部之上表面之距前述第2面之距離、與前述第2擴徑部之上表面之距前述第2面之距離係不同。
如請求項3之攝像裝置，其中前述第1面上之前述像素區域之形狀為正方形、長方形、梯形、菱形及正六角形中之任一者。
如請求項1之攝像裝置，其中前述第1擴散區域係由2個以上之前述像素共有。
如請求項1之攝像裝置，其進一步包含連接於前述傳送閘極電極之讀出電路，且 <br/>前述讀出電路係設置於與前述半導體基板接合之第2半導體基板。
如請求項2之攝像裝置，其中前述絕緣膜之前述第2面側，較前述半導體基板之前述第1面側被擴徑。
如請求項1之攝像裝置，其中前述縱型閘極電極之前述底部之前述經擴徑之構造，愈向外側愈被擴徑。
一種電子機器，其包含請求項1至15中任一項之攝像裝置。
一種基板處理裝置，具有： <br/> 光源，其係對形成有EUV微影用光阻材所致之光阻膜的基板，於曝光處理前照射包含真空紫外光的光；及 <br/> 光量抑制構件，其係被設置在來自上述光源之光的光路徑上，將到達至上述基板表面之光的光量，在照射區域全體性地抑制成微弱光， <br/> 包含上述真空紫外光的光係包含波長10nm～200nm所含的至少一部分之頻帶的連續的光譜成分， <br/> 上述光量抑制構件包含在來自上述光源之光的照射範圍內具有複數開口的多孔板。
如請求項1記載之基板處理裝置，其中 <br/> 上述光量抑制構件包含 <br/> 在厚度方向形成有複數開口的有孔板。
如請求項1記載之基板處理裝置，其中 <br/> 上述光量抑制構件包含 <br/> 包含將來自上述光源之光的光量抑制成上述微弱光並使穿透的構件。
如請求項1記載之基板處理裝置，其中 <br/> 進一步具有：基板支持部，其係於照射來自上述光源之光之時，一面使上述基板旋轉一面予以支持；及 <br/> 遮光構件，其係被設置在上述光源和上述基板之間的位置，以相對於上述基板之表面面積較小的面積，且朝向上述基板之外周側變大之方式，在上述基板表面形成上述照射區域。
如請求項4記載之基板處理裝置，其中 <br/> 上述光量抑制構件係以在上述照射區域較中央部更外周部，每單位面積之光的照射強度變大之方式，形成光量的梯度。
如請求項5記載之基板處理裝置，其中 <br/> 上述光量抑制構件包含在厚度方向形成複數開口的有孔板， <br/> 藉由較上述中央部更增大上述外周部之開口率，形成光量的梯度。
如請求項4記載之基板處理裝置，其中 <br/> 上述遮光構件係在俯視下與上述基板之中心重疊的位置無形成開口。
如請求項1至7中之任一項記載之基板處理裝置，其中 <br/> 上述光源係光軸相對於上述基板表面呈傾斜。
一種基板處理方法，具有： <br/> 對形成有EUV微影用光阻材所致之光阻膜的基板，於曝光處理前從光源照射包含真空紫外光的光之步驟；及 <br/> 在上述照射的步驟中，藉由被設置在來自上述光源之光的光路徑上的光量抑制構件，將到達至上述基板表面之光的光量，在照射區域全體性地抑制成微弱光之步驟， <br/> 包含上述真空紫外光的光係包含波長10nm～200nm所含的至少一部分之頻帶的連續的光譜成分， <br/> 上述光量抑制構件包含在來自上述光源之光的照射範圍內具有複數開口的多孔板。
如請求項9之基板處理方法，其中 <br/> 在上述照射的步驟中，一面使基板旋轉一面支持基板， <br/> 在上述照射的步驟中，進一步包含藉由被設置在上述光源和上述基板之間之位置的遮光構件，在上述基板表面形成相對於上述基板之表面面積較小的面積，且朝向上述基板之外周側變大的照射區域。
一種用以處理產品的系統，該系統包含：<br/> 流體供應，經配置而供應處理流體；<br/> 用以控制流動的設備，該設備具有入口、出口以及閥組件，該設備的入口流體耦接至該流體供應，以及該閥組件流體耦接在該入口與該出口之間，該閥組件包含：<br/> 閥體，該閥體包含：入口以及出口，流動路徑延伸在該入口與該出口之間；<br/> 閥座，位在該流動路徑；<br/> 封閉元件，經配置而接合該閥座且阻擋該流動路徑，該封閉元件包含：固定部以及連接該固定部的可動部；<br/> 致動器組件，耦接至該封閉元件的該可動部以將該封閉元件自阻擋該流動路徑的關閉狀態移動至允許流體流動的開啟狀態；<br/> 徑向流動導引件，位在該流動路徑，複數個流動通道延伸通過該徑向流動導引件，複數個該流動通道由該徑向流動導引件以及該閥座所界定，該徑向流動導引件壓縮在該閥座以及該封閉元件的該固定部之間，以及該封閉元件的該固定部接合該徑向流動導引件的上表面；以及<br/> 縱軸，延伸通過該閥座、該封閉元件以及該徑向流動導引件；<br/> 出口歧管，流體耦接至該設備的該出口；以及<br/> 處理腔，流體耦接至該出口歧管。
如請求項1所述的系統，其中該封閉元件包含：膜片以及針件。
如請求項1所述的系統，其中該封閉元件的該固定部接合該徑向流動導引件，以及該可動部接合該閥座。
如請求項1所述的系統，其中該流動路徑包含：第一體積，自該閥體的該入口延伸至該閥座，該第一體積由該閥體、該閥座以及該封閉元件所界定。
如請求項4所述的系統，其中該流動路徑更包含：第二體積，自該閥座延伸至該閥體的該出口，該第二體積由該閥體、該閥座以及該封閉元件所界定。
如請求項4所述的系統，其中該徑向流動導引件將該第一體積劃分為外部腔以及內部腔，複數個流動通道自該外部腔延伸至該內部腔，且其中複數個該流動通道由該閥座以及形成在該徑向流動導引件內的複數個堞形部所界定。
如請求項1所述的系統，其中該徑向流動導引件沿著該閥組件的該縱軸自上表面延伸至下表面，該徑向流動導引件包含：形成在該下表面的複數個堞形部。
如請求項1所述的系統，其中該封閉元件包含：膜片以及針件，該針件包含：頂端、底端、圓柱部以及溝槽部，該閥組件的該縱軸自該頂端延伸至該底端，該溝槽部自該底端延伸至該圓柱部，以及該溝槽部包含：複數個溝槽。
如請求項8所述的系統，其中該圓柱部包含：第一直徑，以及該溝槽部包含：第二直徑，該第一直徑與該第二直徑為相等。
如請求項8所述的系統，其中複數個該溝槽為繞著該縱軸等距地間隔。
如請求項8所述的系統，其中複數個該溝槽的每一個包含：底表面，該底表面具有隨著與該針件的該底端間的距離增加而增加的與該縱軸間的徑向距離。
一種用以控制流動的設備，該設備包含：<br/> 入口；<br/> 出口；以及<br/> 閥組件，該閥組件流體耦接在該入口與該出口之間，該閥組件包含：<br/> 閥體，該閥體包含：入口以及出口，流動路徑延伸在該入口與該出口之間；<br/> 閥座，位在該流動路徑；<br/> 封閉元件，經配置而接合該閥座且阻擋該流動路徑，該封閉元件包含：直接地耦接至該閥體的固定部以及經配置而相對於該閥體移動的可動部；<br/> 致動器組件，耦接至該封閉元件的該可動部以將該封閉元件自阻擋該流動路徑的關閉狀態移動至允許流體流動的開啟狀態；<br/> 徑向流動導引件，位在該流動路徑，該徑向流動導引件包含具有開口輪廓的複數個溝槽，複數個流動通道至少部分地由複數個該溝槽所界定，該徑向流動導引件直接接觸該閥座的上表面，該封閉元件的該固定部直接接觸該徑向流動導引件，該封閉元件的該固定部直接接觸該徑向流動導引件的上表面，該徑向流動導引件夾設在該封閉元件的該固定部以及該閥座的該上表面之間；以及<br/> 縱軸，延伸通過該閥座、該封閉元件以及該徑向流動導引件。
如請求項12所述的設備，其中該流動路徑包含：第一體積，自該閥體的該入口延伸至該閥座，該第一體積由該閥體、該閥座以及該封閉元件所界定，且其中該流動路徑更包含：第二體積，自該閥座延伸至該閥體的該出口，該第二體積由該閥體、該閥座以及該封閉元件所界定。
如請求項13所述的設備，其中該徑向流動導引件將該第一體積劃分為外部腔以及內部腔，複數個流動通道自該外部腔延伸至該內部腔，且其中複數個該流動通道由該閥座以及形成在該徑向流動導引件內的複數個堞形部所界定。
如請求項12所述的設備，其中該封閉元件包含：膜片以及針件，該針件包含：頂端、底端、圓柱部以及溝槽部，該閥組件的該縱軸自該頂端延伸至該底端，該溝槽部自該底端延伸至該圓柱部，以及該溝槽部包含：複數個溝槽，且其中該溝槽部的複數個該溝槽為繞著該縱軸環向地間隔。
如請求項12所述的設備，其中該封閉元件包含：複數個溝槽，以及該徑向流動導引件界定至少部分的複數個流動通道，複數個該流動通道的數量大於複數個該溝槽的數量。
如請求項12所述的設備，其中該封閉元件包含：複數個溝槽，以及該徑向流動導引件界定至少部分的複數個流動通道，複數個該流動通道旋轉地對齊於複數個該溝槽。
一種製造產品的系統，該系統包含：<br/> 流體供應，經配置而供應處理流體；<br/> 用以控制流動的設備，該設備具有入口、出口以及閥組件，該設備的入口流體耦接至該流體供應，以及該閥組件流體耦接在該入口與該出口之間，該閥組件包含：<br/> 閥體，該閥體包含：入口以及出口，流動路徑延伸在該入口與該出口之間；<br/> 閥座，位在該流動路徑，該閥座具有上表面以及唇部；<br/> 封閉元件，經配置而接合該閥座的該唇部且阻擋該流動路徑，該封閉元件包含：膜片以及針件，該針件包含：頂端、底端、圓柱部以及溝槽部，該溝槽部自該底端延伸至該圓柱部，以及該溝槽部包含：複數個溝槽；<br/> 致動器組件，耦接至該封閉元件以將該封閉元件自阻擋該流動路徑的關閉狀態移動至允許流體流動的開啟狀態；<br/> 徑向流動導引件接合該閥座的該上表面，該徑向流動導引件具有形成部分的該流動路徑的複數個堞形部，複數個該堞形部以及該閥座的該上表面集體地形成複數個流動通道；以及<br/> 縱軸，延伸通過該閥座以及該封閉元件；<br/> 出口歧管，流體耦接至該設備的該出口；以及<br/> 處理腔，流體耦接至該出口歧管。
如請求項18所述的系統，其中該針件更包含：環體，該環體自該圓柱部延伸。
如請求項19所述的系統，其中該環體包含：經配置而接合該閥座的面密封。
一種探針，係為合金，該合金包含： <br/>15質量%以上60質量%以下的Pd、 <br/>3質量%以上79.9質量%以下的Cu、及 <br/>0.1質量%以上75質量%以下的Ni和Pt的至少一方； <br/>該合金係具有：當與焊料進行了熱處理時，前述銲料及Pd均存在之擴散層的厚度會成為200μm以下之耐銲性。
如請求項1所述之探針，其中，Ag的調配量為0質量%。
如請求項1或2所述之探針，其中，前述熱處理係以250℃、一小時的條件進行。
一種探針，係包含： <br/>15質量%以上60質量%以下的Pd、 <br/>3質量%以上79.9質量%以下的Cu、及 <br/>0.1質量%以上75質量%以下的Ni和Pt的至少一方； <br/>Ag的調配量為0質量%。
一種用於在質譜儀系統中使用寬範圍離子源來在高壓水平下測量過程氣體組成並且在低壓水平下測量殘餘氣體的方法，該方法包括： <br/>將質譜儀設置到低壓下的操作模式； <br/>使用第一燈絲電流將第一燈絲加熱至預定發射電流； <br/>測量殘餘氣體組成； <br/>檢查真空系統和質譜儀系統的清潔度； <br/>關閉去往第一燈絲的第一燈絲電流； <br/>將質譜儀設置到高壓條件下的操作模式； <br/>使用第二燈絲電流將第二燈絲加熱至預定發射電流； <br/>測量過程氣體組成； <br/>檢查過程氣體的清潔度；以及 <br/>監視由該過程創建的產品的存在。
根據請求項1所述的方法，進一步包括： <br/>關閉去往第二燈絲的第二燈絲電流；以及 <br/>將質譜儀的設置改變回到低壓條件下的操作模式。
根據請求項1所述的方法，其中第一燈絲和第二燈絲中的一個是開放式離子源的一部分。
根據請求項1所述的方法，其中第一燈絲電流與第二燈絲電流相同。
一種用於質譜儀的寬範圍離子源，該寬範圍離子源包括： <br/>第一部分，其包括陽極，並且包括： <br/>第一燈絲，其定位在陽極附近並且相對於陽極被固定在適當位置中，其中第一燈絲暴露於處理腔室的壓強， <br/>第一電子反射極，其包括至少部分圓形的形狀；以及 <br/>第二部分，其定位在第一部分下游並且包括管狀陽極，該第二部分包括： <br/>圍繞管狀陽極的第二燈絲， <br/>限定了開口的提取透鏡，以及 <br/>被配置成將離子傳導到體積中的聚焦透鏡。
根據請求項5所述的寬範圍離子源，其中管狀陽極限定了多個電子進入開口。
根據請求項5所述的寬範圍離子源，其中第一燈絲和第二燈絲中的至少一個包括線圈。
根據請求項7所述的寬範圍離子源，其中該線圈包括錸。
根據請求項5所述的寬範圍離子源，進一步包括至少一個陶瓷絕緣體，其被配置成在管狀陽極與提取透鏡之間創建密封。
一種用於在質譜儀系統中使用寬範圍離子源來測量過程氣體組成和殘餘氣體的方法，該方法包括： <br/>將該寬範圍離子源的第一部分構造成包括陽極和第一燈絲，該第一燈絲定位在陽極附近並且相對於陽極和電子反射極被固定在適當位置中，其中第一燈絲暴露於處理腔室的壓強； <br/>將第一燈絲加熱至第一預定發射電流，以在低壓條件下測量殘餘氣體組成； <br/>將該寬範圍離子源的第二部分構造成定位在第一部分的下游，並且包括： <br/>管狀陽極， <br/>圍繞管狀陽極的第二燈絲， <br/>限定了開口的提取透鏡，以及 <br/>被配置成將離子傳導到體積中的聚焦透鏡； <br/>將第二燈絲加熱至第二預定發射電流，以在高壓條件下測量過程氣體的組成；以及 <br/>監視由過程創建的產品的存在。
根據請求項10所述的方法，進一步包括： <br/>檢查真空系統和質譜儀系統的清潔度；以及 <br/>檢查過程氣體的清潔度。
根據請求項10所述的方法，其中第一燈絲和第二燈絲中的一個是開放式離子源的一部分。
根據請求項10所述的方法，進一步包括將管狀陽極構造成限定多個電子進入開口。
根據請求項10所述的方法，進一步包括將第一燈絲和第二燈絲中的至少一個構造為線圈。
根據請求項14所述的方法，其中該線圈包括錸。
根據請求項10所述的方法，進一步包括將至少一個陶瓷絕緣體構造成在管狀陽極與提取透鏡之間創建密封。
一種電極，其係在厚度方向上依序具備樹脂膜、及導電性碳層者，且 <br/>上述導電性碳層具有sp <sup>3</sup>鍵， <br/>當於150℃下對上述電極進行1小時加熱時之熱縮率為-0.2%以上0.2%以下。
如請求項1之電極，其中上述導電性碳層進而具有sp <sup>2</sup>鍵， <br/>sp <sup>3</sup>鍵結原子數相對於sp <sup>3</sup>鍵結原子數與sp <sup>2</sup>鍵結原子數之和之比率為0.10以上。
如請求項1或2之電極，其中上述導電性碳層具有1.8 g/cm <sup>3</sup>以上之密度。
一種表面處理組合物，為用以降低研磨完成後的研磨對象物的表面上的殘渣的表面處理組合物， <br/>其含有：溶媒以及水溶性高分子， <br/>對於石英晶體微量天秤電極的上述水溶性高分子的吸附量，每一上述石英晶體微量天秤電極的單位面積，為100ng/cm<sup>2</sup>以上，600ng/cm<sup>2</sup>以下， <br/>上述水溶性高分子為選自由聚乙烯醇、羥乙基纖維素、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙二醇及聚丙二醇所組成群組的至少1種； <br/>上述表面處理組合物的pH為3.0以上未達3.5、或7.0以上12.0以下。
如請求項1所述之表面處理組合物，其中，上述水溶性高分子的溶解度參數為11以上，15以下。
如請求項1所述之表面處理組合物，其中，實質上不含有粗粒。
如請求項1所述之表面處理組合物，其中，上述研磨完成後的研磨對象物包括：與水的接觸角未達50°的親水性材料，及與水的接觸角為50°以上的疏水性材料。
如請求項4所述之表面處理組合物，其中，上述親水性材料為氧化矽，上述疏水性材料為多晶矽。
如請求項1所述之表面處理組合物，其中，上述石英晶體微量天秤電極為SiO<sub>2</sub>電極以及Au電極， <br/>對於上述SiO<sub>2</sub>電極的上述水溶性高分子的吸附量，每一上述SiO<sub>2</sub>電極的單位面積，為100ng/cm<sup>2</sup>以上，600ng/cm<sup>2</sup>以下， <br/>對於上述Au電極的上述水溶性高分子的吸附量，每一上述Au電極的單位面積，為100ng/cm<sup>2</sup>以上，600ng/cm<sup>2</sup>以下。
一種表面處理方法，使用如請求項1所述之表面處理組合物，將研磨完成後的研磨對象物進行表面處理，降低研磨完成後的研磨對象物的表面上的殘渣。
如請求項7所述之表面處理方法，其中，上述表面處理為藉由潤洗研磨(rinse polishing)處理或洗淨處理而進行。
一種半導體基板的製造方法，包括：上述研磨完成後的研磨對象物為研磨完成後的半導體基板，以及 <br/>藉由請求項7所述之表面處理方法，降低上述研磨完成後的半導體基板的表面上的殘渣。
一種製造防水接縫膠帶之方法，其包含： <br/>a. 製備織物封裝，其包含將聚酯織物黏附至防水膜； <br/>b. 將顏色或圖案轉移至該織物封裝之該聚酯織物； <br/>c. 將包含至少一種聚胺基甲酸酯分散液、聚胺基甲酸酯粉末、聚胺基甲酸酯分散劑及增稠劑之黏著劑組成物層壓至該織物封裝之該防水膜上，藉此形成防水三層膠帶；及 <br/>d. 將該防水三層膠帶裁切成防水接縫膠帶。
如請求項1之方法，其中該黏著劑組成物進一步包含交聯劑。
如請求項2之方法，其中該交聯劑為異氰酸酯交聯劑。
如請求項1之方法，其中該聚酯織物用膠黏附至該防水膜。
如請求項4之方法，其中該膠為PUR膠。
如請求項1之方法，其中該黏著劑組成物為約7密耳。
如請求項1之方法，其中該織物封裝在將顏色圖案轉移至該聚酯織物之後固化至少24小時。
如請求項1之方法，其中該防水接縫膠帶在將該黏著劑組成物層壓至該防水膜上之後固化至少24小時。
如請求項1之方法，其中該防水三層膠帶使用對數裁切或中心裁切來裁切。
如請求項1之方法，其中該防水膜包含熱塑性樹脂。
如請求項1之方法，其中該防水膜具有約220℃之軟化點。
如請求項1之方法，其中在180℃至200℃之間之溫度下將該顏色或圖案轉移至該聚酯織物。
一種防水接縫膠帶，其包含： <br/>a. 織物封裝，其包含黏附至防水膜之聚酯織物，其中該織物封裝包含轉移至該織物封裝之該聚酯織物的顏色或圖案；及 <br/>b. 層壓於該織物封裝之該防水膜上之包含至少一種聚胺基甲酸酯分散液、聚胺基甲酸酯粉末、聚胺基甲酸酯分散劑及增稠劑之黏著劑組成物，藉此形成防水三層膠帶，其中該防水三層膠帶裁切成防水接縫膠帶。
如請求項13之防水接縫膠帶，其中該黏著劑組成物進一步包含交聯劑。
如請求項14之防水接縫膠帶，其中該交聯劑為異氰酸酯交聯劑。
如請求項13之防水接縫膠帶，其中該防水接縫膠帶使用對數裁切或中心裁切來裁切。
一種式(I)所示化合物的硫酸鹽， <br/><img align="absmiddle" height="70px" width="68px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
根據請求項1所述的硫酸鹽，其特徵在於，所述硫酸鹽含有相對於化合物(I)為0.5～3.0莫耳當量的硫酸。
一種式(I)所示化合物的硫酸鹽的晶型A，其特徵在於，所述晶型A的X射線粉末繞射圖譜在下列2θ角處具有特徵繞射峰：7.17±0.2°、11.93±0.2°、12.34±0.2°、12.99±0.2°、16.80±0.2°、17.75±0.2°； <br/>其中式(I)所示化合物如下所示： <br/><img align="absmiddle" height="70px" width="68px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
根據請求項3所述的晶型A，其特徵在於，所述晶型A的X射線粉末繞射圖譜在下列2θ角處具有特徵繞射峰：7.17±0.2°、11.93±0.2°、12.34±0.2°、12.99±0.2°、13.54±0.2°、16.80±0.2°、17.75±0.2°、19.09±0.2°、20.91±0.2°、21.71±0.2°。
根據請求項4所述的晶型A，其特徵在於，所述晶型A的X射線粉末繞射圖譜具有基本上如圖1所示的X射線粉末繞射圖譜。
一種式(I)所示化合物的硫酸鹽的晶型B，其特徵在於，所述晶型B的X射線粉末繞射圖譜在下列2θ角處具有特徵繞射峰：5.67±0.2°、8.78±0.2°、10.28±0.2°、11.02±0.2°、12.19±0.2°、15.51±0.2°； <br/>其中式(I)所示化合物如下所示： <br/><img align="absmiddle" height="70px" width="68px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
根據請求項6所述的晶型B，其特徵在於，所述晶型B的X射線粉末繞射圖譜在下列2θ角處具有特徵繞射峰：5.67±0.2°、8.78±0.2°、10.28±0.2°、11.02±0.2°、12.19±0.2°、12.60±0.2°、13.14±0.2°、15.51±0.2°、15.99±0.2°、19.56±0.2°。
根據請求項6所述的晶型B，其特徵在於，所述晶型B的X射線粉末繞射圖譜具有基本上如圖2所示的X射線粉末繞射圖譜。
一種式(I)所示化合物的硫酸鹽的晶型C，其特徵在於，所述晶型C的X射線粉末繞射圖譜在下列2θ角處具有特徵繞射峰：5.51±0.2°、7.71±0.2°、11.90±0.2°、13.67±0.2°、15.69±0.2°、20.15±0.2°； <br/>其中式(I)所示化合物如下所示： <br/><img align="absmiddle" height="70px" width="68px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
根據請求項9所述的晶型C，其特徵在於，所述晶型C的X射線粉末繞射圖譜具有基本上如圖3所示的X射線粉末繞射圖譜。
一種式(I)所示化合物的硫酸鹽的晶型D，其特徵在於，所述晶型D的X射線粉末繞射圖譜在下列2θ角處具有特徵繞射峰：6.85±0.2°、10.29±0.2°、12.78±0.2°、16.36±0.2°、19.84±0.2°、20.66±0.2°； <br/>其中式(I)所示化合物如下所示： <br/><img align="absmiddle" height="70px" width="68px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
根據請求項11所述的晶型D，其特徵在於，所述晶型D的X射線粉末繞射圖譜具有基本上如圖4所示的X射線粉末繞射圖譜。
一種式(I)所示化合物的硫酸鹽的晶型E，其特徵在於，所述晶型E的X射線粉末繞射圖譜在下列2θ角處具有特徵繞射峰：5.52±0.2°、8.93±0.2°、11.04±0.2°、12.16±0.2°、12.82±0.2°、22.67±0.2°； <br/>其中式(I)所示化合物如下所示： <br/><img align="absmiddle" height="70px" width="68px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
根據請求項13所述的晶型E，其特徵在於，所述晶型E的X射線粉末繞射圖譜在下列2θ角處具有特徵繞射峰：5.52±0.2°、8.52±0.2°、8.93±0.2°、11.04±0.2°、12.16±0.2°、12.82±0.2°、14.63±0.2°、15.34±0.2°、16.88±0.2°、22.67±0.2°。
根據請求項13所述的晶型E，其特徵在於，所述晶型E的X射線粉末繞射圖譜具有基本上如圖5所示的X射線粉末繞射圖譜。
一種式(I)所示化合物的硫酸鹽的晶型F，其特徵在於，所述晶型F的X射線粉末繞射圖譜在下列2θ角處具有特徵繞射峰：5.40±0.2°、13.01±0.2°、18.09±0.2°、21.65±0.2°； <br/>其中式(I)所示化合物如下所示： <br/><img align="absmiddle" height="70px" width="68px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
根據請求項16所述的晶型F，其特徵在於，所述晶型F的X射線粉末繞射圖譜具有基本上如圖6所示的X射線粉末繞射圖譜。
一種式(I)所示化合物的硫酸鹽的晶型G，其特徵在於，所述晶型G的X射線粉末繞射圖譜在下列2θ角處具有特徵繞射峰：5.88±0.2°、7.05±0.2°、9.39±0.2°、10.87±0.2°、12.00±0.2°、16.15±0.2°； <br/>其中式(I)所示化合物如下所示： <br/><img align="absmiddle" height="70px" width="68px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
根據請求項18所述的晶型G，其特徵在於，所述晶型G的X射線粉末繞射圖譜具有基本上如圖7所示的X射線粉末繞射圖譜。
一種式(I)所示化合物的硫酸鹽的晶型H，其特徵在於，所述晶型H的X射線粉末繞射圖譜在下列2θ角處具有特徵繞射峰：6.11±0.2°、11.59±0.2°、12.19±0.2°、15.66±0.2°、18.34±0.2°、13.82±0.2°； <br/>其中式(I)所示化合物如下所示： <br/><img align="absmiddle" height="70px" width="68px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
根據請求項20所述的晶型H，其特徵在於，所述晶型H的X射線粉末繞射圖譜具有基本上如圖8所示的X射線粉末繞射圖譜。
一種式(I)所示化合物的苯磺酸鹽，式(I)所示化合物如下所示： <br/><img align="absmiddle" height="70px" width="68px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
根據請求項22所述的苯磺酸鹽，其特徵在於，所述苯磺酸鹽含有相對於化合物(I)為0.5～3.0莫耳當量的苯磺酸。
一種式(I)所示化合物的苯磺酸鹽的晶型I，其特徵在於，所述晶型I的X射線粉末繞射圖譜在下列2θ角處具有特徵繞射峰：7.63±0.2°、12.05±0.2°、13.78±0.2°、15.09±0.2°、16.04±0.2°、18.35±0.2°； <br/>其中式(I)所示化合物如下所示： <br/><img align="absmiddle" height="70px" width="68px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
根據請求項24所述的晶型I，其特徵在於，所述晶型I的X射線粉末繞射圖譜在下列2θ角處具有特徵繞射峰：7.63±0.2°、11.35±0.2°、12.05±0.2°、13.78±0.2°、15.09±0.2°、16.04±0.2°、16.65±0.2°、18.35±0.2°、18.87±0.2°、23.53±0.2°。
根據請求項25所述的晶型I，其特徵在於，所述晶型I的X射線粉末繞射圖譜具有基本上如圖9所示的X射線粉末繞射圖譜。
一種藥物組合物，其特徵在於，所述藥物組合物含有如請求項1～2所述的式(I)所示化合物的硫酸鹽或如請求項3～5所述的晶型A或如請求項6～8所述的晶型B或如請求項9～10所述的晶型C或如請求項11～12所述的晶型D或如請求項13～15所述的晶型E或如請求項16～17所述的晶型F或如請求項18～19所述的晶型G或如請求項20～21所述的晶型H或如請求項22～23所述的式(I)所示化合物的苯磺酸鹽或如請求項24～26所述的晶型I。
一種如請求項1～2所述的式(I)所示化合物的硫酸鹽或如請求項3～5所述的晶型A或如請求項6～8所述的晶型B或如請求項9～10所述的晶型C或如請求項11～12所述的晶型D或如請求項13～15所述的晶型E或如請求項16～17所述的晶型F或如請求項18～19所述的晶型G或如請求項20～21所述的晶型H或如請求項22～23所述的式(I)所示化合物的苯磺酸鹽或如請求項24～26所述的晶型I或如請求項27所述的藥物組合物在製備治療用作KRAS-G12C相關疾病的藥物中的用途。
根據請求項28所述的用途，其特徵在於，所述的KRAS-G12C相關疾病選自非小細胞肺癌、結腸癌和胰腺癌。
一種記憶體裝置，包含： <br/>一第一記憶體區塊，包含： <br/>一第一記憶體次陣列； <br/>一第一界面部分，設置相鄰於該第一記憶體次陣列，其中該第一界面部分具有一梯狀輪廓； <br/>複數個第一內連接結構，透過該第一界面部分電性耦合至該第一記憶體次陣列；以及 <br/>複數個第二內連接結構，其中該些第二內連接結構之每一者係配置以電性耦合該些第一內連接結構之一對應者至一第一電晶體； <br/>一第一測試結構，設置相鄰於該第一記憶體區塊，其中該第一測試結構配置以模擬該些第二內連接結構之電性連接；以及 <br/>一第二測試結構，設置相鄰於該第一記憶體區塊，其中該第二測試結構配置以模擬該些第二內連接結構之電性連接； <br/>其中該第一測試結構及該第二測試結構彼此電性耦合，且該第一測試結構及該第二測試結構之每一者與該第一記憶體區塊電性絕緣。
如請求項1所述之記憶體裝置，其中該第一測試結構及該第二測試結構的每一者包括多個測試內連接結構，且該些測試內連接結構分別模仿該些第二內連接結構的輪廓。
一種記憶體裝置，包含： <br/>多個記憶體次陣列，其中該些記憶體次陣列的每一者通過多個字元線(WL)被存取，且該些字元線的每一者通過多個內連接結構的對應的一者耦合至WL驅動器；以及 <br/>多個測試結構，其中該些測試結構的每一者所對應於該些記憶體次陣列的一者，且包括多個測試內連接結構，該些測試內連接結構個別模仿該些內連接結構； <br/>其中該些測試結構以串聯方式彼此電性耦合。
一種記憶體裝置的測試方法，包含： <br/>形成多個測試結構，其中該些測試結構的每一者是物理性設置相鄰，但該些測試結構的每一者是與多個記憶體次陣列的一對應者電性絕緣，且該些測試結構的每一者配置以模仿多個內連接結構，該些內連接結構電性耦合對應的該些記憶體次陣列至一驅動電路； <br/>以串聯方式耦合該些測試結構； <br/>判定導通通過串聯連接的該些測試結構的一電流的一位準是否滿足一條件；以及 <br/>基於該判定，通過一次旁通其餘的該些測試結構，測試該些測試結構的一者，以鑒定在該些記憶體次陣列的一者或多者中的電性連接問題。
如請求項4所述之記憶體裝置的測試方法，其中該些測試結構的每一者包括多個測試內連接結構，該些測試內連接結構模仿對應的該些內連接結構，且該些測試內連接結構的每一者垂直地延伸穿過具有一相同高度的對應的該測試結構。
一種記憶體裝置的測試方法，包含： <br/>形成多個測試結構，該些測試結構中的每一者用以模擬與多個記憶體子陣列中的其中一個記憶體次陣列電性連接的多個內連接結構，其中該些測試結構中的每一者與該些記憶體次陣列中的一對應一者實體相鄰地設置； <br/>以串聯方式耦合該些測試結構以提供一第一導電路徑； <br/>判定導通通過該第一導電路徑的一電流的一第一位準是否超出一臨限值； <br/>基於該電流的該第一位準的該判定，通過一次旁通其餘的該些測試結構，測試該些測試結構的一第一測試結構，以得到該電流通過一第二導電路徑的一第二位準； <br/>判定導通通過該第二導電路徑的該電流的該第二位準是否超出該臨限值；以及 <br/>基於該電流的該第二位準的該判定，鑒定在該些記憶體次陣列的一者是否適用。
一種記憶體裝置的測試方法，包含： <br/>形成多個測試結構，其中該些測試結構的每一者是物理性設置相鄰，但該些測試結構的每一者是與多個記憶體次陣列的一對應者電性絕緣，且該些測試結構的每一者配置以模仿多個內連接結構，該些內連接結構電性耦合對應的該些記憶體次陣列至一驅動電路； <br/>以串聯方式耦合該些測試結構，其中經耦合的該些測試結構構成一導電路徑； <br/>偵測導通通過該導電路徑的一電流的一位準； <br/>比較該電流的該位準與一臨限值；以及 <br/>回應於該電流的該位準等於或小於該臨限值，通過一次旁通其餘的該些測試結構，測試該些測試結構的一第一測試結構，以鑒定在該些記憶體次陣列的一第一記憶體次陣列中的電性連接問題。
一種記憶體裝置，包含： <br/>一記憶體區塊，包含： <br/>一記憶體陣列； <br/>多個介面部分，橫向地延伸通過該記憶體陣列；以及 <br/>多個第一內連接結構，垂直地延伸通過該記憶體陣列且電性耦合至該些介面部分； <br/>一第一測試結構；以及 <br/>一第二測試結構，該第一測試結構與該第二測試結構物理性設置相鄰於該記憶體區塊，其中該第一測試結構包括垂直地延伸的多個第一測試內連接結構，該第二測試結構包括垂直地延伸的多個第二測試內連接結構，且該些第一測試內連接結構與該些第二測試內連接結構以串聯方式彼此電性耦合，該些第一測試內連接結構與該些第二測試內連接結構的每一者與該記憶體區塊電性絕緣，以及該些第一測試內連接結構與該些第二測試內連接結構配置以模擬該記憶體區塊。
一種記憶體裝置，包含： <br/>一記憶體區塊，包含： <br/>一記憶體陣列； <br/>多個介面部分，橫向地延伸通過該記憶體陣列；以及 <br/>多個第一內連接結構，垂直地延伸通過該記憶體陣列且電性耦合至該些介面部分，該些第一內連接結構具有一第一輪廓； <br/>一第一測試結構；以及 <br/>一第二測試結構，該第一測試結構與該第二測試結構物理性設置相鄰於該記憶體區塊，其中該第一測試結構包括具有一第二輪廓的多個第一測試內連接結構，該第一測試結構與該第二測試結構以串聯方式彼此電性耦合，該第二測試結構包括具有一第三輪廓的多個第二測試內連接結構，該些第一測試內連接結構與該些第二測試內連接結構的每一者與該記憶體區塊電性絕緣，以及該第一輪廓、該第二輪廓、該第三輪廓分別具有一階梯狀配置。
一種記憶體裝置，包含： <br/>一記憶體區塊，包含： <br/>一記憶體陣列； <br/>多個介面部分，橫向地延伸通過該記憶體陣列，該些介面部分具有一第一階梯輪廓；以及 <br/>多個第一內連接結構，垂直地延伸通過該記憶體陣列且電性耦合至該些介面部分； <br/>一第一測試結構；以及 <br/>一第二測試結構，該第一測試結構與該第二測試結構物理性設置相鄰於該記憶體區塊，其中該第一測試結構垂直地延伸的多個第一測試內連接結構，該第二測試結構包含垂直地延伸的多個第二測試內連接結構，該些第一測試內連接結構與該些第二測試內連接結構以串聯方式電性連接彼此，該些第一測試內連接結構與該些第二測試內連接結構的每一者與該記憶體區塊電性絕緣，且該些第一測試內連接結構與該些第二測試內連接結構分別模擬該些第一內連接結構的輪廓與尺寸。
一種盧美哌隆藥用鹽，其中該盧美哌隆藥用鹽係為盧美哌隆半雙羥萘酸鹽，其中盧美哌隆與雙羥萘酸以莫耳比1:0.5進行複合成鹽，該盧美哌隆半雙羥萘酸鹽為無定型。
如請求項1所述之盧美哌隆藥用鹽，其中該盧美哌隆半雙羥萘酸鹽無定型的X射線粉末繞射圖基本如圖3所示。
一種如請求項1或2所述之盧美哌隆藥用鹽的製備方法，其中該盧美哌隆半雙羥萘酸鹽無定型的製備方法包括如下步驟：<br/>方法(1)：將盧美哌隆對甲苯磺酸鹽溶於乙醇中得溶液A，將雙羥萘酸溶於氫氧化鈉乙醇溶液得溶液B，將溶液B加入溶液A中進行攪拌；或<br/>方法(2)：將盧美哌隆與雙羥萘酸溶於DMSO，加入反溶劑水，攪拌析出。
一種如請求項1或2所述之盧美哌隆藥用鹽用於製備治療和/或預防成人精神分裂症、雙相性障礙或急性躁狂症的藥物之用途。
一種藥物組合物，其包括請求項1或2所述之盧美哌隆藥用鹽及藥學上可接受的輔料。
如請求項5所述之藥物組合物，其中該藥學上可接受的輔料包括生理或藥學上可接受的載體、稀釋劑、媒介物和/或賦形劑中的一種，兩種或更多種。
一種盧美哌隆藥物製劑，其包括請求項1或2所述盧美哌隆藥用鹽。
如請求項7所述之盧美哌隆藥物製劑，其中該盧美哌隆藥物製劑的劑型選自片劑、膠囊、溶液劑、混懸劑和半固體製劑。
一種立體構造物之倒塌抑制方法，其包含： <br/> 準備在表面具有經圖型化之立體構造物之基板，及 <br/> 使前述立體構造物之表面與表面處理液接觸； <br/> 其中前述表面處理液包含矽烷縮合物(A)與有機溶劑(S)， <br/> 前述矽烷縮合物(A)為包含下述式(a1)所示之3官能性矽烷化合物(A1)之水解性矽烷化合物經過水解縮合之縮合物， <br/> 前述表面處理液中之前述矽烷縮合物(A)之濃度為0.00005質量%以上40質量%以下， <br/> 相對於前述矽烷縮合物(A)之總面積，前述矽烷縮合物(A)所包含之各寡聚物中之三聚物、四聚物及五聚物之含量之合計為50面積%以上100面積%以下， <br/> 相對於前述矽烷縮合物(A)之總面積，前述矽烷縮合物(A)中之四聚物之含量為30面積%以上70面積%以下， <br/> 前述面積%係藉由凝膠滲透層析法(GPC)來分析前述矽烷縮合物(A)時，在取得之層析圖中之關於前述各寡聚物之面積%之合計； <br/> SiR<sup>a1</sup>(R<sup>a2</sup>)<sub>3</sub>・・・(a1) <br/> 式(a1)中，R<sup>a1</sup>為碳原子數1以上20以下之烴基，R<sup>a2</sup>為藉由水解而生成矽醇基之基，前述藉由水解而生成矽醇基之基為選自由碳原子數1以上12以下之烷氧基、鹵素原子、胺基及碳原子數1以上12以下之醯氧基所成群組之基，3個R<sup>a2</sup>可互為相同亦可互為相異。
如請求項1之立體構造物之倒塌抑制方法，其中包含：藉由使前述水解性矽烷化合物進行水解縮合來調製前述矽烷縮合物(A)，從而調製前述表面處理液。
如請求項2之立體構造物之倒塌抑制方法，其中前述水解性矽烷化合物之水解縮合係在包含有機溶劑(S)之反應溶劑中，在布氏酸之存在下進行，且 <br/> 藉由有機溶劑(S)來稀釋前述藉由水解縮合而得之反應液，而將前述表面處理液中之前述矽烷縮合物(A)之濃度調整成0.00005質量%以上40質量%以下。
如請求項2或3之立體構造物之倒塌抑制方法，其中前述水解性矽烷化合物之水解縮合係以下述式所示之反應率為80%以上之方式來進行； <br/> 反應率(%)=(1-[A’]／[A])×100 <br/> 式中，[A]為反應開始時之前述水解性矽烷化合物之濃度，[A’]為反應率測量時之未反應之前述水解性矽烷化合物之濃度。
如請求項1或2之立體構造物之倒塌抑制方法，其中前述式(a1)中，前述R<sup>a1</sup>為碳原子數1以上12以下之烷基，前述R<sup>a2</sup>為碳原子數1以上4以下之烷氧基。
如請求項1或2之立體構造之倒塌抑制方法，其中前述表面處理液包含布氏酸。
如請求項6之立體構造物之倒塌抑制方法，其中前述布氏酸為脂肪族羧酸。
如請求項1或2之立體構造物之倒塌抑制方法，其中前述3官能性矽烷化合物之質量對前述水解性矽烷化合物之質量的比率為90質量%以上。
一種表面處理液之製造方法，其係在表面具有經圖型化之立體構造物之基板上，與前述立體構造物接觸之表面處理液之製造方法，該方法包含：使包含下述式(a1)所示之3官能性矽烷化合物(A1)之水解性矽烷化合物進行水解縮合而生成前述矽烷縮合物(A)； <br/> 其中前述表面處理液包含矽烷縮合物(A)與有機溶劑(S)， <br/> 前述表面處理液中之前述矽烷縮合物(A)之濃度為0.00005質量%以上40質量%以下， <br/> 相對於前述矽烷縮合物(A)之總面積，前述矽烷縮合物(A)所包含之各寡聚物中之三聚物、四聚物及五聚物之含量之合計為50面積%以上100面積%以下， <br/> 相對於前述矽烷縮合物(A)之總面積，前述矽烷縮合物(A)中之四聚物之含量為30面積%以上70面積%以下， <br/> 前述面積%係藉由凝膠滲透層析法(GPC)來分析前述矽烷縮合物(A)時，在取得之層析圖中之關於前述各寡聚物之面積%之合計； <br/> SiR<sup>a1</sup>(R<sup>a2</sup>)<sub>3</sub>・・・(a1) <br/> 式(a1)中，R<sup>a1</sup>為碳原子數1以上20以下之烴基，R<sup>a2</sup>為藉由水解而生成矽醇基之基，前述藉由水解而生成矽醇基之基為選自由碳原子數1以上12以下之烷氧基、鹵素原子、胺基及碳原子數1以上12以下之醯氧基所成群組之基，3個R<sup>a2</sup>可互為相同亦可互為相異。
如請求項9之表面處理液之製造方法，其中前述水解性矽烷化合物之水解縮合係在包含有機溶劑(S)之反應溶劑中，在布氏酸之存在下進行，且 <br/> 藉由有機溶劑(S)來稀釋前述藉由水解縮合而得之反應液，而將前述表面處理液中之前述矽烷縮合物(A)之濃度調整成0.00005質量%以上40質量%以下。
一種表面處理液，其係在表面具有經圖型化之立體構造物之基板上，與前述立體構造物接觸之表面處理液，其中 <br/> 前述表面處理液包含矽烷縮合物(A)與有機溶劑(S)， <br/> 前述矽烷縮合物(A)為包含下述式(a1)所示之3官能性矽烷化合物(A1)之水解性矽烷化合物經過水解縮合之縮合物， <br/> 前述表面處理液中之前述矽烷縮合物(A)之濃度為0.00005質量%以上40質量%以下， <br/> 相對於前述矽烷縮合物(A)之總面積，前述矽烷縮合物(A)所包含之各寡聚物中之三聚物、四聚物及五聚物之含量之合計為50面積%以上100面積%以下， <br/> 相對於前述矽烷縮合物(A)之總面積，前述矽烷縮合物(A)中之四聚物之含量為30面積%以上70面積%以下， <br/> 前述面積%係藉由凝膠滲透層析法(GPC)來分析前述矽烷縮合物(A)時，在取得之層析圖中之關於前述各寡聚物之面積%之合計； <br/> SiR<sup>a1</sup>(R<sup>a2</sup>)<sub>3</sub>・・・(a1) <br/> 式(a1)中，R<sup>a1</sup>為碳原子數1以上20以下之烴基，R<sup>a2</sup>為藉由水解而生成矽醇基之基，前述藉由水解而生成矽醇基之基為選自由碳原子數1以上12以下之烷氧基、鹵素原子、胺基及碳原子數1以上12以下之醯氧基所成群組之基，3個R<sup>a2</sup>可互為相同亦可互為相異。
一種基板，其係於其表面具備經圖型化之立體構造物之基板，其中前述立體構造物之表面附著或結合有矽烷縮合物(A)，該矽烷縮合物(A)為包含下述式(a1)所示之3官能性矽烷化合物(A1)之水解性矽烷化合物經過水解縮合之矽烷縮合物(A)， <br/> 相對於前述矽烷縮合物(A)之總面積，前述矽烷縮合物(A)所包含之各寡聚物中之三聚物、四聚物及五聚物之含量之合計為50面積%以上100面積%以下， <br/> 相對於前述矽烷縮合物(A)之總面積，前述矽烷縮合物(A)中之四聚物之含量為30面積%以上70面積%以下， <br/> 前述面積%係藉由凝膠滲透層析法(GPC)來分析前述矽烷縮合物(A)時，在取得之層析圖中之關於前述各寡聚物之面積%之合計； <br/> SiR<sup>a1</sup>(R<sup>a2</sup>)<sub>3</sub>・・・(a1) <br/> 式(a1)中，R<sup>a1</sup>為碳原子數1以上20以下之烴基，R<sup>a2</sup>為藉由水解而生成矽醇基之基，前述藉由水解而生成矽醇基之基為選自由碳原子數1以上12以下之烷氧基、鹵素原子、胺基及碳原子數1以上12以下之醯氧基所成群組之基，3個R<sup>a2</sup>可互為相同亦可互為相異。
一種在表面具有經圖型化之立體構造物之基板上之立體構造物之表面處理方法，其包含： <br/> 準備在表面具有經圖型化之立體構造物之基板，與 <br/> 使前述立體構造物之表面與表面處理液接觸； <br/> 其中前述表面處理液包含矽烷縮合物(A)與有機溶劑(S)， <br/> 前述矽烷縮合物(A)為包含下述式(a1)所示之3官能性矽烷化合物(A1)之水解性矽烷化合物經過水解縮合之縮合物， <br/> 前述表面處理液中之前述矽烷縮合物(A)之濃度為0.00005質量%以上40質量%以下， <br/> 相對於前述矽烷縮合物(A)之總面積，前述矽烷縮合物(A)所包含之各寡聚物中之三聚物、四聚物及五聚物之含量之合計為50面積%以上100面積%以下， <br/> 相對於前述矽烷縮合物(A)之總面積，前述矽烷縮合物(A)中之四聚物之含量為30面積%以上70面積%以下， <br/> 前述面積%係藉由凝膠滲透層析法(GPC)來分析前述矽烷縮合物(A)時，在取得之層析圖中之關於前述各寡聚物之面積%之合計； <br/> SiR<sup>a1</sup>(R<sup>a2</sup>)<sub>3</sub>・・・(a1) <br/> 式(a1)中，R<sup>a1</sup>為碳原子數1以上20以下之烴基，R<sup>a2</sup>為藉由水解而生成矽醇基之基，前述藉由水解而生成矽醇基之基為選自由碳原子數1以上12以下之烷氧基、鹵素原子、胺基及碳原子數1以上12以下之醯氧基所成群組之基，3個R<sup>a2</sup>可互為相同亦可互為相異。
一種輻射硬化性黏著劑片，具有藉由輻射照射而硬化之黏著劑層；<br/> 該輻射硬化性黏著劑片之特徵在於：<br/> 前述黏著劑層係藉由第1光聚合引發劑與第1交聯劑之反應而硬化者，<br/> 前述黏著劑層包含第2光聚合引發劑與第2交聯劑，且為具有相對向之2個主面的單一層；<br/> 將前述單一層之黏著劑層沿厚度方向等分分成2等分時，<br/> 前述2個主面之一第1主面所屬之區域的前述第2光聚合引發劑及前述第2交聯劑之濃度、與另一第2主面所屬之區域的前述第2光聚合引發劑及前述第2交聯劑之濃度不同；<br/> 前述輻射照射所引起之硬化係藉由前述第2光聚合引發劑與前述第2交聯劑之反應而進行硬化者；<br/> 前述光聚合引發劑之pKa為5~12.7。
如請求項1之輻射硬化性黏著劑片，其中前述光聚合引發劑之pKa係從前述光聚合引發劑之化學結構式算出之計算pKa。
如請求項1或2之輻射硬化性黏著劑片，其中前述光聚合引發劑為分子內具有胺基與芳香環之光聚合引發劑。
如請求項3之輻射硬化性黏著劑片，其中前述光聚合引發劑為分子內具有2個以上胺基與芳香環之光聚合引發劑。
如請求項3之輻射硬化性黏著劑片，其中前述光聚合引發劑為胺基苯乙酮系光聚合引發劑。
如請求項1或2之輻射硬化性黏著劑片，其中前述第2光聚合引發劑及前述第2交聯劑已溶解於前述黏著劑層中。
如請求項1或2之輻射硬化性黏著劑片，其中前述第2光聚合引發劑係與第1光聚合引發劑相同。
如請求項1或2之輻射硬化性黏著劑片，其中前述單一層之黏著劑層於厚度方向上具有前述第2光聚合引發劑及前述第2交聯劑之濃度梯度。
如請求項1或2之輻射硬化性黏著劑片，其中前述黏著劑層之厚度為5~500µm。
一種輻射硬化性黏著劑片之製造方法，係如請求項1至9中任一項之輻射硬化性黏著劑片之製造方法；<br/> 該製造方法之特徵在於包含以下步驟：<br/> 於支持體上形成由黏著劑基底材料形成之黏著劑層；<br/> 使前述黏著劑層硬化；<br/> 準備第2光聚合引發劑及第2交聯劑之溶液；<br/> 於前述已硬化之黏著劑層之一面塗佈前述溶液；<br/> 使該溶液所含之前述第2光聚合引發劑及前述第2交聯劑從前述黏著劑層之前述一面往厚度方向滲透；<br/> 使前述黏著劑層乾燥。
如請求項10之輻射硬化性黏著劑片之製造方法，其中包含前述第2光聚合引發劑與前述第2交聯劑之溶液係已使前述第2光聚合引發劑與前述第2交聯劑溶解於溶劑之溶液；<br/> 該製造方法包含藉由使前述黏著劑層乾燥來使前述溶液之溶劑蒸發之步驟。
如請求項10或11之輻射硬化性黏著劑片之製造方法，其中前述支持體為剝離片。
如請求項10或11之輻射硬化性黏著劑片之製造方法，其更包含於前述黏著劑層之與前述支持體相反側之表面貼合剝離片之步驟。
一種光學構件積層體，係包含由光學構件構成之基板與黏著劑層者；<br/> 該光學構件積層體係於由前述光學構件構成之基板之主面積層有黏著劑層；<br/> 前述黏著劑層係如請求項1至9中任一項之輻射硬化性黏著劑片之黏著劑層的硬化物。
如請求項14之光學構件積層體，其中前述由光學構件構成之基板的主面具有印刷層；<br/> 前述黏著劑層係以填埋前述由光學構件構成之基板的主面與前述印刷層之間的高低差之方式積層。
如請求項14或15之光學構件積層體，其中前述硬化物係藉由前述聚合引發劑與交聯劑之反應所得之硬化物。
一種鎖組件，包含：一鎖機構，包含：至少一門栓；及一自動致動機構，包含一觸發器，建構為當致動該觸發器時發射該至少一門栓；及一手柄組件，包含：一第一手炳及第二手柄；一心軸，可連接至該第一手柄及該第二手柄，並連接至該鎖機構，使得該心軸之旋轉將該至少一門栓縮回；及一心軸鎖定機構，在該第一手柄內，並建構為當嚙合時防止該心軸的旋轉；其中該鎖組件包含用於嚙合及/或脫離該心軸鎖定機構之一電子機構。
如請求項1所述的鎖組件，其中該電子機構包含用於驗證一使用者之身份的一鑑別單元，該鑑別單元包含以下之至少一者：一生物辨識感測器；一接收器；及/或一數字小鍵盤。
如請求項2所述的鎖組件，其中該電子機構建構為在接收來自該鑑別單元之指示一成功驗證該使用者身份的一訊號時脫離該心軸鎖定機構。
如請求項1所述的鎖組件，其中該心軸鎖定機構包含一限制器部分，該限制器建構為嚙合該心軸並防止其旋轉。
如請求項4所述的鎖組件，包含建構為將該限制器部分偏壓進入一嚙合位置之一偏壓機制，其中該限制器部分係與該心軸嚙合。
如請求項4或請求項5所述的鎖組件，其中該電子機構更包含建構為將該限制器部分移動進入該心軸可旋轉之一脫離位置的一電子驅動機制。
如請求項6所述的鎖組件，其中該電子驅動機制包含一馬達、一電源、及一動力傳送機構，其中該動力傳送機構包含連接該馬達及該限制器部分之至少一齒輪。
如請求項7所述的鎖組件，其中該限制器部分包含一凹槽或通道，且該至少一齒輪包含可於該凹槽或通道內承納之一驅動栓銷，並建構為使得該至少一齒輪的旋轉驅動該限制器部分之線性動作。
如請求項4或請求項5所述的鎖組件，其中該心軸包含耦接至其上之一轉子，且其中該轉子及該限制器部分包含互鎖結構，其當該限制器部分嚙合該心軸時防止相對旋轉。
如請求項1所述的鎖組件，更包含建構為判定該心軸之定向的一定向感測器。
如請求項10所述的鎖組件，其中該定向感測器包含：一磁鐵，耦接至該心軸；及一霍爾感測器或簧片開關，建構為判定該磁鐵之位置。
如請求項10或請求項11所述的鎖組件，其中該電子機構建構為當該定向感測器判定該心軸係與該心軸鎖定機構錯位時防止該心軸鎖定機構嚙合。
如請求項1至5中任一項所述的鎖組件，其中該電子機構建構為在一預定的時間量之後自動地嚙合該心軸鎖定機構。
如請求項1至5中任一項所述的鎖組件，其中該自動致動機構包含操作地連接至該觸發器之一驅動板及該至少一門栓，且建構為使得發射該至少一門栓包含於重力或一偏壓機構之下下降的該驅動板，以藉此驅動該門栓進入一伸出位置。
如請求項14所述的鎖組件，其中該鎖機構建構為使得該心軸之旋轉將該驅動板舉起，且其中該觸發器將該驅動板保留在一升高位置中，直至被致動。
如請求項1至5中任一項所述的鎖組件，其中該鎖機構包含可藉由一鑰匙操作之一鎖芯，且其中該鎖機構及該鎖芯係建構成使得該鎖芯的操作伸出及/或縮回該至少一門栓。
如請求項1所述的鎖組件，其中該心軸包含在施加大於一預定值之一力量時斷裂的一易折斷部分。
如請求項17所述的鎖組件，其中該易折斷部分係坐落成使得一旦斷裂，該心軸之一部分坐落在該手柄組件內並連接至該鎖機構。
如請求項17或18所述的鎖組件，其中該鎖機構包含：一外殼；及一心軸孔口，定位於該外殼內，用於承納經過其中之該心軸；其中定位該易折斷部分，使得當斷裂時，該心軸不會延伸超出該心軸孔口。
如請求項1至5中任一項所述的鎖組件，包含建構為限制該心軸之移除的一止動機制，其中該止動機制包含：一突出部分，從該心軸延伸；及/或在該手柄組件中之一阻障部分。
如請求項1至5中任一項所述的鎖組件，其中該鎖機構包含：至少一遠端鎖定單元，包含另一門栓；及一驅動棒，可操作地連接該遠端鎖定單元及該自動致動機構。
一種門，包含如請求項1至21中任一項所述的一鎖組件。
一種窗組件，包含如請求項1至21中任一項所述的一鎖組件。
一種基板處理方法，包含： <br/> 準備工程，其係準備在表面形成有第1金屬層的基板； <br/> 除去工程，其係對上述基板之背面吐出能夠除去上述第1金屬層的除去液而除去被形成在上述基板之周緣部之上述第1金屬層的至少一部分； <br/> 沖洗工程，其係於上述除去工程之後，對上述基板之背面吐出沖洗液而洗淨上述基板； <br/> 乾燥工程，其係於上述沖洗工程之後，使上述基板乾燥；以及 <br/> 金屬層形成工程，其係於上述乾燥工程之後，以上述第1金屬層作為觸媒而使第2金屬層析出於上述基板之表面， <br/> 上述除去工程係從對在上述基板之背面較上述周緣部 <br/>更內側吐出液體的第1噴嘴，和對上述基板之背面的上述周緣部吐出液體的第2噴嘴，分別吐出上述除去液， <br/> 上述沖洗工程係從上述第1噴嘴吐出上述沖洗液。
如請求項1所述之基板處理方法，其中 <br/> 上述除去液係包含從硫酸、氫氟酸、有機酸和氨中被選出的至少一個，和過氧化氫的水溶液。
如請求項1或2所述之基板處理方法，其中 <br/> 上述除去工程、上述沖洗工程及上述乾燥工程之時，對上述基板之表面側吐出惰性氣體。
如請求項1或2所述之基板處理方法，其中 <br/> 上述第1金屬層係以從銅、鈷、鎢、釕及鎳之中被選出的1個元素為主成分。
如請求項1或2所述之基板處理方法，其中 <br/> 上述第2金屬層係以從銅、鈷、釕及鎳之中被選出的1個元素為主成分。
如請求項1或2所述之基板處理方法，其中 <br/> 上述除去工程及上述金屬層形成工程係在被設置在一個基板處理系統內的複數處理單元之中的相同的上述處理單元內被進行。
如請求項1或2所述之基板處理方法，其中 <br/> 上述除去工程及上述金屬層形成工程係在被設置在一個基板處理系統內的複數處理單元之中的不同的上述處理單元內被進行。
一種基板處理裝置，具備： <br/> 基板保持部，其係將基板保持成能夠旋轉； <br/> 第1噴嘴，其係對在上述基板之背面較上述基板之周緣部更內側吐出液體； <br/> 第2噴嘴，其係對上述基板之背面的上述周緣部吐出液體； <br/> 金屬層形成部，其係在上述基板之表面形成第2金屬層；及 <br/> 控制部，其係用以控制各部， <br/> 上述控制部係 <br/> 以上述基板保持部保持在表面形成有第1金屬層的上述基板， <br/> 從上述第1噴嘴及上述第2噴嘴吐出能夠除去上述第1金屬層的除去液，而除去被形成在上述基板之上述周緣部之上述第1金屬層的至少一部分， <br/> 從上述第1噴嘴吐出沖洗液，而洗淨上述基板， <br/> 使上述基板保持部旋轉而使上述基板乾燥， <br/> 使用上述金屬層形成部，以上述第1金屬層作為觸媒而使第2金屬層析出於上述基板之表面。
一種記憶媒體，其係在電腦上動作，記憶有控制基板處理裝置之程式的電腦可讀取記憶媒體，其特徵為 <br/> 上述程式於實行時以進行請求項1或2所述之基板處理方法的方式，使電腦控制上述基板處理裝置。
一種在一顯示器表面上圖案化色彩轉換層之方法，該方法包含： <br/>用一第一色彩轉換層塗佈該顯示器之表面的至少部分； <br/>接通發光裝置之選定集合以固化在該等發光裝置之光之路徑中的該色彩轉換層之部分；及 <br/>清除過量材料。
如請求項1之方法，其中該色彩轉換層包含一色彩轉換材料及對發光裝置之一光敏感之一光阻材料。
如請求項1之方法，其中該色彩轉換層為不同層之一堆疊，諸如色彩轉換或色彩濾光片。
如請求項1之方法，其中底板將該等發光裝置選擇性地轉動至用於固化該色彩轉換層所需之一亮度。
如請求項4之方法，其中該底板藉由嵌入於該底板中之一固化模式接通。
如請求項4之方法，其中該底板具有用於接通該等發光裝置之一集合之一短路條。
如請求項4之方法，其中控制該等裝置之該亮度以將經固化區域之一大小保持在一設定區域內。
如請求項7之方法，其中該經固化色彩轉換層不延伸超出一子像素區域。
如請求項4之方法，其中亦控制一亮度持續時間使得控制該色彩轉換層之一形狀。
如請求項7之方法，其中控制發光裝置之發射及其持續時間使該色彩轉換層作為一半球體，其中發光裝置位於該半球體之中心處。
如請求項7之方法，其中該亮度降低以較慢地固化靠近該發光裝置之該等層，而頂部層首先被固化。
如請求項10之方法，其中延長接通時間之該持續時間直至達到該球體之預期大小為止。
如請求項3之方法，其中該等色彩轉換層之間的一空間填充有反射器或不透明材料防止該光洩漏至其他裝置且亦改良一對比率。
如請求項1之方法，其中該底板具有一圖案化模式，該圖案化模式可接通具有圖案化所需之該亮度的發射裝置之一集合，且其中一像素具有在該像素處於該圖案化模式時將該等發射裝置連接至一固定或可程式化偏壓之一開關。
如請求項14之方法，其中存在不同圖案化模式以針對不同色彩轉換層啟用不同像素電路中之開關。
如請求項14之方法，其中該底板具有短路條以接通該等裝置或使用一測試夾具。
如請求項14之方法，其中資料線經由開關連接至圖案化信號之一集合，其中一圖案化信號一次連接至一個像素電路，而共用同一信號之最新一或多個其他像素電路連接至斷開該像素之一關閉信號或用該關閉信號程式化。
如請求項17之方法，其中在圖案化製程之前量測該等發射裝置之一強度，且針對每一像素選擇一恰當圖案化信號，其中在該圖案化期間將用於一像素之該選定圖案化信號施加至該像素
如請求項17之方法，其中在該圖案化期間量測該像素之該強度且調整像素圖案化信號直至其符合一所需強度。
如請求項17之方法，其中像素之一選定陣列連接至資料線及一寫入信號，其中進一步地，該等資料線經由開關之一集合連接至一圖案化信號。
如請求項20之方法，其中在一個操作模式中，一個選定開關連接一個資料線，該圖案化信號及其他開關將該等資料線連接至一關閉信號，且其中進一步地，選擇一個行之該寫入信號，且連接至該選定寫入信號之該像素用該等圖案化信號或該等關閉信號程式化。
如請求項21之方法，其中針對下一程式化改變一開關組態，且激活另一寫入信號，且繼續此製程直至所有該等像素用該等恰當圖案化信號程式化。
如請求項20之方法，其中在另一圖案化模式中，該等開關僅連接或斷開該等圖案化信號，其中進一步地，選擇該等開關且將一關閉信號或一圖案化偏壓施加至該圖案化信號。
如請求項23之方法，其中基於缺陷及預先量測之該像素之強度而操作該等圖案化信號及該等關閉信號及該等圖案化開關。
一種透明製品，包含：<br/> 一玻璃陶瓷基板，包含一第一主表面及一第二主表面，該第一主表面及該第二主表面彼此相對；以及<br/> 一光學膜結構，包含一內表面及一外表面，該光學膜結構的該內表面係設置在該第一主表面上，<br/> 其中該玻璃陶瓷基板包含至少40重量％的一結晶度，<br/> 其中該光學膜結構包含複數個交替的高折射率（RI）層及低RI層以及一耐刮擦層，<br/> 其中該透明製品呈現大於80％的一平均適光透射率，<br/> 其中該透明製品呈現藉由一Berkovich硬度測試在距離該光學膜結構的該外表面的約100nm至約500nm的一壓痕深度範圍內測量的大於10GPa的一最大硬度，<br/> 其中該玻璃陶瓷基板包含大於85GPa的一彈性模量以及大於0.8MPa·√m的一斷裂韌性，<br/> 其中該光學膜結構進一步呈現大於或等於700MPa的一殘餘壓縮應力以及大於或等於140GPa的一彈性模量；且<br/> 其中該玻璃陶瓷基板經化學強化，並具有約200MPa至約400MPa的一表面壓縮應力以及約1μm至約15μm的一層壓縮深度，其中該玻璃陶瓷基板進一步呈現約80MPa至約200MPa的一最大中心張力（CT）值，且其中該基板進一步具有約0.6mm或更少的一厚度。
如請求項1所述的透明製品，其中該玻璃陶瓷基板包含至少75重量％的一結晶度、一二矽酸鋰相、及一透鈣長石相。
如請求項1或2所述的透明製品，其中每一高RI層及該耐刮擦層包含一含矽氮化物或一含矽氮氧化物，而每一低RI層包含一含矽氧化物，且其中每一高RI層進一步具有約5nm至約300nm的一厚度，每一低RI層具有約5nm至約300nm的一厚度，且該耐刮擦層具有約100nm至約10000nm的一厚度。
如請求項3所述的透明製品，其中一第一低RI層係設置成與該基板的該第一主表面直接接觸，且其中該耐刮擦層進一步具有約1000nm至約3000nm的一厚度。
一種顯示裝置，包含請求項1所述的透明製品，其中該透明製品作為該顯示裝置的一保護外罩。
一種透明製品，包含：<br/> 一玻璃陶瓷基板，包含一第一主表面及一第二主表面，該第一主表面及該第二主表面彼此相對；以及<br/> 一光學膜結構，包含一內表面及一外表面，該光學膜結構的該內表面係設置在該第一主表面上，<br/> 其中該玻璃陶瓷基板包含至少40重量％的一結晶度，<br/> 其中該光學膜結構包含複數個交替的高折射率（RI）層及低RI層以及一耐刮擦層，<br/> 其中該透明製品呈現大於80％的一平均適光透射率，<br/> 其中該透明製品呈現藉由一Berkovich硬度測試在距離該光學膜結構的該外表面的約100nm至約500nm的一壓痕深度範圍內測量的大於10GPa的一最大硬度，<br/> 其中該玻璃陶瓷基板包含大於85GPa的一彈性模量以及大於0.8MPa·√m的一斷裂韌性，<br/> 其中該光學膜結構呈現700MPa至1100MPa的一殘餘壓縮應力以及140GPa至200GPa的一彈性模量，<br/> 其中該透明製品進一步呈現在該光學膜結構的該外表面處於張力下的一環對環測試中的700MPa或更大的一平均破損應力；且<br/> 其中該玻璃陶瓷基板經化學強化，並具有約200MPa至約400MPa的一表面壓縮應力以及約1μm至約15μm的一層壓縮深度，其中該玻璃陶瓷基板進一步呈現約80MPa至約200MPa的一最大中心張力（CT）值，且其中該基板進一步具有約0.6mm或更少的一厚度。
如請求項6所述的透明製品，其中該透明製品呈現在該光學膜結構的該外表面處於張力下的一環對環測試中的800MPa或更大的一平均破損應力，且其中該光學膜結構進一步呈現140GPa至180GPa的一彈性模量。
如請求項6所述的透明製品，其中該玻璃陶瓷基板包含至少75重量％的一結晶度、一二矽酸鋰相、及一透鈣長石相。
如請求項6所述的透明製品，其中每一高RI層及該耐刮擦層包含一含矽氮化物或一含矽氮氧化物，而每一低RI層包含一含矽氧化物，且其中每一高RI層進一步具有約5nm至約300nm的一厚度，每一低RI層具有約5nm至約300nm的一厚度，且該耐刮擦層具有約100nm至約10000nm的一厚度。
如請求項9所述的透明製品，其中一第一低RI層係設置成與該基板的該第一主表面直接接觸，且其中該耐刮擦層進一步具有約1000nm至約3000nm的一厚度。
如請求項6所述的透明製品，其中該玻璃陶瓷基板包含至少75重量％的一結晶度、一二矽酸鋰相、及少於100nm的一平均結晶大小，其中該光學膜結構具有約200nm至約5000nm的一總物理厚度，其中該耐刮擦層具有約100nm至約4000nm的一物理厚度，其中該光學膜結構呈現約140GPa至180GPa的一彈性模量。
如請求項11所述的透明製品，其中該耐刮擦層具有1500nm至2500nm的一厚度，而該等複數個交替的高RI層及低RI層與耐刮擦層的一總量的範圍係為六（6）層至二十五（25）層。
一種顯示裝置，包含請求項6所述的透明製品，其中該透明製品作為該顯示裝置的一保護外罩。
一種透明製品，包含：<br/> 一玻璃陶瓷基板，包含一第一主表面及一第二主表面，該第一主表面及該第二主表面彼此相對；以及<br/> 一光學膜結構，界定一外表面，該光學膜結構設置在該第一主表面上，<br/> 其中該玻璃陶瓷基板包含大於85GPa的一彈性模量以及大於0.8MPa·√m的一斷裂韌性，<br/> 其中：<br/> 該透明製品呈現藉由一Berkovich硬度測試在距離該光學膜結構的該外表面的約100nm至約500nm的一壓痕深度範圍內測量的大於10GPa的一最大硬度，<br/> 該透明製品呈現大於80％的一平均適光透射率，<br/> 該透明製品在0度至10度的入射角下，利用D65照明體，呈現小於4的透射顏色√(a*<sup>2</sup>+b*<sup>2</sup>)。
如請求項14所述的透明製品，其中該玻璃陶瓷基板包含：<br/> 至少40重量％的結晶度， <br/> 200MPa至400MPa的表面壓縮應力；<br/> 約0.08•t至約0.25•t的壓縮深度（DOC），其中t係以mm計之該玻璃陶瓷基板的厚度；以及<br/> 80MPa至200MPa的最大中心張力（CT）值；且<br/> 其中該玻璃陶瓷基板具有約0.6mm或更小的厚度。
如請求項14所述的透明製品，其中該玻璃陶瓷基板包含至少75重量％的一結晶度、一二矽酸鋰相、及一透鈣長石相，且<br/> 其中該透明製品呈現大於80％的一平均適光透射率。
一種顯示裝置，包含請求項14所述的透明製品，其中該透明製品作為該顯示裝置的一保護外罩。
一種透明製品，包含：<br/> 一玻璃陶瓷基板，包含一第一主表面及一第二主表面，該第一主表面及該第二主表面彼此相對；以及<br/> 一光學膜結構，界定一外表面，該光學膜結構設置在該第一主表面上，<br/> 其中該玻璃陶瓷基板包含大於85GPa的一彈性模量以及大於0.8MPa·√m的一斷裂韌性，<br/> 該光學膜結構包含複數個交替的高折射率（RI）層及低RI層；<br/> 該光學膜結構包含一耐刮擦層，及外結構和內結構，該耐刮擦層設置在該外結構與該內結構之間，且該耐刮擦層具有約100nm至約10000nm的厚度。
如請求項18所述的透明製品，其中每一高RI層及該耐刮擦層包含一氮化矽或一氮氧化矽，而每一低RI層包含一含矽氧化物。
如請求項18所述的透明製品，其中該玻璃陶瓷基板具有約1.52或更大的折射率，且其中該光學膜結構的該內結構進一步經配置以基本上匹配該玻璃陶瓷基板與該耐刮擦層之間的光學阻抗。
一種透明製品，包含：<br/> 一玻璃陶瓷基板，包含一第一主表面及一第二主表面，該第一主表面及該第二主表面彼此相對；以及<br/> 一光學膜結構，包含一內表面及一外表面，該光學膜結構的該內表面設置在該第一主表面上，<br/> 其中該玻璃陶瓷基板包含大於85GPa的彈性模量以及大於0.8MPa·√m的斷裂韌性，且 <br/> 其中該光學膜結構進一步呈現大於或等於700MPa的殘餘壓縮應力以及大於或等於140GPa的彈性模量。
如請求項21所述的透明製品，其中該玻璃陶瓷基板包含至少75重量％的一結晶度、一二矽酸鋰相、及一透鈣長石相，且<br/> 其中該透明製品呈現大於80％的一平均適光透射率。
如請求項21所述的透明製品，其中：<br/> 該透明製品呈現藉由一Berkovich硬度測試在距離該光學膜結構的該外表面的約100nm至約500nm的一壓痕深度範圍內測量的大於10GPa的一最大硬度，<br/> 該透明製品呈現大於80％的一平均適光透射率，<br/> 該透明製品在0度至10度的入射角下，利用D65照明體，呈現小於4的透射顏色√(a*<sup>2</sup>+b*<sup>2</sup>)。
如請求項21所述的透明製品，其中該玻璃陶瓷基板包含：<br/> 至少40重量％的結晶度， <br/> 200MPa至400MPa的表面壓縮應力；<br/> 約0.08•t至約0.25•t的壓縮深度（DOC），其中t係以mm計之該玻璃陶瓷基板的厚度；以及<br/> 80MPa至200MPa的最大中心張力（CT）值；且<br/> 其中該玻璃陶瓷基板具有約0.6mm或更小的厚度。
一種顯示裝置，包含請求項24所述的透明製品，其中該透明製品作為該顯示裝置的一保護外罩。
如請求項21所述的透明製品，其中：<br/> 該光學膜結構包含複數個交替的高折射率（RI）層及低RI層；<br/> 該光學膜結構包含一耐刮擦層，及外結構和內結構，該耐刮擦層設置在該外結構與該內結構之間，且該耐刮擦層具有約100nm至約10000nm的厚度。
如請求項26所述的透明製品，其中每一高RI層及該耐刮擦層包含一氮化矽或一氮氧化矽，而每一低RI層包含一含矽氧化物。
如請求項26所述的透明製品，其中該玻璃陶瓷基板具有約1.52或更大的折射率，且其中該光學膜結構的該內結構進一步經配置以基本上匹配該玻璃陶瓷基板與該耐刮擦層之間的光學阻抗。
一種透明製品，包含：<br/> 一玻璃陶瓷基板，包含一第一主表面及一第二主表面，該第一主表面及該第二主表面彼此相對；以及<br/> 一光學膜結構，包含一內表面及一外表面，該光學膜結構的該內表面設置在該第一主表面上，<br/> 其中該玻璃陶瓷基板包含大於85GPa的彈性模量以及大於0.8MPa·√m的斷裂韌性， <br/> 其中該光學膜結構呈現700MPa至1100MPa的殘餘壓縮應力以及140GPa至200GPa的彈性模量，且<br/> 其中該透明製品進一步呈現在光學膜結構的該外表面處於張力下的環對環測試中的700MPa或更大的平均破損應力。
如請求項29所述的透明製品，其中該玻璃陶瓷基板包含：<br/> 至少40重量％的結晶度， <br/> 200MPa至400MPa的表面壓縮應力；<br/> 約0.08•t至約0.25•t的壓縮深度（DOC），其中t係以mm計之該玻璃陶瓷基板的厚度；以及<br/> 80MPa至200MPa的最大中心張力（CT）值；且<br/> 其中該玻璃陶瓷基板具有約0.6mm或更小的厚度。
如請求項29所述的透明製品，其中該玻璃陶瓷基板包含至少75重量％的一結晶度、一二矽酸鋰相、及一透鈣長石相，其中該透明製品呈現大於80％的一平均適光透射率。
如請求項29所述的透明製品，其中該透明製品呈現在光學膜結構的該外表面處於張力下的環對環測試中的800MPa或更大的平均破損應力，且其中該光學膜結構進一步呈現140GPa至180GPa的彈性模量。
如請求項29所述的透明製品，其中該玻璃陶瓷基板經化學強化，並具有約200MPa至約400MPa的一表面壓縮應力，其中該玻璃陶瓷基板進一步呈現約80MPa至約200MPa的一最大中心張力（CT）值，且其中該基板進一步具有約0.6mm或更少的一厚度。
如請求項29所述的透明製品，其中：<br/> 該透明製品呈現藉由一Berkovich硬度測試在距離該光學膜結構的該外表面的約100nm至約500nm的一壓痕深度範圍內測量的大於10GPa的一最大硬度，<br/> 該透明製品呈現大於80％的一平均適光透射率，<br/> 該透明製品在0度至10度的入射角下，利用D65照明體，呈現小於4的透射顏色√(a*<sup>2</sup>+b*<sup>2</sup>)。
一種顯示裝置，包含請求項29所述的透明製品，其中該透明製品作為該顯示裝置的一保護外罩。
如請求項29所述的透明製品，其中：<br/> 該光學膜結構包含複數個交替的高折射率（RI）層及低RI層；<br/> 該光學膜結構包含一耐刮擦層，及外結構和內結構，該耐刮擦層設置在該外結構與該內結構之間。
如請求項36所述的透明製品，其中每一高RI層及該耐刮擦層包含一氮化矽或一氮氧化矽，而每一低RI層包含一含矽氧化物，且其中每一高RI層進一步具有約5nm至約300nm的一厚度，每一低RI層具有約5nm至約300nm的一厚度，且該耐刮擦層具有約100nm至約10000nm的一厚度。
如請求項36所述的透明製品，其中一第一低RI層係設置成與該基板的該第一主表面直接接觸，且其中該耐刮擦層進一步具有約1000nm至約3000nm的一厚度。
如請求項36所述的透明製品，其中該玻璃陶瓷基板具有約1.52或更大的折射率，且其中該光學膜結構的該內結構進一步經配置以基本上匹配該玻璃陶瓷基板與該耐刮擦層之間的光學阻抗。
如請求項36所述的透明製品，其中該玻璃陶瓷基板包含至少75重量％的一結晶度、一二矽酸鋰相、及少於100nm的平均結晶大小，其中該光學膜結構具有約200nm至約5000nm的總物理厚度，其中該耐刮擦層具有約100nm至約4000nm的物理厚度，其中該光學膜結構呈現約140GPa至180GPa的彈性模量。
如請求項40所述的透明製品，其中該耐刮擦層具有1500nm至2500nm的一厚度，而該等複數個交替的高RI層及低RI層與耐刮擦層的一總量的範圍係為六（6）層至二十五（25）層。
一種用於在一製品成型單元（U）中由一經空氣成型之纖維素毛坯結構（2）製造非平坦纖維素製品（1）之方法，其中該製品成型單元（U）包含一緩衝模組（5）及包含一或多個成型模具（3）之一按壓模組（6），其中該方法包含以下步驟： <br/>提供該纖維素毛坯結構（2）及饋送該纖維素毛坯結構（2）至該緩衝模組（5）； <br/>在該緩衝模組（5）中緩衝該纖維素毛坯結構（2），並將該纖維素毛坯結構（2）自該緩衝模組（5）饋送至該按壓模組（6）； <br/>藉由將該纖維素毛坯結構（2）加熱至一成型溫度（T<sub>F</sub>），及運用一成型壓力（P<sub>F</sub>）按壓該纖維素毛坯結構（2）在該一或多個成型模具（3）中由該纖維素毛坯結構（2）成型纖維素製品（1）； <br/><b>其特徵在於</b>該纖維素毛坯結構（2）在一第一饋送方向（D<sub>F1</sub>）上經不斷地從一毛坯乾式成型模組（4）饋送至該緩衝模組（5），並在一第二饋送方向（D<sub>F2</sub>）上自該緩衝模組（5）間歇地饋送至該按壓模組（6），其中該第二饋送方向（D<sub>F2</sub>）不同於該第一饋送方向（D<sub>F1</sub>）。
如請求項1之方法， <br/><b>其特徵在於</b>該第一饋送方向（D<sub>F1</sub>）與該第二饋送方向（D<sub>F2</sub>）相反。
如請求項1或2之方法， <br/><b>其特徵在於</b>該第一饋送方向（D<sub>F1</sub>）係一向上方向且該第二饋送方向（D<sub>F2</sub>）係一向下方向。
如請求項1或2之方法， <br/><b>其特徵在於</b>該纖維素毛坯結構（2）係自該緩衝模組（5）間歇地饋送至該按壓模組（6）。
如請求項1或2之方法， <br/><b>其特徵在於</b>該緩衝模組（5）經組態以用於在一緩衝模式（M<sub>B</sub>）及一饋送模式（M<sub>F</sub>）中交替地操作，其中該方法進一步包含以下步驟：在該緩衝模式（M<sub>B</sub>）及該饋送模式（M<sub>F</sub>）中以一連續輸入速度（V<sub>I</sub>）將該纖維素毛坯結構（2）饋送至該緩衝模組（5）；及在該緩衝模式（M<sub>B</sub>）中以低於在該饋送模式（M<sub>F</sub>）中自該緩衝模組（5）饋送該纖維素毛坯結構（2）之輸出速度（V<sub>O</sub>）的一輸出速度（V<sub>O</sub>）自該緩衝模組（5）饋送該纖維素毛坯結構（2）。
如請求項5之方法， <br/><b>其特徵在於</b>在該緩衝模式（M<sub>B</sub>）中之該輸出速度（V<sub>O</sub>）為零，或其中在該緩衝模式（M<sub>B</sub>）中之該輸出速度（V<sub>O</sub>）基本上為零。
如請求項5之方法， <br/><b>其特徵在於</b>該緩衝模組（5）包含一入口部分（5a）、一出口部分（5b）及在該入口部分（5a）與該出口部分（5b）之間的一緩衝部分（5c），其中該纖維素毛坯結構（2）在該入口部分（5a）與該出口部分（5b）之間的該緩衝部分（5c）中具有一緩衝延伸部（E<sub>B</sub>），其中該方法進一步包含以下步驟：在該緩衝模式（M<sub>B</sub>）期間逐漸增加在該緩衝部分（5c）中的該纖維素毛坯結構（2）之該緩衝延伸部（E<sub>B</sub>），且在該饋送模式（M<sub>F</sub>）期間逐漸減少在該緩衝部分（5c）中的該纖維素毛坯結構（2）之該緩衝延伸部（E<sub>B</sub>）。
如請求項7之方法， <br/><b>其特徵在於</b>該緩衝部分（5c）包含一導引構件（5d），其中該導引構件（5d）包含經組態用於在該緩衝模式（M<sub>B</sub>）及該饋送模式（M<sub>F</sub>）中間歇地改變該緩衝延伸部（E<sub>B</sub>）的一第一臂區段（5d<sub>1</sub>）及一第二臂區段（5d<sub>2</sub>），其中該方法進一步包含以下步驟：在該緩衝模式（M<sub>B</sub>）及該饋送模式（M<sub>F</sub>）中改變該第一臂區段（5d<sub>1</sub>）與該第二臂區段（5d<sub>2</sub>）之間的一角度關係（α<sub>R</sub>）以用於改變該緩衝延伸部（E<sub>B</sub>）。
如請求項8之方法， <br/><b>其特徵在於</b>該方法進一步包含以下步驟：不斷地饋送該纖維素毛坯結構（2）至該入口部分（5a）並經由啟動該導引構件（5d）自該出口部分（5b）間歇地饋送該纖維素毛坯結構（2），其中在該緩衝模式（M<sub>B</sub>）中該導引構件（5d）之啟動期間，該纖維素毛坯結構（2）之一緩衝經建構於該緩衝部分（5c）中，且其中在該饋送模式（M<sub>F</sub>）中該導引構件（5d）之啟動期間，該纖維素毛坯結構（2）之一緩衝係自該緩衝部分（5c）釋放。
如請求項1或2之方法， <br/><b>其特徵在於</b>該製品成型單元（U）包含經組態用於提供該纖維素毛坯結構（2）之該毛坯乾式成型模組（4），其中該方法進一步包含以下步驟： <br/>提供一纖維素原料（R）及饋送該纖維素原料（R）至該毛坯乾式成型模組（4）；在該毛坯乾式成型模組（4）中由該纖維素原料（R）乾式成型該纖維素毛坯結構（2）；及將該纖維素毛坯結構（2）自該毛坯乾式成型模組（4）饋送至該緩衝模組（5）。
如請求項10之方法， <br/><b>其特徵在於</b>該毛坯乾式成型模組（4）包含一軋機（4a）、一成型腔室（4b）及配置成與該成型腔室（4b）連接的一成型線（4c），其中該方法進一步包含以下步驟：在該軋機（4a）中將纖維（F）與該纖維素原料（R）分離並將該等經分離纖維（F）分配至該成型線（4c）上之該成型腔室（4b）中以用於成型該纖維素毛坯結構（2）。
如請求項11之方法， <br/><b>其特徵在於</b>該成型線（4c）包含配置成與該成型腔室（4b）之一成型腔室開口（4e）連接的一成型區段（4d），其中該方法進一步包含以下步驟：將該纖維素毛坯結構（2）成型至該成型區段（4d）上。
如請求項12之方法， <br/><b>其特徵在於</b>該成型區段（4d）係在一向上毛坯成型方向（D<sub>U</sub>）上延伸，其中該方法進一步包含以下步驟：將該纖維素毛坯結構（2）成型至該成型區段（4d）上，及在該向上毛坯成型方向（D<sub>U</sub>）上自該成型區段（4d）朝向該緩衝模組（5）輸送經成型的纖維素毛坯結構（2）。
如請求項10之方法， <br/><b>其特徵在於</b>該製品成型單元（U）包含一毛坯回收利用模組（7），其中該方法進一步包含以下步驟：將該纖維素毛坯結構（2）之殘餘部件（2a）自該按壓模組（6）饋送至該毛坯乾式成型模組（4）。
如請求項1或2之方法， <br/><b>其特徵在於</b>該製品成型單元（U）包含在該緩衝模組（5）上游配置之一障壁施加模組（8），其中該方法進一步包含以下步驟：在該障壁施加模組（8）中施加一障壁組成物至該纖維素毛坯結構（2）上。
如請求項1或2之方法， <br/><b>其特徵在於</b>該方法進一步包含以下步驟：藉由將該纖維素毛坯結構（2）加熱至介於100℃至300℃範圍內之一成型溫度（T<sub>F</sub>），及運用介於1 MPa至100 MPa範圍內之一成型壓力（P<sub>F</sub>）按壓該纖維素毛坯結構（2）而在該一或多個成型模具（3）中由該纖維素毛坯結構（2）成型該等纖維素製品（1）。
如請求項1或2之方法， <br/><b>其特徵在於</b>該按壓模組（6）為用於由該纖維素毛坯結構（2）成型該等非平坦纖維素製品（1）之一纖維素製品肘節按壓模組，其中該方法進一步包含以下步驟： <br/>提供具有一肘節壓機（6a）及該一或多個成型模具（3）之該纖維素製品肘節按壓模組，其中該肘節壓機（6a）包括在一按壓方向（D<sub>P</sub>）上可移動地配置之一按壓構件（6d）、連接至該按壓構件（6d）之一肘節機構（6e）、連接至該肘節機構（6e）之一按壓致動器配置（6f），及以操作方式連接至該按壓致動器配置（6f）之一電子控制系統（6h），且其中該一或多個成型模具各自包括附接至該按壓構件（6d）之一可移動第一模具部件（3a）及一靜止第二模具部件（3b）， <br/>按照主要在一水平方向（D<sub>H</sub>）上配置的該按壓構件（6d）之該按壓方向（D<sub>P</sub>），特定言之按照配置於距該水平方向（D<sub>H</sub>）20度內的該按壓構件（6d）之該按壓方向（D<sub>P</sub>），且更特定言之按照與該水平方向（D<sub>H</sub>）平行的該按壓方向（D<sub>P</sub>）安裝該肘節壓機（6a）， <br/>饋送該纖維素毛坯結構（2）至由該等間隔開的第一及第二模具部件（3a、3b）界定之一按壓區域（A<sub>P</sub>）中， <br/>藉助於該電子控制系統（6h）控制該按壓致動器配置（6f）之操作以用於使用該肘節機構（6e）在該按壓方向（D<sub>P</sub>）上驅動該按壓構件（6d）及藉由抵著該靜止第二成型模具部件（3b）按壓每一第一成型模具部件（3a）而由該纖維素毛坯結構（2）成型該等纖維素製品（1）。
一種用於自一經空氣成型之纖維素毛坯結構（2）製造非平坦纖維素製品（1）的製品成型單元（U），其中該製品成型單元（U）包含一緩衝模組（5），及包含一或多個成型模具（3）之一按壓模組（6）， <br/>其中該製品成型單元（U）經調適用於饋送該纖維素毛坯結構（2）至該緩衝模組（5）、在該緩衝模組（5）中緩衝該纖維素毛坯結構（2），並將該纖維素毛坯結構（2）自該緩衝模組（5）饋送至該按壓模組（6）， <br/>其中該製品成型單元（U）經進一步調適用於藉由將該纖維素毛坯結構（2）加熱至一成型溫度（T<sub>F</sub>），及運用一成型壓力（P<sub>F</sub>）按壓該纖維素毛坯結構（2）而在該一或多個成型模具（3）中由該纖維素毛坯結構（2）成型該等纖維素製品（1）； <br/><b>其特徵在於</b>該緩衝模組（5）包含經組態用於不斷地在一第一饋送方向（D<sub>F1</sub>）上從一毛坯乾式成型模組（4）饋送該纖維素毛坯結構（2）至該緩衝模組（5），並在一第二饋送方向（D<sub>F2</sub>）上自該緩衝模組（5）間歇地饋送至該按壓模組（6）該纖維素毛坯結構（2）的一毛坯饋送系統（S<sub>F</sub>），其中該第二饋送方向（D<sub>F2</sub>）不同於該第一饋送方向（D<sub>F1</sub>）。
如請求項18之製品成型單元（U）， <br/><b>其特徵在於</b>該緩衝模組（5）包含一入口部分（5a）、一出口部分（5b）及在該入口部分（5a）與該出口部分（5b）之間的一緩衝部分（5c），其中該纖維素毛坯結構（2）在該入口部分（5a）與該出口部分（5b）之間的該緩衝部分（5c）中經配置有一緩衝延伸部（E<sub>B</sub>），其中該緩衝部分（5c）經組態以用於在一緩衝模式（M<sub>B</sub>）期間逐漸增加該纖維素毛坯結構（2）之該緩衝延伸部（E<sub>B</sub>），且在一饋送模式（M<sub>F</sub>）期間逐漸減少該纖維素毛坯結構（2）之該緩衝延伸部（E<sub>B</sub>）。
如請求項19之製品成型單元（U）， <br/><b>其特徵在於</b>該緩衝部分（5c）包含一導引構件（5d），其中該導引構件（5d）包含經組態用於在該緩衝模式（M<sub>B</sub>）及該饋送模式（M<sub>F</sub>）中間歇地改變該緩衝延伸部（E<sub>B</sub>）的一第一臂區段（5d<sub>1</sub>）及一第二臂區段（5d<sub>2</sub>），其中該緩衝部分（5c）經組態以用於在該緩衝模式（M<sub>B</sub>）及該饋送模式（M<sub>F</sub>）中改變該第一臂區段（5d<sub>1</sub>）與該第二臂區段（5d<sub>2</sub>）之間的一角度關係（α<sub>R</sub>）以用於改變該緩衝延伸部（E<sub>B</sub>）。
如請求項19或20之製品成型單元（U）， <br/><b>其特徵在於</b>該毛坯饋送系統（S<sub>F</sub>）包含配置成與該入口部分（5a）連接或在該入口部分（5a）上游，及/或與該出口部分（5b）連接或在該出口部分（5b）下游的至少一個毛坯饋送輥子（9）。
如請求項19或20之製品成型單元（U）， <br/><b>其特徵在於</b>該緩衝模組（5）包含在該入口部分（5a）上游配置的一第一毛坯重新定向裝置（5e<sub>1</sub>）及/或在該出口部分（5b）下游配置的一第二毛坯重新定向裝置（5e<sub>2</sub>）。
如請求項20之製品成型單元（U）， <br/><b>其特徵在於</b>該毛坯饋送系統（S<sub>F</sub>）經組態以用於不斷地饋送該纖維素毛坯結構（2）至該入口部分（5a）並經由啟動該導引構件（5d）自該出口部分（5b）間歇地饋送該纖維素毛坯結構（2），其中在該緩衝模式（M<sub>B</sub>）中該導引構件（5d）之啟動期間，該纖維素毛坯結構（2）之一緩衝經建構於該緩衝部分（5c）中，且其中在該饋送模式（M<sub>F</sub>）中該導引構件（5d）之啟動期間，該纖維素毛坯結構（2）之該緩衝係自該緩衝部分（5c）釋放。
如請求項18至20中任一項之製品成型單元（U）， <br/><b>其特徵在於</b>該製品成型單元（U）包含經組態用於提供該纖維素毛坯結構（2）之一毛坯乾式成型模組（4）。
如請求項24之製品成型單元（U）， <br/><b>其特徵在於</b>該毛坯乾式成型模組（4）包含一軋機（4a）、一成型腔室（4b）及配置成與該成型腔室（4b）連接的一成型線（4c），其中該軋機（4a）經組態以用於將纖維（F）與一纖維素原料（R）分離，其中該成型腔室（4b）經組態以用於將經分離的該等纖維（F）分配至該成型線（4c）之一成型區段（4d）上以用於成型該纖維素毛坯結構（2）。
如請求項25之製品成型單元（U）， <br/><b>其特徵在於</b>該成型區段（4d）係在一向上毛坯成型方向（D<sub>U</sub>）上延伸。
如請求項24之製品成型單元（U）， <br/><b>其特徵在於</b>該製品成型單元（U）包含一毛坯回收利用模組（7），其經組態用於將該纖維素毛坯結構（2）之殘餘部件（2a）自該按壓模組（6）饋送至該毛坯乾式成型模組（4）。
如請求項18至20中任一項之製品成型單元（U）， <br/><b>其特徵在於</b>該製品成型單元（U）包含在該緩衝模組（5）上游配置之一障壁施加模組（8），其中該障壁施加模組（8）經組態以用於施加一障壁組成物至該纖維素毛坯結構（2）上。
如請求項18至20中任一項之製品成型單元（U）， <br/><b>其特徵在於</b>該一或多個成型模具（3）經組態用於藉由將該纖維素毛坯結構（2）加熱至介於100℃至300℃範圍內之一成型溫度（T<sub>F</sub>），及運用介於1 MPa至100 MPa範圍內之一成型壓力（P<sub>F</sub>）按壓該纖維素毛坯結構（2），而由該纖維素毛坯結構（2）成型該等纖維素製品（1）。
如請求項18至20中任一項之製品成型單元（U）， <br/><b>其特徵在於</b>該按壓模組（6）為用於由該纖維素毛坯結構（2）成型該等非平坦纖維素製品（1）的一纖維素製品肘節按壓模組，其中該按壓模組（6）包含：一肘節壓機（6a），其包括在一按壓方向（D<sub>P</sub>）上可移動地配置的一按壓構件（6d）；一肘節機構（6e），其驅動地連接至該按壓構件（6d）；一按壓致動器配置（6f），其驅動地連接至該肘節機構（6e）；及一電子控制系統（6h），其以操作方式連接至該按壓致動器配置（6f）；及該一或多個成型模具（3），其各自包括附接至該按壓構件（6d）之一可移動第一模具部件（3a）及一靜止第二模具部件（3b），其中該電子控制系統（6h）經組態以用於控制該按壓致動器配置（6f）之操作以用於使用該肘節機構（6e）在該按壓方向（D<sub>P</sub>）上驅動該按壓構件（6d），及藉由抵著該靜止第二成型模具部件（3b）按壓該第一模具部件（3a）而由該經空氣成型之纖維素毛坯結構（2）成型該非平坦纖維素製品（1），且其中該肘節壓機（6a）係或經配置以按照主要在一水平方向（D<sub>H</sub>）上配置的該按壓構件（6d）之該按壓方向（D<sub>P</sub>）安裝。
一種系統級封裝，包括：<br/> 安裝在一封裝基板的一背側上的一高功率晶粒；<br/> 佈置在該高功率晶粒的該背側上的一熱傳遞層；及<br/> 耦合到該熱傳遞層的複數個散熱器互連，其中該等複數個散熱器互連在一水平方向上位於毗鄰於該高功率晶粒。
如請求項1之系統級封裝，其中該高功率晶粒是一聲波晶粒或一功率放大器。
如請求項1之系統級封裝，進一步包括：<br/> 佈置在該封裝基板中的一散熱片，其中該散熱片被耦合到該高功率晶粒的複數個前側觸點。
如請求項3之系統級封裝，其中該散熱片包括該封裝基板的複數個金屬層。
如請求項3之系統級封裝，其中該散熱片被耦合到該等複數個散熱器互連，或耦合到接地的複數個信號互連。
如請求項1之系統級封裝，其中該等複數個散熱器互連被耦合到一接地。
如請求項1之系統級封裝，其中該高功率晶粒進一步包括：<br/> 從該熱傳遞層延伸到該高功率晶粒中的複數個散熱器通孔。
如請求項1之系統級封裝，進一步包括：<br/> 耦合到該封裝基板的一前側的至少一個其他晶粒或表面安裝元件，其中該至少一個其他晶粒或表面安裝元件經由該封裝基板電耦合到該高功率晶粒。
如請求項1之系統級封裝，其中該高功率晶粒具有至少為0.25瓦的一功率耗散率。
如請求項1之系統級封裝，其中該裝置選自包括以下各項的群組：一音樂播放機、一視訊播放機、一娛樂單元、一導航設備、一通訊設備、一行動設備、一行動電話、一智慧手機、一個人數位助理、一固定位置終端、一平板電腦、一電腦、一可穿戴設備、一物聯網路（IoT）設備、一膝上型電腦、一伺服器、一存取點、一基地站、一小型細胞設備以及一機動交通工具中的一設備。
如請求項1之系統級封裝，其中該等複數個散熱器互連圍繞該高功率晶粒的一周界分佈。
如請求項1之系統級封裝，其中該等複數個散熱器互連中的至少一者位於該高功率晶粒的每一側。
如請求項12之系統級封裝，進一步包括：<br/> 在一水平方向上位於毗鄰於該高功率晶粒的複數個信號互連，其中該等複數個信號互連中的至少一者位於毗鄰於該等複數個散熱器互連中的至少一者。
如請求項1之系統級封裝，進一步包括：<br/> 直接佈置在該晶粒上並耦合到該熱傳遞層的一散熱器板。
如請求項14之系統級封裝，其中該散熱器板由銀、銅、金、鋁、鈦、鎳、合金或其堆疊式組合中的至少一者形成。
如請求項1之系統級封裝，其中該熱傳遞層由一銀膏形成。
如請求項16之系統級封裝，其中該等複數個散熱器互連中的每一者包括：<br/> 具有一凹陷部分的一金屬柱，其中該熱傳遞層被耦合到該金屬柱的該凹陷部分；及<br/> 耦合到金屬柱的一焊料部分。
如請求項17之系統級封裝，其中該金屬柱是銅。
如請求項16之系統級封裝，進一步包括：<br/> 包封該高功率晶粒以及該等複數個散熱器互連中的每一者的一部分的一模製化合物，<br/> 其中該熱傳遞層的一背側從該模製化合物中暴露。
如請求項1之系統級封裝，其中該熱傳遞層由金屬鍍敷形成。
如請求項20之系統級封裝，其中該等複數個散熱器互連中的每一者包括：<br/> 一金屬柱；<br/> 該熱傳遞層中耦合到該金屬柱的一部分；及<br/> 耦合到該熱傳遞層的該部分的一焊料部分。
如請求項21之系統級封裝，其中該金屬柱是銅，並且該熱傳遞層是銅。
如請求項20之系統級封裝，進一步包括：<br/> 包封該高功率晶粒以及該等複數個散熱器互連中的每一者的一部分的一模製化合物，<br/> 其中該熱傳遞層被佈置在該模製化合物上。
如請求項23之系統級封裝，其中該熱傳遞層的一背側由一阻焊劑覆蓋。
一種用於製造一系統級封裝的方法，包括以下步驟：<br/> 在一封裝基板的一背側上安裝一高功率晶粒；<br/> 在該高功率晶粒的該背側上沉積一熱傳遞層；及<br/> 形成耦合到該熱傳遞層的複數個散熱器互連，其中該等複數個散熱器互連在一水平方向上位於毗鄰於該高功率晶粒。
如請求項25之方法，其中該高功率晶粒是一聲波晶粒或一功率放大器。
如請求項25之方法，進一步包括以下步驟：<br/> 在該封裝基板中形成一散熱片；及<br/> 將該散熱片耦合到該高功率晶粒的複數個前側觸點。
如請求項27之方法，其中該散熱片由該封裝基板的複數個金屬層形成。
如請求項27之方法，其中該散熱片被耦合到該等複數個散熱器互連，或耦合到接地的複數個信號互連。
如請求項25之方法，其中該等複數個散熱器互連被耦合到一接地。
如請求項25之方法，其中該方法包括以下步驟：<br/> 在該高功率晶粒中形成複數個散熱器通孔，該等複數個散熱器通孔從該熱傳遞層延伸到該高功率晶粒中。
如請求項25之方法，進一步包括以下步驟：<br/> 將至少一個其他晶粒耦合到該封裝基板的一前側，其中該至少一個其他晶粒中的至少一者經由該封裝基板電耦合到該高功率晶粒。
如請求項25之方法，其中該等複數個散熱器互連圍繞該高功率晶粒的一周界分佈。
如請求項25之方法，其中該等複數個散熱器互連中的至少一者位於該高功率晶粒的每一側。
如請求項34之方法，進一步包括以下步驟：<br/> 形成在一水平方向上位於毗鄰於該高功率晶粒的複數個信號互連，其中該等複數個信號互連中的至少一者位於毗鄰於該等複數個散熱器互連中的至少一者。
如請求項25之方法，進一步包括以下步驟：<br/> 直接在該晶粒上形成一熱傳遞板，其中該熱傳遞層被耦合到該熱傳遞板並延伸到該等複數個散熱器互連。
如請求項25之方法，其中該熱傳遞層由一銀膏形成。
如請求項37之方法，其中形成該等複數個散熱器互連中的每一者之步驟包括以下步驟：<br/> 形成具有一凹陷部分的一金屬柱，其中該熱傳遞層被耦合到該金屬柱的該凹陷部分；及<br/> 在金屬柱上沉積一焊料部分。
如請求項37之方法，進一步包括以下步驟：<br/> 將該高功率晶粒以及該等複數個散熱器互連中的每一者的一部分包封在一模製化合物中，<br/> 其中該熱傳遞層的一背側從該模製化合物中暴露。
如請求項25之方法，其中該熱傳遞層由金屬鍍敷形成。
如請求項40之方法，其中形成該等複數個散熱器互連中的每一者之步驟包括以下步驟：<br/> 形成一金屬柱；<br/> 形成該熱傳遞層中耦合到該金屬柱的一部分；及<br/> 在該熱傳遞層的該部分上沉積一焊料部分。
如請求項41之方法，其中該金屬柱是銅，並且該熱傳遞層是銅。
如請求項40之方法，進一步包括以下步驟：<br/> 將該高功率晶粒以及該等複數個散熱器互連中的每一者的一部分包封在一模製化合物中，<br/> 其中該熱傳遞層被佈置在該模製化合物上。
如請求項43之方法，進一步包括以下步驟：<br/> 在該熱傳遞層的一背側上沉積一阻焊劑。
一種感測器，包括： <br/> 基板； <br/> 在該基板上具有寬靈敏度光譜的位於中央的光檢測器； <br/> 在該基板上的至少兩個光發射器，每個被組態為發射不同主波長的光，每個徑向地位於該位於中央的光檢測器周圍； <br/> 在該至少兩個光發射器的每一個和該位於中央的光檢測器之間的間隙，並且該間隙被組態為接受患者腸胃道的內容物的間隙；以及 <br/> 放置在該位於中央的光檢測器和該至少兩個光發射器的頂部的光學蓋，並且該光學蓋被組態為將藉由該至少兩個光發射器所發射的光引導通過該間隙到該位於中央的光檢測器上， <br/> 其中，基於在穿過該間隙中的該患者腸胃道的內容物之後藉由該位於中央的光檢測器所檢測到的光信號，該患者腸胃道的該內容物中的血液是可檢測的。
如請求項1之感測器，其中，該位於中央的光檢測器為光二極體以及該至少兩個光發射器為至少兩個發光二極體。
如請求項1之感測器，其中，血液的濃度及/或血液的性質是可檢測的， <br/> 其中，該血液的性質能區分新鮮血液和潛血；及/或血液和其他物質。
如請求項1之感測器，其中，該光學蓋包括位在該至少兩個光發射器的每一個之上的至少兩個面鏡和位在該位於中央的光檢測器之上的廣角透鏡， <br/> 其中，該至少兩個面鏡中的每一個被組態為將藉由該至少兩個光發射器的每一個所發射的該光引導通過該間隙以及到該廣角透鏡上。
如請求項1之感測器，進一步包括電路，其被連接到該至少兩個光發射器以及被組態為調節傳遞到該至少兩個光發射器的每一個的電力及/或控制所發射的該光的時序參數。
如請求項1之感測器，進一步包括放大器電路，其被連接到該位於中央的光檢測器以及被組態為在穿過該間隙中的該患者腸胃道的內容物之後將藉由該位於中央的光檢測器所檢測到的光信號轉換成數位信號。
如請求項1之感測器，進一步包括藥丸狀膠囊，其被組態為將被該至少兩個光發射器所圍繞的該光檢測器和該光學蓋封裝，其中，該間隙未被完全封裝。
如請求項7之感測器，其中，該藥丸狀膠囊被組態為將資料傳輸到在該患者身體外側的位置處的硬體裝置以及從在該患者身體外側的位置處的該硬體裝置接收資料。
如請求項7之感測器，其中，該藥丸狀膠囊進一步包括pH感測器、阻抗感測器、溫度感測器、壓力感測器、及/或移動感測器。
如請求項7之感測器，其中，該藥丸狀膠囊進一步包括： <br/> 一個或多個元件，其被組態為提供電神經刺激、光療法、及/或光生物調節，以及被組態為當檢測到預定的血液的濃度時進行調整；及/或 <br/> 藥物儲存槽和電化學電路，其被組態為當檢測到該預定的血液的濃度時，控制該藥物儲存槽中的藥物的釋放。
如請求項1之感測器，進一步包括探針，其被組態為容納該感測器，以及被組態為透過通過食道插入、通過結腸或直腸插入、及/或通過該患者胃腸道中的切口插入而插入該患者胃腸道。
一種檢測血液的方法，包括： <br/> 將感測器放置在患者的腸胃道內側，該感測器包括： <br/> 在基板上具有寬靈敏度光譜的位於中央的光檢測器； <br/> 至少兩個光發射器，每個被組態為發射不同主波長的光，每個徑向地位於該基板上的該位於中央的光檢測器周圍； <br/> 該至少兩個光發射器和該光檢測器之間的間隙，並且該間隙被組態為接受患者腸胃道的內容物；以及 <br/> 被組態為將藉由該至少兩個光發射器所發射的光引導通過該間隙以及到該位於中央的光檢測器上的光學蓋，其中，該光學蓋位在該位於中央的光檢測器、該間隙、和該至少兩個光發射器的頂部； <br/> 藉由該至少兩個光發射器發射該不同主波長的該光通過在該間隙中的該患者腸胃道的該內容物到該位於中央的光檢測器；以及 <br/> 藉由該位於中央的光檢測器檢測從該至少兩個光發射器所發射通過在該間隙中的該患者腸胃道的該內容物的該不同主波長的該光， <br/> 其中，基於在穿過該間隙中的該患者腸胃道的內容物之後藉由該位於中央的光檢測器檢測到的光信號，該患者腸胃道的該內容物中的血液是可檢測的。
如請求項12之方法，其中，該感測器被封裝在藥丸狀膠囊內，該藥丸狀膠囊被組態為將資料傳輸到在該患者身體外側的位置處的硬體以及從在該患者身體外側的位置處的該硬體接收資料， <br/> 其中，該資料係與在穿過該間隙中的該患者腸胃道的內容物之後藉由該位於中央的光檢測器所檢測到的該光信號有關。
如請求項13之方法，其中，藉由在該患者身體外該位置處的該硬體將演算法應用於該資料，以確定在該患者腸胃道的該內容物中的血液的濃度，以及以濾除在該患者腸胃道中所發現到的糞便和其他碎屑對檢測到的該光上的影響。
如請求項14之方法，其中，使用該演算法以確定新鮮血液的相對濃度和潛血的相對濃度，以根據該新鮮血液的相對濃度和該潛血的相對濃度來估計出血的位置。
如請求項13之方法，其中，該硬體包括智慧手機、平板電腦、或電腦。
如請求項13之方法，其中，該膠囊在手術期間被插入該患者的該腸胃道或被該患者吞嚥。
如請求項13之方法，進一步包括將該資料傳輸到與該硬體的位置不同的遠端位置處的患者、醫生、或電腦系統。
如請求項18之方法，其中，該資料包括如果在該腸胃道中的該內容物中的血液的濃度達到或超過預定的閾值時則向患者及/或醫生顯示的警報。
如請求項18之方法，進一步包括接收從該遠端位置回應於傳輸的該資料的信號，以及基於在接收的該信號中所編碼的資訊開始、停止、或修改治療。
一種光學系統，其包括： <br/>一源室； <br/>一或多個真空室，其或其等含有一組成像光學器件； <br/>一中間聚焦外殼，其具有一孔隙，其中該中間聚焦外殼經耦合至該源室及該一或多個真空室； <br/>一照明源，其經組態以產生照明且將該照明引導通過該源室之一或多個部分； <br/>一組照明光學器件，其經組態以接收來自該照明源之該照明之至少一部分且在一照明方向上經由一照明軸將該照明之至少一部分引導至一樣本，其中該照明軸經組態，使得該照明之至少一部分傳輸通過該孔隙； <br/>一沖洗氣體入口，其經耦合至該中間聚焦外殼，其中該沖洗氣體入口經組態以將一沖洗氣體輸送至一或多個沖洗氣體導管，其中該沖洗氣體包括氧、氮、氟、氙或其等之任何組合作為一離子或自由基物種以提供光化學反應及移除污染；及 <br/>一逆流噴嘴(counterflow nozzle)，其經耦合至該中間聚焦外殼且至少部分安置於該源室內，其中該逆流噴嘴經組態以接收該沖洗氣體且在與該照明方向相反之一方向上經由該一或多個沖洗氣體導管將該沖洗氣體之一逆流引導至該源室中，其中該一或多個沖洗氣體導管經形成於該逆流噴嘴內，且其中該一或多個沖洗氣體導管經組態以引起該沖洗氣體之該逆流成為層流(laminar)，該沖洗氣體之該逆流經組態以藉由減少一或多個揮發性物種污染物至該一或多個真空室中之傳輸來減輕該一或多個真空室內之該污染。
如請求項1之光學系統，其中該組成像光學器件經組態以沿著一成像軸接收來自該樣本之該照明之至少一部分。
如請求項1之光學系統，其進一步包括經組態以經由該組成像光學器件接收來自該樣本之該照明之至少一部分之一偵測器。
如請求項1之光學系統，其中該光學系統經組態為一遮罩檢查系統。
如請求項1之光學系統，其中該源室具有一源室壓力，且其中該一或多個真空室各自具有小於該源室壓力之一壓力。
如請求項1之光學系統，其中該照明源經組態以產生極紫外線光、真空紫外線光、深紫外線光或紫外線光之至少一者。
如請求項5之光學系統，其進一步包括經組態以在該一或多個真空室之各者內產生一選定壓力之一或多個真空泵。
如請求項7之光學系統，其中該一或多個真空泵包括一或多個渦輪分子泵。
如請求項1之光學系統，其中該組照明光學器件經組態以將該照明之至少一部分引導通過該孔隙。
如請求項1之光學系統，其中該源室經填充有氬或氙之至少一者。
如請求項1之光學系統，其中該沖洗氣體包括氬。
如請求項1之光學系統，其中該逆流噴嘴包括複數個噴嘴組件。
如請求項1之光學系統，其中該逆流噴嘴經組態以增加該光學系統之一防護因數。
一種半導體檢查之設備，其包括： <br/>一中間聚焦外殼，其中該中間聚焦外殼經耦合至一源室及一或多個真空室之各者，且其中該中間聚焦外殼包含一孔隙； <br/>一沖洗氣體入口，其經耦合至該中間聚焦外殼，其中該沖洗氣體入口經組態以將一沖洗氣體輸送至一或多個沖洗氣體導管，其中該沖洗氣體包括氧、氮、氟、氙或其等之任何組合作為一離子或自由基物種以提供光化學反應及移除污染；及 <br/>一逆流噴嘴，其經耦合至該中間聚焦外殼且至少部分安置於該源室內，其中該逆流噴嘴經組態以接收該沖洗氣體且在與一照明方向相反之一方向上經由該一或多個沖洗氣體導管將該沖洗氣體之一逆流引導至該源室中，其中該一或多個沖洗氣體導管經形成於該逆流噴嘴內，且其中該一或多個沖洗氣體導管經組態以引起該沖洗氣體之該逆流成為層流，該沖洗氣體之該逆流經組態以藉由減少一或多個揮發性物種污染物至該一或多個真空室中之傳輸來減輕該一或多個真空室內之該污染。
一種減少光學系統污染之方法，其包括： <br/>產生照明且在一照明方向上將該照明之至少一部分引導至一源室之一或多個部分； <br/>將該照明之至少一部分引導通過一中間聚焦外殼之一孔隙，其中該中間聚焦外殼經安置於該源室與一或多個真空室之間； <br/>將一沖洗氣體提供至耦合至該中間聚焦外殼且至少部分安置於該源室內之一逆流噴嘴，其中該沖洗氣體包括氧、氮、氟、氙或其等之任何組合作為一離子或自由基物種以提供光化學反應及移除污染；及 <br/>產生在與該照明方向相反之一方向上通過該逆流噴嘴之該沖洗氣體之一層流逆流。
如請求項15之方法，其中該產生該沖洗氣體之一逆流包括減少一或多種揮發性物種污染物至該一或多個真空室中之傳輸。
如請求項15之方法，其中該照明包括極紫外線光、真空紫外線光、深紫外線光或紫外線光之至少一者。
如請求項15之方法，其中該將該沖洗氣體提供至耦合至該中間聚焦外殼且至少部分安置於該源室內之該逆流噴嘴包括經由一沖洗氣體入口將該沖洗氣體提供至該中間聚焦外殼，且進一步包括將該沖洗氣體提供至該中間聚焦外殼之一或多個沖洗氣體導管。
如請求項15之方法，其中該沖洗氣體包括氬。
如請求項15之方法，其中一或多個沖洗氣體導管經組態以產生該沖洗氣體之該層流逆流。
一種電子總成（100），其包含：<br/> 一主電路板（104），其具有一上表面（172）及多個電路板接點（176），該等電路板接點設置在該上表面上，該上表面具有一安裝區；<br/> 一插座連接器（110），其安裝到在該安裝區處的該主電路板，該插座連接器包括一插座殼體（112），該插座殼體固持複數個插座接點（120），每一插座接點具有一上接觸部（132）及一下接觸部（134），該下接觸部電性連接到該主電路板之對應的該電路板接點，該插座接點在該上接觸部與該下接觸部之間為可壓縮，該插座殼體包括多個冷卻劑通道（210），該等冷卻劑通道配置成接受冷卻劑；<br/> 一電子封裝件（102），其耦接到該插座連接器，該電子封裝件具有一下表面（154）及多個封裝接點（166），該等封裝接點設置在該下表面上，該等封裝接點電性連接到該等插座接點的該等上接觸部；<br/> 一封裝密封件（156），介於該電子封裝件（102）與該插座連接器（110）之間；及<br/> 一電路板密封件（158），介於該主電路板（104）與該插座連接器（110）之間。
如請求項1所述之電子總成（100），其中該等冷卻劑通道（210）對該等插座接點（120）呈開通，以藉由該冷卻劑直接冷卻該等插座接點。
如請求項1所述之電子總成（100），其中該等冷卻劑通道（210）對該等上接觸部（132）及該等下接觸部（134）呈開通。
如請求項1所述之電子總成（100），其中該等冷卻劑通道（210）包括一入口冷卻劑通道（212）及一出口冷卻劑通道（214），該冷卻劑經由該插座殼體（112）從該入口冷卻劑通道流到該出口冷卻劑通道。
如請求項1所述之電子總成（100），其中該冷卻劑被加壓而流經該等冷卻劑通道（210）。
如請求項1所述之電子總成（100），其中該等冷卻劑通道（210）對該電子封裝件（102）的該下表面（164）呈開通，以冷卻該電子封裝件。
如請求項1所述之電子總成（100），其中該等冷卻劑通道（210）對該主電路板（104）的該上表面（152）呈開通，以冷卻該主電路板。
如請求項1所述之電子總成（100），其中該主電路板（104）包括多個電路板冷卻劑通道（220），該等電路板冷卻劑通道流體連通該插座殼體（112）的該等冷卻劑通道（212），以允許冷卻劑在該主電路板與該插座連接器（110）之間流動。
一種電子總成（100），其包含：<br/> 一主電路板（104），其具有一上表面（172）及多個電路板接點（176），該等電路板接點設置在該上表面上，該上表面具有一安裝區；<br/> 一插座連接器（110），其安裝到在該安裝區處的該主電路板，該插座連接器包括一插座殼體（112），該插座殼體固持複數個插座接點（120），每一插座接點具有一上接觸部（132）及一下接觸部（134），該下接觸部電性連接到該主電路板之對應的該電路板接點，該插座接點在該上接觸部與該下接觸部之間為可壓縮，該插座殼體包括多個冷卻劑通道（210），該等冷卻劑通道配置成接受冷卻劑；<br/> 一電子封裝件（102），其耦接到該插座連接器，該電子封裝件具有一下表面（154）及多個封裝接點（166），該等封裝接點設置在該下表面上，該等封裝接點電性連接到該等插座接點的該等上接觸部；及<br/> 一背板（108），該背板具有一上表面（152）及相對該上表面之一下表面（154），該主電路板（104）安裝到該背板的該上表面，其中該背板包括多個背板冷卻劑通道（230），該等背板冷卻劑通道流體連通該插座殼體（112）的該等冷卻劑通道（210）。
如請求項1之電子總成（100），其中該插座殼體（112）包括多個接點通道（150），該等接點通道接受對應的多個訊號接點，該等冷卻劑通道（210）包括多個接點冷卻劑通道，該等接點冷卻劑通道對該等接點通道呈開通，以冷卻在該等接點通道中的該等插座接點。
一種眼鏡桿，其具有旨在用於與前片(4)連接的第一端(22')以及旨在用於彎曲以形成耳彎(7)的第二端部(22)，該眼鏡桿具有縱向(24)及橫向(25)，且該眼鏡桿至少在該眼鏡桿的該第二端部(22)上方由板狀桿(2)形成，該板狀桿具有側面(17)以及底面(19)與頂面(20)，且其中，由彈性順應材料製成的摩擦元件(8)係在該耳彎(7)處的位置連接到該板狀桿(2)，以用於在使用者的耳後接觸，且其中，該板狀桿(2)在其最外側的第二端(22)具有第一突起(23)，且其中，在該摩擦元件的第一端部(31)中，提供有第一橫向孔(33)，用於容納該板狀桿的該第一突起(23)，其特徵在於，該板狀桿為金屬桿，在於該摩擦元件(8)為管道狀，使得側壁(15)及底部(15')覆蓋該金屬桿之該些側面(17)及該底面(19)，在於該第一突起(23)係定向於該橫向(25)上並於該縱向(24)上傾斜，以與該金屬桿的最外側的該第二端部(22)一起形成縱向開口之凹槽(26)，其在開口(27)處的橫截面比該凹槽(26)的中央部(28)處的橫截面小，在於管道(14)的第一端處的該摩擦元件(8)被該摩擦元件的該第一端(31)處的材料數量(30)封閉，在於該摩擦元件的該第一橫向孔(33)係形成在該材料數量(30)中並在該橫向(25)上定向並在該縱向(24)上傾斜，以容納該金屬桿之該第一突起(23)，在於該摩擦元件的該第一端部(31)處的彈性材料係以彈性壓縮的狀態容納在該金屬桿的該開口凹槽(26)中，使得該第一突起(23)及該凹槽(26)形成第一保持裝置，且在於該管道的該側壁(15)及該底部(15')與該金屬桿的該側面(17)之間，提供有進一步的保持裝置，以防止該摩擦元件於該金屬桿之該縱向(24)及該橫向(25)上移位。
根據請求項1所述的眼鏡桿，其中，該金屬桿(2)於其底面(19)處提供有橫向的第二突起(12)，用於與該管道的該底部(15')中的第二孔(13)可拆卸地卡扣，其中該些第二突起(12)在其與該金屬桿(2)連接處的橫截面比該些第二突起(12)在距離該金屬桿(2)處的橫截面更小，使得該些第二突起(12)由於該摩擦元件(8)材料的彈性順應性而被保持在該管道的該底部(15')處的該些第二孔(13)中。
根據請求項1或2所述的眼鏡桿，其中，橫向突起(29)形成在該凹槽(26)的該開口(27)處，較佳為鉤狀突起(29)，位於該第一突起(23)及/或在該金屬桿的最外側的該第二端部(22)上。
根據請求項1或2所述的眼鏡桿，其中，該摩擦元件(8)中的該第一橫向孔(33)係製成為具有小於該金屬桿的該第一突起(23)之尺寸的尺寸，以使該金屬桿的該第一突起(23)具有夾持效用而容納在其中。
根據請求項1或2所述的眼鏡桿，其中，該管道(14)係形成為具有小於該金屬桿(2)之厚度的寬度，使得該側壁(15)與該金屬桿之該些側面(17)彈性抵接。
根據請求項1或2所述的眼鏡桿，其中，該金屬桿(2)在中間部(43)中、在面對該金屬桿的該些第二突起(12)的該側係具有抵接面(44)，其用於該摩擦元件(8)的端面(45)。
根據請求項1或2所述的眼鏡桿，其中，該摩擦元件(8)覆蓋該金屬桿的該第二端部(22)的最外側的該端面的至少一部分。
根據請求項1或2所述的眼鏡桿，其中，該金屬桿(2)係由鈦製成。
根據請求項1或2中任一項所述的眼鏡桿，其中，該摩擦元件之該管道(14)的該些側壁(15)具有朝該金屬桿的該些側面(17)漸縮之厚度，以形成平順轉換。
根據請求項1或2中任一項所述的眼鏡桿，其中，該金屬桿(2)在其最外側的該第二端部(22)處具有溝槽(35)，其內有該摩擦元件(8)的端部(36)抵接。
一種疫苗組合物，其包含醫藥學上可接受之載體和有效劑量的減毒之由SEQ ID NO:3編碼的豬疱疹病毒1型(假性狂犬病病毒)，該減毒之由SEQ ID NO:3編碼的豬疱疹病毒1型(假性狂犬病病毒)包含編碼胸苷激酶(TK)之UL23基因的至少核苷酸480-846之缺失、編碼糖蛋白E(gE)基因的ORF之缺失、及糖蛋白I(gI)基因的至少核苷酸269-1101之缺失，其中該有效劑量係10<sup>4.5</sup> TCID<sub>50</sub>至10<sup>5.5</sup> TCID<sub>50</sub>。
如請求項1之疫苗組合物，其中該有效劑量係10<sup>5</sup> TCID<sub>50</sub>至10<sup>5.5</sup> TCID<sub>50</sub>。
如請求項1或2之疫苗組合物，其中該疫苗組合物之單劑保護豬動物以對抗毒性假性狂犬病病毒之攻擊。
如請求項3之疫苗組合物，其中該豬動物係公豬、母豬、小母豬或仔豬。
一種如請求項1或2之疫苗組合物的單劑於製備藥物之用途，該藥物係用於保護豬動物以對抗假性狂犬病病毒。
如請求項5之用途，其中該豬動物係公豬、母豬、小母豬或仔豬。
一種分離之DNA多核苷酸分子，其編碼如請求項1所述之減毒之假性狂犬病病毒。
一種能直接轉染宿主細胞之質體，其中該質體包含如請求項7之DNA多核苷酸分子和能允許該DNA多核苷酸轉錄之啟動子。
一種處理器，包含：<br/> 一排序緩衝，包含與該排序緩衝之一前端相對應的一第一複數個級及與該排序緩衝之一後端相對應的一第二複數個級；<br/> 一狀態表，用於維護與與該處理器正在處理之指令相對應的至少一分支子集相關聯的資訊；以及<br/> 狀態邏輯，用以存取該狀態表，其中該狀態邏輯進一步用以：<br/> 追蹤與該處理器正在處理的該些指令相對應的至少一分支子集相關聯的任何精確收斂點的位置，以及<br/> 若決定與該分支相關聯的一精確收斂點的一位置位於該排序緩衝之該前端，則識別一第一恢復方法，用於從與來自至少該分支子集的一分支相關聯的一錯誤預測中恢復，否則識別與該第一恢復方法不同的一第二恢復方法，用於從與該分支相關聯的該錯誤預測中恢復，其中該第一恢復方法包含以下步驟，回應於一錯誤預測的分支，僅刷新該排序緩衝之該後端中比該錯誤預測分支更年輕的彼等指令。
如請求項1所述之處理器，其中該狀態邏輯包含至少一個前端精確收斂追蹤器及至少一個後端精確收斂追蹤器。
如請求項1所述之處理器，其中該狀態邏輯包含至少一個前端精確收斂追蹤器及至少一個前端延遲邏輯。
如請求項1所述之處理器，其中該第一恢復方法包含以下步驟，回應於一錯誤預測的分支，僅選擇性刷新該排序緩衝之該前端中比與該錯誤預測分支相關聯的一精確收斂點年齡大的彼等指令。
如請求項1所述之處理器，其中該第二恢復方法包含以下步驟，回應於一錯誤預測的分支，進行以下至少一個：（1）將一錯誤的控制依賴路徑中包括的所有指令作為謂詞失敗指令重演，並重演所有控制獨立資料依賴指令，或（2）執行一選定的恢復程式。
如請求項1所述之處理器，其中該狀態邏輯進一步用以識別一第三恢復方法，其與該第一恢復方法及該第二恢復方法不同，並且其中該第三恢復方法包含以下步驟，回應於一錯誤預測的分支，從該排序緩衝之該前端及該排序緩衝之該後端兩者刷新所有比該錯誤預測分支年輕的指令。
一種用於操作一處理器的方法，該處理器包括一排序緩衝，該排序緩衝包含與該排序緩衝之一前端相對應的一第一複數個級及與該排序緩衝之一後端相對應的一第二複數個級，該方法包含以下步驟：<br/> 追蹤與使用該處理器正在處理的指令相對應的至少一分支子集相關聯的任何精確收斂點的位置；以及<br/> 若決定與該分支相關聯的一精確收斂點的一位置位於該排序緩衝之該前端，則識別一第一恢復方法，用於從與來自至少該分支子集的一分支相關聯的一錯誤預測中恢復，否則識別與該第一恢復方法不同的一第二恢復方法，用於從與該分支相關聯的該錯誤預測中恢復，其中該第一恢復方法包含以下步驟，回應於一錯誤預測的分支，僅刷新該排序緩衝之該後端中比該錯誤預測分支年輕的彼等指令。
如請求項7所述之方法，其中該追蹤與使用該處理器正在處理的該些指令相對應的至少該分支子集相關聯的任何精確收斂點的位置之步驟包含以下步驟，使用：（1）一狀態表，用於維護與該處理器正在處理的該些指令相對應的至少該分支子集相關聯的資訊，（2）至少一個前端精確收斂追蹤器，以及（3）至少一個後端精確收斂追蹤器。
如請求項7所述之方法，其中該追蹤與使用該處理器正在處理的該些指令相對應的至少該分支子集相關聯的任何精確收斂點的位置包含以下步驟，使用：（1）一狀態表，用於維護與該處理器正在處理的該些指令相對應的至少該分支子集相關聯的資訊，（2）至少一個前端精確收斂追蹤器，以及（3）至少一個前端延遲邏輯。
如請求項7所述之方法，其中該第一恢復方法包含以下步驟，回應於一錯誤預測的分支，僅選擇性刷新該排序緩衝之該前端中比與該錯誤預測分支相關聯的一精確收斂點年齡大的彼等指令。
如請求項7所述之方法，其中該第二恢復方法包含以下步驟，回應於一錯誤預測的分支，進行以下至少一個：（1）將一錯誤的控制依賴路徑中包括的所有指令作為謂詞失敗指令重演，並重演所有控制獨立資料依賴指令，或（2）執行一選定的恢復程序。
如請求項7所述之方法，進一步包含以下步驟：識別與該第一恢復方法及該第二恢復方法不同的一第三恢復方法，並且其中該第三恢復方法包含以下步驟，回應於一錯誤預測的分支，從該排序緩衝之該前端及該排序緩衝之該後端兩者刷新所有比該錯誤預測分支年輕的指令。
一種用於操作一處理器的方法，該處理器包括一排序緩衝，該排序緩衝包含與該排序緩衝之一前端相對應的一第一複數個級及與該排序緩衝之一後端相對應的一第二複數個級，該方法包含以下步驟：<br/> 追蹤與使用該處理器正在處理的指令相對應的至少一分支子集相關聯的任何精確收斂點的位置；<br/> 維護一狀態表，該狀態表包含與使用該處理器正在處理的該些指令相對應的至少該分支子集相關聯的資訊；以及<br/> 基於該追蹤及該狀態表中的該資訊，若決定與該分支相關聯的一精確收斂點的一位置在該排序緩衝的該前端，則識別一第一恢復方法，用於從與來自至少該分支子集的一分支相關聯的一錯誤預測中恢復，否則識別與該第一恢復方法不同的一第二恢復方法，用於從與該分支相關聯的一錯誤預測中恢復，其中該第一恢復方法包含以下步驟，回應於一錯誤預測的分支，僅刷新該排序緩衝之該後端的彼等指令以及比該錯誤預測的分支更年輕的彼等指令。
如請求項13所述之方法，其中該追蹤與使用該處理器正在處理的該些指令相對應的至少該分支子集相關聯的任何精確收斂點的位置包含以下步驟，使用：（1）至少一個前端精確收斂追蹤器，用以偵測該排序緩衝之該前端內的任何精確收斂點；及（2）至少一個後端精確收斂追蹤器，用以偵測該排序緩衝之該後端內的任何精確收斂點。
如請求項13所述之方法，其中該追蹤與使用該處理器正在處理的該些指令相對應的至少該分支子集相關聯的任何精確收斂點的位置包含以下步驟，使用：（1）至少一個前端精確收斂追蹤器，用以偵測該排序緩衝之該前端內的任何精確收斂點；及（2）至少一個前端延遲邏輯，用於延遲一訊號的一斷言，該訊號識別用於從與一分支關聯的一錯誤預測中恢復的該第二恢復方法。
如請求項13所述之方法，其中該第二恢復方法包含以下步驟，回應於一錯誤預測的分支，進行以下至少一個：（1）將一錯誤的控制依賴路徑中包括的所有指令作為謂詞失敗指令重演，並重演所有控制獨立資料依賴指令，或（2）執行一選定的恢復程序。
如請求項13所述之方法，進一步包含以下步驟：識別與該第一恢復方法及該第二恢復方法不同的一第三恢復方法，並且其中該第三恢復方法包含以下步驟，回應於一錯誤預測的分支，從該排序緩衝之該前端及該排序緩衝之該後端兩者刷新所有比該錯誤預測分支年輕的指令。
一種包括一多晶粒互連的裝置，該裝置包括：<br/> 一橋式晶粒，具有第一複數個互連和第二複數個互連； <br/> 一第一晶粒，具有第一複數個觸點和第二複數個觸點，其中該第一晶粒的第二複數個觸點耦合至該橋式晶粒的第一複數個互連，並且其中該第一晶粒的第二複數個觸點皆具有比該第一晶粒的第一複數個觸點更小的一高度；<br/> 一第二晶粒，具有第一複數個觸點和第二複數個觸點，其中該第二晶粒的第二複數個觸點耦合至該橋式晶粒的第二複數個互連，並且其中該第二晶粒的第二複數個觸點皆具有比該第二晶粒的第一複數個觸點更小的一高度；<br/> 一第一底部填料，其中該橋式晶粒的第一複數個互連和第二複數個互連被嵌入該第一底部填料中；及<br/> 一第二底部填料，其中該第一晶粒的第一複數個觸點及該第二晶粒的第一複數個觸點被嵌入該第二底部填料中。
如請求項1之裝置，其中該第一晶粒和該第二晶粒被嵌入一模塑化合物中。
如請求項1之裝置，其中該橋式晶粒的第一複數個互連和第二複數個互連具有比該第一晶粒的第一複數個觸點和該第二晶粒的第一複數個觸點更小的一間距。
如請求項3之裝置，其中該橋式晶粒的第一複數個互連和第二複數個互連被配置為晶粒凸塊，該等晶粒凸塊具有在40 µm至55 µm的範圍內之一間距。
如請求項4之裝置，其中該第一晶粒的第二複數個觸點及該第二晶粒的第二複數個觸點是焊盤。
如請求項1之裝置，其中與該第一複數個互連和該第二複數個互連相對之該橋式晶粒的一背側不具有互連。
如請求項6之裝置，進一步包括：<br/> 一封裝基板，具有一腔，其中該橋式晶粒被至少部分地佈置在該腔中並藉由該橋式晶粒的該背側上之一黏合劑附連到該腔。
如請求項1之裝置，進一步包括：<br/> 一封裝基板，具有一腔和複數個焊盤，<br/> 其中該橋式晶粒被至少部分地佈置在該腔中，並且 <br/> 其中該複數個焊盤耦合至該第一晶粒的第一複數個觸點和該第二晶粒的第一複數個觸點。
如請求項8之裝置，進一步包括：<br/> 複數個連接器，位於該封裝基板外部，其中該複數個焊盤中的至少一個焊盤是球柵陣列（BGA）焊盤。
如請求項1之裝置，其中該橋式晶粒的第一複數個互連和該第一晶粒的第二複數個觸點的一組合高度小於該第一晶粒的第一複數個觸點的一高度。
如請求項1之裝置，其中該橋式晶粒的第二複數個互連和該第二晶粒的第二複數個觸點的一組合高度小於該第二晶粒的第一複數個觸點的一高度。
如請求項1之裝置，其中該裝置選自由以下各項組成的組：一音樂播放機、一視訊播放機、一娛樂單元、一導航設備、一通訊設備、一行動設備、一行動電話、一智慧型電話、一個人數位助理、一存取點、一固定位置終端、一平板電腦、一電腦、一可穿戴設備、一物聯網路（IoT）設備、一膝上型電腦、一伺服器、一基地台以及一機動交通工具中的一設備。
一種用於製造具有一多晶粒互連的裝置的方法，該方法包括以下步驟：<br/> 提供一橋式晶粒，該橋式晶粒具有第一複數個互連和第二複數個互連；<br/> 使用一第一晶粒的第二複數個觸點將具有第一複數個觸點和第二複數個觸點的該第一晶粒耦合至該橋式晶粒的第一複數個互連，其中該第一晶粒的第二複數個觸點和該第一複數個互連皆具有比該第一晶粒的第一複數個觸點更小的一高度； <br/> 使用一第二晶粒的第二複數個觸點將具有第一複數個觸點和第二複數個觸點的該第二晶粒耦合至該橋式晶粒的第二複數個互連，其中該第二晶粒的第二複數個觸點和該第二複數個互連皆具有比該第二晶粒的第一複數個觸點更小的一高度；<br/> 將該橋接晶粒的第一複數個互連和第二複數個互連嵌入一第一底部填料中；及<br/> 將該第一晶粒的第一複數個觸點和該第二晶粒的第一複數個觸點嵌入一第二底部填料中。
如請求項13之方法，進一步包括以下步驟：<br/> 將該第一晶粒和該第二晶粒嵌入一模塑化合物中。
如請求項13之方法，其中該橋式晶粒的第一複數個互連和第二複數個互連具有比該第一晶粒的第一複數個觸點和該第二晶粒的第一複數個觸點更小的一間距。
如請求項15之方法，其中該橋式晶粒的第一複數個互連和第二複數個互連被配置為晶粒凸塊，該等晶粒凸塊具有在40 µm至55 µm的範圍內之一間距。
如請求項16之方法，其中該第一晶粒的第二複數個觸點是焊盤，而該第二晶粒的第二複數個觸點是焊盤。
如請求項13之方法，其中與該第一複數個互連和該第二複數個互連相對之該橋式晶粒的一背側不具有互連。
如請求項18之方法，進一步包括以下步驟：<br/> 使用一黏合劑，將該橋式晶粒的該背側附連到一封裝基板中的一腔，其中該橋式晶粒被至少部分地佈置在該腔中。
如請求項13之方法，進一步包括以下步驟：<br/> 提供一封裝基板，該封裝基板具有一腔和複數個焊盤，<br/> 將該橋式晶粒至少部分地嵌入該腔中，及 <br/> 將該複數個焊盤耦合至該第一晶粒的第一複數個觸點和該第二晶粒的第一複數個觸點。
如請求項20之方法，進一步包括以下步驟：<br/> 在與該複數個焊盤相對的該封裝基板的一側上形成複數個連接器。
如請求項13之方法，其中該橋式晶粒的第一複數個互連具有比該第一晶粒的第一複數個觸點更小的一高度。
如請求項13之方法，其中經耦合的該第一晶粒的第二複數個觸點和該橋式晶粒的第一複數個互連具有比該第一晶粒的第一複數個觸點更小的一高度，而經耦合的該第二晶粒的第二複數個觸點和該橋式晶粒的第二複數個互連具有比該第二晶粒的第一複數個觸點更小的一高度。
如請求項13之方法，其中該裝置選自由以下各項組成的組：一音樂播放機、一視訊播放機、一娛樂單元、一導航設備、一通訊設備、一行動設備、一行動電話、一智慧型電話、一個人數位助理、一存取點、一固定位置終端、一平板電腦、一電腦、一可穿戴設備、一物聯網路（IoT）設備、一膝上型電腦、一伺服器、一基地台以及一機動交通工具中的一設備。
一種處理系統，其包括第一裝置和第二裝置，並且處理基板，其中， <br/> 該第一裝置包括： <br/> 第一測量單元，其被構造為檢測配設在該基板上的第一結構和與該第一結構不同的第二結構，並測量該第一結構與該第二結構之間的相對位置，並且 <br/> 該第二裝置包括： <br/> 獲得單元，其被構造為獲得由該第一測量單元測量的相對位置； <br/> 第二測量單元，其被構造為檢測該第二結構並測量該第二結構的位置；以及 <br/> 控制單元，其被構造為基於由該獲得單元獲得的相對位置和由該第二測量單元測量的該第二結構的位置來獲得該第一結構的位置， <br/> 該第二測量單元拍攝該第二結構並獲得包括關於該第二結構的該位置的資訊的圖像， <br/> 該第一結構包括配設在該基板上要對準的目標層中的對準標記， <br/> 該第二結構包括配設在該基板上與該目標層不同的層中的設備圖案， <br/> 該第一測量單元通過拍攝該第一結構和多個第二結構來獲得圖像，該多個第二結構存在於該第一結構周圍並且配設在不同層中， <br/> 該第一裝置還包括選擇單元，該選擇單元被構造為基於由該第一測量單元獲得的該圖像中所包括的分別與該多個第二結構相對應的部分中的對比度，從該多個第二結構中選擇要由該第二測量單元測量的該第二結構， <br/> 該獲得單元獲得指示由該選擇單元選擇的該第二結構的位置的位置資訊和由該第一測量單元獲得的該圖像，並且 <br/> 該第二測量單元根據由該獲得單元獲得的該位置資訊拍攝由該選擇單元選擇的該第二結構，並基於包括關於該第二結構的該位置的資訊的圖像和由該第一測量單元獲得的該圖像，獲得由該選擇單元選擇的該第二結構的位置。
根據請求項1所述的處理系統，其中， <br/> 該控制單元根據該第一結構的該位置進行控制以將該基板對準目標位置並處理該基板。
根據請求項1所述的處理系統，其中， <br/> 該選擇單元比較在由該第一測量單元獲得的該圖像中所包括的分別與該多個第二結構相對應的該部分中的該對比度，並選擇與具有最高對比度的部分相對應的該第二結構作為要由該第二測量單元測量的該第二結構。
根據請求項1所述的處理系統，其中， <br/> 該第一裝置還包括產生單元，該產生單元被構造為通過從由該第一測量單元獲得的該圖像中去除該第一測量單元的像差的影響來產生校正圖像， <br/> 該獲得單元獲得由該產生單元產生的該校正圖像作為由該第一測量單元獲得的該圖像，並且 <br/> 該第二測量單元根據由該獲得單元獲得的該位置資訊拍攝由該選擇單元選擇的該第二結構，並基於該校正圖像和通過從包括關於該第二結構位置的資訊的圖像中去除該第二測量單元的像差的影響而獲得的圖像，獲得由該選擇單元選擇的該第二結構的位置。
根據請求項1所述的處理系統，其中， <br/> 該第一裝置還包括產生單元，該產生單元被構造為通過針對由該第一測量單元獲得的該圖像去除該第一測量單元的像差的影響並添加該第二測量的像差的影響來產生校正圖像，並且 <br/> 該獲得單元獲得由該產生單元產生的該校正圖像作為由該第一測量單元獲得的該圖像。
一種處理系統，其包括第一裝置和第二裝置，並且處理基板，其中， <br/> 該第一裝置包括： <br/> 第一測量單元，其被構造為檢測配設在該基板上的第一結構和與該第一結構不同的第二結構，並測量該第一結構與該第二結構之間的相對位置，並且 <br/> 該第二裝置包括： <br/> 獲得單元，其被構造為獲得由該第一測量單元測量的該相對位置； <br/> 第二測量單元，其被構造為檢測該第二結構並測量該第二結構的位置；以及 <br/> 控制單元，其被構造為基於由該獲得單元獲得的該相對位置和由該第二測量單元測量的該第二結構的該位置來獲得該第一結構的位置， <br/> 該第一測量單元在與該第二測量單元檢測該第二結構的檢測條件相同的檢測條件下檢測該第一結構和該第二結構。
一種處理系統，其包括第一裝置和第二裝置，並且處理基板，其中， <br/> 該第一裝置包括： <br/> 第一測量單元，其被構造為檢測配設在該基板上的第一結構和與該第一結構不同的第二結構，並測量該第一結構與該第二結構之間的相對位置，並且 <br/> 該第二裝置包括： <br/> 獲得單元，其被構造為獲得由該第一測量單元測量的該相對位置； <br/> 第二測量單元，其被構造為檢測該第二結構並測量該第二結構的位置；以及 <br/> 控制單元，其被構造為基於由該獲得單元獲得的該相對位置和由該第二測量單元測量的該第二結構的該位置來獲得該第一結構的位置， <br/> 該第一測量單元包括： <br/> 第一測量設備，其被構造為檢測該第一結構並測量該第一結構的位置；以及， <br/> 第二測量設備，其被構造為檢測該第二結構並測量該第二結構的位置。
根據請求項7所述的處理系統，其中， <br/> 該第一測量設備使用紅外光、X射線和超聲波中的一者來檢測該第一結構。
根據請求項1所述的處理系統，其中， <br/> 該第二結構包括該基板的特有紋理。
根據請求項9所述的處理系統，其中， <br/> 該特有紋理包括拋光標記、晶界、邊緣和凹口中的一者。
一種測量裝置，包括： <br/> 第一裝置；以及 <br/> 第二裝置 <br/> 其中， <br/> 該第一裝置包括： <br/> 第一測量單元，其被構造為檢測配設在基板上的第一結構和與該第一結構不同的第二結構，並測量該第一結構與該第二結構之間的相對位置，並且 <br/> 該第二裝置包括： <br/> 獲得單元，其被構造為獲得由該第一測量單元測量的該相對位置； <br/> 第二測量單元，其被構造為檢測該第二結構並測量該第二結構的位置，以及 <br/> 控制單元，其被構造為基於由該獲得單元獲得的該相對位置和由該第二測量單元測量的該第二結構的該位置來獲得該第一結構的位置， <br/> 該第二測量單元拍攝該第二結構並獲得包括關於該第二結構的該位置的資訊的圖像， <br/> 該第一結構包括配設在該基板上要對準的目標層中的對準標記， <br/> 該第二結構包括配設在該基板上與該目標層不同的層中的設備圖案， <br/> 該第一測量單元通過拍攝該第一結構和多個第二結構來獲得圖像，該多個第二結構存在於該第一結構周圍並且配設在不同層中， <br/> 該第一裝置還包括選擇單元，該選擇單元被構造為基於由該第一測量單元獲得的該圖像中所包括的分別與該多個第二結構相對應的部分中的對比度，從該多個第二結構中選擇要由該第二測量單元測量的該第二結構， <br/> 該獲得單元獲得指示由該選擇單元選擇的該第二結構的位置的位置資訊和由該第一測量單元獲得的該圖像，並且 <br/> 該第二測量單元根據由該獲得單元獲得的該位置資訊拍攝由該選擇單元選擇的該第二結構，並基於包括關於該第二結構的該位置的資訊的圖像和由該第一測量單元獲得的該圖像，獲得由該選擇單元選擇的該第二結構的位置。
根據請求項11所述的測量裝置，其中， <br/> 令L為該第一結構與該第二結構之間的相對距離，S為該第二結構的尺寸， <br/> 則滿足L/S＞3。
根據請求項11所述的測量裝置，該測量裝置還包括： <br/> 界面，用戶使用該界面來指定要由該第一測量單元檢測的該第一結構和該第二結構。
根據請求項11所述的測量裝置，該測量裝置還包括選擇單元，其被構造為基於由該測量單元獲得的圖像中所包括的分別與多個該第二結構相對應的部分中的對比度，從該多個該第二結構中選擇要由該第二測量單元測量的該第二結構， <br/> 其中，該輸出單元將該第一結構與由該選擇單元選擇的該第二結構之間的相對位置輸出到該基板處理裝置，並且 <br/> 該測量單元檢測由該選擇單元選擇的該第二結構並且測量該第二結構的該位置。
一種用於處理基板的基板處理裝置，該基板處理裝置包括： <br/> 獲得單元，其被構造為獲得配設在該基板上的第一結構和與該第一結構不同的第二結構之間的相對位置，該相對位置由外部測量裝置測量； <br/> 測量單元，其被構造為測量該第二結構的位置；以及 <br/> 控制單元，其被構造為基於由該獲得單元獲得的該相對位置和由該測量單元測量的該第二結構的位置來獲得該第一結構的位置， <br/> 其中， <br/> 該獲得單元獲得多個該第二結構當中的要由該測量單元測量的該第二結構的資訊，並且 <br/> 該測量單元測量基於由該獲得單元獲得的該第二結構的該資訊選擇的該第二結構的位置。
一種物品製造方法，包括： <br/> 形成步驟，使用請求項1中限定的處理系統在基板上形成圖案； <br/> 處理步驟，對在形成步驟中形成有該圖案的該基板進行處理；以及 <br/> 製造步驟，由該處理後的基板製造物品。
一種成像方法，其特徵在於，包括： <br/>在第一時刻發射第一信號，以及在第二時刻發射第二信號，其中，所述第一時刻與所述第二時刻不同，所述第一信號與所述第二信號的如下一項或多項不同：頻率、發射位置、或發射方向； <br/>接收第三信號和第四信號，其中，所述第三信號為所述第一信號經第一物件得到的信號，所述第四信號為所述第二信號經所述第一物件得到的信號； <br/>根據所述第三信號和所述第四信號，確定所述第一物件的成像； <br/>其中，所述發射位置不同包括： <br/>所述第一信號為天線陣列的第一區域發射的信號，所述第二信號為所述天線陣列的第二區域發射的信號，所述第一區域與所述第二區域不同，所述第一區域和所述第二區域均包括多個振子，所述第二區域在所述第一時刻不發射信號，所述第一區域在所述第二時刻不發射信號；或 <br/>所述第一信號為天線陣列位於第一位置時發射的信號，所述第二信號為所述天線陣列位於第二位置時發射的信號，所述第一位置與所述第二位置不同； <br/>其中，所述第一信號和所述第二信號的頻差大於第一變頻閾值，所述第一信號和所述第二信號的頻差小於第二變頻閾值，所述第一變頻閾值小於所述第二變頻閾值。
如請求項1所述的成像方法，其特徵在於， <br/>所述第一信號為天線陣列處於第一姿態時發射的信號，所述第二信號為所述天線陣列處於第二姿態時發射的信號，所述第一姿態與所述第二姿態不同。
如請求項1或2所述的成像方法，其特徵在於， <br/>所述第一信號的頻率與所述第一信號的相位及/或幅值對應，所述第二信號的頻率與所述第二信號的相位及/或幅值對應。
如請求項3所述的成像方法，其特徵在於， <br/>所述第二時刻在所述第一時刻之後，所述第二信號的相位及/或幅值根據所述第一信號的頻率、相位和幅值確定。
一種成像裝置，其特徵在於，包括：收發模組和處理模組，其中， <br/>所述收發模組，用於在第一時刻發射第一信號，以及在第二時刻發射第二信號，並接收第三信號和第四信號，其中，所述第一時刻與所述第二時刻不同，所述第一信號與所述第二信號的如下一項或多項不同：頻率、發射位置、或發射方向，所述第三信號是所述第一信號經第一物件得到的信號，所述第四信號是所述第二信號經所述第一物件得到的信號； <br/>所述處理模組，用於根據所述第三信號和所述第四信號，確定所述第一物件的成像； <br/>其中，所述發射位置不同包括： <br/>所述第一信號為天線陣列的第一區域時發射的信號，所述第二信號為所述天線陣列的第二區域時發射的信號，所述第一區域與所述第二區域不同，所述第一區域和所述第二區域均包括多個振子，所述第二區域在所述第一時刻不發射信號，所述第一區域在所述第二時刻不發射信號；或 <br/>所述第一信號為天線陣列位於第一位置時發射的信號，所述第二信號為所述天線陣列位於第二位置時發射的信號，所述第一位置與所述第二位置不同； <br/>其中，所述第一信號和所述第二信號的頻差大於第一變頻閾值，所述第一信號和所述第二信號的頻差小於第二變頻閾值，所述第一變頻閾值小於所述第二變頻閾值。
如請求項5所述的成像裝置，其特徵在於， <br/>所述第一信號為天線陣列處於第一姿態發射的信號，所述第二信號為所述天線陣列處於第二姿態發射的信號，所述第一姿態與所述第二姿態不同。
如請求項5或6所述的成像裝置，其特徵在於， <br/>所述第一信號的頻率與所述第一信號的相位及/或幅值對應，所述第二信號的頻率與所述第二信號的相位及/或幅值對應。
如請求項7所述的成像裝置，其特徵在於， <br/>所述第二時刻在所述第一時刻之後，所述第二信號的相位及/或幅值根據所述第一信號的頻率、相位和幅值確定。
一種成像裝置，其特徵在於，包括：處理器，所述處理器與儲存器耦合； <br/>所述處理器，用於執行所述儲存器中儲存的電腦程式，以使得所述裝置執行如請求項1-4中任一項所述的方法。
一種成像裝置，其特徵在於，包括：處理器和儲存器；所述儲存器用於儲存電腦指令，當所述處理器執行所述指令時，以使所述裝置執行如請求項1-4中任一項所述的方法。
一種成像裝置，其特徵在於，包括：處理器和介面電路；其中， <br/>所述介面電路，用於接收代碼指令並傳輸至所述處理器； <br/>所述處理器用於運行所述代碼指令，以執行如請求項1-4中任一項所述的方法。
一種成像裝置，其特徵在於，包括處理器和收發器，所述收發器用於所述裝置和其他裝置之間進行資訊交互，所述處理器執行程式指令，用以執行如請求項1-4中任一項所述的方法。
一種儲存有電腦程式或指令的電腦可讀取儲存媒體，其特徵在於，當所述電腦程式或指令被成像裝置執行時，使得所述成像裝置實現如請求項1-4中任一項所述的方法。
一種電腦程式產品，其特徵在於，所述電腦程式產品包括：電腦程式或指令，當所述電腦程式或指令被成像裝置執行時，使得所述成像裝置實現如請求項1-4中任一項所述的方法。
一種半導體元件加工用黏著片材，其包含基材及黏著劑層，且<br/>該基材之表面電阻率ρs<sub>BM</sub>及該黏著劑層之表面電阻率ρs<sub>PA</sub>為1.0×10<sup>13</sup>Ω/□以下，<br/>該基材之施加10 V時之表面電阻率ρs<sub>10VBM</sub>及該黏著劑層之施加10 V時之表面電阻率ρs<sub>10VPA</sub>與該基材之施加1000 V時之表面電阻率ρs<sub>1000VBM</sub>及該黏著劑層之施加1000 V時之表面電阻率ρs<sub>1000VPA</sub>滿足以下之式(1)及式(2)：<br/>ρs<sub>1000VBM</sub>/ρs<sub>10VBM</sub>≤1000 (1)<br/>ρs<sub>1000VPA</sub>/ρs<sub>10VPA</sub>≤1000 (2)。
一種半導體元件加工用黏著片材，其包含基材及黏著劑層，且<br/>該基材之表面電阻率ρs<sub>BM</sub>及該黏著劑層之表面電阻率ρs<sub>PA</sub>為1.0×10<sup>13</sup>Ω/□以下，<br/>該基材之濕度92%之表面電阻率ρs<sub>92%BM</sub>及該黏著劑層之濕度92%之表面電阻率ρs<sub>92%PA</sub>滿足以下之式(3)及式(4)：<br/>ρs<sub>92%BM</sub>/ρs<sub>BM</sub>≤1000 (3)<br/>ρs<sub>92%PA</sub>/ρs<sub>PA</sub>≤1000 (4)。
如請求項1或2之半導體元件加工用黏著片材，其中上述黏著劑層包含離子液體。
如請求項3之半導體元件加工用黏著片材，其中形成上述黏著劑層之組合物中之離子液體之含量為0.1重量%～50重量%。
如請求項1或2之半導體元件加工用黏著片材，其中上述基材於至少一面具有抗靜電層，且<br/>該抗靜電層包含四級銨鹽。
如請求項5之半導體元件加工用黏著片材，其中形成上述抗靜電層之組合物中之四級銨鹽之含量為0.1重量%～50重量%。
一種偵測腹膜透析患者感染之裝置，包含： <br/>一箱室模組，其可拆卸地連接至一配置成接收來自該患者之廢棄透析液的流體元件； <br/>一組照明元件，其安置在該箱室模組上並配置成將光發射至該流體元件中； <br/>一組光學感測器，其安置在該箱室模組上並配置成測量與該流體元件中之廢棄透析液交互作用之光的光學性質；以及 <br/>一控制模組，其配置成基於該光學性質測量該廢棄透析液之濁度； <br/>其中若該患者之該被測量的該廢棄透析液濁度與歷史透析液濁度互相比較而滿足一組預定義條件，則該被測量的該廢棄透析液濁度指示該患者感染，該歷史透析液濁度係來自該患者過去數天的透析液濁度測量值。
如請求項1之裝置，其中該光學感測器包含一測量已由該廢棄透析液散射之光的散射光感測器及/或一測量已通過該廢棄透析液透射之光的透射光感測器。
如請求項2之裝置，其中該光學性質包含該散射光與該透射光之間的光學比率(y)，且其中該裝置係預先校正，以使得該光學比率(y)與該被測量的該廢棄透析液濁度以線性方程式y = mx + c呈實質上線性相關，m代表該裝置的靈敏度及c代表一偏移值。
如請求項1至3中任一項之裝置，更包含一組透鏡，其用以將該照明元件發射之光準直進入該流體元件中及/或將光聚焦在該光學感測器上。
如請求項1之裝置，其更包含該流體元件可拆卸地連接至該箱室模組。
如請求項1之裝置，其中該預定義條件包含該被測量的該廢棄透析液濁度高於過去數天內之平均歷史透析液濁度。
一種偵測腹膜透析患者感染之裝置，包含： <br/>一箱室模組； <br/>一流體元件，係可拆卸地連接至該箱室模組，該流體元件配置成接收來自該患者之廢棄透析液； <br/>一顏色感測器，其配置成測量安置在該流體元件中之一試劑測試元件的顏色資訊，該試劑測試元件已與該流體元件中之該廢棄透析液反應；以及 <br/>一控制模組，其配置成基於該顏色資訊偵測感染，該顏色資訊代表該廢棄透析液中之酵素活性，其指示該患者感染； <br/>其中該流體元件包含一流量控制機構，其配置成選擇性地控制該廢棄透析液流入該流體元件； <br/>其中該流量控制機構進一步配置成自該廢棄透析液流入該流體元件一預定義期間之後選擇性地控制該廢棄透析液流出該流體元件，藉此從該流體元件收回該廢棄透析液；及 <br/>其中該預定義期間控制該試劑測試元件與該廢棄透析液間該反應的潤濕時間。
如請求項7之裝置，更包含一組安置在該箱室模組上之照明元件並配置成將光發射至該流體元件中。
如請求項7之裝置，其中該顏色感測器包含一RGB顏色感測器且該控制模組係配置成： <br/>從該顏色資訊萃取RGB顏色數據； <br/>在一第二顏色空間中將該RGB顏色數據轉換成第二顏色數據；以及 <br/>基於該第二顏色數據而確定該酵素活性。
如請求項9之裝置，其中該控制模組係配置成將該RGB顏色數據去雜訊並將該去雜訊之RGB顏色數據轉換成該第二顏色數據。
如請求項9之裝置，其中該控制模組係配置成從該第二顏色數據推導出一指標參數，其中該酵素活性係基於該指標參數而確定。
如請求項9之裝置，其中該第二顏色空間包含CIELAB、CIE XYZ或YCbCr顏色空間。
一種偵測腹膜透析患者感染之裝置，包含： <br/>一箱室模組； <br/>一流體元件，其可拆卸地連接至該箱室模組，該流體元件係配置成接收來自該患者之廢棄透析液； <br/>一組照明元件，其安置在該箱室模組上並配置成將光發射至該流體元件中； <br/>一組光學感測器，其安置在該箱室模組上並配置成： <br/>測量已與該流體元件中之廢棄透析液交互作用之光的光學性質；以及 <br/>測量安置在該流體元件中之一試劑測試元件的顏色資訊，該試劑測試元件已與該流體元件中之該廢棄透析液反應； <br/>其中該流體元件包含一流量控制機構，其配置成選擇性地控制該廢棄透析液流入該流體元件； <br/>其中該流量控制機構進一步配置成自該廢棄透析液流入該流體元件一預定義期間之後選擇性地控制該廢棄透析液流出該流體元件，藉此從該流體元件收回該廢棄透析液；及 <br/>其中該預定義期間控制該試劑測試元件與該廢棄透析液間該反應的潤濕時間；以及 <br/>一控制模組，其配置成： <br/>基於該光學性質測量該廢棄透析液之濁度，若該被測量的該透析液濁度與該患者之歷史透析液濁度滿足一組預定義條件，則該被測量的該透析液濁度指示該患者感染；以及 <br/>基於該顏色資訊偵測感染，該顏色資訊代表該廢棄透析液中之酵素活性，其指示該患者感染。
如請求項13之裝置，其中該光學感測器包含： <br/>一測量已由該廢棄透析液散射之光的散射光感測器； <br/>一測量已通過該廢棄透析液透射之光的透射光感測器；以及 <br/>一測量該顏色資訊之顏色感測器。
如請求項14之裝置，其中該光學性質包含散射光與透射光之間的光學比率。
如請求項13之裝置，其中該光學感測器包含一測量該顏色資訊之RGB顏色感測器且該控制模組係配置成： <br/>從該顏色資訊萃取RGB顏色數據； <br/>在一第二顏色空間中將該RGB顏色數據轉換成第二顏色數據；以及 <br/>基於該第二顏色數據而確定該酵素活性。
如請求項16之裝置，其中該控制模組係配置成將該RGB顏色數據去雜訊並將該去雜訊之RGB顏色數據轉換成該第二顏色數據。
如請求項16之裝置，其中該控制模組係配置成從該第二顏色數據推導出一指標參數，其中該酵素活性係基於該指標參數而確定。
如請求項16之裝置，其中該第二顏色空間包含CIELAB、CIE XYZ或YCbCr顏色空間。
一種偵測腹膜透析患者感染之電腦化方法，包含： <br/>測量在預定義期間內及在該預定義期間之後的預定義時間段內已與來自該患者之廢棄透析液反應之一試劑測試元件的顏色資訊； <br/>從來自該預定義時間段內的該顏色資訊萃取RGB顏色數據； <br/>將來自該預定義時間段內的該RGB顏色數據轉換成複數個CIELAB顏色數據之樣品； <br/>從所述複數個CIELAB顏色數據之樣品推導出一指標參數； 以及 <br/>基於該指標參數偵測感染，該指標參數代表該廢棄透析液中之酵素活性，其指示該患者感染。
如請求項20之方法，更包含將該RGB顏色數據去雜訊並將該去雜訊之RGB顏色數據轉換成該CIELAB顏色數據。
一種凝膠組合物，其包含下述成分(A)～(C)，上述成分(C)相對於上述成分(A)之質量比((C)/(A))為4.0以上9.0以下，且 <br/>上述成分(B)相對於上述成分(A)之質量比((B)/(A))為0.020以上0.500以下， <br/>25℃下之pH值為3.0以上5.0以下， <br/>(A) 具有羧基之聚乙烯醇 <br/>(B) 鋁鹽 <br/>(C) 水。
如請求項1之凝膠組合物，其中上述成分(A)之皂化度為90莫耳%以上。
如請求項1或2之凝膠組合物，其中上述成分(B)為水溶性。
如請求項1或2之凝膠組合物，其中上述成分(A)之含量為3.0質量%以上30.0質量%以下。
如請求項1或2之凝膠組合物，其中上述成分(B)之含量為0.01質量%以上5.0質量%以下。
一種皮膚外用劑，其包含如請求項1至5中任一項之凝膠組合物。
一種凝膠組合物之形成方法，其包括藉由將下述成分(A)、下述成分(B)、及下述成分(C)於使用前進行混合而凝膠化之步驟，上述成分(C)相對於上述成分(A)之質量比((C)/(A))為4.0以上9.0以下，且 <br/>上述成分(B)相對於上述成分(A)之質量比((B)/(A))為0.020以上0.500以下，且 <br/>上述凝膠組合物於25℃下之pH值為3.0以上5.0以下， <br/>(A) 具有羧基之聚乙烯醇 <br/>(B) 鋁鹽 <br/>(C) 水。
一種玻璃製造設備，包括：<br/> 一出口管道，定位成將熔融玻璃從一遞送容器遞送至一成型設備的一入口管道，其中：<br/> 一堵漏部件周向地包圍該出口管道的一部分且被配置為抑制熔融玻璃朝向該玻璃製造設備的一外表面的流動，其中該堵漏部件包括在一分離位置和一接合位置之間可移動的一第一區段和一第二區段。
根據請求項1之玻璃製造設備，其中該出口管道的一部分延伸至該入口管道的一部分中且被該入口管道的一部分周向地包圍。
根據請求項2之玻璃製造設備，其中該堵漏部件接觸該入口管道。
根據請求項1之玻璃製造設備，其中該設備進一步包括一隔熱部件，該隔熱部件周向地包圍該出口管道的一部分且接觸該堵漏部件。
根據請求項1之玻璃製造設備，其中該堵漏部件包括一接合區域，該第一區段的一部分與該第二區段的一部分在該接合區域中交疊。
根據請求項1之玻璃製造設備，其中該出口管道和該堵漏部件各自包括鉑或其一合金。
根據請求項6之玻璃製造設備，其中該堵漏部件包括包覆有鉑或其合金的一耐火材料。
根據請求項7之玻璃製造設備，其中該堵漏部件的一內周表面塗覆有一耐火塗層。
根據請求項5之玻璃製造設備，其中該接合區域包括一耐火塗層。
一種玻璃製造設備，包括：<br/> 一出口管道，定位成將熔融玻璃從一遞送容器遞送至一成型設備的一入口管道，該出口管道的一端部延伸至該入口管道的一開口端部中，從而使得一環形間隙設置在該入口管道的該開口端部和該出口管道的該端部之間；<br/> 一堵漏部件，周向地包圍該出口管道的一部分且定位在該入口管道的該開口端部上方，該堵漏部件被配置為抑制熔融玻璃朝向該玻璃製造設備的一外表面的流動，其中該堵漏部件包括在一分離位置和一接合位置之間可移動的一第一區段和一第二區段。
根據請求項10之玻璃製造設備，其中該堵漏部件包括一接合區域，該第一區段的一部分與該第二區段的一部分在該接合區域中交疊。
根據請求項11之玻璃製造設備，其中該接合區域包括一耐火塗層。
根據請求項10之玻璃製造設備，其中該設備進一步包括一隔熱部件，該隔熱部件周向地包圍該出口管道的一部分且接觸該堵漏部件。
根據請求項10之玻璃製造設備，其中一第一傳熱元件周向地包圍該出口管道的至少一部分，一第二傳熱元件周向地包圍該入口管道的至少一部分，並且該堵漏部件被設置在該第一傳熱元件和該第二傳熱元件之間的一間隙中。
一種用於由一無線通訊設備執行的無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 根據一或多個傳統音調規劃來產生包括一實體層（PHY）前序信號和一有效負荷的一PHY彙聚協定（PLCP）協定資料單元（PPDU）；<br/> 根據該一或多個傳統音調規劃，在與橫跨一無線通道的一第一頻寬的N個連續次載波索引一致的一數量（N）的音調上調制該PPDU的一第一部分；<br/> 在表示與該一或多個傳統音調規劃相關聯的一邏輯資源元素（RU）的一數量（M）的音調上調制該PPDU的一第二部分，該邏輯RU橫跨該無線通道的一第二頻寬；<br/> 根據一分散式音調規劃將該M個音調映射到與該無線通道的該第一頻寬相關聯的M個非連續次載波索引，與該M個非連續次載波索引相關聯的該第一頻寬大於與該邏輯RU相關聯的該第二頻寬；<br/> 經由利用該第一頻寬的該N個連續次載波索引調制的該N個音調來傳輸該PPDU的該第一部分；以及<br/> 經由映射到該第一頻寬的該M個非連續次載波索引的該M個音調來傳輸該PPDU的該第二部分，使得該PPDU的該第一部分的一部分經由該M個音調來傳輸，且該PPDU的該第二部分的全部經由該M個音調來傳輸，該M個音調為該N個音調之一子集。
根據請求項1之方法，其中該PPDU的該第一部分包括該PHY前序信號的一傳統短訓練欄位（L-STF）、一傳統長訓練欄位（L-LTF）、一傳統信號欄位（L-SIG）和一通用信號欄位（U-SIG）。
根據請求項2之方法，其中該PPDU的該第一部分亦包括該PHY前序信號的一非傳統信號欄位。
根據請求項1之方法，其中該PPDU的該第二部分包括該有效負荷和該PHY前序信號的一非傳統長訓練欄位（LTF）。
根據請求項4之方法，其中產生該PPDU之步驟包括以下步驟：<br/> 根據該M個非連續次載波索引相對於該無線通道的該第一頻寬的位置，從與該無線通道的該第一頻寬相關聯的一LTF值序列中選擇LTF值的一子集，該非傳統LTF僅包括該LTF值的子集。
根據請求項4之方法，其中產生該PPDU之步驟包括以下步驟：<br/> 根據該邏輯RU的該第二頻寬相對於該無線通道的該第一頻寬的一位置，從與該無線通道的該第一頻寬相關聯的一LTF值序列中選擇LTF值的一子集，該非傳統LTF僅包括該LTF值的子集。
根據請求項1之方法，其中該M個非連續次載波索引可以與該無線通道的具有等效的頻寬和功率譜密度（PSD）限制的複數個子通道一致，該複數個子通道之每一者子通道包括該M個非連續次載波索引中的一或多個非連續次載波索引。
根據請求項7之方法，亦包括以下步驟：<br/> 將與該PPDU的該第二部分的傳輸相關聯的一傳輸功率跨越該M個非連續次載波索引均勻分佈，該傳輸功率是根據該PSD限制的。
根據請求項7之方法，亦包括以下步驟：<br/> 將與該PPDU的該第二部分的傳輸相關聯的一傳輸功率跨越該複數個子通道均勻分佈，該傳輸功率是根據該PSD限制的。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟：<br/> 根據該一或多個傳統音調規劃在與該無線通道的該第一頻寬相關聯的複數個音調上調制該PHY前序信號的一非傳統短訓練欄位（STF），其中該非傳統STF是利用與該PPDU的該第二部分的一傳輸功率等效的一傳輸功率來傳輸的。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟：<br/> 將該PPDU的該第二部分映射到複數個空間串流；及<br/> 在將該M個音調映射到該M個非連續次載波索引之前，將一循環移位延遲（CSD）應用於該複數個空間串流中的一或多個空間串流。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟：<br/> 將該PPDU的該第二部分映射到複數個空間串流；及<br/> 在將該M個音調映射到該M個非連續次載波索引之後，將一CSD應用於該複數個空間串流中的一或多個空間串流。
一種無線通訊設備，包括：<br/> 至少一個數據機；<br/> 與該至少一個數據機通訊地耦合的至少一個處理器；及<br/> 與該至少一個處理器通訊地耦合並且儲存處理器可讀取代碼的至少一個記憶體，該處理器可讀取代碼在由該至少一個處理器結合該至少一個數據機執行時被配置為進行以下操作：<br/> 根據一或多個傳統音調規劃來產生包括一實體層（PHY）前序信號和一有效負荷的一PHY彙聚協定（PLCP）協定資料單元（PPDU）；<br/> 根據該一或多個傳統音調規劃，在與橫跨一無線通道的一第一頻寬的N個連續次載波索引一致的一數量（N）的音調上調制該PPDU的一第一部分；<br/> 在表示與該一或多個傳統音調規劃相關聯的一邏輯資源元素（RU）的一數量（M）的音調上調制該PPDU的一第二部分，該邏輯RU橫跨該無線通道的一第二頻寬；<br/> 根據一分散式音調規劃將該M個音調映射到與該無線通道的該第一頻寬相關聯的M個非連續次載波索引，與該M個非連續次載波索引相關聯的該第一頻寬大於與該邏輯RU相關聯的該第二頻寬；<br/> 經由利用該第一頻寬的該N個連續次載波索引調制的該N個音調來傳輸該PPDU的該第一部分；以及<br/> 經由映射到該第一頻寬的該M個非連續次載波索引的該M個音調來傳輸該PPDU的該第二部分，使得該PPDU的該第一部分的一部分經由該M個音調來傳輸，且該PPDU的該第二部分的全部經由該M個音調來傳輸，該M個音調為該N個音調之一子集。
根據請求項13之無線通訊設備，其中該PPDU的該第一部分包括該PHY前序信號的一傳統短訓練欄位（L-STF）、一傳統長訓練欄位（L-LTF）和一傳統信號欄位（L-SIG）和一通用信號欄位（U-SIG），以及該PPDU的該第二部分包括該有效負荷和該PHY前序信號的一非傳統長訓練欄位（LTF）。
根據請求項14之無線通訊設備，其中為了產生該PPDU，該處理器可讀取代碼在由該至少一個處理器結合該至少一個數據機執行時被配置為進行以下操作：<br/> 根據該M個非連續次載波索引相對於該無線通道的該第一頻寬的位置，從與該無線通道的該第一頻寬相關聯的一LTF值序列中選擇LTF值的一子集，該非傳統LTF僅包括該LTF值的子集。
根據請求項14之無線通訊設備，其中為了產生該PPDU，該處理器可讀取代碼在由該至少一個處理器結合該至少一個數據機執行時被配置為進行以下操作：<br/> 根據該邏輯RU的該第二頻寬相對於該無線通道的該第一頻寬的一位置，從與該無線通道的該第一頻寬相關聯的一LTF值序列中選擇LTF值的一子集，該非傳統LTF僅包括該LTF值的子集。
根據請求項14之無線通訊設備，其中該PPDU的該第一部分亦包括該PHY前序信號的一非傳統信號欄位。
根據請求項13之無線通訊設備，其中該M個非連續次載波索引可以與該無線通道的具有等效的頻寬和功率譜密度（PSD）限制的複數個子通道一致，該複數個子通道之每一者子通道包括該M個非連續次載波索引中的一或多個非連續次載波索引。
根據請求項18之無線通訊設備，其中該處理器可讀取代碼在由該至少一個處理器結合該至少一個數據機執行時亦被配置為進行以下操作：<br/> 將與該PPDU的該第二部分的傳輸相關聯的一傳輸功率跨越該M個非連續次載波索引均勻分佈，該傳輸功率是根據該PSD限制的。
根據請求項18之無線通訊設備，其中該處理器可讀取代碼在由該至少一個處理器結合該至少一個數據機執行時亦被配置為進行以下操作：<br/> 將與該PPDU的該第二部分的傳輸相關聯的一傳輸功率跨越該複數個子通道均勻分佈，該傳輸功率是根據該PSD限制的。
根據請求項13之無線通訊設備，其中該處理器可讀取代碼在由該至少一個處理器結合該至少一個數據機執行時亦被配置為進行以下操作：<br/> 根據該一或多個傳統音調規劃在與該無線通道的該第一頻寬相關聯的複數個音調上調制該PHY前序信號的一非傳統短訓練欄位（STF），其中該非傳統STF是利用與該PPDU的該第二部分的一傳輸功率等效的一傳輸功率來傳輸的。
根據請求項13之無線通訊設備，其中該處理器可讀取代碼在由該至少一個處理器結合該至少一個數據機執行時亦被配置為進行以下操作：<br/> 將該PPDU的該第二部分映射到複數個空間串流；及<br/> 在將該M個音調映射到該M個非連續次載波索引之前，將一循環移位延遲（CSD）應用於該複數個空間串流中的一或多個空間串流。
根據請求項13之無線通訊設備，亦包括以下步驟：<br/> 將該PPDU的該第二部分映射到複數個空間串流；及<br/> 在將該M個音調映射到該M個非連續次載波索引之後，將一CSD應用於該複數個空間串流中的一或多個空間串流。
一種光硬化性組成物，其含有光聚合性化合物(A)、金屬氧化物微粒子(B)、起始劑(C)與溶劑(S)， <br/> 前述光聚合性化合物(A)，具有含有自由基聚合性基之基，或含有陽離子聚合性基之基， <br/> 前述溶劑(S)包含複數種下述式(S1)： <br/> <img align="absmiddle" height="22px" width="266px" file="ed10077.jpg" alt="ed10077.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式(S1)中，R<sup>S1</sup>為碳原子數2以上且4以下之伸烷基，R<sup>S2</sup>及R<sup>S3</sup>分別為氫原子、甲基或乙基，R<sup>S2</sup>及R<sup>S3</sup>不同時為氫原子，ns為1以上且4以下之整數) <br/>表示之溶劑(S1)， <br/> 前述溶劑(S1)之希爾德布蘭德溶解度參數之值，為21.0MPa<sup>0.5</sup>以下， <br/> 前述金屬氧化物微粒子(B)之質量相對於由前述光硬化性組成物之質量中去除溶劑(S)之質量而得的質量之比率為70質量%以上。
如請求項1之光硬化性組成物，其中前述溶劑(S1)之質量相對於前述溶劑(S)之質量的比率，為20質量%以上。
如請求項1或2之光硬化性組成物，其中前述光聚合性化合物(A)，包含中心具有S原子，兩末端具有含有自由基聚合性基之基，於連結中心與各末端之2價連結部，具有可具有取代基之芳香環與S原子之化合物。
如請求項1或2之光硬化性組成物，其中前述光聚合性化合物(A)，具有前述含有自由基聚合性基之基， <br/> 前述光聚合性化合物(A)，包含下述式(a-1)： <br/> <img align="absmiddle" height="114px" width="326px" file="ed10078.jpg" alt="ed10078.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式(a-1)中，R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>係分別獨立地為氫原子或甲基，R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>係分別獨立地為碳原子數1以上且5以下之烷基，p及q係分別獨立地為0或1) <br/>表示之化合物。
如請求項1或2之光硬化性組成物，其中前述光聚合性化合物(A)，包含下述式(A1)： <br/> <img align="absmiddle" height="116px" width="182px" file="ed10079.jpg" alt="ed10079.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式(A1)中，R<sup>A1</sup>、R<sup>A2</sup>及R<sup>A3</sup>係分別獨立地為有機基，作為R<sup>A1</sup>之前述有機基、作為R<sup>A2</sup>之前述有機基及作為R<sup>A3</sup>之前述有機基中的至少2者，具有含有自由基聚合性基之基，或含有陽離子聚合性基之基) <br/>表示之化合物。
一種如請求項1~5中任一項之光硬化性組成物之硬化物。
如請求項6之硬化物，其中波長520nm之光線之折射率為1.70以上。
一種硬化膜之形成方法，其包含 <br/> 將如請求項1~5中任一項之光硬化性組成物塗佈於基板上而形成塗佈膜，與 <br/> 將前述塗佈膜曝光。
如請求項8之硬化膜之形成方法，其中前述光硬化性組成物之塗佈，係藉由噴墨印刷法進行。
一種電子裝置，其包含： <br/>一可撓性耳塞，其包含一緩衝腔體，其中該緩衝腔體不由該可撓性耳塞曝露； <br/>一感測元件，其鄰近於該可撓性耳塞且經組態以從使用者之耳道偵測一生物信號； <br/>一主動組件，其在該可撓性耳塞中且與該感測元件電連接；及 <br/>一連接器，其設置於該可撓性耳塞中並連接於該感測元件與該主動組件之間，其中該連接器包括設置於該可撓性耳塞中的一第一部分與設置於該緩衝腔體中的一第二部分，且其中該第一部分不位於該緩衝腔體中。
如請求項1之電子裝置，其進一步包含： <br/>一保護層，其至少部分地自該可撓性耳塞之一外表面突出並覆蓋該感測元件。
如請求項1之電子裝置，其中該緩衝腔體填充有空氣。
如請求項1之電子裝置，其進一步包含： <br/>一設備，其具有一音孔經組態以收納在該可撓性耳塞中， <br/>其中該主動組件具有一引腳至少部分地由該可撓性耳塞曝露以與該設備電性連接。
如請求項1之電子裝置， <br/>其中 <br/>該可撓性耳塞具有一外表面及與該外表面相對之一內表面，其中該感測元件自該外表面凸出，且該內表面經組態以收納一音孔；且 <br/>該電子裝置進一步包含：一導電元件，其環繞該可撓性耳塞的該內表面。
如請求項5之電子裝置，其中該連接器安置於該導電元件與該主動組件之間。
如請求項5之電子裝置，其進一步包含： <br/>一設備，其具有該音孔；及 <br/>一導電襯墊，其自該內表面凸出，且該導電元件經由該導電襯墊電連接至該設備中之一電子組件。
如請求項5之電子裝置，其中從一俯視圖觀看時，該導電元件為一環狀且至少部分地由該可撓性耳塞的該內表面曝露。
如請求項5之電子裝置，其中從一俯視圖觀看時，該導電元件呈一矩形形狀。
如請求項7之電子裝置，其中從該俯視圖觀看時，該導電襯墊為一環狀且被該導電元件圍繞。
如請求項1之電子裝置，其中該連接器包括設置於該可撓性耳塞中的一第三部分，其中該第一部分連接該主動組件，該第二部分連接於該第一部分與該第三部分之間，該第三部分連接該感測元件。
如請求項11之電子裝置， <br/>其進一步包含：一支撐元件，其設置於該可撓性耳塞中並具有兩端點接觸該連接器。
如請求項12之電子裝置，其中該支撐元件連接於該第一部分與該第三部分之間。
如請求項1之電子裝置，其中該可撓性耳塞具有一外表面及與該外表面相對之一內表面，其中該感測元件自該外表面凸出，且該內表面經組態以收納一音孔，且其中該感測元件環繞該可撓性耳塞的該外表面。
如請求項1之電子裝置，其中該主動組件經組態以經由該連接器接收該生物信號。
如請求項15之電子裝置，其中該主動組件經組態以在該可撓性耳塞內處理該生物信號。
如請求項16之電子裝置，其中該生物信號可在該可撓性耳塞內轉換為一數位信號。
如請求項17之電子裝置，其中該主動組件經組態以將該數位信號或該生物信號傳輸至一外部裝置。
如請求項18之電子裝置，其中該可撓性耳塞具有一外表面及與該外表面相對之一內表面，其中該感測元件自該外表面凸出，且該主動組件設置在該外表面及該內表面之間。
一種製造一電子裝置之方法，其包含： <br/>提供一感測元件，其經組態以從使用者之耳道偵測一生物信號； <br/>提供一主動組件，其經組態以自該感測元件接收該生物信號； <br/>提供一連接器；及 <br/>將該感測元件、該主動組件、及該連接器整合至一可撓性耳塞中，其中該連接器連接於該感測元件與該主動組件之間，其中該可撓性耳塞包含不由該可撓性耳塞曝露的一緩衝腔體，其中該連接器包括設置於該可撓性耳塞中的一第一部分與設置於該緩衝腔體中的一第二部分，且其中該第一部分不位於該緩衝腔體中。
一種包括循環路徑的設備前端模組（EFEM），該循環路徑包括被配置為形成對基板進行傳送的傳送空間的傳送室以及被配置為使從該傳送室的一側流動到另一側的氣體返回的返回路徑，該EFEM包括： <br/>擷取部件，其設置在該返回路徑中並被配置為以電氣方式擷取流過該返回路徑的該氣體中所包含的粒子， <br/>其中，該返回路徑和該傳送室被設置成使得分隔壁插在它們之間並且在該分隔壁的兩側產生壓差，從而在該氣體在該循環路徑中循環的狀態下使得該返回路徑那一側上的壓力變得高於該傳送室那一側上的壓力，該EFEM復包括： <br/>傳送裝置，被配置為在該傳送室內傳送該基板；以及 <br/>風扇過濾器單元，被配置為在該傳送室內形成向下流動的層流， <br/>其中，該擷取部件位於該風扇過濾器單元的上游。
根據請求項1之EFEM，其中，該擷取部件被配置為透過經由靜電力使該粒子附著在帶電表面上來擷取該氣體中所包含的該粒子。
根據請求項1 至2中任一項之EFEM，其復包括： <br/>殼體，其包括多個面板以及被配置為支撐該多個面板的支柱， <br/>其中，該支柱包括中空部分， <br/>其中，該返回路徑設置在該中空部分中，並且 <br/>其中，該擷取部件設置在該支柱的內壁表面上。
一種包括循環路徑的設備前端模組（EFEM），該循環路徑包括被配置為形成對基板進行傳送的傳送空間的傳送室以及被配置為使從該傳送室的一側流動到另一側的氣體返回的返回路徑，該EFEM包括： <br/>擷取部件，其設置在該返回路徑中並被配置為以電氣方式擷取流過該返回路徑的該氣體中所包含的粒子， <br/>殼體，其包括多個面板以及被配置為支撐該多個面板的支柱， <br/>其中，該支柱包括中空部分， <br/>其中，該返回路徑設置在該中空部分中，並且 <br/>其中，該擷取部件設置在該支柱的內壁表面上， <br/>其中，該返回路徑和該傳送室被設置成使得分隔壁插在它們之間並且在該分隔壁的兩側產生壓差，從而在該氣體在該循環路徑中循環的狀態下使得該返回路徑那一側上的壓力變得高於該傳送室那一側上的壓力，其中，該支柱包括： <br/>開口，能夠透過該開口接近該擷取部件；以及 <br/>蓋部，其被配置為能夠關閉和打開該開口。
一種包括循環路徑的設備前端模組（EFEM），該循環路徑包括被配置為形成對基板進行傳送的傳送空間的傳送室以及被配置為使從該傳送室的一側流動到另一側的氣體返回的返回路徑，該EFEM包括： <br/>擷取部件，其設置在該返回路徑中並被配置為以電氣方式擷取流過該返回路徑的該氣體中所包含的粒子， <br/>其中，該返回路徑和該傳送室被設置成使得分隔壁插在它們之間並且在該分隔壁的兩側產生壓差，從而在該氣體在該循環路徑中循環的狀態下使得該返回路徑那一側上的壓力變得高於該傳送室那一側上的壓力， <br/>其中，該循環路徑包括獨立返回路徑，該獨立返回路徑被配置為使設置在該傳送室中的預定裝置內流動的氣體返回， <br/>其中，該獨立返回路徑和該傳送室被設置成使得分隔壁插在它們之間，以使得當氣體在該循環路徑中循環時在該分隔壁的兩側產生壓差，從而維持該獨立返回路徑那一側上的壓力高於該傳送室那一側上的壓力，並且 <br/>其中，該擷取部件設置在該返回路徑和該獨立返回路徑中的每一個中。
一種包括循環路徑的設備前端模組（EFEM），該循環路徑包括被配置為形成對基板進行傳送的傳送空間的傳送室以及被配置為使從該傳送室的一側流動到另一側的氣體返回的返回路徑，該EFEM包括：<br/>擷取部件，其設置在該返回路徑中並被配置為以電氣方式擷取流過該返回路徑的該氣體中所包含的粒子， <br/>其中，該返回路徑和該傳送室被設置成使得分隔壁插在它們之間並且在該分隔壁的兩側產生壓差，從而在該氣體在該循環路徑中循環的狀態下使得該返回路徑那一側上的壓力變得高於該傳送室那一側上的壓力， <br/>其中，被配置為對設置在該傳送室中的預定裝置內流動的氣體進行引導的連接管在該擷取部件的上游側與該返回路徑的中間部分連接。
一種三維（3D）電感器，包括： <br/>第一多個微基底通孔（TSV），在基底的第一區域內，每個微TSV具有小於二十微米的直徑，所述第一多個微TSV被配置在多個行和多個列中，對應至所述基底的宏TSV開口的所述基底的所述第一區域具有大於八十微米的直徑； <br/>第一走線，在所述基底的第一表面上，所述第一走線耦接到所述第一多個微TSV的第一端；和 <br/>第二走線，在所述基底的與所述第一表面相對的第二表面上，所述第二走線耦接到所述第一多個微TSV的與所述第一端相對的第二端。
根據請求項1所述的3D電感器，其中所述第一多個微TSV中的兩個微TSV之間的空間小於所述基底的、與宏TSV的形狀因數相對應的第一區域和所述基底的、與所述宏TSV的所述形狀因數相對應的第二區域之間的空間。
根據請求項1所述的3D電感器，其中所述3D電感器被整合在積體被動設備（IPD）中。
根據請求項3所述的3D電感器，其中所述IPD被整合在IPD濾波器晶粒中。
根據請求項4所述的3D電感器，其中所述IPD濾波器晶粒被整合在射頻前端（RFFE）模組中。
一種三維（3D）電感器的製造方法，所述方法包括： <br/>在基底的第一區域內形成第一多個微基底通孔（TSV），每個微TSV具有小於二十微米的直徑，所述第一多個微TSV被配置在多個行和多個列中，所述基底的所述第一區域對應至所述基底的宏TSV開口； <br/>在所述基底上的第一表面上沉積第一走線，以與所述第一多個微TSV的第一端接觸；和 <br/>在所述基底的與所述第一表面相對的第二表面上沉積第二走線，以與所述第一多個微TSV的與所述第一端相對的第二端接觸。
根據請求項6的方法，其中形成所述第一多個微TSV包括使所述第一多個微TSV均勻間隔，其中所述第一多個微TSV中的兩個微TSV之間的空間小於所述基底的、與宏TSV的形狀因數相對應的第一區域和所述基底的、與所述宏TSV的所述形狀因數相對應的第二區域之間的空間。
根據請求項6所述的方法，還包括將所述3D電感器整合在積體被動設備（IPD）中。
根據請求項8所述的方法，還包括將所述IPD整合在IPD濾波器晶粒中。
根據請求項9所述的方法，還包括將所述IPD濾波器晶粒整合在射頻前端（RFFE）模組中。
一種由使用者設備（UE）執行速率匹配的方法，所述方法包括： <br/>在所述使用者設備處接收用於在共用頻率資源（CFR）中進行通訊的組共用物理下行鏈路共享通道（GC-PDSCH）； <br/>在所述使用者設備處接收承載用於所述共用頻率資源中的組共用物理下行鏈路共享通道傳輸的配置的資訊元素； <br/>根據所述資訊元素的至少一個欄位來確定用於確定用於所述共用頻率資源中的所述組共用物理下行鏈路共享通道傳輸的傳送區塊大小（TBS）的至少一個參數，其中所述至少一個參數包括用於多播及廣播服務（MBS）傳輸的最大層數、調變階數及開銷參數中的至少一者；以及 <br/>基於所述至少一個參數來確定用於所述共用頻率資源中的所述組共用物理下行鏈路共享通道傳輸的所述傳送區塊大小。
如請求項1所述的方法，其中所述使用者設備接收所述共用頻率資源中的所述組共用物理下行鏈路共享通道傳輸以及單播傳輸。
如請求項1所述的方法，更包括確定用於所述共用頻率資源中的所述組共用物理下行鏈路共享通道傳輸的有限緩衝速率匹配（LBRM）的大小。
如請求項3所述的方法，更包括： <br/>判斷是否對用於所述組共用物理下行鏈路共享通道傳輸的共用頻率資源長度進行配置； <br/>在所述共用頻率資源長度被配置的情形中，基於所述共用頻率資源的大小來確定用於確定所述有限緩衝速率匹配的物理資源區塊（PRB）數目；以及 <br/>在所述共用頻率資源長度未被配置的情形中，基於包含所述組共用物理下行鏈路共享通道傳輸的頻寬部分（BWP）的大小來確定用於確定所述有限緩衝速率匹配的物理資源區塊數目。
如請求項1所述的方法，其中： <br/>所述資訊元素是作為無線電資源控制（RRC）訊令的一部分被接收， <br/>在所述資訊元素的所述至少一個欄位未被配置成確定所述最大層數的情形中，所述最大層數是預定義的， <br/>在所述資訊元素的所述至少一個欄位未被配置成確定一調變及編碼方案表的情形中，將所述調變階數設定成預設調變階數值，且 <br/>在所述資訊元素的所述至少一個欄位未被配置成確定所述開銷參數的情形中，所述開銷參數被設定成預設開銷值。
如請求項1所述的方法，其中所述使用者設備是無線電資源控制閒置的或非現用的。
如請求項1所述的方法，更包括： <br/>向基地台發射能力報告，所述能力報告指示所述使用者設備是否支援使用點對多點方案的初始組共用物理下行鏈路共享通道傳輸與使用點對點方案的後續使用者設備特定物理下行鏈路共享通道傳輸之間的不同的有限緩衝速率匹配大小。
如請求項1所述的方法，更包括根據所述資訊元素的一或多個欄位來確定用於所述共用頻率資源中的所述組共用物理下行鏈路共享通道的一或多個速率匹配模式，其中所述一或多個速率匹配模式包括對於所述共用頻率資源中的所述組共用物理下行鏈路共享通道不可用的資源元素。
如請求項8所述的方法，更包括根據所述資訊元素的所述一或多個欄位來確定用於所述共用頻率資源中的所述組共用物理下行鏈路共享通道的一或多個速率匹配模式組，其中所述一或多個速率匹配模式組包括除所述一或多個速率匹配模式之外的經分組速率匹配模式。
如請求項9所述的方法，更包括： <br/>接收用於在所述共用頻率資源中進行通訊的組共用物理下行鏈路控制通道（GC-PDCCH）； <br/>接收所述共用頻率資源中的所述組共用物理下行鏈路控制通道中的下行鏈路控制資訊（DCI）格式，所述下行鏈路控制資訊格式具有第一下行鏈路控制資訊格式或第二下行鏈路控制資訊格式，所述第二下行鏈路控制資訊格式具有速率匹配指示符欄位； <br/>針對藉由所述第一下行鏈路控制資訊格式進行排程的所述共用頻率資源中的所述組共用物理下行鏈路共享通道而應用所述一或多個速率匹配模式及所述一或多個速率匹配模式組的所述經分組速率匹配模式；以及 <br/>應用所述一或多個速率匹配模式，且基於用於藉由所述第二下行鏈路控制資訊格式進行排程的所述共用頻率資源中的所述組共用物理下行鏈路共享通道的所述速率匹配指示符欄位的值而選擇性地應用所述經分組速率匹配模式。
一種由基地台針對多個使用者設備（UE）執行速率匹配的方法，所述方法包括： <br/>向所述多個使用者設備發射用於在共用頻率資源（CFR）中進行通訊的組共用物理下行鏈路共享通道（GC-PDSCH）； <br/>對資訊元素的至少一個欄位進行配置，以確定用於確定用於所述共用頻率資源中的組共用物理下行鏈路共享通道傳輸的傳送區塊大小（TBS）的至少一個參數，其中所述至少一個參數包括用於多播及廣播服務（MBS）傳輸的最大層數、調變階數及開銷參數中的至少一者，所述資訊元素承載用於所述組共用物理下行鏈路共享通道傳輸的配置；以及 <br/>向所述多個使用者設備發射所述資訊元素。
如請求項11所述的方法，其中所述基地台向所述多個使用者設備發射所述共用頻率資源中的所述組共用物理下行鏈路共享通道傳輸以及單播傳輸。
如請求項11所述的方法，其中： <br/>所述資訊元素是作為無線電資源控制（RRC）訊令的一部分被發射， <br/>在所述資訊元素的所述至少一個欄位未被配置成確定所述最大層數的情形中，所述最大層數是預定義的， <br/>在所述資訊元素的所述至少一個欄位未被配置成確定一調變及編碼方案表的情形中，將所述調變階數設定成預設調變階數值，且 <br/>在所述資訊元素的所述至少一個欄位未被配置成確定所述開銷參數的情形中，所述開銷參數被設定成預設開銷值。
如請求項11所述的方法，更包括： <br/>對用於所述組共用物理下行鏈路共享通道傳輸的共用頻率資源長度進行配置； <br/>其中基於所述共用頻率資源的大小來確定用於確定有限緩衝速率匹配（LBRM）的物理資源區塊（PRB）數目。
如請求項11所述的方法，更包括： <br/>自使用者設備接收能力報告，所述能力報告指示所述使用者設備是否支援使用點對多點方案的初始組共用物理下行鏈路共享通道傳輸與使用點對點方案的後續使用者設備特定物理下行鏈路共享通道傳輸之間的不同的有限緩衝速率匹配大小。
如請求項11所述的方法，更包括將所述資訊元素的一或多個欄位配置成指示用於所述共用頻率資源中的所述組共用物理下行鏈路共享通道的一或多個速率匹配模式，其中所述一或多個速率匹配模式包括對於用於所述共用頻率資源中的所述組共用物理下行鏈路共享通道的所述多個使用者設備不可用的資源元素。
如請求項16所述的方法，更包括將所述資訊元素的所述一或多個欄位配置成指示用於所述共用頻率資源中的所述組共用物理下行鏈路共享通道的一或多個速率匹配模式組，其中所述一或多個速率匹配模式組包括除所述一或多個速率匹配模式之外的經分組速率匹配模式。
如請求項17所述的方法，更包括： <br/>發射用於在所述共用頻率資源中進行通訊的組共用物理下行鏈路控制通道（GC-PDCCH）；以及 <br/>向所述多個使用者設備發射所述共用頻率資源中的所述組共用物理下行鏈路控制通道中的下行鏈路控制資訊（DCI）格式，所述下行鏈路控制資訊（DCI）格式具有第一下行鏈路控制資訊格式或第二下行鏈路控制資訊格式，所述第二下行鏈路控制資訊格式具有速率匹配指示符欄位， <br/>其中所述一或多個速率匹配模式以及所述一或多個速率匹配模式組的所述經分組速率匹配模式是針對藉由所述第一下行鏈路控制資訊格式進行排程的所述共用頻率資源中的所述組共用物理下行鏈路共享通道而被應用，且 <br/>其中所述一或多個速率匹配模式被應用且所述經分組速率匹配模式是基於用於藉由所述第二下行鏈路控制資訊格式進行排程的所述共用頻率資源中的所述組共用物理下行鏈路共享通道的所述速率匹配指示符欄位的值而選擇性地被應用。
一種使用者設備（UE），包括： <br/>處理器；以及 <br/>非暫時性電腦可讀取儲存媒體，儲存指令，所述指令在被執行時使所述處理器： <br/>接收用於在共用頻率資源（CFR）中進行通訊的組共用物理下行鏈路共享通道（GC-PDSCH）； <br/>接收承載用於所述共用頻率資源中的組共用物理下行鏈路共享通道傳輸的配置的資訊元素； <br/>根據所述資訊元素的至少一個欄位來確定用於確定用於所述共用頻率資源中的所述組共用物理下行鏈路共享通道傳輸的傳送區塊大小（TBS）的至少一個參數，其中所述至少一個參數包括用於多播及廣播服務（MBS）傳輸的最大層數、調變階數及開銷參數中的至少一者；以及 <br/>基於所述至少一個參數來確定用於所述共用頻率資源中的所述組共用物理下行鏈路共享通道傳輸的所述傳送區塊大小。
一種基地台，包括： <br/>處理器；以及 <br/>非暫時性電腦可讀取儲存媒體，儲存指令，所述指令在被執行時使所述處理器： <br/>發射用於在共用頻率資源（CFR）中進行通訊的組共用物理下行鏈路共享通道（GC-PDSCH）； <br/>對資訊元素的至少一個欄位進行配置，以確定用於確定用於所述共用頻率資源中的組共用物理下行鏈路共享通道傳輸的傳送區塊大小（TBS）的至少一個參數，其中所述至少一個參數包括用於多播及廣播服務（MBS）傳輸的最大層數、調變階數及開銷參數中的至少一者，所述資訊元素承載用於所述共用頻率資源中的所述組共用物理下行鏈路共享通道傳輸的配置；以及 <br/>發射所述資訊元素。
一種包括一驅動薄膜電晶體(TFT)的裝置，包括：<br/> 一像素電路，該像素電路包括：<br/> 該驅動TFT，其包括：<br/> 一驅動通道；<br/> 一層間介電質(ILD)層，設置在該驅動通道上方；<br/> 一驅動源電極，設置為穿過該ILD層以接觸該驅動通道的上表面，該驅動源電極經由一源電極路徑的佈線耦合到一源電壓；以及 <br/> 一驅動頂部閘電極，設置在該驅動通道上方並經由一頂部閘電極路徑的佈線電連接至該驅動源電極及該源電壓，該頂部閘電極路徑的佈線耦合到該源電極路徑；以及<br/> 一第一開關TFT，連接至一掃描線；以及<br/> 一陣列上閘極(GOA)電路，該GOA電路包括一第二開關TFT及一第三開關TFT，其中該第二開關TFT及該第三開關TFT連接至該掃描線。
如請求項1所述之裝置，其中該等開關TFT中的每一者包括：<br/> 一開關金屬氧化物(MO)通道；以及<br/> 一開關頂部閘電極，設置在該開關MO通道上方。
如請求項2所述之裝置，其中該等開關TFT中的至少一者包括一開關底部閘電極，該開關底部閘電極電連接到該開關頂部閘電極。
如請求項1所述之裝置，其中該驅動TFT進一步包括一驅動底部閘電極，其中將一閘極偏壓施加至該驅動底部閘電極。
如請求項1所述之裝置，其中該ILD層延伸跨越該驅動頂部閘電極的上表面。
一種包括一驅動薄膜電晶體(TFT)的裝置，該驅動TFT包括：<br/> 一第一TFT，包括：<br/> 一第一通道，<br/> 一第一底部閘電極，設置在該第一通道下方，以及<br/> 一閘極絕緣體層，設置在該第一通道與該第一底部閘電極之間；以及<br/> 一第二TFT，與該第一TFT相鄰，包括：<br/> 一第二通道，以及<br/> 一第二底部閘電極，設置在該第二通道下方，並電連接至該第一TFT的該第一底部閘電極，其中<br/> 該閘極絕緣體層自該第一TFT延伸並設置在該第二通道與該第二底部閘電極之間，且該第一底部閘電極與該第二底部閘電極電連接至同一電壓源。
如請求項6所述之裝置，其中該第一TFT包括一第一頂部閘電極，該第一頂部閘電極設置在該第一通道上方。
如請求項6所述之裝置，進一步包括一或多個開關TFT，每個開關TFT是一頂部閘電極TFT，其中該頂部閘電極TFT沒有底部閘電極。
如請求項6所述之裝置，進一步包括一或多個開關TFT，每個開關TFT包括：<br/> 一開關底部閘電極；<br/> 一開關金屬氧化物(MO)通道，設置在該開關底部閘電極上方；以及<br/> 一開關頂部閘電極，設置在該開關MO通道上方，其中該開關頂部閘電極電連接至該開關底部閘電極。
如請求項9所述之裝置，其中該裝置包括一陣列上閘極驅動器(GOA)電路。
如請求項9所述之裝置，其中該裝置包括一像素電路。
如請求項6所述之裝置，進一步包括一頂部閘極絕緣層，該頂部閘極絕緣層設置在該第一通道上方並在該第二通道上方延伸。
如請求項6所述之裝置，進一步包括第一頂部閘極絕緣層和第二頂部閘極絕緣層，該第一頂部閘極絕緣層設置在該第一通道上方，且該第二頂部閘極絕緣層設置在該第二通道上方。
一種包括一驅動薄膜電晶體(TFT)的裝置，該驅動TFT包括：<br/> 一第一TFT，包括：<br/> 一第一通道，<br/> 一閘極絕緣體層，設置在該第一通道下方，以及<br/> 一第一頂部閘電極，設置在該第一通道上方；以及<br/> 一第二TFT，與該第一TFT相鄰，包括：<br/> 一第二通道，<br/> 該閘極絕緣體層，設置在該第二通道下方，以及<br/> 一第二頂部閘電極，設置在該第二通道上方，並電連接到該第一TFT的該第一頂部閘電極，其中<br/> 該閘極絕緣體層自該第一TFT延伸並設置在該第二通道與一第二底部閘電極之間，且該第一頂部閘電極與該第二頂部閘電極電連接至同一電壓源。
如請求項14所述之裝置，進一步包括一或多個開關TFT，每個開關TFT包括：<br/> 一開關通道；以及<br/> 一開關頂部閘電極，設置在該開關通道上方。
如請求項15所述之裝置，進一步包括一或多個開關TFT，每個開關TFT包括一開關底部閘電極，該一開關底部閘電極設置在該開關通道下方，其中該開關頂部閘電極電連接到該開關底部閘電極。
如請求項14所述之裝置，其中該第一通道和該第二通道中的至少一者是一含金屬氧化物的層，該含金屬氧化物的層包含銦、鋅、鎵、氧、鋁、錫、In-Zn-O、In-Sn-O、In-Zn-Sn-O、In-Ga-O、In-Ga-Zn-O、In-Ga-Sn-O、In-Ga-Zn-Sn-O或其組合中的至少一者。
如請求項14所述之裝置，其中該第一通道和該第二通道中的至少一者是一低溫多晶矽(LTPS)單層。
如請求項14所述之裝置，其中該第一通道或該第二通道中的至少一者，或者該第一通道或該第二通道兩者各自由一單層組成。
如請求項14所述之裝置，其中該第一通道或該第二通道中的至少一者包括兩個或更多個層，每個層具有不同的電子遷移率。
一種教示裝置，其為了製作程式而使用，前述程式藉由視覺感測器來計測設置於作業空間的標記，<br/> 前述教示裝置具備製作使用者介面的使用者介面製作部，前述使用者介面用以輸入關於前述標記的計測的設定資訊，<br/> 前述使用者介面製作部是於前述使用者介面中，將就第1前述標記所輸入之第1前述設定資訊，設為可於關於第2前述標記的設定中利用。
如請求項1之教示裝置，其中前述使用者介面包含：關於第1前述標記的設定用之第1使用者介面畫面、及關於第2前述標記的設定用之第2使用者介面畫面，<br/> 於前述第2使用者介面畫面中，第1前述設定資訊至少部分地被設定為預設值。
如請求項2之教示裝置，其中前述第1使用者介面畫面及前述第2使用者介面畫面包含共通的設定項目。
如請求項3之教示裝置，其中前述設定資訊包含前述視覺感測器的曝光時間、前述標記的選擇、前述標記的點間隔的一個以上來作為前述共通的設定項目。
如請求項1至4中任一項之教示裝置，其進一步具備程式製作部，前述程式製作部生成用以製作前述程式的程式製作畫面，<br/> 於前述程式製作畫面，用以計測第1前述標記的第1計測命令及用以計測第2前述標記的第2計測命令是作為同一命令而配置。
如請求項5之教示裝置，其中前述第1計測命令及前述第2計測命令是以同一圖標來表示。
一種標記計測方法，是用以藉由視覺感測器來計測設置於作業空間的標記的方法，前述標記計測方法包含：<br/> 針對第1前述標記進行計測，<br/> 評估第1前述標記的計測結果的精度，<br/> 當第1前述標記的計測結果的精度低於預定的水準時，針對追加之1個以上的前述標記進行計測；<br/> 前述標記計測方法提供有使用者介面，前述使用者介面是將就第1前述標記的計測所輸入的設定資訊，設為可作為與追加之1個以上的前述標記的各個之計測有關的設定資訊的設定來利用。
如請求項7之標記計測方法，其進一步包含：將與第1前述標記及追加之1個以上的前述標記有關的計測結果合成，求出前述作業空間與前述視覺感測器的相對位置關係。
如請求項7或8之標記計測方法，其中與第1前述標記的計測有關的前述設定資訊以及與追加之1個以上的前述標記的各個之計測有關的前述設定資訊，包含前述視覺感測器的曝光時間、前述標記的選擇、前述標記的點間隔的一個以上來作為共通的設定項目。
如請求項7或8之標記計測方法，其中前述標記具有點型樣，前述點型樣具有已知的點間隔且包含規定該標記之座標系統的點，<br/> 評估第1前述標記的計測結果的精度包含：在假設表示前述標記中之各點的計測出來的位置之齊次座標為Pxi，表示前述標記的各點相對於原點的設計位置之齊次座標為Pyi，表示計測出來的前述標記的位置及姿勢之齊次轉換矩陣為Pm時，使用下式作為指標值來評估精度，<br/> Σ(Pxi-Pm×Pyi)^2。
一種電腦程式，其令電腦執行提供使用者介面的動作，前述使用者介面受理關於以視覺感測器來計測第1標記時的計測之第1設定資訊的輸入，且以可利用就前述第1標記所輸入之前述第1設定資訊的做法，來受理關於以前述視覺感測器來計測第2標記時的計測之第2設定資訊的輸入。
如請求項11之電腦程式，其中前述使用者介面包含：關於前述第1標記的設定用之第1使用者介面畫面、及關於前述第2標記的設定用之第2使用者介面畫面，<br/> 於前述第2使用者介面畫面中，前述第1設定資訊至少部分地被設定為預設值。
如請求項12之電腦程式，其中前述第1使用者介面畫面及前述第2使用者介面畫面包含共通的設定項目。
如請求項13之電腦程式，其中前述第1設定資訊及前述第2設定資訊的各個，包含前述視覺感測器的曝光時間、前述標記的選擇、前述標記的點間隔的一個以上來作為前述共通的設定項目。
一種用於極紫外（EUV）光產生器的收集鏡，所述收集鏡包括： <br/>第一鏡，位於容器中，所述容器經組態以接收材料及用於產生所述EUV光的雷射束； <br/>第二鏡，包圍所述第一鏡；以及 <br/>可拆卸的第三鏡，位於所述第一鏡與所述第二鏡之間，所述第三鏡具有實質上相同於所述第一鏡的外部直徑的內部直徑及實質上相同於所述第二鏡的內部直徑的外部直徑。
如請求項1所述的用於極紫外光產生器的收集鏡，其中所述第一鏡、所述第二鏡以及所述第三鏡的組合結構具有半球形形狀。
如請求項2所述的用於極紫外光產生器的收集鏡，其中所述第三鏡的內部表面與所述第一鏡的外部表面直接接觸。
如請求項3所述的用於極紫外光產生器的收集鏡，其中所述第一鏡的所述外部表面與所述第三鏡的所述內部表面之間具有迷宮式密封。
如請求項2所述的用於極紫外光產生器的收集鏡，其中所述第三鏡的外部表面與所述第二鏡的內部表面直接接觸。
如請求項5所述的用於極紫外光產生器的收集鏡，其中所述第三鏡的所述外部表面與所述第二鏡的所述內部表面之間具有迷宮式密封。
如請求項1所述的用於極紫外光產生器的收集鏡，其中所述第一鏡包含： <br/>第一表面，面向所述容器的內部； <br/>內部表面，連接至所述第一表面，所述內部表面的上部部分包含指向所述第一表面以注入空氣的第一噴嘴； <br/>第一空氣源，連接至所述第一噴嘴，所述第一空氣源經組態以將空氣供應至所述第一噴嘴；以及 <br/>控制器，經組態以控制自所述第一空氣源供應至所述第一噴嘴的所述空氣的壓力。
如請求項1所述的用於極紫外光產生器的收集鏡，其中： <br/>所述第三鏡的內部表面的上部末端位於比所述第一鏡的外部表面的上部末端更低的高度層級處，使得暴露所述第一鏡的所述外部表面的上部部分，且 <br/>第二噴嘴位於所述第一鏡的所述外部表面的經暴露的所述上部部分處，所述第二噴嘴指向所述第三鏡的表面， <br/>更包括： <br/>第二空氣源，連接至所述第二噴嘴，所述第二空氣源經組態以將空氣供應至所述第二噴嘴；以及 <br/>控制器，經組態以控制自所述第二空氣源供應至所述第二噴嘴的所述空氣的壓力。
如請求項1所述的用於極紫外光產生器的收集鏡，其中： <br/>所述第三鏡的外部表面的上部末端位於比所述第二鏡的內部表面的上部末端更高的高度層級處，使得暴露所述第三鏡的所述外部表面的上部部分，且 <br/>第三噴嘴位於所述第三鏡的所述外部表面的經暴露的所述上部部分處，所述第三噴嘴指向所述第二鏡的表面， <br/>更包括： <br/>第三空氣源，連接至所述第三噴嘴，所述第三空氣源經組態以將空氣供應至所述第三噴嘴；以及 <br/>控制器，經組態以控制自所述第三空氣源供應至所述第三噴嘴的所述空氣的壓力。
如請求項1所述的用於極紫外光產生器的收集鏡，其中所述第一鏡包含固定凹槽，且所述第三鏡包含自所述第三鏡的下部表面延伸至所述固定凹槽中的固定部分。
一種處理擴展現實（XR）資料的方法，該方法包括以下步驟：<br/> 解析一XR場景的入口點資料以提取關於用於該XR場景的一或多個所需虛擬物件的資訊，該一或多個所需虛擬物件包括等於或大於一的一數量的動態虛擬物件，該等動態虛擬物件之每一者動態虛擬物件包括要取得用於其的媒體資料的至少一個動態媒體分量；<br/> 使用該入口點資料來初始化一數量的串流通信期，該串流通信期的數量等於或大於該動態虛擬物件的數量，其中初始化該等串流通信期之步驟包括以下步驟：按照用於該等串流通信期的經配置的服務品質（QoS）和計費資訊來初始化該等串流通信期；<br/> 經由該相應數量的串流通信期中的一個串流通信期來取得用於該等動態虛擬物件的該等動態媒體分量之每一者動態媒體分量的媒體資料；及<br/> 向一渲染單元發送所取得的該媒體資料以渲染該XR場景，以在該XR場景內的對應地點處包括所取得的該媒體資料。
根據請求項1之方法，其中配置用於該等串流通信期的該QoS和計費資訊之步驟包括以下步驟：針對該等動態虛擬物件之每一者動態虛擬物件：<br/> 決定該動態虛擬物件的一類型；及<br/> 根據該動態虛擬物件的該類型來決定一QoS和計費資訊。
根據請求項2之方法，亦包括以下步驟：針對該等動態虛擬物件中的至少一個動態虛擬物件：<br/> 決定用於與該等動態虛擬物件中的該至少一個動態虛擬物件的該類型相關聯的該串流通信期的該媒體資料是二維（2D）媒體資料還是三維（3D）媒體資料；及<br/> 根據用於與該等動態虛擬物件中的該至少一個動態虛擬物件的該類型相關聯的該串流通信期的該媒體資料是該2D媒體資料還是該3D媒體資料，來決定該QoS和計費資訊。
根據請求項1之方法，其中配置用於該等串流通信期的該QoS和計費資訊之步驟包括以下步驟：針對該等動態虛擬物件之每一者動態虛擬物件：<br/> 決定對於與用於該動態虛擬物件的該串流通信期相關聯的媒體資料所需要的一頻寬量；及<br/> 根據所需要的該頻寬量來配置用於該動態虛擬物件的該串流通信期的該QoS和計費資訊。
根據請求項1之方法，其中配置用於該等串流通信期的該QoS和計費資訊之步驟包括以下步驟：針對該等動態虛擬物件之每一者動態虛擬物件：<br/> 決定對於用於該動態虛擬物件的該串流通信期需要準確的使用者定位資訊；及<br/> 根據決定需要該準確的使用者定位資訊，來配置用於該動態虛擬物件的該串流通信期的該QoS和計費資訊。
根據請求項1之方法，其中配置用於該等串流通信期的該QoS和計費資訊之步驟包括以下步驟：<br/> 決定該渲染單元是否被配置為執行對該媒體資料的分離渲染；<br/> 當該渲染單元未被配置為執行分離渲染時，決定用於該等串流通信期的一第一最小位元速率；及<br/> 當該渲染單元被配置為執行分離渲染時，決定用於該等串流通信期的一第二最小位元速率，該第二最小位元速率高於該第一最小位元速率。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟：<br/> 建立一XR通信期；及<br/> 將該XR場景錨定到用於該XR通信期的一真實世界空間。
根據請求項1之方法，其中該等所需虛擬物件亦包括一或多個靜態虛擬物件，該方法亦包括以下步驟：取得用於該一或多個靜態虛擬物件之每一者靜態虛擬物件的媒體資料，並且其中渲染該XR場景之步驟亦包括以下步驟：渲染該XR場景，以在該XR場景內的對應地點處包括所取得的該用於該一或多個靜態虛擬物件的媒體資料。
根據請求項1之方法，其中取得用於該數量的動態虛擬物件之每一者動態虛擬物件的該媒體資料之步驟包括以下步驟：<br/> 取得用於該數量的動態虛擬物件之每一者動態虛擬物件的清單檔案；及<br/> 使用該等相應的清單檔案來取得用於該數量的動態虛擬物件之每一者動態虛擬物件的媒體分段。
根據請求項9之方法，其中該等清單檔案包括媒體呈現描述（MPD）。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟：配置用於該數量的動態虛擬物件之每一者動態虛擬物件的沉浸式視訊解碼器。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟：<br/> 取得可用XR通信期的一列表，該等可用XR通信期之每一者XR通信期具有相關聯的入口點資料；<br/> 接收對該等可用XR通信期中的一個XR通信期的一選擇；及<br/> 取得用於該等可用XR通信期中的所選擇的該一個XR通信期的一場景描述，該場景描述包括與該等可用XR通信期中的所選擇的該一個XR通信期相關聯的該入口點資料。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟：<br/> 取得可用XR通信期的一列表，該等可用XR通信期之每一者XR通信期具有相關聯的入口點資料；<br/> 接收對該等可用XR通信期中的一個XR通信期的一選擇；<br/> 請求與該等可用XR通信期中的該一個XR通信期相關聯的該入口點資料；<br/> 接收所請求的該入口點資料和表示針對用於該等可用XR通信期中的所選擇的該一個XR通信期的一場景的最佳處理的要求的資料；<br/> 回應於決定該等要求包括邊緣支援，來請求表示用於該等可用XR通信期中的所選擇的該一個XR通信期的一邊緣應用伺服器（AS）的資料；<br/> 向該邊緣AS發送用於該等可用XR通信期中的所選擇的該一個XR通信期的初始化資訊；及<br/> 從該邊緣AS接收用於該等可用XR通信期中的所選擇的該一個XR通信期的自訂入口點資料。
根據請求項1之方法，其中該入口點資料包括一場景描述，該場景描述包括關於用於該XR場景的該一或多個所需虛擬物件的該資訊。
根據請求項1之方法，其中該等動態虛擬物件包括動態網格、動畫網格或點雲端中的至少一項。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟：取得用於該數量的動態虛擬物件中的至少一個動態虛擬物件的音訊資料，並且呈現所取得的該音訊資料。
一種用於處理擴展現實（XR）資料的設備，該設備包括：<br/> 一記憶體，其被配置為儲存XR資料和媒體資料；及<br/> 一或多個處理器，其在電路系統中實現並且被配置為：<br/> 解析一XR場景的入口點資料以提取關於用於該XR場景的一或多個所需虛擬物件的資訊，該一或多個所需虛擬物件包括等於或大於一的一數量的動態虛擬物件，該等動態虛擬物件之每一者動態虛擬物件包括要取得用於其的媒體資料的至少一個動態媒體分量；<br/> 使用該入口點資料來初始化一數量的串流通信期，該串流通信期的數量等於或大於該動態虛擬物件的數量，其中為了初始化該等串流通信期，該一或多個處理器被配置為按照用於該等串流通信期的經配置的服務品質（QoS）和計費資訊來初始化該等串流通信期；<br/> 經由該相應數量的串流通信期中的一個串流通信期來取得用於該等動態虛擬物件的該等動態媒體分量之每一者動態媒體分量的媒體資料；及<br/> 向一渲染單元發送所取得的該媒體資料以渲染該XR場景，以在該XR場景內的對應地點處包括所取得的該媒體資料。
根據請求項17之設備，其中為了配置用於該等串流通信期的該QoS和計費資訊，該一或多個處理器被配置為：針對該等動態虛擬物件之每一者動態虛擬物件：<br/> 決定該動態虛擬物件的一類型；及<br/> 根據該動態虛擬物件的該類型來決定一QoS和計費資訊。
根據請求項17之設備，其中該一或多個處理器亦被配置為：<br/> 建立一XR通信期；及<br/> 將該XR場景錨定到用於該XR通信期的一真實世界空間。
根據請求項17之設備，其中該等所需虛擬物件亦包括一或多個靜態虛擬物件，並且其中該一或多個處理器亦被配置為：取得用於該一或多個靜態虛擬物件之每一者靜態虛擬物件的媒體資料，並且其中為了渲染該XR場景，該一或多個處理器亦被配置為：渲染該XR場景，以在該XR場景內的對應地點處包括所取得的該用於該一或多個靜態虛擬物件的媒體資料。
根據請求項17之設備，其中為了取得用於該數量的動態虛擬物件之每一者動態虛擬物件的該媒體資料，該一或多個處理器被配置為：<br/> 取得用於該數量的動態虛擬物件之每一者動態虛擬物件的清單檔案；及<br/> 使用該等相應的清單檔案來取得用於該數量的動態虛擬物件之每一者動態虛擬物件的媒體分段。
根據請求項17之設備，其中該一或多個處理器亦被配置為：<br/> 取得可用XR通信期的一列表，該等可用XR通信期之每一者XR通信期具有相關聯的入口點資料；<br/> 接收對該等可用XR通信期中的一個XR通信期的一選擇；及<br/> 取得用於該等可用XR通信期中的所選擇的該一個XR通信期的一場景描述，該場景描述包括與該等可用XR通信期中的所選擇的該一個XR通信期相關聯的該入口點資料。
根據請求項17之設備，其中該一或多個處理器亦被配置為：<br/> 取得可用XR通信期的一列表，該等可用XR通信期之每一者XR通信期具有相關聯的入口點資料；<br/> 接收對該等可用XR通信期中的一個XR通信期的一選擇；<br/> 請求與該等可用XR通信期中的該一個XR通信期相關聯的該入口點資料；<br/> 接收所請求的該入口點資料和表示針對用於該等可用XR通信期中的所選擇的該一個XR通信期的一場景的最佳處理的要求的資料；<br/> 回應於決定該等要求包括邊緣支援，來請求表示用於該等可用XR通信期中的所選擇的該一個XR通信期的一邊緣應用伺服器（AS）的資料；<br/> 向該邊緣AS發送用於該等可用XR通信期中的所選擇的該一個XR通信期的初始化資訊；及<br/> 從該邊緣AS接收用於該等可用XR通信期中的所選擇的該一個XR通信期的自訂入口點資料。
根據請求項17之設備，其中該入口點資料包括一場景描述，該場景描述包括關於用於該XR場景的該一或多個所需虛擬物件的該資訊。
根據請求項17之設備，其中該等動態虛擬物件包括動態網格、動畫網格或點雲端中的至少一項。
根據請求項17之設備，亦包括：被配置為顯示該XR資料的一顯示器。
根據請求項17之設備，其中該設備包括一相機、一電腦、一行動設備、一廣播接收器設備或一機上盒中的一者或多者。
一種具有儲存在其上的指令的電腦可讀取儲存媒體，該等指令在被執行時使得一處理器進行以下操作：<br/> 解析一XR場景的入口點資料以提取關於用於該XR場景的一或多個所需虛擬物件的資訊，該一或多個所需虛擬物件包括等於或大於一的一數量的動態虛擬物件，該等動態虛擬物件之每一者動態虛擬物件包括要取得用於其的媒體資料的至少一個動態媒體分量；<br/> 使用該入口點資料來初始化一數量的串流通信期，該串流通信期的數量等於或大於該動態虛擬物件的數量，其中使得該處理器初始化該數量的串流通信期的該等指令包括使得該處理器進行以下操作的指令：按照用於該等串流通信期的經配置的服務品質（QoS）和計費資訊來初始化該等串流通信期；<br/> 經由該相應數量的串流通信期中的一個串流通信期來取得用於該等動態虛擬物件的該等動態媒體分量之每一者動態媒體分量的媒體資料；及<br/> 向一渲染單元發送所取得的該媒體資料以渲染該XR場景，以在該XR場景內的對應地點處包括所取得的該媒體資料。
一種用於處理擴展現實（XR）資料的設備，該設備包括：<br/> 用於解析一XR場景的入口點資料以提取關於用於該XR場景的一或多個所需虛擬物件的資訊的構件，該一或多個所需虛擬物件包括等於或大於一的一數量的動態虛擬物件，該等動態虛擬物件之每一者動態虛擬物件包括要取得用於其的媒體資料的至少一個動態媒體分量；<br/> 用於初始化一數量的串流通信期的構件，該串流通信期的數量等於或大於該動態虛擬物件的數量，其中該用於初始化該數量的串流通信期的構件包括用於按照用於該等串流通信期的經配置的服務品質（QoS）和計費資訊來初始化該等串流通信期的構件；<br/> 用於經由該相應數量的串流通信期中的一個串流通信期來取得用於該數量的動態虛擬物件之每一者動態虛擬物件的媒體資料的構件；及<br/> 用於向一渲染單元發送所取得的該媒體資料以渲染該XR場景，以在該XR場景內的對應地點處包括所取得的該媒體資料的構件。
一種用於人力驅動車之變速器，包含： <br/>一基座構件，其構造成附接到該人力驅動車的一車體； <br/>一可動構件，其構造成可相對於該基座構件沿著一第一方向以及與該第一方向不同的一第二方向移動； <br/>一連桿，其構造成可移動式將該可動構件連接到該基座構件； <br/>一電致動器，其構造成操作上相對於該基座構件移動該可動構件； <br/>一第一偏轉構件，其構造成如果沿著該第一方向施加第一外力移動該可動構件時變形；以及 <br/>一第二偏轉構件，其構造成如果沿著該第二方向施加第二外力移動該可動構件時，則變形； <br/>其中該第一偏轉構件不安置於該連桿上。
如請求項1所述之變速器，其中 <br/>該電致動器包括一輸出部分，其構造成操作上耦接到該可動構件，以相對於該基座構件移動該可動構件； <br/>該第一偏轉構件構造成減少傳輸到該輸出部分的該第一外力；以及 <br/>該第二偏轉構件構造成減少傳輸到該輸出部分的該第二外力。
如請求項2所述之變速器，其中 <br/>該第一偏轉構件構造成允許該可動構件隨著該第一外力，沿著該第一方向相對於該基座構件移動；以及 <br/>該第二偏轉構件構造成允許該可動構件隨著該第二外力，沿著該第二方向相對於該基座構件移動。
如請求項2所述之變速器，其中 <br/>該第一偏轉構件包括一第一端部與一第一相對端部；以及 <br/>該第一偏轉構件的該第一端部操作上耦接到該電致動器的該輸出部分。
如請求項4所述之變速器，更包含： <br/>一輸出構件，其耦接到該電致動器的該輸出部分，以隨著該輸出部分一起旋轉，其中 <br/>該第一偏轉構件的該第一端部耦接到該輸出構件。
如請求項5所述之變速器，其中 <br/>該輸出構件固定到該電致動器的該輸出部分。
一種用於人力驅動車之變速器，包含： <br/>一基座構件，其構造成附接到該人力驅動車的一車體； <br/>一可動構件，其構造成可相對於該基座構件沿著一第一方向以及與該第一方向不同的一第二方向移動； <br/>一連桿，其構造成可移動式將該可動構件連接到該基座構件； <br/>一電致動器，其構造成操作上相對於該基座構件移動該可動構件； <br/>一第一偏轉構件，其構造成如果沿著該第一方向施加第一外力移動該可動構件時變形；以及 <br/>一第二偏轉構件，其構造成如果沿著該第二方向施加第二外力移動該可動構件時，則變形； <br/>一保護構件，其樞轉耦接到該基座構件、該可動構件、該連桿和該電致動器之至少一者，其中 <br/>該電致動器包括一輸出部分，其構造成操作上耦接到該可動構件，以相對於該基座構件移動該可動構件； <br/>該第一偏轉構件包括一第一端部與一第一相對端部； <br/>該第一偏轉構件的該第一端部操作上耦接到該電致動器的該輸出部分；以及 <br/>該第一偏轉構件的該第一相對端部耦接到該保護構件。
如請求項1所述之變速器，其中 <br/>該第一偏轉構件構造成隨著第一力而變形，該第一力是由該第一外力所引起並且該第一力施加到該第一偏轉構件以抵抗該第一偏轉構件的第一偏轉力；以及 <br/>該第二偏轉構件構造成隨著第二力而變形，該第二力是由該第二外力所引起並且該第二外力施加到該第二偏轉構件以抵抗該第二偏轉構件的第二偏轉力而。
如請求項1所述之變速器，其中 <br/>該可動構件可相對於該基座構件以一向內方向，朝該車體的一橫向中心平面移動； <br/>該可動構件可相對於該基座構件在遠離該車體的該橫向中心平面的一向外方向上移動，該向外方向是該向內方向的相反方向； <br/>該第一方向包括該向內方向；以及 <br/>該第二方向包括該向外方向。
如請求項1所述之變速器，其中 <br/>該第一偏轉構件和該第二偏轉構件之至少一者包括一拉伸彈簧。
如請求項1所述之變速器，其中 <br/>該第一偏轉構件和該第二偏轉構件之至少一者包括一壓縮彈簧。
如請求項1所述之變速器，其中 <br/>該連桿包括一第一連桿； <br/>該第一連桿繞著一第一樞轉軸樞轉耦接到該基座構件，並繞著一第一附加樞轉軸樞轉耦接到該可動構件； <br/>該第二偏轉構件包括一第二端部與一第二相對端部；以及 <br/>該第二偏轉構件的該第二端部耦接到該第一連桿。
如請求項12所述之變速器，其更包含： <br/>一保護構件，其樞轉耦接到該基座構件、該可動構件、該連桿和該電致動器之至少一者，其中 <br/>該第二偏轉構件的該第二相對端部耦接到該保護構件。
一種用於人力驅動車之變速器，包含： <br/>一基座構件，其構造成附接到該人力驅動車的一車體； <br/>一可動構件，其構造成可相對於該基座構件沿著一第一方向以及與該第一方向不同的一第二方向移動； <br/>一連桿，其構造成移動式將該可動構件連接到該基座構件； <br/>一電致動器，其構造成操作上相對於該基座構件移動該可動構件，該電致動器包括一輸出部分； <br/>一第一偏轉構件；以及 <br/>一第二偏轉構件， <br/>如果該電致動器的輸出部分沿一第一旋轉方向旋轉，則該電致動器構造成經由該第二偏轉構件沿著該第一方向移動該可動構件，如果該電致動器的輸出部分沿著與該第一旋轉方向相反的一第二旋轉方向旋轉，則該電致動器構造成經由該第一偏轉構件沿著該第二方向移動該可動構件； <br/>其中該第一偏轉構件不安置於該連桿上。
如請求項14所述之變速器，其中 <br/>該可動構件可相對於該基座構件沿著一向內方向，朝該車體的一橫向中心平面移動； <br/>該可動構件可相對於該基座構件在遠離該車體的該橫向中心平面的一向外方向上移動，該向外方向是該向內方向的相反方向， <br/>該第一方向包括該向內方向；以及 <br/>該第二方向包括該向外方向。
如請求項14所述之變速器，其中 <br/>該第一偏轉構件和該第二偏轉構件之至少一者包括一拉伸彈簧。
如請求項14所述之變速器，其中 <br/>該第一偏轉構件和該第二偏轉構件之至少一者包括一壓縮彈簧。
如請求項14所述之變速器，其中 <br/>該連桿包括一第一連桿； <br/>該第一連桿繞著一第一樞轉軸樞轉耦接到該基座構件，並繞著一第一附加樞轉軸樞轉耦接到該可動構件； <br/>該第二偏轉構件包括一第二端部與一第二相對端部；以及 <br/>該第二偏轉構件的該第二端部耦接到該第一連桿。
如請求項18所述之變速器，其更包含； <br/>一保護構件，其樞轉耦接到該基座構件、該可動構件、該連桿和該電致動器之至少一者，其中 <br/>該第二偏轉構件的該第二相對端部耦接到該保護構件。
如請求項14所述之變速器，其中 <br/>該第一偏轉構件包括一第一端部與一第一相對端部；以及 <br/>該第一偏轉構件的該第一端部可操作上耦接到該電致動器的該輸出部分。
如請求項20所述之變速器，其更包含： <br/>一輸出構件，其耦接到該電致動器的該輸出部分，以隨著該輸出部分一起旋轉。
如請求項21所述之變速器，其中 <br/>該第一偏轉構件的該第一端部耦接到該輸出構件。
如請求項21所述之變速器，其中 <br/>該輸出構件固定到該電致動器的該輸出部分。
如請求項20所述之變速器，其更包含： <br/>一保護構件，其樞轉耦接到該基座構件、該可動構件、該連桿和該電致動器之至少一者，其中 <br/>該第一偏轉構件的該第一相對端部耦接到該保護構件。
如請求項14所述之變速器，其中 <br/>該連桿包括一第一連桿和一第二連桿； <br/>該第一連桿繞著一第一樞轉軸樞轉耦接到該基座構件，並繞著一第一附加樞轉軸樞轉耦接到該可動構件；以及 <br/>該第二連桿繞著一第二樞轉軸樞轉耦接到該基座構件，並繞著一第二附加樞轉軸樞轉耦接到該可動構件。
如請求項14所述之變速器，其更包含 <br/>一保護構件，其樞轉耦接到該基座構件、該可動構件、該連桿和該電致動器之至少一者；以及 <br/>一輸出構件，其耦接到該電致動器的該輸出部分，以隨著該輸出部分一起旋轉，其中 <br/>該輸出構件包括可與該保護構件接觸的一第一接觸部件。
如請求項26所述之變速器，其中 <br/>該連桿包括一第一連桿和一第二連桿； <br/>該保護構件包括可與該第二連桿接觸的一第二接觸部件。
如請求項25所述之變速器，其中 <br/>該第二偏轉構件構造成隨著該電致動器的該輸出部分沿著該第一旋轉方向之一第一旋轉，將致動力傳遞到該第一連桿。
如請求項28所述之變速器，其中 <br/>該可動構件構造成隨著從該電致動器的該輸出部分經由該第二偏轉構件傳遞之該致動力，沿著該第一方向相對於該基座構件移動。
如請求項28所述之變速器，其中 <br/>一保護構件，其樞轉耦接到該基座構件、該可動構件、該連桿和該電致動器之至少一者，其中 <br/>該第二偏轉構件、一輸出構件和該保護構件構造成隨著該電致動器的該輸出部分之該第一旋轉，將該致動力傳遞到該第一連桿。
如請求項25所述之變速器，其中 <br/>該第一偏轉構件構造成隨著該電致動器的該輸出部分沿著第二旋轉方向之一第二旋轉，將一致動力傳遞到該第二連桿。
如請求項31所述之變速器，其中 <br/>一保護構件，其樞轉耦接到該基座構件、該可動構件、該連桿和該電致動器之至少一者，其中 <br/>該第一偏轉構件、一輸出構件和一保護構件構造成隨著該電致動器的該輸出部分之該第二旋轉，將一致動力傳遞到該第二連桿。
如請求項1所述之變速器，其中 <br/> 該第二偏轉構件構造成，從一第一樞轉軸樞轉觀察時，至少部分地設置在一第一連桿與一第二連桿之間。
如請求項14所述之變速器，其中 <br/> 該第二偏轉構件構造成，從一第一樞轉軸樞轉觀察時，至少部分地設置在一第一連桿與一第二連桿之間。
如請求項1所述之變速器，其中 <br/> 一保護構件，其樞轉耦接到該基座構件、該可動構件、該連桿和該電致動器之至少一者，其中 <br/> 該第一偏轉構件安裝在該保護構件上。
如請求項14所述之變速器，其中 <br/> 一保護構件，其樞轉耦接到該基座構件、該可動構件、該連桿和該電致動器之至少一者，其中 <br/> 該第一偏轉構件安裝在該保護構件上。
一種層合玻璃用中間膜，其具備層X，該層X包含具備下述第1構成、下述第2構成及下述第3構成中之至少1種構成之摻錫氧化銦粒子、及熱塑性樹脂， <br/>上述熱塑性樹脂為聚乙烯縮醛樹脂， <br/>中間膜之平均厚度為0.1mm以上3mm以下， <br/>第1構成：於將上述摻錫氧化銦粒子之廣角X射線散射中之波峰之積分強度之總和設為I<sub>t</sub>、(222)面之波峰之積分強度設為I<sub>0</sub>時，I<sub>0</sub>/I<sub>t</sub>未達0.380， <br/>第2構成：於將上述摻錫氧化銦粒子之廣角X射線散射中之(222)面之波峰之積分強度設為I<sub>0</sub>、(622)面之波峰之積分強度設為I<sub>a</sub>時，I<sub>a</sub>/I<sub>0</sub>為0.31以上， <br/>第3構成：於將上述摻錫氧化銦粒子之廣角X射線散射中之(222)面之波峰之積分強度設為I<sub>0</sub>、(440)面之波峰之積分強度設為I<sub>b</sub>時，I<sub>b</sub>/I<sub>0</sub>為0.41以上。
如請求項1之層合玻璃用中間膜，其中上述摻錫氧化銦粒子具備上述第1構成。
如請求項1之層合玻璃用中間膜，其中上述摻錫氧化銦粒子具備上述第2構成。
如請求項1之層合玻璃用中間膜，其中上述摻錫氧化銦粒子具備上述第3構成。
如請求項1至4中任一項之層合玻璃用中間膜，其中上述摻錫氧化銦粒子具備上述第1構成、上述第2構成及上述第3構成中之至少2種構成。
如請求項1至4中任一項之層合玻璃用中間膜，其中上述摻錫氧化銦粒子具備上述第1構成、上述第2構成、及上述第3構成。
如請求項1至4中任一項之層合玻璃用中間膜，其中相對於上述層X中之上述熱塑性樹脂100重量份，上述層X中之上述摻錫氧化銦粒子之含量為0.1重量份以上3重量份以下。
如請求項1至4中任一項之層合玻璃用中間膜，其中上述層X包含塑化劑。
如請求項8之層合玻璃用中間膜，其中上述塑化劑為有機酯塑化劑。
如請求項8之層合玻璃用中間膜，其中相對於上述層X中之上述熱塑性樹脂100重量份，上述層X中之上述塑化劑之含量為20重量份以上60重量份以下。
如請求項1至4中任一項之層合玻璃用中間膜，其中上述摻錫氧化銦粒子之平均粒徑為10 nm以上100 nm以下。
如請求項1至4中任一項之層合玻璃用中間膜，其中上述摻錫氧化銦粒子之晶格常數為10.11 Å以上10.16 Å以下。
一種層合玻璃，其具備： <br/>第1層合玻璃構件、 <br/>第2層合玻璃構件、及 <br/>如請求項1至12中任一項之層合玻璃用中間膜，且 <br/>上述層合玻璃用中間膜配置於上述第1層合玻璃構件與上述第2層合玻璃構件之間。
一種雷射加工用保護膜劑，其由包含水溶性樹脂、有機溶劑及光吸收劑之溶液所構成， <br/>換算成200倍稀釋溶液時，該溶液在波長532nm之吸光度係每1cm光路徑長為0.05以上， <br/>該溶液的pH為3以上且小於5。
如請求項1之雷射加工用保護膜劑，其中，該光吸收劑為多羥基蒽醌（polyhydroxy anthraquinone）衍生物。
如請求項2之雷射加工用保護膜劑，其中，該多羥基蒽醌衍生物為胭脂蟲酸。
一種雷射加工用保護膜劑，其由包含水溶性樹脂、有機溶劑及多羥基蒽醌衍生物之溶液所構成， <br/>換算成200倍稀釋溶液時，該溶液在波長532nm之吸光度係每1cm光路徑長為0.05以上， <br/>該多羥基蒽醌衍生物為胭脂蟲酸。
如請求項1至4中任一項之雷射加工用保護膜劑，其中，該溶液的pH為3以上且4以下。
一種被加工物的加工方法，其加工被加工物，且包含： <br/>保護膜形成步驟，其將如請求項1至4中任一項之雷射加工用保護膜劑塗布於該被加工物的被加工面，而形成被覆該被加工面之保護膜；以及 <br/>加工步驟，其將會被該被加工物及該保護膜吸收之波長的雷射光束，透過該保護膜而照射至該被加工物，加工該被加工物。
一種原子力顯微術(atomic force microscopy, AFM)的方法，該方法包括： <br/> 在樣本的感興趣區域中提供探針和該樣本之間的相對掃描運動以執行具有快掃描軸和慢掃描軸的資料掃描； <br/> 在該提供步驟期間檢測探針偏轉，該探針偏轉指示該樣本表面的形貌； <br/> 基於該檢測步驟產生表面資料； <br/> 在該檢測步驟的同時利用感測器測量該AFM的該探針與該樣本之間的Z高度； <br/> 基於該測量步驟產生Z高度資料； <br/> 從該Z高度資料中擷取低解析度形貌參考資料以獲得在該資料掃描的該慢掃描軸上的Z高度資料； <br/> 將該表面資料映射到該低解析度形貌參考資料以校正AFM潛變；以及 <br/> 基於該映射步驟產生最終資料圖像。
根據請求項1所述的方法，其中，在該提供和檢測步驟期間即時執行產生最終資料圖像的步驟。
根據請求項1所述的方法，其中，該測量步驟是利用耦合到該AFM的頭部的感測器來執行。
根據請求項3所述的方法，其中，該感測器由安裝在該AFM頭部中的致動器來支撐。
根據請求項3所述的方法，其中，該感測器是電容感測器。
根據請求項4所述的方法，其中，該致動器是壓電管掃描器。
根據請求項1所述的方法，其中，該低解析度形貌參考資料定義參考平面。
根據請求項1所述的方法，其中，該檢測步驟以輕敲模式、峰值力輕敲(peak force tapping, PFT)模式和接觸模式之一執行。
一種原子力顯微鏡(atomic force microscope, AFM)，包括： <br/> 掃描器，在具有快掃描軸和慢掃描軸的資料掃描中提供該AFM的探針和樣本之間的相對掃描運動； <br/> 檢測器，在AFM操作期間回應於探針-樣本相互作用測量該探針的偏轉，該偏轉指示樣本形貌並被儲存為表面資料； <br/> 感測器，用於在測量探針偏轉的同時測量該探針和該樣本之間的Z高度，Z高度被儲存為Z高度資料；以及 <br/> 處理器，從該Z高度資料中擷取參考資料，該參考資料是該資料掃描的該慢掃描軸中的Z高度資料，並將該表面資料映射到該參考資料以產生針對潛變進行校正的該樣本的最終資料圖像。
根據請求項9所述的AFM，其中，該參考資料是低解析度形貌資料。
根據請求項9所述的AFM，其中，該處理器在AFM操作期間將該表面資料即時映射到該參考資料。
根據請求項9所述的AFM，其中，該掃描器是壓電管掃描器。
根據請求項9所述的AFM，其中，該感測器是耦合到該掃描器的電容感測器。
根據請求項10所述的AFM，其中，該AFM以峰值力輕敲(PFT)模式、接觸模式和輕敲模式之一操作。
一種紡車式捲線器的軸環構件， <br/> 是紡車式捲線器所使用的軸環構件，具有：對於捲線器本體朝前後方向移動的捲筒軸、及繞前述捲筒軸周圍旋轉的小齒輪、及與前述小齒輪一體地旋轉的轉子螺帽、及被配置於前述捲筒軸及前述轉子螺帽的徑方向之間將前述轉子螺帽可旋轉地支撐的軸承， <br/> 前述軸環構件，包含讓捲筒軸插通的內周部，且被配置於前述捲筒軸及前述軸承的徑方向之間，在徑方向與軸承的內輪接觸，藉由具有10×10<sup>-6</sup>(1/℃)以上且50×10<sup>-6</sup>(1/℃)以下的線膨脹係數及0.15以上且0.40以下的動摩擦係數的樹脂材料而形成。
如請求項1的紡車式捲線器的軸環構件，其中， <br/> 前述樹脂材料是包含碳。
如請求項2的紡車式捲線器的軸環構件，其中， <br/> 前述碳是碳纖維。
如請求項3的紡車式捲線器的軸環構件，其中， <br/> 前述碳纖維的含量是樹脂材料的10～25重量百分比。
一種紡車式捲線器，具備： <br/> 捲線器本體、及 <br/> 對於前述捲線器本體可朝前後方向移動地被支撐的捲筒軸、及 <br/> 被配置於前述捲筒軸的徑方向外側對於前述捲筒軸旋轉的小齒輪、及 <br/> 被配置於前述小齒輪的徑方向外側與前述小齒輪一體地旋轉的轉子、及 <br/> 限制前述轉子對於前述小齒輪朝前方移動並與前述小齒輪一體地旋轉的轉子螺帽、及 <br/> 在徑方向被配置於前述捲筒軸及前述轉子螺帽之間將前述轉子螺帽對於前述捲筒軸可旋轉地支撐的軸承、及 <br/> 如請求項1至4中任一項的軸環構件。
一種釣力閥墊圈，是用於釣魚用捲線器且藉由相對於釣力閥墊片相對旋轉讓支承面成為滑動面； <br/> 上述釣力閥墊圈，具有： <br/> 纖維長度方向朝向沿著旋轉軸的方向的第1纖維、 <br/> 及上述纖維長度方向相對於上述滑動面大致平行的第2纖維； <br/> 上述釣力閥墊圈是由氈材所構成， <br/> 上述氈材，以上述第1纖維與上述第2纖維相對於上述滑動面在厚度方向交叉而纏繞而形成的，且上述第1纖維的纖維長度方向相對於上述滑動面的角度為60˚~90˚的範圍。
如請求項1的釣力閥墊圈，其中，上述第1纖維的纖維長度方向的長度為0.5mm以上。
如請求項2的釣力閥墊圈，其中，上述第1纖維的纖維長度方向的長度為0.8mm以上。
如請求項1至3中任一項的釣力閥墊圈，其中，上述第1纖維是較上述第2纖維更高強度的纖維。
如請求項1至3中任一項的釣力閥墊圈，其中，上述第1纖維與上述第2纖維為一條纖維。
如請求項1至3中任一項的釣力閥墊圈，其中，上述氈材為密度0.35g/cm<sup>3</sup>以上且0.8g/cm<sup>3</sup>以下的羊毛。
一種釣魚用捲線器，是使用請求項1至6中任一項的釣力閥墊圈。
一種GaN基發光二極體（1），包括：<br/> - n-GaN基電子注入區（10），<br/> - p-GaN基空穴注入區（11, 11'），<br/> - 位於電子注入區（10）和空穴注入區（11、11'）之間的有源區（101），配置為用於發射光輻射，<br/> 其中，該空穴注入區（11、11'）包括至少一個活化部分（11'）和至少一個非活化部分（11''），使得活化部分（11'）的受體濃度為非活化部分（11''）的受體濃度的至少十倍，並且該至少一個非活化部分（11''）介於電子注入區（10）和氫阻擋層（12）之間，該氫阻擋層（12）被配置為在活化部分（11'）的活化期間防止氫從非活化部分（11''）的釋放。
根據請求項1所述之發光二極體（1），其中，該氫阻擋層（12）覆蓋該空穴注入區（11）的僅該至少一個非活化部分（11''）。
根據請求項1或2所述之發光二極體（1），包括介於該氫阻擋層（12）和該非活化部分（11''）之間的所謂的儲氫層（15），該儲氫層（15）被配置為至少在活化部分（11'）的活化期間在非活化部分（11''）內提供氫補充。
根據請求項3所述之發光二極體（1），其中，該儲氫層（15）基於氫原子濃度為0.1至20％的氮化矽。
根據請求項1或2所述之發光二極體（1），其中，該氫阻擋層（12）與該至少一個非活化部分（11''）直接接觸。
根據請求項1或2所述之發光二極體（1），其中，該非活化部分（11''）的缺陷水準大於該活化部分（11'）的缺陷水準。
根據請求項1或2所述之發光二極體（1），還包括延伸與該氫阻擋層（12）接觸的鈍化層（13）。
根據請求項1或2所述之發光二極體（1），其中，該有源區（101）位於該空穴注入區和電子注入區(11、10)之間的PN結內。
根據請求項1或2所述之發光二極體（1），其中，該氫阻擋層（12）基於AlN、n-GaN、n-AlGaN中的至少一種。
根據請求項1或2所述之發光二極體（1），其中，該電子注入區和空穴注入區(10、11)沿基平面（xy）延伸，其中，該氫阻擋層（12）具有至少一個開口，該開口配置為暴露空穴注入區（11）的活化部分（11'）。
根據請求項1或2所述之發光二極體（1），其中，該電子注入區（10）沿縱向方向（z）以線的形式縱向延伸且空穴注入區（11）圍繞電子注入區（10）徑向延伸，使得二極體（1）具有所謂的核殼結構，並且其中氫阻擋層（12）以環形的形式圍繞非活化部分（11''）徑向延伸。
根據請求項11所述之發光二極體（1），其中，該氫阻擋層（12）呈環形，位於承載在襯底（2）上的該二極體（1）的基部處。
根據請求項11所述之發光二極體（1），其中，該氫阻擋層（12）具有沿縱向方向（z）的高度h<sub>12</sub>，該高度h<sub>12</sub>為二極體在縱向方向（z）上的高度h<sub>d</sub>的30％至50％。
根據請求項11所述之發光二極體（1），還包括在非活化部分（11''）和氫阻擋層（12）之間圍繞非活化部分（11''）徑向延伸的儲氫層（15）。
根據請求項11所述之發光二極體（1），還包括圍繞該氫阻擋層（12）徑向延伸的鈍化層（13）。
一種GaN基發光二極體（1）的製造方法，至少包括以下步驟：<br/> - 形成n-GaN基電子注入區（10），<br/> - 形成p-GaN基空穴注入區（11），<br/> - 形成位於電子注入區（10）和空穴注入區（11）之間的有源區（101），該有源區（101）配置為發射光輻射，<br/> - 熱活化，配置為活化該空穴注入區（11、11'），<br/> 其中，在活化之前，僅在空穴注入區（11）的一部分（11''）上形成氫阻擋層（12），從而防止在空穴注入區(11)的該部分（11''）處的活化，該部分（11''）稱為非活化部分（11''），並且該活化對空穴注入區（11）的另一部分（11'）有效，該另一部分（11'）稱為活化部分（11'），並且該非活化部分（11''）介於電子注入區（10）和氫阻擋層（12）之間。
根據請求項16所述之方法，還包括在形成該氫阻擋層（12）之前，在該非活化部分（11''）上方形成儲氫層（15），使得該儲氫層（15）介於非活化部分（11''）和氫阻擋層（12）之間。
根據請求項16或17所述之方法，還包括：在活化之前，在該氫阻擋層（12）上方形成鈍化層（13）。
根據請求項16或17所述之方法，還包括：在該空穴注入區（11）的活化部分（11'）上方形成導電透明電極（14）。
根據請求項19所述之方法，其中該導電透明電極（14）的形成包括熱退火，其中熱活化被配置為替代該熱退火。
根據請求項16或17所述之方法，其中，該電子注入區（10）從襯底（2）沿垂直於襯底（2）的基平面（xy）的縱向方向（z）以線的形式形成，其中該空穴注入區（11）圍繞該電子注入區（10）徑向形成，使得該二極體（1）具有所謂的核殼結構，其中，氫阻擋層（12）圍繞該空穴注入區（11）的部分（11''）以環的形式徑向形成，該部分（11''）位於二極體（1）的基部與襯底（2）接觸，使得該空穴注入區（11）的非活化部分（11''）位於二極體（1）的基部處。
根據請求項21所述之方法，其中，該環形的氫阻擋層（12）的形成包括以下子步驟：<br/> - 在核-殼二極體（1）上方保形沉積氫阻擋層（12），<br/> - 在氫阻擋層（12）上方保形沉積鈍化層（13），<br/> - 圍繞鈍化層（13）離心沉積高度h22的掩蔽材料(22)，<br/> - 通過各向同性蝕刻部分去除線的上部（1a）處的鈍化層（13），<br/> - 去除掩蔽材料（22），<br/> - 通過各向同性蝕刻部分去除線的上部（1a）處的氫阻擋層（12）。
一種多層薄膜，其依序具備：<br/> 第一外層，其係含有丙烯均聚物(A)及丙烯-乙烯隨機共聚物(B)的熱封層；<br/> 內層，其係含有丙烯-乙烯嵌段共聚物(C)及乙烯-丙烯共聚物彈性體(D)；以及<br/> 第二外層，其係含有丙烯均聚物(A)及丙烯-乙烯隨機共聚物(B)；<br/> 該第一外層、該內層及該第二外層之至少任一層進一步含有多酚化合物，以該多層薄膜之總量為基準，該多酚化合物之含量為1.5～8.0質量%。
如請求項1之多層薄膜，其中該內層含有90～50質量份的該丙烯-乙烯嵌段共聚物(C)及10～50質量份的該乙烯-丙烯共聚物彈性體(D)，且進一步含有該多酚化合物。
如請求項1或2之多層薄膜，其中該第一外層及第二外層含有70～30質量份的該丙烯均聚物(A)及30～70質量份的該丙烯-乙烯隨機共聚物(B)，且進一步含有該多酚化合物。
如請求項1或2之多層薄膜，其中該多酚化合物為縮合型單寧。
如請求項1或2之多層薄膜，其中以該多層薄膜之厚度為基準，該第一外層及該第二外層之總厚為25～42%。
如請求項1或2之多層薄膜，其中該內層之厚度為30μm以上。
一種包裝材料，其具備如請求項1至6中任一項之多層薄膜與基材。
一種包裝體，其係由如請求項7之包裝材料所製袋者。
一種系統單晶片（SoC），包括：<br/> 一第一小晶片，其包括：<br/> 一第一感測器集合，其被配置為遍及該第一小晶片量測第一感知參數；<br/> 一第一電源控制器，其被配置為從該第一感測器集合接收第一感知資訊；及<br/> 一第一通訊介面，其被配置為基於該第一感知資訊從該第一電源控制器接收一第一電壓改變訊息；<br/> 一第二小晶片，其包括：<br/> 一第二感測器集合，其被配置為遍及該第二小晶片量測第二感知參數；<br/> 一第二電源控制器，其被配置為從該第二感測器集合接收第二感知資訊；<br/> 一第二通訊介面，其被配置為基於該第二感知資訊從該第二電源控制器接收一第二電壓改變訊息；及<br/> 一表決計數器，其被配置為利用一表決計數器值來初始化，且回應於接收到該第二電壓改變訊息來調整該第二小晶片的一電壓而使該表決計數器遞增；<br/> 耦合到該第一小晶片和該第二小晶片的一共享電源軌；及<br/> 一電源管理積體電路（PMIC），其被配置為跨該共享電源軌向該第一小晶片和該第二小晶片供應電力，其中：<br/> 該第一通訊介面被配置為從該第二通訊介面接收該第二電壓改變訊息；<br/> 該第一通訊介面被配置為基於該第一電壓改變訊息和該第二電壓改變訊息來向該PMIC發送一電源軌調整訊息；及<br/> 該PMIC被配置為基於該電源軌調整訊息來調整該第一小晶片和該第二小晶片中的至少一者的電壓。
根據請求項1之SoC，亦包括：<br/> 可通訊地連接該PMIC、該第一小晶片和該第二小晶片的一介面匯流排，其中該介面匯流排是一系統電源管理介面（SPMI）。
根據請求項2之SoC，其中：<br/> 該第二小晶片亦被配置為基於該第二感知資訊來向該PMIC發送一獨立的電源軌調整訊息，以及<br/> 該PMIC亦被配置為基於該獨立的電源軌調整訊息來調整該第二小晶片的電壓。
根據請求項1之SoC，亦包括：<br/> 可通訊地連接該PMIC和該第一小晶片的一介面間電路（I<sup>2</sup>C）匯流排，<br/> 其中該第一小晶片被配置為跨該I<sup>2</sup>C匯流排向該PMIC發送該電源軌調整訊息。
根據請求項1之SoC，亦包括：<br/> 一控制器到控制器介面，其被配置為將該電壓改變訊息從該第二小晶片傳送到該第一小晶片。
根據請求項1之SoC，亦包括：<br/> 由該第一小晶片和該第二小晶片共享並且由該PMIC控制的一電源軌，<br/> 其中該PMIC被配置為經由調整跨該電源軌的電壓來調整該第一小晶片和該第二小晶片中的至少一者的一電壓。
根據請求項6之SoC，其中該電源軌是一嵌入式記憶體（MX）電源軌或一核心邏輯（CX）電源軌。
根據請求項1之SoC，亦包括：<br/> 一第三小晶片，其被配置為經由遍及該第三小晶片量測第三感知參數來獲得第三感知資訊，並且被配置為基於該第三感知資訊來向該第一小晶片發送該第二電壓改變訊息，<br/> 其中該電源軌調整訊息是部分地基於該第二電壓改變訊息的，並且<br/> 其中該PMIC被配置為調整該第一小晶片、該第二小晶片和該第三小晶片中的至少一項的電壓。
根據請求項1之SoC，其中該第一感知資訊和該第二感知資訊包括溫度資訊、電壓資訊或電流資訊中的至少一項。
一種用於一系統單晶片（SoC）內的多個小晶片的電源管理的方法，包括以下步驟：<br/> 經由一第二小晶片電源控制器，遍及一第二小晶片來獲得第二小晶片感知資訊；<br/> 利用一表決計數器值來初始化該第二小晶片上的一表決計數器；<br/> 經由該第二小晶片電源控制器，基於該第二小晶片感知資訊來決定是否應當調整該第二小晶片的一電壓；<br/> 回應於決定應當調整該第二小晶片的該電壓，使該表決計數器遞增，其中該表決計數器是針對獲得第二小晶片感測資訊的每個反覆運算而遞增，該第二小晶片感測資訊指示應當調整該第二小晶片的該電壓；<br/> 回應於該表決計數器達到該表決計數器值，從一第二小晶片通訊介面向一第一小晶片的一第一小晶片通訊介面發送一電壓改變訊息；<br/> 經由該第一小晶片通訊介面，基於該電壓改變訊息來產生一電源軌調整訊息；<br/> 經由該第一小晶片通訊介面，向一電源管理積體電路（PMIC）發送該電源軌調整訊息；及<br/> 經由該PMIC，基於該電源軌調整訊息來調整跨由該第一小晶片和該第二小晶片共享的一電源軌的一電壓。
根據請求項10之方法，其中該第二小晶片感知資訊包括溫度資訊、電壓資訊或電流資訊中的至少一項。
根據請求項11之方法，亦包括以下步驟：<br/> 經由遍及該第二小晶片定位的感測器來量測感知參數，<br/> 其中該第二小晶片感知資訊是基於該感知參數的。
根據請求項10之方法，其中基於該第二小晶片感知資訊來決定是否應當調整該第二小晶片的一電壓亦包括以下步驟：決定該第二小晶片感知資訊是否指示一感知參數在一閥值範圍之外。
根據請求項10之方法，亦包括以下步驟：<br/> 經由一第一小晶片電源控制器，遍及該第一小晶片來獲得第一小晶片感知資訊；及<br/> 經由該第一小晶片電源控制器，基於該第一小晶片感知資訊來決定是否應當調整該第一小晶片的一電壓，<br/> 其中基於該電壓改變訊息來產生該電源軌調整訊息亦包括：回應於決定應當調整該第一小晶片的一電壓，基於該電壓改變訊息和該第一小晶片感知資訊來產生該電源軌調整訊息。
根據請求項10之方法，其中：<br/> 遍及該第二小晶片來獲得第二小晶片感知資訊包括以下步驟：遍及該第二小晶片反覆運算地獲得第二小晶片電源資訊；<br/> 利用該表決計數器值來初始化該第二小晶片上的該表決計數器包括以下步驟：利用一向下計數器值來初始化該第二小晶片上的一向下表決計數器；<br/> 經由該第二小晶片電源控制器基於該第二小晶片感知資訊來決定是否應當調整該第二小晶片的該電壓包括以下步驟：基於該第二小晶片電源資訊來決定是否應當降低該第二小晶片的電壓；<br/> 回應於決定應當調整該第二小晶片的該電壓而使該表決計數器遞增包括以下步驟：回應於決定應當降低該第二小晶片的電壓來將該向下表決計數器遞增；<br/> 回應於該表決計數器達到該表決計數器值而發送該電壓改變訊息包括以下步驟：回應於該向下表決計數器達到該向下表決計數器值來發送該電壓改變訊息。
根據請求項10之方法，亦包括以下步驟：<br/> 從該第一小晶片向該第二小晶片發送一重置訊息以使得該第二小晶片重置該表決計數器。
根據請求項10之方法，亦包括以下步驟：<br/> 利用一時間限制值來初始化一聚合訊窗，其中該電源軌調整訊息是在該聚合訊窗到期時產生的。
根據請求項10之方法，亦包括以下步驟：<br/> 在該第二小晶片中初始化包括該第二小晶片的一先前電壓建議的一表決表，其中基於該第二小晶片感知資訊來決定是否應當調整該第二小晶片的電壓包括將由該第二小晶片感知資訊指示的一當前電壓建議與該先前電壓建議進行比較；及<br/> 回應於決定該先前電壓建議與該當前電壓建議不匹配，從該第二小晶片向該第一小晶片發送一電壓改變訊息。
根據請求項10之方法，亦包括以下步驟：<br/> 在該第一小晶片中初始化包括該第二小晶片的一先前電壓建議的一全域表決表；<br/> 將在該電壓改變訊息中指示的一當前電壓建議與該先前電壓建議進行比較；及<br/> 改變該先前電壓建議以匹配該當前電壓建議；<br/> 其中產生該電源軌調整訊息包括以下步驟：回應於決定該當前電壓建議與該先前電壓建議不匹配，來產生該電源軌調整訊息。
一種用於一第一小晶片管理一系統單晶片（SoC）內的多個小晶片的一電源軌的方法，包括以下步驟：<br/> 回應於在一第二小晶片上初始化的一表決計數器達到一表決計數器值，在該第一小晶片處從該第二小晶片接收包括遍及該第二小晶片量測的第二小晶片感知資訊的一電壓改變訊息；其中該表決計數器是針對反覆運算而獲得的每個第二小晶片感測資訊而遞增，該第二小晶片感測資訊指示應當調整該第二小晶片的該電壓；<br/> 基於該電壓改變訊息來決定是否應當調整該第二小晶片的一電壓；及<br/> 回應於決定應當調整該第二小晶片的電壓來向一電源管理積體電路（PMIC）發送一電源軌調整訊息，其中該電源軌調整訊息包括使得該PMIC調整該第二小晶片的一電壓的指令。
根據請求項20之方法，亦包括以下步驟：<br/> 遍及該第一小晶片來獲得第一小晶片感知資訊；<br/> 基於該第一小晶片感知資訊來決定是否應當調整該第一小晶片的一電壓；及<br/> 回應於決定應當調整該第一小晶片的一電壓，基於來自該第二小晶片的該電壓改變訊息和該第一小晶片感知資訊來產生該電源軌調整訊息。
根據請求項20之方法，亦包括以下步驟：<br/> 利用一時間限制值來初始化一聚合訊窗，其中該電源軌調整訊息是在該聚合訊窗到期時產生的。
根據請求項20之方法，亦包括以下步驟：<br/> 在該第一小晶片中初始化包括該第二小晶片的一先前電壓建議的一全域表決表；<br/> 將在該電壓改變訊息中指示的一當前電壓建議與該先前電壓建議進行比較；<br/> 回應於決定該當前電壓建議與該先前電壓建議不匹配，來產生該電源軌調整訊息；及<br/> 改變該先前電壓建議以匹配該當前電壓建議。
一種系統單晶片（SoC），包括：<br/> 一第一小晶片；<br/> 一第二小晶片；<br/> 用於遍及該第二小晶片來獲得第二小晶片感知資訊的單元；<br/> 用於利用一表決計數器值在該第二小晶片上初始化一表決計數器的單元；<br/> 用於基於該第二小晶片感知資訊來決定是否應當調整該第二小晶片的一電壓的單元；<br/> 用於回應於決定應當調整該第二小晶片的該電壓而使該表決計數器遞增的單元，其中該表決計數器是針對獲得第二小晶片感測資訊的每個反覆運算而遞增，該第二小晶片感測資訊指示應當調整該第二小晶片的該電壓；<br/> 用於回應於該表決計數器達到該表決計數器值，從該第二小晶片向該第一小晶片發送一電壓改變訊息的單元；<br/> 用於基於該電壓改變訊息來產生一電源軌調整訊息的單元；<br/> 用於從該第一小晶片向一電源管理積體電路（PMIC）發送該電源軌調整訊息的單元；及<br/> 用於經由該PMIC，基於該電源軌調整訊息來調整跨由該第一小晶片和該第二小晶片共享的一電源軌的一電壓的單元。
根據請求項24之SoC，亦包括：<br/> 用於量測感知參數的單元，其中該第二小晶片感知資訊是基於該感知參數的。
根據請求項24之SoC，亦包括：<br/> 用於遍及該第一小晶片來獲得第一小晶片感知資訊的單元；及<br/> 用於基於該第一小晶片感知資訊來決定是否應當調整該第一小晶片的一電壓的單元，<br/> 其中用於基於該電壓改變訊息來產生該電源軌調整訊息的單元包括：用於回應於決定應當調整該第一小晶片的一電壓，基於該電壓改變訊息和該第一小晶片感知資訊來產生該電源軌調整訊息的單元。
根據請求項24之SoC，其中：<br/> 用於利用該表決計數器值在該第二小晶片上初始化該表決計數器的單元包括：用於利用一向下計數器值來初始化該第二小晶片上的一向下表決計數器的單元，<br/> 用於基於該第二小晶片感測訊息來決定是否應當調整該第二小晶片的該電壓的單元包括：用於基於該第二小晶片電源資訊來決定是否應當降低該第二小晶片的電壓的單元；及<br/> 用於回應於決定應當調整該第二小晶片的該電壓而使該表決計數器遞增的單元包括：用於回應於決定應當降低該第二小晶片的電壓來將該向下表決計數器遞增的單元；<br/> 用於回應於該表決計數器達到該表決計數器值而發送該電壓改變訊息的單元包括：用於回應於該向下表決計數器達到該向下表決計數器值來發送該電壓改變訊息的單元。
根據請求項24之SoC，亦包括：<br/> 用於從該第一小晶片向該第二小晶片發送一重置訊息以使得該第二小晶片重置該向下表決計數器的單元。
根據請求項24之SoC，亦包括：<br/> 用於利用一時間限制值來初始化一聚合訊窗的單元，其中該電源軌調整訊息是在該聚合訊窗到期時產生的。
根據請求項24之SoC，亦包括：<br/> 用於在該第二小晶片中初始化包括該第二小晶片的一先前電壓建議的一表決表的單元，其中用於基於該第二小晶片感知資訊來決定是否應當調整該第二小晶片的電壓的單元包括用於將由該第二小晶片感知資訊指示的一當前電壓建議與該先前電壓建議進行比較的單元；及<br/> 用於回應於決定該先前電壓建議與該當前電壓建議不匹配，從該第二小晶片向該第一小晶片發送一電壓改變訊息的單元。
根據請求項25之SoC，亦包括：<br/> 用於在該第一小晶片中初始化包括該第二小晶片的一先前電壓建議的一全域表決表的單元；<br/> 用於將在該電壓改變訊息中指示的一當前電壓建議與該先前電壓建議進行比較的單元；及<br/> 用於改變該先前電壓建議以匹配該當前電壓建議的單元；<br/> 其中用於產生該電源軌調整訊息的單元包括：用於回應於決定該當前電壓建議與該先前電壓建議不匹配，來產生該電源軌調整訊息的單元。
一種防水構造，設置於紡車式捲線器，上述紡車式捲線器具備有：設置於捲線器主體且配置於捲筒軸的外周的筒狀構件、及設置於上述筒狀構件的前部的轉子； <br/> 上述防水構造具有：將上述筒狀構件與上述轉子之間涵蓋整個圓周予以防水的密封構件； <br/> 在上述密封構件具備有主緣部，上述主緣部在上述捲筒軸的軸方向相對於上述轉子液密性地抵接； <br/> 在上述轉子及上述筒狀構件的其中至少一方設置有環狀壁部，上述環狀壁部將上述主緣部所抵接的接觸部從外周側涵蓋整個圓周予以覆蓋； <br/> 上述主緣部，在上述軸方向隨著朝向上述轉子而逐漸從徑向的內周側朝外周側延伸。
如請求項1的防水構造，其中，在上述密封構件，在上述接觸部與上述環狀壁部之間設置有輔助緣部，上述輔助緣部以相對於上述轉子隔著間隙的狀態朝上述捲筒軸方向延伸。
如請求項2的防水構造，其中，在以上述主緣部、上述輔助緣部、及上述轉子所包圍的區域充填有潤滑劑。
如請求項1至3中任一項的防水構造，其中，在上述環狀壁部的表面實施有撥水加工。
一種紡車式捲線器，具備有請求項1至4中任一項的防水構造。
一種光與濕氣硬化型樹脂組成物，其包含自由基聚合性化合物（A）、濕氣硬化性樹脂（B）、光聚合起始劑（C）、及於分子內具有3個以上異氰酸基之化合物（D）， <br/>上述化合物（D）包含於分子內具有5個以上異氰酸基之化合物； <br/>上述光與濕氣硬化型樹脂組成物之使用錐板型黏度計，於25℃、5.0 rpm之條件下所測得之黏度為40 Pa・s以上且600 Pa・s以下。
如請求項1之光與濕氣硬化型樹脂組成物，其中，上述於分子內具有5個以上異氰酸基之化合物為聚亞甲基聚苯基多異氰酸酯。
如請求項1或2之光與濕氣硬化型樹脂組成物，其以線寬1.0 mm塗佈於鋁基板，並照射1000 mJ/cm<sup>2</sup>之紫外線而使其光硬化之狀態下，當使玻璃板以0.08 MPa壓接120秒鐘之情形時，若將玻璃板側之接著部分之平均寬度設為a，將鋁基板側之接著部分之平均寬度設為b，則a/b為0.5以上且0.99以下。
如請求項1或2之光與濕氣硬化型樹脂組成物，其中，上述濕氣硬化性樹脂（B）包含濕氣硬化性胺酯（urethane）樹脂。
如請求項1或2之光與濕氣硬化型樹脂組成物，其中，上述濕氣硬化性樹脂（B）之重量平均分子量為7500以上且24000以下。
如請求項1或2之光與濕氣硬化型樹脂組成物，其中，自由基聚合性化合物（A）包含單官能自由基聚合性化合物。
如請求項6之光與濕氣硬化型樹脂組成物，其中，相對於自由基聚合性化合物（A）100質量份，包含90質量份以上之單官能自由基聚合性化合物。
如請求項1或2之光與濕氣硬化型樹脂組成物，其進而包含填充劑（E）。
一種電子零件用接著劑，其係由請求項1至8中任一項之光與濕氣硬化型樹脂組成物所構成。
一種硬化體，其係請求項1至8中任一項之光與濕氣硬化型樹脂組成物之硬化體。
一種電子零件，其包含請求項10之硬化體。
一種精子分選裝置，包含： <br/>垂直排列之一上腔室及一下腔室； <br/>連接至該上腔室之一收集埠； <br/>連接至該下腔室之一注射埠； <br/>設置於該上腔室及該下腔室交界之一多孔層，使精子可往來其間，並延遲其間之熱交換； <br/>一溫控單元用以維持該上腔室之溫度高於該下腔室； <br/>其中該溫控單元包含一單獨加熱該上腔室之熱源。
如請求項1所述之裝置，其中該多孔層為一生物可相容半透膜。
如請求項2所述之裝置，其中該生物可相容半透膜為一聚碳酸酯徑跡蝕刻 (polycarbonate track-etched)透膜或一聚乙烯醇徑跡蝕刻 (polyvinyl alcohol track-etched)透膜。
如請求項1所述之裝置，其中該多孔層之孔徑介於 8-20 微米。
如請求項1所述之裝置，其中該上腔室包含一傾斜頂板，其較低端靠近該收集埠，較高端遠離該收集埠。
如請求項5所述之裝置，該傾斜頂板包含一長條形排氣口於較高端以排出氣泡。
如請求項1所述之裝置，其中該傾斜頂板包含複數通孔使該上腔室與空氣流通。
一種使用請求項1所述之裝置來分選精子之方法，包含： <br/>a) 提供如請求項1所述之裝置； <br/>b) 經由該注射埠注入一未分選之精子群於該下腔室； <br/>c) 經由該收集埠注入一可相容緩衝液於該上腔室； <br/>d) 維持該上腔室之溫度高於該下腔室； <br/>e) 靜置一培養期間； <br/>f) 經由該收集埠收集該上腔室中一已分選之精子群。
如請求項8所述之方法，其中該溫控單元包含與該上腔室熱接觸的一熱源。
如請求項8所述之方法，其中該上腔室高於該下腔室之溫度維持在 1-4 ℃。
如請求項10所述之方法，其中該上腔室及該下腔室之溫度分別維持在 35-38 ℃ 及 30-36 ℃。
如請求項8所述之方法，其中該培養期間介於 15-30 分鐘。
如請求項8所述之方法，其中該可相容緩衝液為含有碳酸氫鹽 (bicarbonate) 或HEPES緩衝之緩衝液。
一種可穿戴設備，包括：<br/> 限定一接收空間的一結構，該接收空間被配置為接收與一使用者相關聯的一手指，該結構包括被配置為接觸經由該接收空間接收的該手指的一第一表面；<br/> 整合到該結構中的一或多個感測器，該一或多個感測器被配置為偵測該結構的至少一部分圍繞該接收空間的一縱軸的一旋轉； <br/> 一發光組件，其被配置為在該結構的該至少一部分之所偵測的旋轉的一旋轉量高於一閾值時發射光，並且在該結構的該至少一部分之所偵測的旋轉的該旋轉量小於該閾值時不發射光，該光被發射以供一電子設備偵測作為一輸入；及<br/> 一無線發射器，其被配置為基於所偵測的旋轉來向該電子設備發送資料。
根據請求項1之可穿戴設備，其中該資料包括與該電子設備處的一擴展現實（XR）應用相關聯的一XR輸入，並且其中為了發送該資料，該可穿戴設備被配置為經由該無線發射器並且向該電子設備發送該XR輸入。
根據請求項2之可穿戴設備，其中該資料包括一或多個旋轉量測，並且其中該一或多個旋轉量測包括以下各項中的至少一項：一旋轉角度、一旋轉速度或一旋轉加速度。
根據請求項2之可穿戴設備，其中該一或多個感測器被配置為偵測以下各項中的至少一項：與接觸該結構的一第二表面的一或多個手指相對應的一觸摸訊號、該結構的一朝向或該結構相對於一或多個物件的一位置，並且其中該資料包括以下各項中的至少一項：該觸摸訊號的一幅度、該結構的該朝向、該結構相對於該一或多個物件的該位置、以及該結構與下列至少一者之間的一距離：直接地或間接地耦合到該可穿戴設備的該電子設備、或與該手指的該相應手不同的一手。
根據請求項4之可穿戴設備，其中該可穿戴設備被配置為：<br/> 經由該無線發射器來向該電子設備發送來自該一或多個感測器的一或多個量測，該一或多個量測對應於該手指的該相應手的一額外朝向，其中該XR輸入係基於該相應手的該額外朝向，以及基於該旋轉或該結構的該朝向中的至少一項。
根據請求項1之可穿戴設備，其中為了偵測該結構的至少一部分圍繞該接收空間的一縱軸的該旋轉，該一或多個感測器被配置為量測以下各項中的至少一項：該結構的一第一部分圍繞該接收空間的該縱軸的一第一旋轉或該結構的一第二部分圍繞該接收空間的該縱軸的一第二旋轉。
根據請求項6之可穿戴設備，其中該第二旋轉在與該第一旋轉相反的一方向上。
根據請求項1之可穿戴設備，其中該資料對應於該電子設備處的一XR應用的一XR輸入，並且其中該XR輸入包括以下各項中的至少一項：滾動由該電子設備渲染的虛擬內容、縮放由該電子設備渲染的一物件、旋轉由該電子設備渲染的該物件、移動由該電子設備渲染的該物件、在由該電子設備渲染的一環境中限定一虛擬平面、或將由該電子設備渲染的一虛擬物件放置在由該電子設備渲染的該環境中的一或多個虛擬平面中。
根據請求項1之可穿戴設備，其中該資料對應於該電子設備處的一XR應用的一XR輸入，並且其中該資料包括來自該一或多個感測器的一或多個量測，該一或多個量測包括以下各項中的至少一項：對應於接觸該結構的一第二表面的一或多個手指的一觸摸訊號、該結構的一朝向、該旋轉、與該手指相關聯的一手的一移動、或該結構相對於一或多個物件的一位置。
根據請求項9之可穿戴設備，其中該XR輸入是基於與該資料中的該一或多個量測相關聯的一或多個屬性，該一或多個屬性包括以下各項中的至少一項：該旋轉的一幅度、該旋轉的一方向、該旋轉的一速度或施加到該結構的一或多個部分的一壓力的一時間長度，該一或多個屬性是經由該一或多個量測來辨識的。
根據請求項9之可穿戴設備，其中該XR輸入是基於與該觸摸訊號相關聯的一或多個屬性，該一或多個屬性包括以下各項中的至少一項：來自接觸該結構的該第二表面的該一或多個手指的壓力的一幅度、當接觸該結構的該第二表面時與該一或多個手指相關聯的一運動、該運動的一方向、在該一或多個手指與該第二表面之間的接觸的一時間長度、或由該一或多個手指對該結構的該第二表面的一接觸模式，該一或多個屬性是經由該一或多個量測來辨識的。
根據請求項9之可穿戴設備，其中該XR輸入包括沿著空間中的多個維度來修改一虛擬元素，該虛擬元素包括以下各項中的至少一項：由該電子設備渲染的一虛擬物件、在由該電子設備渲染的一環境中的一虛擬平面、或由該電子設備渲染的該環境。
根據請求項12之可穿戴設備，其中對該多個維度中的一第一維度的調整是經由以下各項中的至少一項來限定：與該旋轉相關聯的一角度變化、一旋轉速度或一旋轉加速度，其中對該多個維度中的一第二維度的一調整是經由該一或多個量測來限定，並且其中該一或多個量測包括以下各項中的至少一項：與接觸該結構的一第二表面的一或多個手指相對應的一觸摸訊號、該結構的一朝向、或該結構相對於一或多個物件的一位置。
根據請求項9之可穿戴設備，其中該一或多個量測包括對應於與該手指相關聯的該手的該移動的運動量測，並且其中該XR輸入對應於對量測實體空間中的一距離的一請求，該距離是經由該手的該移動來限定的。
根據請求項1之可穿戴設備，其中該可穿戴設備包括一可穿戴環。
根據請求項1之可穿戴設備，其中該可穿戴設備包括一可穿戴環，該可穿戴環包括一外圈和一內圈，該內圈限定該接收空間，並且該一或多個感測器被配置為偵測以下各項中的至少一項：該外圈圍繞該接收空間的該縱軸的一角度變化、一旋轉速度、或一旋轉加速度。
根據請求項1之可穿戴設備，其中當該結構的該至少一部分被旋轉一特定量時，該可穿戴設備被配置為從一關閉狀態打開，或者從一較低功率模式切換到較高功率模式。
根據請求項1之可穿戴設備，其中該電子設備包括一行動設備。
根據請求項18之可穿戴設備，其中該行動設備包括以下各項中的一項：一頭戴式顯示器、一行動電話、一可攜式電腦或智慧手錶。
根據請求項1之可穿戴設備，其中該一或多個感測器包括以下各項中的至少一項：一位置感測器、一加速計、一陀螺儀、一壓力感測器、一音訊感測器、一觸摸感測器或一磁強計。
根據請求項1之可穿戴設備，其中該發光組件被配置為發射該光以供該電子設備的至少一攝影機偵測。
根據請求項1之可穿戴設備，其中該發光組件為一發光二極體（LED）。
根據請求項1之可穿戴設備，其中該輸入的一類型係基於該所偵測的旋轉的該旋轉量的一幅度。
一種由一可穿戴設備進行處理的方法，包括以下步驟：<br/> 經由一可穿戴設備上的一或多個感測器，偵測該可穿戴設備的至少一部分圍繞與該可穿戴設備相關聯的一接收空間的一縱軸的一旋轉，該可穿戴設備包括限定該接收空間的一結構，其中該接收空間被配置為接收與一使用者相關聯的一手指，並且其中該結構包括一第一表面，該第一表面被配置為接觸經由該接收空間接收的該手指；及<br/> 經由該可穿戴設備的一發光組件，在該結構的該至少一部分之所偵測的旋轉的一旋轉量高於一閾值時發射光，其中當該結構的該至少一部分之所偵測的旋轉的該旋轉量小於該閾值時不發射光，該光被發射以供一電子設備偵測作為一輸入。
根據請求項24之方法，亦包括以下步驟：基於所偵測的旋轉，經由該可穿戴設備的一無線發射器來向該電子設備發送資料，其中該資料包括與該電子設備處的一擴展現實（XR）應用相關聯的一XR輸入，並且其中為了發送該資料，該可穿戴設備被配置為經由該無線發射器並且向該電子設備發送該XR輸入。
根據請求項25之方法，其中該資料包括一或多個旋轉量測，並且其中該一或多個旋轉量測包括以下各項中的至少一項：一旋轉角度、一旋轉速度或一旋轉加速度。
根據請求項25之方法，其中該一或多個感測器被配置為偵測以下各項中的至少一項：與接觸該結構的一第二表面的一或多個手指相對應的一觸摸訊號、該結構的一朝向或該結構相對於一或多個物件的一位置，並且其中該資料包括以下各項中的至少一項：該觸摸訊號的一幅度、該結構的該朝向、該結構相對於該一或多個物件的該位置、以及該結構與下列至少一者之間的一距離：直接地或間接地耦合到該可穿戴設備的該電子設備、或與該手指的該相應手不同的一手。
根據請求項27之方法，亦包括以下步驟：<br/> 經由該無線發射器來向該電子設備發送來自該一或多個感測器的一或多個量測，該一或多個量測對應於該手指的該相應手的一額外朝向，其中該XR輸入是基於該相應手的該額外朝向，以及基於該旋轉或該結構的該朝向中的至少一項。
根據請求項24之方法，其中偵測該結構的至少一部分圍繞該接收空間的一縱軸的該旋轉亦包括量測以下各項中的至少一項：該結構的一第一部分圍繞該接收空間的該縱軸的一第一旋轉或該結構的一第二部分圍繞該接收空間的該縱軸的一第二旋轉。
根據請求項29之方法，其中該第二旋轉在與該第一旋轉相反的一方向上。
根據請求項25之方法，其中該資料對應於該電子設備處的一XR應用的一XR輸入，並且其中該XR輸入包括以下各項中的至少一項：滾動由該電子設備渲染的虛擬內容、縮放由該電子設備渲染的一物件、旋轉由該電子設備渲染的該物件、移動由該電子設備渲染的該物件、在由該電子設備渲染的一環境中限定一虛擬平面、或將由該電子設備渲染的一虛擬物件放置在由該電子設備渲染的該環境中的一或多個虛擬平面中。
根據請求項25之方法，其中該資料對應於該電子設備處的一XR應用的一XR輸入，並且其中該資料包括來自該一或多個感測器的一或多個量測，該一或多個量測包括以下各項中的至少一項：對應於接觸該結構的一第二表面的一或多個手指的一觸摸訊號、該結構的一朝向、該旋轉、與該手指相關聯的一手的一移動、或該結構相對於一或多個物件的一位置。
根據請求項32之方法，其中該XR輸入是基於與該資料中的該一或多個量測相關聯的一或多個屬性，該一或多個屬性包括以下各項中的至少一項：該旋轉的一幅度、該旋轉的一方向、該旋轉的一速度或施加到該結構的一或多個部分的一壓力的一時間長度，該一或多個屬性是經由該一或多個量測來辨識的。
根據請求項32之方法，其中該XR輸入是基於與該觸摸訊號相關聯的一或多個屬性，該一或多個屬性包括以下各項中的至少一項：來自接觸該結構的該第二表面的該一或多個手指的壓力的一幅度、當接觸該結構的該第二表面時與該一或多個手指相關聯的一運動、該運動的一方向、在該一或多個手指與該第二表面之間的接觸的一時間長度、或由該一或多個手指對該結構的該第二表面的一接觸模式，該一或多個屬性是經由該一或多個量測來辨識的。
根據請求項32之方法，其中該XR輸入包括沿著空間中的多個維度來修改一虛擬元素，該虛擬元素包括以下各項中的至少一項：由該電子設備渲染的一虛擬物件、在由該電子設備渲染的一環境中的一虛擬平面、或由該電子設備渲染的該環境。
根據請求項35之方法，其中對該多個維度中的一第一維度的一調整是經由以下各項中的至少一項來限定：與該旋轉相關聯的一角度變化、一旋轉速度和一旋轉加速度，其中對該多個維度中的一第二維度的一調整是經由該一或多個量測來限定，並且其中該一或多個量測包括以下各項中的至少一項：與接觸該結構的一第二表面的一或多個手指相對應的一觸摸訊號、該結構的一朝向、或該結構相對於一或多個物件的一位置。
根據請求項32之方法，其中該一或多個量測包括對應於與該手指相關聯的該手的該移動的運動量測，並且其中該XR輸入對應於對量測實體空間中的一距離的一請求，該距離是經由該手的該移動來限定的。
根據請求項24之方法，其中該可穿戴設備包括一可穿戴環。
根據請求項24之方法，其中該可穿戴設備包括一可穿戴環，該可穿戴環包括一外圈和一內圈，該內圈限定該接收空間，並且該一或多個感測器被配置為偵測以下各項中的至少一項：該外圈圍繞該接收空間的該縱軸的一角度變化、一旋轉速度、或一旋轉加速度。
根據請求項24之方法，亦包括以下步驟：<br/> 當該結構的該至少一部分被旋轉一特定量時，調整該可穿戴設備的一狀態，其中調整該狀態包括：將該可穿戴設備的一或多個部件從一關閉狀態打開，或者將該可穿戴設備的該一或多個部件從一較低功率模式切換到較高功率模式。
根據請求項25之方法，其中該電子設備包括一行動設備。
根據請求項41之方法，其中該行動設備包括以下各項中的一項：一頭戴式顯示器、一行動電話、一可攜式電腦或一智慧手錶。
根據請求項24之方法，其中該一或多個感測器包括以下各項中的至少一項：一位置感測器、一加速計、一陀螺儀、一壓力感測器、一音訊感測器、一觸摸感測器或一磁強計。
根據請求項1之可穿戴設備，其中該發光組件為一光探測與測距（LIDAR）組件。
根據請求項24之方法，其中該光係經由該發光組件發射以供該電子設備的至少一攝影機偵測。
根據請求項24之方法，其中該發光組件為一發光二極體（LED）。
根據請求項24之方法，其中該發光組件為一光探測與測距（LIDAR）組件。
根據請求項24之方法，其中該輸入的一類型係基於該所偵測的旋轉的該旋轉量的一幅度。
一種複合粒子，其具有纖維素衍生物粒子與被覆該粒子表面之塗層， <br/>上述塗層由會溶解於水及/或有機溶劑之表面處理化合物形成， <br/>上述表面處理化合物為選自由陽離子界面活性劑、脂肪酸皂及陽離子聚合物所組成之群組中之1種或2種以上，上述脂肪酸皂為高級脂肪酸之鹼金屬鹽， <br/>上述纖維素衍生物粒子之平均粒徑為0.08µm以上100µm以下，球形度為0.7以上1.0以下，及表面平滑度為80%以上100%以下， <br/>上述平均粒徑係藉由動態光散射法測得之體積基準之中值粒徑， <br/>上述表面平滑度係藉由下述測定方法針對隨機選擇之10個粒子測得之表面平滑度的平均值， <br/>[測定方法] <br/>拍攝粒子之2500~5000倍之掃描式電子顯微鏡照片，使用圖像處理裝置使圖像二值化，然後，算出包含1個粒子之中心及/或中心附近之較粒子更小之任意區域內相當於凹凸之凹處之部分之面積率，藉由以下式算出該1個粒子之表面平滑度(%)， <br/>1個粒子之表面平滑度(%) =（1-凹處之面積率）×100， <br/>凹處之面積率=上述任意區域內之凹部之面積/上述任意區域。
如請求項1之複合粒子，其中，上述有機溶劑為醇類。
如請求項1之複合粒子，其中，上述表面處理化合物為選自由氯化二硬脂基二甲基銨、氯化山萮基三甲基銨、氯化硬脂基三甲基銨、硬脂酸鉀、硬脂酸鈉、聚季銨鹽-61及聚季銨鹽-67所組成之群組中之1種或2種以上。
如請求項1之複合粒子，其中，上述表面處理化合物之含有率為0.1重量%以上20重量%以下。
如請求項1之複合粒子，其中，上述纖維素衍生物具有碳數2~20之烷氧基或碳數2~40之醯基。
如請求項1之複合粒子，其中，上述纖維素衍生物為醯化纖維素。
如請求項1之複合粒子，其中，上述纖維素衍生物為乙酸纖維素。
如請求項1之複合粒子，其中，上述纖維素衍生物之總取代度為0.7以上3.2以下。
一種化妝品組成物，其含有請求項1至8中任一項之複合粒子。
一種複合粒子之製造方法，該複合粒子係請求項1至8中任一項之複合粒子，該製造方法包括以下步驟：將纖維素衍生物粒子及表面處理化合物於會溶解該表面處理化合物之溶劑中攪拌混合之混合步驟；及 <br/>於上述混合步驟後，清洗含有上述纖維素衍生物粒子之固形物並使其乾燥之乾燥步驟， <br/>上述表面處理化合物為選自由陽離子界面活性劑、脂肪酸皂及陽離子聚合物所組成之群組中之1種或2種以上，上述脂肪酸皂為高級脂肪酸之鹼金屬鹽， <br/>上述纖維素衍生物粒子之平均粒徑為0.08µm以上100µm以下，球形度為0.7以上1.0以下，及表面平滑度為80%以上100%以下， <br/>上述平均粒徑係藉由動態光散射法測得之體積基準之中值粒徑， <br/>上述表面平滑度係藉由下述測定方法針對隨機選擇之10個粒子測得之表面平滑度的平均值， <br/>[測定方法] <br/>拍攝粒子之2500~5000倍之掃描式電子顯微鏡照片，使用圖像處理裝置使圖像二值化，然後，算出包含1個粒子之中心及/或中心附近之較粒子更小之任意區域內相當於凹凸之凹處之部分之面積率，藉由以下式算出該1個粒子之表面平滑度(%)， <br/>1個粒子之表面平滑度(%) =（1-凹處之面積率）×100， <br/>凹處之面積率=上述任意區域內之凹部之面積/上述任意區域。
如請求項10之製造方法，其中，上述溶劑為水或醇類。
如請求項10之製造方法，其中，上述表面處理化合物之添加量相對於上述纖維素衍生物粒子而為0.1重量%以上20重量%以下。
一種檢測一半導體取樣中的一結構元件的一局部形狀偏差的電腦化系統，該系統包括一處理和記憶體電路（PMC），該處理和記憶體電路（PMC）用於：<br/> 獲得包括該結構元件的一圖像表示的一圖像；<br/> 從該圖像中提取該圖像表示的一實際輪廓；<br/> 估計指示該結構元件的一標準形狀的該圖像表示的一參考輪廓，其中該參考輪廓是基於表示該參考輪廓的一傅立葉描述符估計的，該傅立葉描述符是使用基於一損失函數的一最佳化方法估計的，該損失函數特別選擇為對該實際輪廓的局部形狀偏差的存在不敏感；及<br/> 執行表示該實際輪廓與該參考輪廓之間的一或多個差異的一或多個測量，該測量指示該結構元件中是否存在一局部形狀偏差。
如請求項1所述之電腦化系統，其中該結構元件具有選自包括以下項的一組中的一形狀：一橢圓形、一卵圓形、一矩形或它們的一組合。
如請求項1所述之電腦化系統，其中該局部形狀偏差由該實際輪廓的一局部畸變表示，該局部畸變相對於該結構元件的該標準形狀具有一相對顯著的偏差。
如請求項1所述之電腦化系統，其中該半導體取樣為一記憶體裝置或一邏輯裝置。
如請求項1所述之電腦化系統，其中該實際輪廓是使用一邊緣檢測方法提取的。
如請求項1所述之電腦化系統，其中該損失函數是Welsch損失函數。
如請求項1所述之電腦化系統，其中該PMC被配置為用於通過以下估計一參考輪廓：從該實際輪廓中提取一第一點序列；將該點序列變換為由一傅裡葉係數集表徵的一傅裡葉級數；最佳化選自該傅裡葉係數集的一傅裡葉係數子集的值以最小化該損失函數，具有該最佳化值的該傅裡葉係數子集構成該參考輪廓的一傅裡葉描述符；及使用該傅裡葉描述符執行一傅裡葉逆變換，從而產生構成該參考輪廓的一第二點序列。
如請求項1所述之電腦化系統，其中該一或多個測量中的每一個指示該實際輪廓的一半徑與該參考輪廓的一對應半徑之間的一差異。
如請求項1所述之電腦化系統，其中該PMC進一步被配置為用於將一偏差閾值應用於該一或多個測量，並且當該一或多個測量中的至少一個測量超過該偏差閾值時，報告一局部形狀偏差的存在。
如請求項1所述之電腦化系統，其中該局部形狀偏差是由該半導體取樣的一製造製程期間的一物理效應引起的，當檢測到該物理效應時影響對該半導體取樣的一或多個電測量。
一種檢測一半導體取樣中的一結構元件的局部形狀偏差的電腦化方法，該方法由一處理和記憶體電路（PMC）執行，並且該方法包括以下步驟：<br/> 獲得包括該結構元件的一圖像表示的一圖像；<br/> 從該圖像中提取該圖像表示的一實際輪廓；<br/> 估計指示該結構元件的一標準形狀的該圖像表示的一參考輪廓，其中該參考輪廓是基於表示該參考輪廓的一傅立葉描述符估計的，該傅立葉描述符是使用基於一損失函數的一最佳化方法估計的，該損失函數特別選擇為對該實際輪廓的局部形狀偏差的存在不敏感；及<br/> 執行表示該實際輪廓與該參考輪廓之間的一或多個差異的一或多個測量，該測量指示該結構元件中是否存在一局部形狀偏差。
如請求項11所述之電腦化方法，其中該結構元件具有選自包括以下項的一組中的一形狀：一橢圓形、一卵圓形、一矩形或它們的一組合。
如請求項11所述之電腦化方法，其中該局部形狀偏差由該實際輪廓的一局部畸變表示，該局部畸變相對於該結構元件的標準形狀具有一相對顯著的偏差。
如請求項11所述之電腦化方法，其中該實際輪廓是使用一邊緣檢測方法提取的。
如請求項11所述之電腦化方法，其中該損失函數是Welsch損失函數。
如請求項11所述之電腦化方法，其中估計一參考輪廓之該步驟包括：從該實際輪廓中提取一第一點序列；將該點序列變換為由一傅裡葉係數集表徵的一傅裡葉級數；最佳化選自該傅裡葉係數集的一傅裡葉係數子集的值以最小化損失函數，具有該最佳化值的該傅裡葉係數子集構成該參考輪廓的一傅裡葉描述符；及使用該傅裡葉描述符執行一傅裡葉逆變換，從而產生構成該參考輪廓的一第二點序列。
如請求項11所述之電腦化方法，其中該一或多個測量中的每一個指示該實際輪廓的一半徑與該參考輪廓的一對應半徑之間的一差異。
如請求項11所述之電腦化方法，進一步包括：將一偏差閾值應用於該一或多個測量，並且當該一或多個測量中的至少一個測量超過該偏差閾值時，報告一局部形狀偏差的存在。
如請求項11所述之電腦化方法，其中該局部形狀偏差是由該半導體取樣的一製造製程期間的一物理效應引起的，當檢測到該物理效應時影響對該半導體取樣的一或多個電測量。
一種非暫態電腦可讀取儲存媒體，該非暫態電腦可讀取儲存媒體有形地體現指令的一程式，該等指令在由一電腦執行時，使得該電腦執行檢測一半導體取樣中的一結構元件的一局部形狀偏差的方法，該方法包括以下步驟：<br/> 獲得包括該結構元件的一圖像表示的一圖像；<br/> 從該圖像中提取該圖像表示的一實際輪廓；<br/> 估計指示該結構元件的一標準形狀的該圖像表示的一參考輪廓，其中該參考輪廓是基於表示該參考輪廓的一傅立葉描述符估計的，該傅立葉描述符是使用基於一損失函數的一最佳化方法估計的，該損失函數特別選擇為對該實際輪廓的局部形狀偏差的存在不敏感；及<br/> 執行表示該實際輪廓與該參考輪廓之間的一或多個差異的一或多個測量，該測量指示該結構元件中是否存在一局部形狀偏差。
一種加工裝置，其特徵在於：<br/> 具備：<br/> 保持工作台，具有保持基板的背面側之保持面；及<br/> 加工單元，對已保持在該保持面之該基板進行加工，<br/> 該保持面具有：<br/> 保持部，保持該基板的中央區域；<br/> 複數個排出溝，圍繞該保持部；<br/> 連結部，設置於相鄰的該排出溝之間；及<br/> 外周溝，圍繞複數個該排出溝及該連結部，且和吸引源連通來吸引保持該基板，<br/> 前述加工裝置以該排出溝來回收因該加工單元所生成之加工屑。
如請求項1之加工裝置，其更具備對該基板供給液體之液體供給部，<br/> 該排出溝是回收包含該加工屑之該液體。
如請求項2之加工裝置，其中該保持面形成得比該基板更小，<br/> 該加工單元包含可旋轉地保持在主軸之切削刀片，<br/> 將該切削刀片定位在從該保持面露出之該基板的外周部，並一邊對該基板供給該液體即切削水，一邊使該保持工作台與該切削刀片相對地移動，藉此去除該基板的該外周部。
一種樹脂組成物，含有： <br/>含有下式(1)表示之構成單元以及在分子鏈之兩末端含有馬來醯亞胺基之馬來醯亞胺化合物(A)， <br/>下式(2)表示之光硬化起始劑(B1)及/或下式(3)表示之光硬化起始劑(B2)，及 <br/>下式(4)表示之光硬化起始劑(C)； <br/><img align="absmiddle" height="134px" width="892px" file="ed10062.jpg" alt="ed10062.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(1)中，R <sub>1</sub>表示碳數1～16之直鏈狀或分支狀之伸烷基、或碳數2～16之直鏈狀或分支狀之伸烯基；R <sub>2</sub>表示碳數1～16之直鏈狀或分支狀之伸烷基、或碳數2～16之直鏈狀或分支狀之伸烯基；R <sub>3</sub>各自獨立地表示氫原子、碳數1～16之直鏈狀或分支狀之烷基、或碳數2～16之直鏈狀或分支狀之烯基；n <sub>1</sub>各自獨立地表示1～10之整數； <br/><img align="absmiddle" height="211px" width="892px" file="ed10063.jpg" alt="ed10063.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(2)中，R <sub>4</sub>表示乙醯基或苯甲醯基；R <sub>5</sub>表示也可具有取代基之苯基或萘基；R <sub>6</sub>表示氫原子、或也可具有取代基之碳數1～16之直鏈狀或分支狀之烷基；R <sub>7</sub>各自獨立地表示氫原子、或也可具有取代基之碳數1～6之直鏈狀或分支狀之烷基；n <sub>2</sub>各自獨立地表示1～5之整數； <br/><img align="absmiddle" height="159px" width="892px" file="ed10064.jpg" alt="ed10064.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(3)中，R <sub>8</sub>表示也可具有取代基之碳數6～24之芳基、或也可具有取代基之碳數3～24之雜芳基；R <sub>9</sub>表示乙醯基或苯甲醯基；R <sub>10</sub>表示氫原子、或也可具有取代基之碳數1～16之直鏈狀或分支狀之烷基；X表示氧原子或硫原子； <br/><img align="absmiddle" height="134px" width="892px" file="ed10065.jpg" alt="ed10065.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(4)中，R <sub>11</sub>各自獨立地表示下式(5)表示之基或苯基； <br/><img align="absmiddle" height="123px" width="892px" file="ed10066.jpg" alt="ed10066.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(5)中，-*表示原子鍵，R <sub>12</sub>各自獨立地表示氫原子或甲基。
如請求項1之樹脂組成物，更包含含有1個以上之羧基之化合物(D)。
如請求項2之樹脂組成物，其中，該含有1個以上之羧基之化合物(D)包含下式(6)表示之化合物； <br/><img align="absmiddle" height="178px" width="892px" file="ed10067.jpg" alt="ed10067.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(6)中，R <sub>13</sub>各自獨立地表示下式(7)表示之基或氫原子；R <sub>14</sub>各自獨立地表示氫原子、或碳數1～6之直鏈狀或分支狀之烷基；惟，R <sub>13</sub>中之至少1個為下式(7)表示之基； <br/><img align="absmiddle" height="143px" width="892px" file="ed10068.jpg" alt="ed10068.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(7)中，-*表示原子鍵。
如請求項1之樹脂組成物，更含有選自由下式(8)表示之化合物、下式(9)表示之化合物、下式(10)表示之化合物、下式(11)表示之化合物、下式(12)表示之化合物、及下式(13)表示之化合物構成之群組中之至少1種馬來醯亞胺化合物(E)； <br/><img align="absmiddle" height="151px" width="892px" file="ed10069.jpg" alt="ed10069.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(8)中，R <sub>15</sub>、R <sub>16</sub>、及R <sub>17</sub>各自獨立地表示氫原子、或也可具有取代基之碳數1～8之直鏈狀或分支狀之烷基； <br/><img align="absmiddle" height="170px" width="892px" file="ed10070.jpg" alt="ed10070.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(9)中，R <sub>18</sub>、R <sub>19</sub>、及R <sub>20</sub>各自獨立地表示氫原子、羥基、或也可具有取代基之碳數1～6之直鏈狀或分支狀之烷基；n <sub>2</sub>表示1～10之整數； <br/><img align="absmiddle" height="131px" width="892px" file="ed10071.jpg" alt="ed10071.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(10)中，R <sub>21</sub>各自獨立地表示氫原子、甲基、或乙基；R <sub>22</sub>各自獨立地表示氫原子或甲基； <br/><img align="absmiddle" height="172px" width="892px" file="ed10072.jpg" alt="ed10072.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(11)中，R <sub>23</sub>各自獨立地表示氫原子或甲基；n <sub>3</sub>表示1～10之整數； <br/><img align="absmiddle" height="128px" width="892px" file="ed10073.jpg" alt="ed10073.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(12)中，R <sub>24</sub>各自獨立地表示氫原子、甲基、或乙基； <br/><img align="absmiddle" height="181px" width="892px" file="ed10074.jpg" alt="ed10074.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(13)中，R <sub>25</sub>各自獨立地表示氫原子或甲基；n <sub>4</sub>表示1～10之整數。
一種樹脂片，具有： <br/>支持體，及 <br/>配置於該支持體之單面或雙面之樹脂層； <br/>該樹脂層含有如請求項1之樹脂組成物。
如請求項5之樹脂片，其中，該樹脂層的厚度為1～50μm。
一種多層印刷配線板，具有： <br/>絕緣層，及 <br/>形成於該絕緣層之單面或雙面之導體層； <br/>該絕緣層含有如請求項1之樹脂組成物。
一種半導體裝置，含有如請求項1之樹脂組成物。
一種基板處理方法，包含： <br/>對從下方依序疊層有機膜、含矽無機膜、光阻圖案的基板照射紫外線，使上述光阻圖案相對於磷酸液不溶化的工程； <br/>於上述不溶化之工程後，對上述基板供給上述磷酸液，除去從上述光阻圖案露出的上述含矽無機膜的工程；及 <br/>於上述除去之工程後，對上述基板進行蝕刻處理，將上述光阻圖案轉印在上述有機膜的工程。
如請求項1之基板處理方法，其中 <br/>上述光阻圖案係以化學放大型光阻形成。
如請求項2之基板處理方法，其中 <br/>上述化學放大型光阻為ArF光阻、KrF光阻或EUV光阻。
如請求項1之基板處理方法，其中 <br/>上述紫外線之照射量為2000mJ/cm <sup>2</sup>以上。
如請求項2之基板處理方法，其中 <br/>上述紫外線之照射量為2000mJ/cm <sup>2</sup>以上。
如請求項3之基板處理方法，其中 <br/>上述紫外線之照射量為2000mJ/cm <sup>2</sup>以上。
如請求項1之基板處理方法，其中 <br/>上述磷酸液之溫度為150℃以上。
如請求項2之基板處理方法，其中 <br/>上述磷酸液之溫度為150℃以上。
如請求項3之基板處理方法，其中 <br/>上述磷酸液之溫度為150℃以上。
如請求項4之基板處理方法，其中 <br/>上述磷酸液之溫度為150℃以上。
一種基板處理裝置，具備： <br/>改質部，其係對從下方依序疊層有機膜、含矽無機膜、光阻圖案的基板照射紫外線，使上述光阻圖案相對於磷酸液不溶化；和 <br/>濕蝕刻部，其係對上述光阻圖案不溶化的上述基板供給上述磷酸液，除去從上述光阻圖案露出的上述含矽無機膜。
如請求項11之基板處理裝置，其中 <br/>上述光阻圖案係以化學放大型光阻形成。
如請求項12之基板處理裝置，其中 <br/>上述化學放大型光阻為ArF光阻、KrF光阻或EUV光阻。
如請求項11之基板處理裝置，其中 <br/>上述紫外線之照射量為2000mJ/cm <sup>2</sup>以上。
如請求項11之基板處理裝置，其中 <br/>上述磷酸液之溫度為150℃以上。
如請求項11之基板處理裝置，其中 <br/>具有進行顯像處理，形成上述光阻圖案之顯像部， <br/>上述濕蝕刻部和上述顯像部係藉由相同的模組構成，共有構成構件之一部分。
一種基板處理系統，具備： <br/>改質部，其係對從下方依序疊層有機膜、含矽無機膜、光阻圖案的基板照射紫外線，使上述光阻圖案相對於磷酸液不溶化； <br/>基板處理裝置，其具備對上述光阻圖案不溶化的上述基板供給上述磷酸液，除去從上述光阻圖案露出的上述含矽無機膜的濕蝕刻部；及 <br/>蝕刻裝置，其係對上述含矽無機膜中之從上述光阻圖案露出之部分被除去的上述基板，進行蝕刻處理，將上述光阻圖案轉印在上述有機膜。
如請求項17之基板處理系統，其中 <br/>上述光阻圖案係以化學放大型光阻形成。
如請求項17之基板處理系統，其中 <br/>上述紫外線之照射量為2000mJ/cm <sup>2</sup>以上。
如請求項17之基板處理系統，其中 <br/>上述磷酸液之溫度為150℃以上。
一種電漿處理裝置，其具備： <br/>腔室； <br/>基板支持部，其設置於上述腔室內； <br/>高頻電源，其構成為供給高頻電力以於上述腔室內由氣體產生電漿；及 <br/>偏壓電源，其構成為將電性偏壓能量供給至上述基板支持部以將離子饋入至上述基板支持部上之基板，該電性偏壓能量具有以如下週期重複之波形，上述週期具有偏壓頻率之倒數之時長； <br/>上述高頻電源於供給上述高頻電力且將上述電性偏壓能量供給至上述基板支持部之期間，進行： <br/>(a)使用基本時間序列作為上述週期內之上述高頻電力之頻率之時間序列，上述基本時間序列為預先規定之頻率之時間序列； <br/>(b)其次，於上述週期內使用上述高頻電力之頻率之經過變更之時間序列；及 <br/>(c)重複上述(b)，以基於評估值改善上述高頻電源與其負載之間阻抗之匹配狀態，上述評估值反映該匹配狀態； <br/>上述高頻電源使用以下時間序列作為上述(b)中所使用之上述時間序列： <br/>藉由對上述基本時間序列賦予相對於上述週期之相位偏移量而獲得之頻率之時間序列； <br/>於頻率方向上放大或縮小上述基本時間序列而獲得之頻率之時間序列；或者 <br/>藉由在時間方向上放大或縮小上述基本時間序列之複數個時間區域中之兩個以上而獲得之頻率之時間序列，該頻率之時間序列包含與上述基本時間序列相同個數之頻率。
如請求項1之電漿處理裝置，其中上述高頻電源構成為於上述(b)之重複中對上述相位偏移量進行變更。
如請求項1之電漿處理裝置，其中 <br/>上述高頻電源於上述(b)之重複中，使用下述時間序列中之至少一者，對上述放大或者上述縮小之倍率進行變更： <br/>藉由維持上述基本時間序列中之最低頻率，並且於頻率方向上放大或者縮小上述基本時間序列而獲得之上述高頻電力之頻率之時間序列； <br/>藉由維持上述基本時間序列中之最高頻率，並且於頻率方向上放大或者縮小上述基本時間序列而獲得之上述高頻電力之頻率之時間序列； <br/>藉由在上述基本時間序列中維持指定頻率以下之頻率，並且於頻率方向上放大或者縮小上述基本時間序列而獲得之上述高頻電力之頻率之時間序列；及 <br/>藉由在上述基本時間序列中維持指定頻率以上之頻率，並且於頻率方向上放大或者縮小上述基本時間序列而獲得之上述高頻電力之頻率之時間序列。
如請求項3之電漿處理裝置，其中上述高頻電源構成為 <br/>選擇上述(b)之重複中所使用之上述高頻電力之頻率之複數個時間序列中最能改善基於上述評估值之上述匹配狀態之第1時間序列； <br/>使用藉由對上述第1時間序列賦予相對於上述週期之相位偏移量而獲得之頻率之第2時間序列，進而重複上述(b)； <br/>於進而重複上述(b)時，對上述相位偏移量進行變更。
如請求項1之電漿處理裝置，其中上述高頻電源構成為 <br/>於上述(b)之第1重複中，對上述相位偏移量進行變更，選擇該第1重複中所使用之上述高頻電力之頻率之複數個時間序列中最能改善基於上述評估值之上述匹配狀態之頻率之第1時間序列； <br/>於上述(b)之第2重複中，使用下述時間序列中之至少一者，對上述放大或者上述縮小之倍率進行變更，選擇該第2重複中所使用之上述高頻電力之頻率之複數個時間序列中最能改善基於上述評估值之上述匹配狀態之頻率之第2時間序列： <br/>藉由維持上述第1時間序列中之最低頻率，並且於頻率方向上放大或者縮小上述第1時間序列而獲得之上述高頻電力之頻率之時間序列， <br/>藉由維持上述第1時間序列中之最高頻率，並且於頻率方向上放大或者縮小上述第1時間序列而獲得之上述高頻電力之頻率之時間序列， <br/>藉由在上述第1時間序列中維持指定頻率以下之頻率，並且於頻率方向上放大或者縮小上述第1時間序列而獲得之上述高頻電力之頻率之時間序列，及 <br/>藉由在上述第1時間序列中維持指定頻率以上之頻率，並且於頻率方向上放大或者縮小上述第1時間序列而獲得之上述高頻電力之頻率之時間序列； <br/>於上述(b)之第3重複中，使用包含與上述第2時間序列相同個數之頻率且藉由在時間方向上放大或者縮小上述第2時間序列之複數個時間區域之各者而獲得之頻率之時間序列，對該時間方向之該放大或者該縮小之倍率進行變更，選擇該第3重複中所使用之上述高頻電力之頻率之複數個時間序列中最能改善基於上述評估值之上述匹配狀態之頻率之第3時間序列。
如請求項1至5中任一項之電漿處理裝置，其中上述評估值係具有上述週期之時長以上之時長之期間內之單一代表值。
如請求項6之電漿處理裝置，其中上述評估值為上述代表值，該上述代表值表示自上述高頻電源之負載返回至該高頻電源之上述高頻電力之反射波之功率位準、或者該反射波之功率位準相對於上述高頻電源之該高頻電力之輸出功率位準之比的值。
如請求項6之電漿處理裝置，其中上述評估值為上述代表值，該上述代表值表示上述高頻電源與其負載之間所測定出之上述高頻電力之電壓與電流之間的相位差、根據該電壓及該電流所求出之阻抗、或者該阻抗之電阻成分。
如請求項1至5中任一項之電漿處理裝置，其中上述電性偏壓能量為高頻偏壓電力、或者以下述時間間隔週期性地產生之電壓之脈衝，上述時間間隔具有作為上述偏壓頻率之倒數之時長。
一種電漿處理方法，其包括以下步驟： <br/>自高頻電源供給高頻電力，以於電漿處理裝置之腔室內由氣體產生電漿，該電漿處理裝置包含設置於上述腔室內之基板支持部； <br/>將電性偏壓能量供給至上述基板支持部，以將離子饋入至上述基板支持部上之基板，該電性偏壓能量具有以下述週期重複之波形，上述週期具有偏壓頻率之倒數之時長；及 <br/>於供給上述高頻電力且將上述電性偏壓能量供給至上述基板支持部之期間內，對上述週期內之上述高頻電力之頻率進行調整； <br/>對上述頻率進行調整之步驟包括以下步驟： <br/>(a)使用基本時間序列作為上述週期內之上述高頻電力之頻率之時間序列，上述基本時間序列係預先規定之頻率之時間序列； <br/>(b)其次，於上述週期內使用上述高頻電力之頻率之經過變更之時間序列；及 <br/>(c)重複上述(b)，以基於評估值改善上述高頻電源與其負載之間阻抗之匹配狀態，上述評估值反映該匹配狀態； <br/>上述(b)中所使用之上述時間序列為： <br/>藉由對上述基本時間序列賦予相對於上述週期之相位偏移量而獲得之頻率之時間序列； <br/>於頻率方向上放大或縮小上述基本時間序列而獲得之頻率之時間序列；或者 <br/>藉由在時間方向上放大或縮小上述基本時間序列之複數個時間區域中之兩個以上而獲得之頻率之時間序列，該頻率之時間序列包含與上述基本時間序列相同個數之頻率。
一種防止或減輕纖維素纖維在高溫處理期間變黃的方法，其中該纖維 <br/> a. 用pH控制在4.0-7.0之間且包含保護劑的水溶液處理，隨後 <br/> b. 乾燥，和隨後 <br/> c. 高溫處理， <br/> 該保護劑包含羥基(取代的)鏈烷酸和氧代鏈烷酸鹼土金屬鹽和鋅鹽。
如請求項1的方法，其中水溶液通過浸軋法或通過浸染法施加到纖維。
如請求項1的方法，其中該水溶液進一步包含漂白劑和酸穩定的螢光增白劑。
如請求項3的方法，其中該漂白劑為還原漂白劑。
如請求項3或4的方法，其中在步驟b.和步驟c.之間，通過浸軋法或通過浸染法，用pH控制在4.0-7.0之間且包含保護劑的水溶液處理纖維，和隨後在步驟c.之前乾燥，其中該保護劑包含羥基(取代的)鏈烷酸和氧代鏈烷酸鹼土金屬鹽和鋅鹽。
如請求項1的方法，其中在步驟a.之前漂白纖維素纖維。
如請求項1的方法，其中該纖維素纖維為選自以下群組的一種或多種：天然纖維素纖維和人造纖維素纖維。
如請求項7的方法，其中該天然纖維素纖維包括棉、麻或木棉，該人造纖維素纖維包括黏膠、莫代爾、萊塞爾、銅氨纖維、富纖、二醋酸纖維素和三醋酸纖維素纖維。
如請求項1的方法，其中該纖維以短纖維、長絲、紗或紡織或針織織物、服裝或其它紡織物品的形式被處理。
一種加工方法，對設定有交叉之複數條分割預定線之封裝基板於以第1刀片進行半切之後，以刀刃厚度比該第1刀片更薄之第2刀片進行全切，藉此形成於側面形成有階梯狀的缺口部之晶片，前述加工方法具備以下步驟： <br/>半切步驟，使該第1刀片切入該封裝基板，並沿著該分割預定線以該第1刀片來切削該封裝基板，而形成第1切削溝，並且在該第1切削溝之下形成切剩部； <br/>全切步驟，在實施該半切步驟後，以比該第1刀片更薄之該第2刀片，沿著該第1切削溝來切削該切剩部；及 <br/>前端形狀確認步驟，確認該第1刀片的前端形狀， <br/>在該半切步驟中，依據在該前端形狀確認步驟中所確認出之該第1刀片的前端形狀、與該第2刀片的刀刃厚度，來使該第1刀片朝該封裝基板，切入到該缺口部的深度成為預定的深度之切入深度。
如請求項1之加工方法，其中該前端形狀確認步驟是在該封裝基板的上表面以該第1刀片形成切削痕跡，並依據該切削痕跡來確認該第1刀片的前端形狀。
如請求項1或2之加工方法，其更具備有平坦化步驟，前述平坦化步驟是在預定的時間點修正該第1刀片的前端來進行平坦化。
一種切削裝置，對設定有交叉之複數條分割預定線之封裝基板於以第1刀片進行半切之後，以刀刃厚度比該第1刀片更薄之第2刀片進行全切，藉此形成於側面形成有階梯狀的缺口部之晶片，前述切削裝置具備： <br/>工作台，保持該封裝基板； <br/>第1切削單元，具有第1刀片，前述第1刀片沿著該分割預定線來切削該封裝基板而形成第1切削溝，並且在該第1切削溝之下形成切剩部； <br/>第2切削單元，具有沿著該第1切削溝來切削該切剩部之比該第1刀片更薄的該第2刀片； <br/>拍攝單元，拍攝使該第1刀片切入切削對象物而形成之切削痕跡；及 <br/>控制單元，控制前述各構成要素， <br/>控制單元包含： <br/>推定部，依據該拍攝單元所拍攝而得到之圖像來推定該第1刀片的前端形狀；及 <br/>計算部，依據該推定部所推定出之該第1刀片的前端形狀、與第2刀片的刀刃厚度，來計算該缺口部的深度成為預定的深度之第1刀片的切入深度。
一種紅外線吸收複合微粒子，其係紅外線吸收微粒子之表面由下述被覆膜所被覆者， <br/>該被覆膜包含自金屬螯合化合物之水解產物、金屬螯合化合物之水解產物之聚合物、金屬環狀低聚物化合物之水解產物、金屬環狀低聚物化合物之水解產物之聚合物中選擇之一種以上； <br/>其於自上述紅外線吸收複合微粒子之被覆膜內、被覆膜上、表面附近中選擇之1個以上之位置存在有矽化合物； <br/>上述紅外線吸收微粒子係以一般式MxWyOz(其中，M為自H、He、鹼金屬、鹼土類金屬、稀土類元素、Mg、Zr、Cr、Mn、Fe、Ru、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Al、Ga、In、Tl、Si、Ge、Sn、Pb、Sb、B、F、P、S、Se、Br、Te、Ti、Nb、V、Mo、Ta、Re、Be、Hf、Os、Bi、I、Yb中選擇之一種以上之元素，W為鎢，O為氧，且0.001≦x/y≦1，2.0≦z/y≦3.0)所表示之紅外線吸收複合鎢氧化物微粒子； <br/>上述金屬螯合化合物或上述金屬環狀低聚物化合物包含Al元素； <br/>上述矽化合物為二氧化矽微粒子。
如請求項1之紅外線吸收複合微粒子，其中，上述被覆膜之膜厚為0.5 nm以上。
如請求項1或2之紅外線吸收複合微粒子，其中，上述矽化合物的添加量，相對於上述紅外線吸收複合微粒子為1質量%以上且30質量%以下。
如請求項1或2之紅外線吸收複合微粒子，其中，上述金屬螯合化合物或上述金屬環狀低聚物化合物，具有自醚鍵、酯鍵、烷氧基、乙醯基中選擇之一種以上。
如請求項1或2之紅外線吸收複合微粒子，其中，上述二氧化矽微粒子的平均粒徑為10nm~50nm。
如請求項1或2之紅外線吸收複合微粒子，其中，上述金屬螯合化合物為乙醯乙酸乙酯二異丙醇鋁、三(乙基乙醯乙酸)鋁、乙醯乙酸辛酯二異丙醇鋁、乙醯乙酸硬脂酯二異丙醇鋁(Stearyl acetoaluminium diisopropylate)、單乙醯丙酮酸鋁雙(乙醯乙酸乙酯)或三(乙醯丙酮酸)鋁。
如請求項1或2之紅外線吸收複合微粒子，其中，碳濃度為0.2質量%以上且5.0質量%以下。
一種紅外線吸收微粒子分散液，其係請求項1至7中任一項之紅外線吸收複合微粒子分散於液體介質中。
如請求項8之紅外線吸收微粒子分散液，其中，上述液體介質為自有機溶劑、油脂、液狀可塑劑、藉由硬化而高分子化之化合物、水中選擇之一種以上之液體介質。
一種紅外線吸收微粒子分散體，其係請求項1至7中任一項之紅外線吸收複合微粒子分散於固體狀樹脂中。
如請求項10之紅外線吸收微粒子分散體，其中，上述固體狀樹脂為自氟樹脂、PET樹脂、丙烯酸系樹脂、聚醯胺樹脂、氯乙烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、烯烴樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂中選擇之一種以上之樹脂。
一種紅外線吸收微粒子分散體，其係請求項8或9之紅外線吸收微粒子分散液之乾燥固化物。
一種化合物或其醫藥上可容許之鹽，該化合物由下述式(1)表示： <br/><img align="absmiddle" height="186px" width="150px" file="ed10079.jpg" alt="ed10079.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[式中， <br/>R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>分別獨立地為氫或碳數1～6之烷基， <br/>R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>分別獨立地為氫或碳數1～6之烷基、或 <br/>R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>共同為側氧基， <br/>R<sup>5</sup>～R<sup>7</sup>分別獨立地為氫、碳數1～6之烷基、碳數1～6之鹵代烷基、鹵素、碳數1～6之烷氧基或碳數1～6之鹵代烷氧基， <br/>R<sup>8</sup>分別獨立地為碳數1～6之烷基、碳數1～6之鹵代烷基或鹵素，<sup> </sup><br/>n為0～3之整數， <br/>Ar為下述式(Ar1)或(Ar2)： <br/><img align="absmiddle" height="70px" width="320px" file="ed10080.jpg" alt="ed10080.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式中， <br/>X及Y分別為氮及氧、或氧及氮， <br/>R<sup>9</sup>及R<sup>10</sup>分別獨立地為氫、碳數1～6之烷基、碳數1～6之鹵代烷基或鹵素， <br/>R<sup>11</sup>分別獨立地為碳數1～6之烷基、碳數1～6之鹵代烷基、鹵素、碳數1～6之烷氧基或碳數1～6之鹵代烷氧基， <br/>m為0～3之整數)]。
如請求項1之化合物或其醫藥上可容許之鹽，其中R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>為氫。
如請求項1或2之化合物或其醫藥上可容許之鹽，其中R<sup>5</sup>及R<sup>7</sup>為氫，R<sup>6</sup>為碳數1～6之烷基。
如請求項1或2之化合物或其醫藥上可容許之鹽，其中n為0。
如請求項1或2之化合物或其醫藥上可容許之鹽，其中Ar為式(Ar1)。
如請求項1或2之化合物或其醫藥上可容許之鹽，其中R<sup>9</sup>及R<sup>10</sup>為碳數1～6之烷基。
如請求項1或2之化合物或其醫藥上可容許之鹽，其中X及Y分別為氮及氧。
如請求項1或2之化合物或其醫藥上可容許之鹽，其中X及Y分別為氧及氮。
如請求項1或2之化合物或其醫藥上可容許之鹽，其中Ar為式(Ar2)。
如請求項1或2之化合物或其醫藥上可容許之鹽，其中R<sup>11</sup>分別獨立地為碳數1～6之烷基或碳數1～6之烷氧基。
如請求項1或2之化合物或其醫藥上可容許之鹽，其中m為2。
如請求項1之化合物或其醫藥上可容許之鹽，其選自由下述化合物所組成之群： <br/><img align="absmiddle" height="502px" width="515px" file="ed10081.jpg" alt="ed10081.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/><br/><img align="absmiddle" height="405px" width="516px" file="ed10082.jpg" alt="ed10082.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種內皮素A受體拮抗劑，其包含如請求項1至12中任一項之化合物或其醫藥上可容許之鹽。
如請求項13之內皮素A受體拮抗劑，其以內皮素B受體作為對照，選擇性地抑制內皮素A受體。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1至12中任一項之化合物或其醫藥上可容許之鹽。
如請求項15之醫藥組合物，其用於預防或治療選自由肺性高血壓、腎病、高血壓、肝炎、癌、疼痛、伴隨自體免疫疾病之併發症、心衰竭、及血管痙攣所組成之群中之疾病。
一種(甲基)丙烯酸樹脂組成物，其含有(甲基)丙烯酸樹脂、及有機溶劑， <br/>其滿足下述（1）～（3）中之任一者， <br/>上述有機溶劑中所包含之OH基之重量濃度為9.0重量%以上且28.0重量%以下； <br/>（1）上述(甲基)丙烯酸樹脂含有重量平均分子量為12萬以上且30萬以下之高分子量(甲基)丙烯酸樹脂（A）， <br/>上述高分子量(甲基)丙烯酸樹脂（A）中所包含之OH基之重量濃度為0.4重量%以上且2.0重量%以下； <br/>（2）上述(甲基)丙烯酸樹脂含有重量平均分子量超過30萬且為50萬以下之高分子量(甲基)丙烯酸樹脂（B）， <br/>上述高分子量(甲基)丙烯酸樹脂（B）中所包含之OH基之重量濃度為1.3重量%以上且3.5重量%以下； <br/>（3）上述(甲基)丙烯酸樹脂含有重量平均分子量為0.5萬以上且10萬以下之低分子量(甲基)丙烯酸樹脂（C）， <br/>上述低分子量(甲基)丙烯酸樹脂（C）具有來自具有碳數3～4之直鏈狀或支鏈狀烷基之(甲基)丙烯酸酯的鏈段， <br/>上述低分子量(甲基)丙烯酸樹脂（C）中所包含之OH基之重量濃度為1.3重量%以上且3.5重量%以下， <br/>上述(甲基)丙烯酸樹脂中所包含之S原子之重量濃度為250 ppm以上且20000 ppm以下。
如請求項1之(甲基)丙烯酸樹脂組成物，其滿足（1），並且含有重量平均分子量為0.5萬以上且10萬以下之低分子量(甲基)丙烯酸樹脂，上述低分子量(甲基)丙烯酸樹脂中所包含之OH基之重量濃度為1.3重量%以上且3.5重量%以下，上述低分子量(甲基)丙烯酸樹脂之含量相對於高分子量(甲基)丙烯酸樹脂（A）100重量份為0.1重量份以上且10重量份以下。
如請求項1之(甲基)丙烯酸樹脂組成物，其滿足（1）或（2），並且高分子量(甲基)丙烯酸樹脂（A）或（B）於乙醇中之溶解度為10重量份/乙醇100重量份以上。
如請求項1或3之(甲基)丙烯酸樹脂組成物，其滿足（1）或（2），並且相對於總構成單元，高分子量(甲基)丙烯酸樹脂（A）或（B）含有79重量%以上且96重量%以下之下述式（a）所表示之構成單元、3.1重量%以上且17重量%以下之下述式（b）所表示之構成單元， <br/><img align="absmiddle" height="104px" width="613px" file="ed10002.jpg" alt="ed10002.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>式（a）中，R<sup>1</sup>表示碳數1～8之直鏈狀或支鏈狀烷基，式（b）中，R<sup>2</sup>表示至少1個氫原子被取代為OH基之碳數2～4之直鏈狀或支鏈狀烷基。
如請求項1或3之(甲基)丙烯酸樹脂組成物，其滿足（1）或（2），並且有機溶劑中所包含之OH基之重量濃度相對於高分子量(甲基)丙烯酸樹脂（A）或（B）中所包含之OH基之重量濃度之比（有機溶劑中所包含之OH基之重量濃度/高分子量(甲基)丙烯酸樹脂（A）或（B）中所包含之OH基之重量濃度）為4.5以上且46.2以下。
如請求項1或3之(甲基)丙烯酸樹脂組成物，其滿足（2），並且(甲基)丙烯酸樹脂僅由高分子量(甲基)丙烯酸樹脂（B）所構成， <br/>上述(甲基)丙烯酸樹脂中所包含之S原子之重量濃度為250 ppm以上且20000 ppm以下。
一種無機微粒子分散漿料組成物，其含有請求項1至6中任一項之(甲基)丙烯酸樹脂組成物、無機微粒子、及塑化劑。
一種無機微粒子分散成形物，其係使用請求項7之無機微粒子分散漿料組成物而成。
一種板件集合，其包括經組態以採用一鎖定狀態之一第一板件(1)及一第二板件(2)，在該鎖定狀態中，該第一板件之一第一主平面(M1)相對於該第二板件之一第二主平面(M2)以30°與150°之間，諸如45°與135°之間的一角度(Φ)配置，該第一板件(1)之一內面(1a)及一側邊緣表面(1c)配置為基本上彼此垂直，其中該集合包括：一凹槽(3)，其設置於該內面(1a)中及該第一板件之一邊緣區段(9)中，該第二板件之一邊緣區段(4)，一插入凹槽(5)，其設置於該第一板件之該凹槽(3)中，一單獨舌片(6)配置於該插入凹槽中，及一舌片凹槽(7)，其設置於該第二板件之該邊緣區段(4)中，其中該單獨舌片(6)經組態以與該舌片凹槽(7)協作以用於使該第一板件(1)及該第二板件(2)在垂直於該第一主平面(M1)之一第一方向(X)上彼此鎖定，其中該第二板件之該邊緣區段(4)經組態以與該第一板件之該凹槽(3)協作以用於使該第一板件(1)及該第二板件(2)在平行於該第一主平面(M1)之一第二方向(Y)上彼此鎖定且朝著該第一板件之該側邊緣表面(1c)延伸，且其中該凹槽(3)之一底部部分(3a)包括沿著該第二方向(Y)至少配置於該凹槽(3)之一外部區段(12)中的一升高部分(8)，該升高部分(8)之一面積(A)為沿著該底部部分(3a)之邊界延伸的一矩形的定界區(R)之一面積(B)的至少10%。
如請求項1之集合，其中該升高部分(8)之該面積(A)及該定界區(R)之該面積(B)界定於該第一板件(1)之一截面側視圖中。
如請求項1或2之集合，其中該定界區(R)由以下界定：一第一平面(P1)及一第二平面(P2)，其平行於該第一主平面(M1)，該第一平面(P1)沿著該凹槽(3)之一最內部部分(12a)延伸，且該第二平面(P2)沿著該第一方向(X)沿著該升高部分(8)之一最高部分(8b)延伸，及/或一第三平面(P3)及一第四平面(P4)，其沿著該第一方向(X)及沿著垂直於該第一方向(X)及該第二方向(Y)的一第三方向(Z)延伸，該第三平面(P3)及該第四平面(P4)沿著該第二方向(Y)沿著該底部部分(3a)之一各別最外部壁部分(12b；12c)延伸。
如請求項1或2之集合，其中該升高部分(8)沿著該第二方向(Y)之一寬度(W)為該底部部分(3a)沿著該第二方向(Y)之一寬度(WB)的至少20%，較佳地至少30%。
如請求項1或2之集合，其中該升高部分(8)沿著該第一方向(X)之一高度(H)為該凹槽(3)之一深度(D)的5%至60%，較佳為12%至50%。
如請求項1或2之集合，其中該凹槽(3)進一步包括沿著該第一方向(X)設置於該底部部分(3a)外部之一主凹槽部分(3b)，且其中該邊緣區段(4)包括一第一邊緣部分(4a)及一第二邊緣部分(4b)，該第二邊緣部分(4b)經組態以在該鎖定狀態中與該主凹槽部分(3b)協作。
如請求項6之集合，其中該第二邊緣部分(4b)及該主凹槽部分(3b)經組態以協作以供在該第二方向(Y)上鎖定。
如請求項1或2之集合，其中該邊緣區段(4)之一第一邊緣部分(4a)沿著該第一方向(X)向外逐漸變窄。
如請求項1或2之集合，其中該升高部分(8)之一外壁(8a)在該凹槽(3)之一最內部部分(12a)與沿著該第一方向(X)設置於該底部部分(3a)外部之一主凹槽部分(3b)之間延伸。
如請求項1或2之集合，其中該升高部分(8)之一外壁(8a)包括至少一個平面片段。
如請求項1或2之集合，其中該升高部分(8)之一外壁(8a)包括一凸出片段及/或一凹入片段。
如請求項6之集合，其中該升高部分(8)之一外壁(8a)的一形狀實質上對應於經組態以在該鎖定狀態中面向該外壁的該第一邊緣部分(4a)之一漸窄片段(4c)的一形狀。
如請求項1或2之集合，其中該凹槽(3)之一主凹槽部分(3b)的至少一內部區段(10a)具有一基本上恆定寬度(WG)，及/或其中該邊緣區段(4)之一第二邊緣部分(4b)的至少一區段(10b)具有一基本上恆定寬度(WE)。
如請求項1或2之集合，其中該底部部分(3a)沿著一中心線(CX)不對稱，該中心線(CX)沿著該第一方向(X)延伸。
如請求項6之集合，其中該底部部分(3a)及/或該第一邊緣部分(4a)在該鎖定狀態中沿著該第一方向(X)安置於該插入凹槽(5)之一開口(5a)內部。
如請求項1或2之集合，其中該升高部分(8)，較佳地整個底部部分(3a)，與該鎖定狀態中的該第二板件之該邊緣區段(4)間隔開至少一個間隔(S1；S2；S3)。
如請求項1或2之集合，其中該第一板件之該凹槽(3)與該側邊緣表面(1c)之間的沿著該第二方向(Y)之一厚度(U1)大於該第二板件之該邊緣區段(4)之一最小厚度(U2)。
如請求項1或2之集合，其中該升高部分(8)沿著該第二方向(Y)之一寬度(W)與該凹槽(3)之一深度(D)之間的一比率(W/D)超過0.20。
如請求項1或2之集合，其中該第一主平面(M1)配置為基本上垂直於該第二主平面(M2)。
如請求項1或2之集合，其中一邊緣條帶(1h)設置於該側邊緣表面(1c)上。
一種組裝物件(20)，其包括如請求項1至20中任一項之板件集合。
一種製造玻璃的方法，包含以下步驟： <br/>自一數量之熔融材料形成一玻璃條帶，該玻璃條帶包含一第一表面及一第二表面； <br/>使該第一表面與一第一邊緣滾輪接觸且使該第二表面與一第二邊緣滾輪接觸； <br/>以一第一旋轉速率使該第一邊緣滾輪旋轉，且以一第二旋轉速率使該第二邊緣滾輪旋轉； <br/>產生表示施加至該第一邊緣滾輪之一扭矩的一第一扭矩信號及表示施加至該第二邊緣滾輪之一第二扭矩的一第二扭矩信號； <br/>產生該第一扭矩信號及該第二扭矩信號的一扭矩總和信號；及 <br/>以一時間相依方式調變該第一旋轉速率及該第二旋轉速率以抵消該扭矩總和信號中的變化。
如請求項1所述之方法，其中以一時間相依方式調變該第一旋轉速率及該第二旋轉速率的步驟包含以下步驟：藉由使用如下一等式計算一目標旋轉速率ω <sub>T</sub>來週期性調變該第一旋轉速率及該第二旋轉速率： <br/><i>ω <sub>T</sub></i>= <i>A</i>* sin( <i>θ</i><sub>1,2</sub>+ <i>Φ</i>) + <i>ω <sub>N</sub></i>， <br/>其中A為一調變振幅， <img align="absmiddle" height="43px" width="40px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><sub>1,2</sub>為該第一邊緣滾輪或該第二邊緣滾輪的一角度位置，Φ為一調變相位，且ω <sub>N</sub>為該第一邊緣滾輪及該第二邊緣滾輪的一目標旋轉速率。
如請求項2所述之方法，進一步包含以下步驟，藉由以下操作來判定該調變相位： <br/>判定表示該角度位置之一滾轉位置信號與該扭矩總和信號之間的一時間延遲；及 <br/>將該時間延遲轉換為一相位角度。
如請求項3所述之方法，進一步包含以下步驟：在判定該調變相位之前，使用包含一上部截止頻率及一下部截止頻率的一帶通濾波器對該扭矩總和信號進行濾波，其中ω <sub>N</sub>係在該上部截止頻率與該下部截止頻率之間。
如請求項2所述之方法，進一步包含以下步驟： <br/>感測該第一邊緣滾輪及該第二邊緣滾輪下游的該玻璃條帶之一厚度；及 <br/>基於該玻璃條帶之該厚度判定該調變振幅A。
如請求項5所述之方法，其中判定該調變振幅A的步驟包含以下步驟： <br/>使用該調變振幅A的一第一值週期性地調變該第一角速率及該第二角速率； <br/>判定該第一值是否引起該玻璃條帶中厚度變化的一減小；及 <br/>若該第一值引起該玻璃條帶中厚度變化的一減小，則增大該調變振幅A，直至該厚度變化減小不再被觀測到。
如請求項1所述之方法，其中該調變該第一旋轉速率及該第二旋轉速率以抵消該扭矩總和信號的改變的步驟包含以下步驟： <br/>在該分離距離增大的時段期間，減低該第一旋轉速率及該第二旋轉速率中的至少一者；及 <br/>在該分離距離減低的時段期間，增大該第一旋轉速率及該第二旋轉速率中的至少一者。
如請求項1所述之方法，其中該調變該第一旋轉速率及該第二旋轉速率以抵消該扭矩總和信號上之改變的步驟減小該玻璃條帶的一移動窗厚度範圍低於該第一旋轉速率及該第二旋轉速率並未調變時達成的移動窗厚度範圍。
一種製造玻璃的方法，包含以下步驟： <br/>自一數量之熔融材料形成一玻璃條帶，該玻璃條帶包含一第一表面及一第二表面； <br/>使該第一表面與一第一邊緣滾輪接觸且使該第二表面與一第二邊緣滾輪接觸，其中該第一邊緣滾輪及該第二邊緣滾輪包含不同橫截面形狀，使得該第一邊緣滾輪與該第二邊緣滾輪之間的一分離距離依據該第一邊緣滾輪及該第二邊緣滾輪旋轉的速率週期性地發生變化； <br/>分別以一第一旋轉速率及一第二旋轉速率驅動該第一邊緣滾輪及該第二邊緣滾輪， <br/>產生一扭矩總和信號，該扭矩總和信號表示施加至該第一邊緣滾輪及該第二邊緣滾輪的一總扭矩； <br/>判定該扭矩總和信號與一電滾轉位置信號之間的一時間延遲，該電滾轉位置信號表示該第一旋轉位置及該第二旋轉位置中的一或多者；及 <br/>基於該時間延遲、該第一旋轉位置及該第二旋轉位置更新該第一旋轉速率及該第二旋轉速率。
一種玻璃製造設備，包含： <br/>一成形主體，該成形主體經組態以自一數量的熔融材料形成一玻璃條帶，該玻璃成形主體界定該玻璃條帶可形成沿著的自該成形主體延伸的一拉伸路徑； <br/>一邊緣輥總成，該邊緣輥總成包含定位於該拉伸路徑之任一側上的一對邊緣滾輪，該對邊緣滾輪包含有包含一第一橫截面形狀的一第一邊緣滾輪及包含一第二橫截面形狀的一第二邊緣滾輪，該第一橫截面形狀自該第二橫截面形狀發生變化，使得該第一邊緣滾輪及該第二邊緣滾輪彼此分離開一分離距離，該分離距離依據該第一邊緣滾輪及該第二邊緣滾輪旋轉所在的速率發生變化； <br/>一或多個驅動單元，該一或多個驅動單元機械耦接至該第一邊緣滾輪及該第二邊緣滾輪且經組態以使得該第一邊緣滾輪圍繞一第一旋轉軸線以一第一旋轉速率旋轉且使該第二邊緣滾輪圍繞一第二旋轉軸線以一第二旋轉速率旋轉，該一或多個驅動單元進一步經組態以產生表示施加至該第一邊緣滾輪之一第一扭矩的一第一扭矩信號，及表示施加至該第二邊緣滾輪之一第二扭矩的一第二扭矩信號；及 <br/>一控制器，該控制器通信耦接至該一或多個驅動單元且可操作以進行以下操作： <br/>自該第一扭矩信號及該第二扭矩信號產生一扭矩總和信號；及 <br/>使用該扭矩總和信號調變該第一旋轉速率及該第二旋轉速率，使得該第一旋轉速率及該第二旋轉速率與該可變分離距離成反比。
如請求項10所述之設備，進一步包含一厚度感測器，該厚度感測器經組態以感測該第一邊緣滾輪及該第二邊緣滾輪下游的該玻璃條帶之一厚度，該控制器可操作以基於該玻璃條帶的該厚度而調變該第一旋轉速率及該第二旋轉速率。
如請求項11所述之設備，其中該控制器可操作以使用一調變相位來週期性地調變該第一旋轉速率及該第二旋轉速率，該調變相位基於該扭矩總和信號與由該一或多個驅動單元產生之一電滾轉位置信號之間的一時間延遲計算，該電滾轉位置信號表示該第一邊緣滾輪或該第二邊緣滾輪中至少一者的一旋轉位置。
一種半導體封裝，包括： <br/>封裝基底，包含上部表面； <br/>接合襯墊，配置於所述封裝基底的所述上部表面上； <br/>下部半導體晶片，安置於所述封裝基底的所述上部表面上，其中所述下部半導體晶片的上部表面包含連接邊緣區域及開放邊緣區域； <br/>連接襯墊，配置於所述連接邊緣區域中的所述下部半導體晶片的所述上部表面上； <br/>接合線，分別連接所述接合襯墊及所述連接襯墊； <br/>壩結構，包含安置於所述開放邊緣區域中的虛設凸塊及在所述虛設凸塊中的相鄰者之間延伸的虛設線； <br/>上部半導體晶片，安置於所述下部半導體晶片的所述上部表面上； <br/>晶片間接合層，位於所述下部半導體晶片與所述上部半導體晶片之間；以及 <br/>模製部分，位於所述封裝基底上且實質上包圍所述下部半導體晶片及所述上部半導體晶片。
如請求項1所述的半導體封裝，其中所述虛設凸塊沿所述下部半導體晶片的所述上部表面的邊緣配置於所述開放邊緣區域中。
如請求項1所述的半導體封裝，其中所述壩結構包含與所述接合線相同的材料。
如請求項1所述的半導體封裝，其中所述虛設凸塊配置於至少一個行中。
如請求項4所述的半導體封裝，其中所述虛設凸塊配置於兩個平行行中，且所述壩結構更包含以Z字形圖案在虛設凸塊之間交替地延伸的虛設線。
如請求項4所述的半導體封裝，其中配置於所述開放邊緣區域中的所述虛設凸塊與配置於所述連接邊緣區域中的所述連接襯墊對準。
如請求項1所述的半導體封裝，其中所述虛設凸塊以0.1微米至30微米的範圍內的間距分離。
如請求項1所述的半導體封裝，其中所述虛設凸塊中的各者具有0.1密耳至20密耳的範圍內的直徑。
一種半導體封裝，包括： <br/>封裝基底，包含具有接合襯墊的上部表面； <br/>第一下部半導體晶片，安置於所述封裝基底的所述上部表面上，其中所述第一下部半導體晶片的上部表面包含含有連接襯墊的連接邊緣區域及包含壩結構的開放邊緣區域； <br/>接合線，具有所述第一下部半導體晶片的所述上部表面上方的第一高度且連接所述接合襯墊及所述連接襯墊； <br/>上部半導體晶片，使用晶片間接合層安置於所述第一下部半導體晶片的所述上部表面上；以及 <br/>模製部分，位於所述封裝基底上且實質上包圍所述第一下部半導體晶片及所述上部半導體晶片， <br/>其中所述壩結構包含安置於所述開放邊緣區域中的虛設凸塊，及在所述虛設凸塊中的相鄰者之間延伸且具有所述第一下部半導體晶片的所述上部表面上方的第二高度的虛設線。
如請求項9所述的半導體封裝，更包括安置於所述封裝基底的所述上部表面上的第二下部半導體晶片、在所述上部半導體晶片與所述第二下部半導體晶片之間延伸的所述晶片間接合層， <br/>其中所述開放邊緣區域沿所述第一下部半導體晶片的所述上部表面的鄰近於所述第二下部半導體晶片的邊緣安置。
如請求項9所述的半導體封裝，其中所述虛設線的所述第二高度為所述接合線的所述第一高度的80%至120%。
如請求項9所述的半導體封裝，其中所述第二高度在所述第一下部半導體晶片的所述上部表面上方1密耳至10密耳的範圍內。
如請求項9所述的半導體封裝，其中所述第一下部半導體晶片的所述上部表面包含由周邊區域包圍的裝置區域； <br/>所述虛設凸塊之中的第一虛設凸塊配置於安置於所述裝置區域中的第一行中；且 <br/>所述虛設凸塊之中的第二虛設凸塊配置於平行於所述第一行且安置於所述周邊區域中的第二行中。
如請求項13所述的半導體封裝，其中所述虛設線之中的第一虛設線在所述第一虛設凸塊中的各別者之間延伸。
如請求項14所述的半導體封裝，其中所述虛設線之中的第二虛設線在所述第二虛設凸塊中的各別者之間延伸。
如請求項9所述的半導體封裝，其中所述第一下部半導體晶片包含半導體基底，所述半導體基底包含主動區域及電連接至所述主動區域的佈線層；以及 <br/>所述第一下部半導體晶片的所述上部表面包含與所述主動區域及所述佈線層重疊的裝置區域及包圍所述裝置區域的周邊區域。
如請求項16所述的半導體封裝，其中所述開放邊緣區域整體安置於所述裝置區域中。
如請求項16所述的半導體封裝，其中所述開放邊緣區域至少部分地安置於所述周邊區域中。
一種半導體封裝，包括： <br/>封裝基底，包含含有接合襯墊的上部表面； <br/>下部半導體晶片，安置於所述封裝基底的所述上部表面上，其中所述下部半導體晶片的上部表面包含含有連接襯墊的連接邊緣區域及包含壩結構的開放邊緣區域； <br/>間隔件晶片，安置於所述封裝基底的所述上部表面上； <br/>上部半導體晶片，安置於所述下部半導體晶片的所述上部表面及所述間隔件晶片的所述上部表面上； <br/>晶片間接合層，位於所述上部半導體晶片與所述下部半導體晶片及所述間隔件晶片之間； <br/>接合線，分別連接所述接合襯墊及所述連接襯墊；以及 <br/>模製部分，位於所述封裝基底上且實質上包圍所述下部半導體晶片、所述間隔件晶片以及所述上部半導體晶片， <br/>其中所述壩結構包含至少兩個虛設凸塊及連接所述至少兩個虛設凸塊中的至少一個虛設線。
如請求項19所述的半導體封裝，其中所述上部半導體晶片為包含多個半導體晶片的晶片堆疊結構。
一種工具機系統，其特徵在於具備：刀架，其安裝有用於加工工件之工具； <br/>數值控制部，其基於NC程式控制上述刀架之移動； <br/>測定裝置，其測定安裝於上述刀架之上述工具之位置及該工具之形狀； <br/>第1主軸，其固持上述工件並以主軸中心線為中心而旋轉；及 <br/>第2主軸台，其具有與上述第1主軸對向之第2主軸，可沿與上述主軸中心線正交之第1正交方向移動；且 <br/>上述測定裝置係搭載於上述第2主軸台，一面與該第2主軸台一起沿上述第1正交方向移動，一面測定下述平面中該測定裝置與被測定物相隔之距離者，其中，該平面係由與上述第1正交方向正交且亦與上述主軸中心線正交之第2正交方向、和該主軸中心線之方向所形成之平面。
如請求項1之工具機系統，其中上述測定裝置係亦測定用於將上述工具安裝於上述刀架之工具固持器之形狀者，且具備： <br/>工具固持器資訊記憶部，其對於可安裝於上述刀架之複數個上述工具固持器之每一者，將該工具固持器之形狀資訊與該工具固持器之特性資訊建立關聯並記憶；及 <br/>工具固持器資訊取得部，其從記憶於上述工具固持器資訊記憶部之複數個上述工具固持器之形狀資訊之中，特定出與上述測定裝置所測定之該工具固持器之形狀對應者，取得與特定出之該工具固持器建立關聯之上述特性資訊。
如請求項1之工具機系統，其具備：安裝工具資訊記憶部，其記憶基於上述測定裝置所測定之上述工具之位置及該工具之形狀的安裝工具資訊；及 <br/>安裝工具檢查部，其比較記憶於上述安裝工具資訊記憶部之上述安裝工具資訊、與基於上述測定裝置新測定之上述工具之位置及該工具之形狀的安裝工具資訊，而檢查期望之該工具是否安裝於上述刀架。
如請求項2之工具機系統，其具備：安裝工具資訊記憶部，其記憶基於上述測定裝置所測定之上述工具之位置及該工具之形狀的安裝工具資訊；及 <br/>安裝工具檢查部，其比較記憶於上述安裝工具資訊記憶部之上述安裝工具資訊、與基於上述測定裝置新測定之上述工具之位置及該工具之形狀的安裝工具資訊，而檢查期望之該工具是否安裝於上述刀架。
如請求項1至4中任一項之工具機系統，其中上述測定裝置係卸除自如地搭載於上述第2主軸台、於搭載於該第2主軸台時發送表示已搭載於該第2主軸台之信號者。
一種工具機系統，其特徵在於具備：刀架，其安裝有用於加工工件之工具； <br/>數值控制部，其基於NC程式控制上述刀架之移動；及 <br/>測定裝置，其測定安裝於上述刀架之上述工具之位置及該工具之形狀；其中 <br/>上述測定裝置係亦測定可調整位置及冷卻液之噴出角度的冷卻噴嘴之位置及該冷卻噴嘴之形狀者，且具備： <br/>干擾檢查部，其使用上述測定裝置所測定之上述冷卻噴嘴之位置、該冷卻噴嘴之形狀以及上述工具之位置及該工具之形狀而產生虛擬3維模型，基於上述NC程式使該虛擬3維模型中之上述刀架移動，而進行該工具與該冷卻噴嘴之干擾檢查。
一種半導體加工用保護片，具有： <br/>基材、抗靜電層、能量線硬化性的黏著劑層、與緩衝層， <br/>將能量線硬化後的黏著劑層，以剝離速度600mm/分，從矽晶圓以與前述黏著劑層與前述矽晶圓的形成角度為90ﾟ的方式剝離時的黏著力為0.035N/25mm以上、未滿0.15N/25mm。
如請求項1所述之半導體加工用保護片，其中將能量線硬化後的黏著劑層，以剝離速度600mm/分，從矽晶圓以與前述黏著劑層與前述矽晶圓的形成角度為90ﾟ的方式剝離時的黏著力，相對於將能量線硬化前的黏著劑層，以剝離速度600mm/分，從矽晶圓以與前述黏著劑層與前述矽晶圓的形成角度為90ﾟ的方式剝離時的黏著力之比為4%以下。
如請求項1或2所述之半導體加工用保護片，其中能量線硬化後的黏著劑層的表面電阻率為5.1×10<sup>12</sup>Ω/cm<sup>2</sup>以上、1.0×10<sup>15</sup>Ω/cm<sup>2</sup>以下。
如請求項1或2所述之半導體加工用保護片，其中前述基材的楊氏模數為1000MPa以上。
如請求項1或2所述之半導體加工用保護片，其中前述半導體加工用保護片具有下述構成：在前述基材的一方的主面上具有前述黏著劑層，在前述基材與前述黏著劑層之間設置前述抗靜電層，在前述基材的其他方的主面上設置前述緩衝層；或者，在前述基材的一方的主面上具有前述黏著劑層，在前述基材與前述黏著劑層之間設置前述抗靜電層及前述緩衝層。
如請求項1或2所述之半導體加工用保護片，其中藉由將在表面形成有溝、或者、在內部形成有改質區域的晶圓的背面研磨，而使晶圓單體化成晶片的步驟中，貼附於晶圓的表面而使用。
一種半導體裝置的製造方法，具有下列步驟： <br/>將如請求項1至6中任一項所述之半導體加工用保護片貼附於晶圓的表面； <br/>從前述晶圓的表面側形成溝的步驟，或者，從前述晶圓的表面或背面在前述晶圓內部形成改質區域； <br/>將前述半導體加工用保護片貼附於表面，且將形成有前述溝或前述改質區域的晶圓，從背面側研磨，以前述溝或前述改質區域作為起點，單體化成複數的晶片； <br/>從經單體化的晶片，將前述半導體加工用保護片剝離。
一種電力管理裝置，包括： <br/>一個或多於一個輸入端子，其被配置為接收第一信號及第二信號，並且在不同的時間段中藉由組合的所述第一信號和所述第二信號識別第一模式指示信號和第二模式指示信號； <br/>多個輸出端子，其連接到顯示裝置的不同元件； <br/>多個電力轉換電路，其被配置為將不同類型的電力輸出到所述多個輸出端子； <br/>記憶體，其被配置為儲存與各個模式有關的針對各個電力轉換電路的控制值；以及 <br/>控制電路，其被配置為根據所述第一模式指示信號來從所述記憶體獲取各個電力轉換電路的第一模式控制值，並且根據所述第一模式控制值來將各個電力轉換電路的工作狀態控制為第一狀態，以及根據所述第二模式指示信號來從所述記憶體獲取各個電力轉換電路的第二模式控制值，並且根據所述第二模式控制值來將各個電力轉換電路的工作狀態改變為第二狀態。
根據請求項1所述的電力管理裝置，其中，所述控制電路根據所述第一模式指示信號來將所述電力轉換電路中的第一電力轉換電路控制為接通，並且根據所述第二模式指示信號來將所述第一電力轉換電路控制為斷開。
根據請求項1所述的電力管理裝置，其中，所述控制電路根據所述第一模式指示信號來將所述電力轉換電路中的第二電力轉換電路的輸出電壓控制為第一電壓，並且根據所述第二模式指示信號來將所述第二電力轉換電路的輸出電壓控制為第二電壓。
根據請求項1所述的電力管理裝置，其中，所述記憶體儲存與各個模式有關的針對第一電力轉換電路的通斷控制值、以及與各個模式有關的針對第二電力轉換電路的輸出電壓控制值， <br/>其中，所述控制電路根據與各個模式有關的所述通斷控制值來控制所述第一電力轉換電路的通斷狀態，並且根據與各個模式有關的所述輸出電壓控制值來控制所述第二電力轉換電路的輸出電壓。
根據請求項1所述的電力管理裝置，其中，所述一個或多於一個輸入端子包括第一輸入端子和第二輸入端子，並且所述控制電路對藉由組合經由所述第一輸入端子所傳送的所述第一信號和經由所述第二輸入端子所傳送的所述第二信號而獲得的四種模式指示信號進行識別。
根據請求項1所述的電力管理裝置，其中，所述顯示裝置包括用於像素驅動和觸摸感測這兩者的內嵌型觸摸電極， <br/>所述電力轉換電路中的第一電力轉換電路向所述內嵌型觸摸電極供給用於所述像素驅動的共同電壓，以及 <br/>所述控制電路在像素驅動時間段中根據所述第一模式指示信號來將所述第一電力轉換電路控制為處於接通狀態，並且在觸摸感測時間段中根據所述第二模式指示信號來將所述第一電力轉換電路控制為處於斷開狀態。
一種顯示裝置，包括： <br/>顯示驅動裝置，其被配置為進行用於驅動顯示面板的至少一些功能； <br/>時序控制器，其被配置為藉由組合的第一信號和第二信號在第一時間段中輸出第一模式指示信號並且在第二時間段中輸出第二模式指示信號；以及 <br/>電力管理裝置，其包括藉由第一輸出端子連接到所述顯示驅動裝置的第一電力轉換電路，並且所述電力管理裝置被配置為根據所述第一模式指示信號來從記憶體獲取第一模式控制值，根據所述第二模式指示信號來從所述記憶體獲取第二模式控制值，在所述第一時間段中根據所述第一模式控制值來控制所述第一電力轉換電路的工作狀態，並且在所述第二時間段中根據所述第二模式控制值來控制所述第一電力轉換電路的工作狀態。
根據請求項7所述的顯示裝置，其中，所述顯示驅動裝置在所述第一時間段中對顯示在所述顯示面板上的圖像進行更新，並且在所述第二時間段中保持所述圖像。
根據請求項8所述的顯示裝置，其中，所述電力管理裝置在所述第一時間段中根據所述第一模式指示信號來將所述第一電力轉換電路控制為處於接通狀態，並且在所述第二時間段中根據所述第二模式指示信號來將所述第一電力轉換電路控制為處於斷開狀態。
根據請求項9所述的顯示裝置，其中，所述顯示驅動裝置接收出自所述第一電力轉換電路的伽瑪參考電壓。
根據請求項7所述的顯示裝置，還包括觸摸驅動裝置，所述觸摸驅動裝置被配置為進行用於驅動觸摸面板的至少一些功能， <br/>其中，在所述第一時間段中，所述顯示驅動裝置藉由使用所述第一電力轉換電路向佈置在所述顯示面板中的閘極線供給閘極高電壓， <br/>在所述第二時間段中，所述觸摸驅動裝置向所述觸摸面板供給第一觸摸驅動信號，藉由使用所述閘極高電壓來產生具有與所述第一觸摸驅動信號相同的相位的輔助信號，並且向所述閘極線供給所述輔助信號。
根據請求項11所述的顯示裝置，其中，在第三時間段中，所述觸摸驅動裝置向所述觸摸面板供給第二觸摸驅動信號，並且所述電力管理裝置將所述第一電力轉換電路控制為處於斷開狀態。
根據請求項12所述的顯示裝置，其中，所述第二觸摸驅動信號具有比所述第一觸摸驅動信號的電壓準位更低的電壓準位。
根據請求項7所述的顯示裝置，其中，所述顯示驅動裝置在所述第一時間段中對顯示在所述顯示面板上的圖像進行更新，並且在所述第二時間段中保持所述圖像，以及 <br/>所述時序控制器藉由調整所述第二時間段的長度來調整所述圖像的更新時段。
根據請求項7所述的顯示裝置，其中，所述時序控制器在驅動M個閘極線所需的M-H時間即M-水平時間期間，以交替地在輸出第一模式指示信號之後輸出第二模式指示信號的方式，在一幀中輸出多個第一模式指示信號和多個第二模式指示信號，其中M是自然數。
根據請求項7所述的顯示裝置，其中，所述時序控制器和所述電力管理裝置藉由兩個信號線而連接， <br/>其中，所述時序控制器藉由所述兩個信號線來發送四種模式指示信號。
根據請求項7所述的顯示裝置，其中，所述時序控制器和所述電力管理裝置藉由數位通信而連接， <br/>其中，所述時序控制器藉由所述數位通信來向所述電力管理裝置發送1位元組的模式指示信號。
根據請求項7所述的顯示裝置，其中，一幀時間是1/60、1/120或1/30秒， <br/>其中，所述時序控制器在一幀時間內改變所述模式指示信號的輸出至少一次。
根據請求項7所述的顯示裝置，其中，所述電力管理裝置在所述第一時間段中根據所述第一模式指示信號來將所述第一電力轉換電路的輸出電壓控制為第一電壓，並且在所述第二時間段中根據所述第二模式指示信號來將所述第一電力轉換電路的輸出電壓控制為第二電壓。
根據請求項7所述的顯示裝置，其中，所述顯示面板包括用於像素驅動和觸摸感測這兩者的內嵌型觸摸電極， <br/>其中，所述電力管理裝置在所述第一時間段中根據所述第一模式指示信號來將所述第一電力轉換電路控制為處於接通狀態，並且在所述第二時間段中根據所述第二模式指示信號來將所述第一電力轉換電路控制為處於斷開狀態。
一種鎢酸溶液，在WO<sub>3</sub>換算下含有0.1～40質量%的鎢，其特徵在於，通過使用動態光散射法的粒徑分布測量被含於該鎢酸溶液的粒子而得之粒徑(D50)為20nm以下。
如請求項1所述之鎢酸溶液，其中該鎢酸溶液為水溶液。
如請求項1或2所述之鎢酸溶液，其含有氨及有機氮化物。
如請求項3所述之鎢酸溶液，其中該有機氮化物為脂肪族胺及/或四級銨。
如請求項4所述之鎢酸溶液，其中該脂肪族胺為甲胺、二甲胺，該四級銨為氫氧化四甲銨(TMAH)。
如請求項1或2所述之鎢酸溶液，其中在該粒徑分布測量中，粒徑(D50)為10nm以下。
如請求項1或2所述之鎢酸溶液，其中在該粒徑分布測量中，粒徑(D50)為2nm以下。
如請求項1或2所述之鎢酸溶液，其中在該粒徑分布測量中，粒徑(D50)為1nm以下。
如請求項1或2所述之鎢酸溶液，其pH為6以上13以下。
一種氧化鎢粉末，其特徵在於，其係通過將如請求項1或2所述之鎢酸溶液進行乾燥和燒製來生成，且含有該鎢酸溶液中所包含之粒子，並該粒子係鎢酸粒子。
一種鎢酸溶液之製造方法，其特徵在於包含：<br/> 將在WO<sub>3</sub>換算下含有1～100g/L之鎢的酸性鎢水溶液添加至10～30質量%氨水溶液而生成含鎢之沉澱物的步驟；及<br/> 使該含鎢之沉澱物成為漿狀而獲得含鎢之沉澱漿液，並於其中添加有機氮化物而生成鎢酸溶液的步驟。
如請求項11所述之鎢酸溶液之製造方法，其中該有機氮化物為脂肪族胺及/或四級銨。
一種氧化鎢粉末之製造方法，其特徵在於包含：將藉由如請求項11或12所述之製造方法而得之鎢酸溶液進行乾燥並燒製而生成氧化鎢粉末的步驟。
一種複合鎢酸組合物，其特徵在於包含：如請求項1或2所述之鎢酸溶液所包含之粒子；及選自於由Si、Al、Ti、Zn、Sn、Y、Ce、Ba、Sr、P、S、La、Gd、Nd、Eu、Dy、Yb、Nb、Li、Na、K、Mg、Ca、Zr、Mo及Ta所構成之群組中的至少1種元素。
一種複合鎢酸組合物之製造方法，其特徵在於包含：將藉由如請求項11或12所述之鎢酸溶液之製造方法而生成的該鎢酸溶液，與選自於由Si、Al、Ti、Zn、Sn、Y、Ce、Ba、Sr、P、S、La、Gd、Nd、Eu、Dy、Yb、Nb、Li、Na、K、Mg、Ca、Zr、Mo及Ta所構成之群組中的至少1種元素進行混合，而生成複合組合物的步驟。
一種鎢酸膜，其特徵在於，含有如請求項1或2所述之鎢酸溶液中所包含之粒子，並該粒子係鎢酸粒子。
一種鎢酸膜之製造方法，其特徵在於：將如請求項1或2所述之鎢酸溶液進行塗布、燒製。
一種複合鎢酸膜，其特徵在於，含有如請求項14所述之複合鎢酸組合物中所包含之粒子。
一種複合鎢酸膜之製造方法，其特徵在於：將如請求項14所述之複合鎢酸組合物進行塗布、燒製。
一種光學構件，具有含有化合物（A）以及化合物（B）的樹脂層， <br/>所述樹脂層在將化合物（A）的最大吸收波長設為λA、將化合物（B）的最大吸收波長設為λB時，滿足下述必要條件（a）～必要條件（d）， <br/>（a）λA＜λB <br/>（b）770 nm≦λA≦870 nm <br/>（c）770 nm≦λB≦900 nm <br/>（d）在將波長600 nm～（λA-1） nm中的任意波長X nm的光從相對於樹脂層的面方向垂直的方向入射時的透過率設為Ta、將波長（X+1） nm的光從相對於樹脂層的面方向垂直的方向入射時的透過率設為Tb、將Tb-Ta的最大值設為Tx時，滿足Tx＜0。
如請求項1所述的光學構件，其中，化合物（A）滿足下述必要條件（i）， <br/>（i）在波長600 nm～（λA-1） nm中，將任意波長X nm的光的化合物（A）的透過率設為TaA、將波長（X+1） nm的光的化合物（A）的透過率設為TbA時，在波長600 nm～（λA-1） nm的一部分中具有滿足TbA-TaA＞0的波長X nm。
如請求項1所述的光學構件，其中，從相對於所述樹脂層的面方向垂直的方向入射的波長λA nm～λB nm的光的透過率的最小值為3%以下。
如請求項1所述的光學構件，其中，在從相對於所述樹脂層的面方向垂直的方向入射的波長600 nm～900 nm的光中，將透過率為50%的最短波長設為Wmin時，所述Wmin處於650 nm～750 nm的範圍。
如請求項1所述的光學構件，其中，在從相對於所述樹脂層的面方向垂直的方向入射的波長600 nm～900 nm的光中，透過率為50%的最短波長Wmin與透過率為50%的最長波長Wmax滿足Wmax-Wmin≧130 nm的關係。
如請求項1所述的光學構件，其中，所述化合物（A）及所述化合物（B）為選自由酞菁系化合物、萘酞菁系化合物、方酸內鎓系化合物、克酮鎓系化合物、花青系化合物、聚次甲基系化合物、二亞銨系化合物、二硫醇金屬絡合物系化合物及吡咯並吡咯系化合物所組成的群組中的化合物。
如請求項6所述的光學構件，其中，所述聚次甲基系化合物為方酸內鎓系化合物、克酮鎓系化合物及花青系化合物以外的化合物。
如請求項1所述的光學構件，其中，從相對於所述樹脂層的面方向垂直的方向入射的波長450 nm～570 nm的光的透過率的平均值為80%以上。
如請求項1所述的光學構件，其中，所述樹脂層包含選自由環狀（聚）烯烴系樹脂、芳香族聚醚系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚酯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚芳酯系樹脂、聚碸系樹脂、聚醚碸系樹脂、聚對苯系樹脂、聚醯胺醯亞胺系樹脂、氟化芳香族聚合物系樹脂、（改性）丙烯酸系樹脂、環氧系樹脂、烯丙酯系硬化型樹脂、矽倍半氧烷系紫外線硬化型樹脂、丙烯酸系紫外線硬化型樹脂及乙烯基系紫外線硬化型樹脂所組成的群組中的至少一種樹脂。
如請求項9所述的光學構件，其中，所述聚酯系樹脂包括聚萘二甲酸乙二酯系樹脂。
一種光學濾波器，具有如請求項1至請求項10中任一項所述的光學構件以及電介質多層膜。
如請求項11所述的光學濾波器，為近紅外線截止濾波器、雙頻帶通濾波器、或單頻帶通濾波器。
一種固體攝像裝置，包括如請求項1至請求項10中任一項所述的光學構件。
一種光學感測器裝置，包括如請求項1至請求項10中任一項所述的光學構件。
一種同時形成耗盡模式(D-mode)與增強模式(E-mode)氮化鎵元件特徵的半導體製程，包含：<br/> 提供一基底，其上界定有一第一區域以及一第二區域且依序具有一氮化鎵通道層以及一氮化鋁鎵層；<br/> 在該第一區域的該氮化鋁鎵層上形成一p型氮化鎵層；<br/> 依序在該氮化鋁鎵層以及該p型氮化鎵層上形成一鋁基鈍化層以及一矽基鈍化層；以及<br/> 進行一光刻製程同時在該第一區域與該第二區域上形成閘極接觸開口，位於該第一區域上的該閘極接觸開口穿過該矽基鈍化層以及該鋁基鈍化層至該p型氮化鎵層的頂面，位於該第二區域上的該閘極接觸開口穿過該矽基鈍化層以及該鋁基鈍化層至該氮化鋁鎵層的表面，其中該光刻製程包含一蝕刻製程以及一第一濕蝕刻製程，該蝕刻製程移除該矽基鈍化層，該第一濕蝕刻製程移除該鋁基鈍化層。
如申請專利範圍第1項所述之同時形成耗盡模式(D-mode)與增強模式(E-mode)氮化鎵元件特徵的半導體製程，其中該光刻製程更包含在該矽基鈍化層上形成一光阻並在其中形成閘極接觸開口圖案。
如申請專利範圍第1項所述之同時形成耗盡模式(D-mode)與增強模式(E-mode)氮化鎵元件特徵的半導體製程，其中該蝕刻製程包含一乾蝕刻製程與一第二濕蝕刻製程，該乾蝕刻製程使用三氟甲烷、六氟化硫氣體以及氦氣。
如申請專利範圍第3項所述之同時形成耗盡模式(D-mode)與增強模式(E-mode)氮化鎵元件特徵的半導體製程，其中該矽基鈍化層包含氧化矽層或氮化層或以上兩者，該第二濕蝕刻製程使用的蝕刻劑為磷酸或氫氟酸或以上兩者。
如申請專利範圍第1項所述之同時形成耗盡模式(D-mode)與增強模式(E-mode)氮化鎵元件特徵的半導體製程，其中該第一濕蝕刻製程使用的蝕刻劑包含磷酸、硝酸及水。
如申請專利範圍第5項所述之同時形成耗盡模式(D-mode)與增強模式(E-mode)氮化鎵元件特徵的半導體製程，其中該鋁基鈍化層的材料為氧化鋁或氮化鋁。
如申請專利範圍第1項所述之同時形成耗盡模式(D-mode)與增強模式(E-mode)氮化鎵元件特徵的半導體製程，更包含在該些閘極接觸開口中露出的該p型氮化鎵層的頂面上以及該氮化鋁鎵層的表面上形成金屬閘極或金屬化合物閘極。
一種雙軸承捲線器， <br/> 是具備離合器，該離合器，可透過小齒輪將操作桿的旋轉朝捲筒傳達，且可切換該傳達的通斷(ON/OFF)， <br/> 前述捲筒的捲筒軸，是具有卡合部， <br/> 前述小齒輪，具有：在外周具備齒部的齒輪部、及在前述操作桿的旋轉可被傳達至前述捲筒的前述離合器的導通(ON)狀態下與前述卡合部卡合且在前述操作桿的旋轉不可被傳達至前述捲筒的前述離合器的斷開(OFF)狀態下不與前述卡合部卡合的被卡合部， <br/> 從與捲筒軸方向直交的方向的側面看的話，前述齒部及前述被卡合部的至少一部分是在前述捲筒軸方向上重疊。
如請求項1的雙軸承捲線器，其中， <br/> 前述卡合部，是從前述捲筒的捲筒軸朝徑方向外側突出的離合器銷。
如請求項2的雙軸承捲線器，其中， <br/> 在前述齒輪部的徑方向內側的中央部形成有朝前述捲筒軸方向凹陷的凹部， <br/> 在前述凹部設有前述離合器銷所卡合的前述被卡合部。
如請求項3的雙軸承捲線器，其中， <br/> 在前述凹部中，沿著繞前述捲筒軸周圍周轉的圓周方向形成有台階狀的台階部， <br/> 在前述台階部的最下段位置設有溝狀的前述被卡合部。
如請求項4的雙軸承捲線器，其中， <br/> 前述離合器銷，是剖面圓形， <br/> 前述台階部，其在與前述捲筒軸直交的徑方向上的中心側端部中的前述圓周方向的寬度尺寸，是比前述離合器銷的剖面的半徑尺寸更小。
一種飛行時間感測器，其包括： <br/>一電壓調節器，其經安置於一積體電路晶片中； <br/>一負載，其經安置於該積體電路晶片中，其中該負載包含： <br/>一調變驅動器，其經安置於該積體電路晶片中，其中該調變驅動器經耦合以被供應來自該電壓調節器之電力；及 <br/>一像素電路分組，其中該像素電路分組係包含於經安置在該積體電路晶片中之一像素陣列中之複數個像素電路分組中之一者，其中該等像素電路之各者包含： <br/>一光電二極體，其經組態以回應於入射於該光電二極體上之反射調變光而光生電荷； <br/>一第一浮動擴散區，其經組態以儲存該光電二極體中光生之一第一電荷部分；及 <br/>一第一轉移電晶體，其經組態以回應於由該調變驅動器產生之一第一相位調變信號而將該第一電荷部分自該光電二極體轉移至該第一浮動擴散區；及 <br/>一回饋電路，其經安置於該積體電路晶片中，其中該回饋電路經耦合於該負載與該電壓調節器之間，其中該調變驅動器經耦合以回應於該負載而自該回饋電路接收一回饋信號。
如請求項1之飛行時間感測器，其中該像素電路分組包含該像素陣列之一像素電路列。
如請求項1之飛行時間感測器，其中該像素電路分組包含該像素陣列之一像素電路行。
如請求項1之飛行時間感測器，其中該等像素電路之各者進一步包含： <br/>一第二浮動擴散區，其經組態以儲存該光電二極體中光生之一第二電荷部分；及 <br/>一第二轉移電晶體，其經組態以回應於由該調變驅動器產生之一第二相位調變信號而將該第二電荷部分自該光電二極體轉移至該第二浮動擴散區，其中該第二相位調變信號係與該第一相位調變信號異相。
如請求項1之飛行時間感測器，其中該電壓調節器包括經安置於該積體電路晶片中之一低壓差調節器。
如請求項1之飛行時間感測器，其中該電壓調節器包括： <br/>一第一電晶體，其經耦合於一第一供應電壓與該調變驅動器之一第一電壓輸入之間；及 <br/>一第一比較器，其具有一第一輸入、一第二輸入及一輸出，其中該第一比較器之該輸出經耦合至該第一電晶體之一閘極，其中該第一比較器之該第一輸入經耦合至一第一參考電壓，其中該第一比較器之該第二輸入經耦合以自該回饋電路接收該回饋信號。
如請求項6之飛行時間感測器，其中該電壓調節器進一步包括： <br/>一第二電晶體，其經耦合於一第二供應電壓與該調變驅動器之一第二電壓輸入之間；及 <br/>一第二比較器，其具有一第一輸入、一第二輸入及一輸出，其中該第二比較器之該輸出經耦合至該第二電晶體之一閘極，其中該第二比較器之該第一輸入經耦合至一第二參考電壓， <br/>其中來自該回饋電路之回饋信號包括一高側回饋信號及一低側回饋信號， <br/>其中該第一比較器之該第二輸入經耦合以自該回饋電路接收該高側回饋信號， <br/>其中該第二比較器之該第二輸入經耦合以自該回饋電路接收該低側回饋信號。
如請求項7之飛行時間感測器，其中該第一供應電壓及該第二供應電壓經組態以自一電力管理積體電路提供。
如請求項8之飛行時間感測器，其中該電力管理積體電路經組態以回應於該回饋信號而提供該第一供應電壓及第二供應電壓。
如請求項7之飛行時間感測器，其中該回饋電路包括： <br/>一高側耦合件，其經耦合於該調變驅動器之該第一電壓輸入與該第一比較器之該第二輸入之間；及 <br/>一低側耦合件，其經耦合於該調變驅動器之該第二電壓輸入與該第二比較器之該第二輸入之間。
如請求項7之飛行時間感測器，其中該回饋電路包括： <br/>一放大器，其具有經組態以產生該高側回饋信號之一第一輸出，及經組態以產生該低側回饋信號之一第二輸出；及 <br/>一負載感測電路，其經耦合至該負載，其中該負載感測電路經組態以回應於該負載而產生經耦合至該放大器之一第一輸入之一第一輸出，其中該負載感測電路經組態以回應於該負載而產生經耦合至該放大器之一第二輸入之一第二輸出。
如請求項11之飛行時間感測器，其中該回饋電路之該放大器包括一可程式化增益放大器。
如請求項11之飛行時間感測器，其中該負載感測電路包括： <br/>一差分峰值偵測器，其經耦合至該負載之該像素電路分組；及 <br/>一加權電路，其經耦合至該調變驅動器及該差分峰值偵測器之一輸出，其中該加權電路經組態以回應於該調變驅動器及該差分峰值偵測器之該輸出而產生該負載感測電路之該等第一及第二輸出。
如請求項13之飛行時間感測器，其中該加權電路經耦合至該調變驅動器之該第一電壓輸入及該第二電壓輸入，其中該加權電路經組態以回應於該調變驅動器之該第一電壓輸入及該第二電壓輸入以及該差分峰值偵測器之該輸出而產生該負載感測電路之該等第一及第二輸出。
如請求項14之飛行時間感測器，其中該加權電路之該等第一及第二輸出係該調變驅動器之該等第一及第二電壓輸入以及該差分峰值偵測器之該輸出的一加權平均值。
如請求項14之飛行時間感測器，其中該差分峰值偵測器包括： <br/>一第三電晶體，其具有經耦合至該像素電路分組之一第一遠端調變輸出之一閘極；及 <br/>一第四電晶體，其具有經耦合至該像素電路分組之一第二遠端調變輸出之一閘極， <br/>其中該差分峰值偵測器之該輸出係耦合至該第三電晶體之一源極及該第四電晶體之一源極。
如請求項16之飛行時間感測器， <br/>其中該像素電路分組之該第一遠端調變輸出係該像素電路分組之一高側遠端調變輸出， <br/>其中該像素電路分組之該第二遠端調變輸出係該像素電路分組之一低側遠端調變輸出， <br/>其中該調變驅動器之該第一電壓輸入進一步係該調變驅動器之一高側近端調變輸出， <br/>其中該調變驅動器之該第二電壓輸入進一步係該調變驅動器之一低側近端調變輸出。
如請求項17之飛行時間感測器，其中該差分峰值偵測器進一步包括具有經耦合至該像素電路分組之該高側遠端調變輸出之一閘極之一第五電晶體，其中該差分峰值偵測器之該輸出進一步經耦合至該第五電晶體之一源極。
如請求項18之飛行時間感測器，其中該差分峰值偵測器進一步包括： <br/>一第一電流源，其經耦合至該第三電晶體之該源極； <br/>一第二電流源，其經耦合至該第四電晶體之該源極；及 <br/>一第三電流源，其經耦合至該第五電晶體之該源極。
如請求項19之飛行時間感測器，其中該第三電晶體係一NMOS電晶體，其中該等第四及第五電晶體係PMOS電晶體。
如請求項11之飛行時間感測器，其中該負載係複數個負載之一參考者。
如請求項21之飛行時間感測器，其中該複數個負載之該參考者係一虛設負載。
一種飛行時間感測系統，其包括： <br/>一光源，其經組態以將調變光發射至一物件；及 <br/>一飛行時間感測器，其經安置於一積體電路晶片中，其中該飛行時間感測器經組態以感測來自該物件之反射調變光，其中該飛行時間感測器包含： <br/>複數個電壓調節器，其等經安置於該積體電路晶片中； <br/>複數個負載，其等經安置於該積體電路晶片中，其中該複數個負載之各者經耦合至該複數個電壓調節器之一各自者，其中該複數個負載之該各者包含： <br/>一調變驅動器，其經安置於該積體電路晶片中，其中該調變驅動器經耦合以被供應來自該複數個電壓調節器之該各自者的電力；及 <br/>一像素電路分組，其中該像素電路分組係包含於經安置在該積體電路晶片中之一像素陣列中之複數個像素電路分組中之一者，其中該等像素電路之各者包含： <br/>一光電二極體，其經組態以回應於經入射在該光電二極體上之反射調變光而光生電荷； <br/>一第一浮動擴散區，其經組態以儲存該光電二極體中光生之一第一電荷部分；及 <br/>一第一轉移電晶體，其經組態以回應於由該調變驅動器產生之一第一相位調變信號而將該第一電荷部分自該光電二極體轉移至該第一浮動擴散區；及 <br/>一回饋電路，其係安置於該積體電路晶片中，其中該回饋電路經耦合於該複數個負載之一參考者與該複數個電壓調節器之間，其中該調變驅動器經耦合以回應於該複數個負載之該參考者而自該回饋電路接收一回饋信號。
如請求項23之飛行時間感測系統，其中該像素電路分組包含該像素陣列之一像素電路列。
如請求項23之飛行時間感測系統，其中該像素電路分組包含該像素陣列之一像素電路行。
如請求項23之飛行時間感測系統，其中該等像素電路之各者進一步包含： <br/>一第二浮動擴散區，其經組態以儲存該光電二極體中光生之一第二電荷部分；及 <br/>一第二轉移電晶體，其經組態以回應於由該調變驅動器產生之一第二相位調變信號而將該第二電荷部分自該光電二極體轉移至該第二浮動擴散區，其中該第二相位調變信號係與該第一相位調變信號異相。
如請求項23之飛行時間感測系統，其中該複數個電壓調節器之該各自者包括經安置於該積體電路晶片中之一低壓差調節器。
如請求項23之飛行時間感測系統，其中該複數個電壓調節器之該各自者包括： <br/>一第一電晶體，其經耦合於一第一供應電壓與該調變驅動器之一第一電壓輸入之間；及 <br/>一第一比較器，其具有一第一輸入、一第二輸入及一輸出，其中該第一比較器之該輸出經耦合至該第一電晶體之一閘極，其中該第一比較器之該第一輸入經耦合至一第一參考電壓，其中該第一比較器之該第二輸入經耦合以自該回饋電路接收該回饋信號。
如請求項28之飛行時間感測系統，其中該複數個電壓調節器之該各自者進一步包括： <br/>一第二電晶體，其經耦合於一第二供應電壓與該調變驅動器之一第二電壓輸入之間；及 <br/>一第二比較器，其具有一第一輸入、一第二輸入及一輸出，其中該第二比較器之該輸出經耦合至該第二電晶體之一閘極，其中該第二比較器之該第一輸入經耦合至一第二參考電壓， <br/>其中來自該回饋電路之回饋信號包括一高側回饋信號及一低側回饋信號， <br/>其中該第一比較器之該第二輸入經耦合以自該回饋電路接收該高側回饋信號， <br/>其中該第二比較器之該第二輸入經耦合以自該回饋電路接收該低側回饋信號。
如請求項29之飛行時間感測系統，進一步包括經組態以提供該第一供應電壓及該第二供應電壓之一電力管理積體電路。
如請求項30之飛行時間感測系統，其中該電力管理積體電路經組態以回應於該回饋信號而提供該第一供應電壓及第二供應電壓。
如請求項29之飛行時間感測系統，其中該回饋電路包括： <br/>一高側耦合件，其經耦合於該調變驅動器之該第一電壓輸入與該第一比較器之該第二輸入之間；及 <br/>一低側耦合件，其經耦合於該調變驅動器之該第二電壓輸入與該第二比較器之該第二輸入之間。
如請求項29之飛行時間感測系統，其中該回饋電路包括： <br/>一放大器，其具有經組態以產生該高側回饋信號之一第一輸出，及經組態以產生該低側回饋信號之一第二輸出；及 <br/>一負載感測電路，其經耦合至該複數個負載之該參考者，其中該負載感測電路經組態以回應於該複數個負載之該參考者而產生耦合至該放大器之一第一輸入之一第一輸出，其中該負載感測電路經組態以回應於該複數個負載之該參考者而產生耦合至該放大器之一第二輸入之一第二輸出。
如請求項33之飛行時間感測系統，其中該回饋電路之該放大器包括一可程式化增益放大器。
如請求項33之飛行時間感測系統，其中該負載感測電路包括： <br/>一差分峰值偵測器，其經耦合至該複數個負載之該參考者之該像素電路分組；及 <br/>一加權電路，其經耦合至該複數個負載之該參考者之該調變驅動器及該差分峰值偵測器之一輸出，其中該加權電路經組態以回應於該複數個負載之該參考者之該調變驅動器以及該差分峰值偵測器之該輸出而產生該負載感測電路之該等第一及第二輸出。
如請求項35之飛行時間感測系統，其中該加權電路經耦合至該複數個負載之該參考者之該調變驅動器之該第一電壓輸入及該第二電壓輸入，其中該加權電路經組態以回應於該複數個負載之該參考者之該調變驅動器之該第一電壓輸入及該第二電壓輸入以及該差分峰值偵測器之該輸出而產生該負載感測電路之該等第一及第二輸出。
如請求項36之飛行時間感測系統，其中該加權電路之該等第一及第二輸出係該複數個負載之該參考者之該調變驅動器之該等第一及第二電壓輸入以及該差分峰值偵測器之該輸出的一加權平均值。
如請求項36之飛行時間感測系統，其中該差分峰值偵測器包括： <br/>一第三電晶體，其具有經耦合至該複數個負載之該參考者之該像素電路分組之一第一遠端調變輸出之一閘極；及 <br/>一第四電晶體，其具有經耦合至該複數個負載之該參考者之該像素電路分組之一第二遠端調變輸出之一閘極， <br/>其中該差分峰值偵測器之該輸出係耦合至該第三電晶體之一源極及該第四電晶體之一源極。
如請求項38之飛行時間感測系統， <br/>其中該像素電路分組之該第一遠端調變輸出係該複數個負載之該參考者之該像素電路分組之一高側遠端調變輸出， <br/>其中該像素電路分組之該第二遠端調變輸出係該複數個負載之該參考者之該像素電路分組之一低側遠端調變輸出， <br/>其中該複數個負載之該參考者之該調變驅動器之該第一電壓輸入進一步係該複數個負載之該參考者之該調變驅動器之一高側近端調變輸出， <br/>其中該複數個負載之該參考者之該調變驅動器之該第二電壓輸入進一步係該複數個負載之該參考者之該調變驅動器之一低側近端調變輸出。
如請求項39之飛行時間感測系統，其中該差分峰值偵測器進一步包括具有經耦合至該複數個參考之該參考者之該像素電路分組之該高側遠端調變輸出之一閘極之一第五電晶體，其中該差分峰值偵測器之該輸出進一步經耦合至該第五電晶體之一源極。
如請求項40之飛行時間感測系統，其中該差分峰值偵測器進一步包括： <br/>一第一電流源，其經耦合至該第三電晶體之該源極； <br/>一第二電流源，其經耦合至該第四電晶體之該源極；及 <br/>一第三電流源，其經耦合至該第五電晶體之該源極。
如請求項41之飛行時間感測系統，其中該第三電晶體係一NMOS電晶體，其中該等第四及第五電晶體係PMOS電晶體。
如請求項23之飛行時間感測系統，其中該複數個負載之該參考者係一虛設負載。
一種可固化組成物，其包含： <br/>(a) 15至73重量百分比的乙烯基官能性M封端芳基矽倍半氧烷樹脂，其具有在700至1900道耳頓範圍中之重量平均分子量，且具有平均化學結構(I)： <br/><br/>(R<sub>3</sub>SiO<sub>1/2</sub>)<sub>a</sub>(R’SiO<sub>3/2</sub>)<sub>b</sub>((ZO)<sub>x</sub>R’SiO<sub>[(3-x)/2]</sub>)<sub>z </sub> (I) <br/><br/>其中，至少一個R係具有2至8個碳原子之末端烯基，下標x在每次出現時獨立地係選自在0至2範圍中之值，下標a係在0.15至0.35範圍中之值，且下標b係0.65至0.85範圍中之值，下標z係在0至0.10範圍中，且下標a、b、及z之總和係1.0； <br/>(b) 0.5至5重量百分比的乙烯基官能性二矽氧烷，其具有在250至500道耳頓範圍中之重量平均分子量，且具有化學結構(II)： <br/><br/>(R’R<sub>2</sub>SiO<sub>1/2</sub>)<sub>2</sub> (II) <br/><br/>其中至少一個R係具有2至8個碳原子之末端烯基； <br/>(c) 2至25 wt%的氫化矽官能性M封端矽倍半氧烷樹脂，其具有在500至1200道耳頓範圍中之重量平均分子量，且具有(III)之平均化學結構： <br/><br/>(R”<sub>2</sub>HSiO<sub>1/2</sub>)<sub>c</sub>(R’SiO<sub>3/2</sub>)<sub>d</sub>((ZO)<sub>x</sub>R’SiO<sub>[(3-x)/2]</sub>)<sub>z</sub> (III) <br/><br/>其中下標x在每次出現時獨立地係選自在0至2範圍中之值，下標c具有0.5至0.7範圍中之值，且下標d具有在0.3至0.5範圍中之值，下標z係在0至0.10範圍中，且其中下標c、d、及z之總和係1.0； <br/>(d) 以可固化組成物之重量計，1至10重量百萬分點的來自鉑氫矽化催化劑之鉑， <br/>其中： <br/>在符合上述要求下，R在每次出現時獨立地係選自由具有1至8個碳原子之烷基及具有2至8個碳原子之末端烯基所組成之群組；R’在每次出現時獨立地係選自芳基；R”在每次出現時獨立地係選自具有1至8個碳原子之烷基；Z在每次出現時獨立地係選自由氫及烷基及R基團所組成之群組；下標a至d及z係指對應矽氧烷單元在含有該矽氧烷單元之分子中的莫耳比；(a)及(b)之濃度的總和係至少35重量百分比；重量百分比值係相對於可固化組成物之重量；且該可固化組成物不含炔醇矽氫化抑制劑。
如請求項1之可固化組成物，其中該可固化組成物進一步包含多於0重量百分比且同時65重量百分比或更少的線性烯基聚有機矽氧烷，其具有在300至9000道耳頓範圍中之重量平均分子量及化學結構(IV)： <br/><br/>(R<sub>3</sub>SiO<sub>1/2</sub>)<sub>e</sub>(R’<sub>(2-x)</sub>R”<sub> x</sub> SiO<sub>2/2</sub>)<sub>f</sub> (IV) <br/><br/>其中R在每次出現時獨立地係選自具有1至8個碳原子之烷基及具有2至8個碳原子之末端烯基，前提是各(R<sub>3</sub>SiO<sub>1/2</sub>)單元中至少一個R係末端烯基，R’係選自芳基，且R”係選自具有1至8個碳原子之烷基，下標x具有在0至1範圍中之平均值，下標e具有0.03至0.97之值，下標e及f係相關聯矽氧烷單元於含有該矽氧烷單元之分子中的莫耳比，下標e及f之值的總和係1.0，而重量百分比係相對於可固化組成物重量。
如請求項1或2之可固化組成物，其中該可固化組成物進一步包含大於0重量百分比且同時25重量百分比或更低的氫化矽官能性線性有機矽氧烷，其具有在250至500道耳頓範圍中之重量平均分子量且具有化學結構(V)： <br/><br/>(HR<sub>2</sub>SiO<sub>1/2</sub>)<sub>2</sub>(R’<sub>2</sub>SiO<sub>2/2</sub>) (V) <br/><br/>其中R在每次出現時獨立地係選自具有1至8個碳原子之烷基且R’係選自芳基。
如請求項1或2之可固化組成物，其中SiH對末端烯基之莫耳比係在0.8至3.0範圍中。
如請求項1或2之可固化組成物，其中： <br/>(i) 化學結構(I)具有下列化學結構：(ViMe<sub>2</sub>SiO<sub>1/2</sub>)<sub>a</sub>(PhSiO<sub>3/2</sub>)<sub>b</sub>((ZO)<sub>x</sub>PhSiO<sub>[(3-x)/2]</sub>)<sub>z</sub>； <br/>(ii) 化學結構(II)具有下列化學結構：(ViMePhSiO<sub>1/2</sub>)<sub>2</sub>; <br/>(iii) 化學結構(III)具有下列化學結構：(HMe<sub>2</sub>SiO<sub>1/2</sub>)<sub>c</sub>(PhSiO<sub>3/2</sub>)<sub>d</sub>((ZO)<sub>x</sub>PhSiO<sub>[(3-x)/2]</sub>)<sub>z</sub>； <br/>(iv) 化學結構(IV) 當存在時具有下列化學結構：(ViMe<sub>2</sub>SiO<sub>1/2</sub>)<sub>e</sub>(PhMeSiO<sub>2/2</sub>)<sub>f</sub>； <br/>(v) 化學結構(V)當存在時具有下列化學結構：(HMe<sub>2</sub>SiO<sub>1/2</sub>)<sub>2</sub>(PhPhSiO<sub>2/2</sub>)；且 <br/>其中「Vi」係指乙烯基，「Ph」係指苯基，且「Me」係指甲基。
如請求項1或2之可固化組成物，其中該可固化組成物不含在矽氧烷分子中相對於矽原子莫耳數含有多於3 mol%的含環氧基基團之矽氧烷分子。
一種用於固化請求項1至6中任一項之可固化組成物之方法，該方法包含形成該可固化組成物之膜，然後將該膜加熱至高於攝氏100度之溫度以形成經固化聚合膜。
一種經固化聚合膜，其包含如請求項1至6中任一項之可固化組成物之經固化聚合膜。
如請求項8之經固化聚合膜，其中該膜之特徵在於當使用589奈米波長光測量時具有1.50或更高之折射率，具有在25至500微米範圍中之厚度，且其中該膜具有光學平滑之主要表面。
如請求項8或9之經固化聚合膜，該膜進一步包含光源，該光源係以將光導向至該膜之邊緣的方式與該膜耦合。
一種使用者設備，包括：<br/> 一記憶體；<br/> 一控制器，通訊地耦合到該記憶體；及<br/> 一衛星定位系統接收器，通訊地耦合到該控制器並且包括：<br/> 一第一衛星訊號接收鏈，被配置為接收來自一衛星群集中的至少一個衛星的、一第一頻帶的一第一衛星訊號；及<br/> 一第二衛星訊號接收鏈，被配置為量測來自該衛星群集中的該至少一個衛星的、一第二頻帶的一第二衛星訊號；<br/> 其中該控制器被配置為控制該第一衛星訊號接收鏈或該第二衛星訊號接收鏈中的至少一個的一啟動狀態，及<br/> 其中該第一衛星訊號具有比該第二衛星訊號更少的關聯搜尋假設或比該第二衛星訊號更小的一頻寬中的至少一個，並且其中該控制器被配置為回應於接收獲取來自該衛星群集中的該至少一個衛星的一第三衛星訊號的一請求而將該第一衛星訊號接收鏈控制為活動的。
根據請求項1所述之使用者設備，其中該控制器被配置為基於一時間不決定性高於與該第二衛星訊號相關聯的一時間不決定性閾值或者該使用者設備的一位置不決定性高於與該第二衛星訊號相關聯的一位置不決定性閾值中的至少一個而將該第二衛星訊號接收鏈的至少一個部件的一啟動狀態控制為非活動的。
根據請求項1所述之使用者設備，其中該控制器被配置為當該第一衛星訊號接收鏈為活動的時將該第二衛星訊號接收鏈控制為變為活動的，隨後回應於接收用該第二衛星訊號追蹤該衛星群集中的該至少一個衛星的一請求而將該第一衛星訊號接收鏈控制為變為非活動的。
根據請求項3所述之使用者設備，亦包括一處理器，該處理器通訊地耦合到該衛星定位系統接收器並且被配置為使用與來自該衛星群集中的該至少一個衛星的該第一衛星訊號相對應的一或多個所獲得的衛星訊號追蹤參數，以在該第一衛星訊號接收鏈和該第二衛星訊號接收鏈兩者皆為活動的時用該第二衛星訊號追蹤該衛星群集中的該至少一個衛星。
根據請求項1所述之使用者設備，其中該控制器被配置為回應於接收驗證來自該衛星群集中的該至少一個衛星的一所獲取的衛星訊號的一請求而將該第一衛星訊號接收鏈的該啟動狀態控制為活動的以及將該第二衛星訊號接收鏈的該啟動狀態控制為活動的。
根據請求項5所述之使用者設備，其中該控制器被配置為回應於對該所獲取的衛星訊號的驗證而將該第二衛星訊號接收鏈的至少一個部件的一啟動狀態控制為非活動的。
根據請求項5所述之使用者設備，其中該控制器被配置為當該第一衛星訊號接收鏈為活動的並且回應於接收驗證該所獲取的衛星訊號的該請求，週期性地將該第二衛星訊號接收鏈控制為活動的，以驗證該所獲取的衛星訊號。
一種使用者設備，包括：<br/> 一記憶體；<br/> 一控制器，通訊地耦合到該記憶體；及<br/> 一衛星定位系統接收器，通訊地耦合到該控制器並且包括：<br/> 一第一衛星訊號接收鏈，被配置為接收來自一衛星群集中的至少一個衛星的、一第一頻帶的一第一衛星訊號；及<br/> 一第二衛星訊號接收鏈，被配置為量測來自該衛星群集中的該至少一個衛星的、一第二頻帶的一第二衛星訊號；<br/> 其中該控制器被配置為控制該第一衛星訊號接收鏈或該第二衛星訊號接收鏈中的至少一個的一啟動狀態，及<br/> 其中該第一衛星訊號具有比該第二衛星訊號更小的一頻寬，並且其中該控制器被配置為回應於接收用該第二衛星訊號追蹤該衛星群集中的該至少一個衛星的一請求而將該第二衛星訊號接收鏈控制為活動的以及將該第一衛星訊號接收鏈的至少一個部件控制為非活動的。
根據請求項8所述之使用者設備，其中該控制器被配置為基於決定該使用者設備的一時間不決定性低於一時間不決定性閾值並且該使用者設備的一位置不決定性低於一位置不決定性閾值而將該第二衛星訊號接收鏈控制為活動的以及將該第一衛星訊號接收鏈的該至少一個部件控制為非活動的。
一種使用者設備，包括：<br/> 一記憶體；<br/> 一控制器，通訊地耦合到該記憶體；及<br/> 一衛星定位系統接收器，通訊地耦合到該控制器並且包括：<br/> 一第一衛星訊號接收鏈，被配置為接收來自一衛星群集中的至少一個衛星的、一第一頻帶的一第一衛星訊號；及<br/> 一第二衛星訊號接收鏈，被配置為量測來自該衛星群集中的該至少一個衛星的、一第二頻帶的一第二衛星訊號；<br/> 其中該控制器被配置為控制該第一衛星訊號接收鏈或該第二衛星訊號接收鏈中的至少一個的一啟動狀態，<br/> 其中該控制器被配置為回應於接收決定來自該衛星群集中的該至少一個衛星的一電離層延遲的一請求而將該第一衛星訊號接收鏈控制為活動的以及將該第二衛星訊號接收鏈控制為活動的。
根據請求項10所述之使用者設備，其中該控制器被配置為當該第一衛星訊號接收鏈為活動的並且回應於接收決定該電離層延遲的該請求，週期性地將該第二衛星訊號接收鏈控制為活動的。
一種使用者設備，包括：<br/> 一記憶體；<br/> 一控制器，通訊地耦合到該記憶體；及<br/> 一衛星定位系統接收器，通訊地耦合到該控制器並且包括：<br/> 一第一衛星訊號接收鏈，被配置為接收來自一衛星群集中的至少一個衛星的、一第一頻帶的一第一衛星訊號；及<br/> 一第二衛星訊號接收鏈，被配置為量測來自該衛星群集中的該至少一個衛星的、一第二頻帶的一第二衛星訊號；<br/> 其中該控制器被配置為控制該第一衛星訊號接收鏈或該第二衛星訊號接收鏈中的至少一個的一啟動狀態；及<br/> 其中該控制器被配置為基於以下項來將該第一衛星訊號接收鏈控制為活動的或者將該第二衛星訊號接收鏈控制為活動的或其之一組合中的至少一個：<br/> 與獲取該第一衛星訊號和獲取該第二衛星訊號相關聯的訊號獲取速度，以及一期望的衛星訊號獲取速度；或者<br/> 與該第一衛星訊號和該第二衛星訊號相關聯的位置準確度，以及一期望的位置準確度；或者<br/> 其之一組合。
一種衛星訊號處理方法，包括以下步驟：<br/> 在一使用者設備處接收來自一衛星群集中的至少一個衛星的、一第一頻帶的一第一衛星訊號；<br/> 在該使用者設備處接收一第二頻帶的且來自該衛星群集中的該至少一個衛星的一第二衛星訊號；及<br/> 控制以下項中的至少一個的一啟動狀態：該使用者設備的、被配置為量測該第一衛星訊號的一第一衛星訊號接收鏈；或者該使用者設備的、被配置為量測該第二衛星訊號的一第二衛星訊號接收鏈，<br/> 其中該第一衛星訊號具有比該第二衛星訊號更少的關聯搜尋假設或比該第二衛星訊號更小的一頻寬中的至少一個，並且其中控制該啟動狀態包括回應於接收獲取來自該衛星群集中的該至少一個衛星的一第三衛星訊號的一請求而將該第一衛星訊號接收鏈控制為活動的。
根據請求項13所述之衛星訊號處理方法，其中控制該啟動狀態包括基於一時間不決定性高於與該第二衛星訊號相關聯的一時間不決定性閾值或者該使用者設備的一位置不決定性高於與該第二衛星訊號相關聯的一位置不決定性閾值中的至少一個而將該第二衛星訊號接收鏈的至少一個部件的一啟動狀態控制為非活動的。
根據請求項13所述之衛星訊號處理方法，其中控制該啟動狀態包括當該第一衛星訊號接收鏈為活動的時將該第二衛星訊號接收鏈控制為變為活動的，隨後回應於接收用該第二衛星訊號追蹤該衛星群集中的該至少一個衛星的一請求而將該第一衛星訊號接收鏈控制為變為非活動的。
根據請求項15所述之衛星訊號處理方法，亦包括使用與來自該衛星群集中的該至少一個衛星的該第一衛星訊號相對應的一或多個所獲得的衛星訊號追蹤參數，以在該第一衛星訊號接收鏈和該第二衛星訊號接收鏈兩者皆為活動的時用該第二衛星訊號追蹤該衛星群集中的該至少一個衛星。
根據請求項13所述之衛星訊號處理方法，其中控制該啟動狀態包括回應於接收驗證來自該衛星群集中的該至少一個衛星的一所獲取的衛星訊號的一請求而將該第一衛星訊號接收鏈的該啟動狀態控制為活動的以及將該第二衛星訊號接收鏈的該啟動狀態控制為活動的。
根據請求項17所述之衛星訊號處理方法，其中控制該啟動狀態包括回應於對該所獲取的衛星訊號的驗證而將該第二衛星訊號接收鏈的至少一個部件的一啟動狀態控制為非活動的。
根據請求項17所述之衛星訊號處理方法，其中控制該啟動狀態包括當該第一衛星訊號接收鏈為活動的並且回應於接收驗證該所獲取的衛星訊號的該請求，週期性地將該第二衛星訊號接收鏈控制為活動的，以驗證該所獲取的衛星訊號。
一種衛星訊號處理方法，包括以下步驟：<br/> 在一使用者設備處接收來自一衛星群集中的至少一個衛星的、一第一頻帶的一第一衛星訊號；<br/> 在該使用者設備處接收一第二頻帶的且來自該衛星群集中的該至少一個衛星的一第二衛星訊號；及<br/> 控制以下項中的至少一個的一啟動狀態：該使用者設備的、被配置為量測該第一衛星訊號的一第一衛星訊號接收鏈；或者該使用者設備的、被配置為量測該第二衛星訊號的一第二衛星訊號接收鏈，<br/> 其中該第一衛星訊號具有比該第二衛星訊號更小的一頻寬，並且其中控制該啟動狀態包括回應於接收用該第二衛星訊號追蹤該衛星群集的該至少一個衛星的一請求而將該第二衛星訊號接收鏈控制為活動的以及將該第一衛星訊號接收鏈的至少一個部件控制為非活動的。
根據請求項20所述之衛星訊號處理方法，其中控制該啟動狀態包括基於決定該使用者設備的一時間不決定性低於一時間不決定性閾值並且該使用者設備的一位置不決定性低於一位置不決定性閾值而將該第二衛星訊號接收鏈控制為活動的以及將該第一衛星訊號接收鏈的該至少一個部件控制為非活動的。
一種衛星訊號處理方法，包括以下步驟：<br/> 在一使用者設備處接收來自一衛星群集中的至少一個衛星的、一第一頻帶的一第一衛星訊號；<br/> 在該使用者設備處接收一第二頻帶的且來自該衛星群集中的該至少一個衛星的一第二衛星訊號；及<br/> 控制以下項中的至少一個的一啟動狀態：該使用者設備的、被配置為量測該第一衛星訊號的一第一衛星訊號接收鏈；或者該使用者設備的、被配置為量測該第二衛星訊號的一第二衛星訊號接收鏈，<br/> 其中控制該啟動狀態包括回應於接收決定來自該衛星群集中的該至少一個衛星的一電離層延遲的一請求而將該第一衛星訊號接收鏈控制為活動的以及將該第二衛星訊號接收鏈控制為活動的。
根據請求項22所述之衛星訊號處理方法，其中控制該啟動狀態包括當該第一衛星訊號接收鏈為活動的並且回應於接收決定該電離層延遲的該請求，週期性地將該第二衛星訊號接收鏈控制為活動的。
一種衛星訊號處理方法，包括以下步驟：<br/> 在一使用者設備處接收來自一衛星群集中的至少一個衛星的、一第一頻帶的一第一衛星訊號；<br/> 在該使用者設備處接收一第二頻帶的且來自該衛星群集中的該至少一個衛星的一第二衛星訊號；及<br/> 控制以下項中的至少一個的一啟動狀態：該使用者設備的、被配置為量測該第一衛星訊號的一第一衛星訊號接收鏈；或者該使用者設備的、被配置為量測該第二衛星訊號的一第二衛星訊號接收鏈，<br/> 其中控制該啟動狀態包括基於以下項來將該第一衛星訊號接收鏈控制為活動的或者將該第二衛星訊號接收鏈控制為活動的或其之一組合中的至少一個：<br/> 與獲取該第一衛星訊號和獲取該第二衛星訊號相關聯的訊號獲取速度，以及期望的衛星訊號獲取速度；或者<br/> 與該第一衛星訊號和該第二衛星訊號相關聯的位置準確度，以及一期望的位置準確度；或者<br/> 其之一組合。
一種使用者設備，包括：<br/> 用於量測來自一衛星群集中的至少一個衛星的、一第一頻帶的一第一衛星訊號的部件；<br/> 用於量測一第二頻帶的且來自該衛星群集中的該至少一個衛星的一第二衛星訊號的部件；及<br/> 用於控制用於量測該第一衛星訊號的該部件或用於量測該第二衛星訊號的該部件中的至少一個的啟動狀態的部件，<br/> 其中該第一衛星訊號具有比該第二衛星訊號更少的關聯搜尋假設或比該第二衛星訊號更小的一頻寬中的至少一個，並且其中控制該啟動狀態包括回應於接收獲取來自該衛星群集中的該至少一個衛星的一第三衛星訊號的一請求而將該第一衛星訊號接收鏈控制為活動的。
一種非暫時性處理器可讀儲存媒體，包括處理器可讀取指令，以使一使用者設備的一處理器執行以下項：<br/> 控制該使用者設備的一第一衛星訊號接收鏈或該使用者設備的一第二衛星訊號接收鏈中的至少一個的一啟動狀態；<br/> 其中該第一衛星訊號接收鏈被配置為量測來自一衛星群集中的至少一個衛星的、一第一頻帶的一第一衛星訊號；<br/> 其中該第二衛星訊號接收鏈被配置為量測一第二頻帶的且來自該衛星群集中的該至少一個衛星的一第二衛星訊號；及<br/> 其中該第一衛星訊號具有比該第二衛星訊號更少的關聯搜尋假設或比該第二衛星訊號更小的一頻寬中的至少一個，並且其中控制該啟動狀態包括回應於接收獲取來自該衛星群集中的該至少一個衛星的一第三衛星訊號的一請求而將該第一衛星訊號接收鏈控制為活動的。
一種雷射檢測電路，包括： <br/>鎖存電路，包括第一反相器及第二反相器，所述第一反相器被配置成在第一節點處對第一輸出訊號進行反相以在第二節點處產生第二輸出訊號，所述第二反相器被配置成基於所述第二輸出訊號產生所述第一輸出訊號， <br/>其中所述第二反相器包括多個P型金屬氧化物半導體電晶體及多個N型金屬氧化物半導體電晶體，所述多個P型金屬氧化物半導體電晶體串聯連接於第一源極電壓與所述第一節點之間， <br/>所述多個P型金屬氧化物半導體電晶體中的每一者的閘極連接至所述第二節點，且所述多個N型金屬氧化物半導體電晶體中的每一者的汲極連接至所述第一節點，且 <br/>所述多個N型金屬氧化物半導體電晶體包括虛設N型金屬氧化物半導體電晶體及正常N型金屬氧化物半導體電晶體。
如請求項1所述的雷射檢測電路，其中，所述虛設N型金屬氧化物半導體電晶體中的每一者的源極電性連接至所述第一節點。
如請求項1所述的雷射檢測電路，其中所述多個N型金屬氧化物半導體電晶體之中的所述正常N型金屬氧化物半導體電晶體中的每一者的源極連接至地節點。
如請求項1所述的雷射檢測電路，其中在所述第二反相器中設置有相等數目的N型金屬氧化物半導體電晶體與P型金屬氧化物半導體電晶體。
如請求項1所述的雷射檢測電路，其中所述虛設N型金屬氧化物半導體電晶體中的每一者的源極電性連接至所述第一節點， <br/>所述正常N型金屬氧化物半導體電晶體並聯連接於所述第一節點與地節點之間，且 <br/>所述虛設N型金屬氧化物半導體電晶體與所述正常N型金屬氧化物半導體電晶體根據正常N型金屬氧化物半導體電晶體對虛設N型金屬氧化物半導體電晶體的預定義比率而交替地排列。
如請求項5所述的雷射檢測電路，其中所述預定義比率是2比1，且 <br/>所述正常N型金屬氧化物半導體電晶體中的兩個正常N型金屬氧化物半導體電晶體根據所述預定義比率而排列於所述虛設N型金屬氧化物半導體電晶體中鄰近的虛設N型金屬氧化物半導體電晶體之間。
如請求項5所述的雷射檢測電路，其中所述預定義比率是1比1，且 <br/>所述虛設N型金屬氧化物半導體電晶體中的一個虛設N型金屬氧化物半導體電晶體根據所述預定義比率而被定位於所述正常N型金屬氧化物半導體電晶體中鄰近的正常N型金屬氧化物半導體電晶體之間。
如請求項1所述的雷射檢測電路，更包括： <br/>自測試電路，電性連接至所述第一反相器且被配置成基於重設訊號及測試賦能訊號而對所述第二輸出訊號的邏輯位準進行控制。
如請求項8所述的雷射檢測電路，其中所述自測試電路被配置成基於所述重設訊號為邏輯高而將所述第二輸出訊號控制成邏輯低，以及 <br/>基於所述重設訊號為所述邏輯高且所述測試賦能訊號為所述邏輯高而將所述第二輸出訊號控制成所述邏輯高。
一種系統晶片，包括： <br/>保全處理器，包括雷射檢測電路；以及 <br/>非揮發性記憶體，包括所述雷射檢測電路， <br/>其中所述雷射檢測電路包括第一反相器及第二反相器，所述第一反相器被配置成在第一節點處對第一輸出訊號進行反相以在第二節點處產生第二輸出訊號，所述第二反相器被配置成基於所述第二輸出訊號產生所述第一輸出訊號， <br/>所述第二反相器包括多個P型金屬氧化物半導體電晶體及多個N型金屬氧化物半導體電晶體，所述多個P型金屬氧化物半導體電晶體串聯連接於第一源極電壓與所述第一節點之間， <br/>所述多個P型金屬氧化物半導體電晶體中的每一者的閘極連接至所述第二節點，且所述多個N型金屬氧化物半導體電晶體中的每一者的汲極連接至所述第一節點，且 <br/>所述多個N型金屬氧化物半導體電晶體包括虛設N型金屬氧化物半導體電晶體及正常N型金屬氧化物半導體電晶體。
如請求項10所述的系統晶片，其中，所述虛設N型金屬氧化物半導體電晶體中的每一者的源極電性連接至所述第一節點。
如請求項10所述的系統晶片，其中所述多個N型金屬氧化物半導體電晶體之中的所述正常N型金屬氧化物半導體電晶體中的每一者的源極連接至地節點。
如請求項10所述的系統晶片，其中在所述第二反相器中設置有相等數目的N型金屬氧化物半導體電晶體與P型金屬氧化物半導體電晶體。
如請求項10所述的系統晶片，其中所述虛設N型金屬氧化物半導體電晶體中的每一者的源極電性連接至所述第一節點， <br/>所述多個N型金屬氧化物半導體電晶體並聯連接於所述第一節點與地節點之間，且 <br/>所述虛設N型金屬氧化物半導體電晶體與所述正常N型金屬氧化物半導體電晶體根據正常N型金屬氧化物半導體電晶體對虛設N型金屬氧化物半導體電晶體的預定義比率而交替地排列。
如請求項14所述的系統晶片，其中所述預定義比率是2比1，且 <br/>所述正常N型金屬氧化物半導體電晶體中的兩個正常N型金屬氧化物半導體電晶體根據所述預定義比率而排列於所述虛設N型金屬氧化物半導體電晶體中鄰近的虛設N型金屬氧化物半導體電晶體之間。
如請求項14所述的系統晶片，其中所述預定義比率是1比1，且 <br/>所述虛設N型金屬氧化物半導體電晶體中的一個虛設N型金屬氧化物半導體電晶體根據所述預定義比率而被定位於所述正常N型金屬氧化物半導體電晶體中鄰近的正常N型金屬氧化物半導體電晶體之間。
如請求項10所述的系統晶片，其中所述雷射檢測電路更包括自測試電路，所述自測試電路電性連接至所述第一反相器且被配置成基於重設訊號及測試賦能訊號而對所述第二輸出訊號的邏輯位準進行控制。
如請求項17所述的系統晶片，其中所述自測試電路被配置成基於所述重設訊號為邏輯高而將所述第二輸出訊號控制成邏輯低，以及 <br/>基於所述重設訊號為所述邏輯高且所述測試賦能訊號為所述邏輯高而將所述第二輸出訊號控制成所述邏輯高。
一種雷射檢測電路，包括： <br/>鎖存電路，包括第一反相器及第二反相器，所述第一反相器被配置成在第一節點處對第一輸出訊號進行反相以在第二節點處產生第二輸出訊號，所述第二反相器被配置成基於所述第二輸出訊號產生所述第一輸出訊號， <br/>其中所述第二反相器包括多個N型金屬氧化物半導體電晶體及多個P型金屬氧化物半導體電晶體，所述多個N型金屬氧化物半導體電晶體串聯連接於地與所述第一節點之間， <br/>所述多個P型金屬氧化物半導體電晶體包括正常P型金屬氧化物半導體電晶體及虛設P型金屬氧化物半導體電晶體，所述正常P型金屬氧化物半導體電晶體並聯連接於第一源極電壓與所述第一節點之間，且 <br/>所述虛設P型金屬氧化物半導體電晶體中的每一者的源極及汲極電性連接至所述第一節點。
如請求項19所述的雷射檢測電路，其中在所述第二反相器中設置有相等數目的N型金屬氧化物半導體電晶體與P型金屬氧化物半導體電晶體。
一種紡車式捲線器，其具備： <br/>捲線器本體； <br/>捲線筒軸，其相對於上述捲線器本體可於前後方向移動地受支持； <br/>捲線筒，其連結於上述捲線筒軸且供捲繞釣線； <br/>小齒輪，其可旋轉地由上述捲線器本體支持； <br/>往復移動機構，其使上述捲線筒軸於上述前後方向往復移動；及 <br/>中間齒輪，其配置於上述小齒輪及往復移動機構之間，且使上述小齒輪之旋轉減速並傳遞至上述往復移動機構；且 <br/>上述捲線筒軸之行程量(mm)除以上述釣線之捲取間距(mm)及上述中間齒輪之模數(節圓之直徑(mm)/齒數)得到之值為60以上150以下。
如請求項1之紡車式捲線器，其中 <br/>上述捲取間距為1.0 mm以下。
如請求項1或2之紡車式捲線器，其中 <br/>上述捲線筒具有於外周捲繞有上述釣線之捲線胴部、及自上述捲線胴部之前端向徑向外側延伸之前凸緣；且 <br/>上述前凸緣之外徑未達60 mm。
如請求項1或2之紡車式捲線器，其中 <br/>上述中間齒輪具有第1中間齒輪與第2中間齒輪； <br/>選擇上述第1中間齒輪之模數及上述第2中間齒輪之模數中較小之模數作為上述中間齒輪之上述模數； <br/>上述第1中間齒輪設置為可繞與上述捲線筒軸平行之第1軸旋轉，且具有嚙合於上述小齒輪之第1大徑齒輪、及較上述第1大徑齒輪小徑且與上述第1大徑齒輪一體旋轉之第1小徑齒輪； <br/>上述第2中間齒輪設置為可繞與上述第1軸平行之第2軸旋轉，且具有嚙合於上述第1小徑齒輪之第2大徑齒輪、及較上述第2大徑齒輪小徑且與上述第2大徑齒輪一體旋轉之第2小徑齒輪；且 <br/>上述往復移動機構具有嚙合於上述第2小徑齒輪之從動齒輪、及與上述從動齒輪一體旋轉之蝸桿軸。
一種紡車式捲線器之捲線器本體，其具備： 釣竿安裝部，其供安裝釣竿； 殼體部，其具有機構收納部； 托架部，其從上述殼體部向上述釣竿安裝部延伸；及 嵌入部，其配置於上述殼體部及上述托架部內； 上述釣竿安裝部、上述殼體部及上述托架部係藉由射出成形而一體地形成， 上述托架部具有基端部及前端部，該基端部設於上述機構收納部側，該前端部設於上述釣竿安裝部側， 上述嵌入部具有第1部分及第2部分，該第1部分以至少一部分露出之方式配置於上述機構收納部，該第2部分與上述第1部分一體地形成且至少一部分配置於上述托架部之上述基端部內， 上述第1部分具有至少2個孔部， 於上述孔部，安裝有用於固定於模具之定位構件。
如請求項1之紡車式捲線器之捲線器本體，其中 上述第2部分形成為前端變細之形狀。
如請求項1或2之紡車式捲線器之捲線器本體，其中 上述第2部分具有至少1個凹部。
如請求項1或2之紡車式捲線器之捲線器本體，其中 上述第2部分之外表面與上述托架部之外表面之間的厚度為3.0 mm以下。
如請求項4之紡車式捲線器之捲線器本體，其中 上述第2部分之外表面與上述托架部之外表面之間的厚度為1.5 mm以上。
一種經組態以判定一樣品之資訊之系統，其包括：<br/>一成像子系統，其經組態以產生一樣品之一樣品影像，其中該成像子系統包含至一能量源及一偵測器，該能量源經組態以產生藉由該成像子系統引導至該樣品之能量，該偵測器經組態以偵測來自該樣品之能量且回應於該經偵測能量而產生輸出，以及其中該掃描子系統經進一步組態以便從該偵測器產生的該輸出來產生該樣品影像；<br/>一電腦子系統，其經組態用於：<br/>移除一樣品影像中之不觸碰在該樣品影像中偵測到之一缺陷之一或多個圖案，藉此產生一經修改樣品影像，其中該移除包括引起由該電腦子系統執行的一些額外步驟，該等額外步驟不受未觸碰到該缺陷之一或更多個圖案的影響；<br/>產生用於該經修改樣品影像之一或多個雜湊碼；<br/>基於該一或多個雜湊碼與針對為一第二樣品影像產生之一第二經修改樣品影像產生之一或多個其他雜湊碼之間之一距離而將該樣品影像指派至多個群組之一者；且<br/>基於該指派的結果來分類在該樣品上偵測到之一些缺陷。
如請求項1之系統，其中該一或多個雜湊碼包括用於該經修改樣品影像之一第一雜湊碼及用於該經修改樣品影像之一經旋轉版本之一第二雜湊碼。
如請求項1之系統，其中該一或多個雜湊碼包括用於該經修改樣品影像之一第一雜湊碼及用於該經修改樣品影像之一經翻轉版本之一第二雜湊碼。
如請求項1之系統，其中該一或多個雜湊碼包括用於該經修改樣品影像之一第一雜湊碼及用於該經修改樣品影像之一經平移版本之一第二雜湊碼。
如請求項1之系統，其中產生該一或多個雜湊碼包括自該經修改樣品影像產生一頻域影像，選擇該頻域影像之低頻分量及將該等低頻分量轉換為該一或多個雜湊碼之向量。
如請求項1之系統，其中該電腦子系統進一步經組態用於判定該距離，且其中該一或多個雜湊碼與該一或多個其他雜湊碼之間之該距離包括一餘弦向量距離。
如請求項1之系統，其中該電腦子系統進一步經組態用於藉由以下判定該一或多個雜湊碼與該一或多個其他雜湊碼之間之該距離：判定該一或多個雜湊碼之一第一者與該一或多個其他雜湊碼之一第一者之間之一第一餘弦向量距離，判定該一或多個雜湊碼之該第一者與用於該第二經修改樣品影像之一經更改版本之該一或多個其他雜湊碼之一第二者之間之一第二餘弦向量距離，判定該等第一及第二餘弦向量距離之一最大值，且將該一或多個雜湊碼與該一或多個其他雜湊碼之間之該距離設定為等於該最大值。
如請求項7之系統，其中將該樣品影像指派至該多個群組之該一者包括若該一或多個雜湊碼與該一或多個其他雜湊碼之間之該距離大於一臨限值，則將該樣品影像及該第二樣品影像指派至該多個群組之該一者。
如請求項7之系統，其中該第二經修改樣品影像之該經更改版本係該第二經修改樣品影像之一經旋轉版本。
如請求項7之系統，其中該第二經修改樣品影像之該經更改版本係該第二經修改樣品影像之一經翻轉版本。
如請求項7之系統，其中該第二經修改樣品影像之該經更改版本係該第二經修改樣品影像之一經平移版本。
如請求項1之系統，其中分類在該樣品上偵測到之該等缺陷包括將一第一分類指派至該樣品影像及經指派至該多個群組之該一者之全部其他樣品影像且將一第二分類指派至經指派至該多個群組之一第二者之全部額外樣品影像。
如請求項1之系統，其中該電腦子系統進一步經組態用於基於在該樣品影像中偵測到之該缺陷之一屬性將經指派至該多個群組之該一者之該樣品影像重新指派至多個最終群組之一者。
如請求項13之系統，其中該重新指派包括使用一k最近鄰方法自在經指派至該多個群組之該一者之其他樣品影像中偵測到之缺陷尋找該缺陷之k個最近缺陷，判定該缺陷之該屬性與該k個最近缺陷之一者之屬性之間之一差，判定該差是否小於一臨限值，且當該差小於該臨限值時，將該樣品影像及對應於該k個最近缺陷之該一者之該等其他樣品影像之一者指派至該多個最終群組之該一者。
如請求項13之系統，其中該k最近鄰方法係一k維樹。
如請求項13之系統，其中該缺陷之該屬性係該缺陷之一強度。
如請求項13之系統，其中該缺陷之該屬性係該缺陷之一色彩。
如請求項13之系統，其中該缺陷之該屬性係該缺陷之一大小。
如請求項13之系統，其中該缺陷之該屬性係該缺陷之一深寬比。
如請求項13之系統，其中該缺陷之該屬性包括與該屬性相關之一組值，且其中該組值包括該樣品影像及在該樣品之該缺陷之一位置處產生之一或多個其他樣品影像中之該缺陷之該屬性之一均值及一標準偏差以及針對該樣品影像及該一或多個其他樣品影像產生之各梯度影像中之該缺陷之該屬性之一均值及一標準偏差。
如請求項13之系統，其中分類在該樣品上偵測到之該等缺陷包括將一第一分類指派至該樣品影像及經指派至該多個最終群組之該一者之全部其他樣品影像且將一第二分類指派至經指派至該多個最終群組之一第二者之全部額外樣品影像而對在該樣品上偵測到之缺陷分類。
如請求項1之系統，其中該成像子系統其經進一步組態以使用光來產生該樣品影像。
如請求項1之系統，其中該成像子系統其經進一步組態以使用電子來產生該樣品影像。
如請求項1之系統，其中該樣品包括一遮罩。
如請求項1之系統，其中該樣品包括一晶圓。
一種儲存程式指令之非暫時性電腦可讀媒體，該等程式指令可在一電腦系統上執行以執行用於判定一樣品之資訊之一電腦實施方法，其中該電腦實施方法包括：<br/>使用一成像子系統來產生一樣品之一樣品影像，其中該成像子系統包含至一能量源及一偵測器，該能量源經組態以產生藉由該成像子系統引導至該樣品之能量，該偵測器經組態以偵測來自該樣品之能量且回應於該經偵測能量而產生輸出，以及其中該掃描子系統經進一步組態以便從該偵測器產生的該輸出來產生該樣品影像；<br/>移除一樣品影像中之不觸碰在該樣品影像中偵測到之一缺陷之一或多個圖案，藉此產生一經修改樣品影像，其中該移除包括引起由該電腦子系統執行的一些額外步驟，該等額外步驟不受未觸碰到該缺陷之一或更多個圖案的影響；<br/>產生用於該經修改樣品影像之一或多個雜湊碼；<br/>基於該一或多個雜湊碼與針對為一第二樣品影像產生之一第二經修改樣品影像產生之一或多個其他雜湊碼之間之一距離而將該樣品影像指派至多個群組之一者；且<br/>基於該指派的結果來分類在該樣品上偵測到之一些缺陷。
一種用於判定一樣品之資訊之電腦實施方法，其包括：<br/>使用一成像子系統來產生一樣品之一樣品影像，其中該成像子系統包含至一能量源及一偵測器，該能量源經組態以產生藉由該成像子系統引導至該樣品之能量，該偵測器經組態以偵測來自該樣品之能量且回應於該經偵測能量而產生輸出，以及其中該掃描子系統經進一步組態以便從該偵測器產生的該輸出來產生該樣品影像；<br/>移除一樣品影像中之不觸碰在該樣品影像中偵測到之一缺陷之一或多個圖案，藉此產生一經修改樣品影像，其中該移除包括引起由該電腦子系統執行的一些額外步驟，該等額外步驟不受未觸碰到該缺陷之一或更多個圖案的影響；<br/>產生用於該經修改樣品影像之一或多個雜湊碼；<br/>基於該一或多個雜湊碼與針對為一第二樣品影像產生之一第二經修改樣品影像產生之一或多個其他雜湊碼之間之一距離而將該樣品影像指派至多個群組之一者；且<br/>基於該指派的結果來分類在該樣品上偵測到之一些缺陷，其中該移除、產生該一或多個雜湊碼、指派及分類係藉由一電腦系統執行。
一種玻璃基板，其係表面設置有包含複數個點之標記者，且 <br/>上述點之深度為0.5 μm以上7.0 μm以下， <br/>上述點之側面之傾斜角度為5°以上56°以下。
如請求項1之玻璃基板，其中上述點之深度為0.5 μm以上5.0 μm以下， <br/>上述點之側面之傾斜角度為5°以上55°以下。
如請求項1或2之玻璃基板，其中上述點之底面之JIS B 0601：2001規定之算術平均粗糙度Ra為0.1 μm以下。
如請求項1或2之玻璃基板，其中上述點之底面之JIS B 0601：2001規定之算術平均粗糙度Ra為0.01 μm以上0.1 μm以下。
如請求項1或2之玻璃基板，其中上述點之直徑為50 μm以上200 μm以下。
如請求項1或2之玻璃基板，其中上述標記為識別碼及對準標記中之至少一者。
如請求項1或2之玻璃基板，其中上述標記用於判別上述玻璃基板之翹曲之朝向。
如請求項1或2之玻璃基板，其係圓形狀或矩形狀。
如請求項1或2之玻璃基板，其用作支持半導體元件之玻璃基板。
一種基板支持器，包含： <br/>基台； <br/>第1介電體部，配置在該基台的上部，並載置基板；以及 <br/>第2介電體部，配置成包圍該第1介電體部，並載置邊緣環； <br/>該第2介電體部包含由絕緣性材料所形成的熔射層，該熔射層係熔射在該基台的外周圍部位且配置在該基台上。
如請求項1之基板支持器，其中， <br/>該第1介電體部，包含： <br/>第1熔射層，由絕緣性材料所形成；以及 <br/>燒結層，由絕緣性材料所形成，且配置在該第1熔射層的上部； <br/>該第2介電體部的該熔射層係第2熔射層。
如請求項2之基板支持器，其中， <br/>該第1介電體部，包含： <br/>加熱器電極，用以調節該基板的溫度；以及 <br/>靜電電極，用以吸附該基板。
如請求項2或3之基板支持器，其中， <br/>更包含接合層，其將該基台與該第1介電體部的該第1熔射層接合。
如請求項1之基板支持器，其中， <br/>該第1介電體部，包含燒結層，其由絕緣性材料所形成； <br/>該基板支持器，包含接合層，其將該基台與該第1介電體部的該燒結層接合。
如請求項1之基板支持器，其中， <br/>該第1介電體部，包含燒結層，其由絕緣性材料所形成； <br/>該第2介電體部的該熔射層係第2熔射層； <br/>該第2介電體部的該第2熔射層，配置成延伸到該第1介電體部的下部； <br/>該基板支持器，包含接合層，其將該第1介電體部的該燒結層與該第2介電體部的該第2熔射層接合。
如請求項1之基板支持器，其中， <br/>該第1介電體部，包含： <br/>第1熔射層，其由絕緣性材料所形成；以及 <br/>燒結層，其由絕緣性材料所形成，且配置在該第1熔射層的上部； <br/>該第2介電體部的該熔射層係第2熔射層； <br/>該第2介電體部的該第2熔射層，配置成延伸到該第1介電體部的下部； <br/>該基板支持器，包含接合層，其將該第1介電體部的該第1熔射層與該第2介電體部的該第2熔射層接合。
如請求項5至7中任一項之基板支持器，其中， <br/>該第1介電體部，包含第1靜電電極，其用以吸附該基板； <br/>該第2介電體部，包含第2靜電電極，其用以吸附該邊緣環。
如請求項1之基板支持器，其中， <br/>該第1介電體部，包含： <br/>第1熔射層，其由絕緣性材料所形成；以及 <br/>第1燒結層，其由絕緣性材料所形成，且配置在該第1熔射層的上部； <br/>該第2介電體部的該熔射層係第2熔射層； <br/>該第2介電體部，包含： <br/>第2燒結層，其由絕緣性材料所形成，且配置在該第2熔射層的上部。
如請求項9之基板支持器，其中， <br/>該第1介電體部的該第1熔射層，包含堆疊的複數個熔射層； <br/>該第2介電體部的該第2熔射層，包含堆疊的複數個熔射層。
如請求項9或10之基板支持器，其中， <br/>該第1介電體部，包含： <br/>第1偏壓電極，其被供給偏壓電力；以及 <br/>第1靜電電極，其用以吸附該基板。
如請求項11之基板支持器，其中， <br/>該第2介電體部，包含： <br/>第2偏壓電極，其被供給偏壓電力；以及 <br/>第2靜電電極，其用以吸附該邊緣環。
如請求項9或10之基板支持器，其中， <br/>該第1介電體部，包含： <br/>第1加熱器電極，其用以調節該基板的溫度；以及 <br/>第1靜電電極，其用以吸附該基板。
如請求項13之基板支持器，其中， <br/>該第2介電體部，包含用以調節該邊緣環的溫度的第2加熱器電極以及用以吸附該邊緣環的第2靜電電極的至少其中任一方。
如請求項12之基板支持器，其中， <br/>該第1偏壓電極與該第2偏壓電極，配置成在俯視下重疊。
如請求項9或10之基板支持器，其中， <br/>該第1介電體部以及該第1介電體部的下部的該基台，與該第2介電體部以及該第2介電體部的下部的該基台，係配置成互相分離。
如請求項9或10之基板支持器，其中， <br/>更包含： <br/>第1接合層，其將該基台與該第1介電體部的該第1熔射層接合。
如請求項1之基板支持器，其中， <br/>更包含： <br/>接合層，其將該基台與該第1介電體部接合；以及 <br/>熔射環，其由絕緣性材料所形成，且配置成覆蓋該接合層的外側面。
如請求項1之基板支持器，其中， <br/>該熔射層，在吾人所期望的位置包含含浸過樹脂的含浸部。
如請求項19之基板支持器，其中， <br/>該吾人所期望的位置，係貫通該熔射層的貫通孔的周圍。
如請求項1之基板支持器，其中， <br/>該第1介電體部，包含電極； <br/>該基板支持器，包含供電端子，其用以對該電極供給電力； <br/>該供電端子，包含熔射部，其由導電性材料所形成，且與該電極連接。
如請求項21之基板支持器，其中， <br/>該供電端子，包含圓筒部，其由絕緣性材料所形成； <br/>該熔射部，埋設在該圓筒部的內部。
如請求項21之基板支持器，其中， <br/>該供電端子，包含： <br/>圓筒部，其由絕緣性材料所形成；以及 <br/>芯部，其由絕緣性材料所形成，且配置成插通該圓筒部的內部； <br/>該熔射部，在該圓筒部的內部配置在該芯部的周圍。
如請求項21之基板支持器，其中， <br/>該熔射部，配置在與該電極連接的導電體部的周圍。
如請求項1之基板支持器，其中， <br/>該第1介電體部，包含電極； <br/>該基板支持器，包含： <br/>供電端子，其用以對該電極供給電力； <br/>連接端子，其配置成露出於該基台的表面；以及 <br/>熔射電極，其由導電性材料所形成，且將該供電端子與該連接端子連接。
如請求項25之基板支持器，其中， <br/>該連接端子，在俯視下，配置在該第1介電體部的徑向外側。
如請求項1之基板支持器，其中， <br/>該第1介電體部，包含熔射加熱器電極，其由熔射所形成，用以調節該基板的溫度； <br/>於該熔射加熱器電極形成了貫通孔，該貫通孔形成於吾人所期望的位置。
一種基板處理裝置，包含： <br/>電漿處理室；以及 <br/>基板支持器，其設置在該電漿處理室的內部； <br/>該基板支持器，包含： <br/>基台； <br/>第1介電體部，其配置在該基台的上部，並載置基板；以及 <br/>第2介電體部，其配置成包圍該第1介電體部，並載置邊緣環； <br/>該第2介電體部包含由絕緣性材料所形成的熔射層，該熔射層係熔射在該基台的外周圍部位且配置在該基台上。
如請求項28之基板處理裝置，其中， <br/>該第1介電體部，包含： <br/>第1熔射層，由絕緣性材料所形成；以及 <br/>燒結層，由絕緣性材料所形成，且配置在該第1熔射層的上部； <br/>該第2介電體部的該熔射層係第2熔射層。
如請求項29之基板處理裝置，其中， <br/>更包含接合層，其將該基台與該第1介電體部的該第1熔射層接合。
如請求項28之基板處理裝置，其中， <br/>該第1介電體部，包含燒結層，其由絕緣性材料所形成； <br/>該基板支持器，包含接合層，其將該基台與該第1介電體部的該燒結層接合。
如請求項28之基板處理裝置，其中， <br/>該第1介電體部，包含燒結層，其由絕緣性材料所形成； <br/>該第2介電體部的該熔射層係第2熔射層； <br/>該第2介電體部的該第2熔射層，配置成延伸到該第1介電體部的下部； <br/>該基板支持器，包含接合層，其將該第1介電體部的該燒結層與該第2介電體部的該第2熔射層接合。
如請求項28之基板處理裝置，其中， <br/>該第1介電體部，包含： <br/>第1熔射層，其由絕緣性材料所形成；以及 <br/>燒結層，其由絕緣性材料所形成，且配置在該第1熔射層的上部； <br/>該第2介電體部的該熔射層係第2熔射層； <br/>該第2介電體部的該第2熔射層，配置成延伸到該第1介電體部的下部； <br/>該基板支持器，包含接合層，其將該第1介電體部的該第1熔射層與該第2介電體部的該第2熔射層接合。
如請求項28之基板處理裝置，其中， <br/>該第1介電體部，包含： <br/>第1熔射層，其由絕緣性材料所形成；以及 <br/>第1燒結層，其由絕緣性材料所形成，且配置在該第1熔射層的上部； <br/>該第2介電體部的該熔射層係第2熔射層； <br/>該第2介電體部，包含： <br/>第2燒結層，其由絕緣性材料所形成，且配置在該第2熔射層的上部。
如請求項34之基板處理裝置，其中， <br/>該第1介電體部的該第1熔射層，包含堆疊的複數個熔射層； <br/>該第2介電體部的該第2熔射層，包含堆疊的複數個熔射層。
如請求項34或35之基板處理裝置，其中， <br/>該第1介電體部以及該第1介電體部的下部的該基台，與該第2介電體部以及該第2介電體部的下部的該基台，係配置成互相分離。
如請求項34或35之基板處理裝置，其中， <br/>更包含： <br/>第1接合層，其將該基台與該第1介電體部的該第1熔射層接合。
一種用於在一半導體處理設備中 <i>原位</i>生成一蝕刻劑之方法，該方法包含採在包含氫或者氫及氧的一反應物的存在下自一前驅物鹵化物化合物所生成之一氫鹵化物的形式，在該半導體處理設備中 <i>原位</i>生成該蝕刻劑。
如請求項1之方法，其中該前驅物鹵化物化合物包含選自由一金屬鹵化物、一非金屬鹵化物、一類金屬鹵化物、及其等之組合所組成之群組之一成員。
如前述請求項中任一項之方法，其中該前驅物鹵化物化合物包含一式MX <sub>a</sub>，其中X係一或多個鹵素，且其中M係一金屬、非金屬、或類金屬，且a = 1至8。
如前述請求項中任一項之方法，其中該前驅物鹵化物化合物包含一混合鹵化物化合物。
如前述請求項中任一項之方法，其中該前驅物鹵化物化合物包含一氧鹵化物化合物。
如前述請求項中任一項之方法，其中該前驅物鹵化物化合物包含NbF <sub>5</sub>或SiCl <sub>4</sub>中之至少一者。
如前述請求項中任一項之方法，其中該氫鹵化物包含選自由HF、HCl、HBr、HI、及其等之組合所組成之群組之一成員。
如前述請求項中任一項之方法，其中該反應物係選自由以下所組成之群組：一氫氣、一包含氫及氧兩者之化合物、一包含氫及氧兩者之氣體混合物、及其等之組合。
如前述請求項中任一項之方法，其中該反應物包含選自由水、一有機酸、過氧化氫(H <sub>2</sub>O <sub>2</sub>)、及其等之組合所組成之群組的一含氫及氧兩者的化合物。
如前述請求項中任一項之方法，其中該反應物包含一H <sub>2</sub>及O <sub>2</sub>氣體之混合物。
如前述請求項中任一項之方法，其中該反應物包含一氧及水之混合物，且其中存在的該氧及水之混合物係100 ppm或更少。
如前述請求項中任一項之方法，其中該反應物包含氫氣。
如前述請求項中任一項之方法，其中該反應物包含水，且其中該反應物不包括氧。
如前述請求項中任一項之方法，其中生成係在從0 °C至200 °C之一溫度且在從0.01托至1托之一壓力完成。
如前述請求項中任一項之方法，其進一步增加溫度及/或壓力，以增加該氫鹵化物之一反應速率。
如前述請求項中任一項之方法，其中溫度經增加到至少20 °C之一溫度及/或壓力經增加到至少1托，以增加該氫鹵化物的一反應速率。
如前述請求項中任一項之方法，其中該生成係在該半導體處理設備之一反應室內或與該半導體處理設備之該反應室氣體連通之一容器內完成。
一種用於在一半導體處理設備中自一基材蝕刻一可蝕刻材料的方法，該方法包含： <br/>在包含氫或者氫及氧之一反應物的存在下，自一前驅物鹵化物化合物 <i>原位</i>生成一氫鹵化物；及 <br/>在該半導體處理設備中經由該氫鹵化物自該基材之一表面層選擇性地蝕刻該可蝕刻材料。
如請求項18之方法，其中該前驅物鹵化物化合物包含選自由一金屬鹵化物、一非金屬鹵化物、一類金屬鹵化物、及其等之組合所組成之群組的一成員。
如請求項18至19中任一項之方法，其中該前驅物鹵化物化合物包含一式MX <sub>a</sub>，其中X係一或多個鹵素，且其中M係一金屬、非金屬、或類金屬，且a = 1至8。
如請求項18至20中任一項之方法，其中該前驅物鹵化物化合物包含一混合鹵化物化合物。
如請求項18至21中任一項之方法，其中該前驅物鹵化物化合物包含一氧鹵化物化合物。
如請求項18至22中任一項之方法，其中該前驅物鹵化物化合物包含NbF <sub>5</sub>或SiCl <sub>4</sub>中之至少一者。
如請求項18至23中任一項之方法，其中該氫鹵化物包含選自由HF、HCl、HBr、HI、及其等之組合所組成之群組之一成員。
如請求項18至24中任一項之方法，其中該反應物係選自由以下所組成之群組：一氫氣、一包含氫及氧兩者之化合物、一包含氫及氧兩者之氣體混合物、及其等之組合。
如請求項18至25中任一項之方法，其中該反應物包含選自由水、一有機酸、過氧化氫(H <sub>2</sub>O <sub>2</sub>)、及其等之組合所組成之群組的一含氫及氧兩者的化合物。
如請求項18至26中任一項之方法，其中該反應物包含一H <sub>2</sub>及O <sub>2</sub>氣體之混合物。
如請求項18至27中任一項之方法，其中該反應物包含一氧及水之混合物，且其中存在的該氧及水之混合物係100 ppm或更少。
如請求項18至28中任一項之方法，其中該反應物包含氫氣。
如請求項18至29中任一項之方法，其中該反應物包含水，且其中該反應物不包括氧。
如請求項18至30中任一項之方法，其中生成係在從0 °C至200 °C之一溫度完成。
如請求項18至31中任一項之方法，其中生成係在從0.01托至1托之一壓力完成。
如請求項18至32中任一項之方法，其進一步增加溫度及/或壓力，以增加該氫鹵化物之一反應速率。
如請求項18至33中任一項之方法，其中溫度經增加到至少20 °C之一溫度及/或壓力經增加到至少1托，以增加該氫鹵化物的一反應速率。
如請求項18至34中任一項之方法，其中該基材包含一半導體基材，且其中該表面層包含該可蝕刻材料及對該氫鹵化物係不可蝕刻的一非可蝕刻材料。
如請求項18至35中任一項之方法，其中該可蝕刻材料包含選自由一金屬氮化物、金屬、氧化物、碳化物、及其等之組合所組成之群組之一成員。
如請求項18至36中任一項之方法，其中該可蝕刻材料包含AlO <sub>x</sub>，且其中經由該氫鹵化物自該表面層中之該非可蝕刻材料選擇性地蝕刻該AlO <sub>x</sub>。
如請求項18至37中任一項之方法，其中該非可蝕刻材料包含選自由TiN、W、SiO <sub>x</sub>、SiN、Si、及AlN所組成之群組之一成員。
如請求項18至38中任一項之方法，其進一步包含在該選擇性地蝕刻之前在該基材上沉積該表面層，該表面層包含至少該可蝕刻材料與該非可蝕刻材料。
如請求項18至39中任一項之方法，其中該沉積係藉由原子層脫附(ALD)完成。
如請求項18至40中任一項之方法，其中該基材包含該半導體處理設備之一反應室的側壁。
如請求項18至41中任一項之方法，其中該選擇性地蝕刻係利用具有一5.0純度或更少之氮(N <sub>2</sub>)作為該氫鹵化物之一載體氣體來完成。
如請求項18至42中任一項之方法，其中該選擇性地蝕刻的步驟係在從390 °C至470 °C之一溫度完成。
如請求項18至43中任一項之方法，其中該選擇性地蝕刻的步驟係以0.01至5 Å/循環之一蝕刻速率完成。
如請求項18至44中任一項之方法，其中該等生成及選擇性地蝕刻的步驟係同時完成。
如請求項18至45中任一項之方法，其中該生成步驟係在該選擇性地蝕刻的步驟之一位置上游的一位置處完成。
如請求項16至46中任一項之方法，其中該氫鹵化物在位於一反應室上游之一分立容器中生成，該選擇性地移除之步驟在該反應室內發生。
如請求項18至47中任一項之方法，其中該等生成及選擇性地移除步驟係在該基材存在之相同位置處完成。
一種半導體處理設備，其包含： <br/>一氫鹵化物生成空間，在該氫鹵化物生成空間內，一氫鹵化物在包含氫或者氫及氧之一反應物的存在下自一前驅物鹵化物化合物而生成；及 <br/>一反應室，該反應室包含一基材，該基材包含在其之一表面層上之一可蝕刻材料，該反應室與該氫鹵化物生成空間流體連通，用於經由該氫鹵化物自該表面層選擇性地移除該可蝕刻材料。
如請求項49之設備，其進一步包含與該氫鹵化物生成空間流體連通的該前驅物鹵化物化合物之一源以及該反應物之一源。
如請求項49至50中任一項之設備，其中該金屬或類金屬鹵化物之該源與一第一閥流體連通，且其中該氫及氧之該源與一第二閥流體連通，且其中該設備進一步包含一控制器，該控制器經可操作地連接至該第一閥及該第二閥，並經組態及程式化以控制通過該第一閥及該第二閥對該氫鹵化物生成空間的該金屬或類金屬鹵化物及該氫及氧之供應。
如請求項49至51中任一項之設備，其中該氫鹵化物生成空間位於該反應室上游。
如請求項49至52中任一項之設備，其中該氫鹵化物生成空間位於該反應室內。
如請求項49至53中任一項之設備，其中該設備包含複數個氫鹵化物生成空間，且其中該複數個氫鹵化物生成空間包含至少一第一反應容器及與該第一反應容器分立之一第二反應容器。
如請求項49至54中任一項之設備，其進一步包含一沉積材料之一或多個源，該沉積材料包含該可蝕刻材料及對該氫鹵化物係不可蝕刻之一非可蝕刻材料，其中一沉積材料之該一或多個源經配置以供應該可蝕刻材料及該非可蝕刻材料用於在該基材上沉積及用於形成該表面層。
如請求項49至55中任一項之設備，其中一沉積材料之該一或多個源係與一第三閥流體連通，且其中該控制器進一步經可操作地連接至該第三閥，且經組態及程式化以控制通過該第三閥對該反應室之該沉積材料之供應。
一種積體電路(IC)晶片，其包括： <br/>一第一閘極全環繞(GAA)裝置，其包括： <br/>一第一組二氧化矽結構，其圍繞一第一組矽通道，其中該第一組二氧化矽結構中之各二氧化矽結構具有一第一厚度， <br/>一第一組二氧化鉿結構，其圍繞該第一組二氧化矽結構，及 <br/>一第一金屬結構，其圍繞該第一組二氧化鉿結構；及 <br/>一第二GAA裝置，其包括： <br/>一第二組二氧化矽結構，其圍繞一第二組矽通道，其中該第二組二氧化矽結構中之各二氧化矽結構具有一第二厚度，及 <br/>一第二金屬結構，其圍繞並接觸該第二組二氧化矽結構。
如請求項1之IC晶片，其中該第二厚度大於該第一厚度。
如請求項2之IC晶片，其中該第一厚度約為1 nm。
如請求項2之IC晶片，其中該第二厚度約為2.5 nm。
如請求項1之IC晶片，其中該第一GAA裝置實施一邏輯功能。
如請求項1之IC晶片，其中該第二GAA裝置驅動該IC晶片之一輸出接腳。
如請求項1之IC晶片，其中該第二GAA裝置自該IC晶片外部之一源接收一輸入信號。
如請求項1之IC晶片，其中該第二GAA裝置之一第二操作電壓範圍大於該第一GAA裝置之一第一操作電壓範圍。
如請求項1之IC晶片，其中該第一金屬結構及該第二金屬結構由氮化鈦製成。
如請求項1之IC晶片，其中該第一金屬結構及該第二金屬結構由氮化鈦鋁製成。
如請求項1之IC晶片，其中該第一金屬結構及該第二金屬結構由鉭製成。
如請求項1之IC晶片，其中該第一金屬結構及該第二金屬結構由鎢製成。
如請求項1之IC晶片，其中該第一金屬結構及該第二金屬結構由鑭製成。
一種使用閘極全環繞(GAA)程序技術製造之積體電路(IC)，該IC包括： <br/>一第一GAA電晶體，其包括： <br/>一第一組通道，其由一半導體材料製成， <br/>一第一組二氧化矽結構，其圍繞該組通道，其中該第一組二氧化矽結構中之各二氧化矽結構具有一第一厚度， <br/>一第一組二氧化鉿結構，其圍繞該第一組二氧化矽結構，及 <br/>一第一金屬結構，其圍繞該第一組二氧化鉿結構，其中流過該第一組通道之一電流由施加至該第一金屬結構之一第一電壓控制；及 <br/>一第二GAA電晶體，其包括： <br/>一第二組通道，其由該半導體材料製成， <br/>一第二組二氧化矽結構，其圍繞該第二組通道，其中該第二組二氧化矽結構中之各二氧化矽結構具有一第二厚度，其大於該第一厚度，及 <br/>一第二金屬結構，其圍繞並接觸該第二組二氧化矽結構，其中流過該第二組通道之一電流由施加至該第二金屬結構之一第二電壓控制。
如請求項14之IC，其中該第二GAA電晶體之一第二操作電壓範圍大於該第一GAA電晶體之一第一操作電壓範圍。
如請求項14之IC，其中該第一厚度約為1 nm，且其中該第二厚度約為2.5 nm。
如請求項14之IC，其中該第一金屬結構及該第二金屬結構由選自包括氮化鈦、氮化鋁鈦、鉭、鎢及鑭之一群組之一材料製成。
如請求項14之IC，其中該第一GAA電晶體位於該IC之包含邏輯電路系統之一區域中。
如請求項14之IC，其中該第二GAA電晶體在該IC之包含輸入/輸出(I/O)電路系統之一區域中。
一種用於製造積體電路(IC)晶片之方法，其包括： <br/>在一矽基板上製造一第一閘極全環繞(GAA)裝置，其包括： <br/>圍繞一第一組矽通道產生一第一組二氧化矽結構，其中該第一組二氧化矽結構中之各二氧化矽結構具有一第一厚度， <br/>圍繞該第一組二氧化矽結構產生一第一組二氧化鉿結構，及 <br/>圍繞該第一組二氧化鉿結構產生一第一金屬結構；及 <br/>在該矽基板上製造一第二GAA裝置，其包括： <br/>圍繞一第二組矽通道產生一第二組二氧化矽結構，其中該第二組二氧化矽結構中之各二氧化矽結構具有大於該第一厚度之一第二厚度，及 <br/>產生圍繞並接觸該第二組二氧化矽結構之一第二金屬結構。
一種具備蝸輪蝸桿機構的機械裝置，前述蝸輪蝸桿機構構成為包括：蝸輪，安裝於旋轉軸；以及蝸桿軸，包括與前述蝸輪嚙合的蝸桿且設於框架的收納孔內；藉由前述蝸桿軸的在軸線方向上的移動來調整前述蝸桿與前述蝸輪之間的齒隙；<br/> 前述具備蝸輪蝸桿機構的機械裝置具備位置調整機構；<br/> 前述位置調整機構由如下構件構成：<br/> 支架，在前述收納孔的一端側與前述收納孔螺紋結合且能夠旋轉地支撐前述蝸桿軸，前述支架藉由旋轉來使前述蝸桿軸進行前述移動；<br/> 軸向力產生部，具有螺紋部，並且利用前述螺紋部的旋轉所產生的螺紋作用而使前述軸線方向上的力亦即軸向力作用於前述支架；以及<br/> 基座部，設於前述框架，承受由於使前述軸向力作用於前述支架而對前述軸向力產生部作用的反作用力；<br/> 前述軸向力產生部由如下構件構成：<br/> 缸筒構件，具有與前述支架卡合的卡合面，前述卡合面與前述軸線方向交叉且遍及周向地存在；以及<br/> 螺紋構件，利用前述螺紋作用使前述缸筒構件在前述軸線方向上移動。
如請求項1所記載之具備蝸輪蝸桿機構的機械裝置，其中前述位置調整機構構成為前述軸向力產生部中的前述螺紋部的擰入方向與前述軸線方向一致。
如請求項2所記載之具備蝸輪蝸桿機構的機械裝置，其中前述位置調整機構構成為前述支架與前述軸向力產生部以能夠在使前述支架旋轉的方向上取得任意位置的形式卡合。
一種光學通訊介面系統，包括： <br/>一第一耦合模組，包括： <br/>一第一裝置連接器，用於耦接一第一電子裝置，該第一耦合模組用以： <br/>從該第一電子裝置接收一電力啟動訊號； <br/>回應接收到的該電力啟動訊號，產生代表該電力啟動訊號的一第一光學訊號；以及 <br/>傳輸該第一光學訊號到一第二耦合模組； <br/>該第二耦合模組，包括： <br/>一第二裝置連接器，用於耦接一第二電子裝置，該第二耦合模組用以： <br/>接收該第一光學訊號； <br/>回應接收到的該第一光學訊號，產生一第二光學訊號；以及 <br/>傳輸該第二光學訊號到該第一耦合模組；以及 <br/>一纜線，耦接於該第一耦合模組與該第二耦合模組之間，該纜線包括複數條第一資料通道光纖，用於該第一耦合模組與該第二耦合模組之間的資料傳輸， <br/>其中，該第一耦合模組用於傳輸與該第一電子裝置相關的一第一資料到該第二耦合模組， <br/>其中，該第二耦合模組用於傳輸與該第二電子裝置相關的一第二資料到該第一耦合模組，以及 <br/>其中，該第一耦合模組用於回應從該第二耦合模組接收到的該第二光學訊號，並經由該些第一資料通道光纖傳輸一第三資料到該第二耦合模組。
如請求項1所述的光學通訊介面系統，其中，該第二光學訊號代表一熱插拔偵測（HPD）訊號。
如請求項1所述的光學通訊介面系統，其中，該纜線更包括一第一邊帶光纖以及一第二邊帶光纖；其中，該第一耦合模組經由該第一邊帶光纖傳輸與該第一電子裝置相關的該第一資料到該第二耦合模組；其中，該第二耦合模組經由該第二邊帶光纖傳輸與該第二電子裝置相關的該第二資料到該第一耦合模組。
如請求項3所述的光學通訊介面系統，其中，該第一耦合模組經由該第一邊帶光纖傳輸一邊帶資料，該邊帶資料包括一或多個之電力資訊、聲音回傳通道（ARC／eARC）、串列時脈資訊（SCL）、串列資料資訊（SDA）、消費者電子控制訊號（CEC）或熱插拔偵測訊號（HPD）。
如請求項1所述的光學通訊介面系統，其中，該第二耦合模組配置用以經由該些第一資料通道光纖傳輸一第四資料到該第一耦合模組。
如請求項5所述的光學通訊介面系統，其中，該纜線更包括複數條第二資料通道光纖，其中該第二耦合模組配置用以經由該些第二資料通道光纖傳輸該第四資料到該第一耦合模組。
如請求項1所述的光學通訊介面系統，其中，該第一裝置連接器為一高畫質多媒體介面連接器，並且其中該第二裝置連接器為一高畫質多媒體介面連接器。
如請求項1所述的光學通訊介面系統，其中，該第二耦合模組回應接收到的該第一光學訊號，產生用於該第二電子裝置之一電子訊號。
如請求項8所述的光學通訊介面系統，更包括一第三裝置連接器，其中該第一耦合模組用於產生該電子訊號，該電子訊號使用來自該第三裝置連接器之一電壓供應。
如請求項9所述的光學通訊介面系統，其中，該第三裝置連接器為一通用串列匯流排（USB）連接器。
如請求項10所述的光學通訊介面系統，其中，該第三裝置連接器耦接到該第二電子裝置。
如請求項1所述的光學通訊介面系統，其中，該第一耦合模組更包括一資料傳送電路，其中該第一耦合模組用於回應接收到的該第二光學訊號，啟動該資料傳送電路，其中該資料傳送電路傳輸該第三資料用以回應該啟動步驟。
如請求項1所述的光學通訊介面系統，其中，該纜線更包括一第一可拆卸構件以及一第二可拆卸構件，其中該第一可拆卸構件對該第一耦合模組是可拆卸的，其中該第二可拆卸構件對該第二耦合模組是可拆卸的，使得該纜線在不需要從該第一電子裝置移除該第一耦合模組或是從該第二電子裝置移除該第二耦合模組的狀況下即可自該第一耦合模組或該第二耦合模組拆卸。
如請求項1所述的光學通訊介面系統，其中，該纜線更包括一或多條電線。
如請求項1所述的光學通訊介面系統，其中，該纜線更包括一或多個發光元件，該一或多個發光元件用於發射一光線對應於該第一耦合模組或該第二耦合模組之一或多個特性。
如請求項15所述的光學通訊介面系統，其中，該第一耦合模組更包括： <br/>一光控制電路，用於控制該一或多個發光元件；以及 <br/>一振動感測器，用於偵測該第一耦合模組之一振動程度，並且傳輸該振動程度到該光控制電路。
如請求項15所述的光學通訊介面系統，其中，該一或多個特性包括一或多個之一資料傳輸速率、一時脈率、一影像解析度、一功耗、一溫度、一振動程度、或在該些第一資料通道光纖上傳輸之該資料相關之一內容。
如請求項1所述的光學通訊介面系統，其中，該第二資料與該第二電子裝置相關，包括一擴充顯示識別資料（EDID），代表該第二電子裝置的能力。
如請求項1所述的光學通訊介面系統，其中，該第一耦合模組配置用以使用一最小化傳輸差分訊號（TMDS）協定經由該些第一資料通道傳輸該第三資料到該第二耦合模組。
如請求項1所述的光學通訊介面系統，其中，該第一耦合模組包括一切換器，配置用以切換從該第一耦合模組到該第二耦合模組之間的資料傳輸。
一種稀釋劑組成物，含有溶劑(B)，該溶劑(B)含有下述通式(b-1)表示之化合物(B1)、及該化合物(B1)以外之溶劑(B2)： <br/>該溶劑(B)含有選自於由α-甲氧基異丁酸甲酯、α-甲醯氧基異丁酸甲酯、α-乙醯氧基異丁酸甲酯、及3-羥基異丁酸甲酯構成之群組中之一種以上作為該溶劑(B2)； <br/>該溶劑(B)中之該溶劑(B2)之含量比例，以該化合物(B1)之總量(100質量%)為基準計，係0.0001質量%以上20質量%以下； <br/><img align="absmiddle" height="40px" width="96px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上式(b-1)中，R<sup>1</sup>係碳數1～10之烷基。
如請求項1之稀釋劑組成物，其中，該通式(b-1)中之R<sup>1</sup>係甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、或第三丁基。
如請求項1或2之稀釋劑組成物，其中，該通式(b-1)中之R<sup>1</sup>係乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、或第三丁基。
如請求項1之稀釋劑組成物，其中，該溶劑(B)中之該溶劑(B2)之含量比例，以稀釋劑組成物之總量(100質量%)為基準計，係未達100質量%。
一種半導體元件之製造方法，包含下述步驟： <br/>在對於基板塗布光阻劑膜材料或光阻劑下層膜材料之前，將如請求項1至4中任一項之稀釋劑組成物塗布於該基板上。
一種半導體元件之製造方法，包含下述步驟： <br/>對於基板塗布光阻劑膜材料或光阻劑下層膜材料後，在曝光步驟之前，將如請求項1至4中任一項之稀釋劑組成物塗布於該基板上。
一種半導體元件之製造方法，包含下述步驟： <br/>於基板上形成光阻劑膜或光阻劑下層膜、及 <br/>使用如請求項1至4中任一項之稀釋劑組成物除去該光阻劑膜或光阻劑下層膜。
如請求項7之半導體元件之製造方法，其中，使形成有該光阻劑膜或光阻劑下層膜之該基板之邊緣及/或背面接觸該稀釋劑組成物，除去該光阻劑膜或光阻劑下層膜。
如請求項8之半導體元件之製造方法，其中，在使形成有該光阻劑膜或光阻劑下層膜之該基板旋轉之狀態下，對於該基板之邊緣及/或背面噴射該稀釋劑組成物，除去該光阻劑膜或光阻劑下層膜。
如請求項7至9中任一項之半導體元件之製造方法，其中，在除去該光阻劑膜或光阻劑下層膜之步驟後，更包含下述步驟： <br/>使殘留於該基板之該稀釋劑組成物乾燥。
如請求項7至9中任一項之半導體元件之製造方法，更包含下述步驟： <br/>將該光阻劑膜進行軟烘烤(soft baking)、及 <br/>使用遮罩將該經軟烘烤之光阻劑膜一部分進行曝光、及 <br/>將該經曝光之光阻劑膜藉由顯影液進行顯影而形成光阻劑圖案。
一種溶劑組成物，含有溶劑(B)，該溶劑(B)含有下述通式(b-1)表示之化合物(B1)、及該化合物(B1)以外之溶劑(B2)； <br/>該溶劑(B)含有選自於由α-甲氧基異丁酸甲酯、α-甲醯氧基異丁酸甲酯、α-乙醯氧基異丁酸甲酯、及3-羥基異丁酸甲酯構成之群組中之一種以上作為該溶劑(B2)； <br/>該溶劑(B)中之該溶劑(B2)之含量比例，以該化合物(B1)之總量(100質量%)為基準計，係0.0001質量%以上20質量%以下； <br/><img align="absmiddle" height="40px" width="96px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上式(b-1)中，R<sup>1</sup>係碳數1～10之烷基。
一種預濕液，含有如請求項1至4中任一項之稀釋劑組成物。
一種邊珠去除液，含有如請求項1至4中任一項之稀釋劑組成物。
一種重加工液，含有如請求項1至4中任一項之稀釋劑組成物。
一種兒童安全座椅，包括：<br/> 座椅本體，具有相對設置的兩個座椅側翼；<br/> 頭靠，安裝於該座椅本體；<br/> 頭靠外罩，套設於該頭靠外，該頭靠具有頭部支撐部及連接於該頭部支撐部的兩個頭靠側翼，位於兩個該頭靠側翼中間的該頭部支撐部呈硬質結構而具有固定的形狀，該頭部支撐部用於支撐嬰幼兒的頸部和頭部，該頭部支撐部、兩個該頭靠側翼並非一體成型之後維持一個固定不變的形狀，而是直接在該頭靠外罩內填充柔性物而形成；<br/> 兩個第一緩衝件，兩個該第一緩衝件內置於該頭靠外罩形成兩個該頭靠側翼的區域內，每一該第一緩衝件包括至少一層第一緩衝層以及至少一層第二緩衝層，該第二緩衝層的硬度小於該第一緩衝層的硬度，該第二緩衝層固定於該第一緩衝層的一側面並鄰接於該頭靠側翼的內側壁，該第一緩衝層位於該第二緩衝層遠離該內側壁一側，該第一緩衝件的該第一緩衝層通過發泡材料一體成型，且該第一緩衝件的該第二緩衝層為泡棉層。
如請求項1所述的兒童安全座椅，另包括兩個第二緩衝件，兩個該第二緩衝件沿兩個該座椅側翼的內側壁設置並位於該頭靠的下方。
如請求項2所述的兒童安全座椅，其中該座椅本體另包括座部及設於該座部上方的背靠部，每一該座椅側翼均沿該座椅本體的上下方向延伸並連接於該座部及該背靠部，該頭靠安裝於該背靠部，在該座椅本體的高度方向上，該第二緩衝件設於該頭靠與該座部之間的區域內。
如請求項3所述的兒童安全座椅，另包括套設於該座椅本體外的坐墊，該第二緩衝件固定於該座椅側翼的內側壁或內置於該坐墊內並貼合於該座椅側翼的內側壁。
如請求項2或4所述的兒童安全座椅，另包括設於該座椅本體上的小坐墊，該小坐墊具有相對設置的兩個肩部支撐部，兩個該肩部支撐部分別貼合於該座椅側翼的內側壁，該第二緩衝件內置於該肩部支撐部。
如請求項4所述的兒童安全座椅，其中該坐墊上對應於該座椅側翼的內側壁的位置設有兩個口袋，兩個該口袋相對稱設置並位於該頭靠的下方，該第二緩衝件內置於該口袋內。
如請求項6所述的兒童安全座椅，其中該口袋具有一開口，該第二緩衝件通過該開口可拆卸地內置於該口袋內。
如請求項2所述的兒童安全座椅，其中該第二緩衝件包括至少一層第一緩衝層。
如請求項1所述的兒童安全座椅，其中該第一緩衝件的該第一緩衝層的厚度為5mm-25mm。
如請求項8所述的兒童安全座椅，其中該第二緩衝件的該第一緩衝層通過發泡材料一體成型，且該第二緩衝件的該第一緩衝層的厚度為5mm-25mm。
如請求項1所述的兒童安全座椅，其中該第一緩衝件的該第一緩衝層通過發泡聚乙烯、發泡聚丙烯、發泡聚苯乙烯、發泡聚乙烯和聚苯乙烯複合材料中的任一種一體成型。
如請求項8所述的兒童安全座椅，其中該第二緩衝件的該第一緩衝層通過發泡聚乙烯、發泡聚丙烯、發泡聚苯乙烯、發泡聚乙烯和聚苯乙烯複合材料中的任一種一體成型。
如請求項8所述的兒童安全座椅，其中該第二緩衝件另包括至少一層第二緩衝層，該第二緩衝件的該第二緩衝層固定於該第二緩衝件的該第一緩衝層的一側面並鄰接於該座椅側翼的內側壁，該第二緩衝件的該第一緩衝層位於遠離該座椅側翼的內側壁一側。
如請求項1所述的兒童安全座椅，其中該第一緩衝件另包括至少一層第三緩衝層，該第三緩衝層的硬度小於該第一緩衝層的硬度，該第三緩衝層固定於該第一緩衝層遠離該第二緩衝層的一側面。
如請求項13所述的兒童安全座椅，其中該第二緩衝件另包括至少一層第三緩衝層，該第二緩衝件的該第三緩衝層的硬度小於該第二緩衝件的該第一緩衝層的硬度，該第二緩衝件的該第三緩衝層固定於該第二緩衝件的該第一緩衝層遠離該第二緩衝件的該第二緩衝層的一側面。
如請求項14所述的兒童安全座椅，其中該第一緩衝件的該第二緩衝層的厚度為10mm-40mm。
如請求項15所述的兒童安全座椅，其中該第二緩衝件的該第二緩衝層、該第三緩衝層均為泡棉層，且該第二緩衝件的該第二緩衝層的厚度為10mm-40mm。
一種陶瓷電子零件，其特徵在於具備交替地積層之介電層及內部電極層， <br/>上述介電層包含氧化釔穩定化氧化鋯、及主成分之(Ca <sub>x1</sub>Ba <sub>x2</sub>Sr <sub>1-x1-x2</sub>)(Ti <sub>y</sub>Zr <sub>1-y</sub>)O <sub>3</sub>(0.6≦x1≦0.9、0≦x2≦0.1、0≦y≦0.1)，當將Ti與Zr之總量設為100莫耳%時，氧化釔穩定化氧化鋯之濃度為0.5莫耳%以上5.0莫耳%以下。
如請求項1之陶瓷電子零件，其中上述介電層進而包含錳化合物， <br/>當將Ti與Zr之總量設為100莫耳%時，上述錳化合物之濃度換算成MnO計，為0.2莫耳%以上5.0莫耳%以下之濃度。
如請求項1或2之陶瓷電子零件，其中上述介電層進而包含矽化合物， <br/>當將Ti與Zr之總量設為100莫耳%時，上述矽化合物之濃度換算成SiO <sub>2</sub>計，為0.5莫耳%以上5.0莫耳%以下之濃度。
如請求項1或2之陶瓷電子零件，其中上述介電層進而包含硼化合物， <br/>當將Ti與Zr之總量設為100莫耳%時，上述硼化合物之濃度換算成(B <sub>2</sub>O <sub>3</sub>)/2計，為0.2莫耳%以上1.0莫耳%以下之濃度。
如請求項1或2之陶瓷電子零件，其中上述氧化釔穩定化氧化鋯之粒子於上述介電層之剖面內所占之面積比率為1%以上15%以下。
如請求項5之陶瓷電子零件，其中於上述介電層中形成有複數個空隙，上述空隙於上述剖面內所占之總面積小於上述氧化釔穩定化氧化鋯之粒子於上述剖面內所占之總面積。
如請求項6之陶瓷電子零件，其中上述空隙之長徑為0.1 μm以上0.6 μm以下。
如請求項6之陶瓷電子零件，其中上述空隙與上述粒子相接。
如請求項1或2之陶瓷電子零件，其中上述介電層之厚度為2 μm以下。
如請求項1或2之陶瓷電子零件，其中上述介電層之基於25℃下之靜電電容與125℃下之靜電電容之差而得的溫度係數為-300 ppm/℃以上300 ppm/℃以下。
一種介電體材料，其特徵在於包含氧化釔穩定化氧化鋯、及主成分之(Ca <sub>x1</sub>Ba <sub>x2</sub>Sr <sub>1-x1-x2</sub>)(Ti <sub>y</sub>Zr <sub>1-y</sub>)O <sub>3</sub>(0.6≦x1≦0.9、0≦x2≦0.1、0≦y≦0.1)，當將Ti與Zr之總量設為100莫耳%時，氧化釔穩定化氧化鋯之濃度為0.5莫耳%以上5.0莫耳%以下。
如請求項11之介電體材料，其進而包含錳化合物，當將Ti與Zr之總量設為100莫耳%時，上述錳化合物之濃度換算成MnO計，為0.2莫耳%以上5.0莫耳%以下之濃度。
如請求項11或12之介電體材料，其進而包含矽化合物，當將Ti與Zr之總量設為100莫耳%時，上述矽化合物之濃度換算成SiO <sub>2</sub>計，為0.5莫耳%以上5.0莫耳%以下之濃度。
如請求項11或12之介電體材料，其進而包含硼化合物，當將Ti與Zr之總量設為100莫耳%時，上述硼化合物之濃度換算成(B <sub>2</sub>O <sub>3</sub>)/2計，為0.2莫耳%以上1.0莫耳%以下之濃度。
一種陶瓷電子零件之製造方法，其特徵在於具有如下步驟：製作使包含陶瓷粉末之介電體坯片、與內部電極形成用之金屬導電膏交替地積層而成之積層體之步驟；及 <br/>對上述積層體進行燒成之步驟；且 <br/>上述陶瓷粉末包含氧化釔穩定化氧化鋯、及主成分之(Ca <sub>x1</sub>Ba <sub>x2</sub>Sr <sub>1-x1-x2</sub>)(Ti <sub>y</sub>Zr <sub>1-y</sub>)O <sub>3</sub>(0.6≦x1≦0.9、0≦x2≦0.1、0≦y≦0.1)，當將Ti與Zr之總量設為100莫耳%時，氧化釔穩定化氧化鋯之濃度為0.5莫耳%以上5.0莫耳%以下。
如請求項15之陶瓷電子零件之製造方法，其中上述陶瓷粉末包含當將Ti與Zr之總量設為100莫耳%時，濃度換算成(B <sub>2</sub>O <sub>3</sub>)/2計為0.2莫耳%以上1.0莫耳%以下，且比表面積為100 m <sup>2</sup>/g以上300 m <sup>2</sup>/g以下的氮化硼。
一種熱膨脹性微膠囊， <br/>其係於殼中內包有揮發性膨脹劑作為核劑者，且 <br/>在使用雷射繞射/散射式粒度分布測定裝置得到之體積換算粒徑之篩下物累計分布中，當將累積頻率10體積%之粒徑設為D10、將累積頻率50體積%之粒徑設為D50、將累積頻率99體積%之粒徑設為D99時， <br/>D10/D50為0.6以上1.0以下，且D99/D50為1.0以上2.0以下。
如請求項1之熱膨脹性微膠囊，其中，D99與D50之體積換算比[(D99)<sup>3</sup>/(D50)<sup>3</sup>]為1.0以上8.0以下。
如請求項1或2之熱膨脹性微膠囊，其中，D99與D10之差除以D50所得之值[(D99－D10)/D50]為0以上1.4以下。
如請求項1或2之熱膨脹性微膠囊，其中，D99為15 μm以上80 μm以下。
如請求項1或2之熱膨脹性微膠囊，其中，殼係由含有腈系單體之單體組成物之聚合物所構成。
如請求項1或2之熱膨脹性微膠囊，其中，殼厚度之比（最小殼厚度/最大殼厚度）為0.4以上。
一種發泡性母料，其含有請求項1至6中任一項之熱膨脹性微膠囊、及熱塑性樹脂。
一種發泡成形體，其係使用請求項1至6中任一項之熱膨脹性微膠囊、或請求項7之發泡性母料而成。
一種一氧化碳之製造方法，其包括在固體酸觸媒的存在下藉由甲酸或甲酸烷基酯中的至少一者的原料的分解反應生成一氧化碳之步驟， <br/>且在前述固體酸觸媒中，具有2nm以下的細孔直徑之細孔的總細孔容積為0.23cm <sup>3</sup>/g以下。
如請求項1所述之一氧化碳之製造方法，其中， <br/>在前述固體酸觸媒中，前述細孔的總細孔容積為0.20cm <sup>3</sup>/g以下。
如請求項2所述之一氧化碳之製造方法，其中， <br/>在前述固體酸觸媒中，前述細孔的總細孔容積為0.19cm <sup>3</sup>/g以下。
如請求項1所述之一氧化碳之製造方法，其中， <br/>前述固體酸觸媒為質子型沸石。
如請求項4所述之一氧化碳之製造方法，其中， <br/>前述質子型沸石的Si/Al原子比為1～200。
如請求項1至請求項5中任一項所述之一氧化碳之製造方法，其中， <br/>前述原料的分解反應在100～300℃進行。
一種一氧化碳之製造裝置，其在固體酸觸媒的存在下藉由甲酸或甲酸烷基酯中的至少一者的原料的分解反應生成一氧化碳， <br/>且具備收容前述固體酸觸媒並且在前述固體酸觸媒的存在下藉由前述原料的分解反應生成一氧化碳之反應器， <br/>前述固體酸觸媒中，具有2nm以下的細孔直徑之細孔的總細孔容積為0.23cm <sup>3</sup>/g以下。
如請求項7所述之一氧化碳之製造裝置，其中， <br/>在前述固體酸觸媒中，前述細孔的總細孔容積為0.20cm <sup>3</sup>/g以下。
一種聚苯并㗁唑粉末，其特徵為：視密度為0.2g/cm<sup>3</sup>以上，5%重量減少溫度為550℃以上，比表面積為10m<sup>2</sup>/g以上。
如請求項1之聚苯并㗁唑粉末，其中以200℃、40MPa將每1平方公尺1000g的粉末予以加壓成型而得之粉末成型體的絕緣破壞電壓為5kV/mm以上。
一種聚苯并㗁唑粉末成型體，由如請求項1或2之聚苯并㗁唑粉末構成。
一種複合材，含有如請求項1或2之聚苯并㗁唑粉末。
一種高電子遷移率電晶體，包含：<br/> 一基底；<br/> 一第一III-V族化合物層設置在該基底上；<br/> 一第二III-V族化合物層埋入於該第一III-V族化合物層，其中該第二III-V族化合物層的組成係與該第一III-V族化合物層不同，該第二III-V族化合物層的側視圖包含一梯形； <br/> 一P型氮化鎵閘極埋入於該第二III-V族化合物層；<br/> 一閘極電極設置於該第二III-V族化合物層上並且接觸該P型氮化鎵閘極；<br/> 一源極電極設置於該閘極電極的一側、位在該第二III-V族化合物層上並且接觸該第二III-V族化合物層和該第一III-V族化合物層；以及<br/> 一汲極電極設置於該閘極電極的另一側、位在該第二III-V族化合物層上並且接觸該第二III-V族化合物層和該第一III-V族化合物層。
如請求項1所述之高電子遷移率電晶體，其中該梯形包含一上底、一下底和二條側邊，該上底和該第一III-V族化合物層的上表面切齊，該上底的長度大於該下底的長度。
如請求項1所述之高電子遷移率電晶體，其中由側視圖來看，該P型氮化鎵閘極為矩形。
如請求項1所述之高電子遷移率電晶體，其中該第一III-V族化合物層環繞該第二III-V族化合物層，該第二III-V族化合物層環繞該P型氮化鎵閘極。
如請求項1所述之高電子遷移率電晶體，其中該P型氮化鎵閘極不接觸該第一III-V族化合物層。
如請求項1所述之高電子遷移率電晶體，其中該P型氮化鎵閘極的底部和該第一III-V族化合物層之間具有一距離，該距離垂直於該基底的上表面，該距離介於10至20奈米之間。
如請求項1所述之高電子遷移率電晶體，其中該第二III-V族化合物層的上表面、該第一III-V族化合物層的上表面和該P型氮化鎵閘極的上表面切齊。
如請求項1所述之高電子遷移率電晶體，其中該第二III-V族化合物層的厚度介於50至100奈米之間。
如請求項1所述之高電子遷移率電晶體，其中該第二III-V族化合物層的底部至該基底的上表面的距離為2至6微米。
如請求項1所述之高電子遷移率電晶體，其中二維電子氣形成在該第二III-V族化合物層和該第一III-V族化合物層之間，該二維電子氣具有一溝渠輪廓。
如請求項1所述之高電子遷移率電晶體，其中該第一III-V族化合物層為氮化鎵，該第二III-V族化合物層包含氮化鋁鎵、氮化鋁銦、氮化鋁銦鎵或氮化鋁。
如請求項1所述之高電子遷移率電晶體，另包含一氮化鋁層設置在該第二III-V族化合物層和該第一III-V族化合物層之間。
一種高電子遷移率電晶體的製作方法，包含：<br/> 形成一常關型電晶體，其中形成該常關型電晶體的步驟包含：<br/> 提供一基底與一第一III-V族化合物層設置於該基底上；<br/> 蝕刻該第一III-V族化合物層以形成一第一溝渠；<br/> 進行一第一磊晶製程以形成一第二III-V族化合物層填滿該第一溝渠，其中該第二III-V族化合物層的側視圖包含一梯形；<br/> 蝕刻該第二III-V族化合物層以形成一第二溝渠；<br/> 進行一第二磊晶製程以形成一P型氮化鎵閘極填滿該第二溝渠；<br/> 形成一第一閘極電極，其中該第一閘極電極位在該第二III-V族化合物層上並且接觸該P型氮化鎵閘極；以及<br/> 形成一第一源極電極和一第一汲極電極，其中該第一源極電極和該第一汲極電極分別設置於該第一閘極電極的兩側、該第一源極電極和該第一汲極電極皆位在該第二III-V族化合物層上並且接觸該第二III-V族化合物層和該第一III-V族化合物層。
如請求項13所述之高電子遷移率電晶體的製作方法，其中該第一溝渠的底部和該第一溝渠的側壁之間形成一鈍角。
如請求項13所述之高電子遷移率電晶體的製作方法，其中該P型氮化鎵閘極不接觸該第一III-V族化合物層。
如請求項13所述之高電子遷移率電晶體的製作方法，其中該P型氮化鎵閘極的底部和該第一III-V族化合物層之間具有一距離，該距離垂直於該基底的上表面，該距離介於10奈米至20奈米之間。
如請求項13所述之高電子遷移率電晶體的製作方法，其中該第一III-V族化合物層環繞該第二III-V族化合物層，該第二III-V族化合物層環繞該P型氮化鎵閘極。
如請求項13所述之高電子遷移率電晶體的製作方法，其中該第二III-V族化合物層的上表面、該第一III-V族化合物層的上表面和該P型氮化鎵閘極的上表面切齊。
如請求項13所述之高電子遷移率電晶體的製作方法，另包含在進行該第一磊晶製程之前，形成一氮化鋁層覆蓋該第一溝渠。
如請求項13所述之高電子遷移率電晶體的製作方法，其中該基底劃分為一常關型電晶體區和一常開型電晶體區，該常關型電晶體位在該常關型電晶體區。
如請求項20所述之高電子遷移率電晶體的製作方法，另包含形成一常開型電晶體於該基底的該常開型電晶體區，其中該常開型電晶體的製作步驟包含：<br/> 在蝕刻該第一III-V族化合物層形成該第一溝渠的同時，蝕刻該第一III-V族化合物層形成一第三溝渠位在該常開型電晶體區；<br/> 進行該第一磊晶製程時，同時形成二個該第二III-V族化合物層分別填滿該第一溝渠和該第三溝渠；<br/> 形成一遮罩覆蓋該常開型電晶體區後，蝕刻該第二III-V族化合物層以形成該第二溝渠；<br/> 在完成該P型氮化鎵閘極後，移除該遮罩；<br/> 移除該遮罩後，在形成該第一閘極電極的同時，形成一第二閘極電極位在該常開型電晶體區的該第二III-V族化合物層上；以及<br/> 移除該遮罩後，在形成該第一源極電極和該第一汲極電極的同時，形成一第二源極電極和一第二汲極電極位在該常開型電晶體區，其中該第二源極電極和該第二汲極電極分別設置於該第二閘極電極的兩側、該第二源極電極和該第二汲極電極皆位在該第二III-V族化合物層上並且接觸該第二III-V族化合物層和該第一III-V族化合物層。
一種銅合金板材，其係具有下述組成：以質量%計為Ti：1.0至5.0%、Al：0.5至3.0%、Ag：0至0.3%、B：0至0.3%、Be：0至0.15%、Co：0至1.0%、Cr：0至1.0%、Fe：0至1.0%、Mg：0至0.5%、Mn：0至1.5%、Nb：0.0至0.5%、Ni：0至1.0%、P：0至0.2%、Si：0至0.5%、Sn：0至1.5%、V：0至1.0%、Zn：0至2.0%、Zr：0至1.0%、S：0至0.2%，Ag、B、Be、Co、Cr、Fe、Mg、Mn、Nb、Ni、P、Si、Sn、V、Zn、Zr及S的合計含量為3.0%以下，且其餘部分由Cu及無法避免的雜質所構成；在平行於板面之觀察面中之粒界反應型析出物存在區域的最大寬度為1000nm以下，在前述觀察面之藉由EBSD(電子束背向散射繞射法)以步階大小0.1μm所進行的測定中，將結晶方位差15°以上的交界視為結晶粒界之情形的KAM值為3.0°以下，軋延方向之拉伸強度為850MPa以上。
如請求項1所述之銅合金板材，其具有：以合計3.0質量%以下的範圍更含有稀土類元素之組成。
如請求項1或2所述之銅合金板材，其中，在前述觀察面中之長徑5至100nm之微小析出物粒子的個數密度為1.0×10<sup>8</sup>個/mm<sup>2</sup>以上1.0×10<sup>12</sup>個/mm<sup>2</sup>以下。
如請求項1或2所述之銅合金板材，其中，在前述觀察面中之藉由依據JIS H0501-1986之切斷法所測得之平均結晶粒徑為2至20μm。
如請求項1或2所述之銅合金板材，其中，藉由依循日本伸銅協會技術標準JCBA T307：2007之B.W. (Bad Way；意指彎曲軸為與軋延方向平行)下的W彎曲試驗所測得之未產生破裂的最小彎曲半徑MBR與板厚t之比值MBR/t為2.0以下。
如請求項1或2所述之銅合金板材，其中，導電率為10.0%IACS以上。
如請求項1或2所述之銅合金板材，其中，密度為8.53g/cm<sup>3</sup>以下。
如請求項1或2所述之銅合金板材，其中，板厚為0.02至0.50mm。
一種請求項1所述之銅合金板材的製造方法，其係在對中間製品板材依序施以第1熔體化處理、第1中間冷軋延、第2熔體化處理、第2中間冷軋延及時效處理來製造前述銅合金板材之步驟中， <br/>以在750至950℃的溫度區域保持10至600秒之條件來進行前述第1熔體化處理， <br/>以軋延率70%以上來進行前述第1中間冷軋延， <br/>以在750至900℃的溫度區域保持10至600秒之條件來進行前述第2熔體化處理， <br/>以軋延率15至50%來進行前述第2中間冷軋延， <br/>以300至470℃的時效溫度來進行前述時效處理； <br/>前述銅合金板材的前述中間製品板材係具有下述組成：以質量%計為Ti：1.0至5.0%、Al：0.5至3.0%、Ag：0至0.3%、B：0至0.3%、Be：0至0.15%、Co：0至1.0%、Cr：0至1.0%、Fe：0至1.0%、Mg：0至0.5%、Mn：0至1.5%、Nb：0.0至0.5%、Ni：0至1.0%、P：0至0.2%、Si：0至0.5%、Sn：0至1.5%、V：0至1.0%、Zn：0至2.0%、Zr：0至1.0%、S：0至0.2%，Ag、B、Be、Co、Cr、Fe、Mg、Mn、Nb、Ni、P、Si、Sn、V、Zn、Zr及S的合計含量為3.0%以下，且其餘部分由Cu及無法避免的雜質所構成。
如請求項9所述之銅合金板材的製造方法，其中，前述中間製品板材具有：以合計3.0質量%以下的範圍更含有稀土類元素之組成。
如請求項9或10所述之銅合金板材的製造方法，其中，在前述時效處理之後進一步依序施以精整冷軋延、低溫退火來製造前述銅合金板材之步驟中， <br/>以軋延率50%以下來進行前述精整冷軋延， <br/>以在350至550℃的溫度區域保持60秒以下的時間之條件來進行前述低溫退火。
一種通電零件，係將請求項1或2所述之銅合金板材使用於材料。
一種散熱零件，係將請求項1或2所述之銅合金板材使用於材料。
一種在化合物半導體器件上形成歐姆接觸的方法，包括：<br/> 提供基底；<br/> 在所述基底上形成緩衝層；<br/> 在所述緩衝層上形成通道層，其中所述緩衝層的帶隙大於所述通道層的帶隙；<br/> 在所述通道層上形成阻障層；<br/> 在所述阻障層上形成鈍化層；<br/> 蝕穿所述鈍化層與所述阻障層，形成接觸區，其中所述通道層部分暴露於所述接觸區的底部；<br/> 在所述接觸區順形地沉積犧牲金屬層；<br/> 對所述犧牲金屬層進行退火工藝，從而在所述犧牲金屬層正下方的所述通道層中形成重摻雜區；<br/> 去除所述犧牲金屬層以暴露所述重摻雜區；以及<br/> 在所述重摻雜區上形成金屬矽化物層。
根據請求項1所述的方法，其中，所述犧牲金屬層包括Ti層和TiN層。
根據請求項2所述的方法，其中，所述Ti層的厚度為500-1000埃，所述TiN層的厚度小於或等於500埃。
根據請求項1所述的方法，其中，所述重摻雜區是N<sup>++</sup>區。
根據請求項4所述的方法，其中，通過執行乾蝕刻工藝去除所述犧牲金屬層。
根據請求項5所述的方法，其中，在所述鈍化層的側壁和所述阻擋層的側壁上留下包括所述犧牲金屬層的剩餘部分的間隔物。
根據請求項5所述的方法，其中，所述乾蝕刻工藝包括通過使用BCl<sub>3</sub>對所述通道層進行過蝕刻。
根據請求項1所述的方法，其中，所述重摻雜區是N<sup>+</sup>區。
根據請求項8所述的方法，其中，通過執行濕蝕刻工藝去除所述犧牲金屬層。
根據請求項9所述的方法，其中，所述濕蝕刻工藝包括硫酸過氧化物混合物(SPM)清洗。
根據請求項1所述的方法，其中，所述通道層包括GaN。
根據請求項1所述的方法，其中，所述通道層是未摻雜的GaN層。
根據請求項1所述的方法，其中，所述阻障層包括AlGaN。
根據請求項1所述的方法，其中，還包括：<br/> 在所述通道層和所述阻障層的界面形成二維電子氣。
根據請求項1所述的方法，其中，所述緩衝層包括AlN、AlGaN或GaN。
根據請求項1所述的方法，其中，所述鈍化層包括氮化矽、氧化矽、氧化鋁、氧化鉿或氮化鋁。
根據請求項1所述的方法，其中，所述基底包括SiC、藍寶石、Si、Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、AlN或GaN。
根據請求項1所述的方法，其中，所述通道層和所述阻障層在所述基底上磊晶生長。
一種化合物半導體器件，包含：<br/> 基底；<br/> 通道層，位於所述基底上；<br/> 阻障層，位於所述通道層上；<br/> 鈍化層，位於所述阻障層上；<br/> 接觸區，凹入所述鈍化層和所述阻障層中，其中，部分的所述通道層被暴露在所述接觸區的底部；<br/> 雙層矽化物膜，位於所述接觸區上，其中，所述雙層矽化物膜包含與所述通道層直接接觸的第一矽化物層和與所述第一矽化物層直接接觸的第二矽化物層；以及<br/> 銅接觸，位於所述雙層矽化物膜上，其中，所述第二矽化物層具有由傾斜側壁以及底面構成的凹陷區域，而所述銅接觸僅形成在所述凹陷區域內。
根據請求項1所述的化合物半導體器件，其中，所述第一矽化物層的功函數小於所述第二矽化物層的功函數，並且所述第二矽化物層的功函數小於所述銅接觸的擴散阻障層的功函數。
根據請求項1所述的化合物半導體器件，其中，所述第一矽化物層的厚度小於所述第二矽化物層的厚度。
根據請求項3所述的化合物半導體器件，其中，所述第一矽化物層的厚度小於或等於200埃。
根據請求項4所述的化合物半導體器件，其中，所述第二矽化物層的厚度為200-500埃。
根據請求項2所述的化合物半導體器件，其中，所述第一矽化物層包含TiSi，所述第二矽化物層包含TaSi，並且所述擴散阻障層包含TaN。
根據請求項1所述的化合物半導體器件，其中，所述通道層包含GaN。
根據請求項1所述的化合物半導體器件，其中，所述阻障層包含AlGaN。
根據請求項1所述的化合物半導體器件，其中，所述鈍化層包含氮化矽、氧化矽、氧化鋁、氧化鉿或氮化鋁。
一種形成化合物半導體器件的方法，包含：<br/> 提供基底；<br/> 在所述基底上形成通道層；<br/> 在所述通道層上形成阻障層；<br/> 在所述阻障層上形成鈍化層；<br/> 蝕穿所述鈍化層與所述阻障層，形成接觸區，其中，部分的所述通道層被暴露於所述接觸區的底部；<br/> 在所述接觸區上形成雙層矽化物膜，其中，所述雙層矽化物膜包含與所述通道層直接接觸的第一矽化物層和與所述第一矽化物層直接接觸的第二矽化物層；以及<br/> 在所述雙層矽化物膜上形成銅接觸，其中，所述第二矽化物層具有由傾斜側壁以及底面構成的凹陷區域，而所述銅接觸僅形成在所述凹陷區域內。
根據請求項10所述的方法，其中，所述第一矽化物層的功函數小於所述第二矽化物層的功函數，並且所述第二矽化物層的功函數小於所述銅接觸的擴散阻障層的功函數。
根據請求項10所述的方法，其中，所述第一矽化物層的厚度小於所述第二矽化物層的厚度。
根據請求項12所述的方法，其中，所述第一矽化物層的厚度小於或等於200埃。
根據請求項13所述的方法，其中，所述第二矽化物層的厚度為200-500埃。
根據請求項11所述的方法，其中，所述第一矽化物層包含TiSi，所述第二矽化物層包含TaSi，並且所述擴散阻障層包含TaN。
根據請求項10所述的方法，其中，所述通道層包含GaN。
根據請求項10所述的方法，其中，所述阻障層包含AlGaN。
根據請求項10所述的方法，其中，所述鈍化層包含氮化矽、氧化矽、氧化鋁、氧化鉿或氮化鋁。
根據請求項10所述的方法，其中還包含：<br/> 在所述基底上形成緩衝層；以及<br/> 在所述緩衝層上形成所述通道層，其中所述緩衝層的帶隙大於所述通道層的帶隙。
根據請求項19所述的方法，其中，所述緩衝層包含AlN、AlGaN或GaN。
根據請求項10所述的方法，其中，所述基底包含SiC、藍寶石、Si、Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、AlN或GaN。
一種射頻封裝，其包含：<br/>一天線陣列模組的一第一部分，該第一部分經組態以提供一第一無線通訊功能性(functionality)，其中該第一無線通訊功能性包含將傳輸信號自一收發器路由(routing)至一可撓纜線、將接收信號自該可撓纜線路由至該收發器、或二者；<br/>該天線陣列模組的一第二部分，其包含經組態以提供一第二無線通訊功能性之複數個天線；及<br/>該可撓纜線經組態以在該天線陣列模組的該第一部分與該天線陣列模組的該第二部分之間傳達信號，該可撓纜線包含：<br/>一第一端(end)；<br/>一第二端；<br/>一第一撓曲表面，其中該天線陣列模組的該第一部分係直接耦接至該第一端及該第二端間之該第一撓曲表面；及<br/>一第二撓曲表面，其中該天線陣列模組的該第二部分係直接耦接至該第一端及該第二端間之該第二撓曲表面，且其中該可撓纜線橫向延伸超出：<br/>該天線陣列模組的該第一部分的一第一邊緣及相對於該第一邊緣之該天線陣列模組的該第一部分的一第二邊緣；<br/>該天線陣列模組的該第二部分的一第三邊緣及該天線陣列模組的該第二部分的一第四邊緣；或<br/>該第一邊緣、該第二邊緣、該第三邊緣及該第四邊緣。
如請求項1之射頻封裝，其中該天線陣列模組的該第二部分包含複數個空腔，該複數個空腔包含該複數個天線。
如請求項1之射頻封裝，其中該複數個天線包含一或多個低頻帶天線、一或多個高頻帶天線、或二者。
如請求項1之射頻封裝，其中該射頻封裝經設置在一第一印刷電路板上，且其中該可撓纜線經組態以經由該第一端、該第二端、或二者在該射頻封裝與設置在一第二印刷電路板上的一或多個封裝之間傳達資料。
如請求項1之射頻封裝，其中該天線陣列模組的該第一部分、該天線陣列模組的該第二部分、或二者經分散成複數個子天線陣列部分。
如請求項5之射頻封裝，其中一屏蔽經設置在該複數個子天線陣列部分的一或多者的一或多個經暴露表面上。
如請求項6之射頻封裝，其中該屏蔽至少部分地基於從該複數個子天線陣列部分之各者放射之雜訊的一臨限位準。
如請求項5之射頻封裝，其中該複數個子天線陣列部分之各者包含一或多個介電材料、模件、天線、或其任何組合。
如請求項8之射頻封裝，其中該射頻封裝經設置在一印刷電路板上且該可撓纜線以相關於該印刷電路板的一非垂直角度設置，且其中該等天線的該一或多者以該非垂直角度對應地發射無線信號。
如請求項9之射頻封裝，其中該非垂直角度係在10°與350°之間。
如請求項1之射頻封裝，其包含電力管理電路系統，該電力管理電路系統經組態以管理供應至該射頻封裝的電力，其中該電力管理電路系統經封裝為包含一或多個積體電路的一系統級封裝。
一種系統封裝，其包含：<br/>一天線陣列模組的一第一部分，該第一部分包含路由電路系統；<br/>該天線陣列模組的一第二部分，該第二部分包含一基板、設置在該基板上之一第一組一或多個天線、形成於該基板中之一或多個空腔及設置在該一或多個空腔之各別空腔中之一第二組一或多個天線，其中該路由電路系統經組態以在該第一組一或多個天線、該第二組一或多個天線、或二者與收發器電路系統之間提供一通訊路徑；及<br/>複數個銲球，其耦接該天線陣列模組的該第一部分及該天線陣列模組的該第二部分。
如請求項12之系統封裝，其包含該收發器電路系統。
如請求項12之系統封裝，其中該第一組一或多個天線或該第二組一或多個天線包含經組態以在20GHz與80GHz之間的一頻率通訊的高頻帶天線，且其中該第一組一或多個天線包含與該第二組一或多個天線相異之一頻帶。
如請求項12之系統封裝，其中該系統封裝經設置在一第一印刷電路板上，且其中該系統封裝包含：<br/>一可撓纜線，其將該系統封裝耦接至設置在一第二印刷電路板上的一第二系統封裝。
一種系統級封裝，其包含：<br/>一天線陣列模組的一第一部分，該第一部分經組態以將傳輸信號自一收發器路由至複數個天線、將接收信號自該複數個天線路由至該收發器、或二者，其中該第一部分包含一第一組金屬層；<br/>該天線陣列模組的一第二部分，該第二部分包含該複數個天線，其中該第二部分包含一第二組金屬層，其中該第一組金屬層包含比該第二組金屬層更少的層，且其中該天線陣列模組的該第一部分經由一黏著劑直接耦接至該天線陣列模組的該第二部分；<br/>該收發器經組態以產生該等傳輸信號、接收該等接收信號、或二者；及<br/>電力管理電路系統，其經組態以控制與該等傳輸信號及該等接收信號有關的功率功能，其中該電力管理電路系統通訊地耦接至該天線陣列模組。
如請求項16之系統級封裝，其中該系統級封裝具有一T形結構，該T形結構在該系統級封裝的一頂部較寬且在該系統級封裝的一底部較窄。
如請求項16之系統級封裝，其中該系統級封裝經設置在一第一印刷電路板上，且其中該系統級封裝包含一可撓纜線之至少一部份，該可撓纜線經組態以在該系統級封裝與設置在一或多個其他印刷電路板上的一或多個其他系統級封裝之間傳達資料。
一種電漿處理裝置，包含： <br/>電漿處理腔室； <br/>基板支持部，配置於該電漿處理腔室內，並包含： <br/>基座； <br/>陶瓷構件，配置於該基座上並具有基板支持面及環支持面，該陶瓷構件具有氣體分配空間、從該陶瓷構件之底面延伸至該氣體分配空間之至少一個氣體入口，以及從該氣體分配空間延伸至該基板支持面或該環支持面之複數之氣體出口； <br/>一個或複數之環狀構件，以包圍該基板支持面上之基板之方式配置於該環支持面上； <br/>第1及第2中央電極，埋入該陶瓷構件內，該第1中央電極配置於該基板支持面之下方，該第2中央電極配置於該第1中央電極之下方； <br/>第1～第4縱向連接器，埋入該陶瓷構件內並向縱方向延伸； <br/>第1及第2環狀連接器，埋入該陶瓷構件內並向水平方向延伸，該第1環狀連接器之內側區域配置於該第1中央電極之邊緣區域之下方，並經由該第1縱向連接器而與該第1中央電極之邊緣區域電性連接，該第2環狀連接器之內側區域配置於該第2中央電極之邊緣區域之下方，並經由該第2縱向連接器而與該第2中央電極之邊緣區域電性連接；以及， <br/>中央加熱器電極，埋入該陶瓷構件內並具有一個或複數之分割區域，該氣體分配空間之一部分或全部係形成於該第1環狀連接器與該中央加熱器電極之間，且在該第2環狀連接器與該中央加熱器電極之間； <br/>該電漿處理裝置更包含： <br/>DC電源，經由該第3縱向連接器而電性連接於該第1環狀連接器之外側區域，並生成DC信號；以及， <br/>電壓脈衝生成部，經由該第4縱向連接器而電性連接於該第2環狀連接器之外側區域，並生成電壓脈衝序列。
如請求項1所述之電漿處理裝置，其中， <br/>該第2環狀連接器，配置於該第1環狀連接器之上方。
如請求項1或2所述之電漿處理裝置，其中， <br/>該第1環狀連接器，從該第1縱向連接器向外延伸。
如請求項1或2所述之電漿處理裝置，其中， <br/>該第2環狀連接器，從該第2縱向連接器向外延伸。
如請求項1或2所述之電漿處理裝置，更包含： <br/>RF電源，電性連接於該基座或該第2環狀連接器，並生成RF信號。
如請求項1或2所述之電漿處理裝置，其中， <br/>該中央加熱器電極經由RF濾波器而連接於接地電位。
如請求項1或2所述之電漿處理裝置，其中， <br/>該基板支持部更包含： <br/>第5縱向連接器，埋入該陶瓷構件內並向縱方向延伸； <br/>第3環狀連接器，埋入該陶瓷構件內並向水平方向延伸；以及， <br/>第1環狀電極，埋入該陶瓷構件內並配置於該環支持面之下方； <br/>該第3環狀連接器之內側區域，配置於該第2環狀連接器之外側區域之下方，並經由該第5縱向連接器而與該第2環狀連接器之外側區域電性連接； <br/>在該第1環狀電極之內側區域與該第3環狀連接器之外側區域之間形成電容耦合。
如請求項7所述之電漿處理裝置，其中， <br/>該電容耦合具有5nF以下之電容。
如請求項7所述之電漿處理裝置，更包含： <br/>追加電壓脈衝生成部，電性連接於該第1環狀電極之外側區域，並生成追加電壓脈衝序列。
如請求項7所述之電漿處理裝置，更包含： <br/>至少一個追加DC電源，生成至少一個追加DC信號； <br/>該基板支持部更包含至少一個第2環狀電極，其埋入該陶瓷構件內並電性連接於該至少一個追加DC電源，該至少一個第2環狀電極配置於該環支持面與該第1環狀電極之間。
如請求項10所述之電漿處理裝置，其中， <br/>該基板支持部更包含環狀加熱器電極，其埋入該陶瓷構件內，並以包圍該中央加熱器電極之方式配置於該環支持面之下方； <br/>該中央加熱器電極與該環狀加熱器電極之間形成環狀間隙； <br/>該第3縱向連接器及該第4縱向連接器通過該環狀間隙並向縱方向延伸。
一種電漿處理裝置，包含： <br/>電漿處理腔室； <br/>基板支持部，配置於該電漿處理腔室內，並包含： <br/>基座； <br/>陶瓷構件，配置於該基座上，並具有基板支持面及環支持面； <br/>一個或複數之環狀構件，以包圍該基板支持面上之基板之方式配置於該環支持面上； <br/>中央電極，埋入該陶瓷構件內，並在該基板支持面之下方配置於水平方向； <br/>第1～第4縱向連接器，埋入該陶瓷構件內並向縱方向延伸； <br/>第1及第2環狀連接器，埋入該陶瓷構件內並向水平方向延伸，該第1環狀連接器之內側區域配置於該中央電極之邊緣區域之下方，並經由該第1縱向連接器而與該中央電極之邊緣區域電性連接，該第2環狀連接器之內側區域配置於該第1環狀連接器之外側區域之下方，並經由該第2縱向連接器而與該第1環狀連接器之外側區域電性連接；以及， <br/>環狀電極，埋入該陶瓷構件內並配置於該環支持面之下方，該環狀電極之內側區域與該第2環狀連接器之外側區域之間形成電容耦合； <br/>該電漿處理裝置更包含： <br/>第1電壓脈衝生成部，經由該第3縱向連接器而電性連接於該第1環狀連接器之外側區域，並生成第1電壓脈衝序列；以及， <br/>第2電壓脈衝生成部，經由該第4縱向連接器而電性連接於該環狀電極之外側區域，並生成第2電壓脈衝序列。
如請求項12所述之電漿處理裝置，其中， <br/>該電容耦合具有5nF以下之電容。
如請求項12或13所述之電漿處理裝置，其中， <br/>該基板支持部更包含： <br/>中央靜電電極及環狀靜電電極，埋入該陶瓷構件內； <br/>該中央靜電電極配置於該基板支持面與該中央電極之間； <br/>該環狀靜電電極配置於該環支持面與該環狀電極之間。
一種電漿處理裝置，包含： <br/>電漿處理腔室； <br/>基板支持部，配置於該電漿處理腔室內，並包含： <br/>基座； <br/>陶瓷構件，配置於該基座上並具有基板支持面及環支持面，該陶瓷構件具有氣體分配空間、從該陶瓷構件之底面延伸至該氣體分配空間之至少一個氣體入口，以及從該氣體分配空間延伸至該基板支持面或該環支持面之複數之氣體出口； <br/>一個或複數之環狀構件，以包圍該基板支持面上之基板之方式配置於該環支持面上； <br/>電極，埋入該陶瓷構件內，並配置於該基板支持面之下方； <br/>第1及第2縱向連接器，埋入該陶瓷構件內並向縱方向延伸； <br/>環狀連接器，埋入該陶瓷構件內並向水平方向延伸，該環狀連接器之內側區域配置於該電極之邊緣區域之下方，並經由該第1縱向連接器而與該電極之邊緣區域電性連接；以及， <br/>加熱器電極，埋入該陶瓷構件內，並具有一個或複數之分割區域，該氣體分配空間之一部分或全部形成於該環狀連接器與該加熱器電極之間； <br/>該電漿處理裝置更包含： <br/>電源，經由該第2縱向連接器而電性連接於該環狀連接器之外側區域，並生成DC信號或RF信號。
一種電漿處理裝置，包含： <br/>電漿處理腔室； <br/>基板支持部，配置於該電漿處理腔室內，並包含： <br/>基座； <br/>陶瓷構件，配置於該基座上並具有基板支持面及環支持面； <br/>一個或複數之環狀構件，以包圍該基板支持面上之基板之方式配置於該環支持面上； <br/>第1及第2電極，埋入該陶瓷構件內，該第1電極配置於該基板支持面之下方，該第2電極配置於該第1電極之下方； <br/>第1及第2縱向連接器，埋入該陶瓷構件內並向縱方向延伸； <br/>第1及第2環狀連接器，埋入該陶瓷構件內並向水平方向延伸，該第1環狀連接器之內側區域配置於該第1電極之邊緣區域之下方，並經由該第1縱向連接器而與該第1電極之邊緣區域電性連接，該第2環狀連接器之內側區域配置於該第2電極之邊緣區域之下方，並經由該第2縱向連接器而與該第2電極之邊緣區域電性連接； <br/>中央加熱器電極，埋入該陶瓷構件內並具有一個或複數之分割區域，該中央加熱器電極配置於該基板支持面之下方； <br/>環狀加熱器電極，埋入該陶瓷構件內，並以包圍該中央加熱器電極之方式配置於該環支持面之下方，該中央加熱器電極與該環狀加熱器電極之間形成環狀間隙；以及， <br/>第3及第4縱向連接器，埋入該陶瓷構件內，並通過該環狀間隙而向縱方向延伸； <br/>該電漿處理裝置更包含： <br/>DC電源，經由該第3縱向連接器而電性連接於該第1環狀連接器之外側區域，並生成DC信號；以及， <br/>電壓脈衝生成部，經由該第4縱向連接器而電性連接於該第2環狀連接器之外側區域，並生成電壓脈衝序列。
一種用於基於一計算設備中一事件的發生來保護記憶體區域的方法（300、400），包括以下步驟： <br/>由該計算設備的一子系統（204、516）將標識一記憶體（108、208）的一或多個記憶體區域的資訊儲存（302、402）在一記憶體控制器（206、502）的一記憶體擦除邏輯（216）的暫存器（218）中； <br/>該記憶體控制器（206、502）從該子系統（204、516）接收該指示，該指示包括一命令； <br/>回應於該記憶體控制器（206、502）接收的該指示，由該記憶體控制器（206、502）的該記憶體擦除邏輯（216）擦除（304、404）與標識該記憶體（108、208）的該一或多個記憶體區域的該資訊對應的該一或多個記憶體區域；及 <br/>在擦除該一或多個記憶體區域之後(406)，從該記憶體（108、208）執行一記憶體轉儲收集。
根據請求項1之方法（300、400），其中由該子系統（204、516）儲存該資訊包括以下步驟：將該資訊儲存在記憶體控制器（206、502）硬體中。
根據請求項1之方法（300、400），亦包括以下步驟：回應於該計算設備中的一系統（100、500）重定事件，該記憶體控制器（206、502）從重定控制邏輯接收該指示。
根據請求項1之方法（300、400），其中由該子系統（204、516）儲存該資訊包括以下步驟：由與該子系統（204、516）相關聯的一信任實體（214）儲存該資訊。
根據請求項1之方法（300、400），其中由該子系統（204、516）儲存該資訊包括以下步驟：在一系統啟動期間儲存該資訊。
根據請求項1之方法（300、400），其中該計算設備是包括以下各項中的一項的一可攜式計算設備（PCD）：一蜂巢式電話、一衛星電話、一膝上型電腦、一平板設備、一導航設備、一智慧型電腦、一個人數位助理（PDA）、一物聯網路（IoT）設備和一汽車計算設備。
一種用於基於一計算設備中一事件的發生來保護記憶體區域的系統（100、500），包括： <br/>一記憶體（108、208）；及 <br/>耦合到該記憶體（108、208）的一記憶體控制器（206、502），該記憶體控制器（206、502）包括記憶體擦除邏輯（216、504），記憶體擦除邏輯（216、504）被配置為： <br/>回應於該計算設備的一子系統（204、516）的一請求，將標識該記憶體（108、208）的一或多個記憶體區域的資訊儲存在該記憶體擦除邏輯（216、504）的暫存器中； <br/>從該子系統（204、516）接收一指示，該指示包括一命令； <br/>回應於該記憶體控制器（206、502）接收的該指示，擦除與標識該記憶體（108、208）的該一或多個記憶體區域的該資訊對應的該一或多個記憶體區域；及 <br/>在擦除該一或多個記憶體區域之後(406)，從該記憶體（108、208）執行一記憶體轉儲收集； <br/>其中該記憶體擦除邏輯（216、504）包括被配置為儲存該資訊的暫存器。
根據請求項7之系統（100、500），亦包括一記憶體轉儲收集器（224），該記憶體轉儲收集器（224）被配置為在擦除該一或多個記憶體區域之後，從該記憶體（108、208）收集一記憶體轉儲。
根據請求項7之系統（100、500），其中該記憶體控制器（206、502）被配置為回應於該計算設備中的一系統（100、500）重定事件，從重定控制邏輯接收該指示。
根據請求項7之系統（100、500），其中與該子系統（204、516）相關聯的一信任實體（214）被配置為發起儲存該資訊。
根據請求項7之系統（100、500），其中該資訊由該子系統（204、516）在一系統啟動期間進行儲存。
根據請求項7之系統（100、500），其中該計算設備是包括以下各項中的一項的一可攜式計算設備（PCD）：一蜂巢式電話、一衛星電話、一膝上型電腦、一平板設備、一導航設備、一智慧型電腦、一個人數位助理（PDA）、一物聯網路（IoT）設備和一汽車計算設備。
一種用於基於一計算設備中一事件的發生來保護記憶體區域的電腦可讀取媒體，該電腦可讀取媒體包括具有以電腦可執行形式儲存在其上的指令的一非暫時性電腦可讀取媒體，該等指令在由一處理系統執行時，配置該處理系統實施根據請求項1至6中的任一項之方法。
一種用於建立能量儲存器（14）與兩輪車之電氣組件的電連接的裝置，包含一耦合單元（12），該能量儲存器（14）係可拆卸地固定在該耦合單元上，並且包含用於電連接該兩輪車之組件的一連接模組（26），其特徵在於， <br/>該連接模組（26）係可拆卸地與該耦合單元（12）連接； <br/>該連接模組（26）具有針對該能量儲存器（14）之電氣插式連接器（44）的插頭介面（24）； <br/>該連接模組（26）具有至少一個連接介面（30），用以將該兩輪車之組件之接頭連接器（58）與該連接模組（26）耦合，以及用以為該兩輪車之組件供應源自該能量儲存器（14）的能量；及 <br/>該連接模組（26）之該連接介面（30）建構為連接插頭（52），其與該兩輪車之組件之該接頭連接器（58）對應。
如請求項1之裝置，其中該連接模組（26）係整合在該耦合單元（12）中。
如請求項1或2之裝置，其中該連接模組（26）係以板件（28）的形式建構，該板件係可嵌入位於該耦合單元（12）中之對應的凹部（32）。
如請求項3之裝置，其中該插頭介面（24）與該連接介面（30）係佈置在該板件（28）之相對側上。
如請求項1或2之裝置，其中該插頭介面（24）包括插頭（50），其與該能量儲存器（14）之插式連接器（44）對應並且係可與該插式連接器耦合，用以建立電連接。
如請求項1或2之裝置，其中該連接模組（26）之插頭（50）至少部分地伸入該耦合單元（12）之導引通道（40），從而在該插頭（50）與該能量儲存器（14）之電氣插式連接器（44）之間建立經導引的連接。
如請求項1或2之裝置，其中該連接模組（26）具有連接插頭（52），其與該組件之接頭連接器（58）對應。
如請求項7之裝置，其中該連接插頭（52）具有引腳（56），其與該接頭連接器（58）之插口對應以使得該引腳係可容置在該插口中並且建立電接觸。
如請求項1或2之裝置，其中該連接模組（26）具有複數個連接介面（30），使得一連接介面（30）正好可與一組件之接頭連接器（58）連接。
一種電動兩輪車，具有如請求項1至9中任一項之用於建立電能儲存器（14）與該電動兩輪車之電氣組件的電連接的裝置。
一種無線射頻轉換系統，包含： 一基頻裝置，用以產生或接收一基頻信號；<br/> 一遠端無線電裝置，用以於該基頻信號及一射頻信號之間進行轉換；<br/> 一波束賦形裝置，用以調整該射頻信號之一振幅及一相位或調整該基頻信號之一比例因數及一相移因數；<br/> 一轉換裝置，用以對該射頻信號進行光電轉換；<br/> 其中該波束賦形裝置、該轉換裝置及該無線射頻轉換系統的其中一者具有一一對多轉換裝置用以對該射頻信號或該基頻信號進行一對多轉換而產生複數個射頻信號或複數個基頻信號，或對該些射頻信號或該些基頻信號進行多對一轉換而產生該射頻信號或該基頻信號；<br/> 一光纖網路，耦接於該轉換裝置及該一對多轉換裝置之間，其中該光纖網路用以同時傳送該一對多轉換裝置所傳送的該些射頻信號；<br/> 複數個前端處理裝置，用以放大該些射頻信號；以及<br/> 複數個天線，用以傳輸或接收該些射頻信號。
如請求項1所述的無線射頻轉換系統，其中該轉換裝置包含：<br/> 一第一轉換器，用以由該遠端無線電裝置接收並對該射頻信號進行光電轉換以產生一光信號，或用以由該光纖網路接收並對該光信號進行光電轉換以產生該射頻信號；以及<br/> 一第二轉換器，用以由該光纖網路接收並對該光信號進行光電轉換以產生該射頻信號，或用以由該波束賦形裝置接收並對該射頻信號進行光電轉換以產生該光信號。
如請求項2所述的無線射頻轉換系統，其中該波束賦形裝置的一一對多轉換器用以由該第二轉換器接收並對該射頻信號進行一對多轉換而產生該些射頻信號，或用以由該些前端處理裝置接收並對該些射頻信號進行多對一轉換而產生該射頻信號。
如請求項1所述的無線射頻轉換系統， <br/> 其中該轉換裝置包含：<br/> 複數個第一轉換器，用以由該波束賦形裝置接收並對該些射頻信號進行光電轉換以產生複數個光信號，或用以由該光纖網路的複數條光纖接收並對該些光信號進行光電轉換以產生該些射頻信號；以及<br/> 複數個第二轉換器，用以由該光纖網路的該些光纖接收並對該些光信號進行光電轉換以產生該些射頻信號，或用以由該些前端處理裝置接收並對該些射頻信號進行光電轉換以產生該些光信號。
如請求項1所述的無線射頻轉換系統，其中該轉換裝置包含：<br/> 一第一轉換器，用以由該遠端無線電裝置接收並對該射頻信號進行光電轉換及一對多轉換以產生複數個光信號，或用以由該光纖網路的複數條光纖接收並對該些光信號進行多對一轉換以及光電轉換以產生該射頻信號；以及<br/> 複數個第二轉換器，用以由該光纖網路的該些光纖接收並對該些光信號進行光電轉換以產生該些射頻信號，或用以由該波束賦形裝置接收並對該些射頻信號進行光電轉換以產生該些光信號。
如請求項5所述的無線射頻轉換系統，其中該波束賦形裝置用以由該些第二轉換器接收並調整該些射頻信號之複數個振幅及複數個相位，或用以由該些前端處理裝置接收並調整該些射頻信號之該些振幅及該些相位。
如請求項1所述的無線射頻轉換系統，其中該轉換裝置包含：<br/> 一第一轉換器，用以由該遠端無線電裝置接收並對該射頻信號進行光電轉換以產生一光信號，或用以接收並對該光信號進行光電轉換以產生該射頻信號，其中該無線射頻轉換系統的該一對多轉換裝置用以由該第一轉換器接收並對該光信號進行一對多轉換而產生複數個光信號，或用以接收並對該些光信號進行多對一轉換以產生該光信號；以及<br/> 複數個第二轉換器，用以由該無線射頻轉換系統的該一對多轉換裝置接收並對該些光信號進行光電轉換以產生該些射頻信號，或用以由該波束賦形裝置接收並對該些射頻信號進行光電轉換以產生該些光信號。
如請求項7所述的無線射頻轉換系統，其中該波束賦形裝置用以由該些第二轉換器接收並調整該些射頻信號之複數個振幅及複數個相位，或用以由該些前端處理裝置接收並調整該些射頻信號之該些振幅及該些相位。
如請求項1所述的無線射頻轉換系統，其中該波束賦形裝置可為：<br/> 一數位波束賦形器，用以由該基頻裝置接收並調整該基頻信號之該比例因數及該相移因數，其中該數位波束賦形器的一一對多轉換器對該基頻信號進行一對多轉換以產生該些基頻信號，或用以接收並對該些基頻信號進行多對一轉換以產生該基頻信號；<br/> 其中該遠端無線電裝置的數量為複數個，該些遠端無線電裝置由該一對多轉換器接收並轉換該些基頻信號為複數個射頻信號，或用以接收並轉換該些射頻信號為該些個基頻信號。
如請求項9所述的無線射頻轉換系統，其中該轉換裝置包含：<br/> 複數個第一轉換器，用以由該些遠端無線電裝置接收並對該些射頻信號進行光電轉換以產生複數個光信號，或用以由該光纖網路的複數條光纖接收並對該些光信號進行光電轉換以產生該些射頻信號；以及<br/> 複數個第二轉換器，用以由該光纖網路的該些光纖接收並對該些光信號進行光電轉換以產生該些射頻信號，或用以由該些前端處理裝置接收並對該些射頻信號進行光電轉換以產生該些光信號。
如請求項1所述的無線射頻轉換系統，更包含：<br/> 一數位波束賦形器，用以由該基頻裝置接收並調整該基頻信號之該比例因數及該相移因數，其中該數位波束賦形器的一一對多轉換器對該基頻信號進行一對多轉換以產生一第一基頻信號及一第二基頻信號，或用以接收並對該第一基頻信號及該第二基頻信號進行多對一轉換以產生該基頻信號；<br/> 其中該遠端無線電裝置包含：<br/> 一第一遠端無線電電路，用以由該一對多轉換器接收並轉換該第一基頻信號為一第一射頻信號，或用以接收並轉換該第一射頻信號為該第一基頻信號；以及<br/> 一第二遠端無線電電路，用以由該一對多轉換器接收並轉換該第二基頻信號為一第二射頻信號，或用以接收並轉換該第二射頻信號為該第二基頻信號；<br/> 其中該轉換裝置包含：<br/> 一第一轉換器，用以由該第一遠端無線電電路接收並對該第一射頻信號進行光電轉換及一對多轉換以產生複數個光信號，或用以由該光纖網路的複數條光纖接收並對該些光信號進行多對一轉換以及光電轉換以產生該第一射頻信號。
如請求項11所述的無線射頻轉換系統，其中該轉換裝置更包含：<br/> 一第二轉換器，用以由該第二遠端無線電電路接收並對該第二射頻信號進行光電轉換及一對多轉換以產生複數個光信號，或用以由該光纖網路的該些光纖接收並對該些光信號進行多對一轉換以及光電轉換以產生該第二射頻信號；以及<br/> 複數個第三轉換器，用以由該光纖網路的該些光纖接收並對該些光信號進行光電轉換以產生該些射頻信號，或用以接收並對該些射頻信號進行光電轉換以產生該些光信號。
如請求項12所述的無線射頻轉換系統，其中該波束賦形裝置的數量為複數個，該些波束賦形裝置用以由該些第三轉換器接收並調整該些射頻信號之複數個振幅及複數個相位，或用以由該些前端處理裝置接收並調整該些射頻信號之該些振幅及該些相位。
如請求項13所述的無線射頻轉換系統，其中該第一轉換器及該第二轉換器中的每一者包含一第一一對多分配器，其中該第一一對多分配器包含：<br/> 一第一雷射二極體封裝結構，用以將該第一射頻信號或該第二射頻信號轉換為該些光信號的其中一者；<br/> 一第一分光器，用以部分反射該些光信號的其中一者以產生一第一反射信號，並部分透射該些光信號的其中一者以產生一第一透射信號；<br/> 一第一連接器，用以輸出該第一反射信號以作為該些光信號的其中一者；<br/> 一第二分光器，用以反射該第一透射信號以產生一第二反射信號；以及<br/> 一第二連接器，用以輸出該第二反射信號以作為該些光信號的其中一者。
如請求項14所述的無線射頻轉換系統，其中該第一轉換器及該第二轉換器中的每一者包含一第二一對多分配器，其中該第二一對多分配器包含：<br/> 一第三連接器，用以接收該些光信號的其中一者；<br/> 一第三分光器，用以由該第三連接器接收並反射該些光信號的其中一者以產生一第三反射信號；<br/> 一第四連接器，用以接收該些光信號的其中一者；<br/> 一第四分光器，用以由該第四連接器接收並反射該些光信號的其中一者，並由該第三分光器接收並透射該第三反射信號以產生該些光信號的其中一者；以及<br/> 一第二雷射二極體封裝結構，用以將該些光信號的其中一者轉換為該第一射頻信號或該第二射頻信號。
如請求項1所述的無線射頻轉換系統，更包含：<br/> 一數位波束賦形器，用以由該基頻裝置接收並調整該基頻信號之該比例因數及該相移因數，其中該數位波束賦形器的一一對多轉換器對該基頻信號進行一對多轉換以產生一第一基頻信號及一第二基頻信號，或用以接收並對該第一基頻信號及該第二基頻信號進行多對一轉換以產生該基頻信號；<br/> 其中該遠端無線電裝置包含：<br/> 一第一遠端無線電電路，用以由該一對多轉換器接收並轉換該第一基頻信號為一第一射頻信號，或用以接收並轉換該第一射頻信號為該第一基頻信號；以及<br/> 一第二遠端無線電電路，用以由該一對多轉換器接收並轉換該第二基頻信號為一第二射頻信號，或用以接收並轉換該第二射頻信號為該第二基頻信號；<br/> 其中該轉換裝置包含：<br/> 一第一轉換器，用以由該第一遠端無線電電路接收並對該第一射頻信號進行光電轉換以產生一第一光信號，或用以由該光纖網路接收並對該第一光信號進行光電轉換以產生該第一射頻信號。
如請求項16所述的無線射頻轉換系統，其中該轉換裝置更包含：<br/> 一第二轉換器，用以由該第二遠端無線電電路接收並對該第二射頻信號進行光電轉換以產生一第二光信號，或用以由該光纖網路接收並對該第二光信號進行光電轉換以產生該第二射頻信號，其中該無線射頻轉換系統的該一對多轉換裝置包含一第一一對多轉換器及一第二一對多轉換器，其中該第一一對多轉換器用以由該第一轉換器接收並對該第一光信號進行一對多轉換以產生複數個光信號，或用以接收並對該些光信號進行多對一轉換以產生該第一光信號，其中該第二一對多轉換器用以由該第二轉換器接收並對該第二光信號進行一對多轉換以產生複數個光信號，或用以接收並對該些光信號進行多對一轉換以產生該第二光信號；以及<br/> 複數個第三轉換器，用以由該第一一對多轉換器及該第二一對多轉換器接收並對該些光信號進行光電轉換以產生該些射頻信號，或用以接收並對該些射頻信號進行光電轉換以產生該些光信號。
如請求項17所述的無線射頻轉換系統，其中該波束賦形裝置的數量為複數個，該些波束賦形裝置用以由該些第三轉換器接收並調整該些射頻信號之複數個振幅及複數個相位，或用以由該些前端處理裝置接收並調整該些射頻信號之該些振幅及該些相位。
如請求項18所述的無線射頻轉換系統，其中該第一轉換器及該第二轉換器中的每一者包含一雙向光發射接收器，其中該雙向光發射接收器包含：<br/> 一第一雷射二極體封裝結構，用以將該第一射頻信號或該第二射頻信號轉換為該第一光信號或該第二光信號；<br/> 一第二雷射二極體封裝結構，用以將該第一光信號或該第二光信號轉換為該第一射頻信號或該第二射頻信號；<br/> 一過濾器，用以透射該第一雷射二極體封裝結構的該第一光信號或該第二光信號，並用以反射該第一光信號或該第二光信號至該第二雷射二極體封裝結構；以及<br/> 一外殼，其中該過濾器配置於該外殼之內，且該第一雷射二極體封裝結構及該第二雷射二極體封裝結構配置於該外殼之外並緊貼該外殼。
如請求項19所述的無線射頻轉換系統，其中該第一一對多轉換器及該第二一對多轉換器中的每一者包含：<br/> 一第一分光器，用以部分反射該第一光信號或該第二光信號以產生一第一反射信號，並部分透射該第一光信號或該第二光信號以產生一第一透射信號；<br/> 一第一連接器，用以輸出該第一反射信號以作為該些光信號的其中一者；<br/> 一第二分光器，用以反射該第一透射信號以產生一第二反射信號；以及<br/> 一第二連接器，用以輸出該第二反射信號以作為該些光信號的其中一者。
如請求項20所述的無線射頻轉換系統，其中：<br/> 該第二連接器，用以接收該些光信號的其中一者；<br/> 該第二分光器，用以由該第二連接器接收並反射該些光信號的其中一者以產生一第三反射信號；<br/> 該第一連接器，用以接收該些光信號的其中一者；<br/> 該第一分光器，用以由該第一連接器接收並反射該些光信號的其中一者，並由該第二分光器接收並透射該第三反射信號以產生該第一光信號或該第二光信號。
一種無線射頻轉換方法，包含：<br/> 透過一基頻裝置產生或接收一基頻信號；<br/> 透過一遠端無線電裝置於該基頻信號及一射頻信號之間進行轉換；<br/> 透過一波束賦形裝置調整該射頻信號之一振幅及一相位或調整該基頻信號之一比例因數及一相移因數；<br/> 透過一轉換裝置對該射頻信號進行光電轉換；<br/> 透過該波束賦形裝置、該轉換裝置及一無線射頻轉換系統的其中一者之一一對多轉換裝置對該射頻信號或該基頻信號進行一對多轉換而產生複數個射頻信號或複數個基頻信號，或對該些射頻信號或該些基頻信號進行多對一轉換而產生該射頻信號或該基頻信號；<br/> 透過耦接於該轉換裝置及該一對多轉換裝置之間的一光纖網路同時傳送該一對多轉換裝置所傳送的該些射頻信號；<br/> 透過複數個前端處理裝置放大該些射頻信號；以及<br/> 透過複數個天線傳輸或接收該些射頻信號。
如請求項22所述的無線射頻轉換方法，其中透過該轉換裝置對該射頻信號進行光電轉換包含：<br/> 透過該轉換裝置之一第一轉換器以由該遠端無線電裝置接收並對該射頻信號進行光電轉換以產生一光信號，或用以由該光纖網路接收並對該光信號進行光電轉換以產生該射頻信號；以及<br/> 透過該轉換裝置之一第二轉換器以由該光纖網路接收並對該光信號進行光電轉換以產生該射頻信號，或用以由該波束賦形裝置接收並對該射頻信號進行光電轉換以產生該光信號；<br/> 其中透過該波束賦形裝置、該轉換裝置或該無線射頻轉換系統的該一對多轉換裝置對該射頻信號或該基頻信號進行一對多轉換而產生該些射頻信號或該些基頻信號，或對該些射頻信號或該些基頻信號進行多對一轉換而產生該射頻信號或該基頻信號包含：<br/> 透過該波束賦形裝置的一一對多轉換器以由該第二轉換器接收並對該射頻信號進行一對多轉換而產生該些射頻信號，或用以由該些前端處理裝置接收並對該些射頻信號進行多對一轉換而產生該射頻信號。
如請求項22所述的無線射頻轉換方法，其中透過該波束賦形裝置、該轉換裝置及該無線射頻轉換系統的其中一者之該一對多轉換裝置對該射頻信號或該基頻信號進行一對多轉換而產生該些射頻信號或該些基頻信號，或對該些射頻信號或該些基頻信號進行多對一轉換而產生該射頻信號或該基頻信號包含：<br/> 透過該波束賦形裝置的一一對多轉換器以由該遠端無線電裝置接收並對該射頻信號進行一對多轉換而產生該些射頻信號，或用以接收並對該些射頻信號進行多對一轉換而產生該射頻信號；<br/> 其中透過該轉換裝置對該射頻信號進行光電轉換包含：<br/> 透過該轉換裝置之複數個第一轉換器以由該波束賦形裝置接收並對該些射頻信號進行光電轉換以產生複數個光信號，或用以由該光纖網路的複數條光纖接收並對該些光信號進行光電轉換以產生該些射頻信號；以及<br/> 透過該轉換裝置之複數個第二轉換器以由該光纖網路的該些光纖接收並對該些光信號進行光電轉換以產生該些射頻信號，或用以由該些前端處理裝置接收並對該些射頻信號進行光電轉換以產生該些光信號。
如請求項22所述的無線射頻轉換方法，其中透過該轉換裝置對該射頻信號進行光電轉換包含：<br/> 透過該轉換裝置之一第一轉換器以由該遠端無線電裝置接收並對該射頻信號進行光電轉換及一對多轉換以產生複數個光信號，或用以由該光纖網路的複數條光纖接收並對該些光信號進行多對一轉換以及光電轉換以產生該射頻信號；以及<br/> 透過該轉換裝置之複數個第二轉換器以由該光纖網路的該些光纖接收並對該些光信號進行光電轉換以產生該些射頻信號，或用以由該波束賦形裝置接收並對該些射頻信號進行光電轉換以產生該些光信號；<br/> 其中透過該波束賦形裝置、該轉換裝置及該無線射頻轉換系統的其中一者之該一對多轉換裝置對該射頻信號或該基頻信號進行一對多轉換而產生該些射頻信號或該些基頻信號，或對該些射頻信號或該些基頻信號進行多對一轉換而產生該射頻信號或該基頻信號包含：<br/> 透過該波束賦形裝置用以由該些第二轉換器接收並調整該些射頻信號之複數個振幅及複數個相位，或用以由該些前端處理裝置接收並調整該些射頻信號之該些振幅及該些相位。
如請求項22所述的無線射頻轉換方法，其中透過該轉換裝置對該射頻信號進行光電轉換包含：<br/> 透過該轉換裝置之一第一轉換器以由該遠端無線電裝置接收並對該射頻信號進行光電轉換以產生一光信號，或用以接收並對該光信號進行光電轉換以產生該射頻信號；以及<br/> 透過該轉換裝置之複數個第二轉換器以由該無線射頻轉換系統的該一對多轉換裝置接收並對該些光信號進行光電轉換以產生該些射頻信號，或用以由該波束賦形裝置接收並對該些射頻信號進行光電轉換以產生該些光信號；<br/> 其中透過該波束賦形裝置、該轉換裝置及該無線射頻轉換系統的其中一者之該一對多轉換裝置對該射頻信號或該基頻信號進行一對多轉換而產生該些射頻信號或該些基頻信號，或對該些射頻信號或該些基頻信號進行多對一轉換而產生該射頻信號或該基頻信號包含：<br/> 透過該無線射頻轉換系統的該一對多轉換裝置以由該第一轉換器接收並對該光信號進行一對多轉換而產生複數個光信號，或用以接收並對該些光信號進行多對一轉換以產生該光信號；<br/> 其中透過該波束賦形裝置調整該射頻信號之該振幅及該相位包含：<br/> 透過該波束賦形裝置以由該些第二轉換器接收並調整該些射頻信號之複數個振幅及複數個相位，或用以由該些前端處理裝置接收並調整該些射頻信號之該些振幅及該些相位。
如請求項22所述的無線射頻轉換方法，其中該波束賦形裝置可為一數位波束賦形器，其中該無線射頻轉換方法更包含：<br/> 透過該數位波束賦形器以由該基頻裝置接收並調整該基頻信號之該比例因數及該相移因數，並透過該數位波束賦形器的一一對多轉換器對該基頻信號進行一對多轉換以產生該些基頻信號，或用以接收並對該些基頻信號進行多對一轉換以產生該基頻信號；<br/> 其中透過該遠端無線電裝置於該基頻信號及該射頻信號之間進行轉換包含：<br/> 透過複數個遠端無線電裝置由該一對多轉換器接收並轉換該些基頻信號為複數個射頻信號，或用以接收並轉換該些射頻信號為該些個基頻信號；<br/> 其中透過該轉換裝置對該射頻信號進行光電轉換包含：<br/> 透過該轉換裝置之複數個第一轉換器以由該些遠端無線電裝置接收並對該些射頻信號進行光電轉換以產生複數個光信號，或用以由該光纖網路的複數條光纖接收並對該些光信號進行光電轉換以產生該些射頻信號；以及<br/> 透過該轉換裝置之複數個第二轉換器以由該光纖網路的該些光纖接收並對該些光信號進行光電轉換以產生該些射頻信號，或用以由該些前端處理裝置接收並對該些射頻信號進行光電轉換以產生該些光信號。
如請求項22所述的無線射頻轉換方法，更包含：<br/> 透過一數位波束賦形器以由該基頻裝置接收並調整該基頻信號之該比例因數及該相移因數，並透過該數位波束賦形器的一一對多轉換器對該基頻信號進行一對多轉換以產生一第一基頻信號及一第二基頻信號，或用以接收並對該第一基頻信號及該第二基頻信號進行多對一轉換以產生該基頻信號；<br/> 其中透過該遠端無線電裝置於該基頻信號及該射頻信號之間進行轉換包含：<br/> 透過該遠端無線電裝置之一第一遠端無線電電路以由該一對多轉換器接收並轉換該第一基頻信號為一第一射頻信號，或用以接收並轉換該第一射頻信號為該第一基頻信號；以及<br/> 透過該遠端無線電裝置之一第二遠端無線電電路以由該一對多轉換器接收並轉換該第二基頻信號為一第二射頻信號，或用以接收並轉換該第二射頻信號為該第二基頻信號；<br/> 其中透過該轉換裝置對該射頻信號進行光電轉換包含：<br/> 透過該轉換裝置之一第一轉換器以由該第一遠端無線電電路接收並對該第一射頻信號進行光電轉換及一對多轉換以產生複數個光信號，或用以由該光纖網路的複數條光纖接收並對該些光信號進行多對一轉換以及光電轉換以產生該第一射頻信號；<br/> 透過該轉換裝置之一第二轉換器以由該第二遠端無線電電路接收並對該第二射頻信號進行光電轉換及一對多轉換以產生複數個光信號，或用以由該光纖網路的該些光纖接收並對該些光信號進行多對一轉換以及光電轉換以產生該第二射頻信號；以及<br/> 透過該轉換裝置之複數個第三轉換器以由該光纖網路的該些光纖接收並對該些光信號進行光電轉換以產生該些射頻信號，或用以接收並對該些射頻信號進行光電轉換以產生該些光信號；<br/> 其中該波束賦形裝置的數量為複數個，該些波束賦形裝置用以由該些第三轉換器接收並調整該些射頻信號之複數個振幅及複數個相位，或用以由該些前端處理裝置接收並調整該些射頻信號之該些振幅及該些相位。
如請求項22所述的無線射頻轉換方法，更包含：<br/> 透過一數位波束賦形器以由該基頻裝置接收並調整該基頻信號之該比例因數及該相移因數，其中該數位波束賦形器的一一對多轉換器對該基頻信號進行一對多轉換以產生一第一基頻信號及一第二基頻信號，或用以接收並對該第一基頻信號及該第二基頻信號進行多對一轉換以產生該基頻信號；<br/> 其中透過該遠端無線電裝置於該基頻信號及該射頻信號之間進行轉換包含：<br/> 透過該遠端無線電裝置之一第一遠端無線電電路以由該一對多轉換器接收並轉換該第一基頻信號為一第一射頻信號，或用以接收並轉換該第一射頻信號為該第一基頻信號；以及<br/> 透過該遠端無線電裝置之一第二遠端無線電電路以由該一對多轉換器接收並轉換該第二基頻信號為一第二射頻信號，或用以接收並轉換該第二射頻信號為該第二基頻信號；<br/> 其中透過該轉換裝置對該射頻信號進行光電轉換包含：<br/> 透過該轉換裝置之一第一轉換器以由該第一遠端無線電電路接收並對該第一射頻信號進行光電轉換以產生一第一光信號，或用以由該光纖網路接收並對該第一光信號進行光電轉換以產生該第一射頻信號。
如請求項29所述的無線射頻轉換方法，其中透過該轉換裝置對該射頻信號進行光電轉換更包含：<br/> 透過該轉換裝置之一第二轉換器以由該第二遠端無線電電路接收並對該第二射頻信號進行光電轉換以產生一第二光信號，或用以由該光纖網路接收並對該第二光信號進行光電轉換以產生該第二射頻信號，其中該無線射頻轉換系統的該一對多轉換裝置包含一第一一對多轉換器及一第二一對多轉換器，其中該第一一對多轉換器用以由該第一轉換器接收並對該第一光信號進行一對多轉換以產生複數個光信號，或用以接收並對該些光信號進行多對一轉換以產生該第一光信號，其中該第二一對多轉換器用以由該第二轉換器接收並對該第二光信號進行一對多轉換以產生複數個光信號，或用以接收並對該些光信號進行多對一轉換以產生該第二光信號；以及<br/> 透過該轉換裝置複數個第三轉換器以由該第一一對多轉換器及該第二一對多轉換器接收並對該些光信號進行光電轉換以產生該些射頻信號，或用以接收並對該些射頻信號進行光電轉換以產生該些光信號；<br/> 其中該波束賦形裝置的數量為複數個，該些波束賦形裝置用以由該些第三轉換器接收並調整該些射頻信號之複數個振幅及複數個相位，或用以由該些前端處理裝置接收並調整該些射頻信號之該些振幅及該些相位。
一種用於判定一多層測試樣品之材料參數的方法，該方法包括： <br/>提供一多層測試樣品，該多層測試樣品包括： <br/>一堆疊，其包含一底層、一頂層及夾在該底層與該頂層之間之一穿隧層， <br/>複數個測試樣品終端，用於與一量測電路連接，該量測電路具有複數個電極，及 <br/>複數個堆疊終端，其等在該堆疊下方或上方，使得各堆疊終端電連接至該底層或該頂層， <br/>提供代表該多層測試樣品之一電阻模型， <br/>該電阻模型輸出作為一組堆疊終端參數及一組堆疊材料參數之一函數的一電阻值，其中該組堆疊終端參數包括多個堆疊終端之間之一距離， <br/>提供複數個導電路徑，該等導電路徑之各導電路徑將該等測試樣品終端之一者及該等堆疊終端之一者電互連， <br/>使該等測試樣品終端與該等電極接觸， <br/>使用六次量測判定至少六個不同的量測電阻值，該等量測電阻值之各量測電阻值在該等量測之一者中藉由以下步驟判定： <br/>選擇該複數個測試樣品終端之四個不同的測試樣品終端，且將該四個不同的測試樣品終端分成一第一對測試樣品終端及一第二對測試樣品終端，及 <br/>使用該第一對測試樣品終端將一電流注入該多層測試樣品，量測在該第二對測試樣品終端之間引發之一電壓，且判定作為該電壓及該電流之一函數的該等量測電阻值之各電阻值， <br/>對於界定一部分誤差函數之該等量測電阻值之各量測電阻值，該部分誤差函數界定該電阻模型與該等量測電阻值之一者之間的一誤差， <br/>界定包括各部分誤差之一誤差函數及界定一總誤差， <br/>在該誤差函數中改變該等電阻模型之各電阻模型中之該組堆疊終端參數之各組堆疊終端參數及該組堆疊材料參數，使得該總誤差最小化。
如請求項1之方法，進一步包括對該組堆疊終端參數求解一組等式。
如請求項1之方法，其中各堆疊終端具有一固定位置。
如請求項1之方法，其中該等電極之一者具有自一次量測至下一次量測在該等測試樣品終端之一者上一變化位置。
如請求項1之方法，其中該電阻模型假定該等量測電阻值與該等測試樣品終端上之該複數個電極的位置無關。
如請求項1之方法，其包括將該複數個電極著陸於該等測試樣品終端上。
如請求項1之方法，其中該等測試樣品終端之各測試樣品終端具有比該等堆疊終端之一者更大之一面積。
如請求項1之方法，其中該誤差函數包括用於該等部分誤差函數之各部分誤差函數之一項。
如請求項1之方法，其中由該部分誤差函數之各部分誤差函數界定之該誤差係該電阻模型與該等量測電阻值之一者之間的一差。
如請求項1之方法，其中該測試樣品包括至少五個測試堆疊終端。
如請求項1之方法，其中該組堆疊終端參數進一步包括一堆疊終端之一位置或該等堆疊終端之各堆疊終端之一位置。
如請求項1之方法，其中該組堆疊材料參數包括該底層之一電阻值，且可選地該頂層之一電阻值及/或該穿隧層之一電阻值。
如請求項1之方法，其中該多層測試樣品包含一電絕緣層。
如請求項13之方法，其中該複數個導電路徑係嵌入該電絕緣層中。
一種用於判定一多層測試樣品之材料參數的方法，該方法包括： <br/>提供該多層測試樣品，該多層測試樣品包括： <br/>一堆疊，其包含一底層、一頂層及夾在該底層與該頂層之間之一穿隧層， <br/>複數個測試樣品終端，用於與一量測電路連接，該量測電路具有複數個電極，及 <br/>在該堆疊下方或上方之複數個堆疊終端，使得該等堆疊終端之各堆疊終端電連接至該底層或該頂層， <br/>提供代表該多層測試樣品之一電阻模型，該電阻模型輸出作為一組堆疊終端參數及一組堆疊材料參數之一函數的一電阻值，其中該組堆疊終端參數包括多個堆疊終端之間之一距離， <br/>提供複數個導電路徑，該等導電路徑之各導電路徑將該等測試樣品終端之一者及該等堆疊終端之一者電互連， <br/>使該等測試樣品終端與該等電極接觸， <br/>使用六次量測判定至少六個不同的量測電阻值，該等量測電阻值之各量測電阻值在一各自量測中藉由以下步驟判定： <br/>選擇該複數個測試樣品終端之四個不同的測試樣品終端，且將該四個不同的測試樣品終端分成一第一對測試樣品終端及一第二對測試樣品終端，及 <br/>使用該第一對測試樣品終端將一電流注入該測試樣品，量測在該第二對測試樣品終端之間引發之一電壓，且判定作為該電壓及該電流之一函數的該等量測電阻值之各電阻值， <br/>對於各量測電阻值，界定一部分誤差函數，該部分誤差函數界定該電阻模型與該等量測電阻值之一者之間的一誤差， <br/>界定一組等式，該組等式之各等式界定該等量測電阻值之一者與該電阻模型之間的一相等性，及 <br/>對該組堆疊材料參數求解該組等式。
如請求項15之方法，進一步包括對該組堆疊終端參數求解該組等式。
如請求項15之方法，其中該等堆疊終端之各堆疊終端具有一固定位置。
如請求項15之方法，其中，自一次量測至下一次量測，該等電極之一者在該等測試樣品終端之一者上具有一變化位置。
如請求項15之方法，其中該電阻模型假定該等量測電阻值與該等測試樣品終端上之該複數個電極的位置無關。
如請求項15之方法，其包括將該複數個電極著陸於該等測試樣品終端上。
如請求項15之方法，其中該等測試樣品終端之各測試樣品終端具有比該等堆疊終端之一者更大之一面積。
如請求項15之方法，其中該誤差函數包括用於該等部分誤差函數之各部分誤差函數之一項。
如請求項15之方法，其中由該等部分誤差函數之各部分誤差函數界定該誤差為該電阻模型與該等量測電阻值之一者之間的一差。
如請求項15之方法，其中該測試樣品包括至少五個測試堆疊終端。
如請求項15之方法，其中該組堆疊終端參數進一步包括一堆疊終端之一位置或該等堆疊終端各堆疊終端之一位置。
如請求項15之方法，其中該組堆疊材料參數包括該底層之一電阻值，且可選地該頂層之一電阻值及/或該穿隧層之一電阻值。
如請求項15之方法，其中該多層測試樣品包含一電絕緣層。
如請求項27之方法，其中該複數個導電路徑係嵌入該電絕緣層中。
一種用於判定一多層測試樣品之材料參數之基於電腦的系統，該多層測試樣品包含：一堆疊，其包含一底層、一頂層及夾在該底層與該頂層之間之一穿隧層；複數個測試樣品終端，用於與一量測電路連接；複數個堆疊終端，其等在該堆疊下方或上方，使得該複數個堆疊終端之各堆疊終端電連接至該底層或該頂層；及複數個導電路徑，該複數個導電路徑之各導電路徑將該等測試樣品終端之一者及該複數個堆疊終端之一者電互連，該基於電腦的系統包括： <br/>一量測系統，其經配置用於使用六次量測判定至少六個不同的量測電阻值，該等量測電阻值之各量測電阻值在一各自量測中藉由以下步驟判定： <br/>選擇該複數個測試樣品終端之四個不同的測試樣品終端，且將該四個不同的測試樣品終端分成一第一對測試樣品終端及一第二對測試樣品終端，及 <br/>使用該第一對測試樣品終端將一電流注入該多層測試樣品，且量測在該第二對測試樣品終端之間引發之一電壓，且判定作為該電壓及該電流之一函數的該等量測電阻值之各電阻值， <br/>一處理單元及一記憶體，該記憶體包含： <br/>代表該多層測試樣品之一電阻模型，該電阻模型輸出作為一組堆疊終端參數及一組堆疊材料參數之一函數的一電阻值，其中該組堆疊終端參數包括多個堆疊終端之間之一距離， <br/>對於該等量測電阻值之各量測電阻值，該處理單元經組態以用於： <br/>界定一部分誤差函數，該部分誤差函數界定該電阻模型與該等量測電阻值之一者之間的一誤差， <br/>界定包括該等部分誤差之一者之一誤差函數及界定一總誤差， <br/>改變該電阻模型中之該組堆疊終端參數之各堆疊終端參數及該等材料參數，使得該總誤差最小化。
如請求項29之基於電腦的系統，該組堆疊終端參數進一步包括一堆疊終端之一位置或該等堆疊終端之各堆疊終端之一位置。
一種防護膜，包括： <br/>防護膜框； <br/>防護薄膜，支撐於所述防護膜框的其中一個端面；以及 <br/>黏著層，設置於所述防護膜框的另一個端面，且 <br/>滿足下述式（1）， <br/>式（1）：[A<sub>60℃</sub>]≧4.0 gf/mm<sup>2</sup><br/>所述式（1）中， <br/>[A<sub>60℃</sub>]表示將所述防護膜作為試驗用積層體時的第一剝離強度， <br/>所述試驗用積層體是將所述防護膜以所述黏著層與石英玻璃基板的表面接觸的方式載置於所述石英玻璃基板上並於所述防護膜上將荷重5 kgf保持30秒鐘並去除所述荷重後於23℃下放置24小時而獲得， <br/>所述第一剝離強度表示於所述石英玻璃基板的溫度為60℃的條件下使用標準型萬能試驗機，將所述防護膜框相對於所述石英玻璃基板以0.1 mm/秒的速度沿著所述防護膜框的高度方向而拉伸時，將所述試驗用積層體中所含的所述防護膜自所述石英玻璃基板剝離所需的每單位接著面積的荷重， <br/>其中所述黏著層的玻璃轉移溫度Tg超過-25℃且未滿10℃，且所述黏著層包含(甲基)丙烯酸烷基酯單體與具有官能基的單體的共聚物，所述官能基與異氰酸酯基、環氧基及酸酐中的至少一者具有反應性。
如請求項1所述的防護膜，其中滿足下述式（2）， <br/>式（2）：（[A<sub>60℃</sub>]/[A<sub>23℃</sub>]）≧0.40 <br/>所述式（2）中， <br/>[A<sub>23℃</sub>]表示將所述防護膜作為所述試驗用積層體時的第二剝離強度， <br/>所述第二剝離強度表示於所述石英玻璃基板的溫度為23℃的條件下使用標準型萬能試驗機，將所述防護膜框相對於所述石英玻璃基板以0.1 mm/秒的速度沿著所述防護膜框的高度方向而拉伸時，將所述試驗用積層體中所含的所述防護膜自所述石英玻璃基板剝離所需的每單位接著面積的荷重。
如請求項1或請求項2所述的防護膜，其中滿足下述式（3）， <br/>式（3）：[A<sub>23℃</sub>]≦30.0 gf/mm<sup>2</sup>。
如請求項1或請求項2所述的防護膜，其中所述(甲基)丙烯酸烷基酯單體具有碳數1～3的烷基及脂環式烷基中的至少一者。
如請求項3所述的防護膜，其中 <br/>所述(甲基)丙烯酸烷基酯單體具有碳數1～3的烷基及脂環式烷基中的至少一者。
如請求項4所述的防護膜，其中相對於構成所述共聚物的單體的合計量100質量份，所述(甲基)丙烯酸烷基酯單體的含量為80質量份～99.5質量份。
如請求項4所述的防護膜，其中相對於構成所述共聚物的單體的合計量100質量份，具有所述官能基的單體的含量為0.5質量份～20質量份。
如請求項4所述的防護膜，其中所述黏著層包含所述共聚物與交聯劑的反應產物， <br/>相對於構成所述共聚物的單體的合計量100質量份，所述交聯劑的含量為0.002質量份～3.000質量份。
一種曝光原版，包括：具有圖案的原版；以及如請求項1至請求項8中任一項所述的防護膜，裝設於所述原版中的具有圖案的一側的面。
一種曝光裝置，具有： <br/>光源，放出曝光光； <br/>如請求項9所述的曝光原版；以及 <br/>光學系統，將自所述光源放出的曝光光引導至所述曝光原版， <br/>所述曝光原版是以自所述光源放出的曝光光透過所述防護薄膜而照射至所述原版的方式配置。
一種防護膜的製造方法，是製造如請求項1至請求項8中任一項所述的防護膜的方法，包括： <br/>將防護薄膜貼附於防護膜框的一端面的步驟；以及 <br/>將塗佈組成物塗敷於所述防護膜框的另一個端面並進行加熱而形成所述黏著層的步驟， <br/>所述塗佈組成物包含(甲基)丙烯酸烷基酯單體與具有官能基的單體的共聚物，所述官能基與異氰酸酯基、環氧基及酸酐中的至少一者具有反應性。
一種聚乙烯縮醛樹脂組成物，其為含有聚乙烯縮醛樹脂及陽離子界面活性劑之組成物，並且 <br/>該聚乙烯縮醛樹脂之一次粒徑為0.01μm以上10μm以下， <br/>相對於該聚乙烯縮醛樹脂100重量份，含有1×10<sup>－</sup><sup>6</sup>重量份以上10000×10<sup>－</sup><sup>6</sup>重量份以下之陽離子界面活性劑。
如請求項1之聚乙烯縮醛樹脂組成物，其中，聚乙烯縮醛樹脂之聚合度為1500以上2000以下，羥基量為25.0莫耳％以上35.0莫耳％以下，縮醛基量為60.0莫耳％以上70.0莫耳％以下，乙醯基量為0.1莫耳％以上0.5莫耳％以下。
如請求項1或2之聚乙烯縮醛樹脂組成物，其中，陽離子界面活性劑對乙醇之溶解度為0.001g／100g以上。
如請求項1或2之聚乙烯縮醛樹脂組成物，其中，相對於聚乙烯縮醛樹脂100重量份，含有1×10<sup>－</sup><sup>6</sup>重量份以上500×10<sup>－</sup><sup>6</sup>重量份以下之對甲苯磺酸或其鹽。
如請求項1或2之聚乙烯縮醛樹脂組成物，其中，聚乙烯縮醛樹脂於藉由雷射繞射散射式粒度分布測定法測定二次粒徑，從小粒徑側將體積基準累計10％、50％、90％之粒徑分別設為D10、D50、D90時，（D90－D10）／D50為0.7以上1.5以下。
如請求項1或2之聚乙烯縮醛樹脂組成物，其中，聚乙烯縮醛樹脂之重量平均分子量Mw與數量平均分子量Mn之比率即分子量分布（Mw／Mn）為1.8以上2.6以下。
一種無機微粒子分散用載體組成物，其含有請求項1至6中任一項之聚乙烯縮醛樹脂組成物及有機溶劑。
一種無機微粒子分散漿料組成物，其含有請求項7之無機微粒子分散用載體組成物、無機微粒子及塑化劑。
一種積層陶瓷電容器，其係使用請求項8之無機微粒子分散漿料組成物而成。
一種蝕刻方法，其包含以下步驟： <br/>準備基板，上述基板包含第1區域及第2區域，上述第1區域包含第1材料，上述第2區域包含與上述第1材料不同之第2材料；及 <br/>藉由自含有含鎢氣體及C<sub>x</sub>H<sub>y</sub>F<sub>z</sub>(x及z為1以上之整數，y為0以上之整數)氣體之處理氣體所生成之電漿，對上述第2區域進行蝕刻； <br/>於上述進行蝕刻之步驟中，惰性氣體以外之上述處理氣體所含有之所有氣體中，上述含鎢氣體之流量最大。
如請求項1之蝕刻方法，其中上述含鎢氣體包含六氟化鎢氣體。
如請求項1或2之蝕刻方法，其中上述處理氣體不含碳。
如請求項1或2之蝕刻方法，其中於上述進行蝕刻之步驟中，藉由使上述第1區域及上述第2區域暴露於上述電漿，而於上述第1區域上形成含鎢保護層，並對上述第2區域進行蝕刻。
如請求項1或2之蝕刻方法，其中上述第1材料包含矽、氮化矽、碳化矽、鎢、碳化鎢及氮化鈦中之至少一種。
一種蝕刻方法，其包含如下步驟： <br/>準備基板，上述基板包含第1區域及第2區域，上述第1區域包含矽及金屬中之至少一種，上述第2區域包含矽及氧；及 <br/>藉由自含有六氟化鎢氣體、C<sub>x</sub>H<sub>y</sub>F<sub>z</sub>(x及z為1以上之整數，y為0以上之整數)氣體及稀有氣體之處理氣體所生成之電漿，對上述第2區域進行蝕刻； <br/>於上述進行蝕刻之步驟中，上述稀有氣體以外之上述處理氣體所含之所有氣體中，上述六氟化鎢氣體之流量最大。
一種電漿處理裝置，其具備： <br/>腔室； <br/>基板支持器，其用以於上述腔室內支持基板，上述基板包含第1區域及第2區域，上述第1區域包含第1材料，上述第2區域包含與上述第1材料不同之第2材料； <br/>氣體供給部，其構成為對上述腔室內供給含有含鎢氣體及C<sub>x</sub>H<sub>y</sub>F<sub>z</sub>(x及z為1以上之整數，y為0以上之整數)氣體之處理氣體； <br/>電漿生成部，其構成為於上述腔室內自上述處理氣體生成電漿；及 <br/>控制部； <br/>上述控制部構成為：控制上述氣體供給部及上述電漿生成部，以藉由上述電漿對上述第2區域進行蝕刻， <br/>上述控制部構成為：控制上述氣體供給部，以使惰性氣體以外之上述處理氣體所含之所有氣體中，上述含鎢氣體之流量最大。
如請求項7之電漿處理裝置，其中上述電漿處理裝置為電容耦合型電漿處理裝置。
如請求項7或8之電漿處理裝置，其進而具備電源，該電源對上述電漿處理裝置供給高頻電力及偏壓電力，以生成上述電漿， <br/>上述控制部構成為以如下方式控制上述電源： <br/>(a)於第1期間內，將上述高頻電力設為第1電力，將上述偏壓電力設為低於上述第1電力之第2電力，以於上述第1區域上形成含鎢保護層， <br/>(b)於上述第1期間後之第2期間內，將上述高頻電力設為低於上述第1電力之第3電力，將上述偏壓電力設為低於上述第3電力之第4電力， <br/>(c)於上述第2期間後之第3期間內，將上述高頻電力設為低於上述第1電力之第5電力，將上述偏壓電力設為高於上述第4電力之第6電力，以對上述第2區域進行蝕刻。
一種半導體元件搭載用封裝基板之製造方法，其包含： <br/>第一積層體製備步驟，製備具有核心樹脂層、及設於該核心樹脂層之至少一側的面側且具備剝離機構之第一金屬層之第一積層體； <br/>第一配線形成步驟，在該第一金屬層上施予電鍍及無電鍍中至少一種，以形成第一配線導體； <br/>第二積層體形成步驟，在設有該第一積層體的該第一配線導體之面上，依序積層第一絕緣樹脂層及第二金屬層，以形成第二積層體； <br/>第二配線形成步驟，在該第一絕緣樹脂層形成到達該第一配線導體之非貫通孔，並在形成有該非貫通孔之表面施予電鍍及無電鍍中至少一種，以形成第二配線導體； <br/>配線積層步驟，於該第二配線形成步驟後，進一步在設有第（m＋1）積層體的第（m＋1）配線導體之面上，依序積層第（m＋1）絕緣樹脂層及第（m＋2）金屬層，以形成第（m＋2）積層體之第（m＋2）積層體形成步驟，及在該第（m＋1）絕緣樹脂層形成到達該第（m＋1）配線導體之非貫通孔，並在形成有該非貫通孔之表面施予電鍍及無電鍍中至少一種，以形成第（m＋2）配線導體之第（m＋2）配線形成步驟，將此兩步驟依序重複進行n次，從而形成第二絕緣樹脂層至第（n＋1）絕緣樹脂層、及第三配線導體至第（n＋2）配線導體（m及n為1以上的整數，惟m≦n）； <br/>支撐基板積層步驟，在該第（n＋1）絕緣樹脂層及該第（n＋2）配線導體上，積層具有熱可塑性樹脂層之支撐基板，以形成附支撐基板之積層體； <br/>核心樹脂層剝離步驟，於該剝離機構至少將該核心樹脂層從該附支撐基板之積層體上剝離，以形成核心樹脂層除去體； <br/>第一金屬層除去步驟，從該核心樹脂層除去體除去該第一金屬層，以形成第一金屬層除去體；以及 <br/>支撐基板除去步驟，從該第一金屬層除去體除去該支撐基板。
如請求項1所述之半導體元件搭載用封裝基板之製造方法，其中，該熱可塑性樹脂層係具有：選自感光性樹脂層、UV剝離性樹脂層、及熱剝離性樹脂層所成群中至少一種。
如請求項1或2所述之半導體元件搭載用封裝基板之製造方法，其中，該支撐基板除去步驟係包含：選自藉由藥液將該支撐基板除去之步驟、藉由雷射將該支撐基板除去之步驟、藉由電漿處理將該支撐基板除去之步驟、藉由照射紫外線區域的光線將該支撐基板除去之步驟、及藉由加熱處理將該支撐基板除去之步驟所成群中至少一種。
如請求項1所述之半導體元件搭載用封裝基板之製造方法，其中，該第二積層體形成步驟係在對該第一配線導體施予密著處理後，對該絕緣樹脂層及該第二金屬層進行加熱加壓並依序積層。
如請求項1所述之半導體元件搭載用封裝基板之製造方法，其中，該第二配線形成步驟係藉由電鍍及無電鍍中至少一種來連接該非貫通孔的內壁，並且藉由減成法或半加成法來形成該第二配線導體。
如請求項1所述之半導體元件搭載用封裝基板之製造方法，其中，該第二配線形成步驟係藉由雷射來形成該非貫通孔。
如請求項1所述之半導體元件搭載用封裝基板之製造方法，其中，該核心樹脂層剝離步驟係藉由物理手段來至少將該核心樹脂層剝離。
如請求項1所述之半導體元件搭載用封裝基板之製造方法，其中，該核心樹脂層的厚度為1μm以上。
如請求項1所述之半導體元件搭載用封裝基板之製造方法，其中，該第一金屬層的厚度為100μm以下。
如請求項1所述之半導體元件搭載用封裝基板之製造方法，其中，該第一金屬層中從該第一配線導體之側的端面至該剝離機構的厚度為6μm以上。
如請求項1所述之半導體元件搭載用封裝基板之製造方法，其中，該支撐基板的厚度為1μm以上。
如請求項1所述之半導體元件搭載用封裝基板之製造方法，其中，該第一積層體的厚度為20μm以上1000μm以下。
如請求項1所述之半導體元件搭載用封裝基板之製造方法，其中，該第一絕緣樹脂層至第（n＋1）絕緣樹脂層的厚度各為0.1μm以上100μm以下。
如請求項1所述之半導體元件搭載用封裝基板之製造方法，其中，該半導體元件搭載用封裝基板之製造方法包含阻焊層形成步驟，其係於該配線積層步驟後、該支撐基板積層步驟前，在該第（n＋1）絕緣樹脂層及該第（n＋2）配線導體上，以該第（n＋2）配線導體部分露出之方式形成阻焊層；且 <br/>於該支撐基板積層步驟中，在已形成有該阻焊層之該第（n＋1）絕緣樹脂層及該第（n＋2）配線導體上，積層該支撐基板。
一種附支撐基板之積層體，其具備： <br/>核心樹脂層； <br/>第一金屬層，設於該核心樹脂層之至少一側的面側且具備剝離機構； <br/>第一絕緣樹脂層，設於該第一金屬層上； <br/>第一配線導體，埋設於該第一絕緣樹脂層內； <br/>第二配線導體，設於該第一絕緣樹脂層上； <br/>第二絕緣樹脂層至第（n＋1）絕緣樹脂層及第三配線導體至第（n＋2）配線導體，在該第一絕緣樹脂層上，將以埋設該第（m＋1）配線導體之方式設置之第（m＋1）絕緣樹脂層、與設於第（m＋1）絕緣樹脂層上之第（m＋2）配線導體重複設置n次（m及n為1以上的整數，惟m≦n）；以及 <br/>支撐基板，積層於該第（n＋1）絕緣樹脂層及該第（n＋2）配線導體上，並具有熱可塑性樹脂層，且於該剝離機構至少將該核心樹脂層剝離後被除去。
如請求項15所述之附支撐基板之積層體，其中，該附支撐基板之積層體具備阻焊層，該阻焊層係設於該第（n＋1）絕緣樹脂層及該第（n＋2）配線導體、與該支撐基板之間。
如請求項15所述之附支撐基板之積層體，其中，該第一金屬層中從該第一配線導體之側的端面至該剝離機構的厚度為6μm以上。
一種巨分子單體，含有第1部分及第2部分； <br/>該第1部分具有聚合物鏈， <br/>該第2部分具有三唑骨架及鍵結在該三唑骨架之聚合性基， <br/>該第2部分具有下述通式(2)表示之結構， <br/><img align="absmiddle" height="117px" width="205px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，A<sup>2</sup>表示與該第1部分之鍵結，R<sup>1</sup>係選自由氫、氯、溴、碘、取代或未經取代之烷基、烯基、芳基、巰基、雜環基、取代或未經取代之矽基、取代或未經取代之醚基、及取代或未經取代之胺基構成之群組中之任一者，R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>各自獨立地係選自由氫、氯、溴、碘、取代或未經取代之烷基、烯基、芳基、巰基、雜環基、取代或未經取代之矽基、取代或未經取代之醚基、及取代或未經取代之胺基構成之群組中之任一者。
如請求項1之巨分子單體，其中，該聚合物鏈具有自由基聚合性單體單元； <br/>該自由基聚合性單體單元係選自由苯乙烯系單體單元、(甲基)丙烯酸系單體單元、二烯烴系單體單元、乙烯醚系單體單元、不飽和腈系單體單元構成之群組中之1種以上之單體單元。
如請求項1之巨分子單體，其中，該第1部分具有來自原子轉移自由基聚合起始劑或是碘轉移聚合起始劑之末端基。
一種巨分子單體之製造方法，係如請求項1至3中任一項之巨分子單體之製造方法，具有：聚合步驟、疊氮基導入步驟、及聚合性基導入步驟； <br/>該聚合步驟中，係藉由該自由基聚合性單體之聚合來生成第1中間體； <br/>該疊氮基導入步驟中，係藉由對於該第1中間體之疊氮化反應來生成第2中間體； <br/>該聚合性基導入步驟中，係使該第2中間體與單乙烯基乙炔或單乙烯基乙炔衍生物進行反應。
一種醫藥組成物於製備用於在有其需要之個體中治療肥大細胞瘤的藥物的用途，其中，該醫藥組成物包含苯磺醯胺(benzenesulfonamide)衍生物及其醫藥上可接受的載體，其中，該苯磺醯胺衍生物為對甲苯磺醯胺、鄰甲苯磺醯胺或間甲苯磺醯胺，其中，該苯磺醯胺衍生物的含量為該醫藥組成物重量的20重量%至40重量%，且其中，該醫藥組成物進一步包含1重量%至50重量%的聚乙二醇400、1重量%至10重量%的1,2-丙二醇、1重量%至10重量%的癸二酸，1重量%至20重量%的2-乙基-1,3-己二醇、0重量%至20重量%的二甲基亞碸及0重量%至20重量%的乙醇。
如請求項1所述之用途，其中，該醫藥上可接受的載體為選自由以下所組成之群組的至少一者：填充劑、粘合劑、防腐劑、崩解劑、潤滑劑、助懸劑、潤濕劑、生物相容性溶劑、滲透增強劑、表面活性劑、增稠劑、酸、調味劑、錯合劑及其任何組合。
如請求項1所述之用途，其中，該藥物導致該個體中的肥大細胞瘤消融。
如請求項1所述之用途，其中，該肥大細胞瘤為犬肥大細胞瘤、貓肥大細胞瘤、馬肥大細胞瘤、牛肥大細胞瘤或綿羊肥大細胞瘤。
如請求項1所述之用途，其中，該肥大細胞瘤為皮膚型肥大細胞瘤(cutaneous mast cell tumor)或內臟型肥大細胞瘤(visceral mast cell tumor)。
如請求項1所述之用途，其中，該個體選自囓齒類動物、猴類、狗、貓、牛、羊、豬、馬、兔子還有人類。
如請求項6所述之用途，其中，該囓齒類動物選自鼠類和豚鼠。
如請求項1所述的用途，其中，該醫藥組成物中的苯磺醯胺衍生物的治療有效量為33mg/天至10,000mg/天。
如請求項1所述之用途，其中，該醫藥組成物中的苯磺醯胺衍生物的治療有效量為165mg/天至3,300mg/天。
如請求項1所述之用途，其中，該醫藥組成物中的苯磺醯胺衍生物的治療有效量為330mg/天至1,650mg/天。
如請求項1所述之用途，其中，在治療期或治療週期期間，該醫藥組成物中的苯磺醯胺衍生物的治療有效量為33mg至26,400mg。
如請求項1所述之用途，其中，該藥物經由腫瘤內、靜脈內、皮下、皮內、口服、鞘內、腹膜內、鼻內、肌內、胸膜內、局部外用或由噴霧治療投予。
如請求項1所述之用途，其中，該藥物的形式選自由以下所組成之群組：注射製劑(injection formulation)、乾粉(dry powder)、錠劑(tablet)、口服液(oral liquid)、片劑(flake)、膜劑(film)、含片(lozenge)、膠囊(capsule)、顆粒(granule)、丸劑(pill)、凝膠劑(gel)、洗劑(lotion)、油膏(oinment)、乳化劑(emulsifier)、糊劑(paste)、霜劑(cream)、滴眼劑(sys drop)及藥膏(salve)。
一種多嵌段共聚物，其包含包括衍生自芳族乙烯基系單體的重複單元之聚苯乙烯系嵌段和包括衍生自乙烯的重複單元和衍生自α-烯烴系單體的重複單元之聚烯烴系嵌段， <br/> 其中藉以下等式1表示之由凝膠滲透層析術(GPC)量測之該聚苯乙烯均聚物相對於該聚苯乙烯系嵌段的分率為4%或更低；以及 <br/> 由凝膠滲透層析術(GPC)量測之重量平均分子量(Mw)為100,000至300,000 g/mol， <br/> [等式1] <br/> 均聚物分率(面積%)=均聚苯乙烯峰的面積∕(聚苯乙烯系嵌段峰的面積+均聚苯乙烯峰的面積)×100(%)。
如請求項1之多嵌段共聚物，其中該α-烯烴系單體係選自由以下所組成之群組中之一或多者：1-己烯、1-辛烯、1-癸烯、1-十一碳烯、1-十二碳烯、1-十四碳烯、1-十六碳烯、1-二十碳烯、4,4-二甲基-1-戊烯、4,4-二乙基-1-己烯、和3,4-二甲基-1-己烯。
如請求項1之多嵌段共聚物，其中由該凝膠滲透層析術(GPC)量測之聚苯乙烯均聚物相對於該聚苯乙烯系嵌段的分率為3.80%或更低。
如請求項1之多嵌段共聚物，其中由該凝膠滲透層析術(GPC)量測之分子量分佈為1.5至3.0。
如請求項1之多嵌段共聚物，其中藉<sup>1</sup>H NMR (500 MHz，四氯乙烷-d2，標準品 TMS)光譜量測，衍生自α-烯烴系單體的重複單元的含量為10mol%至20mol%。
如請求項1之多嵌段共聚物，其中藉<sup>1</sup>H NMR (500 MHz，四氯乙烷-d2，標準品 TMS)光譜量測，衍生自α-烯烴系單體的重複單元的含量為20重量%至40重量%。
一種製造如請求項1之多嵌段共聚物之方法，該方法包含： <br/> (S1) 使用有機鋅化合物作為鏈轉移劑，在包括過渡金屬化合物的觸媒組成物存在下，藉乙烯和α-烯烴系單體之反應製備聚烯烴系嵌段；以及 <br/> (S2) 在陰離子性聚合反應引發劑存在下，藉芳族乙烯基系單體與聚烯烴系嵌段之反應製造多嵌段共聚物， <br/> 其中該有機鋅化合物自含有苯乙烯部分的格林納(Grignard)試劑與烷基鋅烷氧化物之反應製得。
如請求項7之方法，其中該過渡金屬化合物係藉以下式1表示的化合物： <br/><br/><br/> [式1] <br/> <img align="absmiddle" height="493px" width="376px" file="ed10053.jpg" alt="ed10053.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中在以上式1中， <br/> M是Ti、Zr、或Hf， <br/> R<sub>1</sub>至R<sub>4</sub>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、或經取代或未經取代的C6至C20芳基，其中兩個或多個相鄰者可彼此連接和形成環， <br/> R<sub>5</sub>和R<sub>6</sub>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、或經取代或未經取代的C6至C20芳基，其中該取代係藉C1至C12烷基進行， <br/> R<sub>7</sub>各自獨立地為經取代或未經取代的C4至C20烷基、經取代或未經取代的C4至C20環烷基、或經取代或未經取代的C6至C20芳基， <br/> n是1至5，以及 <br/> Y<sub>1</sub>和Y<sub>2</sub>各自獨立地為鹵基、經取代或未經取代的C1至C20烷基、C2至C20烯基、C2至C20炔基、C3至C20環烷基、C6至C20芳基、C7至C20烷芳基、C7至C20芳烷基、C5至C20雜芳基、C1至C20烷氧基、經取代或未經取代的C5至C20芳氧基、C1至C20烷胺基、C5至C20芳胺基、C1至C20烷硫基、C5至C20芳硫基、C1至C20烷矽基、C5至C20芳矽基、羥基、胺基、硫基、矽基、氰基、或硝基。
如請求項7之方法，其中該有機鋅化合物係藉以下式5表示： <br/> [式5] <br/> <img align="absmiddle" height="69px" width="393px" file="ed10054.jpg" alt="ed10054.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中在以上式5中， <br/> R<sub>8</sub>和R<sub>10</sub>各自獨立地為單鍵或C1至C10伸烷基，R<sub>9</sub>是C1至C10伸烷基或-SiR<sub>11</sub>R<sub>12</sub>-，而R<sub>11</sub>和R<sub>12</sub>各自獨立地為C1至C10烷基。
如請求項7之方法，其中該含有苯乙烯部分的格林納試劑係藉以下式7表示： <br/> [式7] <br/> <img align="absmiddle" height="46px" width="157px" file="ed10055.jpg" alt="ed10055.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中在以上式7中， <br/> R<sub>8</sub>和R<sub>10</sub>各自獨立地為單鍵或C1至C10伸烷基，R<sub>9</sub>是C1至C10伸烷基或-SiR<sub>11</sub>R<sub>12</sub>-，R<sub>11</sub>和R<sub>12</sub>各自獨立地為C1至C10烷基，而X是鹵基。
如請求項7之方法，其中該觸媒組成物另外包含藉以下式9表示的化合物： <br/> [式9] <br/> <img align="absmiddle" height="46px" width="251px" file="ed10056.jpg" alt="ed10056.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中在以上式9中， <br/> R<sub>a</sub>各自獨立地為鹵基、C1至C20烴基、或經鹵素取代的C1至C20烴基，而 <br/> m是2或更大的整數。
如請求項7之方法，其中該陰離子性聚合反應引發劑包含含有烯丙基的烷基鋰化合物，其中該烯丙基與鋰結合。
如請求項11之方法，其中該烷基鋰化合物係藉以下式11表示： <br/> [式11] <br/> <img align="absmiddle" height="57px" width="101px" file="ed10057.jpg" alt="ed10057.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中在以上式11中， <br/> R<sub>13</sub>是氫或C1至C20烴，而 <br/> Am係藉以下式12表示的胺系化合物： <br/> [式12] <br/> <img align="absmiddle" height="84px" width="212px" file="ed10058.jpg" alt="ed10058.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中在以上式12中， <br/> R<sub>14</sub>至R<sub>18</sub>各自獨立地為氫或C1至C20烴，而 <br/> a和b各自獨立地為0至3的整數，其中該a和該b不同時為0。
一種碳化矽單晶體晶圓，其中於前述碳化矽單晶體晶圓內以1.0×10 <sup>16</sup>原子／cm <sup>3</sup>以下之濃度包含有硼，於前述碳化矽單晶體晶圓之表面存在有基底面差排密度為100個／cm <sup>2</sup>以下的區域，前述區域包含前述表面之中心，前述區域之面積為前述表面之面積的4分之1以上。
如請求項1所述之碳化矽單晶體晶圓，其中前述碳化矽單晶體晶圓之電阻率為60 mΩcm以下。
如請求項1或2所述之碳化矽單晶體晶圓，其中前述碳化矽單晶體晶圓之直徑為100 mm以上。
如請求項1或2所述之碳化矽單晶體晶圓，其中前述碳化矽單晶體晶圓之晶體面內之錯向為50弧秒以下。
如請求項1或2所述之碳化矽單晶體晶圓，其中前述區域為圓形，前述區域之中心與前述表面之中心重疊。
一種碳化矽單晶體錠，其係略圓柱狀或略多角柱狀之碳化矽單晶體錠，於相對於晶體生長方向垂直切出的晶圓內以1.0×10 <sup>16</sup>原子／cm <sup>3</sup>以下之濃度包含有硼，於前述晶圓之表面存在有基底面差排密度為100個／cm <sup>2</sup>以下的區域，前述區域包含前述表面之中心，前述區域之面積為前述表面之面積的4分之1以上。
如請求項6所述之碳化矽單晶體錠，其中前述碳化矽單晶體錠之晶體生長方向之長度為10 mm以上。
一種碳化矽單晶體之製造方法，在一邊使碳化矽之晶種自上方接觸包含矽及碳的原料溶液一邊使晶體生長的碳化矽單晶體之製造方法中，於使晶體生長的工序之前，具有將在前述工序使用之部件加熱的加熱工序，在前述使晶體生長的工序中，晶體生長界面P1的溫度T1與自生長界面之距離為5 mm之地點P2之溶液的溫度T2，滿足T2＞T1，且P1與P2之間的溫度梯度為大於0 K／cm且40 K／cm以下。
如請求項8所述之碳化矽單晶體之製造方法，其中在前述加熱工序中，在鹵素氣體環境中將前述部件加熱。
一種聚四氟乙烯粉末之用於電極用黏合劑之用途，上述聚四氟乙烯粉末之表觀密度為0.40 g/ml以上，且粉體粒徑為400 μm以上。
一種電極用黏合劑，其包含聚四氟乙烯粉末，上述聚四氟乙烯粉末之含量相對於上述電極用黏合劑為95.0質量%以上，上述聚四氟乙烯粉末之表觀密度為0.40 g/ml以上，且粉體粒徑為400 μm以上。
如請求項2之電極用黏合劑，其中，上述聚四氟乙烯粉末之標準比重為2.200以下。
如請求項2或3之電極用黏合劑，其中，上述聚四氟乙烯包含四氟乙烯單元、及基於可與四氟乙烯共聚之改質單體之改質單體單元。
如請求項4之電極用黏合劑，其中，上述改質單體為選自由全氟(甲基乙烯基醚)及六氟丙烯所組成之群中之至少1種。
如請求項2或3之電極用黏合劑，其中，上述聚四氟乙烯粉末之水分含量為0.050質量%以下。
一種電極合劑，其包含請求項1之用途中之聚四氟乙烯粉末或請求項2至6中任一項之電極用黏合劑、及電極活性物質。
一種電極，其包含請求項1之用途中之聚四氟乙烯粉末或請求項2至6中任一項之電極用黏合劑、電極活性物質、及集電體。
一種二次電池，其具備請求項8之電極。
一種矽單晶錠的製造方法，其為通過非接觸坩堝法製造矽單晶錠，包括： <br/>矽單晶錠的成長步驟，其中所述矽單晶錠於坩堝中的矽熔液內成長，所述矽單晶錠的成長步驟包括： <br/>在所述矽熔液內提供低溫區域；以及 <br/>提供矽晶種接觸所述矽熔液的表面以開始結晶成長，並沿著所述矽熔液的所述表面或朝向矽熔液的內部成長矽單晶體； <br/>所述矽單晶體溫度梯度的控制步驟，使位於所述矽熔液之液面下的所述矽單晶體的液面下溫度梯度為G1，所述矽熔液之液面上所露出的所述矽單晶體的液面上溫度梯度為G2，其中所述矽單晶體的液面下溫度梯度G1與液面上溫度梯度G2滿足式(1): <br/>G2/G1＜6 (1) ， <br/>其中所述矽熔液之所述液面下的所述矽單晶體沿軸心方向的長度為d1，所述矽單晶體於液面的溫度為Ts，所述矽單晶體於成長界面的溫度為Tm，所述液面下溫度梯度G1為(Tm-Ts)/d1，所述液面上溫度梯度G2大於液面下溫度梯度G1；以及 <br/>連續成長步驟，重複進行所述矽單晶體溫度梯度的控制步驟，以獲得所述矽單晶錠。
如請求項1所述的矽單晶錠的製造方法，其中所述液面下的所述矽單晶體在與所述低溫區域之間具有成長界面，在所述矽單晶體成長的過程中，所述矽單晶體具有隨著距所述成長界面距離增加而空孔濃度減少的空孔濃度分佈、以及具有隨著距所述成長界面距離增加而晶格間矽原子濃度減少的晶格間矽原子濃度分佈， <br/> 其中控制所述液面下溫度梯度G1與所述液面上溫度梯度G2，使得在所述空孔濃度分佈和所述晶格間矽原子濃度分佈中，隨著距成長界面的距離增加，所述矽單晶體中的空孔濃度與晶格間矽原子濃度分別減少且彼此靠近。
如請求項2所述的矽單晶錠的製造方法，其中在所述空孔濃度分布與所述晶格間矽原子濃度分布中具有交叉點，所述矽單晶體在所述交叉點的所述空孔濃度實質上等於所述晶格間矽原子濃度，且所述成長界面與所述交叉點之間的距離為臨界距離Zc。
如請求項3所述的矽單晶錠的製造方法，其中隨著G2/G1的比值增加，所述臨界距離Zc減少。
如請求項3所述的矽單晶錠的製造方法，其中所述矽單晶體在所述交叉點上的溫度隨著G2/G1的比值增加而增加。
如請求項5所述的矽單晶錠的製造方法，其中所述矽單晶體在所述交叉點的空孔濃度為空孔平衡濃度Cv<sup>eq</sup>，所述空孔平衡濃度Cv<sup>eq</sup>隨著G2/G1的比值減少而降低至接近空孔濃度臨界值Cv<sub>min</sub>。
請求項6所述的矽單晶錠的製造方法，所述液面下溫度梯度G1越高，所述空孔濃度臨界值Cv<sub>min</sub>所對應的G2/G1的最小比值越小。
如請求項3所述的矽單晶錠的製造方法，其中所述矽熔液之所述液面下的所述矽單晶體沿軸心方向的長度為d1，在相同所述G2/G1的情況下，所述臨界距離Zc隨著所述液面下長度d1的增加而減少。
如請求項8所述的矽單晶錠的製造方法，其中在相同所述液面下長度d1的情況下，所述G2/G1越大，所述臨界距離Zc越小。
如請求項3所述的矽單晶錠的製造方法，其中所述矽單晶體在所述交叉點的空孔濃度為空孔平衡濃度Cv<sup>eq</sup>，而所述矽熔液之所述液面下的所述矽單晶體沿軸心方向的液面下長度為d1，在所述空孔平衡濃度Cv<sup>eq</sup>與所述液面下長度d1的關係圖中，所述G2/G1越大，所述空孔平衡濃度Cv<sup>eq</sup>隨著所述液面下長度d1的增加而下降的斜率越大。
如請求項1所述的矽單晶錠的製造方法，其中所述矽單晶體的液面下溫度梯度G1與液面上溫度梯度G2更滿足式(2): <br/>1＜G2/G1＜6 (2) 。
如請求項1所述的矽單晶錠的製造方法，其中所述矽單晶體的液面下溫度梯度G1與液面上溫度梯度G2更滿足式(3): <br/>2＜G2/G1＜3 (3) 。
如請求項1所述的矽單晶錠的製造方法，其中在所述連續成長步驟中，更包括調整所述矽單晶錠的成長速度的步驟。
如請求項13所述的矽單晶錠的製造方法，其中所述連續成長步驟中的所述成長速度為0.0002 cm/s至0.002 cm/s。
一種矽單晶錠的製造方法，其為通過非接觸坩堝法製造矽單晶錠，包括： <br/>矽單晶錠的成長步驟，其中所述矽單晶錠於坩堝中的矽熔液內成長，所述矽單晶錠的成長步驟包括： <br/>在所述矽熔液內提供低溫區域；以及 <br/>提供矽晶種接觸所述矽熔液的表面以開始結晶成長，並沿著所述矽熔液的所述表面或朝向矽熔液的內部成長矽單晶體，所述矽單晶錠體包括在所述矽熔液的液面下方所成長的矽單晶體下部、以及在所述矽熔液的液面上所成長的矽單晶體上部； <br/>所述矽單晶體溫度梯度的控制步驟，使位於所述矽熔液之液面下的所述矽單晶體的液面下溫度梯度為G1，所述矽熔液之液面上所露出的所述矽單晶體的液面上溫度梯度為G2，其中所述矽單晶體的液面下溫度梯度G1與液面上溫度梯度G2滿足式(1): <br/>G2/G1＜6 (1) ；以及 <br/>連續成長步驟，重複進行所述矽單晶體溫度梯度的控制步驟，使得所述矽單晶體下部在與所述低溫區域接觸的成長界面上持續成長，以獲得所述矽單晶錠。
一種用於調節一電池充電器的一系統幹線電壓之裝置，其包括： <br/>一積體電路，其經組態以： <br/>偵測需要啟動一電池充電器的一涓流充電模式的一條件； <br/>回應於該偵測，將一參考電壓設定為一中間電壓位準，其中該參考電壓控制該電池充電器的一系統幹線電壓，並且該中間電壓位準大於該系統幹線電壓的一最小值；以及 <br/>將該參考電壓從該中間電壓位準降低到該最小系統幹線電壓，來以一預定速率調節該系統幹線電壓。
如請求項1所述之裝置，其中該參考電壓從該中間電壓位準到該最小系統幹線電壓的降低對流入正由該電池充電器充電的電池中的一電流尖峰進行降低。
如請求項1所述之裝置，其中該條件是偵測到一電池電壓小於該系統幹線電壓的該最小值。
如請求項1所述之裝置，其中該積體電路經組態以： <br/>將該參考電壓從該中間電壓位準降低到另一中間電壓位準；以及 <br/>將該參考電壓從該另一中間電壓位準降低到該最小系統幹線電壓。
如請求項1所述之裝置，其中該積體電路經組態以：應用一線性濾波器，以將該參考電壓從該中間電壓位準降低到該最小系統幹線電壓。
如請求項1所述之裝置，其中該積體電路經組態以：應用一電阻器-電容器(RC)濾波器，以將該參考電壓從該中間電壓位準降低到該最小系統幹線電壓。
如請求項1所述之裝置，其中該中間電壓小於該系統幹線電壓的一最大值。
一種用於調節一電池充電模組的一系統幹線電壓之系統，其包括： <br/>一電力級；以及 <br/>一電池充電模組，其被連接到該電力級，該電池充電模組包括一控制器，該控制器經組態以： <br/>控制該電力級以輸出一系統幹線電壓； <br/>偵測需要啟動一電池充電模組的一涓流充電模式的一條件； <br/>回應於該偵測，將一參考電壓設定為一中間電壓位準，其中該參考電壓控制該電池充電模組的該系統幹線電壓，並且該中間電壓位準大於該系統幹線電壓的一最小值；以及 <br/>將該參考電壓從該中間電壓位準降低到該最小系統幹線電壓，來以一預定速率調節該系統幹線電壓。
如請求項8所述之系統，其中該參考電壓從該中間電壓位準到該最小系統幹線電壓的降低對流入正由該電池充電模組充電的電池中的一電流尖峰進行降低。
如請求項8所述之系統，其中該條件是偵測到一電池電壓小於該系統幹線電壓的該最小值。
如請求項8所述之系統，其中該控制器經組態以： <br/>將該參考電壓從該中間電壓位準降低到另一中間電壓位準；以及 <br/>將該參考電壓從該另一中間電壓位準降低到該最小系統幹線電壓。
如請求項8所述之系統，其中該控制器經組態以：應用一線性濾波器，以將該參考電壓從該中間電壓位準降低到該最小系統幹線電壓。
如請求項8所述之系統，其中該控制器經組態以：應用電阻器-電容器(RC)濾波器，以將該參考電壓從該中間電壓位準降低到該最小系統幹線電壓。
如請求項8所述之系統，其中該中間電壓小於該系統幹線電壓的最大值。
如請求項8所述之系統，其進一步包括一電池，該電池由電池充電模組充電。
一種用於調節一電池充電器的一系統幹線電壓的方法，該方法包括： <br/>偵測需要啟動一電池充電器的一涓流充電模式的一條件； <br/>回應於該偵測，將一參考電壓設定為一中間電壓位準，其中該參考電壓控制該電池充電器的系統幹線電壓，並且該中間電壓位準大於該系統幹線電壓的一最小值；以及 <br/>將該參考電壓從該中間電壓位準降低到該最小系統幹線電壓，來以一預定速率調節該系統幹線電壓。
如請求項16所述之方法，其中該參考電壓從該中間電壓位準到該最小系統幹線電壓的降低對流入正由該電池充電器充電的電池中的一電流尖峰進行降低。
如請求項16所述之方法，其中將該參考電壓從該中間電壓位準降低到該最小系統幹線電壓包括： <br/>將該參考電壓從該中間電壓位準降低到另一中間電壓位準；以及 <br/>將該參考電壓從該另一中間電壓位準降低到該最小系統幹線電壓。
如請求項16所述之方法，其中進一步包括：應用一線性濾波器，以將該參考電壓從該中間電壓位準降低到該最小系統幹線電壓。
如請求項16所述之方法，其進一步包括：應用一電阻器-電容器(RC)濾波器，以將該參考電壓從該中間電壓位準降低到該最小系統幹線電壓。
一種電子電路系統，包括 <br/>一第一主機裝置； <br/>一第二主機裝置； <br/>一第一安全裝置，連接所述第一主機裝置；以及 <br/>一第二安全裝置，連接所述第二主機裝置與所述第一安全裝置， <br/>其中所述第一安全裝置對所述第二安全裝置執行一認證操作（attestation process），且所述第一安全裝置驗證所述第一主機裝置的可執行映像， <br/>若所述第二安全裝置通過所述認證操作，所述第一安全裝置致能所述第二安全裝置驗證所述第二主機裝置的可執行映像（executable image）， <br/>若所述第二安全裝置未通過所述認證操作，所述第一安全裝置禁能所述第二安全裝置驗證所述第二主機裝置的可執行映像。
如請求項1所述的電子電路系統，更包括： <br/>一第一儲存裝置，連接所述第一安全裝置，儲存所述第一主機裝置的可執行映像；以及 <br/>一第二儲存裝置，連接所述第二安全裝置，儲存所述第二主機裝置的可執行映像。
如請求項1所述的電子電路系統，其中所述認證操作包括： <br/>所述第一安全裝置或所述第二安全裝置產生一第一隨機數； <br/>所述第一安全裝置根據一第一原始金鑰與所述第一隨機數產生一第一金鑰，且所述第二安全裝置根據一第二原始金鑰與所述第一隨機數產生一第二金鑰； <br/>所述第二安全裝置利用所述第二金鑰加密一驗證資料而產生加密驗證資料，並傳輸所述加密驗證資料至所述第一安全裝置； <br/>所述第一安全裝置利用所述第一金鑰解密所述加密驗證資料而獲取解密驗證資料；以及 <br/>所述第一安全裝置根據所述解密驗證資料判斷所述第二安全裝置是否通過所述認證操作。
如請求項3所述的電子電路系統，其中所述認證操作包括： <br/>若所述解密驗證資料不合格，所述第一安全裝置判定所述第二安全裝置未通過所述認證操作； <br/>若所述解密驗證資料合格，所述第一安全裝置判斷所述第二安全裝置的裝置狀態資訊是否合格； <br/>若所述第二安全裝置的所述裝置狀態資訊不合格，所述第一安全裝置判定所述第二安全裝置未通過所述認證操作；以及 <br/>若所述第二安全裝置的所述裝置狀態資訊合格，所述第一安全裝置判定所述第二安全裝置通過所述認證操作。
如請求項4所述的電子電路系統，其中所述認證操作包括： <br/>所述第二安全裝置利用所述第二金鑰加密所述第二安全裝置的所述裝置狀態資訊，而產生加密裝置狀態資訊； <br/>所述第二安全裝置傳輸所述加密裝置狀態資訊至所述第一安全裝置； <br/>所述第一安全裝置利用所述第一金鑰解密所述加密裝置狀態資訊而獲取所述第二安全裝置的所述裝置狀態資訊。
如請求項3所述的電子電路系統，其中所述驗證資料包括所述第一安全裝置產生的一第二隨機數，所述第一安全裝置傳輸所述第二隨機數至所述第二安全裝置，所述第一安全裝置判斷所述解密驗證資料是否相同於所述第二隨機數，以判斷所述第二安全裝置是否通過所述認證操作。
如請求項3所述的電子電路系統，其中所述驗證資料包括所述第二安全裝置的一憑證資料，所述第一安全裝置利用一公開金鑰驗證所述第二安全裝置的所述憑證資料是否合格，以判斷所述第二安全裝置是否通過所述認證操作。
如請求項7所述的電子電路系統，其中所述公開金鑰記錄於所述第一安全裝置的一根憑證資料中，所述第一安全裝置判斷所述根憑證資料合格之後自所述根憑證資料獲取所述公開金鑰。
如請求項7所述的電子電路系統，其中所述公開金鑰記錄於所述第一安全裝置的一金鑰清單中，所述第一安全裝置判斷根憑證資料合格之後獲取所述金鑰清單的清單金鑰，並利用所述清單金鑰獲取所述金鑰清單，所述金鑰清單還包括用以驗證所述第一主機裝置的可執行映像的映像驗證金鑰。
如請求項3所述的電子電路系統，其中所述認證操作更包括： <br/>所述第一安全裝置判斷所述第一金鑰的使用次數是否大於一預設值；以及 <br/>若所述第一金鑰的使用次數大於所述預設值，所述第一安全裝置或所述第二安全裝置重新產生所述第一隨機數。
如請求項1所述的電子電路系統，其中所述第一安全裝置定時地或不定時地對所述第二安全裝置執行所述認證操作。
如請求項1所述的電子電路系統，其中反應於所述電子電路系統上電，所述第一安全裝置對所述第二安全裝置執行所述認證操作。
如請求項1所述的電子電路系統，更包括： <br/>一第三主機裝置， <br/>一第三安全裝置，連接所述第三主機裝置與所述第二安全裝置， <br/>若所述第二安全裝置通過所述認證操作，所述第二安全裝置對所述第三安全裝置執行所述認證操作， <br/>若所述第三安全裝置通過所述認證操作，所述第二安全裝置致能所述第三安全裝置驗證所述第三主機裝置的可執行映像。
一種安全權限下放方法，適用於包括一第一主機、一第二主機、一第一安全裝置，以及一第二安全裝置的電子電路系統，所述方法包括： <br/>由所述第一安全裝置對所述第二安全裝置執行一認證操作，其中所述第一安全裝置連接所述第一主機裝置並驗證所述第一主機裝置的可執行映像，且所述第二安全裝置連接所述第二主機裝置與所述第一安全裝置； <br/>若所述第二安全裝置通過所述認證操作，由所述第一安全裝置致能所述第二安全裝置驗證所述第二主機裝置的可執行映像；以及 <br/>若所述第二安全裝置未通過所述認證操作，由所述第一安全裝置禁能所述第二安全裝置驗證所述第二主機裝置的可執行映像。
如請求項14所述的安全權限下放方法，其中由所述第一安全裝置對所述第二安全裝置執行所述認證操作的步驟包括： <br/>由所述第一安全裝置或所述第二安全裝置產生一第一隨機數； <br/>由所述第一安全裝置根據一第一原始金鑰與所述第一隨機數產生一第一金鑰，且由所述第二安全裝置根據一第二原始金鑰與所述第一隨機數產生一第二金鑰； <br/>由所述第二安全裝置利用所述第二金鑰加密一驗證資料而產生加密驗證資料，並傳輸所述加密驗證資料至所述第一安全裝置； <br/>由所述第一安全裝置利用所述第一金鑰解密所述加密驗證資料而獲取解密驗證資料；以及 <br/>由所述第一安全裝置根據所述解密驗證資料判斷所述第二安全裝置是否通過所述認證操作。
如請求項15所述的安全權限下放方法，其中由所述第一安全裝置根據所述解密驗證資料判斷所述第二安全裝置是否通過所述認證操作的步驟包括： <br/>若所述解密驗證資料不合格，由所述第一安全裝置判定所述第二安全裝置未通過所述認證操作； <br/>若所述解密驗證資料合格，由所述第一安全裝置判斷所述第二安全裝置的裝置狀態資訊是否合格； <br/>若所述第二安全裝置的所述裝置狀態資訊不合格，由所述第一安全裝置判定所述第二安全裝置未通過所述認證操作；以及 <br/>若所述第二安全裝置的所述裝置狀態資訊合格，由所述第一安全裝置判定所述第二安全裝置通過所述認證操作。
如請求項15所述的安全權限下放方法，其中所述驗證資料包括所述第一安全裝置產生的一第二隨機數， <br/>其中由所述第一安全裝置根據所述解密驗證資料判斷所述第二安全裝置是否通過所述認證操作的步驟包括： <br/>由所述第一安全裝置傳輸所述第二隨機數至所述第二安全裝置；以及 <br/>由所述第一安全裝置判斷所述解密驗證資料是否相同於所述第二隨機數，以判斷所述第二安全裝置是否通過所述認證操作。
如請求項15所述的安全權限下放方法，其中所述驗證資料包括所述第二安全裝置的一憑證資料， <br/>其中由所述第一安全裝置根據所述解密驗證資料判斷所述第二安全裝置是否通過所述認證操作的步驟包括： <br/>由所述第一安全裝置利用一公開金鑰驗證所述第二安全裝置的所述憑證資料是否合格，以判斷所述第二安全裝置是否通過所述認證操作。
如請求項18所述的安全權限下放方法，其中所述公開金鑰記錄於所述第一安全裝置的一根憑證資料中，而由所述第一安全裝置利用所述公開金鑰驗證所述第二安全裝置的所述憑證資料是否合格的步驟包括： <br/>所述第一安全裝置判斷所述根憑證資料合格之後自所述根憑證資料獲取所述公開金鑰。
如請求項18所述的安全權限下放方法，其中所述公開金鑰記錄於所述第一安全裝置的一金鑰清單中，所述金鑰清單還包括用以驗證所述第一主機裝置的可執行映像的映像驗證金鑰， <br/>其中由所述第一安全裝置利用所述公開金鑰驗證所述第二安全裝置的所述憑證資料是否合格的步驟包括： <br/>由所述第一安全裝置判斷根憑證資料合格之後獲取所述金鑰清單的清單金鑰，並利用所述清單金鑰驗證並獲取所述金鑰清單。
一種基板保持板，其包括：<br/>第一層；以及<br/>與所述第一層形成介面的第二層，<br/>其中所述第一層和所述第二層包含類金剛石碳，<br/>其中所述第一層在一波長的折射率高於所述第二層在所述波長的折射率，<br/>其中所述第二層形成於所述第一層之上，並且<br/>其中從所述第二層到所述基板保持板的最上表面的距離小於所述第一層的厚度。
根據請求項1所述的基板保持板，其中所述第二層的氫含量為大於或等於10 at%且小於50 at%。
根據請求項1或2所述的基板保持板，其中所述第二層是氫化的非晶碳(a-C:H)。
一種基板保持板，其包括：<br/>第一層；以及<br/>與所述第一層形成介面的第二層，<br/>其中所述第一層包含類金剛石碳，並且所述第二層包含碳化矽，<br/>其中所述第一層在一波長的折射率高於所述第二層在所述波長的折射率，並且<br/>其中所述第二層形成於所述第一層之上。
根據請求項4所述的基板保持板，其中所述第一層的矽含量小於所述第二層的矽含量。
根據請求項1或4所述的基板保持板，其中所述第一層的氫含量小於10 at%。
根據請求項1或4所述的基板保持板，其中所述第一層是四面體非晶碳(ta-C)。
根據請求項4所述的基板保持板，其中所述第一層的氫含量大於或等於10 at%且小於50 at%。
根據請求項4或8所述的基板保持板，其中所述第一層是氫化的非晶碳(a-C:H)。
一種基板保持板，其包括：<br/>第一層；以及<br/>與所述第一層形成介面的第二層，<br/>其中所述第一層包含具有小於10 at%的氫含量的類金剛石碳，<br/>其中所述第二層包含具有大於或等於10 at%並且小於50 at%的氫含量的類金剛石碳，並且<br/>其中所述第二層形成於所述第一層之上。
根據請求項1或4所述的基板保持板，其中所述基板保持板的最上表面由所述第二層形成。
根據請求項1或4所述的基板保持板，其中所述第二層的反射率小於或等於10%。
根據請求項1或4所述的基板保持板，其中所述第一層的氫含量小於所述第二層的氫含量。
一種基板保持板，所述基板保持板包括基材，所述基板保持板包括：<br/>包括含類金剛石碳的材料的第一層，所述第一層被設置於至少在所述基材的最上表面一側上；以及<br/>直接設置在所述第一層上的第二層，所述第二層包括含類金剛石碳的材料，所述第二層的氮含量高於所述第一層的氮含量，<br/>其中所述第二層的厚度為大於或等於5 nm且小於或等於200 nm。
根據請求項14所述的基板保持板，其中所述第二層的厚度為大於或等於5 nm且小於或等於30 nm。
根據請求項14或15所述的基板保持板，其中所述第一層包括具有小於或等於1 at%的氮含量的部分，並且所述第二層包括具有大於1 at%的氮含量的部分。
根據請求項16所述的基板保持板，其中所述第二層包括具有大於或等於3 at%的氮含量的部分。
根據請求項14或15所述的基板保持板，其中所述第二層的氮含量從所述第二層的與所述第一層相反的一側朝向所述第一層的一側變低。
一種包括基材的基板保持板，所述基板保持板包括：<br/>包括含類金剛石碳的材料的第一層，所述第一層被設置於至少在所述基材的最上表面一側上；以及<br/>直接設置在所述第一層上的第二層，所述第二層包括含類金剛石碳的材料，其氮含量高於所述材料的氮含量，<br/>其中所述第二層的氮含量從所述第二層的與所述第一層相反的一側朝向所述第一層的一側變低。
根據請求項19所述的基板保持板，其中所述第二層包括具有大於或等於5 at%且小於或等於30 at%的氮含量的部分，以及具有小於或等於3 at%的氮含量的部分。
根據請求項14或19所述的基板保持板，還包括在所述第二層的與所述第一層相反的一側上的第三層，<br/>其中所述第三層的折射率低於所述第二層的折射率。
根據請求項21所述的基板保持板，其中所述基板保持板的最上表面由所述第三層形成。
根據請求項1或14所述的基板保持板，其中所述第一層與所述第二層之間的介面和所述最上表面中的至少一個是粗糙表面，所述粗糙表面具有大於或等於0.4μm且小於或等於4.0μm的算術平均粗糙度Ra。
根據請求項1或14所述的基板保持板，其中所述第一層的厚度大於所述第二層的厚度。
一種基板保持板，其包括：<br/>第一層；和<br/>直接形成於所述第一層上的第二層，<br/>其中所述第一層和所述第二層包含類金剛石碳，所述類金剛石碳包括氫或氮，並且<br/>其中所述第一層的氫含量小於所述第二層的氫含量，或者所述第一層的氮含量小於所述第二層的氮含量。
一種裝置製造方法，該裝置製造方法包括：<br/>將基板放置在根據請求項1至25中任一項所述的基板保持板上，和<br/>使所述基板曝光。
根據請求項26所述的裝置製造方法，其中所述基板包括藍寶石基板。
一種製造如請求項1至25中任一項所述的基板保持板的製造方法，所述製造方法包括：<br/>透過向包括含類金剛石碳的材料的層中植入氮離子來形成所述第二層。
根據請求項28所述的製造方法，其中使用電漿離子植入方法施作氮離子。
一種曝光裝置，其包括：<br/>根據請求項1至25中任一項所述的基板保持板；<br/>光源；<br/>光學系統，該光學系統被配置為使基板暴露於從所述光源發射的光；和<br/>配置為移動所述基板保持板的移動單元。
根據請求項30所述的曝光裝置，其中所述光學系統包括透射型透鏡。
根據請求項30所述的曝光裝置，其中所述光學系統是包括反射鏡的反射型。
一種錘打式電動釘槍，包含：<br/> 一主體單元，界定有一儲能空間，及一連通於該儲能空間的通道；<br/> 一槍嘴單元，包括一界出一管道的槍嘴，及一安裝在該通道內且迫抵於該槍嘴與該主體單元間的復位彈性元件，該管道適用於容納一穿釘，該槍嘴穿置在該通道，且相對於該主體單元在一啟動位置與一停止位置間移動，在該啟動位置時，該槍嘴遠離該儲能空間，在該停止位置時，該槍嘴鄰近該儲能空間，該復位彈性元件恆產生使該槍嘴朝相反於該停止位置的方向移動的一復位彈力；<br/> 一錘打單元，包括一可移動地穿置在該儲能空間、該通道與該管道間的錘打件，及一抵靠在該錘打件與該主體單元間的錘打彈性元件，該錘打彈性元件恆產生使該錘打件沿一錘打方向移動且適用於錘打該穿釘的一錘打彈力；<br/> 一電機單元，安裝在該主體單元，並包括一能夠以一中心軸為中心轉動的舉升輪，及一帶動該舉升輪轉動的電機模組，該中心軸實質上垂直於該錘打方向，該舉升輪具有至少一推頂部，該至少一推頂部可脫離地卡抵於該錘打件，用於帶動該錘打件沿一相反於該錘打方向的儲能方向移動，並壓縮該錘打彈性元件產生該錘打彈力；及<br/> 一控制單元，包括一安裝在該主體單元且可被操作的扳機組、一安裝在該主體單元與該槍嘴間的感測模組，及一訊號連接於該電機模組、該感測模組與該扳機組的控制模組，該扳機組在被操作時輸出一觸發訊號，該感測模組在該槍嘴位於該啟動位置時輸出一啟動訊號，該控制模組根據接收的該觸發訊號與該啟動訊號啟動該電機模組。
如請求項1所述的錘打式電動釘槍，其中，該主體單元包括一主體，及一連接於該主體且環繞一軸線界定出該通道的套筒，該主體具有一界定出該儲能空間的內表面，該槍嘴沿該軸線方向可移動地穿置在該通道，且環繞該軸線界定出該管道。
如請求項2所述的錘打式電動釘槍，其中，該感測模組包括一被感測件，及二感應元件，該被感測件安裝在該槍嘴朝向該儲能空間的一端部，該等感應元件安裝在該套筒且沿該軸線方向相間隔。
如請求項2所述的錘打式電動釘槍，其中，該錘打件具有一滑行於該主體的內表面且迫抵該錘打彈性元件的滑座，及一連接於該滑座且適用於撞擊該穿釘的撞針。
如請求項4所述的錘打式電動釘槍，其中，該主體還具有二形成在該內表面的滑合部，該滑座具有二形成在一外表面且對合於該等滑合部的對合部，每一該滑合部與每一該對合部的其中一個可以是凹部，每一該滑合部與每一該對合部的另外一個可以是凸部。
如請求項1所述的錘打式電動釘槍，其中，該槍嘴具有一穿出該通道且相反於該感測模組的出釘口，該出釘口適用於供該穿釘射出。
如請求項6所述的錘打式電動釘槍，還包含一釘匣單元，且該槍嘴還具有一連通於該管道的入釘口，該釘匣單元連接於該槍嘴，且被該槍嘴帶動相對該主體單元移動，適用於輸送該穿釘由該入釘口進入該管道。
如請求項6所述的錘打式電動釘槍，其中，該槍嘴還進一步相對該主體單元移動至一待機位置，在該待機位置時，該出釘口距離該儲能空間最遠，在該停止位置時，該出釘口鄰近該儲能空間，在該啟動位置時，該出釘口遠離該儲能空間，且位於該待機位置與該停止位置間，該復位彈性元件的復位彈力恆使該槍嘴移動至該待機位置。
如請求項1所述的錘打式電動釘槍，其中，該錘打件具有形成在一側的一抵靠部，該舉升輪具有數個推頂部，該等推頂部等角相間隔且鄰近一外周面，在該舉升輪轉動的過程中，該錘打件的抵靠部抵靠於對應的該推頂部，且被該對應的推頂部帶動而沿該儲能方向移動。
如請求項1所述的錘打式電動釘槍，其中，該感測模組在該槍嘴位於該停止位置時輸出一停止訊號，該控制單元還進一步根據接收的該停止訊號關閉該電機模組。
如請求項10所述的錘打式電動釘槍，其中，該感測模組具有一安裝在該槍嘴的被感測件，及二安裝在該主體單元的感應元件，當該槍嘴位於該啟動位置時，與該槍嘴一起移動的該被感測件，位於其中一該感應元件的感測範圍，且該其中一感應元件輸出該啟動訊號，當該槍嘴位於該停止位置時，與該槍嘴一起移動的該被感測件，位於另一該感應元件的感測範圍，且該另一感應元件輸出該停止訊號。
一種主軸裝置，將在其基部側具有於內側與外側被雙重配置的第一被夾緊部與第二被夾緊部的工具用或工作件用的托座裝設於主軸頂端而使用，其特徵在於：<br/> 包含：在前端側具有將該托座的該第一被夾緊部夾緊之第一夾緊機構之第一拉桿；在前端側具有將該托座的該第二被夾緊部夾緊之第二夾緊機構之第二拉桿，該第一拉桿與該第二拉桿在主軸筒內被串聯配置，同時可進退地被配置，<br/> 該第一拉桿藉由以推動手段緊壓於進出方向抵抗第一推迫手段所產生的推迫力而前進，該第二拉桿隨著該第一拉桿的前進直接地或間接地被該第一拉桿推動並抵抗第二推迫手段所產生的推迫力而前進而構成，<br/> 藉由該推動手段前進的該第一拉桿在規定的進出位置使該第一夾緊機構被解除，同時被該第一拉桿推動的該第二拉桿的該第二夾緊機構也被解除，<br/> 隨著該推動手段所產生的推動力的解除，位於該規定的進出位置的該第一拉桿及該第二拉桿分別藉由該第一推迫手段及該第二推迫手段的推迫力後退到該主軸筒基部方向，以使該第一拉桿的該第一夾緊機構與該第二拉桿的該第二夾緊機構動作。
如請求項1之主軸裝置，其中該推動手段在未緊壓該第一拉桿的情形下退避到不會與第一拉桿接觸的位置。
如請求項1或請求項2之主軸裝置，其中推迫該第二推迫手段時得到的推迫力比推迫該第一推迫手段時得到的推迫力還大。
如請求項1或請求項2之主軸裝置，其中在該第一拉桿從該規定的進出位置後退時，在該第二拉桿的該第二夾緊機構動作後使該第一拉桿的該第一夾緊機構動作。
如請求項1或請求項2之主軸裝置，其中該第一拉桿具備接觸該第二拉桿的內周面的外周面，被該內周面與該外周面導引而前後滑移。
如請求項1或請求項2之主軸裝置，其中該第一夾緊機構與該第二夾緊機構配置於在前後方向偏移的位置。
如請求項1或請求項2之主軸裝置，其中該第一夾緊機構具有進退於該主軸的徑向的干涉體，在該第一拉桿配置於第一進出位置的狀態下，藉由將該第一被夾緊部夾緊的該干涉體配置於面臨形成於該第二拉桿的內周面的收納部的位置而解除該第一夾緊機構。
如請求項7之主軸裝置，其中該第二夾緊機構具有進退於該主軸的徑向的干涉體，在該第一拉桿配置於該第一進出位置的狀態下，藉由將該第二被夾緊部夾緊的該干涉體配置於面臨形成於該主軸筒的內周面的收納部的位置而解除該第二夾緊機構。
如請求項1或請求項2之主軸裝置，其中該托座裝設於形成於該主軸筒的頂端的托座裝設孔。
如請求項1或請求項2之主軸裝置，其中工作件用的該托座係以在可進退的槓桿構件形成有該第一被夾緊部的構造而作成，在該第二夾緊機構在裝設於該主軸頂端的該托座動作的狀態下透過該第一被夾緊部拉出該槓桿構件以將鬆開狀態的該工作件夾緊，藉由該第一拉桿前進使該槓桿構件推回，使夾緊狀態的該工作件鬆開。
如請求項1或請求項2之主軸裝置，其中該第一推迫手段及該第二推迫手段為壓縮彈簧裝置，將該第一拉桿及該第二拉桿推迫於後退方向。
一種工作機械，搭載請求項1或請求項2之主軸裝置。
一種平衡試驗機，搭載請求項1或請求項2之主軸裝置。
一種樹脂組成物，其包含： <br/> (A)環氧樹脂、 <br/> (B)硬化劑、 <br/> (C)填料， <br/> 前述樹脂組成物之硬化物具有0.55MPa・m<sup>0.5</sup>以上的疲勞裂痕傳播低限應力強度因子範圍ΔK<sub>th</sub>，<sub> </sub><br/> 前述(A)環氧樹脂包含選自由雙酚F型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、胺基酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂及環己烷型環氧樹脂所成群組的至少一種， <br/> 前述(C)填料的含量，相對於前述樹脂組成物之總成分的合計質量100質量份為40～80質量份， <br/> 前述樹脂組成物係透過使用輥磨機之混合所得，且輥磨機的輥間壓力為3MPa以上。
如請求項1之樹脂組成物，其中前述樹脂組成物之硬化物的玻璃轉移溫度(Tg)為100℃以上。
如請求項1或2之樹脂組成物，其中前述(A)環氧樹脂包含液狀環氧樹脂。
如請求項1或2之樹脂組成物，其中前述(C)填料的平均粒徑為0.1～20.0μm。
如請求項1或2之樹脂組成物，其中前述(C)填料係藉由矽烷偶合劑進行表面處理。
如請求項1或2之樹脂組成物，其進一步包含(D)核殼橡膠。
如請求項1或2之樹脂組成物，其中前述樹脂組成物之硬化物係滿足以下要件1： <br/> 要件1：以1000倍的倍率使用掃描式電子顯微鏡觀察前述樹脂組成物之硬化物的剖面，在隨意選出的6處實施算出長37.8μm×寬18.9μm之區域中的前述填料的平均面積(μm<sup>2</sup>)之操作時，所得之6個前述填料的面積的標準差為0.36μm<sup>2</sup>以下。
如請求項1或2之樹脂組成物，其中前述樹脂組成物之硬化物係滿足以下要件2： <br/> 要件2：以1000倍的倍率使用掃描式電子顯微鏡觀察前述樹脂組成物之硬化物的剖面，在隨意選出的6處實施算出長37.8μm×寬18.9μm之區域中的前述填料數之操作時，所得之6個前述填料數的標準差為80個以下。
一種半導體裝置，其係具備： <br/> 基板；配置於前述基板上之半導體元件；及密封前述半導體元件之如請求項1～8中任一項之樹脂組成物之硬化物。
一種半導體裝置之製造方法，其包含： <br/> 將基板與配置於前述基板上之半導體元件之間的空隙，以如請求項1～8中任一項之樹脂組成物填充；及將前述樹脂組成物硬化。
一種如請求項1～8中任一項之樹脂組成物之製造方法，其包含透過使用輥磨機將前述(A)環氧樹脂、前述(B)硬化劑及前述(C)填料混合，而製造樹脂組成物， <br/> 前述輥磨機的輥間壓力為3.0MPa以上。
一種氮化物半導體紫外光發光元件，峰值發光波長存在於300nm～320nm的範圍內，具備： <br/>在上下方向層積以n型AlGaN系半導體構成的n型層、以AlGaN系半導體構成的活性層、及以p型AlGaN系半導體構成的p型層的發光元件構造部； <br/>前述n型層與前述活性層與前述p型層內的各半導體層，為具有形成平行於(0001)面的多段狀台面的表面的磊晶成長層； <br/>前述活性層具有包含1層以上的阱層的量子阱構造； <br/>前述1層以上的阱層的各阱層的平均AlN莫耳分率在0.21以上0.25未滿的範圍內； <br/>前述各阱層的平均膜厚在2.0nm以上3.5nm以下的範圍內； <br/>在來自前述1層以上的阱層的發光中混合來自 <br/>Al <sub>1/4</sub>Ga <sub>3/4</sub>N的第1發光及來自Al <sub>1/6</sub>Ga <sub>5/6</sub>N的第2發光； <br/>前述氮化物半導體紫外光發光元件的EL光譜中，前述第1發光的峰值波長即第1波長比前述第2發光的峰值波長即第2波長還短，前述第1波長中的EL強度比前述第2波長中的EL強度還大。
如請求項1記載的氮化物半導體紫外光發光元件，其中，前述第1波長，為在前述EL強度的2次導函數中取極小值的複數極值點之內，最小的極小值的極值點的波長； <br/>前述第2波長，為在存在於比從前述複數極值點選擇的相較於前述第1波長還長10nm波長的基準波長更長波長側的1以上的極值點之內，最小的極小值的極值點的波長。
如請求項1或2記載的氮化物半導體紫外光發光元件，其中，前述發光元件構造部，在主面相對於(0001)面以大於0.3°且1°以下的角度傾斜的微傾斜基板的藍寶石基板上，隔介AlGaN系半導體層形成。
一種緊湊型螺旋槽天線(compact spiraled slot antenna)，其包括：<br/>一槽，其具有小於一輸出波長之四分之一之尺寸，其中該槽包括在複數個平面中突出之複數個長度；及<br/>一天線互補環(antenna complement ring)，其包含一細長部分(elongated portion)及一凸緣，使得該緊湊型螺旋槽天線能夠直接自一印刷電路板(PCB)饋電。
如請求項1之緊湊型螺旋槽天線，其中該槽藉由耦合一無線裝置中之複數個組件來形成。
如請求項2之緊湊型螺旋槽天線，其中該槽之一總有效長度約為該輸出波長之四分之一。
如請求項2之緊湊型螺旋槽天線，其中該槽包括一開口端及一封閉端。
如請求項2之緊湊型螺旋槽天線，其中該槽足夠寬以允許該緊湊型螺旋槽天線具有一寬頻寬。
如請求項5之緊湊型螺旋槽天線，其中該槽適於具有5 GHz至6 GHz，或對於一新WiFi 6E頻帶之6 GHz至7 GHz之一頻率範圍。
如請求項1之緊湊型螺旋槽天線，其進一步包括一次級槽，該次級槽適於涵蓋一不同頻率且由與一主天線相同之機構饋電，因此拓寬該頻寬。
如請求項1之緊湊型螺旋槽天線，其進一步包括安裝於該槽內之組件，藉由調整該槽之尺寸及調整該緊湊型螺旋槽天線之一饋電點之一位置來補償將組件安裝於該槽內之此等效果。
如請求項1之緊湊型螺旋槽天線，其中該天線互補環進一步包含一或多個空中台階(air steps)，該一或多個空中台階係安置於一接地平面中且經定大小以微調(tune)該槽之一長度或寬度，藉此針對一特定諧振微調該緊湊型螺旋槽天線。
一種具有一或多個槽天線之無線裝置，該無線裝置包括：<br/>一或多個散熱器，其包括形成該一或多個槽天線之部分之多個空腔；<br/>一或多個印刷電路板(PCB)，其包括一饋電機構(feeding mechanism)及用於允許電流流過該PCB之複數個通孔(via hole)；<br/>一天線互補環，其包括多個天線之部分；及<br/>一或多個緊湊型螺旋槽天線，其包括藉由耦合該一或多個散熱器、該一或多個印刷電路板及該天線互補環而形成之一槽，該一或多個散熱器、該一或多個PCB及該天線互補環之組合產生該一或多個緊湊型螺旋槽天線，該組合使電流能夠在該一或多個緊湊型螺旋槽天線之該槽周圍流動且穿過該一或多個PCB以產生一電場，使得該一或多個螺旋槽天線經組態以輻射。
如請求項10之無線裝置，其中該槽之一總有效長度約為該輸出波長之四分之一。
一種益生菌在製備預防及治療一氣喘之藥物的用途，其中該益生菌係選自由<i>Bacteroides plebeius</i>和<i>B. ovatus</i>所組成之群組，其中該氣喘為過敏性氣喘。
如請求項1所述之一種益生菌用於製備預防及治療一氣喘之藥物的用途，該益生菌可以降低肺泡中IL-4表現量。
一種線性編碼器，其被使用於導引機構，該導引機構具有：被設於基座且沿著既定方向延伸的導軌、及被設於滑塊且可沿著上述既定方向滑動地被上述導軌所支撐的導引塊體；該線性編碼器檢測上述滑塊之上述既定方向之位置；其特徵在於，其具備有： <br/>線性標尺，其被設於上述基座，且被配置為與上述導軌平行，並朝向上述既定方向延伸；及 <br/>讀取頭部，其與上述線性標尺相對向地被設於上述滑塊，與上述線性標尺相對向，以讀取上述線性標尺之刻度； <br/>用以將上述線性標尺安裝於上述基座的標尺安裝面，係與用以將上述導軌安裝於上述基座的導軌安裝面位於相同之平面上， <br/>上述線性標尺係使側端面予以抵接至上述導軌之側面，藉此相對於上述基座而被定位。
如請求項1之線性編碼器，其中，上述線性標尺當被安裝在上述基座時，該線性標尺之側端面經由中間構件間接地與上述導軌之側面相抵接。
一種線性編碼器，其被使用於導引機構，該導引機構具有：被設於基座且沿著既定方向延伸的導軌、及被設於滑塊且可沿著上述既定方向滑動地被上述導軌所支撐的導引塊體；該線性編碼器檢測上述滑塊之上述既定方向之位置；其特徵在於，其具備有： <br/>線性標尺，其被設於上述基座，且被配置為與上述導軌平行，並朝向上述既定方向延伸；及 <br/>讀取頭部，其與上述線性標尺相對向地被設於上述滑塊，與上述線性標尺相對向，以讀取上述線性標尺之刻度； <br/>用以將上述線性標尺安裝於上述基座的標尺安裝面，係與用以將上述導軌安裝於上述基座的導軌安裝面位於相同之平面上， <br/>上述線性標尺之側端面係與上述導軌之側面相抵接， <br/>用以將上述讀取頭部安裝於上述滑塊的頭部安裝面，係與用以將上述導引塊體安裝於上述滑塊的塊體安裝面位於相同之平面上， <br/>用以將上述讀取頭部定位於相對於上述滑塊而與上述既定方向正交的方向的頭部定位面，係與用以將上述導引塊體定位於相對於上述滑塊於上述正交的方向的塊體定位面位於相同之平面上。
如請求項3之線性編碼器，其中， <br/>具備頭部支架，其被設於上述讀取頭部，且被連結上述滑塊， <br/>上述讀取頭部係經由上述頭部支架被設於上述滑塊。
一種導引機構，其係可移動地導引滑塊相對於基座朝向既定方向的機構；其特徵在於，其具備有： <br/>導軌，其被設於上述基座，且朝向上述既定方向延伸； <br/>導引塊體，其被設於上述滑塊，且可朝向上述既定方向滑動地被上述導軌所支撐；及 <br/>線性編碼器，其檢測上述滑塊之上述既定方向之位置； <br/>上述線性編碼器具有： <br/>線性標尺，其被設於上述基座，且被配置為與上述導軌平行，並朝向上述既定方向延伸；及 <br/>讀取頭部，其與上述線性標尺相對向地被設於上述滑塊，以讀取上述線性標尺之刻度； <br/>用以將上述線性標尺安裝於上述基座的標尺安裝面，係與用以將上述導軌安裝於上述基座的導軌安裝面位於相同之平面上， <br/>上述線性標尺係使側端面予以直接或間接地抵接至上述導軌之側面，藉此相對於上述基座而被定位。
一種線性編碼器之安裝方法，其係請求項4之線性編碼器之安裝方法，其特徵在於，其包含有： <br/>第一安裝步驟，其使上述線性標尺之側端面直接或間接地抵接至上述導軌之側面，且在此狀態下將上述線性標尺安裝於上述基座之上述標尺安裝面；及 <br/>第二安裝步驟，其於上述線性標尺之安裝後，使上述頭部支架之側端面抵接至上述滑塊之上述頭部定位面，且在此狀態下經由上述頭部支架將上述讀取頭部安裝於上述滑塊之上述頭部安裝面。
一種支持玻璃基板，其特徵為在30~380℃之溫度範圍的平均線熱膨脹係數為30×10<sup>-7</sup>/℃以上，且55×10<sup>-7</sup>/℃以下，而楊氏模量為95.4Gpa以上，且作為玻璃組成，以質量%，含有SiO<sub>2</sub> 50~66%、Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 7~34%、B<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 0~8%、CaO 1~12%、Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>+La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>+ZrO<sub>2</sub> 0.5~20%，並且含有Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 6.6~15%者。
如請求項1記載之支持玻璃基板，其中，總厚度變異量(TTV)不足2.0μm者。
如請求項1或2記載之支持玻璃基板，其中，作為玻璃組成，以質量%，含有SiO<sub>2</sub> 50~66%、Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 7~34%、B<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 0~8%、MgO 0~22%、CaO 1~12%、Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>+La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>+ZrO<sub>2</sub> 0.5~20%，並且含有Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 6.6~15%者。
如請求項1或2記載之支持玻璃基板，其中，在半導體封裝件之製造步驟，用以鑄模半導體晶片於樹脂之加工基板的支持者。
一種層積基板，至少具備加工基板與用以支持加工基板之支持玻璃基板的層積基板，其特徵為支持玻璃基板則為如請求項1至4任一項記載之支持玻璃基板者。
如請求項5記載之層積基板，其中，加工基板則為鑄模半導體晶片於樹脂之加工基板者。
一種半導體封裝之製造方法，其特徵為具有：準備至少具備加工基板與為了支持加工基板之支持玻璃基板的層積基板之工程，和對於加工基板而言，進行加工處理之工程，並且，支持玻璃基板則為如請求項1至4任一項記載之支持玻璃基板者。
如請求項7記載之半導體封裝之製造方法，其中，加工處理則包含：於加工基板之一方的表面進行配線的工程者。
如請求項7或8記載之半導體封裝之製造方法，其中，加工處理則包含：於加工基板之一方的表面形成焊錫凸塊的工程者。
一種藥物輸送裝置，該裝置包含： <br/>一外部殼體，該外部殼體經設計用於安裝一藥物儲存器於其中， <br/>一致動機構，其經設計以產生一致動力， <br/>一劑量設定機構，其至少部分地安裝於該外部殼體中，其中該劑量設定機構能夠設定一藥物劑量且功能性地連接至該致動機構， <br/>一內部殼體，其安裝於該外部殼體中且功能性地連接至該劑量設定機構，及 <br/>一桿，其至少部分地可移動地安裝於該內部殼體中以便使得該藥物能夠從該儲存器排出， <br/>其特徵在於該藥物輸送裝置進一步包含 <br/>一驅動部件，其具備徑向齒，其中該驅動部件在該外部殼體中與該內部殼體互相嚙合且與桿以螺紋方式嚙合，使得該致動力轉移至該桿以便取決於設定藥物劑量而移動該桿，及 <br/>一圓柱形部件，其具備具有一棘爪之至少一個彈性元件，其中該圓柱形部件緊固於該外部殼體中，以便使得當旋轉該驅動部件時該棘爪能夠至少在該驅動部件之該等徑向齒中之一者上方跳躍。
如請求項1之裝置，其中該彈性元件與該圓柱形部件整合在一起。
如請求項1或2之裝置，其中該圓柱形部件具備各自具有一棘爪之兩個彈性元件，其中該圓柱形部件經緊固以使得該等棘爪圍繞該驅動部件配置且相對於彼此成角度地移位180度，以便使得當旋轉該驅動部件時兩個棘爪均能夠在該驅動部件之對應徑向齒上方跳躍。
如請求項3之裝置，其中提供該驅動部件一預定角度的各旋轉以使得兩個棘爪均能夠在該驅動部件之對應徑向齒上方跳躍，該旋轉角度對應於一單一單位之該藥物劑量。
如請求項4之裝置，其中該驅動部件包含20個徑向齒，且該驅動部件之預定旋轉角度為18度，且該驅動部件之該等徑向齒偏移18度，且該彈性元件之該等棘爪相對於彼此偏移180度。
如請求項1之裝置，其中該等棘爪相對於彼此沿圓周移位，使得提供該驅動部件對於對應於一單一單位之該藥物劑量之一預定角度的各旋轉以使得該等棘爪中之一者能夠在該驅動部件之該等徑向齒中之對應一者上跳躍。
如請求項6之裝置，其中該驅動部件包含30個徑向齒，且該驅動部件之該預定旋轉角度為6度，且該等棘爪之間的角度偏移為174度。
如請求項6之裝置，其中該驅動部件包含20個徑向齒，且該驅動部件之該預定旋轉角度為9度，且該等棘爪之間的該角度偏移為171度。
一種如請求項1至8中任一項之藥物輸送裝置的用途，其用於將一藥物注射至哺乳動物中，該藥物選自由以下組成之群：胰島素、胰島素類似物、激素、肝素、抗組織胺及其衍生物及類似物。
一種抗TREML1抗體或其抗原結合片段，其抑制骨髓細胞表現之觸發受體(TREM)樣轉錄因子-1(TREML1)結合CD11b，其中該抗TREML1抗體或其抗原結合片段包含：(i)重鏈可變(VH)區，其中該VH區包含：具有DYGMA(SEQ ID NO：20)之重鏈互補決定區1(CDR-H1)；具有FISNLAYRIYYADTVTG(SEQ ID NO：27)之CDR-H2；及具有EDYGNNGAMDY(SEQ ID NO：28)之CDR-H3；及輕鏈可變(VL)區，其中該VL區包含：具有RSSQSIVHSNGNTYLE(SEQ ID NO：26)之輕鏈互補區1(CDR-L1)；具有KVSNRFS(SEQ ID NO：24)之CDR-L2；及具有FQGSHVPPT(SEQ ID NO：25)之CDR-L3；或(ii)重鏈可變(VH)區，其中該VH區包含：具有DYVIH(SEQ ID NO：32)之CDR-H1；具有YINPYTGGPKYSETARG(SEQ ID NO：37)之CDR-H2；及具有DFNYYVGAMDF(SEQ ID NO：34)之CDR-H3；及輕鏈可變(VL)區，其中該VL區包含：具有RSTQSLVHSNGNTYVH(SEQ ID NO：38)之CDR-L1；具有KVSNRFS(SEQ ID NO：24)之CDR-L2；及具有SQSTYVWT(SEQ ID NO：56)之CDR-L3。
如請求項1之抗TREML1抗體或其抗原結合片段，其中該CD11b在免疫細胞上表現。
如請求項1或2之抗TREML1抗體或其抗原結合片段，其中該抗TREML1抗體或其抗原結合片段包含：(i)包含SEQ ID NO：8之VH區及包含SEQ ID NO：9之VL區；或(ii)包含SEQ ID NO：12之VH區及包含SEQ ID NO：13之VL區。
一種如請求項1至3中任一項之抗TREML1抗體或其抗原結合片段之用途，其係用於製備治療或減輕有需要之個體中與免疫抑制相關或特徵在於免疫抑制之疾病或病狀之一或多種症狀的藥劑，其中該藥劑逆轉該個體之免疫抑制，藉此治療或減輕該疾病或病狀之一或多種症狀。
如請求項4之用途，其中逆轉免疫抑制包含抑制發炎。
如請求項4之用途，其中該發炎可為單核球介導、巨噬細胞介導及/或嗜中性球介導之發炎反應。
如請求項4之用途，其中該疾病或病狀包含惡性腫瘤生長、腫瘤血管生成、癌症、慢性感染、敗血症、免疫耗竭或衰老中之免疫老化。
如請求項7之用途，其中該癌症包含黑色素瘤、肺癌、肺鱗狀細胞癌、頭頸癌、乳癌、子宮癌、前列腺癌、食道癌、膀胱癌、腎癌、腦癌、肝癌、骨癌、胰臟癌、皮膚癌、皮膚或眼內惡性黑色素瘤、卵巢癌、肛門區癌、睾丸癌、輸卵管癌、子宮內膜癌、子宮頸癌、陰道癌、外陰癌、霍奇金氏病(Hodgkin's Disease)、非霍奇金氏淋巴瘤、食道癌、內分泌系統癌症、甲狀腺癌、甲狀旁腺癌、腎上腺癌、軟組織肉瘤、尿道癌、陰莖癌、慢性或急性白血病、兒童實體腫瘤、淋巴球性淋巴瘤、腎盂癌、中樞神經系統(CNS)贅瘤、原發性CNS淋巴瘤、脊軸腫瘤、腦幹神經膠質瘤、垂體腺瘤、卡波西氏(Kaposi's)肉瘤、表皮樣癌症、鱗狀細胞癌、T細胞淋巴瘤或胃腸道癌症。
如請求項7之用途，其中該癌症包含胃癌、大腸癌、直腸癌或小腸癌。
如請求項8之用途，其中該慢性或急性白血病係急性骨髓性白血病、慢性骨髓性白血病、急性淋巴母細胞白血病或慢性淋巴球性白血病。
一種如請求項1至3中任一項之抗TREML1抗體或其抗原結合片段之用途，其係用於製備抑制表現CD11b之細胞中TREML1結合CD11b之藥劑。
一種如請求項1至3中任一項之抗TREML1抗體或其抗原結合片段之用途，其係用於製備逆轉細胞中免疫抑制之藥劑，其中該等細胞由TREML1結合CD11b之I域誘導而具免疫抑制性。
一種如請求項1至3中任一項之抗TREML1抗體或其抗原結合片段之用途，其係用於製備抑制細胞上PD-L1表現之藥劑，其中該等細胞由TREML1結合CD11b之I域誘導以表現PD-L1。
如請求項11至13中任一項之用途，其中該等細胞包含免疫細胞。
如請求項14之用途，其中該等細胞包含先天性免疫反應系統之細胞。
如請求項15之用途，其中該等細胞包含巨噬細胞、嗜中性球、單核球、樹突狀細胞、自然殺手細胞及顆粒球。
如請求項11至13中任一項之用途，其中該等細胞在個體內，且該個體係哺乳動物。
如請求項17之用途，其中該藥劑逆轉該等細胞之免疫抑制及/或治療與免疫抑制相關之疾病或病狀。
一種如請求項1至3中任一項之抗TREML1抗體或其抗原結合片段之用途，其係用於製備治療有需要之個體之癌症的藥劑，其中該治療包含診斷癌症或偵測該個體內惡性腫瘤之存在及/或確定該個體是否對可應用於癌症治療之所有療法起反應，其中該診斷、偵測及/或確定的步驟包含偵測來自該個體之生物樣品中之TREML1，藉此偵測該個體內之癌症或腫瘤，其中該癌症或腫瘤中之TREML-1相較於該個體之正常組織富集(enriched)。
如請求項19之用途，其中該診斷、偵測及/或確定的步驟進一步包含量化該生物樣品中TREML1之表現。
如請求項20之用途，其中該診斷、偵測及/或確定的步驟進一步包含將該個體內之TREML1表現與對照之TREML1表現進行比較。
如請求項19至21中任一項之用途，其中該生物樣品包含體液、細胞或組織。
如請求項19至21中任一項之用途，其中偵測TREML1之存在包含進行免疫學分析、組織學分析、細胞學分析、酶聯免疫吸附分析(ELISA)、基於珠粒之偵測分析、DNA或RNA表現分析或基於適體之分析。
如請求項19至21中任一項之用途，其中偵測TREML1之存在包含使用如請求項1至3中任一項之抗TREML1抗體或其抗原結合片段偵測TREML1之存在。
如請求項24之用途，其中該癌症包含黑色素瘤、肺癌、肺鱗狀細胞癌、頭頸癌、乳癌、子宮癌、前列腺癌、食道癌、膀胱癌、腎癌、腦癌、肝癌、骨癌、胰臟癌、皮膚癌、皮膚或眼內惡性黑色素瘤、卵巢癌、肛門區癌、睾丸癌、輸卵管癌、子宮內膜癌、子宮頸癌、陰道癌、外陰癌、霍奇金氏病、非霍奇金氏淋巴瘤、食道癌、內分泌系統癌症、甲狀腺癌、甲狀旁腺癌、腎上腺癌、軟組織肉瘤、尿道癌、陰莖癌、慢性或急性白血病、兒童實體腫瘤、淋巴球性淋巴瘤、腎盂癌、中樞神經系統(CNS)贅瘤、原發性CNS淋巴瘤、脊軸腫瘤、腦幹神經膠質瘤、垂體腺瘤、卡波西氏肉瘤、表皮樣癌症、鱗狀細胞癌、T細胞淋巴瘤或胃腸道癌症。
如請求項24之用途，其中該癌症包含胃癌、大腸癌、直腸癌或小腸癌。
如請求項19至21中任一項之用途，其中該治療進一步包含用免疫檢查點阻斷(ICB)療法治療有需要之該個體，且其中該ICB療法包含阿特珠單抗(atezolizumab)、阿維魯單抗(avelumab)、度伐魯單抗(durvalumab)或其他抗PDL1藥物。
如請求項19至21中任一項之用途，其中該治療進一步包含將如請求項1至3中任一項之抗TREML1抗體或其抗原結合片段投與至該個體以治療該癌症或該腫瘤。
一種搬運系統，具備： <br/> 從俯視看呈長條形狀的被搬運物、及 <br/> 可配置前述被搬運物的平台、及 <br/> 包含可載置前述被搬運物的昇降台且可沿著規定的行走路徑自走的無人搬運車， <br/> 前述無人搬運車，從俯視看呈長條形狀， <br/> 前述無人搬運車的長度方向，是前述無人搬運車的前進方向， <br/> 在前述無人搬運車潛入前述被搬運物的下方的狀態中，若前述無人搬運車的前進方向與前述被搬運物的寬度方向平行時，從俯視看前述無人搬運車的前進方向的一端及另一端，超出前述被搬運物， <br/> 前述無人搬運車，是 <br/> 具有：從俯視看的長度方向的尺寸比前述被搬運物的長度方向的尺寸更短且比前述被搬運物的寬度方向的尺寸更長的車體全長、及從俯視看的寬度方向的尺寸比前述被搬運物的寬度方向的尺寸更短的車體寬度， <br/> 在潛入至前述被搬運物的下方的狀態中，以使前述無人搬運車的前進方向成為與前述被搬運物的長度方向平行的方式，實施將前述無人搬運車的前進方向變更的第1前進方向變更動作， <br/> 前述無人搬運車，是從前述平台將前述被搬運物搬出的情況時， <br/> 實施進入被配置於前述平台的前述被搬運物的下方之前述進入動作， <br/> 將前述昇降台上昇之後藉由將前述被搬運物載置在前述昇降台而與前述被搬運物連接， <br/> 與前述被搬運物一起從前述平台退出， <br/> 將前述昇降台下降之後藉由從前述昇降台將前述被搬運物卸下而將前述被搬運物分離， <br/> 實施前述第1前進方向變更動作， <br/> 將前述昇降台上昇之後藉由將前述被搬運物載置在前述昇降台而與前述被搬運物連接。
如請求項1的搬運系統，其中， <br/> 前述第1前進方向變更動作，是從當前述無人搬運車從前述規定的行走路徑進入前述平台之後，至當前述無人搬運車從前述平台返回至前述規定的行走路徑為止的期間被實施。
如請求項1或2的搬運系統，其中， <br/> 前述無人搬運車，是實施從前述寬度方向的一方側或是另一方側進入前述被搬運物的下方之進入動作。
如請求項3的搬運系統，其中， <br/> 前述無人搬運車，是從前述平台將前述被搬運物搬出的情況時， <br/> 實施進入被配置於前述平台的前述被搬運物的下方之前述進入動作， <br/> 實施前述第1前進方向變更動作， <br/> 將前述昇降台上昇之後藉由將前述被搬運物載置在前述昇降台而與前述被搬運物連接， <br/> 與前述被搬運物一起從前述平台退出。
如請求項1或2的搬運系統，其中， <br/> 在前述第1前進方向變更動作中，實施將前述無人搬運車原地繞轉的原地旋轉。
如請求項1或2的搬運系統，其中， <br/> 前述無人搬運車，是在潛入至前述被搬運物的下方的狀態中，以使前述無人搬運車的前進方向成為與前述被搬運物的前述寬度方向平行的方式，實施將前述無人搬運車的前進方向變更的第2前進方向變更動作。
如請求項6的搬運系統，其中， <br/> 前述無人搬運車，是實施從前述被搬運物的下方中的前述寬度方向的一方側或是另一方側退出之退出動作。
如請求項7的搬運系統，其中， <br/> 前述無人搬運車，是以使前述無人搬運車的前進方向成為與前述被搬運物的長度方向平行的方式將前述被搬運物載置在前述昇降台並與前述被搬運物連接，且朝前述平台將前述被搬運物搬入的情況時， <br/> 與前述被搬運物一起進入前述平台， <br/> 將前述昇降台下降之後藉由從前述昇降台將前述被搬運物卸下而將前述被搬運物分離， <br/> 實施前述第2前進方向變更動作， <br/> 實施前述退出動作，從前述平台退出。
如請求項7的搬運系統，其中， <br/> 前述無人搬運車，是以使前述無人搬運車的前進方向成為與前述被搬運物的長度方向平行的方式將前述被搬運物載置在前述昇降台並與前述被搬運物連接，且朝前述平台將前述被搬運物搬入的情況時， <br/> 將前述昇降台下降之後藉由從前述昇降台將前述被搬運物卸下而將前述被搬運物分離， <br/> 實施前述第2前進方向變更動作， <br/> 將前述昇降台上昇之後藉由將前述被搬運物載置在前述昇降台而與前述被搬運物連接， <br/> 與前述被搬運物一起進入前述平台， <br/> 將前述昇降台下降之後藉由從前述昇降台將前述被搬運物卸下而將前述被搬運物分離， <br/> 實施前述退出動作，從前述平台退出。
如請求項6的搬運系統，其中， <br/> 在前述第2前進方向變更動作中，實施將前述無人搬運車原地繞轉的原地旋轉。
如請求項1或2的搬運系統，其中， <br/> 前述被搬運物，是將物品積載的推車。
一種無人搬運車， <br/> 是沿著規定的行走路徑自走，且包含將由從俯視看呈長條形狀的被搬運物載置的昇降台， <br/> 前述無人搬運車，從俯視看呈長條形狀， <br/> 前述無人搬運車的長度方向，是前述無人搬運車的前進方向， <br/> 在前述無人搬運車潛入前述被搬運物的下方的狀態中，若前述無人搬運車的前進方向與前述被搬運物的寬度方向平行時，從俯視看前述無人搬運車的前進方向的一端及另一端，超出前述被搬運物， <br/> 前述無人搬運車，具有：從俯視看的長度方向的尺寸比前述被搬運物的長度方向的尺寸更短且比前述被搬運物的寬度方向的尺寸更長的車體全長、及從俯視看的寬度方向的尺寸比前述被搬運物的寬度方向的尺寸更短的車體寬度， <br/> 前述無人搬運車，是在潛入至前述被搬運物的下方的狀態中，以使其前進方向成為與前述被搬運物的長度方向平行的方式，實施將前述無人搬運車的前進方向變更的第1前進方向變更動作， <br/> 前述無人搬運車，是從平台將前述被搬運物搬出的情況時， <br/> 實施進入被配置於前述平台的前述被搬運物的下方之前述進入動作， <br/> 將昇降台上昇之後藉由將前述被搬運物載置在前述昇降台而與前述被搬運物連接， <br/> 與前述被搬運物一起從前述平台退出， <br/> 將前述昇降台下降之後藉由從前述昇降台將前述被搬運物卸下而將前述被搬運物分離， <br/> 實施前述第1前進方向變更動作， <br/> 將前述昇降台上昇之後藉由將前述被搬運物載置在前述昇降台而與前述被搬運物連接。
一種無人搬運車的控制方法， <br/> 是對於無人搬運車的動作進行控制的方法，前述無人搬運車是沿著規定的行走路徑自走，前述無人搬運車是包含昇降台，前述昇降台可載置從俯視看呈長條形狀的被搬運物， <br/> 前述無人搬運車，從俯視看呈長條形狀， <br/> 前述無人搬運車的長度方向，是前述無人搬運車的前進方向， <br/> 在前述無人搬運車潛入前述被搬運物的下方的狀態中，若前述無人搬運車的前進方向與前述被搬運物的寬度方向平行時，從俯視看前述無人搬運車的前進方向的一端及另一端，超出前述被搬運物， <br/> 前述無人搬運車，是具有：從俯視看的長度方向的尺寸比前述被搬運物的長度方向的尺寸更短且比前述被搬運物的寬度方向的尺寸更長的車體全長、及從俯視看的寬度方向的尺寸比前述被搬運物的寬度方向的尺寸更短的車體寬度， <br/> 前述無人搬運車的控制方法，具備第1前進方向變更步驟，是在前述無人搬運車已潛入至前述被搬運物的下方的狀態中，將前述無人搬運車的前進方向變更成與前述被搬運物的長度方向平行， <br/> 前述無人搬運車，是從平台將前述被搬運物搬出的情況時， <br/> 實施進入被配置於前述平台的前述被搬運物的下方之前述進入動作， <br/> 將昇降台上昇之後藉由將前述被搬運物載置在前述昇降台而與前述被搬運物連接， <br/> 與前述被搬運物一起從前述平台退出， <br/> 將前述昇降台下降之後藉由從前述昇降台將前述被搬運物卸下而將前述被搬運物分離， <br/> 實施前述第1前進方向變更動作， <br/> 將前述昇降台上昇之後藉由將前述被搬運物載置在前述昇降台而與前述被搬運物連接。
一種粒子測量裝置，包括：<br/> 一流通池單元，包括一個使一液體樣品於其中流動的池中空部分；<br/> 一安裝單元，包括一個容納該流通池單元的至少一部分的容置孔；及<br/> 一共振單元，安置在該安裝單元後方並耦接至該安裝單元，<br/> 其中，該安裝單元包括：<br/> 一安裝本體，其中形成該容置孔；及<br/> 一通道孔，凹陷入該安裝本體的一外表面並與該容置孔連通，<br/> 其中，該共振單元包括：<br/> 一共振本體，在該安裝本體後方並耦接至該安裝本體；及<br/> 用於聲學共振的一空穴，其為一個無容納任何其他元件且形成於該共振本體中的空間，其中該空穴與該通道孔連通；以及<br/> 一測量孔，凹陷入該共振本體的一背面並與該空穴連通，其中參考垂直於一前後方向的截面，該測量孔的截面的一尺寸小於該空穴的截面的一尺寸。
如請求項1所述的粒子測量裝置，其中該空穴凹陷入該共振本體的一前面。
如請求項1所述的粒子測量裝置，其中該空穴包括：<br/> 一第一空穴；以及<br/> 一第二空穴，與該第一空穴隔開，且該第二空穴的尺寸不同於該第一空穴的尺寸；<br/> 且其中該共振單元更包括：<br/> 一第一測量孔，凹陷入該共振本體的該背面並與該第一空穴連通；以及<br/> 一第二測量孔，凹陷入該共振本體的該背面，與該第二空穴連通。
如請求項3所述的粒子測量裝置，其中該第一空穴及該第二空穴朝該流通池單元的一縱向而並列配置。
如請求項4所述的粒子測量裝置，<br/> 其中該流通池單元形成朝一上下方向延長的一形狀，且<br/> 其中該第一空穴及該第二空穴朝該上下方向配置。
如請求項1所述的粒子測量裝置，<br/> 其中該空穴安置在該共振本體內部，及<br/> 其中該共振單元更包括一入射孔，其凹陷入該共振本體的一前面，與該空穴連通，並與該通道孔連通。
如請求項6所述的粒子測量裝置，其中參考垂直於一前後方向的截面，該入射孔的截面的一尺寸小於該空穴的截面的一尺寸。
如請求項1所述的粒子測量裝置，其中該安裝本體包括：<br/> 一第一安裝面，形成該安裝本體的一前面；及<br/> 一第二安裝面，形成該安裝本體的一背面並面對該共振本體，且<br/> 其中該通道孔包括：<br/> 一第一通道孔，凹陷入該第一安裝面並與該容置孔連通；及<br/> 一第二通道孔，凹陷入該第二安裝面，與該容置孔連通，並與該空穴連通。
如請求項8所述的粒子測量裝置，其中<br/> 該安裝本體更包括一第三安裝面及一第四安裝面，該第三安裝面及該第四安裝面連接該第一安裝面與該第二安裝面並面對彼此，及<br/> 其中該通道孔更包括：<br/> 一第三通道孔，凹陷入該第三安裝面並與該容置孔連通；及<br/> 一第四通道孔，凹陷入該第四安裝面並與該容置孔連通。
如請求項1所述的粒子測量裝置，其中該通道孔包括：<br/> 一後側通道孔，凹陷入該安裝本體的一背面，與該容置孔連通，並與該空穴連通；以及<br/> 一側邊通道孔，凹陷入該安裝本體的一側面並與該容置孔連通。
如請求項10所述的粒子測量裝置，其中當一雷射光束通過該側邊通道孔而照射在該流通池單元上時，<br/> 在安置於該池中空部分的該液體樣品中產生一電漿，且藉由該電漿而形成一衝擊波；及<br/> 由該衝擊波所產生的一聲音信號的至少一部分連續地通過該後側通道孔、該空穴以及該測量孔，並在該空穴中被放大。
如請求項11所述的粒子測量裝置， 其中被放大的該聲音信號通過該測量孔並前進至該共振單元的一外部。
一種化合物或其醫藥學上可接受之鹽或酯，其中該化合物為(Z)-2-(3,6-二甲基庚-2,5-二烯-1-基)-5-戊基苯-1,3-二醇。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或酯及針對其之醫藥學上可接受之媒劑。
如請求項2之醫藥組合物，其中該醫藥學上可接受之媒劑係選自由以下組成之群：膠囊、錠劑、糖漿、口含錠、吸入劑、可咀嚼膠狀物、鼻用噴霧、經皮貼片、液體、經黏膜媒劑、水凝膠、奈米體、脂質體、非離子體、奈米粒子、奈米球、微球體、微米粒子、微乳液、奈米懸浮液及微胞。
一種如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或酯或如請求項2或3之醫藥組合物之用途，其係用於製備治療焦慮、成癮或抑鬱之藥物。
一種如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或酯或如請求項2或3之醫藥組合物之用途，其係用於製備治療阿茲海默氏症之藥物。
一種如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或酯或如請求項2或3之醫藥組合物之用途，其係用於製備治療與單胺氧化酶(monoamine oxidase；MAO)活性相關之疾病或病狀的藥物。
如請求項6之用途，其中該與單胺氧化酶(monoamine oxidase；MAO)活性相關之疾病或病狀係抑鬱、疼痛或成癮。
一種如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或酯或如請求項2或3之醫藥組合物之用途，其係用於製備幫助戒菸的藥物。
一種牙科用適合試驗材組合物，其包含第1糊料和第2糊料，該第1糊料和該第2糊料的任一者含有具有烯基的有機聚矽氧烷，且該第1糊料和該第2糊料的任一者含有無機填充材，該第2糊料含有1分子中具有至少3個與矽原子直接結合的氫原子的有機含氫聚矽氧烷，該第1糊料含有有機矽可溶性鉑化合物，且將該第1糊料和該第2糊料進行混煉之後，35秒後的混煉物的23℃時的稠度為39mm以上43mm以下。
根據請求項1所述的牙科用適合試驗材組合物，該第1糊料和該第2糊料的剪切速度100(1/秒)時的23℃時的粘度都為20,000mPa‧s以上60,000mPa‧s以下。
根據請求項1或2所述的牙科用適合試驗材組合物，該有機聚矽氧烷由該第1糊料所包含的第1成分以及該第2糊料所包含的第2成分形成，該第2成分相對於該第1成分的質量比為1.1以上。
一種雷射加工系統，包括： <br/>一機器人； <br/>一雷射光發射工具，組裝於該機器人；以及 <br/>一控制裝置，根據一動作程式控制該機器人及該雷射光發射工具； <br/>其中，該雷射光發射工具，可以單獨地射出二種以上的非同類雷射光； <br/>其中，該控制裝置，根據該動作程式其中之一雷射加工指令，使該雷射光發射工具執行可以同時地射出該非同類雷射光的複數個雷射發射指令。
如請求項1所述之雷射加工系統，其中，該雷射發射指令係為預熱用發射指令及加工用發射指令。
如請求項1或2所述之雷射加工系統，其中，該控制裝置於該雷射加工指令中，可以設定各該雷射發射指令的一發射條件。
如請求項3所述之雷射加工系統，其中，該發射條件包含根據該雷射發射指令所射出之該非同類雷射光的一強度及一發射時間。
如請求項1或2所述之雷射加工系統，其中，該雷射發射指令包含一待機指令，以讓對於該機器人的一動作指令的執行被待機。
如請求項3所述之雷射加工系統，其中，該控制裝置於該動作程式的教導中，透過選擇該雷射加工指令，將該複數個雷射加工指令的執行順序列出並顯示，並於各該雷射發射指令中輸入該發射條件。
如請求項6所述之雷射加工系統，其中，該雷射加工指令具有一雷射加工開始指令，於該動作程式的教導中，在選擇該雷射加工指令後，該控制裝置將要求輸入該雷射發射指令的斜變次數，並根據要求所輸入的斜變次數列出相應數量的該雷射發射指令。
如請求項6所述之雷射加工系統，其中，該雷射加工指令具有一雷射加工結束指令，於該動作程式的教導中，在選擇該雷射加工指令後，該控制裝置將要求輸入該雷射發射指令的斜變次數，並根據要求所輸入的斜變次數列出相應數量的該雷射發射指令。
如請求項6所述之雷射加工系統，其中，該雷射加工指令具有於雷射加工中的一雷射發射條件切換指令，於該動作程式的教導中，在選擇該雷射加工指令後，該控制裝置將要求輸入該雷射發射指令的斜變次數，並根據要求所輸入的斜變次數列出相應數量的該雷射發射指令。
如請求項6所述之雷射加工系統，更儲存一個以上的一表格，該表格列出了以執行順序排列之將該非同類雷射光射出的複數個雷射發射指令，於該雷射加工指令的選擇中，其中之一該表格被選擇時，將被選擇之該表格顯示出。
如請求項10所述之雷射加工系統，其中，該雷射加工指令具有一雷射加工開始指令，於該動作程式的教導中，在選擇該雷射加工指令後，顯示出被選擇之該表格，同時於被顯示的該表格中，該控制裝置將要求輸入該雷射發射指令的斜變次數，並根據要求所輸入的斜變次數列出相應數量的該雷射發射指令。
如請求項10所述之雷射加工系統，其中，該雷射加工指令具有一雷射加工結束指令，於該動作程式的教導中，在選擇該雷射加工指令後，顯示出被選擇之該表格，同時於被顯示的該表格中，該控制裝置將要求輸入該雷射發射指令的斜變次數，並根據要求所輸入的斜變次數列出相應數量的該雷射發射指令。
如請求項10所述之雷射加工系統，其中，該雷射加工指令具有於雷射加工中的一雷射發射條件切換指令，於該動作程式的教導中，在選擇該雷射加工指令後，顯示出被選擇之該表格，同時於被顯示的該表格中，該控制裝置將要求輸入該雷射發射指令的斜變次數，並根據要求所輸入的斜變次數列出相應數量的該雷射發射指令。
一種控制裝置，根據一動作程式控制一機器人及組裝於該機器人的一雷射光發射工具； <br/>其中，透過該動作程式中的一行雷射加工指令，使該雷射光發射工具執行可以同時地射出二種以上的非同類雷射光的複數個雷射發射指令。
如請求項14所述之控制裝置，其中，該雷射發射指令係為預熱用發射指令及加工用發射指令。
如請求項14或15所述之控制裝置，其中，該控制裝置於該雷射加工指令中，可以設定各該雷射發射指令的一發射條件。
如請求項16所述之控制裝置，其中，該發射條件包含根據該雷射發射指令所射出之該非同類雷射光的一強度及一發射時間。
如請求項14或15所述之控制裝置，其中，該雷射發射指令包含一待機指令，以讓對於該機器人的一動作指令的執行被待機。
如請求項16所述之控制裝置，其中，該控制裝置於該動作程式的教導中，透過選擇該雷射加工指令，將該複數個雷射加工指令的執行順序列出並顯示，並於各該雷射發射指令中輸入該發射條件。
如請求項19所述之控制裝置，其中，該雷射加工指令具有一雷射加工開始指令，於該動作程式的教導中，在選擇該雷射加工指令後，該控制裝置將要求輸入該雷射發射指令的斜變次數，並根據要求所輸入的斜變次數列出相應數量的該雷射發射指令。
如請求項19所述之控制裝置，其中，該雷射加工指令具有一雷射加工結束指令，於該動作程式的教導中，在選擇該雷射加工指令後，該控制裝置將要求輸入該雷射發射指令的斜變次數，並根據要求所輸入的斜變次數列出相應數量的該雷射發射指令。
如請求項19所述之控制裝置，其中，該雷射加工指令具有於雷射加工中的一雷射發射條件切換指令，於該動作程式的教導中，在選擇該雷射加工指令後，該控制裝置將要求輸入該雷射發射指令的斜變次數，並根據要求所輸入的斜變次數列出相應數量的該雷射發射指令。
如請求項19所述之控制裝置，更儲存一個以上的一表格，該表格列出了以執行順序排列之將該非同類雷射光射出的複數個雷射發射指令，於該雷射加工指令的選擇中，其中之一該表格被選擇時，將被選擇之該表格顯示出。
如請求項23所述之控制裝置，其中，該雷射加工指令具有一雷射加工開始指令，於該動作程式的教導中，在選擇該雷射加工指令後，顯示出被選擇之該表格，同時於被顯示的該表格中，該控制裝置將要求輸入該雷射發射指令的斜變次數，並根據要求所輸入的斜變次數列出相應數量的該雷射發射指令。
如請求項23所述之控制裝置，其中，該雷射加工指令具有一雷射加工結束指令，於該動作程式的教導中，在選擇該雷射加工指令後，顯示出被選擇之該表格，同時於被顯示的該表格中，該控制裝置將要求輸入該雷射發射指令的斜變次數，並根據要求所輸入的斜變次數列出相應數量的該雷射發射指令。
如請求項23所述之控制裝置，其中，該雷射加工指令具有於雷射加工中的一雷射發射條件切換指令，於該動作程式的教導中，在選擇該雷射加工指令後，顯示出被選擇之該表格，同時於被顯示的該表格中，該控制裝置將要求輸入該雷射發射指令的斜變次數，並根據要求所輸入的斜變次數列出相應數量的該雷射發射指令。
一種記憶體結構，包括：<br/> 基底；<br/> 第一電晶體，其中所述第一電晶體距所述基底第一距離；<br/> 第二電晶體，其中所述第二電晶體距所述基底第二距離，所述第一距離不同於所述第二距離，且所述第一電晶體的第一源極/汲極區連接至所述第二電晶體的第二源極/汲極區；<br/> 多個儲存元件，電性連接至所述第一電晶體與所述第二電晶體二者，其中所述多個儲存元件中的每一者距所述基底第三距離，且所述第三距離不同於所述第一距離與所述第二距離二者；以及<br/> 源極線，連接至所述第二電晶體，其中所述第二電晶體位於所述源極線與所述基底之間。
如請求項1所述的記憶體結構，其中所述第三距離介於所述第一距離與所述第二距離之間。
如請求項1所述的記憶體結構，其中所述第二電晶體包括：<br/> 閘極；以及<br/> 通道層，其中所述閘極位於所述通道層與所述基底之間。
如請求項1所述的記憶體結構，更包括位元線，其中所述位元線電性連接於所述第一源極/汲極區與所述第二源極/汲極區之間。
如請求項1所述的記憶體結構，其中所述第一電晶體是寫入電晶體且所述第二電晶體是讀取電晶體。
如請求項1所述的記憶體結構，更包括電性連接至所述第二電晶體的參考電壓載送導線，其中所述第二電晶體位於所述參考電壓載送導線與所述基底之間。
如請求項1所述的記憶體結構，更包括位元線，其中所述位元線選擇性地電性連接至所述第二電晶體。
如請求項1所述的記憶體結構，其中在平面圖中，所述第二電晶體直接位於所述第一電晶體上方。
一種半導體裝置，包括：<br/> 基底；<br/> 寫入電晶體，與所述基底接觸；<br/> 內連線結構，位於所述基底之上；<br/> 讀取電晶體，整體地位於所述內連線結構內；<br/> 至少一個儲存元件，電性連接至所述寫入電晶體及所述讀取電晶體，其中所述寫入電晶體被配置成控制所述至少一個儲存元件中的每一者，且所述讀取電晶體被配置成基於所述至少一個儲存元件中的每一者來輸出訊號；以及<br/> 源極線，連接至所述讀取電晶體，其中所述讀取電晶體位於所述源極線與所述基底之間。
一種製作半導體裝置的方法，包括：<br/> 形成與基底接觸的寫入電晶體；<br/> 在所述基底之上形成內連線結構；<br/> 在所述內連線結構中形成讀取電晶體，其中所述讀取電晶體自所述基底實體地分離；<br/> 形成電性連接至所述寫入電晶體及所述讀取電晶體中的每一者的至少一個儲存元件，其中形成所述至少一個儲存元件包括在垂直於所述基底的頂表面的方向上在所述寫入電晶體與所述讀取電晶體之間形成所述至少一個儲存元件；以及<br/> 形成連接至所述讀取電晶體的源極線，其中所述讀取電晶體位於所述源極線與所述基底之間。
一種面板，包括：<br/> 一第一基板；<br/> 一第二基板，相對於該第一基板；<br/> 一介質層，設置於該第一基板與該第二基板之間；<br/> 一框膠，設置於該第一基板與該第二基板之間且環繞該介質層；<br/> 多個第一電極，設置於該第一基板與該介質層之間；<br/> 多個第一導電線，設置於該第一基板及該多個第一電極之間；以及<br/> 多個連接線，設置於該第二基板與該多個第一電極之間，<br/> 其中該框膠包括多個導電粒子，該多個第一電極經由該多個導電粒子與該多個連接線電性連接，該多個連接線中之相鄰的兩連接線之間具有一第一間距S1，該多個導電粒子中的其中一導電粒子具有一寬度W，且該第一間距S1與該寬度W符合以下關係式：<br/> 3≦S1/W≦20 ，<br/> 其中各該第一導電線包括與該框膠重疊的一開口。
如請求項1所述之面板，其中該多個第一電極中之相鄰的兩第一電極之間具有一第二間距S2，且該第二間距S2與該寬度W符合以下關係式：<br/> 3≦S2/W≦20 。
如請求項1所述之面板，其中該框膠包括一體積百分比為A%的該多個導電粒子，且該體積百分比、該第一間距S1與該寬度W符合以下關係式：<br/> Ax4xW≦S1 。
如請求項1所述之面板，其中該多個第一電極中之相鄰的兩第一電極之間具有一第二間距S2，且該框膠包括一體積百分比為A%的該多個導電粒子，且該體積百分比、該第二間距S2與該寬度W符合以下關係式：<br/> Ax4xW≦S2 。
如請求項1所述之面板，其中該開口設置於各該第一導電線的一第二部分，且對應於該開口之該第二部分的線寬小於20 μm 。
如請求項5所述之面板，其中各該第一導電線具有與該第二部分連接的一第一部分，該第一部分與該框膠重疊，且該第一部分的線寬小於40 μm 。
一種面板，包括：<br/> 一第一基板；<br/> 一第二基板，相對於該第一基板；<br/> 一介質層，設置於該第一基板與該第二基板之間；<br/> 多個第一電極，設置於該第一基板與該介質層之間，其中該多個第一電極包括一連接第一電極以及一鄰近第一電極； <br/> 多個連接線設置於該第二基板與該多個第一電極之間，其中該多個連接線包括一第一連接線以及一第二連接線；以及<br/> 至少一導電間隔物，電性連接於該連接第一電極以及該第一連接線，<br/> 其中該第二連接線相鄰於該第一連接線，且該至少一導電間隔物與該第二連接線間隔一第三間距S3，且該第三間距S3大於或等於3 μm 且小於或等於50 μm 。
如請求項7所述之面板，其中該鄰近第一電極相鄰於該連接第一電極，且該至少一導電間隔物與該鄰近第一電極間隔一第四間距S4，且該第四間距S4大於或等於3 μm 且小於或等於50 μm 。
如請求項7所述之面板，其進一步包括設置於該第一基板與該第二基板之間且環繞該介質層的一框膠，其中該至少一導電間隔物位於被該框膠所環繞的區域中。
一種面板，包括：<br/> 一第一基板；<br/> 一第二基板，相對於該第一基板；<br/> 一介質層，設置於該第一基板與該第二基板之間；<br/> 多個第一電極，設置於該第一基板與該介質層之間，且包括一連接第一電極以及一鄰近第一電極； <br/> 多個導電接線設置於該第二基板與該多個第一電極之間；以及<br/> 至少一導電間隔物，電性連接於該連接第一電極以及該多個導電接線中的一導電接線，<br/> 該鄰近第一電極相鄰於該連接第一電極，且該至少一導電間隔物與該鄰近第一電極間隔一第五間距S5，且該第五間距S5大於或等於3 μm 且小於或等於50 μm 。
一種用於表徵製造裝備的一個或多個部件以引起一改正動作的方法，該方法包括以下步驟：<br/> 接收第一資料，該第一資料表明一第一品質參數的一第一範圍的值，該第一品質參數描述正被考慮安裝在一製造腔室中的一第一類型的一第一製造腔室部件的一個或多個性質，該第一範圍的值中的每個值滿足一個或多個第一閾值準則；<br/> 接收第二資料，該第二資料表明安裝在該製造腔室中的一個或多個部件的一個或多個品質參數的值，其中該一個或多個部件屬於一第二製造腔室部件類型；<br/> 向該製造腔室的一基於物理學的模型提供該第一資料和該第二資料；<br/> 從該基於物理學的模型，接收第三資料，該第三資料根據安裝在該製造腔室中的該一個或多個部件的該等品質參數的值和該第一製造腔室部件的該第一品質參數的該等值預測該製造腔室的效能；以及<br/> 基於該製造腔室的經預測的該效能，決定是否要將該第一製造腔室部件安裝在該製造腔室中。
如請求項1所述的方法，其中該一個或多個第一閾值準則包括針對該第一製造腔室部件類型的一個或多個製造規格。
如請求項1所述的方法，其中決定是否要將該第一類型的該第一製造腔室部件安裝在該製造腔室中的步驟包括以下步驟：藉由利用表明該第一品質參數的該等值與該製造腔室中的一第一組經預測條件之間的一關係的第四資料，以及表明與該第一製造腔室部件相關聯的該第一品質參數的一值的第五資料，決定該第一製造腔室部件是否會使該製造腔室能夠實現目標處理條件。
如請求項1所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 接收與一第一製造過程相關聯的第一製程規格；<br/> 決定該第一製造腔室部件將促進該製造腔室中的條件符合該等第一製程規格的一第一機率；以及<br/> 根據該第一機率將一第一分類類別分配給該第一製造腔室部件。
如請求項4所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 接收與一第二製造過程相關聯的第二製程規格；<br/> 決定該第一製造腔室部件將促進該製造腔室中的條件符合該等第二製程規格的一第二機率；以及<br/> 根據該第二機率將一第二分類類別分配給該第一製造腔室部件。
如請求項1所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 接收第四資料，該第四資料表明該第一類型的一第二品質參數的一第二範圍的值，該第二範圍的值中的每個值滿足一個或多個閾值準則；<br/> 向該製造腔室的該基於物理學的模型提供該第四資料；<br/> 從該基於物理學的模型，接收第五資料，該第五資料表明該第二品質參數的該等值與該製造腔室中的第二經預測條件之間的關係；以及<br/> 基於該等第二經預測條件，決定是否要將該第一類型的該第一製造腔室部件安裝在該製造腔室中。
如請求項1所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 接收第四資料，該第四資料表明一第三製造腔室部件類型的一第二品質參數的一第二範圍的值，該第二範圍的值中的每個值滿足一個或多個第二閾值準則；<br/> 向該製造腔室的該基於物理學的模型提供該第四資料；<br/> 從該基於物理學的模型，接收第五資料，該第五資料表明該第二品質參數的該等值與該製造腔室中的第二經預測條件之間的關係；以及<br/> 基於該等第二經預測條件，決定是否要將該第三類型的一第二製造腔室部件安裝在該製造腔室中。
一種儲存指令的非暫時性電腦可讀取儲存媒體，該等指令當由一處理設備執行時，導致該處理設備執行包括以下步驟的操作：<br/> 接收第一資料，該第一資料表明一個或多個品質參數的值，該一個或多個品質參數描述安裝在一製造腔室中的一個或多個製造腔室部件的一個或多個性質，其中該一個或多個製造腔室部件屬於一第一製造腔室部件類型；<br/> 接收第二資料，該第二資料表明一新的製造腔室部件的一第一品質參數的一第一值，其中該新的製造腔室部件正被考慮安裝到該製造腔室中，並且其中該新的製造腔室部件屬於一第二製造腔室部件類型；<br/> 向一基於物理學的模型提供該第一資料和該第二資料；<br/> 從該基於物理學的模型，接收根據安裝在該製造腔室中的該一個或多個製造腔室部件的該一個或多個品質參數的該等值和該新的製造腔室部件的該第一品質參數的該第一值對該製造腔室的效能的一預測；以及<br/> 基於經預測的該效能，決定是否要將該新的製造腔室部件安裝在該製造腔室中。
如請求項8所述的非暫時性電腦可讀取儲存媒體，其中該等操作進一步包括以下步驟：<br/> 根據對該製造腔室的效能的該預測，更新與該製造腔室相關聯的一製程的一製程配方。
如請求項8所述的非暫時性電腦可讀取儲存媒體，其中根據該新的製造腔室部件的該第一品質參數的該第一值，該新的製造腔室部件被預先篩選用於與該製造腔室相關聯的一製造過程中。
如請求項8所述的非暫時性電腦可讀取儲存媒體，其中該等操作進一步包括以下步驟：<br/> 接收第三資料，該第三資料表明該新的製造腔室部件的一第二品質參數的一第二值；以及<br/> 向該基於物理學的模型提供該第三資料，其中來自該基於物理學的模型的對效能的該預測是根據該第一資料、該第二資料和該第三資料產生的。
一種用於表徵製造裝備的一個或多個部件以引起一改正動作的方法，該方法包括以下步驟：<br/> 接收一第一製造腔室的經預測的效能資料，作為來自該第一製造腔室的一第一基於物理學的模型的輸出，其中該第一基於物理學的模型的該輸出是根據一第一品質參數的一第一值產生的，該第一品質參數描述該第一製造腔室的一第一部件的一個或多個性質，<br/> 其中該第一部件是基於一第二基於物理學的模型的輸出安裝在該第一製造腔室中的，其中該第二基於物理學的模型的該輸出是該第一製造腔室的一經預測效能，該經預測效能是根據該第一值和安裝在該第一製造腔室中的一個或多個部件的一個或多個品質參數的值，其中第一部件屬於一第一製造腔室部件類型，並且該一個或多個製造腔室部件屬於一第二製造腔室部件類型；<br/> 接收與該第一製造腔室相關聯的測得的效能資料；以及<br/> 根據該經預測的效能資料和該測得的效能資料，導致一改正動作的執行。
如請求項12所述的方法，其中該第一基於物理學的模型的該輸出是進一步根據該第一製造腔室的該第一部件的一第二品質參數的一第二值。
如請求項12所述的方法，其中該第一基於物理學的模型的該輸出是進一步根據該第一製造腔室的一第二部件的一第二品質參數的一第二值。
如請求項12所述的方法，其中該第一製造腔室的該第一部件的該第一品質參數的該第一值在一製造規格內。
如請求項12所述的方法，其中基於根據以下項目分配給該第一製造腔室的該第一部件的一分類，將該第一製造腔室的該第一部件安裝在該第一製造腔室中：<br/> 該第一部件的該第一品質參數的該第一值；<br/> 與該第一製造腔室相關聯的一製造過程的製程規格；以及<br/> 第三基於物理學的模型的輸出，其中該第三基於物理學的模型被配置為預測在該第一部件被安裝在一第二製造腔室中的情況下，在該製造過程期間在該第二製造腔室中實現的條件。
如請求項12所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 提供該第一製造腔室的歷史效能資料，作為用於訓練一機器學習模型的訓練輸入；以及<br/> 提供安裝在該第一製造腔室中的該一個或多個部件的該一個或多個品質參數，作為用於訓練該機器學習模型的目標輸出，其中該改正動作要根據該經訓練的機器學習模型的輸出來執行。
如請求項12所述的方法，其中導致一改正動作的執行的步驟包括以下步驟：<br/> 向一經訓練的機器學習模型提供該第一製造腔室的效能資料；<br/> 接收該第一製造腔室的該一個或多個部件的該一個或多個品質參數的經預測的值，作為來自該經訓練的機器學習模型的輸出；以及<br/> 根據來自該經訓練的機器學習模型的該輸出，識別要執行的一改正動作。
一種用於將一像素陣列劃分為切片(slices)及分塊(tiles)以藉由配置於一第一影像處理電路系統中之一第一編碼器及配置於一第二影像處理電路系統中之一第二編碼器將該像素陣列編碼成一經編碼視訊流之方法，其中該像素陣列之像素沿一垂直方向及一水平方向每隔一定間隔配置，其中各切片以橫跨(over)該陣列之整個寬度的一條水平直線與各別相鄰切片分離(separated)在無需存取與其他切片相關之影像資料之情況下編碼，且各分塊以橫跨一切片之整個高度的一條垂直直線與相同切片中之各別相鄰分塊分離且在無需存取與其他分塊相關之影像資料之情況下編碼，其中該像素陣列由具有儲存於配置於該第一影像處理電路系統中之一第一緩衝器中之像素資料之一第一像素子集及具有儲存於配置於該第二影像處理電路系統中之一第二緩衝器中之像素資料之一第二像素子集組成，其中該第一像素子集與該第二像素子集之間的一第一邊界(border)相對於該像素陣列以一傾斜角傾斜，該方法包括： <br/>將該像素陣列劃分為兩個或更多個切片；及 <br/>將各切片劃分為兩個或更多個分塊，其中各切片之該兩個或更多個分塊由一第一分塊子集及一第二分塊子集組成，其中該第一分塊子集及該第二分塊子集係分離的且該第一分塊子集將由該第一編碼器編碼且該第二分塊子集將由該第二編碼器編碼， <br/>其中將各切片劃分為兩個或更多個分塊之動作包括使該第一分塊子集與該第二分塊子集之間的一第二邊界以該兩個或更多個切片之兩個相鄰切片之間沿該水平方向之一偏移設定，使得兩個相鄰切片中之該第一分塊子集與該第二分塊子集之間的該等第二邊界不沿該水平方向對準，其中該偏移係基於該傾斜角使得將編碼入具有儲存在該第二緩衝器中之像素資料之各切片之該第一分塊子集之該等像素之數量加上將編碼入具有儲存在該第一緩衝器中之像素資料之各切片之該第二分塊子集之該等像素之數量相對於不使用一偏移之情況下減少。
如請求項1之方法，其中該傾斜角沿該第一像素子集與該第二像素子集之間的該第一邊界恆定。
如請求項1之方法，其中該傾斜角沿該第一像素子集與該第二像素子集之間的該第一邊界變化， <br/>其中將該像素陣列劃分為兩個或更多個切片之動作包括將該像素陣列劃分為三個或更多個切片， <br/>其中將各切片劃分為兩個或更多個分塊之動作包括針對該三個或更多個切片之各兩個相鄰切片，使該兩個相鄰切片之各切片之該第一分塊子集與該第二分塊子集之間的該第二邊界以一偏移設定，其中該偏移係基於該兩個相鄰切片中之該第一像素子集與該第二像素子集之間的該第一邊界之一局部傾斜角。
如請求項3之方法，其中該第一像素子集與該第二像素子集之間的該第一邊界係彎曲的。
如請求項3之方法，其中該第一像素子集與該第二像素子集之間的該第一邊界在該像素陣列之單獨水平部分中以一恆定但單獨傾斜角傾斜。
如請求項5之方法， <br/>其中將該像素陣列劃分為三個或更多個切片之動作包括藉由將該像素陣列之各單獨水平部分劃分為兩個或更多個切片來將該像素陣列劃分為四個或更多個切片，使得針對各兩個相鄰水平部分，該兩個相鄰水平部分之間的一第三邊界與兩個切片之間的一第四邊界對準。
如請求項3至6之任一項之方法，其中該兩個相鄰切片中之該第一像素子集與該第二像素子集之間的該第一邊界之該局部傾斜角經判定為該兩個相鄰切片中之一平均傾斜角。
如請求項1之方法，其中該兩個或更多個切片之各者之該兩個或更多個分塊之對應分塊之大小在該兩個或更多個切片之各者中係相同的。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>將編碼成具有儲存於該第二緩衝器中之像素資料之各切片之該第一分塊子集之像素之像素資料傳送至該第一編碼器； <br/>由該第一編碼器編碼該第一分塊子集； <br/>將編碼成具有儲存於該第一緩衝器中之像素資料之各切片之該第二分塊子集之像素之像素資料傳送至該第二編碼器；及 <br/>由該第二編碼器編碼該第二分塊子集。
一種非暫時性電腦可讀儲存媒體，其上儲存有在由具有處理能力之一裝置執行時用於實施如請求項1至6之任一項之方法之指令。
一種用於將一像素陣列劃分為切片及分塊以藉由配置於一第一影像處理電路系統中之一第一編碼器及配置於一第二影像處理電路系統中之一第二編碼器將該像素陣列編碼成一經編碼視訊流之影像處理裝置，其中該像素陣列之像素沿一垂直方向及一水平方向每隔一定間隔配置，其中各切片橫跨該陣列之整個寬度的一條水平直線與各別相鄰切片分離且在無需存取與其他切片相關之影像資料之情況下編碼，且各分塊以橫跨一切片之整個高度的一條垂直直線與同一切片中之各別相鄰分塊分離且在無需存取與其他分塊相關之影像資料之情況下編碼，其中該像素陣列由具有儲存於配置於該第一影像處理電路系統中之一第一緩衝器中之像素資料之一第一像素子集及具有儲存於配置於該第二影像處理電路系統中之一第二緩衝器中之像素資料之一第二像素子集組成，其中該第一像素子集與該第二像素子集之間的一第一邊界相對於該像素陣列以一傾斜角傾斜，該影像處理裝置包括經組態以執行以下之電路系統： <br/>一第一劃分功能，其經組態以將該像素陣列劃分為兩個或更多個切片；及 <br/>一第二劃分功能，其經組態以將各切片劃分為兩個或更多個分塊，其中各切片之該兩個或更多個分塊由一第一分塊子集及一第二分塊子集組成，其中該第一分塊子集及該第二分塊子集係分離的且該第一分塊子集將由該第一編碼器編碼且該第二分塊子集將由該第二編碼器編碼， <br/>其中該第二劃分功能進一步經組態以使該第一分塊子集與該第二分塊子集之間的一第二邊界以該兩個或更多個切片之兩個相鄰切片之間沿該水平方向之一偏移設定，使得兩個相鄰切片中之該第一分塊子集與該第二分塊子集之間的該等第二邊界不沿該水平方向對準，其中該偏移係基於該傾斜角使得將編碼入具有儲存在該第二緩衝器中之像素資料之各切片之該第一分塊子集之該等像素之數量加上將編碼入具有儲存在該第一緩衝器中之像素資料之各切片之該第二分塊子集之該等像素之數量相對於不使用一偏移之情況下減少。
如請求項11之影像處理裝置，其中該傾斜角沿該第一像素子集與該第二像素子集之間的該第一邊界變化， <br/>其中該第一劃分功能經組態以將該像素陣列劃分為三個或更多個切片，且 <br/>其中第二劃分功能經組態以針對該三個或更多個切片之各兩個相鄰切片使該兩個相鄰切片之各切片之該第一分塊子集與該第二分塊子集之間的該第二邊界以一偏移設定，其中該偏移係基於該兩個相鄰切片中之該第一像素子集與該第二像素子集之間的該第一邊界之一局部傾斜角。
如請求項12之影像處理裝置，其中該第一像素子集與該第二像素子集之間的該第一邊界在該像素陣列之單獨水平部分中以一恆定但單獨傾斜角傾斜， <br/>其中該第二劃分功能經組態以將該像素陣列之各單獨水平部分劃分為兩個或更多個切片，使得針對各兩個相鄰水平部分，該兩個相鄰水平部分之間的一第三邊界與兩個相鄰切片之間的一第四邊界對準。
如請求項12或13之影像處理裝置，其中該第二劃分功能進一步經組態以將該兩個相鄰切片中之該第一像素子集與該第二像素子集之間的該第一邊界之該局部傾斜角判定為該兩個相鄰切片中之一平均傾斜角。
一種用於將一像素陣列編碼成一經編碼視訊流之系統，其中該像素陣列之像素沿一垂直方向及一水平方向每隔一定間隔配置，其中該像素陣列由一第一像素子集及一第二像素子集組成且該第一像素子集與該第二像素子集之間的一第一邊界相對於該像素陣列以一傾斜角傾斜，該系統包括： <br/>第一影像處理電路系統； <br/>第二影像處理電路系統； <br/>一第一編碼器，其配置於該第一影像處理電路系統中； <br/>一第二編碼器，其配置於該第二影像處理電路系統中； <br/>一第一緩衝器，其配置於該第一影像處理電路系統中，該第一緩衝器儲存該第一像素子集之像素資料； <br/>一第二緩衝器，其配置於該第二影像處理電路系統中，該第二緩衝器儲存該第二像素子集之像素資料； <br/>電路系統，其經組態以執行： <br/>一第一劃分功能，其經組態以將該像素陣列劃分為兩個或更多個切片，其中各切片以橫跨該陣列之整個寬度的一條水平直線與各別相鄰切片分離且在無需存取與其他切片相關之影像資料之情況下編碼； <br/>一第二劃分功能，其經組態以將各切片劃分為兩個或更多個分塊，其中各分塊以橫跨一切片之整個高度的一條垂直直線與同一切片中之各別相鄰分塊分離且在無需存取與其他分塊相關之影像資料之情況下編碼，其中各切片之該兩個或更多個分塊由一第一分塊子集及一第二分塊子集組成，其中該第一分塊子集及該第二分塊子集係分離的且該第一分塊子集將由該第一編碼器編碼且該第二分塊子集將由該第二編碼器編碼， <br/>其中該第二劃分功能進一步經組態以使該第一分塊子集與該第二分塊子集之間的一第二邊界以該兩個或更多個切片之兩個相鄰切片之間沿該水平方向之一偏移設定，使得兩個相鄰切片中之該第一分塊子集與該第二分塊子集之間的該等第二邊界不沿該水平方向對準，其中該偏移係基於該傾斜角使得將編碼入具有儲存在該第二緩衝器中之像素資料之各切片之該第一分塊子集之該等像素之數量加上將編碼入具有儲存在該第一緩衝器中之像素資料之各切片之該第二分塊子集之該等像素之數量相對於不使用一偏移之情況下減少； <br/>一第一傳送功能，其經組態以將具有儲存於該第二緩衝器中之像素資料之各切片之該第一分塊子集之像素之像素資料傳送至該第一編碼器；及 <br/>一第二傳送功能，其經組態以將具有儲存於該第一緩衝器中之像素資料之各切片之該第二分塊子集之像素之像素資料傳送至該第二編碼器； <br/>其中該第一編碼器經組態以編碼該第一分塊子集，且 <br/>其中該第二編碼器經組態以編碼該第二分塊子集。
一種微型LED顯示裝置，其包括：<br/> 至少一個單片微型LED投影器，其被形成用於個別地生成一種顏色的或不同顏色的單色圖像；<br/> 光波導，其被形成用於從所述單片微型LED投影器分别接收所述單色圖像並且分别傳遞所述單色圖像；其中，所述單片微型LED投影器包括使用微型LED來顯示像素的微型LED陣列；其中，一些微型LED的主光角不同。
如請求項1所述的微型LED顯示裝置，其中，所述單片微型LED投影器包括：單片微型LED面板和具有至少一個透鏡的準直器單元，其中，來自所述單片微型LED面板的光被形成用於透射到所述準直器單元中並且在其中進行校正。
如請求項2所述的微型LED顯示裝置，其中，所述單片微型LED投影器與所述光波導之間形成空間。
如請求項3所述的微型LED顯示裝置，其中，所述準直器單元的表面與所述光波導之間的距離不大於所述準直器單元的厚度。
如請求項2所述的微型LED顯示裝置，其中，所述光波導包括輸入區，從所述準直器單元發射的主光線形成爲與所述輸入區的法線方向平行；其中，從所述準直器單元發射的所述主光線與所述輸入區的所述法線方向之間的角度的偏離不大於5°。
如請求項1所述的微型LED顯示裝置，其中，所述微型LED投影器的所述微型LED包括：<br/> 微型台面結構，其包括第一半導體層、發光層和第二半導體層；<br/> 微型透鏡，其形成在所述微型台面結構的上方；<br/> 其中，在一些微型LED中，所述微型透鏡的中心軸線從所述微型台面結構的中心軸線偏移。
如請求項1所述的微型LED顯示裝置，其中，所述微型LED面板中的所述微型LED的主光角從所述微型LED陣列上方的任意點增加到所述微型LED陣列的邊緣。
如請求項1所述的微型LED顯示裝置，其中，所述微型LED面板中的所述微型LED的主光角從所述微型LED陣列的中心增加到所述微型LED陣列的邊緣。
如請求項1所述的微型LED顯示裝置，其中，所述微型LED結構的主光角以一定的量增加；所述一定的量取決於所述微型LED陣列的行數、列數和尺寸。
如請求項1所述的微型LED顯示裝置，其中，從所述微型LED陣列發射的主光線自動地被準直在所述微型LED陣列上方的點處。
如請求項10所述的微型LED顯示裝置，其中，從所述微型LED陣列發射的所述主光線自動地被準直在所述微型LED陣列的中心軸線上的一個點處。
如請求項1所述的微型LED顯示裝置，其中，所述主光角相對於所述微型LED的豎直軸線在0°至45°的範圍內。
如請求項2所述的微型LED顯示裝置，其中，所述微型LED面板與所述準直器單元的表面之間的距離不大於2 mm。
如請求項2所述的微型LED顯示裝置，其中，準直器組的尺寸由所述微型LED面板的有效發射區域和所述準直器組上的光區域決定。
如請求項1所述的微型LED顯示裝置，其中，所述單片微型LED投影器包括：<br/> 第一單片微型LED投影器單元，其生成第一顏色的第一單色圖像；<br/> 第二單片微型LED投影器單元，其生成第二顏色的第二單色圖像；以及<br/> 第三單片微型LED投影器單元，其生成第三顏色的第三單色圖像；<br/> 其中，所述第一單片微型LED投影器單元包括至少一個第一子單片微型LED投影器，所述第二單片微型LED投影器單元包括至少一個第二子單片微型LED投影器，並且所述第三單片微型LED投影器單元包括至少一個第三子單片微型LED投影器；其中，所述第一顏色、所述第二顏色和所述第三顏色不同。
如請求項15所述的微型LED顯示裝置，其中，所述第一單片微型LED投影器單元包括一個第一單片微型LED投影器，所述第二單片微型LED投影器單元包括一個第二單片微型LED投影器，並且所述第三單片微型LED投影器單元包括兩個第三單片微型LED投影器。
如請求項15所述的微型LED顯示裝置，其中，所述第一顏色爲藍色，所述第二顏色爲綠色，並且所述第三顏色爲紅色。
如請求項15所述的微型LED顯示裝置，其中，所述光波導包括至少兩個光柵通道，所述至少兩個光柵通道分别與所述單片微型LED投影器單元對準，並且分别傳遞所述不同顏色的單色圖像。
如請求項18所述的微型LED顯示裝置，其中，所述光波導包括至少兩個光柵通道，所述至少兩個光柵通道分别與所述單片微型LED投影器對準，並且分别傳遞所述單色圖像。
如請求項1所述的微型LED顯示裝置，其中，所述光波導包括：至少兩個光柵區，其分别傳遞所述單色圖像；以及光學組合單元，其被形成用於接收所述單色圖像並且用於通過將所述單色圖像重疊而將它們組合成目標圖像。
如請求項1所述的微型LED顯示裝置，其中，所述光波導包括：一個光柵區，其傳遞所述單色圖像；以及光學組合單元，其被形成用於接收所述單色圖像並且用於通過將所述單色圖像重疊而將它們組合成目標圖像。
一種電子組件的製造方法，所述方法包括：<br/>製備第一結構，在所述第一結構中，第一電極配置在第一基板的第一主表面上；<br/>製備第二結構，在所述第二結構中，第二電極配置在第二基板的第一主表面上；以及<br/>在使所述第一基板的第一主表面與所述第二基板的第一主表面經由接合構件彼此面對並對所述第一結構和所述第二結構施加力從而對所述接合構件加壓的情況下將所述接合構件固化，<br/>其中，所述第一電極和所述第二電極中的至少一者包括窗口部，並且在所述固化中，透過以通過所述窗口部的光照射所述接合構件來將所述接合構件固化；<br/>其中，所述接合構件包括配置在沒有夾在所述第一電極與所述第二電極之間的第一區域中的第一部分以及配置在夾在所述第一電極與所述第二電極之間的第二區域中的第二部分，並且<br/>所述固化包括：<br/>在透過以所述光選擇性地照射所述第一部分來增加所述第一部分的流動性之後將所述第一部分固化，以及<br/>在所述第一部分的固化之後，在透過以通過所述窗口部的所述光選擇性地照射所述第二部分的存在所述窗口部的部分來增加所述第二部分的流動性之後將所述第二部分固化。
如請求項1所述的方法，其中，<br/>所述窗口部是開口部。
如請求項1所述的方法，其中，<br/>所述接合構件對所述光的吸收率高於所述第一電極和所述第二電極中的包括所述窗口部的一者對所述光的吸收率。
如請求項1至3中的任一項所述的方法，其中，<br/>所述第一結構包括多個所述第一電極，並且所述多個第一電極沿著預定方向配置，<br/>所述第二結構包括多個所述第二電極，並且所述多個第二電極沿著所述預定方向配置，並且<br/>所述接合構件的固化包括：<br/>以所述光在所述預定方向上照射所述接合構件中央部，以及<br/>在照射所述中央部之後，以所述光在所述預定方向上照射所述接合構件的周邊部。
一種電子組件，包括；<br/>第一結構，在所述第一結構中，第一電極配置在第一基板的第一主表面上，<br/>第二結構，在所述第二結構中，第二電極配置在第二基板的第一主表面上，以及<br/>接合構件，其配置於所述第一基板的第一主表面與所述第二基板的第一主表面之間以電接合所述第一電極與所述第二電極；<br/>其中，所述第一電極和所述第二電極中的至少一者包括透射光的窗口部；<br/>其中，所述接合構件包括配置在沒有夾在所述第一電極與所述第二電極之間的第一區域中的第一部分以及配置在夾在所述第一電極與所述第二電極之間的第二區域中的第二部分，並且<br/>所述固化包括：<br/>在透過以所述光選擇性地照射所述第一部分來增加所述第一部分的流動性之後將所述第一部分固化，以及<br/>在所述第一部分的固化之後，在透過以通過所述窗口部的所述光選擇性地照射所述第二部分的存在所述窗口部的部分來增加所述第二部分的流動性之後將所述第二部分固化。
如請求項5所述的電子組件，其中，<br/>一個窗口部設置在作為所述第一電極和所述第二電極中的至少一者的一個電極中。
如請求項5所述的電子組件，其中，<br/>包括所述窗口部的多個窗口部設置在作為所述第一電極和所述第二電極中的所述至少一者的一個電極中。
如請求項7所述的電子組件，其中，<br/>所述多個窗口部沿著所述一個電極的縱向配置，並且<br/>從所述一個電極的橫向上的邊緣到所述多個窗口部中的每個窗口部的距離大於所述多個窗口部中彼此相鄰的窗口部之間的間隔。
如請求項7所述的電子組件，其中，<br/>所述一個電極的沿著縱向的中心線配置為穿越所述多個窗口部。
如請求項7所述的電子組件，其中，<br/>所述多個窗口部呈網格配置。
一種電子裝置，其包括如請求項5至10中的任一項界定的電子組件，其中，<br/>所述電子組件形成為顯示面板。
一種電子裝置的製造方法，包括：<br/> 提供基板；<br/> 形成導電層於所述基板上；<br/> 形成電路結構於所述導電層上；以及<br/> 圖案化所述電路結構以形成至少一開口，<br/> 其中所述至少一開口具有階梯狀輪廓；<br/> 形成接合墊於所述至少一開口中；以及<br/> 提供晶片於所述接合墊上，其中所述晶片與所述導電層電性連接。
如請求項1所述的電子裝置的製造方法，其中形成所述電路結構於所述導電層上的步驟包括：<br/> 形成介質層於所述導電層上；<br/> 圖案化所述介質層以形成第一子開口；<br/> 形成主動元件層於所述介質層上；以及<br/> 圖案化所述主動元件層以形成第二子開口，<br/> 其中所述第二子開口於所述基板的俯視方向上對應所述第一子開口以定義所述至少一開口。
如請求項1所述的電子裝置的製造方法，其中所述至少一開口暴露出部分的所述導電層，且在形成所述接合墊於所述至少一開口中之前，對暴露出的所述導電層的頂表面進行表面處理製程。
如請求項1所述的電子裝置的製造方法，其中在形成所述電路結構於所述導電層上的步驟中，形成主動元件，且所述主動元件與所述晶片電性連接。
如請求項1所述的電子裝置的製造方法，其中形成所述電路結構於所述導電層上的步驟包括：<br/> 形成第一絕緣層於所述導電層上；<br/> 圖案化所述第一絕緣層以形成第一子開口；<br/> 形成主動元件層於所述第一絕緣層上，其中在形成所述主動元件層的步驟中形成第二子開口；以及<br/> 圖案化所述主動元件層以形成第三子開口，<br/> 其中所述第三子開口、所述第二子開口與所述第一子開口於所述基板的俯視方向上對應以定義所述至少一開口。
如請求項5所述的電子裝置的製造方法，其中形成所述主動元件層於所述第一絕緣層上包括以下步驟：<br/> 形成第二絕緣層於圖案化的所述第一絕緣層上；以及<br/> 圖案化所述第二絕緣層以形成所述第二子開口。
一種電子裝置，包括：<br/> 基板；<br/> 導電層，設置於所述基板上；<br/> 電路結構，設置於所述導電層上且包括至少一開口；<br/> 接合墊，設置於所述至少一開口中；<br/> 晶片，設置於所述接合墊上且與所述導電層電性連接，<br/> 其中所述至少一開口具有階梯狀輪廓；以及<br/> 至少一薄膜電晶體，所述至少一薄膜電晶體與所述晶片電性連接。
如請求項7所述的電子裝置，其中所述至少一薄膜電晶體包括非晶矽。
一種光子結構，包括： <br/>波導結構，包括： <br/>多個側壁，及 <br/>端面， <br/>其中所述波導結構被配置成沿位於所述多個側壁之間的近似線性路徑朝所述端面傳播電磁波，且 <br/>其中所述端面被定向成與所述近似線性路徑近似正交； <br/>光學衰減器結構，靠近所述端面位於所述多個側壁中的一或多者上，而不延伸到所述波導結構的中間部分， <br/>其中所述光學衰減器結構的長度對應於所述波導結構的長度的一部分， <br/>其中所述光學衰減器結構包括： <br/>位於所述多個側壁中的相對的側壁上的一些部分，且 <br/>其中所述光學衰減器結構除了位於所述相對的側壁上的所述一些部分之外不包括位於側壁上的部分。
如請求項1所述的光子結構，其中所述光學衰減器結構包括：經摻雜材料，其中所述摻雜材料包括： <br/>鍺材料或矽材料。
如請求項1所述的光子結構，其中所述光學衰減器結構包括：金屬材料，其中所述金屬材料包括： <br/>鋁材料、銅材料、矽化物材料或鎢材料。
一種形成光子結構的方法，包括： <br/>在基底的頂表面上形成包覆層； <br/>在所述包覆層的頂表面上形成波導層，其中所述波導結構包括：多個側壁及端面；以及 <br/>在與所述波導層的一部分對應的波導結構的一或多個表面上形成光學衰減器結構，其中所述光學衰減器結構靠近所述波導結構的所述端面而不延伸到所述波導結構的中間部分， <br/>其中所述光學衰減器結構包括： <br/>位於所述多個側壁中的相對的側壁上的一些部分，且 <br/>其中所述光學衰減器結構除了位於所述相對的側壁上的所述一些部分之外不包括位於側壁上的部分。
如請求項4所述的方法，更包括： <br/>在形成所述光學衰減器結構之前，移除所述波導層的一些部分以形成所述波導結構。
如請求項4所述的方法，其中在所述波導結構的所述一或多個表面上形成所述光學衰減器結構包括： <br/>在所述波導層的頂表面上形成光學衰減器層，以及 <br/>移除所述光學衰減器層的一些部分。
如請求項4所述的方法，其中在所述基底的所述頂表面上形成所述包覆層對應於在所述基底的所述頂表面上形成第一包覆層，且更包括： <br/>在所述光學衰減器結構上形成第二包覆層。
一種全像用資料產生系統，其係產生用以於空間光調變器中實現用於光之調變之全像之全像用資料者，且具備： <br/>取得機構，其取得顯示來自全像之出射光之目標即出射光之強度分佈之目標資訊； <br/>決定機構，其根據藉由上述取得機構取得之目標資訊所示之強度分佈之種別，自預先準備之相互不同之複數個產生方法，決定用於產生全像用資料之產生方法；及 <br/>產生機構，其藉由上述決定機構決定之產生方法，自藉由上述取得機構取得之目標資訊產生全像用資料。
如請求項1之全像用資料產生系統，其中 <br/>上述決定機構自藉由上述取得機構取得之目標資訊所示之強度分佈，判斷該強度分佈之種別，並根據判斷出之種別，決定用於產生全像用資料之產生方法。
如請求項1或2之全像用資料產生系統，其中 <br/>上述強度分佈之種別包含離散之分佈、出射光之行進方向上之分佈、及圓環狀之分佈之至少任一者。
一種全像用資料產生方法，其係作為產生用以於空間光調變器中實現用於光之調變之全像之全像用資料之全像用資料產生系統之動作方法者，且包含： <br/>取得步驟，其取得顯示來自全像之出射光之目標即出射光之強度分佈之目標資訊； <br/>決定步驟，其根據上述取得步驟中取得之目標資訊所示之強度分佈之種別，自預先準備之相互不同之複數個產生方法，決定用於產生全像用資料之產生方法；及 <br/>產生步驟，其藉由上述決定步驟中決定之產生方法，自上述取得步驟中取得之目標資訊產生全像用資料。
一種微控制電路，包括：<br/> 一中央處理器，位於一第一電源域中；<br/> 複數功能電路，位於一第二電源域中，該等功能電路中之一第一功能電路完成一第一特定操作後，致能一第一事件觸發信號；<br/> 一管理電路，在該第一電源域斷電並且該第一事件觸發信號被致能時，讀取一查找表，用以提供至少一管理信號；以及<br/> 一驅動電路，根據該管理信號，調整至少一驅動信號，並提供該驅動信號予該等功能電路之至少一者，<br/> 其中該管理電路與該驅動電路非屬該第一電源域，<br/> 其中該管理電路包括：<br/> 一副功率管理電路，位於該第二電源域中，並根據該第一事件觸發信號，讀取該查找表，用以提供一控制信號以及一第一管理信號；以及<br/> 一主功率管理電路，根據該控制信號，產生一第二管理信號；<br/> 其中，該驅動電路根據該第一管理信號，調整一第一驅動信號，並根據該第二管理信號，調整一第二驅動信號，且提供該第一及第二驅動信號予該等功能電路之至少一者。
如請求項1之微控制電路，其中該主功率管理電路位於一第三電源域，該第三電源域的電源永遠開啟。
如請求項1之微控制電路，其中該驅動電路包括：<br/> 一時脈產生電路，根據該第一管理信號，調整該第一驅動信號的頻率；以及<br/> 一電壓產生電路，根據該第二管理信號，調整該第二驅動信號的電壓位準。
如請求項1之微控制電路，其中該等功能電路中之一第二功能電路完成一第二特定操作後，致能一第二事件觸發信號，用以命令該第一功能電路執行該第一特定操作。
如請求項1之微控制電路，其中在該驅動電路調整該第一驅動信號前，該第一功能電路根據該第一驅動信號而動作，在該驅動電路調整該第一驅動信號後，該等功能電路中之一第二功能電路根據該第一驅動信號而動作。
一種管理方法，用以在一低功耗模式下，動態管理該核心電源域外的複數功能電路的功耗，該管理方法包括：<br/> 接收該等功能電路的一第一事件觸發信號；<br/> 根據該第一事件觸發信號，利用一副功率管理電路讀取一查找表，用以產生一控制信號以及一第一管理信號；<br/> 提供該控制信號予一主功率管理電路，用以命令該主功率管理電路根據該控制信號產生一第二管理信號；<br/> 根據該第一管理信號，調整一第一驅動信號；<br/> 根據該第二管理信號，調整一第二驅動信號；以及<br/> 提供該第一驅動信號及該第二驅動信號予該等功能電路之至少一者，<br/> 其中該等功能電路非屬該核心電源域，該主功率管理電路位於該核心電源域外，該主功率管理電路的電源永遠開啟。
如請求項6之管理方法，其中：<br/> 該等功能電路中之一第一功能電路在完成一第一特定操作後，致能該第一事件觸發信號；<br/> 該等功能電路中之一第二功能電路在完成一第二特定操作後，致能一第二事件觸發信號，用以命令該第一功能電路執行該第一特定操作。
如請求項7之管理方法，其中該第二特定操作係更新該查找表。
一種微型發光二極管(LED)結構，其包括：<br/> 台面結構，其包括：<br/> 具有第一導電類型的第一半導體層；<br/> 形成在所述第一半導體層上的發光層；<br/> 形成在所述第一半導體層之底表面上的反射鏡；<br/> 形成在所述發光層上的第二半導體層，所述第二半導體層具有不同於所述第一導電類型的第二導電類型；<br/> 形成在所述台面結構的側壁上的側壁保護層；以及，<br/> 形成在所述側壁保護層的表面上的側壁反射層；<br/> 其中，所述第二半導體層的頂表面區域大於以下中的每一個：所述第一半導體層的底表面區域、所述第一半導體層的頂表面區域、和所述第二半導體層的底表面區域；<br/> 其中，所述第一半導體層包括：<br/> 半導體區；以及<br/> 圍繞所述半導體區形成的離子注入區，<br/> 其中，所述離子注入區係與所述反射鏡接觸，並且<br/> 其中，所述反射鏡之底面與所述側壁保護層的底面實質地對齊。
如請求項1所述的微型LED結構，其進一步包括：<br/> 形成在所述第二半導體層的頂表面上的頂部觸頭，所述頂部觸頭具有所述第二導電類型；以及<br/> 形成在所述第一半導體層的底表面上的底部觸頭，所述底部觸頭具有所述第一導電類型。
如請求項2所述的微型LED結構，其中，所述底部觸頭的中心、所述頂部觸頭的中心和所述半導體區的中心沿着垂直於所述第二半導體層的頂表面的同一軸線對準，並且其中，所述離子注入區的直徑大於或等於所述頂部觸頭的直徑。
如請求項2所述的微型LED結構，其進一步包括頂部導電層，其形成在所述第二半導體層和所述頂部觸頭上。
如請求項2所述的微型LED結構，其中，<br/> 所述半導體區的厚度大於或等於所述離子注入區的厚度，<br/> 所述半導體區的直徑大於或等於所述底部觸頭的直徑，並且<br/> 所述離子注入區的直徑大於所述半導體區的直徑。
如請求項5所述的微型LED結構，其中，所述半導體區的直徑小於或等於所述底部觸頭的直徑的三倍；並且所述離子注入區的直徑大於所述半導體區的直徑的兩倍。
如請求項5所述的微型LED結構，其中，所述半導體區的厚度的範圍爲600 nm至900 nm，所述離子注入區的厚度的範圍爲500 nm至800 nm，所述離子注入區的直徑的範圍爲500 nm至1250 nm，並且所述底部觸頭的直徑的範圍爲20 nm至500 nm。
如請求項1所述的微型LED結構，其中，所述台面結構的所述側壁是平坦的。
如請求項1所述的微型LED結構，其中，所述台面結構的所述側壁是不平坦的。
如請求項1所述的微型LED結構，其中，所述離子注入區包括至少一種類型的注入離子。
如請求項10所述的微型LED結構，其中，所述注入離子選自以下離子中的一種或多種：氫、氮、氟、氧、碳、氬、磷、硼、矽、硫、砷、氯和金屬離子。
如請求項11所述的微型LED結構，其中，所述金屬離子選自鋅、銅、銦、鋁、鎳、鈦、鎂、鉻、鎵、錫、銻、碲、鎢、鉭、鍺、鉬和鉑中的一種或多種。
如請求項1所述的微型LED結構，其中，所述第一半導體層的厚度大於所述第二半導體層的厚度。
如請求項13所述的微型LED結構，其中，所述第一半導體層的厚度的範圍爲700 nm至2 μm，並且所述第二半導體層的厚度的範圍爲100 nm至200 nm。
如請求項1所述的微型LED結構，其中，所述發光層的厚度小於所述第一半導體層的厚度。
如請求項1所述的微型LED結構，其中，所述發光層是由位於所述第一半導體層與所述第二半導體層之間的量子阱層形成的。
如請求項16所述的微型LED結構，其中，所述量子阱層的厚度小於或等於30 nm。
如請求項17所述的微型LED結構，其中，所述量子阱層包括三對或少於三對量子阱。
如請求項1所述的微型LED結構，其中，所述側壁保護層包括與所述第一半導體層或所述第二半導體層相同的材料，<br/> 不具有導電性質，並且<br/> 經由原子鍵與所述台面結構的側壁鍵合。
如請求項19所述的微型LED結構，其中，所述側壁保護層的材料包括InP或GaAs。
如請求項19所述的微型LED結構，其中，所述側壁反射層的材料包括Au和Ag、或者包括與Au和Ag結合的介電材料。
如請求項21所述的微型LED結構，其進一步包括：第二反射鏡，其形成在所述第一半導體層的內部。
如請求項1所述的微型LED結構，其中，所述第一導電類型爲P型，並且所述第二導電類型爲N型。
一種微型顯示面板，其包括：<br/> 微型發光二極管(LED)陣列，其包括：<br/> 如請求項1所述的第一微型LED結構，所述第一微型LED結構包括第一台面結構；以及<br/> 形成在所述第一微型LED結構下面的集成電路(IC)背板，<br/> 其中，所述第一微型LED結構電耦接到所述IC背板。
如請求項24所述的微型顯示面板，其中，所述微型LED結構進一步包括：<br/> 連接孔，<br/> 其中，所述連接孔的第一側連接到所述底部觸頭，並且所述連接孔的第二側連接到所述IC背板。
如請求項25所述的微型顯示面板，其進一步包括：<br/> 如請求項1所述的第二微型LED結構，所述第二微型LED結構包括第二台面結構；以及<br/> 介電層，<br/> 其中，所述第二台面結構位於與所述第一台面結構相鄰處，並且<br/> 其中，所述介電層是不導電的並且形成在所述第一台面結構與所述第二台面結構之間。
如請求項26所述的微型顯示面板，其中，所述介電層的材料爲SiO<sub>2</sub>、Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>、Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、AlN、HfO<sub>2</sub>、TiO<sub>2</sub>和ZrO<sub>2</sub>中的至少一種。
如請求項26所述的微型顯示面板，其進一步包括形成在所述介電層中並且在所述第一台面結構與所述第二台面結構之間的反射結構。
如請求項26所述的微型顯示面板，其中，所述第一台面結構和所述第二台面結構的所述側壁反射層連接在所述第一台面結構和所述第二台面結構的頂表面處。
一種用於按比例將一k個位元信號轉換成一n個位元信號之輸入區塊，其包含：<br/>一數位至類比轉換器，其用於將k個位元之一輸入轉換成一第一類比信號；<br/>一映射純量器，其用於根據一比例因子將該第一類比信號按比例調整成一第二類比信號，由於按比例調整該第二類比信號相較於該第一類比信號具有不同類比量值；及<br/>一類比至數位轉換器，其用於將該第二類比信號轉換成一n個位元信號，其中，n為不同於k之一值，該n個位元信號作為輸入施加於非揮發性記憶體胞元陣列之一列。
如請求項1之輸入區塊，其中，該數位至類比轉換器執行一線性函數。
如請求項1之輸入區塊，其中，該數位至類比轉換器執行一對數函數。
一種形成用於一處理腔室的一腔室部件的方法，包含：<br/>執行電子束離子輔助沉積以在該處理腔室的該腔室部件的一表面上沉積一抗電漿Y<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>薄膜塗層；以及<br/>退火該腔室部件，以使該抗電漿Y<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>薄膜塗層的一部分與該腔室部件的該表面進行擴散，以在該抗電漿Y<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>薄膜塗層的一部分與該腔室部件的該表面之間形成一交互擴散層，<br/>其中當該抗電漿Y<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>薄膜塗層曝露於一CH<sub>4</sub>/Cl<sub>2</sub>電漿化學品時，具有1 nm/RFHr+/-高達30%的一腐蝕速率。
如請求項1所述之方法，其中該抗電漿Y<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>薄膜塗層具有8.5 GPa+/-高達30%的一硬度。
如請求項1所述之方法，其中該抗電漿Y<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>薄膜塗層具有11.3E16 Ω·cm+/-高達30%的一體積電阻率。
如請求項1所述之方法，其中該抗電漿Y<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>薄膜塗層具有9.76+/-高達30%的一介電常數。
如請求項1所述之方法，其中該抗電漿Y<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>薄膜塗層具有20.1 W/m-K+/-高達30%的一熱導率。
如請求項1所述之方法，其中該抗電漿Y<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>薄膜塗層具有小於1%的一孔隙度。
如請求項1所述之方法，其中該抗電漿Y<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>薄膜塗層包含30至40莫耳%的Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>與60至70莫耳%的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>。
如請求項1所述之方法，其中該腔室部件係選自下列所組成的群組：一腔室蓋、一噴嘴、一噴淋頭基底、一噴淋頭氣體分配板（GDP）、一腔室觀察孔、一處理套環、一屏蔽、一電漿屏、一流量均衡器、一腔壁與一襯層套組。
如請求項1所述之方法，其中該腔室部件的該表面包含下列至少一者：Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、AlN、Al、陽極處理鋁、鈦、不鏽鋼、石英、藍寶石、Si或SiC。
如請求項1所述之方法，其中該抗電漿Y<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>薄膜塗層是無定形的。
如請求項1所述之方法，其中該抗電漿Y<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>薄膜塗層具有一粗糙度，該粗糙度可大致匹配該抗電漿Y<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>薄膜塗層沉積於其上的該腔室部件的該表面的一粗糙度。
如請求項1所述之方法，其中該抗電漿Y<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>薄膜塗層的一厚度小於約20微米。
如請求項1所述之方法，進一步包含：<br/>在該抗電漿Y<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>薄膜塗層中形成複數個特徵結構，其中該複數個特徵結構包含下列至少一種：臺面、密封帶、氣體流道、氦氣孔、氣體分配孔、氣體分配孔周圍的凹部或凸塊或接合線。
一種形成用於一處理腔室的一腔室部件的方法，包含：<br/>執行電子束離子輔助沉積以在該處理腔室的該腔室部件的一表面上沉積一抗電漿Y<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>薄膜塗層，當該抗電漿Y<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>薄膜塗層曝露於一CH<sub>4</sub>/Cl<sub>2</sub>電漿化學品時，具有1 nm/RFHr+/-高達30%的一腐蝕速率；以及<br/>在該抗電漿Y<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>薄膜塗層中形成複數個特徵結構，其中該複數個特徵結構藉由在執行該電子束離子輔助沉積之後，遮蔽該腔室部件的該表面並在未遮蔽的該表面的特定區域上沉積該抗電漿Y<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>薄膜塗層的一或多個層來形成，其中該複數個特徵結構包含下列至少一種：臺面、密封帶、氣體流道、氦氣孔、氣體分配孔、氣體分配孔周圍的凹部或凸塊或接合線。
如請求項1所述之方法，進一步包含：<br/>在沉積該抗電漿Y<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>薄膜塗層之前，在該腔室部件上形成一第二薄膜塗層，其中該第二薄膜塗層包含一陶瓷，該陶瓷選自下列所組成的群組：Y<sub>4</sub>Al<sub>2</sub>O<sub>9</sub>、Er<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Gd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Er<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>、Gd<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>和包含Y<sub>4</sub>Al<sub>2</sub>O<sub>9</sub>與Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-ZrO<sub>2</sub>固體溶液的一陶瓷化合物。
一種形成用於一處理腔室的一腔室部件的方法，包含：<br/>執行電子束離子輔助沉積以在該處理腔室的該腔室部件的一表面上沉積一抗電漿Y<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>薄膜塗層，當該抗電漿Y<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>薄膜塗層曝露於一CH<sub>4</sub>/Cl<sub>2</sub>電漿化學品時，具有1 nm/RFHr+/-高達30%的一腐蝕速率；以及<br/>在沉積該抗電漿Y<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>薄膜塗層之前，在該腔室部件上形成一第二薄膜塗層，其中該第二薄膜塗層包含一陶瓷，該陶瓷選自下列所組成的群組：Y<sub>4</sub>Al<sub>2</sub>O<sub>9</sub>、Er<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Gd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Er<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>、Gd<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>和包含Y<sub>4</sub>Al<sub>2</sub>O<sub>9</sub>與Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-ZrO<sub>2</sub>固體溶液的一陶瓷化合物；<br/>其中該腔室部件的一主體具有一第一熱膨脹係數值，該第二薄膜塗層具有一第二熱膨脹係數值，以及該抗電漿Y<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>薄膜塗層具有一第三熱膨脹係數值，其中該第二熱膨脹係數值介於該第一熱膨脹係數值與該第三熱膨脹係數值之間。
一種用於一處理腔室的腔室部件，包含：<br/>一主體；<br/>一抗電漿Y<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>薄膜塗層，於該主體的一表面上；以及<br/>一交互擴散層，形成在該主體的該表面與該抗電漿Y<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>薄膜塗層的一部分之間，<br/>其中當該抗電漿Y<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>薄膜塗層曝露於一CH<sub>4</sub>/Cl<sub>2</sub>電漿化學品時，具有1 nm/RFHr+/-高達30%的一腐蝕速率。
如請求項17所述之腔室部件，其中該抗電漿Y<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>薄膜塗層具有下列至少一者：<br/>8.5 GPa+/-高達30%的一硬度；<br/>11.3E16 Ω·cm+/-高達30%的一體積電阻率；<br/>9.76+/-高達30%的一介電常數；或<br/>20.1 W/m-K+/-高達30%的一熱導率。
如請求項17所述之腔室部件，其中該抗電漿Y<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>薄膜塗層具有小於1%的一孔隙度且包含30至40莫耳%的Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>與60至70莫耳%的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>。
一種研磨用組合物，其包括： <br/>包含至少1種氧化鋯粒子的研磨粒； <br/>包含至少1種由1價的陰離子以及1價以上的陽離子所形成的鹽，用以提升SiOC的研磨速度相對於SiN的研磨速度的比的選擇率改良劑；以及 <br/>包含至少1種酸的pH調節劑， <br/>pH超過3.0且未達7.0， <br/>上述研磨粒的zeta(ζ)電位為正的值。
如請求項1所記載之研磨用組合物，其中，上述選擇率改良劑的濃度為50ppm以上1000ppm以下。
如請求項1所記載之研磨用組合物，其中，pH為4.0以上6.0以下。
如請求項1所記載之研磨用組合物，其中，上述pH調節劑包含醋酸。
如請求項1所記載之研磨用組合物，其中，上述選擇率改良劑包含醋酸銨。
如請求項1所記載之研磨用組合物，其中，上述研磨粒的含量為0.01質量%以上1.0質量%以下。
如請求項1所記載之研磨用組合物，其中，進一步包含：至少1種選自由醣醇所組成之群組的分散劑。
一種研磨方法，包括：使用請求項1～7中任一項所記載之研磨用組合物，對包含SiOC以及SiN的研磨對象物進行研磨的步驟。
一種半導體基板的製造方法，具有：將包含SiOC以及SiN的半導體基板，依照請求項8所記載之研磨方法，進行研磨的步驟。
一種保持裝置， <br/>具有： <br/>保持部，其將物體進行保持； <br/>相變化材料，其配置於前述保持部的至少一部分，在非晶相與結晶相之間進行相變化，隨該相變化而產生體積變化；以及 <br/>控制部，其對使用了將前述相變化材料進行加熱的加熱部之前述相變化材料的加熱進行控制，從而予以產生前述相變化材料的體積變化從而使於前述保持部將前述物體進行保持的保持面產生變形。
如請求項1的保持裝置，其中， <br/>前述控制部，實施以下程序從而使前述保持面產生變形： <br/>第1程序，其為使用前述加熱部而將前述相變化材料加熱為超過熔點的溫度並進行冷卻，從而使前述相變化材料發生非晶質化者；以及 <br/>第2程序，其為在第1程序之後，使用前述加熱部而將前述相變化材料的一部分加熱為超過玻璃轉移溫度的溫度並進行冷卻，從而局部地使前述相變化材料的體積發生收縮者。
如請求項2的保持裝置，其中，前述控制部，基於前述保持面或透過前述保持部而保持的前述物體的表面的形狀的計測結果，決定前述一部分。
如請求項3的保持裝置，其中，前述計測結果，包含透過前述保持部而保持的前述物體的表面的面垂直方向的變形量的資訊。
如請求項3的保持裝置，其中，前述計測結果，包含透過前述保持部而保持的前述物體的表面的面內方向的變形量的資訊。
如請求項3的保持裝置，其進一步具有計測部，前述計測部，對前述保持面或透過前述保持部而保持的前述物體的表面的形狀進行計測。
如請求項6的保持裝置，其中， <br/>前述第2程序，包含在實施了前述相變化材料的局部的收縮後，使用前述計測部對前述保持面或透過前述保持部而保持的前述物體的表面的形狀進行計測， <br/>前述控制部，反覆進行前述第2程序，直到目標形狀與前述所計測的形狀的差落入於容許範圍內。
如請求項1的保持裝置，其中， <br/>前述加熱部，包含複數個加熱部， <br/>前述控制部，對前述複數個加熱部個別的熱輸入量以複數階度進行控制。
如請求項1的保持裝置，其中， <br/>前述加熱部，包含複數個加熱部， <br/>前述控制部，對前述複數個加熱部中的各者進行ON/OFF控制。
如請求項8的保持裝置，其中，前述複數個加熱部，配置於前述保持部的內部。
如請求項10的保持裝置，其中，前述複數個加熱部中的各者，包含由透過所供應的電力而發熱的電阻發熱性的材料所成的加熱器元件。
如請求項10的保持裝置，其中，前述複數個加熱部中的各者，包含使用透過配置於強磁性材料的周圍的線圈而產生的電磁感應而加熱的感應加熱元件。
如請求項1的保持裝置，其中，前述加熱部，被從前述保持面朝上方分離而配置。
如請求項13的保持裝置，其中，前述加熱部，對前述保持面照射電磁輻射線，從而將前述相變化材料進行加熱。
如請求項13的保持裝置，其中，前述保持面，具有複數個突起部，在前述複數個突起部個別的上表面配置前述相變化材料。
如請求項13的保持裝置，其中，前述加熱部，包含電流計掃描儀，前述電流計掃描儀，使前述電磁輻射線發生偏向，從而使從放射線源所產生的電磁輻射線照射於前述相變化材料的1個以上的部分中的各者。
如請求項1的保持裝置，其中，前述相變化材料，被配置複數個於前述保持部的內部。
如請求項17的保持裝置，其進一步具有分隔壁，前述分隔壁，配置於相鄰的相變化材料之間，用於減低該相變化材料間的熱導。
如請求項13的保持裝置，其中， <br/>前述保持面，具有複數個突起部，在前述複數個突起部個別的內部配置有複數個相變化材料， <br/>前述控制部，使往在突起部的前述複數個相變化材料中的各者的熱輸入量產生差異，從而使該突起部之上表面產生傾斜。
如請求項13的保持裝置，其中， <br/>前述保持面，具有複數個突起部，在前述複數個突起部個別的內部配置有單一的相變化材料， <br/>前述控制部，使往在突起部之前述相變化材料的熱輸入量存在分布，從而使該突起部之上表面產生傾斜。
如請求項13的保持裝置，其中，前述保持面，具有複數個突起部，在前述複數個突起部個別的內部配置有相變化材料，且在前述相變化材料的下部附近，設置供於予以增大該相變化材料的變形量用的空隙。
一種微影裝置，於基板形成圖案， <br/>具有將為物體的前述基板進行保持的如請求項1至21中任一項的保持裝置。
一種物品製造方法， <br/>具有： <br/>使用如請求項22的微影裝置而在基板形成圖案的程序；以及 <br/>對在前述程序中形成了前述圖案的基板進行處理的程序； <br/>從前述被進行了處理的基板製造物品。
一種掛絲裝置，用於在以被一對筒管支架夾持的狀態安裝的筒管上鉤掛絲線，其係具備： <br/> 絲線保持部，保持絲線； <br/> 絲線鉤掛部，形成在上述一對筒管支架中的一方； <br/> 掛絲構件，具有供由上述絲線保持部保持的絲線卡止的絲線卡止部，能夠在向上述絲線鉤掛部進行掛絲的掛絲位置與待機位置之間移動； <br/> 橫動導絲器，為了將捲繞於上述筒管的絲線在橫向移動範圍內橫向移動而沿著上述筒管支架的軸向往復移動；以及 <br/> 控制部，進行上述橫動導絲器的驅動控制， <br/> 上述絲線卡止部構成為，在上述掛絲構件從上述待機位置向上述掛絲位置移動的中途卡止由上述絲線保持部保持的絲線，在上述掛絲構件位於上述掛絲位置時使絲線伴隨向上述絲線鉤掛部的掛絲而脫離， <br/> 上述掛絲裝置還具備包頭絲導絲器，該包頭絲導絲器將鉤掛於上述絲線鉤掛部的絲線保持成維持在上述筒管的上述橫向移動範圍外的包頭絲捲繞位置， <br/> 上述控制部將上述橫動導絲器控制成，使其在相對於由上述包頭絲導絲器保持的絲線位於上述橫向移動範圍的相反側的位置即既定位置、與上述橫向移動範圍內之間移動， <br/> 上述包頭絲導絲器構成為，使得所保持的絲線由從上述既定位置向上述橫向移動範圍內移動的上述橫動導絲器捕捉，而從上述包頭絲導絲器脫離。
如請求項1所述的掛絲裝置，其中， <br/> 上述控制部控制成， <br/> 在向上述絲線鉤掛部進行掛絲之前，使上述橫動導絲器在上述既定位置待機， <br/> 在包頭絲捲繞完畢時，使位於上述既定位置的上述橫動導絲器向上述橫向移動範圍內移動。
如請求項1所述的掛絲裝置，其中， <br/> 上述橫動導絲器由馬達驅動。
如請求項2所述的掛絲裝置，其中， <br/> 上述橫動導絲器由馬達驅動。
如請求項1所述的掛絲裝置，其中， <br/> 上述包頭絲導絲器具有：保持部分，限制絲線向上述橫向移動範圍內移動並保持絲線；以及引導部分，將從上述絲線卡止部脫離的絲線引導到上述保持部分。
如請求項2所述的掛絲裝置，其中， <br/> 上述包頭絲導絲器具有：保持部分，限制絲線向上述橫向移動範圍內移動並保持絲線；以及引導部分，將從上述絲線卡止部脫離的絲線引導到上述保持部分。
如請求項3所述的掛絲裝置，其中， <br/> 上述包頭絲導絲器具有：保持部分，限制絲線向上述橫向移動範圍內移動並保持絲線；以及引導部分，將從上述絲線卡止部脫離的絲線引導到上述保持部分。
如請求項4所述的掛絲裝置，其中， <br/> 上述包頭絲導絲器具有：保持部分，限制絲線向上述橫向移動範圍內移動並保持絲線；以及引導部分，將從上述絲線卡止部脫離的絲線引導到上述保持部分。
如請求項5所述的掛絲裝置，其中， <br/> 上述引導部分的至少一部分位於比位於上述掛絲位置的上述掛絲構件的上述絲線卡止部更靠上述橫向移動範圍側的位置。
如請求項6所述的掛絲裝置，其中， <br/> 上述引導部分的至少一部分位於比位於上述掛絲位置的上述掛絲構件的上述絲線卡止部更靠上述橫向移動範圍側的位置。
如請求項7所述的掛絲裝置，其中， <br/> 上述引導部分的至少一部分位於比位於上述掛絲位置的上述掛絲構件的上述絲線卡止部更靠上述橫向移動範圍側的位置。
如請求項8所述的掛絲裝置，其中， <br/> 上述引導部分的至少一部分位於比位於上述掛絲位置的上述掛絲構件的上述絲線卡止部更靠上述橫向移動範圍側的位置。
如請求項5所述的掛絲裝置，其中， <br/> 上述保持部分與上述引導部分形成為一體。
如請求項6所述的掛絲裝置，其中， <br/> 上述保持部分與上述引導部分形成為一體。
如請求項7所述的掛絲裝置，其中， <br/> 上述保持部分與上述引導部分形成為一體。
如請求項8所述的掛絲裝置，其中， <br/> 上述保持部分與上述引導部分形成為一體。
如請求項9所述的掛絲裝置，其中， <br/> 上述保持部分與上述引導部分形成為一體。
如請求項10所述的掛絲裝置，其中， <br/> 上述保持部分與上述引導部分形成為一體。
如請求項11所述的掛絲裝置，其中， <br/> 上述保持部分與上述引導部分形成為一體。
如請求項12所述的掛絲裝置，其中， <br/> 上述保持部分與上述引導部分形成為一體。
如請求項5至20中任一項所述的掛絲裝置，其中， <br/> 上述引導部分的至少一部分配置在鉤掛於上述絲線鉤掛部的絲線的絲線所行進的絲線行進方向上比上述絲線鉤掛部更靠上游側的絲線通道上， <br/> 上述包頭絲導絲器配置於在上述絲線行進方向上比上述橫動導絲器更靠上述筒管支架側的位置。
如請求項1至20中任一項所述的掛絲裝置，其中， <br/> 上述控制部在上述掛絲構件開始從上述待機位置向上述掛絲位置移動之前使上述橫動導絲器在上述既定位置待機。
如請求項21所述的掛絲裝置，其中， <br/> 上述控制部在上述掛絲構件開始從上述待機位置向上述掛絲位置移動之前使上述橫動導絲器在上述既定位置待機。
如請求項1至20中任一項所述的掛絲裝置，其中， <br/> 上述絲線卡止部具有：從下方支承絲線並向下方傾斜的支承部分， <br/> 上述絲線卡止部構成為，伴隨向上述絲線鉤掛部的掛絲，使絲線沿著上述支承部分向下方移動而使絲線脫離。
如請求項21所述的掛絲裝置，其中， <br/> 上述絲線卡止部具有：從下方支承絲線並向下方傾斜的支承部分， <br/> 上述絲線卡止部構成為，伴隨向上述絲線鉤掛部的掛絲，使絲線沿著上述支承部分向下方移動而使絲線脫離。
如請求項22所述的掛絲裝置，其中， <br/> 上述絲線卡止部具有：從下方支承絲線並向下方傾斜的支承部分， <br/> 上述絲線卡止部構成為，伴隨向上述絲線鉤掛部的掛絲，使絲線沿著上述支承部分向下方移動而使絲線脫離。
如請求項23所述的掛絲裝置，其中， <br/> 上述絲線卡止部具有：從下方支承絲線並向下方傾斜的支承部分， <br/> 上述絲線卡止部構成為，伴隨向上述絲線鉤掛部的掛絲，使絲線沿著上述支承部分向下方移動而使絲線脫離。
一種假撚加工機，係具有： <br/> 喂絲部，用於喂給絲線； <br/> 加工部，用於對從上述喂絲部供給的絲線進行假撚加工；以及 <br/> 捲繞部，用於捲繞由上述加工部假撚加工後的絲線， <br/> 上述捲繞部具有： <br/> 捲繞裝置，在安裝於筒管支架的筒管上捲繞絲線而形成卷裝；以及 <br/> 如請求項1至27中任一項所述的掛絲裝置。
一種掛絲方法，用於藉由掛絲裝置將絲線鉤掛在安裝於筒管支架的筒管上，上述掛絲裝置具備： <br/> 絲線保持部，保持絲線； <br/> 絲線鉤掛部，形成在一對上述筒管支架中的一方； <br/> 掛絲構件，具有供由上述絲線保持部保持的絲線卡止的絲線卡止部，能夠在向上述絲線鉤掛部進行掛絲的掛絲位置與待機位置之間移動； <br/> 橫動導絲器，為了將捲繞於上述筒管的絲線在橫向移動範圍內橫向移動而沿著上述筒管支架的軸向往復移動；以及 <br/> 包頭絲導絲器，將鉤掛於上述絲線鉤掛部的絲線保持成維持在上述筒管的上述橫向移動範圍外的包頭絲捲繞位置， <br/> 該掛絲方法執行如下工序： <br/> 絲線卡止工序，在使上述掛絲構件從上述待機位置向上述掛絲位置移動的中途，使由上述絲線保持部保持的絲線卡止於掛絲構件的絲線卡止部； <br/> 絲線保持工序，藉由上述包頭絲導絲器將在上述掛絲位置處伴隨絲線向上述絲線鉤掛部的掛絲而從上述絲線卡止部脫離的絲線維持在上述包頭絲捲繞位置； <br/> 導絲器待機工序，使上述橫動導絲器在相對於由上述包頭絲導絲器保持的絲線位於上述橫向移動範圍的相反側的位置即既定位置待機；以及 <br/> 橫向移動工序，使位於上述既定位置的上述橫動導絲器向上述橫向移動範圍內移動， <br/> 在上述橫向移動工序中，由上述包頭絲導絲器保持的絲線被從上述既定位置向上述橫向移動範圍內移動的上述橫動導絲器捕捉，而從上述包頭絲導絲器脫離。
一種功率放大用半導體裝置，其具備：<br/> 基板；<br/> 第1氮化物半導體層，設置在前述基板上；<br/> 第2氮化物半導體層，設置在前述第1氮化物半導體層上，和前述第1氮化物半導體層相較之下能帶隙較大；<br/> 二維電子氣體層，設置在前述第1氮化物半導體層與前述第2氮化物半導體層的界面的前述第1氮化物半導體層側；<br/> 源極電極及汲極電極，隔著間隔設置在前述第1氮化物半導體層的上方，並且分別電連接於前述二維電子氣體層；<br/> 閘極電極，和前述源極電極及前述汲極電極隔著間隔而設置，並且接觸前述第2氮化物半導體層；及<br/> 場板，和前述源極電極同電位，且在前述閘極電極與前述汲極電極之間具有前述汲極電極側的端部，<br/> 在前述基板的平面視角下，前述基板是被區分成有前述二維電子氣體層的活性區域、以及沒有前述二維電子氣體層的非活性區域，<br/> 在前述活性區域中有：<br/> 高電子移動率電晶體，包含前述源極電極、前述汲極電極、及前述閘極電極；及<br/> 溫度偵測用的電阻體，設置在前述第2氮化物半導體層的上方，<br/> 在前述非活性區域中有：<br/> 第1端子墊，連接於前述汲極電極或前述閘極電極；及<br/> 第2端子墊，連接於前述電阻體，<br/> 在前述平面視角下，前述電阻體的長邊方向為前述閘極電極的延伸方向即第1方向，<br/> 在前述平面視角下，當將和前述第1方向正交的第2方向上的前述活性區域的長度設為L1時，<br/> 在前述第2方向上，前述電阻體是配置在從前述活性區域的中心到L1/8以內的範圍。
一種功率放大用半導體裝置，其具備：<br/> 基板；<br/> 第1氮化物半導體層，設置在前述基板上；<br/> 第2氮化物半導體層，設置在前述第1氮化物半導體層上，和前述第1氮化物半導體層相較之下能帶隙較大；<br/> 二維電子氣體層，設置在前述第1氮化物半導體層與前述第2氮化物半導體層的界面的前述第1氮化物半導體層側；<br/> 源極電極及汲極電極，隔著間隔設置在前述第1氮化物半導體層的上方，並且分別電連接於前述二維電子氣體層；<br/> 閘極電極，和前述源極電極及前述汲極電極隔著間隔而設置，並且接觸前述第2氮化物半導體層；及<br/> 場板，和前述源極電極同電位，且在前述閘極電極與前述汲極電極之間具有前述汲極電極側的端部，<br/> 在前述基板的平面視角下，前述基板是被區分成有前述二維電子氣體層的活性區域、以及沒有前述二維電子氣體層的非活性區域，<br/> 在前述活性區域中有：<br/> 高電子移動率電晶體，包含前述源極電極、前述汲極電極、及前述閘極電極；及<br/> 溫度偵測用的電阻體，設置在前述第2氮化物半導體層的上方，<br/> 在前述非活性區域中有：<br/> 第1端子墊，連接於前述汲極電極或前述閘極電極；及<br/> 第2端子墊，連接於前述電阻體，<br/> 在前述平面視角下，前述電阻體的長邊方向為前述閘極電極的延伸方向即第1方向，<br/> 在前述平面視角下，當將前述活性區域的前述第1方向的長度設為L2時，<br/> 前述電阻體的前述第1方向的長度為L2/2以上。
一種功率放大用半導體裝置，其具備：<br/> 基板；<br/> 第1氮化物半導體層，設置在前述基板上；<br/> 第2氮化物半導體層，設置在前述第1氮化物半導體層上，和前述第1氮化物半導體層相較之下能帶隙較大；<br/> 二維電子氣體層，設置在前述第1氮化物半導體層與前述第2氮化物半導體層的界面的前述第1氮化物半導體層側；<br/> 源極電極及汲極電極，隔著間隔設置在前述第1氮化物半導體層的上方，並且分別電連接於前述二維電子氣體層；<br/> 閘極電極，和前述源極電極及前述汲極電極隔著間隔而設置，並且接觸前述第2氮化物半導體層；及<br/> 場板，和前述源極電極同電位，且在前述閘極電極與前述汲極電極之間具有前述汲極電極側的端部，<br/> 在前述基板的平面視角下，前述基板是被區分成有前述二維電子氣體層的活性區域、以及沒有前述二維電子氣體層的非活性區域，<br/> 在前述活性區域中有：<br/> 高電子移動率電晶體，包含前述源極電極、前述汲極電極、及前述閘極電極；及<br/> 溫度偵測用的電阻體，設置在前述第2氮化物半導體層的上方，<br/> 在前述非活性區域中有：<br/> 第1端子墊，連接於前述汲極電極或前述閘極電極；及<br/> 第2端子墊，連接於前述電阻體，<br/> 在前述平面視角下，前述電阻體的長邊方向是和前述閘極電極的延伸方向即第1方向正交的第2方向，<br/> 在前述平面視角下，當將前述第1方向的前述活性區域的長度設為L2時，<br/> 在前述平面視角下的前述第1方向上，前述電阻體是配置在從前述活性區域的中心到L2/4以內的範圍。
一種功率放大用半導體裝置，其具備：<br/> 基板；<br/> 第1氮化物半導體層，設置在前述基板上；<br/> 第2氮化物半導體層，設置在前述第1氮化物半導體層上，和前述第1氮化物半導體層相較之下能帶隙較大；<br/> 二維電子氣體層，設置在前述第1氮化物半導體層與前述第2氮化物半導體層的界面的前述第1氮化物半導體層側；<br/> 源極電極及汲極電極，隔著間隔設置在前述第1氮化物半導體層的上方，並且分別電連接於前述二維電子氣體層；<br/> 閘極電極，和前述源極電極及前述汲極電極隔著間隔而設置，並且接觸前述第2氮化物半導體層；及<br/> 場板，和前述源極電極同電位，且在前述閘極電極與前述汲極電極之間具有前述汲極電極側的端部，<br/> 在前述基板的平面視角下，前述基板是被區分成有前述二維電子氣體層的活性區域、以及沒有前述二維電子氣體層的非活性區域，<br/> 在前述活性區域中有：<br/> 高電子移動率電晶體，包含前述源極電極、前述汲極電極、及前述閘極電極；及<br/> 溫度偵測用的電阻體，設置在前述第2氮化物半導體層的上方，<br/> 在前述非活性區域中有：<br/> 第1端子墊，連接於前述汲極電極或前述閘極電極；及<br/> 第2端子墊，連接於前述電阻體，<br/> 在前述平面視角下，前述電阻體的長邊方向為前述閘極電極的延伸方向即第1方向，<br/> 在前述第2氮化物半導體層的上方具備前述場板，<br/> 在前述基板的剖面視角下，前述電阻體的整體是配置在比假想直線更靠近前述閘極電極側，前述假想直線通過前述閘極電極的前述汲極電極側的端部的最下點與前述場板的前述汲極電極側的端部的最下點，<br/> 前述電阻體的前述源極電極側的端部是配置在比前述源極電極的前述汲極電極側的端部更靠近前述汲極電極側。
一種功率放大用半導體裝置，其具備：<br/> 基板；<br/> 第1氮化物半導體層，設置在前述基板上；<br/> 第2氮化物半導體層，設置在前述第1氮化物半導體層上，和前述第1氮化物半導體層相較之下能帶隙較大；<br/> 二維電子氣體層，設置在前述第1氮化物半導體層與前述第2氮化物半導體層的界面的前述第1氮化物半導體層側；<br/> 源極電極及汲極電極，隔著間隔設置在前述第1氮化物半導體層的上方，並且分別電連接於前述二維電子氣體層；<br/> 閘極電極，和前述源極電極及前述汲極電極隔著間隔而設置，並且接觸前述第2氮化物半導體層；及<br/> 場板，和前述源極電極同電位，且在前述閘極電極與前述汲極電極之間具有前述汲極電極側的端部，<br/> 在前述基板的平面視角下，前述基板是被區分成有前述二維電子氣體層的活性區域、以及沒有前述二維電子氣體層的非活性區域，<br/> 在前述活性區域中有：<br/> 高電子移動率電晶體，包含前述源極電極、前述汲極電極、及前述閘極電極；及<br/> 溫度偵測用的電阻體，設置在前述第2氮化物半導體層的上方，<br/> 在前述非活性區域中有：<br/> 第1端子墊，連接於前述汲極電極或前述閘極電極；及<br/> 第2端子墊，連接於前述電阻體，<br/> 在前述平面視角下，前述電阻體的長邊方向為前述閘極電極的延伸方向即第1方向，<br/> 在前述平面視角下，若將前述活性區域的前述第1方向的長度設為L2時，<br/> 前述電阻體的前述第1方向的長度是小於L2/2。
如請求項4之功率放大用半導體裝置，其中在前述平面視角下和前述第1方向正交的第2方向上，前述電阻體的前述汲極電極側的端部是配置在比前述場板的前述汲極電極側的端部更靠近前述源極電極側。
如請求項4之功率放大用半導體裝置，其中在前述平面視角下和前述第1方向正交的第2方向上，前述電阻體的前述源極電極側的端部是配置在比前述場板的前述源極電極側的端部更靠近前述汲極電極側。
如請求項1之功率放大用半導體裝置，其中前述電阻體包含第1電阻體與第2電阻體，<br/> 在前述平面視角下的前述第2方向上，前述第1電阻體是配置在從前述活性區域的中心到L1/8以內的範圍，且前述第2電阻體是配置在從前述中心比L1/8更外側的範圍。
如請求項1、2、4中任一項之功率放大用半導體裝置，其中在前述平面視角下，若將前述活性區域的前述第1方向的長度設為L2時，<br/> 前述電阻體的前述第1方向的長度是小於L2/2。
如請求項9之功率放大用半導體裝置，其中在前述平面視角下的前述第1方向上，前述電阻體是配置在從前述活性區域的中心到L2/4以內的範圍。
如請求項10之功率放大用半導體裝置，其中前述電阻體包含第1電阻體與第2電阻體，<br/> 在前述平面視角下的前述第1方向上，前述第1電阻體是配置在從前述活性區域的中心到L2/4以內的範圍，且前述第2電阻體是配置在從前述中心比L2/4更外側的範圍。
如請求項2之功率放大用半導體裝置，其中前述電阻體的前述第1方向的長度為L2以上，且配置到前述非活性區域。
如請求項3之功率放大用半導體裝置，其中前述電阻體包含第1電阻體與第2電阻體，<br/> 在前述平面視角下的前述第1方向上，前述第1電阻體是配置在從前述活性區域的中心到L2/4以內的範圍，且前述第2電阻體是配置在從前述中心比L2/4更外側的範圍。
如請求項1至8、13中任一項之功率放大用半導體裝置，其中前述電阻體是設置有複數個。
如請求項1至8、13中任一項之功率放大用半導體裝置，其中在前述平面視角下，<br/> 前述第1端子墊配置在和前述活性區域在前述閘極電極的延伸方向上排列的前述非活性區域，<br/> 前述第2端子墊配置在和前述活性區域在和前述延伸方向正交的方向上排列的前述非活性區域。
如請求項1至8、13中任一項之功率放大用半導體裝置，其中前述電阻體的一端是和前述源極電極相同電位。
一種燃燒器罩，是用於加熱烹調器的氣體燃燒器的燃燒器罩，所述燃燒器罩具備： <br/>筒狀的外側部； <br/>環狀的內側部，配置在所述外側部的徑向內側，並在中央設置有能夠配置所述氣體燃燒器的開口部；以及 <br/>連接部，連接所述外側部和所述內側部，所述內側部的上表面是不存在凹凸或突起的平滑的面。
如請求項1所述的燃燒器罩，其中，所述連接部與所述內側部的下表面連接。
如請求項2所述的燃燒器罩，其中，所述連接部為板狀，板狀的所述連接部的端面與所述內側部連接。
如請求項3所述的燃燒器罩，其中，所述加熱烹調器具備熱板，在所述連接部的上部設置有用於載置所述熱板的平坦面。
如請求項3所述的燃燒器罩，其中，所述連接部在其下端具有平坦部。
如請求項3所述的燃燒器罩，其中，所述加熱烹調器具備排泄盤，所述燃燒器罩以板狀的所述連接部的所述端面與所述排泄盤接觸的方式載置在所述排泄盤上。
如請求項1所述的燃燒器罩，其中，所述外側部在其上端部具有向內側傾斜的傾斜部。
一種加熱烹調器，具備如請求項1至7中任一項所述的燃燒器罩。
一種溶劑可溶性聚醯亞胺樹脂，其特徵在於，主鏈中具有：含有(a) 3,3'-4,4'-聯苯四甲酸二酐(s-BPDA)以及(b) 2,2'-二甲基-4,4'-聯苯二胺(間聯甲苯胺)及/或4,4'-二胺基二苯醚(p-DADE)的重複單元，與含有(c) 4,4'-氧雙鄰苯二甲酸酐(ODPA)及(d) 2,5-二甲基-1,4-苯二胺(DMPDA)的重複單元。
如請求項1之溶劑可溶性聚醯亞胺樹脂，其中，主鏈中具有：含有(a) 3,3'-4,4'-聯苯四甲酸二酐(s-BPDA)及(b) 2,2'-二甲基-4,4'-聯苯二胺(間聯甲苯胺)的重複單元，與含有(c) 4,4'-氧雙鄰苯二甲酸酐(ODPA)及(d) 2,5-二甲基-1,4-苯二胺(DMPDA)的重複單元。
如請求項1之溶劑可溶性聚醯亞胺樹脂，其中，主鏈中具有：含有(a) 3,3'-4,4'-聯苯四甲酸二酐(s-BPDA)及(b) 4,4'-二胺基二苯醚(p-DADE)的重複單元，與含有(c) 4,4'-氧雙鄰苯二甲酸酐(ODPA)及(d) 2,5-二甲基-1,4-苯二胺(DMPDA)的重複單元。
如請求項1至3中任一項之溶劑可溶性聚醯亞胺樹脂，其中，上述含有(a)及(b)的重複單元係含有3,4'-二胺基二苯醚。
如請求項1至3中任一項之溶劑可溶性聚醯亞胺樹脂，其中，上述含有(a)及(b)的重複單元含有1,3-雙(4-胺基苯氧基)苯。
如請求項1至3中任一項之溶劑可溶性聚醯亞胺樹脂，其中，上述(a) 3,3'-4,4'-聯苯四甲酸二酐的含量為全部二酐的65莫耳%以上。
如請求項1至3中任一項之溶劑可溶性聚醯亞胺樹脂，其中，上述(b) 2,2'-二甲基-4,4'-聯苯二胺(間聯甲苯胺)或4,4'-二胺基二苯醚(p-DADE)、與上述(d) 2,5-二甲基-1,4-苯二胺(DMPDA)的合計含量為全部二胺的55莫耳%以上。
如請求項1至3中任一項之溶劑可溶性聚醯亞胺樹脂，其中，上述(b) 2,2'-二甲基-4,4'-聯苯二胺(間聯甲苯胺)或4,4'-二胺基二苯醚(p-DADE)的含量為全部二胺的8莫耳%以上。
如請求項1至3中任一項之溶劑可溶性聚醯亞胺樹脂，其中，上述(d) 2,5-二甲基-1,4-苯二胺(DMPDA)的含量為全部二胺的47莫耳%以上。
如請求項1至3中任一項之溶劑可溶性聚醯亞胺樹脂，其中，上述溶劑可溶性聚醯亞胺樹脂的熱膨脹係數為15~30ppm/℃。
一種聚醯亞胺樹脂組合物，其含有請求項1至10中任一項之溶劑可溶性聚醯亞胺樹脂、以及選自由N-甲基吡咯烷酮、二甲基乙醯胺、二甲基甲醯胺及二甲基亞碸所構成群組的至少1種溶劑。
一種電池用接著劑，其含有請求項1至10中任一項之溶劑可溶性聚醯亞胺樹脂。
一種金屬或金屬氧化物用接著劑，其含有請求項1至10中任一項之溶劑可溶性聚醯亞胺樹脂。
一種積層體，其在中間層具有接著劑層，上述接著劑層含有請求項12或13之接著劑。
一種積層體，其具有金屬層、與由請求項1至10中任一項之溶劑可溶性聚醯亞胺樹脂構成的聚醯亞胺膜層。
如請求項15之積層體，其中，上述金屬層係由銅或鋁構成。
一種電池用構件，其具有請求項14至16中任一項之積層體。
一種電池，其具有請求項17之電池用構件。
一種溶劑可溶性聚醯亞胺樹脂的製造方法，其特徵在於，包括：使(c) 4,4'-氧雙鄰苯二甲酸酐(ODPA)及(d)2,5-二甲基-1,4-苯二胺(DMPDA)反應的第一步驟，與在藉由第一步驟所得的反應物中添加(a) 3,3'-4,4'-聯苯四甲酸二酐(s-BPDA(4,4'-聯酞酸酐))以及(b) 2,2'-二甲基-4,4'-聯苯二胺(間聯甲苯胺)及/或4,4'-二胺基二苯醚(p-DADE)使其反應的第二步驟。
一種化妝品面膜用凝膠片，係含有：具有網目結構之合成高分子、油劑、滲出劑、濕潤劑、水、HLB值(Hydrophile-Lipophile Balance)為6以下的非離子界面活性劑、以及HLB值為10以上的非離子界面活性劑，其中，凝膠片表面之油劑的平均直徑為5μm以下，前述具有網目結構之合成高分子係具有陰離子性官能基之聚合性不飽和單體的聚合物或該等聚合物的鹽、與交聯劑之交聯物，於化妝品面膜用凝膠片中，前述具有網目結構之合成高分子的含量為0.50至35質量%，前述油劑係含有選自由烴、蠟類、以及油脂所組成之群組中的1種或2種以上，於化妝品面膜用凝膠片中，前述油劑的含量為0.10至10質量%，前述滲出劑係含有由非離子性水溶性高分子及電解質所組成之群組中的至少1種，於化妝品面膜用凝膠片中，前述滲出劑的含量為0.10至20質量%，前述濕潤劑係含有選自由乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、丙二醇、二丙二醇(DPG)、甘油、二甘油、異丙二醇、1,3-丁二醇(1,3-BG)、山梨糖醇、麥芽糖醇、繭糖、棉籽糖、木糖醇、甘露糖醇、玻尿酸及其鹽、三甲基甘胺酸、環糊精及多醣類所組成之群組中的1種或2種以上，於化妝品面膜用凝膠片中，前述濕潤劑的含量為1.0至50質量%，前述HLB值為6以下的非離子界面活性劑及前述HLB值為10以上的非離子界面活性劑兩者皆為聚甘油脂肪酸酯，於化妝品面膜用凝膠片中，前述HLB值為6以下的非離子界面活性劑的含量為0.5至5.0質量%，於化妝品面膜用凝膠片中，前述HLB值為10以上的非離子界面活性劑的含量為0.5至5.0質量%。
如請求項1所述之化妝品面膜用凝膠片，其中，前述滲出劑係含有非離子性水溶性高分子。
一種請求項1或2所述之化妝品面膜用凝膠片的製造方法，係包含下列步驟：將添加有HLB值為6以下的非離子界面活性劑之油劑、以及添加有HLB值為10以上的非離子界面活性劑之水混合，而製作乳化液之步驟；以及將具有陰離子性官能基之聚合性不飽和單體的聚合物或該等聚合物的鹽、滲出劑、濕潤劑、交聯劑、水、以及前述乳化液混合，而形成具有網目結構之凝膠狀組成物之步驟，於化妝品面膜用凝膠片中，前述具有陰離子性官能基之聚合性不飽和單體的聚合物或該等聚合物的鹽的含量為0.50至35質量%，前述油劑係含有選自由烴、蠟類、以及油脂所組成之群組中的1種或2種以上，於化妝品面膜用凝膠片中，前述油劑的含量為0.10至10質量%，前述滲出劑係含有由非離子性水溶性高分子及電解質所組成之群組中的至少1種，於化妝品面膜用凝膠片中，前述滲出劑的含量為0.10至20質量%，前述濕潤劑係含有選自由乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、丙二醇、二丙二醇(DPG)、甘油、二甘油、異丙二醇、1,3-丁二醇(1,3-BG)、山梨糖醇、麥芽糖醇、繭糖、棉籽糖、木糖醇、甘露糖醇、玻尿酸及其鹽、三甲基甘胺酸、環糊精及多醣類所組成之群組中的1種或2種以上，於化妝品面膜用凝膠片中，前述濕潤劑的含量為1.0至50質量%，前述HLB值為6以下的非離子界面活性劑及前述HLB值為10以上的非離子界面活性劑兩者皆為聚甘油脂肪酸酯，於化妝品面膜用凝膠片中，前述HLB值為6以下的非離子界面活性劑的含量為0.5至5.0質量%，於化妝品面膜用凝膠片中，前述HLB值為10以上的非離子界面活性劑的含量為0.5至5.0質量%。
一種移載檢測分類機台，係供檢測多個晶圓並分類，且檢測的該些晶圓係呈堆疊且之間分別放置有一間隔材，以及由至少一晶舟供放置該些晶圓，其中該移載檢測分類機台包括：一第一置料平台，具有一晶圓檢測區及一間隔材置放區，該晶圓檢測區係供該些晶圓呈堆疊放置，該間隔材置放區係供放置該些間隔材；一檢測裝置，係對應該晶圓檢測區設置，並供檢測放置在該晶圓檢測區的該些晶圓，該檢測裝置包括：一懸浮承載本體，具有一懸浮承載區及多個承載進氣孔，該懸浮承載區係供承載在該晶圓檢測區上的該晶圓，該承載進氣孔係對應該懸浮承載區開設成型，以將氣流朝向該懸浮承載區導入，使由汲取裝置移載之該晶圓的正面在非接觸狀態下由該懸浮承載本體承載；一汲取裝置，係對應該第一置料平台設置，且該汲取裝置包括：一高度檢測單元，用以檢測堆疊於該晶圓檢測區之該些晶圓目前的堆疊高度；及一機械臂，訊號連接該高度檢測單元，且該機械臂依據該堆疊高度調整其於垂直方向的位置，以在與堆疊在上面的該晶圓保持一預定間隙的狀態下取出該晶圓，其中該機械臂包括：一懸浮汲取本體，具有一凹陷成型於其表面之懸浮汲取區及對應該懸浮汲取區中心開設成型之汲取進氣孔；及一導氣蓋板，設置在該懸浮汲取區且對應該汲取進氣孔，並供該汲取進氣孔導入之氣流沿該懸浮汲取本體的平面延伸方向導出，使取出的該晶圓朝向該懸浮汲取本體之一面的空氣壓力小於另一面之空氣壓力，以使該晶圓相對該懸浮汲取區呈非接觸懸浮；；一第二置料平台，具有一晶圓置放區，係供該些晶舟設置；及一機械臂裝置，對應該第一置料平台及該第二置料平台設置，並供往返該一第一置料平台及該第二置料平台，以供該些晶圓在晶圓檢測區及該晶舟之間移載；其中，該移載檢測分類機台更包括一巡邊裝置，該巡邊裝置包括：一旋轉承載座，係供承載單片該晶圓並旋轉；及一巡邊偵測單元，設置在該旋轉承載座的側邊，並於旋轉期間偵測該晶圓之邊緣以判斷該晶圓之尺寸並產生一尺寸資訊，並在該汲取裝置及該檢測裝置執行取放及檢測動作時，依據該尺寸資訊調整對應該晶圓之汲取位置及檢測範圍。
如請求項1所述的移載檢測分類機台，其中該機械臂裝置係從該至少一晶舟取出該些晶圓並移載至該晶圓檢測區由該檢測裝置進行檢測，在檢測後，該汲取裝置汲取該間隔材至檢測後的該晶圓表面。
如請求項1所述的移載檢測分類機台，其中該汲取裝置係在檢測前，汲取並移除在該晶圓表面的間隔材，在檢測後該機械臂裝置取出該晶圓並移載至該至少一晶舟。
如請求項1所述的移載檢測分類機台，其中該檢測裝置包括：一照明單元，係朝向該晶圓檢測區出光，以供照明待檢測的該晶圓的表面；及一影像擷取單元，係朝向該晶圓檢測區拍攝，以擷取受該照明單元照明的待檢測的該晶圓的表面影像。
如請求項4所述的移載檢測分類機台，其中該照明單元包括：多個LED發光元件，係對應該晶圓檢測區設置，並供朝向該晶圓檢測區出光；及一均光板，係設置在對應該些LED發光元件的出光方向，並供均勻該些LED發光元件的出光並照明待檢測的該晶圓的表面。
如請求項1所述的移載檢測分類機台，其中該第二置料平台包括一固定件，係對應該晶圓置放區設置，並供該晶舟設置在該晶圓置放區時夾固該晶舟。
一種板端連接器，該板端連接器係搭配一線端連接器，其中，該線端連接器係可插接該板端連接器，該板端連接器係包括： <br/>一板端導電端子組，該板端導電端子組係具有一板端端子組對接結構； <br/>一板端插接座體，該板端插接座體係具有一板端座體插接空間，該板端插接座體係嵌設該板端導電端子組，且該板端端子組對接結構係位於該板端座體插接空間； <br/>一板端座體金屬外殼，該板端座體金屬外殼係具有一金屬外殼插接通道，且該板端座體金屬外殼係接合該板端插接座體，使該金屬外殼插接通道連通該板端座體插接空間；以及 <br/>一板端座體金屬上蓋，該板端座體金屬上蓋係設置於該板端座體金屬外殼，該板端座體金屬上蓋係具有一金屬上蓋插接通道與一金屬上蓋止擋結構；其中， <br/>於該線端連接器插接該板端連接器，該板端座體金屬上蓋可相對該板端座體金屬外殼移動至一插接容許位置與一插接止擋位置； <br/>於該板端座體金屬外殼位於該插接容許位置，該金屬上蓋插接通道係對準該金屬外殼插接通道，讓該線端連接器可依序經由該金屬上蓋插接通道與該金屬外殼插接通道，而進入該板端座體插接空間以對接該板端端子組對接結構；以及 <br/>於該板端座體金屬上蓋位於該插接止擋位置，該金屬上蓋止擋結構係對準該金屬外殼插接通道，而可止擋該線端連接器經由該金屬外殼插接通道離開該板端座體插接空間。
如請求項1所述之板端連接器，其中，該板端座體金屬外殼還具有一金屬外殼容許位置定位結構與一金屬外殼止擋位置定位結構，該板端座體金屬上蓋還具有一金屬上蓋第一容許位置定位結構與一金屬上蓋第一止擋位置定位結構；其中，該金屬上蓋第一容許位置定位結構係可搭配該金屬外殼容許位置定位結構，而定位該板端座體金屬上蓋使該板端座體金屬上蓋位於該插接容許位置；該金屬上蓋第一止擋位置定位結構係可搭配該金屬外殼止擋位置定位結構，而定位該板端座體金屬上蓋使該板端座體金屬上蓋位於該插接止擋位置。
如請求項2所述之板端連接器，其中，該金屬上蓋第一容許位置定位結構與該金屬外殼容許位置定位結構係為結構配合的凹凸結構；該金屬上蓋第一止擋位置定位結構與該金屬外殼止擋位置定位結構係為結構配合的凹凸結構。
如請求項3所述之板端連接器，其中，該板端座體金屬外殼係電性搭接該板端座體金屬上蓋而構成金屬屏蔽結構，以為該板端座體插接空間提供電性屏蔽。
如請求項1所述之板端連接器，其中，該板端座體金屬外殼還具有一金屬外殼屏蔽側壁，該金屬外殼屏蔽側壁係位於該板端插接座體的側邊，以為該板端座體插接空間提供電性屏蔽。
如請求項1所述之板端連接器，其中，該板端插接座體還具有一板端座體容許位置定位結構，該板端座體金屬上蓋還具有一金屬上蓋第二容許位置定位結構；其中，該金屬上蓋第二容許位置定位結構係可搭配該板端座體容許位置定位結構，而定位該板端座體金屬上蓋使該板端座體金屬上蓋位於該插接容許位置。
如請求項6所述之板端連接器，其中，該金屬上蓋第二容許位置定位結構係為抵接結構，該板端座體容許位置定位結構係為抵接牆結構，使該金屬上蓋第二容許位置定位結構可抵接該板端座體容許位置定位結構。
如請求項1所述之板端連接器，其中，該板端座體金屬上蓋還具有一金屬上蓋第二止擋位置定位結構；其中，於該板端座體金屬上蓋位於該插接止擋位置，該金屬上蓋第二止擋位置定位結構係可抵靠該線端連接器而止擋該線端連接器離開該板端座體插接空間。
如請求項8所述之板端連接器，其中，該金屬上蓋第二止擋位置定位結構係為可抵靠該線端連接器的折彎抵靠結構。
如請求項1所述之板端連接器，其中，該板端座體金屬上蓋還具有一金屬上蓋引導結構，該板端座體金屬外殼還具有一金屬外殼引導結構；其中，該金屬上蓋引導結構係可搭配該金屬外殼引導結構，而引導該板端座體金屬上蓋沿預定路徑相對該板端座體金屬外殼移動。
如請求項10所述之板端連接器，其中，該板端插接座體還具有一板端座體引導結構；其中，該金屬上蓋引導結構係可搭配該板端座體引導結構，而引導該板端座體金屬上蓋沿預定路徑相對該板端座體金屬外殼移動。
如請求項11所述之板端連接器，其中，該金屬上蓋引導結構係為導塊結構；該金屬外殼引導結構與該板端座體引導結構係分別為導槽結構。
一種線端連接器，該線端連接器係可插接如請求項1所述的板端連接器，該線端連接器係包括： <br/>一線端導電端子組，該線端導電端子組係具有一線端端子組對接結構；以及 <br/>一線端插接頭，該線端插接頭係具有一線端接頭插接結構，且該線端插接頭係嵌設該線端導電端子組，使該線端端子組對接結構位於該線端接頭插接結構；其中， <br/>於該板端座體金屬外殼位於該插接容許位置，該線端接頭插接結構可依序經由該金屬上蓋插接通道與該金屬外殼插接通道進入該板端座體插接空間，而使該線端端子組對接結構對接該板端端子組對接結構；以及 <br/>於該板端座體金屬上蓋位於該插接止擋位置，該金屬上蓋止擋結構係止擋該線端接頭插接結構經由該金屬外殼插接通道離開該板端座體插接空間。
如請求項13所述之線端連接器，其中，該線端插接頭還具有一線端接頭容許位置定位結構，該板端座體金屬上蓋還具有一金屬上蓋第二止擋位置定位結構；其中，於該板端座體金屬上蓋位於該插接止擋位置，該金屬上蓋第二止擋位置定位結構係可抵靠該線端接頭容許位置定位結構，而止擋該線端接頭插接結構離開該板端座體插接空間。
如請求項14所述之線端連接器，其中，該金屬上蓋第二止擋位置定位結構係為折彎的抵靠結構，該線端接頭容許位置定位結構係為抵靠牆結構，使該金屬上蓋第二止擋位置定位結構可抵靠該線端接頭容許位置定位結構。
一種連接器總成，該連接器總成係包括： <br/>一板端連接器，該板端連接器係包含：一板端導電端子組、一板端插接座體、一板端座體金屬外殼與一板端座體金屬上蓋；其中， <br/>該板端插接座體係具有一板端座體插接空間；該板端插接座體係嵌設該板端導電端子組，使該板端導電端子組的部分外露於該板端座體插接空間； <br/>該板端座體金屬外殼係接合該板端插接座體，且該板端座體金屬外殼係具有一金屬外殼插接通道，該金屬外殼插接通道係連通該板端座體插接空間；以及 <br/>該板端座體金屬上蓋係設置於該板端座體金屬外殼，該板端座體金屬上蓋係具有一金屬上蓋插接通道與一金屬上蓋止擋結構；以及 <br/>一線端連接器，該線端連接器係可插接該板端連接器，該線端連接器係包含：一線端導電端子組與一線端插接頭；該線端插接頭係具有一線端接頭插接結構，且該線端插接頭係嵌設該線端導電端子組，使該線端導電端子組的部分外露於該線端接頭插接結構；其中， <br/>於該線端連接器插接該板端連接器，該板端座體金屬上蓋可相對該板端座體金屬外殼移動至一插接容許位置與一插接止擋位置； <br/>於該板端座體金屬外殼位於該插接容許位置，該金屬上蓋插接通道係對準該金屬外殼插接通道，讓該線端接頭插接結構可依序經由該金屬上蓋插接通道與該金屬外殼插接通道，而進入該板端座體插接空間以使該線端導電端子組外露於該線端接頭插接結構的部分對接該板端導電端子組外露於該板端座體插接空間的部分；以及 <br/>於該板端座體金屬上蓋位於該插接止擋位置，該金屬上蓋止擋結構係可止擋該線端接頭插接結構離開該板端座體插接空間。
如請求項16所述之連接器總成，其中，該板端導電端子組係分別由排成多排的多個板端導電端子所組成；該線端導電端子組係分別由排成多排的多個線端導電端子所組成。
一種電子裝置，包括：<br/> 一基板；<br/> 一驅動元件，設置在所述基板上，所述驅動元件包括：<br/> 一折射率匹配構造，所述折射率匹配構造包括一第一層、一第二層以及一第一折射率匹配層，其中所述第一折射率匹配層設置在所述第一層與所述第二層之間，且所述第一折射率匹配層的折射率介於所述第一層的折射率和所述第二層的折射率之間；<br/> 一第一導電層，包括一閘極；以及<br/> 一第二導電層，包括一汲極；<br/> 一平坦層，設置在所述第二導電層上；<br/> 一畫素電極，設置在所述平坦層上且電連接到所述汲極；以及<br/> 一第二折射率匹配層，夾設於所述平坦層與所述畫素電極之間；<br/> 其中，所述第二折射率匹配層的折射率介於所述平坦層的折射率和所述畫素電極的折射率之間。
根據請求項1所述的電子裝置，其中所述折射率匹配構造設置在所述第一導電層與所述第二導電層之間。
根據請求項1所述的電子裝置，其中所述電子裝置還包括：<br/> 一第三折射率匹配層，設置在所述基板上；以及<br/> 一緩衝層，設置在所述第三折射率匹配層和所述驅動元件之間，<br/> 其中所述第三折射率匹配層的折射率介於所述基板的折射率和所述緩衝層的折射率之間。
根據請求項1所述的電子裝置，其中所述電子裝置還包括：<br/> 一第一緩衝層，設置在所述基板上；<br/> 一第三折射率匹配層，設置在所述第一緩衝層上；以及<br/> 一第二緩衝層，設置在所述第三折射率匹配層和所述驅動元件之間，<br/> 其中所述第三折射率匹配層的折射率介於所述第一緩衝層的折射率和所述第二緩衝層的折射率之間。
根據請求項1所述的電子裝置，還包括一第二緩衝層，設置在所述基板與所述驅動元件之間，所述第二緩衝層直接接觸於所述基板，且所述第二緩衝層的厚度在200埃到6000埃的範圍之間。
根據請求項1所述的電子裝置，其中所述第二導電層設置在所述第一導電層上，且所述折射率匹配構造設置在所述第二導電層上。
根據請求項6所述的電子裝置，其中所述電子裝置包括：<br/> 一第四折射率匹配層，設置在所述第二層上； <br/> 其中，所述畫素電極設置在所述第四折射率匹配層上，所述第四折射率匹配層的折射率介於所述第二層的折射率和所述畫素電極的折射率之間。
根據請求項6所述的電子裝置，其中所述驅動元件包括一閘極絕緣層，設置在所述第一導電層和所述第二導電層之間，所述電子裝置還包括：<br/> 一第五折射率匹配層，設置在所述基板與所述閘極絕緣層之間，所述第五折射率匹配層的折射率介於所述基板的折射率和所述閘極絕緣層的折射率之間。
根據請求項1所述的電子裝置，其中所述第一折射率匹配層包括氮氧化矽、氧化矽、氮化矽、氟化鎂、氟化鈣、氟化鋇、氟化鑭、或其組合。
根據請求項1所述的電子裝置，其中所述第一折射率匹配層的厚度在200埃到4000埃的範圍之間。
一種將聲音或聲場之壓縮的高階保真立體音響（HOA）聲音表示予以解碼的方法，該方法包含： <br/> 接收包含該壓縮的HOA表示的位元流，其中該位元流包括對應於該壓縮的HOA表示之HOA係數的數目； <br/> 當在該位元流中存在獨立存取單位時，基於最低整數<img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10001.jpg" alt="ed10001.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>解碼該壓縮HOA表示，其中該最低整數<img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10001.jpg" alt="ed10001.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>係基於<img align="absmiddle" height="9px" width="99px" file="ed10002.jpg" alt="ed10002.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>所判定， <br/> 其中<img align="absmiddle" height="11px" width="115px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<img align="absmiddle" height="7px" width="10px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該階，<img align="absmiddle" height="7px" width="14px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為感興趣最大階，<img align="absmiddle" height="9px" width="34px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該虛擬揚聲器之方向，<img align="absmiddle" height="7px" width="36px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該HOA係數序列之數目，以及<img align="absmiddle" height="7px" width="4px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該模式矩陣的平方歐幾里德範數<img align="absmiddle" height="8px" width="17px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>與<img align="absmiddle" height="7px" width="4px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>之間的比率，以及 <br/> 其中<img align="absmiddle" height="9px" width="35px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；以及 <br/> 將該解碼的HOA表示呈現給<img align="absmiddle" height="7px" width="4px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>個虛擬揚聲器信號，其中各虛擬揚聲器之位置分布於一單位球面上。
一種用於將聲音或聲場之壓縮的高階保真立體音響（HOA）聲音表示予以解碼的裝置，該裝置包含： <br/> 處理器，其組態以接收包含該壓縮的HOA表示的位元流，其中該位元流包括對應於該壓縮的HOA表示之HOA係數的數目； <br/> 該處理器，其組態以基於最低整數<img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10001.jpg" alt="ed10001.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>解碼該壓縮HOA表示， <br/> 其中當在該位元流中存在獨立存取單位時，該最低整數<img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10001.jpg" alt="ed10001.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>係基於<img align="absmiddle" height="9px" width="99px" file="ed10002.jpg" alt="ed10002.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>所判定， <br/> 其中<img align="absmiddle" height="11px" width="115px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<img align="absmiddle" height="7px" width="10px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該階，<img align="absmiddle" height="7px" width="14px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為感興趣最大階，<img align="absmiddle" height="9px" width="34px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該虛擬揚聲器之方向，<img align="absmiddle" height="7px" width="36px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該HOA係數序列之數目，以及<img align="absmiddle" height="7px" width="4px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該模式矩陣的平方歐幾里德範數<img align="absmiddle" height="8px" width="17px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>與<img align="absmiddle" height="7px" width="4px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>之間的比率，以及 <br/> 其中<img align="absmiddle" height="9px" width="35px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；以及 <br/> 呈現器，用於將該解碼的HOA表示呈現給<img align="absmiddle" height="7px" width="4px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>個虛擬揚聲器信號，其中各虛擬揚聲器之位置分布於一單位球面上。
一種診斷基板，包括：<br/> 一基板；<br/> 一電路板，該電路板在該基板上；<br/> 複數個光譜儀，該複數個光譜儀耦接至該電路板；及<br/> 一處理器，該處理器在該電路板上並通訊耦合至該複數個光譜儀，其中該處理器被該複數個光譜儀圍繞。
如請求項1所述之診斷基板，其中該複數個光譜儀中的每個光譜儀被取向為面朝上、面朝下或在側向上遠離該基板。
如請求項1所述的診斷基板，其中該基板具有一半導體晶圓的一形狀因數，其中該基板的一直徑為200 mm或300 mm，並且其中該基板的一厚度為1 mm。
如請求項1所述之診斷基板，進一步包括：<br/> 一光源。
如請求項4所述之診斷基板，其中該光源被配置為發射光，並且其中該光被反射回該複數個光譜儀中的一個光譜儀。
如請求項4所述之診斷基板，進一步包括：<br/> 複數個光源，其中該複數個光源中的每個光源被配置為光學耦合至該複數個光譜儀中的該一個光譜儀，並且其中該複數個光源被配置為將光從一腔室內部的不同區域反射。
如請求項4所述之診斷基板，進一步包括複數個光源，其中該複數個光譜儀以一菊花鏈配置、一網狀配置或一星形配置耦接。
如請求項4所述之診斷基板，其中該光源耦接至一光波導，並且其中該光波導被配置為將發射的光饋送到該基板上的多於一個光譜儀。
如請求項1所述之診斷基板，其中該複數個光譜儀在該電路板上。
如請求項9所述之診斷基板，其中該複數個光譜儀中的每個光譜儀具有一專用光源，或者其中該複數個光譜儀共享一共用光源。
如請求項1所述之診斷基板，其中該光譜儀是一繞射和/或一光柵光譜儀、一光子晶體和/或一濾波器光譜儀、一光譜成像儀光譜儀或一基於干涉儀的光譜儀。
一種研究一處理腔室的一內表面的方法，包括以下步驟：<br/> 將一診斷裝置插入該處理腔室中，其中該診斷裝置包括：<br/> 一光譜儀，被配置為接收來自一光源的光，該光從該處理腔室的一內表面反射並傳播到該光譜儀；以及<br/> 用該光譜儀偵測一光譜。
如請求項12所述之方法，其中研究該處理腔室的一內表面之步驟包括以下步驟：確定沉積在該內表面上的一材料和/或確定沉積在該內表面上的一或多個材料層的一厚度。
如請求項12所述之方法，其中當該診斷裝置位移穿過該處理腔室時，在複數個時間點處偵測該光譜。
如請求項12所述之方法，其中該診斷裝置是一診斷基板，或者其中該診斷裝置是一機器人臂，該機器人臂被配置為承載一晶圓。
如請求項12所述之方法，其中在該診斷裝置靜止時偵測該光譜。
如請求項16所述之方法，其中該診斷裝置上的複數個光源光學耦合至該光譜儀以便在不移動該診斷裝置的情況下提供該內表面的一多點分析。
如請求項12所述之方法，其中該光源是該診斷裝置的部分，或者其中該光源並非源自該診斷裝置。
一種控制一腔室的一清潔和/或調理製程的方法，包括以下步驟：<br/> 在該腔室中啟動一清潔和/或調理製程；<br/> 將一診斷裝置插入該腔室中；<br/> 使用該診斷裝置來確定該腔室的一內表面上的一或多個層的一材料組成和/或一厚度；以及<br/> 當該一或多個層的該材料組成和/或該厚度處於一期望值時，結束該清潔和/或調理製程。
如請求項19所述之方法，其中該診斷裝置包括：<br/> 一基板；<br/> 一電路板，在該基板上；<br/> 一光源，耦接至該電路板；<br/> 一光譜儀，耦接至該電路板並取向為背對該基板，其中該光源被配置為發出從一表面反射並被引導至該光譜儀的光；及<br/> 一處理器，耦接至該電路板，其中該處理器控制該光源和該光譜儀。
一種封裝結構的製作方法，其特徵在於，所述方法包括：<br/> 提供半導體晶片，所述半導體晶片包括多個第一半導體晶片，每個所述第一半導體晶片具有相對的第一表面和第二表面，所述第一表面上設置有光耦合區以及圍繞所述光耦合區的非光耦合區，所述光耦合區內設置有光耦合介面；<br/> 針對每個所述第一半導體晶片，提供與該第一半導體晶片對應的至少一個第二半導體晶片以及光耦合區保護環，並將所述至少一個第二半導體晶片以及所述光耦合區保護環分別固定在該第一半導體晶片的所述第一表面的所述非光耦合區上，其中，所述光耦合區保護環環繞所述光耦合區；以及，<br/> 製作塑封層，所述塑封層包覆所述至少一個第二半導體晶片和所述光耦合區保護環遠離所述光耦合區的外側表面，並且所述塑封層不覆蓋所述光耦合區保護環所占區域；且其中，所述製作塑封層包括：<br/> 提供一塑封模具，所述塑封模具上具有與所述多個第一半導體晶片一一對應的多個U形腔體；<br/> 在每個所述腔體的底部設置疏膠層；<br/> 在所述疏膠層的預設區域處設置膠狀塑封材料；以及，<br/> 將設置有所述膠狀塑封材料的所述塑封模具倒置並壓合在所述半導體晶片的所述第一表面上，以形成所述塑封層。
如請求項1所述的封裝結構的製作方法，其特徵在於，在垂直於所述第一表面的方向上，所述光耦合區保護環遠離所述第一表面的頂面與所述至少一個第二半導體晶片遠離所述第一表面的頂面齊平。
如請求項1所述的封裝結構的製作方法，其特徵在於，所述製作塑封層還包括：<br/> 在將所述塑封模具倒置並壓合在所述半導體晶片上時，所述光耦合區保護環的遠離所述第一表面的頂面與所述腔體的底部貼合。
如請求項1所述的封裝結構的製作方法，其特徵在於，所述製作塑封層還包括：<br/> 在將所述塑封模具倒置並壓合在所述半導體晶片上時，所述光耦合區保護環的遠離所述第一表面的頂面與所述疏膠層貼合。
如請求項1所述的封裝結構的製作方法，其特徵在於，所述方法還包括：<br/> 在形成所述塑封層之後，去除所述塑封模具。
如請求項5所述的封裝結構的製作方法，其特徵在於，所述方法還包括：<br/> 在去除所述塑封模具之後，對所述半導體晶片進行切割以得到多個分離的晶片封裝元件，每個所述晶片封裝元件包括一個第一半導體晶片、對應的至少一個第二半導體晶片、光耦合區保護環以及塑封層。
如請求項6所述的封裝結構的製作方法，其特徵在於，所述方法還包括：<br/> 在得到多個分離的所述晶片封裝元件之後，將每個所述晶片封裝元件安裝至對應的封裝基板上；以及<br/> 將導光結構或者雷射器晶片安裝至所述第一半導體晶片的所述光耦合介面上。
如請求項1所述的封裝結構的製作方法，其特徵在於，所述方法還包括：<br/> 在將所述至少一個第二半導體晶片以及所述光耦合區保護環分別固定在對應的第一半導體晶片的所述第一表面的所述非光耦合區上之前，在每個所述第一半導體晶片內製作多個導電通道，並將每個所述導電通道的兩側表面分別從所述第一半導體晶片的兩側表面露出。
如請求項8所述的封裝結構的製作方法，其特徵在於，所述方法還包括：<br/> 在將每個所述導電通道的兩側表面從所述第一半導體晶片的表面露出之後，在每個所述導電通道露出的一側表面上製作第一導電凸點。
如請求項9所述的封裝結構的製作方法，其特徵在於，所述方法還包括：<br/> 在每個所述導電通道露出的一側表面上製作第一導電凸點之後，將每個所述第一半導體晶片靠近所述第一導電凸點的一側表面與第二承載基板進行臨時鍵結；以及，<br/> 在每個所述第一半導體晶片的每個所述導電通道露出的另一側表面上製作第二導電凸點。
如請求項10所述的封裝結構的製作方法，其特徵在於，所述方法還包括：<br/> 在每個所述第一半導體晶片的每個所述導電通道露出的另一側表面上製作第二導電凸點之後，將所述第一半導體晶片靠近所述第二導電凸點的一側表面與第一承載基板進行臨時鍵結；以及，<br/> 將所述第二承載基板解鍵結。
如請求項1所述的封裝結構的製作方法，其特徵在於，<br/> 所述第一半導體晶片是光子積體電路晶片，所述第二半導體晶片是電子積體電路晶片。
如請求項1所述的封裝結構的製作方法，其特徵在於，<br/> 所述光耦合區保護環是空心的管狀結構或者是具有空心並帶頂蓋的杯狀結構。
如請求項13所述的封裝結構的製作方法，其特徵在於，<br/> 所述光耦合區保護環包括金屬、陶瓷、矽中的任意一種。
一種具有一容器(3)的裝置，該容器具有一容器開口，一存儲介質可通過該容器開口供應至該容器(3)或自該容器(3)移除，其中該容器開口可以一封閉構件(27)來密封且可以一顯示破壞保護裝置(9)來保護，其特徵在於：該顯示破壞保護裝置(9)具有含有一下部部件(13)及可移置地安裝在該下部部件(13)上的一上部部件(12)之一保護裝置體(10)、及一安全密封件(11)，該安全密封件(11)係安裝於該保護裝置體(10)上，該保護裝置體(10)係固定於一浸沒式管(4)；當該顯示破壞保護裝置釋放時，該上部部件(12)及下部部件(13)之間發生相對移動，藉此該安全密封件(11)的一部段被分開且受引導至該下部部件(13)的一收納腔室(21)。
如請求項1所述的裝置， 其特徵在於該保護裝置體(10)的該上部部件(12)可旋轉地安裝在該下部部件(13)上。
如請求項1所述的裝置，其特徵在於該上部部件(12)被設計成一圓盤形；及/或在於該下部部件(13)是一旋轉對稱的中空體而該收納腔室(21)在其頂端敞開；及在於安裝在該下部部件(13)上的該上部部件(12)以其周邊區域在徑向方向上突出超出該下部部件(13)的外殼表面。
如請求項1所述的裝置，其特徵在於該安全密封件(11)具有一上部部段(11a)及一下部部段(11b)，其中當該顯示破壞保護裝置(9)固定於該封閉構件(27)時，該安全密封件(11)的該上部部段(11a)安裝在該上部部件(12)的一座部中，且該安全密封件(11)的該下部部段(11b)突出進入該收納腔室(21)的區域中。
如請求項4所述的裝置，其特徵在於該座部由該上部部件(12)的頂端的一凹陷部形成，其中該安全密封件(11)的該上部部段(11a)的邊緣緊密地鄰接界定該凹陷部(20)的該上部部件(12)的邊緣。
如請求項1所述的裝置，其特徵在於在該上部部件(12)相對於該下部部件(13)的相對移動期間，該安全密封件(11)的該下部部段(11b)受引導抵靠一機械性分離構件且從而自該安全密封件(11)的該上部部段(11a)被分開。
如請求項6所述的裝置，其特徵在於該機械性分離構件係由一突出進入該收納腔室(21)中的一停止件形成，其中該停止件係由該下部部件(13)中的一橫跨件(22)形成。
如請求項3所述的裝置，其特徵在於一出口開口(23)設置於該下部部件(13)的該外殼表面上，該安全密封件(11)的分開的該下部部段可通過該出口開口被導出，其中在該上部部件(12)相對於該下部部件(13)的導出位置處，該收納腔室(21)在該出口開口(23)處打開來，且其中在阻擋位置處，該上部部件(12)的底端上的一阻擋部段(16)擋住該出口開口(23)。
如請求項1所述的裝置，其特徵在於浸沒式管(4)安裝於該容器(3)內，且一移除系統(1)的一移除頭(2)可連接至該浸沒式管(4)以便供應形成該存儲介質的一液體至該容器(3)或自其中移除此一液體，其中當該移除頭(2)取下時，該浸沒式管(4)可以該顯示破壞保護裝置(9)來密封且保護。
如請求項9所述的該裝置，其特徵在於該浸沒式管(4)可以一封閉件(8)來關閉，且該顯示破壞保護裝置(9)可施用於以該封閉件(8)來密封的該浸沒式管(4)，或該顯示破壞保護裝置(9)構成用於該浸沒式管(4)的一封閉構件(27)。
如請求項9所述的裝置，其特徵在於該保護裝置體(10)的該下部部件(13)具有用於固定於該浸沒式管(4)的固定構件。
如請求項11所述的裝置，其特徵在於該固定構件係由一外螺紋(17)形成，其中該保護裝置體(10)可利用該外螺紋螺鎖入該浸沒式管(4)。
如請求項9所述的裝置，其特徵在於當該顯示破壞保護裝置(9)緊扣至該浸沒式管(4)時，該保護裝置體(10)的該上部部件(12)的周邊區域抵靠著於該浸沒式管(4)的上邊緣。
如請求項1所述的裝置，其特徵在於該封閉構件(27)可固定於該容器(3)的該容器開口內，且該顯示破壞保護裝置(9)係該封閉構件(27)的一部分。
如請求項14所述的裝置，其特徵在於該封閉構件(27)具有可固定於該容器開口內的一封閉件體(28)，且該封閉件體(28)具有在軸向方向上穿透該封閉件體的一中央中空圓筒座部(30)，該顯示破壞保護裝置(9)的該保護裝置體(10)可安裝於該中央中空圓筒座部內。
如請求項15所述的裝置，其特徵在於該封閉件體(28)可藉由一螺固連結來固定於該容器開口。
如請求項16所述的裝置，其特徵在於自該容器(3)的頂端突出的一中空圓筒凸出部(25)設有界定該容器開口的一外螺紋(26)，其中該封閉件體(28)可固定於該凸出部(25)，且該封閉件體(28)具有一中空圓筒側壁，該中空圓筒側壁的內側上設有一內螺紋(29)，該內螺紋可螺鎖於該容器(3)的該外螺紋(26)上。
如請求項15所述的裝置，其特徵在於該保護裝置體(10)的該下部部件(13)的外側上設有一外螺紋(31)，該外螺紋可螺鎖入該封閉件體(28)的一內螺紋(32)，該內螺紋(32)界定該中空圓筒座部(30)。
如請求項15所述的裝置，其特徵在於當該保護裝置體(10)安裝進該封閉件體(28)的該中空圓筒座部(30)中，其上部部件(12)暴露於該封閉件體(28)的頂端，及/或在徑向方向上突出超出該下部部件(13)的該保護裝置體(10)的該上部部件(12)的一周邊區域抵靠著於該容器(3)的頂端。
如請求項19所述的裝置，其特徵在於一密封件設置在該上部部件(12)的周邊區域的底端上，該密封件密封與該封閉件體(28)的交界處，其中該密封件由在該保護裝置體(10)的圓周方向上延伸的一密封環(33)形成。
如請求項9所述的裝置，其特徵在於可讓一致動構件以防止旋轉的方式安裝上去的座部，設置在該保護裝置體(10)的該上部部件(12)的頂端上。
如請求項21所述的裝置，其特徵在於當該致動構件作動時，首先該上部部件(12)抵靠著該保護裝置體(10)的該下部部件(13)被旋轉，藉此該安全密封件(11)的該下部部段被分開，且當該致動構件進一步作動時，該封閉構件(27)會螺轉脫離該容器開口。
如請求項9所述的裝置，其特徵在於該容器(3)是一桶(24)，且該致動構件是一塞扳手(35)。
一種功率金屬氧化物半導體場效電晶體，包括：<br/> 基底，具有彼此相對的第一表面與第二表面；<br/> 基極區，設置於所述基底中，且鄰近所述第一表面；<br/> 摻雜區，設置於所述基極區中，且鄰近所述第一表面；<br/> 漂移區，設置於所述基底中，且位於所述基極區下方；<br/> 閘極結構，設置於所述基底中，且包括第一部分與第二部分，其中所述第一部分位於所述漂移區中，且所述第二部分位於所述摻雜區、所述基極區與所述漂移區中；<br/> 絕緣層，設置於所述閘極結構與所述基底之間；<br/> 導電層，圍繞所述第二部分，且位於所述絕緣層與所述基底之間；<br/> 源極電極，設置於所述第一表面上，且連接所述摻雜區；以及<br/> 汲極電極，設置於所述第二表面上，<br/> 其中所述基底、所述摻雜區以及所述漂移區具有第一導電型，且所述基極區具有第二導電型。
如請求項1所述的功率金屬氧化物半導體場效電晶體，其中所述導電層的材料包括金屬或導電化合物。
如請求項2所述的功率金屬氧化物半導體場效電晶體，其中所述金屬包括金或鈦。
如請求項2所述的功率金屬氧化物半導體場效電晶體，其中所述導電化合物包括金屬矽化物、金屬氧化物或導電性的高分子聚合物。
如請求項1所述的功率金屬氧化物半導體場效電晶體，其中所述導電層位於所述第一部分的側壁與底部上。
如請求項1所述的功率金屬氧化物半導體場效電晶體，其中所述第一部分與所述第二部分彼此連接。
如請求項1所述的功率金屬氧化物半導體場效電晶體，其中所述絕緣層還位於所述第一部分與所述第二部分之間以及所述導電層與所述第二部分之間。
如請求項1所述的功率金屬氧化物半導體場效電晶體，其中所述第二部分的寬度大於所述第一部分的寬度。
如請求項1所述的功率金屬氧化物半導體場效電晶體，其中所述基極區的底面不低於所述第二部分的底面。
如請求項1所述的功率金屬氧化物半導體場效電晶體，其中所述摻雜區中的摻質的濃度介於1×10<sup>17</sup> cm<sup>-3</sup>至1×10<sup>21</sup> cm<sup>-3</sup>之間。
如請求項1所述的功率金屬氧化物半導體場效電晶體，其中所述基極區中的摻質的濃度介於1×10<sup>14</sup> cm<sup>-3</sup>至1×10<sup>18</sup> cm<sup>-3</sup>之間。
如請求項1所述的功率金屬氧化物半導體場效電晶體，其中所述漂移區中的摻質的濃度介於1×10<sup>16</sup> cm<sup>-3</sup>至1×10<sup>18</sup> cm<sup>-3</sup>之間。
如請求項1所述的功率金屬氧化物半導體場效電晶體，其中所述基底中的摻質的濃度介於1×10<sup>14</sup> cm<sup>-3</sup>至1×10<sup>21</sup> cm<sup>-3</sup>之間。
如請求項1所述的功率金屬氧化物半導體場效電晶體，其中所述閘極結構的材料包括多晶矽。
一種功率金屬氧化物半導體場效電晶體的製造方法，包括：<br/> 提供基底，其中所述基底具有彼此相對的第一表面與第二表面；<br/> 於所述基底中形成摻雜區、基極區以及漂移區，其中所述基極區鄰近所述第一表面，所述摻雜區位於所述基極區中且鄰近所述第一表面，且所述漂移區位於所述基極區下方；<br/> 於所述基底中形成閘極結構，其中所述閘極結構包括第一部分與第二部分，所述第一部分位於所述漂移區中，且所述第二部分位於所述摻雜區、所述基極區與所述漂移區中；<br/> 於所述閘極結構與所述基底之間形成絕緣層；<br/> 形成圍繞所述第二部分的導電層，其中所述導電層位於所述絕緣層與所述基底之間；<br/> 於所述第一表面上形成源極電極，其中所述源極電極與所述摻雜區連接；以及<br/> 於所述第二表面上形成汲極電極，<br/> 其中所述基底、所述摻雜區以及所述漂移區具有第一導電型，且所述基極區具有第二導電型。
如請求項15所述的功率金屬氧化物半導體場效電晶體的製造方法，其中所述閘極結構、所述絕緣層以及所述導電層的形成方法包括：<br/> 於所述基底中形成第一溝槽；<br/> 於所述第一溝槽的側壁與底部上形成導電材料層；<br/> 於所述導電材料層上形成第一絕緣材料層；<br/> 形成第一閘極材料層以填滿所述第一溝槽；<br/> 移除所述第一溝槽的上部中的所述導電材料層、所述第一絕緣材料層與所述第一閘極材料層以及所述第一溝槽的上部周圍的部分所述基底，以形成第二溝槽；<br/> 於所述第二溝槽的側壁與底部上形成第二絕緣材料層；以及<br/> 形成第二閘極材料層以填滿所述第二溝槽。
如請求項16所述的功率金屬氧化物半導體場效電晶體的製造方法，其中在形成所述導電材料層之後以及在形成所述第一絕緣材料層之前，還包括移除位於所述第一溝槽的底部上的所述導電材料層。
如請求項16所述的功率金屬氧化物半導體場效電晶體的製造方法，其中所述導電材料層的形成方法包括化學氣相沉積製程或濺鍍製程。
如請求項15所述的功率金屬氧化物半導體場效電晶體的製造方法，其中所述導電層的材料包括金屬或導電化合物。
如請求項19所述的功率金屬氧化物半導體場效電晶體的製造方法，其中所述金屬包括金或鈦。
如請求項19所述的功率金屬氧化物半導體場效電晶體的製造方法，其中所述導電化合物包括金屬矽化物、金屬氧化物或導電性的高分子聚合物。
一種在一電子裝置中提供訂單資訊之方法，該方法包括： <br/>識別選擇一或多個物品之一使用者之使用者資訊； <br/>識別包含關於該一或多個物品之識別資訊及該一或多個物品之各者之一數量之第一資訊； <br/>在一資料庫中識別包含關於該一或多個物品之各者之性質資訊之第二資訊； <br/>依據該第一資訊及該第二資訊識別包含關於由該使用者選擇之全部物品之性質資訊之第三資訊； <br/>依據關於待分配給該使用者之一運輸選項之資訊及該第三資訊判定由該使用者選擇之全部該等物品是否滿足訂單有效性條件，該運輸選項對應於使用者訂單的遞送； <br/>當不滿足該等訂單有效性條件時，向該使用者之一使用者終端機提供建議資訊，該建議資訊包含訂單修改請求資訊以及與可重新分配之運輸選項大小成比例之時間段的預計遞送排程之資訊； <br/>回應與接受該建議資訊相關的動作之識別，重新分配與已分配給該使用者的該運輸選項不同的運輸選項，重新分配的該運輸選項比已分配給該使用者的該運輸選項覆蓋更廣的區域範圍，並與其他使用者的訂單一起執行遞送該使用者訂單之該遞送；及 <br/>回應該運輸選項之該重新分配之該識別，提供第二時間的資訊至該使用者終端機，該第二時間與根據使用重新分配的該運輸選項之該使用者資訊從至少一個物品的一裝運位置到該遞送位置所需的實際遞送排程相對應。
如請求項1之在一電子裝置中提供訂單資訊之方法， <br/>其中該性質資訊包含一物品之重量及體積之至少一者。
如請求項1之在一電子裝置中提供訂單資訊之方法， <br/>其中該判定全部該等物品是否滿足該等訂單有效性條件包括： <br/>依據該第三資訊識別全部物品之重量； <br/>比較全部物品之該重量與根據關於待分配給該使用者之該運輸選項之資訊之最大可運輸重量；及 <br/>當全部物品之該重量超過該最大可運輸重量時，判定不滿足該等訂單有效性條件。
如請求項3之在一電子裝置中提供訂單資訊之方法， <br/>其中訂單修改請求資訊包含關於對應於全部物品之該重量相較於該最大可運輸重量之一過多量之一重量之資訊。
如請求項1之在一電子裝置中提供訂單資訊之方法， <br/>其中該判定全部該等物品是否滿足該等訂單有效性條件包括： <br/>依據該第三資訊識別全部物品之體積； <br/>比較全部物品之該體積與根據關於待分配給該使用者之該運輸選項之資訊之最大可運輸體積；及 <br/>當全部物品之該體積超過該最大可運輸體積時，判定不滿足該等訂單有效性條件。
如請求項1之在一電子裝置中提供訂單資訊之方法，其進一步包括： <br/>當由該使用者選擇之全部該等物品不滿足訂單有效性條件時，將按小於根據該第二資訊之一物品包裹單位之一單位之關於物品之資訊提供至該使用者終端機。
如請求項1之在一電子裝置中提供訂單資訊之方法， <br/>其中依據自該一或多個物品之一裝運位置至根據該使用者資訊之一遞送位置之一遞送在一第一時間段內是否可行判定該運輸選項。
如請求項1之在一電子裝置中提供訂單資訊之方法， <br/>其中重新分配的該運輸選項係依據該一或多個物品之一裝運位置到達一預定範圍內之一或多個遞送位置之一運輸選項。
如請求項1之在一電子裝置中提供訂單資訊之方法，其進一步包括： <br/>接收回應於該訂單修改請求資訊而來自該使用者終端機之一使用者輸入， <br/>其中該使用者輸入係對於是否購買該一或多個物品及該數量之至少一者之一更改輸入。
如請求項1之在一電子裝置中提供訂單資訊之方法，其進一步包括： <br/>依據該第二資訊識別該一或多個物品當中需要溫度維持之一第一物品；及 <br/>當存在該第一物品時，進一步考量該第一物品之性質來判定全部該等物品是否滿足該等訂單有效性條件。
如請求項1之在一電子裝置中提供訂單資訊之方法，其進一步包括： <br/>依據距該一或多個物品之一裝運位置之一距離而分區；及 <br/>識別對應於該使用者訂單之該遞送的運輸選項，該運輸選項根據依據該使用者資訊之一遞送位置所屬之一區將被分配給該使用者。
如請求項11之在一電子裝置中提供訂單資訊之方法， <br/>其中對應於該使用者訂單之該遞送的該運輸選項之該識別包括進一步考量進入該遞送位置之地址特性來識別對應於該使用者訂單之該遞送的該運輸選項。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄用於在一電腦上執行如請求項1之方法之一程式。
一種用於提供訂單資訊之電子裝置，該電子裝置包括： <br/>一通信裝置； <br/>一儲存裝置；及 <br/>一控制器，其經組態以控制該通信裝置及該儲存裝置， <br/>其中該控制器經組態以： <br/>識別選擇一或多個物品之一使用者之使用者資訊； <br/>識別包含關於該一或多個物品之識別資訊及該一或多個物品之各者之一數量之第一資訊； <br/>透過該儲存裝置識別包含關於該一或多個物品之各者之性質資訊之第二資訊； <br/>依據該第一資訊及該第二資訊識別包含關於由該使用者選擇之全部物品之性質資訊之第三資訊； <br/>依據關於待分配給該使用者之一運輸選項之資訊及該第三資訊判定由該使用者選擇之全部該等物品是否滿足訂單有效性條件，該運輸選項對應於使用者訂單的遞送；且 <br/>當不滿足該等訂單有效性條件時，向該使用者之一使用者終端機提供建議資訊，該建議資訊包含訂單修改請求資訊以及與可重新分配之運輸選項大小成比例之時間段的預計遞送排程之資訊； <br/>回應與接受該建議資訊相關的動作之識別，重新分配與已分配給該使用者的該運輸選項不同的運輸選項，重新分配的該運輸選項比已分配給該使用者的該運輸選項覆蓋更廣的區域範圍，並與其他使用者的訂單一起執行遞送該使用者訂單之該遞送；及 <br/>回應該運輸選項之該重新分配之該識別，提供第二時間的資訊至該使用者終端機，該第二時間與根據使用重新分配的該運輸選項之該使用者資訊從至少一個物品的一裝運位置到該遞送位置所需的實際遞送排程相對應。
一種用於提供訂單資訊之終端機，該終端機包括： <br/>一通信裝置； <br/>一輸出裝置； <br/>一輸入裝置；及 <br/>一處理器，其可操作地耦合至該通信裝置、該輸出裝置及該輸入裝置， <br/>其中該處理器經組態以： <br/>透過該輸入裝置接收包含一或多個物品及該一或多個物品之各者之一數量之一輸入； <br/>識別包含關於該一或多個物品之識別資訊及該一或多個物品之各者之一數量之第一資訊； <br/>透過該通信裝置接收包含關於該一或多個物品之各者之性質資訊之第二資訊； <br/>依據該第一資訊及該第二資訊識別包含關於包含該一或多個物品之全部物品之性質資訊之第三資訊； <br/>依據關於待分配給一使用者之一運輸選項之資訊及該第三資訊判定由該使用者選擇之全部該等物品是否滿足訂單有效性條件，該運輸選項對應於使用者訂單的遞送； <br/>當不滿足該等訂單有效性條件時，透過該輸出裝置輸出建議資訊，該建議資訊包含訂單修改請求資訊以及與可重新分配之運輸選項大小成比例之時間段的預計遞送排程之資訊； <br/>回應與接受該建議資訊相關的動作之識別，重新分配與已分配給該使用者的該運輸選項不同的運輸選項，重新分配的該運輸選項較比已分配給該使用者的該運輸選項覆蓋更廣的區域範圍，並與其他使用者的訂單一起執行遞送該使用者訂單之該遞送；及 <br/>回應該運輸選項之該重新分配之該識別，透過該輸出裝置輸出第二時間的資訊，該第二時間與根據使用重新分配的該運輸選項之該使用者資訊從至少一個物品的一裝運位置到該遞送位置所需的實際遞送排程相對應。
一種被動式註冊之生物特徵身分驗證系統，係連結用於對用戶進行身分驗證之原身分驗證系統，該被動式註冊之生物特徵身分驗證系統包括：流程控制模組，係於接收到該原身分驗證系統所傳送之驗證資訊比對結果時，判斷是否存在對應該用戶之生物特徵註冊資料，而於該用戶之生物特徵註冊資料不存在時，執行生物特徵註冊程序，或是於該用戶之生物特徵註冊資料存在時，執行生物特徵驗證程序，其中，該原身分驗證系統為非利用生物特徵驗證身分之用戶身分驗證系統，該原身分驗證系統於該用戶進行身分驗證時，將該用戶回應用戶資訊驗證因子之過程擷取成多媒體檔案或資料，而於該用戶通過該身分驗證時，產生該驗證資訊比對結果；生物特徵註冊模組，係於執行該生物特徵註冊程序時，自該多媒體檔案或資料中擷取出該用戶之生物特徵，以進行註冊並儲存成該生物特徵註冊資料；以及生物特徵驗證模組，係於執行該生物特徵驗證程序時，自該多媒體檔案或資料中擷取出該用戶之生物特徵，俾與預存之該用戶之生物特徵註冊資料進行比對以進行驗證，其中，該用戶無須額外提出註冊申請，該生物特徵註冊模組即能自動協助該用戶完成生物特徵之註冊，以及該用戶無須主動提供該用戶之生物特徵，該生物特徵驗證模組即能利用該用戶之生物特徵執行身分驗證。
如請求項1所述之被動式註冊之生物特徵身分驗證系統，其中，該用戶資訊驗證因子包括姓名、電話、身分證字號或出生年月日。
如請求項1所述之被動式註冊之生物特徵身分驗證系統，其中，該多媒體檔案或資料為音訊、視訊或其組合。
如請求項1所述之被動式註冊之生物特徵身分驗證系統，其中，該原身分驗證系統包括：用戶資訊資料庫，係儲存與該用戶之該用戶資訊驗證因子對應之用戶個人資訊；以及原身分驗證模組，係連結該用戶資訊資料庫，該原身分驗證模組包括：多因子驗證資訊詢問單元，係用於依據該用戶資訊驗證因子對該用戶進行詢問，以於該用戶回應後得到對應之多因子驗證資訊；多媒體檔案擷取單元，係用以將該用戶回應該多因子驗證資訊詢問單元之過程擷取成該多媒體檔案或資料；用戶資料存取單元，係用以自該用戶資訊資料庫取得該用戶個人資訊；以及驗證資訊比對單元，係用以比較該用戶個人資訊與該多因子驗證資訊，而於比較結果為吻合時，產生該驗證資訊比對結果。
如請求項1所述之被動式註冊之生物特徵身分驗證系統，復包括用於儲存該用戶的該生物特徵註冊資料之用戶生物特徵資料庫。
如請求項5所述之被動式註冊之生物特徵身分驗證系統，其中，該流程控制模組包括：驗證因子預定義設定單元，係預先設定採用之生物特徵驗證因子；第一用戶生物特徵資料存取單元，係連結該用戶生物特徵資料庫，用以存取該生物特徵註冊資料；以及流程控制單元，係依據該驗證因子預定義設定單元中該生物特徵驗證因子之設定，而於接收到該驗證資訊比對結果時，透過該第一用戶生物特徵資料存取單元搜尋該用戶生物特徵資料庫中是否存在該用戶之該生物特徵註冊資料，以決定執行該生物特徵註冊程序或該生物特徵驗證程序。
如請求項5所述之被動式註冊之生物特徵身分驗證系統，其中，該生物特徵註冊模組包括：第一生物特徵擷取單元，係用於自該多媒體檔案或資料中擷取出對應該用戶之該生物特徵；以及第二用戶生物特徵資料存取單元，係用於將所擷取之該生物特徵進行註冊，且儲存於該用戶生物特徵資料庫以形成該生物特徵註冊資料。
如請求項5所述之被動式註冊之生物特徵身分驗證系統，其中，該生物特徵驗證模組包括：第二生物特徵擷取單元，係用於自該多媒體檔案或資料中擷取出對應該用戶之該生物特徵；第三用戶生物特徵資料存取單元，係用於自該用戶生物特徵資料庫中取得對應該用戶之該生物特徵註冊資料；以及生物特徵比對單元，係用於比對該第二生物特徵擷取單元所擷取之該生物特徵以及來自該用戶生物特徵資料庫之該生物特徵註冊資料，進而計算出該比對之信心分數，俾作為身分驗證是否通過之依據。
一種被動式註冊之生物特徵身分驗證方法，係於電腦或伺服器上執行該方法，該方法包括：令原身分驗證系統執行用戶之身分驗證，而於該用戶通過該身分驗證時，產生驗證資訊比對結果，且將該用戶回應用戶資訊驗證因子之過程擷取成多媒體檔案或資料，其中，該原身分驗證系統為非利用生物特徵驗證身分之用戶身分驗證系統；以及令流程控制模組於接收到該驗證資訊比對結果時，判斷是否存在對應該用戶之生物特徵註冊資料，而於判斷該用戶之生物特徵註冊資料不存在時，令生物特徵註冊模組執行生物特徵註冊程序，以自該多媒體檔案或資料中擷取出該用戶之生物特徵進行註冊且儲存成該生物特徵註冊資料，以及於判斷該用戶之生物特徵註冊資料存在時，令生物特徵驗證模組執行生物特徵驗證程序，以自該多媒體檔案或資料中擷取出該生物特徵，俾與該生物特徵註冊資料進行比對以進行驗證，其中，該用戶無須額外提出註冊申請，該生物特徵註冊模組即能自動協助該用戶完成生物特徵之註冊，以及該用戶無須主動提供該用戶之生物特徵，該生物特徵驗證模組即能利用該生物特徵執行身分驗證。
如請求項9所述之被動式註冊之生物特徵身分驗證方法，其中，該用戶資訊驗證因子包括姓名、電話、身分證字號或出生年月日。
如請求項9所述之被動式註冊之生物特徵身分驗證方法，其中，該多媒體檔案或資料為音訊、視訊或其組合。
如請求項9所述之被動式註冊之生物特徵身分驗證方法，其中，該令原身分驗證系統執行用戶之身分驗證之步驟中，係包括：令多因子驗證資訊詢問單元依據該用戶資訊驗證因子對該用戶進行詢問，以於該用戶回應後得到對應之多因子驗證資訊；令多媒體檔案擷取單元將該用戶回應該多因子驗證資訊詢問單元之過程擷取成該多媒體檔案或資料；令用戶資料存取單元自儲存與該用戶之該用戶資訊驗證因子對應之用戶個人資訊的用戶資訊資料庫中取得該用戶個人資訊；以及令驗證資訊比對單元比較該用戶個人資訊與該多因子驗證資訊，而於比較結果為吻合時，產生該驗證資訊比對結果。
如請求項9所述之被動式註冊之生物特徵身分驗證方法，其中，該令流程控制模組判斷是否存在對應該用戶之生物特徵註冊資料之步驟中，係包括：令驗證因子預定義設定單元預先設定採用之生物特徵驗證因子；以及令流程控制單元依據該驗證因子預定義設定單元中該生物特徵驗證因子之設定，於接收到該驗證資訊比對結果時，透過第一用戶生物特徵資料存取單元搜尋用戶生物特徵資料庫中是否存在該用戶之該生物特徵註冊資料，以決定執行該生物特徵註冊程序或該生物特徵驗證程序。
如請求項9所述之被動式註冊之生物特徵身分驗證方法，其中，該令生物特徵註冊模組執行生物特徵註冊程序之步驟中，係包括：令第一生物特徵擷取單元自該多媒體檔案或資料中擷取出對應該用戶之該生物特徵；以及令第二用戶生物特徵資料存取單元將所擷取之該生物特徵進行註冊且儲存於用戶生物特徵資料庫，以形成該生物特徵註冊資料。
如請求項9所述之被動式註冊之生物特徵身分驗證方法，其中，該令生物特徵驗證模組執行生物特徵驗證程序之步驟中，係包括：令第二生物特徵擷取單元自該多媒體檔案或資料中擷取出對應該用戶之該生物特徵；令第三用戶生物特徵資料存取單元自用戶生物特徵資料庫中取得對應該用戶之該生物特徵註冊資料；以及令生物特徵比對單元比對該第二生物特徵擷取單元所擷取之該生物特徵以及來自該用戶生物特徵資料庫之該生物特徵註冊資料，進而計算出該比對之信心分數，俾作為身分驗證是否通過之依據。
一種電腦可讀媒介，應用於計算裝置或電腦中，係儲存有指令，以執行如請求項9至15之任一者所述之被動式註冊之生物特徵身分驗證方法。
一種用於光晶片封裝的轉接板，包括： <br/>玻璃基板，包括一個或多個導電導孔，上述導電導孔包括貫穿上述玻璃基板的導孔以及上述導孔內填充的導電材料；以及 <br/>光波導結構，配置在上述玻璃基板的第一表面上， <br/>其中，上述光波導結構包括一層或多層光波導以及披覆上述一層或多層光波導的披覆層，上述光波導採用晶圓級奈米壓印光學微影技術形成， <br/>上述一層或多層光波導用於對封裝在上述轉接板上的多個光晶片進行光互連，並且上述一層或多層光波導的折射率大於上述披覆層以及上述玻璃基板的折射率，並且 <br/>上述光波導結構還包括貫穿上述光波導結構的一個或多個第一導電結構，其與上述一個或多個導電導孔分別電連接， <br/>其中，上述晶圓級奈米壓印光學微影技術包括通過晶圓級無遮罩光學微影製造壓印母版和使用所述壓印母版生成晶圓級奈米印模。
如請求項1所述的轉接板，其中 <br/>上述一層或多層光波導為氮化矽光波導，並且上述披覆層的材料為二氧化矽。
如請求項1所述的轉接板，還包括： <br/>介電層，配置在上述玻璃基板的第二表面上；以及 <br/>一個或多個導電凸塊，配置在上述介電層遠離上述玻璃基板一側的表面上， <br/>其中，上述介電層包括貫穿上述介電層的一個或多個第二導電結構，其與上述一個或多個導電導孔分別電連接，並且 <br/>上述一個或多個導電凸塊與上述一個或多個第二導電結構分別電連接。
一種用於光晶片封裝的轉接板，包括： <br/>玻璃基板，包括一個或多個第一導電導孔，上述第一導電導孔包括貫穿上述玻璃基板的導孔以及上述導孔內填充的導電材料； <br/>電互連結構，配置在上述玻璃基板的第一表面上；以及 <br/>光波導結構，配置在上述電互連結構的遠離上述玻璃基板一側的表面上，其中，上述光波導結構包括一層或多層光波導以及包圍上述一層或多層光波導的包圍層，上述光波導採用晶圓級奈米壓印光學微影技術形成， <br/>其中，上述電互連結構包括一層或多層佈線層以及披覆上述一層或多層佈線層的披覆層，上述披覆層為介電材料，上述一層或多層佈線層用於對封裝在上述轉接板上方的多個電晶片進行電互連，並且 <br/>上述電互連結構還包括貫穿上述電互連結構的一個或多個第一導電結構，其與上述一個或多個第一導電導孔分別電連接， <br/>其中，上述晶圓級奈米壓印光學微影技術包括通過晶圓級無遮罩光學微影製造壓印母版和使用所述壓印母版生成晶圓級奈米印模。
如請求項4所述的轉接板，其中 <br/>上述多層佈線層中至少兩層佈線層之間透過第二導電結構電連接。
如請求項4所述的轉接板，其中 <br/>上述披覆層是由氮化矽層和二氧化矽層交替堆疊形成的多層結構。
如請求項4所述的轉接板， <br/>上述一層或多層光波導用於對封裝在上述轉接板上的多個光晶片進行光互連，其折射率大於上述包圍層的折射率，並且 <br/>上述光波導結構還包括貫穿上述光波導結構的一個或多個第三導電結構，其與上述一個或多個第一導電結構分別電連接。
如請求項4所述的轉接板，其中 <br/>上述一層或多層光波導為氮化矽光波導，並且上述包圍層的材料為二氧化矽。
如請求項4所述的轉接板，還包括： <br/>介電層，配置在上述玻璃基板的第二表面上； <br/>一個或多個導電凸塊，配置在上述介電層遠離上述玻璃基板一側的表面上， <br/>其中，上述介電層包括貫穿上述介電層的一個或多個第四導電結構，其與上述一個或多個第一導電導孔分別電連接，並且 <br/>上述一個或多個導電凸塊與上述一個或多個第四導電結構分別電連接。
一種用於光晶片封裝的轉接板的製造方法，包括： <br/>提供一玻璃基板，並在上述玻璃基板中形成一個或多個導電導孔； <br/>在上述玻璃基板的第一表面上配置光波導結構，其中，上述光波導結構包括一層或多層光波導以及披覆上述一層或多層光波導的披覆層，上述光波導採用晶圓級奈米壓印光學微影技術形成；以及 <br/>在上述披覆層中形成貫穿上述光波導結構的一個或多個第一導電結構，並將其與上述一個或多個導電導孔分別電連接， <br/>其中，上述一層或多層光波導的折射率大於上述披覆層的折射率， <br/>其中，上述晶圓級奈米壓印光學微影技術包括通過晶圓級無遮罩光學微影製造壓印母版和使用所述壓印母版生成晶圓級奈米印模。
如請求項10所述的轉接板的製造方法，其中 <br/>上述一層或多層光波導為氮化矽光波導，並且上述披覆層的材料為二氧化矽。
如請求項11所述的轉接板的製造方法，其中，在上述玻璃基板的上述第一表面上配置上述光波導結構包括： <br/>a. 採用晶圓級奈米壓印光學微影技術，在上述玻璃基板的上述第一表面上形成光波導的網路；以及 <br/>b. 在上述光波導上方沉積披覆層材料。
如請求項10所述的轉接板的製造方法，還包括： <br/>在上述玻璃基板的第二表面上配置介電層； <br/>在上述介電層中形成貫穿上述介電層的一個或多個第二導電結構，並且將其與上述一個或多個導電導孔分別電連接；以及 <br/>在上述介電層遠離上述玻璃基板一側的表面上配置一個或多個導電凸塊， <br/>其中上述一個或多個導電凸塊與上述一個或多個第二導電結構分別電連接。
如請求項10所述的轉接板的製造方法，其中，在玻璃基板中形成一個或多個導電導孔包括： <br/>在上述玻璃基板中透過蝕刻形成一個或多個導孔；以及 <br/>在上述一個或多個導孔的內表面上設置導電材料層以形成上述一個或多個導電導孔。
如請求項14所述的轉接板的製造方法，其中，在上述一個或多個導孔的上述內表面上設置上述導電材料層以形成上述一個或多個導電導孔包括： <br/>採用電鍍的方法在上述一個或多個導孔的上述內表面填充導電金屬。
一種用於光晶片封裝的轉接板的製造方法，包括： <br/>提供一玻璃基板，並在上述玻璃基板中形成一個或多個第一導電導孔； <br/>在上述玻璃基板的第一表面上配置電互連結構，其中，上述電互連結構包括一層或多層佈線層以及披覆上述一層或多層佈線層的披覆層，上述披覆層為介電材料，上述一層或多層佈線層用於對封裝在上述轉接板上方的多個電晶片進行電互連；以及 <br/>在上述電互連結構中形成貫穿上述電互連結構的一個或多個第一導電結構，其與上述一個或多個第一導電導孔分別電連接， <br/>上述方法還包括： <br/>在上述電互連結構遠離上述玻璃基板一側的表面上配置光波導結構，其中，上述光波導結構包括一層或多層光波導以及包圍上述一層或多層光波導的包圍層，上述光波導採用晶圓級奈米壓印光學微影技術形成， <br/>其中，上述晶圓級奈米壓印光學微影技術包括通過晶圓級無遮罩光學微影製造壓印母版和使用所述壓印母版生成晶圓級奈米印模。
如請求項16所述的轉接板的製造方法，其中，在上述玻璃基板的上述第一表面上配置上述電互連結構包括： <br/>在上述玻璃基板的上述第一表面上配置第一佈線層； <br/>在上述第一佈線層周圍形成第一氮化矽子層；以及 <br/>在上述第一氮化矽子層上覆蓋第一氧化矽子層。
如請求項17所述的轉接板的製造方法，其中，在上述玻璃基板的上述第一表面上配置上述電互連結構還包括： <br/>在上述第一氧化矽子層的上述第一表面上配置第二佈線層； <br/>在上述第二佈線層周圍形成第二氮化矽子層；以及 <br/>在上述第二氮化矽子層上覆蓋第二氧化矽子層。
如請求項18所述的轉接板的製造方法，其中，在上述玻璃基板的上述第一表面上配置上述電互連結構還包括： <br/>在上述第一佈線層和上述第二佈線層之間形成第二導電結構，以將上述第一佈線層和上述第二佈線層進行電連接。
如請求項16所述的轉接板的製造方法， <br/>其中，上述一層或多層光波導用於對封裝在上述轉接板上的多個光晶片進行光互連，其折射率大於上述包圍層的折射率，以及 <br/>上述方法還包括在上述光波導結構中形成貫穿上述光波導結構的一個或多個第三導電結構，並將其與上述一個或多個第一導電結構分別電連接。
如請求項20所述的轉接板的製造方法，其中 <br/>上述一層或多層光波導為氮化矽光波導，並且上述披覆層的材料為二氧化矽。
如請求項16所述的轉接板的製造方法，還包括： <br/>在上述玻璃基板的第二表面上配置介電層； <br/>在上述介電層中形成貫穿上述介電層的一個或多個第四導電結構，並且與上述一個或多個第一導電導孔分別電連接；以及 <br/>在上述介電層遠離上述玻璃基板一側的表面上配置一個或多個導電凸塊， <br/>其中上述一個或多個導電凸塊與上述一個或多個第四導電結構分別電連接。
如請求項16所述的轉接板的製造方法，其中，在玻璃基板中形成一個或多個導電導孔包括： <br/>在上述玻璃基板中透過蝕刻形成一個或多個導孔；以及 <br/>在上述一個或多個導孔的內表面上設置導電材料層以形成上述一個或多個導電導孔。
如請求項23所述的轉接板的製造方法，其中，在上述一個或多個導孔的上述內表面上設置上述導電材料層以形成上述一個或多個導電導孔包括： <br/>採用電鍍的方法在上述一個或多個導孔的上述內表面填充導電金屬。
一種光晶片封裝結構，包括如請求項1-9中任一請求項所述的轉接板，以及配置在上述轉接板上的上述多個光晶片，上述轉接板用於對配置在上述轉接板上的上述多個光晶片進行光互連和/或電互連。
如請求項25所述的光晶片封裝結構，還包括： <br/>設置在上述多個光晶片上的一個或多個電晶片； <br/>上述光晶片包括一個或多個互連結構，上述互連結構包括貫穿上述光晶片的導孔以及導孔內填充的導電材料； <br/>上述一個或多個互連結構與上述轉接板上的上述一個或多個第一導電結構和/或上述一個或多個電互連結構分別電連接。
一種參數調整裝置，其在藉由伺服馬達驅動負載裝置之伺服控制裝置中，具備： <br/>指令生成部，其作成前述伺服馬達的指令值； <br/>檢測器，其檢測驅動的前述伺服馬達或前述負載裝置的狀態量； <br/>控制器，其控制馬達輸入訊號，使得前述指令值與前述檢測器的輸出一致； <br/>實機頻率特性測量部，其根據前述馬達輸入訊號與前述檢測器的輸出來計算出實機頻率特性；以及 <br/>參數調整部，其藉由序列二次規劃求解最佳化問題，前述序列二次規劃係將根據前述實機頻率特性測量部的計算結果及前述控制器的頻率特性計算出的開環特性與理想的開環特性之間的差作為目標函數，藉此，求出前述控制器的參數的解，並且將所獲得的前述參數應用於前述控制器； <br/>當前述實機頻率特性測量部計算前述實機頻率特性時，前述實機頻率特性測量部將前述負載裝置的位置任意地改變，並且計算出針對各個位置的前述實機頻率特性； <br/>前述參數調整部求出分別與複數個前述實機頻率特性對應之複數個開環特性，將前述複數個開環特性分別與前述理想的開環特性之間的差的總值作為前述目標函數。
如請求項1之參數調整裝置，其中， <br/>前述參數調整部使用由前述實機頻率特性測量部計算出的複數個前述實機頻率特性作為測量值而不進行建模，在最佳化問題中將與前述控制器組合的開環特性公式化，並且求出前述最佳化問題的解，藉此，求出應用於前述控制器的參數。
一種參數調整方法，其在藉由伺服馬達驅動負載裝置之伺服控制裝置中，具備：指令生成部，其作成前述伺服馬達的指令值；檢測器，其檢測可動的前述伺服馬達或前述負載裝置的狀態量；以及控制器，其控制馬達輸入訊號，使得前述指令值與前述檢測器的輸出一致； <br/>前述參數調整方法具備： <br/>實機頻率特性測量步驟，其根據前述馬達輸入訊號與前述檢測器的輸出來計算出實機頻率特性；以及 <br/>參數調整步驟，其藉由序列二次規劃求解最佳化問題，前述序列二次規劃係將根據前述實機頻率特性測量步驟的計算結果及前述控制器的頻率特性計算出的開環特性與理想的開環特性之間的差作為目標函數，藉此，求出前述控制器的參數的解，並且將所獲得的前述參數應用於前述控制器； <br/>當計算前述實機頻率特性時，將前述負載裝置的位置任意地改變，並且計算出針對各個位置的前述實機頻率特性； <br/>於前述參數調整步驟，求出分別與複數個前述實機頻率特性對應之複數個開環特性，將前述複數個開環特性分別與前述理想的開環特性之間的差的總值作為前述目標函數。
一種產生鋰鈷氧化物材料 (Li<sub>x </sub>Co<sub>y </sub>O<sub>z</sub>)的方法，包括： <br/>形成一種液體混合物，其中所述液體混合物包括： <br/>一含鋰鹽；和 <br/>一含鈷鹽，其中，所述鋰鈷氧化物材料的結晶顆粒 (Li<sub>x </sub>Co<sub>y </sub>O<sub>z</sub> )是透過調整所述液體混合物中的所述含鋰鹽、和所述含鈷鹽的摩爾比 M<sub>LiSalt</sub>: M<sub>CoSalt</sub> 為 x : y 的比例得到，所製造出的所述鋰鈷氧化物材料其欲得原子比 Li: Co 等於 x : y ，其中 x 為 0.9 至 1.1 (0.9 ≤ x ≤ 1.1)，y 為 0.9 至1.1 (0.9 ≤ y ≤ 1.1)，z 為 1.8 至 2.2(1.8 ≤ z ≤ 2.2)； <br/>透過一個霧發生器將所述液體混合物噴射形成含單一尺寸液滴 (mono-sized droplets) 的霧； <br/>將所述單一尺寸液滴 (mono-sized droplets) 的霧與含第一氣體的一氣流混合以形成一種氣液混合物，其特徵在於，所述第一氣體流包括選自空氣、氧氣、二氧化碳、氮氣、氫氣、惰性氣體、稀有氣體及其組合的氣體； <br/>乾燥所述氣液混合物形成一種氣固混合物，其中所述氣固混合物包含一個或多個固體顆粒； <br/>將一種或多種氣體由所述氣固混合物分離出來，以獲得所述一個或多個固體顆粒；和 <br/>將所述一個或多個固體顆粒在400℃或更高的退火溫度下退火，以獲得所述鋰鈷氧化物材料的結晶顆粒(Li<sub>x </sub>Co<sub>y </sub>O<sub>z</sub>)，其中所述鋰鈷氧化物材料在X光繞射（X-ray diffraction, XRD）圖顯示為單相並且具有003和104代表性的可識別的峰。
根據請求項1所述的方法，其中所述含鋰鹽選自硫酸鋰(Li<sub>2</sub>SO<sub>4</sub>)、硝酸鋰(LiNO<sub>3</sub>)、碳酸鋰(Li<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>)、乙酸鋰(LiCH<sub>2</sub>COO)、氫氧化鋰(LiOH) )、甲酸鋰 (LiCHO<sub>2</sub>)、氯化鋰 (LiCl) 及其組合, 其中所述含鈷鹽選自硫酸鈷(CoSO<sub>4</sub>)、硝酸鈷(Co(NO<sub>3</sub>)<sub>2</sub>)、乙酸鈷(Co(CH<sub>2</sub>COO)<sub>2</sub>)、甲酸鈷(Co(CHO<sub>2</sub>)<sub>2</sub>)、氯化鈷 (CoCl<sub>2</sub>) 及其組合。
根據請求項1所述的方法，其中所述含鈷鹽選自硫酸鈷(CoSO<sub>4</sub>)、硝酸鈷(Co(NO<sub>3</sub>)<sub>2</sub>)、乙酸鈷(Co(CH<sub>2</sub>COO)<sub>2</sub>)、甲酸鈷(Co(CHO<sub>2</sub>)<sub>2</sub>)、氯化鈷 (CoCl<sub>2</sub>) 及其組合。
根據請求項1所述的方法，所述鋰鈷氧化物材料在X光繞射（X-ray diffraction, XRD）圖顯示具有006、012、018和110可識別的峰。
根據請求項1所述的方法，其特徵在於，所述含鋰鹽和所述含鈷鹽可溶於一合適的溶劑形成所述液體混合物，所述合適的溶劑選自水、醇、甲醇、異丙醇 、有機溶劑、無機溶劑、有機酸、硫酸（H<sub>2</sub>SO<sub>4</sub>）、檸檬酸（C₆H₈O₇）、乙酸（CH₃COOH）、丁酸（C<sub>4</sub>H<sub>8</sub>O<sub>2</sub>）、乳酸（C<sub>3</sub>H<sub>6</sub>O<sub>3</sub>）、硝酸（HNO<sub>3</sub>）、鹽酸（HCl）、乙醇、吡啶、氨、丙酮及其組合。
根據請求項1所述的方法，其中在形成所述液體混合物的所述霧之前，將所述含鋰鹽和所述含鈷鹽的摩爾比M<sub>LiSalt</sub><b> :</b> M<sub>CoSalt </sub>調整為x : y。
根據請求項1所述的方法，其中在形成所述液體混合物的所述霧的同時，將所述含鋰鹽和所述含鈷鹽的摩爾比M<sub>LiSal</sub>t : M<sub>CoSalt </sub>調整為 x : y。
根據請求項1所述的方法，其中所述液體混合物在存在所述第一氣體的情況下被乾燥，所述第一氣體在乾燥室內被加熱到200°C或更高，並且所述第一氣體被輸送到所述乾燥室內以保持所述乾燥室內維持在一乾燥溫度。
根據請求項1所述的方法，其中，所述液體混合物在乾燥室內被乾燥，並且所述乾燥室內的乾燥溫度通過連接到所述乾燥室內的一加熱元件來保持。
根據請求項1所述的方法，其中所述氧化物材料的固體顆粒在加熱到550℃ 或更高的第二氣體流的存在下被退火，並且所述第二氣體流被輸送到一反應室中以在所述反應室內保持所述退火溫度。
根據請求項1所述的方法，其中所述氧化物材料的固體顆粒在反應室內部存在第二氣體流的情況下被退火，並且透過連接到所述反應室的加熱元件來維持所述反應室內部的退火溫度。
一種產生鋰鈷氧化物材料(Li<sub>x </sub>Co<sub>y </sub>O<sub>z</sub>)的方法，包括： <br/>形成一種液體混合物，其中所述液體混合物包括： <br/>一含鋰鹽；和 <br/>一含鈷鹽，其中，所述鋰鈷氧化物材料的結晶顆粒 (Li<sub>x </sub>Co<sub>y </sub>O<sub>z</sub> )是透過調整所述液體混合物中的所述含鋰鹽、和所述含鈷鹽的摩爾比MLiSalt : MCoSalt 為 x : y 的比例得到，所製造出的所述鋰鈷氧化物材料其欲得原子比Li: Co 等於 x : y； <br/>將所述液體混合物透過一個霧發生器形成一種霧，其中在形成所述液體混合物的所述霧的同時，將所述含鋰鹽和所述含鈷鹽的摩爾比 M<sub>LiSalt</sub> : M<sub>CoSalt</sub> 調整為 x : y，其中 x 為 0.9 至 1.1 (0.9≤x≤1.1)，y 為 0.9至1.1 (0.9≤y≤1.1)，z 為 1.8 至 2.2 (1.8≤ z ≤ 2.2)；<u> </u><br/>透過一個霧發生器將所述液體混合物噴射形成含 單一尺寸液滴 (mono-sized droplets) 的霧； <br/>將所述單一尺寸液滴 (mono-sized droplets) 的霧與含第一氣體的一氣流混合以形成一種氣液混合物，其特徵在於，所述第一氣體流包括選自空氣、氧氣、二氧化碳、氮氣、氫氣、惰性氣體、稀有氣體及其組合的氣體； <br/>乾燥所述氣液混合物形成一種氣固混合物，其中所述氣固混合物包含一個或多個固體顆粒； <br/>將一種或多種氣體由所述氣固混合物分離出來，以獲得所述一個或多個固體顆粒；和 <br/>將所述一個或多個固體顆粒在400℃或更高的退火溫度下退火，以獲得所述鋰鈷氧化物材料的結晶顆粒 (Li<sub>x </sub>Co<sub>y </sub>O<sub>z</sub> )，其中所述鋰鈷氧化物材料在X光繞射（X-ray diffraction, XRD）圖顯示為單相並且顯示具有006、012、018和110可識別的峰。
一種用於一電漿處理工具的處理功率控制器，包含：<br/> 一處理功率源優化器；<br/> 一源預測器；<br/> 一處理均勻性控制器，其中該源預測器通信耦合到該處理功率源優化器和該處理均勻性控制器；和<br/> 一偏壓功率控制器，該偏壓功率控制器包括一處理功率偏壓優化器、一偏壓預測器和一處理偏壓控制器。
如請求項1所述之處理功率控制器，其中該源預測器估計一連續影響以最小化瞬態回應。
如請求項1所述之處理功率控制器，其中該源預測器估計一系統回應和行為以優化控制效能。
如請求項3所述之處理功率控制器，其中該源預測器使用一前饋和一反饋信號。
如請求項1所述之處理功率控制器，其中該處理功率源優化器通信耦合到一處理功率優化器致動器。
如請求項5所述之處理功率控制器，其中該處理功率優化器致動器包括可變電抗致動器。
如請求項6所述之處理功率控制器，其中該等可變電抗致動器是可變電容器。
如請求項1所述之處理功率控制器，其中該源預測器從該處理功率偏壓優化器接收一前饋信號。
一種在一半導體處理工具中進行阻抗調諧的方法，包括以下步驟：<br/> 量測一傳輸線的一電壓和一電流；<br/> 將所量測的該電壓的一類比電壓信號和所量測的該電流的一類比電流信號轉換成一數位電壓信號和一數位電流信號；<br/> 從該數位電壓信號和該數位電流信號計算一u向量，該u向量具有實分量及虛分量；<br/> 用該u向量的該實分量計算一第一電容器的一C1位置，以及<br/> 用該u向量的該虛分量計算一第二電容器的一C2位置。
根據請求項1所述之方法，其中該u向量係一三元素向量。
根據請求項2所述之方法，其中該u向量的該三個元素在一阻抗調諧空間內產生一取向以匹配該半導體處理工具的一輸出負載條件。
根據請求項1所述之方法，其中該電壓包括一入射電壓和一反射電壓，並且其中該電流包括一入射電流和一反射電流。
根據請求項1所述之方法，其中C1和C2定位最小化該u向量的該等元素以將該u向量驅動至0。
根據請求項5所述之方法，其中使該u向量為0是該工具的一調諧條件。
根據請求項1所述之方法，其中計算該C1和C2位置包括取該u向量和一d向量的該點積。
根據請求項7所述之方法，其中該d向量包括一角旋轉分量。
根據請求項1所述之方法，其中該第一電容器和該第二電容器在一匹配網路內。
根據請求項1所述之方法，其中該半導體處理工具是一電漿處理工具。
根據請求項1所述之方法，其中該半導體處理工具包括一電源、一匹配網路和一陰極，並且其中用於量測該傳輸線的該電壓和該電流的感測器設置在該匹配網路的相對端部上。
一種在一半導體處理工具中進行阻抗調諧的方法，包括以下步驟：<br/> 量測一傳輸線的一電壓和一電流，其中該電壓包括一入射電壓和一反射電壓，並且其中該電流包括一入射電流和一反射電流；<br/> 將所量測的該電壓的一類比電壓信號和所量測的該電流的一類比電流信號轉換成一數位電壓信號和一數位電流信號；<br/> 從該數位電壓信號和該數位電流信號計算一u向量，其中該u向量是一三元素向量，該u向量具有實分量及虛分量；<br/> 用該u向量的該實分量計算一第一電容器的一C1位置，以及<br/> 用該u向量的該虛分量計算一第二電容器的一C2位置，並且其中該u向量的該三個元素在一阻抗調諧空間內產生一取向以匹配該半導體處理工具的一輸出負載狀態。
根據請求項12所述之方法，其中計算該C1和C2位置包括取該u向量和一d向量的該點積。
根據請求項13所述之方法，其中該d向量包括一角旋轉分量。
一種無機填料流動性改質劑，其係下述通式(1-1)或(1-2)表示的聚酯，其中，<br/> 該聚酯的酸價為3～100mgKOH/g的範圍，羥基價未達9mgKOH/g，數量平均分子量為500～5,000的範圍；<br/><img align="absmiddle" height="294px" width="858px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (該通式(1-1)及(1-2)中，<br/> G為碳原子數2～20的脂肪族二醇殘基，<br/> A為碳原子數2～10的脂肪族二羧酸殘基，<br/> X<sup>1</sup>及X<sup>2</sup>各自獨立，為碳原子數2～10的脂肪族多元酸殘基或碳原子數6～15的芳香族多元酸殘基，<br/> Y為碳原子數1～20的單羧酸殘基，<br/> Z為碳原子數2～30的單醇殘基，<br/> p係從X<sup>1</sup>的脂肪族多元酸殘基或芳香族多元酸殘基之質子酸官能基的數量減一所得之整數，<br/> q係從X<sup>2</sup>的脂肪族多元酸殘基或芳香族多元酸殘基之質子酸官能基的數量減一所得之整數，<br/> n表示重複數)。
如請求項1之無機填料流動性改質劑，其中，G為碳原子數3～20的具有分支結構之脂肪族二醇殘基。
如請求項1或2之無機填料流動性改質劑，其中，A為碳原子數4～10的脂肪族二羧酸殘基。
如請求項1或2之無機填料流動性改質劑，其中，X<sup>1</sup>及X<sup>2</sup>各自獨立，為碳原子數2～10的脂肪族二羧酸殘基。
如請求項1或2之無機填料流動性改質劑，其中，該聚酯係Z為碳原子數2～30之脂肪族單醇殘基的該通式(1-2)表示之聚酯。
如請求項1或2之無機填料流動性改質劑，其數量平均分子量在1,500～5,000的範圍。
如請求項1或2之無機填料流動性改質劑，其在室溫下為液體。
如請求項1或2之無機填料流動性改質劑，其係選自由碳酸鈣、二氧化矽、氧化鋁、氫氧化鋁、滑石、鈦酸鋇、氮化硼及氮化鋁所組成之群組中的1種以上之無機填料用的流動性改質劑。
一種含有無機填料之組成物，其含有無機填料及如請求項1或2之無機填料流動性改質劑。
如請求項9之含有無機填料之樹脂組成物，其中，該無機填料係選自由碳酸鈣、二氧化矽、氧化鋁、氫氧化鋁、滑石、鈦酸鋇、氧化鎂、氮化硼及氮化鋁所組成之群組中的1種以上。
如請求項9之含有無機填料之組成物，其更含有塑化劑。
如請求項9之含有無機填料之組成物，其含有選自由聚烯烴、聚酯、聚硫醚、聚氯乙烯、改質聚硫醚、聚矽氧樹脂、改質聚矽氧樹脂、丙烯酸胺基甲酸酯樹脂、環氧樹脂、聚胺基甲酸酯、多異氰酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、聚酯及不飽和聚酯所組成之群組中的1種以上之樹脂。
一種成形品，其係如請求項9之含有無機填料之組成物的成形品。
一種熱傳導性聚矽氧薄片，其含有聚矽氧樹脂、無機填料及無機填料流動性改質劑，<br/> 該無機填料係選自由氧化鎂、氧化鋁及氫氧化鋁所組成之群組中的1種以上；<br/> 該無機填料流動性改質劑為下述通式(1-1)或(1-2)表示的聚酯，其係酸價在3～100mgKOH/g的範圍、羥基價未達9mgKOH/g、數量平均分子量為500～5,000的範圍的聚酯；<br/> 該聚矽氧樹脂與該無機填料的質量比[聚矽氧樹脂：無機填料]在50：50～1：99的範圍；<br/> 其中，相對於該聚矽氧樹脂與該無機填料的總量100質量份，在0.01～5質量份的範圍內含有該無機填料流動性改質劑；<br/><img align="absmiddle" height="291px" width="842px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (該通式(1-1)及(1-2)中，<br/> G為碳原子數2～20的脂肪族二醇殘基，<br/> A為碳原子數2～10的脂肪族二羧酸殘基，<br/> X<sup>1</sup>及X<sup>2</sup>各自獨立，為碳原子數2～10的脂肪族多元酸殘基或碳原子數6～15的芳香族多元酸殘基，<br/> Y為碳原子數1～20的單羧酸殘基，<br/> Z為碳原子數2～30的單醇殘基，<br/> p係從X<sup>1</sup>的脂肪族多元酸殘基或芳香族多元酸殘基之質子酸官能基的數量減一所得之整數，<br/> q係從X<sup>2</sup>的脂肪族多元酸殘基或芳香族多元酸殘基之質子酸官能基的數量減一所得之整數，<br/> n表示重複數)。
如請求項14之熱傳導性聚矽氧薄片，其中，在將該聚矽氧樹脂與該無機填料的質量比[聚矽氧樹脂：無機填料]為20：80時的肖氏A硬度設為H<sub>80</sub>，並將該聚矽氧樹脂與該無機填料的質量比[聚矽氧樹脂：無機填料]為10：90時的肖氏A硬度設為H<sub>90</sub>時，滿足H<sub>90</sub>/H<sub>80</sub>≤1.30。
一種電子裝置，包括：<br/> 一基板，包括一第一部分以及相對於所述第一部分彎折的一第二部分，且所述第一部分包括一正常主動區和一功能主動區；<br/> 一主電子單元，設置在所述正常主動區上；<br/> 一輔助電子單元，設置在所述功能主動區上；<br/> 一主工作電路，設置在所述第一部分上並電連接到所述主電子單元，所述主工作電路接收一第一資料訊號並根據所述第一資料訊號輸出一第一驅動訊號到所述主電子單元；以及<br/> 一輔助工作電路，設置在所述第二部分上並電連接到所述輔助電子單元，所述輔助工作電路接收一第二資料訊號並根據所述第二資料訊號輸出一第二驅動訊號到所述輔助電子單元。
根據請求項1所述的電子裝置，其中所述輔助工作電路通過一連接線電連接到所述輔助電子單元，所述連接線的一部分設置在所述第一部分上，且所述連接線的另一部分設置在所述第二部分上。
根據請求項2所述的電子裝置，其中所述連接線包括一第一層和一第二層，所述第一層至少設置在所述第一部分上，所述第二層至少設置在所述第二部分上，所述第一層包括透明導電材料，且所述第二層包括金屬材料。
根據請求項3所述的電子裝置，其中所述第一層和所述第二層連接的一位置是靠近所述第一部分和所述第二部分之間的一邊界。
根據請求項3所述的電子裝置，其中所述第二部分包括一彎折區且所述彎折區具有第一長度，所述第一層還具有一部分設置在所述彎折區上，所述第一層的所述部分具有一第二長度，且所述第二長度對所述第一長度的一比值小於或等於0.5。
根據請求項2所述的電子裝置，其中所述第二部分包括一彎折區，所述連接線的一部分設置在所述彎折區上，且所述部分包括一防裂圖案。
根據請求項2所述的電子裝置，還包括另一輔助電子單元、另一輔助工作電路以及另一連接線，所述另一輔助工作電路通過所述另一連接線電連接到所述另一輔助電子單元，其中所述連接線和所述另一連接線彼此相鄰並包括不同的層。
根據請求項2所述的電子裝置，其中所述連接線的所述另一部分包括鋸齒形圖案。
根據請求項2所述的電子裝置，其中所述連接線的所述一部分設置在所述第一部分的所述正常主動區上。
根據請求項1所述的電子裝置，其中所述第二部分包括一彎折區和一第一區，所述彎折區設置在所述第一區和所述正常主動區之間，且所述輔助工作電路設置在所述第一區上。
根據請求項1所述的電子裝置，其中所述第二部分的一部分在所述第一部分的一表面的一法線方向上與所述第一部分重疊。
根據請求項1所述的電子裝置，其中所述第二部分在所述第一部分的一表面的一法線方向上不與所述第一部分重疊。
根據請求項1所述的電子裝置，還包括設置在所述第一部分上的一主閘極驅動器和設置在所述第二部分上的一輔助閘極驅動器，其中所述主閘極驅動器電連接所述主工作電路，且所述輔助閘極驅動器電連接所述輔助工作電路。
根據請求項13所述的電子裝置，其中所述第二部分包括一彎折區和一第一區，所述彎折區設置在所述第一區和所述正常主動區之間，且所述輔助閘極驅動器設置在所述第一區上。
根據請求項13的電子裝置，其中所述輔助閘極驅動器包括一輔助輸出薄膜電晶體，所述主閘極驅動器包括一主輸出薄膜電晶體，其中所述輔助輸出薄膜電晶體的通道寬度對通道長度的比值小於所述主輸出薄膜電晶體的通道寬度對通道長度的比值。
根據請求項1所述的電子裝置，其中所述電子裝置是一顯示裝置。
根據請求項16的電子裝置，其中所述主電子單元和所述輔助電子單元分別是一發光單元。
一種處理來自一半導體工具之一製程氣體之方法，該方法包括： <br/>在該半導體處理工具中接收一基板； <br/>使該基板暴露於該半導體處理工具中之一揮發性有機成分(VOC)； <br/>使用該VOC對該基板實施一半導體製程； <br/>將含有一酸性成分或一鹼性成分及該VOC之一排氣自該半導體工具排放至一氣體洗滌器； <br/>藉由使一洗滌液通過一熱管理裝置來自該洗滌液移除熱能以獲得一冷卻洗滌液，其中該熱管理裝置包括： <br/>一第一管線，用於接收一冷卻劑；以及 <br/>一第二管線，用於接收該洗滌液，該洗滌液在該熱管理裝置中透過該冷卻劑被降溫以獲得一冷卻洗滌液，該冷卻洗滌液的溫度較該洗滌液的溫度低至少7℃；以及 <br/>一第三管線，用於排除已接收該洗滌液之熱能的該冷卻劑，其中該排氣於該洗滌液冷卻前尚未與該洗滌液接觸； <br/>在該氣體洗滌器中，使該排氣與該冷卻洗滌液接觸以移除該排氣中所含之大於90%之該酸性成分或該鹼性成分，且自該排氣中移除該排氣中之大於70%之該VOC；及 <br/>自該氣體洗滌器排放該經洗滌排氣。
如請求項1之方法，其中使該排氣與該洗滌液接觸包含在存在一非隨機填充材料時，使該排氣與該洗滌液接觸。
如請求項1之方法，其中自該洗滌液移除熱能包含使該洗滌液通過一熱交換器。
如請求項1之方法，其中在該氣體洗滌器中自該排氣移除該VOC之該部分包含將該氣體洗滌器中該排氣之該VOC含量減少至小於10 ppm。
一種處理來自一半導體濕式清洗台之排氣之方法，該方法包括： <br/>將一揮發性有機成分(VOC)引入至一半導體濕式清洗台中； <br/>利用該VOC，在該半導體濕式清洗台中實施一程序； <br/>將包含該VOC之一部分或該VOC之一降解產物之一含VOC排氣自該半導體濕式清洗台排放至一VOC排氣處理單元； <br/>將一鹼性成分或一酸性成分引入至該半導體濕式清洗台中； <br/>利用該酸性成分或該鹼性成分，在該濕式清洗台中實施一程序，其導致包含該酸性成分或該鹼性成分之一排氣； <br/>將包含一組合排氣自該半導體濕式清洗台排放至一工具排氣處理單元，該組合排氣包含該排氣及在將該含VOC排氣自該半導體濕式清洗台排放至一VOC排氣處理單元之後留在該濕式清洗台中之該含VOC排氣的一部分； <br/>在一氣體洗滌器之一雜質洗滌單元中接收該組合排氣，該雜質洗滌單元包含一填充材料區段及一施配器區段； <br/>將一洗滌液通過一熱交換器，其中該熱交換器包括： <br/>一第一管線，用於接收一冷卻劑；以及 <br/>一第二管線，用於接收該洗滌液，該洗滌液在該熱交換器中透過該冷卻劑被降溫以獲得一冷卻洗滌液，該冷卻洗滌液的溫度較該洗滌液的溫度低至少7℃；以及 <br/>一第三管線，用於排除已接收該洗滌液之熱能的該冷卻劑，其中該組合排氣於該洗滌液冷卻前尚未與該洗滌液接觸； <br/>將該冷卻洗滌液自該施配器區段施配至該填充材料區段中； <br/>使該組合排氣與該填充材料區段中之該冷卻洗滌液接觸，且自該組合排氣移除該組合排氣中所含之大於90%之該酸性成分或該鹼性成分，且自該組合排氣移除該組合排氣中之大於70%之該VOC或該VOC之降解產物；及 <br/>自該氣體洗滌器排放一經處理排氣。
如請求項5之方法，其中自該洗滌液移除熱能包含使經收集於該氣體洗滌器之一收集槽中之洗滌液再循環通過一熱交換器以降低該收集槽中該洗滌液之溫度。
如請求項5之方法，其中在該氣體洗滌器之該雜質洗滌單元中接收該組合排氣包含將該組合排氣接收至包含一填充材料區段之該氣體洗滌器之一雜質洗滌單元中，該填充材料區段包含具有大於250 m<sup>2</sup>/m<sup>3</sup>之一界面面積之一結構化填充材料。
一種半導體製程氣體處理系統，其包括： <br/>一第一氣體洗滌器，該第一氣體洗滌器包含： <br/>一入口，其在操作中接收來自一半導體處理工具之一排氣； <br/>一雜質洗滌單元，其包含一填充材料區段及一噴淋器區段；及 <br/>一熱能移除單元，其直接連接： <br/>一第一管線，用於接收一冷卻劑；以及 <br/>一第二管線，用於接收一洗滌流體，其中該洗滌流體在該熱能移除單元中透過該冷卻劑被降溫以獲得一冷卻洗滌流體，該冷卻洗滌流體的溫度較該洗滌流體的溫度低至少7℃； <br/>一第三管線，用於將該冷卻洗滌流體輸送至該噴淋器區段，該雜質洗滌單元在操作中將該冷卻洗滌流體自該噴淋器區段噴淋至該填充材料區段。
如請求項8之系統，其中該半導體處理工具包含一流量控制裝置，流量控制裝置在操作中將該排氣自該半導體處理工具導引至該第一氣體洗滌器。
如請求項8之系統，進一步包括： <br/>一第四管線，用於排除已接收該洗滌流體之熱能的該冷卻劑。
一種生產穀物天貝（tempeh）之方法，該方法包含： <br/>（a）汽蒸穀物； <br/>（b）將天貝真菌接種至蒸熟的穀物中；及 <br/>（c）使接種有該天貝真菌之蒸熟的穀物發酵； <br/>其中所述穀物為選自由以下者組成之群的任何一或多者：小麥、小麥米、黑麥和稻米， <br/>在（a）中之穀物的汽蒸係藉由連續汽蒸方法或蒸汽加壓方法進行， <br/>（b）係以相對於所述蒸熟的穀物之總重量的4 wt%至6 wt%添加天貝菌元（starter）， <br/>接種至蒸熟的穀物中之天貝真菌的含量為相對於蒸熟的穀物之總重量的0.04 wt%至0.06 wt%，且 <br/>（c）中之發酵在60%至80%之濕度及25℃至35℃之溫度下進行。
一種穀物天貝，其藉由如請求項1之生產穀物天貝之方法生產。
一種醬料，其包含如請求項2之穀物天貝。
一種生產陳化穀物天貝之方法，該方法包含： <br/>（a）藉由如請求項1之生產穀物天貝之方法生產穀物天貝；及 <br/>（b）使其中將至少一或多種鹽水及鹵水添加至該穀物天貝中的混合物陳化。
如請求項4之生產陳化穀物天貝之方法，其進一步包含在陳化中將一或多種穀物及蒸熟的穀物添加至該混合物中。
如請求項4之生產陳化穀物天貝之方法，其中在陳化中該混合物中所包括之水分含量為40%至70%。
一種陳化穀物天貝，其藉由如請求項4之方法生產。
一種醬料，其包含如請求項7之陳化穀物天貝。
一種頭戴式電子裝置，包括： <br/>調光模組，具有法線方向，其中所述調光模組於所述法線方向上對於可見光或紫外光具有第一穿透率T1且於斜向方向上對於所述可見光或所述紫外光具有第二穿透率T2，所述斜向方向與所述法線方向的夾角為60度，且所述頭戴式電子裝置滿足：[(T1-T2)/T1]*100%＜50%， <br/>其中所述調光模組包括第一偏光膜、第二偏光膜、設置在所述第一偏光膜與所述第二偏光膜之間的面板以及設置在所述第一偏光膜與所述面板之間的第一補償膜。
如請求項1所述的頭戴式電子裝置，其中所述第一補償膜對於所述可見光或所述紫外光的厚度補償值在125nm與250nm之間。
如請求項1所述的頭戴式電子裝置，其中所述第一補償膜為C型補償膜。
如請求項1所述的頭戴式電子裝置，其中所述第一補償膜為A型補償膜。
如請求項4所述的頭戴式電子裝置，其中所述調光模組還包括設置在所述第一偏光膜與所述面板之間的第二補償膜，且所述第一補償膜與所述第二補償膜具有相互垂直的光軸。
如請求項5所述的頭戴式電子裝置，其中所述第二補償膜為A型補償膜。
如請求項6所述的頭戴式電子裝置，其中所述第一補償膜與所述第二補償膜對於所述可見光或所述紫外光的總厚度補償值在125nm與250nm之間。
如請求項6所述的頭戴式電子裝置，其中所述調光模組還包括設置在所述第一偏光膜與所述面板之間的第三補償膜，且所述第一補償膜、所述第二補償膜以及所述第三補償膜對於所述可見光或所述紫外光的總厚度補償值在125nm與250nm之間。
如請求項8所述的頭戴式電子裝置，其中所述第三補償膜為C型補償膜。
一種薄膜電晶體，其包含：氧化物半導體層，其設置於基板之上，且具有多晶構造；閘極電極，其設置於上述氧化物半導體層之上；及閘極絕緣層，其設置於上述氧化物半導體層與上述閘極電極之間；上述氧化物半導體層包含：第1區域，其與上述閘極電極重疊，且具有第1載子濃度；第2區域，其不與上述閘極電極重疊，且具有第2載子濃度；及第3區域，其與上述閘極電極重疊，且為上述第1區域與上述第2區域之間；上述第2載子濃度大於上述第1載子濃度，上述第3區域之載子濃度於自上述第2區域朝向上述第1區域之通道長度方向上減少，上述通道長度方向上之上述第3區域之長度為0.60μm以下。
如請求項1之薄膜電晶體，其中上述第3區域之上述長度為0.50μm以下。
如請求項1之薄膜電晶體，其中上述第3區域之上述長度為0.40μm以下。
如請求項1之薄膜電晶體，其中上述第3區域之上述長度係將藉由掃描型靜電電容顯微鏡觀察所得之△C/△V信號(此處，△C為靜電電容變化，△V為交流電壓)使用高斯函數擬合，根據所擬合之上述高斯函數算出之尺度參數之3倍。
如請求項1之薄膜電晶體，其中上述第3區域之上述長度為將藉由掃描型靜電電容顯微鏡觀察所得之△C/△V信號(此處，△C為靜電電容變化，△V為交流電壓)使用補誤差函數擬合，根據所擬合之上述補誤差函數算出之尺度參數之3倍。
如請求項1之薄膜電晶體，其中上述第3區域之上述長度為將藉由掃描型靜電電容顯微鏡觀察所得之△C/△V信號(此處，△C為靜電電容變化，△V為交流電壓)使用勞倫茲函數擬合，根據所擬合之上述勞倫茲函數算出之半值半寬之3倍。
如請求項1之薄膜電晶體，其中上述第2區域包含硼、磷、及氬之至少一者。
如請求項1之薄膜電晶體，其中上述氧化物半導體層之端部由上述閘極絕緣層覆蓋。
如請求項8之薄膜電晶體，其中上述閘極絕緣層包含硼、磷、及氬之至少一者。
如請求項1之薄膜電晶體，其中上述氧化物半導體層包含銦元素及至少一種以上之金屬元素，上述銦元素相對於上述銦元素及上述至少一種以上之金屬元素之比率為50%以上。
如請求項1之薄膜電晶體，其中上述氧化物半導體層之結晶構造為方鐵錳礦型構造。
一種電子機器，其包含如請求項1至11中任一項之薄膜電晶體。
一種電子裝置，其包括： <br/>通信電路； <br/>處理器；及 <br/>記憶體，其儲存有藉由上述處理器執行時，使上述處理器進行動作之指令；且 <br/>上述處理器以如下方式構成： <br/>分別自複數個顧客各者之終端裝置接收複數個配送訂單， <br/>於上述複數個配送訂單中選擇第1配送訂單， <br/>確定上述第1配送訂單之出發地及到達地， <br/>將地圖資料劃分成具有預定尺寸之複數個圖塊， <br/>確認分別與上述第1配送訂單之出發地及到達地對應之第1圖塊及第2圖塊， <br/>於上述複數個配送訂單中確認是否存在出發地位於上述第1圖塊且到達地位於上述第2圖塊之第1候補配送訂單， <br/>響應於存在上述第1候補配送訂單而將上述第1候補配送訂單確定為上述第2配送訂單， <br/>響應於上述複數個配送訂單中不存在上述第1候補配送訂單，確認是否存在出發地位於與上述第1圖塊相鄰之至少一個第1相鄰圖塊中之一者且到達地位於上述地2圖塊之第2候補配送訂單， <br/>響應於存在上述第2候補配送訂單而將上述第2候補配送訂單確定為上述第2配送訂單， <br/>將上述第1配送訂單及上述第2配送訂單結合成一個第1虛擬配送訂單， <br/>基於可進行配送之複數個配送員各自之當前位置，確定用以分配上述第1虛擬配送訂單之第1配送員， <br/>生成上述第1配送員用以進行上述第1虛擬配送訂單之配送路徑而傳輸至上述第1配送員之終端裝置， <br/>其中上述第一配送員係基於對上述複數個配送員之各者計算到達上述第1配送訂單之出發地或上述第2配送訂單之出發地之預測移動時間來確定， <br/>其中於生成上述第1配送員用以進行上述第1虛擬配送訂單之配送路徑而傳輸至上述第1配送員之終端裝置時，上述處理器以如下方式構成： <br/>生成上述第1配送員用以進行上述第1虛擬配送訂單之複數個候補配送路徑， <br/>計算上述複數個候補配送路徑各自之配送預測時間， <br/>於預測為即使上述第1配送員根據特定候補配送路徑到達上述第1配送訂單之出發地或上述第2配送訂單之出發地，於該出發地領取商品之等待時間超過預設時間之情形時，將上述特定候補配送路徑自上述複數個候補配送路徑中排除，其中上述等待時間係基於根據上述特定候補配送路徑之上述第1配送員於上述出發地之預測到達時間與於上述出發地商品準備好領取之時間之間的差而確定， <br/>藉由選擇自排除已排除之特定候補配送路徑之上述複數個候補配送路徑中具有最短配送預測時間之候補配送路徑，而確定用以進行上述第1虛擬配送訂單之配送路徑，及 <br/>將確定之上述配送路徑傳輸至上述第1配送員之終端裝置。
如請求項1之電子裝置，其中上述處理器以如下方式構成： <br/>響應於上述複數個配送訂單中不存在出發地位於上述第1圖塊且到達地位於上述第2圖塊之配送訂單，確認是否存在出發地位於上述第1圖塊且到達地位於與上述第2圖塊相鄰之至少一個第2相鄰圖塊中之一者之第3候補配送訂單， <br/>響應於存在上述第3候補配送訂單而將上述第3候補配送訂單確定為上述第2配送訂單。
如請求項1之電子裝置，其中上述處理器以如下方式構成： <br/>響應於上述複數個配送訂單中不存在出發地位於上述第1圖塊且到達地位於上述第2圖塊之配送訂單，確認是否存在出發地位於與上述第1圖塊相鄰之至少一個第1相鄰圖塊中之一者且到達地位於與上述第2圖塊相鄰之至少一個第2相鄰圖塊中之一者的第4候補配送訂單， <br/>響應於存在上述第4候補配送訂單而將上述第4候補配送訂單確定為上述第2配送訂單。
如請求項1之電子裝置，其中上述圖塊之尺寸係基於上述複數個配送員之數量而確定。
如請求項1之電子裝置，其中上述處理器以如下方式構成： <br/>響應於上述複數個配送員之數量小於上述複數個配送員之數量而確定上述第2配送訂單。
如請求項1之電子裝置，其中上述處理器以如下方式構成： <br/>於上述複數個配送員中將計算之上述預測移動時間最少之配送員確定為上述第1配送員。
如請求項6之電子裝置，其中上述處理器以如下方式構成： <br/>基於上述複數個配送員之當前位置、交通狀況、天氣狀況及上述複數個配送員各自之平均移動速度，分別對上述複數個配送員計算到達上述第1配送訂單之出發地或上述第2配送訂單之出發地之預測移動時間。
如請求項1之電子裝置，其中上述處理器以如下方式構成： <br/>生成用以配送上述第1虛擬配送訂單之複數個候補配送路徑， <br/>分別計算上述複數個候補配送路徑之配送預測時間， <br/>將上述配送預測時間最少之候補配送路徑確定為用以進行第1虛擬配送訂單之配送路徑， <br/>將確定之上述配送路徑傳輸至上述第1配送員之終端裝置。
如請求項1之電子裝置，其中上述處理器以如下方式構成： <br/>於上述複數個配送訂單中將受理之訂單時間最長之配送訂單確定為上述第1配送訂單。
一種用以管理配送訂單之方法，其係電子裝置之用以管理配送訂單之方法，其包括： <br/>分別自複數個顧客各者之終端裝置接收複數個配送訂單之動作； <br/>於上述複數個配送訂單中選擇第1配送訂單之動作； <br/>確認上述第1配送訂單之出發地及到達地之動作； <br/>將地圖資料劃分成具有預定尺寸之複數個圖塊之動作； <br/>確認分別與上述第1配送訂單之出發地及到達地對應之第1圖塊及第2圖塊之動作； <br/>於上述複數個配送訂單中確認是否存在出發地位於上述第1圖塊且到達地位於上述第2圖塊之第1候補配送訂單之動作； <br/>響應於存在上述第1候補配送訂單而將上述第1候補配送訂單確定為上述第2配送訂單之動作； <br/>響應於上述複數個配送訂單中不存在上述第1候補配送訂單，確認是否存在出發地位於與上述第1圖塊相鄰之至少一個第1相鄰圖塊中之一者且到達地位於上述地2圖塊之第2候補配送訂單之動作； <br/>響應於存在上述第2候補配送訂單而將上述第2候補配送訂單確定為上述第2配送訂單之動作； <br/>將上述第1配送訂單及上述第2配送訂單結合成一個第1虛擬配送訂單之動作； <br/>藉由計算到達上述第1配送訂單之出發地或上述第2配送訂單之出發地之預測移動時間，基於可進行配送之複數個配送員各自之當前位置，確定用以分配上述第1虛擬配送訂單之第1配送員之動作；及 <br/>生成上述第1配送員用以進行上述第1虛擬配送訂單之配送路徑而傳輸至上述第1配送員之終端裝置之動作， <br/>其中生成上述第1配送員用以進行上述第1虛擬配送訂單之配送路徑而傳輸至上述第1配送員之終端裝置進一步包括： <br/>生成上述第1配送員用以進行上述第1虛擬配送訂單之複數個候補配送路徑； <br/>計算上述複數個候補配送路徑各自之配送預測時間； <br/>於預測為即使上述第1配送員根據特定候補配送路徑到達上述第1配送訂單之出發地或上述第2配送訂單之出發地，於該出發地領取商品之等待時間超過預設時間之情形時，將上述特定候補配送路徑自上述複數個候補配送路徑中排除，其中上述等待時間係基於根據上述特定候補配送路徑之上述第1配送員於上述出發地之預測到達時間與於上述出發地商品準備好領取之時間之間的差而確定； <br/>藉由選擇自排除已排除之特定候補配送路徑之上述複數個候補配送路徑中具有最短配送預測時間之候補配送路徑，而確定用以進行上述第1虛擬配送訂單之配送路徑；及 <br/>將確定之上述配送路徑傳輸至上述第1配送員之終端裝置。
一種式 (III) 之化合物或其藥學上可接受的鹽或水合物， <br/><img align="absmiddle" height="72px" width="85px" file="ed10239.jpg" alt="ed10239.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中， <br/>X<sup>1</sup>、X<sup>2</sup>和X<sup>3</sup>中的一個選自NH、O和S，並且X<sup>1</sup>、X<sup>2</sup>和X<sup>3</sup>中的另外兩個獨立地選自N和CR<sup>Y</sup>，其中每個R<sup>Y</sup>獨立地是H、-CN、-C(=O)N(R<sup>7</sup>)<sub>2</sub>或R<sup>XA</sup>，其中R<sup>XA</sup>獨立地是視需要被一至三個F取代的C<sub>1-3</sub>烷基； <br/>J選自O、S、CH<sub>2</sub>、NH和共價鍵； <br/>x選自0至3； <br/>每個R<sup>9</sup>獨立地選自R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>和R<sup>5</sup>； <br/>R<sup>E</sup>係H或鹵代； <br/>每個R<sup>3</sup>獨立地是C<sub>1-4</sub>烷基或C<sub>3-6</sub>環烷基，其各自視需要被一或多個獨立地選自R<sup>4X</sup>、R<sup>5x</sup>、-O(R<sup>4X</sup>)、-O(R<sup>5X</sup>)和F的基團取代； <br/>每個R<sup>3X</sup>獨立地是C<sub>1-4</sub>烷基或C<sub>3-6</sub>環烷基，其各自視需要被一或多個F取代； <br/>每個R<sup>4</sup>獨立地是單環或雙環5員至9員雜芳基，其各自視需要被一或多個獨立地選自R<sup>4X</sup>、-O(R<sup>4X</sup>)、R<sup>5X</sup>、-O(R<sup>5X</sup>)、-OH、-CN、C<sub>1-4</sub>烷氧基、-C(=O)OH、-C(=O)O(C<sub>1-4</sub>烷基)、-C(=O)N(R<sup>7B</sup>)<sub>2</sub>、R<sup>3</sup>和鹵代的基團取代； <br/>每個R<sup>5</sup>獨立地是苯基，其各自視需要被一或多個獨立地選自R<sup>4X</sup>、-O(R<sup>4X</sup>)、R<sup>5X</sup>、-O(R<sup>5X</sup>)、-OH、-CN、C<sub>1-4</sub>烷氧基、-C(=O)OH、-C(=O)O(C<sub>1-4</sub>烷基)、-C(=O)N(R<sup>7B</sup>)<sub>2</sub>、R<sup>3</sup>和鹵代的基團取代； <br/>每個R<sup>4X</sup>獨立地是單環或雙環5員至9員雜芳基，其各自視需要被一或多個獨立地選自-OH、-CN、C<sub>1-4</sub>烷氧基、-C(=O)OH、-C(=O)N(R<sup>7B</sup>)<sub>2</sub>、R<sup>3X</sup>和鹵代的基團取代； <br/>每個R<sup>5X</sup>獨立地是苯基，其各自視需要被一或多個獨立地選自-OH、-CN、C<sub>1-4</sub>烷氧基、-C(=O)OH、-C(=O)N(R<sup>7B</sup>)<sub>2</sub>、R<sup>3x</sup>和鹵代的基團取代； <br/>每個R<sup>7</sup>和R<sup>7B</sup>獨立地是H、C<sub>1-4</sub>烷基或C<sub>3-6</sub>環烷基；並且 <br/>其中每個雜芳基獨立地是含有一或多個獨立地選自N、O和S的雜原子的芳香族環。
如請求項1之式 (III) 之化合物或其藥學上可接受的鹽或水合物，其中 <br/>(i) X<sup>1</sup>係N，X<sup>2</sup>係O並且X<sup>3</sup>係N； <br/>(ii) X<sup>1</sup>係N，X<sup>2</sup>係N並且X<sup>3</sup>係O； <br/>(iii) X<sup>1</sup>係CR<sup>Y</sup>，X<sup>2</sup>係CR<sup>Y</sup>並且X<sup>3</sup>係S； <br/>(iv) X<sup>1</sup>係O，X<sup>2</sup>係N並且X<sup>3</sup>係CR<sup>Y</sup>； <br/>(v) X<sup>1</sup>係N，X<sup>2</sup>係O並且X<sup>3</sup>係CR<sup>Y</sup>； <br/>(vi) X<sup>1</sup>係CR<sup>Y</sup>，X<sup>2</sup>係N並且X<sup>3</sup>係O； <br/>(vii) X<sup>1</sup>係O，X<sup>2</sup>係N並且X<sup>3</sup>係N； <br/>(viii) X<sup>1</sup>係N，X<sup>2</sup>係N並且X<sup>3</sup>係S； <br/>(ix) X<sup>1</sup>係CR<sup>Y</sup>，X<sup>2</sup>係S並且X<sup>3</sup>係CR<sup>Y</sup>；或者 <br/>(x) X<sup>1</sup>係CR<sup>Y</sup>，X<sup>2</sup>係N並且X<sup>3</sup>係S。
如請求項1之式 (III) 之化合物或其藥學上可接受的鹽或水合物，其中X<sup>1</sup>係N，X<sup>2</sup>係O並且X<sup>3</sup>係N。
如請求項1至3中任一項之式 (III) 之化合物或其藥學上可接受的鹽或水合物，其中J係O。
如請求項1至3中任一項之式 (III) 之化合物或其藥學上可接受的鹽或水合物，其中每個R<sup>3</sup>獨立地是視需要被一至三個F取代的C<sub>1-4</sub>烷基。
如請求項1至3中任一項之式 (III) 之化合物或其藥學上可接受的鹽或水合物，其中每個R<sup>4</sup>獨立地是單環或雙環5員至9員雜芳基，其各自視需要被一或多個獨立地選自OH、-CN、C<sub>1-4</sub>烷氧基、-C(=O)OH、-C(=O)O(C<sub>1-4</sub>烷基)-C(=O)N(R<sup>7B</sup>)<sub>2</sub>、R<sup>3X</sup>和鹵代的基團取代。
如請求項1至3中任一項之式 (III) 之化合物或其藥學上可接受的鹽或水合物，其中每個R<sup>5</sup>獨立地是苯基，其各自視需要被一或多個獨立地選自OH、-CN、C<sub>1-4</sub>烷氧基、-C(=O)OH、-C(=O)O(C<sub>1-4</sub>烷基)、-C(=O)N(R<sup>7B</sup>)<sub>2</sub>、R<sup>3X</sup>和鹵代的基團取代。
如請求項1至3中任一項之式 (III) 之化合物或其藥學上可接受的鹽或水合物，其中R<sup>E</sup>為H。
如請求項1之式 (III) 之化合物或其藥學上可接受的鹽或水合物，其係選自以下各者，或其藥學上可接受的鹽或水合物： <br/>((2<i>R</i>,6<i>S</i>)-2,6-二甲基𠰌啉代)(5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)噻吩-2-基)甲酮； <br/>(3-(2-甲氧基苯基)吡咯啶-1-基)(5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)-1,2,4-㗁二唑-3-基)甲酮； <br/>(<i>R</i>)-(3-(4-氯苯基)吡咯啶-1-基)(5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)異㗁唑-3-基)甲酮； <br/>3-(4-(3-(4-氟苯氧基)丙基)哌𠯤-1-羰基)-5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)異㗁唑-4-甲腈； <br/>3-(4-(吡啶-2-基)哌𠯤-1-羰基)-5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)異㗁唑-4-甲腈； <br/>3-(4-(3-甲氧基苯基)哌𠯤-1-羰基)-5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)異㗁唑-4-甲腈； <br/>5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)-3-(4-(3-(三氟甲基)-[1,2,4]三唑并[4,3-b]嗒𠯤-6-基)哌𠯤-1-羰基)異㗁唑-4-甲腈； <br/>(S)-3-(3-(4-氯苯基)吡咯啶-1-羰基)-5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)異㗁唑-4-甲腈； <br/>3-((2<i>R</i>,6<i>S</i>)-2,6-二甲基𠰌啉-4-羰基)-5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)異㗁唑-4-甲腈； <br/>3-(4-(苯并[<i>d</i>]㗁唑-2-基)哌𠯤-1-羰基)-5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)異㗁唑-4-甲腈； <br/>3-(4-(4-(4-氟苯基)-2-側氧基-2,3-二氫-1<i>H</i>-咪唑-1-基)哌啶-1-羰基)-5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)異㗁唑-4-甲腈； <br/>(<i>R</i>)-(3-苯基吡咯啶-1-基)(5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)噻吩-2-基)甲酮； <br/>(3-異丙基𠰌啉代)(5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)-1,2,4-㗁二唑-3-基)甲酮； <br/>((3<i>R</i>,5<i>S</i>)-3,5-二甲基𠰌啉代)(5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)-1,2,4-㗁二唑-3-基)甲酮； <br/>((3<i>R</i>,5<i>S</i>)-3,5-二甲基哌啶-1-基)(5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)-1,2,4-㗁二唑-3-基)甲酮； <br/>((2<i>R</i>,5<i>S</i>)-2,5-二甲基吡咯啶-1-基)(5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)-1,2,4-㗁二唑-3-基)甲酮； <br/>𠰌啉代(5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)-1,2,4-㗁二唑-3-基)甲酮； <br/>硫代𠰌啉代(5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)-1,2,4-㗁二唑-3-基)甲酮； <br/>3-(4-(5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)-1,2,4-㗁二唑-3-羰基)哌𠯤-2-基)苯甲腈； <br/>哌啶-1-基(5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)-1,2,4-㗁二唑-3-基)甲酮； <br/>(<i>S</i>)-(5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)-1,2,4-㗁二唑-3-基)(2-(三氟甲基)𠰌啉代)甲酮； <br/>(2-異丁基𠰌啉代)(5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)-1,2,4-㗁二唑-3-基)甲酮； <br/>(3,3-二甲基𠰌啉代)(5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)-1,2,4-㗁二唑-3-基)甲酮； <br/>(<i>R</i>)-(2-(氟甲基)𠰌啉代)(5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)-1,2,4-㗁二唑-3-基)甲酮； <br/>((2<i>R</i>,5<i>R</i>)-2,5-二甲基𠰌啉代)(5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)-1,2,4-㗁二唑-3-基)甲酮； <br/>((2<i>S</i>,6<i>S</i>)-2,6-二甲基𠰌啉代)(5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)-1,2,4-㗁二唑-3-基)甲酮； <br/>(4-(4-甲氧基苯基)哌𠯤-1-基)(5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)-1,2,4-㗁二唑-3-基)甲酮； <br/>4-(1-(5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)-1,2,4-㗁二唑-3-羰基)哌啶-4-基)苯甲腈； <br/>(4-(3-(4-氟苯氧基)丙基)哌𠯤-1-基)(5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)-1,2,4-㗁二唑-3-基)甲酮； <br/>(4-(吡啶-2-基)哌𠯤-1-基)(5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)-1,2,4-㗁二唑-3-基)甲酮； <br/>(4-(3-甲氧基苯基)哌𠯤-1-基)(5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)-1,2,4-㗁二唑-3-基)甲酮； <br/>(4-(3-氯-5-(2-甲基-2<i>H</i>-四唑-5-基)吡啶-2-基)哌𠯤-1-基)(5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)-1,2,4-㗁二唑-3-基)甲酮； <br/>(4-(2-((5-溴吡啶-2-基)氧基)乙基)哌𠯤-1-基)(5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)-1,2,4-㗁二唑-3-基)甲酮； <br/>(4-(苯并[<i>d</i>]㗁唑-2-基)哌𠯤-1-基)(5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)-1,2,4-㗁二唑-3-基)甲酮； <br/>(3-丙基吡咯啶-1-基)(5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)-1,2,4-㗁二唑-3-基)甲酮； <br/>(4-苯基哌𠯤-1-基)(5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)-1,2,4-㗁二唑-3-基)甲酮； <br/>2-(4-(5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)-1,2,4-㗁二唑-3-羰基)哌𠯤-1-基)苯甲腈； <br/>4-(4-(5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)-1,2,4-㗁二唑-3-羰基)哌𠯤-1-基)苯甲腈； <br/>(4-(2-甲氧基苯基)哌𠯤-1-基)(5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)-1,2,4-㗁二唑-3-基)甲酮； <br/>((2<i>R</i>,6<i>S</i>)-2,6-二甲基𠰌啉代)(5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)-1,2,4-㗁二唑-3-基)甲酮； <br/>((2<i>R</i>,6<i>R</i>)-2,6-二甲基𠰌啉代)(5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)-1,2,4-㗁二唑-3-基)甲酮； <br/>((2<i>R</i>,6<i>S</i>)-2,6-二甲基𠰌啉代)(5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)異㗁唑-3-基)甲酮； <br/>(<i>R</i>)-(3-(4-氯苯基)吡咯啶-1-基)(5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)-1,2,4-㗁二唑-3-基)甲酮； <br/>(3-苯基吡咯啶-1-基)(5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)-1,2,4-㗁二唑-3-基)甲酮； <br/>(<i>S</i>)-(3-(4-氯苯基)吡咯啶-1-基)(5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)-1,2,4-㗁二唑-3-基)甲酮； <br/>(<i>R</i>)-(3-苯基吡咯啶-1-基)(5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)異㗁唑-3-基)甲酮； <br/>((2<i>S</i>,6<i>R</i>)-2,6-二甲基𠰌啉代)(5-(2,4,5-三氟-3-羥基-6-碘苯基)-1,2,4-㗁二唑-3-基)甲酮； <br/>((2<i>R</i>,6<i>S</i>)-2,6-二甲基𠰌啉代)(3-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)-1,2,4-㗁二唑-5-基)甲酮； <br/>((3<i>R</i>,5<i>S</i>)-3,5-二甲基哌啶-1-基)(3-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)-1,2,4-㗁二唑-5-基)甲酮； <br/>(5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)-1,2,4-㗁二唑-3-基)(2,2,6-三甲基𠰌啉代)甲酮； <br/>((3<i>R</i>,5<i>S</i>)-3,5-二甲基哌𠯤-1-基)(5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)-1,2,4-㗁二唑-3-基)甲酮； <br/>((2<i>R</i>,6<i>S</i>)-2,6-二甲基𠰌啉代)(2-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)噻唑-5-基)甲酮； <br/><i>外消旋</i>-((2<i>R</i>,6<i>S</i>)-2-乙基-6-甲基𠰌啉代)(5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)-1,2,4-㗁二唑-3-基)甲酮； <br/><i>外消旋</i>-((2<i>R</i>,6<i>S</i>)-2-異丙基-6-甲基𠰌啉代)(5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)-1,2,4-㗁二唑-3-基)甲酮；以及 <br/>(5-(2-溴-3,4,6-三氟-5-羥基苯基)-1,2,4-㗁二唑-3-基)((2<i>R</i>,6<i>S</i>)-2,6-二甲基𠰌啉代)甲酮。
如請求項1之式 (III) 之化合物或其藥學上可接受的鹽或水合物，其為((2R,6S)-2,6-二甲基𠰌啉代)(5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)-1,2,4-㗁二唑-3-基)甲酮或其藥學上可接受的鹽或水合物 <br/><img align="absmiddle" height="58px" width="77px" file="ed10240.jpg" alt="ed10240.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項10之式 (III) 之化合物或其藥學上可接受的鹽或水合物，其為((2R,6S)-2,6-二甲基𠰌啉代)(5-(2,4,5-三氟-3-羥基苯基)-1,2,4-㗁二唑-3-基)甲酮 <br/><img align="absmiddle" height="58px" width="77px" file="ed10240.jpg" alt="ed10240.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種藥物組成物，其包含如請求項1至11中任一項之式 (III) 之化合物或其藥學上可接受的鹽或水合物，以及藥學上可接受的賦形劑。
一種如請求項1至11中任一項之式 (III) 之化合物或其藥學上可接受的鹽或水合物或如請求項12之藥物組成物之用途，其係用以製備用於治療肝病之藥物。
一種如請求項1至11中任一項之式 (III) 之化合物或其藥學上可接受的鹽或水合物或如請求項12之藥物組成物之用途，其係用以製備用於治療選自酒精性肝病及非酒精性肝病的肝病之藥物。
一種如請求項1至11中任一項之式 (III) 之化合物或其藥學上可接受的鹽或水合物或如請求項12之藥物組成物之用途，其係用以製備用於治療選自NAFLD、NASH、肝纖維化、肝硬化、孤立性脂肪變性、肝臟炎症、酒精性脂肪性肝炎（ASH）、C型肝炎病毒（HCV）和肝細胞癌（HCC）的肝病之藥物。
如請求項13或15之用途，其中該肝病為肝纖維化。
如請求項13或15之用途，其中該肝病為肝硬化。
一種如請求項1至11中任一項之式 (III) 之化合物或其藥學上可接受的鹽或水合物或如請求項12之藥物組成物之用途，其係用以製備用於治療肝病之藥物，其中該藥物進一步包含或係與以下化合物組合使用： <br/>(i) 升糖素樣肽-1受體（GLP1）促效劑、 <br/>(ii) 鈉-葡萄糖轉運蛋白2（SGLT2）抑制劑，或 <br/>(iii) ThrB促效劑。
一種油箱蓋，適用於安裝在一車體，該車體具有一油箱口，及一安裝部，該油箱蓋包含：<br/> 一封蓋單元，適用於可拆離地封蓋該油箱口，並包括一鎖蓋體，該鎖蓋體具有一可供持拿的轉把壁，及一由該轉把壁周緣朝該油箱口的方向延伸的內環壁，該內環壁的外周面形成有一徑向凹入的卡槽；及<br/> 一防脫單元，適用於連繫該封蓋單元與該車體，並包括一套置於該鎖蓋體的環套件，及一由該環套件往外突伸且適用於牽連至該安裝部的連接件，該環套件具有一套置在該內環壁外圍的外環壁，及一由該外環壁鄰近該轉把壁之一側朝該油箱口的方向逐漸往內斜撇突伸且彈扣入該卡槽的彈卡壁，該連接件具有一可彎撓的連桿部、數個連接該連桿部遠離該環套件之一端的支桿部，及數個分別設置於該等支桿部上的連繫部，該等連繫部的構造彼此不同，能用於擇一安裝在相對應的該安裝部。
如請求項1所述的油箱蓋，其中，該鎖蓋體的該內環壁具有一環壁部、一由該環壁部鄰近該轉把壁之一側徑向往外突伸的突簷部，及一由該環壁部遠離該轉把壁之一側往外斜向突翹的底鉤部，該環壁部、該突簷部與該底鉤部相配合界定出該卡槽，該突簷部擋靠在該外環壁鄰近該轉把壁之一側，該底鉤部頂抵在該彈卡壁遠離該外環壁之一側。
如請求項2所述的油箱蓋，其中，該底鉤部具有一位於外側且朝該油箱口的方向逐漸往內傾斜的斜抵面，該彈卡壁具有一位於內側且朝該油箱口的方向逐漸往內傾斜的斜導面。
如請求項1所述的油箱蓋，其中，該環套件還具有一凹設於鄰近該轉把壁之一側的嵌槽，及一由該嵌槽徑向往外連通至外側面且寬度小於該嵌槽的頸槽，該連接件還具有一突擴設置於該連桿部鄰近該環套件之一端的卡扣部，該連桿部對應置入該頸槽，該卡扣部對應置入該嵌槽並被該鎖蓋體擋止而不能脫離該嵌槽。
如請求項1所述的油箱蓋，其中，該連接件由塑膠材料一體成形。
如請求項1所述的油箱蓋，其中，該環套件由塑膠材料一體成形。
如請求項1所述的油箱蓋，其中，該鎖蓋體由塑膠材料一體成形。
如請求項1所述的油箱蓋，其中，該封蓋單元還包括一連接該鎖蓋體且用於螺入鎖緊於該油箱口的鎖接頭。
一種電子裝置，包含：<br/> 一面板，包含： <br/> 多個掃描電極；<br/> 多個數據電極，交錯於多個掃描電極以定義出多個畫素；以及<br/> 一膽固醇液晶層，設置於該多個掃描電極與該多個數據電極之間；<br/> 其中，於一寫入模式下，位於一寫入區的至少一畫素被施加一第一電壓差，位於一非寫入區的至少一部分的其它畫素被施加一第二電壓差，且於一清除模式下，位於一清除區的至少一畫素被施加一第三電壓差，其中該第一電壓差不同於該第二電壓差，且該第一電壓差不同於該第三電壓差；<br/> 其中，該第一電壓差是一第二電壓值，該第二電壓差是一第一電壓值或一數據電壓的電壓值，該第三電壓差是一另一電壓值，其中Vd＜V1＜V2＜V4，Vd為該數據電壓的電壓值，V1為該第一電壓值，V2為該第二電壓值，V4為該另一電壓值。
如請求項1所述的電子裝置，其中於該寫入模式下，位於該寫入區的該至少一畫素所電連接的一掃描電極被施加一第一施加電壓，位於該寫入區的該至少一畫素所電連接的一數據電極被施加一第二施加電壓，且該第一施加電壓與該第二施加電壓皆不為0V。
如請求項2所述的電子裝置，其中該第一施加電壓與該第二施加電壓符合以下關係式：|VA|＞|VB|，其中VA為該第一施加電壓，VB為該第二施加電壓。
如請求項1所述的電子裝置，其中於該寫入模式下，位於該寫入區的該至少一畫素所電連接的一掃描電極被施加一第一施加電壓，且位於該寫入區的該至少一畫素所電連接的一數據電極被施加的電壓為0V。
如請求項1所述的電子裝置，其中位於該寫入區的該至少一畫素所電連接的該掃描電極被施加一第一施加電壓，且位於該寫入區的該至少一畫素所電連接的該數據電極被施加一第二施加電壓，且該第一施加電壓與該第二施加電壓符合以下關係式：|VA|=|VB|，其中VA為該第一施加電壓，VB為該第二施加電壓。
如請求項1所述的電子裝置，其中於該清除模式下，位於該清除區的該至少一畫素所電連接的一掃描電極被施加一第三施加電壓，位於該清除區的該至少一畫素所電連接的一數據電極被施加一第四施加電壓，且該第三施加電壓與該第四施加電壓皆不為0V。
如請求項6所述的電子裝置，其中該第三施加電壓與該第四施加電壓符合以下關係式：|VC|＞|VD|，其中VC為該第三施加電壓，VD為該第四施加電壓。
如請求項1所述的電子裝置，其中更包含：<br/> 一偵測元件，鄰近於該面板；<br/> 一驅動電路，用以驅動該多個畫素；<br/> 一控制器，電連接於該偵測元件與該驅動電路之間；<br/> 其中於該寫入模式時，該偵測元件偵測一寫入位置，並將該寫入位置提供至該控制器，該控制器根據該寫入位置傳送一驅動資訊至該驅動電路，該驅動電路根據該驅動資訊提供該第一電壓差至該寫入區的該至少一畫素。
如請求項8所述的電子裝置，其中其中於該清除模式時，該偵測元件偵測一清除位置，並將該清除位置提供至該控制器，該控制器根據該清除位置傳送另一驅動資訊至該驅動電路，該驅動電路根據該另一驅動資訊提供該第三電壓差至該清除區的該至少一畫素。
如請求項1所述的電子裝置，其中還包含一偵測元件鄰近於該面板，其中該偵測元件包含一觸控式結構及一訊號接收結構。
如請求項1所述的電子裝置，其中該面板包含多個子面板，該多個子面板分別包含反射不同顏色的膽固醇液晶層。
一種用於預測消耗燃料特性之系統，其包括：<br/> 燃料管理裝置（120），前述燃料管理裝置（120）利用輸入的分析結果產生既定區間的消耗燃料特性資訊；<br/> 運轉管理裝置（140），前述運轉管理裝置（140）利用輸入的運轉操作資訊產生前述既定區間的運轉資訊；及<br/> 用於預測即時消耗燃料特性之裝置（150），前述用於預測即時消耗燃料特性之裝置（150）參考前述消耗燃料特性資訊和前述運轉資訊的趨勢，產生基於人工神經網路的虛擬預測模型，利用前述虛擬預測模型產生即時消耗燃料特性資訊的預測結果；<br/> 為了提高前述虛擬預測模型的功能，將彼此獨立管理的前述消耗燃料特性資訊中的既定區間的過往消耗燃料特性資訊及前述運轉資訊中的既定區間的過往運轉資訊相銜接；及<br/> 其中，前述用於預測即時消耗燃料特性之裝置（150）包括：<br/> 資料採集部（310），前述資料採集部（310）採集前述消耗燃料特性資訊和前述運轉資訊；<br/> 學習部（330），前述學習部（330）銜接前述過往消耗燃料特性資訊和前述過往運轉資訊產生輸入前述人工神經網路的學習資料集；<br/> 模型產生部（340），前述模型產生部（340）將前述學習資料集輸入前述人工神經網路並藉由學習來產生前述虛擬預測模型；及<br/> 預測部（350），前述預測部（350）將前述運轉資訊中的即時運轉資訊應用於所複製的前述虛擬預測模型以即時產生前述消耗燃料特性資訊的預測結果；<br/> 其中，對前述消耗燃料特性資訊進行定量，以便分析與燃料相關運轉變數的關聯關係；<br/> 其中，前述消耗燃料特性資訊是提取原始消耗燃料特性資訊，變換成具有與前述過往運轉資訊相同形態的資料；<br/> 其中，前述變換是在具有規則採集間隔的時間序列中執行的，其形式與上述過往運轉資訊相同；<br/> 其中，前述學習資料集以工作表形態進行結構化，前述工作表由代表既定區間的過往運轉資訊的運轉資訊資料（910）和代表既定區間的過往消耗燃料特性資訊的消耗燃料特性資訊資料（920）構成。
如請求項1所述之用於預測消耗燃料特性之系統，其中，前述消耗燃料特性資訊是利用筒倉的庫存量變數和燃料供應器的供應量變數資料，藉由計算學習對象時段各時間點的向各燃燒器供應的消耗燃料特性而算出。
如請求項2所述之用於預測消耗燃料特性之系統，其中，前述學習資料集是藉由將前述既定區間的過往運轉資訊與前述各時間點的向各燃燒器供應的消耗燃料特性合併而產生。
如請求項1所述之用於預測消耗燃料特性之系統，其中，前述工作表的項目包括日期時間（datetimes）、空氣流量（air flow）、空氣壓力（air pressure）、阻尼節流閥（Damper Throttle）、HHV（Higher Heating Value）值、灰分值（ash values）、IDT（Initial Decomposition Temperature）值及HT（Hemispherical Temperature）值，前述IDT即灰熔點，是圓形灰錐受熱時開始熔解的溫度，前述HT即半球形熔點，是圓形灰錐受熱時直徑變為原來錐直徑的1/2倍時的溫度。
如請求項1所述之用於預測消耗燃料特性之系統，其中，前述消耗燃料特性資訊包括消耗燃料的發熱量、灰分含有量、灰熔化溫度及硫分含有量。
如請求項1所述之用於預測消耗燃料特性之系統，其中，前述即時消耗燃料特性資訊的預測結果是將前述運轉資訊中的即時運轉資訊輸入一個虛擬預測模型，算出前述即時消耗燃料特性資訊的各特性項目。
如請求項1所述之用於預測消耗燃料特性之系統，其中，前述即時消耗燃料特性資訊的預測結果是將前述運轉資訊中的即時運轉資訊輸入按前述即時消耗燃料特性資訊的各特性項目產生的各虛擬預測模型，算出前述即時消耗燃料特性資訊的各特性項目。
一種用於預測消耗燃料特性的方法，其包括以下步驟：<br/> 步驟（a）燃料管理裝置（120）利用輸入的分析結果產生既定區間的消耗燃料特性資訊的步驟；<br/> 步驟（b）運轉管理裝置（140）利用輸入的運轉操作資訊產生前述既定區間的運轉資訊的步驟；及<br/> 步驟（c）用於預測即時消耗燃料特性之裝置（150）參考前述消耗燃料特性資訊和前述運轉資訊的趨勢，產生基於人工神經網路的虛擬預測模型，利用前述虛擬預測模型產生即時消耗燃料特性資訊的預測結果的步驟；<br/> 為了提高前述虛擬預測模型的功能，將彼此獨立管理的前述消耗燃料特性資訊中的既定區間的過往消耗燃料特性資訊及前述運轉資訊中的既定區間的過往運轉資訊相銜接；及<br/> 其中，前述步驟（c）包括：<br/> 步驟（c-1）資料採集部（310）採集前述消耗燃料特性資訊和前述運轉資訊的步驟；<br/> 步驟（c-2）學習部（330）銜接前述過往消耗燃料特性資訊和前述過往運轉資訊，產生輸入前述人工神經網路的學習資料集的步驟；<br/> 步驟（c-3）模型產生部（340）將前述學習資料集輸入前述人工神經網路以藉由學習來產生前述虛擬預測模型的步驟；及<br/> 步驟（c-4）預測部（350）將前述運轉資訊中的即時運轉資訊應用於所複製的前述虛擬預測模型以即時產生前述消耗燃料特性資訊的預測結果的步驟；<br/> 其中，對前述消耗燃料特性資訊進行定量，以便分析與燃料相關運轉變數的關聯關係；<br/> 其中，前述消耗燃料特性資訊是提取原始消耗燃料特性資訊，變換成具有與前述過往運轉資訊相同形態的資料；<br/> 其中，前述變換是在具有規則採集間隔的時間序列中執行的，其形式與上述過往運轉資訊相同；<br/> 其中，前述學習資料集以工作表形態進行結構化，前述工作表由代表既定區間的過往運轉資訊的運轉資訊資料（910）和代表既定區間的過往消耗燃料特性資訊的消耗燃料特性資訊資料（920）構成。
如請求項8所述之用於預測消耗燃料特性的方法，其中，前述消耗燃料特性資訊是利用筒倉的庫存量變數和燃料供應器的供應量變數資料，藉由計算學習對象時段各時間點的向各燃燒器供應的消耗燃料特性而算出。
如請求項9所述之用於預測消耗燃料特性的方法，其中，前述學習資料集藉由將前述既定區間的過往運轉資訊與前述各時間點的向各燃燒器供應的消耗燃料特性合併而產生。
一種用於識別腳踏車的電腦實施方法，其包含：<br/> 於一資料接收器，接收來自一閘道器裝置的收集資料，該收集資料包括：<br/> 與該閘道器裝置相關聯的一閘道器識別符，及<br/> 來自多個資料報告裝置的資料，該等多個資料報告裝置被組配成可發送資料至該閘道器裝置；<br/> 由與該資料接收器耦接的一載具識別器，自一資料庫擷取出一腳踏車型號資料紀錄，該腳踏車型號資料紀錄包括：<br/> 一腳踏車型號獨特識別符，及<br/> 多個資料報告裝置資料紀錄；<br/> 由該載具識別器，自所擷取出的該一或多個腳踏車型號資料紀錄當中決定出一匹配腳踏車型號資料紀錄，其中，該載具識別器係藉由判定來自該等多個資料報告裝置的該資料中之臨限數目個是否與該一或多個腳踏車型號資料紀錄的該等多個資料報告裝置資料紀錄匹配，來決定該匹配腳踏車型號資料紀錄；以及<br/> 將所決定出的該匹配腳踏車型號資料紀錄之該腳踏車型號獨特識別符回傳給該閘道器裝置。
如請求項1所述之方法，進一步包含：<br/> 一旦該閘道器裝置被啟動，便收集來自該等多個資料報告裝置的資料；以及<br/> 將該收集資料發送至該資料接收器。
如請求項2所述之方法，其中，該收集資料係在該閘道器裝置收集來自該等多個資料報告裝置的該資料時被發送至該資料接收器。
如請求項1所述之方法，其中，自該資料庫所擷取出的該腳踏車型號資料紀錄包括與所收集之該閘道器識別符匹配的一閘道器識別符資料紀錄。
如請求項1所述之方法，其中，該等資料報告裝置包括被組配成可被從該腳踏車上移除的數個動態資料報告裝置。
如請求項5所述之方法，其中，該等資料報告裝置包括比該等動態資料報告裝置更不可能被從該腳踏車上移除的數個靜態資料報告裝置。
如請求項6所述之方法，其中，該載具識別器係藉由下述作業來決定該匹配腳踏車型號資料紀錄：<br/> 針對各個靜態資料報告裝置和動態資料報告裝置，基於該裝置被從該腳踏車上移除的可能性而對該裝置賦予一加權值；<br/> 對該等加權值求和以決定一加權值總和；以及<br/> 將該加權值總和與從該等多個資料報告裝置資料紀錄當中決定出的一臨限加權值作比較，其中，當該加權值總和等於或超過該臨限加權值會判定為匹配。
如請求項1所述之方法，其中，當該收集資料指示一重複資料報告裝置時，該收集資料會被忽略。
如請求項1所述之方法，進一步包含：<br/> 忽略與該等多個資料報告裝置紀錄不一致的收集資料或指示一重複資料報告裝置的資料。
如請求項1所述之方法，進一步包含：<br/> 當該等多個資料報告裝置不與該等多個資料報告裝置資料紀錄中之臨限數目個匹配時，產生一新腳踏車型號資料紀錄。
如請求項10所述之方法，其中，該新腳踏車型號資料紀錄包括來自該等多個資料報告裝置的資料。
如請求項11所述之方法，其中，該新腳踏車型號資料紀錄包括該閘道器識別符。
如請求項1所述之方法，進一步包含：<br/> 以來自該等多個資料報告裝置之不與該等多個資料報告裝置紀錄匹配的該資料更新該腳踏車型號資料紀錄。
一種塗料組合物，包括一種矽改質的聚醚樹脂、一種矽烷預聚體溶膠和奈米無機氧化物顆粒，其中所述矽改質的聚醚樹脂含有酯連接基和氨基甲酸酯連接基，所述矽改質的聚醚樹脂包括端部基團，所述端部基團包括矽-烷基的連接基，及/或矽-烷氧基的連接基，所述端部基團包括至少一個矽-烷氧基的連接基，其中所述奈米無機氧化物顆粒包括二氧化矽顆粒、氧化鋁顆粒及/或二氧化鈦顆粒，所述二氧化矽顆粒以分散在醇中的矽溶膠形式提供，所述矽溶膠包括基於其重量的20-40wt%的二氧化矽顆粒，所述二氧化矽顆粒具有20-50nm的平均粒徑，所述氧化鋁顆粒以分散在醇中的鋁溶膠形式提供，所述鋁溶膠包括基於其重量的10-20wt%的氧化鋁顆粒，所述氧化鋁顆粒具有20-30nm的平均粒徑，其中以塗料組合物的總重量計，所述矽改質的聚醚樹脂占0.1-4.0wt%，所述矽烷預聚體溶膠占40-80wt%，所述奈米無機氧化物顆粒占0.5-14wt%。
如請求項1所述的塗料組合物，其中所述塗料組合物為單組份塗料組合物。
如請求項1或2項所述的塗料組合物，其中所述矽改質的聚醚樹脂與矽烷預聚體溶膠的重量比為1：20~140。
如請求項1或2所述的塗料組合物，其中所述矽改質的聚醚樹脂與奈米無機氧化物顆粒的重量比為1：0.5~10。
如請求項1所述的塗料組合物，其中所述矽改質的聚醚樹脂具有至少500g/mol的重均分子量。
如請求項1所述的塗料組合物，其中所述矽烷預聚體溶膠包括短鏈狀矽溶膠。
如請求項1所述的塗料組合物，其中所述矽烷預聚體溶膠由包括正矽酸乙酯和醇的混合物製備獲得，其中所述正矽酸乙酯的SiO<sub>2</sub>含量為至少25wt%。
如請求項1所述的塗料組合物，其中所述塗料組合物基本不包含氟。
如請求項1所述的塗料組合物，其中所述塗料組合物為單層塗料組合物。
如請求項1所述的塗料組合物，其中所述塗料組合物形成奈米級塗料。
如請求項1所述的塗料組合物，其中所述塗料組合物形成的塗層具有不超過1微米的乾膜厚度。
如請求項1所述的塗料組合物，其中所述塗料組合物具有的60度角光澤度為不超過40。
如請求項1所述的塗料組合物，其中所述塗料組合物用於塗覆玻璃基材。
一種經塗覆的基材，包括基材和塗覆於至少一部分基材上的如請求項1-13中任一項所述的塗料組合物。
如請求項14所述的經塗覆的基材，其中所述基材包括玻璃。
如請求項14或15所述的經塗覆的基材，其中所述基材包括電子產品的一部分。
如請求項14所述的經塗覆的基材，其中所述基材塗層具有不超過1微米的乾膜厚度。
如請求項14所述的經塗覆的基材，其中所述基材塗層在60度角光澤度為不超過40。
如請求項14所述的經塗覆的基材，其中所述基材塗層基本不包含氟。
一種如請求項1-13中任一項所述的塗料組合物的用途，其用於形成單塗層為玻璃基材提供抗指紋性能、高結合力及/或優異的消光效果。
一種電連接器，該電連接器的一側為一電連接器主側，該電連接器的一端為一電連接器主端，且該電連接器係可於該電連接器主側與該電連接器主端搭接一主端導電構件，該電連接器係包括：<br/>一主側非跨接端子模組，該主側非跨接端子模組係具有一主側非跨接端子絕緣膠芯與一主側非跨接導電端子，該主側非跨接導電端子係具有一主側主端非跨接端子搭接結構；以及<br/>一跨接模組，該跨接模組係具有一導電塑膠跨接體與一主側主端導電金屬跨接體，該導電塑膠跨接體係具有一主側非跨接端子絕緣膠芯定位結構與一主側主端導電金屬跨接體定位結構，該主側主端導電金屬跨接體係具有一主側主端第一跨接導電端子與一主側主端第二跨接導電端子，該主側主端第一跨接導電端子係具有一主側主端第一跨接端子搭接結構，該主側主端第二跨接導電端子係具有一主側主端第二跨接端子搭接結構；其中，<br/>該主側非跨接端子模組與該跨接模組係可組合成為一主側電連接器組合構造，於該主側電連接器組合構造中，<br/>該主側非跨接端子絕緣膠芯係接合該主側非跨接導電端子，且該主側非跨接端子絕緣膠芯定位結構係定位該主側非跨接端子絕緣膠芯，藉由該主側非跨接端子絕緣膠芯的定位，使該主側主端非跨接端子搭接結構位於該電連接器主側與該電連接器主端且高度可避開該跨接模組並可搭接該主端導電構件；<br/>該主側主端導電金屬跨接體定位結構係定位該主側主端導電金屬跨接體，使該主側主端導電金屬跨接體跨過該主側非跨接導電端子，且使該主側主端第一跨接端子搭接結構與該主側主端第二跨接端子搭接結構位於該電連接器主側與該電連接器主端且高度可搭接該主端導電構件；<br/>該導電塑膠跨接體係跨過該主側非跨接導電端子而分別連接該主側主端第一跨接導電端子與該主側主端第二跨接導電端子，使該導電塑膠跨接體可分別跨接該主側主端第一跨接導電端子與該主側主端第二跨接導電端子；以及<br/>一絕緣殼體，該絕緣殼體係具有一主端搭接埠與一主端搭接引導結構，且該絕緣殼體係接合該主側電連接器組合構造，使該主側主端非跨接端子搭接結構、該主側主端第一跨接端子搭接結構與該主側主端第二跨接端子搭接結構位於該主端搭接埠，該主端搭接引導結構係引導該主端導電構件進入該主端搭接埠而分別搭接該主側主端非跨接端子搭接結構、該主側主端第一跨接端子搭接結構與該主側主端第二跨接端子搭接結構。
如請求項1所述的電連接器，該電連接器的另一端為一電連接器次端，且該電連接器係可於該電連接器主側與該電連接器次端搭接一次端導電構件，其中，<br/>該主側非跨接導電端子還具有一主側次端非跨接端子搭接結構；<br/>該跨接模組還具有一主側次端第一跨接導電端子與一主側次端第二跨接導電端子，該導電塑膠跨接體還具有一主側次端第一跨接導電端子定位結構與一主側次端第二跨接導電端子定位結構，該主側次端第一跨接導電端子係具有一主側次端第一跨接端子搭接結構，該主側次端第二跨接導電端子係具有一主側次端第二跨接端子搭接結構；於該主側電連接器組合構造中，<br/>藉由該主側非跨接端子絕緣膠芯的定位，使該主側次端非跨接端子搭接結構位於該電連接器主側與該電連接器次端且高度可避開該跨接模組並可搭接該次端導電構件；<br/>該主側次端第一跨接導電端子定位結構與該主側次端第二跨接導電端子定位結構係分別定位該主側次端第一跨接導電端子與該主側次端第二跨接導電端子，使該主側次端第一跨接端子搭接結構與該主側次端第二跨接端子搭接結構分別位於該電連接器主側與該電連接器次端且高度可搭接該次端導電構件；以及<br/>該導電塑膠跨接體還分別連接該主側次端第一跨接導電端子與該主側次端第二跨接導電端子，使該導電塑膠跨接體可跨接該主側次端第一跨接導電端子與該主側次端第二跨接導電端子。
如請求項2所述的電連接器，還包括：一絕緣殼體，該絕緣殼體係具有一次端搭接埠與一次端搭接引導結構，且該絕緣殼體係接合該主側電連接器組合構造，使該主側次端非跨接端子搭接結構、該主側次端第一跨接端子搭接結構與該主側次端第二跨接端子搭接結構位於該次端搭接埠，該次端搭接引導結構係引導該次端導電構件進入該次端搭接埠而分別搭接該主側次端非跨接端子搭接結構、該主側次端第一跨接端子搭接結構與該主側次端第二跨接端子搭接結構。
如請求項2所述的電連接器，其中，該主側主端導電金屬跨接體係具有一主側第一跨接導電端子銜接結構與一主側第二跨接導電端子銜接結構，該主側第一跨接導電端子銜接結構與該主側第二跨接導電端子銜接結構係分別銜接該主側次端第一跨接導電端子與該主側次端第二跨接導電端子，使該主側主端導電金屬跨接體電性連接該主側次端第一跨接導電端子與該主側次端第二跨接導電端子。
如請求項4所述的電連接器，其中，該主側第一跨接導電端子銜接結構係具有一主側第一跨接導電端子縱向銜接子結構，該主側第一跨接導電端子縱向銜接子結構係可在縱向延伸，使該主側次端第一跨接端子搭接結構的高度可搭接該次端導電構件；以及該主側第二跨接導電端子銜接結構係具有一主側第二跨接導電端子縱向銜接子結構，該主側第二跨接導電端子縱向銜接子結構係可在縱向延伸，使該主側次端第二跨接端子搭接結構的高度可搭接該次端導電構件。
如請求項4所述的電連接器，其中，該主側第一跨接導電端子銜接結構係具有一主側第一跨接導電端子橫向銜接子結構，該主側第一跨接導電端子橫向銜接子結構係可在橫向延伸，使該主側次端第一跨接端子搭接結構的位置可搭接該次端導電構件；以及該主側第二跨接導電端子銜接結構係具有一主側第二跨接導電端子橫向銜接子結構，該主側第二跨接導電端子橫向銜接子結構係可在橫向延伸，使該主側次端第二跨接端子搭接結構的位置可搭接該次端導電構件。
如請求項2所述的電連接器，其中，該電連接器的另一側為一電連接器次側，且該電連接器係可於該電連接器次側與該電連接器主端搭接該主端導電構件，該電連接器還包括：<br/>一次側非跨接端子模組，該次側非跨接端子模組係具有一次側非跨接端子絕緣膠芯與一次側非跨接導電端子，該次側非跨接導電端子係具有一次側主端非跨接端子搭接結構；以及<br/>該跨接模組還具有一次側主端導電金屬跨接體，該次側主端導電金屬跨接體係具有一次側主端第一跨接導電端子與一次側主端第二跨接導電端子，該導電塑膠跨接體係具有一次側非跨接端子絕緣膠芯定位結構與一次側主端導電金屬跨接體定位結構，該次側主端第一跨接導電端子係具有一次側主端第一跨接端子搭接結構，該次側主端第二跨接導電端子係具有一次側主端第二跨接端子搭接結構；其中，<br/>該次側非跨接端子模組與該跨接模組係可組合成為一次側電連接器組合構造，於該次側電連接器組合構造中，<br/>該次側非跨接端子絕緣膠芯係接合該次側非跨接導電端子，且該次側非跨接端子絕緣膠芯定位結構係定位該次側非跨接端子絕緣膠芯，藉由該次側非跨接端子絕緣膠芯的定位，使該次側主端非跨接端子搭接結構位於該電連接器次側與該電連接器主端且高度可避開該跨接模組並可搭接該主端導電構件；<br/>該次側主端導電金屬跨接體定位結構係定位該次側主端導電金屬跨接體，使該次側主端導電金屬跨接體跨過該次側非跨接導電端子，且使該次側主端第一跨接端子搭接結構與該次側主端第二跨接端子搭接結構位於該電連接器次側與該電連接器主端且高度可搭接該主端導電構件；以及<br/>該導電塑膠跨接體係跨過該次側非跨接導電端子而分別連接該次側主端第一跨接導電端子與該次側主端第二跨接導電端子，使該導電塑膠跨接體可分別跨接該次側主端第一跨接導電端子與該次側主端第二跨接導電端子。
如請求項7所述的電連接器，還包括：一絕緣殼體，該絕緣殼體係具有一主端搭接埠與一主端搭接引導結構，且該絕緣殼體係接合該主側電連接器組合構造與該次側電連接器組合構造，使該主側主端非跨接端子搭接結構、該主側主端第一跨接端子搭接結構、該主側主端第二跨接端子搭接結構、該次側主端非跨接端子搭接結構、該次側主端第一跨接端子搭接結構與該次側主端第二跨接端子搭接結構 位於該主端搭接埠，該主端搭接引導結構係引導該主端導電構件進入該主端搭接埠而搭接該主側主端非跨接端子搭接結構、該主側主端第一跨接端子搭接結構、該主側主端第二跨接端子搭接結構、該次側主端非跨接端子搭接結構、該次側主端第一跨接端子搭接結構與該次側主端第二跨接端子搭接結構。
如請求項7所述的電連接器，該電連接器的另一端為一電連接器次端，且該電連接器係可於該電連接器次側與該電連接器次端搭接一次端導電構件，其中，<br/>該次側非跨接導電端子係具有一次側次端非跨接端子搭接結構；<br/>該跨接模組還具有一次側次端第一跨接導電端子與一次側次端第二跨接導電端子，該導電塑膠跨接體還具有一次側次端第一跨接導電端子定位結構與一次側次端第二跨接導電端子定位結構，該次側次端第一跨接導電端子係具有一次側次端第一跨接端子搭接結構，該次側次端第二跨接導電端子係具有一次側次端第二跨接端子搭接結構；於該次側電連接器組合構造中，<br/>藉由該次側非跨接端子絕緣膠芯的定位，使該次側次端非跨接端子搭接結構位於該電連接器次側與該電連接器次端且高度可避開該跨接模組並可搭接該次端導電構件；<br/>該次側次端第一跨接導電端子定位結構係定位該次側次端第一跨接導電端子，該次側次端第二跨接導電端子定位結構係定位該次側次端第二跨接導電端子，使該次側次端第一跨接端子搭接結構與該次側次端第二跨接端子搭接結構分別位於該電連接器次側與該電連接器次端且高度可搭接該次端導電構件；以及<br/>該導電塑膠跨接體還分別連接該次側次端第一跨接導電端子與該次側次端第二跨接導電端子，使該導電塑膠跨接體可跨接該次側次端第一跨接導電端子與該次側次端第二跨接導電端子。
如請求項9所述的電連接器，還包括：一絕緣殼體，該絕緣殼體係具有一次端搭接埠與一次端搭接引導結構，且該絕緣殼體係接合該主側電連接器組合構造與該次側電連接器組合構造，使該主側次端非跨接端子搭接結構、該主側次端第一跨接端子搭接結構、該主側次端第二跨接端子搭接結構、該次側次端非跨接端子搭接結構、該次側次端第一跨接端子搭接結構與該次側次端第二跨接端子搭接結構 位於該次端搭接埠，該次端搭接引導結構係引導該次端導電構件進入該次端搭接埠而搭接該主側次端非跨接端子搭接結構、該主側次端第一跨接端子搭接結構、該主側次端第二跨接端子搭接結構、該次側次端非跨接端子搭接結構、該次側次端第一跨接端子搭接結構與該次側次端第二跨接端子搭接結構。
如請求項9所述的電連接器，其中，該次側主端導電金屬跨接體係具有一次側第一跨接導電端子銜接結構與一次側第二跨接導電端子銜接結構，該次側第一跨接導電端子銜接結構與該次側第二跨接導電端子銜接結構係分別銜接該次側次端第一跨接導電端子與該次側次端第二跨接導電端子，使該次側主端導電金屬跨接體電性連接該次側次端第一跨接導電端子與該次側次端第二跨接導電端子。
如請求項11所述的電連接器，其中，該次側第一跨接導電端子銜接結構係具有一次側第一跨接導電端子縱向銜接子結構，該次側第一跨接導電端子縱向銜接子結構係可在縱向延伸，使該次側次端第一跨接端子搭接結構的高度可搭接該次端導電構件；以及該次側第二跨接導電端子銜接結構係具有一次側第二跨接導電端子縱向銜接子結構，該次側第二跨接導電端子縱向銜接子結構係可在縱向延伸，使該次側次端第二跨接端子搭接結構的高度可搭接該次端導電構件。
如請求項11所述的電連接器，其中，該次側第一跨接導電端子銜接結構係具有一次側第一跨接導電端子橫向銜接子結構，該次側第一跨接導電端子橫向銜接子結構係可在橫向延伸，使該次側次端第一跨接端子搭接結構的位置可搭接該次端導電構件；以及該次側第二跨接導電端子銜接結構係具有一次側第二跨接導電端子橫向銜接子結構，該次側第二跨接導電端子橫向銜接子結構係可在橫向延伸，使該次側次端第二跨接端子搭接結構的位置可搭接該次端導電構件。
一種修飾多核苷酸的3’-端的套組，包括：<br/> 具有反應性部分的核苷酸；<br/> 用於將具有該反應性部分的該核苷酸併入該多核苷酸的該3’-端的聚合酶，其中，該聚合酶為B家族DNA聚合酶；以及<br/> 具有對應功能性部分的所需分子，該對應功能性部分能夠與該反應性部分反應。
如請求項1所述的套組，其中，該所需分子進一步包括標記部分，以於當該所需分子與該多核苷酸的該3’-端偶聯時形成經標記多核苷酸。
如請求項1所述的套組，其中，該聚合酶為模板非依賴性的聚合酶。
如請求項1所述的套組，其中，該B家族DNA聚合酶為熱球菌科（<i>Thermococcaceae</i>）DNA聚合酶。
如請求項4所述的套組，其中，該B家族DNA聚合酶為嗜熱球菌屬（<i>Thermococcus</i>）DNA聚合酶或火球菌屬（<i>Pyrococcus</i>）DNA聚合酶。
如請求項5所述的套組，其中，該B家族DNA聚合酶選自由柯達卡熱球菌（<i>Thermococcus kodakarensis</i>）的B家族DNA聚合酶、激烈火球菌（<i>Pyrococcus furiosus</i>）的B家族DNA聚合酶、濱熱球菌（<i>Thermococcus litoralis</i>）的B家族DNA聚合酶、嗜熱球菌（<i>Thermococcus sp.</i>）9°N的B家族DNA聚合酶及高加索熱球菌（<i>Thermococcus gorgonarius</i>）的B家族DNA聚合酶所組成的群組。
如請求項1所述的套組，其中，該DNA聚合酶為經修飾的DNA聚合酶。
如請求項1所述的套組，其中，該多核苷酸連接至附接於固體支持物的起始子，且該套組進一步包括核酸內切酶，以自該起始子酶促釋放該多核苷酸。
如請求項1所述的套組，其中，併入該多核苷酸的該3’-端的核苷酸為天然核苷酸、核苷酸類似物或無鹼基核苷酸。
如請求項1所述的套組，其中，該對應功能性部分能經由生物正交反應與該反應性部分反應。
如請求項10所述的套組，其中，該生物正交反應為點擊接合、肟/肼形成、施陶丁格連接反應、四嗪連接反應或四極環烷連接反應。
如請求項11所述的套組，其中，該點擊接合選自由銅催化疊氮化物與炔類環化加成、張力促進的疊氮化物與炔類環化加成、基於異氰化物的點擊反應和反電子需求狄耳士與阿爾德反應所組成的群組。
如請求項1所述的套組，其中，該所需分子為藉由檢測可見光、螢光、光致發光、電化學發光、雷射、輻射、螢光共振能量轉移、螢光構象變化或螢光淬滅而於分子上可識別者。
如請求項13所述的方法，其中，該所需分子為化合物、螢光標籤、染料、標記物、報導分子、淬滅劑、胺、抗原、配體、蛋白質、抗體、抗體片段、胜肽、胜肽類似物或量子點。
一種於多核苷酸的3’-端修飾的方法，包括：<br/> 提供具有反應性部分的核苷酸；<br/> 將具有該反應性部分的該核苷酸藉由B家族DNA聚合酶併入該多核苷酸的該3’-端；<br/> 提供具有對應功能性部分的所需分子，該對應功能性部分能夠與該反應性部分反應；以及<br/> 將該多核苷酸暴露於該所需分子，以形成於該反應性部分和該對應功能性部分之間的連接，從而將該所需分子偶聯至該多核苷酸的該3’-端。
如請求項15所述的方法，其中，該對應功能性部分經由點擊接合與該反應性部分反應。
如請求項15所述的方法，進一步包括：<br/> 於溶液相中製備該多核苷酸；以及<br/> 提供3’至5’核酸外切酶以降解未成功偶聯或未修飾的多核苷酸。
一種於核酸的5’-端和3’-端雙重標記的套組，包括：<br/> 5’-端醣苷酶；<br/> 醛反應性化合物；<br/> 具有反應性部分的核苷酸；<br/> 用於將具有該反應性部分的該核苷酸併入該核酸的3’-端的聚合酶，其中，該聚合酶為B家族DNA聚合酶；以及<br/> 具有對應功能性部分的所需分子，該對應功能性部分能與該反應性部分反應。
如請求項1所述的套組，進一步包括具有5’至3’核酸外切酶活性的分子及具有3’至5’核酸外切酶活性的分子中的至少一種，以移除未標記的核酸及/或中間體核酸。
如請求項2所述的套組，其中，該5’至3’核酸外切酶選自由T5核酸外切酶、T7核酸外切酶、病毒鹼性核酸外切酶、細菌鹼性核酸外切酶、噬菌體λ核酸外切酶、核酸外切酶VIII、RecJ、RecJf、Tth RecJ、Mpn NrnA、人類核酸外切酶5、人類核酸外切酶1、SNM1、SNM1A、人類SNM1B/Apollo、牛SNM1B、SXT-Exo、磷脂酶D3、磷脂酶D4、Sso1391-Csa1、Sto0027-Csa1、Ttx1248-Csa1、Sso1451-Csa1、Sto2633-Csa1、Pfu1793-Cas4、Sto2501、Sso0001、Sto2331-Cas4、Ttx1245-Cas4、Sso1449-Cas4、Sto2635-Cas4、Sso1392-Cas4、SIRV2 gp19、細菌AddB及其任意組合所組成的群組。
如請求項1所述的套組，其中，該所需分子進一步包括標記部分，以於當該所需分子與該核酸的該3’-端偶聯時形成該經標記核酸。
如請求項1所述的套組，其中，該聚合酶為模板非依賴性的聚合酶。
如請求項1所述的套組，其中，該B家族DNA聚合酶為熱球菌科（<i>Thermococcaceae</i>）DNA聚合酶。
如請求項6所述的套組，其中，該B家族DNA聚合酶為嗜熱球菌屬（<i>Thermococcus</i>）DNA聚合酶或火球菌屬（<i>Pyrococcus</i>）DNA聚合酶。
如請求項7所述的套組，其中，該B家族DNA聚合酶選自由柯達卡熱球菌（<i>Thermococcus kodakarensis</i>）的B家族DNA聚合酶、激烈火球菌（<i>Pyrococcus furiosus</i>）的B家族DNA聚合酶、濱熱球菌（<i>Thermococcus litoralis</i>）的B家族DNA聚合酶、嗜熱球菌（<i>Thermococcus sp.</i>）9°N的B家族DNA聚合酶及高加索熱球菌（<i>Thermococcus gorgonarius</i>）的B家族DNA聚合酶所組成的群組。
如請求項1所述的套組，其中，該DNA聚合酶為經修飾的DNA聚合酶。
如請求項1所述的套組，其中，該核酸連接至附接於固體支持物的起始子，且該套組進一步包括核酸內切酶，以自該起始子酶促釋放該多核苷酸。
如請求項1所述的套組，其中，該對應功能性部分能經由生物正交反應與該反應性部分反應。
如請求項11所述的套組，其中，該生物正交反應為點擊接合、肟/肼形成、施陶丁格連接反應、四嗪連接反應或四極環烷連接反應。
如請求項12所述的套組，其中，該點擊接合選自由銅催化疊氮化物與炔類環化加成、張力促進的疊氮化物與炔類環化加成、基於異氰化物的點擊反應和反電子需求狄耳士與阿爾德反應所組成的群組。
如請求項1所述的套組，其中，該所需分子為藉由檢測可見光、螢光、光致發光、電化學發光、雷射、輻射、螢光共振能量轉移、螢光構象變化或螢光淬滅而於分子上可識別者。
如請求項14所述的套組，其中，該所需分子為化合物、螢光標籤、染料、標記物、報導分子、淬滅劑、胺、抗原、配體、蛋白質、抗體、抗體片段、胜肽、胜肽類似物或量子點。
一種標記核酸的5’-端和3’-端的方法，包括：<br/> 提供待標記的目標核酸；<br/> 添加5’-端醣苷酶至該目標核酸；<br/> 添加具有反應性部分的核苷酸至該目標核酸；<br/> 建立於該目標核酸的5’-端具有無鹼基位的中間體核酸；<br/> 將具有該反應性部分的該核苷酸藉由B家族DNA聚合酶併入該中間體核酸的3’-端；<br/> 提供攜帶有可檢測標記的醛反應性化合物，用以偶聯至該中間體核酸的5’-端的該無鹼基位；<br/> 提供具有對應功能性部分的所需分子，該對應功能性部分能與該反應性部分反應；<br/> 將該中間體核酸暴露於攜帶有該可檢測標記的該醛反應性化合物；以及<br/> 將該中間體核酸暴露於具有該對應功能性部分的該所需分子，<br/> 從而形成具有該可檢測標記的經標記核酸，該可檢測標記偶聯至該中間體核酸的該無鹼基位，該經標記核酸具有附接於該5’-端的該可檢測標記，以及具有形成於該反應性部分和該對應功能性部分之間的連接。
如請求項16所述的方法，進一步包括：<br/> 於溶液相中製備該多核苷酸；以及<br/> 提供3’至5’核酸外切酶以降解未成功偶聯或未修飾的核酸。
一種電子裝置，包括：<br/> 一基板；<br/> 一薄膜電晶體，設置在該基板上；<br/> 一第一有機層，設置在該薄膜電晶體上且具有一孔洞；<br/> 一第一導電層，設置在該第一有機層上，其中該第一導電層透過該孔洞電性連接到該薄膜電晶體；<br/> 一第二有機層，設置在該第一有機層及該第一導電層上且至少部分設置在該孔洞中；<br/> 一第二導電層，設置在該第二有機層上且電性連接該第一導電層；<br/> 一第三導電層，設置在該第二有機層與該第二導電層之間；以及<br/> 一掃描線及一資料線，設置在該基板上，該掃描線沿著一第一方向延伸，該資料線沿著一第二方向延伸，其中該第一方向不平行於該第二方向；<br/> 其中，該第三導電層包括沿著該第一方向延伸的多個第一導電圖案及沿著該第二方向延伸的多個第二導電圖案。
如請求項1所述的電子裝置，其中該薄膜電晶體包括一汲極，該第一導電層電性連接該汲極。
如請求項2所述的電子裝置，其中該第一導電層與該第二導電層的材料包括透明導電材料。
如請求項2所述的電子裝置，其中該第三導電層的材料包括金屬材料或透明導電材料。
如請求項2所述的電子裝置，還包括一第四導電層，設置在該第二導電層上，且該第四導電層電性連接該第三導電層。
如請求項5所述的電子裝置，還包括一第五導電層，設置在該第四導電層與該第三導電層之間，且該第四導電層透過該第五導電層電性連接該第三導電層。
如請求項6所述的電子裝置，其中該第五導電層的材料包括金屬材料或透明導電材料。
一種電子裝置，包括：<br/> 一基板；<br/> 一薄膜電晶體，設置在該基板上且包括一汲極；<br/> 一第一有機層，設置在該薄膜電晶體上且具有一孔洞；<br/> 一第一導電層，設置在該第一有機層上；<br/> 一第二有機層，設置在該第一有機層及該第一導電層上且至少部分設置在該孔洞中；<br/> 一第二導電層，設置在該第二有機層上且電性連接該第一導電層；<br/> 一第三導電層，設置在該第二有機層與該第二導電層之間，且該第三導電層電性連接該汲極；以及<br/> 一掃描線及一資料線，設置在該基板上，該掃描線沿著一第一方向延伸，該資料線沿著一第二方向延伸，其中該第一方向不平行於該第二方向；<br/> 其中，該第一導電層包括沿著該第一方向延伸的多個第四導電圖案及沿著該第二方向延伸的多個第五導電圖案。
如請求項8所述的電子裝置，其中該第三導電層的材料包括透明導電材料。
如請求項8所述的電子裝置，還包括一第四導電層，設置在該第二導電層上，且該第四導電層電性連接該第三導電層。
一種電動工具，包含： <br/>一機殼： <br/>一馬達，設置於該機殼內，並根據一控制信號而運作； <br/>一輸出軸，連接該馬達並延伸出該機殼，受該馬達之運作連動而繞自身軸線轉動； <br/>一磁環，套設於該輸出軸且與該輸出軸同步轉動，並具有複數環繞該輸出軸的磁極部，每二相鄰的該磁極部之磁極性不同； <br/>一磁極偵測電路，對應該磁環設置，用以偵測所對應位置的磁極性變化；及 <br/>一控制單元，信號連接該馬達與該磁極偵測電路，於該馬達運轉而連動該磁環轉動後，於該磁極偵測電路所偵測位置之磁極性變化的一變化間隔時間符合一預定時間條件時，該控制單元輸出對應於使該馬達停止運轉的該控制信號。
如請求項1所述的電動工具，其中，該預定時間條件為，該變化間隔時間大於或等於一預定時間。
如請求項1所述的電動工具，其中，該控制單元於該馬達開始運作後，開始計時該變化間隔時間，並於每次偵測到磁極性變化時，重置該變化間隔時間。
如請求項1所述的電動工具，還包含一對應該輸出軸設置於該機殼的電路板，該電路板供該磁極偵測電路設置。
如請求項1所述的電動工具，還包含一設置於該機殼的扳機，及一信號連接該控制單元且用以偵測該扳機之按壓狀態的扳機偵測電路，該控制單元於該扳機在不同按壓深度時，輸出對應相同轉速的該控制信號。
一種硬化性組成物，其特徵係包含聚合性化合物、光聚合起始劑及溶劑， <br/> 前述聚合性化合物包含具有聚合性之矽化合物， <br/> 前述光聚合起始劑為醯基氧化膦系聚合起始劑， <br/> 前述硬化性組成物於23℃下具有2mPa･s以上60mPa･s以下之黏度， <br/> 於前述溶劑除外之狀態之前述硬化性組成物於23℃下具有30mPa･s以上10,000mPa･s以下之黏度， <br/> 於前述溶劑除外之狀態之前述硬化性組成物包含20重量%以上之矽原子， <br/> 相對於前述硬化性組成物全體之前述溶劑含量為5體積%以上95體積%以下。
如請求項1之硬化性組成物，其中相對於前述硬化性組成物全體之前述溶劑含量為70體積%以上95體積%以下。
如請求項1之硬化性組成物，其中使於前述溶劑除外之狀態之前述硬化性組成物硬化所得之硬化物之玻璃轉移溫度為70℃以上。
如請求項1之硬化性組成物，其中前述矽化合物具有倍半矽氧烷骨架。
如請求項1之硬化性組成物，其中前述矽化合物具有環狀矽氧烷骨架。
一種反轉圖型形成方法，其特徵係包含下述步驟： <br/> 藉由以填充於具有包含凹部及凸部之圖型的第1膜之前述凹部之方式配置如請求項1至4中任一項之硬化性組成物並硬化，而形成包含經填充於前述凹部之反轉層之第2膜之步驟， <br/> 以使前述凸部露出之方式去除前述第2膜之一部分之步驟，及 <br/> 藉由將前述凹部中殘留之前述反轉層作為遮罩，將前述第1膜圖型化，而形成由經圖型化之前述第1膜所成之反轉圖型之步驟。
一種膜形成方法，其係於模具與基板之間的空間形成硬化性組成物之膜的膜形成方法，其特徵係包含下述步驟： <br/> 於前述基板上離散地配置如請求項1之硬化性組成物之複數液滴之配置步驟， <br/> 離散地配置於前述基板上之前述複數液滴各與鄰接之液滴結合而於前述基板上形成連續液膜，且待機至使前述液膜中所含之溶劑揮發直至前述溶劑含量相對於前述液膜全體成為10體積%以下之待機步驟，及 <br/> 前述待機步驟之後，使前述模具與前述基板上之前述液膜接觸之接觸步驟。
如請求項7之膜形成方法，其中前述待機步驟中，於30℃以上200℃以下且10秒以上600秒以下之條件加熱前述基板。
如請求項7之膜形成方法，其中前述配置步驟中，於前述基板上以130個/mm<sup>2</sup>以上之密度配置具有1.0pL以上之體積的前述硬化性組成物之液滴。
如請求項7之膜形成方法，其中前述待機步驟後殘存之前述硬化性組成物之體積除以膜形成區域之面積所得之值的平均液膜厚為20nm以下。
如請求項7之膜形成方法，其中前述模具包含圖型， <br/> 於前述接觸步驟中，使前述模具之圖型與前述基板上之前述液膜接觸， <br/> 於前述接觸步驟之後，進而具有使前述液膜硬化，形成具有與前述模具之前述圖型對應之圖型的硬化膜之硬化步驟。
如請求項7之膜形成方法，其中前述模具包含平坦面， <br/> 在前述接觸步驟，使前述模具的前述平坦面與前述基板上的前述液膜接觸， <br/> 於前述接觸步驟之後，進而具有使前述液膜硬化，形成具有複製前述模具之前述平坦面之面的硬化膜之硬化步驟。
一種膜形成方法，其係於模具與基板之間的空間形成硬化性組成物之膜的膜形成方法，其特徵係包含下述步驟： <br/> 於前述基板上離散地配置如請求項1之硬化性組成物之複數液滴之配置步驟， <br/> 離散地配置於前述基板上之前述複數液滴各與鄰接之液滴結合而於前述基板上形成連續液膜，且待機至使前述液膜中所含之溶劑揮發之待機步驟，及 <br/> 前述待機步驟之後，使前述模具與前述基板上之前述液膜接觸之接觸步驟， <br/> 前述待機步驟係於30℃以上200℃以下且10秒以上600秒以下之條件加熱前述基板。
如請求項7之膜形成方法，其中前述配置步驟係使用噴墨法於前述基板上離散地配置前述複數液滴。
一種物品製造方法，其特徵係具有下述步驟： <br/> 使用如請求項7至14中任一項之膜形成方法，於基板上形成硬化性組成物的膜之步驟， <br/> 將於前述步驟中形成有前述膜之前述基板進行處理之步驟，及 <br/> 自經處理之前述基板製造物品之步驟。
一種囊，包括： <br/>第一阻擋元件，所述第一阻擋元件界定所述囊的上表面及下表面的其中之一者； <br/>第二阻擋元件，所述第二阻擋元件界定所述囊的上表面及下表面的其中之另一者； <br/>周邊接縫，所述周邊接縫聯結所述第一阻擋元件和所述第二阻擋元件，以界定在所述第一阻擋元件與所述第二阻擋元件之間的內部空腔，所述周邊接縫包括： <br/>靠近所述上表面的沿所述囊延伸的第一分段， <br/>靠近所述下表面的沿所述囊延伸的第二分段，以及 <br/>第三分段，所述第三分段具有斜率、且在所述第一分段與所述第二分段之間延伸，且連接所述第一分段和所述第二分段； <br/>凹口，自所述囊的外側邊緣延伸到所述囊中，且所述凹口具有：在所述囊的最大寬度的20％至40％的範圍內的長度，所述囊的最大寬度是從所述囊的所述外側邊緣測量到所述囊相對的內側邊緣。
根據請求項1所述的囊，其中所述第三分段自所述第一分段延伸穿過所述囊的大部分厚度到達所述第二分段。
根據請求項1所述的囊，其中所述第三分段在所述第一分段與所述第二分段之間包括基本上恒定的斜率。
根據請求項1所述的囊，其中所述周邊接縫沿所述凹口的第一邊緣延伸、沿所述凹口的第二邊緣延伸，以及沿所述凹口的遠端延伸。
根據請求項4所述的囊，其中所述周邊接縫靠近所述上表面和所述下表面中的其中之一者而沿所述凹口的第一邊緣、所述凹口的第二邊緣以及所述凹口的遠端延伸。
根據請求項4所述的囊，其中所述周邊接縫靠近所述上表面和所述下表面中的其中之一者而沿所述凹口的第一邊緣延伸，並且所述周邊接縫靠近所述上表面和所述下表面中的其中之另一者而沿所述凹口的第二邊緣延伸。
根據請求項6所述的囊，其中沿所述凹口的遠端延伸的所述周邊接縫自所述上表面延伸穿過所述囊的大部分厚度到達所述下表面。
根據請求項1所述的囊，其中所述囊被加壓。
一種鞋類製品，所述鞋類製品結合有根據請求項1所述的囊。
一種用於在基板上形成圖案之光刻裝置中的光源裝置，其包括： <br/> 光源；以及 <br/> 第一殼體，其被構造為容納該光源； <br/> 其中，與該第一殼體的外部連通的多個開口形成在該第一殼體中； <br/> 其中，該第一殼體包含多個部，各個部具有相對於該光源傾斜的表面，且 <br/> 其中，該多個部中的至少一個部反射來自該光源的光，使得該反射光通過該多個開口中的至少一個開口離開該第一殼體。
根據請求項1所述的光源裝置，其中，該多個部中的各個部具有板狀形狀。
根據請求項2所述的光源裝置，其中，該多個部中的至少兩個部佈置在該第一殼體中，使得該多個部中的至少兩個部的該板狀形狀彼此平行。
根據請求項1所述的光源裝置，其中，該多個部中的各個部具有朝向該光源的凸形形狀或凹形形狀。
根據請求項1所述的光源裝置，其中，該多個部中的各個部具有圓錐或棱錐的凸形形狀。
根據請求項1所述的光源裝置，其中，該多個部中的各個部具有由曲面形成的凸形形狀或凹形形狀。
根據請求項1所述的光源裝置，其中，該第一殼體的表面和各自包括該傾斜的表面的該多個部的表面被著色為黑色。
根據請求項1所述的光源裝置，其中，該多個開口中的各個開口佈置在該多個部中的至少兩個部之間。
根據請求項1所述的光源裝置，該光源裝置還包括配設在該第一殼體外部的第二殼體，其中該多個開口允許該第一殼體中的第一空間與位於該第一殼體和該第二殼體之間的第二空間連通。
根據請求項9所述的光源裝置，其中，該第二殼體的內表面被著色為黑色。
根據請求項1所述的光源裝置，其中，配設用於聚焦來自該光源的光的反射鏡。
根據請求項11所述的光源裝置，其中，該反射鏡是冷光鏡。
一種光刻裝置，其包括根據請求項1所述的光源裝置，其中，該光刻裝置藉由使用該光源裝置在基板上形成圖案。
一種物品製造方法，其包括： <br/> 藉由使用根據請求項13所述的光刻裝置在該基板上形成該圖案；以及 <br/> 使用具有形成在基板上的圖案的基板來製造物品。
一種像素電路，其包括： <br/>一光電二極體，其經組態以回應於入射光而光生(photogenerate)影像電荷； <br/>一浮動擴散部，其經耦合以自該光電二極體接收該影像電荷； <br/>一轉移電晶體，其耦合於該光電二極體與該浮動擴散部之間，其中該轉移電晶體經組態以將該影像電荷自該光電二極體轉移至該浮動擴散部； <br/>一橫向外溢積分電容器(LOFIC)，其包含安置於一第一金屬電極與一第二金屬電極之間的一絕緣區域，其中該第一金屬電極耦合至一偏壓電壓源，其中該第二金屬電極選擇性地耦合至該浮動擴散部；及 <br/>一多功能重設電晶體，其具有一閘極、一汲極、一第一源極及一第二源極，其中該閘極耦合至一多功能重設控制信號，其中該汲極、該第一源極及該第二源極回應於該多功能重設控制信號接通(turning on)該多功能重設電晶體而彼此耦合，其中該汲極、該第一源極及該第二源極回應於該多功能重設控制信號關斷(turning off)該多功能重設電晶體而彼此解耦，其中該汲極耦合至一重設電壓源，其中該第一源極耦合至該第一金屬電極，其中該第二源極耦合至該第二金屬電極。
如請求項1之像素電路，其中在一預充電週期期間及在一讀出週期期間，該多功能重設電晶體經組態成接通，且耦合至該第一金屬電極之該偏壓電壓源之一緩衝器經組態成處於一高阻抗狀態中，以在重設該像素電路之同時提供跨越該LOFIC之零偏壓來使該LOFIC放電，其中該預充電週期發生在一積分週期之前，其中該預充電週期及該積分週期發生在一閒置週期與該讀出週期之間。
如請求項2之像素電路，其中在該預充電週期期間，在該偏壓電壓源之該緩衝器經組態以自該高阻抗狀態轉變至在該預充電週期期間將一第一偏壓電壓提供至該第一金屬電極之前，該多功能重設電晶體經組態成關斷。
如請求項3之像素電路，其中在該讀出週期期間，該多功能重設電晶體經組態成關斷，且該偏壓電壓源經組態以將一第二偏壓電壓提供至該第一金屬電極，其中該第一偏壓電壓係一低電容器偏壓電壓，其中該第二偏壓電壓係大於該低電容器偏壓電壓的一高電容器偏壓電壓。
如請求項4之像素電路，其中該多功能重設控制信號之用於接通多功能重設電晶體之一電壓位準大於該重設電壓源之一電壓位準。
如請求項5之像素電路，其中在該讀出週期期間在自該LOFIC讀出一重設信號值之前，該多功能重設電晶體經組態成接通，且該偏壓電壓源之該緩衝器經組態成處於該高阻抗狀態中，以在重設該像素電路之同時提供跨越該LOFIC之零偏壓。
如請求項1之像素電路，其中該像素電路進一步包括： <br/>一個雙浮動擴散(DFD)電晶體，其耦合至該浮動擴散部，其中該DFD電晶體經組態成回應於一DFD控制信號而切換； <br/>一第二電容器，其中該DFD電晶體耦合於該浮動擴散部與該第二電容器之間；及 <br/>一低轉換增益(LFG)電晶體，其耦合於該浮動擴散部與該第二金屬電極之間，其中該LFG電晶體經組態成回應於一LFG控制信號而切換。
如請求項7之像素電路，其進一步包括： <br/>一源極隨耦器電晶體，其具有耦合至該浮動擴散部之一閘極；及 <br/>一個列選擇電晶體，其耦合至該源極隨耦器電晶體，其中該源極隨耦器電晶體及該列選擇電晶體耦合於一電源線與一位元線之間。
一種成像系統，其包括： <br/>一像素陣列，其包含配置成複數列及複數行之複數個像素電路，其中該等像素電路中之每一者包含： <br/>一光電二極體，其經組態以回應於入射光而光生影像電荷； <br/>一浮動擴散部，其經耦合以自該光電二極體接收該影像電荷； <br/>一轉移電晶體，其耦合於該光電二極體與該浮動擴散部之間，其中該轉移電晶體經組態以將該影像電荷自該光電二極體轉移至該浮動擴散部； <br/>一橫向外溢積分電容器(LOFIC)，其包含安置於一第一金屬電極與一第二金屬電極之間的一絕緣區域，其中該第二金屬電極選擇性地耦合至該浮動擴散部；及 <br/>一多功能重設電晶體，其具有一閘極、一汲極、一第一源極及一第二源極，其中該閘極耦合至一多功能重設控制信號，其中該汲極、該第一源極及該第二源極回應於該多功能重設控制信號接通該多功能重設電晶體而彼此耦合，其中該汲極、該第一源極及該第二源極回應於該多功能重設控制信號關斷該多功能重設電晶體而彼此解耦，其中該汲極耦合至一重設電壓源，其中該第一源極耦合至該第一金屬電極，其中該第二源極耦合至該第二金屬電極； <br/>一偏壓電壓源，其耦合至該第一金屬電極； <br/>一控制電路系統，其耦合至該像素陣列以控制該像素陣列之操作；及 <br/>一讀出電路系統，其耦合至該像素陣列以自該複數個像素電路讀出影像資料。
如請求項9之成像系統，其進一步包括耦合至該讀出電路系統以儲存來自該複數個像素電路中之每一者之該影像資料之功能邏輯。
如請求項9之成像系統，其中在一預充電週期期間及在一讀出週期期間，該多功能重設電晶體經組態成接通，且該偏壓電壓源之一緩衝器經組態成處於一高阻抗狀態中，以在重設該像素電路之同時提供跨越該LOFIC之零偏壓來使該LOFIC放電，其中該預充電週期發生在一積分週期之前，其中該預充電週期及該積分週期發生在一閒置週期與該讀出週期之間。
如請求項11之成像系統，其中在該預充電週期期間，在該偏壓電壓源之該緩衝器經組態以自該高阻抗狀態轉變至在該預充電週期期間將一第一偏壓電壓提供至該第一金屬電極之前，該多功能重設電晶體經組態成關斷。
如請求項12之成像系統，其中在該讀出週期期間，該多功能重設電晶體經組態成關斷，且該偏壓電壓源經組態以將一第二偏壓電壓提供至該第一金屬電極，其中該第一偏壓電壓係一低電容器偏壓電壓，其中該第二偏壓電壓係大於該低電容器偏壓電壓的一高電容器偏壓電壓。
如請求項13之成像系統，其中該多功能重設控制信號之用於接通多功能重設電晶體之一電壓位準大於該重設電壓源之一電壓位準。
如請求項14之成像系統，其中在該讀出週期期間在自該LOFIC讀出一重設信號值之前，該多功能重設電晶體經組態成接通，且該偏壓電壓源之該緩衝器經組態成處於該高阻抗狀態中，以在重設該像素電路之同時提供跨越該LOFIC之零偏壓。
如請求項9之成像系統，其中該等像素電路中之每一者進一步包括： <br/>一個雙浮動擴散(DFD)電晶體，其耦合至該浮動擴散部，其中該DFD電晶體經組態成回應於一DFD控制信號而切換； <br/>一第二電容器，其中該DFD電晶體耦合於該浮動擴散部與該第二電容器之間；及 <br/>一低轉換增益(LFG)電晶體，其耦合於該浮動擴散部與該第二金屬電極之間，其中該LFG電晶體經組態成回應於一LFG控制信號而切換。
如請求項16之成像系統，其中該等像素電路中之每一者進一步包括： <br/>一源極隨耦器電晶體，其具有耦合至該浮動擴散部之一閘極；及 <br/>一個列選擇電晶體，其耦合至該源極隨耦器電晶體，其中該源極隨耦器電晶體及該列選擇電晶體耦合於一電源線與一位元線之間。
一種具有非對稱電極驅動之電泳光學調變器，該光學調變器包括：至少一第一基板及被配置成與其相對之一第二基板；一光學層，其配置在該第一基板與該第二基板之間，該光學層包括一流體，該流體包含若干粒子，該等粒子係帶電的或可充電的；多個叉指式電極，其跨越該第一基板及該第二基板中之每一者而配置；以及一控制器，其經組態以將一電AC信號施加給該多個叉指式電極以在該多個叉指式電極之間獲得一電場，從而提供該等粒子朝向或來自該多個叉指式電極中之一者之電泳移動，從而致使對該光調變器之光學性質進行調變，其中 <br/>該控制器經組態以調變施加給該第一基板及該第二基板上之該多個叉指式電極之該電AC信號之若干振幅，從而致使一低電場區域相對於該多個叉指式電極移動，其中 <br/>- 調變該等振幅從而致使一低電場區域相對於該多個叉指式電極移動，其中該低電場區域係在其中該等粒子之相對於該多個叉指式電極之移動係靜止的區域，或 <br/>- 調變該等振幅從而致使一低電場區域相對於該多個叉指式電極移動，其中在該光學層之該低電場區域中之一電場強度為相較於在該光學層中之最大電場強度之25%或更小。
如請求項1之光學調變器，其中該控制器經組態以用於該光學調變器之一關閉操作，不帶電區域在相對基板上之該多個叉指式電極之兩個相對電極之間移動。
如請求項1之光學調變器，其中該控制器經組態以用於該光學調變器之一開啟操作，該低電場區域平行於該第一基板及該第二基板而移動。
如請求項1至3中任一項之光學調變器，其中該等振幅經調變，直至達到一目標灰階為止，之後該控制器將一電維持信號施加給該第一基板及該第二基板上之該多個叉指式電極，以維持該光學調變器之該目標灰階。
如請求項1至3中任一項之光學調變器，其中施加給該多個叉指式電極之一第一電極之一第一AC信號相對於施加給該多個叉指式電極之一第二電極之一第二AC信號而按比例縮放。
如請求項1至3中任一項之光學調變器，其中施加給該多個叉指式電極之兩個電極之兩個AC信號之間的一縮放比例在一較低縮放比例因子與一較高縮放比例因子之間循環。
如請求項6之光學調變器，其一第一AC信號具有一恆定振幅，並且一第二AC信號相對於該第一AC信號而按比例縮放。
如請求項1至3中任一項之光學調變器，其中施加給該多個叉指式電極之兩個電極之兩個AC信號之間的一縮放比例經調變，以使該低電場區域之位置隨機化。
如請求項1至3中任一項之光學調變器，其中該控制器經組態以用於： <br/>一關閉操作，其中施加給相對基板上之該多個叉指式電極之一對相對電極之一對信號之若干振幅之比發生變化，及/或 <br/>一開啟操作，其中施加給該第一基板及該第二基板之同一基板上之該多個叉指式電極之一對相鄰電極之一對信號之若干振幅之比發生變化。
如請求項1至3中任一項之光學調變器，其中施加給該多個叉指式電極之一第一電極之一第一AC信號相對於施加給該多個叉指式電極之一第二電極之一第二AC信號而按比例縮放，其中該第一AC信號及該第二AC信號之較低振幅係較高振幅之至多70%、50%、45%、40%、30%。
如請求項1至3中任一項之光學調變器，其中該電AC信號中之至少一者具有一高頻率分量及一低頻率分量，該高頻率分量具有至少500 Hz或750 Hz、較佳地至少1 kHz之一頻率。
如請求項1至3中任一項之光學調變器，其中該電AC信號具有一高頻率分量，其中該高頻率分量在達到一目標灰階時被移除。
如請求項1至3中任一項之光學調變器，其中一低通濾波器被應用於該電AC信號。
如請求項1至3中任一項之光學調變器，其中該多個叉指式電極包括在該第一基板上之一第一電極及一相鄰第二電極，及在該第二基板上之一第三電極及一相鄰第四電極，該第一電極與該第四電極彼此相對，並且該第二電極與該第三電極彼此相對，該控制器經組態以使用該第一電極之一第一相位、該第二電極之一經增加相位、該第三電極之一經進一步增加相位以及該第四電極之一經又進一步增加相位。
一種電泳光學調變器，其中低電場區域係其中電場不存在之一不帶電區域，控制器經組態以相對於該多個叉指式電極移動該不帶電區域。
一種控制器，其經組態以用於控制一電泳光學調變器之一非對稱AC信號，該光學調變器包括：至少一第一基板及被配置成與其相對之一第二基板；一光學層，其配置在該第一基板與該第二基板之間，該光學層包括一流體，該流體包括若干粒子，該等粒子係帶電的或可充電的；多個叉指式電極，其跨越該第一基板及該第二基板中之每一者而配置，該控制器經組態以將一電AC信號施加給該等多個叉指式電極以在該多個叉指式電極之間獲得一電場，從而提供該等粒子朝向或來自該多個叉指式電極中之一者之電泳移動，從而致使對該光學調變器之光學性質進行調變，其中該控制器經組態以調變施加給該第一基板及該第二基板上之該多個叉指式電極之該電AC信號之若干振幅，從而致使一低電場區域相對於該多個叉指式電極而移動，其中 <br/>- 調變該等振幅從而致使一低電場區域相對於該多個叉指式電極移動，其中該低電場區域係在其中該等粒子之相對於該多個叉指式電極之移動係靜止的區域，或 <br/>- 調變該等振幅從而致使一低電場區域相對於該多個叉指式電極移動，其中在該光學層之該低電場區域中之一電場強度為相較於在該光學層中之最大電場強度之25%或更小。
一種控制具有非對稱電極驅動之電泳光學調變器之方法，該光學調變器包括：至少一第一基板及被配置成與其相對之一第二基板；一光學層，其配置在該第一基板與該第二基板之間，該光學層包括一流體，該流體包括若干粒子，該等粒子係帶電的或可充電的；多個叉指式電極，其跨越該第一基板及該第二基板中之每一者而配置，該方法包括： <br/>致使一電AC信號被施加給該多個叉指式電極以在該多個叉指式電極之間獲得一電場，從而提供該等粒子朝向或來自該多個叉指式電極中之一者之電泳移動，從而致使對該光學調變器進行光學性質之調變； <br/>調變施加給該第一基板及該第二基板上之該多個叉指式電極之該電AC信號之若干振幅，從而致使一低電場區域相對於該多個叉指式電極而移動，其中 <br/>- 調變該等振幅從而致使一低電場區域相對於該多個叉指式電極移動，其中該低電場區域係在其中該等粒子之相對於該多個叉指式電極之移動係靜止的區域，或 <br/>- 調變該等振幅從而致使一低電場區域相對於該多個叉指式電極移動，其中在該光學層之該低電場區域中之一電場強度為相較於在該光學層中之最大電場強度之25%或更小。
一種暫時性或非暫時性電腦可讀媒體(1000)，其包括表示指令之電腦程式(1020)，當由一處理器系統執行時，該等指令致使該處理器系統執行如請求項17之方法。
一種板端連接器，該板端連接器係可對接一線端連接器，該板端連接器係包括：<br/> 一板端導電端子，該板端導電端子係具有一板端導電搭接結構；<br/> 一板端絕緣膠體，該板端絕緣膠體係具有一板端膠體對接通道、一板端膠體對接空間與一板端膠體移動軌道，該板端絕緣膠體係定位該板端導電端子，使該板端導電搭接結構位於該板端膠體對接空間，該板端膠體對接通道係連通該板端膠體對接空間；以及<br/> 一板端金屬殼體，該板端金屬殼體係具有一板端殼體對接通道、一板端殼體止擋結構與一板端殼體插接結構，且該板端金屬殼體係裝設於該板端絕緣膠體上，使該板端金屬殼體可沿著該板端膠體移動軌道相對該板端絕緣膠體移動，讓該板端金屬殼體可移動到一對接通道開啟位置或一對接通道關閉位置，其中，<br/> 於該板端金屬殼體移動到該對接通道開啟位置，該板端殼體對接通道係對準該板端膠體對接通道，使該線端連接器可經由該板端殼體對接通道與該板端膠體對接通道進入該板端膠體對接空間而搭接該板端導電搭接結構； <br/> 於該板端金屬殼體移動到該對接通道關閉位置，該板端殼體對接通道係錯開該板端膠體對接通道，該板端殼體止擋結構係於該板端膠體對接通道的上方對進入該板端膠體對接空間的該線端連接器的移動提供止擋，且該板端殼體插接結構係插接進入該板端膠體對接空間的該線端連接器，以避免該線端連接器經由該板端膠體對接通道離開該板端膠體對接空間；以及<br/> 於該板端金屬殼體移動到該對接通道開啟位置，該板端殼體止擋結構係可解除對進入該板端膠體對接空間的該線端連接器的移動提供止擋，該板端殼體插接結構係解除插接進入該板端膠體對接空間的該線端連接器，使該線端連接器可經由該板端殼體對接通道與該板端膠體對接通道離開該板端膠體對接空間； <br/> 其中，還包括：<br/> 一板端持力端子，該板端持力端子係具有一板端持力抵接結構；該板端絕緣膠體還定位該板端持力端子；於該板端金屬殼體移動到該對接通道關閉位置，該板端持力抵接結構係抵接該板端金屬殼體，以避免該板端金屬殼體輕易由該對接通道關閉位置移動至該對接通道開啟位置。
如請求項1所述之板端連接器，其中，於該板端金屬殼體移動到該對接通道關閉位置，該板端持力抵接結構係抵接該板端殼體插接結構，且該板端持力抵接結構係位於該板端殼體插接結構的下方或側邊。
如請求項1所述之板端連接器，其中，該板端持力端子還具有一板端持力彈臂結構，該板端持力彈臂結構係連接該板端持力抵接結構，以令該板端持力抵接結構可彈性抵接該板端金屬殼體。
如請求項1所述之板端連接器，其中，於該板端金屬殼體移動到該對接通道開啟位置，該板端持力抵接結構係抵接該板端金屬殼體，以避免該板端金屬殼體輕易由該對接通道開啟位置移動至該對接通道關閉位置。
如請求項1所述之板端連接器，其中，該板端絕緣膠體還具有一板端膠體搭接引導結構，該板端膠體搭接引導結構係可引導該線端連接器進入該板端膠體對接空間而搭接該板端導電搭接結構。
如請求項1所述之板端連接器，其中，該板端金屬殼體還具有一板端殼體移動引導結構，該板端絕緣膠體還具有一板端膠體移動引導結構，該板端殼體移動引導結構係搭配該板端膠體移動引導結構，而引導該板端金屬殼體相對該板端絕緣膠體移動，該板端殼體移動引導結構係為通孔結構，使可經由該板端殼體移動引導結構目視該板端膠體移動引導結構，而觀測該板端金屬殼體相對該板端絕緣膠體移動的狀態。
一種板端連接器，該板端連接器係可對接一線端連接器，該板端連接器係包括：<br/> 一板端導電端子，該板端導電端子係具有一板端導電搭接結構；<br/> 一板端絕緣膠體，該板端絕緣膠體係具有一板端膠體對接通道、一板端膠體對接空間與一板端膠體移動軌道，該板端絕緣膠體係定位該板端導電端子，使該板端導電搭接結構位於該板端膠體對接空間，該板端膠體對接通道係連通該板端膠體對接空間；以及<br/> 一板端金屬殼體，該板端金屬殼體係具有一板端殼體對接通道、一板端殼體止擋結構與一板端殼體插接結構，且該板端金屬殼體係裝設於該板端絕緣膠體上，使該板端金屬殼體可沿著該板端膠體移動軌道相對該板端絕緣膠體移動，讓該板端金屬殼體可移動到一對接通道開啟位置或一對接通道關閉位置，其中，<br/> 於該板端金屬殼體移動到該對接通道開啟位置，該板端殼體對接通道係對準該板端膠體對接通道，使該線端連接器可經由該板端殼體對接通道與該板端膠體對接通道進入該板端膠體對接空間而搭接該板端導電搭接結構； <br/> 於該板端金屬殼體移動到該對接通道關閉位置，該板端殼體對接通道係錯開該板端膠體對接通道，該板端殼體止擋結構係於該板端膠體對接通道的上方對進入該板端膠體對接空間的該線端連接器的移動提供止擋，且該板端殼體插接結構係插接進入該板端膠體對接空間的該線端連接器，以避免該線端連接器經由該板端膠體對接通道離開該板端膠體對接空間；以及<br/> 於該板端金屬殼體移動到該對接通道開啟位置，該板端殼體止擋結構係可解除對進入該板端膠體對接空間的該線端連接器的移動提供止擋，該板端殼體插接結構係解除插接進入該板端膠體對接空間的該線端連接器，使該線端連接器可經由該板端殼體對接通道與該板端膠體對接通道離開該板端膠體對接空間；<br/> 其中，該板端金屬殼體還具有一板端殼體扣接結構，該板端絕緣膠體還具有一板端膠體扣接結構與一板端膠體扣接輔助結構；於該板端金屬殼體相對該板端絕緣膠體移動，該板端膠體扣接輔助結構可提供輔助，使該板端殼體扣接結構可扣接或解除扣接該板端膠體扣接結構；其中，於該板端金屬殼體移動到該對接通道關閉位置，該板端殼體扣接結構係扣接該板端膠體扣接結構；以及於該板端金屬殼體移動到該對接通道開啟位置，該板端殼體扣接結構係解除扣接該板端膠體扣接結構。
如請求項7所述之板端連接器，其中，該板端膠體扣接輔助結構係具有一扣接坡道與一解除扣接坡道，該板端殼體扣接結構係經由該扣接坡道扣接該板端膠體扣接結構，該板端殼體扣接結構係經由該解除扣接坡道解除扣接該板端膠體扣接結構，其中，該解除扣接坡道的坡度係大於該扣接坡道的坡度，以避免該板端金屬殼體輕易由該對接通道關閉位置移動至該對接通道開啟位置。
一種線端連接器，該線端連接器係可對接如請求項1或7所述之板端連接器，該線端連接器係包括：<br/> 一線端導電端子，該線端導電端子係具有一線端導電搭接結構；以及<br/> 一線端絕緣膠體，該線端絕緣膠體係定位該線端導電端子，使於該線端連接器對接該板端連接器，該線端導電搭接結構可搭接該板端導電搭接結構，且該線端絕緣膠體係具有一線端膠體插接結構，使於該板端金屬殼體移動到該對接通道關閉位置，該板端殼體插接結構可插接該線端膠體插接結構。
如請求項9所述之線端連接器，其中，該線端絕緣膠體還具有一線端膠體搭接引導結構，該線端膠體搭接引導結構係搭配該板端絕緣膠體，而可引導該線端導電搭接結構搭接該板端導電搭接結構，該線端膠體搭接引導結構係為通孔結構，使可經由該線端膠體搭接引導結構目視該板端絕緣膠體，而觀測線端連接器對接板端連接器的狀態。
一種連接器總成，該連接器總成係包括：<br/> 一線端連接器，該線端連接器係包括：一線端導電端子與一線端絕緣膠體，該線端絕緣膠體係定位該線端導電端子；以及<br/> 一板端連接器，該板端連接器係包括：一板端導電端子、一板端絕緣膠體與一板端金屬殼體，其中，<br/> 該板端絕緣膠體係具有一板端膠體對接通道與一板端膠體移動軌道，該板端絕緣膠體係定位該板端導電端子；以及<br/> 該板端金屬殼體係具有一板端殼體對接通道、一板端殼體止擋結構與一板端殼體插接結構，且該板端金屬殼體係裝設於該板端絕緣膠體上，使該板端金屬殼體可沿著該板端膠體移動軌道相對該板端絕緣膠體移動，讓該板端金屬殼體可移動到一對接通道開啟位置或一對接通道關閉位置；其中，<br/> 於該板端金屬殼體移動到該對接通道開啟位置，該板端殼體對接通道係對準該板端膠體對接通道，使該線端連接器可經由該板端殼體對接通道與該板端膠體對接通道對接該板端連接器，而使該線端導電端子搭接該板端導電端子； <br/> 於該板端金屬殼體移動到該對接通道關閉位置，該板端殼體對接通道係錯開該板端膠體對接通道，該板端殼體止擋結構係於該板端膠體對接通道的上方對該線端連接器的移動提供止擋，且該板端殼體插接結構係插接該線端絕緣膠體，以避免該線端連接器脫離該板端連接器；以及<br/> 於該板端金屬殼體移動到該對接通道開啟位置，該板端殼體止擋結構係解除對該線端連接器的移動提供止擋，該板端殼體插接結構係解除插接該線端絕緣膠體，使該線端連接器可經由該板端殼體對接通道與該板端膠體對接通道而脫離該板端連接器；其中，<br/> 該板端連接器還包括：一板端持力端子，該板端持力端子係具有一板端持力抵接結構，且該板端絕緣膠體還定位該板端持力端子；其中，於該板端金屬殼體移動到該對接通道關閉位置，該板端持力抵接結構係抵接該板端金屬殼體，以避免該板端金屬殼體輕易由該對接通道關閉位置移動至該對接通道開啟位置。
如請求項11所述之連接器總成，其中，於該板端金屬殼體移動到該對接通道關閉位置，該板端持力抵接結構係抵接該板端殼體插接結構，且該板端持力抵接結構係位於該板端殼體插接結構的下方或側邊。
如請求項11所述之連接器總成，其中，該板端持力端子還具有一板端持力彈臂結構，該板端持力彈臂結構係連接該板端持力抵接結構，以令該板端持力抵接結構可彈性抵接該板端金屬殼體。
如請求項11所述之連接器總成，其中，於該板端金屬殼體移動到該對接通道開啟位置，該板端持力抵接結構係抵接該板端金屬殼體，以避免該板端金屬殼體輕易由該對接通道開啟位置移動至該對接通道關閉位置。
如請求項11所述之連接器總成，其中，該線端絕緣膠體還具有一線端膠體抵接避讓結構，該線端膠體抵接避讓結構係避讓該板端持力抵接結構，以避免該線端絕緣膠體干涉該板端持力抵接結構抵接該板端金屬殼體。
如請求項11所述之連接器總成，其中，該板端絕緣膠體還具有一板端膠體搭接引導結構，該線端絕緣膠體還具有一線端膠體搭接引導結構，該線端膠體搭接引導結構係搭配該板端膠體搭接引導結構，而可引導該線端導電端子搭接該板端導電端子，該線端膠體搭接引導結構係為通孔結構，使可經由該線端膠體搭接引導結構目視該板端膠體搭接引導結構，而觀測該線端連接器對接該板端連接器的狀態。
如請求項11所述之連接器總成，其中，該板端金屬殼體還具有一板端殼體移動引導結構，該板端絕緣膠體還具有一板端膠體移動引導結構，該板端殼體移動引導結構係搭配該板端膠體移動引導結構，而引導該板端金屬殼體相對該板端絕緣膠體移動，該板端殼體移動引導結構係為通孔結構，使可經由該板端殼體移動引導結構目視該板端膠體移動引導結構，而觀測該板端金屬殼體相對該板端絕緣膠體移動的狀態。
一種板端連接器，該板端連接器係可對接一線端連接器，該板端連接器係包括：<br/> 一板端導電端子，該板端導電端子係具有一板端導電搭接結構；<br/> 一板端絕緣膠體，該板端絕緣膠體係具有一板端膠體對接通道、一板端膠體對接空間與一板端膠體移動軌道，該板端絕緣膠體係定位該板端導電端子，使該板端導電搭接結構位於該板端膠體對接空間，該板端膠體對接通道係連通該板端膠體對接空間；以及<br/> 一板端金屬殼體，該板端金屬殼體係具有一板端殼體對接通道、一板端殼體止擋結構與一板端殼體插接結構，且該板端金屬殼體係裝設於該板端絕緣膠體上，使該板端金屬殼體可沿著該板端膠體移動軌道相對該板端絕緣膠體移動，讓該板端金屬殼體可移動到一對接通道開啟位置或一對接通道關閉位置，其中，<br/> 於該板端金屬殼體移動到該對接通道開啟位置，該板端殼體對接通道係對準該板端膠體對接通道，使該線端連接器可經由該板端殼體對接通道與該板端膠體對接通道進入該板端膠體對接空間而搭接該板端導電搭接結構； <br/> 於該板端金屬殼體移動到該對接通道關閉位置，該板端殼體對接通道係錯開該板端膠體對接通道，該板端殼體止擋結構係於該板端膠體對接通道的上方對進入該板端膠體對接空間的該線端連接器的移動提供止擋，且該板端殼體插接結構係插接進入該板端膠體對接空間的該線端連接器，以避免該線端連接器經由該板端膠體對接通道離開該板端膠體對接空間；以及<br/> 於該板端金屬殼體移動到該對接通道開啟位置，該板端殼體止擋結構係可解除對進入該板端膠體對接空間的該線端連接器的移動提供止擋，該板端殼體插接結構係解除插接進入該板端膠體對接空間的該線端連接器，使該線端連接器可經由該板端殼體對接通道與該板端膠體對接通道離開該板端膠體對接空間；<br/> 其中，該板端金屬殼體還具有一板端殼體扣接結構，該板端絕緣膠體還具有一板端膠體扣接結構與一板端膠體扣接輔助結構；於該板端金屬殼體相對該板端絕緣膠體移動，該板端膠體扣接輔助結構可提供輔助，使該板端殼體扣接結構可扣接或解除扣接該板端膠體扣接結構；其中，於該板端金屬殼體移動到該對接通道關閉位置，該板端殼體扣接結構係扣接該板端膠體扣接結構；以及於該板端金屬殼體移動到該對接通道開啟位置，該板端殼體扣接結構係解除扣接該板端膠體扣接結構。
如請求項18所述之連接器總成，其中，該板端膠體扣接輔助結構係具有一扣接坡道與一解除扣接坡道，該板端殼體扣接結構係經由該扣接坡道扣接該板端膠體扣接結構，該板端殼體扣接結構係經由該解除扣接坡道解除扣接該板端膠體扣接結構，其中，該解除扣接坡道的坡度係大於該扣接坡道的坡度，以避免該板端金屬殼體輕易由該對接通道關閉位置移動至該對接通道開啟位置。
如請求項18所述之連接器總成，其中，該線端絕緣膠體係具有一線端膠體插接結構，該線端膠體插接結構係搭配該板端殼體插接結構，使於該板端金屬殼體移動到該對接通道關閉位置，該板端殼體插接結構可插接該線端膠體插接結構，該線端膠體插接結構係為孔槽結構。
一種基板處理系統，包含：一腔室主體，該腔室主體限定一處理區域；一襯墊，該襯墊位於該腔室主體頂部，其中該襯墊的一底表面包括一第一複數個快速斷開部件；一面板，該面板位於該襯墊頂部；一基板支座，該基板支座設置在該腔室主體內，該基板支座包含：一支撐板，該支撐板包含一加熱器；一軸，該軸耦接該支撐板的一底部；一動態板，該動態板圍繞該軸設置並在該支撐板下方隔開一距離；以及至少一個撓性部件，該至少一個撓性部件耦接該支撐板的一底部與該動態板，其中：該動態板的一頂表面包含一第二複數個快速斷開部件；以及在該基板支座位於一處理位置中時，該第二複數個快速斷開部件中的每個快速斷開部件能接合該第一複數個快速斷開部件中的一相應的快速斷開部件。
如請求項1所述之基板處理系統，其中：在該基板支座位於一移送位置中時，該第二複數個快速斷開部件中的每個快速斷開部件脫離該第一複數個快速斷開部件中的該相應的快速斷開部件。
如請求項1所述之基板處理系統，該基板處理系統進一步包含：一或多個彈簧，該一或多個彈簧耦接該動態板的一底表面與該腔室主體的一底部的一頂表面，並在該動態板的該底表面與該腔室主體的該底部的該頂表面之間延伸。
如請求項3所述之基板處理系統，其中：該一或多個彈簧中的每個彈簧沿著一引導銷定位。
如請求項3所述之基板處理系統，其中：該一或多個彈簧中的每個彈簧包含一壓縮彈簧。
如請求項3所述之基板處理系統，該基板處理系統進一步包含：一或多個隔離器，該一或多個隔離器將該一或多個彈簧隔離自流過該動態板的RF電流。
如請求項1所述之基板處理系統，其中：該至少一個撓性部件中的每個撓性部件包含一撓性波紋管與一金屬條帶中的一者或兩者。
如請求項1所述之基板處理系統，該基板處理系統進一步包含：一線性致動器，該線性致動器將該動態板升高及降低於一處理位置和一移送位置之間。
如請求項8所述之基板處理系統，其中：該線性致動器包含一氣動升降機與一機電升降機中的一者或兩者。
一種基板處理系統，包含：一腔室主體，該腔室主體限定一處理區域；一襯墊，該襯墊位於該腔室主體頂部，其中該襯墊的一底表面包含一第一複數個快速斷開部件；一面板，該面板位於該襯墊頂部；一基板支座，該基板支座設置在該腔室主體內，該基板支座包含：一支撐板，該支撐板包括一加熱器；一軸，該軸耦接該支撐板的一底部；一動態板，該動態板圍繞該軸設置並在該支撐板下方隔開一距離，其中該動態板包含一RF墊圈，在該基板支座位於一處理位置時該RF墊圈可與該襯墊接觸；以及至少一個撓性部件，該至少一個撓性部件耦接該支撐板的一底部與該動態板，其中：該動態板的一頂表面包含一第二複數個快速斷開部件；以及當該基板支座位於該處理位置時，該第二複數個快速斷開部件中的每個快速斷開部件可與該第一複數個快速斷開部件中的相應的一個快速斷開部件接合。
如請求項10所述之基板處理系統，其中：該支撐板的一底表面包含一第三複數個快速斷開部件；該動態板的該頂表面包含一第四複數個快速斷開部件，該第四複數個快速斷開部件從該第二複數個快速斷開部件徑向往內；以及在該基板支座位於一移送位置時，該第三複數個快速斷開部件中的每個快速斷開部件與該第四複數個快速斷開部件中的相應的一個快速斷開部件接合。
如請求項11所述之基板處理系統，其中：在該基板支座位於該處理位置中時，該第三複數個快速斷開部件中的每個快速斷開部件脫離該第四複數個快速斷開部件中的該相應的快速斷開部件。
如請求項11所述之基板處理系統，該基板處理系統進一步包含：一或多個彈簧，該一或多個彈簧耦接該動態板的一底表面與該腔室主體的一底部的一頂表面，並在該動態板的該底表面與該腔室主體的該底部的該頂表面之間延伸。
如請求項13所述之基板處理系統，該基板處理系統進一步包含：一或多個隔離器，該一或多個隔離器將該一或多個彈簧隔離自流過該動態板的RF電流。
如請求項10所述之基板處理系統，其中：該至少一個撓性部件中的每個撓性部件包含一撓性波紋管與一金屬條帶中的一者或兩者。
如請求項10所述之基板處理系統，該基板處理系統進一步包含：一射頻源，該射頻源耦接該基板支座，其中在該處理位置中，在該射頻源、該基板支座、該撓性部件、該襯墊與該面板之間形成一閉合射頻電路。
如請求項10所述之基板處理系統，該基板處理系統進一步包含：一線性致動器，該線性致動器將該動態板升高及降低於一處理位置和一移送位置之間。
一種處理方法，包含以下步驟：在一半導體處理室內將一基板支座從一移送位置向上移動到一處理位置，以接合複數個快速斷開部件，其中：在接合時，該複數個斷開部件將該半導體處理室的一襯墊與一基板支座的一動態板耦接；以及該支撐板包括一加熱器；將一種或多種前驅物輸送到該半導體處理室；和經由一射頻源、該襯墊、該動態板與耦接至該加熱器的至少一個撓性部件向該加熱器提供一射頻電流。
如請求項18所述之處理方法，其中：在該處理位置中一RF墊圈耦接該襯墊與該動態板。
如請求項19所述之處理方法，該處理方法進一步包含以下步驟：使用一或多個彈簧或一線性致動器將該動態板向上移動至該處理位置。
一種顯示裝置，包括： <br/>至少一空間光調制裝置，具有用於調制光的像素； <br/>至少一光導裝置； <br/>至少一光輸入耦合裝置，被配置為將光輸入耦合到該至少一光導裝置中；以及 <br/>至少二光輸出耦合裝置，被配置為將光耦合出該至少一光導裝置，一第一光輸出耦合裝置被提供用於將光輸出耦合以產生至少一全息分段以及一第二光輸出耦合裝置被提供用於將光輸出耦合以在一視野中產生至少一立體或二維分段，在該視野內三維場景或三維物件可被顯示。
如請求項1所述的顯示裝置，其中至少一光學系統及該至少一光導裝置被提供用於產生一立體分段及至少一全息分段，其中該立體分段及該至少一全息分段一起形成一視野，在該視野內三維場景或三維物件可被顯示。
如請求項2所述的顯示裝置，其中該至少一空間光調制裝置的一圖像是利用該至少一光導裝置及該至少一光學系統而被產生為一分段。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該視野可藉由在該至少一光導裝置中來自該至少一空間光調制裝置的邊緣像素的光的傳播路徑以及藉由該至少一光導裝置到一提供的觀察者位置的一距離來定義，在該視野內可以顯示在該至少一空間光調制裝置中編碼的一場景的一資料項目。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該至少一光導裝置包括一光導體，其中該至少二光輸出耦合裝置被設計為可控制的，其中各該光輸出耦合裝置以下述方式而為可控制的：在該光輸出耦合裝置的一個驅動狀態中，光在一界定次數的反射後被耦合出，以及在該光輸出耦合裝置的另一驅動狀態中，該光繼續在該光導體中進一步傳播。
如請求項1所述的顯示裝置，其中光在相同位置以該至少一光導裝置的不同角度被耦合出。
如請求項1所述的顯示裝置，其中一光輸出耦合裝置包括一光柵元件，該光柵元件具有一光柵周期，該光柵周期不同於另一光輸出耦合裝置的該光柵元件的該光柵周期。
如請求項1所述的顯示裝置，其中至少一光輸出耦合裝置被分成複數個段落，其中該至少一光輸出耦合裝置被設計為是可逐段控制的。
如請求項8所述的顯示裝置，其中該至少一光輸出耦合裝置是以下列方式而為可控制的：在該至少一光導裝置的交界面處該光的反射次數藉由與在一反射次數後該光到達的一光入射位置對應的該至少一光輸出耦合裝置的一個段落的一個驅動狀態、以及藉由該至少一光輸出耦合裝置的一另一段落的另一驅動狀態、或藉由與在一另一數量的反射後該光到達的該光入射位置對應的一另一光輸出耦合裝置的一個段落的另一驅動狀態而為可改變的。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該二光輸出耦合裝置中的一個光輸出耦合裝置包括至少一被動光柵元件，以及該二光輸出耦合裝置中的一另一光輸出耦合裝置包括至少一可控制光柵元件。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該至少一光導裝置包括一光導體，該光經由該光導體的交界面處的一反射而在該光導體內傳播，以及在該光導體的該交界面處該光的一界定次數的反射之後，耦合出該光導體的該光的該輸入耦合是利用該至少二光輸出耦合裝置而被提供。
如請求項11所述的顯示裝置，其中一可控制元件被提供以用於改變在該光導體的該交界面處該光的該界定次數的反射。
如請求項11所述的顯示裝置，其中該至少一光導裝置包括用於產生一視野的至少二分段的二光輸入耦合裝置。
如請求項13所述的顯示裝置，其中該二光輸入耦合裝置以彼此相隔一距離或彼此直接相鄰而與該至少一光導裝置組合，以及來自至少一照明裝置的光可以利用該二光輸入耦合裝置在不同位置而被輸入耦合到該光導體。
如請求項13所述的顯示裝置，其中該產生的至少二分段重疊並形成該視野，其中該二分段的一重疊區具有每觀察角度的最高像素密度、且對應於觀察二維及/或三維場景的一觀察者的一中央視線方向。
如請求項15所述的顯示裝置，其中該至少二分段中的一個分段被形成為一立體分段、且該至少二分段中的另一分段被形成為一全息分段，其中該全息分段可在該觀察者的該中央視線方向上被產生。
如請求項1所述的顯示裝置，其中，在該光線輸入耦合到該至少一光導裝置之前，在一照明裝置中提供的至少一光源的一光源像、或該空間光調制裝置的一圖像是利用在一光程中的一光學系統而被提供。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該至少一光輸入耦合裝置被提供在一光源像的一位置的一範圍處或之中。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該至少一光輸入耦合裝置包括被設計為一被動或可控制光柵元件的至少一光柵元件或至少一反射鏡元件。
如請求項1所述的顯示裝置，其中至少一光輸出耦合裝置包括至少一反射鏡元件、或至少一光柵元件。
如請求項20所述的顯示裝置，其中該光柵元件是一偏轉光柵元件。
如請求項20所述的顯示裝置，其中該光柵元件是一角度選擇偏轉光柵元件。
如請求項20所述的顯示裝置，其中該光柵元件是一體積光柵。
如請求項20所述的顯示裝置，其中該至少一光柵元件被設計成可控制的，其中，取決於在一界定次數的反射之後在該至少一光導裝置中的該光到達的一光入射位置、或取決於在一界定次數的反射之後在該至少一光導裝置中的該光具有的一光入射角度，該光柵元件的該光柵周期是可變化地控制的。
如請求項1所述的顯示裝置，其中一光學系統以下述方式被設計：源自該至少一空間光調制裝置的各個像素的光線平均以相對於該至少一光導裝置的一表面的不同角度入射到該至少一光導裝置上、且可以被輸入耦合在其內，藉以，一輸入耦合角度譜是可定義的，其中在該至少一光導裝置中傳播的該光線平均可相對於一觀察者範圍以不同的角度耦合出該至少一光導裝置，藉以，一輸出耦合角度譜是可定義的，其中，相較於該輸入耦合角度譜，該輸出耦合角度譜被放大。
如請求項1或請求項25所述的顯示裝置，其中，如果入射在該至少一光導裝置的該光被形成為包括多重或多個光線的一光束或光場，在該至少一光導裝置的交界面處的一反射次數後，針對該光線提供耦合出該至少一光導裝置，對於該光束或光場的所有光線在每種情況下該反射次數是相等的。
如請求項1所述的顯示裝置，其中一追踨裝置被提供，該追踨裝置被設置在該至少一光導裝置之前的該光方向上。
如請求項27所述的顯示裝置，其中，該追踨裝置包括至少一光柵元件或一可變的透鏡元件，其中一透鏡功能被寫入該至少一光柵元件。
如請求項27或請求項28所述的顯示裝置，其中一視線追踨裝置被提供，使用該視線追踨裝置，觀察一物件或一場景的一觀察者的一視線可被追踨及偵測，其中該至少一空間光調制裝置的一圖像的位置或一分段的位置可適合於使用該追踨裝置、用該視線追踨裝置偵測到的該觀察者的一眼睛的一聚焦位置。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該至少一光導裝置包括一光導體，以及其中該至少一光導裝置的該光導體被形成為在至少一方向上至少逐段彎曲。
如請求項1所述的顯示裝置，其中一虛擬觀察者範圍可在一光源像的一平面上或在該至少一空間光調制裝置的一圖像的一平面上產生。
如請求項1所述的顯示裝置，其中，針對該至少一空間光調制裝置的一圖像或該圖像的一單一分段，來自該至少一空間光調制裝置的各個像素的光在進入該至少一光導裝置之後的耦合出被提供在該至少一光導裝置的交界面處對所有像素在每一情況下是相同次數的反射之後。
如請求項1所述的顯示裝置，其中，對於該至少一空間光調制裝置的一圖像的不同分段，用於產生一個分段的在該至少一光導裝置的交界面處的該光的一反射次數不同於用於產生另一分段的在該至少一光導裝置的該交界面處的該光的一反射次數。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該至少一光導裝置包括一光導體，其中至少一光輸出耦合裝置被提供在該至少一光導裝置中，使得該光輸出耦合裝置的範圍及位置包括來自該空間光調制裝置的不同像素的該光在一界定次數的反射後到達在該光導體的一個交界面上的所有的光入射位置。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該至少一光導裝置包括至少一延遲層。
如請求項35所述的顯示裝置，其中該至少一光導裝置中的該光的一極化狀態是使用該至少一延遲層、以在該至少一光導裝置中該光的該極化狀態針對該光的一偶數次反射以及針對該光的一奇數次反射不同的方式而可改變或調整。
如請求項1所述的顯示裝置，其中，一反射極化元件被提供，該反射極化元件較佳為一線柵偏振器，其被設置在該至少一光導裝置與該至少二光輸出耦合裝置之間。
如請求項1所述的顯示裝置，其中，該至少二光輸出耦合裝置包括一極化選擇光柵元件。
如請求項1所述的顯示裝置，其中一可控制的極化轉換器被提供，該極化轉換器被設置在該光方向上的該至少一光導裝置之前。
一種頭戴顯示器，包括二顯示裝置，其中該顯示裝置各根據請求項1至請求項39中任一項所述的一顯示裝置而被設計、且分別與一觀察者的一左眼以及該觀察者的一右眼關聯。
一種藉由至少一空間光調制裝置及至少一光導裝置產生一大視野的方法，在該大視野內一場景或一物件被顯示，其中： <br/> 該至少一空間光調制裝置以該場景或該物件的一所需資料調制入射光； <br/> 該調制的光藉由至少一光輸入耦合裝置被輸入耦合至該至少一光導裝置中；以及 <br/> 在該至少一光導裝置內傳播的該光藉由至少二光輸出耦合裝置被耦合出，一第一光輸出耦合裝置將光耦合出以產生至少一全息分段以及一第二光輸出耦合裝置將光耦合出以在該視野中產生至少一立體或二維分段，在該視野內可以顯示三維場景或三維物件。
如請求項41所述之方法，其中該至少一空間光調制裝置的一圖像及/或由分段構成的該至少一空間光調制裝置的一圖像被產生。
如請求項41或42所述之方法，其中一光源像在該至少一光輸入耦合裝置的一範圍中被產生。
一種提供物品清單之方法，其係於電子裝置中提供物品清單之方法，其包括如下步驟： <br/>自用戶終端接收對物品清單之請求； <br/>對應於上述請求而將與上述用戶終端對應之第1物品清單傳輸至上述用戶終端； <br/>獲得第1資訊，該第1資訊包括上述第1物品清單、及在基於自上述用戶終端獲得之用戶輸入而確認之上述第1物品清單中選擇之物品的資訊； <br/>基於上述第1資訊而確認第2物品清單，該第2物品清單係上述第1物品清單所包括之至少一個物品之順序中之至少一部分發生變更；及 <br/>將上述第2物品清單傳輸至上述用戶終端， <br/>其中上述第1物品清單之資訊包括包含上述至少一個物品中之至少一部分之至少一個物品組的資訊， <br/>其中確認上述第2物品清單之步驟包括如下步驟：基於上述第1資訊，確認上述至少一個物品中之上述第1資訊發生變更之第1物品， <br/>當包含上述至少一個物品組中上述第1物品之一第1物品組內所有物品被選擇時，上述第2物品清單中上述第1物品組之優先順序變更為較上述第2物品清單中包括之其餘物品組更高，而上述第1物品清單中上述第1物品組之預定順序相較於上述第1物品清單中包括之其餘物品組之至少其一具有較低的優先順序。
如請求項1之提供物品清單之方法，其中上述第1資訊包括於上述第1物品清單中選擇之物品之資訊、及上述第1物品清單中取消選擇之物品之資訊。
如請求項2之提供物品清單之方法，其中上述第2物品清單為上述至少一個物品中之上述第1物品之順序發生變更之物品清單。
如請求項2之提供物品清單之方法，其中上述第2物品清單為如下之物品清單：與所選擇之上述物品之資訊對應之物品處於與取消選擇之上述物品之資訊對應之物品之前。
如請求項2之提供物品清單之方法，其中確認上述第2物品清單之步驟包括如下步驟： <br/>於所確認之上述第1物品之資訊包括於所選擇之上述物品的資訊中時，將上述第1物品之順序變更為處於上述第1物品清單中包括之其餘物品之前。
如請求項2之提供物品清單之方法，其中確認上述第2物品清單之步驟包括如下步驟： <br/>於所確認之上述第1物品之資訊包括於取消選擇之上述物品的資訊時，將上述第1物品之順序變更為設定於上述至少一個物品之間之第1順序。
如請求項2之提供物品清單之方法，其中將第1物品清單傳輸至上述用戶終端之步驟包括如下步驟： <br/>將上述第1物品清單之資訊傳輸至上述用戶終端； <br/>上述第1物品清單之資訊包括上述至少一個物品組間之順序之資訊及上述至少一個物品組所包括之物品間之順序之資訊中的至少一者。
如請求項7之提供物品清單之方法，其中確認上述第2物品清單之步驟包括如下步驟： <br/>確認上述至少一個物品組中之包括上述第1物品之第1物品組；及 <br/>基於上述第1資訊，將上述第1物品組中之上述第1物品之順序變更為處於上述第1物品組之其餘物品之前。
如請求項7之提供物品清單之方法，其中確認上述第2物品清單之步驟包括如下步驟： <br/>確認上述至少一個物品組中之包括上述第1物品之第1物品組； <br/>基於上述第1資訊，將上述第1物品分配至上述第1物品組之第1子組及第2子組中之一者；及 <br/>藉由將上述第1物品分配至上述第1子組及上述第2子組中之一者而確認上述第2物品清單。
如請求項9之提供物品清單之方法，其中將上述第1物品分配至上述第1子組及上述第2子組中之一者之步驟包括如下步驟： <br/>若上述第1物品之資訊包括於所選擇之上述物品之資訊中，則將上述第1物品分配至上述第1子組，若上述第1物品之資訊包括於取消選擇之上述物品之資訊中，則將上述第1物品分配至上述第2子組。
如請求項9之提供物品清單之方法，其中上述第2物品清單為上述第1子組處於上述第2子組之前之物品清單。
如請求項7之提供物品清單之方法，其中確認上述第2物品清單之步驟包括如下步驟： <br/>確認上述至少一個物品組中之包括上述第1物品之第1物品組；及 <br/>若上述第1物品之資訊包括於所選擇之上述物品之資訊中，則將上述第1物品自上述第1物品組中排除，將上述第1物品之順序變更為處於上述第1物品清單中包括之其餘物品之前。
如請求項2之提供物品清單之方法，其中將上述第2物品清單傳輸至上述用戶終端之步驟包括如下步驟： <br/>將上述第1物品清單中之上述第1物品之順序之資訊傳輸至上述用戶終端。
如請求項2之提供物品清單之方法，其中將上述第2物品清單傳輸至上述用戶終端之步驟進而包括如下步驟： <br/>基於上述第1資訊而確認至少一個第1物品，該至少一個第1物品係與在上述至少一個物品中選擇之上述物品之資訊對應；及 <br/>基於上述至少一個第1物品之資訊，將上述第2物品清單之金額資訊及折扣資訊傳輸至上述用戶終端。
一種用以提供物品清單之電子裝置，其包括： <br/>收發器； <br/>儲存器，其儲存一個以上之命令；及 <br/>處理器，其自用戶終端接收對物品清單之請求，對應於上述請求而將與上述用戶終端對應之第1物品清單傳輸至上述用戶終端，獲得第1資訊，該第1資訊包括上述第1物品清單、及在基於自上述用戶終端獲得之用戶輸入而確認之上述第1物品清單中選擇之物品的資訊，基於上述第1資訊而確認第2物品清單，該第2物品清單係上述第1物品清單所包括之至少一個物品之順序中之至少一部分發生變更，將上述第2物品清單傳輸至上述用戶終端， <br/>其中上述第1物品清單之資訊包括包含上述至少一個物品中之至少一部分之至少一個物品組的資訊， <br/>其中確認上述第2物品清單之步驟包括如下步驟：基於上述第1資訊，確認上述至少一個物品中之上述第1資訊發生變更之第1物品， <br/>當包含上述至少一個物品組中上述第1物品之一第1物品組內所有物品被選擇時，上述第2物品清單中上述第1物品組之優先順序變更為較上述第2物品清單中包括之其餘物品組更高，而上述第1物品清單中上述第1物品組之預定順序相較於上述第1物品清單中包括之其餘物品組之至少其一具有較低的優先順序。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有用以於電腦中執行如請求項1之方法之程式。
一種資訊提供方法，其係藉由電子裝置進行者，其包括如下步驟： <br/>基於自用戶獲得之第1資訊，獲得一個以上之物品之訂單資訊； <br/>基於自銷售者獲得之第2資訊，獲得上述一個以上之物品中之至少一個物品無法銷售之資訊； <br/>取消上述一個以上之物品之訂單； <br/>向上述用戶提供第1頁面，該第1頁面包括表示取消上述一個以上之物品之訂單之資訊、及表示上述至少一個物品無法銷售之資訊；及 <br/>基於自上述用戶獲得之第3資訊而向上述用戶提供第2頁面，該第2頁面包括與上述至少一個物品對應之至少一個推薦物品之資訊， <br/>其中該方法進而包括如下步驟： <br/>提供包括與上述銷售者之一商店對應之複數個物品之清單的第3頁面； <br/>基於自上述用戶獲得之第4資訊，獲得上述複數個物品中之第1物品之詳細資訊請求； <br/>於上述第1物品之庫存數量為設定值以下之情形時，提供第4頁面，該第4頁面包括上述第1物品即將售罄之資訊、及與上述第1物品對應之一第1推薦物品之資訊中的至少一者； <br/>基於自上述用戶獲得之第5資訊，將上述第1推薦物品確定為上述第1物品之一替代物品；及 <br/>基於自上述用戶獲得之第6資訊，獲得上述第1物品之訂單資訊， <br/>其中於基於自上述銷售者獲得之第7資訊，確認上述第1物品無法銷售之資訊之情形時，將上述第1物品之上述訂單資訊自動變更為上述第1推薦物品之訂單資訊，及 <br/>其中於沒有確認上述第1物品無法銷售之資訊之情形時，上述第1物品之上述訂單資訊不變更。
如請求項1之資訊提供方法，其中上述至少一個推薦物品係基於自上述銷售者獲得之第8資訊而確定為映射於上述至少一個物品之物品。
如請求項1之資訊提供方法，其中上述至少一個推薦物品係基於與上述銷售者之商店對應之複數個物品各者之得分而確定， <br/>上述複數個物品各者之得分係基於如下之因素中之至少一者而確定： <br/>第1因素，其與上述複數個物品各者之訂購量有關； <br/>第2因素，其與上述複數個物品各者之評分有關； <br/>第3因素，其與上述複數個物品各者之評論數量有關； <br/>第4因素，其與上述至少一個物品之價格和上述複數個物品各者之價格之差有關； <br/>第5因素，其與上述至少一個物品之類別及上述複數個物品各者之類別有關；及 <br/>第6因素，其與獲得對應於上述商店之配送金額優惠所需之追加訂購金額及上述複數個物品之各者的價格有關。
如請求項3之資訊提供方法，其中上述複數個物品各者之訂購量越多、上述複數個物品各者之評分越高、上述複數個物品各者之評論數量越多、上述至少一個物品之價格與上述複數個物品各者之價格之差越小，則於上述至少一個物品之類別與上述複數個物品各者之類別相同之情形時、及上述複數個物品各者之價格為上述追加訂購金額以上之情形時，越高地確定上述複數個物品各者之得分。
如請求項3之資訊提供方法，其中上述複數個物品各者之得分係基於加權值而確定，該加權值係基於上述用戶之推薦物品購買歷史而確定，且分別應用於上述第1因素、上述第2因素、上述第3因素、上述第4因素、上述第5因素及上述第6因素。
如請求項3之資訊提供方法，其中上述至少一個推薦物品係於上述複數個物品中之除與購物車中包括之物品相同之物品以外的物品中確定。
如請求項3之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>基於上述複數個物品各者之得分，向上述銷售者提供與上述複數個物品中之第2物品對應之一個以上之推薦提議物品的資訊；且 <br/>基於自上述銷售者獲得之第9資訊，上述一個以上之推薦提議物品中之一個物品映射於上述第1物品。
如請求項1之資訊提供方法，其中向上述用戶提供包括上述至少一個推薦物品之資訊之第2頁面之步驟包括如下步驟中的一者： <br/>向上述用戶提供第2頁面，該第2頁面包括上述至少一個物品及上述至少一個推薦物品各者之對應關係之資訊；及 <br/>向上述用戶提供第2頁面，該第2頁面包括上述至少一個推薦物品之清單。
如請求項1之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>基於自上述用戶獲得之第5資訊，獲得上述至少一個推薦物品之購物車添加請求；及 <br/>將上述至少一個推薦物品添加至購物車。
如請求項9之資訊提供方法，其中將上述至少一個推薦物品添加至購物車之步驟包括如下步驟： <br/>於存在上述至少一個推薦物品之必選之選用物品之情形時，提供可選擇上述至少一個推薦物品之選用物品之第5頁面，於不存在上述至少一個推薦物品之必選之選用物品之情形時，將上述至少一個推薦物品添加至購物車。
如請求項1之資訊提供方法，其中上述至少一個推薦物品之資訊包括上述至少一個推薦物品之選用物品之資訊。
如請求項1之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>基於自上述用戶獲得之第10資訊，獲得上述一個以上之物品中之除上述至少一個物品以外之物品之購物車添加請求；及 <br/>將上述一個以上之物品中之除上述至少一個物品以外之物品添加至購物車。
如請求項12之資訊提供方法，其中將上述一個以上之物品中之除上述至少一個物品以外之物品添加至購物車的步驟進而包括如下步驟： <br/>於對上述至少一個物品選擇之第1選用物品售罄之情形時，確認上述第1選用物品是否為必選；及 <br/>於上述第1選用物品為必選之選用物品之情形時，省略將上述至少一個物品添加至購物車，於上述第1選用物品並非為必選之選用物品之情形時，將除上述第1選用物品以外之上述至少一個物品添加至上述購物車。
如請求項1之資訊提供方法，其中於對上述至少一個物品選擇之第1選用物品售罄之情形時，上述第1頁面進而包括上述至少一個物品之一個以上之選用物品之資訊。
如請求項1之資訊提供方法，其中上述第3頁面進而包括上述複數個物品中之售罄之第3物品之資訊、及與上述第3物品對應之第2推薦物品之資訊中的至少一者。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有用以於電腦中執行如請求項1之方法之程式。
一種電子裝置，其包括： <br/>收發器； <br/>記憶體；及 <br/>處理器； <br/>上述處理器如下： <br/>基於自用戶獲得之第1資訊，獲得一個以上之物品之訂單資訊， <br/>基於自銷售者獲得之第2資訊，獲得上述一個以上之物品中之至少一個物品無法銷售之資訊， <br/>取消上述一個以上之物品之訂單， <br/>向上述用戶提供第1頁面，該第1頁面包括表示取消上述一個以上之物品之訂單之資訊、及表示上述至少一個物品無法銷售之資訊， <br/>基於自上述用戶獲得之第3資訊而向上述用戶提供第2頁面，該第2頁面包括與上述至少一個物品對應之至少一個推薦物品之資訊， <br/>其中上述處理器進一步經組態以: <br/>提供包括與上述銷售者之一商店對應之複數個物品之清單的第3頁面； <br/>基於自上述用戶獲得之第4資訊，獲得上述複數個物品中之第1物品之詳細資訊請求； <br/>於上述第1物品之庫存數量為設定值以下之情形時，提供第4頁面，該第4頁面包括上述第1物品即將售罄之資訊、及與上述第1物品對應之一第1推薦物品之資訊中的至少一者； <br/>基於自上述用戶獲得之第5資訊，將上述第1推薦物品確定為上述第1物品之一替代物品；及 <br/>基於自上述用戶獲得之第6資訊，獲得上述第1物品之訂單資訊， <br/>其中於基於自上述銷售者獲得之第7資訊，確認上述第1物品無法銷售之資訊之情形時，將上述第1物品之上述訂單資訊自動變更為上述第1推薦物品之訂單資訊，及 <br/>其中於沒有確認上述第1物品無法銷售之資訊之情形時，上述第1物品之上述訂單資訊不變更。
一種積體電路結構，包含：具有頂部、多個側部和底部的半導體本體，其中該半導體本體包含源極或汲極區；在該頂部之上且相鄰於該半導體本體的該多個側部的第一接點結構，該第一接點結構在該半導體本體的該底部之下延伸；在該第一接點結構之下且與該第一接點結構接觸的第二接點結構，該第二接點結構在該半導體本體的該底部下面延伸，其中從橫剖面透視圖來看，該第二接點結構和該第一接點結構共同完全圍繞該源極或汲極區的頂部、第一側壁、第二側壁和底部；以及在該第一接點結構與該源極或汲極區的該第一側壁之間，以及在該第一接點結構與該源極或汲極區的該第二側壁之間的介電層。
如請求項1之積體電路結構，其中該第一接點結構與該半導體本體的該多個側部間隔開。
如請求項1之積體電路結構，其中該介電層進一步在該半導體本體的該底部和該第二接點結構之間。
如請求項1之積體電路結構，其中該第一接點結構與該半導體本體的該頂部間隔開。
如請求項4之積體電路結構，進一步包含：在該半導體本體的該頂部和該第一接點結構之間的磊晶材料。
如請求項1之積體電路結構，其中該半導體本體為鰭。
如請求項1之積體電路結構，進一步包含：橫向相鄰於該第一接點結構的閘極結構。
如請求項7之積體電路結構，其中該閘極結構在該半導體本體的該頂部上。
如請求項7之積體電路結構，進一步包含：在該閘極結構的相對於該源極或汲極區的一側處的第二源極或汲極區。
一種運算裝置，包含：母板；以及耦接至該母板的組件，該組件包括積體電路結構，該積體電路結構包含：具有頂部、多個側部和底部的半導體本體，其中該半導體本體包含源極或汲極區；在該頂部之上且相鄰於該半導體本體的該多個側部的第一接點結構，該第一接點結構在該半導體本體的該底部下面延伸；在該第一接點結構之下且與該第一接點結構接觸的第二接點結構，該第二接點結構在該半導體本體的該底部下面延伸，其中從橫剖面透視圖來看，該第二接點結構和該第一接點結構共同完全圍繞該源極或汲極區的頂部、第一側壁、第二側壁和底部；以及在該第一接點結構與該源極或汲極區的該第一側壁之間，以及在該第一接點結構與該源極或汲極區的該第二側壁之間的介電層。
如請求項10之運算裝置，進一步包含：耦接至該母板的記憶體。
如請求項10之運算裝置，進一步包含：耦接至該母板的通訊晶片。
如請求項10之運算裝置，進一步包含：耦接至該母板的電池。
如請求項10之運算裝置，進一步包含：耦接至該母板的相機。
如請求項10之運算裝置，進一步包含：耦接至該母板的揚聲器。
如請求項10之運算裝置，進一步包含：耦接至該母板的GPS。
如請求項10之運算裝置，進一步包含：耦接至該母板的動作感測器。
如請求項10之運算裝置，其中該組件為封裝的積體電路晶粒。
一種半導體裝置，包括： <br/>一基板；以及 <br/>一位元線結構，設置於該基板上，其中該位元線結構包括： <br/>一第一導電結構，其中該第一導電結構的材料包括多晶矽；以及 <br/>一第二導電結構，設置在該第一導電結構上並直接接觸該第一導電結構，其中該第二導電結構的材料對氧的反應性大於鎢對氧的反應性。
如請求項1所述的半導體裝置，其中該第一導電結構的垂直長度大於該第二導電結構的垂直長度。
如請求項1所述的半導體裝置，其中該位元線結構還包括： <br/>一絕緣結構，設置在該第二導電結構上並直接接觸該第二導電結構。
如請求項3所述的半導體裝置，其中該絕緣結構的材料包括氮化矽。
如請求項3所述的半導體裝置，其中該第一導電結構的第一側壁與該第二導電結構的第二側壁實質上對齊該絕緣結構的第三側壁。
如請求項1所述的半導體裝置，更包括： <br/>一氮化物間隔層，覆蓋該第二導電結構並直接接觸該第二導電結構的整個側壁。
一種半導體裝置的製造方法，包括： <br/>在一基板上設置一第一導電層； <br/>在該第一導電層上設置一第二導電層； <br/>透過一乾式蝕刻製程圖案化該第一導電層與該第二導電層，以形成一第一導電結構與一第二導電結構，其中一殘留物形成於該第二導電結構上；以及 <br/>進行一灰化製程以去除該殘留物，其中在該灰化製程中用於產生等離子體的氣體為一無氧氣體，該無氧氣體包括一含氫氣體與一含氮氣體、一含氫與氮氣體、或其組合。
如請求項7所述的半導體裝置的製造方法，其中該含氫與氮氣體為二亞胺。
如請求項7所述的半導體裝置的製造方法，其中該含氫與氮氣體為氨。
如請求項7所述的半導體裝置的製造方法，其中該含氫與氮氣體為二亞胺及氨。
如請求項7所述的半導體裝置的製造方法，其中該含氫氣體為氫氣，且該含氮氣體為氮氣。
如請求項7所述的半導體裝置的製造方法，其中採用氬等離子體進行該乾式蝕刻製程，使得該殘留物包括具有碳-碳鍵和碳-氫鍵的一聚合物。
如請求項7所述的半導體裝置的製造方法，更包括： <br/>在進行該乾式蝕刻製程之前，在該第二導電層上設置一絕緣層；以及 <br/>透過該乾式蝕刻製程圖案化該絕緣層以形成一絕緣結構。
如請求項13所述的半導體裝置的製造方法，其中該殘留物形成於該絕緣結構的頂面上。
如請求項13所述的半導體裝置的製造方法，更包括： <br/>形成一氮化物間隔層覆蓋該第一導電結構、該第二導電結構及該絕緣結構，其中該氮化物間隔層接觸該第二導電結構的整個側壁。
一種半導體裝置，其包括： <br/>配線層；以及 <br/>半導體元件，位於所述配線層上， <br/>所述配線層包括： <br/>第1銅配線； <br/>絕緣層，覆蓋所述第1銅配線，且具有使所述第1銅配線的上表面的一部分露出的槽部；以及 <br/>第2銅配線，位於所述第1銅配線上並且埋入所述槽部中， <br/>所述半導體元件電氣連接於所述第1銅配線及所述第2銅配線，且 <br/>利用飛切法而獲得的、所述絕緣層及所述第2銅配線的分別的與所述半導體元件相向的面的表面粗糙度為0.03 μm以上且0.1 μm以下。
如請求項1所述的半導體裝置，其中所述絕緣層的熱膨脹係數為20 ppm/℃以上且80 ppm/℃以下。
如請求項1或請求項2所述的半導體裝置，其進而包括位於所述第2銅配線上的第1電極，且 <br/>所述第1電極與所述半導體元件中所含的第2電極相互進行金屬連接。
如請求項3所述的半導體裝置，其進而包括位於所述第1電極與所述第2電極之間的焊料。
如請求項1或請求項2所述的半導體裝置，其進而包括將所述半導體元件固定於所述絕緣層上的底部填充材料。
如請求項1或請求項2所述的半導體裝置，其進而包括密封所述半導體元件的絕緣材料。
一種半導體封裝，包括如請求項1至請求項6中任一項所述的半導體裝置及搭載有所述半導體裝置的基板。
如請求項7所述的半導體封裝，其中所述基板具有包括配線的基板芯材料。
一種提供推送通知之方法，其係於電子裝置中進行者，其包括如下之步驟： <br/>確認與應用程式相關之符記組； <br/>確認上述符記組內之符記之過濾資訊； <br/>基於上述過濾資訊，將上述符記組分類為有效符記組及無效符記組；及 <br/>將上述有效符記組內之有效符記之推送通知傳輸至伺服器， <br/>其中上述過濾資訊包括第1過濾資訊、第2過濾資訊及第3過濾資訊， <br/>其中上述第1過濾資訊包括與各符記對應之推送通知於所設置之第1期間內自上述電子裝置傳輸至上述伺服器之次數； <br/>上述第2過濾資訊包括是否允許與對應於上述符記之各設備之上述應用程式相關之推送通知的資訊； <br/>上述第3過濾資訊包括與上述符記對應之設備於所設置之第2期間內接收推送訊息之歷史資訊； <br/>其中將上述符記組分類為上述有效符記組及上述無效符記組之步驟包括如下之步驟： <br/>基於上述第1過濾資訊，於上述符記組中識別第1符記組； <br/>基於上述第2過濾資訊，於上述第1符記組中識別第2符記組；及 <br/>基於上述第3過濾資訊，於上述第2符記組中識別上述無效符記組。
如請求項1之提供推送通知之方法，其中將上述符記組分類為上述有效符記組及上述無效符記組之步驟包括如下之步驟： <br/>基於上述第1過濾資訊而識別第1符記組，該第1符記組包括滿足上述次數為所設置之次數以上之條件之符記。
如請求項1之提供推送通知之方法，其中將上述符記組分類為上述有效符記組及上述無效符記組之步驟包括如下之步驟： <br/>基於上述第2過濾資訊而識別第2符記組，該第2符記組包括對應於允許與上述應用程式相關之推送通知之設備之符記。
如請求項1之提供推送通知之方法，其中將上述符記組分類為上述有效符記組及上述無效符記組之步驟包括如下之步驟： <br/>基於上述第3過濾資訊而識別第3符記組，該第3符記組包括與接收推送訊息之設備對應之符記。
如請求項1之提供推送通知之方法，其中 <br/>上述有效符記組包括上述符記組內之符記中未包括於上述無效符記組之符記。
如請求項1之提供推送通知之方法，其中將上述符記組分類為上述有效符記組及上述無效符記組之步驟包括如下之步驟： <br/>將上述無效符記組內之無效符記、與上述無效符記對應之設備識別資訊、與上述無效符記對應之各設備之操作系統之資訊中之至少一者儲存於無效符記資料庫中。
如請求項6之提供推送通知之方法，其進而包括如下之步驟： <br/>於上述無效符記組內之無效符記中，識別與執行應用程式之第1設備對應之第1無效符記；及 <br/>將上述第1無效符記自上述無效符記組變更為上述有效符記組。
如請求項1之提供推送通知之方法，其中上述第2過濾資訊及上述第3過濾資訊可為與上述應用程式相關之設備之日誌資料中之至少一部分。
如請求項1之提供推送通知之方法，其中上述推送通知包括上述有效符記之資訊及上述各有效符記之操作系統之資訊，且 <br/>上述伺服器可為代理伺服器，該代理伺服器係基於上述各有效符記之操作系統之資訊，將上述有效符記之資訊傳輸至與上述有效符記對應之操作系統者。
一種用以提供推送通知之電子裝置，其包括： <br/>收發器； <br/>一個以上之處理器；及 <br/>儲存器，其儲存藉由上述一個以上之處理器而執行之一個以上之命令； <br/>上述一個以上之處理器如下： <br/>藉由執行上述一個以上之命令而確認與應用程式相關之符記組， <br/>確認上述符記組內之符記之過濾資訊， <br/>基於上述過濾資訊，將上述符記組分類為有效符記組及無效符記組，且 <br/>將上述有效符記組內之有效符記之推送通知傳輸至伺服器， <br/>其中上述過濾資訊包括第1過濾資訊、第2過濾資訊及第3過濾資訊， <br/>其中上述第1過濾資訊包括與各符記對應之推送通知於所設置之第1期間內自上述電子裝置傳輸至上述伺服器之次數； <br/>上述第2過濾資訊包括是否允許與對應於上述符記之各設備之上述應用程式相關之推送通知的資訊； <br/>上述第3過濾資訊包括與上述符記對應之設備於所設置之第2期間內接收推送訊息之歷史資訊； <br/>其中將上述符記組分類為上述有效符記組及上述無效符記組之步驟包括如下之步驟： <br/>基於上述第1過濾資訊，於上述符記組中識別第1符記組； <br/>基於上述第2過濾資訊，於上述第1符記組中識別第2符記組；及 <br/>基於上述第3過濾資訊，於上述第2符記組中識別上述無效符記組。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有用以於電腦中執行如請求項1之方法之程式。
一種提供資訊之方法，其係藉由電子裝置而進行者，其包括如下之步驟：<br/>獲得用戶對與提供服務相關之詳細頁面之請求；<br/>獲得與上述用戶相關之一個以上之資訊以及與上述服務相關之複數個物品所關聯之一個以上之資訊；<br/>基於與上述用戶相關之上述一個以上之資訊以及上述複數個物品所關聯之上述一個以上之資訊，確定上述複數個物品所關聯之複數個候補內容之優先順序；及<br/>基於上述優先順序，向上述用戶提供包括上述複數個候補內容中包括之一個以上之內容之上述詳細頁面，<br/>其中確定上述優先順序之步驟包括如下之步驟：<br/>基於設定之期間內顧客訂購上述複數個物品之次數及上述複數個物品之與上述顧客相關聯之評估資訊，確認上述複數個物品之偏好度；及<br/>基於上述偏好度而確定上述優先順序，<br/>其中上述顧客包含不同於上述用戶之一或多個服務用戶。
如請求項1之提供資訊之方法，其中確定上述優先順序之步驟進一步包括如下之步驟：<br/>基於上述一個以上之資訊，確認上述用戶對上述複數個物品之訂購次數；及<br/>基於上述訂購次數而確定上述優先順序。
如請求項1之提供資訊之方法，其中確定上述優先順序之步驟進一步包括如下之步驟：<br/>基於上述一個以上之資訊，確認上述用戶對上述複數個物品之最近訂購時點；及<br/>基於上述最近訂購時點而確定上述優先順序。
如請求項1之提供資訊之方法，其中獲得與上述用戶相關之上述一個以上之資訊以及與上述服務相關之複數個物品所關聯之一個以上之資訊之步驟包括如下步驟：於上述用戶之前訂購上述複數個物品之明細中，確認滿足設定之條件之明細；<br/>上述設定之條件包括與上述用戶對上述複數個物品之訂購時點相關之條件。
如請求項1之提供資訊之方法，其中確定上述優先順序之步驟進一步包括如下之步驟：<br/>基於是否進行上述複數個物品之促銷及上述促銷之內容中之一者以上，確定上述優先順序。
如請求項1之提供資訊之方法，其中向上述用戶提供上述詳細頁面之步驟包括如下之步驟：<br/>於存在進行促銷之特定物品之情形時，基於上述促銷之內容，提供指示針對與上述特定物品相關之內容而發生之變動事項之資訊。
如請求項1之提供資訊之方法，其中向上述用戶提供上述詳細頁面之步驟包括如下之步驟：<br/>於存在進行促銷之特定物品之情形時，提供與上述促銷之進行相關之時間資訊。
如請求項1之提供資訊之方法，其進而包括如下之步驟：<br/>向上述一個以上之內容所關聯之物品之供應者提供通知已提供包括上述一個以上之內容之上述詳細頁面的資訊。
如請求項1之提供資訊之方法，其中向上述用戶提供上述詳細頁面之步驟包括如下之步驟：<br/>向上述用戶提供與上述一個以上之內容各者對應之類型資訊。
如請求項1之提供資訊之方法，其進而包括如下之步驟：<br/>於上述詳細頁面上接收與上述一個以上之內容中之至少一部分對應之上述用戶之輸入的情形時，提供與對應於上述用戶之輸入之內容相關之詳細資訊。
如請求項1之提供資訊之方法，其中確定上述優先順序之步驟進一步包括如下之步驟：<br/>基於上述一個以上之資訊，確認與上述用戶對應之一個以上之個人資訊；及<br/>基於上述一個以上之個人資訊，確定上述優先順序。
如請求項1之提供資訊之方法，其進而包括如下之步驟：<br/>於提供上述詳細頁面後，確認上述用戶訂購上述複數個物品之明細；及<br/>於提供上述詳細頁面後，基於上述用戶訂購上述複數個物品之明細，再次確定上述複數個候補內容之優先順序。
如請求項1之提供資訊之方法，其進而包括如下之步驟：<br/>獲得上述用戶對上述複數個候補內容中包括之特定內容之反饋資訊；及<br/>基於上述反饋資訊，再次確定上述特定內容之優先順序。
如請求項1之提供資訊之方法，其進而包括如下之步驟：<br/>針對上述複數個物品中之至少一部分，確認無法提供上述服務；及<br/>再次確定與無法提供上述服務之物品相關聯之內容之優先順序。
如請求項14之提供資訊之方法，其中再次確定上述優先順序之步驟進而包括如下之步驟：<br/>確認無法提供上述服務之原因資訊。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有用以於電腦中執行如請求項1之方法之程式。
一種電子裝置，其係提供資訊者，其包括收發器、儲存命令之記憶體及處理器，<br/>上述處理器與上述收發器及上述記憶體連接，從而獲得用戶對與提供服務相關之詳細頁面之請求，<br/>獲得與上述用戶相關之一個以上之資訊以及與上述服務相關之複數個物品所關聯之一個以上之資訊，<br/>基於與上述用戶相關之上述一個以上之資訊以及上述複數個物品所關聯之上述一個以上之資訊，確定上述複數個物品所關聯之複數個候補內容之優先順序，及<br/>基於上述優先順序，向上述用戶提供包括上述複數個候補內容中包括之一個以上之內容之上述詳細頁面，<br/>其中上述處理器確定上述優先順序包含如下:<br/>基於設定之期間內顧客訂購上述複數個物品之次數及上述複數個物品之與上述顧客相關聯之評估資訊，確認上述複數個物品之偏好度；及<br/>基於上述偏好度而確定上述優先順序，<br/>其中上述顧客包含不同於上述用戶之一或多個服務用戶。
一種音頻處理單元，包含：緩衝記憶體，配置成儲存一已編碼音頻位元流，其中該已編碼音頻位元流包含音頻資料與元資料，其中該元資料包括響度元資料的酬載，其中該響度元資料的酬載包括指示至少一些該音頻資料的響度的元資料；剖析器，耦合到該緩衝記憶體，並配置成從該已編碼音頻位元流擷取該音頻資料和該響度元資料的酬載；解碼器，耦合到該剖析器，並配置成解碼該音頻資料以產生已解碼音頻資料；以及子系統，耦合到該剖析器和該解碼器，並配置成接收使用者輸入的目標響度值，並且回應指示至少一些該音頻資料的該響度的該元資料和該目標響度值，對該已解碼音頻資料執行音量分級。
一種音頻處理方法，包含下列步驟：接收一已編碼音頻位元流，其中該已編碼音頻位元流包含音頻資料與元資料，其中該元資料包括響度元資料的酬載，其中該響度元資料的酬載包括指示至少一些該音頻資料的響度的元資料；從該已編碼音頻位元流擷取該音頻資料和該響度元資料的酬載；解碼該音頻資料以產生已解碼音頻資料；接收使用者輸入的目標響度值；以及回應指示至少一些該音頻資料的該響度的該元資料和該目標響度值，對該已解碼音頻資料執行音量分級。
一種非暫時性媒體，具有儲存於其上的軟體，該軟體包括指令，用於控制一或多個裝置以：接收一已編碼音頻位元流，其中該已編碼音頻位元流包含音頻資料與元資料，其中該元資料包括響度元資料的酬載，其中該響度元資料的酬載包括指示至少一些該音頻資料的響度的元資料；從該已編碼音頻位元流擷取該音頻資料和該響度元資料的酬載；解碼該音頻資料以產生已解碼音頻資料；接收使用者輸入的目標響度值；以及回應指示至少一些該音頻資料的該響度的該元資料和該目標響度值，對該已解碼音頻資料執行音量分級。
一種聚酯樹脂組成物，包括聚對苯二甲酸丁二醇酯樹脂、聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂、無機填料、二乙基次膦酸鋁鹽、三聚氰胺氰尿酸酯及磷酸酯， <br/>其中所述聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂的固有黏度小於所述聚對苯二甲酸丁二醇酯樹脂的固有黏度， <br/>以所述聚酯樹脂組成物總計100重量%計，包含3.8重量%或大於3.8重量%的量的所述三聚氰胺氰尿酸酯；或者所述聚酯樹脂組成物包含抗滴落劑、熱穩定劑、聚乙烯系潤滑劑及水解抑制劑，且以所述聚對苯二甲酸丁二醇酯樹脂、所述聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂、所述無機填料、所述二乙基次膦酸鋁鹽、所述三聚氰胺氰尿酸酯、所述磷酸酯、所述抗滴落劑、所述熱穩定劑、所述聚乙烯系潤滑劑及所述水解抑制劑總計100重量%計，包含3.8重量%或大於3.8重量%的量的所述三聚氰胺氰尿酸酯； <br/>以所述聚酯樹脂組成物總計100重量%計，包含1.6重量%至6.9重量%的量的所述磷酸酯；或者所述聚酯樹脂組成物包含抗滴落劑、熱穩定劑、聚乙烯系潤滑劑及水解抑制劑，且以所述聚對苯二甲酸丁二醇酯樹脂、所述聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂、所述無機填料、所述二乙基次膦酸鋁鹽、所述三聚氰胺氰尿酸酯、所述磷酸酯、所述抗滴落劑、所述熱穩定劑、所述聚乙烯系潤滑劑及所述水解抑制劑總計100重量%計，包含1.6重量%至6.9重量%的量的所述磷酸酯；且 <br/>所述聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂是回收的聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂， <br/>其中所述聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂具有243℃至256℃的熔點， <br/>其中所述無機填料為包含50重量%至55重量%的SiO<sub>2</sub>、15重量%至21重量%的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>及13重量%至19重量%的CaO的玻璃纖維， <br/>其中所述玻璃纖維具有圓形橫截面或扁平橫截面， <br/>其中所述玻璃纖維具有1:1至1:4的縱橫比，所述縱橫比表示為長度（L）對直徑（D）的比率（L/D），且 <br/>其中所述玻璃纖維具有10微米至13微米的平均直徑，以及2.5毫米至6毫米的平均長度。
如請求項1所述的聚酯樹脂組成物，其中所述聚對苯二甲酸丁二醇酯樹脂及所述聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂各自具有0.7分升/克至0.9分升/克的固有黏度（η）。
如請求項1所述的聚酯樹脂組成物，其中以所述聚酯樹脂組成物總計100重量%計，包含24.8重量%至41.7重量%的量的所述聚對苯二甲酸丁二醇酯樹脂；或者所述聚酯樹脂組成物包含抗滴落劑、熱穩定劑、聚乙烯系潤滑劑及水解抑制劑，且以所述聚對苯二甲酸丁二醇酯樹脂、所述聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂、所述無機填料、所述二乙基次膦酸鋁鹽、所述三聚氰胺氰尿酸酯、所述磷酸酯、所述抗滴落劑、所述熱穩定劑、所述聚乙烯系潤滑劑及所述水解抑制劑總計100重量%計，包含24.8重量%至41.7重量%的量的所述聚對苯二甲酸丁二醇酯樹脂。
如請求項1所述的聚酯樹脂組成物，其中所述回收的聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂是藉由對礦泉水瓶進行加工獲得的樹脂。
如請求項1所述的聚酯樹脂組成物，其中以所述聚酯樹脂組成物總計100重量%計，包含10重量%至25重量%的量的所述聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂；或者所述聚酯樹脂組成物包含抗滴落劑、熱穩定劑、聚乙烯系潤滑劑及水解抑制劑，且以所述聚對苯二甲酸丁二醇酯樹脂、所述聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂、所述無機填料、所述二乙基次膦酸鋁鹽、所述三聚氰胺氰尿酸酯、所述磷酸酯、所述抗滴落劑、所述熱穩定劑、所述聚乙烯系潤滑劑及所述水解抑制劑總計100重量%計，包含10重量%至25重量%的量的所述聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂。
如請求項1所述的聚酯樹脂組成物，其中以所述聚酯樹脂組成物總計100重量%計，包含20重量%至40重量%的量的所述無機填料；或者所述聚酯樹脂組成物包含抗滴落劑、熱穩定劑、聚乙烯系潤滑劑及水解抑制劑，且以所述聚對苯二甲酸丁二醇酯樹脂、所述聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂、所述無機填料、所述二乙基次膦酸鋁鹽、所述三聚氰胺氰尿酸酯、所述磷酸酯、所述抗滴落劑、所述熱穩定劑、所述聚乙烯系潤滑劑及所述水解抑制劑總計100重量%計，包含20重量%至40重量%的量的所述無機填料。
如請求項1所述的聚酯樹脂組成物，其中以所述聚酯樹脂組成物總計100重量%計，包含8.6重量%至11.9重量%的量的所述二乙基次膦酸鋁鹽；或者所述聚酯樹脂組成物包含抗滴落劑、熱穩定劑、聚乙烯系潤滑劑及水解抑制劑，且以所述聚對苯二甲酸丁二醇酯樹脂、所述聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂、所述無機填料、所述二乙基次膦酸鋁鹽、所述三聚氰胺氰尿酸酯、所述磷酸酯、所述抗滴落劑、所述熱穩定劑、所述聚乙烯系潤滑劑及所述水解抑制劑總計100重量%計，包含8.6重量%至11.9重量%的量的所述二乙基次膦酸鋁鹽。
如請求項1所述的聚酯樹脂組成物，其中以所述聚酯樹脂組成物總計100重量%計，包含3.8重量%至5.2重量%的量的所述三聚氰胺氰尿酸酯；或者所述聚酯樹脂組成物包含抗滴落劑、熱穩定劑、聚乙烯系潤滑劑及水解抑制劑，且以所述聚對苯二甲酸丁二醇酯樹脂、所述聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂、所述無機填料、所述二乙基次膦酸鋁鹽、所述三聚氰胺氰尿酸酯、所述磷酸酯、所述抗滴落劑、所述熱穩定劑、所述聚乙烯系潤滑劑及所述水解抑制劑總計100重量%計，包含3.8重量%至5.2重量%的量的所述三聚氰胺氰尿酸酯。
如請求項1所述的聚酯樹脂組成物，其中所述聚酯樹脂組成物包含抗滴落劑、熱穩定劑、聚乙烯系潤滑劑及水解抑制劑，且以所述聚對苯二甲酸丁二醇酯樹脂、所述聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂、所述無機填料、所述二乙基次膦酸鋁鹽、所述三聚氰胺氰尿酸酯、所述磷酸酯、所述抗滴落劑、所述熱穩定劑、所述聚乙烯系潤滑劑及所述水解抑制劑總計100重量%計，以0.1重量%至10重量%的量包含所述抗滴落劑、所述熱穩定劑、所述聚乙烯系潤滑劑及所述水解抑制劑中的每一者。
如請求項1所述的聚酯樹脂組成物，其中所述聚酯樹脂組成物具有根據國際標準化組織75在1.82兆帕下量測的190℃或高於190℃的高負荷熱變形溫度，且具有根據國際標準化組織178使用4.0毫米試樣及量程64以2毫米/分鐘的速率量測的180兆帕或大於180兆帕的撓曲強度及8,000兆帕或大於8,000兆帕的撓曲模數。
一種製備聚酯樹脂組成物的方法，包括對聚對苯二甲酸丁二醇酯樹脂、聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂、無機填料、二乙基次膦酸鋁鹽、三聚氰胺氰尿酸酯及磷酸酯進行捏合及擠壓， <br/>其中所述聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂的固有黏度小於所述聚對苯二甲酸丁二醇酯樹脂的固有黏度； <br/>以所述聚酯樹脂組成物總計100重量%計，包含3.8重量%或大於3.8重量%的量的所述三聚氰胺氰尿酸酯；或者所述聚酯樹脂組成物包含抗滴落劑、熱穩定劑、聚乙烯系潤滑劑及水解抑制劑，且以所述聚對苯二甲酸丁二醇酯樹脂、所述聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂、所述無機填料、所述二乙基次膦酸鋁鹽、所述三聚氰胺氰尿酸酯、所述磷酸酯、所述抗滴落劑、所述熱穩定劑、所述聚乙烯系潤滑劑及所述水解抑制劑總計100重量%計，包含3.8重量%或大於3.8重量%的量的所述三聚氰胺氰尿酸酯； <br/>以所述聚酯樹脂組成物總計100重量%計，包含1.6重量%至6.9重量%的量的所述磷酸酯；或者所述聚酯樹脂組成物包含抗滴落劑、熱穩定劑、聚乙烯系潤滑劑及水解抑制劑，且以所述聚對苯二甲酸丁二醇酯樹脂、所述聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂、所述無機填料、所述二乙基次膦酸鋁鹽、所述三聚氰胺氰尿酸酯、所述磷酸酯、所述抗滴落劑、所述熱穩定劑、所述聚乙烯系潤滑劑及所述水解抑制劑總計100重量%計，包含1.6重量%至6.9重量%的量的所述磷酸酯；且 <br/>所述聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂是回收的聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂， <br/>其中所述聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂具有243℃至256℃的熔點， <br/>其中所述無機填料為包含50重量%至55重量%的SiO<sub>2</sub>、15重量%至21重量%的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>及13重量%至19重量%的CaO的玻璃纖維， <br/>其中所述玻璃纖維具有圓形橫截面或扁平橫截面， <br/>其中所述玻璃纖維具有1:1至1:4的縱橫比，所述縱橫比表示為長度（L）對直徑（D）的比率（L/D），且 <br/>其中所述玻璃纖維具有10微米至13微米的平均直徑，以及2.5毫米至6毫米的平均長度。
一種模製品，包含如請求項1至10中任一項所述的聚酯樹脂組成物。
一種單體組成物，其包含至少一種具有結構<b>I</b>之官能化噻吩單體<figure><img align="absmiddle" height="336px" width="207px" file="d10021.TIF" alt="化學式ed10021.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10021.png"/></figure>其中<b>X</b><sup>1</sup>及<b>X</b><sup>2</sup> 彼此獨立地表示O或S；<b>X</b><sup>3</sup> 表示CH<sub>2</sub>-O，其具有鍵結至<b>R</b><sup>1</sup>之碳原子，或表示O；<b>R</b><sup>1</sup> 表示三價有機基團；<b>R</b><sup>2</sup> 表示二價有機基團；<b>M</b><sup>1</sup> 表示單價陽離子；其中該單體組成物基本上不含具有結構<b>II</b>之不飽和有機磺酸<figure><img align="absmiddle" height="72px" width="252px" file="d10022.TIF" alt="化學式ed10022.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10022.png"/></figure><b>II</b>其中<b>R</b><sup>3</sup> 表示二價有機基團；<b>M</b><sup>2</sup> 表示單價陽離子；或其中該單體組成物包含具有該結構<b>II</b>之不飽和有機磺酸，其呈最大量使得具有該結構<b>II</b>之不飽和有機磺酸的總量與具有結構<b>I</b>之官能化噻吩單體的總量之莫耳比為1：32或更小。
如請求項1之單體組成物，其中該單體組成物包含具有結構<b>Ia</b>或結構<b>Ib</b>之官能化噻吩單體，或包含具有結構<b>Ia</b>或結構<b>Ib</b>之官能化噻吩單體之混合物<figure><img align="absmiddle" height="413px" width="432px" file="d10023.TIF" alt="化學式ed10023.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10023.png"/></figure>其中在式<b>Ia</b>及式<b>Ib</b>中- <b>m</b>係2，且<b>R</b><sup>3</sup>係-CH<sub>3</sub>；或- <b>m</b>係3，且<b>R</b><sup>3</sup>係H。
如請求項2之單體組成物，其中在式<b>Ia</b>及式<b>Ib</b>中，<b>m</b>係3，且<b>R</b><sup>3</sup>係H。
如請求項1至3中任一項之單體組成物，其中該單體組成物包含具有該結構<b>I</b>之官能化噻吩單體，其總量以該單體組成物之總重量計係至少90wt.-%。
如請求項4之單體組成物，其中該單體組成物滿足以下特性中之至少一者：i)該單體組成物具有根據ASTM E 308-13所判定之小於0.75之顏色值<b>b*</b>，該顏色值係使用水溶液來判定，該水溶液包含該至少一種具有該結構<b>I</b>之官能化噻吩單體，其透射率在0.5mm之石英玻璃光析管中的總量係1wt.-%；ii)該單體組成物具有針對350nm之波長之光所判定之至少90%之透射率。
一種用於製備包含官能化π共軛聚噻吩的聚合物組成物之製程，該製程包含下列製程步驟：<b>I)</b>在溶劑或分散劑中溶解或分散如請求項1至5中任一項之單體組成物，以獲得該官能化噻吩單體之溶液或分散劑；<b>II)</b>氧化聚合在製程步驟<b>I)</b>中所提供之該溶液或分散劑中之具有結構<b>I</b>之該官能化噻吩單體，以獲得溶液或分散劑形式之聚合物組成物，其包含包含具有結構<b>I’</b>之重複單元的官能化π共軛聚噻吩<figure><img align="absmiddle" height="345px" width="273px" file="d10024.TIF" alt="化學式ed10024.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10024.png"/></figure>其中該等星號(*)表示與相鄰重複單元之鍵結。
一種聚合物組成物，其包含包含具有結構<b>I’</b>之重複單元的官能化π共軛聚噻吩<figure><img align="absmiddle" height="278px" width="238px" file="d10025.TIF" alt="化學式ed10025.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10025.png"/></figure><b>I’</b>其中<b>X</b><sup>1</sup>及<b>X</b><sup>2</sup> 彼此獨立地表示O或S；<b>X</b><sup>3</sup> 表示CH<sub>2</sub>-O，其具有鍵結至<b>R</b><sup>1</sup>之碳原子，或表示O；<b>R</b><sup>1</sup> 表示三價有機基團；<b>R</b><sup>2</sup> 表示二價有機基團；<b>M</b><sup>1</sup> 表示單價陽離子；其中該等星號(*)表示與相鄰重複單元之鍵結；其中該官能化π共軛聚噻吩基本上不含具有結構<b>II’</b>之重複單元<figure><img align="absmiddle" height="162px" width="256px" file="d10026.TIF" alt="化學式ed10026.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10026.png"/></figure>其中<b>R</b><sup>3</sup> 表示二價有機基團；<b>M</b><sup>2</sup> 表示單價陽離子；其中該等星號(*)表示與相鄰重複單元之鍵結；或其中該官能化π共軛聚噻吩包含具有該結構<b>II’</b>之重複單元，其呈最大量使得具有該結構<b>II’</b>之重複單元的總量與具有該結構<b>I’</b>之重複單元的總量之莫耳比為1：32或更小。
如請求項7之聚合物組成物，其中該官能化π共軛聚噻吩包含具有結構<b>Ia’</b>或結構<b>Ib’</b>之重複單元，或包含具有該結構<b>Ia’</b>或該結構<b>Ib’</b>之重複單元之混合物<figure><img align="absmiddle" height="378px" width="447px" file="d10027.TIF" alt="化學式ed10027.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10027.png"/></figure>其中在式<b>Ia’</b>及式<b>Ib’</b>中- <b>m</b>係2，且<b>R</b><sup>3</sup>係-CH<sub>3</sub>；或- <b>m</b>係3，且<b>R</b><sup>3</sup>係H。
如請求項8之聚合物組成物，在式<b>Ia’</b>及式<b>Ib’</b>中，<b>m</b>係3，且<b>R</b><sup>3</sup>係H。
如請求項7至9中任一項之聚合物組成物，其中該聚合物組成物係進一步包含至少一種溶劑或分散劑之液體聚合物組成物，其中該液體聚合物組成物包含該官能化π共軛聚噻吩，其量以該液體聚合物組成物之總重量計在0.1wt.-%至25% wt.-%之範圍內。
如請求項7至9中任一項之聚合物組成物，其中該聚合物組成物係一導電層，其中該導電層包含該官能化π共軛聚噻吩，其量以該導電層之總重量計在50wt.-%至99.9wt.-%之範圍內。
一種用於製備層體的製程，其包含下列的製程步驟：A)提供一基材；B)將如請求項10之聚合物組成物施加至該基材之至少一個表面的至少一部分上；C)可選地至少部分移除該溶劑或該分散劑，以形成覆蓋該基材之至少一個表面的至少一部分的一導電層。
如請求項12之製程，其中該基材係一電極材料之一電極體，其中在形成一陽極體之情況下，介電質至少部分地覆蓋此電極材料的一個表面。
一種如請求項1至5中任一項之單體組成物或如請求項7至11中任一項之聚合物組成物之用於製備一電子裝置中之一導電層之用途。
如請求項14之用途，其中該電子裝置係選自OLED、經塗佈織物、光導電池、光阻器、光電開關、光電晶體、光電管、IR偵測器、光伏打裝置、太陽能電池、用於記憶體儲存裝置之塗佈材料、場效電阻裝置、抗靜電膜、生物感測器、電致變色裝置、固體電解質電容器、能量儲存裝置、觸控面板、及電磁遮蔽。
一種資料處理裝置，包括：處理電路； <br/>前述處理電路在訓練階段中維持奇異值分解(Singular Value Decomposition，SVD)的形式逐次更新格拉姆矩陣(Gram matrix)； <br/>前述處理電路在前述訓練階段之定案(Finalization)中，基於根據前述格拉姆矩陣的SVD，維持SVD的形式算出變異數-共變異數矩陣。
一種資料處理裝置，包括：執行程式的處理器； <br/>前述處理器透過執行前述程式，在訓練階段中維持奇異值分解(Singular Value Decomposition，SVD)的形式逐次更新格拉姆矩陣(Gram matrix)； <br/>前述處理器透過執行前述程式，在前述訓練階段之定案(Finalization)中，基於根據前述格拉姆矩陣的SVD，維持SVD的形式算出變異數-共變異數矩陣。
如請求項2之資料處理裝置，其中： <br/>前述程式包括以Z的SVD、A以及B作為輸入，輸出Z+AB <sup>T</sup>之SVD的函數； <br/>其中A、B以及Z分別為矩陣。
如請求項2之資料處理裝置，其中前述程式包括輸出增廣系SVD的函數。
如請求項2之資料處理裝置，其中前述程式包括輸出以二次形式表示之矩陣(M <sup>T</sup>M)的固有值分解的函數。
如請求項2至5中任一項之資料處理裝置，其中前述程式包括不以SVD形式且逐次算出用於驗算之相關矩陣的函數。
如請求項2至5中任一項之資料處理裝置，其中前述程式包括處置有意義之零奇異值的函數。
如請求項2至5中任一項之資料處理裝置，其中前述程式包括基於訓練資料是否足夠豐富之判斷，決定迴圈處理之結束的函數。
一種資料處理方法，其中： <br/>在訓練階段中維持奇異值分解(Singular Value Decomposition，SVD)的形式逐次更新格拉姆矩陣(Gram matrix)； <br/>在前述訓練階段之定案(Finalization)中，基於根據前述格拉姆矩陣的SVD，維持SVD的形式算出變異數-共變異數矩陣。
如請求項9之資料處理方法，包括： <br/>以Z的SVD、A以及B作為輸入，輸出Z+AB <sup>T</sup>之SVD的數值計算； <br/>其中A、B以及Z分別為矩陣。
如請求項9之資料處理方法，包括輸出增廣系SVD的數值計算。
如請求項9之資料處理方法，包括輸出以二次形式表示之矩陣(M <sup>T</sup>M)的固有值分解的數值計算。
如請求項9至12中任一項之資料處理方法，更包括不以SVD形式且逐次算出用於驗算之相關矩陣的數值計算。
如請求項9至12中任一項之資料處理方法，包括處置有意義之零奇異值的處理。
如請求項9至12中任一項之資料處理方法，包括基於訓練資料是否足夠豐富之判斷，決定迴圈處理之結束的處理。
一種提供物品資訊之方法，其係於電子裝置中進行者，其包括如下步驟： <br/>確認物品清單，該物品清單包括基於用戶之購買歷史而確定之至少一個物品； <br/>將包括介面工具集之第1頁面提供至用戶終端，該介面工具集顯示上述物品清單之物品中之至少一部分物品之物品集； <br/>基於自上述用戶終端獲得之上述介面工具集上之第1輸入，確認上述物品集之物品中之刪除目標物品； <br/>確認自上述物品清單中刪除上述刪除目標物品而修改之物品清單；及 <br/>基於對應於上述第1輸入而修改之上述物品清單，更新並顯示上述介面工具集； <br/>上述方法進而包括如下步驟： <br/>基於上述刪除目標物品之資訊來變更經修改之上述物品清單中之物品排序及種類之至少一者而更新經修改之上述物品清單；及 <br/>對應於自上述用戶終端獲得之請求上述介面工具集之資訊之第2輸入，將包括顯示更新之上述物品清單之介面工具集之第2頁面提供至上述用戶終端； <br/>其中更新經修改之上述物品清單之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述刪除目標物品之資訊而確認第1物品組，該第1物品組係包括於經修改之上述物品清單之物品中之上述刪除目標物品之第1等級的相似物品組中； <br/>基於上述刪除目標物品之資訊而確認第2物品組，該第2物品組係包括於經修改之上述物品清單之物品中之上述刪除目標物品之第2等級的相似物品組中；及 <br/>將經修改之上述物品清單之第1物品組中包括之物品的排序變更為低優先級，自經修改之上述物品清單中刪除上述第2物品組之物品而更新經修改之上述物品清單。
如請求項1之提供物品資訊之方法，其進而包括如下步驟： <br/>對應於上述第1輸入之接收，將針對取消上述第1輸入之用戶介面提供至上述用戶終端；及 <br/>若於藉由上述用戶介面而設定之時間內接收與取消上述第1輸入相關之第2輸入，則基於上述物品清單再次更新並顯示上述介面工具集。
如請求項2之提供物品資訊之方法，其中若未藉由上述用戶介面而於上述設定時間內接收與取消上述第1輸入相關之第2輸入，則將上述用戶介面自上述第1頁面中去除。
如請求項1之提供物品資訊之方法，其中更新經修改之上述物品清單之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述刪除目標物品之資訊而確認物品組，該物品組係包括於經修改之上述物品清單之物品中之上述刪除目標物品之相似物品組中；及 <br/>自經修改之上述物品清單中刪除上述物品組之物品而更新經修改之上述物品清單。
如請求項1之提供物品資訊之方法，其中更新經修改之上述物品清單之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述刪除目標物品之資訊而確認物品組，該物品組係包括於經修改之上述物品清單之物品中之上述刪除目標物品的替代物品組中；及 <br/>將經修改之上述物品清單之物品組中包括之物品之排序變更為高優先級而更新經修改之上述物品清單。
如請求項1之提供物品資訊之方法，其進而包括如下步驟： <br/>基於自上述用戶終端獲得之上述介面工具集上之第2輸入，確認上述物品集之物品中之第2物品； <br/>基於設定之映射表，確認與經確認之上述第2物品對應之相似物品組；及 <br/>將上述相似物品組之物品之資訊提供至上述用戶終端。
如請求項6之提供物品資訊之方法，其中將上述相似物品組之物品之資訊提供至上述用戶終端之步驟包括如下步驟： <br/>將上述相似物品組區分為第1相似物品組及第2相似物品組；及 <br/>將顯示第1物品清單之底部動作條提供至上述用戶終端，該第1物品清單包括上述第1相似物品組之物品。
如請求項7之提供物品資訊之方法，其進而包括如下步驟： <br/>對應於自上述用戶終端獲得之上述底部動作條上之第3輸入之接收，將顯示第2物品清單之整頁提供至上述用戶終端，該第2物品清單包括上述第1相似物品組及上述第2相似物品組。
如請求項8之提供物品資訊之方法，其中上述第1物品清單之上述第1相似物品組之物品之排序與上述第2物品清單之上述第1相似物品組之物品之排序相同。
如請求項7之提供物品資訊之方法，其中區分為上述第1相似物品組及上述第2相似物品組之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述第2物品與上述相似物品組之物品間之相似度、及上述相似物品組之物品之資訊中的至少一者，將上述相似物品組區分為上述第1相似物品組及上述第2相似物品組。
如請求項8之提供物品資訊之方法，其中上述第3輸入係藉由如下之圖標實現之輸入：以低於上述第1物品清單之優先級顯示於上述底部動作條上。
如請求項1之提供物品資訊之方法，其中將上述第1頁面提供至上述用戶終端之步驟進而包括如下步驟： <br/>將顯示有購物車添加圖標之上述介面工具集提供至上述用戶終端，該購物車添加圖標係用以將上述物品集之物品添加至上述用戶之購物車目錄。
如請求項12之提供物品資訊之方法，其中將上述第1頁面提供至上述用戶終端之步驟包括如下步驟： <br/>藉由針對上述物品集之物品中之第2物品之購物車添加圖標，自上述用戶終端接收第2輸入；及 <br/>對應於上述第2輸入之接收，將藉由上述購物車添加圖標實現之上述第2輸入之次數增加之上述購物車目錄之圖標提供至上述用戶終端。
一種電子裝置，其包括： <br/>收發器； <br/>儲存器，其儲存一個以上之命令；及 <br/>處理器，其確認包括基於用戶之購買歷史而確定之至少一個物品之物品清單，將包括顯示上述物品清單之物品中之至少一部分物品之物品集之介面工具集的第1頁面提供至用戶終端，基於自上述用戶終端獲得之上述介面工具集上之第1輸入而確認上述物品集之物品中的刪除目標物品，確認自上述物品清單中刪除上述刪除目標物品而修改之物品清單，且基於對應於上述第1輸入而修改之上述物品清單，更新並顯示上述介面工具集； <br/>其中上述處理器進一步經組態以： <br/>基於上述刪除目標物品之資訊來變更經修改之上述物品清單中之物品排序及種類之至少一者而更新經修改之上述物品清單；及 <br/>對應於自上述用戶終端獲得之請求上述介面工具集之資訊之第2輸入，將包括顯示更新之上述物品清單之介面工具集之第2頁面提供至上述用戶終端； <br/>其中上述處理器進一步經組態以： <br/>基於上述刪除目標物品之資訊而確認第1物品組，該第1物品組係包括於經修改之上述物品清單之物品中之上述刪除目標物品之第1等級的相似物品組中； <br/>基於上述刪除目標物品之資訊而確認第2物品組，該第2物品組係包括於經修改之上述物品清單之物品中之上述刪除目標物品之第2等級的相似物品組中；及 <br/>將經修改之上述物品清單之第1物品組中包括之物品的排序變更為低優先級，自經修改之上述物品清單中刪除上述第2物品組之物品而更新經修改之上述物品清單。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有用以於電腦中執行如請求項1之方法之程式。
一種非揮發性記憶體裝置，包括： <br/>第一堆疊結構，包括交替堆疊於基板的至少一部分上的第一閘極電極與第一層間絕緣層； <br/>第二堆疊結構，包括交替堆疊於所述第一堆疊結構的至少一部分上的第二閘極電極與第二層間絕緣層；以及 <br/>通道結構，包括穿透所述第一堆疊結構的第一通道結構以及連接至所述第一通道結構且穿透所述第二堆疊結構的第二通道結構， <br/>其中所述第二通道結構包括第一部分及第二部分，所述第一部分的寬度隨著所述第一部分朝向所述基板延伸而變窄或維持不變，在相對於所述基板的垂直方向上在與所述第二閘極電極中的最靠近所述基板設置的最下部一個第二閘極電極交疊的區域中，所述第二部分的寬度隨著所述第二部分朝向所述基板延伸而增大。
如請求項1所述的非揮發性記憶體裝置，其中所述第二通道結構包括所述第二部分，在相對於所述基板的所述垂直方向上在與所述第二閘極電極中的最相鄰於所述最下部一個第二閘極電極的下部第二閘極電極交疊的所述區域中，所述第二部分的所述寬度隨著朝向所述基板延伸而增大。
如請求項1所述的非揮發性記憶體裝置，其中所述通道結構包括第三部分，所述第三部分的寬度隨著所述第三部分朝向所述基板延伸而增大。
如請求項3所述的非揮發性記憶體裝置，其中所述通道結構的所述第一部分被設置於所述通道結構的所述第三部分上或之下。
如請求項3所述的非揮發性記憶體裝置，其中所述通道結構的所述第二部分的最寬寬度小於或大於所述通道結構的所述第三部分的最寬寬度。
一種製造非揮發性記憶體裝置的方法，所述方法包括： <br/>形成第一虛設模製結構，在所述第一虛設模製結構中第一犧牲絕緣層與第一層間絕緣層交替堆疊於基板的至少一部分上； <br/>形成穿透所述第一虛設模製結構的第一垂直結構； <br/>形成第二虛設模製結構，在所述第二虛設模製結構中第二犧牲絕緣層與第二層間絕緣層交替堆疊於所述第一虛設模製結構及所述第一垂直結構上；以及 <br/>在所述第二虛設模製結構中形成孔，用於在所述孔中形成通道結構並移除所述第一垂直結構， <br/>其中所述第一垂直結構包括犧牲金屬層及位於所述犧牲金屬層的上表面的至少一部分上的犧牲障壁金屬層，且 <br/>形成所述孔包括供應蝕刻氣體，所述蝕刻氣體能夠藉由與所述犧牲障壁金屬層進行反應來形成用於對所述第二犧牲絕緣層進行蝕刻的副產物。
如請求項6所述的方法，更包括，在形成所述第二虛設模製結構之後，重複實行：（i）形成穿透所述第二虛設模製結構的第二垂直結構；以及（ii）在所述第二虛設模製結構及所述第二垂直結構上形成另一第二虛設模製結構。
如請求項6所述的方法，其中所述第二犧牲絕緣層包含氮化矽。
如請求項6所述的方法，其中所述犧牲障壁金屬層包含鈦。
如請求項6所述的方法，其中所述蝕刻氣體包含氟。
一種組成物，其包含活性碳、一電穩定劑及一潤濕性增強劑，其中該電穩定劑包含銅而該潤濕性增強劑包含鋁，且其中該活性碳包含脫氧活性碳。
一種生產活性碳的方法，其包含： <br/> 將活性碳與一電穩定劑及一潤濕性增強劑合併以形成一活性碳混合物；及<br/> 在一升高溫度下將該活性碳混合物曝露於一吹掃氣體，<br/> 其中該吹掃氣體包含一惰性氣體及一還原氣體的組合。
一種生產活性碳的方法，其包含：<br/> 將活性碳與一電穩定劑及/或一潤濕性增強劑合併以形成一活性碳混合物； 及<br/> 在一升高溫度下將該活性碳混合物曝露於一吹掃氣體，<br/> 其中該吹掃氣體包含一惰性氣體及一還原氣體的組合；<br/> 其中該電穩定劑包含Sc、Ti、V、Cr、Mn、Ni、 Cu、Zn、Y 、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pb、Ag、La、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au或Ac。
如請求項2之方法，其中該惰性氣體包含氮、氬或氦；且其中該還原氣體包含氫、氨、一氧化碳、合成氣體(forming gas)或合成氣。
如請求項2之方法，其中在將該活性碳曝露於該吹掃氣體之步驟期間，該吹掃氣體係以0.25至1.0L/分鐘之間的流速供應，該吹掃氣體係噴灑於該活性碳之上或噴灑穿過該活性碳。
如請求項2之方法，包含在將該活性碳混合物曝露於該吹掃氣體之步驟之前乾燥該活性碳混合物或包含在將該活性碳混合物曝露於該吹掃氣體之步驟之前微粉化該活性碳。
一種組成物，其係藉由如請求項2之方法製成。
如請求項2之方法，其中該電穩定劑包含一導電金屬，其中該電穩定劑包含一過渡金屬，或其中該電穩定劑包含Sc、Ti、V、Cr、Mn、Co、Ni、 Cu、Zn、Y 、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pb、Ag、La、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au或Ac。
如請求項2之方法，其中該電穩定劑包含銅及/或其中該潤濕性增強劑包含鋁。
如請求項2之方法，其中：<br/> 該潤濕性增強劑包含三氧化二鋁或活性三氧化二鋁(γ-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)；<br/> 其中該潤濕性增強劑包含提供極性物質與非極性物質之間增強之交互作用的一化合物；或<br/> 其中該電穩定劑及該潤濕性增強劑是不可燃的。
如請求項2之方法，其中：<br/> 按該電穩定劑之元素含量重量計，該電穩定劑係以約0.5%至約4.0%的量存在；<br/> 按該潤濕性增強劑之元素含量重量計，該潤濕性增強劑係以約0.15%至約1.5%的量存在；<br/> 該活性碳係由木質素生產，其中該電穩定劑按重量計以約2.75%及約3.25%之間的量存在，且其中該潤濕性增強劑按重量計以約0.50%及1.25%之間的量存在；或<br/> 該活性碳係由椰子殼生產，其中該電穩定劑按重量計以約2.75%及3.25%之間的量存在，且其中該潤濕性增強劑按重量計以約0.25%及1.0%之間的量存在。
一種藉由如請求項2之方法生產的組成物，其中： <br/> 該活性碳係由木質素或高木質素原料生產並且具有至少2500m<sup>2</sup>/g的BET表面積； <br/> 該活性碳具有至少1cc/g的孔體積，其以微孔為主；<br/> 該活性碳由木質素或高木質素原料生產，並且在沒有微粉化下具有小於約15μm之平均粒徑，或在微粉化下小於約7μm；及/或<br/> 該活性碳具有至少約0.25g/cc的總體密度。
一種活性碳，其係藉由如請求項2之方法製成。
一種電極，其包含藉由如請求項2之方法製成的組成物。
一種超級電容器，其包含如請求項14所界定之電極，<br/> 該電極包含含有按重量計濃度在約1%至約3.5%範圍內之電穩定劑的活性碳，及/或其中該電極包含含有按重量計濃度在約0.45%至約1.0%範圍內之潤濕性增強劑的活性碳。
一種電池，其包含如請求項14所界定之電極，<br/> 其中該電池為鋰硫電池，且該電極包含含有按重量計濃度在約0.5%至約3.5%範圍內之電穩定劑的活性碳，及/或其中該電極包含含有按重量計濃度在約0.1%至約0.2%範圍內之潤濕性增強劑的活性碳。
一種建築，其含有一能量儲存系統，該能量儲存系統包含含有如請求項14所界定之電極的超級電容器或電池。
一種模組化建築組件，其含有一能量儲存系統，該能量儲存系統包含含有如請求項14所界定之電極的超級電容器或電池。
一種兒童車的車架的防釋鎖機構，所述車架能夠收合和展開，所述車架的車手上設有釋鎖拉柄和所述防釋鎖機構，所述釋鎖拉柄能夠被驅動而使所述車架收合，所述防釋鎖機構設置成能夠阻擋所述釋鎖拉柄被驅動，其中所述防釋鎖機構包括： <br/>滑套，所述滑套設置於所述車手上；以及 <br/>護蓋，所述護蓋樞接於所述滑套，當所述護蓋樞轉至第一位置時，所述護蓋阻擋所述釋鎖拉柄被驅動，且當所述護蓋樞轉至第二位置時，所述護蓋允許所述釋鎖拉柄被驅動，使得所述車架能夠被收合。
如請求項1所述之兒童車的車架的防釋鎖機構，其中所述護蓋包括： <br/>本體，所述本體形成為蓋住所述釋鎖拉柄； <br/>延伸部，從所述本體延伸出，並與所述滑套樞轉連接。
如請求項2所述之兒童車的車架的防釋鎖機構，其中所述延伸部和所述滑套中的一者上設有樞轉凸起，另一者上設有樞轉孔。
如請求項2所述之兒童車的車架的防釋鎖機構，其中所述本體設有阻擋部，所述阻擋部阻擋所述釋鎖拉柄被驅動。
如請求項2所述之兒童車的車架的防釋鎖機構，其中所述本體上設有突出部，所述突出部設置成便於用戶樞轉所述護蓋。
如請求項1所述之兒童車的車架的防釋鎖機構，其中所述滑套能夠拆卸地設置於所述車手上或能夠沿所述車手滑動。
如請求項1所述之兒童車的車架的防釋鎖機構，其中所述車手包括上車手和下車手，其中，所述上車手能夠滑動或鎖定地設置於所述下車手中，所述釋鎖拉柄設置於所述上車手上，所述滑套設置於所述下車手上。
一種兒童車，包括車架，所述車架能夠收合和展開， 所述車架的車手上設有釋鎖拉柄，通過驅動所述釋鎖拉柄能夠使所述車架收合； <br/>其中，所述車手上設有如請求項1至7中任一項所述的防釋鎖機構。
如請求項8所述之兒童車，其中更進一步包括站立板，所述站立板能夠拆卸地固定在所述車架上。
一種再生聚對苯二甲酸乙二酯（PET）膜，包含： <br/>廢聚對苯二甲酸乙二酯及原生聚對苯二甲酸乙二酯，作為聚對苯二甲酸乙二酯樹脂成分；以及 <br/>補色劑，含有由以下式1表示的甘油系化合物，其中所述補色劑介於5百萬分點至200百萬分點的範圍， <br/>其中，在所述再生聚對苯二甲酸乙二酯膜中，耐變黃性的範圍介於5%至10%，色差L的範圍介於59至70，且色差b為5或小於5，其中所述耐變黃性是根據美國材料試驗協會D1928量測，且所述色差L和所述色差b是根據美國材料試驗協會E313量測， <br/>式1 <br/><img align="absmiddle" height="129px" width="181px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，在式1中，R <sub>1</sub>、R <sub>2</sub>及R <sub>3</sub>各自獨立地為直鏈或支鏈C <sub>1</sub>至C <sub>20</sub>飽和烷基或者直鏈或支鏈C <sub>1</sub>至C <sub>20</sub>不飽和烷基。
如請求項1所述的再生聚對苯二甲酸乙二酯膜，其中所述補色劑包含由以下式2表示的有機化合物、由以下式3表示的有機化合物或其混合物： <br/>式2 <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="105px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，在式2中，R <sub>4</sub>及R <sub>5</sub>各自獨立地為直鏈或支鏈C <sub>1</sub>至C <sub>20</sub>飽和烷基或者直鏈或支鏈C <sub>1</sub>至C <sub>20</sub>不飽和烷基，且 <br/>式3 <br/><img align="absmiddle" height="83px" width="192px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，在式3中，R <sub>6</sub>及R <sub>7</sub>各自獨立地為直鏈或支鏈C <sub>1</sub>至C <sub>20</sub>飽和烷基或者直鏈或支鏈C <sub>1</sub>至C <sub>20</sub>不飽和烷基。
如請求項1所述的再生聚對苯二甲酸乙二酯膜，其中，在式1中，R <sub>1</sub>、R <sub>2</sub>及R <sub>3</sub>各自獨立地為直鏈或支鏈C <sub>1</sub>至C <sub>12</sub>飽和烷基或者直鏈或支鏈C <sub>1</sub>至C <sub>12</sub>不飽和烷基。
如請求項2所述的再生聚對苯二甲酸乙二酯膜，其中，在式2至式3中，R <sub>4</sub>、R <sub>5</sub>、R <sub>6</sub>及R <sub>7</sub>各自獨立地為直鏈或支鏈C <sub>1</sub>至C <sub>12</sub>飽和烷基或者直鏈或支鏈C <sub>1</sub>至C <sub>12</sub>不飽和烷基。
如請求項1所述的再生聚對苯二甲酸乙二酯膜，更包含範圍介於10百萬分點至200百萬分點的金屬離子，其中所述金屬離子源自被製備成包含模製改質劑的原生晶片。
如請求項5所述的再生聚對苯二甲酸乙二酯膜，其中所述再生聚對苯二甲酸乙二酯膜滿足以下表達式1至表達式3： <br/>[表達式1] <br/>10 ≤[Mg] ≤ 100 <br/>[表達式2] <br/>0.1 ≤ [Na] ≤ 10 <br/>[表達式3] <br/>1 ≤ [P] ≤ 50 <br/>（其中，在表達式1至表達式3中， <br/>[Mg]是所述再生聚對苯二甲酸乙二酯膜中所含有的鎂離子的濃度（ppm）， <br/>[Na]是所述再生聚對苯二甲酸乙二酯膜中所含有的鈉離子的濃度（ppm），且 <br/>[P]是所述再生聚對苯二甲酸乙二酯膜中所含有的磷離子的濃度（ppm）。）
如請求項1所述的再生聚對苯二甲酸乙二酯膜，更包含範圍介於300百萬分點至1,000百萬分點的抗結塊劑。
如請求項1所述的再生聚對苯二甲酸乙二酯膜，其中所述再生聚對苯二甲酸乙二酯膜在機器方向（MD）及橫向方向（TD）兩個方向上具有範圍介於10千克力/平方毫米至30千克力/平方毫米的斷裂強度，所述斷裂強度根據美國材料試驗協會D882量測。
如請求項1所述的再生聚對苯二甲酸乙二酯膜，其中所述再生聚對苯二甲酸乙二酯膜在200℃的溫度下在機器方向上具有5%或小於5%的熱收縮率且在橫向方向上具有1%或小於1%的熱收縮率。
如請求項1所述的再生聚對苯二甲酸乙二酯膜，其中所述再生聚對苯二甲酸乙二酯膜包含範圍介於30重量%至95重量%的所述廢聚對苯二甲酸乙二酯及範圍介於5重量%至70重量%的所述原生聚對苯二甲酸乙二酯。
一種製備再生聚對苯二甲酸乙二酯（PET）膜的方法，所述方法由以下步驟組成： <br/>藉由包含廢聚對苯二甲酸乙二酯製備回收晶片； <br/>藉由包含原生聚對苯二甲酸乙二酯製備原生晶片；以及 <br/>藉由包括所述回收晶片、所述原生晶片及由式1表示的甘油系化合物來製備所述再生聚對苯二甲酸乙二酯膜，其中所述甘油系化合物介於5百萬分點至200百萬分點的範圍： <br/>式1 <br/><img align="absmiddle" height="134px" width="176px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，在式1中，R <sub>1</sub>、R <sub>2</sub>及R <sub>3</sub>各自獨立地為直鏈或支鏈C <sub>1</sub>至C <sub>20</sub>飽和烷基或者直鏈或支鏈C <sub>1</sub>至C <sub>20</sub>不飽和烷基。
如請求項11所述的方法，其中，在所述製備所述再生聚對苯二甲酸乙二酯膜中，所述再生聚對苯二甲酸乙二酯膜包含範圍介於30重量%至95重量%的所述回收晶片及範圍介於5重量%至70重量%的所述原生晶片。
如請求項11所述的方法，其中藉由包含範圍介於150百萬分點至14,000百萬分點的模製改質劑來製備所述原生晶片。
如請求項11所述的方法，其中藉由包含範圍介於150百萬分點至20,000百萬分點的抗結塊劑來製備所述原生晶片。
一種優惠券資料處理方法，其係藉由電子裝置而實行者，其包括如下動作： <br/>自與第1賣場對應之用戶終端接收管理上述第1賣場之優惠券之請求； <br/>響應於上述請求，基於上述第1賣場之優惠券發行歷史之第1資料而產生用以管理上述第1賣場之優惠券的第1頁面，其中上述第1頁面顯示用以發行向上述第1賣場推薦之優惠券之第1用戶介面；及 <br/>將產生之上述第1頁面提供至上述用戶終端， <br/>其中產生該第1頁面包含： <br/>基於該第1資料，確定是否存在該第1賣場之激活優惠券或存在預設期間內該第1賣場之優惠券使用歷史； <br/>響應於確定存在該第1賣場之該激活優惠券或該預設期間內該第1賣場之該優惠券使用歷史之至少一者，產生發行該第1賣場之優惠券所實現之成果之第2資料，並在該第1頁面上顯示所產生之該第2資料；及 <br/>響應於確定該第1賣場之該激活優惠券及該預設期間內該第1賣場之該優惠券使用歷史均不存在，產生發行不同於該第1賣場之第2賣場之優惠券所實現之成果之第3資料，並在該第1頁面上顯示所產生之該第3資料，及 <br/>其中上述第1頁面顯示第2用戶介面或第3用戶介面中之至少一者，該第2用戶介面係用以請求該第2資料，該第3用戶介面係用以請求該第3資料。
如請求項1之方法，其中上述第1資料包括上述第1賣場之激活優惠券目錄或預設期間內之優惠券使用歷史中之至少一者。
如請求項1之方法，其中上述第2資料包括對上述第1賣場發行之優惠券之種類、上述優惠券之狀態、使用上述優惠券之訂單之銷售額、上述優惠券之發行費用、使用上述優惠券之訂單之平均訂購金額、或上述第1賣場之瀏覽數量與使用上述優惠券之訂單之比率中的至少一者。
如請求項1之方法，其中產生上述第2資料之動作包括如下動作： <br/>於上述預設期間內識別上述第1賣場之訂單中之使用上述優惠券之訂單；及 <br/>計算與使用上述優惠券之訂單對應之上述優惠券之發行費用、及使用上述優惠券之訂單之銷售額。
如請求項1之方法，其中產生上述第3資料之動作包括如下動作： <br/>於複數個賣場中，識別於預設期間內發行優惠券之一個以上之賣場；及 <br/>計算發行上述一個以上之賣場之優惠券所實現之成果。
如請求項5之方法，其中上述複數個賣場係基於上述第1賣場之地域而識別。
如請求項1之方法，其中產生上述第3資料之動作包括如下動作： <br/>識別上述第1賣場之一個以上之訂單；及 <br/>基於上述一個以上之訂單，確定向上述第1賣場推薦之優惠券之發行對象及使用條件。
如請求項1之方法，其進而包括如下動作： <br/>自上述用戶終端接收與對應於上述第2用戶介面之用戶輸入相關之資訊； <br/>基於上述用戶輸入，以於上述第1頁面中顯示上述第2資料之方式更新上述第1頁面；及 <br/>將更新之上述第1頁面提供至上述用戶終端。
如請求項1之方法，其進而包括如下動作： <br/>自上述用戶終端接收與對應於上述第3用戶介面之用戶輸入相關之資訊； <br/>基於上述用戶輸入，以於上述第1頁面中顯示上述第3資料之方式更新上述第1頁面；及 <br/>將更新之上述第1頁面提供至上述用戶終端。
如請求項1之方法，其進而包括如下動作： <br/>自上述用戶終端接收與對應於上述第1用戶介面之用戶輸入相關之資訊； <br/>基於上述用戶輸入，識別向上述第1賣場推薦之優惠券之發行對象或使用條件中之至少一者； <br/>基於所識別之上述發行對象或使用條件中之至少一者，產生用以發行向上述第1賣場推薦之優惠券之第2頁面；及 <br/>將產生之上述第2頁面提供至上述用戶終端。
如請求項1之方法，其中接收管理上述第1賣場之優惠券之請求之動作包括如下動作： <br/>將用以管理上述第1賣場之銷售之第3頁面提供至上述用戶終端，其中上述第3頁面顯示用以請求管理上述第1賣場之優惠券之第4用戶介面；及 <br/>自上述用戶終端接收與對應於上述第4用戶介面之用戶輸入相關之資訊。
一種電子裝置，其包括： <br/>一個以上之處理器；及 <br/>一個以上之記憶體，其儲存有藉由上述一個以上之處理器而執行之命令； <br/>上述一個以上之處理器係以如下方式構成：於藉由上述一個以上之處理器而執行上述命令時，執行如請求項1至11中任一項之方法。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有命令，該命令係於藉由一個以上之處理器執行時，使上述一個以上之處理器實行動作， <br/>上述命令係以如下方式構成：使上述一個以上之處理器執行如請求項1至11中任一項之方法。
一種製備單取代矽醇錫化合物之方法，其包括： <br/>使單取代錫(IV)化合物與矽醇化物反應物接觸以形成該單取代矽醇錫化合物； <br/>其中該單取代錫(IV)化合物包括下式之化合物：<br/>RSnQ<sub>3</sub>， <br/>其中：<br/>R係烷基、烯基、炔基、環烷基、芳基、矽基、矽基烷基、胺基烷基、烷氧基烷基、芳烷基、鹵代烷基、矽基化烷氧化物、醚、胺、鹵化物、醯亞胺、氰酸酯、腈、烷氧化物、羧酸酯、烯醇化物、酯、環戊二烯基或其任何組合中之至少一者； <br/>Q獨立地係氫、矽基、矽醇化物、矽基化烷氧化物、醚、胺、鹵化物、醯亞胺、氰酸酯、腈、烷氧化物、羧酸酯、烯醇化物、酯、環戊二烯基或其任何組合中之至少一者； <br/>其中該矽醇化物反應物包括下式之化合物： <br/>M(OSiR<sup>2</sup><sub>3</sub>)<sub>n</sub>，<sub> </sub><br/>其中：<br/>M係鹼金屬陽離子、鹼土金屬陽離子、過渡金屬陽離子或後過渡金屬陽離子； <br/>R<sup>2</sup>獨立地係氫、鹵化物、烷基、烯基、炔基、環烷基、芳基、芳烷基、烷芳基或鹵代烷基中之至少一者； <br/>n為1至4； <br/>其中當各R<sup>2</sup>為甲基時，R非為甲基。
如請求項1之方法，其中R係-CH<sub>2</sub>CF<sub>3</sub>、-CH(CF<sub>3</sub>)<sub>2</sub>、-CH<sub>2</sub>F、-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>F、-CF<sub>3</sub>、-CF<sub>2</sub>CF<sub>3</sub>或其任何組合中之至少一者。
如請求項1之方法，其中R係-CH<sub>3</sub>、-CH<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>、-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>、-CH(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>、-CH(CH<sub>3</sub>)CH<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>、-CH<sub>2</sub>CH(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>、-C(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>、-(CH<sub>2</sub>)<sub>3</sub>CH<sub>3</sub>、-C<sub>6</sub>H<sub>5</sub>、-CH<sub>2</sub>(C<sub>6</sub>H<sub>5</sub>)、-CH=CH<sub>2</sub>、-C≡CCH<sub>3</sub>、-CH<sub>2</sub>C≡CH、-CH<sub>2</sub>C≡CCH<sub>3</sub>、-C(CH<sub>3</sub>)=CH<sub>2</sub>、-HC=CHCH<sub>3</sub>、-CH<sub>2</sub>CH=CH<sub>2</sub>、-CH<sub>2</sub>N(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>、-(CH<sub>2</sub>)<sub>3</sub>N(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>、-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>OCH<sub>3</sub>、-CH(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>O、-CH<sub>2</sub>Si(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>、-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>或其任何組合中之至少一者。
如請求項1之方法，其中Q獨立地係-H、-Cl、-Br、-F、-I、-NR<sup>1</sup><sub>2</sub>、-OR<sup>1</sup>、-OSiR<sup>1</sup><sub>3</sub>或其任何組合中之至少一者， <br/>其中： <br/>R<sup>1</sup>獨立地係氫、烷基、烯基、炔基、環烷基、芳基、矽基、矽基烷基、矽醇化物、胺基烷基、烷氧基烷基、芳烷基、鹵代烷基、矽基化烷氧化物、醚、胺、鹵化物、醯亞胺、氰酸酯、腈、烷氧化物、羧酸酯、烯醇化物、酯、環戊二烯基或其任何組合中之至少一者。
如請求項1之方法，其中： <br/>R係異丙基； <br/>Q係氯； <br/>M係Na<sup>+</sup>；且 <br/>R<sup>2</sup>係甲基。
如請求項1之方法，其中： <br/>R係乙烯基； <br/>Q係氯； <br/>M係Na<sup>+</sup>；且 <br/>R<sup>2</sup>係甲基。
如請求項1之方法，其中： <br/>M係Li<sup>+</sup>、Na<sup>+</sup>、K<sup>+</sup>、Rb<sup>+</sup>、Cs<sup>+</sup>、Mg<sup>2+</sup>、Ca<sup>2+</sup>、Sr<sup>2+</sup>、Ba<sup>2+</sup>、Zn<sup>2+</sup>、Sn<sup>2+</sup>或Sn<sup>4+</sup>。
如請求項1之方法，其中： <br/>M係Sn<sup>4+</sup>。
如請求項1之方法，其中R<sup>2</sup>獨立地係氫、C<sub>1</sub>-C<sub>12</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>12</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>12</sub>炔基、苯基、氟、氯、溴、碘或其任何組合中之至少一者。
如請求項1之方法，其中該單取代矽醇錫化合物係下式之化合物： <br/>RSn(OSiR<sup>2</sup><sub>3</sub>)<sub>3</sub>，<sub> </sub><br/>其中： <br/>R係烷基、烯基、炔基、環烷基、芳基、矽基、矽基烷基、胺基烷基、烷氧基烷基、芳烷基、鹵代烷基、矽基化烷氧化物、醚、胺、鹵化物、醯亞胺、氰酸酯、腈、烷氧化物、羧酸酯、烯醇化物、酯、環戊二烯基或其任何組合中之至少一者；且 <br/>R<sup>2</sup>獨立地係氫、鹵化物、烷基、烯基、炔基、環烷基、芳基、芳烷基、烷芳基或鹵代烷基中之至少一者。
如請求項1之方法，其中該單取代矽醇錫化合物係下式之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="167px" width="148px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中： <br/>R係-CH<sub>2</sub>CF<sub>3</sub>、-CH(CF<sub>3</sub>)<sub>2</sub>、-CH<sub>2</sub>F、-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>F、-CF<sub>3</sub>、-CF<sub>2</sub>CF<sub>3</sub>、-CH<sub>2</sub>CN、-CN、-CH<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>、-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>、-CH(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>、-CH(CH<sub>3</sub>)CH<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>、-CH<sub>2</sub>CH(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>、-C(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>、-(CH<sub>2</sub>)<sub>3</sub>CH<sub>3</sub>、-C<sub>6</sub>H<sub>5</sub>、-CH<sub>2</sub>(C<sub>6</sub>H<sub>5</sub>)、-CH=CH<sub>2</sub>、-C≡CCH<sub>3</sub>、-CH<sub>2</sub>C≡CH、-CH<sub>2</sub>C≡CCH<sub>3</sub>、-C(CH<sub>3</sub>)=CH<sub>2</sub>、-HC=CHCH<sub>3</sub>、-CH<sub>2</sub>CH=CH<sub>2</sub>、-CH<sub>2</sub>N(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>、-(CH<sub>2</sub>)<sub>3</sub>N(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>、-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>OCH<sub>3</sub>、-CH(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>O、-CH<sub>2</sub>Si(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>或-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>。
如請求項1之方法，其中該單取代矽醇錫化合物係下式之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="193px" width="154px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之方法，其中該單取代矽醇錫化合物係下式之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="175px" width="140px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種包含單取代矽醇錫化合物之組合物，其中該單取代矽醇錫化合物係下式之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="182px" width="141px" file="ed10026.jpg" alt="ed10026.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項14之組合物，其中該單取代矽醇錫化合物之純度經NMR測定為至少99.9%。
一種包含單取代矽醇錫化合物之組合物之用途，其係用以製造涉及使用極紫外光(EUV)微影術之微電子裝置， <br/>其中該單取代矽醇錫化合物係下式之化合物： <br/>RSn(OSiR<sup>2</sup><sub>3</sub>)<sub>3</sub>，<sub> </sub><br/>其中： <br/>R係烷基、烯基、炔基、環烷基、芳基、矽基、矽基烷基、胺基烷基、烷氧基烷基、芳烷基、鹵代烷基、矽基化烷氧化物、醚、胺、鹵化物、醯亞胺、氰酸酯、腈、烷氧化物、羧酸酯、烯醇化物、酯、環戊二烯基或其任何組合中之至少一者；且 <br/>R<sup>2</sup>獨立地係氫、鹵化物、烷基、烯基、炔基、環烷基、芳基、芳烷基、烷芳基或鹵代烷基中之至少一者； <br/>其中當各R<sup>2</sup>為甲基時，R非為甲基。
如請求項16之用途，其中該單取代矽醇錫化合物係下式之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="173px" width="152px" file="ed10027.jpg" alt="ed10027.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中： <br/>R係-CH<sub>2</sub>CF<sub>3</sub>、-CH(CF<sub>3</sub>)<sub>2</sub>、-CH<sub>2</sub>F、-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>F、-CF<sub>3</sub>、-CF<sub>2</sub>CF<sub>3</sub>、-CH<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>、-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>、-CH(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>、-CH(CH<sub>3</sub>)CH<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>、-CH<sub>2</sub>CH(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>、-C(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>、-(CH<sub>2</sub>)<sub>3</sub>CH<sub>3</sub>、-C<sub>6</sub>H<sub>5</sub>、-CH<sub>2</sub>(C<sub>6</sub>H<sub>5</sub>)、-CH=CH<sub>2</sub>、-C≡CCH<sub>3</sub>、-CH<sub>2</sub>C≡CH、-CH<sub>2</sub>C≡CCH<sub>3</sub>、-C(CH<sub>3</sub>)=CH<sub>2</sub>、-HC=CHCH<sub>3</sub>、-CH<sub>2</sub>CH=CH<sub>2</sub>、-CH<sub>2</sub>N(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>、-(CH<sub>2</sub>)<sub>3</sub>N(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>、-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>OCH<sub>3</sub>、-CH(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>O、-CH<sub>2</sub>Si(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>或-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>。
如請求項16之用途，其中該單取代矽醇錫化合物係下式之矽醇化物化合物： <br/><img align="absmiddle" height="165px" width="129px" file="ed10028.jpg" alt="ed10028.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項18之用途，其中該單取代矽醇錫化合物之純度經NMR測定為至少80%。
如請求項16之用途，其中該單取代矽醇錫化合物之純度經NMR測定為至少99.9%。
一種半導體結構，其包括：一光學晶粒，其具有一頂面及一邊緣；一邊緣耦合器，其經放置於該光學晶粒中且係相鄰於該光學晶粒之該邊緣；及一反射層，其經放置於該光學晶粒中且係相鄰於該光學晶粒之該邊緣，其中該反射層係放置於該邊緣耦合器上方且與該邊緣耦合器分離。
如請求項1之半導體結構，其中自一平面圖看，該反射層之一延伸方向係垂直於該邊緣耦合器之一延伸方向。
如請求項1之半導體結構，其中該邊緣耦合器之一頂面係與該光學晶粒之該頂面間隔一第一距離，且該反射層之一頂面係與該光學晶粒之該頂面間隔一第二距離。
如請求項1之半導體結構，其中該反射層係嵌入該光學晶粒中。
如請求項1之半導體結構，其中該邊緣耦合器之一側表面與該反射層之一側表面係彼此平行。
如請求項1之半導體結構，其中該邊緣耦合器之一側表面與該反射層之一側表面形成一夾角，且該夾角係一鈍角。
如請求項1之半導體結構，其中該反射層之一側表面包含一凹面。
一種半導體結構，其包括：一光學晶粒；複數個邊緣耦合器，其等經放置於該光學晶粒中，其中該等邊緣耦合器在一第一方向上延伸，彼此平行；及一金屬層，其經放置於該光學晶粒中，其中該金屬層在不同於該第一方向之一第二方向上延伸，且該金屬層在不同於該第一方向及該第二方向之一第三方向上係與該等邊緣耦合器分離。
一種用於測量一光學晶粒之方法，其包括：接收包括至少一第一邊緣耦合器之一基板，其中該第一邊緣耦合器係透過一溝槽之一第一側壁暴露；使一第一反射層形成於該溝槽之一第二側壁上方，其中該第二側壁係與該第一側壁對置；將一第一入射光引入至該第一反射層以形成一第一反射光，其中該第一反射光被導引向該第一邊緣耦合器；及自該第一邊緣耦合器接收一第一測量結果。
如請求項9之方法，進一步包括：使一第二反射層形成於該溝槽之該第一側壁上方，其中該基板進一步包括經放置於該第二側壁中之一第二邊緣耦合器，該第二反射層係放置於該第一邊緣耦合器上方且與該第一邊緣耦合器分離，且該第一反射層係放置於該第二邊緣耦合器上方且與該第二邊緣耦合器分離；將一第二入射光引入至該第二反射層以形成一第二反射光，其中該第二反射光被導引向該第二邊緣耦合器；及自該第二耦合器接收一第二測量結果。
一種配線基板之製造方法，其特徵係包含 <br/>於載體上，準備順序備有剝離層及金屬層之層積薄片的工程、 <br/>在使前述層積薄片以平面所視之時，使較前述層積薄片之外緣部更通過內側，且在使前述層積薄片以剖面所視之時，使貫通前述金屬層及前述剝離層，從與前述層積薄片之載體相反側之面，楔入刻紋，令前述刻紋做為邊界，將前述金屬層及前述剝離層，分割成中央部與周緣部的工程、 <br/>和從前述刻紋，在前述金屬層與前述載體之間，形成間隙的工程。
一種配線基板之製造方法，其特徵係包含 <br/>於載體上，準備順序備有剝離層及金屬層之層積薄片的工程、 <br/>在使前述層積薄片以平面所視之時，使較前述層積薄片之外緣部更通過內側，且在使前述層積薄片以剖面所視之時，使貫通前述金屬層及前述剝離層，從與前述層積薄片之載體相反側之面，楔入刻紋，令前述刻紋做為邊界，將前述金屬層及前述剝離層，分割成中央部與周緣部的工程、 <br/>和從前述刻紋，在前述金屬層與前述載體之間，形成間隙的工程； <br/>前述載體係於外周部具有缺口或定向平面(Orientation Flat)之單結晶矽載體，於前述刻紋之形成工程中，令從前述單結晶矽載體之中心，至前述缺口或前述定向平面之中點的半直線做為起點，向右旋(順時針)規定角度θ之時，使外部應力之進展方向成為1°＜θ＜89°之範圍內而楔入刻紋。
如請求項1或2記載之配線基板之製造方法，其中，更包含將形成之前述間隙做為起點，擴大前述間隙的工程。
如請求項3記載之配線基板之製造方法，其中，含擴大前述間隙後，對於前述層積薄片而言，經由向前述載體與前述金屬層遠離之方向施加力，形成之前述間隙做為起點，使前述間隙做為肇因，從前述載體剝離前述金屬層的工程。
如請求項1或2記載之配線基板之製造方法，其中，前述刻紋係使前述層積薄片由剖面所視之時，使不貫通前述載體之至少一部分而形成。
如請求項1或2記載之配線基板之製造方法，其中，前述刻紋之寬度係0.01mm以上20mm以下。
如請求項1或2記載之配線基板之製造方法，其中，前述刻紋係使前述層積薄片由平面所視之時，使前述周緣部包圍前述中央部，以線狀之圖案加以形成。
如請求項4記載之配線基板之製造方法，其中，前述金屬層之剝去係在把持或支持前述載體或前述層積薄片之外緣部之狀態下進行。
如請求項1或2記載之配線基板之製造方法，其中，前述層積薄片係於與前述金屬層之前述剝離層相反側之面，更具備含樹脂層。
如請求項9記載之配線基板之製造方法，其中，前述含樹脂層係包含選自至少1 種配線層、半導體元件及樹脂層所成群。
如請求項9記載之配線基板之製造方法，其中，前述含樹脂層之厚度係1000μm以下。
一種處理配送訂單服務之資料之方法，其係藉由電子裝置而實行者，該方法包括如下步驟： <br/>自第1用戶終端獲得特定賣場之配送訂單資訊； <br/>確定賣場終端中是否已設定準備時間之特定模式； <br/>響應於上述配送訂單資訊之獲得，基於上述配送訂單資訊及是否已設定上述特定模式，確定建議準備時間； <br/>於與上述特定賣場對應之上述賣場終端顯示指示上述確定之建議準備時間之資訊； <br/>自上述賣場終端獲得準備時間輸入資訊，該準備時間輸入資訊包括指示接受上述確定之建議準備時間之資訊或指示輸入與上述確定之建議準備時間不同之準備時間之資訊； <br/>響應於上述準備時間輸入資訊，確定配送訂單之準備時間； <br/>確定準備上述配送訂單實際所需之時間； <br/>基於上述準備時間輸入資訊及準備上述配送訂單實際所需之時間，確定對上述賣場終端是否需要關於不同之準備時間之輸入之第1限制；及 <br/>響應於確定對上述賣場終端需要上述第1限制，對上述賣場終端應用上述第1限制； <br/>其中確定對上述賣場終端是否需要上述第1限制之步驟包括如下步驟： <br/>確定上述準備時間輸入資訊是否包括指示輸入與上述確定之建議準備時間不同之準備時間之資訊； <br/>響應於上述準備時間輸入資訊包括指示輸入與上述確定之建議準備時間不同之準備時間之資訊，對上述不同之準備時間與準備上述配送訂單實際所需之時間進行比較； <br/>基於對上述不同之準備時間與準備上述配送訂單實際所需之時間進行比較所得之結果，確定對上述賣場終端是否需要上述第1限制；及 <br/>其中基於上述不同之準備時間與準備上述配送訂單實際所需之時間之比較，確定對上述賣場終端是否需要上述第1限制之步驟包括如下步驟： <br/>響應於準備上述配送訂單實際所需之時間較上述不同之準備時間短特定比率以上者重複預先設定之特定次數，確定需要上述第1限制； <br/>於設定上述特定模式之情形時，基於上述建議準備時間及準備上述配送訂單實際所需之時間，確定對上述賣場終端是否需要關於設定上述特定模式之第2限制；及 <br/>響應於確定對上述賣場終端需要上述第2限制，對上述賣場終端應用上述第2限制。
如請求項1之方法，其中上述配送訂單資訊包括上述配送訂單所包括之一個以上之物品之資訊； <br/>確定上述建議準備時間之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述一個以上之物品之種類、上述一個以上之物品之種類數、上述一個以上之物品之各種類之訂單數量及接收上述配送訂單之時間中之至少一者，確定上述建議準備時間。
如請求項2之方法，其中確定上述建議準備時間之步驟包括如下步驟：基於預先學習之學習模型，確定上述建議準備時間，其中，上述學習模型基於準備過去配送訂單所包括之一個以上之物品所需之時間之資料而學習，該時間之資料對應上述過去配送訂單所包括之一個以上之物品之種類、上述過去配送訂單所包括之一個以上之物品之種類數、上述過去配送訂單所包括之一個以上之物品之各種類之訂單數量及接收上述過去配送訂單之時間中之至少一者。
如請求項1之方法，其中上述第1限制包括暫時限制輸入不同之準備時間。
如請求項1之方法，其中進而基於是否已設定上述特定模式，確定上述建議準備時間之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述配送訂單資訊，確定第1時間； <br/>於設定上述特定模式之情形時，於上述第1時間追加預先設定之第2時間來確定上述建議準備時間；及 <br/>於未設定上述特定模式之情形時，將上述第1時間確定為上述建議準備時間。
如請求項5之方法，其中於上述賣場終端顯示指示上述確定之建議準備時間之資訊之步驟包括如下步驟： <br/>於設定上述特定模式之情形時，於上述賣場終端顯示引導於上述第1時間追加上述第2時間之資訊。
如請求項5之方法，其進而包括如下步驟： <br/>獲得對於第2用戶終端及上述特定賣場之組合預先計算之配送所需預測時間； <br/>於未設定上述特定模式之情形時，於上述第2用戶終端顯示上述配送所需預測時間；及 <br/>於設定上述特定模式之情形時，於上述第2用戶終端顯示於上述配送所需預測時間追加上述第2時間所得之時間。
如請求項5之方法，其進而包括如下步驟： <br/>於上述賣場終端提供用以設定上述特定模式及輸入上述第2時間之用戶介面。
如請求項1之方法，其進而包括如下步驟： <br/>於設定上述特定模式後，若經過預先設定之第3時間，則解除上述特定模式。
如請求項1之方法，其中上述第2限制包括暫時限制設定上述特定模式或解除上述特定模式。
如請求項1之方法，其中確定對上述賣場終端是否需要上述第2限制之步驟包括如下步驟： <br/>對上述建議準備時間與準備上述配送訂單實際所需之時間進行比較；及 <br/>基於對上述建議準備時間與準備上述配送訂單實際所需之時間進行比較所得之結果，確定對上述賣場終端是否需要上述第2限制。
如請求項1之方法，其進而包括如下步驟： <br/>確定準備上述配送訂單實際所需之時間； <br/>於設定上述特定模式之情形時，基於上述建議準備時間及準備上述配送訂單實際所需之時間，確定是否需要解除上述特定模式；及 <br/>若確定需要解除上述特定模式，則於上述賣場終端顯示提議解除上述特定模式之資訊。
如請求項1之方法，其進而包括如下步驟： <br/>確定準備上述配送訂單實際所需之時間； <br/>於未設定上述特定模式之情形時，基於上述建議準備時間及準備上述配送訂單實際所需之時間，確定是否需要設定上述特定模式；及 <br/>若確定需要設定上述特定模式，則於上述賣場終端顯示提議設定上述特定模式之資訊。
一種電子裝置，其係處理配送訂單服務之資料者，其包括： <br/>通訊介面，其與用戶終端進行通訊； <br/>一個以上之處理器；及 <br/>一個以上之記憶體，其儲存有藉由上述一個以上之處理器而執行之命令；且 <br/>該電子裝置以如下之方式構成：於藉由上述一個以上之處理器而執行上述命令時，上述一個以上之處理器執行如請求項1至請求項13中之任一項之方法。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其係記錄有藉由一個以上之處理器而執行時使得上述一個以上之處理器實行動作之命令者，其中上述命令以如下之方式構成：使上述一個以上之處理器執行如請求項1至請求項13中之任一項之方法。
一種高架搬送車，其具備有： <br/>移行台車，其於軌道上移行； <br/>本體部，其設置為可相對於上述移行台車迴旋； <br/>移載裝置，其設置於上述本體部，且設置為可將物品沿水平方向送出； <br/>障礙物感測器，其於上述本體部中以不與上述移載裝置送出上述物品之方向重合之方式設置，以檢測位於上述移行台車的移行方向前方的障礙物；及 <br/>控制部，其於上述移行台車開始移行時，以上述障礙物感測器的檢測區朝向上述移行台車的移行方向前方之方式使上述本體部迴旋； <br/>上述障礙物感測器被構成為，包含第1感測器及第2感測器，該第1感測器被配置為可檢測位於上述本體部的既定方向之一側的上述障礙物，該第2感測器被配置為可檢測位於上述既定方向之另一側的上述障礙物， <br/>上述控制部根據上述移行台車開始移行時的移行方向，以上述第1感測器及上述第2感測器之一者的檢測區朝向上述移行台車的移行方向前方之方式使上述本體部迴旋，並且使上述第1感測器及上述第2感測器之另一者無法進行上述障礙物的檢測。
如請求項1之高架搬送車，其中， <br/>在延伸於第1方向之複數個第1軌道與延伸於第2方向之複數個第2軌道配置成之格子狀的上述軌道中，上述移行台車藉由於上述第2方向相鄰之一對上述第1軌道上移行而於上述第1方向移動，且藉由於上述第1方向相鄰之一對上述第2軌道上移行而於上述第2方向移動，上述第2方向係與上述第1方向正交。
如請求項1之高架搬送車，其中， <br/>上述控制部根據在下一個移載位置處將使上述物品向與上述移行方向正交之方向的哪一方向移載之資訊，來決定使上述第1感測器及上述第2感測器的哪一個的檢測區朝向上述移行台車的移行方向前方。
一種感測裝置，適於設置於一物體的一側表面上，包括： <br/>一殼體，具有遠離該物體的一第一側與相對鄰近該物體的一第二側； <br/>一第一感應線圈組，設於該第一側上，作為一參考線圈組以形成一參考位準； <br/>一第二感應線圈組，設於該第二側上，作為一感應線圈組以形成一感應電感；以及 <br/>一控制電路板，設有分別電性連接該第一感應線圈組與該第二感應線圈組的一連接線路與一微控制器； <br/>其中，該第一感應線圈組的感應面積較該第二感應線圈組的感應面積為小，以及該微控制器根據該第一感應線圈組與該第二感應線圈組之間的一物理量差值判斷該物體的另一側的一金屬物件的位置變化。
如請求項1所述的感測裝置，其中該第一感應線圈組與該第二感應線圈組皆設於該殼體內側的表面上。
如請求項1所述的感測裝置，其中該第二側為該殼體的一外側表面，該第二感應線圈組設於該外側表面上。
如請求項3所述的感測裝置，其中該殼體的該第二側具有一容納槽，該第二感應線圈組設於該容納槽中。
如請求項4所述的感測裝置，其中設有該第二感應線圈組的該殼體的牆結構形成一開口，使該第二感應線圈組與該第一感應線圈組之間沒有牆結構的阻礙。
如請求項1所述的感測裝置，其中該殼體上設有一定位孔，作為該殼體形成的一腔體的一密封抽氣孔。
如請求項6所述的感測裝置，其中該密封抽氣孔以一防水透氣膜封口。
如請求項6所述的感測裝置，其中該第二感應線圈組對應該定位孔具有一開孔。
如請求項1所述的感測裝置，其中該控制電路板還包括一通訊單元，電性連接該微控制器，用以傳送該微控制器根據該物理量差值產生的一觸發訊號。
如請求項1所述的感測裝置，其中該控制電路板還包括一電源單元，電性連接該微控制器，受控於該微控制器，提供該第一感應線圈組與該第二感應線圈組的電流訊號，使產生感應磁場。
如請求項1所述的感測裝置，其中該第一感應線圈組包括設置於一第一基板兩側的兩個線圈，以及該第二感應線圈組包括設置於一第二基板兩側的兩個線圈。
如請求項1至11中任一項所述的感測裝置，其中該物體為一槍套，用以容置一槍枝，該槍枝具有可被感測的該金屬物件；該感測裝置設置於該槍套上，該感測裝置的位置對應該槍枝套入該槍套時該金屬物件的位置。
如請求項12所述的感測裝置，其中該感測裝置實現一鄰近感測器或一差動電感開關，該第一感應線圈組與該第二感應線圈組分別形成不同的有效感應範圍，分別形成一參考電感與一感應電感；當該金屬物件的位置變化即形成該參考電感與該感應電感的一電感差值的變化。
一種羽球拍的減振握把構造，包括：一主體部、裝配在該主體部的前端的一前套管，以及裝配在該主體部的尾端一後端蓋，該前套管的內部中空並具有一通孔用以供羽球拍的一中管穿過；其特徵在於：<br/>該主體部是一種中空的管狀體，該主體部的橫斷面形狀為八邊形，該主體部的內部中央配置有一內蕊，該內蕊係為軸向貫通的管狀構件，該中管係插入該內蕊並固定在其中，該內蕊的外側具有沿著輻射方向朝外突出的數個肋部，該些肋部的延伸方向的末端連接於該主體部的內側壁面，在該內蕊的中後段的外側表面和該肋部之間形成有一縫隙，在該縫隙配置一制振體，該內蕊的內側壁面具有數個朝向中心方向突起的結合體，該些結合體係沿著平行該內蕊的軸向方向延伸，該些結合體係用以夾住該中管；該制振體係由彈性材料製成，該主體部和該些肋部係以射出成型技術製作。
如請求項1所述羽球拍的減振握把構造，該主體部的橫斷面的形狀為非正八邊形，以該主體部的橫斷面的中心定義為直角座標系統的座標原點O，該主體部的橫斷面位於X軸下方和X軸上方的形狀互相對稱，該主體部的橫斷面位於Y軸右方和Y軸左方的形狀互相對稱，該八邊形從正X軸開始以逆時針方向依序排列包括第1邊至第8邊，第1角至第8角，第1邊S1和第2邊S2連接處為該第1角，其餘的該些角點的位置以此類推，其中該第1邊、該第5邊垂直於該X軸，該第3邊、該第7邊垂直於該Y軸，該第2角點和該座標原點O的連線與正Y軸之間的夾角為32.5°；該些肋部包括：一第1肋部、一第2肋部、一第3肋部和一第4肋部，該第1肋部的末端連接於該第2角點的位置，該第2肋部的末端連接於該第3角點的位置，該第3肋部的末端連接於該第6角點的位置，該第4肋部的末端連接於該第7角點的位置。
如請求項2所述羽球拍的減振握把構造，該主體部的內側壁面在該第2、3、6、7角點的位置形成有一嵌合槽，該第1肋部至該第4肋部的末端恰可分別嵌入該些嵌合槽。
如請求項1所述羽球拍的減振握把構造，該些結合體與該中管接觸的端面係為弧面或圓弧面。
如請求項1所述羽球拍的減振握把構造，該主體部的材質包含：奈米尼龍6(PA6)，和奈米尼龍6(PA6)添加10%玻璃纖維(GF)構成之複合材其中的任一者；該內蕊的材質為碳纖維。
如請求項5所述羽球拍的減振握把構造，該些肋部的材質包含：碳纖維，和奈米尼龍(PA)添加10%玻璃纖維(GF)構成之複合材其中的任一者。
如請求項1所述羽球拍的減振握把構造，該制振體的材質包含：矽膠、熱塑性聚氨酯(TPU)，和熱塑性橡膠(TPR)其中的任一者。
如請求項1所述羽球拍的減振握把構造，該中後段的長度為該內蕊的總長度的1/3。
如請求項1所述羽球拍的減振握把構造，該結合體係在該內蕊的中前段沿著平行該內蕊的軸向方向延伸，該中前段的長度為該內蕊的總長度的1/3。
一種式I化合物或其醫藥學上可接受之鹽， <br/><img align="absmiddle" height="149px" width="214px" file="ed10335.jpg" alt="ed10335.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式I， <br/>其中 <br/>各R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>獨立地為-(CO)C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基或-(CO)OC<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基，或R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>之一者係H且另一者係-(CO)C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基或-(CO)OC<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基，其中該-(C(O)C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基或-(CO)OC<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基視情況經NH<sub>2</sub>基團取代；或 <br/>R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>組合形成-CO-、-CO-CO-或-C(O)-C(R<sup>1A</sup>)(R<sup>1B</sup>)-C(O)-；其中各R<sup>1A</sup>及R<sup>1B</sup>獨立地為H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基； <br/>R<sup>3A</sup>為H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基；其中該C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基視情況經-OH或苯基取代； <br/>R<sup>3B</sup>為H或C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基；且 <br/>R<sup>4</sup>為(i) C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基，(ii) -(CR<sup>8</sup>R<sup>9</sup>CR<sup>10</sup>R<sup>11</sup>O)<sub>m</sub>R<sup>12</sup>，(iii) C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基，或 (iv) 具有1至3個獨立地選自N、O及S之雜原子的4員至6員雜環基；其中該C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基或4員至6員雜環基視情況經一個或兩個R<sup>4A</sup>基團取代；其中 <br/>各R<sup>4A</sup>獨立地為C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>鹵烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基、C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基或具有1至3個獨立地選自N、O及S之雜原子的4員至6員雜環基；其中該C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基、C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基或4員至6員雜環基視情況經一個或兩個獨立地選自由以下組成之群的取代基取代：C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、鹵基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基及C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基； <br/>鹼基為<img align="absmiddle" height="106px" width="311px" file="ed10336.jpg" alt="ed10336.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；其中 <br/>R<sup>6</sup>為-N(H)R<sup>6A</sup>；且 <br/>各R<sup>6A</sup>、R<sup>7A</sup>及R<sup>7B</sup>獨立地為H或-CH<sub>2</sub>OP(O)(OH)<sub>2</sub>； <br/>Ar為C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基或含有一個、兩個或三個選自由O、N及S組成之群的雜原子的5員至10員雜芳基； <br/>n為0、1、2或3； <br/>各R<sup>5</sup>獨立地為鹵基、氰基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷氧基、-COOR<sup>5A</sup>、-SO<sub>2</sub>R<sup>5A</sup>、含有一個、兩個或三個選自N、O及S之雜原子的4員至6員雜環烷基，或含有一個、兩個或三個選自N、O及S之雜原子的5員至6員雜芳基；其中該C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、4員至6員雜環烷基及5員至6員雜芳基視情況經一個或兩個R<sup>5B</sup>基團取代；或 <br/>相鄰碳原子上之兩個R<sup>5</sup>基團連接形成C<sub>5</sub>-C<sub>6</sub>環烷基； <br/>各R<sup>5A</sup>獨立地為C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基； <br/>各R<sup>5B</sup>獨立地為-OH、-OR<sup>5C</sup>、-COOR<sup>5C</sup>及-NHCOOR<sup>5D</sup>；其中R<sup>5C</sup>為C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基，且R<sup>5D</sup>為視情況經苯基取代之C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基； <br/>各R<sup>8</sup>、R<sup>9</sup>、R<sup>10</sup>、R<sup>11</sup>及R<sup>12</sup>獨立地為H或C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基；且 <br/>m為1、2、3、4或5。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物具有式Ia： <br/><img align="absmiddle" height="148px" width="200px" file="ed10337.jpg" alt="ed10337.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式Ia。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物具有式Ib： <br/><img align="absmiddle" height="142px" width="207px" file="ed10338.jpg" alt="ed10338.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式Ib。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中鹼基為<img align="absmiddle" height="112px" width="391px" file="ed10339.jpg" alt="ed10339.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該鹼基為<img align="absmiddle" height="81px" width="156px" file="ed10340.jpg" alt="ed10340.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中n為0、1或2。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中<img align="absmiddle" height="42px" width="43px" file="ed10341.jpg" alt="ed10341.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為含有一個、兩個或三個選自由O、N及S組成之群的雜原子的5員至10員雜芳基。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中<img align="absmiddle" height="42px" width="44px" file="ed10342.jpg" alt="ed10342.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基；n為0、1或2；且各R<sup>5</sup>獨立地為鹵基、氰基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基或-SO<sub>2</sub>R<sup>5A</sup>；或相鄰碳原子上之兩個R<sup>5</sup>基團連接形成C<sub>5</sub>-C<sub>6</sub>環烷基。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中<img align="absmiddle" height="42px" width="44px" file="ed10343.jpg" alt="ed10343.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>係選自由以下組成之群：<img align="absmiddle" height="63px" width="157px" file="ed10344.jpg" alt="ed10344.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="191px" width="503px" file="ed10345.jpg" alt="ed10345.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="133px" width="545px" file="ed10346.jpg" alt="ed10346.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="46px" width="73px" file="ed10347.jpg" alt="ed10347.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中<img align="absmiddle" height="44px" width="43px" file="ed10348.jpg" alt="ed10348.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為苯基或萘基；n為0、1或2；且各R<sup>5</sup>獨立地為C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基或C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基；或相鄰碳原子上之兩個R<sup>5</sup>基團連接形成C<sub>5</sub>-C<sub>6</sub>環烷基。
如請求項8之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物具有式II： <br/><img align="absmiddle" height="143px" width="232px" file="ed10349.jpg" alt="ed10349.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。 <br/>式II
如請求項11之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物具有式IIa： <br/><img align="absmiddle" height="142px" width="230px" file="ed10350.jpg" alt="ed10350.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。 <br/>式IIa
如請求項11之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物具有式IIb： <br/><img align="absmiddle" height="141px" width="229px" file="ed10351.jpg" alt="ed10351.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。 <br/>式IIb
如請求項11之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>3A</sup>為視情況經-OH或苯基取代之C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基。
如請求項11之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>3A</sup>為甲基。
如請求項11之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>3B</sup>為H。
如請求項11之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物具有式III： <br/><img align="absmiddle" height="142px" width="218px" file="ed10352.jpg" alt="ed10352.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。 <br/>式III
如請求項17之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物具有式IIIa： <br/><img align="absmiddle" height="144px" width="222px" file="ed10353.jpg" alt="ed10353.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式IIIa。
如請求項17之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物具有式IIIb： <br/><img align="absmiddle" height="145px" width="221px" file="ed10354.jpg" alt="ed10354.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式IIIb。
如請求項17之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物具有式IIIc： <br/><img align="absmiddle" height="143px" width="222px" file="ed10355.jpg" alt="ed10355.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式IIIc。
如請求項1至20中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中 <br/>各R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>獨立地為-(CO)C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基或-(CO)OC<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基；或 <br/>R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>中之一者為H，且另一者為-(CO)C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基或-(CO)OC<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基。
如請求項1至20中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>獨立地選自由以下組成之群：-COCH(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>、-COCH<sub>3</sub>、-COCH<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>、-COCH<sub>2</sub>CH(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>或-COCH(NH<sub>2</sub>)CH(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>。
如請求項1至20中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>中之一者為H，且另一者為-(CO)C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基或-(CO)OC<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基。
如請求項1至20中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中各R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>獨立地為-(CO)C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基或-(CO)OC<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基。
如請求項1至20中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中各R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>獨立地為-(CO)C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基。
如請求項1至20中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>1</sup>為-(CO)C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基。
如請求項1至20中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>2</sup>為-(CO)C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基。
如請求項1至20中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>各自為-(CO)CH<sub>3</sub>，或R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>各自為-(CO)CH<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>，或R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>各自為-(CO)CH(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>。
如請求項1至20中任一項之化合物，其中R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>組合形成-C(O)-、-C(O)-C(O)-或-C(O)-C(R<sup>1A</sup>)(R<sup>1B</sup>)-C(O)-，其中各R<sup>1A</sup>及R<sup>1B</sup>獨立地為H或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基。
如請求項1至20中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>4</sup>為視情況經一個或兩個R<sup>4A</sup>取代之C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基。
如請求項1至20中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>4A</sup>為C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基或具有一個O之4員至6員雜環基。
如請求項1至20中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>4A</sup>為環丁基、環己基、環辛基、氧雜環丁烷基或四氫哌喃基。
如請求項1至20中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>4</sup>係選自由己基、甲基及乙基組成之群。
如請求項1至20中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>4</sup>為具有1至3個獨立地選自N、O及S之雜原子的4員至6員雜環基。
如請求項1至20中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>4</sup>為-(CR<sup>8</sup>R<sup>9</sup>CR<sup>10</sup>R<sup>11</sup>O)<sub>m</sub>R<sup>12</sup>；其中各R<sup>8</sup>、R<sup>9</sup>、R<sup>10</sup>、R<sup>11</sup>及R<sup>12</sup>獨立地為H或C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基，且m為1、2、3、4或5。
如請求項1至20中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>4</sup>係選自由以下組成之群： <br/>(i) 甲基， <br/>(ii) 乙基， <br/>(iii) 正丙基， <br/>(iv) 異丙基， <br/>(v) <img align="absmiddle" height="35px" width="56px" file="ed10356.jpg" alt="ed10356.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>(vi) <img align="absmiddle" height="33px" width="57px" file="ed10357.jpg" alt="ed10357.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>(vii) <img align="absmiddle" height="19px" width="104px" file="ed10358.jpg" alt="ed10358.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>(viii) <img align="absmiddle" height="42px" width="71px" file="ed10359.jpg" alt="ed10359.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>(ix) <img align="absmiddle" height="41px" width="41px" file="ed10360.jpg" alt="ed10360.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>(x) <img align="absmiddle" height="37px" width="55px" file="ed10361.jpg" alt="ed10361.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>(xi) <img align="absmiddle" height="49px" width="59px" file="ed10362.jpg" alt="ed10362.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>(xii) 環丁基， <br/>(xiii) 環己基， <br/>(xiv) 環辛基， <br/>(xv) <img align="absmiddle" height="29px" width="52px" file="ed10363.jpg" alt="ed10363.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>(xvi) <img align="absmiddle" height="32px" width="62px" file="ed10364.jpg" alt="ed10364.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>(xvii) <img align="absmiddle" height="43px" width="74px" file="ed10365.jpg" alt="ed10365.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>(xviii) <img align="absmiddle" height="31px" width="66px" file="ed10366.jpg" alt="ed10366.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>(xix) <img align="absmiddle" height="45px" width="75px" file="ed10367.jpg" alt="ed10367.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>(xx) <img align="absmiddle" height="19px" width="71px" file="ed10368.jpg" alt="ed10368.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>(xxi) <img align="absmiddle" height="22px" width="135px" file="ed10369.jpg" alt="ed10369.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>(xxii) <img align="absmiddle" height="55px" width="58px" file="ed10370.jpg" alt="ed10370.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>(xxiii) <img align="absmiddle" height="39px" width="59px" file="ed10371.jpg" alt="ed10371.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>(xxiv) <img align="absmiddle" height="36px" width="39px" file="ed10372.jpg" alt="ed10372.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>(xxv) <img align="absmiddle" height="31px" width="70px" file="ed10373.jpg" alt="ed10373.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>(xxvi) <img align="absmiddle" height="35px" width="70px" file="ed10374.jpg" alt="ed10374.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>(xxvii) <img align="absmiddle" height="33px" width="84px" file="ed10375.jpg" alt="ed10375.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>(xxviii) <img align="absmiddle" height="37px" width="84px" file="ed10376.jpg" alt="ed10376.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>(xxix) <img align="absmiddle" height="36px" width="68px" file="ed10377.jpg" alt="ed10377.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>(xxx) <img align="absmiddle" height="38px" width="68px" file="ed10378.jpg" alt="ed10378.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>(xxxi) <img align="absmiddle" height="42px" width="74px" file="ed10379.jpg" alt="ed10379.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>(xxxii) <img align="absmiddle" height="69px" width="90px" file="ed10380.jpg" alt="ed10380.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>(xxxiii) <img align="absmiddle" height="40px" width="62px" file="ed10381.jpg" alt="ed10381.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，及 <br/>(xxxiv) <img align="absmiddle" height="40px" width="75px" file="ed10382.jpg" alt="ed10382.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1至20中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中各R<sup>5</sup>獨立地為C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基或C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基。
如請求項1至20中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>5</sup>為<i>t</i>-Bu、異丙基、甲基或環丙基。
如請求項11至13中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中： <br/>各R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>獨立地為-(CO)C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基； <br/>R<sup>3A</sup>為H或甲基； <br/>R<sup>3B</sup>為H或甲基； <br/>R<sup>4</sup>為C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基； <br/>Ar為C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基； <br/>n為0或1；且 <br/>R<sup>5</sup>為C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其係選自由以下組成之群： <br/><img align="absmiddle" height="703px" width="536px" file="ed10383.jpg" alt="ed10383.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="771px" width="536px" file="ed10384.jpg" alt="ed10384.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="419px" width="600px" file="ed10385.jpg" alt="ed10385.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="158px" width="273px" file="ed10386.jpg" alt="ed10386.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>或其醫藥學上可接受之鹽。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其係選自由以下組成之群： <br/><img align="absmiddle" height="81px" width="127px" file="ed10387.jpg" alt="ed10387.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="81px" width="127px" file="ed10388.jpg" alt="ed10388.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="81px" width="130px" file="ed10389.jpg" alt="ed10389.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="82px" width="130px" file="ed10390.jpg" alt="ed10390.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="81px" width="130px" file="ed10391.jpg" alt="ed10391.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="82px" width="130px" file="ed10392.jpg" alt="ed10392.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="91px" width="132px" file="ed10393.jpg" alt="ed10393.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="77px" width="122px" file="ed10394.jpg" alt="ed10394.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="79px" width="122px" file="ed10395.jpg" alt="ed10395.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="76px" width="140px" file="ed10396.jpg" alt="ed10396.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="84px" width="140px" file="ed10397.jpg" alt="ed10397.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="84px" width="127px" file="ed10398.jpg" alt="ed10398.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="84px" width="127px" file="ed10399.jpg" alt="ed10399.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="84px" width="127px" file="ed10400.jpg" alt="ed10400.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="81px" width="127px" file="ed10401.jpg" alt="ed10401.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="84px" width="127px" file="ed10402.jpg" alt="ed10402.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="84px" width="127px" file="ed10403.jpg" alt="ed10403.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="85px" width="137px" file="ed10404.jpg" alt="ed10404.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="94px" width="132px" file="ed10405.jpg" alt="ed10405.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="52px" width="92px" file="ed10406.jpg" alt="ed10406.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="54px" width="95px" file="ed10407.jpg" alt="ed10407.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="54px" width="84px" file="ed10408.jpg" alt="ed10408.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="81px" width="142px" file="ed10409.jpg" alt="ed10409.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="55px" width="86px" file="ed10410.jpg" alt="ed10410.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="82px" width="143px" file="ed10411.jpg" alt="ed10411.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="55px" width="95px" file="ed10412.jpg" alt="ed10412.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="77px" width="95px" file="ed10413.jpg" alt="ed10413.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="55px" width="101px" file="ed10414.jpg" alt="ed10414.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="55px" width="101px" file="ed10415.jpg" alt="ed10415.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="57px" width="95px" file="ed10416.jpg" alt="ed10416.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="50px" width="94px" file="ed10417.jpg" alt="ed10417.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="56px" width="94px" file="ed10418.jpg" alt="ed10418.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="57px" width="97px" file="ed10419.jpg" alt="ed10419.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="57px" width="97px" file="ed10420.jpg" alt="ed10420.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="49px" width="97px" file="ed10421.jpg" alt="ed10421.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="55px" width="102px" file="ed10422.jpg" alt="ed10422.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="55px" width="97px" file="ed10423.jpg" alt="ed10423.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="55px" width="97px" file="ed10424.jpg" alt="ed10424.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="94px" file="ed10425.jpg" alt="ed10425.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="57px" width="93px" file="ed10427.jpg" alt="ed10427.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="55px" width="95px" file="ed10429.jpg" alt="ed10429.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="88px" width="129px" file="ed10431.jpg" alt="ed10431.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="79px" width="129px" file="ed10433.jpg" alt="ed10433.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="79px" width="129px" file="ed10435.jpg" alt="ed10435.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="88px" width="154px" file="ed10437.jpg" alt="ed10437.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="88px" width="154px" file="ed10439.jpg" alt="ed10439.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="88px" width="154px" file="ed10441.jpg" alt="ed10441.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="88px" width="145px" file="ed10443.jpg" alt="ed10443.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="88px" width="145px" file="ed10445.jpg" alt="ed10445.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="88px" width="145px" file="ed10447.jpg" alt="ed10447.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="83px" width="160px" file="ed10449.jpg" alt="ed10449.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="76px" width="160px" file="ed10451.jpg" alt="ed10451.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="84px" width="130px" file="ed10453.jpg" alt="ed10453.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="84px" width="123px" file="ed10455.jpg" alt="ed10455.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="92px" width="130px" file="ed10456.jpg" alt="ed10456.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="87px" width="130px" file="ed10457.jpg" alt="ed10457.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="84px" width="116px" file="ed10458.jpg" alt="ed10458.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="84px" width="139px" file="ed10459.jpg" alt="ed10459.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="85px" width="171px" file="ed10460.jpg" alt="ed10460.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="84px" width="132px" file="ed10461.jpg" alt="ed10461.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="84px" width="133px" file="ed10462.jpg" alt="ed10462.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="84px" width="123px" file="ed10463.jpg" alt="ed10463.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="93px" width="150px" file="ed10464.jpg" alt="ed10464.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="92px" width="130px" file="ed10465.jpg" alt="ed10465.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="150px" file="ed10466.jpg" alt="ed10466.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="84px" width="136px" file="ed10467.jpg" alt="ed10467.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="92px" width="146px" file="ed10468.jpg" alt="ed10468.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="88px" width="132px" file="ed10469.jpg" alt="ed10469.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="85px" width="132px" file="ed10470.jpg" alt="ed10470.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="136px" file="ed10471.jpg" alt="ed10471.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="131px" file="ed10472.jpg" alt="ed10472.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="86px" width="131px" file="ed10473.jpg" alt="ed10473.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="80px" width="132px" file="ed10474.jpg" alt="ed10474.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="84px" width="132px" file="ed10475.jpg" alt="ed10475.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="92px" width="132px" file="ed10476.jpg" alt="ed10476.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="83px" width="139px" file="ed10477.jpg" alt="ed10477.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="88px" width="139px" file="ed10478.jpg" alt="ed10478.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="76px" width="133px" file="ed10479.jpg" alt="ed10479.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="88px" width="139px" file="ed10480.jpg" alt="ed10480.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="83px" width="139px" file="ed10481.jpg" alt="ed10481.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="80px" width="136px" file="ed10482.jpg" alt="ed10482.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="84px" width="136px" file="ed10483.jpg" alt="ed10483.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="80px" width="136px" file="ed10484.jpg" alt="ed10484.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="84px" width="136px" file="ed10485.jpg" alt="ed10485.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="99px" width="136px" file="ed10486.jpg" alt="ed10486.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="99px" width="136px" file="ed10487.jpg" alt="ed10487.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="81px" width="121px" file="ed10488.jpg" alt="ed10488.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="92px" width="121px" file="ed10489.jpg" alt="ed10489.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="81px" width="145px" file="ed10490.jpg" alt="ed10490.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="84px" width="145px" file="ed10491.jpg" alt="ed10491.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="81px" width="136px" file="ed10492.jpg" alt="ed10492.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="84px" width="136px" file="ed10493.jpg" alt="ed10493.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="81px" width="136px" file="ed10494.jpg" alt="ed10494.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="84px" width="136px" file="ed10495.jpg" alt="ed10495.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="80px" width="131px" file="ed10496.jpg" alt="ed10496.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="84px" width="131px" file="ed10497.jpg" alt="ed10497.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="95px" width="130px" file="ed10498.jpg" alt="ed10498.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="87px" width="130px" file="ed10499.jpg" alt="ed10499.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="81px" width="136px" file="ed10500.jpg" alt="ed10500.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="84px" width="136px" file="ed10501.jpg" alt="ed10501.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="84px" width="136px" file="ed10502.jpg" alt="ed10502.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、及<img align="absmiddle" height="86px" width="188px" file="ed10503.jpg" alt="ed10503.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>或其醫藥學上可接受之鹽。
一種醫藥調配物，其包含醫藥學上有效量的如請求項1至41中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽及醫藥學上可接受之載劑或賦形劑。
如請求項42之醫藥調配物，其中該醫藥調配物係皮下投與、靜脈內投與、經口投與或藉由吸入投與。
一種如請求項1至41中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽的用途，其係用於製造供治療或預防有需要之人類之病毒感染所用之藥劑。
如請求項44之用途，其中該藥劑進一步包含至少一種額外治療劑或係與至少一種額外治療劑併用。
如請求項44之用途，其中該病毒感染為冠狀病毒感染。
如請求項44之用途，其中該病毒感染為SARS-CoV-2感染。
如請求項44之用途，其中該病毒感染為SARS病毒感染或MERS病毒感染。
如請求項44之用途，其中該病毒感染為肺病毒科病毒感染。
如請求項49之用途，其中該肺病毒科病毒感染為呼吸道融合性病毒感染或人類間質肺炎病毒感染。
如請求項44之用途，其中該病毒感染為小核糖核酸病毒科病毒感染。
如請求項51之用途，其中該小核糖核酸病毒科病毒感染為人類鼻病毒感染。
如請求項44之用途，其中該病毒感染為黃病毒科病毒感染。
如請求項43之用途，其中該黃病毒科病毒感染為登革熱病毒感染(dengue virus infection)、黃熱病病毒感染、西尼羅病毒感染(West Nile virus infection)、蜱傳腦炎(tick borne encephalitis)、昆津日本腦炎(Kunjin Japanese encephalitis)、聖路易腦炎(St. Louis encephalitis)、莫雷谷腦炎(Murray valley encephalitis)、鄂木斯克出血熱(Omsk hemorrhagic fever)、牛病毒性腹瀉、茲卡病毒感染(zika virus infection)或HCV感染。
如請求項44之用途，其中該病毒感染為絲狀病毒科病毒感染。
如請求項55之用途，其中該絲狀病毒科病毒感染為伊波拉病毒感染(ebola virus infection)或馬堡病毒感染(Marburg virus infection)。
如請求項44之用途，其中該病毒感染為正黏液病毒感染。
如請求項44之用途，其中該病毒感染為流感病毒感染。
如請求項44之用途，其中該病毒感染為副黏液病毒科病毒感染。
如請求項59之用途，其中該病毒感染為人類副流感病毒、立百病毒(nipah virus)、亨德拉病毒(Hendra virus)、麻疹或流行性腮腺炎感染。
一種三維(3D)系統，其包含： <br/>一中層中介層； <br/>一第一封裝級，其在該中層中介層下方，該第一封裝級包括使用介電質-介電質接合接合至該中層中介層的一組件； <br/>一第二封裝級，其在該中層中介層上方，該第二封裝級包括使用金屬-金屬接合接合至該中層中介層的一第一晶粒；及 <br/>一第一複數個貫通孔，每一個貫通孔完全延伸通過該組件的並且至少部分地延伸通過該中層中介層。
如請求項1之3D系統，其中該第一晶粒係一邏輯晶粒。
如請求項1之3D系統，其中該組件係嵌入在一封裝層中。
如請求項3之3D系統，其進一步包含側向地相鄰於該組件且延伸通過該封裝層的第二複數個貫通孔。
如請求項4之3D系統，其中該第一晶粒使用介電質-介電質接合及該等金屬-金屬接合而混合接合至該中層中介層。
如請求項4之3D系統，其中該第一晶粒比該組件更厚。
如請求項1之3D系統，其中該組件包括一組件矽主體層及一組件後段製程(back-end-of-the-line, BEOL)層疊，且該矽主體層的一背側使用該等介電質-介電質接合接合至該中層中介層。
如請求項4之3D系統，其進一步包含延伸通過該中層中介層的一組貫通孔。
如請求項8之3D系統，其中該中層中介層包括一中介層矽主體層及一中介層後段製程(BEOL)層疊。
如請求項9之3D系統，其中該中層中介層包括一電容器陣列、一磁鐵元件陣列、或二者。
如請求項9之3D系統，其中該中層中介層包括主動裝置。
如請求項1之3D系統，其進一步包含使用介電質-介電質接合及金屬-金屬接合接合至該中層中介層的一第二晶粒。
如請求項12之3D系統，其中該組件包括在該第一晶粒與該第二晶粒之間的一晶粒至晶粒布線路徑的一部分。
如請求項13之3D系統，其中該晶粒至晶粒布線路徑穿過延伸通過該中層中介層的一組貫通孔的一部分。
如請求項14之3D系統，其中該第一晶粒係一中央處理器單元(central processor unit, CPU)，且該第二晶粒係一圖形處理器單元(graphics processor unit, GPU)。
如請求項1之3D系統，其中該第二封裝級包括使用金屬-金屬接合接合至該中層中介層的一堆疊晶粒組件。
如請求項1之3D系統，其中該中層中介層包括具有完全延伸通過該中層中介層且與該第一晶粒的接觸墊形成金屬-金屬接合的穿介電質通孔(through dielectric via)的一介電質層。
如請求項1之3D系統，其中該中層中介層包括複數個裝置庫，其中該複數個裝置庫包括一經遮罩庫，該經遮罩庫具有未連接至該經遮罩庫中之裝置的一虛置著陸墊。
一種3D系統，其包含： <br/>一中層中介層； <br/>一第一封裝級，其在該中層中介層的一第一側上，該第一封裝級包括使用介電質-介電質接合接合至該中層中介層的一組件； <br/>一第二封裝級，其在該中層中介層的一第二側上，該第二封裝級包括使用介電質-介電質接合接合至該中層中介層的一第一晶粒；及 <br/>複數個貫通孔(through via, TV)，每一個貫通孔完全延伸通過該組件且至少部分地通過該中層中介層。
如請求項19之3D系統，其中該複數個貫通孔完全延伸通過該中層中介層至該第一晶粒的著陸墊。
如請求項20之3D系統，其中該中層中介層包括一中間介電質層。
一種三維(3D)系統，其包含： <br/>一中層中介層； <br/>一第一封裝級，其在該中層中介層下方，該第一封裝級包括與該中層中介層導向接合的一第一第一級晶粒；及 <br/>一第二封裝級，其在該中層中介層上方，該第二封裝級包括與該中層中介層直接接合的一第一第二級晶粒及與該中層中介層直接接合的一第二第二級晶粒； <br/>其中該中層中介層包括與該第一第二級晶粒電連接的一電至光(electrical-to-optical, EO)轉換器、與該第二第二級晶粒電連接的一光至電(optical-to-electrical, OE)轉換器、及連接該EO轉換器及該OE轉換器的一光學互連。
如請求項22之3D系統，其中該第一第二級晶粒及該第二第二級晶粒二者皆與該中層中介層混合接合。
如請求項22之3D系統，其中該光學互連包含一波導或光子線。
如請求項22之3D系統，其中該EO轉換器連接至一第一電磁場通訊結構，且該第一第二級晶粒包括一第二電磁場通訊結構。
如請求項25之3D系統，其中該第一電磁場通訊結構與該第二電磁場通訊結構垂直對準。
如請求項26之3D系統，其中該第一電磁場通訊結構及該第二電磁場通訊結構係線圈或電容器。
如請求項22之3D系統，其中該中層中介層包括選自由電容器、磁性元件、及主動裝置所組成之群組的複數個裝置。
一種三維(3D)系統，其包含： <br/>一中層中介層； <br/>一第一封裝級，其在該中層中介層下方，該第一封裝級包括與該中層中介層導向接合的一第一第一級晶粒；及 <br/>一第二封裝級，其在該中層中介層上方，該第二封裝級包括與該中層中介層直接接合的一第一第二級晶粒及與該中層中介層直接接合的一第二第二級晶粒； <br/>其中該第一第二級晶粒包括一電至光(EO)轉換器，且該第二第二級晶粒包括一光至電(OE)轉換器；及 <br/>其中該中層中介層包括與該EO轉換器及該OE轉換器光學地連接的一光學互連。
如請求項29之3D系統，其中該光學互連選自由一波導及一光子線所組成的群組。
如請求項30之3D系統，其進一步包含將該EO轉換器光學地連接至該光學互連的一第一光學通孔、及將該光學互連光學地連接至該OE轉換器的一第二光學通孔。
如請求項31之3D系統，其中該第一第二級晶粒包括複數個子小晶片(sub-chiplet)，且該第一光學通孔延伸通過該複數個子小晶片的一或多者。
如請求項29之3D系統，其中該中層中介層包括選自由電容器、磁性元件、及主動裝置所組成之群組的複數個裝置。
一種3D系統，其包含： <br/>一中層中介層； <br/>一第一封裝級，其包括與該中層中介層導向接合的一第一級晶粒； <br/>一第二封裝級，其包括與該中層中介層導向接合的一第二級晶粒； <br/>其中該第一級晶粒或中間中介層包括一光至電(OE)轉換器，且該第二級晶粒包括一電至光(EO)轉換器；及 <br/>一光學通孔，其光學地連接該EO轉換器與該OE轉換器。
如請求項34之3D系統，其中： <br/>該第一級晶粒包括該OE轉換器；及 <br/>該光學通孔在該第一級晶粒與該第二級晶粒之間垂直地延伸通過該中層中介層。
如請求項34之3D系統，其中該第二級晶粒包括複數個子小晶片，且該光學通孔延伸通過該複數個子小晶片的一或多者。
如請求項36之3D系統，其中該中層中介層包括該OE轉換器。
如請求項34之3D系統，其中該中層中介層包括選自由電容器、磁性元件、及主動裝置所組成之群組的複數個裝置。
一種半導體器件的製造方法，包括如下步驟：<br/> 在基板上形成薄膜結構體；<br/> 形成貫通上述薄膜結構體的貫通孔；<br/> 形成覆蓋上述貫通孔的至少一部分的溝道層；<br/> 對上述溝道層執行高壓表面處理工序； <br/> 對上述溝道層執行絕緣層形成工序；以及<br/> 當執行上述高壓表面處理工序時，處理裝置的內部氣壓維持在2個大氣壓至100個大氣壓。
如請求項1所述的半導體器件的製造方法，其中，執行上述高壓表面處理工序的步驟包括執行高壓氮化（HPN，High Pressure Nitridation）工序的步驟或執行高壓氟化（HPF，High Pressure Fluorination）工序的步驟。
如請求項1所述的半導體器件的製造方法，其中，在惰性氣氛下，上述高壓表面處理工序在注入有含氮反應性氣體或含氟反應性氣體的處理裝置內執行。
如請求項3所述的半導體器件的製造方法，其中，當執行上述高壓表面處理工序時，上述反應性氣體在上述處理裝置內的濃度為1%以上。
如請求項1所述的半導體器件的製造方法，其中，當執行上述高壓表面處理工序時，處理裝置的內部溫度維持在200℃至1000℃。
如請求項1所述的半導體器件的製造方法，其中，<br/> 在上述溝道層的內部形成溝槽圖案，<br/> 通過對上述溝道層執行上述絕緣層形成工序來在上述溝槽圖案的內部形成第二絕緣層。
如請求項1所述的半導體器件的製造方法，其中，還包括在上述貫通孔與上述溝道層之間形成半導體圖案的步驟。
如請求項7所述的半導體器件的製造方法，其中，上述半導體圖案包括：<br/> 阻擋層，覆蓋上述貫通孔的至少一部分；<br/> 電荷儲存層，形成在上述阻擋層上；以及<br/> 第一絕緣層，形成在上述電荷儲存層上。
一種式(I)之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體， <br/><img align="absmiddle" height="207px" width="337px" file="ed10210.jpg" alt="ed10210.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(I)； <br/>其中： <br/>R<sup>1</sup>為H或視情況經一個、兩個或三個R<sup>1a</sup>取代之-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基； <br/>各R<sup>1a</sup> 獨立地為鹵素、-CN、-OR<sup>a</sup>、-SR<sup>a</sup>、-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NO<sub>2</sub>、-C(=O)R<sup>b</sup>、-NR<sup>a</sup>C(=O)R<sup>b</sup>、-C(=O)OR<sup>a</sup>、-C(=O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>a</sup>C(=O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-S(=O)<sub>2</sub>R<sup>b</sup>、-S(=O)R<sup>b</sup>、-S(=O)<sub>2</sub>NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-S(=O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>a</sup>S(=O)<sub>2</sub>R<sup>b</sup>、-NR<sup>a</sup>S(=O)<sub>2</sub>NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>a</sup>OR<sup>a</sup>、-NR<sup>a</sup>C(=O)NR<sup>a</sup>OR<sup>a</sup>、-O(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)伸烷基-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>a</sup>C(=NR<sup>c</sup>)R<sup>a</sup>、-C(=NR<sup>a</sup>)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>a</sup>C(=NR<sup>a</sup>)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、環烷基、雜環烷基、芳基或雜芳基； 或同一碳上的兩個R<sup>1a</sup>結合在一起形成側氧基； <br/>R<sup>2</sup>為H、-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>或視情況經一個、兩個或三個R<sup>2a</sup>取代之-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基； <br/>各R<sup>2a</sup>獨立地為鹵素、-CN、-OR<sup>a</sup>、-SR<sup>a</sup>、-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NO<sub>2</sub>、-C(=O)R<sup>b</sup>、-NR<sup>a</sup>C(=O)R<sup>b</sup>、-C(=O)OR<sup>a</sup>、-C(=O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>a</sup>C(=O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-S(=O)<sub>2</sub>R<sup>b</sup>、-S(=O)R<sup>b</sup>、-S(=O)<sub>2</sub>NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-S(=O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>a</sup>S(=O)<sub>2</sub>R<sup>b</sup>、-NR<sup>a</sup>S(=O)<sub>2</sub>NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>a</sup>OR<sup>a</sup>、-NR<sup>a</sup>C(=O)NR<sup>a</sup>OR<sup>a</sup>、-O(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)伸烷基-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>a</sup>C(=NR<sup>c</sup>)R<sup>a</sup>、-C(=NR<sup>a</sup>)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>a</sup>C(=NR<sup>a</sup>)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、環烷基、雜環烷基、芳基或雜芳基； 或同一碳上的兩個R<sup>2a</sup>結合在一起形成側氧基； <br/>R<sup>3</sup>為H、-(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>)環烷基或視情況經一個、兩個或三個R<sup>3a</sup>取代之-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基； <br/>各R<sup>3a</sup>獨立地為鹵素、-CN、-OR<sup>a</sup>、-SR<sup>a</sup>、-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NO<sub>2</sub>、-C(=O)R<sup>b</sup>、-NR<sup>a</sup>C(=O)R<sup>b</sup>、-C(=O)OR<sup>a</sup>、-C(=O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>a</sup>C(=O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-S(=O)<sub>2</sub>R<sup>b</sup>、-S(=O)R<sup>b</sup>、-S(=O)<sub>2</sub>NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-S(=O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>a</sup>S(=O)<sub>2</sub>R<sup>b</sup>、-NR<sup>a</sup>S(=O)<sub>2</sub>NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>a</sup>OR<sup>a</sup>、-NR<sup>a</sup>C(=O)NR<sup>a</sup>OR<sup>a</sup>、-O(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)伸烷基-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>a</sup>C(=NR<sup>c</sup>)R<sup>a</sup>、-C(=NR<sup>a</sup>)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>a</sup>C(=NR<sup>a</sup>)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、環烷基、雜環烷基、芳基或雜芳基；或同一碳上的兩個R<sup>3a</sup>結合在一起形成側氧基； <br/>R<sup>4</sup>為H或-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基； <br/>X為(C<sub>2</sub>-C<sub>7</sub>)伸雜環烷基或伸雜芳基；其中該伸雜環烷基或伸雜芳基視情況經一個、兩個或三個R<sup>X</sup>取代； <br/>各R<sup>X</sup>獨立地為鹵素、-CN、-OR<sup>a</sup>、-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NO<sub>2</sub>、-C(=O)R<sup>b</sup>、-C(=O)OR<sup>a</sup>、-C(=O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)鹵烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)雜烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)羥基烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)胺基烷基、-(C<sub>3</sub>-C<sub>7</sub>)環烷基或-(C<sub>2</sub>-C<sub>7</sub>)雜環烷基；或同一碳上的兩個R<sup>X</sup>結合在一起形成側氧基； <br/>Y為(C<sub>2</sub>-C<sub>7</sub>)伸雜環烷基、伸芳基或伸雜芳基； 其中該伸雜環烷基、伸芳基及伸雜芳基視情況經一個、兩個或三個R<sup>Y</sup>取代； <br/>各R<sup>Y</sup>獨立地為鹵素、-CN、-OR<sup>a</sup>、-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NO<sub>2</sub>、-C(=O)R<sup>b</sup>、-C(=O)OR<sup>a</sup>、-C(=O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)鹵烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)雜烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)羥基烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)胺基烷基、-(C<sub>3</sub>-C<sub>7</sub>)環烷基或-(C<sub>2</sub>-C<sub>7</sub>)雜環烷基； 或同一碳上的兩個R<sup>Y</sup>結合在一起形成側氧基； <br/>Z為H、鹵素、-CN、-OR<sup>10</sup>、-SR<sup>10</sup>、-NR<sup>12</sup>R<sup>13</sup>、-C(=O)R<sup>11</sup>、-C(=O)OR<sup>2</sup>、-C(=O)NR<sup>12</sup>R<sup>13</sup>、-(C<sub>1</sub>-C<sub>12</sub>)烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>12</sub>)雜烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>12</sub>)鹵烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>12</sub>)羥基烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>12</sub>)胺基烷基、-(C<sub>2</sub>-C<sub>12</sub>)烯基、-(C<sub>2</sub>-C<sub>12</sub>)炔基、-(C<sub>3</sub>-C<sub>9</sub>)環烷基、-(C<sub>2</sub>-C<sub>7</sub>)雜環烷基、芳基或雜芳基； 其中該烷基、烯基、炔基、環烷基、雜環烷基、芳基及雜芳基視情況經一個、兩個或三個R<sup>Z</sup>取代； <br/>各R<sup>Z</sup>獨立地為鹵素、-CN、-OR<sup>10</sup>、-NR<sup>12</sup>R<sup>13</sup>、-NO<sub>2</sub>、-C(=O)R<sup>11</sup>、-C(=O)OR<sup>10</sup>、-C(=O)NR<sup>12</sup>R<sup>13</sup>、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)鹵烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)雜烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)羥基烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)胺基烷基、-(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>)烯基、-(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>)炔基、-(C<sub>3</sub>-C<sub>7</sub>)環烷基或-(C<sub>2</sub>-C<sub>7</sub>)雜環烷基；或同一碳上的兩個R<sup>Z</sup>結合在一起形成側氧基； <br/>各R<sup>10</sup>獨立地為H、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)鹵烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)雜烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)羥基烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)胺基烷基、-(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>)烯基、-(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>)炔基、-(C<sub>3</sub>-C<sub>7</sub>)環烷基、(C<sub>2</sub>-C<sub>7</sub>)雜環烷基、芳基或雜芳基； 其中該烷基、烯基、炔基、環烷基、雜環烷基、芳基及雜芳基視情況獨立地經一個、兩個或三個R<sup>10a</sup>取代； <br/>各R<sup>10a</sup>獨立地為鹵素、-CN、-OR<sup>a</sup>、-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-C(=O)R<sup>b</sup>、-C(=O)OR<sup>a</sup>、-C(=O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基或-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)鹵烷基； 或同一碳上的兩個R<sup>10a</sup>結合在一起形成側氧基； <br/>各R<sup>11</sup>獨立地為-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)鹵烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)雜烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)羥基烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)胺基烷基、-(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>)烯基、-(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>)炔基、-(C<sub>3</sub>-C<sub>7</sub>)環烷基、(C<sub>2</sub>-C<sub>7</sub>)雜環烷基、芳基或雜芳基； 其中該烷基、烯基、炔基、環烷基、雜環烷基、芳基及雜芳視情況獨立地經一個、兩個或三個R<sup>11a</sup>取代； <br/>各R<sup>11a</sup>獨立地為鹵素、-CN、-OR<sup>a</sup>、-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-C(=O)R<sup>b</sup>、-C(=O)OR<sup>a</sup>、-C(=O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基或-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)鹵烷基；或同一碳上的兩個R<sup>11a</sup>結合在一起形成側氧基； <br/>各R<sup>12</sup>及R<sup>13</sup>獨立地為H、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)鹵烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)雜烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)羥基烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)胺基烷基、-(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>)烯基、-(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>)炔基、-(C<sub>3</sub>-C<sub>7</sub>)環烷基、(C<sub>2</sub>-C<sub>7</sub>)雜環烷基、芳基或雜芳基；其中該烷基、烯基、炔基、環烷基、雜環烷基、芳基及雜芳基視情況獨立地經一個、兩個或三個R<sup>12a</sup>取代； <br/>或R<sup>12</sup>及R<sup>13</sup>與其所連接之氮原子結合在一起以形成視情況經一個、兩個或三個R<sup>12b</sup>取代之雜環烷基； <br/>各R<sup>12a</sup>獨立地為鹵素、-CN、-OR<sup>a</sup>、-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-C(=O)R<sup>b</sup>、-C(=O)OR<sup>a</sup>、-C(=O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基或-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)鹵烷基；或同一碳上的兩個R<sup>12a</sup>結合在一起形成側氧基； <br/>各R<sup>12b</sup>獨立地為鹵素、-CN、-OR<sup>a</sup>、-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-C(=O)R<sup>b</sup>、-C(=O)OR<sup>a</sup>、-C(=O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基或-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)鹵烷基；或同一碳上的兩個R<sup>12b</sup>結合在一起形成側氧基； <br/>各R<sup>a</sup>獨立地為H、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)鹵烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)雜烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)羥基烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)胺基烷基、-(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>)烯基、-(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>)炔基、-(C<sub>3</sub>-C<sub>7</sub>)環烷基、(C<sub>2</sub>-C<sub>7</sub>)雜環烷基、芳基或雜芳基； 其中該烷基、烯基、炔基、環烷基、雜環烷基、芳基及雜芳基視情況獨立地經一個、兩個或三個鹵素、-CN、-OH、-OMe、-NH<sub>2</sub>、-C(=O)Me、-C(=O)OH、-C(=O)OMe、-C(=O)NH<sub>2</sub>或-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基取代； <br/>各R<sup>b</sup>獨立地為-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)鹵烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)雜烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)羥基烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)胺基烷基、-(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>)烯基、-(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>)炔基、-(C<sub>3</sub>-C<sub>7</sub>)環烷基、(C<sub>2</sub>-C<sub>7</sub>)雜環烷基、芳基或雜芳基；其中該烷基、烯基、炔基、環烷基、雜環烷基、芳基及雜芳基視情況獨立地經一個、兩個或三個鹵素、-CN、-OH、-OMe、-NH<sub>2</sub>、-C(=O)Me、-C(=O)OH、-C(=O)OMe、-C(=O)NH<sub>2</sub>或-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基取代；及 <br/>各R<sup>c</sup>及R<sup>d</sup>獨立地為H、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)鹵烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)雜烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)羥基烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)胺基烷基、-(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>)烯基、-(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>)炔基、-(C<sub>3</sub>-C<sub>7</sub>)環烷基、(C<sub>2</sub>-C<sub>7</sub>)雜環烷基、芳基或雜芳基；其中該烷基、烯基、炔基、環烷基、雜環烷基、芳基及雜芳基視情況獨立地經一個、兩個或三個鹵素、-CN、-OH、-OMe、-NH<sub>2</sub>、-C(=O)Me、-C(=O)OH、-C(=O)OMe、-C(=O)NH<sub>2</sub>或-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基取代； <br/>或R<sup>c</sup>及R<sup>d</sup>與其所連接之氮原子結合在一起以形成雜環烷基，其視情況經一個、兩個或三個側氧基、鹵素、-CN、-OH、-OMe、-NH<sub>2</sub>、-C(=O)Me、-C(=O)OH、-C(=O)OMe、-C(=O)NH<sub>2</sub>或-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基取代。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中R<sup>2</sup>為H或-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基。
如請求項2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中R<sup>2</sup>為H。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中R<sup>3</sup>為H或-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基。
如請求項4之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中R<sup>3</sup>為-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基。
如請求項5之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中R<sup>3</sup>為甲基。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中R<sup>4</sup>為H。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中R<sup>4</sup>為甲基。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中該化合物具有式(Ia)之結構： <br/><img align="absmiddle" height="215px" width="337px" file="ed10211.jpg" alt="ed10211.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(Ia)。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其為具有式(Ib)結構之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="205px" width="337px" file="ed10212.jpg" alt="ed10212.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(Ib) <br/>其醫藥學上可接受之鹽。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中R<sup>1</sup>為視情況經一個、兩個或三個R<sup>1a</sup>取代之-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基。
如請求項11之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中R<sup>1</sup>為經一個R<sup>1a</sup>取代之-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基。
如請求項11或12之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中各R<sup>1a</sup>獨立地為鹵素、-CN、-OR<sup>a</sup>、-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>a</sup>C(=O)R<sup>b</sup>、-NR<sup>a</sup>C(=O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>a</sup>S(=O)<sub>2</sub>R<sup>b</sup>或-NR<sup>a</sup>S(=O)<sub>2</sub>NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>。
如請求項13之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中各R<sup>1a</sup>獨立地為-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>或-NR<sup>a</sup>S(=O)<sub>2</sub>NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>。
如請求項14之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中各R<sup>1a</sup>獨立地為-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>。
如請求項14之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中各R<sup>1a</sup>獨立地為-NR<sup>a</sup>S(=O)<sub>2</sub>NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中R<sup>1</sup>為-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NH<sub>2</sub>、-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NHSO<sub>2</sub>NH<sub>2</sub>或-CH<sub>2</sub>NHSO<sub>2</sub>NH<sub>2</sub>。
如請求項17之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中R<sup>1</sup>為-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NH<sub>2</sub>。
如請求項17之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中R<sup>1</sup>為-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NHSO<sub>2</sub>NH<sub>2</sub>。
如請求項17之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中R<sup>1</sup>為-CH<sub>2</sub>NHSO<sub>2</sub>NH<sub>2</sub>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中X為視情況經一個、兩個或三個R<sup>X</sup>取代之(C<sub>2</sub>-C<sub>7</sub>)伸雜環烷基。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中X為視情況經一個、兩個或三個R<sup>X</sup>取代之伸雜芳基。
如請求項21或22之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中各R<sup>X</sup>獨立地為鹵素、-OR<sup>a</sup>、-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基或-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)鹵烷基；或同一碳上的兩個R<sup>X</sup>結合在一起形成側氧基。
如請求項23之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中各R<sup>X</sup>獨立地為-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>或-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基；或同一碳上的兩個R<sup>X</sup>結合在一起形成側氧基。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中Y為-(C<sub>2</sub>-C<sub>7</sub>)伸雜環烷基或伸芳基；各自視情況經一個、兩個或三個R<sup>Y</sup>取代。
如請求項25之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中Y為視情況經一個、兩個或三個R<sup>Y</sup>取代之伸芳基。
如請求項25或26之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中各R<sup>Y</sup>獨立地為鹵素、-OR<sup>a</sup>、-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基或-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)鹵烷基；或同一碳上的兩個R<sup>Y</sup>結合在一起形成側氧基。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中Z為鹵素、-OR<sup>10</sup>、-NR<sup>12</sup>R<sup>13</sup>、-(C<sub>1</sub>-C<sub>12</sub>)烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>12</sub>)雜烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>12</sub>)鹵烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>12</sub>)羥基烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>12</sub>)胺基烷基、-(C<sub>3</sub>-C<sub>9</sub>)環烷基或-(C<sub>2</sub>-C<sub>7</sub>)雜環烷基；其中該烷基、環烷基及雜環烷基視情況經一個、兩個或三個R<sup>Z</sup>取代。
如請求項28之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中Z為-OR<sup>10</sup>、-(C<sub>1</sub>-C<sub>12</sub>)烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>12</sub>)鹵烷基或-(C<sub>3</sub>-C<sub>9</sub>)環烷基；其中該烷基及環烷基視情況經一個、兩個或三個R<sup>Z</sup>取代。
如請求項29之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中Z為視情況經一個、兩個或三個R<sup>Z</sup>取代之-(C<sub>1</sub>-C<sub>12</sub>)烷基。
如請求項29之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中Z為視情況經一個、兩個或三個R<sup>Z</sup>取代之-(C<sub>1</sub>-C<sub>12</sub>)鹵烷基。
如請求項29之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中Z為視情況經一個、兩個或三個R<sup>Z</sup>取代之-(C<sub>3</sub>-C<sub>9</sub>)環烷基。
如請求項29之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中Z為視情況經一個、兩個或三個R<sup>Z</sup>取代之-(C<sub>3</sub>-C<sub>7</sub>)環烷基。
如請求項28至33中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中各R<sup>Z</sup>獨立地為鹵素、-OR<sup>10</sup>、-NR<sup>12</sup>R<sup>13</sup>或-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基。
如請求項34之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中各R<sup>Z</sup>獨立地為-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基。
如請求項28或29之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中Z為-OR<sup>10</sup>。
如請求項36之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中R<sup>10</sup>為-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)鹵烷基或-(C<sub>3</sub>-C<sub>7</sub>)環烷基。
如請求項37之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中R<sup>10</sup>為-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基或-(C<sub>3</sub>-C<sub>7</sub>)環烷基。
如請求項28或29之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中Z為-(C<sub>1</sub>-C<sub>12</sub>)烷基。
如請求項28或29之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中Z為-(C<sub>1</sub>-C<sub>12</sub>)鹵烷基。
如請求項28或29之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中Z為-(C<sub>3</sub>-C<sub>9</sub>)環烷基。
如請求項28或29之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中Z為-(C<sub>3</sub>-C<sub>7</sub>)環烷基。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中-X-Y-Z為 <br/><img align="absmiddle" height="561px" width="440px" file="ed10213.jpg" alt="ed10213.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="300px" width="440px" file="ed10214.jpg" alt="ed10214.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="90px" width="296px" file="ed10215.jpg" alt="ed10215.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中-X-Y-Z為 <br/><img align="absmiddle" height="168px" width="439px" file="ed10216.jpg" alt="ed10216.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="98px" width="439px" file="ed10217.jpg" alt="ed10217.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="73px" width="322px" file="ed10218.jpg" alt="ed10218.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中-X-Y-Z為 <br/><img align="absmiddle" height="165px" width="426px" file="ed10219.jpg" alt="ed10219.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="84px" width="92px" file="ed10220.jpg" alt="ed10220.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中-X-Y-Z為 <br/><img align="absmiddle" height="83px" width="416px" file="ed10221.jpg" alt="ed10221.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中-X-Y-Z為 <br/><img align="absmiddle" height="75px" width="308px" file="ed10222.jpg" alt="ed10222.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其選自由以下組成之群： <br/><img align="absmiddle" height="145px" width="226px" file="ed10223.jpg" alt="ed10223.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="124px" width="184px" file="ed10224.jpg" alt="ed10224.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="122px" width="183px" file="ed10225.jpg" alt="ed10225.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="151px" width="235px" file="ed10226.jpg" alt="ed10226.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="147px" width="230px" file="ed10227.jpg" alt="ed10227.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="148px" width="231px" file="ed10228.jpg" alt="ed10228.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="137px" width="214px" file="ed10229.jpg" alt="ed10229.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="126px" width="200px" file="ed10230.jpg" alt="ed10230.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="138px" width="218px" file="ed10231.jpg" alt="ed10231.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="150px" width="233px" file="ed10232.jpg" alt="ed10232.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="144px" width="225px" file="ed10233.jpg" alt="ed10233.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="139px" width="217px" file="ed10234.jpg" alt="ed10234.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="136px" width="212px" file="ed10235.jpg" alt="ed10235.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="148px" width="231px" file="ed10236.jpg" alt="ed10236.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="128px" width="192px" file="ed10237.jpg" alt="ed10237.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="139px" width="235px" file="ed10238.jpg" alt="ed10238.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="139px" width="235px" file="ed10239.jpg" alt="ed10239.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="137px" width="231px" file="ed10240.jpg" alt="ed10240.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="115px" width="187px" file="ed10241.jpg" alt="ed10241.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="135px" width="227px" file="ed10242.jpg" alt="ed10242.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="136px" width="229px" file="ed10243.jpg" alt="ed10243.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="123px" width="208px" file="ed10244.jpg" alt="ed10244.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="115px" width="187px" file="ed10245.jpg" alt="ed10245.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="137px" width="231px" file="ed10246.jpg" alt="ed10246.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="124px" width="231px" file="ed10247.jpg" alt="ed10247.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="123px" width="231px" file="ed10248.jpg" alt="ed10248.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="147px" file="ed10249.jpg" alt="ed10249.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="91px" width="148px" file="ed10250.jpg" alt="ed10250.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="140px" file="ed10251.jpg" alt="ed10251.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="91px" width="154px" file="ed10252.jpg" alt="ed10252.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="140px" file="ed10253.jpg" alt="ed10253.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="140px" file="ed10254.jpg" alt="ed10254.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="140px" file="ed10255.jpg" alt="ed10255.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="91px" width="143px" file="ed10256.jpg" alt="ed10256.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="147px" file="ed10257.jpg" alt="ed10257.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="140px" file="ed10258.jpg" alt="ed10258.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="147px" file="ed10259.jpg" alt="ed10259.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="140px" file="ed10260.jpg" alt="ed10260.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="140px" file="ed10261.jpg" alt="ed10261.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="140px" file="ed10262.jpg" alt="ed10262.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="84px" width="140px" file="ed10263.jpg" alt="ed10263.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="140px" file="ed10264.jpg" alt="ed10264.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="140px" file="ed10265.jpg" alt="ed10265.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="91px" width="160px" file="ed10266.jpg" alt="ed10266.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="84px" width="140px" file="ed10267.jpg" alt="ed10267.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="141px" file="ed10268.jpg" alt="ed10268.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>,<img align="absmiddle" height="90px" width="140px" file="ed10269.jpg" alt="ed10269.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="140px" file="ed10270.jpg" alt="ed10270.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="140px" file="ed10271.jpg" alt="ed10271.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="141px" file="ed10272.jpg" alt="ed10272.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="140px" file="ed10273.jpg" alt="ed10273.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="140px" file="ed10274.jpg" alt="ed10274.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="140px" file="ed10275.jpg" alt="ed10275.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="140px" file="ed10276.jpg" alt="ed10276.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="140px" file="ed10277.jpg" alt="ed10277.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="91px" width="140px" file="ed10278.jpg" alt="ed10278.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="140px" file="ed10279.jpg" alt="ed10279.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="140px" file="ed10280.jpg" alt="ed10280.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="140px" file="ed10281.jpg" alt="ed10281.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="134px" width="227px" file="ed10282.jpg" alt="ed10282.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="134px" width="227px" file="ed10283.jpg" alt="ed10283.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="146px" width="227px" file="ed10284.jpg" alt="ed10284.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及<img align="absmiddle" height="150px" width="227px" file="ed10285.jpg" alt="ed10285.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項48之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其選自由以下組成之群： <br/><img align="absmiddle" height="145px" width="226px" file="ed10223.jpg" alt="ed10223.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="122px" width="183px" file="ed10225.jpg" alt="ed10225.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="151px" width="235px" file="ed10226.jpg" alt="ed10226.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="147px" width="230px" file="ed10286.jpg" alt="ed10286.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="148px" width="231px" file="ed10287.jpg" alt="ed10287.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="137px" width="214px" file="ed10229.jpg" alt="ed10229.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="126px" width="200px" file="ed10230.jpg" alt="ed10230.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="138px" width="218px" file="ed10231.jpg" alt="ed10231.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="150px" width="233px" file="ed10232.jpg" alt="ed10232.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="144px" width="225px" file="ed10233.jpg" alt="ed10233.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="139px" width="217px" file="ed10234.jpg" alt="ed10234.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="136px" width="212px" file="ed10235.jpg" alt="ed10235.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="148px" width="231px" file="ed10236.jpg" alt="ed10236.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="128px" width="192px" file="ed10237.jpg" alt="ed10237.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="139px" width="235px" file="ed10238.jpg" alt="ed10238.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="139px" width="235px" file="ed10239.jpg" alt="ed10239.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="137px" width="231px" file="ed10240.jpg" alt="ed10240.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="115px" width="187px" file="ed10241.jpg" alt="ed10241.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <br/><img align="absmiddle" height="135px" width="227px" file="ed10242.jpg" alt="ed10242.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="136px" width="229px" file="ed10243.jpg" alt="ed10243.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="123px" width="208px" file="ed10244.jpg" alt="ed10244.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="115px" width="187px" file="ed10245.jpg" alt="ed10245.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="137px" width="231px" file="ed10246.jpg" alt="ed10246.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="124px" width="231px" file="ed10247.jpg" alt="ed10247.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及<img align="absmiddle" height="123px" width="231px" file="ed10248.jpg" alt="ed10248.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項48之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其選自由以下組成之群： <br/><img align="absmiddle" height="145px" width="226px" file="ed10223.jpg" alt="ed10223.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="124px" width="184px" file="ed10224.jpg" alt="ed10224.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="122px" width="183px" file="ed10225.jpg" alt="ed10225.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="151px" width="235px" file="ed10226.jpg" alt="ed10226.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="147px" width="230px" file="ed10286.jpg" alt="ed10286.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="137px" width="214px" file="ed10229.jpg" alt="ed10229.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="126px" width="200px" file="ed10230.jpg" alt="ed10230.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="138px" width="218px" file="ed10231.jpg" alt="ed10231.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="150px" width="233px" file="ed10232.jpg" alt="ed10232.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="144px" width="225px" file="ed10233.jpg" alt="ed10233.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="139px" width="217px" file="ed10234.jpg" alt="ed10234.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="136px" width="212px" file="ed10235.jpg" alt="ed10235.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="148px" width="231px" file="ed10236.jpg" alt="ed10236.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="128px" width="192px" file="ed10237.jpg" alt="ed10237.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="139px" width="235px" file="ed10238.jpg" alt="ed10238.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="137px" width="231px" file="ed10240.jpg" alt="ed10240.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="115px" width="187px" file="ed10241.jpg" alt="ed10241.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="135px" width="227px" file="ed10242.jpg" alt="ed10242.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="136px" width="229px" file="ed10243.jpg" alt="ed10243.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="123px" width="208px" file="ed10244.jpg" alt="ed10244.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="115px" width="187px" file="ed10245.jpg" alt="ed10245.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="134px" width="227px" file="ed10288.jpg" alt="ed10288.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="137px" width="231px" file="ed10246.jpg" alt="ed10246.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="124px" width="231px" file="ed10247.jpg" alt="ed10247.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及<img align="absmiddle" height="123px" width="231px" file="ed10248.jpg" alt="ed10248.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項48之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其選自由以下組成之群： <br/><img align="absmiddle" height="136px" width="212px" file="ed10235.jpg" alt="ed10235.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="124px" width="231px" file="ed10247.jpg" alt="ed10247.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1至51中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，及醫藥學上可接受之賦形劑。
一種如請求項1至51中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構體或如請求項52之醫藥組合物之用途，其係用於製備治療患者之細菌感染之藥物。
一種化合物或其醫藥學上可接受之鹽之用途，其係用於製備治療患者之細菌感染之藥物，其中該化合物係選自由以下組成之群： <br/><img align="absmiddle" height="145px" width="226px" file="ed10290.jpg" alt="ed10290.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="113px" width="184px" file="ed10291.jpg" alt="ed10291.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="127px" width="215px" file="ed10292.jpg" alt="ed10292.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="131px" width="222px" file="ed10293.jpg" alt="ed10293.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="134px" width="227px" file="ed10288.jpg" alt="ed10288.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="115px" width="194px" file="ed10295.jpg" alt="ed10295.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="147px" file="ed10297.jpg" alt="ed10297.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="84px" width="140px" file="ed10298.jpg" alt="ed10298.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="84px" width="140px" file="ed10299.jpg" alt="ed10299.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="140px" file="ed10300.jpg" alt="ed10300.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="140px" file="ed10301.jpg" alt="ed10301.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="140px" file="ed10302.jpg" alt="ed10302.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及<img align="absmiddle" height="90px" width="140px" file="ed10303.jpg" alt="ed10303.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，或其醫藥學上可接受之鹽。
一種醫藥組合物之用途，其係用於製備治療患者之細菌感染之藥物，該醫藥組合物包含化合物或其醫藥學上可接受之鹽及醫藥學上可接受之賦形劑，其中該化合物係選自由以下組成之群： <br/><img align="absmiddle" height="145px" width="226px" file="ed10290.jpg" alt="ed10290.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="113px" width="184px" file="ed10291.jpg" alt="ed10291.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="127px" width="215px" file="ed10292.jpg" alt="ed10292.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="131px" width="222px" file="ed10293.jpg" alt="ed10293.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="134px" width="227px" file="ed10288.jpg" alt="ed10288.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="115px" width="194px" file="ed10295.jpg" alt="ed10295.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="147px" file="ed10297.jpg" alt="ed10297.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="84px" width="140px" file="ed10298.jpg" alt="ed10298.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="84px" width="140px" file="ed10299.jpg" alt="ed10299.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="140px" file="ed10300.jpg" alt="ed10300.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="140px" file="ed10301.jpg" alt="ed10301.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="140px" file="ed10302.jpg" alt="ed10302.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及<img align="absmiddle" height="90px" width="140px" file="ed10303.jpg" alt="ed10303.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，或其醫藥學上可接受之鹽。
如請求項54或55之用途，其中該化合物係(8S,11S,14S)-18-羥基-11-甲基-14-[甲基-[(2S)-2-[[4-胺基-2-(4-第三丁基苯基)-6-甲基-嘧啶-5-羰基]胺基]-3-(胺磺醯基胺基)丙醯基]胺基]-10,13-二側氧基-3,17-雙[(2R)-3-胺基-2-羥基-丙氧基]-9,12-二氮雜三環[13.3.1.12,6]二十碳-1(18),2(20),3,5,15(19),16-六烯-8-羧酸，或其醫藥學上可接受之鹽。
如請求項54或55之用途，其中該化合物係(8S,11S,14S)-18-羥基-11-甲基-14-[甲基-[(2S)-2-[[4-甲基-2-[4-(1-甲基環丙基)苯基]嘧啶-5-羰基]胺基]-3-(胺磺醯基胺基)丙醯基]胺基]-10,13-二側氧基-3,17-雙[(2R)-3-胺基-2-羥基-丙氧基]-9,12-二氮雜三環[13.3.1.12,6]二十碳-1(18),2(20),3,5,15(19),16-六烯-8-羧酸，或其醫藥學上可接受之鹽。
如請求項54或55之用途，其中該化合物係(8S,11S,14S)-18-羥基-11-甲基-14-[甲基-[(2S)-4-胺基-2-[[4-胺基-2-(4-第三丁基苯基)-6-甲基-嘧啶-5-羰基]胺基]丁醯基]胺基]-10,13-二側氧基-3,17-雙[(2R)-3-胺基-2-羥基-丙氧基]-9,12-二氮雜三環[13.3.1.12,6]二十碳-1(18),2(20),3,5,15(19),16-六烯-8-羧酸，或其醫藥學上可接受之鹽。
如請求項54或55之用途，其中該化合物係(8S,11S,14S)-18-羥基-11-甲基-14-[甲基-[(2S)-4-胺基-2-[[4-甲基-2-[4-(1-甲基環丙基)苯基]嘧啶-5-羰基]胺基]丁醯基]胺基]-10,13-二側氧基-3,17-雙[(2R)-3-胺基-2-羥基-丙氧基]-9,12-二氮雜三環[13.3.1.12,6]二十碳-1(18),2(20),3,5,15(19),16-六烯-8-羧酸，或其醫藥學上可接受之鹽。
如請求項54或55之用途，其中該化合物係(8S,11S,14S)-18-羥基-11-甲基-14-[甲基-[(2S)-4-胺基-2-[[2-(4-第三丁基苯基)-4-胺基-6-二氟甲基-嘧啶-5-羰基]胺基]丁醯基]胺基]-10,13-二側氧基-3,17-雙[(2R)-3-胺基-2-羥基-丙氧基]-9,12-二氮雜三環[13.3.1.12,6]二十碳-1(18),2(20),3,5,15(19),16-六烯-8-羧酸，或其醫藥學上可接受之鹽。
如請求項54或55之用途，其中該化合物係(8S,11S,14S)-14-[[(2S)-2-[[4-胺基-2-(4-第三丁基苯基)-6-(二氟甲基)嘧啶-5-羰基]胺基]-3-(胺磺醯基胺基)丙醯基]-甲基-胺基]-3,17-雙[(2R)-3-胺基-2-羥基-丙氧基]-18-羥基-11-甲基-10,13-二側氧基-9,12-二氮雜三環[13.3.1.12,6]二十碳-1(18),2(20),3,5,15(19),16-六烯-8-羧酸，或其醫藥學上可接受之鹽。
如請求項53至55中任一項之用途，其中該細菌感染係lepB介導之細菌感染。
如請求項62之用途，其中該細菌感染係涉及以下之感染：綠膿桿菌(<i>Pseudomonas aeruginosa</i>)、螢光假單胞菌(<i>Pseudomonas fluorescens</i>)、食酸假單胞菌(<i>Pseudomonas acidovorans</i>)、產鹼假單胞菌(<i>Pseudomonas alcaligenes</i>)、惡臭假單胞菌(<i>Pseudomonas putida</i>)、嗜麥芽窄食單胞菌(<i>Stenotrophomonas maltophilia</i>)、洋蔥伯克霍爾德氏菌(<i>Burkholderia cepacia</i>)、親水性氣單胞菌(<i>Aeromonas hydrophilia</i>)、大腸桿菌(<i>Escherichia coli</i>)、弗氏檸檬酸桿菌(<i>Citrobacter freundii</i>)、鼠傷寒沙門桿菌(<i>Salmonella typhimurium</i>)、傷寒沙門氏菌(<i>Salmonella typhi</i>)、副傷寒沙門氏菌(<i>Salmonella paratyphi</i>)、腸炎沙門氏菌(<i>Salmonella enteritidis</i>)、痢疾志賀菌(<i>Shigella dysenteriae</i>)、弗氏志賀菌(<i>Shigella flexneri</i>)、索氏志賀菌(<i>Shigella sonnei</i>)、陰溝腸桿菌(<i>Enterobacter cloacae</i>)、產氣腸桿菌(<i>Enterobacter aerogenes</i>)、肺炎克雷伯氏桿菌(<i>Klebsiella pneumoniae</i>)、產酸克雷伯氏菌(<i>Klebsiella oxytoca</i>)、黏質沙雷氏菌(<i>Serratia marcescens</i>)、土拉熱弗朗西絲菌(<i>Francisella tularensis</i>)、摩根氏菌(<i>Morganella morganii</i>)、奇異變形桿菌(<i>Proteus mirabilis</i>)、普通變形桿菌(<i>Proteus vulgaris</i>)、產鹼普羅威登斯菌(<i>Providencia alcalifaciens</i>)、雷氏普羅威登斯菌(<i>Providencia rettgeri</i>)、斯氏普羅威登斯菌(<i>Providencia stuartii</i>)、鮑氏不動桿菌(<i>Acinetobacter baumannii</i>)、醋酸鈣不動桿菌(<i>Acinetobacter calcoaceticus</i>)、溶血不動桿菌(<i>Acinetobacter haemolyticus</i>)、小腸結腸炎耶爾森氏菌(<i>Yersinia enterocolitica</i>)、鼠疫耶爾森菌(<i>Yersinia pestis</i>)、假結核耶爾森菌(<i>Yersinia pseudotuberculosis</i>)、中間耶爾森菌(<i>Yersinia intermedia</i>)、百日咳博特氏菌(<i>Bordetella pertussis</i>)、副百日咳博德特氏菌(<i>Bordetella parapertussis</i>)、支氣管敗血性博德氏桿菌(<i>Bordetella bronchiseptica</i>)、流感嗜血桿菌(<i>Haemophilus influenzae</i>)、副流感嗜血桿菌(<i>Haemophilus parainfluenzae</i>)、溶血嗜血桿菌(<i>Haemophilus haemolyticus</i>)、副溶血嗜血桿菌(<i>Haemophilus parahaemolyticus</i>)、杜氏嗜血桿菌(<i>Haemophilus ducreyi</i>)、多殺巴斯德菌(<i>Pasteurella multocida</i>)、溶血巴斯德菌(<i>Pasteurella haemolytica</i>)、卡他布蘭漢菌(<i>Branhamella catarrhalis</i>)、幽門螺旋桿菌(<i>Helicobacter pylori</i>)、胚胎彎曲桿菌(<i>Campylobacter fetus</i>)、空腸彎曲桿菌(<i>Campylobacter jejuni</i>)、大腸彎曲桿菌(<i>Campylobacter coli</i>)、伯氏疏螺旋體(<i>Borrelia burgdorferi</i>)、霍亂弧菌(<i>Vibrio cholerae</i>)、副溶血弧菌(<i>Vibrio parahaemolyticus</i>)、嗜肺性退伍軍人桿菌(<i>Legionella pneumophila</i>)、單核球增多性李氏菌(<i>Listeria monocytogenes</i>)、淋病奈瑟氏菌(<i>Neisseria gonorrhoeae</i>)、奈瑟氏腦膜炎菌(<i>Neisseria meningitidis</i>)、金氏菌(<i>Kingella</i>)、莫拉菌(<i>Moraxella</i>)、陰道加德納菌(<i>Gardnerella vaginalis</i>)、脆弱擬桿菌(<i>Bacteroides fragilis</i>)、狄氏擬桿菌(<i>Bacteroides distasonis</i>)、擬桿菌3452A同源群(<i>Bacteroides 3452A homology group</i>)、普通擬桿菌(<i>Bacteroides vulgatus</i>)、卵形擬桿菌(<i>Bacteroides ovalus</i>)、多形擬桿菌(<i>Bacteroides thetaiotaomicron</i>)、單形擬桿菌(<i>Bacteroides uniformis</i>)、埃氏擬桿菌(<i>Bacteroides eggerthii</i>)、內臟擬桿菌(<i>Bacteroides splanchnicus</i>)、艱難梭菌(<i>Clostridium difficile</i>)、結核分支桿菌(<i>Mycobacterium tuberculosis</i>)、鳥分枝桿菌(<i>Mycobacterium avium</i>)、細胞內分枝桿菌(<i>Mycobacterium intracellulare</i>)、麻風分支桿菌(<i>Mycobacterium leprae</i>)、白喉棒狀桿菌(<i>Corynebacterium diphtheriae</i>)、潰瘍棒狀桿菌(<i>Corynebacterium ulcerans</i>)、肺炎鏈球菌(<i>Streptococcus pneumoniae</i>)、無乳鏈球菌(<i>Streptococcus agalactiae</i>)、化膿性鏈球菌(<i>Streptococcus pyogenes</i>)、糞腸球菌(<i>Enterococcus faecalis</i>)、屎腸球菌(<i>Enterococcus faecium</i>)、金黃色葡萄球菌(<i>Staphylococcus aureus</i>)、表皮葡萄球菌(<i>Staphylococcus epidermidis</i>)、腐生葡萄球菌(<i>Staphylococcus saprophyticus</i>)、中間葡萄球菌(<i>Staphylococcus intermedius</i>)、豬葡萄球菌亞屬(<i>Staphylococcus hyicus subsp. hyicus </i>)、溶血葡萄球菌(<i>Staphylococcus haemolyticus</i>)、人葡萄球菌(<i>Staphylococcus hominis</i>)或解糖葡萄球菌(<i>Staphylococcus saccharolyticus</i>)。
如請求項63之用途，其中該細菌感染為涉及鮑氏不動桿菌、肺炎克雷伯氏桿菌、大腸桿菌或綠膿桿菌之感染。
如請求項64之用途，其中該細菌感染為涉及鮑氏不動桿菌之感染。
如請求項63之用途，其中該細菌感染為涉及洋蔥伯克霍爾德氏菌之感染。
如請求項53至55中任一項之用途，其中該細菌感染為涉及革蘭氏陰性細菌之感染。
如請求項53至55中任一項之用途，其中該藥物進一步包含第二治療劑或係與第二治療劑投與。
如請求項68之用途，其中該第二治療劑不為SpsB抑制劑或LepB抑制劑。
如請求項68之用途，其中該第二治療劑為胺基醣苷抗生素、氟喹諾酮抗生素、β-內醯胺抗生素、大環內酯抗生素、糖肽抗生素、立複黴素(rifampicin)、氯黴素(chloramphenicol)、氟黴素(fluoramphenicol)、黏菌素(colistin)、莫匹羅星(mupirocin)、桿菌肽(bacitracin)、達托黴素(daptomycin)或利奈唑胺(linezolid)。
如請求項70之用途，其中該第二治療劑為β-內醯胺抗生素。
如請求項71之用途，其中該β-內醯胺抗生素係選自青黴素(penicillin)、單環內醯胺菌素(monobactam)、頭胞菌素(cephalosporin)、頭黴素(cephamycin)及碳青黴烯(carbapenem)。
如請求項72之用途，其中該β-內醯胺抗生素係選自阿洛西林(Azlocillin)、阿莫西林(Amoxicillin)、安比西林(Ampicillin)、多尼培南(Doripenem)、美羅培南(Meropenem)、比阿培南(Biapenem)、頭孢孟多(Cefamandole)、亞胺培南(Imipenem)、美洛西林(Mezlocillin)、頭孢美唑(Cefmetazole)、頭孢羅齊(Cefprozil)、哌拉西林(Piperacillin)/他唑巴坦(tazobactam)、卡本西林(Carbenicillin)、頭孢克洛(Cefaclor)、先鋒黴素(Cephalothin)、厄他培南(Ertapenem)、頭孢唑林(Cefazolin)、頭孢吡肟(Cefepime)、頭孢尼西(Cefonicid)、頭孢西丁(Cefoxitin)、頭孢他啶(Ceftazidime)、苯唑西林(Oxacillin)、頭孢地尼(Cefdinir)、頭孢克肟(Cefixime)、頭孢噻肟(Cefotaxime)、頭孢替坦(Cefotetan)、頭孢泊肟(Cefpodoxime)、頭孢唑肟(Ceftizoxime)、頭孢曲松(Ceftriaxone)、法羅培南(Faropenem)、美西林(Mecillinam)、甲氧西林(Methicillin)、拉氧頭孢(Moxalactam)、替卡西林(Ticarcillin)、托莫培南(Tomopenem)、頭孢吡普(Ceftobiprole)、頭孢洛林(Ceftaroline)、氟氧頭孢(Flomoxef)、頭孢匹羅(Cefiprome)及頭孢唑蘭(Cefozopran)。<sub> </sub>
如請求項53至55中任一項之用途，其中該藥物進一步包含β-內醯胺酶抑制劑或係與β-內醯胺酶抑制劑投與。
如請求項62之用途，其中該細菌感染係涉及以下之感染：綠膿桿菌(<i>Pseudomonas aeruginosa</i>)、產鹼假單胞菌(<i>Pseudomonas alcaligenes</i>)、惡臭假單胞菌(<i>Pseudomonas putida</i>)、螢光假單胞菌(<i>Pseudomonas fluorescens</i>)、大腸桿菌(<i>Escherichia coli</i>)、肺炎克雷伯氏桿菌(<i>Klebsiella pneumoniae</i>)、產酸克雷伯氏菌(<i>Klebsiella oxytoca</i>)、產氣腸桿菌(<i>Enterobacter aerogenes</i>)、醋酸鈣不動桿菌(<i>Acinetobacter calcoaceticus</i>)、溶血不動桿菌(<i>Acinetobacter haemolyticus</i>)、或鮑氏不動桿菌(<i>Acinetobacter baumannii</i>)。
如請求項62之用途，其中該細菌感染係涉及肺炎克雷伯氏桿菌之感染。
如請求項62之用途，其中該細菌感染係涉及大腸桿菌之感染。
如請求項62之用途，其中該細菌感染係涉及綠膿桿菌之感染。<sub> </sub>
一種用於檢驗缺陷的電腦實施方法(82)，其包括：- 獲取一晶圓(24)的一成像資料集(28)，該晶圓包括多個半導體結構；- 驗證一缺陷標準，該缺陷標準用於檢驗該晶圓(24)的該成像資料集(28)的一子集合中的缺陷，該缺陷標準包括：i.該成像資料集(28)的該子集合的一觀測表徵(88)，其有關於從多個半導體結構的多個參考影像(66)推導出的多個特性元素(90)，其中該觀測表徵和該等特性元素(90)定義該成像資料集(28)的該子集合的最小重建誤差的重建，以及ii.關於多個晶圓(24)的多個無缺陷觀測成像資料集(30)的多個子集合的多個無缺陷表徵(94)的一容差統計(92)，其中該等無缺陷表徵的每一者和該等特性元素(90)定義該等無缺陷成像資料集(30)的一子集合的最小重建誤差的重建；- 基於該缺陷標準生成該成像資料集(28)的該子集合的缺陷資訊。
如請求項1所述的方法，其中該成像資料集(28)的該子集合的該觀測表徵(88)包括該成像資料集(28)的該子集合的一分解(120)的多個係數，其有關於該多個特性元素(90)，並且其中該等無缺陷觀測成像資料集(30)的該等子集合的該等無缺陷表徵(94)包括該等無缺陷觀測成像資料集(30)的該等子集合的多個分解(120)的多個係數，其有關於該多個特性元素(90)。
如請求項2所述的方法，其中該分解(120)是一線性分解(120)。
如請求項2或3所述的方法，其中該等特性元素(90)包括一基底的多個元素。
如請求項4所述的方法，其中該等特性元素(90)包括一小波基底的多個元素。
如請求項4所述的方法，其中該等特性元素(90)包括一傅立葉基底的多個元素。
如請求項4所述的方法，其中該等特性元素(90)包括透過主成分分析得到的多個主成分。
如請求項2或3所述的方法，其中該等特性元素(90)包括一超完成框架的多個元素。
如請求項2或3所述的方法，其中該等特性元素(90)包括透過字典學習而獲取的一字典(121)的多個元素。
如請求項2或3所述的方法，其中該等特性元素(90)包括透過獨立成分分析而獲取的多個獨立成分。
如請求項2或3所述的方法，其中該等特性元素(90)包括透過一非監督叢集法而獲取的許多影像塊(image-patches)。
如請求項1所述的方法，其中該成像資料集(28)的該子集合的該觀測表徵(88)包括一註記向量，該註記向量以一參考影像(66)的一對應子集合的形式指示出該成像資料集(28)的該子集合與一特性元素(90)之間的偏移，使得該參考影像(66)的該對應子集合透過該註記向量而與該成像資料集(28)的該子集合進行註記，並且其中該等無缺陷觀測成像資料集(30)的該等子集合的該等無缺陷表徵(94)包括以多個參考影像(66)的多個對應子集合的形式指示出該等無缺陷觀測成像資料集(30)的該等子集合與該特性元素(90)之間的偏移，使得該等參考影像(66)的該等對應子集合透過該等註記向量與該等無缺陷觀測成像資料集(30)的該等子集合進行註記。
如請求項12所述的方法，其中一成像資料集(28)的一子集合的該重建誤差包括該成像資料集(28)的該子集合與該參考影像(66)的該對應子集合之間的一扭曲誤差，並且其中一無缺陷觀測成像資料集(30)的一子集合的一無缺陷表徵(94)的該重建誤差包括該無缺陷觀測成像資料集(30)的該子集合與該參考影像(66)的該對應子集合之間的一扭曲誤差。
如請求項1所述的方法，其中該多個特性元素(90)包括在多個半導體結構的該等參考影像(66)上訓練的一機器學習模型，並且其中該成像資料集(28)的該子集合的該觀測表徵(88)包括當應用於該成像資料集(28)的該子集合時的該機器學習模型的輸出，並且其中該等無缺陷觀測成像資料集(30)的該等子集合的該等無缺陷表徵(94)包括當應用於該等無缺陷觀測成像資料集(30)的該等子集合時的該機器學習模型的輸出。
如請求項14所述的方法，其中該機器學習模型包括一神經網路(118)。
如請求項2、3與12至15中任一項所述的方法，其中該缺陷標準包括基於所得的該觀測表徵(88)的一統計屬性，其有關於該容差統計(92)，檢測該成像資料集(28)的該子集合中的一缺陷(39)。
如請求項16所述的方法，其中該統計屬性包括該容差統計(92)的一分位數，特別是一閾值。
如請求項16所述的方法，其中該統計屬性包括一信賴區間。
如請求項16所述的方法，其中該統計屬性包括該容差統計(92)的一動差，特別是一平均值和/或一變異數。
如請求項2、3與12至15中任一項所述的方法，其中透過解決該等無缺陷表徵(94)上包含該重構誤差的一最佳化問題以及包含該容差統計(92)的一先驗，以獲取該成像資料集(28)的該子集合的該觀測表徵(88)。
如請求項20所述的方法，其中該缺陷標準包括基於解決該最佳化問題的該重建誤差來檢測所獲取的該成像資料集(28)的該子集合中的一缺陷(39)。
如請求項2、3與12至15中任一項所述的方法，其中該容差統計(92)包括透過一密度預估技術從該等無缺陷觀測成像資料集(30)的該等無缺陷表徵(94)所獲取的一機率密度函數。
如請求項22所述的方法，其中透過一參數密度預估技術獲取該容差統計(92)的該機率密度函數，特別是一高斯模型或一高斯混合模型的該機率密度函數。
如請求項22所述的方法，其中透過一非參數密度估計技術，特別是一Parzen密度估計器，來獲取該容差統計(92)的該機率密度函數。
如請求項2、3與12至15中任一項所述的方法，其中該容差統計(92)包括在該等無缺陷觀測成像資料集(30)的該等子集合的該等無缺陷表徵(94)上所訓練的一機器學習模型，特別是一單類別SVM或一支援向量資料描述。
如請求項2、3與12至15中任一項所述的方法，其中該容差統計(92)僅包括該等無缺陷觀測成像資料集(30)的該等子集合的該等無缺陷表徵(94)的多個維數的一子集合。
如請求項2、3與12至15中任一項所述的方法，其中該容差統計(92)包括針對該等無缺陷觀測成像資料集(30)的該等子集合的該等無缺陷表徵(94)的該維數子集合中每個維數的一單獨容差統計。
如請求項2、3與12至15中任一項所述的方法，其中多個半導體結構的該等參考影像(66)包括多個半導體結構的多個無缺陷觀測成像資料集(30)的多個子集合。
如請求項2、3與12至15中任一項所述的方法，其中多個半導體結構的該等參考影像(66)包括多個半導體結構的多個無缺陷生成影像的多個子集合。
如請求項29所述的方法，其中多個半導體結構的該等無缺陷生成影像包括多個無缺陷半導體結構的多個合成影像。
如請求項29所述的方法，其中多個半導體結構的該等無缺陷生成影像包括表示多個半導體結構的多個多邊形。
如請求項29所述的方法，其中多個半導體結構的該等無缺陷生成影像包括從一晶圓的一無缺陷CAD模型所生成的多個影像。
如請求項29所述的方法，其中將所生成的該等影像透過模擬一影像擷取過程和一微影製程進行模擬，以具有與該晶圓(24)的所觀測的一成像資料集(28)類似的一外觀。
如請求項2、3與12至15中任一項所述的方法，其中該等參考影像(66)包括多個半導體結構的多個無缺陷生成影像和該等半導體結構的多個無缺陷觀測影像。
如請求項2、3與12至15中任一項所述的方法，其中該等參考影像(66)已對準。
如請求項2、3與12至15中任一項所述的方法，其中所觀測的該成像資料集(28)的該子集合的該觀測表徵(88)包括關於該子集合在該成像資料集(28)中的位置的空間資訊，並且其中該等無缺陷觀測成像資料集(30)的該等子集合的該等無缺陷表徵(94)包括關於該等子集合在該等無缺陷觀測成像資料集(30)中的位置的空間資訊。
如請求項36所述的方法，其中該空間資訊包括多個位置編碼，其包括不同頻率的多個傅立葉函數。
如請求項2、3與12至15中任一項所述的方法，其中該子集合包括一單一像素。
如請求項2、3與12至15中任一項所述的方法，其中從包括該成像資料集(28)的該子集合的一感興趣區域獲取該成像資料集(28)的該子集合的該觀測表徵(88)，並且其中從包括該等無缺陷觀測成像資料集(30)的該等子集合的多個感興趣區域中獲取該等無缺陷觀測成像資料集(30)的該等子集合的該等無缺陷表徵(94)。
如請求項2、3與12至15中任一項所述的方法，其中該缺陷標準進一步包括透過已訓練的一機器學習模型(95)修改該缺陷檢測結果。
如請求項2、3與12至15中任一項所述的方法，更包括透過已訓練的一機器學習模型(95)修改用於缺陷檢測(82)的該電腦實施方法的一中間結果。
如請求項41所述的方法，其中將已訓練的該機器學習模型(95)應用至該成像資料集(28)的該子集合，和/或應用至該成像資料集(28)的該子集合與已對準的一參考影像(66)之間的一差異，和/或應用至該成像資料集(28)的該子集合的該觀測表徵(88)的該重建誤差，其中已對準的該參考影像(66)特別是模擬的已對準的一參考影像(67)。
如請求項40所述的方法，其中已訓練的該機器學習模型(95)包括一自動編碼器。
如請求項40所述的方法，其中已訓練的該機器學習模型(95)包括一分割模型。
如請求項2、3與12至15中任一項所述的方法，其中對一機器學習模型進行訓練，以從多個缺陷類型的一預定義集合中分配一缺陷類型至一晶圓(24)的一成像資料集(28)的一子集合，並且將該缺陷(39)傳達至負責該缺陷的一特定硬體單元。
如請求項2、3與12至15中任一項所述的方法，其中透過一帶電粒子束系統，特別是多束掃描電子顯微鏡，來獲取該成像資料集(28)。
如請求項2、3與12至15中任一項所述的方法，更包括將一晶圓(24)的一成像資料集(28)的一子集合的一觀測表徵(88)和/或多個特性元素(90)和/或一晶圓(24)的一成像資料集(28)中的已檢測到的多個缺陷(39)引導至用於視覺化的一顯示裝置(136)或一儀表板。
如請求項2、3與12至15中任一項所述的方法，更包括將一晶圓(24)的一成像資料集(28)中的已檢測到的多個缺陷(39)引導至用於視覺化的一顯示裝置(136)或一儀表板，其中根據缺陷類型，突出顯示或標記已檢測到的該等缺陷(39)。
如請求項2、3與12至15中任一項所述的方法，其中透過一可更換硬體提供多個參考影像(66)、多個特性元素(90)和/或該容差統計(92)。
一種電腦實施方法(96)，用於獲取多個晶圓(24)的多個無缺陷觀測成像資料集(30)的多個子集合的多個無缺陷表徵(94)上的一容差統計(92)，該方法包括以下步驟：i.獲取包括多個半導體結構的多個晶圓(24)的多個無缺陷觀測成像資料集(30)；ii.生成多個晶圓(24)的多個無缺陷觀測成像資料集(30)的多個子集合的多個無缺陷表徵(94)，其有關於源自多個半導體結構的多個參考影像(66)的多個特性元素(90)，其中該等無缺陷表徵(94)的每一者和該等特性元素(90)定義出該等無缺陷觀測成像資料集(30)的一子集合的最小重建誤差的重建；iii.獲取在該等無缺陷表徵(94)上的一容差統計(92)。
如請求項50所述的方法，更包括在步驟ii之前，藉由解決包括多個參考影像(66)的多個重建的一最小重建誤差的一最佳化問題，以從多個半導體結構的多個參考影像(66)獲取多個特性元素(90)，該等重建是藉由多個參考表徵(104)和該等特性元素(90)而定義。
如請求項51所述的方法，其中該最佳化問題包括一特性元素(90)的至少一個約束或先驗。
如請求項52所述的方法，其中該約束或先驗涉及該特性元素(90)的稀疏性，特別是該特性元素(90)的L0範數或L1範數或多個峰度。
如請求項51至53其中任一項所述的方法，其中該最佳化問題包括一參考表徵(104)上的至少一個約束或先驗。
如請求項54所述的方法，其中該約束或先驗是測量該參考表徵(104)的稀疏性，特別是該參考表徵(104)的L0範數或L1範數或多個峰度。
如請求項2、3、12至15與50至53中任一項所述的方法，更包括判定出該成像資料集(28)的一子集合中已識別的多個缺陷(39)的一或多個測量結果，特別是大小、面積、維數、形狀參數、距離、半徑、長寬比、類型、缺陷數量、密度、缺陷的空間分佈、缺陷的存在，等等。
如請求項56所述的方法，更包括基於該一或多個測量結果和至少一種品質評估規則來評估該晶圓的品質。
如請求項56所述的方法，更包括基於該成像資料集(28)中所識別的該等缺陷的一或多個測量結果來控制至少一個晶圓製造過程參數。
一種電腦可讀介質，其上儲存有可由一計算裝置執行的一電腦程式，該電腦程式包括用於執行根據請求項1至58中任一項所述的方法的代碼。
一種電腦程式產品，其包括多個指令，當一電腦執行該程式時，該等指令使得該電腦執行根據請求項1至58中任一項所述的方法。
一種用於控制在一半導體製造廠中生產多個晶圓(24)的品質的系統(122)，該系統(122)包括：- 一成像裝置(124)，其適於提供一晶圓(24)的一成像資料集(28)；- 一或多個處理裝置(126)；- 一或多個機器可讀硬體儲存裝置，其包括可由一或多個處理裝置(126)所執行的多個指令，以執行包含請求項57所述方法的多個操作。
一種用於一半導體製造廠控制多個晶圓(24)的生產的系統(140)，該系統(104)包括：- 用於生產多個晶圓(24)的一裝置(138)，其被至少一個製造過程參數所控制；- 一成像裝置(124)，其適於提供一晶圓(24)的一成像資料集(28)；- 一或多個處理裝置(126)；- 一或多個機器可讀硬體儲存裝置，其包括可由一或多個處理裝置(126)所執行的多個指令，以執行包含請求項58所述方法的多個操作。
如請求項61或62所述的系統，更包括一顯示裝置(136)。
如請求項61或62所述的系統，更包括一使用者介面(134)。
一種電子裝置，包括：<br/> 一基座機體以及一顯示機體，其中該基座機體的一樞接側樞接該顯示機體；<br/> 一麥克風裝置，設置在該基座機體或者該顯示機體中；<br/> 多個喇叭，設置在該基座機體及該顯示機體中的至少一者；以及<br/> 一處理器，設置在該基座機體以及該顯示機體中的至少一者，該處理器執行一應用程式，該應用程式要求取得該電子裝置的一麥克風裝置以及多個喇叭的一使用權限，<br/> 其中當該電子裝置准許授與該使用權限時，該處理器執行一控制程式，該控制程式根據該些喇叭分別與該麥克風裝置之間的多個距離判斷是否維持或切換各該喇叭的被致能狀態，以使該些喇叭中的一者被開啟並且該些喇叭中的其他者被關閉。
如請求項1所述的電子裝置，其中該控制程式根據一相對距離選擇該些喇叭中被開啟的一者，其中該相對距離為該些喇叭分別與該麥克風裝置之間的該些距離中的最大值。
如請求項2所述的電子裝置，其中當該些距離中的最大值包括相同的多個值時，該控制程式隨機選擇該些喇叭中被開啟的一者。
如請求項1所述的電子裝置，其中當該應用程式要求取得該使用權限時，該控制程式調整該麥克風裝置的指向性，並且響應於未接收到一存取要求，該控制程式禁能該麥克風裝置，以使該麥克風裝置被關閉並且具有經調整的指向性。
如請求項1所述的電子裝置，其中當該應用程式要求取得該使用權限時，該控制程式調整該麥克風裝置的指向性，並且響應於接收到一存取要求，該控制程式致能該麥克風裝置，以使該麥克風裝置被開啟並且具有經調整的指向性。
如請求項1所述的電子裝置，其中當該麥克風裝置被開啟時，該應用程式要求取得該使用權限，並且該控制程式調整該麥克風裝置的指向性，以使該麥克風裝置被開啟並且具有經調整的指向性。
如請求項1所述的電子裝置，其中該些喇叭包括一第一喇叭以及一第二喇叭，<br/> 其中該第一喇叭以及該第二喇叭設置在該基座機體的一操作面上的不同側中，或者設置在該基座機體相對於該樞接側的一用戶側的不同位置中，其中該操作面鄰接該樞接側以及該用戶側。
如請求項7所述的電子裝置，其中該第一喇叭設置在該基座機體的該操作面上的一第一側中，並且該第二喇叭設置在該基座機體的該操作面上相對於該第一側的一第二側中。
如請求項8所述的電子裝置，其中該麥克風裝置設置在該顯示機體的一顯示面的一側中。
如請求項8所述的電子裝置，其中該麥克風裝置設置在該基座機體的該用戶側中，並且偏離該用戶側的一中心點。
如請求項8所述的電子裝置，其中該第一喇叭設置在該基座機體的該用戶側的一第一邊緣位置中，並且該第二喇叭設置在該基座機體的該用戶側的一第二邊緣位置中。
如請求項10所述的電子裝置，其中該麥克風裝置設置在該基座機體的該操作面上的一第三側中，並且偏離該用戶側的一中心點，其中該操作面上的該第三側鄰接該用戶側。
如請求項7所述的電子裝置，其中該些喇叭還包括一第三喇叭，<br/> 其中該第三喇叭設置在該基座機體的該操作面上，並且遠離該第一喇叭以及該第二喇叭。
如請求項13所述的電子裝置，其中該第三喇叭設置在該基座機體的該操作面上的一第四側中，並且置中或者偏離該用戶側的一中心點，其中該操作面上的該第四側鄰接該樞接側。
如請求項14所述的電子裝置，其中該第一喇叭設置在該基座機體的該用戶側的一第一邊緣位置中，該第二喇叭設置在該基座機體的該用戶側的一第二邊緣位置中。
如請求項15所述的電子裝置，其中該麥克風裝置設置在該顯示機體的一顯示面的一側中。
如請求項15所述的電子裝置，其中該麥克風裝置設置在該基座機體的該用戶側中，並且置中該用戶側的該中心點。
如請求項15所述的電子裝置，其中該第一喇叭設置在該基座機體的該操作面上的一第一側中，並且該第二喇叭設置在該基座機體的該操作面上相對於該第一側的一第二側中。
如請求項18所述的電子裝置，其中該麥克風裝置設置在該基座機體的該用戶側中，並且置中該用戶側的該中心點。
如請求項14所述的電子裝置，其中該第一喇叭設置在該基座機體的該操作面上的該第四側中，並且該第二喇叭設置在該基座機體的該操作面上相對於該第四側的一第三側中，其中該操作面上的該第三側鄰接該用戶側。
如請求項20所述的電子裝置，其中該麥克風裝置設置在該基座機體的該用戶側的一第一邊緣位置中。
一種電子裝置的操作方法，包括：<br/> 透過該電子裝置的一處理器，執行一應用程式，該應用程式要求取得該電子裝置的一麥克風裝置以及多個喇叭的一使用權限；<br/> 透過該處理器，當該電子裝置准許授與該使用權限時，執行一驅動程式；<br/> 透過該處理器，根據該驅動程式執行一控制程式，該控制程式根據該些喇叭分別與該麥克風裝置之間的多個距離判斷是否維持或切換各該喇叭的被致能狀態，以使該些喇叭中的一者被開啟並且該些喇叭中的其他者被關閉。
如請求項22所述的操作方法，還包括：<br/> 透過該處理器，致能該些喇叭以操作在一第一模式中。
如請求項22所述的操作方法，其中執行該應用程式的步驟包括：<br/> 透過該處理器，在一第一模式中，判斷該處理器接收用以開啟該麥克風裝置的一存取要求；以及<br/> 透過該處理器，在該第一模式中，根據該存取要求開啟該麥克風裝置。
如請求項22所述的操作方法，還包括：<br/> 透過該控制程式，當該應用程式要求取得該使用權限時，調整該麥克風裝置的指向性，並且響應於未接收到一存取要求，禁能該麥克風裝置，以使該麥克風裝置被關閉並且具有經調整的指向性。
如請求項22所述的操作方法，還包括：<br/> 透過該控制程式，當該應用程式要求取得該使用權限時，調整該麥克風裝置的指向性，並且響應於接收到一存取要求，致能該麥克風裝置，以使該麥克風裝置被開啟並且具有經調整的指向性。
如請求項22所述的操作方法，還包括：<br/> 透過該應用程式，當該麥克風裝置被開啟時，要求取得該使用權限，並且透過該控制程式，調整該麥克風裝置的指向性，以使該麥克風裝置被開啟並且具有經調整的指向性；以及<br/> 透過該處理器，當該些喇叭經切換並且該麥克風裝置的指向性經調整時，操作在一第二模式中以繼續執行該應用程式。
一種電子裝置的操作方法，包括：<br/> 透過該電子裝置的一處理器，執行一背景應用程式；<br/> 透過該處理器，執行一應用程式，該應用程式要求取得該電子裝置的一麥克風裝置以及多個喇叭的一使用權限；<br/> 透過該處理器，當該電子裝置准許授與該使用權限時，喚醒該背景應用程式以執行一驅動程式；<br/> 透過該處理器，根據該驅動程式執行一控制程式，該控制程式根據該些喇叭分別與該麥克風裝置之間的多個距離判斷是否維持或切換各該喇叭的被致能狀態，以使該些喇叭中的一者被開啟並且該些喇叭中的其他者被關閉。
如請求項28所述的操作方法，還包括：<br/> 透過該處理器，致能該些喇叭以操作在一第一模式中。
如請求項28所述的操作方法，其中執行該應用程式的步驟包括：<br/> 透過該處理器，在一第一模式中，該處理器接收用以致能該麥克風裝置的一存取要求；以及<br/> 透過該處理器，在該第一模式中，根據該存取要求致能該麥克風裝置。
如請求項28所述的操作方法，還包括：<br/> 透過該控制程式，當該應用程式要求取得該使用權限時，調整該麥克風裝置的指向性，並且響應於未接收到一存取要求，禁能該麥克風裝置，以使該麥克風裝置被關閉並且具有經調整的指向性。
如請求項28所述的操作方法，還包括：<br/> 透過該控制程式，當該應用程式要求取得該使用權限時，調整該麥克風裝置的指向性，並且響應於接收到一存取要求，致能該麥克風裝置，以使該麥克風裝置被開啟並且具有經調整的指向性。
如請求項28所述的操作方法，還包括：<br/> 透過該應用程式，當該麥克風裝置被開啟時，要求取得該使用權限，並且透過該控制程式，調整該麥克風裝置的指向性，以使該麥克風裝置被開啟並且具有經調整的指向性；以及<br/> 透過該處理器，當該些喇叭經切換並且該麥克風裝置的指向性經調整時，操作在一第二模式中以繼續執行該應用程式。
一種飼料添加物，包含：<br/>一絲蘭萃取物，其中，該絲蘭萃取物包含50%以上的重量比例的皂苷；以及<br/>一複合芽孢桿菌，其中該複合芽孢桿菌包含至少二種以上芽孢桿菌屬的菌株，且該複合芽孢桿菌具有大於10<sup>7</sup>個菌落形成單位，其中，該複合芽孢桿菌包含寄存編號BCRC11594的地衣芽孢桿菌（<i>Bacillus licheniformis</i>）及寄存編號BCRC910395的液化澱粉芽孢桿菌（<i>Bacillus amyloliquefaciens</i>），且該地衣芽孢桿菌及該液化澱粉芽孢桿菌的重量比例介於1：1.2至1：1.8。
如申請專利範圍第1項所述飼料添加物，其中，該絲蘭萃取物包含糖苷、絲蘭多酚及絲蘭醇。
如申請專利範圍第1項所述飼料添加物，其中，該絲蘭萃取物用於降低50%氨氣含量的最小劑量小於4毫克。
如申請專利範圍第1項所述飼料添加物，其中，該絲蘭萃取物在該飼料添加物中的重量百分比為2.5%至10.0%，並且，該複合芽孢桿菌在該飼料添加物中的重量百分比為20%至35%。
如申請專利範圍第1項所述飼料添加物，其中，該飼料添加物還包括一賦形劑，該賦形劑選自由碳酸鈣及二氧化矽組成的群組。
如申請專利範圍第5項所述飼料添加物，其中，該飼料添加物包含固體劑型，該飼料添加物摻入一飼料中的重量百分比為0.1%至0.15%。
如申請專利範圍第1項所述飼料添加物，其中，該絲蘭萃取物及該複合芽孢桿菌的重量比例約為1:2至1:14。
一種用於存放並且轉出集裝箱(2)的高架倉庫(1)，具有許多水平並排地且豎直疊置地佈置的用於集裝箱(2)的貨架格(3)和佈置在所述貨架格(3)的組之間的並且彼此平行地伸展的倉庫巷道(4)，在所述倉庫巷道中分別有至少一台貨架操作設備(5)能夠來回移動並且所述貨架操作設備(5)被設計用於使所述集裝箱(2)豎直地且水平地移動並且使其移動到所述貨架格(3)中並且從其中移動出來，其中，設置了用於探測所述高架倉庫(1)的內部的許多所述貨架格(3)的溫度和/或溫度變化的裝置，在所述高架倉庫(1)的內部設置了滅火裝置，所述滅火裝置具有用於滅火劑的儲存器以及用於將滅火劑輸送到所述集裝箱(2)的內部中的裝置。
根據請求項1所述的高架倉庫(1)，其中，用於探測所述貨架格(3)的溫度和/或溫度變化的所述裝置與顯示和/或測評單元(8)相連接。
根據請求項2所述的高架倉庫(1)，其中，所述顯示和/或測評單元(8)確定在所述貨架格(3)的內部每時間單位超過用於溫度和/或溫度變化的事先規定的閾值或超過所存放的所述集裝箱(2)的外部溫度的情況。
根據請求項1至3中任一項所述的高架倉庫(1)，其中，用於探測溫度和/或溫度變化的所述裝置被設立並且被構造用於檢測至少一個被存放在所述貨架格(3)中的所述集裝箱(2)的環境溫度。
根據請求項1至3中任一項所述的高架倉庫(1)，其中，用於探測溫度和/或溫度變化的所述裝置包括光學的和/或電氣的感測器(6)。
根據請求項5所述的高架倉庫(1)，其中，用於探測溫度和/或溫度變化的所述裝置包括至少一根電纜(9)，所述感測器(6)被嵌入到至少一根所述電纜(9)中，其中至少一根所述電纜(9)被設置在所述高架倉庫(1)中。
根據請求項6所述的高架倉庫(1)，其中，至少一根所述電纜(9)具有耐熱的護套。
根據請求項1至3中任一項所述的高架倉庫(1)，其中，用於探測溫度和/或溫度變化的所述裝置能夠獲取並且/或者顯示集裝箱火災的起源位置。
根據請求項1所述的高架倉庫(1)，其中，所述用於將滅火劑輸送至所述集裝箱(2)的內部中的裝置具有用於擊穿所述集裝箱(2)的外殼的穿孔芯棒。
根據請求項1所述的高架倉庫(1)，其中，所述滅火裝置能夠從外部來啟動。
根據請求項1至3中任一項所述的高架倉庫(1)，其中，所述貨架格(3)被設計並且適合用於接收20英尺標準集裝箱(1 TEU)或40英尺標準集裝箱(2 TEU)或用於接收兩個沿著其縱向方向先後佈置的、擁有一半長度的標準集裝箱(10英尺或20英尺標準集裝箱)。
根據請求項1至3中任一項所述的高架倉庫(1)，其中，所述貨架操作設備(5)能夠使所述集裝箱(2)在以其縱向側平行於所述倉庫巷道(4)定向的情況下移動到所述貨架格(3)中並且從這些所述貨架格(3)中移動出來。
根據請求項1至3中任一項所述的高架倉庫(1)，其中，所述貨架操作設備(5)能夠以懸掛的並且從上方支撐的方式運送所述集裝箱(2)。
根據請求項1至3中任一項所述的高架倉庫(1)，其中，所述高架倉庫(1)關於存放區域利用適合於存放超過2500 TEU/ha。
根據請求項1所述的高架倉庫(1)，其中，設置了用於探測所述高架倉庫(1)的內部的大於30%的所述貨架格(3)的溫度和/或溫度變化的所述裝置。
根據請求項1所述的高架倉庫(1)，其中，設置了用於探測所述高架倉庫(1)的內部的大於50%的所述貨架格(3)的溫度和/或溫度變化的所述裝置。
根據請求項1所述的高架倉庫(1)，其中，設置了用於探測所述高架倉庫(1)的內部的大於90%的所述貨架格(3)的溫度和/或溫度變化的所述裝置。
根據請求項1所述的高架倉庫(1)，其中，設置了用於探測所述高架倉庫(1)的內部的所有的所述貨架格(3)的溫度和/或溫度變化的所述裝置。
根據請求項2所述的高架倉庫(1)，其中，所述顯示和/或測評單元(8)被設立並且被構造用於單獨地對用於探測溫度和/或溫度變化的所述裝置的每個感測器(6)的信號進行測評。
根據請求項3所述的高架倉庫(1)，其中，所述顯示和/或測評單元(8)輸出光學的和/或聲學的報警信號。
根據請求項6所述的高架倉庫(1)，其中，所述感測器(6)相對於彼此以相同間距被嵌入到至少一根所述電纜(9)中。
根據請求項6所述的高架倉庫(1)，其中，所述感測器(6)相對於彼此以處於1與2m之間的相同間距被嵌入到至少一根所述電纜(9)中。
根據請求項6所述的高架倉庫(1)，其中，至少一根所述電纜(9)相對於所述貨架格(3)的列以相同間距被設置在所述高架倉庫(1)中。
根據請求項6所述的高架倉庫(1)，其中，至少一根所述電纜(9)可更換地與所述高架倉庫(1)相連接。
根據請求項7所述的高架倉庫(1)，其中，至少一根所述電纜(9)具有擁有儲熱性能的護套。
根據請求項1所述的高架倉庫(1)，其中，在所述高架倉庫(1)的內部設置了與至少一台所述貨架操作設備(5)相連接的所述滅火裝置。
根據請求項1所述的高架倉庫(1)，其中，所述儲存器可從上方安放到所述貨架操作設備(5)上並且與所述貨架操作設備(5)可更換地連接。
根據請求項11所述的高架倉庫(1)，其中，所述貨架格(3)是隔開的。
根據請求項12所述的高架倉庫(1)，其中，所述貨架格(3)是隔開的。
根據請求項14所述的高架倉庫(1)，其中，所述高架倉庫(1)關於存放區域利用適合於存放超過3000 TEU/ha。
一種用於探測在高架倉庫(1)中的火災的方法，所述高架倉庫(1)是根據請求項1至30中任一項所述的高架倉庫，包含，對被存放在所述貨架格(3)的內部的所述集裝箱(2)或者其環境的溫度和/或溫度變化進行監控，單獨地對用於探測溫度和/或溫度變化的所述裝置的每個感測器(6)的信號進行測評並且在超過所述溫度和/或溫度變化的事先規定的閾值時借助於所述貨架操作設備(5)將相應的所述集裝箱(2)從所述貨架格(3)中取出。
根據請求項31所述的用於探測在高架倉庫(1)中的火災的方法，還包含，將由所述貨架操作設備(5)取出的所述集裝箱(2)從所述高架倉庫(1)中移去或者輸送至在所述高架倉庫(1)的內部設置的集裝箱置放場地。
根據請求項31或32所述的用於探測在高架倉庫(1)中的火災的方法，還包含，與所述貨架操作設備(5)相連接的所述滅火裝置在通過所述貨架操作設備(5)接收所述集裝箱(2)之時或之後將滅火劑引入到所述集裝箱(2)的內部中。
根據請求項33所述的用於探測在高架倉庫(1)中的火災的方法，其中，所述滅火劑的引入借助於可啟動的穿孔芯棒來進行。
根據請求項31所述的用於探測在高架倉庫(1)中的火災的方法，其中，所述用於探測在高架倉庫(1)中的火災的方法還用於消除在所述高架倉庫(1)中的火災。
一種偏光板，其係在偏光片的一面上貼合保護膜A，在另一面上貼合保護膜B之偏光板，<br/> 該保護膜A係在透明基材的一面上形成硬塗層而成之硬塗膜，且具有由該透明基材的樹脂成分所構成之基材層、由硬塗成分所構成之最外層、與形成在該基材層及該最外層之間並混合有該透明基材的樹脂成分及該硬塗成分之相容層，<br/> 於40℃90%RH下的該保護膜A之透濕度TA及該保護膜B之透濕度TB同時滿足以下條件(1)及(2)，<br/> 該最外層的厚度a與該相容層的厚度b滿足以下條件(3)：<br/> 240g/m<sup>2</sup>/day≧TA＞70g/m<sup>2</sup>/day ･･･(1)<br/> 70g/m<sup>2</sup>/day≧TB ･･･(2)<br/> 0.60≦a/b≦0.85 ･･･(3)。
如請求項1之偏光板，其中該透明基材為三乙酸纖維素薄膜。
如請求項1之偏光板，其在進行以40℃、20%RH、放射強度500±50W/m<sup>2</sup>之條件對該保護膜的該硬塗層照射光之耐候測試200小時後，該硬塗層沒有產生剝離。
如請求項1之偏光板，其中該保護膜A的鉛筆硬度為3H以上。
如請求項1之偏光板，其中該保護膜B係由環烯烴聚合物、聚對苯二甲酸乙二酯及聚甲基丙烯酸甲酯中的任一種所構成之薄膜。
如請求項1之偏光板，其滿足以下條件：<br/> 240g/m<sup>2</sup>/day≧TA≧190g/m<sup>2</sup>/day<br/> 2.9≦a≦3.6<br/> 4.1≦b≦4.9<br/> 0.61≦a/b≦0.83。
如請求項1之偏光板，其滿足以下條件：<br/> 220g/m<sup>2</sup>/day≧TA≧190g/m<sup>2</sup>/day<br/> 3.1≦a≦3.6<br/> 4.1≦b≦4.8<br/> 0.69≦a/b≦0.83。
一種顯示裝置，其係具備如請求項1至7中任一項之偏光板。
一種電通信系統，其包括： <br/>可撓性的波導，其被配置以傳播RF電信號，該波導包括： <br/>內部介電質，其界定具有朝向彼此會聚之第一側及第二側的自由端； <br/>波導屏蔽件，其環繞該內部介電質；及 <br/>介電護套，其環繞該波導屏蔽件； <br/>附接部件，其與該RF波導電通信，使得電信號可傳遞於該波導及該附接部件之間；以及 <br/>電連接器，其安裝至該附接部件，該電連接器包括連接器外殼及導電天線以與該波導電通信， <br/>其中該附接部件是直角附接部件，其沿著縱向方向自該波導接收該電信號並且沿著垂直於該縱向方向之方向路由該電信號。
如請求項1之電通信系統，其中該天線由介電質環繞。
如請求項1或2之電通信系統，其中，該天線及第二天線都被安裝在相同的基板的情況時，該天線被配置以放置成與該第二天線電通信。
如請求項1或2之電通信系統，其中該天線被附接到該波導。
如請求項4之電通信系統，其中該天線被附接到該波導的該內部介電質。
如請求項1或2之電通信系統，其中該天線延伸至該附接部件的通道中。
如請求項6之電通信系統，其中該天線接收從該波導所傳遞且進入該附接部件的該通道中的電信號。
如請求項1或2之電通信系統，其中該內部介電質具有前端，該前端為自由且錐形的。
如請求項8之電通信系統，其中自由且錐形的該前端延伸至氣態波導。
如請求項1或2之電通信系統，其中該波導在大約40至140 GHz之間操作且具有-25 dB或更佳的回程損耗。
一種電通信系統，其包括：<b> </b><br/>介電波導，其被配置以傳播RF電信號，該介電波導包括內部介電質；以及 <br/>附接部件，其附接至該介電波導，該附接部件具有天線，該天線延伸至該附接部件的通道中且附接至該內部介電質。
如請求項11之電通信系統，其中該附接部件是導電的。
如請求項11或12之電通信系統，其中該附接部件是直角附接部件，其沿著縱向方向自該波導接收該電信號並且沿著垂直於該縱向方向之方向路由該電信號。
如請求項11之電通信系統，其中該介電波導是可撓的。
如請求項11之電通信系統，其中該介電波導進一步包括電波導屏蔽件，其環繞該內部介電質；以及介電護套，其環繞該波導屏蔽件。
如請求項11之電通信系統，其中該天線由介電質所圍繞。
如請求項11之電通信系統，其進一步包括保持夾具，其被配置以將該附接部件緊固至該介電波導。
如請求項11之電通信系統，其中該天線在基板處終止。
如請求項11之電通信系統，其中該天線連接至配合連接器。
一種波導互連部件，其被配置以將介電波導以可釋放方式緊固至互補波導互連件，該波導互連部件包括：<b> </b><br/>氣態波導壁，其界定內部氣態波導表面及與該內部氣態波導表面相對的外部氣態波導表面，其中該內部氣態波導表面界定內部波導通道， <br/>其中該外部氣態波導具有外部寬度，該外部寬度之範圍從大約8 mm到大約26 mm。
如請求項20之波導互連部件，其中該外部寬度是大約12 mm。
如請求項20之波導互連部件，其中該外部寬度是大約8 mm。
如請求項20之波導互連部件，其中該氣態波導壁界定從該介電質波導到該互補互連部件的過渡剖面，該過渡剖面具有非銳邊緣或非階梯式過渡。
如請求項20之波導互連部件，其中該內部波導通道含有介電材料。
如請求項24之波導互連部件，其中該介電材料包括氣體。
如請求項20之波導互連部件，其中該波導壁是金屬的。
如請求項20之波導互連部件，其中該波導壁包括導電有損耗材料。
如請求項20至27中任一項之波導互連部件，其包括內部波導互連件和外部波導互連件。
如請求項28之波導互連部件，其中該內部波導互連件界定該氣態波導壁，並且該外部波導互連件相對於該內部波導互連件是可旋轉的。
如請求項29之波導互連部件，其中該外部波導互連件是有螺紋的，以便以螺紋方式附接到該互補互連部件。
如請求項29之波導互連部件，其中該外部波導互連件是有內螺紋的。
一種介電波導纜線組件，其包括介電波導和如請求項20中所述的該波導互連部件。
一種具有外螺紋的凸緣，其中如請求項28中所述的該外部波導互連件帶有內螺紋以便旋擰至該凸緣之該外螺紋上。
一種用於運載工具到萬物無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 由經配置以使用一第一無線電存取技術(RAT)來進行通訊的一第一設備辨識在該第一設備與經配置以使用不同於該第一RAT的一第二RAT進行通訊的一第二設備之間共用的一共用射頻譜帶；產生用於在該共用射頻譜帶上的傳輸的一前序信號，該前序信號被配置為可由該第二RAT的該第二設備解碼，並且傳送對由該第一設備使用該第一RAT進行的一傳輸的一指示；配置在該前序信號中的一網路分配向量(NAV)或一傳輸時機(TxOP)參數中的至少一項，以傳送對用於由該第一設備使用該第一RAT進行的該傳輸的一傳輸持續時間的一指示；及在使用該第一RAT來進行該傳輸之前，傳送該前序信號。
如請求項1所述之方法，其中該第一RAT具有與該第二RAT相比更高的一傳輸優先順序。
如請求項1所述之方法，其中該第一RAT包括：一運載工具到萬物(V2X)RAT，且該第二RAT包括：一Wi-Fi RAT、一長期進化(LTE)許可輔助存取(LTE-LAA) RAT、一增強型LTE-LAA RAT，及一 multi-fire RAT中的一或多項。
如請求項1所述之方法，進一步包括以下步驟：<br/> 選擇用於由該第一設備使用該第一RAT進行的該傳輸的一頻寬；及配置該前序信號以傳送該頻寬的一指示。
如請求項1所述之方法，進一步包括以下步驟：<br/> 在由該第一設備使用該第一RAT進行該傳輸之前，執行一先聽後說(LBT)程序；及<br/> 當該LBT程序指示該共用射頻譜帶被佔用時，執行一回退程序。
如請求項1所述之方法，其中由該第一設備使用該第一RAT進行的該傳輸包括：一單播傳輸、一廣播傳輸，或其組合。
如請求項1所述之方法，其中由該第一設備使用該第一RAT進行的該傳輸包括：一運載工具到萬物(V2X)傳輸。
一種用於運載工具到萬物無線通訊的裝置，包括：一處理器；一記憶體，該記憶體與該處理器耦接；及數個指令，該等指令被儲存在該記憶體中且當由該處理器執行時可操作以使得該裝置進行以下步驟：由經配置以使用一第一無線電存取技術(RAT)來進行通訊的一第一設備辨識一共用射頻譜帶，該共用射頻譜帶是在該第一設備與經配置以使用不同於該第一RAT的一第二RAT來進行通訊的一第二設備之間共用的；產生用於在該共用射頻譜帶上的傳輸的一前序信號，該前序信號被配置為可由該第二RAT的該第二設備解碼，並且傳送對由該第一設備使用該第一RAT進行的一傳輸的一指示；配置在該前序信號中的一網路分配向量(NAV)或一傳輸機會(TxOP)參數中的至少一者以傳送對用於由該第一設備使用該第一RAT進行的該傳輸的一傳輸持續時間的一指示；及在使用該第一RAT進行該傳輸之前，傳送該前序信號。
如請求項8所述之裝置，其中該第一RAT 具有與該第二RAT相比一更高的傳輸優先順序。
如請求項8所述之裝置，其中該第一RAT 包括：一運載工具到萬物(V2X) RAT，且該第二RAT包括：一Wi-Fi RAT、一長期進化(LTE)許可輔助存取(LTE-LAA) RAT、一增強型LTE-LAA RAT，及一multi-fire RAT中的一或多項。
如請求項8所述之裝置，其中該等指令可進一步地由該處理器執行以進行以下步驟： 選擇用於由該第一設備使用該第一RAT進行的該傳輸的一頻寬；及 配置該前序信號以傳送該頻寬的一指示。
如請求項8所述之裝置，其中該等指令可進一步地由該處理器執行以進行以下步驟： 在由該第一設備使用該第一RAT來進行該傳輸之前，執行一先聽後說(LBT)程序；及 當該LBT程序指示該共用射頻譜帶被佔用時，執行一回退程序。
如請求項8所述之裝置，其中由該第一設備使用該第一RAT進行的該傳輸包括：一單播傳輸、一廣播傳輸，或其組合。
一種遮沒孔徑陣列系統，具備：<br/>遮沒孔徑陣列基板，形成有供多帶電粒子束的各射束從上游側朝下游側通過的複數個射束通過孔，和各射束通過孔相對應而分別設有進行前述各射束的遮沒偏向的遮沒器；<br/>第1放射線屏障，配置於前述遮沒孔徑陣列基板的上游側；及<br/>第2放射線屏障，配置於前述遮沒孔徑陣列基板的下游側；<br/>包含前述射束通過孔及前述遮沒器之單元部，係設於前述遮沒孔徑陣列基板的中央部，而包含對前述遮沒器分別施加電壓的電路元件之電路部，係配置於比前述單元部還靠前述遮沒孔徑陣列基板的周緣側，<br/>前述第1放射線屏障，覆蓋前述電路部的上方，具有：第1板，配置於前述遮沒孔徑陣列基板的上面，設有前述多帶電粒子束通過用的第1開口，而從前述第1開口的周緣延伸，<br/>前述第2放射線屏障，覆蓋前述電路部的下方，設有前述多帶電粒子束通過用的下側開口，具有：下側周壁部，從前述遮沒孔徑陣列基板的下面懸垂而包圍前述單元部；及下側板，從前述下側開口的周緣延伸。
如請求項1記載之遮沒孔徑陣列系統，其中，包圍前述單元部的前述下側周壁部，分別配置於前述遮沒孔徑陣列基板的前述單元部與前述電路部之間的區域、以及前述單元部與前述遮沒孔徑陣列基板的端部之間的區域，<br/>設於前述遮沒孔徑陣列基板的下面側的前述電路部，位於由前述下側周壁部與前述下側板所形成的空間內。
如請求項1記載之遮沒孔徑陣列系統，其中，前述第1放射線屏障更具有：第2板，配置於前述第1板的上方，設有前述多帶電粒子束通過用的第2開口，而從前述第2開口的周緣延伸，<br/>從前述第1板的前述第1開口的周緣部豎立有第1周壁部，<br/>從前述第2板的前述第2開口的周緣部懸垂有第2周壁部，<br/>前述第1周壁部的上部與前述第2周壁部的下部係嵌套狀地連結。
如請求項1記載之遮沒孔徑陣列系統，其中，前述下側板，和前述下側周壁部的下部相連，而和前述遮沒孔徑陣列基板的下面相隔距離配置。
如請求項4記載之遮沒孔徑陣列系統，其中，前述下側周壁部，具有：<br/>第3周壁部，從前述遮沒孔徑陣列基板的下面懸垂，而包圍前述單元部；及<br/>第4周壁部，從前述下側板的前述下側開口的周緣部豎立；<br/>前述第3周壁部的下部與前述第4周壁部的上部係嵌套狀地連結。
如請求項5記載之遮沒孔徑陣列系統，其中，更具備：帽構件，配置於前述第3周壁部及前述第4周壁部的外周面，堵塞前述第3周壁部的下部與前述第4周壁部的上部之間隙。
如請求項1記載之遮沒孔徑陣列系統，其中，前述第1板的下面與前述遮沒孔徑陣列基板的上面緊貼。
如請求項5記載之遮沒孔徑陣列系統，其中，前述第1板的下面與前述遮沒孔徑陣列基板的上面藉由接著劑而被接著，<br/>前述第3周壁部的上面與前述遮沒孔徑陣列基板的下面藉由接著劑而被接著。
如請求項3記載之遮沒孔徑陣列系統，其中，更具備：安裝基板，配置於前述第1板與前述第2板之間，<br/>前述電路部，設於前述遮沒孔徑陣列基板的下面側，藉由打線接合而與前述安裝基板連接。
如請求項3記載之遮沒孔徑陣列系統，其中，在比前述遮沒孔徑陣列基板還外側，<br/>藉由從前述第2板的下面下垂之下垂片、以及從前述下側板的上面站立之站立片，將前述第2板與前述下側板之間閉塞。
如請求項10記載之遮沒孔徑陣列系統，其中，前述下垂片的下部與前述站立片的上部係嵌套狀地連結。
如請求項3記載之遮沒孔徑陣列系統，其中，在比前述遮沒孔徑陣列基板還外側，在前述第2板的下面與前述下側板的上面之間配置非磁性金屬體。
如請求項1記載之遮沒孔徑陣列系統，其中，前述第1放射線屏障及前述第2放射線屏障由重金屬所構成。
一種多帶電粒子束描繪裝置，具備：<br/>帶電粒子束源，放出帶電粒子束；<br/>成形孔徑陣列基板，形成有複數個開口，前述帶電粒子束的一部分從上游側朝下游側各自通過前述複數個開口，藉此形成多帶電粒子束；<br/>遮沒孔徑陣列基板，形成有供前述多帶電粒子束的各射束從上游側朝下游側通過的複數個射束通過孔，和各射束通過孔相對應而分別設有進行前述各射束的遮沒偏向的遮沒器；<br/>第1放射線屏障，配置於前述遮沒孔徑陣列基板的上游側；及<br/>第2放射線屏障，配置於前述遮沒孔徑陣列基板的下游側；<br/>包含前述射束通過孔及前述遮沒器之單元部，係設於前述遮沒孔徑陣列基板的中央部，而包含對前述遮沒器分別施加電壓的電路元件之電路部，係配置於比前述單元部還靠前述遮沒孔徑陣列基板的周緣側，<br/>前述第1放射線屏障，覆蓋前述電路部的上方，具有：第1板，配置於前述遮沒孔徑陣列基板的上面，設有前述多帶電粒子束通過用的第1開口，而從前述第1開口的周緣延伸，<br/>前述第2放射線屏障，覆蓋前述電路部的下方，設有前述多帶電粒子束通過用的下側開口，具有：下側周壁部，從前述遮沒孔徑陣列基板的下面懸垂而包圍前述單元部；及下側板，從前述下側開口的周緣延伸。
一種電源供應系統，適於耦接一運算裝置，該運算裝置耦接於一次級接地端，該電源供應系統包含：<br/> 一隔離電源供應器，適於供電於該運算裝置，該隔離電源供應器包含一電源介面模組，耦接於一初級接地端，該初級接地端與該次級接地端非共地；<br/> 一升壓單元，耦接該電源介面模組之輸入端；<br/> 一電容單元，耦接該升壓單元且耦接該電源介面模組之輸出端；<br/> 一比較單元，耦接於該初級接地端，該比較單元包含一第一輸入端、一第二輸入端及一輸出端，該比較單元之第一輸入端耦接該電源介面模組之輸入端，該比較單元之第二輸入端耦接該電源介面模組之輸出端，當該比較單元判斷該第二輸入端之電位高於該第一輸入端之電位，該比較單元產生一掉電比較結果；<br/> 一隔離單元，包含一初級側及一次級側，該初級側適於透過該比較單元之輸出端耦接該初級接地端，該次級側耦接於該次級接地端，當該初級側接收該掉電比較結果，觸發該次級側產生一通知訊號；以及<br/> 一訊號輸出端，耦接該次級側且適於耦接該運算裝置，以輸出該通知訊號至該運算裝置。
如請求項1所述之電源供應系統，更包含一開關單元，耦接該電容單元且耦接該電源介面模組之輸出端，該開關單元適於接收該電源介面模組產生之一低電訊號，以改變該電容單元與該電源介面模組之輸出端之連接狀態，使該比較單元之該第二輸入端之電位高於該第一輸入端之電位。
如請求項1所述之電源供應系統，更包含一第一分壓單元及一第二分壓單元，該第一分壓單元之輸入端耦接該電源介面模組之輸入端，該第二分壓單元之輸入端耦接該電源介面模組之輸出端，該升壓單元適於將一第一電壓提升為一第二電壓，該第一電壓經過該第一分壓單元適於產生一第一分壓，該第二電壓經過該第二分壓單元適於產生一第二分壓，該第二分壓高於該第一分壓。
如請求項1所述之電源供應系統，該電源介面模組包含該升壓單元及一開關單元，該升壓單元耦接該電容單元之輸入端，該開關單元耦接該電容單元之輸出端及該電源介面模組之輸出端，當該電源介面模組判斷該電源介面模組之輸入端之電壓低於一低電電壓閾值時，將該開關單元之輸入端切換至該電容單元之輸出端。
如請求項1所述之電源供應系統，更包含一次級上拉電阻，該隔離單元之次級側包含一第一輸出端及一第二輸出端，該次級側之第一輸出端耦接該訊號輸出端且透過該次級上拉電阻耦接於一次級電源，該次級側之第二輸出端耦接該次級接地端，當該初級側接收該掉電比較結果，該次級側產生低電位之該通知訊號。
如請求項1所述之電源供應系統，更包含一次級下拉電阻，該隔離單元之次級側包含一第一輸出端及一第二輸出端，該次級側之第一輸出端耦接於一次級電源，該次級側之第二輸出端耦接該訊號輸出端且透過該次級下拉電阻耦接該次級接地端，當該初級側接收該掉電比較結果，該次級側產生高電位之該通知訊號。
如請求項1所述之電源供應系統，更包含一第一分壓單元及一第二分壓單元，該第一分壓單元之輸入端耦接該電源介面模組之輸入端，該第二分壓單元之輸入端耦接該電源介面模組之輸出端，該第一分壓單元之分壓比大於該第二分壓單元之分壓比。
如請求項1所述之電源供應系統，更包含一初級上拉電阻，該隔離單元之初級側包含一第一輸入端及一第二輸入端，該初級側之第一輸入端耦接一初級電源，該初級側之第二輸入端耦接該比較單元之輸出端，該比較單元之輸出端透過該初級上拉電阻耦接於該初級電源，當該比較單元產生低電位之該掉電比較結果，使該初級電源產生之電流通過該初級側，以觸發該次級側產生該通知訊號。
如請求項8所述之電源供應系統，其中，該初級電源為該電源介面模組之輸入端。
一種數值控制裝置，使用數值控制程式而透過機器人控制裝置來控制機器人，前述數值控制裝置具備： <br/>分析部，分析前述數值控制程式中的機器人控制指令； <br/>靈敏度變更部，因應於前述機器人控制指令，來生成用於變更前述機器人在因應於外力而停止動作時的接觸停止靈敏度之訊號；及 <br/>機器人指令訊號生成部，生成包含用於變更前述接觸停止靈敏度之訊號的機器人指令訊號，並發送到前述機器人控制裝置。
如請求項1之數值控制裝置，其中前述靈敏度變更部是藉由前述機器人指令訊號，而在前述機器人之伴隨對外部的接觸之動作的前後，變更前述接觸停止靈敏度。
如請求項1之數值控制裝置，其中前述靈敏度變更部是藉由前述機器人指令訊號，而和前述機器人之伴隨對外部的接觸之動作的方向相應地來變更前述接觸停止靈敏度。
如請求項1之數值控制裝置，其中前述靈敏度變更部是藉由前述機器人指令訊號，而和前述機器人所接觸之對象的重量或前述對象的慣性的至少一者相應地來變更前述接觸停止靈敏度。
如請求項1之數值控制裝置，其中前述機器人是偵測和人的接觸而停止動作之協同合作機器人。
一種數值控制系統，是使用數值控制裝置的數值控制程式，而透過機器人控制裝置來控制機器人之數值控制系統， <br/>前述數值控制裝置具備： <br/>分析部，分析前述數值控制程式中的機器人控制指令； <br/>靈敏度變更部，因應於前述機器人控制指令，來生成用於變更前述機器人在因應於外力而停止動作時的接觸停止靈敏度之訊號；及 <br/>機器人指令訊號生成部，生成包含用於變更前述接觸停止靈敏度之訊號的機器人指令訊號，並發送到前述機器人控制裝置， <br/>前述機器人控制裝置具備： <br/>機器人側靈敏度變更部，依據前述機器人指令訊號，來變更前述機器人在因應於外力而停止動作時的前述接觸停止靈敏度；及 <br/>接觸控制部，使前述機器人依據已變更之前述接觸停止靈敏度，因應於前述機器人所檢測出之負載來進行接觸停止動作。
如請求項6之數值控制系統，其中前述靈敏度變更部是藉由前述機器人指令訊號，而在前述機器人之伴隨對外部的接觸之動作的前後，變更前述接觸停止靈敏度。
如請求項6之數值控制系統，其中前述靈敏度變更部是藉由前述機器人指令訊號，而和前述機器人之伴隨對外部的接觸之動作的方向相應地來變更前述接觸停止靈敏度。
如請求項6之數值控制系統，其中前述靈敏度變更部是藉由前述機器人指令訊號，而和前述機器人所接觸之對象的重量或前述對象的慣性的至少一者相應地來變更前述接觸停止靈敏度。
如請求項6之數值控制系統，其中前述機器人是偵測和人的接觸而停止動作之協同合作機器人。
一種氣閥蓋，適用於一基板載具，該基板載具包括一殼體與配置於該殼體的一底部之一基座，該底部可容置一氣閥，該基座設置有一氣體開口，該氣閥蓋包括： <br/>一氣閥蓋本體，設置於該基座上；以及 <br/>複數個彈性扣臂，設置於該氣閥蓋本體上，該些彈性扣臂位於該氣體開口處，藉以將該氣閥固定於該殼體的該底部與該基座之間； <br/>其中，該氣閥蓋的一頂面低於該基座的表面高度與該氣閥的表面高度。
如請求項1所述之氣閥蓋，其中該氣閥蓋的該頂面低於該基座的表面高度與該氣閥的表面高度大於1mm。
如請求項1所述之氣閥蓋，其中該些彈性扣臂與該氣閥蓋本體之間具有一扣合彈性角度，該扣合彈性角度介於0至90度。
如請求項1所述之氣閥組件，其中該氣閥蓋本體係為一中空環，該些彈性扣臂的一側連接於該中空環之外側，並用以抵接於該氣閥，該些彈性扣臂之另一側朝向該氣體開口至該基座的一側部相抵接，使該些彈性扣臂的一部分位於該基座上，該些彈性扣臂可拆卸地設置於該氣體開口處。
如請求項4所述之氣閥蓋，其中各各該彈性扣臂具有一勾合部，該氣閥設有一限位部，該勾合部係朝向該氣體開口並勾合至該基座的該側部上，該些彈性扣臂與該中空環之外側相連接位置係用以抵接該限位部。
如請求項5所述之氣閥蓋，其中該基座自該氣體開口側緣向外延伸有一凹部，該勾合部經該凹部勾合於該基座上，且該勾合部與該基座重疊處具有0.8mm至1.5mm的勾合範圍。
如請求項4所述之氣閥蓋，該中空環的一內徑寬度足夠承靠該氣閥的該限位部，該中空環的該內徑寬度為直徑25mm至26.5mm，該中空環的一外徑寬度為25.1mm至28.5mm。
如請求項1所述之氣閥蓋，其中該氣閥蓋本體設置有一包覆部，該包覆部位於該些彈性扣臂下方，並遠離該氣體開口，該包覆部用以包覆該氣閥的一部份。
如請求項1所述之氣閥蓋，其中該些彈性扣臂的一側自該基座朝向該氣體開口延伸而成，該些彈性扣臂的另一側連接該氣閥蓋本體，該氣閥蓋本體用以抵接該氣閥。
一種基板載具，包括： <br/>一殼體，具有一底部，該底部用以容置一氣閥； <br/>一基座，配置於該殼體的該底部，該基座設置有一氣體開口，該氣體開口用以容置該氣閥的一部份，且該氣閥的表面高度小於或等於該基座的表面高度；以及 <br/>如請求項1所述之氣閥蓋，該氣閥蓋設置於該殼體的該底部與該基座之間，用以固定該氣閥並防止該氣閥掉落於該氣體開口外。
一種感光性樹脂組成物，包括： <br/>著色劑； <br/>光可聚合化合物； <br/>光聚合起始劑； <br/>黏合劑樹脂；以及 <br/>溶劑， <br/>其中： <br/>所述著色劑包含顏料、分散劑以及分散助劑，所述分散助劑由化學式1表示， <br/>[化學式1] <br/><img align="absmiddle" height="338px" width="345px" file="ed10088.jpg" alt="ed10088.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>在化學式1中，M為Cu或Zn； <br/>R<sup>11</sup>至R<sup>14</sup>、R<sup>21</sup>至R<sup>24</sup>以及R<sup>31</sup>至R<sup>34</sup>各自獨立地為氫原子、鹵素原子、羥基或經取代或未經取代的C1至C20烷基，其中R<sup>21</sup>至R<sup>24</sup>中的一個或兩個為經取代或未經取代的C1至C20烷基； <br/>R<sup>41</sup>至R<sup>44</sup>各自獨立地為氫原子、鹵素原子、羥基、經取代或未經取代的C1至C20烷基或經取代或未經取代的C1至C20烷氧基；且 <br/>R<sup>41</sup>至R<sup>44</sup>中的至少一個為經A取代的C1至C20烷氧基， <br/>其中A為由化學式2至化學式6中的一個表示的基團： <br/>[化學式2] [化學式3] <br/><img align="absmiddle" height="179px" width="157px" file="ed10089.jpg" alt="ed10089.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="68px" width="105px" file="ed10090.jpg" alt="ed10090.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式4] [化學式5] <br/><img align="absmiddle" height="147px" width="154px" file="ed10091.jpg" alt="ed10091.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="68px" width="81px" file="ed10092.jpg" alt="ed10092.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式6] <br/><img align="absmiddle" height="109px" width="119px" file="ed10093.jpg" alt="ed10093.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>在化學式4中，X<sup>1</sup>至X<sup>3</sup>各自獨立地為N或CH。
如請求項1所述的感光性樹脂組成物，其中R<sup>11</sup>至R<sup>14</sup>均為氫原子或均為鹵素原子。
如請求項1所述的感光性樹脂組成物，其中R<sup>31</sup>至R<sup>34</sup>均為氫原子。
如請求項1所述的感光性樹脂組成物，其中： <br/>R<sup>41</sup>至R<sup>44</sup>中的一個為由*-O-L<sup>1</sup>-L<sup>2</sup>-A表示的部分； <br/>L<sup>1</sup>為單鍵或經取代或未經取代的C6至C20伸芳基； <br/>L<sup>2</sup>為單鍵或經取代或未經取代的C1至C20伸烷基；且 <br/>A為由化學式2至化學式6中的一個表示的基團： <br/>[化學式2] [化學式3] <br/><img align="absmiddle" height="179px" width="157px" file="ed10089.jpg" alt="ed10089.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="68px" width="105px" file="ed10090.jpg" alt="ed10090.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式4] [化學式5] <br/><img align="absmiddle" height="147px" width="154px" file="ed10091.jpg" alt="ed10091.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="68px" width="81px" file="ed10092.jpg" alt="ed10092.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式6] <br/><img align="absmiddle" height="109px" width="119px" file="ed10093.jpg" alt="ed10093.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>在化學式4中，X<sup>1</sup>至X<sup>3</sup>各自獨立地為N或CH。
如請求項4所述的感光性樹脂組成物，其中L<sup>1</sup>為單鍵或經取代或未經取代的伸苯基。
如請求項4所述的感光性樹脂組成物，其中L<sup>2</sup>為經取代或未經取代的C1至C10伸烷基。
如請求項4所述的感光性樹脂組成物，其中： <br/>所述由*-O-L<sup>1</sup>-L<sup>2</sup>-A表示的部分由化學式7或化學式8表示， <br/>[化學式7] [化學式8] <br/><img align="absmiddle" height="133px" width="139px" file="ed10154.jpg" alt="ed10154.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="41px" width="90px" file="ed10156.jpg" alt="ed10156.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>在化學式7和化學式8中， <br/>R<sup>51</sup>至R<sup>55</sup>各自獨立地為氫原子、鹵素原子、羥基、經取代或未經取代的C1至C20烷基或由*-L<sup>2</sup>-A表示的部分，R<sup>51</sup>至R<sup>55</sup>中的至少一個為由*-L<sup>2</sup>-A表示的部分； <br/>L<sup>2</sup>為經取代或未經取代的C1至C20伸烷基；且 <br/>A為由化學式2至化學式6中的任一個表示的基團， <br/>[化學式2] [化學式3] <br/><img align="absmiddle" height="179px" width="157px" file="ed10089.jpg" alt="ed10089.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="68px" width="105px" file="ed10090.jpg" alt="ed10090.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式4] [化學式5] <br/><img align="absmiddle" height="147px" width="154px" file="ed10091.jpg" alt="ed10091.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="68px" width="81px" file="ed10092.jpg" alt="ed10092.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式6] <br/><img align="absmiddle" height="109px" width="119px" file="ed10093.jpg" alt="ed10093.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>在化學式4中，X<sup>1</sup>至X<sup>3</sup>各自獨立地為N或CH。
如請求項1所述的感光性樹脂組成物，其中： <br/>所述由化學式1表示的分散助劑由化學式1-1至化學式1-4中的一個表示： <br/>[化學式1-1] <br/><img align="absmiddle" height="338px" width="458px" file="ed10094.jpg" alt="ed10094.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式1-2] <br/><img align="absmiddle" height="359px" width="398px" file="ed10095.jpg" alt="ed10095.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式1-3] <br/><img align="absmiddle" height="338px" width="407px" file="ed10096.jpg" alt="ed10096.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式1-4] <br/><img align="absmiddle" height="338px" width="345px" file="ed10158.jpg" alt="ed10158.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>在化學式1-1至化學式1-4中， <br/>M為Cu或Zn； <br/>R<sup>11</sup>至R<sup>14</sup>、R<sup>21</sup>至R<sup>24</sup>、R<sup>31</sup>至R<sup>34</sup>以及R<sup>41</sup>至R<sup>44</sup>各自獨立地為氫原子、鹵素原子、羥基或經取代或未經取代的C1至C20烷基，其中R<sup>21</sup>至R<sup>24</sup>中的一個或兩個為經取代或未經取代的C1至C20烷基； <br/>R<sup>51</sup>至R<sup>55</sup>各自獨立地為氫原子、鹵素原子、羥基、經取代或未經取代的C1至C20烷基或由*-L<sup>2</sup>-A表示的部分，R<sup>51</sup>至R<sup>55</sup>中的至少一個為由*-L<sup>2</sup>-A表示的部分； <br/>L<sup>2</sup>為經取代或未經取代的C1至C20伸烷基；且 <br/>A為由化學式2至化學式6中的一個表示的基團， <br/>[化學式2] [化學式3] <br/><img align="absmiddle" height="179px" width="157px" file="ed10089.jpg" alt="ed10089.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="68px" width="105px" file="ed10090.jpg" alt="ed10090.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式4] [化學式5] <br/><img align="absmiddle" height="147px" width="154px" file="ed10091.jpg" alt="ed10091.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="68px" width="81px" file="ed10092.jpg" alt="ed10092.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式6] <br/><img align="absmiddle" height="109px" width="119px" file="ed10093.jpg" alt="ed10093.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>在化學式4中，X<sup>1</sup>至X<sup>3</sup>各自獨立地為N或CH。
如請求項1所述的感光性樹脂組成物，其中所述由化學式1表示的分散助劑為以下化合物中的一個： <br/>[化學式1-1-2] <br/><img align="absmiddle" height="178px" width="401px" file="ed10098.jpg" alt="ed10098.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式1-1-4] <br/><img align="absmiddle" height="178px" width="401px" file="ed10100.jpg" alt="ed10100.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式1-1-7] <br/><img align="absmiddle" height="178px" width="401px" file="ed10160.jpg" alt="ed10160.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式1-1-9] <br/><img align="absmiddle" height="178px" width="401px" file="ed10104.jpg" alt="ed10104.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式1-1-12] <br/><img align="absmiddle" height="176px" width="370px" file="ed10161.jpg" alt="ed10161.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式1-1-14] <br/><img align="absmiddle" height="176px" width="370px" file="ed10108.jpg" alt="ed10108.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式1-1-17] <br/><img align="absmiddle" height="176px" width="370px" file="ed10111.jpg" alt="ed10111.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式1-1-19] <br/><img align="absmiddle" height="176px" width="370px" file="ed10113.jpg" alt="ed10113.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式1-1-22] <br/><img align="absmiddle" height="176px" width="401px" file="ed10116.jpg" alt="ed10116.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式1-1-24] <br/><img align="absmiddle" height="176px" width="401px" file="ed10118.jpg" alt="ed10118.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式1-1-27] <br/><img align="absmiddle" height="176px" width="401px" file="ed10120.jpg" alt="ed10120.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式1-1-29] <br/><img align="absmiddle" height="176px" width="401px" file="ed10122.jpg" alt="ed10122.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式1-1-32] <br/><img align="absmiddle" height="176px" width="355px" file="ed10162.jpg" alt="ed10162.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式1-1-34] <br/><img align="absmiddle" height="176px" width="355px" file="ed10126.jpg" alt="ed10126.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式1-1-37] <br/><img align="absmiddle" height="176px" width="355px" file="ed10129.jpg" alt="ed10129.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式1-1-39] <br/><img align="absmiddle" height="176px" width="355px" file="ed10131.jpg" alt="ed10131.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式1-1-42] <br/><img align="absmiddle" height="176px" width="379px" file="ed10134.jpg" alt="ed10134.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式1-1-44] <br/><img align="absmiddle" height="176px" width="379px" file="ed10136.jpg" alt="ed10136.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式1-1-47] <br/><img align="absmiddle" height="176px" width="379px" file="ed10139.jpg" alt="ed10139.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式1-1-49] <br/><img align="absmiddle" height="176px" width="379px" file="ed10141.jpg" alt="ed10141.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式1-2-2] <br/><img align="absmiddle" height="199px" width="363px" file="ed10144.jpg" alt="ed10144.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式1-2-4] <br/><img align="absmiddle" height="199px" width="363px" file="ed10146.jpg" alt="ed10146.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式1-2-7] <br/><img align="absmiddle" height="199px" width="363px" file="ed10149.jpg" alt="ed10149.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式1-2-9] <br/><img align="absmiddle" height="199px" width="363px" file="ed10151.jpg" alt="ed10151.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>。
如請求項1所述的感光性樹脂組成物，其中所述由化學式1表示的分散助劑具有450奈米至495奈米的最大吸收波長。
如請求項1所述的感光性樹脂組成物，其中按所述感光性樹脂組成物的總重量計，包含0.5重量%至6重量%的量的所述由化學式1表示的分散助劑。
如請求項1所述的感光性樹脂組成物，其中所述由化學式1表示的分散助劑與所述顏料的重量比為1:20至1:70。
如請求項1所述的感光性樹脂組成物，其中所述顏料包含綠色顏料、黃色顏料或其組合。
如請求項1所述的感光性樹脂組成物，其中所述感光性樹脂組成物包含： <br/>0.5重量%至15重量%的所述著色劑； <br/>0.1重量%至10重量%的所述光可聚合化合物； <br/>0.1重量%至10重量%的所述光聚合起始劑； <br/>0.5重量%至15重量%的所述黏合劑樹脂；以及 <br/>所述溶劑，所有重量%均按所述感光性樹脂組成物的總重量計。
一種感光性樹脂層，使用請求項1所述的感光性樹脂組成物來製造。
如請求項15所述的感光性樹脂層，其中所述感光性樹脂層為彩色負性光阻。
一種濾色器，包括請求項15所述的感光性樹脂層。
一種顯示裝置，包括請求項17所述的濾色器。
一種用於行動裝置的折疊式相機模組，包括：一鏡頭，具有一有效焦距（EFL）在8毫米＜EFL＜50毫米的範圍內，並且具有f/#小於3.5，該鏡頭包括一第一透鏡組（G1）、一第二透鏡組（G2）及一光路折疊元件（OPFE），該第一透鏡組（G1）定義有一第一光軸（OA1），該第二透鏡組（G2）定義有一第二光軸（OA2），以及該光路折疊元件（OPFE）被配置為將該第一光軸折疊到第二光軸，其中該第一透鏡組位於該光路折疊元件的物側，並且該第二透鏡組位於該光路折疊元件的像側，<br/>其中該第一透鏡組包括2個或3個透鏡元件，並且該第二透鏡組包括3個或4個元件，及<br/>其中該折疊式相機模組還包括一影像感測器，位於該第二透鏡組的像側，並且被配置用以：獲得表示該折疊式相機模組的一旋轉移動的數據，並且通過以下方式對該第一透鏡組進行空間調整以補償由於該旋轉移動而進入到該折疊式相機模組的光的光路偏移：<br/>（a）沿著平行於該第二光軸的一第一軸線性地移動該第一透鏡組，以便在一第一光學影像穩定方向上提供光學影像穩定（OIS）；以及<br/>（b）沿著垂直於該第一光軸並垂直於該第二光軸的一第二軸線性地移動該第一透鏡組，以便在一第二光學影像穩定方向上提供光學影像穩定。
如請求項1所述的折疊式相機模組，該折疊式相機模組被配置為通過沿著平行於該第二光軸的一軸線移動該第二透鏡組來執行自動對焦（AF）。
如請求項1所述的折疊式相機模組，該折疊式相機模組包括6個透鏡元件或7個透鏡元件。
如請求項1所述的折疊式相機模組，其中f/#小於3.25。
如請求項1所述的折疊式相機模組，其中該第一透鏡組的一移動（Δ<sub>G1</sub>）大於在該影像感測器處形成的一影像沿該第一光學影像穩定方向的一偏移（Δ<sub>感測器</sub>）。
如請求項1所述的折疊式相機模組，其中該第一透鏡組的一移動（Δ<sub>G1</sub>）大於在該影像感測器處形成的一影像沿該第二光學影像穩定方向的一偏移（Δ<sub>感測器</sub>）。
如請求項1所述的折疊式相機模組，其中一折疊角度小於90°。
如請求項7所述的折疊式相機模組，其中該光路折疊元件是一鈍角三角棱鏡。
如請求項8所述的折疊式相機模組，其中該鈍角三角棱鏡包括一上表面和兩個側表面，並且其中：<br/>（a） 在該上表面和該兩個側表面中的一第一側表面之間形成的一角度α大於90°；<br/>（b） 在該兩個側表面之間形成的一角度β大於45°；<br/>（c） 該上表面和該兩個側面中的一第二側面之間形成的一角度γ小於45°。
如請求項9所述的折疊式相機模組，其中α在90°至100°的範圍內，β在45°至55°的範圍內，及γ在35°至45°的範圍內。
如請求項9所述的折疊式相機模組，其中α在90°至95°的範圍內，β在45°至50°的範圍內，及γ在40°至45°的範圍內。
如請求項1所述的折疊式相機模組，其中該影像感測器垂直於該第二光軸。
如請求項1所述的折疊式相機模組，其中該第二透鏡組的有效焦距的量值比該第一透鏡組的有效焦距的量值大至少三倍。
如請求項1所述的折疊式相機模組，其中該第一透鏡組的有效焦距小於該有效焦距的0.8倍。
如請求項1所述的折疊式相機模組，其中當系統聚焦到無窮遠物距時，在一第一透鏡元件的一前表面的一點和該影像感測器之間沿著該折疊式相機的一光軸量測的一鏡頭總長（TTL）小於該有效焦距的1.1倍。
如請求項1所述的折疊式相機模組，其中一最小模組長度（MLM）小於該有效焦距，其中該最小模組長度（MLM）是包括該折疊式相機模組所有元件的該折疊式相機模組的最小長度。
如請求項1所述的折疊式相機模組，其中一最小模組長度（MLM）小於當系統聚焦到無窮遠物距時在一第一透鏡元件的一前表面的一點和該影像感測器之間沿著該折疊式相機的一光軸量測的一鏡頭總長（TTL）的0.9倍，其中該最小模組長度（MLM）是包括該折疊式相機模組所有元件的該折疊式相機模組的最小長度。
如請求項1所述的折疊式相機模組，其中該光路折疊元件與該第一透鏡組一起沿著該第二光軸移動，以在該影像感測器的該第二光學影像穩定方向上提供光學影像穩定。
一種可攜式裝置內嵌有如請求項1所述的折疊式相機模組。
如請求項19所述的可攜式裝置，其中該折疊式相機模組被配置為一變焦相機。
如請求項19所述的可攜式裝置，其中該折疊式相機模組被配置為一遠攝相機。
如請求項21所述的可攜式裝置，其中該折疊式相機模組被包括在一相機組件中，該相機組件包括至少兩個相機。
一種氟系複合膜，係包括依序疊合之氟系聚合物層、聚醯亞胺層以及環氧膠層，其中，該氟系聚合物層係位於該氟系複合膜之最外層，且其中，該氟系聚合物層的厚度為5至125μm，該聚醯亞胺層的厚度為5至75μm，該環氧膠層的厚度為5至50μm。
如請求項1所述的氟系複合膜，其係為單面氟系複合膜，係包括依序疊合之氟系聚合物層、至少二層聚醯亞胺層以及至少一層環氧膠層，且該環氧膠層與該聚醯亞胺層交替配置，並形成於任二該聚醯亞胺層之間。
如請求項2所述的氟系複合膜，復包括聚醯亞胺膠層，係形成於該氟系聚合物層與聚醯亞胺層之間。
如請求項1所述的氟系複合膜，其係為雙面氟系複合膜，係包括依序疊合之氟系聚合物層、至少二層聚醯亞胺層、至少一層環氧膠層以及另一氟系聚合物層，其中，該環氧膠層與該聚醯亞胺層交替配置，並形成於任二該聚醯亞胺層之間。
如請求項4所述的氟系複合膜，復包括聚醯亞胺膠層，係形成於該氟系聚合物層與聚醯亞胺層之間。
如請求項1所述的氟系複合膜，其中，該氟系聚合物層中的氟系樹脂係選自聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、氟乙烯與乙烯基醚共聚物、四氟乙烯與乙烯的共聚物、聚三氟氯乙烯與乙烯共聚物、六氟丙烯與偏氟乙烯的共聚物、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物、聚三氟氯乙烯、四氟乙烯-六氟丙稀共聚物、乙烯-氟乙烯共聚物以及四氟乙烯-六氟丙烯-三氟乙烯共聚物中的至少一種。
一種如請求項2所述的氟系複合膜之製備方法，係由燒結法製備該單面氟系複合膜，在該單面氟系複合膜的總層數為2n+4且n為0的前提下，包括：將氟系聚合物層形成於聚醯亞胺層上，於280℃以上進行燒結，得到半成品A；將環氧膠層形成於另一聚醯亞胺層上，於60至160℃烘烤3至5分鐘去除溶劑，得到雙層結構；以及將該雙層結構的環氧膠層貼合至該半成品A的聚醯亞胺層，於60至160℃烘烤2至24小時，得到成品單面氟系複合膜。
一種如請求項2所述的氟系複合膜之製備方法，係由燒結法製備單面氟系複合膜，在該單面氟系複合膜的總層數為2n+4且n為正整數的前提下，包括：將氟系聚合物層形成於聚醯亞胺層上，於280℃以上進行燒結，得到半成品A；將環氧膠層形成於另一聚醯亞胺層上，於60至160℃烘烤3至5分鐘去除溶劑，得到雙層結構；於該雙層結構上進行依序交替貼合聚醯亞胺層、形成環氧膠層之步驟n次，以得到多層結構，其中，每次形成環氧膠層後，於60至160℃烘烤3至5分鐘去除溶劑；以及將該多層結構最外層之環氧膠層貼合至該半成品A的聚醯亞胺層，於60至160℃烘烤2至24小時，得到成品單面氟系複合膜。
一種如請求項3所述的氟系複合膜之製備方法，係由貼合法製備單面氟系複合膜，在該單面氟系複合膜的總層數為2n+5且n為0的前提下，包括：將聚醯亞胺膠層形成於氟系聚合物層上，於60至160℃烘烤3至5分鐘去除溶劑，得到半成品A；將環氧膠層形成於聚醯亞胺層上，於60至160℃烘烤3至5分鐘去除溶劑，再將另一聚醯亞胺層貼合於該環氧膠層上，於60至160℃烘烤3至5分鐘去除溶劑，得到三層結構；以及將該三層結構中的任一聚醯亞胺層貼合至該半成品A的聚醯亞胺膠層上，於60至160℃烘烤2至24小時，得到成品單面氟系複合膜。
一種如請求項3所述的氟系複合膜之製備方法，係由貼合法製備單面氟系複合膜，在該單面氟系複合膜的總層數為2n+5且n為正整數的前提下，包括：將聚醯亞胺膠層形成於氟系聚合物層上，於60至160℃烘烤3至5分鐘去除溶劑，得到半成品A；將環氧膠層形成於聚醯亞胺層上，於60至160℃烘烤3至5分鐘去除溶劑，再將另一聚醯亞胺層貼合於該環氧膠層上，於60至160℃烘烤3至5分鐘去除溶劑，得到三層結構；於該三層結構之聚醯亞胺層上進行依序交替形成環氧膠層及貼合聚醯亞胺層之步驟n次，以得到多層結構，其中，每次形成環氧膠層後，於60至160℃烘烤3至5分鐘去除溶劑；以及將該半成品A的聚醯亞胺膠層貼合至該多層結構最外側的聚醯亞胺層，於60至160℃烘烤2至24小時，得到成品單面氟系複合膜。
一種如請求項4所述的氟系複合膜之製備方法，係由燒結法製備雙面氟系複合膜，在該雙面氟系複合膜的總層數為2n+5且n為0的前提下，包括：將氟系聚合物層形成於不同的聚醯亞胺層上，於280℃以上進行燒結，分別得到半成品A1與半成品A2；將環氧膠層形成於該半成品A1的聚醯亞胺層上，於60至160℃烘烤3至5分鐘去除溶劑，得到三層結構；以及將該三層結構的環氧膠層貼合至該半成品A2的聚醯亞胺層，於60至160℃烘烤2至24小時，得到雙面氟系複合膜。
一種如請求項4所述的氟系複合膜之製備方法，係由燒結法製備雙面氟系複合膜，在該雙面氟系複合膜的總層數為2n+5且n為正整數的前提下，包括：將氟系聚合物層形成於不同的聚醯亞胺層上，於280℃以上進行燒結，分別得到半成品A1與半成品A2；將環氧膠層形成於該半成品A1的聚醯亞胺層上，於60至160℃烘烤3至5分鐘去除溶劑，得到三層結構；於該三層結構之環氧膠層上進行依序交替貼合聚醯亞胺層、形成環氧膠層之步驟n次，以得到多層結構，其中，每次形成環氧膠層後，於60至160℃烘烤3至5分鐘去除溶劑；以及將該多層結構最外側的環氧膠層貼合至該半成品A2的聚醯亞胺層，於60至160℃烘烤2至24小時，得到雙面氟系複合膜。
一種如請求項5所述的氟系複合膜之製備方法，係由貼合法製備雙面氟系複合膜，在該雙面氟系複合膜的總層數為2n+7且n為0的前提下，包括：提供半成品A1及半成品A2，其中，該半成品A1及半成品A2之製作係包括將聚醯亞胺膠層形成於氟系聚合物層上，於60至160℃烘烤3至5分鐘去除溶劑；提供一環氧膠層形成於二聚醯亞胺層之間的三層結構，該環氧膠層係經於60至160℃烘烤3至5分鐘去除溶劑，且其中一聚醯亞胺層係貼合至該環氧膠層上；以及將該半成品A1及半成品A2的聚醯亞胺膠層貼合至該三層結構兩側的聚醯亞胺層上，於60至160℃烘烤2至24小時，得到成品雙面氟系複合膜。
一種如請求項5所述的氟系複合膜之製備方法，係由貼合法製備雙面氟系複合膜，在該雙面氟系複合膜的總層數為2n+7且n為正整數的前提下，包括：提供半成品A1及半成品A2，其中，該半成品A1及半成品A2之製作係包括將聚醯亞胺膠層形成於氟系聚合物層上，於60至160℃烘烤3至5分鐘去除溶劑；提供一環氧膠層形成於二聚醯亞胺層之間的三層結構，該環氧膠層係經於60至160℃烘烤3至5分鐘去除溶劑，且其中一聚醯亞胺層係貼合至該環氧膠層上；於該三層結構之聚醯亞胺層上進行依序交替形成環氧膠層、貼合聚醯亞胺層之步驟n次，以得到多層結構，其中，每次形成環氧膠層後，於60至160℃烘烤3至5分鐘去除溶劑；以及將該半成品A1及半成品A2的聚醯亞胺膠層貼合至該多層結構兩側的聚醯亞胺層上，於60至160℃烘烤2至24小時，得到成品雙面氟系複合膜。
一種氟系補强板，包括：如請求項2或3所述的氟系複合膜；環氧膠層，係形成於該氟系複合膜最外側的聚醯亞胺層上；以及離型層，係形成於該環氧膠層上。
一種氟系補强板的製備方法，包括：在如請求項7或8所述的方法所製備之單面氟系複合膜最外側的聚醯亞胺層上形成環氧膠層，於60至160℃烘烤3至5分鐘去除溶劑，接著在該環氧膠層上貼合離型層，並於25至50℃烘烤2至12小時。
一種氟系補强板的製備方法，包括：在如請求項9或10所述的方法所製備之單面氟系複合膜最外側的聚醯亞胺層上形成環氧膠層，於60至160℃烘烤3至5分鐘去除溶劑，接著在該環氧膠層上貼合離型層，並於25至50℃烘烤2至12小時。
一種商品資訊處理方法，其係藉由電子裝置而實行者，其包括如下步驟：基於與用戶之歷史相關之折扣優惠券之發放條件，確定上述用戶是否為上述折扣優惠券之發放對象；響應於確定上述用戶係上述折扣優惠券之發放對象，識別商品清單中可根據上述折扣優惠券而免費購買之商品；向上述用戶提供上述商品之資訊；其中上述商品清單包括特定商品群之商品清單，且上述商品係上述特定商品群之商品清單中具有上述折扣優惠券之折扣金額以下之價格的一個以上之商品中之一者。
如請求項1之方法，其中識別上述商品清單中之上述商品之步驟包括如下步驟：基於上述用戶檢索上述特定商品群之商品之歷史，識別上述一個以上之商品。
如請求項1之方法，其中識別上述商品清單中之上述商品之步驟包括如下步驟：基於上述用戶選擇上述特定商品群之商品之歷史，識別上述一個以上之商品。
如請求項1之方法，其中識別上述商品清單中之上述商品之步驟包括如下步驟：基於上述用戶將上述特定商品群之商品追加於購物車之歷史，識別上述一個以上之商品。
如請求項1之方法，其中向上述用戶提供上述商品之資訊之步驟包括如下步驟：確定上述用戶之購物車中是否已追加上述特定商品群之商品；及響應於確定上述購物車中未追加上述特定商品群之商品，向上述用戶提供上述商品之資訊。
如請求項1之方法，其中向上述用戶提供上述商品之資訊之步驟包括如下步驟：產生包括上述商品之資訊及用以將上述商品追加於購物車之介面之頁面；及向上述用戶提供所產生之上述頁面。
如請求項1之方法，其中確定上述用戶是否為上述折扣優惠券之發放對象之步驟包括如下步驟：於上述用戶沒有過去購買特定商品群之商品之歷史之情形時，將上述用戶確定為第1金額之折扣優惠券之發放對象；於上述用戶於過去購買上述特定商品群之商品之後在第1期間內沒有購買上述特定商品群之商品之歷史的情形時，將上述用戶確定為第2金額之折扣優惠券之發放對象；及於上述用戶於過去購買上述特定商品群之商品之後在第2期間內沒有購買上述特定商品群之商品之歷史的情形時，將上述用戶確定為上述第1金額之折扣優惠券之發放對象。
如請求項7之方法，其進而包括如下步驟：獲得向上述用戶之購物車追加上述商品之請求；響應於上述請求，向上述購物車追加上述商品；及向上述用戶提供指示已向上述購物車追加上述商品之資訊及上述折扣優惠券之金額之資訊。
一種電子裝置，其包括：一個以上之處理器，一個以上之記憶體，其儲存有命令，該命令係藉由上述一個以上之處理器執行；且上述一個以上之處理器以如下之方式構成：於藉由上述一個以上之處理器而執行上述命令時，執行如請求項1至請求項8中之任一項之方法。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有於藉由一個以上之處理器而執行時使上述一個以上之處理器實行動作之命令，其中上述命令以如下之方式構成：使上述一個以上之處理器執行如請求項1至請求項8中之任一項之方法。
一種以羽毛角蛋白水解胜肽液用以提昇大豆肥料使用率之方法，包含將一經過熱力學水解所得之羽毛角蛋白水解胜肽液，經稀釋預定倍數後以澆灌方式施用於栽植大豆之含肥料土壤，其中該羽毛角蛋白水解胜肽液係利用熱力學水解技術，將羽毛在16kg/cm<sup>2</sup>之高壓下，以溫度195℃的液態水作為水解溶劑，進行水解反應40分鐘所得的胜肽水溶液，其中該羽毛角蛋白水解胜肽液之胜肽濃度為200,000~381,250ppm。
如請求項1所述之方法，其中該羽毛角蛋白水解胜肽液係以100-500之稀釋倍數，澆灌於栽植大豆種子之含肥料土壤。
如請求項1所述之方法，其中該羽毛角蛋白水解胜肽液係以100之稀釋倍數，澆灌於栽植大豆種子之含肥料土壤。
如請求項1所述之方法，其中該羽毛角蛋白水解胜肽液所含之胜肽具有分子量500~4,000Da，包含5~30個胺基酸。
如請求項1所述之方法，其中該羽毛角蛋白水解胜肽液係用於提昇肥料之使用效率以促進大豆苗株地上部生長。
如請求項1所述之方法，其中該羽毛角蛋白水解胜肽液係用於提昇肥料之使用效率以促進大豆葉片面積增長，增進大豆苗株之光合作用能力。
如請求項1所述之方法，其中該羽毛角蛋白水解胜肽液係用於提昇肥料使用效率以促進大豆之根系發展。
一種用來將時計組件(2)固定於支撐元件(3)上的附接整體部件(1)，包含可供該支撐元件(3)插入的開口(7)，該附接整體部件(1)包含有助於確保彈性夾箝該支撐元件(3)於該開口(7)中的彈性臂(4)，每根彈性臂(4)是由設有貫穿孔(6)和連接部(5b)的接觸部(5a)所構成，該接觸部(5a)包含接收區域(12a)，設有用於接觸該支撐元件(3)的軸承區(13)，並且該連接部確保彈性連接於該附接整體部件(1)的另一彈性臂(4)；其中該連接部(5b)建構成經歷雙重彈性變形。
根據請求項1的用來將時計組件(2)固定於支撐元件(3)上的附接整體部件(1)，其中每根彈性臂(4)的該接觸部(5a)建構成使得當該部(5a)受到該支撐元件(3)施加的應力時，該貫穿孔所界定的可變容積有所減少。
根據請求項1的用來將時計組件(2)固定於支撐元件(3)上的附接整體部件(1)，其中每個接觸部(5a)包含一起圍繞該貫穿孔(6)的二個側向區域(12b)、該接收區域(12a)及外區域(12c)。
根據請求項3的用來將時計組件(2)固定於支撐元件(3)上的附接整體部件(1)，其中該接收區域、該側向區域及該外區域(12a、12b、12c)建構成隨著該接收區域、該側向區域及該外區域(12a、12b、12c)受到該支撐元件(3)施加應力而以不同方式來變形。
根據請求項1的用來將時計組件(2)固定於支撐元件(3)上的附接整體部件(1)，其中每個接觸部(5a)包含一起圍繞該貫穿孔(6)的二個側向區域(12b)、該接收區域(12a)及外區域(12c)，該接收區域、該側向區域及該外區域(12a、12b、12c)具有變形係數(C<sub>rr</sub>、C<sub>rl</sub>、C<sub>re</sub>)，其個別數值隨著該接收區域、該側向區域及該外區域(12a、12b、12c)遠離該接收區域(12a)的該軸承區(13)而減少。
根據請求項1的用來將時計組件(2)固定於支撐元件(3)上的附接整體部件(1)，其中該貫穿孔(6)代表了每根彈性臂(4)的該接觸部(5a)之整個本體的百分之20到80。
根據請求項1的用來將時計組件(2)固定於支撐元件(3)上的附接整體部件(1)，其中該彈性臂(4)在該彈性臂(4)的連接部(5b)的一端連結在一起。
根據請求項1的用來將時計組件(2)固定於支撐元件(3)上的附接整體部件(1)，其中該接觸部(5a)和該連接部(5b)接續地且交替地配置於該附接整體部件(1)中。
根據請求項1的用來將時計組件(2)固定於支撐元件(3)上的附接整體部件(1)，其中該附接整體部件(1)包含對該時計組件(2)的附接點(11)。
根據請求項1的用來將時計組件(2)固定於支撐元件(3)上的附接整體部件(1)，其中該附接整體部件(1)是筒夾，用來將例如平衡游絲的該時計組件(2)固定於例如平衡軸桿的支撐元件(3)。
根據請求項1的用來將時計組件(2)固定於支撐元件(3)上的附接整體部件(1)，其中該附接整體部件(1)是由矽基材料所製成。
一種用於手錶(100)之鐘錶機芯(110)的附接整體部件和時計組件的總成(120)，包含根據請求項1的附接整體部件(1)。
根據請求項12的用於手錶(100)之鐘錶機芯(110)的附接整體部件和時計組件的總成(120)，其中該總成(120)是整體的。
一種用於手錶(100)之鐘錶機芯(110)的總成(130)，包含根據請求項12的附接整體部件和時計組件的總成(120)，該總成(120)固定於支撐元件(3)。
一種鐘錶機芯(110)，包含至少一個根據請求項14的總成(130)。
一種手錶(100)，包含根據請求項15的鐘錶機芯(110)。
一種製作根據請求項14的附接整體部件和時計組件的總成(120)與支撐元件(3)之總成(130)的方法，該方法包含： <br/> 將該支撐元件(3)插入該總成(120)的該附接整體部件(1)之該開口(7)的步驟(20)，該步驟(20)包含彈性地變形該附接整體部件(1)的子步驟(21)，設有移動該附接整體部件(1)之該彈性臂(4)的階段(22)，而賦予該附接整體部件(1)的每根彈性臂(4)之接觸部(5a)的彈性變形和該彈性臂(4)之連接部(5b)的雙重彈性變形，以及 <br/> 將該附接整體部件(1)固定於該支撐元件(3)上的步驟(23)，包含在該支撐元件(3)上進行該附接整體部件(1)之徑向彈性夾箝的子步驟(24)。
一種高架移行車停止裝置，其係被安裝在設於天花板之導軌上，使沿著由上述導軌構成之移行路徑移行的高架移行車停止者，其具備有： <br/>卡合部，其可與上述導軌卡合；及 <br/>本體部，其包含自上述卡合部向下方延伸之長條構件；且 <br/>上述本體部包含： <br/>至少1個第1被檢測部，其由自與上述長條構件交叉之橫越方向朝向上述本體部移行的上述高架移行車之障礙物感測器所檢測；及 <br/>第2被檢測部，其由自與上述長條構件交叉且不同於上述橫越方向之另一方向朝向上述本體部移行的上述高架移行車之上述障礙物感測器所檢測。
如請求項1之高架移行車停止裝置，其中，上述橫越方向與上述另一方向於水平面內呈正交。
如請求項1或2之高架移行車停止裝置，其中，上述長條構件呈棒狀， <br/>上述第2被檢測部呈以上述另一方向為厚度方向的板狀， <br/>於上述橫越方向上，上述長條構件及上述第1被檢測部落入上述第2被檢測部之寬度範圍內。
如請求項1或2之高架移行車停止裝置，其中，上述本體部包含： <br/>第1按壓部，當與自上述橫越方向接近之上述高架移行車接觸時，其按壓上述高架移行車之電源開關；及 <br/>第2按壓部，當與自上述另一方向接近之上述高架移行車接觸時，其按壓上述高架移行車之電源開關。
如請求項1或2之高架移行車停止裝置，其中，上述本體部包含： <br/>上述第2被檢測部，其被自上述另一方向之一方朝向上述本體部移行之上述高架移行車的上述障礙物感測器所檢測；及 <br/>另一第2被檢測部，其被自上述另一方向之另一方朝向上述本體部移行之上述高架移行車的上述障礙物感測器所檢測；且 <br/>於上述第2被檢測部與上述另一第2被檢測部之間被配置上述第1被檢測部。
如請求項1或2之高架移行車停止裝置，其中，上述至少1個第1被檢測部包含： <br/>2個內側被檢測部，其等分別被沿著並排之2條內側移行路徑移行之上述高架移行車的上述障礙物感測器所檢測，該等並排之2條內側移行路徑係沿上述橫越方向延伸之上述移行路徑；及 <br/>2個外側被檢測部，其等分別被沿著2條外側移行路徑移行之上述高架移行車的上述障礙物感測器所檢測，該等2條外側移行路徑位於上述2條內側移行路徑之上述另一方向上之兩側方且與上述2條內側移行路徑並排。
如請求項6之高架移行車停止裝置，其中，上述本體部係， <br/>其可在沿著上述2條外側移行路徑移行之上述高架移行車的上述障礙物感測器分別檢測上述2個外側被檢測部之展開狀態、與沿著上述2條外側移行路徑移行之上述高架移行車的上述障礙物感測器無法檢測上述2個外側被檢測部之收納狀態之間變形。
如請求項7之高架移行車停止裝置，其中，上述本體部包含：一對近端腕構件，其等自上述長條構件沿著上述另一方向即長度方向延伸；及一對遠端腕構件，其等經由鉸鏈可摺疊地連結於上述近端腕構件之前端； <br/>上述2個內側被檢測部被設於上述一對近端腕構件上， <br/>上述2個外側被檢測部被設於上述一對遠端腕構件上。
如請求項8之高架移行車停止裝置，其中，上述一對遠端腕構件之各者以上述鉸鏈為中心，繞著俯視下之順時針方向及逆時針方向中之任一旋轉方向轉動， <br/>於上述本體部之上述展開狀態及上述收納狀態之任一狀態下，上述一對近端腕構件及上述一對遠端腕構件於上述橫越方向上，均落入上述第2被檢測部之寬度範圍內。
一種移行車系統，其具備有： <br/>導軌，其設於天花板上，至少一部分被配置成格子狀； <br/>高架移行車，其沿著由上述導軌構成之移行路徑移行；及 <br/>請求項1或2之高架移行車停止裝置，其使沿著上述移行路徑移行之上述高架移行車停止。
如請求項10之移行車系統，其中，上述導軌包含沿著水平方向即第1方向延伸之複數個第1直線導軌、及沿著與上述第1方向正交之水平方向即第2方向延伸之複數個第2直線導軌， <br/>當將俯視下由一對上述第1直線導軌及一對第2直線導軌所圍成之矩形區域設為1個單元時， <br/>上述至少1個第1被檢測部包含： <br/>2個內側被檢測部，其等分別被沿著並排之2條內側移行路徑移行之上述高架移行車的上述障礙物感測器所檢測，該等並排之2條內側移行路徑係通過排列成一行之4個單元中之中央之2個單元的上述移行路徑；及 <br/>2個外側被檢測部，其等分別被沿著2條外側移行路徑移行之上述高架移行車的上述障礙物感測器所檢測，該等2條外側移行路徑係通過上述4個單元中之兩端之2個單元之上述移行路徑且與上述內側移行路徑並排。
如請求項11之移行車系統，其中，上述本體部係， <br/>其可在沿著上述2條外側移行路徑移行之上述高架移行車的上述障礙物感測器可分別檢測上述2個外側被檢測部之展開狀態、與沿著上述2條外側移行路徑移行之上述高架移行車的上述障礙物感測器無法檢測上述2個外側被檢測部之收納狀態之間變形。
如請求項10之移行車系統，其中，上述導軌包含： <br/>複數個直線導軌；及 <br/>交叉部導軌，其被配置成相對於上述直線導軌之端部而隔開間隙地於水平方向上相鄰； <br/>上述卡合部係， <br/>與以沿相同方向延伸且相互接近或接觸之方式排列的一對上述直線導軌相卡合， <br/>其可於鉛直方向上通過上述間隙， <br/>自沿著該一對直線導軌之方向觀察時，其呈上方開口之C字形，且 <br/>包含與該一對直線導軌各者之上表面抵接的抵接部。
如請求項10之移行車系統，其中，上述導軌包含複數個直線導軌， <br/>上述卡合部係， <br/>與以沿相同方向延伸且相互接近之方式排列的一對上述直線導軌相卡合，且 <br/>包含插入該一對直線導軌之間的插入部、及與上述插入部之上側連接且與該一對直線導軌各者之上表面抵接的抵接部。
一種形成鞋類物件的鞋面之方法，包括：<br/>擠出一第一材料以形成包括一第一擠出絲狀構造的一第一層，該第一擠出絲狀構造包含第一複數個非交叉間隔開的路徑段，其中該第一擠出絲狀構造具有少於3 mm寬的一寬度尺寸，且其中該第一層形成一第一鞋面部件的一部分；<br/>以一釋放襯墊覆蓋該第一層的一部分；<br/>擠出一第二材料以形成包括一第二擠出絲狀構造的一第二層，該第二擠出絲狀構造包含第二複數個非交叉間隔開的路徑段，其中該第二擠出絲狀構造具有少於3 mm寬的一寬度尺寸，且其中該擠出該第二材料的步驟包含：<br/>(a)將該第二層的一第一部分塗佈至該釋放襯墊，使該釋放襯墊延伸於該第一層的一第一部分與該第二層的該第一部分之間；以及<br/>(b)將該第二層的一第二部分在該第二層接觸該第一層的位置融合至該第一層的一第二部分，且其中該第二層形成該第一鞋面部件的一部分；<br/>從該第一層的該第一部分與該第二層的該第一部分之間移除該釋放襯墊；<br/>將一第二鞋面部件的一部分放置在該第一層的該第一部分與該第二層的該第一部分之間，其中該第二鞋面部件的該部分包含至少部分的以一可融合材料所形成的一織物單元；以及<br/>將該第二鞋面部件融合至該第一鞋面部件，其中該第二鞋面部件的可融合材料融合至該第一鞋面部件的該第一材料及至該第一鞋面部件的該第二材料。
如請求項1所述的形成鞋類物件的鞋面之方法，其中該第二鞋面部件包含一第一主表面及與該第一主要表面相對的一第二主要表面，其中在該放置步驟中，將該第二鞋面部件的該部分放置在該第一層的該第一部分與該第二層的該第一部分之間，使得：(a)第一主要表面直接接觸該第一層且不直接接觸該第二層以及(b)第二主要表面直接接觸該第二層且不直接接觸該第一層。
如請求項1所述的形成鞋類物件的鞋面之方法，更包括將該第一材料融合至該第二鞋面部件的該可融合材料；以及將該第二材料融合至該第二鞋面部件的該可融合材料。
如請求項1所述的形成鞋類物件的鞋面之方法，其中該擠出該第一材料的步驟包含擠出該第一材料到包含絲狀構造材料的一預先存在層上。
如請求項1所述的形成鞋類物件的鞋面之方法，其中在將該第二鞋面部件融合至該第一鞋面部件之前，該方法更包括：<br/>擠出一第三材料以形成包括一第三擠出絲狀構造的一第三層以至少部分重疊該第一層與該第二層，其中該第三擠出絲狀構造具有少於1 mm寬的一寬度尺寸，且其中擠出該第三材料的該步驟包含：(a)將該第三層的一第一部分塗佈至該釋放襯墊，使該釋放襯墊延伸於該第一層的該第一部分與該第三層的該第一部分之間以及(b)將該第三層的一第二部分在該第三層接觸該第一層及第二層之一者或兩者的位置分別融合至該第一層及第二層的一者或兩者之部分，且其中該第三層形成該第一鞋面部件的一部分。
如請求項1所述的形成鞋類物件的鞋面之方法，其中在該第二鞋面部件融合至該第一鞋面部件前即完全形成該第一鞋面部件。
如請求項1所述的形成鞋類物件的鞋面之方法，其中擠出該第一層的該第一擠出絲狀構造以界定一周邊，以產生延伸於該周邊的部分之間的該第一擠出絲狀構造的絲狀構造段。
如請求項1所述的形成鞋類物件的鞋面之方法，其中擠出該第一複數個非交叉間隔開的路徑段來以該鞋面的一實質上前-後方向延伸，且包含具有至少兩個高峰及至少兩個低谷的一蛇形配置，且其中該蛇形配置至少形成在該第二鞋面部件的部分，或是至少形成在該鞋面的外側中足部。
如請求項1所述的形成鞋類物件的鞋面之方法，其中擠出該第一擠出絲狀構造以在該鞋面的一第一區域具有一第一厚度，其中擠出該第一擠出絲狀構造以在該鞋面的一第二區域具有一第二厚度，且其中該第一厚度與該第二厚度不同。
如請求項1所述的形成鞋類物件的鞋面之方法，其中擠出該第一擠出絲狀構造以形成該鞋面的一周邊。
如請求項1所述的形成鞋類物件的鞋面之方法，其中在該第一鞋面部件的每一層中的該擠出絲狀構造由相同材料製成，包括一熱塑性聚氨酯材料或其他熱塑性材料，包括一實質上不吸水的材料，及/或包括一疏水材料。
如請求項1所述的形成鞋類物件的鞋面之方法，其中該第一鞋面部件的至少一部分中呈現一莫爾效應。
如請求項1所述的形成鞋類物件的鞋面之方法，其中該第二鞋面部件形成該鞋面的一腳背部或鞋幫部；該鞋面的一足部容納開口或領口；及該鞋面的一後足跟接合，其中該第二鞋面部件與該第一鞋面部件的一總表面面積之少於30%重疊。
如請求項1所述的形成鞋類物件的鞋面之方法，其中該第二鞋面部件的該織物單元包含由該可融合材料所形成的至少一種紗；由該可融合材料所形成的一第一紗與由一非可融合材料所形成的一第二紗交織在一起；及/或由至少局部被該可融合材料塗佈之一非可融合材料所形成的一第一紗。
一種形成鞋類物件的鞋面之方法，包括：<br/>擠出一第一材料以形成包括一第一擠出絲狀構造的一第一層，該第一擠出絲狀構造包含第一複數個非交叉間隔開的路徑段，其中該第一擠出絲狀構造具有少於3 mm寬的一寬度尺寸，且其中該第一層形成一第一鞋面部件的至少一部分；<br/>以一釋放襯墊覆蓋該第一層的一部分；<br/>擠出一第二材料以形成包括一第二擠出絲狀構造的一第二層，該第二擠出絲狀構造包含第二複數個非交叉間隔開的路徑段，其中該第二擠出絲狀構造具有少於3 mm寬的一寬度尺寸，且其中擠出該第二材料的該步驟包含：(a)將該第二層的一第一部分塗佈至該釋放襯墊，使該釋放襯墊延伸於該第一層的一第一部分與該第二層的該第一部分之間以及(b)將該第二層的一第二部分在該第二層接觸該第一層的位置融合至該第一層的一第二部分，且其中該第二層形成該第一鞋面部件的一部分；以及<br/>從該第一層的該第一部分與該第二層的該第一部分之間移除該釋放襯墊。
如請求項15所述的形成鞋類物件的鞋面之方法，其中擠出該第一材料的該步驟包含擠出該第一材料到包含絲狀構造材料的一預先存在層上，且其中擠出該第一層的該第一擠出絲狀構造以界定一周邊，以產生延伸於該周邊的部分之間的該第一擠出絲狀構造的絲狀構造段。
如請求項15所述的形成鞋類物件的鞋面之方法，其中擠出該第一複數個非交叉間隔開的路徑段來以該鞋面的一實質上前-後方向延伸，且包含具有至少兩個高峰及至少兩個低谷的一蛇形配置，該蛇形配置至少形成在該鞋面的一內側中足部或至少形成在該鞋面的一外側中足部。
如請求項15所述的形成鞋類物件的鞋面之方法，其中擠出該第一擠出絲狀構造以在該鞋面的一第一區域具有一第一厚度，其中擠出該第一擠出絲狀構造以在該鞋面的一第二區域具有一第二厚度，且其中該第一厚度與該第二厚度不同。
如請求項15所述的形成鞋類物件的鞋面之方法，其中該第一擠出絲狀構造與該第二擠出絲狀構造每一者包括一熱塑性聚氨酯材料或其他熱塑性材料；一實質上不吸水的材料；及/或一疏水材料。
如請求項15所述的形成鞋類物件的鞋面之方法，其中該第一鞋面部件的至少一部分中呈現一莫爾效應。
如請求項15所述的形成鞋類物件的鞋面之方法，其中被該釋放襯墊覆蓋之該第一層的該部分從該第一層的一周邊邊緣往內延伸。
一種製造鞋類物件的方法，包括：<br/>依據請求項15所述的方法形成一鞋面；<br/>將該鞋面與一鞋底結構接合。
一種母料組成物，其包含(a)選自由聚烯烴、蠟，及此等之混合物所組成群組之一熱塑性載劑及(b)一或多種1,2-環己烷二羧酸鈣鹽，其中，該等1,2-環己烷二羧酸鈣鹽具有20公尺<sup>2</sup>/克至100公尺<sup>2</sup>/克之一BET比表面積。
如請求項1之母料組成物，其中，該等1,2-環己烷二羧酸鈣鹽具有約25公尺<sup>2</sup>/克至100公尺<sup>2</sup>/克之BET比表面積。
如請求項1之母料組成物，其中，該等1,2-環己烷二羧酸鈣鹽具有約30公尺<sup>2</sup>/克至100公尺<sup>2</sup>/克之一BET比表面積。
如請求項1之母料組成物，其中，該母料組成物包含順-1,2-環己烷二羧酸鈣鹽。
如請求項4之母料組成物，其中，該母料組成物包含順-1,2-環己烷二羧酸鈣鹽單水合物。
如請求項4之母料組成物，其中，該母料組成物包含無水順-1,2-環己烷二羧酸鈣鹽。
如請求項1至6中任一項之母料組成物，其中，該母料組成物進一步包含一脂肪酸之一金屬鹽。
如請求項7之母料組成物，其中，該脂肪酸係選自由C<sub>8</sub>-C<sub>28</sub>脂肪酸所組成之群組。
如請求項8之母料組成物，其中，該脂肪酸係選自由C<sub>12</sub>-C<sub>22</sub>脂肪酸所組成之群組。
如請求項9之母料組成物，其中，該脂肪酸係硬脂酸。
如請求項7之母料組成物，其中，該脂肪酸之金屬鹽包含選自由鹼金屬陽離子、鹼土金屬陽離子，及第12族元素陽離子所組成群組之一陽離子。
如請求項11之母料組成物，其中，該脂肪酸之金屬鹽包含一第12族元素陽離子。
如請求項12之母料組成物，其中，該脂肪酸之金屬鹽包含一鋅陽離子。
如請求項13之母料組成物，其中，該母料組成物進一步包含硬脂酸鋅。
如請求項1之母料組成物，其中，該熱塑性載劑係選自由聚丙烯、聚乙烯、動物蠟、植物蠟、石蠟、微結晶蠟、聚烯烴蠟、費雪闕希羅(Fischer–Tropsch)蠟，及此等之混合物所組成之群組。
如請求項1之母料組成物，其中，該母料組成物包含約0.5重量%至約20重量%之1,2-環己烷二羧酸鈣鹽。
如請求項1之母料組成物，其中，該母料組成物包含約0.5重量%至約5重量%之1,2-環己烷二羧酸鈣鹽。
一種用於製造聚合物組成物之方法，該方法包含以下步驟：<br/> (a)提供一熱塑性聚合物，該熱塑性聚合物具有一熔點；<br/> (b)提供如請求項1至17中任一項之母料組成物；<br/> (c)將該熱塑性聚合物與該母料組成物混合產生一混合物；<br/> (d)將該混合物加熱至高於該熱塑性聚合物的該熔點之一溫度，產生一熔融混合物；及<br/> (e)將該熔融混合物之該溫度降至低於該熱塑性聚合物的該熔點之一溫度，藉此產生一聚合物組成物。
如請求項18之方法，其中，該熱塑性聚合物係一聚烯烴。
如請求項19之方法，其中，該聚烯烴係一聚丙烯。
如請求項19之方法，其中，該聚烯烴係一聚乙烯。
如請求項18之方法，其中，該混合物含有約50ppm至約5,000ppm之1,2-環己烷二羧酸鈣鹽。
如請求項22之方法，其中，該混合物含有約100ppm至約2,000ppm之1,2-環己烷二羧酸鈣鹽。
一種顯示裝置，其在基板之上包含複數個像素、驅動複數個該像素之驅動電路及對該驅動電路輸入信號之第一FPC；<br/>複數個該像素中的每一者具有發光元件及與該發光元件電連接之第一電晶體；<br/>該驅動電路具有第二電晶體；<br/>該第一電晶體之通道形成區域配置在第一氧化物半導體層中；<br/>該第二電晶體之通道形成區域配置在第二氧化物半導體層中；<br/>該第一氧化物半導體層與該第二氧化物半導體層配置在相同的層中；<br/>該發光元件包含與該第一電晶體電連接之第一電極、具有配置在該第一電極之上的區域之發光層及具有配置在該發光層之上的區域之第二電極；<br/>該第一電極的端部與相鄰之像素的該第一電極的端部之間配置有絕緣膜；<br/>該顯示裝置包含用作觸控感測器之複數個第一導電層和複數個第二導電層及對該觸控感測器輸入信號之第二FPC；<br/>在剖視下，複數個該第一導電層及該第二FPC配置成隔著該基板與該第一氧化物半導體層重疊；<br/>在俯視下，複數個該第一導電層具有在第一方向上延伸的區域；<br/>在俯視下，複數個該第二導電層具有在與該第一方向交叉的第二方向上延伸的區域；<br/>在俯視下，該第一導電層具有與該第二導電層交叉的區域。
如請求項1之顯示裝置，其中，在剖視下，該第一FPC配置成隔著該基板與該第二FPC具有重疊。
一種電性連接裝置，係具備：探針頭，係具有使分別形成有前述導孔的第一導板與第二導板分隔配置而成的構成；及 <br/>探針，係在檢查對象物之電特性的檢查中所使用，且插入於前述導孔而被保持於前述探針頭，該探針係具有： <br/>柱形狀的母材，係具有在前述檢查中與前述檢查對象物接觸的第一端部及第二端部，且與軸方向垂直的剖面為多角形狀；以及 <br/>接觸膜，係覆蓋前述第二端部之與前端面連接的複數個側面當中除朝向第一方向之側面以外的前述第二端部的其餘側面及前述第二端部的前述前端面； <br/>前述接觸膜之覆蓋前述第二端部的前述前端面的端面為與前述軸方向正交的平面， <br/>關於同一根前述探針所貫通的前述導孔，相對於前述第二導板的前述導孔而使前述第一導板的前述導孔的位置朝與前述第二導板之主面平行的偏置方向偏移而偏置配置，並使前述母材以彎曲的狀態保持在前述一導板與前述第二導板之間； <br/>前述第一方向為前述偏置方向。
如請求項1所述之電性連接裝置，其中，從前述第一方向觀看時，前述接觸膜的前述端面的角部係經過倒角。
如請求項1所述之電性連接裝置，其中，露出於前記接觸膜的外側且與被前述接觸膜所覆蓋之區域連接的前述第二端部的區域，係前述母材的剖面隨著朝向前述前端面的方向逐漸地變窄的錐形形狀。
如請求項1所述之電性連接裝置，其中，與前述軸方向垂直的前述母材的剖面為矩形形狀。
如請求項1所述之電性連接裝置，其中，前述接觸膜的導電性係高於前述母材。
一種化學機械研磨系統，包括：<br/> 一支撐件，該支撐件固持一研磨墊；<br/> 一承載頭，該承載頭在一研磨製程期間將一基板抵靠該研磨墊固持；<br/> 一溫度控制系統，該溫度控制系統控制該研磨製程的一溫度；<br/> 複數個感測器，該複數個感測器監控該研磨製程的該溫度，該複數個感測器至少包含一第一感測器與一第二感測器，該第一感測器定位在該承載頭中以監控該基板的一溫度，該第二感測器定位在該承載頭的外部以監控該研磨墊的一溫度；及<br/> 一控制器，該控制器耦接到該複數個感測器以接收來自該複數個感測器的複數個訊號，且該控制器耦接到該溫度控制系統，該控制器經配置儲存表示該研磨製程的一期望溫度的資料，且該控制器經配置驅使該研磨製程的該溫度至該期望溫度，及其中該控制器包括該溫度控制系統的一閉合迴路控制以使用該溫度控制系統的複數個加熱/冷卻元件驅使來自該複數個感測器的該複數個訊號得到的一測量的溫度到該期望溫度。
如請求項1所述之系統，其中該第一感測器包括一熱電偶。
如請求項1所述之系統，其中該第二感測器包括一熱電偶，該熱電偶嵌入在該支撐件中或被放置在該支撐件上。
如請求項1所述之系統，其中該第二感測器包括定位在該支撐件上方的一感測器。
如請求項4所述之系統，其中該第二感測器包括一紅外攝影機。
如請求項1所述之系統，其中該溫度控制系統包括以下各者中的一個或多個：將熱引導到該研磨墊上的一紅外加熱器、在該支撐件或承載頭中的一電阻加熱器、在該支撐件或承載頭中的一熱電加熱器或冷卻器、經配置在一研磨液輸送到該研磨墊之前將熱與該研磨液交換的一熱交換器、或者具有該支撐件中的一流體通道的一熱交換器。
一種化學機械研磨方法，包括以下步驟：<br/> 將一基板抵靠一研磨墊固持；<br/> 以複數個感測器監控一研磨製程期間的一溫度，該複數個感測器至少包含一第一感測器與一第二感測器，該第一感測器定位在一承載頭中以監控該基板的一溫度，該第二感測器定位在該承載頭的外部以監控該研磨墊的一溫度；<br/> 儲存表示研磨製程的一期望溫度的資料；及<br/> 施行閉合迴路控制以使用該溫度控制系統的複數個加熱/冷卻元件驅使來自該複數個感測器的該複數個訊號得到的一測量的溫度到該期望溫度。
如請求項7所述之方法，其中該第一感測器包括一熱電偶。
如請求項7所述之方法，其中該第二感測器包括一熱電偶，該熱電偶嵌入在該支撐件中或被放置在一支撐件上。
如請求項7所述之方法，其中該第二感測器包括定位在一支撐件上方的一感測器。
如請求項10所述之方法，其中該第二感測器包括一紅外攝影機。
一種模組化立體顯示系統，包括：至少一組顯示模組，用以構成任一形狀的架構；一運算模組，用以處理形變轉換，且將經形變轉換後的影像在該組顯示模組上顯示，其中該運算模組用以處理：至少一虛擬三維物件，其為用以在該至少一組顯示模組上顯示的虛擬物件；至少一個二維內容，包含影像與文字的至少其中之一，該二維內容經過去背景處理，且該二維內容至少有1個像素是背景設為透明的部分；對應於現實的該組顯示模組的一虛擬顯示模組物件；以及在一虛擬場景中設定對應於現實世界的座標中的一顯示模組位置與一觀看位置，在該觀看位置設定一虛擬攝影機，並透過設定該虛擬攝影機的一視野與一深度，於該顯示模組位置上產生一三維物件平面，在該三維物件平面上顯示該二維內容，並將該二維內容與該虛擬三維物件同時渲染出的畫面烘焙到該虛擬顯示模組物件，並將烘焙後的影像在該組顯示模組上顯示；以及一實體攝影機，用以捕捉物體的動態差異，並將捕捉的結果傳送給該運算模組，其中該運算模組用以根據該捕捉的結果來改變該組顯示模組的顯示內容，而達到互動。
如請求項1所述的模組化立體顯示系統，其中該運算模組根據另一實體攝影機或一色度計於該觀看位置所量測到的該組顯示模組所顯示的一測試畫面中的像素亮度最小值，得到該測試畫面中的該像素亮度最小值與每一像素的亮度的一比例常數，且該運算模組用以在使該組顯示模組顯示後續的一影像內容時，先將該影像內容的每一像素的亮度乘上各自的該比例常數而得到一亮度補償值，並使該組顯示模組以該亮度補償值顯示該影像內容。
如請求項1所述的模組化立體顯示系統，其中該運算模組根據另一實體攝影機或一色度計於該觀看位置所量測到的該組顯示模組所顯示的一測試畫面中的像素色度最小值，得到該測試畫面中的該像素色度最小值與每一像素的色度的一比例常數，且該運算模組用以在使該組顯示模組顯示後續的一影像內容時，先將該影像內容的每一像素的色度乘上各自的該比例常數而得到一色度補償值，並使該組顯示模組以該色度補償值顯示該影像內容。
如請求項1所述的模組化立體顯示系統，其中該運算模組用以在該虛擬場景中模擬該組顯示模組的顯示效果。
如請求項1所述的模組化立體顯示系統，其中該至少一組顯示模組包括在空間中不共平面的多個顯示面。
如請求項1所述的模組化立體顯示系統，其中該組顯示模組包括至少一曲面顯示器或至少一可撓式顯示器。
如請求項1所述的模組化立體顯示系統，其中該組顯示模組的顯示器的背面具有磁吸元件。
如請求項1所述的模組化立體顯示系統，其中該二維內容經過去背景處理後，產生一主體目標，該運算模組利用機器學習產生該主體目標的深度資料，並依據該主體目標的深度資料與該虛擬三維物件的座標，決定於該虛擬攝影機的視線上是該主體目標遮蔽該虛擬三維物件或該虛擬三維物件遮蔽該主體目標。
一種顯示方法，包括：提供至少一組顯示模組，該至少一組顯示模組構成任一形狀的架構；利用一運算模組處理形變轉換，將形變轉換後的影像在該組顯示模組上顯示；利用該運算模組處理至少一虛擬三維物件，其為用以在該至少一組顯示模組上顯示的虛擬物件；利用該運算模組處理至少一個二維內容，其包含影像與文字的至少其中之一，該二維內容經過去背景處理，且該二維內容至少有1個像素是背景設為透明的部分；利用該運算模組處理對應於現實的該組顯示模組的一虛擬顯示模組物件；利用該運算模組在一虛擬場景中設定對應於現實世界的座標中的一顯示模組位置與一觀看位置，在該觀看位置設定一虛擬攝影機，並透過設定該虛擬攝影機的一視野與一深度，於該顯示模組位置上產生一三維物件平面，在該三維物件平面上顯示該二維內容，並將該二維內容與該虛擬三維物件同時渲染出的畫面烘焙到該虛擬顯示模組物件，並將烘焙後的影像在該組顯示模組上顯示；利用一實體攝影機捕捉物體的動態差異，並將捕捉的結果傳送給該運算模組；以及利用該運算模組根據該捕捉的結果來改變該組顯示模組的顯示內容，而達到互動。
如請求項9所述的顯示方法，更包括：利用該運算模組根據另一實體攝影機或一色度計於該觀看位置所量測到的該組顯示模組所顯示的一測試畫面中的像素亮度最小值，得到該測試畫面中的該像素亮度最小值與每一像素的亮度的一比例常數；以及利用該運算模組在使該組顯示模組顯示後續的影像內容時，先將該影像內容的每一像素的亮度乘上各自的該比例常數而得到一亮度補償值，並使該組顯示模組以該亮度補償值顯示該影像內容。
如請求項9所述的顯示方法，更包括：利用該運算模組根據另一實體攝影機或一色度計於該觀看位置所量測到的該組顯示模組所顯示的一測試畫面中的像素色度最小值，得到該測試畫面中的該像素色度最小值與每一像素的色度的一比例常數；以及利用該運算模組在使該組顯示模組顯示後續的影像內容時，先將該影像內容的每一像素的色度乘上各自的該比例常數而得到一色度補償值，並使該組顯示模組以該色度補償值顯示該影像內容。
如請求項9所述的顯示方法，更包括利用該運算模組透過現場環境的三維建立模型，或使用外部現場環境建立模型工具製作，或依照尺寸手動建立模型，將該模型放入三維影像或動畫設計軟體後，將該至少一組顯示模組用於顯示的內容在模型中的至少一組顯示模組上進行渲染，並透過該虛擬攝影機的設定，藉以模擬出現場觀看該至少一組顯示模組時，該至少一組顯示模組的顯示內容與周圍建築物呈現的情況。
如請求項9所述的顯示方法，其中該至少一組顯示模組包括在空間中不共平面的多個顯示面。
如請求項9所述的顯示方法，其中該組顯示模組包括至少一曲面顯示器或至少一可撓式顯示器。
如請求項9所述的顯示方法，其中該組顯示模組的顯示器的背面具有磁吸元件。
如請求項9所述的顯示方法，其中該二維內容經過去背景處理後，產生一主體目標，該顯示方法更包括利用該運算模組利用機器學習產生該主體目標的深度資料，並依據該主體目標的深度資料與該虛擬三維物件的座標，決定於該虛擬攝影機的視線上是該主體目標遮蔽該虛擬三維物件或該虛擬三維物件遮蔽該主體目標。
一種使用在無線電力傳輸設備中的積體電路，該無線電力傳輸設備係容納複數個一次線圈，此積體電路包含： <br/>無線電力訊號驅動電子組件，該等組件係用於驅使一無線電力訊號至在該無線電力傳輸設備中之該複數個一次線圈中之至少一個第一一次線圈及一個第二一次線圈，而此等線圈能夠獨立地傳輸無線電力，其中，該第二一次線圈係相鄰於該第一一次線圈； <br/>局部控制器實施電子組件，該等組件係實施至少一個局部控制器，而該局部控制器係用於管理該無線電力訊號之一電壓位準、一電力位準或一頻率中之至少一者，其中，一第一局部控制器經組態以管理該第一一次線圈，而且，一第二局部控制器經組態以管理該第二一次線圈； <br/>通訊單元實施電子組件，該等組件係實施一通訊單元，而該通訊單元係用於經由該第一一次線圈以與一無線電力接收設備通訊； <br/>實施局部感測器電子組件，該等組件係實施至少一個局部感測器，而該局部感測器係用於基於在該第一一次線圈處的一線圈電流量測以測量多個負載變量； <br/>判定電子組件，該等組件係用於基於該等負載變量以判定該無線電力接收設備係在該第一一次線圈的附近；以及 <br/>實施一監督控制器之電子組件，該等電子組件係用於協調該第一局部控制器及該第二局部控制器之操作，且基於該無線電力接收設備相對於該複數個一次線圈的位置上之一改變，來預測該無線電力接收設備在一第一方向上從該第一一次線圈至該第二一次線圈的運動， <br/>其中，回應於該無線電力接收設備係在該第一一次線圈附近的一判定，而如下述般操作： <br/>該第一局部控制器係經組態以使該第一一次線圈傳輸無線電力；以及 <br/>該第二局部控制器係經組態以使該第二一次線圈回應於該無線電力接收設備係已從該第一一次線圈運動至該第二一次線圈的一判定，而傳輸無線電力；以及 <br/>其中，該通訊單元經組態為經由一或多個一次線圈以與該無線電力接收設備通訊，而其中，該無線電力接收設備係在該第一一次線圈附近的該判定，係至少部分基於從該無線電力接收設備經由該第一一次線圈而接收的一第一通訊。
如請求項1之積體電路，其中，該第二局部控制器經組態使該複數個一次線圈中之至少該第二一次線圈回應於一第二無線電力接收設備係在該第二一次線圈附近的一判定而傳輸無線電力。
如請求項1之積體電路，其中，一第一局部感測器經組態以基於一線圈電流量測來偵測在該第一一次線圈附近的一物體，且其中，該第一局部控制器經組態以基於一系列線圈電流量測中的負載變量，來判定該物體為該無線電力接收設備。
一種無線電力傳輸系統，包含： <br/>線圈管理手段，用於管理在一無線電力傳輸設備中的複數個一次線圈，其中，該複數個一次線圈能夠獨立地傳輸無線電力，且其中，該複數個一次線圈係由複數個局部控制器管理； <br/>第一判定手段，用於判定一第一無線電力接收設備係在該複數個一次線圈中之一個第一一次線圈的附近； <br/>第二判定手段，用於判定一第二無線電力接收設備係在該複數個一次線圈中之該第二一次線圈的附近； <br/>第一傳輸引致手段，用於藉由該複數個局部控制器中之一第一局部控制器，使該第一一次線圈回應於該第一無線電力接收設備係在該第一一次線圈的附近的一判定而傳輸無線電力，並且，藉由該複數個局部控制器中之一第二局部控制器，轉換成一準備狀態，使得，該第二局部控制器準備好使一個第二一次線圈回應於該第一無線電力接收設備係已從該第一一次線圈運動至該第二一次線圈的一判定，而傳輸無線電力； <br/>第二傳輸引致手段，用於藉由該複數個局部控制器中之該第二局部控制器，使該第二一次線圈回應於該第二無線電力接收設備係在該第二一次線圈的附近的一判定而傳輸無線電力； <br/>第一協調手段，用於基於該第一無線電力接收設備之相對於該複數個一次線圈的位置或運動，以協調該複數個局部控制器之操作； <br/>第二協調手段，用於藉由一監督控制器以協調由該複數個局部控制器所執行的一偵測階段，而使鄰近的局部控制器以固定的時間執行該偵測階段；以及 <br/>預測手段，用於基於該第一無線電力接收設備相對於該複數個一次線圈的位置上的一改變，以預測該第一無線電力接收設備在一第一方向上從該第一一次線圈至該第二一次線圈的運動。
如請求項4之系統，其中，該第一一次線圈及該第二一次線圈係經組態成同時分別傳輸無線電力至該第一無線電力接收設備及該第二無線電力接收設備。
如請求項4之系統，其中，該監督控制器經組態以至少部分基於該第一無線電力接收設備相對於該複數個一次線圈的一位置，以協調該複數個局部控制器之無線充電。
如請求項4之系統，其中，一局部感測器經組態以基於一線圈電流量測來偵測在該第一一次線圈附近的一物體，且其中，該局部控制器經組態以基於一系列線圈電流量測中的負載變量，以判定該物體為該無線電力接收設備。
一種半導體結構，其包括：一金屬構件，其放置於一基板與一板之間；一導電凸塊，其放置於該基板與該板之間且相鄰於該金屬構件；一第一焊料，其放置於該基板與該金屬構件之間、與該金屬構件接觸且與該導電凸塊分離；及一第二焊料，其放置於該板與該金屬構件之間。
如請求項1之半導體結構，其進一步包括在該第一焊料與該第二焊料之間延伸之一第三焊料，其中該第三焊料環繞該金屬構件。
如請求項2之半導體結構，其中該第三焊料與該第一焊料及該第二焊料連成一體。
如請求項1之半導體結構，其中該基板包含一中心部分及一周邊部分，且該金屬構件放置於該周邊部分處。
如請求項1之半導體結構，其進一步包括放置於該基板與該第一焊料之間的一導電墊。
一種半導體結構，其包括：一導電凸塊，其放置於一基板與一板之間；一隔離構件，其放置於該板上方且環繞該導電凸塊及該基板；一金屬構件，其放置於該隔離構件與該導電凸塊之間；及一焊料，其放置於該基板與該板之間、經組態以將該金屬構件附接至該基板及該板且與該隔離構件接觸。
一種製造一半導體結構之方法，其包括：將一第一焊料放置於一基板之一第一表面上；藉由該第一焊料將一金屬構件放置於該基板之該第一表面上方；將一導電凸塊放置於該基板之該第一表面上方且相鄰於該金屬構件；將一第二焊料放置於一板上；及藉由該第二焊料將該金屬構件接合至該板，其中，該第一焊料與該金屬構件接觸且與該導電凸塊分離。
如請求項7之方法，其進一步包括：在該基板之該第一表面上相鄰於該第一焊料放置一第一助焊劑；藉由該第一助焊劑將一導電凸塊放置於該基板之該第一表面上方；將一第二助焊劑放置於該板上；及藉由該第二助焊劑將該導電凸塊接合至該板。
如請求項7之方法，其中該金屬構件包含面向該基板之一第三表面、面向該板之一第四表面及連接該第三表面及該第四表面之一第五表面，該第一焊料附接至該金屬構件之該第三表面，且該第二焊料附接至該金屬構件之該第四表面。
如請求項9之方法，其進一步包括沿該第五表面放置該第一焊料及該第二焊料以與該金屬構件之該第五表面接觸。
一種編輯藉由一視訊序列之預測寫碼獲得之一經簽署視訊位元串流(signed video bitstream)之方法，其中： <br/>該經簽署視訊位元串流包含複數個資料單元及複數個相關聯簽章(signature)單元， <br/>各資料單元表示該預測寫碼視訊序列之一視訊圖框中之一個巨集區塊(macroblock)，其中已藉由對一對應巨集區塊應用一編碼器來獲得該資料單元， <br/>各簽章單元包含自複數個指紋導出之一位元串之一數位簽章，及 <br/>各指紋係自由與該簽章單元相關聯之一個資料單元重建之一巨集區塊運算， <br/>該方法包括： <br/>接收替換至少一個視訊圖框之一區域之一請求； <br/>重建其中含有該區域之一第一組巨集區塊，及直接或間接參考該第一組中之巨集區塊之一第二組巨集區塊，其中藉由對一對應資料單元應用一解碼器來獲得各經重建巨集區塊； <br/>將一存檔物件(archive object)添加至該經簽署視訊位元串流，其中該存檔物件包含自該經重建之第一組巨集區塊運算之指紋且指示由該等所包含指紋所屬之資料單元所表示之巨集區塊之位置； <br/>根據替換該至少一個視訊圖框之該區域之該請求來編輯該第一組巨集區塊，且將該經編輯之第一組巨集區塊編碼為一第一組新資料單元； <br/>將該第二組巨集區塊重新編碼為一第二組新資料單元；及 <br/>將該等第一及第二組新資料單元添加至該經簽署視訊位元串流。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>將自該經編輯之第一組巨集區塊運算之指紋添加至該經簽署視訊位元串流，其中： <br/>在該經簽署視訊位元串流中用一替換簽章單元替代與編碼該第一組巨集區塊之資料單元相關聯之一簽章單元，該替換簽章單元包含自至少該等經運算指紋導出之一位元串之一數位簽章，或 <br/>包含自該等經運算指紋之一數位簽章導出之一位元串之至少一個新簽章單元係經添加至該經簽署視訊位元串流。
如請求項1之方法，其中該存檔物件進一步包含該第一組巨集區塊之位置。
如請求項1之方法，其中無損地重新編碼該第二組巨集區塊。
如請求項1之方法，其中： <br/>使用減少之資料壓縮來重新編碼該第二組巨集區塊；及 <br/>該經簽署視訊位元串流中之該第二組巨集區塊之該等指紋包含穩健雜湊。
如請求項1之方法，其中非預測性地重新編碼該第二組巨集區塊。
如請求項1之方法，其中參考該經編輯之第一組巨集區塊來預測性地重新編碼該第二組巨集區塊。
如請求項1之方法，其中編輯及編碼該第一組巨集區塊包含： <br/>無損地及/或使用減少之資料壓縮及/或非預測性地編碼該經編輯之第一組巨集區塊。<b> </b>
如請求項1之方法，其進一步包括最初提供一簽章單元，其包括： <br/>由與該簽章單元相關聯之各自資料單元重建複數個巨集區塊； <br/>自該等各自經重建巨集區塊運算複數個指紋； <br/>自該等經運算指紋導出一位元串；及 <br/>獲得該位元串之一數位簽章。
如請求項9之方法，其中該位元串係該複數個指紋之一組合或該組合之一指紋。
如請求項1之方法，其中運算該等指紋包含：自一參考解碼器緩衝器擷取該等經重建巨集區塊。
一種驗證藉由一視訊序列之預測寫碼獲得之一經簽署媒體位元串流之方法，其中： <br/>經簽署視訊位元串流包含複數個資料單元、複數個相關聯簽章單元及一存檔物件， <br/>各資料單元表示該預測寫碼視訊序列之一視訊圖框中之一個巨集區塊，其中已藉由對一對應巨集區塊應用一編碼器來獲得該資料單元， <br/>各簽章單元包含自複數個指紋導出之一位元串之一數位簽章， <br/>各指紋係自由與該簽章單元相關聯之一個資料單元重建之一巨集區塊運算，及 <br/>該存檔物件包含至少一個經存檔指紋且指示由該等經存檔指紋所屬之資料單元所表示之巨集區塊之位置， <br/>該方法包括： <br/>藉由對與一簽章單元相關聯之資料單元應用一解碼器來重建巨集區塊； <br/>自至少一些該等經重建巨集區塊運算各自指紋； <br/>自該存檔物件擷取至少一個經存檔指紋； <br/>自該等經運算且經擷取之指紋導出一位元串；及 <br/>使用該簽章單元中之該數位簽章來驗證與該簽章單元相關聯之該等資料單元。
如請求項12之方法，其中： <br/>導出該位元串包括基於根據該存檔物件之該等位置針對與該簽章單元相關聯之各資料單元決定是否自一經重建巨集區塊運算一指紋或自該存檔物件擷取一對應經存檔指紋。
一種包括經配置以執行如請求項1至13中任一項之方法之處理電路之器件。
一種包含指令之電腦程式，當該程式由一電腦執行時，該等指令引起該電腦實行如請求項1至13中任一項之方法。
一種具偵測斷聯防止機制之室內空氣潔淨系統，包含：<br/> 至少一氣體過濾裝置，設置於一室內場域中，包含一風機、一過濾元件、一氣體偵測器及一驅動控制元件，其中該氣體偵測器偵測一空污，並透過一物聯網通訊輸出該空污資訊，以及該氣體偵測器透過該物聯網通訊接收一控制指令給該驅動控制元件調控該風機啟動運作，該風機受控制啟動而引流該空污通過該過濾元件過濾；<br/> 一雲端運算服務裝置，透過該物聯網通訊接收該氣體偵測器偵測所偵測輸出該空污資訊存儲形成一空污數據之大數據資料庫，並依據該空污數據之大數據資料庫智能運算比對，而智能選擇發出該控制指令給該氣體過濾裝置之該氣體偵測器接收而傳輸給該驅動控制元件調控該風機啟動操作之運作；<br/> 其中，該物聯網通訊在交握(Handshake)通訊協定之斷聯情況下，該氣體偵測器偵測所輸出該空污資訊得自主運算比對該空污資訊，而發出該控制指令傳輸給該驅動控制元件調控該風機啟動運作，該風機受控制啟動而引流該空污通過該過濾元件過濾，促使該室內場域之空污氣體狀態趨零得達到潔淨室等級要求。
如請求項1所述之具偵測斷聯防止機制之室內空氣潔淨系統，其中該空污是指懸浮微粒、一氧化碳、二氧化碳、臭氧、二氧化硫、二氧化氮、鉛、總揮發性有機物、甲醛、細菌、真菌、病毒之其中之一或其組合。
如請求項1所述之具偵測斷聯防止機制之室內空氣潔淨系統，其中該智能運算包含人工智慧(AI)運算、邊緣運算。
如請求項1所述之具偵測斷聯防止機制之室內空氣潔淨系統，其中該物聯網通訊為一有線通信，供與該雲端運算服務裝置透過有線線路連接通訊，而該雲端運算服務裝置接收該空污資訊並智能運算比對，而智能選擇發出該控制指令給該氣體偵測器接收而傳輸給該驅動控制元件調控該風機啟動運作，該風機受控制啟動而引流該空污通過該過濾元件過濾，促使該室內場域之空污氣體狀態趨零得以達到潔淨室等級要求。
如請求項1所述之具偵測斷聯防止機制之室內空氣潔淨系統，其中該物聯網通訊為一無線通信，供與該雲端運算服務裝置透過無線連接通訊，而該雲端運算服務裝置接收該空污資訊並智能運算比對，而智能選擇發出該控制指令給該氣體偵測器接收而傳輸給該驅動控制元件調控該風機啟動運作，該風機受控制啟動而引流該空污通過該過濾元件過濾，促使該室內場域之空污氣體狀態趨零得以達到潔淨室等級要求。
如請求項4或5所述之具偵測斷聯防止機制之室內空氣潔淨系統，其中該物聯網通訊得以判斷有線通訊、無線通信之交握通訊協定是否有斷聯情形之機制下，調控選擇可運作傳輸之有線通訊或無線通信之擇一啟動機制，而該雲端運算服務裝置透過可運作傳輸之該有線通訊或該無線通信之擇一啟動機制而接收該空污資訊並智能運算比對，而智能選擇發出該控制指令給該氣體偵測器接收而傳輸給該驅動控制元件調控該風機啟動運作，該風機受控制啟動而引流該空污通過該過濾元件過濾，促使該室內場域之空污氣體狀態趨達到潔淨室等級要求。
如請求項1所述之具偵測斷聯防止機制之室內空氣潔淨系統，其中該氣體過濾裝置為一氣體交換裝置，該氣體交換裝置連通一引氣通道與一室外場域之氣體連通，該氣體交換裝置之該氣體偵測器透過物聯網通訊接收該控制指令而傳輸給該驅動控制元件調控該風機啟動運作，讓該室外場域之氣體導入該室內場域內實施換氣。
如請求項7所述之具偵測斷聯防止機制之室內空氣潔淨系統，進一步包含複數個氣體偵測器，佈設於該室外場域及該室內場域偵測該空污資訊，該氣體偵測器並透過物聯網通訊輸出該空污資訊，而該雲端運算服務裝置接收該室內場域及該室外場域之該空污資訊存儲形成一空污數據之大數據資料庫，並智能運算比對該室內場域及該室外場域之該空污資訊，當該室內場域之空污資訊高於該室外場域之空污資訊時，該雲端運算服務裝置發出該控制指令透過物聯網通訊給該氣體偵測器接收該控制指令而傳輸給該驅動控制元件調控該氣體交換裝置之啟動運作，提供該室外場域之氣體導入該室內場域內實施換氣。
如請求項8所述之具偵測斷聯防止機制之室內空氣潔淨系統，其中該室外場域及該室內場域之該空污資訊為二氧化碳(CO<sub>2</sub>)之空污數據。
如請求項9所述之具偵測斷聯防止機制之室內空氣潔淨系統，其中該氣體偵測器偵測二氧化碳(CO<sub>2</sub>)之空污資訊必須維持低於800PPM之安全值空污數據，超過該安全值空污數據，該氣體交換裝置提供該室外場域之氣體導入該室內場域內實施換氣。
如請求項8所述之具偵測斷聯防止機制之室內空氣潔淨系統，其中該氣體交換裝置為一新風機。
如請求項8所述之具偵測斷聯防止機制之室內空氣潔淨系統，該引氣通道與該室外場域之氣體連通之間設有一閥門，受該驅動控制元件控制，當該氣體偵測器接收該控制指令時，並傳輸給該驅動控制元件調控該氣體交換裝置之啟動運作，同時控制該閥門之開啟，讓該引氣通道與該室外場域之氣體連通，供以該室外場域之氣體導入該室內場域內實施換氣。
如請求項1所述之具偵測斷聯防止機制之室內空氣潔淨系統，其中該氣體過濾裝置為一循環過濾裝置，該氣體偵測器對外傳輸該空污資訊給該雲端運算服務裝置接收而形成該空污數據之大數據資料庫，並智能運算比對而智能選擇發出該控制指令，而氣體偵測器透過物聯網通訊接收該控制指令而傳輸給該驅動控制元件調控該循環過濾裝置之啟動運作，而引流該空污通過該過濾元件過濾，並進入該室內場域之空間。
如請求項1所述之具偵測斷聯防止機制之室內空氣潔淨系統，其中該氣體過濾裝置為一空調裝置，設置於該室內場域內實施調節溫溼度，該氣體偵測器透過物聯網通訊接收該控制指令而傳輸給該驅動控制元件調控該空調裝置啟動運作，且該氣體偵測器對外傳輸該室內場域內之一氣體溫溼度資訊給該雲端運算服務裝置接收而形成該空污數據之大數據資料庫。
如請求項7所述之具偵測斷聯防止機制之室內空氣潔淨系統，其中該氣體過濾裝置為一負壓排風扇為設置於該室內場域之廚房單元位置，且設有一引氣通道連通該室外場域，該氣體偵測器對外傳輸該空污資訊給該雲端運算服務裝置接收而形成該空污數據之大數據資料庫，並智能運算比對而智能選擇發出該控制指令，而氣體偵測器透過物聯網通訊接收該控制指令而傳輸給該驅動控制元件調控該負壓排風扇啟動運作，而引流該空污通過該過濾元件過濾，讓該室內場域之空污實施加速排出於該室外場域。
如請求項7所述之具偵測斷聯防止機制之室內空氣潔淨系統，其中該氣體過濾裝置為一排煙機為設置於該室內場域之廚房單元位置，且設有一引氣通道連通該室外場域，該氣體偵測器對外傳輸該空污資訊給該雲端運算服務裝置接收而形成該空污數據之大數據資料庫，並智能運算比對而智能選擇發出該控制指令，而氣體偵測器透過物聯網通訊接收該控制指令而傳輸給該驅動控制元件調控該排煙機啟動運作，而引流該空污通過該過濾元件過濾，讓該室內場域之空污實施加速排出於該室外場域。
如請求項7所述之具偵測斷聯防止機制之室內空氣潔淨系統，其中該氣體過濾裝置為一浴廁排風扇為設置於該室內場域之浴廁單元位置，且設有一引氣通道連通該室外場域，該氣體偵測器對外傳輸該空污資訊給該雲端運算服務裝置接收而形成該空污數據之大數據資料庫，並智能運算比對而智能選擇發出該控制指令，而氣體偵測器透過物聯網通訊接收該控制指令而傳輸給該驅動控制元件調控該浴廁排風扇啟動運作，而引流該空污通過該過濾元件過濾，讓該室內場域之空污實施加速排出於該室外場域，同時該浴廁排風扇之該氣體偵測器透過物聯網通訊接收該雲端運算服務裝置所發出該控制指令給該驅動控制元件調控該浴廁排風扇啟動運作，讓該室內場域實施一溫溼度調控。
如請求項17所述之具偵測斷聯防止機制之室內空氣潔淨系統，其中該溫溼度調控為調節該室內場域內維持在溫度25°C±3°C，溼度50%±10%。
如請求項1或8所述之具偵測斷聯防止機制之室內空氣潔淨系統，其中該氣體偵測器包含一控制電路板、一氣體偵測主體、一微處理器及一通信器，其中該控制電路板與該驅動控制元件之驅動電性連接，而該氣體偵測主體、該微處理器及該通信器封裝於該控制電路板形成一體且電性連接，且該微處理器控制該氣體偵測主體之偵測運作，促使該氣體偵測主體偵測該空污，並由該微處理器運算處理所偵測該空污而輸出該空污資訊提供給該通信器對外物聯網通訊傳輸。
如請求項1所述之具偵測斷聯防止機制之室內空氣潔淨系統，其中該過濾元件為超高效能過濾網(ULPA)等級。
如請求項1所述之具偵測斷聯防止機制之室內空氣潔淨系統，其中該過濾元件為高效顆粒空氣濾網(HEPA)等級。
如請求項1所述之具偵測斷聯防止機制之室內空氣潔淨系統，其中該雲端運算服務裝置包含一無線網路雲端運算服務模組、一雲端控制服務單元、一裝置管理單元及一應用程式單元。
如請求項1所述之具偵測斷聯防止機制之室內空氣潔淨系統，其中該雲端運算服務裝置透過智能運算出在該室內場域即時之懸浮微粒粒子數量潔淨度，並智能選擇發出該控制指令傳輸給複數個該氣體過濾裝置，適時調控該氣體過濾裝置之該風機啟動，得以依據即時之懸浮微粒粒子數量潔淨度，隨機變動調整該風機之出風量大小、啟動時間週期，提升該室內場域之潔淨效率及降低該室內場域之環境噪音，讓該室內場域產生內循環指向氣流，將該空污快速引流多次通過該過濾元件過濾清除，促使該室內場域之氣體狀態趨零得以達到潔淨室等級要求。
一種清潔設備控制方法，其包括： <br/>獲取地面鋪材的鋪設方向，其中，所述鋪設方向為所述地面鋪材的最長對稱軸所在的方向； <br/>根據該鋪設方向，確定該清潔設備的清潔方向；以及 <br/>控制該清潔設備沿該清潔方向進行清潔， <br/>其中，該獲取地面鋪材的鋪設方向，包括： <br/>識別該地面鋪材的鋪材類型； <br/>根據該鋪材類型，確定是否識別該地面鋪材的鋪設方向；以及 <br/>在確定識別該地面鋪材的鋪設方向後，識別該地面鋪材的鋪設方向， <br/>其中，該根據鋪材類型，確定是否識別該地面鋪材的鋪設方向，包括： <br/>在該鋪材類型為瓷磚或地毯時，不識別該地面鋪材的鋪設方向；以及 <br/>在該鋪材類型為地板時，識別該地面鋪材的鋪設方向， <br/>其中，該識別該地面鋪材的鋪設方向，包括： <br/>採集該地面鋪材對應的地面圖像；以及 <br/>對該地面圖像進行處理，以確定出該地面鋪材的鋪設方向， <br/>其中，該對該地面圖像進行處理以確定出該地面鋪材的鋪設方向，包括： <br/>提取該地面圖像中的線條信息； <br/>根據該線條信息，確定該地面鋪材的鋪設方向。
如請求項1所述的方法，其中，該根據該鋪設方向確定該清潔設備的清潔方向，包括： <br/>在該鋪設方向為單一方向時，將該鋪設方向設置為該清潔設備的清潔方向；其中，該單一方向指的是該地面鋪材的多個鋪設方向相互平行。
如請求項1所述的方法，其中，該根據鋪材方向，確定該清潔設備的清潔方向，包括： <br/>在該鋪設方向為兩種或兩種以上不同方向時，將該清潔方向設置為該地面鋪材所在區域的長邊方向。
如請求項1所述的方法，還包括： <br/>在該鋪材類型為瓷磚或地毯時，將該清潔方向設置為該地面鋪材所在區域的長邊方向。
如請求項1所述的方法，其中，該根據該鋪材類型確定是否識別該地面鋪材的鋪設方向，包括： <br/>在該鋪材類型為長方形或菱形時，識別該地面鋪材的鋪設方向。
如請求項1所述的方法，其中，該獲取地面鋪材的鋪設方向，包括： <br/>根據用戶的設置來確定該地面鋪材的鋪設方向。
一種清潔設備控制裝置，包括： <br/>鋪設方向確定模組，用於獲取地面鋪材的鋪設方向，其中，該鋪設方向為該地面鋪材的最長對稱軸所在的方向； <br/>清潔方向確定模組，用於根據該鋪設方向，確定該清潔設備的清潔方向；以及 <br/>清潔設備控制模組，用於控制該清潔設備沿該清潔方向進行清潔， <br/>其中，該獲取地面鋪材的鋪設方向，包括： <br/>識別該地面鋪材的鋪材類型； <br/>根據該鋪材類型，確定是否識別該地面鋪材的鋪設方向；以及 <br/>在確定識別該地面鋪材的鋪設方向後，識別該地面鋪材的鋪設方向， <br/>其中，該根據鋪材類型，確定是否識別該地面鋪材的鋪設方向，包括： <br/>在該鋪材類型為瓷磚或地毯時，不識別該地面鋪材的鋪設方向；以及 <br/>在該鋪材類型為地板時，識別該地面鋪材的鋪設方向， <br/>其中，該識別該地面鋪材的鋪設方向，包括： <br/>採集該地面鋪材對應的地面圖像；以及 <br/>對該地面圖像進行處理，以確定出該地面鋪材的鋪設方向， <br/>其中，該對該地面圖像進行處理以確定出該地面鋪材的鋪設方向，包括： <br/>提取該地面圖像中的線條信息； <br/>根據該線條信息，確定該地面鋪材的鋪設方向。
一種計算機可讀存儲介質，其上存儲有計算機程序，其中，該計算機程序被處理器執行時實現請求項1到7任一項所述的清潔設備控制方法。
一種電子設備，包括： <br/>處理器；以及 <br/>存儲器，用於存儲該處理器的可執行指令； <br/>其中，該處理器配置為經由執行該可執行指令來執行請求項1到7任一項所述的清潔設備控制方法。
一種資訊提供方法，其係藉由電子裝置而實行者，其包括如下步驟：<br/>獲得將複數個物品作為一個捆綁物品來銷售之促銷之第1設定資訊；<br/>獲得上述促銷之第2設定資訊，該第2設定資訊包括參與上述促銷之複數個供應商之識別資訊、複數個供應商各者與銷售者間對上述促銷之促銷費用之出資比率之資訊、上述複數個物品之SKU識別資訊及上述複數個物品之SKU價格之資訊；<br/>基於上述第1設定資訊及上述第2設定資訊，產生上述複數個供應商之複數個契約書；及<br/>提供上述複數個契約書之資訊，<br/>上述複數個供應商各者與上述銷售者間對上述促銷費用之上述出資比率包含上述複數個供應商各者與上述銷售者間對顧客折扣促銷費用之出資比率。
如請求項1之資訊提供方法，其中產生上述複數個契約書之步驟包括如下步驟：<br/>基於上述複數個物品之SKU價格之資訊及上述捆綁物品中包括之複數個物品各者之數量的資訊，確定上述複數個供應商間對上述促銷費用之分攤比率；<br/>上述複數個契約書之資訊包括上述複數個供應商間對上述促銷費用之分攤比率之資訊。
如請求項2之資訊提供方法，其中上述複數個供應商中之第1供應商之分攤比率係確定為藉由如下方式獲得之值：<br/>將上述複數個物品中之上述第1供應商供應之至少一個物品各者之SKU價格與上述捆綁物品中包括之上述至少一個物品各者之數量的乘積之和除以上述複數個物品各者之SKU價格與上述捆綁物品中包括之複數個物品各者之數量的乘積之和。
如請求項3之資訊提供方法，其中確定上述複數個供應商間對上述促銷費用之分攤比率之步驟包括如下步驟：<br/>藉由如下方式獲得複數個第2分攤比率，即，在基於上述複數個供應商各者供應之物品之SKU價格及上述捆綁物品中包括之上述物品之數量而確定之複數個第1分攤比率之和不為100的情形時，自上述複數個第1分攤比率中捨棄小數點第n位以後之值；<br/>確認作為上述複數個第2分攤比率之和與100之差的10<sup>-n</sup>×<i>k</i>；及<br/>基於藉由如下方式獲得之值而確定上述複數個供應商間之分攤比率，即，對上述複數個第2分攤比率中之捨棄之小數點第n位以後之值最大之k個分攤比率各者相加10<sup>-n</sup>。
如請求項1之資訊提供方法，其中上述第1設定資訊包括如下資訊中之至少一者：<br/>上述促銷之進行期間之資訊；<br/>上述促銷之起始時間及結束時間之資訊；<br/>與上述複數個供應商各者是否全出資相關之資訊；<br/>上述促銷之資訊之展露區域之資訊；及<br/>上述促銷之類型之資訊。
如請求項5之資訊提供方法，其中於上述促銷之類型之資訊包括優惠券類型之資訊的情形時，上述第1設定資訊進而包括如下資訊中之至少一者：至少一個優惠券名稱之資訊；用以應用上述至少一個優惠券之最小訂單金額之資訊；上述至少一個優惠券之折扣額或折扣率之資訊；及每位客戶每日可發放之優惠券之最大數量之資訊。
如請求項5之資訊提供方法，其中於上述促銷之類型之資訊包括即時折扣類型之資訊的情形時，上述第1設定資訊進而包括折扣額或折扣率之資訊。
如請求項5之資訊提供方法，其中複數個供應商各者與銷售者間對上述促銷費用之出資比率係基於與上述複數個供應商各者是否全出資相關之資訊而確定。
如請求項1之資訊提供方法，其中上述第2設定資訊進而包括如下資訊中之至少一者：<br/>上述複數個物品之名稱之資訊；及<br/>上述複數個物品之供應商物品識別資訊。
如請求項1之資訊提供方法，其中產生上述複數個契約書之步驟包括如下步驟：<br/>獲得上述捆綁物品之名稱之資訊、上述捆綁物品之供應商物品識別資訊、上述捆綁物品之SKU識別資訊中之至少一者；<br/>上述複數個契約書之資訊進而包括上述捆綁物品之名稱之資訊、上述捆綁物品之供應商物品識別資訊、上述捆綁物品之SKU識別資訊中之至少一者。
如請求項1之資訊提供方法，其中上述資訊提供方法進而包括如下步驟：<br/>獲得與是否進行上述促銷相關之資訊；<br/>於獲得上述促銷之進行資訊之情形時，獲得上述複數個供應商對上述複數個契約書之簽名資訊；及<br/>向第1伺服器發送上述促銷之產生請求。
如請求項1之資訊提供方法，其中獲得上述促銷之第2設定資訊之步驟包括如下步驟：<br/>確認上述複數個供應商中之第2供應商供應之一個以上之物品；<br/>基於上述一個以上之物品各者之分數，將上述一個以上之物品中之具有最高分數之第1物品確定為推薦物品；及<br/>提供上述第1物品之資訊。
如請求項12之資訊提供方法，其中上述一個以上之物品各者之分數係基於如下資訊中之至少一者而確定：<br/>上述一個以上之物品各者之銷售量之資訊；<br/>上述一個以上之物品各者之包括於捆綁物品中之歷史的資訊；<br/>上述一個以上之物品各者之庫存數量之資訊；及<br/>上述一個以上之物品各者之可銷售期限之資訊。
如請求項13之資訊提供方法，其中上述一個以上之物品各者之分數係以如下方式確定：<br/>上述一個以上之物品各者之銷售量越少、上述一個以上之物品各者之包括於捆綁物品中之歷史越多、上述一個以上之物品各者之庫存數量越多、上述一個以上之物品各者之可銷售期限越短，則上述一個以上之物品各者之分數確定得越高。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有用以於電腦中實行如請求項1之方法之程式。
一種電子裝置，其包括：<br/>收發器；<br/>記憶體；及<br/>處理器；<br/>上述處理器如下：<br/>獲得將複數個物品作為一個捆綁物品銷售之促銷之第1設定資訊；<br/>獲得上述促銷之第2設定資訊，該第2設定資訊包括參與上述促銷之複數個供應商之識別資訊、複數個供應商各者與銷售者間對上述促銷之促銷費用之出資比率之資訊、上述複數個物品之SKU識別資訊及上述複數個物品之SKU價格之資訊；<br/>基於上述第1設定資訊及上述第2設定資訊，產生上述複數個供應商之複數個契約書；<br/>提供上述複數個契約書之資訊，<br/>上述複數個供應商各者與上述銷售者間對上述促銷費用之上述出資比率包含上述複數個供應商各者與上述銷售者間對顧客折扣促銷費用之出資比率。
一種鍵合方法，其改良在於，包括：提供至少一第一晶圓堆疊結構，對所述第一晶圓堆疊結構中的每個晶片區域進行測試；其中，所述第一晶圓堆疊結構包括至少兩個鍵合在一起的第一晶圓；切割所述第一晶圓堆疊結構，形成與所述晶片區域對應的晶片；將所述測試確定的功能良好的所述晶片與第二晶圓鍵合。
如請求項1所述的鍵合方法，其中，包括：所述提供至少一第一晶圓堆疊結構，對所述第一晶圓堆疊結構中的每個晶片區域進行測試，包括：將至少兩個所述第一晶圓依次鍵合在一起，形成所述第一晶圓堆疊結構；在所述第一晶圓堆疊結構的第一表面形成測試襯墊，所述第一表面為所述第一晶圓堆疊結構垂直於堆疊方向的一最外側的表面；透過所述測試襯墊對所述第一晶圓堆疊結構中的所述晶片區域進行測試，以確定對應的所述晶片區域是否功能良好。
如請求項2所述的鍵合方法，其中，所述第一晶圓堆疊結構包括位於所述第一晶圓堆疊結構垂直於堆疊方向的一最外側的頂部晶圓，和位於另一最外側與所述頂部晶圓相對設置的底部晶圓，所述頂部晶圓預留有測試引出金屬片，所述第一表面遠離所述底部晶圓；所述在所述第一晶圓堆疊結構的第一表面形成測試襯墊，包括：在所述第一晶圓堆疊結構中所述頂部晶圓上的介質層中開設通孔，以露出所述測試引出金屬片；在所述通孔中形成連接結構，並在所述第一晶圓堆疊結構的第一表面形成所述測試襯墊，所述第一表面為所述介質層遠離所述底部晶圓的表面，所述測試襯墊透過所述連接結構連接所述測試引出金屬片。
如請求項3所述的鍵合方法，其中，所述透過所述測試襯墊對所述第一晶圓堆疊結構中的所述晶片區域進行測試之後，所述鍵合方法進一步包括：移除所述測試襯墊和所述連接結構的至少部分；對所述第一表面進行平坦化處理。
如請求項1所述的鍵合方法，其中，所述切割所述第一晶圓堆疊結構，形成與所述晶片區域對應的晶片，包括：將所述第一晶圓堆疊結構與載片晶圓臨時鍵合在一起；對所述第一晶圓堆疊結構進行切割直至所述載片晶圓的鍵合面，以在所述載片晶圓的鍵合面上形成所述晶片；利用所述載片晶圓將所述晶片轉移至晶片架上，並移除所述載片晶圓。
如請求項5所述的鍵合方法，其中，所述將所述第一晶圓堆疊結構與載片晶圓臨時鍵合在一起，包括：將所述第一晶圓堆疊結構的第一表面作為鍵合面與所述載片晶圓鍵合在一起，所述第一表面為所述第一晶圓堆疊結構垂直於堆疊方向的一最外側的表面；所述將所述第一晶圓堆疊結構與載片晶圓臨時鍵合在一起之後，所述鍵合方法還包括：對所述第一晶圓堆疊結構的底部晶圓進行減薄處理，直至露出所述底部晶圓中的矽通孔和所述矽通孔中的金屬柱，所述底部晶圓位於所述第一晶圓堆疊結構垂直於堆疊方向的另一最外側，所述第一表面遠離所述底部晶圓。
如請求項1所述的鍵合方法，其中，所述將所述測試確定的功能良好的所述晶片與第二晶圓鍵合，包括：利用晶片至晶圓鍵合技術將所述測試確定的功能良好的複數個所述晶片依次鍵合在所述第二晶圓上。
一種晶圓堆疊結構，其改良在於，包括：功能晶圓；至少一第一晶片，鍵合在所述功能晶圓上，所述第一晶片包括至少兩個縱向堆疊且鍵合在一起的晶粒，所述第一晶片的其中一個外層的晶粒形成有測試引出金屬片，所述測試引出金屬片為檢測所述晶圓堆疊結構的良率而設計的。
如請求項8所述的晶圓堆疊結構，其中，所述第一晶片由切割一第一晶圓堆疊結構得到，且對應所述第一晶圓堆疊結構中測試確定的功能良好的晶片區域；所述第一晶片的所述外層晶粒與所述功能晶圓鍵合在一起，或者與其它相鄰的所述第一晶片鍵合在一起。
一種晶片結構，其改良在於，包括：至少一第一晶片，所述第一晶片包括至少兩個縱向堆疊且鍵合在一起的晶粒，所述第一晶片的其中一個外層的晶粒形成有測試引出金屬片，所述測試引出金屬片為檢測所述第一晶片原所在的第一晶圓堆疊結構的良率而設計的。
如請求項10所述的晶片結構，其中，所述第一晶片由切割一第一晶圓堆疊結構得到，且對應所述第一晶圓堆疊結構中測試確定的功能良好的晶片區域；所述晶片結構還包括功能晶粒，所述功能晶粒與所述第一晶片的所述外層晶粒鍵合在一起。
一種測試裝置，包括： <br/>一第一記憶體單元，儲存有一測試程式； <br/>一控制單元，具有一第二記憶體單元，其中該控制單元讀取該測試程式，該控制單元執行該測試程式，對該第二記憶體單元進行一寫入讀取測試，以產生一測試結果代碼；以及 <br/>一測試機，耦接該第一記憶體單元與該控制單元，該測試機提供該測試程式，並控制該控制單元將該測試程式寫入該第一記憶體單元，以及接收該測試結果代碼，並依據該測試結果代碼，產生一測試結果並顯示該測試結果； <br/>其中，該第一記憶體單元內建於該控制單元中，或是該第一記憶體單元與該控制單元設置於一積體電路。
如請求項1之測試裝置，其中該測試程式包括該第二記憶體單元的一位址、對應該位址的一寫入資料以及一預設資料。
如請求項2之測試裝置，其中該控制單元依據該第二記憶體單元的該位址，將對應該位址的該寫入資料寫入至該第二記憶體單元的該位址，該控制單元從該位址讀取對應該位址的一讀取資料，以及該控制單元將該讀取資料與該預設資料進行比對，以產生該測試結果代碼。
如請求項1之測試裝置，其中該測試程式為一圖案檔案的形式。
一種測試裝置的操作方法，包括： <br/>透過一第一記憶體單元，儲存有一測試程式； <br/>提供一控制單元，具有一第二記憶體單元； <br/>透過該控制單元讀取該測試程式； <br/>透過該控制單元執行該測試程式，對該第二記憶體單元進行一寫入讀取測試，以產生一測試結果代碼； <br/>透過耦接至該第一記憶體單元與該控制單元的一測試機，提供該測試程式，並控制該控制單元將該測試程式寫入至該第一記憶體單元；以及 <br/>透過該測試機，接收該測試結果代碼，並依據該測試結果代碼，產生一測試結果並顯示該測試結果； <br/>其中，該第一記憶體單元內建於該控制單元中，或是該第一記憶體單元與該控制單元設置於一積體電路。
如請求項5之測試裝置的操作方法，其中該測試程式包括該第二記憶體單元的一位址、對應該位址的一寫入資料以及一預設資料。
如請求項6之測試裝置的操作方法，其中透過該控制單元執行該測試程式，對該第二記憶體單元進行該寫入讀取測試，以產生該測試結果代碼的步驟包括： <br/>該控制單元依據該第二記憶體單元的該位址，將對應該位址的該寫入資料寫入至該第二記憶體單元的該位址； <br/>該控制單元從該位址讀取對應該位址的一讀取資料；以及 <br/>該控制單元將該讀取資料與該預設資料進行比對，以產生該測試結果代碼。
如請求項5之測試裝置的操作方法，其中該測試程式為一圖案檔案的形式。
一種金屬水溶液處理系統，包括： <br/>固液分離裝置，將所述金屬水溶液分離為金屬沉澱物及處理水；以及 <br/>吸附裝置，設置在所述固液分離裝置的下游且填充有吸附粒子，以吸附所述處理水中的金屬離子， <br/>其中所述固液分離裝置依序包括： <br/>沉降槽，具有進料口、處理水出口及下端沉澱物出口，其中所述處理水經由所述處理水出口導入所述吸附裝置，其中所述處理水出口與所述下端沉澱物出口為不同的出口； <br/>緩衝管，具有頂端開口及底端開口，所述頂端開口連接至所述沉降槽的所述下端沉澱物出口，其中包含所述金屬沉澱物的金屬沉澱溶液經由所述下端沉澱物出口導入所述緩衝管；以及 <br/>固體收集桶，連接至所述緩衝管的所述底端開口，用以收集自所述緩衝管流出的所述金屬沉澱溶液的所述金屬沉澱物， <br/>其中所述緩衝管的長度與所述沉降槽的所述下端沉澱物出口的孔徑的比例為0.9~65， <br/>其中所述吸附粒子的D<sub>90</sub>/D<sub>10</sub>的粒徑均勻度為1~8。
如請求項1所述的金屬水溶液處理系統，其中所述緩衝管的長度為10cm至200cm。
如請求項1所述的金屬水溶液處理系統，其中所述沉降槽的所述下端沉澱物出口的孔徑為3cm至12cm。
如請求項1所述的金屬水溶液處理系統，其中所述進料口與所述處理水出口設置在所述沉降槽的上端，且所述進料口的垂直水平高度高於所述處理水出口的垂直水平高度。
如請求項1所述的金屬水溶液處理系統，其中所述吸附粒子的粒徑為200μm至10000μm。
如請求項1所述的金屬水溶液處理系統，其中所述吸附粒子包括活性碳、玻璃孔洞吸附材料或離子交換樹脂。
如請求項1所述的金屬水溶液處理系統，更包括預處理裝置，設置在所述固液分離裝置的上游，其中所述預處理裝置對所述金屬水溶液進行預處理，使得所述金屬水溶液中的所述金屬離子形成所述金屬沉澱物。
如請求項7所述的金屬水溶液處理系統，其中所述預處理裝置包括pH調整裝置、氧化/還原劑供應裝置、或上述之組合。
如請求項1所述的金屬水溶液處理系統，更包括附加固液分離裝置，設置在所述固液分離裝置的下游及所述吸附裝置上游，用於將所述處理水中的殘餘金屬沉澱物分離， <br/>其中所述附加固液分離裝置依序包括附加沉降槽、附加緩衝管及附加固體收集桶，所述處理水通過所述處理水出口導入所述附加固液分離裝置，且經所述附加固液分離裝置處理後的處理水通過所述附加沉降槽的附加處理水出口導入所述吸附裝置。
如請求項1所述的金屬水溶液處理系統，更包括附加固液分離裝置，設置在所述固液分離裝置的下游及所述吸附裝置上游，用於將所述處理水中的殘餘金屬沉澱物分離， <br/>其中所述附加固液分離裝置依序包括附加沉降槽及附加緩衝管，所述處理水通過所述處理水出口導入所述附加固液分離裝置，且經所述附加固液分離裝置處理後的處理水通過所述附加沉降槽的附加處理水出口導入所述吸附裝置，且 <br/>其中所述附加緩衝管連接至所述固液分離裝置的所述固體收集桶。
如請求項1所述的金屬水溶液處理系統，其中所述緩衝管包括直通管或彎曲管。
如請求項1所述的金屬水溶液處理系統，其中所述固液分離裝置更包括快拆元件，設置在所述緩衝管與固體收集桶之間。
如請求項1所述的金屬水溶液處理系統，其中所述固體收集桶包括濾網，以分離所述固體收集桶中的濾液及所述金屬沉澱物。
如請求項1所述的金屬水溶液處理系統，更包括過濾裝置，設置在所述固液分離裝置的下游及所述吸附裝置的上游，用於去除所述處理水中的殘餘金屬沉澱物。
一種處理金屬水溶液的方法，包括： <br/>提供如請求項1所述的金屬水溶液處理系統； <br/>將所述金屬水溶液導入所述金屬水溶液處理系統的所述固液分離裝置中，以分離所述金屬沉澱物及所述處理水；以及 <br/>將所述處理水導入所述金屬水溶液處理系統的所述吸附裝置中，以移除所述處理水中的金屬離子。
如請求項15所述的處理金屬水溶液的方法，其中在將所述金屬水溶液導入所述固液分離裝置之前，更包括對所述金屬水溶液進行預處理，以使得所述金屬水溶液中的所述金屬離子形成所述金屬沉澱物。
如請求項16所述的處理金屬水溶液的方法，其中所述預處理包括pH調整、氧化/還原處理、或上述之組合。
如請求項15所述的處理金屬水溶液的方法，更包括在移除所述處理水中的所述金屬離子之後，回收所述金屬沉澱物及再生水。
一種玻璃布，其係將包含複數根長絲之玻璃紗作為經紗及緯紗而構成者，且上述玻璃紗中之二氧化矽(SiO<sub>2</sub>)之質量%為95.0質量%～100質量%，上述長絲之平均單絲直徑(D)處於4.5 μm～9.0 μm之範圍，上述玻璃布之厚度(T)與上述長絲之平均單絲直徑(D)之關係滿足下述式(A1)， <br/>24.0×D－T＞96.0･･･(A1) <br/>上述玻璃布之厚度與透氣度之乘積(μm･cm<sup>3</sup>/cm<sup>2</sup>/s)處於2500～6000之範圍。
如請求項1之玻璃布，其中將上述玻璃布浸漬於除膠渣液中，於80℃下加熱處理2小時之時，下述式： <br/>除膠渣減少率＝(除膠渣處理前之單絲直徑－除膠渣處理後之單絲直徑)÷除膠渣處理前之單絲直徑×100 <br/>所表示之上述長絲之平均單絲直徑(D)之除膠渣減少率為25%以下。
如請求項1或2之玻璃布，其中上述玻璃布之透氣度處於25 cm<sup>3</sup>/cm<sup>2</sup>/s～350 cm<sup>3</sup>/cm<sup>2</sup>/s之範圍。
如請求項1或2之玻璃布，其中上述玻璃紗藉由表面處理劑進行表面處理。
如請求項4之玻璃布，其中上述表面處理劑包含具有下述通式(1)所表示之結構之矽烷偶合劑， <br/>X(R)<sub>3</sub><sub>－</sub><sub>n</sub>SiY<sub>n</sub>･･･(1) <br/>{式(1)中，X為具有1個以上之具有自由基反應性之不飽和雙鍵基之有機基，Y分別獨立地為烷氧基，n為1～3之整數，R分別獨立地為選自由甲基、乙基、及苯基所組成之群中之至少1個基}。
如請求項5之玻璃布，其中上述通式(1)中之X具有(甲基)丙烯醯氧基。
如請求項1或2之玻璃布，其中上述玻璃布之灼燒減量值處於0.01質量%～0.50質量%之範圍。
如請求項1或2之玻璃布，其中上述玻璃紗之平均長絲根數處於20根～200根之範圍。
如請求項1或2之玻璃布，其中上述玻璃布之使用氣相層析法獲得之總碳量之變異係數處於15%以下之範圍。
如請求項1或2之玻璃布，其中上述玻璃布之使用氣相層析法獲得之氮含量未達0.004質量%。
一種預浸體，其含有如請求項1或2之玻璃布、及含浸於上述玻璃布中之基質樹脂。
如請求項11之預浸體，其進而含有無機填充劑。
一種印刷電路板，其包含如請求項11之預浸體。
一種積體電路，其包含如請求項13之印刷電路板。
一種電子機器，其包含如請求項13之印刷電路板。
一種玻璃布之製造方法，上述方法包括如下步驟： <br/>將包含複數根長絲且SiO<sub>2</sub>之質量%為95.0質量%～100質量%之範圍之玻璃紗作為經紗及緯紗進行織造，獲得玻璃布， <br/>上述方法進而包括整經步驟，其於上述織造步驟前，使上述玻璃紗之紗束扁平化，其後進行上漿； <br/>於上述整經步驟後且上述織造步驟前、中途、或後，進而包括以下步驟： <br/>將上述玻璃紗藉由50℃以上之水洗淨； <br/>對附著於上述玻璃紗之黏合劑進行加熱脫油而使其減少；及 <br/>於液體中對經上述加熱脫油之上述玻璃紗照射超音波，將藉由加熱脫油後之黏合劑之殘渣物而接著之玻璃長絲之至少一部分開纖；且 <br/>上述長絲之平均單絲直徑(D)處於4.5 μm～9.0 μm之範圍，上述玻璃布之厚度(T)與上述長絲之平均單絲直徑(D)之關係滿足下述式(A1) <br/>24.0×D－T＞96.0･･･(A1)。
如請求項16之方法，其進而包括如下步驟： <br/>表面處理步驟，其使表面處理劑附著於上述經開纖之玻璃布之表面，藉由加熱乾燥將表面處理劑固定於上述玻璃布之表面，將該操作進行複數次；及 <br/>將藉由上述表面處理劑接著之玻璃長絲之至少一部分開纖。
一種抗反射膜，係具有基材膜、形成於前述基材膜的表面上的硬塗層、以及形成於前述硬塗層的表面上的低折射率層的抗反射膜， <br/>其中前述低折射率層由游離輻射固化性組合物的固化物構成，前述游離輻射固化性組合物含有具有反應基的(甲基)丙烯酸酯化合物、中空二氧化矽粒子、以及以具有能夠與前述(甲基)丙烯酸酯化合物形成鍵結的反應基之矽烷偶合劑進行表面處理的氧化鋁粒子， <br/>前述抗反射膜的表面的水接觸角為100°以上， <br/>前述低折射率層中的前述氧化鋁粒子的含量基於前述低折射率層的固體成分總量為0.1質量%以上6.0質量%以下。
如請求項1記載之抗反射膜，其中構成前述低折射率層的前述游離輻射固化性組合物更含有含氟(甲基)丙烯酸酯。
一種抗反射膜，係具有基材膜、形成於前述基材膜的表面上的硬塗層、形成於前述硬塗層的表面上的低折射率層、以及形成於前述低折射率層的表面上的抗污層的抗反射膜， <br/>其中前述低折射率層由含有具有反應基的(甲基)丙烯酸酯化合物、中空二氧化矽粒子、以及以具有能夠與前述(甲基)丙烯酸酯化合物形成鍵結的反應基之矽烷偶合劑進行表面處理的氧化鋁粒子的游離輻射固化性組合物的固化物構成， <br/>前述抗污層由含有含氟(甲基)丙烯酸酯的游離輻射固化性組合物的固化物構成， <br/>前述抗反射膜的表面的水接觸角為100°以上， <br/>前述低折射率層中的前述氧化鋁粒子的含量基於前述低折射率層的固體成分總量為0.1質量%以上6.0質量%以下。
如請求項3記載之抗反射膜，其中前述抗污層中的前述含氟(甲基)丙烯酸酯的含量基於前述抗污層的固體成分總量為90質量%以上。
如請求項3或4記載之抗反射膜，其中前述低折射率層不含含氟化合物。
如請求項1或3記載之抗反射膜，其中前述氧化鋁粒子的平均粒徑r和前述低折射率層的厚度d之差(r-d)為10 nm以上100 nm以下，其中前述厚度d為前述低折射率層在厚度方向上不存在因前述氧化鋁粒子引起的凹凸之部分的厚度。
如請求項1或3記載之抗反射膜，其中前述低折射率層中的前述矽烷偶合劑的含量相對於前述氧化鋁粒子100質量份為1質量份以上50質量份以下。
一種智慧桿設備能源管理之方法，包含以下步驟：由設置於智慧桿迴路的迴路控制箱中的能源控制介面將多種電源轉換以對複數個物聯網設備進行供電，從而將供電狀態資訊回傳至雲端，其中，該多種電源包括市電AC、DC電池、外部DC電源；該能源控制介面對該複數個物聯網設備進行供電時，令該能源控制介面計量各該物聯網設備的能源消耗情形，以將能源監測資訊回傳至該雲端；令該能源控制介面將溫溼度資訊、能源控制介面本體狀態資訊、迴路控制箱環境安全狀態資訊回傳至該雲端；以及由設置於該雲端之使用者服務平台顯示該迴路控制箱環境安全狀態資訊、該溫溼度資訊、該能源控制介面本體狀態資訊、該供電狀態資訊、各該物聯網設備的能源監測資訊，其中，該使用者服務平台對該迴路控制箱環境安全狀態資訊、該溫溼度資訊、該能源控制介面本體狀態資訊、該供電狀態資訊、各該物聯網設備的能源監測資訊進行能源統計分析，以令該能源控制介面根據分析結果從該多種電源中動態地選擇最佳電源輸入，其中，對於需要AC電源供應的物聯網設備，當該能源控制介面偵測到該市電AC時，將該市電AC提供至需要該AC電源供應的物聯網設備；當該能源控制介面未偵測到該市電AC或電力不足時，將該DC電池的電轉換為AC電源以提供至需要該AC電源供應的物聯網設備，其中，對於需要DC電源供應的物聯網設備，當該能源控制介面接收到該外部DC電源時，將該外部DC電源提供至需要該DC電源供應的物聯網設備；當該能源控制介面未接收到該外部DC電源或電力不足時，將該DC電池的電降壓為DC電源以提供至需要該DC供應的物聯網設備。
如請求項1所述之智慧桿設備能源管理之方法，其中，該能源控制介面為一控制板。
如請求項1所述之智慧桿設備能源管理之方法，其中，該能源控制介面包括AC計量模組和DC計量模組，分別介接數個需要該AC電源供應或該DC電源供應之物聯網設備，以於該能源控制介面利用該外部電源對該複數個物聯網設備進行供電時，該AC計量模組和該DC計量模組分別計算需要該AC電源供應或該DC電源供應之物聯網設備的能源消耗情形。
如請求項1所述之智慧桿設備能源管理之方法，其中，該迴路控制箱環境安全狀態資訊包括開門偵測、水淹偵測、煙霧偵測，及其中，各該物聯網設備的能源監測資訊包括即時之電壓電流資訊和累計功率資訊。
一種智慧桿設備能源管理之系統，包含：能源控制介面，係設置於智慧桿迴路的迴路控制箱中並電性連接複數個物聯網設備，其中，該能源控制介面包括：處理單元，係輸出該智慧桿迴路的該迴路控制箱的迴路控制箱環境安全狀態資訊、溫溼度資訊、能源控制介面本體狀態資訊、供電狀態資訊；偵測單元，用以偵測市電AC；轉換單元，用以將DC電池的電轉換為AC電源或DC電源；AC電力切換單元，將該偵測單元所偵測到的市電AC或該轉換單元所轉換出的AC電源，經由AC給電開關模組透過AC計量模組傳輸至該複數個物聯網設備中需要AC電源供應的物聯網設備，其中，該AC計量模組將所計量之能源監測資訊傳至該處理單元；及DC電力切換單元，將外部DC電源或該轉換單元所轉換出的DC電源，經由DC給電開關模組透過DC計量模組傳輸至該複數個物聯網設備中需要DC電源供應的物聯網設備，其中，該DC計量模組將所計量之能源監測資訊傳至該處理單元；以及使用者服務平台，係藉由網路與該能源控制介面連接，以顯示該智慧桿迴路的該迴路控制箱的該迴路控制箱環境安全狀態資訊、該溫溼度資訊、該能源控制介面本體狀態資訊、該供電狀態資訊、各該物聯網設備的能源監測資訊，其中，該使用者服務平台對該迴路控制箱環境安全狀態資訊、該溫溼度資訊、該能源控制介面本體狀態資訊、該供電狀態資訊、各該物聯網設備的能源監測資訊進行能源統計分析，以令該能源控制介面根據分析結果從多種電源中動態地選擇最佳電源輸入，其中，該多種電源包括該市電AC、該DC電池、該外部DC電源，其中，對於需要該AC電源供應的物聯網設備，當該偵測單元偵測到該市電AC時，該AC電力切換單元經由該AC給電開關模組透過該AC計量模組將該市電AC提供至需要該AC電源供應的物聯網設備；當該偵測單元未偵測到該市電AC或電力不足時，該轉換單元將DC電池的電轉換為AC電源，以供該AC電力切換單元經由該AC給電開關模組透過該AC計量模組提供至需要該AC電源供應的物聯網設備，其中，對於需要該DC電源供應的物聯網設備，當該能源控制介面接收到該外部DC電源時，該DC電力切換單元經由該DC給電開關模組透過該DC計量模組將該外部DC電源提供至需要該DC電源供應的物聯網設備；當該能源控制介面未接收到該外部DC電源或電力不足時，將該DC電池的電降壓為該DC電源，以供該DC電力切換單元經由該DC給電開關模組透過該DC計量模組提供至需要該DC供應的物聯網設備。
如請求項5所述之智慧桿設備能源管理之系統，其中，該能源控制介面為一控制板。
如請求項6所述之智慧桿設備能源管理之系統，其中，該AC計量模組和該DC計量模組分別介接數個需要該AC電源供應或該DC電源供應之物聯網設備，以於該能源控制介面利用該外部電源對該複數個物聯網設備進行供電時，該AC計量模組和該DC計量模組分別計算需要該AC電源供應或該DC電源供應之物聯網設備的能源消耗情形。
如請求項5所述之智慧桿設備能源管理之系統，其中，該迴路控制箱環境安全狀態資訊包括開門偵測、水淹偵測、煙霧偵測，及其中，各該物聯網設備的能源監測資訊包括即時之電壓電流資訊及/或累計功率資訊。
一種接觸栓的形成方法，包含： <br/>形成一接觸間隔物在一層間介電的一側壁，其中該接觸間隔物圍繞一接觸開口； <br/>形成一矽化物區域在該接觸開口中以及在一源極／汲極區上； <br/>沉積一黏著層延伸至該接觸開口中； <br/>進行一處理製程，使得該接觸間隔物被處理，其中該處理製程係選自一氧化製程、一碳酸化製程及其組合所組成的群組； <br/>沉積一金屬障壁在該黏著層之上； <br/>沉積一金屬的材料以填充該接觸開口；以及 <br/>進行一平坦化製程以移除在該層間介電之上該金屬的材料的過多部分。
如請求項1的方法，其中該處理製程係進行在黏著層以及金屬障壁二者沉積之後， <br/>其中該方法進一步包含，在該處理製程之後，移除該黏著層以及該金屬障壁的頂部部分以及側壁部分，其中該金屬的材料係從該黏著層的底部部分以及在該接觸開口的一底部的該金屬障壁開始填充， <br/>其中該方法進一步包含在該黏著層以及該金屬障壁的該頂部部分以及該側壁部分被移除之後，使用包含氧的一製程氣體進行一鈍化製程在該接觸間隔物上，其中該製程氣體進一步包含氫（H<sub>2</sub>）， <br/>其中該方法進一步包含，在該鈍化製程之後，使用氫（H<sub>2</sub>）進行一還原製程。
如請求項1的方法，其中在沉積該金屬障壁之前，進行該處理製程，其中在沉積該黏著層之後，進行該處理製程，其中該方法進一步包含，在該處理製程之後，使用氫（H<sub>2</sub>）進行一還原製程。
如請求項1的方法，其中在該處理製程之前，該接觸間隔物具有一高介電常數，以及在該處理製程之後，該接觸間隔物具有一低k介電常數，其中在該處理製程中，該接觸間隔物的一外部分係比該接觸間隔物的一內部分被處理的更多。
如請求項1的方法，其中該處理製程係通過一電漿處理製程進行，或其中該處理製程係進行在一提高的晶圓溫度。
如請求項1的方法，其中該處理製程係使用選自氧、碳、及其組合所組成的群組的一處理製程氣體來進行，以及該處理製程氣體進一步包含氫（H<sub>2</sub>）。
一種接觸栓的形成方法，包含： <br/>形成一介電間隔物在一介電層的一側壁上，其中該側壁面向在該介電層中的一開口，該介電間隔物圍繞該開口； <br/>沉積一金屬障壁延伸至該開口中且在該介電間隔物上； <br/>進行一處理製程在該金屬障壁以及該介電間隔物上，其中該介電間隔物的一介電常數係藉由該處理製程而降低； <br/>沉積一金屬的材料在該金屬障壁上，其中該金屬的材料係填充該開口；以及 <br/>進行一平坦化製程在該金屬的材料上。
如請求項7的方法，其中該金屬障壁以及該金屬的材料包含一相同的金屬， <br/>其中該方法進一步包含，在沉積該金屬障壁之前，沉積一金屬氮化物層延伸至該開口中， <br/>其中該方法進一步包含進行一蝕刻製程以移除該金屬障壁已被處理的一頂部部分以及側壁部分，其中該金屬障壁的一底部部分留在該開口的一底部，以及該金屬的材料係沉積在一從下而上的沉積製程中。
一種接觸栓的形成方法，包含： <br/>形成一介電間隔物在一介電層的一側壁上，其中該介電間隔物圍繞一開口； <br/>沉積一黏著層延伸至該開口中以及在該介電間隔物上； <br/>沉積一金屬障壁延伸至該開口中以及在該黏著層上； <br/>進行一處理製程在該金屬障壁、該黏著層、以及該介電間隔物上； <br/>進行一蝕刻製程以移除該金屬障壁以及該黏著層的一些部分以露出該介電間隔物； <br/>沉積一金屬的材料以通過一從下而上的沉積製程來填充該開口；以及 <br/>進行一平坦化製程在該金屬的材料上。
如請求項9的方法，進一步包含： <br/>在該蝕刻製程之後以及在沉積該金屬的材料之前，使用一含氧氣體以及氫（H<sub>2</sub>），進行一鈍化製程在該介電間隔物以及該介電層的暴露表面上；以及 <br/>使用氫（H<sub>2</sub>），進行該金屬障壁以及該黏著層的一還原製程。
一種使一晶圓接地之方法，該方法包含： <br/>在多個探針與該晶圓之間建立一接觸點集合； <br/>經由該多個探針將一電信號第一集合施加至該接觸點集合以促進該晶圓之一塗層之擊穿(breakdown)；及 <br/>基於經由該晶圓在該多個探針之間的一電路徑之一電阻大於或等於一預定臨限值且該電路徑係判定為斷開(open)之一判定，經由該多個探針將一電信號第二集合施加至該接觸點集合， <br/>其中該電信號第二集合係基於當施加該電信號第一集合且該電路徑仍斷開時與該晶圓相關聯的一電特性之一值而判定。
如請求項1之方法，其中該等探針包含接地接腳。
如請求項1之方法，其中該電信號第一集合包含一電壓脈衝集合。
如請求項1之方法，其中該擊穿包含介質擊穿(dielectric breakdown)。
如請求項1之方法，其中該預定臨限值為100,000歐姆。
如請求項2之方法，其中該電信號第一集合經由一第一接地接腳進入該晶圓且經由一第二接地接腳離開。
如請求項1之方法，其中該電特性包含一阻抗、一電阻、一電容性電抗、一導納、一電導或一電容性電納中之至少一者。
如請求項1之方法，其中該電信號第一集合之特性包含一電壓、一電流、該電壓或該電流之一量變曲線(profile)、該量變曲線之一頻率、該量變曲線之一週期、該量變曲線之一相位、該量變曲線之一振幅或該電壓或該電流之一持續時間中的至少一者。
如請求項1之方法，其中該電信號第一集合之一量變曲線係一正弦形狀。
一種非暫時性電腦可讀媒體，其儲存一指令集，該指令集可由一設備之至少一個處理器執行以致使該設備執行一方法，該方法包含： <br/>在多個探針與該晶圓之間建立一接觸點集合； <br/>經由該多個探針將一電信號第一集合施加至該接觸點集合以促進該晶圓之一塗層之擊穿；及 <br/>基於經由該晶圓在該多個探針之間的一電路徑之一電阻大於或等於一預定臨限值且該電路徑係判定為斷開之一判定，經由該多個探針將一電信號第二集合施加至該接觸點集合， <br/>其中該電信號第二集合係基於當施加該電信號第一集合且該電路徑仍斷開時與該晶圓相關聯的一電特性之一值而判定。
一種焊料體處理工具，用於處理具有柱狀的高度大於橫斷面的長邊、以及平坦的上部表面和下部表面的焊料體，包括： <br/>安裝板，其一個表面上以預設的圖案排列有多個容納部，所述容納部逐一容納所述焊料體； <br/>外殼，具有與外部隔絕的內部空間； <br/>壓力調節部，其用於向所述容納部施加來自於所述內部空間的吸入壓； <br/>加壓部件，設置於所述內部空間，其具有藉由至少一個引導部以直線移動的至少一個加壓塊，及從所述加壓塊延伸向所述容納部的多個加壓銷； <br/>加壓驅動部，直線移動所述加壓塊， <br/>其中，所述外殼被設置成所述安裝板直接面對附著對象的表面，並且所述安裝板與所述附著對象的所述表面相隔預設間距；其中所述焊料體的上部分容納於所述容納部，所述焊料體的下端與所述附著對象的所述表面的焊錫膏接觸， <br/>其中，所述加壓驅動部向下方移動所述加壓塊，並維持所述焊料體的所述上部分容納於所述容納部的狀態，以及維持所述焊料體的所述下端與所述焊錫膏接觸，以使得所述加壓銷向所述容納部外部推出所述焊料體，且所述加壓銷通過所述加壓驅動部的空壓在預設的時間內施予預設的焊接力以將所述焊料體推向所述焊錫膏。
如請求項1所述的焊料體處理工具，其特徵在於： <br/>所述壓力調節部將所述焊料體容納在所述容納部並進行拾取時施加所述吸入壓，從所述容納部推出所述焊料體並進行釋放時去除所述吸入壓。
如請求項1所述的焊料體處理工具，其特徵在於： <br/>所述加壓銷的前端形成有支撐面，用於將所述焊料體容納到所述容納部。
如請求項1所述的焊料體處理工具，其特徵在於： <br/>所述加壓銷利用所述預設的焊接力加壓所述焊料體來進行荷載控制。
如請求項1所述的焊料體處理工具，其特徵在於： <br/>所述安裝板與所述加壓塊之間施加有使所述加壓塊遠離所述容納部後退的彈簧的彈性復原力，所述空壓只在所述加壓銷向所述容納部外部推出所述焊料體時施加。
如請求項1所述的焊料體處理工具，其特徵在於： <br/>所述加壓部件在所述焊料體與所述附著對象的所述表面接觸的狀態下，加壓至少兩次。
如請求項1所述的焊料體處理工具，其特徵在於： <br/>所述容納部形成有朝向開口且開口斷面呈逐漸擴張形態的傾斜面，所述傾斜面從所述開口以預設的深度，相對於所述容納部的深度方向以25度至35度的角度傾斜。
如請求項7所述的焊料體處理工具，其特徵在於： <br/>所述傾斜面以相當於所述焊料體高度的1/3倍至2/3倍的深度形成。
如請求項1所述的焊料體處理工具，其特徵在於： <br/>所述焊料體的主材料為銅材料。
如請求項1~9中任一項所述的焊料體處理工具，其特徵在於： <br/>所述加壓部件包括多個分割加壓塊，且所述加壓驅動部被配置成使各個所述分割加壓塊進行直線移動。
如請求項1~9中任一項所述的焊料體處理工具，更包括： <br/>電離裝置，設置於與所述加壓銷連接的所述加壓塊的相近處，其中，所述電離裝置被配置成當所述焊料體被容納於所述容納部中並且與所述加壓銷的前端接觸時，去除所述焊料體與所述加壓銷之間的靜電力。
如請求項1~9中任一項所述的焊料體處理工具，其特徵在於： <br/>所述預設的時間為0.5秒至2秒。
如請求項1~9中任一項所述的焊料體處理工具，其特徵在於： <br/>所述安裝板佈置於擱置板的開口處，以使所述容納部的開口朝向上方； <br/>如果從焊料體供給部向所述擱置板的表面供給焊料體，則佈置於所述擱置板一邊的第1激振器和佈置於所述擱置板另一邊的第2激振器開始振動，並使所述擱置板產生振動，使所述焊料體回彈，從而使焊料體安置到施加有吸入壓的所述容納部中。
一種焊料體處理方法，所述焊料體的柱狀的高度大於橫斷面的長邊且具有平坦的上部表面和下部表面，包括： <br/>焊料體容納步驟，準備一個焊料體處理工具，所述焊料體處理工具包括：具有與外部隔絕的內部空間的外殼、安裝板，設置在所述外殼的一個表面上，以預設的圖案排列有多個容納部，所述容納部逐一容納所述焊料體、加壓部件，具有從加壓塊延伸向所述容納部突出的多個加壓銷，並且配置為在所述內部空間內直線移動、壓力調節部，用於向所述容納部施加吸入壓、以及直線移動所述加壓塊的加壓驅動部；向所述焊料體處理工具的所述安裝板上以預設的圖案所形成的第二容納部施加所述吸入壓，並將所述焊料體逐一容納至所述第二容納部； <br/>處理工具放置步驟，在所述焊料體的上部分容納於所述容納部，且在所述焊料體的下端與附著對象的表面的焊錫膏接觸的狀態下，將所述外殼設置成所述安裝板與所述附著對象的所述表面相隔預設間距，並且直接面對所述表面； <br/>焊料體加壓步驟，當所述安裝板直接面對所述附著對象時，所述加壓驅動部向下方移動所述加壓塊以利用所述加壓銷向所述容納部的外部推出所述焊料體，通過所述加壓驅動部的空壓施予預設的焊接力以將所述焊料體推向所述焊錫膏，其中在維持所述焊料體的所述上部分容納於所述容納部，且所述焊料體的所述下端與所述附著對象的所述表面的所述焊錫膏接觸的狀態下，利用所述加壓銷在預設的時間內向所述焊料體施加所述預設的焊接力。
如請求項14所述的焊料體處理方法，其特徵在於，進一步包括： <br/>在所述焊料體加壓步驟之前或在所述焊料體加壓步驟進行期間，去除所述容納部中施加的所述吸入壓的吸入壓去除步驟。
如請求項15所述的焊料體處理方法，其特徵在於，進一步包括： <br/>在進行所述吸入壓去除步驟之後，向所述第二容納部施加靜壓的步驟。
如請求項14所述的焊料體處理方法，其特徵在於： <br/>所述焊料體加壓步驟中，在所述焊料體的所述下端與所述焊錫膏接觸的狀態下，利用所述加壓銷向所述焊料體施加所述焊接力至少兩次。
如請求項14所述的焊料體處理方法，其特徵在於： <br/>所述容納部形成有朝向開口且開口斷面呈逐漸擴張形態的傾斜面，所述傾斜面以相對於所述容納部的深度方向呈25度至35度的角度傾斜地形成。
一種具有下式之化合物：<br/><img align="absmiddle" height="40px" width="111px" file="ed11580.jpg" alt="ed11580.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種具有下式之化合物：<br/><img align="absmiddle" height="102px" width="274px" file="ed11579.jpg" alt="ed11579.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種具有下式之化合物：<br/><img align="absmiddle" height="75px" width="195px" file="ed11581.jpg" alt="ed11581.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種具有下式之化合物：<br/><img align="absmiddle" height="72px" width="195px" file="ed11582.jpg" alt="ed11582.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種具有下式之化合物：<br/><img align="absmiddle" height="72px" width="195px" file="ed11583.jpg" alt="ed11583.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種具有下式之化合物：<br/><img align="absmiddle" height="71px" width="192px" file="ed11584.jpg" alt="ed11584.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種具有下式之化合物：<br/><img align="absmiddle" height="75px" width="196px" file="ed11585.jpg" alt="ed11585.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種具有下式之化合物：<br/><img align="absmiddle" height="59px" width="103px" file="ed11586.jpg" alt="ed11586.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種製備具有式2.9之化合物之方法：<br/><img align="absmiddle" height="49px" width="109px" file="ed11587.jpg" alt="ed11587.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/>其中<br/>R<sup>1</sup>係<br/><img align="absmiddle" height="66px" width="96px" file="ed11572.jpg" alt="ed11572.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="66px" width="96px" file="ed11573.jpg" alt="ed11573.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="56px" width="84px" file="ed11574.jpg" alt="ed11574.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="70px" width="84px" file="ed11575.jpg" alt="ed11575.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="76px" width="84px" file="ed11576.jpg" alt="ed11576.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="56px" width="84px" file="ed11577.jpg" alt="ed11577.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="56px" width="84px" file="ed11578.jpg" alt="ed11578.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/>R<sup>A</sup>係鹵素，<br/>各R<sup>B</sup>獨立地係鹵素，及<br/>R<sup>2</sup>係<img align="absmiddle" height="24px" width="23px" file="ed11588.jpg" alt="ed11588.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/>該方法包含<br/>(a) 使具有式3.4之化合物：<br/><img align="absmiddle" height="42px" width="83px" file="ed11589.jpg" alt="ed11589.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/>其中M係鈀，且<br/>R係C<sub>1-6</sub>烷基，<br/>與具有式2.3之化合物：<br/><img align="absmiddle" height="39px" width="45px" file="ed11590.jpg" alt="ed11590.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中X<sup>21</sup>係鹵素，<br/>在適合之偶合條件下偶合以提供具有式2.8之化合物：<br/><img align="absmiddle" height="49px" width="109px" file="ed11591.jpg" alt="ed11591.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；及<br/>(b) 以氫氧化鋰水解該具有式2.8之化合物以製備具有式2.9之化合物。
如請求項9之方法，其中該適合之偶合條件包含鈀催化劑及雙(頻哪醇根基)二硼。
如請求項10之方法，其中該鈀催化劑包含[1,1'-雙(二苯基膦基)二茂鐵]二氯鈀(II)。
如請求項9至11中任一項之方法，其中該具有式2.9之化合物具有以下結構：<br/><img align="absmiddle" height="51px" width="137px" file="ed11592.jpg" alt="ed11592.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，及<br/>該具有式2.8之化合物具有以下結構：<br/><img align="absmiddle" height="40px" width="111px" file="ed11580.jpg" alt="ed11580.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項9至11中任一項之方法，其中該具有式2.9之化合物具有以下結構：<br/><img align="absmiddle" height="85px" width="223px" file="ed11593.jpg" alt="ed11593.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，及<br/>該具有式2.8之化合物具有以下結構：<br/><img align="absmiddle" height="102px" width="274px" file="ed11579.jpg" alt="ed11579.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項9至11中任一項之方法，其中該具有式2.9之化合物具有以下結構：<br/><img align="absmiddle" height="75px" width="189px" file="ed11594.jpg" alt="ed11594.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，及<br/>該具有式2.8之化合物具有以下結構：<br/><img align="absmiddle" height="75px" width="195px" file="ed11581.jpg" alt="ed11581.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項9至11中任一項之方法，其中該具有式2.9之化合物具有以下結構：<br/><img align="absmiddle" height="72px" width="189px" file="ed11595.jpg" alt="ed11595.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，及<br/>該具有式2.8之化合物具有以下結構：<br/><img align="absmiddle" height="72px" width="195px" file="ed11582.jpg" alt="ed11582.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項9至11中任一項之方法，其中該具有式2.9之化合物具有以下結構：<br/><img align="absmiddle" height="72px" width="189px" file="ed11596.jpg" alt="ed11596.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，及<br/>該具有式2.8之化合物具有以下結構：<br/><img align="absmiddle" height="72px" width="195px" file="ed11583.jpg" alt="ed11583.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項9至11中任一項之方法，其中該具有式2.9之化合物具有以下結構：<br/><img align="absmiddle" height="93px" width="236px" file="ed11597.jpg" alt="ed11597.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，及<br/>該具有式2.8之化合物具有以下結構：<br/><img align="absmiddle" height="75px" width="196px" file="ed11585.jpg" alt="ed11585.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種半導體結構，包括:<br/> 一第一二極體，包括一第一摻雜區域、位於該第一摻雜區域上方並與該第一摻雜區域接觸的一第二摻雜區域、與該第一摻雜區域的一底表面接觸的一第一歐姆接觸以及與該第二摻雜區域的一頂表面接觸的一第二歐姆接觸； <br/> 一第二二極體，包括一第三摻雜區域、位於該第三摻雜區域上方並與該第三摻雜區域接觸的一第四摻雜區域、與該第三摻雜區域的一底表面接觸的一第三歐姆接觸以及與該第四摻雜區域的一頂表面接觸的一第四歐姆接觸；以及<br/> 一第一介電結構，圍繞該第一摻雜區域、該第二摻雜區域、該第一歐姆接觸和該第二歐姆接觸中的每一者且圍繞該第三摻雜區域、該第四摻雜區域、該第三歐姆接觸和該第四歐姆接觸中的每一者；<br/> 其中該第一摻雜區域和該第四摻雜區域中的每一者摻雜有一第一導電類型摻雜物，並且該第二摻雜區域和該第三摻雜區域中的每一者摻雜有和該第一導電類型相反的一第二導電類型摻雜物；<br/> 其中該第一摻雜區域包括自該第一摻雜區域的該底表面延伸的一第一重摻雜區域，並且該第四摻雜區域包括自該第四摻雜區域的該頂表面延伸的一第四重摻雜區域；該第一重摻雜區域和該第四重摻雜區域中的每一者摻雜有該第一導電類型摻雜物；並且<br/> 該第二摻雜區域的該頂表面高於該第三摻雜區域的該底表面，並且該第四摻雜區域的該頂表面高於該第一摻雜區域的該底表面。
一種半導體結構，包括:<br/> 一第一二極體，包括一第一摻雜區域以及位於該第一摻雜區域上方並與該第一摻雜區域接觸的一第二摻雜區域，其中該第一摻雜區域包括自該第一摻雜區域的一底表面延伸的一第一重摻雜區域；以及<br/> 一第二二極體，包括一第三摻雜區域以及位於該第三摻雜區域上方並與該第三摻雜區域接觸的一第四摻雜區域，其中該第四摻雜區域包括自該第四摻雜區域的一頂表面延伸的一第四重摻雜區域；<br/> 其中該第一摻雜區域、該第四摻雜區域、該第一重摻雜區域和該第四重摻雜區域中的每一者摻雜有一第一導電類型摻雜物，並且該第二摻雜區域和該第三摻雜區域中的每一者摻雜有和該第一導電類型相反的一第二導電類型摻雜物；並且<br/> 該第二摻雜區域的一頂表面高於該第三摻雜區域的一底表面，並且該第四摻雜區域的該頂表面高於該第一摻雜區域的該底表面。
如請求項1或2之半導體結構，其中該第一摻雜區域的該底表面與該第三摻雜區域的該底表面實質水平。
如請求項1或2之半導體結構，其中該第二摻雜區域的該頂表面與該第四摻雜區域的該頂表面實質水平。
如請求項2之半導體結構，其中該第一二極體更包括與該第一摻雜區域的該底表面接觸的一第一歐姆接觸，並且該第二二極體更包括與該第四摻雜區域的該頂表面接觸的一第四歐姆接觸。
如請求項2之半導體結構，其中該第一二極體更包括與該第二摻雜區域的該頂表面接觸的一第二歐姆接觸，並且該第二二極體更包括與該第三摻雜區域的該底表面接觸的一第三歐姆接觸。
如請求項1或2之半導體結構，其中該第二摻雜區域包括自該第二摻雜區域的該頂表面延伸的一第二重摻雜區域，並且該第三摻雜區域包括自該第三摻雜區域的該底表面延伸的一第三重摻雜區域；該第二重摻雜區域和該第三重摻雜區域中的每一者摻雜有該第二導電類型摻雜物。
如請求項1或2之半導體結構，其中該第一摻雜區域和該第四摻雜區域中的每一者包括一單晶半導體材料。
如請求項1或2之半導體結構，其中該第二摻雜區域和該第三摻雜區域中的每一者包括一單晶半導體材料。
如請求項1或2之半導體結構，其中該第一二極體的第一摻雜區域和該第二摻雜區域的該側壁垂直地對準，並且該第二二極體的該第三摻雜區域和該第四摻雜區域的該側壁垂直地對準。
如請求項1或2之半導體結構，更包括具有一第一端和一第二端的一記憶單元，其中該記憶單元自該記憶單元的該第二端電耦接至該第一二極體以及該第二二極體。
如請求項11之半導體結構，其中該記憶單元電耦接至該第一二極體的該第二摻雜區域和該第二二極體的該第四摻雜區域。
如請求項11之半導體結構，其中該記憶單元包括一磁穿隧接面(MTJ)結構或一相變材料或一可變電阻材料。
一種用以製作一半導體結構的方法，包括:<br/> (a) 提供包括一第一基板和位於該第一基板上的一第二基板之一半導體基板；<br/> (b) 在該第二基板中或在該第二基板的一第一表面上形成一第二二極體的一第三摻雜區域及一第一二極體的一第一重摻雜區域；<br/> (c) 圖案化該第二基板以定義該第一二極體的一第一摻雜區域以及一第二二極體的一第四摻雜區域；<br/> (d) 將一第三基板加至該第二基板的該第一表面，其中該第二基板位於該第三基板和該第一基板之間；<br/> (e) 去除該第一基板並暴露出該第二基板的和該第一表面相對的一第二表面；<br/> (f) 執行以下其中之一：暴露出該第一二極體的一第二摻雜區域，或在該第二基板中或該第二基板的該第二表面上形成該第一二極體的該第二摻雜區域；並且，執行以下其中之一：暴露出該第二二極體的一第四重摻雜區域，或在該第二基板中或該第二基板的該第二表面上形成該第二二極體的一第四重摻雜區域。
如請求項14之方法，其中該第二基板摻雜有一第一導電類型摻雜物。
如請求項15之方法，其中該第二摻雜區域和該第三摻雜區域中的每一者摻雜有和該第一導電類型相反的一第二導電類型摻雜物。
如請求項14之方法，其中該半導體基板更包括位於該第一基板和該第二基板之間的一接合層；並且步驟(e)更包括去除該接合層。
如請求項17之方法，其中該半導體基板更包括位於該第二基板和該接合層之間的一蝕刻終止層；並且步驟(e)更包括去除該蝕刻終止層的至少一部分。
如請求項14之方法，其中該半導體基板更包括位於該第一基板和該第二基板之間的一蝕刻終止層；並且步驟(e)更包括去除該蝕刻終止層的至少一部分。
如請求項14之方法，其中步驟(b)更包括在該第二基板的該第一表面上或在該第二基板中形成該第一二極體的一第一歐姆接觸以及該第二二極體的一第三歐姆接觸。
如請求項14之方法，其中步驟(f)更包括在該第二基板的該第二表面上或在該第二基板中形成該第一二極體的一第二歐姆接觸以及該第二二極體的一第四歐姆接觸。
如請求項14之方法，其中該第二摻雜區域包括一第二重摻雜區域。
如請求項14之方法，其中該第三摻雜區域包括一第三重摻雜區域。
如請求項14之方法，更包括在步驟(d)之前，(h) 形成一記憶單元，其中該記憶單元電耦接至該第一二極體和該第二二極體。
如請求項14之方法，更包括在步驟(f)之後，(h) 形成一記憶單元，其中該記憶單元電耦接至該第一二極體和該第二二極體。
如請求項14之方法，更包括在步驟(c)之後，形成在該第一摻雜區域、該第三摻雜區域和該第四摻雜區域的該側壁上的一共形蝕刻終止層。
如請求項14之方法，其中該第二基板包括一單晶半導體材料。
一種記憶裝置，包括:<br/> 一記憶單元，具有一第一端和一第二端；<br/> 一電極，在一第一方向上自該記憶單元的一第一側橫向地延伸至該記憶單元的一第二側，其中該記憶單元自該記憶單元的該第二端電耦接至該電極；<br/> 一第一二極體對，位於該記憶單元的該第一側上；<br/> 一第二二極體對，位於該記憶單元的該第二側上；以及<br/> 一第一介電結構；<br/> 其中該第一二極體對和該第二二極體對中的每一者包括一第一二極體以及一第二二極體，該第一二極體對和該第二二極體對的該第一二極體中的每一者包括一第一摻雜區域、位於該第一摻雜區域上方並與其接觸的一第二摻雜區域、與該第一摻雜區域的一底表面接觸的一第一歐姆接觸以及與該第二摻雜區域的一頂表面接觸的一第二歐姆接觸，該第一摻雜區域包括自該第一摻雜區域的該底表面延伸的一第一重摻雜區域，該第一二極體對和該第二二極體對的該第二二極體中的每一者包括一第三摻雜區域、位於該第三摻雜區域上方並與其接觸的一第四摻雜區域、與該第三摻雜區域的一底表面接觸的一第三歐姆接觸以及與該第四摻雜區域的一頂表面接觸的一第四歐姆接觸，該第四摻雜區域包括自該第四摻雜區域的該頂表面延伸的一第四重摻雜區域，該第一二極體對和該第二二極體對的該第一摻雜區域中的每一者摻雜有一第一導電類型摻雜物，該第一二極體對和該第二二極體對的該第二摻雜區域中的每一者摻雜有和該第一導電類型相反的一第二導電類型摻雜物，該第一二極體對和該第二二極體對的該第三摻雜區域中的每一者摻雜有該第二導電類型摻雜物，並且該第四摻雜區域中的每一者摻雜有該第一導電類型摻雜物，且該第一重摻雜區域和該第四重摻雜區域中的每一者摻雜有該第一導電類型摻雜物；並且<br/> 其中在該第一二極體對和該第二二極體對中的每一者中，該第二摻雜區域的該頂表面高於該第三摻雜區域的該底表面，並且該第四摻雜區域的該頂表面高於該第一摻雜區域的該底表面； <br/> 其中該第一介電結構圍繞該第一二極體對和該第二二極體對中的每一者的該第一摻雜區域、該第二摻雜區域、該第一歐姆接觸、該第二歐姆接觸、該第三摻雜區域、該第四摻雜區域、該第三歐姆接觸和該第四歐姆接觸中的每一者；並且<br/> 其中該第一二極體對的該第一二極體和該第二二極體中的每一者在該記憶單元的該第一側電耦接至該電極，並且該第二二極體對的該第一二極體和該第二二極體中的每一者在該記憶單元的該第二側電耦接至該電極。
一種記憶裝置，包括:<br/> 一記憶單元，具有一第一端和一第二端；<br/> 一電極，在一第一方向上自該記憶單元的一第一側橫向地延伸至該記憶單元的一第二側，其中該記憶單元自該記憶單元的該第二端電耦接至該電極；<br/> 一第一二極體對，位於該記憶單元的該第一側上；以及<br/> 一第二二極體對，位於該記憶單元的該第二側上；<br/> 其中該第一二極體對和該第二二極體對中的每一者包括一第一二極體以及一第二二極體，該第一二極體對和該第二二極體對的該第一二極體中的每一者包括一第一摻雜區域以及位於該第一摻雜區域上方並與其接觸的一第二摻雜區域，該第一二極體對和該第二二極體對的該第二二極體中的每一者包括一第三摻雜區域以及位於該第三摻雜區域上方並與其接觸的一第四摻雜區域，該第一二極體對和該第二二極體對的該第一摻雜區域中的每一者摻雜有一第一導電類型摻雜物，該第一二極體對和該第二二極體對的該第二摻雜區域中的每一者摻雜有和該第一導電類型相反的一第二導電類型摻雜物，該第一二極體對和該第二二極體對的該第三摻雜區域中的每一者摻雜有該第二導電類型摻雜物，並且該第四摻雜區域中的每一者摻雜有該第一導電類型摻雜物；並且<br/> 其中在該第一二極體對和該第二二極體對中的每一者中，該第二摻雜區域的一頂表面高於該第三摻雜區域的一底表面，並且該第四摻雜區域的一頂表面高於該第一摻雜區域的一底表面； <br/> 其中在該第一二極體對和該第二二極體對中的每一者中，該第一摻雜區域包括自該第一摻雜區域的該底表面延伸的一第一重摻雜區域，並且該第四摻雜區域包括自該第四摻雜區域的該頂表面延伸的一第四重摻雜區域，該第一重摻雜區域和該第四重摻雜區域中的每一者摻雜有該第一導電類型摻雜物；並且<br/> 其中該第一二極體對的該第一二極體和該第二二極體中的每一者在該記憶單元的該第一側電耦接至該電極，並且該第二二極體對的該第一二極體和該第二二極體中的每一者在該記憶單元的該第二側電耦接至該電極。
如請求項28或29之記憶裝置，其中該電極垂直地位於該記憶單元和該第一二極體對之間。
如請求項28或29之記憶裝置，其中該電極垂直地位於該記憶單元和該第二二極體對之間。
如請求項28或29之記憶裝置，其中該記憶單元包括一磁穿隧接面 (MTJ)結構。
如請求項28或29之記憶裝置，其中該記憶單元自該記憶單元的該第一端電耦接至一位元線。
如請求項33之記憶裝置，其中該位元線在和該第一方向不同的一第二方向上橫向地延伸。
如請求項28或29之記憶裝置，其中該第一二極體對的該第一二極體和該第二二極體在該第一方向上排列。
如請求項28或29之記憶裝置，其中該第二二極體對的該第一二極體和該第二二極體在該第一方向上排列。
如請求項28或29之記憶裝置，其中該第一二極體對的該第一二極體和該第二二極體皆電耦接至一第一字線，並且該第一字線在和該第一方向不同的一第二方向上橫向地延伸。
如請求項28或29之記憶裝置，其中該第一二極體對的該第一二極體電耦接至一第一字線，該第一二極體對的該第二二極體電耦接至一第二字線，並且該第一字線和該第二字線皆在和該第一方向不同的一第二方向上橫向地延伸。
如請求項28或29之記憶裝置，其中該第二二極體對的該第一二極體電耦接至一第三字線，該第二二極體對的該第二二極體電耦接至一第四字線，並且該第三字線和該第四字線皆在該第一方向上橫向地延伸。
如請求項39之記憶裝置，其中該記憶單元垂直地位於該第四字線和該電極之間。
如請求項28或29之記憶裝置，其中該第二二極體對的該第一二極體和該第二二極體皆電耦接至一第三字線，並且該第三字線在該第一方向上延伸。
如請求項28或29之記憶裝置，其中該第一二極體對的該第一二極體和該第二二極體在和該第一方向不同的一第二方向上橫向地排列。
如請求項28或29之記憶裝置，其中該第二二極體對的該第一二極體和該第二二極體在和該第一方向不同的一第二方向上橫向地排列。
如請求項28或29之記憶裝置，其中該記憶裝置具有介於約16特徵平方(F<sup>2</sup>)和約32特徵平方(F<sup>2</sup>)之間的一胞尺寸。
如請求項28或29之記憶裝置，其中該第一二極體對和該第二二極體對中的每一者的該第一摻雜區域、該第二摻雜區域和該第三摻雜區域和該第四摻雜區域中的每一者包括一單晶半導體材料。
一種堆疊式封裝結構，包含： <br/>一第一封裝件； <br/>一第二封裝件，係堆疊連接該第一封裝件，其中，該第二封裝件包含： <br/>一第一基板，具有相對的一內側表面及一外側表面，該外側表面係與該第一封裝件電性連接，該內側表面係朝著該外側表面的方向內凹以形成一晶片容置凹槽，該晶片容置凹槽係朝向該第一基板的該外側表面的方向，在該晶片容置凹槽的一內底面上電性連接一第一覆晶晶片，其中，在該晶片容置凹槽的該內底面及四周內側面上皆覆蓋一保護層； <br/>一第二基板，具有相對的一內側表面及一外側表面，該第二基板的該內側表面係電性連接該第一基板的該內側表面，在該第二基板的該內側表面上於對應該晶片容置凹槽的位置係設置一第二覆晶晶片，該晶片容置凹槽的深度係大於該第一覆晶晶片與該第二覆晶晶片之高度總和； <br/>複數外部連接件，設置在該第二基板的該外側表面。
如請求項1所述之堆疊式封裝結構，其中， <br/>在該第一基板的該晶片容置凹槽的該內底面上，於該第一覆晶晶片的周圍形成一第一環形凹槽； <br/>在該第二基板的該內側表面上，於該第二覆晶晶片的周圍形成一第二環形凹槽。
如請求項2所述之堆疊式封裝結構，其中，該第一環形凹槽的位置係對應該第二環形凹槽的位置。
如請求項2所述之堆疊式封裝結構，其中，該第一環形凹槽的位置係與該第二環形凹槽的位置相錯位。
如請求項1所述之堆疊式封裝結構，其中， <br/>在該第一基板的該晶片容置凹槽的該內底面上，於該第一覆晶晶片的周圍形成一第一環形凸壩； <br/>在該第二基板的該內側表面上，於該第二覆晶晶片的周圍形成一第二環形凸壩。
如請求項5所述之堆疊式封裝結構，其中，該第一環形凸壩的位置係與該第二環形凸壩的位置相錯位。
如請求項5所述之堆疊式封裝結構，其中，該第一環形凸壩的高度係大於該第一覆晶晶片的高度；該第二環形凸壩的高度係大於該第二覆晶晶片的高度。
如請求項1所述之堆疊式封裝結構，該第一覆晶晶片及該第二覆晶晶片的非主動面及其周面係外露在該晶片容置凹槽而未被包覆。
如請求項1所述之堆疊式封裝結構，其中： <br/>該第一基板的該內側表面上設置複數個內側接點，該外側表面上設置複數個外側接點，該些內側接點及該些外側接點透過該第一基板內的一第一重佈線層對應電性連接，其中，該些內側接點之間的接點間距，係小於該外側接點之間的接點間距； <br/>該第二基板的該內側表面上設置複數個內側接點以電性連接該第一基板的該些內側接點，該第二基板的該些內側接點及該些外部連接件透過該第二基板內的一第二重佈線層對應電性連接，其中，該第二基板的該些內側接點之間的接點間距，係小於該第二基板之該些外部連接件之間的接點間距。
一種形成穿基底通孔的方法，包括： <br/>在基底的第一區之上形成多個第一奈米結構； <br/>在所述基底的第二區之上形成多個第二奈米結構，其中所述多個第一奈米結構及所述多個第二奈米結構包括半導體材料； <br/>在所述多個第一奈米結構周圍形成第一閘極結構； <br/>去除所述多個第二奈米結構及位於所述多個第二奈米結構下方的部分所述基底，以形成多個溝渠； <br/>在所述多個溝渠中形成多個隔離區；以及 <br/>形成延伸穿過多個隔離區並進入所述基底的通孔。
如請求項1所述的方法，更包括形成環繞所述通孔的保護環結構。
如請求項1所述的方法，更包括形成與所述第一奈米結構相鄰的第一磊晶源極/汲極區以及與所述第二奈米結構相鄰的第二磊晶源極/汲極區。
如請求項3所述的方法，其中所述通孔延伸穿過所述第二磊晶源極/汲極區。
如請求項1所述的方法，更包括在所述第一奈米結構之上形成內連線結構，其中所述第二區沒有所述內連線結構。
一種形成穿基底通孔的方法，包括： <br/>在基底之上形成奈米結構堆疊； <br/>形成與所述奈米結構堆疊側向相鄰的磊晶源極/汲極區； <br/>在所述奈米結構堆疊之上形成虛設閘極結構； <br/>形成延伸穿過所述虛設閘極結構和所述奈米結構堆疊的第一凹陷，其中所述第一凹陷延伸得比所述磊晶源極/汲極區更深； <br/>用介電材料填充所述第一凹陷，使得所述介電材料延伸穿過所述虛設閘極結構和所述奈米結構堆疊，並與所述磊晶源極/汲極區側向相鄰； <br/>形成延伸穿過所述磊晶源極/汲極區和所述介電材料的第二凹陷；以及 <br/>用導電材料填充所述第二凹陷。
如請求項6所述的方法，其中形成所述第一凹陷去除了所述虛設閘極結構和所述奈米結構堆疊。
如請求項6所述的方法，更包括在所述介電材料之上和所述磊晶源極/汲極區之上形成多個介電層，其中所述第二凹陷延伸穿過所述多個介電層。
一種穿基底通孔，包括： <br/>多個磊晶源極/汲極區，位於基底上並延伸進入部分所述基底中； <br/>多個隔離區，延伸至所述基底，其中所述多個隔離區中的隔離區分別夾在所述多個磊晶源極/汲極區中的相鄰磊晶源極/汲極區之間，其中所述多個隔離區比所述磊晶源極/汲極區延伸進入所述基底更深； <br/>多個介電層，位於所述多磊晶源極/汲極區之上及所述多隔離區之上；以及 <br/>通孔，延伸穿過所述多個介電層並進入所述基底，其中所述通孔被所述多個磊晶源極/汲極區和所述多個隔離區包圍，且所述通孔包括導電材料。
如請求項9所述的穿基底通孔，更包括： <br/>多個奈米結構，位於所述基底上，其中所述多個奈米結構透過多個虛設奈米結構與所述通孔分隔開。
一種製造測試探針的方法，所述測試探針包括管狀的筒以及局部地且滑動地插入於所述筒中的柱塞，所述方法包括： <br/>形成多個裙部部分，所述多個裙部部分形成於所述筒的第一端部部分中、被縱向狹縫彼此間隔開且包括區段式接觸表面，所述區段式接觸表面形成於前端區域的內徑表面上且在整個預定長度區段上延伸； <br/>使所述多個裙部部分的直徑減小而具有局部圓錐形形狀，以使所述區段式接觸表面能夠沿縱向方向線性接觸所述柱塞的外徑表面，其中所述區段式接觸表面被機械加工為相對於所述筒的內表面傾斜；以及 <br/>將所述多個裙部部分中的每一者形成為在所述前端區域中較在其他區域中厚。
如請求項1所述的方法，其中所述形成所述多個裙部部分包括將所述區段式接觸表面形成為相對於所述多個裙部部分中的每一者的所述內徑表面傾斜。
如請求項1所述的方法，更包括將所述多個裙部部分中的每一者形成為厚於所述筒的其他區域。
如請求項1所述的方法，其中所述區段式接觸表面相對於所述內徑表面以5度至25度的角度傾斜。
如請求項1所述的方法，更包括經由所述筒的第二端部部分將所述柱塞插入，以使所述柱塞的所述外徑表面接觸所述區段式接觸表面。
一種電子裝置，包括：<br/> 一電路基板，包括一基板，其中所述基板具有一上表面，且所述電子裝置的俯視方向垂直於所述上表面；<br/> 一阻隔層，設置於所述電路基板上，並包括一第一開口、一第二開口以及一阻隔牆，且所述阻隔牆位於所述第一開口與所述第二開口之間；<br/> 一光接收層，設置於所述第一開口中；<br/> 一發光層，設置於所述第二開口中；以及<br/> 一第一遮光圖案，設置於所述阻隔牆上；<br/> 其中，在所述電子裝置平行於所述俯視方向的一剖面中，所述第一遮光圖案在一第一高度具有一第一寬度且在一第二高度具有一第二寬度，所述第二高度高於所述第一高度，且所述第一寬度不同於所述第二寬度。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述第二寬度大於所述第一寬度。
如請求項2所述的電子裝置，還包括一封裝層，設置於所述阻隔層上，其中所述第一遮光圖案貫穿所述封裝層。
如請求項3所述的電子裝置，還包括一感測層，設置於所述封裝層上，其中所述第一遮光圖案貫穿所述感測層。
如請求項4所述的電子裝置，其中所述第一遮光圖案包括一第一子層以及一第二子層，所述第一子層貫穿所述封裝層，且所述第二子層貫穿所述感測層。
如請求項1所述的電子裝置，還包括一電極，電連接所述光接收層與所述發光層，其中所述電極設置於所述阻隔牆與所述第一遮光圖案之間。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述第二寬度小於所述第一寬度。
如請求項7所述的電子裝置，還包括一電極，電連接所述光接收層與所述發光層，其中所述電極設置於所述第一遮光圖案上。
如請求項8所述的電子裝置，其中所述第一遮光圖案與所述阻隔層相接觸。
如請求項8所述的電子裝置，還包括一第二遮光圖案，設置於所述第一遮光圖案上。
如請求項10所述的電子裝置，其中所述電極設置於所述第二遮光圖案上。
如請求項10所述的電子裝置，其中所述電極設置於所述第一遮光圖案與所述第二遮光圖案之間。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述第一遮光圖案的厚度對所述阻隔層的厚度的比例為1到10。
如請求項1所述的電子裝置，其中沿著所述俯視方向觀看，所述第一遮光圖案環繞所述光接收層。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述電子裝置能夠運作在一顯示模式或一感測模式，其中所述發光層在所述感測模式時產生光線且在所述顯示模式不產生光線。
如請求項1所述的電子裝置，還包括一感測層，設置於所述阻隔層上，其中所述感測層包括一第一金屬層、一第二金屬層以及一絕緣層，且所述絕緣層設置於所述第一金屬層與所述第二金屬層之間。
如請求項16所述的電子裝置，其中所述絕緣層包括一第三開口，所述第一金屬層貫穿所述第三開口並連接所述第二金屬層，且所述第三開口與所述第一遮光圖案重疊。
如請求項17所述的電子裝置，其中沿著所述俯視方向觀看，所述第三開口包括多個子開口，環繞所述光接收層排列。
如請求項17所述的電子裝置，還包括一第三遮光圖案，設置於所述第二金屬層上，其中所述第三遮光圖案與所述第三開口重疊。
如請求項17所述的電子裝置，還包括一第四遮光圖案，設置於所述第一金屬層下，其中所述第四遮光圖案與所述第三開口重疊。
一種電子封裝，包括：<br/>中介層，包括矽，該中介層包括通孔，該通孔提供該中介層的底部上的墊與該中介層頂部上的再分配層之間的連接；<br/>在該中介層之上的第一晶粒，該第一晶粒藉由第一互連耦接到該中介層的該再分配層；<br/>在該中介層之上並與該第一晶粒橫向間隔開的第二晶粒，該第二晶粒藉由第二互連耦接至該中介層的該再分配層；<br/>第一模具層在該第一晶粒與該中介層之間以及在該第二晶粒與該中介層之間，該第一模具層橫向在該第一晶粒與該第二晶粒之間並與該第一晶粒和該第二晶粒接觸，並且該第一模具層與該第一互連接觸，並且與該第二互連接觸；<br/>在該中介層的該底部上的該墊上且在該中介層的通孔垂直下方的凸塊，該凸塊垂直位於該第一晶粒下方或垂直位於該第二晶粒下方；以及<br/>第二模具層在該中介層下方並與該中介層的至少一部分接觸，該第二模具層與該凸塊以及該中介層的該底部上的該墊接觸，<br/>其中，該第二模具層還與該中介層的該底部上的該墊的側壁、該中介層的側壁以及該中介層的該底部的至少一部分的表面接觸。
如請求項1之電子封裝，其中，該第一模具層的最上表面與該第一晶粒的最上表面處於同一水平。
如請求項2之電子封裝，其中，該第一模具層的該最上表面與該第二晶粒的最上表面處於同一水平。
如請求項1之電子封裝，其中，該第二模具層不接觸該中介層的整個該側壁。
如請求項1之電子封裝，其中，該第二模具層的邊緣與該第一模具層的邊緣垂直對齊。
如請求項1之電子封裝，更包括：<br/>該中介層與該第一模具層之間的底部填充材料。
一種製造電子封裝的方法，該方法包括：<br/>將第一晶粒耦接至具有第一互連的中介層的再分配層，該中介層包括通孔，該通孔提供該中介層的底部上的墊與該中介層頂部上的該再分配層之間的連接；<br/>以第二互連將第二晶粒耦接至該中介層的該再分配層；<br/>形成第一模具層在該第一晶粒與該中介層之間以及在該第二晶粒與該中介層之間，該第一模具層橫向在該第一晶粒與該第二晶粒之間並與該第一晶粒和該第二晶粒接觸，並且該第一模具層與該第一互連接觸，並且與該第二互連接觸；<br/>形成在該中介層的該底部上的該墊上且在該中介層的通孔垂直下方的凸塊，該凸塊垂直位於該第一晶粒下方或垂直位於該第二晶粒下方；以及<br/>形成第二模具層在該中介層下方並與該中介層的至少一部分接觸，該第二模具層與該凸塊以及該中介層的該底部上的該墊接觸，<br/>其中，該第二模具層還與該中介層的該底部上的該墊的側壁、該中介層的側壁以及該中介層的該底部的至少一部分的表面接觸。
如請求項7之方法，其中，該第一模具層的最上表面與該第一晶粒的最上表面處於同一水平。
如請求項8之方法，其中，該第一模具層的該最上表面與該第二晶粒的最上表面處於同一水平。
如請求項7之方法，其中，該第二模具層不接觸該中介層的整個該側壁。
如請求項7之方法，其中，該第二模具層的邊緣與該第一模具層的邊緣垂直對齊。
如請求項7之方法，更包括：<br/>形成底部填充材料在該中介層與該第一模具層之間。
一種電子系統，包括：<br/>板材；<br/>封裝基板，耦接至該板材；以及<br/>耦接到該封裝基板的電子封裝，該電子封裝包括：<br/>中介層，包括矽，該中介層包括通孔，該通孔提供該中介層的底部上的墊與該中介層頂部上的再分配層之間的連接；<br/>在該中介層之上的第一晶粒，該第一晶粒藉由第一互連耦接到該中介層的再分配層；<br/>在該中介層之上並與該第一晶粒橫向間隔開的第二晶粒，該第二晶粒藉由第二互連耦接至該中介層的該再分配層；<br/>第一模具層在該第一晶粒與該中介層之間以及在該第二晶粒與該中介層之間，該第一模具層橫向在該第一晶粒與該第二晶粒之間並與該第一晶粒和該第二晶粒接觸，並且該第一模具層與該第一互連接觸，並且與該第二互連接觸；<br/>在該中介層的該底部上的該墊上且在該中介層的通孔垂直下方的凸塊，該凸塊垂直位於該第一晶粒下方或垂直位於該第二晶粒下方；以及<br/>第二模具層在該中介層下方並與該中介層的至少一部分接觸，該第二模具層與該凸塊以及該中介層的該底部上的該墊接觸，<br/>其中，該第二模具層還與該中介層的該底部上的該墊的側壁、該中介層的側壁以及該中介層的該底部的至少一部分的表面接觸。
如請求項13之電子系統，更包括：<br/>耦接到該板材的電池。
如請求項13之電子系統，更包括：<br/>耦接到該板材的相機。
如請求項13之電子系統，更包括：<br/>耦接到該板材的顯示器。
如請求項13之電子系統，更包括：<br/>耦接到該板材的GPS。
如請求項13之電子系統，更包括：<br/>耦接到該板材的通訊晶片。
一種光阻塗佈設備，包括： <br/>光阻收集槽，暫時儲存光阻； <br/>光阻供應管，連接至所述光阻收集槽； <br/>泵，連接至所述光阻供應管； <br/>光阻加壓裝置，連接至所述泵的後部處的所述光阻供應管； <br/>光阻循環管，在所述光阻加壓裝置的後部處，所述光阻循環管將所述光阻供應管連接至所述光阻收集槽； <br/>光阻排放管，連接至所述光阻循環管的後部處的所述光阻供應管； <br/>光阻排放閥，連接至所述光阻排放管；以及 <br/>光阻排放噴嘴，連接至所述光阻排放閥。
如請求項1所述的光阻塗佈設備，更包括： <br/>光阻儲存槽，儲存所述光阻；以及 <br/>光阻吸入管，連接至所述光阻儲存槽， <br/>其中所述光阻收集槽連接至所述光阻吸入管，且所述光阻吸入管將所述光阻排放至所述光阻收集槽以暫時儲存所述光阻。
如請求項1所述的光阻塗佈設備，更包括在所述光阻加壓裝置的所述後部處的所述光阻供應管上的超音波發生器，所述超音波發生器使所述光阻中所包含的聚合物均質化。
如請求項1所述的光阻塗佈設備，更包括清潔所述光阻排放噴嘴的內表面及外表面的噴嘴清潔裝置。
一種光阻塗佈設備，包括： <br/>光阻儲存槽，儲存光阻； <br/>光阻吸入管，連接至所述光阻儲存槽； <br/>光阻收集槽，連接至所述光阻吸入管，所述光阻收集槽暫時儲存所述光阻； <br/>光阻供應管，連接至所述光阻收集槽； <br/>泵，連接至所述光阻供應管； <br/>光阻加壓裝置，連接至所述泵的後部處的所述光阻供應管； <br/>光阻循環管，在所述光阻加壓裝置的後部處，所述光阻循環管將所述光阻供應管連接至所述光阻收集槽； <br/>光阻排放管，連接至所述光阻循環管的後部處的所述光阻供應管； <br/>光阻排放閥，連接至所述光阻排放管；以及 <br/>光阻排放噴嘴，連接至所述光阻排放閥， <br/>其中所述泵為以第一流動速率使所述光阻循環的光阻循環泵，且 <br/>所述光阻加壓裝置為以大於所述第一流動速率的第二流動速率排放所述光阻的流動速率控制裝置。
如請求項5所述的光阻塗佈設備，其中： <br/>所述光阻排放閥包含打開及關閉所述光阻的流動的截止閥； <br/>所述泵在所述截止閥處於關閉狀態時經由所述光阻供應管及所述光阻循環管使所述光阻循環；以及 <br/>所述光阻加壓裝置在所述截止閥處於打開狀態時經由所述光阻排放噴嘴排放所述光阻。
如請求項5所述的光阻塗佈設備，其中所述光阻吸入管包含過濾所述光阻中的粒子的第一過濾器。
如請求項5所述的光阻塗佈設備，其中所述光阻供應管包含過濾所述泵的所述後部處的所述光阻中的粒子的第二過濾器。
一種光阻塗佈設備，包括： <br/>光阻儲存槽，儲存光阻； <br/>光阻吸入管，連接至所述光阻儲存槽； <br/>第一過濾器，連接至所述光阻吸入管，所述第一過濾器過濾所述光阻中的粒子； <br/>光阻收集槽，連接至所述光阻吸入管，所述光阻收集槽暫時儲存所述光阻； <br/>光阻供應管，連接至所述光阻收集槽； <br/>泵，連接至所述光阻供應管； <br/>第二過濾器，連接至所述泵的後部處的所述光阻供應管，所述第二過濾器過濾所述光阻中的粒子； <br/>光阻加壓裝置，連接至所述第二過濾器的後部處的所述光阻供應管； <br/>光阻循環管，在所述光阻加壓裝置的後部處，所述光阻循環管將所述光阻供應管連接至所述光阻收集槽； <br/>光阻排放管，連接至所述光阻循環管的後部處的所述光阻供應管； <br/>光阻排放閥，連接至所述光阻排放管；以及 <br/>光阻排放噴嘴，連接至所述光阻排放閥， <br/>其中所述泵為以第一流動速率使所述光阻循環的光阻循環泵，且 <br/>所述光阻加壓裝置為以大於所述第一流動速率的第二流動速率排放所述光阻的流動速率控制裝置。
如請求項9所述的光阻塗佈設備，其中所述光阻加壓裝置包含： <br/>管，包含內管及與所述內管間隔開且包圍所述內管的外管；以及 <br/>空氣供應管，連接至所述外管，以及 <br/>將所述光阻注入至所述內管與所述外管之間的空間中，且所述光阻加壓裝置藉由所述內管的收縮及膨脹來接收或排放所述光阻。
一種清潔設備的資料處理方法，其中，所述方法包括： <br/>獲取至少一個待清潔區域的總清潔面積，包括： <br/>獲取對各個待清潔區域的設定清潔輪次； <br/>獲取針對各個待清潔區域的掃描地圖，以及所述清潔設備在歷史上對各個待清潔區域執行清潔動作時探索到的清潔地圖； <br/>基於由所述掃描地圖限定的待清潔區域的區域面積與由所述清潔地圖限定的待清潔區域的區域面積的比值，為各個待清潔區域確定參考區域面積； <br/>根據所述設定清潔輪次和各個待清潔區域的參考區域面積，計算至少一個待清潔區域的總清潔面積； <br/>獲取所述清潔設備在所述至少一個待清潔區域中執行清潔動作時探索到的實際清潔面積； <br/>基於所述實際清潔面積更新所述總清潔面積；以及 <br/>通過更新後的總清潔面積計算所述清潔設備在所述至少一個待清潔區域中還未執行清潔動作的第一剩餘清潔面積。
如請求項1所述的方法，其中，所述基於由所述掃描地圖限定的待清潔區域的區域面積與由所述清潔地圖限定的待清潔區域的區域面積的比值，為各個待清潔區域確定參考區域面積，包括： <br/>如果所述比值大於預設比值，則將由所述掃描地圖限定的待清潔區域的區域面積確定為所述待清潔區域的參考區域面積； <br/>如果所述比值小於或等於預設比值，則將由所述清潔地圖限定的待清潔區域的區域面積確定為所述待清潔區域的參考區域面積。
如請求項2所述的方法，其中，所述實際清潔面積包括所述清潔設備在當前對各個待清潔區域執行清潔動作時探索到的區域面積，所述基於所述實際清潔面積更新所述總清潔面積，包括： <br/>所述清潔設備在任意一個待清潔區域中完成至少一輪清潔動作時，獲取所述清潔設備在已執行清潔動作的待清潔區域中探索到的區域面積，作為目的地區域面積；以及 <br/>基於所述目的地區域面積更新所述總清潔面積。
如請求項3所述的方法，其中，所述基於所述目的地區域面積更新所述總清潔面積，包括： <br/>根據所述設定清潔輪次、所述清潔設備已執行清潔動作的待清潔區域的目的地區域面積，以及所述清潔設備未執行清潔動作的待清潔區域的參考區域面積，重新計算所述至少一個待清潔區域的總清潔面積。
如請求項4所述的方法，其中，通過所述更新後的總清潔面積計算所述清潔設備在所述至少一個待清潔區域中還未執行清潔動作的第一剩餘清潔面積，包括： <br/>計算所述更新後的總清潔面積與所述實際清潔面積之間的面積差值，並將所述面積差值確定為所述清潔設備在所述至少一個待清潔區域中還未執行清潔動作的第一剩餘清潔面積。
如請求項1所述的方法，其中，在通過更新後的總清潔面積計算所述清潔設備在所述至少一個待清潔區域中還未執行清潔動作的第一剩餘清潔面積之後，所述方法還包括： <br/>獲取所述清潔設備的耗能因子，所述耗能因子用於表徵所述清潔設備在單位面積中執行清潔動作所消耗的能量；以及 <br/>基於所述耗能因子和所述第一剩餘清潔面積確定預定能量，所述預定能量用於表徵所述清潔設備在所述第一剩餘清潔面積中執行清潔動作所需要的能量。
如請求項1所述的方法，其中，在通過更新後的總清潔面積計算所述清潔設備在所述至少一個待清潔區域中還未執行清潔動作的第一剩餘清潔面積之後，所述方法還包括： <br/>獲取所述清潔設備的清潔速度，所述清潔速度用於表徵所述清潔設備在單位面積中執行清潔動作所消耗的時間；以及 <br/>在所述清潔設備在所述至少一個待清潔區域中執行清潔動作消耗的實際清潔時間達到預設時間時，基於所述清潔速度和所述第一剩餘清潔面積確定第一剩餘清潔時間，並基於所述第一剩餘清潔時間確定所述清潔設備是否需要回洗，所述第一剩餘清潔時間用於表徵所述清潔設備在所述第一剩餘清潔面積中執行清潔動作所需要的時間。
如請求項1所述的方法，其中，所述方法還包括： <br/>在所述清潔設備在所述至少一個待清潔區域中執行清潔動作消耗的實際清潔時間達到預設時間時，通過更新後的總清潔面積計算所述清潔設備在當前待清潔區域中還未執行清潔動作的第二剩餘清潔面積；以及 <br/>基於所述清潔設備的清潔速度和所述第二剩餘清潔面積確定第二剩餘清潔時間，並基於所述第二剩餘清潔時間確定所述清潔設備是否需要回洗，所述第二剩餘清潔時間用於表徵所述清潔設備在所述第二剩餘清潔面積中執行清潔動作所需要的時間。
如請求項1所述的方法，其中，所述方法還包括： <br/>在所述清潔設備完成對所述至少一個待清潔區域中任意一個待清潔區域的清潔動作時，獲取所述清潔設備在上一次完成回洗動作之後的累計清潔時間，並基於所述累計清潔時間確定所述清潔設備是否需要回洗。
一種清潔設備的資料處理裝置，其中，所述裝置包括： <br/>第一獲取單元，用於獲取至少一個待清潔區域的總清潔面積，所述用於獲取至少一個待清潔區域的總清潔面積，包括： <br/>獲取對各個待清潔區域的設定清潔輪次； <br/>獲取針對各個待清潔區域的掃描地圖，以及所述清潔設備在歷史上對各個待清潔區域執行清潔動作時探索到的清潔地圖； <br/>基於由所述掃描地圖限定的待清潔區域的區域面積與由所述清潔地圖限定的待清潔區域的區域面積的比值，為各個待清潔區域確定參考區域面積；以及 <br/>根據所述設定清潔輪次和各個待清潔區域的參考區域面積，計算至少一個待清潔區域的總清潔面積； <br/>第二獲取單元，用於獲取所述清潔設備在所述至少一個待清潔區域中執行清潔動作時探索到的實際清潔面積； <br/>更新單元，用於基於所述實際清潔面積更新所述總清潔面積；以及 <br/>計算單元，用於通過更新後的總清潔面積計算所述清潔設備在所述至少一個待清潔區域中還未執行清潔動作的第一剩餘清潔面積。
一種電腦可讀存儲介質，其中，所述電腦可讀存儲介質中存儲有電腦程式指令，所述電腦程式指令由處理器載入並執行以促使所述處理器實現如請求項1至9任一項所述的方法所執行的操作。
一種清潔設備，包括處理器和記憶體，其中，所述記憶體存儲有能夠被所述處理器執行的電腦程式指令，所述處理器執行所述電腦程式指令時，實現如請求項1至9中任一項所述的方法的指令。
一種生物體資訊檢測系統，係依據被排出到被設置在化妝室的馬桶的盆內的排便氣體檢測前述化妝室的利用者的生物體資訊的生物體資訊檢測系統，其特徵為，具有： <br/>氣體檢測裝置，是具備有與含在氣體中的氣體反應的氣體感測器、以及 <br/>控制裝置，是控制前述氣體檢測裝置， <br/>前述氣體感測器為配置有感測器元件、與檢測用的電阻元件， <br/>前述控制裝置，是 <br/>控制前述氣體檢測裝置以使在前述利用者的前述馬桶的使用時以外的期間前述氣體感測器所為的檢測值成為預先所決定的範圍內的值，執行將作為基準值使用的前述檢測值控制為預定的值的基準值控制， <br/>通過變更前述氣體感測器的前述電阻元件的電阻值，執行將前述基準值控制為前述預定的值的前述基準值控制， <br/>前述氣體檢測裝置，是 <br/>使用由前述基準值控制所控制前述基準值執行與排便氣體檢測相關的處理。
如請求項1之生物體資訊檢測系統，其中，前述控制裝置，是 <br/>在每次前述排便氣體檢測的結束時執行前述基準值控制。
如請求項2之生物體資訊檢測系統，其中，前述控制裝置，是 <br/>通過反饋前述氣體感測器的前述檢測值的處理來執行前述基準值控制。
如請求項2之生物體資訊檢測系統，其中，前述控制裝置，是 <br/>取得與預測前述利用者的排便行為的資訊相關的排便行為利用預測資訊，並在取得前述排便行為利用預測資訊時執行前述基準值控制。
如請求項4之生物體資訊檢測系統，其中，具有偵測前述利用者向前述馬桶的馬桶座就座的就座偵測手段， <br/>前述控制裝置，是 <br/>取得根據前述就座偵測手段所為的偵測的排便行為利用預測資訊，並在取得前述排便行為利用預測資訊時執行前述基準值控制。
一種馬桶座裝置，係依據被排出到被設置在化妝室的馬桶的盆內的排便氣體檢測前述化妝室的利用者的生物體資訊的馬桶座裝置，其特徵為，具有： <br/>氣體檢測裝置，是具備有與含在氣體中的氣體反應的氣體感測器、以及 <br/>控制裝置，是控制前述氣體檢測裝置， <br/>前述氣體感測器為配置有感測器元件、與檢測用的電阻元件， <br/>前述控制裝置，是 <br/>控制前述氣體檢測裝置以使在前述利用者的前述馬桶的使用時以外的期間前述氣體感測器所為的檢測值成為預先所決定的範圍內的值，執行將作為基準值使用的前述檢測值控制為預定的值的基準值控制， <br/>通過變更前述氣體感測器的前述電阻元件的電阻值，執行將前述基準值控制為前述預定的值的前述基準值控制， <br/>前述氣體檢測裝置，是 <br/>使用由前述基準值控制所控制前述基準值執行與排便氣體檢測相關的處理。
一種膠槍結構，其主要包含有：<br/> 一槍體，係設有一入料口，所述入料口銜接一導料道，所述導料道用以導送一碳纖維膠條，所述碳纖維膠條為由碳纖維材及包覆在所述碳纖維材外部的膠材所構成，再於所述導料道的對應端設有一槍頭，所述槍頭上設有至少一出膠口，所述出膠口連通所述導料道，再於所述槍體上設有一控制出膠的扳機開關；<br/> 一擠壓機構，係設置在所述導料道路徑上，用以推送所述碳纖維膠條；<br/> 一電熱元件，係設置在所述導料道路徑上，且位於所述槍頭與所述擠壓機構之間，用以加熱熔融所述碳纖維膠條；<br/> 一控制單元，係分別連結所述扳機開關、所述擠壓機構及所述電熱元件，用以控制推送所述碳纖維膠條位移、加熱、出膠之啟閉動作；<br/> 其中，在所述槍體內進一步設有一輸料通道及可置設一綑碳纖維條的置料空間，所述輸料通道用以導送所述碳纖維條，並讓所述輸料通道通過所述擠壓機構連接至所述槍頭，且在所述槍頭設有一出料口連接所述輸料通道，讓所述出料口位於所述出膠口下方而同步推送者。
如請求項1所述之膠槍結構，其中所述碳纖維材以纖維型態、碎片狀、條狀或面材結構存在於所述膠材內來構成碳纖維膠條。
如請求項1或2所述之膠槍結構，其中所述膠材採用熱熔膠，而熱熔膠原料包含有聚氨酯(PU)、聚醯胺(PA)、聚乙烯(PE)、乙烯/醋酸乙烯(EVA)、矽膠、矽橡膠其一。
如請求項2所述之膠槍結構，其中所述碳纖維材採用截面積為圓形、一字型、十字形、米字型其一之條狀或面材結構存在於所述膠材內。
如請求項1所述之膠槍結構，其中所述出膠口係採用圓形孔、長方形孔、橢圓形孔其一。
如請求項1所述之膠槍結構，其中所述擠壓機構可以採用電動馬達、手動擠壓桿或氣動式擠壓。
一種用於超音波清洗研磨/切削器具的方法，包括：<br/> 提供一研磨/切削機台，包括用以研磨/切削的一研磨/切削器具及用來清洗該研磨/切削器具的一超音波清洗裝置；<br/> 收集該研磨/切削器具所加工工件的製程參數及加工品質，以建立資料庫及人工智慧模型；<br/> 根據該人工智慧模型，輸出對應所設定的加工品質的最適製程參數；以及<br/> 根據加工中所量測到的實際製程參數與該最適製程參數的誤差調整該超音波清洗裝置的作動強度，使該實際製程參數趨近於該最適製程參數，其中該最適製程參數包括該研磨/切削器具的振動訊號(Vibration signal)、聲發射訊號(Acoustic emission signal)或溫度訊號，其中以該誤差調整該超音波清洗裝置的該作動強度係藉由PID控制法或模糊控制法達成。
如請求項1所述的用於超音波清洗研磨/切削器具的方法，其中該資料庫係包括該製程參數及該加工品質。
如請求項1所述的用於超音波清洗研磨/切削器具的方法，其中該人工智慧模型的係依據該製程參數與該加工品質的關係所建立，其中該人工智慧模型的輸入為該製程參數，該人工智慧模型的輸出為該加工品質。
如請求項1所述的用於超音波清洗研磨/切削器具的方法，其中該人工智慧模型包括機器學習模型或深度學習模型。
如請求項4所述的用於超音波清洗研磨/切削器具的方法，其中該機器學習模型包括隨機森林法、極端機器學習、K-最小鄰近法(K-Nearest Neighbor)或支持向量機(Support Vector machine)。
如請求項4所述的用於超音波清洗研磨/切削器具的方法，其中該深度學習模型包括類神經網路。
如請求項1所述的用於超音波清洗研磨/切削器具的方法，其中該PID控制法或該模糊控制法係調整驅動該超音波清洗裝置的驅動器的工作週期(Duty cycle)，以調整該作動強度。
如請求項1所述的用於超音波清洗研磨/切削器具的方法，其中該最適製程參數係藉由最佳化演算法配合該人工智慧模型所獲得。
如請求項8所述的用於超音波清洗研磨/切削器具的方法，其中該最佳化演算法包括基因演算法、粒子群演算法、灰狼演算法或蒙地卡羅演算法。
一種多電平轉換器，其特徵在於，包括： <br/> 開關電容電路，其包括M個飛跨電容以及2*(M+1)個電晶體，其中，M為正整數， <br/> 感性元件， <br/> 均衡電路，其連接在該開關電容電路與該感性元件的公共節點，該均衡電路包括均衡開關以及均衡電容，其用以將該均衡電容上的電壓調整到預定值後，透過控制均衡開關選擇性地導通和關斷，以使得該飛跨電容和均衡電容選擇性地呈串聯連接關係或者並聯連接關係， <br/> 其中，該均衡電路還包括控制電路，該控制電路用於控制均衡開關的通斷，以使得均衡電容上的電壓與飛跨電容上的電壓之間產生比例關係，以及均衡電容上的電壓、飛跨電容上的電壓和輸入電壓或輸出電壓之間產生比例關係， <br/> 其中，該公共節點將該2*(M+1)個電晶體分為M+1個上電晶體以及M+1個下電晶體； <br/> 其中，該多電平轉換器在穩態工作的情況下，在一個工作週期中，被配置為在該M+1個上電晶體中，n個該上電晶體和n-1個該上電晶體交替導通。
根據請求項1所述的多電平轉換器，其中，該均衡電路包括串聯連接的一個均衡開關以及一個均衡電容，且當該均衡開關導通時，將該均衡電容與至少一個該飛跨電容耦接。
根據請求項2所述的多電平轉換器，其中，該均衡電路連接在公共節點與接地端之間，其中，該上電晶體連接在輸入電壓或輸出電壓和該公共節點之間，該下電晶體連接在該公共節點和該接地端之間。
根據請求項3所述的多電平轉換器，其中，當有M+1個該上電晶體導通，或者沒有任何一個該上電晶體導通時，該均衡開關關斷。
根據請求項3所述的多電平轉換器，其中，n的取值根據佔空比來確定，且M+1≥n≥1，n為自然數。
根據請求項5所述的多電平轉換器，其中，該均衡電路根據該M+1個上電晶體中交替導通的上電晶體的個數，確定該均衡電容與至少一個該飛跨電容耦接的時段。
根據請求項6所述的多電平轉換器，其中，該均衡電路還根據n個該上電晶體同時導通的時間和n-1個該上電晶體同時導通的時間的比較結果，確定該均衡電容與至少一個該飛跨電容耦接的時段，M+1＜n＜1。
根據請求項7所述的多電平轉換器，其中，在一個該工作週期中，當該n個上電晶體同時導通的時間大於該n-1個上電晶體同時導通的時間時，將該均衡電容上的電壓調整到VIN*n/(M+1)或者VOUT*n/(M+1)後，在只有n個上電晶體同時導通時打開該均衡開關，其餘時間關閉該均衡開關，其中，VIN、VOUT分別為該多電平轉換器的輸入電壓和輸出電壓。
根據請求項7所述的多電平轉換器，其中，在一個該工作週期中，當該n個上電晶體同時導通的時間小於該n-1個上電晶體同時導通的時間時，將該均衡電容上的電壓調整到VIN*(n-1)/(M+1)或者VOUT*(n-1)/ (M+1)後，在只有n-1個上電晶體同時導通時打開該均衡開關，其餘時間關閉該均衡開關，其中，VIN、VOUT分別為該多電平轉換器的輸入電壓和輸出電壓。
根據請求項6所述的多電平轉換器，其中，當n=1時，在一個工作週期中，1個該上電晶體導通和沒有任何一個上電晶體導通交替，將該均衡電容上的電壓調整到VIN/(M+1)或者VOUT/(M+1)後，在只有1個上電晶體導通時打開該均衡開關，其餘時間關閉該均衡開關，其中，VIN、VOUT分別為該多電平轉換器的輸入電壓和輸出電壓。
根據請求項6所述的多電平轉換器，其中，當n=M+1時，在一個工作週期中，M+1個該上電晶體導通和M個該上電晶體導通交替，將該均衡電容上的電壓調整到VIN*M/(M+1)或者VOUT*M/(M+1)後，在只有M個上電晶體導通時打開該均衡開關，其餘時間關閉該均衡開關，其中，VIN、VOUT分別為該多電平轉換器的輸入電壓和輸出電壓。
根據請求項1所述的多電平轉換器，其中，該均衡開關為雙向電流可阻斷電晶體。
一種加熱式貼膜機構，包含：<br/>一膜料吸附件，用於吸附一膜料，且該膜料吸附件具有一工作面以及相對於該工作面的一背面；以及至少一加熱件，可移動地設置於該膜料吸附件的該背面，且該至少一加熱件用於將該膜料熱貼合於一基板；其中該加熱式貼膜機構更包含可移動地設置於該膜料吸附件之該背面的一載座，且該些加熱件固定於該載座。
如請求項1所述之加熱式貼膜機構，其中該些加熱件沿著該膜料吸附件的一長度方向間隔排列。
如請求項1所述之加熱式貼膜機構，更包含設置於該膜料吸附件的一動力源，且該動力源連接於該載座。
如請求項1所述之加熱式貼膜機構，其中該至少一加熱件包含一加熱單元以及一隔熱單元，該隔熱單元包覆該加熱單元並且顯露出該加熱單元的一加熱端。
如請求項1所述之加熱式貼膜機構，其中該至少一加熱件可相對該膜料吸附件移動而具有一待機位置以及一貼膜位置，<br/>於該待機位置，該至少一加熱件與該膜料吸附件的一底緣相間隔，且於該貼膜位置，該至少一加熱件與該膜料吸附件的該底緣切齊，或是自該底緣突出該膜料吸附件。
如請求項1所述之加熱式貼膜機構，其中該膜料吸附件具有一氣體流道，且該氣體流道介於該工作面與該至少一加熱件之間。
一種積層機，包含：<br/>一膜料供給件，用以沿一饋送方向提供一膜料；以及一貼膜機構，包含：一膜料吸附件，用於吸附該膜料，該膜料吸附件對應該膜料供給件設置，且該膜料吸附件具有一工作面以及相對於該工作面的一背面；以及至少一加熱件，可移動地設置於該膜料吸附件的該背面，且該至少一加熱件用於將該膜料熱貼合於一基板；其中一基板可沿一入板方向經過該貼膜機構，該至少一加熱件可沿著實質上正交於該入板方向的一熱貼合方向相對該膜料吸附件移動而具有一待機位置以及一貼膜位置，於該待機位置，該至少一加熱件與該膜料吸附件的一底緣相間隔，且於該貼膜位置，該至少一加熱件與該膜料吸附件的該底緣切齊，或是自該底緣突出該膜料吸附件。
如請求項7所述之積層機，其中該膜料吸附件可相對於該膜料供給件移動以帶動該膜料靠近一基板。
如請求項7所述之積層機，其中該膜料吸附件的一長度方向實質上正交於該饋送方向，且該些加熱件沿著該膜料吸附件的該長度方向間隔排列。
如請求項7所述之積層機，其中該至少一加熱件包含一加熱單元以及一隔熱單元，該隔熱單元包覆該加熱單元並且顯露出該加熱單元的一加熱端。
一種基板處理方法，其使刷抵接於基板而進行洗淨處理，且其特徵在於實施以下步驟：<br/>旋轉步驟，其使保持著基板之旋轉保持部繞鉛直方向之軸芯旋轉；<br/>外周緣抵接步驟，其於上述基板於水平面內旋轉之狀態下，使刷抵接於較上述軸芯更靠上述基板之外周緣側之外周緣抵接位置；<br/>第1移動步驟，其於使上述刷抵接於上述基板之狀態下，使上述刷自上述抵接位置向上述軸芯側移動；及<br/>第2移動步驟，其於上述第1移動步驟之後，於使上述刷抵接於上述基板的狀態下，使上述刷自上述軸芯側向外周緣側移動。
如請求項1之基板處理方法，其中<br/>實施複數次上述第1移動步驟與上述第2移動步驟。
如請求項1之基板處理方法，其中<br/>上述外周緣抵接位置係上述基板之外周緣。
如請求項2之基板處理方法，其中<br/>上述外周緣抵接位置係上述基板之外周緣。
一種基板處理裝置，其使刷抵接於基板而進行洗淨處理，且其特徵在於包含：<br/>旋轉保持部，其將基板可繞鉛直方向之軸芯旋轉地保持；<br/>刷，其抵接於在上述旋轉保持部旋轉之上述基板而進行洗淨；<br/>刷保持部，其保持上述刷；<br/>水平驅動部，其使上述刷保持部於水平方向移動；<br/>升降驅動部，其使上述刷保持部於鉛直方向移動；及<br/>控制部，其如下操作上述水平驅動部及上述升降驅動部：對於藉由上述旋轉保持部而旋轉之基板，依序進行使刷抵接於較上述軸芯更靠上述基板之外周緣側之外周緣抵接位置之第1動作、於使上述刷抵接於上述基板之狀態下，使上述刷自上述外周緣抵接位置向上述軸芯側移動之第2動作、及於使上述刷抵接於上述基板之狀態下，使上述刷自上述基板之上述軸芯側向外周緣側移動之第3動作。
如請求項5之基板處理裝置，其中<br/>上述控制部進行複數次上述第2動作與上述第3動作。
如請求項5之基板處理裝置，其中<br/>上述外周緣抵接位置係上述基板之外周緣。
如請求項6之基板處理裝置，其中<br/>上述外周緣抵接位置係上述基板之外周緣。
一種基板處理方法，其使刷抵接於基板而進行洗淨處理，且其特徵在於依序實施以下步驟：<br/>旋轉步驟，其使保持有基板之旋轉保持部繞鉛直方向之軸芯旋轉；<br/>變形步驟，其於使上述刷抵接於上述基板之洗淨開始位置之前，藉由將上述刷之洗淨面按壓至被按壓構件而使上述刷變形；<br/>變形刷抵接步驟，其於上述基板於水平面內旋轉之狀態下，於直至上述刷之形狀復原為止之期間內，使上述刷抵接於上述基板之洗淨開始位置；及<br/>洗淨步驟，其使上述刷於上述基板上移動而將上述基板洗淨。
如請求項9之基板處理方法，其中<br/>上述變形步驟以於上述洗淨步驟中將上述刷按壓至上述基板之處理時按壓力以上之按壓力，將上述刷按壓至上述被按壓構件。
一種基板處理裝置，其使刷抵接於基板而進行洗淨處理，且其特徵在於包含：<br/>旋轉保持部，其將基板可繞鉛直方向之軸芯旋轉地保持；<br/>刷，其抵接於在上述旋轉保持部旋轉之上述基板而進行洗淨；<br/>待機槽，其設置於較被保持於上述旋轉保持部之上述基板之外周緣靠外側處，用於供上述刷待機；<br/>被按壓構件，其供上述刷之洗淨面按壓；<br/>刷保持部，其保持上述刷；<br/>水平驅動部，其使上述刷保持部於水平方向移動；<br/>升降驅動部，其使上述刷保持部於鉛直方向移動；及<br/>控制部，其如下操作上述水平驅動部與上述升降驅動部：於使上述刷抵接於上述基板之洗淨開始位置之前，藉由將上述刷之洗淨面按壓至上述被按壓構件而使上述刷變形後，直至上述刷之形狀復原為止之期間內，使上述刷移動至上述基板之洗淨開始位置而由上述刷將上述基板洗淨。
如請求項11之基板處理裝置，其中<br/>上述被按壓構件設置於上述待機槽。
如請求項11之基板處理裝置，其中<br/>上述控制部操作上述升降驅動部，以將上述刷按壓至上述基板並進行洗淨時之處理時按壓力以上之按壓力，將上述刷按壓至上述被按壓構件而使其變形。
如請求項12之基板處理裝置，其中<br/>上述控制部操作上述升降驅動部，以將上述刷按壓至上述基板並進行洗淨時之處理時按壓力以上之按壓力，將上述刷按壓至上述被按壓構件而使其變形。
一種夾具總成，其包括： <br/>一轂； <br/>複數個臂，其等安裝至該轂，各臂自該轂向外延伸，各臂具有鄰近於該轂之一近端及遠離該轂之一遠端；及 <br/>複數個固持器，各固持器安裝於每一各自臂之該遠端處，各固持器具有經組態以支撐一晶圓之複數個支撐銷，其中該等支撐銷的排列方向與其安裝的該臂的延伸方向不同。
如請求項1之夾具總成，其中該支撐銷包括一FFKM (全氟彈性體)材料。
如請求項1之夾具總成，其進一步包括經組態以監測該等支撐銷之一監測系統； <br/>其中該監測系統包括： <br/>一第一雷射發射器，其經組態以朝向該等支撐銷發射一第一雷射； <br/>一第一雷射接收器，其經組態以接收自該第一雷射發射器發射之該第一雷射； <br/>一第二雷射發射器，其經組態以在由該等支撐銷支撐之該晶圓上方發射一第二雷射；及 <br/>一第二雷射接收器，其經組態以接收自該第二雷射發射器發射之該第二雷射，其中該第一雷射發射器與該第一雷射接收器之間的一第一雷射路徑相對於該複數個固持器之一上表面低於該第二雷射發射器與該第二雷射接收器之間的一第二雷射路徑。
如請求項1之夾具總成，其中由該等固持器之各者提供之該等支撐銷之一數目係兩個、三個或五個。
一種夾具總成，其包括： <br/>一可旋轉轂； <br/>複數個支撐臂，其中該等支撐臂之各者具有連接至該可旋轉轂之一第一端及與該第一端對置之一第二端；及 <br/>複數個固持器，其等經組態以固持一晶圓，其中該等固持器之各者附接至該支撐臂之該第二端，其中該等固持器之各者包括至少兩個支撐墊，且該等支撐墊的排列方向與其附接之該支撐臂的延伸方向不同。
如請求項5之夾具總成，其中當該晶圓由該等固持器固持時，該至少兩個支撐墊直接接觸該晶圓之底部。
如請求項5之夾具總成，其中該等支撐墊彼此隔開一距離。
如請求項5之夾具總成，其中該支撐墊包括一FFKM (全氟彈性體)材料。
一種處理一晶圓之方法，該方法包括： <br/>將該晶圓放置於一夾具總成中，該夾具總成具有夾具臂及位於該等夾具臂之各者之端處之複數個晶圓固持器，該等晶圓固持器之各者包括至少兩個支撐銷，該晶圓接觸該等支撐銷之一上表面，其中該夾具臂的延伸方向與位於其端處之該等支撐銷的排列方向不同；及 <br/>使該夾具總成及該晶圓旋轉。
如請求項9之方法，其中該等支撐銷包括一FFKM材料。
一種拋光墊，其包含一拋光層，其中，當依據KS M 2457標準分析藉由在320℃熱解該拋光墊6小時獲得之熱解油時，氯成分之含量係13,000 mg/kg至16,000 mg/kg；以及其中該拋光層係由一組成物形成，該組成物包含一胺甲酸乙酯系預聚物、一固化劑及一發泡劑，其中，當依據ASTM D2887分析該熱解油之沸點時，該熱解油之初始沸點係53至62℃，且該熱解油之最終沸點係510至520℃。
如請求項1之拋光墊，其中，當藉由感應耦合電漿原子發射光譜分析該熱解油時，金屬成分之含量小於4 mg/kg(=ppm)。
如請求項1之拋光墊，其中該固化劑包含4,4'-亞甲雙(2-氯苯胺)。
如請求項1之拋光墊，其中該胺甲酸乙酯系預聚物具有7.5至11重量%之異氰酸酯末端基的一含量(NCO%)，且<br/> 該胺甲酸乙酯系預聚物與該固化劑之反應比係作為一當量比之1：0.75至1.1。
一種熱解油，其從一包含一拋光層之拋光墊獲得，其中，當依據KS M 2457標準分析該熱解油時，氯成分之含量係13,000 mg/kg至16,000 mg/kg；以及其中該拋光層係由一組成物形成，該組成物包含一胺甲酸乙酯系預聚物、一固化劑及一發泡劑，其中，當依據ASTM D2887分析該熱解油之沸點時，該熱解油之初始沸點係53至62℃，且該熱解油之最終沸點係510至520℃。
一種用於製備熱解油之方法，其包含下列步驟：<br/> 將一包含一拋光層之拋光墊載入一腔室中；<br/> 在280至350℃熱解載入該腔室之該拋光墊；及<br/> 使由該熱解形成之蒸發流通過一熱交換器以獲得液體熱解油，<br/> 其中，當依據KS M 2457標準分析該熱解油時，氯成分之含量係13,000 mg/kg至16,000 mg/kg；以及其中該拋光層係由一組成物形成，該組成物包含一胺甲酸乙酯系預聚物、一固化劑及一發泡劑，其中，當依據ASTM D2887分析該熱解油之沸點時，該熱解油之初始沸點係53至62℃，且該熱解油之最終沸點係510至520℃。
如請求項6之用於製備熱解油之方法，其中該拋光墊係已被使用過的一用過之拋光墊。
一種行動銀行的數位會員導引轉介系統，該系統包含： <br/>一資料庫伺服器，用以儲存多筆客戶資料，每一筆所述客戶資料皆包含一身分驗證訊息、一存款帳戶訊息及一數位會員識別碼；以及 <br/>一伺服端裝置，通過網路連接該資料庫伺服器，該伺服端裝置包含： <br/>一非暫態電腦可讀取媒體，用以儲存多個電腦可讀指令；以及 <br/>一硬體處理器，電性連接所述非暫態電腦可讀取媒體，用以執行所述多個電腦可讀指令，使該硬體處理器被配置為： <br/>接收來自一客戶端裝置的一行動銀行登入訊息，並且將該行動銀行登入訊息與該身分驗證訊息進行比對，當比對相符時，允許該客戶端裝置登入該伺服端裝置，並且載入相應的該存款帳戶訊息及該數位會員識別碼； <br/>偵測到該客戶端裝置首次通過一行動應用程式登入該伺服端裝置時，將預設的一約定服務條款及一個資告知事項輸出至該客戶端裝置以導引該客戶端裝置申請數位會員，以及在偵測到該客戶端裝置同意該約定服務條款及該個資告知事項後，執行一數位會員申請程序； <br/>該數位會員申請程序辨識該存款帳戶訊息是否為數位存款帳戶，以及根據所述客戶資料建立數位會員，並且產生該數位會員識別碼以儲存至所述資料庫伺服器中相應的所述客戶資料，其中，當該存款帳戶訊息為數位存款帳戶時，產生一申請成功訊息，當該存款帳戶訊息非數位存款帳戶時，產生一申請成功暨數位存款帳戶推薦開戶訊息；以及 <br/>將產生的該申請成功訊息或該申請成功暨數位存款帳戶推薦開戶訊息輸出至該客戶端裝置。
如請求項1之行動銀行的數位會員導引轉介系統，其中每一筆所述客戶資料更包含一網銀狀態訊息，該伺服端裝置偵測到該網銀狀態訊息為未啟用且該數位會員識別碼非空值時，輸出一註銷訊息至該客戶端裝置，以及將相應的該數位會員識別碼設為空值以註銷數位會員。
如請求項1之行動銀行的數位會員導引轉介系統，其中當載入的該數位會員識別碼及該存款帳戶訊息皆為空值時，傳送一數位存款開戶網頁至該客戶端裝置，用以導引轉介該客戶端裝置開戶，當該伺服端裝置載入的該數位會員識別碼為空值且該存款帳戶訊息非空值時，該伺服端裝置導引轉介該客戶端裝置申請數位會員。
如請求項1之行動銀行的數位會員導引轉介系統，其中該客戶端裝置持續通過一攝像裝置感測使用者的瞳孔，用以獲得一注視座標，當該注視座標位於該行動應用程式的一數位會員廣告區塊內，並且持續停留超過預設的一停留時間時，偵測是否存在該數位會員識別碼及該存款帳戶訊息，若否，該客戶端裝置產生一整合申辦界面導引轉介該客戶端裝置一併申辦數位存款帳戶及數位會員。
如請求項1之行動銀行的數位會員導引轉介系統，其中該伺服端裝置偵測到該客戶端裝置拒絕該約定服務條款及該個資告知事項時，持續記錄該客戶端裝置的瀏覽及操作行為以生成一喜好訊息，並且分析該喜好訊息以與數位會員的至少一優惠訊息進行比對，當比對相符的數量超過一門檻值時，再次輸出該約定服務條款及該個資告知事項以導引該客戶端裝置申請數位會員。
一種行動銀行的數位會員導引轉介方法，其步驟包括： <br/>通過網路將一資料庫伺服器與一伺服端裝置相互連接，其中，該資料庫伺服器儲存多筆客戶資料，每一筆所述客戶資料皆包含一身分驗證訊息、一存款帳戶訊息及一數位會員識別碼； <br/>該伺服端裝置接收來自一客戶端裝置的一行動銀行登入訊息，並且將該行動銀行登入訊息與該身分驗證訊息進行比對，當比對相符時，允許該客戶端裝置登入該伺服端裝置，並且載入相應的該存款帳戶訊息及該數位會員識別碼； <br/>該伺服端裝置偵測到該客戶端裝置首次通過一行動應用程式登入時，該伺服端裝置將預設的一約定服務條款及一個資告知事項輸出至該客戶端裝置以導引該客戶端裝置申請數位會員，以及在偵測到該客戶端裝置同意該約定服務條款及該個資告知事項後，執行一數位會員申請程序； <br/>該數位會員申請程序辨識該存款帳戶訊息是否為數位存款帳戶，以及根據所述客戶資料建立數位會員，並且產生該數位會員識別碼以儲存至所述資料庫伺服器中相應的所述客戶資料，其中，當該存款帳戶訊息為數位存款帳戶時，產生一申請成功訊息，當該存款帳戶訊息非數位存款帳戶時，產生一申請成功暨數位存款帳戶推薦開戶訊息；以及 <br/>該伺服端裝置將產生的該申請成功訊息或該申請成功暨數位存款帳戶推薦開戶訊息輸出至該客戶端裝置。
如請求項6之行動銀行的數位會員導引轉介方法，其中每一筆所述客戶資料更包含一網銀狀態訊息，該伺服端裝置偵測到該網銀狀態訊息為未啟用且該數位會員識別碼非空值時，輸出一註銷訊息至該客戶端裝置，以及將相應的該數位會員識別碼設為空值以註銷數位會員。
如請求項6之行動銀行的數位會員導引轉介方法，其中該伺服端裝置載入的該存款帳戶訊息為空值時，傳送一數位存款開戶網頁至該客戶端裝置，用以導引轉介該客戶端裝置開戶，當該伺服端裝置載入的該數位會員識別碼為空值且該存款帳戶訊息非空值時，該伺服端裝置導引轉介該客戶端裝置申請數位會員。
如請求項6之行動銀行的數位會員導引轉介方法，其中該客戶端裝置持續通過一攝像裝置感測使用者的瞳孔，用以獲得一注視座標，當該注視座標位於該行動應用程式的一數位會員廣告區塊內，並且持續停留超過預設的一停留時間時，偵測是否存在該數位會員識別碼及該存款帳戶訊息，若否，該客戶端裝置產生一整合申辦界面導引轉介該客戶端裝置一併申辦數位存款帳戶及數位會員。
如請求項6之行動銀行的數位會員導引轉介方法，其中該伺服端裝置偵測到該客戶端裝置拒絕該約定服務條款及該個資告知事項時，持續記錄該客戶端裝置的瀏覽及操作行為以生成一喜好訊息，並且分析該喜好訊息以與數位會員的至少一優惠訊息進行比對，當比對相符的數量超過一門檻值時，再次輸出該約定服務條款及該個資告知事項以導引該客戶端裝置申請數位會員。
一種熱硬化性樹脂組成物，該熱硬化性樹脂組成物含有熱硬化性樹脂、導熱性填料、流變調整劑及濕潤分散劑，其特徵在於，該熱硬化性樹脂組成物不含溶劑，該熱硬化性樹脂組成物之硬化物的導熱率為2.5W/m．K以上；其中，該熱硬化性樹脂為液狀環氧樹脂；該流變調整劑含有選自於由微粉二氧化矽及膨潤性層狀礦物粒子所構成之群組的至少1種，且相對於該熱硬化性樹脂組成物的總質量，該流變調整劑的含量為0.2~1.5質量%；該濕潤分散劑含有磷酸酯系化合物，且相對於該熱硬化性樹脂100質量份，該濕潤分散劑的含量為2~14質量份。
如請求項1所述之熱硬化性樹脂組成物，其中，該熱硬化性樹脂組成物的硬化物於其表面具有表層。
如請求項1所述之熱硬化性樹脂組成物，其中，該濕潤分散劑含有磷酸酯共聚物。
如請求項1所述之熱硬化性樹脂組成物，其中，該導熱性填料含有氧化鋁。
如請求項1所述之熱硬化性樹脂組成物，其中，該熱硬化性樹脂組成物之硬化物表面的算術平均粗糙度Ra為0.1~1.5μm，且最大高度粗糙度Rz為1.5~10μm。
一種硬化物，其係如請求項1所述之熱硬化性樹脂組成物的硬化物。
如請求項6所述之硬化物，其中，該硬化物於其表面具有表層。
如請求項7所述之硬化物，其中該表層的厚度為2~20μm。
一種印刷線路板，其具備如請求項6所述之硬化物。
一種製造具備硬化物之印刷線路板的方法，其中，包含藉由使如請求項1所述之熱硬化性樹脂組成物硬化而形成該硬化物的步驟。
一種半導體結構，包含： <br/>一介電層，設置於形成在一基板上的複數個電子部件上方； <br/>複數個溝槽，設置於該介電層中且藉由該介電層的一介電區域而彼此分開； <br/>一金屬層，設置在該複數個溝槽中的各者的一底部表面和側表面上以及在該介電區域的一頂部表面上； <br/>一半導體層，設置於該金屬層的一底部表面、側表面及一頂部表面上；以及 <br/>一絕緣層，設置在該複數個溝槽中且與該半導體層的側表面和該半導體層的一頂部表面接觸； <br/>其中該複數個溝槽中的各者完整的該側表面係由該介電區域的側表面所界定。
如請求項1所述的半導體結構，還包含： <br/>一第一接觸結構，與設置在該介電層的一第一部分之上且與該介電區域相對的該半導體層的一部分接觸；和 <br/>一第二接觸結構，與設置在該介電層的一第二部分之上且與另一介電區域相對的該半導體層的另一部分接觸，該另一介電區域分開該複數個溝槽的相鄰溝槽。
如請求項1所述的半導體結構，其中該複數個溝槽中的各溝槽的一寬度在約50 nm與約250 nm之間。
如請求項1所述的半導體結構，其中該半導體層的一厚度與該金屬層的一厚度的一比率在約0.1與約0.5之間。
一種半導體結構，包含： <br/>一基板，其上形成複數個電子部件；以及 <br/>一金屬區域，設置在該複數個電子部件之上，其中該金屬區域包含： <br/>一介電層； <br/>複數個內連結構，設置在該介電層中；以及 <br/>一電阻結構，設置在該介電層中且與該複數個內連結構接觸，其中該電阻結構包含： <br/>複數個溝槽，藉由該介電層的一介電區域而彼此分開； <br/>一金屬層，設置在該複數個溝槽中的各者的一底部表面和側表面上以及在該介電區域的一頂部表面上； <br/>一半導體層，設置在該金屬層的一底部表面、側表面和一頂部表面上；以及 <br/>一絕緣層，設置在該複數個溝槽中且與該半導體層的側表面和該半導體層的一頂部表面接觸； <br/>其中該複數個溝槽中的各者完整的該側表面係由該介電區域的側表面所界定。
如請求項5所述的半導體結構，其中該複數個電部件中的至少一者係電性連接到該電阻結構。
如請求項5所述的半導體結構，其中該複數個溝槽中的各溝槽的一寬度在約50 nm與約250 nm之間。
一種形成一半導體結構的方法，包含： <br/>形成一介電層在設置在一基板上的複數個電子部件上方； <br/>形成複數個溝槽在該介電層中，該複數個溝槽藉由該介電層的一介電區域而彼此分開； <br/>沉積一金屬層在該複數個溝槽中的各者的一底部表面和側表面上以及在該介電區域的一頂部表面上； <br/>沉積一半導體層在該金屬層的一底部表面、側表面和一頂部表面上；以及 <br/>沉積一絕緣層在該複數個溝槽中且與該半導體層的側表面和該半導體層的一頂部表面接觸； <br/>其中該複數個溝槽中的各者完整的該側表面係由該介電區域的側表面所界定。
如請求項8所述的方法，還包含： <br/>形成複數個內連結構在該介電層中。
如請求項8所述的方法，沉積該金屬層和沉積該半導體層包含： <br/>形成具有一第一厚度的該金屬層；以及 <br/>形成具有一第二厚度的該半導體層，該第二厚度不同於該第一厚度，其中該第二厚度與該第一厚度的一比率在約0.1與約0.5之間。
一種在一設計製程中使用的駐存在一機器可讀媒體中的結構，該結構包括：<br/> 一單體氣體分配噴嘴組件，包括：<br/> 一上電極部分；<br/> 一下電極部分；<br/> 複數個聯合（associating）結構，其聯合（associate）該下電極部分與該上電極部分；以及<br/> 一或更多個氣體區域分割壁；其中：<br/> 該上電極部分、該下電極部分、該複數個聯合結構及該一或更多個氣體區域分割壁為同一材料；<br/> 該複數個聯合結構中的每一者定位在該上電極部分與該下電極部分之間並耦合至該上電極部分及該下電極部分；<br/> 該複數個聯合結構中的每一者經配置以在該上電極部分與該下電極部分之間移送射頻(RF)能量及熱能；<br/> 該一或更多個氣體區域分割壁定位在該上電極部分與該下電極部分之間並耦合至該上電極部分及該下電極部分；以及<br/> 該一或更多個氣體區域分割壁經配置以將該上電極部分與該下電極部分之間的一區域分離成兩個或更多個充氣腔室。
如請求項1所述之結構，其中該結構駐存在儲存媒體上，作為用於佈局資料的一交換的一資料格式。
如請求項1所述之結構，其中該結構包括測試資料檔案、特徵化資料、驗證資料或設計規格中的至少一者。
如請求項1所述之結構，其中該同一材料為由一金屬或金屬合金形成的一電導體。
如請求項1所述之結構，其中該一或更多個氣體區域分割壁為環形壁，其在該上電極部分與該下電極部分之間的該區域內劃定至少一內充氣腔室及一外充氣腔室。
如請求項1所述之結構，其中該下電極部分包括複數個氣體輸出孔，其將該兩個或更多個充氣腔室中的一充氣腔室耦合至該下電極部分的一外表面。
如請求項1所述之結構，其中該單體氣體分配噴嘴組件進一步包括定位在該上電極部分上方並耦合至該上電極部分的一冷卻部分，其中該冷卻部分經配置以向該上電極部分提供冷卻。
如請求項7所述之結構，其中該單體氣體分配噴嘴組件進一步包括一嵌入式感測器，以量測一冷卻劑流體循環該冷卻部分的一流動速率，且其中該冷卻劑流體自一冷卻機循環且循環至該冷卻部分，以向該上電極部分提供冷卻。
如請求項7所述之結構，其中該單體氣體分配噴嘴組件進一步包括定位在該冷卻部分上方並耦合至該冷卻部分的一射頻塊部分，且其中該射頻塊部分將RF能量耦合至該兩個或更多個充氣腔室中的氣體。
如請求項7所述之結構，其中該複數聯合結構中的每一者的一橫截面形狀包括一圓柱形、角形、梯形、沙漏形及矩形形狀中的一種。
如請求項1所述之結構，其中該單體氣體分配噴嘴組件進一步包括嵌入在該複數個聯合結構中的一或更多者中的一或更多個感測器。
一種電漿處理系統，包括：<br/> 一單體氣體分配噴嘴組件，包括：<br/> 一上電極部分；<br/> 一下電極部分；<br/> 複數個聯合結構，其聯合該下電極部分及該上電極部分；以及<br/> 一或更多個氣體區域分割壁；其中：<br/> 該上電極部分、該下電極部分、該複數個聯合結構及該一或更多個氣體區域分割壁為同一材料；<br/> 該複數個聯合結構中的每一者定位在該上電極部分與該下電極部分之間並耦合至該上電極部分及該下電極部分；<br/> 該複數個聯合結構中的每一者經配置以在該上電極部分與該下電極部分之間移送射頻(RF)能量及熱能；<br/> 該一或更多個氣體區域分割壁定位在該上電極部分與該下電極部分之間並耦合至該上電極部分及該下電極部分；以及<br/> 該一或更多個氣體區域分割壁經配置以將該上電極部分與該下電極部分之間的一區域分離成兩個或更多個充氣腔室。
如請求項12所述之電漿處理系統，其中該同一材料係由一金屬或金屬合金形成的一電導體。
如請求項12所述之電漿處理系統，其中該單體氣體分配噴嘴組件進一步包括定位在該上電極部分上方並耦合至該上電極部分的一冷卻部分，其中該冷卻部分經配置以向該上電極部分提供冷卻。
如請求項14所述之電漿處理系統，其中該單體氣體分配噴嘴組件進一步包括一嵌入式感測器，以量測一冷卻劑流體循環該冷卻部分的一流動速率，且其中該冷卻劑流體自一冷卻機循環且循環至該冷卻部分，以向該上電極部分提供冷卻。
如請求項12所述之電漿處理系統，其中該單體氣體分配噴嘴組件進一步包括嵌入在該複數個聯合結構中的一或更多者中的一或更多個感測器。
一種用於氣體輸送噴嘴組件的增材製造部件的方法，包括以下步驟：<br/> 增材製造一單體氣體分佈噴嘴組件，其中增材製造該單體氣體分佈噴嘴組件之步驟包括以下步驟：<br/> 形成包括一下電極部分的多個層；<br/> 形成包括耦合至該下電極部分的多個聯合結構之多個層；<br/> 形成包括耦合至該下電極部分的一或更多個氣體區域分割壁之多個層；以及<br/> 形成包括耦合至該多個聯合結構及該一或更多個氣體區域分割壁的一上電極部分的多個層；其中：<br/> 該上電極部分、該下電極部分、該多個聯合結構及該一或更多個氣體區域分割壁為同一材料；<br/> 該多個聯合結構中的每一者定位在該上電極部分與該下電極部分之間並耦合至該上電極部分及該下電極部分；<br/> 該多個聯合結構中的每一個經配置以在該上電極部分與該下電極部分之間移送射頻(RF)能量及熱能；<br/> 該一或更多個氣體區域分割壁定位在該上電極部分與該下電極部分之間並耦合至該上電極部分及該下電極部分；以及<br/> 該一或更多個氣體區域分割壁經配置以將該上電極部分與該下電極部分之間的一區域分離成兩個或更多個充氣腔室。
如請求項17所述之方法，其中增材製造該單體氣體分配噴嘴組件之步驟進一步包括以下步驟：形成包括定位在該上電極部分上方並耦合至該上電極部分的一冷卻部分之多個層，其中該冷卻部分經配置以向該上電極部分提供冷卻。
如請求項18所述之方法，其中該單體氣體分配噴嘴組件進一步包括一嵌入式感測器，以量測一冷卻劑流體循環該冷卻部分的一流動速率，且其中該冷卻劑流體自一冷卻機循環且循環至該冷卻部分，以向該上電極部分提供冷卻。
如請求項17所述之方法，其中該單體氣體分配噴嘴組件進一步包括嵌入在該多個聯合結構中的一或更多者中的一或更多個感測器。
一種自行車的可調節坐墊結構，適於被安裝於該自行車的座管且包含：<br/> 兩坐墊，各該坐墊包含一坐墊部以及設在該坐墊部的底部的一連接柱；<br/> 一支架，由彈性金屬製成，為一體成形且呈封閉環狀，包含在一第一軸向上延伸的一下支撐部、在一第二軸向上延伸的一上支撐部及傾斜地支撐在該下支撐部和該上支撐部之間的一中間支撐部，該下支撐部用以被固定在該座管，該第一軸向垂直於該第二軸向；<br/> 兩固定座，配置於該上支撐部且可移動地套設在該連接柱上；以及<br/> 兩限位件，可移動地分別套設在該些連接柱上並分別抵靠該兩固定座，以決定該兩坐墊和該兩固定座在該支架上的相對位置；<br/> 其中，當其中一該坐墊被向下施壓時，該上支撐部呈傾斜狀；各該坐墊還包含設在該坐墊部的底部的一第一卡合部，各該固定座設有可與該第一卡合部配合的一第二卡合部，各該限位件在該連接柱上具有一鎖定位置和一解鎖位置；當該限位件在該鎖定位置時，該第一卡合部卡合於該第二卡合部，以抑制該坐墊相對於該支架旋轉；以及當該限位件在該解鎖位置時，該第一卡合部脫離該第二卡合部，以允許該坐墊相對於該支架旋轉。
一種自行車的可調節坐墊結構，適於被安裝於該自行車的座管且包含：<br/> 兩坐墊，各該坐墊包含一坐墊部以及設在該坐墊部的底部的一連接柱；<br/> 一支架，由彈性金屬製成，為一體成形且呈封閉環狀，包含在一第一軸向上延伸的一下支撐部、在一第二軸向上延伸的一上支撐部及傾斜地支撐在該下支撐部和該上支撐部之間的一中間支撐部，該下支撐部用以被固定在該座管，該第一軸向垂直於該第二軸向；<br/> 兩固定座，配置於該上支撐部且可移動地套設在該連接柱上；以及<br/> 兩限位件，可移動地分別套設在該些連接柱上並分別抵靠該兩固定座，以決定該兩坐墊和該兩固定座在該支架上的相對位置；<br/> 其中，當其中一該坐墊被向下施壓時，該上支撐部呈傾斜狀；<br/> 各該坐墊還包含設在該坐墊部的底部的一第一卡合部，各該固定座包含一座部和可分離地連接該座部的一蓋部，該座部和該蓋部可移動地套設在該連接柱上，該蓋部較該座部更靠近該坐墊，該上支撐部配置在該座部和該蓋部之間，該蓋部設有可與該第一卡合部配合的一第二卡合部，各該限位件在該連接柱上具有一鎖定位置和一解鎖位置；<br/> 當該限位件在該鎖定位置時，該第一卡合部卡合於該第二卡合部，以抑制該坐墊相對於該支架旋轉，並且該兩固定座在該上支撐部上的相對運動被抑制；以及<br/> 當該限位件在該解鎖位置時，該第一卡合部脫離該第二卡合部，以允許該坐墊相對於該支架旋轉，並且該兩固定座在該上支撐部上的相對運動被允許。
根據請求項1所述的自行車的可調節坐墊結構，其中各該固定座包含一座部和可分離地連接該座部的一蓋部，該座部和該蓋部可移動地套設在該連接柱上，該蓋部較該座部更靠近該坐墊，該第二卡合部位於該蓋部。
根據請求項3所述的自行車的可調節坐墊結構，其中該上支撐部配置在該座部和該蓋部之間；當該限位件在該鎖定位置時，該座部和該蓋部夾緊該上支撐部，以抑制該兩固定座在該上支撐部上相對移動；以及當該限位件在該解鎖位置時，該座部和該蓋部鬆開該上支撐部，以允許該兩固定座在該上支撐部上相對移動。
一種自行車的可調節坐墊結構，適於被安裝於該自行車的座管且包含：<br/> 兩坐墊，各該坐墊包含一坐墊部以及設在該坐墊部的底部的一連接柱；<br/> 一支架，由彈性金屬製成，為一體成形且呈封閉環狀，包含在一第一軸向上延伸的一下支撐部、在一第二軸向上延伸的一上支撐部及傾斜地支撐在該下支撐部和該上支撐部之間的一中間支撐部，該下支撐部用以被固定在該座管，該第一軸向垂直於該第二軸向；<br/> 兩固定座，配置於該上支撐部且可移動地套設在該連接柱上；以及<br/> 兩限位件，可移動地分別套設在該些連接柱上並分別抵靠該兩固定座，以決定該兩坐墊和該兩固定座在該支架上的相對位置；<br/> 其中，當其中一該坐墊被向下施壓時，該上支撐部呈傾斜狀；<br/> 各該固定座包含一座部和可分離地連接該座部的一蓋部，該座部和該蓋部可移動地套設在該連接柱上，該蓋部較該座部更靠近該坐墊，該上支撐部配置在該座部和該蓋部之間，各該限位件在該連接柱上具有一鎖定位置和一解鎖位置；<br/> 當該限位件在該鎖定位置時，該兩固定座在該上支撐部上的相對運動被抑制；以及<br/> 當該限位件在該解鎖位置時，該兩固定座在該上支撐部上的相對運動被允許。
根據請求項3至5的任一項所述的自行車的可調節坐墊結構，其中該座部和該蓋部可分離地相卡合。
根據請求項3至5的任一項所述的自行車的可調節坐墊結構，其中該座部靠近該蓋部的一端面設有用於容納該上支撐部的限位槽，該蓋部靠近該座部的一端面設有用於容納該上支撐部的限位槽。
根據請求項1至5的任一項所述的自行車的可調節坐墊結構，其中該上支撐部和該固定座被配置在該坐墊與該限位件之間。
根據請求項1至5的任一項所述的自行車的可調節坐墊結構，其中該下支撐部沿該第一軸向具有被固定在該座管的多個安裝位置，該些安裝位置決定該坐墊往前或往後移動。
根據請求項3至5的任一項所述的自行車的可調節坐墊結構，其中該座部和該蓋部皆設有一容置孔，該些容置孔共同形成一容置通道的至少一部分，該容置通道用以容納該連接柱，各該固定座更包含配置在該容置通道內且套設在該連接柱上的一彈簧，該彈簧的相對兩端分別抵頂該坐墊和該座部。
一種電子封裝體，包括： <br/>一次封裝體，包括： <br/>多個晶片，排列在一平面上，其中該些晶片的每一個具有一晶片基板、多個埋入電源軌道及多個晶片接墊，該晶片基板構成對應的該晶片的背面，該些埋入電源軌道穿設於對應的該晶片基板且平行該平面延伸，且該些晶片接墊配置在對應的該晶片的主動面上； <br/>一第一重佈線路結構，配置在該些晶片的主動面上並電性連接該些晶片接墊；以及 <br/>一第二重佈線路結構，配置在該些晶片的背面並連接該些埋入電源軌道，其中該些晶片的該些埋入電源軌道經由該第二重佈線路結構電性連接外界電源。
如請求項1所述的電子封裝體，其中該第二重佈線路結構具有多個電源面，且該些電源面的每一個直接連接該些埋入電源軌道的至少一個。
如請求項1所述的電子封裝體，其中該些晶片經由該第一重佈線路結構彼此電性連接。
如請求項1所述的電子封裝體，其中該次封裝體更包括： <br/>一介電層，包覆該些晶片。
如請求項4所述的電子封裝體，其中該次封裝體更包括： <br/>多個導電柱，貫穿該介電層並連接該第一重佈線路結構及該第二重佈線路結構。
如請求項1所述的電子封裝體，更包括： <br/>一支撐載板，與該第一重佈線路結構彼此疊置。
如請求項1所述的電子封裝體，更包括： <br/>多個電子元件，安裝在該第一重佈線路結構上。
如請求項1所述的電子封裝體，其中該次封裝體更包括： <br/>多個導電凸塊，配置在該第二重佈線路結構上，以連接外界電源。
如請求項1所述的電子封裝體，更包括： <br/>一線路載板，該次封裝體安裝在該線路載板上。
一種電子封裝體之製作方法，包括： <br/>形成一第一重佈線路結構於一支撐載板上； <br/>將多個晶片安裝在該第一重佈線路結構上，其中該些晶片排列在一平面上，該些晶片的每一個具有一晶片基板及多個埋入電源軌道，該晶片基板構成對應的該晶片的背面，該些埋入電源軌道穿設於對應的該晶片基板且平行該平面延伸，且該些晶片的主動面連接該第一重佈線路結構；以及 <br/>形成一第二重佈線路結構於該些晶片的背面，其中該第二重佈線路結構連接該些晶片的多個埋入電源軌道。
如請求項10所述的電子封裝體之製作方法，其中在形成該第二重佈線路結構於該些晶片的背面的步驟更包括： <br/>薄化及平坦化該些晶片的背面以暴露出該些埋入電源軌道；以及 <br/>形成多個電源面於暴露出的該些埋入電源軌道上，其中該些電源面的每一個直接連接該些埋入電源軌道的至少一個。
如請求項10所述的電子封裝體之製作方法，其中形成該第二重佈線路結構於該些晶片的背面的步驟更包括： <br/>於該些晶片的背面形成一圖案化罩幕； <br/>移除被該圖案化罩幕暴露出的該些晶片的每一個的多個部分，以暴露出該些埋入電源軌道；以及 <br/>形成多個電源面於暴露出的該些埋入電源軌道上，其中該些電源面的每一個直接連接該些埋入電源軌道的至少一個。
如請求項10所述的電子封裝體之製作方法，其中該些晶片更具有多個晶片接墊，配置在該些晶片的主動面，且該些晶片接墊電性連接該第一重佈線路結構。
如請求項10所述的電子封裝體之製作方法，更包括： <br/>在形成該第一重佈線路結構於該支撐載板後，於該第一重佈線路結構上形成多個導電柱。
如請求項14所述的電子封裝體之製作方法，其中提供該些晶片並電性連接該第一重佈線路結構的步驟更包括： <br/>將該些晶片配置在該些導電柱之間； <br/>形成一介電層在該第一重佈線路結構上，以包覆該些晶片及該些導電柱，並填滿該些晶片之間的縫隙；以及 <br/>薄化及平坦化該介電層，以暴露出該些導電柱。
如請求項15所述的電子封裝體之製作方法，其中在形成該第二重佈線路結構於該些晶片的該背面的步驟更包括： <br/>形成該第二重佈線路結構於該介電層上並電性連接該些導電柱。
如請求項15所述的電子封裝體之製作方法，更包括： <br/>安裝多個電子元件在該第一重佈線路結構上。
如請求項10所述的電子封裝體之製作方法，更包括： <br/>形成多個導電凸塊在該第二重佈線路結構上； <br/>將該些導電凸塊連接至一線路載板；以及 <br/>將多個導電球連接至該線路載板。
一種噴墨頭晶片結構，包含：<br/> 一基板層，承載該噴墨頭晶片結構的元件；<br/> 一第一氧化層，配置於該基板層上；<br/> 一介電層，覆蓋該第一氧化層；<br/> 一導電層；<br/> 一加熱電阻層，鄰近接觸該導電層並位於相同之水平位置，且該加熱電阻層及該導電層係設置於該介電層上；<br/> 一控制層，與該導電層和一控制電晶體電性連接，控制該加熱電阻層進行墨水加熱；以及，<br/> 至少一保護層，覆蓋該介電層並與該介電層之上表面接觸；<br/> 其中，該加熱電阻層與該導電層分別被包覆配置於該保護層中；<br/> 其中該至少一保護層進一步具有一第一保護層，以及一第二保護層，並在該噴墨頭晶片結構中由下往上依序堆疊，該控制層在該第一保護層和該第二保護層的中間。
如請求項1所述之噴墨頭晶片結構，其中該控制電晶體為一金氧半場效電晶體(MOSFET)。
如請求項2所述之噴墨頭晶片結構，其中該金氧半場效電晶體選自N型金氧半場效電晶體(N-MOSFET)、P型金氧半場效電晶體(P-MOSFET)，或是以上的任意組合。
如請求項2所述之噴墨頭晶片結構，其中該金氧半場效電晶體更包含：一源極、一汲極，以及一閘極；其中，該源極、該汲極設置於該基板層中，該閘極設於該基板層上，連接該源極與該汲極，控制該金氧半場效電晶體運作。
如請求項4所述之噴墨頭晶片結構，該閘極進一步包含一第二氧化層與一多晶矽層，依序堆疊設置於該基板層之上，其中該多晶矽層、該加熱電阻層，以及該導電層為相同的材質，但成分摻雜比例不同。
如請求項5所述之噴墨頭晶片結構，其中該多晶矽層、該加熱電阻層，以及該導電層均為多晶矽材料，該導電層位於該加熱電阻層鄰近兩側的位置，其摻雜的濃度分別以高-低-高的方式形成導電性較佳-阻抗較高-導電性較佳的結構。
如請求項1所述之噴墨頭晶片結構，其中該加熱電阻層之材料選自多晶矽材料(Polycrystalline Silicon)、鋁化鉭(TaAl)、鉭(Ta)、氮化鉭(TaN)、二矽化鉭(Si<sub>2</sub>Ta)、碳(C)、碳化矽(SiC)、氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、硫化鎘(CdS)、二硼化鉿(HfB<sub>2</sub>)、鈦鎢合金(TiW)、氮化鈦(TiN)其中之一。
如請求項1所述之噴墨頭晶片結構，其中更包含複數個連接層，配置於該導電層、該控制電晶體之上，並與該控制層電性相連，使該控制電晶體得控制該加熱電阻層加熱墨水。
如請求項1所述之噴墨頭晶片結構，其中該控制層的材料選自鋁銅合金(AlCu)或金(Au)。
如請求項1所述之噴墨頭晶片結構，其中該第一保護層之材料選自氮化矽(Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>)、二氧化矽(SiO<sub>2</sub>)、二氧化鈦(TiO<sub>2</sub>)、二氧化鉿(HfO<sub>2</sub>)、二氧化鋯(ZrO<sub>2</sub>)、五氧化二鉭(Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>)、七氧化二錸(Re<sub>2</sub>O<sub>7</sub>)、五氧化二鈮(Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>)、五氧化二鈾(U<sub>2</sub>O<sub>5</sub>)、三氧化鎢(WO<sub>3</sub>)、氮氧化矽(Si<sub>4</sub>O<sub>5</sub>N<sub>3</sub>)、碳化矽(SiC)其中之一。
如請求項1所述之噴墨頭晶片結構，其中該第二保護層之材料為一金屬材料，該金屬材料選自鉭(Ta)、氮化鉭(TaN)、氮化鈦(TiN)、氮化鎢(TiW)其中之一。
如請求項1所述之噴墨頭晶片結構，其中該噴墨頭晶片結構所能列印的解析度範圍介於150DPI-48000DPI之間。
一種超薄型封裝元件，包含： <br/>一晶粒，具有一基底層及一磊晶層，該基底層的厚度不大於四倍的磊晶層的厚度； <br/>至少一導電件，設置在該晶粒的一側，該導電件的底面透過一背面線路電性連接至該基底層的背面； <br/>一封膠層，圍繞包覆該晶粒及該導電件的側面，且露出該晶粒及該導電件的表面及背面； <br/>複數導電接點，分別形成在該晶粒與該導電件的表面，且與該晶粒及該導電件電性接觸。
如請求項1所述超薄型封裝元件，進一步包含有： <br/>一絕緣層，係分佈在該封膠層的表面，以絕緣分隔該晶粒及該導電件上的該複數導電接點； <br/>一第一保護層，覆蓋該封膠層的底面及該背面線路； <br/>一第二保護層，覆蓋該絕緣層且設置在該複數導電接點之間，其中，該第二保護層與該複數導電接點為共平面。
一種形成堆疊電晶體之方法，包含：<br/>形成一下部半導體奈米結構及一上部半導體奈米結構，其中該上部半導體奈米結構直接設置於該下部半導體奈米結構上方，該下部半導體奈米結構設置於一蝕刻停止層上方，該蝕刻停止層設置於一半導體基板上方，該蝕刻停止層包含矽鍺，且該蝕刻停止層具有與該半導體基板不同的一材料組成；<br/>在該下部半導體奈米結構中之每一末端處形成一下部半導體結構，並在該上部半導體奈米結構中之每一末端處形成一上部半導體結構；<br/>形成包覆於該下部半導體奈米結構周圍的一下部閘極結構及包覆於該上部半導體奈米結構周圍的一上部閘極結構，其中該下部半導體結構係與該上部半導體結構的類型相反；<br/>氧化該半導體基板；<br/>氧化該蝕刻停止層，從而形成該蝕刻停止層之一富鍺（germanium enriched）部分；以及<br/>使用該蝕刻停止層之該富鍺部分作為一蝕刻停止來移除該半導體基板及該蝕刻停止層之一氧化部分。
如請求項1所述之方法，更包含：<br/>藉由一第一隔離結構隔離該上部半導體結構與該下部半導體結構；以及<br/>藉由一第二隔離結構隔離該上部半導體奈米結構與該下部半導體奈米結構。
如請求項1所述之方法，更包含：<br/>形成至該上部閘極結構的一上部閘極接觸件；以及<br/>形成至該下部閘極結構的一下部閘極接觸件，其中該上部閘極接觸件及該下部閘極接觸件形成於相對於該上部閘極結構及該下部閘極結構的相對側上。
如請求項1所述之方法，更包含：<br/>在氧化該半導體基板之前，翻轉該半導體基板以曝光該半導體基板之一底表面；<br/>其中來自在該底表面處氧化該蝕刻停止層的氧驅送鍺向下集中於該蝕刻停止層之一下表面處。
如請求項1所述之方法，其中該蝕刻停止層之該富鍺部分具有在20%與50%之間的一鍺濃度，在氧化之前該蝕刻停止層與該蝕刻停止層之該富鍺部分之一厚度比在約2:1至10:1之間，且該蝕刻停止層之該氧化部分中的一鍺濃度為0%與10%之間的一正值。
一種形成堆疊電晶體之方法，包含：<br/>在一半導體基板上方形成一蝕刻停止層，其中該半導體基板包含矽，且該蝕刻停止層包含矽鍺；<br/>在該蝕刻停止層上方形成一矽層；<br/>在該矽層上方形成一交替系列之半導體層；<br/>自該交替系列之半導體層圖案化複數個第一奈米結構及複數個第二奈米結構；<br/>在該些第一奈米結構及該些第二奈米結構上方圖案化一虛設閘極結構；<br/>移除該虛設閘極結構，從而曝光該些第一奈米結構及該些第二奈米結構；<br/>移除該些第二奈米結構；<br/>形成圍繞該些第一奈米結構的一替換閘極；<br/>氧化該半導體基板及該蝕刻停止層之一部分以形成該蝕刻停止層之一富鍺部分及該蝕刻停止層之一氧化部分；<br/>使用該蝕刻停止層之該富鍺部分作為一停止層來移除該半導體基板及該蝕刻停止層之該氧化部分；以及<br/>在移除該半導體基板及該蝕刻停止層之該氧化部分之後，形成一接觸件以電耦合該替換閘極。
如請求項6所述之方法，其中該些第一奈米結構之一上部子集提供一第一奈米結構場效電晶體之複數個通道區，該些第一奈米結構之一下部子集提供一第二奈米結構場效電晶體之複數個通道區，且該第一奈米結構場效電晶體具有與該第二奈米結構場效電晶體不同的一導電型，其中該些第一奈米結構之該上部子集與該些第一奈米結構之該下部子集藉由一隔離結構分離，該第一奈米結構場效電晶體係一n型電晶體，且該第二奈米結構場效電晶體係一p型電晶體。
如請求項6所述之方法，其中該蝕刻停止層之該富鍺部分的一鍺濃度大於在氧化該半導體基板之前該蝕刻停止層的一鍺濃度至少兩倍。
一種形成堆疊電晶體之方法，包含：<br/>翻轉一工件以曝光一半導體基板，其中該工件包括兩個奈米場效電晶體（nano field effect transistor，nanoFET）之一第一奈米結構及一第二奈米結構，其中該兩個奈米場效電晶體係垂直堆疊，其中該半導體基板包含矽；<br/>氧化該半導體基板以將該半導體基板轉化成一氧化半導體基板；<br/>氧化在該氧化半導體基板下方的一蝕刻停止層之一第一部分，以驅送該蝕刻停止層中之一些鍺遠離該氧化半導體基板，其中該蝕刻停止層包含矽鍺；<br/>該經驅送之鍺集中於該蝕刻停止層之一第二部分處以形成一富鍺部分；以及<br/>移除該氧化半導體基板及該蝕刻停止層之該第一部分，同時使用該富鍺部分作為一停止層。
如請求項9所述之方法，更包含：<br/>移除該富鍺部分；<br/>形成至一第一閘極之一後側的一接觸件；以及<br/>形成至一第二閘極之一上側的一接觸件，該第二閘極在該第一閘極上方。
一種發光元件，包括： <br/>陽極與陰極之間的發光層； 以及 <br/>該發光層與該陰極之間的第一層， <br/>其中，該第一層包含第一有機化合物及金屬， <br/>該第一有機化合物的電子數及該金屬的電子數的總和為奇數， <br/>並且，該第一有機化合物與該金屬形成SOMO。
一種發光元件，包括： <br/>陽極與陰極之間的第一發光層與第二發光層； 以及 <br/>該第一發光層與該第二發光層之間的第一層， <br/>其中，該第一層包含第一有機化合物及金屬， <br/>該第一有機化合物的電子數及該金屬的電子數的總和為奇數， <br/>並且，該第一有機化合物與該金屬形成SOMO。
如請求項1或2所述之發光元件， <br/>其中，該金屬的電子數為奇數。
如請求項1或2所述之發光元件， <br/>其中，該第一有機化合物的電子數為奇數。
一種發光元件，包括： <br/>陽極與陰極之間的發光層； 以及 <br/>該發光層與該陰極之間的第一層， <br/>其中，該第一層包含第一有機化合物及金屬， <br/>該第一有機化合物的電子數及該金屬的電子數的總和為奇數， <br/>該金屬的電子數為奇數， <br/>該金屬在最外層的軌域中具有一個電子， <br/>並且，該第一有機化合物與該金屬形成SOMO。
一種發光元件，包括： <br/>陽極與陰極之間的第一發光層與第二發光層； 以及 <br/>該第一發光層與該第二發光層之間的第一層， <br/>其中，該第一層包含第一有機化合物及金屬， <br/>該第一有機化合物的電子數及該金屬的電子數的總和為奇數， <br/>該金屬的電子數為奇數， <br/>該金屬在最外層的軌域中具有一個電子， <br/>並且，該第一有機化合物與該金屬形成SOMO。
如請求項1、2、5及6中任一項所述之發光元件， <br/>其中，以莫耳比為1：1的方式包含該第一有機化合物及該金屬的膜的自旋密度為1 × 10<sup>16</sup> spins/cm<sup>3</sup>以上。
如請求項1、2、5及6中任一項所述之發光元件， <br/>其中，該第一有機化合物具有缺電子型芳雜環。
如請求項8所述之發光元件， <br/>其中，該缺電子型芳雜環具有吡啶環、二嗪環和三嗪環中的至少一個。
如請求項1、2、5及6中任一項所述之發光元件， <br/>其中，該第一有機化合物具有25至100個碳原子。
如請求項1、2、5及6中任一項所述之發光元件， <br/>其中，該第一有機化合物的LUMO能階為-3.6eV以上且-2.3eV以下。
如請求項1、2、5及6中任一項所述之發光元件，還包括該陰極與該第一層之間的第二層， <br/>其中，該第二層包含具有缺電子型芳雜環的第二有機化合物。
如請求項1、2、5及6中任一項所述之發光元件， <br/>其中，不包含鹼金屬及鹼土金屬。
一種顯示裝置，包括： <br/>如請求項1、2、5及6中任一項所述之發光元件；以及 <br/>濾色片和電晶體中的至少一個。
一種電子裝置，包括： <br/>如請求項14所述之顯示裝置；以及 <br/>外殼和觸控感測器中的至少一個。
一種照明設備，包括： <br/>如請求項1、2、5及6中任一項所述之發光元件；以及 <br/>外殼和觸控感測器中的至少一個。
如請求項1、2、5及6中任一項所述之發光元件， <br/>其中，該金屬是屬於週期表中的第5族、第7族、第9族或第11族的過渡金屬。
一種物品相關資訊提供方法，其係藉由電子裝置進行者，其包括如下步驟： <br/>對應於自用戶終端獲得之第1輸入而確認第1物品； <br/>確認上述第1物品之類別資訊及上述第1物品之品牌資訊；及 <br/>於與上述類別資訊對應之物品中存在包括設定之折扣率之物品的物品集之情形時，將包括與上述物品集之資訊相關之第1組件之第1頁面提供至上述用戶終端， <br/>其中，於上述第1物品之上述品牌資訊對應於品牌條件之情形時，上述第1頁面進而包括與上述品牌資訊相關之第2組件， <br/>該第2組件包括與該品牌資訊對應之物品中之一部分之資訊， <br/>上述第2組件根據上述第1物品之屬性資訊而將與上述品牌資訊對應之物品之資訊顯示於不同之區域， <br/>上述屬性資訊係基於最常與上述第1物品關聯使用之過濾資訊而確定。
如請求項1之物品相關資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>根據與上述第1組件之至少一部分對應之輸入，將包括上述物品集之物品之資訊之第2頁面提供至上述用戶終端。
如請求項2之物品相關資訊提供方法，其中 <br/>上述第2頁面進而包括類別清單，該類別清單包括上述第1物品之上述類別資訊。
如請求項1之物品相關資訊提供方法，其中 <br/>上述設定之折扣率包括閾值以上之折扣率。
如請求項1之物品相關資訊提供方法，其中 <br/>上述第1組件包括基於上述第1物品之類別資訊而設定之類別顯示文本、及基於上述物品集之物品之折扣率資訊而設定之折扣率顯示文本。
如請求項5之物品相關資訊提供方法，其中 <br/>上述折扣率顯示文本係基於上述物品集之物品中具有最高折扣率之物品之折扣率而設定。
如請求項1之物品相關資訊提供方法，其中 <br/>上述品牌條件包括與如下中之至少一者相關之條件：與上述品牌資訊對應之評論數量資訊、銷售量資訊、及是否提供售後服務之資訊。
如請求項1之物品相關資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>根據與上述第2組件之至少一部分對應之輸入，將包括與上述品牌資訊對應之物品之資訊之第3頁面提供至上述用戶終端。
如請求項1之物品相關資訊提供方法，其中 <br/>上述第2組件進一步包括與上述品牌資訊對應之評論數量資訊。
如請求項1之物品相關資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>對應於自上述用戶終端獲得之第2輸入，確認與第1物品有相關性之第2物品；及 <br/>將包括與上述第2物品之資訊相關之第3組件之第4頁面提供至上述用戶終端；且 <br/>上述第1物品與上述第2物品之相關性係基於上述第1物品之上述類別資訊及上述第1物品之品牌資訊而確認。
如請求項10之物品相關資訊提供方法，其 <br/>進而包括確認上述第2物品是否存在設定之折扣率的步驟，且 <br/>上述第3組件根據是否存在上述設定之折扣率而將上述第2物品之資訊顯示於不同之區域。
如請求項10之物品相關資訊提供方法，其中 <br/>上述第3組件中顯示之上述第2物品之順序係基於折扣率資訊、評論數量資訊、銷售量資訊、及是否提供售後服務之資訊中之至少一者而確定。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有用以於電腦中執行如請求項1至12中任一項之方法之程式。
一種電子裝置，其係提供物品相關資訊者，其包括： <br/>記憶體，其儲存至少一個命令；及 <br/>處理器，其基於上述至少一個命令，對應於自用戶終端獲得之第1輸入而確認第1物品，確認上述第1物品之類別資訊及上述第1物品之品牌資訊，於與上述類別資訊對應之物品中存在包括設定之折扣率之物品的物品集之情形時，將包括與上述物品集之資訊相關之第1組件之第1頁面提供至上述用戶終端， <br/>其中，於上述第1物品之上述品牌資訊對應於品牌條件之情形時，上述第1頁面進而包括與上述品牌資訊相關之第2組件， <br/>該第2組件包括與該品牌資訊對應之物品中之一部分之資訊， <br/>上述第2組件根據上述第1物品之屬性資訊而將與上述品牌資訊對應之物品之資訊顯示於不同之區域， <br/>上述屬性資訊係基於最常與上述第1物品關聯使用之過濾資訊而確定。
一種半導體裝置的製造方法，該半導體裝置包含：第一氧化物半導體膜，作為通道區域；該第一氧化物半導體膜上的閘極絕緣膜；閘極電極，與該閘極絕緣膜上接觸；以及絕緣膜，與該閘極電極上接觸；該閘極電極包含第二氧化物半導體膜；在形成該第二氧化物半導體膜的步驟中，氧氣占了沉積氣體整體的比例為50%以上且低於100%；形成該絕緣膜之後，以180℃以上且350℃以下的溫度進行熱處理。
一種半導體裝置的製造方法，該半導體裝置包含：第一閘極電極；該第一閘極電極上的第一閘極絕緣膜；該第一閘極絕緣膜上的第一氧化物半導體膜，該第一氧化物半導體膜作為通道區域；該第一氧化物半導體膜上的第二閘極絕緣膜；第二閘極電極，與該第二閘極絕緣膜上接觸；以及絕緣膜，與該第二閘極電極上接觸；該第二閘極電極包含第二氧化物半導體膜；在形成該第二氧化物半導體膜的步驟中，氧氣占了沉積氣體整體的比例為50%以上且低於100%；形成該絕緣膜之後，以180℃以上且350℃以下的溫度進行熱處理。
一種半導體裝置的製造方法，該半導體裝置包含：第一氧化物半導體膜，作為通道區域；該第一氧化物半導體膜上的閘極絕緣膜；閘極電極，與該閘極絕緣膜上接觸；以及絕緣膜，與該閘極電極上接觸；該閘極電極包含第二氧化物半導體膜；在形成該第二氧化物半導體膜的步驟中，氧氣占了沉積氣體整體的比例為80%以上且低於100%；形成該絕緣膜之後，以180℃以上且350℃以下的溫度進行熱處理。
一種半導體裝置的製造方法，該半導體裝置包含：第一閘極電極；該第一閘極電極上的第一閘極絕緣膜；該第一閘極絕緣膜上的第一氧化物半導體膜，該第一氧化物半導體膜作為通道區域；該第一氧化物半導體膜上的第二閘極絕緣膜；第二閘極電極，與該第二閘極絕緣膜上接觸；以及絕緣膜，與該第二閘極電極上接觸；該第二閘極電極包含第二氧化物半導體膜；在形成該第二氧化物半導體膜的步驟中，氧氣占了沉積氣體整體的比例為80%以上且低於100%；形成該絕緣膜之後，以180℃以上且350℃以下的溫度進行熱處理。
如請求項1至4任一項之半導體裝置的製造方法，其中，該第一氧化物半導體膜包含In、Ga、Zn；該第二氧化物半導體膜包含In、Ga、Zn。
一種基於實體關聯的顯示方法，應用於一顯示系統的一伺服端，該顯示方法包括：<br/> 提供一關聯介面，該關聯介面顯示一群組裝置池及一投影機池；<br/> 接收一第一控制命令以選擇該群組裝置池的一協作端，使該關聯介面顯示該協作端的一預覽視窗，該預覽視窗對應於該協作端的一顯示器的一視窗實體，該協作端為被添加到該群組裝置池的至少一電子裝置中的一者；<br/> 接收一第二控制命令以選擇該投影機池的一投影機；<br/> 將該協作端的該視窗實體關聯於該投影機的一投影機實體，該關聯介面於該投影機池的該投影機周圍顯示一關聯資訊，該關聯資訊包括該協作端的一主機識別碼及該視窗實體的一視窗名稱；以及<br/> 根據該視窗實體及該投影機實體的資料，控制該顯示器預備顯示至少一投影片。
如請求項1所述的顯示方法，其更包括進行一註冊作業，包括：<br/> 接收一電子裝置發送的一註冊請求；<br/> 接受該註冊請求後，設定該電子裝置的一裝置實體，使該電子裝置成為一待用電子裝置，其中該裝置實體包括一裝置實體辨識碼以及至少一屬性；以及<br/> 加入該待用電子裝置於該關聯介面的一待用裝置池中。
如請求項2所述的顯示方法，其中該裝置實體的該至少一屬性包括一群組辨識碼、一機器辨識碼、一裝置名稱、一裝置暱稱、一通訊介面及一視窗佈置中的至少一者。
如請求項2所述的顯示方法，其中在進行該註冊作業之後，該顯示方法更包括進行一建立視窗作業，包括：<br/> 設定該待用電子裝置的一顯示器的一視窗實體，其中該待用電子裝置的該顯示器的該視窗實體包括一視窗實體辨識碼以及至少一屬性；以及<br/> 將該裝置實體辨識碼關聯於該待用電子裝置的該顯示器的該視窗實體的該至少一屬性的一伺服端辨識碼。
如請求項4所述的顯示方法，其中該視窗實體的該至少一屬性包括該伺服端辨識碼、一投影機辨識碼、一視窗序號及一視窗名稱中的至少一者。
如請求項1所述的顯示方法，其更包括進行一建立群組作業，包括：<br/> 接收一第一鍵入命令以設定一工作群組名稱；<br/> 設定一工作群組的一工作群組實體，其中該工作群組實體包括一工作群組實體辨識碼以及至少一屬性；以及<br/> 加入該工作群組名稱於該關聯介面的一工作群組選單中。
如請求項6所述的顯示方法，其中該工作群組實體的該至少一屬性包括一節目辨識碼、一群組名稱、一伺服端名稱及一位置中的至少一者。
如請求項6所述的顯示方法，其中在該建立群組作業之後，該顯示方法更包括進行一群組關聯作業，包括：<br/> 接收一第三控制命令以選擇該工作群組選單的該工作群組實體；<br/> 接收一第四控制命令以選擇一待用電子裝置並取得該待用電子裝置的一裝置實體辨識碼；<br/> 若該裝置實體辨識碼無關聯到任何工作群組實體，取得該工作群組實體辨識碼；<br/> 將該工作群組實體辨識碼關聯於該待用電子裝置的一裝置實體的零或多個屬性；以及<br/> 加入該待用電子裝置到該關聯介面的該群組裝置池中，使該待用電子裝置成為該協作端。
如請求項8所述的顯示方法，其中該群組關聯作業包括：<br/> 通過一添加控件接收該第四控制命令以取得該待用電子裝置的該裝置實體辨識碼；或者<br/> 接收對應於一拖曳操作的該第四控制命令以取得該待用電子裝置的該裝置實體辨識碼。
如請求項8所述的顯示方法，其中該群組關聯作業包括接收一第五控制命令以將該協作端由該群組裝置池中移除，包括：<br/> 通過一移除控件接收該第五控制命令以將該協作端由該群組裝置池中移除，使該協作端成為該待用電子裝置；或者<br/> 接收對應於一拖曳操作的該第五控制命令以將該協作端由該群組裝置池中移除，使該協作端成為該待用電子裝置。
如請求項8所述的顯示方法，其中該群組關聯作業包括：<br/> 若該裝置實體辨識碼有關聯到一工作群組實體，取消該群組關聯作業。
如請求項8所述的顯示方法，在該群組關聯作業之後，該顯示方法更包括進行一佈置編輯作業，包括：<br/> 接收至少一控制命令以選擇該群組裝置池中至少一協作端的至少一裝置實體；<br/> 讀取該至少一裝置實體的至少一裝置實體辨識碼；<br/> 讀取關聯於該至少一裝置實體辨識碼的至少一視窗實體的至少一視窗實體辨識碼及至少一屬性；<br/> 接收數個控制命令來調整該至少一視窗實體的該至少一屬性；以及<br/> 將調整後的該至少一視窗實體的該至少一屬性的資料寫入該至少一裝置實體的至少一視窗佈置屬性。
如請求項1所述的顯示方法，其更包括進行一建立節目作業，包括：<br/> 接收一第二鍵入命令以設定一節目名稱；<br/> 設定該節目名稱的一節目實體，其中該節目實體包括一節目實體辨識碼以及至少一屬性；以及<br/> 加入該節目名稱於該關聯介面的一節目選單中。
如請求項13所述的顯示方法，其中該節目實體的該至少一屬性包括該節目名稱、一封面辨識碼、一預設解析度及一節目註解中的至少一者。
如請求項13所述的顯示方法，其中在該建立節目作業之後，該顯示方法更包括進行一建立投影機作業，包括：<br/> 接收一第六控制命令以選擇該節目選單中的該節目實體；<br/> 接收一第三鍵入命令以設定一投影機名稱；<br/> 設定該投影機名稱的一投影機實體，其中該投影機實體包括一投影機實體辨識碼以及至少一屬性； <br/> 將該節目實體的該節目實體辨識碼關聯於該投影機實體的零個屬性或該至少一屬性；以及<br/> 加入該投影機名稱到該關聯介面的該投影機池中。
如請求項13所述的顯示方法，其中該投影機實體的該至少一屬性包括一節目辨識碼、一投影機序號、一投影機名稱及一投影機註解中的至少一者。
如請求項15所述的顯示方法，其中在該建立投影機作業之後，該顯示方法更包括進行一建立投影片作業，包括：<br/> 接收一第七控制命令以選擇該節目選單中的該節目實體；<br/> 接收一第四鍵入命令以設定一投影片名稱；<br/> 設定該投影片名稱的一投影片實體，其中該投影片實體包括一投影片實體辨識碼以及至少一屬性；以及<br/> 將該節目實體的節目實體辨識碼關聯於該投影片實體的零個屬性或該至少一屬性。
如請求項17所述的顯示方法，其中該投影片實體的該至少一屬性包括一節目辨識碼、一投影片序號、該投影片名稱、一投影片解析度、一畫布、一互動元件及一投影片註解中的至少一者；其中該互動元件被配置以接收一觸發命令來執行一動作。
一種電子裝置，包括一處理器及一記憶體，該記憶體經配置以儲存指令，該處理器經配置以執行該指令，且如請求項1至18任一項所述的顯示方法被編譯為該指令。
一種顯示系統，包括一伺服端及至少零個協作端，其中如請求項19所述的一個電子裝置被配置為該伺服端；當該顯示系統包括零個協作端時，如請求項19所述的一個電子裝置被配置為該伺服端及一個協作端；當該顯示系統包括多個協作端時，該多個協作端中的一個協作端被配置為被添加到一群組裝置池的至少一電子裝置中的一者。
一種發光層用主體材料，其包括： <br/> 第一有機化合物與第二有機化合物， <br/> 其中該第一有機化合物具有在室溫下呈現熱活化延遲螢光的功能， <br/> 其中該第一有機化合物與該第二有機化合物為形成激態錯合物的組合， <br/> 其中該第一有機化合物具有嘧啶骨架、吡嗪骨架、嗒嗪骨架及三嗪骨架中的至少一者，及 <br/> 其中該第二有機化合物具有吖啶骨架、吩噁嗪骨架、啡噻嗪骨架、呋喃骨架、噻吩骨架、吡咯骨架及芳香胺骨架中的至少一者。
一種發光層用主體材料，其包括： <br/> 第一有機化合物與第二有機化合物， <br/> 其中該第一有機化合物具有在室溫下呈現熱活化延遲螢光的功能， <br/> 其中該第一有機化合物的最低單重激發能階與最低三重激發能階的差異大於0 eV且為0.2 eV以下， <br/> 其中該第一有機化合物與該第二有機化合物為形成激態錯合物的組合， <br/> 其中該第一有機化合物具有嘧啶骨架、吡嗪骨架、嗒嗪骨架及三嗪骨架中的至少一者，及 <br/> 其中該第二有機化合物具有吖啶骨架、吩噁嗪骨架、啡噻嗪骨架、呋喃骨架、噻吩骨架、吡咯骨架及芳香胺骨架中的至少一者。
一種發光層用主體材料，其包括： <br/> 第一有機化合物與第二有機化合物， <br/> 其中該第一有機化合物具有在室溫下呈現熱活化延遲螢光的功能， <br/> 其中該第一有機化合物為可藉由反系間竄越由最低三重激發態產生最低單重激發態的材料， <br/> 其中該第一有機化合物與該第二有機化合物為形成激態錯合物的組合， <br/> 其中該第一有機化合物具有嘧啶骨架、吡嗪骨架、嗒嗪骨架及三嗪骨架中的至少一者，及 <br/> 其中該第二有機化合物具有吖啶骨架、吩噁嗪骨架、啡噻嗪骨架、呋喃骨架、噻吩骨架、吡咯骨架及芳香胺骨架中的至少一者。
如請求項1至3中任一項之發光層用主體材料， <br/> 其中該第一有機化合物另外具有吖啶骨架、吩噁嗪骨架、啡噻嗪骨架、呋喃骨架、噻吩骨架、吡咯骨架及芳香胺骨架中的至少一者。
根據請求項1至3中任一項之發光層用主體材料，其中該發光層用主體材料用於螢光發光層。
根據請求項1至3中任一項之發光層用主體材料，其中該發光層用主體材料用於磷光發光層。
一種發光元件，其包括：一對電極、以及在該一對電極之間的發光層， <br/> 其中該發光層具有主體材料與銥錯合物， <br/> 其中該主體材料具有第一有機化合物與第二有機化合物， <br/> 其中該第一有機化合物具有在室溫下呈現熱活化延遲螢光的功能， <br/> 其中該第一有機化合物與該第二有機化合物為形成激態錯合物的組合， <br/> 其中該第一有機化合物具有嘧啶骨架、吡嗪骨架、嗒嗪骨架及三嗪骨架中的至少一者，及 <br/> 其中該第二有機化合物具有吖啶骨架、吩噁嗪骨架、啡噻嗪骨架、呋喃骨架、噻吩骨架、吡咯骨架及芳香胺骨架中的至少一者。
一種發光元件，其包括：一對電極、以及在該一對電極之間的發光層， <br/> 其中該發光層具有主體材料與銥錯合物， <br/> 其中該主體材料具有第一有機化合物與第二有機化合物， <br/> 其中該第一有機化合物具有在室溫下呈現熱活化延遲螢光的功能， <br/> 其中該第一有機化合物的最低單重激發能階與最低三重激發能階的差異大於0 eV且為0.2 eV以下， <br/> 其中該第一有機化合物與該第二有機化合物為形成激態錯合物的組合， <br/> 其中該第一有機化合物具有嘧啶骨架、吡嗪骨架、嗒嗪骨架及三嗪骨架中的至少一者，及 <br/> 其中該第二有機化合物具有吖啶骨架、吩噁嗪骨架、啡噻嗪骨架、呋喃骨架、噻吩骨架、吡咯骨架及芳香胺骨架中的至少一者。
一種發光元件，其包括：一對電極、以及在該一對電極之間的發光層， <br/> 其中該發光層具有主體材料與銥錯合物， <br/> 其中該主體材料具有第一有機化合物與第二有機化合物， <br/> 其中該第一有機化合物具有在室溫下呈現熱活化延遲螢光的功能， <br/> 其中該第一有機化合物為可藉由反系間竄越由最低三重激發態產生最低單重激發態的材料， <br/> 其中該第一有機化合物與該第二有機化合物為形成激態錯合物的組合， <br/> 其中該第一有機化合物具有嘧啶骨架、吡嗪骨架、嗒嗪骨架及三嗪骨架中的至少一者，及 <br/> 其中該第二有機化合物具有吖啶骨架、吩噁嗪骨架、啡噻嗪骨架、呋喃骨架、噻吩骨架、吡咯骨架及芳香胺骨架中的至少一者。
如請求項7至9中任一項之發光元件， <br/> 其中該第一有機化合物另外具有吖啶骨架、吩噁嗪骨架、啡噻嗪骨架、呋喃骨架、噻吩骨架、吡咯骨架及芳香胺骨架中的至少一者。
一種發光裝置，其包括： <br/> 根據請求項7至9中任一項之發光元件。
一種電子裝置，其包括： <br/> 根據請求項7至9中任一項之發光元件。
一種米麴發酵產物用於製備抑制皮膚有害菌之組合物之用途，其中： <br/> 該皮膚有害菌係為痤瘡丙酸桿菌（<i>Propionibacterium acnes</i>）或抑制皮屑芽孢菌（<i>Malassezia globosa</i>）；<br/> 該米麴發酵產物之總酚含量大於1900 mg GAE/L、乳酸含量大於16000 mg/L且pH值為3.5-3.8，而該米麴發酵產物係以一米麴培養基接種一植物乳酸桿菌植物亞種TTL 8-16於37℃下進行發酵培養所得者，其中，該米麴培養基包含有一米麴水萃物，及一酵母抽出物或一酵母粉，其pH值為6.1-6.8、糖度為9±1°Brix及總氮含量為0.3-0.4％；該植物乳酸桿菌植物 亞種TTL 8-16之寄存編號為BCRC 910871。
一種米麴發酵產物用於製備抗脫屑組合物之用途，其中：<br/> 該抗脫屑組合物係用於抑制皮屑芽孢菌；<br/> 該米麴發酵產物之總酚含量大於1900 mg GAE/L、乳酸含量大於16000 mg/L且pH值為3.5-3.8，而該米麴發酵產物係以一米麴培養基接種一植物乳酸桿菌植物亞種TTL 8-16於37℃下進行發酵培養所得者，其中，該米麴培養基包含有包含有一米麴水萃物，及一酵母抽出物或一酵母粉，其pH值為6.1-6.8、糖度為9±1°Brix及總氮含量為0.3-0.4％；該植物乳酸桿菌植物 亞種TTL 8-16之寄存編號為BCRC 910871。
一種米麴發酵產物用於製備抗氧化、美白、抑敏或抗老化之保養品之用途，其中：<br/> 該米麴發酵產物之總酚含量大於1900 mg GAE/L、乳酸含量大於16000 mg/L且pH值為3.5-3.8，而該米麴發酵產物係以一米麴培養基接種一植物乳酸桿菌植物亞種TTL 8-16於37℃下進行發酵培養所得者，其中，該米麴培養基包含有包含有一米麴水萃物，及一酵母抽出物或一酵母粉，其pH值為6.1-6.8、糖度為9±1°Brix及總氮含量為0.3-0.4％；該植物乳酸桿菌植物 亞種TTL 8-16之寄存編號為BCRC 910871。
如請求項1、2或3所述用途，其中，該米麴培養基係含有一米麴水萃物。
如請求項4所述用途，其中，該米麴水萃物之pH值為5.5-5.7、糖度為22-25°Brix、總氮含量為0.08％-0.2％。
一種矽單晶的製造方法，是使用矽單晶製造裝置，一邊對矽熔融液施加水平磁場一邊提拉矽單晶之矽單晶的製造方法，其特徵在於： <br/>前述矽單晶製造裝置具備： <br/>坩堝，容納前述矽熔融液；以及 <br/>圓筒狀的加熱器，圍繞前述坩堝， <br/>其中前述加熱器具備具有彼此相同的發熱特性之半圓筒狀的第一發熱部和第二發熱部，在前述第一發熱部和前述第二發熱部以彼此相異的發熱量發熱時，被配置為使得分別位於相對於包含前述坩堝的中心軸和前述水平磁場的中心磁力線之垂直假想平面的兩側之前述坩堝的第一部分和第二部分的加熱量彼此相異；以及 <br/>前述矽單晶的製造方法具備： <br/>第一加熱製造步驟，在前述第一發熱部和前述第二發熱部以相同的發熱量發熱的同時進行；以及 <br/>第二加熱製造步驟，在前述第一發熱部和前述第二發熱部以彼此相異的發熱量發熱的同時進行。
如請求項1記載之矽單晶的製造方法，其中前述矽單晶製造裝置具備： <br/>第一電源和第二電源； <br/>第一電力供給路徑，向前述第一發熱部供給前述第一電源的電力；以及 <br/>第二電力供給路徑，向前述第二發熱部供給前述第二電源的電力， <br/>其中在控制前述第一電源和前述第二電源的同時進行前述第一加熱製造步驟，使得前述第一發熱部和前述第二發熱部以相同的發熱量發熱， <br/>在控制前述第一電源和前述第二電源的同時進行前述第二加熱製造步驟，使得前述第一發熱部和前述第二發熱部以彼此相異的發熱量發熱。
如請求項2記載之矽單晶的製造方法，其中前述矽單晶製造裝置具備： <br/>旁路供給路徑，連接前述第一電力供給路徑和前述第二電力供給路徑；以及 <br/>整流部，設置於前述旁路供給路徑中，僅在從前述第一電力供給路徑向前述第二電力供給路徑的方向供給電力， <br/>其中在控制前述第一電源和前述第二電源的同時進行前述第一加熱製造步驟，使得從前述第一電源供給電力且不從前述第二電源供給電力， <br/>在控制前述第一電源和前述第二電源的同時進行前述第二加熱製造步驟，使得從前述第一電源和前述第二電源供給電力。
如請求項1記載之矽單晶的製造方法，具備： <br/>矽熔融液生成步驟，熔融前述坩堝內的矽原料以生成前述矽熔融液； <br/>磁場施加步驟，開始對前述矽熔融液施加前述水平磁場； <br/>對流方向確認步驟，確認垂直於前述中心磁力線的假想平面中的前述矽熔融液的對流方向固定為一方向； <br/>第一成長步驟，藉由提拉接觸前述矽熔融液的晶種來成長頸部和肩部；以及 <br/>第二成長步驟，藉由提拉前述晶種來成長直體部和尾部， <br/>其中進行前述矽熔融液生成步驟和前述第二成長步驟作為前述第一加熱製造步驟， <br/>進行前述磁場施加步驟、前述對流方向確認步驟和前述第一成長步驟作為前述第二加熱製造步驟。
如請求項1記載之矽單晶的製造方法，具備： <br/>矽熔融液生成步驟，熔融前述坩堝內的矽原料以生成前述矽熔融液； <br/>磁場施加步驟，開始對前述矽熔融液施加前述水平磁場； <br/>對流方向確認步驟，確認垂直於前述中心磁力線的假想平面中的前述矽熔融液的對流方向固定為一方向； <br/>第一成長步驟，藉由提拉接觸前述矽熔融液的晶種來成長頸部和肩部； <br/>反轉判定步驟；以及 <br/>第二成長步驟，藉由提拉前述晶種來成長直體部和尾部， <br/>其中進行前述矽熔融液生成步驟作為前述第一加熱製造步驟， <br/>進行前述磁場施加步驟、前述對流方向確認步驟和前述第一成長步驟作為前述第二加熱製造步驟， <br/>在前述反轉判定步驟中，在進行基於前述矽單晶的提拉條件之前述第二成長步驟作為前述第一加熱製造步驟時，當判定前述對流方向存在反轉的可能性時，進行前述第二成長步驟作為前述第二加熱製造步驟，當判定前述對流方向不存在反轉的可能性時，進行前述第二成長步驟作為前述第一加熱製造步驟。
如請求項1至請求項5中任一項記載之矽單晶的製造方法，其中前述第一發熱部和前述第二發熱部被配置為在平面圖中，最高溫度區域與垂直於前述垂直假想平面且包含前述坩堝的中心軸之水平假想線重疊。
一種矽單晶製造裝置，是一邊對矽熔融液施加水平磁場一邊提拉矽單晶的矽單晶製造裝置，具備： <br/>坩堝，容納前述矽熔融液； <br/>圓筒狀的加熱器，圍繞前述坩堝；以及 <br/>電力供給部，向前述加熱器供給電力， <br/>其中前述加熱器具備具有彼此相同的發熱特性之半圓筒狀的第一發熱部和第二發熱部， <br/>前述電力供給部具備： <br/>第一電源和第二電源； <br/>第一電力供給路徑，向前述第一發熱部供給前述第一電源的電力；以及 <br/>第二電力供給路徑，向前述第二發熱部供給前述第二電源的電力， <br/>其中在藉由控制前述第一電源和前述第二電源使前述第一發熱部和前述第二發熱部以彼此相異的發熱量發熱時，前述加熱器被配置為使得分別位於相對於包含前述坩堝的中心軸和前述水平磁場的中心磁力線之垂直假想平面的兩側之前述坩堝的第一部分和第二部分的加熱量彼此相異。
如請求項7記載之矽單晶製造裝置，其中前述電力供給部具備： <br/>旁路供給路徑，連接前述第一電力供給路徑和前述第二電力供給路徑；以及 <br/>整流部，設置於前述旁路供給路徑中，僅在從前述第一電力供給路徑向前述第二電力供給路徑的方向供給電力。
如請求項7記載之矽單晶製造裝置，具備： <br/>控制部，控制提拉前述矽單晶的製造步驟， <br/>其中前述製造步驟具備： <br/>第一加熱製造步驟，在控制前述第一電源和前述第二電源的同時進行，使得前述第一發熱部和前述第二發熱部以相同的發熱量發熱；以及 <br/>第二加熱製造步驟，在控制前述第一電源和前述第二電源的同時進行，使得前述第一發熱部和前述第二發熱部以彼此相異的發熱量發熱。
如請求項8記載之矽單晶製造裝置，具備： <br/>控制部，控制提拉前述矽單晶的製造步驟， <br/>其中前述製造步驟具備： <br/>第一加熱製造步驟，在控制前述第一電源和前述第二電源的同時進行，使得從前述第一電源供給電力且不從前述第二電源供給電力；以及 <br/>第二加熱製造步驟，在控制前述第一電源和前述第二電源的同時進行，使得從前述第一電源和前述第二電源供給電力。
如請求項9或請求項10記載之矽單晶製造裝置，其中前述製造步驟具備： <br/>矽熔融液生成步驟，熔融前述坩堝內的矽原料以生成前述矽熔融液； <br/>磁場施加步驟，開始對前述矽熔融液施加前述水平磁場； <br/>對流方向確認步驟，確認垂直於前述水平磁場的中心磁力線之假想平面中的前述矽熔融液的對流方向固定為一方向； <br/>第一成長步驟，藉由提拉接觸前述矽熔融液的晶種來成長頸部和肩部；以及 <br/>第二成長步驟，藉由提拉前述晶種來成長直體部和尾部， <br/>前述控制部進行前述矽熔融液生成步驟和前述第二成長步驟作為前述第一加熱製造步驟，並且 <br/>進行前述磁場施加步驟、前述對流方向確認步驟和前述第一成長步驟作為前述第二加熱製造步驟。
如請求項9或請求項10記載之矽單晶製造裝置，其中前述製造步驟具備： <br/>矽熔融液生成步驟，熔融前述坩堝內的矽原料以生成前述矽熔融液； <br/>磁場施加步驟，開始對前述矽熔融液施加前述水平磁場； <br/>對流方向確認步驟，確認垂直於前述水平磁場的中心磁力線之假想平面中的前述矽熔融液的對流方向固定為一方向； <br/>第一成長步驟，藉由提拉接觸前述矽熔融液的晶種來成長頸部和肩部； <br/>反轉判定步驟；以及 <br/>第二成長步驟，藉由提拉前述晶種來成長直體部和尾部， <br/>前述控制部進行前述矽熔融液生成步驟作為前述第一加熱製造步驟， <br/>進行前述磁場施加步驟、前述對流方向確認步驟和前述第一成長步驟作為前述第二加熱製造步驟，並且 <br/>在前述反轉判定步驟中，在進行基於前述矽單晶的提拉條件之前述第二成長步驟作為前述第一加熱製造步驟時，當判定前述對流方向存在反轉的可能性時，進行前述第二成長步驟作為前述第二加熱製造步驟，當判定前述對流方向不存在反轉的可能性時，進行前述第二成長步驟作為前述第一加熱製造步驟。
如請求項7至請求項10中任一項記載之矽單晶製造裝置，其中前述第一發熱部和前述第二發熱部被配置為在平面圖中，最高溫度區域與垂直於包含前述坩堝的中心軸和前述水平磁場的中心磁力線之垂直假想平面且包含前述坩堝的中心軸之水平假想線重疊。
一種板對板介面接觸件，包括：<br/>一接觸件基體，所述接觸件基體包括一周圈座體以及一穿孔；<br/>一彈性的且導電的蓋體，所述彈性的且導電的蓋體的底表面位於所述接觸件基體的周圈座體上；以及<br/>一導電插針，延伸穿過所述接觸件基體中的穿孔。
根據請求項1所述的板對板介面接觸件，其中，<br/>所述接觸件基體還包括一安裝腳部；以及<br/>所述周圈座體的外表面和所述安裝腳部被鍍覆且是導電的。
根據請求項2所述的板對板介面接觸件，其中，<br/>所述彈性的且導電的蓋體包括一導電泡沫材料；以及<br/>所述板對板介面接觸件包括在所述彈性的且導電的蓋體、所述周圈座體以及所述安裝腳部之間的一導電路徑。
根據請求項3所述的板對板介面接觸件，其中，<br/>所述板對板介面接觸件包括穿過所述導電插針的一第二導電路徑；以及<br/>所述彈性的且導電的蓋體、所述周圈座體以及所述安裝腳部之間的所述導電路徑與穿過所述導電插針的所述第二導電路徑電隔離。
根據請求項1所述的板對板介面接觸件，其中，<br/>所述接觸件基體還包括具有一外圓柱形表面的一主體底座；以及<br/>所述穿孔延伸穿過所述主體底座。
根據請求項5所述的板對板介面接觸件，其中，<br/>所述彈性的且導電的蓋體包括一底表面、一中心開口以及在所述中心開口內的一內圓柱形表面；<br/>所述彈性的且導電的蓋體的底表面接觸所述周圈座體的一上座體表面；以及<br/>所述彈性的且導電的蓋體的內圓柱形表面接觸所述主體底座的外圓柱形表面。
根據請求項1所述的板對板介面接觸件，其中，<br/>所述導電插針包括一可壓縮的柱塞插針。
一種板對板介面接觸件，包括：<br/>一接觸件基殼體，所述接觸件基殼體包括一殼體坐落凸緣；<br/>一彈性的且導電的蓋體，位於所述接觸件基殼體的殼體坐落凸緣上；<br/>一絕緣中介體，位於所述接觸件基殼體內；以及<br/>一導電插針，延伸穿過所述絕緣中介體中的一穿孔。
根據請求項8所述的板對板介面接觸件，其中，<br/>所述彈性的且導電的蓋體包括一導電泡沫材料；以及<br/>所述板對板介面接觸件包括在所述彈性的且導電的蓋體與所述接觸件基殼體之間的一導電路徑。
根據請求項9所述的板對板介面接觸件，其中，<br/>所述板對板介面接觸件包括穿過所述導電插針的一第二導電路徑；以及<br/>所述彈性的且導電的蓋體與所述接觸件基殼體之間的所述導電路徑與穿過所述導電插針的所述第二導電路徑電隔離。
根據請求項8所述的板對板介面接觸件，其中，<br/>所述彈性的且導電的蓋體包括一底表面、一中心開口以及在所述中心開口內的一內圓柱形表面；<br/>所述彈性的且導電的蓋體的底表面接觸所述接觸件基殼體的殼體坐落凸緣的一上表面；以及<br/>所述彈性的且導電的蓋體的內圓柱形表面接觸所述接觸件基殼體的一外圓柱形表面。
根據請求項8所述的板對板介面接觸件，其中，<br/>所述絕緣中介體包括延伸超出所述絕緣中介體的一外圓柱形表面的一互鎖伸出部；<br/>所述接觸件基殼體還包括一互鎖穿孔；以及<br/>所述絕緣中介體的互鎖伸出部位於所述接觸件基殼體的互鎖穿孔內，以維持所述絕緣中介體在所述接觸件基殼體內的一位置。
根據請求項8所述的板對板介面接觸件，其中，<br/>所述導電插針包括一可壓縮的柱塞插針。
一種板對板介面接觸件，包括：<br/>一接觸件基殼體，所述接觸件基殼體包括一彈簧坐落凸緣；<br/>一彈簧，位於所述接觸件基殼體的彈簧坐落凸緣上；<br/>一接觸件屏蔽體，部分在所述彈簧和所述接觸件基殼體之間延伸；<br/>一絕緣中介體，位於所述接觸件基殼體內；以及<br/>一導電插針，延伸穿過所述絕緣中介體中的一穿孔。
根據請求項14所述的板對板介面接觸件，其中，<br/>所述接觸件屏蔽體包括一上圈、一下桶以及在所述下桶內延伸的一中心開口。
根據請求項15所述的板對板介面接觸件，其中，<br/>所述彈簧提供所述接觸件基殼體的彈簧坐落凸緣與所述接觸件屏蔽體的上圈之間的一彈簧偏壓。
根據請求項14所述的板對板介面接觸件，其中，<br/>所述絕緣中介體包括延伸超出所述絕緣中介體的一外圓柱形表面的一互鎖伸出部；<br/>所述接觸件基殼體還包括一互鎖穿孔；以及<br/>所述絕緣中介體的互鎖伸出部位於所述接觸件基殼體的互鎖穿孔內，以維持所述絕緣中介體在所述接觸件基殼體內的一位置。
根據請求項14所述的板對板介面接觸件，其中，<br/>所述導電插針包括一可壓縮的柱塞插針。
一種板對板介面接觸件，包括：<br/>一屏蔽主體殼體；<br/>一絕緣中介體，位於所述屏蔽主體殼體內；<br/>一波形彈簧，位於所述絕緣中介體上；<br/>一屏蔽蓋體，位於所述屏蔽主體殼體和所述波形彈簧上；以及<br/>一導電插針，延伸穿過所述絕緣中介體中的一穿孔。
根據請求項19所述的板對板介面接觸件，其中，<br/>所述絕緣中介體包括延伸超出所述絕緣中介體的一外圓柱形表面的一互鎖伸出部；<br/>所述屏蔽主體殼體還包括一互鎖穿孔；以及<br/>所述絕緣中介體的互鎖伸出部位於所述屏蔽主體殼體的互鎖穿孔內，以維持所述絕緣中介體在所述屏蔽主體殼體內的一位置。
根據請求項19所述的板對板介面接觸件，其中，<br/>所述屏蔽蓋體還包括一互鎖臂；<br/>所述屏蔽主體殼體還包括一延伸通道；以及<br/>所述屏蔽蓋體的互鎖臂位於所述屏蔽主體殼體的延伸通道內。
一種上傳圖像之方法，其係藉由電子裝置而進行者，其包括如下步驟： <br/>藉由插件而確認與儲存於設計工具中之第1圖像之上傳相關之第1請求； <br/>對應於上述第1請求，產生與上述第1圖像相關之分支； <br/>產生基於設定之規則而確定之尺寸及名稱之修正之第1圖像； <br/>向與上述第1圖像相關之第1用戶傳輸如下之第2請求，即，是否核准將包括上述修正之第1圖像之上述分支合併至主分支；及 <br/>於自上述第1用戶接收到核准上述合併之應答時，將上述分支合併至上述主分支，並將上述修正之第1圖像上傳至第1伺服器； <br/>其中，上述設定之規則包括： <br/>第1規則，其基於操作系統之資訊及用以接收圖像之設備之解析度資訊而確定上述圖像之尺寸與圖像的檔案類型；及 <br/>第2規則，其基於與圖像相關之設定資訊而確定上述圖像之名稱。
如請求項1之上傳圖像之方法，其中上述插件包括： <br/>第1區域，其用以輸入與上述第1用戶相關之地址資訊；第2區域，其用以輸入與用以連接至上述地址資訊之權限相關之符記資訊；第3區域，其用以輸入儲存於上述設計工具中之上述第1圖像之版本資訊；及第4區域，其用以輸入儲存於上述設計工具中之上述第1圖像之修正資訊。
如請求項2之上傳圖像之方法，其中產生上述修正之第1圖像之步驟包括如下步驟： <br/>隨著產生上述分支，導入儲存於上述設計工具中之第1圖像； <br/>自導入之上述第1圖像而產生上述尺寸及上述名稱之上述修正之第1圖像；及 <br/>產生用以識別儲存於上述第1伺服器中之複數個圖像中之上述修正之第1圖像之第1資料。
如請求項3之上傳圖像之方法，其中上述第1資料包括如下資訊中之至少一者： <br/>上述尺寸之資訊、上述名稱之資訊、將上述修正之第1圖像儲存於上述第1伺服器中之路徑之資訊； <br/>上述第1資料為Json形式之資料。
如請求項3之上傳圖像之方法，其中將上述修正之第1圖像上傳至上述第1伺服器之步驟包括如下步驟： <br/>於自上述第1用戶接收到核准上述合併之應答時，將產生之上述第1資料上傳至第2伺服器。
如請求項1之上傳圖像之方法，其中於自上述第1用戶接收到拒絕上述合併之應答時，上述分支不合併至上述主分支，藉由上述插件而向輸入與上傳上述修正之第1圖像相關之上述第1請求之第2用戶傳輸已拒絕上述第1圖像之上傳。
如請求項2之上傳圖像之方法，其中向上述第1用戶傳輸是否核准上述合併之上述第2請求之步驟包括如下步驟： <br/>將是否核准上述合併之上述第2請求傳輸至藉由上述第1區域而輸入之上述地址資訊。
如請求項1之上傳圖像之方法，其中將上述修正之第1圖像上傳至上述第1伺服器之步驟包括如下步驟： <br/>將上述修正之第1圖像上傳至與上述尺寸及上述名稱各者對應之上述第1伺服器之地址。
如請求項5之上傳圖像之方法，其進而包括如下步驟： <br/>自使用設備之第2用戶接收第2圖像之第3請求； <br/>基於上述第2圖像及上述設備之規格資訊，識別上述第2伺服器所儲存之複數個資料中之第2資料； <br/>基於上述第2資料，確認上述第1伺服器所儲存之複數個圖像中之與上述第2資料對應之上述第2圖像；及 <br/>將上述第2圖像之資訊傳輸至上述設備。
一種電子裝置，其包括： <br/>收發器； <br/>一個以上之處理器；及 <br/>儲存器，其儲存藉由上述一個以上之處理器而執行之一個以上之命令； <br/>其中，上述一個以上之處理器執行上述一個以上之命令以實行如下動作： <br/>藉由插件而確認與儲存於設計工具中之第1圖像之上傳相關之第1請求； <br/>對應於上述第1請求，產生與上述第1圖像相關之分支； <br/>產生基於設定之規則而確定之尺寸及名稱之修正之第1圖像； <br/>向與上述第1圖像相關之第1用戶傳輸如下之第2請求，即，是否核准將包括上述修正之第1圖像之上述分支合併至主分支；及 <br/>於自上述第1用戶接收到核准上述合併之應答時，將上述分支合併至上述主分支，並將上述修正之第1圖像上傳至第1伺服器； <br/>其中，上述設定之規則包括： <br/>第1規則，其基於操作系統之資訊及用以接收圖像之設備之解析度資訊而確定上述圖像之尺寸與圖像的檔案類型；及 <br/>第2規則，其基於與圖像相關之設定資訊而確定上述圖像之名稱。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有用以於電腦中執行如請求項1至9中任一項之方法之程式。
一種混合訊號封裝，包含：<br/>至少兩個晶片；<br/>電中介層，堆疊於該至少兩個晶片下，用於傳導電訊號；<br/>光中介層，堆疊於該電中介層下或位於旁側，包含垂直穿孔，其中填充材質，用於傳導光訊號；<br/>訊號轉換元件，介於該光中介層與該電中介層間，用於將該電訊號轉換為該光訊號，透過該垂直穿孔傳輸。
如請求項1之混合訊號封裝，其中該光中介層包含矽材質。
如請求項1或2之混合訊號封裝，其中該訊號轉換元件包含雷射或二極體。
如請求項1或2之混合訊號封裝，其中該光中介層用於傳輸邏輯晶片與記憶體晶片間訊號，該邏輯晶片選自以下任意組合: CPU、GPU、FPGA、TPU、ASIC；該記憶體晶片包含高頻寬記憶體晶片。
如請求項1或2之混合訊號封裝，其中該填充材質包含矽、高分子或氧化氮。
如請求項1或2之混合訊號封裝，更包含一超透鏡，對應於該垂直穿孔。
一種混合訊號封裝，包含：<br/>邏輯晶片，該邏輯晶片選自以下任意組合: CPU、GPU、FPGA、TPU、ASIC；<br/>記憶體晶片，包含高頻寬記憶體晶片； 及<br/>光中介層堆疊於該邏輯晶片下，用於傳輸該邏輯晶片與該記憶體晶片間訊號，其中該光中介層包含垂直穿孔，其中填充材質；一光電訊號轉換元件，耦合該垂直穿孔，用於轉換光電訊號；其中該光電訊號轉換元件包含雷射或二極體。
如請求項7之混合訊號封裝，其中該填充材質包含矽、高分子或氧化氮。
如請求項7之混合訊號封裝，更包含：<br/>電中介層，位於該光中介層旁側或上，用於將電訊號傳遞到該光中介層。
如請求項9之混合訊號封裝，其中包含光電訊號轉換元件介於該電中介層與該光中介層間。
如請求項9之混合訊號封裝，其中該雷射包含面射型雷射元件耦合該垂直穿孔。
如請求項8或9或10或11之混合訊號封裝，更包含一超透鏡，對應於該垂直穿孔。
一種夾套加熱器，是安裝於被加熱體上而使用的夾套加熱器，具有：<br/> 內層，具備接觸於前述被加熱體之內表面、及位於前述內表面的相反側之外表面，且由樹脂製片材、樹脂纖維製布料或無機纖維製布料構成；<br/> 外層；<br/> 發熱層，被設置於前述內層與前述外層之間且具有作為熱源的電熱線；及，<br/> 溫度感測器，用以檢測溫度；<br/> 前述溫度感測器具備溫度檢測點；<br/> 前述溫度感測器之中的包含前述溫度檢測點之一部分的部位，露出於前述內層的前述內表面，並且沿著前述內表面延伸；<br/> 露出於前述內表面之全部的部位，被設置於在相對於前述被加熱體與前述內層的接觸面為垂直的方向上沒有與前述電熱線重疊的位置。
一種夾套加熱器，是安裝於被加熱體上而使用的夾套加熱器，具有：<br/> 內層，具備接觸於前述被加熱體之內表面、及位於前述內表面的相反側之外表面，且由樹脂製片材、樹脂纖維製布料或無機纖維製布料構成；<br/> 外層；<br/> 發熱層，被設置於前述內層與前述外層之間且具有作為熱源的電熱線；及，<br/> 溫度感測器，用以檢測溫度；<br/> 前述溫度感測器具備溫度檢測點；<br/> 前述溫度感測器之中的包含前述溫度檢測點之一部分的部位，位於前述內層與前述發熱層之間，並且沿著前述內層與前述發熱層之間延伸；<br/> 位於前述內層與前述發熱層之間之全部的部位，被設置於在相對於前述被加熱體與前述內層的接觸面為垂直的方向上沒有與前述電熱線重疊的位置。
如請求項1所述之夾套加熱器，其中，前述溫度感測器為熱電偶或溫控器。
一種夾套加熱器的製造方法，該夾套加熱器安裝於被加熱體上而使用且是積層體，該積層體包含接觸於前述被加熱體之內層、外層、及被設置於前述內層與前述外層之間且具有作為熱源的電熱線之發熱層； <br/> 前述內層，具備接觸於前述被加熱體之內表面、及位於前述內表面的相反側之外表面，且由樹脂製片材、樹脂纖維製布料或無機纖維製布料構成；<br/> 該製造方法具有形成前述積層體的步驟，該積層體固定有溫度感測器；<br/> 前述溫度感測器具備溫度檢測點；<br/> 前述溫度感測器之中的包含前述溫度檢測點之一部分的部位，露出於前述內層的前述內表面，並且沿著前述內表面延伸；<br/> 露出於前述內表面之全部的部位，被配置於在相對於前述被加熱體與前述內層的接觸面為垂直的方向上沒有與前述電熱線重疊的位置。
一種夾套加熱器的製造方法，該夾套加熱器安裝於被加熱體上而使用且是積層體，該積層體包含接觸於前述被加熱體之內層、外層、及被設置於前述內層與前述外層之間且具有作為熱源的電熱線之發熱層；<br/> 前述內層，具備接觸於前述被加熱體之內表面、及位於前述內表面的相反側之外表面，且由樹脂製片材、樹脂纖維製布料、或無機纖維製布料構成；<br/> 該製造方法具有形成前述積層體的步驟，該積層體固定有溫度感測器；<br/> 前述溫度感測器具備溫度檢測點；<br/> 前述溫度感測器之中的包含前述溫度檢測點之一部分的部位，位於前述內層與前述發熱層之間，並且沿著前述內層與前述發熱層之間延伸；<br/> 位於前述內層與前述發熱層之間之全部的部位，被配置於在相對於前述被加熱體與前述內層的接觸面為垂直的方向上沒有與前述電熱線重疊的位置。
一種加熱部，是覆蓋配管以對於前述配管內部加熱的加熱部，且具有：<br/> 接觸於前述配管之內層、外層、被設置於前述內層與前述外層之間且具有作為熱源的電熱線之發熱層、及用以檢測溫度的溫度感測器；<br/> 前述內層，具備接觸於前述配管之內表面、及位於前述內表面的相反側之外表面，且由樹脂製片材、樹脂纖維製布料或無機纖維製布料構成；<br/> 前述溫度感測器具備溫度檢測點；<br/> 前述溫度感測器之中的包含前述溫度檢測點之一部分的部位，露出於前述內層的前述內表面，並且沿著前述內表面延伸；<br/> 露出於前述內表面之全部的部位，被設置於在相對於前述配管與前述內層的接觸面為垂直的方向上沒有與前述電熱線重疊的位置。
一種加熱部，是覆蓋配管以對於前述配管內部加熱的加熱部，且具有：<br/> 接觸於前述配管之內層、外層、被設置於前述內層與前述外層之間且具有作為熱源的電熱線之發熱層、及用以檢測溫度的溫度感測器；<br/> 前述內層，具備接觸於前述配管之內表面、及位於前述內表面的相反側之外表面，且由樹脂製片材、樹脂纖維製布料或無機纖維製布料構成；<br/> 前述溫度感測器具備溫度檢測點；<br/> 前述溫度感測器之中的包含前述溫度檢測點之一部分的部位，位於前述內層與前述發熱層之間，並且沿著前述內層與前述發熱層之間延伸；<br/> 位於前述內層與前述發熱層之間之全部的部位，被設置於在相對於前述配管與前述內層的接觸面為垂直的方向上沒有與前述電熱線重疊的位置。
一種耐磨布料的製作方法，其步驟包含： <br/>將一熱塑性材料經過一加熱溫度加熱後拉伸並進行抽絲形成一熱塑性纖維，待該熱塑性纖維冷卻後將一輔助膠料及/或一輔助油包裹於該熱塑性纖維外側； <br/>將上述的該熱塑性纖維編織成一胚布； <br/>除去該胚布上的該輔助膠料及/或該輔助油；以及 <br/>增加一保護膜至該胚布的表面，形成一耐磨布料，且該耐磨布料之一結晶順向度大於70%， <br/>其中，該保護膜之材料包含一熱塑性聚氨酯（Thermoplastic polyurethane, TPU），該加熱溫度為160℃至170℃。
如請求項1所述之一種耐磨布料的製作方法，該熱塑性纖維包含一熱塑性聚氨酯（Thermoplastic polyurethane, TPU）、一尼龍纖維(Nylon)、一壓克力纖維(Acrylic)、一聚丙烯纖維（Polypropylene, PP）、一聚乙烯(Polyethylene, PE)以及一聚對苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene terephthalate, PET)。
如請求項1或2所述之一種耐磨布料的製作方法，該熱塑性聚氨酯包含一聚醚聚氨酯以及一聚酯聚氨酯。
如請求項1所述之一種耐磨布料的製作方法，該耐磨布料為單一材質；其中，該胚布以及該保護膜皆為該單一材質。
如請求項1所述之一種耐磨布料的製作方法，該熱塑性纖維經過該加熱溫度影響以及拉伸後，該熱塑性纖維中的一分子往同一方向進行排列。
如請求項1所述之一種耐磨布料的製作方法，該耐磨布料之一摩擦係數數值大於0.360μ。
如請求項1所述之一種耐磨布料的製作方法，該耐磨布料之一結晶性大於70%。
一種感光性元件，其係具備支撐膜、及含有感光性樹脂組成物之感光層；<br/> 該感光性樹脂組成物，係含有以下成分：<br/> （A）鹼可溶性高分子，<br/> （B）具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物，<br/> （C）聯咪唑光聚合起始劑；<br/> 該（A）成分，係含有作為單體成分之苯乙烯，且以該（A）成分中之所有單體成分之合計質量為基準，源自該苯乙烯之構成單元之比例係50質量%以上90質量%以下；<br/> 該（C）成分相對於該感光性樹脂組成物之所有固體成分質量含有5.0質量%以上10質量%以下；<br/> 該（C）成分，係含有2,4,5-三芳基咪唑的二聚物；<br/> 該感光層之膜厚25μm之波長365nm之吸光度（Y）係0.35以下；<br/> 佔該吸光度（Y）之該（C）成分之吸光度之貢獻度（X）係40%以上；<br/> 該貢獻度（X），係藉由下述式（1）所計算：<br/> X（%）= 100×εc/感光層之吸光度（Y） ･･･ （1）<br/> ε：（C）成分之每1質量%之吸光度變化值<br/> c：感光性樹脂組成物中之所有固體成分中之（C）成分之含有量（質量%）；且<br/> 該感光性樹脂組成物係選擇性地含有（D）成分：其他之光聚合起始劑、及/或增感劑；該（D）成分之含有量係0~0.1質量%，且該（D）成分係含有選自由二苯基酮化合物、及吡唑啉化合物所成群中之至少一者。
如請求項1所述之感光性元件，其中，該（C）成分相對於該感光性樹脂組成物之所有固體成分質量含有5.5質量%以上10質量%以下。
如請求項1或2所述之感光性元件，其中，該（C）成分相對於該感光性樹脂組成物之所有固體成分質量含有6.0質量%以上10質量%以下。
如請求項1或2所述之感光性元件，其中，該貢獻度（X）係55%以上。
如請求項1或2所述之感光性元件，其中，該貢獻度（X）係65%以上。
如請求項1或2所述之感光性元件，其中，該貢獻度（X）係85%以上。
如請求項1或2所述之感光性元件，其中，該吸光度（Y）係0.30以下。
如請求項1或2所述之感光性元件，其中，該吸光度（Y）係0.25以下。
如請求項1或2所述之感光性元件，其中，該（A）成分，係含有作為單體成分之苯乙烯，且<br/> 以該（A）成分中之所有單體成分之合計質量為基準，源自該苯乙烯之構成單元之比例係60質量%以上90質量%以下。
如請求項1或2所述之感光性元件，其中，該（B）成分，係含有由下述通式（II）所表示之化合物：<br/> 〔化1〕<br/><img align="absmiddle" height="373px" width="553px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> （式中，R<sub>2</sub>個別獨立地係氫原子或甲基；X<sub>2</sub>O及Y<sub>2</sub>O個別獨立地係氧伸乙基或氧伸丙基；m3、m4、n2、及n3個別獨立地係0~40之整數；m3+m4係1~40；且n2+n3係0~20）；<br/> 由該式（II）所表示之化合物之含有量，以（B）成分之總量為基準，係50質量%以上。
如請求項1或2所述之感光性元件，其中，該感光性樹脂組成物，係進一步含有：<br/> （E）聚合抑制劑。
如請求項1或2所述之感光性元件，其中，該支撐膜之365nm中之吸光度係0.1以下。
如請求項1或2所述之感光性元件，其中，進一步具備保護膜。
一種光阻圖案之形成方法，其係使用如請求項1或2所述之感光性元件；<br/> 該方法係包含以下步驟：<br/> 將感光性元件於基板積層之步驟；<br/> 將所積層之該感光性元件之感光層曝光之步驟；以及<br/> 將曝光後之該感光層顯影之步驟。
一種二次電池，為具備包含正極活性物質的正極，<br/>包含負極活性物質的負極，<br/>前述正極和前述負極之間的隔板，<br/>電解質的二次電池，其特徵係<br/>於前述正極的表面、前述負極的表面及前述隔板的至少1個含有鹼金屬氧化物，前述鹼金屬氧化物係以A<sub>x</sub>M<sub>y</sub>O<sub>z</sub>表示，A為選自Li、Na、K、Cs及Rb所成群至少1種，M為選自Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Al、Y、Fe、La、Si、P、S、Ti、Zr、V、Ta、W及Mo所成群的至少1種，M中之過渡金屬為可獲得的最大氧化數者，係y=1、0＜x≤4、2＜z≤4，前述正極活性物質及前述負極活性物質中與前述鹼金屬氧化物接觸的活性物質粒子的個數為全體的10%以下。
如請求項1記載之二次電池，其中，前述鹼金屬氧化物相對於前述正極活性物質的比表面積的比表面積之比為2以上。
如請求項1或2記載之二次電池，其中，至少前述負極的表面含有前述鹼金屬氧化物，前述負極的表面含有的前述鹼金屬氧化物係前述M為選自Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Al、Y、La、Si、P、S和Zr所成群的至少1種。
如請求項1或2記載之二次電池，其中，至少在前述隔板於與前述負極相對的面含有前述鹼金屬氧化物，與前述負極相對前述面所含的前述鹼金屬氧化物係前述M為選自Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Al、Y、La、Si、P、S和Zr所成群的至少1種。
如請求項1或2記載之二次電池，其中，前述鹼金屬氧化物係不含有電解質主成分以外的鹼金屬離子。
如請求項1或2記載之二次電池，其中，前述正極活性物質係含有以金屬鋰基準計顯示4.4V (vs.Li/Li<sup>+</sup>)以上的動作電位的鋰複合氧化物。
如請求項6記載之二次電池，其中，前述正極活性物質係含有以Li<sub>x</sub>Ni<sub>1-y-z</sub>Co<sub>y</sub>Mn<sub>z</sub>O<sub>2</sub>表示且為0＜x≤1、0＜y＜0.3、0＜z＜0.3及y+z＜0.3的鋰鎳鈷錳複合氧化物。
如請求項1或2記載之二次電池，其中，前述負極活性物質係含有選自二氧化鈦、具有尖晶石構造的鈦酸鋰、含有正交晶型鈦的複合氧化物及單斜晶型鈮鈦氧化物所成群的至少1種。
一種電池包，其特徵係具備如請求項1或2記載的二次電池。
如請求項9記載之電池包，其中，更包含通電用的外部端子、<br/>保護電路。
如請求項9記載之電池包，其中，具備複數前述二次電池，前述二次電池係串聯、並聯或組合串聯及並聯來電性連接。
一種車輛，其特徵係搭載如請求項9記載之電池包。
如請求項12記載之車輛，其中，包含將前述車輛的運動能量轉換為再生能量的機構。
一種定置用電源，其特徵係具備如請求項9記載之電池包。
一種複合液冷散熱器，包含有；一三維蒸氣腔元件，包含有：一上蓋，具有一開孔及一上表面；以及一下板，相對於該上蓋，具有一下板上表面，該下板上表面具有一相對於該開孔之凹陷開口以及一環型空腔，該凹陷開口具有一開口表面，當該上蓋耦合於該下板時，該環型空腔形成一密閉氣腔，以及該開孔與該凹陷開口相互貫通；以及一半開放殼體，耦合於該三維蒸氣腔元件之該下板而形成一熱交換腔體，該半開放殼體包含有一噴淋頭並具有一輸入口以及一輸出口，該輸入口用以輸入一冷卻液，該噴淋頭連接於該輸入口並且對應該開孔與該凹陷開口，用以將該冷卻液依序流經該開孔以及該凹陷開口而噴濺於該開口表面，而後流經該上蓋之該上表面及該熱交換腔體並經由該輸出口以輸出該冷卻液；其中，該半開放殼體另具有一頂板，該輸入口設置於該頂板，該噴淋頭設置於該頂板並位於該熱交換腔體之中。
如申請專利範圍第1項所述之複合液冷散熱器，其中該三維蒸氣腔元件另包含有複數個微流道，該等微流道設置於該上蓋上表面，以及該等微流道分別與該凹陷開口相互貫通並位於該熱交換腔體之中。
如申請專利範圍第2項所述之複合液冷散熱器，其中該等微流道之流道寬度小於等於1mm。
如申請專利範圍第2項所述之複合液冷散熱器，其中該噴淋頭用以將該冷卻液先經由該開孔以及該凹陷開口而噴濺於該開口表面，而後流經該上蓋之該上表面之該等微流道及該熱交換腔體，並經由該輸出口以輸出該冷卻液。
如申請專利範圍第1項所述之複合液冷散熱器，其中該下板另具有一下板下表面，用以接觸一熱源，以及該開口表面上設有複數個散熱結構，該開口表面則位於該熱源之一熱點處。
如申請專利範圍第1項所述之複合液冷散熱器，其中該半開放殼體另具有一側板，以及該輸出口設置於該頂板或該側板。
如申請專利範圍第1項所述之複合液冷散熱器，其中該噴淋頭具有一噴淋口，該噴淋口位於該凹陷開口之中，用以將該冷卻液就近噴濺位於該凹陷開口中之該開口表面。
如申請專利範圍第1項所述之複合液冷散熱器，其中該半開放殼體另具有側板，該頂板中設有一頂板流道並具有一頂板側端，該輸入口設於該頂板側端，該頂板流道用以連接該輸入口以及該噴淋頭，以及該輸出口設置於該側板。
如申請專利範圍第1項所述之複合液冷散熱器，其中該三維蒸氣腔元件另包含有連續性之多孔隙毛細結構以及複數個具多孔隙毛細結構之支撐柱分別設置於該密閉氣腔內之該上蓋與該下板之間。
一種分析獲自懷有胎兒之女性之生物樣本的方法，該生物樣本包含來自該胎兒及該女性之複數個游離(cell-free) DNA分子，該方法包括： <br/>接收對應於該複數個游離DNA分子之序列讀段； <br/>量測該複數個游離DNA分子之尺寸； <br/>識別來自該複數個游離DNA分子之一組游離DNA分子為具有大於或等於截止值之尺寸，其中該截止值為至少500 nt；且 <br/>對於該組游離DNA分子中之游離DNA分子： <br/>確定複數個位點中之各位點處之甲基化狀態， <br/>確定甲基化模式，其中： <br/>該甲基化模式使用對應於該游離DNA分子之一或多個序列讀段指示該複數個位點中之各位點處之甲基化狀態， <br/>比較該甲基化模式與一或多個參考模式，其中該一或多個參考模式中之各者係針對特定組織類型加以確定；及 <br/>使用該甲基化模式確定該游離DNA分子之起源組織。
如請求項1之方法，其中該截止值為600 nt。
如請求項1之方法，其中該截止值為1 knt。
如請求項1至3中任一項之方法，其進一步包括藉由以下確定該組游離DNA分子中之各游離DNA分子之該起源組織： <br/>確定複數個各別位點中之各位點處之甲基化狀態，其中該複數個各別位點對應於該游離DNA分子， <br/>確定該甲基化模式，及 <br/>比較該甲基化模式與該一或多個參考模式中之至少一個參考模式。
如請求項4之方法，其進一步包括： <br/>測定對應於各起源組織之游離DNA分子之量，及 <br/>使用對應於各起源組織之游離DNA分子之該量測定該生物樣本中之該起源組織的貢獻分率。
如請求項1至3中任一項之方法，其中量測該複數個游離DNA分子之該等尺寸包括： <br/>將該等序列讀段與參考基因體進行排比。
如請求項1至3中任一項之方法，其中量測該複數個游離DNA分子之尺寸包括： <br/>對該複數個游離DNA分子進行全長定序，及 <br/>計數該複數個游離DNA分子中之各游離DNA分子中之核苷酸的數目。
如請求項1或3之方法，其中量測該複數個游離DNA分子之該等尺寸包括： <br/>將來自該生物樣本之該複數個游離DNA分子與該生物樣本中之其他游離DNA分子以物理方式分離，其中該等其他游離DNA分子具有小於該截止值之尺寸。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該一或多個參考模式中之一參考模式係藉由以下確定： <br/>使用來自參考組織之DNA分子量測複數個參考位點中之各參考位點處之甲基化密度， <br/>比較該複數個參考位點中之各參考位點處之該甲基化密度與一或多個臨限甲基化密度，及 <br/>基於比較該甲基化密度與該一或多個臨限甲基化密度來識別該複數個參考位點中之各參考位點為甲基化、未甲基化或非資訊性的，其中該複數個位點為經識別為甲基化或未甲基化的該複數個參考位點。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該起源組織為胎盤。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該起源組織為胎兒或母體的。
如請求項11之方法，其中： <br/>該起源組織為胎兒的， <br/>該方法進一步包括： <br/>將該等序列讀段中之一序列讀段與參考基因體之第一區進行排比，該第一區包括對應於等位基因之複數個位點，該複數個位點包含臨限數目個位點， <br/>使用該複數個位點中之各位點處存在之各別等位基因確定第一單倍型， <br/>比較該第一單倍型與對應於男性個體之第二單倍型，及 <br/>使用該比較確定該男性個體為該胎兒之父親的可能性的分類。
如請求項11之方法，其中： <br/>該起源組織為胎兒的， <br/>該方法進一步包括： <br/>將該等序列讀段中之一序列讀段與參考基因體之第一區進行排比，該第一區包括對應於等位基因之第一複數個位點，該複數個位點包含臨限數目個位點， <br/>比較該複數個位點中之各位點處之等位基因與男性個體之基因體中對應位點處之等位基因，及 <br/>使用該比較確定該男性個體為該胎兒之父親的可能性的分類。
如請求項11之方法，其進一步包括： <br/>對於該組游離DNA分子中之各游離DNA分子： <br/>將對應於該游離DNA分子之序列讀段與參考基因體進行排比， <br/>識別該序列讀段為對應於該女性中所存在之單倍型， <br/>使用該甲基化模式確定該起源組織為胎兒的，及 <br/>確定該單倍型為母體遺傳胎兒單倍型。
如請求項14之方法，其進一步包括： <br/>識別該單倍型為攜載致病遺傳突變或變異，及 <br/>對該胎兒可能患有由該遺傳突變或變異造成之疾病進行分類。
如請求項15之方法，其中識別該單倍型為攜載該致病遺傳突變包括： <br/>識別第一序列讀段中之該遺傳突變或變異， <br/>量測對應於在該第一序列讀段之第一距離內之第一基因體位置的第二序列讀段中之第一甲基化程度，及 <br/>量測對應於在該第一序列讀段之第二距離內之第二基因體位置的第三序列讀段中之第二甲基化程度，其中： <br/>該第一甲基化程度及該第二甲基化程度與該遺傳突變相關。
如請求項11之方法，其進一步包括： <br/>對於該組游離DNA分子中之各游離DNA分子： <br/>將對應於該游離DNA分子之序列讀段與參考基因體進行排比， <br/>識別該序列讀段為對應於一區，其中該區係藉由以下確定： <br/>接收對應於來自胎兒組織之複數個胎兒DNA分子之複數個胎兒序列讀段， <br/>接收對應於複數個母體DNA分子之複數個母體序列讀段， <br/>針對該複數個胎兒序列讀段中之各胎兒序列讀段確定在該區內之複數個甲基化位點中之各甲基化位點處的胎兒甲基化狀態， <br/>針對該複數個母體序列讀段中之各母體序列讀段確定該複數個甲基化位點中之各甲基化位點處的母體甲基化狀態， <br/>測定表徵其中該胎兒甲基化狀態不同於該母體甲基化狀態之位點之量的參數的值， <br/>比較該參數的該值與臨限值，及 <br/>確定該參數的該值超過該臨限值。
如請求項1至3中任一項之方法，其中確定該游離DNA分子之該起源組織包括將該甲基化模式輸入機器學習模型中，該模型係藉由以下加以訓練： <br/>接收複數個訓練甲基化模式，各訓練甲基化模式在該複數個位點中之一或多個位點處具有甲基化狀態，各訓練甲基化模式係由來自已知組織之DNA分子確定， <br/>儲存複數個訓練樣本，各訓練樣本包含該複數個訓練甲基化模式中之一者及指示對應於該訓練甲基化模式之該已知組織的標籤，及 <br/>當將該複數個訓練甲基化模式輸入該模型中時使用該複數個訓練樣本基於匹配或不匹配對應標籤之該模型之多個輸出來最佳化該模型的參數，其中該模型之輸出指明對應於輸入甲基化模式的組織。
如請求項18之方法，其中該機器學習模型包括卷積類神經網路（CNN）、線性回歸、邏輯回歸、深度遞回類神經網路、貝氏分類器（Bayes's classifier）、隱藏馬可夫模型（hidden Markov model，HMM）、線性鑑別分析（LDA）、k平均集群、具有噪音之應用之基於密度之空間集群（DBSCAN）、隨機森林演算法或支持向量機（SVM）。
如請求項18之方法，其中來自該已知組織之各DNA分子為細胞DNA。
如請求項18之方法，其中該模型的該等參數包括指示該複數個位點中之一個位點是否具有與該複數個位點中之另一位點相同之甲基化狀態的第一參數。
如請求項18之方法，其中該模型的該等參數包括指示該複數個位點中之各位點之間的距離的第二參數。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該一或多個參考模式中之一參考模式對應於參考組織， <br/>該方法進一步包括當該甲基化模式匹配該參考模式時，確定該起源組織為該參考組織。
請求項1至3中任一項之方法，其中該複數個位點包括至少5個CpG位點。
如請求項1至3中任一項之方法，其中使用該甲基化模式確定該起源組織包括： <br/>藉由比較該甲基化模式與來自複數個參考組織中之第一參考組織之第一參考甲基化模式來確定類似性分數； <br/>比較該類似性分數與臨限值；及 <br/>當該類似性分數超過該臨限值時，確定該起源組織為該第一參考組織。
如請求項25之方法，其中： <br/>該類似性分數為第一類似性分數， <br/>該方法進一步包括： <br/>藉由以下計算該臨限值： <br/>藉由比較該甲基化模式與來自該複數個參考組織中之第二參考組織之第二參考甲基化模式來確定第二類似性分數，該第一參考組織與該第二參考組織為不同組織，該臨限值為該第二類似性分數。
如請求項25之方法，其中： <br/>該第一參考甲基化模式包括對於該第一參考組織而言具有至少第一甲基化機率之第一子組位點， <br/>該第一參考甲基化模式包括對於該第一參考組織而言具有至多第二甲基化機率之第二子組位點，且 <br/>確定該類似性分數包括： <br/>當該複數個位點中之一位點為甲基化的且該複數個位點中之該位點處於該第一子組位點中時增加該類似性分數，及 <br/>當該複數個位點中之一位點為甲基化的且該複數個位點中之該位點處於該第二子組位點中時降低該類似性分數。
如請求項25之方法，其中： <br/>該第一參考甲基化模式包括該複數個位點，其中該複數個位點中之各位點之特徵在於對於該第一參考組織而言的甲基化機率及未甲基化機率， <br/>藉由以下確定該類似性分數： <br/>對於該複數個位點中之各位點： <br/>確定對應於該游離DNA分子中之該位點之該甲基化狀態的該參考組織中之機率， <br/>計算複數個機率之乘積，該乘積為該類似性分數。
如請求項28之方法，其中該機率係使用貝他(β)分佈來確定。
如請求項1至3中任一項之方法，其進一步包括： <br/>對該複數個游離DNA分子進行定序以獲得序列讀段，及 <br/>藉由量測對應於該位點之核苷酸及鄰近該位點之核苷酸之特徵來確定該位點的甲基化狀態。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該複數個游離DNA分子之尺寸包括CpG位點之數目。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該複數個位點中之至少一個位點為甲基化的。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該複數個位點中之兩個位點間隔至少160 nt。
一種電腦產品，其包括非暫時性電腦可讀媒體儲存之指令，該等指令在經實行時控制計算系統以執行如請求項1至33中任一項之方法。
一種電腦系統，其包括一或多個處理器及如請求項34之電腦產品。
一種作業管理方法，其係藉由電子裝置而於履行中心實行者，其包括如下步驟： <br/>確認分類區域中是否存在可用區域，在該分類區域處實行對在揀貨區域中揀選之物品之分類作業； <br/>於上述分類區域中不存在可用區域之情形時，將第1揀貨作業分配至緩衝區域； <br/>對應於與上述第1揀貨作業相關之儲存單元中之至少一者之揀貨完成資訊，再次確認上述分類區域中是否存在可用區域；及 <br/>若於上述分類區域中確認到可用區域，則將分配於上述緩衝區域之上述第1揀貨作業再次分配至上述分類區域之可用區域。
如請求項1之作業管理方法，其進而包括如下步驟： <br/>產生第1作業資訊，藉此相較於與上述第2揀貨作業相關之儲存單元進行之分類作業，優先處理與再次分配至上述分類區域之上述可用區域之上述第1揀貨作業相關之儲存單元之分類作業，其中上述第2揀貨作業被分配至上述分類區域而沒有被分配至上述緩衝區域。
如請求項1之作業管理方法，其中將上述第1揀貨作業分配至上述緩衝區域之步驟包括如下步驟： <br/>確認上述緩衝區域中是否存在可用區域；及 <br/>於上述緩衝區域中存在可用區域之情形時，產生上述第1揀貨作業並分配至上述緩衝區域。
如請求項3之作業管理方法，其中將上述第1揀貨作業分配至上述緩衝區域之步驟進而包括如下步驟：基於分配於上述緩衝區域之上述第1揀貨作業之個數，更新上述緩衝區域之可用區域之資訊。
如請求項1之作業管理方法，其中將上述第1揀貨作業分配至上述緩衝區域之步驟包括如下步驟： <br/>確認上述緩衝區域中是否存在可用區域；及 <br/>於上述緩衝區域中不存在可用區域之情形時，停止產生新揀貨作業。
如請求項1之作業管理方法，其中將上述第1揀貨作業再次分配至上述分類區域之可用區域之步驟包括如下步驟：產生第2作業資訊，該第2作業資訊係將位於上述緩衝區域之與上述第1揀貨作業相關之儲存單元移動至上述分類區域之可用區域者。
如請求項6之作業管理方法，其中產生上述第2作業資訊之步驟包括如下步驟：基於再次分配於上述分類區域之上述第1揀貨作業之個數，更新上述分類區域之可用區域之資訊、及上述緩衝區域之可用區域之資訊。
如請求項1之作業管理方法，其中將上述第1揀貨作業再次分配至上述分類區域之可用區域之步驟包括如下步驟：對應於與上述第1揀貨作業相關之儲存單元之分類完成資訊而產生第3作業資訊，該第3作業資訊係將與上述第1揀貨作業對應之物品移動至進行分類後之程序之區域者。
如請求項8之作業管理方法，其中產生上述第3作業資訊之步驟包括如下步驟：基於完成分類之上述第1揀貨作業之個數，更新上述分類區域之可用區域之資訊。
如請求項1之作業管理方法，其中確認上述分類區域中是否存在可用區域之步驟係基於上述履行中心之單位時間之揀貨作業量資訊而實行。
如請求項1之作業管理方法，其進而包括如下步驟： <br/>對應於與上述第1揀貨作業相關之儲存單元中之至少一者之揀貨完成資訊而產生第4作業資訊，該第4作業資訊係將與上述第1揀貨作業相關之儲存單元移動至被分配上述第1揀貨作業之區域者。
一種非暫時性電腦可讀儲存媒體，其記錄有用以於電腦中執行如請求項1至11中任一項之方法之程式。
一種電子裝置，其係管理履行中心之作業者，其包括： <br/>記憶體，其儲存至少一個命令；及 <br/>處理器； <br/>該處理器如下： <br/>基於上述至少一個命令，確認分類區域中是否存在可用區域，在該分類區域處實行對在揀貨區域中揀選之物品之分類作業；於上述分類區域中不存在可用區域之情形時，將第1揀貨作業分配至緩衝區域；對應於與上述第1揀貨作業相關之儲存單元中之至少一者之揀貨完成資訊，再次確認上述分類區域中是否存在可用區域；及若於上述分類區域中確認到可用區域，則將分配於上述緩衝區域之上述第1揀貨作業再次分配至上述分類區域之可用區域。
一種透明顯示器，包含： <br/>一遮光區； <br/>一第一透光區，配置於該遮光區左、右兩側，其中該第一透光區係具有一特定直徑之正圓；以及 <br/>一第二透光區，配置於該遮光區上、下兩側，其中該第二透光區係具有一特定短軸以及一特定長軸之橢圓； <br/>其中，該遮光區不論與該第一透光區之間或與該第二透光區之間皆間隔一第一距離而非緊鄰或相切，且相臨之該遮光區之間具有一第二距離。
如請求項1所述透明顯示器，其中該遮光區包含發光畫素LED元件或發光子畫素LED元件、驅動電路元件以及金屬走線。
如請求項1所述透明顯示器，其中該第一透光區、該第二透光區以及該遮光區係構成一畫素或一子畫素。
如請求項1所述透明顯示器，其中該第二距離等於或大於該第一距離的兩倍。
一種透明顯示器，包含： <br/>一遮光區； <br/>一第一透光區，配置於該遮光區左、右兩側，其中該第一透光區係具有一特定直徑之正圓；以及 <br/>一第二透光區，配置於該遮光區上、下兩側，其中該第二透光區係具有一特定短軸以及一特定長軸之橢圓； <br/>其中，該遮光區不論與該第一透光區之間或與該第二透光區之間皆間隔一第一距離而非緊鄰或相切，且相臨之該遮光區之間具有一第二距離； <br/>其中該遮光區包含發光畫素LED元件或發光子畫素LED元件、驅動電路元件以及金屬走線； <br/>其中該第一透光區、該第二透光區以及該遮光區係構成一畫素或一子畫素。
如請求項5所述透明顯示器，其中該第二距離等於或大於該第一距離的兩倍。
一種透明顯示器，包含： <br/>一遮光區； <br/>一第一透光區，配置於該遮光區左、右兩側，其中該第一透光區係具有一特定直徑之正圓；以及 <br/>一第二透光區，配置於該遮光區上、下兩側，其中該第二透光區係具有一特定短軸以及一特定長軸之橢圓； <br/>其中，該遮光區不論與該第一透光區之間或與該第二透光區之間近乎緊鄰或相切。
如請求項7所述透明顯示器，其中該遮光區包含發光畫素LED元件或發光子畫素LED元件、驅動電路元件以及金屬走線。
如請求項7所述透明顯示器，其中該第一透光區、該第二透光區以及該遮光區係構成一畫素或一子畫素。
一種透明顯示器，包含： <br/>一遮光區； <br/>一第一透光區，配置於該遮光區左、右兩側，其中該第一透光區係具有一特定直徑之正圓；以及 <br/>一第二透光區，配置於該遮光區上、下兩側，其中該第二透光區係具有一特定短軸以及一特定長軸之橢圓； <br/>其中，該遮光區不論與該第一透光區之間或與該第二透光區之間近乎緊鄰或相切； <br/>其中該遮光區包含發光畫素LED元件或發光子畫素LED元件、驅動電路元件以及金屬走線； <br/>其中該第一透光區、該第二透光區以及該遮光區係構成一畫素或一子畫素。
一種半導體元件，包括： <br/>一基底； <br/>一閘極電極，設置於該基底上； <br/>一源極區和一汲極區，設置於該基底中且位於該閘極電極的相對側上； <br/>一隔離層，設置於該基底和該閘極電極上方； <br/>多個金屬接觸件，設置於該閘極電極、該源極區以及該汲極區中； <br/>一接觸襯墊，設置於該隔離層中； <br/>多個導電插塞，設置於該隔離層中並被該接觸襯墊所圍繞，且電性耦接至該金屬接觸件；以及 <br/>一填充層，設置於該隔離層內，且位於該多個導電插塞之間，其中該填充層的一下表面位於該閘極電極上方； <br/>其中該填充層包含碳氮化硼，其中多個氣隙設置在該填充層內，並被該填充層所包圍，其中該多個氣隙的底部位於該閘極電極上方。
如請求項1所述之半導體元件，其中該半導體元件還包括一阻障層，設置於該多個導電插塞和該接觸襯墊之間。
如請求項1所述之半導體元件，其中該隔離層包括一下介電層和一上介電層，其中該下介電層設置於該基底上並圍繞該閘極電極，且該上介電層設置於該下介電層與該閘極電極上方。
如請求項3所述之半導體元件，其中一氣隙的一頂部位於低於該上介電層的一上表面的一垂直位面處。
如請求項4所述之半導體元件，其中在該閘極電極中的多個金屬接觸件的一上表面與該下介電層的一上表面呈共面，並且在該源極區和該汲極區中的其他金屬接觸件的各上表面與該基底的一前表面呈共面。
如請求項1所述之半導體元件，其中該半導體元件還包括一閘極介電質和一閘極間隙子，其中該閘極介電質設置於該基底與該閘極電極之間，該閘極間隙子設置於該閘極電極與該閘極介電質的各側壁上。
如請求項1所述之半導體元件，其中該半導體元件還包括多個隔離區，設置於該基底中，以界定並電性隔離包括該閘極電極、該源極區和該汲極區的一個或多個主動區。
如請求項7所述之半導體元件，其中該隔離區為淺溝隔離結構。
如請求項1所述之半導體元件，其中該填充層的一寬度與該氣隙的一寬度的一比率在大約5與大約50之間、在大約5與大約40之間、或在大約5與大約30之間。
一種半導體元件，包括： <br/>一基底； <br/>一裝置元件，設置於該基底上； <br/>一第一絕緣層，設置於該基底上且覆蓋該裝置元件； <br/>一第二絕緣層，設置於該第一絕緣層上； <br/>多條第一導線以及多條第二導線，設置於該第二絕緣層上； <br/>一第三絕緣層，設置於該第二絕緣層上且覆蓋該多條第一導線以及該多條第二導線；以及 <br/>一填充層，設置於該第二絕緣層上以及在該第三絕緣層內，且位於該多條第一導線和該多條第二導線之間，其中該填充層的一下表面位於該裝置元件上方； <br/>其中該填充層包含碳氮化硼，其中多個氣隙設置於該填充層內，且被該填充層所包圍，其中該多個氣隙的底部位於該裝置元件上方。
如請求項10所述之半導體元件，其中該第一導線包括一第一突出部分，位於該第一導線一側邊處，並且該第二導線包括一第二突出部分，位於該第二導線的一側邊處且面向該第一突出部分。
如請求項11所述之半導體元件，其中該第一突出部分與該第二突出部分之間的一距離小於該第一導線與該第二導線之間的一距離。
如請求項11所述之半導體元件，其中該第一突出部分形成於該第一導線的一端處，且該第二突出部分形成於該第二導線的一端處。
一種半導體結構的形成方法、包括： <br/>接收結構，所述結構包括： <br/>金屬特徵； <br/>第一鈍化結構，位於所述金屬特徵上；以及 <br/>第一開口，延伸穿過所述第一鈍化結構並暴露所述金屬特徵； <br/>在所述第一開口中形成導電層； <br/>在所述導電層上形成第二鈍化結構； <br/>進行第一蝕刻製程，以形成延伸穿過所述第二鈍化結構並暴露所述導電層的第二開口； <br/>進行第二蝕刻製程，以選擇性地蝕刻所述第二鈍化結構的上部分，以擴大所述第二開口的所述上部分；以及 <br/>在進行所述第二蝕刻製程後，在所述第二開口中形成導電特徵。
如請求項1所述的方法，還包括： <br/>在所述結構上和所述第一開口中沉積晶種層； <br/>在沉積所述晶種層後，在所述結構上形成罩幕層； <br/>圖案化所述罩幕層，以形成罩幕開口，所述罩幕開口暴露在所述第一開口中所述晶種層的部分；以及 <br/>在所述第一開口中形成所述導電層後，選擇性去除圖案化所述罩幕層。
如請求項1所述的方法， <br/>其中在所述第一開口中形成所述導電層包括通過進行電化學鍍覆製程來沉積基本上由銅形成的金屬層，以及 <br/>其中在所述電化學鍍覆製程完成後，所述金屬層包括平坦頂面。
如請求項1所述的方法，其中形成所述第二鈍化結構包括： <br/>在所述結構上共形地沉積第一蝕刻停止層； <br/>在所述第一蝕刻停止層上共形地沉積第一氧化物層； <br/>在所述第一氧化物層上形成第二氧化物層； <br/>對所述第二氧化物層進行平坦化製程，以提供平坦頂面； <br/>在所述第二氧化物層上形成第二蝕刻停止層；以及 <br/>在所述第二蝕刻停止層上形成鈍化層。
如請求項4所述的方法， <br/>其中，所述平坦化製程的進行進一步去除直接位在所述導電層上的所述第一氧化物層的部分，以及 <br/>其中，在所述平坦化製程後，經平坦化的所述第二氧化物層的頂面與所述第一蝕刻停止層的最頂表面共面。
如請求項1所述的方法，其中所述第一鈍化結構包括嵌入介電結構中的金屬-絕緣體-金屬（MIM）電容，其中所述第一開口延伸穿過所述MIM電容的至少一個導體板。
一種半導體結構的形成方法，包括： <br/>在基底上形成第一鈍化結構； <br/>形成延伸穿過所述第一鈍化結構的通孔開口； <br/>進行電化學鍍覆（ECP）製程，以在所述基底上和所述通孔開口中形成銅層，其中，在完成所述電化學鍍覆製程後，所述銅層的頂面的整體實質上為平坦的； <br/>共形地沉積沿所述銅層的側壁和頂面延伸的蝕刻停止層； <br/>在所述蝕刻停止層上形成第二鈍化結構； <br/>進行第一蝕刻製程，以形成延伸穿過所述第二鈍化結構並暴露所述蝕刻停止層的開口； <br/>進行第二蝕刻製程，以通過蝕刻穿過所述蝕刻停止層而不蝕刻所述銅層，以垂直延伸所述開口；以及 <br/>在經垂直延伸的所述開口中形成導電特徵，其中所述導電特徵的底面的整體實質上為平坦的且和所述銅層的所述頂面的整體為共面。
如請求項7所述的方法，還包括： <br/>在形成所述通孔開口後，在所述基底上共形地沉積阻障層； <br/>在所述阻障層上共形地沉積晶種層； <br/>在所述基底上形成圖案化罩幕層，以暴露在所述通孔開口中的所述晶種層的部分；以及 <br/>在所述通孔開口中形成所述銅層後，圖案化所述阻障層和所述晶種層。
一種半導體結構，包括： <br/>下導電特徵，位於基底上； <br/>連接件導電特徵，位於所述下導電特徵上且直接接觸所述下導電特徵； <br/>第一鈍化結構，位於所述連接件導電特徵上，其中所述第一鈍化結構包括： <br/>第一蝕刻停止層，沿著所述連接件導電特徵的側壁和頂面延伸； <br/>第一氧化物層，共形地設置於所述第一蝕刻停止層上； <br/>第二氧化物層，設置於所述第一氧化物層上，其中所述第二氧化物層的頂面的整體是實質上平坦的，其中所述第一氧化物層與所述第二氧化物層為兩個分別層且彼此直接接觸；以及 <br/>鈍化層，設置於所述第二氧化物層上； <br/>上導電特徵，延伸穿過所述第一鈍化結構並直接接觸延伸所述連接件導電特徵， <br/>其中，所述上導電特徵的最底部表面與所述連接件導電特徵的頂面的整體共面。
如請求項9所述的半導體結構，其中所述第一鈍化結構還包括設置於所述第二氧化物層和所述鈍化層之間的第二蝕刻停止層，且所述第二蝕刻停止層的厚度大於所述第一蝕刻停止層的厚度。
一種鎵粉末，其特徵在於，掃描電子顯微鏡平均直徑為0.2 μm以上且2 μm以下，表面附著有選自脂肪酸、唑化合物、烯基琥珀酸、脂肪族胺、或它們的鹽或它們的酐的界面活性劑。
一種混合粉末，將鎵粉末與銀粉末混合而成，其中所述鎵粉末的特徵在於，掃描電子顯微鏡平均直徑為0.2 μm以上且2 μm以下，表面附著有選自脂肪酸、唑化合物、烯基琥珀酸、脂肪族胺、或它們的鹽或它們的酐的界面活性劑； <br/>所述銀粉末的掃描電子顯微鏡平均直徑為0.2 μm以上且5 μm以下。
如請求項2所述的混合粉末，其中附著於所述銀粉末的表面處理劑的一部分或全部成分與附著於所述鎵粉末的界面活性劑的一部分或全部成分相同。
如請求項2所述的混合粉末，其中相對於銀含有0.01 wt%以上且4 wt%以下的鎵。
一種鎵粉末的製造方法，其特徵在於包括將藉由鎵粉末分散液的製造方法而獲得的鎵粉末分散液乾燥而獲得鎵粉末的步驟， <br/>所述鎵粉末的掃描電子顯微鏡平均直徑為0.2μm以上且2 μm以下，並且在所述鎵粉末的表面附著有選自脂肪酸、唑化合物、烯基琥珀酸、脂肪族胺或它們的鹽或它們的酐的界面活性劑， <br/>所述鎵粉末分散液的製造方法包括： <br/>第一步驟，對鎵熔液、選自脂肪酸、唑化合物、烯基琥珀酸、脂肪族胺、或它們的鹽或它們的酐的界面活性劑、以及溶媒進行攪拌而形成乳液液體；以及 <br/>第二步驟，對所述乳液液體進行冷卻。
一種鎵粉末分散液，其特徵在於，具有如請求項1所述的鎵粉末、以及溶媒， <br/>所述鎵粉末分散於所述溶媒中。
一種導電糊，其特徵在於，含有鎵粉末、銀粉末、溶劑、以及玻璃膠， <br/>所述鎵粉末的掃描電子顯微鏡平均直徑為0.2 μm以上且2 μm以下，表面附著有選自脂肪酸、唑化合物、烯基琥珀酸、脂肪族胺、或它們的鹽或它們的酐的界面活性劑。
如請求項7所述的導電糊，其中附著於所述銀粉末的表面處理劑的一部分或全部成分與附著於所述鎵粉末的界面活性劑的一部分或全部成分相同。
如請求項7所述的導電糊，其中在所述導電糊中，相對於銀含有0.01 wt%以上且4 wt%以下的所述鎵。
一種無底紙修正帶原膜，其特徵在於：所述無底紙修正帶原膜(100)至少包含有一膜本體(1)、及一設於所述膜本體(1)一側的膠水層體(2)；所述膜本體(1)至少具有鈦白粉、分散劑、成膜助劑、線型聚乙烯樹脂、增韌劑及防黏劑；所述膠水層體(2)至少具有膠水；所述分散劑還是為介面活性劑；所述線型聚乙烯樹脂還是為高密度聚乙烯(HDPE)；所述防黏劑還是為美國杜邦製造，型號1605SBR防黏劑(Suylym 1605 SBR)；所述膠水還是為丙烯酸酯；所述鈦白粉的含量還為75%；所述分散劑的含量還為3%；所述成膜助劑的含量還為2%；所述線型聚乙烯樹脂的含量還為5%；所述增韌劑的含量還為2%；所述防黏劑的含量還為3%；所述膠水的含量還為5%。
一種如請求項1所述之無底紙修正帶原膜生產工藝，其特徵在於：混合步驟(a)：將無底紙修正帶原膜(100)的膜本體(1)之原料(10)，依配比計量後混合均勻；塗層步驟(b)：將上述原料(10)，連續性地塗在不沾平板輸送帶(20)上，形成條狀的膜本體(1)；初步烘乾步驟(c)：對所述膜本體(1)進行一次烘乾；上膠步驟(d)：對烘乾後的所述膜本體(1)，塗上至少一層膠水層體(2)；二次烘乾步驟(e)：對經過上述上膠步驟(d)的所述膜本體(1)，進行二次烘乾，製成所述無底紙修正帶原膜(100)；以及捲收步驟(f)：將所述無底紙修正帶原膜(100)的捲收成卷。
如請求項2所述的無底紙修正帶原膜生產工藝，其中：所述捲收步驟(f)後，還包含有一分裝步驟(g)，所述分裝步驟(g)為將捲收成卷的所述無底紙修正帶原膜(100)，分裝為小卷，並分裝後的小卷，將其裝在相應的修正帶殼體中。
如請求項3所述的無底紙修正帶原膜生產工藝，其中：所述膜本體(1)至少具有鈦白粉、分散劑、成膜助劑、線型聚乙烯樹脂、增韌劑及防黏劑；所述膠水層體(2)至少具有膠水。
一種資訊提供方法，其係藉由電子裝置而進行者，其包括如下步驟：<br/>確認與揀選業務相關之複數個業務中之與第1用戶對應之作業；<br/>確認與上述作業對應之動作之資訊、及用以實行上述動作之作業位置之資訊；<br/>提供包括第1區域、第2區域及第3區域之頁面，該第1區域係顯示上述作業之資訊者，該第2區域係顯示上述動作之資訊者，該第3區域係顯示上述作業位置之資訊者；<br/>確認與上述第1用戶確認之複數個物品識別符對應之複數個物品之清單、與上述第1用戶對應之第1物流箱之識別資訊、及基於上述複數個物品而確定之上述第1物流箱之預估重量之資訊；<br/>確認上述第1物流箱之實際重量之資訊、及上述複數個物品各者之重量；<br/>基於上述第1物流箱之上述預估重量與上述第1物流箱之上述實際重量之差、及上述複數個物品各者之上述重量，確定與上述第1物流箱之上述預估重量與上述第1物流箱之上述實際重量之差對應之複數個物品之組合；及<br/>基於上述第1用戶之物品遺漏歷史、與物品對應之數量、及保管物品之位置，按照被遺漏概率高之順序提供上述複數個物品之組合。
如請求項1之資訊提供方法，其中於上述作業為物流箱識別作業之情形時，<br/>於上述第1區域中顯示上述第1用戶確認之物流箱識別作業之資訊，<br/>於上述第2區域中顯示與物流箱揀選及物流箱識別符輸入相關之資訊，<br/>於上述第3區域中顯示分配給上述第1用戶之揀選區域之資訊。
如請求項2之資訊提供方法，其進而包括如下步驟：<br/>確認與上述第1用戶之當前位置相關之第1資訊、及與可拾取物流箱之位置相關之第2資訊；及<br/>基於上述第1資訊及上述第2資訊，提供第1地圖；且<br/>上述第1地圖包括基於上述第1資訊及上述第2資訊而產生之上述第1用戶之當前位置至上述可拾取物流箱之位置的路徑。
如請求項1之資訊提供方法，其中於上述作業為位置識別作業之情形時，<br/>於上述第1區域中顯示上述位置識別作業之資訊，<br/>於上述第2區域中顯示與移動至物品保管位置相關之資訊，<br/>於上述第3區域中顯示保管有與上述第1用戶對應之第1物品之第1位置之資訊，<br/>上述第1位置包括保管有上述第1物品之區帶、通道編號、貨架編號及格子中之至少一者；<br/>上述頁面進而包括第4區域，該第4區域係顯示上述第1物品之商品名稱、及與上述第1物品對應之數量之資訊者。
如請求項4之資訊提供方法，其進而包括如下步驟：<br/>確認與上述第1用戶之當前位置相關之第3資訊、及與上述第1位置相關之第4資訊；及<br/>基於第3資訊及第4資訊，提供第2地圖；且<br/>上述第2地圖包括上述第1用戶之當前位置至上述第1位置之路徑。
如請求項5之資訊提供方法，其中上述第1用戶之當前位置係基於如下之位置中之至少一者而確定：<br/>與上述第1用戶對應之終端之位置；<br/>與確認之物流箱識別符對應之位置；及<br/>與最後確認之位置識別符對應之位置。
如請求項4之資訊提供方法，其進而包括如下步驟：<br/>確認與確認之位置識別符對應之第2位置；<br/>於上述第1位置與上述第2位置不同之情形時，提供告知輸入了錯誤之位置識別符之第1通知；且<br/>上述第1通知包括上述第1位置及上述第2位置分別包括之區帶、通道編號、貨架編號及格子中之不同之子位置的資訊。
如請求項1之資訊提供方法，其中於上述作業為物品添加作業之情形時，<br/>於上述第1區域中顯示上述物品添加作業之資訊，<br/>上述頁面進而包括第5區域，該第5區域係顯示與上述第1用戶對應之第2物品之商品名稱、及與上述第2物品對應之數量之資訊者。
如請求項8之資訊提供方法，其中與上述第2物品對應之數量係基於與上述第2物品對應之訂單資訊而確定，<br/>於上述第2物品為設定之物品之情形時，上述頁面進而包括顯示揀選指令之資訊之第6區域。
如請求項1之資訊提供方法，其中於上述作業為物流箱完成作業之情形時，<br/>於上述第1區域中顯示上述物流箱完成作業之資訊，<br/>於上述第2區域中顯示與將物流箱搬移至第2位置之操作相關之資訊，<br/>上述第2位置包括傳送帶、分播場所、單個裝載區及電梯中之一者。
如請求項1之資訊提供方法，其中上述頁面進而包括始終顯示與識別符輸入相關之資訊之第7區域，<br/>上述第7區域如下：<br/>於上述作業為物流箱識別作業或物流箱完成作業之情形時，顯示與物流箱識別符輸入相關之資訊；<br/>於上述作業為位置識別作業之情形時，顯示與位置識別符輸入相關之資訊；<br/>於上述作業為物品添加作業之情形時，顯示與物品識別符輸入相關之資訊。
如請求項1之資訊提供方法，其中於上述作業為位置識別作業、物品添加作業及物流箱完成作業中之一者之情形時，<br/>上述資訊提供方法進而包括如下步驟：基於上述第1用戶之輸入，確認與上述第1用戶對應之第3物品之問題之資訊；且<br/>上述第3物品之問題之資訊包括第4位置所保管之上述第3物品之問題類型的資訊。
如請求項12之資訊提供方法，其進而包括如下步驟：<br/>確認與保管有上述第3物品之第4位置不同之第5位置；<br/>取消對上述第1用戶分配上述第3物品之揀選作業；及<br/>基於上述第5位置，對與上述第1用戶屬於相同組之複數個用戶中之第2用戶分配上述第3物品之揀選作業。
如請求項13之資訊提供方法，其中上述第2用戶包括如下之用戶中之至少一者：<br/>於上述複數個用戶中之當前位置最靠近上述第5位置之用戶；<br/>被分配上述第5位置或上述第5位置之附近區帶中保管之第4物品之揀選作業的用戶；<br/>上述複數個用戶中之被分配之揀選作業之數量最少的用戶。
如請求項12之資訊提供方法，其進而包括如下步驟：<br/>確認與保管有上述第3物品之第4位置不同之第5位置；及<br/>基於上述第5位置，變更分配給上述第1用戶之複數個物品添加作業之順序，該複數個物品添加作業包括上述第3物品之揀選作業。
如請求項1之資訊提供方法，其中於上述作業為位置識別作業、物品添加作業及物流箱完成作業中之一者之情形時，<br/>上述資訊提供方法進而包括如下步驟：上述第1物流箱之上述預估重量之資訊、及基於上述複數個物品而確定之上述第1物流箱裝滿之比率之資訊中的至少一種。
如請求項16之資訊提供方法，其進而包括如下步驟：<br/>於上述第1物流箱之預估重量與上述第1物流箱之實際重量之差為設定值以上的情形時，提供與重量差相關之第2通知。
一種電腦可讀非暫時性記錄媒體，其記錄有用以執行如請求項1之方法之電腦程式。
一種電子裝置，其包括：<br/>通訊部；<br/>記憶體；及<br/>控制部；<br/>上述控制部如下：<br/>確認與揀選業務相關之複數個業務中之與第1用戶對應之作業；<br/>確認與上述作業對應之動作之資訊、及用以實行上述動作之作業位置之資訊；<br/>提供包括第1區域、第2區域及第3區域之頁面，該第1區域係顯示上述作業之資訊者，該第2區域係顯示上述動作之資訊者，該第3區域係顯示上述作業位置之資訊者；<br/>確認與上述第1用戶確認之複數個物品識別符對應之複數個物品之清單、與上述第1用戶對應之第1物流箱之識別資訊、及基於上述複數個物品而確定之上述第1物流箱之預估重量之資訊；<br/>確認上述第1物流箱之實際重量之資訊、及上述複數個物品各者之重量；<br/>基於上述第1物流箱之上述預估重量與上述第1物流箱之上述實際重量之差、及上述複數個物品各者之上述重量，確定與上述第1物流箱之上述預估重量與上述第1物流箱之上述實際重量之差對應之複數個物品之組合；及<br/>基於上述第1用戶之物品遺漏歷史、與物品對應之數量、及保管物品之位置，按照被遺漏概率高之順序提供上述複數個物品之組合。
一種昇華安瓿，其包含：<br/>一昇華容器，其具有開口端和封閉端、側壁及於該開口端與該封閉端之間延伸的至少二艙，各艙由容器器壁分隔開，各艙具有一表面積及一昇華速率；及<br/>一容器蓋子，其具有限定厚度的頂表面和底表面，該底表面係可拆卸地固定於該昇華容器的開口端而形成流體密封，該容器蓋子包含：<br/>位於該容器蓋子的頂表面上之蓋子入口，該蓋子入口延伸通過該厚度；<br/>位於該容器蓋子的頂表面上之蓋子出口，該蓋子出口延伸通過該厚度；<br/>位於該容器蓋子的底表面上並流體連接到該蓋子入口之至少一艙入口，各艙入口流體連接到該至少二艙中的一艙，各艙入口具有一橫截面積；及<br/>具有位於該底表面上的導管入口和導管出口之導管，該導管入口和導管出口局部延伸到該厚度中，該導管流體連接到該至少二艙中的二艙，該導管具有一橫截面積；<br/>其中該昇華安瓿另外包含加熱器以促成該昇華容器的側壁之加熱，及<br/>其中該至少二艙中的一第一艙的表面積大於該至少二艙的一第二艙的表面積。
如請求項1之昇華安瓿，其中各艙的昇華速率由各艙的表面積、各艙的溫度及各艙的頂部空間壓力定義。
如請求項1之昇華安瓿，其中各艙的昇華速率由各艙的表面積、各艙的溫度及各艙的頂部空間壓力定義，其中該昇華速率相等。
如請求項1之昇華安瓿，其中各艙的昇華速率相等。
如請求項1之昇華安瓿，其中該第一艙的頂部空間壓力等於該第二艙的頂部空間壓力。
如請求項1之昇華安瓿，其另外包含延伸越過該昇華容器的側壁之內壁，該內壁將該第一艙與該第二艙分隔開，其中該第一艙和該第二艙具有相同的溫度。
如請求項1之昇華安瓿，其另外包含與該昇華容器的中心縱軸同心之徑向壁，該徑向壁將該第一艙與該第二艙分隔開，該第二艙鄰近該昇華容器的側壁，其中該第二艙係於比該第一艙的溫度更高之溫度下加熱，其中該昇華容器的側壁係藉由加熱器加熱。
如請求項7之昇華安瓿，其中該第一艙的頂部空間壓力大於該第二艙的頂部空間壓力。
如請求項8之昇華安瓿，其中將該第一艙連接到該第二艙的導管之橫截面積小於該蓋子入口之橫截面積。
如請求項8之昇華安瓿，其另外包含將該第一艙連接到該第二艙的第二導管。
如請求項1之昇華安瓿，其中該昇華容器的封閉端係可拆卸地固定於該側壁而形成流體密封。
如請求項1之昇華安瓿，其另外包含延伸越過該昇華容器的側壁之內壁，該內壁將該至少二艙分隔開。
如請求項1之昇華安瓿，其另外包含從該昇華容器的中心縱軸延伸到該昇華容器的側壁之多數內壁。
一種昇華安瓿，其包含：<br/>一昇華容器，其具有開口端和封閉端、側壁及於該開口端與該封閉端之間延伸的至少二艙，各艙由容器器壁分隔開，各艙具有一表面積及一昇華速率；及<br/>一容器蓋子，其具有限定厚度的頂表面和底表面，該底表面係可拆卸地固定於該昇華容器的開口端而形成流體密封，該容器蓋子包含：<br/>位於該容器蓋子的頂表面上之蓋子入口，該蓋子入口延伸通過該厚度；<br/>位於該容器蓋子的頂表面上之蓋子出口，該蓋子出口延伸通過該厚度；<br/>位於該容器蓋子的底表面上並流體連接到該蓋子入口之至少一艙入口，各艙入口流體連接到該至少二艙中的一艙，各艙入口具有一橫截面積；及<br/>具有位於該底表面上的導管入口和導管出口之導管，該導管入口和導管出口局部延伸到該厚度中，該導管流體連接到該至少二艙中的二艙，該導管具有一橫截面積；<br/>其中該昇華安瓿另外包含與該昇華容器的中心縱軸同心之徑向壁，該徑向壁將該至少二艙分隔開；及<br/>其中與該昇華容器的側壁相鄰之該至少二艙中的一第二艙係於比與該第二艙相鄰的該至少二艙中的一第一艙之溫度更高的溫度下加熱，該第一艙藉由該徑向壁與該第二艙分隔開。
如請求項1之昇華安瓿，其中該蓋子入口流體連接到該第一艙，並且該蓋子出口流體連接到該第二艙。
如請求項15之昇華安瓿，其中該至少二艙中的一第三艙藉由第二導管流體連接到該第一艙，並且該第三艙藉由第三導管流體連接到該第二艙，並且該第二艙流體連接到該蓋子出口。
如請求項2之昇華安瓿，其中該蓋子入口流體連接到該至少一艙入口的第二艙入口而限定艙的並聯連接。
如請求項1之昇華安瓿，其中該導管包括導管入口及至少二導管出口以限定艙的並聯連接。
如請求項1之昇華安瓿，其另外包含流體連接到該蓋子出口的至少一艙出口，各艙出口流體連接到該至少二艙中的一艙。
一種昇華安瓿，其包含：<br/>一昇華容器，其具有開口端和封閉端、側壁及於該開口端與該封閉端之間延伸的至少二艙，各艙由容器器壁分隔開，各艙具有一表面積及一昇華速率；及<br/>一容器蓋子，其具有限定厚度的頂表面和底表面，該底表面係可拆卸地固定於該昇華容器的開口端而形成流體密封，該容器蓋子包含：<br/>位於該容器蓋子的頂表面上之蓋子入口，該蓋子入口延伸通過該厚度；<br/>位於該容器蓋子的頂表面上之蓋子出口，該蓋子出口延伸通過該厚度；<br/>位於該容器蓋子的底表面上並流體連接到該蓋子入口之至少一艙入口，各艙入口流體連接到該至少二艙中的一艙，各艙入口具有一橫截面積；及<br/>具有位於該底表面上的導管入口和導管出口之導管，該導管入口和導管出口局部延伸到該厚度中，該導管流體連接到該至少二艙中的二艙，該導管具有一橫截面積；<br/>其中該昇華容器藉由延伸越過該昇華容器的側壁之內壁及與該昇華容器的中心縱軸同心之徑向壁而細分成四艙；<br/>其中該至少二艙中的一第一艙和一第二艙由該內壁分隔開，該第一艙與該蓋子入口流體連通，該第一艙藉由至少一導管與該第二艙流體連通；及<br/>其中該至少二艙中的一第三艙和一第四艙鄰近該昇華容器的側壁並且藉由該徑向壁與該第一艙和該第二艙分隔開，並且該第三艙和第四艙藉由該內壁分隔開，該第四艙與該蓋子出口流體連通。
如請求項20之昇華安瓿，其中該第三艙和第四艙藉由至少一導管流體連通。
如請求項20之昇華安瓿，其中該第三艙和該第一艙藉由至少一導管流體連通。
如請求項20之昇華安瓿，其中該第四艙和該第二艙藉由至少一導管流體連通。
如請求項20之昇華安瓿，其中該第三艙和第四艙係於比第一艙和第二艙的溫度更高之溫度下加熱。
如請求項1之昇華安瓿，其中該導管的橫截面積小於該蓋子入口的橫截面積。
如請求項1之昇華安瓿，其中至少二導管流體地連接該至少二艙中的二艙。
如請求項1之昇華安瓿，其中該導管出口包括一噴灑頭。
如請求項1之昇華安瓿，其中該導管出口包括一配件。
如請求項1之昇華安瓿，其中該至少一艙入口包括一噴灑頭。
如請求項1之昇華安瓿，其中該至少一艙入口包括一配件。
如請求項30之昇華安瓿，其中與該昇華容器的外壁相鄰之艙係於比藉由該徑向壁分隔開的艙之溫度更高的溫度下加熱。
一種昇華安瓿，其包含：<br/>具有開口端和封閉端、側壁及中心縱軸的昇華容器，該昇華容器包含：<br/>延伸越過該昇華容器的側壁之內壁；<br/>與該中心縱軸同心的徑向壁；<br/>由該內壁分隔開的第一艙和第二艙；及<br/>藉由該徑向壁與該第一艙和第二艙分隔開並且鄰近該昇華容器的側壁之第三艙和第四艙；以及<br/>具有限定厚度的頂表面和底表面之容器蓋子，該底表面係可拆卸地固定於該昇華容器的開口端而形成流體密封，該容器蓋子包含：<br/>位於該容器蓋子的頂表面上並具有固定的入口流速之蓋子入口，該蓋子入口延伸通過該厚度；<br/>位於該容器蓋子的底表面上並流體連接到該蓋子入口之至少一艙入口，該艙入口與該第一艙流體連通，該艙入口具有一橫截面積；<br/>位於該容器蓋子的頂表面上並具有固定的出口壓力之蓋子出口，該蓋子出口延伸通過該厚度並與該第四艙流體連通；及<br/>具有位於該底表面上的導管入口和導管出口之多數導管，該導管入口和導管出口局部延伸到該厚度中，該導管流體連接該第一艙、該第二艙、該第三艙和該第四艙，該多數導管各自具有一橫截面積。
如請求項32之昇華安瓿，其中該第一艙藉由該多數導管中的至少一導管與該第二艙流體連通。
如請求項32之昇華安瓿，其中該第三艙和第四艙藉由該多數導管中的至少一導管流體連通。
如請求項32之昇華安瓿，其中該第三艙和該第一艙藉由該多數導管中的至少一導管流體連通。
如請求項32之昇華安瓿，其中該第四艙和該第二艙藉由至少一導管流體連通。
如請求項32之昇華安瓿，其另外包含配置成加熱該昇華容器的側壁之加熱器。
如請求項37之昇華安瓿，其中該第三艙和第四艙係於比第一艙和第二艙的溫度更高之溫度下加熱。
如請求項38之昇華安瓿，其中各艙的昇華速率係由各艙的表面積、各艙的溫度及各艙的頂部空間壓力定義，其中各艙的昇華速率相等。
如請求項39之昇華安瓿，其中各艙的昇華速率相等。
如請求項39之昇華安瓿，其中該第一艙的表面積等於該第二艙的表面積，其中該第三艙的表面積等於該第二艙的表面積。
如請求項39之昇華安瓿，其中該第一艙和該第二艙的表面積大於該第三艙和第四艙的表面積。
如請求項39之昇華安瓿，其中該第一艙的頂部空間壓力大於該第二艙、該第三艙和該第四艙各自的頂部空間壓力。
一種管理配送排程之方法，其係藉由電子裝置而實行者，其包括如下動作： <br/>自供應商終端接收排程管理對象資訊，上述排程管理對象資訊包括配送日期、配送營地、或配送時段中之至少一者； <br/>基於上述排程管理對象資訊，於隸屬於供應商之至少一個配送司機中確定可分配至排程之至少一個配送司機； <br/>向上述供應商終端提供第1頁面，該第1頁面包括顯示可分配至上述排程之至少一個配送司機之區域； <br/>自上述供應商終端接收於可分配至上述排程之至少一個配送司機中選擇一個以上之配送司機後之排程資訊； <br/>向管理者終端提供第2頁面，該第2頁面包括顯示針對上述排程而選擇之上述一個以上之配送司機之區域； <br/>自上述管理者終端接收對上述排程之調整請求； <br/>響應於接收對上述排程之上述調整請求，向上述供應商終端提供第3頁面，該第3頁面包括顯示需進行調整之上述排程之區域；及 <br/>自上述供應商終端接收對上述排程添加或刪除配送司機後之排程資訊， <br/>其中對上述排程之上述調整請求包括變更上述排程所需之配送司機之數量， <br/>將上述第3頁面提供至上述供應商終端之動作包括如下動作： <br/>於針對上述排程而選擇之上述一個以上之配送司機之數量與上述排程所需之配送司機之數量不同的情形時，將顯示上述排程之區域之顏色自第1顏色變更為第2顏色；及 <br/>將上述第3頁面提供至上述供應商終端，該第3頁面包括變更為上述第2顏色之顯示上述排程之區域。
如請求項1之方法，其進而包括如下動作： <br/>基於對上述排程添加或刪除配送司機後之排程資訊，確認對上述排程分配之配送司機之數量； <br/>於對上述排程分配之配送司機之數量與上述排程所需之配送司機之數量一致的情形時，將顯示上述排程之區域之顏色自上述第2顏色變更為上述第1顏色；及 <br/>於對上述排程分配之配送司機之數量與上述排程所需之配送司機之數量不一致的情形時，將顯示上述排程之區域之顏色保持為上述第2顏色。
如請求項2之方法，其中將顯示上述排程之區域之顏色保持為上述第2顏色之動作包括如下動作： <br/>於對上述排程分配之配送司機之數量少於上述排程所需之配送司機之數量的情形時，向上述供應商終端傳輸詢問是否對上述排程追加選擇配送司機之彈窗訊息。
如請求項1之方法，其進而包括如下動作： <br/>於直至排程確定期限前之預設期間為止未自上述供應商終端接收到對上述排程添加或刪除配送司機後之排程資訊之情形時，將顯示需要確定上述排程之訊息傳輸至上述供應商終端。
如請求項1之方法，其中於隸屬於上述供應商之至少一個配送司機中確定可分配至上述排程之至少一個配送司機之動作包括如下動作： <br/>確認隸屬於上述供應商之至少一個配送司機各者之資訊，隸屬於上述供應商之至少一個配送司機各者之資訊包括偏好配送營地、配送時段、配送地域、配送輪數、可配送貨物個數、是否可配送其他地域、或車輛資訊中之至少一者；及 <br/>基於隸屬於上述供應商之至少一個配送司機各者之資訊，於隸屬於上述供應商之至少一個配送司機中，確定與上述排程管理對象資訊匹配且可分配至上述排程之至少一個配送司機。
如請求項5之方法，其中於上述第1頁面中，優先顯示可分配至上述排程之至少一個配送司機中之將上述排程管理對象資訊之配送營地作為偏好配送營地的配送司機。
如請求項1之方法，其中將上述第1頁面提供至上述供應商終端之動作包括如下動作： <br/>於可分配至上述排程之至少一個配送司機中，確認已經在預設期間內連續工作之配送司機；及 <br/>自可分配至上述排程之至少一個配送司機中排除確認之上述配送司機後，將上述第1頁面提供至上述供應商終端。
如請求項1之方法，其進而包括如下動作： <br/>自上述管理者終端接收上述排程所需之配送司機之數量之資訊；且 <br/>上述第1頁面進而包括顯示上述排程所需之配送司機之數量之區域。
如請求項1之方法，其進而包括如下動作： <br/>基於預計配送量、上述供應商之可配送量、上述供應商之配送地域、隸屬於上述供應商之至少一個配送司機各者之可配送貨物個數、或隸屬於上述供應商之至少一個配送司機各者是否可配送其他地域中之至少一者，確定上述排程所需之配送司機之數量；且 <br/>上述第1頁面進而包括顯示上述排程所需之配送司機之數量之區域。
如請求項1之方法，其進而包括如下動作： <br/>自上述供應商終端接收之前的排程之請求； <br/>在與預設期間對應之至少一個之前的排程中，確認與上述排程管理對象資訊匹配之一個以上之排程；及 <br/>向上述供應商終端提供第4頁面，該第4頁面包括顯示上述一個以上之排程之區域。
如請求項1之方法，其包括如下動作： <br/>自上述供應商終端接收隸屬於上述供應商之至少一個配送司機各者之資訊之請求，隸屬於上述供應商之至少一個配送司機各者之資訊包括配送營地、配送時段、配送地域、配送輪數、可配送貨物個數、是否可配送其他地域、或車輛資訊中之至少一者；及 <br/>向上述供應商終端提供第5頁面，該第5頁面包括顯示隸屬於上述供應商之至少一個配送司機各者之資訊之區域。
如請求項11之方法，其進而包括如下動作： <br/>向上述供應商終端提供第6頁面，該第6頁面修改隸屬於上述供應商之至少一個配送司機各者之資訊中之任一者。
如請求項1之方法，其包括如下動作： <br/>將供應商入駐頁面提供至上述供應商終端； <br/>藉由上述供應商入駐頁面而自上述供應商終端接收加入資訊，上述加入資訊包括上述供應商之營業執照號碼； <br/>基於上述營業執照號碼而實行供應商匹配，於上述供應商匹配中確認到上述營業執照號碼為之前未登記之營業執照號碼之情形時，將新供應商登記指南訊息傳輸至上述供應商終端，自上述供應商終端接收供應商資訊，上述供應商資訊包括上述供應商之名稱、營業執照號碼、經營類型、經營者聯繫方式中之至少一者； <br/>將上述供應商之入駐申請通知訊息傳輸至上述管理者終端，上述入駐申請通知訊息包括上述加入資訊或上述供應商資訊中之至少一者； <br/>於自上述管理者終端接收到供應商入駐核准通知訊息之情形時，將表示核准上述供應商入駐之資訊傳輸至上述供應商終端；及 <br/>於自上述管理者終端接收到供應商入駐退回通知訊息之情形時，將表示退回上述供應商入駐之資訊傳輸至上述供應商終端。
如請求項13之方法，其進而包括如下動作： <br/>自上述供應商終端接收產生供應商專用URL之請求，該供應商專用URL提供可供配送司機入駐上述供應商之頁面； <br/>產生包括上述供應商資訊中之至少一部分之上述供應商專用URL；及 <br/>將產生之上述供應商專用URL傳輸至上述供應商終端。
一種電子裝置，其係管理配送排程者，其包括： <br/>處理器；及 <br/>記憶體，其儲存有以藉由上述處理器而執行之方式構成之命令；且 <br/>於藉由上述處理器而執行上述命令時，使上述處理器如下： <br/>自供應商終端接收排程管理對象資訊，上述排程管理對象資訊包括配送日期、配送營地、或配送時段中之至少一者； <br/>基於上述排程管理對象資訊，於隸屬於供應商之至少一個配送司機中確定可分配至排程之至少一個配送司機； <br/>向上述供應商終端提供第1頁面，該第1頁面包括顯示可分配至上述排程之至少一個配送司機之區域； <br/>自上述供應商終端接收於可分配至上述排程之至少一個配送司機中選擇一個以上之配送司機後之排程資訊； <br/>向管理者終端提供第2頁面，該第2頁面包括顯示針對上述排程而選擇之上述一個以上之配送司機之區域； <br/>自上述管理者終端接收對上述排程之調整請求； <br/>響應於接收對上述排程之上述調整請求，向上述供應商終端提供第3頁面，該第3頁面包括顯示需進行調整之上述排程之區域；及 <br/>自上述供應商終端接收對上述排程添加或刪除配送司機後之排程資訊， <br/>其中對上述排程之上述調整請求包括變更上述排程所需之配送司機之數量， <br/>將上述第3頁面提供至上述供應商終端之動作包括如下動作： <br/>於針對上述排程而選擇之上述一個以上之配送司機之數量與上述排程所需之配送司機之數量不同的情形時，將顯示上述排程之區域之顏色自第1顏色變更為第2顏色；及 <br/>將上述第3頁面提供至上述供應商終端，該第3頁面包括變更為上述第2顏色之顯示上述排程之區域。
一種熱管，其具備： <br/>容器，其具有一端部、及與上述一端部對向之另一端部，上述一端部之端面與上述另一端部之端面被密封； <br/>毛細結構體（wick structure），其設置於上述容器之內部；以及 <br/>作動流體，其封入至上述容器之內部；且 <br/>上述毛細結構體具有設置於上述容器之內表面之細槽及/或設置於上述容器之內表面之多孔質體， <br/>上述作動流體包含氫氟烯烴（hydrofluoroolefin）， <br/>上述熱管包括彎曲部、及熱連接有發熱體之直線狀之部分， <br/>於上述直線狀之部分處於與重力方向正交之方向的水平狀態時，上述作動流體具有上述直線狀之部分之內部空間之截面面積之50%以上的截面面積。
如請求項1之熱管，其中，上述氫氟烯烴為選自由順式-1,3,3,3-四氟丙-1-烯、反式-1,3,3,3-四氟丙-1-烯、2,3,3,3-四氟丙烯、(Z)-1,1,1,4,4,4-六氟丁烯、(E)-1,1,1,4,4,4-六氟丁烯、反式-1-氯-3,3,3-三氟丙烯、(Z)-1-氯-3,3,3-三氟丙烯及1-氯-2,3,3-三氟丙烯所組成之群中之至少1種。
如請求項1之熱管，其中，上述氫氟烯烴為反式-1,3,3,3-四氟丙-1-烯。
如請求項1至3中任一項之熱管，其中，上述作動流體之臨界點之溫度為100℃以上。
如請求項1至3中任一項之熱管，其中，上述作動流體為氫氟烯烴。
如請求項1至3中任一項之熱管，其中，上述作動流體包含氫氟烯烴、以及水及/或醇。
如請求項1至3中任一項之熱管，其中，上述容器為管體，上述容器之內徑為3.0 mm以上32 mm以下。
如請求項1至3中任一項之熱管，其中，上述容器之長邊方向之形狀具有彎曲部。
如請求項1至3中任一項之熱管，其中，上述容器為平面型。
如請求項1至3中任一項之熱管，其中，上述容器之材質為銅、銅合金、鋁、鋁合金、不鏽鋼、鈦或鈦合金。
如請求項1至3中任一項之熱管，其中，上述毛細結構體為設置於上述容器之內表面之細槽，與上述容器之長邊方向正交之方向上之上述細槽的形狀為矩形、三角形或梯形。
如請求項11之熱管，其中，上述細槽之形狀為矩形，上述細槽之深度（H）為0.15 mm以上0.50 mm以下，上述細槽之寬度（W）為0.15 mm以上0.60 mm以下。
如請求項11之熱管，其中，上述細槽之形狀為三角形，上述細槽之深度（H）為0.15 mm以上0.50 mm以下，上述細槽之深度（H）之1/2之部位（（1/2）H）處的寬度（W）為0.15 mm以上1.00 mm以下。
如請求項11之熱管，其中，上述細槽之形狀為梯形，上述細槽之深度（H）為0.15 mm以上0.50 mm以下，上述細槽之寬度（W）之平均值為0.05 mm以上1.00 mm以下。
如請求項1至3中任一項之熱管，其中，於上述容器之一部分區域進而熱連接有受熱塊。
如請求項1至3中任一項之熱管，其使用環境之溫度為-50℃以上90℃以下。
如請求項1至3中任一項之熱管，其係L字型或U字型之熱管。
一種散熱裝置（heat sink），其具有：請求項1至3中任一項之熱管；及 <br/>散熱片（radiating fin），其熱連接於作為上述熱管之容器之一部分區域之第1區域。
如請求項18之散熱裝置，其中，於作為上述容器之另一部分區域之第2區域進而熱連接有受熱塊。
如請求項18之散熱裝置，其使用環境之溫度為-50℃以上90℃以下。
如請求項18之散熱裝置，其進而包含作動流體為水之熱管。
如請求項21之散熱裝置，其中，上述作動流體為水之上述熱管之傾斜角為5°至12°。
如請求項18之散熱裝置，其中，上述散熱片之間隔於上述熱管之前端側較上述熱管之根側更寬。
一種光線轉折模組，包含：<br/> 一光線轉折元件，用以將一入射光軸轉折至一出射光軸，該光線轉折元件包含：<br/> 一入光面，該入射光軸通過且進入該入光面；以及<br/> 一出光面，該出射光軸通過且遠離該出光面；<br/> 一不透光體，與該光線轉折元件對應設置，該不透光體包含：<br/> 一非封閉環型結構，該出射光軸通過該非封閉環型結構的一開放缺口；以及<br/> 複數遮光結構，沿垂直該出射光軸方向自該非封閉環型結構朝該出射光軸延伸，其中該些遮光結構與該光線轉折元件的該出光面相鄰設置；<br/> 其中，以該出射光軸為圓心，該些遮光結構所佔角度為θe，該些遮光結構的數量為Ne，其滿足下列條件：<br/> 10度 ＜ θe ＜ 350度；以及<br/> 15 ＜ Ne ＜ 460；<br/> 其中，各該遮光結構沿垂直該出射光軸方向延伸的一高度為He，其滿足下列條件：<br/> 0.01 mm ＜ He ＜ 1.2 mm。
如請求項1所述的光線轉折模組，其中各該遮光結構朝該出射光軸延伸且漸縮交會。
如請求項1所述的光線轉折模組，其中該不透光體與該些遮光結構一體成型。
如請求項1所述的光線轉折模組，其中以該出射光軸為圓心，該些遮光結構所佔角度為θe，該些遮光結構的數量為Ne，其滿足下列條件：<br/> 10度 ＜ θe ＜ 150度；以及<br/> 15 ＜ Ne ＜ 250。
如請求項1所述的光線轉折模組，其中以該出射光軸為圓心，該些遮光結構所佔角度為θe，該些遮光結構的數量為Ne，其滿足下列條件：<br/> 110度 ＜ θe ＜ 350度；以及<br/> 50 ＜ Ne ＜ 300。
如請求項1所述的光線轉折模組，其中各該遮光結構為一楔形凸起，該楔形凸起具有一夾角θe'，其滿足下列條件：<br/> 0度 ＜ θe' ＜ 90度。
如請求項1所述的光線轉折模組，其中各該遮光結構形成一凸形弧，該凸形弧具有一曲率半徑Re，其滿足下列條件：<br/> 0 mm ＜ Re ＜ 0.3 mm。
如請求項1所述的光線轉折模組，其中各該遮光結構形成一凹形弧，該凹形弧具有一曲率半徑Re'，其滿足下列條件：<br/> 0 mm ＜ Re' ＜ 0.3 mm。
如請求項1所述的光線轉折模組，其中該非封閉環型結構更包含至少一輔助弧，該些遮光結構中至少一部分設置於該至少一輔助弧上，該至少一輔助弧具有一曲率半徑r，其滿足下列條件：<br/> 0.5 mm ＜ r ＜ 50 mm。
如請求項1所述的光線轉折模組，其中各該遮光結構沿平行該出射光軸方向延伸的一長度為Le，其滿足下列條件：<br/> 0.01 mm ＜ Le ＜ 2.8 mm。
如請求項1所述的光線轉折模組，其中該光線轉折元件為塑膠材質。
如請求項1所述的光線轉折模組，其中該不透光體為黑色塑膠材質。
一種相機模組，包含：<br/> 如請求項1所述的光線轉折模組；以及<br/> 一成像鏡頭，其與該光線轉折模組毗鄰設置。
一種電子裝置，包含：<br/> 如請求項13所述的相機模組；以及<br/> 一電子感光元件，其設置於該相機模組的一成像面。
一種光線轉折模組，包含：<br/> 一光線轉折元件，用以將一入射光軸轉折至一出射光軸，該光線轉折元件包含：<br/> 一入光面，該入射光軸通過且進入該入光面；以及<br/> 一出光面，該出射光軸通過且遠離該出光面；<br/> 一不透光體，與該光線轉折元件對應設置，該不透光體包含：<br/> 一非封閉環型結構，該入射光軸通過該非封閉環型結構的一開放缺口；以及<br/> 複數遮光結構，沿垂直該入射光軸方向自該非封閉環型結構朝該入射光軸延伸，其中該些遮光結構與該光線轉折元件的該入光面相鄰設置；<br/> 其中，以該入射光軸為圓心，該些遮光結構所佔角度為θi，該些遮光結構的數量為Ni，其滿足下列條件：<br/> 10度 ＜ θi ＜ 350度；以及<br/> 15 ＜ Ni ＜ 460；<br/> 其中，各該遮光結構沿垂直該入射光軸方向延伸的一高度為Hi，其滿足下列條件：<br/> 0.01 mm ＜ Hi ＜ 1.2 mm。
如請求項15所述的光線轉折模組，其中各該遮光結構朝該入射光軸延伸且漸縮交會。
如請求項15所述的光線轉折模組，其中該不透光體與該些遮光結構一體成型。
如請求項15所述的光線轉折模組，其中以該入射光軸為圓心，該些遮光結構所佔角度為θi，該些遮光結構的數量為Ni，其滿足下列條件：<br/> 10度＜ θi ＜ 150度；以及<br/> 15 ＜ Ni ＜ 250。
如請求項15所述的光線轉折模組，其中以該入射光軸為圓心，該些遮光結構所佔角度為θi，該些遮光結構的數量為Ni，其滿足下列條件：<br/> 110度 ＜ θi ＜ 350度；以及<br/> 50 ＜ Ni ＜ 300。
如請求項15所述的光線轉折模組，其中各該遮光結構為一楔形凸起，該楔形凸起具有一夾角θi'，其滿足下列條件：<br/> 0度 ＜ θi' ＜ 90度。
如請求項15所述的光線轉折模組，其中各該遮光結構形成一凸形弧，該凸形弧具有一曲率半徑Ri，其滿足下列條件：<br/> 0 mm ＜ Ri ＜ 0.3 mm。
如請求項15所述的光線轉折模組，其中各該遮光結構形成一凹形弧，該凹形弧具有一曲率半徑Ri'，其滿足下列條件：<br/> 0 mm ＜ Ri' ＜ 0.3 mm。
如請求項15所述的光線轉折模組，其中該非封閉環型結構更包含至少一輔助弧，該些遮光結構中至少一部分設置於該至少一輔助弧上，該至少一輔助弧具有一曲率半徑r，其滿足下列條件：<br/> 0.5 mm ＜ r ＜ 50 mm。
如請求項15所述的光線轉折模組，其中各該遮光結構沿平行該入射光軸方向延伸的一長度為Li，其滿足下列條件：<br/> 0.01 mm ＜ Li ＜ 2.8 mm。
如請求項15所述的光線轉折模組，其中該光線轉折元件為塑膠材質。
如請求項15所述的光線轉折模組，其中該不透光體為黑色塑膠材質。
一種樹脂被覆金屬板，其係具有金屬板、與第1樹脂被覆層的樹脂被覆金屬板，該第1樹脂被覆層係由形成在前述金屬板的表背面當中單側的面之包含聚酯樹脂之雙軸拉伸薄膜所構成，其特徵為<br/>前述聚酯樹脂包含90mol%以上之對苯二甲酸乙二酯，<br/>前述第1樹脂被覆層係<br/>藉由雷射偏光面相對於前述第1樹脂被覆層的厚度方向，以成為垂直的方式，設定測定方向來進行的拉曼分光分析，所得之1725±5cm<sup>-1</sup>之C=O峰值強度相對於1615±5cm<sup>-1</sup>之C=C峰值強度之比的峰值強度比I<sub>1725</sub>/I<sub>1615</sub>為0.50以上0.65以下，<br/>於前述樹脂被覆金屬板，實施130℃×90分鐘之蒸煮(Retort)處理後之前述峰值強度比I<sub>1725</sub>/I<sub>1615</sub>為0.55以上0.75以下，<br/>具有含有0.1質量%以上2.0質量%以下之蠟化合物的含蠟層。
如請求項1之樹脂被覆金屬板，其中，前述第1樹脂被覆層具有至少包含最表層與下層之複層構造，前述最表層為前述含蠟層。
如請求項1或2之樹脂被覆金屬板，其係具有形成在前述金屬板的表背面當中另一側的面之包含聚酯樹脂之第2樹脂被覆層，且前述第2樹脂被覆層具有至少包含最表層與下層之複層構造，並於排除前述第2樹脂被覆層之前述最表層之層，含有二氧化鈦及雙偶氮系有機顏料的任一者或兩者作為著色顏料。
如請求項1或2之樹脂被覆金屬板，其中，前述蠟化合物為巴西棕櫚蠟。
如請求項3之樹脂被覆金屬板，其中，前述蠟化合物為巴西棕櫚蠟。
一種樹脂被覆金屬板之製造方法，其係如請求項1至5中任一項之樹脂被覆金屬板之製造方法，其特徵為具有：<br/>在以下之(i)～(iii)的條件下，於前述金屬板層壓前述雙軸拉伸薄膜，得到前述第1樹脂被覆層之步驟、<br/>(i)將前述聚酯樹脂的熔點作為Tm(℃)，層壓開始時之前述金屬板的表面溫度為Tm℃以上(Tm+40)℃以下，<br/>(ii)將前述聚酯樹脂的玻璃轉移點作為Tg(℃)，層壓輥的表面溫度為Tg℃以上(Tg+80)℃以下，<br/>(iii)前述雙軸拉伸薄膜與前述層壓輥的接觸時間為10毫秒以上30毫秒以下，<br/>接著，從前述層壓結束的時間點，至2秒以內開始冷卻，進行冷卻至前述第1樹脂被覆層的表面溫度成為(Tg-20)℃以上Tg℃以下之冷卻停止溫度為止之步驟。
一種薄膜沉積裝置，其特徵在於，包括：<br/> 支撐組件，用於將靶材、待鍍膜基板以及參考基板分別固定在鍍膜腔室的對應工位；<br/> 離子束濺射組件，用於基於通入的氣體以及所述靶材，在所述待鍍膜基板以及所述參考基板表面進行鍍膜；<br/> 監控設備，用於監測所述參考基板表面上的鍍膜參數，基於所述鍍膜參數，調整通入所述離子束濺射組件中氣體的工藝參數；<br/> 其中，所述離子束濺射組件包括：<br/> 主離子源，在鍍膜時，所述主離子源用於基於通入的惰性氣體，產生濺射離子束，用以轟擊所述靶材，產生濺射粒子；<br/> 輔離子源，在鍍膜前，所述輔離子源用於基於通入的惰性氣體，產生清理離子束，用以轟擊所述待鍍膜基板和所述參考基板的表面，進行表面清理，在鍍膜時，所述輔離子源用於基於通入的反應氣體和惰性氣體，產生設定方向的反應離子束，用以與所述濺射粒子反應，生成基於所述設定方向的沉積粒子，在所述待鍍膜基板和所述參考基板表面進行鍍膜；<br/> 所述輔離子源設置有氣體入口，所述氣體入口中設置有氣體分流器和氣體質量流量控制器，用以控制通入氣體的流量以及各種氣體的比例，<br/> 所述監控設備包括：<br/> 位於所述鍍膜腔室內的光源模組，用於出射預設波長的檢測光，照射所述參考基板；<br/> 位於所述鍍膜腔室內的採集裝置，用於採集所述參考基板表面鍍膜對所述檢測光的反射光，生成與所述反射光相關的探測信號，對所述探測信號進行傳輸和放大，形成反射光譜；<br/> 其中，所述薄膜沉積裝置能夠在所述參考基板以及所述待鍍膜基板表面沉積含氟薄膜；所述反射光譜能夠表徵所述薄膜中氟含量的鍍膜參數；<br/> 所述監控設備還包括：<br/> 位於所述鍍膜腔室外的處理裝置，用於基於所述反射光譜，確定所述鍍膜參數，通過分析測試出來的所述反射光譜，確定所述薄膜中氟含量的鍍膜參數，將所述氟含量的鍍膜參數發送給自動化控制系統，所述自動化控制系統能夠根據所述氟含量自動調節輔離子源裡面氟基氣體的進氣量，以使得所述待鍍膜基板上的鍍膜滿足目標氟含量。
如請求項1所述的薄膜沉積裝置，其中，所述輔離子源連接有用於通入包含氟基氣體的反應氣體；<br/> 其中，所述氟基氣體包括SiF<sub>4</sub>、CF<sub>4</sub>、NF<sub>3</sub>、C<sub>2</sub>F<sub>6</sub>、SF<sub>6</sub>、WF<sub>6</sub>和F<sub>2</sub>中的一種或是多種。
如請求項1所述的薄膜沉積裝置，其中，所述主離子源包括：<br/> 主離子束發生裝置，用於基於通入的氣體，生成離子束；<br/> 第一柵網，用於控制所述主離子束發生裝置出射離子束的能量，密度和方向；<br/> 第一中和器，用於使得所述第一柵網出射的離子束轉換為中性粒子。
如請求項3所述的薄膜沉積裝置，其中，所述第一柵網為弧形柵網，用於將濺射離子束聚焦到所述靶材的內部。
如請求項1所述的薄膜沉積裝置，其中，所述輔離子源包括：<br/> 輔離子束發生裝置，用於基於通入的氣體，生成離子束；<br/> 第二柵網，用於控制所述輔離子束發生裝置出射離子束的能量，密度和方向；<br/> 第二中和器，用於使得所述第二柵網出射的離子束轉換為中性粒子。
如請求項5所述的薄膜沉積裝置，其中，所述第二柵網為平面柵網，用於提高清理離子束的均勻性。
如請求項1所述的薄膜沉積裝置，其中，所述支撐組件包括：<br/> 第一支撐結構，用於固定所述靶材的第一工位；<br/> 第二支撐結構，用於固定所述待鍍膜基板的第二工位；<br/> 第三支撐結構，用於固定所述參考基板的第三工位。
一種基於請求項1至7任一項所述薄膜沉積裝置的薄膜沉積方法，其特徵在於，包括：<br/> 基於所述支撐組件，將所述靶材、待鍍膜基板以及所述參考基板固定在所述鍍膜腔室的對應工位；<br/> 通過所述離子束濺射組件，對所述待鍍膜基板以及所述參考基板表面進行鍍膜；<br/> 在鍍膜過程中，通過所述監控設備監測所述參考基板表面上的鍍膜中氟含量的鍍膜參數，並基於所述氟含量的鍍膜參數，調整通入所述離子束濺射組件中氣體的工藝參數；<br/> 其中，通過所述離子束濺射組件，對所述待鍍膜基板以及所述參考基板表面進行鍍膜，包括：<br/> 向主離子源通入惰性氣體，控制所述主離子源產生設定方向的濺射離子束，用以轟擊所述靶材，產生濺射粒子；<br/> 向輔離子源通入反應氣體和惰性氣體，通過所述氣體分流器控制各種氣體的比例和氣體質量流量控制器控制通入氣體的流量，控制所述輔離子源產生設定方向的反應離子束，用以與所述濺射粒子反應，生成基於所述設定方向的沉積粒子，在所述待鍍膜基板和所述參考基板表面進行鍍膜。
如請求項8所述的薄膜沉積方法，其中，控制所述主離子源產生設定方向的濺射離子束包括：<br/> 向主離子束發生裝置通入惰性氣體，生成濺射離子束；<br/> 通過第一柵網，控制所述濺射離子束的能量，密度和方向；<br/> 基於第一中和器，將所述第一柵網出射的濺射離子束轉換成中性濺射離子束。
如請求項9所述的薄膜沉積方法，其中，對所述待鍍膜基板以及所述參考基板表面進行鍍膜時，所述主離子源的工藝參數包括：<br/> 所述濺射離子束的能量為400-1000 eV，電流為0.5-1.0 A；<br/> 所述第一柵網出射的濺射離子束與靶材平面方向的夾角10-75°。
如請求項8所述的薄膜沉積方法，其中，控制所述輔離子源產生設定方向的反應離子束包括：<br/> 向輔離子束發生裝置通入反應氣體和惰性氣體，生成反應離子束；<br/> 通過第二柵網，控制所述反應離子束的方向；<br/> 基於第二中和器，將所述第二柵網出射的反應離子束轉換成中性反應離子束。
如請求項11所述的薄膜沉積方法，其中，對所述待鍍膜基板以及所述參考基板表面進行鍍膜時，所述輔離子源的工藝參數包括：<br/> 向所述輔離子束發生裝置通入反應氣體的流量為1-24 sccm；<br/> 所述反應離子束的能量為50-400 eV，電流為0.05-0.5 A；<br/> 所述第二柵網出射的反應離子束與垂直於基板所在平面方向的夾角0-75°。
如請求項11所述的薄膜沉積方法，其中，所述惰性氣體包括：He、Ne、Ar、Kr和Xe中的任一種或多種。
如請求項8所述的薄膜沉積方法，其中，通過所述離子束濺射組件，對所述待鍍膜基板以及所述參考基板表面進行鍍膜之前還包括：<br/> 向所述輔離子源中通入惰性氣體，控制所述輔離子源清理所述鍍膜基板和所述參考基板的表面。
如請求項14所述的薄膜沉積方法，其中，進行表面清理時，所述輔離子源的工藝參數包括：<br/> 所述清理離子束的能量為100-400 eV，電流為0.05-0.5 A。
一種塗料澆注輔助裝置，其係能設置於一塗料桶，所述塗料桶的開口形成有一凸緣，該塗料澆注輔助裝置包含：<br/>一軟性材質之套環，其包含依序連接之一抵接部及一導引部，所述抵接部與所述導引部中央貫通形成一倒料口，且該套環於該抵接部與該導引部之間的外圍形成一配合槽，所述抵接部係設置於該塗料桶內並抵接該塗料桶的內壁面，所述套環的該抵接部外圍凸伸形成至少一密封片，所述塗料桶的該凸緣係伸入扣接所述配合槽，所述導引部係自該塗料桶的該開口向外延伸；以及<br/>一外蓋，其內部形成一內部空間，且該外蓋係能蓋合於該套環，並封閉該套環的該倒料口，所述外蓋的內部空間能連通該倒料口。
如請求項1所述之塗料澆注輔助裝置，其中所述套環的該倒料口側面形成複數環繞間隔的卡扣凸塊，所述卡扣凸塊係能與該外蓋下緣扣合。
如請求項1或2所述之塗料澆注輔助裝置，其中所述套環的該導引部呈圈圍傾斜狀。
如請求項1或2所述之塗料澆注輔助裝置，其中所述外蓋於該內部空間的內側緣形成複數環繞間隔的刮料凸塊。
如請求項3所述之塗料澆注輔助裝置，其中所述外蓋於該內部空間的內側緣形成複數環繞間隔的刮料凸塊。
如請求項1或2所述之塗料澆注輔助裝置，其中所述外蓋為軟性材質。
如請求項4所述之塗料澆注輔助裝置，其中所述外蓋為軟性材質。
如請求項5所述之塗料澆注輔助裝置，其中所述外蓋為軟性材質。
一種發光元件，包含：<br/>一基板結構，包含一基底部，其具有一表面以及複數凸出部位於該基底部之上；<br/>一緩衝層，包含氮化鋁，覆蓋該些凸出部及該表面上；以及<br/>一Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層，位於該緩衝層上；<br/>其中，該些凸出部各包含一第一部分以及位於該第一部分上的一第二部分，該第一部分一體成形於該基底部；<br/>該基底部包含一第一材料，且該第一部份包含該第一材料；<br/>該第一部份包含一第一側表面，該第二部份包含一第二側表面與該第一側表面相連接；以及<br/>該緩衝層接觸該第一側表面、該第二側表面及該基底部的該表面，具有一厚度大於5 nm、不大於50 nm。
如請求項1的發光元件，其中該第二部分包含一第二材料，該第二材料不同於該第一材料，且該第二材料的折射率小於該第一材料的折射率。
如請求項2的發光元件，其中該第二材料包含二氧化矽。
如請求項2的發光元件，其中該第一材料包含藍寶石，以及該表面包含該藍寶石的C平面。
如請求項1的發光元件，其中該第一部分的高度占該凸出部的高度的1%至30%(兩者都含)。
如請求項1的發光元件，其中該第一部分包含一平面頂表面，該第二部分位於該平面頂表面且接觸該平面頂表面。
如請求項1的發光元件，其中該些凸出部具有一週期，其介於1 µm到3 µm之間。
如請求項1的發光元件，其中於該基板結構的一剖面圖中，該些凸出部其中之一與該基底部的該表面間形成一夾角，該夾角小於65度。
如請求項1的發光元件，其中由一剖面觀之，該些凸出部其中之一包含向外突起的一弧部，該弧部的兩端點連接構成一虛擬弦部；以及<br/>該弧部與該虛擬弦部之間的最大距離為大於0 μm且不大於0.5 μm。
如請求項1的發光元件，更包含一凹槽位於該些凸出部之間；以及其中該Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層包含一覆蓋層覆蓋該緩衝層，該覆蓋層的能階小於該緩衝層的能階，且部分的該覆蓋層位於該凹槽中。
一種電子裝置，包含： <br/>一機殼，包含一第一金屬層； <br/>一顯示面板，設置在該機殼上，並與該第一金屬層相對，其中該顯示面板包含一第二金屬層； <br/>一金屬框體，設置在該機殼內，並位於該第一金屬層與該第二金屬層之間； <br/>一電路板，設置在該金屬框體上； <br/>一通訊天線，設置在該機殼內，並包含一天線本體以及一接地結構，該接地結構電性連接該金屬框體；以及 <br/>一金屬屏蔽結構，連接在該第一金屬層以及該第二金屬層之間，並分隔該通訊天線的該天線本體以及該電路板，其中該金屬屏蔽結構為該金屬框體的邊緣或是該通訊天線的該接地結構延伸所形成的結構。
如請求項1所述之電子裝置，其中該金屬框體包含一平台部以及一側壁部，該平台部承載該電路板，並抵接該第二金屬層，該側壁部連接該平台部的一外緣，並相對於該平台部彎折，且該側壁部的一末端抵接該第一金屬層，其中該側壁部作為該金屬屏蔽結構。
如請求項2所述之電子裝置，其中該通訊天線的該接地結構連接該側壁部遠離該電路板的一表面。
如請求項2所述之電子裝置，其中該金屬框體的該側壁部環繞該平台部。
如請求項1所述之電子裝置，其中該金屬框體設置在該第二金屬層上，該接地結構包含一板體，該板體設置在該天線本體遠離該機殼的一內表面上，並遮蔽該天線本體的該內表面，且該板體抵接該第一金屬層以及該金屬框體，其中該板體作為該金屬屏蔽結構。
如請求項1所述之電子裝置，其中該金屬框體具有面對該通訊天線的一第一邊緣，在該第一邊緣延伸的一方向上，該金屬屏蔽結構的寬度以及該第一金屬層的寬度大於等於該通訊天線的該天線本體的寬度。
如請求項1所述之電子裝置，其中該顯示面板具有一顯示區，該第二金屬層設置在該顯示面板遠離該顯示區的一側。
如請求項7所述之電子裝置，其中該顯示面板包含一背光模組，該第二金屬層為該背光模組的一反射片。
如請求項1所述之電子裝置，其中該機殼包含一金屬殼體，該金屬殼體具有一開口，該顯示面板設置在該開口，其中該金屬殼體還包含與該開口相對的一背板部，該背板部作為該第一金屬層。
如請求項1所述之電子裝置，其中該機殼還包含一非金屬殼體，該非金屬殼體具有一開口，該顯示面板設置在該開口，其中該非金屬殼體還包含與該開口相對的一背板部，該第一金屬層附著於該背板部上。
一種製造裝置，係包含複數要素裝置與對前述複數要素裝置發送資料訊號的控制部的製造裝置，其特徵為： <br/>前述複數要素裝置是依據各種功能進行群組分類， <br/>具有包含以下群組之1以上的群組： <br/>第1副裝置群組，係包含前述複數要素裝置中之至少1個要素裝置；及 <br/>第2副裝置群組，係包含從前述複數要素裝置，排除前述第1副裝置群組所包含之要素裝置的要素裝置中之至少1個要素裝置， <br/>前述控制部將前述資料訊號發送至前述第1副裝置群組及第2副裝置群組， <br/>前述複數要素裝置更具有： <br/>第3副裝置群組，係包含從前述複數要素裝置，排除前述第1副裝置群組所包含之要素裝置及第2副裝置群組所包含之要素裝置的要素裝置中之至少1個要素裝置， <br/>前述第3副裝置群組與前述第1副裝置群組以不會同步進行要素裝置的作業之方式構成， <br/>前述第3副裝置群組以菊花鏈方式連接於前述第1副裝置群組。
如請求項1所記載之製造裝置，其中， <br/>前述控制部具有： <br/>主裝置，係生成前述資料訊號；及 <br/>集線器，係連接於前述主裝置，至少具有第1通訊部與第2通訊部， <br/>在前述集線器的前述第1通訊部，連接前述第1副裝置群組， <br/>在前述集線器的前述第2通訊部，連接前述第2副裝置群組。
如請求項2所記載之製造裝置，其中， <br/>前述控制部更具有： <br/>主裝置，係生成前述資料訊號；及 <br/>主裝置側通訊部，係接收從前述主裝置發送的前述資料訊號， <br/>前述第1通訊部從前述主裝置側通訊部接收前述資料訊號，接收巡迴於前述第1副裝置群組的前述資料訊號， <br/>前述第2通訊部從前述第1通訊部接收前述資料訊號，接收巡迴於前述第2副裝置群組的前述資料訊號，並對前述主裝置側通訊部發送前述資料訊號。
如請求項1所記載之製造裝置，其中， <br/>前述控制部、前述第1副裝置群組、及前述第2副裝置群組遵從適用了EtherCAT的通訊方式。
如請求項1所記載之製造裝置，其中， <br/>前述第1副裝置群組及前述第2副裝置群組是藉由依據功能分類的要素裝置構成， <br/>前述第1副裝置群組與前述第2副裝置群組構成為能夠同步進行要素裝置的作業。
一種製造裝置，係包含複數要素裝置與對前述複數要素裝置發送資料訊號的控制部的製造裝置，其特徵為： <br/>前述複數要素裝置是依據各種功能進行群組分類， <br/>具有包含以下群組之1以上的群組： <br/>第1副裝置群組，係包含前述複數要素裝置中之至少1個要素裝置；及 <br/>第2副裝置群組，係包含從前述複數要素裝置，排除前述第1副裝置群組所包含之要素裝置的要素裝置中之至少1個要素裝置， <br/>前述控制部將前述資料訊號發送至前述第1副裝置群組及第2副裝置群組， <br/>前述第1副裝置群組包含複數高頻電源， <br/>前述第2副裝置群組包含複數流量控制器。
一種運作方法，係請求項6所記載之製造裝置的運作方法，其特徵為： <br/>在前述第1副裝置群組中前述複數高頻電源中之所定高頻電源的交換作業，包含： <br/>第1交換前作業，係停止前述所定高頻電源的電力的供給； <br/>第1交換作業，係交換前述所定高頻電源； <br/>第1交換後的確認作業，係對前述交換後的高頻電源進行電力的供給；及 <br/>轉換表作成工程，係調整前述交換後的高頻電源的輸出， <br/>在前述第2副裝置群組中前述複數流量控制器中之所定流量控制器的交換作業，包含： <br/>第2交換前作業，係進行洩漏檢測； <br/>第2交換作業，係交換前述所定流量控制器；及 <br/>第2交換後的確認作業，係對於前述交換後的流量控制器進行洩漏檢測， <br/>前述所定高頻電源的交換作業與前述所定流量控制器的交換作業能夠同步實施。
一種測試管理方法，其係電子裝置中之應用程式測試管理方法，其包括如下步驟： <br/>基於藉由設定區域接收之用戶之輸入而確認第1資訊，該第1資訊包括對象裝置設定資訊及對象應用程式設定資訊； <br/>確認基於上述第1資訊而產生之測試設定資訊； <br/>使用基於上述測試設定資訊而確認之測試裝置及測試應用程式，提供與上述測試應用程式之驅動對應之輸出資訊； <br/>回應於上述測試應用程式之上述驅動，產生與上述測試設定資訊對應之測試之實例資訊； <br/>確認與上述測試之實行相關之用戶輸入之資訊； <br/>將上述用戶輸入之上述資訊映射於上述實例資訊；及 <br/>回應於自用戶裝置之上述實例資訊之請求，基於上述測試設定資訊及關於上述用戶輸入之資訊，將測試環境提供於上述用戶裝置。
如請求項1之測試管理方法，其中在基於上述對象裝置設定資訊而確認之上述測試裝置中，設置有基於上述對象應用程式設定資訊而確認之上述測試應用程式。
如請求項1之測試管理方法，其進而包括如下步驟： <br/>提供基於上述對象裝置設定資訊而確認之上述測試裝置之資訊及基於上述對象應用程式設定資訊而確認之測試應用程式之資訊。
如請求項1之測試管理方法，其中分配與上述測試設定資訊對應之測試設定之識別資訊，且 <br/>上述測試管理方法進而包括如下步驟： <br/>於接收到與上述識別資訊對應之請求後，提供使用上述測試裝置及測試應用程式之測試環境。
如請求項1之測試管理方法，其進而包括如下步驟： <br/>確認測試設定之識別資訊； <br/>確認與上述識別資訊對應之測試設定資訊；及 <br/>使用基於上述測試設定資訊而確認之測試裝置及測試應用程式，提供上述輸出資訊。
如請求項1之測試管理方法，其中上述對象裝置設定資訊包括與上述測試裝置對應之作業系統之類型資訊、上述作業系統之版本資訊及與上述測試裝置對應之解析度資訊中之至少一者。
如請求項1之測試管理方法，其中確認上述第1資訊之步驟包括如下步驟： <br/>為了自上述用戶接收上述對象裝置設定資訊，藉由上述設定區域而提供第1基於圖形之介面(圖形用戶介面；GUI)；及 <br/>基於藉由上述第1基於圖形之介面接收到之用戶輸入來接收上述對象裝置設定資訊。
如請求項1之測試管理方法，其中上述對象應用程式設定資訊包括對象應用程式之資訊、與上述對象應用程式對應之對象儲存庫資訊及與上述對象儲存庫資訊對應之至少一個對象分支資訊中之至少一者。
如請求項8之測試管理方法，其中確認上述第1資訊之步驟包括如下步驟： <br/>為了自上述用戶接收上述對象應用程式設定資訊，藉由上述設定區域而提供第2基於圖形之介面； <br/>藉由上述第2基於圖形之介面而提供作為測試對象之一個以上之候補應用程式之資訊、與上述一個以上之候補應用程式對應之一個以上之儲存庫之目錄、與上述一個以上之儲存庫對應之一個以上之分支資訊；及 <br/>基於藉由上述第2基於圖形之介面接收到之用戶輸入來確認上述對象應用程式設定資訊。
如請求項1之測試管理方法，其中上述第1資訊進而包括詳細環境設定資訊， <br/>確認上述第1資訊之步驟包括如下步驟： <br/>為了自上述用戶接收上述詳細環境設定資訊，藉由上述設定區域而提供第3基於圖形之介面；及 <br/>基於藉由上述第3基於圖形之介面接收到之用戶輸入來接收上述詳細環境設定資訊。
如請求項10之測試管理方法，其中上述詳細環境設定資訊包括測試賬戶資訊、與測試對應之測試賬戶分配資訊、API資訊、API請求或API響應之模擬資訊、用以實行測試之分段伺服器資訊中之至少一部分。
如請求項1之測試管理方法，其中上述第1資訊包括藉由上述設定區域提供之第4基於圖形之介面而自上述用戶接收之上述測試之UI自動化資訊及應用方案資訊中之至少一者， <br/>提供上述輸出資訊之步驟進而包括如下步驟： <br/>基於上述UI自動化資訊及上述應用方案資訊中之至少一者而對上述測試應用程式之動作進行控制。
如請求項1之測試管理方法，其進而包括如下步驟： <br/>於正在驅動上述測試應用程式時進而接收用以對上述測試應用程式之動作進行控制之設定資訊；及 <br/>基於用戶輸入而提供與上述測試應用程式之動作對應之輸出資訊，該用戶輸入係請求基於上述設定資訊之測試應用程式之動作。
如請求項13之測試管理方法，其中上述測試應用程式之動作包括推送通知動作，上述設定資訊包括與上述推送通知動作對應之符記資訊。
如請求項1之測試管理方法，其中執行上述測試裝置之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述對象裝置設定資訊，確認與上述電子裝置連接之測試裝置； <br/>將與基於上述對象應用程式設定資訊而確認之上述測試應用程式相關之資料進行建置及/或設置至上述測試裝置；及 <br/>獲得藉由驅動上述測試裝置而產生之輸出資訊。
如請求項1之測試管理方法，其中提供上述輸出資訊之步驟包括如下步驟： <br/>提供包括與上述設定區域對應之輸出區域之第5基於圖形之介面； <br/>藉由上述第5基於圖形之介面來接收與上述測試之實行相關之用戶輸入；及 <br/>基於上述用戶輸入而實行對上述測試裝置之輸入；及 <br/>將輸出資訊顯示於上述輸出區域，該輸出資訊包括與對上述測試裝置之輸入對應之上述測試裝置之動作結果之資訊。
如請求項1之測試管理方法，其進而包括如下步驟： <br/>接收與錯誤報告相關之用戶請求；及 <br/>基於上述用戶請求而儲存錯誤報告資訊，該錯誤報告資訊包括上述測試設定資訊、上述實例資訊、實行上述測試之用戶資訊、基於用戶之追加輸入而接收之錯誤詳細資訊中之至少一部分。
一種電子裝置，其包括： <br/>通訊部；及 <br/>處理器；且 <br/>上述處理器以如下之方式設定： <br/>基於藉由設定區域接收之用戶之輸入而確認第1資訊，該第1資訊包括對象裝置設定資訊及對象應用程式設定資訊， <br/>確認基於上述第1資訊而產生之測試設定資訊， <br/>使用基於上述測試設定資訊而確認之測試裝置及測試應用程式，提供與上述測試應用程式之驅動對應之輸出資訊， <br/>回應於上述測試應用程式之上述驅動，產生與上述測試設定資訊對應之測試之實例資訊， <br/>確認與上述測試之實行相關之用戶輸入之資訊， <br/>將上述用戶輸入之上述資訊映射於上述實例資訊，及 <br/>回應於自用戶裝置之上述實例資訊之請求，基於上述測試設定資訊及關於上述用戶輸入之資訊，將測試環境提供於上述用戶裝置。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有用以於電腦中執行如請求項1之方法之程式。
一種用於處理光電裝置的方法，包含：<br/> - 提供複數個光電組件、尤其是布置在載具上之μLED，其中該複數個光電組件的每一個光電組件包含一電耦接至該載具上之接觸引線的接觸區域及一實質上與該接觸區域相反地坐落之發射表面；<br/> - 將介電材料設置至該載具及該複數個光電組件上，使得該介電材料形成具有複數個連續突起部的表面，每一個突起部上覆該等光電組件之各個光電組件；<br/> - 至少部分地移除該等突起部的介電材料，使得暴露該複數個光電組件之至少邊緣部分；<br/> - 將導電透明層至少沉積至該複數個光電組件的暴露邊緣部分及該載具上之介電材料上，以便與該複數個光電組件的每一個形成電接觸，<br/> - 其中至少部分地移除該等突起部之介電材料的步驟包含於形成各個透鏡之該複數個光電組件的每一個之表面上留下該突起部的彎曲殘留部分。
如請求項1的方法，其中至少部分地移除該介電材料之步驟包含由該載具移除該已設置的介電材料之一部分，使得鄰接該複數個光電組件的邊緣部分之載具上的介電材料之頂部表面位準至該等邊緣部分的位準之間的距離係小於該沉積之導電透明層的厚度。
如請求項1的方法，其中直接鄰接該邊緣之載具上的介電材料之厚度係大於距離更遠的厚度，其中尤其是該介電材料與該複數個光電組件之邊緣部分閉合。
如請求項1的方法，其中設置介電材料之步驟包含以下的至少一者：<br/> - 旋壓該介電材料；<br/> - 分配該介電材料，尤其是分配至該複數個光電組件之頂部表面上；<br/> - 噴射該介電材料，尤其是噴射至該複數個光電組件的頂部表面上；<br/> - 熱處理該設置之介電材料，尤其是在至少部分地移除該材料的步驟之後；<br/> - 尤其是用紫外光照射該設置之介電材料。
如請求項1的方法，其中至少部分地移除該介電材料之步驟包含：<br/> - 電漿蝕刻該材料；<br/> - 化學蝕刻該材料；<br/> - 機械移除該材料。
如請求項1的方法，更包含：<br/> - 沉積第二光可結構化介電材料，尤其是藉由在該導電透明層上旋壓；<br/> - 將該第二光可結構化介電材料結構化，以於該複數個光電組件之頂部表面上方形成一光成形光學結構。
如請求項6的方法，更包含：<br/> - 在沉積該第二光可結構化介電材料之後，於該第二光可結構化介電材料上方提供並對齊一蔭蔽罩或光罩。
如請求項6的方法，其中該結構化步驟包含以下步驟之至少一者：<br/> - 將光阻劑沉積至該第二光可結構化介電材料上；<br/> - 結構化該光阻劑；<br/> - 移除未被該結構化的光阻劑所保護之第二光可結構化介電材料的材料。
如請求項6的方法，其中結構化該第二光可結構化介電材料包含以下步驟：<br/> - 預加熱或光處理該第二光可結構化介電材料將該頂部表面上方之結構的樣式成形。
如請求項6的方法，其中該第二光可結構化介電材料包含BCB及/或玻璃材料上之旋壓。
一種光電裝置，包含： - 載具，具有複數個接觸引線；<br/> - 複數個光電組件，以使得該複數個光電組件的每一個之第一接觸區域連接相應接觸引線的方式布置在該載具上，其中該複數個光電組件之每一個包含實質上與該第一接觸區域相反的發射表面；<br/> - 第一介電材料，布置於該載具上的複數個光電組件之間並連接至其壁面；<br/> - 介電之光成形光學結構，位於該複數個光電組件之每一個的該發射表面之一第一部上；<br/> - 導電透明層，布置在該第一介電材料上，在連接其第二接觸區域之該複數個光電組件的每一個之該發光表面一第二部上，該第二部包括邊緣部分；<br/> - 其中該導電透明層由該邊緣部分延伸在該光成形光學結構上方，藉此覆蓋該光成形光學結構。
如請求項11的光電裝置，其中<br/> - 該光成形光學結構係形成為包含該第一介電材料之透鏡；或<br/> - 該光成形光學結構包含尤其是與該第一介電材料不同的第二介電材料。
如請求項11的光電裝置，其中該導電透明層包含一厚度，該厚度係大於鄰接該複數個光電組件之邊緣部分的載具上之第一介電材料的頂部表面位準至該等邊緣部分的位準之間的距離。
一種應用程式初始化方法，其係藉由電子裝置而進行者，其包括如下步驟： <br/>確認與上述電子裝置相關之服務之應用程式中包括之一個以上之模組的資訊； <br/>基於上述一個以上之模組之資訊，確認上述一個以上之模組間之依存性關係之資訊； <br/>基於上述一個以上之模組間之依存性關係之資訊，產生上述一個以上之模組之初始化順序之資訊；及 <br/>基於上述初始化順序之資訊，將上述應用程式初始化， <br/>其中確認上述一個以上之模組間之上述依存性關係之上述資訊包括： <br/>確認與上述一個以上之模組相關之代碼；及 <br/>基於上述代碼之內容，判定上述一個以上之模組之間的上述依存性關係對應弱依存性關係或強依存性關係， <br/>其中判定上述一個以上之模組之間的上述依存性關係對應弱依存性關係或強依存性關係包括： <br/>當上述代碼之上述內容包含第1類型內容，將與上述第1類型內容相關之依存性關係判定為弱依存性關係；及 <br/>當上述代碼之上述內容包含第2類型內容，將與上述第2類型內容相關之依存性關係判定為強依存性關係， <br/>其中上述第1類型內容包含利用字串來聲明依存性關係之內容，且上述第2類型內容包含利用類別來聲明依存性關係之內容。
如請求項1之應用程式初始化方法，其中上述一個以上之模組之資訊中包括之各模組之資訊包括上述各模組之公用部分之資訊及上述各模組之專用部分的資訊， <br/>上述一個以上之模組間之依存性關係之資訊係基於上述各模組之專用部分的資訊而確認。
如請求項2之應用程式初始化方法，其中上述一個以上之模組各者之公用部分包括上述一個以上之模組各者之介面及資料模型， <br/>上述一個以上之模組各者之專用部分包括用以將上述一個以上之模組各者初始化的初始器。
如請求項3之應用程式初始化方法，其中將上述應用程式初始化之步驟包括如下步驟： <br/>按照基於上述初始化順序之資訊而確認之上述一個以上之模組的初始化順序，驅動上述初始器。
如請求項2之應用程式初始化方法，其中上述各模組之專用部分之資訊包括上述各模組之專用部分所依存之其他模組之專用部分的代碼資訊， <br/>上述一個以上之模組間之依存性關係包括基於上述代碼資訊而確認之上述各模組之專用部分之間的初始化順序之第1依存性關係。
如請求項5之應用程式初始化方法，其中上述第1依存性關係與第2依存性關係不同，該第2依存性關係係於上述各模組之專用部分與上述各模組之公用部分之間、或上述各模組之公用部分之間確認者。
如請求項6之應用程式初始化方法，其中該第2依存性關係包括上述各模組之專用部分與上述各模組之公用部分之間、或上述各模組之公用部分之間的api呼叫之依存性關係。
如請求項6之應用程式初始化方法，其中上述一個以上之模組與上述應用程式中包括之一個以上之層分別對應， <br/>上述第1依存性關係及上述第2依存性關係遵守如下之規則：上位層中包括之模組依存於下位層中包括之模組、或同等層中包括之模組間相互依存。
如請求項1之應用程式初始化方法，其中上述一個以上之模組之初始化順序之資訊包括圖表資訊，該圖表資訊係顯示上述一個以上之模組間之依存性關係及上述一個以上之模組的初始化順序者。
如請求項9之應用程式初始化方法，其中產生上述初始化順序之資訊之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述一個以上之模組各者之專用部分中包括之各初始器而設定IoC編譯器，該IoC編譯器係產生用以向上述一個以上之模組各者之公用部分注入上述一個以上之模組之依存性關係的代碼者；及 <br/>基於利用上述IoC編譯器而產生之用以注入上述一個以上之模組之依存性關係的代碼，產生上述圖表資訊。
如請求項10之應用程式初始化方法，其中上述圖表資訊係於上述應用程式之運行時間中產生。
如請求項9之應用程式初始化方法，其中產生上述初始化順序之資訊之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述一個以上之模組各者之專用部分中包括之各初始器，設定產生與上述圖表資訊對應之代碼之編譯器插件；及 <br/>基於利用上述編譯器插件而產生之與上述圖表資訊對應之代碼，產生上述圖表資訊。
如請求項12之應用程式初始化方法，其中與上述圖表資訊對應之代碼係於上述應用程式之編譯時間中產生。
一種電子裝置，其係用以將應用程式初始化者，其包括： <br/>記憶體，其儲存有至少一個程式；及 <br/>處理器； <br/>該處理器如下： <br/>執行上述至少一個程式，藉此 <br/>確認與上述電子裝置相關之服務之應用程式中包括之一個以上之模組的資訊； <br/>基於上述一個以上之模組之資訊，確認上述一個以上之模組間之依存性關係之資訊； <br/>基於上述一個以上之模組間之依存性關係之資訊，產生上述一個以上之模組之初始化順序之資訊；及 <br/>基於上述初始化順序之資訊，將上述應用程式初始化， <br/>其中上述處理器藉由如下確認上述一個以上之模組間之上述依存性關係之上述資訊： <br/>確認與上述一個以上之模組相關之代碼；及 <br/>基於上述代碼之內容，判定上述一個以上之模組之間的上述依存性關係對應弱依存性關係或強依存性關係， <br/>其中上述處理器藉由如下判定上述一個以上之模組之間的上述依存性關係對應弱依存性關係或強依存性關係： <br/>當上述代碼之上述內容包含第1類型內容，將與上述第1類型內容相關之依存性關係判定為弱依存性關係；及 <br/>當上述代碼之上述內容包含第2類型內容，將與上述第2類型內容相關之依存性關係判定為強依存性關係， <br/>其中上述第1類型內容包含利用字串來聲明依存性關係之內容，且上述第2類型內容包含利用類別來聲明依存性關係之內容。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有用以於電腦中執行如請求項1之應用程式初始化方法之程式。
一種光罩的製造方法，該光罩具有第一孤立圖案(61a)、第二孤立圖案(62a)及橋接圖案(63a)，該橋接圖案(63a)連接前述第一孤立圖案(61a)與前述第二孤立圖案(62a)，該製造方法的特徵在於，具有如下步驟：<br/> 積層膜形成步驟，其形成在穿透性基板(1)上具導電性之半穿透膜(2)、與在前述半穿透膜(2)上的遮光膜(3)；<br/> 第一蝕刻掩模形成步驟，其將具開口圖案(4s)之第一阻劑圖案(4a)形成於前述遮光膜(3)上；<br/> 第一圖案化步驟，其選擇性地蝕刻前述遮光膜(3)而形成開口部(OP)，然後去除前述第一阻劑圖案(4a)；<br/> 第二蝕刻掩模形成步驟，其將第二阻劑圖案(5a)形成於前述遮光膜(3)上，該第二阻劑圖案(5a)具有覆蓋前述開口部(OP)之橋接區域(53a)、與和前述橋接區域(53a)相接的第一孤立圖案區域(51a)及第二孤立圖案區域(52a)；及，<br/> 第二圖案化步驟，其蝕刻前述遮光膜(3)及前述半穿透膜(2)，形成前述第一孤立圖案(61a)、前述第二孤立圖案(62a)及前述橋接圖案(63a)，然後去除前述第二阻劑圖案(5a)。
如請求項1所述之光罩的製造方法，其中，前述開口圖案(4s)的寬度(w)為使用前述光罩的曝光步驟的解析極限以下。
如請求項1所述之光罩的製造方法，其中，在前述第一圖案化步驟中，<br/> 在露出前述半穿透膜(2)後，將前述半穿透膜(2)進行部分地蝕刻來減少膜厚。
如請求項1所述之光罩的製造方法，其中，<br/> 前述第二阻劑圖案(5a)的前述橋接區域(53a)具有：填入前述開口部(OP)的填充部(5f)、與自前述填充部(5f)突出並覆蓋前述遮光膜(3)的延長部(5e)。
如請求項1～4中任一項所述之光罩的製造方法，其中，前述第二圖案化步驟包含：<br/> 將前述遮光膜(3)選擇性地蝕刻的步驟與<br/> 將前述半穿透膜(2)選擇性地蝕刻的步驟。
如請求項1～4中任一項所述之光罩的製造方法，其中，設為如下：<br/> 在前述積層膜形成步驟中，<br/> 進一步將中間膜(7)形成於前述半穿透膜(2)上，將前述遮光膜(3)形成於前述中間膜(7)上，<br/> 在前述第一圖案化步驟中，<br/> 將前述遮光膜(3)選擇性地蝕刻後，將前述中間膜(7)選擇性地蝕刻，形成露出前述半穿透膜(2)的表面的前述開口部(OP)，<br/> 在前述第二圖案化步驟中，<br/> 將前述遮光膜(3)、前述中間膜(7)及前述半穿透膜(2)蝕刻，形成前述第一孤立圖案(61a)、前述第二孤立圖案(62a)及前述橋接圖案(63a)。
一種光罩的製造方法，該光罩具有第一孤立圖案(61a)、第二孤立圖案(62a)及橋接圖案(63a)，該橋接圖案(63a)連接前述第一孤立圖案(61a)與前述第二孤立圖案(62a)，該製造方法的特徵在於，具有如下步驟：<br/> 遮光膜形成步驟，其形成在穿透性基板(1)上的遮光膜(3)與在前述遮光膜(3)上的由和前述遮光膜(3)不同的材料所構成之包覆膜(11)；<br/> 遮光膜圖案化步驟，其於前述包覆膜(11)上形成遮光區域蝕刻掩模(12a、12b)，蝕刻前述包覆膜(11)及前述遮光膜(3)，來形成前述第一孤立圖案(61a)、前述第二孤立圖案(62a)，然後去除前述遮光區域蝕刻掩模(12a、12b)；<br/> 半穿透膜形成步驟，其形成半穿透膜(2)；及，<br/> 半穿透膜圖案化步驟，其將半穿透區域蝕刻掩模(13a)形成於前述半穿透膜(2)上，將前述半穿透區域蝕刻掩模(13a)作成蝕刻掩模，蝕刻前述半穿透膜(2)及前述包覆膜(11)來進行圖案化，進一步藉由過蝕刻去除前述包覆膜(11)，形成由前述半穿透膜(2)所構成之橋接圖案(63a)，然後去除前述半穿透區域蝕刻掩模(13a)。
一種光罩，其特徵在於，<br/> 在穿透性基板(1)上具備第一孤立圖案(61a)、第二孤立圖案(62a)及橋接圖案(63a)，該橋接圖案(63a)連接前述第一孤立圖案(61a)與前述第二孤立圖案(62a)且不會轉印於曝光對象物，<br/> 前述第一孤立圖案(61a)與前述第二孤立圖案(62a)由具遮光性之上層膜與具半穿透性之下層膜之積層所構成，<br/> 前述橋接圖案(63a)具有導電性的同時還具有半穿透性，並與前述下層膜連接，<br/> 前述橋接圖案(63a)的穿透率高於前述下層膜的穿透率。
如請求項8所述之光罩，其中，前述下層膜由半穿透膜(2)構成，<br/> 前述橋接圖案(63a)由已減少膜厚的前述半穿透膜(2)構成。
如請求項8所述之光罩，其中，前述橋接圖案(63a)由半穿透膜(2)所構成，<br/> 前述下層膜由前述半穿透膜(2)與形成於前述半穿透膜(2)的中間膜(7)之積層所構成。
一種閘道器裝置，包括有：<br/> 接收用路由表（routing table），用以傳送從外部接收到的封裝了有效負載 IP 封包的接收IP封包；<br/> 有效負載傳送用路由表，用以傳送該有效負載IP封包；以及<br/> 回退（Fallback）用路由表，當該有效負載傳送用路由表不包含用以傳送該接收IP封包中所包含的該有效負載IP封包的條目（entry）時，傳送該接收IP封包。
如請求項1所述之閘道器裝置，其中，包括有：<br/> 封包接收部，接收IP封包；以及<br/> 路由控制部，利用該接收用路由表並對該封包接收部接收到的該接收IP封包執行目的地路由搜尋，如果該接收IP封包的路由存在時，使用該有效負載傳送用路由表並對該有效負載IP封包執行目的地路由搜尋；如果該有效負載 IP封包的路由存在時，將該有效負載IP封包傳送到目的地；如果該有效負載IP封包的路由不存在時，則控制使用該回退用路由表並對該接收IP封包執行目的地路由搜尋。
如請求項2所述之閘道器裝置，其中，該接收IP封包包括有IP標頭、UDP標頭、GTP-U標頭和該有效負載IP封包，如果該有效負載IP封包的路由存在時，該路由控制部將該有效負載IP封包傳送至該目的地，該接收IP封包將根據該有效負載IP封包的目的地路由搜尋的結果封裝了適當的標頭。
如請求項3所述之閘道器裝置，其中，當該有效負載IP封包的路由存在時，該路由控制部將該接收IP封包傳送到該目的地，該接收IP封包是將該IP標頭、該UDP標頭和該GTP-U標頭轉換為符合IPv6標頭或包括有IPv6標頭和SR標頭的SRv6的標頭。
如請求項2至4任一項所述之閘道器裝置，其中，如果該接收IP封包的路由存在時，則該路由控制部決定指示該接收IP封包和該有效負載IP封包的記憶體位置的差異的記憶體位置差異資訊，並將指標前進到該有效負載IP封包，使用該有效負載傳送用路由表對該有效負載IP封包執行目的地路由搜尋；當該有效負載IP封包的路由不存在時，該路由控制部利用該記憶體位置差異資訊來恢復該接收IP封包，控制利用該回退用路由表並對該接收IP封包執行目的地路由搜尋。
如請求項2至4任一項所述之閘道器裝置，其中，該接收IP封包包括有IP頭、UDP頭、GTP-U頭和該有效負載IP封包，如果該接收IP封包的路由存在時，則該路由控制部會從該接收IP封包中移除該IP標頭、該UDP標頭和該GTP-U標頭，並使用該有效負載傳送用路由表對該有效負載IP封包執行目的地路由搜尋；如果該有效負載IP封包的路由不存在時，該路由控制部使用該IP標頭、該UDP標頭和該GTP-U標頭來恢復該接收IP封包，控制使用該回退用路由表並對接收IP封包執行目的地路由搜尋。
如請求項2至4任一項所述之閘道器裝置，其中，在該接收IP封包的路由存在之情況中，若該接收IP封包的GTP標頭中的GTP-U訊息類型滿足第1個條件時，該路由控制部使用該有效負載傳送用路由表並對該有效負載IP封包執行目的地路由搜尋；若該有效IP封包的路由存在時，則該路由控制部將該有效IP封包傳送至目的地，該有效IP封包是依據該有效IP封包的目的地路由搜尋結果封裝有適當的標頭；當該有效負載IP封包的路由不存在時，該路由控制部控制使用該回退用路由表並對該接收IP封包執行目的地路由搜尋；若該接收IP封包的GTP標頭中的GTP-U訊息類型符合第2個條件時，則該路由控制部無需使用該有效負載傳送用路由表執行目的地路由搜尋，控制使用該回退用路由表並對該接收IP封包執行目的地路由搜尋。
如請求項7之閘道器裝置，其中，若該接收IP封包的GTP-U標頭中GTP-U訊息類型的值為255，該路由控制部使用該有效負載傳送用路由表並對該有效負載IP封包執行目的地路由搜尋；若該有效IP封包的路由存在時，則該路由控制部將該有效IP封包傳送至目的地，該有效IP封包是依據該有效IP封包的目的地路由搜尋結果封裝有適當的標頭；當該有效負載IP封包的路由不存在時，該路由控制部控制使用該回退用路由表並對該接收IP封包執行目的地路由搜尋；如果該接收IP封包的GTP-U標頭中GTP-U訊息類型的值在0到254範圍內，該路由控制部無需使用該有效負載傳送用路由表來執行目的地路由搜尋，控制使用該回退用路由表並對該接收IP封包進行目的地路由搜尋。
如請求項1至4任一項所述之閘道器裝置，其中，具有路由表，該路由表可以登錄（login）指定該有效負載傳送用路由表並且可以指定該回退用路由表的路由條目。
如請求項1至4任一項所述之閘道器裝置，其中，該接收用路由表透過指定在閘道器中存在的任一路由表中所登錄的該有效負載傳送用路由表並參考指定該回退用路由表的路由條目，並具有一個路由條目，其指定該有效負載傳送用路由表和該回退用路由表。
如請求項1至4任一項所述之閘道器裝置，其中，該有效負載傳送用路由表包括指示回退的路由條目。
如請求項2至4任一項所述之閘道器裝置，其中，該路由控制部控制為從另一個路由表設定為回退用路由表的路由表而不具有將另一個路由表指定為回退用路由表的設定或路由條目。
一種控制方法係由電腦執行，包括有：<br/> 封包接收階段，由IP標頭或IP標頭及隧道協定標頭封裝了有效負載IP封包； 以及<br/> 路由控制階段，使用用以傳送接收IP封包的接收用路由表並對在該封包接收階段中接收到的接收IP封包進行目的地路由搜尋，如果該接收IP封包的路由存在時，使用用以傳送該有效負載IP封包的有效負載傳送用路由表並對該有效負載IP封包執行目的地路由搜尋；如果該有效負載 IP封包的路由存在時，將該有效IP封包傳送至該有效IP封包的目的地，或轉換封裝了該有效IP封包的標頭並將其傳送至目的地，如果該有效負載IP封包的路由不存在時，當該有效負載傳送用路由表不包含用以傳送該有效負載IP封包的條目時，控制使用用以傳送該接收IP封包的回退用路由表並對該接收IP封包執行目的地路由搜尋。
一種電腦可讀記憶媒體，記憶了用於使電腦執行根據請求項13所述的控制方法的程式。
一種企業跨部門專利的整合系統，連接至少一專利資料庫及一企業資源規劃系統，該系統包含： <br/>一頭戴式顯示器，用以顯示一虛擬場景，該虛擬場景包含多個3D節點組成的一3D專利技術探勘拓撲圖以呈現跨部門研發方向；以及 <br/>一伺服端裝置，用以連接該企業資源規劃系統及該頭戴式顯示器，以及通過網路連接所述專利資料庫，該伺服端裝置包含： <br/>一非暫態電腦可讀儲存媒體，用以儲存多個電腦可讀指令；以及 <br/>一硬體處理器，電性連接所述非暫態電腦可讀儲存媒體，用以執行所述多個電腦可讀指令，使該硬體處理器被配置為： <br/>自該企業資源規劃系統載入多筆人力資料，並且從所述人力資料中擷取多筆職員訊息及其相應的一部門訊息，以及根據一企業名稱向所述專利資料庫查詢相符的多筆企業專利； <br/>在每一所述企業專利的發明人欄位中擷取相應的至少一發明人訊息，並且在所述職員訊息與所述發明人訊息相符時，根據相應的所述部門訊息對所述企業專利及其相應的至少一專利分類號進行分群及歸類； <br/>擷取所有所述企業專利的所述專利分類號以執行一關聯規則演算法，用以根據所述專利分類號生成相應的一專利技術關聯拓撲圖，其中，所述專利技術關聯拓撲圖包含多個2D節點，每一所述2D節點包含被歸類後的所述部門訊息； <br/>自該企業資源規劃系統載入多個企業資源以建立該虛擬場景，以及執行一轉換函數，將2D的該專利技術關聯拓撲圖及其所述2D節點轉換為具有所述3D節點的所述3D專利技術探勘拓撲圖以顯示在該虛擬場景中；以及 <br/>持續接收來自一實境控制器的多個控制訊號，並且通過所述控制訊號與所述3D專利技術探勘拓撲圖進行互動操作及顯示。
如請求項1之企業跨部門專利的整合系統，其中該轉換函數包含透視投影、等距投影、旋轉平移、三角測量及立體視覺至少其中之一，用以將2D圖像轉換為3D圖像。
如請求項1之企業跨部門專利的整合系統，其中該實境控制器包含行動電話、虛擬實境控制器至少其中之一，並且允許在該3D專利技術探勘拓撲圖中任意選擇所述3D節點其中之一以產生相應的所述控制訊號，使該伺服端裝置通過所述控制訊號篩選出與選擇的所述3D節點具有相同所述部門訊息的其他所述3D節點，再於該虛擬場景中，以醒目方式顯示篩選出的所述3D節點及其關聯的其他所述3D節點，並且被歸類在不同所述部門訊息的所述3D節點以不同的顯示方式呈現。
如請求項1之企業跨部門專利的整合系統，其中所述3D節點包含被歸類後的所述部門訊息、專利分類號、職員資料、部門資料、技術資料及產品資料至少其中之一，當所述2D節點轉換為所述3D節點時，一併移轉被歸類後的所述部門訊息至所述3D節點，並且允許通過虛擬實境及增強實境至少其中之一，在該虛擬場景中調整該3D專利技術探勘拓撲圖中的所述3D節點的顯示方式及顯示資料。
如請求項1之企業跨部門專利的整合系統，其中該實境控制器允許設定一篩選條件，並且將該篩選條件傳送至該伺服端裝置，使該伺服端裝置根據該篩選條件對所述企業專利進行篩選，再根據篩選結果執行所述關聯規則演算法以重新生成所述專利技術關聯拓撲圖及所述3D專利技術探勘拓撲圖。
一種企業跨部門專利的整合方法，應用在具有一頭戴式顯示器及一伺服端裝置的環境，該伺服端裝置連接至少一專利資料庫及一企業資源規劃系統，其步驟包括： <br/>該伺服端裝置自該企業資源規劃系統載入多個企業資源以建立一虛擬場景，並且將該虛擬場景顯示於該頭戴式顯示器； <br/>該伺服端裝置自該企業資源規劃系統載入多筆人力資料，並且從所述人力資料中擷取多筆職員訊息及其相應的一部門訊息，以及根據一企業名稱向所述專利資料庫查詢相符的多筆企業專利； <br/>該伺服端裝置在每一所述企業專利的發明人欄位中擷取相應的至少一發明人訊息，並且在所述職員訊息與所述發明人訊息相符時，根據相應的所述部門訊息對所述企業專利及其相應的至少一專利分類號進行分群及歸類； <br/>該伺服端裝置擷取所有所述企業專利的所述專利分類號以執行一關聯規則演算法，用以根據所述專利分類號生成相應的一專利技術關聯拓撲圖，其中，所述專利技術關聯拓撲圖包含多個2D節點，每一所述2D節點包含被歸類後的所述部門訊息； <br/>該伺服端裝置執行一轉換函數，用以將2D的該專利技術關聯拓撲圖及其所述2D節點轉換為具有多個3D節點的所述3D專利技術探勘拓撲圖以顯示在該虛擬場景中呈現跨部門研發方向；以及 <br/>持續接收來自一實境控制器的多個控制訊號，並且通過所述控制訊號與所述3D專利技術探勘拓撲圖進行互動操作及顯示。
如請求項6之企業跨部門專利的整合方法，其中該轉換函數包含透視投影、等距投影、旋轉平移、三角測量及立體視覺至少其中之一，用以將2D圖像轉換為3D圖像。
如請求項6之企業跨部門專利的整合方法，其中該實境控制器包含行動電話、虛擬實境控制器至少其中之一，並且允許在該3D專利技術探勘拓撲圖中任意選擇所述3D節點其中之一以產生相應的所述控制訊號，使該伺服端裝置通過所述控制訊號篩選出與選擇的所述3D節點具有相同所述部門訊息的其他所述3D節點，再於該虛擬場景中，以醒目方式顯示篩選出的所述3D節點及其關聯的其他所述3D節點，並且被歸類在不同所述部門訊息的所述3D節點以不同的顯示方式呈現。
如請求項6之企業跨部門專利的整合方法，其中所述3D節點包含被歸類後的所述部門訊息、專利分類號、職員資料、部門資料、技術資料及產品資料至少其中之一，當所述2D節點轉換為所述3D節點時，一併移轉被歸類後的所述部門訊息至所述3D節點，並且允許通過虛擬實境及增強實境至少其中之一，在該虛擬場景中調整該3D專利技術探勘拓撲圖中的所述3D節點的顯示方式及顯示資料。
如請求項6之企業跨部門專利的整合方法，其中該實境控制器允許設定一篩選條件，並且將該篩選條件傳送至該伺服端裝置，使該伺服端裝置根據該篩選條件對所述企業專利進行篩選，再根據篩選結果執行所述關聯規則演算法以重新生成所述專利技術關聯拓撲圖及所述3D專利技術探勘拓撲圖。
一種滑軌裝置，包含： <br/>一外軌單元，包括一外軌，該外軌具有一滑動面及一形成於該滑動面的伸出擋塊； <br/>一中軌單元，包括一可活動地設置於該外軌的中軌及一樞設於該中軌一端的防回鎖定件；及 <br/>一內軌單元，包括一可活動地設置於該中軌的內軌，該內軌具有一朝向該中軌的內中面及一形成於該內中面靠近該內軌一端的防回擋片，該防回擋片可向上推抵該防回鎖定件； <br/>其中，該內軌單元能相對於該中軌單元移動，使該防回擋片離開該防回鎖定件下方，該防回鎖定件便可向下樞轉，該中軌單元能相對於該外軌單元移動至一短伸出狀態，在該短伸出狀態時，該防回鎖定件抵接於該伸出擋塊，防止該中軌單元相對於該外軌單元繼續伸出。
如請求項1所述的滑軌裝置，其中，該外軌還包括一形成於該滑動面且與該伸出擋塊間隔的第一防回擋塊，該中軌單元還包括一可活動地設置於該中軌的中操作件及一可活動地設置於該中軌且連接該中操作件的中連接片，當該防回鎖定件向下樞轉時可抵接該第一防回擋塊，防止該中軌單元相對於該外軌單元回推，該中操作件可被操作朝該防回鎖定件移動，進而帶動該中連接片移動而推動該防回鎖定件向上樞轉以解除該防回鎖定件與該第一防回擋塊的抵接關係。
如請求項2所述的滑軌裝置，其中，該中連接片遠離該中操作件的一端形成一可抵靠該防回鎖定件的推抵斜面。
如請求項1所述的滑軌裝置，其中，該外軌還具有一形成於該滑動面且與伸出擋塊間隔的第二防回擋塊，在該短伸出狀態時，該防回鎖定件可抵接於該第二防回擋塊，防止該中軌單元相對於該外軌單元回推。
如請求項2所述的滑軌裝置，其中，該外軌還具有一形成於該滑動面的復位擋塊，該復位擋塊鄰近該外軌一端且遠離該伸出擋塊，當該中軌單元相對於該外軌單元回推時，該復位擋塊可卡抵於該中操作件並使該中操作件復位。
一種磁吸儲存裝置，其吸附於一行動裝置，該磁吸儲存裝置包含：<br/> 一第一殼體，其一側穿設一第一穿孔以及一第二穿孔，該第二穿孔鄰接於該第一穿孔；<br/> 一第一磁吸件，其嵌設於該第一殼體之一內側；<br/> 一儲存模組，其包含：<br/> 一基板，其設置於該第一磁吸件之一上方；<br/> 一儲存元件，其設置於該基板之一上方；<br/> 一第一控制元件，其設置於該基板之該上方，該第一控制元件電性連接該儲存元件；<br/> 一第二控制元件，其設置於該基板之該上方；<br/> 一第一連接埠，其設置於該基板之一外緣，該第一連接埠電性連接該第一控制元件以及該第二控制元件，該第一連接埠穿設於該第一穿孔；以及<br/> 一第二連接埠，其相鄰該第一連接埠並設置於該基板之該外緣，該第二連接埠電性連接該第二控制元件，該第二連接埠穿設於該第二穿孔；以及<br/> 一第二殼體，其一外緣連接該第一殼體之一外緣，使該第二殼體以及該第一殼體包覆該第一磁吸件以及該儲存模組；<br/> 其中，該第一磁吸件吸附該行動裝置，使該磁吸儲存裝置磁吸固定於該行動裝置；以及<br/> 該第一控制元件藉由該第一連接埠傳輸該儲存元件之一資料訊號至該行動裝置並透過該行動裝置予以接收一第一電能，該第二控制元件以該第二連接埠接收一第二電能，且該第二控制元件將該第二電能經由該第一連接埠傳輸至該行動裝置用以充電該行動裝置。
如請求項1所述之磁吸儲存裝置，其中該第一殼體之該上方設置一限位槽，該第一磁吸件嵌設於該限位槽。
如請求項1所述之磁吸儲存裝置，其中該儲存模組更包含一第一螺紋件，該第一螺紋件穿設於該基板，且該第一螺紋件螺接於該第一殼體。
如請求項1所述之磁吸儲存裝置，更包含一第二螺紋件以及一裝飾片，該第二螺紋件穿設於該第二殼體以及該第一殼體，使該第二殼體以及該第一殼體互相連接，該裝飾片設置於該第二殼體之一上方，該裝飾片遮蔽該第二螺紋件。
如請求項1所述之磁吸儲存裝置，其中該第一磁吸件曝露於該第一殼體之一下方。
如請求項1所述之磁吸儲存裝置，更包含一絕緣件以及一導熱件，該絕緣件設置於該第一殼體以及該儲存模組之間，該絕緣件係一MYLAR，該導熱件設置於該儲存模組以及該第二殼體之間，該導熱件係一石墨烯。
如請求項1所述之磁吸儲存裝置，其中該行動裝置設置一第二磁吸件，該第二磁吸件對應磁吸該第一磁吸件。
如請求項1所述之磁吸儲存裝置，其中該基板係USB3.2 type c以及SSD之電路板之其中之一。
如請求項1所述之磁吸儲存裝置，其中該第一殼體係塑膠或金屬。
一種利用蚯蚓轉化有機廢棄物為有機肥料的方法，包含： <br/>(1).將已發酵的廢棄菇包木屑與已發酵的牛糞混合而得到有機廢棄物，且以該有機廢棄物的總乾重為100wt%，該已發酵的廢棄菇包木屑的乾重範圍為30wt%至80wt%，該已發酵的牛糞的乾重範圍為20wt%至70wt%；及 <br/>(2). 將掘穴環爪蚓放置於該有機廢棄物中進行堆肥處理，以在該掘穴環爪蚓的作用下使該有機廢棄物轉化為有機肥料。
如請求項1所述的利用蚯蚓轉化有機廢棄物為有機肥料的方法，其中，在該步驟(2)中，是將該掘穴環爪蚓放置於溫度範圍為22℃至28℃且濕度範圍為60%至80%的該有機廢棄物中進行該堆肥處理。
如請求項2所述的利用蚯蚓轉化有機廢棄物為有機肥料的方法，其中，該堆肥處理的時間為48天。
如請求項1所述的利用蚯蚓轉化有機廢棄物為有機肥料的方法，其中，在該步驟(1)中，以該有機廢棄物的總乾重為100wt%，該已發酵的廢棄菇包木屑的乾重範圍為40wt%至60wt%，該已發酵的牛糞的乾重範圍為40wt%至60wt%。
如請求項4所述的利用蚯蚓轉化有機廢棄物為有機肥料的方法，其中，以該有機廢棄物的總乾重為100wt%，該已發酵的廢棄菇包木屑的乾重為50wt%，該已發酵的牛糞的乾重為50wt%。
如請求項4所述的利用蚯蚓轉化有機廢棄物為有機肥料的方法，其中，以該有機廢棄物的總乾重為100wt%，該已發酵的廢棄菇包木屑的乾重為40wt%，該已發酵的牛糞的乾重為60wt%。
如請求項1所述的利用蚯蚓轉化有機廢棄物為有機肥料的方法，其中，在該步驟(1)中，該已發酵的廢棄菇包木屑是由廢棄菇包木屑發酵四個星期所製得。
如請求項1所述的利用蚯蚓轉化有機廢棄物為有機肥料的方法，其中，在該步驟(1)中，該已發酵的牛糞是由牛糞發酵兩個星期所製得。
一種用於生產度拉糖肽(dulaglutide)之方法，該方法包含以下步驟：a)表現該度拉糖肽之哺乳動物細胞在第一pH設定值的細胞培養基中培養第一時間段；隨後b)該哺乳動物細胞在第二pH設定值的細胞培養基中培養第二時間段，其中該第二pH設定值高於該第一pH設定值，從而該哺乳動物細胞產生該度拉糖肽，其中：該第一pH設定值為6.0至7.0，且具有0.07至0.10的不感帶，該第一時間段為7至12天，該第二pH設定值為6.5至7.5，且具有0.03至0.06的不感帶，且該第二時間段為4至7天。
如請求項1之方法，其中該第一pH設定值具有0.09的不感帶。
如請求項1之方法，其中該第二pH設定值具有0.05的不感帶。
如請求項1之方法，其中該第一pH設定值具有0.09的不感帶，且該第二pH設定值具有0.05的不感帶。
如請求項1之方法，其中該第一pH設定值為6.5至6.9。
如請求項1之方法，其中該第一pH設定值為6.8至6.9。
如請求項1之方法，其中該第一pH設定值為6.86。
如請求項1之方法，其中該第二pH設定值為6.9至7.5。
如請求項1之方法，其中該第二pH設定值為7.0至7.1。
如請求項1之方法，其中該第二pH設定值為7.0。
如請求項1之方法，其中該第一pH設定值為6.86，具有0.09的不感帶，且該第二pH設定值為7.0，具有0.05的不感帶。
如請求項1之方法，其中該第一時間段為9至11天。
如請求項1之方法，其中該第一時間段為約10天。
如請求項1之方法，其中該第二時間段為4至6天。
如請求項1之方法，其中該第二時間段為約5天。
如請求項1之方法，其中該第一時間段為約10天且該第二時間段為約5天。
一種用於生產度拉糖肽之方法，該方法包含以下步驟：a)表現該度拉糖肽之哺乳動物細胞在6.86、具有0.09之不感帶的pH設定值的細胞培養基中培養第一時間段，該第一時間段包含9至10天；隨後b)該哺乳動物細胞在7.0、具有0.05之不感帶的pH設定值的細胞培養基中培養第二時間段，該第二時間段包含4至5天，從而該哺乳動物細胞產生該度拉糖肽。
如請求項1至17中任一項之方法，其進一步包含該哺乳動物細胞在該第一時間段的前1至5天在第一溫度培養，隨後該哺乳動物細胞在第二溫度培養9至14天。
如請求項18之方法，其中該第二溫度低於該第一溫度。
如請求項19之方法，其中該第一溫度為34℃至40℃。
如請求項19之方法，其中該第一溫度為約36℃。
如請求項19之方法，其中該第二溫度為30℃至36℃。
如請求項19之方法，其中該第二溫度為約33℃。
如請求項19之方法，其中該哺乳動物細胞係在該第一溫度培養3至4天。
如請求項19之方法，其中該哺乳動物細胞係在該第一溫度培養約3天。
如請求項19之方法，其中該哺乳動物細胞係在該第二溫度培養11至12天。
如請求項19之方法，其中該哺乳動物細胞係在該第二溫度培養約11天。
如請求項1至17中任一項之方法，其中該哺乳動物細胞係在生物反應器中培養。
如請求項28之方法，其中該哺乳動物細胞係以饋料批式(fed batch)模式培養。
如請求項1至17中任一項之方法，其進一步包含在該第一時間段期間，若pH低於該不感帶，則向該細胞培養基中添加鹼源，或若pH高於該不感帶，則向該細胞培養基中添加酸源。
如請求項30之方法，其中該酸源為CO<sub>2</sub>。
如請求項30之方法，其中該鹼源為包含NaOH之溶液。
如請求項1至17中任一項之方法，其中該細胞培養基係在該第一及/或第二時間段期間用空氣鼓泡(sparged)。
如請求項1至17中任一項之方法，其中該哺乳動物細胞係選自由以下組成之群：COS細胞、CHO細胞、BHK細胞、MDCK細胞、HEK293細胞、HEK293T細胞、希拉(HeLa)細胞、NS0細胞、PER.C6細胞、VERO細胞、CRL7O3O細胞、HsS78Bst細胞、NIH 3T3細胞、HepG2細胞、SP210細胞、R1.1細胞、B-W細胞、L-M細胞、BSC1細胞、BSC40細胞、YB/20細胞，及BMT10細胞。
如請求項1至17中任一項之方法，其中該哺乳動物細胞為CHO細胞。
如請求項1至17中任一項之方法，其中一或多種蛋白酶在該第二pH不感帶內比在該第一pH不感帶內之活性降低。
如請求項1至17中任一項之方法，其中一或多種蛋白酶在該第二pH設定值比在該第一pH設定值之活性降低。
如請求項37之方法，其中該蛋白酶為組織蛋白酶D。
如請求項1至17中任一項之方法，其中少於約4%所產生之度拉糖肽在N端經剪切。
如請求項39之方法，其中度拉糖肽之經剪切形式在度拉糖肽之N端不具有HG殘基。
一種用於在CHO細胞中產生度拉糖肽之方法，該方法包含以下步驟：a)該CHO細胞在維持在6.68、具有0.09之不感帶的第一pH設定值的細胞培養基中培養約10天；隨後b)該CHO細胞在維持在7.0、具有0.05之不感帶的第二pH設定值的細胞培養基中培養約5天；且其中該培養始於約36℃之溫度，且隨後在約3天後降低至約33℃；從而該CHO細胞產生該度拉糖肽。
如請求項41之方法，其中該CHO細胞係在生物反應器中以饋料批式模式培養。
如請求項41之方法，其中若pH低於該第一或第二pH設定值的不感帶，則將NaOH添加至該細胞培養基中，且若pH高於該第一或第二pH設定值的不感帶，則將CO<sub>2</sub>添加至該細胞培養基中。
如請求項41之方法，其中該細胞培養基係用空氣鼓泡一或多次。
如請求項41之方法，其中少於約4%由該CHO細胞產生之度拉糖肽在N端經剪切。
一種使在攪拌球磨機的研磨室中發生固結或結塊之研磨體鬆動的方法，<b>其特徵在於，</b>在有限的時間內藉由為此而設置的進料裝置(20)將流體引入該攪拌球磨機的該研磨室中，並且在該已固結的研磨體變鬆散之後，再停止添加該流體。
如請求項1之方法，其中藉由引入該流體，特別是透過該流體的流動，使該等研磨體離開其固結時所處之位置，並且藉由潤濕及/或潤滑該等研磨體的外表面，使該等已固結的研磨體鬆動並至少部分地變鬆散。
如請求項1之方法，其中該流體係諸如有機溶劑或水等液體、諸如氮氣、空氣、或氧氣等氣體或液氣混合物，其中該流體較佳係水。
如請求項1之方法，其中該攪拌球磨機在引入該流體之前處於停機狀態，引入該流體之後，在該流體處於該研磨室中的同時啟動該攪拌球磨機。
如請求項1之方法，其中降低配置於該研磨室中之攪拌器的轉速，以使該攪拌球磨機停止，並在停機之前將該流體引入該研磨室。
如請求項1之方法，其中在啟動及/或停止該攪拌球磨機之前，將該流體自動引入該研磨室。
如請求項1之方法，其中該流體在被引入該研磨室時流經研磨體攔截裝置(25)，特別是篩網。
如請求項1之方法，其中該流體進入該研磨室時的壓力低於最大壓力，例如低於3巴。
如請求項1之方法，其中該流體的引入量至少佔研磨室容積的2%，最多佔研磨室容積的90%。
一種攪拌球磨機，其包括：<br/>配置在研磨容器(10)中的研磨室，<br/>用於將被研磨物引入該研磨室的產品入口，<br/>用於移除研磨好的該被研磨物的產品出口，<br/>可旋轉地配置在該研磨室中的攪拌器，以及<br/>多個配置在該研磨室中的研磨體，<b>其特徵在於，</b><br/>該攪拌球磨機還具有較佳配置於該研磨室之下部區域的、用於將流體引入該研磨室的進料口以及可與該進料口連接且用於將該流體引入該研磨室的進料裝置(20)，及<br/>該攪拌球磨機還具有一用於在啟動及/或停止該攪拌器之前將該流體自動引入該研磨室的控制裝置。
如請求項10之攪拌球磨機，其中該等研磨體的直徑在0.03 mm與2.0 mm之間，較佳在0.05 mm與0.8 mm之間。
如請求項10之攪拌球磨機，其中用於該流體的該進料裝置較佳具有研磨體攔截裝置(25)，特別是篩網，其中該等研磨體的直徑尺寸比該研磨體攔截裝置(25)之孔口的最小尺寸較佳至少大20%，尤佳大30%至50%。
如請求項12之攪拌球磨機，其中該研磨體攔截裝置(25)由硬化鋼製成，較佳由陶瓷或硬質合金製成。
一種對話資料生成與驗證之系統，係包括：對話知識庫，用於儲存已標註意圖類別之對話範例語句；資料生成模組，係包含一生成式人工智慧模型，以於接收來自該對話知識庫之已標註對話範例語句後，將該已標註對話範例語句輸入該生成式人工智慧模型，以生成虛擬對話語句；以及語意比對模組，用於將該資料生成模組產生之該虛擬對話語句與該已標註對話範例語句進行語句比對，以於該虛擬對話語句與該已標註對話範例語句同樣屬於該意圖類別時，將該虛擬對話語句加入該對話知識庫中，俾成為該意圖類別之新的對話範例語句。
如請求項1所述之對話資料生成與驗證之系統，其中，在該已標註意圖類別之對話範例語句中，各該意圖類別與各該對話範例語句為一對多關係，且同一個該對話範例語句不重複出現於兩種該意圖類別中。
如請求項1所述之對話資料生成與驗證之系統，其中，該生成式人工智慧模型為生成式預先訓練轉換器系列或大語言模型元人工智慧系列之模型架構。
如請求項1所述之對話資料生成與驗證之系統，其中，該語句比對為嵌入式向量比對、統計式相似度比對或深度學習模型比對。
如請求項1所述之對話資料生成與驗證之系統，其中，該語意比對模組係於比對結果小於一門檻值時，收集該虛擬對話語句與其對應之對話範例語句，以於該資料生成模組微調訓練時，將該虛擬對話語句與其對應之對話範例語句加入訓練。
一種對話資料生成與驗證之方法，係包括以下步驟：於對話知識庫中預先儲存已標註意圖類別之對話範例語句；令資料生成模組接收來自該對話知識庫之已標註對話範例語句，將該已標註對話範例語句輸入該資料生成模組之生成式人工智慧模型中，以生成虛擬對話語句；以及令語意比對模組將該資料生成模組產生之該虛擬對話語句與該已標註對話範例語句進行語句比對，以於該虛擬對話語句與該已標註對話範例語句同樣屬於該意圖類別時，將該虛擬對話語句加入該對話知識庫中，俾成為該意圖類別之新的對話範例語句。
如請求項6所述之對話資料生成與驗證之方法，其中，在該已標註意圖類別之對話範例語句中，各該意圖類別與各該對話範例語句為一對多關係，且同一個該對話範例語句不重複出現於兩種該意圖類別中。
如請求項6所述之對話資料生成與驗證之方法，其中，該生成式人工智慧模型為生成式預先訓練轉換器系列或大語言模型元人工智慧系列之模型架構。
如請求項6所述之對話資料生成與驗證之方法，其中，該語句比對為嵌入式向量比對、統計式相似度比對或深度學習模型比對。
如請求項6所述之對話資料生成與驗證之方法，復包括：於該語意比對模組進行該語句比對後，判斷比對結果小於一門檻值時，收集該虛擬對話語句與其對應之對話範例語句，以於該資料生成模組微調訓練時，將該虛擬對話語句與其對應之對話範例語句加入訓練。
一種電腦可讀媒介，應用於計算裝置或電腦中，係儲存有指令，以執行如請求項6至10之任一項所述之對話資料生成與驗證之方法。
一種易安裝門鎖，係包含有一門板、前鎖單元、後鎖單元及鎖栓單元，其中該門板設有主孔及由該主孔往側邊延伸的鎖栓孔，該主孔供該前鎖單元與該後鎖單元相互組設，而該鎖栓單元對應嵌入該鎖栓孔，並安裝定位在該前鎖單元與該後鎖單元之間，其特徵在於：該前鎖單元包括有一前鎖座及組設在該前鎖座上的前組設盤，於該前鎖座內安裝有鎖心組件，並在內部設有一前鎖容室，於該前鎖容室套組一前彈性頂推件，該前彈性頂推件一側設有第一前抵掣部，並在該前組設盤設有第一前槽孔供穿設該第一前抵掣部；該後鎖單元包括有後鎖座及組設在該後鎖座上的後組設盤，在該後鎖座內設有一後鎖容室，於該後鎖容室套組一後彈性頂推件，該後彈性頂推件一側設有第一後抵掣部，並在該後組設盤設有第一後槽孔供穿設該第一後抵掣部；該鎖栓單元設有一供該鎖心組件穿設的鎖孔，並在對應該前彈性頂推件及該後彈性頂推件處分別組設有前抵推座及後抵推座，且該前抵推座對應該第一前抵掣部處設有前楔面部，而該後抵推座對應該第一後抵掣部處設有後楔面部。
如請求項1所述易安裝門鎖，其中，在該前彈性頂推件相對該第一前抵掣部的另一側設有第二前抵掣部，而該前組設盤對應該第二前抵掣部處設有供其穿設的第二前槽孔；在該後彈性頂推件相對該第一後抵掣部的另一側設有第二後抵掣部，而該後組設盤對應該第二後抵掣部處設有供其穿設的第二後槽孔；在該鎖栓單元對應該前彈性頂推件之第二前抵掣部及該後彈性頂推件之第二後抵掣部處分別組設有前頂撐座及後頂撐座。
如請求項1或2所述易安裝門鎖，其中，該前鎖單元之前組設盤設有一螺設管，而該後鎖單元設有一貫孔對應穿組一螺桿，該螺桿對應鎖固於該螺設管，以將該前鎖單元與該後鎖單元組設定位。
如請求項3所述易安裝門鎖，其中，該前鎖單元之前組設盤設有一弧形槽座，而該後鎖單元之後組設盤設有一弧片，該弧片對應嵌設於該弧形槽座，以供該前鎖單元與該後鎖單元組設對位。
如請求項1或2所述易安裝門鎖，其中，於該前鎖座內設有一前凸台，該前凸台設有一前環溝，而該前組設盤設有一第一穿孔供該前凸台穿設，並在該前凸台上套設一前限位片，該前限位片設有供該鎖心組件穿設的前孔，再於該前環溝上嵌組一前定位件。
如請求項5所述易安裝門鎖，其中，於該後鎖座內設有一後凸台，該後凸台設有一後環溝，而該後組設盤設有一第二穿孔供該後凸台穿設，並在該後凸台上套設一後限位片，該後限位片設有供該鎖心組件穿設的後孔，再於該後環溝上嵌組一後定位件。
一種懸浮聚合用分散穩定劑，其係乙烯化合物之懸浮聚合用分散穩定劑，其係含有乙烯醇系聚合物(A)，該乙烯醇系聚合物(A)係黏度平均聚合度超過400且小於1000，皂化度超過67莫耳%且小於78莫耳%，含有0.02莫耳%以上1.0莫耳%以下之側鏈具有乙烯性雙鍵之基，且0.1質量%水溶液在紫外線吸收光譜中之280nm的吸光度(x)超過0.17且小於0.65，<br/> 乙烯醇系聚合物(A)係於側鏈具有選自由伊康醯基、甲基丙烯醯基及丙烯醯基組成之群組的至少1種基，該側鏈中的乙烯性雙鍵數為1個以上，<br/> 乙烯醇系聚合物(A)之不溶於水之成分為1000ppm以下。
如請求項1之懸浮聚合用分散穩定劑，其中乙烯醇系聚合物(A)係於單末端含有碳數2～8之脂肪族醯基或丙基。
如請求項2之懸浮聚合用分散穩定劑，其中脂肪族醯基的碳數為2～4。
如請求項2或3之懸浮聚合用分散穩定劑，其中脂肪族醯基為乙醯基。
如請求項1之懸浮聚合用分散穩定劑，其中乙烯醇系聚合物(A)係於單末端具有0.0005莫耳%以上0.1莫耳%以下的丙基。
如請求項1或5之懸浮聚合用分散穩定劑，其中具有乙烯性雙鍵之基為選自包含伊康醯基、甲基丙烯醯基及丙烯醯基之群組的至少1種基。
一種懸浮聚合用分散穩定劑，其係乙烯化合物之懸浮聚合用分散穩定劑，其係含有乙烯醇系聚合物(A)，該乙烯醇系聚合物(A)係黏度平均聚合度超過400且小於1000，皂化度超過67莫耳%且小於78莫耳%，含有0.02莫耳%以上1.0莫耳%以下之側鏈具有乙烯性雙鍵之基，且0.1質量%水溶液在紫外線吸收光譜中之280nm的吸光度(x)超過0.17且小於0.65，<br/> 乙烯醇系聚合物(A)係於側鏈具有選自由伊康醯基、甲基丙烯醯基及丙烯醯基組成之群組的至少1種基，該側鏈中的乙烯性雙鍵數為1個以上，<br/> 乙烯醇系聚合物(A)之乙烯酯系單體與具有2個以上乙烯性雙鍵之單體以外的其他單體的共聚合量為5莫耳%以下。
一種懸浮聚合用分散穩定劑，其係乙烯化合物之懸浮聚合用分散穩定劑，其係含有乙烯醇系聚合物(A)及添加劑，該乙烯醇系聚合物(A)係黏度平均聚合度超過400且小於1000，皂化度超過67莫耳%且小於78莫耳%，含有0.02莫耳%以上1.0莫耳%以下之側鏈具有乙烯性雙鍵之基，且0.1質量%水溶液在紫外線吸收光譜中之280nm的吸光度(x)超過0.17且小於0.65，<br/> 乙烯醇系聚合物(A)係於側鏈具有選自由伊康醯基、甲基丙烯醯基及丙烯醯基組成之群組的至少1種基，該側鏈中的乙烯性雙鍵數為1個以上，<br/> 添加劑的含量係在懸浮聚合用分散穩定劑中為10質量%以下。
一種乙烯系聚合物之製造方法，其係在如請求項1至8中任一項之懸浮聚合用分散穩定劑的存在下將乙烯化合物懸浮聚合。
如請求項9之乙烯系聚合物之製造方法，其係進一步在黏度平均聚合度小於600，皂化度超過30莫耳%且小於60莫耳%之乙烯醇系聚合物(B)的存在下將乙烯化合物懸浮聚合。
一種網路裝置，包含： <br/>一儲存裝置，用來儲存程式碼； <br/>一處理器，用來載入並執行該程式碼以進行以下操作： <br/>於一網路測速期間，計算至少一傳輸參數；以及 <br/>一硬體加速電路，用來提供封包處理的硬體加速功能，其中於該網路測速期間，該硬體加速電路另用以根據該至少一傳輸參數，來自行產生複數個封包並將該複數個封包發送至另一網路裝置來進行網路測速。
如請求項1所述之網路裝置，其中該複數個封包中的每一個封包為一使用者資料包協定封包。
如請求項2所述之網路裝置，其中該網路測速是採用TR-471測速協定。
如請求項1所述之網路裝置，其中該至少一傳輸參數包含一發送速率。
如請求項4所述之網路裝置，其中該硬體加速電路包含： <br/>一限速電路，用來限定以該發送速率將該複數個封包發送至該另一網路裝置。
如請求項1所述之網路裝置，其中該至少一傳輸參數包含一資料量。
如請求項6所述之網路裝置，其中該處理器另執行該程式碼以進行以下操作： <br/>產生一封包，並將該封包的一封包描述元寫入至一發送環形緩衝器中，其中該封包中的一標頭欄位會指示該資料量； <br/>該硬體加速電路會透過該發送環形緩衝器來讀取該封包，並依據該標頭欄位所指示的該資料量來決定該複數個封包的數量。
如請求項7所述之網路裝置，其中該標頭欄位所指示的該資料量大於網路的最大傳輸單元，以及該封包的負載資料小於該標頭欄位所指示的該資料量。
如請求項7所述之網路裝置，其中該封包產生電路複製該封包並執行標頭欄位內容修改，來分別產生該複數個封包中的每一個封包。
如請求項1所述之網路裝置，其中該網路裝置為一光網路單元。
一種網路測速方法，包含： <br/>執行程式碼來計算至少一傳輸參數；以及 <br/>使用具有封包處理之硬體加速功能的一硬體加速電路，來根據該至少一傳輸參數自行產生複數個封包並將該複數個封包發送至另一網路裝置來進行網路測速。
如請求項11所述之網路測速方法，其中該複數個封包中的每一個封包為一使用者資料包協定封包。
如請求項12所述之網路測速方法，其中該網路測速是採用TR-471測速協定。
如請求項11所述之網路測速方法，其中該至少一傳輸參數包含一發送速率。
如請求項14所述之網路測速方法，其中根據該至少一傳輸參數自行產生該複數個封包並將該複數個封包發送至該另一網路裝置來進行該網路測速的步驟包含： <br/>限定以該發送速率來將該複數個封包發送至該另一網路裝置。
如請求項11所述之網路測速方法，其中該至少一傳輸參數包含一資料量。
如請求項16所述之網路測速方法，另包含： <br/>執行該程式碼來產生一封包，並將該封包的一封包描述元寫入至一發送環形緩衝器中，其中該封包中的一標頭欄位會指示該資料量； <br/>其中根據該至少一傳輸參數自行產生該複數個封包並將該複數個封包發送至該另一網路裝置來進行該網路測速的步驟包含： <br/><br/>透過該發送環形緩衝器來讀取該封包；以及 <br/>依據該標頭欄位所指示的該資料量來決定該複數個封包的數量。
如請求項17所述之網路測速方法，其中該標頭欄位所指示的該資料量大於網路的最大傳輸單元，以及該封包的負載資料小於該標頭欄位所指示的該資料量。
如請求項17所述之網路測速方法，其中根據該至少一傳輸參數自行產生該複數個封包並將該複數個封包發送至該另一網路裝置來進行該網路測速的步驟另包含： <br/>複製該封包並執行標頭欄位內容修改，來分別產生該複數個封包中的每一個封包。
如請求項11所述之網路測速方法，其中該網路測速方法是由一光網路單元所執行。
一種用於產生針對一規劃問題之一解決方案集的電腦實施方法，其包含： <br/>由一或多個處理器獲得一規劃問題； <br/>由一或多個處理器獲得關於一規劃數目之一界限； <br/>由該一或多個處理器識別該規劃問題之對稱； <br/>由該一或多個處理器利用該等對稱來識別該規劃問題之一軌道搜尋空間； <br/>由該一或多個處理器遍及該軌道空間反覆地執行一兩階段搜尋以識別該軌道空間中之替代規劃； <br/>由該一或多個處理器產生新規劃，其中該產生包含利用該等替代規劃及該規劃問題之該等對稱以將該等替代規劃映射至新規劃；及 <br/>由該一或多個處理器用該等對稱延伸該等新規劃，其中該等延伸的新規劃包含針對該規劃問題之該解決方案集。
如請求項1之方法，其中該兩階段搜尋包含一K*搜尋。
如請求項2之方法，其中該兩階段搜尋之一第一階段包含該軌道搜尋空間中之一A*搜尋。
如請求項2之方法，其中該兩階段搜尋之一第二階段利用Eppstein演算法。
如請求項1之方法，其中執行該兩階段搜尋包含：若由該兩階段搜尋所識別之一規劃數目係該界限，或若該兩階段搜尋之各階段的佇列在由該兩階段搜尋所識別之該規劃數目係該界限之前因該執行而耗盡，則終止該兩階段搜尋。
如請求項1之方法，其中該解決方案集中之各解決方案包含解決該規劃問題之一高品質規劃。
如請求項1之方法，其進一步包含： <br/>由該一或多個處理器產生該規劃問題。
如請求項1之方法，其進一步包含： <br/>由該一或多個處理器在一運算系統中自動地實施該解決方案集中之至少一個解決方案。
如請求項1之方法，其中執行該兩階段搜尋包含： <br/>由該一或多個處理器基於耗盡對應於該界限之一層而終止。
如請求項1之方法，其進一步包含： <br/>由該一或多個處理器將該規劃問題變換為該規劃問題之一單目標形式。
如請求項10之方法，其中執行該兩階段搜尋包含： <br/>在該軌道搜尋空間中執行一第一階段搜尋；及 <br/>利用Eppstein演算法執行該兩階段搜尋之一第二階段。
如請求項11之方法，其中執行該第一階段包含： <br/>由該一或多個處理器探索該規劃問題重新制定的規劃任務之該單目標形式的一正準轉變圖直至一切換事件發生，其中該切換事件係選自由以下組成的群組：耗盡該軌道搜尋空間，及判定該兩階段搜尋之該第二階段阻止該軌道搜尋空間中之節點擴展。
如請求項11之方法，其中執行該第二階段包含： <br/>由該一或多個處理器遍歷一路徑圖，該路徑圖係該規劃問題之該單目標形式的該正準轉變圖之一子圖； <br/>基於該遍歷，由該一或多個處理器重建該等替代規劃；及 <br/>由該一或多個處理器藉由利用一前向追蹤演算法來解碼該等替代規劃以產生該等新規劃。
如請求項13之方法，其進一步包含： <br/>由該一或多個處理器判定該第一階段的一搜尋佇列中之一最低值小於該第二階段的一搜尋佇列中之一最低值；及 <br/>由該一或多個處理器切換至該兩階段搜尋之該第一階段。
一種電腦系統，其包含： <br/>一記憶體；及 <br/>一或多個處理器，其與該記憶體通訊，其中該電腦系統經組態以執行一方法，該方法包含： <br/>由該一或多個處理器獲得一規劃問題； <br/>由一或多個處理器獲得關於一規劃數目之一界限； <br/>由該一或多個處理器識別該規劃問題之對稱； <br/>由該一或多個處理器利用該等對稱來識別該規劃問題之一軌道搜尋空間； <br/>由該一或多個處理器遍及該軌道空間反覆地執行一兩階段搜尋以識別該軌道空間中之替代規劃； <br/>由該一或多個處理器產生新規劃，其中該產生包含利用該等替代規劃及該規劃問題之該等對稱以將該等替代規劃映射至新規劃；及 <br/>由該一或多個處理器用該等對稱延伸該等新規劃，其中該等延伸的新規劃包含針對該規劃問題之解決方案集。
如請求項15之電腦系統，其中該兩階段搜尋包含一K*搜尋。
如請求項16之電腦系統，其中該兩階段搜尋之一第一階段包含該軌道搜尋空間中之一A*搜尋。
如請求項16之電腦系統，其中該兩階段搜尋之一第二階段利用Eppstein演算法。
如請求項15之電腦系統，其中執行該兩階段搜尋包含：若由該兩階段搜尋所識別之一規劃數目係該界限，或若該兩階段搜尋之各階段的佇列在由該兩階段搜尋所識別之該規劃數目係該界限之前因該執行而耗盡，則終止該兩階段搜尋。
一種用於產生針對一規劃問題之一解決方案集的電腦程式產品，其包含： <br/>一電腦可讀儲存媒體，其具有與其一起體現的程式指令，該等程式指令可由一處理電路執行，以使該處理電路： <br/>由該處理電路獲得一規劃問題； <br/>由該處理電路獲得關於一規劃數目之一界限； <br/>由處理電路識別該規劃問題之對稱； <br/>由處理電路利用該等對稱來識別該規劃問題之一軌道搜尋空間； <br/>由處理電路遍及該軌道空間反覆地執行一兩階段搜尋以識別該軌道空間中之替代規劃； <br/>由處理電路產生新規劃，其中該產生包含利用該等替代規劃及該規劃問題之該等對稱以將該等替代規劃映射至新規劃；及 <br/>由處理電路用該等對稱延伸該等新規劃，其中該等延伸的新規劃包含針對該規劃問題之該解決方案集。
一種用於產生並向車輛的操作員提供警報的方法，所述方法包括：<br/> 從被耦接到所述車輛的一組攝影機採樣一組影像；<br/> 針對所述一組影像中的每一個：<br/> 識別共同地覆蓋所述影像的一部分並且相對於彼此至少部分地重疊的一組區域，其中所述一組區域包括在所述影像之內的區域的多個尺寸和區域的多個位置；<br/> 基於所述一組區域來識別一組物件；<br/> 穩定經識別的所述一組物件，以產生經穩定的一組物件；以及<br/> 在行程期間，基於經穩定的所述一組物件中的至少一個向所述操作員提供警報。
如請求項1所述的方法，其中基於所述一組區域來識別所述一組物件包括用一組經訓練的模型來處理所述一組區域中的每一個，以產生一組定界框。
如請求項2所述的方法，進一步包括基於所述警報來更新所述一組經訓練的模型，以及使用經更新的所述一組經訓練的模型而基於在第二行程期間所收集的第二組影像來提供第二警報。
如請求項2所述的方法，其中提供所述警報包括在顯示器處向所述操作員顯示所述一組影像的關聯影像和從所述關聯影像所產生的定界框。
如請求項4所述的方法，其中所述顯示器是機載在所述操作員的使用者裝置上。
如請求項1所述的方法，其中所述一組攝影機包括多個攝影機，其中所述警報至少部分地基於所述一組攝影機中的哪一個與經穩定的所述一組物件中的至少一個的檢測相關聯而被確定。
如請求項1所述的方法，其中提供所述警報進一步包括識別相對於所述車輛的假定位置的所述物件的位置或運動中的至少一個。
如請求項1所述的方法，其中在所述影像之內的子區域的所述多個位置至少部分地相對於在所述影像中所描繪的消失點而被確定。
如請求項1所述的方法，進一步包括預處理所述一組影像，其中所述一組區域在經預處理的所述影像中被識別。
如請求項9所述的方法，其中預處理所述一組影像包括以下至少之一：校正在所述一組影像中的滾動或將所述一組影像去扭曲。
如請求項1所述的方法，其中與所述一組區域相關聯的形狀包括正方形或長方形中的至少一個。
如請求項11所述的方法，其中所述一組區域包括多個不同的形狀類型。
如請求項1所述的方法，進一步包括在識別所述一組物件之前將所述一組區域的至少一部分進行下採樣，從而產生變化的影像解析度的區域。
如請求項1所述的方法，其中所述一組區域的第一部分被預先確定，並且所述一組區域的第二部分動態地被確定。
如請求項14所述的方法，其中所述一組影像的第二部分基於在所述一組影像中的先前採樣的影像而被確定。
如請求項14所述的方法，進一步包括從被耦接到所述車輛的慣性測量單元收集補充感測器資料，其中所述一組區域的第二部分至少部分地基於所述補充感測器資料而被確定。
一種用於產生警報並向使用者提供警報的系統，所述系統包括：<br/> 被耦接到車輛的一組多個攝影機，所述一組多個攝影機中的每一個被配置成在所述車輛的行程期間採樣一組影像；<br/> 被耦接到所述車輛的處理子系統，所述處理子系統被配置成針對每一個經採樣的影像：<br/> 識別共同地覆蓋所述影像的一部分並且相對於彼此至少部分地重疊的一組區域，其中所述一組區域包括在所述影像之內的區域的多個尺寸和區域的多個位置；<br/> 基於所述一組區域來識別一組物件；<br/> 穩定經識別的所述一組物件，以產生經穩定的一組物件；以及<br/> 在顯示器處，基於經穩定的所述一組物件向所述使用者提供警報。
如請求項17所述的系統，其中所述一組多個攝影機中的每一個都是單眼攝影機，其中所述一組多個攝影機包括被配置成捕捉所述車輛的前視圖的第一攝影機和被配置成捕捉所述車輛的後視圖的第二攝影機。
如請求項17所述的系統，其中所述使用者是所述車輛的操作員，其中所述車輛是自行車、輕型機踏車或摩托車中的一個。
如請求項17所述的系統，進一步包括被配置成收集補充資料的一組補充感測器，所述補充資料包括運動和定向資料，其中在經採樣的影像中的所述一組區域的至少一部分基於以下至少之一而被確定：所述補充資料或在所述行程期間所收集到的先前經收集的一組影像。
一種高強力纖維組成物的製造方法，包含下列步驟： <br/>展開排列纖維紗線：將複數纖維紗線置入一織物設備，該織物設備將該些纖維紗線沿一第一方向展開排列； <br/>浸潤混合物：將展開排列的該些纖維紗線浸潤一混合物並進行一刮膠程序，其中，該混合物包含一樹脂以及一溶劑； <br/>貼合程序：將該些纖維紗線與該混合物貼合於一聚合物薄膜上；以及 <br/>乾燥程序：將貼合完成的該些纖維紗線、該混合物以及該聚合物薄膜進行一乾燥程序。
如請求項1之高強力纖維組成物的製造方法，其中，該織物設備將該些纖維紗線展開排列的方式包含該些紗線之間緊密排列、該些紗線以排一空一的方式排列、該些紗線以排二空一的方式排列、以及該些紗線以排三空一的方式排列。
如請求項2之高強力纖維組成物的製造方法，其中，該織物設備還將該些纖維紗線沿一第二方向展開排列，該第二方向與該第一方向垂直，該些沿該第二方向展開排列的纖維紗線貼合於該些沿該第一方向展開排列的纖維紗線上而形成薄膜-紗線-紗線的結構。
如請求項2之高強力纖維組成物的製造方法，其中，該織物設備還將該些纖維紗線沿一第二方向展開排列，該第二方向與該第一方向垂直，該些沿該第二方向展開排列的纖維紗線貼合於該聚合物薄膜的另一面而形成紗線-薄膜-紗線的結構。
如請求項1之高強力纖維組成物的製造方法，其中，以未乾燥前的整體重量為基準，該些纖維紗線占整體重量比60~80%，該樹脂占整體重量比5~10%，該溶劑占整體重量比10~30%，該聚合物薄膜占整體重量比10~30%。
如請求項1之高強力纖維組成物的製造方法，其中，該些纖維紗線包含芳綸、高強力高模量聚乙烯纖維、超高分子量纖維及碳纖維中的至少一種以上。
如請求項1之高強力纖維組成物的製造方法，其中，該樹脂包含水性聚氨酯、油性聚氨酯、乙烯醋酸乙烯酯共聚物(EVA)、環氧樹脂的至少一種以上。
如請求項1之高強力纖維組成物的製造方法，其中，該溶劑包含水、酒精、丙酮、NEK、二甲基乙醯胺(Dimethylacetamide，DMAC)、DMA至少一種以上。
如請求項1之高強力纖維組成物的製造方法，其中，該聚合物薄膜包含低密度聚乙烯薄膜、低密度聚乙烯貼合膜、聚乙烯薄膜、以及乙烯醋酸乙烯酯共聚物薄膜至少一種以上。
如請求項1之高強力纖維組成物的製造方法，其中，浸潤該混合物的程序係於一上膠槽進行，該刮膠程序係經由一刮膠系統進行，以及該乾燥程序係於一加熱設備進行，其中，該上膠槽的溫度為室溫，該刮膠系統的壓力為8 bar，以及該加熱設備的溫度為攝氏85~115度且加熱時間為1~5分鐘。
如請求項1之高強力纖維組成物的製造方法，其中，於該乾燥程序前，將貼合完成的該些纖維紗線、該混合物以及該聚合物薄膜以一加壓輥進行加壓，使得該些纖維紗線與該聚合物薄膜緊密貼合，並將多餘的該混合物擠出，該加壓輥的壓力為6至12bar。
一種高強力纖維組成物，以請求項1至9中任一項之高強力纖維組成物的製造方法製成。
如請求項12之高強力纖維組成物，其中，該纖維紗線占比60~85%，該樹脂占比5~20%，該薄膜占比10~20%。
如請求項12之高強力纖維組成物，其中，該高強力纖維組成物的密度為180克/平方米至300克/平方米之間，強度為30克/丹尼至40克/丹尼之間，韌性為15克/丹尼至20克/丹尼之間，耐磨性為10級至12級之間，抗彈性能為NIJ IIIA級，即能夠阻擋9 mm手槍彈、.44馬格南手槍彈等，於協防板抗彈性能為NIJ III級，能夠緩衝阻擋7.62 mm M80步槍彈，耐低溫性為-70攝氏度至-100攝氏度之間。
一種利用藻類淨化飛灰水洗廢水的方法，包含以下步驟：<br/>將一包含氯鹽的飛灰水洗廢水與一含碳源廢水及一含氮源廢水混合而獲得一混合廢水；及<br/>將小球藻接種於該混合廢水中並進行培養處理，以去除該混合廢水中來自於該飛灰水洗廢水的氯鹽。
如請求項1所述的利用藻類淨化飛灰水洗廢水的方法，其中，該混合廢水為未經處理的混合廢水、經過濾處理的混合廢水或經高壓滅菌處理的混合廢水。
如請求項1所述的利用藻類淨化飛灰水洗廢水的方法，其中，該飛灰水洗廢水是選自於對垃圾焚化廠產生的飛灰進行水洗處理而得到的飛灰水洗廢水。
如請求項3所述的利用藻類淨化飛灰水洗廢水的方法，其中，該垃圾焚化廠是選自於都市垃圾焚化廠。
如請求項1所述的利用藻類淨化飛灰水洗廢水的方法，其中，該飛灰水洗廢水是選自於鈣系飛灰水洗廢水或鈉系飛灰水洗廢水。
如請求項1所述的利用藻類淨化飛灰水洗廢水的方法，其中，該含碳源廢水是選自於乳製品廢水。
如請求項1所述的利用藻類淨化飛灰水洗廢水的方法，其中，該含氮源廢水是選自於畜牧廢水。
如請求項1所述的利用藻類淨化飛灰水洗廢水的方法，其中，該小球藻是選自於索羅金小球藻(<i>Chlorella Sorokiniana</i>)。
如請求項1所述的利用藻類淨化飛灰水洗廢水的方法，其中，該培養處理是在pH值範圍為6至9的環境下進行。
如請求項1所述的利用藻類淨化飛灰水洗廢水的方法，其中，該培養處理的時間為至少9天。
一種包含像素的半導體裝置，該像素包含： <br/>第一電晶體； <br/>第二電晶體；以及 <br/>發光元件， <br/>其中，該半導體裝置包含： <br/>基板上的第一導電膜； <br/>該第一導電膜上的第一絕緣膜； <br/>該第一絕緣膜上的第一半導體膜； <br/>該第一半導體膜上的第二絕緣膜； <br/>該第二絕緣膜上的第二導電膜； <br/>該第一絕緣膜上的第三導電膜； <br/>該第二絕緣膜上的第二半導體膜； <br/>該第二半導體膜上的第三絕緣膜； <br/>該第三絕緣膜上的第四導電膜； <br/>該第四導電膜上的第四絕緣膜； <br/>該第四絕緣膜上的第五絕緣膜； <br/>該第五絕緣膜上的第五導電膜；以及 <br/>該第五絕緣膜上的第六導電膜， <br/>其中，該第一導電膜包含被配置以用作該第一電晶體的第一閘極電極的區域， <br/>其中，該第一半導體膜包含該第一電晶體的第一通道區， <br/>其中，該第一電晶體的該第一通道區包含矽， <br/>其中，該第二導電膜包含被配置以用作該第一電晶體的第二閘極電極的區域， <br/>其中，該第三導電膜包含被配置以用作該第二電晶體的第三閘極電極的區域， <br/>其中，該第二半導體膜包含該第二電晶體的第二通道區， <br/>其中，該第二電晶體的該第二通道區至少包含銦， <br/>其中，該第四導電膜包含被配置以用作該第二電晶體的第四閘極電極的區域， <br/>其中，該第五導電膜包含被配置以用作該第二電晶體的源極電極和汲極電極中的一個的區域， <br/>其中，該第六導電膜包含被配置以用作該第二電晶體的該源極電極和該汲極電極中的另一個的區域， <br/>其中，該第五導電膜和該第六導電膜中的一個電連接到第七導電膜， <br/>其中，該第五導電膜和該第六導電膜中的該一個的底表面包含設置在該第二導電膜的底表面下的區域， <br/>其中，該第七導電膜包含被配置以用作該發光元件的第一電極的區域， <br/>其中，該第七導電膜包含與該第一導電膜和該第二導電膜重疊的區域， <br/>其中，該第一通道區和該第二通道區彼此不重疊， <br/>其中，在俯視圖中，該第二導電膜具有島狀，並且 <br/>其中，在該俯視圖中，該第二半導體膜具有島狀。
一種包含像素的半導體裝置，該像素包含： <br/>第一電晶體； <br/>第二電晶體；以及 <br/>發光元件， <br/>其中，該半導體裝置包含： <br/>基板上的第一導電膜； <br/>該第一導電膜上的第一絕緣膜； <br/>該第一絕緣膜上的第一半導體膜； <br/>該第一半導體膜上的第二絕緣膜； <br/>該第二絕緣膜上的第二導電膜； <br/>該第一絕緣膜上的第三導電膜； <br/>該第二絕緣膜上的第二半導體膜； <br/>該第二半導體膜上的第三絕緣膜； <br/>該第三絕緣膜上的第四導電膜； <br/>該第四導電膜上的第四絕緣膜； <br/>該第四絕緣膜上的第五絕緣膜； <br/>該第五絕緣膜上的第五導電膜；以及 <br/>該第五絕緣膜上的第六導電膜， <br/>其中，該第一導電膜包含被配置以用作該第一電晶體的第一閘極電極的區域， <br/>其中，該第一半導體膜包含該第一電晶體的第一通道區， <br/>其中，該第二導電膜包含被配置以用作該第一電晶體的第二閘極電極的區域， <br/>其中，該第三導電膜包含被配置以用作該第二電晶體的第三閘極電極的區域， <br/>其中，該第二半導體膜包含該第二電晶體的第二通道區， <br/>其中，該第四導電膜包含被配置以用作該第二電晶體的第四閘極電極的區域， <br/>其中，該第五導電膜包含被配置以用作該第二電晶體的源極電極和汲極電極中的一個的區域， <br/>其中，該第六導電膜包含被配置以用作該第二電晶體的該源極電極和該汲極電極中的另一個的區域， <br/>其中，該第五導電膜和該第六導電膜中的一個電連接到第七導電膜， <br/>其中，該第五導電膜和該第六導電膜中的該一個的底表面包含設置在該第二導電膜的底表面下的區域， <br/>其中，該第七導電膜包含被配置以用作該發光元件的第一電極的區域， <br/>其中，該第七導電膜包含與該第一導電膜和該第二導電膜重疊的區域， <br/>其中，該第一通道區和該第二通道區彼此不重疊， <br/>其中，在俯視圖中，該第二導電膜具有島狀，並且 <br/>其中，在該俯視圖中，該第二半導體膜具有島狀。
一種包含像素的半導體裝置，該像素包含： <br/>第一電晶體； <br/>第二電晶體；以及 <br/>發光元件， <br/>其中，該半導體裝置包含： <br/>基板上的第一導電膜； <br/>該第一導電膜上的第一絕緣膜； <br/>該第一絕緣膜上的第一半導體膜； <br/>該第一半導體膜上的第二絕緣膜； <br/>該第二絕緣膜上的第二導電膜； <br/>該第一絕緣膜上的第三導電膜； <br/>該第二絕緣膜上的第二半導體膜； <br/>該第二半導體膜上的第三絕緣膜； <br/>該第三絕緣膜上的第四導電膜； <br/>該第四導電膜上的第四絕緣膜； <br/>該第四絕緣膜上的第五絕緣膜； <br/>該第五絕緣膜上的第五導電膜；以及 <br/>該第五絕緣膜上的第六導電膜， <br/>其中，該第一半導體膜包含該第一電晶體的第一通道區， <br/>其中，該第二導電膜包含被配置以用作該第一電晶體的第一閘極電極的區域， <br/>其中，該第三導電膜包含被配置以用作該第二電晶體的第二閘極電極的區域， <br/>其中，該第二半導體膜包含該第二電晶體的第二通道區， <br/>其中，該第四導電膜包含被配置以用作該第二電晶體的第三閘極電極的區域， <br/>其中，該第五導電膜包含被配置以用作該第二電晶體的源極電極和汲極電極中的一個的區域， <br/>其中，該第六導電膜包含被配置以用作該第二電晶體的該源極電極和該汲極電極中的另一個的區域， <br/>其中，該第五導電膜和該第六導電膜中的一個電連接到第七導電膜， <br/>其中，該第五導電膜和該第六導電膜中的該一個的底表面包含設置在該第二導電膜的底表面下的區域， <br/>其中，該第七導電膜包含被配置以用作該發光元件的第一電極的區域， <br/>其中，該第七導電膜包含與該第一導電膜和該第二導電膜重疊的區域， <br/>其中，該第一通道區和該第二通道區彼此不重疊， <br/>其中，在俯視圖中，該第二導電膜具有島狀，並且 <br/>其中，在該俯視圖中，該第二半導體膜具有島狀。
一種包含像素的半導體裝置，該像素包含： <br/>第一電晶體； <br/>第二電晶體；以及 <br/>發光元件， <br/>其中，該半導體裝置包含： <br/>基板上的第一導電膜； <br/>該第一導電膜上的第一絕緣膜； <br/>該第一絕緣膜上的第一半導體膜； <br/>該第一半導體膜上的第二絕緣膜； <br/>該第二絕緣膜上的第二導電膜； <br/>該第一絕緣膜上的第三導電膜； <br/>該第二絕緣膜上的第二半導體膜； <br/>該第二半導體膜上的第三絕緣膜； <br/>該第三絕緣膜上的第四導電膜； <br/>該第四導電膜上的第四絕緣膜； <br/>該第四絕緣膜上的第五絕緣膜；以及 <br/>該第五絕緣膜上的第五導電膜； <br/>其中，該第一半導體膜包含該第一電晶體的第一通道區， <br/>其中，該第二導電膜包含被配置以用作該第一電晶體的第一閘極電極的區域， <br/>其中，該第三導電膜包含被配置以用作該第二電晶體的第二閘極電極的區域， <br/>其中，該第二半導體膜包含該第二電晶體的第二通道區， <br/>其中，該第四導電膜包含被配置以用作該第二電晶體的第三閘極電極的區域， <br/>其中，該第五導電膜包含被配置以用作該第二電晶體的源極電極和汲極電極中的一個的區域， <br/>其中，該第五導電膜電連接到第六導電膜， <br/>其中，該第五導電膜的底表面包含設置在該第二導電膜的底表面下的區域， <br/>其中，該第六導電膜包含被配置以用作該發光元件的第一電極的區域，並且 <br/>其中，該第六導電膜包含與該第一導電膜和該第二導電膜重疊的區域。
一種包含像素的半導體裝置，該像素包含： <br/>第一電晶體； <br/>第二電晶體；以及 <br/>發光元件， <br/>其中，該半導體裝置包含： <br/>基板上的第一導電膜； <br/>該第一導電膜上的第一絕緣膜； <br/>該第一絕緣膜上的第一半導體膜； <br/>該第一半導體膜上的第二絕緣膜； <br/>該第二絕緣膜上的第二導電膜； <br/>該第一絕緣膜上的第三導電膜； <br/>該第二絕緣膜上的第二半導體膜； <br/>該第二半導體膜上的第三絕緣膜； <br/>該第三絕緣膜上的第四導電膜； <br/>該第四導電膜上的第四絕緣膜； <br/>該第四絕緣膜上的第五絕緣膜；以及 <br/>該第五絕緣膜上的第五導電膜； <br/>其中，該第一導電膜包含被配置以用作該第一電晶體的第一閘極電極的區域， <br/>其中，該第一半導體膜包含該第一電晶體的第一通道區， <br/>其中，該第二導電膜包含被配置以用作該第一電晶體的第二閘極電極的區域， <br/>其中，該第三導電膜包含被配置以用作該第二電晶體的第三閘極電極的區域， <br/>其中，該第二半導體膜包含該第二電晶體的第二通道區， <br/>其中，該第四導電膜包含被配置以用作該第二電晶體的第四閘極電極的區域， <br/>其中，該第五導電膜包含被配置以用作該第二電晶體的源極電極和汲極電極中的一個的區域， <br/>其中，該第五導電膜電連接到第六導電膜， <br/>其中，該第五導電膜的底表面包含設置在該第二導電膜的底表面下的區域， <br/>其中，該第六導電膜包含被配置以用作該發光元件的第一電極的區域，並且 <br/>其中，該第六導電膜包含與該第一導電膜和該第二導電膜重疊的區域。
一種包含像素的半導體裝置，該像素包含： <br/>第一電晶體； <br/>第二電晶體；以及 <br/>顯示元件， <br/>其中，該半導體裝置包含： <br/>基板上的第一導電膜； <br/>該第一導電膜上的第一絕緣膜； <br/>該第一絕緣膜上的第一半導體膜； <br/>該第一半導體膜上的第二絕緣膜； <br/>該第二絕緣膜上的第二導電膜； <br/>該第一絕緣膜上的第三導電膜； <br/>該第二絕緣膜上的第二半導體膜； <br/>該第二半導體膜上的第三絕緣膜； <br/>該第三絕緣膜上的第四導電膜； <br/>該第四導電膜上的第四絕緣膜； <br/>該第四絕緣膜上的第五絕緣膜；以及 <br/>該第五絕緣膜上的第五導電膜； <br/>其中，該第一導電膜包含被配置以用作該第一電晶體的第一閘極電極的區域， <br/>其中，該第一半導體膜包含該第一電晶體的第一通道區， <br/>其中，該第二導電膜包含被配置以用作該第一電晶體的第二閘極電極的區域， <br/>其中，該第三導電膜包含被配置以用作該第二電晶體的第三閘極電極的區域， <br/>其中，該第二半導體膜包含該第二電晶體的第二通道區， <br/>其中，該第四導電膜包含被配置以用作該第二電晶體的第四閘極電極的區域， <br/>其中，該第五導電膜包含被配置以用作該第二電晶體的源極電極和汲極電極中的一個的區域， <br/>其中，該第五導電膜電連接到第六導電膜， <br/>其中，該第五導電膜的底表面包含設置在該第二導電膜的底表面下的區域， <br/>其中，該第六導電膜包含被配置以用作該顯示元件的第一電極的區域，並且 <br/>其中，該第六導電膜包含與該第一導電膜和該第二導電膜重疊的區域。
一種包含像素的半導體裝置，該像素包含： <br/>第一電晶體； <br/>第二電晶體；以及 <br/>發光元件， <br/>其中，該半導體裝置包含： <br/>基板上的第一導電膜； <br/>該第一導電膜上的第一絕緣膜； <br/>該第一絕緣膜上的第一半導體膜； <br/>該第一半導體膜上的第二絕緣膜； <br/>該第二絕緣膜上的第二導電膜； <br/>該第一絕緣膜上的第三導電膜； <br/>該第二絕緣膜上的第二半導體膜； <br/>該第二半導體膜上的第三絕緣膜； <br/>該第三絕緣膜上的第四導電膜； <br/>該第四導電膜上的第四絕緣膜； <br/>該第四絕緣膜上的第五絕緣膜；以及 <br/>該第五絕緣膜上的第五導電膜； <br/>其中，該第一導電膜包含被配置以用作該第一電晶體的第一閘極電極的區域， <br/>其中，該第一半導體膜包含該第一電晶體的第一通道區， <br/>其中，該第二導電膜包含被配置以用作該第一電晶體的第二閘極電極的區域， <br/>其中，該第三導電膜包含被配置以用作該第二電晶體的第三閘極電極的區域， <br/>其中，該第二半導體膜包含該第二電晶體的第二通道區， <br/>其中，該第四導電膜包含被配置以用作該第二電晶體的第四閘極電極的區域， <br/>其中，該第五導電膜包含被配置以用作該第二電晶體的源極電極和汲極電極中的一個的區域， <br/>其中，該第五導電膜電連接到第六導電膜， <br/>其中，該第五導電膜的底表面包含設置在該第二導電膜的底表面下的區域， <br/>其中，該第六導電膜包含被配置以用作該發光元件的第一電極的區域， <br/>其中，該第六導電膜包含與該第一導電膜和該第二導電膜重疊的區域，並且 <br/>其中，該第一半導體膜的組成與該第二半導體膜的組成不同。
一種包含像素的半導體裝置，該像素包含： <br/>第一電晶體； <br/>第二電晶體；以及 <br/>發光元件， <br/>其中，該半導體裝置包含： <br/>基板上的第一導電膜； <br/>該第一導電膜上的第一絕緣膜； <br/>該第一絕緣膜上的第一半導體膜； <br/>該第一半導體膜上的第二絕緣膜； <br/>該第二絕緣膜上的第二導電膜； <br/>該第一絕緣膜上的第三導電膜； <br/>該第二絕緣膜上的第二半導體膜； <br/>該第二半導體膜上的第三絕緣膜； <br/>該第三絕緣膜上的第四導電膜； <br/>該第四導電膜上的第四絕緣膜； <br/>該第四絕緣膜上的第五絕緣膜；以及 <br/>該第五絕緣膜上的第五導電膜； <br/>其中，該第一半導體膜包含該第一電晶體的第一通道區， <br/>其中，該第二導電膜包含被配置以用作該第一電晶體的第一閘極電極的區域， <br/>其中，該第三導電膜包含被配置以用作該第二電晶體的第二閘極電極的區域， <br/>其中，該第二半導體膜包含該第二電晶體的第二通道區， <br/>其中，該第四導電膜包含被配置以用作該第二電晶體的第三閘極電極的區域， <br/>其中，該第五導電膜包含被配置以用作該第二電晶體的源極電極和汲極電極中的一個的區域， <br/>其中，該第五導電膜電連接到第六導電膜， <br/>其中，該第五導電膜的底表面包含設置在該第二導電膜的底表面下的區域， <br/>其中，該第六導電膜包含被配置以用作該發光元件的第一電極的區域， <br/>其中，該第六導電膜包含與該第一導電膜和該第二導電膜重疊的區域， <br/>其中，該第一半導體膜的組成與該第二半導體膜的組成不同，並且 <br/>其中，在俯視圖中，該第一半導體膜的形狀與該第二半導體膜的形狀不同。
一種主動式開眼偵測校正裝置，包括：<br/>一相位控制電路，接收一參考時脈訊號及一開眼偵測時脈訊號，其中，一校正選擇訊號係提供予該相位控制電路，從而控制是否以該參考時脈訊號取樣該開眼偵測時脈訊號，該相位控制電路輸出一指示訊號，其中，該相位控制電路包括：<br/>一資料選擇電路，接收該參考時脈訊號及該開眼偵測時脈訊號，該校正選擇訊號係用於觸發該資料選擇電路；以及<br/>一暫存電路，電性耦接於該資料選擇電路，其中，該暫存電路之一資料輸入端與一時脈輸入端係可藉由該校正選擇訊號的控制而可選地在該參考時脈訊號及該開眼偵測時脈訊號之間進行切換，該暫存電路係輸出該指示訊號；<br/>一相位指示決定電路，電性耦接於該相位控制電路並接收該指示訊號，該相位指示決定電路係依據該指示訊號執行一校正程序，從而輸出一相位偏移訊號；以及<br/>一相位校正電路，電性耦接於該相位指示決定電路並接收該相位偏移訊號，其中，該相位校正電路係依據該相位偏移訊號校正該開眼偵測時脈訊號，使經校正後的該開眼偵測時脈訊號係同步地與該參考時脈訊號同相（in phase）。
如請求項1所述之主動式開眼偵測校正裝置，其中，該資料選擇電路包括至少一個由該校正選擇訊號所觸發並致能的多工器。
如請求項1所述之主動式開眼偵測校正裝置，其中，該暫存電路係為一D型正反器（D flip-flop，DFF）。
如請求項1所述之主動式開眼偵測校正裝置，其中，當該校正選擇訊號係為低電壓位準時，該暫存電路之該資料輸入端係接收該參考時脈訊號，該暫存電路之該時脈輸入端係接收該開眼偵測時脈訊號，從而使得該開眼偵測時脈訊號取樣該參考時脈訊號。
如請求項1所述之主動式開眼偵測校正裝置，其中，當該校正選擇訊號係為高電壓位準時，該暫存電路之該資料輸入端係接收該開眼偵測時脈訊號，該暫存電路之該時脈輸入端係接收該參考時脈訊號，從而使得該參考時脈訊號取樣該開眼偵測時脈訊號。
如請求項1所述之主動式開眼偵測校正裝置，其中，當該開眼偵測時脈訊號取樣該參考時脈訊號，且該指示訊號係維持在低電壓位準時，一相位控制訊號係依序地遞增，而當該指示訊號轉態並穩定維持於高電壓位準時，記錄該相位控制訊號對應的一第一相位。
如請求項6所述之主動式開眼偵測校正裝置，之後，該指示訊號係重置於該低電壓位準，並且，切換該校正選擇訊號轉而由該參考時脈訊號取樣該開眼偵測時脈訊號，其中，當該指示訊號係維持在該低電壓位準時，該相位控制訊號係依序地遞減，而當該指示訊號轉態並穩定維持於該高電壓位準時，記錄該相位控制訊號對應的一第二相位。
如請求項7所述之主動式開眼偵測校正裝置，其中，該第一相位與該第二相位的平均值係計算為一最終相位，使該最終相位係輸出為該相位偏移訊號。
如請求項3所述之主動式開眼偵測校正裝置，其中，當該校正選擇訊號係為低電壓位準，且該指示訊號係由低電壓位準轉態並穩定維持於高電壓位準時，該開眼偵測時脈訊號係以該D型正反器的一設定時間落後於該參考時脈訊號，從而記錄一第一相位。
如請求項9所述之主動式開眼偵測校正裝置，其中，當該校正選擇訊號係為高電壓位準，且該指示訊號係由低電壓位準轉態並穩定維持於高電壓位準時，該開眼偵測時脈訊號係以該D型正反器的該設定時間領先於該參考時脈訊號，從而記錄一第二相位。
如請求項10所述之主動式開眼偵測校正裝置，其中，該第一相位與該第二相位的平均值係計算為一最終相位，該最終相位係輸出為該相位偏移訊號，使得該相位校正電路係依據該第一相位與該第二相位的平均值校正該開眼偵測時脈訊號，使經校正後的該開眼偵測時脈訊號可同步地與該參考時脈訊號同相。
如請求項1所述之主動式開眼偵測校正裝置，其中，該參考時脈訊號係可選地具有0度、90度、180度或270度的初始取樣時脈相位。
一種主動式開眼偵測校正方法，包括：<br/>提供一校正選擇訊號，以控制是否以一參考時脈訊號取樣一開眼偵測時脈訊號，並且輸出一指示訊號，其中，該參考時脈訊號及該開眼偵測時脈訊號係由一資料選擇電路所接收，該校正選擇訊號係用於觸發該資料選擇電路；<br/>依據該指示訊號執行一校正程序，從而輸出一相位偏移訊號；以及<br/>依據該相位偏移訊號校正該開眼偵測時脈訊號，使得經校正後的該開眼偵測時脈訊號係同步地與該參考時脈訊號同相（in phase）。
如請求項13所述之主動式開眼偵測校正方法，其中，當該校正選擇訊號係為低電壓位準時，該開眼偵測時脈訊號係取樣該參考時脈訊號。
如請求項13所述之主動式開眼偵測校正方法，其中，當該校正選擇訊號係為高電壓位準時，該參考時脈訊號係取樣該開眼偵測時脈訊號。
如請求項14所述之主動式開眼偵測校正方法，其中，當該開眼偵測時脈訊號取樣該參考時脈訊號，且該指示訊號係維持在低電壓位準時，一相位控制訊號係依序地遞增，而當該指示訊號轉態並穩定維持於高電壓位準時，記錄該相位控制訊號對應的一第一相位。
如請求項16所述之主動式開眼偵測校正方法，之後，該指示訊號係重置於該低電壓位準，並且，切換該校正選擇訊號為高電壓位準，轉而由該參考時脈訊號取樣該開眼偵測時脈訊號，其中，當該指示訊號係維持在該低電壓位準時，該相位控制訊號係依序地遞減，而當該指示訊號轉態並穩定維持於該高電壓位準時，記錄該相位控制訊號對應的一第二相位。
如請求項17所述之主動式開眼偵測校正方法，其中，該第一相位與該第二相位的平均值係計算為一最終相位，使該最終相位係輸出為該相位偏移訊號。
如請求項13所述之主動式開眼偵測校正方法，其中，該參考時脈訊號係可選地具有0度、90度、180度或270度的初始取樣時脈相位。
如請求項13所述之主動式開眼偵測校正方法，其中，該資料選擇電路更電性耦接於一暫存電路，該暫存電路之一資料輸入端與一時脈輸入端係可藉由該校正選擇訊號的控制而可選地在該參考時脈訊號及該開眼偵測時脈訊號之間進行切換，該暫存電路係輸出該指示訊號。
如請求項13所述之主動式開眼偵測校正方法，其中，該資料選擇電路包括至少一個由該校正選擇訊號所觸發並致能的多工器。
如請求項20所述之主動式開眼偵測校正方法，其中，該暫存電路係為一D型正反器（D flip-flop，DFF）。
一種入模特徵選取方法，其特徵在於，包括：入模特徵選取裝置獲取候選特徵、包括所述候選特徵的特徵資料和所述候選特徵的取值的原始分箱的原始分箱點；所述入模特徵選取裝置基於所述原始分箱點，構建臨界分箱，所述臨界分箱由所述原始分箱點向對應相鄰的兩個原始分箱擴張得到；所述入模特徵選取裝置根據所述特徵資料中所述候選特徵的取值和所述臨界分箱，得到第一入模性能指標，所述第一入模性能指標包括所述候選特徵在所述臨界分箱的入模性能指標；所述入模特徵選取裝置基於所述候選特徵的所述第一入模性能指標和預先獲取所述候選特徵的第二入模性能指標，在所述候選特徵中選取入模特徵，所述第二入模性能指標包括所述候選特徵在所述原始分箱的入模性能指標；其中，所述入模特徵選取裝置基於所述候選特徵的所述第一入模性能指標和預先獲取所述候選特徵的第二入模性能指標，在所述候選特徵中選取入模特徵，包括：所述入模特徵選取裝置獲取所述第一入模性能指標的第一權重和所述第二入模性能指標的第二權重；所述入模特徵選取裝置根據所述第一入模性能指標、所述第一權重、所述第二入模性能指標和所述第二權重，利用加權演算法，得到所述候選特徵的綜合入模性能指標；所述入模特徵選取裝置基於所述綜合入模性能指標，在所述候選特徵中選取入模特徵。
如請求項1所述的方法，其中，所述入模特徵選取裝置基於所述原始分箱點，構建臨界分箱，包括：所述入模特徵選取裝置按照預設的第一比例，從所述原始分箱點開始在對應相鄰的一個所述原始分箱擴張，得到第一範圍，所述第一比例為所述第一範圍與對應相鄰的一個所述原始分箱的範圍的比值；所述入模特徵選取裝置按照預設的第二比例，從所述原始分箱點開始在對應相鄰的另一個所述原始分箱擴張，得到第二範圍，所述第二比例為所述第二範圍與對應相鄰的另一個所述原始分箱的範圍的比值；所述入模特徵選取裝置合併所述第一範圍和所述第二範圍，得到所述臨界分箱。
如請求項2所述的方法，其中，所述第一比例小於等於10%，所述第二比例小於等於10%。
如請求項1所述的方法，其中，所述入模特徵選取裝置根據所述特徵資料中所述候選特徵的取值和所述臨界分箱，得到第一入模性能指標，包括：所述入模特徵選取裝置根據所述特徵資料中所述候選特徵的取值和所述臨界分箱，獲取所述候選特徵的取值位於所述臨界分箱中的所述特徵資料的數量；所述入模特徵選取裝置根據所述候選特徵的取值位於所述臨界分箱中的所述特徵資料的數量，得到所述第一入模性能指標。
如請求項4所述的方法，其中，所述特徵資料具有分類標籤，所述分類標籤用於指示所述特徵資料的分類結果，所述入模特徵選取裝置根據所述候選特徵的取值位於所述臨界分箱中的所述特徵資料的數量，得到所述第一入模性能指標，包括：所述入模特徵選取裝置獲取所述臨界分箱中的所述特徵資料中同一所述分類標籤下的所述特徵資料的第一數量；所述入模特徵選取裝置獲取所述特徵資料中同一所述分類標籤下所述特徵資料的第二數量；所述入模特徵選取裝置根據所述第一數量和所述第二數量，得到所述第一入模性能指標。
如請求項5所述的方法，其中，所述分類標籤包括第一分類標籤和第二分類標籤，所述第一分類標籤與所述第二分類標籤各自指示的分類結果不同，所述入模特徵選取裝置根據所述第一數量和所述第二數量，得到所述第一入模性能指標，包括：所述入模特徵選取裝置獲取所述第一分類標籤對應的所述第一數量和所述第一分類標籤對應的所述第二數量的第一比值；所述入模特徵選取裝置獲取所述第二分類標籤對應的所述第一數量和所述第二分類標籤對應的所述第二數量的第二比值；所述入模特徵選取裝置根據所述第一比值和所述第二比值，得到所述第一入模性能指標。
如請求項5所述的方法，其中，所述分類標籤包括第一分類標籤至第N分類標籤，N為大於2的整數，所述第一分類標籤至所述第N分類標籤各自指示的分類結果不同，所述入模特徵選取裝置根據所述第一數量和所述第二數量，得到所述第一入模性能指標，包括：所述入模特徵選取裝置根據所述第一分類標籤至所述第N分類標籤中每兩個所述分類標籤對應的所述第一數量和所述第二數量的比值，計算得到每兩個所述分類標籤對應的入模性能因素項；所述入模特徵選取裝置將所述第一分類標籤至所述第N分類標籤中每兩個所述分類標籤對應的所述入模性能因素項的加和確定為所述第一入模性能指標。
如請求項1所述的方法，其中，所述入模特徵選取裝置基於所述綜合入模性能指標，在所述候選特徵中選取入模特徵，包括：所述入模特徵選取裝置按照所述綜合入模性能指標表徵的性能由高至低的順序依次將所述候選特徵確定為所述入模特徵，直至滿足預設終止條件。
如請求項8所述的方法，其中，還包括：在滿足所述預設終止條件之前，若所述候選特徵的所述綜合入模性能指標滿足預設選取條件，與前一所述入模特徵的所述綜合入模性能指標的差異性小於預設差異閾值，則所述入模特徵選取裝置獲取所述候選特徵與前一所述入模特徵的相關性參數；若所述相關性參數超出預設相關性範圍，所述入模特徵選取裝置將所述候選特徵確定為非入模特徵。
如請求項1至9中任意一項所述的方法，其中，入模性能指標包括以下一種或兩種以上：資訊價值、群體穩定性指標、KS統計量、曲線下面積。
一種入模特徵選取裝置，其特徵在於，包括：獲取模組，用於獲取候選特徵、包括所述候選特徵的特徵資料和所述候選特徵的取值的原始分箱的原始分箱點；分箱構建模組，用於基於所述原始分箱點，構建臨界分箱，所述臨界分箱由所述原始分箱點向對應相鄰的兩個原始分箱擴張得到；指標計算模組，用於根據所述特徵資料中所述候選特徵的取值和所述臨界分箱，得到第一入模性能指標，所述第一入模性能指標包括所述候選特徵在所述臨界分箱的入模性能指標；選取模組，用於基於所述候選特徵的所述第一入模性能指標和預先獲取所述候選特徵的第二入模性能指標，在所述候選特徵中選取入模特徵，所述第二入模性能指標包括所述候選特徵在所述原始分箱的入模性能指標；所述選取模組用於：獲取所述第一入模性能指標的第一權重和所述第二入模性能指標的第二權重；根據所述第一入模性能指標、所述第一權重、所述第二入模性能指標和所述第二權重，利用加權演算法，得到所述候選特徵的綜合入模性能指標；基於所述綜合入模性能指標，在所述候選特徵中選取入模特徵。
一種電子設備，其特徵在於，包括：處理器以及存儲有電腦程式指令的記憶體；所述處理器執行所述電腦程式指令時實現如請求項1至10中任意一項所述的入模特徵選取方法。
一種電腦可讀存儲介質，其特徵在於，所述電腦可讀存儲介質上存儲有電腦程式指令，所述電腦程式指令被處理器執行時實現如請求項1至10中任意一項所述的入模特徵選取方法。
一種食物包裝材，其包括：<br/> 一流延聚丙烯層，所述流延聚丙烯層的材料包括一第一丙烯共聚物； <br/> 一耐熱表層，所述耐熱表層的材料包括一丙烯均聚物以及一石油樹脂；以及<br/> 一中間層，所述中間層設置於所述耐熱表層與所述流延聚丙烯層之間，所述中間層的材料包括一第二丙烯共聚物；<br/> 其中，所述耐熱表層的熔點高於所述流延聚丙烯層的熔點，所述流延聚丙烯層的熔點高於所述中間層的熔點。
如請求項1所述的食物包裝材，其中，所述丙烯均聚物的熔點為160°C至170°C。
如請求項1所述的食物包裝材，其中，所述第一丙烯共聚物的熔點為145°C至159°C。
如請求項1所述的食物包裝材，其中，所述第二丙烯共聚物的熔點為125°C至140°C。
如請求項1所述的食物包裝材，其中，以所述第一丙烯共聚物的總重為100重量百分比，所述第一丙烯共聚物是由90重量百分比至99.99重量百分比的丙烯單體以及0.01重量百分比至10重量百分比的乙烯單體聚合而成。
如請求項1所述的食物包裝材，其中，以所述第二丙烯共聚物的總重為100重量百分比，所述第二丙烯共聚物是由70重量百分比至85重量百分比的丙烯單體以及15重量百分比至30重量百分比的乙烯單體聚合而成。
如請求項1所述的食物包裝材，其中，所述石油樹脂是碳數為5或10的氫化石油樹脂。
如請求項1所述的食物包裝材，其中，所述石油樹脂是碳數為5或10的氫化石油樹脂與芳香族反應形成的芳香族共聚系氫化石油樹脂。
如請求項7或8所述的食物包裝材，其中，所述碳數為5或10的氫化石油樹脂是間戊二烯氫化樹脂或雙環戊二烯氫化樹脂。
如請求項1所述的食物包裝材，其中，所述中間層的厚度為18微米至20微米，所述流延聚丙烯層的厚度為50微米至70微米，所述耐熱表層的厚度為20微米至30微米。
一種食物包裝材的製造方法，其包括：<br/> 進行一流延程序，形成一流延聚丙烯層；其中，所述流延聚丙烯層的材料包括一第一丙烯共聚物； <br/> 進行一雙軸延伸程序，形成一疊層結構；其中，所述疊層結構包括一中間層與一耐熱表層，所述中間層的材料包括一第二丙烯共聚物，所述耐熱表層的材料包括一丙烯均聚物以及一石油樹脂；以及<br/> 將所述流延聚丙烯層設置於所述疊層結構上，以製得一食物包裝材；其中，所述流延聚丙烯層與所述中間層接觸；<br/> 其中，所述耐熱表層的熔點高於所述流延聚丙烯層的熔點，所述流延聚丙烯層的熔點高於所述中間層的熔點。
一種操作電路，包括： <br/>一接面場效電晶體，具有一第一閘極、一第一源極以及一第一汲極，該第一汲極耦接一第一輸入輸出墊；以及 <br/>一靜電放電保護電路，包括： <br/>一靜電放電釋放元件，與該接面場效電晶體串聯於該第一輸入輸出墊與一第二輸入輸出墊之間；以及 <br/>一控制電路，耦接於該第一閘極與該第一源極之間， <br/>其中當一靜電放電事件發生於該第一輸入輸出墊時，該控制電路導通該接面場效電晶體及該靜電放電釋放元件。
如請求項1所述之操作電路，其中當該靜電放電事件發生於該第一輸入輸出墊時，該控制電路設定該第一閘極與該第一源極的電壓差低於一截止電壓，用以導通該接面場效電晶體。
如請求項1所述之操作電路，其中當該靜電放電事件發生於該第一輸入輸出墊時，該控制電路設定該第一閘極的電位等於該第一源極的電位。
如請求項1所述之操作電路，更包括： <br/>一核心電路，並聯該靜電放電釋放元件， <br/>其中： <br/>當該靜電放電事件發生於該第一輸入輸出墊時，該控制電路控制該第一閘極與該第一源極的電位， <br/>當該靜電放電事件未發生時，該核心電路控制該第一源極的電位，用以導通或不導通該接面場效電晶體，並且該控制電路不導通該靜電放電釋放元件。
如請求項1所述之操作電路，其中： <br/>該靜電放電釋放元件係為一N型電晶體，該N型電晶體包括一第二閘極、一第二源極以及一第二汲極， <br/>該第二閘極耦接該第一閘極，該第二源極耦接該第二輸入輸出墊，該第二汲極耦接該第一源極。
如請求項5所述之操作電路，其中該控制電路包括： <br/>一電阻，耦接於該第一源極與一特定節點之間； <br/>一電容，耦接於該特定節點與該第二輸入輸出墊之間；以及 <br/>一反相器，耦接於該特定節點與該第一閘極之間。
如請求項6所述之操作電路，其中該反相器具有一第一電源端以及一第二電源端，該第一電源端耦接該第一源極，該第二電源端耦接該第二輸入輸出墊。
如請求項5所述之操作電路，其中該控制電路包括： <br/>一電容，耦接於該第一源極與該第一閘極之間；以及 <br/>一電阻，耦接於該第一閘極與該第二輸入輸出墊之間。
如請求項1所述之操作電路，其中： <br/>該靜電放電釋放元件係為一P型電晶體，該P型電晶體具有一第三閘極、一第三源極以及一第三汲極，該第三源極耦接該第一源極，該第三汲極耦接該第二輸入輸出墊， <br/>該控制電路包括： <br/>一電容，耦接於該第一源極與該第一閘極之間； <br/>一電阻，耦接該第一閘極與該第二輸入輸出墊之間；以及 <br/>一反相器，耦接於該第一閘極與該第三閘極之間。
如請求項9所述之操作電路，其中該反相器具有一第三電源端以及一第四電源端，該第三電源端耦接該第一源極，該第四電源端耦接該第二輸入輸出墊。
一種大電能電池模組用的平衡充電連接器，是供平衡充電一大電能電池模組，前述大電能電池模組包括一殼體、複數串/並聯設置於前述殼體中的電池包以及一組可分別獨立充電前述電池包的充電迴路，前述充電迴路包括一快充電路、一平衡電路、以及防水包覆前述平衡電路的水密封裝，前述平衡電路包括數目對應於前述電池包且被前述水密封裝所覆蓋的複數二級線圈，前述二級線圈分別沿一磁力軸形成有複數匝繞線，前述平衡充電連接器包括：一水密外框，前述水密外框形成有數目對應於前述二級線圈的複數限位部；複數分別被設置於前述限位部且對應於前述二級線圈的一級線圈，藉此傳遞電磁感應能量至前述二級線圈進行平衡充電；以及可選擇性導接一供電迴路至前述一級線圈的切換器。
如請求項1所述的平衡充電連接器，其中包覆前述二級線圈的前述水密封裝形成有複數分別對應前述二級線圈的前述磁力軸的軸心凹陷；前述水密外框形成有分別對應前述軸心凹陷的複數突出部以及複數分別對應前述二級線圈的包覆部，每一前述包覆部內嵌有一個前述一級線圈，以及每一前述突出部內嵌有一導磁件。
如請求項2所述的平衡充電連接器，其中前述導磁件分別是一導接前述一級線圈的輔助線圈。
如請求項2所述的平衡充電連接器，其中前述導磁件分別是一鐵芯。
如請求項1、2、3或4所述的平衡充電連接器，其中前述水密外框，更包括分別用以沿垂直前述磁力軸的徑向遠離前述磁力軸，且平行前述磁力軸而由相反於前述二級線圈的外側被覆每一前述一級線圈的複數鐵磁性限磁筒，藉此減少前述電磁感應能量的串擾。
大電能電池模組用的平衡充電系統，包括：至少一大電能電池模組，包括一殼體；複數串/並聯設置於前述殼體中的電池包；以及一組可分別獨立充電前述電池包的充電迴路，前述充電迴路包括一快充電路、一平衡電路、以及防水包覆前述平衡電路的水密封裝，前述平衡電路包括數目對應於前述電池包且被前述水密封裝所覆蓋的複數二級線圈，前述二級線圈分別沿一磁力軸形成有複數匝繞線；以及一平衡充電連接器包括：一水密外框，前述水密外框形成有數目對應於前述二級線圈的複數限位部；複數分別被設置於前述限位部且對應於前述二級線圈的一級線圈，藉此傳遞電磁感應能量至前述二級線圈進行平衡充電；以及可選擇性導接一供電迴路至前述一級線圈的切換器。
如請求項6所述之平衡充電系統，其中包覆前述二級線圈的前述水密封裝形成有複數分別對應前述二級線圈的前述磁力軸的軸心凹陷；前述水密外框形成有分別對應前述軸心凹陷的複數突出部以及複數分別對應前述二級線圈的包覆部，每一前述包覆部內嵌有一個前述一級線圈，以及每一前述突出部內嵌有一導磁件。
如請求項7所述之平衡充電系統，其中前述導磁件分別是一導接前述一級線圈的輔助線圈。
如請求項7所述之平衡充電系統，其中前述導磁件分別是一鐵芯。
如請求項6、7、8或9所述之平衡充電系統，其中前述水密外框，更包括分別用以沿垂直前述磁力軸的徑向遠離前述磁力軸，且平行前述磁力軸而由相反於前述二級線圈的外側被覆每一前述一級線圈的複數鐵磁性限磁筒，藉此減少前述電磁感應能量的串擾。
一種真空泵潤滑油監控方法，用於對一真空泵的一泵體中儲存的一潤滑油進行監控，應用於對所述真空泵中的所述潤滑油進行監測的一監測系統中的一控制器，所述監測系統包括：<br/> 一油品品質感測器，設置於所述泵體中，所述油品品質感測器的一探測端與所述泵體中儲存的所述潤滑油接觸，所述探測端至少位於所述泵體的所述潤滑油下限液位處，所述油品品質感測器用於監測所述真空泵中所述潤滑油的一介電常數，並輸出帶有所述潤滑油的所述介電常數訊息的一第一訊號；<br/> 一超聲波液位感測器，設置於所述真空泵的一外壁上，所述超聲波液位感測器設置於所述潤滑油液面的正上方或正下方，所述超聲波液位感測器用於監測所述真空泵中的所述潤滑油液位，並輸出帶有所述潤滑油液位高度訊息的一第二訊號；<br/> 一控制器，所述控制器與所述油品品質感測器連接，所述控制器還與所述超聲波液位感測器連接； <br/> 一顯示裝置，與所述控制器連接，用於所述控制器發出的一顯示驅動訊號顯示對應訊息；以及<br/> 一報警裝置，與所述控制器連接；<br/> 所述真空泵潤滑油監控方法包括：<br/> 接收所述第一訊號，並根據所述第一訊號所攜帶的所述潤滑油的所述介電常數訊息向所述顯示裝置發送一第一顯示驅動訊號，驅動所述顯示裝置顯示對應的所述潤滑油的所述介電常數；<br/> 接收所述第二訊號，並根據所述第二訊號所攜帶的所述潤滑油液位高度訊息向所述顯示裝置發送一第二顯示驅動訊號，驅動所述顯示裝置顯示對應的所述潤滑油液位高度；<br/> 對所述第一訊號所攜帶的所述潤滑油的所述介電常數訊息進行處理，並根據處理結果判斷是否向所述報警裝置發送一第一報警訊號，在向所述報警裝置發送所述第一報警訊號時，同時向所述顯示裝置發送一第一異常顯示訊號，驅動所述顯示裝置顯示所述潤滑油狀態異常；<br/> 對所述第二訊號所攜帶的所述潤滑油液位高度訊息進行處理，並根據處理結果判斷是否向所述報警裝置發送一第二報警訊號，在向所述報警裝置發送第二報警訊號時，同時向所述顯示裝置發送一第二異常顯示訊號，驅動所述顯示裝置顯示所述潤滑油液位異常；以及<br/> 所述報警裝置用於接收所述控制器發出的所述第一報警訊號和/或所述第二報警訊號並進行報警。
如請求項1所述之真空泵潤滑油監控方法，其中所述對所述第一訊號所攜帶的所述潤滑油的所述介電常數訊息進行處理，並根據處理結果判斷是否向所述報警裝置發送所述第一報警訊號，包括：<br/> 根據所述第一訊號中所攜帶的所述潤滑油的所述介電常數訊息獲取所述油品品質感測器監測到的所述潤滑油的所述介電常數；<br/> 將所述油品品質感測器監測到的所述潤滑油的所述介電常數與預設的一標準介電常數的範圍進行比對，並得出判斷結果；<br/> 在確定所述油品品質感測器監測到的所述潤滑油的所述介電常數處於所述標準介電常數的範圍內時，則不向所述報警裝置發送所述第一報警訊號；以及<br/> 在確定所述油品品質感測器監測到的所述潤滑油的所述介電常數未處於所述標準介電常數的範圍內時，則向所述報警裝置發送所述第一報警訊號。
如請求項2所述之真空泵潤滑油監控方法， 其中所述將所述油品品質感測器監測到的所述潤滑油的所述介電常數與預設的所述標準介電常數進行比對，並得出判斷結果，包括:<br/> 將所述油品品質感測器監測到的所述潤滑油的所述介電常數與所述標準介電常數進行比較；<br/> 若所述油品品質感測器監測到的所述潤滑油的所述介電常數大於所述標準介電常數，則判斷所述油品品質感測器監測到的所述潤滑油的所述介電常數未處於所述標準介電常數的範圍內；以及<br/> 若所述油品品質感測器監測到的所述潤滑油的所述介電常數小於所述標準介電常數，則判斷所述油品品質感測器監測到的所述潤滑油的所述介電常數處於所述標準介電常數的範圍內。
如請求項1所述之真空泵潤滑油監控方法， 其中所述對所述第二訊號所攜帶的所述潤滑油液位高度訊息進行處理，並根據處理結果判斷是否向所述報警裝置發送所述第二報警訊號，包括：<br/> 根據所述第二訊號中所攜帶的所述潤滑油液位高度訊息獲取所述超聲波液位感測器監測到的所述潤滑油液位高度；<br/> 將所述超聲波液位感測器監測到的所述潤滑油液位高度與預設的一標準液位高度範圍進行比對，並得出判斷結果；<br/> 在確定所述超聲波液位感測器監測到的所述潤滑油液位高度處於所述標準液位高度範圍內時，則不向所述報警裝置發送所述第二報警訊號；以及<br/> 在確定所述超聲波液位感測器監測到的所述潤滑油液位高度未處於所述標準液位高度範圍內時，則向所述報警裝置發送所述第二報警訊號。
如請求項4所述之真空泵潤滑油監控方法，其中所述標準液位高度範圍由一第一液位高度與一第二液位高度形成的閾值範圍，所述第一液位高度小於所述第二液位高度，所述將所述超聲波液位感測器監測到的所述潤滑油液位高度與預設的所述標準液位高度範圍進行比對，並得出判斷結果，包括：<br/> 將所述超聲波液位感測器監測到的所述潤滑油液位高度與所述第一液位高度進行比較；<br/> 若所述超聲波液位感測器監測到的所述潤滑油液位高度低於所述第一液位高度，則判斷所述超聲波液位感測器監測到的所述潤滑油液位高度未處於所述標準液位高度範圍內；<br/> 若所述超聲波液位感測器監測到的所述潤滑油液位高度高於所述第一液位高度，則將所述超聲波液位感測器監測到的所述潤滑油液位高度與所述第二液位高度比較；<br/> 若所述超聲波液位感測器監測到的所述潤滑油液位高度高於所述第二液位高度，則判斷所述超聲波液位感測器監測到的所述潤滑油液位高度未處於所述標準液位高度範圍內；以及<br/> 若所述超聲波液位感測器監測到的所述潤滑油液位高度高於所述第一液位高度且低於所述第二液位高度，則判斷所述超聲波液位感測器監測到的所述潤滑油液位高度處於所述標準液位高度範圍內。
如請求項1所述之真空泵潤滑油監控方法，其中所述油品品質感測器還用於監測所述真空泵中所述潤滑油的含水率，並輸出帶有所述真空泵中所述潤滑油含水率訊息的所述第一訊號，所述真空泵潤滑油監控方法還包括:<br/> 根據所述第一訊號所攜帶的所述潤滑油含水率向所述顯示裝置發送一第三顯示驅動訊號，驅動所述顯示裝置根據接收到的所述第三顯示驅動訊號顯示對應的所述潤滑油含水率；以及<br/> 對所述第一訊號所攜帶的所述潤滑油含水率訊息進行處理，並根據處理結果判斷是否向所述報警裝置發送所述第一報警訊號。
如請求項6所述之真空泵潤滑油監控方法，其中所述對所述第一訊號所攜帶的所述潤滑油含水率訊息進行處理，並根據處理結果判斷是否向所述報警裝置發送所述第一報警訊號，包括：<br/> 根據所述第一訊號中所攜帶的所述潤滑油含水率訊息獲取所述油品品質感測器監測到的所述潤滑油含水率；<br/> 將所述油品品質感測器監測到的所述潤滑油含水率與預設的一標準含水率範圍進行比對，並得出判斷結果；<br/> 在確定所述油品品質感測器監測到的所述潤滑油含水率處於所述標準含水率範圍內時，則不向所述報警裝置發送所述第一報警訊號；以及<br/> 在確定所述油品品質感測器監測到的所述潤滑油含水率未處於所述標準含水率範圍內時，則向所述報警裝置發送所述第一報警訊號。
如請求項1所述之真空泵潤滑油監控方法，其中所述真空泵潤滑油監控方法還包括：<br/> 控制所述油品品質感測器按一第一預設時間間隔對所述真空泵中的所述潤滑油進行監測，並獲取所述第一訊號；以及<br/> 控制所述超聲波液位感測器按一第二預設時間間隔對所述真空泵中的所述潤滑油液位檢測，並獲取所述第二訊號。
一種推車，包括：<br/> 車架，包括：<br/> 第一輪架，包括第一支撐組件；<br/> 第二輪架，包括第二支撐組件；<br/> 推杆架，包括推杆組件；以及<br/> 收合機構，包括連動組件和轉動軸；<br/> 其中所述第一支撐組件、所述第二支撐組件和所述推杆組件通過所述轉動軸樞接，所述第一支撐組件和所述第二支撐組件能通過所述連動組件相對所述推杆組件轉動收合；<br/> 座椅架，設置於所述推杆架；以及<br/> 座椅組件，設置於所述座椅架；<br/> 其中所述座椅架沿所述推杆組件可移動，所述推車還包括設置於所述推杆架和所述座椅架之間的座椅高度調整機構，所述座椅高度調整機構具有鎖定狀態和釋鎖狀態，所述座椅高度調整機構處於鎖定狀態時，所述座椅架與所述推杆組件相對固定，所述座椅高度調整機構處於釋鎖狀態時，所述座椅架可相對於所述推杆組件移動，以使所述座椅組件的高度可調。
如請求項1所述的推車，其中所述連動組件包括：<br/> 第一連杆，所述第一連杆的一端與所述推杆組件可轉動地連接；<br/> 第二連杆，所述第二連杆的一端與所述第一連杆的另一端可轉動地連接，所述第二連杆的另一端與所述第一支撐組件可轉動地連接；以及<br/> 第三連杆，所述第三連杆的一端與所述第一連杆的另一端可轉動地連接，所述第三連杆的另一端與所述第二支撐組件可轉動地連接。
如請求項1所述的推車，其中，所述連動組件包括：<br/> 中心齒輪，固定於所述推杆組件上；<br/> 轉盤，固定於所述第一支撐組件上且具有第一導向槽，所述第一導向槽具有齒形邊緣；<br/> 行星齒輪，與所述中心齒輪、所述齒形邊緣均嚙合；以及<br/> 驅動軸，與所述轉動軸偏心設置，所述驅動軸穿過所述第二支撐組件、所述行星齒輪和所述推杆組件，所述第二支撐組件通過所述驅動軸與所述推杆組件樞接。
如請求項3所述的推車，其中所述驅動軸與所述第二支撐組件和所述行星齒輪固定連接，所述驅動軸可相對於所述推杆組件轉動。
如請求項3所述的推車，其中所述齒形邊緣為弧形邊緣，且沿著所述轉盤的圓周方向設置；和/或<br/> 其中所述齒形邊緣具有第一端和第二端，用於限制所述行星齒輪在所述第一端和所述第二端之間移動。
如請求項1所述的推車，其中所述推杆架還包括握杆組件，所述收合機構還包括釋鎖組件，其中所述握杆組件與所述釋鎖組件驅動地連接，所述握杆組件可被操作以驅動所述釋鎖組件釋鎖，使得所述第一支撐組件和所述第二支撐組件能通過所述連動組件相對所述推杆組件轉動收合。
如請求項1所述的推車，其中所述推杆架還包括握杆組件，所述收合機構還包括釋鎖組件，所述第一支撐組件包括第一轉動座，所述第一轉動座具有鎖定凹，所述釋鎖組件包括鎖定件，所述釋鎖組件處於鎖定狀態時，所述鎖定件插設於所述鎖定凹內以使得所述推杆組件與所述第一支撐組件相對固定，所述釋鎖組件處於釋鎖狀態時，所述鎖定件脫離所述鎖定凹內以使得所述推杆組件能相對於所述第一支撐組件轉動；和/或<br/> 其中所述釋鎖組件還包括：<br/> 驅動件，設置於所述推杆架上，且與所述握杆組件驅動地連接；以及<br/> 牽引件，所述牽引件的兩端分別與所述驅動件、所述鎖定件連接；<br/> 其中所述握杆組件可被操作以驅動所述驅動件活動，從而通過所述牽引件帶動所述鎖定件脫離所述鎖定凹。
如請求項7所述的推車，其中所述握杆組件包括握把和握杆本體，所述握把可轉動地設置於所述握杆本體，所述驅動件與所述握把連接且能隨所述握把轉動；和/或<br/> 其中所述釋鎖組件還包括：<br/> 安全釋鎖件，在第一位置和第二位置之間可活動；<br/> 其中所述安全釋鎖件處於所述第一位置時，所述握把被操作無法使所述驅動件活動，所述安全釋鎖件處於所述第二位置時，所述握把可被操作以使所述驅動件活動；和/或<br/> 其中所述釋鎖組件還包括：<br/> 限位件，可活動地設置於所述推杆架；<br/> 其中所述安全釋鎖件處於所述第一位置時，所述限位件限制所述驅動件活動；所述安全釋鎖件處於所述第二位置時，所述限位件解除對所述驅動件活動的限制，所述安全釋鎖件可被操作以從所述第一位置移動至所述第二位置。
如請求項1至8中任一項所述的推車，其中所述座椅高度調整機構包括：<br/> 多個第一鎖定孔，設於所述推杆組件；以及<br/> 第一鎖定銷，設於所述座椅架，所述第一鎖定銷在第三位置和第四位置之間可移動；<br/> 其中所述第一鎖定銷位於所述第三位置時能與其中一個所述第一鎖定孔插設配合，所述第一鎖定銷位於所述第四位置時與所述第一鎖定孔解除配合；和/或其中所述座椅高度調整機構還包括：<br/> 高度調整操作件，包括：<br/> 樞接端，與所述第一鎖定銷樞接；以及<br/> 操作端，可被操作以通過所述樞接端帶動所述第一鎖定銷向所述第四位置移動。
如請求項1至8中任一項所述的推車，其中所述推杆組件的長度可調；和/或<br/> 所述推車還包括推杆長度調整機構，所述推杆組件包括第一推杆和第二推杆，所述第一推杆至少部分插設於所述第二推杆內，所述推杆長度調整機構包括：<br/> 多個第二鎖定孔，設置於所述第二推杆；以及<br/> 第二鎖定銷，設於所述第一推杆，且在第五位置和第六位置之間可活動；<br/> 其中所述第二鎖定銷位於所述第五位置時能與其中一個所述第二鎖定孔插設配合，所述第二鎖定銷位於所述第六位置時與所述第二鎖定孔解除配合；和/或<br/> 其中所述推杆長度調整機構包括：<br/> 長度調整操作件，設於所述第一推杆且與所述第二鎖定銷驅動地連接；<br/> 其中所述長度調整操作件可被操作以帶動所述第二鎖定銷向所述第六位置移動。
如請求項1至8中任一項所述的推車，還包括：<br/> 連接座，設置於所述座椅組件，所述連接座可活動地連接於所述座椅架，所述連接座具有第一移動位置和第二移動位置，當所述連接座位於所述第一移動位置時，所述連接座相對於所述座椅架不可轉動，當所述連接座位於所述第二移動位置時，所述連接座相對於所述座椅架可轉動；以及<br/> 第一鎖合機構，在釋鎖狀態和鎖合狀態之間可切換，當所述第一鎖合機構處於釋鎖狀態時，所述連接座能夠相對於所述座椅架在所述第一移動位置和所述第二移動位置之間移動；當所述第一鎖合機構處於鎖定狀態時，所述連接座不能相對於所述座椅架移動。
一種非晶碳膜沈積方法，包括：<br/> （a）將基板裝載至腔室內；以及<br/> （b）使包含碳的前驅物、包含氧的前驅物及包含氮的前驅物放電，以在所述基板上沈積摻雜有氧及氮的非晶碳膜，<br/> 所述包含氧的前驅物以80 sccm至500 sccm的流量供給至所述腔室內，<br/> 所述包含氮的前驅物以100 sccm至1000 sccm的流量供給至所述腔室內。
如請求項1所述的非晶碳膜沈積方法，其中<br/> 所述包含碳的前驅物為氣體狀態的碳化合物。
如請求項1所述的非晶碳膜沈積方法，其中<br/> 所述包含氧的前驅物為氧氣氣體。
如請求項1所述的非晶碳膜沈積方法，其中<br/> 所述包含氮的前驅物為氮氣氣體。
如請求項1所述的非晶碳膜沈積方法，其中<br/> 所述（b）步驟在製程壓力為3托至8托、電漿功率為1000 W至3000 W及基板溫度為400℃至650℃的條件下執行。
一種與具有SEQ ID NO: 34之序列的人類SIRPα結合之抗體或其抗原結合片段及CD47、PD-1、PD-L1、PD-L2、CTLA4、TIM3、LAG3、CEACAM、VISTA、BTLA、TIGIT、LAIRl、IDO、TDO、CD160或TGFR β之抑制劑的用途，其係用於製備用於治療癌症之藥物， <br/>其中該抗體或其抗原結合片段包含以下各項： <br/>a. 胺基酸序列SYWMH (SEQ ID NO:69)之重鏈可變區CDR1， <br/>b. 胺基酸序列AIYPVNNDTTYNQKFKG (SEQ ID NO:70)或AIYPVNSDTTYNQKFKG (SEQ ID NO: 136)之重鏈可變區CDR2， <br/>c. 胺基酸序列SFYYSLDAAWFVY (SEQ ID NO:71)之重鏈可變區CDR3， <br/>d. 胺基酸序列RASQDIGSRLN (SEQ ID NO:72)之輕鏈可變區CDR1， <br/>e. 胺基酸序列ATSSLDS (SEQ ID NO:73)之輕鏈可變區CDR2，及 <br/>f. 胺基酸序列LQYASSPFT (SEQ ID NO:74)之輕鏈可變區CDR3； <br/>其中該抗原結合片段為Fab片段、Fab'片段、F(ab')2片段、Fd片段、Fv片段、dAb片段、經分離之CDR、雙功能抗體(diabody)、線性抗體、單鏈抗體分子、奈米抗體或多特異性抗體。
如請求項1之用途，其中該抗體或其抗原結合片段包含以下重鏈可變區序列及輕鏈可變區序列組合中之一者： <br/>包含SEQ ID NO: 80之胺基酸序列之重鏈可變區序列及包含SEQ ID NO: 90之胺基酸序列之輕鏈可變區， <br/>包含SEQ ID NO: 80之胺基酸序列之重鏈可變區序列及包含SEQ ID NO: 92之胺基酸序列之輕鏈可變區， <br/>包含SEQ ID NO: 80之胺基酸序列之重鏈可變區序列及包含SEQ ID NO: 94之胺基酸序列之輕鏈可變區， <br/>包含SEQ ID NO: 80之胺基酸序列之重鏈可變區序列及包含SEQ ID NO: 96之胺基酸序列之輕鏈可變區， <br/>包含SEQ ID NO: 80之胺基酸序列之重鏈可變區序列及包含SEQ ID NO: 98之胺基酸序列之輕鏈可變區， <br/>包含SEQ ID NO: 80之胺基酸序列之重鏈可變區序列及包含SEQ ID NO: 100之胺基酸序列之輕鏈可變區， <br/>包含SEQ ID NO: 82之胺基酸序列之重鏈可變區序列及包含SEQ ID NO: 90之胺基酸序列之輕鏈可變區， <br/>包含SEQ ID NO: 82之胺基酸序列之重鏈可變區序列及包含SEQ ID NO: 94之胺基酸序列之輕鏈可變區， <br/>包含SEQ ID NO: 82之胺基酸序列之重鏈可變區序列及包含SEQ ID NO: 96之胺基酸序列之輕鏈可變區， <br/>包含SEQ ID NO: 82之胺基酸序列之重鏈可變區序列及包含SEQ ID NO: 98之胺基酸序列之輕鏈可變區， <br/>包含SEQ ID NO: 82之胺基酸序列之重鏈可變區序列及包含SEQ ID NO: 100之胺基酸序列之輕鏈可變區， <br/>包含SEQ ID NO: 84之胺基酸序列之重鏈可變區序列及包含SEQ ID NO: 90之胺基酸序列之輕鏈可變區， <br/>包含SEQ ID NO: 84之胺基酸序列之重鏈可變區序列及包含SEQ ID NO: 92之胺基酸序列之輕鏈可變區， <br/>包含SEQ ID NO: 84之胺基酸序列之重鏈可變區序列及包含SEQ ID NO: 94之胺基酸序列之輕鏈可變區， <br/>包含SEQ ID NO: 84之胺基酸序列之重鏈可變區序列及包含SEQ ID NO: 96之胺基酸序列之輕鏈可變區， <br/>包含SEQ ID NO: 84之胺基酸序列之重鏈可變區序列及包含SEQ ID NO: 98之胺基酸序列之輕鏈可變區， <br/>包含SEQ ID NO: 84之胺基酸序列之重鏈可變區序列及包含SEQ ID NO: 100之胺基酸序列之輕鏈可變區， <br/>包含SEQ ID NO: 86之胺基酸序列之重鏈可變區序列及包含SEQ ID NO: 90之胺基酸序列之輕鏈可變區， <br/>包含SEQ ID NO: 86之胺基酸序列之重鏈可變區序列及包含SEQ ID NO: 96之胺基酸序列之輕鏈可變區， <br/>包含SEQ ID NO: 86之胺基酸序列之重鏈可變區序列及包含SEQ ID NO: 100之胺基酸序列之輕鏈可變區， <br/>包含SEQ ID NO: 88之胺基酸序列之重鏈可變區序列及包含SEQ ID NO: 90之胺基酸序列之輕鏈可變區， <br/>包含SEQ ID NO: 88之胺基酸序列之重鏈可變區序列及包含SEQ ID NO: 92之胺基酸序列之輕鏈可變區， <br/>包含SEQ ID NO: 88之胺基酸序列之重鏈可變區序列及包含SEQ ID NO: 94之胺基酸序列之輕鏈可變區， <br/>包含SEQ ID NO: 88之胺基酸序列之重鏈可變區序列及包含SEQ ID NO: 96之胺基酸序列之輕鏈可變區， <br/>包含SEQ ID NO: 88之胺基酸序列之重鏈可變區序列及包含SEQ ID NO: 98之胺基酸序列之輕鏈可變區， <br/>包含SEQ ID NO: 88之胺基酸序列之重鏈可變區序列及包含SEQ ID NO: 100之胺基酸序列之輕鏈可變區，或 <br/>包含SEQ ID NO: 102之胺基酸序列之重鏈可變區序列及包含SEQ ID NO: 104之胺基酸序列之輕鏈可變區。
如請求項2之用途，其中該抗體係完整IgG。
如請求項3之用途，其中該抗體包含野生型或突變型IgG2 Fc區。
如請求項3之用途，其中該抗體包含突變型IgG1 Fc區。
如請求項3之用途，其中該抗體包含突變型IgG4 Fc區。
如請求項1之用途，其中該重鏈可變區CDR1為SEQ ID NO:69之胺基酸序列，該重鏈可變區CDR2為SEQ ID NO:70或SEQ ID NO:136之胺基酸序列，該重鏈可變區CDR3為SEQ ID NO:71之胺基酸序列，該輕鏈可變區CDR1為SEQ ID NO:72之胺基酸序列，該輕鏈可變區CDR2為SEQ ID NO:73之胺基酸序列，且該輕鏈可變區CDR3為SEQ ID NO:74之胺基酸序列。
如請求項2之用途，其中該抗體或其抗原結合片段包含：包含SEQ ID NO: 80之胺基酸序列之重鏈可變區序列，及包含SEQ ID NO: 90之胺基酸序列之輕鏈可變區。
如請求項2之用途，其中該抗體或其抗原結合片段包含：包含SEQ ID NO: 80之胺基酸序列之重鏈可變區序列，及包含SEQ ID NO: 92之胺基酸序列之輕鏈可變區。
如請求項2之用途，其中該抗體或其抗原結合片段包含：包含SEQ ID NO: 80之胺基酸序列之重鏈可變區序列，及包含SEQ ID NO: 94之胺基酸序列之輕鏈可變區。
如請求項2之用途，其中該抗體或其抗原結合片段包含：包含SEQ ID NO: 80之胺基酸序列之重鏈可變區序列，及包含SEQ ID NO: 96之胺基酸序列之輕鏈可變區。
如請求項2之用途，其中該抗體或其抗原結合片段包含：包含SEQ ID NO: 80之胺基酸序列之重鏈可變區序列，及包含SEQ ID NO: 98之胺基酸序列之輕鏈可變區。
如請求項2之用途，其中該抗體或其抗原結合片段包含：包含SEQ ID NO: 80之胺基酸序列之重鏈可變區序列，及包含SEQ ID NO: 100之胺基酸序列之輕鏈可變區。
如請求項1之用途，其中該CEACAM為CEACAM-1、CEACAM-3及/或CEACAM-5。
一種單元接觸結構，包括：<br/>一底部接觸層，位於一基板上並被複數個位元線結構和複數個分隔層包圍；<br/>一襯層，位於該底部接觸層與該基板之間、該底部接觸層與該些位元線結構之間、和該底部接觸層與該些分隔層之間；以及<br/>一頂部接觸層，位於該底部接觸層與該襯層上，<br/>其中該底部接觸層的一頂表面和該襯層的一頂表面實質上共平面，且該頂部接觸層的一底表面與該襯層的該頂表面和該底部接觸層的該頂表面接觸，<br/>其中該襯層包括經摻雜的多晶鍺或經摻雜的多晶矽鍺，<br/>其中該底部接觸層包括鎢或鈦，<br/>其中該頂部接觸層的一寬度大於該底部接觸層的一寬度。
如請求項1所述之單元接觸結構，其中該頂部接觸層包括鎢、鈦、或氮化鈦。
如請求項1所述之單元接觸結構，其中該頂部接觸層包括與該底部接觸層相同的材料。
如請求項1所述之單元接觸結構，其中該襯層包括n-型摻雜劑或p-型摻雜劑。
如請求項1所述之單元接觸結構，其中該頂部接觸層的一頂表面低於該些位元線結構的頂表面。
一種半導體元件，包括：<br/>一基板；<br/>兩個位元線結構，形成於該基板上，沿著一第一方向延伸並與彼此分離；<br/>兩個分隔層，位於該基板上，沿著垂直於該第一方向的一第二方向延伸並沿著該第一方向與彼此分離，且同時接觸該兩個位元線結構；以及<br/>一單元接觸結構，包括：<br/>一底部接觸層，位於該基板上且被該兩個位元線結構和該兩個分隔層包圍；<br/>一襯層，位於該基板與該底部接觸層之間、該兩個位元線結構與該底部接觸層之間、和該兩個分隔層與該底部接觸層之間；以及<br/>一頂部接觸層，位於該襯層和該底部接觸層上，<br/>其中該襯層的一頂表面和該底部接觸層的一頂表面實質上共平面，且該頂部接觸層的一底表面與該襯層的該頂表面和該底部接觸層的該頂表面接觸，<br/>其中該襯層包括經摻雜的多晶鍺或經摻雜的多晶矽鍺，<br/>其中該底部接觸層包括鎢或鈦，<br/>其中該頂部接觸層的一寬度大於該底部接觸層的一寬度。
如請求項6所述之半導體元件，其中該頂部接觸層包括鎢、鈦、或氮化鈦。
如請求項6所述之半導體元件，其中該頂部接觸層包括與該底部接觸層相同的材料。
如請求項6所述之半導體元件，其中該頂部接觸層的一頂表面低於該兩個位元線結構的頂表面。
如請求項9所述之半導體元件，其中該襯層包括n-型摻雜劑或p-型摻雜劑。
如請求項9所述之半導體元件，其中該底部接觸層包括在俯視透視圖中為矩形或正方形的一剖面輪廓。
如請求項9所述之半導體元件，更包括複數個間隔物結構，位於該單元接觸結構與該兩個位元線結構之間。
如請求項12所述之半導體元件，其中該些間隔物結構分別包括位於該兩個位元線結構的其中一者與該單元接觸結構之間的一位元線內間隔物、位於該位元線內間隔物與該單元接觸結構之間的一位元線中間間隔物、和位於該位元線中間間隔物與該單元接觸結構之間的一位元線外間隔物。
如請求項13所述之半導體元件，其中該位元線內間隔物包括氮化矽。
如請求項13所述之半導體元件，其中該位元線中間間隔物包括氧化矽。
如請求項13所述之半導體元件，其中該位元線外間隔物包括氮化矽。
如請求項12所述之半導體元件，其中該些間隔物結構分別位於該兩個位元線結構的其中一者與該單元接觸結構之間的一位元線內間隔物、位於該位元線內間隔物與該單元接觸結構之間的一位元線外間隔物、和位於該位元線內間隔物與該位元線外間隔物之間的一氣隙。
如請求項12所述之半導體元件，更包括一底部介電層，位於該兩個位元線結構與該基板之間、該些間隔物結構與該基板之間、和該兩個分隔層與該基板之間。
如請求項18所述之半導體元件，其中該兩個位元線結構分別包括：<br/>一底部導電層，位於該底部介電層上；<br/>一位元線中間導電層，位於該底部導電層上；<br/>一位元線頂部導電層，位於該位元線中間導電層上；以及<br/>一位元線覆蓋層，位於該位元線頂部導電層上。
如請求項19所述之半導體元件，其中該些間隔物結構的頂表面和該兩個位元線結構的頂表面實質上共平面。
一種形成一3D NAND設備的方法，包括以下步驟：<br/> 在包括複數個交替的第一層和第二層的一薄膜堆疊上形成一第一微影遮罩；<br/> 在該薄膜堆疊中形成一觸點開口對陣列，其中在交替的微影和蝕刻過程的一第一系列中的每個蝕刻過程之後，通過該第一微影遮罩的一開口在一第一方向上擴大，其中該觸點開口對陣列的一深度在該第一方向上變化，並且其中該觸點開口對陣列的該深度關於垂直於該第一方向延伸的一中心軸呈對稱；<br/> 在該薄膜堆疊上形成一第二微影遮罩；以及<br/> 在交替的微影和蝕刻過程的一第二系列的每個蝕刻過程之後，在一第二方向上擴大通過該第二微影遮罩的一開口，並且其中該觸點開口對陣列的該深度在該第二方向上變化。
如請求項1所述的方法，進一步包括以下步驟：由與一第二主要側相對的一第一主要側和與一第二端相對的一第一端界定該薄膜堆疊，其中一中心軸在該第一端與該第二端之間在該第二方向上延伸，其中該觸點開口對陣列中的每個觸點開口對的一第一觸點開口位在該中心軸的一第一側，並且其中該觸點開口對陣列中的每個觸點開口對的一第二觸點開口位在該中心軸的一第二側。
如請求項2所述的方法，其中形成該觸點開口對陣列的步驟包括以下步驟：將該觸點開口對陣列中的每個觸點開口對的該第一觸點開口蝕刻為具有與該觸點對陣列中的每個觸點對的對應的一第二觸點開口相同的一深度。
如請求項2所述的方法，其中該觸點開口對陣列的在該第一方向上的該深度在直接鄰近該中心軸處最大。
如請求項1所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 在該觸點開口對陣列的每個觸點開口內形成一襯墊；<br/> 移除該等第一層以在該薄膜堆疊中形成複數個字線開口；<br/> 藉由在該複數個字線開口內沉積一第一導電材料，形成複數個字線；<br/> 從該觸點開口對陣列的每個觸點開口的一底部移除該襯墊；以及<br/> 在該觸點開口對陣列內沉積一第二導電材料，以形成複數個字線觸點。
一種形成一3D NAND設備的方法，該方法包括以下步驟：<br/> 在一薄膜堆疊上形成一圖案化的硬遮罩和一第一微影遮罩，其中該薄膜堆疊包括複數個交替的第一層和第二層；<br/> 通過該第一微影遮罩的一開口蝕刻該薄膜堆疊，以在該薄膜堆疊中形成一第一複數個觸點開口；<br/> 在一第一方向上擴大該第一微影遮罩的該開口；<br/> 通過該第一微影遮罩的該開口蝕刻該薄膜堆疊，以在該薄膜堆疊中形成一第二複數個觸點開口，其中該第一複數個觸點開口的一深度隨著該第二複數個觸點開口的形成而增加；<br/> 在該薄膜堆疊上形成一第二微影遮罩；<br/> 形成通過該第二微影遮罩的一開口；<br/> 通過該第二微影遮罩的該開口蝕刻該薄膜堆疊，以增加該第一複數個觸點開口的一子集和該第二複數個觸點開口的一子集的一深度；<br/> 在一第二方向上擴大該第二微影遮罩的該開口，其中該第二方向與該第一方向正交；以及<br/> 通過該第二微影遮罩的該開口蝕刻該薄膜堆疊，以增加該第一複數個觸點開口的一第二子集和該第二複數個觸點開口的一第二子集的一深度，其中該第一複數個觸點開口和該第二複數個觸點開口的該深度在該第一方向和該第二方向上變化。
如請求項6所述的方法，進一步包括以下步驟：隨著該第一複數個觸點開口的該第二子集的該深度和該第二複數個觸點開口的該第二子集的該深度增加，增加該第一複數個觸點開口的該子集的該深度和該第二複數個觸點開口的該子集的該深度。
如請求項6所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 在該薄膜堆疊上形成一第三微影遮罩，其中該第三微影遮罩具有複數個開口，以暴露第一複數個觸點開口和第二複數個觸點開口的一個或多個第一部分；以及<br/> 通過該第三微影遮罩的該複數個開口蝕刻該薄膜堆疊，以進一步增加第一複數個觸點開口和第二複數個觸點開口的該一個或多個第一部分的蝕刻深度。
如請求項8所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 在該薄膜堆疊上形成一第四微影遮罩，其中該第四微影遮罩具有複數個開口，以暴露該第一複數個觸點開口和該第二複數個觸點開口的一個或多個第二部分；以及<br/> 通過該第四微影遮罩的該複數個開口蝕刻該薄膜堆疊，以進一步增加第一複數個觸點開口和第二複數個觸點開口的該一個或多個第二部分的蝕刻深度。
如請求項9所述的方法，其中通過該第四微影遮罩的該複數個開口蝕刻該薄膜堆疊進一步增加第一複數個觸點開口和第二複數個觸點開口的該一個或多個第一部分的蝕刻深度。
如請求項6所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 移除該等第一層以在該薄膜堆疊中形成複數個字線開口；<br/> 藉由在該複數個字線開口內沉積一第一導電材料，形成複數個字線；<br/> 從該第一複數個觸點開口和該第二複數個觸點開口的一底部移除一襯墊；以及<br/> 在該第一複數個觸點開口和該第二複數個觸點開口內沉積一導電材料，以形成複數個字線觸點。
如請求項6所述的方法，其中形成該圖案化的硬遮罩的步驟包括以下步驟：<br/> 直接在該薄膜堆疊的一上表面上沉積一硬遮罩；以及<br/> 形成通過該硬遮罩的複數個開口，以暴露該薄膜堆疊的該上表面。
如請求項12所述的方法，其中形成通過該硬遮罩的該複數個開口的步驟包括以下步驟：<br/> 在該硬遮罩上形成一微影遮罩；<br/> 藉由該微影遮罩蝕刻複數個硬遮罩開口，以暴露該硬遮罩的一上表面；以及<br/> 蝕刻通過該複數個硬遮罩開口，以選擇性地暴露該薄膜堆疊的該上表面。
如請求項6所述的方法，其中該硬遮罩是一鎢硬遮罩。
一種形成一3D NAND設備的系統，包括：<br/> 一處理器；<br/> 一記憶體，儲存指令，該等指令可以由該處理器執行以：<br/> 在一薄膜堆疊上形成一圖案化的硬遮罩和一第一微影遮罩，其中該薄膜堆疊包括複數個交替的第一層和第二層；<br/> 通過該第一微影遮罩的一開口蝕刻該薄膜堆疊，以在該薄膜堆疊中形成一第一複數個觸點開口；<br/> 在一第一方向上擴大該第一微影遮罩的該開口；<br/> 通過該第一微影遮罩的該開口蝕刻該薄膜堆疊，以在該薄膜堆疊中形成一第二複數個觸點開口，其中該第一複數個觸點開口的一深度隨著該第二複數個觸點開口的形成而增加；<br/> 通過形成在該薄膜堆疊上的一第二微影遮罩的一開口蝕刻該薄膜堆疊，以增加該第一複數個觸點開口的一子集和該第二複數個觸點開口的一子集的一深度；<br/> 在一第二方向上擴大該第二微影遮罩的該開口，其中該第二方向與該第一方向正交；以及<br/> 通過該第二微影遮罩的該開口蝕刻該薄膜堆疊，以增加該第一複數個觸點開口的一第二子集和該第二複數個觸點開口的一第二子集的一深度，其中該第一複數個觸點開口和該第二複數個觸點開口的該深度在該第一方向和該第二方向上變化。
如請求項15所述的系統，進一步包括可以由該處理器執行以進行以下步驟的指令：隨著該第一複數個觸點開口的該第二子集的該深度和該第二複數個觸點開口的該第二子集的該深度增加，增加該第一複數個觸點開口的該子集的該深度和該第二複數個觸點開口的該子集的該深度。
如請求項15所述的系統，進一步包括可以由該處理器執行以進行以下步驟的指令：<br/> 在該薄膜堆疊上形成一第三微影遮罩，其中該第三微影遮罩具有複數個開口，以暴露第一複數個觸點開口和第二複數個觸點開口的一個或多個第一部分；以及<br/> 通過該第三微影遮罩的該複數個開口蝕刻該薄膜堆疊，以進一步增加第一複數個觸點開口和第二複數個觸點開口的該一個或多個第一部分的蝕刻深度。
如請求項15所述的系統，進一步包括可以由該處理器執行以進行以下步驟的指令：<br/> 在該薄膜堆疊上形成一第四微影遮罩，其中該第四微影遮罩具有複數個開口，以暴露該第一複數個觸點開口和該第二複數個觸點開口的一個或多個第二部分；以及 <br/> 通過該第四微影遮罩的該複數個開口蝕刻該薄膜堆疊，以進一步增加第一複數個觸點開口和第二複數個觸點開口的該一個或多個第二部分的蝕刻深度。
如請求項18所述的系統，其中通過該第四微影遮罩的該複數個開口蝕刻該薄膜堆疊進一步增加第一複數個觸點開口和第二複數個觸點開口的該一個或多個第一部分的蝕刻深度。
如請求項15所述的系統，進一步包括可以由該處理器執行以進行以下步驟的指令：<br/> 藉由在複數個字線開口內沉積一第一導電材料，來形成複數個字線；<br/> 從該第一複數個觸點開口和該第二複數個觸點開口的一底部移除一襯墊；以及<br/> 在該第一複數個觸點開口和該第二複數個觸點開口內沉積一第二導電材料，以形成複數個字線觸點。
一種電子顯微鏡，其特徵為，具備： <br/> 電子源，輸出電子線； <br/> 平台，保持試料； <br/> 電子光學系統鏡筒，調整相對於前述試料的前述電子線的照射方向及焦點位置； <br/> 像差修正裝置，控制前述電子光學系統鏡筒帶有的像散像差； <br/> 檢測器，檢測用來生成前述試料的由電子線而得的觀察圖像的電子線的強度訊號；及 <br/> 控制部，控制前述電子光學系統鏡筒、前述像差修正裝置、前述平台及前述檢測器； <br/> 前述控制部，係 <br/> 取得前述試料的由電子線而得的觀察圖像， <br/> 針對前述由電子線而得的觀察圖像的複數個區域的各者，進行圖像演算，藉此算出在前述複數個區域的各者的評估對於前述試料的相對性的像的焦點位置的偏離的程度的評估值， <br/> 基於前述複數個區域的前述評估值，求出在構成前述由電子線而得的觀察圖像的區域內的相對於前述電子線的方向之前述試料的位置的分布， <br/> 基於在構成前述由電子線而得的觀察圖像的區域內的相對於前述電子線的方向之前述試料的位置的分布，求出表現前述試料的形狀的面函數，基於前述面函數生成前述試料的立體形狀的資訊。
如請求項1記載之電子顯微鏡，其中， <br/> 前述控制部基於前述試料的立體形狀的資訊，算出前述試料的一區域所形成的面與基準面之間的傾斜。
如請求項2記載之電子顯微鏡，其中， <br/> 前述控制部基於前述傾斜的算出結果，以使得前述傾斜變小之方式控制前述平台。
如請求項2記載之電子顯微鏡，其中， <br/> 前述控制部，係 <br/> 改變前述電子線的焦點位置及前述平台上的前述試料的位置的至少其中一者，藉此取得複數個前述觀察圖像， <br/> 針對前述複數個觀察圖像的各者，算出前述複數個區域的前述評估值， <br/> 基於前述複數個觀察圖像的各者的前述複數個區域的前述評估值，生成前述複數個區域的各者中的表示在前述電子線的照射方向的前述試料的位置之試料位置資訊， <br/> 基於前述試料位置資訊，推定前述試料的立體形狀， <br/> 基於前述推定的結果，生成前述試料的立體形狀的資訊。
如請求項4記載之電子顯微鏡，其中， <br/> 前述控制部，係 <br/> 將前述電子光學系統鏡筒的調整參數與前述觀察圖像建立對應而保持， <br/> 針對前述複數個觀察圖像的各者，算出表示一個前述觀察圖像的前述複數個區域的像的清晰度之指標來作為前述評估值， <br/> 分析對於前述複數個觀察圖像的前述複數個區域的前述評估值與前述調整參數之關係，藉此辨明會讓前述評估值成為最大或最小的前述調整參數的值， <br/> 基於辨明出的前述調整參數的值，生成前述試料位置資訊。
如請求項1記載之電子顯微鏡，其中， <br/> 前述檢測器為檢測穿透前述試料的電子的強度訊號的檢測器， <br/> 構成在前述由電子線而得的觀察圖像的區域內的相對於前述電子線的方向之前述試料的位置的分布，係為 <br/> 根據前述電子顯微鏡的觀察條件而決定的在相對於前述電子線的方向之前述試料的厚度方向上的特定的深度位置的分布。
如請求項1記載之電子顯微鏡，其中， <br/> 前述控制部運用具有像散像差的前述電子光學系統鏡筒而取得前述觀察圖像。
如請求項1記載之電子顯微鏡，其中， <br/> 前述控制部基於前述試料的立體形狀的資訊，以相對於前述試料的一區域所形成的面而言成為略垂直之方式來控制前述電子線的照射方向。
一種處理方法，係電子顯微鏡所執行的處理方法，其特徵為， <br/> 前述電子顯微鏡，具有： <br/> 電子源，輸出電子線； <br/> 平台，保持試料； <br/> 電子光學系統鏡筒，調整相對於前述試料的前述電子線的照射方向及焦點位置； <br/> 像差修正裝置，控制前述電子光學系統鏡筒帶有的像散像差； <br/> 檢測器，檢測用來生成前述試料的由電子線而得的觀察圖像的電子線的強度訊號；及 <br/> 控制部，控制前述電子光學系統鏡筒、前述像差修正裝置、前述平台及前述檢測器； <br/> 前述處理方法，包含： <br/> 第1步驟，係前述控制部取得前述試料的由電子線而得的觀察圖像； <br/> 第2步驟，係前述控制部針對前述由電子線而得的觀察圖像的複數個區域的各者，進行圖像演算，藉此算出在前述複數個區域的各者的評估對於前述試料的相對性的像的焦點位置的偏離的程度的評估值； <br/> 第3步驟，係前述控制部基於前述複數個區域的前述評估值，求出在構成前述由電子線而得的觀察圖像的區域內的相對於前述電子線的方向之前述試料的位置的分布； <br/> 第4步驟，係前述控制部基於在構成前述由電子線而得的觀察圖像的區域內的相對於前述電子線的方向之前述試料的位置的分布，求出表現前述試料的形狀的面函數； <br/> 第5步驟，係前述控制部基於前述面函數生成前述試料的立體形狀的資訊。
如請求項9記載之處理方法，其中， <br/> 包含：前述控制部基於前述試料的立體形狀的資訊，算出前述試料的一區域所形成的面與基準面之間的傾斜之步驟；及 <br/> 前述控制部以使得前述傾斜變小之方式控制前述平台之步驟。
如請求項10記載之處理方法，其中， <br/> 前述第1步驟包含：前述控制部改變前述電子線的焦點位置及前述平台上的前述試料的位置的至少其中一者，藉此取得複數個前述觀察圖像之步驟， <br/> 前述第2步驟，包含： <br/> 前述控制部針對前述複數個觀察圖像的各者，算出前述複數個區域的前述評估值之步驟； <br/> 前述第3步驟，包含： <br/> 前述控制部基於前述複數個觀察圖像的各者的前述複數個區域的前述評估值，生成前述複數個區域的各者中的表示在前述電子線的照射方向的前述試料的位置之試料位置資訊之步驟； <br/> 前述第5步驟，包含： <br/> 前述控制部基於前述試料位置資訊，推定前述試料的立體形狀之步驟；及 <br/> 前述控制部基於前述推定的結果，生成前述試料的立體形狀的資訊之步驟。
如請求項11記載之處理方法，其中， <br/> 前述第1步驟包含：前述控制部將前述電子光學系統鏡筒的調整參數與前述觀察圖像建立對應而保持之步驟， <br/> 前述第2步驟，包含： <br/> 前述控制部針對前述複數個觀察圖像的各者，算出表示一個前述觀察圖像的前述複數個區域的像的清晰度之指標來作為前述評估值之步驟； <br/> 前述控制部分析對於前述複數個觀察圖像的前述複數個區域的前述評估值與前述調整參數之關係，藉此辨明會讓前述評估值成為最大或最小的前述調整參數的值之步驟；及 <br/> 前述控制部基於辨明出的前述調整參數的值，生成前述試料位置資訊之步驟。
如請求項9記載之處理方法，其中， <br/> 前述檢測器為檢測穿透前述試料的電子的強度訊號的檢測器， <br/> 在構成前述由電子線而得的觀察圖像的區域內的相對於前述電子線的方向之前述試料的位置的分布，係為 <br/> 根據前述電子顯微鏡的觀察條件而決定的在相對於前述電子線的方向之前述試料的厚度方向上的特定的深度位置的分布。
如請求項9記載之處理方法，其中， <br/> 前述第1步驟包含：前述控制部運用具有像散像差的前述電子光學系統鏡筒而取得前述觀察圖像之步驟。
如請求項9記載之處理方法，其中， <br/> 包含：前述控制部基於前述試料的立體形狀的資訊，以相對於前述試料的一區域所形成的面而言成為略垂直之方式來控制前述電子線的照射方向之步驟。
一種製造半導體裝置的方法，所述方法包括： <br/>在基板的第一區上形成第一閘極結構，所述基板包括所述第一區及第二區； <br/>在所述第一閘極結構上形成位元線結構； <br/>在所述基板上形成包含非晶矽的初步接觸插塞層； <br/>在所述初步接觸插塞層上形成反射層結構，所述反射層結構包括具有第一折射率的第一反射層及具有第二折射率的第二反射層，所述第二折射率大於所述第一折射率，且所述第二反射層的位於所述基板的所述第一區上的部分的厚度不同於所述第二反射層的位於所述基板的所述第二區上的部分的厚度； <br/>自所述初步接觸插塞層形成接觸插塞層，形成所述接觸插塞層包括實行在所述反射層結構上照射雷射的熔化雷射退火製程使得所述初步接觸插塞層的所述非晶矽被轉換成複晶矽；以及 <br/>在所述接觸插塞層上形成電容器， <br/>其中光在所述基板的所述第二區的反射率大於所述光在所述基板的所述第一區的反射率。
如請求項1所述的方法，其中所述第二反射層的位於所述基板的所述第一區上的所述部分的所述厚度大於所述第二反射層的位於所述基板的所述第二區上的所述部分的所述厚度。
如請求項1所述的方法，其中 <br/>所述第二反射層的位於所述基板的與所述基板的所述第一區相鄰的所述第二區上的一部份的厚度等於所述第二反射層的位於所述基板的所述第一區上的所述部分的所述厚度，且 <br/>所述第二反射層的所述一部份的端部分位於所述基板的一部份之上，且所述基板的所述一部份與所述基板的所述第一區和所述基板的所述第二區之間的邊界間隔開等於或小於500奈米的距離。
如請求項3所述的方法，其中所述基板的所述一部份與所述基板的所述第一區和所述基板的所述第二區之間的所述邊界間隔開介於300奈米至400奈米的範圍內的距離。
如請求項1所述的方法，其中所述第二反射層的位於所述基板的所述第一區上的所述部分的所述厚度小於所述第二反射層的位於所述基板的所述第二區上的所述部分的所述厚度。
如請求項1所述的方法，其中 <br/>所述第一反射層具有由T1表示的第一厚度， <br/>所述第二反射層的位於所述基板的所述第一區上的所述部分的所述厚度是由T2表示的第二厚度， <br/>所述第二反射層的位於所述基板的所述第二區上的所述部分的所述厚度是由T3表示的第三厚度， <br/>所述第一厚度、所述第二厚度及所述第三厚度分別滿足如下方程式1、方程式2及方程式3： <br/>T1 = (1/4 + Δ<sub>1</sub>)λ/n<sub>1 </sub> （方程式1） <br/>T2 = (1/4 + Δ<sub>2</sub>)λ/n<sub>2 </sub> （方程式2） <br/>T3 = (1/4 + Δ<sub>3</sub>)λ/n<sub>2</sub> （方程式3） <br/>其中，在方程式1至方程式3中， <br/>Δ<sub>1</sub>、Δ<sub>2</sub>、Δ<sub>3</sub>分別是第一光學路徑校正因數、第二光學路徑校正因數及第三光學路徑校正因數， <br/>λ是所述雷射的波長， <br/>n<sub>1</sub>是所述第一反射層的所述第一折射率， <br/>n<sub>2</sub>是所述第二反射層的所述第二折射率， <br/>-1/8 ≤ Δ<sub>1</sub> ≤ 1/8， <br/>-1/4 ≤ Δ<sub>2</sub> ≤ 1/4，且 <br/>-1/8 ≤ Δ<sub>3</sub> ≤ 1/8。
如請求項6所述的方法，其中所述第一厚度、所述第二厚度及所述第三厚度分別具有約91奈米、約97奈米及約60奈米的值。
如請求項6所述的方法，其中所述第二厚度具有介於24奈米至218奈米的範圍內的值。
如請求項8所述的方法，其中所述第二厚度具有介於87奈米至107奈米的範圍內的值。
如請求項1所述的方法，更包括： <br/>在所述基板的所述第二區上形成第二閘極結構；以及 <br/>在所述第二閘極結構上形成頂蓋層，所述頂蓋層包含氮化矽，其中 <br/>所述初步接觸插塞層自所述頂蓋層的上表面起具有由T1表示的第一厚度，且 <br/>所述第一厚度（T1）滿足如下方程式1， <br/>(N/2 + 1/8 +Δ)λ/n<sub>1</sub> + δ<sub>1</sub> ≤ T1 ≤ (N/2 + 3/8 +Δ)λ/n<sub>1</sub> + δ<sub>2 </sub> （方程式1） <br/>其中，在方程式1中， <br/>N是1、2或3， <br/>Δ是光學路徑校正因數， <br/>λ是所述雷射的波長， <br/>n是所述初步接觸插塞層的折射率， <br/>-8奈米≤ δ<sub>1</sub> ≤ 8奈米， <br/>-8奈米≤ δ<sub>2</sub> ≤ 8奈米，且 <br/>-1/4 ≤ Δ ≤ 1/4。
如請求項10所述的方法，其中所述第一厚度介於89奈米至133奈米的範圍內。
一種製造半導體裝置的方法，所述方法包括： <br/>在基板的胞元區上形成第一閘極結構，所述基板包括所述胞元區及周邊電路區； <br/>在所述第一閘極結構上形成位元線結構； <br/>在所述基板上形成包含非晶矽的初步接觸插塞層； <br/>在所述初步接觸插塞層上形成反射層結構，所述反射層結構包括具有第一折射率的第一反射層及具有第二折射率的第二反射層，所述第二折射率大於所述第一折射率； <br/>自所述初步接觸插塞層形成接觸插塞層，形成所述接觸插塞層包括實行在所述反射層結構上照射雷射的熔化雷射退火製程使得所述初步接觸插塞層的所述非晶矽被轉換成複晶矽；以及 <br/>在所述接觸插塞層上形成電容器，其中 <br/>光在所述基板的所述周邊電路區上的反射率大於所述光在所述基板的所述胞元區上的反射率。
如請求項12所述的方法，其中所述第二反射層的位於所述基板的所述胞元區上的部分的厚度不同於所述第二反射層的位於所述基板的所述周邊電路區上的部分的厚度。
如請求項12所述的方法，其中 <br/>所述第二反射層的位於所述基板的與所述基板的所述胞元區相鄰的所述周邊電路區上的一部份的厚度等於所述第二反射層的位於所述基板的所述胞元區上的部分的厚度，且 <br/>所述第二反射層的所述一部份的端部分位於所述基板的一部份之上，且所述基板的所述一部份與所述基板的所述胞元區和所述周邊電路區之間的邊界間隔開等於或小於500奈米的距離。
如請求項12所述的方法，更包括： <br/>在所述基板的所述周邊電路區上形成第二閘極結構；以及 <br/>在所述第二閘極結構上形成頂蓋層，所述頂蓋層包含氮化矽，其中 <br/>所述初步接觸插塞層自所述頂蓋層的上表面起具有由T1表示的第一厚度，且 <br/>所述第一厚度（T1）滿足如下方程式1， <br/>(N/2 + 1/8 +Δ)λ/n<sub>1</sub> + δ<sub>1</sub> ≤ T1 ≤ (N/2 + 3/8 +Δ)λ/n<sub>1</sub> + δ<sub>2 </sub> （方程式1） <br/>其中，在方程式1中， <br/>Δ是光學路徑校正因數， <br/>λ是所述雷射的波長， <br/>n是所述初步接觸插塞層的折射率， <br/>-8奈米≤ δ<sub>1</sub><sub/>≤ 8奈米， <br/>-8奈米≤ δ<sub>2</sub><sub/>≤ 8奈米，且 <br/>-1/4 ≤ Δ ≤ 1/4。
如請求項15所述的方法，其中 <br/>所述第一反射層具有由T2表示的第二厚度， <br/>所述第二反射層的位於所述基板的所述胞元區上的部分具有由T3表示的第三厚度， <br/>所述第二反射層的位於所述周邊電路區上的部分具有由T4表示的第四厚度，且 <br/>所述第二厚度、所述第三厚度及所述第四厚度滿足如下方程式2、方程式3及方程式4， <br/>T2 = (1/4 + Δ<sub>2</sub>)λ/n<sub>2 </sub> （方程式2） <br/>T3 = (1/4 + Δ<sub>3</sub>)λ/n<sub>3 </sub> （方程式3） <br/>T4 = (1/4 + Δ<sub>4</sub>)λ/n<sub>3</sub> （方程式4） <br/>其中，在方程式2、方程式3及方程式4中， <br/>λ是所述雷射的波長， <br/>n<sub>2</sub>是所述第一反射層的所述第一折射率， <br/>n<sub>3</sub>是所述第二反射層的所述第二折射率， <br/>-1/8 ≤ Δ<sub>2</sub> ≤ 1/8， <br/>-1/4 ≤ Δ<sub>3</sub> ≤ 1/4，且 <br/>-1/8 ≤ Δ<sub>4</sub> ≤ 1/8。
一種製造半導體裝置的方法，所述方法包括： <br/>在基板的胞元區上形成第一閘極結構，所述基板包括所述胞元區及周邊電路區； <br/>分別在所述基板的所述胞元區及所述周邊電路區上形成位元線結構及第二閘極結構； <br/>在所述基板上形成包含非晶矽的初步接觸插塞層以覆蓋所述位元線結構及所述第二閘極結構； <br/>在所述初步接觸插塞層上形成反射層結構，所述反射層結構包括具有第一折射率的第一反射層及具有第二折射率的第二反射層，所述第二折射率大於所述第一折射率，且所述第二反射層的位於所述基板的所述胞元區上的部分的厚度不同於所述第二反射層的位於所述基板的所述周邊電路區上的部分的厚度； <br/>實行熔化雷射退火製程使得所述初步接觸插塞層被轉換成包含複晶矽的接觸插塞層，所述熔化雷射退火製程包括在所述反射層結構上照射雷射； <br/>對所述接觸插塞層進行平坦化以形成下部接觸插塞； <br/>在所述下部接觸插塞上形成上部接觸插塞；以及 <br/>在所述上部接觸插塞上形成電容器， <br/>其中光在所述基板的所述周邊電路區上的反射率大於所述光在所述基板的所述胞元區上的反射率。
如請求項17所述的方法，更包括： <br/>移除所述基板的上部部分以形成主動圖案，其中 <br/>所述第一閘極結構延伸穿過所述主動圖案的上部部分， <br/>所述位元線結構位於所述主動圖案的中心部分上，且 <br/>所述下部接觸插塞位於所述主動圖案的端部分上。
如請求項17所述的方法，其中所述第二反射層的位於所述基板的所述胞元區上的所述部分的所述厚度大於所述第二反射層的位於所述基板的所述周邊電路區上的所述部分的所述厚度。
如請求項17所述的方法，其中 <br/>所述第一閘極結構在第一方向上延伸， <br/>所述位元線結構在第二方向上延伸， <br/>所述第一方向及所述第二方向平行於所述基板的上表面， <br/>所述第二方向垂直於所述第一方向， <br/>所述第二反射層的位於所述基板的在所述第二方向上與所述基板的所述胞元區相鄰的所述周邊電路區上的一部份的厚度等於所述第二反射層的位於所述基板的所述胞元區上的所述部分的所述厚度，且 <br/>所述第二反射層的所述部分的端部分位於所述基板的一部份之上，且所述基板的所述一部份與所述基板的所述胞元區和所述基板的所述周邊電路區之間的邊界間隔開等於或小於500奈米的距離。
一種識別原始碼中包括之未使用函數之方法，其係藉由電子裝置而實行者，其包括如下步驟： <br/>編譯包括複數個函數之原始碼； <br/>向用於編譯上述原始碼之上述複數個函數中之至少一部分函數分別分配複數個日誌ID； <br/>產生包括上述複數個日誌ID之查找表；及 <br/>基於利用上述查找表進行之統計分析，識別上述複數個函數中包括之未使用函數。
如請求項1之方法，其進而包括如下步驟： <br/>於上述原始碼中刪除上述未使用函數。
如請求項1之方法，其進而包括如下步驟： <br/>產生將上述複數個函數之使用資訊可視化之儀錶板；及 <br/>向管理者終端傳輸上述儀錶板。
如請求項1之方法，其中上述複數個函數各者係基於該函數所屬之類別之名稱、該函數之名稱、及該函數中使用之變量之名稱中之至少一部分而特定。
如請求項1之方法，其中上述複數個函數各者係基於該函數之呼叫關係而具有階層式關係， <br/>分別分配上述複數個日誌ID之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述階層式關係，將該日誌ID僅分配給上述複數個函數中之至少一部分。
如請求項5之方法，其中基於上述階層式關係，將該日誌ID僅分配給上述複數個函數中之至少一部分之步驟包括如下步驟： <br/>僅向基於上述階層式關係而識別之最底層之該函數分配該日誌ID。
如請求項1之方法，其中分別分配上述複數個日誌ID之步驟包括如下步驟： <br/>若上述原始碼為於第1伺服器中執行之代碼，則對上述日誌ID進行加密；若上述原始碼為在與上述第1伺服器區別開來之第2伺服器中執行之代碼，則省略對上述日誌ID進行加密。
如請求項7之方法，其中上述第1伺服器為前端伺服器， <br/>上述第2伺服器為後端伺服器。
如請求項1之方法，其中分別分配上述複數個日誌ID之步驟包括如下步驟： <br/>基於該函數之屬性，將該日誌ID僅分配給上述複數個函數中之至少一部分。
如請求項9之方法，其中上述屬性係基於該函數所屬之類別之名稱而確定。
如請求項1之方法，其中識別上述未使用函數之步驟包括如下步驟： <br/>產生記錄有該日誌ID之日誌資訊，該日誌ID係與隨著執行上述原始碼而呼叫之該函數對應者；及 <br/>基於上述查找表，將與基準期間內未記錄於上述日誌資訊中之該日誌ID對應之該函數識別為該未使用函數。
如請求項1之方法，其中上述複數個函數各者係基於該函數之呼叫關係而具有階層式關係， <br/>識別上述未使用函數之步驟包括如下步驟： <br/>判定是否使用基於上述階層式關係而識別之最底層之該函數。
如請求項1之方法，其中識別上述未使用函數之步驟包括如下步驟： <br/>基於第1查找表與第2查找表來識別上述未使用函數，該第1查找表係於第1時點產生者，該第2查找表係在與上述第1時點區別開來之第2時點產生者。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其係記錄有用以藉由處理器而執行之電腦程式者， <br/>上述電腦程式以如下方式構成：使上述處理器執行如請求項1至13中任一項之方法。
一種電子裝置，其包括： <br/>通訊介面，其以可與網路通訊之方式構成； <br/>處理器，其以執行包括一個以上之指令之電腦程式之方式構成；及 <br/>記憶體，其儲存有上述電腦程式； <br/>上述電子裝置以如下方式構成： <br/>於藉由上述處理器而執行上述電腦程式時，執行如請求項1至13中任一項之方法。
一種人造石板，包括：<br/> 玻璃顆粒45.5-55.7重量百分比（wt%）、氫氧化鋁（aluminum trihydrate, ATH）15.2-47wt%、樹脂6.5-18wt%、固化劑0.07-0.28wt%以及偶聯劑0.05-0.3wt%，其中玻璃顆粒包括平均粒徑為0.6毫米（millimeter, mm）的玻璃顆粒5-30wt%、平均粒徑為0.1-0.2mm的玻璃顆粒30-55wt%、平均粒徑為0.038-0.052mm的玻璃顆粒10-30wt%以及平均粒徑為0.011-0.019mm的玻璃顆粒5-15wt%，並且ATH包括平均粒徑為0.018mm的ATH 15-35wt%以及平均粒徑為0.005-0.012mm的ATH 0.2-12wt%，其中該人造石板含有非晶態二氧化矽，且不含結晶二氧化矽。
如請求項1所述之人造石板，進一步包括：<br/> 聚合物偶聯劑0.05-0.3wt%。
如請求項1所述之人造石板，進一步包括：<br/> 潤濕分散劑0.05-0.45wt%。
如請求項1所述之人造石板，進一步包括：<br/> 色粉0.0002-0.08wt%。
一種人造石板的製造方法，包括：<br/> 提供一原料，其中該原料包括：玻璃顆粒45.5-55.7wt%、氫氧化鋁（aluminum trihydrate, ATH）15.2-47wt%、樹脂6.5-18wt%、固化劑0.07-0.28wt%以及偶聯劑0.05-0.3wt%，其中玻璃顆粒包括平均粒徑為0.6毫米（millimeter, mm）的玻璃顆粒5-30wt%、平均粒徑為0.1-0.2mm的玻璃顆粒30-55wt%、平均粒徑為0.038-0.052mm的玻璃顆粒10-30wt%以及平均粒徑為0.011-0.019mm的玻璃顆粒5-15wt%，並且ATH包括平均粒徑為0.018mm的ATH 15-35wt%以及平均粒徑為0.005-0.012mm的ATH 0.2-12wt%；<br/> 混合並攪拌該原料以形成一石板中間體；<br/> 將該石板中間體放置在一模具中的一預定區域，以形成石板紋路；<br/> 取下該模具；<br/> 將該石板中間體放置在振動壓實機中，對該石板中間體施加100至140噸力，並在真空下壓製該石板中間體，釋放出該石板中間體的空氣，以形成一緻密石板中間體；及<br/> 將該緻密石板中間體在85℃下固化以形成該人造石板，其中該人造石板含有非晶態二氧化矽，且不含結晶二氧化矽。
如請求項5所述之方法，其中固化後進一步包括：<br/> 對該人造石板執行一切割處理；<br/> 對該人造石板執行一平坦化處理；及<br/> 對該人造石板執行一拋光處理。
如請求項5所述之方法，其中該樹脂包括不飽和聚酯。
如請求項5所述之方法，其中該固化劑包括過氧化-2-乙基己酸叔丁酯。
如請求項5所述之方法，其中該偶聯劑包括甲基丙烯酸3-(三甲氧基甲矽烷基)丙酯。
如請求項5所述之方法，其中在0.65kPa下壓製該石板中間體。
如請求項5所述之方法，其中該緻密石板中間體固化時間為90分鐘。
如請求項5所述之方法，其中該模具由聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚丙烯（PP）、聚氯乙烯（PVC）或不銹鋼製成。
一種半導體器件的製造方法，其包括：<br/>在一襯底表面形成一犧牲區；<br/>在該犧牲區上形成一疊層結構，該疊層結構包括交替堆疊的一第一半導體層和一第二半導體層，該犧牲區的側壁至少一部分覆蓋有該襯底；<br/>形成覆蓋該疊層結構、該襯底和該犧牲區的一保護層；<br/>對該保護層進行各向異性刻蝕，保留在該疊層結構的側壁的該保護層作為一側壁保護層，並暴露出至少一部分該犧牲區的側壁；<br/>去除該犧牲區，以在該襯底與該疊層結構之間形成一空腔；<br/>在該空腔內填充一絕緣層；<br/>去除該側壁保護層；<br/>去除該第一半導體層和該第二半導體層中的一者；<br/>在該第一半導體層和該第二半導體層中的另一者周圍形成一柵極結構。
如請求項1所述的半導體器件的製造方法，其中，該在一襯底表面形成一犧牲區，包括：<br/>對該襯底表面的一預設區域進行離子注入；<br/>對離子注入後的區域進行退火處理以形成該犧牲區。
如請求項2所述的半導體器件的製造方法，其中，該離子注入進行n型摻雜，該離子注入的劑量為1×10<sup>15</sup>/cm<sup>2</sup>至5×10<sup>16</sup>/cm<sup>2</sup>。
如請求項3所述的半導體器件的製造方法，其中，該n型摻雜的摻雜物包括Sb、As、P中的至少一個。
如請求項1所述的半導體器件的製造方法，其中，該在該犧牲區上形成一疊層結構，包括：<br/>在該襯底表面形成交替堆疊的該第一半導體層和該第二半導體層；<br/>對交替堆疊的該第一半導體層和該第二半導體層進行刻蝕，以得到該疊層結構，並暴露出至少一部分該犧牲區的側壁。
如請求項5所述的半導體器件的製造方法，其中，該對交替堆疊的該第一半導體層和該第二半導體層進行刻蝕，包括：<br/>在交替堆疊的該第一半導體層和該第二半導體層的上方形成一硬掩膜層，該硬掩膜層在該襯底上的投影與該犧牲區相對應；<br/>利用該硬掩膜層，對該第一半導體層、該第二半導體層和該襯底進行刻蝕，以形成該疊層結構，且在該疊層結構兩側的該襯底內形成一凹槽。
如請求項6所述的半導體器件的製造方法，其中，在該疊層結構兩側的該襯底內形成一凹槽的過程中，暴露出至少一部分該犧牲區的側壁。
如請求項6所述的半導體器件的製造方法，其中，該形成覆蓋該疊層結構和該襯底的一保護層，包括：<br/>採用ALD製程形成該保護層；或者<br/>該保護層包括氮化矽基材料；或者<br/>該保護層包括氮化矽、SiON、SiOCN或SiCN中的至少一個。
如請求項6所述的半導體器件的製造方法，其中，該對該保護層進行各向異性刻蝕，包括：<br/>採用高刻蝕速率的製程氣體、高上電極射頻功率及下電極射頻功率，執行該各向異性刻蝕。
如請求項9所述的半導體器件的製造方法，其中，該製程氣體包括氯氣或碳氟類氣體；或者<br/>該上電極射頻功率範圍為100W至3000W，該下電極射頻功率範圍為50W至1000W。
如請求項6所述的半導體器件的製造方法，其中，該硬掩膜層包括氧化物絕緣層和氮化物絕緣層中的至少一個；或者<br/>該硬掩膜層包括一第一硬掩模層和位於該第一硬掩模層上方的一第二硬掩模層，該第一硬掩模層包括氧化矽，該第二硬掩模層包括氮化矽。
如請求項1所述的半導體器件的製造方法，其中，該去除該犧牲區，包括：<br/>對該犧牲區進行各向同性等離子體刻蝕。
如請求項12所述的半導體器件的製造方法，其中，該對該犧牲區進行各向同性等離子體刻蝕，包括：<br/>在不載入下電極射頻功率的情況下，在低壓環境下對該犧牲區進行刻蝕。
如請求項13所述的半導體器件的製造方法，其中，該低壓環境為5mTorr至800mTorr。
如請求項12所述的半導體器件的製造方法，其中，該各向同性等離子體刻蝕所採用的刻蝕氣體為使得該犧牲區與該襯底之間的刻蝕選擇比大於預定值的刻蝕氣體。
如請求項15所述的半導體器件的製造方法，其中，該襯底為矽，該犧牲區為n型重摻雜的矽，該各向同性等離子體刻蝕所採用的刻蝕氣體為氯氣；<br/>該犧牲區與該襯底之間的刻蝕選擇比大於200。
如請求項1所述的半導體器件的製造方法，其中，該第一半導體層和該第二半導體層由具有不同晶格常數的半導體材料製成。
如請求項17所述的半導體器件的製造方法，其中，該第一半導體層和該第二半導體層包括Si、Ge、SiGe、GeSn、SiGeSn、GaAs、InSb、GaP、GaSb、InAlAs、InGaAs、GaSbP、GaAsSb、InP中的至少一個。
如請求項1至18中的任一項所述的半導體器件的製造方法，其中，該在該空腔內填充一絕緣層，包括：<br/>在該疊層結構的周圍以及該襯底表面沉積該絕緣層，直至該空腔處的該疊層結構下方的該絕緣層與該空腔處的該襯底上方的該絕緣層貼合；<br/>去除該空腔以外的該絕緣層。
如請求項19所述的半導體器件的製造方法，其中，該在該疊層結構的周圍以及該襯底表面沉積該絕緣層，包括：<br/>利用原子層沉積製程來沉積該絕緣層。
如請求項19所述的半導體器件的製造方法，其中，還包括：<br/>對該絕緣層進行退火處理。
如請求項6所述的半導體器件的製造方法，其中，還包括：<br/>去除該硬掩膜層；<br/>填充該凹槽以形成淺溝槽隔離結構。
如請求項1所述的半導體器件的製造方法，其中，在去除該第一半導體層和該第二半導體層中的一者之前，還包括：<br/>在該疊層結構的待形成該柵極結構的區域的兩側分別形成一源極區和一漏極區。
如請求項1所述的半導體器件的製造方法，其中，該柵極結構包括圍繞該第一半導體層和該第二半導體層中的該另一者設置的一柵極介電層和圍繞該柵極介電層設置的一柵電極層；<br/>被該柵極結構圍繞的該第一半導體層和該第二半導體層中的該另一者形成為該半導體器件的一溝道區。
一種泰帕肽或其醫藥學上可接受之鹽之用途，其係用於製備在有需要的患者治療非酒精性脂肝炎(nonalcoholic steatohepatitis, NASH)之醫藥品，其中該醫藥品係用於以每週一次劑量投與泰帕肽或其醫藥學上可接受之鹽，其中該每週一次劑量包含： <br/>2.5 mg之第一每週一次劑量，其係用於投與四週； <br/>且以2.5 mg之增量增加該每週一次劑量至5.0 mg、10.0 mg或15.0 mg之維持劑量，其中各增加之每週一次劑量係用於投與四週；及 <br/>5.0 mg、10.0 mg或15.0 mg之維持劑量。
如請求項1之用途，其中該維持劑量為5.0 mg。
如請求項1之用途，其中該維持劑量為10.0 mg。
如請求項1之用途，其中該維持劑量為15.0 mg。
如請求項1之用途，其中該醫藥品係進一步用於誘導有需要患者之2型糖尿病緩解或消退。
如請求項5之用途，其中該維持劑量為5.0 mg。
如請求項5之用途，其中該維持劑量為10.0 mg。
如請求項5之用途，其中該維持劑量為15.0 mg。
如請求項1之用途，其中該醫藥品係進一步用於改善有需要患者之體重管理。
如請求項9之用途，其中該維持劑量為5.0 mg。
如請求項9之用途，其中該維持劑量為10.0 mg。
如請求項9之用途，其中該維持劑量為15.0 mg。
如請求項1之用途，其中該醫藥品係進一步用於治療有需要患者的肥胖症。
一種化合物，其具有結構式(I)：<br/><img align="absmiddle" height="52px" width="62px" file="ed10134.jpg" alt="ed10134.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (I)<br/> 其中<br/> R<sup>1</sup>選自氫、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>未取代或取代的烷基、OR’、COOR’和CONR’R”；<br/> R<sup>2</sup>是：<br/><img align="absmiddle" height="162px" width="175px" file="ed10135.jpg" alt="ed10135.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中三個R<sub>L</sub>分別為不存在、CH<sub>2</sub>及CH<sub>2</sub>-CH<sub>2</sub>；且R<sup>2</sup>於開放的<img align="absmiddle" height="15px" width="13px" file="ed10136.jpg" alt="ed10136.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>位置處被NR’SO<sub>2</sub>R<sup>x</sup>或NR’SO<sub>2</sub>NR<sup>x</sup>R<sup>y</sup>取代；<br/> 每個R<sup>3</sup>獨立地選自氫、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>未取代或取代的烷基、OR’、COOR’和CONR’R”；<br/> R<sup>4</sup>是選自氫、鹵素、CN、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>未取代或取代的烷基、OR’和NHR’的基團；<br/> R<sup>x</sup>和R<sup>y</sup>之每一者獨立地選自H、烷基、環烷基、雜環烷基、芳基、雜芳基，並且R<sup>x</sup>和R<sup>y</sup>可一起形成3至7元環，且R<sup>x</sup>和R<sup>y</sup>之每一者任選地被鹵素、CN、OR’、NR’R”、烷基、鹵代烷基、氰基烷基、羥基烷基和烷氧基烷基中的一者或多者取代；<br/> R’和R”之每一者獨立地選自氫和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>未取代和取代的烷基，並且R’和R”可以一起形成3至7元環；並且<br/><i>n</i>是1或2，<br/> 或其可藥用鹽、酯、水合物或異構體或同位素衍生物。
如請求項1所述之化合物、其可藥用鹽、酯、水合物或異構體或同位素衍生物，其中R<sup>1</sup>是H。
如請求項1所述之化合物、其可藥用鹽、酯、水合物或異構體或同位素衍生物，其中R<sup>4</sup>是H。
如請求項1所述之化合物、其可藥用鹽、酯、水合物或異構體或同位素衍生物，其中R<sup>3</sup>是H。
如請求項1所述之化合物、其可藥用鹽、酯、水合物或異構體或同位素衍生物，其中<i>n</i>是1。
一種藥物組合物，包含如請求項1至5中任一項所述之化合物，及可藥用賦形劑、載體或稀釋劑。
一種單位劑型，包含如請求項6所述之藥物組合物。
一種如請求項1至5中任一項所述之化合物及可藥用賦形劑、載體或稀釋劑用於製備藥物的用途，該藥物用於治療炎性疾病、免疫介導性疾病和癌症中之一或多者。
一種物品資訊提供方法，其係於電子裝置中進行者，其包括如下步驟： <br/>確認用戶之識別資訊； <br/>基於上述識別資訊而提供第1頁面，該第1頁面包括與上述用戶對應之物品目錄； <br/>接收上述用戶之第1輸入，該第1輸入係與上述物品目錄所包括之物品中之第1物品對應者；及 <br/>對應於上述第1輸入，將與上述第1物品對應之介面工具集提供至上述用戶之終端， <br/>其中上述物品目錄包括添加於上述用戶之願望清單中之物品， <br/>將與上述第1物品對應之介面工具集提供至上述用戶之終端包含: <br/>基於該第1物品之類別與該用戶之服務利用歷史之至少一者，確認參考資訊； <br/>基於該參考資訊，在為該願望清單設定之核心資訊項目之至少部分中選擇至少一顯示項目；及 <br/>將該介面工具集提供至該用戶之該終端，該介面工具集包含第一區域，其中該顯示項目之資訊作為關於該第1物品之資訊被顯示， <br/>其中該第1頁面包括與上述物品目錄所包括之物品各者對應之第1子區域及第2子區域，及 <br/>其中上述用戶之上述第1輸入為上述用戶對與上述第1物品對應之上述第1子區域進行之輸入，及 <br/>該方法進一步包括如下步驟： <br/>接收上述用戶對與上述第1物品對應之上述第2子區域進行之第2輸入；及 <br/>對應於上述用戶之上述第2輸入，向上述用戶之終端提供上述第1物品之詳細頁面。
如請求項1之物品資訊提供方法，其進而包括確認上述第1物品是否售罄之步驟， <br/>於上述第1物品售罄之情形時，進而包括如下步驟： <br/>確認上述第1物品之關聯物品目錄；及 <br/>於上述第1區域中提供上述關聯物品目錄。
如請求項2之物品資訊提供方法，其中上述第1區域進而包括與上述關聯物品目錄之第2物品之詳細頁面連接之鏈路資訊。
如請求項2之物品資訊提供方法，其中上述第1區域進而包括與包括上述關聯物品目錄之第2頁面連接之鏈路資訊。
如請求項1之物品資訊提供方法，其進而包括確認上述第1物品之類別之步驟， <br/>於上述類別滿足預設之條件之情形時，上述第1區域進而包括上述第1物品之虛擬穿戴資訊。
如請求項1之物品資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>確認與上述第1物品相關聯之第3物品；及 <br/>於上述第1區域中提供上述第1物品與上述第3物品之比較資訊。
如請求項6之物品資訊提供方法，其中上述第3物品係基於上述第1物品之類別及上述第3物品之銷售量而確定。
如請求項1之物品資訊提供方法，其進而包括確認上述第1物品是否為會員資格專用物品之步驟， <br/>於上述第1物品為會員資格專用物品之情形時，上述介面工具集進而包括第4區域，該第4區域包括會員資格相關資訊。
如請求項8之物品資訊提供方法，其進而包括確認上述用戶是否加入會員資格之步驟， <br/>於上述用戶未加入會員資格之情形時，上述介面工具集包括上述第4區域。
如請求項1之物品資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>確認上述用戶之上述服務利用歷史；及 <br/>基於上述服務利用歷史，確定上述第1區域中顯示之上述第1物品之資訊之順序。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有用以於電腦中執行如請求項1之方法之程式。
一種電子裝置，其係用以實行物品資訊提供方法者，其包括： <br/>收發器，其與其他裝置收發資訊；及 <br/>處理器； <br/>該處理器如下：獲得用戶之識別資訊；基於上述識別資訊而提供第1頁面，該第1頁面包括與上述用戶對應之物品目錄；接收上述用戶之第1輸入，該第1輸入係與上述物品目錄所包括之物品中之第1物品對應者；對應於上述第1輸入，將與上述第1物品對應之介面工具集提供至上述用戶之終端， <br/>其中上述物品目錄包括添加於上述用戶之願望清單中之物品，及 <br/>其中該處理器進一步如下: <br/>基於該第1物品之類別與該用戶之服務利用歷史之至少一者，確認參考資訊； <br/>基於該參考資訊，在為該願望清單設定之核心資訊項目之至少部分中選擇至少一顯示項目；及 <br/>將該介面工具集提供至該用戶之該終端，該介面工具集包含第一區域，其中該顯示項目之資訊作為關於該第1物品之資訊被顯示， <br/>其中該第1頁面包括與上述物品目錄所包括之物品各者對應之第1子區域及第2子區域，及 <br/>其中上述用戶之上述第1輸入為上述用戶對與上述第1物品對應之上述第1子區域進行之輸入，及 <br/>該處理器進一步如下: <br/>接收上述用戶對與上述第1物品對應之上述第2子區域進行之第2輸入；及 <br/>對應於上述用戶之上述第2輸入，向上述用戶之終端提供上述第1物品之詳細頁面。
一種半導體裝置，包含：一基板；一鰭結構，設置在該基板上；一閘極結構，包含：一高k閘極氧化物層，設置在該鰭結構上，一第一擴散障壁層，設置在該高k閘極氧化物層上，以及一金屬層，設置在該第一擴散障壁層上；一閘極間隔物，設置在該第一擴散障壁層上；以及一源極/汲極區域，設置在該鰭結構上，其中，該源極/汲極區域的一側壁與該高k閘極氧化物層的一側壁接觸。
根據請求項1所述的半導體裝置，其中，該閘極間隔物設置在該第一擴散障壁層的一頂表面上。
根據請求項1所述的半導體裝置，其中，該閘極間隔物設置在該高k閘極氧化物層的一頂表面上並且沿著該第一擴散障壁層的一側壁設置。
根據請求項1所述的半導體裝置，其中，該閘極間隔物設置在該第一擴散障壁層的一第一頂表面部分上，並且其中，該金屬層設置在該第一擴散障壁層的一第二頂表面部分上。
根據請求項1所述的半導體裝置，其中，該閘極間隔物的一水平部分設置在該第一擴散障壁層上，並且其中，該閘極間隔物的一垂直部分設置在該金屬層上。
根據請求項1所述的半導體裝置，其中，該閘極間隔物的一水平部分設置在該高k閘極氧化物層上，並且其中，該閘極間隔物的一垂直部分設置在該第一擴散障壁層上。
根據請求項1所述的半導體裝置，更包含設置在該第一擴散障壁層上的一第二擴散障壁層，其中：該閘極間隔物的一水平部分設置在該第一擴散障壁層上；並且該閘極間隔物的一垂直部分設置在該第二擴散障壁層上。
根據請求項1所述的半導體裝置，其中，該第一擴散障壁層包含一U形剖面輪廓。
一種半導體裝置，包含：一基板；一閘極結構，包含：一氧化物層，設置在該基板上，一第一擴散障壁層，設置在該氧化物層上，以及一金屬層，設置在該第一擴散障壁層上；一閘極間隔物，設置在該第一擴散障壁層上；以及一源極/汲極區域，設置在該基板中，其中，該源極/汲極區域的一頂表面設置在該氧化物層之下。
一種製造半導體裝置的方法，包含：在一基板上形成一第一氧化物層和一第二氧化物層；在該第二氧化物層上形成一第一擴散障壁層；在該第一擴散障壁層上形成一多晶矽結構；在該第一擴散障壁層上和該多晶矽結構上形成一閘極間隔物；以及用一第二擴散障壁層和一金屬層替換該多晶矽結構。
一種描繪資料檢查方法，係檢查帶電粒子束描繪裝置中運用的以B雲規曲線(B-spline curve)來表達圖形之描繪資料，該描繪資料檢查方法，其中， <br/> 取得示意形成前述B雲規曲線的第1控制點群的位置的座標， <br/> 於檢查的過程中算出B雲規曲線交叉率，該B雲規曲線交叉率示意前述圖形的總數中所佔的以具有交叉處的B雲規曲線表達的圖形數的比率， <br/> 當前述B雲規曲線交叉率超過閾值的情形下，將前述第1控制點群的座標變換成貝茲曲線的第2控制點群的座標，而判定座標變換後的圖形是否交叉， <br/> 當前述B雲規曲線交叉率為閾值以下的情形下，基於前述第1控制點群而判定前述圖形是否交叉，當前述圖形交叉的情形下，將前述第1控制點群的座標變換成前述第2控制點群的座標，而判定座標變換後的圖形是否交叉。
如請求項1記載之描繪資料檢查方法，其中，運用將具有分數的係數的第1變換矩陣設為前述係數的分母的整數倍而成的第2變換矩陣，將前述第1控制點群的座標變換成前述第2控制點群的座標。
一種描繪方法，係基於藉由請求項1或請求項2記載之描繪資料檢查方法受到檢查的描繪資料而照射帶電粒子束。
一種描繪裝置，係檢查以B雲規曲線來表達圖形之描繪資料，該描繪裝置， <br/> 具備：資料檢查部，取得示意形成前述B雲規曲線的第1控制點群的位置的座標，於檢查的過程中算出B雲規曲線交叉率，該B雲規曲線交叉率示意前述圖形的總數中所佔的以具有交叉處的B雲規曲線表達的圖形數的比率，當前述B雲規曲線交叉率超過閾值的情形下，將前述第1控制點群的座標變換成貝茲曲線的第2控制點群的座標，而判定座標變換後的圖形是否交叉，當前述B雲規曲線交叉率為閾值以下的情形下，基於前述第1控制點群而判定前述圖形是否交叉，當前述圖形交叉的情形下，將前述第1控制點群的座標變換成前述第2控制點群的座標，而判定座標變換後的圖形是否交叉。
一種電腦程式產品，用來令電腦執行： <br/> 取得示意第1控制點群的位置的座標之處理，其中該第1控制點群係形成B雲規曲線，該B雲規曲線係表達帶電粒子束描繪裝置中運用的描繪資料的圖形； <br/> 於檢查的過程中算出B雲規曲線交叉率之處理，其中該B雲規曲線交叉率示意前述圖形的總數中所佔的以具有交叉處的B雲規曲線表達的圖形數的比率； <br/> 當前述B雲規曲線交叉率超過閾值的情形下，將前述第1控制點群的座標變換成貝茲曲線的第2控制點群的座標，而判定座標變換後的圖形是否交叉，當前述B雲規曲線交差率為閾值以下的情形下，基於前述第1控制點群而判定前述圖形是否交差之處理；及 <br/> 當前述B雲規曲線交叉率為閾值以下的情形下，基於前述第1控制點群而判定前述圖形是否交叉，當前述圖形交叉的情形下，將前述第1控制點群的座標變換成前述第2控制點群的座標，而判定座標變換後的圖形是否交叉之處理。
一種電腦執行方法，用以在一IEEE 802.15.4網路中執行一可暫停衝突避免的載波感測多重存取(CSMA/CA)控制程式，其中該IEEE 802.15.4網路是由複數IEEE 802.15.4裝置組成，其中該電腦執行方法使該等IEEE 802.15.4裝置中的一者的一處理器執行之步驟包括： <br/>自該IEEE 802.15.4網路的一網路管理器接收一關聯回應命令，以確定回退暫停的許可； <br/>取得一關聯請求命令中一可暫停CSMA/CA欄位所包含的該IEEE 802.15.4裝置執行該回退暫停的意圖； <br/>如果該回退暫停被許可且該IEEE 802.15.4裝置有意執行該回退暫停，則從一記憶體中選擇該可暫停CSMA/CA控制程式，其中該可暫停CSMA/CA控制程式執行以下步驟： <br/>在每個單位回退週期內執行主動通道閒置評估(CCA)； <br/>當該IEEE 802.15.4網路的一通道被偵測為忙碌時，暫停一回退程序； <br/>一旦偵測到該通道之狀態為閒置，恢復該回退程序；以及 <br/>確認一回退時間是否超過預定的一第一閥值(macSuspendedCSMAMaxTime)； <br/>當偵測到該通道之狀態為閒置時，傳輸資料訊框，或當偵測到該通道之狀態為忙碌時，增加一回退次數(NB)； <br/>確認該回退次數是否超過一第二閥值(macMaxCSMABackoffs)；以及 <br/>當該回退次數超過該第二閥值(macMaxCSMABackoffs)時，增加一重送次數(NR)，並且當該重送次數超過一第三閥值(macMaxFrameRetries)時，丟棄該資料訊框。
如請求項1所述之電腦執行方法，其中如果該回退暫停未被許可，該IEEE 802.15.4裝置應用一標準CSMA/CA通道存取機制，其中如果該回退暫停被許可，該IEEE 802.15.4裝置應用一可暫停CSMA/CA通道存取機制，其中該可暫停CSMA/CA通道存取機制是一非時隙可暫停CSMA/CA演算法或一時隙可暫停CSMA/CA演算法。
如請求項1所述之電腦執行方法，其中該回退暫停的許可是由一個人區域網路協調器(PANC)的該網路管理器基於一區域監管者、一應用要求、一網路效能、有意執行回退暫停的IEEE 802.15.4裝置的一數量或其組合來確定。
如請求項3所述之電腦執行方法，其中該網路管理器在網路建置過程中向該等IEEE 802.15.4裝置提供該回退暫停的許可，或該等IEEE 802.15.4裝置動態地向該網路管理器請求該回退暫停的許可。
如請求項4所述之電腦執行方法，其中即便該回退暫停被許可，該等IEEE 802.15.4裝置選擇不執行該回退暫停。
如請求項1所述之電腦執行方法，其中該IEEE 802.15.4裝置執行該回退暫停，以在該每個單位回退週期內執行該主動通道閒置評估(CCA)，並在偵測到通道忙碌時暫停該回退程序，其中當該回退次數超過該第二閥值(macMaxCSMABackoffs)，或該回退時間超過該第一閥值(macSuspendedCSMAMaxTime)，該可暫停CSMA/CA通道存取機制失敗。
如請求項6所述之電腦執行方法，其中執行該可暫停CSMA/CA控制程式的IEEE 802.15.4裝置首先在區間[0, 2 <sup>BE</sup>-1]內抽取隨機的一單位回退週期數量(NUBP)，然後在每個單位回退週期內執行該主動通道閒置評估(CCA)，其中如果通道忙碌，則暫停該回退程序(即該單位回退週期數量(NUBP)不減少)，其中如果通道閒置，則接續該回退程序，其中一旦該單位回退週期數量(NUBP)達到零，該回退程序完成。
如請求項6所述之電腦執行方法，其中一旦該單位回退週期數量(NUBP)達到零，該IEEE 802.15.4裝置在一CCA週期內執行標準通道閒置評估(CCA)。
如請求項8所述之電腦執行方法，其中如果該標準通道閒置評估(CCA)回報通道閒置，則該IEEE 802.15.4裝置進行資料傳輸，其中如果該標準通道閒置評估(CCA)回報通道忙碌，則該可暫停CSMA/CA控制程式回報回退失敗，並且將該回退次數加1。
如請求項9所述之電腦執行方法，其中如果該回退次數(NB)超過預定義的該第二閥值macMaxCSMABackoffs，該可暫停CSMA/CA控制程式回報通道存取失敗，其中如果該可暫停CSMA/CA控制程式回報通道存取失敗，則該重送次數被加1。
如請求項10所述之電腦執行方法，其中如果該重送次數超過該第三閥值(macMaxFrameRetries)，則IEEE 802.15.4之一媒體存取控制技術(MAC)丟棄該資料訊框。
如請求項6所述之電腦執行方法，其中該IEEE 802.15.4裝置可以在整個該單位回退週期或部分該單位回退週期內執行該主動通道閒置評估(CCA)。
一種網路裝置，用以在一IEEE 802.15.4網路中執行可暫停衝突避免的載波感測多重存取(CSMA/CA)，包括： <br/>一處理器；以及 <br/>一記憶器，被配置以儲存一CSMA/CA模式控制程式，該CSMA/CA模式控制程式使該處理器執行以下步驟： <br/>自該IEEE 802.15.4網路的一網路管理器接收一關聯回應命令，以確定回退暫停的許可； <br/>取得一關聯請求命令中一可暫停CSMA/CA欄位所包含的該網路裝置執行該回退暫停的意圖； <br/>如果該回退暫停被許可且該網路裝置有意執行該回退暫停，則從該記憶體中選擇一可暫停CSMA/CA控制程式，其中該可暫停CSMA/CA控制程式執行以下步驟： <br/>在每個單位回退週期內執行主動通道閒置評估(CCA)； <br/>當該IEEE 802.15.4網路的一通道被偵測為忙碌時，暫停一回退程序； <br/>一旦偵測到該通道之狀態為閒置，恢復該回退程序；以及 <br/>確認一回退時間是否超過預定的一第一閥值(macSuspendedCSMAMaxTime)； <br/>當偵測到該通道之狀態為閒置時，傳輸一資料訊框，或當偵測到該通道之狀態為忙碌時，增加一回退次數(NB)； <br/>確認該回退次數(NB)是否超過一第二閥值(macMaxCSMABackoffs)；以及 <br/>當該回退次數超過該第二閥值(macMaxCSMABackoffs)時，增加一重送次數(NR)，並且當該重送次數超過一第三閥值(macMaxFrameRetries)時，丟棄該資料訊框。
如請求項13所述之網路裝置，其中如果該回退暫停未被許可，該網路裝置應用一標準CSMA/CA通道存取機制，其中如果該回退暫停被許可，該網路裝置應用一可暫停CSMA/CA通道存取機制，其中該可暫停CSMA/CA通道存取機制是一非時隙可暫停CSMA/CA演算法或一時隙可暫停CSMA/CA演算法。
如請求項13所述之網路裝置，其中該回退暫停的許可是由該網路管理器、一區域監管者、一應用開發者或其組合來確定。
如請求項15所述之網路裝置，其中該網路管理器在網路建置過程中向該等網路裝置提供該回退暫停的許可，或該IEEE 802.15.4網路中的該等網路裝置動態地向該網路管理器請求該回退暫停的許可。
如請求項16所述之網路裝置，其中即便回退暫停被許可，其他的該等網路裝置選擇不執行該回退暫停。
如請求項13所述之網路裝置，其中該網路裝置執行該回退暫停，以在該每個單位回退週期內執行該主動通道閒置評估(CCA)，並在偵測到通道忙碌時暫停該回退程序，其中當該回退次數超過該第二閥值(macMaxCSMABackoffs)，或該回退時間超過該第一閥值(macSuspendedCSMAMaxTime)，該可暫停CSMA/CA通道存取機制失敗。
如請求項18所述之網路裝置，其中該網路裝置首先執行該可暫停CSMA/CA控制程式，並且在區間[0, 2 <sup>BE</sup>-1]內抽取隨機的一單位回退週期數量(NUBP)，然後在該每個單位回退週期內執行該主動通道閒置評估(CCA)，其中如果通道忙碌，則暫停該回退程序(即該單位回退週期數量(NUBP)不減少)，其中如果通道閒置，則接續該回退程序，其中一旦該單位回退週期數量(NUBP)達到零，該回退程序完成。
如請求項18所述之網路裝置，其中一旦該單位回退週期數量(NUBP)達到零，該網路裝置在一CCA週期內執行標準通道閒置評估(CCA)。
一種方法，其係藉由電子裝置而實行者，其包括如下步驟： <br/>自用戶接收針對電子商務平台之第1頁面之請求； <br/>響應於上述請求，確定上述第1頁面之類型； <br/>基於確定之上述類型，確定是否將上述用戶之回購候選商品清單之第1介面顯示於上述第1頁面內； <br/>響應於確定將上述第1介面顯示於上述第1頁面內，產生顯示上述第1介面之上述第1頁面；及 <br/>將產生之上述第1頁面提供給上述用戶； <br/>其中確定是否將上述用戶之上述回購候選商品清單之上述第1介面顯示於上述第1頁面內之步驟包括如下步驟： <br/>響應於確定上述第1頁面為檢索詞清單之第3類型頁面，確定將上述第1介面顯示於上述第1頁面內；且 <br/>上述檢索詞清單包括如下中之至少一者： <br/>第1檢索詞清單，其包括具有上述用戶檢索過之歷史之一個以上之檢索詞；或 <br/>第2檢索詞清單，其包括基於上述用戶之購買歷史而對上述用戶推薦之一個以上之檢索詞。
如請求項1之方法，其中作為上述第3類型頁面之上述第1頁面中顯示之上述第1介面為如下之介面工具集：顯示有上述回購候選商品清單內之一個以上之商品。
如請求項2之方法，其中上述用戶對上述一個以上之商品各者之購買歷史顯示於上述介面工具集內， <br/>上述用戶對上述一個以上之商品各者之購買歷史包括上述用戶購買上述一個以上之商品各者之日期或購買之次數中的至少一者。
如請求項2之方法，其中作為上述第3類型頁面之上述第1頁面內顯示上述介面工具集之位置係基於上述第1檢索詞清單或上述第2檢索詞清單中之至少一者而確定。
如請求項2之方法，其中上述一個以上之商品之間的優先級係基於如下中之至少一者而確定： <br/>上述用戶對上述回購候選商品清單內之上述一個以上之商品各者之購買歷史； <br/>上述第1檢索詞清單；或 <br/>上述第2檢索詞清單；且 <br/>基於確定之上述優先級，於上述介面工具集內顯示上述一個以上之商品。
一種電子裝置，其包括： <br/>一個以上之處理器； <br/>一個以上之記憶體，其存儲有藉由上述一個以上之處理器而執行之命令；且 <br/>上述電子裝置以如下方式構成： <br/>於藉由上述一個以上之處理器而執行上述命令時，上述一個以上之處理器執行如請求項1至5中任一項之方法。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其係記錄有藉由一個以上之處理器而執行時，使一個以上之處理器實行動作之命令者， <br/>上述命令以如下方式構成：使上述一個以上之處理器執行如請求項1至5中任一項之方法。
一種膠帶台，包含：<br/>一殼座單元，包括一可界定出一容室的殼體，以及一對間隔設置於該殼體的導引部，該殼體具有一第一側緣，以及一沿一第一軸向相反於該第一側緣的第二側緣，該等導引部呈長槽狀，並各具有一第一圓弧段，以及一連通該第一圓弧段的第二圓弧段，該第一圓弧段趨近於該第二側緣，該第二圓弧段的曲率半徑大於該第一圓弧段的曲率半徑，該第二圓弧段由該第一圓弧段朝該第一側緣延伸；<br/>一刀座單元，可旋動的安裝於該容室內部，該刀座單元包括一定位座、一連接於該定位座且樞接於該殼體的樞軸，以及一安裝於該定位座的刀片，該定位座具有一對呈間隔設置的導滑部，以及一頂部，該等導滑部呈圓柱狀，該等導滑部與該等導引部呈凹凸互補且互相嵌套，該刀座單元可在一擺動模式與一定位模式之間切換，在該擺動模式時，該頂部可在該第一側緣與該第二側緣之間擺動，該導滑部相對於該導引部滑動，在該定位模式時，該頂部保持趨近於該第二側緣且相對於該殼體產生定位；<br/>一彈性件，連接於該殼體與該定位座之間，且其彈力提供該刀座單元的頂部保持朝該第一側緣擺動的趨勢；及<br/>一限位件，可調整的安裝於該殼體，且使該刀座單元在該擺動模式與該定位模式之間切換。
如請求項1所述的膠帶台，其中，該殼座單元的殼體具有一底壁、一連接於該底壁的內側壁、一沿該第一軸向相反於該內側壁的外側壁、一連接於該底壁、該內側壁與該外側壁的第一側壁，以及一沿一垂直於該第一軸向的第二軸向相反於該第一側壁的第二側壁，該等導引部分別設置於該第一側壁與該第二側壁，該第一側壁具有一沿一垂直於該第一軸向與該第二軸向的第三軸向延伸的導槽，該導槽連通於所對應的導引部，該限位件具有一可滑動的嵌設於該導槽中的擋塊，該刀座單元在該定位模式時，該擋塊伸設於所對應的導引部的第一圓弧段中。
如請求項2所述的膠帶台，其中，該刀座單元的定位座具有一可相對於該樞軸位移的長孔。
如請求項2所述的膠帶台，其中，該殼座單元的導引部的第二圓弧段具有一銜接於該第一圓弧段的內側端，以及一相反於該內側端的外側端，該外側端相對於該底壁的高度大於該內側端相對於該底壁的高度。
如請求項1所述的膠帶台，其中，該刀座單元還包括一軸設於該殼體的頂部且可相對於該殼體轉動的導輪。
如請求項5所述的膠帶台，其中，該刀座單元的導輪沿一中心線延伸，並具有二沿該中心線呈間隔設置的直管段、二分別位於該等直管段內側的內凹段，以及一連接於該內凹段之間的鼓出段，該等內凹段相對於該鼓出段與該等直管段呈內凹狀。
如請求項6所述的膠帶台，其中，該刀座單元的導輪的鼓出段平行於該中心線的截面形狀呈凸出球面狀，每一內凹段平行於該中心線的截面形狀呈錐面狀，該等直管段的外徑與該鼓出段的最大直徑實質相等，該鼓出段的最大直徑與該等內凹段的最小直徑的徑向落差為0.35mm~1.0 mm之間。
如請求項2所述的膠帶台，還包含一基座，以及一軸設於該基座的轉盤，該殼座單元沿該第一軸向位於該轉盤一側，該基座具有一對應於該導槽且呈階級長圓孔狀的滑槽，該限位件還具有一可滑動的嵌設於該滑槽中且呈長圓形的滑塊，以及一連接於該滑塊的扳動部，該扳動部的一外側端自該滑槽穿出於該基座外部。
一種具有風扇裝置的窗型冷氣機，包含：<br/>一機體；<br/>一致冷組件，設置於該機體前側；及<br/>一風扇裝置，設置於該機體後側並包括一導風環框、一可轉動地設置於該導風環框的風扇，及一用於驅動該風扇轉動的馬達，該導風環框具有一設置在該機體的底壁、二自該底壁相反二端分別向上延伸的側壁、一連接該二側壁的頂壁、一自該底壁一體向上延伸的支撐壁、至少一連接臂，及至少一呈十字狀的肋條，該底壁、該二側壁，及該頂壁共同界定一用於容置該風扇的容裝空間，該馬達安裝於該支撐壁，該連接臂相反的兩端分別連接該支撐壁和該等側壁、頂壁的其中一者，該連接臂的一端形成一凹孔，該肋條設置於該凹孔內。
如請求項1所述的具有風扇裝置的窗型冷氣機，其中，該導風環框還具一固定件，該固定件設置於該支撐壁並用以可脫離地安置電線。
如請求項1所述的具有風扇裝置的窗型冷氣機，其中，該支撐壁具有複數個穿孔。
如請求項1所述的具有風扇裝置的窗型冷氣機，其中，該風扇裝置還包括一設置於該支撐壁與該馬達之間的減震墊。
一種風扇裝置，用於安裝在一窗型冷氣機的一機體，包含：<br/>一導風環框，包括一設置在該機體的底壁、二自該底壁相反二端分別向上延伸的側壁、一連接該二側壁的頂壁、一自該底壁一體向上延伸的支撐壁、至少一連接臂，及至少一呈十字狀的肋條，該底壁、該二側壁，及該頂壁共同界定一容裝空間，該連接臂相反的兩端分別連接該支撐壁和該等側壁、頂壁的其中一者，該連接臂的一端形成一凹孔，該肋條設置於該凹孔內；<br/>一風扇，可轉動地容置於該容裝空間；及<br/>一馬達，設置於該支撐壁，並連接驅動該風扇。
如請求項5所述的風扇裝置，其中，該導風環框還具一固定件，該固定件設置於該支撐壁並用以可脫離地安置電線。
如請求項5所述的風扇裝置，其中，該支撐壁具有複數個穿孔。
一種具有風扇裝置的窗型冷氣機，包含：<br/>一機體；<br/>一致冷組件，設置於該機體前側；及<br/>一風扇裝置，設置於該機體後側並包括一導風環框、一風扇，及一馬達，該導風環框具有一設置於該機體的框體、一一端一體連接該框體並朝遠離該框體方向延伸的支撐壁、至少一連接臂，及至少一呈十字狀的肋條，該連接臂相反的兩端分別連接該支撐壁和該框體，該連接臂的一端形成一凹孔，該肋條設置於該凹孔內，該框體界定出一用以容置該風扇的容裝空間，該馬達設置於該支撐壁並連接驅動該風扇。
一種式(I)化合物或其醫藥學上可接受之鹽或水合物之用途，其用於製造在患者治療癌症之藥劑， <br/><img align="absmiddle" height="139px" width="198px" file="ed10533.jpg" alt="ed10533.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中： <br/><img align="absmiddle" height="7px" width="23px" file="ed10534.jpg" alt="ed10534.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為單鍵或雙鍵； <br/>X為O或NR<sup>7</sup>； <br/>R<sup>12</sup>為氫或-C(O)R<sup>1</sup>； <br/>R<sup>1</sup>為C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>鹵烷基、C<sub>2</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>炔基、C<sub>3</sub><sub>-</sub><sub>10</sub>環烷基、C<sub>6</sub><sub>-</sub><sub>10</sub>芳基、3-12員雜環基、5-10員雜芳基、-OR<sup>7</sup>或-NR<sup>8</sup>R<sup>9</sup>，其中 <br/>該C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>烷基、C<sub>2</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>炔基、C<sub>3</sub><sub>-</sub><sub>10</sub>環烷基、C<sub>6</sub><sub>-</sub><sub>10</sub>芳基、3-12員雜環基及5-10員雜芳基視情況經1-5個R<sup>10</sup>基團取代； <br/>R<sup>2</sup>為氫或C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>烷基，其中 <br/>該C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>烷基視情況經1-5個R<sup>10</sup>基團取代； <br/>R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>獨立地為氫、C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>烷基、-OR<sup>7</sup>、C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>雜烷基、-NR<sup>8</sup>R<sup>9</sup>、NR<sup>8</sup>C(O)R<sup>9</sup>、-NR<sup>8</sup>C(O)OR<sup>9</sup>、C<sub>6</sub><sub>-</sub><sub>10</sub>芳基、C<sub>3</sub><sub>-</sub><sub>10</sub>環烷基、5-10員雜芳基、3-12員雜環基、-C(O)R<sup>7</sup>、-C(O)OR<sup>7</sup>、-C(O)NR<sup>8</sup>R<sup>9</sup>、-OC(O)NR<sup>8</sup>R<sup>9</sup>、-CN或-SO<sub>2</sub>R<sup>7</sup>，其中 <br/>該C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>雜烷基、C<sub>6</sub><sub>-</sub><sub>10</sub>芳基、C<sub>3</sub><sub>-</sub><sub>10</sub>環烷基、5-10員雜芳基及3-12員雜環基視情況經1-5個R<sup>10</sup>基團取代； <br/>R<sup>5</sup>為氫、C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>烷基、-(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>p</sub>R<sup>7</sup>、C<sub>6</sub><sub>-</sub><sub>10</sub>芳基或C<sub>3</sub><sub>-</sub><sub>10</sub>環烷基，其中 <br/>該C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>烷基、C<sub>6</sub><sub>-</sub><sub>10</sub>芳基及C<sub>3</sub><sub>-</sub><sub>10</sub>環烷基視情況經1-5個R<sup>10</sup>基團取代； <br/>R<sup>6</sup>為氫或鹵基； <br/>各R<sup>7</sup>獨立地為氫、C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>烷基、C<sub>3</sub><sub>-</sub><sub>10</sub>環烷基、C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>雜烷基、3-12員雜環基、C<sub>6</sub><sub>-</sub><sub>10</sub>芳基或5-10員雜芳基，其中 <br/>該C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>烷基、C<sub>3</sub><sub>-</sub><sub>10</sub>環烷基、C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>雜烷基、3-12員雜環基、C<sub>6</sub><sub>-</sub><sub>10</sub>芳基及5-10員雜芳基視情況經1-5個R<sup>10</sup>取代； <br/>各R<sup>8</sup>及R<sup>9</sup>獨立地為氫、C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>烷基、C<sub>3</sub><sub>-</sub><sub>10</sub>環烷基、C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>雜烷基、3-12員雜環基、C<sub>6</sub><sub>-</sub><sub>10</sub>芳基或5-10員雜芳基，或R<sup>8</sup>及R<sup>9</sup>連同其所連接之原子一起形成3-12員雜環，其中 <br/>該C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>烷基、C<sub>3</sub><sub>-</sub><sub>10</sub>環烷基、C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>雜烷基、3-12員雜環基、C<sub>6</sub><sub>-</sub><sub>10</sub>芳基及5-10員雜芳基視情況經1-5個R<sup>10</sup>取代； <br/>各R<sup>10</sup>獨立地為C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>烷基、C<sub>3</sub><sub>-</sub><sub>10</sub>環烷基、C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>雜烷基、3-12員雜環基、C<sub>6</sub><sub>-</sub><sub>10</sub>芳基、5-10員雜芳基、鹵基、側氧基、-OR<sup>a</sup>、-C(O)R<sup>a</sup>、-C(O)OR<sup>a</sup>、-C(O)NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、-OC(O)NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、-NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、-NR<sup>a</sup>C(O)R<sup>b</sup>、-NR<sup>a</sup>C(O)OR<sup>b</sup>、-S(O)<sub>q</sub>R<sup>a</sup>、-S(O)<sub>2</sub>NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、-NR<sup>a</sup>S(O)<sub>2</sub>R<sup>b</sup>、-N<sub>3</sub>、-CN或-NO<sub>2</sub>，或兩個R<sup>10</sup>基團形成稠合、螺或橋聯C<sub>3</sub><sub>-</sub><sub>10</sub>環烷基或3-12員雜環基，其中 <br/>各C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>雜烷基、C<sub>2</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>炔基、C<sub>3</sub><sub>-</sub><sub>10</sub>環烷基、C<sub>6</sub><sub>-</sub><sub>10</sub>芳基、3-12員雜環及5-10員雜芳基視情況經1-5個R<sup>20</sup>基團取代； <br/>各R<sup>a</sup>及R<sup>b</sup>獨立地為氫、C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>烷基、C<sub>2</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>烯基、C<sub>3</sub><sub>-</sub><sub>10</sub>環烷基、C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>雜烷基、3-12員雜環基、C<sub>6</sub><sub>-</sub><sub>10</sub>芳基、5-10員雜芳基，或R<sup>a</sup>及R<sup>b</sup>連同其所連接之原子一起形成3-12員雜環基，其中 <br/>該C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>烷基、C<sub>2</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>烯基、C<sub>3</sub><sub>-</sub><sub>10</sub>環烷基、C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>雜烷基、3-12員雜環基、C<sub>6</sub><sub>-</sub><sub>10</sub>芳基、5-10員雜芳基視情況經1-5個R<sup>20</sup>基團取代； <br/>各R<sup>20</sup>獨立地為C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>烷基、C<sub>3</sub><sub>-</sub><sub>10</sub>環烷基、C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>雜烷基、3-12員雜環基、C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基、5-10員雜芳基、羥基、C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>烷氧基、胺基、-CN、-C(O)H、-C(O)NH<sub>2</sub>、-C(O)NH(C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>烷基)、-C(O)N(C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>烷基)<sub>2</sub>、-COOH、-C(O)C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>烷基、-C(O)OC<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>烷基或鹵素； <br/>n為0、1或2； <br/>p為0、1或2； <br/>q為0、1或2； <br/>該C<sub>1-6</sub>雜烷基係其中1至3個碳原子各獨立經相同或不同的雜原子基團替換的烷基；其中該雜原子基團係獨立選自由氮、硫、磷、氧、-N(O)-、-S(O)-及-S(O)<sub>2</sub>-所構成群組； <br/>該3-12員雜環基係具有1至3個獨立選自由氮、硫、磷、-N(O)-、-S(O)-及-S(O)<sub>2</sub>-所構成群組的雜原子的單環或多環；其中該多環可為稠合、橋聯或螺環；且 <br/>該5-10員雜芳基係具有單環或多環的芳基；其中該5-10員雜芳基含有1至3個獨立選自由氮、氧、硫、-N(O)-、-S(O)-及-S(O)<sub>2</sub>-所構成群組的雜原子， <br/>其中該患者係(i)實質上難以用至少一種化學療法來治療或(ii)在用化學療法治療之後復發或(i)及(ii)兩者。
如請求項1之用途，其中該化合物或其醫藥學上可接受之鹽或水合物係式(IIIb)化合物： <br/><img align="absmiddle" height="136px" width="193px" file="ed10535.jpg" alt="ed10535.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>或其醫藥學上可接受之鹽或水合物，其中： <br/>R<sup>1</sup>為C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>烷基、C<sub>3</sub><sub>-</sub><sub>10</sub>環烷基、C<sub>6</sub><sub>-</sub><sub>10</sub>芳基、5-10員雜芳基、-NHC<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>烷基、-NHC<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>鹵烷基、4-6員雜環基、C<sub>3</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>環烷基、-NHC<sub>3</sub><sub>-</sub><sub>10</sub>環烷基或-NH(4-6員雜環基)，其中 <br/>R<sup>1</sup>之各C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>烷基及-NHC<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>烷基視情況經1-3個獨立地選自羥基、C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>烷氧基、5-10員雜芳基、C<sub>3</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>環烷基、苯基或-O-(4-10員雜環基)之取代基取代； <br/>其中各5-10員雜芳基、C<sub>3</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>環烷基、苯基及-O-(4-10員雜環基)視情況經1-4個獨立地選自鹵基、C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>烷基及C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>鹵烷基之取代基取代； <br/>R<sup>1</sup>之各C<sub>6</sub><sub>-</sub><sub>10</sub>芳基及5-10員雜芳基視情況經1-3個獨立地選自鹵基、羥基、-CN、C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>鹵烷基、C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>雜烷基、4-6員雜環基及C<sub>3</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>環烷基之取代基取代；且 <br/>R<sup>1</sup>之各4-6員雜環基、C<sub>3</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>環烷基、-NHC<sub>3</sub><sub>-</sub><sub>10</sub>環烷基及-NH(4-6員雜環基)視情況經1至3個獨立地選自鹵基、側氧基、羥基、-CN、C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>鹵烷基、C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>雜烷基、-C(O)OR<sup>a</sup>、C<sub>6</sub><sub>-</sub><sub>10</sub>芳基、5-10員雜芳基、4-6員雜環基及C<sub>3</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>環烷基之取代基取代； <br/>其中各C<sub>6</sub><sub>-</sub><sub>10</sub>芳基、5-10員雜芳基、4-6員雜環基及C<sub>3</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>環烷基視情況經1-3個獨立地選自鹵基、C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>4</sub>烷基及C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>4</sub>鹵烷基之取代基取代； <br/>各R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>及R<sup>5</sup>獨立地為氫或C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>烷基；且 <br/>R<sup>6</sup>為氫或鹵基。
如請求項1之用途，其中該化合物或其醫藥學上可接受之鹽或水合物係式(IVa)化合物： <br/><img align="absmiddle" height="144px" width="213px" file="ed10536.jpg" alt="ed10536.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>或其醫藥學上可接受之鹽或水合物， <br/>其中R<sup>1</sup>為3-12員雜環基或5-10員雜芳基； <br/>其中R<sup>1</sup>視情況經1-4個R<sup>10</sup>取代； <br/>其中各R<sup>10</sup>獨立地選自鹵基、羥基、-CN、C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>4</sub>烷基、C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>4</sub>烷氧基、C<sub>3</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>環烷基及3-6員雜環基；且 <br/>各R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>獨立地為氫或C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>4</sub>烷基。
如請求項1之用途，其中R<sup>2</sup>為氫。
如請求項1之用途，其中R<sup>3</sup>為甲基。
如請求項1之用途，其中R<sup>4</sup>為氫。
如請求項1之用途，其中該化合物或其醫藥學上可接受之鹽或水合物係選自： <br/><img align="absmiddle" height="482px" width="439px" file="ed10537.jpg" alt="ed10537.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="659px" width="353px" file="ed10538.jpg" alt="ed10538.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="660px" width="356px" file="ed10539.jpg" alt="ed10539.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="659px" width="399px" file="ed10540.jpg" alt="ed10540.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="659px" width="396px" file="ed10541.jpg" alt="ed10541.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="659px" width="400px" file="ed10542.jpg" alt="ed10542.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="485px" width="383px" file="ed10543.jpg" alt="ed10543.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="659px" width="371px" file="ed10544.jpg" alt="ed10544.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="661px" width="405px" file="ed10545.jpg" alt="ed10545.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="660px" width="392px" file="ed10546.jpg" alt="ed10546.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="552px" width="427px" file="ed10547.jpg" alt="ed10547.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="268px" width="439px" file="ed10548.jpg" alt="ed10548.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>或其醫藥學上可接受之鹽或水合物。
如請求項1之用途，其中該化合物或其醫藥學上可接受之鹽或水合物係選自： <br/><img align="absmiddle" height="395px" width="426px" file="ed10549.jpg" alt="ed10549.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="642px" width="401px" file="ed10550.jpg" alt="ed10550.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="640px" width="413px" file="ed10551.jpg" alt="ed10551.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="660px" width="371px" file="ed10552.jpg" alt="ed10552.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="402px" width="415px" file="ed10553.jpg" alt="ed10553.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>或其醫藥學上可接受之鹽或水合物。
如請求項1之用途，其中該化合物或其醫藥學上可接受之鹽或水合物係選自： <br/><img align="absmiddle" height="290px" width="416px" file="ed10554.jpg" alt="ed10554.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="127px" width="188px" file="ed10555.jpg" alt="ed10555.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>或其醫藥學上可接受之鹽或水合物。
如請求項1之用途，其中該化合物或其醫藥學上可接受之鹽或水合物係選自： <br/><img align="absmiddle" height="570px" width="440px" file="ed10556.jpg" alt="ed10556.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="385px" width="414px" file="ed10557.jpg" alt="ed10557.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>或其醫藥學上可接受之鹽或水合物。
如請求項1之用途，其中該化合物或其醫藥學上可接受之鹽或水合物係： <br/><img align="absmiddle" height="119px" width="182px" file="ed10558.jpg" alt="ed10558.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>或其醫藥學上可接受之鹽或水合物。
如請求項1之用途，其中該化合物或其醫藥學上可接受之鹽或水合物係： <br/><img align="absmiddle" height="104px" width="162px" file="ed10559.jpg" alt="ed10559.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>或其醫藥學上可接受之鹽或水合物。
如請求項1之用途，其中該化合物或其醫藥學上可接受之鹽或水合物係： <br/><img align="absmiddle" height="104px" width="170px" file="ed10560.jpg" alt="ed10560.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>或其醫藥學上可接受之鹽或水合物。
如請求項1至13中任一項之用途，其中該病患難以用至少兩種化學療法來治療。
如請求項1至13中任一項之用途，其中該病患難以用選自以下之一種或多種化學療法來治療：氟達拉濱(fludarabine)；利妥昔單抗；奧比珠單抗(obinutuzumab)；烷基化劑；阿侖單抗(alemtuzumab)；CHOP (環磷醯胺、小紅莓、長春新鹼、潑尼松)；R-CHOP (利妥昔單抗-CHOP)；高CVAD (高分次環磷醯胺、長春新鹼、小紅莓、地塞米松、甲胺喋呤、阿糖胞苷(cytarabine))；R-高CVAD (利妥昔單抗-高CVAD)；FCM (氟達拉濱、環磷醯胺、米托蒽醌(mitoxantrone))；R-FCM (利妥昔單抗、氟達拉濱、環磷醯胺、米托蒽醌)；硼替佐米(bortezomib)及利妥昔單抗；替西羅莫司(temsirolimus)及利妥昔單抗；替西羅莫司及Velcade<sup>®</sup>；碘-131托西莫單抗(tositumomab) (Bexxar<sup>®</sup>)及CHOP；CVP (環磷醯胺、長春新鹼、潑尼松)；R-CVP (利妥昔單抗-CVP)；ICE (異環磷醯胺、卡鉑、依託泊苷)；R-ICE (利妥昔單抗-ICE)；FCR (氟達拉濱、環磷醯胺、利妥昔單抗)；FR (氟達拉濱、利妥昔單抗)；以及D.T. PACE (地塞米松、沙立度胺(thalidomide)、順鉑、Adriamycin<sup>®</sup>、環磷醯胺、依託泊苷)。
如請求項1至13中任一項之用途，其中該癌症為惡性血液病。
如請求項1至13中任一項之用途，其中該癌症為多發性骨髓瘤。
如請求項1至13中任一項之用途，其中該癌症為乳癌、結腸直腸癌、皮膚癌、卵巢癌、腎癌、小細胞肺癌、非小細胞肺癌、淋巴瘤或白血病。
一種在一半導體裝置中形成一線狀圖案的方法，包含：<br/>在一基板上方形成具有一第一溝槽的一第一光阻層；<br/>藉由一第一選擇性磊晶生長製程將一第一材料填充於該第一溝槽中；<br/>在該第一光阻層上方形成具有一第二溝槽的一第二光阻層；<br/>藉由一第二選擇性磊晶生長製程將一第二材料填充於該第二溝槽中；及<br/>在將該第二材料填充於該第二溝槽中之後，去除該第一光阻層及該第二光阻層。
如請求項1所述之方法，其中該第二溝槽與該第一溝槽對準。
如請求項1所述之方法，其中該第二材料與該第一材料相同。
如請求項1所述之方法，其中該第二材料與該第一材料不同。
如請求項1所述之方法，其中在將該第一材料填充於該第一溝槽中之後，該第一材料的一頂表面與該第一光阻層的一頂表面齊平。
如請求項5所述之方法，其中將該第一材料填充於該第一溝槽中之步驟包含：<br/>形成過度填充該第一溝槽的該第一材料；及<br/>藉由執行一平坦化製程來去除該第一材料的一多餘部分，直至曝露該第一光阻層的該頂表面。
如請求項1所述之方法，其中在將該第二材料填充於該第二溝槽中之後，該第二材料的一頂表面與該第二光阻層的一頂表面齊平。
如請求項7所述之方法，其中將該第二材料填充於該第二溝槽中之步驟包含以下步驟：<br/>形成過度填充該第二溝槽的該第二材料；及<br/>藉由執行一平坦化製程來去除該第二材料的一多餘部分，直至曝露該第二光阻層的該頂表面。
如請求項1所述之方法，其中該第一光阻層及該第二光阻層係經由單一去除製程去除。
如請求項1所述之方法，其中形成具有該第一溝槽的該第一光阻層之步驟包含圖案化該第一光阻層，且形成具有該第二溝槽的該第二光阻層包含圖案化該第二光阻層，且其中圖案化該第一光阻層及圖案化該第二光阻層係使用同一遮罩執行。
一種在一半導體裝置中形成一線狀圖案的方法，其包含以下步驟：<br/>在一基板上方形成具有一第一溝槽的一第一光阻層，其中該第一光阻層具有一第一厚度；<br/>藉由一第一選擇性磊晶生長製程將一第一材料填充於該第一溝槽中；<br/>在該第一光阻層上方形成具有一第二溝槽的一第二光阻層，該第二光阻層與該第一光阻層接觸，其中該第二光阻層具有一第二厚度；<br/>藉由一第二選擇性磊晶生長製程將一第二材料填充於該第二溝槽中；及<br/>去除該第一光阻層及該第二光阻層。
如請求項11所述之方法，其中該第二材料的相對側壁與該第一材料的相對側壁對準。
如請求項11所述之方法，其中該第一光阻層及該第二光阻層由相同材料製成，且該第一厚度與該第二厚度實質上相同。
如請求項11所述之方法，其中在將該第一材料填充於該第一溝槽中之後，該第一材料及該第一光阻層具有實質上相同的高度。
如請求項14所述之方法，其中將該第一材料填充於該第一溝槽中之步驟包含：<br/>形成過度填充該第一溝槽的該第一材料；及<br/>藉由執行一平坦化製程來去除該第一材料的一多餘部分，直至曝露該第一光阻層的一頂表面。
如請求項11所述之方法，其中在將該第二材料填充於該第二溝槽中之後，該第二材料及該第二光阻層具有實質上相同的高度。
如請求項16所述之方法，其中將該第二材料填充於該第二溝槽中之步驟包含：<br/>形成過度填充該第二溝槽的該第二材料；及<br/>藉由執行一平坦化製程來去除該第二材料的一多餘部分，直至曝露該第二光阻層的一頂表面。
如請求項11所述之方法，其中該第一材料及該第二材料由一半導體材料製成。
如請求項11所述之方法，其中該基板由一半導體材料製成。
一種樹脂成形裝置，包括： <br/>鎖模機構，經由基座構件對成形模具進行鎖模； <br/>成形模具滑動機構，使所述成形模具滑動至位於較所述基座構件更靠外側處的突出位置； <br/>搬送機構，對位於所述突出位置的所述成形模具進行搬送對象物的搬送；以及 <br/>控制部，控制所述成形模具滑動機構及所述搬送機構， <br/>所述控制部較借助所述成形模具滑動機構所進行的朝向所述突出位置的滑動動作先開始所述搬送機構朝向對位於所述突出位置的所述成形模具進行所述搬送對象物的搬送的搬送位置的移動動作，或者，以重疊於所述移動動作的至少一部分期間的方式來進行所述滑動動作， <br/>所述成形模具具有上模及下模， <br/>所述成形模具滑動機構分別對應於所述上模及所述下模而設， <br/>所述控制部控制所述成形模具滑動機構而使所述上模及所述下模各別地移動至所述突出位置。
如請求項1所述的樹脂成形裝置，其中 <br/>所述控制部是在所述移動動作完成之後進行所述滑動動作。
如請求項1所述的樹脂成形裝置，其中 <br/>所述控制部使所述移動動作及所述滑動動作同時或在規定時間內完成。
如請求項1所述的樹脂成形裝置，其中 <br/>所述基座構件具有： <br/>固定台板； <br/>可動台板，能夠藉由所述鎖模機構而升降；以及 <br/>中間板，配置於所述固定台板與所述可動台板之間， <br/>所述成形模具具有上模及下模，且分別設於所述固定台板與所述中間板之間、以及所述中間板與所述可動台板之間。
如請求項4所述的樹脂成形裝置，更包括： <br/>一對側壁構件，配置於所述可動台板及所述中間板的側方兩側； <br/>滑動機構，使所述中間板相對於所述一對側壁構件而沿著上下方向滑動；以及 <br/>升降聯動機構，使所述中間板的升降聯動於所述可動台板的升降， <br/>所述升降聯動機構具有： <br/>動臂機構，一端部相對於所述側壁構件而固定，另一端部跟所述可動台板一同移動，藉由所述可動台板的升降而伸縮；以及 <br/>連結機構，連結所述動臂機構的交叉連桿部及所述中間板。
如請求項1至5中任一項所述的樹脂成形裝置，其中 <br/>所述搬送機構具有對位於所述突出位置的所述成形模具進行成形對象物的搬送的成形對象物搬送機構， <br/>所述控制部較借助所述成形模具滑動機構所進行的朝向所述突出位置的第一滑動動作先開始所述成形對象物搬送機構朝向對位於所述突出位置的所述成形模具進行所述成形對象物的搬送的搬送位置的第一移動動作，或者，以重疊於所述第一移動動作的至少一部分期間的方式來進行所述第一滑動動作。
如請求項6所述的樹脂成形裝置，其中 <br/>所述成形對象物搬送機構具有： <br/>成形對象物供給部，對位於所述突出位置的所述成形模具供給所述成形對象物；以及 <br/>成形對象物接取部，自位於所述突出位置的所述成形模具接取經樹脂成形的所述成形對象物， <br/>所述控制部在所述搬送位置連續地進行所述成形對象物接取部的接取動作及所述成形對象物供給部的供給動作。
一種樹脂成形裝置，包括： <br/>鎖模機構，經由基座構件對成形模具進行鎖模； <br/>成形模具滑動機構，使所述成形模具滑動至位於較所述基座構件更靠外側處的突出位置； <br/>搬送機構，對位於所述突出位置的所述成形模具進行搬送對象物的搬送；以及 <br/>控制部，控制所述成形模具滑動機構及所述搬送機構， <br/>所述控制部較借助所述成形模具滑動機構所進行的朝向所述突出位置的滑動動作先開始所述搬送機構朝向對位於所述突出位置的所述成形模具進行所述搬送對象物的搬送的搬送位置的移動動作，或者，以重疊於所述移動動作的至少一部分期間的方式來進行所述滑動動作， <br/>所述搬送機構具有對位於所述突出位置的所述成形模具進行樹脂材料的搬送的樹脂材料搬送機構， <br/>所述控制部較借助所述成形模具滑動機構所進行的朝向所述突出位置的第二滑動動作先開始所述樹脂材料搬送機構朝向對位於所述突出位置的所述成形模具進行所述樹脂材料的搬送的搬送位置的第二移動動作，或者，以重疊於所述第二移動動作的至少一部分期間的方式來進行所述第二滑動動作， <br/>所述樹脂材料搬送機構具有： <br/>樹脂材料供給部，對位於所述突出位置的所述成形模具供給所述樹脂材料；以及 <br/>薄膜回收部，自位於所述突出位置的所述成形模具回收使用完畢的脫模薄膜， <br/>所述控制部在所述搬送位置連續地進行所述薄膜回收部的回收動作及所述樹脂材料供給部的供給動作。
一種樹脂成形品的製造方法，包括： <br/>搬送步驟，使用搬送機構將搬送對象物搬送至成形模具； <br/>第一滑動步驟，使所述成形模具自經由基座構件而鎖模的鎖模位置沿著與鎖模方向交叉的滑動方向滑動，而使其移動至位於較所述基座構件更靠外側處的突出位置； <br/>第二滑動步驟，使所述成形模具自所述突出位置沿著所述滑動方向滑動而使其移動至所述鎖模位置；以及 <br/>樹脂成形步驟，對位於所述鎖模位置的所述成形模具進行鎖模以進行樹脂成形， <br/>在所述搬送步驟及所述第一滑動步驟中，較所述成形模具自所述鎖模位置朝向所述突出位置的滑動動作先開始所述搬送機構朝向對位於所述突出位置的所述成形模具進行所述搬送對象物的搬送的搬送位置的移動動作，或者，以重疊於所述移動動作的至少一部分期間的方式來進行所述滑動動作， <br/>所述成形模具具有上模及下模， <br/>對所述上模及所述下模分別實施所述搬送步驟、所述第一滑動步驟及所述第二滑動步驟，在所述樹脂成形步驟中對所述上模及所述下模進行鎖模。
如請求項9所述的樹脂成形品的製造方法，其中 <br/>在所述搬送步驟及所述第一滑動步驟中，在所述移動動作完成之後進行所述滑動動作。
如請求項9所述的樹脂成形品的製造方法，其中 <br/>在所述搬送步驟及所述第一滑動步驟中，使所述移動動作及所述滑動動作同時或在規定時間內完成。
如請求項9至11中任一項所述的樹脂成形品的製造方法，其中所述成形模具具有多組上模及下模， <br/>對多組所述上模實施所述搬送步驟、所述第一滑動步驟及所述第二滑動步驟， <br/>對多組所述下模實施所述搬送步驟、所述第一滑動步驟及所述第二滑動步驟， <br/>在所述樹脂成形步驟中對多組所述上模及所述下模進行鎖模。
一種組合物在製備用於預防或治療軟骨相關疾病的藥物之用途，其中該組合物包含凝血酶調節素TMD123，其中該軟骨相關疾病包括骨關節炎、退化性關節疾病、剝離性骨軟骨炎、關節軟骨損傷、軟骨發育不全或軟骨缺陷。
根據請求項1所述之用途，其中該組合物透過給予一個體一有效劑量：提升細胞的抗發炎能力、提升細胞生長、提升細胞遷移、提升KLF2(Krüppel-Like Factor 2)與凝血酶調節素的表現量、阻斷介白素1β(IL-1β)介導的信號傳導、保護膝關節、防止軟骨缺失或損傷、維持骨關節的完整性和維持該個體的活動力來預防或治療軟骨相關疾病。
根據請求項2所述之用途，其中該凝血酶調節素的有效劑量係1~100μg/kg。
根據請求項1所述之用途，其中該凝血酶調節素係天然或合成的蛋白。
一種用於線性加速器的諧振器，包括： <br/>諧振器腔室； <br/>諧振器線圈，安置在諧振器腔室內；以及 <br/>勵磁機，至少部分地安置在所述諧振器腔室內，且進一步包括： <br/>勵磁機線圈內部部分，沿著勵磁機軸線延伸； <br/>勵磁機線圈回路，安置在所述勵磁機線圈內部部分的遠端；以及 <br/>驅動機構，所述驅動機構包括至少一旋轉元件以使所述勵磁機線圈回路圍繞所述勵磁機軸線旋轉， <br/>其中所述諧振器線圈是環形諧振器線圈，其中所述勵磁機線圈回路安置於所述環形諧振器線圈內。
如請求項1所述的用於線性加速器的諧振器，所述勵磁機進一步包括：絕緣套管，圍繞所述勵磁機線圈內部部分安置；以及導電套管，圍繞所述絕緣套管安置，其中所述勵磁機線圈回路具有連接到所述勵磁機線圈內部部分的所述遠端的第一端，以及連接到所述導電套管的第二端。
如請求項2所述的用於線性加速器的諧振器，其中耦合所述勵磁機線圈內部部分以接收RF信號，且其中所述導電套管耦合到地面。
如請求項1所述的用於線性加速器的諧振器，其中所述驅動機構進一步包括轉換元件，以沿著平行於所述勵磁機軸線的第一方向移動所述勵磁機線圈回路。
如請求項1所述的用於線性加速器的諧振器，進一步包括腔室壁，所述腔室壁容納所述諧振器線圈，其中所述勵磁機進一步包括級，所述級包含所述驅動機構，所述級安置於所述腔室壁外。
一種離子植入機，包括： <br/>離子源，用以產生離子束； <br/>線性加速器，安置在所述離子源的下游，其中所述線性加速器佈置成用以加速所述離子束，所述線性加速器包括多個加速級，其中所述多個加速級中的給定級包括諧振器，所述諧振器包括： <br/>諧振器腔室； <br/>諧振器線圈，安置在諧振器腔室內；以及 <br/>勵磁機，安置在所述諧振器腔室內，且進一步包括： <br/>勵磁機線圈內部部分，沿著勵磁機軸線延伸； <br/>勵磁機線圈回路，安置在所述勵磁機線圈內部部分的遠端；以及 <br/>驅動機構，所述驅動機構包括至少一旋轉元件以使所述勵磁機線圈回路圍繞所述勵磁機軸線旋轉， <br/>其中所述諧振器線圈是環形諧振器線圈，其中所述勵磁機線圈回路安置於所述環形諧振器線圈內。
如請求項6所述的離子植入機，所述勵磁機進一步包括：絕緣套管，圍繞所述勵磁機線圈內部部分安置；以及導電套管，圍繞所述絕緣套管安置，其中所述勵磁機線圈回路具有連接到所述勵磁機線圈內部部分的所述遠端的第一端，以及連接到所述導電套管的第二端。
如請求項7所述的離子植入機，其中耦合所述勵磁機線圈內部部分以接收RF信號，且其中所述導電套管耦合到地面。
如請求項6所述的離子植入機，其中所述驅動機構進一步包括轉換元件，以沿著平行於所述勵磁機軸線的第一方向移動所述勵磁機線圈回路。
如請求項6所述的離子植入機，進一步包括腔室壁，所述腔室壁容納所述諧振器線圈，其中所述勵磁機進一步包括級，所述級包含所述驅動機構，所述級安置於所述腔室壁外。
一種電子裝置，包括： <br/>一裝置本體； <br/>至少一發熱元件，配置於該裝置本體內；以及 <br/>一散熱鰭片組，配置於該裝置本體的一底面，其中該散熱鰭片組包括多個散熱鰭片，各該散熱鰭片的一末端向外突出於該底面的一外緣，各該散熱鰭片的另一末端往該底面的一中心延伸， <br/>該些散熱鰭片包括多個第一散熱鰭片、多個第二散熱鰭片及多個第三散熱鰭片，各該第一散熱鰭片的長度大於各該第二散熱鰭片的長度，各該第二散熱鰭片的長度大於各該第三散熱鰭片的長度，該些第一散熱鰭片、該些第二散熱鰭片及該些第三散熱鰭片彼此交錯排列。
如請求項1所述的電子裝置，其中該底面為凸弧形。
如請求項1所述的電子裝置，其中各該散熱鰭片具有相對的一上緣及一下緣，該上緣連接於該底面，該下緣為凸弧形。
如請求項1所述的電子裝置，其中該些散熱鰭片沿著從該底面的該中心往該底面的該外緣的方向放射狀地延伸。
如請求項1所述的電子裝置，其中各該第二散熱鰭片位於彼此相鄰的兩該第一散熱鰭片之間。
如請求項1所述的電子裝置，其中各該第三散熱鰭片位於彼此相鄰的該第一散熱鰭片與該第二散熱鰭片之間。
如請求項1所述的電子裝置，其中該裝置本體具有一延伸部，該延伸部從該底面的該外緣延伸出且具有導流表面。
如請求項7所述的電子裝置，其中該導流表面包括一垂直區段、一彎曲區段及一水平區段，該垂直區段連接於該底面與該彎曲區段之間，該彎曲區段連接於該垂直區段與該水平區段之間。
如請求項7所述的電子裝置，其中該散熱鰭片組及該導流表面構成一導流路徑，一散熱氣流適於沿該導流路徑從該底面的該中心往該延伸部流動並遠離該裝置本體。
如請求項7所述的電子裝置，其中該裝置本體包括相連接的一底蓋及一上蓋，該底蓋具有該底面，該上蓋具有該延伸部。
如請求項1所述的電子裝置，其中各該散熱鰭片的該末端延伸至該底面之外。
如請求項1所述的電子裝置，其中該至少一發熱元件包括天線用晶片。
如請求項1所述的電子裝置，更包括一均溫板，其中該均溫板配置於該至少一發熱元件與該散熱鰭片組之間。
如請求項1所述的電子裝置，其中該電子裝置是天線設備。
如請求項14所述的電子裝置，其中該天線設備包括低軌衛星地面通訊模組。
一種空氣壓縮機，包括：<br/> 一汽缸；<br/> 一架體，連接於該汽缸；<br/> 一齒輪組，包括一第一齒輪、一第二齒輪及至少一第三齒輪，其中該第二齒輪樞接於該架體且嚙合於該第一齒輪與該至少一第三齒輪之間，該至少一第三齒輪樞接於該架體；<br/> 一馬達，連接於該第一齒輪；<br/> 一活塞，該活塞的一第一端設置於該汽缸，該活塞的一第二端連接於該第二齒輪；<br/> 一第一散熱風扇，連接於該馬達，其中該第一齒輪及該第一散熱風扇分別位於該馬達的不同側；以及<br/> 至少一第二散熱風扇，連接於該至少一第三齒輪，<br/> 其中該馬達適於帶動該第一散熱風扇轉動，適於藉由該齒輪組而帶動該活塞的該第一端沿該汽缸往復運動，且適於藉由該齒輪組而帶動該至少一第二散熱風扇轉動，<br/> 其中在該空氣壓縮機的前後方向上，該活塞的該第一端位於該活塞的該第二端的前方且該馬達位於該至少一第二散熱風扇的前方，<br/> 其中該空氣壓縮機更包括至少一第三散熱風扇，該至少一第二散熱風扇及該至少一第三散熱風扇分別連接於該至少一第三齒輪的相對兩側。
如請求項1所述的空氣壓縮機，其中該至少一第二散熱風扇包括軸流式風扇或離心式風扇。
如請求項1所述的空氣壓縮機，其中在該空氣壓縮機的前後方向上，該活塞的該第一端位於該活塞的該第二端的前方，該第一齒輪與該至少一第三齒輪在該前後方向上彼此重疊。
如請求項1所述的空氣壓縮機，其中該馬達及該第一齒輪分別位於該架體的相對兩側。
如請求項1所述的空氣壓縮機，其中該至少一第二散熱風扇及該至少一第三齒輪分別位於該架體的相對兩側。
如請求項1所述的空氣壓縮機，其中該第一齒輪與該至少一第三齒輪的連線通過該第二齒輪的中心。
如請求項1所述的空氣壓縮機，其中該第一齒輪與該至少一第三齒輪的連線不通過該第二齒輪的中心。
一種具傾角溝槽鰭片的散熱模組，其包括:<br/> 一散熱基座，其表面設有一嵌槽；<br/> 複數個導熱元件，設置在該嵌槽內；以及<br/> 複數個散熱鰭片，疊置於該複數個導熱元件之上，從而位於該散熱基座之上；<br/> 其中，各所述散熱鰭片的兩側表面上設有複數個溝槽，且所述溝槽的一溝槽開口夾角係介於20°至40°之間；<br/> 其中，該複數個散熱鰭片彼此平行，且任二個所述散熱鰭片之間具有一間距；<br/> 其中，所述溝槽具有一第一槽壁與一第二槽壁，該第一槽壁與該第二槽壁具有相同的長度，且該第一槽壁與該第二槽壁具有不同的寬度，使得所述溝槽在各所述散熱鰭片的兩側表面上呈傾斜狀；<br/> 其中，沿所述散熱鰭片的長度方向，設置在所述散熱鰭片的兩側表面之上的複數個所述溝槽係相對地交錯排列。
如請求項1所述之具傾角溝槽鰭片的散熱模組，其中，各所述散熱鰭片為具有一上底、一下底、一斜腰與一垂直腰的一直角梯形，所述上底作為一入風側，且所述垂直腰連接該散熱基座。
如請求項2所述之具傾角溝槽鰭片的散熱模組，其中，所述斜腰與所述下底之間具一夾角，且該夾角介於 45 °至 85 °之間。
一種電子裝置，其包括一機殼以及設置於該機殼內的一主板，且該主板上設有複數個電子零件，其特徵在於，所述電子裝置進一步包括如請求項1至請求項3任一項所述之具傾角溝槽鰭片的散熱模組，且該具傾角溝槽鰭片的散熱模組設置於該主板上。
如請求項4所述之電子裝置，其中，該電子裝置為選自於由伺服器、交換機、路由器、閘道器、工業電腦、桌上型電腦、一體式(all-in-one)電腦、智慧型電視、車載娛樂裝置、博弈主機、和遊戲主機所組成群組之中的任一者。
一種照明光型之曝光機結構，其包括:<br/> 一光源部，該光源部分別發散數道光線；<br/> 一第一透鏡，各光線係朝向該第一透鏡進行照射，各光線穿過該第一透鏡後分別匯聚形成一第一聚光束；<br/> 一透鏡陣列部，該第一聚光束朝向相對應之該透鏡陣列部進行照射，又該透鏡陣列部係包含複數相互併排組合之複數透鏡柱，該第一聚光束穿透該透鏡陣列部之複數透鏡柱後係形成複數第一成像光；<br/> 以及一第二透鏡，各第一成像光係朝向該第二透鏡照射並穿透後，該第二透鏡係改變各第一成像光的光路徑並予以聚焦，各第一成像光經過第二透鏡透射後係形成相互疊加之複數成像，又各成像的疊加形成一最終成像，該最終成像具有複數邊線，且各邊線係以複數成像的疊加以修飾而形成直線，又該複數成像的疊加修飾採用自由曲面/離軸光學(Freeform/Off-Axis Optics)方式進行修飾；<br/> 其中，利用該第二透鏡的設置聚焦各成像，使其該最終成像的光型更為完整，且該最終成像的各邊線較平直，又當以多數個光源部、第一透鏡、透鏡陣列部及第二透鏡同時運作後所形成的複數個最終成像相互拼接下不會有疊影，各最終成像之間的銜接處之光影更為一致。
如請求項1所述之照明光型之曝光機結構，其中該光源部與該第一透鏡之間的距離為27mm~29mm。
如請求項1所述之照明光型之曝光機結構，其中該第一透鏡至該透鏡陣列部之間的距離為5mm~7mm。
如請求項1所述之照明光型之曝光機結構，其中該透鏡陣列部與該第二透鏡之間進一步設一虹膜片，該虹膜片係遮掩照射至第二透鏡的各第一成像光，該虹膜片係包含有一環遮部及一環圈透光部，各第一成像光朝該虹膜片射入時其部分光線會受到該環遮部的遮掩而無法透射，各第一成像光之部分光線則透射出該環圈透光部，並在朝向第二透鏡照射。
如請求項4所述之照明光型之曝光機結構，其中該虹膜片與該透鏡陣列部之間的距離為0.4mm~0.6mm。
如請求項4所述之照明光型之曝光機結構，其中該虹膜片與第二透鏡之間的距離為340mm~360mm。
如請求項1所述之照明光型之曝光機結構，其中該第二透鏡至該最終成像的投射處之間的距離為790mm~650mm。
如請求項1所述之照明光型之曝光機結構，其中該透鏡陣列部的各透鏡柱面對第二透鏡的一端之表面為非球面。
如請求項1所述之照明光型之曝光機結構，其中該第二透鏡可為凸透鏡或反射鏡。
一種內容定位方法，由包括至少一個處理器的電腦裝置執行，其中，包括如下步驟： <br/> 透過上述至少一個處理器，以離線店鋪的管理人員為物件提供用於請求內容發送服務的服務請求畫面；以及<br/> 透過上述至少一個處理器，在上述服務請求畫面上顯示上述離線店鋪的目標物件預測規模；<br/> 其中，所述提供包括：<br/> 當離線店鋪的管理人員透過與其相關的通訊軟體的管理員帳號購買促銷商品時，在購買促銷商品的過程中，透過通訊軟體的介面提供服務請求畫面；<br/> 其中，反應於在離線店鋪的管理人員透過與其相關的通訊軟體的管理員帳號購買促銷商品後，所述管理人員透過所述服務請求畫面註冊與所述離線店鋪相關的內容，與離線店鋪相關的內容係經控制而能夠使用通訊軟體的官方帳號（official account）發送給用戶。
如請求項1所述之內容定位方法，其中，上述內容發送服務包括如下功能：利用通訊軟體的官方帳號以上述通訊軟體的消息形態向上述離線店鋪的目標物件發送上述離線店鋪的相關內容。
如請求項1所述之內容定位方法，其中， <br/> 上述內容定位方法還包括如下步驟：透過上述至少一個處理器，基於支付歷史記錄選定由能夠訪問上述離線店鋪的一個以上候選用戶組成的候選用戶池（pool），<br/> 在上述顯示步驟中，將上述候選用戶池包括的使用者數量用作上述目標物件預測規模來顯示。
如請求項3所述之內容定位方法，其中，上述選定步驟包括如下步驟： <br/> 利用使用者以離線店鋪為物件實現的支付資料對上述使用者的至少一個主要支付位置進行分析；以及<br/> 基於上述主要支付位置判斷上述離線店鋪的訪問可能性來將上述用戶選定為上述候選用戶。
如請求項3所述之內容定位方法，其中，在上述選定步驟中，基於離線店鋪的位置捆綁一個以上離線店鋪並以捆綁的離線店鋪為物件選定上述候選使用者池。
如請求項3所述之內容定位方法，其中，上述內容定位方法還包括如下步驟： <br/> 透過上述至少一個處理器，將上述管理人員透過上述服務請求畫面輸入的資訊註冊為上述離線店鋪的內容；以及<br/> 透過上述至少一個處理器，在上述候選用戶池包括的候選用戶中定位至少一個目標使用者並向上述目標使用者發送包括上述內容的消息。
如請求項6所述之內容定位方法，其中，上述發送步驟包括如下步驟：基於上述候選使用者的支付歷史記錄將上述候選使用者選定為上述離線店鋪的內容接收物件。
如請求項6所述之內容定位方法，其中，上述發送步驟包括如下步驟：<br/> 利用上述候選使用者的支付歷史記錄分別計算上述候選使用者對上述離線店鋪的訪問可能性分數；以及<br/> 基於上述訪問可能性分數將上述候選使用者選定為上述離線店鋪的內容接收物件。
如請求項8所述之內容定位方法，其中，在上述計算步驟中，利用官方帳號的偏好、透過RFM（recency, frequency, monetary）建模的支付偏好及上述離線店鋪所屬行政區域中的再支付概率中的至少一個來計算上述離線店鋪的訪問可能性分數。
如請求項6所述之內容定位方法，其中，上述發送步驟包括如下步驟： <br/> 在上述候選用戶中，當第一候選使用者在通訊軟體上的內容相關指數滿足規定條件時，將上述第一候選用戶選定為上述離線店鋪的內容接收物件；以及<br/> 在上述候選用戶中，當第二候選使用者在通訊軟體上的內容相關指數不滿足規定條件時，從上述離線店鋪的內容接收物件中排除上述第二候選用戶。
一種電腦程式，其中，為了使得上述電腦裝置執行如請求項1至10中任一項所述之內容定位方法而儲存在電腦可讀記錄介質。
一種電腦裝置，其中，包括至少一個處理器，用於執行電腦裝置可讀指令， <br/> 上述至少一個處理器執行如下工作：<br/> 以離線店鋪的管理人員為物件提供用於請求內容發送服務的服務請求畫面；以及<br/> 在上述服務請求畫面上顯示上述離線店鋪的目標物件預測規模；<br/> 其中，所述提供包括：<br/> 當離線店鋪的管理人員透過與其相關的通訊軟體的管理員帳號購買促銷商品時，在購買促銷商品的過程中，透過通訊軟體的介面提供服務請求畫面；<br/> 其中，反應於在離線店鋪的管理人員透過與其相關的通訊軟體的管理員帳號購買促銷商品後，所述管理人員透過所述服務請求畫面註冊與所述離線店鋪相關的內容，與離線店鋪相關的內容係經控制而能夠使用通訊軟體的官方帳號（official account）發送給用戶。
如請求項12所述之電腦裝置，其中，上述內容發送服務包括如下功能：利用通訊軟體的官方帳號以上述通訊軟體的消息形態向上述離線店鋪的目標物件發送上述離線店鋪的相關內容。
如請求項12所述之電腦裝置，其中， <br/> 上述至少一個處理器執行如下工作：<br/> 基於支付歷史記錄選定由能夠訪問上述離線店鋪的一個以上候選用戶組成的候選用戶池，<br/> 將上述候選用戶池包括的使用者數量用作上述目標物件預測規模來顯示。
如請求項14所述之電腦裝置，其中，上述至少一個處理器執行如下工作： <br/> 利用使用者以離線店鋪為物件實現的支付資料對上述使用者的至少一個主要支付位置進行分析；以及<br/> 基於上述主要支付位置判斷上述離線店鋪的訪問可能性來將上述用戶選定為上述候選用戶。
如請求項14所述之電腦裝置，其中，上述至少一個處理器執行如下工作：基於離線店鋪的位置捆綁一個以上離線店鋪並以捆綁的離線店鋪為物件選定上述候選使用者池。
如請求項14所述之電腦裝置，其中，上述至少一個處理器執行如下工作： <br/> 透過上述服務請求畫面將上述管理人員輸入的資訊註冊為上述離線店鋪的內容；以及<br/> 在上述候選用戶池包括的候選用戶中定位至少一個目標使用者並向上述目標使用者發送包括上述內容的消息。
如請求項17所述之電腦裝置，其中，上述至少一個處理器執行如下工作：基於上述候選使用者的支付歷史記錄將上述候選使用者選定為上述離線店鋪的內容接收物件。
如請求項17所述之電腦裝置，其中，上述至少一個處理器執行如下工作： <br/> 利用上述候選使用者的支付歷史記錄分別計算上述候選使用者對上述離線店鋪的訪問可能性分數；以及<br/> 基於上述訪問可能性分數將上述候選使用者選定為上述離線店鋪的內容接收物件。
一種噴墨晶片結構，包含：<br/> 一基板層；<br/> 一加熱電阻器，設於該基板層上，加熱墨水，該加熱電阻器包含：<br/> 一加熱電阻層；<br/> 一第一氧化層，配置於該基板層上，且該第一氧化層上設有該加熱電阻層；<br/> 一導電層，係與該加熱電阻層水平設置在該第一氧化層上且彼此相接； 以及<br/> 一介電層，部分覆蓋該第一氧化層，且將該加熱電阻層包覆於其中；<br/> 複數個連接層，設在該導電層上且彼此相電性連接；以及 <br/> n層保護層，覆蓋於該加熱電阻器及該介電層上，並開設有一凹陷結構，其中，該n層保護層更包含一第一保護層，直接設置於該加熱電阻器上，該第一保護層為絕緣材料，且該第一保護層之材料不同於其餘的n-1層保護層，該n層保護層進一步具有一第二保護層以及一第三保護層，該第一保護層、該第二保護層及該第三保護層由下往上依序堆疊，該凹陷結構貫穿該第三保護層及該第二保護層並形成在該第一保護層上，且隔著該第一保護層及該介電層而位在該加熱電阻層上方，該凹陷結構的高度，則由該保護層上端之一第一表面，與該介電層上所配置的該第一保護層之一第二表面所定義。
如請求項1所述之噴墨晶片結構，其中該加熱電阻器更包含：<br/> 一控制層，部分覆蓋於該介電層之上，該控制層接收信號端的控制信號，並與該導電層和該複數個連接層電性連接；<br/> 其中，該加熱電阻層被配置於該第一氧化層上，該加熱電阻層鄰近接觸該導電層且位於相同的水平位置，並覆蓋於該第一氧化層的部份表面上。
如請求項1所述之噴墨晶片結構，其中該第一保護層之絕緣材料選自碳化矽、氮化矽，或以上之任意組合。
如請求項2所述之噴墨晶片結構，其中信號端為一內部信號端，而該內部信號端為一控制電晶體，電性連接該控制層。
如請求項4所述之噴墨晶片結構，其中該複數個連接層，配置於該導電層、該控制電晶體之上，並與該控制層電性相連。
如請求項4所述之噴墨晶片結構，其中該控制電晶體為一金氧半場效電晶體(MOSFET)。
如請求項6所述之噴墨晶片結構，其中該金氧半場效電晶體更包含：一源極、一汲極，以及一閘極；其中，該源極、該汲極設置於該基板層中，該閘極則設於該基板層上，控制該源極與該汲極之啟閉，使該金氧半場效電晶體得以運作。
如請求項4所述之噴墨晶片結構，其中該控制層的材料選自鋁銅合金(AlCu)或金(Au)。
如請求項1所述之噴墨晶片結構，其中該噴墨晶片結構所能列印的解析度範圍介於150DPI-48000DPI之間。
如請求項2所述之噴墨晶片結構，其中該加熱電阻層之材料選自多晶矽材料(Polycrystalline Silicon)、鋁化鉭(TaAl)、鉭(Ta)、氮化鉭(TaN)、二矽化鉭(Si<sub>2</sub>Ta)、碳(C)、碳化矽(SiC)、氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、硫化鎘(CdS)、二硼化鉿(HfB<sub>2</sub>)、鈦鎢合金(TiW)、氮化鈦(TiN)其中之一。
如請求項1所述之噴墨晶片結構，其中該第二保護層之材料選自二氧化矽(SiO<sub>2</sub>)、二氧化鈦(TiO<sub>2</sub>)、二氧化鉿(HfO<sub>2</sub>)、二氧化鋯(ZrO<sub>2</sub>)、五氧化二鉭(Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>)、七氧化二錸(Re<sub>2</sub>O<sub>7</sub>)、五氧化二鈮(Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>)、五氧化二鈾(U<sub>2</sub>O<sub>5</sub>)、三氧化鎢(WO<sub>3</sub>)、氮氧化矽(Si<sub>4</sub>O<sub>5</sub>N<sub>3</sub>)其中之一，或以上之任意組合。
如請求項1所述之噴墨晶片結構，其中該第三保護層之材料為一金屬材料，該金屬材料選自鉭(Ta)、氮化鉭(TaN)、氮化鈦(TiN)、氮化鎢(TiW)其中之一，或以上的任意組合。
一種控制方法，應用於一充放電電路，並轉換複數個電池所提供的一直流電，該充放電電路包含複數個交流/直流電路板模組、一人機介面板模組、複數個第一直流/直流轉換電路板模組及複數個放電負載，每一該第一直流/直流轉換電路板模組連接於對應的該交流/直流電路板模組及對應的該電池之間，每一該放電負載連接於對應的該交流/直流電路板模組及對應的該第一直流/直流轉換電路板模組之間的連接線，其中該控制方法包含：<br/> (a) 設置一分電板，將一外部纜線的一交流電分流為複數個子交流電以分別提供給對應的該交流/直流電路板模組；<br/> (b) 使用者藉由該人機介面板模組控制被選擇的該第一直流/直流轉換電路板模組，以轉換對應的該電池所提供的該直流電為一第一直流電；<br/> (c) 使用者藉由該人機介面板模組控制被選擇的該第一直流/直流轉換電路板模組與對應的該電池進行通訊，以確認彼此的放電狀態；<br/> (d) 確認該電池的電壓是否位於一電壓範圍內；<br/> (e) 當該步驟(d)的確認結果為否時，反饋異常的結果至該人機介面板模組；<br/> (f) 當該步驟(d)的確認結果為是時，被選擇的該第一直流/直流轉換電路板模組持續轉換該電池所提供的該直流電為該第一直流電；<br/> (g) 確認該第一直流/直流轉換電路板模組所轉換的該第一直流電是否位於該電壓範圍內；<br/> (h) 當該步驟(g)的確認結果為是時，確認該第一直流/直流轉換電路板模組是否有對該複數個電池中的其他電池進行充電；<br/> (i) 當該步驟(h)的確認結果為否時，控制該放電負載為開啟，以使該第一直流/直流轉換電路板模組所轉換的該第一直流電持續放電至該放電負載；<br/> (j) 確認該電池的電壓是否達到一放電電壓；<br/> (k) 當該步驟(j)的確認結果為否時，確認被選擇的該第一直流/直流轉換電路板模組是否接收到使用者藉由該人機介面板模組所傳送的一關閉訊號；以及<br/> (l) 當該步驟(k)的確認結果為是時，關閉該第一直流/直流轉換電路板模組的輸出功率。
如請求項1所述的控制方法，其中該步驟(a)前更包含，對該充放電電路所接收的該直流電、該人機介面板模組及該第一直流/直流轉換電路板模組進行初始化。
如請求項1所述的控制方法，其中該步驟(e)執行完後重新執行該步驟(b)，該步驟(g)的確認結果為否時重新執行該步驟(e)，該步驟(h)的確認結果為是時執行該步驟(j)，該步驟(j)的確認結果為是時執行該步驟(l)，該步驟(k)的確認結果為否時重新執行該步驟(g)，該步驟(l)執行完後重新執行該步驟(b)。
如請求項1所述的控制方法，其中該步驟(b)中，該第一直流電為供電電能，以對對應的該電池進行充電，且該控制方法更包含：<br/> (m) 確認每一該交流/直流電路板模組所提供的該第一直流電是否位於該電壓範圍內；<br/> (n) 當該步驟(m)的確認結果為否時，反饋該第一直流電為異常的結果至該人機介面板模組；<br/> (o) 當該步驟(m)的確認結果為是時，使用者藉由該人機介面板模組控制對應的該第一直流/直流轉換電路板模組與對應的該電池進行通訊，以確認彼此的充電狀態；<br/> (p) 確認該電池是否為異常；<br/> (q) 當該步驟(q)的確認結果為是時，反饋該電池為異常的結果至該人機介面板模組；<br/> (r) 當該步驟(q)的確認結果為否時，對應的該第一直流/直流轉換電路板模組以恆流或恆壓的方式供電給對應的該電池；<br/> (s) 反饋對應的該第一直流/直流轉換電路板模組的充電狀態至該人機介面板模組；<br/> (t) 確認該電池是否達到一充電閾值；<br/> (u) 當該步驟(t)的確認結果為否時，確認對應的該交流/直流電路板模組是否接收到使用者藉由該人機介面板模組所指示的該關閉訊號；以及<br/> (v) 當該步驟(u)的確認結果為是時，關閉對應的該第一直流/直流轉換電路板模組的輸出功率。
一種充放電電路，用以進行電能轉換，其中該充放電電路係利用上述請求項1進行運作。
如請求項5所述的充放電電路，其中每一該交流/直流電路板模組連接於該分電板及對應的該第一直流/直流轉換電路板模組之間，用以將對應的該子交流電轉換為直流電能以提供至對應的該第一直流/直流轉換電路板模組。
如請求項5所述的充放電電路，其中該充放電電路包含複數個二極體，每一該二極體的陽極連接於對應的該交流/直流電路板模組及對應的該第一直流/直流轉換電路板模組之間的導線，每一該二極體的陰極連接於一控制電路板模組。
如請求項5所述的充放電電路，其中該充放電電路包含一小電力板模組及複數個第二直流/直流轉換電路板模組，該小電力板模組接收並轉換該交流電為一第二直流電，每一該第二直流/直流轉換電路板模組的一端連接於該小電力板模組該人機介面板模組，每一該第二直流/直流轉換電路板模組的另一端連接於對應的兩個該電池，用以將該第二直流電與該電池的電能進行轉換。
如請求項5所述的充放電電路，其中所有該交流/直流電路板模組的輸出端及所有該第一直流/直流轉換電路板模組的輸出端透過通訊線路相連接。
一種雷射分裂一結構之方法，該方法包含：<br/>接收該結構，其中該結構包含：<br/>第一層，其中該第一層之特徵在於第一雷射剝蝕臨限；<br/>第二層，其中該第二層之特徵在於小於該第一雷射剝蝕臨限之第二雷射剝蝕臨限；及<br/>第三層，其中該第二層位於該第一層與該第三層之間，該第三層包含半導體電路且直接與該第二層接觸；以及<br/>藉由至少部分地將雷射施加至該第二層來分裂材料結構。
如請求項1之方法，其中該第三層之特徵在於大於該第二雷射剝蝕臨限之第三雷射剝蝕臨限。
如請求項1之方法，其中：<br/>該第一層之特徵在於第一摻雜位準；且<br/>該第二層之特徵在於大於該第一摻雜位準之第二摻雜位準。
如請求項1之方法，其中：<br/>該第一層之特徵在於第一帶隙；且<br/>該第二層之特徵在於窄於該第一帶隙之第二帶隙。
如請求項1之方法，其包含形成該第二層，其中該形成該第二層包含實施離子植入。
如請求項1之方法，其包含形成該第二層，其中該形成該第二層包含生長該第二層。
如請求項1之方法，其中該分裂該材料結構包含在將該雷射施加至該第二層之後實施分裂活化。
如請求項1之方法，其中該將該雷射施加至該第二層包含：<br/>將該雷射聚焦於該第二層上；及<br/>使該雷射穿過該第一層及/或該第三層而透射至該第二層。
如請求項1之方法，其中該材料結構包含半導體晶圓。
一種形成雷射可分裂結構之方法，材料結構包含：第一層，其特徵在於第一雷射剝蝕臨限；第二層，其特徵在於第二雷射剝蝕臨限；及第三層，其特徵在於第三雷射剝蝕臨限，該第三層包含半導體電路且直接與該第二層接觸，該方法包含：<br/>接收輸入結構，其中該輸入結構包含該第一層之至少一部分；以及<br/>形成該第二層，其中該第二層之特徵在於小於該第一雷射剝蝕臨限之第二雷射剝蝕臨限，且該第二層位於該第一層與該第三層之間。
如請求項10之方法，其中該第二雷射剝蝕臨限小於該第三雷射剝蝕臨限。
如請求項10之方法，其中該形成該第二層包含利用離子植入以增加該第二層之光吸收特徵。
如請求項10之方法，其中該形成該第二層包含在該第一層上生長該第二層。
如請求項13之方法，其中該在該第一層上生長該第二層包含使該第二層生長為具有比該第一層更高之摻雜位準。
如請求項13之方法，其中該在該第一層上生長該第二層包含使該第二層生長為具有比該第一層更窄之帶隙。
如請求項10之方法，其中該輸入結構包含半導體晶圓。
如請求項10之方法，其中：<br/>該第一層包含塊體半導體材料。
如請求項10之方法，其包含藉由在該第二層上生長該第三層之至少一部分而在該第二層上形成該第三層。
一種用於雷射分裂之結構，該結構包含：<br/>第一層，其中該第一層之特徵在於第一雷射剝蝕臨限；<br/>第二層，其中該第二層之特徵在於小於該第一雷射剝蝕臨限之第二雷射剝蝕臨限；及<br/>第三層，其中該第三層之特徵在於大於該第二雷射剝蝕臨限之第三雷射剝蝕臨限，且該第二層位於該第一層與該第三層之間，該第三層包含半導體電路且直接與該第二層接觸。
如請求項19的用於雷射分裂之結構，其中：<br/>該第一層之特徵在於第一摻雜位準；且<br/>該第二層之特徵在於大於該第一摻雜位準之第二摻雜位準。
如請求項19的用於雷射分裂之結構，其中：<br/>該第一層之特徵在於第一帶隙；且<br/>該第二層之特徵在於窄於該第一帶隙之第二帶隙。
一種自動倉庫系統，包括：多個物品搬送台車；保管貨架，包括相對於設置面的高度水準不同的多段保管架；及水平移動路，以所述物品搬送台車能夠行駛的方式構成，且以能夠進接至所述保管架的各者的方式設置，所述自動倉庫系統的特徵在於： <br/>所述保管架包括以小於所述物品搬送台車的高度的層板間隔配置者， <br/>所述水平移動路包括在所述保管貨架的一側及另一側以大於所述物品搬送台車的高度的間隔沿著高度方向並列設置、且在所述保管貨架的一側與另一側沿著高度方向高度不同地配置者。
如請求項1所述的自動倉庫系統，包括：升降移動路，使所述物品搬送台車能夠進入高度水準不同的水平移動路， <br/>所述物品搬送台車包括升降移動機構，所述升降移動機構是用以使所述物品搬送台車沿著所述升降移動路升降而升降移動。
如請求項1所述的自動倉庫系統，其中所述保管架包括以能夠僅自設置於所述保管貨架的一側的水平移動路及設置於所述保管貨架的另一側的水平移動路的任一者進接的方式構成者。
一種退倉商品處理方法， <br/>在計算裝置中執行，其包括如下步驟： <br/>獲取與待處理搬運袋（tote）對應的退倉商品資訊； <br/>獲取與揀選到該待處理搬運袋內的至少一個物品對應的待處理商品資訊； <br/>比較該退倉商品資訊和該待處理商品資訊；以及 <br/>基於該比較結果，確定是否生成與該退倉商品資訊對應的貨運單； <br/>其中確定是否生成該貨運單的步驟包括如下步驟： <br/>確認該退倉商品資訊中是否包含限制條件；以及 <br/>若該退倉商品資訊中不包含該限制條件則確定生成該貨運單，及若該退倉商品資訊中包含該限制條件則確定暫不生成該貨運單。
如請求項1所述之退倉商品處理方法，其中， <br/>獲取該退倉商品資訊的步驟包括如下步驟： <br/>獲取該待處理搬運袋的識別資訊；以及 <br/>使用該待處理搬運袋的識別資訊生成該退倉商品資訊。
如請求項2所述之退倉商品處理方法，其中， <br/>獲取該待處理搬運袋的識別資訊的步驟包括如下步驟： <br/>獲取第一搬運袋的第一識別資訊；以及 <br/>獲取與該第一搬運袋不同的第二搬運袋的第二識別資訊， <br/>該第一搬運袋和該第二搬運袋構成一個包裝單位。
如請求項1所述之退倉商品處理方法，其中， <br/>獲取該待處理商品資訊的步驟包括如下步驟： <br/>獲取實際揀選到該待處理搬運袋內的至少一個物品中每一個的識別資訊； <br/>使用該至少一個物品中每一個的識別資訊生成該待處理商品資訊。
如請求項1所述之退倉商品處理方法，其中， <br/>該比較的步驟包括如下步驟： <br/>判斷該退倉商品資訊對應的商品識別碼和商品數量與該待處理商品資訊對應的商品識別碼和商品數量是否一致。
如請求項1所述之退倉商品處理方法，其中， <br/>確定是否生成該貨運單的步驟包括如下步驟： <br/>若該比較結果為該退倉商品資訊和該待處理商品資訊對應，則確定生成該貨運單， <br/>若該比較結果為該退倉商品資訊和該待處理商品資訊不對應，則確定暫不生成該貨運單。
如請求項6所述之退倉商品處理方法，其中， <br/>確定是否生成該貨運單的步驟包括如下步驟： <br/>若該比較結果為該退倉商品資訊和該待處理商品資訊對應，則使用該退倉商品資訊提取用於生成該貨運單的必要資訊； <br/>判斷該必要資訊的有效性； <br/>若判斷該必要資訊有效則確定生成該貨運單，若判斷該必要資訊無效則確定暫不生成該貨運單。
如請求項7所述之退倉商品處理方法，其中， <br/>確定是否生成該貨運單的步驟包括如下步驟： <br/>若判斷該必要資訊無效，則判斷是否可以更正該必要資訊；以及 <br/>若判斷可以更正該必要資訊則確定生成該貨運單，若判斷不可以更正該必要資訊則確定暫不生成該貨運單。
如請求項6所述之退倉商品處理方法，其中， <br/>還包括如下步驟：回應于確定暫不生成該貨運單，傳送與該確定相關的退倉錯誤資訊。
如請求項9所述之退倉商品處理方法，其中， <br/>該退倉錯誤資訊包括表示錯誤原因的問題類型資訊。
一種計算裝置，包括： <br/>處理器；以及 <br/>記憶體，存儲有指令（instruction）， <br/>當該指令被該處理器執行時，使該處理器執行如下操作： <br/>獲取與待處理搬運袋（tote）對應的退倉商品資訊； <br/>獲取與揀選到該待處理搬運袋內的至少一個物品對應的待處理商品資訊； <br/>比較該退倉商品資訊和該待處理商品資訊；以及 <br/>基於該比較結果，確定是否生成與該退倉商品資訊對應的貨運單； <br/>其中確定是否生成該貨運單的操作包括如下操作： <br/>確認該退倉商品資訊中是否包含限制條件；以及 <br/>若該退倉商品資訊中不包含該限制條件則確定生成該貨運單，及若該退倉商品資訊中包含該限制條件則確定暫不生成該貨運單。
如請求項11所述之計算裝置，其中， <br/>確定是否生成該貨運單的操作包括如下操作： <br/>若該比較結果為該退倉商品資訊和該待處理商品資訊對應，則確定生成該貨運單， <br/>若該比較結果為該退倉商品資訊和該待處理商品資訊不對應，則確定暫不生成該貨運單。
如請求項12所述之計算裝置，其中， <br/>確定是否生成該貨運單的操作包括如下操作： <br/>若該比較結果為該退倉商品資訊和該待處理商品資訊對應，則使用該退倉商品資訊提取用於生成該貨運單的必要資訊； <br/>判斷該必要資訊的有效性； <br/>若判斷該必要資訊有效則確定生成該貨運單，若判斷該必要資訊無效則確定暫不生成該貨運單。
如請求項13所述之計算裝置，其中， <br/>確定是否生成該貨運單的操作包括如下操作： <br/>若判斷該必要資訊無效，則判斷是否可以更正該必要資訊；以及 <br/>若判斷可以更正該必要資訊則確定生成該貨運單，若判斷不可以更正該必要資訊則確定暫不生成該貨運單。
一種山奈酚類似物或其糖苷之用途，其係用以製造促進ATP產生之組成物，其中，該山奈酚類似物或其糖苷選自由以下各項組成之群組：<figure><img align="absmiddle" height="797px" width="309px" file="d10016.TIF" alt="化學式ed10016.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10016.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="705px" width="275px" file="d10017.TIF" alt="化學式ed10017.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10017.png"/></figure>及該等的糖苷。
如申請專利範圍第1項所述之用途，其中，該山奈酚類似物的糖苷，係在該山奈酚類似物的至少一個以上的羥基上，具有1個以上的糖殘基；該糖殘基係選自葡萄糖殘基、甘露糖殘基、半乳糖殘基、岩藻糖殘基、鼠李糖殘基、阿拉伯糖殘基、木糖殘基、果糖殘基、葡萄糖醛酸殘基、或芹菜糖殘基。
如申請專利範圍第1項所述之用途，其中，該山奈酚類似物或其糖苷為山奈酚或山奈酚-3-O-葡萄糖苷。
如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之用途，其中，在該組成物中含有以山奈酚類似物換算值計為0.1mg至200mg的該山奈酚類似物或其糖苷。
如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之用途，其中，在該組成物中含有以山奈酚類似物換算值計為0.5mg至100mg的該山奈酚類似物或其糖苷。
如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之用途，其中，每次給藥以山奈酚類似物換算值計為0.1mg至200mg的該山奈酚類似物或其糖苷。
如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之用途，其中，每次給藥以山奈酚類似物換算值計為0.5mg至100mg的該山奈酚類似物或其糖苷。
如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之用途，其中，每天給藥以山奈酚類似物換算值計為0.1mg至600mg的該山奈酚類似物或其糖苷。
如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之用途，其中，每天給藥以山奈酚類似物換算值計為0.5mg至200mg的該山奈酚類似物或其糖苷。
如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之用途，其中，該組成物係對作為低氧狀態的物件給藥。
如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之用途，其中，該組成物係飲食品。
如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之用途，其中，該組成物係醫藥組成物。
一種加密方法，包括：<br/> 檢測到應用程式向加密目錄下寫檔案時，獲取該檔案並按照預先註冊的檔案路徑保存該檔案；<br/> 對該檔案進行識別，獲得該檔案中的滿足加密條件的明文數據；<br/> 在可信執行環境中採用該檔案路徑對應的工作密鑰，對該明文數據進行加密，獲得目標密文；<br/> 採用該目標密文替換該檔案中的該明文數據，獲得目標加密檔案；<br/> 其中，將目標密文以及目標密文相應的加密標識替換檔案中的明文數據，得到目標加密檔案；加密標識爲對本地節點的名稱、本地節點的網路協議位址以及時間訊息作雜湊處理，得到的雜湊值。
如請求項1所述的加密方法，其中，該檢測到應用程式向加密目錄下寫檔案時，獲取該檔案並按照預先註冊的檔案路徑保存該檔案之前，還包括：<br/> 接收目錄註冊命令後，在該可信執行環境中生成該檔案路徑對應的工作密鑰；<br/> 在該可信執行環境中，採用保護密鑰對該工作密鑰進行加密，並將加密後的該工作密鑰保存在本地節點。
如請求項2所述的加密方法，其中，還包括：<br/> 通過與管理節點之間建立加密傳輸通道，將本地節點的標識、該檔案路徑、加密後的該工作密鑰發送至該管理節點進行備份儲存，該本地節點的標識是基於本地節點的名稱、本地節點的網路協議位址和時間訊息確定的。
如請求項1所述的加密方法，其中，該採用該目標密文替換該檔案中的明文數據，獲得目標加密檔案之後，還包括：<br/> 通過虛擬檔案系統，以數據流的方式將該目標加密檔案傳遞至檔案系統。
如請求項4所述的加密方法，其中，還包括：<br/> 檢測到應用程式讀取該目標加密檔案時，基於該目標加密檔案中的加密標識，識別該目標加密檔案中的目標密文；<br/> 在可信執行環境中採用該檔案路徑對應的工作密鑰，對該目標密文進行解密，獲得該明文數據；<br/> 採用該明文數據替換該目標加密檔案中的目標密文，獲得該檔案。
如請求項5所述的加密方法，其中，還包括：<br/> 通過該虛擬檔案系統將該檔案傳遞至該檔案系統。
一種加密裝置，包括：<br/> 獲取模組，用於檢測到應用程式向加密目錄下寫檔案時，獲取該檔案並按照預先註冊的檔案路徑保存該檔案；<br/> 識別模組，用於對該檔案進行識別，獲得該檔案中的滿足加密條件的明文數據；<br/> 加密模組，用於在可信執行環境中採用該檔案路徑對應的工作密鑰，對該明文數據進行加密，獲得目標密文；<br/> 替換模組，用於採用該目標密文替換該檔案中的明文數據，獲得目標加密檔案；<br/> 其中，將目標密文以及目標密文相應的加密標識替換檔案中的明文數據，得到目標加密檔案；加密標識爲對本地節點的名稱、本地節點的網路協議位址以及時間訊息作雜湊處理，得到的雜湊值。
一種電腦設備，包括儲存器、處理器及儲存在儲存器上並可在處理器上運行的電腦程式，其中，該處理器執行該程式時實現請求項1至6中任一項所述的加密方法的步驟。
一種電腦可讀儲存介質，其中，儲存有可由電腦設備執行的電腦程式，當該程式在電腦設備上運行時，使得該電腦設備執行請求項1至6中任一項所述的加密方法的步驟。
一種電腦程式産品，其中，該電腦程式産品儲存有電腦程式，該電腦程式包括程式指令，當該程式指令被電腦執行時，使該電腦執行如請求項1至6中任一項所述的加密方法的步驟。
一種具有高共模雜訊抑制的電流隔離積體電路(IC)封裝，所述IC封裝包含： <br/>基板； <br/>第一半導體晶粒和第二半導體晶粒，其設置在所述基板上； <br/>成型材料，其配置成覆蓋所述基板的一部分並且形成封裝體； <br/>輸入線圈，其設置在所述封裝體內； <br/>輸出線圈，其設置在所述封裝體內； <br/>其中所述輸入線圈和所述輸出線圈係配置成變壓器並且分別連接到所述第一半導體晶粒和所述第二半導體晶粒； <br/>與所述輸出線圈並聯耦接的電阻網路；以及 <br/>感測線圈，其配置成與所述輸出線圈並聯，其中所述感測線圈係配置成與所述輸出線圈磁耦合；以及 <br/>其中所述感測線圈係配置成響應於由於電容耦合而在所述輸入線圈和所述輸出線圈之間產生電流的共模瞬態事件，調節在所述感測線圈中流動的電流，從而減少由於所述共模瞬態事件在所述電阻網路中產生的電流。
如請求項1的IC封裝，其中所述輸出線圈包含第一部分和第二部分。
如請求項2的IC封裝，其中所述感測線圈包含串聯且配置成與所述輸出線圈的所述第一部分和所述第二部分並聯的第一部分和第二部分。
如請求項1的IC封裝，其中所述電阻網路包含串聯連接的第一電阻器和第二電阻器。
如請求項1的IC封裝，其中所述第一半導體晶粒和/或所述第二半導體晶粒包含積體電路。
如請求項5的IC封裝，其中所述積體電路包含閘極驅動器電路。
如請求項5的IC封裝，其中所述積體電路包含控制器電路。
如請求項5的IC封裝，其中所述閘極驅動器電路包含電力開關。
如請求項8的IC封裝，其中所述電力開關係配置成控制半導體電力元件。
如請求項9的IC封裝，其中所述半導體電力元件包含金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)、絕緣閘極雙極性電晶體(IGBT)、碳化矽FET(SiC FET)、氮化鎵FET(GaN FET)或高電子遷移率電晶體(HEMT)。
如請求項1的IC封裝，其中所述基板包含引線框架，所述引線框架具有配置成用以分別容納所述第一半導體晶粒和所述第二半導體晶粒的第一引線框架部分和第二引線框架部分。
如請求項1的IC封裝，其中所述基板包含印刷電路板(PCB)。
如請求項12的IC封裝，其中所述PCB包含FR-4。
如請求項1的IC封裝，其中所述基板包含氧化鋁。
一種製造電流隔離的積體電路封裝的方法，所述方法包含： <br/>提供支撐第一半導體晶粒和第二半導體晶粒的基板； <br/>在變壓器配置中提供輸入線圈和輸出線圈，其中所述輸入線圈和所述輸出線圈分別連接到所述第一半導體晶粒和所述第二半導體晶粒； <br/>提供與所述輸出線圈並聯耦接的電阻網路； <br/>提供與所述輸出線圈相鄰的感測線圈，其中所述感測線圈係配置成響應於由於電容耦合而在所述輸入線圈和所述輸出線圈之間產生電流的共模瞬態事件，調節在所述感測線圈中流動的電流，從而減少由於所述共模瞬態事件在所述電阻網路中產生的電流；以及 <br/>以形成封裝體的成型材料覆蓋所述第一半導體晶粒和所述第二半導體晶粒、所述輸入線圈和所述輸出線圈以及所述感測線圈。
如請求項15的方法，其中所述輸出線圈包含第一部分和第二部分。
如請求項16的方法，其中所述感測線圈包含串聯且配置成與所述輸出線圈的所述第一部分和所述第二部分並聯的第一部分和第二部分。
如請求項15的方法，其中所述電阻網路包含串聯連接的第一電阻器和第二電阻器。
如請求項15的方法，還包含將所述輸出線圈連接到資料接收器以控制固態開關。
如請求項15的方法，其中所述第一半導體晶粒和/或所述第二半導體晶粒包含積體電路。
如請求項20的方法，其中所述積體電路包含閘極驅動器。
如請求項20的方法，其中所述積體電路包含控制器電路。
如請求項21的方法，其中所述閘極驅動器電路包含電力開關。
如請求項23的方法，其中所述電力開關係配置成控制半導體電力元件。
如請求項24的方法，其中所述半導體電力元件包含金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)、氮化鎵(GaN)FET、碳化矽(SiC)FET、絕緣閘極雙極性電晶體(IGBT)或高電子遷移率電晶體(HEMT)。
如請求項15的方法，其中所述基板包含引線框架，所述引線框架具有配置成用以分別容納所述第一半導體晶粒和所述第二半導體晶粒的第一引線框架部分和第二引線框架部分。
如請求項15的方法，其中所述基板包含印刷電路板(PCB)。
如請求項27的方法，其中所述PCB包含FR-4。
如請求項15的方法，其中所述基板包含氧化鋁。
一種半導體裝置，包括：<br/> 一記憶體陣列，包括一第一記憶體單元及一第二記憶體單元，該第二記憶體單元具有與該第一記憶體單元的一操作特性不同的一操作特性；<br/> 一第一寫入電路，用以將第一資料寫入該第一記憶體單元，其中該第一寫入電路用以在一第一電壓下操作以將該第一資料寫入該第一記憶體單元；<br/> 一第二寫入電路，用以將第二資料寫入該第二記憶體單元，其中該第二寫入電路選擇性地用以補償該第二記憶體單元的該操作特性，其中該第二寫入電路用以在一第二電壓下操作以將該第二資料寫入該第二記憶體單元；及<br/> 一寫入輔助致能電路，用以使得該第二寫入電路使用該第二電壓選擇性地操作，其中該寫入輔助致能電路包括一鎖存器，該鎖存器用以選擇性地使得該第二寫入電路使用該第二電壓操作，其中該鎖存器使得該第二寫入電路基於該第二記憶體單元的一行位址而使用該第二電壓操作。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該第一記憶體單元及該第二記憶體單元各自包括該記憶體陣列中的各別位元單元。
如請求項1所述之半導體裝置，進一步包括：<br/> 一多工器電路，用以自該第二寫入電路接收一寫入訊號並將該寫入訊號提供給一第一行或一第二行中的一者，該第一行包括該第二記憶體單元。
如請求項1所述之半導體裝置，進一步包括儲存控制資料的一暫存器，該控制資料指示該第一寫入電路將在該第一電壓下操作且該第二寫入電路將在該第二電壓下操作。
如請求項1所述之半導體裝置，進一步包括：<br/> 一位址匹配電路，用以在接收到與該第二記憶體單元對應的一寫入位址時產生一寫入輔助致能訊號，其中該第二寫入電路用以基於該寫入輔助致能訊號來補償該第二記憶體單元的該操作特性。
一種記憶體電路，包括：<br/> 一寫入驅動器裝置，用以將輸入資料寫入一記憶體陣列的一第一行或一第二行中的一者，其中該第一行或該第二行係基於一行位址訊號而被選擇的；<br/> 一寫入輔助電路，用以使得該寫入驅動器裝置在一第一電壓或一第二電壓中的一者下選擇性地操作；及<br/> 一寫入輔助致能電路，用以基於該第一行或該第二行包括具有一缺陷的一記憶體單元的一指示、以及該行位址訊號與具有該缺陷的該記憶體單元的一行位址相匹配來激活該寫入輔助電路。
如請求項6所述之記憶體電路，進一步包括：<br/> 一多工器裝置，用以自該寫入驅動器裝置接收一寫入訊號並將該寫入訊號提供給該記憶體陣列的該第一行或該第二行中的一者。
如請求項6所述之記憶體電路，其中具有該缺陷的該記憶體單元經界定於該記憶體陣列的一第一列內，該記憶體電路進一步包括：<br/> 一列位址匹配電路，用以在偵測到一輸入列位址與該第一列的一位址之間的一匹配時產生一列致能訊號，該寫入輔助致能電路用以進一步基於該列致能訊號來激活該寫入輔助電路；以及<br/> 一多工器裝置，用以自該寫入驅動器裝置接收一寫入訊號並將該寫入訊號提供給該記憶體陣列的該第一行或該第二行中的一者。
一種操作記憶體的方法，包括以下步驟：<br/> 提供一記憶體陣列的一記憶體單元具有一預定操作特性的一指示；<br/> 偵測包含具有該預定操作特性的該記憶體單元的該記憶體陣列的一列或行的一寫入操作，其中響應於偵測包含具有該預定操作特性的該記憶體陣列的該行的該寫入操作，將該寫入操作的一輸入行位址與具有該預定操作特性的該記憶體單元的一行位址進行比較；及<br/> 在該寫入操作期間基於該記憶體單元具有該預定操作特性的該指示來選擇性地激活一寫入輔助電路以補償該記憶體單元的該預定操作特性。
如請求項9所述之方法，其中響應於偵測包含具有該預定操作特性的該記憶體陣列的該列的該寫入操作，將該寫入操作的一輸入列位址與具有該預定操作特性的該記憶體單元的一列位址進行比較。
一種用於夾持和/或制動裝置(10)的環形彈性元件(1a, 1b)，包含： <br/>一環形彈簧板(16)，該環形彈簧板(16)具有一第一環形側面(16c)及一第二環形側面(16d)； <br/>一第一密封元件(17)，該第一密封元件(17)設置在該環形彈簧板(16)的該第一環形側面(16c)上；及 <br/>一第二密封元件(15)，該第二密封元件(15)設置在該環形彈簧板(16)的該第二環形側面(16d)上，且該第二密封元件(15)在該環形彈簧板(16)的一內緣(16a)的區域形成一內突出部(15a)，並在該環形彈簧板(16)的一外緣(16b)的區域形成一外突出部(15b)； <br/>其特徵在於，該第一密封元件(17)形成一第一突出部(17a)。
如請求項1所述的環形彈性元件(1a, 1b)，其特徵在於，該第一突出部(17a)形成於該環形彈簧板(16)的該內緣和該外緣之間。
如請求項1所述的環形彈性元件(1a, 1b)，其特徵在於，該第一密封元件(17)進一步形成一第二突出部(17b)。
如請求項1所述的環形彈性元件(1a, 1b)，其特徵在於，該第一和/或該第二密封元件(15, 17)的每個突出部至少部分為環形。
如請求項1所述的環形彈性元件(1a, 1b)，其特徵在於，該第一密封元件(17)的該第一突出部(17a)和/或該第二突出部(17b)具有一至少部分圓形的表面。
如請求項1所述的環形彈性元件(1a, 1b)，其特徵在於，該第一密封元件(17)的該第一突出部(17a)的縱軸大致垂直於該環形彈簧板(16)的該第一環形側面(16c)。
如請求項1所述的環形彈性元件(1a, 1b)，其特徵在於，該第二密封元件(15)的該內突出部和/或該外突出部(15a, 15b)分別具有一至少部分為平面的表面。
如請求項1所述的環形彈性元件(1a, 1b)，其特徵在於，該第二密封元件(15)的該內突出部和/或該外突出部(15a, 15b)分別至少部分地形成一凸起(15c, 15d)。
如請求項8所述的環形彈性元件(1a, 1b)，其特徵在於，該第二密封元件(15)的該內突出部的該凸起(15c)向內徑向延伸，和/或該第二密封元件(15)的該外突出部的該凸起(15d)向外徑向延伸。
如請求項8或9所述的環形彈性元件(1a, 1b)，其特徵在於，該內突出部的該凸起(15c)相鄰或毗鄰於該內突出部的該平面表面(15e)，和/或該外突出部的該凸起(15d)相鄰或毗鄰於該外突出部的該平面表面(15f)。
如請求項1所述的環形彈性元件(1a, 1b)，其特徵在於，該環形彈性元件(1a, 1b)更包含一第一端口密封件(30)，該第一端口密封件(30)定義了該第一端口密封件(30)的一第一端口開口的一邊緣，該邊緣適用於密封該夾持和/或制動裝置(10)的一第一端口(I)，以向該夾持和/或制動裝置(10)的一第一壓力空間(4)施加一壓力介質。
如請求項1所述的環形彈性元件(1a, 1b)，其特徵在於，該環形彈性元件(1a, 1b)更包含一第二端口密封件(20)，該第二端口密封件(20)定義了該第二端口密封件(20)的一第二端口開口的一邊緣，該邊緣適用於密封該夾持和/或制動裝置(10)的一第二端口(II)，以向該夾持和/或制動裝置(10)的一第二壓力空間(2)施加一壓力介質。
一種用於夾持和/或制動裝置(10)的組件，包含： <br/>如請求項1所述的環形彈性元件(1a, 1b)；及 <br/>一殼體部分(3a, 3b)，該殼體部分(3a, 3b)具有用於夾持該環形彈性元件(1a, 1b)的一環形凹部(11)，並且該殼體部分(3a, 3b)具有由該凹部(11)定義的一內表面(105)； <br/>其中，當該彈性元件(1a, 1b)以該第一環形側面(16c)面向該內表面(105)夾持於該凹部(11)中時，該第一密封元件(17)的該第一突出部(17a)適用於與該殼體部分(3a, 3b)的該內表面(105)的一第一部分形成一接觸。
如請求項13所述的組件，其中該環形彈性元件(1a, 1b)可夾持在該殼體部分的一第一接觸表面(101)和一第二接觸表面(102)之間，且其中該內表面(105)的該第一部分位於該第一接觸表面(101)和該第二接觸表面(102)之間。
一種用於夾持和/或制動待夾持和/或制動的物體(5)的夾持和/或制動裝置(10)，包含： <br/>如請求項1所述的一環形彈性元件(1a)，其中該環形彈性元件(1a)係定義為一第一環形彈性元件； <br/>如請求項1所述的一環形彈性元件(1b)，其中該環形彈性元件(1b)係定義為一第二環形彈性元件； <br/>一殼體(3)，包含具有一內表面(105)的一第一殼體部分(3a)和具有一內表面(105)的第二殼體部分(3b)，該第一殼體部分(3a)及該第二殼體部分(3b)相對於彼此排列並且彼此固定，使得該些殼體部分(3a, 3b)的該內表面(105)共同限定了該殼體(3)內部的一內部空間； <br/>一個或多個夾持元件(8)，每個夾持元件具有一夾持表面(7)；及 <br/>一彈簧(1)，設置於該內部空間中，包含該第一環形彈性元件(1a)和該第二環形彈性元件(1b)，其中該些彈性元件設置於該內部空間中，使得在該些彈性元件(1a, 1b)和該殼體部分的該內表面(105)之間形成了一第一壓力空間(4)，該第一壓力空間(4)可通氣並且可以充入供應至該殼體的一壓力介質的超壓； <br/>其中該第一環形彈性元件(1a)以其一第一環形側面(16c)朝向該第一殼體部分(3a)的該內表面(105)被夾持在該內部空間中，並且其中該第二環形彈性元件(1b)以其一第一環形側面(16c)朝向該第二殼體部分(3b)的該內表面(105)被夾持在該內部空間中； <br/>其中該彈簧(1)的設計使得當透過對該第一壓力空間(4)進行通氣或排氣或將該第一壓力空間(4)充入超壓時，至少一個該些彈性元件(1a, 1b)的彈簧板(16)的彎曲是可變的，從而使得裝置(10)在一開啟狀態與一閉合狀態之間變化，在該開啟狀態中，該待夾持的物體(5)與一個或多個夾持表面(7)分開，在該閉合狀態中，一個或多個該夾持表面(7)向該物體(5)傳遞夾持和/或制動力；以及 <br/>其中至少一個該彈性元件(1a, 1b)的一第一密封元件(17)的一第一突出部(17a)適用於與該些殼體部分(3a, 3b)之一的該內表面(105)的一第一部分形成一接觸，以至少抑制該第一壓力空間(4)的區域與該些殼體部分(3a, 3b)之間的一過渡區之間的流動連接。
如請求項15所述的裝置(10)，其特徵在於，該接觸至少部分地密封防止一介質，該介質從該裝置通過該些殼體部分的該過渡區進入該殼體或該第一壓力空間(4)。
如請求項15或16所述的裝置(10)，其特徵在於，該第一壓力空間(4)的區域設置在該至少一個彈性元件的該第一密封元件(17)的該第一突出部(17a)與該至少一個彈性元件的該彈簧板(16)的一內緣或一外緣之間，或與該至少一個彈性元件的該第一密封元件(17)的一第二突出部(17b)之間。
如請求項15所述的裝置(10)，其特徵在於，該第一殼體部分被該第一環形彈性元件的一端口突出部(21)的一凹槽(22)形成凹陷，和/或該第二殼體部分被該第二環形彈性元件的一端口突出部(21)的一凹槽(22)形成凹陷。
如請求項15所述的夾持和/或制動裝置(10)，其中該第一環形彈性元件(1a)被夾持在該第一殼體部分的一第一接觸表面(101)和一第二接觸表面(102)之間，並且該內表面(105)的該第一部分位於該第一殼體部分的該第一接觸表面(101)和該第二接觸表面(102)之間。
如請求項19所述的夾持和/或制動裝置(10)，其特徵在於，該第一殼體部分的該第一接觸表面(101)形成一第一斜面(103)，並且該第一殼體部分的該第二接觸表面(102)形成一第二斜面(104)，其中該第一環形彈性元件的一第二密封元件(15)的一內突出部(15a)的一凸起(15c, 15d)接觸該第一殼體部分的該第二接觸表面(102)的該第二斜面，並且該第一環形彈性元件的該第二密封元件(15)的一外突出部(15b)的一凸起(15c, 15d)接觸該第一殼體部分的該第一接觸表面(101)的該第一斜面。
一種用於夾持和/或制動裝置(10)的殼體部分(3a, 3b)，包含： <br/>一環形凹部(11)，用於夾持如請求項1所述的環形彈性元件(1a, 1b)； <br/>其中該凹部(11)形成該殼體部分(3a, 3b)的一環形開口(12)的一第一環形邊緣(12a)和一第二環形邊緣(12b)； <br/>其中該環形凹部(11)定義了該殼體部分(3a, 3b)在該第一環形邊緣(12a)和該第二環形邊緣(12b)之間的一內表面(105)； <br/>其中該內表面(105)在該第一環形邊緣(12a)的區域形成一第一斜面(103)，並且該內表面(105)在該第二環形邊緣(12b)的區域形成一第二斜面(104)，其中該些斜面(103, 104)的方向使得該環形開口(12)向該第一和該第二環形邊緣(12a, 12b)擴大。
一種波紋管組件，包含：<br/> 一波紋管，包括一沿一軸線延伸的波紋段、一連接該波紋段其中一端的入口環，及一連接該波紋段其中另一端的出口環，該入口環具有一連接該波紋段的入口連接段，及一連接該入口連接段相反於該波紋段的一端的入口抵靠段，該入口抵靠段於徑向上朝外凸出於該入口連接段，且於內周緣內凹形成一環狀的入口嵌合槽，該出口環能沿該軸線的方向相對於該入口環移動，並連動該波紋段而改變該波紋管之長度，該波紋段沿該軸線之截面呈波浪曲線；及<br/> 一第一套管，沿該軸線延伸，該第一套管穿置於該波紋管且界定一不接觸該波紋管的流道空間，並包括一連接該入口環的第一連接端，該第一套管的外表面與該波紋段的內表面相隔一距離。
如請求項1所述的波紋管組件，還包含一第一止漏環，該第一止漏環包括一設置於該入口嵌合槽的第一環壁，該第一套管之該第一連接端穿設在該入口環且連接於該第一環壁靠近該波紋管之一端，使該第一套管與該第一止漏環結合為一件式。
如請求項2所述的波紋管組件，其中，該第一套管之內徑與該第一環壁之內徑無段差。
如請求項2所述的波紋管組件，還包含一環繞該第一環壁且抵靠在該入口抵靠段的第一墊圈，該第一止漏環還包括一形成於該第一環壁且供該第一墊圈設置的第一墊圈槽。
如請求項1所述的波紋管組件，其中，該出口環具有一連接該波紋段的出口連接段，及一連接該出口連接段相反於該波紋段的一端的出口抵靠段，該出口抵靠段於徑向上朝外凸出於該出口連接段，且於內周緣內凹形成一環狀的出口嵌合槽。
如請求項1所述的波紋管組件，其中，該第一套管沿該軸線延伸的長度大於該波紋管沿該軸線延伸的長度。
如請求項1所述的波紋管組件，其中，該第一套管沿該軸線延伸的長度不大於該波紋管沿該軸線延伸的長度。
如請求項1所述的波紋管組件，還包含一沿該軸線延伸且內徑大於該第一套管的第二套管，該第二套管穿置於該波紋管內且與該第一套管共同界定該流道空間，並包括一連接該出口環的第二連接端，及一相反於該第二連接端且位於該波紋段與該第一套管間的第二開放端，該第二套管的外表面與該波紋段的內表面相隔另一距離。
如請求項8所述的波紋管組件，其中，該第一套管與該第二套管為石英或金屬材料製成。
一種用於製造用於燃料電池的氣體擴散層的方法，所述燃料電池包括：A)面狀的能導電的纖維材料，B)在所述纖維材料的面中的至少一個面上可透過氣體和水的聚合物層，C)在至少一個可透過氣體和水的聚合物層上的微孔層，其中所述微孔層包含在由聚合物黏合劑構成的基質中的能傳導的顆粒，在所述方法中，i)提供面狀的能導電的纖維材料A)，ii)將在步驟i)中提供的纖維材料用覆層劑覆層，以構成可透過氣體和水的聚合物層，iii)使在步驟ii)中獲得的經覆層的纖維材料經受在提高的壓力和可選地提高的溫度中的後處理，和iv)採用用於構成微孔層的前體來對在步驟iii)中獲得的材料的聚合物層進行覆層，其中為了製造所述聚合物層B)，以如下的量塗覆覆層劑，使得按聚合物含量計，塗覆重量為2g/m<sup>2</sup>至15g/m<sup>2</sup>。
根據請求項1所述的方法，其中所述纖維材料A)選自碳纖維無紡布、碳纖維織物、碳纖維紙和其混合物。
根據請求項2所述的方法，其中所述纖維材料A)包括碳纖維無紡布或由碳纖維無紡布構成。
根據請求項1至3中任一項所述的方法，其中包含在所述纖維材料A)中的纖維包括碳纖維或者由碳纖維構成，將聚丙烯腈纖維用作為初始材料以製造所述碳纖維。
根據請求項1至3中任一項所述的方法，其中，按所述纖維材料A)的總重量計，所述纖維材料A)包含量在0重量%至0.00005重量%的範圍中的碳納米管。
根據請求項5所述的方法，其中按所述纖維材料A)的總重量計，所述纖維材料A)包含量在0重量%至0.00001重量%的範圍中的碳納米管。
根據請求項5所述的方法，其中按所述纖維材料A)的總重量計，所述纖維材料A)包含量為0重量%的碳納米管。
根據請求項1至3中任一項所述的方法，其中所述聚合物層B)部分地處於所述纖維材料A)之內並且部分地處於所述纖維材料A)之外。
根據請求項1至3中任一項所述的方法，其中為了製造所述聚合物層B)，以如下的量塗覆覆層劑，使得按聚合物含量計，塗覆重量為4g/m<sup>2</sup>至7g/m<sup>2</sup>。
根據請求項1至3中任一項所述的方法，其中按處於所述纖維材料A)之內和之外的份額計，所述聚合物層B)具有3μm至50μm的厚度。
根據請求項10所述的方法，其中按處於所述纖維材料A)之內和之外的份額計，所述聚合物層B)具有5μm至30μm的厚度。
根據請求項1至3中任一項所述的方法，其中所述聚合物層B)包括至少一種聚合物，該聚合物選自：含氟的聚合物b1)、無氟的耐高溫的聚合物b2)、與b1)和b2)不同的聚合物b3)和它們的混合物。
根據請求項1至3中任一項所述的方法，其中，按所述聚合物層B)的總重量計，所述聚合物層B)包含量在0重量%至0.00005重量%的範圍中的碳納米管、碳纖維和其混合物。
根據請求項13所述的方法，其中，按所述聚合物層B)的總重量計，所述聚合物層B)包含量在0至0.00001重量%的範圍中的碳納米管、碳纖維和其混合物。
根據請求項13所述的方法，其中，按所述聚合物層B)的總重量計，所述聚合物層B)包含量為0重量%的碳納米管、碳纖維和其混合物。
根據請求項1至3中任一項所述的方法，其中所述微孔層C)包括至少一種聚合物，該聚合物選自含氟的聚合物c1)、無氟的耐高溫的聚合物c2)、與c1)和c2)不同的聚合物c3)和它們的混合物。
根據請求項12所述的方法，其中所述含氟的聚合物選自聚四氟乙烯、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物、全氟烷氧基聚合物和它們的混合物。
根據請求項12所述的方法，其中所述無氟的耐高溫的聚合物選自選自聚芳醚酮、聚苯硫醚、聚碸、聚醚碸、部分芳族(共)聚醯胺、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚醯亞胺和它們的混合物。
根據請求項1至3中任一項所述的方法，其中在0.5MPa至10.0MPa的單位面積壓力和/或3N/mm至500N/mm的線壓力的情況下執行步驟iii)中的處理。
根據請求項19所述的方法，其中在1.5MPa至8.0MPa的單位面積壓力和/或5N/mm至100N/mm的線壓力的情況下執行步驟iii)中的處理。
根據請求項1至3中任一項所述的方法，其中在100℃至350℃的範圍的溫度中執行步驟iii)中的處理。
根據請求項21所述的方法，其中在120℃至330℃的範圍的溫度中執行步驟iii)中的處理。
根據請求項21所述的方法，其中在150℃至320℃的範圍的溫度中執行步驟iii)中的處理。
根據請求項1至3中任一項所述的方法，其中為了進行在步驟iii)中的處理使用如下設備，所述設備選自單層壓機、多層壓機、無窮帶式壓機、壓延機和其組合。
根據請求項24所述的方法，其中為了進行在步驟iii)中的處理使用如下設備，所述設備選自雙帶壓機、壓延機和其組合。
根據請求項1至3中任一項所述的方法，其中在壓延機中在3N/mm至500N/mm的範圍中的線壓力中進行步驟iii)中的處理。
根據請求項26所述的方法，其中在壓延機中在5N/mm至100N/mm的範圍中的線壓力中進行步驟iii)中的處理。
一種氣體擴散層，所述氣體擴散層可通過如在請求項1至27中任一項中限定的方法獲得。
一種用於燃料電池的氣體擴散層，包括：A)面狀的能導電的纖維材料，B)在所述纖維材料的面中的至少一個面上可透過氣體和水的聚合物層，C)在至少一個可透過氣體和水的聚合物層上的微孔層，其中所述微孔層包含在由聚合物黏合劑構成的基質中的能傳導的顆粒，其中所述氣體擴散層具有至多25%的短路數，借助於在基面為297×420mm、具有73g/m<sup>2</sup>的克重和23g/m<sup>2</sup>的MPL負荷的GDL處的穿刺測量來確定。
一種燃料電池，所述燃料電池包括如在請求項29中限定的氣體擴散層或可通過如在請求項1至27中任一項中限定的方法獲得的氣體擴散層。
根據請求項30所述的燃料電池，所述燃料電池呈質子交換膜燃料電池的形式，包括：-質子交換膜，所述質子交換膜在兩側用催化活性電極覆層，-在用催化劑覆層的膜的每側上的氣體擴散層，所述氣體擴散層的內側與所述催化活性電極接觸，-在用催化劑覆層的膜的每測上的電流分配板，所述電流分配板具有用於輸入反應物氣體和匯出電池反應的產物的通道，其中所述通道與所述氣體擴散層的外側接觸。
根據請求項30或31所述的燃料電池，包括至少一個質子交換膜，催化劑層施加到所述質子交換膜上，其中所述催化劑層與所述氣體擴散層的微孔層C)的表面接觸。
一種燃料電池堆，所述燃料電池堆包括多個如在請求項30至32中任一項中限定的燃料電池。
一種氣體擴散層的用途，所述氣體擴散層包括：A)面狀的能導電的纖維材料，B)在所述纖維材料的面中的至少一個面上可透過氣體和水的聚合物層，C)在至少一個可透過氣體和水的聚合物層上的微孔層，其中所述微孔層包含在由聚合物黏合劑構成的基質中的能傳導的顆粒，所述氣體擴散層在燃料電池中用於減小在運行中的失效概率，其中所述氣體擴散層可通過如在請求項1至27中任一項中限定的方法獲得。
根據請求項34所述的用途，其中所述氣體擴散層在燃料電池中用於減小燃料電池膜被穿刺的概率。
根據請求項34所述的用途，其中所述氣體擴散層在燃料電池中用於減小短路數。
一種飲料杯蓋構造，係在一杯體的開口端外緣設有外螺紋段，以對應鎖合一設有內螺紋段的杯蓋，所述杯體設有盛裝用的內部空間，並在所述內部空間設有一導斜部，所述導斜部延伸至所述杯體開口形成一平端邊，而所述杯蓋包含有上蓋及覆合在所述上蓋外部的旋蓋，該旋蓋可相對該上蓋旋動，其中：<br/>所述上蓋設有一可連通所述杯體內部空間的出水口，再於底面對應所述杯體開口處設有一擋環，所述擋環具有高度可對應嵌入所述杯體開口內，所述擋環對應所述平端邊處形成一抵掣段，所述抵掣段包含有一對應所述出水口的缺口，及位於所述缺口二側的第一卡掣端角及第二卡掣端角，且所述第一卡掣端角之高度高於所述第二卡掣端角之高度；<br/>當順時針旋轉所述杯蓋鎖蓋時，讓所述上蓋隨著所述旋蓋旋轉，使所述第二卡掣端角通過所述杯體開口之平端邊頂緣，而所述第一卡掣端角與所述杯體開口之平端邊接觸抵掣時，讓所述上蓋擋環陷入所述杯體開口內，且使所述抵掣段與所述平端邊相互對應，以卡定所述上蓋並讓所述出水口對應所述導斜部，再令所述旋蓋獨立旋轉鎖蓋者。
如請求項1所述之飲料杯蓋構造，其中所述上蓋周圍設有一限位擋塊及對位凸點，而所述旋蓋對應所述限位擋塊及所述對位凸點設有一卡凸塊。
如請求項2所述之飲料杯蓋構造，其中進一步在所述上蓋對應出水口的中央位置設有第一標示點，而在所述旋蓋周圍設有第二標示點，在所述第一標示點對應第二標示點時，其所述旋蓋之卡凸塊恰位於所述上蓋之限位擋塊的第一側。
如請求項1或3所述之飲料杯蓋構造，其中於所述上蓋出水口處樞設一掀蓋，所述掀蓋設有密合所述出水口的塞體。
如請求項4所述之飲料杯蓋構造，其中所述掀蓋包含有一旋動件及一滑動件，所述旋動件對應樞設於所述上蓋，並將密合所述出水口的塞體設置在所述旋動件上，而所述滑動件對應與所述旋動件呈相對滑移組設，並可與所述上蓋卡合或脫離。
一種電氣過載(EOS)監測或保護裝置，包含：<br/> 一基板，具有一水平主表面；以及<br/> 一第一導電結構，形成於一第一金屬化層中，及一第二導電結構，形成於一第二金屬化層中，該第一金屬化層及該第二金屬化層的每一者在該基板之上並且實質上平行於該水平主表面延伸，同時在與該水平主表面交叉之一垂直方向上分開，<br/> 其中該第一導電結構及該第二導電結構中之一者電連接至一第一電壓節點，並且該第一導電結構及該第二導電結構中之另一者電連接至一第二電壓節點，並且<br/> 其中該第一導電結構及該第二導電結構用作一或多個電弧形成電極對並且具有垂直重疊部分，該等垂直重疊部分經組態以回應於在該第一電壓節點與該第二電壓節點之間接收之一EOS電壓訊號而產生大致在該垂直方向上延伸之一或多個電弧放電，其中該第二導電結構僅在該第二導電結構的一邊緣或一隅角區上或在該第二導電結構的該邊緣或該隅角區附近，與該第一導電結構的一垂直投影部分地重疊。
如請求項1所述之EOS監測或保護裝置，進一步包含一第三導電結構，形成於一第三金屬化層中，該第三導電結構形成在該第一金屬化層及該第二金屬化層上方，並且經組態以用作電連接至該第一導電結構之該第一電壓節點。
如請求項2所述之EOS監測或保護裝置，進一步包含一第四導電結構，形成於一第四金屬化層中，該第四導電結構形成在該第一金屬化層及該第二金屬化層上方，並且經組態以用作電連接至該第二導電結構之該第二電壓節點。
如請求項3所述之EOS監測或保護裝置，其中該第三導電結構用作一接合墊，並且橫向覆蓋該第一導電結構、該第二導電結構及該第三導電結構中之每一者。
如請求項1所述之EOS監測或保護裝置，其中該第一導電結構及該第二導電結構被形成在該等重疊部分之間以用作一電弧形成介質的一金屬間介電層分開。
如請求項1所述之EOS監測或保護裝置，其中該第一導電結構及該第二導電結構中之一者或兩者包含一矩形環或墊。
如請求項1所述之EOS監測或保護裝置，其中該第一導電結構及該第二導電結構中之一者或兩者包含一圓形環或墊。
如請求項1所述之EOS監測或保護裝置，其中該第一導電結構及該第二導電結構中之一者包含在該第一導電結構及該第二導電結構中之另一者之上橫向延伸並與之重疊之另一隅角區。
如請求項1所述之EOS監測或保護裝置，其中該第一導電結構及該第二導電結構中之一者包含在該第一導電結構及該第二導電結構中之另一者之上橫向延伸並與之重疊之一矩形區。
一種電氣過載(EOS)監測或保護裝置，包含：<br/> 一基板，具有一水平主表面；<br/> 一第一導電結構，形成於一第一金屬化層中，及一第二導電結構，形成於一第二金屬化層中，該第一金屬化層及該第二金屬化層的每一者在該基板之上延伸並且彼此橫向重疊，同時在與該水平主表面交叉之一垂直方向上被形成在其間之一金屬間介電質分開；以及<br/> 一第三導電結構，形成於一第三金屬化層中，該第三金屬化層形成在該第一金屬化層及該第二金屬化層上方，並透過一或多個導通孔電連接至該第一導電結構，<br/> 其中該第三導電結構與該第二導電結構之間的一EOS電壓產生一電弧放電，該電弧放電在該第一導電結構及該第二導電結構之垂直重疊部分之間大致在該垂直方向上延伸，其中該第二導電結構僅在該第二導電結構的一邊緣或一隅角區上或在該第二導電結構的該邊緣或該隅角區附近，與該第一導電結構的一垂直投影部分地重疊。
如請求項10所述之EOS監測或保護裝置，其中該第一導電結構、該第二導電結構及該第三導電結構中之每一者皆被形成為複數個垂直分開之金屬化層中之一者之一部分，其中該等金屬化層中之相鄰金屬化層面被包括一通孔的一層間介電層垂直分開。
如請求項11所述之EOS監測或保護裝置，其中除了具有該第二導電結構之該第二金屬化層之外，該第一導電結構及該第三導電結構亦被該等金屬化層中之至少另一金屬化層垂直分開。
如請求項12所述之EOS監測或保護裝置，其中該等金屬化層中之該至少另一金屬化層包含電連接至該第二導電結構之一第四導電結構。
如請求項10所述之EOS監測或保護裝置，其中該一或多個導通孔包含通孔束。
一種電氣過載(EOS)監測或保護裝置，包含：<br/> 一基板，具有一水平主表面；<br/> 一第一導電結構，形成於一第一金屬化層中，及一第二導電層，形成於一第二金屬化層中，該第一金屬化層及該第二金屬化層的每一者在該基板之上延伸並且彼此橫向重疊，同時在與該水平主表面交叉之一垂直方向上被形成在其間之一金屬間介電質分開；以及<br/> 一第三導電結構，形成在該第一導電結構及該第二導電結構上方，並且經組態以接收相對於一電接地之一EOS電壓訊號，<br/> 其中該第一導電結構電連接至該第三導電結構，並且該第二導電結構電連接至該電接地，使得該EOS電壓訊號在該第一導電結構及該第二導電結構之垂直重疊部分之間大致在該垂直方向上在該第一導電結構與該第二導電結構之間產生電弧形成，其中該第二導電結構僅在該第二導電結構的一邊緣或一隅角區上或在該第二導電結構的該邊緣或該隅角區附近，與該第一導電結構的一垂直投影部分地重疊。
如請求項15所述之EOS監測或保護裝置，其中該第三導電結構具有較該第一導電結構及該第二導電結構中之每一者大並且與之完全重疊之一覆蓋區。
如請求項16所述之EOS監測或保護裝置，其中該第一導電結構及該第二導電結構中之一者具有較該第一導電結構及該第二導電結構中之另一者大並且與之完全重疊之一覆蓋區。
一種組裝裝置的輔助方法，利用一處理器來執行如下步驟，包括： <br/>接收回應於一第一說明的一第一提示詞； <br/>輸入該第一提示詞至一人工智慧模型，以自該人工智慧模型獲得一推薦清單，其中該推薦清單至少包括一產品項目，該產品項目包括分別對應至多個組件的多個規格資料； <br/>響應於該產品項目被選擇，基於該些規格資料獲得分別對應於該些組件的多個三維物件，並基於該些規格資料解析該些三維物件在一立體空間的一空間關係；以及 <br/>響應於一模擬組裝功能被致能，基於該些三維物件在該立體空間的該空間關係，組裝該些三維物件，並將該些三維物件的一組裝過程呈現至一顯示器上。
如請求項1所述的輔助方法，其中響應於該產品項目被選擇，更包括利用該處理器來執行如下步驟： <br/>接收對應於一使用者需求的一第二提示詞；以及 <br/>輸入該第二提示詞以及該產品項目至該人工智慧模型，以自該人工智慧模型獲得該產品項目的調整結果。
如請求項1所述的輔助方法，其中響應於該產品項目被選擇，更包括利用該處理器來執行如下步驟： <br/>在該顯示器中顯示分別與該些組件對應的多個選項； <br/>響應於該些選項中的一第一選項被選定，在該顯示器中顯示一布局圖，其中該第一選項對應至一第一組件，該第一組件具有一第一規格資料以及該布局圖，該第一組件為該些組件中的其中一者，該第一規格資料為該些規格資料中的其中一者； <br/>基於該第一規格資料，在該布局圖的多個位置處分別設定多個可選取功能；以及 <br/>響應於該些可選取功能中的一第一功能被致能，在該顯示器中顯示該第一功能對應的該些位置中的一第一位置的安裝說明。
如請求項3所述的輔助方法，其中響應於該些選項中的該第一選項被選定，更包括利用該處理器來執行如下步驟： <br/>在該顯示器中顯示該第一選項對應的該第一組件的安裝說明。
如請求項3所述的輔助方法，其中響應於該些選項中的該第一選項被選定，更包括利用該處理器來執行如下步驟： <br/>接收對應於一使用者需求的一第三提示詞；以及 <br/>輸入該第三提示詞以及該第一選項對應的組件的規格資料至該人工智慧模型，以自該人工智慧模型獲得一替代組件，其中該替代組件用以替換該第一選項對應的該第一組件。
如請求項1所述的輔助方法，更包括利用該處理器來執行如下步驟： <br/>顯示一使用者介面至該顯示器，並在該使用者介面中顯示該第一說明； <br/>在獲得該推薦清單之後，在該使用者介面中顯示該推薦清單；以及 <br/>響應於該產品項目被選擇，透過該使用者介面顯示一主顯示區域以及一組件顯示區域，其中該主顯示區域顯示該些三維物件中的一預設物件，該組件顯示區域用以顯示其他該些三維物件。
如請求項6所述的輔助方法，更包括利用該處理器來執行如下步驟： <br/>響應於該模擬組裝功能被致能，在該使用者介面中，以該預設物件為基礎，按照一預設順序，除了該預設物件之外的其他該些三維物件逐一與該預設物件進行組裝。
如請求項1所述的輔助方法，其中在獲得該推薦清單之後，更包括利用該處理器來執行如下步驟： <br/>接收對應於用於驗證該些組件間的相容性的一第四提示詞；以及 <br/>輸入該第四提示詞以及該推薦清單至該人工智慧模型，以自該人工智慧模型獲得該推薦清單的調整結果。
一種用於組裝裝置的輔助裝置，包括： <br/>一通訊設備，經配置以與一用戶端裝置通訊連線； <br/>一儲存器，包括一使用者介面；以及 <br/>一處理器，耦接至該通訊設備以及該儲存器，且經配置以： <br/>響應於與該用戶端裝置通訊連線，提供該使用者介面給該用戶端裝置，以在該用戶端裝置的一顯示器中顯示該使用者介面； <br/>經由該使用者介面自該用戶端裝置接收回應於一第一說明的一第一提示詞； <br/>輸入該第一提示詞至一人工智慧模型，以自該人工智慧模型獲得一推薦清單，其中該推薦清單至少包括一產品項目，該產品項目包括分別對應至多個組件的多個規格資料； <br/>響應於透過該使用者介面判定該產品項目被選擇，基於該些規格資料獲得分別對應於該些組件的多個三維物件，並基於該些規格資料解析該些三維物件在一立體空間的一空間關係；以及 <br/>響應於透過該使用者介面判定一模擬組裝功能被致能，基於該些三維物件在該立體空間的該空間關係，組裝該些三維物件，並將該些三維物件的一組裝過程呈現至該用戶端裝置的該顯示器上的該使用者介面。
一種用於組裝裝置的輔助系統，包括：一輔助裝置以及至少一用戶端裝置，其中 <br/>該輔助裝置包括： <br/>一第一通訊設備，經配置以與該用戶端裝置通訊連線； <br/>一第一儲存器，包括一使用者介面；以及 <br/>一第一處理器，耦接至該通訊設備以及該儲存器； <br/>該至少一用戶端裝置包括： <br/>一第二通訊設備，經配置以與該輔助裝置通訊連線；以及 <br/>一第二處理器，耦接至該通訊設備； <br/>在該輔助裝置中，該第一處理器經配置以： <br/>響應於與該用戶端裝置通訊連線，提供該使用者介面至該用戶端裝置，以透過該用戶端裝置的一顯示器來顯示該使用者介面； <br/>經由該使用者介面自該用戶端裝置接收回應於一第一說明的一第一提示詞； <br/>輸入該第一提示詞至一人工智慧模型，以自該人工智慧模型獲得一推薦清單，其中該推薦清單至少包括一產品項目，該產品項目包括分別對應至多個組件的多個規格資料； <br/>響應於透過該使用者介面判定該產品項目被選擇，基於該些規格資料獲得分別對應於該些組件的多個三維物件，並基於該些規格資料解析該些三維物件在一立體空間的一空間關係；以及 <br/>響應於透過該使用者介面判定一模擬組裝功能被致能，基於該些三維物件在該立體空間的該空間關係，組裝該些三維物件，並將該些三維物件的一組裝過程呈現至該用戶端裝置的該顯示器上的該使用者介面。
一種半導體記憶裝置，其具備：<br/>胞陣列，其包含複數個記憶胞；<br/>複數個第1配線，其等於上述胞陣列中，共通連接於在第1方向排列之上述複數個記憶胞；<br/>複數個第2配線，其等於上述胞陣列中，共通連接於在相對於上述第1方向交叉之第2方向排列之上述複數個記憶胞；<br/>複數個第3配線，其等對應於在相對於上述第1及第2方向交叉之第3方向排列之複數個上述第2配線之每一者而設置；<br/>第1感測電路，其連接於2條上述第3配線之第1對；<br/>第2感測電路，其連接於其他2條上述第3配線之第2對；<br/>開關電路，其連接於上述第1及第2感測電路，選擇性輸出上述第1及第2感測電路之任一者之輸出信號；及<br/>開關控制電路，其記憶連接於不良胞之上述第2配線及上述第3配線之位址，基於連接於讀出對象即選擇胞之上述第2配線及上述第3配線之位址，輸出控制上述開關電路之控制信號；<br/>該半導體記憶裝置設置有複數個上述第1感測電路，<br/>上述開關電路包含與複數個上述第1感測電路對應設置之複數個開關元件，與上述第2感測電路相鄰之上述第1感測電路所對應之上述開關元件可於上述第1感測電路與上述第2感測電路之間進行開關，且<br/>上述開關控制電路自連接於上述不良胞之上述第2配線及上述第3配線之位址，產生表示與連接於上述不良胞之上述第3配線連接之上述第1感測電路所對應之上述開關元件之轉換資料，自上述轉換資料表示之上述開關元件切換至與上述第2感測電路相鄰之上述第1感測電路所對應之上述開關元件為止之上述開關元件。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中上述控制信號為基於上述轉換資料產生，包含與上述複數個開關元件對應之位元，將與上述複數個開關元件中切換之開關元件對應之位元相對於其他位元反轉之控制信號。
如請求項1或2之半導體記憶裝置，其中上述開關控制電路於與連接於上述選擇胞之上述第2配線對應之位址為無上述不良胞之位址之情形時，不切換上述開關電路之上述複數個開關元件。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中上述開關控制電路具備：<br/>記憶體，其記憶連接於上述不良胞之上述第2配線及上述第3配線之位址；<br/>多工器，其基於連接於上述選擇胞之上述第1配線之位址，自上述記憶體選擇性輸出與連接於上述選擇胞之上述第2配線對應之上述第3配線之位址；<br/>解碼器，其將來自上述多工器之上述第3配線之位址轉換為上述轉換資料；<br/>鎖存電路，其將上述轉換資料進行鎖存；及<br/>移位電路，其產生顯示自上述轉換資料表示之上述開關元件切換至與上述第2感測電路相鄰之上述第1感測電路所對應之上述開關元件為止之上述開關元件的上述控制信號。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中上述開關控制電路具備：<br/>記憶體，其記憶連接於上述不良胞之上述第2配線及上述第3配線之位址；<br/>解碼器，其將上述記憶體之上述第3配線之位址轉換為上述轉換資料；<br/>鎖存電路，其對上述轉換資料進行鎖存；<br/>多工器，其基於連接於上述選擇胞之上述第1配線之位址，自上述鎖存電路選擇性輸出與連接於上述選擇胞之上述第2配線對應之上述轉換資料；及<br/>移位電路，其產生顯示自來自上述多工器之上述轉換資料表示之上述開關元件切換至與上述第2感測電路相鄰之上述第1感測電路所對應之上述開關元件為止之上述開關元件的上述控制信號。
如請求項4或5之半導體記憶裝置，其中上述記憶體進而記憶針對上述第2配線之每個位址顯示有無上述不良胞之有效資訊，且上述半導體記憶裝置進而具備：<br/>基於上述有效資訊，將上述轉換資料向上述移位電路發送或不發送之閘極電路。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中上述開關元件輸出來自相鄰之2個上述第1感測電路之任一者之資料、或來自相鄰之上述第1感測電路及上述第2感測電路之任一者之資料。
如請求項7之半導體記憶裝置，其中上述開關元件包含串聯連接於相鄰之2個上述第1感測電路之間或上述第1感測電路與上述第2感測電路之間，彼此互補地進行動作之2個電晶體，並自該等2個電晶體之間之節點輸出資料。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中上述胞陣列包含沿上述第1～第3配線三維立體配置之上述複數個記憶胞。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中上述記憶胞包含：第1電晶體，其之閘極連接於上述第1配線，源極及汲極之一者連接於上述第2配線(VBL)；及第1電容器，其連接於上述第1電晶體之源極及汲極之另一者。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中連接於上述第1及第2感測電路之各個上述第3配線對之一者於讀出動作中傳遞資料，另一者傳遞用於檢測上述資料之邏輯之參照信號。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中上述第1對之2條上述第3配線電性連接於相同之上述胞陣列，<br/>上述第2對之2條上述第3配線電性連接於相同之上述胞陣列。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中上述第1對之2條上述第3配線電性連接於2個上述胞陣列之各者，且<br/>上述第2對之2條上述第3配線電性連接於2個上述胞陣列之各者。
一種用於確定商品價格之裝置，其包括： <br/>一個以上之處理器；及 <br/>一個以上之記憶體，其儲存有用以藉由上述一個以上之處理器而執行之命令；且 <br/>於執行上述命令時，上述一個以上之處理器如下： <br/>獲得針對對象商品之商品頁面之用戶請求； <br/>產生價格資訊，該價格資訊係指示上述對象商品之單位售價，其中銷售單位包含第1銷售單位及大於上述第1銷售單位之第2銷售單位； <br/>將上述價格資訊提供至上述用戶之終端，上述價格資訊用於在上述終端中將上述單位售價顯示於上述商品頁面中；且 <br/>上述一個以上之處理器於產生上述價格資訊時， <br/>確定以上述第1銷售單位銷售上述對象商品之第1銷售者是否為複數個以及以上述第2銷售單位銷售上述對象商品之第2銷售者是否為複數個， <br/>根據確定存在複數個第1銷售者及複數個第2銷售者，於上述複數個第1銷售者中確定第1最佳評價銷售者以及於上述複數個第2銷售者中確定第2最佳評價銷售者， <br/>將針對上述第1銷售單位而與上述第1最佳評價銷售者相關聯之價格確定為上述第1銷售單位之上述對象商品之價格，及 <br/>將針對上述第2銷售單位而與上述第2最佳評價銷售者相關聯之價格確定為上述第2銷售單位之上述對象商品之價格。
如請求項1之用於確定商品價格之裝置，其中上述一個以上之處理器於產生上述價格資訊時， <br/>比較針對上述對象商品而與上述第1最佳評價銷售者相關聯之第1單位價格和針對上述對象商品而與上述第2最佳評價銷售者相關聯之第2單位價格， <br/>根據確定上述第2單位價格為上述第1單位價格以下，將針對上述第2銷售單位而與上述第2最佳評價銷售者相關聯之價格確定為上述第2銷售單位之上述對象商品之價格， <br/>根據確定上述第2單位價格超過上述第1單位價格而產生上述價格資訊，該價格資訊係使得上述對象商品之上述第2銷售單位之單位售價不顯示於上述商品頁面中。
如請求項1之用於確定商品價格之裝置，其中上述第1最佳評價銷售者係基於上述第1最佳評價銷售者針對上述對象商品之上述第1銷售單位而設定之價格條件、配送條件、及上述第1最佳評價銷售者之銷售者評價而確定。
如請求項3之用於確定商品價格之裝置，其中上述第1最佳評價銷售者係進而基於上述第1最佳評價銷售者針對上述對象商品之上述第1銷售單位而設定之優惠券來確定。
如請求項3之用於確定商品價格之裝置，其中上述銷售者評價係基於選自訂單履行比率、於目標配送期間內配送之比率、商品諮詢之響應率、商品諮詢之響應速度或銷售者評分中之至少一者而確定。
如請求項1之用於確定商品價格之裝置，其中上述一個以上之處理器於確定上述第1最佳評價銷售者時， <br/>獲得第1資訊，該第1資訊係指示上述複數個第1銷售者各者針對上述對象商品之上述第1銷售單位而設定之價格條件及配送條件者， <br/>獲得第2資訊，該第2資訊係指示針對上述複數個第1銷售者各者之銷售者評價， <br/>基於上述第1資訊及上述第2資訊，於上述複數個第1銷售者中確定上述第1最佳評價銷售者。
如請求項6之用於確定商品價格之裝置，其中上述配送條件係上述複數個第1銷售者各者針對上述對象商品之上述第1銷售單位而設定之目標配送期間。
如請求項6之用於確定商品價格之裝置，其中上述價格條件係上述複數個第1銷售者各者針對上述對象商品之上述第1銷售單位而設定之價格範圍， <br/>上述一個以上之處理器於確定上述第1最佳評價銷售者時， <br/>將針對上述第1銷售單位而與上述第1最佳評價銷售者相關聯之價格確定為如下之價格，即，確定為上述第1最佳評價銷售者之銷售者所設定之價格範圍內之用以成為上述第1最佳評價銷售者之價格中的最高價格。
如請求項8之用於確定商品價格之裝置，其中上述價格範圍設定為特定價格。
如請求項8之用於確定商品價格之裝置，其中上述一個以上之處理器於確定上述第1最佳評價銷售者時， <br/>將上述複數個第1銷售者中之除上述第1最佳評價銷售者以外之其餘銷售者各者之上述第1銷售單位之價格確定為上述其餘銷售者各者設定之價格範圍內的最低價格。
如請求項1之用於確定商品價格之裝置，其中上述一個以上之處理器於產生上述價格資訊時， <br/>根據確定存在單個第1銷售者而獲得第3資訊，該第3資訊係指示上述單個第1銷售者針對上述第1銷售單位而設定之價格條件者， <br/>基於上述第3資訊及上述單個第1銷售者針對上述對象商品之上述第1銷售單位之銷售實績，於上述價格條件內確定上述單個第1銷售者之上述第1銷售單位之價格。
如請求項11之用於確定商品價格之裝置，其中上述一個以上之處理器於確定上述單個第1銷售者之上述第1銷售單位之價格時， <br/>基於上述單個第1銷售者之上述第1銷售單位之先前價格及與上述先前價格對應之銷售實績來調整上述先前價格，藉此確定上述單個第1銷售者之上述第1銷售單位之價格。
如請求項11之用於確定商品價格之裝置，其中上述一個以上之處理器於確定上述單個第1銷售者之上述第1銷售單位之價格時， <br/>確定上述單個第1銷售者之上述對象商品之銷售量是否為預先確定之數量以上， <br/>根據確定上述單個第1銷售者之上述對象商品之銷售量為上述預先確定之數量以上，基於上述單個第1銷售者之上述第1銷售單位之先前價格及與上述先前價格對應之銷售實績、上述對象商品所屬之商品分類內之其他商品之銷售實績來調整上述先前價格，藉此確定上述單個第1銷售者之上述第1銷售單位之價格。
如請求項11之用於確定商品價格之裝置，其中上述銷售實績為選自銷售量、售出或購買轉換率中之至少一者。
一種用於確定商品價格之方法，其係於包括一個以上之處理器及一個以上之記憶體之裝置中實行者，該記憶體儲存有用以藉由上述一個以上之處理器而執行之命令，上述方法包括如下步驟： <br/>上述一個以上之處理器獲得針對對象商品之商品頁面之用戶請求； <br/>產生價格資訊，該價格資訊係指示上述對象商品之單位售價者，其中銷售單位包括第1銷售單位及大於上述第1銷售單位之第2銷售單位；及 <br/>將上述價格資訊提供至上述用戶之終端，上述價格資訊用於在上述終端中將上述單位售價顯示於上述商品頁面中；且 <br/>產生上述價格資訊之步驟包括如下步驟： <br/>確定以上述第1銷售單位銷售上述對象商品之第1銷售者是否為複數個以及以上述第2銷售單位銷售上述對象商品之第2銷售者是否為複數個； <br/>根據確定存在複數個第1銷售者及複數個第2銷售者，於上述複數個第1銷售者中確定第1最佳評價銷售者以及於上述複數個第2銷售者中確定第2最佳評價銷售者；及 <br/>將針對上述第1銷售單位而與上述第1最佳評價銷售者相關聯之價格確定為上述第1銷售單位之上述對象商品之價格，及 <br/>將針對上述第2銷售單位而與上述第2最佳評價銷售者相關聯之價格確定為上述第2銷售單位之上述對象商品之價格。
如請求項15之用於確定商品價格之方法，其中產生上述價格資訊之步驟進而包括如下步驟： <br/>比較針對上述對象商品而與上述第1最佳評價銷售者相關聯之第1單位價格和針對上述對象商品而與上述第2最佳評價銷售者相關聯之第2單位價格； <br/>根據確定上述第2單位價格為上述第1單位價格以下，將針對上述第2銷售單位而與上述第2最佳評價銷售者相關聯之價格確定為上述第2銷售單位之上述對象商品之價格；及 <br/>根據確定上述第2單位價格大於上述第1單位價格而產生上述價格資訊，該價格資訊係使得上述對象商品之上述第2銷售單位之單位售價不顯示於上述商品頁面中者。
如請求項15之用於確定商品價格之方法，其中確定上述第1最佳評價銷售者之步驟包括如下步驟： <br/>獲得第1資訊，該第1資訊係指示上述複數個第1銷售者各者針對上述對象商品之上述第1銷售單位而設定之價格條件及配送條件者； <br/>獲得第2資訊，該第2資訊係指示針對上述複數個第1銷售者各者之銷售者評價者；及 <br/>基於上述第1資訊及上述第2資訊，於上述複數個第1銷售者中確定上述第1最佳評價銷售者。
如請求項17之用於確定商品價格之方法，其中上述價格條件係上述複數個第1銷售者各者針對上述對象商品之上述第1銷售單位而設定之價格範圍， <br/>確定上述第1最佳評價銷售者之步驟進而包括如下步驟： <br/>將上述第1最佳評價銷售者之上述第1銷售單位之價格確定為如下之價格，即，確定為上述第1最佳評價銷售者之銷售者所設定之價格範圍內之用以成為上述第1最佳評價銷售者之價格中的最高價格。
如請求項15之用於確定商品價格之方法，其中產生上述價格資訊之步驟進而包括如下步驟： <br/>根據確定存在單個第1銷售者而獲得第3資訊，該第3資訊係指示上述單個第1銷售者針對上述第1銷售單位而設定之價格條件者；及 <br/>基於上述第3資訊及上述單個第1銷售者針對上述對象商品之上述第1銷售單位之銷售實績，於上述價格條件內確定上述單個第1銷售者之上述第1銷售單位之價格。
如請求項19之用於確定商品價格之方法，其中確定上述單個第1銷售者之上述第1銷售單位之價格之步驟包括如下步驟： <br/>確定上述單個第1銷售者之上述對象商品之銷售量是否為預先確定之數量以上；及 <br/>根據確定上述單個第1銷售者之上述對象商品之銷售量為上述預先確定之數量以上，基於上述單個第1銷售者之上述第1銷售單位之先前價格及與上述先前價格對應之銷售實績、上述對象商品所屬之商品分類內之其他商品之銷售實績來調整上述先前價格，藉此確定上述單個第1銷售者之上述第1銷售單位之價格。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其係記錄有用以藉由一個以上之處理器而執行之命令者， <br/>於執行上述命令時，上述一個以上之處理器如下： <br/>獲得針對對象商品之商品頁面之用戶請求； <br/>產生價格資訊，該價格資訊係指示上述對象商品之單位售價者，其中銷售單位包括第1銷售單位及大於上述第1銷售單位之第2銷售單位； <br/>將上述價格資訊提供至上述用戶之終端；且 <br/>於產生上述價格資訊時， <br/>確定以上述第1銷售單位銷售上述對象商品之第1銷售者是否為複數個以及以上述第2銷售單位銷售上述對象商品之第2銷售者是否為複數個； <br/>根據確定存在複數個第1銷售者及複數個第2銷售者，於上述複數個第1銷售者中確定第1最佳評價銷售者以及於上述複數個第2銷售者中確定第2最佳評價銷售者； <br/>將針對上述第1銷售單位而與上述第1最佳評價銷售者相關聯之價格確定為上述第1銷售單位之上述對象商品之價格；且 <br/>將針對上述第2銷售單位而與上述第2最佳評價銷售者相關聯之價格確定為上述第2銷售單位之上述對象商品之價格； <br/>上述價格資訊用於在上述終端中將上述單位售價顯示於上述商品頁面中。
一種罐用鋼板，其中於鋼板表面上，由前述鋼板側之順序，具有金屬鉻層及鉻水合氧化物層， <br/>前述金屬鉻層之附著量為50～200mg/m <sup>2</sup>， <br/>前述鉻水合氧化物層的鉻換算之附著量為3～50 mg/m <sup>2</sup>， <br/>前述金屬鉻層含有平板部，與設置於前述平板部上的突起部， <br/>前述突起部的最大圓當量直徑為1000nm以下， <br/>對於前述突起部之重心點實施沃諾伊(Voronoi)分割而得的沃羅諾伊多邊形的平均面積為5,000～200,000nm <sup>2</sup>， <br/>前述沃羅諾伊多邊形的圓相當徑，在將單純平均作為D <sub>AVE</sub>，將積分分布之50%徑作為D <sub>50</sub>，將積分分布之90%徑作為D <sub>90</sub>時，D <sub>50</sub>/D <sub>AVE</sub>未達1.00，D <sub>90</sub>/D <sub>AVE</sub>未達3.00。
一種鞋面，其特徵在於，包括： <br/>鞋幫，具有相連接的鞋幫頭部和鞋幫側部，所述鞋幫側部的內表面設置有限位部； <br/>鞋舌，具有相對設置的第一部分和第二部分，所述鞋舌的第一部分固定連接於所述鞋幫頭部； <br/>彈性帶，用於連接所述鞋舌的第二部分和所述鞋幫側部，所述彈性帶的至少部分位於所述限位部和所述鞋幫側部的內表面之間，在所述彈性帶的作用下，所述鞋舌的第二部分與所述限位部限位配合，所述限位部包括內襯層以及開設於所述內襯層上的開口，其中所述彈性帶通過所述開口部分地保持直立，繼而將所述鞋舌的第二部分向上保持在升高位置。
如請求項1所述的鞋面，其特徵在於，所述彈性帶的一端位於所述限位部和所述鞋幫側部的內表面之間，所述彈性帶的另一端連接於所述鞋舌的第二部分，在所述彈性帶的作用下，所述鞋舌的第二部分的側邊止抵於所述限位部。
如請求項2所述的鞋面，其特徵在於，所述彈性帶的一端連接於所述限位部和所述鞋幫側部的內表面之間。
如請求項1所述的鞋面，其特徵在於，所述限位部包括內襯層以及開設於所述內襯層上的開口，所述彈性帶的一端穿過所述開口，且至少延伸至所述內襯層與所述鞋幫側部的內表面之間，所述彈性帶的另一端連接於所述鞋舌的第二部分，在所述彈性帶的作用下，所述鞋舌的第二部分的側邊止抵於所述開口。
如請求項1所述的鞋面，其特徵在於，所述彈性帶的另一端連接於所述鞋舌的第二部分的側邊。
如請求項1至5任一項所述的鞋面，其特徵在於，所述彈性帶和所述限位部均為兩個，兩個所述限位部分別位於所述鞋幫側部的兩側，在兩個彈性帶的作用下，所述鞋舌與兩個所述限位部分別進行限位配合。
如請求項1所述的鞋面，其特徵在於，所述限位部包括第一限位部和第二限位部，所述鞋幫側部包括相對設置的第一鞋幫側部和第二鞋幫側部，所述彈性帶的一端連接於所述第一限位部和所述第一鞋幫側部的內表面之間，所述彈性帶的另一端連接於所述第二限位部和所述第二鞋幫側部的內表面之間。
如請求項1所述的鞋面，其特徵在於，所述鞋幫側部包括相對設置的第一鞋幫側部和第二鞋幫側部，所述限位部包括第一內襯層、開設於所述第一內襯層上的第一開口、第二內襯層和開設於所述第二內襯層上的第二開口，所述第一內襯層位於所述第一鞋幫側部的內表面，所述第二內襯層位於所述第二鞋幫側部的內表面；所述彈性帶的一端穿過所述第一開口，且至少延伸至所述第一內襯層與所述第一鞋幫側部的內表面之間，所述彈性帶的另一端穿過所述第二開口，且至少延伸至所述第二內襯層與所述第二鞋幫側部的內表面之間。
如請求項7或8所述的鞋面，其特徵在於，所述彈性帶的中段連接於所述鞋舌；或者，所述彈性帶的中段穿設於所述鞋舌。
如請求項1所述的鞋面，其特徵在於，所述鞋幫還具有連接於所述鞋幫側部的鞋幫後跟部，所述鞋面還包括： <br/>後跟支撐件，設置於所述鞋幫後跟部，所述後跟支撐件被配置為剛性結構；或者，所述後跟支撐件的至少部分為彈性結構。
如請求項10所述的鞋面，其特徵在於，所述後跟支撐件包括第一支撐部和第二支撐部，所述第二支撐部位於所述第一支撐部的底端，所述第二支撐部的至少部分向外凸出並用於環繞腳跟後部，所述第一支撐部自下而上向外傾斜。
如請求項11所述的鞋面，其特徵在於，所述第一支撐部具有第一配置和第二配置，在腳部伸入鞋幫內時，所述第一支撐部在腳部負荷下由所述第一配置變形為所述第二配置，所述第一支撐部的至少部分的高度降低；在移除腳部負荷後，所述第一支撐部由所述第二配置恢復至所述第一配置。
如請求項11所述的鞋面，其特徵在於，所述第一支撐部具有第一配置和第二配置，在腳部伸入鞋幫內時，所述第一支撐部在腳部負荷下由第一配置變形為第二配置，所述第一支撐部相對於豎直線的傾斜角度變大；在移除腳部負荷後，所述第一支撐部由所述第二配置恢復至所述第一配置。
如請求項12或13所述的鞋面，其特徵在於，所述第二支撐部包括中間區域和兩側區域，在所述第二配置下，所述中間區域的上部相對於在所述第一配置下更靠近所述鞋幫頭部，並且所述第一支撐部的最上部區域相對於在所述第一配置下更遠離所述鞋幫頭部。
如請求項12或13所述的鞋面，其特徵在於，所述第二支撐部包括中間區域和兩側區域，在所述第二配置下，所述兩側區域向外移動，以增大所述鞋幫側部的兩側之間的距離。
如請求項10所述的鞋面，其特徵在於，還包括： <br/>彈性部件，設置於所述後跟支撐件；在使用者的腳部伸入鞋幫內的情況下，所述彈性部件被壓縮，且所述彈性部件對使用者的腳踝施加壓力。
如請求項16所述的鞋面，其特徵在於，所述彈性部件從所述後跟支撐件的上部的兩側沿所述鞋幫的內表面的至少一部分延伸，以形成所述彈性部件的側面區段。
一種鞋類物品，其特徵在於，包括鞋底以及根據請求項1-17中任一項所述的鞋面。
如請求項18所述的鞋類物品，其特徵在於，所述鞋面上的彈性帶具有連接於鞋底的部分。
如請求項1所述的鞋面，其中所述鞋幫側部至少覆蓋所述彈性帶的一部分，從而避免使用者的腳部與所述彈性帶直接接觸。
如請求項1所述的鞋面，其中所述彈性帶固定在後跟杯，或者圍繞鞋墊、鞋底或後跟杯。
一種抗扭力裝置，包含： <br/>一底座； <br/>一支架； <br/>一彈臂，該彈臂為折彎呈彎曲狀的一金屬片，該彈臂分別組接該底座的一側緣以及該支架的一側緣，該底座及該支架之間形成一預定夾角且該彈臂可被預壓使該底座及該支架之間的小於該預定夾角；以及 <br/>一阻尼器，連接在該底座及該支架之間。
如請求項1所述的抗扭力裝置，其中該阻尼器相對於該底座及該支架皆呈傾斜配置。
如請求項1所述的抗扭力裝置，其中該阻尼器的二端分別樞接該底座及該支架。
如請求項1所述的抗扭力裝置，其中在該底座的下方設置有一止滑墊，且該阻尼器配置在該底座的上方。
如請求項1所述的抗扭力裝置，其中在該底座的下方設置有一止滑墊，且該支架配置高於該底座。
如請求項1所述的抗扭力裝置，其中在該底座設置有一止滑墊，且該止滑墊具有一凸弧面，該底座具有對接該凸弧面的一凹弧面。
一種抗扭力機台，包含： <br/>一機台本體；及 <br/>至少一對抗扭力裝置，相對地分別設置在該機台本體的二側，每一該抗扭力裝置具有一底座、一支架、一彈臂以及一阻尼器，該彈臂為折彎呈彎曲狀的一金屬片，該彈臂分別組接該底座的一側緣以及該支架的一側緣，該彈臂被預壓且分別連接在該底座的一側以及該支架的底部，該阻尼器連接在該底座及該支架之間。
如請求項7所述的抗扭力機台，其中該阻尼器相對於該底座及該支架皆呈傾斜配置。
如請求項7所述的抗扭力機台，其中該阻尼器的二端分別樞接該底座及該支架。
如請求項7所述的抗扭力機台，其中在該底座的下方設置有一止滑墊，且該阻尼器配置在該底座的上方。
如請求項7所述的抗扭力機台，其中在該底座的下方設置有一止滑墊，且該支架配置高於該底座。
如請求項7所述的抗扭力機台，其中在該底座設置有一止滑墊，且該止滑墊具有一凸弧面，該底座具有對接該凸弧面的一凹弧面。
如請求項7所述的抗扭力機台，其中在該機台本體上對應各該抗扭力裝置分別設置有一抵接螺絲，該抵接螺絲沿該抵接螺絲之縱向抵接相對應的該抗扭力裝置之該支架之頂部。
一種半導體元件，包括： <br/>一半導體基底； <br/>一第一輕度摻雜區，設置在該半導體基底內； <br/>一第二輕度摻雜區，設置在該半導體基底內且在該第一輕度摻雜區下方； <br/>一閘極電極，設置在該半導體基底上； <br/>一第一金屬接觸件，設置在該閘極電極中； <br/>一第一間隙子，設置在該閘極電極的一側壁上，其中該第一間隙子包括多個雜質，該等雜質位於鄰近該第一間隙子的一外表面； <br/>一第二間隙子，覆蓋該第一間隙子； <br/>一溝槽電容器，設置在該第一金屬接觸件上方並且與該第一金屬接觸件接觸；以及 <br/>一第一介電結構，設置於該半導體基底上以及該第二間隙子上，其中該第一金屬接觸件藉由該第一介電結構而暴露， <br/>其中該第二輕度摻雜區在該第二間隙子正下方而不在該第一間隙子正下方，該第一間隙子的該等雜質與該第二輕度摻雜區的摻雜物相同，該第二間隙子的一材料與該第一間隙子的一材料相同。
如請求項1所述之半導體元件，還包括： <br/>一重度摻雜區，設置在該半導體基底內且與該第一輕度摻雜區和該第二輕度摻雜區重疊。
如請求項2所述之半導體元件，其中該重度摻雜區的一第三尺寸小於該第二輕度摻雜區沿一第一方向的一第二尺寸。
如請求項2所述之半導體元件，還包括： <br/>一第二金屬接觸件，設置在該半導體基底中以及在該重度摻雜區中。
如請求項4所述之半導體元件，更包含： <br/>一第二介電結構，設置於該第一介電結構上；以及 <br/>一第三介電結構，設置於該第二介電結構上， <br/>其中該溝槽電容器穿過該第三介電結構與該第二介電結構以接觸該第一金屬接觸件。
如請求項5所述之半導體元件，其中該溝槽電容器包含： <br/>一下金屬層； <br/>一中間絕緣層；以及 <br/>一上金屬層， <br/>其中該上金屬層設置以接觸該第二金屬接觸件的一上表面，並覆蓋該第二介電結構的一側壁與該第三介電結構的一側壁的一第一部分， <br/>其中該中間絕緣層設置以覆蓋該下金屬層與該第三介電結構， <br/>其中該上金屬層設置以覆蓋該中間絕緣層。
如請求項6所述之半導體元件，其中該中間絕緣層接觸該下金屬層、該第三介電結構的該側壁的一第二部分與該第三介電結構的一上表面。
如請求項7所述之半導體元件，其中該中間絕緣層包含一第一階梯部分與一第二階梯部分，其中該第一階梯部分接觸該下金屬層的一垂直部分的一上表面，以及該第二階梯部分接觸該第三介電結構的該上表面與該第三介電結構的的該側壁的該第二部分。
一種半導體元件的製備方法，包含： <br/>提供一半導體基底並形成一第一閘極電極和一第二閘極電極在該半導體基底上方； <br/>形成一第一輕度摻雜區在該半導體基底內且位於該第一閘極電極與該第二閘極電極之間； <br/>形成一第一介電層以覆蓋該第一閘極電極、該第二閘極電極以及該半導體基底； <br/>執行一蝕刻技術以圖案化該第一介電層； <br/>形成一第一間隙子在該第一閘極電極的一側壁上並將雜質摻雜至在該第一間隙子的一外表面處； <br/>形成一第二間隙子在該第二閘極電極的一側壁上並將該雜質摻雜至在該第二間隙子的一外表面處，其中該半導體基底經由該第一間隙子和該第二間隙子而暴露； <br/>形成一第二輕度摻雜區在該半導體基底內且位於該第一間隙子與該第二間隙子之間； <br/>形成一第二介電層以覆蓋該第一間隙子、該第二間隙子、該第一閘極電極、該第二閘極電極以及該半導體基底； <br/>執行一蝕刻技術以圖案化該第二介電層； <br/>形成一第三間隙子以覆蓋該第一間隙子； <br/>形成一第四間隙子以覆蓋該第二間隙子，其中該半導體基底經由該等間隙子而暴露，其中該第二輕度摻雜區在該第三間隙子及該第四間隙子正下方而不在該第一間隙子及該第二間隙子正下方，其中該第一間隙子及該第二間隙子的該等雜質與該第二輕度摻雜區的摻雜物相同； <br/>形成一重度摻雜區在該半導體基底內且位於該第三間隙子與該第四間隙子之間； <br/>形成多個第一金屬接觸件在該第一閘極電極和該第二閘極電極中； <br/>形成一第二金屬接觸件在該第一閘極電極與該第二閘極電極之間的該重度摻雜區中； <br/>形成一第一介電結構在該半導體基底上方且在該第一閘極電極與該第二閘極電極之間； <br/>形成一第二介電結構在該第一介電結構上方； <br/>形成一第三介電結構在該第二介電結構上方；以及 <br/>形成一溝槽電容器以穿透該第三介電結構和該第二介電結構以到達並接觸形成在該第一閘極電極和該第二閘極電極中的該等第一金屬接觸件。
如請求項9所述之製備方法，其中一熱處理被執行至少使該第一閘極電極與該第二閘極電極之間的半導體基底的部分形成該第二金屬接觸件，以及使該第一閘極電極的上部分與該第二閘極電極的上部分形成該等第一金屬接觸件。
如請求項10所述之製備方法，其中該第二金屬接觸件與該等第一金屬接觸件為金屬矽化物接觸件，以及該熱處理為快速熱退火製程。
如請求項9所述之製備方法，其中在形成該第三介電結構之前，該第三介電結構與該第二介電結構被蝕刻且一溝槽被形成，接著該溝槽電容器被形成在該溝槽中。
如請求項12所述之製備方法，其中形成該溝槽電容器更包含： <br/>沿著該溝槽的一輪廓，沉積一下金屬層在該第三介電結構上。
如請求項13所述之製備方法，其中該下金屬層藉由執行一化學氣相沉積製程形成。
如請求項13所述之製備方法，其中該下金屬層沿著該溝槽的該輪廓具有一大致均勻的厚度。
如請求項13所述之製備方法，其中形成該溝槽電容器更包含： <br/>沉積一中間絕緣層於該下金屬層上。
如請求項16所述之製備方法，其中該中間絕緣層被沉積以覆蓋該下金屬層、該第三介電結構的一側壁的一第二部分與該第三介電結構的上表面。
如請求項17所述之製備方法，其中該中間絕緣層包含一第一階梯部分與一第二階梯部分，其中該第一階梯部分接觸該下金屬層的一垂直部分與該下金屬層的一上表面，以及該第二階梯部分接觸該第三介電結構的該上表面與該第三介電結構的的該側壁的該第二部分。
如請求項18所述之製備方法，其中形成該溝槽電容器更包含： <br/>在沉積該中間絕緣層之後，沉積一上金屬層於該中間絕緣層上。
一種承載裝置的坐臥兩用支架轉換機構，該承載裝置包括主架體，該支架轉換機構包括：<br/>固定座，固定於該主架體的側部，該固定座具有座椅模式定位部和睡箱模式定位部，該座椅模式定位部和該睡箱模式定位部相隔一角度；<br/>承載支架，其側部對應於該固定座而設有旋轉座，該旋轉座可轉動地設於該固定座，該承載支架能夠隨該旋轉座轉動而於座椅位置及睡箱位置間樞擺；以及<br/>鎖定件，該鎖定件能夠被驅動而位移，以與該座椅模式定位部和該睡箱模式定位部中至少一者脫離或卡合；<br/>其中，該鎖定件包括阻擋部，該旋轉座包括彈臂，其中，當該鎖定件與該座椅模式定位部或該睡箱模式定位部卡合以鎖定該承載支架時，該彈臂對該阻擋部形成阻擋以保持該鎖定件對該承載支架的鎖定；<br/>驅動槓桿，軸接於該旋轉座而可擺動，該鎖定件連接該驅動槓桿而能夠隨著該驅動槓桿的擺動而位移，以與該座椅模式定位部或該睡箱模式定位部脫離或卡合。
如請求項1所述的承載裝置的坐臥兩用支架轉換機構，其中，該旋轉座的側壁具有開孔，該彈臂延伸自所述側壁並設置在該開孔中，該彈臂包括在其末端的凸部，該凸部相對於該側壁呈側向凸出以受按壓，使得該彈臂對該阻擋部形成阻擋以保持該鎖定件對該承載支架的鎖定。
如請求項1所述的承載裝置的坐臥兩用支架轉換機構，其中，在座椅模式下或在睡箱模式下，所述彈臂被安裝至該承載支架的相應的汽車座椅或睡箱按壓而使該彈臂對該阻擋部形成阻擋。
如請求項1所述的承載裝置的坐臥兩用支架轉換機構，其中，所述支架轉換機構包括兩個該固定座以及兩個該旋轉座，其中，兩個該固定座分別固定與該主架體的兩側部，兩個該旋轉座分別在該承載支架的兩側對應各該固定座而設置。
一種承載裝置的坐臥兩用支架轉換機構，該承載裝置包括主架體，該支架轉換機構包括：<br/>固定座，固定於該主架體的側部，該固定座具有座椅模式定位部和睡箱模式定位部，該座椅模式定位部和該睡箱模式定位部相隔一角度；<br/>承載支架，其側部對應於該固定座而設有旋轉座，該旋轉座可轉動地設於該固定座，該承載支架能夠隨該旋轉座轉動而於座椅位置及睡箱位置間樞擺；以及<br/>鎖定件，該鎖定件能夠被驅動而位移，以與該座椅模式定位部和該睡箱模式定位部中至少一者脫離或卡合；<br/>其中，該鎖定件包括阻擋部，該旋轉座包括彈臂，其中，當該鎖定件與該座椅模式定位部或該睡箱模式定位部卡合以鎖定該承載支架時，該彈臂對該阻擋部形成阻擋以保持該鎖定件對該承載支架的鎖定；<br/>其中，該鎖定件還包括作動部以及卡合部，該卡合部自該作動部的一端側向伸設，該鎖定件以該卡合部置入該座椅模式定位部或該睡箱模式定位部而卡合鎖定。
如請求項5所述的承載裝置的坐臥兩用支架轉換機構，其中，該座椅模式定位部和該睡箱模式定位部分別爲卡溝。
如請求項6所述的承載裝置的坐臥兩用支架轉換機構，其中，該鎖定件還包括延伸部，該延伸部伸設於該卡合部遠離該作動部的一端，且該延伸部和該作動部的伸設方向相反，該阻擋部形成在該延伸部遠離該卡合部的一端。
如請求項6所述的承載裝置的坐臥兩用支架轉換機構，其中，該支架轉換機構包括復位件，該復位件沿著該鎖定件位移的方向伸設而以一端靠抵於該作動部遠離該卡合部的一端，且該復位件以另一端靠抵於該旋轉座，該鎖定件位移至該承載支架被解鎖時，以該作動部對該復位件施壓而産生復位彈力，該復位彈力使得該鎖定件被復歸至該承載支架被鎖定的位置。
一種承載裝置，其包括如請求項1至8中任一項所述的支架轉換機構。
如請求項9所述的承載裝置，其中，該固定座具有限位部，相應的該旋轉座具有對應該限位部的槽部，該固定座和相應的該旋轉座樞設時，該固定座的該限位部與相應的該旋轉座的該槽部配合，以限制該旋轉座於所樞設的該固定座可轉動的角度。
一種基於無線網路的姿態檢測方法，包括：<br/> 獲取訊號採集裝置採集到無線網路的通道狀態資訊；<br/> 對所述通道狀態資訊進行去噪處理，並對去噪後的通道狀態資訊進行特徵提取，得到所述通道狀態資訊對應的目標特徵資訊；<br/> 將所述目標特徵資訊輸入至預先訓練好的姿態檢測模型中，輸出得到所述通道狀態資訊對應的目標姿態標籤；<br/> 所述預先訓練好的姿態檢測模型的訓練過程，包括：<br/> 獲取訓練資料，其中，所述訓練資料包括所述無線網路於連續時間點的歷史通道狀態資訊和姿態標籤，且每一個歷史通道狀態資訊對應一個姿態標籤；<br/> 對所述歷史通道狀態資訊進行預處理和特徵提取，得到所述歷史通道狀態資訊對應的特徵資訊；<br/> 根據所述姿態標籤和所述歷史特徵資訊對待訓練的姿態檢測模型進行訓練，並在訓練完成時得到訓練好的姿態檢測模型；<br/> 其中所述對所述歷史通道狀態資訊進行預處理和特徵提取，得到所述歷史通道狀態資訊對應的特徵資訊，包括：<br/> 對所述歷史通道狀態資訊進行子載波裁剪處理以去除包含雜訊之子載波，得到裁剪後的歷史通道狀態資訊；<br/> 對裁剪後的歷史通道狀態資訊進行去噪處理，得到去噪後的歷史通道狀態資訊；及<br/> 對去噪後的歷史通道狀態資訊進行特徵提取，得到所述歷史通道狀態資訊對應的特徵資訊；<br/> 其中所述對裁剪後的歷史通道狀態資訊進行去噪處理，得到去噪後的歷史通道狀態資訊，包括：<br/> 對裁剪後的歷史通道狀態資訊進行雜訊分析；<br/> 當確定進行雜訊分析存在雜訊時，將分析得到的第二雜訊進行去除，並對去除所述第二雜訊的歷史通道狀態資訊進行資料填充，得到去噪後的歷史通道狀態資訊；及<br/> 當確定進行雜訊分析不存在雜訊時，將裁剪後的歷史通道狀態資訊作為去噪後的歷史通道狀態資訊。
如請求項1所述的方法，其中所述對所述通道狀態資訊進行去噪處理，並對去噪後的通道狀態資訊進行特徵提取，得到所述通道狀態資訊對應的目標特徵資訊，包括：<br/> 對所述通道狀態資訊進行裁剪處理，得到裁剪後的通道狀態資訊；<br/> 確定裁剪後的通道狀態資訊中是否包含有雜訊，並在確定包含有雜訊時進行去噪處理，得到去噪後的通道狀態資訊；<br/> 對去噪後的通道狀態資訊進行特徵提取，得到所述通道狀態資訊對應的目標特徵資訊。
如請求項1所述的方法，其中所述對所述歷史通道狀態資訊進行裁剪處理，得到裁剪後的歷史通道狀態資訊，包括：<br/> 對所述歷史通道狀態資訊進行另一雜訊分析，得到所述歷史通道狀態資訊包含的第一雜訊；<br/> 在所述歷史通道狀態資訊中對所述第一雜訊進行裁剪，得到不包含有所述第一雜訊的歷史通道狀態資訊。
如請求項1所述的方法，其中所述對去噪後的歷史通道狀態資訊進行特徵提取，得到所述歷史通道狀態資訊對應的特徵資訊，包括：<br/> 對去噪後的歷史通道狀態資訊基於所述姿態標籤進行分類處理，得到每一姿態標籤對應的標籤資料，並確定所述標籤資料的最大資料量；<br/> 根據所述標籤資料進行樣本合成處理，得到每一個標籤資料對應的合成資料；<br/> 根據所述最大資料量在所述合成資料中確定每一個標籤資料的補充資料，並根據所述補充資料和所述標籤資料得到每一個姿態標籤對應的類別資料，其中，每一個類別資料對應一個姿態標籤；<br/> 對所述類別資料進行特徵提取，得到所述歷史通道狀態資訊對應的特徵資訊。
一種基於無線網路的姿態檢測裝置，包括：<br/> 資料採集模組，用於獲取訊號採集裝置採集到無線網路的通道狀態資訊；<br/> 資料處理模組，用於對所述通道狀態資訊進行去噪處理，並對去噪後的通道狀態資訊進行特徵提取，得到所述通道狀態資訊對應的目標特徵資訊；<br/> 姿態確定模組，用於將所述目標特徵資訊輸入至預先訓練好的姿態檢測模型中，輸出得到所述通道狀態資訊對應的目標姿態標籤；<br/> 所述預先訓練好的姿態檢測模型的訓練過程，包括：<br/> 獲取訓練資料，其中，所述訓練資料包括所述無線網路的歷史通道狀態資訊和姿態標籤，且每一個歷史通道狀態資訊對應一個姿態標籤；<br/> 對所述歷史通道狀態資訊進行預處理和特徵提取，得到所述歷史通道狀態資訊對應的特徵資訊；<br/> 根據所述姿態標籤和所述歷史特徵資訊對待訓練的姿態檢測模型進行訓練，並在訓練完成時得到訓練好的姿態檢測模型；<br/> 其中所述對所述歷史通道狀態資訊進行預處理和特徵提取，得到所述歷史通道狀態資訊對應的特徵資訊，包括：<br/> 對所述歷史通道狀態資訊進行裁剪處理以去除包含雜訊之子載波，得到裁剪後的歷史通道狀態資訊；<br/> 對裁剪後的歷史通道狀態資訊進行去噪處理，得到去噪後的歷史通道狀態資訊；及<br/> 對去噪後的歷史通道狀態資訊進行特徵提取，得到所述歷史通道狀態資訊對應的特徵資訊；<br/> 其中所述對裁剪後的歷史通道狀態資訊進行去噪處理，得到去噪後的歷史通道狀態資訊，包括：<br/> 對裁剪後的歷史通道狀態資訊進行雜訊分析；<br/> 當確定進行雜訊分析存在雜訊時，將分析得到的第二雜訊進行去除，並對去除所述第二雜訊的歷史通道狀態資訊進行資料填充，得到去噪後的歷史通道狀態資訊；及<br/> 當確定進行雜訊分析不存在雜訊時，將裁剪後的歷史通道狀態資訊作為去噪後的歷史通道狀態資訊。
一種電子設備，所述電子設備包括處理器、記憶體以及儲存在所述記憶體中並可在所述處理器上運行的電腦程式，所述處理器執行所述電腦程式時實現如請求項1至4任一項所述的方法中的步驟。
一種電腦可讀儲存媒體，所述電腦可讀儲存媒體儲存有電腦程式，所述電腦程式被處理器執行時實現如請求項1至4任一項所述的方法中的步驟。
一種噪音檢測方法，包含：<br/> 以第一麥克風取得一隔音箱外的一第一環境音訊，同時該隔音箱內置放有發出聲音的一待測物；判斷該第一環境音訊的音量值是否超過一音量閾值；當判斷該第一環境音訊的該音量值超過該音量閾值時，不記錄該隔音箱內的第二麥克風取得的該待測物發出的該聲音的音量值；當判斷該第一環境音訊的該音量值不超過該音量閾值時，記錄該隔音箱內的該第二麥克風取得的該待測物發出的該聲音的該音量值以該第一麥克風取得該隔音箱外的一第二環境音訊，同時該隔音箱內未置放有該待測物或該待測物未發出該聲音；以及將該第二環境音訊的音量值作為該音量閾值。
如請求項1所述的噪音檢測方法，其中不記錄該隔音箱內的該第二麥克風取得的該待測物發出的該聲音的該音量值包含：<br/> 控制該第二麥克風不進行收音。
如請求項1所述的噪音檢測方法，更包含：<br/> 比對該待測物發出的該聲音的一頻譜與對應該待測物的一標準頻譜；以及當該待測物發出的該聲音的該頻譜與該標準頻譜之間的音量差值達警戒值時，輸出通知。
如請求項3所述的噪音檢測方法，更包含：<br/> 將多個預設電壓值存入該待測物的電力控制裝置以及記錄該待測物分別對應於該些預設電壓值的多個頻譜，其中該些頻譜包含該頻譜。
一種噪音檢測系統，包含：<br/> 一隔音箱；一第一麥克風，位於該隔音箱外，用於取得該隔音箱外的一第一環境音訊，同時該隔音箱內置放有發出聲音的一待測物；一第二麥克風，位於該隔音箱內；以及一處理裝置，連接於該第一麥克風及該第二麥克風，該處理裝置用於：判斷該第一環境音訊的音量值是否超過一音量閾值；當判斷該第一環境音訊的該音量值超過該音量閾值時，不記錄該第二麥克風取得的該待測物發出的該聲音的音量值；以及當判斷該第一環境音訊的該音量值不超過該音量閾值時，記錄該隔音箱內的該第二麥克風取得的該待測物發出的該聲音的該音量值其中該第一麥克風更用於取得該隔音箱外的一第二環境音訊，同時該隔音箱內未置放有該待測物或該待測物未發出該聲音，該處理裝置更用於將該第二環境音訊的音量值作為該音量閾值。
如請求項5所述的噪音檢測系統，其中該處理裝置係於判斷該第一環境音訊的該音量值不超過該音量閾值時控制該第二麥克風不進行收音。
如請求項5所述的噪音檢測系統，其中該處理裝置更用於比對該待測物發出的該聲音的一頻譜與對應該待測物的一標準頻譜；以及當該待測物發出的該聲音的該頻譜與該標準頻譜之間的音量差值達警戒值時，輸出通知。
如請求項7所述的噪音檢測系統，其中該處理裝置更連接於用於提供電力予該待測物的電力控制裝置，該處理裝置更用於將多個預設電壓值存入該電力控制裝置，該電力控制裝置輪流以該些預設電壓值對該待測物供電，以及該處理裝置記錄該待測物分別對應於該些預設電壓值的多個頻譜，其中該些頻譜包含該頻譜。
一種發電裝置，包括：<br/>一第一盤體，該第一盤體具有一左側面與一右側面，且該左側面與該右側面上皆間隔密佈設有複數個磁性元件，且該第一盤體周圍設有一外壁，該外壁上設有複數個推動部，使一外部動力源推動該等推動部時，可驅動該第一盤體轉動；<br/>一第二盤體，該第二盤體具有一內側面，且該內側面上皆間隔密佈設有複數個發電線圈；<br/>一第三盤體，該第三盤體具有一內側面，且該內側面上皆間隔密佈設有複數個發電線圈；<br/>一架體，其具有一固定軸，上述第一盤體、第二盤體及第三盤體係穿設於該固定軸上，該架體上設有一第一轉動件與一第二轉動件，其中，<br/>該第一轉動件係連接於該第一盤體與該第二盤體之間，且該第一盤體之左側面係近距離面對於該第二盤體之內側面，使該第一盤體轉動時，可藉由該第一轉動件帶動該第二盤體以相反於該第一盤體之方向轉動，並使該第二盤體上之發電線圈配合該第一盤體上之磁性元件而產生感應電流；<br/>該第二轉動件係連接於該第一盤體與該第三盤體之間，且該第一盤體之右側面係近距離面對於該第三盤體之內側面，使該第一盤體轉動時，可藉由該第二轉動件帶動該第三盤體以相反於該第一盤體之方向轉動，並使該第三盤體上之發電線圈配合該第一盤體上之磁性元件而產生感應電流；<br/>藉此，當該第二盤體與該第三盤體之發電線圈與一外部之供電裝置電性連接後，該供電裝置可接收該發電線圈給予之電流。
如請求項1所述之發電裝置，其中該磁性元件係為永久磁鐵。
如請求項1所述之發電裝置，其中該第一轉動件包含有一第一齒輪與一第二齒輪，該第一齒輪分別與該第一盤體及第二齒輪嚙合，該第二齒輪則另與該第二盤體嚙合；該第二轉動件包含有一第一齒輪與一第二齒輪，該第一齒輪分別與該第一盤體及第二齒輪嚙合，該第二齒輪則另與該第三盤體嚙合，藉以使該第一盤體受到該外部動力源推動而轉動時，該第二盤體與該第三盤體皆以與該第一盤體相反之轉動方向轉動。
如請求項1或3所述之發電裝置，其中該外部動力源係來自風力或水力。
一種積體電路結構，其包含： <br/>一積體電路(integrated circuit, IC)晶粒，其包括： <br/>一半導體層； <br/>一後段製程(back-end-of-the-line, BEOL)增層結構，其在該半導體層上，其中該BEOL增層結構包括一密封環； <br/>一接合界面層，其在該BEOL增層結構上； <br/>一第一接合表面，其橫跨該接合界面層； <br/>一第一側向邊緣；及 <br/>該第一接合表面中之一第一邊緣凹部； <br/>其中該第一邊緣凹部之特徵在於從該第一側向邊緣延伸至相鄰於該密封環之一第一內邊緣的一第一寬度、及從該第一接合表面延伸至一第一基頂(roof)的一第一深度；及 <br/>其中該第一邊緣凹部之該第一寬度不延伸至該密封環； <br/>一電子組件，其包括直接接合至該第一接合表面的一第二平坦接合表面；及 <br/>一模製化合物，其橫跨該電子組件及該第一側向邊緣，且填充該第一邊緣凹部。
如請求項1之積體電路結構，其中該第一寬度係比該第一深度更大的一距離。
如請求項1之積體電路結構， <br/>其中該第一邊緣凹部之該第一深度橫跨該接合界面層、該BEOL增層結構，且延伸至該半導體層中。
如請求項3之積體電路結構，其中： <br/>該IC晶粒包括一第二邊緣凹部； <br/>該第二邊緣凹部橫跨該第一BEOL增層結構下方； <br/>該第二邊緣凹部之特徵在於從該第一邊緣凹部之該第一內邊緣延伸至一第二內邊緣的一第二寬度、及從該第一接合表面延伸至一第二基頂的一第二深度；且 <br/>該模製化合物填充該第二邊緣凹部。
如請求項4之積體電路結構，其中該BEOL增層結構包括相鄰於該第一內邊緣的一密封環，且該第二邊緣凹部之該第二寬度在該密封環下方延伸。
如請求項1之積體電路結構，其中該第一邊緣凹部之該第一基頂係在該BEOL增層結構下方。
如請求項1之積體電路結構，其中該第一接合表面與該第二平坦接合表面混合接合。
如請求項7之積體電路結構，其中該第一接合表面與該第二平坦接合表面熔融接合。
如請求項1之積體電路結構，其中： <br/>該電子組件包括該第二平坦接合表面中之一組件邊緣凹部；且 <br/>該模製化合物填充該組件邊緣凹部。
一種積體電路晶粒，其包含： <br/>一半導體層； <br/>一後段製程(BEOL)增層結構，其在該半導體層上，其中該BEOL增層結構包括一密封環； <br/>一接合界面層，其在該BEOL增層結構上； <br/>一第一平坦接合表面、一第一側向邊緣、及該第一平坦接合表面中之一第一邊緣凹部； <br/>其中該第一邊緣凹部之特徵在於從該第一側向邊緣延伸至一第一內邊緣的一第一寬度、及從該第一平坦接合表面延伸至一第一基頂的一第一深度；及 <br/>其中該第一邊緣凹部之該第一寬度不延伸至該密封環。
如請求項10之積體電路晶粒，其中該第一寬度係比該第一深度更大的一距離。
如請求項10之積體電路晶粒，其中該第一邊緣凹部之該第一深度橫跨該接合界面層、該BEOL增層結構，且延伸至該半導體層中。
如請求項12之積體電路晶粒，其中該BEOL增層結構包括相鄰於該第一內邊緣的一密封環，且該第一邊緣凹部之該第一寬度不延伸至該密封環。
如請求項12之積體電路晶粒： <br/>進一步包含一第二邊緣凹部； <br/>其中該第二邊緣凹部橫跨該第一BEOL增層結構下方；且 <br/>其中該第二邊緣凹部之特徵在於從該第一邊緣凹部之該第一內邊緣延伸至一第二內邊緣的一第二寬度、及從該第一平坦接合表面延伸至一第二基頂的一第二深度。
如請求項14之積體電路晶粒，其中該第二邊緣凹部之該第二寬度在該密封環下方延伸。
如請求項10之積體電路晶粒，其中該第一邊緣凹部之該第一基頂係在該BEOL增層結構下方。
如請求項10之積體電路晶粒，其中該第一平坦接合表面橫跨複數個金屬接合墊及一接合界面層。
一種積體電路結構，其包含： <br/>一積體電路(IC)晶粒，其包括一第一接合表面及一第一周緣邊緣； <br/>一電子組件，其包括一第二接合表面及該第二接合表面中之一組件邊緣凹部，其中該第二接合表面直接接合至該第一接合表面；及 <br/>一模製化合物，其橫跨該電子組件及該第一周緣邊緣，且填充該組件邊緣凹部； <br/>其中該組件邊緣凹部之特徵在於從一組件側向邊緣延伸至一組件內邊緣的一寬度、及從該第二接合表面延伸至一底面(floor)的一第一深度。
如請求項18之積體電路結構，其中該組件邊緣凹部圍繞該IC晶粒之該第一周緣邊緣。
如請求項19之積體電路結構，其中該組件邊緣凹部經定位相鄰該IC晶粒之一隅角。
如請求項18之積體電路結構，其中該電子組件包含複數個穿矽通孔。
如請求項18之積體電路結構，其中： <br/>該晶粒包括該第一接合表面中之一第一邊緣凹部；且 <br/>該模製化合物填充該第一邊緣凹部。
一種高導熱矽脂界面材料的製備方法，採用包括以下重量份的各組分的組合物製備得到所述高導熱矽脂界面材料：<br/> 非反應型矽油1-20份；<br/> 導熱填料60-98份；<br/> 處理劑0.1-6份；以及<br/> 助劑0.01-1份；<br/> 其中所述處理劑至少包括不對稱矽油，且任選的包括烷基三甲氧基矽烷；<br/> 所述製備方法包括以下步驟：<br/> (1) 將所述非反應型矽油、所述處理劑與所述導熱填料混合均勻；<br/> (2) 將步驟 (1) 所得混合物料在50-80℃進行第一段加熱混合，混合時間為20-60分鐘，然後在90-130℃在真空環境下進行第二段加熱混合，混合時間為30-60分鐘，之後在140℃-180℃在真空環境下進行第三段混合，混合時間為10-30分鐘；以及 <br/> (3) 將步驟 (2) 所得混合物料進行降溫至溫度為20-30℃，再加入所述助劑進行混合。
根據請求項1所述的高導熱矽脂界面材料的製備方法，其中所述不對稱矽油具有以下結構式 (I)：<br/><img align="absmiddle" height="36px" width="193px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (I) <br/> 其中，各B獨立地具有如下結構式 (II)：<br/><img align="absmiddle" height="26px" width="92px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (II) <br/> Y具有以下結構式 (III)：<br/><img align="absmiddle" height="55px" width="178px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (III) <br/> 結構式 (II) 和結構式 (III) 中的Z分別獨立地為碳原子數為10以下的亞烴基；<br/> 各A獨立地為碳原子數為20以下的脂肪烴基；<br/> 各個R<sup>1</sup>各自獨立地為碳原子數為4以下的脂肪烴基或芳香烴基；<br/> R<sup>2</sup>為乙基、乙烯基、苯基或三氟丙基；<br/> 各R<sup>3</sup>分別獨立為碳原子數為4以下的脂肪烴基；<br/> 各個R<sup>4</sup>分別獨立為甲基、乙基或苯基；<br/> 結構式 (I) 中，m=50-1000，n=0-100，p=0-100，q=0-10；<br/> 結構式 (II) 或結構式 (III) 中的r=0-2；以及<br/> 結構式 (III) 中，k=1-100，t=1-10。
根據請求項2所述的高導熱矽脂界面材料的製備方法，其中<br/> Z分別獨立地為乙撐基或亞乙基苯基；<br/> 各A獨立地為甲基、乙基、丙基、丁基或乙烯基；<br/> 各個R<sup>1</sup>各自獨立地為甲基、乙基、丙基、丁基或苯基；<br/> 各R<sup>3</sup>分別獨立為甲基、乙基、丙基或異丙基。
根據請求項2所述的高導熱矽脂界面材料的製備方法，其中所述烷基三甲氧基矽烷中所述烷基的碳原子數為1-16。
根據請求項4所述的高導熱矽脂界面材料的製備方法，其中所述不對稱矽油和所述烷基三甲氧基矽烷的質量比為0.5:1-20:1。
根據請求項1-5任一項所述的高導熱矽脂界面材料的製備方法，其中所述非反應型矽油選自甲基矽油、辛基矽油、苯基矽油、聚醚改性矽油、聚二甲基矽氧烷中的一種或多種的組合。
根據請求項6所述的高導熱矽脂界面材料的製備方法，其中所述聚二甲基矽氧烷為乙烯基矽油和含氫矽油反應製得。
根據請求項6所述的高導熱矽脂界面材料的製備方法，其中所述非反應型矽油的揮發性指標為150℃高溫下的揮發份≤0.1wt%。
根據請求項6所述的高導熱矽脂界面材料的製備方法，其中所述導熱填料選自導熱金屬填料和導熱非金屬填料中的一種或多種。
根據請求項9所述的高導熱矽脂界面材料的製備方法，其中所述導熱金屬填料和所述導熱非金屬填料的質量比為0.1:1-5:1。
根據請求項9所述的高導熱矽脂界面材料的製備方法，其中所述導熱金屬填料選自鋁粉、銀粉、銅粉中的一種或多種；<br/> 所述導熱非金屬填料選自矽粉、氧化鋅、氧化鋁、氮化鋁中的一種或多種。
根據請求項9所述的高導熱矽脂界面材料的製備方法，其中<br/> 所述導熱金屬填料的粒徑為0.1-2 μm，或者，所述導熱金屬填料為粒徑0.1-2 μm和粒徑10-12 μm的導熱金屬填料組合而成；<br/> 所述導熱非金屬填料採用具有如下粒徑(a) – (d) 的填料中的一種或多種組合而成：<br/> (a) 粒徑為0.1-2 μm；(b) 粒徑為10-20 μm；(c) 粒徑為40-50 μm；(d) 粒徑為70-80 μm。
根據請求項9所述的高導熱矽脂界面材料的製備方法，其中所述導熱金屬填料的粒徑為10-12 μm。
根據請求項1-5任一項所述的高導熱矽脂界面材料的製備方法，其中所述助劑選自氧化鈰、酚類物質中的一種或多種。
根據請求項14所述的高導熱矽脂界面材料的製備方法，其中所述氧化鈰為奈米級或亞微米級的氧化鈰。
根據請求項14所述的高導熱矽脂界面材料的製備方法，其中所述酚類物質包括二叔丁基對甲酚、1,1,3-三(2-甲基-4-羥基-5-叔丁基苯基)丁烷、β-(4-羥基-3,5-二叔丁基苯基)丙酸十八醇酯、四[β-(3,5-二叔丁基-4-羥基苯基)丙酸]季戊四醇酯中的一種或多種。
根據請求項1-5任一項所述高導熱矽脂界面材料的製備方法，其中所述第一段加熱混合的溫度為70-80℃，所述第二段加熱混合的溫度為110-130℃，所述第三段加熱混合的溫度為160-180℃。
根據請求項1-5任一項所述高導熱矽脂界面材料的製備方法，其中在步驟 (1) 中，先將所述非反應型矽油和所述處理劑混合均勻，然後再與所述導熱填料混合均勻。
一種採用請求項1-18任一項所述的製備方法所製得的高導熱矽脂界面材料。
一種溫度感測器，其特徵在於包含： <br/> 配置在處理空間的測溫部，該處理空間係作為在基板支撐件的支撐部上所支撐的基板與基板之間的空間； <br/> 檢測部，在其內部設置前述測溫部；以及 <br/> 柱部，以在水平方向上支撐前述檢測部的方式沿鉛垂方向延伸， <br/> 前述檢測部的下端，係配置在與前述支撐部的下端相同的高度位置處或更高的位置處， <br/> 前述柱部的前述處理空間側的表面配置成，比在水平方向上支撐前述支撐部的支柱部的前述處理空間側的表面更遠離前述處理空間， <br/> 前述測溫部係配置在前述支柱部的附近。
如請求項1所述的溫度感測器，其中， <br/> 在前述支撐部的側視圖中，前述檢測部配置在包含於前述支撐部的外形的內側的位置。
如請求項1所述的溫度感測器，其中， <br/> 在前述支撐部的側視圖中，構成為前述檢測部和前述支撐部比前述基板的周緣部更向前述基板的內側延伸，前述檢測部從前述基板的周緣部向前述基板的內側的延伸量比前述支撐部從前述基板的周緣部向前述基板的內側的延伸量短。
如請求項1所述的溫度感測器，其中， <br/> 在前述支撐部的側視圖中，構成為前述檢測部和前述支撐部比前述基板的周緣部更向前述基板的內側延伸，前述支撐部比前述檢測部更向前述基板的內側延伸。
如請求項1所述的溫度感測器，其中， <br/> 在前述支撐部的側視圖中，前述檢測部的前端配置為位於前述支撐部的前端與前述基板的周緣部之間。
如請求項1所述的溫度感測器，其中， <br/> 構成為前述檢測部的截面積小於前述支撐部的截面積。
如請求項1所述的溫度感測器，其中， <br/> 構成為前述測溫部配置在前述基板的周緣部。
如請求項1所述的溫度感測器，其中， <br/> 構成為前述測溫部配置在前述基板的背面附近。
如請求項1所述的溫度感測器，其中， <br/> 前述測溫部以與前述基板支撐件一起動作的方式安裝。
如請求項1所述的溫度感測器，其中， <br/> 構成為前述檢測部或前述柱部不與前述基板支撐件接觸。
如請求項1所述的溫度感測器，其中， <br/> 在前述處理空間的配置有前述基板的區域設置至少一個以上的前述檢測部。
如請求項1所述的溫度感測器，其中， <br/> 還具有：對前述基板進行加熱的多個加熱區域， <br/> 構成為前述檢測部設置在與前述基板對置的每個前述加熱區域。
如請求項1所述的溫度感測器，其中， <br/> 還具有：設置在前述柱部的上端的上端連接部，該上端連接部將前述柱部連接在前述基板支撐件。
如請求項1所述的溫度感測器，其中， <br/> 還具有：設置在前述柱部的下端的下端連接部，該下端連接部將前述柱部連接在前述基板支撐件。
一種基板處理裝置，其特徵在於， <br/> 前述基板處理裝置具備溫度感測器， <br/> 前述溫度感測器包含： <br/> 配置在處理空間的測溫部，該處理空間係作為在基板支撐件的支撐部上所支撐的基板與基板之間的空間； <br/> 檢測部，在其內部設置有前述測溫部；以及 <br/> 柱部，以在水平方向上支撐前述檢測部的方式沿鉛垂方向延伸， <br/> 前述檢測部的下端配置在與前述支撐部的下端相同的高度位置處或更高的位置處， <br/> 前述柱部的前述處理空間側的表面配置成，比在水平方向上支撐前述支撐部的支柱部的前述處理空間側的表面更遠離前述處理空間， <br/> 前述測溫部係配置在前述支柱部的附近。
如請求項15所述的基板處理裝置，其中， <br/> 前述基板處理裝置還具備： <br/> 旋轉機構，其使前述基板支撐件旋轉； <br/> 發送部，其構成為在處理前述基板的處理室的外側與前述溫度感測器連接，並與前述基板支撐件成為一體地旋轉；以及 <br/> 接收部，其在前述處理室的外側，接收從前述發送部輸出的信號。
如請求項16所述的基板處理裝置，其中， <br/> 構成為前述發送部和前述接收部最靠近地配置。
如請求項15所述的基板處理裝置，其中， <br/> 在從上方觀察前述基板的俯視圖中，前述檢測部的長邊方向的延長線配置在與前述基板的中心不重疊的位置處。
一種半導體裝置的製造方法，其特徵在於具有： <br/> 使用由溫度感測器檢測出的溫度控制加熱機構來將基板設定為處理溫度的工程；以及 <br/> 在前述處理溫度下對前述基板進行處理的工程， <br/> 其中，前述溫度感測器包含： <br/> 配置在處理空間的測溫部，該處理空間係作為在基板支撐件的支撐部上所支撐的基板與基板之間的空間； <br/> 檢測部，在其內部設置有前述測溫部；以及 <br/> 柱部，以在水平方向上支撐前述檢測部的方式沿鉛垂方向延伸， <br/> 前述檢測部的下端配置在與前述支撐部的下端相同的高度位置處或更高的位置處， <br/> 前述柱部的前述處理空間側的表面配置成，比在水平方向上支撐前述支撐部的支柱部的前述處理空間側的表面更遠離前述處理空間，前述測溫部係配置在前述支柱部的附近。
一種溫度控制系統，其特徵在於具備： <br/> 溫度感測器；以及 <br/> 控制部，其使用由前述溫度感測器檢測出的溫度來控制基板的溫度， <br/> 其中，前述溫度感測器包含： <br/> 配置在處理空間的測溫部，該處理空間係作為在基板支撐件的支撐部上所支撐的基板與基板之間的空間； <br/> 檢測部，在其內部設置有前述測溫部；以及 <br/> 柱部，以在水平方向上支撐前述檢測部的方式沿鉛垂方向延伸， <br/> 前述檢測部的下端配置在與前述支撐部的下端相同的高度位置或更高的位置， <br/> 前述柱部的前述處理空間側的表面配置成，比在水平方向上支撐前述支撐部的支柱部的前述處理空間側的表面更遠離前述處理空間，前述測溫部係配置在前述支柱部的附近。
一種載片機構，其中，包括：<br/>一子舟，用於承載一基片，該子舟的數量為至少兩個，至少兩個該子舟沿高度方向分佈；和<br/>一子舟支架，用於在豎直方向上支撐至少部分該子舟，該子舟支架包括：<br/>一橫向支撐部，用於承載至少部分該子舟，其中該橫向支撐部延伸於至少部分該子舟的底部下方並支撐該底部；以及<br/>至少兩個側支撐部，分別設置於該橫向支撐部的相對側，用於共同支撐該橫向支撐部。
如請求項1所述的載片機構，其中，該子舟支架的至少兩個該側支撐部為板狀。
如請求項1所述的載片機構，其中至少該兩個側支撐部分別連接該橫向支撐部在一第一橫向的該些相對側。
如請求項3所述的載片機構，其中，該橫向支撐部用於承載至少兩個該子舟中位於上部的子舟。
如請求項3所述的載片機構，其中，該子舟支架還包括固設於該側支撐部的一支架掛耳；<br/>該子舟包括掛設於該支架掛耳的一子舟掛耳。
如請求項5所述的載片機構，其中，至少兩個該支架掛耳位於該側支撐部在一第二橫向上的相背兩側，用以分別掛設兩個該子舟，且使得兩個該子舟沿該第二橫向並排佈置，該第二橫向垂直於該第一橫向。
如請求項6所述的載片機構，其中，該子舟的相背兩側均設置該子舟掛耳；<br/>對於位於相對側的兩個該側支撐部，二者在同一側的各該支架掛耳一一對應地相對，用以分別掛設該子舟的相背兩側的兩個該子舟掛耳。
如請求項7所述的載片機構，其中，該子舟掛耳包括沿該第二橫向平行且間隔設置的一第一耳軸和一第二耳軸，該第一耳軸和該第二耳軸均沿該第一橫向延伸設置；<br/>相較於該第一耳軸，該第二耳軸的末端更遠離於該子舟的幾何中心，且該第二耳軸掛設於該支架掛耳，且在掛設時更靠近沿該第二橫向並排佈置的相鄰該子舟。
如請求項1至8中任一項所述的載片機構，其中，該子舟支架還包括設有一第一定位部的一底板；<br/>該載片機構還包括一支撐架，用於支撐該底板，該支撐架設有一第一凸出定位部，該第一凸出定位部與該第一定位部配合。
如請求項9所述的載片機構，其中，該第一定位部為設置在該底板的周向側面的一第一定位缺口部，該第一定位缺口部的數量為多個，且在該底板的周向側面上間隔分佈；<br/>該第一凸出定位部為相對於該支撐架的支撐面向上凸出的一定位凸塊，該定位凸塊為多個，各該定位凸塊的周向側面與該第一定位缺口部的對應的周向側面一一對應地配合。
如請求項10所述的載片機構，其中，該底板還設有一第二定位部，該第二定位部用於與運輸該載片機構的一移載機構的一第二凸出定位部配合。
如請求項11所述的載片機構，其中，該第二定位部為設置在該底板的周向側面的一第二定位缺口部，該第二定位缺口部的數量為多個且在該底板的周向側面上間隔分佈，並且該第二定位缺口部用於與該第二凸出定位部配合的周向側面與用於與該定位凸塊的周向側面相配合的周向側面相背離。
如請求項1至8中任一項所述的載片機構，其中，該載片機構還包括一支撐架和一勻流板；該支撐架包括：<br/>多根支撐棒和固定連接於各相鄰兩個該支撐棒之間的一橫支撐部；<br/>該勻流板由該橫支撐部支撐，且該勻流板設有多個第一定位孔，各該支撐棒分別穿入各該第一定位孔。
如請求項13所述的載片機構，其中，該載片機構還包括：<br/>一保溫桶，位於該勻流板下方，該保溫桶的頂部設有多個第二定位孔，各該支撐棒分別穿入各該第二定位孔，該保溫桶內填充有保溫材料。
如請求項1至8中任一項所述的載片機構，其中，該子舟包括一限位柱和多根支撐柱，多根該支撐柱沿第一橫向排成至少兩排，每排具有多個該支撐柱，且沿一第二橫向間隔設置，該第二橫向垂直於該第一橫向；<br/>相鄰的兩排該支撐柱彼此相對的側面均設有沿相對於水平面傾斜的一傾斜方向延伸的一齒槽，相鄰的兩排該支撐柱彼此相對的側面的該齒槽用於支撐該基片的側邊；<br/>該限位柱位於相鄰兩排該支撐柱的一側，且靠近該齒槽的兩端中高度較低一端，該限位柱和相鄰兩排該支撐柱形成用於容納該基片的一容納空間。
如請求項1至8中任一項所述的載片機構，其中，該子舟包括一上端板、一下端板以及連接在該上端板和該下端板之間的一支撐柱，該支撐柱設有多個用於承載該基片的齒槽，其中，多個齒槽沿高度方向間隔排列，且最上部的齒槽與該上端板的間距小於等於9mm，最下部的齒槽與該下端板的間距小於等於9mm。
一種移載機構，其中，該移載機構用於夾持如請求項1至16中任一項的載片機構中的該子舟支架，該子舟支架包括一底板，該移載機構包括一承載構件，該承載構件用於承載該子舟支架的該底板。
如請求項17所述的移載機構，其中，該底板設有一第二定位部；<br/>該承載構件包括一承載板，該承載板的上表面設有一第二凸出定位部；該第二凸出定位部與該第二定位部配合。
如請求項18所述的移載機構，其中，該第二凸出定位部為多個設置在該承載板的上表面的定位柱，該第二定位部為設置在該底板的周向側面的第二定位缺口部，該第二定位缺口部的數量為多個且在該底板的周向側面上間隔分佈，各該定位柱與各該第二定位缺口部一一對應地配合。
如請求項17所述的移載機構，其中，該承載構件包括：<br/>一承載板，該承載板的上表面安裝有一位置傳感器，該位置傳感器用於檢測該子舟支架是否位於該承載板上。
如請求項17至20中任一項所述的移載機構，其中，該移載機構還包括一夾持底座和安裝於該夾持底座的一夾持組件，該夾持組件包括：<br/>一夾持動力源，樞接於該夾持底座；以及，<br/>一夾持件，樞接於該夾持底座，用於與該承載構件配合以夾持該子舟支架，該夾持件包括固定連接的一受驅動部和一壓緊部，該受驅動部與該夾持動力源的一動力輸出端樞接，該壓緊部用於壓緊該子舟支架。
一種半導體製程設備，包括一製程管和位於該製程管內的一載片機構，其中，該載片機構為請求項1-16任一項所述的載片機構。
一種半導體元件，包含： 一導電層，具有一溝槽；<br/> 一著陸墊，填充於該溝槽中；<br/> 一電容器，設置於該著陸墊上方；以及<br/> 一層間接觸件，連接於該著陸墊與該電容器之間，其中該層間接觸件之一頂部之一寬度大於該電容器之一寬度，其中該層間接觸件之一底面低於該著陸墊之一頂面一距離。
如請求項1所述之半導體元件，進一步包含一介電質層覆蓋該導電層以及該著陸墊。
如請求項2所述之半導體元件，其中該介電質層之一頂面與該層間接觸件之一頂面共平面。
如請求項1所述之半導體元件，其中該層間接觸件之一底部之一寬度小於該著陸墊之一頂部之一寬度。
如請求項4所述之半導體元件，其中該層間接觸件之該頂部之該寬度大於該層間接觸件之該底部之該寬度。
如請求項1所述之半導體元件，其中該著陸墊之一頂部之一寬度大於該著陸墊之一底部之一寬度。
如請求項1所述之半導體元件，進一步包含一接觸材料填充於該溝槽中並位於該著陸墊下方。
一種半導體元件，包含：<br/> 一導電層，具有一溝槽；<br/> 一著陸墊，填充於該溝槽中；<br/> 一電容器，設置於該著陸墊上方；以及<br/> 一層間接觸件，連接於該著陸墊與該電容器之間，其中該層間接觸件之一寬度向下漸縮，且該層間接觸件之一頂部之該寬度大於該電容器之一寬度，其中該層間接觸件之一底面低於該著陸墊之一頂面一距離。
如請求項8所述之半導體元件，進一步包含一介電質層覆蓋該導電層以及該著陸墊。
如請求項9所述之半導體元件，其中該介電質層之一頂面與該層間接觸件之一頂面共平面。
如請求項8所述之半導體元件，其中該著陸墊之一頂部之一寬度小於該電容器之該寬度。
如請求項8所述之半導體元件，其中該層間接觸件之一底部之一寬度小於該著陸墊之一頂部之一寬度。
如請求項8所述之半導體元件，其中該著陸墊之一頂部之一寬度大於該著陸墊之一底部之一寬度。
如請求項8所述之半導體元件，進一步包含一接觸材料填充於該溝槽中並位於該著陸墊下方。
一種半導體元件的製造方法，包含：<br/> 依序地形成一導電層、一接觸材料、一著陸墊以及一介電質層，其中該接觸材料以及該著陸墊填充於該導電層之一溝槽中，並且該著陸墊過度填充該溝槽，且其中該介電質層覆蓋該導電層以及該著陸墊；<br/> 形成一凹部於該介電質層之一頂面上以暴露該著陸墊；<br/> 形成一層間接觸件填充該凹部；以及<br/> 形成一電容器於該層間接觸件上，其中該層間接觸件連接於該著陸墊與該電容器之間，且該層間接觸件之一頂部之一寬度大於該電容器之一寬度，其中該層間接觸件之一底面低於該著陸墊之一頂面一距離。
如請求項15所述之方法，其中形成該凹部於該介電質層之該頂面上致使該著陸墊之一部位被去除。
一種扇輪，包含：<br/> 一扇輪本體，具有一輪轂，數個扇葉環繞該輪轂設置，該輪轂具有一轉軸及一軸接凸部，該轉軸結合該軸接凸部，該扇輪本體具有一永久磁鐵，該永久磁鐵具有一外周面及一內周面，該外周面與該內周面分別位於該永久磁鐵徑向的相對兩側，該永久磁鐵具有一上端面及一下端面，該上端面及該下端面分別位於該永久磁鐵軸向的相對兩端，該永久磁鐵的外周面結合於該輪轂，使該永久磁鐵具有未與該輪轂接觸的一裸露部位；及<br/> 一隔絕膜，覆蓋於該永久磁鐵的內周面、該上端面及該下端面，該隔絕膜未覆蓋於該轉軸表面及該軸接凸部，該隔絕膜係利用物理氣相沉積法由聚對二甲苯形成。
如請求項1之扇輪，其中，該永久磁鐵的上端面結合於該輪轂。
一種流體驅動件，包含：<br/> 一框體，具有一軸管；<br/> 一定子，位於該軸管的外周；<br/> 及如請求項1或2之一扇輪，該扇輪可旋轉地設於該軸管。
一種記憶體裝置的電壓監測器，包括：<br/> 分壓器，耦接到感測節點，所述分壓器被配置成接收所述記憶體裝置中的內部電壓，並對所述內部電壓進行分壓以在所述感測節點上產生感測電壓；<br/> 橋接開關，所述橋接開關的第一端子耦接到所述感測節點，所述橋接開關的第二端子耦接到連接墊；以及<br/> 晶片外驅動器，包括：<br/> 控制開關，所述控制開關的第一端子耦接到高參考電壓；<br/> 上拉開關，耦接於所述控制開關的第二端子與所述連接墊之間；以及<br/> 下拉開關，耦接於所述連接墊與低參考電壓之間，<br/> 其中所述橋接開關在測試模式中被接通，且<br/> 其中所述控制開關、所述上拉開關和所述下拉開關在所述測試模式中被斷開，使所述感測電壓在所述測試模式中經由所述連接墊被監測。
如請求項1所述的電壓監測器，其中：<br/> 所述橋接開關在正常模式中被斷開，且<br/> 所述控制開關在所述正常模式中被接通。
如請求項1所述的電壓監測器，其中所述控制開關的閾值電壓的絕對值高於所述上拉開關的閾值電壓的絕對值。
如請求項1所述的電壓監測器，還包括：<br/> 準位移位器，耦接到所述橋接開關的控制端子和所述控制開關的控制端子，所述準位移位器被配置成接收模式信號且回應於所述模式信號而產生控制信號，<br/> 其中在所述測試模式中，所述模式信號具有第一邏輯準位，且所述控制信號具有第一電壓準位，且<br/> 其中在正常模式中，所述模式信號具有第二邏輯準位，且所述控制信號具有第二電壓準位。
如請求項4所述的電壓監測器，其中在所述測試模式中：<br/> 所述橋接開關回應於具有所述第一電壓準位的所述控制信號而被接通，且<br/> 所述控制開關回應於具有所述第一電壓準位的所述控制信號而被斷開。
如請求項4所述的電壓監測器，其中：<br/> 所述橋接開關由n型電晶體實施，且<br/> 所述控制開關由p型電晶體實施。
如請求項1所述的電壓監測器，還包括：<br/> 準位移位器，耦接到所述橋接開關的控制端子，且被配置成接收模式信號且回應於所述模式信號而產生控制信號；以及<br/> 反相器，所述反相器的輸入端子耦接到所述準位移位器，所述反相器的輸出端子耦接到所述控制開關的控制端子，所述反相器被配置成根據所述控制信號產生反相控制信號，<br/> 其中在所述測試模式中，所述模式信號具有第一邏輯準位，且所述控制信號具有第一電壓準位，且<br/> 其中在正常模式中，所述模式信號具有第二邏輯準位，且所述控制信號具有第二電壓準位。
如請求項7所述的電壓監測器，其中在所述測試模式中：<br/> 所述橋接開關回應於具有所述第一電壓準位的所述控制信號而被接通，且<br/> 所述控制開關回應於具有所述第二電壓準位的所述反相控制信號而被斷開。
如請求項7所述的電壓監測器，其中所述橋接開關和所述控制開關中的每一者由n型電晶體實施。
如請求項1所述的電壓監測器，其中所述分壓器包括：<br/> 第一分壓電阻器，耦接於所述內部電壓與所述感測節點之間；以及<br/> 第二分壓電阻器，耦接於所述感測節點與基底電壓之間。
一種記憶體裝置的電壓監測器，包括：<br/> 分壓器，耦接到感測節點，所述分壓器被配置成接收所述記憶體裝置中的內部電壓，且對所述內部電壓進行分壓以在所述感測節點上產生感測電壓；<br/> 橋接開關，所述橋接開關的第一端子耦接到所述感測節點，所述橋接開關的第二端子耦接到連接墊；以及<br/> 晶片外驅動器，包括：<br/> 上拉開關，耦接于高參考電壓與所述連接墊之間；<br/> 下拉開關，所述下拉開關的第一端子耦接到所述連接墊；以及<br/> 控制開關，耦接於所述下拉開關的第二端子與低參考電壓之間，<br/> 其中所述橋接開關在測試模式中被接通，且<br/> 其中所述控制開關、所述上拉開關和所述下拉開關在所述測試模式中被斷開，使所述感測電壓在所述測試模式中經由所述連接墊被監測。
如請求項11所述的電壓監測器，其中：<br/> 所述橋接開關在正常模式中被斷開，且<br/> 所述控制開關在所述正常模式中被接通。
如請求項11所述的電壓監測器，其中所述控制開關的閾值電壓的絕對值高於所述下拉開關的閾值電壓的絕對值。
如請求項11所述的電壓監測器，還包括：<br/> 準位移位器，耦接到所述橋接開關的控制端子和所述控制開關的控制端子，所述準位移位器被配置成接收模式信號且回應於所述模式信號而產生控制信號，<br/> 其中在所述測試模式中，所述模式信號具有第一邏輯準位，且所述控制信號具有第一電壓準位，且<br/> 其中在正常模式中，所述模式信號具有第二邏輯準位，且所述控制信號具有第二電壓準位。
如請求項14所述的電壓監測器，其中：<br/> 所述橋接開關回應於具有所述第一電壓準位的所述控制信號而被接通，且<br/> 所述控制開關回應於具有所述第一電壓準位的所述控制信號而被斷開。
如請求項14所述的電壓監測器，其中：<br/> 所述橋接開關由n型電晶體實施，且<br/> 所述控制開關由p型電晶體實施。
如請求項11所述的電壓監測器，還包括：<br/> 準位移位器，耦接到所述橋接開關的控制端子，且被配置成接收模式信號且回應於所述模式信號而產生控制信號；以及<br/> 反相器，所述反相器的輸入端子耦接到所述準位移位器，且所述反相器的輸出端子耦接到所述控制開關的控制端子，所述反相器被配置成根據所述控制信號產生反相控制信號，<br/> 其中在所述測試模式中，所述模式信號具有第一邏輯準位，且所述控制信號具有第一電壓準位，且<br/> 其中在正常模式中，所述模式信號具有第二邏輯準位，且所述控制信號具有第二電壓準位。
如請求項17所述的電壓監測器，其中：<br/> 所述橋接開關回應於具有所述第一電壓準位的所述控制信號而被接通，且<br/> 所述控制開關回應於具有所述第二電壓準位的所述反相控制信號而被斷開。
如請求項17所述的電壓監測器，其中所述橋接開關和所述控制開關中的每一者由n型電晶體實施。
一種訊號中繼器的控制方法，其中，所述訊號中繼器包括通訊連接的線性連續時間等化器和比較器，所述線性連續時間等化器用於對接收的損失訊號進行恢復，所述方法包括：<br/> 第一擷取步驟，擷取所述線性連續時間等化器在多個不同的配置模式下，所述比較器的輸出電壓訊號和所述輸出電壓訊號的統計學特徵，得到多組電壓資料，其中，一組所述電壓資料對應一個所述配置模式，所述線性連續時間等化器在任意兩個不同的配置模式下對應的對所述損失訊號進行恢復的參數不同，所述電壓資料為預定時間段內所述輸出電壓訊號的多個電壓值和各所述電壓值對應的數量；<br/> 第二擷取步驟，擷取各所述電壓資料中所述數量的最大值對應的電壓值，得到多個目標電壓值，其中，一組所述電壓資料中所述數量的最大值對應至少一個所述電壓值；<br/> 第一確定步驟，確定多個所述目標電壓值中的最小值對應的所述電壓資料為目標電壓資料，其中，所述目標電壓值中的最小值對應至少一個所述電壓資料；<br/> 第二確定步驟，確定所述目標電壓資料對應的所述配置模式為目標配置模式，並將所述線性連續時間等化器設置為所述目標配置模式；<br/> 其中，在一組所述電壓資料中所述數量的最大值對應多個所述電壓值的情況下，所述第二擷取步驟包括：<br/> 確定所述電壓資料中所述數量的最大值對應的多個所述電壓值中的最小值為所述目標電壓值。
如請求項1所述之方法，其中，在一組所述電壓資料中所述數量的最大值對應一個所述電壓值的情況下，所述第二擷取步驟包括：<br/> 確定所述電壓資料中所述數量的最大值對應的一個所述電壓值為所述目標電壓值。
如請求項1所述之方法，其中，在所述目標電壓值中的最小值對應一個所述電壓資料的情況下，所述第一確定步驟包括：<br/> 確定多個所述目標電壓值中的最小值對應的一組所述電壓資料為所述目標電壓資料。
如請求項1所述之方法，其中，在所述目標電壓值中的最小值對應多個所述電壓資料的情況下，所述第一確定步驟包括：<br/> 確定多個所述目標電壓值中的最小值對應的所述電壓資料的組數是否為奇數；<br/> 在多個所述目標電壓值中的最小值對應的所述電壓資料的組數為奇數的情況下，對多組所述電壓資料按照各所述電壓資料對應的所述配置模式的強度進行排序，得到序列資料，並確定所述序列資料中的中位數對應的所述電壓資料為所述目標電壓資料，其中，所述配置模式的所述強度為所述線性連續時間等化器對所述損失訊號進行恢復的強度；<br/> 在多個所述目標電壓值中的最小值對應的所述電壓資料的組數不為奇數的情況下，擷取多組所述電壓資料對應的電壓差值，得到多個所述電壓差值，並確定多個所述電壓差值中的最大值對應的所述電壓資料為所述目標電壓資料，其中，所述電壓差值為所述電壓資料中的第一電壓值與第二電壓值的差值，所述第一電壓值為所述數量的最大值對應的電壓值，所述第二電壓值為除了最大數量的剩餘所述數量的最大值對應的電壓值。
如請求項1所述之方法，其中，所述訊號中繼器還包括參考訊號生成器，所述參考訊號生成器用於產生參考訊號，並輸入至所述比較器，在所述第一擷取步驟之前，所述方法還包括：<br/> 預備處理步驟，提高所述參考訊號的解析度。
如請求項5所述之方法，其中，在所述目標電壓值中的最小值對應多個所述電壓資料的情況下，所述第一確定步驟包括：<br/> 擷取多組所述電壓資料對應的電壓差值，得到多個所述電壓差值，並確定多個所述電壓差值中的最大值對應的所述電壓資料為所述目標電壓資料，其中，所述電壓差值為所述電壓資料中的第一電壓值與第二電壓值的差值，所述第一電壓值為所述數量的最大值對應的電壓值，所述第二電壓值為除了最大數量的剩餘所述數量的最大值對應的電壓值。
一種訊號中繼器的控制裝置，其中，所述訊號中繼器包括通訊連接的線性連續時間等化器和比較器，所述線性連續時間等化器用於對接收的損失訊號進行恢復，所述裝置包括：<br/> 第一擷取單元，用於第一擷取步驟，擷取所述線性連續時間等化器在多個不同的配置模式下，所述比較器的輸出電壓訊號和所述輸出電壓訊號的統計學特徵，得到多組電壓資料，其中，一組所述電壓資料對應一個所述配置模式，所述線性連續時間等化器在任意兩個不同的配置模式下對應的對所述損失訊號進行恢復的參數不同，所述電壓資料為預定時間段內所述輸出電壓訊號的多個電壓值和各所述電壓值對應的數量；<br/> 第二擷取單元，用於第二擷取步驟，擷取各所述電壓資料中所述數量的最大值對應的電壓值，得到多個目標電壓值，其中，一組所述電壓資料中所述數量的最大值對應至少一個所述電壓值；<br/> 第一確定單元，用於第一確定步驟，確定多個所述目標電壓值中的最小值對應的所述電壓資料為目標電壓資料，其中，所述目標電壓值中的最小值對應至少一個所述電壓資料；<br/> 第二確定單元，用於第二確定步驟，確定所述目標電壓資料對應的所述配置模式為目標配置模式，並將所述線性連續時間等化器設置為所述目標配置模式；<br/> 所述第二擷取單元還用於在一組所述電壓資料中所述數量的最大值對應多個所述電壓值的情況下，確定所述電壓資料中所述數量的最大值對應的多個所述電壓值中的最小值為所述目標電壓值。
一種電腦可讀儲存媒體，其中，所述電腦可讀儲存媒體包括儲存的程式，其中，在所述程式運作時控制所述電腦可讀儲存媒體所在設備執行如請求項1至6中任一項所述之方法。
一種電子裝置，包括記憶體和處理器，其中，所述記憶體中儲存有電腦程式，所述處理器被設置為透過所述電腦程式執行如請求項1至6中任一項所述之方法。
一種化合物，其包含與SEQ ID NO.25所載之胺基酸序列具有至少90%序列一致性之胺基酸序列，其中該化合物包含重鏈(HC)及輕鏈(LC)，該重鏈包含重鏈可變區(VH)且該輕鏈包含重鏈可變區(VL)，其中該VH包含重鏈互補決定區(HCDR)1、HCDR2及HCDR3，且該VL包含輕鏈互補決定區(LCDR)1、LCDR2及LCDR3，其中：該HCDR1之胺基酸序列為SEQ ID NO.45；該HCDR2之胺基酸序列為SEQ ID NO.46；該HCDR3之胺基酸序列為SEQ ID NO.47；該LCDR1之胺基酸序列為SEQ ID NO.48；該LCDR2之胺基酸序列為SEQ ID NO.49；及該LCDR3之胺基酸序列為SEQ ID NO.50。
如請求項1之化合物，其中該化合物包含與SEQ ID NO.25所載之胺基酸序列具有至少95%序列一致性之胺基酸序列。
如請求項1之化合物，其中該HC之胺基酸序列為SEQ ID NO.25且該LC之胺基酸序列為SEQ ID NO.19。
一種化合物，其包含與SEQ ID NO.26所載之胺基酸序列具有至少90%序列一致性之胺基酸序列，其中該化合物包含重鏈(HC)及輕鏈(LC)，該重鏈包含重鏈可變區(VH)且該輕鏈包含重鏈可變區(VL)，其中該VH包含HCDR1、HCDR2及HCDR3，且該VL包含LCDR1、LCDR2及LCDR3，其中：該HCDR1之胺基酸序列為SEQ ID NO.45；該HCDR2之胺基酸序列為SEQ ID NO.46；該HCDR3之胺基酸序列為SEQ ID NO.47；該LCDR1之胺基酸序列為SEQ ID NO.48；該LCDR2之胺基酸序列為SEQ ID NO.49；及該LCDR3之胺基酸序列為SEQ ID NO.50。
如請求項4之化合物，其中包含與SEQ ID NO.26所載之胺基酸序列具有至少95%序列一致性之胺基酸序列。
如請求項4之化合物，其中該HC之胺基酸序列為SEQ ID NO.26且該LC之胺基酸序列為SEQ ID NO.19。
一種如請求項1至6中任一項之化合物之用途，其係用於製造用於治療神經性類蠟脂褐質病第11型、額顳葉型失智症、阿茲海默氏症、帕金森氏症、肌肉萎縮性側索硬化或其組合之藥劑。
一種組合物，其包含如請求項1至6中任一項之化合物及醫藥學上可接受之載劑。
一種影像檢索系統，包括： <br/> 資料庫；和 <br/> 處理部，其中： <br/> 該資料庫架構成儲存文件資料和資料庫影像資料， <br/> 該處理部架構成取得資料庫影像特徵量資料， <br/> 該處理部架構成取得查詢影像特徵量資料， <br/> 該處理部架構成透過使用該資料庫影像特徵量資料和該查詢影像特徵量資料以計算該資料庫影像資料與查詢影像資料的第一相似度， <br/> 該處理部架構成透過使用該文件資料以取得該資料庫影像特徵量資料對應的第一向量， <br/> 該處理部架構成透過使用該第一相似度以取得該查詢影像特徵量資料對應的第二向量， <br/> 該處理部架構成取得包括該資料庫影像特徵量資料和該第一向量的第一資料， <br/> 該處理部架構成取得包括該查詢影像特徵量資料和該第二向量的第二資料，以及 <br/> 該處理部架構成取得該第一資料與該第二資料的第二相似度。
一種影像檢索系統，包括： <br/> 資料庫；和 <br/> 處理部，其中： <br/> 該資料庫架構成儲存文件資料和資料庫影像資料， <br/> 該處理部架構成取得該資料庫影像資料與查詢影像資料的第一相似度， <br/> 該處理部架構成取得第一資料與第二資料的第二相似度， <br/> 該第一資料包括表示該資料庫影像資料的第一關鍵字的第一向量， <br/> 該第二資料包括表示該查詢影像資料的第二關鍵字的第二向量，以及 <br/>該第二向量係透過使用該第一相似度取得。
根據請求項2所述的影像檢索系統，其中： <br/> 該處理部架構成將該第一關鍵字與該資料庫影像資料關聯，以及 <br/> 該處理部架構成取得表示該第一關鍵字的該第一向量。
根據請求項1或2所述的影像檢索系統，其中，該處理部架構成在取得該第一相似度和該第二相似度後，校正該資料庫影像資料與該查詢影像資料的相似度。
根據請求項2所述的影像檢索系統，其中，該第一關鍵字表示該資料庫影像資料的概念、技術內容、關注點中的至少一個。
一種具有指令的半導體裝置，當該指令被處理部執行時，使得該處理部執行用於影像檢索的操作，該等操作包括： <br/> 儲存文件資料和資料庫影像資料； <br/> 取得資料庫影像特徵量資料； <br/> 取得查詢影像特徵量資料； <br/> 透過使用該資料庫影像特徵量資料和該查詢影像特徵量資料以計算該資料庫影像資料與查詢影像資料的第一相似度； <br/> 透過使用該文件資料以取得該資料庫影像特徵量資料對應的第一向量； <br/> 透過使用該第一相似度以取得該查詢影像特徵量資料對應的第二向量； <br/> 取得包括該資料庫影像特徵量資料和該第一向量的第一資料； <br/> 取得包括該查詢影像特徵量資料和該第二向量的第二資料；和 <br/> 取得該第一資料與該第二資料的第二相似度。
一種具有指令的半導體裝置，當該指令被處理部執行時，使得該處理部執行用於影像檢索的操作，該等操作包括： <br/> 儲存文件資料和資料庫影像資料； <br/> 取得該資料庫影像資料與查詢影像資料的第一相似度；和 <br/> 取得第一資料與第二資料的第二相似度，其中： <br/> 該第一資料包括表示該資料庫影像資料的第一關鍵字的第一向量， <br/> 該第二資料包括表示該查詢影像資料的第二關鍵字的第二向量，以及 <br/>該第二向量係透過使用該第一相似度取得。
一種觸控偵測方法，用於判斷是否進行報點，包含：<br/> 取得一觸控點的一位置；<br/> 根據該觸控點的該位置，決定複數個參考感應墊；<br/> 根據該觸控點的該位置，決定該複數個參考感應墊的每一感應墊之一權重；<br/> 根據該複數個參考感應墊的感應量及其對應的該權重，評估一第一評估峰值；以及<br/> 根據該第一評估峰值及一第一門檻值，判斷是否為該觸控點報點。
如請求項1所述之觸控偵測方法，其中該複數個參考感應墊包含該觸控點所在的一第一感應墊以及圍繞該第一感應墊的感應墊。
如請求項1所述之觸控偵測方法，其中該複數個參考感應墊係以該觸控點所在的一第一感應墊為中心的一感應墊矩陣，該感應墊矩陣為一NxN矩陣。
如請求項3所述之觸控偵測方法，其中該感應墊矩陣係一3x3矩陣或一5x5矩陣。
如請求項1所述之觸控偵測方法，其中該觸控點與該複數個參考感應墊的每一感應墊中心之一距離小於一預定長度。
如請求項1所述之觸控偵測方法，其中根據該觸控點的該位置決定該複數個參考感應墊的每一感應墊之該權重的步驟，包含：<br/> 根據該觸控點與該複數個參考感應墊的每一感應墊中心之一距離，決定該權重。
如請求項6所述之觸控偵測方法，其中該複數個參考感應墊的每一感應墊之該權重相對於該觸控點與該複數個參考感應墊的每一感應墊中心之該距離具有負相關性。
如請求項1所述之觸控偵測方法，其中根據該第一評估峰值及該第一門檻值判斷是否為該觸控點報點的步驟，包含：<br/> 響應於該第一評估峰值大於該第一門檻值，從一斷開（Break）狀態切換至一接通（Make）狀態並報點；以及<br/> 響應於該第一評估峰值小於該第一門檻值，維持於該Break狀態。
如請求項8所述之觸控偵測方法，響應於處於該Make狀態時，另包含：<br/> 評估一新觸控點的一第二評估峰值；以及<br/> 根據該第二評估峰值及一第二門檻值，判斷是否為該新觸控點報點。
如請求項9所述之觸控偵測方法，其中根據該第二評估峰值及該第二門檻值判斷是否為該新觸控點報點之步驟，包含：<br/> 響應於該第二評估峰值大於該第二門檻值，維持於該Make狀態並報點；以及<br/> 響應於該第二評估峰值小於該第二門檻值，從該Make狀態切換至該Break狀態。
如請求項10所述之觸控偵測方法，其中該第二門檻值係根據一第三評估峰值決定；以及該第三評估峰值係使用一濾波器對該第一評估峰值及該第二評估峰值進行濾波操作所決定。
如請求項11所述之觸控偵測方法，其中該濾波器係一無限脈衝響應（infinite impulse response，IIR）濾波器。
一種觸控控制電路，用於判斷是否進行報點，包含：<br/> 一驅動電路，耦接於一觸控面板，用於向該觸控面板提供驅動訊號；<br/> 一感測電路，耦接於該觸控面板的複數個感應墊；以及<br/> 一處理單元，耦接於該驅動電路及該感測電路，用於執行以下指令：<br/> 由該感測電路取得一觸控點的一位置；<br/> 根據該觸控點的該位置，決定複數個參考感應墊；<br/> 根據該觸控點的該位置，決定該複數個參考感應墊的每一感應墊之一權重；<br/> 根據該複數個參考感應墊的感應量及其對應的該權重評估一第一評估峰值；以及<br/> 根據該第一評估峰值及一第一門檻值，判斷是否為該觸控點報點。
如請求項13所述之觸控控制電路，其中該複數個參考感應墊包含該觸控點所在的一第一感應墊以及圍繞該第一感應墊的感應墊。
如請求項13所述之觸控控制電路，其中該複數個參考感應墊係以該觸控點所在的一第一感應墊為中心的一感應墊矩陣，該感應墊矩陣為一NxN矩陣。
如請求項15所述之觸控控制電路，其中該感應墊矩陣係一3x3矩陣或一5x5矩陣。
如請求項13所述之觸控控制電路，其中該觸控點與該複數個參考感應墊的每一感應墊中心之一距離小於一預定長度。
如請求項13所述之觸控控制電路，其中根據該觸控點的該位置決定該複數個參考感應墊的每一感應墊之該權重的指令，包含：<br/> 根據該觸控點與該複數個參考感應墊的每一感應墊中心之一距離，決定該權重。
如請求項18所述之觸控控制電路，其中該複數個參考感應墊的每一感應墊之該權重相對於該觸控點與該複數個參考感應墊的每一感應墊中心之該距離具有負相關性。
如請求項13所述之觸控控制電路，其中根據該第一評估峰值及該第一門檻值判斷是否為該觸控點報點的指令，包含：<br/> 響應於該第一評估峰值大於該第一門檻值，從一斷開（Break）狀態切換至一接通（Make）狀態並產生該報點；以及<br/> 響應於該第一評估峰值小於該第一門檻值，維持於該Break狀態。
如請求項20所述之觸控控制電路，響應於處於該Make狀態時，另包含：<br/> 評估一新觸控點的一第二評估峰值；以及<br/> 根據該第二評估峰值及一第二門檻值，判斷是否為該新觸控點報點。
如請求項21所述之觸控控制電路，其中根據該第二評估峰值及該第二門檻值判斷是否為該新觸控點報點之指令，包含：<br/> 響應於該第二評估峰值大於該第二門檻值，維持於該Make狀態並報點；以及<br/> 響應於該第二評估峰值小於該第二門檻值，從該Make狀態切換至該Break狀態。
如請求項22所述之觸控控制電路，其中該第二門檻值係根據一第三評估峰值決定；以及該第三評估峰值係使用一濾波器對該第一評估峰值及該第二評估峰值進行濾波操作所決定。
如請求項23所述之觸控控制電路，其中該濾波器係一無限脈衝響應（infinite impulse response，IIR）濾波器。
一種兆赫寬頻波導腔諧振器，包含：<br/> 一第一金屬板，其於一第一中央區域具有一第一傾斜面；<br/> 一金屬光柵，設置於該第一金屬板上且部分覆蓋該第一中央區域的該第一傾斜面；以及<br/> 一第二金屬板，其於一第二中央區域具有一第二傾斜面，且該第二金屬板對應於該第一金屬板以設置於該第一金屬板之上方；<br/> 其中，當該第二金屬板設置於該第一金屬板上方後，該第二金屬板的該第二傾斜面與該第一金屬板的該第一傾斜面之間形成一電磁波通孔，且該金屬光柵位於該電磁波通孔內；<br/> 其中該電磁波通孔具有一入口端及位於該入口端相對側的一出口端，該第一金屬板的該第一傾斜面與該第二金屬板的該第二傾斜面皆由該出口端朝該入口端向下傾斜。
一種兆赫寬頻波導腔諧振器，包含︰<br/> 一第一金屬板，其於一第一中央區域具有一第一傾斜面；<br/> 一金屬光柵，設置於該第一金屬板上且部分覆蓋該第一中央區域的該第一傾斜面；以及<br/> 一第二金屬板，其於一第二中央區域具有一第二傾斜面，且該第二金屬板對應於該第一金屬板以設置於該第一金屬板之上方；<br/> 其中，當該第二金屬板設置於該第一金屬板上方後，該第二金屬板的該第二傾斜面與該第一金屬板的該第一傾斜面之間形成一電磁波通孔，且該金屬光柵位於該電磁波通孔內；<br/> 其中該電磁波通孔具有一入口端及位於該入口端相對側的一出口端，該第一金屬板的該第一傾斜面位於該出口端的垂直高度大於位於該入口端的垂直高度，且該第二金屬板的該第二傾斜面位於該出口端的垂直高度大於位於該入口端的垂直高度。
一種兆赫寬頻波導腔諧振器，包含︰<br/> 一第一金屬板，其於一第一中央區域具有一第一傾斜面；<br/> 一金屬光柵，設置於該第一金屬板上且部分覆蓋該第一中央區域的該第一傾斜面；以及<br/> 一第二金屬板，其於一第二中央區域具有一第二傾斜面，且該第二金屬板對應於該第一金屬板以設置於該第一金屬板之上方；<br/> 其中，當該第二金屬板設置於該第一金屬板上方後，該第二金屬板的該第二傾斜面與該第一金屬板的該第一傾斜面之間形成一電磁波通孔，且該金屬光柵位於該電磁波通孔內；<br/> 其中該第一金屬板具有二第一溝槽，該二第一溝槽分別設置於該第一傾斜面的兩側，該第二金屬板具有二第二溝槽，且該二第二溝槽分別設置於該第二傾斜面的兩側。
如請求項3所述之兆赫寬頻波導腔諧振器，更包含二第一墊片與二第二墊片，該二第一墊片分別設置於該二第一溝槽內，該二第二墊片分別設置於該二第二溝槽內，且該二第一墊片與該二第二墊片分別自該金屬光柵的上側與下側夾持該金屬光柵。
如請求項4所述之兆赫寬頻波導腔諧振器，其中該第一墊片及該第二墊片為厚度可調整的塑膠或金屬墊片。
一種兆赫寬頻波導腔諧振器，包含︰<br/> 一第一金屬板，其於一第一中央區域具有一第一傾斜面；<br/> 一金屬光柵，設置於該第一金屬板上且部分覆蓋該第一中央區域的該第一傾斜面；以及<br/> 一第二金屬板，其於一第二中央區域具有一第二傾斜面，且該第二金屬板對應於該第一金屬板以設置於該第一金屬板之上方；<br/> 其中，當該第二金屬板設置於該第一金屬板上方後，該第二金屬板的該第二傾斜面與該第一金屬板的該第一傾斜面之間形成一電磁波通孔，且該金屬光柵位於該電磁波通孔內；<br/> 其中該金屬光柵具有至少一通道，且該至少一通道由複數狹縫構成；該至少一通道為一第一通道及一第二通道，該第一通道由18個狹縫構成，且該第二通道由35個狹縫構成。
一種兆赫寬頻波導腔諧振器，包含︰<br/> 一第一金屬板，其於一第一中央區域具有一第一傾斜面；<br/> 一金屬光柵，設置於該第一金屬板上且部分覆蓋該第一中央區域的該第一傾斜面；以及<br/> 一第二金屬板，其於一第二中央區域具有一第二傾斜面，且該第二金屬板對應於該第一金屬板以設置於該第一金屬板之上方；<br/> 其中，當該第二金屬板設置於該第一金屬板上方後，該第二金屬板的該第二傾斜面與該第一金屬板的該第一傾斜面之間形成一電磁波通孔，且該金屬光柵位於該電磁波通孔內；<br/> 其中該第一金屬板及該第二金屬板至少其中之一具有一微流體腔及複數微流道，該電磁波通孔通過該微流體腔及該複數微流道與外界環境液體流通。
一種兆赫寬頻波導腔諧振器，包含︰<br/> 一第一金屬板，其於一第一中央區域具有一第一傾斜面；<br/> 一金屬光柵，設置於該第一金屬板上且部分覆蓋該第一中央區域的該第一傾斜面；以及<br/> 一第二金屬板，其於一第二中央區域具有一第二傾斜面，且該第二金屬板對應於該第一金屬板以設置於該第一金屬板之上方；<br/> 其中，當該第二金屬板設置於該第一金屬板上方後，該第二金屬板的該第二傾斜面與該第一金屬板的該第一傾斜面之間形成一電磁波通孔，且該金屬光柵位於該電磁波通孔內；<br/> 其中該金屬光柵具有一薄膜，該薄膜設置於該金屬光柵的表面，且該薄膜為多孔隙薄膜。
一種歧管液排系統，包含：<br/> 一第一液排本體，包含一第一中空流道及複數個第一開口；<br/> 一排氣閥，位於該第一液排本體的頂端並連通至該第一中空流道，用以排出該第一中空流道內之空氣；以及<br/> 複數個歧管組件，分別固定於該些第一開口且連通該第一中空流道，其中每一該歧管組件包含：<br/> 一管體，連接該些第一開口的其中之一者；<br/> 一快速拆裝接頭；<br/> 一電子流量閥，裝設於該管體與該快速拆裝接頭之間；以及<br/> 複數個漏液偵測器，每一該漏液偵測器設置於二緊鄰的該管體之間；以及<br/> 一控制電路板，控制該電子流量閥調節通過該管體的液體流量。
如請求項1所述之歧管液排系統，其中該歧管組件還包含感測裝置，裝設於該管體的一側。
如請求項2所述之歧管液排系統，其中該感測裝置監測該管體中的該液體變化而產生一感測訊號，其中該控制電路板接收該感測訊號，並依據該感測訊號控制該電子流量閥調節通過該管體的液體流量。
如請求項2所述之歧管液排系統，其中該感測裝置還包含一液體感測器，該液體感測器裝設於該管體的第一側。
如請求項4所述之歧管液排系統，其中該液體感測器為壓力感測器或流量感測器。
如請求項4所述之歧管液排系統，其中該液體感測器用以感測該管體中的該液體的壓力或流量，當該液體感測器感測到的該壓力或該流量產生劇烈變化時，該控制電路板關閉對應該劇烈變化的該電子流量閥。
如請求項4所述之歧管液排系統，其中該液體感測器用以感測該管體中的該液體的壓力或流量，該控制電路板用以根據該液體感測器的該壓力或該流量之一讀數平均值與當下的該液體感測器的該壓力或該流量之讀數的關係，控制對應的該電子流量閥的流量。
如請求項4所述之歧管液排系統，其中該感測裝置還包含一溫度感測器，該溫度感測器裝設於該管體的第二側，其中該第一側與該第二側為該管體的二相對側。
如請求項8所述之歧管液排系統，其中該溫度感測器用以感測該管體中的該液體的溫度，該控制電路板用以根據該溫度感測器的該液體之溫度讀數與一溫度預定值的關係，控制對應的該電子流量閥的流量。
如請求項1所述之歧管液排系統，其中該漏液偵測器為一電阻器或一電容器。
如請求項1所述之歧管液排系統，其中當該漏液偵測器偵測到漏水狀況，該控制電路板關閉對應該漏水狀況的該電子流量閥。
如請求項2所述之歧管液排系統，其中該控制電路板電連接該電子流量閥以及該感測裝置。
如請求項1所述之歧管液排系統，還包含一第二液排本體，該第一液排本體與該第二液排本體垂直平行排列。
如請求項13所述之歧管液排系統，其中該第二液排本體包含一第二中空流道及複數個第二開口。
如請求項14所述之歧管液排系統，其中該歧管組件固定於該些第二開口的其中至少之一者且連通該第二中空流道。
如請求項15所述之歧管液排系統，還包含複數個待冷卻裝置，每一該待冷卻裝置包含一冷卻流道，該冷卻流道連通該第一液排本體與該第二液排本體上的該歧管組件。
一種數位資產管理系統，係具備： <br/> 鎖定指示手段，係用以將用來限制關於藉由所定之對應服務而被提供的第一使用者擁有權利之數位資產的使用或處分所需之鎖定處理，對該對應服務進行指示；和 <br/> 非同質性代幣發行手段，係用以針對已被前記對應服務鎖定之前記數位資產，將以前記第一使用者為持有者的非同質性代幣，與表示前記數位資產所涉及之資料的詮釋資料建立對應而在分散帳本上進行發行；和 <br/> 解鎖指示手段，係為關於已被前記對應服務鎖定之前記數位資產而將用來解除其使用或處分之限制所需之解鎖處理對該對應服務進行指示的解鎖指示手段，其係用以於該解鎖處理之時點上，對前記對應服務下達指示，以使其把前記非同質性代幣之持有者所對應之使用者設定成為擁有該數位資產之權利的使用者，而進行解鎖；和 <br/> 非同質性代幣無效化手段，係用以在前記解鎖處理之際，令該解鎖處理所涉及之非同質性代幣遷移至無法使用狀態； <br/> 前記非同質性代幣發行手段，係在已被前記非同質性代幣無效化手段遷移至無法使用狀態的前記非同質性代幣所涉及之前記數位資產，是藉由前記對應服務而被再次鎖定的情況下，針對被再次鎖定的該數位資產，發行與已被遷移至無法使用狀態之前記非同質性代幣不同的非同質性代幣。
如請求項1所記載之數位資產管理系統，其中， <br/> 還具備：非同質性代幣管理手段，係用以將前記非同質性代幣之持有者，從前記第一使用者變更成第二使用者； <br/> 前記解鎖指示手段，係將前記解鎖處理，對前記對應服務進行指示，以使其，把藉由前記持有者變更而已經變成前記非同質性代幣之持有者的前記第二使用者，設定成為擁有前記數位資產之權利的使用者，而進行解鎖。
如請求項2所記載之數位資產管理系統，其中， <br/> 前記非同質性代幣管理手段，係藉由將前記非同質性代幣，藉由該非同質性代幣之持有者之操作而登錄至商城，以把該非同質性代幣設成可從包含前記第二使用者的其他使用者進行購入，關於已被登錄至該商城的前記非同質性代幣，在受理了來自前記第二使用者的購入操作，且該購入已被認可的情況下，將前記非同質性代幣之持有者，變更成進行了前記購入操作的第二使用者。
如請求項2所記載之數位資產管理系統，其中， <br/> 還具備：帳號連結手段，係用以保持：於前記對應服務中用來識別前記使用者所需之使用者識別資訊、與於該數位資產管理系統中用來識別前記非同質性代幣之持有者所需之使用者識別資訊的對應關係； <br/> 前記解鎖指示手段，係對前記對應服務進行指示，使其將藉由參照前記對應關係而被特定的前記第二使用者設定成為擁有前記數位資產之權利的使用者以進行解鎖。
如請求項1所記載之數位資產管理系統，其中， <br/> 前記非同質性代幣發行手段，係在前記非同質性代幣的發行之際，除了將從前記對應服務所被取得的前記數位資產所涉及之資料之外，還將含有已被該數位資產管理系統所生成之資料的前記詮釋資料，記錄至前記分散帳本。
如請求項5所記載之數位資產管理系統，其中， <br/> 前記非同質性代幣發行手段，係對把數位資產所涉及之資料當作輸入值並把該數位資產之屬性資料當作輸出值的已學習模型，將前記數位資產之資料予以輸入，並令推定屬性資料被輸出以作為輸出，藉此以生成用來包含在前記詮釋資料中所需之資料，並將含有已被生成之資料的前記詮釋資料，記錄至前記分散帳本。
如請求項1所記載之數位資產管理系統，其中， <br/> 前記非同質性代幣發行手段，係在前記非同質性代幣的發行之際，除了將從前記對應服務所被取得的前記數位資產所涉及之資料之外，還將含有已被該數位資產管理系統從前記對應服務以外的服務所取得之資料的前記詮釋資料，記錄至前記分散帳本。
如請求項1所記載之數位資產管理系統，其中， <br/> 前記非同質性代幣無效化手段，係在前記解鎖處理之際，藉由將該解鎖處理所涉及之非同質性代幣予以燒毀，以令該非同質性代幣遷移至無法使用狀態。
如請求項1所記載之數位資產管理系統，其中， <br/> 藉由前記對應服務而被提供的數位資產係包含：藉由遊戲服務而被提供的遊戲道具或遊戲資料、藉由票券服務而被提供的電子票券或實體票券預約權、藉由電子書籍服務而被提供的電子書籍之瀏覽權、及藉由任意之服務而被提供的服務利用權，之任一者。
一種資訊處理方法，係由數位資產管理系統的電腦來執行： <br/> 鎖定指示步驟，係用以將用來限制關於藉由所定之對應服務而被提供的第一使用者擁有權利之數位資產的使用或處分所需之鎖定處理，對該對應服務進行指示；和 <br/> 非同質性代幣發行步驟，係用以針對已被前記對應服務鎖定之前記數位資產，將以前記第一使用者為持有者的非同質性代幣，與表示前記數位資產所涉及之資料的詮釋資料建立對應而在分散帳本上進行發行；和 <br/> 解鎖指示步驟，係為關於已被前記對應服務鎖定之前記數位資產而將用來解除其使用或處分之限制所需之解鎖處理對該對應服務進行指示的解鎖指示步驟，其係用以於該解鎖處理之時點上，對前記對應服務下達指示，以使其把前記非同質性代幣之持有者所對應之使用者設定成為擁有該數位資產之權利的使用者，而進行解鎖；和 <br/> 非同質性代幣無效化步驟，係用以在前記解鎖處理之際，令該解鎖處理所涉及之非同質性代幣遷移至無法使用狀態； <br/> 在前記非同質性代幣發行步驟中，係在前記非同質性代幣無效化步驟中被遷移至無法使用狀態的前記非同質性代幣所涉及之前記數位資產，是藉由前記對應服務而被再次鎖定的情況下，針對被再次鎖定的該數位資產，發行與已被遷移至無法使用狀態之前記非同質性代幣不同的非同質性代幣。
一種程式產品，係由數位資產管理系統的電腦來執行： <br/> 鎖定指示步驟，係用以將用來限制關於藉由所定之對應服務而被提供的第一使用者擁有權利之數位資產的使用或處分所需之鎖定處理，對該對應服務進行指示；和 <br/> 非同質性代幣發行步驟，係用以針對已被前記對應服務鎖定之前記數位資產，將以前記第一使用者為持有者的非同質性代幣，與表示前記數位資產所涉及之資料的詮釋資料建立對應而在分散帳本上進行發行；和 <br/> 解鎖指示步驟，係為關於已被前記對應服務鎖定之前記數位資產而將用來解除其使用或處分之限制所需之解鎖處理對該對應服務進行指示的解鎖指示步驟，其係用以於該解鎖處理之時點上，對前記對應服務下達指示，以使其把前記非同質性代幣之持有者所對應之使用者設定成為擁有該數位資產之權利的使用者，而進行解鎖；和 <br/> 非同質性代幣無效化步驟，係用以在前記解鎖處理之際，令該解鎖處理所涉及之非同質性代幣遷移至無法使用狀態； <br/> 在前記非同質性代幣發行步驟中，係在前記非同質性代幣無效化步驟中被遷移至無法使用狀態的前記非同質性代幣所涉及之前記數位資產，是藉由前記對應服務而被再次鎖定的情況下，針對被再次鎖定的該數位資產，發行與已被遷移至無法使用狀態之前記非同質性代幣不同的非同質性代幣。
一種半導體結構，包括： <br/>基底； <br/>閘極結構，設置於所述基底上，包括： <br/>閘極，包括下部閘極以及上部閘極，其中所述下部閘極與所述上部閘極在所述基底的法線方向上重疊，且所述上部閘極在第一方向上的長度大於所述下部閘極在所述第一方向上的長度； <br/>閘絕緣層，設置於所述閘極與所述基底之間； <br/>間隙壁，設置於所述基底上，且鄰近所述閘極；以及 <br/>絕緣特徵，設置於所述下部閘極與所述間隙壁之間，其中所述絕緣特徵與所述上部閘極在所述基底的法線方向上重疊； <br/>源極區，設置於所述基底中，且位於所述閘極結構的一側；以及 <br/>汲極區，設置於所述基底中，且位於所述閘極結構的另一側， <br/>其中所述汲極區與所述下部閘極之間在所述第一方向上具有間距， <br/>其中所述汲極區未形成於所述絕緣特徵的下方。
如請求項1所述的半導體結構，其中所述上部閘極的所述長度與所述下部閘極的所述長度之間的比為1:0.5~1:0.9。
如請求項1所述的半導體結構，其中所述下部閘極在所述第一方向上的所述長度為0.03微米至1微米。
如請求項1所述的半導體結構，其中所述源極區包括： <br/>輕摻雜源極區，在所述基底的所述法線方向上與所述間隙壁重疊；以及 <br/>重摻雜源極區，鄰近於所述輕摻雜源極區。
如請求項1所述的半導體結構，其中所述汲極區包括： <br/>輕摻雜汲極區，在所述基底的所述法線方向上與所述間隙壁重疊；以及 <br/>重摻雜汲極區，鄰近於所述輕摻雜汲極區。
如請求項5所述的半導體結構，其中所述輕摻雜汲極區位於所述重摻雜汲極區與所述絕緣特徵之間。
如請求項1所述的半導體結構，其中所述閘極與所述汲極區在所述第一方向上的距離大於所述閘極與所述源極區在所述第一方向上的距離。
一種半導體結構的製造方法，包括： <br/>形成隔離結構於基底中； <br/>利用罩幕形成閘絕緣層以及虛設閘極於所述基底上，其中所述罩幕在第一方向上的長度大於所述閘絕緣層以及所述虛設閘極在所述第一方向上的長度； <br/>形成絕緣特徵於所述基底上，其中所述絕緣特徵與所述罩幕在所述基底的法線方向上重疊； <br/>形成間隙壁於所述基底上，其中所述間隙壁設置於所述罩幕以及所述絕緣特徵的側表面上； <br/>形成源極區以及汲極區於所述基底中，其中所述源極區以及所述汲極區位於所述絕緣特徵與所述隔離結構之間；以及 <br/>將所述虛設閘極置換成閘極，其中所述閘極包括下部閘極以及上部閘極，所述下部閘極與所述上部閘極在所述基底的所述法線方向上重疊，且所述上部閘極在所述第一方向上的長度大於所述下部閘極在所述第一方向上的長度， <br/>其中所述汲極區與所述下部閘極之間在所述第一方向上具有間距， <br/>其中所述汲極區未形成於所述絕緣特徵的下方。
如請求項8所述的半導體結構的製造方法，其中利用所述罩幕形成所述閘絕緣層以及所述虛設閘極於所述基底上的步驟包括： <br/>依序在所述基底上形成第一閘絕緣材料層以及第一虛設閘極材料層； <br/>利用所述罩幕對所述第一閘絕緣材料層以及所述第一虛設閘極材料層進行蝕刻製程，以形成第二閘絕緣材料層以及第二虛設閘極材料層；以及 <br/>利用所述罩幕對所述第二閘絕緣材料層以及所述第二虛設閘極材料層進行側向蝕刻製程。
如請求項8所述的半導體結構的製造方法，其還包括利用光阻形成所述閘絕緣層以及所述虛設閘極於所述基底上。
如請求項10所述的半導體結構的製造方法，其中利用所述罩幕以及所述光阻形成所述閘絕緣層以及所述虛設閘極於所述基底上的步驟包括： <br/>依序在所述基底上形成第一閘絕緣材料層以及第一虛設閘極材料層； <br/>利用所述罩幕對所述第一閘絕緣材料層以及所述第一虛設閘極材料層進行蝕刻製程，以形成第二閘絕緣材料層以及第二虛設閘極材料層； <br/>形成所述光阻於所述罩幕上，其中所述光阻覆蓋所述罩幕、所述第二閘絕緣材料層以及所述第二虛設閘極材料層的一側的側壁；以及 <br/>利用所述罩幕對未被所述光阻覆蓋的所述第二閘絕緣材料層以及所述第二虛設閘極材料層進行側向蝕刻製程。
如請求項8所述的半導體結構的製造方法，其中形成所述絕緣特徵於所述基底上的步驟包括： <br/>形成絕緣特徵材料層於所述基底上，其中所述絕緣特徵材料層覆蓋所述罩幕、所述閘絕緣層以及所述虛設閘極；以及 <br/>利用所述罩幕對所述絕緣特徵材料層進行蝕刻製程。
如請求項8所述的半導體結構的製造方法，其中形成所述源極區以及所述汲極區於所述基底中的步驟包括： <br/>形成輕摻雜源極區以及輕摻雜汲極區於所述基底中；以及 <br/>形成重摻雜源極區以及重摻雜汲極區於所述基底中，其中所述重摻雜源極區鄰近於所述輕摻雜源極區，且所述重摻雜汲極區鄰近於所述輕摻雜汲極區。
如請求項8所述的半導體結構的製造方法，其中將所述虛設閘極置換成所述閘極的步驟包括： <br/>進行蝕刻製程移除所述罩幕以及所述虛設閘極，以形成閘極凹槽；以及 <br/>形成所述閘極於所述閘極凹槽中。
一種晶圓位置獲取裝置，應用在一半導體製程設備中，其中，該晶圓位置獲取裝置包括： <br/>一承載基座，包括一晶圓承載面，該晶圓承載面用於承載一晶圓； <br/>一光發射組件，位於該晶圓承載面的正上方，用於向該晶圓承載面上的該晶圓發出一環形光束，使得該晶圓的沿邊落入該環形光束的照射範圍； <br/>一光檢測組件，包括分佈在該晶圓承載面的下方的一光探測器陣列，用於通過接收該環形光束的照射以得到該晶圓的輪廓信息，該輪廓信息用於指示該晶圓的位置信息。
如請求項1所述的晶圓位置獲取裝置，其中，該光發射組件包括一准直光源和一錐透鏡，其中， <br/>該准直光源用於正對該晶圓承載面的中心，發出預定直徑的一准直光束； <br/>該錐透鏡位於該准直光束的照射路徑上，用於將該准直光束轉換成該環形光束，並使得該環形光束的寬度為該預定直徑的一半。
如請求項1或2所述的晶圓位置獲取裝置，其中，該環形光束落在該晶圓承載面上的該晶圓所在的平面時，該晶圓的一直徑大於該環形光束的一內環直徑，並小於該環形光束的一外環直徑。
如請求項1或2所述的晶圓位置獲取裝置，其中，該位置獲取裝置還包括一可升降支架，用於支撐固定該光發射組件，使得該光發射組件到該晶圓承載面上的該晶圓的垂直距離可調。
一種晶圓位置校準裝置，應用在一半導體製程設備中，其中，該晶圓位置校準系統包括一控制器、一移動機構以及如請求項1至4中任一項所述的晶圓位置獲取裝置；其中， <br/>該控制器用於根據該晶圓位置獲取裝置得到的該晶圓的輪廓信息，獲取該晶圓的位置信息；並根據該位置信息控制該移動機構工作，使得該晶圓運動到目標位置。
如請求項5所述的晶圓位置校準裝置，其中，該移動機構包括一旋轉機構和一平移機構；該旋轉機構用於驅動該承載基座旋轉；該平移機構用於驅動該晶圓承載面上的該晶圓相對該晶圓承載面平移； <br/>該控制器用於根據該位置信息控制該旋轉機構驅動該承載基座旋轉以帶動該晶圓旋轉到目標位置；並且用於根據該位置信息控制該平移機構驅動該晶圓平移到目標位置。
如請求項5所述的晶圓位置校準裝置，其中，該控制器用於根據該晶圓位置獲取裝置得到的該晶圓的輪廓信息，獲取該晶圓的位置信息，包括： <br/>該控制器用於根據該晶圓的輪廓信息擬合出該晶圓的外形曲線，並判斷該晶圓的外形曲線是否完整； <br/>該控制器用於在判斷該晶圓的外形曲線完整時，根據該晶圓的外形曲線確定該晶圓的位置信息。
如請求項7所述的晶圓位置校準裝置，其中，該控制器用於根據該晶圓的外形曲線確定該晶圓的位置信息，包括： <br/>該控制器用於根據該晶圓的外形曲線，確定該晶圓的槽口方向和質心位置； <br/>該控制器用於根據該晶圓的一質心位置和該晶圓的槽口方向，確定該晶圓的位置信息。
一種半導體製程設備，其中，包括一製程腔室以及連通該製程腔室的一晶圓暫存腔室，該晶圓暫存腔室內安設有如請求項1至4中任一項所述的晶圓位置獲取裝置或如請求項5至8中任一項所述的晶圓位置校準裝置。
一種晶圓位置校準方法，其中，包括以下步驟： <br/>使用位於一晶圓承載面正上方的一光發射組件向該晶圓承載面上的一晶圓發出一環形光束，使得該晶圓的沿邊落入該環形光束的照射範圍； <br/>透過該晶圓承載面下方的一光檢測組件的一光探測器陣列接收該環形光束的照射，以檢測得到該晶圓的輪廓信息； <br/>根據該晶圓的輪廓信息，獲取得到該晶圓的位置信息； <br/>根據該晶圓的位置信息，控制該晶圓運動到目標位置。
如請求項10所述的晶圓位置校準方法，其中，該根據該晶圓的輪廓信息，獲取得到該晶圓的位置信息的步驟包括： <br/>根據該晶圓的輪廓信息擬合出該晶圓的外形曲線，並判斷該晶圓的外形曲線是否完整； <br/>在判斷該晶圓的外形曲線完整時，根據該晶圓的外形曲線確定該晶圓的位置信息。
如請求項11所述的晶圓位置校準方法，其中，該根據該晶圓的外形曲線確定該晶圓的位置信息的步驟包括： <br/>根據該晶圓的外形曲線，確定該晶圓的槽口方向和質心位置； <br/>根據該晶圓的質心位置和該晶圓的槽口方向，確定該晶圓的位置信息。
如請求項12所述的晶圓位置校準方法，其中，該根據該晶圓的位置信息，控制該晶圓運動到目標位置的步驟包括： <br/>根據該晶圓的質心位置，控制該晶圓平移，使得該晶圓的質心位置和該晶圓承載面的中心點位置重合； <br/>根據該晶圓的槽口方向，控制該晶圓承載面帶動該晶圓旋轉，使得該晶圓的槽口方向朝向目標方位。
一種環境污染狀態通知系統，包含：<br/>多個無線環境感測裝置，分別位於一實體環境之不同感測位置，其中該多個無線環境感測裝置用以分別儲存該感測位置，並分別感測對應該不同感測位置的污染相關資訊，以輸出該污染相關資訊及其對應之該感測位置；以及<br/>一可攜式無線環境污染狀態通知裝置，無線連接該多個無線環境感測裝置，並位於該實體環境中，其中該可攜式無線環境污染狀態通知裝置用以接收該污染相關資訊及其對應之該感測位置，並據此產生通知訊號；<br/>其中每一該無線環境感測裝置包含：<br/>至少一第一污染物感測器，用以量測對應該感測位置的第一污染物之第一污染參數；<br/>一第一影像感測器與一第一熱成像相機，用以分別擷取同一範圍中的第一可見光影像與第一熱影像；<br/>一儲存器，用以儲存該感測位置；<br/>一第一無線通訊模組，無線連接該可攜式無線環境污染狀態通知裝置；以及<br/>一第一處理器，電性連接該至少一第一污染物感測器、該第一影像感測器、該第一熱成像相機、該儲存器與該第一無線通訊模組，其中該第一處理器用以接收該可見光影像，又取得該第一熱影像之第一溫度範圍，並將該第一污染參數作為該污染相關資訊，且透過該第一無線通訊模組傳送該感測位置與該第一污染參數給該可攜式無線環境污染狀態通知裝置。
如請求項1所述之環境污染狀態通知系統，其中該多個無線環境感測裝置採用無線保真直連(WiFi direct)技術與藍芽技術無線連接該可攜式無線環境污染狀態通知裝置。
如請求項1所述之環境污染狀態通知系統，其中該第一污染參數為污染濃度、風速、污染範圍或火焰燃燒強度。
如請求項1所述之環境污染狀態通知系統，其中該第一污染參數大於一預設值時，該第一處理器透過該第一無線通訊模組通知該可攜式無線環境污染狀態通知裝置，大於該預設值之該第一污染參數所對應之該感測位置是污染位置。
如請求項1所述之環境污染狀態通知系統，其中該第一可見光影像具有人臉影像，且該第一溫度範圍大於一預設溫度長達一預設時段時，該第一處理器透過該第一無線通訊模組通知該可攜式無線環境污染狀態通知裝置，大於該預設溫度之該第一溫度範圍所對應之該感測位置是污染位置。
如請求項1所述之環境污染狀態通知系統，其中該第一可見光影像具有人臉影像，且該第一溫度範圍大於一預設溫度時，該第一處理器透過該第一無線通訊模組傳送該人臉影像給該可攜式無線環境污染狀態通知裝置。
如請求項1所述之環境污染狀態通知系統，其中該第一可見光影像具有人臉影像，且該第一污染參數大於一預設值長達一預設時段時，該第一處理器透過該第一無線通訊模組傳送該人臉影像給該可攜式無線環境污染狀態通知裝置。
如請求項1所述之環境污染狀態通知系統，其中該至少一第一污染物感測器為光指向感測器(Optical Finger Navigation Sensor，OFN)。
如請求項1所述之環境污染狀態通知系統，其中該第一污染物為細菌、黴菌、病毒、火焰、煙霧、液化氣、一氧化碳、二氧化碳、臭氧、烷類氣體、苯類氣體、酮類氣體、天然氣、煤氣、汽油、氯氣、氨氣、可燃性氣體、有害揮發物或空氣懸浮物。
如請求項1所述之環境污染狀態通知系統，其中該通知訊號包含影像訊號、聲音訊號與振動訊號，該可攜式無線環境污染狀態通知裝置包含：<br/>一第二無線通訊模組，無線連接該第一無線通訊模組；<br/>一第二處理器，電性連接該第二無線通訊模組，其中該第二處理器用以透過該第二無線通訊模組接收該感測位置與該第一污染參數；<br/>一可攜式顯示器，電性連接該第二處理器，其中該第二處理器用以根據一預設條件、該感測位置與該第一污染參數驅動該可攜式顯示器產生該影像訊號；<br/>至少一可攜式聲音播放器，電性連接該第二處理器，其中該第二處理器用以根據該感測位置與該第一污染參數驅動該至少一可攜式聲音播放器產生該聲音訊號；以及<br/>一可攜式振動器，電性連接該第二處理器，其中該第二處理器用以根據該感測位置與該第一污染參數驅動該可攜式振動器產生該振動訊號。
如請求項10所述之環境污染狀態通知系統，其中該至少一可攜式聲音播放器包含多個可攜式聲音播放器。
如請求項10所述之環境污染狀態通知系統，其中該預設條件包含該不同感測位置之其中一個位置作為終點位置，該第二處理器用以透過該第二無線通訊模組從該第一無線通訊模組接收參考訊號接收功率(Reference Signal Received Power，RSRP)、訊號與干擾加雜訊比(Signal-to-Interference-plus-Noise Ratio，SINR)、封包往返時間(Round-Trip Time，RTT)、訊號到達角度(Angle of Arrival，AoA)與訊號發射角度(Angle of Departure，AoD)，並根據該不同感測位置之至少三個位置及其對應之該參考訊號接收功率、該訊號與干擾加雜訊比、該封包往返時間、該訊號到達角度與該訊號發射角度計算出一起點位置，該第二處理器用以根據該不同感測位置規劃連接該起點位置與該終點位置之多條待選路徑，且計算該多條待選路徑對應之風險值，以選擇對應最低或最高該風險值的該待選路徑作為建議路徑，該風險值=<img align="absmiddle" height="10px" width="18px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中Di為該起點位置與該待選路徑對應之第i個該感測位置之間的距離，Pi為在該待選路徑對應之第i個該感測位置所量測到的該第一污染參數，n為該待選路徑對應之該感測位置的總數量，該影像訊號顯示該建議路徑與對應該感測位置、該第一污染物與該第一污染參數之影像。
如請求項12所述之環境污染狀態通知系統，其中該可攜式無線環境污染狀態通知裝置更包含：<br/>至少一第二污染物感測器，電性連接該第二處理器，並用以量測對應該起點位置的第二污染物之第二污染參數，其中該第二污染物與該第一污染物為相同污染物，該第二污染參數與該第一污染參數為相同污染參數；以及<br/>一第二影像感測器與一第二熱成像相機，電性連接該第二處理器，並用以分別擷取對應該起點位置之同一範圍中的第二可見光影像與第二熱影像，該第二處理器用以取得該第二熱影像之第二溫度範圍，在該感測位置與該起點位置相同時，該第二處理器以該第二污染參數與該第二溫度範圍分別取代對應之該第一污染參數與對應之該第一溫度範圍。
如請求項13所述之環境污染狀態通知系統，其中該第二污染參數大於一預設值時，該第二處理器驅動該可攜式顯示器顯示大於該預設值之該第二污染參數所對應之該感測位置是污染位置。
如請求項13所述之環境污染狀態通知系統，其中該第二可見光影像具有人臉影像，且該第二溫度範圍大於一預設溫度長達一預設時段時，該第二處理器驅動該可攜式顯示器顯示大於該預設溫度之該第二溫度範圍所對應之該感測位置是污染位置。
如請求項13所述之環境污染狀態通知系統，其中該第二可見光影像具有人臉影像，且該第二溫度範圍大於一預設溫度時，該第二處理器驅動該可攜式顯示器顯示該人臉影像作為傳染來源。
如請求項13所述之環境污染狀態通知系統，其中該第二可見光影像具有人臉影像，且該第二污染參數大於一預設值長達一預設時段時，該第二處理器驅動該可攜式顯示器顯示該人臉影像作為傳染來源。
一種環境污染狀態通知系統，包含：<br/>多個無線環境感測裝置，分別位於一實體環境之不同感測位置，其中該多個無線環境感測裝置用以分別儲存該感測位置，並分別感測對應該不同感測位置的污染相關資訊，以輸出該污染相關資訊及其對應之該感測位置；以及<br/>一可攜式無線環境污染狀態通知裝置，無線連接該多個無線環境感測裝置，並位於該實體環境中，其中該可攜式無線環境污染狀態通知裝置用以接收該污染相關資訊及其對應之該感測位置，並據此產生通知訊號；<br/>至少一無線基地台，無線連接該多個無線環境感測裝置與該可攜式無線環境污染狀態通知裝置；以及<br/>一雲端伺服器，電性連接該至少一無線基地台，其中該多個無線環境感測裝置用以透過該至少一無線基地台傳送該污染相關資訊及其對應之該感測位置給該雲端伺服器，該雲端伺服器用以透過該至少一無線基地台傳送該污染相關資訊及其對應之該感測位置給該可攜式無線環境污染狀態通知裝置；<br/>其中每一該無線環境感測裝置包含：<br/>至少一第一污染物感測器，用以量測對應該感測位置的第一污染物之第一污染參數；<br/>一第一影像感測器與一第一熱成像相機，用以分別擷取同一範圍中的第一可見光影像與第一熱影像；<br/>一儲存器，用以儲存該感測位置；<br/>一第一無線通訊模組，無線連接該至少一無線基地台；以及<br/>一第一處理器，電性連接該至少一第一污染物感測器、該第一影像感測器、該第一熱成像相機、該儲存器與該第一無線通訊模組，其中該第一處理器用以接收該可見光影像，又取得該第一熱影像之第一溫度範圍，並將該第一污染參數作為該污染相關資訊，且透過該第一無線通訊模組與該至少一無線基地台傳送該感測位置與該第一污染參數給該雲端伺服器。
如請求項18所述之環境污染狀態通知系統，其中該至少一個無線基地台為3代(3G)基地台、4代(4G)基地台、5代(5G)基地台、藍芽基地台或無線保真(WiFi)基地台。
如請求項18所述之環境污染狀態通知系統，其中該第一污染參數為污染濃度、風速、污染範圍或火焰燃燒強度。
如請求項18所述之環境污染狀態通知系統，其中該第一污染參數大於一預設值時，該第一處理器透過該第一無線通訊模組、該至少一無線基地台與該雲端伺服器通知該可攜式無線環境污染狀態通知裝置，大於該預設值之該第一污染參數所對應之該感測位置是污染位置。
如請求項18所述之環境污染狀態通知系統，其中該第一可見光影像具有人臉影像，且該第一溫度範圍大於一預設溫度長達一預設時段時，該第一處理器透過該第一無線通訊模組、該至少一無線基地台與該雲端伺服器通知該可攜式無線環境污染狀態通知裝置，大於該預設溫度之該第一溫度範圍所對應之該感測位置是污染位置。
如請求項18所述之環境污染狀態通知系統，其中該第一可見光影像具有人臉影像，且該第一溫度範圍大於一預設溫度時，該第一處理器透過該第一無線通訊模組、該至少一無線基地台與該雲端伺服器傳送該人臉影像給該可攜式無線環境污染狀態通知裝置。
如請求項18所述之環境污染狀態通知系統，其中該第一可見光影像具有人臉影像，且該第一污染參數大於一預設值長達一預設時段時，該第一處理器透過該第一無線通訊模組、該至少一無線基地台與該雲端伺服器傳送該人臉影像給該可攜式無線環境污染狀態通知裝置。
如請求項18所述之環境污染狀態通知系統，其中該至少一第一污染物感測器為光指向感測器(Optical Finger Navigation Sensor，OFN)。
如請求項18所述之環境污染狀態通知系統，其中該第一污染物為細菌、黴菌、病毒、火焰、煙霧、液化氣、一氧化碳、二氧化碳、臭氧、烷類氣體、苯類氣體、酮類氣體、天然氣、煤氣、汽油、氯氣、氨氣、可燃性氣體、有害揮發物或空氣懸浮物。
如請求項18所述之環境污染狀態通知系統，其中該通知訊號包含影像訊號、聲音訊號與振動訊號，該可攜式無線環境污染狀態通知裝置包含：<br/>一第二無線通訊模組，無線連接該至少一無線基地台；<br/>一第二處理器，電性連接該第二無線通訊模組，其中該第二處理器用以透過該第二無線通訊模組接收該感測位置與該第一污染參數；<br/>一可攜式顯示器，電性連接該第二處理器，其中該第二處理器用以根據一預設條件、該感測位置與該第一污染參數驅動該可攜式顯示器產生該影像訊號；<br/>至少一可攜式聲音播放器，電性連接該第二處理器，其中該第二處理器用以根據該感測位置與該第一污染參數驅動該至少一可攜式聲音播放器產生該聲音訊號；以及<br/>一可攜式振動器，電性連接該第二處理器，其中該第二處理器用以根據該感測位置與該第一污染參數驅動該可攜式振動器產生該振動訊號。
如請求項27所述之環境污染狀態通知系統，其中該至少一可攜式聲音播放器包含多個可攜式聲音播放器。
如請求項27所述之環境污染狀態通知系統，其中該預設條件包含該不同感測位置之其中一個位置作為終點位置，該第二處理器用以透過該第二無線通訊模組從該至少一無線基地台接收參考訊號接收功率(Reference Signal Received Power，RSRP)、訊號與干擾加雜訊比(Signal-to-Interference-plus-Noise Ratio，SINR)、封包往返時間(Round-Trip Time，RTT)、訊號到達角度(Angle of Arrival，AoA)、訊號發射角度(Angle of Departure，AoD)與該至少一無線基地台之位置，並據此計算出一起點位置，該第二處理器用以根據該不同感測位置規劃連接該起點位置與該終點位置之多條待選路徑，且計算該多條待選路徑對應之風險值，以選擇對應最低或最高該風險值的該待選路徑作為建議路徑，該風險值=<img align="absmiddle" height="10px" width="18px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中Di為該起點位置與該待選路徑對應之第i個該感測位置之間的距離，Pi為在該待選路徑對應之第i個該感測位置所量測到的該第一污染參數，n為該待選路徑對應之該感測位置的總數量，該影像訊號顯示該建議路徑與對應該感測位置、該第一污染物與該第一污染參數之影像。
如請求項29所述之環境污染狀態通知系統，其中該可攜式無線環境污染狀態通知裝置更包含：<br/>至少一第二污染物感測器，電性連接該第二處理器，並用以量測對應該起點位置的第二污染物之第二污染參數，其中該第二污染物與該第一污染物為相同污染物，該第二污染參數與該第一污染參數為相同污染參數；以及<br/>一第二影像感測器與一第二熱成像相機，電性連接該第二處理器，並用以分別擷取對應該起點位置之同一範圍中的第二可見光影像與第二熱影像，該第二處理器用以取得該第二熱影像之第二溫度範圍，在該感測位置與該起點位置相同時，該第二處理器以該第二污染參數與該第二溫度範圍分別取代對應之該第一污染參數與對應之該第一溫度範圍。
如請求項30所述之環境污染狀態通知系統，其中該第二污染參數大於一預設值時，該第二處理器驅動該可攜式顯示器顯示大於該預設值之該第二污染參數所對應之該感測位置是污染位置。
如請求項30所述之環境污染狀態通知系統，其中該第二可見光影像具有人臉影像，且該第二溫度範圍大於一預設溫度長達一預設時段時，該第二處理器驅動該可攜式顯示器顯示大於該預設溫度之該第二溫度範圍所對應之該感測位置是污染位置。
如請求項30所述之環境污染狀態通知系統，其中該第二可見光影像具有人臉影像，且該第二溫度範圍大於一預設溫度時，該第二處理器驅動該可攜式顯示器顯示該人臉影像作為傳染來源。
如請求項30所述之環境污染狀態通知系統，其中該第二可見光影像具有人臉影像，且該第二污染參數大於一預設值長達一預設時段時，該第二處理器驅動該可攜式顯示器顯示該人臉影像作為傳染來源。
一種封裝結構，包括： <br/>三維載體，是由多個空白玻璃基板堆疊而成，所述三維載體包括： <br/> 多個導電線路層，設置於所述三維載體中； <br/> 多個導電接墊，設置於所述三維載體的上表面及多個側面中，其中所述多個側面連接於所述上表面與下表面之間； <br/> 多個導電通孔，連接於相鄰的所述多個導電線路層之間，其中所述多個導電通孔貫穿對應的所述多個空白玻璃基板，以使所述多個空白玻璃基板的下表面暴露出對應的所述多個導電通孔；以及 <br/> 焊接材料，設置於所述多個空白玻璃基板的所述下表面所暴露的所述多個導電通孔上，以與相鄰的所述多個空白玻璃基板的所述導電線路層接合； <br/>晶粒，設置於所述三維載體的所述上表面和/或所述多個側面的至少一者上， <br/>其中所述多個導電線路層內嵌於所述多個空白玻璃基板的上表面中，所述多個導電線路層的每一個不設置於所述多個空白玻璃基板的任一個的所述下表面中，且相鄰的所述多個空白玻璃基板中上覆的所述空白玻璃基板的所述下表面與下覆的所述空白玻璃基板的所述上表面彼此直接接觸， <br/>其中所述多個空白玻璃基板的每一個的厚度大於0.3 mm。
如請求項1所述的封裝結構，其中部分所述多個導電接墊設置於所述多個空白玻璃基板的側面上。
如請求項1所述的封裝結構，更包括基板，其中所述三維載體的所述下表面面向所述基板而與所述基板電性連接。
如請求項3所述的封裝結構，其中所述晶粒透過多個導電連接件與所述三維載體的所述多個側面上的所述多個導電接墊對應並接觸，以與所述基板電性連接。
一種封裝結構的製造方法，包括： <br/>提供多個玻璃載板，其中所述多個玻璃載板包括第一玻璃載板與第二玻璃載板，其中所述多個玻璃載板的每一個包括： <br/> 空白玻璃基板，其中所述空白玻璃基板的厚度大於0.3 mm；以及 <br/> 導電部分，內嵌於所述空白玻璃基板中，其中所述導電部分包括： <br/> 導電線路層，內嵌於所述空白玻璃基板的上表面中，但不設置於所述空白玻璃基板的下表面中； <br/> 導電接墊，位於所述空白玻璃基板的側面中； <br/> 導電通孔，貫穿所述空白玻璃基板而暴露於所述空白玻璃基板的所述下表面；將所述多個玻璃載板上下接合以形成三維載體，其中上下相鄰的所述空白玻璃基板中上覆的所述空白玻璃基板的所述下表面與下覆的所述空白玻璃基板的所述上表面彼此直接接觸，其中將所述多個玻璃載板上下接合的步驟包括： <br/> 在所述第一玻璃載板的下表面所暴露的所述導電通孔上形成焊球；以及 <br/> 將所述第一玻璃載板的所述下表面上的所述焊球與所述第二玻璃載板的上表面的所述導電線路層接合； <br/>將所述三維載體的下表面接合至基板上；以及 <br/>將晶粒接合至所述三維載體的上表面和/或側面上，其中所述三維載體的所述下表面與所述上表面相對，且所述三維載體的所述側面連接於所述三維載體的所述上表面與所述下表面之間。
如請求項5所述的封裝結構的製造方法，其中所述多個玻璃載板的每一個的製造方法包括： <br/>提供所述空白玻璃基板； <br/>通過雷射雕刻，在所述空白玻璃基板的所述上表面和/或所述側面中形成凹槽和/或貫穿所述空白玻璃基板的貫通孔，所述凹槽和/或所述貫通孔對應於預設的線路佈局圖案；以及 <br/>形成導電材料於所述凹槽和/或所述貫通孔中，以形成所述導電部分。
如請求項6所述的封裝結構的製造方法，其中形成所述導電材料於所述凹槽和/或所述貫通孔中包括： <br/>沉積導電材料層於所述空白玻璃基板上及所述凹槽和/或所述貫通孔中；以及 <br/>通過平坦化製程移除所述空白玻璃基板上多餘的所述導電材料層。
如請求項5所述的封裝結構的製造方法，其中將所述多個玻璃載板上下接合的方法包括雷射焊接製程。
一種行車安全提醒系統，包括：<br/> 第一影像擷取裝置，設置成面向騎乘交通工具的後側，用以獲取該騎乘交通工具後方的影像；<br/> 計算裝置，配置有已訓練的神經網路模型，該神經網路模型從該第一影像擷取裝置獲取的影像辨識至少一目標物，該計算裝置判斷該至少一目標物在該影像中的位置；以及<br/> 警示裝置，根據該至少一目標物在該影像中的位置，發出相應的提醒訊息，其中在該至少一目標物為多個目標物的情況下，針對每個目標物在該影像中的位置，發出相應的提醒訊息，若兩個重疊的目標物位於該影像中的同一區域，則針對該區域進行提醒；而若兩個重疊的目標物位於該影像中的不同區域，則針對該兩個目標物分別所在的區域都進行提醒。
如請求項1所述之行車安全提醒系統，其中該計算裝置獲取圍繞該至少一目標物的邊框，計算該邊框的中心位置以作為該至少一目標物在該影像中的位置。
如請求項1所述之行車安全提醒系統，其中：<br/> 該計算裝置進一步判斷該至少一目標物與該騎乘交通工具之間的距離；以及<br/> 該警示裝置進一步根據該至少一目標物在該影像中的位置以及該至少一目標物與該騎乘交通工具之間的距離，發出相應的提醒訊息。
如請求項3所述之行車安全提醒系統，其中在該至少一目標物為多個目標物的情況下，當所述多個目標物在該影像中的位置分散在該影像中不同區域時，基於各個區域中的目標物與該騎乘交通工具之間的距離，分別決定是否發出相應的提醒訊息。
如請求項3所述之行車安全提醒系統，其中在該至少一目標物為多個目標物的情況下，當所述多個目標物在該影像中的位置落在該影像中同一區域時，基於最接近該騎乘交通工具的目標物與該騎乘交通工具的距離，決定是否發出相應的提醒訊息。
如請求項3所述之行車安全提醒系統，其中該計算裝置基於該第一影像擷取裝置的焦距、該至少一目標物的實際尺寸、該影像中該至少一目標物的影像大小，計算該至少一目標物與該騎乘交通工具之間的距離，其中該至少一目標物與該騎乘交通工具之間的距離係基於下列關係式進行判斷：<br/> 該第一影像擷取裝置的焦距乘以該至少一目標物的實際尺寸，再除以該至少一目標物在該影像中的影像大小。
如請求項1所述之行車安全提醒系統，更包括：<br/> 第二影像擷取裝置，設置成面向該騎乘交通工具的前側，用以獲取該騎乘交通工具前方的影像，<br/> 其中該神經網路模型從該第二影像擷取裝置獲取的影像辨識出至少一前方目標物，<br/> 其中當該至少一前方目標物落在該影像的中間區域且該至少一目標物與該騎乘交通工具的距離小於距離閾值時，該警示裝置發出提醒訊息。
如請求項1所述之行車安全提醒系統，其中該至少一目標物落在該影像中的左側區域、中間區域和右側區域中的任一者，<br/> 其中當該至少一目標物落在該影像中的左側區域時，該提醒訊息指示該騎乘交通工具左後方存在目標物；<br/> 其中當該至少一目標物落在該影像中的中間區域時，該提醒訊息指示該騎乘交通工具正後方存在目標物；<br/> 其中當該至少一目標物落在該影像中的右側區域時，該提醒訊息指示該騎乘交通工具右後方存在目標物。
如請求項8所述之行車安全提醒系統，其中該提醒訊息包括顯示於螢幕上的左側邊緣、上側或下側邊緣、及右側邊緣的提醒訊息，其分別對應該至少一目標物落在該影像中的左側區域、中間區域和右側區域的情況。
如請求項3所述之行車安全提醒系統，其中當該至少一目標物與該騎乘交通工具之間的距離在第一距離的範圍內時，該提醒訊息為第一形式的提醒訊息；<br/> 其中當該至少一目標物與該騎乘交通工具之間的距離落在該第一距離和第二距離之間時，該提醒訊息為第二形式的提醒訊息，<br/> 其中該第一距離小於該第二距離。
如請求項10所述之行車安全提醒系統，其中該第一形式的提醒訊息包括標示為紅色的提醒訊息，該第二形式的提醒訊息包括標示為黃色的提醒訊息。
一種行車安全提醒方法，包括：<br/> 利用一第一影像擷取裝置獲取騎乘交通工具後方的影像；<br/> 利用已訓練的神經網路模型從該獲取的影像辨識至少一目標物；<br/> 利用一計算裝置判斷該至少一目標物在該影像中的位置；以及<br/> 根據該至少一目標物在該影像中的位置，利用一警示裝置發出相應的提醒訊息，其中在該至少一目標物為多個目標物的情況下，針對每個目標物在該影像中的位置，利用該警示裝置發出相應的提醒訊息，若兩個重疊的目標物位於該影像中的同一區域，則利用該警示裝置針對該區域進行提醒；而若兩個重疊的目標物位於該影像中的不同區域，則利用該警示裝置針對該兩個目標物分別所在的區域都進行提醒。
如請求項12所述之行車安全提醒方法，其中利用該計算裝置判斷該至少一目標物在該影像中的位置的步驟包括：<br/> 利用該計算裝置獲取圍繞該至少一目標物的邊框；以及<br/> 利用該計算裝置計算該邊框的中心位置以作為該至少一目標物在該影像中的位置。
如請求項12所述之行車安全提醒方法，更包括：<br/> 利用該計算裝置判斷該至少一目標物與該騎乘交通工具之間的距離，<br/> 其中利用該警示裝置發出相應的提醒訊息的步驟包括：<br/> 根據該至少一目標物在該影像中的位置以及該至少一目標物與該騎乘交通工具之間的距離，利用該警示裝置發出相應的提醒訊息。
如請求項14所述之行車安全提醒方法，其中在該至少一目標物為多個目標物的情況下，當所述多個目標物在該影像中的位置分散在該影像中不同區域時，基於各個區域中的目標物與該騎乘交通工具之間的距離，利用該計算裝置分別決定是否發出相應的提醒訊息。
如請求項14所述之行車安全提醒方法，其中在該至少一目標物為多個目標物的情況下，當所述多個目標物在該影像中的位置落在該影像中同一區域時，基於最接近該騎乘交通工具的目標物與該騎乘交通工具的距離，利用該計算裝置決定是否發出相應的提醒訊息。
如請求項14所述之行車安全提醒方法，其中利用該計算裝置判斷該至少一目標物與該騎乘交通工具之間的距離的步驟包括：<br/> 基於該第一影像擷取裝置的焦距、該至少一目標物的實際尺寸、該影像中該至少一目標物的影像大小，利用該計算裝置計算該至少一目標物與該騎乘交通工具之間的距離，其中該至少一目標物與該騎乘交通工具之間的距離係基於下列關係式進行判斷：<br/> 該第一影像擷取裝置的焦距乘以該至少一目標物的實際尺寸，再除以該至少一目標物在該影像中的影像大小。
如請求項12所述之行車安全提醒方法，更包括：<br/> 利用一第二影像擷取裝置獲取該騎乘交通工具前方的影像；<br/> 利用該神經網路模型從該獲取的前方影像辨識出至少一前方目標物；以及<br/> 當該至少一前方目標物落在該影像的中間區域且該至少一目標物與該騎乘交通工具的距離小於距離閾值時，利用該警示裝置發出提醒訊息。
一種活動管理系統，適用於一包括多個展覽攤位的展覽場，該等展覽攤位分別對應多個展覽位置編號，該活動管理系統包含：<br/> 一終端裝置，根據一參與者因應該展覽場的一參與者資料登入請求而進行的一輸入操作，產生一個人資料，該個人資料包括該參與者對該等展覽攤位的一喜好資訊；<br/> 一定位單元，通訊連接該終端裝置，且用以取得該終端裝置的一即時位置，並將該即時位置顯示於該終端裝置；及<br/> 一管控裝置，通訊連接該終端裝置及該定位單元，以分別接收該個人資料及該即時位置，並於接收到該個人資料時，將一啟動資金顯示於該終端裝置，且根據該喜好資訊產生該參與者對該等展覽攤位的一喜好排序，並根據該喜好排序決定一數位擲骰選單中的多個擲骰點數，且將該數位擲骰選單顯示於該終端裝置，以致該終端裝置根據該參與者對該數位擲骰選單所進行的擲骰選擇操作，產生並顯示一擲骰結果，該擲骰結果的點數作為該參與者所要前往的一初始展覽位置編號，該管控裝置根據該啟動資金或該即時位置判斷該參與者是否要結束參展，並於判斷為結束參展時，儲存該參與者的一參展歷程且據以產生一相關於參展活動回饋的參展結果，並將該參展結果顯示於該終端裝置。
如請求項1所述的活動管理系統，其中，該數位擲骰選單具有一隨機擲骰選項及一初始喜好擲骰選項，以供該參與者進行選擇來產生該擲骰結果，當選擇該隨機擲骰選項時，所產生的該擲骰結果的點數為該等擲骰點數中的任一者。
如請求項2所述的活動管理系統，其中，該等擲骰點數分別對應該參與者所喜好的該等展覽攤位的該等展覽位置編號，當選擇該初始喜好擲骰選項時，所產生的該擲骰結果的點數為該等擲骰點數中的一特定點數，該特定點數對應該參與者所喜好的該等展覽攤位中最喜好的該展覽攤位的該展覽位置編號。
如請求項1所述的活動管理系統，其中，該啟動資金隨該參展歷程而增加或減少，當該管控裝置根據該啟動資金判斷該參與者是否要結束參展時，該管控裝置判斷該啟動資金是否為零及該參與者是否進行貸款，當該啟動資金為零及該參與者要進行貸款時，則判斷該參與者不要結束參展，當該啟動資金為零及該參與者不進行貸款時，則判斷該參與者要結束參展。
如請求項4所述的活動管理系統，其中，當判斷為該參與者不要結束參展時，該終端裝置根據該參與者的一請求貸款輸入操作，產生一貸款請求並傳輸至一處理器，以致該處理器根據該貸款請求將一貸款資金顯示於該終端裝置。
如請求項1所述的活動管理系統，其中，當該管控裝置根據該即時位置得知該參與者移動到該初始展覽位置編號所對應的該展覽攤位時，該管控裝置根據該初始展覽位置編號，提供一相關於該展覽攤位多個提問的問題選單並顯示於該終端裝置，以供該參與者於該終端裝置進行選擇來產生一相關於該參與者對該等提問之回答的回答資訊，該管控裝置透過該終端裝置接收到該回答資訊，並將該回答資訊與一預設解答資訊進行比對，以產生一答題結果，該預設解答資訊包括多個分別對應該等提問的正確答案，該管控裝置根據該答題結果，將一組正確命運卡牌或一組錯誤命運卡牌顯示於該終端裝置，以供該參與者抽取來產生一抽取結果，且根據該答題結果調整該參與者對該等展覽攤位的該喜好排序，以將該數位擲骰選單的該等擲骰點數調整為多個新擲骰點數，且該終端裝置根據該參與者對該數位擲骰選單所進行的下一次擲骰選擇操作，產生並顯示一新擲骰結果，該管控裝置根據該抽取結果及該新擲骰結果決定出該參與者所要前往的下一展覽位置編號並顯示於該終端裝置。
如請求項6所述的活動管理系統，其中，當該管控裝置根據該即時位置得知該參與者移動到該初始展覽位置編號所對應的該展覽攤位時，該管控裝置開始進行計時，直到當該管控裝置根據該即時位置得知該參與者移動到該下一展覽位置編號所對應的該展覽攤位時，該管控裝置停止計時，並產生及儲存一計時結果，該計時結果相關於該參與者在該初始展覽位置編號所對應的該展覽攤位的一停滯時間。
如請求項6所述的活動管理系統，其中，該管控裝置包括：<br/> 一儲存單元；<br/> 一問題產出單元，儲存有對應該初始展覽位置編號的該問題選單；<br/> 一回答比對單元，儲存有對應該問題選單的該預設解答資訊；及<br/> 一處理器，通訊連接該終端裝置及該定位單元，以分別接收該個人資料及該即時位置，及通訊連接該儲存單元、該問題產出單元與該回答比對單元，並於接收到該個人資料時，將該啟動資金顯示於該終端裝置，且根據該個人資料的該喜好資訊產生該喜好排序，並根據該喜好排序決定該數位擲骰選單，且將該數位擲骰選單顯示於該終端裝置，以致該終端裝置根據該參與者對該數位擲骰選單所進行的擲骰選擇操作，產生並顯示該擲骰結果，該處理器根據該啟動資金或該即時位置判斷該參與者是否要結束參展，並於判斷為結束參展時，將該參展歷程儲存至該儲存單元，且根據該參展歷程產生該參展結果並顯示於該終端裝置；<br/> 其中，當該處理器根據該即時位置得知該參與者移動到該初始展覽位置編號所對應的該展覽攤位時，該處理器將該初始展覽位置編號傳輸至該問題產出單元，以致該問題產出單元根據該初始展覽位置編號提供該問題選單並傳輸至該處理器，該處理器將該問題選單傳輸至該終端裝置並顯示，以供該參與者於該終端裝置進行選擇來產生該回答資訊並傳輸至該處理器；<br/> 其中，該處理器將該回答資訊傳輸至該回答比對單元，以致該回答比對單元將該回答資訊與該預設解答資訊進行比對，以產生該答題結果並傳輸至該處理器；及<br/> 其中，該處理器根據該答題結果，將該組正確命運卡牌或該組錯誤命運卡牌顯示於該終端裝置，以供該參與者抽取來產生該抽取結果，並根據該答題結果調整該參與者對該等展覽攤位的該喜好排序，以將該等擲骰點數調整為該等新擲骰點數，且該終端裝置根據該參與者對該數位擲骰選單所進行的下一次擲骰選擇操作，產生並顯示該新擲骰結果，該處理器根據該抽取結果及該新擲骰結果決定出該參與者所要前往的該下一展覽位置編號。
如請求項8所述的活動管理系統，其中，當該答題結果為回答正確時，該處理器將該組正確命運卡牌顯示於該終端裝置，當該答題結果為回答錯誤時，該處理器將該組錯誤命運卡牌顯示於該終端裝置。
如請求項8所述的活動管理系統，其中，當該處理器將該問題選單傳輸至該終端裝置時，該處理器開始進行計時以產生一作答時間，並於該作答時間到達一預定停止時間時，該處理器將該數位擲骰選單顯示於該終端裝置，以致該參與者於該終端裝置對該數位擲骰選單進行下一次的擲骰選擇操作來產生該新擲骰結果。
一種縮聚型非異氰酸酯聚氨酯組成物，其胺價範圍為10~35 meq/kg，該縮聚型非異氰酸酯聚氨酯組成物包含：<br/> 如化學式1所示的第一聚氨酯及如化學式2所示的第二聚氨酯，該第一聚氨酯與該第二聚氨酯的莫耳比例範圍為20：80~80：20；<br/> [化學式1]<br/><img align="absmiddle" height="31px" width="192px" file="ed10034.jpg" alt="ed10034.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [化學式2]<br/><img align="absmiddle" height="31px" width="141px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 在化學式1及化學式2中，<br/><b>R<sup>1</sup></b>為C<sub>2</sub>~C<sub>20</sub>烴基；<br/><b>R<sup>2</sup></b>選自於<img align="absmiddle" height="23px" width="45px" file="ed10030.jpg" alt="ed10030.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="34px" width="61px" file="ed10031.jpg" alt="ed10031.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="34px" width="73px" file="ed10032.jpg" alt="ed10032.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="33px" width="103px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或其組合，其中，<b>R<sup>21</sup></b>及<b>R<sup>22</sup></b>各自為C<sub>2</sub>~C<sub>20</sub>烴基，m為1~250；<br/> x為2~200；及<br/> y為2~200；<br/> 該縮聚型非異氰酸酯聚氨酯組成物是由以下步驟所製得：<br/> 使如化學式3所示的二胺化合物與碳酸酯化合物進行氨基甲酸酯化反應形成氨基甲酸酯混合物，該氨基甲酸酯混合物包括胺烴基氨基甲酸酯及烴二氨基甲酸二酯；及<br/> 使該氨基甲酸酯混合物與如化學式4所示的二醇化合物進行氨酯交換縮聚反應以形成該縮聚型非異氰酸酯聚氨酯組成物，該氨基甲酸酯混合物在進行氨酯交換縮聚反應前不包含進行再結晶；<br/> [化學式3]<br/> H<sub>2</sub>N-<b>R<sup>1</sup></b>-NH<sub>2</sub><br/> [化學式4]<br/> HO-<b>R<sup>2</sup></b>-H<br/> 在化學式3及化學式4中，<b>R<sup>1</sup></b>及<b>R<sup>2</sup></b>的定義如上所示。
如請求項1所述的縮聚型非異氰酸酯聚氨酯組成物，其中，<b>R<sup>2</sup></b>選自於<img align="absmiddle" height="23px" width="46px" file="ed10036.jpg" alt="ed10036.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="34px" width="67px" file="ed10037.jpg" alt="ed10037.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="33px" width="104px" file="ed10038.jpg" alt="ed10038.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="34px" width="67px" file="ed10039.jpg" alt="ed10039.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="34px" width="73px" file="ed10040.jpg" alt="ed10040.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="25px" width="80px" file="ed10041.jpg" alt="ed10041.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="75px" file="ed10042.jpg" alt="ed10042.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="32px" width="116px" file="ed10043.jpg" alt="ed10043.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或其組合，其中，n<sub>1</sub>為2~20，m為1~250。
如請求項1所述的縮聚型非異氰酸酯聚氨酯組成物，其中，<b>R<sup>1</sup></b>選自於<img align="absmiddle" height="18px" width="33px" file="ed10044.jpg" alt="ed10044.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="42px" width="80px" file="ed10045.jpg" alt="ed10045.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="43px" width="80px" file="ed10046.jpg" alt="ed10046.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或其組合，其中，n<sub>2</sub>為2~10，n<sub>3</sub>為1~10。
一種如請求項1所述的縮聚型非異氰酸酯聚氨酯組成物的製法，包含：<br/> 使如化學式3所示的二胺化合物與碳酸酯化合物進行氨基甲酸酯化反應形成氨基甲酸酯混合物，該氨基甲酸酯混合物包括胺烴基氨基甲酸酯及烴二氨基甲酸二酯；及<br/> 使該氨基甲酸酯混合物與如化學式4所示的二醇化合物進行氨酯交換縮聚反應以形成該縮聚型非異氰酸酯聚氨酯組成物，該氨基甲酸酯混合物在進行氨酯交換縮聚反應前不包含進行再結晶；<br/> [化學式3]<br/> H<sub>2</sub>N-<b>R<sup>1</sup></b>-NH<sub>2</sub><br/> [化學式4]<br/> HO-<b>R<sup>2</sup></b>-H<br/> 在化學式3及化學式4中，<br/><b>R<sup>1</sup></b>為C<sub>2</sub>~C<sub>20</sub>烴基；及<br/><b>R<sup>2</sup></b>選自於<img align="absmiddle" height="23px" width="45px" file="ed10030.jpg" alt="ed10030.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="34px" width="61px" file="ed10031.jpg" alt="ed10031.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="34px" width="73px" file="ed10032.jpg" alt="ed10032.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="33px" width="103px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或其組合，其中，<b>R<sup>21</sup></b>及<b>R<sup>22</sup></b>各自為C<sub>2</sub>~C<sub>20</sub>烴基，m為1~250。
如請求項4所述的縮聚型非異氰酸酯聚氨酯組成物的製法，其中，該二胺化合物與該碳酸酯化合物的莫耳比為1：2至1：10，該氨基甲酸酯混合物中的烴二氨基甲酸二酯與如化學式4所示的二醇化合物的莫耳比為1：0.01至1：2。
如請求項4所述的縮聚型非異氰酸酯聚氨酯組成物的製法，其中，該碳酸酯化合物是由二氧化碳與環氧化合物反應而得。
如請求項4所述的縮聚型非異氰酸酯聚氨酯組成物的製法，其中，該碳酸酯化合物是由二氧化碳、環氧化合物及二元醇反應而得。
如請求項4所述的縮聚型非異氰酸酯聚氨酯組成物的製法，其中，該碳酸酯化合物是選自於環狀碳酸酯、非環狀碳酸酯或其混合物。
如請求項4所述的縮聚型非異氰酸酯聚氨酯組成物的製法，其中，該氨基甲酸酯混合物的胺價範圍為不小於10 meq/kg。
如請求項9所述的縮聚型非異氰酸酯聚氨酯組成物的製法，其中，該氨基甲酸酯混合物的胺價範圍為10~100 meq/kg。
如請求項4所述的縮聚型非異氰酸酯聚氨酯組成物的製法，其中，該碳酸酯化合物為碳酸乙烯酯，該氨基甲酸酯混合物包含胺烴基氨基甲酸2-羥乙酯及烴二氨基甲酸二2-羥乙酯。
如請求項4所述的縮聚型非異氰酸酯聚氨酯組成物的製法，其中，該碳酸酯化合物為碳酸二甲酯，該氨基甲酸酯混合物包含烴二氨基甲酸二甲酯及胺烴基氨基甲酸甲酯。
一種光學積層體，其係在最外表面具有凹凸形狀之光學積層體，其滿足以下的條件(1)及(2)； <br/>800≦A≦5,500 (1) <br/>0＜B≦100 (2) <br/>此處，將利用光學干涉方式或接觸方式計測該凹凸形狀而得到之凹凸高度的三維數據轉換成以凹凸高度為像素值之第一影像數據，並藉由高速傅立葉轉換將第一影像數據轉換成第二影像，算出第二影像之中通過原點且正的X軸上±20像素的範圍的影像之功率頻譜的X座標的空間頻率f時， <br/>A：50cycle/mm≦f≦100cycle/mm的範圍之功率頻譜強度的平均值， <br/>B：200cycle/mm≦f≦250cycle/mm的範圍之功率頻譜強度的平均值。
如請求項1之光學積層體，其藉由選自解析度x為250~270ppi的範圍及500~520ppi的範圍之2種解析度的格子圖案測定閃爍(ぎらつき)對比度y，並將繪製x及y的值時的線性近似式設為y=ax時，0＜a＜0.015。
如請求項1之光學積層體，其依據JIS K7136測定之霧度值為1.5~35%。
如請求項1之光學積層體，其中 <br/>該光學積層體具備透明基材、與積層於該透明基材的至少一面之至少1層的功能層， <br/>該凹凸形狀係藉由該功能層而形成。
如請求項4之光學積層體，其中該功能層包含形成該凹凸形狀之第一功能層、與積層於該第一功能層上且折射率比該第一功能層低的第二功能層。
如請求項5之光學積層體，其中該第二功能層含有防汙劑。
如請求項6之光學積層體，其中該防汙劑含有含氟化合物或矽氧化合物。
如請求項5之光學積層體，其中該第一功能層含有粒徑為0.5~10μm之有機微粒。
一種影像顯示裝置，其具備如請求項1至8中任一項之光學積層體。
一種含鉍焊點的製造方法，其包括：<br/> 一前置步驟，提供一焊球及一錫膏；以及<br/> 一焊接步驟，加熱所述焊球及所述錫膏，以使所述焊球及所述錫膏形成一含鉍焊點，其中，基於所述含鉍焊點的總重為100 wt%，所述含鉍焊點至少包含29wt%至47wt%的鉍及餘量的錫；<br/> 其中，經過溫度介於-40℃至100℃且升降溫速率為15℃/min的溫度循環測試，所述含鉍焊點具有介於1,250至1,550之間的特徵壽命。
如請求項1所述的含鉍焊點的製造方法，其中，基於所述焊球的總重為100 wt%，所述焊球至少包含30 wt%至58 wt%的鉍。
如請求項2所述的含鉍焊點的製造方法，其中，基於所述焊球的總重為100 wt%，所述焊球進一步包含銀、銅、銻及鎳的至少其中一種；其中，銀的含量為最多2%，銅的含量為最多1%，銻的含量為最多1%，鎳的含量為最多0.1%。
如請求項1所述的含鉍焊點的製造方法，其中，基於所述錫膏的總重為100 wt%，所述錫膏至少包含最多5 wt%的銀及餘量的錫。
如請求項4所述的含鉍焊點的製造方法，其中，基於所述錫膏的總重為100 wt%，所述錫膏進一步包含鉍、銅、銻及鎳的至少其中一種；其中，鉍的含量為最多5%，銅的含量為最多1%，銻的含量為最多2%，鎳的含量為最多0.2%。
如請求項1所述的含鉍焊點的製造方法，其中，於所述焊接步驟中，是以一焊接溫度加熱所述焊球及所述錫膏，並且所述焊接溫度是介於230℃至250℃之間。
一種含鉍焊點，其包括：<br/> 一焊球；以及<br/> 一錫膏，連接於所述焊球；<br/> 其中，基於所述含鉍焊點的總重為100 wt%，所述含鉍焊點至少包含29wt%至47wt%的鉍及餘量的錫；<br/> 其中，經過溫度介於-40℃至100℃且升降溫速率為15℃/min的溫度循環測試，所述含鉍焊點具有介於1,250至1,550之間的特徵壽命。
如請求項7所述的含鉍焊點，其中，基於所述焊球的總重為100 wt%，所述焊球至少包含30 wt%至58 wt%的鉍。
如請求項8所述的含鉍焊點，其中，基於所述焊球的總重為100 wt%，所述焊球進一步包含銀、銅、銻及鎳的至少其中一種；其中，銀的含量為最多2%，銅的含量為最多1%，銻的含量為最多1%，鎳的含量為最多0.1%。
如請求項7所述的含鉍焊點，其中，基於所述錫膏的總重為100 wt%，所述錫膏至少包含最多5 wt%的銀及餘量的錫。
如請求項10所述的含鉍焊點，其中，基於所述錫膏的總重為100 wt%，所述錫膏進一步包含鉍、銅、銻及鎳的至少其中一種；其中，鉍的含量為最多5%，銅的含量為最多1%，銻的含量為最多2%，鎳的含量為最多0.2%。
一種基板結構，係包括：絕緣層，其上表面定義有用以設置晶片之一置晶區；以及線路結構，係設於該絕緣層之上表面上，並包括位於該置晶區外且各具有第一導電跡線之兩第一線路及位於該置晶區內且具有第二導電跡線之第二線路，其中，該兩第一線路係分別連接於該第二線路之兩端以藉由該第二線路電性連接，且該第二線路涵蓋區域之寬度係大於該第一線路之寬度。
如請求項1所述之基板結構，其中，該第二導電跡線之寬度係大於該第一導電跡線之寬度。
如請求項1所述之基板結構，其中，該第二導電跡線係蜿蜒地通過該置晶區。
如請求項1所述之基板結構，其中，該第二線路係包括複數該第二導電跡線。
如請求項1所述之基板結構，其中，該第二線路復包括至少一第三導電跡線，且該第三導電跡線係具有或不具有電性功用。
如請求項1所述之基板結構，其中，該第二線路復包括至少一擴充部，且該擴充部係連接於該第二導電跡線。
一種基板結構，係包括：絕緣層，其上表面定義有用以設置晶片之一置晶區；線路結構，係設於該絕緣層之上表面上，並包括設於該置晶區外的兩第一線路、設於該置晶區內之兩第二線路及設於該絕緣層之下表面的第三線路，其中，各該第二線路之一端係間隔位於該置晶區內，另一端則連接一該第一線路；以及複數導電通孔，係形成於該絕緣層中，且該兩第二線路係藉由該複數導電通孔與該第三線路電性連接，以使該兩第一線路經由該兩第二線路、該複數導電通孔及該第三線路電性連接。
如請求項7所述之基板結構，其中，各該第二線路具有單一導電跡線。
如請求項7所述之基板結構，其中，各該第二線路具有複數導電跡線。
一種利用序列置換技術檢測小分子的紫膜光電傳感器，包含： <br/>複數個專一性辨識物質，包含一核酸序列，用於專一性的辨識一目標物； <br/>一紫膜生物基質，其表面結合複數個該專一性辨識物質；以及 <br/>複數個遮光組合物，分別包含一遮光粒子以及接附於該遮光粒子的一連接序列，該連接序列的至少一部份與該專一性辨識物質至少一部份的該核酸序列為序列互補關係，該遮光粒子透過連接序列與該專一性辨識物質連接，其中，該紫膜光電傳感器暴露於具有該目標物的環境時，該專一性辨識物質與該遮光組合物的連接關係經由該目標物破壞或取代而脫離，使紫膜光電傳感器受光照後的一光電流訊號提升。
如請求項1所述之紫膜光電傳感器，其中，該目標物與該專一性辨識物質之間的親和力優於該連接序列與該專一性辨識物質的鍵結關係。
如請求項2所述之紫膜光電傳感器，其中，該親和力為受體結合關係，利用一分子間作用力使該目標物取代該遮光組合物。
如請求項2所述之紫膜光電傳感器，其中，該目標物透過催化反應導致該遮光組合物與該專一性辨識物質之間的鍵結斷裂。
如請求項1所述之紫膜光電傳感器，其中，該核酸序列為一個以上嘌呤或嘧啶串接形成的去氧核醣核酸序列(DNA) 或核醣核酸序列(RNA)。
如請求項5所述之紫膜光電傳感器，其中，該遮光粒子為金奈米粒子。
如請求項6所述之紫膜光電傳感器，其中，該紫膜生物基質結合於TIO玻璃的表面形成一紫膜電極晶片；以及 <br/>該專一性辨識物質利用一磺基-N-琥珀醯亞胺基(N-碘乙醯基)氨基苯甲酸酯與該紫膜電極晶片化學鍵結結合。
如請求項5至7任一項所述之紫膜光電傳感器，其中，該專一性辨識物質之兩端為迴文序列，該連接序列的至少一部份與該專一性辨識物質其中一末端之迴文序列結合。
如請求項8所述之紫膜光電傳感器，其中，該金奈米粒子利用硫醇 (Au-S) 鍵結與一16-巰基十六酸結合，該16-巰基十六酸的羧基與該連接序列其中一末端之胺基共同形成一酰胺鍵後相互連接。
如請求項9所述之紫膜光電傳感器，其中，該目標物為三磷酸腺苷，該專一性辨識物質為一三磷酸腺苷核酸適體。
如請求項9所述之紫膜光電傳感器，其中，該目標物為氨苄青黴素，該專一性辨識物質為一氨苄青黴素核酸適體。
如請求項9所述之紫膜光電傳感器，其中，該目標物為卡納黴素，該專一性辨識物質為一卡納黴素核酸適體。
如請求項5至7任一項所述之紫膜光電傳感器，其中： <br/>該目標物為一陽性金屬離子；以及 <br/>該專一性辨識物質為主要為一雙股結構的一脫氧核酶，且該專一性辨識物質的其中一股的核酸序列為該連接序列，其中 <br/>該專一性辨識物質包含與該陽性金屬離子特異性結合的一核糖核酸序列 ，以及 <br/>該脫氧核酶暴露於具有該陽性金屬離子的環境時活化，使得至少一部份該雙股結構之間複數個核酸鏈斷裂，進而導致該連接序列連帶該陽性金屬離子脫離該專一性辨識物質。
如請求項12所述之紫膜光電傳感器，該陽性金屬離子為鉛離子(Pb <sup>2+</sup>)、鈷離子(Co <sup>2+</sup>)、鋅離子(Zn <sup>2+</sup>)、錳離子(Mn <sup>2+</sup>)、鎳離子(Ni <sup>2+</sup>)、鎘離子(Cd <sup>2+</sup>)、銅離子(Cu <sup>2+</sup>)、鎂離子(Mg <sup>2+</sup>)、鈉離子(Na <sup>+</sup>)或是鈣離子(Ca <sup>2+</sup>)等帶正電之金屬離子。
一種具電性調節次毫米發光二極體佈點功能之背光模組，尤適用於設置安裝在一液晶顯示器(LCD)之背面以作為背光源，其中該液晶顯示器接收一RGB訊號來顯示影像畫面，該具電性調節次毫米發光二極體佈點功能之背光模組包括：<br/> 一次毫米發光二極體(Mini LED)背光板，其由中心區域往外圍方向延伸共區分為N個背光調整區域，每一該背光調整區域分別具有多個Mini LED且每一該Mini LED對應於至少一畫素(pixel)；以及<br/> 一微處理器，其連接至該Mini LED背光板之該些背光調整區域，該微處理器用以接收且解碼該RGB訊號以產生一已解碼之RGB訊號，並且根據對應的第N個亮度調整表格來產生一演算結果，之後根據該演算結果與該已解碼之RGB訊號來分別傳送N個驅動訊號至對應的該些背光調整區域，以讓每一該Mini LED顯示對應的亮度，其中N為大於2的自然數。
如請求項1所述之具電性調節次毫米發光二極體佈點功能之背光模組，其中透過N值的設定以決定該次毫米發光二極體(Mini LED)背光板之該些背光調整區域之數量。
如請求項1所述之具電性調節次毫米發光二極體佈點功能之背光模組，其中透過N值的設定以讓該次毫米發光二極體(Mini LED)背光板適用於不同解析度之該液晶顯示器(LCD)。
如請求項1所述之具電性調節次毫米發光二極體佈點功能之背光模組，其中該微處理器包括：<br/> 一資料庫，其儲存有N個亮度調整表格，其中每一該亮度調整表格都是以該Mini LED背光板之中心區域為亮且逐漸往外圍變暗之設定，其中該些背光調整區域之第N個，則會對應於該些亮度調整表格之第N個。
如請求項4所述之具電性調節次毫米發光二極體佈點功能之背光模組，其中該微處理器更包括：<br/> 一解碼器，其用以以接收該RGB訊號且對該RGB訊號進行解碼以產生該已解碼之RGB訊號。
如請求項5所述之具電性調節次毫米發光二極體佈點功能之背光模組，其中該微處理器更包括：<br/> 一分區調光器，其連接至該解碼器且接收該已解碼之RGB訊號，該分區調光器具有一預設定值且對應於N的數值，藉此來決定該Mini LED背光板所區分該些背光調整區域之數量，其中該分區調光器將該已解碼之RGB訊號依據N值來進行來對應劃分背光區域。
如請求項6所述之具電性調節次毫米發光二極體佈點功能之背光模組，其中該微處理器更包括：<br/> N個驅動調光器，其分別連接至該分區調光器且接收對應於第N個背光調整區域的該已解碼之RGB訊號，每一該驅動調光器對應連接至該Mini LED背光板之每一該背光調整區域且根據該已解碼之RGB訊號與該演算結果以命令區域內之該些Mini LED以顯示對應的亮度。
如請求項7所述之具電性調節次毫米發光二極體佈點功能之背光模組，其中該微處理器更包括：<br/> 一亮度設定器，其分別連接至該些驅動調光器，該亮度設定器連接至該分區調光器以取得N的數值且連接至該資料庫以取得第該些亮度調整表格之第N個，並且分別傳送至對應的每一該驅動調光器以分別進行亮度設定。
如請求項8所述之具電性調節次毫米發光二極體佈點功能之背光模組，其中每一該驅動調光器根據該些亮度調整表格之第N個來決定區域內之該些Mini LED之亮度值。
一種顯示裝置，包括：<br/> 一液晶顯示器(LCD)，其用以接收一RGB訊號來顯示影像畫面；<br/> 一具電性調節次毫米發光二極體佈點功能之背光模組，其設置安裝在該液晶顯示器(LCD)之背面以作為背光源，其中該具電性調節次毫米發光二極體佈點功能之背光模組包括：<br/> 一次毫米發光二極體(Mini LED)背光板，其由中心區域往外圍方向延伸共區分為N個背光調整區域，每一該背光調整區域分別具有多個Mini LED且每一該Mini LED對應於至少一畫素(pixel)；以及<br/> 一微處理器，其連接至該Mini LED背光板之該些背光調整區域，該微處理器用以接收且解碼該RGB訊號以產生一已解碼之RGB訊號，並且根據對應的第N個亮度調整表格來產生一演算結果，之後根據該演算結果與該已解碼之RGB訊號來分別傳送N個驅動訊號至對應的該些背光調整區域，以讓每一該Mini LED顯示對應的亮度，其中N為大於2的自然數，其中透過N值的設定以決定該次毫米發光二極體(Mini LED)背光板之該些背光調整區域之數量，並且透過N值的設定以讓該次毫米發光二極體(Mini LED)背光板適用於不同解析度之該液晶顯示器(LCD)，其中該微處理器包括：<br/> 一資料庫，其儲存有N個亮度調整表格，其中每一該亮度調整表格都是以該Mini LED背光板之中心區域為亮且逐漸往外圍變暗之設定，其中該些背光調整區域之第N個，則會對應於該些亮度調整表格之第N個；<br/> 一解碼器，其用以以接收該RGB訊號且對該RGB訊號進行解碼以產生該已解碼之RGB訊號；<br/> 一分區調光器，其連接至該解碼器且接收該已解碼之RGB訊號，該分區調光器具有一預設定值且對應於N的數值，藉此來決定該Mini LED背光板所區分該些背光調整區域之數量，其中該分區調光器將該已解碼之RGB訊號依據N值來進行來對應劃分背光區域；<br/> N個驅動調光器，其分別連接至該分區調光器且接收對應於第N個背光調整區域的該已解碼之RGB訊號，每一該驅動調光器對應連接至該Mini LED背光板之每一該背光調整區域且根據該已解碼之RGB訊號與該演算結果以命令區域內之該些Mini LED以顯示對應的亮度；以及<br/> 一亮度設定器，其分別連接至該些驅動調光器，該亮度設定器連接至該分區調光器以取得N的數值且連接至該資料庫以取得該些亮度調整表格之第N個，並且分別傳送至對應的每一該驅動調光器以分別進行亮度設定，其中每一該驅動調光器根據該些亮度調整表格之第N個來決定區域內之該些Mini LED之亮度值。
一種半導體處理腔室，包括： <br/>一腔室主體； <br/>一基板支撐件，安置在該腔室主體內，該基板支撐件限定一基板支撐表面；以及 <br/>一面板，被支撐在該腔室主體的頂上，其中： <br/>該基板支撐件及該面板的一底表面至少部分限定該半導體處理腔室內的一處理區域； <br/>該面板的該底表面限定安置在該基板支撐表面的一徑向外部10%的至少一部分的正上方的一環形突起及定位於該環形突起的徑向外側的一環形凹槽，其中該環形突起的至少一部分徑向向外延伸超出該基板支撐表面；以及 <br/>該面板限定穿過該面板的複數個孔隙，其中該些孔隙的一第一子集延伸穿過該環形突起且該些孔隙的一第二子集延伸穿過該環形凹槽。
如請求項1所述之半導體處理腔室，其中： <br/>該基板支撐件包括自基板支撐件的一上表面向上突起的一加熱器袋；以及 <br/>該環形突起安置在該加熱器袋的一周邊邊緣的徑向內部。
如請求項1所述之半導體處理腔室，其中： <br/>該環形突起的一外邊緣與該環形凹槽的一內邊緣處於一相同徑向位置。
如請求項1所述之半導體處理腔室，其中： <br/>該環形突起的一峰部與該環形凹槽的一凹谷之間的一垂直距離在約0.05吋與0.3吋之間。
如請求項1所述之半導體處理腔室，其中： <br/>該面板的該底表面的一主表面與該環形突起及該環形凹槽中的一者或兩者之間的過渡區域包括圓角。
如請求項1所述之半導體處理腔室，其中： <br/>該環形突起及該環形凹槽中的一者或兩者的一寬度在約0.05吋與0.5吋之間。
如請求項1所述之半導體處理腔室，其中： <br/>該環形突起自該面板的該底表面的一主表面突起約0.005吋與0.2吋之間的一距離。
如請求項1所述之半導體處理腔室，其中： <br/>該環形凹槽相對於該面板的該底表面的一主表面凹陷約0.001吋與0.05吋之間的一距離。
如請求項1所述之半導體處理腔室，其中： <br/>限定該環形凹槽的壁相對於該面板的該底表面的一主表面以約10度與45度之間的一角度延伸。
一種半導體處理面板，包括： <br/>一主體，限定該面板的一頂表面及一底表面，其中： <br/>該面板的該底表面限定一環形突起及定位於該環形突起徑向外部的一環形凹槽； <br/>該環形突起的一外邊緣距該環形凹槽的一內邊緣在5 mm以內； <br/>該面板限定穿過該面板的複數個孔隙，其中該些孔隙的一第一子集延伸穿過該環形突起且該些孔隙的一第二子集延伸穿過該環形凹槽；以及 <br/>該些孔隙中的一最外孔隙延伸穿過該環形凹槽。
如請求項10所述之半導體處理面板，其中： <br/>該環形突起與該環形凹槽之間的一過渡區域包括圓角。
如請求項10所述之半導體處理面板，其中： <br/>該些孔隙中的每一者包括一上部圓柱形部分及一下部圓柱形部分，該下部圓柱形部分具有比該上部圓柱形部分更小的一直徑。
如請求項12所述之半導體處理面板，其中： <br/>該些孔隙中的每一者的該下部圓柱形部分具有一相同的長度及直徑。
如請求項13所述之半導體處理面板，其中： <br/>穿過大體上所有該些孔隙的一流導大體上相等。
如請求項10所述之半導體處理面板，其中： <br/>該環形突起的一突起距離在該環形突起的一寬度上變化。
如請求項10所述之半導體處理面板，其中： <br/>該環形凹槽的一谷部與該面板的該底表面的一主表面的一距離大於或等於該環形突起的一峰部與該主表面的一距離。
如請求項10所述之半導體處理面板，其中： <br/>該環形突起與該面板的該底表面的一主表面不平行。
一種處理一基板的方法，包括以下步驟： <br/>將一前驅物流入一處理腔室中，其中： <br/>該處理腔室包括一面板及在其上安置一基板的一基板支撐件； <br/>該處理腔室的一處理區域至少部分地被限定在該面板與該基板支撐件之間； <br/>該面板的一底表面限定安置在該基板的一徑向外部10%的至少一部分的正上方的一環形突起及定位於該環形突起的徑向外部的一環形凹槽，其中該環形凹槽的至少一部分徑向向外延伸超出該基板； <br/>該面板限定穿過該面板的複數個孔隙，其中該些孔隙的一第一子集延伸穿過該環形突起且該些孔隙的一第二子集延伸穿過該環形凹槽； <br/>在該處理腔室的一處理區域內產生該前驅物的一電漿；以及 <br/>在該基板上沉積一材料。
如請求項18所述之處理一基板之方法，其中： <br/>該環形突起與該環形凹槽相互接觸。
如請求項18所述之處理一基板之方法，其中： <br/>該環形突起的一峰部與該環形凹槽的一凹谷之間的一垂直距離在約0.05吋至0.3吋之間。
一種封裝結構，包括：<br/> 一內埋元件線路結構層，包括至少一內埋元件，且具有彼此相對的一第一表面與一第二表面；<br/> 一訊號互連結構層，配置於該內埋元件線路結構層的該第一表面上，且與該內埋元件線路結構層電性連接；<br/> 一電源結構層，配置於該訊號互連結構層上，且與該訊號互連結構層電性連接，其中該電源結構層為一無線路基板但含有共一平面的一個或數個不同電源且具有多層銅層、多層介電層、多個導通孔以及防銲層，該些導通孔穿貫穿該些介電層且與該訊號互連結構層電性連接；以及<br/> 一電子元件層，包括多個電子元件，配置於該內埋元件線路結構層的該第二表面上，且與該內埋元件線路結構層電性連接，其中該訊號互連結構層的熱膨脹係數高於該電子元件層的熱膨脹係數與該電源結構層的熱膨脹係數，且後兩者的膨脹係數相近。
如請求項1所述的封裝結構，其中該內埋元件線路結構層更包括：<br/> 多個金屬柱；<br/> 一介電層，具有該第一表面與該第二表面，該介電層包覆該些金屬柱與該內埋元件，其中該介電層的該第二表面切齊於該至少一內埋元件的至少一主動面以及各該金屬柱的一頂面；<br/> 多個導電通孔，分別從該介電層的該第一表面延伸且連接該些金屬柱；以及<br/> 一圖案化線路層，配置於該介電層的該第一表面上，且電性連接該些導電通孔。
如請求項2所述的封裝結構，其中該介電層的厚度介於75微米至300微米之間，且該介電層的材質包括環氧壓模樹脂或味之素堆積薄膜。
如請求項1所述的封裝結構，其中該訊號互連結構層包括多層介電層、多層圖案化線路層以及多個導電盲孔，該些介電層與該些圖案化線路層交錯配置，而該些導電盲孔電性連接相鄰兩該些圖案化線路層。
如請求項1所述的封裝結構，其中該電源結構層更包括：<br/> 一深溝槽電容與一整合式穩壓器，配置於該些介電層至少其中一層內。
如請求項1所述的封裝結構，其中該些電子元件包括一光學共封裝、至少一人工智慧超級晶片、至少一被動元件或上述的組合。
如請求項1所述的封裝結構，其中該內埋元件包括一嵌入式多晶片互連橋接晶片。
如請求項1所述的封裝結構，更包括：<br/> 一穩定環，配置於該內埋元件線路結構層的該第二表面上，且環繞該些電子元件。
一種封裝結構的製作方法，包括：<br/> 提供一載板，該載板包括一基材、一不銹鋼層以及一金屬層，該不銹鋼層形成於該基材上且共形地覆蓋該基材，而該金屬層形成於該不銹鋼層上且共形地覆蓋該不銹鋼層；<br/> 形成一內埋元件線路結構層於該載板上，該內埋元件線路結構層包括至少一內埋元件，該至少一內埋元件的至少一主動面接觸該載板；<br/> 形成一訊號互連結構層於該內埋元件線路結構層的一第一表面上，該訊號互連結構層與該內埋元件線路結構層電性連接；<br/> 形成一電源結構層於該訊號互連結構層上，該電源結構層與該訊號互連結構層電性連接；<br/> 移除該載板，而暴露出該至少一內埋元件的該主動面以及該內埋元件線路結構層的一第二表面；以及<br/> 配置一電子元件層於該內埋元件線路結構層的該第二表面上，該電子元件層包括多個電子元件，其中該些電子元件與該內埋元件線路結構層電性連接，且該訊號互連結構層的熱膨脹係數高於該電子元件層的熱膨脹係數與該電源結構層的熱膨脹係數。
一種封裝結構，包括：<br/> 一線路結構層，具有彼此相對的一第一表面與一第二表面；<br/> 一訊號互連結構層，配置於該線路結構層的該第一表面上，且與該線路結構層電性連接；<br/> 一電源結構層，配置於該訊號互連結構層上，且與該訊號互連結構層電性連接；<br/> 一電子元件層，包括多個電子元件，配置於該線路結構層的該第二表面上，且與該線路結構層電性連接，其中該訊號互連結構層的熱膨脹係數高於該電子元件層的熱膨脹係數與該電源結構層的熱膨脹係數，且後兩者的膨脹係數相近；以及<br/> 一穩定環，配置於該線路結構層的該第二表面上，且環繞該些電子元件。
一種半導體結構，包括： <br/>一基座結構； <br/>一第一位元線結構，設置在該基座結構上方； <br/>一第二位元線結構，設置在該基座結構上方；一第一間隙子，設置在該第一位元線結構周圍，並包括一第一層、一第二層和一第三層，其中該第一間隙子的該第三層設置在該第一間隙子的該第二層上方，以及該第一間隙子的該第三層的一寬度基本上等於該第一間隙子的該第二層的一寬度，其中該第一間隙子的該第二層包括一氧化物； <br/>一第二間隙子，設置在該第二位元線結構周圍，並包括一第一層、一第二層和一第三層，其中該第二間隙子的該第三層設置在該第二間隙子的該第二層上方，以及該第二間隙子的該第三層的一寬度基本上等於該第二間隙子的該第二層的一寬度，其中該第二間隙子的該第二層包括一氧化物；以及 <br/>一單元接觸結構插設在該第一間隙子與該第二間隙子之間，其中該單元接觸結構電性連接該基座結構中的一主動區； <br/>其中該單元接觸結構包含一第一部分與設置在該第一部分上的一第二部分， <br/>其中該單元接觸結構的該第二部分不與該第一間隙子的該第二層接觸。
如請求項1所述之半導體結構，其中該基座結構包括一基座部分、位於該基座部分中的一第一主動區和位於該基座部分中的一第二主動區，其中該第一位元線結構經由一導體而電性連接至該第一主動區，以及該第二位元線結構經由一絕緣體而與該第二主動區電性絕緣。
如請求項1所述之半導體結構，其中該單元接觸結構的該第一部分的一上表面不與該第一間隙子的該第二層的一上表面對準。
如請求項3所述之半導體結構，其中該單元接觸結構的該第一部分的該上表面的一高度高於該第一間隙子的該第二層的該上表面的一高度。
如請求項1所述之半導體結構，其中該單元接觸結構的該第二部分不與該第一間隙子的該第二層水平重疊。
一種莢膜醣醣結合物，其包含經由間隔子與載體蛋白(CP)共價結合之莢膜醣且具有通式(VIII)， <br/><img align="absmiddle" height="104px" width="332px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之莢膜醣醣結合物，其包含莢膜醣，其中該莢膜醣在結合前的重量平均分子量(Mw)在10 kDa與2,000 kDa之間。
如請求項1至2中任一項之莢膜醣醣結合物，其具有250 kDa與20,000 kDa之間的重量平均分子量(Mw)。
如請求項1至2中任一項之莢膜醣醣結合物，其中該莢膜醣醣結合物之結合程度在2與15之間。
如請求項1至2中任一項之莢膜醣醣結合物，其中該醣結合物中莢膜醣與載體蛋白之比率(w/w)在0.5與3.0之間。
如請求項1至2中任一項之莢膜醣醣結合物，其中該莢膜醣醣結合物以醣的每5至10個醣重複單元計，於載體蛋白與醣之間包含至少一個共價連接。
如請求項1至2中任一項之莢膜醣醣結合物，其中該載體蛋白為CRM<sub>197</sub>、SCP、DT (白喉類毒素)、TT (破傷風類毒素)或PD (流感嗜血桿菌(<i>H. influenzae</i>)蛋白D)。
如請求項1至2中任一項之莢膜醣醣結合物，其中該莢膜醣為來自病原性細菌之莢膜醣。
如請求項1至2中任一項之莢膜醣醣結合物，其中該莢膜醣為來自肺炎鏈球菌(<i>S. pneumoniae</i>)之莢膜醣。
如請求項1至2中任一項之莢膜醣醣結合物，其中該莢膜醣不為來自肺炎鏈球菌血清型3之莢膜醣。
一種免疫原組合物，其包含如請求項1至10中任一項之莢膜醣醣結合物。
一種記憶體元件的製造方法，包含： 形成一溝槽在一介電結構中； <br/>形成一導電層在該介電結構的該溝槽中，其中該導電層為一閘極結構的一閘極電極； <br/>形成一第一氮化物間隔件襯於該溝槽； <br/>蝕刻該第一氮化物間隔件以暴露該導電層，其中經蝕刻的該第一氮化物間隔件接觸於該導電層； <br/>形成一第二氮化物間隔件襯於該第一氮化物間隔件與該導電層且接觸於該導電層；以及 <br/>形成一金屬層於該溝槽中且位於該導電層上方。
如請求項1之記憶體元件的製造方法，還包含對該第二氮化物間隔件與該金屬層執行一平坦化製程，直到該介電結構暴露。
如請求項2之記憶體元件的製造方法，其中執行該平坦化製程使得該介電結構、該第一氮化物間隔件、該第二氮化物間隔件以及該金屬層的複數個頂面實質上相互齊平。
如請求項1之記憶體元件的製造方法，其中該介電結構具有一上部部位與一下部部位，且該上部部位與該第一氮化物間隔件包含相同材料。
如請求項4之記憶體元件的製造方法，其中該下部部位由氧化物製成。
如請求項4之記憶體元件的製造方法，其中形成該第二氮化物間隔件襯於該介電結構的該上部部位的一頂面。
如請求項6之記憶體元件的製造方法，其中在形成該第二氮化物間隔件時，該第一氮化物間隔件將該第二氮化物間隔件自該介電結構的該下部部位分離。
如請求項4之記憶體元件的製造方法，其中形成該第一氮化物間隔件襯於該介電結構的該上部部位的一頂面，且蝕刻該第一氮化物間隔件包含移除該第一氮化物間隔件的一部位，使得該介電結構的該上部部位的該頂面暴露。
如請求項1之記憶體元件的製造方法，其中該第一氮化物間隔件與該第二氮化物間隔件包含不同材料。
如請求項1之記憶體元件的製造方法，其中該第一氮化物間隔件由一介電材料製成，且該第二氮化物間隔件由一導電材料製成。
一種記憶體元件，包含： <br/>一介電結構； <br/>一導電層位於該介電結構中，其中該導電層為一閘極結構的一閘極電極； <br/>一氮化物介電層襯於該介電結構的一側壁； <br/>一氮化物導電層自該氮化物介電層的一內側壁延伸至該導電層的一頂面；以及 <br/>一金屬層位於該氮化物導電層上方， <br/>其中該導電層與該氮化物介電層接觸，且與該氮化物導電層接觸。
如請求項11之記憶體元件，其中以剖面觀之，該氮化物介電層具有一條形剖面，且該氮化物導電層具有一U形剖面。
如請求項11之記憶體元件，其中該介電結構具有一上部部位與一下部部位，且該上部部位與該氮化物介電層包含相同材料。
如請求項13之記憶體元件，其中該介電結構的該下部部位由不同於該介電結構的該上部部位且不同於該氮化物介電層的一材料製成。
如請求項13之記憶體元件，其中該氮化物導電層通過該氮化物介電層自該介電結構的該下部部位分離。
如請求項13之記憶體元件，其中該介電結構的該上部部位與該氮化物介電層由氮化矽製成。
如請求項11之記憶體元件，其中該氮化物導電層由氮化鈦製成，且該氮化物介電層由氮化矽製成。
如請求項11之記憶體元件，其中該氮化物介電層的一底端與該氮化物導電層的一底面延伸相接（coterminous）。
一種光學成像系統，包括： <br/>第一透鏡，具有折射能力； <br/>第二透鏡，具有折射能力及像側凹面； <br/>第三透鏡，具有折射能力；以及 <br/>第四透鏡，具有正折射能力， <br/>其中所述第一透鏡至所述第四透鏡自物側至像面依序設置， <br/>其中所述光學成像系統具有總數為4的透鏡， <br/>其中所述第一透鏡沿著光軸的厚度大於所述第二透鏡沿著所述光軸的厚度、所述第三透鏡沿著所述光軸的厚度以及所述第四透鏡沿著所述光軸的厚度，且 <br/>其中1.0＜f3/f＜2.5， <br/>其中f為所述光學成像系統的焦距，且f3為所述第三透鏡的焦距。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第一透鏡具有物側凸面。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第二透鏡具有物側凸面。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第三透鏡具有物側凸面。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第四透鏡具有物側凸面。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第四透鏡具有像側凹面。
一種光學成像系統，包括： <br/>第一透鏡，具有折射能力； <br/>第二透鏡，具有折射能力及像側凹面； <br/>第三透鏡，具有折射能力；以及 <br/>第四透鏡，具有正折射能力， <br/>其中所述第一透鏡至所述第四透鏡自物側至像面依序設置， <br/>其中所述光學成像系統具有總數為4的透鏡， <br/>其中所述第一透鏡沿著光軸的厚度大於所述第二透鏡沿著所述光軸的厚度、所述第三透鏡沿著所述光軸的厚度以及所述第四透鏡沿著所述光軸的厚度，且 <br/>其中1.0＜f3/f＜2.5， <br/>其中f為所述光學成像系統的焦距，且f3為所述第三透鏡的焦距， <br/>其中所述光學成像系統的焦距比數等於或小於1.0。
如請求項7所述的光學成像系統，其中所述第一透鏡具有物側凸面。
如請求項7所述的光學成像系統，其中所述第二透鏡具有物側凸面。
如請求項7所述的光學成像系統，其中所述第三透鏡具有物側凸面。
如請求項7所述的光學成像系統，其中所述第四透鏡具有物側凸面。
一種半導體處理方法，包含以下步驟：<br/> 對裝載在一第一半導體處理腔室的一第一處理區域內的一基板執行一處置操作，其中該基板被氧、碳或氮空位缺陷污染，且其中該處置包含以下步驟：<br/> 對該第一半導體處理腔室的該第一處理區域提供一含氮前驅物；<br/> 形成該含氮前驅物的電漿流出物；以及<br/> 使該基板與該含氮前驅物的該等電漿流出物接觸，其中該接觸氮化該基板的一表面；<br/> 將該基板從該第一半導體處理腔室的該第一處理區域傳送到一第二半導體處理腔室的一第二處理區域；<br/> 對該第二半導體處理腔室的該第二處理區域提供一個或多個沉積前驅物；以及<br/> 使該基板與該一個或多個沉積前驅物接觸，其中該接觸在該基板上沉積一介電材料層。
如請求項1所述之半導體處理方法，其中該含氮前驅物包含雙原子氮（N<sub>2</sub>）或氨（NH<sub>3</sub>）。
如請求項1所述之半導體處理方法，進一步包含以下步驟： <br/> 對具有該含氮前驅物的該第一半導體處理腔室的該第一處理區域提供一含氫前驅物。
如請求項3所述之半導體處理方法，其中該含氫前驅物包含雙原子氫（H<sub>2</sub>）。
如請求項1所述之半導體處理方法，其中該基板包含一含氮材料層。
如請求項1所述之半導體處理方法，進一步包含以下步驟：<br/> 形成該一個或多個沉積前驅物的電漿流出物。
如請求項1所述之半導體處理方法，其中該介電材料層包含：一含矽及氮的材料、一含矽及氧的材料、一含鋁及氮的材料或一含鋁及氧的材料。
如請求項1所述之半導體處理方法，其中該介電材料層透過化學氣相沉積（CVD）、物理氣相沉積（PVD）或原子層沉積（ALD）來沉積。
如請求項1所述之半導體處理方法，其中在將該基板從該第一半導體處理腔室的該第一處理區域傳送到該第二半導體處理腔室的該第二處理區域的同時，可以維持一真空環境。
一種半導體處理方法，包含以下步驟：<br/> 對裝載在一第一半導體處理腔室的一第一處理區域內的一基板執行一處置操作，其中該基板包含一含氮材料層，且其中該處置包含以下步驟：<br/> 對一第一半導體處理腔室的一第一處理區域提供一含鋁前驅物；<br/> 使該基板與該含鋁前驅物接觸，其中該接觸在該基板上形成一含鋁及氮材料層，其中該第一半導體處理腔室的該第一處理區域維持無電漿；<br/> 將該基板從該第一半導體處理腔室的該第一處理區域傳送到一第二半導體處理腔室的一第二處理區域；<br/> 對該第二半導體處理腔室的該第二處理區域提供一個或多個沉積前驅物；以及<br/> 在該基板上的該含鋁及氮材料層上沉積一鈍化材料層。
如請求項10所述之半導體處理方法，其中該基板包含一含鋁、鎵及氮材料。
如請求項10所述之半導體處理方法，其中該含鋁前驅物包含三甲基鋁（TMA）。
如請求項10所述之半導體處理方法，其中該一個或多個沉積前驅物包含：一含鋁前驅物、一含矽前驅物、一含氮前驅物、一含氧前驅物或其組合。
如請求項10所述之半導體處理方法，其中該鈍化材料層包含一介電材料。
一種半導體處理系統，包含：<br/> 界定一第一處理區域的一第一半導體處理腔室，其中該第一半導體處理腔室可操作以在一基板上執行一處置操作，其中該處置操作包括：使該基板與一含鋁前驅物接觸，以在該基板上形成一含鋁及氮材料層，且其中該第一處理區域維持無電漿；<br/> 界定一第二處理區域的一第二半導體處理腔室，其中該第二半導體處理腔室可操作以在該基板上執行一介電材料沉積操作；以及<br/> 一主機，連接至該第一半導體處理腔室及該第二半導體處理腔室兩者，其中該主機可操作以在該第一處理區域及該第二處理區域之間傳送該基板而不破壞一真空環境。
如請求項15所述之半導體處理系統，其中該第一半導體處理腔室進一步可操作以在該基板上執行一表面氮化操作。
如請求項15所述之半導體處理系統，其中該介電材料沉積操作在該基板上形成一含矽及氮的材料、一含矽及氧的材料、一含鋁及氮的材料或一含鋁及氧的材料。
如請求項15所述之半導體處理系統，其中該主機可操作以在將該基板提供給該第一半導體處理腔室的該第一處理區域之前接收該基板，其中在該主機中所接收的該基板被氧、碳或氮空位缺陷污染。
一種鋰離子電池陰極材料之回收方法，其步驟包含：<br/>取一鋰離子電池之一陰極極片、一含鋰離子化合物、一洋菜及一溶劑進行一混合處理，形成一混合溶液；<br/>取該混合溶液進行一乾燥處理，反應形成一前軀體；以及<br/>取該前驅體進行一熱處理，反應取得一磷酸鋰鐵粉體；<br/>其中，該鋰離子電池係磷酸鋰鐵鋰離子電池，而該陰極極片包含磷酸鋰鐵。
如請求項1所述之鋰離子電池陰極材料之回收方法，其中於步驟中，該溶劑之pH值範圍在2至12之間，且該溶劑係選自由一水、一醇類、一醚類、一酸類及一鹼類所組成之群組之其中之一或其組合。
如請求項1所述之鋰離子電池陰極材料之回收方法，其中於步驟中，該含鋰離子化合物係選自由一碳酸鋰、一硝酸鋰、一氫氧化鋰、一醋酸鋰、一磷酸鋰及一草酸鋰所組成之群組之其中之一或其組合。
如請求項1所述之鋰離子電池陰極材料之回收方法，其中於步驟中，該含鋰離子化合物與該陰極極片中之磷酸鋰鐵其混合之莫耳比值係介於0.1至3之間。
如請求項1所述之鋰離子電池陰極材料之回收方法，其中於步驟中，該洋菜與該陰極極片中之磷酸鋰鐵其混合之重量比值係介於0.01至3之間。
如請求項1所述之鋰離子電池陰極材料之回收方法，其中於步驟中，該混合處理係一攪拌程序或一球磨程序，且該混合處理之時間係介於30分鐘至24小時之間。
如請求項1所述之鋰離子電池陰極材料之回收方法，其中於步驟中，該乾燥處理係包含下列步驟：<br/>將該混合溶液於一第一乾燥溫度下進行一第一次加熱，形成一膠狀物；以及<br/>將該膠狀物於一第二乾燥溫度下進行一第二次加熱，形成該前驅體；<br/>其中，該第一溫度係介於60℃至120℃之間，該第二溫度係介於60℃至200℃之間，而該第一次加熱及該第二次加熱之加熱時間係介於30分鐘至24小時。
如請求項1所述之鋰離子電池陰極材料之回收方法，其中於步驟中，該熱處理係於一氣氛下進行，該氣氛係選自由一氮氣、一氫氣、一一氧化碳、一二氧化碳、一氨氣及一氬氣所組成之群組之其中之一或其組合。
如請求項8所述之鋰離子電池陰極材料之回收方法，其中於步驟中，該熱處理之溫度係介於500℃至900℃之間，該熱處理之時間係介於1小時至24小時之間。
如請求項9所述之鋰離子電池陰極材料之回收方法，其中於步驟後，進一步包含步驟：<br/>將該磷酸鋰鐵粉體與一助導電材料混合，並於500℃至900℃之間再次進行該熱處理；<br/>其中，該助導電材料係選自由一石墨、一石墨烯、一碳黑、一蔗糖、一葡萄糖、一紅糖、一維他命C、一澱粉、一聚丙烯腈、一聚環氧乙烷、一聚丁二烯、一聚苯乙烯、一苯乙烯-丁二烯-苯乙烯及一檸檬酸所組成之群組之其中之一或其組合，該助導電材料與該磷酸鋰鐵粉體其混合之重量比值係介於0.01至0.3之間。
一種形成半導體元件的方法，包括：<br/> 在介電層中形成開口；<br/> 以導電材料填充所述開口；以及<br/> 對所述導電材料和所述介電層執行化學機械研磨製程，所述化學機械研磨製程包括研磨液，所述研磨液包括：<br/> 磨料，所述磨料包括二氧化鈦-二氧化矽混合顆粒；以及<br/> 氧化劑，<br/> 其中所述介電層包括二氧化矽，且其中所述導電材料包括釕。
如請求項1所述的方法，其中所述二氧化鈦-二氧化矽混合顆粒的第一核-殼型顆粒包括二氧化鈦核和二氧化矽殼，且其中所述二氧化鈦-二氧化矽混合顆粒的第二核-殼型顆粒包括二氧化矽核和二氧化鈦殼。
如請求項1所述的方法，其中所述二氧化鈦-二氧化矽混合顆粒的第一複合顆粒包括多個二氧化矽顆粒鍵結至二氧化鈦載體顆粒，且其中所述二氧化鈦-二氧化矽混合顆粒的第二複合顆粒包括多個二氧化鈦顆粒鍵結至二氧化矽載體顆粒。
如請求項1所述的方法，其中所述二氧化鈦-二氧化矽混合顆粒的複合顆粒包括多個二氧化矽顆粒和多個二氧化鈦顆粒鍵結至金屬氧化物顆粒。
如請求項4所述的方法，其中所述金屬氧化物顆粒包括氧化鋁、氧化鋯、氧化銫或氧化鋅中的至少一種。
一種化學機械研磨液，包括：<br/> 溶劑；<br/> 混合磨料顆粒分散於所述溶劑中，其中所述混合磨料顆粒中的每一者包括二氧化矽部分和二氧化鈦部分；<br/> 氧化劑；<br/> pH調節劑；<br/> pH緩衝劑；以及<br/> 表面活性劑，其中所述化學機械研磨液有效移除包括二氧化矽的介電材料以及包括釕的導電材料。
如請求項6所述的化學機械研磨液，其中所述混合磨料顆粒的第一類型包括裝飾於第一種二氧化鈦載體顆粒的外表面上的第一種二氧化矽顆粒，且其中所述混合磨料顆粒的第二類型包括裝飾於第二種二氧化矽載體顆粒的外表面上的第二種二氧化鈦顆粒。
一種化學機械研磨液，包括：<br/> 溶劑；<br/> 氧化劑；<br/> 第一混合磨料顆粒，所述第一混合磨料顆粒包括二氧化矽和第一材料，所述第一材料與二氧化矽不同；以及<br/> 第二混合磨料顆粒，所述第二混合磨料顆粒包括二氧化鈦和第二材料，所述第二材料與二氧化鈦不同，所述第二混合磨料顆粒具有與所述第一混合磨料顆粒不同的結構，<br/> 其中所述化學機械研磨液有效移除包括二氧化矽的介電材料以及包括釕的導電材料。
如請求項8所述的化學機械研磨液，其中所述第一材料為金屬氧化物，且其中所述第二材料為所述金屬氧化物。
如請求項9所述的化學機械研磨液，其中所述第一混合磨料顆粒包括第一核心和離散的二氧化矽顆粒，其中所述第一核心包括所述金屬氧化物，其中所述第二混合磨料顆粒包括第二核心和離散的二氧化鈦顆粒，且其中所述第二核心包括所述金屬氧化物。
一種資訊提供方法，其係藉由電子裝置而進行者，其包括如下步驟： <br/>於藉由應用程式而提供之至少一個頁面中確認購物車頁面； <br/>將用戶保管於上述購物車頁面中之至少一個物品顯示於第1區域；及 <br/>於第2區域中顯示上述用戶選擇之預計購買物品清單，該預計購買物品清單係與上述購物車頁面之第1區域中顯示之至少一個物品區分開來者， <br/>其中，顯示於上述第1區域之步驟包括：針對上述第1區域中顯示之至少一個物品中之與預設之類別對應的物品，顯示可包括於上述預計購買物品清單中之第2標籤；及 <br/>其中，響應於自上述用戶接收之上述第2標籤之選擇輸入，於上述第2區域之該預計購買物品清單中包括與上述第2標籤對應之物品。
如請求項1之資訊提供方法，其中顯示於上述第1區域之步驟包括如下步驟： <br/>將上述用戶於上述第2區域中顯示之上述預計購買物品清單中選擇之一部分物品反映至上述第1區域。
如請求項2之資訊提供方法，其中顯示於上述第1區域之步驟包括如下步驟： <br/>於上述第2區域中顯示之上述預計購買物品清單中存在與上述第1區域之上述至少一個物品相同之物品的情形時，基於上述用戶之選擇來調節上述第1區域中顯示之上述相同之物品的數量。
如請求項2之資訊提供方法，其中顯示於上述第1區域之步驟包括如下步驟： <br/>於上述第2區域中顯示之上述預計購買物品清單中不存在與上述第1區域之上述至少一個物品相同之物品的情形時，將上述用戶於上述預計購買物品清單中選擇之上述一部分物品進而顯示於上述第1區域。
如請求項4之資訊提供方法，其中顯示於上述第1區域之步驟包括如下步驟： <br/>於已結算上述用戶在上述第1區域之上述至少一個物品中選擇之一部分物品的情形時，自上述購物車頁面之上述第1區域中刪除已結算之一部分物品。
如請求項5之資訊提供方法，其中將上述用戶選擇之預計購買物品清單顯示於上述第2區域之步驟包括如下步驟： <br/>於上述用戶在上述第2區域中顯示之上述預計購買物品清單中選擇之上述一部分物品反映於上述第1區域的情形時，亦將上述一部分物品繼續顯示於上述購物車頁面之上述第2區域。
如請求項1之資訊提供方法，其中顯示於上述第1區域之步驟包括如下步驟： <br/>於上述用戶在上述第1區域中顯示之上述至少一個物品中選擇之一部分物品包括於上述預計購買物品清單中並顯示於上述第2區域的情形時，亦將上述一部分物品繼續顯示於上述購物車頁面之上述第1區域。
如請求項7之資訊提供方法，其中顯示於上述第1區域之步驟包括如下步驟： <br/>將與上述第2區域中顯示之上述一部分物品對應之第1標籤顯示於上述第1區域。
如請求項8之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>於上述用戶選擇上述第1標籤之情形時，將畫面自上述購物車頁面之上述第1區域移動至上述第2區域。
如請求項1之資訊提供方法，其中上述預設之類別係按照上述用戶各者來不同地設定。
如請求項1之資訊提供方法，其中上述預計購買物品清單係基於由上述用戶添加之順序來排列。
如請求項1之資訊提供方法，其中上述預計購買物品清單係基於上述用戶反覆訂購之次數來排列。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有用以於電腦中執行如請求項1之方法之程式。
一種電子裝置，其包括： <br/>通訊設備； <br/>記憶體；及 <br/>控制部； <br/>該控制部以如下方式進行指示： <br/>於藉由應用程式而提供之至少一個頁面中確認購物車頁面； <br/>將用戶保管於上述購物車頁面中之至少一個物品顯示於第1區域；及 <br/>於第2區域中顯示上述用戶選擇之預計購買物品清單，該預計購買物品清單係與上述購物車頁面之第1區域中顯示之至少一個物品區分開來者， <br/>其中，顯示於上述第1區域之步驟包括：針對上述第1區域中顯示之至少一個物品中之與預設之類別對應的物品，顯示可包括於上述預計購買物品清單中之第2標籤；及 <br/>其中，響應於自上述用戶接收之上述第2標籤之選擇輸入，於上述第2區域之該預計購買物品清單中包括與上述第2標籤對應之物品。
一種半導體製造裝置，係將半導體晶圓切斷成多個半導體晶片者，具備：<br/>記憶部，係記憶有：前述半導體晶圓的第一表面上要切斷的預定的多條第一線的位置資訊，以及前述多條第一線中不被切斷的預定的第二線的位置資訊；及<br/>切斷部，係沿著除了前述第二線之外的前述多條第一線來切斷前述半導體晶圓；<br/>為與前述多條第一線各自相鄰的前述多個半導體晶片的邊相對應的前述多條第一線的各線的每個線段來設定前述第二線。
如請求項1之半導體製造裝置，其中<br/>還具備：接收部，用於接收前述半導體晶圓的缺陷的位置資訊；<br/>在前述記憶部中，還記憶有：前述缺陷的位置資訊以及相鄰的前述多個半導體晶片之間要切斷而被除去的預定的第一區域的位置資訊，並且使前述多條第一線中與存在前述缺陷的前述第一區域相對應的線部分被記憶為前述第二線。
如請求項2之半導體製造裝置，其中<br/>在前述記憶部中還記憶有產品資訊，該產品資訊包含：針對多個產品的前述多個半導體晶片的尺寸資訊以及相鄰的前述多條第一線間之間隔資訊；<br/>還具備：運算部，其根據前述多條第一線的位置資訊、前述尺寸資訊以及前述間隔資訊來設定前述第一區域。
如請求項3之半導體製造裝置，其中<br/>前述多條第一線包含：在前述半導體晶圓上沿第一方向延伸的多條第一切斷預定線；及沿與前述第一方向交叉的第二方向延伸的多條第二切斷預定線；<br/>將前述多個半導體晶片的前述第一方向的寬度設為cX，<br/>將前述多個半導體晶片的前述第二方向的寬度設為cY，<br/>將與前述第一方向相鄰的前述多條第二切斷預定線之間的間隔設為pX，以及<br/>將與前述第二方向相鄰的前述多條第一切斷預定線之間的間隔設為pY時，<br/>前述運算部，係將在前述第二方向上距前述多條第一切斷預定線的每一條的寬度為±(pY-cY)/2的區域以及在前述第一方向上距前述多條第二切斷預定線的每一條的寬度為±(pX-cX)/2的區域設定為前述第一區域。
如請求項2之半導體製造裝置，其中<br/>還具備：運算部，其根據前述缺陷的位置資訊以及前述第一區域的位置資訊，在與前述缺陷所在的前述第一區域相對應的前述多條第一線中設定前述第二線。
如請求項5之半導體製造裝置，其中<br/>前述運算部，係針對與存在前述缺陷的前述第一區域相對應的前述多條第一線中，與相鄰的前述多個半導體晶片的邊相對應的前述各線的每個線段來設定前述第二線。
如請求項2之半導體製造裝置，其中<br/>還具備：<br/>顯示部，用於顯示前述半導體晶圓中的前述缺陷的位置、前述多條第一線以及前述第一區域；及<br/>輸入部，允許使用者能夠根據前述缺陷的位置以及前述第一區域從前述多條第一線選擇前述第二線。
如請求項1之半導體製造裝置，其中<br/>還具備：傳送部，用於將前述多個半導體晶片中與前述第二線相鄰的一個以上的半導體晶片的位置資訊傳送到外部。
如請求項8之半導體製造裝置，其中<br/>前述半導體晶片的位置資訊，係圍繞與前述第二線相鄰的前述一個以上的半導體晶片的前述多條第一線的位置資訊。
如請求項1之半導體製造裝置，其中<br/>前述切斷部，係將前述半導體晶圓切斷成前述多個半導體晶片的刀片或雷射產生器。
一種半導體裝置的製造方法，係使用了半導體製造裝置的半導體裝置的製造方法，該半導體製造裝置具備：切斷部，用於將半導體晶圓切斷成多個半導體晶片，該半導體裝置的製造方法具備：<br/>根據前述半導體晶圓的第一表面上要切斷的預定的多條第一線的位置資訊、以及前述多條第一線中的一部分的線部分亦即第二線的位置資訊，沿著除了前述第二線之外的前述多條第一線來切斷前述半導體晶圓，<br/>針對與前述多條第一線各自相鄰的前述多個半導體晶片的邊相對應的前述多條第一線的各線的每個線段來設定前述第二線。
如請求項11之半導體裝置的製造方法，其中<br/>前述第二線，係根據前述半導體晶圓的缺陷的位置資訊、以及相鄰的前述多個半導體晶片之間要切斷而被除去的預定的第一區域的位置資訊，設定在與前述缺陷所在的前述第一區域相對應的前述多條第一線中。
如請求項12之半導體裝置的製造方法，其中<br/>前述半導體製造裝置還具備：設定前述第一區域的運算部，<br/>前述半導體晶圓的切斷之前，還具備：<br/>在前述運算部中，根據前述多條第一線的位置資訊、前述多個半導體晶片的尺寸資訊以及相鄰的前述多條第一線之間的間隔資訊，來設定前述第一區域。
如請求項13之半導體裝置的製造方法，其中<br/>前述多條第一線包含：在前述半導體晶圓上沿第一方向延伸的多條第一切斷預定線；及沿與前述第一方向交叉的第二方向延伸的多條第二切斷預定線；<br/>將前述多個半導體晶片的前述第一方向的寬度設為cX，<br/>將前述多個半導體晶片的前述第二方向的寬度設為cY，<br/>將與前述第一方向相鄰的前述多條第二切斷預定線之間的間隔設為pX，以及<br/>將與前述第二方向相鄰的前述多條第一切斷預定線之間的間隔設為pY時，<br/>前述運算部，係將在前述第二方向上距前述多條第一切斷預定線的每一條的寬度為±(pY-cY)/2的區域以及在前述第一方向上距前述多條第二切斷預定線的每一條的寬度為±(pX-cX)/2的區域設定為前述第一區域。
如請求項12之半導體裝置的製造方法，其中<br/>前述半導體製造裝置還具備：設定前述第二線的運算部，<br/>前述半導體晶圓的切斷之前，還具備：<br/>在前述運算部中，根據前述缺陷的位置資訊以及前述第一區域的位置資訊，將前述多條第一線中與存在前述缺陷的前述第一區域相對應的線部分設定為前述第二線。
如請求項15之半導體裝置的製造方法，其中<br/>前述運算部，係針對與存在前述缺陷的前述第一區域相對應的前述多條第一線中，與相鄰的前述多個半導體晶片的邊相對應的前述各線的每個線段來設定前述第二線。
如請求項12之半導體裝置的製造方法，其中<br/>前述半導體製造裝置還具備：顯示部及輸入部，<br/>該半導體裝置的製造方法還具備：<br/>前述半導體晶圓的切斷之前，<br/>將前述半導體晶圓中的前述缺陷的位置、前述多條第一線以及前述第一區域顯示於前述顯示部中，<br/>前述輸入部輸入由使用者從前述多條第一線中選擇的前述第二線。
如請求項11之半導體裝置的製造方法，其中<br/>前述半導體製造裝置還具備：傳送部，<br/>該半導體裝置的製造方法還具備：<br/>將前述多個半導體晶片中與前述第二線相鄰的一個以上的半導體晶片的位置資訊傳送到外部。
一種連續壁可拆裝排水結構，係包括：至少一連續壁內壁；至少一連續壁牆板，該連續壁牆板係設置於連續壁內壁側面且其間形成有一內通道，又該連續壁牆板上方與該連續壁內壁間形成有一上組空間，並該連續壁牆板上方更設置有一上組蓋板封閉該上組空間；至少一上導水組件，該上導水組件係容置於所述上組空間內且固定於該連續壁內壁上；及至少一下導水組件，該下導水組件係容置於所述內通道內且固定於該連續壁內壁上。
如請求項1所述之連續壁可拆裝排水結構，其中所述連續壁內壁頂部係與一上樓板連接，並該連續壁內壁底部係與一下樓板連接，而該上組空間係形成於該連續壁牆板與該上樓板間。
如請求項2所述之連續壁可拆裝排水結構，其中所述連續壁牆板頂部與上樓板底面分別設置有至少一第一側組件，而該上組蓋板係與該第一側組件相互組設以封閉該上組空間。
如請求項2所述之連續壁可拆裝排水結構，其中所述連續壁內壁一側邊係與一樓柱連接，另一側邊係與另一連續壁內壁連接，而該連續壁牆板與該樓柱及另一連續壁內壁間形成有至少一側組空間，該側組空間上設置有一側組蓋板罩蓋該側組空間，而該上導水組件與該下導水組件之兩端緣係連通所述側組空間，與該下樓板設置有一底通道連通所述側組空間。
如請求項4所述之連續壁可拆裝排水結構，其中所述連續壁牆板兩側邊與樓柱側面分別設置有至少一第二側組件，而該側組蓋板係與該第二側組件相互組設以封閉該側組空間。
如請求項4所述之連續壁可拆裝排水結構，其中所述連續壁牆板底部更形成有一擋水墩，該擋水墩上形成有一擋水導流部，該擋水導流部延伸至該側組空間下方位置處形成有一集水坑，而該集水坑下方形成有一擋水排放孔連通該下樓板之底通道，另該擋水墩於該擋水排放孔之兩側設置有至少一底組件，該底組件上固定有一底蓋板。
如請求項2所述之連續壁可拆裝排水結構，其中所述上樓板與該連續壁內壁連接處更形成有一樓板導流部，而該上導水組件更包括有一樓板導流件及一內壁導流件，該樓板導流件設置於所述上樓板底面，而該內壁導流件設置於所述連續壁內壁，並該樓板導流件與該內壁導流件相對設置於所述上導水組件上方。
如請求項1所述之連續壁可拆裝排水結構，其中所述上導水組件更包括有一牆板導流部，該牆板導流部係設置於所述連續壁牆板頂部。
如請求項1所述之連續壁可拆裝排水結構，其中所述上導水組件與該下導水組件係為U形導水管，且該上導水組件與該下導水組件係由中央位置處往兩側傾斜向下延伸。
如請求項1所述之連續壁可拆裝排水結構，其中所述連續壁牆板與該連續壁內壁間更設置有至少一固定件，而該連續壁牆板係由該固定件固定於該連續壁內壁側邊且形成所述內通道。
一種自行車後鏈輪總成，其包含：複數個鏈輪，其每一者包括經構形以與一自行車輪轂總成嚙合之至少十個內部花鍵齒及一最大鏈輪，該最大鏈輪具有一軸向內表面及在相對於該自行車後鏈輪總成之一旋轉中心軸線的一軸向方向上設置於該軸向內表面之一反向側上的一軸向外表面；一後輪轂鄰接表面，其經構形以在該自行車後鏈輪總成安裝至該自行車輪轂總成之一狀態中，在該軸向方向上鄰接該自行車輪轂總成，相比於該軸向內表面，該軸向外表面在該軸向方向上更接近該後輪轂鄰接表面；及在該軸向方向上界定於該軸向內表面與該後輪轂鄰接表面之間的一軸向距離等於或大於7mm；該至少十個內部花鍵齒包括用以在踩踏期間傳輸傳動旋轉力至該自行車輪轂總成之一鏈輪支撐主體的複數個內部花鍵傳動表面；該複數個內部花鍵傳動表面之每一者包括：一徑向最外邊緣，一徑向最內邊緣，及一徑向長度，其係自該徑向最外邊緣至該徑向最內邊緣界定，且；該至少十個內部花鍵齒之該複數個內部花鍵傳動表面之該等徑向長度之一總和等於或大於7mm；該至少十個內部花鍵齒之至少一者包含：一內部花鍵傳動表面，其具有在該內部花鍵傳動表面及自該自行車後鏈輪總成之一旋轉中心軸線延伸至該內部花鍵傳動表面之一徑向最外邊緣之一徑向線之間界定的一內部花鍵表面角；該內部花鍵表面角為在0度至10度之範圍內。
如請求項1之自行車後鏈輪總成，其中該至少十個內部花鍵齒之一總數目等於或大於20。
如請求項1之自行車後鏈輪總成，其中該複數個鏈輪包括：一第一鏈輪，其具有一第一總齒數；及一第二鏈輪，其具有小於該第一總齒數之一第二總齒數；及該第一鏈輪包括至少一第一移位促進區域，以促進一自行車鏈條自該第二鏈輪移位至該第一鏈輪之一第一移位操作。
如請求項3之自行車後鏈輪總成，其中該第一鏈輪包括至少一第二移位促進區域，以促進該自行車鏈條自該第一鏈輪移位至該第二鏈輪之一第二移位操作。
如請求項1之自行車後鏈輪總成，其中該至少十個內部花鍵齒具有一第一內部周節角及不同於該第一內部周節角之一第二內部周節角。
如請求項1之自行車後鏈輪總成，其進一步包含一鎖定構件，其經構形以阻止安裝於該自行車輪轂總成上之該複數個鏈輪相對於該自行車後鏈輪總成之該旋轉中心軸線的一軸向移動，其中該鎖定構件包括：一管狀主體部分，其具有一中心軸線；及一突出部分，其相對於該管狀主體部分之該中心軸線，自該管狀主體部分徑向向外延伸，該管狀主體部分具有經構形以與該自行車輪轂總成之一內部帶螺紋部分嚙合的一外部帶螺紋部分，且該突出部分經構形以鄰接該複數個鏈輪之一者。
如請求項6之自行車後鏈輪總成，其中該鎖定構件具有一工具嚙合部分。
如請求項1之自行車後鏈輪總成，其進一步包含一鏈輪支撐件，該複數個鏈輪附接至該鏈輪支撐件。
如請求項1之自行車後鏈輪總成，其中該軸向距離等於或大於10mm。
如請求項1之自行車後鏈輪總成，其中在該自行車後鏈輪總成安裝至該自行車輪轂總成之一狀態中，相比於該後輪轂鄰接表面，該軸向內表面經定位成更接近該自行車輪轂總成之一軸向中心平面。
如請求項1之自行車後鏈輪總成，其中該複數個鏈輪中的三個鏈輪配置於該軸向距離中。
一種用於校準閃爍偵測器的脈衝中子靈敏度的方法，所述方法包括：<br/>通過電漿焦點裝置來發射脈衝中子；<br/>利用銀激活中子偵測器來測量所發射的所述脈衝中子的中子總數，所述中子總數基於所述銀激活中子偵測器的校準係數和定標器所記錄的所述銀激活中子偵測器的計數值來確定；<br/>基於所述中子總數來確定入射到所述閃爍偵測器的所述脈衝中子的中子數；以及<br/>基於所述中子數、所述閃爍偵測器的電荷資料來確定所述閃爍偵測器的所述脈衝中子靈敏度，所述閃爍偵測器的所述電荷資料基於示波器所記錄的所述閃爍偵測器輸出的波形面積和匹配器的電阻來確定。
如請求項1之方法，其中，所述利用所述銀激活中子偵測器來測量所發射的所述脈衝中子的所述中子總數包括：<br/>從所述電漿焦點裝置發射所述脈衝中子開始，經過預設時間後，觸發所述銀激活中子偵測器開始計數，以測量所發射的所述脈衝中子的所述中子總數。
如請求項2之方法，其中，所述銀激活中子偵測器為預先校準好的偵測器，所述預設時間與所述銀激活中子偵測器進行校準時的中子產額相關。
如請求項1之方法，其中，所述銀激活中子偵測器包括兩個或更多並聯的偵測模組。
如請求項1之方法，其中，所述銀激活中子偵測器包括慢化體結構，其中所述慢化體結構的慢化材料為厚度大於預設閾值的聚乙烯，所述慢化材料至少設置在所述銀激活中子偵測器的入射處。
如請求項5之方法，其中，當所述電漿焦點裝置的腔內所充氣體為氘-氘時，所述預設閾值為10cm；或當所述電漿焦點裝置的腔內所充氣體為氘-氚時，所述預設閾值為23cm。
一種用於校準閃爍偵測器的脈衝中子靈敏度的系統，所述系統包括：<br/>閃爍偵測器；<br/>電漿焦點裝置，其用於發射脈衝中子；以及<br/>銀激活中子偵測器，其用於測量所述電漿焦點裝置所發射的所述脈衝中子的中子總數，以便基於所述中子總數、所述閃爍偵測器的電荷資料來確定所述閃爍偵測器的所述脈衝中子靈敏度，<br/>其中，所述中子總數基於所述銀激活中子偵測器的校準係數和定標器所記錄的所述銀激活中子偵測器的計數值來確定，並且所述閃爍偵測器的所述電荷資料基於示波器所記錄的所述閃爍偵測器輸出的波形面積和匹配器的電阻來確定。
如請求項7之系統，其中，所述系統還包括：<br/>延時裝置，其連接所述電漿焦點裝置和所述銀激活中子偵測器，以用於延遲觸發所述銀激活中子偵測器對所述脈衝中子進行的偵測。
如請求項7之系統，其中，所述系統還包括：<br/>γ粒子屏蔽系統，其用於屏蔽所述電漿焦點裝置發射所述脈衝中子時所產生的γ粒子；和/或<br/>所述閃爍偵測器包括輻射雙屏蔽系統，其用於屏蔽所述電漿焦點裝置發射所述脈衝中子時所產生的電磁脈衝。
一種光學裝置，具備： <br/>可照射光的光照射裝置； <br/>複數個容器零件； <br/>第1氣體供給口； <br/>第1氣體抽吸口；及 <br/>第1光學元件； <br/>藉由前述複數個容器零件，使得被供給非活性氣體的第1空間、抽吸存在的氣體的第2空間、以及前述複數個容器零件的外部的空間亦即第3空間各自分離， <br/>前述第1氣體供給口到達前述第1空間， <br/>前述第1氣體抽吸口到達前述第2空間， <br/>前述第1空間被使用作為前述光的光路， <br/>前述第1光學元件設置於前述第1空間， <br/>從前述第1氣體供給口往前述第1空間供給非活性氣體，而從前述第1氣體抽吸口抽吸存在於前述第2空間的氣體，藉此能夠將前述第2空間的氣壓控制成為比前述第1空間的氣壓及前述第3空間的氣壓還低。
如請求項1記載之光學裝置，其中， <br/>前述光為深紫外光。
如請求項1記載之光學裝置，其中， <br/>前述複數個前述容器零件，包含平板狀的第1容器零件、護罩狀的第2容器零件及護罩狀的第3容器零件， <br/>前述光照射裝置設置於前述第1容器零件上， <br/>前述第2容器零件接合至前述第1容器零件， <br/>前述第1空間，為被前述第1容器零件及前述第2容器零件圍繞的空間， <br/>前述複數第3容器零件接合至前述第1容器零件，而覆蓋前述第2容器零件， <br/>前述第2空間，為被前述第1容器零件、前述第2容器零件及前述第3容器零件圍繞的空間， <br/>前述第1氣體供給口設置於前述第2容器零件， <br/>前述第1氣體抽吸口設置於前述第3容器零件。
如請求項3記載之光學裝置，其中，更具備： <br/>試料容器零件，接合至前述複數個前述容器零件當中的前述第1容器零件； <br/>試料空間，被前述第1容器零件及前述試料容器零件圍繞； <br/>平台，設置於前述試料空間，且可載置試料； <br/>光檢測器，設置於前述試料空間，且可檢測從前述試料發出的散射光或螢光；及 <br/>第2光學元件，設置於前述試料空間； <br/>當將前述試料載置於前述平台而進行前述試料的缺陷檢測時，在將前述第2空間的氣壓控制成為比前述第1空間的氣壓及前述第3空間的氣壓還低的狀態下，從前述光照射裝置照射出的前述光一面經由前述第1光學元件及前述第2光學元件一面從前述第1空間進入到前述試料空間，而到達前述試料。
如請求項4記載之光學裝置，其中， <br/>在前述第1容器零件的一部分設置開口部，使得前述第1空間及前述試料空間成為同一空間， <br/>前述第1空間及前述試料空間，被前述非活性氣體充滿。
如請求項4記載之光學裝置，其中， <br/>更具備：密封窗，裝配於前述第1容器零件的一部分，且可讓前述光穿透； <br/>前述光能夠藉由穿透前述密封窗而從前述第1空間進入到前述試料空間， <br/>前述試料空間被保持真空。
一種帶電粒子線裝置，係包含如請求項6記載之光學裝置的帶電粒子線裝置， <br/>具備：電子束鏡筒，設置於前述試料空間，且可照射電子束， <br/>在前述試料空間內，前述平台能夠在前述光的到達位置與前述電子束的照射位置之間移動。
如請求項3記載之光學裝置，其中， <br/>前述光照射裝置的至少一部分被前述第2容器零件覆蓋，使得前述光照射裝置的光源位於前述第1空間。
如請求項3記載之光學裝置，其中， <br/>更具備：密封窗，裝配於前述第2容器零件的一部分，且可讓前述光穿透； <br/>前述光照射裝置的至少一部分被前述第3容器零件覆蓋，使得前述光照射裝置的光源位於前述第2空間， <br/>前述光能夠藉由穿透前述密封窗而從前述第2空間進入到前述第1空間。
如請求項3記載之光學裝置，其中，更具備： <br/>第1密封窗，裝配於前述第2容器零件的一部分，且可讓前述光穿透；及 <br/>第2密封窗，裝配於前述第3容器零件的一部分，且可讓前述光穿透；及 <br/>前述光照射裝置設置於前述第3容器零件的外部，使得前述光照射裝置的光源位於前述第3空間， <br/>前述光能夠藉由穿透前述第2密封窗而從前述第3空間進入到前述第2空間，且能夠藉由穿透前述第1密封窗而從前述第2空間進入到前述第1空間。
如請求項3記載之光學裝置，其中， <br/>前述複數個前述容器零件，包含： <br/>平板狀的第4容器零件，和前述第1容器零件相向；及 <br/>平板狀的複數個第5容器零件，各自接合至前述第1容器零件及前述第4容器零件； <br/>前述複數個前述第5容器零件當中的至少一部分彼此被接合， <br/>被前述第1容器零件、前述第4容器零件及前述複數個前述第5容器零件圍繞的空間，構成第4空間， <br/>沿著前述第1容器零件及前述複數個前述第5容器零件的接合面、前述第4容器零件及前述複數個前述第5容器零件的接合面、以及前述複數個前述第5容器零件彼此的接合面而形成溝，該溝構成第5空間， <br/>第2氣體供給口設置於前述第1容器零件、前述第4容器零件或前述複數個前述第5容器零件的其中一者，以便到達前述第4空間， <br/>第2氣體抽吸口設置於前述第1容器零件、前述第4容器零件或前述複數個前述第5容器零件的其中一者，以便到達前述溝， <br/>前述第4空間被使用作為前述光的光路， <br/>第3光學元件設置於前述第4空間， <br/>從前述第2氣體供給口往前述第4空間供給非活性氣體，而從前述第2氣體抽吸口抽吸存在於前述第5空間的氣體，藉此能夠將前述第5空間的氣壓控制成為比前述第4空間的氣壓及前述第3空間的氣壓還低。
如請求項11記載之光學裝置，其中， <br/>在前述複數個前述第5容器零件當中的第6容器零件，形成將前述第4空間與前述第3空間予以開口的貫通孔， <br/>在前述貫通孔的周圍的前述第6容器零件形成凹部， <br/>在前述第6容器零件的前述溝的底部形成孔，使得前述溝與前述凹部連通， <br/>在前述第6容器零件接合有密封零件，以便覆蓋前述貫通孔及前述凹部。
如請求項11記載之光學裝置，其中， <br/>在前述複數個前述第5容器零件當中的第6容器零件形成凹部， <br/>在前述凹部的底部，形成將前述第4空間與前述第3空間予以開口的貫通孔， <br/>在前述第6容器零件的前述溝的底部形成孔，使得前述溝與前述凹部連通， <br/>在前述凹部的底部接合第1密封零件，以便覆蓋前述貫通孔， <br/>在前述第6容器零件接合有第2密封零件，以便覆蓋前述凹部。
如請求項11記載之光學裝置，其中，更具備： <br/>試料容器零件，接合至前述第4容器零件； <br/>試料空間，被前述第4容器零件及前述試料容器零件圍繞； <br/>平台，設置於前述試料空間，且可載置試料； <br/>光檢測器，設置於前述試料空間，且可檢測從前述試料發出的散射光或螢光；及 <br/>第2光學元件，設置於前述試料空間； <br/>當將前述試料載置於前述平台而進行前述試料的缺陷檢測時，在將前述第2空間的氣壓及前述第5空間的氣壓控制成為比前述第1空間的氣壓、前述第4空間的氣壓及前述第3空間的氣壓還低的狀態下，從前述光照射裝置照射出的前述光一面經由前述第1光學元件、前述第3光學元件及前述第2光學元件一面從前述第1空間進入到前述第4空間，再從前述第4空間進入到前述試料空間，而到達前述試料。
一種帶電粒子線裝置，係包含如請求項14記載之光學裝置的帶電粒子線裝置，更具備： <br/>第1密封窗，裝配於前述第1容器零件的一部分，且可讓前述光穿透； <br/>第2密封窗，裝配於前述第4容器零件的一部分，且可讓前述光穿透；及 <br/>電子束鏡筒，設置於前述試料空間，且可照射電子束； <br/>在前述試料空間被保持真空的狀態下，前述光能夠藉由穿透前述第1密封窗而從前述第1空間進入到前述第4空間，且能夠藉由穿透前述第2密封窗而從前述第4空間進入到前述試料空間， <br/>在前述試料空間內，前述平台能夠在前述光的到達位置與前述電子束的照射位置之間移動。
如請求項1記載之光學裝置，其中， <br/>前述複數個前述容器零件，包含： <br/>平板狀的第1容器零件； <br/>平板狀的第2容器零件，和前述第1容器零件相向；及 <br/>平板狀的複數個第3容器零件，各自接合至前述第1容器零件及前述第2容器零件； <br/>前述複數個前述第3容器零件當中的至少一部分彼此被接合， <br/>前述光照射裝置設置於前述第1容器零件上， <br/>前述第1空間，為被前述第1容器零件、前述第2容器零件及前述複數個前述第3容器零件圍繞的空間， <br/>沿著前述第1容器零件及前述複數個前述第3容器零件的接合面、前述第2容器零件及前述複數個前述第3容器零件的接合面、以及前述複數個前述第3容器零件彼此的接合面而形成溝，該溝構成前述第2空間， <br/>第1氣體供給口設置於前述第1容器零件、前述第2容器零件或前述複數個前述第3容器零件的其中一者，以便到達前述第1空間， <br/>第1氣體抽吸口設置於前述第1容器零件、前述第2容器零件或前述複數個前述第3容器零件的其中一者，以便到達前述溝。
如請求項16記載之光學裝置，其中， <br/>在前述複數個前述第3容器零件當中的第4容器零件，形成將前述第1空間與前述第3空間予以開口的貫通孔， <br/>在前述貫通孔的周圍的前述第4容器零件形成凹部， <br/>在前述第4容器零件的前述溝的底部形成孔，使得前述溝與前述凹部連通， <br/>在前述第4容器零件接合有密封零件，以便覆蓋前述貫通孔及前述凹部。
如請求項16記載之光學裝置，其中， <br/>在前述複數個前述第3容器零件當中的第4容器零件形成凹部， <br/>在前述凹部的底部，形成將前述第1空間與前述第3空間予以開口的貫通孔， <br/>在前述第4容器零件的前述溝的底部形成孔，使得前述溝與前述凹部連通， <br/>在前述凹部的底部接合第1密封零件，以便覆蓋前述貫通孔， <br/>在前述第4容器零件接合有第2密封零件，以便覆蓋前述凹部。
如請求項16記載之光學裝置，其中，更具備： <br/>試料容器零件，接合至前述第2容器零件； <br/>試料空間，被前述第2容器零件及前述試料容器零件圍繞； <br/>平台，設置於前述試料空間，且可載置試料； <br/>光檢測器，設置於前述試料空間，且可檢測從前述試料發出的散射光或螢光；及 <br/>第2光學元件，設置於前述試料空間； <br/>當將前述試料載置於前述平台而進行前述試料的缺陷檢測時，在將前述第2空間的氣壓控制成為比前述第1空間的氣壓及前述第3空間的氣壓還低的狀態下，從前述光照射裝置照射出的前述光一面經由前述第1光學元件及前述第2光學元件一面從前述第1空間進入到前述試料空間，而到達前述試料。
一種帶電粒子線裝置，係包含如請求項19記載之光學裝置的帶電粒子線裝置，更具備： <br/>第1密封窗，裝配於前述第1容器零件的一部分，且可讓前述光穿透； <br/>第2密封窗，裝配於前述第2容器零件的一部分，且可讓前述光穿透；及 <br/>電子束鏡筒，設置於前述試料空間，且可照射電子束； <br/>在前述試料空間被保持真空的狀態下，前述光能夠藉由穿透前述第1密封窗而從前述第3空間進入到前述第1空間，且能夠藉由穿透前述第2密封窗而從前述第1空間進入到前述試料空間， <br/>在前述試料空間內，前述平台能夠在前述光的到達位置與前述電子束的照射位置之間移動。
一種遠端電刺激系統，係包括：<br/> 雲端平台，包括處方資料庫、處方編輯模組、處方指定模組及登入模組，其中，該處方資料庫用以儲存複數電刺激處方，該處方編輯模組用以接收編輯指令以編輯或建立任一該電刺激處方，該處方指定模組用以接收指定指令以將該複數電刺激處方的其中一者指定為僅供具有專屬電刺激處方下載權限的目標患者下載的專屬電刺激處方，以及該登入模組用以供任一使用者登入並識別已登入的該使用者的身分，以相應賦予處方編輯權限、處方指定權限及該專屬電刺激處方下載權限的至少其中一者；<br/> 患者操作端，係連線該雲端平台，該患者操作端供經授權人員協助該目標患者自該雲端平台下載該專屬電刺激處方；以及<br/> 電刺激裝置，係連線該患者操作端以接收該專屬電刺激處方，並依據該專屬電刺激處方對該目標患者執行電刺激療程；<br/> 其中，該登入模組判斷該使用者具有該處方編輯權限，且該處方編輯模組產生處方編輯介面，並藉由該處方編輯介面接收該編輯指令，以編輯或建立任一該電刺激處方；<br/> 其中，該處方編輯模組包括載波波形庫，且該處方編輯介面包括波形選擇區及編輯區；<br/> 其中，該波形選擇區供顯示該載波波形庫內已儲存的載波波形範本且依據該編輯指令調整或變更任一該載波波形範本的設定，且該編輯區依據該編輯指令自該波形選擇區選擇並編輯單一該載波波形範本或多個該載波波形範本的組合；<br/> 其中，該編輯區可切換為具有等距格線的繪製介面，該繪製介面依據該編輯指令填充該等距格線所形成的空格，使得該使用者得以圖像化的方式繪製新載波波形；以及<br/> 其中，該波形選擇區係針對所顯示的每一該載波波形範本設定載波波形的類型、頻率及衰減倍率的至少其中一者。
如請求項1所述的遠端電刺激系統，其中，該電刺激裝置包括對應第一通道的第一貼片組及對應第二通道的第二貼片組，且該專屬電刺激處方包括第一載波訊號及第二載波訊號；以及其中，該電刺激裝置透過該第一通道傳輸該第一載波訊號至該第一貼片組，且透過該第二通道傳輸該第二載波訊號至該第二貼片組。
如請求項2所述的遠端電刺激系統，其中，該第一載波訊號及該第二載波訊號分別對應不同的載波波形組合及時序。
如請求項2所述的遠端電刺激系統，其中，該第一載波訊號及該第二載波訊號於同一時間對應不同的載波波形。
如請求項1所述的遠端電刺激系統，其中，該編輯區包括第一載波訊號區及第二載波訊號區，以及其中，該第一載波訊號區係基於時間軸橫向呈現單一該電刺激處方的第一載波訊號，以供編輯該第一載波訊號中的每個載波波形於該時間軸上的對應位置及持續時間，以及該第二載波訊號區係基於該時間軸橫向呈現單一該電刺激處方的第二載波訊號，以供編輯該第二載波訊號中的每個載波波形於時間軸上的對應位置及持續時間。
如請求項1所述的遠端電刺激系統，其中，該登入模組判斷該使用者具有該處方指定權限，且該處方指定模組產生處方指定介面，並藉由該處方指定介面接收該指定指令，以指定僅供該目標患者下載的該專屬電刺激處方。
如請求項6所述的遠端電刺激系統，其中，該雲端平台更包括學習模組，該學習模組係彙整每次指定的該專屬電刺激處方與對應的該目標患者的病歷資料的歷史紀錄以進行比對學習，以便針對不同患者於該處方指定介面提供該專屬電刺激處方的選擇建議資訊。
如請求項1所述的遠端電刺激系統，其中，該電刺激裝置更包括複數感測器，該複數感測器用以取得該目標患者使用該專屬電刺激處方執行該電刺激療程的反饋資訊，並將該反饋資訊透過該患者操作端回傳至該雲端平台。
一種顯示裝置，包括：<br/> 一前框，其中該前框內部形成一定位空間；<br/> 複數個定位件，其中各該定位件包括一定位部與一連接部，且該定位部與該連接部設置於該定位空間內；<br/> 複數個緩衝件，分別設置於該定位空間內接觸該複數個定位件的該些定位部的位置；<br/> 一顯示面板，其中該複數個緩衝件位於該顯示面板與該些定位部之間，該顯示面板設置於該定位空間內，且該顯示面板的一面板邊緣接近但不接觸該複數個緩衝件；<br/> 一膠框，設置於該定位空間內且固定於該顯示面板，並包括一平台部與一抵靠部，其中該平台部的一第一表面固定於該複數個緩衝件與該顯示面板，且該抵靠部接觸該定位部；<br/> 一背光膜片，貼附固定於該平台部的一第二表面，其中該第二表面與該第一表面相對；以及<br/> 一背蓋，抵接該背光膜片與該膠框的一側壁的一端點。
如請求項1所述的顯示裝置，還包括：<br/> 一蓋板，固定於該前框的一第一定位面，且該蓋板的一邊緣接近但不接觸該前框的一第二定位面，該第一定位面與該第二定位面定義該定位空間。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該背蓋的一背蓋側壁被設置於該膠框的該側壁與該連接部之間，且該背蓋側壁與該連接部之間留有一間隙。
如請求項3所述的顯示裝置，其中該連接部還包括一定位凸起，該定位凸起朝向該膠框的該側壁凸出，且該背蓋的該背蓋側壁與該定位凸起之間留有一間隙。
如請求項2所述的顯示裝置，還包括：<br/> 一光學觸控模組，設置於該前框的一安裝腔室內，其中該安裝腔室具有與該第一定位面相鄰的一開口；以及<br/> 一濾光板，安裝於該開口。
一種顯示裝置，包括：<br/> 一前框；<br/> 一定位件，固定於該前框；<br/> 一緩衝件，接觸該定位件；<br/> 一顯示面板，其中該顯示面板的一面板邊緣接近但不接觸該緩衝件；<br/> 一膠框，貼附固定於該顯示面板，並接觸該緩衝件與該定位件；<br/> 一背光膜片，貼附固定於該膠框；以及<br/> 一背蓋，固定於該膠框，並抵接該背光膜片，其中該背蓋的一背蓋側壁被定位於該膠框與該定位件之間。
如請求項6所述的顯示裝置，還包括：<br/> 一蓋板，固定於該前框，且該蓋板的一邊緣與該前框之間在一水平方向上留有一間隙。
如請求項6所述的顯示裝置，其中該背蓋的該背蓋側壁與該定位件之間在一水平方向上留有一間隙。
如請求項8所述的顯示裝置，其中該定位件包括朝向該膠框凸出的一定位凸起，且該背蓋的該背蓋側壁與該定位凸起之間在該水平方向上留有該間隙。
一種顯示裝置的組裝方法，其中該顯示裝置包含一前框、一顯示面板及一背蓋，且該組裝方法包含：<br/> 將該前框朝向一垂直方向置放，其中該前框內部形成一定位空間；<br/> 設置複數個定位件，其中各該定位件包括一定位部與一連接部，且該定位部與該連接部被設置於該定位空間內；<br/> 設置複數個緩衝件，其中該複數個緩衝件被設置於該定位空間內接觸該複數個定位件的該些定位部的位置；<br/> 設置該顯示面板於該定位空間內，其中該顯示面板的一面板邊緣接近但不接觸該複數個緩衝件，且該複數個緩衝件位於該顯示面板與該些定位部之間；<br/> 設置一膠框於該定位空間內且固定於該顯示面板，其中該膠框包括一平台部與一抵靠部，該平台部的一第一表面被固定於該複數個緩衝件與該顯示面板，且該抵靠部接觸該定位部；<br/> 設置一背光膜片於該平台部的一第二表面，其中該第二表面與該第一表面相對；以及<br/> 設置該背蓋，其中該背蓋抵接該背光膜片與該膠框的一側壁的一端點。
一種牽伸聚醯胺紗，其具有約90至約200之甲酸相對黏度(RV)，包括特徵在於分子量分佈(M<sub>z</sub>/M<sub>w</sub>)在≥ 1.40且≤ 1.50 ±0.03範圍內之PA66。
如請求項1之牽伸聚醯胺紗，其中該分子量分佈(M<sub>z</sub>/M<sub>w</sub>)係在≥ 1.42且≤ 1.49 ±0.03範圍內。
如請求項1之牽伸聚醯胺紗，其中該分子量分佈(Mz/Mw)係在≥ 1.45且≤ 1.48 ±0.03範圍內。
如請求項1之牽伸聚醯胺紗，其中該RV係約90至約150。
如請求項1之牽伸聚醯胺紗，其中該RV係約90至約130。
如請求項1之牽伸聚醯胺紗，其中該RV係約90至約120。
如請求項1至6中任一項之牽伸聚醯胺紗，其中該紗之RV ＞ 90。
如請求項1至6中任一項之牽伸聚醯胺紗，其中該紗之線性密度係200-3000分特(decitex)。
如請求項1至6中任一項之牽伸聚醯胺紗，其中該紗之長絲數量為30-450。
如請求項1至6中任一項之牽伸聚醯胺紗，其中該紗之韌性係＞8.0 cN/分特。
如請求項1至6中任一項之牽伸聚醯胺紗，其中該紗之韌性係＞8.5 cN/分特。
如請求項1至6中任一項之牽伸聚醯胺紗，其中該紗之韌性係＞9.0 cN/分特。
如請求項1至6中任一項之牽伸聚醯胺紗，其中該紗之斷裂能係至少0.6J。
如請求項1至6中任一項之牽伸聚醯胺紗，其中該紗之斷裂能係至少1.0J。
如請求項1至6中任一項之牽伸聚醯胺紗，其中該紗之斷裂能係至少1.5J。
如請求項1至6中任一項之牽伸聚醯胺紗，其中該紗之斷裂能係至少2.0J。
如請求項1至6中任一項之牽伸聚醯胺紗，其中該紗之斷裂能係至少2.5J。
如請求項1至6中任一項之牽伸聚醯胺紗，其中該紗之斷裂能係至少2.8J。
如請求項1至6中任一項之牽伸聚醯胺紗，其中該紗展現出原始尺寸之約10.0%至約30.0%之最大力伸長率。
如請求項1至6中任一項之牽伸聚醯胺紗，其中該紗展現出原始尺寸之約15.0%至約30.0%之最大力伸長率。
如請求項1至6中任一項之牽伸聚醯胺紗，其中該紗展現出原始尺寸之約15.0%至約27.0%之最大力伸長率。
如請求項1至6中任一項之牽伸聚醯胺紗，其中該紗展現出原始尺寸之約15.0%至約25.0%之最大力伸長率。
如請求項1至6中任一項之牽伸聚醯胺紗，其中該紗展現出原始尺寸之16.0%至約25.0%之最大力伸長率。
如請求項1至6中任一項之牽伸聚醯胺紗，其中該紗展現出原始尺寸之約17.0%至約25.0%之最大力伸長率。
如請求項1至6中任一項之牽伸聚醯胺紗，其中該紗展現出原始尺寸之約18.0%至約25.0%之最大力伸長率。
如請求項1至6中任一項之牽伸聚醯胺紗，其中乾熱收縮率係5-10%。
如請求項1至6中任一項之牽伸聚醯胺紗，其中45N伸長率係約7%至約12%。
如請求項1至6中任一項之牽伸聚醯胺紗，其不含苯磺酸鹽化合物。
如請求項1至6中任一項之牽伸聚醯胺紗，其含有小於5 ppm之量之苯磺酸鹽。
如請求項1至6中任一項之牽伸聚醯胺紗，其中該紗進一步包括作為熱穩定劑之含磷化合物。
如請求項30之牽伸聚醯胺紗，其中該含磷化合物係選自：由式X-(CH<sub>2</sub>)<sub>n</sub>PO<sub>3</sub>R<sub>2</sub>所定義之化合物，其中X係選自2-吡啶基、-NH<sub>2</sub>、NHR'及N(R')<sub>2</sub>，n=2至5，R及R'獨立地係H或烷基；2-胺基乙基膦酸、甲苯基次膦酸鉀或苯基次膦酸；2-(2'-吡啶基)乙基膦酸；以及包含次磷酸鈉及次磷酸錳之金屬次磷酸鹽。
如請求項1至6中任一項之牽伸聚醯胺紗，其不包括含磷化合物。
如請求項1至6中任一項之牽伸聚醯胺紗，其不含酚系抗氧化穩定劑。
如請求項1至6中任一項之牽伸聚醯胺紗，其不含受阻酚穩定劑。
如請求項1至6中任一項之牽伸聚醯胺紗，其不含烷基取代及/或芳基取代之酚。
如請求項1至6中任一項之牽伸聚醯胺紗，其中該紗展現出＞8.5 cN/分特之韌性及至少15.0%之最大力伸長率。
如請求項1至6中任一項之牽伸聚醯胺紗，其中該紗展現出＞9.0 cN/分特之韌性及至少15.0%之最大力伸長率。
如請求項36之牽伸聚醯胺紗，其中該紗亦展現出至少2.5 J之斷裂能及/或約8.5%至約12%之45N伸長率。
如請求項37之牽伸聚醯胺紗，其中該紗亦展現出至少2.5 J之斷裂能及/或約8.5%至約12%之45N伸長率。
如請求項1至6中任一項之牽伸聚醯胺紗，其提供高於由具有較低相對黏度及所述範圍外之M<sub>z</sub>/M<sub>w</sub>值之聚醯胺紗所提供者之抗疲勞性及/或內固化橡膠強度(cured-in rubber strength)。
如請求項1至6中任一項之牽伸聚醯胺紗，其中該聚醯胺係或包括選自以下各項中之至少一種聚醯胺：聚醯胺6,6 (PA66)、耐綸6 (PA-6)、耐綸7 (PA-7)、耐綸4,6 (PA-4,6)、耐綸4,10 (PA-4,10)、耐綸5,6 (PA-5,6)、耐綸5,10 (PA-5,10)、耐綸6,10 (PA-6,10)、耐綸12 (PA-12)及耐綸6,12 (PA-6,12)。
如請求項1至6中任一項之牽伸聚醯胺紗，其中該聚醯胺係或包括PA66。
如請求項1至6中任一項之牽伸聚醯胺紗，其中該聚醯胺係PA66。
一種輪胎簾布，其由如請求項1至43中任一項之牽伸聚醯胺紗製成或包括該牽伸聚醯胺紗。
如請求項44之輪胎簾布，其中該抗疲勞性係大於35%。
如請求項44之輪胎簾布，其中該抗疲勞性係大於50%。
如請求項44之輪胎簾布，其中該抗疲勞性係大於65%。
如請求項44之輪胎簾布，其中該抗疲勞性係約70%至約90%。
如請求項44至48中任一項之輪胎簾布，其中該輪胎簾布之該內固化橡膠強度係≥ 50 N。
如請求項44至48中任一項之輪胎簾布，其中該輪胎簾布之該內固化橡膠強度係≥ 70 N。
如請求項44至48中任一項之輪胎簾布，其中該輪胎簾布之該內固化橡膠強度係≥ 100 N。
如請求項44至48中任一項之輪胎簾布，其中該輪胎簾布之該內固化橡膠強度係≥ 130 N。
如請求項44至48中任一項之輪胎簾布，其中該輪胎簾布之該內固化橡膠強度係≥ 150 N。
如請求項44至48中任一項之輪胎簾布，其中該輪胎簾布之該內固化橡膠強度係≥ 180 N。
如請求項44至48中任一項之輪胎簾布，其中該輪胎簾布之該內固化橡膠強度係≥ 210 N。
如請求項44至48中任一項之輪胎簾布，其中該輪胎簾布之該內固化橡膠強度係≥ 220 N。
一種製備如請求項1至43中任一項之牽伸聚醯胺紗之方法，其包括以下步驟：<br/>a)剪切加熱聚醯胺薄片直至聚合物達到熔融狀態；<br/>b)經由噴絲板擠出該熔融聚合物；<br/>c)冷卻離開該等噴絲板之該熔融聚合物以固化該等長絲；<br/>d)將潤滑油施加至該等長絲；<br/>e)藉由將該等長絲穿過一或多個加熱輥來牽伸該等長絲以拉伸並排列分子；<br/>f)藉由穿過另一組一或多個輥來鬆弛該等牽伸聚醯胺紗以達成最終紗之所需收縮率；及<br/>g)將成品長絲捲繞至筒管上。
如請求項57之方法，其中步驟e)中之該牽伸發生在多個階段，其中輥在不同速度及不同溫度下旋轉。
一種製備如請求項44至56中任一項之輪胎簾布之方法，其包括：<br/>a)沿Z或S方向加撚單紗，其中該等單紗係如請求項1至43中任一項之牽伸聚醯胺紗；及<br/>b)將兩股或更多股單紗合股在一起並沿與該等單紗之加撚方向相反之方向進行加撚，較佳地每單位長度之加撚數量與每一單紗類似。
一種輪胎，其包括如請求項44至56中任一項之輪胎簾布。
一種如請求項1至43中任一項之牽伸聚醯胺紗之用途，其用於輪胎簾布中以改良包括該紗之輪胎簾布之抗疲勞性及/或內固化橡膠強度，其中該紗具有約90至約200之甲酸相對黏度(RV)且包括特徵在於分子量分佈(M<sub>z</sub>/M<sub>w</sub>)在≥ 1.40且≤ 1.50 ±0.03範圍內之聚醯胺。
一種如請求項44至56中任一項之輪胎簾布之用途，其用於輪胎中以增強該輪胎之耐久性，其中該牽伸聚醯胺紗具有約90至約200之甲酸相對黏度(RV)且包括特徵在於分子量分佈(M<sub>z</sub>/M<sub>w</sub>)在≥ 1.40且≤ 1.50 ±0.03範圍內之聚醯胺。
一種輪胎簾布織物，其由如請求項44至56中任一項之輪胎簾布製成或包括該輪胎簾布。
一種散熱填料，用於樹脂成形體之製造，包含： <br/>粒徑為10μm以上、150μm以下之第一熱傳導粒子； <br/>粒徑為0.1μm以上、小於10μm之第二熱傳導粒子； <br/>纖維狀之氮化鋁， <br/>其中，該第一熱傳導粒子及該第二熱傳導粒子均含有氮化鋁，且在該第一熱傳導粒子、該第二熱傳導粒子與該纖維狀之氮化鋁之合計量為100體積份量時，以30體積份量以上80體積份量以下的比例包含該第一熱傳導粒子，以5體積份量以上50體積份量以下的比例包含該第二熱傳導粒子，以2體積份量以上39體積份量以下的比例包含該纖維狀之氮化鋁， <br/>該第一熱傳導粒子與該第二熱傳導粒子合計包含61體積份量以上98體積份量以下的比例。
如請求項1所載之散熱填料，其中該纖維狀之氮化鋁之長軸方向的長度為1.0μm以上、5.0cm以下。
如請求項1所載之散熱填料，其中該纖維狀之氮化鋁之短軸方向的長度為0.5μm以上、50.0μm以下。
如請求項1所載之散熱填料，其中該纖維狀之氮化鋁之長寬比為2以上、200以下。
一種樹脂組成物，用於製造利用包含樹脂材料之材料構成的樹脂成形體，包含如請求項1至4任一項所載之散熱填料。
如請求項5所載之樹脂組成物，其中樹脂組成物中之該樹脂材料的含量為5體積百分比以上、60體積百分比以下。
一種樹脂成形體，利用包含樹脂材料之材料構成，包含如請求項1至4任一項所載之散熱填料。
如請求項7所載之樹脂成形體，其中樹脂成形體中之該樹脂材料的含量為5體積百分比以上、60體積百分比以下。
如請求項7所載之樹脂成形體，其中相關於相互正交之三軸方向之熱傳導率任一者皆為0.5W/m･K以上20W/m･K以下。
如請求項7所載之樹脂成形體，其中耐電壓為1kV/mm以上100kV/mm以下。
一種抗體或其抗原結合片段，所述抗體i)特異性結合cTAGE5蛋白的包含SEQ ID NO:1或2所示胺基酸序列的胞外區，或ii)特異性結合包含SEQ ID NO:1或2所示胺基酸序列的免疫原性多肽，其中所述抗體包含重鏈可變區和輕鏈可變區，且包含選自以下任一組的重鏈CDR和輕鏈CDR：<br/> 。
如請求項1的抗體或其抗原結合片段，其中所述抗體包含輕鏈可變區和重鏈可變區，所述重鏈可變區(VH)和所述輕鏈可變區(VL)分別包含選自以下任一組的胺基酸序列或分別包含與選自以下任一組的胺基酸序列具有至少70%、至少75%、至少80%、至少85%、至少90%、至少95%或更高序列相同性的胺基酸序列：<br/> 。
如請求項1-2中任一項的抗體或其抗原結合片段，其中所述抗體是人源化抗體。
如請求項3的抗體或其抗原結合片段，其中所述人源化抗體<br/> i) 重鏈可變區包含SEQ ID NO:23所示胺基酸序列，輕鏈可變區包含SEQ ID NO:24所示胺基酸序列；<br/> ii) 重鏈可變區包含SEQ ID NO:25所示胺基酸序列，輕鏈可變區包含SEQ ID NO:26所示胺基酸序列；<br/> iii) 重鏈可變區包含SEQ ID NO:27所示胺基酸序列，輕鏈可變區包含SEQ ID NO:28所示胺基酸序列；或<br/> iv) 重鏈可變區包含SEQ ID NO:29所示胺基酸序列，輕鏈可變區包含SEQ ID NO:30所示胺基酸序列。
如請求項1-2中任一項的抗體或其抗原結合片段，其中所述抗體包含SEQ ID NO:3所示重鏈，以及SEQ ID NO:4所示輕鏈；或者所述抗體包含SEQ ID NO:13所示重鏈，以及SEQ ID NO:14所示輕鏈。
如請求項1-2中任一項的抗體或其抗原結合片段，其中所述抗體或其抗原結合片段能夠抑制腫瘤生長至少約10%。
如請求項1-2中任一項的抗體或其抗原結合片段，其中抗體或其抗原結合片段結合包含SEQ ID NO:1或2所示胺基酸序列的cTAGE5蛋白的胞外區或包含SEQ ID NO:1或2所示胺基酸序列的免疫原性多肽的K<sub>D</sub>值小於1×10<sup>-7</sup> M。
一種抗體綴合物，其包含如請求項1-7中任一項的抗體或其抗原結合片段，以及與所述抗體或其抗原結合片段綴合的選自細胞毒素、放射性同位素或生物活性蛋白質的治療性部分。
一種藥物組成物，其包含如請求項1-7中任一項的抗體或其抗原結合片段或如請求項8的抗體綴合物，以及藥學上可接受的載劑。
一種如請求項1-7中任一項的抗體或其抗原結合片段、如請求項8的抗體綴合物或如請求項9的藥物組成物在製備用於治療和/或預防腫瘤的藥物中的用途。
如請求項10的用途，其中所述腫瘤是cTAGE5蛋白相關腫瘤，其中所述cTAGE5蛋白具有胞外區，所述cTAGE5蛋白的胞外區包含SEQ ID NO:1或2所示胺基酸序列。
如請求項11的用途，其中所述腫瘤選自鼻咽癌、惡性黑色素瘤、肺癌、神經膠質瘤、皮膚癌、舌咽癌、淋巴瘤、肝癌、子宮頸癌、甲狀腺癌、結腸癌、卵巢癌、腦瘤、前列腺癌、乳腺癌、食道癌、胃癌、胰腺癌、直腸癌、子宮內膜癌、結直腸癌。
一種檢測生物學樣品中cTAGE5蛋白的存在或cTAGE5蛋白的表現位準的方法，包括：<br/> 在如請求項1-7中任一項的抗體或其抗原結合片段與cTAGE5蛋白之間能夠形成複合物的條件下，使所述生物學樣品和任選的對照樣品接觸該抗體或其抗原結合片段；和<br/> 檢測複合物的形成，<br/> 其中所述生物學樣品中複合物的形成或所述生物學樣品與對照樣品之間複合物形成的差異指示樣品中cTAGE5蛋白的存在或cTAGE5蛋白的表現位準，<br/> 其中所述cTAGE5蛋白具有包含SEQ ID NO:1或2所示胺基酸序列的胞外區。
如請求項13的方法，其中所述生物學樣品是離體樣品。
如請求項13或14的方法，所述方法是免疫組織化學染色測定或免疫螢光測定。
一種檢測患者中腫瘤的存在的方法，包括透過如請求項13-15中任一項的方法檢測來自所述患者的生物學樣品中的cTAGE5蛋白的表現位準，<br/> 其中所述患者的生物學樣品中的cTAGE5的存在或所述患者的生物學樣品中的cTAGE5的表現位準高於來自對照生物學樣品的cTAGE5的表現位準，表示所述患者中存在腫瘤，<br/> 其中所述cTAGE5蛋白具有包含SEQ ID NO:1或2所示胺基酸序列的胞外區。
如請求項16的方法，其中所述腫瘤是cTAGE5蛋白相關腫瘤，其中所述cTAGE5蛋白具有胞外區，所述cTAGE5蛋白的胞外區包含SEQ ID NO:1或2所示胺基酸序列。
如請求項17的方法，其中所述腫瘤選自鼻咽癌、惡性黑色素瘤、肺癌、神經膠質瘤、皮膚癌、舌咽癌、淋巴瘤、肝癌、子宮頸癌、甲狀腺癌、結腸癌、卵巢癌、腦瘤、前列腺癌、乳腺癌、食道癌、胃癌、胰腺癌、直腸癌、子宮內膜癌、結直腸癌。
一種分離的免疫原性多肽，其由SEQ ID NO:1或SEQ ID NO:2所示的胺基酸序列組成。
一種如請求項19所述分離的免疫原性多肽在製備抗體中的用途。
一種製備抗體的方法，所述方法包括用如請求項19所述的分離的免疫原性多肽免疫動物，然後從所述動物中分離特異性結合所述多肽的抗體或獲得特異性結合所述多肽的抗體的序列信息。
一種藥物組成物，其包含如請求項19所述分離的免疫原性多肽和藥學上可接受的載劑。
一種如請求項19所述分離的免疫原性多肽在製備藥物中的用途，所述藥物用於治療和/或預防腫瘤。
一種如請求項22所述的藥物組成物在製備藥物中的用途，所述藥物用於治療和/或預防腫瘤。
一種檢測生物學樣品中特異性結合cTAGE5蛋白抗體的存在和/或量的方法，包括1)使如請求項19所述分離的免疫原性多肽與所述生物學樣品接觸，和2)檢測與所述分離的免疫原性多肽結合的抗體的存在和/或量。
一種如請求項19所述分離的免疫原性多肽在製備用於檢測生物學樣品中特異性結合cTAGE5蛋白的抗體的存在和/或量的方法中的試劑盒的用途。
一種電池控制系統，包括：<br/> 電路模組，所述電路模組包括一對輸出端子，所述電路模組包括：<br/> 多個電芯模組，所述多個電芯模組能夠以串聯配置選擇性地與所述輸出端子連接以在所述輸出端子上提供目標輸出電壓，每個所述電芯模組包括：<br/> 至少一個電池電芯；<br/> 切換電路，所述切換電路被配置為在兩個或更多個狀態中選擇性地操作，所述狀態包括：<br/> 所述至少一個電池電芯從串聯串被繞開的狀態；以及<br/> 所述至少一個電池電芯與所述串聯串串聯連接的狀態；<br/> 中央處理器和兩個或更多個電芯處理器，其中，<br/> 所述中央處理器和所述兩個或更多個電芯處理器被配置為經由第一通訊通道進行通訊；<br/> 每個所述兩個或更多個電芯處理器中被配置為經由第二通訊通道與一個或更多個其他電芯處理器通訊；及<br/> 所述第一通訊通道為高速通訊通道，所述第二通訊通道為低速通訊通道；<br/> 其中，所述中央處理器被配置為經由所述第一通訊通道向各個所述電芯處理器傳輸數據，所述數據包括：<br/> 一同步信號，用於控制所述電芯模組的切換時序，以及<br/> 目標輸出電壓；<br/> 其中，每個所述兩個或多個電芯處理器被配置為：<br/> 確定在每個所述電芯處理器的控制下的一個或更多個所述電池電芯的本地電芯數據；<br/> 經由所述第二通訊通道，將確定的所述本地電芯數據傳輸至一個或多個其他電芯處理器；<br/> 其中，每一所述電芯處理器進一步被配置為，根據自一個或多個其他電芯處理器接收的所述本地電芯數據，以及其所判定的本地電芯數據，確定所述電芯模組在所述電路模組中的序位；<br/> 相對於所述一個或更多個電芯模組的串聯連接的狀態，對所述至少一個電芯模組處的切換電路的狀態進行調變，使得在所述電路模組的所述輸出端子處基本上提供目標電壓；以及<br/> 根據所確定的所述序位控制調變的工作週期。
如請求項1所述的電池控制系統，其中，每一個所述電芯處理器被配置為：<br/> 控制一個或更多個所述電芯模組的所述切換電路以滿足所述目標輸出電壓：<br/> 將一個或更多個電芯模組與所述輸出端子進行串聯連接。
如請求項1所述的電池控制系統，其中，每一個所述電芯處理器被配置為：<br/> 確定用於串聯連接的一組電芯模組以在預定時間增量內滿足所述目標輸出電壓；以及<br/> 控制所述一個或更多個電芯模組的切換電路，包括以下方式的組合：<br/> 將一個或更多個電芯模組與所述輸出端子進行串聯連接，以及<br/> 在所述預定時間增量內對所述至少一個電芯模組的切換狀態進行調變，使得在所述電路模組的所述輸出端子處基本上提供所述輸出電壓。
如請求項2所述的電池控制系統，其中，每一個所述電芯處理器進一步被配置為：接收所述目標輸出電壓，以及基於所述目標輸出電壓控制所述至少一個電芯模組的切換狀態的調變的調變工作週期。
如請求項2所述的電池控制系統，其中，所述目標輸出電壓由隨時間變化的振幅和相位限定，以及每一個所述電芯處理器被配置為以預定時間間隔控制所述一個或更多個電芯模組的串聯連接以及基於所述隨時間變化的振幅和相位控制所述切換狀態隨時間的調變。
如請求項1所述的電池控制系統，其中，每一個所述電芯處理器進一步被配置為：<br/> 根據每個所述電芯模組內的至少一個所述電池電芯中的每個確定電芯數據，所述電芯數據包括以下各項中的一項或更多項：電壓、充電狀態、溫度、年齡、測量使用壽命、預測使用壽命、溫度變化率、內阻、串聯佈置中的位置、健康狀態、充電電流能力和放電電流能力；<br/> 基於所確定的所述電芯數據確定每個電芯模組的排名；以及<br/> 基於所確定的一個或更多個電芯模組的排名來控制所述一個或更多個電芯模組的切換狀態。
如請求項6所述的電池控制系統，其中，每一個所述電芯處理器進一步被配置為基於兩個或更多個所確定的所述電芯數據參數的加權組合來確定每個電芯模組的排名。
如請求項6所述的電池控制系統，其中，每一個所述電芯處理器進一步被配置為：從所述第一通訊通道接收所述目標輸出電壓，以及基於所確定的每個所述電芯模組的排名，將所述切換狀態的較高調變工作週期優先分配給具有較高排名的那些所述電芯模組和/或將所述切換狀態的較低調變工作週期優先分配給具有較低排名的那些所述電芯模組。
如請求項6所述的電池控制系統，其中，每一個所述電芯處理器進一步被配置為：從所述第一通訊通道接收所述目標輸出電壓以及控制兩個或更多個所述電芯模組的所述切換狀態的調變工作週期以滿足所述目標輸出電壓。
如請求項6所述的電池控制系統，其中，每一個所述電芯處理器進一步被配置為：<br/> 接收所述目標輸出電壓；<br/> 根據所確定的排名確定加權因子，所述加權因子為每個電芯模組賦予調變工作週期優先級；以及<br/> 基於所述加權因子控制每個經排名的電芯模組的所述切換狀態的調變工作週期。
如請求項10所述的電池控制系統，其中，所述加權因子限定跨所述經排名的電芯模組的均勻分佈。
如請求項10所述的電池控制系統，其中，所述加權因子限定跨所述經排名的電芯模組的非線性分佈。
如請求項4所述的電池控制系統，其中，每一個所述電芯處理器被配置為：<br/> 確定加權因子，所述加權因子為一個或更多個電芯分配電芯貢獻值；<br/> 確定用於連接以滿足所述目標輸出電壓的電芯數量；<br/> 控制每個所述電芯模組的所述切換電路，包括以下方式的組合：<br/> 將一個或更多個所述電芯模組與所述輸出端子進行串聯連接，以及<br/> 基於所述加權因子對所述至少一個電芯模組的切換狀態進行調變，使得在所述電路模組的所述輸出端子處基本上提供所述輸出電壓；<br/> 基於電芯數據和/或電芯排名確定新加權因子；以及<br/> 確定用於連接以滿足所述目標輸出電壓的新電芯數量；以及<br/> 基於所述新電芯數量，控制每個所述電芯模組的所述切換電路，使得在所述電路模組的所述輸出端子處基本上提供所述輸出電壓。
如請求項4所述的電池控制系統，其中，每一個所述電芯處理器被配置為：<br/> 確定每個所述電芯模組的平衡目標電壓，以及<br/> 識別電壓高於所述電芯模組所述平衡目標電壓的一個或更多個所述電芯模組，並且基於所識別的一個或更多個所述電芯模組：<br/> 以比未識別的所述電芯模組更高的調變工作週期來控制所識別的所述電芯模組的切換狀態。
如請求項4所述的電池控制系統，其中，每一個所述電芯處理器被配置為確定以下項之間的差：<br/> 所述一個或更多個電芯模組的組合電壓，以及所述目標輸出電壓；然後，針對所述至少一個電芯模組的切換電路，<br/> 基於所確定的電壓差控制所述調變工作週期。
如請求項13所述的電池控制系統，其中，每一個所述電芯處理器進一步被配置為：<br/> 接收所述輸出電壓，<br/> 確定所述輸出電壓與所述目標輸出電壓之間的差，然後，基於所述差：<br/> 基於所確定的排名調節所述加權因子，所述加權因子為每個電芯模組賦予調變工作週期優先級，以及<br/> 基於所述加權因子控制每個經排名的電芯模組的切換狀態的調變工作週期。
如請求項16所述的電池控制系統，其中，每一個所述電芯處理器進一步被配置為：<br/> 基於所確定的排名將所述加權因子映射到每個所述電芯模組的所述調變工作週期優先級；以及<br/> 基於所述加權因子控制每個經排名的所述電芯模組的切換狀態的調變工作週期。
如請求項4所述的電池控制系統，其中，每一個所述電芯處理器進一步被配置為針對每個經調變的電芯：<br/> 確定當前所述電芯模組排名和新電芯模組排名之間的差異度；以及<br/> 基於所述差異度調節每個經排名的電芯模組的切換狀態的調變工作週期。
如請求項4所述的電池控制系統，其中，每一個所述電芯處理器進一步被配置為針對每個經調變的所述電池電芯：<br/> 確定一個或更多個電芯參數，所述電芯參數包括電壓、充電狀態、溫度、年齡、測量使用壽命、預測使用壽命、溫度變化率、內阻、串聯佈置中的位置、每個所述電芯模組的健康狀態、充電電流能力、放電電流能力；以及<br/> 基於所確定的一個或更多個電芯參數，調節每個經排名的電芯模組的切換狀態的調變工作週期。
如請求項4所述的電池控制系統，其中，每一個所述電芯處理器進一步被配置為：<br/> 測量從電芯模組輸出的電壓，以及<br/> 基於所測量的電芯模組輸出電壓調節施加於任意一個或更多個電芯模組的調變工作週期。
如請求項1所述的電池控制系統，其中，所述中央處理器與每一個所述電芯處理器之間的所述第一通訊通道包括低於調變基頻的更新頻率。
如請求項1所述的電池控制系統，其中，所述一個或更多個電芯處理器被配置為以高於所述第一通訊通道的通訊速率的速率控制所述切換電路的調變。
如請求項1所述的電池控制系統，其中，每一個所述電芯處理器被配置為，根據所接收的所述目標輸出電壓，控制其一個或更多個電芯模組的狀態和/或調變。
如請求項1所述的電池控制系統，其中，所述中央處理器被配置為在第一頻率下更新所述目標輸出電壓，以及調變基頻比時間增量更快。
如請求項1所述的電池控制系統，其中，所述中央處理器被配置為發送同步訊號，所述同步訊號能夠操為控制所述切換電路的定時並且由此以新輸出電壓為目標，以及所述兩個或更多個電芯處理器被配置為在接收到所述同步訊號時控制所述切換電路的切換狀態。
如請求項1所述的電池控制系統，其中，所述電池控制系統進一步包括連接在所述電芯模組串與所述輸出端子之間的低通濾波器。
一種電動車輛，包括如請求項1所述的電池控制系統，所述電動車輛包括電動機控制器，所述電動機控制器被配置為確定電動機需求數據；並且其中，所述中央處理器被配置為基於所述電動機需求數據確定所述目標輸出電壓。
一種電動車輛充電系統，包括如請求項1所述的電池控制系統，所述電動車輛充電系統包括：<br/> 一個或更多個充電器連接點，每個所述充電器連接點被配置為與電動車輛連接；<br/> 充電控制器，所述充電控制器被配置為接收訊號，所述訊號包含與一個所述充電器連接點連接的所述電動車輛的充電要求數據；以及<br/> 其中，所述中央處理器被配置為基於所述充電要求數據確定所述目標輸出電壓。
一種電子裝置，包括：<br/> 表面結構，具有曲面，其中所述表面結構包括：<br/> 基底；<br/> 第一導線，設置於所述基底之上；以及<br/> 第一介電圖案，設置於所述第一導線之上且與所述第一導線重疊，<br/> 其中所述表面結構具有第一區域及第二區域，在所述第一區域中的所述第一介電圖案具有第一平均寬度，在所述第二區域中的所述第一介電圖案具有第二平均寬度，所述第一平均寬度不同於所述第二平均寬度。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述表面結構是經拉伸以形成所述曲面，所述第一導線在所述第二區域所受的拉伸率大於所述第一導線在所述第一區域所受的拉伸率。
如請求項2所述的電子裝置，其中所述第二平均寬度大於所述第一平均寬度。
如請求項3所述的電子裝置，其中所述第二平均寬度與所述第一平均寬度的比值在1.2至8之間。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述第一導線在所述第一區域中具有第三平均寬度，所述第一導線在所述第二區域中具有第四平均寬度，所述第一平均寬度與所述第三平均寬度的比值不同於所述第二平均寬度與所述第四平均寬度的比值。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述第一介電圖案具有第一平均厚度，所述第一導線具有第二平均厚度，所述第一平均厚度與所述第二平均厚度的比值在0.5至10之間。
如請求項1所述的電子裝置，更包括：<br/> 第二導線，設置於所述第一介電圖案之上，其中所述第一導線與所述第二導線在投影面上的正投影形狀分別包括直線形、蛇形、S形、馬蹄形、波浪形或方波形。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述表面結構是經拉伸以形成所述曲面，所述第一導線在投影面上的正投影於第一方向上延伸，所述第一導線上的一點所受的拉伸方向在所述投影面上的正投影於第二方向上延伸，所述第二方向與所述第一方向不同。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述基底的材料選自由聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯-1,4-環已烷二甲醇酯、聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯醚碸、聚二甲基矽氧烷、ABS樹脂及丙烯酸樹脂所組成的群組。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述第一介電圖案的材料選自由丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚酯樹脂、聚胺酯樹脂、矽氧樹脂、聚醯亞胺及溶液型阻氣材料所組成的群組。
一種電子裝置，包括：<br/> 表面結構，包括：<br/> 可撓性基底；<br/> 第一導線，設置於所述可撓性基底上，其中所述表面結構是經拉伸以形成曲面；以及<br/> 第一介電圖案，設置於所述第一導線之上且與所述第一導線重疊，<br/> 其中所述第一導線在投影面上的走線方向與所述第一導線上的任意一點所受的拉伸力在平行於所述投影面的分力方向不同，<br/> 其中所述表面結構具有第一區域及第二區域，在所述第一區域中的所述第一介電圖案具有第一平均寬度，在所述第二區域中的所述第一介電圖案具有第二平均寬度，所述第一平均寬度不同於所述第二平均寬度。
如請求項11所述的電子裝置，其中所述走線方向與拉伸方向具有夾角，所述夾角在15度至75度之間或在105度至165度之間。
如請求項11所述的電子裝置，其中所述第一介電圖案的形狀對應於所述第一導線的形狀。
如請求項13所述的電子裝置，其中所述第一介電圖案在所述投影面上的延伸方向與所述分力方向的夾角在15度至75度之間或在105度至165度之間。
如請求項11所述的電子裝置，其中所述第一導線所受的拉伸率大於或等於5%。
一種半導體裝置，包含：<br/> 一基板，包含複數個主動區以及在該些主動區之間的複數個隔離區；<br/> 複數個位元線結構，設置在該些主動區上；<br/> 複數個間隔物結構，設置在該些位元線結構的側壁上；<br/> 一埋入式接觸件，設置在該些位元線結構之間；<br/> 一阻障層，設置在該埋入式接觸件上以及在該些間隔物結構的側壁上；<br/> 一金屬矽化物層，設置在該埋入式接觸件上，其中該金屬矽化物層包含一下部部分以及一上部部分，該下部部分嵌入該埋入式接觸件，且該上部部分凸出於該埋入式接觸件；<br/> 一金屬氮化物層，設置在該金屬矽化物層上；以及<br/> 一著陸墊，設置在該金屬氮化物層上。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該埋入式接觸件的側壁接觸該些該些間隔物結構。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該上部部分的側壁接觸該阻障層。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該上部部分的頂表面高於該埋入式接觸件的頂表面。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該金屬矽化物層的寬度小於該埋入式接觸件的寬度。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該金屬氮化物層的側壁接觸該阻障層，且在該金屬氮化物層與該阻障層之間存在有一介面。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該埋入式接觸件包含多晶矽，該金屬矽化物層為一矽化鈦層，該金屬氮化物層為一氮化鈦層，且該著陸墊包含鎢。
一種半導體裝置的製作方法，包含：<br/> 在一基板的複數個主動區上形成複數個位元線結構；<br/> 在該些位元線結構的側壁上形成複數個間隔物結構；<br/> 在該些位元線結構之間形成一埋入式接觸件；<br/> 在該埋入式接觸件的一頂表面上以及在該些間隔物結構的側壁上形成一阻障層；<br/> 移除在該埋入式接觸件的該頂表面上的一部份的該阻障層，以露出該埋入式接觸件的該頂表面；<br/> 在該埋入式接觸件上形成一金屬矽化物層，其中該金屬矽化物層包含一下部部分以及一上部部分，該下部部分嵌入該埋入式接觸件，且該上部部分凸出於該埋入式接觸件；<br/> 在該金屬矽化物層上形成一金屬氮化物層；以及<br/> 在該金屬氮化物層上形成一著陸墊。
如請求項8所述之方法，其中形成該阻障層包含執行一先進順序流動沉積製程。
如請求項9所述之方法，其中該先進順序流動沉積製程包含執行複數個循環，各該循環包含：<br/> 通入一四氯化鈦氣體至一腔室；<br/> 通入一第一清除氣體以移除該腔室中過多的該四氯化鈦氣體；<br/> 通入一氨氣氣體至該腔室；以及<br/> 通入一第二清除氣體以移除該腔室中過多的該氨氣氣體。
如請求項8所述之方法，其中形成該金屬矽化物層包含執行一選擇性沉積製程，以在該埋入式接觸件的該頂表面上沉積一金屬，接著所沉積的該金屬與該埋入式接觸件中的矽材料反應。
如請求項11所述之方法，其中該選擇性沉積製程更沉積一金屬層在該金屬矽化物層上。
如請求項12所述之方法，更包含執行一氮化製程，以將該金屬層轉換為該金屬氮化物層。
如請求項8所述之方法，其中該埋入式接觸件包含多晶矽，該金屬矽化物層為一矽化鈦層，該金屬氮化物層為一氮化鈦層，且該著陸墊包含鎢。
一種使用於處理腔室中的台座組件，其包含：<br/>一台座，其包含沿著第一平面而水平定向的一台座上表面，該台座上表面具有複數晶圓支座，該等晶圓支座係配置以將晶圓支撐於高於該台座上表面的一晶圓支撐水平面處；<br/>一凸起環狀緣部，其自該台座上表面突出並且配置在該台座上表面之一外緣上，其中該凸起環狀緣部包含沿著第二平面而水平定向的一台面表面，且該台面表面升高高於該台座上表面，且其中該凸起環狀緣部及該台座上表面界定配置以接收該晶圓的一囊部，其中該台座的該外緣包含選自由以下材料所組成之群組的材料：氧化釔、氮化鋁、氧化鋁、氮氧化鋁、碳化矽、及玻璃；以及<br/>一斜表面，其自該台面表面延伸至該台座上表面，其中該斜表面相對於該台座上表面而呈小於90度之角度，其中該囊部的一外直徑係配置以促進該晶圓之一晶圓邊緣與該台座之密封。
如請求項1之使用於處理腔室中的台座組件，其中該台面表面自該囊部之外直徑延伸至一彎曲表面，該彎曲表面將該台面表面連接至該台座之該外緣，其中該台座之該外緣相對於該台面表面為垂直定向的。
如請求項1之使用於處理腔室中的台座組件，其中該囊部的該外直徑係11.968英吋。
如請求項1之使用於處理腔室中的台座組件，其中該凸起環狀緣部的一內直徑係小於11.968英吋。
如請求項1之使用於處理腔室中的台座組件，更包含：<br/>一揚升銷組件，其包含延伸通過配置於該台座內的複數台座軸的複數揚升銷。
如請求項1之使用於處理腔室中的台座組件，其中該斜表面相對於該台座上表面的該角度係60度。
如請求項1之使用於處理腔室中的台座組件，其中該囊部的一高度係配置以促進該晶圓之一晶圓邊緣與該台座之密封。
如請求項1之使用於處理腔室中的台座組件，其中該囊部的高度為0.35英吋。
如請求項1之使用於處理腔室中的台座組件，其中該凸起環狀緣部係配置為限制該晶圓的橫向移動。
一種使用於處理腔室中的台座組件，其包含：<br/>一台座，其包含沿著第一平面而水平定向的一台座上表面，該台座上表面具有複數晶圓支座，該等晶圓支座係配置以將晶圓支撐於高於該台座上表面的一晶圓支撐水平面處；<br/>一凸起環狀緣部，其自該台座上表面突出並且配置在該台座上表面之一外緣上，其中該凸起環狀緣部包含沿著第二平面而水平定向的一台面表面，且該台面表面升高高於該台座上表面，且其中該凸起環狀緣部及該台座上表面界定配置以接收該晶圓的一囊部，其中該台座的該外緣包含選自由以下材料所組成之群組的材料：氧化釔、氮化鋁、氧化鋁、氮氧化鋁、碳化矽、及玻璃；以及<br/>一斜表面，其自該台面表面延伸至該台座上表面，其中該斜表面相對於該台座上表面而呈小於90度之角度，其中該囊部的一高度係配置以促進該晶圓之一晶圓邊緣與該台座之密封。
如請求項10之使用於處理腔室中的台座組件，其中該台面表面自該囊部之一外直徑延伸至一彎曲表面，該彎曲表面將該台面表面連接至該台座之該外緣，其中該台座之該外緣相對於該台面表面為垂直定向的。
如請求項10之使用於處理腔室中的台座組件，其中該凸起環狀緣部的一內直徑係小於11.968英吋。
如請求項10之使用於處理腔室中的台座組件，更包含：<br/>一揚升銷組件，其包含延伸通過配置於該台座內的複數台座軸的複數揚升銷。
如請求項10之使用於處理腔室中的台座組件，其中該斜表面相對於該台座上表面的該角度係60度。
如請求項10之使用於處理腔室中的台座組件，其中該囊部的該高度為0.35英吋。
如請求項10之使用於處理腔室中的台座組件，其中該凸起環狀緣部係配置為限制該晶圓的橫向移動。
一種半導體裝置，包括： <br/>基板，包括第一側以及與所述第一側相對的第二側； <br/>裝置層，設置在所述基板的所述第一側上，所述裝置層包括： <br/>記憶體單元區域包括多個記憶體單元， <br/>邏輯區域，設置在所述記憶體單元區域的第一邊緣旁，以及 <br/>邊緣區域，沿著所述記憶體單元區域的第二邊緣設置，其中所述第二邊緣垂直於所述第一邊緣； <br/>前側內連線結構，設置在所述基板的所述第一側上且包括前側電源線，其中所述裝置層設置在所述前側內連線結構和所述基板的所述第一側之間；以及 <br/>背側內連線結構，設置在所述基板的所述第二側上且包括背側電源線， <br/>其中，所述邊緣區域包括穿透式導電特徵，其電連接至所述前側電源線以及所述背側電源線，且所述穿透式導電特徵貫穿所述基板，以及 <br/>其中，所述穿透式導電特徵包括背側通孔，其電連接至所述背側電源線、設置在所述背側通孔上的磊晶特徵、設置在所述磊晶特徵上的源極/汲極接觸窗以及設置在所述源極/汲極接觸窗上並電性連接到所述前側電源線的頂部通孔。
如請求項1所述的半導體裝置，其中所述邊緣區域為第一邊緣區域，所述穿透式導電特徵為第一穿透式導電特徵，所述前側電源線為第一前側電源線，並且所述背側電源線為第一背側電源線， <br/>其中，所述裝置層更包括沿著所述記憶體單元區域的第三邊緣設置的第二邊緣區域，所述第三邊緣與所述第二邊緣相對， <br/>其中，所述前側內連線結構更包括第二前側電源線， <br/>其中，所述背側內連線結構更包括第二背側電源線，以及 <br/>其中，所述第二邊緣區域包括電性連接至所述第二前側電源線和所述第二背側電源線的第二穿透式導電特徵。
如請求項1所述的半導體裝置，其中所述穿透式導電特徵為第一穿透式導電特徵， <br/>其中，所述裝置層更包括設置在所述邏輯區域的第一邊緣與所述記憶體單元區域之間的電源抽頭區域，以及 <br/>其中，所述電源抽頭區域包括電性連接至所述前側電源線和所述背側電源線的第二穿透式導電特徵。
一種半導體裝置，包括： <br/>基板，包括第一側以及與所述第一側相對的第二側； <br/>裝置層，設置在所述基板的所述第一側上，所述裝置層包括： <br/>記憶體單元區域，包括多個功能性記憶體單元， <br/>電源抽頭區域，設置在所述記憶體單元區域的第一邊緣旁且沿著所述第一邊緣， <br/>邏輯區域，設置在所述電源抽頭區域旁，其中所述電源抽頭區域設置在所述邏輯區域與所述記憶體單元區域之間，以及 <br/>邊緣區域，不包含功能性記憶體單元且沿著所述記憶體單元區域的第二邊緣設置，其中所述第二邊緣垂直於所述第一邊緣； <br/>前側內連線結構，設置在所述基板的所述第一側上並包括第一前側電源線和第二前側電源線，其中所述裝置層設置在所述前側內連線結構和所述基板的所述第一側之間；以及 <br/>背側內連線結構，設置在所述基板的所述第二側上並包括第一背側電源線和第二背側電源線， <br/>其中，所述邊緣區域包括第一穿透式導電特徵，電性連接到所述第一前側電源線和所述第一背側電源線，且所述第一穿透式導電特徵貫穿所述基板，以及 <br/>其中，所述電源抽頭區域包括第二穿透式導電特徵，電性連接到所述第二前側電源線和所述第二背側電源線。
如請求項4所述的半導體裝置，其中所述第一穿透式導電特徵包括背側通孔，電性連接到所述第一背側電源線、設置在所述背側通孔上的磊晶特徵、設置在所述磊晶特徵上的源極/汲極接觸窗以及設置在所述源極/汲極接觸窗上並電性連接到所述第一前側電源線的頂部通孔。
如請求項5所述的半導體裝置，其中所述邊緣區域更包括第三穿透式導電特徵，電性連接到所述第一前側電源線和所述第一背側電源線， <br/>其中，所述第一穿透式導電特徵和所述第三穿透式導電特徵沿平行於所述記憶體單元區域的所述第二邊緣的方向排列。
如請求項4所述的半導體裝置，其中所述第一穿透式導電特徵包括： <br/>背側接觸窗，其電性連接到所述第一背側電源線，以及 <br/>前側接觸窗，其設置在所述背側接觸窗上方並電性連接到所述第一前側電源線。
一種半導體裝置，包括： <br/>基板，包括第一側以及與所述第一側相對的第二側； <br/>裝置層，設置在所述基板的所述第一側上，所述裝置層包括： <br/>記憶體單元區域，包括多個記憶體單元，其中所述多個記憶體單元包括沿著第一方向延伸長度方向的第一主動區域， <br/>邏輯區域，設置在所述記憶體單元區域旁並沿著垂直於所述第一方向的第二方向延伸長度方向，以及 <br/>邊緣區域，設置在所述記憶體單元區域旁並沿著所述第一方向延伸長度方向，其中所述邊緣區域包括沿著所述第一方向延伸長度方向的第二主動區域； <br/>前側電源線，設置在所述基板的所述第一側上，其中所述裝置層設置在所述前側電源線和所述基板的所述第一側之間；以及 <br/>背側電源線，設置在所述基板的所述第二側上， <br/>其中，所述邊緣區域包括電性連接至所述前側電源線和所述背側電源線的穿透式導電特徵，且所述穿透式導電特徵貫穿所述基板，以及 <br/>其中，所述第二主動區域設置在所述穿透式導電特徵與所述第一主動區域之間。
如請求項8所述的半導體裝置，其中所述邊緣區域包括沿著所述第一方向延伸長度方向的第三主動區域，以及 <br/>其中，所述穿透式導電特徵延伸穿過所述第三主動區域。
如請求項9所述的半導體裝置，其中所述第一主動區域、所述第二主動區域和所述第三主動區域設置在相同的p型井上方。
一種探索方法，係為將使用半導體基板之處理裝置來執行藉由配方檔案而被定義之配方之情況，以機器學習來加以推定的探索方法，其特徵為， <br/> 於該機器學習中，使用的機器學習模型係為，把描述前記配方之數值資料當作輸入，把表示前記半導體基板之處理之推定之結果的推定資料當作輸出，且使用含有該數值資料與表示執行了前記配方之執行結果的資料在內的學習資料而被實施了學習； <br/> 在該學習資料的生成之際，將含有前記數值資料與表示前記執行結果之資料的資料集予以整合，並進一步進行把前記配方檔案之結構轉換成對應於前記機器學習模型之結構的轉換處理。
如請求項1所記載之探索方法，其中， <br/> 前記轉換處理係包含：前記數值資料的追加、刪除、值的四則演算、分群、分割、及置換之至少任一處理。
一種探索裝置，係為將使用半導體基板之處理裝置來執行了藉由配方檔案而被定義之配方的情況，以藉由該處理裝置所被進行之處理的模型所對應之機器學習來加以推定的探索裝置，其特徵為， <br/> 具備： <br/> 電腦，其係被安裝有學習器，該學習器係把描述前記配方之數值資料與處理之目標值當作輸入，把表示前記處理裝置所致之半導體基板之處理之推定之結果的推定資料當作輸出，並使用含有該數值資料與表示執行了前記配方之執行結果的資料的學習資料，而被實施學習；和 <br/> 顯示器，係被顯示有，用來設定前記目標值的使用者介面； <br/> 在前記學習資料的生成之際，前記電腦係： <br/> 將含有前記數值資料與表示前記執行結果之資料的資料集予以整合，並進一步進行把前記配方檔案之結構轉換成對應於前記模型之結構的轉換處理。
如請求項3所記載之探索裝置，其中， <br/> 前記轉換處理係包含：前記數值資料的追加、刪除、值的四則演算、分群、分割、及置換之至少任一處理。
如請求項3所記載之探索裝置，其中， <br/> 前記電腦，係在前記學習資料的生成之際，將前記配方檔案予以結合。
如請求項3所記載之探索裝置，其中， <br/> 具備：前記目標值為輸入、前記數值資料為輸出的學習器。
如請求項3所記載之探索裝置，其中， <br/> 最佳配方探索時的描述前記配方之數值資料，係以滿足包含用來使前記處理裝置動作所需之要件的控制資訊的方式，而被生成。
如請求項3所記載之探索裝置，其中， <br/> 前記配方檔案係具有，含有前記數值資料與被賦予給該數值資料之標籤的表格形式之資料結構。
如請求項3所記載之探索裝置，其中， <br/> 經由已被API連動之伺服器而將異於前記處理裝置的處理裝置中所被使用的配方檔案予以接收，並執行與前記處理裝置之前記配方檔案做合併的資料轉換。
一種電腦，係為可與探索裝置進行通訊的電腦，該探索裝置係將使用半導體基板之處理裝置來執行了藉由配方檔案而被定義之配方的情況，以藉由該處理裝置所被進行之處理的模型所對應之機器學習來加以推定，其特徵為， <br/> 前記探索裝置係具備：學習器，係把描述前記配方之數值資料當作輸入、把表示前記處理裝置所致之半導體基板之處理之推定之結果的推定資料當作輸出，且使用含有該數值資料與表示執行了前記配方之執行結果的資料的學習資料，而被實施過學習； <br/> 前記電腦係具備：處理器，係將含有前記數值資料與表示前記執行結果之資料的資料集予以整合，並進一步進行把前記配方檔案之結構轉換成對應於前記模型之結構的轉換處理。
一種半導體元件製造系統，係具備：平台，係透過網路而被連接至半導體製造裝置，該半導體製造裝置係被安裝有應用程式，該應用程式係用來，將使用半導體基板之處理裝置來執行藉由配方檔案而被定義之配方之情況，以機器學習來進行推定所需，其特徵為， <br/> 於該機器學習中，描述前記配方之數值資料是被當作輸入，表示前記半導體基板之處理之推定之結果的推定資料是被當作輸出，且使用了含有該數值資料與表示執行了前記配方之執行結果的資料的學習資料而被實施過學習的機器學習模型，係被使用； <br/> 在該學習資料的生成之際，含有前記數值資料與表示前記執行結果之資料的資料集，係被整合； <br/> 前記配方檔案之結構被轉換成對應於前記機器學習模型之結構的轉換處理，係被進一步進行。
一種檢索方法，係從藉由配方檔案而被定義之複數個配方中，檢索出所望之配方的檢索方法，其特徵為， <br/> 在身為該檢索之對象的資料的生成之際，進行將前記配方檔案之項目之一部乃至於全部，轉換成在身為前記檢索之對象的資料全體間為共通之項目的轉換處理。
如請求項12所記載之檢索方法，其中， <br/> 前記轉換處理係包含：前記資料的追加、刪除、值的四則演算、分群、分割、及置換之至少任一處理。
一種分析方法，係為從藉由配方檔案而被定義之複數個配方之中檢索出所望之配方，且與前記配方所被綁定之處理結果進行比對而分析的分析方法，其特徵為， <br/> 在身為該檢索之對象的資料的生成之際，進行將前記配方檔案之項目之一部乃至於全部，轉換成在身為前記檢索之對象的資料全體間為共通之項目的轉換處理。
一種用於在弱光條件及低對比度對象之情況下進行穩健對比度偵測自動聚焦之影像去雜訊預處理的方法，該方法包含： <br/>藉由一數位相機接收用於一對比度偵測自動聚焦操作之影像資料； <br/>對該影像資料應用一高斯金字塔模糊以提供經模糊影像資料； <br/>對該經模糊影像資料執行一去雜訊預處理以提供經降雜訊影像資料； <br/>使用一焦點值濾波器對該經降雜訊影像資料進行濾波以提供一經濾波輸出；及 <br/>自該經濾波輸出提取一焦點值以在該對比度偵測自動聚焦操作中使用以使該數位相機進行聚焦。
如請求項1之方法，其中該影像資料包括藉由該數位相機在一即時顯示模式下擷取之至少一個即時影像。
如請求項1或請求項2之方法，其中應用該高斯金字塔模糊包括將該影像資料分解成連續較小之像素群組以模糊該影像資料。
如請求項1或請求項2之方法，其中該經模糊影像資料包括複數個高斯金字塔層。
如請求項1或請求項2之方法，其中該高斯金字塔模糊包括一低通金字塔或一帶通金字塔。
如請求項1或請求項2之方法，該方法進一步包含基於自該經濾波輸出提取之該焦點值來調整該數位相機之一鏡頭之一聚焦距離或一焦距。
如請求項1或請求項2之方法，其中該焦點值濾波器包括一帶通濾波器、一索貝爾濾波器、一無限脈衝回應濾波器或一有限脈衝回應濾波器中之至少一者。
如請求項1或請求項2之方法，其中： <br/>使用該焦點值濾波器對該經降雜訊影像資料進行濾波包括識別該經濾波輸出中之一峰值圖案，且 <br/>提取該焦點值包括基於該經濾波輸出中之所識別之該峰值圖案自該經濾波輸出提取該焦點值。
如請求項1或請求項2之方法，其中執行該去雜訊預處理包括應用一維納濾波器以移除高頻雜訊且維持邊緣。
如請求項1或請求項2之方法，其中執行該去雜訊預處理包括應用一雙邊濾波器以移除高頻雜訊且維持邊緣。
如請求項10之方法，其中該雙邊濾波器包括一5×5雙邊濾波器、一7×7雙邊濾波器或一9×9雙邊濾波器。
如請求項1或請求項2之方法，其中該經濾波輸出包含複數個多區焦點值量測結果。
一種電子裝置，該電子裝置包含： <br/>一相機系統，該相機系統經組態以在一即時顯示模式下擷取影像資料； <br/>一或多個處理器；及 <br/>一記憶體，該記憶體經組態以儲存電腦可讀指令，該等電腦可讀指令在由該一或多個處理器執行時使得該一或多個處理器執行包含以下項的操作： <br/>對該影像資料應用一高斯金字塔模糊以提供經模糊影像資料； <br/>對該經模糊影像資料執行一去雜訊預處理以提供經降雜訊影像資料； <br/>使用一焦點值濾波器對該經降雜訊影像資料進行濾波以提供一經濾波輸出；及 <br/>自該經濾波輸出提取一焦點值以在一對比度偵測自動聚焦操作中使用以使該相機系統之一鏡頭進行聚焦。
如請求項13之電子裝置，其中： <br/>該相機包括一鏡頭，該鏡頭具有一聚焦距離及一焦距；且 <br/>該等操作進一步包含基於自該經濾波輸出提取之該焦點值來調整該聚焦距離或該焦距。
如請求項13或14中任一項之電子裝置，其中： <br/>該經模糊影像資料包括複數個高斯金字塔層；且 <br/>對該經模糊影像資料執行一去雜訊預處理包括將一雙邊濾波器或一維納濾波器應用於該複數個高斯金字塔層。
一種無鹼玻璃，其以氧化物基準之莫耳百分率計，包含 <br/>SiO<sub>2</sub> 61～70%、 <br/>Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 5～11%、 <br/>B<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 至多21.9%、 <br/>MgO 0.2～10%、 <br/>CaO 0.1～7%、 <br/>SrO 2.5%以下、 <br/>BaO 未達3%、 <br/>ZnO 0～0.1%， <br/>式(A)為[Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>]/[B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>]，上述式(A)之值為0.41以上0.65以下， <br/>式(B)為[MgO]＋[CaO]＋[SrO]＋[BaO]，上述式(B)之值超過9%且為11%以下，並且 <br/>式(C)為[Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>]－([MgO]＋[CaO]＋[SrO]＋[BaO])，上述式(C)之值為-3～0.5%。
如請求項1之無鹼玻璃，其中式(C)為[Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>]－([MgO]＋[CaO]＋[SrO]＋[BaO])，上述式(C)之值為-3～0%。
如請求項1之無鹼玻璃，其中式(C)為[Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>]－([MgO]＋[CaO]＋[SrO]＋[BaO])，上述式(C)之值為-3～-0.5%。
如請求項1之無鹼玻璃，其中式(C)為[Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>]－([MgO]＋[CaO]＋[SrO]＋[BaO])，上述式(C)之值為-3～-1%。
如請求項1或2之無鹼玻璃，其中上述式(A)之值為0.54以上0.65以下。
如請求項1或2之無鹼玻璃，其以Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>換算計含有1莫耳%以下之Fe。
如請求項1或2之無鹼玻璃，其中玻璃之β-OH值為0.05 mm<sup>-1</sup>以上1.0 mm<sup>-1</sup>以下。
如請求項1或2之無鹼玻璃，其中由[Li<sub>2</sub>O]＋[Na<sub>2</sub>O]＋[K<sub>2</sub>O]所表示之合計含量為0～0.2莫耳%。
如請求項1或2之無鹼玻璃，其含有合計1莫耳%以下之選自由SnO<sub>2</sub>、Cl及SO<sub>3</sub>所組成之群中之至少一種。
如請求項1或2之無鹼玻璃，其含有合計1莫耳%以下之選自由Sc<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、TiO<sub>2</sub>、ZnO、Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、GeO<sub>2</sub>、Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、ZrO<sub>2</sub>、Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>、In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、TeO<sub>2</sub>、HfO<sub>2</sub>、Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>、WO<sub>3</sub>、Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Gd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、及Lu<sub>2</sub>O<sub>3</sub>所組成之群中之至少一種。
如請求項1或2之無鹼玻璃，其含有1莫耳%以下之F。
如請求項1或2之無鹼玻璃，其35 GHz時之介電損耗正切為0.006以下。
如請求項1或2之無鹼玻璃，其1500℃時之電阻值為400 Ω・cm以下。
如請求項1或2之無鹼玻璃，其1500℃時之電阻值為300 Ω・cm以下。
如請求項1或2之無鹼玻璃，其楊氏模數為58 GPa以上。
如請求項1或2之無鹼玻璃，其密度為2.58 g/cm<sup>3</sup>以下，50～350℃時之平均熱膨脹係數為30×10<sup>-7</sup>/℃～40×10<sup>-7</sup>/℃。
如請求項1或2之無鹼玻璃，其中玻璃黏度成為10<sup>2</sup> dPa・s之溫度T<sub>2</sub>為1500～1700℃，玻璃黏度成為10<sup>4</sup> dPa・s之溫度T<sub>4</sub>為1290℃以下。
如請求項1或2之無鹼玻璃，其玻璃轉移溫度為700℃以下，或應變點為700℃以下。
如請求項1或2之無鹼玻璃，其表面失透溫度為1300℃以下。
如請求項1或2之無鹼玻璃，其浸漬於含有HNO<sub>3</sub> 6重量%及H<sub>2</sub>SO<sub>4</sub> 5重量%之45℃水溶液中170秒時之每單位表面積之玻璃成分之溶出量為0.025 mg/cm<sup>2</sup>以下。
一種玻璃板，其係包含如請求項1至20中任一項之無鹼玻璃且具有主表面及端面者，且至少1個主表面之算術平均粗糙度Ra為1.5 nm以下。
如請求項21之玻璃板，其至少一邊為900 mm以上，厚度為0.7 mm以下。
如請求項21或22之玻璃板，其係利用浮式法或熔融法製造。
一種高頻裝置用玻璃基板，其包含如請求項1至20中任一項之無鹼玻璃。
一種板型天線，其包含如請求項1至20中任一項之無鹼玻璃。
一種窗玻璃，其包含如請求項1至20中任一項之無鹼玻璃。
一種車輛用窗玻璃，其包含如請求項1至20中任一項之無鹼玻璃。
一種觸控面板用覆蓋玻璃，其包含如請求項1至20中任一項之無鹼玻璃。<b> </b>
一種樹脂密封裝置，使用密封模具並藉由密封樹脂對具有豎立設置有垂直端子的結構的工件進行密封而加工為成形品，所述密封模具具有任意一者為上模且另一者為下模的第一模具及第二模具，所述樹脂密封裝置的特徵在於，構成為： <br/>包括膜供給機構，所述膜供給機構向所述第一模具的模具面供給所吸附的脫模膜， <br/>所述第二模具具有對所述工件進行保持的工件保持部， <br/>所述第一模具具有：插通孔，供所述垂直端子自與所述工件保持部相向的第一端部插通；以及頂出銷，自所述插通孔的第二端部插通，並能夠在所述插通孔內沿模開閉方向移動， <br/>在所述密封模具閉模時，使所述頂出銷退避，以便能夠將所述垂直端子插通至所述插通孔，此外，所述垂直端子貫通所述脫模膜而形成膜貫通孔，同時插通至所述插通孔，並且所述膜貫通孔的周緣的所述脫模膜被拉入至所述插通孔與所述垂直端子的間隙，從而封閉所述間隙， <br/>在所述密封模具開模時，所述頂出銷推動所述垂直端子，以將所述成形品自所述第一模具脫模。
如請求項1所述的樹脂密封裝置，其中， <br/>所述第一模具在所述插通孔的周圍具有多個抽吸孔，所述多個抽吸孔抽吸並張設所述脫模膜。
如請求項2所述的樹脂密封裝置，其中， <br/>所述插通孔形成於套筒構件， <br/>所述套筒構件嵌合於所述第一模具的規定位置處所設置的嵌合孔中。
如請求項3所述的樹脂密封裝置，其中， <br/>所述套筒構件中，所述插通孔的所述第一端部形成為朝向所述工件保持部逐漸擴徑的錐面。
如請求項4所述的樹脂密封裝置，其中， <br/>所述抽吸孔在俯視時，至少設置於隔著所述嵌合孔相向的兩個部位。
一種樹脂密封方法，使用密封模具並藉由密封樹脂對具有豎立設置有垂直端子的結構的工件進行密封而加工為成形品，所述密封模具具有任意一者為上模且另一者為下模的第一模具及第二模具，所述樹脂密封方法的特徵在於，包括： <br/>膜供給步驟，向所述第一模具的模具面供給脫模膜並吸附所述脫模膜； <br/>工件/密封樹脂載置步驟，將所述工件及所述密封樹脂保持於所述第二模具； <br/>閉模步驟，將所述密封模具閉模；以及 <br/>開模步驟，將所述密封模具開模， <br/>所述閉模步驟具有如下步驟：使所述垂直端子貫通所述脫模膜而形成膜貫通孔，同時插通至所述第一模具的插通孔，並且將所述膜貫通孔的周緣的所述脫模膜拉入至所述插通孔與所述垂直端子的間隙，從而封閉所述間隙， <br/>所述開模步驟具有使能夠在所述插通孔內沿模開閉方向移動的頂出銷推動所述垂直端子，從而將所述成形品自所述第一模具脫模的步驟。
一種光學成像鏡頭，從一物側至一像側沿一光軸依序包括一第一透鏡組、一第二透鏡組及一第三透鏡組，且該第一透鏡組至該第三透鏡組中的透鏡各自包括一朝向該物側且使成像光線通過的物側面及一朝向該像側且使成像光線通過的像側面； <br/>該光學成像鏡頭只有上述三組透鏡組； <br/>該第一透鏡組、該第二透鏡組及該第三透鏡組各包含至少兩片透鏡； <br/>該光學成像鏡頭的透鏡數量最多不超過九片； <br/>該第一透鏡組從該物側至該像側沿該光軸依序包含一1A透鏡及一1B透鏡； <br/>該1B透鏡的該物側面的一光軸區域為凹面； <br/>該第三透鏡組從該像側至該物側沿該光軸依序包含一3A透鏡及一3B透鏡； <br/>該3A透鏡的該像側面的一光軸區域為凹面且該3A透鏡的該物側面的一圓周區域為凹面； <br/>其中該光學成像鏡頭滿足以下條列式：(EFL+BFL)/Fno≧5.000毫米、V11+V31≦100.000以及(T11+G112)/T31≦2.500，其中EFL為該光學成像鏡頭的有效焦距，BFL為該3A透鏡的該像側面到成像面在該光軸上的距離，Fno為該光學成像鏡頭的光圈值，V11為該1A透鏡的阿貝數，V31為該3A透鏡的阿貝數，T11為該1A透鏡在該光軸上的厚度，G112為該1A透鏡與該1B透鏡在該光軸上的空氣間隙，且T31為該3A透鏡在該光軸上的厚度。
一種光學成像鏡頭，從一物側至一像側沿一光軸依序包括一第一透鏡組、一第二透鏡組及一第三透鏡組，且該第一透鏡組至該第三透鏡組中的透鏡各自包括一朝向該物側且使成像光線通過的物側面及一朝向該像側且使成像光線通過的像側面； <br/>該光學成像鏡頭只有上述三組透鏡組； <br/>該第一透鏡組、該第二透鏡組及該第三透鏡組各包含至少兩片透鏡； <br/>該光學成像鏡頭的透鏡數量最多不超過九片； <br/>該第一透鏡組從該物側至該像側沿該光軸依序包含一1A透鏡及一1B透鏡； <br/>該1B透鏡具有負屈光率； <br/>該第三透鏡組從該像側至該物側沿該光軸依序包含一3A透鏡及一3B透鏡； <br/>該3A透鏡的該像側面的一光軸區域為凹面且該3A透鏡的該物側面的一圓周區域為凹面； <br/>該3B透鏡的該物側面的一圓周區域為凸面； <br/>其中該光學成像鏡頭滿足以下條列式：(EFL+BFL)/Fno≧5.000毫米、V11+V31≦100.000以及(T11+G112)/T31≦2.500，其中EFL為該光學成像鏡頭的有效焦距，BFL為該3A透鏡的該像側面到成像面在該光軸上的距離，Fno為該光學成像鏡頭的光圈值，V11為該1A透鏡的阿貝數，V31為該3A透鏡的阿貝數，T11為該1A透鏡在該光軸上的厚度，G112為該1A透鏡與該1B透鏡在該光軸上的空氣間隙，且T31為該3A透鏡在該光軸上的厚度。
一種光學成像鏡頭，從一物側至一像側沿一光軸依序包括一第一透鏡組、一第二透鏡組及一第三透鏡組，且該第一透鏡組至該第三透鏡組中的透鏡各自包括一朝向該物側且使成像光線通過的物側面及一朝向該像側且使成像光線通過的像側面； <br/>該光學成像鏡頭只有上述三組透鏡組； <br/>該第一透鏡組、該第二透鏡組及該第三透鏡組各包含至少兩片透鏡； <br/>該光學成像鏡頭的透鏡數量最多不超過九片； <br/>該第一透鏡組從該物側至該像側沿該光軸依序包含一1A透鏡及一1B透鏡； <br/>該1B透鏡的該物側面的一光軸區域為凹面； <br/>該第三透鏡組從該像側至該物側沿該光軸依序包含一3A透鏡及一3B透鏡； <br/>該3A透鏡的該像側面的一光軸區域為凹面且該3A透鏡的該物側面的一圓周區域為凹面； <br/>其中該光學成像鏡頭滿足以下條列式：(T32+G312+T31)/Tmin≧6.000、V11+V31≦100.000以及(T11+G112)/T31≦2.500，其中T32為該3B透鏡在該光軸上的厚度，G312為該3A透鏡與該3B透鏡在該光軸上的空氣間隙，T31為該3A透鏡在該光軸上的厚度，Tmin為該第一透鏡組至該第三透鏡組中所有透鏡在該光軸上的厚度的最小值，V11為該1A透鏡的阿貝數，V31為該3A透鏡的阿貝數，T11為該1A透鏡在該光軸上的厚度，且G112為該1A透鏡與該1B透鏡在該光軸上的空氣間隙。
一種光學成像鏡頭，從一物側至一像側沿一光軸依序包括一第一透鏡組、一第二透鏡組及一第三透鏡組，且該第一透鏡組至該第三透鏡組中的透鏡各自包括一朝向該物側且使成像光線通過的物側面及一朝向該像側且使成像光線通過的像側面； <br/>該光學成像鏡頭只有上述三組透鏡組； <br/>該第一透鏡組、該第二透鏡組及該第三透鏡組各包含至少兩片透鏡； <br/>該光學成像鏡頭的透鏡數量最多不超過九片； <br/>該第一透鏡組從該物側至該像側沿該光軸依序包含一1A透鏡及一1B透鏡； <br/>該1B透鏡具有負屈光率； <br/>該第三透鏡組從該像側至該物側沿該光軸依序包含一3A透鏡及一3B透鏡； <br/>該3A透鏡的該像側面的一光軸區域為凹面且該3A透鏡的該物側面的一圓周區域為凹面； <br/>該3B透鏡的該物側面的一圓周區域為凸面； <br/>其中該光學成像鏡頭滿足以下條列式：(T32+G312+T31)/Tmin≧6.000、V11+V31≦100.000以及(T11+G112)/T31≦2.500，其中T32為該3B透鏡在該光軸上的厚度，G312為該3A透鏡與該3B透鏡在該光軸上的空氣間隙，T31為該3A透鏡在該光軸上的厚度，Tmin為該第一透鏡組至該第三透鏡組中所有透鏡在該光軸上的厚度的最小值，V11為該1A透鏡的阿貝數，V31為該3A透鏡的阿貝數，T11為該1A透鏡在該光軸上的厚度，且G112為該1A透鏡與該1B透鏡在該光軸上的空氣間隙。
如請求項1至請求項4中任一項所述的光學成像鏡頭，其中該第二透鏡組包含一2A透鏡與一2B透鏡，該2A透鏡為該第二透鏡組從該像側至該物側數來的第一個透鏡，該2B透鏡為該第二透鏡組從該像側至該物側數來的第二個透鏡，該光學成像鏡頭滿足以下條列式：T21/T22≦16.100，其中T21為該2A透鏡在該光軸上的厚度，且T22為該2B透鏡的在該光軸上的厚度。
如請求項3至請求項4中任一項所述的光學成像鏡頭，其中該光學成像鏡頭滿足以下條列式：TTL/Fno≧5.000毫米，其中TTL為該1A透鏡的該物側面到成像面在該光軸上的距離，且Fno為該光學成像鏡頭的光圈值。
如請求項3至請求項4中任一項所述的光學成像鏡頭，其中該光學成像鏡頭滿足以下條列式：(EFL+ImgH)/Fno≧5.000毫米，其中EFL為該光學成像鏡頭的有效焦距，ImgH為該光學成像鏡頭的像高，且Fno為該光學成像鏡頭的光圈值。
如請求項3至請求項4中任一項所述的光學成像鏡頭，其中該光學成像鏡頭滿足以下條列式：TL/(Tmax+Tmin)≦6.000，其中TL為該1A透鏡的該物側面到該3A透鏡的該像側面在該光軸上的距離，Tmax為該第一透鏡組至該第三透鏡組中所有透鏡在該光軸上的厚度的最大值，且Tmin為該第一透鏡組至該第三透鏡組中所有透鏡在該光軸上的厚度的最小值。
如請求項3至請求項4中任一項所述的光學成像鏡頭，其中該光學成像鏡頭滿足以下條列式：ALT/(Tmax+Tmin)≦4.000，其中ALT為該第一透鏡組至該第三透鏡組中所有透鏡在該光軸的厚度總和，Tmax為該第一透鏡組至該第三透鏡組中所有透鏡在該光軸上的厚度的最大值，且Tmin為該第一透鏡組至該第三透鏡組中所有透鏡在該光軸上的厚度的最小值。
如請求項3至請求項4中任一項所述的光學成像鏡頭，其中該光學成像鏡頭滿足以下條列式：(Gmax+BFL)/(T32+G312)≦4.600，其中Gmax為該第一透鏡組至該第三透鏡組中所有透鏡在該光軸上空氣間隙的最大值，且BFL為該3A透鏡的該像側面到成像面在該光軸上的距離。
如請求項3至請求項4中任一項所述的光學成像鏡頭，其中該光學成像鏡頭滿足以下條列式：T32/T31≦4.100。
如請求項1至請求項4中任一項所述的光學成像鏡頭，其中該第二透鏡組包含一2A透鏡，該2A透鏡為該第二透鏡組從該像側至該物側數來的第一個透鏡，且該光學成像鏡頭滿足以下條列式：V11+V21+V31≦150.000，其中V21為該2A透鏡的阿貝數。
如請求項3至請求項4中任一項所述的光學成像鏡頭，其中該光學成像鏡頭滿足以下條列式：TTL/Tmax≦14.000，其中TTL為該1A透鏡的該物側面到成像面在該光軸上的距離，且Tmax為該第一透鏡組至該第三透鏡組中所有透鏡在該光軸上的厚度的最大值。
如請求項3至請求項4中任一項所述的光學成像鏡頭，其中該光學成像鏡頭滿足以下條列式：TTL/Gmax≧5.000，其中TTL為該1A透鏡的該物側面到成像面在該光軸上的距離，且Gmax為該第一透鏡組至該第三透鏡組中所有透鏡在該光軸上空氣間隙的最大值。
如請求項1至請求項4中任一項所述的光學成像鏡頭，其中該光學成像鏡頭滿足以下條列式：V11+V12+V32≦100.000，其中V12為該1B透鏡的阿貝數，且V32為該3B透鏡的阿貝數。
如請求項1至請求項4中任一項所述的光學成像鏡頭，其中該光學成像鏡頭滿足以下條列式：V12+V31+V32≦135.000，其中V12為該1B透鏡的阿貝數，且V32為該3B透鏡的阿貝數。
如請求項1至請求項4中任一項所述的光學成像鏡頭，其中該光學成像鏡頭滿足以下條列式：(T11+G112+T12)/Tavg≦2.000，其中T12為該1B透鏡在該光軸上的厚度，且Tavg為該第一透鏡組至該第三透鏡組中所有透鏡在該光軸上的厚度平均值。
如請求項1至請求項4中任一項所述的光學成像鏡頭，其中該光學成像鏡頭滿足以下條列式：ALT/Gmax≧1.900，其中ALT為該第一透鏡組至該第三透鏡組中所有透鏡在該光軸的厚度總和，且Gmax為該第一透鏡組至該第三透鏡組中所有透鏡在該光軸上空氣間隙的最大值。
如請求項1至請求項4中任一項所述的光學成像鏡頭，其中該第二透鏡組包含一2A透鏡與一2B透鏡，該2A透鏡為該第二透鏡組從該像側至該物側數來的第一個透鏡，該2B透鏡為該第二透鏡組從該像側至該物側數來的第二個透鏡，該光學成像鏡頭滿足以下條列式：(T21+G212+T22)/T11≦18.800，其中T21為該2A透鏡在該光軸上的厚度，G212為該2A透鏡與該2B透鏡在該光軸上的空氣間隙，且T22為該2B透鏡的在該光軸上的厚度。
如請求項1至請求項4中任一項所述的光學成像鏡頭，其中該光學成像鏡頭滿足以下條列式：TL/Tavg≦18.000，其中TL為該1A透鏡的該物側面到該3A透鏡的該像側面在該光軸上的距離，且Tavg為該第一透鏡組至該第三透鏡組中所有透鏡在該光軸上的厚度平均值。
一種顯示裝置，包含： <br/> 複數個掃描線，至少包含第一掃描線和位於緊鄰該第一掃描線的第二掃描線； <br/> 第一脈衝輸出電路，電連接到該第一掃描線的一端； <br/> 第二脈衝輸出電路，電連接到該第二掃描線的一端； <br/> 第一電晶體； <br/> 第二電晶體；以及 <br/> 像素部，在平面圖中位於該第一脈衝輸出電路和該第二脈衝輸出電路之間， <br/> 其中，該第一電晶體的源極和汲極中的一個直接連接到該第一掃描線的另一端， <br/> 其中，該第二電晶體的源極和汲極中的一個直接連接到該第二掃描線的另一端， <br/> 其中，該第一電晶體的該源極和該汲極中的另一個直接連接到第一電源電位線， <br/> 其中，該第二電晶體的該源極和該汲極中的另一個直接連接到第二電源電位線， <br/> 其中，該第一電晶體的閘極電連接到與該複數個掃描線不同的第一信號線， <br/> 其中，該第二電晶體的閘極電連接到與該複數個掃描線不同的第二信號線， <br/> 其中，該第一掃描線的該另一端不直接連接到在該像素部的外部之除了該第一電晶體以外的任何電晶體，並且 <br/> 其中，該第二掃描線的該另一端不直接連接到在該像素部的外部之除了該第二電晶體以外的任何電晶體。
一種顯示裝置，包含： <br/> 複數個掃描線，至少包含第一掃描線和位於緊鄰該第一掃描線的第二掃描線； <br/> 第一脈衝輸出電路，被配置以輸出第一信號，使得該第一信號從該第一掃描線的一端供給到該第一掃描線； <br/> 第二脈衝輸出電路，被配置以輸出第二信號，使得該第二信號從該第二掃描線的一端供給到該第二掃描線； <br/> 第一電晶體； <br/> 第二電晶體；以及 <br/> 像素部，在平面圖中位於該第一脈衝輸出電路和該第二脈衝輸出電路之間， <br/> 其中，該第一電晶體的源極和汲極中的一個直接連接到該第一掃描線的另一端， <br/> 其中，該第二電晶體的源極和汲極中的一個直接連接到該第二掃描線的另一端， <br/> 其中，該第一電晶體的閘極電連接到與該複數個掃描線不同的第一信號線， <br/> 其中，該第二電晶體的閘極電連接到與該複數個掃描線不同的第二信號線， <br/> 其中，該第一掃描線被配置以使得第一非選擇信號透過該第一電晶體從該第一掃描線的該另一端供給， <br/> 其中，該第二掃描線被配置以使得第二非選擇信號透過該第二電晶體從該第二掃描線的該另一端供給， <br/> 其中，該第一掃描線被配置以使得沒有選擇信號從該第一掃描線的該另一端供給， <br/> 其中，該第二掃描線被配置以使得沒有選擇信號從該第二掃描線的該另一端供給， <br/> 其中，該第一掃描線的該另一端不直接連接到在該像素部的外部之除了該第一電晶體以外的任何電晶體，並且 <br/> 其中，該第二掃描線的該另一端不直接連接到在該像素部的外部之除了該第二電晶體以外的任何電晶體。
根據請求項1或2之顯示裝置， <br/> 其中，該第一電晶體和該第二電晶體中的每一個包含氧化物半導體膜，該氧化物半導體膜包含通道形成區。
根據請求項1或2之顯示裝置， <br/> 其中，該第一脈衝輸出電路和該第二脈衝輸出電路中的每一個包含互補金屬氧化物半導體（Complementary Metal Oxide Semiconductor；CMOS）電路。
根據請求項1或2之顯示裝置， <br/> 其中該第一電晶體由供給到該第一信號線的第一時脈信號控制，並且 <br/> 其中該第二電晶體由供給到該第二信號線的第二時脈信號控制。
一種電源模組，包括： <br/> 一電感組，包括一第一線圈及一第二線圈，該第一線圈及該第二線圈中的每一者具有一第一端和一第二端； <br/> 一印刷電路板(PCB)頂板，位於該電感組的上方； <br/> 一PCB底板，位於該電感組的下方； <br/> 一連接器，連接該PCB頂板及該PCB底板； <br/> 一第一功率元件晶片及一第二功率元件晶片，位於該PCB頂板之上，其中該第一功率元件晶片具有至少一個接腳通過該PCB頂板電連接至該第一線圈，該第二功率元件晶片具有至少一個接腳通過該PCB頂板電連接至該第二線圈； <br/> 一輸出電容基板層，位於該PCB底板的下方； <br/> 一第一輸出電容，嵌入在該輸出電容基板層內，其中該第一輸出電容具有一第一端及一第二端，該第一輸出電容的該第一端連接至該第一線圈的該第二端，該第一輸出電容的該第二端接地； <br/> 一第二輸出電容，嵌入在該輸出電容基板層內，其中該第二輸出電容具有一第一端及一第二端，該第二輸出電容的該第一端連接至該第二線圈的該第二端，該第二輸出電容的該第二端接地；以及 <br/> 一中介基板層，位於該輸出電容基板層的下方。
如請求項1所述的電源模組，進一步包括： <br/> 多個接腳，該些接腳從該中介基板層的一下表面引出，其中該些接腳中的一第一接腳用以接收一第一控制訊號以控制該第一功率元件晶片，該些接腳中的一第二接腳用以接收一第二控制訊號以控制該第二功率元件晶片。
如請求項2所述的電源模組，其中該些接腳中的一第三接腳電連接至該第一線圈的該第二端，該些接腳中的一第四接腳電連接至該第二線圈的該第二端。
如請求項2所述的電源模組，其中該些接腳中的一第五接腳用以接收一輸入電壓，並電連接至該第一功率元件晶片及該第二功率元件晶片。
如請求項1所述的電源模組，其中該輸出電容基板層的一上表面與該PCB底板的一下表面接觸，該輸出電容基板層的一下表面與該中介基板層的一上表面接觸。
如請求項1所述的電源模組，其中該第一輸出電容及該第二輸出電容各包括並聯連接的多個分立電容。
如請求項1所述的電源模組，其中該第一輸出電容及該第二輸出電容分別位於該輸出電容基板層內的一空腔中。
如請求項1所述的電源模組，其中： <br/> 從該電源模組的一下表面到安裝在該PCB頂板上的一最高元件的一上表面測量所得的該電源模組的一高度至少為4mm，至多為12mm。
一種電源模組，包括： <br/> 一第一輸出電壓節點，用以提供一第一輸出電壓； <br/> 一第二輸出電壓節點，用以提供一第二輸出電壓； <br/> 一電感組，包括一第一線圈及一第二線圈； <br/> 一PCB頂板，位於該電感組的上方； <br/> 一第一功率元件晶片及一第二功率元件晶片，位於該PCB頂板之上，其中該第一功率元件晶片具有至少一個接腳通過該PCB頂板電連接至一第一線圈，以提供該第一輸出電壓，該第二功率元件晶片具有至少一個接腳通過該PCB頂板電連接至一第二線圈，以提供該第二輸出電壓； <br/> 一輸出電容基板層，位於該電感組的下方； <br/> 一第一組分立電容，嵌入在該輸出電容基板層內，該第一組分立電容並聯連接在該第一輸出電壓節點及一接地電壓之間；以及 <br/> 一第二組分立電容，嵌入在該輸出電容基板層內，該第二組分立電容並聯連接在該第二輸出電壓節點及該接地電壓之間。
如請求項9所述的電源模組，進一步包括： <br/> 一PCB底板，位於該電感組及該輸出電容基板層之間；以及 <br/> 一連接器，連接在該PCB頂板與該PCB底板之間，且用以將該PCB底板上的多個第一焊墊分別連接至該PCB頂板上的多個第二焊墊。
如請求項9所述的電源模組，進一步包括位於該輸出電容基板層下方的一中介基板層。
如請求項9所述的電源模組，其中該第一組分立電容及該第二組分立電容分別位於該輸出電容基板層內的一空腔中。
一種多相電源模組，包括： <br/> 多個輸出電壓節點； <br/> 一PCB頂板，具有一上表面及一下表面； <br/> 多個電感組，位於該PCB頂板的下方，該些電感組中的每一者包括兩個線圈； <br/> 多個功率元件晶片，安裝在該PCB頂板的該上表面，其中該些功率元件晶片與該些線圈電連接，以分別在該些輸出電壓節點提供多個輸出電壓；以及 <br/> 多個輸出電容，位於該些電感組的下方，其中該些輸出電容分別電連接至該些輸出電壓節點。
如請求項13所述的多相電源模組，進一步包括： <br/> 一輸出電容基板層，其中該些輸出電容嵌入在該輸出電容基板層內。
如請求項14所述的多相電源模組，其中該些輸出電容位於該輸出電容基板層內的至少一個空腔中。
如請求項13所述的多相電源模組，進一步包括： <br/> 一PCB底板，位於該些電感組及該些輸出電容之間；以及 <br/> 一連接器，連接在該PCB頂板及該PCB底板之間，且用以將該PCB底板上的多個第一焊墊分別連接至該PCB頂板上的多個第二焊墊。
如請求項14所述的多相電源模組，進一步包括： <br/> 一中介基板層，其中該輸出電容基板層位於該些電感組及該中介基板層之間。
如請求項13所述的多相電源模組，其中該些輸出電容中的每一個包括並聯連接的多個分立電容。
一種顯示裝置，包括： <br/>第一發光器件；以及 <br/>第二發光器件， <br/>其中，該第一發光器件包括第一電極及共用電極， <br/>該第二發光器件包括第二電極及該共用電極， <br/>該第一發光器件從該第一電極及該共用電極中的被用作陽極的電極一側依次包括電洞注入層、第一發光層及電子傳輸層， <br/>該第二發光器件在該第二電極與該共用電極間包括第二發光層， <br/>該電洞注入層接觸於該第一電極及該共用電極中的被用作陽極的電極， <br/>該電洞注入層包含第一化合物及第二化合物， <br/>該第一發光層包含發射第一顏色的光的第三化合物， <br/>該第二發光層包含發射第二顏色的光的第四化合物， <br/>該電子傳輸層包含第五化合物， <br/>該第一化合物具有拉電子基團， <br/>該第二化合物的最高佔有分子軌域(HOMO)能階為-5.7eV以上且-5.4eV以下， <br/>並且，該第五化合物的HOMO能階為-6.0eV以上。
一種顯示裝置，包括： <br/>第一發光器件；以及 <br/>第二發光器件， <br/>其中，該第一發光器件包括第一電極及共用電極， <br/>該第二發光器件包括第二電極及該共用電極， <br/>該第一發光器件從該第一電極及該共用電極中的被用作陽極的電極一側依次包括電洞注入層、第一電洞傳輸層、第一發光層及電子傳輸層， <br/>該第二發光器件在該第二電極與該共用電極間包括第二發光層， <br/>該電洞注入層接觸於該第一電極及該共用電極中的被用作陽極的電極， <br/>該電洞注入層包含第一化合物及第二化合物， <br/>該第一發光層包含發射第一顏色的光的第三化合物， <br/>該第二發光層包含發射第二顏色的光的第四化合物， <br/>該電子傳輸層包含第五化合物， <br/>該第一電洞傳輸層包含第六化合物， <br/>該第一化合物具有拉電子基團， <br/>該第二化合物的HOMO能階為-5.7eV以上且-5.4eV以下， <br/>該第五化合物的HOMO能階為-6.0eV以上， <br/>該第六化合物的HOMO能階為該第二化合物的HOMO能階以下的值， <br/>並且，該第六化合物的HOMO能階與該第二化合物的HOMO能階之差為0.2eV以內。
如請求項1或2之顯示裝置， <br/>其中該第五化合物是具有蒽骨架的化合物、三嗪衍生物及啡啉衍生物中之任一者。
如請求項1或2之顯示裝置， <br/>其中該第一顏色為藍色。
如請求項1或2之顯示裝置， <br/>其中該第三化合物及該第四化合物都是螢光發光物質。
如請求項2之顯示裝置， <br/>其中該第一發光器件還包括第二電洞傳輸層， <br/>該第二電洞傳輸層包含第七化合物， <br/>並且該第七化合物的HOMO能階低於該第六化合物的HOMO能階。
一種顯示裝置，包括： <br/>第一發光器件； <br/>第二發光器件；以及 <br/>第三發光器件， <br/>其中，該第一發光器件包括第一電極及共用電極， <br/>該第二發光器件包括第二電極及該共用電極， <br/>該第三發光器件包括第三電極及該共用電極， <br/>該第一發光器件從該第一電極及該共用電極中的被用作陽極的電極一側依次包括電洞注入層、第一發光層及電子傳輸層， <br/>該第二發光器件在該第二電極與該共用電極間包括第二發光層， <br/>該第三發光器件在該第三電極與該共用電極間包括第三發光層， <br/>該電洞注入層接觸於該第一電極及該共用電極中的被用作陽極的電極， <br/>該電洞注入層包含第一化合物及第二化合物， <br/>該電子傳輸層包含第三化合物， <br/>該第一化合物具有拉電子基團， <br/>該第二化合物的HOMO能階為-5.7eV以上且-5.4eV以下， <br/>該第一發光器件的發射光譜的最大峰值波長比該第二發光器件的發射光譜的最大峰值波長短， <br/>該第二發光器件的發射光譜的最大峰值波長比該第三發光器件的發射光譜的最大峰值波長短， <br/>並且，在俯視時，該第一發光器件的發光區域的面積為該第三發光器件的發光區域的面積以上且該第二發光器件的發光區域的面積以下。
如請求項1、2或7之顯示裝置， <br/>其中該第二發光器件在該第二電極與該共用電極間包括與該第一發光器件共同使用的層。
如請求項1、2或7之顯示裝置， <br/>其中該第二化合物包含咔唑骨架、二苯并呋喃骨架、二苯并噻吩骨架和蒽骨架中的至少一個。
如請求項1、2或7之顯示裝置， <br/>其中該電子傳輸層還包括包含鹼金屬或鹼土金屬的有機錯合物。
如請求項1、2或7之顯示裝置， <br/>其中表示在使恆定電流流過該第一發光器件時得到的發光的亮度變化的劣化曲線具有極大值。
如請求項7之顯示裝置， <br/>其中該第三化合物是具有蒽骨架的化合物、三嗪衍生物及啡啉衍生物中之任一者。
一種金屬氧化物介電層形成的方法，該方法包括：<br/> 提供一基材，並去除其原生氧化層，且該基材是選自由矽及化合物半導體所構成之群組；<br/> 將該基材置入一密閉腔體中；<br/> 在該基材上，交替導入矽烷基胺與有機金屬前驅物及一活性氧源，以原子層沉積方式形成含矽摻雜之金屬氧化物層，摻雜濃度為0.1 mol%–10 mol %；<br/> 將該基材在300°C–1100 °C之惰性氣體環境下快速退火小於60秒，使摻雜之矽擴散至基材與金屬氧化物層之介面並形成緻密的一二氧化矽介面層。
如請求項1所述之金屬氧化物介電層形成的方法，其中該金屬氧化物介電層是選自由二氧化鉿、二氧化鋯、氧化鑭、或氧化鋁所構成之群組。
如請求項1所述之金屬氧化物介電層形成的方法，其中該有機金屬前驅物為四(乙基甲基氨基)鉿或四(二甲基氨基)鉿以形成二氧化鉿金屬化物介電層。
如請求項1所述之金屬氧化物介電層形成的方法，其中形成含矽摻雜之金屬氧化物介電層於該基材中又包含：<br/> 加熱該基材，使其溫度介於攝氏100°C ~450°C間。
如請求項3所述之金屬氧化物介電層形成的方法，其中該二氧化鉿之晶格排列為斜方晶或四方晶結構。
如請求項1所述之金屬氧化物介電層形成的方法，其中該活性氧源是選自由臭氧、中性氧原子、或氧離子所構成之群組。
如請求項1所述之金屬氧化物介電層形成的方法，其中該基材是碳化矽。
一種自包括目標多肽之混合物製備所述目標多肽之方法，所述方法包含：<br/> 使所述混合物的第一二次負載與層析裝置之第一區接觸，其中二次負載係指於先前穿過所述層析裝置之另一管柱的所述混合物之負載；<br/> 使所述混合物的第一一次負載與所述層析裝置之第二區接觸，其中一次負載係指傳送至所述層析裝置之管柱而無需於先前穿過所述層析裝置之另一管柱的所述混合物之負載；<br/> 使第一移動相與所述層析裝置之第三區接觸，其中所述移動相包含洗滌緩衝液、汽提緩衝液及／或平衡緩衝液；<br/> 在使所述混合物的所述第一二次負載與所述層析裝置之所述第一區接觸之後，使所述混合物的第二一次負載與所述層析裝置之所述第一區接觸；<br/> 在使所述混合物的所述第一一次負載與所述層析裝置之所述第二區接觸之後，使第二移動相與所述層析裝置之所述第二區接觸；以及<br/> 在使所述第一移動相與所述層析裝置之所述第三區接觸之後，使所述混合物的第二二次負載與所述層析裝置之所述第三區接觸。
如請求項1之方法，其中所述層析裝置為疏水性相互作用層析裝置。
如請求項1之方法，進一步包含將所述混合物的所述第一一次負載從所述層析裝置之所述第二區傳送至所述層析裝置之所述第三區，其中將所述混合物的所述第一一次負載從所述層析裝置之所述第二區傳送至所述層析裝置之所述第三區會將所述混合物的所述第一一次負載轉變為所述混合物的所述第二二次負載。
如請求項1之方法，其中所述混合物的所述第一二次負載與所述層析裝置之所述第一區接觸，同時所述混合物的所述第一一次負載與所述層析裝置之所述第二區接觸。
如請求項1之方法，其中所述第一二次負載在所述層析裝置之所述第一區中的滯留時間與所述第一一次負載在所述層析裝置之所述第二區中的滯留時間之和等於所述第一移動相在所述層析裝置之所述第三區中的滯留時間。
如請求項1之方法，其中所述第一二次負載在所述層析裝置之所述第一區中的滯留時間等於所述第一移動相在所述層析裝置之所述第三區中的滯留時間。
如請求項6之方法，其中所述第一二次負載在所述層析裝置之所述第一區中的滯留時間等於所述第一一次負載在所述層析裝置之所述第二區中的滯留時間。
如請求項1之方法，其中所述目標多肽係以大於或等於50 g／L∙小時之生產率製備。
如請求項8之方法，其中所述目標多肽係以大於或等於1.3之高分子量分子餘隙因子製備。
如請求項8之方法，其中所述目標多肽係以大於或等於80%之維持產率製備。
如請求項1之方法，其中所述第一區、所述第二區及所述第三區之至少一者包括多於一個層析管柱。
如請求項1之方法，進一步包括：<br/> 在使所述混合物的所述第二一次負載與所述層析裝置之所述第一區接觸之後，使第三移動相與所述層析裝置之所述第一區接觸；<br/> 在使第二移動相與所述層析裝置之所述第二區接觸之後，使所述混合物的第三二次負載與所述層析裝置之所述第二區接觸；以及<br/> 在使所述混合物的第二二次負載與所述層析裝置之所述第三區接觸之後，使所述混合物的第三一次負載與所述層析裝置之所述第二區接觸。
如請求項1之方法，其中所述目標多肽包括單株抗體。
如請求項1之方法，其中所述目標多肽包括分子量為130 kDa至200 kDa之單株抗體。
如請求項1之方法，其中所述目標多肽包括分子量為140 kDa至150 kDa之單株抗體。
如請求項1之方法，其中所述目標多肽包括分子量為130.5 kDa至159.5 kDa之單株抗體。
如請求項1之方法，其中所述目標多肽包括分子量為140 kDa、 145 kDa、或150 kDa之單株抗體。
如請求項1之方法，其中所述目標多肽包括Fc融合蛋白。
如請求項1之方法，其中所述目標多肽包括Fc融合蛋白，且其中所述Fc融合蛋白為捕獲蛋白質（trap protein）。
一種自包括目標多肽之混合物製備所述目標多肽之方法，所述方法包含：<br/> 使所述混合物的第一二次負載與層析裝置之第一區接觸，其中二次負載係指於先前穿過所述層析裝置之另一管柱的所述混合物之負載；<br/> 在使所述混合物的所述第一二次負載與所述層析裝置之所述第一區接觸之後，使所述混合物的第一一次負載與所述層析裝置之所述第一區接觸，其中一次負載係指傳送至所述層析裝置之管柱而無需於先前穿過所述層析裝置之另一管柱的所述混合物之負載；<br/> 在使所述混合物的所述第一一次負載與所述層析裝置之所述第一區接觸之後，在所述層析裝置之所述第一區上實施第一再生循環；<br/> 使所述混合物的第二二次負載與所述層析裝置之第二區接觸；<br/> 在使所述混合物的所述第二二次負載與所述層析裝置之所述第二區接觸之後，使所述混合物的第二一次負載與所述層析裝置之所述第二區接觸；<br/> 在使所述混合物的所述第二一次負載與所述層析裝置之所述第二區接觸之後，在所述層析裝置之所述第二區上實施第二再生循環；<br/> 使所述混合物的第三二次負載與所述層析裝置之第三區接觸；<br/> 在使所述混合物的所述第三二次負載與所述層析裝置之所述第三區接觸之後，使所述混合物的第三一次負載與所述層析裝置之所述第三區接觸；<br/> 在使所述混合物的所述第三一次負載與所述層析裝置之所述第三區接觸之後，在所述層析裝置之所述第三區上實施第三再生循環；<br/> 使所述混合物的第四二次負載與所述層析裝置之第四區接觸；<br/> 在使所述混合物的所述第四二次負載與所述層析裝置之所述第四區接觸之後，使所述混合物的第四一次負載與所述層析裝置之所述第四區接觸；以及<br/> 在使所述混合物的所述第二一次負載與所述層析裝置之所述第四區接觸之後，在所述層析裝置之所述第四區上實施第四再生循環。
如請求項20之方法，其中所述第一再生循環、所述第二再生循環、所述第三再生循環及所述第四再生循環包括使一種或多種移動相與所述區接觸，且所述一種或多種移動相包括洗滌緩衝液、汽提緩衝液及／或平衡緩衝液。
如請求項21之方法，其中所述一種或多種移動相包括所述汽提緩衝液，且所述汽提緩衝液包含醇及／或鹼性化合物。
如請求項22之方法，其中所述汽提緩衝液包含所述鹼性化合物，所述鹼性化合物包括氫氧化鋰、氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鈣及／或氫氧化銨，且所述汽提緩衝液中所述鹼性化合物的濃度為約0.1 N至約1.5 N 。
如請求項22之方法，其中所述汽提緩衝液包含所述醇，所述醇包括甲醇、乙醇、丙醇及／或苯甲醇，且所述汽提緩衝液中所述醇的濃度基於所述汽提緩衝液的總體積為約0.1體積%至約30體積%。
如請求項21之方法，其中所述一種或多種移動相包括洗滌緩衝液及平衡緩衝液。
如請求項25之方法，其中所述洗滌緩衝液包含鈉鹽、鉀鹽、鎂鹽、鈣鹽、檸檬酸鹽、乙酸鹽、磷酸鹽、硫酸鹽及／或參(羥甲基)胺基甲烷鹽，且所述平衡緩衝液包含鈉鹽、鉀鹽、鎂鹽、鈣鹽、檸檬酸鹽、乙酸鹽、磷酸鹽、硫酸鹽及／或參（羥甲基）胺基甲烷鹽。
如請求項26之方法，其中所述洗滌緩衝液具有與所述平衡緩衝液不同之組成。
如請求項21之方法，其中所述一種或多種移動相在所述層析裝置之所述第一區中的滯留時間等於所述第二二次負載在所述層析裝置之所述第二區中的滯留時間與所述第二一次負載在所述層析裝置之所述第二區中的滯留時間之和。
如請求項20之方法，其中所述第一二次負載在所述層析裝置之所述第一區中的滯留時間等於所述第二一次負載在所述層析裝置之所述第二區中的滯留時間。
如請求項20之方法，其中所述混合物的所述第一一次負載與所述所述層析裝置之所述第一區接觸，同時所述混合物的所述第二二次負載與所述層析裝置之所述第二區接觸。
如請求項30之方法，其中所述混合物的所述第一一次負載與所述層析裝置之所述第一區接觸，且所述混合物的所述第二二次負載與所述層析裝置之所述第二區接觸，同時在所述層析裝置之所述第三區上實施所述第三再生循環且在所述層析裝置之所述第四區上實施所述第四再生循環。
如請求項20之方法，其中所述目標多肽包括單株抗體。
如請求項20之方法，其中所述目標多肽包括分子量為130 kDa至200 kDa之單株抗體。
如請求項20之方法，其中所述目標多肽包括分子量為140 kDa至150 kDa之單株抗體。
如請求項20之方法，其中所述目標多肽包括分子量為130.5 kDa至159.5 kDa之單株抗體。
如請求項20之方法，其中所述目標多肽包括分子量為140 kDa、 145 kDa、或150 kDa之單株抗體。
如請求項20之方法，其中所述目標多肽包括Fc融合蛋白。
如請求項20之方法，其中所述目標多肽包括Fc融合蛋白，且其中所述Fc融合蛋白為捕獲蛋白質。
一種自包括目標多肽之混合物製備所述目標多肽之方法，所述方法包含：<br/> 在第一階段中：<br/> 使第一二次負載與層析裝置之第一區接觸，其中二次負載係指於先前穿過所述層析裝置之另一管柱的所述混合物之負載；<br/> 使第一一次負載與所述層析裝置之第二區接觸，其中一次負載係指傳送至所述層析裝置之管柱而無需於先前穿過所述層析裝置之另一管柱的所述混合物之負載；及<br/> 在所述層析裝置之第三區上開始第一再生循環；<br/> 在第二階段中：<br/> 使第二一次負載與所述層析裝置之所述第一區接觸；<br/> 在所述層析裝置之所述第二區上開始第二再生循環；及<br/> 使第二二次負載與所述層析裝置之第四區接觸；<br/> 在第三階段中：<br/> 在所述層析裝置之所述第一區上開始第三再生循環；<br/> 使第三二次負載與所述層析裝置之所述第三區接觸；及<br/> 使第三一次負載與所述層析裝置之所述第四區接觸；以及<br/> 在第四階段中：<br/> 使第四二次負載與所述層析裝置之所述第二區接觸；<br/> 使第四一次負載與所述層析裝置之所述第三區接觸；及<br/> 在所述層析裝置之所述第四區上開始第四再生循環。
如請求項39之方法，其中所述第一階段之各步驟同時進行，所述第二階段之各步驟同時進行，所述第三階段之各步驟同時進行，且所述第四階段之各步驟同時進行。
如請求項39之方法，其中所述目標多肽係以如下方式製備：<br/> 生產率大於或等於50 g／L·小時；<br/> 高分子量分子餘隙因子大於或等於1.3；且<br/> 維持產率大於或等於80%。
如請求項39之方法，其中所述目標多肽為單株抗體。
如請求項39之方法，其中所述層析裝置之所述第一區、所述第二區、所述第三區及所述第四區包括疏水性相互作用介質。
如請求項43之方法，其中所述疏水性相互作用介質包含疏水性部分，且所述疏水性部分包括甲基、丙基、異丙基、丁基、己基、辛基及／或苯基。
如請求項39之方法，其中所述層析裝置之所述第一區、所述第二區、所述第三區及／或所述第四區具有約0.5 cm至約30 cm之床高。
如請求項39之方法，其中所述層析裝置之所述第一區、所述第二區、所述第三區及／或所述第四區具有約0.5 cm至約140 cm之管柱內徑。
如請求項39之方法，其中所述層析裝置之所述第一區、所述第二區、所述第三區及／或所述第四區具有約0.4 mL至約175 L之體積。
如請求項39之方法，其中所述目標多肽包括分子量為130 kDa至200 kDa之單株抗體。
如請求項39之方法，其中所述目標多肽包括分子量為140 kDa至150 kDa之單株抗體。
如請求項39之方法，其中所述目標多肽包括分子量為130.5 kDa至159.5 kDa之單株抗體。
如請求項39之方法，其中所述目標多肽包括分子量為140 kDa、 145 kDa、或150 kDa之單株抗體。
如請求項39之方法，其中所述目標多肽包括Fc融合蛋白。
如請求項39之方法，其中所述目標多肽包括Fc融合蛋白，且其中所述Fc融合蛋白為捕獲蛋白質。
一種用於監控透過一torrent網路非法分發版權作品的方法，該方法包含以下步驟：<br/> 一處理器檢查分發被指定為待監控版權作品的一torrent檔案的一同級的資訊以及該同級的一當前狀態是一Seeder還是一Leecher；以及<br/> 當檢查出該同級是該Seeder時，該處理器獲取分發該torrent檔案的該同級的一監控螢幕的一擷取影像，作為證明非法分發該版權作品的一時段的證據，<br/> 其中在獲得分發該torrent檔案的該同級的該監控螢幕的該擷取影像之後，該處理器將分發該torrent檔案的該同級的該資訊和該監控螢幕的該擷取影像儲存在一DB伺服器和一擷取伺服器，並透過一網頁伺服器管理儲存在該DB伺服器和該擷取伺服器中的該資訊，由此，當該所管理的資訊作為非法分發該版權作品的該證據提交時，該處理器經實施以透過該網頁伺服器僅搜尋一期望torrent檔案的非法分發資訊，並將該搜尋到的資訊作為一報告輸出，以及<br/> 其中當輸出作為非法分發該版權作品的該證據而提交的該報告時，該網頁伺服器指定自首次發現一待監控同級是具有一些檔案分片的一Leecher或具有所有檔案分片的一Seeder的一時間點開始，至該同級切換至該Seeder之後被末次偵測為該Seeder的一時間點的一時段，作為透過該torrent網路非法分發該版權作品的該時段，並且當輸出該報告時允許該指定時段包括在該報告中。
如請求項1所述之方法，其中為了檢查分發被指定為該待監控版權作品的該torrent檔案的該同級，該處理器加載該torrent檔案以分析infohash資訊，並檢查該對應的torrent檔案是否具有與該待監控版權作品的該torrent檔案的infohash相同的infohash。
如請求項1所述之方法，其中該監控螢幕包括複數個區域，該複數個區域顯示關於待監控torrent檔案的數量的資訊、torrent檔案資訊、連接日誌資訊、設定資訊、標準時間資訊、追蹤器資訊和連接詳情資訊中的至少一者。
如請求項1所述之方法，在該檢查該同級的該當前狀態是該Seeder還是該Leecher之後，進一步包含以下步驟：<br/> 該處理器終止與分發該torrent檔案的該同級的一連接以防止下載該torrent檔案，<br/> 其中，為了監控分發該torrent檔案的該同級，以一指定的時間間隔重複執行該檢查該同級的該當前狀態是該Seeder還是該Leecher，並終止與分發該torrent檔案的該同級的該連接。
一種用於監控透過一torrent網路非法分發版權作品的方法，該方法包含以下步驟：<br/> 一處理器檢查分發被指定為待監控版權作品的一torrent檔案的一同級的資訊以及該同級的一當前狀態是一Seeder還是一Leecher；以及<br/> 當檢查出該同級是該Seeder時，該處理器獲取分發該torrent檔案的該同級的一監控螢幕的一擷取影像，作為證明非法分發該版權作品的一時段的證據，<br/> 其中，為了獲取能夠證明非法分發該版權作品的該時段的該證據，該處理器經組態以：<br/> 以一指定的時間間隔，重複監控分發的該torrent檔案具有與該待監控版權作品的該torrent檔案的infohash相同的infohash的該同級；<br/> 當首次發現該同級時擷取該監控螢幕(First Seen)；<br/> 當判定該同級是該Seeder時，擷取該監控螢幕(Seed Time)；以及<br/> 當最終發現該同級時，擷取該監控螢幕(Last Seen)。
一種用於監控透過一torrent網路非法分發版權作品的裝置，該裝置包含：<br/> 一處理器，其經組態以檢查關於分發被指定為待監控版權作品的一torrent檔案的一同級的資訊以及該同級的一當前狀態是一Seeder還是一Leecher，並且當檢查出該同級是該Seeder時獲取分發該torrent檔案的該同級的一監控螢幕的一擷取影像，作為證明非法分發該版權作品的一時段的證據；<br/> 一監控螢幕顯示器，其經組態以顯示關於該待監控torrent檔案的資訊、連接日誌資訊、標準時間資訊、追蹤器資訊和連接詳情資訊中的至少一者，<br/> 一DB伺服器和一擷取伺服器，其經組態以儲存關於分發該torrent檔案的該同級的資訊和一監控螢幕的一擷取影像；以及<br/> 一網頁伺服器，其經組態以管理儲存在該DB伺服器和該擷取伺服器中的該資訊，<br/> 其中，當該所管理的資訊作為非法分發該版權作品的該證據提交時，透過該網頁伺服器僅搜尋一期望torrent檔案的非法分發資訊，並將該搜尋到的資訊作為一報告輸出，以及<br/> 其中當輸出作為非法分發該版權作品的該證據而提交的該報告時，該網頁伺服器指定自首次發現一待監控同級是具有一些檔案分片的一Leecher或具有所有檔案分片的一Seeder的一時間點開始，至該同級切換至該Seeder之後被末次偵測為該Seeder的一時間點的一時段，作為透過該torrent網路非法分發該版權作品的該時段，並且當輸出該報告時允許該指定時段包括在該報告中。
一種半導體裝置，其包含： <br/>絕緣表面之上之具有多晶結構之氧化物半導體層； <br/>上述氧化物半導體層之上之第1閘極絕緣層； <br/>上述第1閘極絕緣層之上之中間層； <br/>上述中間層之上之第2閘極絕緣層；及 <br/>上述第2閘極絕緣層之上之閘極配線； <br/>上述氧化物半導體層具有通道區域及導電區域， <br/>上述第1閘極絕緣層與上述通道區域及上述導電區域重疊， <br/>上述第2閘極絕緣層與上述通道區域重疊且不與上述導電區域重疊， <br/>於40℃，使用包含磷酸作為主成分之蝕刻溶液對上述氧化物半導體層蝕刻時之蝕刻速率未達3 nm/min。
如請求項1之半導體裝置，其中上述中間層係以鋁為主成分之氧化物層或氧化物半導體層。
如請求項1之半導體裝置，其中上述中間層與上述通道區域重疊且不與上述導電區域重疊。
如請求項1之半導體裝置，其中上述中間層之厚度較上述第1閘極絕緣層之厚度薄。
如請求項1之半導體裝置，其中上述第2閘極絕緣層之厚度較上述第1閘極絕緣層之厚度厚。
如請求項1之半導體裝置，其中上述中間層、上述第2閘極絕緣層及上述閘極配線具有相同之圖案形狀。
如請求項1之半導體裝置，其進而包含上述絕緣表面與上述氧化物半導體層之間之金屬氧化物層。
如請求項7之半導體裝置，其中上述金屬氧化物層係以鋁為主成分之氧化物層。
如請求項7之半導體裝置，其中上述金屬氧化物層與上述氧化物半導體層具有相同之圖案形狀。
一種顯示裝置，其於各像素包含如請求項1之半導體裝置。
一種電子裝置，包括： <br/>一功能部件； <br/>一基板，支撐該功能部件； <br/>一第一金屬膜，作為電極而沉積在該功能部件面向該基板的一側；以及 <br/>一第二金屬膜，形成於該基板上且與該第一金屬膜接合， <br/>其中，該功能部件包括： <br/>一第一表面，經由該第一金屬膜面向該基板；以及 <br/>一第二表面，從該第一表面沿著與該第一表面的一延伸方向不同的一方向延伸， <br/>其中，該第一金屬膜覆蓋該功能部件的該第一表面之整體，且從該功能部件的該第一表面沉積到該第二表面的一部分； <br/>其中，該第一金屬膜面向該基板的一側的表面之整體接合至該第二金屬膜。
如請求項1所述之電子裝置，其中該功能部件具有一傾斜表面，該傾斜表面傾斜使得該功能部件在平行於該第一表面的一平面中的一尺寸隨著距該第一表面的一距離增加而減小，並且 <br/>其中該第二表面為該傾斜表面。
如請求項1或2所述之電子裝置，其中該功能部件包括： <br/>一接觸層，具有該第一表面和該第二表面；以及 <br/>至少一層半導體層，形成於該接觸層上。
如請求項1或2所述之電子裝置，其中該第一金屬膜包括複數個金屬層，並且 <br/>其中該等金屬層中的每一者沉積為覆蓋其更靠近功能部件的一側上的一層。
如請求項1或2所述之電子裝置，其中該功能部件包括從靠近該基板的一側排列的一第一部分和一第二部分，並且 <br/>其中該第一部分的一側表面和該第二部分的一側表面的在傾斜角度上不同。
如請求項1或2所述之電子裝置，其中該第一金屬膜包括一Al層和一Au層，並且 <br/>其中在該Al層和該Au層之間形成包含Ti、Pt和Mo中的至少一者的一金屬阻擋層。
如請求項1或2所述之電子裝置，其中該第二金屬膜包括複數個金屬層。
如請求項1或2所述之電子裝置，其中該功能部件是包含一氮化物的一磊晶層。
一種電子裝置的製造方法，包括： <br/>從一功能部件的一第一表面到一第二表面的一部分沉積一第一金屬膜以覆蓋該功能部件的該第一表面之整體，該功能部件具有該第一表面和從該第一表面沿與該第一表面的一延伸方向不同的一方向延伸的該第二表面；以及 <br/>將沉積在該功能部件上的該第一金屬膜和形成在一基板上的一第二金屬膜接合在一起； <br/>其中，該第一金屬膜面向該基板的一側的表面之整體接合至該第二金屬膜。
如請求項9所述之電子裝置的製造方法，其中該功能部件是從與作為該基板的一第二基板不同的一第一基板分離的功能部件，並且 <br/>其中該第一表面是該功能部件的從該第一基板分離的一側的一表面。
如請求項10所述之電子裝置的製造方法，其中該功能部件經由一緩衝層磊晶生長在該第一基板上，並且在沉積該第一金屬膜之前將該緩衝層與該第一基板分離， <br/>其中將該緩衝層從該功能部件移除，並且 <br/>其中該第一金屬膜形成在去除該緩衝層的該功能部件的該第一表面。
一種共享電荷泵，其中該共享電荷泵部分設置於一整合電路上，用以提供一第一輸出電壓與一第二輸出電壓至一耦接裝置，並包含有：<br/> 複數個開關，耦接於一第一輸入電壓與一第二輸入電壓，其中該複數個開關係根據一控制邏輯來單獨地開啟與關閉；以及<br/> 一電容，設置於該整合電路的外部，並用以於一第一階段的期間根據該第一輸入電壓與該第二輸入電壓來儲存電荷，於一第二階段的期間放電以產生該第一輸出電壓，以及於一第三階段的期間放電以產生該第二輸出電壓；<br/> 其中該共享電荷泵透過該複數個開關的控制來進入該第一階段、該第二階段與該第三階段，以及該第一階段、該第二階段與該第三階段的一順序係根據於該電容所決定之該第一輸出電壓的一位準與該第二輸出電壓的一位準來動態地切換。
如申請專利範圍第1項所述之共享電荷泵，其中該第一輸出電壓的該位準係與一第一門檻進行比較，以及該第二輸出電壓的該位準係與一第二門檻進行比較，其中該第一門檻對應於一外部耦接裝置的一所需閘極高電壓，以及該第二門檻對應於該外部耦接裝置的一所需閘極低電壓。
如申請專利範圍第2項所述之共享電荷泵，其中該第一輸出電壓與該第二輸出電壓的一優先權係根據該第一輸出電壓與該第一門檻之間的一差值是大於還是小於該第二輸出電壓與該第二門檻之間的一差值來決定；當該第一輸出電壓與該第一門檻之間的該差值係大於該第二輸出電壓與該第二門檻之間的該差值時，該第二輸出電壓具有該優先權；以及當該第一輸出電壓與該第一門檻之間的該差值係小於該第二輸出電壓與該第二門檻之間的該差值時，該第一輸出電壓具有該優先權。
如申請專利範圍第1項所述之共享電荷泵，另包含有：<br/> 一第一箝位電路，耦接於該第一輸入電壓；以及<br/> 一第二箝位電路，耦接於該第二輸入電壓；<br/> 其中當該共享電荷泵進入該第二階段以輸出該第一輸出電壓時，該第二箝位電路選擇性地對該第二輸入電壓進行箝位；以及當該共享電荷泵進入該第三階段以輸出該第二輸出電壓時，該第一箝位電路選擇性地對該第一輸入電壓進行箝位。
如申請專利範圍第4項所述之共享電荷泵，其中當判斷於該第二階段的期間該第一輸出電壓不足時，該第一箝位電路運作以使得該第一箝位電路的一輸出與該第一輸入電壓相等；以及當判斷於該第三階段的期間該第二輸出電壓不足時，該第二箝位電路運作以使得該第二箝位電路的一輸出與該第二輸入電壓相等。
如申請專利範圍第4項所述之共享電荷泵，其中於該第一階段的期間，該第一箝位電路運作以使得該第一箝位電路的一輸出與該第一輸入電壓相等，以及該第二箝位電路運作以使得該第二箝位電路的一輸出與該第二輸入電壓相等。
如申請專利範圍第3項所述之共享電荷泵，其中針對預定數量的連續時脈週期內的第一固定數量的連續時脈週期，該共享電荷泵進入該第一階段。
如申請專利範圍第7項所述之共享電荷泵，其中在該第一固定數量的連續時脈週期之後，該共享電荷泵對該第一輸出電壓的該位準與該第一門檻進行比較以產生一第一比較結果，並對該第二輸出電壓的該位準與該第二門檻進行比較以產生一第二比較結果。
如申請專利範圍第8項所述之共享電荷泵，其中當該第一輸出電壓具有該優先權時，該共享電荷泵根據該第一比較結果來判斷該第一輸出電壓的該位準是否足夠；以及當該第二輸出電壓具有該優先權時，該共享電荷泵根據該第二比較結果來判斷該第二輸出電壓的該位準是否足夠。
如申請專利範圍第9項所述之共享電荷泵，其中當該第一輸出電壓的該位準足夠時，該共享電荷泵針對第二固定數量的連續時脈週期來進入該第二階段，並針對該第一固定數量的連續時脈週期來重新進入該第一階段；以及當該第一輸出電壓的該位準不足時，該共享電荷泵針對第三固定數量的連續時脈週期來進入該第二階段，其中該第三固定數量的連續時脈週期係該第二固定數量的連續時脈週期的兩倍。
如申請專利範圍第9項所述之共享電荷泵，其中當該第二輸出電壓的該位準足夠時，該共享電荷泵針對第二固定數量的連續時脈週期來進入該第三階段，並針對該第一固定數量的連續時脈週期來重新進入該第一階段；以及當該第二輸出電壓的該位準不足時，該共享電荷泵針對第三固定數量的連續時脈週期來進入該第三階段，其中該第三固定數量的連續時脈週期係該第二固定數量的連續時脈週期的兩倍。
如申請專利範圍第1項所述之共享電荷泵，其中該共享電荷泵另用以利用一映射表來繪示該共享電荷泵的一溫度、該第一輸出電壓的該位準與該第二輸出電壓的該位準之間的關係，其中該第一輸出電壓的該位準與該第二輸出電壓的該位準另藉由將該共享電荷泵的一目前溫度輸入至該映射表中來進行校正。
如申請專利範圍第1項所述之共享電荷泵，其中該第一階段、該第二階段與該第三階段之中的每一個階段的一長度係可調整的。
一種用來操作一共享電荷泵的方法，其中該方法利用部分設置於一整合電路上的該共享電荷泵來產生並提供一第一輸出電壓與一第二輸出電壓至一外部耦接裝置，並包含有：<br/> 將複數個開關耦接至一第一輸入電壓與一第二輸入電壓；<br/> 利用一控制邏輯來單獨地開啟與關閉該複數個開關；<br/> 於透過該控制邏輯所進入的一第一階段的期間，根據該第一輸入電壓與該第二輸入電壓來將電荷儲存於設置在該整合電路外部的一電容上；<br/> 於透過該控制邏輯所進入的一第二階段的期間，對該電容進行放電以產生該第一輸出電壓；以及<br/> 於透過該控制邏輯所進入的一第三階段的期間，對該電容進行放電以產生該第二輸出電壓；<br/> 其中該第一階段、該第二階段與該第三階段的一順序被動態地切換，並且該方法另包含有：<br/> 在該電容決定該第一輸出電壓的一位準以及該第二輸出電壓的一位準。
如申請專利範圍第14項所述之方法，其中在該電容決定該第一輸出電壓的該位準以及該第二輸出電壓的該位準的步驟包含有：<br/> 對該第一輸出電壓的該位準與一第一門檻進行比較，以產生一第一比較結果；以及<br/> 對該第二輸出電壓的該位準與一第二門檻進行比較，以產生一第二比較結果；<br/> 其中該第一門檻對應於該外部耦接裝置的一所需閘極高電壓，以及該第二門檻對應於該外部耦接裝置的一所需閘極低電壓。
如申請專利範圍第15項所述之方法，另包含有：<br/> 根據該第一輸出電壓與該第一門檻之間的一差值是大於還是小於該第二輸出電壓與該第二門檻之間的一差值來決定該第一輸出電壓與該第二輸出電壓的一優先權；<br/> 其中因應該第一輸出電壓與該第一門檻之間的該差值係大於該第二輸出電壓與該第二門檻之間的該差值，該第二輸出電壓具有該優先權；以及因應該第一輸出電壓與該第一門檻之間的該差值係小於該第二輸出電壓與該第二門檻之間的該差值，該第一輸出電壓具有該優先權。
如申請專利範圍第14項所述之方法，其中於透過該控制邏輯所進入的該第二階段的期間，對該電容進行放電以產生該第一輸出電壓的步驟另包含有：<br/> 選擇性地對該第一輸入電壓進行箝位；以及<br/> 於透過該控制邏輯所進入的該第三階段的期間，對該電容進行放電以產生該第二輸出電壓的步驟另包含有：<br/> 選擇性地對該第二輸入電壓進行箝位。
如申請專利範圍第17項所述之方法，其中選擇性地對該第一輸入電壓進行箝位的步驟包含有：<br/> 判斷該第一輸出電壓是否不足；以及<br/> 因應判斷該第一輸出電壓不足，直接地將該第一輸入電壓輸出至該電容；以及<br/> 選擇性地對該第二輸入電壓進行箝位的步驟包含有：<br/> 判斷該第二輸出電壓是否不足；以及<br/> 因應判斷該第二輸出電壓不足，直接地將該第二輸入電壓輸出至該電容。
如申請專利範圍第14項所述之方法，其中於透過該控制邏輯所進入的該第一階段的期間，根據該第一輸入電壓與該第二輸入電壓來將電荷儲存於設置在該整合電路外部的該電容上的步驟包含有 :<br/> 直接地將該第一輸入電壓與該第二輸入電壓輸出至該電容。
如申請專利範圍第16項所述之方法，其中於透過該控制邏輯所進入的該第一階段的期間，根據該第一輸入電壓與該第二輸入電壓來將電荷儲存於設置在該整合電路外部的該電容上的步驟係針對預定數量的連續時脈週期內的第一固定數量的連續時脈週期來進行。
如申請專利範圍第20項所述之方法，其中對該第一輸出電壓的該位準與該第一門檻進行比較的步驟以及對該第二輸出電壓的該位準與該第二門檻進行比較的步驟係在該第一固定數量的連續時脈週期之後進行。
如申請專利範圍第21項所述之方法，其中因應該第一輸出電壓具有該優先權，該方法另包含有：<br/> 根據該第一比較結果來判斷該第一輸出電壓的該位準是否足夠；<br/> 以及因應該第二輸出電壓具有該優先權，該方法另包含有：<br/> 根據該第二比較結果來判斷該第二輸出電壓的該位準是否足夠。
如申請專利範圍第22項所述之方法，其中因應該第一輸出電壓足夠，該方法包含有：<br/> 針對第二固定數量的連續時脈週期來進入該第二階段；以及<br/> 針對該第一固定數量的連續時脈週期來重新進入該第一階段；<br/> 以及因應該第一輸出電壓不足，該方法包含有：<br/> 針對第三固定數量的連續時脈週期來進入該第二階段，其中該第三固定數量的連續時脈週期係該第二固定數量的連續時脈週期的兩倍。
如申請專利範圍第22項所述之方法，其中因應該第二輸出電壓足夠，該方法包含有：<br/> 針對第二固定數量的連續時脈週期來進入該第三階段；以及<br/> 針對該第一固定數量的連續時脈週期來重新進入該第一階段；<br/> 以及因應該第二輸出電壓不足，該方法包含有：<br/> 針對第三固定數量的連續時脈週期來進入該第三階段，其中該第三固定數量的連續時脈週期係該第二固定數量的連續時脈週期的兩倍。
如申請專利範圍第14項所述之方法，另包含有：<br/> 產生一映射表，其中該映射表包含有該共享電荷泵的一溫度、該第一輸出電壓的該位準以及該第二輸出電壓的該位準；<br/> 以及在該電容決定該第一輸出電壓的該位準以及該第二輸出電壓的該位準的步驟包含有：<br/> 將該共享電荷泵的一目前溫度輸入至該映射表中來對該第一輸出電壓的該位準與該第二輸出電壓的該位準進行校正。
如申請專利範圍第14項所述之方法，其中該第一階段、該第二階段與該第三階段之中的每一個階段的一長度係可調整的。
一種記憶體系統，其具備： <br/>記憶體裝置，其包含構成為分別根據閾值電壓非揮發性地記憶至少包含第1值與第2值之資料之複數個記憶胞，上述第1值對應於第1電壓範圍所包含之上述閾值電壓，上述第2值對應於與上述第1電壓範圍不同之第2電壓範圍所包含之上述閾值電壓；及 <br/>記憶體控制器，其構成為 <br/>向上述複數個記憶胞中之複數個第1記憶胞各者寫入上述第1值之資料， <br/>向上述複數個記憶胞中之複數個第2記憶胞各者寫入上述第2值之資料， <br/>基於與上述複數個記憶胞各者之上述閾值電壓分佈之梯度有關之資訊決定第1電壓，上述閾值電壓分佈之梯度係：閾值電壓之變化與具有該閾值電壓之記憶胞之數量之變化的比率， <br/>執行如下之追蹤動作：以上述複數個記憶胞為對象，於包含上述第1電壓範圍之至少一部分及上述第2電壓範圍之至少一部分之第3電壓範圍內，使上述記憶體裝置執行使用複數個讀取位準之複數次讀出動作，於上述複數次讀出動作之每一次，取得上述複數個記憶胞中成為接通狀態之記憶胞即接通胞之數量；且 <br/>上述記憶體控制器進而構成為，於上述追蹤動作中， <br/>上述第3電壓範圍中低於上述第1電壓之第4電壓範圍內之上述複數個讀取位準中之相鄰2個讀取位準之間之第1電壓差、與上述第3電壓範圍中高於上述第1電壓之第5電壓範圍內之上述複數個讀取位準中之相鄰2個讀取位準之間之第2電壓差設定為互不相同。
如請求項1之記憶體系統，其中 <br/>上述記憶體控制器進而構成為， <br/>檢測出上述第4電壓範圍內之上述閾值電壓分佈之梯度較上述第5電壓範圍內之上述閾值電壓分佈之梯度陡，且 <br/>根據上述檢測，將上述第1電壓差設定得小於上述第2電壓差。
如請求項1之記憶體系統，其中 <br/>上述記憶體控制器進而構成為， <br/>於包含上述第1電壓範圍之至少一部分及上述第2電壓範圍之至少一部分之第6電壓範圍內，使上述記憶體裝置執行使用複數個讀取位準之複數次讀出動作，於上述複數次讀出動作之每一次，取得上述接通胞之數量， <br/>按分別使用上述第6電壓範圍內之上述複數個讀取位準中之相鄰2個讀取位準之2次讀出之每個組，取得上述接通胞之數量之差量，且 <br/>檢測出隨著讀取位準之上升而上述差量減少之第7電壓範圍、與隨著讀取位準之上升而上述差量增加之第8電壓範圍，並自上述第7電壓範圍與上述第8電壓範圍之間之電壓範圍決定上述第1電壓。
如請求項3之記憶體系統，其中 <br/>上述記憶體控制器進而構成為， <br/>取得複數個上述差量， <br/>取得上述複數個差量中之最小差量與此前之差量之第1差量、及上述最小之差量與此後之差量之第2差量， <br/>於上述第1差量與上述第2差量之差量即第3差量小於第1閾值之情形時，根據上述第3差量決定上述第1電壓差與上述第2電壓差。
如請求項4之記憶體系統，其中 <br/>上述記憶體控制器進而構成為， <br/>於上述第3差量為上述第1閾值以上之情形時，變更上述第3電壓範圍內之上述複數個讀取位準中之至少一個，並執行上述追蹤動作。
如請求項3之記憶體系統，其中 <br/>上述記憶體控制器進而構成為， <br/>取得複數個上述差量， <br/>計算上述複數個差量中之最小之差量與此前之差量之第1差量、及上述最小之差量與此後之差量之第2差量， <br/>取得上述第1差量與上述第2差量之比率，且 <br/>於上述比率大於第2閾值、且小於第3閾值之情形時，根據上述比率決定上述第1電壓差與上述第2電壓差。
如請求項6之記憶體系統，其中 <br/>上述記憶體控制器進而構成為， <br/>於上述比率未達上述第2閾值、或上述比率為上述第3閾值以上之情形時，變更上述第3電壓範圍內之上述複數個讀取位準中之至少一個，並執行上述追蹤動作。
如請求項1之記憶體系統，其中 <br/>上述資訊係屬於上述第1電壓範圍之電壓值、及屬於上述第2電壓範圍之電壓值。
如請求項1之記憶體系統，其中 <br/>上述資訊為上述記憶體裝置內之上述複數個記憶胞之位置、讀出次數、資料寫入後之經過時間、寫入及抹除次數中之任一個。
如請求項1之記憶體系統，其中上述記憶體裝置係快閃記憶體。
一種記憶體系統，其具備： <br/>記憶體裝置，其包含構成為分別根據閾值電壓非揮發性地記憶至少包含第1值與第2值之資料之複數個記憶胞，上述第1值對應於第1電壓範圍所包含之上述閾值電壓，上述第2值對應於與上述第1電壓範圍不同之第2電壓範圍所包含之上述閾值電壓；及 <br/>記憶體控制器，其構成為 <br/>向上述複數個記憶胞中之複數個第1記憶胞各者寫入上述第1值之資料， <br/>向上述複數個記憶胞中之複數個第2記憶胞各者寫入上述第2值之資料， <br/>執行複數次如下之追蹤動作：以上述複數個記憶胞為對象，於包含上述第1電壓範圍之至少一部分及上述第2電壓範圍之至少一部分之第3電壓範圍內，使上述記憶體裝置執行使用複數個讀取位準之複數次讀出動作，於上述複數次讀出動作之每一次，取得上述複數個記憶胞中成為接通狀態之記憶胞即接通胞之數量， <br/>在上述複數次追蹤動作中之第1追蹤動作中，推定：於上述複數次讀出動作之每一次中使用之上述讀取位準之電壓差、與於上述複數次讀出動作之每一次中取得之上述接通胞之數量之差的比即上述閾值電壓分佈之梯度， <br/>基於上述推定出之梯度決定第1電壓，且 <br/>於上述複數次追蹤動作中之上述第1追蹤動作之後執行之第2追蹤動作中，上述第3電壓範圍中低於上述第1電壓之第4電壓範圍內之上述複數個讀取位準中之相鄰2個讀取位準之間之第1電壓差、與上述第3電壓範圍中高於上述第1電壓之第5電壓範圍內之上述複數個讀取位準中之相鄰2個讀取位準之間之第2電壓差設定為互不相同。
如請求項11之記憶體系統，其中 <br/>上述記憶體控制器進而構成為， <br/>於上述第1追蹤動作中，將上述第3電壓範圍內之上述複數個讀取位準中之相鄰2個讀取位準之間之電壓差設定為彼此相等。
如請求項11之記憶體系統，其中 <br/>上述記憶體控制器進而構成為， <br/>上述第1追蹤動作之上述第3電壓範圍內之上述複數個讀取位準中之相鄰2個讀取位準之間之電壓差、與上述第2追蹤動作之上述第3電壓範圍內之上述複數個讀取位準中之相鄰2個讀取位準之間之電壓差設定為互不相同。
如請求項11之記憶體系統，其中 <br/>上述記憶體控制器進而構成為， <br/>管理複數個可用於上述第2追蹤動作之上述第1電壓差。
如請求項14之記憶體系統，其中 <br/>上述記憶體控制器進而構成為， <br/>基於讀出次數、資料寫入後之經過時間、寫入及抹除次數中之任一個，自上述複數個所管理之第1電壓差，決定用於上述第2追蹤動作之上述第1電壓差。
如請求項11之記憶體系統，其中上述記憶體裝置係快閃記憶體。
一種記憶體裝置，其具備： <br/>記憶胞，其構成為分別根據閾值電壓非揮發性地記憶至少包含第1值與第2值之資料，且上述第1值對應於第1電壓範圍所包含之上述閾值電壓，上述第2值對應於與上述第1電壓範圍不同之第2電壓範圍所包含之上述閾值電壓；及 <br/>周邊電路，其構成為 <br/>向上述複數個記憶胞中之複數個第1記憶胞各者寫入上述第1值之資料， <br/>向上述複數個記憶胞中之複數個第2記憶胞各者寫入上述第2值之資料， <br/>執行如下之尋讀：以上述複數個記憶胞為對象，於包含上述第1電壓範圍之至少一部分及上述第2電壓範圍之至少一部分之第3電壓範圍內，執行使用複數個讀取位準之複數次讀出動作，於上述複數次讀出動作之每一次，取得上述複數個記憶胞中成為接通狀態之記憶胞即接通胞之數量；且 <br/>上述周邊電路進而構成為，於上述尋讀中， <br/>上述第3電壓範圍中低於第1電壓之第4電壓範圍內之上述複數個讀取位準中之相鄰2個讀取位準之間之第1電壓差、與上述第3電壓範圍中高於上述第1電壓之第5電壓範圍內之上述複數個讀取位準中之相鄰2個讀取位準之間之第2電壓差設定為互不相同， <br/>於上述第4電壓範圍內，執行分別使用第1讀取位準及較上述第1讀取位準高出上述第1電壓差之第2讀取位準的上述讀出動作， <br/>於上述第5電壓範圍內，執行分別使用第3讀取位準及較上述第3讀取位準高出上述第2電壓差之第4讀取位準的上述讀出動作。
如請求項17之記憶體裝置，其中 <br/>上述周邊電路進而構成為， <br/>按分別使用上述第3電壓範圍內之上述複數個讀取位準中之相鄰2個讀取位準之2次讀出之每個組，取得上述接通胞之數量之差量，且 <br/>將上述取得之差量輸出至外部。
如請求項18之記憶體裝置，其中 <br/>上述周邊電路進而構成為， <br/>取得複數個上述差量，且 <br/>將與上述複數個差量中之最小之差量所對應之讀取位準有關之資訊輸出至外部。
如請求項19之記憶體裝置，其中 <br/>上述周邊電路進而構成為， <br/>使用上述複數個差量中之上述最小之差量前後之差量實施內分點計算，將上述內分點計算之結果輸出至外部。
如請求項17之記憶體裝置，其係快閃記憶體。
如請求項17之記憶體裝置，其中 <br/>上述周邊電路進而構成為： <br/>與記憶體控制器通信， <br/>自上述記憶體控制器接收上述第1電壓、上述第1電壓差及上述第2電壓差之設定，其後，接收上述尋讀之執行的指示， <br/>回應於接收到上述指示，使用於上述指示之前接收到之上述第1電壓、上述第1電壓差及上述第2電壓差之上述設定，執行上述尋讀。
一種記憶體系統，其具備： <br/>如請求項17所記載之記憶體裝置；及 <br/>記憶體控制器，其構成為向上述記憶體裝置請求：變更上述尋讀之參數之設定、及執行上述尋讀。
如請求項23之記憶體系統，其中 <br/>上述周邊電路進而構成為， <br/>向上述記憶體控制器輸出上述尋讀之結果；且 <br/>上述記憶體控制器進而構成為， <br/>基於上述尋讀之結果算出第1讀出電壓， <br/>指示上述記憶體裝置進行使用上述第1讀出電壓之讀出動作， <br/>執行藉由上述第1讀出動作讀出之資料之錯誤校正， <br/>於上述錯誤校正失敗之情形時，再次請求上述記憶體裝置執行變更上述第1電壓差及上述第2電壓差中之至少一者後之上述尋讀。
一種半導體記憶裝置，其包含： <br/>第1配線，其係沿包含第1軸及與上述第1軸相交之第2軸之第1平面擴展者，上述第1軸於第1方向延伸； <br/>第2配線，其沿上述第1平面擴展，設置於較上述第1配線靠上述第1方向； <br/>第3配線，其沿上述第1平面擴展，設置於較上述第2配線靠上述第1方向； <br/>第1導電體，其沿上述第1平面擴展，設置於較上述第2配線靠上述第1方向； <br/>第1絕緣體，其沿上述第1平面包圍上述第3配線，具有位於上述第3配線與上述第2配線之間之部分； <br/>第1半導體，其與上述第3配線一起夾著上述第1絕緣體； <br/>第2絕緣體，其位於上述第2配線與上述第1半導體之間； <br/>第3絕緣體，其沿上述第1平面包圍上述第1導電體； <br/>第2導電體，其與上述第1半導體相接； <br/>第2半導體，其與上述第1導電體一起夾著上述第3絕緣體，與上述第2導電體相接； <br/>第4絕緣體，其沿上述第1平面遍及上述第2配線上、上述第1半導體上、及上述第2半導體上； <br/>第3半導體，其包含與上述第1配線相接、與上述第2配線一起夾著上述第4絕緣體之部分、及與上述第1半導體一起夾著上述第4絕緣體之部分； <br/>第4半導體，其與上述第3半導體相接，與上述第2半導體一起夾著上述第4絕緣體；及 <br/>第3導電體，其與上述第4半導體相接。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中 <br/>上述第4絕緣體覆蓋上述第2配線之面向上述第1配線之部分。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中 <br/>上述第1絕緣體覆蓋上述第3配線之面向上述第2配線之部分。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中 <br/>上述第2絕緣體覆蓋上述第2配線之面向上述第1半導體之部分。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中 <br/>上述第1絕緣體覆蓋上述第3配線之面向上述第1導電體之部分。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中 <br/>上述第3絕緣體覆蓋上述第1導電體之面向上述第3配線之部分。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中 <br/>上述第3絕緣體覆蓋上述第1導電體之面向上述第3導電體之部分。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中 <br/>上述第2配線包含沿上述第1軸與上述第3配線排列之部分。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中 <br/>上述第1配線包含沿上述第1軸與上述第2配線排列之部分。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中 <br/>上述第2配線、上述第3配線、及上述第1導電體係沿上述第1平面彎曲。
如請求項10之半導體記憶裝置，其中 <br/>上述第3半導體包含沿上述第2配線彎曲之部分、沿上述第3配線彎曲之部分、及沿上述第1導電體彎曲之部分。
如請求項10之半導體記憶裝置，其中 <br/>上述第1半導體沿上述第3配線彎曲。
如請求項10之半導體記憶裝置，其中 <br/>上述第2半導體包含沿上述第1導電體彎曲之部分。
如請求項10之半導體記憶裝置，其中 <br/>上述第4半導體沿上述第1導電體彎曲。
如請求項1之半導體記憶裝置，其進而包含： <br/>沿上述第1平面包圍上述第1配線、上述第3半導體、上述第4半導體、及上述第3導電體之第5絕緣體。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中 <br/>上述第3半導體與上述第4半導體相接之面，沿上述第1軸與上述第1導電體排列。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中 <br/>上述第3半導體與上述第4半導體相接之面，沿上述第1軸與上述第3配線排列。
如請求項1之半導體記憶裝置，其進而包含： <br/>沿上述第1平面遍及上述第1配線上之區域、上述第3半導體上之區域、上述第4半導體上之區域、及上述第3導電體上之區域延伸之第6絕緣體。
如請求項18之半導體記憶裝置，其進而包含： <br/>沿上述第1平面包圍上述第6絕緣體之第4導電體。
一種顯示裝置，包括：<br/> 一顯示機體，包括一背板及一固定部，該固定部凸出於該背板而形成一卡槽；以及<br/> 一背蓋，包括一蓋體及一彈性卡勾，該彈性卡勾包括一第一勾部及一第二勾部，該第一勾部的兩端分別連接該蓋體及該第二勾部，該第二勾部相對於該蓋體的一表面傾斜一第一夾角，該第一夾角大於0度且小於等於45度，其中<br/> 當該背蓋組裝於該顯示機體，該蓋體覆蓋該固定部，且該第二勾部藉由彈性力勾合於該固定部並延伸至該卡槽中。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該卡槽的一開口方向平行於該背板的一表面。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該彈性卡勾還包括一第三勾部，該第三勾部的一端連接於該第二勾部，該第三勾部的另一端相對於該第二勾部遠離於該第一勾部。
如請求項3所述的顯示裝置，其中該第二勾部的延伸方向與該第三勾部的延伸方向之間具有一第二夾角，該第二夾角為銳角，且該第二夾角與該第一夾角的差值大於0度且小於45度。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該固定部包括一固定片及一導引斜面，該固定片連接於該背板且與該背板形成該卡槽，該導引斜面連接於該固定片且沿遠離於該背板的方向延伸。
如請求項5所述的顯示裝置，其中該導引斜面與該固定片之間具有一第三夾角，該第三夾角大於90度且小於135度。
一種記憶體控制方法，用於可複寫式非揮發性記憶體模組，其中該可複寫式非揮發性記憶體模組包括多個實體單元，該記憶體控制方法包括： <br/> 判斷該可複寫式非揮發性記憶體模組的一負載程度； <br/> 判斷該可複寫式非揮發性記憶體模組的該負載程度為一輕負載或是一重負載； <br/> 根據該負載程度決定多個暫停指令之間的一暫停間隔，若該負載程度為該輕負載則減少該暫停間隔，若該負載程度為該重負載則增加該暫停間隔；以及 <br/> 根據該暫停間隔對該可複寫式非揮發性記憶體模組依序下達該些暫停指令，該些暫停指令用以使該可複寫式非揮發性記憶體模組暫停目前執行的一操作以執行一讀取操作，其中從該讀取操作結束到接收該些暫停指令的下一者之間的一時間間隔大於等於該暫停間隔。
如請求項1所述的記憶體控制方法，其中該操作為一抹除操作，該暫停間隔為一抹除暫停間隔，判斷該可複寫式非揮發性記憶體模組的該負載程度為該輕負載或是該重負載的步驟包括： <br/> 接收來自主機系統的一寫入指令，並將該寫入指令儲存在一緩衝記憶體； <br/> 當該緩衝記憶體的一空閒記憶體空間大於等於一第一緩衝臨界值，判斷該負載程度為該輕負載；以及 <br/> 當該緩衝記憶體的該空閒記憶體空間小於等於一第二緩衝臨界值，判斷該負載程度為該重負載，其中該第二緩衝臨界值小於該第一緩衝臨界值。
如請求項2所述的記憶體控制方法，還包括： <br/> 當該緩衝記憶體的該空閒記憶體空間小於該第一緩衝臨界值並大於該第二緩衝臨界值，維持該暫停間隔不變。
如請求項1所述的記憶體控制方法，其中該操作為一寫入操作，該暫停間隔為一寫入暫停間隔，判斷該可複寫式非揮發性記憶體模組的該負載程度為該輕負載或是該重負載的步驟包括： <br/>接收來自於一主機系統的一指令，將該指令加入至一指令佇列當中； <br/>若該指令佇列的一佔有率大於一第一佇列臨界值，判斷該負載程度為該重負載；以及 <br/>若該指令佇列的該佔有率小於一第二佇列臨界值，判斷該負載程度為該輕負載。
如請求項1所述的記憶體控制方法，其中該操作為一寫入操作，該暫停間隔為一寫入暫停間隔，判斷該可複寫式非揮發性記憶體模組的該負載程度為該輕負載或是該重負載的步驟包括： <br/> 計算一主機系統的一寫入速度； <br/> 若該寫入速度小於一第一寫入臨界值，判斷該負載程度為該輕負載；以及 <br/> 若該寫入速度大於一第二寫入臨界值，判斷該負載程度為該重負載。
如請求項1所述的記憶體控制方法，其中當該可複寫式非揮發性記憶體模組從該些暫停指令的其中之一回復至該操作時，該可複寫式非揮發性記憶體模組先經過一暖機時間才執行該操作，該記憶體控制方法還包括： <br/> 反應於一主機系統下達的多個讀取指令的個數大於多個寫入指令的個數，設定該暫停間隔小於該暖機時間。
一種記憶體儲存裝置，包括： <br/>連接介面單元，用以耦接至主機系統； <br/>可複寫式非揮發性記憶體模組，其中該可複寫式非揮發性記憶體模組包括多個實體單元；以及 <br/>記憶體控制電路單元，耦接至該連接介面單元與該可複寫式非揮發性記憶體模組， <br/>其中該記憶體控制電路單元用以執行多個步驟： <br/>判斷該可複寫式非揮發性記憶體模組的一負載程度； <br/>判斷該可複寫式非揮發性記憶體模組的該負載程度為一輕負載或是一重負載； <br/> 根據該負載程度決定多個暫停指令之間的一暫停間隔，若該負載程度為該輕負載則減少該暫停間隔，若該負載程度為該重負載則增加該暫停間隔；以及 <br/> 根據該暫停間隔對該可複寫式非揮發性記憶體模組依序下達該些暫停指令，該些暫停指令用以使該可複寫式非揮發性記憶體模組暫停目前執行的一操作以執行一讀取操作，其中從該讀取操作結束到接收該些暫停指令的下一者之間的一時間間隔大於等於該暫停間隔。
如請求項7所述的記憶體儲存裝置，其中該操作為一抹除操作，該暫停間隔為一抹除暫停間隔，判斷該可複寫式非揮發性記憶體模組的該負載程度為該輕負載或是該重負載的步驟包括： <br/> 接收來自該主機系統的一寫入指令，並將該寫入指令儲存在一緩衝記憶體； <br/> 當該緩衝記憶體的一空閒記憶體空間大於等於一第一緩衝臨界值，判斷該負載程度為該輕負載；以及 <br/> 當該緩衝記憶體的該空閒記憶體空間小於等於一第二緩衝臨界值，判斷該負載程度為該重負載，其中該第二緩衝臨界值小於該第一緩衝臨界值。
如請求項8所述的記憶體儲存裝置，其中該些步驟還包括： <br/> 當該緩衝記憶體的該空閒記憶體空間小於該第一緩衝臨界值並大於該第二緩衝臨界值，維持該暫停間隔不變。
如請求項7所述的記憶體儲存裝置，其中該操作為一寫入操作，該暫停間隔為一寫入暫停間隔，判斷該可複寫式非揮發性記憶體模組的該負載程度為該輕負載或是該重負載的步驟包括： <br/>接收來自於該主機系統的一指令，將該指令加入至一指令佇列當中； <br/>若該指令佇列的一佔有率大於一第一佇列臨界值，判斷該負載程度為該重負載；以及 <br/>若該指令佇列的該佔有率小於一第二佇列臨界值，判斷該負載程度為該輕負載。
如請求項7所述的記憶體儲存裝置，其中該操作為一寫入操作，該暫停間隔為一寫入暫停間隔，判斷該可複寫式非揮發性記憶體模組的該負載程度為該輕負載或是該重負載的步驟包括： <br/> 計算該主機系統的一寫入速度； <br/> 若該寫入速度小於一第一寫入臨界值，判斷該負載程度為該輕負載；以及 <br/> 若該寫入速度大於一第二寫入臨界值，判斷該負載程度為該重負載。
如請求項7所述的記憶體儲存裝置，其中當該可複寫式非揮發性記憶體模組從該些暫停指令的其中之一回復至該操作時，該可複寫式非揮發性記憶體模組先經過一暖機時間才執行該操作，該些步驟還包括： <br/>反應於該主機系統下達的多個讀取指令的個數大於多個寫入指令的個數，設定該暫停間隔小於該暖機時間。
一種記憶體控制電路單元，用以控制可複寫式非揮發性記憶體模組，其中該可複寫式非揮發性記憶體模組包括多個實體單元，且該記憶體控制電路單元包括： <br/>主機介面，用以耦接至主機系統； <br/>記憶體介面，用以耦接至該可複寫式非揮發性記憶體模組； <br/>記憶體管理電路，耦接至該主機介面及該記憶體介面， <br/> 其中該記憶體管理電路用以執行多個步驟： <br/>判斷該可複寫式非揮發性記憶體模組的一負載程度； <br/>判斷該可複寫式非揮發性記憶體模組的該負載程度為一輕負載或是一重負載； <br/> 根據該負載程度決定多個暫停指令之間的一暫停間隔，若該負載程度為該輕負載則減少該暫停間隔，若該負載程度為該重負載則增加該暫停間隔；以及 <br/> 根據該暫停間隔對該可複寫式非揮發性記憶體模組依序下達該些暫停指令，該些暫停指令用以使該可複寫式非揮發性記憶體模組暫停目前執行的一操作以執行一讀取操作，其中從該讀取操作結束到接收該些暫停指令的下一者之間的一時間間隔大於等於該暫停間隔。
如請求項13所述的記憶體控制電路單元，其中該操作為一抹除操作，該暫停間隔為一抹除暫停間隔，判斷該可複寫式非揮發性記憶體模組的該負載程度為該輕負載或是該重負載的步驟包括： <br/> 接收來自該主機系統的一寫入指令，並將該寫入指令儲存在一緩衝記憶體； <br/> 當該緩衝記憶體的一空閒記憶體空間大於等於一第一緩衝臨界值，判斷該負載程度為該輕負載；以及 <br/> 當該緩衝記憶體的該空閒記憶體空間小於等於一第二緩衝臨界值，判斷該負載程度為該重負載，其中該第二緩衝臨界值小於該第一緩衝臨界值。
如請求項14所述的記憶體控制電路單元，其中該些步驟還包括： <br/> 當該緩衝記憶體的該空閒記憶體空間小於該第一緩衝臨界值並大於該第二緩衝臨界值，維持該暫停間隔不變。
如請求項13所述的記憶體控制電路單元，其中該操作為一寫入操作，該暫停間隔為一寫入暫停間隔，判斷該可複寫式非揮發性記憶體模組的該負載程度為該輕負載或是該重負載的步驟包括： <br/>接收來自於該主機系統的一指令，將該指令序列加入至一指令佇列當中； <br/>若該指令佇列的一佔有率大於一第一佇列臨界值，判斷該負載程度為該重負載；以及 <br/>若該指令佇列的該佔有率小於一第二佇列臨界值，判斷該負載程度為該輕負載。
如請求項13所述的記憶體控制電路單元，其中該操作為一寫入操作，該暫停間隔為一寫入暫停間隔，判斷該可複寫式非揮發性記憶體模組的該負載程度為該輕負載或是該重負載的步驟包括： <br/> 計算該主機系統的一寫入速度； <br/> 若該寫入速度小於一第一寫入臨界值，判斷該負載程度為該輕負載；以及 <br/> 若該寫入速度大於一第二寫入臨界值，判斷該負載程度為該重負載。
如請求項13所述的記憶體控制電路單元，其中當該可複寫式非揮發性記憶體模組從該些暫停指令的其中之一回復至該操作時，該可複寫式非揮發性記憶體模組先經過一暖機時間才執行該操作，該些步驟還包括： <br/> 反應於該主機系統下達的多個讀取指令的個數大於多個寫入指令的個數，設定該暫停間隔小於該暖機時間。
一種形成半導體晶粒封裝的方法，包括：<br/> 在半導體晶粒的半導體層的第一側上形成淺溝槽隔離（STI）區，<br/> 在所述STI區上形成內連線層；<br/> 在所述半導體層的與所述第一側垂直相對的第二側上形成硬罩幕層，使得所述硬罩幕層與所述半導體層的所述第二側直接實體接觸；<br/> 使用所述硬罩幕層中的圖案形成凹槽，所述凹槽從所述半導體層的所述第二側延伸穿過所述半導體層且暴露所述STI區；<br/> 在所述凹槽的側壁及所述STI區上形成一個或多個襯墊，其中所述一個或多個襯墊與所述STI區接觸；<br/> 在所述凹槽中進行蝕刻操作，以使所述凹槽穿過所述STI區並進入所述內連線層；以及<br/> 在所述凹槽中形成延伸導電結構，使得所述延伸導電結構延伸穿過所述半導體層並進入所述內連線層。
如請求項1所述的方法，<br/> 其中所述一個或多個襯墊也形成在所述硬罩幕層的頂表面上，以及<br/> 其中形成所述延伸導電結構包括：<br/> 形成所述延伸導電結構，使得所述一個或多個襯墊位在所述半導體層和所述延伸導電結構之間，且所述延伸導電結構與所述STI區及所述一個或多個襯墊接觸。
如請求項1所述的方法，其中形成所述硬罩幕層包括：<br/> 形成所述硬罩幕層至包括在約3000埃至約5000埃的範圍內的厚度。
如請求項1所述的方法，其中所述硬罩幕層包括低介電常數（低k）介電材料。
如請求項1所述的方法，更包括：<br/> 在所述半導體層的所述第二側上進行晶圓研磨操作，以減少所述半導體層的厚度，<br/> 其中形成所述硬罩幕層包括：<br/> 在進行所述晶圓研磨操作之後，在所述半導體層的所述第二側上形成所述硬罩幕層。
一種形成半導體晶粒封裝的方法，包括：<br/> 在半導體晶粒的基底的第一半導體層中形成一個或多個積體電路裝置及淺溝槽隔離（STI）區；<br/> 在形成所述一個或多個積體電路裝置及所述STI區後，在所述第一半導體層的所述STI區上形成內連線層；<br/> 在基底的與所述第一半導體層垂直相對的第二半導體層上形成硬罩幕層，使得所述硬罩幕層與所述第二半導體層直接實體接觸，而在所述硬罩幕層和所述第二半導體層之間沒有插入鈍化層；<br/> 使用所述硬罩幕層中的圖案形成凹槽，所述凹槽延伸穿過所述硬罩幕層、穿過所述基底且暴露所述STI區；<br/> 在所述凹槽的側壁及所述STI區上形成襯墊，其中所述襯墊與所述STI區接觸；<br/> 在所述凹槽中進行蝕刻操作，以使所述凹槽穿過所述STI區並進入所述內連線層；以及<br/> 在所述凹槽中形成延伸導電結構，使得所述延伸導電結構延伸穿過所述基底並進入所述內連線層。
如請求項6所述的方法，其中所述一個或多個積體電路裝置包括一個或多個電晶體結構；以及<br/> 其中所述基底包括絕緣體上矽（SOI）基底，其包括位在所述第一半導體層和所述第二半導體層之間的埋入式氧化物層。
如請求項6所述的方法，其中所述硬罩幕層包括以下至少一者：<br/> 含有低介電常數（低k）氧化物的介電材料，<br/> 含有高密度電漿（HDP）氧化物的介電材料，<br/> 高壓未摻雜矽酸鹽玻璃（HS-USG）材料，或<br/> 含有高壓HDP（HS-HDP）氧化物的介電材料。
一種半導體晶粒封裝，包括：<br/> 第一半導體晶粒，包括：<br/> 第一基底；<br/> 一個或多個第一積體電路裝置，位在所述第一基底中；<br/> 第一內連線層，垂直鄰近於所述第一基底；以及<br/> 第二半導體晶粒，包括：<br/> 第二基底；<br/> 一個或多個第二積體電路裝置，位在所述第二基底中；<br/> 淺溝槽隔離（STI）區，位在所述第二基底的前側上；<br/> 第二內連線層，垂直鄰近於所述第二基底的所述前側，且位在所述STI區上，<br/> 其中所述第一半導體晶粒和所述第二半導體晶粒在所述第一內連線層和所述第二內連線層之間的接合接面處接合；<br/> 第三內連線層，垂直鄰近於所述第二基底的背側；<br/> 硬罩幕層，位在所述第三內連線層與所述第二基底的所述背側之間，<br/> 其中所述硬罩幕層與所述第二基底的所述背側直接實體接觸，且<br/> 其中所述硬罩幕層包含低介電常數（低k）介電材料；<br/> 延伸導電結構，延伸穿過在所述前側和所述背側之間的所述第二基底；<br/> 襯墊，位在所述延伸導電結構的側壁及所述STI區上，其中所述襯墊與所述STI區接觸，<br/> 其中所述硬罩幕層的頂表面與所述延伸導電結構的頂表面大致上共平面。
如請求項9所述的半導體晶粒封裝，其中所述延伸導電結構在所述延伸導電結構中的第一端處與所述第二內連線層中的第一導電結構電性耦合；以及<br/> 其中所述延伸導電結構在所述延伸導電結構中的第二端處與所述第三內連線層中的第二導電結構電性耦合。
一種巨量金融事件整合系統，係運作於一伺服器或一伺服器叢集內，與一外部資訊端通訊連接，用以提供一法人關係圖予以一用戶端，包含：<br/>一資料蒐集模組，與該外部資訊端通訊連接，用以蒐集複數個財務金融資訊；<br/>一資料處理模組，與該資料蒐集模組通訊連接，用以資料清洗該些財務金融資訊，以產生複數個清洗後財務金融資訊，其中各該些清洗後財務金融資訊包含一非結構化資料；<br/>一自然語言處理模組，與該資料處理模組通訊連接，用以將該非結構化資料轉換成一結構化資料；<br/>一資料轉換模組，與該資料處理模組及該自然語言處理模組通訊連接，用以依據該結構化資料產生複數個節點及複數個邊緣，其中各該些節點代表一實體標籤(entity label)，各該些邊緣表示各該些實體標籤之間的一關係，其中該資料轉換模組更用以接收來自該些清洗後財務金融資訊內含之一原有結構化資料，並依據該原有結構化資料產生複數個節點及複數個邊緣；以及<br/>一視覺化產生模組，與該資料轉換模組通訊連接，用以提供一圖形化使用者介面，其中該圖形化使用者介面基於該些節點及該些邊緣產出該法人關係圖至該用戶端。
如請求項1所述之巨量金融事件整合系統，更包含一自動排程模組，與該資料蒐集模組、該資料處理模組以及該自然語言處理模組通訊連接，用以定時傳送一執行指令給予該資料蒐集模組、該資料處理模組以及該自然語言處理模組，藉以產生一更新的該結構化資料。
如請求項2所述之巨量金融事件整合系統，其中該資料轉換模組基於該更新的該結構化資料產生一更新的該複數個節點及該複數個邊緣；且該圖形化使用者介面基於該更新的該複數個節點及該複數個邊緣產出一更新法人關係圖。
如請求項1所述之巨量金融事件整合系統，其中各該些財務金融資訊包含財務金融新聞、法人關係資料、財務報表、法人說明會文件、股市交易資訊、法人買賣資訊以及其組合。
如請求項1所述之巨量金融事件整合系統，其中，該自然語言處理模組包含：<br/>一實體識別(Named Entity Recognition，NER)模型，用以對該非結構化資料進行一字詞實體的識別；<br/>一關係抽取模型，用以從該非結構化資料抽取經識別後該字詞實體的關聯性；<br/>一情緒分類模型，用以對該非結構化資料進行一情緒分類，其中該情緒分類模型係將該結構化資料，依據正面、負面或中性表達情緒進行分類；<br/>一前瞻性分類模型，用對該非結構化資料進行一前瞻性分類，其中該前瞻性分類模型係將該結構化資料，依據高度前瞻性、中度前瞻性或不具前瞻性進行分類；<br/>一事件分類模型，用以對該非結構化資料中的一事件，並依據一法人說明會<br/>、一公司事件、一經濟事件或一央行利率變動事件進行分類；<br/>一摘要生成模型，用以依據該非結構化資料生成一文本摘要；以及<br/>一標籤貼標模型，用以對該文本摘要貼一標籤，從而產生具有一文本特徵的該結構化資料。
如請求項1所述之巨量金融事件整合系統，其中該資料轉換模組包含一分散式搜尋引擎(distributed search engine)以及一圖形資料庫(Graph Database)。
如請求項1所述之巨量金融事件整合系統，其中，該實體標籤包含企業、組織、國家/城市、自然人、上市公司、上櫃公司、產業別、產品、審計機構、概念股以及事件相關詞。
如請求項1所述之巨量金融事件整合系統，其中，該關係包含下訂單、供應、合作、任職、增資、審計、屬於、投資、持股、換入、換出、擁有、減資、發生、競爭、買入以及賣出。
如請求項1所述之巨量金融事件整合系統，更包含一格式轉換模組，與該資料處理模組、該自然語言處理模組以及該資料轉換模組通訊連接，用以將該結構化資料及該原有結構化資料統整為一單一格式。
如請求項1所述之巨量金融事件整合系統，其中該資料轉換模組更包含一儲存單元，用以儲存各該些節點及各該些邊緣。
如請求項1所述之巨量金融事件整合系統，其中該法人關係圖係由複數個圓及複數個線段組成。
一種終端裝置，其包含：<br/> 至少一個處理器；及<br/> 至少一個記憶體，其儲存指令，該等指令在由該至少一個處理器執行時使得該終端裝置至少進行以下操作：<br/> 自一網路裝置接收一量測組配及執行條件集合，該量測組配及執行條件集合與多個候選胞元之選擇性啟動相關聯；<br/> 儲存該量測組配及執行條件集合；以及<br/> 基於所儲存之該量測組配及執行條件集合來執行該等多個候選胞元當中之胞元變更；<br/> 回應於以下中之至少一者而自該網路裝置接收關於該量測組配及執行條件集合之一更新：<br/> 將一另外候選胞元添加至該等多個候選胞元，<br/> 釋放或移除該等多個候選胞元中之一候選胞元，或<br/> 用一另外候選胞元替換該等多個候選胞元中之一候選胞元；以及<br/> 基於所接收之該更新來更新所儲存之該量測組配及執行條件集合。
如請求項1之終端裝置，其中該量測組配及執行條件集合包含用於該等多個候選胞元之各別量測組配及各別執行條件清單。
如請求項1之終端裝置，其中該量測組配及執行條件集合包含用於該等多個候選胞元之一共同量測組配及各別執行條件清單。
如請求項1至3中任一項之終端裝置，其中該至少一個記憶體及該至少一個處理器使得該終端裝置進行以下操作：<br/> 在自一源胞元交遞至該等多個候選胞元中之一候選胞元之前，自該網路裝置接收該量測組配及執行條件集合。
如請求項1至3中任一項之終端裝置，其中該至少一個記憶體及該至少一個處理器使得該終端裝置進行以下操作：<br/> 自該網路裝置接收用於自一源胞元交遞至該等多個候選胞元當中的一或多個目標胞元的一或多個準備組配，<br/> 其中該量測組配及執行條件集合係在該一或多個準備組配之外自該網路裝置接收。
一種網路裝置，其包含：<br/> 至少一個處理器；及<br/> 至少一個記憶體，其儲存指令，該等指令在由該至少一個處理器執行時使得該網路裝置至少進行以下操作：<br/> 產生一量測組配及執行條件集合，該量測組配及執行條件集合與一終端裝置之多個候選胞元之選擇性啟動相關聯；<br/> 將該量測組配及執行條件集合傳輸至該終端裝置；以及<br/> 回應於以下中之至少一者而將關於該量測組配及執行條件集合之一更新傳輸至該終端裝置：<br/> 將一另外候選胞元添加至該等多個候選胞元，<br/> 釋放或移除該等多個候選胞元中之一候選胞元，或<br/> 用一另外候選胞元替換該等多個候選胞元中之一候選胞元。
如請求項6之網路裝置，其中該至少一個記憶體及該至少一個處理器使得該網路裝置進行以下操作：<br/> 自一或多個另外網路裝置收集與該一或多個另外網路裝置之各別候選胞元之該選擇性啟動相關聯的量測組配及執行條件；以及<br/> 基於該等所收集之量測組配及執行條件來產生該量測組配及執行條件集合。
如請求項7之網路裝置，其中該網路裝置包含一主控節點，且該一或多個其他網路裝置包含一輔助節點或一另外主控節點。
如請求項6至8中任一項之網路裝置，其中該至少一個記憶體及該至少一個處理器使得該網路裝置進行以下操作：<br/> 每候選胞元產生該量測組配及執行條件集合。
如請求項9之網路裝置，其中該量測組配及執行條件集合包含用於該等多個候選胞元之各別量測組配及各別執行條件清單。
如請求項9之網路裝置，其中該量測組配及執行條件集合包含用於該等多個候選胞元之一共同量測組配及各別執行條件清單。
如請求項9之網路裝置，其中該至少一個記憶體及該至少一個處理器使得該網路裝置進行以下操作：<br/> 在自一源胞元交遞至該等多個候選胞元中之一候選胞元之前，將該量測組配及執行條件集合傳輸至該終端裝置；以及<br/> 回應於存取該等多個候選胞元中之一候選胞元而向該終端裝置傳輸用於該候選胞元之該執行條件清單。
如請求項6至8中任一項之網路裝置，其中該至少一個記憶體及該至少一個處理器使得該網路裝置進行以下操作：<br/> 向該終端裝置傳輸用於自一源胞元交遞至該等多個候選胞元當中的一或多個目標胞元的一或多個準備組配，<br/> 其中該量測組配及執行條件集合係在該一或多個準備組配之外傳輸至該終端裝置。
一種用於條件性胞元變更之方法，該方法包含：<br/> 自一網路裝置接收一量測組配及執行條件集合，該量測組配及執行條件集合與多個候選胞元之選擇性啟動相關聯；<br/> 儲存該量測組配及執行條件集合；<br/> 基於所儲存之該量測組配及執行條件集合來執行該等多個候選胞元當中之胞元變更；<br/> 回應於以下中之至少一者而自該網路裝置接收關於該量測組配及執行條件集合之一更新：<br/> 將一另外候選胞元添加至該等多個候選胞元，<br/> 釋放或移除該等多個候選胞元中之一候選胞元，或<br/> 用一另外候選胞元替換該等多個候選胞元中之一候選胞元；以及<br/> 基於所接收之該更新來更新所儲存之該量測組配及執行條件集合。
一種用於條件性胞元變更之方法，該方法包含：<br/> 產生一量測組配及執行條件集合，該量測組配及執行條件集合與一終端裝置之多個候選胞元之選擇性啟動相關聯； <br/> 將該量測組配及執行條件集合傳輸至該終端裝置；以及<br/> 回應於以下中之至少一者而將關於該量測組配及執行條件集合之一更新傳輸至該終端裝置：<br/> 將一另外候選胞元添加至該等多個候選胞元，<br/> 釋放或移除該等多個候選胞元中之一候選胞元，或<br/> 用一另外候選胞元替換該等多個候選胞元中之一候選胞元。
一種用於條件性胞元變更之第一設備，該第一設備包含：<br/> 用於自一網路裝置接收一量測組配及執行條件集合的構件，該量測組配及執行條件集合與多個候選胞元之選擇性啟動相關聯；<br/> 用於儲存該量測組配及執行條件集合的構件；<br/> 用於基於所儲存之該量測組配及執行條件集合來執行該等多個候選胞元當中之胞元變更的構件；<br/> 用於回應於以下中之至少一者而自該網路裝置接收關於該量測組配及執行條件集合之一更新的構件：<br/> 將一另外候選胞元添加至該等多個候選胞元，<br/> 釋放或移除該等多個候選胞元中之一候選胞元，或<br/> 用一另外候選胞元替換該等多個候選胞元中之一候選胞元；以及<br/> 用於基於所接收之該更新來更新所儲存之該量測組配及執行條件集合的構件。
一種用於條件性胞元變更之第二設備，該第二設備包含：<br/> 用於產生一量測組配及執行條件集合的構件，該量測組配及執行條件集合與一終端裝置之多個候選胞元之選擇性啟動相關聯；<br/> 用於將該量測組配及執行條件集合傳輸至該終端裝置的構件；以及<br/> 用於回應於以下中之至少一者而將關於該量測組配及執行條件集合之一更新傳輸至該終端裝置：<br/> 將一另外候選胞元添加至該等多個候選胞元，<br/> 釋放或移除該等多個候選胞元中之一候選胞元，或<br/> 用一另外候選胞元替換該等多個候選胞元中之一候選胞元。
一種電腦可讀媒體，其包含儲存於其上之指令，該等指令用於使得一設備至少執行如請求項14之方法或如請求項15之方法。
一種半導體處理方法，包括以下步驟：<br/> 向一半導體處理腔室的一處理區域提供一含氧前驅物及一含硫前驅物，其中一基板容納在該處理區域中，且其中一含碳材料層安置在該基板上；<br/> 形成該含氧前驅物及該含硫前驅物的電漿流出物；及<br/> 使該基板與該含氧前驅物及該含硫前驅物的該等電漿流出物接觸，其中該接觸在該含碳材料層中蝕刻一特徵，且其中一腔室操作溫度保持在低於或約0℃。
如請求項1所述的半導體處理方法，其中該含氧前驅物包括雙原子氧(O<sub>2</sub>)。
如請求項1所述的半導體處理方法，其中該含硫前驅物包括硫化羰(COS)或二氧化硫(SO<sub>2</sub>)。
如請求項1所述的半導體處理方法，其中該含硫前驅物相對於該含氧前驅物的一流動速率比率可為小於或約0.5:1。
如請求項1所述的半導體處理方法，其中在小於或約2,000瓦的一電漿功率下形成該含氧前驅物及該含硫前驅物的該等電漿流出物。
如請求項1所述的半導體處理方法，進一步包括以下步驟：<br/> 在使該基板與該含氧前驅物及該含硫前驅物的該等電漿流出物接觸的同時施加一偏壓功率。
如請求項6所述的半導體處理方法，其中該偏壓功率為小於或約500瓦。
如請求項1所述的半導體處理方法，進一步包括以下步驟：<br/> 在該特徵的側壁上形成一含硫鈍化層。
如請求項1所述的半導體處理方法，其中該含碳材料層中的該特徵可表徵為小於或約20奈米的一臨界尺寸。
如請求項1所述的半導體處理方法，其中一半導體處理腔室操作溫度為小於或約-40℃。
如請求項1所述的半導體處理方法，其中一半導體處理腔室操作壓力為小於或約20毫托。
一種半導體處理方法，包括以下步驟：<br/> 向一半導體處理腔室的一處理區域提供一含氧前驅物及一含硫前驅物，其中一基板容納在該處理區域中，其中一含碳材料層安置在該基板上，其中一圖案化的遮罩材料層安置在該含碳材料層上，及其中該含硫前驅物相對於該含氧前驅物的一流動速率比率為小於或約0.5:1；<br/> 形成該含氧前驅物及該含硫前驅物的電漿流出物；及<br/> 使該基板與該含氧前驅物及該含硫前驅物的該等電漿流出物接觸，其中該接觸在該含碳材料層中蝕刻一特徵，<br/> 其中一半導體處理腔室操作溫度保持在低於或約0℃。
如請求項12所述的半導體處理方法，進一步包括以下步驟：<br/> 在該特徵的側壁上形成一含硫鈍化層。
如請求項12所述的半導體處理方法，其中在小於或約1,500瓦的一電漿功率下產生該含氧前驅物及該含硫前驅物的該等電漿流出物。
如請求項12所述的半導體處理方法，其中該含碳材料層中的該特徵可表徵為小於或約15奈米的一臨界尺寸。
如請求項12所述的半導體處理方法，其中該半導體處理腔室操作溫度在約-100℃與約0℃之間。
一種半導體處理方法，包括以下步驟：<br/> 向一半導體處理腔室的一處理區域提供一含氧前驅物及一含硫前驅物，其中一基板容納在該處理區域中，其中一含碳材料層安置在該基板上，其中一圖案化的遮罩材料層安置在該含碳材料層上，及其中該含硫前驅物相對於該含氧前驅物的一流動速率比率為小於或約0.5:1；<br/> 在小於或約1,500瓦的一電漿功率下形成該含氧前驅物及該含硫前驅物的電漿流出物；及<br/> 使該基板與該含氧前驅物及該含硫前驅物的該等電漿流出物接觸，其中該接觸在該含碳材料層中蝕刻一特徵，其中該含碳材料層中的該特徵表徵為小於或約20奈米的一臨界尺寸，<br/> 其中一半導體處理腔室操作溫度保持在低於或約0℃。
如請求項17所述的半導體處理方法，其中該含氧前驅物包括雙原子氧(O<sub>2</sub>)，且該含硫前驅物包括硫化羰(COS)或二氧化硫(SO<sub>2</sub>)。
如請求項17所述的半導體處理方法，其中該半導體處理腔室操作溫度為小於或約-20℃。
如請求項17所述的半導體處理方法，進一步包括以下步驟：<br/> 在使該基板與該含氧前驅物及該含硫前驅物的該等電漿流出物接觸的同時施加一偏壓功率，其中該偏壓功率為小於或約500瓦。
一種電子裝置，包括：<br/> 一第一結構，包括一第一殼體；<br/> 一第二結構，可拆卸地連接該第一結構，且包括一第一卡合部；以及<br/> 一固定組件，配置於該第一結構，且包括：<br/> 一第一凸輪；<br/> 一第二凸輪，包括一第二卡合部；以及<br/> 一調整元件，具有相對的一第一端與一第二端，該第一端暴露於該第一殼體的外側，該第二端穿過該第一凸輪與該第二凸輪，以伸入至該第一殼體的內側，其中<br/> 當該第一結構連接於該第二結構時，該第一卡合部卡合於該第二卡合部，而呈一第一狀態，<br/> 在該第一狀態轉換至一第二狀態的過程中，該調整元件旋轉並帶動該第一凸輪相對於該第二凸輪旋轉進而推動該第二凸輪，使該第二凸輪沿該調整元件的軸向遠離於該第一凸輪，以解除該第二卡合部與該第一卡合部之間的卡合關係。
如請求項1所述的電子裝置，其中該第一凸輪固定於該調整元件，該第一凸輪位於該第二凸輪與該第一端之間。
如請求項1所述的電子裝置，其中該第一凸輪具有遠離該第一端的一第一表面且包括突出於該第一表面的一第一凸塊，該第二凸輪具有面對該第一表面的一第二表面且包括突出於該第二表面的一第二凸塊，該第一凸塊具有兩第一斜面以及位於該兩第一斜面之間的一第一頂面，該第二凸塊具有兩第二斜面以及位於該兩第二斜面之間的一第二頂面。
如請求項3所述的電子裝置，其中在該第一狀態下，該第一表面對應該第二頂面，該第二表面對應該第一頂面。
如請求項3所述的電子裝置，其中在該第一狀態轉換至一第二狀態的過程中，該第一凸塊的該第一頂面從該第二表面行經對應的該第二斜面而移至該第二頂面。
如請求項3所述的電子裝置，其中該固定組件更包括一彈性件，套設於該調整元件的軸部且連接於該第二凸輪背離於該第二表面的一側，當該第一凸塊對應且推動該第二凸塊時，該第二凸輪壓縮該彈性件，當該第一凸塊與該第二凸塊錯位時，該第二凸輪藉由該彈性件的彈性力復位。
如請求項6所述的電子裝置，其中該固定組件更包括：<br/> 一第一支撐架，連接於該第一殼體的該內側；<br/> 一第二支撐架，配置於該第一支撐架上，且包括一凹槽；以及<br/> 一固定部，配置於該凹槽，該彈性件的一端連接於該固定部，該彈性件的另一端連接於該第二凸輪，該調整元件的該第二端插入該固定部。
如請求項3所述的電子裝置，其中該第二凸輪具有環繞該第二表面的一側表面，該第二卡合部突出於該側表面。
如請求項3所述的電子裝置，其中該第一殼體包括位於該內側的一樞軸，該樞軸平行於該調整元件的軸部，該第二凸輪具有環繞該第二表面的一側表面且包括連接於該側表面的一樞接部，該樞軸插入該樞接部。
如請求項3所述的電子裝置，其中該第一卡合部具有一第一斜角，該第二卡合部具有一第二斜角，在該第二狀態轉換至該第一狀態的過程中，該第一卡合部藉由該第一斜角抵靠該第二斜角，而推動該第二凸輪。
如請求項1所述的電子裝置，更包括一電池模組，該第二結構包括一基座，該電池模組配置於該基座，該第一卡合部突出於該基座的壁面。
如請求項1所述的電子裝置，其中該第一結構更包括一第二殼體，該第一殼體組裝於該第二殼體且形成一開口，該第二結構更包括一外殼件，在該第一狀態下，該外殼件位於該開口。
一種顯示裝置，包含： 一基板； 一半導體層，包含形成於該基板上的一第一半導體層以及形成於該第一半導體層上且接觸該第一半導體層的多個側面及一頂面的一第二半導體層； 一閘極電極，形成於該半導體層上且重疊於該第一半導體層； 一第一電極與一第二電極，該第一電極形成於該閘極電極上且連接於該半導體層，該第二電極形成於該閘極電極並連接於該半導體層。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該第一半導體層相較該第二半導體層具有較高的電子移動率。
如請求項2所述之顯示裝置，其中該第一半導體層的長度小於該閘極電極的長度。
如請求項2所述之顯示裝置，其中該第一半導體層的一通道區域之長度等於該第一半導體層的一有效通道區域之長度。
如請求項2所述之顯示裝置，其中該第二半導體層的一通道區域之長度大於該第二半導體層的一有效通道區域之長度。
如請求項2所述之顯示裝置，其中該第一半導體層的電子移動率為20 cm<sup>2</sup>/VS以上，且該第二半導體層的電子移動率位在10 cm<sup>2</sup>/VS至15 cm<sup>2</sup>/VS的範圍中。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該半導體層包含氧化物。
如請求項7所述之顯示裝置，其中該半導體層、該閘極電極、該第一電極及該第二電極形成一薄膜電晶體，並且 該薄膜電晶體為開關元件。
如請求項8所述之顯示裝置，其中該薄膜電晶體為資料供應電晶體。
如請求項8所述之顯示裝置，其中該薄膜電晶體為發光控制電晶體或初始化電晶體。
一種顯示裝置，包含： 一可撓基板；以及 一半導體層，包含設置於該基板上的一第一半導體層、設置於該第一半導體層上的一第二半導體層以及設置於該第一半導體層及該可撓基板之間的一第三半導體層，並且 其中，該第一半導體層、該第二半導體層及該第三半導體層分別包含一氧化物材料。
如請求項11所述之顯示裝置，更包含一薄膜電晶體，該薄膜電晶體包含: 一閘極電極，形成於該半導體層上； 一第一電極，形成於該閘極電極上並連接於該半導體層；以及 一第二電極，形成於該閘極電極上並連接於該半導體層。
如請求項12所述之顯示裝置，更包含位於該半導體層及該閘極電極之間的一絕緣層，其中該絕緣層包含矽氮化物(SiN<sub>x</sub>)或矽氧化物(SiO<sub>x</sub>)。
如請求項12所述之顯示裝置，其中該薄膜電晶體為開關元件或驅動元件。
如請求項11所述之顯示裝置，其中該氧化物材料包含IGZO或IGTZO。
如請求項15所述之顯示裝置，其中該第一半導體層包含IGZO，該第二半導體層包含IGTZO，且該第三半導體層包含IGTZO。
如請求項11所述之顯示裝置，其中該第二半導體層的厚度大於該第一半導體層的厚度以及該第三半導體層的厚度，且該第三半導體層的厚度大於該第一半導體層的厚度。
如請求項17所述之顯示裝置，其中該第一半導體層的厚度為50Å，該第二半導體層的厚度位於100Å至150Å的範圍中，且該第三半導體層的厚度位於50Å至75Å的範圍中。
如請求項11所述之顯示裝置，其中該第二半導體層對齊於該第一半導體層的一側或該第三半導體層的一側。
如請求項11所述之顯示裝置，更包含設置於該基板及該半導體層之間並重疊於該半導體層的一光屏蔽層。
如請求項20所述之顯示裝置，更包含位於該光屏蔽層及該半導體層之間的一緩衝層。
如請求項21所述之顯示裝置，其中該緩衝層包含矽氮化物(SiN<sub>x</sub>)或矽氧化物(SiO<sub>x</sub>)。
如請求項20所述之顯示裝置，其中相同的閘極電壓被施加至該閘極電極及該光屏蔽層。
一種薄膜電晶體，包含： 一半導體層，包含一第一半導體層及形成於該第一半導體層上且完全遮蔽該第一半導體層的一第二半導體層； 一閘極電極，形成於該半導體層上且重疊於該第一半導體層的；以及 一第一電極與一第二電極，該第一電極形成於該閘極電極上且連接於從該第一半導體層凸出的該第二半導體層的一端，該第二電極形成於該閘極電極上且連接於從該第一半導體層凸出的該第二半導體層的另一端； 其中該第一半導體層相較該第二半導體層具有較高的電子移動率。
如請求項24所述之薄膜電晶體，其中該第二半導體層的長度大於該第一半導體層的長度。
如請求項24所述之薄膜電晶體，其中該第二半導體層的寬度大於該第一半導體層的寬度。
如請求項24所述之薄膜電晶體，其中該第一半導體層的長度小於該閘極電極的長度。
如請求項27所述之薄膜電晶體，其中該第一半導體層包含沿一寬度方向彼此相隔的多個圖案，且該第二半導體層遮蔽該些圖案。
一種直通鏈路定位參考信號SL PRS資源的確定方法，應用於終端，包括：<br/>接收網路設備發送的下行控制資訊DCI；<br/>基於該DCI確定該網路設備分配給該終端的SL PRS資源；<br/>該DCI包括第二DCI，該第二DCI用於指示專用資源池中的SL PRS資源；<br/>其中，該第二DCI中包含資源池索引域和/或時間間隔域；<br/>該第二DCI中的CRC經過用於直通鏈路定位專用資源池的無線網路臨時標識SL-Pos-DP-RNTI加擾。
如請求項1所述的直通鏈路定位參考信號SL PRS資源的確定方法，其中，該DCI還包括：<br/>第一DCI，該第一DCI用於指示共享資源池中的SL PRS資源。
如請求項2所述的直通鏈路定位參考信號SL PRS資源的確定方法，其中，該第一DCI中包含第一資訊域，該第一資訊域用於指示至少一次實體直通鏈路共享信道PSSCH傳輸所在的時槽中是否存在SL PRS資源。
如請求項3所述的直通鏈路定位參考信號SL PRS資源的確定方法，其中，該第一資訊域包括配置索引域和/或混合自動重傳請求HARQ進程號域。
如請求項2所述的直通鏈路定位參考信號SL PRS資源的確定方法，其中，在該第一DCI中的CRC經過SL-Pos-RNTI加擾的情况下，該第一DCI用於指示SL PRS資源。
如請求項5所述的直通鏈路定位參考信號SL PRS資源的確定方法，其中，該第一DCI與第三DCI相關聯，該第三DCI指示的PSSCH資源與該第一DCI指示的SL PRS資源位於相同時槽。
如請求項1所述的直通鏈路定位參考信號SL PRS資源的確定方法，其中，該第二DCI中資源池索引域的大小與該第一DCI中資源池索引域的大小相同；和/或，<br/>該第二DCI的長度與該第一DCI的長度相同。
一種直通鏈路定位參考信號SL PRS資源的指示方法，應用於網路設備，包括：<br/>向終端發送下行控制資訊DCI，該DCI用於指示該網路設備分配給該終端的SL PRS資源；<br/>該DCI包括第二DCI，該第二DCI用於指示專用資源池中的SL PRS資源；<br/>其中，該第二DCI中包含資源池索引域和/或時間間隔域；<br/>該第二DCI中的CRC經過用於直通鏈路定位專用資源池的無線網路臨時標識SL-Pos-DP-RNTI加擾。
如請求項8所述的直通鏈路定位參考信號SL PRS資源的指示方法，其中，該DCI還包括：<br/>第一DCI，該第一DCI用於指示共享資源池中的SL PRS資源。
如請求項9所述的直通鏈路定位參考信號SL PRS資源的指示方法，其中，該第一DCI中包含第一資訊域，該第一資訊域用於指示至少一次次實體直通鏈路共享信道PSSCH傳輸所在的時槽中是否存在SL PRS資源。
如請求項10所述的直通鏈路定位參考信號SL PRS資源的指示方法，其中，該第一資訊域包括配置索引域和/或混合自動重傳請求HARQ進程號域。
如請求項9所述的直通鏈路定位參考信號SL PRS資源的指示方法，其中，在該第一DCI中的CRC經過SL-Pos-RNTI加擾的情况下，該第一DCI用於指示SL PRS資源。
如請求項12所述的直通鏈路定位參考信號SL PRS資源的指示方法，其中，該第一DCI與第三DCI相關聯，該第三DCI指示的PSSCH資源與該第一DCI指示的SL PRS資源位於相同時槽。
如請求項8所述的直通鏈路定位參考信號SL PRS資源的指示方法，其中，該第二DCI中資源池索引域的大小與該第一DCI中資源池索引域的大小相同；和/或，<br/>該第二DCI的長度與該第一DCI的長度相同。
一種終端，包括記憶體，收發機，處理器；<br/>該記憶體，用於存儲計算機程序；該收發機，用於在該處理器的控制下收發數據；該處理器，用於讀取該記憶體中的計算機程序並執行以下操作：<br/>接收網路設備發送的下行控制資訊DCI；<br/>基於該DCI確定該網路設備分配給該終端的直通鏈路定位參考信號SL PRS資源；<br/>該DCI包括第二DCI，該第二DCI用於指示專用資源池中的SL PRS資源；<br/>其中，該第二DCI中包含資源池索引域和/或時間間隔域；<br/>該第二DCI中的CRC經過用於直通鏈路定位專用資源池的無線網路臨時標識SL-Pos-DP-RNTI加擾。
一種網路設備，包括記憶體，收發機，處理器；<br/>該記憶體，用於存儲計算機程序；該收發機，用於在該處理器的控制下收發數據；該處理器，用於讀取該記憶體中的計算機程序並執行以下操作：<br/>向終端發送下行控制資訊DCI，該DCI用於指示該網路設備分配給該終端的直通鏈路定位參考信號SL PRS資源；<br/>該DCI包括第二DCI，該第二DCI用於指示專用資源池中的SL PRS資源；<br/>其中，該第二DCI中包含資源池索引域和/或時間間隔域；<br/>該第二DCI中的CRC經過用於直通鏈路定位專用資源池的無線網路臨時標識SL-Pos-DP-RNTI加擾。
一種直通鏈路定位參考信號SL PRS資源的確定裝置，包括：<br/>接收單元，用於接收網路設備發送的下行控制資訊DCI；<br/>確定單元，用於基於該DCI確定該網路設備分配給終端的SL PRS資源；<br/>該DCI包括第二DCI，該第二DCI用於指示專用資源池中的SL PRS資源；<br/>其中，該第二DCI中包含資源池索引域和/或時間間隔域；<br/>該第二DCI中的CRC經過用於直通鏈路定位專用資源池的無線網路臨時標識SL-Pos-DP-RNTI加擾。
一種直通鏈路定位參考信號SL PRS資源的指示裝置，包括：<br/>發送單元，用於向終端發送下行控制資訊DCI，該DCI用於指示網路設備分配給該終端的SL PRS資源；<br/>該DCI包括第二DCI，該第二DCI用於指示專用資源池中的SL PRS資源；<br/>其中，該第二DCI中包含資源池索引域和/或時間間隔域；<br/>該第二DCI中的CRC經過用於直通鏈路定位專用資源池的無線網路臨時標識SL-Pos-DP-RNTI加擾。
一種非瞬時可讀存儲介質，該非瞬時可讀存儲介質存儲有計算機程序，該計算機程序用於使處理器執行如請求項1至7中任一項所述的直通鏈路定位參考信號SL PRS資源的確定方法，或執行如請求項8至14中任一項所述的直通鏈路定位參考信號SL PRS資源的指示方法。
一種堆疊晶片結構，包括：<br/> 第一晶片，附接至第二晶片，其中所述第一晶片具有第一基底、第一裝置層以及第一互連結構，且所述第二晶片具有第二基底、第二裝置層以及第二互連結構；以及<br/> 第一穿孔和第二穿孔，其中：<br/> 所述第一穿孔延伸穿過所述第一基底、穿過所述第一裝置層、穿過所述第一互連結構以及延伸進入所述第二互連結構，其中所述第一穿孔位於所述第二互連結構的相鄰導電特徵之間，且<br/> 所述第二穿孔延伸穿過所述第一基底、穿過所述第一裝置層以及延伸進入所述第一互連結構。
如請求項1所述的堆疊晶片結構，其中所述第一互連結構接合至所述第二互連結構。
如請求項1所述的堆疊晶片結構，還包括：<br/> 第一保護環，環繞所述第一穿孔；以及<br/> 第二保護環，環繞所述第二穿孔。
如請求項1所述的堆疊晶片結構，還包括環繞所述第一穿孔和所述第二穿孔的保護環。
如請求項1所述的堆疊晶片結構，其中所述第一穿孔具有第一關鍵尺寸，所述第二穿孔具有第二關鍵尺寸，且所述第一關鍵尺寸與所述第二關鍵尺寸不同。
如請求項1所述的堆疊晶片結構，其中所述第一穿孔具有第一深寬比，所述第二穿孔具有第二深寬比，且所述第一深寬比約等於所述第二深寬比。
一種積體電路封裝，包括：<br/> 第一晶粒，與第二晶粒接合，其中所述第一晶粒包括第一裝置層以及第一互連結構，且所述第二晶粒包括第二裝置層以及第二互連結構；<br/> 第一電力傳輸穿孔，延伸穿過所述第一晶粒並進入所述第二晶粒，其中所述第一電力傳輸穿孔連接至所述第二裝置層，其中所述第一電力傳輸穿孔位於所述第二互連結構的相鄰導電特徵之間；以及<br/> 第二電力傳輸穿孔，延伸進入所述第一晶粒，其中所述第二電力傳輸穿孔連接至所述第一裝置層。
如請求項7所述的積體電路封裝，其中：<br/> 所述第一晶粒還包括第一佈線結構，其中所述第二電力傳輸穿孔透過所述第一佈線結構連接至所述第一裝置層；以及<br/> 所述第二晶粒還包括第二佈線結構，其中所述第一電力傳輸穿孔透過所述第二佈線結構連接至所述第二裝置層。
一種堆疊晶片結構的製造方法，包括：<br/> 接合第一晶片與第二晶片，其中所述第一晶片具有第一基底、第一裝置層以及第一互連結構，且所述第二晶片具有第二基底、第二裝置層以及第二互連結構；以及<br/> 形成第一穿孔和第二穿孔，其中：<br/> 所述第一穿孔延伸穿過所述第一基底、穿過所述第一裝置層、穿過所述第一互連結構以及進入所述第二互連結構，其中所述第一穿孔位於所述第二互連結構的相鄰導電特徵之間，且<br/> 所述第二穿孔延伸穿過所述第一基底、穿過所述第一裝置層以及進入所述第一互連結構。
如請求項9所述的方法，還包括同時形成所述第一穿孔和所述第二穿孔。
一種壓縮成形裝置，其特徵在於，包括： <br/> 第一模具，對於所供給的基礎樹脂與平板狀的載體進行壓片，以被覆所述載體的外周的方式使所述基礎樹脂被固定，而形成壓片樹脂； <br/> 第一搬送裝置，對於固定有所述載體的所述壓片樹脂進行搬送； <br/> 第二模具，被搬入有所述壓片樹脂，且將工件與所述載體一起進行密封，而加工為成形品；以及 <br/> 載體剝離裝置，自所述成形品剝離所述載體。
一種壓縮成形裝置，其特徵在於，包括： <br/>第一模具，對於所供給的基礎樹脂與平板狀的載體進行壓片，以被覆所述載體的外周的方式使所述基礎樹脂被固定，而形成壓片樹脂； <br/>第一搬送裝置，對於固定有所述載體的所述壓片樹脂進行搬送；以及 <br/>第二模具，被搬入有所述壓片樹脂，且將工件與所述載體一起進行密封，而加工為成形品； <br/>所述載體構成所述成形品中的散熱板。
如請求項1所述的壓縮成形裝置，更包括：第二搬送裝置， <br/>所述第二搬送裝置進行用於將自所述成形品剝離的所述載體返還至進行所述壓片樹脂的形成的裝置的搬送。
如請求項1所述的壓縮成形裝置，更包括：切斷裝置， <br/>所述切斷裝置在所述成形品中，在所述載體被剝離的區域內沿厚度方向進行切斷而切除外緣部。
一種壓縮成形方法，其特徵在於，包括： <br/>壓片步驟，對於被收容在第一模具中的基礎樹脂與平板狀的載體進行壓片，以被覆所述載體的外周的方式使所述基礎樹脂被固定，而形成壓片樹脂； <br/>搬送步驟，將所述壓片樹脂從所述第一模具搬出，且搬送至第二模具； <br/>樹脂密封步驟，利用所述第二模具，將所述壓片樹脂及工件與所述載體一起進行密封，而加工為成形品；以及 <br/>載體剝離步驟，自所述成形品剝離所述載體。
一種壓縮成形方法，其特徵在於，包括： <br/>壓片步驟，對於被收容在第一模具中的基礎樹脂與平板狀的載體進行壓片，以被覆所述載體的外周的方式使所述基礎樹脂被固定，而形成壓片樹脂； <br/>搬送步驟，將所述壓片樹脂從所述第一模具搬出，且搬送至第二模具；以及 <br/>樹脂密封步驟，利用所述第二模具，將所述壓片樹脂及工件與所述載體一起進行密封，而加工為成形品， <br/>所述載體構成所述成形品中的散熱板。
如請求項5或6所述的壓縮成形方法，更包括： <br/>在壓縮成形裝置內形成所述壓片樹脂的步驟、或者在壓縮成形裝置外形成所述壓片樹脂並供給至所述壓縮成形裝置內的步驟。
如請求項5所述的壓縮成形方法，更包括： <br/>對於自所述成形品剝離的所述載體，返還至進行所述壓片樹脂的形成的裝置，並在進行所述壓片樹脂的形成時再次使用的步驟。
如請求項5所述的壓縮成形方法，更包括： <br/>在所述成形品中，在所述載體被剝離的區域內沿厚度方向進行切斷而切除外緣部的步驟。
一種開關裝置，包括： <br/>電磁致動器，具有構成內空間的可動鐵心、以及被配置於該內空間的固定鐵心； <br/>固定電極； <br/>可動電極，與該可動鐵心連動而行動；以及 <br/>消弧室，收容該可動電極以及該固定電極； <br/>該電磁致動器係藉由使該可動電極移動，而控制該固定電極與該可動電極之間的電性連接； <br/>該電磁致動器係具有被配置於在該可動鐵心與該固定鐵心之間的該內空間、並且繞該可動鐵心以及該固定鐵心之任一方或雙方而被捲曲的線圈； <br/>該線圈係與該可動鐵心一起行動。
如請求項1所述之開關裝置，其中，該可動鐵心係具有： <br/>第一部分，沿著平行於該線圈的中心軸的第一方向延伸； <br/>第二部分，遠離該第一部分並且沿著該第一方向延伸；以及 <br/>連接部，連著該第一部分以及該第二部分之各個； <br/>該線圈係被設於該第一部分與該第二部分之間； <br/>從該第一方向觀之，在與從該第一部分朝向該第二部分的方向垂直的方向中之該可動鐵心的寬度係為該線圈的內徑以上。
如請求項1或2所述之開關裝置，更包括： <br/>追加鐵心，與該可動鐵心一起行動； <br/>該追加鐵心係被該線圈圍繞並且被設於該固定鐵心與該可動鐵心之間。
如請求項1所述之開關裝置，其中，該線圈係繞該固定鐵心而被捲曲； <br/>該可動鐵心係具有： <br/>第三部分，具有外周部、以及連著該外周部的底部；以及 <br/>第四部分，與該第三部分為分別的個體並且被安裝於該外周部； <br/>該第四部分係對於該外周部被設於該底部的相反處； <br/>該外周部係圍繞該線圈。
如請求項4所述之開關裝置，更包括： <br/>追加鐵心，與該可動鐵心一起行動； <br/>該追加鐵心係被該線圈圍繞並且被設於該固定鐵心與該可動鐵心之間。
如請求項1或2所述之開關裝置，更包括： <br/>蓋，覆蓋該可動鐵心以及該線圈並且與該可動鐵心一起行動； <br/>在該蓋之中設有開口部； <br/>該固定鐵心係被配置於該開口部。
如請求項6所述之開關裝置，更包括： <br/>彈簧，被設於該固定鐵心與該蓋之間； <br/>該彈簧係在電流被供給到該線圈的情況下將朝向與該可動鐵心的移動方向相反的方向的彈性力施加於該蓋。
如請求項4所述之開關裝置，包括： <br/>蓋，覆蓋該可動鐵心以及該線圈並且與該可動鐵心一起行動； <br/>在該蓋之中設有開口部； <br/>該固定鐵心係被配置於該開口部。
如請求項1或2所述之開關裝置，更包括： <br/>線圈線，從該線圈被拉出；以及 <br/>拉出線，與該線圈線電性連接，並且被設於該內空間之外； <br/>該拉出線係具有比該線圈線更高的柔軟性。
如請求項9所述之開關裝置，其中，該拉出線係具有複數個拉出線部； <br/>該線圈線係被固定於該可動鐵心； <br/>該線圈線係電性連接於該等複數個拉出線部之各個。
一種用於判定一彎曲元件中的特徵的位置的設備，該彎曲元件具有至少兩個直線部分及位於該兩個直線部分之間的至少一個彎曲部，該設備包含：<br/> 一第一軌道；<br/> 一第二軌道；<br/> 一第三軌道；<br/> 一第一旋轉耦接件，其將該第一軌道可旋轉地耦接至該第二軌道且可操作地耦接至一第一旋轉編碼器；<br/> 一第二旋轉耦接件，其將該第二軌道可旋轉地耦接至該第三軌道且可操作地耦接至一第二旋轉編碼器；及<br/> 一線性編碼器，其經設置及配置以判定該第二旋轉耦接件在該第二軌道上的位置。
如請求項1所述之設備，其中該第三軌道能夠相對於該第二軌道線性移動。
如請求項1所述之設備，其中該第二軌道的橫截面為至少部分圓形。
如請求項1所述之設備，其中該第二軌道包括一平坦部，其形成一接合表面以接觸一管的外壁。
如請求項1所述之設備，其中該第一軌道及該第二軌道能夠定位成彼此共線延伸。
如請求項5所述之設備，其中該第一軌道包括一第一端及一第二端，該第二端包括向其向內延伸的一第一切口部分，且該第一旋轉耦接件向該第一切口部分內延伸。
如請求項1所述之設備，其中該第三軌道包括一第一端及一第二端，該第二端包括向其向內延伸的一第二切口部分，且該第二旋轉耦接件向該第二切口部分內延伸。
一種評估具有直線部分及彎曲部分的一剛性彎管的尺寸的方法，其包含以下步驟；<br/> 提供具有一第一表面的一第一軌道；<br/> 提供具有一第二表面的一第二軌道；<br/> 提供具有一第三表面的一第三軌道；<br/> 提供一第一旋轉耦接件，其將該第一軌道可旋轉地耦接至該第二軌道且可操作地耦接至一第一旋轉編碼器；<br/> 提供一第二旋轉耦接件，其將該第二軌道可旋轉地耦接至該第三軌道且可操作地耦接至一第二旋轉編碼器；<br/> 提供一線性編碼器，其經設置及配置以判定該第二旋轉耦接件在該第二軌道上的位置；<br/> 抵靠該第一軌道的一第一表面來定位一彎管的一第一直線部分；<br/> 抵靠該第二軌道的一第二表面來定位一彎管的一第二直線部分，其中該第一直線部分及該第二直線部分在一彎曲部處互連；<br/> 使用該第一旋轉編碼器來測量該第一軌道與該第二軌道之間的角度。
如請求項8所述之方法，其中；<br/> 管的該第一直線部分自該彎曲部延伸至一自由端；且，該方法進一步包含以下步驟；<br/> 將該第一直線部分的該自由端定位成與該第一軌道的該第一表面接觸；<br/> 將該第一直線部分的一外圓周表面定位成與該第二軌道的該第二表面接觸。
如請求項9所述之方法，其進一步包含以下步驟：將該第二直線部分的一外圓周表面定位成與該第三軌道的該第三表面接觸。
如請求項10所述之方法，其中該第三軌道相對於該第二軌道移動以將該第二直線部分的該外圓周表面定位成與該第三軌道的該第三表面接觸。
如請求項11所述之方法，其進一步包含以下步驟：使用該第二旋轉編碼器來測量該第二軌道與該第三軌道之間的角度。
如請求項11所述之方法，其進一步包含以下步驟：使用線性解碼器來判定該第三軌道在該第二軌道上的位置。
如請求項13所述之方法，其進一步包含以下步驟：在該第三軌道的端部中提供一切口；<br/> 將該線性編碼器定位在該切口中；及<br/> 使該第二軌道延伸穿過該線性編碼器。
一種評估一剛性彎管的尺寸的方法，其包含以下步驟；<br/> 提供具有一第一表面的一第一軌道；<br/> 提供具有一第二表面的一第二軌道；<br/> 提供具有一第三表面的一第三軌道；<br/> 提供一第一旋轉耦接件，該第一旋轉耦接件將第一軌道旋轉地耦接至該第二軌道並且可操作地耦接至一第一旋轉編碼器；<br/> 提供一第二旋轉耦接件，其將該第二軌道可旋轉地耦接至該第三軌道且可操作地耦接至一第二旋轉編碼器；<br/> 提供一線性編碼器，其經設置及配置以判定該第二旋轉耦接件在該第二軌道上的位置；該管的第一直線部分自彎曲部延伸至一自由端；且，該方法進一步包含以下步驟；<br/> 將該第一直線部分的該自由端定位成與該第一軌道的該第一表面接觸；<br/> 將該第一直線部分的一外圓周表面定位成與該第二軌道的該第二表面接觸。
如請求項15所述之方法，其中；<br/> 抵靠該第一軌道的一第一表面來定位一彎管的一第一直線部分；<br/> 抵靠該第二軌道的一第二表面來定位一彎管的一第二直線部分，其中該第一直線部分及該第二直線部分在一彎曲部處互連；<br/> 使用該第一旋轉編碼器來測量該第一軌道與該第二軌道之間的角度。
如請求項16所述之方法，其進一步包含以下步驟：將該第二直線部分的一外圓周表面定位成與該第三軌道的該第三表面接觸。
如請求項17所述之方法，其中該第三軌道相對於該第二軌道移動以將該第二直線部分的該外圓周表面定位成與該第三軌道的該第三表面接觸。
如請求項18所述之方法，其進一步包含以下步驟：使用該第二旋轉編碼器來測量該第二軌道與該第三軌道之間的角度。
如請求項18所述之方法，其進一步包含以下步驟：使用線性解碼器來判定該第三軌道在該第二軌道上的位置。
一種堆疊式積體電路晶片，包括： <br/>內連線結構，位於基底上； <br/>接合結構，位於所述內連線結構上方，其中所述接合結構包括： <br/> 第一多個導電接合墊，設置在第一區域中；以及 <br/> 第二多個導電接合墊，設置在第二區域中，其中所述第二區域鄰接所述第一區域的至少一側，並設置在所述第一區域的所述至少一側和所述堆疊式積體電路晶片的外緣之間，其中相鄰所述第一多個導電接合墊之間的間距小於相鄰所述第二多個導電接合墊之間的最小間距。
如請求項1所述的堆疊式積體電路晶片，其中所述第一多個導電接合墊接觸所述內連線結構中對應的第一導線，所述第二多個導電接合墊接觸所述內連線結構中對應的第二導線。
如請求項1所述的堆疊式積體電路晶片，其中所述第一多個導電接合墊接觸所述內連線結構中對應的第一導線，所述第二多個導電接合墊為電性浮接，其中所述第二多個導電接合墊的頂表面自所述內連線結構中的導電結構以非零距離偏移。
如請求項1所述的堆疊式積體電路晶片，進一步包括： <br/>多個光偵測器，設置在所述基底中，其中所述第一區域直接位於所述多個光偵測器下方。
如請求項4所述的堆疊式積體電路晶片，其中所述基底更包括第三區域，所述第三區域自所述多個光偵測器橫向偏移，其中所述第二區域排列在所述第一區域和所述第三區域之間，其中所述接合結構在所述第三區域中不具有導電接合結構。
一種晶片封裝，包括： <br/>第一積體電路晶片，包括第一基底、第一內連線結構和第一接合結構，其中所述第一接合結構包括設置在所述第一基底的第一區域中的第一多個導電接合墊以及設置在所述第一基底的第二區域中的第二多個導電接合墊，其中所述第二區域鄰接所述第一區域的至少一側，並設置在所述第一區域的所述至少一側和所述第一積體電路晶片的外緣之間；以及 <br/>第二積體電路晶片，包括位於所述第一積體電路晶片下方的第二基底、第二內連線結構和第二接合結構； <br/>其中介面設置在所述第一接合結構和所述第二接合結構之間，其中所述第一多個導電接合墊的第一密度大於所述第二多個導電接合墊的第二密度， <br/>其中相鄰所述第一多個導電接合墊之間的間距小於相鄰所述第二多個導電接合墊之間的最小間距。
如請求項6所述的晶片封裝，其中所述第一多個導電接合墊在所述第一區域中以均勻間距排列，而所述第二多個導電接合墊在所述第二區域中以非均勻間距排列，其中所述非均勻間距的最小間距大於所述均勻間距。
如請求項6所述的晶片封裝，其中所述第一接合結構包括設置在所述第一基底的第三區域中的第一多個虛設導電接合墊，其中所述第二區域間隔在所述第三區域和所述第一區域之間，其中所述第一多個虛設導電接合墊的第三密度小於所述第二密度。
一種形成堆疊式積體電路晶片的方法，包括： <br/>形成第一積體電路晶片，其中所述第一積體電路晶片包括第一基底和在所述第一基底上方的第一內連線結構； <br/>在所述第一內連線結構上方形成第一接合結構，其中所述第一接合結構包括在第一區域中的第一多個導電接合墊和在第二區域中的第二多個導電接合墊，所述第二區域鄰接所述第一區域的至少一側，並設置在所述第一區域的所述至少一側和所述第一積體電路晶片的外緣之間，其中相鄰所述第二多個導電接合墊之間的最小間距大於相鄰所述第一多個導電接合墊之間的間距；以及 <br/>將所述第一積體電路晶片接合到第二積體電路晶片，其中所述第二積體電路晶片包括第二基底和第二接合結構，其中接合介面設置在所述第一接合結構和所述第二接合結構之間。
如請求項9所述的方法，更包括： <br/>在所述第一基底內形成多個光偵測器，其中所述多個光偵測器設置在所述第一積體電路晶片的裝置區域內，其中所述第一區域和所述第二區域在所述裝置區域內橫向間隔開； <br/>其中所述第一接合結構包括在所述裝置區域外的第三區域中的第三多個導電接合墊，其中相鄰所述第三多個導電接合墊之間的最小間距大於相鄰所述第二多個導電接合墊之間的間距；以及 <br/>形成延伸穿過所述第一基底到所述第一內連線結構的上部接合元件，其中所述上部接合元件直接覆蓋所述第三區域的至少一部分。
一種在一使用者設備(UE)處進行無線通信之方法，其包含：<br/>自一基地台，接收指示針對一或多次資料重覆的一起始符號及一傳輸持續時間的一時域資源指派，該傳輸持續時間包含自該起始符號之連續符號，其中該傳輸持續時間包括一下行鏈路符號；以及<br/>基於該起始符號及該傳輸持續時間，向該基地台傳輸一資料重覆的次數，其中該資料重覆的次數包含在一時槽中的一第一資料重覆及一第二資料重覆，且該傳輸持續時間包含在該時槽中的該第一資料重覆及該第二資料重覆的符號，並且其中該下行鏈路符號被丟棄。
如請求項1所述之方法，該第一資料重覆及該第二資料重覆中的每一者包含一連續上行鏈路符號集合。
如請求項1所述之方法，該資料重覆的次數中的每次重複係該時槽或一第二時槽之內的連續上行鏈路符號。
如請求項1所述之方法，該連續上行鏈路符號係基於自該傳輸持續時間或跨越一時槽邊界之該傳輸持續時間丟棄該下行鏈路符號。
如請求項4所述之方法，該資料重覆的次數係位於該時槽及一第二時槽中。
如請求項5所述之方法，該資料重覆的次數係基於該第一資料重覆的一第一長度或該第二資料重覆的一第二長度。
如請求項6所述之方法，<br/>該時域資源指派係藉由一下行鏈路控制資訊信令指示；<br/>該時域資源指派係指示一起始及長度指示符值(start and length indicator, SLIV)；以及<br/>該SLIV包含該起始符號及該傳輸持續時間。
如請求項1所述之方法，<br/>其中該資料重覆的次數係基於該資料重覆中的一次的長度。
如請求項8所述之方法，<br/>該資料重覆的次數中的每次重覆係一時槽之內的連續上行鏈路符號；以及<br/>該連續上行鏈路符號係基於自該傳輸持續時間或跨越一時槽邊界之該傳輸持續時間丟棄該下行鏈路符號。
如請求項1所述之方法，其中該傳輸持續時間跨越該時槽及一第二時槽的一時槽邊界，並且該方法進一步包含：從該起始符號至該時槽邊界傳輸一第三資料重覆。
一種在一使用者設備(UE)處進行無線通信之設備，其包含：<br/>一處理器；<br/>一記憶體，與該處理器進行電子通信；以及<br/>指令，儲存於該記憶體中且由該處理器執行以使該設備：<br/>自一基地台，接收指示針對一或多次資料重覆的一起始符號及一傳輸持續時間的一時域資源指派，該傳輸持續時間包含自該起始符號之連續符號，其中該傳輸持續時間包括一下行鏈路符號；以及<br/>基於該起始符號及該傳輸持續時間，向該基地台傳輸一資料重覆的次數，其中該資料重覆的次數包含在一時槽中的一第一資料重覆及一第二資料重覆，且該傳輸持續時間包含在該時槽中的該第一資料重覆及該第二資料重覆的符號，並且其中該下行鏈路符號被丟棄。
如請求項11所述之設備，該第一資料重覆及該第二資料重覆中的每一者包含一連續上行鏈路符號集合。
如請求項11所述之設備，該資料重覆的次數中的每次重複係該時槽或一第二時槽之內的連續上行鏈路符號。
如請求項11所述之設備，該連續上行鏈路符號係基於自該傳輸持續時間或跨越一時槽邊界之該傳輸持續時間丟棄該下行鏈路符號。
如請求項14所述之設備，該資料重覆的次數係位於該時槽及一第二時槽中。
如請求項15所述之設備，該資料重覆的次數係基於該第一資料重覆的一第一長度或該第二資料重覆的一第二長度。
如請求項16所述之設備，其中：<br/>該時域資源指派係藉由一下行鏈路控制資訊信令指示；<br/>該時域資源指派係指示一起始及長度指示符值(start and length indicator, SLIV)；以及<br/>該SLIV包含該起始符號及該傳輸持續時間。
如請求項11所述之設備，其中該資料重覆的次數係基於該資料重覆中的一次的長度。
如請求項18所述之設備，該資料重覆的次數中的每次重覆係一時槽之內的連續上行鏈路符號；以及<br/>該連續上行鏈路符號係基於自該傳輸持續時間或跨越一時槽邊界之該傳輸持續時間丟棄該下行鏈路符號。
如請求項11所述之設備，其中該傳輸持續時間跨越該時槽及一第二時槽的一時槽邊界，並且儲存於該記憶體中且由該處理器執行的該等指令使該設備進一步：從該起始符號至該時槽邊界傳輸一第三資料重覆。
一種在一基地台處進行無線通信之設備，其包含：<br/>一處理器；<br/>一記憶體，與該處理器進行電子通信；以及<br/>指令，儲存於該記憶體中且由該處理器執行以使該設備：<br/>向一使用者設備，傳輸指示針對一或多次資料重覆的一起始符號及一傳輸持續時間的一時域資源指派，該傳輸持續時間包含自該起始符號之連續符號，其中該傳輸持續時間包括一下行鏈路符號；以及<br/>基於該起始符號及該傳輸持續時間，自該使用者設備接收一資料重覆的次數，其中該資料重覆的次數包含在一時槽中的一第一資料重覆及一第二資料重覆，且該傳輸持續時間包含在該時槽中的該第一資料重覆及該第二資料重覆的符號，並且其中該下行鏈路符號被丟棄。
如請求項21所述之設備，該第一資料重覆及該第二資料重覆中的每一者包含一連續上行鏈路符號集合。
如請求項21所述之設備，該資料重覆的次數中的每次重複係該時槽或一第二時槽之內的連續上行鏈路符號。
如請求項21所述之設備，該連續上行鏈路符號係基於自該傳輸持續時間或跨越一時槽邊界之該傳輸持續時間丟棄該下行鏈路符號。
如請求項24所述之設備，該資料重覆的次數係位於該時槽及一第二時槽中。
如請求項25所述之設備，該資料重覆的次數係基於該第一資料重覆的一第一長度或該第二資料重覆的一第二長度。
如請求項26所述之設備，其中：<br/>該時域資源指派係藉由一下行鏈路控制資訊信令指示；<br/>該時域資源指派係指示一起始及長度指示符值(start and length indicator, SLIV)；以及<br/>該SLIV包含該起始符號及該傳輸持續時間。
如請求項21所述之設備，其中該資料重覆的次數係基於該資料重覆中的一次的長度。
如請求項28所述之設備，該資料重覆的次數中的每次重覆係一時槽之內的連續上行鏈路符號；以及<br/>該連續上行鏈路符號係基於自該傳輸持續時間或跨越一時槽邊界之該傳輸持續時間丟棄該下行鏈路符號。
如請求項21所述之設備，其中該傳輸持續時間跨越該時槽及一第二時槽的一時槽邊界，並且儲存於該記憶體中且由該處理器執行的該等指令使該設備進一步：從該起始符號至該時槽邊界傳輸一第三資料重覆。
一種藉由電子裝置管理托盤之識別資訊之方法，其包括如下步驟： <br/>自第1作業人員之終端獲得物品識別碼之第1掃描資訊； <br/>自上述第1作業人員之終端獲得一個以上之托盤識別碼之第2掃描資訊； <br/>基於上述第1掃描資訊及上述第2掃描資訊而將與上述物品識別碼對應之物品映射至與上述一個以上之托盤識別碼對應之托盤； <br/>自上述第1作業人員之終端獲得運輸車輛識別碼之第3掃描資訊； <br/>自上述第1作業人員之終端獲得上述一個以上之托盤識別碼中之第1識別碼之第4掃描資訊； <br/>確認與上述運輸車輛識別碼對應之運輸車輛之目的地及經由地之資訊、及上述第1識別碼中包括之目的地資訊； <br/>基於上述運輸車輛之目的地及經由地之資訊及上述第1識別碼中包括之目的地資訊而確定上述托盤於上述運輸車輛中之裝載位置及裝載順序中之至少一者；及 <br/>將上述托盤之裝載位置及裝載順序中之至少一者顯示於上述第1作業人員之終端。
如請求項1之方法，其中上述一個以上之托盤識別碼包括4個不同之托盤識別碼，該4個不同之托盤識別碼附著於與上述托盤關聯之4個表面，且 <br/>獲得上述第2掃描資訊之步驟進而包括如下步驟： <br/>藉由依次掃描上述4個托盤識別碼而獲得上述第2掃描資訊；及 <br/>基於上述第2掃描資訊而將上述4個托盤識別碼分組並分配至上述托盤。
如請求項2之方法，其中上述托盤係用於自分撥中心或樞紐對複數個物品進行出貨， <br/>上述複數個物品於出貨時分組並以裝載於上述托盤上之托盤垛之形態搬運， <br/>上述4個不同之托盤識別碼附著於上述托盤垛之4個側面。
如請求項1之方法，其中上述物品識別碼包括上述物品之運單之識別碼。
如請求項1之方法，其中上述一個以上之托盤識別碼包括各托盤之出發地及目的地、以及與上述目的地對應之一個以上之營地之資訊。
如請求項5之方法，其中獲得上述第2掃描資訊之步驟進而包括如下步驟： <br/>基於上述第2掃描資訊而依次獲得上述一個以上之托盤識別碼中之第1識別碼及第2識別碼之資訊； <br/>確認上述第1識別碼及上述第2識別碼中包括之目的地資訊；及 <br/>於上述第2識別碼中包括之目的地資訊與上述第1識別碼中包括之目的地資訊不同之情形時，向上述第1作業人員之終端提供通知。
如請求項5之方法，其中獲得上述第2掃描資訊之步驟進而包括如下步驟： <br/>基於上述第2掃描資訊而獲得上述一個以上之托盤識別碼中之第1識別碼之資訊； <br/>確認上述物品識別碼中包括之上述物品之目的地資訊及上述第1識別碼中包括之目的地資訊；及 <br/>於上述第1識別碼中包括之目的地資訊不與上述物品之目的地資訊對應之情形時，向上述第1作業人員之終端提供通知。
如請求項1之方法，其進而包括如下步驟： <br/>基於上述第3掃描資訊及上述第4掃描資訊而將上述托盤映射至與上述運輸車輛識別碼對應之上述運輸車輛。
如請求項1之方法，其中上述運輸車輛識別碼包括上述運輸車輛之目的地資訊，且 <br/>獲得上述方法進而包括如下步驟： <br/>於上述第1識別碼中包括之目的地資訊不與上述運輸車輛之目的地資訊對應之情形時，向上述第1作業人員之終端提供通知。
如請求項1之方法，其進而包括如下步驟：自位於上述運輸車輛之上述目的地之第2作業人員之終端獲得上述運輸車輛識別碼之第5掃描資訊；及 <br/>基於上述第5掃描資訊而更新上述運輸車輛之目的地之上述托盤之到達資訊。
一種電子裝置，其係管理托盤之識別資訊者，其包括： <br/>記憶體，其儲存至少一個命令；及 <br/>處理器，其藉由執行上述至少一個命令而自第1作業人員之終端獲得物品識別碼之第1掃描資訊，自上述第1作業人員之終端獲得一個以上之托盤識別碼之第2掃描資訊，基於上述第1掃描資訊及上述第2掃描資訊而將與上述物品識別碼對應之物品映射至與上述一個以上之托盤識別碼對應之托盤； <br/>自上述第1作業人員之終端獲得運輸車輛識別碼之第3掃描資訊； <br/>自上述第1作業人員之終端獲得上述一個以上之托盤識別碼中之第1識別碼之第4掃描資訊； <br/>確認與上述運輸車輛識別碼對應之運輸車輛之目的地及經由地之資訊、及上述第1識別碼中包括之目的地資訊； <br/>基於上述運輸車輛之目的地及經由地之資訊及上述第1識別碼中包括之目的地資訊而確定上述托盤於上述運輸車輛中之裝載位置及裝載順序中之至少一者；及 <br/>將上述托盤之裝載位置及裝載順序中之至少一者顯示於上述第1作業人員之終端。
一種非暫時性電腦可讀儲存媒體，其係儲存有用以於電腦中執行電子裝置管理托盤之識別資訊之方法之程式者，其中上述方法包括如下步驟： <br/>自第1作業人員之終端獲得物品識別碼之第1掃描資訊； <br/>自上述第1作業人員之終端獲得一個以上之托盤識別碼之第2掃描資訊； <br/>基於上述第1掃描資訊及上述第2掃描資訊而將與上述物品識別碼對應之物品映射至與上述一個以上之托盤識別碼對應之托盤； <br/>自上述第1作業人員之終端獲得運輸車輛識別碼之第3掃描資訊； <br/>自上述第1作業人員之終端獲得上述一個以上之托盤識別碼中之第1識別碼之第4掃描資訊； <br/>確認與上述運輸車輛識別碼對應之運輸車輛之目的地及經由地之資訊、及上述第1識別碼中包括之目的地資訊； <br/>基於上述運輸車輛之目的地及經由地之資訊及上述第1識別碼中包括之目的地資訊而確定上述托盤於上述運輸車輛中之裝載位置及裝載順序中之至少一者；及 <br/>將上述托盤之裝載位置及裝載順序中之至少一者顯示於上述第1作業人員之終端。
一種基於多堆芯模組的SOEC電解水製氫裝置，其特徵在於，包括：蒸汽發生器，該蒸汽發生器用於通過加熱水而生成蒸汽；混合器，該混合器用於將陰極保護氫氣和由所述蒸汽發生器生成的蒸汽混合為含氫混合蒸汽；空氣加熱器，該空氣加熱器用於加熱空氣以生成熱空氣；SOEC模組，該SOEC模組包括保溫殼體和設於所述保溫殼體內的多個電解池堆芯，所述保溫殼體設有熱空氣模組入口、含氫混合蒸汽模組入口、富氧空氣模組出口和產品粗氫氣模組出口；其中，由所述混合器輸出的所述含氫混合蒸汽能夠通過所述含氫混合蒸汽模組入口而供應至其中的各個所述電解池堆芯的含氫混合蒸汽單堆入口，由所述空氣加熱器生成的所述熱空氣能夠通過所述熱空氣模組入口供應至其中的各個所述電解池堆芯的熱空氣單堆入口，所述富氧空氣模組出口和產品粗氫氣模組出口設置為分別用於排出由各個所述電解池堆芯產生的富氧空氣和產品粗氫氣。
如請求項1所述的基於多堆芯模組的SOEC電解水製氫裝置，其特徵在於，還包括撬裝櫃體，所述蒸汽發生器、混合器、空氣加熱器和SOEC模組分別設於該撬裝櫃體內，且所述撬裝櫃體設有用於向所述蒸汽發生器供應所述水的水進口、用於向所述混合器供應所述陰極保護氫氣的陰極保護氫氣進口、用於向所述空氣加熱器供應所述空氣的空氣進口以及連通至所述產品粗氫氣模組出口的產品粗氫氣出口和連通至所述富氧空氣模組出口的富氧空氣出口。
如請求項1或2所述的基於多堆芯模組的SOEC電解水製氫裝置，其特徵在於，包括多個所述SOEC模組，多個所述SOEC模組包括通過引射器連通的第一SOEC模組和多個第二SOEC模組，所述第一SOEC模組的產品粗氫氣模組出口與所述引射器的進氣口連接，所述引射器的出氣口與各第二SOEC模組的含氫混合蒸汽模組入口連接，各所述第二SOEC模組的產品粗氫氣模組出口分別連通至所述產品粗氫氣出口。
如請求項3所述的基於多堆芯模組的SOEC電解水製氫裝置，其特徵在於，還包括蒸汽電加熱器，由所述混合器輸出的所述含氫混合蒸汽經由該蒸汽電加熱器加熱後被供應至所述第一SOEC模組的含氫混合蒸汽模組入口和所述引射器的噴嘴入口。
如請求項3所述的基於多堆芯模組的SOEC電解水製氫裝置，其特徵在於，所述SOEC模組的數量為四個；其中，所述第一SOEC模組的數量為一個，所述第二SOEC模組的數量為三個。
如請求項1或2所述的基於多堆芯模組的SOEC電解水製氫裝置，其特徵在於，還包括：第一換熱器，該第一換熱器設置為用於使得由所述蒸汽發生器生成的蒸汽與由所述SOEC模組排出的產品粗氫氣換熱；以及/或者，第二換熱器，該第二換熱器設置為用於使得所述陰極保護氫氣在被通入所述混合器之前與由所述SOEC模組排出的產品粗氫氣換熱；以及/或者，第三換熱器，該第三換熱器設置為用於使得所述空氣在被通入所述空氣加熱器之前與由所述SOEC模組排出的富氧空氣換熱。
如請求項6所述的基於多堆芯模組的SOEC電解水製氫裝置，其特徵在於，還包括分別與所述第一換熱器、第二換熱器和第三換熱器並聯的旁通流路。
如請求項1或2所述的基於多堆芯模組的SOEC電解水製氫裝置，其特徵在於，多個所述電解池堆芯分為多組，各組包括多個依序串聯連接的電解池堆芯，且各組中首個電解池堆芯的富氧空氣單堆出口與其後的電解池堆芯的熱空氣單堆入口連接，各組中最後一個電解池堆芯的富氧空氣單堆出口通過管段連通至所述富氧空氣模組出口。
如請求項8所述的基於多堆芯模組的SOEC電解水製氫裝置，其特徵在於，至少部分所述電解池堆芯的熱空氣單堆入口和富氧空氣單堆出口之間設有備用旁路。
一種用於SOEC電解水製氫裝置的SOEC模組，其特徵在於，所述SOEC模組包括保溫殼體和設於所述保溫殼體內的多個電解池堆芯；所述保溫殼體設有熱空氣模組入口、含氫混合蒸汽模組入口、富氧空氣模組出口和產品粗氫氣模組出口，各個所述電解池堆芯包括熱空氣單堆入口、含氫混合蒸汽單堆入口、富氧空氣單堆出口和產品粗氫氣單堆出口，所述保溫殼體內設有連接於所述含氫混合蒸汽模組入口和各所述含氫混合蒸汽單堆入口之間、連接於所述熱空氣模組入口和至少部分所述電解池堆芯的熱空氣單堆入口之間、連接于所述富氧空氣模組出口和至少部分所述電解池堆芯的富氧空氣單堆出口之間以及連接於所述產品粗氫氣模組出口和各所述產品粗氫氣單堆出口之間的多個管段。
如請求項10所述的用於SOEC電解水製氫裝置的SOEC模組，其特徵在於，多個所述電解池堆芯分為多組，各組包括多個依序串聯連接的電解池堆芯，且各組中首個電解池堆芯的富氧空氣單堆出口與其後的電解池堆芯的熱空氣單堆入口連接，各組中最後一個電解池堆芯的富氧空氣單堆出口通過管段連通至所述富氧空氣模組出口。
如請求項10或11所述的用於SOEC電解水製氫裝置的SOEC模組，其特徵在於， 所述電解池堆芯的熱空氣單堆入口和富氧空氣單堆出口之間設有備用旁路。
一種脈衝拉伸器系統，其經組態以拉伸由一雷射腔室輸出的光脈衝，該脈衝拉伸器系統包含： <br/>一垂直地定位的光學脈衝拉伸器，其中該垂直地定位的光學脈衝拉伸器沿著一第一縱軸延伸，該第一縱軸經定向成垂直或大致(approximately)垂直於該等光脈衝從該雷射腔室發出的一傳播方向；及 <br/>一水平地定位的光學脈衝拉伸器，其光學地耦接至該垂直地定位的光學脈衝拉伸器，其中該水平地定位的光學脈衝拉伸器沿著一第二縱軸延伸，該第二縱軸垂直或大致垂直於該第一縱軸； <br/>其中該水平地定位的光學脈衝拉伸器相較於該垂直地定位的光學脈衝拉伸器具有一更長的延遲路徑長度； <br/>其中該水平地定位的光學脈衝拉伸器包含一氮氣吹掃環境； <br/>其中該水平地定位的光學脈衝拉伸器與該垂直地定位的光學脈衝拉伸器之一結合包含四個脈衝拉伸器級； <br/>其中該水平地定位的光學脈衝拉伸器包含在該四個脈衝拉伸器級中的複數個脈衝拉伸器級； <br/>其中在該複數個脈衝拉伸器級中的一第一脈衝拉伸器級包含： <br/>一第一複數個鏡面，及 <br/>一第一光束分裂器，其經組態以接收一脈衝雷射束以及將該脈衝雷射束之一部分導引至由該第一光束分裂器與該第一複數個鏡面形成的一第一光學線路，及 <br/>其中在該複數個脈衝拉伸器級中的一第二脈衝拉伸器級包含： <br/>一第二複數個鏡面，及 <br/>一第二光束分裂器，其經組態以自該第一脈衝拉伸器級接收一部分拉伸之脈衝雷射束以及將該部分拉伸之脈衝雷射束之一部分導引至由該第二光束分裂器與該第二複數個鏡面形成的一第二光學線路。
如請求項1之脈衝拉伸器系統，其中： <br/>該第一複數個鏡面包含由介於約2至4公尺(m)之間之一物理距離分隔開的一對鏡面。
如請求項1之脈衝拉伸器系統，其中： <br/>該四個脈衝拉伸器級中之一第一脈衝拉伸器級之一光學延遲係介於約30與約50奈秒(ns)之間； <br/>該四個脈衝拉伸器級中之一第二級之一光學延遲係介於約60與約80 ns之間； <br/>該四個脈衝拉伸器級中之一第三級之一光學延遲係介於約170與約210 ns之間；及 <br/>該四個脈衝拉伸器級中之一第四級之一光學延遲係介於約170與約210 ns之間。
如請求項1之脈衝拉伸器系統，其中： <br/>該四個脈衝拉伸器級之一組合光學延遲係介於約430與約550 ns之間。
如請求項1之脈衝拉伸器系統，其中該水平地定位的光學脈衝拉伸器安裝於該雷射腔室上方。
如請求項1之脈衝拉伸器系統，其中該第一光束分裂器比起靠近該第一複數個鏡面中之一第二組鏡面，係經定位成更靠近該第一複數個鏡面中之一第一組鏡面，其中該第一組鏡面係在該水平地定位的光學脈衝拉伸器之該第一脈衝拉伸器級之一側上，且該第二組鏡面係在該水平地定位的光學脈衝拉伸器之該第一脈衝拉伸器級之另一側上。
如請求項6之脈衝拉伸器系統，其中： <br/>該垂直地定位的光學脈衝拉伸器比起靠近該第二組鏡面，係經定位成更靠近該第一組鏡面。
如請求項1之脈衝拉伸器系統，其中： <br/>該四個脈衝拉伸器級中之一第一級包含若干鏡面，該等鏡面經對準以提供在該第一級中傳播的一雷射束的四次反射； <br/>該四個脈衝拉伸器級中之一第二級包含若干鏡面，該等鏡面經對準以提供在該第二級中傳播的一雷射束的四次反射；及 <br/>該四個脈衝拉伸器級中之一第三級包含若干鏡面，該等鏡面經對準以提供在該第三級中傳播的一雷射束的十二次反射。
如請求項8之脈衝拉伸器系統，其中： <br/>該四個脈衝拉伸器級中之一第四級包含若干鏡面，該等鏡面經對準以提供在該第四級中傳播的一雷射束的十二次反射。
如請求項1之脈衝拉伸器系統，其中該水平地定位的光學脈衝拉伸器包含一補償器板。
如請求項1之脈衝拉伸器系統，其中該水平地定位的光學脈衝拉伸器包含一D形光束分裂器。
一種脈衝拉伸器系統，其經組態以拉伸由一雷射源產生的光脈衝，該脈衝拉伸器系統包含： <br/>一第一光學脈衝拉伸器，其經組態以接收一雷射束以及提供一第一脈衝拉伸雷射束；及 <br/>一第二光學脈衝拉伸器，其經配置成垂直或大致垂直於該第一光學脈衝拉伸器，該第二光學脈衝拉伸器經組態以接收該第一脈衝拉伸雷射束以及提供一第二脈衝拉伸雷射束。
如請求項12之脈衝拉伸器系統，其中該第一光學脈衝拉伸器與該第二光學脈衝拉伸器之一組合包含四個脈衝拉伸器級。
如請求項13之脈衝拉伸器系統，其中該四個脈衝拉伸器級中之一第一級之一光學延遲係介於約30與約50奈秒(ns)之間。
如請求項13之脈衝拉伸器系統，其中該四個脈衝拉伸器級中之一第二級之一光學延遲係介於約60與約80奈秒(ns)之間。
如請求項13之脈衝拉伸器系統，其中該四個脈衝拉伸器級中之一第三級之一光學延遲係介於約170與約210奈秒(ns)之間。
如請求項13之脈衝拉伸器系統，其中該四個脈衝拉伸器級中之一第四級之一光學延遲係介於約170與約210奈秒(ns)之間。
如請求項13之脈衝拉伸器系統，其中該四個脈衝拉伸器級之一組合光學延遲係介於約430與約550奈秒(ns)之間。
如請求項12之脈衝拉伸器系統，其中： <br/>該第二光學脈衝拉伸器經組態以進一步拉伸該第一脈衝拉伸雷射束以提供該第二脈衝拉伸雷射束； <br/>該第二光學脈衝拉伸器包含複數個脈衝拉伸器級； <br/>該複數個脈衝拉伸器級中之每一者定義垂直於該第一光學脈衝拉伸器之一光學線路；及 <br/>該第一光學脈衝拉伸器係一垂直地定位的光學脈衝拉伸器。
如請求項12之脈衝拉伸器系統，其中： <br/>該第一光學脈衝拉伸器係一垂直地定位的光學脈衝拉伸器。
如請求項20之脈衝拉伸器系統，其中該第二光學脈衝拉伸器安裝於一雷射器框架上，且其中該第二光學脈衝拉伸器安裝於該雷射源之一氣體放電腔室上方。
如請求項12之脈衝拉伸器系統，其中： <br/>該第二光學脈衝拉伸器經組態以重新導引該第一脈衝拉伸雷射束以提供該第二脈衝拉伸雷射束； <br/>該第一光學脈衝拉伸器包含四個脈衝拉伸器級中之複數個脈衝拉伸器級； <br/>該複數個脈衝拉伸器級中之每一者定義垂直於該第二光學脈衝拉伸器之一光學線路；及 <br/>該第二光學脈衝拉伸器係一垂直地定位的光學脈衝拉伸器。
如請求項12之脈衝拉伸器系統，其中： <br/>該第二光學脈衝拉伸器係一垂直地定位的光學脈衝拉伸器。
如請求項23之脈衝拉伸器系統，其中該第一光學脈衝拉伸器安裝於一雷射器框架上，且其中該第一光學脈衝拉伸器安裝於該雷射源之一氣體放電腔室上方。
如請求項12之脈衝拉伸器系統，其中該第一光學脈衝拉伸器沿著一第一縱軸延伸，且該第二光學脈衝拉伸器沿著一第二縱軸延伸，該第二縱軸垂直或大致垂直於該第一縱軸。
如請求項12之脈衝拉伸器系統，其中該第一光學脈衝拉伸器經組態以接收該第二脈衝拉伸雷射束以及輸出一第三雷射束至一微影裝置。
如請求項12之脈衝拉伸器系統，其中： <br/>該第一光學脈衝拉伸器及該第二光學脈衝拉伸器中之至少一者沿著一水平縱軸延伸且包含複數個脈衝拉伸器級；及 <br/>在該複數個脈衝拉伸器級中之一第一脈衝拉伸器級包含： <br/>複數個鏡面，及 <br/>一光束分裂器，其經組態以接收該雷射束且將該雷射束之一部分導引至由該複數個鏡面形成的一光學線路。
如請求項27之脈衝拉伸器系統，其中該光束分裂器比起靠近該複數個鏡面中之一第二組鏡面，係經定位成更靠近該複數個鏡面中之一第一組鏡面，其中該第一組鏡面係在沿著該水平縱軸延伸之該複數個脈衝拉伸器級中之該第一脈衝拉伸器級之一側上，且該第二組鏡面係在沿著該水平縱軸延伸之該複數個脈衝拉伸器級中之該第一脈衝拉伸器級之另一側上。
如請求項28之脈衝拉伸器系統，其中： <br/>該第一光學脈衝拉伸器及該第二光學脈衝拉伸器中之至少一者沿著一垂直縱軸延伸且包含一垂直脈衝拉伸器級；及 <br/>該垂直脈衝拉伸器級比起靠近該第二組鏡面，係經定位成更靠近該第一組鏡面。
如請求項12之脈衝拉伸器系統，其中： <br/>該第一光學脈衝拉伸器包含至少一第一脈衝拉伸器級；及 <br/>該第二光學脈衝拉伸器包含至少一第二脈衝拉伸器級。
如請求項12之脈衝拉伸器系統，其中該第一光學脈衝拉伸器及該第二光學脈衝拉伸器中之一者係一垂直地定位的光學脈衝拉伸器，且該第一光學脈衝拉伸器及該第二光學脈衝拉伸器中之另一者係一水平地定位的光學脈衝拉伸器。
如請求項31之脈衝拉伸器系統，其中該水平地定位的光學脈衝拉伸器包含複數個連續的脈衝拉伸器級。
如請求項31之脈衝拉伸器系統，其中該垂直地定位的光學脈衝拉伸器係該第一光學脈衝拉伸器。
如請求項31之脈衝拉伸器系統，其中該水平地定位的光學脈衝拉伸器係該第二光學脈衝拉伸器。
如請求項31之脈衝拉伸器系統，其中該水平地定位的光學脈衝拉伸器具有與該垂直地定位的光學脈衝拉伸器不同的一延遲路徑長度。
如請求項31之脈衝拉伸器系統，其中該水平地定位的光學脈衝拉伸器相較於該垂直地定位的光學脈衝拉伸器具有一更長的延遲路徑長度。
如請求項31之脈衝拉伸器系統，其中該垂直地定位的光學脈衝拉伸器經定向成垂直或大致垂直於該等光脈衝從該雷射源中的一雷射腔室發出的一傳播方向。
如請求項31之脈衝拉伸器系統，其中該水平地定位的光學脈衝拉伸器經定向成平行於該等光脈衝從該雷射源中的一雷射腔室發出的一傳播方向。
如請求項12之脈衝拉伸器系統，其中： <br/>該第一光學脈衝拉伸器及該第二光學脈衝拉伸器之一組合包含四個脈衝拉伸器級； <br/>該四個脈衝拉伸器級中之一第一級包含若干鏡面，該等鏡面經對準以提供在該第一級中傳播的一雷射束的四次反射； <br/>該四個脈衝拉伸器級中之一第二級包含若干鏡面，該等鏡面經對準以提供在該第二級中傳播的一雷射束的四次反射；及 <br/>該四個脈衝拉伸器級中之一第三級包含若干鏡面，該等鏡面經對準以提供在該第三級中傳播的一雷射束的十二次反射。
如請求項39之脈衝拉伸器系統，其中： <br/>該四個脈衝拉伸器級中之一第四級包含若干鏡面，該等鏡面經對準以提供在該第四級中傳播的一雷射束的十二次反射。
如請求項12之脈衝拉伸器系統，其中： <br/>該第一光學脈衝拉伸器及該第二光學脈衝拉伸器中之至少一者包含一氮氣吹掃環境。
如請求項12之脈衝拉伸器系統，其中： <br/>該第一光學脈衝拉伸器及該第二光學脈衝拉伸器中之至少一者包含一真空吹掃環境。
如請求項12之脈衝拉伸器系統，其中： <br/>該第一光學脈衝拉伸器及該第二光學脈衝拉伸器之一組合包含三個脈衝拉伸器級，且該等脈衝拉伸器級中之至少一者包含具有一介於50%與70%之間的反射率的一第一光束分裂器。
如請求項43之脈衝拉伸器系統，其中： <br/>該等脈衝拉伸器級中之至少一者包含具有一介於45%與65%之間的反射率的一第二光束分裂器。
如請求項12之脈衝拉伸器系統，其中： <br/>該第一光學脈衝拉伸器及該第二光學脈衝拉伸器中之至少一者包含一補償器板。
如請求項12之脈衝拉伸器系統，其中： <br/>該第一光學脈衝拉伸器及該第二光學脈衝拉伸器中之至少一者包含一D形光束分裂器。
一種促進水稻吸收肥料的方法，包含：在一水稻施肥期間，對一水稻施用一羽毛角蛋白水解胜肽液，其中該羽毛角蛋白水解胜肽液的施用方法包含在該水稻之葉面上噴灑該羽毛角蛋白水解胜肽液，而該羽毛角蛋白水解胜肽液的製備方法包含在10~16kg/cm<sup>2</sup>之高壓下及150~200℃的溫度下，對羽毛進行熱力學水解20~80分鐘後，再以一稀釋倍數稀釋後而得。
如請求項1所述之促進水稻吸收肥料的方法，其中該羽毛角蛋白水解胜肽液的稀釋倍數為400-600倍。
如請求項1所述之促進水稻吸收肥料的方法，其中該羽毛角蛋白水解胜肽液的施用量為每公頃2-4公升。
如請求項1所述之促進水稻吸收肥料的方法，其中該羽毛角蛋白水解胜肽液中的胜肽具有分子量500~4,000Da，包含5~30個胺基酸。
如請求項1所述之促進水稻吸收肥料的方法，其中該羽毛角蛋白水解胜肽液中胜肽的稀釋前濃度為200,000~450,000ppm。
如請求項1所述之促進水稻吸收肥料的方法，其中當該水稻施肥期間的施肥量為慣行農法的施肥量之70-80%時，該羽毛角蛋白水解胜肽液可增加該水稻之稻穀產量、稻穀稔實率和穀粒的食味值。
如請求項1所述之促進水稻吸收肥料的方法，其中當該水稻施肥期間的施肥量為慣行農法的施肥量之70-80%時，該羽毛角蛋白水解胜肽液可減少該水稻之稻穀未熟率和穀粒之白堊質率。
一種電磁繼電器，包括： <br/>基座塊，具有一對第一傳輸線路、一對第二傳輸線路、及第一接地板，所述第一接地板包含於所述一對第二傳輸線路之間沿著所述一對第二傳輸線路延伸的接地線路； <br/>屏蔽板，具有屏蔽部與第一腳部，所述屏蔽部於所述一對第二傳輸線路的上方與所述一對第二傳輸線路隔開間隔而配置，所述第一腳部與所述屏蔽部一體地形成且配置於所述接地線路；以及 <br/>一對可移動接觸片，分別與所述一對第一傳輸線路連接，自所述一對第一傳輸線路朝向所述一對第二傳輸線路分別延伸，且於與所述一對第二傳輸線路連接的連接位置、以及向上方遠離所述一對第二傳輸線路的脫離位置之間移動，於所述脫離位置與所述屏蔽部接觸。
如請求項1所述的電磁繼電器，其中 <br/>所述第一接地板更包含一對接地部， <br/>所述一對接地部配置於所述一對可移動接觸片的兩側， <br/>所述屏蔽板更具有一對第二腳部，所述一對第二腳部與所述屏蔽部一體地形成並分別配置於所述一對接地部。
如請求項1或2所述的電磁繼電器，其中 <br/>所述基座塊更具有一對第二接地板， <br/>所述一對第二接地板配置於所述一對第二傳輸線路的兩側， <br/>所述屏蔽板更具有一對第三腳部，所述一對第三腳部與所述屏蔽部一體地形成並分別配置於所述一對第二接地板。
如請求項1或2所述的電磁繼電器，更包括絕緣層，所述絕緣層設置於所述一對可移動接觸片及所述屏蔽板之間， <br/>於所述一對可移動接觸片位於所述脫離位置的狀態下，所述一對可移動接觸片與所述絕緣層或所述屏蔽板接觸。
一種中斷服務執行方法，執行於一微控制器單元中，該中斷服務執行方法包括下列步驟：<br/> 建立一中斷向量表，其中該中斷向量表記錄複數個群組中斷向量，每一個該群組中斷向量對應複數個中斷服務請求來源的一中斷群組，且每一個該群組中斷向量為一分配暫存器的一分配暫存器位址值，其中每一個該分配暫存器具有儲存一跳躍指令代碼的一跳躍指令暫存區與一跳躍位址暫存區；<br/> 建立複數個分配向量表，其中每一個該分配向量表記錄對應之該中斷群組的該複數個中斷服務請求來源的複數個中斷向量；<br/> 接收該複數個中斷群組的其中一者的該複數個中斷服務請求來源的至少一者所發出的至少一中斷服務請求；<br/> 於一特定時間內，使對應的該分配向量表將發出該中斷服務請求之該中斷群組的該中斷服務請求來源之該中斷向量寫入到對應的該分配暫存器的該跳躍位址暫存區；<br/> 於該特定時間後，執行發出該中斷服務請求的該中斷群組的該群組中斷向量所指向的該分配暫存器的一跳躍指令，以跳躍至該分配暫存器之該跳躍位址暫存區所儲存的該中斷向量所指向的一跳躍位址，並執行該跳躍位址的一中斷服務代碼。
如請求項1所述的中斷服務執行方法，其中該特定時間為該微控制器單元的一時脈信號的一時脈時間的複數倍。
如請求項2所述的中斷服務執行方法，其中在該微控制器單元為一Cortex處理器，且該特定時間為該微控制器單元的時脈信號的該時脈時間的12～16倍。
如請求項1所述的中斷服務執行方法，其中該分配暫存器為32個位元的暫存器，該跳躍指令暫存區用於儲存該跳躍指令，該中斷向量為該跳躍指令的一跳躍位址值，該跳躍位址值具有24個位元。
如請求項1所述的中斷服務執行方法，其中當該分配向量表未具有其對應的該中斷群組中的該複數個中斷服務請求來源的一優先權順序規則，且於該特定時間內，該中斷群組中的該複數個中斷服務請求來源發出複數個中斷服務請求，則依時間先後順序，將發出該複數個中斷服務請求的該複數個中斷服務請求來源所對應的該複數個中斷向量覆蓋寫入至到對應的該分配暫存器的該跳躍位址暫存區，使該跳躍位址暫存區儲存最後一個發出該中斷服務請求的該中斷服務請求來源所對應的該中斷向量。
如請求項1所述的中斷服務執行方法，其中當該分配向量表具有其對應的該中斷群組中的該複數個中斷服務請求來源的一優先權順序規則，且於該特定時間內，該中斷群組中的該複數個中斷服務請求來源發出複數個中斷服務請求，則依該優先權順序規則，將發出該中斷服務請求的該中斷服務請求來源所對應的該中斷向量覆蓋寫入至到對應的該分配暫存器的該跳躍位址暫存區，使該跳躍位址暫存區儲存發出該複數個中斷服務請求的該複數個中斷服務請求來源中之優先權最高者所對應的該中斷向量。
如請求項1所述的中斷服務執行方法，其中該中斷群組的該複數個中斷服務請求來源以及該中斷群組對應的該分配向量表的該複數個中斷服務請求來源的該複數中斷向量透過一韌體代碼執行於一快閃記憶體或一唯獨記憶體的一遮罩(mask)做調整。
一種微控制器單元，包括彼此電性連接複數個硬體電路，該複數個硬體電路執行一韌體代碼，以進行一中斷服務執行方法，該中斷服務執行方法包括：<br/> 建立一中斷向量表，其中該中斷向量表記錄複數個群組中斷向量，每一個該群組中斷向量對應複數個中斷服務請求來源的一中斷群組，且每一個該群組中斷向量為一分配暫存器的一分配暫存器位址值，其中每一個該分配暫存器具有儲存一跳躍指令代碼的一跳躍指令暫存區與一跳躍位址暫存區；<br/> 建立複數個分配向量表，其中每一個該分配向量表記錄對應之該中斷群組的該複數個中斷服務請求來源的複數個中斷向量；<br/> 接收該複數個中斷群組的其中一者的該複數個中斷服務請求來源的至少一者所發出的至少一中斷服務請求；<br/> 於一特定時間內，使對應的該分配向量表將發出該中斷服務請求之該中斷群組的該中斷服務請求來源之該中斷向量寫入到對應的該分配暫存器的該跳躍位址暫存區；<br/> 於該特定時間後，執行發出該中斷服務請求的該中斷群組的該群組中斷向量所指向的該分配暫存器的一跳躍指令，以跳躍至該分配暫存器之該跳躍位址暫存區所儲存的該中斷向量所指向的一跳躍位址，並執行該跳躍位址的一中斷服務代碼。
如請求項8所述的微控制器單元，其中當該分配向量表未具有其對應的該中斷群組中的該複數個中斷服務請求來源的一優先權順序規則，且於該特定時間內，該中斷群組中的該複數個中斷服務請求來源發出複數個中斷服務請求，則依時間先後順序，將發出該複數個中斷服務請求的該複數個中斷服務請求來源所對應的該複數個中斷向量覆蓋寫入至到對應的該分配暫存器的該跳躍位址暫存區，使該跳躍位址暫存區儲存最後一個發出該中斷服務請求的該中斷服務請求來源所對應的該中斷向量。
如請求項8所述的微控制器單元，其中當該分配向量表具有其對應的該中斷群組中的該複數個中斷服務請求來源的一優先權順序規則，且於該特定時間內，該中斷群組中的該複數個中斷服務請求來源發出複數個中斷服務請求，則依該優先權順序規則，將發出該中斷服務請求的該中斷服務請求來源所對應的該中斷向量覆蓋寫入至到對應的該分配暫存器的該跳躍位址暫存區，使該跳躍位址暫存區儲存發出該複數個中斷服務請求的該複數個中斷服務請求來源中之一最高優先權者所對應的該中斷向量。
一種條碼掃描器整合管理方法，其係藉由電子裝置而實行，該方法包括如下步驟： <br/>識別與上述電子裝置連接之條碼掃描器； <br/>確定與上述條碼掃描器之通訊方式，上述通訊方式用以與經識別之上述條碼掃描器互動，上述確定包含接收自上述條碼掃描器傳輸之訊號及分析上述訊號以識別上述條碼掃描器支援之通訊方式，上述訊號包含關於上述條碼掃描器之上述通訊方式之資訊；響應於確定上述通訊方式為第1通訊方式，藉由作為對於鍵輸入事件進行處理之接收者之事件收聽器，確定是否發生來自上述條碼掃描器之鍵輸入事件； <br/>響應於確定發生上述鍵輸入事件，接收藉由上述條碼掃描器而掃描之條碼作為一連串之鍵資訊； <br/>識別分別與接收到之上述鍵資訊對應之狀態，上述狀態包括第1、第2、第3狀態，上述第1狀態表示開始條碼輸入，上述第2狀態表示進行條碼輸入，上述第3狀態表示完成條碼輸入； <br/>基於與上述狀態對應之各個鍵資訊，產生與藉由上述條碼掃描器而掃描之條碼對應之輸入串； <br/>響應於確定上述通訊方式為與上述第1通訊方式不同之第2通訊方式，加載與上述條碼掃描器對應之SDK；及 <br/>藉由上述SDK而接收利用上述條碼掃描器掃描之條碼之資料。
如請求項1之方法，其中上述第1狀態使上述電子裝置將上述輸入串初始化，將與上述第1狀態對應之布林值設定為真， <br/>上述第2狀態使上述電子裝置於上述布林值為真之情形時，將接收到之鍵資訊依次追加至上述輸入串， <br/>上述第3狀態使上述電子裝置於未接收到追加之鍵資訊且上述布林值為真之情形時，儲存上述輸入串， <br/>將上述布林值設定為假。
如請求項1之方法，其中識別分別與接收到之上述鍵資訊對應之狀態之步驟包括如下步驟： <br/>於接收到之上述鍵資訊中之一個鍵資訊之值為特定鍵值的情形時，將與上述一個鍵資訊對應之狀態識別為上述第3狀態。
如請求項1之方法，其中上述電子裝置與上述條碼掃描器間之連接係藍牙或Wi-Fi無線連接。
如請求項1之方法，其中上述通訊方式包括HID方式、BLE方式、SPP方式中之至少一者。
如請求項1之方法，其進而包括如下步驟： <br/>檢索與上述輸入串對應之分撥資訊，上述分撥資訊包括分撥類型，上述分撥類型包括退貨、配送、製品回收； <br/>將上述分撥資訊發送至伺服器，以便伺服器將上述分撥資訊按照商品代碼、入庫日期或出庫日期來分類；及 <br/>自上述伺服器接收藉由上述伺服器而分類之分撥資訊。
如請求項1之方法，其進而包括如下步驟： <br/>將上述輸入串確定為與藉由上述條碼掃描器而掃描之條碼對應之運單號； <br/>驗證所確定之上述運單號之有效性；及 <br/>顯示與上述驗證結果相應之訊息。
如請求項7之方法，其中驗證上述運單號之有效性之步驟包括如下步驟中之至少一者： <br/>(i)確定上述運單號是否與預存之其他運單號重複； <br/>(ii)確定是否超過與上述運單號對應之運輸有效期； <br/>(iii)確定上述運單號是否與伺服器之資料庫中分配給上述電子裝置之用戶之運單號相應； <br/>(iv)確定上述運單號是否已進行配送完成處理； <br/>(v)確定上述運單號是否已分配給其他用戶。
如請求項1之方法，其中於上述電子裝置中設置有用以管理上述條碼掃描器之應用程式， <br/>上述方法進而包括如下步驟： <br/>為了產生服務報告，特定上述應用程式之使用詳情之一個以上之指標；及 <br/>根據上述指標來分析上述使用詳情並記錄上述分析結果；且 <br/>上述指標作為表示上述應用程式之使用詳情之值，表示上述應用程式中之服務可用性、上述服務使用頻度、錯誤發生頻度及發生詳情中之至少一者。
如請求項9之方法，其中特定上述一個以上之指標之步驟包括如下步驟： <br/>確定與上述條碼掃描器之通訊方式是否為HID方式。
如請求項9之方法，其中特定上述一個以上之指標之步驟包括如下步驟： <br/>確定與上述條碼掃描器之連接狀態及上述條碼掃描器之資訊。
如請求項9之方法，其中特定上述一個以上之指標之步驟包括如下步驟： <br/>確定於上述應用程式中實行之作業與上述作業之頻度。
如請求項9之方法，其中特定上述一個以上之指標之步驟包括如下步驟： <br/>檢測藉由除上述事件收聽器以外之其他元件而確定發生上述鍵輸入事件；及 <br/>響應於檢測到藉由除上述事件收聽器以外之其他元件而確定發生上述鍵輸入事件，確定發生上述錯誤。
如請求項9之方法，其進而包括如下步驟： <br/>於上述錯誤發生頻度超過預設臨界值之情形時產生通知。
如請求項1之方法，其中藉由上述事件收聽器而確定是否發生上述鍵輸入事件之步驟包括如下步驟： <br/>按照既定之時間單位來接收是否發生上述鍵輸入事件；及 <br/>檢測按照上述既定之時間單位來接收之鍵輸入事件中之重複事件，忽略所檢測到之上述重複事件。
一種電子裝置，其包括： <br/>一個以上之處理器；及 <br/>一個以上之記憶體，其儲存有藉由上述一個以上之處理器而執行之命令； <br/>上述電子裝置以如下方式構成： <br/>於藉由上述一個以上之處理器而執行上述命令時，上述一個以上之處理器執行如請求項1至15中任一項之方法。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有於藉由一個以上之處理器而執行時，使上述一個以上之處理器實行動作之命令， <br/>上述命令以如下方式構成： <br/>使上述一個以上之處理器執行如請求項1至15中任一項之方法。
一種助理服務系統，提供給至少一第一用戶與一第二用戶進行信號連結，該系統包含： <br/>一服務對話模組，用以分別與該第一用戶與該第二用戶完成信號連結，使用一語言模型分別因應該第一用戶所發出之一第一問題與該第二用戶所發出之一第二問題來自動建立一第一對話串以及一第二對話串；以及 <br/>一線上資料庫，信號連結至該服務對話模組，其中至少包含一第一用戶專屬資料庫與一第二用戶專屬資料庫，該服務對話模組利用該語言模型建立該第一對話串 <u>且需調用該</u>線上資料庫中之非公開 <u>資料</u>時僅參考該第一用戶專屬資料庫中的內容，該服務對話模組利用該語言模型建立該第二對話串且需調用該線上資料庫中之非公開資料時僅參考該第二用戶專屬資料庫中的內容。
如請求項1所述之助理服務系統，其中該第一用戶或該第二用戶係為具有一可辨識用戶身份資料之一個人電腦或是一智慧型手機，該服務對話模組根據該可辨識用戶身份資料而選擇僅使用該第一用戶專屬資料庫或該第二用戶專屬資料庫，該第一用戶專屬資料庫中包含有專屬該第一用戶的非公開資料，該第二用戶專屬資料庫中包含有專屬該第二用戶的非公開資料。
如請求項1所述之助理服務系統，其中該第一用戶或該第二用戶係為具有一可辨識用戶身份資料之一個人電腦或是一智慧型手機，該服務對話模組根據該可辨識用戶身份資料而提供對應該第一用戶或該第二用戶之一問答權限，該問答權限中包含有限制該服務對話模組僅能觸及該第一用戶專屬資料庫中或該第二用戶專屬資料庫中的一預設範圍，更針對一機敏資料的回答內容加上限制，避免將包含員工個資、薪資訊息之該機敏資料直接暴露於該第一對話串或該第二對話串中。
如請求項1所述之助理服務系統，其中該第一用戶專屬資料庫或該第二用戶專屬資料庫中包含有已預先設計成的資料表(tables)或視觀表（Views）的複數個進階財務指標，用以讓該服務對話模組進行資料擷取。
如請求項1所述之助理服務系統，其中該語言模型為一大型語言模型，該大型語言模型與該線上資料庫的互動是以使用代理人工智慧的框架進行，該大型語言模型用以分別與該第一用戶與該第二用戶完成信號連結，分別因應該第一用戶所發出之該第一問題與該第二用戶所發出之該第二問題來建立該第一對話串以及該第二對話串，該服務對話模組預先針對該第一用戶專屬資料庫或該第二用戶專屬資料庫中的特定名詞，動態生成名詞列表，成為提示建構時的背景資訊。
如請求項5所述之助理服務系統，其中該服務對話模組中更包含一流程管理器，來將該大型語言模型工作流程中的不同流程進行分類，並將該大型語言模型與該第一用戶專屬資料庫與該第二用戶專屬資料庫連接起來，該流程管理器調用該大型語言模型以及進行一資料處理，並在該資料處理的步驟之間保存上下文訊息，該流程管理器更可進行資料庫查詢與調用應用程式開發介面。
如請求項1所述之助理服務系統，其中該服務對話模組與該第一用戶或該第二用戶完成連接時，先進行該第一用戶或該第二用戶的身份認證，而在完成該第一用戶或該第二用戶的身份認證後，確認其合法用戶身份甚至是職務身份後，才能進行後續的對話串建立過程。
如請求項1所述之助理服務系統，其中更包含一資料處理引擎，而該第一用戶專屬資料庫為專屬該第一用戶的一第一會計及企業營運相關資料庫，其中資料內容可以包含銷售客戶地區以及產品庫存，該第二用戶專屬資料庫為專屬該第二用戶的一第二會計及企業營運相關資料庫，而該第一會計及企業營運相關資料庫或該第二會計及企業營運相關資料庫的更新方法係包含下列步驟：匯入一交易資料檔案至該資料處理引擎，該交易資料檔案中包含複數筆資料組合，該複數筆資料組合中之一第一筆資料組合中至少包含有一非會計用語之文字描述與一數值；該資料處理引擎將該交易資料檔案中之該第一筆資料組合中之該非會計用語之文字描述自動轉換成一會計分類用語之描述，進而產生一第一筆處理過資料組合；以及利用該第一筆處理過資料組合來對該第一用戶的該第一會計及企業營運相關資料庫或該第二用戶的該第二會計及企業營運相關資料庫進行內容更新。
如請求項8所述之助理服務系統，其中該資料處理引擎為一人工智慧資料處理引擎，該人工智慧資料處理引擎根據一語言模型而將該第一筆資料組合中之該非會計用語之文字描述自動轉換成該會計分類用語之描述，該資料處理引擎所產生之該第一筆處理過資料組合，其係符合一逗號分隔值格式，該會計分類用語之描述被放在一特定欄位中。
如請求項8所述之助理服務系統，其中該交易資料檔案中可包含用文字、語音或影像來表達的該非會計用語之文字描述與該數值，該第一筆資料組合中之該數值為一時間數值與一金額數值中之一，而該非會計用語之文字描述為一費用描述文字與一支付形態描述文字中之一，該會計分類用語之描述為一會計代碼，該交易資料檔案先被轉換成一逗號分隔值格式後再匯入該資料處理引擎，該非會計用語之文字描述被編在一特定欄位中，使該資料處理引擎能將放在該特定欄位內的非會計用語之文字描述自動轉換成該會計分類用語之描述。
一種電磁繼電器，包括： <br/>傳輸線基座，包含第一導體層與第二導體層，所述第一導體層含有第一傳輸線路與第二傳輸線路，所述第二導體層配置於所述第一導體層的下方； <br/>可移動接觸片，包含與所述第一傳輸線路接合的接合部，且配置於所述第一導體層的上方，能夠移動至連接所述第一傳輸線路與所述第二傳輸線路的連接位置、以及阻斷所述第一傳輸線路與所述第二傳輸線路的阻斷位置； <br/>線圈塊，包含線圈；以及 <br/>可移動塊，藉由利用所述線圈的電磁力運作，使所述可移動接觸片於所述連接位置與所述阻斷位置之間移動， <br/>所述第一傳輸線路包含寬幅部，所述寬幅部具有比所述可移動接觸片的所述接合部的寬度大的寬度，且接合有所述可移動接觸片的所述接合部， <br/>所述第二導體層包含與所述寬幅部相向地打開的開口部。
如請求項1所述的電磁繼電器，其中所述第二導體層的所述開口部具有比所述第一傳輸線路的所述寬幅部的寬度小的寬度。
如請求項1所述的電磁繼電器，其中所述第二導體層的所述開口部具有比所述可移動接觸片的所述接合部小的寬度。
如請求項1所述的電磁繼電器，其中所述傳輸線基座更包含介電體層，所述介電體層配置於所述第一導體層與所述第二導體層之間， <br/>所述介電體層於所述第二導體層的所述開口部與所述可移動接觸片的所述接合部之間具有模腔形狀。
如請求項1所述的電磁繼電器，其中所述第二導體層的所述開口部包含具有R面形狀或C面形狀的角部。
如請求項1所述的電磁繼電器，其中所述第一傳輸線路的所述寬幅部包含具有R面形狀或C面形狀的角部。
一種電磁繼電器，包括： <br/>傳輸線基座，包含第一導體層與第二導體層，所述第一導體層含有第一傳輸線路與第二傳輸線路，所述第二導體層配置於所述第一導體層的下方； <br/>第一可移動接觸片，包含與所述第二傳輸線路相向配置的第一接點部，且配置於所述傳輸線基座上，能夠移動至連接所述第一傳輸線路與所述第二傳輸線路的連接位置、以及阻斷所述第一傳輸線路與所述第二傳輸線路的阻斷位置； <br/>線圈塊，包含線圈；以及 <br/>可移動塊，藉由利用所述線圈的電磁力運作，使所述第一可移動接觸片於所述連接位置與所述阻斷位置之間移動， <br/>所述第二導體層包含與所述第一接點部相向地打開的第一開口部。
如請求項1所述的電磁繼電器，其中 <br/>所述第一可移動接觸片更包含與所述第一傳輸線路接合的第一接合部。
如請求項1或2所述的電磁繼電器，其中 <br/>所述傳輸線基座更包含配置於所述第二導體層的下方的第三導體層， <br/>所述第三導體層包含與所述第一接點部相向地打開的第三開口部。
如請求項1或2所述的電磁繼電器，其中 <br/>所述傳輸線基座更包含：第一射頻線路，用於使射頻訊號通過；以及第一直流線路，用於使直流訊號通過， <br/>所述第一射頻線路包含所述第一傳輸線路與所述第二傳輸線路， <br/>所述第一直流線路與所述第一傳輸線路及第二傳輸線路中的任一者連接。
一種帶保護膜包邊之石墨烯導熱墊片，其包括：石墨烯導熱墊片本體及保護膜，該保護膜包覆該石墨烯導熱墊片本體； <br/>其中，該保護膜之拉伸強度大於該石墨烯導熱墊片本體之拉伸強度；於同等拉力下，該保護膜之伸長率小於該石墨烯導熱墊片本體之伸長率。
如請求項1所述之帶保護膜包邊之石墨烯導熱墊片，其中，該石墨烯導熱墊片本體包括縱向排佈之石墨烯，該石墨烯貫通該石墨烯導熱墊片本體上下表面形成連續導熱結構。
如請求項1或2所述之帶保護膜包邊之石墨烯導熱墊片，其中，該保護膜為一體式保護膜。
如請求項3所述之帶保護膜包邊之石墨烯導熱墊片，其中，該保護膜為“回”字形狀一體式保護膜。
如請求項1所述之帶保護膜包邊之石墨烯導熱墊片，其中，該保護膜為聚胺酯、聚矽氧烷、丁苯乳膠、石蠟、聚對苯二甲酸乙二醇酯、環氧樹脂、聚乙烯、丙烯酸樹脂、聚醯亞胺固化後形成之保護膜。
如請求項1所述之帶保護膜包邊之石墨烯導熱墊片，其中，該石墨烯導熱墊片本體之上表面之邊緣、該石墨烯導熱墊片本體之下表面之邊緣及該石墨烯導熱墊片本體之側面被包覆於該保護膜內。
如請求項1所述之帶保護膜包邊之石墨烯導熱墊片，其中，該石墨烯導熱墊片本體之一個表面之邊緣與該石墨烯導熱墊片本體之側面被包覆於該保護膜內，該石墨烯導熱墊片本體之另一個表面藉由延伸至應用基板表面之保護膜而與該應用基板貼合。
如請求項1所述之帶保護膜包邊之石墨烯導熱墊片，其中，該保護膜之厚度之範圍係1-30微米。
如請求項1所述之帶保護膜包邊之石墨烯導熱墊片，其中，該石墨烯導熱墊片本體之一個表面被該保護膜包覆之面積占該石墨烯導熱墊片本體一個表面之面積之比例為0.0%-30%。
如請求項1所述之帶保護膜包邊之石墨烯導熱墊片，其中，該石墨烯導熱墊片本體被該保護膜所包覆區域與該石墨烯導熱墊片本體未被該保護膜所包覆區域之厚度相同。
如請求項1所述之帶保護膜包邊之石墨烯導熱墊片，其中，該保護膜與該石墨烯導熱墊片本體之結合力≥100 g/25 mm。
一種如請求項1之帶保護膜包邊之石墨烯導熱墊片之製備方法，其包括： <br/>步驟(一)、製備A部分：根據需要之尺寸，模切石墨烯導熱墊片本體； <br/>將限位裝置居中壓於模切後之石墨烯導熱墊片本體之上表面與下表面，該限位裝置面積小於或等於石墨烯導熱墊片本體，暴露出需要保護膜包邊之石墨烯導熱墊片本體，得到A部分； <br/>步驟(二)、製備B部分：將保護膜預製於離型膜表面，切割帶離型膜之保護膜，獲取與需要保護膜包邊之石墨烯導熱墊片本體之形狀、尺寸相匹配之保護膜邊框； <br/>步驟(三)、該保護膜邊框包覆該石墨烯導熱墊片本體之一個表面之邊緣； <br/>步驟(四)、該保護膜邊框包覆該石墨烯導熱墊片本體之側面以及另一個表面之邊緣； <br/>步驟(五)、於保護膜上施加壓力使該石墨烯導熱墊片本體被保護膜所包覆區域與該石墨烯導熱墊片本體未被該保護膜所包覆區域之厚度相同，使保護膜完全貼合A部分，去除離型膜，移除A部分限位裝置，得到帶保護膜包邊之石墨烯導熱墊片。
如請求項12所述之帶保護膜包邊之石墨烯導熱墊片之製備方法，其中， <br/>步驟(一)中該需要保護膜包邊之石墨烯導熱墊片本體包括： <br/>石墨烯導熱墊片本體之上表面之邊緣、 <br/>該石墨烯導熱墊片本體之側面之四周， <br/>該保護膜還包覆應用基板之表面。
一種如請求項1之帶保護膜包邊之石墨烯導熱墊片之製備方法，其包括： <br/>步驟(一)、製備A部分：根據需要之尺寸，模切石墨烯導熱墊片本體； <br/>將限位裝置居中壓於模切後之石墨烯導熱墊片本體之上表面與下表面，該限位裝置面積小於或等於石墨烯導熱墊片本體，暴露出需要保護膜包邊之石墨烯導熱墊片本體，得到A部分； <br/>步驟(二)、製備B部分：將保護膜預製於離型膜表面，切割帶離型膜之保護膜，獲取與需要保護膜包邊之石墨烯導熱墊片本體之形狀、尺寸相匹配之保護膜邊框； <br/>步驟(三)、該保護膜邊框包覆該石墨烯導熱墊片本體之一個表面之邊緣； <br/>步驟(四)、該保護膜邊框包覆該石墨烯導熱墊片本體之側面，將保護膜下壓，貼合A部分露出需要保護膜包邊之石墨烯導熱墊片本體之側面，然後再將保護膜向外彎折，與應用基板表面平行，贴合應用基板表面； <br/>步驟(五)、於保護膜上施加壓力使該石墨烯導熱墊片本體被保護膜所包覆區域與該石墨烯導熱墊片本體未被該保護膜所包覆區域之厚度相同，使保護膜完全貼合A部分，去除離型膜，移除A部分限位裝置，得到帶保護膜包邊之石墨烯導熱墊片。
一種成像裝置，包括： <br/>第一透鏡組，包括多個第一透鏡模組和單個第一影像感測器；以及 <br/>第二透鏡組，包括多個第二透鏡模組和單個第二影像感測器， <br/>其中所述第一透鏡組和所述第二透鏡組被布置為彼此相鄰， <br/>其中所述多個第一透鏡模組的每個第一透鏡模組的視場比所述多個第二透鏡模組的每個第二透鏡模組的視場更寬，且 <br/>其中滿足f35t/f35w ≥ 2，其中f35t是所述第二透鏡模組的35毫米等效焦距，且f35w是所述第一透鏡模組的35毫米等效焦距， <br/>其中所述多個第一透鏡模組的光軸彼此實質上平行， <br/>其中所述多個第二透鏡模組的光軸彼此實質上平行， <br/>所述單個第一影像感測器包括對應所述多個第一透鏡模組的單個成像平面， <br/>通過所述多個第一透鏡模組的光投射於所述單個第一影像感測器的所述單個成像平面，以及 <br/>通過所述多個第二透鏡模組的光投射於所述單個第二影像感測器所包括的單個成像平面。
如請求項1所述的成像裝置，其中滿足TTL_w/IMG HT_Fw ＜ 0.85，其中TTL_w是沿所述光軸從所述第一透鏡模組的前透鏡的物側表面到所述單個第一影像感測器的所述單個成像平面的距離，且IMG HT_Fw是所述單個第一影像感測器的所述單個成像平面的對角線長度的一半。
如請求項1所述的成像裝置，其中滿足Fno_w ＞ fw/IMG HT_Aw，其中Fno_w是所述第一透鏡模組的F值，且IMG HT_Aw是所述單個第一影像感測器的所述單個成像平面中分割以對應所述多個第一透鏡模組的區域的對角線長度的一半。
如請求項1所述的成像裝置，其中滿足TTL_t/IMG HT_Ft ＜ 1.45，其中TTL_t是沿所述光軸從所述第二透鏡模組的前透鏡的物側表面到所述單個第二影像感測器的所述單個成像平面的距離，且IMG HT_Ft是所述單個第二影像感測器的所述單個成像平面的對角線長度的一半。
如請求項1所述的成像裝置，其中滿足Fno_t ＞ （ft/IMG HT_At） × 0.9，其中Fno_t是所述第二透鏡模組的F值，且IMG HT_At是所述單個第二影像感測器的所述單個成像平面中分割以對應所述多個第二透鏡模組的區域的對角線長度的一半。
一種半導體封裝，其包括： <br/>基板，其包括： <br/>介電質結構，其具有第一介電質側、與所述第一介電質側相對的第二介電質側以及在所述第一介電質側和所述第二介電質側之間延伸的橫向介電質側； <br/>凹口部分，其在所述第一介電質側中且延伸至所述第二介電質側，其中所述凹口部分係至少部分地藉由所述橫向介電質側所界定，並且其中所述凹口部分係在所述第一介電質側的第一部分與所述第一介電質側的第二部分之間； <br/>第一導電圖案，其在所述第一介電質側處，所述第一導電圖案包括在所述第一介電質側的所述第一部分處之第一圖案部分和在所述第一介電質側的所述第二部分處之第二圖案部分； <br/>第二導電圖案，其在所述第二介電質側處；以及 <br/>導電通孔，其穿過所述介電質結構且電連接所述第一導電圖案和所述第二導電圖案； <br/>第一半導體晶粒，其耦合到所述第一導電圖案的所述第一圖案部分； <br/>第二半導體晶粒，其耦合到所述第一導電圖案的所述第二圖案部分； <br/>電子構件，其位於所述基板的所述凹口部分中；以及 <br/>囊封材料，其接觸所述橫向介電質側以及至少覆蓋所述電子構件的橫向側。
根據請求項1所述的半導體封裝，其中所述電子構件的整體是在於所述第一介電質側和所述第二介電質側之間。
根據請求項1所述的半導體封裝，其進一步包括在所述凹口部分的底部處的導電層。
根據請求項3所述的半導體封裝，其中所述電子構件電耦合至所述導電層。
根據請求項1所述的半導體封裝，其中所述囊封材料在所述第一介電質側的至少一部分上延伸。
根據請求項1所述的半導體封裝，其中所述電子構件電耦合到第一半導體晶粒和第二半導體晶粒。
根據請求項1所述的半導體封裝，其進一步包括橫向地圍繞所述電子構件的體積，其中所述體積藉由所述囊封材料所填充。
一種半導體封裝，其包括： <br/>基板，其包括： <br/>第一介電質結構，其具有第一介電質側、與所述第一介電質側相對的第二介電質側以及在所述第一介電質側和所述第二介電質側之間延伸的橫向介電質側； <br/>凹口部分，其從所述第一介電質側延伸至所述第二介電質側； <br/>第一導電圖案，其在所述第一介電質側處； <br/>第二導電圖案，其在所述第二介電質側處；以及 <br/>導電通孔，其穿過所述第一介電質結構且電耦合所述第一導電圖案和所述第二導電圖案； <br/>第一半導體晶粒，其耦合到所述第一導電圖案的第一部分且在第一方向上橫向偏離所述凹口部分； <br/>第二半導體晶粒，其耦合到所述第一導電圖案的第二部分且在與所述第一方向相對的第二方向上橫向偏離所述凹口部分；以及 <br/>電子構件，其位在所述基板的所述凹口部分中。
根據請求項8所述的半導體封裝，其進一步包括囊封材料，其接觸所述橫向介電質側並且至少覆蓋所述電子構件的橫向側。
根據請求項8所述的半導體封裝，其進一步包括在所述凹口部分的底部處的導電層。
根據請求項8所述的半導體封裝，其中所述電子構件電耦合到所述第一半導體晶粒和所述第二半導體晶粒。
根據請求項8所述的半導體封裝，其進一步包括在所述第一介電質結構下方的第二介電質結構，其中所述電子構件與所述第二介電質結構垂直地重疊。
一種製造半導體封裝的方法，所述方法包括： <br/>提供基板，其包括： <br/>介電質結構，其具有第一介電質側、與所述第一介電質側相對的第二介電質側以及在所述第一介電質側和所述第二介電質側之間延伸的橫向介電質側； <br/>凹口部分，其在所述第一介電質側中且延伸至所述第二介電質側，其中所述凹口部分係至少部分地藉由所述橫向介電質側所界定，並且其中所述凹口部分係在所述第一介電質側的第一部分與所述第一介電質側的第二部分之間； <br/>第一導電圖案，其在所述第一介電質側處，所述第一導電圖案包括在所述第一介電質側的所述第一部分處之第一圖案部分和在所述第一介電質側的所述第二部分處之第二圖案部分； <br/>第二導電圖案，其在所述第二介電質側處；以及 <br/>導電通孔，其穿過所述介電質結構且電連接所述第一導電圖案和所述第二導電圖案； <br/>在所述基板的所述凹口部分中提供電子構件； <br/>將第一半導體晶粒耦合到所述第一導電圖案的所述第一圖案部分；以及 <br/>將第二半導體晶粒耦合到所述第一導電圖案的所述第二圖案部分。
根據請求項13所述的製造半導體封裝的方法，其進一步在所述基板的所述凹口部分中提供囊封材料。
根據請求項14所述的製造半導體封裝的方法，其中所述囊封材料在所述第一介電質側上方延伸。
根據請求項14所述的製造半導體封裝的方法，其中所述囊封材料設置在橫向圍繞所述電子構件的體積中。
根據請求項16所述的製造半導體封裝的方法，其中所述電子構件電耦合至所述凹口部分的導電層。
根據請求項13所述的製造半導體封裝的方法，其中所述電子構件包括電容器。
根據請求項13所述的製造半導體封裝的方法，其中所述電子構件電耦合到所述第一半導體晶粒和所述第二半導體晶粒。
根據請求項13所述的製造半導體封裝的方法，其中所述基板包括在所述凹口部分的底部處的導電層。
一種無線網路頻道切換方法，適用於一終端裝置，該終端裝置適於連線至一路由器，該路由器提供一連線環境，且具有複數連線頻道，該無線網路頻道切換方法包含： <br/>蒐集一預設時段內，該連線環境內之複數無線網路參數，以取得對應於該連線環境之長期無線網路參數資料，該複數無線網路參數至少包含頻道利用率、頻道使用裝置數目以及頻道頻寬； <br/>獲取當前該終端裝置於該連線環境內之一當前連線頻道；以及 <br/>依據該長期無線網路參數資料以及該當前連線頻道，產生頻道切換資訊。
如請求項1所述之無線網路頻道切換方法，其中，該路由器係一WiFi路由器。
如請求項1所述之無線網路頻道切換方法，其中，依據該長期無線網路參數資料以及該當前連線頻道，產生該頻道切換資訊之步驟包含： <br/>獲取該複數連線頻道中頻道利用率小於該當前連線頻道超過一第一預設值且訊號強度大於一第二預設值之所有該連線頻道作為候選連線頻道； <br/>依據該些候選連線頻道之頻道利用率、訊號強度、頻段高低以及功率大小，以獲得該頻道切換資訊。
如請求項3所述之無線網路頻道切換方法，其中，該第一預設值介於15%與25%之間。
如請求項3所述之無線網路頻道切換方法，其中，該第二預設值介於-65dbm與-75dbm之間。
如請求項3所述之無線網路頻道切換方法，其中，依據該些候選連線頻道之頻道利用率、訊號強度、頻段高低以及功率大小，以獲得該頻道切換資訊之步驟係優先比較該些候選連線頻道之頻道利用率。
如請求項3所述之無線網路頻道切換方法，其中，依據該些候選連線頻道之頻道利用率、訊號強度、頻段高低以及功率大小，以獲得該頻道切換資訊之步驟包含： <br/>判斷該些候選連線頻道中，頻道利用率最低與次低之該二候選連線頻道之頻道利用率之差值是否大於一第三預設值； <br/>若是該差值大於該第三預設值，將頻道利用率最低之該候選連線頻道作為一建議連線頻道；以及 <br/>若是該差值不大於該第三預設值，依據訊號強度、頻段高低以及功率大小確認該建議連線頻道。
如請求項7所述之無線網路頻道切換方法，其中，該第三預設值介於25%至35%之間。
如請求項7所述之無線網路頻道切換方法，其中，依據訊號強度、頻段高低以及功率大小確認該建議連線頻道之步驟包含： <br/>在該些候選連線頻道中，獲取訊號強度大於一第四預設值之該候選連線頻道作為篩選後連線頻道，該第四預設值大於該第二預設值；以及 <br/>依序比較該些篩選後連線頻道之頻段高低以及功率大小以獲取該建議連線頻道。
如請求項9所述之無線網路頻道切換方法，其中，該第二預設值介於-65dbm與-75dbm之間，該第四預設值介於-45dbm與-55dgm之間。
如請求項7所述之無線網路頻道切換方法，其中，依據訊號強度、頻段高低以及功率大小確認該建議連線頻道之步驟包含： <br/>在該些候選連線頻道中，獲取訊號強度大於該第二預設值但小於一第四預設值之該候選連線頻道作為篩選後連線頻道，該第四預設值大於該第二預設值；以及 <br/>依序比較該些篩選後連線頻道之功率大小以及頻段高低以獲取該建議連線頻道。
如請求項11所述之無線網路頻道切換方法，其中，該第二預設值介於-65dbm與-75dbm之間，該第四預設值介於-45dbm與-55dgm之間。
如請求項1所述之無線網路頻道切換方法，其中，該建議連線頻道之頻段大於或等於該當前連線頻道。
一種終端裝置，適於連線至一路由器，該路由器提供一連線環境，且具有複數連線頻道，該終端裝置包含： <br/>一無線通訊模組； <br/>一記憶體；以及 <br/>一處理單元，電性耦接於該無線通訊模組以及該記憶體，用以： <br/>透過該無線通訊模組，蒐集一預設時段內，該連線環境內之複數無線網路參數，以取得對應於該連線環境之長期無線網路參數資料儲存於該記憶體，該複數無線網路參數至少包含頻道利用率、頻道使用裝置數目以及頻道頻寬； <br/>透過該無線通訊模組，獲取當前該終端裝置於該連線環境內之一當前連線頻道；以及 <br/>依據該長期無線網路參數資料以及該當前連線頻道，產生頻道切換資訊。
一種無線網路頻道切換方法，適用於一終端裝置，該終端裝置適於連線至一路由器，該路由器提供一連線環境，且具有複數連線頻道，該無線網路頻道切換方法包含： <br/>獲取當前該終端裝置於該連線環境內之一當前連線頻道； <br/>獲取當前該連線環境內之複數無線網路參數，以取得對應於該連線環境之當前無線網路參數資料，該複數無線網路參數至少包含頻道利用率、頻道使用裝置數目以及頻道頻寬； <br/>判斷是否已獲取對應於該連線環境之長期無線網路參數資料，該長期無線網路參數資料係於一預設時段內，蒐集該連線環境內之該複數無線網路參數所取得之無線網路參數資料； <br/>若是已獲取該長期無線網路參數資料，依據該長期無線網路參數資料、該當前無線網路參數資料以及該當前連線頻道，產生頻道切換資訊；以及 <br/>若是未獲取該長期無線網路參數資料，依據該當前無線網路參數資料以及該當前連線頻道，產生該頻道切換資訊。
一種終端裝置，適於連線至一路由器，該路由器提供一連線環境，且具有複數連線頻道，該終端裝置包含： <br/>一無線通訊模組； <br/>一記憶體；以及 <br/>一處理單元，電性耦接於該無線通訊模組以及該記憶體，用以： <br/>透過該無線通訊模組，蒐集一預設時段內，該連線環境內之複數無線網路參數，以取得對應於該連線環境之長期無線網路參數資料儲存於該記憶體，該複數無線網路參數至少包含頻道利用率、頻道使用裝置數目以及頻道頻寬； <br/>透過該無線通訊模組，獲取當前該終端裝置於該連線環境內之一當前連線頻道； <br/>透過該無線通訊模組，獲取當前該連線環境內之複數無線網路參數，以取得對應於該連線環境之當前無線網路參數資料，該複數無線網路參數至少包含頻道利用率、頻道使用裝置數目以及頻道頻寬； <br/>判斷是否已獲取對應於該連線環境之長期無線網路參數資料，該長期無線網路參數資料係於一預設時段內，蒐集該連線環境內之該複數無線網路參數所取得之無線網路參數資料； <br/>若是已獲取該長期無線網路參數資料，依據該長期無線網路參數資料、該當前無線網路參數資料以及該當前連線頻道，產生頻道切換資訊；以及 <br/>若是未獲取該長期無線網路參數資料，依據該當前無線網路參數資料以及該當前連線頻道，產生該頻道切換資訊。
如請求項16所述之終端裝置，其中，該處理單元係讀取該記憶體，以判斷是否已獲取對應於該連線環境之該長期無線網路參數資料。
一種加載顯示器選單的處理系統，包括：<br/> 一計算機，用以執行一應用程式並輸出一視訊訊號；以及<br/> 一顯示器，連接於該計算機，該顯示器具有一OSD選單與一型號資訊，該OSD選單具有多組顯示選項，該些顯示選項的選項內容之組合為一原始顯示集合，當該顯示器接收該視訊訊號，該顯示器從一選項供應端接收一下載內容，用以獲取至少一推薦選項，該顯示器將該原始顯示集合更換為該推薦選項並以該推薦選項播放該應用程式的一程式畫面，其中該下載內容是匹配該型號資訊與該應用程式的組合。
如請求項1所述的加載顯示器選單的處理系統，其中更包括一雲端伺服器，具有多筆顯示選項集合，每一該顯示選項集合各自對應於該應用程式與該型號資訊，該雲端伺服器從該些顯示選項集合中選擇至少一個，受選的該顯示選項集合為該推薦選項，以產生該下載內容。
如請求項2所述的加載顯示器選單的處理系統，其中該計算機連接於該雲端伺服器，該雲端伺服器提供該下載內容至該計算機，該計算機轉發該下載內容至該顯示器。
如請求項2所述的加載顯示器選單的處理系統，其中該顯示器連接於該雲端伺服器，該雲端伺服器提供該下載內容至該顯示器。
如請求項2所述的加載顯示器選單的處理系統，其中該雲端伺服器接收該顯示器的一已調整選項集合，該雲端伺服器將該已調整選項集合加入該些顯示選項集合之中。
如請求項1所述的加載顯示器選單的處理系統，其中該計算機結束該應用程式，該顯示器將該推薦選項修改為該原始顯示集合。
一種顯示裝置，包括：<br/> 一顯示單元，用以播放一應用程式的一程式畫面或一OSD選單；<br/> 一儲存單元，儲存一原始顯示集合與一型號資訊，該OSD選單包括多組顯示選項，該些顯示選項的選項內容之組合為該原始顯示集合；<br/> 一通訊單元，用以從一選項供應端接收一下載內容或至少一推薦選項；以及<br/> 一處理單元，連接於該顯示單元、該儲存單元與該通訊單元，該處理單元根據所接收的該下載內容獲取該推薦選項，該處理單元將該原始顯示集合更換為該推薦選項並以該推薦選項播放該應用程式的該程式畫面。
如請求項7所述的顯示裝置，其中更包括一輸入單元，該處理單元連接於該輸入單元，該輸入單元用以調整該原始顯示集合的至少一顯示選項。
如請求項8所述的顯示裝置，其中該處理單元根據一調整要求修改該些顯示選項，已修改的該些顯示選項為一已調整選項集合，該儲存單元更儲存該已調整選項集合。
如請求項9所述的顯示裝置，其中該通訊單元連接於該選項供應端，該選項供應端為一雲端伺服器、一計算機、該儲存單元或組合，該處理單元驅動該通訊單元發送該已調整選項集合至該選項供應端。
一種加載顯示器選單的處理方法，根據一顯示器所播放的一應用程式的一程式畫面調整相應的至少一顯示選項，該加載顯示器選單的處理方法包括：<br/> 當該顯示器接收該應用程式的一視訊訊號，該顯示器從一選項供應端接收一下載內容，該下載內容匹配該應用程式與一型號資訊；<br/> 該顯示器根據該下載內容獲取至少一推薦選項；以及<br/> 該顯示器將一OSD選單中的一原始顯示集合更換為該推薦選項，並以該推薦選項播放該應用程式的該程式畫面。
如請求項11所述的加載顯示器選單的處理方法，其中該選項供應端為一計算機、一雲端伺服器或其組合。
如請求項12所述的加載顯示器選單的處理方法，其中在該顯示器從該選項供應端接收該下載內容的步驟包括：<br/> 該雲端伺服器根據該應用程式與該型號資訊選取相應的該推薦選項；<br/> 該雲端伺服器將受選的該推薦選項封裝為該下載內容，並發送至該計算機；以及<br/> 該計算機轉發該些推薦選項至該顯示器。
如請求項11所述的加載顯示器選單的處理方法，其中在該顯示器將該原始顯示集合更換為該推薦選項，並以該推薦選項播放該應用程式的該程式畫面的步驟包括：<br/> 該顯示器儲存該原始顯示集合；以及<br/> 當該應用程式結束時，該顯示器將該推薦選項修改為該原始顯示集合。
如請求項11所述的加載顯示器選單的處理方法，其中在該顯示器從該選項供應端接收該下載內容的步驟包括：<br/> 該顯示器根據一選項來源調整該下載內容的傳送目的地。
一種模組化氣體輸送組件，其包含：<br/>一氣體棒，包含沿著該氣體棒的一長度端對端耦接的複數個模組化氣體區塊，該複數個模組化氣體區塊的每一個包含：<br/>一塊體，在該塊體的一入口端上定義一氣體入口，且在該塊體的一出口端上定義一氣體出口，該塊體定義一縱向氣體路徑，該縱向氣體路徑在該氣體入口和該氣體出口之間沿該塊體的一長度延伸，其中：<br/>該複數個模組化氣體區塊的相鄰模組化氣體區塊的該縱向氣體路徑沿著該氣體棒的該長度彼此耦接，以形成從該複數個模組化氣體區塊的一第一模組化氣體區塊到該複數個模組化氣體區塊的一最後模組化氣體區塊的一連續流動路徑。
如請求項1所述之模組化氣體輸送組件，其中：<br/>該氣體棒包含一第一氣體棒；<br/>該複數個模組化氣體區塊包含第一複數個模組化氣體區塊；<br/>該模組化氣體輸送組件進一步包含與該第一氣體棒的一橫向表面耦接的一第二氣體棒，該第二氣體棒包含沿著該第二氣體棒的一長度端對端耦接的第二複數個模組化氣體區塊；<br/>該第一複數個模組化氣體區塊和該第二複數個模組化氣體區塊包含一相同的結構；<br/>每個塊體沿著該塊體的一寬度定義一橫向氣體路徑；且<br/>來自該第一複數個模組化氣體區塊的每個模組化氣體區塊的該橫向氣體路徑與來自該第二複數個模組化氣體區塊的一橫向相鄰的模組化氣體區塊的該橫向氣體路徑流體耦合。
如請求項2所述之模組化氣體輸送組件，進一步包含：<br/>複數個閥，該複數個閥的每個閥與該第一複數個模組化氣體區塊之一個和該第二複數個模組化氣體區塊之一個介接，以流體地耦合該第一複數個模組化氣體區塊的一模組化氣體區塊的一橫向氣體路徑和來自該第二複數個模組化氣體模組的該橫向相鄰模組化氣體區塊的該橫向氣體路徑。
如請求項3所述之模組化氣體輸送組件，其中：<br/>每個塊體定義形成該橫向氣體路徑的一部分的一橫向氣體埠；且<br/>每個閥與來自該第一氣體棒和該第二氣體棒的多個橫向相鄰的模組化氣體區塊的該等橫向氣體埠流體耦合。
如請求項4所述之模組化氣體輸送組件，其中：<br/>該橫向氣體埠延伸穿過一相應塊體的一上表面。
如請求項3所述之模組化氣體輸送組件，其中：<br/>每個塊體定義形成該橫向氣體路徑的一部分的一第一橫向氣體埠和一第二橫向氣體埠。
如請求項6所述之模組化氣體輸送組件，其中：<br/>每個橫向氣體路徑包含將該第一橫向氣體埠與該第二橫向氣體埠流體耦合的一大體U形。
如請求項6所述之模組化氣體輸送組件，進一步包含：<br/>一個或多個插塞，各自與該第二複數個模組化氣體區塊的一相應者的該第二橫向氣體埠介接。
如請求項3所述之模組化氣體輸送組件，其中：<br/>該氣體入口、該氣體出口和該橫向氣體埠各自形成於該塊體的不同表面上。
如請求項2所述之模組化氣體輸送組件，其中：<br/>一給定塊體的該橫向氣體路徑和該縱向氣體路徑彼此流體耦合。
如請求項2所述之模組化氣體輸送組件，其中：<br/>每個塊體包含一相同的結構。
如請求項2所述之模組化氣體輸送組件，進一步包含：<br/>一第一氣源，與該第一氣體棒的一入口耦合；及<br/>一第二氣源，與該第二氣體棒的一入口耦合。
如請求項1所述之模組化氣體輸送組件，其中：<br/>該複數個模組化氣體區塊的相鄰模組化氣體區塊的該縱向氣體路徑沿著該氣體棒的該長度彼此直接耦接。
如請求項1所述之模組化氣體輸送組件，其中：<br/>該氣體入口形成於該塊體的一朝下表面上；且<br/>該氣體出口形成於該塊體的一朝上表面上。
如請求項1所述之模組化氣體輸送組件，其中：<br/>每個塊體包含沿著該塊體的該長度的一z形輪廓。
如請求項1所述之模組化氣體輸送組件，其中：<br/>每個塊體包含沿著該塊體的一寬度的一矩形輪廓。
如請求項1所述之模組化氣體輸送組件，進一步包含：<br/>一氣體焊件，與該複數個模組化區塊的一最上游模組化區塊的該氣體入口耦接。
如請求項1所述之模組化氣體輸送組件，其中：<br/>每個塊體的該入口端定義一外伸部；且<br/>每個塊體的該出口端定義一突出部。
如請求項18所述之模組化氣體輸送組件，其中：<br/>該複數個模組化氣體區塊的一上游模組化氣體區塊的該突出部設置在該複數個氣體區塊的一相鄰下游模組化氣體區塊的該外伸部下方。
如請求項19所述之模組化氣體輸送組件，其中：<br/>該氣體入口形成於該外伸部的一朝下表面上；且<br/>該氣體出口形成於該突出部的一朝上表面上。
一種處理資訊之方法，其係於電子裝置中進行者，其包括如下步驟： <br/>獲得第1資訊； <br/>轉換上述第1資訊來獲得第2資訊； <br/>對上述第2資訊實行資料重複刪除，以獲得與上述第2資訊匹配之ID資訊；及 <br/>轉換上述ID資訊來獲得符記資訊， <br/>其中獲得上述第2資訊之步驟包括如下步驟： <br/>獲得加密金鑰；及 <br/>基於上述加密金鑰，對上述第1資訊進行加密而獲得上述第2資訊，及 <br/>其中獲得上述ID資訊之步驟包括如下步驟： <br/>獲得預設之複數個ID-值對之資訊； <br/>確認上述複數個ID-值對中是否存在以上述第2資訊為其值之ID-值對；及 <br/>於上述複數個ID-值對中不存在以上述第2資訊為其值之ID-值對之情形時，產生用以將上述第2資訊匹配為其值之ID。
如請求項1之處理資訊之方法，其中獲得上述複數個ID-值對之資訊之步驟包括如下步驟： <br/>獲得包括上述複數個ID-值對之資料表。
如請求項1之處理資訊之方法，其中獲得上述複數個ID-值對之資訊之步驟包括如下步驟： <br/>確認儲存上述複數個ID-值對之資訊之資料儲存器；且 <br/>上述資料儲存器包括快取及持久性資料庫。
如請求項1之處理資訊之方法，其中獲得上述符記資訊之步驟包括如下步驟： <br/>獲得符記金鑰； <br/>獲得鹽值資訊；及 <br/>基於上述符記金鑰及上述鹽值資訊，對上述ID資訊進行加密而產生上述符記資訊。
如請求項4之處理資訊之方法，其中上述鹽值資訊包括隨機產生之滿足設定之大小條件之資訊。
如請求項4之處理資訊之方法，其中上述符記資訊包括上述鹽值資訊作為其一部分。
如請求項1之處理資訊之方法，其進而包括如下步驟： <br/>判斷上述第1資訊是否滿足設定之條件；且 <br/>於上述第1資訊不滿足設定之條件之情形時，上述電子裝置不轉換上述第1資訊。
如請求項7之處理資訊之方法，其中上述設定之條件包括與上述第1資訊之大小相關之條件及與上述第1資訊之格式相關之條件中的一者以上。
如請求項1之處理資訊之方法，其進而包括如下步驟： <br/>獲得CMDB之資訊；且 <br/>上述CMDB之資訊包括用以獲得上述符記資訊之一個以上之規則資訊， <br/>上述電子裝置實行基於上述CMDB之資訊來轉換上述資訊之方法。
如請求項9之處理資訊之方法，其中上述一個以上之規則資訊包括用以調節資訊之可存取性之ACL規則資訊。
如請求項9之處理資訊之方法，其進而包括如下步驟： <br/>於獲得上述符記之資訊後，獲得與上述CMDB不同之目標CMDB之資訊；及 <br/>基於上述目標CMDB之資訊，將上述符記資訊轉換為其他類型之符記資訊。
如請求項1之處理資訊之方法，其進而包括如下步驟： <br/>獲得將上述符記資訊去符記化之請求；及 <br/>基於上述請求來確認上述第1資訊； <br/>確認上述第1資訊之步驟包括如下步驟： <br/>逆轉上述符記資訊來確認上述ID資訊； <br/>確認與上述ID資訊匹配之上述第2資訊；及 <br/>逆轉上述第2資訊來確認上述第1資訊。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有用以於電腦中執行如請求項1之方法之程式。
一種電子裝置，其係處理資訊者，其包括儲存命令之記憶體及處理器， <br/>上述處理器如下：與上述記憶體，從而 <br/>獲得第1資訊； <br/>轉換上述第1資訊來獲得第2資訊； <br/>對上述第2資訊實行資料重複刪除，以獲得與上述第2資訊匹配之ID資訊； <br/>轉換上述ID資訊來獲得符記資訊， <br/>其中上述處理器經組態以透過如下步驟獲得上述第2資訊： <br/>獲得加密金鑰；及 <br/>基於上述加密金鑰，對上述第1資訊進行加密而獲得上述第2資訊，及 <br/>其中上述處理器經組態以透過如下步驟獲得上述ID資訊： <br/>獲得預設之複數個ID-值對之資訊； <br/>確認上述複數個ID-值對中是否存在以上述第2資訊為其值之ID-值對；及 <br/>於上述複數個ID-值對中不存在以上述第2資訊為其值之ID-值對之情形時，產生用以將上述第2資訊匹配為其值之ID。
一種記憶體電路，包括：<br/> 一第一反相器，被耦合到一第一電壓源，並且被配置為回應於一第二輸入信號而生成一第一輸入信號，該第一輸入信號與該第二輸入信號反相；<br/> 一電平移位器電路，被耦合到該第一反相器及與該第一電壓源不同之一第二電壓源，並且被配置為接收至少該第一輸入信號或該第二輸入信號，並且回應於至少該第一輸入信號或該第二輸入信號而生成之一第一信號和一第二信號，<br/> 其中該電平移位器電路包括:<br/> 一第一電晶體，耦合至該第二電壓源；<br/> 一第二電晶體，耦合至一參考電壓源，其中該第一電晶體的一閘極耦合至該第二電晶體的一閘極；以及<br/> 一第三電晶體，耦合於該第一電晶體及該第二電晶體之間；以及<br/> 一第二反相器，被配置為回應於該第一信號而生成一字線信號；其中，該電平移位器電路被配置為回應於至少該第一信號或該第二信號而延遲該字線信號的一前沿，該字線信號之該前沿之一延遲量是基於一第一電源電壓和一第二電源電壓之間之電壓差，該第一電源電壓具有一第一擺幅，並且該第二電源電壓具有一第二擺幅。
如請求項1所述的記憶體電路，還包括：<br/> 一後解碼器電路，被耦合到該第一電壓源和該第一反相器，並且被配置為回應於一第一解碼器信號而生成之該第二輸入信號。
如請求項2所述的記憶體電路，其中，該後解碼器電路包括：<br/> 一第一p型電晶體，包括被配置為接收該第一解碼器信號之一第一端，該第一p型電晶體之一第二端被耦合到該第一電壓源，並且該第一p型電晶體之一第三端被耦合到一第一輸出節點；以及<br/> 一第一n型電晶體，包括被配置為接收該第一解碼器信號之一第一端，該第一n型電晶體之一第二端被耦合到該參考電壓源，並且該第一n型電晶體之一第三端被耦合到該第一輸出節點和該第一p型電晶體之該第三端。
如請求項1所述的記憶體電路，其中該第一電晶體為p型電晶體，該第一電晶體之一第一端被耦合到該第二電壓源，並且該第一電晶體之一第二端被耦合到至少一第一節點；<br/> 該第三電晶體為p型電晶體，包括被耦合到至少一第二節點並且被配置為接收該第二信號之一第一端，該第三電晶體之一第二端被耦合到該第一電晶體之該第二端和該第一節點，並且該第三電晶體之一第三端被耦合到至少一第三節點；以及<br/> 該第二電晶體為n型電晶體，該第二電晶體之一第一端被耦合到該參考電壓源，並且該第二電晶體之一第二端被耦合到該第三節點和該第三電晶體之該第三端。
如請求項4所述的記憶體電路，其中，該電平移位器電路還包括：<br/> 一第一p型電晶體，包括被耦合到該第三節點、該第二電晶體之該第二端和該第三電晶體之該第三端並且被配置為接收該第一信號之一第一端，該第一p型電晶體之一第二端被耦合到該第二電壓源，並且該第一p型電晶體之一第三端被耦合到至少一第四節點；<br/> 一第二p型電晶體，包括被耦合到該第一反相器的一輸出端並且被配置為接收該第一輸入信號之一第一端，該第二p型電晶體之一第二端被耦合到該第四節點和該第一p型電晶體之該第三端，並且該第二p型電晶體之一第三端被耦合到該第二節點；以及<br/> 一第一n型電晶體，包括被耦合到該第一反相器之該輸出端和該第二p型電晶體之該第一端並且被配置為接收該第一輸入信號之一第一端，該第一n型電晶體之該第二端被耦合到該參考電壓源，並且該第一n型電晶體之一第三端被耦合到該第二p型電晶體之該第三端和該第二節點。
如請求項5所述的記憶體電路，其中，該電平移位器電路還包括：<br/> 一第三p型電晶體，包括被耦合到該第一電晶體之該閘極和該第二電晶體之該閘極並且被配置為接收該第二輸入信號之一第一端，該第三p型電晶體之一第二端被耦合到該第二電壓源和該第一電晶體之該第一端，並且該第三p型電晶體之一第三端被耦合到該第一節點、該第一電晶體之該第二端和該第三電晶體之該第二端。
如請求項4所述的記憶體電路，其中<br/> 該第一電晶體還包括一第一尺寸，<br/> 該第三電晶體還包括一第二尺寸，<br/> 該第二電晶體還包括一第三尺寸，並且<br/> 該第一尺寸大於該第三尺寸。
如請求項7所述的記憶體電路，其中該第二尺寸大於該第三尺寸。
一種記憶體電路，包括:<br/> 一記憶體單元陣列；以及<br/> 一字線驅動器，被耦合到該記憶體單元陣列，該字線驅動器包括：<br/> 一第一反相器，被耦合到一第一電壓源，並且被配置為回應於一第二輸入信號而生成一第一輸入信號，該第一輸入信號與該第二輸入信號反相；<br/> 一電平移位器電路，被耦合到至少該第一反相器或與該第一電壓源不同之一第二電壓源，並且被配置為接收至少該第一輸入信號或該第二輸入信號，並且回應於至少該第一輸入信號或該第二輸入信號而生成之一第一信號和一第二信號，<br/> 其中該電平移位器電路包括:<br/> 一第一電晶體，耦合至該第二電壓源；<br/> 一第二電晶體，耦合至一參考電壓源，其中該第一電晶體的一閘極耦接該第二電晶體的一閘極；以及<br/> 一第三電晶體，耦合於該第一電晶體及該第二電晶體之間；以及<br/> 一第二反相器，被配置為回應於該第一信號而生成一字線信號；其中，該電平移位器電路被配置為回應於至少該第一信號或該第二信號而延遲該字線信號之一前沿，該字線信號之該前沿之一延遲量是基於一第一電源電壓和一第二電源電壓之間的電壓差，該第一電源電壓具有一第一擺幅，並且該第二電源電壓具有一第二擺幅。
一種操作記憶體電路的方法，該方法包括：<br/> 由耦接一第一電源電壓的一第一反相器回應於一第一輸入信號而生成一第二輸入信號，該第一輸入信號與該第二輸入信號反相；<br/> 由一電平移位器電路回應於該第一輸入信號及該第二輸入信號而生成一第一信號；<br/> 由耦接一第二電源電壓的一第二反相器回應於該第一信號而生成一字線信號，該字線信號與該第一信號反相，該第一電源電壓具有一第一擺幅，並且該第二電源電壓具有一第二擺幅；以及<br/> 由該電平移位器電路根據該第一電源電壓和該第二電源電壓之間的一電壓差，控制該第一信號的電壓下降速率，以調整該第一信號的一前沿與該字線信號的一前沿間的一時間差。
一種用於在活體外測定三維腫瘤球體中之葡萄糖濃度的方法，其包含下列步驟： <br/>(a) 對癌細胞與基質細胞的共培養物添加表面-增強的拉曼散射(SERS)-為基礎的奈米感測器，俾以形成一第一混合物，該奈米感測器包含4-巰基苯硼酸(4-MPBA)-官能基化的銀奈米粒子； <br/>(b) 將該第一混合物添加至聚二甲基矽氧烷(PDMS)-為基礎的微孔陣列晶片之微孔中； <br/>(c) 令該PDMS-為基礎的微孔陣列晶片中的第一混合物在37℃下進行培育，俾以形成嵌入有SERS-為基礎的葡萄糖奈米感測器的三維腫瘤球體； <br/>(d) 將該三維腫瘤球體轉移到載玻片上，而使得該三維腫瘤球體被封固於其上； <br/>(e) 令該封固在載玻片上的三維腫瘤球體進行共軛焦拉曼光譜學分析，俾以獲得該三維腫瘤球體的拉曼映射影像；以及 <br/>(f) 自該拉曼映射影像中擷取拉曼強度並將該拉曼強度映射到一校準曲線，俾以測定在活體外三維腫瘤球體中的葡萄糖濃度。
如請求項1所述的方法，其中，在步驟(a)中，該癌細胞是選自於由下列所構成的群組：大腸癌細胞、乳癌細胞、肺癌細胞、卵巢癌細胞、胰臟癌細胞、前列腺癌細胞、皮膚癌細胞、骨髓癌細胞、腦癌細胞、胃腸癌細胞、腎臟癌細胞、肝癌細胞、睪丸癌細胞、膀胱癌細胞、子宮頸癌細胞、食道癌細胞、子宮內膜癌細胞，以及它們的組合，以及該基質細胞是選自於由下列所構成的群組：內皮細胞、巨噬細胞、纖維母細胞、間質幹細胞、成骨細胞、軟骨細胞、肌肉細胞，以及它們的組合。
如請求項2所述的方法，其中，該大腸癌細胞是人類迴盲腸腺癌HCT-8細胞，以及該纖維母細胞是小鼠胚胎纖維母細胞NIH-3T3細胞。
如請求項3所述的方法，其中，該人類迴盲腸腺癌HCT-8細胞的數目與小鼠胚胎纖維母細胞NIH-3T3細胞的數目之比例是1：1。
如請求項1所述的方法，其中，在步驟(a)中，該被添加至共培養物中的SERS-為基礎的奈米感測器是呈一範圍落在0.019 mg/mL至10.0 mg/mL內的濃度。
如請求項5所述的方法，其中，在步驟(a)中，該被添加至共培養物中的SERS-為基礎的奈米感測器的濃度是10.0 mg/mL。
如請求項1所述的方法，其中，在步驟(c)中，該PDMS-為基礎的微孔陣列晶片中的第一混合物是在37℃下被培育歷時一範圍落在48小時至120小時內的時間期間。
如請求項7所述的方法，其中，在步驟(c)中，該PDMS-為基礎的微孔陣列晶片中的第一混合物是在37℃下被培育歷時72小時。
如請求項7所述的方法，其中，在步驟(c)中，該PDMS-為基礎的微孔陣列晶片中的第一混合物是在37℃下被培育歷時120小時。
如請求項1所述的方法，其中，在步驟(a)中，該4-MPBA-官能基化的銀奈米粒子是藉由下列步驟而被製備： <br/>(i) 將一硝酸銀溶液在90℃與攪拌下進行加熱，而得到一沸騰的硝酸銀溶液； <br/>(ii) 在攪拌下對該沸騰的硝酸銀溶液逐滴地添加一檸檬酸鈉溶液，俾以形成一黃色溶液； <br/>(iii) 將該黃色溶液冷卻至室溫直至形成一含有銀奈米粒子的膠體溶液； <br/>(iv) 在攪拌下對該含有銀奈米粒子的膠體溶液添加一配於乙醇中的4-MPBA溶液，俾以形成一第二混合物，該4-MPBA溶液是藉由將4-MPBA與乙醇混合而被製得；以及 <br/>(v) 將該第二混合物在避光與4℃下進行培育而使得4-MPBA綴合至銀奈米粒子，俾以獲得4-MPBA-官能基化的銀奈米粒子。
如請求項10所述的方法，其中，在步驟(ii)中，該檸檬酸鈉溶液被逐滴地添加至該沸騰的硝酸銀溶液歷時一範圍落在1分鐘至15分鐘內的時間期間。
如請求項11所述的方法，其中，在步驟(ii)中，該檸檬酸鈉溶液被逐滴地添加至該沸騰的硝酸銀溶液歷時15分鐘。
如請求項10所述的方法，其中，在步驟(iv)中，該等銀奈米粒子與4-MPBA是呈一範圍落在533：1至650：1內的重量比。
如請求項13所述的方法，其中，在步驟(iv)中，該等銀奈米粒子與4-MPBA的重量比是650：1。
如請求項10所述的方法，其中，在步驟(v)中，該第二混合物是在避光下被培育歷時一範圍落在8小時至12小時內的時間期間。
如請求項15所述的方法，其中，在步驟(v)中，該第二混合物是在避光下被培育歷時12小時。
如請求項10所述的方法，其中，該4-MPBA-官能基化的銀奈米粒子具有一範圍落在40 nm 至60 nm內的粒徑。
如請求項17所述的方法，其中，該4-MPBA-官能基化的銀奈米粒子具有50 nm的平均粒徑。
一種製造半導體結構之方法，該方法包括： <br/>提供異質基板，在下文中稱為基板； <br/>在該基板上磊晶地生長具有1x10<sup>7</sup> cm<sup>-2</sup>至1x10<sup>11</sup> cm<sup>-2</sup>之模板凹坑密度的自組織模板層； <br/>在該基板上方且直接在該自組織模板層上磊晶地製造具有1 x 10<sup>7</sup> cm<sup>-2</sup>至1 x 10<sup>9</sup> cm<sup>-2</sup>之穿透位錯密度之實質上應變鬆弛或無應變之GaN層，其中該GaN層具有平面內晶格參數及平面外晶格參數，該平面內晶格參數及該平面外晶格參數與GaN之各自平面內及平面外塊體晶格參數皆相差不超過5%；及 <br/>在該GaN層上方磊晶地製造作用層結構，該作用層結構沿著堆疊方向自面向該GaN層之下端面延伸至與該下端面相對之上端面；其中 <br/>製造該作用層結構包括：製造具有0.1 µm<sup>-2</sup>或更小之V形凹坑密度之該上端面，其中該V形凹坑密度表示在該作用層結構之橫截面視圖中具有V形之凹坑，在下文中稱為V形凹坑之密度。
如請求項1之方法，其進一步包括 <br/>直接在該實質上應變鬆弛或無應變之GaN層上磊晶地製造應變工程子堆疊；其中製造該應變工程子堆疊包含 <br/>製造至少一個應變工程GaN層及至少一個應變工程Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N中間層，x ≥ 0.5，該應變工程GaN層具有0.5 µm至4.0 µm之厚度，且該應變工程Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N中間層具有5 nm至25 nm之厚度。
如請求項1或2之方法，其包括 <br/>提供在至少一個空間方向上具有至少100 mm之橫向延伸的該基板，該基板具有矽表面。
如請求項1或2之方法，其中該作用層結構之該上端面被製造成具有0.1 µm<sup>-2</sup>或更小之V形凹坑密度，使得該至少一個V形凹坑若存在則係連接至起源於該作用層結構之量子井中之穿透位錯，及/或該至少一個V形凹坑若存在則係連接至具有開口芯及{1-100}琢面側之螺旋型或混合型位錯且在下文中稱為奈米管。
如請求項1或2之方法，其包括 <br/>從該半導體結構之背側開始薄化該半導體結構直至該作用層結構，使得該作用層結構保留，及 <br/>自該剩餘作用層結構製造光電裝置，使得該光電裝置在電或光學激發下發射光。
一種半導體結構，該半導體結構沿著堆疊方向包括： <br/>實質上應變鬆弛或無應變之GaN層，其具有1 x 10<sup>7</sup> cm<sup>-2</sup>至1 x 10<sup>9</sup> cm<sup>-2</sup>之穿透位錯密度，其中該GaN層具有平面內晶格參數及平面外晶格參數，該平面內晶格參數及該平面外晶格參數與GaN之各自平面內及平面外塊體晶格參數皆相差不超過5%；及 <br/>磊晶作用層結構，其沿著該堆疊方向配置於該GaN層上方，且沿著該堆疊方向自面向該GaN層之下端面延伸至與該下端面相對之上端面，其中 <br/>該作用層結構在該上端面處具有0.1 µm<sup>-2</sup>或更小之V形凹坑密度，其中該V形凹坑密度表示在該作用層結構之橫截面視圖中具有V形之凹坑，在下文中稱為V形凹坑之密度。
如請求項6之半導體結構，其中該作用層結構包括在其等之間形成界面之至少兩個層，且其中該作用層結構在該界面處具有0.1 µm<sup>-2</sup>或更小之V形凹坑密度。
如請求項6或7之半導體結構，其中若該等V形凹坑存在，則至少80%之該等V形凹坑具有10 nm至500 nm之最大橫向延伸。
如請求項6或7之半導體結構，其中該作用層結構包含III族氮化物材料之量子井及/或電晶體。
如請求項9之半導體結構，其中該至少一個V形凹坑若存在則係連接至起源於量子井中之穿透位錯，或其中該至少一個V形凹坑若存在則係連接至具有開口芯及{1-100}琢面側之螺旋型或混合型位錯，在下文中稱為奈米管。
如請求項9之半導體結構，其包括沿著該堆疊方向配置於該作用層結構下方之應變橋接層，該應變橋接層係由與該量子井中相比具有更低百分比之III族材料之一種III族氮化物材料製成。
如請求項6或7之半導體結構，其中在介於沿著該堆疊方向之該異質基板與該作用層結構之該上端面之間的位置處，該半導體結構具有0.1 µm<sup>-2</sup>或更小之V形凹坑密度。
如請求項6或7之半導體結構，其中在介於沿著該堆疊方向在該異質基板上方200 nm處與該作用層結構之該上端面之間的位置處，該半導體結構具有0.1 µm<sup>-2</sup>或更小之V形凹坑密度。
如請求項6或7之半導體結構，其在介於該作用層結構之該上端面與該上端面下方至少1 µm處之間的各位置處，具有0.1 µm<sup>-2</sup>或更小之V形凹坑密度。
如請求項6或7之半導體結構，其中該作用層結構在其完整體積內具有0.1 µm<sup>-2</sup>或更小之V形凹坑密度。
如請求項6或7之半導體結構，其中在介於沿著該堆疊方向之該異質基板與該作用層結構之該下端面之間的各位置處，該半導體結構具有0.1 µm<sup>-2</sup>或更小之V形凹坑密度。
如請求項6或7之半導體結構，其中在介於沿著該堆疊方向之該異質基板與該作用層結構之該上端面之間的各位置處，該半導體結構具有0.1 µm<sup>-2</sup>或更小之V形凹坑密度。
一種包括如請求項6至17中任一項之半導體結構之光電裝置，其係組態為微型LED，其中該作用層結構包括量子井，該量子井經組態以發射在400 nm至800 nm之波長範圍內之電磁輻射，或經組態以發射在200 nm至400 nm之波長範圍內之電磁輻射。
一種資訊提供方法，其係藉由電子裝置而進行者，其包括如下步驟： <br/>確認第1類別，該第1類別係包括對應於複數個價格資訊而設定之至少一個命令者，該複數個價格資訊係與藉由應用程式而提供之至少一個物品對應者； <br/>確認於上述第1類別中包括之上述至少一個命令中所選擇之命令；及 <br/>提取與上述所選擇之命令對應之價格資訊並藉由上述應用程式而提供， <br/>其中確認上述第1類別之步驟包括如下步驟： <br/>在與上述至少一個物品對應之上述複數個價格資訊中確認第2類別，該第2類別係包括對應於價格資訊而設定之至少一個命令者，該價格資訊係考慮利用上述應用程式之用戶是否加入會員資格者， <br/>其中確認上述第2類別之步驟包括如下步驟： <br/>在與上述至少一個物品對應之上述複數個價格資訊中確認第3類別，該第3類別係包括對應於價格資訊而設定之至少一個命令者，該價格資訊係考慮利用上述應用程式之上述用戶之結算方式者， <br/>其中確認上述命令之步驟包括如下步驟： <br/>確認於上述第2類別中考慮是否加入上述會員資格而選擇之命令、於上述第3類別中考慮上述用戶之結算方式而選擇之命令、及於上述第1類別中選擇之命令。
如請求項1之資訊提供方法，其中確認上述命令之步驟包括如下步驟： <br/>確認於上述第2類別中考慮是否加入上述會員資格而選擇之命令、及於上述第1類別中選擇之命令。
如請求項2之資訊提供方法，其中藉由上述應用程式而提供之步驟包括如下步驟： <br/>於確認與在上述第2類別中考慮是否加入上述會員資格而選擇之命令對應之價格資訊之後，確認與在上述第1類別中所選擇之命令對應之價格資訊；及 <br/>藉由上述應用程式而一併提供與上述第2類別對應之價格資訊及與上述第1類別對應之價格資訊。
如請求項1之資訊提供方法，其中藉由上述應用程式而提供之步驟包括如下步驟： <br/>於確認與在上述第2類別中考慮是否加入上述會員資格而選擇之命令對應之價格資訊之後，於確認與在第3類別中考慮上述用戶之結算方式而選擇之命令對應之價格資訊之後，確認與在上述第1類別中所選擇之命令對應之價格資訊；及 <br/>藉由上述應用程式而一併提供與上述第2類別對應之價格資訊、與上述第3類別對應之價格資訊、及與上述第1類別對應之價格資訊。
如請求項3之資訊提供方法，其中藉由上述應用程式而提供之步驟包括如下步驟： <br/>於上述應用程式提供之會員資格為複數個且複數個會員資格中之上述用戶加入之會員資格為至少2個以上之情形時，提取與至少2個命令對應之至少2個價格資訊並藉由上述應用程式而提供，該至少2個命令係與至少2個會員資格對應者。
如請求項5之資訊提供方法，其中上述至少2個價格資訊間之藉由上述應用程式而顯示之順序係基於上述至少2個會員資格之利用次數而確定，該至少2個會員資格之利用次數係基於上述用戶之購買歷史而確認者。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有用以於電腦中執行請求項1之方法之程式。
一種電子裝置，其包括： <br/>通訊設備； <br/>記憶體；及 <br/>控制部，其指示如下： <br/>確認包括複數個命令之第1類別，該複數個命令係針對與藉由應用程式而提供之至少一個物品對應之複數個價格資訊而設定者，確認於上述第1類別中包括之上述複數個命令中所選擇之命令，提取與上述所選擇之命令對應之價格資訊並藉由上述應用程式而提供， <br/>其中上述控制部指示進一步如下： <br/>於確認上述第1類別時，在與上述至少一個物品對應之上述複數個價格資訊中確認第2類別，該第2類別係包括對應於價格資訊而設定之至少一個命令者，該價格資訊係考慮利用上述應用程式之用戶是否加入會員資格者， <br/>於確認上述第2類別時，在與上述至少一個物品對應之上述複數個價格資訊中確認第3類別，該第3類別係包括對應於價格資訊而設定之至少一個命令者，該價格資訊係考慮利用上述應用程式之上述用戶之結算方式者， <br/>於確認該命令時，確認於上述第2類別中考慮是否加入上述會員資格而選擇之命令、於上述第3類別中考慮上述用戶之結算方式而選擇之命令、及於上述第1類別中選擇之命令。
如請求項8之電子裝置，其中上述控制部指示如下： <br/>於藉由上述應用程式而提供時，於確認與在上述第2類別中考慮是否加入上述會員資格而選擇之命令對應之價格資訊之後，確認與在上述第1類別中所選擇之命令對應之價格資訊，藉由上述應用程式而一併提供與上述第2類別對應之價格資訊及與上述第1類別對應之價格資訊。
如請求項8之電子裝置，其中上述控制部指示如下： <br/>於藉由上述應用程式而提供時，於確認與在上述第2類別中考慮是否加入上述會員資格而選擇之該命令對應之價格資訊之後，於確認與在第3類別中考慮上述用戶之結算方式而選擇之該命令對應之價格資訊之後，確認與在上述第1類別中所選擇之該命令對應之價格資訊，藉由上述應用程式而一併提供與上述第2類別對應之價格資訊、與上述第3類別對應之價格資訊、及與上述第1類別對應之價格資訊。
如請求項9之電子裝置，其中上述控制部指示如下： <br/>於藉由上述應用程式而提供時，於上述應用程式提供之會員資格為複數個且複數個會員資格中之上述用戶加入之會員資格為至少2個以上之情形時，提取與至少2個命令對應之至少2個價格資訊並藉由上述應用程式而提供，該至少2個命令係與至少2個會員資格對應者；且 <br/>上述至少2個價格資訊間之藉由上述應用程式而顯示之順序係基於上述至少2個會員資格之利用次數而確定，該至少2個會員資格之利用次數係基於上述用戶之購買歷史而確認者。
一種傾斜調整裝置，其具有擺動體、驅動軸、壓接工具、及裝置基台， <br/>上述擺動體具有第1擺動體端面，並且具有凸狀球面之第2擺動體端面， <br/>上述驅動軸從上述第2擺動體端面突出， <br/>上述壓接工具具有安裝於上述第1擺動體端面上的第2壓接工具端面，並且具有與上述第2壓接工具端面不同的第1壓接工具端面， <br/>上述裝置基台具有與上述第2擺動體端面卡合的凹狀球面之第1基台端面，並且具有與上述第1基台端面不同的第2基台端面，且具有界定供上述驅動軸插通的插通孔並且連繫上述第2基台端面與上述第1基台端面的基台內周面， <br/>上述傾斜調整裝置構成為：藉由使上述第2擺動體端面沿著上述第1基台端面擺動從將上述擺動體的傾斜調整成基準面與上述第1壓接工具端面保持平行， <br/>上述傾斜調整裝置具備前端球體部、定位機構、傾斜檢測感測器、及控制裝置， <br/>上述前端球體部設置於上述驅動軸的軸方向的端部，上述驅動軸從上述第2基台端面突出， <br/>上述定位機構構成為：設置於上述第2基台端面上，進行上述前端球體部的定位， <br/>上述傾斜檢測感測器構成為：測定上述第1壓接工具端面相對於上述基準面的傾斜， <br/>上述控制裝置構成為：進行上述定位機構的控制， <br/>上述定位機構具備多個致動器，其配置為：沿著上述第2基台端面包圍上述前端球體部， <br/>上述多個致動器構成為：使上述前端球體部的位置在與上述第2基台端面平行的表面內變化， <br/>上述控制裝置具備致動器控制部，其構成為：根據上述傾斜檢測感測器所獲得的測定結果來驅動上述多個致動器使上述第1壓接工具端面相對於上述基準面保持平行。
如請求項1所述的傾斜調整裝置，其中 <br/>上述定位機構具備驅動體，其具有界定供上述前端球體部插入的插入孔的內表面，上述前端球體部與上述內表面呈現滑動接觸， <br/>上述多個致動器配置為：沿著上述第2基台端面包圍上述驅動體，並且構成為：通過上述驅動體使與上述第2基台端面平行的表面內的上述前端球體部的位置變化。
如請求項2所述的傾斜調整裝置，其中 <br/>上述驅動體具備圓筒軸承及軸承保持部， <br/>上述圓筒軸承界定上述插入孔， <br/>上述軸承保持部保持上述圓筒軸承， <br/>上述圓筒軸承的中心軸往上述裝置基台的軸方向延伸。
如請求項3所述的傾斜調整裝置，其中 <br/>上述圓筒軸承具有在未插入上述前端球體部的狀態下小於上述前端球體部的直徑的內徑， <br/>上述圓筒軸承具有往上述圓筒軸承的軸方向延伸的間隙，使上述圓筒軸承的內徑能夠擴張。
如請求項1～請求項4中任一項所述的傾斜調整裝置，其中 <br/>上述裝置基台具備空氣軸承用埠及空氣軸承， <br/>上述空氣軸承構成為：承接來自上述空氣軸承用埠的空氣的供應及排出， <br/>上述第1基台端面為上述空氣軸承的空氣軸承面， <br/>上述裝置基台構成為： <br/>將空氣從上述空氣軸承用埠供應至上述空氣軸承，藉此以使上述擺動體可從上述空氣軸承面分離而擺動的方式支撐上述擺動體，並且， <br/>通過上述空氣軸承用埠從上述空氣軸承抽取空氣，藉此固定上述擺動體的傾斜姿勢。
如請求項2或請求項3所述的傾斜調整裝置，其中 <br/>上述驅動體通過多個線性滑動機構而與上述多個致動器連結， <br/>上述定位機構利用上述多個致動器通過上述多個線性滑動機構對上述驅動體進行推擠或拉扯，藉此使上述驅動體移動。
如請求項2或請求項3所述的傾斜調整裝置，其中 <br/>上述多個致動器包含4個伸縮式致動器，上述4個伸縮式致動器形成2組成對伸縮式致動器，上述成對伸縮式致動器由對向的2個伸縮式致動器所構成，並且在分別形成上述2組成對伸縮式致動器之2個伸縮式致動器之間配置有上述驅動體。
如請求項7所述的傾斜調整裝置，其中 <br/>上述定位機構安裝於上述第2基台端面上，並且具備收容上述4個伸縮式致動器之從上述裝置基台的軸方向觀看呈多角形的外殼部， <br/>上述2組成對伸縮式致動器的兩端部分別固定於上述外殼部的角落。
如請求項8所述的傾斜調整裝置，其中 <br/>以上述2組成對伸縮式致動器的軸線呈現垂直的方式配置上述4個伸縮式致動器。
如請求項9所述的傾斜調整裝置，其中 <br/>上述控制裝置具備驅動量計算部，其構成為：根據上述傾斜檢測感測器所測定之上述第1壓接工具端面相對於上述基準面的傾斜來計算用以使上述基準面與上述第1壓接工具端面保持平行所需要之對上述4個伸縮式致動器分別供應的壓力， <br/>上述致動器控制部構成為：根據上述驅動量計算部的計算結果驅動上述4個伸縮式致動器。
如請求項1～請求項4中任一項所述的傾斜調整裝置，其中 <br/>進而具備鎖定機構，其包含中間球部、鎖定構件、及保持部， <br/>上述中間球部位於上述驅動軸當中上述擺動體與上述前端球體部之間的部分， <br/>上述鎖定構件能夠沿著上述基台內周面在上述裝置基台的軸方向上來回移動，並且具有鎖定構件內周面，其在與上述驅動軸的外表面分離的位置包圍上述驅動軸， <br/>上述保持部具有供上述驅動軸插通並且與上述中間球部卡合的內表面。
如請求項11所述的傾斜調整裝置，其中 <br/>上述鎖定機構具備支撐構件、第1密封件、第2密封件、及鎖定用空氣供應排出室， <br/>上述支撐構件位於上述鎖定構件內周面與上述驅動軸的外表面之間，並且具有支撐構件內周面，其在與上述驅動軸分離的位置包圍上述驅動軸， <br/>上述第1密封件構成為：將上述支撐構件與上述鎖定構件之間進行密封， <br/>上述第2密封件構成為：將上述鎖定構件與上述裝置基台之間進行密封， <br/>上述鎖定用空氣供應排出室被上述鎖定構件、上述裝置基台、上述支撐構件所界定， <br/>上述裝置基台具備鎖定用埠，其對上述鎖定用空氣供應排出室進行空氣的供應及排出。
如請求項12所述的傾斜調整裝置，其中 <br/>具備收容空間、鎖定室、換氣埠、空氣軸承用埠、及空氣軸承， <br/>上述收容空間收容上述多個致動器， <br/>上述鎖定室形成有上述鎖定構件內周面及上述支撐構件內周面，並且上述鎖定室通過上述鎖定構件與上述保持部之間的間隙而與上述收容空間連通， <br/>上述換氣埠、上述空氣軸承用埠、及上述空氣軸承設置於上述裝置基台上， <br/>上述換氣埠與上述收容空間連通， <br/>上述空氣軸承構成為：承接來自上述空氣軸承用埠的空氣的供應及排出， <br/>上述第1基台端面為上述空氣軸承的空氣軸承面，上述裝置基台構成為：以使上述擺動體可從上述空氣軸承面分離而擺動的方式支撐上述擺動體， <br/>上述換氣埠通過上述鎖定室而與由上述擺動體及上述空氣軸承所形成的間隙連通，並且上述收容空間通過上述換氣埠而與上述傾斜調整裝置的外部連通。
如請求項12所述的傾斜調整裝置，其中 <br/>具備收容空間、鎖定室、換氣埠、空氣軸承用埠、及空氣軸承， <br/>上述收容空間收容上述多個致動器， <br/>上述鎖定室形成有上述鎖定構件內周面及上述支撐構件內周面，並且上述鎖定室通過上述鎖定構件與上述保持部之間的間隙而與上述收容空間連通， <br/>上述換氣埠、上述空氣軸承用埠、及上述空氣軸承設置於上述裝置基台上， <br/>上述換氣埠與上述收容空間連通， <br/>上述空氣軸承構成為：承接來自上述空氣軸承用埠的空氣的供應及排出， <br/>上述第1基台端面為上述空氣軸承的空氣軸承面，上述裝置基台構成為：以使上述擺動體可從上述空氣軸承面分離而擺動的方式支撐上述擺動體， <br/>上述收容空間通過上述換氣埠而與上述裝置基台的外部連通，並且上述收容空間通過上述鎖定室而與上述空氣軸承用埠連通。
一種半導體封裝，包括：<br/> 一第一晶粒，具有一前側區及一背側，其中該前側區包括一電晶體位於其中的一主動區以及與該主動區相鄰的一淺溝槽隔離(Shallow Trench Isolation, STI)區；<br/> 一基板，乘載該第一晶粒，其中該基板包括允許一液體通過的一第一腔體；<br/> 一冷卻板(cold plate)，位於該第一晶粒上方，該冷卻板包括一第二腔體，該第二腔體用以連接到該第一腔體並允許該液體在該第一腔體與該第二腔體之間流動；以及<br/> 一地下互連(underground interconnection, UGI)，配置在該第一晶粒的該前側區域的該淺溝槽隔離區；<br/> 其中，該地下互連整個內埋於該淺溝槽隔離區內。
如請求項1所述之半導體封裝，其中該地下互連鄰近該電晶體配置，且該地下互連件的一側壁透過一間隔件與該電晶體隔離。
如請求項1所述的半導體封裝，其中該地下互連的一側壁連接到配置在該主動區中的一連接插塞，且該連接插塞連接到該電晶體。
如請求項1所述的半導體封裝，其中一連接通孔連接到該地下互連的一底表面。
如請求項1所述的半導體封裝，其中該基板更包括：<br/> 一上部分，定義一第一腔體的一第一部分；<br/> 一下部分，定義第一空腔的第二部分；以及<br/> 一接合結構，連接該基板之該上部分與該下部分；<br/> 其中，該第一腔體的該第一部分與該第二部分組合，且用以形成允許該液體通過的一流體通道。
如請求項5所述的半導體封裝，其中所述接合結構也包括：<br/> 一第一密封結構，位於該上部分的面向該基板的該下部分的表面上；<br/> 一第二密封結構，位於該下部分的面向該基板的該上部分的表面上，其中該第二密封結構在幾何上與該第一密封結構匹配；以及<br/> 一接合材料，連接該第一密封結構與該第二密封結構。
如請求項6所述的半導體封裝，其中該基板包括：<br/> 一第一互連層，面向該第一晶粒；<br/> 一第二互連層，背向該第一晶粒；<br/> 一通孔，電性連接於或選擇性地光耦合或熱耦合該第一互連層與該第二互連層；以及<br/> 一隔離結構，靠近該第一密封結構及該第二密封結構，且用於隔離該通孔與該第一密封結構及該第二密封結構。
一種半導體封裝，包括：<br/> 一第一晶粒，具有一前側區及一背側，其中該前側區包括一電晶體位於其中的一主動區以及與該主動區相鄰的一淺溝槽隔離區；<br/> 一第一支撐件，直接配置在該第一晶粒下方且熱耦合於該第一晶粒；以及<br/> 一地下互連，配置在該第一晶粒的該前側區的該淺溝槽隔離區；<br/> 其中，該第一支撐件的一熱導率大於該第一晶粒的一熱傳導率；<br/> 其中，該地下互連整個內埋於該淺溝槽隔離區內。
如請求項8所述的半導體封裝，其中該地下互連鄰近該電晶體配置，且該地下互連件的一側壁透過一間隔件與該電晶體隔離。
如請求項8所述的半導體封裝，其中該地下互連的一側壁連接到配置在該主動區中的一連接插塞，且該連接插塞連接到該電晶體。
如請求項8所述的半導體封裝，其中一連接通孔連接到該地下互連的一底表面。
如請求項8所述的半導體封裝，其中該第一支撐件包括由熱導率大於矽的材料構成的一中介層，且該中介層的一橫截面寬度大於或實質上等於該第一晶粒的一橫截面寬度。
如請求項8所述的半導體封裝，其中該第一支撐件與該第一晶粒組合以形成具有至少一穿過該第一晶粒及該第一支撐件的通孔的一複合層。
如請求項8所述的半導體封裝，其中該第一支撐件由鑽石、石墨烯、氮化硼、砷化硼、立方砷化硼、氮化鋁或碳化矽組成。
一種半導體封裝，包括：<br/> 一第一半導體晶粒，配置在一第一基板上；<br/> 複數個第二半導體晶粒，配置在該第一半導體晶粒上方或鄰近該第一半導體晶粒；<br/> 複數個第一連接器，配置在該第一半導體晶粒與該第一基板之間，且電性連接該第一半導體晶粒與該第一基板；<br/> 複數個第二連接器，配置在該些第二半導體晶粒之二者之間，並電性連接該些第二半導體晶粒之二者； <br/> 一第一介電層，包覆該些第二連接器；<br/> 一介電塗層，不同於該第一介電層，共形地形成在該些第一連接器的露出表面上，且橫向地圍繞該第一介電層；以及<br/> 一地下互連；<br/> 其中，該些第一連接器之間配置有複數個氣隙；<br/> 其中，該第一半導體晶粒與該些第二半導體晶粒之一者包括一前側區，該前側區包括一電晶體位於其中的一主動區以及與該主動區相鄰的一淺溝槽隔離區，該地下互連配置在一第一晶粒之該前側區的該淺溝槽隔離區。
如請求項15所述的半導體封裝，其中該地下互連件鄰近該電晶體配置，且該地下互連件的一側壁透過一間隔件與該電晶體隔離。
如請求項15所述的半導體封裝，其中該地下互連的一側壁連接到配置在該主動區中的一連接插塞，且該連接插塞連接到該電晶體。
如請求項15所述的半導體封裝，其中一連接通孔連接到該地下互連的一底表面。
如請求項15所述的半導體封裝，其中該些氣隙用以允許一液體冷卻劑(liquid coolant)在一浸沒式冷卻操作(immersion cooling operation)下通過。
如請求項15所述的半導體封裝，其中該介電塗層更形成在該第一半導體晶粒的一露出的下表面及該第一基板的一露出的上表面上，以定義該些氣隙。
一種聚醯亞胺膜，包括：<br/> 共聚物，其中包括均苯四甲酸酐（PMDA）的二酐單體與包括4,4'-二氨基二苯醚（ODA）和間-聯甲苯胺（m-TD）的二胺單體共聚，<br/> 其中所述共聚物為具有兩個或更多個嵌段的嵌段共聚物，<br/> 其中所述膜具有-5至2.5ppm/℃的在50至200℃的溫度範圍和10℃/min的加熱速率下測量的在橫向（TD）上的熱膨脹係數（CTE<sub>TD</sub>），以及<br/> 8GPa或更大的模量。
如請求項1所述的聚醯亞胺膜，其中在所述聚醯亞胺膜中，在縱向（MD）上的熱膨脹係數（CTE<sub>MD</sub>）和在橫向（TD）上的所述熱膨脹係數（CTE<sub>TD</sub>）之間的差值（CTE<sub>MD</sub>-CTE<sub>TD</sub>）為-3至3ppm/℃。
如請求項1所述的聚醯亞胺膜，其中所述聚醯亞胺膜的平均熱膨脹係數（CTE<sub>Ave</sub>）為-4.25至3.0ppm/℃，以及<br/> 所述平均熱膨脹係數（CTE<sub>Ave</sub>）是所述聚醯亞胺膜的在縱向（MD）上的熱膨脹係數（CTE<sub>MD</sub>）和在橫向（TD）上的所述熱膨脹係數（CTE<sub>TD</sub>）的平均值。
如請求項1所述的聚醯亞胺膜，其中所述嵌段共聚物包括：<br/> 第一嵌段，其中包括均苯四甲酸酐（PMDA）的二酐單體與包括間-聯甲苯胺（m-TD）的二胺單體共聚；以及<br/> 第二嵌段，其中包括均苯四甲酸酐（PMDA）的二酐單體與包括4,4'-二氨基二苯醚（ODA）的二胺單體共聚。
如請求項1所述的聚醯亞胺膜，其中所述嵌段共聚物的總二胺單體中的所述間-聯甲苯胺（m-TD）的量為40至80莫耳%。
如請求項1所述的聚醯亞胺膜，其中所述嵌段共聚物的總二胺單體中的所述4,4'-二氨基二苯醚（ODA）的量為20至60莫耳%。
如請求項1所述的聚醯亞胺膜，其中所述聚醯亞胺膜具有380℃或更高的玻璃化轉變溫度（Tg）。
如請求項1所述的聚醯亞胺膜，其中所述聚醯亞胺膜具有-25至-13%的基於厚度的耐化學性和-25至-10%的基於重量的耐化學性。
如請求項1所述的聚醯亞胺膜，其中所述聚醯亞胺膜的吸濕膨脹係數為3至6ppm/RH%。
如請求項1所述的聚醯亞胺膜，其中所述聚醯亞胺膜的厚度為1至100μm。
一種用於製備聚醯亞胺膜的方法，包括：將包括均苯四甲酸酐（PMDA）的二酐單體與包括4,4'-二氨基二苯醚（ODA）和間-聯甲苯胺（m-TD）的二胺單體共聚，<br/> 其中所述聚醯亞胺膜包括共聚物，其中所述共聚物為具有兩個或更多個嵌段的嵌段共聚物，<br/> 其中所述聚醯亞胺膜具有-5至2.5ppm/℃的在50至200℃的溫度範圍和10℃/min的加熱速率下測量的在橫向（TD）上的熱膨脹係數（CTE<sub>TD</sub>），以及<br/> 所述聚醯亞胺膜的模量為8GPa或更大。
如請求項11所述用於製備聚醯亞胺膜的方法，其中所述共聚包括：<br/> 通過將包括均苯四甲酸酐（PMDA）的二酐單體與包括間-聯甲苯胺（m-TD）的二胺單體共聚來製備第一嵌段；以及<br/> 通過將包括均苯四甲酸酐（PMDA）的二酐單體與包括4,4'-二氨基二苯醚（ODA）的二胺單體共聚來製備第二嵌段。
如請求項12所述用於製備聚醯亞胺膜的方法，其中在製備所述第一嵌段中，<br/> 包括所述間-聯甲苯胺（m-TD）的所述二胺單體的量為40至80莫耳%，<br/> 包括所述均苯四甲酸酐（PMDA）的所述二酐單體的量為20至70莫耳%，以及<br/> 包括所述間-聯甲苯胺（m-TD）的所述二胺單體的量（M<sub>m-TD</sub>）與包括所述均苯四甲酸酐（PMDA）的二酐單體的量（M<sub>1st PMDA</sub>）的比率（M<sub>m-TD</sub>/M<sub>1st PMDA</sub>）大於1且小於2。
如請求項12所述用於製備聚醯亞胺膜的方法，其中在製備所述第二嵌段中，<br/> 包括所述4,4'-二氨基二苯醚（ODA）的所述二胺單體的量為20至60莫耳%，<br/> 包括所述均苯四甲酸酐（PMDA）的所述二酐單體的量為30至80莫耳%，以及<br/> 包括所述4,4'-二氨基二苯醚（ODA）的所述二胺單體的量（M<sub>ODA</sub>）與包括所述均苯四甲酸酐（PMDA）的所述二酐單體的量（M<sub>2nd PMDA</sub>）的比率（M<sub>ODA</sub>/M<sub>2nd PMDA</sub>）大於0且小於1。
一種連接器模組，其包含： <br/>第1連接器，其安裝於連接對象物，該連接對象物具有複數條接觸線及覆蓋前述接觸線之一部分之接地部；及 <br/>第2連接器，其與前述第1連接器嵌合；且 <br/>前述第1連接器具有： <br/>第1絕緣體，其保持前述連接對象物；及 <br/>金屬構件，其安裝於前述第1絕緣體，具有與前述接觸線接觸之第1接觸部； <br/>前述第2連接器具有： <br/>第2絕緣體，其與前述第1絕緣體嵌合；及 <br/>接點，其安裝於前述第2絕緣體，具有與前述接觸線接觸之第2接觸部； <br/>前述第1接觸部及前述第2接觸部各者與前述接觸線之同一面接觸； <br/>前述第2絕緣體具有突出部，該突出部以前述第1接觸部與前述接觸線接觸之方式朝前述第1連接器側突出且與前述金屬構件接觸。
如請求項1之連接器模組，其中 <br/>前述突出部具有與前述金屬構件接觸之R形狀之第3接觸部。
如請求項1或2之連接器模組，其中 <br/>前述突出部於前述第2絕緣體中自配置於一對前述接點之間之極間壁連續突出。
如請求項3之連接器模組，其中 <br/>前述突出部在與前述接觸線之前述同一面分開之方向較前述極間壁更為凹入而配置。
如請求項1或2之連接器模組，其中 <br/>前述突出部具有傾斜面，該傾斜面位於前述第1連接器側之前端，將前述連接對象物引入前述第2絕緣體之內部。
如請求項1或2之連接器模組，其中 <br/>前述金屬構件具有： <br/>基部，其為板狀；及 <br/>伸出部，其自前述基部向前述第2連接器側伸出，前述第1接觸部位於其前端。
如請求項6之連接器模組，其中 <br/>前述金屬構件具有第4接觸部，該第4接觸部於前述伸出部中位於前述第1接觸部的相反側，與前述接地部接觸。
如請求項7之連接器模組，其中 <br/>前述突出部在前述第1接觸部與前述第4接觸部之間與前述伸出部接觸。
一種電子機器，其包含如請求項1或2之連接器模組。
一種橋式切換式轉換器，包括：<br/>一輸入端及一輸出端，其中該輸入端用以接收一輸入電壓，該輸出端用以提供一輸出電壓；<br/>一變壓器，包括一初級線圈和一次級線圈，其中該次級線圈包括一第一端、一第二端以及位於該第一端和該第二端之間的一中心抽頭，該中心抽頭耦接至該橋式切換式轉換器的該輸出端；<br/>一第一開關，包括一第一端和一第二端，其中該第一開關的該第一端耦接至該橋式切換式轉換器的該輸入端，該第一開關的該第二端耦接至該初級線圈的一第一端；<br/>一第二開關，包括一第一端和一第二端，其中該第二開關的該第一端耦接至該第一開關的該第二端和該初級線圈的該第一端，該第二開關的該第二端耦接至該次級線圈的該中心抽頭，該第二開關和該第一開關組成一第一橋臂；<br/>一第三開關，包括一第一端和一第二端，其中該第三開關的該第一端耦接至該橋式切換式轉換器的該輸入端，該第三開關的該第二端耦接至該初級線圈的一第二端；<br/>一第四開關，包括一第一端和一第二端，其中該第四開關的該第一端耦接至該第三開關的該第二端和該初級線圈的該第二端，該第四開關的該第二端耦接至該次級線圈的該中心抽頭，該第四開關和該第三開關組成一第二橋臂；<br/>一第五開關，包括一第一端和一第二端，其中該第五開關的該第一端耦接至該次級線圈的該第一端，該第五開關的該第二端耦接至一參考端；<br/>一第六開關，包括一第一端和一第二端，其中該第六開關的該第一端耦接至該次級線圈的該第二端，該第六開關的該第二端耦接至該參考端；以及<br/>一控制器，用以提供用於控制該第二開關和該第三開關的一第一切換控制訊號、用於控制該第一開關和該第四開關的一第二切換控制訊號、用於控制該第五開關的一第三切換控制訊號、以及用於控制該第六開關的一第四切換控制訊號；<br/>其中當該第二切換控制訊號控制該第一開關和該第四開關保持關斷時，該控制器用以根據該輸出電壓控制該第一切換控制訊號以導通該第二開關和該第三開關，直至該第二開關或該第三開關的導通時長等於一第一時長時，該控制器用以通過該第一切換控制訊號控制該第二開關和該第三開關關斷；以及<br/>其中當該第一切換控制訊號控制該第二開關和該第三開關保持關斷時，該控制器用以根據該輸出電壓控制該第二切換控制訊號以導通該第一開關和該第四開關，直至該第一開關或該第四開關的導通時長等於一第二時長，該控制器用以通過該第二切換控制訊號控制該第一開關和該第四開關關斷。
如請求項1所述的橋式切換式轉換器，其中該控制器用以通過調整該第一時長及該第二時長中的至少一個，以平衡流過該第一橋臂和流過該第二橋臂的電流。
如請求項2所述的橋式切換式轉換器，其中該第一時長以及該第二時長隨著該輸入電壓的變化而變化。
如請求項1所述的橋式切換式轉換器，其中：<br/>該控制器用以根據該第一切換控制訊號和該輸出電壓控制該第三切換控制訊號以該關斷第五開關；以及<br/>該控制器用以根據該第一開關或該第四開關的一導通時長控制該第三切換控制訊號導通該第五開關。
如請求項1所述的橋式切換式轉換器，其中：<br/>該控制器用以根據該第二切換控制訊號和該輸出電壓控制該第四切換控制訊號以關斷該第六開關；以及<br/>該控制器用以根據該第二開關或該第三開關的一導通時長控制該第四切換控制訊號導通該第六開關。
如請求項1所述的橋式切換式轉換器，其中該控制器包括：<br/>一比較單元，用以根據一輸出電壓取樣訊號和一參考訊號提供一比較訊號，其中該輸出電壓取樣訊號代表了該輸出電壓；<br/>一導通時長單元，用以根據該輸入電壓、一第一電流取樣訊號以及一第二電流取樣訊號提供一第一時長控制訊號和一第二時長控制訊號，其中該第一電流取樣訊號代表了流過該第一橋臂的一電流，該第二電流取樣訊號代表了流過該第二橋臂的一電流；以及<br/>一切換控制單元，用以根據該比較訊號、該第一時長控制訊號以及該第二切換控制訊號產生該第一切換控制訊號和該第四切換控制訊號，並根據該比較訊號、該第二時長控制訊號以及該第一切換控制訊號產生該第二切換控制訊號和該第三切換控制訊號。
一種橋式切換式轉換器，包括：<br/>一輸入端、一輸出端以及一參考端，其中該輸入端和該參考端之間的電壓為一輸入電壓，該輸出端和該參考端之間的電壓為一輸出電壓；<br/>一變壓器，包括一初級線圈和一次級線圈，其中該次級線圈包括一第一端、一第二端以及位於該第一端和該第二端之間的一中心抽頭；<br/>一初級側切換式電路，包括一第一輸入端、一第二輸入端、一第一橋臂端、一第二橋臂端、一第一開關以及一第二開關，其中該初級側切換式電路的該第一輸入端耦接至該橋式切換式轉換器的該輸入端，該初級側切換式電路的該第二輸入端耦接至該橋式切換式轉換器的該輸出端，該初級側切換式電路的該第一橋臂端耦接至該初級線圈的一第一端，該初級側切換式電路的該第二橋臂端耦接至該初級線圈的一第二端，該次級線圈的該中心抽頭耦接至該初級側切換式電路的該第二輸入端，該第一開關耦接在該第一橋臂端和該橋式切換式轉換器的該輸出端之間，該第二開關耦接在該橋式切換式轉換器的該輸入端和該第一橋臂端之間；以及<br/>一控制器，用以根據該輸出電壓提供一第一切換控制訊號以控制該初級側切換式電路中的該第一開關，並提供一第二切換控制訊號以控制該初級側切換式電路中的該第二開關，其中在該第二切換控制訊號控制該第二開關保持關斷時，該控制器用以根據該輸出電壓控制該第一切換控制訊號以導通該第一開關，且在該第一切換控制訊號控制該第一開關保持關斷時，該控制器用以根據該輸出電壓控制該第二切換控制訊號以導通該第二開關。
如請求項7所述的橋式切換式轉換器，進一步包括：<br/>一第三開關和一第四開關，其中該第三開關的一第一端耦接至該次級線圈的該第一端，該第三開關的一第二端耦接至該橋式切換式轉換器的該參考端，該第四開關的一第一端耦接至該次級線圈的該第二端，該第四開關的一第二端耦接至該橋式切換式轉換器的該參考端。
如請求項8所述的橋式切換式轉換器，其中：<br/>該控制器進一步用以提供一第三切換控制訊號以控制該第三開關，並提供一第四切換控制訊號以控制該第四開關；<br/>該控制器用以根據該第一切換控制訊號和該輸出電壓控制該第三切換控制訊號以關斷該第三開關，並根據該第二切換控制訊號控制該第三切換控制訊號導通該第三開關；以及<br/>該控制器用以根據該第二切換控制訊號和該輸出電壓控制該第四切換控制訊號以關斷該第四開關，並根據該第一切換控制訊號控制該第四切換控制訊號導通該第四開關。
如請求項7所述的橋式切換式轉換器，其中當該第一開關的導通時長等於一第一時長時，該控制器用以通過該第一切換控制訊號關斷該第一開關，以及當該第二開關的導通時長等於一第二時長時，該控制器用以通過該第二切換控制訊號關斷該第二開關。
如請求項10所述的橋式切換式轉換器，其中該控制器用以通過調整該第一時長和該第二時長中的至少一個，以平衡一第一電流及一第二電流，其中當該第一開關保持導通時，該第一電流流過該變壓器的一次級側，且當該第二開關保持導通時，該第二電流流過該變壓器的該次級側。
如請求項7所述的橋式切換式轉換器，其中該控制器包括：<br/>一比較單元，用以根據一輸出電壓取樣訊號和一參考訊號提供一比較訊號，其中該輸出電壓取樣訊號代表了該輸出電壓；<br/>一導通時長單元，用以根據該輸入電壓、一第一電流取樣訊號以及一第二電流取樣訊號提供一第一時長控制訊號和一第二時長控制訊號，其中該第一電流取樣訊號代表了當該第一開關保持導通時流過該變壓器的一次級側的一第一電流，且該第二電流取樣訊號代表了當該第二開關保持導通時流過該變壓器的該次級側的一第二電流；以及<br/>一切換控制單元，用以根據該比較訊號、該第一時長控制訊號以及該第二切換控制訊號產生該第一切換控制訊號，並根據該比較訊號、該第二時長控制訊號以及該第一切換控制訊號產生該第二切換控制訊號。
如請求項7所述的橋式切換式轉換器，其中該第二橋臂端通過一第一電容或一第五開關耦接至該橋式切換式轉換器的該輸入端，且通過一第二電容或一第六開關耦接至該橋式切換式轉換器的該輸出端。
一種用於一橋式切換式轉換器的控制器，該橋式切換式轉換器包括一變壓器、與該變壓器的一初級線圈相耦接的一初級側切換式電路、以及與該變壓器的一次級線圈相耦接的一次級側切換式電路，該控制器包括：<br/>一輸出電壓取樣接腳，用於接收代表了該橋式切換式轉換器的一輸出電壓的一輸出電壓取樣訊號；<br/>一輸入電壓取樣接腳，用於接收代表了該橋式切換式轉換器的一輸入電壓的一輸入電壓取樣訊號；<br/>一第一控制訊號輸出接腳，用於提供一第一切換控制訊號以控制該初級側切換式電路中的一第一開關；<br/>一第二控制訊號輸出接腳，用於提供一第二切換控制訊號以控制該初級側切換式電路中的一第二開關；<br/>一第三控制訊號輸出接腳，用於提供一第三切換控制訊號以控制該次級側切換式電路中的一第三開關；以及<br/>一第四控制訊號輸出接腳，用於提供一第四切換控制訊號以控制該次級側切換式電路中的一第四開關；<br/>其中當該第二切換控制訊號控制該第二開關保持關斷時，該控制器用以根據該輸出電壓控制該第一切換控制訊號以導通該第一開關，直至該第一開關的導通時長等於一第一時長時，該控制器用以控制該第一切換控制訊號以關斷該第一開關；以及<br/>其中當該第一切換控制訊號控制該第一開關保持關斷時，該控制器用以根據該輸出電壓控制該第二切換控制訊號以導通該第二開關，直至該第二開關的導通時長等於一第二時長時，該控制器用以控制該第二切換控制訊號以關斷該第二開關。
如請求項14所述的控制器，進一步包括：<br/>一第一電流取樣接腳，用以接收一第一電流取樣訊號，該第一電流取樣訊號代表了流過該第三開關的一電流；以及<br/>一第二電流取樣接腳，用以接收一第二電流取樣訊號，該第二電流取樣訊號代表了流過該第四開關的一電流；<br/>其中該控制器用以根據該第一電流取樣訊號和該第二電流取樣訊號，調整該第一時長和該第二時長中的至少一個。
如請求項15所述的控制器，進一步包括：<br/>一通訊接腳，用於接收一更新資料；以及<br/>一記憶體，用於儲存從該通訊接腳接收到的該更新資料，其中一初始資料初始時儲存於該記憶體中；<br/>其中該控制器初始時用以基於該初始資料控制該第一時長及該第二時長，且當該控制器從該通訊接腳接收該更新資料時，該控制器用以基於該更新資料控制該第一時長及該第二時長。
如請求項14所述的控制器，進一步包括：<br/>一比較單元，用以根據該輸出電壓取樣訊號和一參考訊號提供一比較訊號；<br/>一導通時長單元，用以根據該輸入電壓取樣訊號、一第一電流取樣訊號以及一第二電流取樣訊號提供一第一時長控制訊號和一第二時長控制訊號；以及<br/>一切換控制單元，用以根據該比較訊號、該第一時長控制訊號以及該第二切換控制訊號產生該第一切換控制訊號和該第四切換控制訊號，並根據該比較訊號、該第二時長控制訊號以及該第一切換控制訊號產生該第二切換控制訊號和該第三切換控制訊號。
如請求項17所述的控制器，其中當一第一訊號小於一第二訊號時，該比較訊號改變其狀態，其中該第一訊號是基於該輸出電壓取樣訊號及一下降訊號所產生，該下降訊號代表了當該橋式切換式轉換器的一輸出電流增大時該輸出電壓的一電壓降，該第二訊號是基於該參考訊號所產生。
如請求項14所述的控制器，其中：<br/>該控制器用以根據該第一切換控制訊號和該輸出電壓，控制該第三切換控制訊號以關斷該第三開關；以及<br/>該控制器用以根據該第二切換控制訊號控制該第三切換控制訊號導通該第三開關。
如請求項14所述的控制器，其中：<br/>該控制器用以根據該第二切換控制訊號和該輸出電壓控制該第四切換控制訊號以關斷該第四開關；以及<br/>該控制器用以根據該第一切換控制訊號控制該第四切換控制訊號以導通該第四開關。
一種半導體裝置總成，其包括： <br/>一第一半導體晶粒，其具有一第一介電材料及第一接觸襯墊安置於其處的一第一側；及 <br/>一第二半導體晶粒，其具有： <br/>一第二側，一第二介電材料及第二接觸襯墊安置於該第二側處；及 <br/>一第三側，其與該第二側相對， <br/>其中該第二半導體晶粒與該第一半導體晶粒耦合，使得該等第一接觸襯墊及該等第二接觸襯墊形成將該第一半導體晶粒及該第二半導體晶粒電耦合之互連件且該第一介電材料及該第二介電材料直接接合； <br/>一第三介電材料，其安置於該第一半導體晶粒之該第一側處且超出該第二半導體晶粒之一佔據面積(footprint)；及 <br/>一第四介電材料，其至少部分安置於該第三介電材料上方及該第二半導體晶粒之該佔據面積之外部， <br/>其中該第三介電材料包括以下之一者： <br/>一拉伸介電材料(tensile dielectric material)，其經組態以在一第一上表面處經歷拉伸應力且在一第一下表面處經歷壓縮應力；及 <br/>一壓縮介電材料(compressive dielectric material)，其經組態以在一第二上表面處經歷壓縮應力且在一第二下表面處經歷拉伸應力，且 <br/>其中該第四介電材料包括以下之另一者： <br/>該拉伸介電材料；及 <br/>該壓縮介電材料。
如請求項1之半導體裝置總成，其中該第三介電材料至少部分沿該第二半導體晶粒之在該第二側與該第三側之間之一邊緣向上延伸。
如請求項1之半導體裝置總成，其中該第三介電材料包括氧化矽。
如請求項1之半導體裝置總成，其中該第四介電材料包括氮化矽。
如請求項1之半導體裝置總成，其中： <br/>一第五介電材料安置於該第三側處；且 <br/>該第三介電材料接觸該第五介電材料。
如請求項1之半導體裝置總成，其中： <br/>該第二半導體晶粒進一步包括： <br/>矽穿孔(TSV)，其等自該第二側延伸至該第三側； <br/>第三接觸襯墊，其等在該第三側處在該等TSV上； <br/>一第五介電材料，其安置於該第三側處；且 <br/>該半導體裝置總成進一步包括： <br/>一第三半導體晶粒，其具有： <br/>一第四側，一第六介電材料及第四接觸襯墊安置於該第四側處；及 <br/>一第五側，其與該第四側相對， <br/>其中該第三半導體晶粒與該第二半導體晶粒耦合，使得該等第三接觸襯墊及該等第四接觸襯墊形成將該第二半導體晶粒及該第三半導體晶粒電耦合之第二互連件且該第五介電材料及該第六介電材料直接接合； <br/>一第七介電材料，其安置於該第四介電材料上方，其中該第七介電材料包括以下之一者： <br/>一額外拉伸介電材料；及 <br/>一額外壓縮介電材料；及 <br/>一第八介電材料，其安置於該第四介電材料上方，其中該第八介電材料包括以下之另一者： <br/>該額外拉伸介電材料；及 <br/>該額外壓縮介電材料。
如請求項6之半導體裝置總成，其中該第五介電材料至少部分安置於該第四介電材料上方，使得該第五介電材料至少部分安置於該第四介電材料與該第七介電材料之間。
如請求項1之半導體裝置總成，其中該第三介電材料之一厚度與該第四介電材料之一厚度不同。
一種用於製造一半導體裝置總成之方法，其包括： <br/>提供一第一半導體晶粒，其具有一第一介電材料及第一接觸襯墊安置於其處的一第一側； <br/>提供一第二半導體晶粒，其具有一第二介電材料及第二接觸襯墊安置於其處的一第二側； <br/>將該第二半導體晶粒耦合至該第一半導體晶粒，使得該等第一接觸襯墊及該等第二接觸襯墊形成互連件且該第一介電材料及該第二介電材料直接接合； <br/>將一第三介電材料安置於該第一半導體晶粒之該第一側處且超出該第二半導體晶粒之一佔據面積；及 <br/>將一第四介電材料至少部分安置於該第三介電材料上方及該第二半導體晶粒之該佔據面積之外部， <br/>其中該第三介電材料包括以下之一者： <br/>一拉伸介電材料，其經組態以在一第一上表面處經歷拉伸應力且在一第一下表面處經歷壓縮應力；及 <br/>一壓縮介電材料，其經組態以在一第二上表面處經歷壓縮應力且在一第二下表面處經歷拉伸應力，且 <br/>其中該第四介電材料包括以下之另一者： <br/>該拉伸介電材料；及 <br/>該壓縮介電材料。
如請求項9之方法，其進一步包括： <br/>將該第三介電材料及該第四介電材料至少部分安置於該第二半導體晶粒之一第三側上方；及 <br/>薄化(thinning)該第三介電材料及該第四介電材料以曝露該第二半導體晶粒之該第三側。
如請求項9之方法，其進一步包括沿著該第二半導體晶粒之一邊緣安置該第三介電材料。
如請求項9之方法，其中該第一半導體晶粒係包含於一晶圓中，該晶圓進一步包含一第三半導體晶粒，該方法進一步包括： <br/>將一第四半導體晶粒耦合至該第三半導體晶粒；及 <br/>將該第三介電材料及該第四介電材料安置於該晶圓之該第二半導體晶粒與該第四半導體晶粒之間之一第一側處。
如請求項12之方法，其進一步包括： <br/>將一第五介電材料至少部分安置於該第二半導體晶粒、該第四半導體晶粒及該第四介電材料上方；及 <br/>透過該第五介電材料將一第五半導體晶粒耦合至該第二半導體晶粒。
如請求項9之方法，其進一步包括在安置該第三介電材料及該第四介電材料之後，將矽穿孔安置於該第二半導體晶粒中。
如請求項9之方法，其進一步包括： <br/>判定該第一半導體晶粒之該第一側經組態以經歷拉伸應力；及 <br/>基於該第一半導體晶粒之該第一側經組態以經歷拉伸應力而選擇該拉伸介電材料作為該第三介電材料。
如請求項9之方法，其進一步包括： <br/>判定該第一半導體晶粒之該第一側經組態以經歷壓縮應力；及 <br/>基於該第一半導體晶粒之該第一側經組態以經歷壓縮應力而選擇該壓縮介電材料作為該第三介電材料。
如請求項9之方法，其進一步包括： <br/>判定該第一半導體晶粒經組態以經歷一特定量之應力；及 <br/>基於該特定量之應力以一特定厚度或沈積技術安置該第三介電材料。
一種半導體裝置總成，其包括： <br/>一第一半導體晶粒； <br/>一第二半導體晶粒，其與該第一半導體晶粒混合接合，使得金屬-金屬互連件將該第一半導體晶粒及該第二半導體晶粒電耦合；及 <br/>一介電側壁，其安置於該第一半導體晶粒處且至少部分包圍該第二半導體晶粒，該介電側壁包括： <br/>一拉伸介電材料，其經組態以在一第一上表面處經歷拉伸應力且在一第一下表面處經歷壓縮應力；及 <br/>一壓縮介電材料，其經組態以在一第二上表面處經歷壓縮應力且在一第二下表面處經歷拉伸應力。
如請求項18之半導體裝置總成，其中該拉伸介電材料對該壓縮介電材料之一比率在1:2與2:1之間。
如請求項18之半導體裝置總成，其中： <br/>該第一半導體晶粒包括一邏輯晶粒；且 <br/>該第二半導體晶粒包括一記憶體晶粒。
一種選擇性清潔組成物，包括：<br/> 一螯合劑，其中該螯合劑選自由草酸、草酸銨鹽、丙二酸、丙二酸銨鹽、丁二酸、丁二酸銨鹽、檸檬酸、檸檬酸銨鹽、酒石酸及酒石酸銨鹽所組成之群組中的一種或多種；<br/> 一配位劑，其中該配位劑選自由氫氯酸、氯化銨鹽、氫碘酸、碘化銨鹽及氯化鋅所組成之群組中的一種或多種；<br/> 一輔助螯合劑，其中該輔助螯合劑選自由N-甲基嗎啉-N-氧化物、2-甲基吡啶-N-氧化物、3-甲基吡啶-N-氧化物及4-甲基吡啶-N-氧化物所組成之群組中的一種或多種；以及<br/> 餘量為水；<br/> 其中，以該選擇性清潔組成物之總重量計，該螯合劑之含量介於0.5 wt%至7 wt%之間，該配位劑之含量介於0.5 wt%至5 wt%之間，且該輔助螯合劑之含量介於0.5 wt%至5 wt%之間；<br/> 其中，該選擇性清潔組成物對於二氧化錫的溶解度大於對於錫金屬、銅金屬或鈦金屬的溶解度。
如請求項1所述之選擇性清潔組成物，其中該螯合劑為酒石酸。
如請求項1所述之選擇性清潔組成物，其中以該選擇性清潔組成物之總重量計，該螯合劑之含量介於1 wt%至5 wt%之間。
如請求項1所述之選擇性清潔組成物，其中該配位劑為氫氯酸。
如請求項1所述之選擇性清潔組成物，其中以該選擇性清潔組成物之總重量計，該配位劑之含量介於1 wt%至3 wt%之間。
如請求項1所述之選擇性清潔組成物，其中該輔助螯合劑為N-甲基嗎啉-N-氧化物。
如請求項1所述之選擇性清潔組成物，其中以該選擇性清潔組成物之總重量計，該輔助螯合劑之含量介於1 wt%至3 wt%之間。
一種磁感應鍵盤(10)，包含：<br/> 複數按鍵單元，其中每一按鍵單元(100)包括：<br/> 一按鍵殼(101)；<br/> 一致動部(102)，配置於該按鍵殼(101)中，且包括一套設部(102C)；<br/> 一承載部(103)，配置於該按鍵殼(101)中，且具有一容置空間(103S)以及一牴觸部(103C)；<br/> 一磁性物質(104)，被該套設部(102C)套設且配置在該容置空間(103S)中；<br/> 一按鍵底座(105)，配置於該按鍵殼(101)中以及該承載部(103)下方；<br/> 一復位彈簧(106)，連接該牴觸部(103C)與該按鍵底座(105)；<br/> 一磁阻元件(107)，配置於該按鍵底座(105)附近，並具有一磁阻參數(MR)；以及<br/> 一處理單元(108)，電性連接該磁阻元件(107)，其中：<br/> 該磁性物質(104)與該磁阻元件(107)之間具有一按壓距離(DP)以及一釋放距離(DR)，該按壓距離(DP)以及該釋放距離(DR)相關於該磁阻參數(MR)的增加或減少，且該處理單元(108)根據該磁阻參數(MR)的增加或減少來決定該按鍵單元(100)被觸發或被重設。
如請求項1所述的磁感應鍵盤(10)，其中：<br/> 該磁阻元件(107)為一穿隧磁阻效應(Tunnel Magneto Resistance Effect, TMR)元件；<br/> 該磁阻元件(107)偵測周邊按鍵單元的工作狀態；<br/> 該磁阻元件(107)為一單極磁反應元件或一雙極磁反應元件；<br/> 當該磁阻元件(107)為該單極磁反應元件時，該磁阻元件(107)包含：<br/> 一自由層(1071)；<br/> 一介電層(1072)，與該自由層(1071)連接；以及<br/> 一釘紮層(1073)，與該介電層(1072)連接，其中在該磁性物質(104)接近該磁阻元件(107)的狀態下，該自由層(1071)與該釘紮層(1073)的一磁化方向一致，俾使該磁阻參數(MR)減少，且在該磁性物質(104)遠離該磁阻元件(107)的狀態下，該自由層(1071)與該釘紮層(1073)的該磁化方向不一致，俾使該磁阻參數(MR)增加；以及<br/> 該按鍵殼(101)被按壓或被釋放而使該致動部(102)帶動該磁性物質(104)接近或遠離該磁阻元件(107)而使該磁阻參數(MR)增加或減少。
如請求項1所述的磁感應鍵盤(10)，其中：<br/> 該處理單元(108)設定該按鍵單元(100)的一觸發行程(TR)與一重置行程(RT)，其中當該按壓距離(DP)大於或等於該觸發行程(TR)時，該處理單元(108)判斷該按鍵單元(100)被觸發，且當該釋放距離(DR)大於或等於該重置行程(RT)時，該處理單元(108)判斷該按鍵單元(100)被重置；<br/> 以及<br/> 該磁感應鍵盤(10)還包含一電路板，其中該電路板電連接該處理單元(108)與該磁阻元件(107)，且該磁阻元件(107)配置於該磁性物質(104)投影至該電路板上的一投影區域附近。
一種磁感應滑鼠按鍵，包含：<br/> 至少一按鍵單元(200)，具有一按鍵底座(205)，且包括：<br/> 一按鍵殼(201)，具有一致動部(202)；<br/> 一磁性物質(204)，配置於該按鍵殼(201)中；<br/> 一復位彈簧(206)，連接該致動部(202)與該按鍵底座(205)；<br/> 一磁阻元件(207)，配置於該按鍵底座(205)附近，並具有一磁阻參數(MR)；以及<br/> 一處理單元(208)，電性連接該磁阻元件(207)，其中：<br/> 該磁性物質(204)與該磁阻元件(207)之間具有一按壓距離(DP)以及一釋放距離(DR)，該按壓距離(DP)以及該釋放距離(DR)分別相關於該磁阻參數(MR)的增加或減少，且該處理單元(208)根據該磁阻參數(MR)的增加或減少來決定該按鍵單元(200)被觸發或被重設。
如請求項4所述的磁感應滑鼠按鍵(200)，其中：<br/> 該按鍵底座(205)為一電路板，其中該電路板電連接該處理單元(208)與該磁阻元件(207)，且該磁阻元件(207)配置於該磁性物質(204)投影至該電路板上的一投影區域附近；以及<br/> 該處理單元(208)設定該按鍵單元(200)的一觸發行程(TR)與一重置行程(RT)，其中當該按壓距離(DP)大於或等於該觸發行程(TR)時，該處理單元(208)判斷該按鍵單元(200)被觸發，且當該釋放距離(DR)大於或等於該重置行程(RT)時，該處理單元(208)判斷該按鍵單元(200)被重置。
如請求項4所述的磁感應滑鼠按鍵(200)，其中：<br/> 該磁阻元件(207)為一穿隧磁阻效應(Tunnel Magneto Resistance Effect, TMR)元件；<br/> 該磁阻元件(207)偵測周邊按鍵單元的工作狀態；<br/> 該磁阻元件(207)為一單極磁反應元件或一雙極磁反應元件；<br/> 當該磁阻元件(207)為該單極磁反應元件時，該磁阻元件包含：<br/> 一自由層(1071)；<br/> 一介電層(1072)，與該自由層(1071)連接；以及<br/> 一釘紮層(1073)，與該介電層(1072)連接，其中在該磁性物質(204)接近該磁阻元件(207)的狀態下，該自由層(1071)與該釘紮層(1073)的一磁化方向一致，俾使該磁阻參數(MR)減少，且在該磁性物質(204)遠離該磁阻元件(207)的狀態下，該自由層(1071)與該釘紮層(1073)的該磁化方向不一致，俾使該磁阻參數(MR)增加；以及<br/> 該按鍵殼(201)被按壓或被釋放而使該致動部(202)帶動該磁性物質(204)接近或遠離該磁阻元件(207)，從而使該磁阻參數(MR)增加或減少。
一種用於一人機介面的一按鍵單元(300)，包含：<br/> 一致動部(302)，響應一按壓動作而產生一按鍵動作；<br/> 一單元構件(305)；<br/> 一磁性物質(304)，經配置而響應該按鍵動作以隨該致動部(302)而移動；<br/> 一磁阻元件(307)，配置於該單元構件(305)，且具有一磁阻參數(MR)，其中該磁阻參數(MR)關聯於該磁性物質(304)及該磁阻元件(307)兩者間之一距離(DD)；以及<br/> 一處理單元(308)，電性連接該磁阻元件(307)，且響應該磁阻參數(MR)來反應該按鍵單元(300)之一工作狀態；<br/> 其中：<br/> 該按鍵動作包括按鍵下壓、停止、或回彈；<br/> 該工作狀態包括該按鍵單元被觸發或被重設；<br/> 該單元構件(305)為一按鍵底座；<br/> 該按鍵單元(300)還包含：<br/> 一按鍵殼(201)，其中該磁性物質(204)配置於該按鍵殼(201)中；以及<br/> 一復位彈簧(206)，連接該致動部(202)與該按鍵底座(205)；以及<br/> 該磁性物質(304)與該磁阻元件(307)之間具有一按壓距離(DP)以及一釋放距離(DR)，該按壓距離(DP)以及該釋放距離(DR)分別相關於該磁阻參數(MR)的增加與減少，且該處理單元(308)根據該磁阻參數(MR)的增加或減少來決定該按鍵單元(300)被觸發或被重設。
如請求項7所述的按鍵單元(300)，其中：<br/> 該按鍵底座(205)為一電路板，其中該電路板電連接該處理單元(308)與該磁阻元件(307)，且該磁阻元件(307)配置於該磁性物質(304)投影至該電路板上的一投影區域附近；以及<br/> 該處理單元(308)設定該按鍵單元(300)的一觸發行程(TR)與一重置行程(RT)，其中當該按壓距離(DP)大於或等於該觸發行程(TR)時，該處理單元(308)判斷該按鍵單元(300)被觸發，且當該釋放距離(DR)大於或等於該重置行程(RT)時，該處理單元(308)判斷該按鍵單元(300)被重置。
如請求項7所述的按鍵單元(300)，其中：<br/> 該磁阻元件(307)為一穿隧磁阻效應(Tunnel Magneto Resistance Effect, TMR)元件；<br/> 該磁阻元件(307)偵測周邊按鍵單元的工作狀態；<br/> 該磁阻元件(307)為一單極磁反應元件或一雙極磁反應元件；<br/> 當該磁阻元件(307)為該單極磁反應元件時，該磁阻元件(307)包含：<br/> 一自由層(1071)；<br/> 一介電層(1072)，與該自由層(1071)連接；以及<br/> 一釘紮層(1073)，與該介電層(1072)連接，其中在該磁性物質(304)接近該磁阻元件(307)的狀態下，該自由層(1071)與該釘紮層(1073)的一磁化方向一致，俾使該磁阻參數(MR)減少，且在該磁性物質(304)遠離該磁阻元件(307)的狀態下，該自由層(1071)與該釘紮層(1073)的該磁化方向不一致，俾使該磁阻參數(MR)增加；以及<br/> 該按鍵殼(201)被按壓或被釋放而使該致動部(202)帶動該磁性物質(304)接近或遠離該磁阻元件(307)，從而使該磁阻參數(MR)增加或減少。
一種薄膜電晶體，包括： <br/>一主動層；以及 <br/>一閘極電極，與該主動層間隔開並部分重疊， <br/>其中，該主動層包含： <br/>一通道區域，在平面圖中與該閘極電極部分重疊； <br/>一源極區域，在該平面圖中連接至該通道區域的一側；以及 <br/>一汲極區域，在該平面圖中連接至該通道區域的另一側； <br/>其中，該主動層界定一主動孔，在該主動孔中沒有該主動層，在該平面圖中，該主動孔的至少一部分與該閘極電極重疊，且在該平面圖中，該主動孔的至少另一部分延伸超過該閘極電極的一邊緣， <br/>其中，該閘極電極包含一本體部分及沿一第一方向突起的一突出部分，該第一方向是平行於連接該源極區域和該汲極區域的最短線的方向，以及 <br/>其中，基於垂直於該第一方向的一第二方向該突出部分的寬度小於該通道區域的寬度。
如請求項1所述之薄膜電晶體，其中，在該平面圖中，在與第一方向平行的直線之中穿過該主動孔的至少一部分的一直線穿過該突出部分。
如請求項1所述之薄膜電晶體，其中，在該平面圖中，該突出部分不與該主動孔重疊。
如請求項1所述之薄膜電晶體，其中，在該平面圖中，該突出部分與該主動孔的至少一部分重疊。
如請求項1所述之薄膜電晶體，其中，該突出部分包含彼此間隔開的一第一突出部分及一第二突出部分，以及 <br/>其中，該主動孔包含彼此間隔開的一第一主動孔及一第二主動孔。
如請求項5所述之薄膜電晶體，其中，在該平面圖中，該第一主動孔和該第二主動孔皆不與該第一突出部分或該第二突出部分重疊。
如請求項6所述之薄膜電晶體，其中，在該平面圖中，該第一突出部分和該第二突出部分沿該第一方向從該本體部分朝向該源極區域的一側突起， <br/>其中，在該平面圖中，該第一主動孔和該第二主動孔沿該第一方向設置在該閘極電極朝向該汲極區域的一側上，以及 <br/>其中，在該平面圖中，沿該第一方向的一直線穿過該第一主動孔的至少一部分並通過該突出部分的下方。
如請求項6所述之薄膜電晶體，其中，在該平面圖中，該第一突出部分和該第二突出部分沿該第一方向從該本體部分朝向該汲極區域的一側突起， <br/>其中，在該平面圖中，該第一主動孔和該第二主動孔沿該第一方向設置在該閘極電極朝向該源極區域的一側上，以及 <br/>其中，在該平面圖中，沿該第一方向上的一直線穿過該第一主動孔的至少一部分並通過該突出部分的下方。
如請求項6所述之薄膜電晶體，其中，在該平面圖中，該第一突出部分和該第二突出部分的其中之一沿該第一方向從該本體部分朝向該源極區域的一側突起，而該第一突出部分和該第二突出部分中的另一個沿該第一方向從該本體部分朝向該汲極區域的一側突起， <br/>其中，在該平面圖中，於同一平面上，該第一主動孔和該第二主動孔的其中之一沿該第一方向設置在該閘極電極朝向該源極區域的一側上，而該第一主動孔和該第二主動孔中的另一個沿該第一方向設置在該閘極電極朝向該汲極區域的另一側上，以及 <br/>其中，在該平面圖中，沿該第一方向的一直線穿過該第一主動孔和該第二主動孔的其中之一的至少一部分，並穿過該第一突出部分和該第二突出部分的其中之一。
如請求項9所述之薄膜電晶體，其中，在該平面圖中，沿該第一方向穿過該第一突出部分的至少一部分的一直線未穿過該第二突出部分。
如請求項1所述之薄膜電晶體，其中，該突出部分包含彼此間隔開的一第一突出部分和一第二突出部分， <br/>其中，該主動孔包含彼此間隔開的一第三主動孔及一第四主動孔， <br/>其中，該第三主動孔與該第一突出部分重疊，以及 <br/>其中，該第四主動孔與該第二突出部分重疊。
如請求項11所述之薄膜電晶體，其中，該主動孔進一步包含彼此間隔開的一第一主動孔及一第二主動孔， <br/>其中，該第一主動孔及該第二主動孔不與該第一突出部分及該第二突出部分中的任一個重疊， <br/>其中，在該平面圖中，該第一突出部分的至少一部分、該第一主動孔的至少一部分、及該第三主動孔的至少一部分設置在沿該第一方向延伸的一第一直線上，以及 <br/>其中，在該平面圖中，該第二突出部分的至少一部分、該第二主動孔的至少一部分、及第該四主動孔的至少一部分設置在沿該第一方向延伸的一第二直線上。
如請求項12所述之薄膜電晶體，其中，在該平面圖中，該第一突出部分和該第二突出部分沿該第一方向設置在該本體部分朝向該源極區域的一側上，以及 <br/>其中，在該平面圖中，該第一主動孔和該第二主動孔沿該第一方向設置在該本體部分朝向該汲極區域的另一側上。
如請求項12所述之薄膜電晶體，其中，在該平面圖中，該第一突出部分和該第二突出部分沿該第一方向設置在該本體部分朝向該汲極區域的一側上，以及 <br/>其中，在該平面圖中，該第一主動孔和該第二主動孔沿該第一方向設置在該本體部分朝向該源極區域的另一側上。
如請求項12所述之薄膜電晶體，其中，在該平面圖中，該第一突出部分和該第二突出部分的其中之一設置在該本體部分朝向該源極區域的一側上，而該第一突出部分和該第二突出部分中的另一個設置在該本體部分朝向該汲極區域的另一側上，以及 <br/>其中，沿該第一方向穿過該第一突出部分的至少一部分的一直線未穿過該第二突出部分。
如請求項11所述之薄膜電晶體，其中，在該平面圖中，該第一突出部分和該第二突出部分的其中之一設置在該本體部分朝向該源極區域的一側上，而該第一突出部分和該第二突出部分中的另一個設置在該本體部分朝向該汲極區域的另一側上，以及 <br/>其中，沿該第一方向穿過該第一突出部分的至少一部分的一直線穿過該第二突出部分。
如請求項1所述之薄膜電晶體， 其中，沿該第二方向的該突出部分的該寬度比沿該第二方向的該主動孔的寬度大或相等。
如請求項1所述之薄膜電晶體，其中，該閘極電極在包含該本體部分和該突出部分的部分處沿該第一方向的長度比該閘極電極在包含該本體部分而沒有該突出部分的部分處沿該第一方向的長度大。
如請求項1所述之薄膜電晶體，其中，該突出部分突起以與該主動層的該源極區域和該汲極區域的其中之一的部分重疊。
如請求項1所述之薄膜電晶體，其中，在該平面圖中，沿該第一方向穿過該主動孔的至少一部分的一第一直線穿過該突出部分，而沿該第一方向穿過該主動孔的至少一部分的一第二直線未穿過該突出部分。
如請求項1所述之薄膜電晶體，其中，在該平面圖中，由該突出部分佔據的區域的面積比由該主動孔佔據的區域的面積大。
一種顯示裝置，包括請求項1的所述薄膜電晶體。
一種用於接收一熱元件的元件，其包含；<br/> 一夾持組合件，包含第一夾具主體及第二夾具主體：<br/> 該第一夾具主體包含一熱量傳遞元件及與其連接的一第一電連接及一第二電連接；<br/> 該第二夾具主體可連接至該第一夾具主體以在其間形成一夾持腔，該夾持腔具有一內壁表面，且具有一外壁的一受夾元件在該夾持腔內是可固定的，該熱量傳遞元件用以在其間接觸一受夾元件的一外表面；<br/> 該熱量傳遞元件可適型於一受夾元件當與之接觸時的該壁的一部分的一輪廓；且<br/> 該熱量傳遞元件包括一第一部分，該第一部分向該夾持腔內延伸，且其一部分在該夾持腔內接收的一管路與該夾持腔的一側壁之間延伸。
如請求項1所述之元件，其中該第一電連接及該第二電連接包含一第一母線及一第二母線，各個用以接收並電連接至自該熱元件延伸的一不同導電導線且電連接至自其延伸的一不同導電線，該些導電線自與該第一母線及該第二母線的該導電導線的一電互連向外延伸。
如請求項1所述之元件，其中該第一夾具主體及該第二夾具主體包含一隔熱材料。
如請求項2所述之元件，其中該些導電線及該些導電導線中之各者用第一緊固件及第二緊固件連接至該些個別母線。
如請求項1所述之元件，其中該熱量傳遞元件包括其至少一部分，該部分可恢復性適型的並向該夾持腔內延伸，從而當夾持於該夾持腔中時，該熱量傳遞元件向該夾持腔內延伸的一部分與該受夾元件的該壁的一部分是可接觸的，且其向該夾持腔內延伸的該部分適型於與之接觸的該受夾元件的該壁的該部分的一輪廓。
如請求項1所述之元件，其中該熱量傳遞元件進一步包含一導熱材料、一熱膏、石墨、或一金屬中之至少一者。
如請求項1所述之元件，其進一步包含一熱膏，該熱膏設置於該熱量傳遞元件向該夾持腔內延伸的一部分上。
如請求項1所述之元件，其中該熱量傳遞的該第一部分包括其中的一熱裝置凹槽，用以在其中接收一熱裝置。
如請求項8所述之元件，其進一步包含在該第一夾具主體上方延伸的一蓋，以向該熱裝置凹槽內偏壓一熱裝置。
一種在一元件與一熱裝置之間進行熱量傳遞的方法，該方法包含以下步驟；<br/> 提供包含第一夾具主體及第二夾具主體的一夾持組合件：<br/> 該第一夾具主體包含一熱量傳遞元件及與其連接的一第一電連接及一第二電連接；<br/> 該第二夾具主體可連接至該第一夾具主體以在其間形成一夾持腔，該夾持腔具有一內壁表面，且具有一外壁的一受夾元件在該夾持腔內是可固定的，該熱量傳遞元件用以在其間接觸一受夾元件的一外表面，<br/> 該熱量傳遞元件可適型於一受夾元件當與之接觸時的該壁的一部分的一輪廓；<br/> 該熱量傳遞元件包括一第一部分，該第一部分向該夾持腔內延伸，且其一部分在該夾持腔內接收的一管路與該夾持腔的一側壁之間延伸。
如請求項10所述之方法，其中該熱量傳遞元件包含延伸穿過該第一夾具主體並進入該第一夾具主體與該第二夾具主體之間的該夾持腔的一熱量傳遞元件。
如請求項11所述之方法，其中該第一電連接及該第二電連接包含一第一母線及一第二母線，各個用以接收並電連接至自該熱元件延伸的一不同導電導線且電連接至自其延伸的一不同導電線，該些導電線自與該第一母線及該第二母線的該導電導線的一電互連向外延伸。
如請求項10所述之方法，其中該第一夾具主體及該第二夾具主體包含一隔熱材料。
如請求項12所述之方法，其中該些導電線及該些導電導線中之各者均用第一緊固件及第二緊固件連接至該些個別母線。
如請求項12所述之方法，其中該熱量傳遞元件進一步包含一導熱構件、一熱膏、石墨、或一金屬中之至少一者。
如請求項12所述之方法，其進一步包含：設置於該熱量傳遞元件的向夾持腔內延伸的一部分上的一熱膏。
如請求項11所述之方法，其中該熱量傳遞的該第一部分包括其中的一熱裝置凹槽，用以在其中接收一熱裝置。
如請求項17所述之方法，其進一步包含：在該第一夾具主體上方延伸的一蓋，以向該熱裝置凹槽內偏壓一熱裝置。
一種鏡頭裝置，包括： <br/>一殼體，包括一開口及連通於該開口的一容置空間； <br/>一鏡頭模組，設置於該殼體且位於該容置空間； <br/>一蓋板，設置於該開口，且位於該鏡頭模組的上方；以及 <br/>一彈性件，包括一第一環狀區段及一第二環狀區段，其中該第一環狀區段設置該蓋板與該殼體之間，且接觸該蓋板與該殼體，該第二環狀區段接觸於該鏡頭模組的周側，以使該蓋板、該彈性件及該鏡頭模組之間形成一密閉區， <br/>其中該第二環狀區段包括一圍牆部及連接於該圍牆部的一環狀抵接部，該圍牆部環繞該鏡頭模組，該環狀抵接部抵接於該周側。
如請求項1所述的鏡頭裝置，其中該殼體包括一內載台，該內載台環繞於該鏡頭模組，該第一環狀區段承靠於該內載台，該第二環狀區段位於該內載台與該鏡頭模組之間。
如請求項2所述的鏡頭裝置，其中該圍牆部與該內載台之間存在一第一可變形空間。
如請求項1所述的鏡頭裝置，其中該圍牆部具有一第一內徑，該第一內徑大於該鏡頭模組的一外徑，該環狀抵接部在未被擠壓時具有一第二內徑，該鏡頭模組的該外徑大於該第二內徑。
如請求項1所述的鏡頭裝置，其中該環狀抵接部自該圍牆部的一末端往該開口的方向傾斜地延伸，且位於該圍牆部與該周側之間，而使該環狀抵接部與該圍牆部之間存在一第二可變形空間。
如請求項1所述的鏡頭裝置，其中該環狀抵接部呈一C型，且該環狀抵接部的開口背離該周側。
如請求項1所述的鏡頭裝置，其中該第二環狀區段沿著該鏡頭模組的一光軸往遠離該開口的方向漸縮。
如請求項7所述的鏡頭裝置，其中該第二環狀區段在未被擠壓時具有一最大內徑及一最小內徑，該最大內徑大於該鏡頭模組的一外徑，且該鏡頭模組的該外徑大於該最小內徑。
如請求項1所述的鏡頭裝置，其中該第二環狀區段的厚度小於該第一環狀區段的厚度。
如請求項1所述的鏡頭裝置，其中該殼體包括一內牆面及設置於該內牆面的一內載台，該內牆面與該內載台環繞於該鏡頭模組，該第一環狀區段承靠於該內載台，該第二環狀區段位於該內載台與該鏡頭模組之間。
如請求項1所述的鏡頭裝置，其中該彈性件還包括一第三環狀區段，連接於該第一環狀區段與該第二環狀區段之間且沿著該鏡頭模組的一光軸，往朝向該開口的方向傾斜地擴開。
如請求項11所述的鏡頭裝置，其中該彈性件的該第一環狀區段、該第二環狀區段及該第三環狀區段為一體成型。
如請求項10所述的鏡頭裝置，其中該內載台包括一平面部，該第一環狀區段包括貼附於該蓋板的一下表面的一第一部分，該第一部分夾置於該蓋板的該下表面與該平面部之間。
如請求項13所述的鏡頭裝置，其中該第一環狀區段包括一第二部分，該第二部分夾置於該蓋板的一側表面與該內牆面之間。
如請求項14所述的鏡頭裝置，其中該第二部分的厚度小於該第一部分的厚度。
如請求項1所述的鏡頭裝置，更包括一支架，該支架設置於該殼體且位於該容置空間，該鏡頭模組設置於該支架。
一種再生板，包含： <br/>多個纖維片，該些纖維片取自回收織物；其中每一該些纖維片之形狀包括圓形、矩形、平行四邊形、梯形、三角形、多邊形與不規則形狀，且分別具有平均徑長為小於等於10 mm；以及 <br/>一黏合劑；該黏合劑包含至少一在溫度、壓力、硬化劑、光射線或其組合之作用下固化的樹脂，且與該些纖維片混合並在不超過100℃之溫度下熱成型； <br/>其中該些纖維片之總重佔該再生板重量的50~80 wt%，該黏合劑之重量佔該再生板重量的20~50 wt%。
如請求項1所述之再生板，其中該平均徑長包括每一該些纖維片上多個方向之長度。
如請求項1所述之再生板，其中每一該些纖維片進一步分別具有平均徑長為小於等於5 mm。
如請求項1所述之再生板，其中該些纖維片之總重進一步佔該再生板重量的60~80 wt%。
如請求項1所述之再生板，其中該黏合劑選自環氧樹脂、聚氨酯樹脂、在25℃下具有比重1.0~1.2且黏度1000~2000 cps的樹脂、在25℃下具有比重0.9~1.1且黏度60~180 cps的樹脂，或其組合。
一種再生板的製造方法，包括： <br/>回收織物並進行粉碎程序；該粉碎程序包括粉碎該回收織物而得到纖維色料；其中該纖維色料由多個纖維片所組成，且該些纖維片分別具有平均徑長為小於等於10 mm； <br/>進行乾拌程序；該乾拌程序包括分散該纖維色料之該些纖維片； <br/>進行混拌程序；該混拌程序包括加入黏合劑以及混合該黏合劑與該分散之纖維色料，並使該黏合劑充分浸潤該些纖維片；其中該黏合劑之總重佔該混合物之重量的20~50 wt%，該分散之纖維色料之總重佔該混合物之重量的50~80 wt%； <br/>進行下料程序，包括將該黏合劑與該些纖維片之混合物置入一模具； <br/>進行滾壓程序，包括滾壓該黏合劑與該些纖維片之混合物，並使該黏合劑與該些纖維片之混合物填滿該模具；以及 <br/>冷卻成型。
如請求項6所述之再生板的製造方法，其中該回收織物進一步包含一第一回收織物及一第二回收織物，且該第一回收織物不同於該第二回收織物；該粉碎程序進一步包含分別粉碎該第一回收織物及該第二回收織物而得到一第一纖維色料及一第二纖維色料；該第一纖維色料由多個第一纖維片所組成，而該第二纖維色料由多個第二纖維片所組成。
如請求項7所述之再生板的製造方法，其中該第一纖維色料之色號與該第二纖維色料之色號不同。
如請求項7所述之再生板的製造方法，其中該乾拌程序進一步包括同時分散該第一纖維色料之該些第一纖維片及該第二纖維色料之該些第二纖維片並混合該些第一纖維片及該些第二纖維片。
如請求項6所述之再生板的製造方法，其中該粉碎程序進一步包括使用粉碎篩得到該回收織物，且該粉碎篩之網目為10 mm或小於10 mm。
如請求項6所述之再生板的製造方法，其中該乾拌程序進一步包括以爪式螺桿在一桶中分散該纖維色料之該些纖維片，且該爪式螺桿帶動該纖維色料與該桶之內壁面摩擦以及產生對該纖維色料之剪切作用。
如請求項11所述之再生板的製造方法，其中該混拌程序進一步包括以該爪式螺桿在該桶中混合該黏合劑與該分散之纖維色料，且該爪式螺桿以至少二方向混拌該黏合劑與該分散之纖維色料並拍打該混合物以使該黏合劑充分浸潤該些纖維片。
如請求項12所述之再生板的製造方法，其中該爪式螺桿混拌該黏合劑與該分散之纖維色料的步驟進一步包含以順時針混拌數分鐘，再以逆時針混拌數分鐘。
如請求項6所述之再生板的製造方法，其中該黏合劑包含至少一在溫度、壓力、硬化劑、光射線或其組合之作用下固化的樹脂。
如請求項6所述之再生板的製造方法，其中該模具具有一底板及圍繞該底板之一側壁；該滾壓程序進一步包括以滾筒在兩方向上平行於該底板滾壓該混合物。
如請求項15所述之再生板的製造方法，其中該滾壓程序進一步包括使該混合物填滿該模具且高度與該側壁之頂端對齊。
如請求項15所述之再生板的製造方法，其中該滾筒進一步從該模具之中央朝相對兩端往復滾動，包括： <br/>從該模具之中央朝左方水平滾動至左端後再滾動回中央，並朝右方水平滾動至右端後再滾動回中央；或 <br/>從該模具之中央朝前方水平滾動至前端後再滾動回中央並朝後方水平滾動至後端後再滾動回中央。
如請求項6所述之再生板的製造方法，其中該製造方法進一步包含步驟：進行熱壓程序，包括於一溫度下合模熱壓該混合物成型。
如請求項18所述之再生板的製造方法，其中該熱壓程序進一步是以90~110℃之溫度、110~120噸之壓力進行數十分鐘。
如請求項18所述之再生板的製造方法，其中該製造方法進一步包括在合模熱壓成型後冷卻定型，並在冷卻定型後退模得到再生板。
一種電連接器組件，其包括：<br/> 一轉接連接器，安裝於一電路板上，包括：<br/> 一第一絕緣殼體，包括面向不同方位配置的一第一側面與一第二側面，所述第一側面具有一第一槽口；<br/> 一轉接插座，設置於所述第二側面；以及<br/> 複數個第一電源端子，每一所述第一電源端子包括至少一第一彈臂與一第一連接臂，其中，多個所述第一彈臂設置於所述第一槽口內，使所述第一槽口形成一輸入介面，以供用於提供電源的一電子卡插入，而多個所述第一連接臂設置於所述轉接插座內，使所述轉接插座形成一電源輸出介面，其中，複數個所述第一電源端子與所述電路板未物理連接。
如請求項1所述的電連接器組件，還包括適配於所述轉接連接器的一對接連接器，所述對接連接器可分離的插接於所述轉接插座，所述對接連接器包括一第二絕緣殼體、複數個第二電源端子及複數條電源導線，複數個所述第二電源端子設置於所述第二絕緣殼體內，複數條所述電源導線電連接複數個所述第二電源端子。
如請求項2所述的電連接器組件，其中，複數個所述第一電源端子分成多個第一端子組，每一所述第一端子組包括相對配置的複數個所述第一電源端子中的其中二個所述第一電源端子，複數個所述第二電源端子分成多個第二端子組，每一所述第二端子組包括相對配置的複數個所述第二電源端子中的其中二個所述第二電源端子。
如請求項3所述的電連接器組件，其中，所述第一連接臂呈平板狀，當所述電子卡插設於所述第一槽口時，每一所述第一端子組的二個所述第一電源端子的二個所述第一彈臂夾住所述電子卡。
如請求項4所述的電連接器組件，其中，每一所述第二電源端子包含至少一第二接觸臂與一第二連接臂，所述第二連接臂呈平板狀，當所述對接連接器插接於所述轉接連接器的所述轉接插座時，每一所述第二端子組中的二個所述第二電源端子的二個所述至少一第二接觸臂，分別抵接所述第一端子組中的二個所述第一電源端子的二個所述第一連接臂。
如請求項5所述的電連接器組件，其中，所述第一彈臂具有一第一接觸部，所述至少一第二接觸臂包括一第二接觸部，在任一所述第一端子組中，二個所述第一電源端子的二個所述第一接觸部呈相向配置；其中，在任一所述第二端子組中，二個所述第二電源端子的二個所述第二接觸部呈背向配置。
如請求項3所述的電連接器組件，其中，所述第二絕緣殼體內部包括一分隔壁與一止擋部，所述分隔壁設置於每一所述第二端子組的二個所述第二電源端子之間，所述止擋部連接於所述分隔壁的底端。
如請求項2所述的電連接器組件，其中，每一所述第二電源端子包含至少一第二接觸臂與一第二連接臂，所述至少一第二接觸臂與所述第二連接臂之間具有一U型結構。
如請求項2所述的電連接器組件，其中，所述第二絕緣殼體包含一主體及一蓋體，複數條所述電源導線由所述蓋體及所述主體共同定義的一出線出口延伸出所述第二絕緣殼體。
如請求項2所述的電連接器組件，其中，每一所述第二電源端子包含多個第二接觸臂與一第二連接臂，每一所述第二接觸臂為平板狀，所述第二連接臂為平板狀。
如請求項1所述的電連接器組件，其中，所述轉接連接器還包括複數個訊號端子及一第三側面，所述第三側面具有一第二槽口，每一所述訊號端子包括一彈臂與一接腳，其中，多個所述彈臂設置於所述第一槽口內，而所述接腳由所述第二槽口延伸出去而插設於所述電路板上。
如請求項11所述的電連接器組件，其中，所述電子卡所提供的訊號由所述輸入介面輸入，並經由複數個所述訊號端子完全傳輸至所述電路板。
如請求項1所述的電連接器組件，其中，每一所述第一電源端子的所述至少一第一彈臂與所述第一連接臂位於同一平面，且多個所述第一電源端子彼此貼合重疊。
一種電源系統，其包括：<br/> 一轉接連接器，包括：<br/> 一第一絕緣殼體，包括面向不同方位配置的一第一側面與一第二側面，所述第一側面具有一第一槽口；<br/> 一轉接插座，設置於所述第二側面；以及<br/> 複數個第一電源端子，每一所述第一電源端子包括至少一第一彈臂與一第一連接臂，其中，多個所述第一彈臂設置於所述第一槽口內，使所述第一槽口形成一輸入介面，以供用於提供電源的一電子卡插入，而多個所述第一連接臂設置於所述轉接插座內，使所述轉接插座形成一電源輸出介面；<br/> 一對接連接器，適配於所述轉接連接器，所述對接連接器可分離的插接於所述轉接插座，所述對接連接器包括：<br/> 一第二絕緣殼體；<br/> 複數個第二電源端子，設置於所述第二絕緣殼體內；以及<br/> 複數條電源導線，電連接複數個所述第二電源端子；以及<br/> 一電路板，所述複數條電源導線電連接所述電路板，使當所述電子卡插入所述輸入介面時，所述電子卡的電流經過所述轉接連接器及所述對接連接器而傳遞至所述電路板，且所述複數個第一電源端子與所述電路板未物理連接。
如請求項14所述的電源系統，其中，複數個所述第一電源端子分成多個第一端子組，每一所述第一端子組包括相對配置且彼此分離的複數個所述第一電源端子中的其中二個所述第一電源端子。
如請求項15所述的電源系統，其中，複數個所述第二電源端子分成多個第二端子組，每一所述第二端子組包括相對配置且彼此分離的複數個所述第二電源端子中的其中二個所述第二電源端子。
如請求項14所述的電源系統，其中，每一所述第一電源端子包含所述至少一第一彈臂與所述第一連接臂位於同一平面，且多個所述第一電源端子彼此貼合重疊。
一種電源系統，其包括：<br/> 一轉接連接器，包括：<br/> 一第一絕緣殼體，包括面向不同方位配置的一第一側面與一第二側面，所述第一側面具有一第一槽口；<br/> 一轉接插座，設置於所述第二側面；以及<br/> 複數個第一電源端子，每一所述第一電源端子包括至少一第一彈臂與一第一連接臂，其中，多個所述第一彈臂設置於所述第一槽口內，使所述第一槽口形成一輸入介面，以供用於提供電源的一電子卡插入，而多個所述第一連接臂設置於所述轉接插座內，使所述轉接插座形成一電源輸出介面；<br/> 一對接連接器，適配於所述轉接連接器，所述對接連接器可分離的插接於所述轉接插座，所述對接連接器包括：<br/> 一第二絕緣殼體；<br/> 複數個第二電源端子，設置於所述第二絕緣殼體內；以及<br/> 複數條電源導線，電連接複數個所述第二電源端子；以及<br/> 一電路板，所述複數條電源導線電連接所述電路板，使當所述電子卡插入所述輸入介面時，所述電子卡的電流經過所述轉接連接器及所述對接連接器而傳遞至所述電路板；<br/> 其中，複數個所述第一電源端子分成多個第一端子組，每一所述第一端子組包括相對配置且彼此分離的複數個所述第一電源端子中的其中二個所述第一電源端子。
如請求項18所述的電源系統，其中，複數個所述第二電源端子分成多個第二端子組，每一所述第二端子組包括相對配置且彼此分離的複數個所述第二電源端子中的其中二個所述第二電源端子。
一種電源系統，其包括：<br/> 一轉接連接器，包括：<br/> 一第一絕緣殼體，包括面向不同方位配置的一第一側面與一第二側面，所述第一側面具有一第一槽口；<br/> 一轉接插座，設置於所述第二側面；以及<br/> 複數個第一電源端子，每一所述第一電源端子包括至少一第一彈臂與一第一連接臂，其中，多個所述第一彈臂設置於所述第一槽口內，使所述第一槽口形成一輸入介面，以供用於提供電源的一電子卡插入，而多個所述第一連接臂設置於所述轉接插座內，使所述轉接插座形成一電源輸出介面；<br/> 一對接連接器，適配於所述轉接連接器，所述對接連接器可分離的插接於所述轉接插座，所述對接連接器包括：<br/> 一第二絕緣殼體；<br/> 複數個第二電源端子，設置於所述第二絕緣殼體內；以及<br/> 複數條電源導線，電連接複數個所述第二電源端子；以及<br/> 一電路板，所述複數條電源導線電連接所述電路板，使當所述電子卡插入所述輸入介面時，所述電子卡的電流經過所述轉接連接器及所述對接連接器而傳遞至所述電路板；<br/> 其中，每一所述第一電源端子包含所述至少一第一彈臂與所述第一連接臂位於同一平面，且多個所述第一電源端子彼此貼合重疊。
一種半導體晶片，包括：<br/> 一基板；<br/> 一保護環結構，位於該基板上，包括：<br/> 一側壁，具有複數個凹槽，其中該凹槽平行於該基板的方向延伸；<br/> 一晶粒，位於該基板上，其中該晶粒由該保護環結構包圍，且該些凹槽向該晶粒延伸；及<br/> 一凸緣，位於該基板上並突出於該保護環結構的一側壁，其中該凸緣包括一金屬墊，該金屬墊接近該保護環結構的該側壁。
如請求項1所述之半導體晶片，其中該金屬墊包括鎢。
如請求項1所述之半導體晶片，其中該凸緣包括：<br/> 一介電質部分，遠離該保護環結構的該側壁。
如請求項1所述之半導體晶片，其中該保護環結構包括：<br/> 一頂部金屬化層；<br/> 一底部金屬化層，位於該頂部金屬化層下方；及<br/> 一介電層，位於該頂部金屬化層與該底部金屬化層之間。
如請求項4所述之半導體晶片，其中該介電層包括：<br/> 一互連結構，嵌入在該介電層中，並電連接該頂部金屬化層與該底部金屬化層。
如請求項5所述之半導體晶片，其中該互連結構包括：<br/> 複數個導線，在該介電層內橫向延伸，各該些導線包括一填充層與一膠層。
如請求項6所述之半導體晶片，其中該互連結構包括：<br/> 複數個導電通孔，在該介電層內垂直延伸，各該些導電通孔包括該填充層與該膠層，<br/> 其中，該些導電通孔連接不同層的該些導線。
如請求項6所述之半導體晶片，其中該填充層包括銅。
如請求項6所述之半導體晶片，其中該膠層包括鈦和鉭。
一種半導體裝置，包括： <br/> 第一電晶體、第二電晶體、第三電晶體、第四電晶體、第五電晶體、第六電晶體、和第七電晶體， <br/> 其中，該第一電晶體的源極電極及汲極電極中的一者電連接至掃描線， <br/> 其中，該第一電晶體的該源極電極及該汲極電極的另一者電連接至時脈信號線， <br/> 其中，該第二電晶體的源極電極及汲極電極中的一者電連接至該掃描線， <br/> 其中，該第三電晶體的源極電極及汲極電極中的一者電連接至該第一電晶體的閘極電極， <br/> 其中，該第三電晶體的閘極電極電連接至該第二電晶體的閘極電極， <br/> 其中，該第四電晶體的源極電極及汲極電極中的一者電連接至第一信號線， <br/> 其中，該第四電晶體的該源極電極及該汲極電極的另一者電連接至該第一電晶體的該閘極電極， <br/> 其中，該第四電晶體的閘極電連接至該第一信號線， <br/> 其中，該第五電晶體的源極電極及汲極電極中的一者電連接至該第一電晶體的該閘極電極， <br/> 其中，該第五電晶體的閘極電極電連接至第二信號線， <br/> 其中，該第六電晶體的源極電極及汲極電極中的一者電連接至該掃描線， <br/> 其中，該第六電晶體的該源極電極及該汲極電極的另一者電連接至電源線， <br/> 其中，該第六電晶體的閘極電極電連接至第三信號線， <br/> 其中，該第七電晶體的源極電極及汲極電極中的一者電連接至該掃描線， <br/> 其中，該第七電晶體的該源極電極及該汲極電極的另一者電連接至該電源線， <br/> 其中，該第七電晶體的閘極電極電連接至第四信號線， <br/> 其中，於平面視圖中，用作該第一電晶體的該源極電極及該汲極電極的該一者的第一傳導性層與用作該第一電晶體的該閘極電極的第二傳導性層重疊之面積，係大於用作該第一電晶體的該源極電極及該汲極電極的另一者的第三傳導性層與該第二傳導性層重疊之面積， <br/> 其中，於該平面視圖中，該第一傳導性層包含第一區域，該第一區域與該第二傳導性層重疊且設置於該第三傳導性層的區域間， <br/> 其中，於該平面視圖中，該第三傳導性層包含第二區域，該第二區域與該第二傳導性層重疊且設置於該第一傳導性層的區域間，以及 <br/> 其中，該第一傳導性層於該第一區域中的寬度係大於該第三傳導性層於該第二區域中的寬度。
一種半導體裝置，包括： <br/> 第一電晶體、第二電晶體、第三電晶體、第四電晶體、第五電晶體、第六電晶體、和第七電晶體， <br/> 其中，該第一電晶體的源極電極及汲極電極中的一者電連接至掃描線， <br/> 其中，該第一電晶體的該源極電極及該汲極電極的另一者電連接至時脈信號線， <br/> 其中，該第二電晶體的源極電極及汲極電極中的一者電連接至該掃描線， <br/> 其中，該第三電晶體的源極電極及汲極電極中的一者電連接至該第一電晶體的閘極電極， <br/> 其中，該第三電晶體的閘極電極電連接至該第二電晶體的閘極電極， <br/> 其中，該第四電晶體的源極電極及汲極電極中的一者電連接至第一信號線， <br/> 其中，該第四電晶體的該源極電極及該汲極電極的另一者電連接至該第一電晶體的該閘極電極， <br/> 其中，該第四電晶體的閘極電連接至該第一信號線， <br/> 其中，該第五電晶體的源極電極及汲極電極中的一者電連接至該第一電晶體的該閘極電極， <br/> 其中，該第五電晶體的閘極電極電連接至第二信號線， <br/> 其中，該第六電晶體的源極電極及汲極電極中的一者電連接至該掃描線， <br/> 其中，該第六電晶體的該源極電極及該汲極電極的另一者電連接至電源線， <br/> 其中，該第六電晶體的閘極電極電連接至第三信號線， <br/> 其中，該第七電晶體的源極電極及汲極電極中的一者電連接至該掃描線， <br/> 其中，該第七電晶體的該源極電極及該汲極電極的另一者電連接至該電源線， <br/> 其中，該第七電晶體的閘極電極電連接至第四信號線， <br/> 其中，於平面視圖中，用作該第一電晶體的該源極電極及該汲極電極的該一者的第一傳導性層與用作該第一電晶體的該閘極電極的第二傳導性層重疊之面積，係大於用作該第一電晶體的該源極電極及該汲極電極的另一者的第三傳導性層與該第二傳導性層重疊之面積， <br/> 其中，於該平面視圖中，該第一傳導性層包含第一區域，該第一區域與該第二傳導性層重疊且設置於該第三傳導性層的區域間， <br/> 其中，於該平面視圖中，該第三傳導性層包含第二區域，該第二區域與該第二傳導性層重疊且設置於該第一傳導性層的區域間， <br/> 其中，該第一傳導性層於該第一區域中的寬度係大於該第三傳導性層於該第二區域中的寬度，以及 <br/> 其中，第四傳導性層包含用作該第二電晶體的該閘極電極的區域和用作該第三電晶體的該閘極電極的區域。
一種半導體裝置，包括： <br/> 第一電晶體、第二電晶體、第三電晶體、第四電晶體、第五電晶體、第六電晶體、和第七電晶體， <br/> 其中，該第一電晶體的源極電極及汲極電極中的一者電連接至掃描線， <br/> 其中，該第一電晶體的該源極電極及該汲極電極的另一者電連接至時脈信號線， <br/> 其中，該第二電晶體的源極電極及汲極電極中的一者電連接至該掃描線， <br/> 其中，該第三電晶體的源極電極及汲極電極中的一者電連接至該第一電晶體的閘極電極， <br/> 其中，該第三電晶體的閘極電極電連接至該第二電晶體的閘極電極， <br/> 其中，該第四電晶體的源極電極及汲極電極中的一者電連接至第一信號線， <br/> 其中，該第四電晶體的該源極電極及該汲極電極的另一者電連接至該第一電晶體的該閘極電極， <br/> 其中，該第四電晶體的閘極電連接至該第一信號線， <br/> 其中，該第五電晶體的源極電極及汲極電極中的一者電連接至該第一電晶體的該閘極電極， <br/> 其中，該第五電晶體的閘極電極電連接至第二信號線， <br/> 其中，該第六電晶體的源極電極及汲極電極中的一者電連接至該掃描線， <br/> 其中，該第六電晶體的該源極電極及該汲極電極的另一者電連接至電源線， <br/> 其中，該第六電晶體的閘極電極電連接至第三信號線， <br/> 其中，該第七電晶體的源極電極及汲極電極中的一者電連接至該掃描線， <br/> 其中，該第七電晶體的該源極電極及該汲極電極的另一者電連接至該電源線， <br/> 其中，該第七電晶體的閘極電極電連接至第四信號線， <br/> 其中，於平面視圖中，用作該第一電晶體的該源極電極及該汲極電極的該一者的第一傳導性層與用作該第一電晶體的該閘極電極的第二傳導性層重疊之面積，係大於用作該第一電晶體的該源極電極及該汲極電極的另一者的第三傳導性層與該第二傳導性層重疊之面積， <br/> 其中，於該平面視圖中，該第一傳導性層包含第一區域，該第一區域與該第二傳導性層重疊且設置於該第三傳導性層的區域間， <br/> 其中，於該平面視圖中，該第三傳導性層包含第二區域，該第二區域與該第二傳導性層重疊且設置於該第一傳導性層的區域間， <br/> 其中，該第一傳導性層於該第一區域中的寬度係大於該第三傳導性層於該第二區域中的寬度，以及 <br/> 其中，第四傳導性層包含用作該第三電晶體的該源極電極及該汲極電極的另一者的區域，以及用作該第五電晶體的該源極電極及該汲極電極的另一者的區域。
一種半導體裝置，包括： <br/> 第一電晶體、第二電晶體、第三電晶體、第四電晶體、第五電晶體、第六電晶體、和第七電晶體， <br/> 其中，該第一電晶體的源極電極及汲極電極中的一者電連接至掃描線， <br/> 其中，該第一電晶體的該源極電極及該汲極電極的另一者電連接至時脈信號線， <br/> 其中，該第二電晶體的源極電極及汲極電極中的一者電連接至該掃描線， <br/> 其中，該第三電晶體的源極電極及汲極電極中的一者電連接至該第一電晶體的閘極電極， <br/> 其中，該第三電晶體的閘極電極電連接至該第二電晶體的閘極電極， <br/> 其中，該第四電晶體的源極電極及汲極電極中的一者電連接至第一信號線， <br/> 其中，該第四電晶體的該源極電極及該汲極電極的另一者電連接至該第一電晶體的該閘極電極， <br/> 其中，該第四電晶體的閘極電連接至該第一信號線， <br/> 其中，該第五電晶體的源極電極及汲極電極中的一者電連接至該第一電晶體的該閘極電極， <br/> 其中，該第五電晶體的閘極電極電連接至第二信號線， <br/> 其中，該第六電晶體的源極電極及汲極電極中的一者電連接至該掃描線， <br/> 其中，該第六電晶體的該源極電極及該汲極電極的另一者電連接至電源線， <br/> 其中，該第六電晶體的閘極電極電連接至第三信號線， <br/> 其中，該第七電晶體的源極電極及汲極電極中的一者電連接至該掃描線， <br/> 其中，該第七電晶體的該源極電極及該汲極電極的另一者電連接至該電源線， <br/> 其中，該第七電晶體的閘極電極電連接至第四信號線， <br/> 其中，於平面視圖中，用作該第一電晶體的該源極電極及該汲極電極的該一者的第一傳導性層與用作該第一電晶體的該閘極電極的第二傳導性層重疊之面積，係大於用作該第一電晶體的該源極電極及該汲極電極的另一者的第三傳導性層與該第二傳導性層重疊之面積， <br/> 其中，於該平面視圖中，該第一傳導性層包含第一區域，該第一區域與該第二傳導性層重疊且設置於該第三傳導性層的區域間， <br/> 其中，於該平面視圖中，該第三傳導性層包含第二區域，該第二區域與該第二傳導性層重疊且設置於該第一傳導性層的區域間， <br/> 其中，該第一傳導性層於該第一區域中的寬度係大於該第三傳導性層於該第二區域中的寬度， <br/> 其中，第四傳導性層包含用作該第二電晶體的該閘極電極的區域和用作該第三電晶體的該閘極電極的區域，以及 <br/> 其中，第五傳導性層包含用作該第三電晶體的該源極電極及該汲極電極的另一者的區域和用作該第五電晶體的該源極電極及該汲極電極的另一者的區域。
如請求項1至4中任一項的半導體裝置，其中，該第三電晶體包括具有通道區域被串連地連接的多重閘極結構，以及 <br/> 其中，該第五電晶體包括具有通道區域被串連地連接的多重閘極結構。
如請求項1至4中任一項的半導體裝置， <br/> 其中，當該第二電晶體的該源極電極及該汲極電極中的另一者與該掃描線經由該第二電晶體的至少一通道區域處於導電狀態，該第二電晶體的該源極電極及該汲極電極的另一者的電位經由該第二電晶體的至少該通道區域被供應至該掃描線， <br/> 其中，當該第三電晶體的該源極電極及該汲極電極中的另一者與該第一電晶體的該閘極電極經由該第三電晶體的至少一通道區域處於導電狀態，該第一電晶體被關閉的電位經由該第三電晶體的至少該通道區域被供應至該第一電晶體的該閘極電極， <br/> 其中，當該第五電晶體的該源極電極及該汲極電極中的另一者與該第一電晶體的該閘極電極經由該第五電晶體的至少一通道區域處於導電狀態，該第一電晶體被關閉的該電位經由該第五電晶體的至少該通道區域被供應至該第一電晶體的該閘極電極，以及 <br/> 其中，當該第一信號線及該第一電晶體的該閘極電極經由該第四電晶體的至少一通道區域處於導電狀態，該第一信號線的電位經由該第四電晶體的該通道區域被供應至該第一電晶體的該閘極電極。
如請求項1至4中任一項的半導體裝置， <br/> 其中，像素包括第八電晶體， <br/> 其中，該第八電晶體的源極電極及汲極電極中的一者電連接至像素電極， <br/> 其中，該第八電晶體的該源極電極及該汲極電極的另一者電連接至第五信號線，以及 <br/> 其中，該第八電晶體的閘極電極電連接至該掃描線。
一種基板，其20℃下且10 GHz下之介電損耗正切(A)為0.1以下，<br/>20℃下且35 GHz下之介電損耗正切(B)為0.1以下，且<br/>以{-40～150℃中之任意溫度下且10 GHz下之介電損耗正切(C)/上述介電損耗正切(A)}表示之比為0.90～1.10，<br/>以SiO<sub>2</sub>為主成分，<br/>以氧化物基準之莫耳百分率表示計，含有<br/>9～33%之B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>，<br/>0.1%以上之MgO，<br/>超過0且10%以下之SrO，<br/>合計為9～40%之Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>及B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>，<br/>以{Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/(Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>＋B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)}表示之含量之莫耳比為0.4以下，且<br/>含有合計為0.001～5%之Na<sub>2</sub>O及K<sub>2</sub>O，<br/>以{Na<sub>2</sub>O/(Na<sub>2</sub>O＋K<sub>2</sub>O)}表示之含量之莫耳比為0.01～0.99。
一種基板，其20℃下且10 GHz下之相對介電常數(a)為4以上10以下，<br/>20℃下且35 GHz下之相對介電常數(b)為4以上10以下，且<br/>以{-40～150℃中之任意溫度下且10 GHz下之相對介電常數(c)/上述相對介電常數(a)}表示之比為0.993～1.007，<br/>以SiO<sub>2</sub>為主成分，<br/>以氧化物基準之莫耳百分率表示計，含有<br/>9～33%之B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>，<br/>0.1%以上之MgO，<br/>超過0且10%以下之SrO，<br/>合計為9～40%之Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>及B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>，<br/>以{Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/(Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>＋B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)}表示之含量之莫耳比為0.4以下，且<br/>含有合計為0.001～5%之Na<sub>2</sub>O及K<sub>2</sub>O，<br/>以{Na<sub>2</sub>O/(Na<sub>2</sub>O＋K<sub>2</sub>O)}表示之含量之莫耳比為0.01～0.99。
如請求項1或2之基板，其中至少一主面之最長部分為10 cm以上，最短部分為5 cm以上。
如請求項1或2之基板，其厚度為0.05～2 mm。
如請求項1或2之基板，其50～350℃下之平均熱膨脹係數為3～15 ppm/℃。
如請求項1或2之基板，其楊氏模數為40 GPa以上。
如請求項1或2之基板，其楊氏模數為70 GPa以下。
如請求項1或2之基板，其氣孔率為0.1%以下。
如請求項1或2之基板，其中波長350 nm之光之透過率為50%以上。
如請求項1或2之基板，其由氧化物玻璃構成。
如請求項1或2之基板，其β-OH值為0.05～0.8 mm<sup>-1</sup>。
如請求項1或2之基板，其中以氧化物基準之莫耳百分率表示計，含有0～10%之Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>。
如請求項1或2之基板，其中以氧化物基準之莫耳百分率表示計，按Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>換算含有0～0.012%之Fe。
如請求項1或2之基板，其被用於液晶天線或高頻電路。
一種液晶天線，其具有如請求項1或2之基板。
一種高頻裝置，其具有如請求項1或2之基板。
一種導線架結構，導線架包括：至少一晶粒座、分佈於該晶粒座周圍的複數個引腳、連接於所對應該引腳的第一連筋、以及與複數該第一連筋相連的第二連筋，其中該第一連筋及該第二連筋於相接處側壁還形成凹部，其特徵在於：該第一連筋表面具有凸起的第一肋部且該第一肋部未與該引腳接觸，該第二連筋表面具有凸起的第二肋部，該第一肋部及該第二肋部於該導線架的同一側面且分佈於該凹部周邊，其中，該第一肋部與該第二肋部雖鄰近但並未接觸。
如請求項1所述之導線架結構，其中，該第一肋部呈條狀凸起，且條狀分佈方向與該第一連筋相同，該第二肋部呈條狀凸起，且條狀分佈方向與該第二連筋相同。
如請求項1所述之導線架結構，其中，該第一肋部及第二肋部皆呈條狀凸起，且條狀分佈方向皆與該第二連筋相同。
如請求項3所述之導線架結構，其中，該第一肋部具有數個且對稱分佈於該第二連筋兩側的該第一連筋表面。
如請求項1所述之導線架結構，其中，該第二肋部呈長條凸起狀分佈於該第一連筋表面且也連通複數個該第二連筋。
一種導線架結構，導線架包括：至少一晶粒座、分佈於該晶粒座周圍的複數個引腳、連接於所對應該引腳的第一連筋、以及與複數該第一連筋相連的第二連筋，其中該第一連筋及該第二連筋於相接處側壁還形成凹部，其特徵在於：該第一連筋表面具有凸起的第一肋部且該第一肋部未與該引腳接觸，該第二連筋表面具有凸起的第二肋部，該第一肋部及該第二肋部於該導線架的同一側面且分佈於該凹部周邊，其中，該第一肋部與該第二肋部相連且L字型凸起狀，每個該第一肋部或該第二肋部皆位於相鄰的兩個該凹部之間。
一種導線架結構，導線架包括：至少一晶粒座、分佈於該晶粒座周圍的複數個引腳、連接於所對應該引腳的第一連筋、以及與複數該第一連筋相連的第二連筋，其中該第一連筋及該第二連筋於相接處側壁還形成凹部，其特徵在於：該第一連筋表面具有凸起的第一肋部且該第一肋部未與該引腳接觸，該第二連筋表面具有凸起的第二肋部，該第一肋部及該第二肋部於該導線架的同一側面且分佈於該凹部周邊，其中，該第一肋部與該第二肋部相連且T字型凸起狀，每個該第一肋部或該第二肋部皆位於相鄰的兩個該凹部之間。
如請求項1~7其中任一項所述之導線架結構，該導線架於封裝作業最後會先以鐳射切割方式去除分佈包覆於該導線架的封裝膠體，使該引腳的垂直壁表面、該第一連筋及該第二連筋露出。
如請求項1~7其中任一項所述之導線架結構，該導線架於封裝作業最後會經一道切斷作業去除該第二連筋，此次切斷作業的切割區域也涵蓋該第一肋部分佈區域。
一種氫氟酸廢液之濃縮提純技術，該氫氟酸廢液中所含之氟化氫(HF)濃度介於體積百分比1.0%至49%之間，然後經過在該氫氟酸廢液中添加氧化劑進行氧化處理、在該氫氟酸廢液中添加含氟鹽類處理、在該氫氟酸廢液之蒸餾桶中加入氣提管及對該氫氟酸廢液之蒸餾桶進行加溫四步驟，其中：<br/> 在氫氟酸廢液中添加氧化劑進行氧化處理時，氧化劑可以使用：高錳酸鉀、重鉻酸鉀、過氧化氫或臭氧，該氧化劑之添加量以三價砷(As)化合物存在濃度計算所需氧化劑添加之化學當量值，再額外添加50% ~ 250%為實際操作上之添加量，操作上，當在氫氟酸廢液中添加氧化劑時，氫氟酸廢液內所含之三價之砷化合物被上述氧化劑氧化後，會形成五價砷化合物，該五價砷化合物存在氣相，不會冷凝存在純化後氫氟酸水溶液產品中，因此可在後端以空污防治設備處理去除；<br/> 在氫氟酸廢液中添加含氟鹽類處理時，含氟鹽類可以使用：氟化鉀、氟化納、氟化鎂之氟化鹽類，該含氟鹽類之添加量係以氫氟酸廢液中之硝酸、鹽酸及含水硫酸中之總氫離子濃度值計算，計算後得到氟離子之反應當量值後再加30% ~ 80%，做為操作氫氟酸廢液中添加含氟鹽類處理之實際添加量，操作上，當在氫氟酸廢液內添加含氟鹽類時，氫氟酸廢液中之硝酸、鹽酸及含水硫酸所含的氫離子會與氟離子形成氟化氫，可以增加純化後氫氟酸水溶液產品中氫氟酸之產量；<br/> 在氫氟酸廢液之蒸餾桶中加入氣提管時，該氣提管先垂直向下而為垂直之氣提管部位，底部再彎折一角度成為非垂直之氣提管部位，非垂直之氣提管部位亦可部分露出液面表面之上，所彎折的角度可為水平(即呈0ﾟ)或水平往上下在 30ﾟ角 (即呈正負30ﾟ)內，該垂直之氣提管部位之管內徑介於1.0公分~2.5公分之間，氣提所使用之氣體可以為純化後之空氣、氮氣或氬氣，氣提所使用之氣體溫度介於20<sup>o</sup>C~120<sup>o</sup>C間，該非垂直之氣提管部位的出口放在氫氟酸廢液蒸餾桶之底部，該非垂直之氣提管部位的之內部直徑介於 0.5~1.5公分間，該非垂直之氣提管部位的之外部間隔介於2.0~4.0公分，該非垂直之氣提管部位的之開口在上邊或側邊之位置，該非垂直之氣提管部位的之開口為圓形，該非垂直之氣提管部位的之開口與開口邊之間隔介於2.0~4.0公分，加入之氣體於該非垂直之氣提管部位的開口出口流速介於0.3~1.5 公尺/秒之間，藉以增加回收氫氟酸的量；在同樣之溫度下，加入該氣提管氣提再加溫，比起單純加溫，在回收氫氟酸的量上，效率提升度在體積百分比50%~200%間； <br/> 對氫氟酸廢液之蒸餾桶進行加溫操作，使得溫度介於20<sup>o</sup>C~120<sup>o</sup>C之間，可以增加氫氟酸的提純回收效率。
如請求項1所述之氫氟酸廢液之濃縮提純技術，其中，在氫氟酸廢液中添加氧化劑進行氧化處理時，使用之氧化劑為高錳酸鉀時之添加量介於14.9~419 mg/L之間，使用之氧化劑為重鉻酸鉀時之添加量介於22.3~625 mg/L之間，使用之氧化劑為過氧化氫(H2O2)時之添加量介於2.58~72.2 mg/L之間，使用之氧化劑為臭氧(O3)時之添加量介於3.64~102 mg/L之間。
如請求項1所述之氫氟酸廢液之濃縮提純技術，其中，在氫氟酸廢液中添加含氟鹽類處理時，添加之含氟鹽類為氟化鉀時之添加量介於76.4~548.4 g/L之間、添加之含氟鹽類為氟化鈉時之添加量介於76.3~547.9 g/L之間、添加之含氟鹽類為氟化鎂時之添加量介於56.6~406.4 g/L之間。
如請求項1所述之氫氟酸廢液之濃縮提純技術，其中，可將氟鋁酸鈉、氟矽酸鈉或三水氟化鐵之固體或半固體廢棄物，經過加酸步驟，將溶液之pH值調整在2.0以下，然後靜置1.0~5.0分鐘將廢棄物中之氟溶出，形成氫氟酸溶解在水溶液中，接著將氫氟酸溶解的水溶液抽送至氫氟酸之蒸餾桶，再依在氫氟酸廢液中添加氧化劑進行氧化處理、添加含氟鹽類處理、注入氣體氣提處理及加溫蒸餾處理四種步驟，藉以回收氫氟酸產品。
如請求項1所述之氫氟酸廢液之濃縮提純技術，其中，經過加溫蒸餾處理後的氫氟酸蒸餾液，可透過溫度在0<sup>o</sup>C~65<sup>o</sup>C間的冷凝管進行冷凝，並於後續設置數個回收瓶串接，每個回收瓶內添加吸收劑，且回收瓶經0℃~65℃冰水浴，藉以提高氫氟酸的回收率。
如請求項5所述之氫氟酸廢液之濃縮提純技術，其中，可以串接數個蒸餾瓶進行連續分餾，再進行後續的回收瓶收集，藉以回收更高純度及更低雜質濃度的氫氟酸。
如請求項5所述之氫氟酸廢液之濃縮提純技術，其中，該吸收劑為氫氟酸水溶液，且第一回收瓶添加體積百分比35%~48%氫氟酸做為吸收劑，第二回收瓶添加體積百分比10%~30%氫氟酸做為吸收劑。
如請求項1或2或3或4或5或6或7所述之氫氟酸廢液之濃縮提純技術，其中，處理過程中所有接觸氫氟酸的管線、容器之材質或內襯需使用聚四氟乙烯(PTFE)或鐵氟龍(PFA) 或碳化矽(SiC) 材質。
一種表徵受試者之前列腺癌的方法，其包含偵測來自該受試者之生物樣品中的前列腺癌標記之含量，以及包含藉由NCCN風險分類將該受試者分組到不同前列腺癌嚴重性的六個群組中，其中，該六個群組係良性組、非常低風險/低風險前列腺癌、有利的中等風險前列腺癌、不利的中等風險前列腺癌、高風險/非常高風險前列腺癌、及轉移性前列腺癌群組；其中，該前列腺癌標記包含選自由下列所組成之群組的至少5個代謝物標記：N-(三甲基矽基)-乙醯亞胺酸三甲基矽酯；乙醇胺；甘胺酸二-TMS；丙酮酸；β-丙胺酸1；L-(+)-乳酸；2-羥基吡啶；二乙醇胺，3TMS衍生物；甘油酸；4-[(三甲基矽基)氧]-戊烯酸三甲基矽酯；胍基乙酸2；羥丙二酸；2,4-雙[(三甲基矽基)氧]-丁酸三甲基矽酯；L-焦麩胺酸；DL-異白胺酸2；1-(三甲基矽基)-5-[(三甲基矽基)氧]-IH-吲哚；2,3,4-三羥基丁酸肆(三甲基矽基)衍生物(,(R*,R*)-)；1-去氧戊五醇，4TMS衍生物；4-羥基苯甲酸；4-乙醯胺基丁酸1；L-麩醯胺酸2；D-來蘇糖2；1,2,3,5-肆-O-(三甲基矽基)阿拉伯呋喃糖；黃嘌呤；核糖醇TMS；木糖醇；L-(-)-阿拉伯糖醇，5TMS衍生物；四氫-2,5-二丙基-呋喃；1,5-失水-D-山梨糖醇；L-苯丙胺酸，2TMS衍生物；3,4-二羥基苯乙酸，3TMS衍生物；DL-4-羥基苦杏仁酸；3-甲基-L-組胺酸；反式-烏頭酸；(E)-1-戊烯-3-炔磺酸乙酯；D-阿洛糖2；D-阿洛糖1；L-酪胺酸2；金雞納酸；半乳糖醛酸2；芒柄花醇TMS；D-葡萄糖酸，6TMS衍生物；泛酸2；N-乙醯基-D-甘露胺糖1；D-阿洛糖五(三甲基矽基)醚乙基肟(異構物2)；假尿苷五-tms；軟脂酸；2-苯基-3,5,7-參(三甲基矽基氧)-1-苯并哌喃-4-酮；硬脂酸；N,N-二甲基-1-(三甲基矽基)-2',3',5'-參-O-(三甲基矽基)-鳥苷；1-單軟脂酸甘油酯，2TMS衍生物；乳糖1；2-單硬脂酸甘油酯，2TMS衍生物；1-硬脂醯基-外消旋-甘油；及3-苯基-5,10-斷膽甾-1(10),2-二烯-5-酮。
如請求項1所述之方法，其中，該生物樣品係周邊血液、血清、血漿、尿液、精液、前列腺液、Cowper氏腺液、射精前液體、或其任意組合。
如請求項2所述之方法，復包含偵測來自該受試者之該生物樣品中的前列腺特異性抗原之含量。
如請求項1所述之方法，復包含將一個群組中受試者之前列腺癌的嚴重性與其他群組區分開來。
如請求項4所述之方法，復包含將多於一個群組中受試者之前列腺癌的嚴重性與其他群組區分開來。
一種用於確定有其需要之受試者中用於前列腺癌診斷之生檢的需要的方法，包含偵測來自該受試者之生物樣品中的前列腺癌標記之含量，其中，該前列腺癌標記係選自由第1組、第2組、第3組、第4組、及其任意組合所組成之群組，並且其中：第1組係由下列群組所組成：C<sub>10</sub> H<sub>21</sub> N<sub>4</sub> O<sub>2</sub>、C<sub>12</sub> H<sub>17</sub> N O、C<sub>12</sub> H<sub>2</sub> N O P S、C<sub>12</sub> H<sub>9</sub> O<sub>9</sub> P、C<sub>13</sub> H<sub>19</sub> N<sub>5</sub> O<sub>5</sub>、C<sub>17</sub> H<sub>32</sub> N<sub>3</sub> O<sub>7</sub>、C<sub>18</sub> H<sub>16</sub> N<sub>6</sub> O<sub>3</sub>、C<sub>18</sub> H<sub>33</sub> N O<sub>4</sub>、C<sub>18</sub> H<sub>43</sub> N<sub>4</sub> O<sub>3</sub>、C<sub>19</sub> H<sub>35</sub> N O<sub>5</sub>、C<sub>19</sub> H<sub>38</sub> N<sub>2</sub> O<sub>3</sub>、C<sub>24</sub> H<sub>42</sub> N<sub>7</sub> O<sub>3</sub>、C<sub>27</sub> H<sub>12</sub> N<sub>9</sub>、C<sub>34</sub> H<sub>23</sub> N<sub>7</sub> O<sub>5</sub>、C<sub>5</sub> H<sub>11</sub> N O、C<sub>51</sub> H<sub>29</sub> N<sub>5</sub> O<sub>4</sub>、C<sub>6</sub> H<sub>15</sub> N、C<sub>8</sub> H<sub>9</sub> N、C<sub>9</sub> H<sub>4</sub> N<sub>5</sub> O<sub>9</sub>、C<sub>9</sub> H<sub>8</sub> O<sub>2</sub>；第2組係由下列群組所組成：C<sub>11</sub> H<sub>5</sub> N O P S、C<sub>12</sub> H<sub>16</sub> N O<sub>7</sub>、C<sub>12</sub> H<sub>2</sub> N O P S、C<sub>12</sub> H<sub>9</sub> O<sub>9</sub> P、C<sub>13</sub> H<sub>25</sub> N O<sub>2</sub>、C<sub>13</sub> H<sub>25</sub> N O<sub>3</sub>、C<sub>14</sub> H<sub>30</sub> N<sub>4</sub> O<sub>2</sub>、C<sub>16</sub> H<sub>13</sub> N<sub>3</sub> O<sub>3</sub> P、C<sub>17</sub> H<sub>41</sub> N<sub>4</sub> O<sub>3</sub>、C<sub>19</sub> H<sub>19</sub> N<sub>8</sub>、C<sub>22</sub> H<sub>45</sub> N O<sub>4</sub>、C<sub>26</sub> H<sub>51</sub> N<sub>4</sub> O<sub>5</sub>、C<sub>26</sub> H<sub>58</sub> N<sub>13</sub> P、C<sub>27</sub> H<sub>12</sub> N<sub>9</sub>、C<sub>27</sub> H<sub>55</sub> N<sub>8</sub> O<sub>3</sub>、C<sub>30</sub> H<sub>57</sub> N O<sub>7</sub>、C<sub>30</sub> H<sub>64</sub> N<sub>15</sub> O<sub>2</sub> P、C<sub>41</sub> H<sub>23</sub> N<sub>11</sub> O<sub>2</sub>、C<sub>5</sub>、C<sub>5</sub> H<sub>7</sub> N O<sub>3</sub>、C<sub>6</sub> H Cl<sub>5</sub>、C<sub>6</sub> H<sub>16</sub> N<sub>3</sub> O<sub>5</sub>、C<sub>8</sub> H<sub>16</sub> N O<sub>5</sub>；第3組係由下列群組所組成：C<sub>10</sub> H<sub>18</sub> N<sub>2</sub> O<sub>5</sub>、C<sub>12</sub> H<sub>21</sub> N O<sub>4</sub>、C<sub>13</sub> H<sub>23</sub> N O<sub>6</sub>、C<sub>13</sub> H<sub>25</sub> N O<sub>3</sub>、C<sub>14</sub> H<sub>30</sub> N<sub>4</sub> O<sub>2</sub>、C<sub>15</sub> H<sub>30</sub> N<sub>10</sub> O P、C<sub>16</sub> H<sub>13</sub> N<sub>3</sub> O<sub>3</sub> P、C<sub>19</sub> H<sub>31</sub> N<sub>6</sub> O<sub>2</sub>、C<sub>22</sub> H<sub>45</sub> N O<sub>4</sub>、C<sub>27</sub> H<sub>12</sub> N<sub>9</sub>、C<sub>28</sub> H<sub>57</sub> N<sub>8</sub> O<sub>4</sub>、C<sub>30</sub> H<sub>61</sub> N<sub>8</sub> O<sub>5</sub>、C<sub>30</sub> H<sub>64</sub> N<sub>15</sub> O<sub>2</sub> P、C<sub>35</sub> H<sub>71</sub> N<sub>8</sub> O<sub>7</sub>、C<sub>40</sub> H<sub>38</sub> N<sub>22</sub> O<sub>4</sub>、C<sub>41</sub> H<sub>23</sub> N<sub>11</sub> O<sub>2</sub>、C<sub>43</sub> H<sub>40</sub> N<sub>20</sub> O<sub>3</sub>、C<sub>5</sub> H<sub>11</sub> N O、C<sub>5</sub> H<sub>11</sub> N O<sub>2</sub> S、C<sub>5</sub> H<sub>2</sub> O<sub>2</sub> P、C<sub>8</sub> H<sub>16</sub> N O<sub>5</sub>；且第4組係由下列群組所組成：C<sub>11</sub> H<sub>20</sub> O<sub>2</sub>、C<sub>11</sub> H<sub>5</sub> N O P S、C<sub>12</sub> H<sub>2</sub> N O P S、C<sub>12</sub> H<sub>25</sub> N O<sub>4</sub> P、C<sub>12</sub> H<sub>9</sub> O<sub>9</sub> P、C<sub>13</sub> H<sub>25</sub> N O<sub>2</sub>、C<sub>13</sub> H<sub>25</sub> N O<sub>3</sub>、C<sub>14</sub> H<sub>30</sub> N<sub>4</sub> O<sub>2</sub>、C<sub>16</sub> H<sub>30</sub> N<sub>3</sub> O<sub>2</sub>、C<sub>17</sub> H<sub>41</sub> N<sub>4</sub> O<sub>3</sub>、C<sub>18</sub> H<sub>34</sub> O<sub>5</sub>、C<sub>19</sub> H<sub>31</sub> N<sub>6</sub> O<sub>2</sub>、C<sub>21</sub> H<sub>36</sub> N<sub>4</sub> O<sub>3</sub>、C<sub>22</sub> H<sub>45</sub> N O<sub>4</sub>、C<sub>23</sub> H<sub>47</sub> N<sub>8</sub> O<sub>2</sub>、C<sub>24</sub> H<sub>41</sub> N<sub>14</sub> O<sub>8</sub>、C<sub>27</sub> H<sub>12</sub> N<sub>9</sub>、C<sub>30</sub> H<sub>57</sub> N O<sub>7</sub>、C<sub>30</sub> H<sub>64</sub> N<sub>15</sub> O<sub>2</sub> P、C<sub>35</sub> H<sub>71</sub> N<sub>8</sub> O<sub>7</sub>、C<sub>43</sub> H<sub>40</sub> N<sub>20</sub> O<sub>3</sub>、C<sub>5</sub> H<sub>11</sub> N O、C<sub>5</sub> H<sub>11</sub> N O<sub>2</sub> S、C<sub>6</sub> H<sub>14</sub> N<sub>2</sub> O<sub>5</sub> P；第5組、第6組、第7組、第8組、及其任意組合所組成之群組，並且其中：第5組係由下列群組所組成：C<sub>10</sub> H<sub>16</sub> O<sub>4</sub>、C<sub>10</sub> H<sub>18</sub> N<sub>2</sub> O<sub>4</sub>、C<sub>11</sub> H<sub>20</sub> N O<sub>3</sub> P<sub>3</sub>、C<sub>12</sub> H<sub>7</sub> N<sub>4</sub> O<sub>2</sub>、C<sub>15</sub> H<sub>28</sub> N<sub>6</sub> O P<sub>2</sub>、C<sub>16</sub> H<sub>39</sub> N<sub>8</sub> O P、C<sub>19</sub> H<sub>14</sub> O<sub>3</sub>、C<sub>21</sub> H<sub>33</sub> N<sub>3</sub> O<sub>3</sub>、C<sub>23</sub> H<sub>27</sub> O<sub>11</sub> S、C<sub>23</sub> H<sub>42</sub> N<sub>7</sub> O、C<sub>25</sub> H<sub>46</sub> N<sub>7</sub> O<sub>3</sub>、C<sub>27</sub> H<sub>48</sub> P<sub>2</sub>、C<sub>27</sub> H<sub>54</sub> O<sub>6</sub>、C<sub>33</sub> H<sub>22</sub> O<sub>7</sub>、C<sub>34</sub> H<sub>73</sub> N<sub>8</sub> O<sub>2</sub> P、C<sub>38</sub> H<sub>48</sub> O<sub>12</sub>、C<sub>40</sub> H<sub>85</sub> N O P<sub>3</sub>、C<sub>5</sub> H<sub>4</sub> O<sub>3</sub>、C<sub>5</sub> H<sub>8</sub> N<sub>2</sub> O<sub>2</sub>、C<sub>6</sub> H<sub>11</sub> N<sub>4</sub> O<sub>3</sub> P、C<sub>6</sub> H<sub>13</sub> N<sub>4</sub> O P<sub>2</sub>、C7 H<sub>10</sub> O<sub>4</sub>、C7 H<sub>17</sub> O<sub>7</sub> P<sub>2</sub>、C7 H<sub>6</sub> O<sub>6</sub> S、C<sub>8</sub> H<sub>14</sub> O<sub>4</sub>；第6組係由下列群組所組成：C<sub>10</sub> H<sub>16</sub> O<sub>4</sub>、C<sub>11</sub> H<sub>16</sub> N<sub>4</sub> O<sub>4</sub>、C<sub>12</sub> H<sub>7</sub> N<sub>4</sub> O<sub>2</sub>、C<sub>14</sub> H<sub>20</sub> N<sub>2</sub> O<sub>5</sub>、C<sub>16</sub> H<sub>32</sub> O<sub>2</sub>、C<sub>17</sub> H<sub>34</sub> N<sub>9</sub> O<sub>2</sub>、C<sub>21</sub> H<sub>33</sub> N<sub>3</sub> O<sub>3</sub>、C<sub>23</sub> H<sub>27</sub> O<sub>11</sub> S、C<sub>26</sub> H<sub>43</sub> N O<sub>6</sub>、C<sub>27</sub> H<sub>48</sub> P<sub>2</sub>、C<sub>28</sub> H<sub>52</sub> N<sub>7</sub> O、C<sub>34</sub> H<sub>73</sub> N<sub>8</sub> O<sub>2</sub> P、C<sub>38</sub> H<sub>48</sub> O<sub>12</sub>、C<sub>39</sub> H<sub>26</sub> O<sub>7</sub>、C<sub>4</sub> H<sub>6</sub> O<sub>4</sub>、C<sub>40</sub> H<sub>85</sub> N O P<sub>3</sub>、C<sub>5</sub> H<sub>4</sub> N<sub>4</sub> O<sub>2</sub>、C<sub>5</sub> H<sub>8</sub> N<sub>2</sub> O<sub>2</sub>、C<sub>6</sub> H<sub>11</sub> N<sub>4</sub> O<sub>2</sub> P、C<sub>6</sub> H<sub>13</sub> N<sub>4</sub> O P<sub>2</sub>、C<sub>6</sub> H<sub>6</sub> N<sub>4</sub> O<sub>2</sub>、C<sub>6</sub> H<sub>8</sub> N<sub>2</sub> O<sub>4</sub>、C7 H<sub>10</sub> O<sub>4</sub>、C7 H<sub>17</sub> O<sub>7</sub> P<sub>2</sub>、C7 H<sub>6</sub> O<sub>6</sub> S、C<sub>9</sub> H<sub>16</sub> O<sub>4</sub>、C<sub>9</sub> H<sub>9</sub> N O<sub>3</sub>；第7組係由下列群組所組成：C<sub>10</sub> H<sub>18</sub> N<sub>2</sub> O<sub>4</sub>、C<sub>10</sub> H<sub>19</sub> N<sub>5</sub> P<sub>3</sub>、C<sub>12</sub> H<sub>7</sub> N<sub>4</sub> O<sub>2</sub>、C<sub>15</sub> H<sub>28</sub> N<sub>6</sub> O P<sub>2</sub>、C<sub>16</sub> H<sub>32</sub> O<sub>2</sub>、C<sub>17</sub> H<sub>34</sub> N<sub>9</sub> O<sub>2</sub>、C<sub>19</sub> H<sub>14</sub> O<sub>3</sub>、C<sub>21</sub> H<sub>33</sub> N<sub>3</sub> O<sub>3</sub>、C<sub>21</sub> H<sub>39</sub> N<sub>4</sub> O P、C<sub>27</sub> H<sub>48</sub> P<sub>2</sub>、C<sub>38</sub> H<sub>48</sub> O<sub>12</sub>、C<sub>39</sub> H<sub>26</sub> O<sub>7</sub>、C<sub>40</sub> H<sub>85</sub> N O P<sub>3</sub>、C<sub>5</sub> H<sub>10</sub> N<sub>2</sub> O<sub>3</sub>、C<sub>5</sub> H<sub>4</sub> N<sub>4</sub> O<sub>2</sub>、C<sub>6</sub> H<sub>10</sub> O<sub>4</sub> S、C<sub>6</sub> H<sub>11</sub> N<sub>4</sub> O<sub>2</sub> P、C<sub>6</sub> H<sub>13</sub> N<sub>4</sub> O P<sub>2</sub>、C<sub>6</sub> H<sub>15</sub> O<sub>8</sub> P、C7 H<sub>10</sub> O<sub>4</sub>、C7 H<sub>17</sub> O<sub>7</sub> P<sub>2</sub>、C7 H<sub>21</sub> N<sub>3</sub> O P<sub>3</sub>、C7 H<sub>22</sub> N<sub>4</sub> O<sub>9</sub> P S、C7 H<sub>8</sub> O<sub>6</sub> S、C<sub>8</sub> H<sub>9</sub> O<sub>6</sub>、C<sub>9</sub> H<sub>16</sub> O<sub>4</sub>、C<sub>9</sub> H<sub>17</sub> N O<sub>4</sub> S、C<sub>9</sub> H<sub>9</sub> N O<sub>3</sub>；且第8組係由下列群組所組成：C<sub>10</sub> H<sub>19</sub> N<sub>5</sub> P<sub>3</sub>、C<sub>12</sub> H<sub>7</sub> N<sub>4</sub> O<sub>2</sub>、C<sub>15</sub> H<sub>28</sub> N<sub>6</sub> O P<sub>2</sub>、C<sub>17</sub> H<sub>34</sub> N<sub>9</sub> O<sub>2</sub>、C<sub>17</sub> H<sub>42</sub> N<sub>5</sub> O P<sub>2</sub>、C<sub>21</sub> H<sub>33</sub> N<sub>3</sub> O<sub>3</sub>、C<sub>22</sub> H<sub>38</sub> N<sub>7</sub> O、C<sub>24</sub> H<sub>40</sub> N<sub>4</sub> O<sub>3</sub>、C<sub>25</sub> H<sub>46</sub> N<sub>7</sub> O<sub>3</sub>、C<sub>25</sub> H<sub>50</sub> O<sub>6</sub>、C<sub>27</sub> H<sub>54</sub> O<sub>6</sub>、C<sub>39</sub> H<sub>26</sub> O<sub>7</sub>、C<sub>39</sub> H<sub>78</sub> O<sub>6</sub>、C<sub>40</sub> H<sub>85</sub> N O P<sub>3</sub>、C<sub>6</sub> H<sub>11</sub> N<sub>4</sub> O<sub>2</sub> P、C<sub>6</sub> H<sub>15</sub> O<sub>8</sub> P、C<sub>6</sub> H<sub>5</sub> N<sub>2</sub> O P、C<sub>6</sub> H<sub>8</sub> O<sub>6</sub> S、C7 H<sub>10</sub> O<sub>4</sub>、C7 H<sub>17</sub> O<sub>7</sub> P<sub>2</sub>、C7 H<sub>21</sub> N<sub>3</sub> O P<sub>3</sub>、C<sub>8</sub> H<sub>16</sub> N<sub>2</sub> O<sub>5</sub> P、C<sub>8</sub> H<sub>18</sub> N O<sub>6</sub> P、C<sub>8</sub> H<sub>4</sub> N<sub>4</sub> O<sub>3</sub>、C<sub>9</sub> H<sub>16</sub> O<sub>4</sub>、C<sub>9</sub> H<sub>9</sub> N O<sub>3</sub>；第9組、第10組、第11組、第12組、及其任意組合所組成之群組，並且其中：第9組係由下列群組所組成：丙酮酸、4-乙醯胺基丁酸、1,5-失水-D-葡萄糖醇、β-丙胺酸、甘油酸、D-來蘇糖、半乳糖醛酸、D-阿洛糖、L-酪胺酸、3-甲基-L-組胺酸、L-麩醯胺酸、L-焦麩胺酸、胍基乙酸、半乳糖、2-羥基吡啶、N-乙醯基-D-甘露胺糖、軟脂酸、1-去氧-d-核糖醇、單軟脂酸甘油酯、2-硬脂醯基甘油、高良薑素、6-乙氧基亞胺基己烷-1,2,3,4,5-五醇、D-葡萄糖酸、N,N-二甲基鳥苷、假尿苷、核糖醇；第10組係由下列群組所組成：丙酮酸、黃嘌呤、4-乙醯胺基丁酸、1,5-失水-D-葡萄糖醇、β-丙胺酸、1-硬脂醯基-外消旋-甘油、甘油酸、半乳糖醛酸、金雞納酸、木糖醇、L-焦麩胺酸、胍基乙酸、乳糖、芒柄花醇、5-羥基吲哚、單軟脂酸甘油酯、高良薑素、3,4-二羥基苯乙酸、3-苯基-5,10-斷膽甾-1(10),2-烯-5-酮、乙醯胺、1-戊烯-3-炔磺酸乙酯、2,5-二丙基四氫呋喃、L-苯丙胺酸、假尿苷；第11組係由下列群組所組成：L-乳酸、黃嘌呤、4-乙醯胺基丁酸、β-丙胺酸、1-硬脂醯基-外消旋-甘油、4-羥基苦杏仁酸、反式-烏頭酸、D-阿洛糖、羥丙二酸、硬脂酸、L-酪胺酸、金雞納酸、乙醇胺、胍基乙酸、DL-異白胺酸、軟脂酸、單軟脂酸甘油酯、阿拉伯呋喃糖、2,4-二羥基丁酸、二乙醇胺、乙醯胺、2,5-二丙基四氫呋喃、甘胺酸、L-阿拉伯糖醇、戊酮酸、假尿苷；且第12組係由以下群組所組成：丙酮酸、黃嘌呤、4-羥基苯甲酸、β-丙胺酸、1-硬脂醯基-外消旋-甘油、半乳糖醛酸、D-阿洛糖、羥丙二酸、金雞納酸、泛酸、木糖醇、胍基乙酸、1-去氧-d-核糖醇、單軟脂酸甘油酯、蘇糖酸、高良薑素、阿拉伯呋喃糖、2,4-二羥基丁酸、D-葡萄糖酸、2,5-二丙基四氫呋喃、戊酮酸、假尿苷；或第13組、第14組、第15組、第16組、及其任意組合所組成之群組，並且其中：第13組係由下列群組所組成：1-甲氧基甲基-2-苯基硫代吲哚-3-甲醛、2,3-二羥基丁酸、2-羥基吡啶、2-硬脂醯基甘油、3-羥基苯乙酸、3-吲哚乙酸、3-甲基-L-組胺酸、4-乙醯胺基丁酸、4-羥基苦杏仁酸、6-乙氧基亞胺基己烷-1,2,3,4,5-五醇、α-羥基異丁酸、D-阿卓糖、D葡萄糖酸、D-來蘇糖、半乳糖醛酸、高良薑素、甘油酸、乳糖、L-岩藻醣、L-焦麩胺酸、單軟脂酸甘油酯、芒柄花醇、草醯胺、軟脂酸、假尿苷、丙酮酸、核糖醇、反式-烏頭酸；第14組係由下列群組所組成：1-硬脂醯基-外消旋-甘油、2,5-二丙基四氫呋喃、3,4-二羥基苯乙酸、乙醯胺、β-丙胺酸、環己胺、1-戊烯-3-炔磺酸乙酯、半乳糖醛酸、高良薑素、甘油酸、胍基乙酸、戊酮酸、單軟脂酸甘油酯、芒柄花醇、軟脂酸、p-甲苯基-β-D-葡萄哌喃糖苷-醛酸酯、金雞納酸、硬脂酸、蔗糖、尿酸、黃嘌呤、木糖醇；第15組係由下列群組所組成：(22S,23S,25R)-3β-甲氧基-16β,23：22,26-二環氧-5α-膽甾烷、1-甲氧基甲基-2-苯基硫代吲哚-3-甲醛、1-硬脂醯基-外消旋-甘油、2,4-二羥基丁酸、2,5-二丙基四氫呋喃、4-羥基苦杏仁酸、乙醯胺、阿拉伯呋喃糖、β-丙胺酸、大豆黃素、D-阿洛糖、DL-異白胺酸、D-塔格呋喃糖、乙醇胺、高良薑素、胍基乙酸、L-阿拉伯糖醇、戊酮酸、L-乳酸、單軟脂酸甘油酯、軟脂酸、假尿苷、金雞納酸、硬脂酸、蔗糖、羥丙二酸、黃嘌呤；且第16組係由下列群組所組成：(4RS,5SR)-5-氫過氧-4-癸醇、2,5-二丙基四氫呋喃、3,4,5-三羥基戊酸、4-羥基苯甲酸、6-乙氧基亞胺基己烷-1,2,3,4,5-五醇、乙醯胺、阿拉伯呋喃糖、β-丙胺酸、D-阿洛糖、DL-4-羥基-3-甲氧基苦杏仁酸、1-戊烯-3-炔磺酸乙酯、半乳糖醛酸、高良薑素、甘油酸、胍基乙酸、馬尿酸、戊酮酸、L-焦麩胺酸、泛酸、假尿苷、丙酮酸、金雞納酸、羥丙二酸、尿酸、黃嘌呤。
一種用於監測處於主動監視(AS)中之前列腺癌受試者的方法，其包含偵測來自該受試者之生物樣品中前列腺癌標記之含量，其中，該前列腺癌標記包含選自由下列所組成之群組的至少5個代謝物標記：N-(三甲基矽基)-乙醯亞胺酸三甲基矽酯；乙醇胺；甘胺酸二-TMS；丙酮酸；β-丙胺酸1；L-(+)-乳酸；2-羥基吡啶；二乙醇胺，3TMS衍生物；甘油酸；4-[(三甲基矽基)氧]-戊烯酸三甲基矽酯；胍基乙酸2；羥丙二酸；2,4-雙[(三甲基矽基)氧]-丁酸三甲基矽酯；L-焦麩胺酸；DL-異白胺酸2；1-(三甲基矽基)-5-[(三甲基矽基)氧]-1H-吲哚；2,3,4-三羥基丁酸肆(三甲基矽基)衍生物(,(R*,R*)-)；1-去氧戊五醇，4TMS衍生物；4-羥基苯甲酸；4-乙醯胺基丁酸1；L-麩醯胺酸2；D-來蘇糖2；1,2,3,5-肆-O-(三甲基矽基)阿拉伯呋喃糖；黃嘌呤；核糖醇TMS；木糖醇；L-(-)-阿拉伯糖醇，5TMS衍生物；四氫-2,5-二丙基-呋喃；1,5-失水-D-山梨糖醇；L-苯丙胺酸，2TMS衍生物；3,4-二羥基苯乙酸，3TMS衍生物；DL-4-羥基苦杏仁酸；3-甲基-L-組胺酸；反式-烏頭酸；(E)-1-戊烯-3-炔磺酸乙酯；D-阿洛糖2；D-阿洛糖1；L-酪胺酸2；金雞納酸；半乳糖醛酸2；芒柄花醇TMS；D-葡萄糖酸，6TMS衍生物；泛酸2；N-乙醯基-D-甘露胺糖1；D-阿洛糖五(三甲基矽基)醚乙基肟(異構物2)；假尿苷五-tms；軟脂酸；2-苯基-3,5,7-參(三甲基矽基氧)-1-苯并哌喃-4-酮；硬脂酸；N,N-二甲基-1-(三甲基矽基)-2',3',5'-參-O-(三甲基矽基)-鳥苷；1-單軟脂酸甘油酯，2TMS衍生物；乳糖1；2-單硬脂酸甘油酯，2TMS衍生物；1-硬脂醯基-外消旋-甘油；及3-苯基-5,10-斷膽甾-1(10),2-二烯-5-酮。
一種連接器，其係配置於檢查裝置與被檢查設備之間的檢查用連接器，其包括：<br/> 下側支持片，其配置於上述檢查裝置之上方；<br/> 上側支持片，其配置於上述被檢查設備之下方；<br/> 導電部，其透過上述下側支持片與上述上側支持片中之至少一者而沿上下方向受支持；<br/> 絕緣片，其供上述導電部沿上述上下方向插入，具有以藉由在水平方向上與上述導電部之外周面接觸而防止上述導電部彎曲之方式構成之彎曲防止部，且配置於上述下側支持片與上述上側支持片之間；<br/> 下側彈性柱體，其與上述彎曲防止部隔開以容許上述導電部膨脹，且於上述下側支持片上支持上述絕緣片；<br/> 上側彈性柱體，其與上述彎曲防止部隔開以容許上述導電部膨脹，且於上述絕緣片上支持上述上側支持片；<br/> 其中上述絕緣片具有供上述導電部沿上述上下方向插入之貫通孔，上述彎曲防止部形成為上述貫通孔之外周部分之至少一部分。
如請求項1所述之連接器，其中容許上述導電部膨脹之下側膨脹空間於上述下側支持片之上表面與上述絕緣片之下表面之間形成於上述彎曲防止部的下方，<br/> 容許上述導電部膨脹之上側膨脹空間於上述絕緣片之上表面與上述上側支持片之下表面之間形成於上述彎曲防止部的上方。
如請求項1所述之連接器，其中上述下側彈性柱體自上述絕緣片向下方突出，且結合於上述下側支持片之上表面，<br/> 上述上側彈性柱體以與上述下側彈性柱體對應之方式定位，自上述絕緣片向上方突出，且結合於上述上側支持片之下表面。
如請求項1所述之連接器，其中上述上側支持片與上述導電部形成為一體，從而構成可與上述下側支持片及上述絕緣片組裝之導電模組。
一種連接器，其係配置於檢查裝置與被檢查設備之間的檢查用連接器，其包括：<br/> 下側支持片，其配置於上述檢查裝置之上方；<br/> 導電部，其透過上述下側支持片而沿上下方向受支持；<br/> 絕緣片，其供上述導電部沿上述上下方向插入，具有以藉由在水平方向上與上述導電部之外周面接觸而防止上述導電部彎曲之方式構成之彎曲防止部，且配置於上述下側支持片之上方；<br/> 下側彈性柱體，其與上述彎曲防止部隔開以容許上述導電部膨脹，且於上述下側支持片上支持上述絕緣片，<br/> 上側彈性柱體，其與上述彎曲防止部隔開以容許上述導電部膨脹，且自上述絕緣片向上方突出；<br/> 其中上述絕緣片具有供上述導電部沿上述上下方向插入之貫通孔，上述彎曲防止部形成為上述貫通孔之外周部分之至少一部分。
如請求項5所述之連接器，其中容許上述導電部膨脹之下側膨脹空間於上述下側支持片之上表面與上述絕緣片之下表面之間形成於上述彎曲防止部的下方，<br/> 容許上述導電部膨脹之上側膨脹空間於上述絕緣片之上表面與上述導電部之上端之間形成於上述彎曲防止部的上方。
如請求項5所述之連接器，其中上述下側彈性柱體自上述絕緣片向下方突出，且結合於上述下側支持片之上表面，<br/> 上述上側彈性柱體以與上述下側彈性柱體對應之方式定位，且自上述絕緣片向上方突出。
如請求項5所述之連接器，其中上述下側支持片與上述導電部形成為一體，從而構成可與上述絕緣片組裝之導電模組。
如請求項1或5所述之連接器，其中上述貫通孔形成為以隔以間隔之方式包圍上述導電部之上述外周面。
如請求項1或5所述之連接器，其中上述貫通孔具有小於以下距離之半徑：上述導電部之中心軸與上述下側彈性柱體之中心軸間之距離、及上述導電部之上述中心軸與上述上側彈性柱體之中心軸間之距離。
如請求項1或5所述之連接器，其中上述導電部以如下方式構成：響應於上述被檢查設備之加壓力，於下側膨脹空間及上側膨脹空間中沿上述水平方向膨脹；上述彎曲防止部以如下方式構成：響應於上述被檢查設備之加壓力，抑制上述導電部彎曲。
如請求項1或5所述之連接器，其中上述絕緣片、上述下側彈性柱體及上述上側彈性柱體形成為一體，從而構成配置於上述下側支持片之上表面上之絕緣支持模組。
如請求項12所述之連接器，其中上述絕緣片包括：第1絕緣片，其形成上述彎曲防止部之一部分；及第2絕緣片，其附著於上述第1絕緣片之下表面及上表面中之任一者，具有比上述第1絕緣片之硬度低之硬度，且形成上述彎曲防止部之其餘一部分；<br/> 上述下側彈性柱體及上述上側彈性柱體中之一者與上述第2絕緣片形成為一體。
如請求項12所述之連接器，其中上述絕緣片包括：第1絕緣片，其形成上述彎曲防止部之一部分；第2絕緣片，其附著於上述第1絕緣片之下表面，具有比上述第1絕緣片之硬度低之硬度，且形成上述彎曲防止部之另一部分；及第3絕緣片，其附著於上述第1絕緣片之上表面，具有比上述第1絕緣片之上述硬度低之硬度，且形成上述彎曲防止部之其餘一部分；<br/> 上述下側彈性柱體與上述第2絕緣片形成為一體，上述上側彈性柱體與上述第3絕緣片形成為一體。
如請求項1或5所述之連接器，其中上述下側彈性柱體與上述上側彈性柱體呈圓柱體形狀、圓錐台形狀及多角錐台形狀中之任一形狀。
如請求項1或5所述之連接器，其中上述下側彈性柱體與上述上側彈性柱體中之至少一者之端部附著於上述絕緣片，且具有向上述彎曲防止部突出之凸緣。
一種藉由電子裝置而將API請求路由至服務之方法，其包括如下步驟： <br/>產生第1服務及用以接管預定將路由至上述第1服務之API請求之一部分之第2服務； <br/>自複數個用戶終端接收對上述第1服務之複數個API請求； <br/>對接收到之上述複數個API請求各者，判斷上述各API請求是否為將自上述第1服務遷移至上述第2服務之候補；及 <br/>基於上述判斷結果，將上述各API請求路由至上述第1服務或上述第2服務中之一者；且 <br/>上述路由之步驟包括如下步驟： <br/>對判斷為上述遷移候補之任意之API請求應用基於散列演算法之流量條件，藉此確定要將上述任意之API請求路由之服務；及 <br/>將判斷為遷移候補之API請求中既定比率之API請求路由至上述第2服務且逐漸增加路由至上述第2服務之API請求的比率。
如請求項1之方法，其中上述第1服務及上述第2服務藉由不同地產生日誌、度量或跟蹤中之至少一者之至少一個軟體容器而執行。
如請求項1之方法，其中上述第1服務及上述第2服務彼此共享代碼儲存庫、建置及排佈管線、軟體影像。
如請求項1之方法，其中上述判斷之步驟包括如下步驟： <br/>基於對上述各API請求之元資料進行剖析，判斷上述各API請求是否為上述遷移候補。
如請求項4之方法，其中上述判斷之步驟包括如下步驟： <br/>對上述各API請求之元資料進行剖析而識別上述各API請求指示之作業，基於上述識別之作業被分類為預先設定之至少一個類別而將上述各API請求判斷為遷移候補。
如請求項1之方法，其中上述路由之步驟包括如下步驟： <br/>於判斷為上述各API請求並非上述遷移候補之情形時，將上述各API請求路由至上述第1服務。
如請求項1之方法，其中上述路由之步驟包括如下步驟： <br/>接收一個以上之流量條件；及 <br/>響應於確定為應用接收到之上述一個以上之流量條件中之特定流量條件，驗證對上述第1服務之API請求之訪問是否正常進行，驗證上述第1服務及上述第2服務分別是否能接收API請求。
如請求項1之方法，其中上述第1服務及上述第2服務各者如下： <br/>產生路由至上述各服務之API請求之響應資料，並儲存上述各服務中產生之響應資料之日誌。
如請求項1之方法，其中逐漸增加路由至上述第2服務之API請求之比率之步驟包括如下步驟： <br/>自判斷為上述遷移候補之API請求全體路由至上述第1服務起逐漸增加上述比率，直至判斷為上述遷移候補之API請求全體路由至上述第2服務。
如請求項1之方法，其中上述路由之步驟包括如下步驟： <br/>將上述比率設定為第1比率，於預先設定之時間期間內將判斷為上述遷移候補之API請求中上述第1比率之API請求路由至上述第2服務； <br/>於判斷為上述遷移候補之API請求中，算出於上述預先設定之時間期間內路由至上述第2服務之API請求的錯誤率；及 <br/>於上述算出之錯誤率為第1臨界值以下之情形時，將上述比率自上述第1比率增加至大於上述第1比率之第2比率。
如請求項10之方法，其中算出上述錯誤率之步驟包括如下步驟： <br/>於屬於如下中之至少一者之情形時，判斷為發生上述API請求之錯誤：未於臨界時間內產生API請求之響應資料或上述API請求之響應資料包括錯誤消息或錯誤代碼。
如請求項10之方法，其中上述路由之步驟進而包括如下步驟： <br/>於算出之上述錯誤率超過第2臨界值之情形時，將上述比率自上述第1比率減小至小於上述第1比率之第3比率。
一種電子裝置，其包括： <br/>一個以上之處理器；及 <br/>一個以上之記憶體，其儲存有用以藉由上述一個以上之處理器而執行之命令；且 <br/>上述電子裝置以如下方式構成：於執行上述命令時，上述一個以上之處理器執行如請求項1至12中任一項之方法。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其係記錄有於藉由一個以上之處理器而執行時使上述一個以上之處理器實行動作之命令者，其中上述命令以如下之方式構成：使上述一個以上之處理器執行如請求項1至12中任一項之方法。
一種基板搬送機器人系統，係具備： <br/>機器人，係搬送基板； <br/>照射部，係對前述機器人所保持之前述基板的主表面照射具有預定的形狀的檢測光； <br/>拍攝部，係拍攝前述基板，從而拍攝在前述基板的前述主表面反射的前述檢測光；以及 <br/>控制部，係根據以前述拍攝部所拍攝到的前述檢測光的拍攝影像，檢測前述基板的狀態； <br/>前述照射部係對位置及角度之至少一者相對地經變更之前述基板的前述主表面照射前述檢測光， <br/>前述拍攝部係隨著前述基板相對於前述照射部之相對的位置及角度之至少一者的變更而複數次地拍攝在前述基板的前述主表面反射的前述檢測光， <br/>前述機器人係在由前述拍攝部進行前述檢測光的拍攝時，使前述基板相對於前述照射部的位置及角度之至少一者相對地變更，並使前述基板沿著彼此相異之複數個移動方向移動， <br/>前述控制部係根據藉由以前述拍攝部進行之複數次的拍攝而拍攝被反射之複數道前述檢測光從而生成之前述機器人所進行之沿著第一移動方向之前述基板的移動時的複數個前述拍攝影像，而生成前述基板整體的第一拍攝影像，並且 <br/>根據藉由以前述拍攝部進行之複數次的拍攝而拍攝被反射之複數道前述檢測光從而生成之前述機器人所進行之沿著與前述第一移動方向不同之第二方向之前述基板的移動時的複數個前述拍攝影像，而生成前述基板整體的第二拍攝影像， <br/>前述控制部係至少根據前述第一拍攝影像以及前述第二拍攝影像，檢測前述基板的狀態。
如請求項1所述之基板搬送機器人系統，其中，前述照射部係照射沿著與前述基板相對於前述照射部之相對的位置的變更當中之移動方向交叉的方向之線狀的前述檢測光，以及沿著前述基板相對於前述照射部之相對的角度的變更當中之旋轉動作的旋轉軸線方向之線狀的前述檢測光之至少一者。
如請求項1所述之基板搬送機器人系統，其中，前述機器人係在由前述拍攝部進行前述檢測光之拍攝時，變更前述基板相對於水平面的角度。
如請求項1所述之基板搬送機器人系統，其中，前述控制部係根據前述拍攝影像，檢測包含前述基板的形狀、位置、朝向及在前述基板發生的異常之至少一者的前述基板的狀態。
如請求項4所述之基板搬送機器人系統，其中，前述控制部係根據前述拍攝影像檢測前述基板的狀態，藉此檢測顯示前述基板之朝向的缺口或定向平面。
如請求項1所述之基板搬送機器人系統，其中，前述控制部係使用以機械學習生成之學習完畢模型，根據以前述拍攝部取得的前述拍攝影像來檢測前述基板的狀態。
如請求項1所述之基板搬送機器人系統，其中，前述照射部係照射包含彼此相異之線狀的第一檢測光及第二檢測光之前述檢測光， <br/>前述控制部係根據藉由以前述拍攝部進行之複數次的拍攝而生成之包含前述第一檢測光及前述第二檢測光的前述拍攝影像，檢測前述基板的狀態。
如請求項1所述之基板搬送機器人系統，其中，前述機器人係配置於供前述基板相對於基板收納容器的搬送進行之搬送室，前述基板收納容器係供前述基板收納， <br/>前述照射部在前述搬送室內係配置於前述機器人的上方，且對前述基板的前述主表面照射前述檢測光， <br/>前述拍攝部在前述搬送室內係配置於前述機器人的上方，且拍攝在前述基板的前述主表面反射的前述檢測光， <br/>前述控制部係根據在前述搬送室內拍攝到的前述拍攝影像檢測前述基板的狀態。
如請求項1所述之基板搬送機器人系統，係進一步具備將前述基板的朝向調整成預定的方向的調整裝置，並且， <br/>前述控制部係使用根據前述拍攝影像所檢測出的前述基板的狀態而控制前述調整裝置的動作。
如請求項1所述之基板搬送機器人系統，其中，前述機器人係包含保持前述基板的基板保持手， <br/>前述控制部係兼任控制前述機器人之搬送動作的機器人控制部，且 <br/>根據所檢測出的前述基板的狀態來檢測前述基板相對於前述基板保持手的位置及朝向之至少一者的偏移， <br/>並且在前述機器人的搬送動作中，修正所檢測出的前述基板的位置及朝向之至少一者的偏移。
一種基板檢測方法，係藉由照射部對位置及角度之至少一者相對地經變更之基板的主表面照射檢測光，並隨著基板相對於前述照射部之相對的位置及角度之至少一者的變更，而沿著彼此相異之複數個移動方向移動使前述基板移動，並同時拍攝搬送基板之機器人所保持的前述基板，從而複數次地拍攝在前述基板的主表面反射之具有預定的形狀的檢測光，且 <br/>根據藉由複數次的拍攝而拍攝被反射之複數道前述檢測光從而生成之前述機器人所進行之沿著第一移動方向之前述基板的移動時的複數個前述拍攝影像，而生成前述基板整體的第一拍攝影像，並且 <br/>根據藉由複數次的拍攝而拍攝被反射之複數道前述檢測光從而生成之前述機器人所進行之沿著與前述第一移動方向不同之第二方向之前述基板的移動時的複數個前述拍攝影像，而生成前述基板整體的第二拍攝影像， <br/>根據至少前述第一拍攝影像以及前述第二拍攝影像，檢測前述基板的狀態。
一種嵌入式透鏡結構的形成方法，包括： <br/>在基板上形成犧牲塊； <br/>回流所述犧牲塊； <br/>對所述犧牲塊和所述基板兩者進行第一蝕刻製程，直到所述基板的部分被蝕刻以形成微透鏡； <br/>形成圖案化蝕刻罩幕；以及 <br/>進行第二蝕刻製程，以蝕刻所述基板，其中在進行所述第一蝕刻製程和所述第二蝕刻製程之後的時間，所述微透鏡位於所述基板的凹陷中。
如請求項1所述的嵌入式透鏡結構的形成方法，其中當進行所述第一蝕刻製程時，所述基板中直接位於所述犧牲塊之下的第一頂面大體上共面於所述基板中在所述犧牲塊的相鄰犧牲塊之間的第二頂面。
如請求項1所述的嵌入式透鏡結構的形成方法，其中在所述第一蝕刻製程和所述第二蝕刻製程兩者之後，所述基板包括形成保護壁的一些部分，其中所述凹陷在所述保護壁之間。
如請求項3所述的嵌入式透鏡結構的形成方法，其中所述微透鏡與所述保護壁中最近的部分橫向間隔開間隔。
如請求項4所述的嵌入式透鏡結構的形成方法，其中所述微透鏡與所述保護壁中最接近部分之間的所述間隔大於約5 μm。
一種嵌入式透鏡結構，包括： <br/>基板； <br/>多個保護壁，在所述基板的俯視圖中形成網格，其中所述多個保護壁包括頂面；以及 <br/>多個微透鏡，在由所述多個保護壁形成的所述網格的網格開口中，其中所述多個微透鏡的最頂端齊平於或低於所述多個保護壁的所述頂面，並且其中所述多個保護壁與所述多個微透鏡中相應最接近的微透鏡間隔開，其中所述多個保護壁與所述多個微透鏡中相應最接近的微透鏡之間的間隔在約0.1 μm至約5 μm之間的範圍內。
如請求項6所述的嵌入式透鏡結構，其中所述多個保護壁的材料與所述多個微透鏡的材料相同。
如請求項6所述的嵌入式透鏡結構，其中所述多個微透鏡的所述最頂端與所述多個保護壁的所述頂面的高度差異大於1 μm且小於約20 μm。
一種光子封裝件，包括： <br/>光子晶粒； <br/>電子晶粒，在所述光子晶粒上；以及 <br/>基板，在所述電子晶粒上方，其中所述基板包括： <br/>凹陷，在所述基板的頂面； <br/>微透鏡，在所述凹陷中；以及 <br/>所述基板中圍繞所述微透鏡的部分，其中所述凹陷比所述微透鏡寬。
如請求項9所述的光子封裝件，其中所述基板中圍繞所述微透鏡的所述部分形成全環，並且其中所述全環的俯視形狀不同於所述微透鏡的俯視形狀。
一種電源模組，包括： <br/> 一底層，具有一第一表面和一第二表面，該底層的該第二表面與該第一表面相對； <br/> 一元件層，位於該底層之上，具有一第一表面和一第二表面，該元件層的該第二表面與該第一表面相對，並且該元件層的該第二表面朝向該底層的該第一表面；以及 <br/> 一電感元件，位於該元件層之上，具有一第一表面和一第二表面，該電感元件的該第二表面與該第一表面相對，並且該電感元件的該第二表面朝向該元件層的該第一表面； <br/> 其中該電感元件包括： <br/> 一第一線圈； <br/> 一第二線圈； <br/> 一第一磁芯部分，具有一第一部分位於一第一平面，一第二部分位於一第二平面，一連接部分連接該第一磁芯部分的該第一部分和該第二部分；以及 <br/> 一第二磁芯部分，具有一第一部分位於該第二平面，一第二部分位於該第一平面，一連接部分連接該第二磁芯部分的該第一部分和該第二部分； <br/> 其中該第一磁芯部分和該第二磁芯部分互相交疊，使得該第一線圈位於該第一磁芯部分的該第一部分和該第二磁芯部分的該第一部分之間，該第二線圈位於該第一磁芯部分的該第二部分和該第二磁芯部分的該第二部分之間。
如請求項1所述的電源模組，其中，該元件層包括： <br/> 一第一功率元件晶片，嵌於該元件層之內，其中該第一功率元件晶片具有一第一表面和一第二表面，且該第一功率元件晶片的該第一表面覆蓋有一散熱層，該第一功率元件晶片的該第二表面具有多個接腳露出，並連接到該底層；以及 <br/> 一第二功率元件晶片，嵌於該元件層之內，其中該第二功率元件晶片具有一第一表面和一第二表面，且該第二功率元件晶片的該第一表面覆蓋有一散熱層，該第二功率元件晶片的該第二表面具有多個接腳露出，並連接到該底層。
如請求項2所述的電源模組，其中， <br/> 該第一線圈具有一第一端和一第二端伸出該電感元件的該第二表面，並連接至該元件層；以及 <br/> 該第二線圈具有一第一端和一第二端伸出該電感元件的該第二表面，並連接至該元件層。
如請求項3所述的電源模組，其中該元件層進一步包括： <br/> 一第一連接柱，具有一第一端連接至該第一線圈的該第一端，具有一第二端連接至該底層； <br/> 一第二連接柱，具有一第一端連接至該第一線圈的該第二端，具有一第二端連接至該底層； <br/> 一第三連接柱，具有一第一端連接至該第二線圈的該第一端，具有一第二端連接至該底層；以及 <br/> 一第四連接柱，具有一第一端連接至該第二線圈的該第二端，具有一第二端連接至該底層。
如請求項4所述的電源模組，其中該第一功率元件晶片和該第二功率元件晶片均包括： <br/> 一輸入接腳； <br/> 一切換接腳； <br/> 一接地接腳； <br/> 一驅動接腳； <br/> 一第一開關，具有一第一端耦接至該輸入接腳，一第二端耦接至該切換接腳，以及一控制端用於接收一第一驅動訊號； <br/> 一第二開關，具有一第一端耦接至該切換接腳，一第二端耦接至該接地接腳，以及一控制端用於接收一第二驅動訊號；以及 <br/> 一驅動電路，耦接至該驅動接腳接收一切換控制訊號，並基於該切換控制訊號提供該第一驅動訊號和該第二驅動訊號； <br/> 其中，該第一功率元件晶片的該切換接腳通過該底層和該第一連接柱電連接至該第一線圈的該第一端，該第二功率元件晶片的該切換接腳通過該底層和該第三連接柱電連接至該第二線圈的該第一端。
如請求項5所述的電源模組，其中該底層的該第二表面包括： <br/> 一輸入焊墊區，具有至少一個焊墊電連接至該第一功率元件晶片和該第二功率元件晶片的該輸入接腳； <br/> 一接地焊墊區，具有至少一個焊墊電連接至該第一功率元件晶片和該第二功率元件晶片的該接地接腳； <br/> 一訊號焊墊區，具有至少兩個焊墊分別電連接至該第一功率元件晶片的該驅動接腳和該第二功率元件晶片的該驅動接腳； <br/> 一第一輸出電壓焊墊區，具有至少一個焊墊通過該底層和該第二連接柱電連接至該電感元件；以及 <br/> 一第二輸出電壓焊墊區，具有至少一個焊墊通過該底層和該第四連接柱電連接至該電感元件。
如請求項3所述的電源模組，其中： <br/> 該第一線圈具有一中間部分位於該第一磁芯部分的該第一部分和該第二磁芯部分的該第一部分之間，其中該第一線圈的該中間部分的長度方向和該元件層的該第一表面平行，並且沿著一第一方向延伸；以及 <br/> 該第二線圈具有一中間部分位於該第一磁芯部分的該第二部分和該第二磁芯部分的該第二部分之間，其中該第二線圈的該中間部分的長度方向和該元件層的該第一表面平行，並且沿著該第一方向延伸。
如請求項7所述的電源模組，其中該電感元件進一步包括： <br/> 一第一磁性層，位於該第一磁芯部分的該第一部分和該第二磁芯部分的該第一部分之間，並且與該第一線圈的該中間部分相鄰，其中該第一磁性層的長度方向沿著該第一方向延伸；以及 <br/> 一第二磁性層，位於該第一磁芯部分的該第二部分和該第二磁芯部分的該第二部分之間，並且與該第二線圈的該中間部分相鄰，其中該第二磁性層的長度方向沿著該第一方向延伸。
如請求項8所述的電源模組，其中該第一磁性層和該第二磁性層的磁導率低於該第一磁芯部分和該第二磁芯部分的磁導率。
如請求項3所述的電源模組，其中該第一線圈和該第二線圈均具有一倒U型結構。
如請求項3所述的電源模組，其中： <br/> 所述第一線圈繞於第二磁芯部分多於一圈；以及 <br/> 所述第二線圈繞於第一磁芯部分多於一圈。
如請求項2所述的電源模組，其中該電感元件進一步包括： <br/> 一第一散熱片，覆蓋該電感元件的部分表面，具有一C型結構，其中該第一散熱片具有一第一部分覆蓋該電感元件的部分的該第一表面，具有一第二部分覆蓋該電感元件的部分的該第二表面，具有一第三部分覆蓋該電感元件的部分的一第三表面，其中該第一散熱片的該第二部分與覆蓋該第一功率元件晶片的該散熱層相接觸，該電感元件的該第三表面垂直於該電感元件的該第一表面和該第二表面，並且平行於該第一線圈的該中間部分；以及 <br/> 一第二散熱片，覆蓋該電感元件的部分表面，具有該C型結構，其中該第二散熱片具有一第一部分覆蓋該電感元件的部分的該第一表面，具有一第二部分覆蓋該電感元件的部分的該第二表面，具有一第三部分覆蓋該電感元件的部分的一第四表面，其中該第二散熱片的該第二部分與覆蓋該第二功率元件晶片的該散熱層相接觸，該電感元件的該第四表面垂直於該電感元件的該第一表面和該第二表面，平行於該第二線圈的該中間部分，並且與該電感元件的該第三表面相對。
如請求項1所述的電源模組，其中該第一磁芯部分的該第一部分和該第二磁芯部分的該第一部分在該電感元件的該第二表面上的投影至少部分重合，並且該第二磁芯部分的該第二部分和該第一磁芯部分的該第二部分在該電感元件的該第二表面上的投影至少部分重合。
一種電感元件，具有相對的一第一表面和一第二表面，包括： <br/> 一第一線圈； <br/> 一第二線圈； <br/> 一第一磁芯部分，具有一第一部分位於一第一平面，一第二部分位於一第二平面，一連接部分連接該第一磁芯部分的該第一部分和該第二部分；以及 <br/> 一第二磁芯部分，具有一第一部分位於一第二平面，一第二部分位於該第一平面，一連接部分連接該第二磁芯部分的該第一部分和該第二部分； <br/> 其中該第一磁芯部分和該第二磁芯部分互相交疊，使得該第一線圈位於該第一磁芯部分的該第一部分和該第二磁芯部分的該第一部分之間，該第二線圈位於該第一磁芯部分的該第二部分和該第二磁芯部分的該第二部分之間； <br/> 其中該第一磁芯部分的該連接部分和該第二磁芯部分的該連接部分位於該電感元件的一中軸線，並且該第一線圈和該第二線圈分佈於該電感元件的該中軸線的兩側。
如請求項14所述的電感元件，其中， <br/> 該第一線圈具有一第一端和一第二端伸出該電感元件的該第二表面；以及 <br/> 該第二線圈具有一第一端和一第二端伸出該電感元件的該第二表面。
如請求項15所述的電感元件，其中該第一線圈和該第二線圈均具有一倒U型結構。
如請求項15所述的電感元件，其中： <br/> 該第一線圈繞於該第二磁芯部分多於一圈；以及 <br/> 該第二線圈繞於該第一磁芯部分多於一圈。
如請求項14所述的電感元件，進一步包括： <br/> 一第一磁性層，位於該第一磁芯部分的該第一部分和該第二磁芯部分的該第一部分之間；以及 <br/> 一第二磁性層，位於該第一磁芯部分的該第二部分和該第二磁芯部分的該第二部分之間。
如請求項18所述的電感元件，其中該第一磁性層和該第二磁性層的材料為鐵粉，該第一磁芯部分和該第二磁芯部分的材料為鐵氧體。
如請求項19所述的電感元件，其中： <br/> 當流過該第一線圈和該第二線圈的電流在1安培和60安培之間時，該電感元件的自感至少為60奈亨，當流過該第一線圈和該第二線圈的電流約為70安培時，該電感元件的自感至少為50奈亨；以及 <br/> 當流過該第一線圈和該第二線圈的電流在1安培和60安培之間時，該電感元件的互感為負值，且其絕對值至少為30奈亨，當流過該第一線圈和該第二線圈的電流約為70安培時，該電感元件的互感為負值，且其絕對值至少為20奈亨。
如請求項14所述的電感元件，其中： <br/> 該第一磁芯部分和該第二磁芯部分的材料為鐵氧體； <br/> 當流過該第一線圈和該第二線圈的電流在1安培和60安培之間時，該電感元件的自感至少為60奈亨，當流過該第一線圈和該第二線圈的電流約為70安培時，該電感元件的自感至少為35奈亨；以及 <br/> 當流過該第一線圈和該第二線圈的電流在1安培和60安培之間時，該電感元件的互感為負值，且其絕對值至少為30奈亨，當流過該第一線圈和該第二線圈的電流約為70安培時，該電感元件的互感為負值，且其絕對值至少為10奈亨。
如請求項14所述的電感元件進一步包括： <br/> 一第一散熱片，覆蓋該電感元件的部分表面，具有一C型，其中該第一散熱片具有一第一部分覆蓋該電感元件的部分的該第一表面，具有一第二部分覆蓋該電感元件的部分的該第二表面，具有一第三部分覆蓋該電感元件的部分的一第三表面，其中該第一散熱片的該第二部分與覆蓋一第一功率元件晶片的一散熱層相接觸，該電感元件的該第三表面垂直於該電感元件的該第一表面和該第二表面，並且平行於該第一線圈的該中間部分；以及 <br/> 一第二散熱片，覆蓋該電感元件的部分表面，具有該C型，其中該第二散熱片具有一第一部分覆蓋該電感元件的部分的該第一表面，具有一第二部分覆蓋該電感元件的部分的該第二表面，具有一第三部分覆蓋該電感元件的部分的一第四表面，其中該第二散熱片的該第二部分與覆蓋一第二功率元件晶片的一散熱層相接觸，該電感元件的該第四表面垂直於該電感元件的該第一表面和該第二表面，平行於該第二線圈的該中間部分，並且與該電感元件的該第三表面相對。
一種電感元件，具有相對的一第一表面和一第二表面，包括： <br/> 一第一線圈； <br/> 一第二線圈； <br/> 一第一磁芯部分，具有一第一部分位於一第一平面，一第二部分位於一第二平面，一連接部分連接該第一磁芯部分的該第一部分和該第二部分；以及 <br/> 一第二磁芯部分，具有一第一部分位於一第二平面，一第二部分位於該第一平面，一連接部分連接該第二磁芯部分的該第一部分和該第二部分； <br/> 其中該第一磁芯部分和該第二磁芯部分互相交疊，使得該第一線圈位於該第一磁芯部分的該第一部分和該第二磁芯部分的該第一部分之間，該第二線圈位於該第一磁芯部分的該第二部分和該第二磁芯部分的該第二部分之間； <br/> 其中當流過該第一線圈和該第二線圈的電流在1安培和60安培之間時，該電感元件的自感至少為60奈亨，互感為負值，且其絕對值至少為30奈亨。
如請求項23所述的電感元件，其中， <br/> 該第一線圈具有一第一端和一第二端伸出該電感元件的該第二表面；以及 <br/> 該第二線圈具有一第一端和一第二端伸出該電感元件的該第二表面。
如請求項24所述的電感元件，其中該第一線圈和該第二線圈均具有一倒U型結構。
如請求項24所述的電感元件，其中： <br/> 該第一線圈繞於該第二磁芯部分多於一圈；以及 <br/> 該第二線圈繞於該第一磁芯部分多於一圈。
如請求項23所述的電感元件，進一步包括： <br/> 一第一磁性層，位於該第一磁芯部分的該第一部分和該第二磁芯部分的該第一部分之間；以及 <br/> 一第二磁性層，位於該第一磁芯部分的該第二部分和該第二磁芯部分的該第二部分之間。
如請求項27所述的電感元件，其中， <br/> 該第一磁性層和該第二磁性層的材料為鐵粉，該第一磁芯部分和該第二磁芯部分的材料為鐵氧體； <br/> 當流過該第一線圈和該第二線圈的電流在1安培和60安培之間時，該電感元件的自感至少為60奈亨，當流過該第一線圈和該第二線圈的電流約為70安培時，該電感元件的自感至少為50奈亨；以及 <br/> 當流過該第一線圈和該第二線圈的電流在1安培和60安培之間時，該電感元件的互感為負值，且其絕對值至少為30奈亨，當流過該第一線圈和該第二線圈的電流約為70安培時，該電感元件的互感為負值，且其絕對值至少為20奈亨。
如請求項23所述的電感元件進一步包括： <br/> 一第一散熱片，覆蓋該電感元件的部分表面，具有一C型，其中該第一散熱片具有一第一部分覆蓋該電感元件的部分的該第一表面，具有一第二部分覆蓋該電感元件的部分的該第二表面，具有一第三部分覆蓋該電感元件的部分的一第三表面，其中該第一散熱片的該第二部分與覆蓋一第一功率元件晶片的一散熱層相接觸，該電感元件的該第三表面垂直於該電感元件的該第一表面和該第二表面，並且平行於該第一線圈的該中間部分；以及 <br/> 一第二散熱片，覆蓋該電感元件的部分表面，具有該C型，其中該第二散熱片具有一第一部分覆蓋該電感元件的部分的該第一表面，具有一第二部分覆蓋該電感元件的部分的該第二表面，具有一第三部分覆蓋該電感元件的部分的一第四表面，其中該第二散熱片的該第二部分與覆蓋一第二功率元件晶片的一散熱層相接觸，該電感元件的該第四表面垂直於該電感元件的該第一表面和該第二表面，平行於該第二線圈的該中間部分，並且與該電感元件的該第三表面相對。
一種半導體記憶裝置，包括： <br/>積層體，包含多個閘極電極層及多個絕緣層，且是將所述多個閘極電極層與所述多個絕緣層在第一方向上逐層交替地積層而成；以及 <br/>柱狀體，在所述積層體內在所述第一方向上延伸，且包含記憶體膜及通道層， <br/>所述多個閘極電極層包含第一閘極電極層及第二閘極電極層，所述第二閘極電極層相對於所述第一閘極電極層而配置於所述第一方向上的第一側，且在所述多個閘極電極層中位於所述第一閘極電極層的旁側， <br/>所述多個絕緣層包含：第一絕緣層，自所述第一方向上的與所述第一側相反的第二側和所述第一閘極電極層相鄰；以及第二絕緣層，位於所述第一閘極電極層與所述第二閘極電極層之間， <br/>當將與所述第一方向正交的方向設為第二方向且在沿著所述第一方向及所述第二方向的剖面中進行觀察的情況下， <br/>在位於所述第一閘極電極層與所述第一絕緣層之間且沿著所述第二方向的第一邊界中，將與所述柱狀體相鄰的所述第一閘極電極層的第一邊緣、和自與所述第一邊緣相反之側與所述柱狀體相鄰的所述第一閘極電極層的第二邊緣之間的距離設為第一距離， <br/>在位於所述第一閘極電極層與所述第二絕緣層之間且沿著所述第二方向的第二邊界中，將與所述柱狀體相鄰的所述第一閘極電極層的第三邊緣、和自與所述第三邊緣相反之側與所述柱狀體相鄰的所述第一閘極電極層的第四邊緣之間的距離設為第二距離， <br/>在位於所述第二閘極電極層與所述第二絕緣層之間且沿著所述第二方向的第三邊界中，將與所述柱狀體相鄰的所述第二閘極電極層的第五邊緣、和自與所述第五邊緣相反之側與所述柱狀體相鄰的所述第二閘極電極層的第六邊緣之間的距離設為第三距離，在此情況下， <br/>所述第二距離大於所述第一距離且大於所述第三距離。
如請求項1所述的半導體記憶裝置，其中， <br/>當自所述第一方向進行觀察的情況下， <br/>在所述第二邊界，利用所述第一閘極電極層的邊緣在所述第一閘極電極層與所述柱狀體之間規定環狀的第一邊界線， <br/>在所述第三邊界，利用所述第二閘極電極層的邊緣在所述第二閘極電極層與所述柱狀體之間規定環狀的第二邊界線， <br/>當自所述第一方向進行觀察的情況下，所述第二邊界線位於所述第一邊界線的內側。
如請求項1所述的半導體記憶裝置，其中， <br/>所述第一閘極電極層包含第一部分及第二部分，所述第二部分相對於所述第一部分而位於所述第一側， <br/>所述第一部分具有與所述柱狀體相鄰的第一邊緣部， <br/>所述第二部分具有與所述柱狀體相鄰的第二邊緣部， <br/>所述第二邊緣部與所述第一邊緣部相比，相對於所述第一方向大幅傾斜， <br/>所述第二閘極電極層包含第三部分及第四部分，所述第四部分相對於所述第三部分而位於所述第一側， <br/>所述第三部分具有與所述柱狀體相鄰的第三邊緣部， <br/>所述第四部分具有與所述柱狀體相鄰的第四邊緣部， <br/>所述第四邊緣部與所述第三邊緣部相比，相對於所述第一方向大幅傾斜。
如請求項1至3中任一項所述的半導體記憶裝置，其中， <br/>所述通道層與所述第一閘極電極層的所述第三邊緣之間的最短距離大於所述通道層與所述第一閘極電極層的所述第一邊緣之間的最短距離。
如請求項1至3中任一項所述的半導體記憶裝置，其中， <br/>所述柱狀體的所述第一側的端在所述第二方向上的寬度大於所述柱狀體的所述第二側的端在所述第二方向上的寬度， <br/>所述第三邊緣及所述第四邊緣相對於所述第一邊緣及所述第二邊緣而位於所述第一側。
如請求項1至3中任一項所述的半導體記憶裝置，其中， <br/>所述柱狀體的所述第二側的端在所述第二方向上的寬度大於所述柱狀體的所述第一側的端在所述第二方向上的寬度， <br/>所述第三邊緣及所述第四邊緣相對於所述第一邊緣及所述第二邊緣而位於所述第一側。
如請求項1至3中任一項所述的半導體記憶裝置， <br/>更包括控制電路， <br/>在所述第一閘極電極層與所述柱狀體的交叉部分形成有第一記憶體單元電晶體，在所述第二閘極電極層與所述柱狀體的交叉部分形成有第二記憶體單元電晶體， <br/>所述控制電路能夠對所述第一記憶體單元電晶體與所述第二記憶體單元電晶體進行控制，以在第一寫入動作之後進行第二寫入動作， <br/>所述第一寫入動作包含當寫入資料的情況下向所述第一記憶體單元電晶體注入電荷的動作， <br/>所述第二寫入動作包含當寫入資料的情況下向所述第二記憶體單元電晶體注入電荷的動作。
如請求項1至3中任一項所述的半導體記憶裝置，其中， <br/>所述多個閘極電極層包含：第三閘極電極層，相對於所述第一閘極電極層而配置於所述第二側；以及第四閘極電極層，配置於所述第一閘極電極層與所述第三閘極電極層之間，且在所述多個閘極電極層中位於所述第三閘極電極層的旁側， <br/>所述多個絕緣層包含：第三絕緣層，位於所述第三閘極電極層與所述第四閘極電極層之間；以及第四絕緣層，自所述第一側與所述第四閘極電極層相鄰， <br/>當在所述剖面中進行觀察的情況下，在位於所述第三閘極電極層與所述第三絕緣層之間且沿著所述第二方向的第四邊界中，將與所述柱狀體相鄰的所述第三閘極電極層的第七邊緣、和自與所述第七邊緣相反之側與所述柱狀體相鄰的所述第三閘極電極層的第八邊緣之間的距離設為第四距離， <br/>在位於所述第四閘極電極層與所述第三絕緣層之間且沿著所述第二方向的第五邊界中，將與所述柱狀體相鄰的所述第四閘極電極層的第九邊緣、和自與所述第九邊緣相反之側與所述柱狀體相鄰的所述第四閘極電極層的第十邊緣之間的距離設為第五距離， <br/>在位於所述第四閘極電極層與所述第四絕緣層之間且沿著所述第二方向的第六邊界中，將與所述柱狀體相鄰的所述第四閘極電極層的第十一邊緣、和自與所述第十一邊緣相反之側與所述柱狀體相鄰的所述第四閘極電極層的第十二邊緣之間的距離設為第六距離，在此情況下， <br/>所述第五距離大於所述第四距離且大於所述第六距離。
如請求項8所述的半導體記憶裝置， <br/>更包括控制電路， <br/>在所述第一閘極電極層與所述柱狀體的交叉部分形成有第一記憶體單元電晶體，在所述第二閘極電極層與所述柱狀體的交叉部分形成有第二記憶體單元電晶體，在所述第三閘極電極層與所述柱狀體的交叉部分形成有第三記憶體單元電晶體，在所述第四閘極電極層與所述柱狀體的交叉部分形成有第四記憶體單元電晶體， <br/>所述控制電路能夠對所述第一記憶體單元電晶體、所述第二記憶體單元電晶體、所述第三記憶體單元電晶體及所述第四記憶體單元電晶體進行控制，以在第一寫入動作之後進行第二寫入動作、及在第四寫入動作之後進行第三寫入動作， <br/>所述第一寫入動作包含當寫入資料的情況下向所述第一記憶體單元電晶體注入電荷的動作， <br/>所述第二寫入動作包含當寫入資料的情況下向所述第二記憶體單元電晶體注入電荷的動作， <br/>所述第三寫入動作包含當寫入資料的情況下向所述第三記憶體單元電晶體注入電荷的動作， <br/>所述第四寫入動作包含當寫入資料的情況下向所述第四記憶體單元電晶體注入電荷的動作。
一種半導體記憶裝置的控制方法，其中， <br/>所述半導體記憶裝置包括： <br/>積層體，包含多個閘極電極層及多個絕緣層，且是將所述多個閘極電極層與所述多個絕緣層在第一方向上逐層交替地積層而成；以及 <br/>柱狀體，在所述積層體內在所述第一方向上延伸，且包含記憶體膜及通道層， <br/>所述多個閘極電極層包含：第一閘極電極層；第二閘極電極層，相對於所述第一閘極電極層而配置於所述第一方向上的第一側，且在所述多個閘極電極層中位於所述第一閘極電極層的旁側；第三閘極電極層，相對於所述第一閘極電極層而配置於所述第一方向上的與所述第一側相反的第二側；以及第四閘極電極層，配置於所述第一閘極電極層與所述第三閘極電極層之間，且在所述多個閘極電極層中位於所述第三閘極電極層的旁側， <br/>所述多個絕緣層包含：第一絕緣層，自所述第二側與所述第一閘極電極層相鄰；第二絕緣層，位於所述第一閘極電極層與所述第二閘極電極層之間；第三絕緣層，位於所述第三閘極電極層與所述第四閘極電極層之間；以及第四絕緣層，自所述第一側與所述第四閘極電極層相鄰， <br/>當將與所述第一方向正交的方向設為第二方向且在沿著所述第一方向及所述第二方向的剖面中進行觀察的情況下， <br/>在位於所述第一閘極電極層與所述第一絕緣層之間且沿著所述第二方向的第一邊界中，將與所述柱狀體相鄰的所述第一閘極電極層的第一邊緣、和自與所述第一邊緣相反之側與所述柱狀體相鄰的所述第一閘極電極層的第二邊緣之間的距離設為第一距離， <br/>在位於所述第一閘極電極層與所述第二絕緣層之間且沿著所述第二方向的第二邊界中，將與所述柱狀體相鄰的所述第一閘極電極層的第三邊緣、和自與所述第三邊緣相反之側與所述柱狀體相鄰的所述第一閘極電極層的第四邊緣之間的距離設為第二距離， <br/>在位於所述第二閘極電極層與所述第二絕緣層之間且沿著所述第二方向的第三邊界中，將與所述柱狀體相鄰的所述第二閘極電極層的第五邊緣、和自與所述第五邊緣相反之側與所述柱狀體相鄰的所述第二閘極電極層的第六邊緣之間的距離設為第三距離，在此情況下， <br/>所述第二距離大於所述第一距離且大於所述第三距離， <br/>在位於所述第三閘極電極層與所述第三絕緣層之間且沿著所述第二方向的第四邊界中，將與所述柱狀體相鄰的所述第三閘極電極層的第七邊緣、和自與所述第七邊緣相反之側與所述柱狀體相鄰的所述第三閘極電極層的第八邊緣之間的距離設為第四距離， <br/>在位於所述第四閘極電極層與所述第三絕緣層之間且沿著所述第二方向的第五邊界中，將與所述柱狀體相鄰的所述第四閘極電極層的第九邊緣、和自與所述第九邊緣相反之側與所述柱狀體相鄰的所述第四閘極電極層的第十邊緣之間的距離設為第五距離， <br/>在位於所述第四閘極電極層與所述第四絕緣層之間且沿著所述第二方向的第六邊界中，將與所述柱狀體相鄰的所述第四閘極電極層的第十一邊緣、和自與所述第十一邊緣相反之側與所述柱狀體相鄰的所述第四閘極電極層的第十二邊緣之間的距離設為第六距離，在此情況下， <br/>所述第五距離大於所述第四距離且大於所述第六距離， <br/>在所述第一閘極電極層與所述柱狀體的交叉部分形成有第一記憶體單元電晶體，在所述第二閘極電極層與所述柱狀體的交叉部分形成有第二記憶體單元電晶體，在所述第三閘極電極層與所述柱狀體的交叉部分形成有第三記憶體單元電晶體，在所述第四閘極電極層與所述柱狀體的交叉部分形成有第四記憶體單元電晶體， <br/>所述控制方法包括：當寫入資料的情況下， <br/>在向所述第一記憶體單元電晶體注入電荷的第一寫入動作之後，進行向所述第二記憶體單元電晶體注入電荷的第二寫入動作， <br/>在向所述第三記憶體單元電晶體注入電荷的第三寫入動作之後，進行向所述第四記憶體單元電晶體注入電荷的第四寫入動作。
一種資訊處理方法，其係藉由電腦，執行以下處理： <br/>從使用者終端取得使用者的查詢； <br/>藉由使用將可特定作者的書籍中所包含之文章進行資料化而得到的書籍資料的語言模型，輸出對所取得的查詢的答句； <br/>前述資訊處理方法更包含： <br/>預先設置分別與特定作者相關聯的至少一回答模型； <br/>因應來自前述使用者終端的存取，指定用以回答前述查詢的一回答模型； <br/>參照將識別至少一個前述回答模型的識別碼、與1或複數書籍的書籍資料建立關聯進行記憶的資料庫，從與所指定的回答模型建立關聯且記憶的書籍資料中，抽出在生成對前述查詢的答句時應參照的資料； <br/>生成包含前述查詢與所抽出的資料的一提問；以及 <br/>藉由將所生成的前述提問輸入至前述語言模型，來輸出對前述查詢的答句。
如請求項1之資訊處理方法，其中，更藉由前述電腦執行以下處理：<br/> 透過前述使用者終端，接收前述使用者對於回答模型的選擇；<br/> 從與被選擇的回答模型的識別碼建立關聯且記憶於前述資料庫中的書籍資料中，抽出在生成對前述查詢的答句時應參照的資料。
如請求項1之資訊處理方法，其中，前述回答模型係包含：模擬藉由特定作者所為之回答的作者模型、模擬藉由特定專家所為之回答的專家模型、及模擬藉由特定書籍所為之回答的書籍模型的至少1個。
如請求項1之資訊處理方法，其中，前述提問係包含前述查詢作為對前述語言模型的指示，且包含從前述資料庫所抽出的書籍資料作為生成前述答句時應參照的參照資訊。
如請求項1之資訊處理方法，其中，藉由前述電腦執行以下處理： <br/>在前述回答模型的各個授予屬性， <br/>藉由將包含被指定的回答模型的屬性的提問輸入至前述語言模型，使對應前述屬性的答句生成。
如請求項1之資訊處理方法，其中，藉由前述電腦執行以下處理： <br/>取得前述使用者的屬性； <br/>藉由將包含所取得的使用者的屬性的提問輸入至前述語言模型，使對應前述屬性的答句生成。
如請求項1之資訊處理方法，其中，藉由前述電腦執行以下處理： <br/>登錄所取得的查詢的資料作為前述書籍資料。
如請求項1之資訊處理方法，其中，藉由前述電腦執行以下處理： <br/>登錄前述答句的資料作為前述書籍資料。
如請求項1之資訊處理方法，其中，藉由前述電腦執行以下處理： <br/>將所取得的查詢的資料與使用者的識別碼建立關聯進行記憶， <br/>根據所記憶的查詢的資料，抽出關於前述使用者的情緒、行動、或狀態的資訊。
一種資訊處理裝置，其係具備至少1個處理器， <br/>前述處理器係從使用者終端取得使用者的查詢， <br/>藉由使用將可特定作者的書籍中所包含之文章進行資料化而得到的書籍資料的語言模型，輸出對所取得的查詢的答句； <br/>預先設置分別與特定作者相關聯的至少一回答模型； <br/>前述處理器更執行： <br/>因應來自前述使用者終端的存取，指定用以回答前述查詢的一回答模型； <br/>參照將識別至少一個前述回答模型的識別碼、與1或複數書籍的書籍資料建立關聯進行記憶的資料庫，從與所指定的回答模型建立關聯且記憶的書籍資料中，抽出在生成對前述查詢的答句時應參照的資料； <br/>生成包含前述查詢與所抽出的資料的一提問；以及 <br/>藉由將所生成的前述提問輸入至前述語言模型，來輸出對前述查詢的答句。
一種電腦程式，其係用以使電腦執行以下處理： <br/>從使用者終端取得使用者的查詢， <br/>藉由將可特定作者的書籍中所包含之文章進行資料化而得到的使用書籍資料的語言模型，輸出對所取得的查詢的答句； <br/>前述電腦程式更使電腦執行： <br/>預先設置分別與特定作者相關聯的至少一回答模型； <br/>因應來自前述使用者終端的存取，指定用以回答前述查詢的一回答模型； <br/>參照將識別至少一個前述回答模型的識別碼、與1或複數書籍的書籍資料建立關聯進行記憶的資料庫，從與所指定的回答模型建立關聯且記憶的書籍資料中，抽出在生成對前述查詢的答句時應參照的資料； <br/>生成包含前述查詢與所抽出的資料的一提問；以及 <br/>藉由將所生成的前述提問輸入至前述語言模型，來輸出對前述查詢的答句。
一種複合牆的建築方法，包含以下步驟：<br/>架設一支架層；<br/>將多個固定裝置穿設一保溫層及一外模板以使該保溫層固定於該外模板，各該固定裝置包括一主桿，該主桿包括一穿設該保溫層及該外模板且凸出該外模板及該保溫層的桿部；<br/>於該支架層的兩側分別設置一內模板及該外模板，使該保溫層朝向該內模板；<br/>對該支架層進行灌漿作業；<br/>將該內模板及外模板移除；<br/>於該等固定裝置的桿部設置多個外接支架；及<br/>於該等外接支架上安裝多個外擋板。
如請求項1所述的複合牆的建築方法，其中，在於該支架層的兩側分別設置該內模板及該外模板的步驟之前，還包含一將多個固定裝置穿設另一保溫層及一內模板以使該保溫層固定於該內模板的步驟。
如請求項2所述的複合牆的建築方法，其中，在將該內模板及外模板移除的步驟之後，還包含一於另一該保溫層上形成一內擋板的步驟。
如請求項1所述的複合牆的建築方法，其中，該外擋板可為陶板、石材、金屬板或乾掛磚牆。
如請求項1所述的複合牆的建築方法，其中，該保溫層的材質可為EPS、PIR、NEOPOR、硬質保溫材料的其中一者。
一種非揮發性記憶體，包括：<br/> 一半導體基板；<br/> 一井區形成於該半導體基板；<br/> 一第一介電層，該第一介電層接觸於該井區表面；<br/> 一第一浮動閘極層，覆蓋該第一介電層；<br/> 一第二介電層，該第二介電層接觸於該井區表面，且該第二介電層接觸於該第一浮動閘極層的側壁與上方，其中該第一浮動閘極層被該第一介電層與該第二介電層完全包圍；<br/> 一第一閘極層與一第二閘極層，該第一閘極層與該第二閘極層形成於該第二介電層上，其中該第一閘極層與該第二閘極層分別位於該第一浮動閘極層的二側，該第一閘極層接觸於該第一浮動閘極層側壁以及該第一浮動閘極層上方的該第二介電層；該第二閘極層接觸於該第一浮動閘極層側壁的該第二介電層；以及，部份的該第一閘極層與該第一浮動閘極層互相重疊；<br/> 一第三介電層，該第三介電層接觸於該井區表面；<br/> 一第二浮動閘極層，覆蓋該第三介電層；<br/> 一第四介電層，該第四介電層接觸於該井區表面，且該第四介電層接觸於該第二浮動閘極層的側壁與上方，其中該第二浮動閘極層被該第三介電層與該第四介電層完全包圍；<br/> 一第三閘極層與一第四閘極層，該第三閘極層與該第四閘極層形成於該第四介電層上，其中該第三閘極層與該第四閘極層分別位於該第二浮動閘極層的二側，該第四閘極層接觸於該第二浮動閘極層側壁以及該第二浮動閘極層上方的該第四介電層；該第三閘極層接觸於該第二浮動閘極層側壁的該第四介電層；以及，部份的該第四閘極層與該第二浮動閘極層互相重疊；<b><u/></b><br/> 一第一摻雜區、一第二摻雜區與一第三摻雜區；其中，根據該第一閘極層、該第一浮動閘極層、該第二閘極層、該第三閘極層、該第二浮動閘極層與該第四閘極層來進行一摻雜製程，並於該井區表面內同時形成該第一摻雜區與一第二摻雜區與該第三摻雜區；其中，該第一閘極層、該第二閘極層與該第一浮動閘極層位於該第一摻雜區與該第二摻雜區之間的該井區表面上方，該第一摻雜區位於該第一閘極層的一側，該第三閘極層、該第四閘極層與該第二浮動閘極層位於該第二摻雜區與該第三摻雜區之間的該井區表面上方，該第二摻雜區位於該第二閘極層與該第三閘極層之間，且該第三摻雜區位於該第四閘極層的一側；<br/> 一第一連接線，電性連接至該第一摻雜區；<br/> 一第二連接線，電性連接至該第一閘極層；<br/> 一第三連接線，電性連接至該第二閘極層；<br/> 一第四連接線，電性連接至該第二摻雜區；<br/> 一第五連接線，電性連接至該第三閘極層，且該第五連接線未電性連接至該第三連接線；<br/> 一第六連接線，電性連接至該第四閘極層；以及<br/> 一第七連接線，電性連接至該第三摻雜區；<br/> 其中，該井區、該第一摻雜區、該第二摻雜區、該第一浮動閘極層、第一閘極層與一第二閘極層形成一第一記憶胞，且該井區、該第二摻雜區、該第三摻雜區、該第二浮動閘極層、第三閘極層與一第四閘極層形成一第二記憶胞。
如請求項1所述非揮發性記憶體，其中在該第一浮動閘極層中，相鄰於該第一閘極層的角落為一直角或一銳角。
如請求項1所述非揮發性記憶體，其中在該第一浮動閘極層上方的該第二介電層為一合併介電層，該合併介電層包括多個堆疊的子介電層。
如請求項1所述非揮發性記憶體，其中該第二介電層為一輸出入閘極介電層。
如請求項1所述非揮發性記憶體，其中該第一介電層為一浮動閘極介電層、一犧牲氧化層或者一墊氧化層。
如請求項1所述非揮發性記憶體，其中該第一摻雜區與一延伸摻雜區形成一合併摻雜區，該延伸摻雜區位於井區表面下方，且該延伸摻雜區由該第一閘極層一側延伸至該第一閘極層的下方。
如請求項1所述非揮發性記憶體，其中該第一連接線為一位元線，該第二連接線為一抹除線，該第三連接線為一字元線，且該第四連接線為一源極線。
如請求項7所述非揮發性記憶體，其中於一編程動作時，提供一開啟電壓至該字元線，提供一編程電壓至該源極線，提供一接地電壓該位元線，提供一抹除線電壓至該抹除線；該第一浮動閘極層下方之一通道區域開啟，一編程電流由該源極線經由該通道區域流向該位元線；以及，多個電子由該通道區域經由該第一介電層注入該第一浮動閘極層。
如請求項7所述非揮發性記憶體，其中於一抹除動作時，提供一接地電壓至該該字元線、該源極線與該位元線，提供一抹除電壓至該抹除線；以及，多個電子由該第一浮動閘極層經由該第二介電層退出至該抹除線。
如請求項7所述非揮發性記憶體，其中於一讀取動作時，提供一開啟電壓至該字元線，提供一讀取電壓至該源極線，提供一接地電壓該位元線，提供一抹除線電壓至該抹除線；以及，根據由該源極線流向該位元線的一讀取電流大小來判斷該非揮發性記憶胞的一儲存狀態。
一種非揮發性記憶體的製造方法，包括下列步驟：<br/> (A)於一半導體基板的表面上形成一第一介電層與一第二介電層；<br/> (B) 形成一第一浮動閘極層覆蓋該第一介電層，一第二浮動閘極層覆蓋該第二介電層；<br/> (C)於該半導體基板的表面上形成一第三介電層與一第四介電層；其中，該第三介電層接觸於該第一浮動閘極層的側壁與上方，且該第一浮動閘極層被該第一介電層與該第三介電層完全包圍；其中，該第四介電層接觸於該第二浮動閘極層的側壁與上方，且該第二浮動閘極層被該第二介電層與該第四介電層完全包圍；<br/> (D) 於該第三介電層上形成一第一閘極層與該第二閘極層，並於該第四介電層上形成一第三閘極層與一第四閘極層；其中，該第一閘極層接觸於該第一浮動閘極層側壁以及該第一浮動閘極層上方的該第三介電層，部份的該第一閘極層與該第一浮動閘極層互相重疊，該第二閘極層接觸於該第一浮動閘極層側壁的該第三介電層，且該第一閘極層與該第二閘極層分別位於該浮動閘極層的二側；其中，該第四閘極層接觸於該第二浮動閘極層側壁以及該第二浮動閘極層上方的該第四介電層，部份的該第四閘極層與該第二浮動閘極層互相重疊，該第三閘極層接觸於該第二浮動閘極層側壁的該第四介電層，且該第三閘極層與該第四閘極層分別位於該第二浮動閘極層的二側；以及<br/> (E) 根據該第一閘極層、該第一浮動閘極層、該第二閘極層、該第三閘極層、該第二浮動閘極層與該第四閘極層來進行一摻雜製程，並於該半導體基板的一井區表面下方同時形成一第一摻雜區、一第二摻雜區與一第三摻雜區；其中，該第一閘極層、該第二閘極層與該第一浮動閘極層位於該第一摻雜區與該第二摻雜區之間的該井區表面上方，該第一摻雜區位於該第一閘極層的一側，該第三閘極層、該第四閘極層與該第二浮動閘極層位於該第二摻雜區與該第三摻雜區之間的該井區表面上方，該第二摻雜區位於該第二閘極層與該第三閘極層之間，且該第三摻雜區位於該第四閘極層的一側；<br/> 其中，該井區、該第一摻雜區、該第二摻雜區、該第一浮動閘極層、第一閘極層與一第二閘極層形成一第一記憶胞，且該井區、該第二摻雜區、該第三摻雜區、該第二浮動閘極層、第三閘極層與一第四閘極層形成一第二記憶胞。
如請求項11所述非揮發性記憶體的製造方法，更包括下列步驟：<br/> (F)形成一第一連接線、一第二連接線、一第三連接線、一第四連接線、一第五連接線、一第六連接線以及一第七連接線；其中，該第一連接線電性連接至該第一摻雜區，該第二連接線電性連接至該第一閘極層，該第三連接線電性連接至該第二閘極層，且該第四連接線電性連接至該第二摻雜區，該第五連接線電性連接至該第三閘極層，該第六連接線電性連接至該第四閘極層，該第七連接線電性連接至該第三摻雜區；其中，該第三連接線未電性連接至該第五連接線。
如請求項12所述非揮發性記憶體的製造方法，其中該第一連接線為一位元線，該第二連接線為一抹除線，該第三連接線為一字元線，且該第四連接線為一源極線。
如請求項11所述非揮發性記憶體的製造方法，其中對該浮動閘極層進行一進行加熱氧化製程，使得該第一浮動閘極層中，相鄰於該第一閘極層的角落為一銳角。
如請求項11所述非揮發性記憶體的製造方法，其中對該浮動閘極層進行一蝕刻製程，使得該第一浮動閘極層中，相鄰於該第一閘極層的角落為一銳角。
如請求項11所述非揮發性記憶體的製造方法，其中在該第一浮動閘極層上方的該第二介電層為一合併介電層，該合併介電層包括多個堆疊的子介電層。
如請求項11所述非揮發性記憶體的製造方法，其中該第三介電層為一輸出入閘極介電層。
如請求項11所述非揮發性記憶體的製造方法，其中該第一介電層為一浮動閘極介電層、一犧牲氧化層或者一墊氧化層。
如請求項11所述非揮發性記憶體的製造方法，更包括一步驟用以形成一延伸摻雜區，其中該第一摻雜區與該延伸摻雜區形成一合併摻雜區，該延伸摻雜區位於井區表面下方，且該延伸摻雜區由該第一閘極層一側延伸至該第一閘極層的下方。
如請求項11所述非揮發性記憶體的製造方法，其中該井區在該浮動閘極層完成之後才形成，或者該井區在該浮動閘極層完成之前即形成。
一種顯示裝置，包括：- 像素陣列，具有呈行列佈置之複數像素，該複數像素之至少其中一些各包括：二個μLED，包括第一μLED及第二μLED且經配置以發射紅色光譜的光，其中，包括在該紅色光譜中之大透射率的第一濾色器係佈置於該二個μLED之其中第一者上方，且包括在綠色光譜中之大透射率的第二濾色器係佈置於該二個μLED之其中第二者上方；第三μLED，經配置以發射藍色光譜的光；第四μLED，經配置以發射綠色光譜的光；- 其中，該顯示裝置經配置以操作該複數像素之該至少其中一些，使得於發射模式期間，該第一μLED、該第三μLED及該第四μLED被正向偏壓；以及於感測模式期間，該第一μLED、該第二μLED及該第三μLED被反向偏壓，- 透明蓋，係佈置於呈行列佈置之該複數像素之主發射表面上方，其中，該透明蓋包括位於與該第一μLED之發射區域相對的複數第一濾色器以及位於與該第二μLED之發射區域相對的複數第二濾色器。
如請求項1所述之顯示裝置，其中，- 該顯示裝置經配置以於發射模式期間操作該複數像素之至少其中一些的第一子集，且於感測模式期間操作該複數像素之至少其中一些的第二子集；以及/或者- 該顯示裝置經配置以於發射模式期間操作該複數像素之至少其中一些的第一子集，且於隨後的感測模式期間操作該複數像素之至少其中一些的該第一子集；以及/或者- 該顯示裝置經配置以操作該複數像素之至少其中一些的第一子集交替於發射模式及感測模式中。
如請求項2所述之顯示裝置，其中，該複數像素之第一子集之像素係與該複數像素之第二子集之像素鄰近佈置。
如請求項1所述之顯示裝置，復包括：- 控制裝置，與該像素陣列耦接，用於操作該複數像素之該至少其中一些。
如請求項1所述之顯示裝置，其中，在該複數像素之該至少其中一些之各像素中的該第一μLED與該第二μLED係藉由該第三μLED與該第四μLED之其中一者隔開。
如請求項1所述之顯示裝置，其中，在該複數像素之該至少其中一些之各像素中的三個μLED基本沿虛擬線佈置。
如請求項1所述之顯示裝置，其中- 對於波長在500nm與535nm之間以及在575nm與620nm之間的光，該第一μLED與該第二μLED包括大於0.15的反向偏壓下的外部量子效率；且尤其對於波長在500nm與535nm之間的光，該第一μLED與該第二μLED包括大於0.2的反向偏壓下的外部量子效率，以及對於波長在480nm與620nm之間的光，該第一μLED與該第二μLED包括大於0.14的反向偏壓下的外部量子效率。
如請求項1所述之顯示裝置，其中- 對於波長在600nm以上的光，該第一濾色器之透射率大於80%，且尤其對於波長在620nm以上的光，該第一濾色器之透射率大於90%，且尤其對於波長在600nm以上的光，該第一濾色器之透射率大於85%；以及/或者- 對於波長在512nm與565nm之間的光，該第二濾色器之透射率大於60%，且尤其對於波長在520nm與560nm之間的光，該第二濾色器之透射率大於70%，且尤其對於波長在540nm的光，該第二濾色器之透射率大於75%。
如請求項1所述之顯示裝置，其中- 對於波長在570nm以下的光，該第一濾色器之透射率小於40%，且尤其對於波長在570nm以下的光，該第一濾色器之透射率小於30%，且尤其對於波長在570nm以下的光，該第一濾色器之透射率小於15%；以及/或者- 對於波長在600nm以上以及在475nm以下的光，該第二濾色器之透射率小於30%，且尤其對於波長小於450nm的光，該第二濾色器之透射率小於20%。
如請求項1所述之顯示裝置，其中，該第一濾色器及該第二濾色器之至少其中一者係佈置於相應該第一μLED及該第二μLED之光發射表面上。
如請求項1所述之顯示裝置，其中，該第一濾色器及該第二濾色器之至少其中一者之區域係大於與該濾色器關聯之該μLED的發射區域。
一種如請求項1所述之顯示裝置作為下列之其中一者之用途：- 顯示器內掃描器，其中，待掃描物件係放置於該顯示裝置上；- 顯示器內PPG感測器；- 顯示器內指紋感測器。
一種自動標識壓合裝置，其包含：<br/> 第一機架，所述第一機架在垂直方向上設置有至少兩個壓合平台，任一所述壓合平台的兩側設置有移植平台，所述移植平台能夠在所述壓合平台之間進行移動，所述壓合平台包括壓合底板以及壓合頂板，所述壓合底板上設置有基座，所述基座上還設置有滑軌，所述滑軌上活動設置有驅動件，所述驅動件與第一氣缸連接，所述第一氣缸驅動所述驅動件在所述滑軌上進行移動，所述驅動件上設置有至少一組驅動部，所述驅動部包括第一驅動部以及第二驅動部，所述第一驅動部以及所述第二驅動部均具有依次連接的第一筆直段、傾斜段以及第二筆直段，所述基板的底部設置有至少一組滾輪組，所述滾輪組包括第一滾輪以及第二滾輪，所述第一滾輪與所述第一驅動部貼合接觸，所述第二滾輪與所述第二驅動部貼合接觸，透過所述滾輪組在所述驅動部上從第二筆直段經過傾斜段並滾動至第一筆直段，以抬升所述基板，透過所述滾輪組在所述驅動部上從第一筆直段經過傾斜段並滾動至第二筆直段，以下降所述基板；<br/> 壓合機構，設置在所述壓合平台上，用於壓合產品標識，所述壓合機構包括壓合組件以及第一傳送組件，所述壓合組件沿垂直方向相對設置在所述壓合平台上，所述第一傳送組件沿寬度方向相對設置在所述壓合平台上，並在所述壓合組件之間形成用於放置產品的壓合作業位，所述第一傳送組件能夠相互靠近或遠離以改變所述壓合作業位的大小；<br/> 移植機構，設置在所述移植平台上，用於輸送產品進入所述壓合作業位，所述移植機構包括第二傳送組件，所述第二傳送組件沿寬度方向相對設置在所述移植平台上，所述第二傳送組件之間形成有傳送通道，所述第二傳送組件能夠相互靠近或遠離以改變所述傳送通道的大小。
如請求項1所述的自動標識壓合裝置，其中所述壓合底板以及所述壓合頂板之間透過支撐柱連接，所述移植平台包括移植底板以及移植頂板，所述第一機架上還設置有導向柱，所述移植頂板透過所述導向柱與所述第一機架連接，所述移植底板活動設置在所述導向柱上，所述移植底板能夠在所述導向柱上相對所述移植頂板進行移動。
如請求項2所述的自動標識壓合裝置，其中所述壓合組件包括位於所述壓合作業位上方的壓板以及位於所述壓合作業位下方的基板，所述壓合頂板上設置有壓合氣缸，所述壓合氣缸與所述壓板連接，所述壓合氣缸驅動所述壓板靠近或遠離所述基板，所述基座上活動穿設有導向桿，所述導向桿與所述基板連接，透過所述導向桿在基座上的活動，所述基板能夠在垂直方向上相對所述基座進行移動。
如請求項1所述的自動標識壓合裝置，其中所述第一驅動部還具有限位段，所述限位段設置在所述第一驅動部的第二筆直段的末端，並與所述第二驅動部的第一筆直段連接，所述第一滾輪在驅動部上從第一筆直段經過傾斜段並滾動至第二筆直段時，受所述限位段的限制停留在第二筆直段上。
如請求項1所述的自動標識壓合裝置，其中所述壓合平台上還設置有施壓組件，所述施壓組件包括施壓底座以及施壓頭，所述施壓底座設置在所述第一傳送組件的一側，所述施壓底座上有第二氣缸，所述施壓頭透過所述第二氣缸與所述施壓底座連接，所述施壓頭為長條狀結構，在產品進入壓合作業位時，所述第二氣缸驅動所述施壓頭靠近並與產品貼合接觸，以施壓產品側邊的天線條。
如請求項1所述的自動標識壓合裝置，其中所述壓合平台以及所述移植平台上均設置有兩組支撐座，其中一組支撐座之間設置有螺桿以及傳動桿，另一組支撐座之間設置有連桿，所述第一傳送組件以及所述第二傳送組件均包括兩組移動座，其中一組所述移動座穿設在所述螺桿以及所述傳動桿上，另一組所述移動座穿設在所述連桿上，兩組所述移動座之間透過連接板進行連接，所述螺桿的一端連接有第一馬達，所述第一馬達驅動所述螺桿轉動，以帶動同一組的兩個所述移動座相互靠近或遠離。
如請求項6所述的自動標識壓合裝置，其中所述連接板的兩端還設置有兩組傳送輪，其中一組傳送輪穿設在所述傳動桿上，所述傳送輪上設置有傳送帶，所述傳動桿的一端連接有第二馬達，所述第二馬達驅動所述傳動桿，以帶動所述傳送輪進行轉動。
如請求項6所述的自動標識壓合裝置，其中所述連接板上並排設置有限位導輪，用於對產品輸送進行導向以及限位。
如請求項1所述的自動標識壓合裝置，其中所述自動標識壓合裝置更包含第二機架，所述第二機架上設置有旋轉平台，所述旋轉平台設置在任一所述移植平台的一側，所述旋轉平台上設置有旋轉機構，所述旋轉機構包括旋轉底座，所述旋轉底座上轉動設置有第一旋轉件，所述第一旋轉件上設置有第二旋轉件，所述第一旋轉件以及所述第二旋轉件上均具有夾持部，所述第二旋轉件透過第三氣缸與所述第一旋轉件連接，所述第三氣缸驅動所述第二旋轉件靠近或遠離所述第一旋轉件以夾持或釋放產品，所述旋轉底座上還設置有第三馬達，所述第三馬達的輸出端與所述第一旋轉件的轉軸連接，所述第三馬達驅動所述第一旋轉件在所述旋轉底座上進行旋轉。
一種半導體電路，包括：<br/> 一記憶體電路; 以及<br/> 一功率管理電路，包括一第一電路，其中，<br/> 該第一電路被配置為：<br/> 回應於一第一功率管理控制信號的一第一狀態及一第二功率管理控制信號的一第一狀態，<br/> 根據一第一功率模式控制信號來控制將一第一供應電壓供應到該記憶體電路;<br/> 回應於該第一功率管理控制信號的一第二狀態，<br/> 儲存該第一功率模式控制信號之一狀態，以及<br/> 根據該第一功率模式控制信號所儲存的該狀態來控制將該第一供應電壓供應到該記憶體電路，以及<br/> 該功率管理電路被配置為：<br/> 回應於該第二功率管理控制信號的一第二狀態，禁用該第一電路的一部分，<br/> 其中該第一電路包括：<br/> 一反或閘，用以接收該第一功率模式控制信號及一第二功率模式控制信號，以產生一組合功率模式控制信號；以及<br/> 一第一電平移位器電路，用以根據該組合功率模式控制信號，產生一第一電平移位信號，以控制一第二供應電壓至該記憶體電路的供應。
如請求項1所述的半導體電路，其中：<br/> 該第一電路被配置為在該第一電路的該一部分回應於該第二功率管理控制信號的該第二狀態而被禁用之前，回應於該第一功率管理控制信號之該第二狀態來儲存該第一功率模式控制信號之該狀態。
如請求項1所述的半導體電路，其中：<br/> 該第一電路更包括：<br/> 一第二電平移位器電路，被配置為生成對應於該第一功率模式控制信號的一第二電平移位信號，以控制將該第一供應電壓供應到該記憶體電路，其中<br/> 該功率管理電路被配置為回應於該第二功率管理控制信號的該第二狀態，禁用該第一電平移位器電路及該第二電平移位器電路。
如請求項3所述的半導體電路，其中，<br/> 該第一電路還包括一鎖存器電路，該鎖存器電路被配置為生成一鎖存器輸出信號，以基於下列項來控制將該第一供應電壓供應該記憶體電路：<br/> 該第二電平移位信號，以及<br/> 該第一功率管理控制信號。
如請求項3所述的半導體電路，更包含:<br/> 一第一開關，耦接在一參考電壓及該第二電平移位器電路之一輸出端之間，用以根據該第二功率管理控制信號導通。
如請求項3所述的半導體電路，其中，<br/> 該功率管理電路還被配置為回應於該第二功率管理控制信號的該第二狀態，將該第一電平移位信號及該第二電平移位信號設置為一預定電壓。
一種功率管理電路，包括：<br/> 一第一輸入端，被配置為接收一第一功率管理控制信號;<br/> 一第二輸入端，被配置為接收一第二功率管理控制信號;<br/> 一第三輸入端，被配置為接收一第一功率模式控制信號;<br/> 一第一電平移位器電路，具有：<br/> 一輸入端，被耦合到該第三輸入端，以及<br/> 一輸出端;<br/> 一鎖存器電路，具有：<br/> 一控制輸入端，被耦合到該第一輸入端;<br/> 一數據輸入端，被耦合到該第一電平移位器電路之該 輸出端; 以及<br/> 一輸出端，被配置為控制將一第一供應電壓供應到一外部電路;<br/> 一第二電平移位器電路，具有：<br/> 一輸入端，被耦合到該第三輸入端，以及<br/> 一輸出端，被配置為控制將一第二供應電壓供應到該外部電路; <br/> 一第一標頭電路，該第一標頭電路具有被耦合到該第二輸入端的一控制輸入端，該第一標頭電路被耦合在下列項之間：<br/> 一第一電源電壓的一第一節點，和<br/> 該第一電平移位器電路或該第二電平移位器電路中的至少一者；以及<br/> 一第一開關，耦接在一參考電壓及該第一電平移位器電路之該輸出端之間，用以根據該第二功率管理控制信號導通。
如請求項7所述的功率管理電路，其中該第一開關具有被耦合到該第二輸入端的一控制輸入端。
如請求項7所述的功率管理電路，還包括：<br/> 一第二開關，該第二開關具有被耦合到該第二輸入端的一控制輸入端，該第二開關被耦合在下列項之間：<br/> 該參考電壓之一參考節點，和<br/> 該第二電平移位器電路之該輸出端。
一種功率管理方法，包括：<br/> 透過一功率管理電路，輸出：<br/> 一第一供應電壓至一記憶體電路的一記憶體陣列，該第一供應電壓對應於一第一電源電壓; 以及<br/> 一第二供應電壓至該記憶體電路之一外圍電路，該第二供應電壓對應於一第二電源電壓，該第二電源電壓不同於該第一電源電壓;<br/> 回應於一第一功率模式控制信號或一第二功率模式控制信號中的至少一者，停止輸出該第二供應電壓;<br/> 儲存該第一功率模式控制信號之一狀態;<br/> 在儲存該第一功率模式控制信號的該狀態之後，<br/> 將該第一電源電壓從該功率管理電路的至少一個電路斷開; 並且<br/> 關閉該第二電源電壓； <br/> 藉由一反或閘根據該第一功率模式控制信號及該第二功率模式控制信號，產生一組合功率模式控制信號；以及<br/> 藉由一電平移位器電路接收該組合功率模式控制信號，以產生一電平移位信號，該電平移位信號控制該第二供應電壓至該記憶體電路的供應。
一種積體電路裝置，包括一第一晶粒以及一第二晶粒，該第一晶粒以及該第二晶粒堆疊成三維結構，該積體電路裝置還包括： <br/>一功率電路，用以提供一電源電壓給該第一晶粒的一第一介面電路以及該第二晶粒的一第二介面電路，其中該第一介面電路通過該積體電路裝置的一晶片到晶片傳輸電路將一資料傳送給該第二介面電路；以及 <br/>一控制邏輯，耦接至該功率電路，其中該第二晶粒將所接收到的該資料的訊號品質回報給該控制邏輯，以及該控制邏輯控制該功率電路，以基於該第二介面電路所接收到的該資料的訊號品質調整被提供給該第一介面電路以及該第二介面電路的該電源電壓。
如請求項1所述的積體電路裝置，其中在該積體電路裝置的一初始化期間，該資料包括一偽亂數二進位數列。
如請求項1所述的積體電路裝置，其中該功率電路包括一電壓調節器或一直流直流轉換器。
如請求項1所述的積體電路裝置，其中該控制邏輯基於該第二介面電路所接收到的該資料的訊號品質控制該功率電路去調整該電源電壓。
如請求項4所述的積體電路裝置，其中該訊號品質包括該資料的一眼高特徵與一眼寬特徵其中至少一者。
如請求項1所述的積體電路裝置，其中該第二晶粒包括： <br/>該第二介面電路，其中該第二介面電路通過該晶片到晶片傳輸電路接收來自該第一晶粒的該資料； <br/>一第二控制器；以及 <br/>至少一訊號品質感測器，耦接至該第二介面電路，其中該至少一訊號品質感測器檢查來自該第一晶粒的該資料的訊號品質，該第二控制器耦接至該至少一訊號品質感測器以接收感測結果，以及該第二控制器將關於該第二介面電路所接收到的該資料的該訊號品質的該感測結果回饋給該控制邏輯， <br/>其中該控制邏輯基於該第二介面電路所接收到的該資料的訊號品質控制該功率電路去調整該電源電壓。
如請求項6所述的積體電路裝置，其中該第二控制器通過邊帶邏輯將該檢查結果與該感測結果回饋給該控制邏輯。
如請求項6所述的積體電路裝置，其中調整該電源電壓的操作包括下述迭代： <br/>檢查該第二介面電路所接收到的該資料的訊號品質；以及 <br/>響應於該第二介面電路所接收到的該資料的訊號品質符合規範，將一目前電源電壓參數的內容複寫至一通過電源電壓參數，將該目前電源電壓參數的內容調降一步階，以及控制該功率電路以基於該目前電源電壓參數去設定被提供給該第一介面電路以及該第二介面電路的該電源電壓。
如請求項6所述的積體電路裝置，其中調整該電源電壓的操作包括下述迭代： <br/>檢查該第二介面電路所接收到的該資料的訊號品質；以及 <br/>響應於該第二介面電路所接收到的該資料的訊號品質不符合規範，將一目前電源電壓參數的內容複寫至一失敗電源電壓參數，將該目前電源電壓參數的內容調升一步階，以及控制該功率電路以基於該目前電源電壓參數去設定被提供給該第一介面電路以及該第二介面電路的該電源電壓。
如請求項6所述的積體電路裝置，其中該第一晶粒包括： <br/>該第一介面電路，其中該第一介面電路通過該晶片到晶片傳輸電路將該資料傳送給該第二晶粒；以及 <br/>一第一控制器，耦接至該控制邏輯以及該第一介面電路，其中該第一控制器基於該控制邏輯的通知去調整該第一介面電路的至少一輸出緩衝器的一輸出阻抗。
如請求項10所述的積體電路裝置，其中該控制邏輯通知該第一控制器，以基於該第二介面電路所接收到的該資料的訊號品質去調整該第一介面電路的該至少一輸出緩衝器的該輸出阻抗。
如請求項11所述的積體電路裝置，其中調整該輸出阻抗的操作包括下述迭代： <br/>檢查該第二介面電路所接收到的該資料的訊號品質；以及 <br/>響應於該第二介面電路所接收到的該資料的訊號品質符合規範，將一目前輸出阻抗參數的內容複寫至一通過輸出阻抗參數，將該目前輸出阻抗參數的內容調升一步階，以及基於該目前輸出阻抗參數經由該第一控制器去設定該第一介面電路的該至少一輸出緩衝器的該輸出阻抗。
如請求項11所述的積體電路裝置，其中調整該輸出阻抗的操作包括下述迭代： <br/>檢查該第二介面電路所接收到的該資料的訊號品質；以及 <br/>響應於該第二介面電路所接收到的該資料的訊號品質不符合規範，將一目前輸出阻抗參數的內容複寫至一失敗輸出阻抗參數，將該目前輸出阻抗參數的內容調降一步階，以及基於該目前輸出阻抗參數經由該第一控制器去設定該第一介面電路的該至少一輸出緩衝器的該輸出阻抗。
一種積體電路裝置的自適應功率調校方法，該積體電路裝置包括一第一晶粒以及一第二晶粒，該第一晶粒以及該第二晶粒堆疊成三維結構，該自適應功率調校方法包括： <br/>由該積體電路裝置的一功率電路提供一電源電壓給該第一晶粒的一第一介面電路以及該第二晶粒的一第二介面電路，其中該第一介面電路通過該積體電路裝置的一晶片到晶片傳輸電路將一資料傳送給該第二介面電路； <br/>由該第二晶粒將所接收到的該資料的訊號品質回報給該積體電路裝置的一控制邏輯；以及 <br/>由該控制邏輯控制該功率電路，以基於該第二介面電路所接收到的該資料的訊號品質調整被提供給該第一介面電路以及該第二介面電路的該電源電壓。
如請求項14所述的自適應功率調校方法，其中在該積體電路裝置的一初始化期間，該資料包括一偽亂數二進位數列。
如請求項14所述的自適應功率調校方法，其中該功率電路包括一電壓調節器或一直流直流轉換器。
如請求項14所述的自適應功率調校方法，更包括： <br/>基於該第二介面電路所接收到的該資料的訊號品質去調整該電源電壓。
如請求項17所述的自適應功率調校方法，其中該訊號品質包括該資料的一眼高特徵與一眼寬特徵其中至少一者。
如請求項14所述的自適應功率調校方法，更包括： <br/>由該第二晶粒的至少一訊號品質感測器檢查來自該第一晶粒的該資料的訊號品質； <br/>由該第二晶粒的一第二控制器將關於該第二介面電路所接收到的該資料的訊號品質的一感測結果回饋給該控制邏輯；以及 <br/>由該控制邏輯基於該第二介面電路所接收到的該資料的訊號品質控制該功率電路去調整該電源電壓。
如請求項19所述的自適應功率調校方法，其中該第二控制器通過邊帶邏輯將該檢查結果與該感測結果回饋給該控制邏輯。
如請求項19所述的自適應功率調校方法，其中調整該電源電壓的操作包括下述迭代： <br/>檢查該第二介面電路所接收到的該資料的訊號品質；以及 <br/>響應於該第二介面電路所接收到的該資料的訊號品質符合規範，將一目前電源電壓參數的內容複寫至一通過電源電壓參數，將該目前電源電壓參數的內容調降一步階，以及控制該功率電路以基於該目前電源電壓參數去設定被提供給該第一介面電路以及該第二介面電路的該電源電壓。
如請求項19所述的自適應功率調校方法，其中調整該電源電壓的操作包括下述迭代： <br/>檢查該第二介面電路所接收到的該資料的訊號品質；以及 <br/>響應於該第二介面電路所接收到的該資料的訊號品質不符合規範，將一目前電源電壓參數的內容複寫至一失敗電源電壓參數，將該目前電源電壓參數的內容調升一步階，以及控制該功率電路以基於該目前電源電壓參數去設定被提供給該第一介面電路以及該第二介面電路的該電源電壓。
如請求項19所述的自適應功率調校方法，更包括： <br/>由該第一晶粒的一第一控制器基於該控制邏輯的通知去調整該第一介面電路的至少一輸出緩衝器的一輸出阻抗。
如請求項23所述的自適應功率調校方法，更包括： <br/>由該控制邏輯通知該第一控制器，以基於該第二介面電路所接收到的該資料的訊號品質去調整該第一介面電路的該至少一輸出緩衝器的該輸出阻抗。
如請求項24所述的自適應功率調校方法，其中調整該輸出阻抗的操作包括下述迭代： <br/>檢查該第二介面電路所接收到的該資料的訊號品質；以及 <br/>響應於該第二介面電路所接收到的該資料的訊號品質符合規範，將一目前輸出阻抗參數的內容複寫至一通過輸出阻抗參數，將該目前輸出阻抗參數的內容調升一步階，以及基於該目前輸出阻抗參數經由該第一控制器去設定該第一介面電路的該至少一輸出緩衝器的該輸出阻抗。
如請求項24所述的自適應功率調校方法，其中調整該輸出阻抗的操作包括下述迭代： <br/>檢查該第二介面電路所接收到的該資料的訊號品質；以及 <br/>響應於該第二介面電路所接收到的該資料的訊號品質不符合規範，將一目前輸出阻抗參數的內容複寫至一失敗輸出阻抗參數，將該目前輸出阻抗參數的內容調降一步階，以及基於該目前輸出阻抗參數經由該第一控制器去設定該第一介面電路的該至少一輸出緩衝器的該輸出阻抗。
一種正型感光性樹脂組成物，含有<br/>疏水性樹脂（A）、<br/>醌二疊氮化合物（quinonediazide compound）（C）、以及<br/>於側鏈上具有矽原子之矽酮系界面活性劑（D），<br/>其中，在界面活性劑之總量中，該（D）成分之含量為50質量%以上。
如請求項1所述之正型感光性樹脂組成物，<br/>更含有著色劑（E），該著色劑（E）包含黑色染料。
如請求項1或2所述之正型感光性樹脂組成物，其中，<br/>該（A）成分包含下述式（1）所表示之結構單元，<br/><img align="absmiddle" height="153px" width="265px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/><br/>於式（1）中，R<sup>1</sup>為氫原子或碳原子數1至5之烷基，R<sup>2</sup>為SiR<sup>3</sup>R<sup>4</sup>R<sup>5</sup>，R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>及R<sup>5</sup>分別獨立為碳原子數1至8之烷基或碳原子數6至20之芳基，r為0至4之整數，s為1至5之整數，其中，r+s為1至5之整數。
如請求項1或2所述之正型感光性樹脂組成物，其中，<br/>該（A）成分為具有含矽原子之基團的樹脂。
如請求項1或2所述之正型感光性樹脂組成物，其中，<br/>該（A）成分包含下述結構單元（1a）及／或結構單元（1b），<br/><img align="absmiddle" height="254px" width="552px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>於式（1a）中，R<sup>1a</sup>為氫原子或碳數1至3之烷基，R<sup>2a</sup>、R<sup>3a</sup>及R<sup>4a</sup>分別獨立為碳數1至7之烷基；於式（1b）中，R<sup>1b</sup>為氫原子或碳數1至3之烷基；再者，R<sup>1a</sup>與R<sup>1b</sup>可相同，亦可不同。
如請求項1或2所述之正型感光性樹脂組成物，其中，<br/>於該正型感光性樹脂組成物中，以樹脂成分之合計質量作為基準，該（A）成分之含量係為5質量%至60質量%。
如請求項1或2所述之正型感光性樹脂組成物，其中，<br/>該（D）成分為包含丙烯酸系共聚物之矽酮系界面活性劑，該丙烯酸系共聚物具有選自含矽原子之烷基及含矽原子之伸烷基所組成之群組中的至少一個含矽原子之烴基。
如請求項2所述之正型感光性樹脂組成物，其中，<br/>相對於樹脂成分之合計100質量份，係包含10質量份至150質量份之該（E）成分。
如請求項1或2所述之正型感光性樹脂組成物，其中，<br/>該正型感光性樹脂組成物之硬化被覆膜之光學密度（OD值）係每1微米膜厚為0.5以上。
一種有機電致發光元件分隔壁，其包含如請求項1或2所述之正型感光性樹脂組成物的硬化物。
一種有機電致發光元件絕緣膜，其包含如請求項1或2所述之正型感光性樹脂組成物的硬化物。
一種有機電致發光元件，其包含如請求項1或2所述之正型感光性樹脂組成物的硬化物。
一種兒童載具，包括： <br/>背靠組件，其包括橫杆；以及 <br/>兒童增高座墊， <br/>其中，所述兒童增高座墊包括： <br/>座墊主體，其下表面設置有適於容納所述橫杆的配合槽；以及 <br/>連接機構，其設置在所述座墊主體上，所述兒童增高座墊能夠通過所述連接機構與所述背靠組件連接，其中，所述連接機構包括鎖定件，所述鎖定件與所述座墊主體活動連接，並能夠在釋鎖位置和鎖定位置之間切換，所述鎖定件的一端部形成用於卡接所述橫杆的卡鉤部； <br/>當所述鎖定件位於所述鎖定位置時，所述鎖定件與所述背靠組件卡接，以允許所述兒童增高座墊與所述背靠組件連接；當所述鎖定件位於所述釋鎖位置時，所述鎖定件與所述背靠組件解除卡接，以允許所述兒童增高座墊與所述背靠組件分離。
如請求項1所述的兒童載具，其中所述鎖定件與所述座墊主體樞轉連接，並能夠在所述釋鎖位置和所述鎖定位置之間樞轉， <br/>當所述鎖定件位於所述鎖定位置時，所述卡鉤部插入所述配合槽，以與所述橫杆卡接；當所述鎖定件位於所述釋鎖位置時，所述卡鉤部脫離所述配合槽，以與所述橫杆解除卡接。
如請求項2所述的兒童載具，其中所述背靠組件還包括背靠主體和配合肋，其中，所述配合肋沿著前後方向延伸，所述配合肋的一端連接所述背靠主體，所述配合肋的另一端連接所述橫杆， <br/>所述配合槽包括： <br/>第一槽部，由所述座墊主體的後端向前端延伸，兩個所述第一槽部適於分別至少部分地容納所述配合肋；以及 <br/>第二槽部，所述第二槽部位於所述座墊主體的前端，所述第二槽部的端部與所述第一槽部連接，所述第二槽部適於至少部分地容納所述橫杆； <br/>其中，當所述鎖定件位於所述鎖定位置時，所述卡鉤部插入所述第二槽部，以與所述橫杆卡接，所述鎖定件設置於所述兒童增高座墊的前端；所述兒童增高座墊的後端設置有用於與所述背靠組件卡合的第一卡合斜面，所述背靠主體或者所述配合肋上設置有第二卡合斜面，所述第二卡合斜面與所述橫杆相對地設置；所述第二卡合斜面適於與所述兒童增高座墊的第一卡合斜面抵接，以將所述兒童增高座墊卡合於所述背靠主體和所述配合肋之間。
如請求項1所述的兒童載具，其中所述連接機構還包括釋鎖件， <br/>所述釋鎖件可樞轉地連接於所述座墊主體並能夠在第一位置和第二位置之間切換，以驅動所述鎖定件在所述鎖定位置和所述釋鎖位置之間樞轉，當所述釋鎖件位於所述第一位置時，所述鎖定件位於所述鎖定位置，當所述釋鎖件位於所述第二位置時，所述鎖定件位於所述釋鎖位置， <br/>所述釋鎖件具有提手部，所述座墊主體的上表面設置有容納槽；當所述釋鎖件樞轉至所述第一位置時，所述提手部容納於所述容納槽，當所述釋鎖件樞轉至所述第二位置時，所述釋鎖件的所述提手部脫離所述容納槽。
如請求項4所述的兒童載具，其中所述釋鎖件還具有樞接凹部，所述鎖定件設置有驅動部，所述釋鎖件具有在所述第一位置和所述第二位置之間的第三位置； <br/>當所述釋鎖件由所述第一位置向所述第三位置樞轉時，所述釋鎖件的樞接凹部不抵接所述驅動部，所述鎖定件保持在所述鎖定位置；當所述釋鎖件從所述第三位置樞轉至所述第二位置之間樞轉時，所述釋鎖件的所述樞接凹部抵推所述驅動部，使得所述鎖定件由所述鎖定位置向所述釋鎖位置樞轉。
如請求項4所述的兒童載具，其中： <br/>所述連接機構還包括第一彈性件，所述第一彈性件具有：連接於所述座墊主體的第一端部，連接於所述釋鎖件的第二端部，以及連接於所述鎖定件的第三端部，其中，所述第二端部向所述第一位置方向偏壓所述釋鎖件，所述第三端部向所述鎖定位置方向偏壓所述鎖定件；或者 <br/>所述連接機構還包括第二彈性件和第三彈性件，所述第二彈性件的一端與所述座墊主體連接，所述第二彈性件的另一端與所述釋鎖件連接；其中所述第二彈性件向所述第一位置方向偏壓所述釋鎖件，所述第三彈性件的一端與所述座墊主體連接，所述第三彈性件的另一端與所述鎖定件連接，其中，所述第三彈性件向所述鎖定位置方向偏壓所述鎖定件。
如請求項4至6中任一項所述的兒童載具，其中所述座墊主體設置有存儲凹部以及可旋轉地開合地設置於所述存儲凹部的蓋體，所述釋鎖件可樞轉地連接於所述蓋體，當所述蓋體位於閉合狀態時，所述釋鎖件與所述鎖定件接合；當所述蓋體位於開啟狀態時，所述釋鎖件與所述鎖定件分離， <br/>其中，所述蓋體開啟時的旋轉方向與所述釋鎖件釋鎖時的旋轉方向相反。
如請求項1所述的兒童載具，其中所述兒童增高座墊還包括胯帶孔，所述座墊主體的上表面設置有適於存放物品的存儲凹部，所述存儲凹部的開口處設置有可開合的蓋體，所述蓋體上設置有開合機構，所述開合機構用於將所述蓋體鎖定在閉合狀態， <br/>所述胯帶孔貫穿地設置在所述蓋體上。
如請求項8所述的兒童載具，其中所述存儲凹部還設置有連接帶組件，所述連接帶組件包括織帶和連接器，所述連接器連接於所述織帶，且能夠用於卡合汽車座椅，所述蓋體一端可樞轉地連接於座墊主體，所述開合機構設置在所述蓋體另一端，當所述蓋體在閉合狀態時，所述蓋體適用於將所述連接帶組件的至少一部分定位在所述存儲凹部內， <br/>所述織帶包括第一織帶和第二織帶，所述第一織帶的兩端分別設置有連接器，所述第二織帶的一端連接於所述第一織帶的中部，所述第二織帶的另一端連接於所述存儲凹部； <br/>所述兒童增高座墊設置有兩個扶手部，每個所述扶手部具有沿前後排列的第二套孔和第一套孔，兩個所述第二套孔分別用於供對應的所述連接器穿過，兩個所述第一套孔分別用於汽車安全帶穿過。
如請求項1所述的兒童載具，其中所述兒童載具還包括調整機構，所述調整機構包括： <br/>安全帶鎖定組件，設置在所述背靠組件上用於鎖定座椅安全帶的調整帶，並具有鎖定狀態和釋鎖狀態；以及 <br/>安全帶調整釋鎖件，可活動地穿設在所述兒童增高座墊上，所述安全帶調整釋鎖件具有操作段和驅動端部，所述操作段露出於在所述兒童增高座墊的上表面，所述驅動端部位於在所述兒童增高座墊的下表面，所述操作段可被操作以允許通過所述驅動端部抵推所述安全帶鎖定組件由所述鎖定狀態向所述釋鎖狀態切換。
如請求項1所述的兒童載具，其中所述兒童載具還包括底座和傾斜調整裝置，所述背靠組件可滑動地設置於所述底座，以改變所述兒童增高座墊相對於所述底座的傾斜角度， <br/>所述背靠組件包括背靠主體和連接於背靠主體的配合肋，所述配合肋可滑動地設置在所述底座上， <br/>所述傾斜調整裝置包括： <br/>卡合機構，連接於所述底座和所述配合肋之間並能夠在鎖止位置和解鎖位置之間切換，當所述卡合機構處於所述鎖止位置時，所述配合肋被限制相對於所述底座滑動，當所述卡合機構處於所述解鎖位置時，所述配合肋被允許相對於所述底座滑動；以及 <br/>操作組件，可活動地設置在所述兒童增高座墊上，所述操作組件與所述卡合機構驅動連接並且二者可以相互分離，所述操作組件可被操作以驅動所述卡合機構由所述鎖止位置向所述解鎖位置切換。
如請求項11所述的兒童載具，其中所述操作組件包括： <br/>第一操作件，可移動地設置在所述兒童增高座墊上並與所述卡合機構驅動連接；以及 <br/>操作復位件，所述操作復位件設置在所述第一操作件和所述兒童增高座墊之間，所述操作復位件適於偏壓所述操作組件以使所述第一操作件向初始位置移動， <br/>所述卡合機構包括： <br/>卡合杆； <br/>驅動件，可樞轉地設置於所述配合肋和所述底座中的一者，所述驅動件具有第一驅動端部和第二驅動端部，所述第一驅動端部與所述第一操作件驅動連接，所述第二驅動端部與所述卡合杆連接；以及 <br/>多個卡合凹，設置於所述配合肋和所述底座中的另一者； <br/>其中，當所述卡合機構處於所述鎖止位置時，所述卡合杆與所述多個卡合凹中的一者卡合，以限制所述配合肋相對於所述底座滑動，當所述卡合機構處於所述解鎖位置時，所述卡合杆脫離所述多個卡合凹，以允許所述背靠組件相對於所述底座滑動。
一種清潔設備控制方法，適於對一清潔設備進行控制，其中，所述清潔設備包括升降模組，所述升降模組用於執行升降動作，所述升降模組包括升降主刷模組和/或升降拖布模組，所述方法包括：<br/>響應於第一控制指令，獲取所述升降模組當前的第一位置是否為第一到位位置，所述第一到位位置包括下降到位位置或上升到位位置；<br/>響應於所述第一位置為所述第一到位位置，控制所述升降模組執行第一動作以朝向第二到位位置運動，所述第二到位位置為與所述第一到位位置相反的到位位置；<br/>獲取驅動所述升降模組執行所述第一動作的第一驅動電流；<br/>根據所述第一驅動電流，判斷所述升降模組是否運動至所述第二到位位置。
如請求項1所述的方法，其中，所述清潔設備更包括到位開關，並且其中，所述獲取所述升降模組當前的第一位置是否為第一到位位置包括利用所述到位開關檢測所述第一位置是否為所述第一到位位置。
如請求項2所述的方法，更包括：<br/>響應於所述第一位置不為所述第一到位位置，控制所述升降模組執行第二動作，所述第二動作與所述第一動作的動作方向相反；<br/>獲取驅動所述升降模組執行所述第二動作的第二驅動電流；<br/>如果在第一預設時間內未獲取到所述第二驅動電流超過第一電流閾值，且在第二預設時間內獲取到所述升降模組運動至所述第一到位位置，則控制所述升降模組執行所述第一動作，所述第一預設時間小於所述第二預設時間。
如請求項3所述的方法，更包括：<br/>如果在第一預設時間內未獲取到所述第二驅動電流超過所述第一電流閾值，且在第二預設時間內未獲取到所述升降模組運動至所述第一到位位置，則確定所述到位開關存在故障，並執行針對所述升降模組的第一保護動作。
如請求項4所述的方法，其中，所述第一保護動作包括控制所述升降模組停止運動，和/或控制所述清潔設備進行報錯。
如請求項3所述的方法，更包括：<br/>如果在第一預設時間內獲取到所述第二驅動電流超過所述第一電流閾值，則控制所述升降模組執行所述第一動作；<br/>如果所述升降模組運動至所述第一位置，則再次執行控制所述升降模組執行第二動作並獲取驅動所述升降模組執行所述第二動作的第二驅動電流，直至在所述第一預設時間內未獲取到所述第二驅動電流超過所述第一電流閾值，或者直至所述升降模組執行所述第二動作的執行次數超過預設次數閾值。
如請求項6所述的方法，更包括：<br/>如果所述執行次數超過預設次數閾值，則確定所述升降模組存在故障，並執行針對所述升降模組的第二保護動作。
如請求項7所述的方法，其中，所述第二保護動作包括控制所述升降模組停止運動，和/或控制所述清潔設備向用戶發出提示資訊。
如請求項1所述的方法，其中，所述根據所述第一驅動電流，判斷所述升降模組是否運動至所述第二到位位置，包括：<br/>如果在第三預設時間內獲取到所述第一驅動電流超過第二電流閾值，則確定所述升降模組存在故障，並執行針對所述升降模組的第二保護動作。
如請求項9所述的方法，更包括：<br/>如果在第三預設時間內未獲取到所述第一驅動電流超過所述第二電流閾值，且在第四預設時間內獲取到所述第一驅動電流超過所述第二電流閾值，則確定所述升降模組運動至所述第二到位位置，所述第四預設時間大於所述第三預設時間。
如請求項9所述的方法，更包括：<br/>如果在第四預設時間內未獲取到所述第一驅動電流超過所述第二電流閾值，且驅動所述升降模組執行所述第一動作的第一驅動時間達到所述第四預設時間，則確定所述升降模組運動至所述第二到位位置，所述第四預設時間大於所述第三預設時間。
如請求項1至11中任一项所述的方法，更包括：<br/>響應於第二控制指令，觸發執行自校準操作；<br/>基於所述自校準操作，確定第二電流閾值和第四預設時間；<br/>其中，所述第二電流閾值和所述第四預設時間被配置用於判斷所述升降模組是否運動至所述第二到位位置。
如請求項12所述的方法，其中，所述確定所述第二電流閾值和所述第四預設時間，包括：<br/>獲取所述升降模組當前的第二位置是否為所述第一到位位置；<br/>如果所述第二位置為所述第一到位位置，則控制所述升降模組執行所述第一動作；<br/>獲取驅動所述升降模組執行所述第一動作的第一驅動電流是否發生過流，並記錄驅動所述升降模組執行所述第一動作的第二驅動時間；<br/>如果所述第一驅動電流發生過流，則將發生過流時對應的第一驅動電流作為參考電流，將發生過流時對應的第二驅動時間作為參考時間；<br/>根據所述參考電流和所述參考時間，確定所述第二電流閾值和所述第四預設時間。
如請求項13所述的方法，其中，所述根據所述參考電流和所述參考時間，確定所述第二電流閾值和所述第四預設時間，包括：<br/>如果所述參考電流小於第一設定電流，則將所述參考電流確定為所述第二電流閾值；<br/>如果所述參考時間大於第一設定時間且小於第二設定時間，則按照預設調整比例調整所述參考時間，以得到所述第四預設時間，所述預設調整比例小於1。
如請求項14所述的方法，更包括：<br/>如果所述參考電流大於或等於所述第一設定電流，則將第二設定電流確定為所述第二電流閾值，所述第二設定電流小於所述第一設定電流；<br/>如果所述參考時間小於或等於所述第一設定時間，或者所述參考時間大於或等於所述第二設定時間，則將第三設定時間確定為所述第四預設時間，所述第三設定時間大於所述第一設定時間且小於所述第二設定時間。
如請求項15所述的方法，更包括：<br/>如果所述第二位置不為所述第一到位位置，則控制所述升降模組執行所述第二動作，並獲取所述升降模組是否運動至所述第一到位位置；<br/>如果獲取到所述升降模組運動至所述第一到位位置，則控制所述升降模組執行所述第一動作；<br/>如果未獲取到所述升降模組運動至所述第一到位位置，則將所述第二設定電流確定為所述第二電流閾值，將所述第三設定時間確定為所述第四預設時間。
一種清潔設備控制裝置，其中，所述清潔設備包括升降模組，所述升降模組用於執行升降動作，所述升降模組包括升降主刷模組和/或升降拖布模組，所述清潔設備控制裝置包括：<br/>獲取單元，配置為響應於第一控制指令，獲取所述升降模組當前的第一位置是否為第一到位位置，所述第一到位位置包括下降到位位置或上升到位位置；<br/>控制單元，配置為響應於所述第一位置為所述第一到位位置，控制所述升降模組執行第一動作以朝向第二到位位置運動，所述第二到位位置為與所述第一到位位置相反的到位位置；<br/>獲取單元，配置為獲取驅動所述升降模組執行所述第一動作的第一驅動電流；<br/>判斷單元，配置為根據所述第一驅動電流，判斷所述升降模組是否運動至所述第二到位位置。
一種計算機可讀存儲載體，所述計算機可讀存儲載體中存儲有至少一條程式代碼，所述至少一條程式代碼由處理器加載並執行以實現如請求項1至16任一項所述的方法所執行的操作。
一種清潔設備，包括一個或多個處理器和一個或多個存儲器，所述一個或多個存儲器中存儲有至少一條程式代碼，所述至少一條程式代碼由所述一個或多個處理器加載並執行以實現如請求項1至16中任一項請求項所述的方法。
一種用於鎢製品可回收且連續性再處理之加工裝置，所述該加工裝置其包括有：一控制單元，所述該控制單元於一端位置處上具有一傳動部，該傳動部上設置有複數滾輪，且該傳動部可以帶動該等複數滾輪轉動，該等複數滾輪於中央位置處上向外延伸各形成有一輪軸，且該等複數輸軸上各具有一驅動輪，且於各該等複數驅動輪上設置有一傳動帶，當該傳動部帶動該等複數滾輪轉動時，透過該等複數輪軸上之該等複數驅動輪會一併帶動該傳動帶轉動，使得各該等複數滾輪都能夠同步轉動，並所述該控制單元於相對該傳動部另一端位置處上具有一升降部，該升降部上排列設置有複數傳動閘門，且該升降部可以同時控制該等複數傳動閘門於該等複數滾輪上方做出上升、下降之動作，所述該控制單元於該等複數傳動閘門上升時會驅使該傳動部帶動該等複數滾輪轉動並於該等複數傳動閘門下降時會停止該傳動部帶動該等複數滾輪轉動，且該升降部於該等複數傳動閘門一側位置處上設置有二密閉閘門，各該等密閉閘門係位於相對之位置處上，且該升降部可以同時控制各該等密閉閘門做出上升、下降之動作，另外，該等複數滾輪上設置有複數承載平台；一清洗模組，所述該清洗模組係設置於該等複數滾輪一側且上方位置處上，且所述該清洗模組係位於其中相對二側之各該等複數傳動閘門間；一烘乾模組，所述該烘乾模組係緊鄰設置於所述該清洗模組一側位置處上，並所述該烘乾模組係設置於該等複數滾輪上方位置處且於其中相對二側之各該等複數傳動閘門間；一噴砂模組，所述該噴砂模組係緊鄰設置於所述該烘乾模組另一側位置處上，並所述該噴砂模組係設置於該等複數滾輪上方位置處且於其中相對二側之各該等複數傳動閘門間；一鍍膜模組，所述該鍍膜模組係設置於該等複數滾輪相對另一側之位置處上，且所述該鍍膜模組係位於其中相對二側之各該等複數傳動閘門間，且所述該鍍膜模組係緊鄰設置於所述該噴砂模組另一側位置處上，並所述該鍍膜模組於中央內側處上形成有一容置空間，該容置空間一側具有一入口端，該容置空間相對另一側具有一出口端，該升降部係可以同時控制各該等密閉閘門下降之動作將該入口端以及該出口端完全氣密封閉，所述該鍍膜模組上設置有至少一抽氣部以及至少一送氣部，且所述該鍍膜模組內側一端處上設置有一電壓部，該電壓部上設置有複數靶材，另於所述該鍍膜模組內側另一端處上設置有一驅動部，該驅動部上設置有複數轉動件；至少一鎢製品，所述該鎢製品係一經使用過後之待報廢品，並所述該鎢製品係放置於各該等承載平台上。
如申請專利範圍第1項所述之用於鎢製品可回收且連續性再處理之加工裝置，其中，所述該控制單元係分別可以與所述該清洗模組、所述該烘乾模組、所述該噴砂模組以及所述該鍍膜模組呈現電性連接且控制所述該清洗模組、所述該烘乾模組、所述該噴砂模組以及所述該鍍膜模組。
如申請專利範圍第1項所述之用於鎢製品可回收且連續性再處理之加工裝置，其中，各該等複數滾輪係等距排列且皆位於同一軸線上。
如申請專利範圍第1項所述之用於鎢製品可回收且連續性再處理之加工裝置，其中，該等複數滾輪上且於相對二側之各該等複數傳動閘門間依序設置有：所述該清洗模組、所述該烘乾模組、所述該噴砂模組以及所述該鍍膜模組。
如申請專利範圍第1項所述之用於鎢製品可回收且連續性再處理之加工裝置，其中，該升降部控制該等複數傳動閘門上升之動作時，該升降部同時控制該等密閉閘門做出上升之動作，且該升降部控制該等複數傳動閘門下降之動作時，該升降部同時控制該等密閉閘門做出下降之動作。
如申請專利範圍第1項所述之用於鎢製品可回收且連續性再處理之加工裝置，其中，透過所述該鍍膜模組與所述該控制單元電性連接之關係，該驅動部可以同時控制該等複數轉動件轉動。
如申請專利範圍第1項所述之用於鎢製品可回收且連續性再處理之加工裝置，其中，由於各該等密閉閘門將該入口端以及該出口端完全氣密封閉，使得所述該鍍膜模組之該容置空間呈現一真空腔體之狀態。
如申請專利範圍第1項所述之用於鎢製品可回收且連續性再處理之加工裝置，其中，該送氣部係可以送出一惰性氣體於該容置空間中。
如申請專利範圍第1項所述之用於鎢製品可回收且連續性再處理之加工裝置，其中，該電壓部係可以產生一高壓電流。
如申請專利範圍第1項所述之用於鎢製品可回收且連續性再處理之加工裝置，其中，該等複數轉動件係等距排列且皆位於同一軸線上。
一種製造半導體結構的方法，包含： <br/>形成一閘極堆疊； <br/>蝕刻該閘極堆疊以形成穿過該閘極堆疊的一溝槽，其中下伏於該閘極堆疊的一介電隔離區域暴露於該溝槽，且該閘極堆疊的一第一部位及一第二部位由溝槽分離； <br/>執行一第一沉積製程以形成延伸至該溝槽中且襯在該閘極堆疊的該第一部位及該第二部位的複數個側壁上的一第一介電層，其中該第一介電層具有一第一介電常數；及 <br/>執行一第二沉積製程以在該第一介電層上形成一第二介電層，其中該第二介電層填充該溝槽，且該第二介電層具有大於該第一介電常數的一第二介電常數。
如請求項1所述之方法，進一步包含： <br/>形成一突出鰭，其中該閘極堆疊形成在該突出鰭上； <br/>蝕刻該突出鰭以形成複數個源極/汲極凹槽；及 <br/>在該些源極/汲極凹槽中形成複數個源極/汲極區域。
如請求項1所述之方法，進一步包含執行一平坦化製程以移除該第一介電層及該第二介電層的高於該閘極堆疊的一頂表面的複數個部位，以形成一閘極隔離區域。
一種製造半導體結構的方法，包含： <br/>在一半導體基板的一主體部位上方形成一介電隔離區域，其中一半導體區域在該介電隔離區域的旁邊，且其中該半導體區域包含高於該介電隔離區域的一部位； <br/>在該介電隔離區域上方形成一替換閘極堆疊； <br/>蝕刻該替換閘極堆疊以形成一第一閘極堆疊及一第二閘極堆疊；及 <br/>在該第一閘極堆疊與該第二閘極堆疊之間形成一閘極隔離區域且使該閘極隔離區域實體接觸該第一閘極堆疊與該第二閘極堆疊，其中該閘極隔離區域自該第一閘極堆疊的一頂表面位準延伸至低於該第一閘極堆疊的一底表面位準的一位準，且其中形成該閘極隔離區域包含： <br/>沉積包含一低k介電材料的一第一介電層；及 <br/>沉積包含一高k介電材料的一第二介電層，其中該第一介電層包含位於該第二介電層及該第一閘極堆疊之間且與該第二介電層及該第一閘極堆疊接觸的一部位。
如請求項4所述之方法，其中沉積該第一介電層包含沉積含矽及碳的一介電層。
如請求項4所述之方法，其中該第二介電層的一部分實體接觸該介電隔離區域。
一種半導體結構，包含： 一第一全環繞閘極電晶體包含一第一閘極堆疊； <br/>一第二全環繞閘極電晶體包含一第二閘極堆疊；及 <br/>一閘極隔離區域位於該第一閘極堆疊及該第二閘極堆疊之間且與該第一閘極堆疊及該第二閘極堆疊接觸，其中該閘極隔離區域包含： <br/>一第一介電層包含SiOCN，其中該第一介電層實體接觸該第一閘極堆疊及該第二閘極堆疊，且其中該第一介電層具有一第一介電常數；及 <br/>一第二介電層位於該第一介電層上，其中該第二介電層具有高於該第一介電常數的一第二介電常數。
如請求項7所述之結構，其中該第一介電層具有比複數個上部部位薄的複數個下部部位，且該第一介電層的複數個底端與該第一閘極堆疊及該第二閘極堆疊的複數個底表面齊平或低於該些底表面。
如請求項7所述之結構，其中該第二介電層包含SiOCN，且該第一介電層比該第二介電層具有更高的一孔隙率。
如請求項7所述之結構，進一步包含一介電隔離區域，其中該介電隔離區域下伏於該第一閘極堆疊及該第二閘極堆疊且與該第一閘極堆疊及該第二閘極堆疊接觸，其中該閘極隔離區域的一底部部位在該介電隔離區域中，且其中該第二介電層的一底部部位實體接觸該介電隔離區域。
一種具揚升裝置的履帶式跑步機，包含： <br/>一基座，包括二左右間隔的側框架，該等側框架間界定出一框內空間； <br/>一跑步帶裝置，設置於該基座且包括二前後間隔設置於該基座的滾軸，及一呈封閉環狀且環繞於該等滾軸與該框內空間的履帶；及 <br/>一揚升裝置，設置於該基座且用來帶動該基座的前後兩端中的任一端升降，該揚升裝置包括 <br/>一揚升架，具有二支撐臂、一連接桿及二滾輪，該等支撐臂分別可樞擺地設置於該等側框架，每一該支撐臂具有一用於支撐於地面的支撐端、一與該支撐端反向設置的受力端，及一位於該支撐端與該受力端間且樞接於各自的側框架的樞接部，該連接桿的兩端分別連接於該等支撐臂的該等支撐端，該等滾輪分別設置於該等支撐端， <br/>一連動平衡單元，連接於該等支撐臂之間且遠離於該等受力端，及 <br/>一揚升驅動器，設置於其中一該側框架且在該框內空間外，該揚升驅動器用來推動其中一該支撐臂的受力端。
如請求項1所述的具揚升裝置的履帶式跑步機，其中，該連動平衡單元設置於該等支撐臂的該等支撐端且能使該等滾輪同步轉動。
如請求項2所述的具揚升裝置的履帶式跑步機，其中，該連動平衡單元具有一個穿過該連接桿且兩端分別連接於該等滾輪的連動桿，及二分別設置於該等滾輪與該連動桿間且用來連動該等滾輪於該連動桿的連動件組。
如請求項3所述的具揚升裝置的履帶式跑步機，其中，每一該滾輪具有一非圓形的套孔，每一該連動件組具有一環設於各自的滾輪與該連動桿其中一端之間的定位環，及一設置於該連動桿與該定位環間的嵌卡件，該定位環的外環面的形狀符合各自的套孔的形狀。
如請求項4所述的具揚升裝置的履帶式跑步機，其中，該連動桿具有二分別形成於兩端的凹槽，每一該定位環具有一形成於內環面的嵌槽，每一該嵌卡件嵌卡於對應的凹槽與對應的嵌槽中。
如請求項4所述的具揚升裝置的履帶式跑步機，其中，每一該連動件組還具有一穿設於該連動桿且推抵於該嵌卡件的固定件。
如請求項6所述的具揚升裝置的履帶式跑步機，其中，該固定件具有一螺接於該連動桿的螺接段，及一連接於該螺接段且推抵於該嵌卡件的頭部。
如請求項1所述的具揚升裝置的履帶式跑步機，其中，該連動平衡單元設置於該等支撐臂的該等樞接部，該連動平衡單元具有一個兩端分別固定地連接於該等支撐臂的該等樞接部並分別可樞轉地連接於該等側框架的平衡桿。
如請求項8所述的具揚升裝置的履帶式跑步機，其中，該等滾輪能各自轉動地分別設置於該連接桿的兩端。
如請求項1所述的具揚升裝置的履帶式跑步機，其中，每一該側框架具有一導槽，該揚升架還具有一連接於該等支撐臂間且鄰近於該等受力端的導引桿，該導引桿可滑動地穿設於該等側框架的該等導槽。
一種用於執行一遠端快取記憶體無效之設備，該設備包含：<br/>共處理器電路系統，其包括：<br/>共處理器快取記憶體電路系統；及<br/>快取記憶體無效控制電路系統；<br/>主處理器電路系統，其包括：<br/>一執行管線；及<br/>主處理器快取記憶體電路系統；<br/>其中：<br/>該主處理器電路系統經組態以：<br/>映射該共處理器電路系統的記憶體分頁；<br/>將針對該共處理器電路系統映射的一分頁取消映射；及<br/>基於該取消映射及由該執行管線執行一遠端無效指令，將一快取記憶體無效命令傳送至該共處理器電路系統；且<br/>該快取記憶體無效控制電路系統經組態以回應於該快取記憶體無效命令，使該共處理器快取記憶體電路系統中的一或多個快取列(cache line)無效，其中該快取記憶體無效控制電路系統經組態以執行該無效而不執行該共處理器電路系統上的任何指令。
如請求項1之設備，其進一步包含：<br/>同調性控制電路系統；及<br/>其他處理器電路系統，其包括其他快取記憶體電路系統；<br/>其中：<br/>該同調性控制電路系統經組態以維持該其他快取記憶體電路系統與該主處理器快取記憶體電路系統之間的同調性，包括基於該取消映射來使該其他快取記憶體電路系統的一或多個快取列無效以維持同調性；且<br/>針對該取消映射，該同調性控制電路系統不經組態以維持該主處理器快取記憶體電路系統與該共處理器快取記憶體電路系統之間的同調性。
如請求項1之設備，其中：<br/>該共處理器電路系統進一步包括轉譯後備緩衝器電路系統(translation lookaside buffer circuitry)，其實施經組態以儲存從一第一位址空間至一第二位址空間之轉譯的條目；且<br/>該主處理器電路系統進一步經組態以基於該取消映射向該共處理器電路系統傳送使該轉譯後備緩衝器電路系統中之一或多個對應條目無效的一轉譯後備緩衝器無效命令。
如請求項3之設備，其中：<br/>該主處理器電路系統進一步經組態以傳送：<br/>在該轉譯後備緩衝器無效命令與該快取記憶體無效命令之間之一第一障壁命令；及<br/>在該快取記憶體無效命令之後之一第二障壁命令。
如請求項4之設備，其中：<br/>該共處理器電路系統進一步經組態以在與該快取記憶體無效命令匹配之一位址的一驅逐完成之前回應該快取記憶體無效命令；且<br/>該第二障壁命令確保該驅逐的完成。
如請求項1之設備，其中：<br/>該共處理器電路系統支援具有虛擬位址的指令且經組態以將虛擬位址轉譯至實體位址；<br/>該共處理器快取記憶體電路系統使用實體位址標記；且<br/>該快取記憶體無效命令指示待被無效的一實體位址。
如請求項1之設備，其中：<br/>該共處理器快取記憶體電路系統中之該一或多個快取列的該無效包括，基於指示使該共處理器快取記憶體電路系統之多個快取列無效的一單一快取記憶體無效命令，來使該共處理器快取記憶體電路系統中的多個快取列無效。
如請求項1之設備，其中：<br/>該設備支援多個共用性域；<br/>該主處理器電路系統包括包括在該多個共用性域之一或多者中的一或多個快取記憶體，該一或多個快取記憶體包括該主處理器快取記憶體電路系統；且<br/>該共處理器快取記憶體電路系統不包括在包括該主處理器電路系統之任何快取記憶體的任何共用性域中。
如請求項1之設備，其中：<br/>該快取記憶體無效命令包括在一通訊網狀結構上傳輸的一封包中，其中該封包至少包括下列：<br/>指定待無效之一或多個位址的資訊；及<br/>該共處理器電路系統的一識別符。
如請求項1之設備，其中：<br/>該共處理器電路系統進一步包含：<br/>低階快取記憶體電路系統，其中該低階快取記憶體電路系統比一快取記憶體階層中的該共處理器快取記憶體電路系統更靠近該共處理器電路系統的一執行管線；及<br/>共處理器快取記憶體同調性電路系統；且<br/>該共處理器快取記憶體同調性電路系統經組態以回應於該共處理器快取記憶體電路系統處的該無效，而使該低階快取記憶體電路系統中的一或多個對應快取列無效。
如請求項1之設備，其中該設備係一計算裝置，其進一步包括：<br/>一顯示器；及<br/>網路介面電路系統。
一種用於執行一遠端快取記憶體無效之方法，該方法包含：<br/>藉由一處理器，映射一共處理器的記憶體分頁；<br/>藉由該處理器將針對該共處理器映射的一分頁取消映射；<br/>藉由該處理器，基於該取消映射及一遠端無效指令的執行，將一快取記憶體無效命令傳送至該共處理器；且<br/>藉由該共處理器，回應於該快取記憶體無效命令而使共處理器快取記憶體的一或多個快取列無效，其中執行該無效而不執行該共處理器上的任何指令。
如請求項12之方法，其進一步包含：<br/>藉由該共處理器，透過該共處理器之一轉譯後備緩衝器來儲存並實施從一第一位址空間至一第二位址空間的轉譯；且<br/>藉由該共處理器，基於該解除映射傳送使該轉譯後備緩衝器電路系統中之一或多個對應條目無效的一轉譯後備緩衝器無效命令。
如請求項13之方法，其進一步包含：<br/>藉由該主處理器傳送以下至該共處理器：<br/>在該轉譯後備緩衝器無效命令與該快取記憶體無效命令之間之一第一障壁命令；及<br/>在該快取記憶體無效命令之後之一第二障壁命令。
一種非暫時性電腦可讀取媒體，其具有儲存於其上的一硬體描述程式語言的指令，當由一計算系統處理時，該等指令將該計算系統程式化以產生一電腦模擬模型，其中該模型表示一硬體電路，該硬體電路包括：<br/>共處理器電路系統，其包括：<br/>共處理器快取記憶體電路系統；及<br/>快取記憶體無效控制電路系統；<br/>主處理器電路系統，其包括：<br/>一執行管線；及<br/>主處理器快取記憶體電路系統；<br/>其中：<br/>該主處理器電路系統經組態以：<br/>映射該共處理器電路系統的記憶體分頁；<br/>將針對該共處理器電路系統映射的一分頁取消映射；及<br/>基於該取消映射及由該執行管線執行一遠端無效指令，將一快取記憶體無效命令傳送至該共處理器電路系統；且<br/>該快取記憶體無效控制電路系統經組態以回應於該快取記憶體無效命令，使該共處理器快取記憶體電路系統中的一或多個快取列無效，其中該快取記憶體無效控制電路系統經組態以執行該無效而不執行該共處理器電路系統上的任何指令。
如請求項15之非暫時性電腦可讀取媒體，其中該硬體電路進一步包括：<br/>同調性控制電路系統；及<br/>其他處理器電路系統，其包括其他快取記憶體電路系統；<br/>其中：<br/>該同調性控制電路系統經組態以維持該其他快取記憶體電路系統與該主處理器快取記憶體電路系統之間的同調性，包括基於該取消映射來使該其他快取記憶體電路系統的一或多個快取列無效以維持同調性；且<br/>針對該取消映射，該同調性控制電路系統不經組態以維持該主處理器快取記憶體電路系統與該共處理器快取記憶體電路系統之間的同調性。
如請求項15之非暫時性電腦可讀取媒體，其中：<br/>該硬體電路系統支援多個共用性域；<br/>該主處理器電路系統包括包括在該多個共用性域之一或多者中的一或多個快取記憶體，該一或多個快取記憶體包括該主處理器快取記憶體電路系統；且<br/>該共處理器快取記憶體電路系統不包括在包括該主處理器電路系統之任何快取記憶體的任何共用性域中。
如請求項15之非暫時性電腦可讀取媒體，其中：<br/>該共處理器電路系統進一步包含：<br/>低階快取記憶體電路系統，其中該低階快取記憶體電路系統比一快取記憶體階層中的該共處理器快取記憶體電路系統更靠近該共處理器電路系統的一執行管線；及<br/>共處理器快取記憶體同調性電路系統；且<br/>該共處理器快取記憶體同調性電路系統經組態以回應於該共處理器快取記憶體電路系統處的該無效，而使該低階快取記憶體電路系統中的一或多個對應快取列無效。
一種半導體元件的製備系統，包括： <br/>一處理器； <br/>一平台，用以支撐一第一晶圓，該平台被配置以感測該第一晶圓的一第一表面的一特性資料，其中該平台電性耦合至該處理器且被配置以將感測到的該第一晶圓的該第一表面的該特性資料傳輸至該處理器；以及 <br/>一研磨元件，電性耦合至該處理器且被配置以基於感測到的該特性資料從該第一晶圓的該第一表面移除複數個異物， <br/>其中該平台包括複數個壓電元件，設置於該平台的一頂表面上，且當該第一晶圓放置於該平台上時，該些壓電元件與該第一晶圓的該第一表面接觸，其中該些壓電元件被配置以感測該第一晶圓的該第一表面的該特性資料。
如請求項1所述之半導體元件的製備系統，其中該些壓電元件中每一者的在俯視圖中的面積範圍為1 mm<sup>2</sup>至100 mm<sup>2</sup>。
如請求項1所述之半導體元件的製備系統，其中該些壓電元件被配置以感測該第一晶圓上奈米級的一形變。
如請求項1所述之半導體元件的製備系統，其中該平台包括從該平台的該頂表面凹陷的複數個排氣孔，且其中該些壓電元件設置於該些排氣孔之間的該平台的該頂表面上。
如請求項1所述之半導體元件的製備系統，其中該平台包括從該平台的該頂表面凹陷的複數個排氣孔，且其中該些壓電元件設置於相鄰排氣通道之間的該平台的該頂表面上。
如請求項1所述之半導體元件的製備系統，其中該些異物是經由在該第一晶圓上進行的一蝕刻製程、一沉積製程、或一擴散製程而引入。
如請求項1所述之半導體元件的製備系統，其中該研磨元件被配置以進行一物理研磨製程。
如請求項1所述之半導體元件的製備系統，其中該研磨元件包括： <br/>一研磨頭，其可在三維中移動；以及 <br/>一控制器，耦合至該研磨頭，其中該控制器被配置以響應於感測到的該特性資料來控制該研磨頭，以對該第一晶圓的一第一位置施加一第一壓力。
如請求項8所述之半導體元件的製備系統，其中該研磨元件更包括一旋轉支撐元件，其被配置以保持該第一晶圓。
如請求項1所述之半導體元件的製備系統，其中該研磨元件被配置以在對該第一晶圓進行曝光製程之前平坦化該第一晶圓。
一種光學同調斷層掃描(OCT)系統，其包括： <br/>a)一寬頻光源，其在一輸出處產生寬頻光； <br/>b)照明光學器件，其等光學地耦合至該寬頻光源之該輸出且定位於該所產生寬頻光之一路徑中，該等照明光學器件經組態以將該所產生寬頻光投射至一樣本，該樣本經定位使得該經投射之所產生寬頻光之至少一些在垂直於該樣本之一表面之一方向上自該樣本內散射以形成一樣本光束且該經投射之所產生寬頻光之至少一些在垂直於該樣本之該表面之一方向上自該樣本之一頂表面反射以形成一參考光束； <br/>c)收集光學器件，其等經定位以收集該樣本光束及該參考光束中之光，且經組態以將該經收集光投射至一干涉組合器， <br/>其中該等照明光學器件及該等收集光學器件一起形成反射光學器件，其中一照明光束中之光與該等參考及樣本光束中之光反向傳播而不透射通過色散光學元件，藉此減少OCT系統色散及色差； <br/>d)一干涉組合器，其經組態以干涉地組合該樣本光束與該參考光束中之該經收集光且將該干涉組合光投射至一輸出； <br/>e)一光譜儀，其具有耦合至該干涉組合器之該輸出之一輸入，該光譜儀經組態以接收該樣本光束及該參考光束中之該干涉組合光且自該樣本光束及該參考光束中之該干涉組合光產生光譜干涉資訊；及 <br/>f)一處理器，其具有耦合至該光譜儀之一輸出之一輸入，該處理器處理該光譜干涉資訊以判定關於該樣本之資訊。
如請求項1之光學同調斷層掃描系統，其中該寬頻光源包括一雷射驅動光源。
如請求項1之光學同調斷層掃描系統，其中該寬頻光源包括一超輻射發光二極體。
如請求項1之光學同調斷層掃描系統，其中該寬頻光源包括一超連續光譜寬頻光源。
如請求項1之光學同調斷層掃描系統，其中該寬頻光源包括一短脈衝雷射。
如請求項1之光學同調斷層掃描系統，其中該寬頻光源產生具有小於400 nm之一波長之至少一些光。
如請求項1之光學同調斷層掃描系統，其中該寬頻光源產生具有小於300 nm之一波長之至少一些光。
如請求項1之光學同調斷層掃描系統，其中該寬頻光源產生在該光譜之一可見區域中之至少一些光。
如請求項1之光學同調斷層掃描系統，其中該寬頻光源產生在該光譜之一近紅外區域中之至少一些光。
如請求項1之光學同調斷層掃描系統，其中該寬頻光源產生具有在該光譜之一紫外、一可見及一近紅外區域中之波長之至少一些光。
如請求項1之光學同調斷層掃描系統，其中該等照明光學器件經組態以將該所產生寬頻光投射至具有一拋光表面之一樣本。
如請求項1之光學同調斷層掃描系統，其中形成反射成像光學器件之該等照明光學器件及該等收集光學器件包括至少一些共同光學元件。
如請求項1之光學同調斷層掃描系統，其中該等照明光學器件包括一橢球鏡。
如請求項1之光學同調斷層掃描系統，其中該等收集光學器件包括一橢球鏡。
如請求項1之光學同調斷層掃描系統，其中該等反射成像光學器件包括一橢球鏡。
如請求項1之光學同調斷層掃描系統，其中該等照明光學器件包括一對離軸拋物面鏡。
如請求項1之光學同調斷層掃描系統，其中該等收集光學器件包括一對離軸拋物面鏡。
如請求項1之光學同調斷層掃描系統，其中該等反射成像光學器件包括一對離軸拋物面鏡。
如請求項1之光學同調斷層掃描系統，其中該等照明光學器件包括一物鏡。
如請求項1之光學同調斷層掃描系統，其中該等收集光學器件包括一物鏡。
如請求項1之光學同調斷層掃描系統，其中該等反射成像光學器件包括一物鏡。
如請求項1之光學同調斷層掃描系統，其中該處理器經組態以處理該光譜干涉資訊以判定該樣本中之缺陷位置。
如請求項1之光學同調斷層掃描系統，其中該處理器經組態以處理該光譜干涉資訊以判定該樣本中之一缺陷密度。
如請求項1之光學同調斷層掃描系統，其中該等照明光學器件經組態使得該樣本之一表面處之該樣本光束之一位置與該參考光束之一位置之間的一差值小於10微米。
如請求項1之光學同調斷層掃描系統，其中該干涉組合器包括一光纖組合器。
如請求項1之光學同調斷層掃描系統，其中該干涉組合器包括一Y型光纖組合器。
如請求項1之光學同調斷層掃描系統，其中該干涉組合器包括一2X2光纖組合器。
如請求項1之光學同調斷層掃描系統，其中該干涉組合器包括一自由空間組合器。
如請求項1之光學同調斷層掃描系統，其中該干涉組合器包括一光學循環器。
一種光學同調斷層掃描系統，其包括： <br/>a)一寬頻光源，其在一輸出處產生寬頻光； <br/>b)一分束器，其將該所產生寬頻光分裂成一參考光束及一照明光束； <br/>c)一參考鏡，其定位於該參考光束之一路徑中，該參考鏡反射該參考光束； <br/>d)照明光學器件，其等定位於該照明光束之一路徑中且具有使該照明光束通過之一透明區域且具有含有一光學功率之一反射表面； <br/>e)收集光學器件，其等定位於該照明光束之一路徑中且具有一透明區域及具有含有一光學功率之一反射表面，該等收集光學器件經組態使得該照明光束自該等收集光學器件之該反射表面反射至該等照明光學器件之該反射表面，使得該照明光束以導致來自一樣本內之散射之一角度重定向至該樣本之一表面，該散射形成垂直於該樣本之一表面且通過收集光學器件之該透明區域及通過該等照明光學器件之該透明區域傳播之一樣本光束； <br/>f)一干涉組合器，其定位於該樣本光束之該路徑中及該參考光束之該路徑中，該干涉組合器經組態以干涉地組合來自該樣本光束與該參考光束之光； <br/>g)一光譜儀，其具有耦合至該干涉組合器之一輸出之一輸入，該光譜儀經組態以接收來自該樣本光束及該參考光束之該干涉組合光且產生光譜干涉資訊；及 <br/>h)一處理器，其具有耦合至該光譜儀之一輸出之一輸入，該處理器處理該光譜干涉資訊以判定關於該樣本之資訊。
如請求項30之光學同調斷層掃描系統，其中該參考鏡將該參考光束透過該分束器反射至該干涉組合器。
如請求項30之光學同調斷層掃描系統，其中該寬頻光源係一雷射驅動光源。
如請求項30之光學同調斷層掃描系統，其中該寬頻光源係一超輻射發光二極體。
如請求項30之光學同調斷層掃描系統，其中該寬頻光源係一超連續光譜寬頻光源。
如請求項30之光學同調斷層掃描系統，其中該寬頻光源包括一短脈衝雷射。
如請求項30之光學同調斷層掃描系統，其中該寬頻光源產生具有小於400 nm之一波長之至少一些光。
如請求項30之光學同調斷層掃描系統，其中該寬頻光源產生具有小於300 nm之一波長之至少一些光。
如請求項30之光學同調斷層掃描系統，其中該寬頻光源產生在該光譜之一可見區域中之至少一些光。
如請求項30之光學同調斷層掃描系統，其中該寬頻光源產生在該光譜之一近紅外區域中之至少一些光。
如請求項30之光學同調斷層掃描系統，其中該寬頻光源產生具有在該光譜之一紫外、一可見及一近紅外區域中之波長之至少一些光。
如請求項30之光學同調斷層掃描系統，其中該干涉組合器包括一自由空間組合器。
如請求項30之光學同調斷層掃描系統，其中該等照明光學器件經組態以將該所產生寬頻光投射至具有一拋光表面之一樣本。
如請求項30之光學同調斷層掃描系統，其中該處理器經組態以處理該光譜干涉資訊以判定該樣本中之缺陷位置。
如請求項30之光學同調斷層掃描系統，其中該處理器經組態以處理該光譜干涉資訊以判定該樣本中之一缺陷密度。
如請求項30之光學同調斷層掃描系統，其中來自該樣本光束及該參考光束之該干涉組合光透過一光纖投射。
一種處理訊息之方法，其包括如下步驟： <br/>藉由一電子裝置利用國際化程式館來產生定義有構成訊息之至少一部分要素之設定事項的第1設定檔案，該訊息係將顯示於連接在服務之用戶終端之畫面之第1部分者； <br/>藉由該電子裝置參照上述第1設定檔案，產生定義將用於上述訊息之多國語言處理轉換至特定格式之方法之第2設定檔案； <br/>藉由該電子裝置基於上述第1設定檔案及上述第2設定檔案，對構成將顯示於上述用戶終端之上述第1部分中之目標訊息之至少一部分要素實行多國語言處理；及 <br/>藉由該電子裝置將經多國語言處理之上述目標訊息之資訊提供至上述用戶終端。
如請求項1之處理訊息之方法，其中該電子裝置將上述第1設定檔案與上述第2設定檔案儲存於提供上述服務之伺服器內之不同之儲存位置。
如請求項1之處理訊息之方法，其中該電子裝置將上述第1設定檔案儲存在與上述用戶終端之間直接收發訊號之第1伺服器中， <br/>該電子裝置將上述第2設定檔案儲存在管理與上述第1伺服器繫結之資料庫之第2伺服器中。
如請求項1之處理訊息之方法，其中構成上述訊息之要素包括上述訊息內之影像、數字文本、貨幣單位文本、其他文本或間隔中之至少一部分。
如請求項1之處理訊息之方法，其中上述第1設定檔案定義有構成上述訊息之至少一部分要素之類型標籤、樣式資訊及語序資訊之設定事項。
如請求項1之處理訊息之方法，其中上述第1設定檔案定義有構成上述訊息之至少一部分之要素之類型標籤之設定事項，且 <br/>構成上述訊息之至少一部分要素之樣式資訊及語序資訊之設定事項定義於第3設定檔案中。
如請求項6之處理訊息之方法，其中上述第3設定檔案藉由資源識別符而與上述第1設定檔案相關聯，且由上述第2設定檔案參照。
如請求項1之處理訊息之方法，其中實行上述多國語言處理之步驟包括如下步驟： <br/>藉由該電子裝置加載上述目標訊息； <br/>藉由該電子裝置基於指代將顯示上述目標訊息之上述第1部分之鍵，特定上述第1設定檔案； <br/>藉由該電子裝置將上述目標訊息中之多國語言處理前之要素輸入至上述第2設定檔案內之代碼；及 <br/>藉由該電子裝置對應於上述輸入，獲得進行多國語言處理後之要素。
如請求項8之處理訊息之方法，其中獲得進行多國語言處理後之上述要素之步驟包括如下步驟： <br/>藉由該電子裝置基於上述輸入，識別上述服務中設定之國家代碼；及 <br/>藉由該電子裝置於識別之上述國家代碼下獲得與鍵即上述輸入對應之值來作為上述經多國語言處理後之要素。
如請求項9之處理訊息之方法，其中獲得上述值作為進行多國語言處理後之上述要素之步驟包括如下步驟： <br/>藉由該電子裝置，於上述輸入對應於上述服務中銷售之物品之價格或配送費之情形時，參照上述第1設定檔案或外部匯率公告資料，將上述輸入兌換為與識別之上述國家代碼對應之貨幣。
如請求項1之處理訊息之方法，其中上述多國語言處理包括如下中之至少一部分： <br/>上述目標訊息中包括之影像之尺寸之變更、上述目標訊息中包括之文本之字型尺寸或字型大小中之至少一部分的變更、上述目標訊息中包括之數字文本之值轉換、或上述目標訊息中包括之間隔之寬度之變更。
如請求項1之處理訊息之方法，其進而包括如下步驟： <br/>藉由該電子裝置於上述目標訊息之多國語言處理失敗之情形時，識別誤差發生位置是否屬於上述第1設定檔案、或是否屬於上述第2設定檔案； <br/>藉由該電子裝置於上述誤差發生位置為第1設定檔案之情形時，輸出第1誤差案例之訊息；及 <br/>藉由該電子裝置於上述誤差發生位置為第2設定檔案之情形時，輸出第2誤差案例之訊息。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有用以於電腦中執行如請求項1之方法之程式。
一種電子裝置，其係處理訊息者，其包括儲存命令之記憶體及處理器， <br/>上述處理器如下：與上述記憶體連接，從而 <br/>利用國際化程式館來產生定義有構成訊息之至少一部分要素之設定事項的第1設定檔案，該訊息係將顯示於連接在服務之用戶終端之畫面之第1部分者； <br/>參照上述第1設定檔案，產生定義將用於上述訊息之多國語言處理轉換至特定格式之方法之第2設定檔案； <br/>基於上述第1設定檔案及上述第2設定檔案，對構成將顯示於上述用戶終端之上述第1部分中之目標訊息之至少一部分要素實行多國語言處理；及 <br/>將經多國語言處理之上述目標訊息之資訊提供至上述用戶終端。
一種商品評價顯示方法，透過計算裝置執行，其中，包括如下步驟： <br/>渲染目標商品對應的評價頁面；和 <br/>在該評價頁面顯示與該目標商品相關的評價， <br/>顯示與該目標商品相關的評價的步驟包括如下步驟： <br/>接收對於該目標商品的一個或多個屬性中每個屬性的選項的選擇； <br/>顯示該目標商品中具有對於該一個或多個屬性中每個屬性選擇的該選項的商品的評價，其中， <br/>接收對於該選項的選擇的步驟包括如下步驟： <br/>在該目標商品的該一個或多個屬性中，接收對於代表屬性的選項的選擇，該代表屬性基於該目標商品的類型預設，且其中， <br/>接收對於該代表屬性的選項的選擇的步驟包括如下步驟： <br/>在該代表屬性的選項中，自動選擇該目標商品的購買排名最高的選項。
如請求項1所述之商品評價顯示方法，其中， <br/>顯示與該目標商品相關的評價的步驟包括如下步驟： <br/>顯示與該目標商品類型相同，並具有對於該一個或多個屬性中每個屬性選擇的該選項，但由不同賣家銷售的商品的評價。
如請求項1所述之商品評價顯示方法，其中， <br/>顯示該商品的評價的步驟包括如下步驟： <br/>與該一個或多個屬性中除該代表屬性之外的剩餘屬性的選項無關地，顯示該目標商品中具有對於該代表屬性選擇的該選項的商品的評價。
如請求項1所述之商品評價顯示方法，其中， <br/>該自動選擇的步驟包括如下步驟： <br/>按照預設週期，在該代表屬性的選項中，更新該目標商品的購買排名最高的選項；和 <br/>將更新的該選項自動選擇為該代表屬性的選項。
一種商品評價顯示系統，包括： <br/>處理器；及， <br/>記憶體，存儲有指令（instruction）， <br/>當該指令被該處理器執行時，使該處理器執行如下操作： <br/>渲染目標商品對應的評價頁面；和 <br/>在該評價頁面顯示與該目標商品相關的評價， <br/>顯示與該目標商品相關的評價的操作包括如下操作： <br/>接收對於該目標商品的一個或多個屬性中每個屬性的選項的選擇； <br/>顯示該目標商品中具有對於該一個或多個屬性中每個屬性選擇的該選項的商品的評價，其中， <br/>接收對於該選項的選擇的操作包括如下操作： <br/>在該目標商品的該一個或多個屬性中，接收對於代表屬性的選項的選擇，該代表屬性基於該目標商品的類型預設，且其中， <br/>接收對於該代表屬性的選項的選擇的操作包括如下操作： <br/>在該代表屬性的選項中，自動選擇該目標商品的購買排名最高的選項。
如請求項5所述之商品評價顯示系統，其中， <br/>顯示與該目標商品相關的評價的操作包括如下操作： <br/>顯示與該目標商品類型相同，並具有對於該一個或多個屬性中每個屬性選擇的該選項，但由不同賣家銷售的商品的評價。
如請求項5所述之商品評價顯示系統，其中， <br/>顯示該商品的評價的操作包括如下操作： <br/>與該一個或多個屬性中除該代表屬性之外的剩餘屬性的選項無關地，顯示該目標商品中具有對於該代表屬性選擇的該選項的商品的評價。
如請求項5所述之商品評價顯示系統，其中， <br/>該自動選擇的操作包括如下操作： <br/>按照預設週期，在該代表屬性的選項中，更新該目標商品的購買排名最高的選項；和 <br/>將更新的該選項自動選擇為該代表屬性的選項。
一種電腦程式，與計算裝置結合，存儲在電腦可讀記錄介質上，以執行如下步驟： <br/>渲染目標商品對應的評價頁面；和 <br/>在該評價頁面顯示與該目標商品相關的評價， <br/>顯示與該目標商品相關的評價的步驟包括如下步驟： <br/>接收對於該目標商品的一個或多個屬性中每個屬性的選項的選擇； <br/>顯示該目標商品中具有對於該一個或多個屬性中每個屬性選擇的該選項的商品的評價，其中， <br/>接收對於該選項的選擇的步驟包括如下步驟： <br/>在該目標商品的該一個或多個屬性中，接收對於代表屬性的選項的選擇，該代表屬性基於該目標商品的類型預設，且其中， <br/>接收對於該代表屬性的選項的選擇的步驟包括如下步驟： <br/>在該代表屬性的選項中，自動選擇該目標商品的購買排名最高的選項。
一種像素電路，其包括： <br/>一像素陣列，其包括複數個像素； <br/>複數個類比轉數位轉換器(ADC)，其中在一像素資料讀出期間，該複數個ADC通信地耦合至該複數個像素中之一各別像素以自該複數個像素中之該各別像素接收影像資料； <br/>複數個判斷區塊，其中每一判斷區塊通信地耦合至該複數個ADC中之一各別ADC，且其中每一判斷區塊經組態以基於比較該各別ADC之一輸出與該各別ADC之一預定臨限值而選擇及傳輸增益資料；以及 <br/>一影像信號處理器(ISP)，其經組態以： <br/>接收來自該複數個ADC之輸出；及<br/>組合該複數個ADC之該等輸出以產生針對該各別像素之一組合經轉換值。
如請求項1之像素電路，其中該增益資料選自一高增益(HG)資料、一低增益(LG)資料或其一組合。
如請求項2之像素電路，其中該預定臨限值基於該HG資料。
如請求項2之像素電路，其中： <br/>當滿足或超過該預定臨限值時，該複數個判斷區塊中之一各別判斷區塊選擇該LG資料；且 <br/>當不滿足該預定臨限值時，該複數個判斷區塊中之一各別判斷區塊選擇該HG資料。
如請求項1之像素電路，其中該複數個ADC包括至少兩個ADC，且該複數個判斷區塊包括至少兩個判斷區塊。
如請求項1之像素電路，其中該預定臨限值基於該複數個判斷區塊之至少一個判斷時序脈衝，其中該判斷時序脈衝提供用於判定該複數個ADC中之每一ADC之一比較器是否在一預定時間被翻轉之一觸發信號。
如請求項2之像素電路，其中： <br/>該預定臨限值包括一第一臨限值；且 <br/>其中，當該HG資料低於該第一臨限值時，選擇該HG資料。
如請求項7之像素電路，其中： <br/>該預定臨限值進一步包括一第二臨限值；且 <br/>其中，當該HG資料高於該第二臨限值時，選擇該LG資料。
如請求項8之像素電路，其中當該HG資料介於該第一臨限值與該第二臨限值之間時，選擇該HG資料與該LG資料兩者之一混合。
如請求項9之像素電路，其中該HG資料與該LG資料之該混合係該HG資料與該LG資料之基於該HG資料之一比率。
如請求項10之像素電路，其中該HG資料與該LG資料之該混合係該HG資料與該LG資料之基於該HG資料及該LG資料之一比率。
如請求項10之像素電路，其中該第一臨限值係約768位元值且該第二臨限值係約1023位元值。
一種產生一像素電路之一組合經轉換值之方法，該像素電路包括：一像素陣列，其包括複數個像素；複數個類比轉數位轉換器(ADC)，其中在一像素資料讀出期間，該複數個ADC通信地耦合至該複數個像素中之一各別像素以自該複數個像素中之該各別像素接收影像資料；及複數個判斷區塊，其中每一判斷區塊通信地耦合至該複數個ADC中之一各別ADC，且其中每一判斷區塊經組態以基於比較該各別ADC之一輸出與該各別ADC之一預定臨限值而選擇及傳輸增益資料，該方法包括： <br/>將來自該複數個像素中之每一各別像素之該影像資料傳輸至該複數個ADC； <br/>比較該各別ADC之一輸出與該各別ADC之該預定臨限值； <br/>利用該複數個判斷區塊中之每一判斷區塊自每一ADC之該輸出中選擇該增益資料； <br/>將該複數個ADC中之每一ADC之該增益資料傳輸至影像信號處理器(ISP)； <br/>利用該ISP接收來自該複數個ADC之輸出；及 <br/>組合該複數個ADC之該等輸出以產生針對該各別像素之一組合經轉換值。
如請求項13之方法，其中該增益資料選自一高增益(HG)資料、一低增益(LG)資料或其一組合。
如請求項14之方法，其中該方法進一步包括： <br/>當滿足該預定臨限值時，利用該複數個判斷區塊中之一各別判斷區塊來選擇該LG資料；及 <br/>當不滿足該預定臨限值時，利用該複數個判斷區塊中之該各別判斷區塊來選擇該HG資料。
如請求項14之方法，其中該預定臨限值包括該HG資料之一飽和狀態。
如請求項14之方法，其中該方法進一步包括： <br/>利用複數個判斷區塊中之至少一個判斷區塊在一預定時間發出一判斷時序脈衝； <br/>在該預定時間量測該複數個ADC中之每一ADC之該輸出； <br/>當該ADC之一比較器未被翻轉時，選擇該HG資料；及 <br/>當該ADC之該比較器被翻轉時，選擇該LG資料。
如請求項14之方法，其中該預定臨限值包括一第一臨限值及一第二臨限值，且其中該方法進一步包括： <br/>當該HG資料低於該第一臨限值時，選擇該HG資料；及 <br/>當該HG資料高於該第二臨限值時，選擇該LG資料。
如請求項18之方法，其中該方法進一步包括，當該HG資料介於該第一臨限值與該第二臨限值之間時，選擇並傳輸該HG資料與該LG資料兩者之一混合。
一種產生如請求項1之像素電路之一組合經轉換值之方法，該方法包括： <br/>將來自複數個像素中之每一各別像素之影像資料傳輸至複數個類比轉數位轉換器(ADC)； <br/>比較各別ADC之一輸出與該各別ADC之預定臨限值； <br/>利用複數個判斷區塊中之每一判斷區塊自每一ADC之該輸出中選擇增益資料； <br/>將該複數個ADC中之每一ADC之該增益資料傳輸至影像信號處理器(ISP)； <br/>利用該ISP接收來自該複數個ADC之輸出；及 <br/>組合該複數個ADC之該等輸出以產生針對該各別像素之一組合經轉換值。
一種卡盤銷，對基板進行保持，所述卡盤銷包括： <br/>保持部，具有內周面及能夠與所述基板抵接的外周面；以及 <br/>固定部，將所述保持部以能夠裝卸的方式加以固定， <br/>所述固定部包括： <br/>按壓部，具有形成有第一開口部的第一側壁部； <br/>被按壓部，具有形成有第二開口部的第二側壁部；以及 <br/>施力部，是對所述按壓部相對於所述被按壓部向第一旋轉方向施力的扭轉彈簧， <br/>在所述保持部的所述內周面形成突出部，所述突出部向內側突出，且在所述第一開口部及所述第二開口部處由所述按壓部與所述被按壓部夾持。
根據請求項1所述的卡盤銷，其中，所述被按壓部的所述第二側壁部從所述按壓部的所述第一開口部露出。
一種卡盤銷，對基板進行保持，所述卡盤銷包括： <br/>保持部，具有內周面及能夠與所述基板抵接的外周面；以及 <br/>固定部，將所述保持部以能夠裝卸的方式加以固定， <br/>所述固定部包括： <br/>按壓部，具有形成有第一開口部的第一側壁部； <br/>被按壓部，具有形成有第二開口部的第二側壁部；以及 <br/>施力部，對所述按壓部相對於所述被按壓部向第一旋轉方向施力， <br/>在所述保持部的所述內周面形成突出部，所述突出部向內側突出，且在所述第一開口部及所述第二開口部處由所述按壓部與所述被按壓部夾持， <br/>在所述被按壓部中，形成有所述第二開口部的所述第二側壁部的切口具有與所述保持部的所述突出部抵接的凹部。
根據請求項3所述的卡盤銷，其中，在所述按壓部中，形成有所述第一開口部的所述第一側壁部的切口具有朝向所述第一旋轉方向而逐漸靠近所述被按壓部的所述凹部的錐面。
一種卡盤銷，對基板進行保持，所述卡盤銷包括： <br/>保持部，具有內周面及能夠與所述基板抵接的外周面；以及 <br/>固定部，將所述保持部以能夠裝卸的方式加以固定， <br/>所述固定部包括： <br/>按壓部，具有形成有第一開口部的第一側壁部； <br/>被按壓部，具有形成有第二開口部的第二側壁部；以及 <br/>施力部，對所述按壓部相對於所述被按壓部向第一旋轉方向施力， <br/>在所述保持部的所述內周面形成突出部，所述突出部向內側突出，且在所述第一開口部及所述第二開口部處由所述按壓部與所述被按壓部夾持， <br/>所述施力部具有第一端部， <br/>所述按壓部還具有形成有供所述施力部的所述第一端部嵌入的第一孔部的第一主面部， <br/>所述被按壓部還具有第二主面部，所述第二主面部形成有沿所述第一旋轉方向平行地延伸且供所述施力部的所述第一端部插通的狹縫。
一種卡盤銷，對基板進行保持，所述卡盤銷包括： <br/>保持部，具有內周面及能夠與所述基板抵接的外周面；以及 <br/>固定部，將所述保持部以能夠裝卸的方式加以固定， <br/>所述固定部包括： <br/>按壓部，具有形成有第一開口部的第一側壁部； <br/>被按壓部，具有形成有第二開口部的第二側壁部；以及 <br/>施力部，對所述按壓部相對於所述被按壓部向第一旋轉方向施力， <br/>在所述保持部的所述內周面形成突出部，所述突出部向內側突出，且在所述第一開口部及所述第二開口部處由所述按壓部與所述被按壓部夾持， <br/>所述被按壓部還具有形成於比所述第二側壁部更靠內側處的第三側壁部， <br/>所述施力部配置於所述被按壓部的所述第二側壁部與所述第三側壁部之間。
根據請求項6所述的卡盤銷，其中， <br/>所述施力部具有第二端部， <br/>在所述被按壓部的所述第三側壁部形成供所述施力部的所述第二端部嵌入的第二孔部。
根據請求項1至7中任一項所述的卡盤銷，還包括轉動驅動部，所述轉動驅動部使所述保持部及所述固定部在通過所述保持部的所述外周面與所述基板抵接而對所述基板進行保持的保持狀態、與通過所述保持部的所述外周面離開所述基板而不對所述基板進行保持的非保持狀態之間轉動。
一種基板保持裝置，包括： <br/>根據請求項1至8中任一項所述的卡盤銷；以及 <br/>板部，安裝有所述卡盤銷的所述固定部。
根據請求項9所述的基板保持裝置，還包括使所述板部旋轉的旋轉驅動部。
根據請求項9所述的基板保持裝置，還包括臂部，所述臂部在對所述卡盤銷的所述保持部進行握持的狀態下，將所述保持部按入所述固定部。
根據請求項9所述的基板保持裝置，還包括臂部，所述臂部在對所述卡盤銷的所述保持部進行握持的狀態下，將所述保持部在向與所述第一旋轉方向相反的第二旋轉方向擰的同時從所述固定部拔出。
一種多頻天線，包含：<br/> 一介質基板；<br/> 一輻射元件，設置於該介質基板上，且包含：<br/> 一第一輻射部，架構於產生一第一頻段前端之無線訊號收發；以及<br/> 一第二輻射部，設置於相對於該第一輻射部之相對側，且架構於產生一第二頻段之無線訊號收發；<br/> 一連接部，設置於該介質基板上，且包含：<br/> 一饋入部，連接於該第一輻射部及該第二輻射部之間，架構於饋入訊號；以及<br/> 一短路部，包含一第一段部、一第二段部及一第三段部，其中該第二段部連接於該第一段部及該第三段部之間，該第一段部連接該饋入部，其中該第二段部架構於產生一第三頻段之無線訊號收發，其中一第一槽縫形成於該輻射元件與該短路部之該第二段部之間；以及<br/> 一接地系統部，設置於該介質基板上，且包含：<br/> 一接地部，連接該短路部之該第三段部；以及<br/> 一延伸部，自該接地部朝向該短路部之該第二段部的方向延伸，<br/> 其中該輻射元件包含一第一輻射部長邊、一第一輻射部側邊、一連接側邊、一第二輻射部側邊及一第二輻射部長邊，其中該第一輻射部側邊設置於該第一輻射部之一側，其中該第二輻射部側邊設置於該第二輻射部之一側，且位於該第一輻射部側邊之相對側，其中該連接側邊之兩端分別連接該第一輻射部側邊及該第二輻射部側邊，其中該第一輻射部長邊連接於該第一輻射部側邊及該饋入部之間，該第二輻射部長邊連接於該第二輻射部側邊及該饋入部之間，<br/> 其中該多頻天線更包含一第二寄生調整部，其中該第二寄生調整部連接該接地部，間隔地設置於該第一輻射部之一側，且包含：<br/> 一第八段部，該第八段部之一端連接於該接地部，其中該第八段部包含一第八段部側邊，該第八段部側邊朝向該第一輻射部設置，垂直於該接地部，且平行於該第一輻射部側邊，其中一第四槽縫形成於該第一輻射部側邊及該第八段部側邊之間；以及<br/> 一第九段部，該第九段部之一端連接於該第八段部之另一端，其中該第九段部包含一第九段部側邊，該第九段部側邊平行於該輻射元件之該連接側邊，其中一第五槽縫形成於該輻射元件之該連接側邊及該第九段部側邊之間。
如請求項1所述之多頻天線，其中該輻射元件、該連接部及該接地系統部皆為金屬材料製成，且印刷於該介質基板上，其中該饋入部、該第一輻射部及該第二輻射部分別為矩形結構。
如請求項1所述之多頻天線，其中該短路部之該第二段部及該第三段部相連接，並形成一倒L形結構，其中該第一段部包含相對的一第一長邊及一第二長邊，其中該第一長邊及該第二長邊分別連接於該饋入部，且該第一長邊與該饋入部之間的一夾角為銳角，其中該第二段部連接於該第二長邊。
如請求項1所述之多頻天線，其中該第一輻射部長邊之長度範圍為該第一頻段之四分之一的波長，其中該第一輻射部側邊之長度等於該第二輻射部側邊之長度，其中該第一輻射部長邊之長度大於該第二輻射部長邊之長度，其中該短路部之該第二段部平行於該第一輻射部長邊以及該第二輻射部長邊，其中該第一輻射部側邊及該第二輻射部側邊分別垂直於該接地部設置，其中該第一輻射部長邊及該第二輻射部長邊平行於該接地部設置。
如請求項1所述之多頻天線，更包含一第一寄生調整部，連接於該接地系統部之該延伸部，且間隔地設置於該第二輻射部之一側，其中該第一寄生調整部架構於產生該第一頻段後端及一第四頻段之無線訊號收發。
如請求項5所述之多頻天線，其中該第一寄生調整部包含：<br/> 一第四段部，該第四段部之一端連接於該接地系統部之該延伸部，其中該第四段部包含一第四段部側邊，該第四段部側邊垂直於該延伸部設置；<br/> 一第五段部，該第五段部之一端連接於該第四段部之另一端，且包含一第五段部側邊，其中該第五段部側邊朝向該第二輻射部設置，且垂直地連接於該第四段部側邊；<br/> 一第六段部，連接於該第五段部之另一端，且包含一第六段部側邊，其中該第六段部側邊朝向該第二輻射部設置，平行於該第二輻射部側邊，且連接於該第五段部側邊，其中一第二槽縫形成於該第六段部側邊與該第二輻射部側邊之間；以及<br/> 一第七段部，連接於該第六段部之另一端，且包含一第七段部側邊，其中該第七段部側邊朝向該第二輻射部設置，平行於該輻射元件之該連接側邊，且連接於該第六段部側邊，其中一第三槽縫形成於該第七段部側邊與該輻射元件之該連接側邊之間。
如請求項6所述之多頻天線，其中該第五段部、該第六段部及該第七段部依序連接形成一ㄈ字形結構，其中該第二槽縫的寬度大於該第三槽縫的寬度，其中該第三槽縫的寬度等於該第一槽縫的寬度，其中該第二輻射部側邊之長度小於該第六段部之寬度，該第一輻射部側邊之長度大於該第七段部之寬度。
如請求項6所述之多頻天線，其中該接地系統部之該延伸部間隔地設置於該短路部之該第三段部之一側，且包含：<br/> 一第一延伸部，由該第四段部與該延伸部之連接位置朝向遠離該短路部之該第三段部的方向延伸形成，且包含一第一延伸部長邊，其中該第一延伸部長邊平行於該第一寄生調整部之該第七段部側邊，其中該第一延伸部與該第一寄生調整部之該第五段部之間具有一第一耦合間距；以及<br/> 一第二延伸部，由該第四段部與該延伸部之連接位置朝向該短路部之該第三段部的方向延伸形成，且包含一第二延伸部長邊，其中該第二延伸部長邊平行於該短路部之該第二段部，其中該第二延伸部與該短路部之該第二段部之間具有一第二耦合間距。
如請求項1所述之多頻天線，其中該第一輻射部側邊之長度大於該第八段部之寬度，其中該第四槽縫的寬度大於該第五槽縫的寬度。
一種半導體裝置，其包含： <br/>閘極電極； <br/>上述閘極電極之上之閘極絕緣層； <br/>上述閘極絕緣層之上之氧化物半導體層； <br/>上述氧化物半導體層之上之源極電極及汲極電極；以及 <br/>覆蓋上述源極電極及上述汲極電極且與上述氧化物半導體層相接之層間絕緣層；且 <br/>上述半導體裝置之S值為1.5 V/dec以上2.5 V/dec以下。
如請求項1之半導體裝置，其中上述氧化物半導體層包含： <br/>第1區域，其與上述源極電極及上述汲極電極之一者重疊；及 <br/>第2區域，其與上述層間絕緣層相接；且 <br/>上述第1區域之膜厚與上述第2區域之膜厚之差為5 nm以下。
如請求項1之半導體裝置，其進而包含上述閘極絕緣層與上述氧化物半導體層之間之金屬氧化物層。
如請求項3之半導體裝置，其中上述金屬氧化物層之膜厚為10 nm以下。
如請求項3之半導體裝置，其中上述金屬氧化物層之端面與上述氧化物半導體層之端面一致。
如請求項4之半導體裝置，其場效遷移率為20 cm<sup>2</sup>/Vs以上。
一種半導體裝置之製造方法，其包括： <br/>形成閘極電極； <br/>於上述閘極電極之上形成閘極絕緣層； <br/>於上述閘極絕緣層之上形成氧化物半導體層； <br/>於上述氧化物半導體層之上成膜導電膜； <br/>藉由蝕刻對上述導電膜進行圖案化，形成源極電極及汲極電極； <br/>於上述源極電極及上述汲極電極之形成後，對表面自上述源極電極及上述汲極電極露出之上述氧化物半導體層進行退火處理； <br/>於上述退火處理後，形成覆蓋上述源極電極及上述汲極電極且與上述氧化物半導體層相接之層間絕緣層； <br/>上述半導體裝置之S值為1.5 V/dec以上2.5 V/dec以下。
如請求項7之半導體裝置之製造方法，其中上述氧化物半導體層包含： <br/>第1區域，其與上述源極電極及汲極電極之一者重疊；及 <br/>第2區域，其與上述層間絕緣層相接；且 <br/>上述第1區域之膜厚與上述第2區域之膜厚之差為5 nm以下。
如請求項7之半導體裝置之製造方法，其中上述退火處理係於大氣氛圍中進行。
如請求項7之半導體裝置之製造方法，其進而於上述退火處理前，使用特定之氣體對上述表面露出之上述氧化物半導體層進行電漿處理。
如請求項10之半導體裝置之製造方法，其中上述特定之氣體為氬氣或氮氣。
如請求項7之半導體裝置之製造方法，其進而包括： <br/>於上述閘極絕緣層之上成膜金屬氧化物膜； <br/>藉由將上述氧化物半導體層作為遮罩之蝕刻對上述金屬氧化物膜進行圖案化，而形成金屬氧化物層。
如請求項12之半導體裝置之製造方法，其中上述金屬氧化物層之膜厚為10 nm以下。
如請求項12之半導體裝置之製造方法，其中上述半導體裝置之場效遷移率為20 cm<sup>2</sup>/Vs以上。
一種套筒，具有操作端和相對的驅動端，所述操作端具有套筒接收區域，所述套筒接收區域具有內表面並且適於接收工件，所述驅動端適於接合扭矩施加工具的凸耳，所述套筒包括：<br/> 第一彈簧絲成型件和第二彈簧絲成型件，所述第一彈簧絲成型件和所述第二彈簧絲成型件適於在所述工件被接收在所述套筒接收區域中時向所述工件施加徑向偏置力，其中每個彈簧絲成型件包括相對的第一端和第二端以及分別靠近所述第一端和所述第二端設置的第一臂和第二臂，其中每個彈簧絲成型件的所述第一臂和所述第二臂中的至少一者包括限定角度的彎折部分；<br/> 軸向狹槽，所述軸向狹槽設置在所述套筒接收區域的所述內表面上，並且適於在所述工件被接收在所述套筒接收區域中時接合所述第一臂和所述第二臂的所述彎折部分；以及<br/> 周向凹槽，所述周向凹槽設置在所述套筒接收區域的所述內表面上。
如請求項1所述的套筒，其中，所述第一彈簧絲成型件和所述第二彈簧絲成型件中的每一個包括在所述第一臂和所述第二臂之間的彎曲部分。
如請求項2所述的套筒，其中，所述周向凹槽適於接收所述第一彈簧絲成型件和所述第二彈簧絲成型件的所述彎曲部分。
如請求項1所述的套筒，其中，所述周向凹槽至少部分地圍繞所述套筒接收區域。
如請求項1所述的套筒，其中，所述第一彈簧絲成型件和所述第二彈簧絲成型件中的每一個包括在所述第一臂和所述第二臂中的每一個上的彎折部分，並且當所述第一彈簧絲成型件和所述第二彈簧絲成型件設置在工件孔中時，所述第一彈簧絲成型件的所述第一臂與所述第二彈簧絲成型件的所述第一臂設置在所述工件孔的相同的軸向狹槽中，並且所述第一彈簧絲成型件的所述第一臂的所述彎折部分限定與所述第二彈簧絲成型件的所述第二臂的所述彎折部分的角度大體上相同的角度。
如請求項1所述的套筒，其中，所述第一彈簧絲成型件與所述第二彈簧絲成型件大體上相同。
如請求項1所述的套筒，其中，所述軸向狹槽沿直徑方向設置在所述套筒接收區域中。
如請求項1所述的套筒，其中，所述軸向狹槽包括靠近所述套筒的所述操作端的端部，所述端部適於將所述彈簧絲成型件保持在所述套筒接收區域中。
如請求項1所述的套筒，其中，所述第一彈簧絲成型件的所述第一臂和所述第二臂分別大體上鄰接所述第二彈簧絲成型件的所述第一臂和所述第二臂。
一種套筒，具有操作端和相對的驅動端，所述操作端具有套筒接收區域，所述套筒接收區域具有內表面並且適於接收工件，所述驅動端適於接合扭矩施加工具的凸耳，所述套筒包括：<br/> 第一對彈簧絲成型件和第二對彈簧絲成型件，所述第一對彈簧絲成型件和所述第二對彈簧絲成型件適於在所述工件被接收在所述套筒接收區域時向所述工件施加偏置力，其中所述第一對彈簧絲成型件和所述第二對彈簧絲成型件中的每個彈簧絲成型件包括相對的第一端和第二端以及靠近相應的第一端和第二端的第一臂和第二臂，其中每個彈簧絲成型件的第一臂和第二臂中的至少一者包括彎折部分； <br/> 軸向狹槽，所述軸向狹槽設置在所述套筒接收區域的所述內表面上，並且適於在所述工件被接收在所述套筒接收區域中時接合所述第一臂和所述第二臂的所述彎折部分；以及<br/> 周向凹槽，所述周向凹槽設置在所述套筒接收區域的所述內表面上。
如請求項10所述的套筒，其中，所述第一對彈簧絲成型件和所述第二對彈簧絲成型件中的每一個彈簧絲成型件包括在第一臂和第二臂之間的彎曲部分。
如請求項10所述的套筒，其中，所述第一對彈簧絲成型件的第一臂大體上彼此鄰接，並且所述第一對彈簧絲成型件的第二臂大體上彼此鄰接。
如請求項11所述的套筒，其中，所述周向凹槽適於接收所述第一對彈簧絲成型件和所述第二對彈簧絲成型件的所述彎曲部分。
如請求項10所述的套筒，其中，所述第一對彈簧絲成型件的所述彎折部分具有第一角度，並且所述第二對彈簧絲成型件的所述彎折部分具有第二角度，並且所述第一角度和所述第二角度大體上相同。
如請求項10所述的套筒，其中，所述第一對彈簧絲成型件的所述彎折部分具有第一角度，並且所述第二對彈簧絲成型件的所述彎折部分具有第二角度，並且所述第一角度與所述第二角度不同。
如請求項10所述的套筒，其中，所述軸向狹槽沿直徑方向設置在所述套筒接收區域中。
如請求項10所述的套筒，其中，所述軸向狹槽包括靠近所述套筒的所述操作端的端部，所述端部適於將所述彈簧絲成型件保持在工件孔中。
如請求項10所述的套筒，其中，所述第一對彈簧絲成型件與所述第二對彈簧絲成型件大體上相同。
一種套筒，具有操作端和相對的驅動端，所述操作端具有套筒接收區域，所述套筒接收區域具有內表面並且適於接收工件，所述驅動端適於接合扭矩施加工具的凸耳，所述套筒包括：<br/> 第一彈簧絲成型件，所述第一彈簧絲成型件適於在所述工件被接收在所述套筒接收區域中時向所述工件施加偏置力，並且所述第一彈簧絲成型件包括相對的第一端和第二端以及靠近相應的所述第一端和所述第二端的第一臂和第二臂，其中，所述第一臂和所述第二臂中的每一者包括彎折部分；以及<br/> 軸向狹槽，所述軸向狹槽設置在所述套筒接收區域的所述內表面上，其中在所述工件被接收在所述套筒接收區域中時，所述彎折部分接合所述軸向狹槽；以及<br/> 周向凹槽，所述周向凹槽設置在所述套筒接收區域的所述內表面上。
一種半導體結構，包括： <br/>一基板； <br/>一第一電晶體及一第二電晶體，沿著一第一方向的一第一路徑排列於該基板上； <br/>一第一源極墊，沿著該第一方向的該第一路徑設置於該第一電晶體及該第二電晶體之間，且電性連接於該第一電晶體的一源極區域及該第二電晶體的一源極區域； <br/>一第三電晶體及一第四電晶體，沿著該第一方向的一第二路徑排列於該基板上，該第二路徑與該第一路徑相互平行且不重疊；以及 <br/>一第二源極墊，沿著該第一方向的該第二路徑設置於該第三電晶體及該第四電晶體之間，且電性連接於該第三電晶體的一源極區域及該第四電晶體的一源極區域； <br/>其中該第一源極墊與該第三電晶體的一閘極結構沿著一第二方向排列，該第二方向實質上垂直於該第一方向。
如請求項1所述之半導體結構，進一步包括： <br/>一第一汲極墊，電性連接至該第一電晶體的一汲極區域；以及 <br/>一第二汲極墊，電性連接至該第二電晶體的一汲極區域，其中該第一源極墊沿著該第一方向設置於該第一汲極墊與該第二汲極墊之間。
如請求項2所述之半導體結構，其中該第一源極墊與該第一電晶體的該源極區域之間的一距離實質上相同於該第一源極墊與該第二電晶體的該源極區域之間的一距離。
如請求項2所述之半導體結構，其中該第二汲極墊與該第四電晶體的一閘極結構沿著該第二方向排列，該第二方向實質上垂直於該第一方向。
如請求項1所述之半導體結構，其中該第三電晶體沿著該第一方向設置於該第一電晶體與該第二電晶體之間。
如請求項5所述之半導體結構，其中該第二電晶體沿著該第一方向設置於該第三電晶體與該第四電晶體之間。
如請求項1所述之半導體結構，進一步包括： <br/>一層間介電層，覆蓋該第一電晶體、該第二電晶體、該第三電晶體及該第四電晶體； <br/>其中，該第一源極墊以及該第二源極墊設置於該層間介電層上。
如請求項1所述之半導體結構，進一步包括： <br/>一閘極導線，沿著該第一方向延伸，且電性連接該第一電晶體的一閘極結構與該第二電晶體的一閘極結構；以及 <br/>一閘極墊，連接至該閘極導線，其中該閘極墊與該第一源極墊沿著該第一方向排列。
如請求項1所述之半導體結構，其中該第一源極墊與該第二源極墊彼此間隔一距離。
一種製造半導體結構的方法，包括： <br/>在一基板上形成一第一電晶體、一第二電晶體、一第三電晶體及一第四電晶體，其中： <br/>該第一電晶體及該第二電晶體沿著一第一方向的一第一路徑排列； <br/>該第三電晶體及該第四電晶體沿著該第一方向的一第二路徑排列，該第二路徑與該第一路徑相互平行且不重疊； <br/>形成覆蓋該第一電晶體、該第二電晶體、該第三電晶體及該第四電晶體的一層間介電層；以及 <br/>在該層間介電層上形成一第一源極墊及一第二源極墊，該第一源極墊電性連接至該第一電晶體的一源極區域及該第二電晶體的一源極區域，且該第二源極墊電性連接至該第三電晶體的一源極區域及該第四電晶體的一源極區域，其中： <br/>該第一源極墊沿著該第一方向的該第一路徑位於該第一電晶體及該第二電晶體之間； <br/>該第二源極墊沿著該第一方向的該第二路徑位於該第三電晶體及該第四電晶體之間； <br/>其中該第一源極墊與該第三電晶體的一閘極結構沿著一第二方向排列，該第二方向實質上垂直於該第一方向。
如請求項10所述之方法，進一步包含： <br/>在該層間介電層上形成一第一汲極墊及一第二汲極墊，該第一汲極墊電性連接至該第一電晶體的一汲極區域，且該第二汲極墊電性連接至該第二電晶體的一汲極區域，其中該第一源極墊沿著該第一方向位於該第一汲極墊與該第二汲極墊之間。
如請求項11所述之方法，其中該第一源極墊與該第一電晶體的該源極區域之間的一距離實質上相同於該第一源極墊與該第二電晶體的該源極區域之間的一距離。
如請求項11所述之方法，其中該第二汲極墊與該第四電晶體的一閘極結構沿著該第二方向排列，該第二方向實質上垂直於該第一方向。
如請求項10所述之方法，其中該第三電晶體沿著該第一方向位於該第一電晶體及該第二電晶體之間。
如請求項14所述之方法，其中該第二電晶體沿著該第一方向位於該第三電晶體及該第四電晶體之間。
如請求項10所述之方法，進一步包含： <br/>在該層間介電層上形成一閘極導線，該閘極導線沿著該第一方向延伸且電性連接至該第一電晶體的一閘極結構及該第二電晶體的一閘極結構；以及 <br/>在該層間介電層上形成一閘極墊，該閘極墊電性連接至該閘極導線，其中該閘極墊及該第一源極墊沿著該第一方向排列。
如請求項10所述之方法，其中該第一電晶體、該第二電晶體、該第三電晶體及該第四電晶體形成於該基板上的一劃線區域（scribe line region），該劃線區域位於該基板上之複數個晶片區域中的二者之間，且該方法進一步包含： <br/>藉由探針探測該第一源極墊及該第二源極墊以執行一測試程序，測量該第一電晶體、該第二電晶體、該第三電晶體及該第四電晶體的電性。
如請求項17所述之方法，進一步包含： <br/>在該測試程序完成後，沿著該劃線區域執行一平坦化程序，以將該等晶片區域分割為複數個晶片。
一種出票組件，適用於一出票機，包括：<br/> 一導引板，具有一導引正面與相對於該導引正面的一導引背面；<br/> 一第一樞接部，設置於該導引背面，並包括一第一調節件；<br/> 一出票板，具有一出票正面與相對於該出票正面的一出票背面；以及<br/> 一第二樞接部，設置於該出票背面，並包括一第二調節件，其中該第一樞接部樞接於該第二樞接部，該導引正面鄰接該出票正面，該第一調節件與該第二調節件配合，以調整該導引正面與該出票正面之間的一夾角，<br/> 其中該第一樞接部更包括一對第一樞接件，且該第二樞接部更包括一對第二樞接件，該些第一樞接件分別連接該些第二樞接件，其中該第一調節件設置於該第一樞接件上，且該第二調節件設置於該第二樞接件上。
如請求項1所述之出票組件，其中該第二樞接部具有一貫孔，而該第一樞接部包括一軸柱，其中該軸柱插設於該貫孔。
如請求項2所述之出票組件，其中該第二調節件具有複數個齒槽，該些齒槽與該貫孔沿著該軸柱的一軸心而延伸，而該第一調節件適於設置於該些齒槽之任一者中，其中該軸柱沿著該軸心的旋轉而改變該第一調節件與該些齒槽之間的相對位置。
如請求項2所述之出票組件，其中該第二調節件圍繞該些第二樞接件其中一者，並具有複數個凹槽，而該些凹槽以該貫孔為中心而呈等角分佈，且該些凹槽與該貫孔沿著該軸柱的一軸心而延伸，其中該第一調節件包括一彈片，且該彈片與該些凹槽之任一者配合，其中該軸柱沿著該軸心的旋轉而改變該彈片與該些凹槽之間的相對位置。
如請求項1所述之出票組件，其中該出票組件更包括一滑道板，該滑道板具有一滑道正面與相對於該滑道正面的一滑道背面，該滑道背面接觸該導引正面與該出票正面，該滑道板包括一可彎折件，該出票板更包括一縫隙，其中該可彎折件插設於該縫隙，使得一部分的該可彎折件凸設於該出票背面上。
如請求項5所述之出票組件，其中該可彎折件的兩側具有一對凸耳，該可彎折件的最大寬度大於該縫隙的寬度。
如請求項5所述之出票組件，更包括設置於該導引背面的一組裝部，該組裝部包括一卡合槽，該滑道板更包括一延伸件，該卡合槽與該延伸件配合，使得該延伸件位於該導引背面與該卡合槽之間。
如請求項1所述之出票組件，更包括一封口蓋，其中該出票板更包括從該出票正面延伸的一對阻擋件，該出票正面與該對阻擋件之間形成一出口空間，該封口蓋用於封住該出口空間。
如請求項8所述之出票組件，更包括設置於該出票背面的一固定部，該固定部具有一孔洞，藉由該孔洞將該封口蓋卡合或鎖固於該出口空間中。
一種出票設備，包括：<br/> 一外殼，具有一容置空間；<br/> 一出票機，位於該容置空間，其中該出票機配置以提供一票據，該出票機包括一原始出票口；以及<br/> 一出票組件，位於該容置空間且鄰近該原始出票口，其中該出票組件固設於該外殼上，該出票組件配置以接收並乘載該票據，該出票組件包括：<br/> 一導引板，具有一導引正面與相對於該導引正面的一導引背面；<br/> 一第一樞接部，設置於該導引背面，並包括一第一調節件；<br/> 一出票板，具有一出票正面與相對於該出票正面的一出票背面；以及<br/> 一第二樞接部，設置於該出票背面，並包括一第二調節件，其中該第一樞接部樞接於該第二樞接部，該導引正面鄰接該出票正面，該第一調節件與該第二調節件配合，以調整該導引正面與該出票正面之間的一夾角，<br/> 其中該第一樞接部更包括一對第一樞接件，且該第二樞接部更包括一對第二樞接件，該些第一樞接件分別連接該些第二樞接件，其中該第一調節件設置於該第一樞接件上，且該第二調節件設置於該第二樞接件上。
一種行銷輔助系統，包含： 一處理單元；及 一儲存單元，電連接該處理單元，且儲存有一利用機器學習技術實現的行銷時段預測模型； 其中，該處理單元用於： 在接收到一指示出一目標行銷對象的行銷輔助請求後，根據該行銷輔助請求獲得一對應於該目標行銷對象的對象特徵資料，其中，該對象特徵資料相關於該目標行銷對象的歷史行為模式； 利用該行銷時段預測模型對該對象特徵資料進行分析，以計算該目標行銷對象在多個不同之預設候選行銷時段中對行銷行為產生回應的概率，並產生一對應於該目標行銷對象的時段分析結果，其中，該時段分析結果指示出該等預設候選行銷時段中的其中一個最佳行銷時段，以及其中一個與該最佳行銷時段不同的次佳行銷時段；及 根據該時段分析結果執行一對應於該目標行銷對象的輔助行銷處理，以對該目標行銷對象進行行銷，其中，該行銷輔助系統執行該輔助行銷處理的方式包含：判斷一預定日期中匹配於該最佳行銷時段之一預定時段所對應的一行銷執行數量是否大於等於一行銷上限門檻值，其中，該行銷執行數量表示已被排定至該預定日期之該預定時段的所有預定行銷程序的數量；在判斷出該行銷執行數量未大於等於該行銷上限門檻值的情況下，將一對應於該目標行銷對象的預定行銷程序排定至該預定日期中匹配於該最佳行銷時段的該預定時段，且在當前時間到達該預定日期之該預定時段之內的情況下，自動執行該預定行銷程序；在判斷出該行銷執行數量大於等於該行銷上限門檻值的情況下，將該預定行銷程序排定至該預定日期中匹配於該次佳行銷時段的另一預定時段，且在當前時間到達該預定日期之該另一預定時段之內的情況下，自動執行該預定行銷程序。
如請求項1所述的行銷輔助系統，其中，該處理單元利用該行銷時段預測模型對該對象特徵資料進行分析的方式，是根據該對象特徵資料利用邏輯迴歸計算該目標行銷對象在每一預設候選行銷時段中對行銷行為產生回應的概率，並且，該最佳行銷時段是該目標行銷對象在所有該等預設候選行銷時段中對行銷行為產生回應的概率最高的該預設候選行銷時段。
如請求項1所述的行銷輔助系統，其中，該處理單元是藉由對一與該目標行銷對象對應的客戶資料集合執行一前置資料處理，以獲得對應於該客戶資料集合的該對象特徵資料，其中，該客戶資料集合包含一基本資料部分及一數位行為紀錄部分，該基本資料部分指示出該目標行銷對象的個人基本資料，該數位行為紀錄部分指示出該目標行銷對象利用數位服務的紀錄。
一種行銷輔助方法，由一行銷輔助系統實施，該行銷輔助系統儲存有一利用機器學習技術實現的行銷時段預測模型；該行銷輔助方法包含： (A)在接收到一指示出一目標行銷對象的行銷輔助請求後，根據該行銷輔助請求獲得一對應於該目標行銷對象的對象特徵資料，其中，該對象特徵資料相關於該目標行銷對象的歷史行為模式； (B)利用該行銷時段預測模型對該對象特徵資料進行分析，以計算該目標行銷對象在多個不同之預設候選行銷時段中對行銷行為產生回應的概率，並產生一對應於該目標行銷對象的時段分析結果，其中，該時段分析結果指示出該等預設候選行銷時段中的其中一個最佳行銷時段，以及其中一個與該最佳行銷時段不同的次佳行銷時段；及 (C)根據該時段分析結果執行一對應於該目標行銷對象的輔助行銷處理，以對該目標行銷對象進行行銷，其中，該行銷輔助系統執行該輔助行銷處理的方式包含：判斷一預定日期中匹配於該最佳行銷時段之一預定時段所對應的一行銷執行數量是否大於等於一行銷上限門檻值，其中，該行銷執行數量表示已被排定至該預定日期之該預定時段的所有預定行銷程序的數量；在判斷出該行銷執行數量未大於等於該行銷上限門檻值的情況下，將一對應於該目標行銷對象的預定行銷程序排定至該預定日期中匹配於該最佳行銷時段的該預定時段，且在當前時間到達該預定日期之該預定時段之內的情況下，自動執行該預定行銷程序；在判斷出該行銷執行數量大於等於該行銷上限門檻值的情況下，將該預定行銷程序排定至該預定日期中匹配於該次佳行銷時段的另一預定時段，且在當前時間到達該預定日期之該另一預定時段之內的情況下，自動執行該預定行銷程序。
如請求項4所述的行銷輔助方法，其中，在步驟(B)中，該行銷輔助系統利用該行銷時段預測模型對該對象特徵資料進行分析的方式，是根據該對象特徵資料利用邏輯迴歸計算該目標行銷對象在每一預設候選行銷時段中對行銷行為產生回應的概率，並且，該最佳行銷時段是該目標行銷對象在所有該等預設候選行銷時段中對行銷行為產生回應的概率最高的該預設候選行銷時段。
如請求項4所述的行銷輔助方法，其中，在步驟(A)中，該行銷輔助系統是藉由對一與該目標行銷對象對應的客戶資料集合執行一前置資料處理，以獲得對應於該客戶資料集合的該對象特徵資料，其中，該客戶資料集合包含一基本資料部分及一數位行為紀錄部分，該基本資料部分指示出該目標行銷對象的個人基本資料，該數位行為紀錄部分指示出該目標行銷對象利用數位服務的紀錄。
一種基於電漿的處理系統，包括：<br/> 封閉一處理區域的一基於電漿的處理腔室，該處理腔室包括一第一部分以及一第二部分，該第一部分包括側壁和一底部，該第二部分包括由一介電材料形成的一腔室蓋；<br/> 位於該處理腔室內的一基板支撐件，其配置成將一基板保持在該處理腔室的該處理區域中；<br/> 一電感耦合電漿源，其配置為將射頻能量引導至該處理腔室；<br/> 在該處理腔室的一外側上靠近該腔室蓋的一導電結構；以及<br/> 一電源，其被配置為向該導電結構施加一負電荷，該導電結構透過該腔室蓋產生一電場，該電場向入射電子提供一排斥力。
如請求項1所述的基於電漿的處理系統，其中該電源是產生一指定電壓和週期的DC脈衝的一脈衝產生器。
如請求項2所述的基於電漿的處理系統，其中該脈衝產生器產生一負DC電壓的方波脈衝或鋸齒波脈衝。
如請求項1所述的基於電漿的處理系統，其中該基板支撐件具有由一脈衝產生器施加的一偏壓以將離子吸引到該基板，並且其中該脈衝產生器施加與由該脈衝產生器電壓施加的該偏壓相對應的一電壓。
如請求項1所述的基於電漿的處理系統，其中該電源是一脈衝產生器，其向該導電結構和該基板支撐件提供並發的DC脈衝。
如請求項1所述的基於電漿的處理系統，其中該導電結構是一蓋加熱器。
如請求項1所述的基於電漿的處理系統，其中該電源使用斜坡功率或RF功率來施加該負電荷。
如請求項1所述的基於電漿的處理系統，其中該電源向該導電結構提供恆定電壓。
一種基於電漿的處理系統，包括：<br/> 包圍一處理區域的一基於電漿的處理腔室，該處理腔室包括一第一部分以及一第二部分，該第一部分包含側壁和一底部，該第二部分包括一腔室蓋；<br/> 位於該處理腔室內的一基板支撐件，其配置成將一基板保持在該處理腔室的該處理區域中；<br/> 一電感耦合電漿源，其配置為將射頻能量引導至該處理腔室；以及<br/> 一磁場源，其被配置為向該處理腔室的一區域提供一磁場，該磁場被配置為使從該基板發射的電子偏轉遠離該腔室蓋。
如請求項9所述的基於電漿的處理系統，其中該磁場源是該基板與該處理腔室的該底部之間的一線圈，且其中該線圈以垂直於該基板的一平坦表面的一中心軸定向。
如請求項10所述的基於電漿的處理系統，其中該磁場源包括一螺線管(solenoid)。
如請求項10所述的基於電漿的處理系統，其中磁場源包括一或更多個磁鐵。
如請求項9所述的基於電漿的處理系統，其中該磁場源定位成在靠近該基板的該基於電漿的處理腔室的一側壁附近。
如請求項9所述的基於電漿的處理系統，其中該磁場源定位成鄰近於該腔室蓋附近的該基於電漿的處理腔室的一側壁。
一種減輕一電漿處理腔室的操作的期間的蓋加熱方法，包括：<br/> 點燃該電漿處理腔室內的一電漿；<br/> 在一電漿處理操作期間將偏壓施加到基板支撐件以吸引來自該電漿的離子；及<br/> 在該電漿處理操作期間向該電漿處理腔室的至少一部分施加一電場或磁場以使從該基板發射的電子偏轉遠離該電漿處理腔室的一蓋。
如請求項15所述的方法，其中施加一電場或磁場包括將一負偏壓施加至鄰近該蓋且位於該電漿處理腔室外部的一導電結構以產生一電場。
如請求項15所述的方法，其中施加一電場或磁場包括使用一螺線管產生一磁場，該螺線管定位在該基板下方並且被定向為以足夠的幅度沿半徑偏轉電子以導致電子撞擊側壁。
如請求項15所述的方法，其中施加一電場或磁場包括使用該電漿處理腔室外部的一磁場源產生一磁場。
如請求項18所述的方法，其中該磁場源被定位成鄰近於該基板附近的該電漿處理腔室的一側壁。
如請求項18所述的方法，其中該磁場源被定位成鄰近於該蓋附近的該電漿處理腔室的一側壁。
一種升降壓變換器的控制器，用於使升降壓變換器將輸入電壓轉換為輸出電壓，該控制器包括： <br/> 模式選擇電路，將代表第一功率開關關斷時間的第一關斷時間偵測信號與第一關斷時間閾值進行比較，將代表所述第一功率開關導通時間的第一導通時間偵測信號與第一導通時間閾值比較； <br/> 當所述第一關斷時間偵測信號達到第一關斷時間閾值時，該控制器使該升降壓變換器工作在降頻降壓模式；當所述第一導通時間偵測信號達到所述第一導通時間閾值時，該控制器使該升降壓變換器工作在升壓降壓模式。
如請求項1所述的升降壓變換器的控制器，當所述第一關斷時間偵測信號達到第一關斷時間閾值時，所述模式選擇電路輸出具有第一選擇狀態的導通時間延長信號；當所述第一導通時間偵測信號達到所述第一導通時間閾值時，所述模式選擇電路輸出具有第一使能狀態的升壓降壓模式使能信號。
如請求項2所述的升降壓變換器的控制器，還包括導通時間控制電路，所述導通時間控制電路的輸入端接收輸入電壓，輸出電壓以及所述導通時間延長信號，該導通時間控制電路被配置為在其輸出端產生處於第一控制狀態的導通時間控制信號以關斷所述第一功率開關並導通第二功率開關。
如請求項3所述的升降壓變換器的控制器，其中，當所述導通時間延長信號具有所述第一延長狀態時，所述導通時間控制電路被配置為延長產生所述處於所述第一控制狀態的導通時間控制信號的時間。
如請求項3所述的升降壓變換器的控制器，還包括： <br/> 第一誤差放大電路，具有第一輸入端、第二輸入端和輸出端，其中第一輸入端接收參考信號，第二輸入端接收代表輸出電壓的回饋信號，所述第一誤差放大電路基於參考信號和回饋信號產生第一誤差放大信號； <br/> 第一比較電路，具有第一輸入端、第二輸入端和輸出端，其中第一輸入端接收所述第一誤差放大信號，第二輸入端接收代表流過電感器的電流的第一電流採樣信號，第一比較電路將第二電流採樣信號與所述第一誤差放大信號進行比較，當所述第一電流採樣信號減小至小於所述第一誤差放大信號時，輸出端產生具有第一調節狀態的第一輸出調節信號以導通所述第一功率開關並關斷所述第二功率開關。
如請求項1所述的升降壓變換器的控制器，所述第一關斷時間閾值為預設的降壓模式下允許的所述第一功率開關的最小關斷時間。
如請求項6所述的升降壓變換器的控制器，當所述升降壓變換器的控制器工作在所述降頻降壓模式時，該升降壓變換器的控制器控制所述第一功率開關的關斷時間恆為所述第一功率開關的最小關斷時間，並控制所述第一功率開關的導通時間隨輸入電壓與輸出電壓之比的減小而增大。
如請求項7所述的升降壓變換器的控制器，當所述升降壓變換器的控制器工作在所述降頻降壓模式時，該升降壓變換器的控制器控制所述第一功率開關的導通時間恆大於降壓模式時該第一功率開關的導通時間。
如請求項1所述的升降壓變換器的控制器，所述第一導通時間閾值為預設的第一功率開關的最大導通時長。
如請求項9所述升降壓變換器的控制器，當該控制器使該升降壓變換器工作在升壓降壓模式時，該升降壓變換器的控制器控制所述第一功率開關的導通時間恆為所述第一功率開關的最大導通時間。
如請求項1所述的升降壓變換器的控制器，所述模式選擇電路包括第一關斷時間偵測電路和第一脈寬比較電路，所述第一關斷時間偵測電路採樣所述第一功率開關的關斷時間並產生第一關斷時間偵測信號，所述第一脈寬比較電路接收所述第一關斷時間偵測信號並與所述第一關斷時間閾值比較；所述模式選擇電路還包括第一導通時間偵測電路和第二脈寬比較電路，所述第一導通時間偵測電路採樣所述第一功率開關的導通時間並產生第一導通時間偵測信號，所述第二脈寬比較電路接收所述第一導通時間偵測信號並與所述第一導通時間閾值比較。
如請求項3所述的升降壓變換器的控制器，其中導通時間控制電路包括斜坡信號產生電路和電壓比較電路，所述斜坡信號產生電路包括第一電流源，第二電流源，第三電流源及電容；第一電流源提供第一充電電流，第二電流源提供第二充電電流，第三電流源提供第三充電電流；所述導通時間控制電路基於導通時間延長信號和降壓模式使能信號選擇上述多個電流源之一為電容充電。
如請求項12所述的升降壓變換器的控制器，其中，第一充電電流大於第二充電電流且第二充電電流大於第三充電電流。
如請求項3所述的升降壓變換器的控制器，其中導通時間控制電路包括斜坡信號產生電路，電壓比較電路，延時電路和邏輯與電路，其中， <br/> 所述斜坡信號產生電路包括電流源和電容，電流源提供充電電流為電容充電，電容兩端的電壓提供斜坡信號； <br/> 所述電壓比較電路在其輸出端提供所述斜坡信號和輸出電壓的比較結果； <br/> 所述延時電路在其輸出端提供延時信號； <br/> 所述邏輯與電路具有第一輸入端，第二輸入端和輸出端，所述第一輸入端耦接至電壓比較電路的輸出端，所述第二輸入端耦接至延時電路的輸出端，所述輸出端提供所述導通時間控制信號。
如請求項14所述的升降壓變換器的控制器，所述延時電路包括邏輯或電路，反向器和電壓比較器，其中， <br/> 所述反相器在其輸出端提供經反向的導通時間延長信號； <br/> 所述電壓比較器其輸出端提供所述回饋信號和所述參考信號的比較結果； <br/> 所述邏輯或電路具有第一輸入端，第二輸入端和輸出端，所述第一輸入端耦接至所述反相器的輸出端，所述第二輸入端耦接至所述電壓比較器的輸出端，所述輸出端提供所述延時信號。
如請求項3所述的升降壓變換器的控制器，其中導通時間控制電路包括斜坡信號產生電路和電壓比較電路，其中， <br/> 所述斜坡信號產生電路包括第四電流源、第五電流源、減法器、開關、誤差放大器和電容，電容兩端的電壓被用於提供斜坡信號； <br/> 所述電壓比較電路的輸入端分別接收所述斜坡信號和輸出電壓，並根據比較結果在輸出端提供所述導通時間控制信號。
如請求項16所述的升降壓變換器的控制器，其中， <br/> 誤差放大器的輸入端分別接收輸出電壓回饋信號和參考電壓； <br/> 所述第五電流源受控於誤差放大器輸出電壓而提供第五電流，所述第五電流隨誤差放大器輸出電壓同向變化； <br/> 所述第四電流源受控於輸入電壓而提供第四電流，所述第四電流隨輸入電壓同向變化；所述開關受控於導通時間延長信號； <br/> 所述開關關斷時，所述第四電流被用於對所述電容充電，所述開關導通時，所述第四電流與第五電流之差被用於對所述電容充電。
一種升降壓變換器的控制器，該控制器包括： <br/> 模式選擇電路，將表徵第三功率開關導通時間的第二導通時間偵測信號與第二導通時間閾值進行比較，將表徵所述第三功率開關關斷時間的第二關斷時間偵測信號與第二關斷時間閾值比較； <br/> 當所述第二導通時間偵測信號達到第二導通時間閾值時，該控制器使該升降壓變換器工作在降頻升壓模式，當所述第第二關斷時間偵測信號達到所述第第二關斷時間閾值時，該控制器使該升降壓變換器工作在升壓降壓模式。
如請求項18所述的升降壓變換器的控制器，當所述第二導通時間偵測信號達到所述第二導通時間閾值時，所述模式選擇電路輸出具有第一延長狀態的關斷時間延長信號；當所述第二關斷時間偵測信號達到所述第二關斷時間閾值時，所述模式選擇電路輸出具有第一使能狀態的升壓降壓模式使能信號。
如請求項18所述的升降壓變換器的控制器，還包括關斷時間控制電路，在其輸入端接收輸入電壓，輸出電壓以及關斷時間延長信號，該關斷時間控制電路被配置為在其輸出端產生處於第一控制狀態的關斷時間控制信號以導通所述第三功率開關並關斷第四功率開關。
如請求項20所述的升降壓變換器的控制器，其中，當所述關斷時間延長信號具有所述第一延長狀態時，所述關斷時間控制電路被配置為延長產生所述產生處於所述第一控制狀態的關斷時間控制信號的時間。
如請求項18所述的升降壓變換器的控制器，還包括： <br/> 第二誤差放大電路，具有第一輸入端、第二輸入端和輸出端，其中第一輸入端接收參考信號，第二輸入端接收代表輸出電壓的回饋信號，誤差放大電路基於參考信號和回饋信號，產生第二誤差放大信號； <br/> 第二比較電路，具有第一輸入端、第二輸入端和輸出端，其中第一輸入端接收所述第二誤差放大信號，第二輸入端接收代表流過電感器的電流的第二電流採樣信號，第二比較電路將第二電流採樣信號與所述第二誤差放大信號進行比較，當所述第二電流採樣信號增大至所述第二誤差放大信號時，輸出端產生處於第一調節狀態的的第二輸出調節信號以關斷所述第三功率開關並導通所述第四功率開關。
如請求項18所述的升降壓變換器的控制器，所述第二導通時間閾值為預設的升壓模式下允許的所述第三功率開關的最小導通時間。
如請求項23所述的升降壓變換器的控制器，當所述升降壓變換器的控制器工作在所述降頻升壓模式時，該升降壓變換器的控制器控制所述第三功率開關的導通時間恆為所述第三功率開關的最小導通時間，並控制所述第三功率開關的關斷時間隨輸入電壓與輸出電壓之比的增大而增大。
如請求項23所述的升降壓變換器的控制器，當所述升降壓變換器的控制器工作在所述降頻升壓模式時，該升降壓變換器的控制器控制所述第三功率開關的關斷時間恆大於升壓模式時該第三功率開關的關斷時間。
如請求項18所述的升降壓變換器的控制器，所述第二關斷時間閾值為預設的所述第三功率開關的最大關斷時長。
如請求項26所述升降壓變換器的控制器，當該控制器使該升降壓變換器工作在升壓降壓模式時，該升降壓變換器的控制器控制所述第三功率開關的關斷時間恆為所述第三功率開關的最大關斷時間。
如請求項18所述的升降壓變換器的控制器，所述模式選擇電路包括第二導通時間偵測電路和第三脈寬比較電路，所述第二導通時間偵測電路採樣所述第三功率開關的導通時間並產生第二導通時間偵測信號，所述第三脈寬比較電路接收所述第二導通時間偵測信號並與所述第二導通時間閾值比較；所述模式選擇電路還包括第二關斷時間偵測電路和第四脈寬比較電路，所述第二關斷時間偵測電路採樣所述第三功率開關的關斷時間並產生第二關斷時間偵測信號，所述第四脈寬比較電路接收所述第二關斷時間偵測信號並與所述第二關斷時間閾值比較。
如請求項20所述的升降壓變換器的控制器，其中關斷時間控制電路包括斜坡信號產生電路和電壓比較電路，所述斜坡信號產生電路包括第一電流源，第二電流源，第三電流源及電容；第一電流源提供第一充電電流，第二電流源提供第二充電電流，第三電流源提供第三充電電流；所述關斷時間控制電路基於關斷時間延長信號和升壓模式使能信號選擇上述多個電流源之一為電容充電。
如請求項29所述的升降壓變換器的控制器，其中，第一充電電流大於第二充電電流且第二充電電流大於第三充電電流。
如請求項20所述的升降壓變換器的控制器，其中導通時間控制電路包括斜坡信號產生電路，電壓比較電路，延時電路和邏輯與電路，其中， <br/> 所述斜坡信號產生電路包括電流源和電容，電流源提供充電電流為電容充電，電容兩端的電壓提供斜坡信號； <br/> 所述電壓比較電路在其輸出端提供所述斜坡信號和輸出電壓的比較結果； <br/> 所述延時電路在其輸出端提供延時信號； <br/> 所述邏輯與電路具有第一輸入端，第二輸入端和輸出端，所述第一輸入端耦接至電壓比較電路的輸出端，所述第二輸入端耦接至延時電路的輸出端，所述輸出端提供所述關斷時間控制信號。
如請求項31所述的升降壓變換器的控制器，所述延時電路包括邏輯或電路，反向器和電壓比較器，其中， <br/> 所述反相器在其輸出端提供經反向的關斷時間延長信號； <br/> 所述電壓比較器其輸出端提供所述回饋信號和所述參考信號的比較結果； <br/> 所述邏輯或電路具有第一輸入端，第二輸入端和輸出端，所述第一輸入端耦接至所述反相器的輸出端，所述第二輸入端耦接至所述電壓比較器的輸出端，所述輸出端提供所述延時信號。
如請求項20所述的升降壓變換器的控制器，其中關斷時間控制電路包括斜坡信號產生電路和電壓比較電路，其中， <br/> 所述斜坡信號產生電路包括第四電流源、第五電流源、減法器、開關、誤差放大器和電容，電容兩端的電壓被用於提供斜坡信號； <br/> 所述電壓比較電路的輸入端分別接收所述斜坡信號和輸出電壓，並根據比較結果在輸出端提供所述關斷時間控制信號。
如請求項33所述的升降壓變換器的控制器，其中， <br/> 誤差放大器的輸入端分別接收輸出電壓回饋信號和參考電壓； <br/> 所述第五電流源受控於誤差放大器輸出電壓而提供第五電流，所述第五電流隨誤差放大器輸出電壓反向變化； <br/> 所述第四電流源受控於輸入電壓而提供第四電流，所述第四電流隨輸入電壓同向變化； <br/> 所述開關受控於關斷時間延長信號； <br/> 所述開關關斷時，所述第四電流被用於對所述電容充電，所述開關導通時，所述第四電流與第五電流之差被用於對所述電容充電。
一種升降壓變換器的控制器，用於使升降壓變換器將輸入電壓轉換為輸出電壓，該控制器使該升降壓變換器隨輸入電壓的減小依次工作在降壓模式、降頻降壓模式、升壓降壓模式、降頻升壓模式和升壓模式；或者， <br/> 該控制器使該升降壓變換器隨輸入電壓的增大依次工作在升壓模式、降頻升壓模式、升壓降壓模式、降頻降壓模式和降壓模式； <br/> 其中，當所述升降壓變換器的控制器工作在所述降頻降壓模式時，該升降壓變換器的控制器控制第一功率開關的導通時間恆大於降壓模式時所述第一功率開關的導通時間； <br/> 當所述升降壓變換器的控制器工作在所述降頻升壓模式時，該升降壓變換器的控制器控制第三功率開關的關斷時間恆大於升壓模式時所述第三功率開關的關斷時間。
如請求項35所述的升降壓變換器的控制器，當所述升降壓變換器的控制器工作在所述降頻降壓模式時，該升降壓變換器的控制器控制所述第一功率開關的關斷時間恆為所述第一功率開關的最小關斷時間，並控制所述第一功率開關的導通時間隨輸入電壓與輸出電壓之比的減小而增大； <br/> 當所述升降壓變換器的控制器工作在所述降頻升壓模式時，該升降壓變換器的控制器控制所述第三功率開關的導通時間恆為所述第三功率開關的最小關斷時間，並控制所述第三功率開關的關斷時間隨輸入電壓與輸出電壓之比的增大而增大。
一種電源連接器，包括：<br/> 一絕緣的本體，限定穿過其的至少一個通道，所述本體包括一後部、從所述後部的一前端延伸的間隔開的第一、第二臂、以及從所述後部向外延伸的一凸緣；<br/> 一接地端子，安裝在所述本體上，所述接地端子沿所述凸緣的一前表面延伸且沿所述第一臂的一外表面延伸；<br/> 一第一電源端子，安裝在所述第一臂上且沿所述第一臂的一內表面延伸；以及<br/> 一第二電源端子，安裝在所述第二臂上且沿所述第二臂的一內表面延伸，<br/> 而且其中，一進入空間限定在所述第一、第二電源端子之間、與所述至少一個通道連續；<br/> 所述接地端子的多個能夠撓曲的腿沿所述凸緣的前表面朝豎直方向延伸；以及<br/> 所述接地端子的多個能夠撓曲的指沿所述第一臂延伸。
如請求項1所述的電源連接器，其與一面板組合，其中，<br/> 所述面板包括連結的第一、第二壁，<br/> 所述第一、第二臂和所述接地端子的多個能夠撓曲的指延伸穿過所述第一壁，<br/> 所述後部延伸穿過所述第二壁，以及<br/> 所述多個能夠撓曲的腿和所述凸緣被捕捉在所述第一、第二壁之間。
如請求項2所述的電源連接器，其中，<br/> 所述第一壁具有比所述第一、第二臂的一外輪廓大的一第一開口，以及<br/> 所述第二壁具有比所述後部的一外輪廓大的一開口。
如請求項3所述的電源連接器，其中，<br/> 在所述電源連接器和所述面板之間在一水平面內設有±3.00mm的一移動的自由度，以及<br/> 在所述電源連接器和所述面板之間在一豎直面內設有±2.00mm的一移動的自由度。
如請求項1所述的電源連接器，還包括電連結於所述第一、第二電源端子的一匯流排和一線束。
如請求項1所述的電源連接器，其中，<br/> 所述接地端子包括連結於所述凸緣的一安裝部，以及<br/> 所述多個能夠撓曲的腿和所述多個能夠撓曲的指從所述安裝部延伸。
如請求項1所述的電源連接器，其中，<br/> 所述多個能夠撓曲的腿包括豎直向上延伸的一上能夠撓曲的腿以及豎直向下延伸的一下能夠撓曲的腿。
如請求項1所述的電源連接器，其中，<br/> 所述接地端子包括一第一接地端子，以及一第二接地端子，<br/> 所述第二接地端子包括沿所述凸緣的前表面延伸的多個能夠撓曲的腿和沿所述第二臂延伸的多個能夠撓曲的指。
如請求項8所述的電源連接器，其與一面板組合，其中，<br/> 所述面板包括連結的第一、第二壁，<br/> 所述第一、第二臂和所述第一、第二接地端子的能夠撓曲的指延伸穿過所述第一壁，<br/> 所述後部延伸穿過所述第二壁，以及<br/> 所述能夠撓曲的腿和所述凸緣被捕捉在所述第一、第二壁之間。
如請求項9所述的電源連接器，其中，<br/> 所述第一壁具有比所述第一、第二臂的一外輪廓大的一第一開口，以及<br/> 所述第二壁具有比所述後部的一外輪廓大的一開口。
如請求項10所述的電源連接器，其中，<br/> 在所述電源連接器和所述面板之間在一水平面內設有±3.00mm的一移動的自由度，以及<br/> 在所述電源連接器和所述面板之間在一豎直面內設有±2.00mm的一移動的自由度。
如請求項8所述的電源連接器，其中，<br/> 各所述第一、第二接地端子包括連結於所述凸緣的一安裝部，<br/> 而且其中，在各所述第一、第二接地端子中，所述多個能夠撓曲的腿和所述多個能夠撓曲的指從所述安裝部延伸。
如請求項8所述的電源連接器，其中，<br/> 在各所述第一、第二接地端子中，所述多個能夠撓曲的腿包括豎直向上延伸的一能夠撓曲的上腿和豎直向下延伸的一能夠撓曲的下腿。
如請求項1所述的電源連接器，其中，<br/> 各所述第一、第二電源端子包括：<br/> 一安裝部；以及<br/> 多個間隔開的能夠撓曲的指，從所述安裝部縱向向前延伸，<br/> 而且其中，<br/> 所述第一電源端子的安裝部連結於所述第一臂以及所述第一電源端子的多個能夠撓曲的指沿所述第一臂延伸，以及<br/> 所述第二電源端子的安裝部連結於所述第二臂以及所述第二電源端子的多個能夠撓曲的指沿所述第二臂延伸。
如請求項14所述的電源連接器，其與一面板組合，其中，<br/> 所述面板包括連結的第一、第二壁，<br/> 所述第一、第二臂和所述第一、第二電源端子的多個能夠撓曲的指延伸穿過所述第一壁，<br/> 所述後部延伸穿過所述第二壁，以及<br/> 所述能夠撓曲的指和所述凸緣被捕捉在所述第一、第二壁之間。
如請求項15所述的電源連接器，其中，<br/> 所述第一壁具有比所述第一、第二臂的一外輪廓大的一第一開口，以及<br/> 所述第二壁具有比所述後部的一外輪廓大的一開口。
如請求項14所述的電源連接器，還包括電連結於所述第一、第二電源端子的一匯流排和一線束。
如請求項17所述的電源連接器，其中，<br/> 所述匯流排坐落在所述進入空間內並與所述第一、第二電源端子的多個能夠撓曲的指接合。
如請求項18所述的電源連接器，其中，<br/> 所述匯流排是一匯流排組件的一部件，所述匯流排組件還包括一接地墊，<br/> 而且其中，所述接地墊電連結於所述接地端子。
一種電子零件包裝用覆蓋帶，其係依序具有基材層、中間層及熱密封層者，且 <br/>上述電子零件包裝用覆蓋帶之上述熱密封層側之表面之算術平均高度Sa為0.4 μm以上4.0 μm以下， <br/>上述電子零件包裝用覆蓋帶之上述熱密封層側之表面之均方根高度Sq為0.5 μm以上5.0 μm以下， <br/>上述電子零件包裝用覆蓋帶之霧度為15%以下。
如請求項1之電子零件包裝用覆蓋帶，其中上述熱密封層含有異形粒子。
如請求項2之電子零件包裝用覆蓋帶，其中上述熱密封層含有針狀粒子。
如請求項1之電子零件包裝用覆蓋帶，其中上述中間層含有乙烯-(甲基)丙烯酸系樹脂。
一種包裝體，其具備： <br/>具有複數個供收納電子零件之收納部之載帶、 <br/>收納於上述收納部之電子零件、及 <br/>以覆蓋上述收納部之方式配置之如請求項1至4中任一項之電子零件包裝用覆蓋帶。
一種半導體裝置，包含：一基板，包含複數個子像素；一絕緣層，位於該基板上並包含延伸穿過該絕緣層之一厚度的複數個凹部，該些凹部包含該些子像素中之一第一子像素中的一第一凹部及該些子像素中之一第二子像素中的一第二凹部； 一堤岸層，位於該絕緣層上並包含複數個開口，該些開口包含與該第一凹部重疊之一第一開口及與該第二凹部重疊之一第二開口；複數個透鏡部件，位於該絕緣層與該堤岸層上方，該些透鏡部件包含與該第一凹部和該第一開口重疊之一第一透鏡部件及與該第二凹部和該第二開口重疊之一第二透鏡部件；一平面化層，位於該些透鏡部件上；以及至少一個上方堤壩，其中該平面化層的一端與該至少一個上方堤壩接觸，其中該第一凹部的面積大於該第二凹部的面積。
如請求項1所述之半導體裝置，進一步包含：一封裝層，位於該堤岸層與該些透鏡部件之間，其中該平面化層覆蓋該封裝層之一側表面的至少一部分。
如請求項2所述之半導體裝置，其中該平面化層之折射率小於該些透鏡部件之折射率。
如請求項1所述之半導體裝置，進一步包含：至少一個下方堤壩，該至少一個下方堤壩比該至少一個上方堤壩更靠近該基板，其中在該半導體裝置的一截面視角中該至少一個下方堤壩位於該至少一個上方堤壩與該堤岸層之間。
如請求項2所述之半導體裝置，進一步包含：複數個觸控感測器，與該些透鏡部件位於同一層上。
如請求項5所述之半導體裝置，進一步包含：一彩色濾光器，位於該封裝層與設置有該些觸控感測器及該些透鏡部件之同一層之間。
如請求項6所述之半導體裝置，進一步包含：複數個黑色矩陣，與該彩色濾光器位於同一層上，該些黑色矩陣與該些透鏡部件不重疊。
如請求項7所述之半導體裝置，進一步包含：複數個連接圖案，與該彩色濾光器及該些黑色矩陣位於同一層上，該些連接圖案電性連接於該些觸控感測器之至少一個。
一種半導體裝置，包含：一基板；一絕緣層，位於該基板上並包含延伸穿過該絕緣層之一厚度且位於複數個子像素中之複數個凹部，該些凹部各包含一平坦部分及從該平坦部分延伸並環繞該平坦部分之一傾斜部分；一堤岸層，位於該絕緣層上且包含複數個開口區域，該些開口區域各位於該些子像素中之一相應子像素內，該些開口區域包含一第一開口區域及一第二開口區域，該第一開口區域位於被該些凹部中之一第一凹部圍繞之該些子像素中之一第一子像素中，該第二開口區域位於被該些凹部中之一第二凹部圍繞之該些子像素中之一第二子像素中；複數個透鏡部件，位於該堤岸層與該絕緣層上方，該些透鏡部件包含與該第一凹部和該第一開口區域重疊之一第一透鏡部件及與該第二凹部和該第二開口區域重疊之一第二透鏡部件；一平面化層，位於該些透鏡部件上；以及至少一個上方堤壩，其中該平面化層的一端與該至少一個上方堤壩接觸，其中該第一開口區域較該第二開口區域為寬。
如請求項9所述之半導體裝置，其中在由一第一方向與垂直於該第一方向的一第二方向定義的該半導體裝置之一平面視角中，通過該第一子像素中之該第一開口區域之中心點且平行於該第二方向之一第一假想直線與該第一子像素中之該第一開口區域之多個邊界相接之一第一點對間之一第一距離較通過該第一子像素中之該第一開口區域之該中心點且平行於該第一方向之一第二假想直線與該第一子像素中之該第一開口區域之多個邊界相接之一第二點對間之一第二距離為長，並且該第一子像素中之該第一凹部圍繞該第一點對，在該第一點對處，通過該第一子像素中之該第一開口區域的該中心點並平行於該第二方向之該第一假想直線與該第一子像素中之該第一開口區域的該些邊界相接。
如請求項9所述之半導體裝置，其中在由一第一方向與垂直於該第一方向的一第二方向定義的該半導體裝置之一平面視角圖中，通過該第二子像素中之該第二開口區域之中心點且平行於該第一方向之一第一假想直線與該第二子像素中之該第二開口區域之多個邊界相接之一第一點對間之一第一距離與通過該第二子像素中之該第二開口區域之該中心點且平行於該第二方向之一第二假想直線與該第二子像素中之該第二開口區域之多個邊界相接之一第二點對間之一第二距離相同。
如請求項9所述之半導體裝置，進一步包含：複數個觸控感測器，在該半導體裝置之一平面視角中，該些觸控感測器與該些透鏡部件不重疊。
如請求項12所述之半導體裝置，進一步包含：複數個黑色矩陣，與該些觸控感測器重疊。
如請求項13所述之半導體裝置，進一步包含：複數個連接圖案，電性連接至該些觸控感測器中之至少一者。
如請求項9所述之半導體裝置，其中該第一透鏡部件之寬度較該第一子像素中該第一開口區域之寬度為寬，並且較該第一子像素中該第一凹部之寬度為寬。
如請求項9所述之半導體裝置，其中該第一透鏡部件之寬度小於該第一子像素中該第一開口區域之寬度，並且小於該第一子像素中該第一凹部之寬度。
一種顯示裝置，包含：一基板；複數個電晶體，位於該基板上，該些電晶體包含一第一電晶體；一第一絕緣層，位於該些電晶體上，該第一絕緣層包含延伸穿過該第一絕緣層之厚度的一第一凹部；一第一發光元件，位於該第一凹部中，該第一發光元件連接到該第一電晶體並包含位於該第一凹部中的一第一電極層、位於該第一凹部中的該第一電極層上之一第一發光層，以及位於該第一凹部中的該第一發光層上之一第二電極層的一第一部分；一堤岸層，位於該第一絕緣層上，該堤岸層包含延伸進該第一凹部的一第一開口；複數個透鏡部件，位於該第一絕緣層上方，該些透鏡部件包含與該第一凹部和該第一開口重疊之一第一透鏡部件；一平面化層，位於該些透鏡部件上；以及至少一個上方堤壩，其中該平面化層的一端與該至少一個上方堤壩接觸。
如請求項17所述之顯示裝置，進一步包含：一第二絕緣層，位於該第一絕緣層與該些電晶體之間，其中該第一凹部包含一第一平坦部分，該第一平坦部分對應於透過該第一凹部與從該第一平坦部分延伸之該第一絕緣層的多個第一傾斜側表面曝露出來的該第二絕緣層之一上表面的一第一部分，該些第一傾斜側表面環繞第一平坦部分。
如請求項17所述之顯示裝置，其中該些電晶體進一步包含一第二電晶體，該第一絕緣層進一步包含延伸穿過該第一絕緣層之該厚度的一第二凹部，該堤岸層進一步包含延伸進該第二凹部內之一第二開口，並且該些透鏡部件進一步包含與該第二凹部及該第二開口重疊之一第二透鏡部件，其中，該顯示裝置進一步包含：一第二發光元件，位於該第二凹部中，該第二發光元件連接至該第二電晶體並包含位於該第二凹部中之一第二電極層、位於該第二凹部中之該第二電極層上的一第二發光層，以及位於該第二凹部中之該第二發光層上的該第二電極層之一第二部分。
如請求項19所述之顯示裝置，其中該第一凹部的面積大於該第二凹部的面積。
如請求項19所述之顯示裝置，其中該第一開口的寬度小於該第二開口的寬度。
如請求項17所述之顯示裝置，進一步包含：一彩色濾光器，位於該第一透鏡部件與該第一發光元件之間。
如請求項22所述之顯示裝置，進一步包含：複數個觸控感測器，與該些透鏡部件位於同一層上；以及複數個黑色矩陣，與該彩色濾光器位於同一層上，其中該些黑色矩陣與該些觸控感測器重疊，而不與該些透鏡部件重疊。
如請求項17所述之顯示裝置，其中該第一發光層之一端位於該堤岸層與該第一電極層之間。
如請求項17所述之顯示裝置，其中該第一透鏡部件之寬度較該第一開口之寬度為寬且較該第一凹部之寬度為寬。
如請求項17所述之顯示裝置，其中該第一透鏡部件之寬度較該第一開口之寬度為窄且較該第一凹部之寬度為窄。
一種輸入/輸出連接器，包括：<br/> 一基座；<br/> 多個端子，設於所述基座中，其中，所述多個端子形成彼此相對的一第一排的端子和一第二排的端子，所述第一排的端子和所述第二排的端子配置成接合一板卡的相反側的多個導電墊；<br/> 一第一柔性遮罩件，位於所述第一排的端子的上方；以及<br/> 一第二柔性遮罩件，位於所述第二排的端子的下方，<br/> 其中，所述第一柔性遮罩件和所述第二柔性遮罩件各自包括：一細長的本體，具有界定一第一細長的遮罩邊緣和一第二細長的遮罩邊緣的多個缺口區域；多個連接部，其設在所述第一細長的遮罩邊緣和所述第二細長的遮罩邊緣之間；以及多個彈片，其從所述第一細長的遮罩邊緣和所述第二細長的遮罩邊緣中的至少一個突伸出，所述多個連接部的一部分包括用於界定一通道的片體，其中，所述多個端子中一個相應的端子位於所述多個連接部的一第二子集的一個通道中。
根據請求項1所述的輸入/輸出連接器，其中，所述多個連接部的一第一子集相對所述細長的本體的一平坦表面抬高，而所述多個連接部的一第二子集相對所述細長的本體的平坦表面降低。
根據請求項1所述的輸入/輸出連接器，其中，<br/> 位於所述第一排的端子的上方的所述第一柔性遮罩件的片體被捲曲以形成一朝向下方的通道；以及<br/> 位於所述第二排的端子的下方的所述第二柔性遮罩件的片體被捲曲以形成一朝向上方的通道。
根據請求項1至3中任一項所述的輸入/輸出連接器，其中，所述第一柔性遮罩件的彈片的數量是所述第一排的端子中的接地端子的數量的兩倍，而所述第二柔性遮罩件的彈片的數量是所述第二排的端子中的接地端子的數量的兩倍。
根據請求項4所述的輸入/輸出連接器，其中，所述多個彈片從所述第一細長的遮罩邊緣和所述第二細長的遮罩邊緣突伸出。
根據請求項5所述的輸入/輸出連接器，其中：<br/> 從所述第一細長的遮罩邊緣突伸出的一個彈片在一第一端接觸所述多個端子中的一相應的端子的一頂表面；以及<br/> 從所述第二細長的遮罩邊緣突伸出的一個彈片在與所述第一端相反的一第二端接觸所述多個端子中的所述相應的端子的頂表面。
根據請求項6所述的輸入/輸出連接器，其中，所述通道在尺寸上和位置上設為容納所述多個端子中的單個端子。
根據請求項7所述的輸入/輸出連接器，其中，位於所述通道中的一個相應的所述端子為一接地端子。
一種輸入/輸出連接器，包括：<br/> 多個端子；以及<br/> 一柔性遮罩件，包括：一細長的本體，具有界定一第一細長的遮罩邊緣和一第二細長的遮罩邊緣的多個缺口區域；多個連接部，設在所述第一細長的遮罩邊緣和所述第二細長的遮罩邊緣之間；以及多個彈片，從所述第一細長的遮罩邊緣和所述第二細長的遮罩邊緣中的至少一個突伸出，<br/> 其中，所述多個連接部的一第一子集相對所述細長的本體的一平坦表面抬高，而所述多個連接部的一第二子集相對所述細長的本體的平坦表面降低，<br/> 而且其中，所述多個連接部的一部分包括界定與所述細長的本體的平坦表面偏離的一通道的片體，其中，所述多個端子中的一相應的端子位於所述第二子集中的一個連接部的所述通道中。
根據請求項9所述的輸入/輸出連接器，其中，<br/> 所述連接器包括用於差分信號傳遞的多個端子，所述多個端子的至少一部分為接地端子；以及<br/> 所述柔性遮罩件的彈片的數量是所述多個端子中的接地端子的數量的兩倍。
根據請求項9或10所述的輸入/輸出連接器，其中，所述多個彈片從所述第一細長的遮罩邊緣和所述第二細長的遮罩邊緣突伸出。
根據請求項11所述的輸入/輸出連接器，其中：<br/> 從所述第一細長的遮罩邊緣突伸出的一個彈片在一第一端接觸所述多個接地端子中的一個相應的端子的一頂表面；以及<br/> 從所述第二細長的遮罩邊緣突伸出的一個彈片在與所述第一端相反的一第二端接觸所述多個接地端子中的所述相應的端子的頂表面。
根據請求項12所述的輸入/輸出連接器，其中，所述通道在尺寸上和位置上設為容納所述多個端子中的單個端子。
根據請求項13所述的輸入/輸出連接器，其中，所述柔性遮罩件為一第一柔性遮罩件，而且所述輸入/輸出連接器還包括一第二柔性遮罩件。
根據請求項14所述的輸入/輸出連接器，其中，所述第一柔性遮罩件位於所述多個端子的一第一排的上方，而所述第二柔性遮罩件位於所述多個端子的一第二排的下方。
根據請求項15所述的輸入/輸出連接器，其中，<br/> 位於所述多個端子的第一排的上方的所述第一柔性遮罩件的片體被捲曲以形成一朝向下方的通道；以及<br/> 位於所述多個端子的第二排的下方的所述第二柔性遮罩件的片體被捲曲以形成一朝向上方的通道。
一種輸入/輸出連接器，包括：<br/> 多個端子；<br/> 一第一柔性遮罩件；以及<br/> 一第二柔性遮罩件，<br/> 其中，所述第一柔性遮罩件和所述第二柔性遮罩件中的每一個柔性遮罩件包括：一細長的本體，具有界定一第一細長的遮罩邊緣和一第二細長的遮罩邊緣的多個缺口區域；多個連接部，設在所述第一細長的遮罩邊緣和所述第二細長的遮罩邊緣之間；以及多個彈片，從所述第一細長的遮罩邊緣和所述第二細長的遮罩邊緣中的至少一個突伸出，<br/> 其中，所述多個連接部的一第一子集相對於所述細長的本體的一平坦表面抬高，而所述多個連接部的一第二子集相對於所述細長的本體的平坦表面降低，<br/> 而且其中，所述多個連接部的一部分包括界定與所述細長的本體的平坦表面偏離的一通道的片體，其中，所述多個端子中的一個相應的端子位於所述通道中。
根據請求項17所述的輸入/輸出連接器，其中，所述第一柔性遮罩件位於所述多個端子的一第一排的上方，而所述第二柔性遮罩件位於所述多個端子的一第二排的下方。
根據請求項18所述的輸入/輸出連接器，其中，<br/> 位於所述多個端子的第一排的上方的所述第一柔性遮罩件的片體被捲曲以形成一朝向下方的通道；以及<br/> 位於所述多個端子的第二排的下方的所述第二柔性遮罩件的片體被捲曲以形成一朝向上方的通道。
一種成膜裝置，其特徵在於具有： <br/>腔室，由頂面、底表面及側面包圍來形成，能夠使內部為真空； <br/>工作台，設置於所述腔室內，對工件進行支撐； <br/>成膜部，具有對導入至所述腔室內的氣體進行電漿化的電漿產生器，在由所述工作台支撐的所述工件上成膜； <br/>防附著板，配置成包圍利用所述成膜部對所述工件進行成膜的處理空間，且沿著述腔室的所述側面設置，防止成膜材料向所述腔室內附著； <br/>冷卻塊，設置於所述腔室內，具有與所述防附著板直接接觸的接觸面，使所述接觸面接觸而對所述防附著板進行冷卻；以及 <br/>流路，設置於所述冷卻塊，供冷卻介質流通， <br/>所述防附著板具有: <br/>擴張部，在與所述腔室的所述頂面的內壁之間，擴張使成膜材料不易洩漏的結構的空間;及 <br/>導熱部，在與所述工作台的表面之間，擴張使成膜材料不易洩漏的結構的空間。
如請求項1所述的成膜裝置，其中 <br/>所述工作台是對多個所述工件進行保持，且以圓周的軌跡對所述工件進行循環搬送的旋轉台， <br/>所述成膜部利用所述電漿產生器對導入至包含所述成膜材料的靶與所述旋轉台之間的濺鍍氣體進行電漿化，藉由濺鍍使所述成膜材料的粒子堆積於由所述旋轉台進行的循環搬送中的所述工件來進行成膜。
如請求項1或請求項2所述的成膜裝置，其中在所述腔室內設置有對所述工件進行加熱的加熱部。
如請求項2所述的成膜裝置，其中在所述旋轉台中，在保持各個所述工件的多個保持區域中配置有加熱部。
如請求項1所述的成膜裝置，其中所述冷卻塊是沿著所述工作台的外周與所述腔室的側面的內壁之間設置。
如請求項1或請求項2所述的成膜裝置，其中所述接觸面與所述防附著板的底部接觸，對所述防附著板進行支撐。
如請求項1所述的成膜裝置，其中 <br/>在所述防附著板的底部設置有在與所述工作台的平面平行的方向上擴張了面積的導熱部， <br/>所述接觸面與所述導熱部接觸。
如請求項1所述的成膜裝置，其中所述冷卻塊的所述流路氣密地連接於配置於所述腔室外並對所述冷卻介質進行冷卻的冷卻裝置，以能夠維持所述腔室內的真空。
如請求項1所述的成膜裝置，設置有多個所述冷卻塊，多個所述冷卻塊的所述流路經由設置在所述腔室外的配管，以所述冷卻介質能夠流通的方式相互連接。
如請求項2所述的成膜裝置，具有表面處理部，所述表面處理部對由所述旋轉台進行的循環搬送中的所述工件及形成於所述工件上的膜的至少一個表面進行處理。
如請求項2所述的成膜裝置， <br/>具有膜處理部，所述膜處理部對利用所述成膜部堆積於由所述旋轉台進行的循環搬送中的所述工件而成的膜進行處理， <br/>所述成膜部包含使含有氮化鎵的所述成膜材料的粒子堆積的氮化鎵成膜部， <br/>所述膜處理部包含氮化處理部，所述氮化處理部使在所述氮化鎵成膜部中堆積的所述成膜材料的粒子氮化。
一種附接著被膜之電磁鋼板，具有： <br/>電磁鋼板；及 <br/>接著被膜，其設於前述電磁鋼板之單面或兩面之至少一部分上； <br/>前述接著被膜包含(甲基)丙烯酸系樹脂粒子A及水溶性(甲基)丙烯酸系樹脂B，該(甲基)丙烯酸系樹脂粒子A包含源自具有自交聯性基之單體的結構單元；且 <br/>前述接著被膜之凝膠分率為大於20質量%且70質量%以下。
如請求項1之附接著被膜之電磁鋼板，其中前述水溶性(甲基)丙烯酸系樹脂B係包含源自具有自交聯性基之單體的結構單元之(甲基)丙烯酸系樹脂。
如請求項1之附接著被膜之電磁鋼板，其中前述(甲基)丙烯酸系樹脂粒子A之含有質量相對於前述水溶性(甲基)丙烯酸系樹脂B之含有質量的比為95/5~85/15。
如請求項1之附接著被膜之電磁鋼板，其中前述自交聯性基為N-羥甲基、N-羥丁基、環氧丙基及烷氧基甲基醯胺基中之1種以上。
一種積層鐵芯，係積層有複數個如請求項1至請求項4中任一項之附接著被膜之電磁鋼板，且前述電磁鋼板透過前述接著被膜之硬化膜而彼此接著。
如請求項5之積層鐵芯，其中前述接著被膜係包含前述(甲基)丙烯酸系樹脂粒子A及前述水溶性(甲基)丙烯酸系樹脂B的接著被膜，該(甲基)丙烯酸系樹脂粒子A包含源自具有(甲基)丙烯醯胺基之單體的結構單元，且該具有(甲基)丙烯醯胺基之單體係作為前述具有自交聯性基之單體，該水溶性(甲基)丙烯酸系樹脂B包含源自具有羥基之單體的結構單元；並且，前述接著被膜之硬化膜的凝膠分率為70質量%以上。
一種附接著被膜之電磁鋼板之製造方法，係如請求項1之附接著被膜之電磁鋼板之製造方法； <br/>該附接著被膜之電磁鋼板之製造方法具有以下步驟： <br/>塗敷步驟，係於電磁鋼板之單面或兩面之至少一部分塗敷包含(甲基)丙烯酸系樹脂粒子A及水溶性(甲基)丙烯酸系樹脂B之接著被膜形成用塗敷液，而獲得塗裝鋼板，該(甲基)丙烯酸系樹脂粒子A包含源自具有自交聯性基之單體的結構單元；及 <br/>被膜形成步驟，係以6.0℃/秒以下之加熱速度將前述塗裝鋼板加熱至100~200℃之乾燥溫度，並在前述乾燥溫度至前述乾燥溫度-10℃之溫度區中維持10~60秒，藉此使其乾燥而於電磁鋼板表面形成接著被膜。
如請求項7之附接著被膜之電磁鋼板之製造方法，其中前述接著被膜形成用塗敷液中，前述(甲基)丙烯酸系樹脂粒子A之含有質量相對於前述水溶性(甲基)丙烯酸系樹脂B之含有質量的比為95/5~85/15。
一種積層鐵芯之製造方法，係如請求項5之積層鐵芯之製造方法； <br/>該積層鐵芯之製造方法具有以下步驟： <br/>衝裁步驟，係衝裁前述附接著被膜之電磁鋼板而獲得衝裁構件； <br/>積層步驟，係積層複數片前述衝裁構件而獲得積層體；及 <br/>接著步驟，係將前述積層體加熱至200~300℃之溫度區的加壓溫度，並在前述加壓溫度至前述加壓溫度-10℃之範圍內施加0.5~10MPa之加壓力且維持此狀態30~60分鐘，藉此使前述接著被膜硬化而形成前述硬化膜。
一種半導體裝置的製造方法，包括：<br/> 在一基板的一主動區中形成一第一溝槽，並在該基板的一隔離區中形成一第二溝槽，其中該第二溝槽的一第二深度深於該第一溝槽的一第一深度；<br/> 在該第一溝槽與該第二溝槽中形成一底部導電層；<br/> 在該底部導電層上形成一頂部導電層；<br/> 在該第一溝槽內與該基板的一頂表面上形成一光阻層，其中該光阻層暴露出該第二溝槽內的該頂部導電層；<br/> 移除該第二溝槽中的該頂部導電層，其中，在該第一溝槽內，一第一字元線結構的一頂表面為該頂部導電層的一頂表面，在該第二溝槽內，一第二字元線結構的一頂表面為該底部導電層的一頂表面；及<br/> 形成一頂蓋層以填滿該第一溝槽與該第二溝槽。
如請求項1所述之方法，進一步包括：<br/> 在形成該底部導電層之前，在該第一溝槽的一第一側壁上形成一阻擋層。
如請求項2所述之方法，進一步包括：<br/> 在形成該阻擋層之後，在該第一溝槽的該阻擋層與該第二溝槽的一第二側壁上形成一氧化層。
如請求項3所述之方法，進一步包括：<br/> 在形成該頂部導電層之前，<br/> 清洗位於該第一溝槽的該第一側壁上與位於該第二溝槽的該第二側壁上的該氧化層的一部分；及<br/> 在該底部導電層、該第一溝槽的該第一側壁及該第二溝槽的該第二側壁上形成一底部介電質層。
如請求項3所述之方法，進一步包括：<br/> 在形成該頂蓋層之前，在該頂部導電層、該第一溝槽的該第一側壁及該第二溝槽的該第二側壁上形成一頂部介電質層。
如請求項1所述之方法，其中該光阻層由一間距加倍製程形成。
如請求項1所述之方法，進一步包括：<br/> 在形成該第一溝槽與該第二溝槽之前，在該基板上形成一覆蓋層。
如請求項1所述之方法，進一步包括：<br/> 在形成該頂蓋層之前，剝除該光阻層以暴露出該第一溝槽中的該頂部導電層。
一種半導體裝置，包括：<br/> 一基板，具有一主動區與一隔離區；<br/> 一第一字元線結構，設置於該主動區中，其中該第一字元線結構由下到上依序包括一底部導電層、一底部介電層與一頂部導電層；<br/> 一第二字元線結構，設置於該隔離區中，其中該第二字元線結構包括一底部導電層；及<br/> 一頂蓋層，設置在該第一字元線結構、該第二字元線結構與該基板上；<br/> 其中該第一字元線結構的一底表面高於該第二字元線結構的一底表面；及<br/> 其中該第一字元線結構的一頂表面高於該第二字元線結構的一頂表面，並且，該第一字元線結構的該頂表面為該第一字元線結構的該頂部導電層的一頂表面，該第二字元線結構的該頂表面為該第二字元線結構的該底部導電層的一頂表面。
如請求項9所述之半導體裝置，其中該第一字元線結構的該底部導電層的一頂表面與該第二字元線結構的該底部導電層的該頂表面位於同一水平面。
如請求項9所述之半導體裝置，進一步包括：<br/> 一頂部介電質層，分別位於該第一字元線結構的該頂部導電層與該頂蓋層之間以及該第二字元線結構的該底部導電層與該頂蓋層之間。
如請求項9所述之半導體裝置，進一步包括：<br/> 一氧化層，分別位於該第一字元線結構的該底部導電層與該基板之間以及該第二字元線結構的該底部導電層與該基板之間。
如請求項12所述之半導體裝置，進一步包括：<br/> 一阻擋層，位於該第一字元線結構的該底部導電層與該氧化層之間。
一種增加原核生物宿主細胞產生重組蛋白的方法，其包含： <br/>進行分批饋料重組蛋白醱酵，其包括以下步驟： <br/>對經工程改造以可誘導地表現重組蛋白之原核生物宿主細胞的培養物實施接種(時間S<sub>0</sub>)，且將該培養物轉移至一或多個各含有培養基之醱酵槽中； <br/>量測該一或多個醱酵槽中之溶解氧(DO)含量、攪拌速率及pH； <br/>每當符合條件(i)及/或(ii)時，分別向該一或多個醱酵槽中之任一者供應碳源饋料溶液： <br/>(i) 該DO含量超過約35%至45%，且該攪拌速率超過約300至1000 rpm； <br/>(ii) 該攪拌速率超過約400至700 rpm，且該pH超過約7.0至7.4；及 <br/>在約誘導開始時的時間(I<sub>0</sub>)或約初始誘導後一小時(I<sub>1</sub>)或兩者時，分別向已開始誘導該重組蛋白表現的該一或多個醱酵槽中之任一者供應氮源； <br/>視情況，在選自約初始接種後5小時(S<sub>5</sub>)、約初始接種後6小時(S<sub>6</sub>)、約初始接種後7小時S<sub>7</sub>)、約初始接種後8小時(S<sub>8</sub>)、約初始接種後9小時(S<sub>95</sub>)及約初始接種10小時(S<sub>10</sub>)之一或多個時間點，分別向該一或多個醱酵槽中之任一者供應氮源。
如請求項1之方法，其中(i)該DO含量超過約35%至40%，且該攪拌速率超過約300至700 rpm，視情況為約300至500 rpm。
如請求項1之方法，其中(i)該DO含量超過約35%至40%，且該攪拌速率超過約300至500 rpm，視情況為約300至400 rpm、350至450 rpm，或350至500 rpm。
如請求項1之方法，其中(i)該DO含量超過約35%，且該攪拌速率超過約300至500 rpm；視情況，該攪拌速率超過約300至400 rpm、約400至500 rpm、約350至400 rpm、約400至450 rpm、約450至500 rpm、約300 rpm、約350 rpm、約400 rpm、約450 rpm或約500 rpm。
如請求項1之方法，其中(i)該DO含量超過約37%，且該攪拌速率超過約300至500 rpm；視情況，該攪拌速率超過約300至400 rpm、約400至500 rpm、約350至400 rpm、約400至450 rpm、約450至500 rpm、約300 rpm、約350 rpm、約400 rpm、約450 rpm或約500 rpm。
如請求項1之方法，其中(i)該DO含量超過約40%，且該攪拌速率超過約300至500 rpm；視情況，該攪拌速率超過約300至400 rpm、約400至500 rpm、約350至400 rpm、約400至450 rpm、約450至500 rpm、約300 rpm、約350 rpm、約400 rpm、約450 rpm或約500 rpm。
如請求項1之方法，其中(ii)該攪拌速率超過約500至600 rpm，且該pH超過約7.0至7.4；視情況，該攪拌速率超過約500 rpm、550 rpm或600 rpm。
如請求項1之方法，其中(ii)該攪拌速率超過約500至600 rpm，且該pH超過約7.0至7.2；視情況，該攪拌速率超過約500 rpm、550 rpm或600 rpm。
如請求項1之方法，其中(ii)該攪拌速率超過約500至600 rpm，且該pH超過約7.0；視情況，該攪拌速率超過約500 rpm、550 rpm或600 rpm。
如請求項1之方法，其中(ii)該攪拌速率超過約500至600 rpm，且該pH超過約7.2；視情況，該攪拌速率超過約500 rpm、550 rpm或600 rpm。
如請求項1之方法，其中(ii)該攪拌速率超過約500至600 rpm，且該pH超過約7.4；視情況，該攪拌速率超過約500 rpm、550 rpm或600 rpm。
如請求項2至6中任一項之方法，其中(ii)該攪拌速率超過約500至600 rpm，且該pH超過約7.0至7.4；視情況，該攪拌速率超過約500 rpm、550 rpm或600 rpm。
如請求項2至6中任一項之方法，其中(ii)該攪拌速率超過約500至600 rpm，且該pH超過約7.0至7.2；視情況，該攪拌速率超過約500 rpm、550 rpm或600 rpm。
如請求項2至6中任一項之方法，其中(ii)該攪拌速率超過約500至600 rpm，且該pH超過約7.0；視情況，該攪拌速率超過約500 rpm、550 rpm或600 rpm。
如請求項2至6中任一項之方法，其中(ii)該攪拌速率超過約500至600 rpm，且該pH超過約7.2；視情況，該攪拌速率超過約500 rpm、550 rpm或600 rpm。
如請求項2至6中任一項之方法，其中(ii)該攪拌速率超過約500至600 rpm，且該pH超過約7.4；視情況，該攪拌速率超過約500 rpm、550 rpm或600 rpm。
如請求項1至11中任一項之方法，其中每當符合條件(i)或(ii)時，供應碳源饋料溶液。
如請求項1至11中任一項之方法，其中每當符合條件(i)及(ii)兩者時，供應碳源饋料溶液。
如請求項1之方法，其中在約I<sub>0</sub>時及選自約S<sub>5</sub>、S<sub>6</sub>、S<sub>7</sub>、S<sub>8</sub>、S<sub>9</sub>及S<sub>10</sub>之一或多個時間點；視情況在約I<sub>0</sub>時及選自約S<sub>5</sub>、S<sub>6</sub>、S<sub>7</sub>及S<sub>8</sub>之一或多個時間點分別供應該氮源。
如請求項1之方法，其中在約I<sub>0</sub>時及選自約S<sub>5</sub>、S<sub>6</sub>、S<sub>7</sub>、S<sub>8</sub>、S<sub>9</sub>及S<sub>10</sub>之一至三個時間點；視情況在約I<sub>0</sub>時及選自約S<sub>5</sub>、S<sub>6</sub>、S<sub>7</sub>及S<sub>8</sub>之一或兩個時間點；視情況在約I<sub>0</sub>時及選自約S<sub>5</sub>、S<sub>6</sub>、S<sub>7</sub>及S<sub>8</sub>之一個時間點分別供應該氮源。
如請求項1之方法，其中在約I<sub>1</sub>時及選自約S<sub>5</sub>、S<sub>6</sub>、S<sub>7</sub>、S<sub>8</sub>、S<sub>9</sub>及S<sub>10</sub>之一或多個時間點；視情況在約I<sub>1</sub>時及選自約S<sub>5</sub>、S<sub>6</sub>、S<sub>7</sub>及S<sub>8</sub>之一或多個時間點分別供應該氮源。
如請求項1之方法，其中在約I<sub>1</sub>時及選自約S<sub>5</sub>、S<sub>6</sub>、S<sub>7</sub>、S<sub>8</sub>、S<sub>9</sub>及S<sub>10</sub>之一至三個時間點；視情況在約I<sub>1</sub>時及選自約S<sub>5</sub>、S<sub>6</sub>、S<sub>7</sub>及S<sub>8</sub>之一或兩個時間點；視情況在約I<sub>1</sub>時及選自約S<sub>5</sub>、S<sub>6</sub>、S<sub>7</sub>及S<sub>8</sub>之一個時間點分別供應該氮源。
如請求項1之方法，其中在約I<sub>0</sub>及約I<sub>1</sub>時及選自約S<sub>5</sub>、S<sub>6</sub>、S<sub>7</sub>、S<sub>8</sub>、S<sub>9</sub>及S<sub>10</sub>之一或多個時間點；視情況在約I<sub>0</sub>及約I<sub>1</sub>時及選自約S<sub>5</sub>、S<sub>6</sub>、S<sub>7</sub>及S<sub>8</sub>之一或多個時間點分別供應該氮源。
如請求項1之方法，其中在約I<sub>0</sub>及約I<sub>1</sub>時及選自約S<sub>5</sub>、S<sub>6</sub>、S<sub>7</sub>、S<sub>8</sub>、S<sub>9</sub>及S<sub>10</sub>之一至三個時間點；視情況在約I<sub>0</sub>及約I<sub>1</sub>時及選自約S<sub>5</sub>、S<sub>6</sub>、S<sub>7</sub>及S<sub>8</sub>之一或兩個時間點；視情況在約I<sub>0</sub>及約I<sub>1</sub>時及選自約S<sub>5</sub>、S<sub>6</sub>、S<sub>7</sub>及S<sub>8</sub>之一個時間點分別供應該氮源。
如請求項1至11或19至24中任一項之方法，其中在該分批饋料重組蛋白醱酵期間，向至少一個醱酵槽供應至少一次碳源饋料溶液；視情況，其中在該分批饋料重組蛋白醱酵期間，向至少一個醱酵槽分兩次或更多次供應碳源饋料溶液；視情況，該碳源饋料溶液為葡萄糖饋料溶液、果糖饋料溶液、半乳糖饋料溶液、丙酮酸饋料溶液，或其任何組合。
如請求項25之方法，其中該碳源饋料溶液為葡萄糖饋料溶液。
如請求項26之方法，其中在該分批饋料重組蛋白醱酵結束時，向至少一個醱酵槽供應累計總共約800至1500 g葡萄糖，每個醱酵槽之醱酵槽容量為約5 L。
如請求項26之方法，其中在該分批饋料重組蛋白醱酵結束時，向至少一個醱酵槽供應累計總共約6000至9000 g葡萄糖，該至少一個醱酵槽之容量為約40 L。
如請求項26之方法，其中分別向該一或多個醱酵槽供應的該葡萄糖饋料溶液包括D-(+)-葡萄糖；視情況，其中分別向該一或多個醱酵槽供應的該葡萄糖饋料溶液含有約600至900 g/L D-(+)-無水葡萄糖。
如請求項29之方法，其中分別向該一或多個醱酵槽供應的該葡萄糖饋料溶液進一步含有H<sub>3</sub>BO<sub>3</sub>、CaCl<sub>2</sub>.2H<sub>2</sub>O、CuSO<sub>4</sub>.5H<sub>2</sub>O、MnSO<sub>4</sub>.H<sub>2</sub>O、(NH<sub>4</sub>)<sub>6</sub>MO<sub>7</sub>O<sub>24</sub>.4H<sub>2</sub>O、EDTA、FeSO<sub>4</sub>.7H<sub>2</sub>O、ZnSO<sub>4</sub>.7H<sub>2</sub>O、12N (37%) HCl及/或MgSO<sub>4</sub>.7H<sub>2</sub>O；視情況含有約20至600 g/L MgSO4.7H<sub>2</sub>O。
如請求項1之方法，其中分別向該一或多個醱酵槽供應的該氮源包含視情況呈K<sub>2</sub>HPO<sub>4</sub>及/或KH<sub>2</sub>PO<sub>4</sub>形式之鉀；或其中在供應該氮源的約同一時間，分別向該一或多個醱酵槽供應視情況呈K<sub>2</sub>HPO<sub>4</sub>及/或KH<sub>2</sub>PO<sub>4</sub>形式之鉀。
如請求項31之方法，其中該氮源含有約1.0 M至3.0 M鉀，或其中分別在該一或多個醱酵槽中供應鉀以達到約35至40 mM之最終鉀濃度。
如請求項1之方法，其中分別向該一或多個醱酵槽供應的該氮源包含酵母萃、蛋白腖、大豆蛋白腖、尿素、胰腖或其任何組合；視情況，該氮源為酵母萃溶液。
如請求項33之方法，其中分別向該一或多個醱酵槽供應的該酵母萃溶液之濃度為約100至600 g/L、200至300 g/L、300至400 g/L、400至500 g/L、500至600 g/L、150至200 g/L、200至250 g/L、250至300 g/L、300至350 g/L、350至400 g/L、400至450 g/L、450至500 g/L、100 g/L、150 g/L、200 g/L、250 g/L、300 g/L、350 g/L、400 g/L、428 g/L、450 g/L、500 g/L或600 g/L。
如請求項34之方法，其中每次分別向該一或多個醱酵槽供應約40至150 mL酵母萃溶液；視情況，每次分別向該一或多個醱酵槽供應約300至1500 mL該酵母萃溶液。
如請求項35之方法，其中若在選自約S<sub>5</sub>、S<sub>6</sub>、S<sub>7</sub>、S<sub>8</sub>、S<sub>9</sub>及S<sub>10</sub>之任何時間點供應，則分別向該一或多個醱酵槽供應約45至60 mL該酵母萃溶液；其中若在約I<sub>0</sub>或I<sub>1</sub>時供應，則分別向該一或多個醱酵槽供應約90至120 ml該酵母萃溶液。
如請求項35之方法，其中若在選自約S<sub>5</sub>、S<sub>6</sub>、S<sub>7</sub>、S<sub>8</sub>、S<sub>9</sub>及S<sub>10</sub>之任何時間點供應，則分別向該一或多個醱酵槽供應約350至500 mL該酵母萃溶液；其中若在約I<sub>0</sub>或I<sub>1</sub>時供應，則分別向該一或多個醱酵槽供應約700至1200 mL該酵母萃溶液。
如請求項1之方法，其中該一或多個醱酵槽分別具有約5 L至200 L或更大容量；視情況，該一或多個醱酵槽各自具有約5 L容量；視情況，該一或多個醱酵槽各自具有約40 L容量；視情況，該一或多個醱酵槽分別具有1至200 L該培養基。
如請求項1之方法，其中該方法包含使用程式控制機構，該機構包括一或多個感測器，該一或多個感測器量測該一或多個醱酵槽中的該DO含量、pH、氧化還原量測值及/或碳含量，且其中該程式控制機構自動將該碳源饋料溶液注射至該一或多個醱酵槽中。
如請求項1之方法，其中該分批饋料重組蛋白醱酵係依約6.0%至8.5%之接種比進行；視情況，接種比為約6.5至7%、7.0至7.5%、7.5至8%或8.0至8.5%；視情況為約6.25%、6.3%、6.4%、6.5%、6.67%、6.7%、6.8%、6.95%、7.0%、7.24%、7.3%、7.33%、7.48%、7.5%、7.6%、7.76%、7.8%、7.9%、8%、8.14%或8.4%。
如請求項1之方法，其中當醱酵槽中之該培養物的OD<sub>600</sub>達到約40至80，視情況達到約40至50、50至60、60至70、70至80、55至60、60至65、65至70、70至75、75至80、40、45、49、52、55、60、66、67、68、69、70、71、72、75、78或80時，開始誘導該重組蛋白之表現。
如請求項41之方法，其中該重組蛋白之表現係藉由添加異丙基-β-D-1-硫代哌喃半乳糖苷(IPTG)來誘導，視情況藉由添加約3至5 mL之約0.70至0.85 mM之IPTG來誘導。
如請求項1之方法，其中該重組蛋白包含VX-001、AVE-9633、AC-9301、NY-ESO-1疫苗、紅血球生成素、EPO-Fc、CNTO-528、AMG-114、JR-013、凝血因子XIII、IFN-α2b、Pro-IFN-α2b、抗PD1抗體及/或GCSF。
如請求項1之方法，其中該原核生物宿主細胞包含大腸桿菌細胞，視情況包含大腸桿菌BLR-Codon Plus (DE3)-RIL、大腸桿菌BLR-Codon Plus (DE3)或大腸桿菌BL21-CodonPlus (DE3)-RIL。
如請求項44之方法，其進一步包含在誘導該重組蛋白表現之後，分別在該一或多個醱酵槽中收集該大腸桿菌宿主細胞培養物或該培養物之樣品的步驟。
如請求項45之方法，其進一步包含處理所收集之該大腸桿菌細胞培養物或樣品中的包涵體以獲得粗蛋白質萃取物。
如請求項46之方法，其中處理包涵體之該步驟包括： <br/>將所收集之該培養物或樣品中之該等大腸桿菌細胞再懸浮於緩衝液中； <br/>將該等大腸桿菌細胞在約800至1200巴下進行一或多次均質化，藉此獲得細胞混合物； <br/>利用饋料速率為約30至60 ml/min且離心速度為約20,000至30,000 rpm的流式離心法，將該細胞混合物離心以形成細胞集結粒，視情況，該離心使用連續離心機； <br/>收集該細胞集結粒；及 <br/>處理該細胞集結粒以獲得粗蛋白質萃取物。
如請求項46之方法，其中該培養物或樣品係在約初始誘導後4小時(I<sub>4</sub>)至約初始誘導後8小時(I<sub>8</sub>)之後或在約I<sub>4</sub>至I<sub>8</sub>時收集。
如請求項46之方法，其中該分批饋料重組蛋白醱酵之總時間包括約10至95個小時或更長時間，視情況包括約14±1、16±1、24±1、30±1、36±1、48±1、60±1、72±1、84±1或96±1個小時。
如請求項46之方法，其進一步包含測定該粗蛋白質萃取物中該表現之重組蛋白之產量，其中與另一醱酵方法相比，該產量增加至少約5%、至少10%、至少15%、至少20%、至少25%、至少30%、至少35%、至少40%、至少45%、至少50%、至少55%、至少60%、至少約62.7%、至少65%、至少70%、至少75%、至少80%、至少85%、至少90%、至少95%、至少100%、至少110%、至少120%、至少130%、至少140%、至少150%、至少160%、至少170%、至少167%、至少180%、至少190%、至少200%、至少210%、至少220%、至少230%、至少240%、至少250%、至少260%、至少270%、至少280%、至少290%、至少300%、至少350%、至少383%、至少400%、至少450%、至少500%、至少550%、至少600%、至少650%、至少700%、至少748%、至少750%、至少800%、至少9倍、至少10倍、至少20倍或更多。
如請求項50之方法，其中該產量係針對具有約40 L容量之醱酵槽測定，且與另一醱酵方法中具有約5 L容量之醱酵槽的該產量相比，該產量增加至少約100%至200%、100%、105%、110%、115%、120%、125%、130%、135%、140%、145%、150%、155%、160%、165%、170%、175%、180%、190%或200%；視情況，該重組蛋白為紅血球生成素、EPO-Fc、CNTO-528、AMG-114、JR-013、凝血因子XIII、IFN-α2b、Pro-IFN-α2b、抗PD1抗體及/或GCSF。
如請求項46之方法，其進一步包含測定該粗蛋白質萃取物中該表現之重組蛋白之產量，其中在具有約5 L容量之醱酵槽中，該產量為約5至10 g該重組蛋白；視情況，其中在具有約40 L容量之醱酵槽中，該產量為約20至30 g該重組蛋白；視情況，該重組蛋白為紅血球生成素、EPO-Fc、CNTO-528、AMG-114、JR-013、凝血因子XIII、IFN-α2b、Pro-IFN-α2b、抗PD1抗體及/或GCSF。
如請求項1之方法，其進一步包含在該分批饋料重組蛋白醱酵之前進行的以下步驟： <br/>獲得編碼該重組蛋白之密碼子最佳化核酸； <br/>將該密碼子最佳化核酸轉染至該原核生物宿主細胞中；及 <br/>極化該原核生物宿主細胞且將該原核生物宿主細胞在約36至37℃下培養隔夜或約12至18小時。
如請求項53之方法，其中該原核生物宿主細胞為BLR21(DE3)。
如請求項54之方法，其中該BLR21(DE3)含有超過一個載體。
一種程式控制機構，其包含： <br/>a.裝備有一或多個感測器之設備，該一或多個感測器能夠以週期性或連續模式量測醱酵製程中醱酵反應器中之培養基的氧含量、pH及/或攪拌；及 <br/>b.整合於該程式控制機構內的饋料溶液注射系統，其經程式化以基於該培養基中之所測氧含量、pH及/或攪拌，以週期性或連續時間間隔向醱酵反應器提供一或多種饋料溶液。
如請求項56之程式控制機構，其中該一或多個感測器將即時量測值傳輸至該程式控制機構。
如請求項56之程式控制機構，其進一步包含控制單元，該控制單元經組態以接收感測器量測值且基於所測參數自動調節該饋料溶液之注射速率及體積。
如請求項56之程式控制機構，其中該饋料溶液注射系統包含儲集器、計量泵及分配系統，以將該饋料溶液遞送至該醱酵製程中。
如請求項56之程式控制機構，其中該饋料溶液注射系統經程式化以包括預定的設定點及控制演算法，從而修改該醱酵製程內該培養基中的葡萄糖含量、溶解氧及/或pH。
一種用於在醱酵期間自動調節葡萄糖濃度、氧含量、pH及/或攪拌的方法，其包含： <br/>a.用一或多種感測器量測該醱酵之氧含量、pH及/或攪拌參數； <br/>b.將該等所測參數傳輸至程式控制機構；及 <br/>c.基於該等所測參數自動調節饋料溶液之注射速率、體積及攪拌。
如請求項61之方法，其中該等所測參數被連續監測且用於動態控制該醱酵之該氧含量、pH及/或攪拌。
如請求項61之方法，其中該等(a)、(b)及/或(c)步驟中之任一者係以週期性時間間隔或連續方式進行。
如請求項1之方法，其中該量測該一或多個醱酵槽中之溶解氧(DO)含量、攪拌速率及pH；及/或使用程式控制機構向該一或多個醱酵槽中之任一者供應碳源饋料溶液係以週期性時間間隔量測及/或供應，或連續量測及/或供應。
如請求項63或64之方法，其中該週期性時間間隔包含約每1、1.5、2.5、3、3.5、4、4.5、5、5.5、6、6.5、7、7.5、8、8.5、9、9.5、10、10.5、11、11.5、12、12.5、13、13.5、14、14.5、15、15.5、16、16.5、17、17.5、18、18.5、19、19.5、20、20.5、21、21.5、22.5及/或23小時；視情況，每30分鐘至80小時或超過80小時。
一種資源池化系統，包括： <br/>多個資源池，其中每個資源池包括用於處理資料的多個資源模組或用於存儲資料的多個資源模組，每個資源模組包括具有PCIe物理介面的電子積體電路晶片和至少一個光模組，並且所述電子積體電路晶片的PCIe物理介面和所述至少一個光模組的電埠之間電互連，所述至少一個光模組的光埠作為所述資源模組的光埠；以及 <br/>交換機，具有與所述多個資源池中的各個資源模組的光埠互連的光埠，所述交換機被配置為從所述多個資源池中選擇至少部分資源模組並且與所述至少部分資源模組傳輸信號， <br/>其中，所述至少一個光模組將來自所述電子積體電路晶片的PCIe物理介面的第一電信號轉換成第一光信號並提供給所述交換機，並且 <br/>其中，所述至少一個光模組將來自所述交換機的第二光信號轉換成第二電信號，並通過所述PCIe物理介面提供給對應的電子積體電路晶片， <br/>其中，所述至少一個光模組是PCIe光模組，所述至少一個光模組中的每個光模組包括： <br/>控制信號轉換通道，用於對PCIe邊帶控制信號進行光電轉換或電光轉換；以及 <br/>資料信號轉換通道，用於對PCIe資料信號進行光電轉換或電光轉換， <br/>其中在所述至少部分資源模組之間傳輸的信號包括所述PCIe邊帶控制信號和所述PCIe資料信號。
如請求項1所述的資源池化系統，其中，所述多個資源池包括： <br/>中央處理資源池，包括多個中央處理模組，以作為所述用於處理資料的多個資源模組，每個中央處理模組包括CPU晶片，以作為所述具有PCIe物理介面的電子積體電路晶片; 以及 <br/>易失性存儲資源池，包括多個易失性存儲模組，以作為所述用於存儲資料的多個資源模組，每個易失性存儲模組包括易失性存儲控制晶片，以作為所述具有PCIe物理介面的電子積體電路晶片，每個易失性存儲模組還包括易失性存儲單元。
如請求項2所述的資源池化系統，其中，所述多個資源池還包括： <br/>人工智慧計算資源池，包括多個人工智慧計算模組，以作為所述用於處理資料的多個資源模組，每個人工智慧計算模組包括人工智慧計算晶片，以作為所述具有PCIe物理介面的電子積體電路晶片。
如請求項2或3所述的資源池化系統，其中，所述多個資源池還包括： <br/>非易失性存儲資源池，包括多個非易失性存儲模組，以作為所述用於存儲資料的多個資源模組，每個非易失性存儲模組包括非易失性存儲控制晶片，以作為所述具有PCIe物理介面的電子積體電路晶片，每個非易失性存儲模組還包括非易失性存儲單元。
如請求項3所述的資源池化系統， <br/>其中所述人工智慧計算晶片包括圖形處理器（GPU）、神經網路處理器（NPU）、張量處理器（TPU）、智慧處理器（IPU）、深度學習處理器（DPU）中的一種或多種。
如請求項1所述的資源池化系統，其中所述交換機是包括交換機晶片和多個光模組的電交換機， <br/>所述交換機晶片具有多個PCIe物理介面， <br/>所述交換機晶片的多個PCIe物理介面和所述多個光模組的電埠分別電互連， <br/>所述多個光模組的光埠充當所述電交換機的光埠， <br/>所述電交換機通過切換所述交換機晶片中的導電路徑，以從所述多個資源池中選擇所述至少部分資源模組以進行鏈路連接，並且 <br/>所述電交換機通過在其內部傳輸電信號以在所述至少部分資源模組之間傳輸信號。
如請求項6所述的資源池化系統， 其中所述電交換機通過執行以下操作以在所述至少部分資源模組之間傳輸信號： <br/>使所述多個光模組中的第一光模組將來自第一資源模組的所述第一光信號轉換成第三電信號並提供給所述交換機晶片， <br/>使所述交換機晶片通過所述導電路徑將所述第三電信號傳輸給所述多個光模組中的第二光模組， <br/>使所述第二光模組將所述第三電信號轉換成所述第二光信號並提供給第二資源模組。
如請求項7所述的資源池化系統，其中， <br/>所述第一光模組和所述第二光模組是相同的光模組，並且 <br/>所述第二光信號和所述第一光信號是相同的光信號。
如請求項8所述的資源池化系統，其中， <br/>所述第一光模組和所述第一資源模組中的光模組是相同的光模組；並且 <br/>所述第三電信號和所述第一電信號是相同的電信號。
如請求項1所述的資源池化系統，其中所述交換機是光交換機， <br/>所述光交換機通過重新構建光路以從所述多個資源池中選擇所述至少部分資源模組以進行鏈路連接，並且 <br/>其中所述光交換機通過在其內部傳輸光信號以在所述至少部分資源模組之間傳輸信號。
如請求項1所述的資源池化系統，其中，所述第一電信號和所述第二電信號是基於PCIe實體層和PCIe協議層的PCIe電信號或基於PCIe實體層和CXL協議層的PCIe/CXL電信號。
如請求項7所述的資源池化系統，其中，所述第三電信號是基於PCIe實體層和PCIe協議層的PCIe電信號或基於PCIe實體層和CXL協議層的PCIe/CXL電信號。
一種基於如請求項1至12中任一項所述的資源池化系統進行資源池化的方法，包括： <br/>通過所述交換機從所述多個資源池中選擇所述至少部分資源模組以進行鏈路連接； <br/>通過所述交換機在所述部分資源模組之間傳輸PCIe邊帶控制信號；以及 <br/>通過所述交換機在所述部分資源模組之間傳輸PCIe資料信號。
一種滑軌系統，包含： <br/>一第一滑軌模組，包括一第一支撐板及一設置於該第一支撐板的第一滑軌裝置；及 <br/>一第二滑軌模組，包括一可活動地設置於該第一支撐板的第二支撐板及一設置於該第二支撐板的第二滑軌裝置。
如請求項1所述的滑軌系統，其中，該第一支撐板具有一底壁、兩個形成於該底壁上下兩側的側牆及一形成於上方的該側牆的上延伸壁，該第二支撐板可沿著該上延伸壁活動。
如請求項2所述的滑軌系統，其中，該第二支撐板具有一供該第二滑軌裝置設置的第一面及一相反於該第一面的第二面，該第二滑軌模組還包括多個設置於該第二面且抵接上方的該側牆的助滑件。
如請求項3所述的滑軌系統，其中，該第二滑軌模組還包括多個設置於該第二支撐板且位於該上延伸壁的兩側面的上限位件。
如請求項4所述的滑軌系統，其中，該第二支撐板具有多個形成於該第二面呈L字形的限位片，各該上限位件具有一設置於該第一面的安裝部及一連接該安裝部並穿過該第二支撐板且靠抵對應的該限位片的限位部，該限位部呈倒U字形並位於該上延伸壁的兩側面。
如請求項4所述的滑軌系統，其中，該第一支撐板還具有一形成於下方的該側牆的下延伸壁，該第二滑軌模組還包括多個設置於該第二支撐板且位於該下延伸壁的兩側面的下限位件。
如請求項6所述的滑軌系統，其中，該底壁具有一第一端及一相反於該第一端的第二端，該第一滑軌模組還包括一設置於該第一端的擋止件。
如請求項7所述的滑軌系統，其中，該下延伸壁具有一位於該第二端處向下凸出的擋止部。
一種用於製造乾膜(203, 303)的裝置(200, 300)，該乾膜用以塗布在一基板，該裝置包含：<br/> 一進料器(204, 304)，用於進料一乾粉(205, 305)；<br/> 一粉末磨(210, 310)，具有一第一輥(101)和一第二輥(201)，該第一輥(101)與該第二輥(201)之間具有一第一間隙(102)，並且第一輥(101)或該第二輥(201)為一旋轉體(rotatory body)，其中該第一間隙(102)用以接收來自該進料器(204, 304)的該乾粉(205, 305)；以及<br/> 一輥裝置(220, 320)，包含至少一第三輥(301)，其中該輥裝置(220, 320)用以接收來自該粉末磨(210, 310)的該乾膜(203, 303)，且該粉末磨(210, 310)與該輥裝置(220, 320)彼此為機械及/或熱分離(decoupled)，<br/> 其中，該裝置(200, 300)之操作過程中，該粉末磨(210, 310)之一位置相對於該輥裝置(220, 320)為可調整，以使該乾膜(203, 303)接觸於該輥裝置(220, 320)之一位置為可調整。
如申請專利範圍第1項所述之裝置(200, 300)，其中該粉末磨(210, 310)與該輥裝置 (220, 320)間隔一距離(207, 307)。
如申請專利範圍第2項所述之裝置(200, 300)，其中該粉末磨(210, 310)與該輥裝置 (220, 320)間的該距離(207, 307)至少是該第一間隙(102)的兩倍。
如申請專利範圍第1項所述之裝置(200, 300)，其中該粉末磨(210, 310)和該輥裝置 (220, 320)具有獨立的懸掛裝置。
如申請專利範圍第1項所述之裝置 (200, 300)，其中該粉末磨(210, 310)設置在該輥裝置 (220, 320)的上方。
如申請專利範圍第1項所述之裝置 (200, 300)，其中該粉末磨 (210, 310)相對於該輥裝置 (220, 320)可平移調整。
如申請專利範圍第1項所述之裝置 (200, 300)，其中該粉末磨(210, 310)相對於該輥裝置 (220, 320)可旋轉調整。
如申請專利範圍第7項所述之裝置 (200, 300)，其中該粉末磨(210, 310)可在與該輥裝置 (220, 320)的至少一個第三輥(301)同心的圓形路徑(308)上旋轉調整。
如申請專利範圍第1項所述之裝置 (200, 300)，其中該粉末磨(210, 310)相對於該輥裝置(220, 320)可調，以使該乾膜(203, 303)繞該粉末磨(210, 310) 中作為旋轉體的該第一輥(101)或該第二輥(201)及/或該輥裝置(220, 320)的至少一個該第三輥(301)的最大包裹率大於10%。
如申請專利範圍第1項所述之裝置 (200, 300)，其中該粉末磨 (210, 310)的該第一輥(101)或該第二輥(201)被設置為靜止體(stationary body)。
如申請專利範圍第10項所述之裝置 (200, 300)，其中靜止體面向該第一間隙(102)的表面輪廓，至少在一定區域內是可變的。
如申請專利範圍第1項所述之裝置 (200, 300)，其中該粉末磨(210, 310)的該第一輥(101)和該第二輥(201)被設計為帶狀(band)。
如申請專利範圍第1項所述之裝置 (200, 300)，其中該粉末磨(210, 310)的該第一輥(101)和該第二輥(201)被設計為輥狀(rolls)(101, 201)。
如申請專利範圍第1項所述之裝置 (200, 300)，其中該乾膜(203, 303)在被該輥裝置(220, 320)接收之前是自立的(freestanding)。
如申請專利範圍第1項所述之裝置(200, 300)，其中該粉末磨(210, 310)和該輥裝置 (220, 320)可以各自獨立溫控。
如申請專利範圍第1項所述之裝置 (200, 300)，其中該粉末磨(210, 310)的該第一輥(101)及/或該第二輥(201)及/或該輥裝置(220, 320)的至少一該第三輥(301)是可調的。
如申請專利範圍第1項所述之裝置 (200, 300)，其中該粉末磨(210, 310)中作為旋轉體的該第一輥(101)或該第二輥(201)及/或該輥裝置 (220, 320)的至少一該第三輥 (301)的旋轉速度是可調的。
如申請專利範圍第1項所述之裝置 (200, 300)，還包含至少一溫度偵測器(801)，用於記錄該乾膜(203, 303)之溫度，且設置在該粉末磨(210, 310)與該輥裝置(220, 320)之間。
如申請專利範圍第1項所述之裝置 (200, 300)，還包含至少一偵測器(802)，用於檢測該乾膜(203, 303)的品質及/或厚度，且設置在該粉末磨(210, 310)與該輥裝置(220, 320)之間。
如申請專利範圍第1項所述之裝置 (200, 300)，其中該輥裝置(220, 320)包含至少一下游的第四輥(401)，且該輥裝置(220, 320)的至少兩個輥(301, 401)之間形成一第一輥隙(302)，該輥裝置(220, 320)的該第一輥隙(302)用以接收來自輥裝置(220, 320)之位於上游的該第三輥(301)的該乾膜 (203, 303)。
如申請專利範圍第20項所述之裝置 (200, 300)，其中該輥裝置(220, 320)的位於上游的該第三輥(301)之直徑大於位於下游的該第四輥 (401)之直徑。
如申請專利範圍第20項所述之裝置 (200, 300)，還具有該基板的一供應單元 (209, 309)，該供應單元設計為將該基板 (309, 409) 送入該輥裝置 (220, 320)的該第一輥隙(302)或另一輥隙(402, 502)，且該輥裝置(220, 320)的該第一輥隙(302)或該另一輥隙(402, 502)用以接收該基板(209, 309)並將該乾膜(203, 303)形成在該基板(209, 309)上。
如申請專利範圍第1項所述之裝置 (200, 300)，其中該乾粉(205, 305)包含活性材料、導電添加劑及/或黏和劑。
如申請專利範圍第1項所述之裝置 (200, 300)，還包含一控制單元，該控制單元用以調整該粉末磨 (210, 310)的該第一輥(101)或該第二輥(201)及/或該輥裝置(220, 320)的至少一個該第三輥(301)的旋轉速度。
如申請專利範圍第1項所述之裝置 (200, 300)，還包含一控制單元，該控制單元用以調整該粉末磨 (210, 310)的該第一輥(101)或該第二輥(201)及/或該輥裝置(220, 320)的至少一個該第三輥(301)的溫度。
如申請專利範圍第1項所述之裝置 (200, 300)，還包含一個控制單元，該控制單元用以調整該粉末磨(210, 310)與該輥裝置 (220, 320)位置，此位置包含以下元件的相對位置：該粉末磨(210, 310)的該第一輥(101)及/或第二輥(201)及/或該輥裝置 (220, 320)的至少一個第三輥(301)。
如申請專利範圍第18或第19項所述之裝置 (200, 300)，包含一個控制單元，該控制單元用以接收該溫度偵測器或該偵測器(801, 802)所偵測關於該乾膜(203, 303)的溫度、品質及/或厚度，並根據獲得的溫度、品質及/或厚度，來設置該粉末磨(210, 310)的中作為旋轉體的該第一輥(101)或該第二輥(201)及/或該輥裝置(220, 320)的至少一個該第三輥(301)的旋轉速度，及/或來設置該粉末磨(210, 310)的該第一輥(101)及/或該第二輥(201)及/或該輥裝置 (220, 320)的至少一個該第三輥 (301)的溫度，及/或來調整該粉末磨(210, 310)與該輥裝置 (220, 320)位置，此位置包含以下元件的相對位置：該粉末磨(210, 310)的該第一輥(101)及/或第二輥(201)及/或該輥裝置 (220, 320)的至少一個第三輥(301)。
一種用於製造乾膜 (203, 303) 的方法，該乾膜用於塗布在一基板(209, 309)，該方法包含：<br/> 提供一乾粉 (205, 305)；以及<br/> 在如申請專利範圍第1項所述之裝置(200, 300)中加工該乾粉(205, 305)以形成一乾膜 (203, 303)；其中，該粉末磨 (210, 310)和該輥裝置 (220, 320)彼此為機械及/或熱分離(decoupled)。
如申請專利範圍第28項所述之方法，還包含：<br/> 提供該基板 (209, 309)；以及<br/> 將該乾膜 (203, 303)形成到該基板 (209, 309)上。
如申請專利範圍第28項所述之方法，還包含：<br/> 調整該粉末磨(210, 310)與該輥裝置 (220, 320)之間的相對位置。
如申請專利範圍第30項所述之方法，其中該調整步驟是基於被感測的該乾膜(203, 303)的溫度、品質及/或厚度。
如申請專利範圍第28項所述之方法，還包含：<br/> 檢測該乾膜 (203, 303)的品質；以及<br/> 若檢測到該乾膜 (203, 303)有缺陷，則調整該輥裝置(220, 320)的至少一個該第三輥 (301)及/或中斷該方法。
一種乾膜(203, 303)，是以申請專利範圍第1項所述之裝置(200, 300)所加工，或以申請專利範圍第28項所述之方法所製得。
一種基板(209, 309)，具有如申請專利範圍第33項所述之乾膜(203, 303)。
一種能量儲存或轉換系統，包含如申請專利範圍第33項所述之乾膜，或如申請專利範圍第34項所述之基板。
一種用於製造乾膜(203, 303)之裝置(200, 300)，該乾膜用於塗布在一基板，該裝置包含：<br/> 一進料器(204, 304)，用於進料一乾粉(205, 305)；<br/> 一粉末磨(210, 310)，具有一第一輥(101)和一第二輥(201)，該第一輥(101)與該第二輥(201)之間具有一第一間隙(102)，並且該第一輥(101)或該第二輥(201)為一旋轉體(rotatory body)，其中該第一間隙(102)用以接收來自該進料器(204, 304)的該乾粉(205, 305)並製造該乾膜(203, 303)；以及<br/> 一輥裝置(220, 320)，包含至少三個水平排列之輥(301, 401, 501)，其中該輥裝置(220, 320)用以接收來自該粉末磨(210, 310)的該乾膜(203, 303)，且該乾膜(203, 303)係被依序引導經過該輥裝置(220, 320)中相鄰兩個輥之間所形成之壓合區，<br/> 其中，該粉末磨(210, 310)與該裝置(200, 300)彼此為機械及熱分離。
一種第一連接器，其包括： <br/>一第一外殼；及 <br/>一連接器位置保證(CPA)特徵，其附接於該第一外殼，該CPA特徵可在一脫離構形與一接合構形之間移動，其中： <br/>該CPA特徵包括一第一閂鎖，其經構形以在該CPA特徵處於該脫離構形中時將該CPA特徵附接至該第一外殼； <br/>該第一電連接器經構形以與具有一第二外殼之一第二電連接器配合； <br/>該CPA特徵包括一第二閂鎖，其經構形以在該CPA特徵處於該接合構形中時將該CPA特徵附接至該第二外殼；及 <br/>該第一外殼經構形以當該第一電連接器及該第二電連接器未完全配合時阻止該CPA特徵移動至該接合構形中。
如請求項1之第一電連接器，其中： <br/>該第一外殼包括一突起，其經構形以阻擋該CPA特徵之該第二閂鎖，從而在該第一電連接器及該第二電連接器未完全配合時，阻止該CPA特徵進入至該接合構形中。
如請求項2之第一電連接器，其與該第二電連接器組合，其中： <br/>該第二外殼經構形以在該第一電連接器和該第二電連接器完全配合時，致使該第二閂鎖遠離阻擋該第二閂鎖之該第一外殼之該突起，藉此允許該CPA特徵移動至接合構形中。
如請求項之1第一電連接器，其中： <br/>該第一閂鎖包括一彈性材料，且該第一閂鎖經構形以藉由施加一彈簧力抵靠該第一外殼之一部分來防止該CPA特徵自該第一外殼卸離。
如請求項1之第一電連接器，其中： <br/>該第一閂鎖之一端部包括一突起，其經構形以接合該第一外殼上之一對應突起，並防止該CPA特徵自該第一外殼卸離。
如請求項1之第一電連接器，其進一步包括： <br/>一端子位置保證(TPA)特徵，其可移動地耦合至該第一外殼，該TPA特徵可在一脫離構形與一接合構形之間移動。
如請求項6之第一電連接器，進一步包括一第一端子，其插入至該第一外殼之一第一腔室，該第一端子包括一鎖定特徵，且其中： <br/>該TPA特徵包括一凹部， <br/>當該TPA特徵處於該接合構形中時，該第一端子之該鎖定特徵接合該TPA特徵以將該第一端子保持於該第一腔室中，且 <br/>該凹部經構形以在該TPA特徵處於該接合構形中時接納該第一端子之該鎖定特徵。
如請求項7之第一電連接器，其進一步包括： <br/>第一複數個類似之端子，其等經配置於一第一列中；及 <br/>第二複數個類似之端子，其等經配置於一第二列中，其中： <br/>該第一端子安置於該第一列中； <br/>一第二端子安置於該第二列中； <br/>該第一列與該第二列垂直偏移； <br/>對於該第一列中之各端子，當該TPA特徵處於該接合構形中時，該端子之該鎖定特徵接合該TPA特徵以將該端子保持於該第一外殼中之一各自腔室中；且 <br/>對於該第二列中之各端子，該端子之該鎖定特徵接合該第一外殼以將該端子保持於該第一外殼中之一各自腔室中。
如請求項1之第一電連接器，其與該第二電連接器組合，其中： <br/>該第二電連接器包括一壓緊特徵，其耦合至該第二外殼，該壓緊特徵經構形以將該第二外殼緊固至一基板。
如請求項9之第一電連接器，其與該第二電連接器組合，其中： <br/>該第二外殼包括一垂直凹槽，且 <br/>該壓緊特徵經構形以滑入至該垂直凹槽中。
如請求項10之第一電連接器，其與該第二電連接器組合，其中： <br/>該壓緊特徵包括一或多個樑，其經構形以藉由抵靠該第二外殼施加一彈簧力以防止該第二外殼在垂直於該基板之一平面之一方向上移動。
如請求項11之第一電連接器，其與該第二電連接器組合，其中： <br/>該第二外殼包括一凸緣，且 <br/>該一或多個樑經構形以在該壓緊特徵滑入至該垂直凹槽中時接合該凸緣。
如請求項1之第一電連接器，其中： <br/>該第一閂鎖及該第二閂鎖各自包括一對閂鎖臂，每一該對閂鎖臂具有平行一配合方向延伸之一長度。
一種化學機械拋光系統，包含：<br/> 一壓板；<br/> 一載體頭，包括<br/> 一外殼，用於附接至一驅動軸，其中該外殼包括一上載體主體和相對於該上載體主體可垂直移動的一下載體主體，<br/> 一第一撓性密封件，在該上載體主體和該下載體主體之間形成一第一可加壓腔室，<br/> 一膜組件，佈置在該下載體主體下方，該膜組件包括一膜支撐件和固定到該膜支撐件的一撓性膜，以界定複數個可加壓的下腔室，該撓性膜具有提供一基板安裝表面的一下表面；及<br/> 一第二撓性密封件，在該下載體主體與該膜組件之間形成一第二可加壓腔室，<br/> 一感測器，在該外殼中，用以在該第二可加壓腔室外側的一位置處測量自該感測器到該膜支撐件的一頂表面的一距離；及<br/> 一控制器，配置為接收來自該感測器的一信號，並且配置為控制一壓力源以基於該信號來加壓該第二可加壓腔室。
如請求項1所述之系統，包含佈置在該下載體主體中的該感測器，並配置成基於在該下載體主體與該膜支撐件之間的一距離產生該信號。
如請求項2所述之系統，其中該感測器安裝在該下載體主體上。
如請求項3所述之系統，其中該下載體主體相對於該上載體主體可垂直移動。
如請求項1所述之系統，其中該感測器為一渦流感測器、一雷達感測器、一雷射感測器或一超音波感測器。
如請求項1所述之系統，其中該控制器配置為降低該可加壓腔室中的壓力，以偏移由一撓曲件所增加的壓力。
如請求項1所述之系統，進一步包含一固定環，連接至該下載體主體，其中該固定環上的磨損導致該距離減少。
如請求項1所述之系統，其中該控制器配置為使該第二可加壓腔室排氣至大氣，以允許該膜組件停留在該壓板的一拋光墊上，用於產生來自該感測器的該信號。
如請求項1所述之系統，其中該控制器配置為使該第二可加壓腔室加壓以將該膜組件壓在該壓板的一拋光墊上，用於產生來自該感測器的該信號。
如請求項1所述之系統，其中該載體頭包括一撓曲件，將該膜支撐件連接至該下載體主體，該撓曲件延伸通過該第二可加壓腔室。
如請求項10所述之系統，其中該撓曲件上方的該第二可加壓腔室的一第一部分流體連接至該撓曲件下方的該第二可加壓腔室的一第二部分。
如請求項11所述之系統，其中該撓曲件具有足夠的剛性以使該膜組件在該外殼內水平地置中。
如請求項11所述之系統，其中該撓曲件具有足夠的剛性以使該膜組件在該外殼內垂直地置中。
一種用於化學機械拋光的方法，包含以下步驟：<br/> 將一基板裝載到一載體頭中，該載體頭具有一外殼及一膜組件，該外殼具有一上載體主體和一下載體主體，該膜組件在該下載體主體下方，其中在該下載體主體和該膜組件之間的一空間界定一可加壓腔室；<br/> 在該可加壓腔室的徑向外側的一點處測量從該下載體主體中的一感測器到該膜組件的一距離；及<br/> 基於測量的該等距離來控制該可加壓腔室中的壓力，其中控制該可加壓腔室中的壓力之步驟包含以下步驟：當在該感測器與該膜組件之間的該距離改變時，在該膜組件上維持一致的一總下壓力。
如請求項14所述之方法，其中控制該可加壓腔室中的壓力之步驟包含以下步驟：基於一固定環的磨損而補償該膜組件上負載的改變。
如請求項14所述之方法，包含以下步驟：將該可加壓腔室排氣至大氣，以允許該膜組件停留在一拋光墊上，用於測量該距離。
如請求項14所述之方法，包含以下步驟：將該可加壓的腔室加壓，以將該膜組件壓在一拋光墊上，以產生測量該距離。
如請求項14所述之方法，包含以下步驟：隨著測量的該等距離的減少而降低該可加壓腔室中的壓力。
一種攻牙機攻牙刀具換刀控管方法，係一攻牙機的主軸上安裝攻牙刀具，通過一控管系統控制該攻牙刀具在一加工部上對工件進行攻牙加工，該控管系統對該攻牙刀具換刀的控管方法，包括：一攻牙刀具選取程序，係按該工件及攻牙螺孔規格選取合適未磨損，新的該攻牙刀具在該主軸上安裝；一攻牙條件設定程序，係根據該攻牙刀具選取程序選取的該攻牙刀具，在該控管系統的一控制器上設定一組攻牙條件要求命令；該組攻牙條件要求命令，至少包含主軸轉速要求命令及進給速率要求命令；一攻牙能量基準值獲取程序，係該攻牙機的該主軸按該攻牙刀具選取程序選取的該攻牙刀具進行該工件的攻牙測試，該攻牙測試時，該控制器，係按該攻牙條件設定程序所設定的該組攻牙條件要求命令所包含的該主軸轉速要求命令及該進給速率要求命令，編輯成主軸轉速指令與主軸進給速率指令，並分別將該主軸轉速指令送出給一主軸驅動器輸出驅動電力驅動一主軸伺服馬達，經由該主軸伺服馬達的編碼器訊號反饋給該主軸驅動器，控制該主軸的攻牙轉速，以及，將該主軸進給速率指令送出給一進給驅動器輸出驅動電力驅動一進給伺服馬達，經由該進給伺服馬達的編碼器訊號反饋給該進給驅動器，控制該主軸於一要求區間段的攻牙進給速率；如此，在一次以上的該攻牙測試中，將該主軸的該攻牙進給速率要求區間段的時間或進給量值，分割出多個節點，並以至少一個節點維持該主軸的該攻牙轉速時所需能量值作為能量基準值，其中，該所需能量值為該主軸伺服馬達維持該主軸的該攻牙轉速的轉矩、輸入功率或電流中的其中一種，且是由該主軸驅動器輸出電力驅動該主軸伺服馬達的能量值訊號反饋給該控制器，作為該所需能量值的利用數據；一攻牙能量上限值獲取程序，係延續該攻牙能量基準值獲取程序的該攻牙測試條件，進行該攻牙刀具破壞測試，及/或同款新攻牙刀具一次以上破壞測試；該攻牙刀具破壞測試，係連續多個該工件排序攻牙至該攻牙刀具磨損斷裂，從一個以上該節點於該攻牙刀具磨損斷裂時的該所需能量值作為能量極限值，並以該能量極限值的0.8~0.97倍值作為能量上限值；一攻牙監控模式建立程序，係該控制器根據該攻牙條件設定程序所設定的該組攻牙條件要求命令編寫監控程式，及在該控制器的一訊號比較單元設一比較器，並至少將該能量基準值、該能量極限值及該能量上限值的多個監控數據寫入或輸入該控制器的資料庫或記憶體中建立起監控模式；其中，該監控程式編寫，是根據該組攻牙條件要求命令計算該攻牙刀具進給量值，以同該攻牙測試時的分割方式分割出多個節點，並選取至少一個該節點的攻牙時的該所需能量值作為能量比對值交給該比較器，且由該比較器將該能量比對值與該資料庫或該記憶體中讀取的該能量基準值、該能量極限值及該能量上限值進行比較，執行該攻牙刀具是否更換或檢查判定；一監控模式啟動程序，係該攻牙機用於多個排序的該工件攻牙製程；任一該工件開始攻牙時，該控制器的該組攻牙條件要求命令執行，該主軸驅動器反饋能量值訊號給該控制器啟動該監控模式；該監控模式啟動時，該監控程式在該主軸或該攻牙刀具進給過程，判定該攻牙刀具是否更換或檢查，是由該能量比對值大於該能量基準值而小於該能量上限值時，基於該攻牙刀具磨損程度仍在允許範圍不須更換，判定為繼續下一個工件；當該能量比對值是大於該能量上限值而小於該能量極限值時，則是判定為攻牙刀具須更換；此外，還可以在該能量比對值小於該能量基準值或是大於該能量極限值時，作出停機檢查的判定；其中，該控管系統的該控制器上常駐設定有一組給料程序命令，該組給料程序命令，係與該組攻牙條件要求命令搭配，至少包含一進/退料命令，及一工件夾/放命令；該控制器係由該組給料程序命令的執行，至少編輯成一送料器動件指令與一夾具夾/放指令，並分別將該送料器動作指令送出給一給料驅動器輸出驅動電力驅動一給料伺服馬達，經由該給料伺服馬達的編碼器訊號反饋給該給料驅動器，控制一送料器在該加工部位置，作工件進/退料同步動作，以及，將該夾具夾/放指令送出給一夾具驅動器輸出驅動電力驅動一夾具伺服馬達，由該夾具伺服馬達的編碼器訊號反饋給該夾具驅動器，控制一夾具對該工件作工件夾固或工件鬆開動作。
依請求項1所述之攻牙機攻牙刀具換刀控管方法，其中，該控管系統的該控制器，係由一設定/選擇器搭配一顯示器設定該組攻牙條件要求命令，以一命名寫入資料庫中，且該攻牙能量基準值獲取程序及該攻牙能量上限值獲取程序，根據該組攻牙條件要求命令的攻牙測試與破壞測試所得到的該能量基該能準值、該能量極限值及該能量上限值的多個監控數據，並寫入該命名資料內容當中，成為同一筆資料儲存於該資料庫。
依請求項1所述之攻牙機攻牙刀具換刀控管方法，其中，該控管系統的該控制器一訊號輸出端設有一提示器，且該提示器，是在該監控模式下，該比較器作出攻牙刀具須更換或停機檢查判定時觸發。
依請求項1所述之攻牙機攻牙刀具換刀控管方法，其中，該攻牙機配備有刀庫與自動換刀系統，以及，該控制器上編寫有一組換刀程序指令，且該組換刀程序指令，係在該監控模式啟動下，該比較器作出攻牙刀具須更換的判定時觸發。
一種攻牙機攻牙刀具換刀控管系統，係在一攻牙機的主軸上，根據工件條件與攻牙螺孔規格安裝有一攻牙刀具，通過一控管系統控制與管制該攻牙刀具在一加工部上對工件進行攻牙加工，該控管系統，包括：一控制器，係依該攻牙刀具的選取，設定一組攻牙條件要求命令及編寫有監控程式，且按該監控程式，並在一資料庫中寫入至少包含有能量基準值、能量極限值及能量上限值的多個監控數據；一主軸伺服馬達，用於帶動該主軸旋轉，係電性連接一主軸驅動器的驅動電力輸出端，該主軸驅動器，係電性相接該控制器的一訊號輸出端，可接收來自該控制器執行該組攻牙條件要求命令所編輯送出的主軸轉速指令，輸出驅動電力驅動該主軸伺服馬達，並由該主軸伺服馬達的編碼器訊號反饋給該主軸驅動器，定速控制該主軸的攻牙轉速，且該主軸驅動器對該主軸伺服馬達的驅動電力輸出，還從輸出的該驅動電力感測到能量值訊號反饋給該控制器；一進給伺服馬達，用於傳動該主軸在一行程滑軌上作軸向往復位移與定位，係電性連接一進給驅動器的電力輸出端，且該進給驅動器並與該控制器的一訊號輸出端電性連接，可接收來自該控制器執行該組攻牙條件要求命令所編輯送出的主軸進給速率指令，輸出驅動電力驅動該進給伺服馬達，並由該進給伺服馬達的編碼器訊號反饋給該進給驅動器，控制該主軸於一要求區間段的攻牙進給速率；其中，該能量基準值，為執行該組攻牙條件要求命令，該主軸驅動器反饋該主軸伺服馬達的能量值訊號，係在一項新的該攻牙刀具攻牙測試中，從該攻牙刀具攻牙過程進給量值的至少一節點所檢測到的所需能量值；且該所需能量值，是該控制器接收該能量值訊號的數據利用，為該主軸伺服馬達維持該主軸的該攻牙轉速的轉矩、輸入功率或電流中的其中一種；其中，該能量極限值，為執行該組攻牙條件要求命令，該主軸驅動器反饋該主軸伺服馬達的能量值訊號，係在至少一項攻牙刀具連續孔次攻牙的破壞測試中，多孔次攻牙至該攻牙刀具磨損斷裂時，近在斷裂的孔次攻牙過程，從該進給量值的至少一節點所檢測到的該所需能量值；其中，該能量上限值，為該能量極限值的0.8~0.97倍值；一比較器，為該控制器的一訊號比較單元，根據該監控程式的編寫而設置；係攻牙製程執行該組攻牙條件要求命令及該監控程式時，該主軸驅動器反饋該主軸伺服馬達的能量值訊號，以每孔次該攻牙刀具攻牙進給進程的該所需能量值作為能量比對值，用於將該能量比對值與從該資料庫中讀取的該能量基準值、該能量極限值及該能量上限值進行比較，判定該攻牙刀具是否更換或檢查；且是以該能量比對值大於該能量基準值而小於該能量上限值時判定為繼續下一個工件攻牙，若是該能量比對值是大於該能量上限值而小於該能量極限值時，則判定為攻牙刀具須更換；此外，還可以在該能量比對值是小於該能量基準值或大於該能量極限值時，作出停機檢查的判定；其中，該控管系統還包括一給料伺服馬達及一夾具伺服馬達；該給料伺服馬達，用於傳動一送料器在該加工部位置作轉動與定位，係電性連接一給料驅動器的電力輸出端，且該給料驅動器並與該控制器的一訊號輸出端電性連接，可接收來自該控制器執行一組常駐的給料程序命令所編輯送出的一送料器動作指令，輸出驅動電力驅動該給料伺服馬達，並由該給料伺服馬達的編碼器訊號反饋給該給料驅動器，控制該送料器在該加工部位置，作工件進/退料同步動作；該夾具伺服馬達，用於傳動一夾具在一進退滑軌上往復滑動與定位，係電性連接一夾具驅動器的電力輸出端，且該夾具驅動器並與該控制器的一訊號輸出端電性連接，可接收來自該控制器執行該組常駐的給料程序命令所編輯送出的一夾具夾/放指令，輸出驅動電力驅動該夾具伺服馬達，並由該夾具伺服馬達的編碼器訊號反饋給該夾具驅動器，控制該夾具對該加工部上工件，作工件夾固或工件鬆開動作。
依請求項5所述之攻牙機攻牙刀具換刀控管系統，其中，該控制器的一訊號輸入端及一訊號輸出端各設有一設定/選擇器及一顯示器，用於設定該組攻牙條件要求命令，以一命名寫入該資料庫中，且執行該組攻牙條件要求命令的該攻牙測試及該破壞測試所得到的該能量基準值、該能量極限值及該能量上限值的多個監控數據，並寫入該命名資料內容當中，成為同一筆資料儲存於資料庫。
依請求項5所述之攻牙機攻牙刀具換刀控管系統，其中，該控制器的一訊號輸出端設有一提示器，且該提示器，是在該比較器作出攻牙刀具須更換及/或停機檢查判定時觸發。
依請求項5所述之攻牙機攻牙刀具換刀控管系統，其中，該攻牙機配備有刀庫與自動換刀系統，以及，該控制器上編寫有一組換刀程序指令，且該換刀程序指令，係在該比較器作出攻牙刀具須更換的判定時觸發。
一種用於化學機械拋光的載體頭，包含：<br/> 一外殼，用於附接到一驅動軸，其中該外殼包括一上載體主體和相對於該上載體主體可垂直移動的一下載體主體，<br/> 一第一撓性密封件，在該上載體主體和該下載體主體之間形成一第一可加壓腔室；<br/> 一膜組件，佈置在該下載體主體下方，該膜組件包括一膜支撐件和固定到該膜支撐件的一撓性膜，以界定複數個可加壓的下腔室，該撓性膜具有提供一基板安裝表面的一下表面；及<br/> 一第二撓性密封件，在該下載體主體與該膜支撐件之間形成一第二可加壓腔室；及<br/> 一撓曲件，將該膜支撐件連接至該下載體主體，該撓曲件延伸穿過該第二可加壓腔室。
如請求項1所述之載體頭，其中該撓曲件上方的該第二可加壓腔室的一第一部分與該撓曲件下方的該第二可加壓腔室的一第二部分流體連接。
如請求項2所述之載體頭，其中該撓曲件包括複數個孔口，將該第二可加壓腔室的該第一部分流體地連接到該第二可加壓腔室的該第二部分。
如請求項2所述之載體頭，其中該撓曲件包含由複數個間隙隔開的複數個弧形件。
如請求項2所述之載體頭，其中該第二可加壓腔室的該第一部分與該第二可加壓腔室的該第二部分藉由穿過該下載體主體的一通路流體地連接。
如請求項2所述之載體頭，其中該第二可加壓腔室的該第一部分是圍繞該下載體主體的一向下突出的一環形腔室。
如請求項6所述之載體頭，其中該第二可加壓腔室的該第二部分是跨越基本上全部的該膜支撐件而延伸的一盤形腔室。
如請求項1所述之載體頭，其中該撓曲件水平地佈置在該下載體主體與該膜支撐件之間。
如請求項8所述之載體頭，其中該撓曲件佈置於該膜支撐件的一環狀上部與該下載體主體的一向下突出之間。
如請求項1所述之載體頭，其中該膜支撐件包含水平地橫跨於該複數個可加壓下腔室上方的一板。
如請求項10所述之載體頭，其中該板比該撓性膜更堅固。
如請求項1所述之載體頭，進一步包含一固定環，連接至該下載體主體，其中該固定環上的磨損導致在該膜支撐件與該下載體主體之間的一距離減少。
如請求項1所述之載體頭，其中該撓曲件具有足夠的剛性以使該膜組件在該外殼內水平地置中。
如請求項1所述之載體頭，其中該撓曲件具有足夠的剛性以使該膜組件在該外殼內垂直地置中。
一種用於化學機械拋光的載體頭，包含：<br/> 一外殼，用於附接到一驅動軸；<br/> 一膜組件，佈置在該外殼下方，該膜組件包括一膜支撐件和固定到該膜支撐件的一撓性膜，以界定複數個可加壓的下腔室，該撓性膜具有提供一基板安裝表面的一下表面；及<br/> 一撓性密封件，在該外殼與該膜支撐件之間形成一可加壓上腔室；及<br/> 一撓曲件，將該膜支撐件連接至該外殼，該撓曲件延伸穿過該可加壓上腔室。
如請求項15所述之載體頭，其中該撓曲件上方的該可加壓上腔室的一第一部分與該撓曲件下方的該可加壓上腔室的一第二部分流體連接。
如請求項16所述之載體頭，其中該撓曲件包括複數個孔口，將該可加壓上腔室的該第一部分流體地連接到該可加壓上腔室的該第二部分。
如請求項16所述之載體頭，其中該撓曲件包含由複數個間隙隔開的複數個弧形件。
如請求項16所述之載體頭，其中該可加壓上腔室的該第一部分與該可加壓上腔室的該第二部分藉由穿過該下載體主體的一通路流體地連接。
如請求項16所述之載體頭，其中該可加壓上腔室的該第一部分是圍繞該下載體主體的一向下突出的一環形腔室。
如請求項20所述之載體頭，其中該可加壓上腔室的該第二部分是跨越基本上全部的該膜支撐件而延伸的一盤形腔室。
一種電連接器結構，包括有一絕緣本體且於該絕緣本體內部設有：<br/> 複數線纜，包括長度較長之複數前排線纜及長度較短之複數後排線纜，且該前排線纜與該後排線纜係呈交錯排列；<br/> 一線架組，成型於該些線纜外部並使相鄰的該前排線纜與該後排線纜之間形成有預定間距；以及<br/> 一電路板，於至少一表面上設有供該線架組前側之該些前排線纜之線芯焊接的複數前排焊墊組，及供該些後排線纜之線芯焊接的複數後排焊墊組，於該些前排焊墊組相對於該些後排焊墊組另一側設有複數接點，且該前排焊墊組與該後排焊墊組係呈交錯排列，依據該些前排線纜與該些後排線纜於該電路板上呈前後交錯排列來改善傳輸高頻信號時遠端串擾問題，而該線架組包括透過卡榫及卡槽可相互結合之上排線架與下排線架，於該上排線架與該下排線架之相對外側設有複數定位槽，且該些定位槽上設有供一接地片之複數扣槽套置定位的複數凸扣，該些凸扣透過加熱壓合方式使頂端變形外擴以固定該接地片，以形成該上排線架與該下排線架之相對外側皆固定有該接地片。
如請求項1所述之電連接器結構，其中該接地片一側包括內部具有該扣槽之複數固定部，以及另一側向下彎折延伸之複數焊接部，且每一焊接部末端形成有焊固於該前排焊墊組之至少一接地腳。
如請求項1所述之電連接器結構，其中該前排線纜與該後排線纜皆包括有四根線芯，分別為位於中央位置之二信號線芯及位於二外側之二接地線芯，而該電路板之該前排焊墊組及該後排焊墊組對應該前排線纜之線芯與該後排線纜之線芯亦呈四個並列焊墊，且前呈四個並列之前排焊墊組於二外側位置之寬度大於二中央位置之寬度，而該二接地線芯與接地片之接地腳同時耦接於該前排焊墊組之二外側位置。
如請求項1所述之電連接器結構，其中該絕緣本體包括有相互結合之外座體及內座體，該外座體係供該電路板做一卡合固定，而供該線架組固定之該內座體則透過卡扣與該外座體之固定槽及模內射出工法固定於該外座體內部。
如請求項4所述之電連接器結構，其中該絕緣本體之該外座體頂側設有一容置槽且該容置槽收納有由金屬板件所構成之一鎖接彈片，且該鎖接彈片頂側具有一繫帶孔且該繫帶孔中裝設有供解鎖之一拉帶。
一種電連接器之製造方法，包括有下列步驟：<br/> S1、提供長度較長之複數前排線纜及長度較短之複數後排線纜之複數線纜，且該前排線纜與該後排線纜係呈交錯排列；<br/> S2、該些線纜透過塑料注塑於外部形成有一線架組；<br/> S3、將線架組前側之該些前排線纜進行彎折形成避讓，並將該些後排線纜進行剝線作業並使複數線芯外露；<br/> S4、將已避讓之該些前排線纜進行剝線作業並使複數線芯外露；<br/> S5、先將該些後排線纜焊接於一電路板的複數後排焊墊組上後，再將已避讓之該些前排線纜復位並焊接於該電路板的複數前排焊墊組上，且該前排焊墊組與該後排焊墊組係呈交錯排列；以及<br/> S6、線架組包括有上排線架與下排線架，於該上排線架與該下排線架之相對外側設有供接地片之複數扣槽套置定位的複數凸扣，該些凸扣透過加熱壓合方式使頂端變形外擴以固定該接地片，以形成該上排線架與該下排線架之相對外側皆固定有該接地片。
如請求項6所述之電連接器之製造方法，其中該步驟S3與該步驟S4之間更包括有步驟S31、將線架組旋轉九十度角，而使該些前排線纜旋移至該些後排線纜進行剝線作業位置，再執行步驟S4。
如請求項6所述之電連接器之製造方法，其中更包括有步驟S7、將已完成接地片組裝之線架組穿入絕緣本體的外座體內部中做一定位，並使該電路板卡合該外座體中做一固定，再使絕緣本體的內座體由線架組後側推入，並透過卡扣與固定槽及模內射出工法固定於該外座體內部。
如請求項6所述之電連接器之製造方法，其中更包括有步驟S8、於絕緣本體之外座體頂側裝設有一鎖接彈片且該鎖接彈片頂側裝設有一拉帶。
一種化學機械拋光裝置，包括：<br/> 一平臺，該平臺用於保持一拋光墊；<br/> 一載體，該載體用於在一拋光製程期間保持一基板抵靠該拋光墊的一拋光表面；<br/> 一拋光液體分配器，該拋光液體分配器具有定位於該平臺上方的一拋光液體埠以將拋光液體輸送到該拋光墊上；<br/> 一溫度控制系統，該溫度控制系統包括：<br/> 一或多個冷卻劑液體流體貯存器，該一或多個冷卻劑液體流體貯存器用於容納一或多種冷卻劑流體，<br/> 一熱控制器，該熱控制器被配置為控制該一或多個冷卻劑流體貯存器內的該一或多種冷卻劑流體的溫度；以及<br/> 一第一分配器，該第一分配器具有複數個開口，該複數個開口與該一或多個冷卻劑流體貯存器流體連接，該複數個開口定位於該平臺上方並且被配置為將一霧化冷卻劑液體直接噴射到該拋光墊上，<br/> 一第二分配器，該第二分配器具有一冷卻劑埠，該冷卻劑埠與該一或多個冷卻劑流體貯存器流體連接，該冷卻劑埠定位於該平臺上方並且被配置為使一冷卻劑液體料流直接流動到該拋光墊上。
如請求項1所述之裝置，進一步包括一溫度控制臂，該溫度控制臂在該平臺上方延伸，並且其中該一或多個開口形成在緊固至該溫度控制臂的噴嘴中。
如請求項2所述之裝置，其中該冷卻劑埠緊固至該溫度控制臂。
如請求項2所述之裝置，其中該冷卻劑埠緊固至一單獨的溫度控制臂。
如請求項4所述之裝置，包括一拋光液體臂，該拋光液體臂在該平臺上方延伸，其中該冷卻劑埠及該拋光液埠在該拋光液體臂上。
如請求項1所述之裝置，其中該熱控制器包括一溫度感測器及一溫度控制元件，並且被配置為從該溫度感測器接收指示該冷卻劑流體的一溫度的溫度值，並且基於該所接收的溫度值控制該溫度控制元件將該冷卻劑流體冷卻至低於5℃。
如請求項1所述之裝置，其中該一或多個冷卻劑流體貯存器包括連接到該第一分配器的該複數個開口的一第一冷卻劑流體貯存器及連接到該第二分配器的該埠的一第二冷卻劑流體貯存器。
如請求項7所述之裝置，其中該第二冷卻劑流體貯存器被配置為保持比該第一冷卻劑流體貯存器更少的冷卻劑流體。
如請求項7所述之裝置，其中該第一冷卻劑流體貯存器及該第二冷卻劑流體貯存器保持一相同的冷卻劑液體組成物。
如請求項9所述之裝置，其中該冷卻劑液體是去離子水。
如請求項7所述之裝置，其中該溫度控制系統被配置為將該第一冷卻劑流體貯存器和該第二冷卻劑流體貯存器兩者控制到不同的溫度值，該第二冷卻劑流體貯存器的該溫度值低於該第一冷卻劑流體貯存器的該溫度值。
如請求項1所述之裝置，其中該一或多個冷卻劑流體貯存器包括一共用冷卻劑流體貯存器，該共用冷卻劑流體貯存器連接至該第一分配器的該複數個開口並且連接至該第二分配器的該埠。
如請求項1所述之裝置，其中該溫度控制系統被配置為經由該第二分配器分配少於1 L的流體，以使該拋光墊的一溫度降低至少10℃。
如請求項1所述之裝置，進一步包括一控制器，該控制器被配置為使該第一分配器在該拋光墊上拋光該基板的一拋光步驟期間將該霧化冷卻劑液體噴射到該拋光墊上，並且使該第二分配器在從一第一拋光步驟至一第二拋光步驟的一轉變處使該冷卻劑流體料流流動到該拋光墊上。
如請求項14所述之裝置，其中該控制器被配置為在該拋光步驟期間接收來自一感測器的一溫度量測值，並控制該第一分配器噴射該霧化冷卻劑液體，以使該所量測的溫度達到一所需溫度。
如請求項14所述之裝置，其中該控制器被配置為接收指示小於剩餘待拋光材料的一閾值量的一信號，並且回應於該信號控制該第二分配器使該冷卻劑流體料流流動到該拋光墊上。
如請求項1所述之裝置，進一步包括一墊沖洗系統，該墊沖洗系統包括一噴嘴以將一沖洗介質引導到該拋光墊上。
一種化學機械拋光系統，包括：<br/> 兩個拋光站，每個拋光站包括<br/> 一平臺，該平臺用於保持一拋光墊；<br/> 一載體，該載體用於在一拋光製程期間保持一基板抵靠該拋光墊的一拋光表面；<br/> 一拋光液體分配器，該拋光液體分配器具有定位於該平臺上方的一拋光液體埠以將拋光液體輸送到該拋光墊上；以及<br/> 一冷卻劑分配器，該冷卻劑分配器具有定位於該平臺上方的一冷卻劑埠以將冷卻劑液體輸送到該拋光墊上；以及<br/> 一溫度控制系統，該溫度控制系統包括：<br/> 一冷卻劑流體貯存器，該冷卻劑流體貯存器用於容納冷卻劑流體並且被配置為將該冷卻劑流體輸送到該等相應拋光站的該等相應冷卻劑埠，以及<br/> 一熱控制器，該熱控制器被配置為控制該冷卻液貯存器內的該冷卻劑流體的該溫度，<br/> 一第一分配器，該第一分配器具有複數個開口，該複數個開口與該一或多個冷卻劑流體貯存器流體連接，該複數個開口定位於該平臺上方並且被配置為將一霧化冷卻劑液體直接噴射到該拋光墊上，<br/> 一第二分配器，該第二分配器具有一冷卻劑埠，該冷卻劑埠與該一或多個冷卻劑流體貯存器流體連接，該冷卻劑埠定位於該平臺上方並且被配置為使一冷卻劑液體料流直接流動到該拋光墊上。
一種用於控制一化學機械拋光製程的方法，包括以下步驟：<br/> 在一拋光製程中，在一拋光墊的一表面上拋光一基板，包括：至少一批量移除步驟及一清除步驟；<br/> 確定該批量移除步驟的一所需溫度；<br/> 在該批量移除步驟期間，藉由一第一分配器用一冷卻液體噴射該拋光墊，以使該拋光墊達到該所需溫度；<br/> 偵測從該批量移除步驟至該清除步驟的一轉變；以及<br/> 回應於偵測到從該批量移除步驟至該清除步驟的該轉變，藉由一第二分配器使該冷卻液體分配、流動到該表面上以降低該拋光墊的一溫度。
如請求項19所述之方法，進一步包括以下步驟：在該拋光製程期間控制該冷卻液體的該溫度低於5℃。
一種包含圖形處理器之設備，其包含：<br/>一圖形處理器，其包含：<br/>快取記憶體電路系統，其經組態以自一系統記憶體快取資料；<br/>電路系統，其實施複數個邏輯槽；<br/>一組圖形處理器子單元，其各實施多個經分配硬體槽，其中：<br/>一給定經分配硬體槽包括經組態以儲存圖形工作之工作佇列電路系統及對應於該經儲存圖形工作之組態暫存器；及<br/>一給定圖形處理器子單元包括著色器(shader)電路系統，該著色器電路系統經組態以執行由該圖形處理器子單元之多個經分配硬體槽中的該經儲存圖形工作所指定的指令，使得對一給定經分配硬體槽之圖形工作指派將彼圖形工作之執行指派至對應子單元的該著色器電路系統；及<br/>控制電路系統，其經組態以：<br/>接收經軟體指定的一第一組圖形工作及用於該第一組圖形工作的經軟體指示優先順序資訊；<br/>將該第一組圖形工作指派給一第一邏輯槽；<br/>判定一組經保留硬體槽，該組經保留硬體槽是保留給其經指派圖形工作具有符合一臨限優先順序等級的一優先順序等級的邏輯槽；<br/>判定邏輯槽與該等圖形處理器子單元的一或多者的該多個經分配硬體槽之經分配硬體槽之間的若干映射，其中根據經判定之該組經保留硬體槽來判定該等映射，使得不符合一臨限優先順序等級的邏輯槽僅映射至非保留硬體槽；<br/>根據該等映射之一者將該第一組圖形工作分配至該等圖形處理器子單元之一或多者的一第一組一或多個目標經分配硬體槽；及<br/>使用該等圖形處理器子單元的一或多者的該著色器電路系統來執行來自該第一組一或多個目標硬體槽之該經分配第一組圖形工作，該著色器電路系統經組態以執行來自該第一組一或多個目標經分配硬體槽之工作。
如請求項1之設備，其中基於該第一組圖形工作之軟體輸入，該控制電路系統經組態以：<br/>在完成該第一組圖形工作的處理之後，維持該第一邏輯槽的經分配硬體槽的該映射；及<br/>僅在指示釋放該等經映射經分配槽的軟體輸入之後，將該第一組圖形工作的該等經映射經分配硬體槽指派給另一邏輯槽。
如請求項1之設備，其中：<br/>該多個經分配硬體槽之一給定硬體槽進一步包括：<br/>迭代電路系統，其經組態以迭代通過一組圖形工作；及<br/>一給定處理器子單元進一步包括幾何處理電路系統；及<br/>該控制電路系統經組態以執行在多個不同圖形處理器子單元上並行地執行多個經分散組圖形工作。
如請求項1之設備，其中該控制電路系統經組態以將狀態資訊提供至用於該第一組圖形工作之軟體。
如請求項4之設備，其中該控制電路系統支援至少下列狀態狀況：<br/>相依性等待；<br/>等待該第一組圖形工作的組態資料；及<br/>等待指派至經分配硬體槽。
如請求項4之設備，其中該狀態資訊包括：<br/>該第一邏輯槽之識別；<br/>經指派經分配硬體槽之識別；及<br/>與該第一組圖形工作的執行關聯的時間戳記資訊。
如請求項1之設備，其中該控制電路系統經組態以基於下列軟體置換(software overrides)之類型來判定該等映射：<br/>一經指定分配規則，其指示是否僅分配至該組中的一部分圖形處理器子單元或分配至該組中的所有圖形處理器子單元；及<br/>群組資訊，其指示將在其上部署該第一組圖形工作之子單元的一群組。
如請求項7之設備，其中該控制電路系統經組態以基於下列軟體置換之額外類型來判定該等映射：<br/>遮罩資訊，其指示哪些子單元可用於該第一組圖形工作；及<br/>策略資訊，其指示一排程策略。
如請求項1之設備，其進一步包含：<br/>控制串流處理器電路系統，其經組態以判定用於該等映射的分配規則；及<br/>經分配槽資源配置器電路系統，其經組態以基於下列判定該等映射：<br/>軟體輸入；<br/>來自該控制串流處理器電路系統的經判定分配規則；及<br/>經分配槽狀態資訊。
如請求項9之設備，其中該經分配槽資源配置器電路系統經組態以執行一收回程序，該收回程序允許具有一第一經軟體指示的優先順序等級的一邏輯槽收回經指派給具有一第二較低優先順序等級的一邏輯槽的一硬體槽。
一種非暫時性電腦可讀儲存媒體，其具有儲存於其上的設計資訊，該設計資訊以一格式指定一硬體積體電路之至少一部分的一設計，該格式係藉由經組態以根據該設計使用該設計資訊生產該電路之一半導體製造系統來辨識，其中該設計資訊指定該電路包括： <br/>電路系統，其實施複數個邏輯槽；<br/>一組圖形處理器子單元，其各實施多個經分配硬體槽，其中：<br/>一給定經分配硬體槽包括經組態以儲存圖形工作之工作佇列電路系統及對應於該經儲存圖形工作之組態暫存器；及<br/>一給定圖形處理器子單元包括著色器電路系統，該著色器電路系統經組態以執行由該圖形處理器子單元之多個經分配硬體槽中的該經儲存圖形工作所指定的指令，使得對給一給定經分配硬體槽之圖形工作指派將彼圖形工作之執行指派至對應子單元的該著色器電路系統；及<br/>控制電路系統，其經組態以：<br/>接收一第一組經軟體指定的圖形工作及用於該第一組圖形工作的經軟體指示優先順序資訊；<br/>將該第一組圖形工作指派給一第一邏輯槽；<br/>判定一組經保留硬體槽，該組經保留硬體槽是保留給其經指派圖形工作具有符合一臨限優先順序等級的一優先順序等級的邏輯槽；<br/>判定邏輯槽與該等圖形處理器子單元的一或多者的該多個經分配硬體槽之經分配硬體槽之間的若干映射，其中根據經判定之該組經保留硬體槽來判定該等映射，使得不符合一臨限優先順序等級的邏輯槽僅映射至非保留硬體槽；<br/>根據該等映射之一者將該第一組圖形工作分配至該等圖形處理器子單元的一或多者的一第一組一或多個目標經分配硬體槽；及<br/>使用該等圖形處理器子單元之一或多者的該著色器電路系統來執行來自該第一組一或多個目標硬體槽之該經分配第一組圖形工作，該著色器電路系統經組態以執行來自該第一組一或多個目標經分配硬體槽之工作。
如請求項11之非暫時性電腦可讀儲存媒體，其中基於該第一組圖形工作之軟體輸入，該控制電路系統經組態以：<br/>在完成該第一組圖形工作的處理之後，維持該第一邏輯槽的經分配硬體槽的該映射；及<br/>僅在指示釋放該等經映射經分配槽的軟體輸入之後，將該第一組圖形工作的該等經映射經分配硬體槽指派給另一邏輯槽。
如請求項11之非暫時性電腦可讀儲存媒體，其中該控制電路系統經組態以將狀態資訊提供至用於該第一組圖形工作之軟體。
如請求項13之非暫時性電腦可讀儲存媒體，其中該狀態資訊包括：<br/>該第一邏輯槽之識別；<br/>經指派經分配硬體槽之識別；及<br/>與該第一組圖形工作的執行關聯的時間戳記資訊。
如請求項11之非暫時性電腦可讀儲存媒體，其中該控制電路系統經組態以基於下列軟體置換之類型中的一或多個軟體置換來判定該等映射：<br/>遮罩資訊，其指示哪些子單元可用於該第一組圖形工作；<br/>策略資訊，其指示一排程策略；<br/>一經指定分配規則，其指示是否僅分配至該組中的一部分圖形處理器子單元或分配至該組中的所有圖形處理器子單元；及<br/>群組資訊，其指示將在其上部署該第一組圖形工作之子單元的一群組。
如請求項11之非暫時性電腦可讀儲存媒體，其中該控制電路系統經組態以執行一收回程序，該收回程序允許具有一第一經軟體指示的優先順序等級的一邏輯槽收回經指派給具有一第二較低優先順序等級的一邏輯槽的一硬體槽。
一種用於在圖形處理器中分配圖形工作之方法，其包含：<br/>藉由一圖形處理器的控制電路系統接收一第一組經軟體指定的圖形工作及用於該第一組圖形工作的經軟體指示優先順序資訊；<br/>藉由該控制電路系統將該第一組圖形工作指派給由該圖形處理器實施之複數個邏輯槽之一第一邏輯槽，其中該指派為該邏輯槽提供一槽優先順序等級，該槽優先順序等級係基於該經軟體指示優先順序資訊；<br/>藉由該控制電路系統判定一組經保留硬體槽，該組經保留硬體槽是保留給槽優先順序等級滿足一臨限優先順序等級的邏輯槽，<br/>藉由該控制電路系統判定邏輯槽與一組圖形處理器子單元的經分配硬體槽間的若干映射，該組圖形處理器子單元各實施多個經分配硬體槽，其中：<br/>一給定經分配硬體槽包括經組態以儲存圖形工作之工作佇列電路系統及對應於該經儲存圖形工作之組態暫存器；<br/>一給定圖形處理器子單元包括著色器電路系統，該著色器電路系統經組態以執行由該圖形處理器子單元之多個經分配硬體槽中的該經儲存圖形工作所指定的指令，使得對一給定經分配硬體槽之圖形工作指派將彼圖形工作之執行指派至對應子單元的該著色器電路系統；及<br/>根據經判定之該組經保留硬體槽來判定該等映射，使得其經指派圖形工作具有不符合一臨限優先順序等級的一優先順序等級的邏輯槽僅映射至非保留硬體槽；<br/>藉由該控制電路系統根據該等映射之一者將該第一組圖形工作分配至該等圖形處理器子單元之一或多者的一第一組一或多個目標經分配硬體槽；及<br/>藉由該等圖形處理器子單元之該一或多者使用該等圖形處理器子單元之一或多者的該著色器電路系統來執行來自該第一組一或多個目標硬體槽之該經分配第一組圖形工作，該著色器電路系統經組態以執行來自該第一組一或多個目標經分配硬體槽之工作。
如請求項17之方法，其進一步包含：<br/>在完成該第一組圖形工作的處理之後，藉由該控制電路系統維持該第一邏輯槽的經分配硬體槽的該映射；及<br/>僅在指示釋放該等經映射經分配槽的軟體輸入之後，藉由該控制電路系統將該第一組圖形工作的該等經映射經分配硬體槽指派給另一邏輯槽。
如請求項17之方法，其進一步包含：<br/>藉由該控制電路系統將狀態資訊提供至用於該第一組圖形工作之軟體，其包括：<br/>該第一邏輯槽之識別；<br/>經指派經分配硬體槽之識別；及<br/>與該第一組圖形工作的執行關聯的時間戳記資訊。
如請求項17之方法，其進一步包含：<br/>其中該等映射之該判定係基於下列軟體置換之類型中之一或多個軟體置換：<br/>遮罩資訊，其指示哪些子單元可用於該第一組圖形工作；<br/>策略資訊，其指示一排程策略；<br/>一經指定分配規則，其指示是否僅分配至該組中的一部分圖形處理器子單元或分配至該組中的所有圖形處理器子單元；及<br/>群組資訊，其指示將在其上部署該第一組圖形工作之子單元的一群組。
一種一自舉電路的一靜電放電電路，其中，該自舉電路包括：<br/> 一高壓操作區，包括：<br/> 一自舉電容偏壓端；<br/> 一開關切換端；以及<br/> 一自舉二極體，包括一陽極端、一陰極端以及一外圍區，其中，該自舉二極體的陽極端耦接一電源電壓端，該自舉二極體的陰極端耦接該自舉電容偏壓端；以及<br/> 一共接電壓端；以及<br/> 其中，該靜電放電電路包括：<br/> 一觸發電路，包括一輸入端以及一輸出端，其中，該觸發電路的輸入端耦接該自舉二極體的外圍區；<br/> 一開關電路，包括一控制端、一第一端以及一第二端，其中，該開關電路的控制端耦接該觸發電路的輸出端，該開關電路的第一端耦接該開關切換端，該開關電路的第二端耦接該共接電壓端，<br/> 其中，當正常操作時，藉由該自舉二極體的外圍區的高電壓，該觸發電路輸出失能訊號，使該開關電路的第一端與該開關電路的第二端截止；<br/> 其中，當進行靜電放電時，該自舉二極體的外圍區的無電荷，該觸發電路觸發致能訊號，進一步控制該開關電路的第一端與該開關電路的第二端導通。
根據請求項1所述之自舉電路的一靜電放電電路，其中，該觸發電路包括：<br/> 一P型電晶體，包括一閘極、一第一源汲極以及一第二源汲極，其中，該P型電晶體的閘極耦接該自舉二極體的外圍區，該P型電晶體的第一源汲極耦接該開關切換端，該P型電晶體的第二源汲極耦接該開關電路的控制端；以及<br/> 一N型電晶體，包括一閘極、一第一源汲極以及一第二源汲極，其中，該N型電晶體的閘極耦接該自舉二極體的外圍區，該N型電晶體的第一源汲極耦接該P型電晶體的第二源汲極以及該開關電路的控制端，該N型電晶體的第二源汲極耦接該共接電壓端。
根據請求項1所述之自舉電路的一靜電放電電路，其中，該觸發電路包括：<br/> 一阻抗電路，包括一第一端以及一第二端，其中，該阻抗電路的第一端耦接該自舉二極體的外圍區；以及<br/> 一N型電晶體，包括一閘極、一第一源汲極以及一第二源汲極，其中，該N型電晶體的閘極耦接該阻抗電路的第二端，該N型電晶體的第一源汲極耦接該開關電路的控制端，該N型電晶體的第二源汲極耦接該共接電壓端。
根據請求項1所述之自舉電路的一靜電放電電路，其中，該開關電路包括：<br/> 一N型電晶體，包括一閘極、一第一源汲極以及一第二源汲極，其中，該N型電晶體的閘極耦接該觸發電路的輸出端，該N型電晶體的第一源汲極耦接該開關切換端，該N型電晶體的第二源汲極耦接該共接電壓端。
根據請求項1所述之自舉電路的一靜電放電電路，其中，該自舉電容偏壓端以及該自舉二極體的陰極之間更包括：<br/> 一隔離電晶體，包括一閘極、一第一源汲極以及一第二源汲極，其中，該隔離電晶體的閘極以及第一源汲極耦接該自舉二極體的陰極，該隔離電晶體的第二源汲極耦接該自舉電容偏壓端。
根據請求項1所述之自舉電路的一靜電放電電路，其中，該自舉電容偏壓端以及該自舉二極體的陰極之間更包括：<br/> 一電阻，包括一第一端以及一第二端，其中，該電阻的第一端耦接該自舉二極體的陰極，該電阻的第二端耦接該自舉電容偏壓端。
一種具有靜電放電之積體電路，包括：<br/> 如請求項1～6其中一項所述之自舉電路；以及<br/> 如請求項1～6其中一項所述之靜電放電電路。
根據請求項7所述之具有靜電放電之積體電路，其中，該自舉電容偏壓端以及該開關切換端用以外部耦接一自舉電容。
一種自行車後變速器，用以裝設於一車架，包含：<br/>一基座構件，用以裝設於該車架；<br/>一活動構件；<br/>一連桿組件，耦接於該基座構件及該活動構件；<br/>一鏈條導引構件，包含一架體組件、一第一導輪及一第二導輪，該架體組件樞設於該活動構件，該第一導輪及該第二導輪可轉動地設置於該架體組件；以及<br/>至少一調整構件，設置於該架體組件，以調整該第一導輪及該第二導輪之間的相對距離；<br/>其中該架體組件包含一第一架體及一第二架體，該第一架體樞設於該活動構件，該第一導輪可轉動地設置於該第一架體，該第二架體樞設於該第一架體，該第二導輪可轉動地設置於該第二架體，該至少一調整構件可移動地連接於該第一架體且抵靠於該第二架體。
如請求項1所述之自行車後變速器，其中該第二架體的樞轉軸線與該第一導輪的轉動軸線不共軸。
如請求項1所述之自行車後變速器，其中該至少一調整構件為螺絲，該至少一調整構件螺合於該第一架體。
一種自行車後變速器，用以裝設於一車架，包含：<br/>一基座構件，用以裝設於該車架；<br/>一活動構件；<br/>一連桿組件，耦接於該基座構件及該活動構件；<br/>一鏈條導引構件，包含一架體組件、一第一導輪及一第二導輪，該架體組件樞設於該活動構件，該第一導輪及該第二導輪可轉動地設置於該架體組件；以及<br/>至少一調整構件，設置於該架體組件，以調整該第一導輪及該第二導輪之間的相對距離；<br/>其中該架體組件包含一第一支架、一第二支架及一第三支架，該第一支架包含一樞接部、一第一延伸部及一第二延伸部，該第一延伸部及該第二延伸部自該樞接部朝相異的二方向延伸，該第二支架固定於該第一支架的該第一延伸部，該第一導輪可轉動地設置於該第二支架及該第一支架的該第一延伸部，該第一支架的該第二延伸部具有一穿槽，且該至少一調整構件穿過該穿槽及該第二導輪並固定於該第三支架。
如請求項4所述之自行車後變速器，其中該穿槽為直線形穿槽。
如請求項4所述之自行車後變速器，其中該穿槽為弧形穿槽。
一種自行車後變速器，用以裝設於一車架，包含：<br/>一基座構件，用以裝設於該車架；<br/>一活動構件；<br/>一連桿組件，耦接於該基座構件及該活動構件；<br/>一鏈條導引構件，包含一架體組件、一第一導輪及一第二導輪，該架體組件樞設於該活動構件，該第一導輪及該第二導輪可轉動地設置於該架體組件；以及<br/>至少一調整構件，設置於該架體組件，以調整該第一導輪及該第二導輪之間的相對距離；<br/>其中該自行車後變速器更包含一樞軸，該架體組件包含一第一架體及一第二架體，該至少一調整構件穿過該第一架體及該第二架體並固定於該樞軸，該第一架體及該第二架體共同透過該樞軸及該至少一調整構件樞設於該活動構件，該第一導輪可轉動地設置於該第一架體，該第二導輪可轉動地設置於該第二架體。
一種自行車後變速器，用以裝設於一車架，包含：<br/>一基座構件，用以裝設於該車架；<br/>一活動構件；<br/>一連桿組件，耦接於該基座構件及該活動構件；<br/>一鏈條導引構件，包含一架體組件、一第一導輪及一第二導輪，該架體組件樞設於該活動構件，該第一導輪及該第二導輪可轉動地設置於該架體組件；以及<br/>至少一調整構件，設置於該架體組件，以調整該第一導輪及該第二導輪之間的相對距離；<br/>其中該架體組件包含一第一架體及一第二架體，該第一導輪可轉動地設置於該第一架體，該第二導輪可轉動地設置於該第二架體，該第二架體樞設於該活動構件，該第二架體具有至少一穿槽，該至少一調整構件穿過該第二架體的該至少一穿槽並固定於該第一架體。
如請求項8所述之自行車後變速器，其中該第一架體包含一第一支架及一第二支架，該第一導輪可轉動地設置於該第一支架及該第二支架，該第一支架疊設於該第二架體且具有一穿槽，該至少一調整構件穿過該第二架體的該至少一穿槽及該第一支架的該穿槽並固定於該第二支架。
如請求項8所述之自行車後變速器，其中該第二架體包含一第一支架及一第二支架，該第一支架包含一樞接部、一第一延伸部及一第二延伸部，該第一延伸部及該第二延伸部自該樞接部朝相異的二方向延伸，該第一支架的該樞接部樞設於該活動構件，該至少一穿槽的數量為二個，該二穿槽分別位於該第一延伸部及該第二延伸部，該至少一調整構件的數量為二個，其中一該調整構件穿過其中一該穿槽並固定於該第一架體，另一該調整構件穿過另一該穿槽及該第二導輪並固定於該第二支架。
一種自行車後變速器，用以裝設於一車架，包含：<br/>一基座構件，用以裝設於該車架；<br/>一活動構件；<br/>一連桿組件，耦接於該基座構件及該活動構件；<br/>一鏈條導引構件，包含一架體組件、一第一導輪及一第二導輪，該架體組件樞設於該活動構件，該第一導輪及該第二導輪可轉動地設置於該架體組件；以及<br/>至少一調整構件，設置於該架體組件，以調整該第一導輪及該第二導輪之間的相對距離；<br/>其中該架體組件包含一第一架體及一第二架體，該第一架體樞設於該活動構件，該第一導輪可轉動地設置於該第一架體，該第二架體樞設於該第一架體，該第二導輪可轉動地設置於該第二架體，該第二架體具有一弧形穿槽，該至少一調整構件穿過該弧形穿槽並固定於該第一架體。
如請求項11所述之自行車後變速器，其中該第二架體的樞轉軸線與該第一導輪的轉動軸線共軸。
一種連續生麵團(D4)吐出的方法，使用被配置在吐出缸體(41、41’、141)內的螺桿(7)， <br/> 其中，將比在前述吐出缸體(41、41’、141)的入口(41a)露出的前述螺桿(7)之葉片(72)的節距(P)還小的生麵團球(D3)，從前述吐出缸體(41)的前述入口(41a)供給至前述葉片(72)與前述葉片(72)之間，並將連續生麵團(D4)從前述吐出缸體(41)的出口(41b)吐出。
如請求項1記載的方法，其中，前述吐出缸體(41、41’、141)的前述入口(41a)是位於前述螺桿(7)的葉片(72)的長度方向端面(72c)之處，並將前述生麵團球(D3)在與前述螺桿(7)的旋轉軸線(A)的方向大致同一方向上進行供給。
如請求項2記載的方法，其中，前述吐出缸體(41、41’)是在上下方向上延伸。
如請求項3記載的方法，其中，前述螺桿(7)的前述葉片(72)的片數為二以上。
如請求項4記載的方法，其中，藉由配置在前述吐出缸體(41、41’、141)的前述入口(41a)處的切斷板(92)與旋轉的葉片(72)，將細長的生麵團(D2)切斷，從而形成前述生麵團球(D3)。
如請求項5記載的方法，其中，前述吐出缸體(41、41’)的前述出口(41b)的出口間隙(8a)為環狀，而前述連續生麵團(D4)為環狀。
如請求項6記載的方法，其中，前述環狀的出口間隙(8a)是由前述吐出缸體(41、41’)與被配置在其內側的噴嘴部件(82)所構成，並使前述噴嘴部件(82)相對於前述吐出缸體(41、41’)偏心旋轉運動，俾以前述出口間隙(8a)的大小變動。
一種化學機械拋光設備，包含：<br/> 一內平台，用於支撐一內拋光墊；<br/> 一環形外平台，用於支撐一外拋光墊，其中該外拋光墊同軸地圍繞該內平台，並且該內平台的一外邊緣及該外平台的一內邊緣藉由一間隙分離；<br/> 一承載頭，用於固持一基板；<br/> 一第一馬達，用於以一第一旋轉速率繞著一垂直軸旋轉該內平台；<br/> 一第二馬達，以一第二旋轉速率繞著該垂直軸旋轉該外平台；以及<br/> 一控制器，經配置為選擇多個控制參數的值以最小化一目標移除輪廓與一預期移除輪廓之間的一差異，該多個控制參數包括表示該內平台與該外平台之間的旋轉速度的一差異的一第一參數，<br/> 其中該多個控制參數與一移除速率之間的一關係被儲存在表示一第一矩陣的一資料結構中，該第一矩陣包括多個列（column）及針對以該預期移除輪廓表示的該基板上的每個位置的一行（row），該多個列包括針對旋轉速度的該差異的一列，並且該控制器進一步經配置為，作為該等值的選擇的一部分，藉由將該第一矩陣乘以表示控制參數值的一第二矩陣來計算該預期移除輪廓。
如請求項1所述之設備，包含與將該第一馬達耦接到該內平台的該垂直軸共線的一驅動軸件。
如請求項1所述之設備，進一步包含附接到該內平台或外平台中的一者並且經定位以接合該內平台或該外平台中的另一者的一帶齒表面的一第一齒輪，其中該第一齒輪由該第二馬達驅動並且繞著一第二垂直軸旋轉。
如請求項3所述之設備，其中該第一齒輪附接到該內平台並且經定位以接合該外平台的一帶齒表面，並且該第二垂直軸與該內平台一起移動。
如請求項4所述之設備，其中該第二馬達在該內平台中的一凹陷中支撐。
如請求項3所述之設備，其中該第一齒輪附接到該外平台並且經定位以接合該內平台的一帶齒表面，並且該第二垂直軸與該外平台一起移動。
如請求項6所述之設備，其中該第二馬達在該外平台中的一凹陷中支撐。
如請求項1所述之設備，進一步包含與該外平台的一齒輪表面接合的至少一個齒輪凸緣，其中該第二馬達驅動該齒輪凸緣的旋轉以導致該外平台旋轉。
如請求項8所述之設備，其中該齒輪凸緣繞著一水平軸旋轉並且接合該外平台的一下表面。
如請求項8所述之設備，其中該齒輪凸緣繞著一垂直軸旋轉並且接合該外平台的一圓柱形外表面。
如請求項1所述之設備，包含接合該外平台的一外表面的一皮帶，其中該皮帶藉由該第二馬達驅動。
如請求項1所述之設備，進一步包含用於將一清潔液體噴射到該間隙中的一或多個噴嘴。
如請求項1所述之設備，進一步包含穿過該內平台的一通道，其中一或多個開口進入該間隙中並且離開該內平台。
如請求項13所述之設備，進一步包含耦接到該通道的一清潔液體源，以將清潔液體穿過該一或多個開口導引到該間隙中。
一種化學機械拋光設備，包含：<br/> 一內平台，用於支撐一內拋光墊；<br/> 一環形外平台，用於支撐一外拋光墊，其中該外拋光墊同軸地圍繞該內平台，並且該內平台的一外邊緣及該外平台的一內邊緣藉由一間隙分離；<br/> 一承載頭，用於固持一基板；<br/> 一或多個馬達，用於以一第一旋轉速率繞著一垂直軸旋轉該內平台並且以一第二旋轉速率繞著該垂直軸旋轉該外平台；<br/> 一或多個噴嘴，經定位以將一清潔液體噴射到該間隙中；以及<br/> 一控制器，經配置為選擇多個控制參數的值以最小化一目標移除輪廓與一預期移除輪廓之間的一差異，該多個控制參數包括表示該內平台與該外平台之間的旋轉速度的一差異的一第一參數，<br/> 其中該多個控制參數與一移除速率之間的一關係被儲存在表示一第一矩陣的一資料結構中，該第一矩陣包括多個列（column）及針對以該預期移除輪廓表示的該基板上的每個位置的一行（row），該多個列包括針對旋轉速度的該差異的一列，並且該控制器進一步經配置為，作為該等值的選擇的一部分，藉由將該第一矩陣乘以表示控制參數值的一第二矩陣來計算該預期移除輪廓。
如請求項15所述之設備，進一步包含穿過該內平台或該外平台的一通道，其中在該內平台或該外平台的一側壁中的一或多個開口進入該間隙中。
如請求項15所述之設備，其中該等噴嘴係水平地固定的。
如請求項15所述之設備，進一步包含一去離子水源以將清潔流體提供到該一或多個噴嘴。
一種化學機械拋光設備，包含：<br/> 一內平台，用於支撐一內拋光墊；<br/> 一環形外平台，用於支撐一外拋光墊，其中該外拋光墊同軸地圍繞該內平台，並且該內平台的一外邊緣及該外平台的一內邊緣藉由一間隙分離；<br/> 一承載頭，用於固持一基板；<br/> 一或多個馬達，用於以一第一旋轉速率繞著一垂直軸旋轉該內平台並且以一第二旋轉速率繞著該垂直軸旋轉該外平台；<br/> 一通道，穿過該內平台或該外平台，其中在該內平台或該外平台的一側壁中的一或多個開口進入該間隙中；<br/> 一清潔液體源，耦接到該通道以將清潔液體穿過該一或多個開口導引到該間隙中；以及<br/> 一控制器，經配置為選擇多個控制參數的值以最小化一目標移除輪廓與一預期移除輪廓之間的一差異，該多個控制參數包括表示該內平台與該外平台之間的旋轉速度的一差異的一第一參數，<br/> 其中該多個控制參數與一移除速率之間的一關係被儲存在表示一第一矩陣的一資料結構中，該第一矩陣包括多個列（column）及針對以該預期移除輪廓表示的該基板上的每個位置的一行（row），該多個列包括針對旋轉速度的該差異的一列，並且該控制器進一步經配置為，作為該等值的選擇的一部分，藉由將該第一矩陣乘以表示控制參數值的一第二矩陣來計算該預期移除輪廓。
如請求項19所述之設備，其中該通道穿過該內平台並且在該內平台的該側壁中具有一或多個開口。
如請求項19所述之設備，其中該通道穿過該外平台並且在該外平台的該側壁中具有一或多個開口。
如請求項19所述之設備，其中該清潔液體係去離子水。
一種液冷散熱裝置，其包含：一泵殼，其定義一第一安裝孔及一第二安裝孔；一內腔，其延伸於該第一安裝孔及該第二安裝孔之間；一管接頭，其具有一插接管，該插接管定位在該第一安裝孔及該第二安裝孔之一者內，其中該插接管定義鄰近該泵殼的一卡接槽（clamping groove）並且在一些區段中被依次增粗，該等區段是從定位在該第一安裝孔及該第二安裝孔之一者內的一端至該卡接槽；一密封環（seal ring），其套設於該插接管之至少兩個階梯（stepped）區段之每一者上：及一卡制彈片，其具有一固定端及一卡制端，該固定端固定至該泵殼，該卡制端經配置以延伸跨過該管接頭之該卡接槽內的該第一安裝孔及該第二安裝孔之一者的一部分，以抓住該第一安裝孔及該第二安裝孔之一者內的該插接管。
如請求項1之液冷散熱裝置，其特徵在於該插接管之一個階梯區段定義一凸的定位環，該凸的定位環之外徑與該第一安裝孔及該第二安裝孔之一者之內徑公差配合而在徑向上定位該插接管，該等密封環套設在該插接管上比該凸的定位環更靠近該泵殼之內部之位置處。
如請求項1之液冷散熱裝置，其中該插接管進一步界定一擋止凸塊（bump stop），其定位於該泵殼外面以鄰接該泵殼，並且藉此界定該插接管在該第一安裝孔及該第二安裝孔之一者內之插入深度。
如請求項1之液冷散熱裝置，其中該卡制彈片之該卡制端定義相對的限位擋片（position-limiting baffle plates），以及其中該插接管定義一限位凸起（position-limiting bump），該限位凸起在該卡接槽內，以使得該插接管對該第一安裝孔及該第二安裝孔之一者的中心軸線的旋轉被限制在一角度行程範圍內。
如請求項4之液冷散熱裝置，其中該角度行程範圍從一第一方位至一第二方位延伸，在該第一方位中，定位在該卡接槽內之該限位凸起接觸該等限位擋片之一者，而在該第二方位中，定位在該卡接槽內之該限位凸起接觸該等限位擋片之一第二者。
如請求項4之液冷散熱裝置，其特徵在於該卡制彈片之該等固定端與該等卡制端之間的一部分經過至少兩次彎折，且該等固定端與該卡制端平行。
如請求項4或5或6之液冷散熱裝置，其特徵在於該卡制彈片之該固定端具有自該固定端之一外端緣凹入形成之一鎖定凹槽，該泵殼包括相互蓋合並固定組裝之一底殼及一蓋板，該等安裝孔形成於該底殼上，該蓋板上對應於該等鎖定凹槽處凸伸出一些鎖定柱，該等鎖定柱對應地嵌入該等鎖定凹槽內而鎖固該卡制彈片。
如請求項7之液冷散熱裝置，其特徵在於凸的保持環（convex retaining ring）防止該等鎖定柱自該卡制彈片之該等鎖定凹槽脫出。
一種複合物，包含金屬粉、環氧樹脂、蠟以及硬化促進劑， <br/>所述金屬粉的含量為96質量%以上且99.8質量%以下，所述金屬粉為軟磁性體且為Fe單體與包含鐵的合金鐘的至少一種， <br/>所述蠟包含選自由月桂酸的金屬鹽、硬脂酸的金屬鹽及皂化褐煤酸酯所組成的群組中的至少一種， <br/>所述硬化促進劑為咪唑類， <br/>所述硬化促進劑的調配量相對於100質量份的所述環氧樹脂，為0.1質量份以上且30質量份以下， <br/>相對於所述環氧樹脂100質量份，所述複合物中的所述月桂酸的金屬鹽、所述硬脂酸的金屬鹽及所述皂化褐煤酸酯的含量的合計，為2質量份以上且20質量份以下， <br/>所述複合物用於轉移成型。
如請求項1所述的複合物，其中所述硬化促進劑包含選自由2-十一烷基咪唑及2-乙基-4-甲基咪唑所組成的群組中的至少一種。
如請求項1所述的複合物，其中所述環氧樹脂包含聯苯芳烷基型環氧樹脂。
如請求項1所述的複合物，更包含硬化劑， <br/>所述硬化劑包含苯酚酚醛清漆樹脂。
如請求項1所述的複合物，更包含偶合劑， <br/>所述偶合劑包含甲基丙烯醯氧基辛基三甲氧基矽烷。
如請求項1所述的複合物，更包含應力緩和劑， <br/>所述應力緩和劑包含己內酯改質二甲基矽酮。
如請求項1所述的複合物，其藉由對所述金屬粉與樹脂組成物一面加熱一面進行混合而獲得，所述樹脂組成物包含所述環氧樹脂、所述蠟以及所述硬化促進劑。
如請求項1所述的複合物，其中 <br/>所述蠟包含所述月桂酸的金屬鹽及所述皂化褐煤酸酯。
如請求項1所述的複合物，其中 <br/>選自由所述月桂酸的金屬鹽、所述硬脂酸的金屬鹽及所述皂化褐煤酸酯所組成的群組中的至少一種包含鋅。
如請求項1所述的複合物，其中 <br/>選自由所述月桂酸的金屬鹽、所述硬脂酸的金屬鹽及所述皂化褐煤酸酯所組成的群組中的至少一種包含選自由鹼金屬元素及鹼土金屬元素所組成的群組中的至少任一種。
如請求項1所述的複合物，其中 <br/>所述皂化褐煤酸酯包含鈣。
如請求項1所述的複合物，其中 <br/>所述皂化褐煤酸酯為部分皂化褐煤酸酯。
如請求項12所述的複合物，其中 <br/>所述部分皂化褐煤酸酯的皂化值為102 mgKOH/g以上且122 mgKOH/g以下。
一種成型體，其是藉由轉移成型如請求項1~13中任一項所述的複合物而製造的。
一種硬化物，其是藉由轉移成型如請求項1~13中任一項所述的複合物而製造的。
一種聚噻吩組合物，其包含 <br/>i) 至少一種聚噻吩，其中該聚噻吩為均聚物或共聚物，其包含結構(Ia)之單體單元 <br/><img align="absmiddle" height="77px" width="57px" file="ed10045.jpg" alt="ed10045.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中 <br/>* 指示與相鄰單體單元之鍵， <br/>X、Z 表示O， <br/>R<sup>1</sup>-R<sup>4</sup> 彼此獨立地表示氫原子或有機殘基R， <br/>其中選自由R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>組成之群的三個殘基表示氫原子，且其餘的殘基表示分支鏈烷基或分支鏈醚基； <br/>ii) 至少一種有機化合物或該有機化合物之鹽，該有機化合物攜有一或兩個無機酸基團，其中該有機化合物或其鹽之分子量小於1,000 g/mol； <br/>iii) 至少一種有機溶劑。
如請求項1之聚噻吩組合物，其中該組合物為分散液，其中該聚噻吩i)及該有機化合物ii)形成均勻分散於該有機溶劑iii)中之複合物。
如請求項1或2之聚噻吩組合物，其中該有機殘基R不攜帶陰離子基團。
如請求項1或2之聚噻吩組合物，其中其餘的殘基表示具有式(IIb)之分支鏈烷基 <br/><img align="absmiddle" height="48px" width="63px" file="ed10046.jpg" alt="ed10046.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中n為1至20範圍內之整數。
如請求項1或2之聚噻吩組合物，其中該其餘的殘基表示具有結構式(IIc)之分支鏈醚基 <br/><img align="absmiddle" height="53px" width="137px" file="ed10047.jpg" alt="ed10047.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中 <br/>R<sup>10</sup> 為H、C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烷基或C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烷氧基； <br/>R<sup>11</sup> 為H、C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烷基或C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烷氧基； <br/>n 為0至10範圍內之整數；且 <br/>R<sup>12</sup> 為分支鏈有機殘基。
如請求項5之聚噻吩組合物，其中R<sup>12</sup>為具有式(IId)之有機殘基 <br/><img align="absmiddle" height="53px" width="108px" file="ed10048.jpg" alt="ed10048.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中 <br/>m 為1、2或3， <br/>R<sup>13</sup> 為H或C<sub>1</sub>-C<sub>12</sub>烷基，其限制條件為在結構單元-CHR<sup>13</sup>-中之僅一者中，殘基R<sup>13</sup>為C<sub>1</sub>-C<sub>12</sub>烷基； <br/>R<sup>14</sup> 為C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烷基或芳基。
如請求項1或2之聚噻吩組合物，其中該組合物進一步包含 <br/>iv) 至少一種非導電寡聚或聚合黏合劑。
如請求項1或2之聚噻吩組合物，其中該有機化合物ii)為陰離子界面活性劑。
如請求項1或2之聚噻吩組合物，其中該至少一種有機溶劑iii)係選自由以下組成之群：甲苯、二甲苯、苯甲醚、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、苯甲酸丙酯、苯甲酸丁酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯、乙酸辛酯、丙酸甲酯、丙酸乙酯、丙酸丙酯、丙酸丁酯、乙酸1-甲氧基-2-丙酯、1-甲氧基-2-丙醇、丁醇、2-丙醇、乙醇及其混合物，或此等非質子性溶劑中之一或兩者與一或兩種其他溶劑之混合物。
如請求項1或2之聚噻吩組合物，其中以該組合物之總重量計，該組合物之鐵含量小於30 ppm。
一種製備聚噻吩組合物之方法，該方法包含以下步驟 <br/>I) 提供包含以下組分之反應混合物： <br/>i) 結構(VIa)之噻吩單體 <br/><img align="absmiddle" height="75px" width="55px" file="ed10049.jpg" alt="ed10049.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中 <br/>X、Z 表示O， <br/>R<sup>1</sup>-R<sup>4</sup> 彼此獨立地表示氫原子或有機殘基R， <br/>其中選自由R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>組成之群的三個殘基表示氫原子，且其餘的殘基表示分支鏈烷基或分支鏈醚基； <br/>ii) 至少一種有機化合物或該有機化合物之鹽，該有機化合物攜有一或兩個無機酸基團，其中該有機化合物或其鹽之分子量小於1,000 g/mol； <br/>iii) 至少一種有機溶劑；及 <br/>iv) 至少一種氧化劑； <br/>II) 氧化聚合該等噻吩單體以形成聚噻吩。
如請求項11之方法，其中其餘的殘基表示具有式(IIb)之分支鏈烷基 <br/><img align="absmiddle" height="50px" width="65px" file="ed10050.jpg" alt="ed10050.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中n為1至20範圍內之整數。
如請求項11之方法，其中該其餘的殘基表示具有結構式(IIc)之分支鏈醚基 <br/><img align="absmiddle" height="52px" width="137px" file="ed10051.jpg" alt="ed10051.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中 <br/>R<sup>10</sup> 為H、C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烷基或C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烷氧基； <br/>R<sup>11</sup> 為H、C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烷基或C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烷氧基； <br/>n 為0至10範圍內之整數；且 <br/>R<sup>12</sup> 為分支鏈有機殘基。
如請求項13之方法，其中R<sup>12</sup>為具有式(IId)之有機殘基 <br/><img align="absmiddle" height="52px" width="108px" file="ed10052.jpg" alt="ed10052.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中 <br/>m 為1、2或3， <br/>R<sup>13</sup> 為H或C<sub>1</sub>-C<sub>12</sub>烷基，其限制條件為在結構單元-CHR<sup>13</sup>-中之僅一者中，殘基R<sup>13</sup>為C<sub>1</sub>-C<sub>12</sub>烷基； <br/>R<sup>14</sup> 為C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烷基或芳基。
一種層結構(100)，其包含基板(101)及施加於該基板(101)上之導電層(102)，其中該導電層(102)包含如請求項1及4至6中任一項中所定義之聚噻吩i)及至少一種如請求項1及8中任一項中所定義之有機化合物ii)或該有機化合物之鹽，該有機化合物攜有一或兩個無機酸基團。
一種製備層結構(100)之方法，其包含以下方法步驟： <br/>A) 提供基板(101)； <br/>B) 用如請求項1至10中任一項之組合物或用可藉由如請求項11至14中任一項之方法獲得之組合物塗佈基板(101)； <br/>C) 至少部分移除該有機溶劑iii)以形成導電層(102)。
一種電子組件，其包含如請求項15之層結構(100)或可藉由如請求項16之方法獲得之層結構。
一種如請求項1至10中任一項之組合物或可藉由如請求項11至14中任一項之方法獲得之組合物之用途，其用於在電子組件中產生導電層或用於產生抗靜電塗層。
一種化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物係選自如下表所示之實例1至107、109至117、119至173、175至178、181、182、184、185、187至191、193至210、212至605、607至653、655至659、661至681、683至753、755至801、803至805及807至926： <br/>。
一種醫藥組合物，其包含醫藥學上有效量之如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，及醫藥學上可接受之載劑或賦形劑。
一種如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽之用途，其係用於製造供治療GLP-1R介導之疾病或病狀之藥劑。
如請求項3之用途，其中該疾病或病狀包含肝病。
如請求項4之用途，其中該疾病或病狀包含肝纖維化、非酒精性脂肪肝病(NAFLD)、非酒精性脂肪變性肝炎(NASH)、肝硬化、代償性肝纖維化、失代償性肝纖維化、肝細胞癌、原發性膽汁性肝硬化(PBC)或原發性硬化性膽管炎(PSC)。
如請求項5之用途，其中該疾病或病狀包含非酒精性脂肪肝病(NAFLD)。
如請求項5之用途，其中該疾病或病狀包含非酒精性脂肪變性肝炎(NASH)。
如請求項3之用途，其中該疾病或病狀包含代謝疾病。
如請求項3之用途，其中該疾病或病狀包含I型糖尿病、II型糖尿病、糖尿病前期、特發性1型糖尿病、潛伏性自體免疫糖尿病、年輕人成年型糖尿病、早發性糖尿病、營養不良相關糖尿病、妊娠期糖尿病、高血糖症、胰島素抗性、肝臟胰島素抗性、葡萄糖耐受性不良、糖尿病神經病變、糖尿病腎病變、腎病、糖尿病性視網膜病變、脂肪細胞功能異常、內臟脂肪沈積、肥胖症、飲食障礙、睡眠呼吸中止、體重增加、糖癮、血脂異常、高胰島素血症、充血性心臟衰竭、心肌梗塞、中風、出血性中風、缺血性中風、創傷性腦損傷、肺高血壓、血管成形術後再狹窄、間歇性跛行、餐後脂血症、代謝性酸中毒、酮病、關節炎、左心室肥大、帕金森氏症、周邊動脈疾病、黃斑變性、白內障、腎小球硬化、慢性腎衰竭、代謝症候群、心絞痛、經前症候群、栓塞、動脈粥樣硬化、葡萄糖代謝異常、血管再狹窄、癡呆或阿茲海默氏病。
如請求項3至9中任一項之用途，其中該藥劑包含該化合物或其醫藥學上可接受之鹽與另外治療劑之組合。
如請求項10之用途，其中該另外治療劑包含抗肥胖劑，包括(但不限於)肽YY或其類似物、2型神經肽Y受體(NPYR2)促效劑、NPYR1促效劑、NPYR5拮抗劑、1型大麻受體(CB1 R)拮抗劑、脂肪酶抑制劑(例如奧利司他(orlistat))、人類前胰島(proislet)肽(HIP)、黑皮質素(melanocortin)受體4促效劑(MC4R)(例如塞諾肽(setmelanotide))、黑色素濃集激素受體1拮抗劑、法尼醇(famesoid) X受體(FXR)促效劑(例如奧貝膽酸(obeticholic acid))、細胞凋亡信號調節激酶(ASK-1)抑制劑、唑尼沙胺(zonisamide)、苯丁胺(phentermine) (單獨或與托吡酯(topiramate)組合)、去甲腎上腺素/多巴胺再吸收抑制劑(例如苯丙胺(buproprion))、類鴉片受體拮抗劑(例如納曲酮(naltrexone))、去甲腎上腺素/多巴胺再吸收抑制劑與類鴉片受體拮抗劑之組合(例如安非他酮(bupropion)與納曲酮之組合)、GDF-15類似物、西布曲明(sibutramine)、膽囊收縮素促效劑、澱粉素及其類似物(例如普蘭林肽(pramlintide))、瘦素及其類似物(例如美曲普汀(metroleptin))、血清素激導性藥劑(例如氯卡色林(lorcaserin))、甲硫胺酸胺基肽酶2 (MetAP2)抑制劑(例如貝洛尼布(beloranib)或ZGN-1061)、苯二甲嗎啉(phendimetrazine)、二乙胺苯酮(diethylpropion)、苄非他明(benzphetamine)、SGLT2抑制劑(例如恩格列淨(empagliflozin)、卡格列淨(canagliflozin)、達格列淨(dapagliflozin)、伊格列淨(ipragliflozin)、托格列淨(tofogliflozin)、舍格列淨依碳酸酯(sergliflozin etabonate)、瑞格列淨依碳酸酯(remogliflozin etabonate)或埃格列淨(ertugliflozin))、SGLTL1抑制劑、雙重SGLT2/SGLT1抑制劑、纖維母細胞生長因子受體(FGFR)調節劑、AMP-活化蛋白激酶(AMPK)活化劑、生物素、MAS受體調節劑、或升糖素受體促效劑(單獨或與另一GLP-1 R促效劑，例如利拉魯肽(liraglutide)、艾塞那肽(exenatide)、度拉糖肽(dulaglutide)、阿必魯肽(albiglutide)、利司那肽(lixisenatide)或司美魯肽(semaglutide)組合)、過氧化體增殖物活化受體α (PPARα)促效劑、魚油、乙醯基-CoA羧化酶(ACC)抑制劑、TGFβ拮抗劑、GFRAL促效劑，及/或其醫藥學上可接受之鹽。
一種單體積體電路裝置，其包含可定址雷射陣列，該可定址雷射陣列包含： <br/>複數個的N個發光源； <br/>多工器，其包含N個電晶體，該N個電晶體中之各者與該複數個的N個發光源中之一不同者相關聯；且 <br/>其中該N個電晶體中之各者可操作以定址該相關聯的一個發光源， <br/>其中該單體積體電路包含可操作以形成所述發光源及所述電晶體之不同磊晶層， <br/>且其中該InGaP層可操作以終止相關聯於該複數個發光源之該磊晶層與相關聯於該複數個電晶體之該磊晶層之間的蝕刻。
如請求項1之裝置，其中該複數個的N個發光源中之各者為LED、EEL、VCSEL或PCSEL。
如請求項1之裝置，其中該單體積體電路包含由GaN、GaAs、InP、SiC或GaSb製成之基板/晶圓。
如請求項1之裝置，其中該複數個的N個電晶體中之各者為可操作用於三端類比功能性之MESFET、pHEMT、HFET或HBT。
如請求項1之裝置，其中該單體積體電路包含可操作以形成所述發光源及所述電晶體之至少三個磊晶層。
如請求項5之裝置，其中用於形成所述發光源之所述磊晶層藉由高電阻式GaAs及InGaP之一個或多個磊晶層而與用於形成所述電晶體之所述磊晶層隔離。
如請求項1之裝置，其中該複數個的N個發光源之磊晶結構包含平滑緩衝層、N型DBR層、一個或多個主動層及P型DBR層。
如請求項7之裝置，其中該平滑緩衝層、該N型DBR層、該一個或多個主動層及該P型DBR層各自包含複數個磊晶層。
如請求項1之裝置，其中該複數個的N個電晶體之磊晶結構包含一個或多個單凹槽pHEMT，該一個或多個單凹槽pHEMT包含下部障壁層、下部δ摻雜層、下部間隔物層、通道層、上部間隔物層、上部δ摻雜層、上部障壁層、肖特基層、蝕刻終止層及蓋層。
如請求項1之裝置，其中該複數個的N個電晶體之磊晶結構包含一個或多個雙凹槽pHEMT，該一個或多個雙凹槽pHEMT包含下部障壁層、下部δ摻雜層、下部間隔物層、通道層、上部間隔物層、上部δ摻雜層、上部障壁層、肖特基層、凹槽層、蝕刻終止層及蓋層。
如請求項1之裝置，其中該複數個的N個電晶體之磊晶結構包含HBT，該HBT包含子集極層、集極層、基極層、射極層及射極蓋層。
如請求項5之裝置，其中與所述電晶體相關聯之所述磊晶層覆蓋與所述發光源相關聯之所述磊晶層。
如請求項1之裝置，其中所述電晶體藉由離子實施及/或台面蝕刻而與所述發光源隔離。
一種透光觸壓顯示裝置，包含：<br/> 二基板，彼此相對並分別電性連接一電壓源，用於在該二基板之間形成可切換之一電場，其中該二基板的相對內側呈水平配向；及<br/> 一液晶層，包含填充於該二基板之間的一液晶材料，該液晶材料包含一向列型液晶、一旋性分子及一吸收染料，用於分別響應一外部觸壓或該電場而切換該液晶層至一反射態或一透光態；其中，該吸收染料在該反射態吸收入射至該液晶層的一穿透光，以減少該穿透光對一反射光成像的干擾；在該透光態，該液晶層之該向列型液晶呈焦錐結構排列，使該穿透光線在該液晶層散射，且該液晶層具有一霧度值高於50%。
一種透光觸壓顯示裝置，包含：<br/> 二基板，彼此相對並分別電性連接一電壓源，用於在該二基板之間形成可切換之一電場，其中該二基板的相對內側呈水平配向；及<br/> 一液晶層，包含填充於該二基板之間的一液晶材料，該液晶材料包含一向列型液晶、一旋性分子及一吸收染料，用於分別響應一外部觸壓或該電場而切換該液晶層至一反射態或一透光態；其中，該吸收染料在該反射態吸收入射至該液晶層的一穿透光，以減少該穿透光對一反射光成像的干擾；在該透光態，該液晶層之該向列型液晶呈橫向螺紋結構排列，使該穿透光線透射該液晶層，且該液晶層具有一霧度值低於50%。
如請求項1或2之透光觸壓顯示裝置，其中，該液晶層對於可見光波段的總透射率不超過30%。
如請求項1或2之透光觸壓顯示裝置，其中，該吸收染料的重量比例不超過10%。
如請求項1或2之透光觸壓顯示裝置，其中，該向列型液晶為正型液晶。
如請求項1或2之透光觸壓顯示裝置，其中，該液晶層的反射光波波長介於400奈米至700奈米。
如請求項1或2之透光觸壓顯示裝置，其中，各該基板包含一透明導電膜，分別位於該液晶層之相對二側。
如請求項7之透光觸壓顯示裝置，其中，該透明導電膜包含氧化銦錫、奈米銀線、奈米金屬粒子及導電高分子材料。
如請求項1或2之透光觸壓顯示裝置，其中，該二基板包含玻璃、壓克力、導電高分子及塑膠材料。
一種改良式固定端子連接器，包含：連接器本體、至少一組固定件及連接端子；<br/> 該連接器本體設有一個或一個以上之端子槽，上方適當處設有彈片固定槽A，下方適當處設有彈片固定槽B，而該連接器本體二側適當處設有一個或一個以上之固定卡條；<br/> 該固定件分為上固定件及下固定件，該上固定件為一長方條體，左右二側均向下彎折90°並延伸，形成適當長度之固定部A，該固定部A內設有檔塊A，且該上固定件之下方設有一個或一個以上之上彈片；該下固定件為一長方條體，左右二側均向上彎折90°並延伸，形成適當長度之固定部B，該固定部B內設有檔塊B，且該下固定件之上方設有一個或一個以上之下彈片；<br/> 該連接端子具有一接觸端及一鉚線端；<br/> 其中，上述之上固定件會藉由其所具之固定部A與上述連接器本體之固定卡條間的配合，使上固定件置於連接器本體之彈片固定槽A上方，而上述之下固定件會藉由其所具之固定部B與連接器本體之固定卡條間的配合，使下固定件置於連接器本體之彈片固定槽B下方，最後將連接端子插入連接器本體，使連接端子之接觸端置於連接器本體之端子槽內，並將上固定件及下固定件前推，使上固定件藉由固定部A之檔塊A及下固定件經由固定部B之檔塊B作固定及達成連接端子的限位。
如請求項1所述之改良式固定端子連接器，其中該連接器本體之端子槽數量為十二個，且排列方式為上排六個及下排六個；該連接器本體二側之固定卡條分別各為二個，且排列方式為縱向，並分為上固定卡條及下固定卡條，該上固定卡條呈順時針方向旋轉90°之倒L形，而該下固定卡條呈逆時針方向旋轉90°之L形，且該上固定卡條及下固定卡條均設有導角。
如請求項1所述之改良式固定端子連接器，其中該連接器本體之彈片固定槽A及彈片固定槽B前緣均設有防止壁部。
如請求項3所述之改良式固定端子連接器，其中該彈片固定槽A及彈片固定槽B前緣之防止壁部為塑膠材質所製。
如請求項1所述之改良式固定端子連接器，其中該上固定件之上彈片及該下固定件之下彈片，其數量均為六個。
如請求項1所述之改良式固定端子連接器，其中該上固定件之上方適當處設有卡勾。
如請求項1所述之改良式固定端子連接器，其中該連接端子之數量為十二個。
一種改良式固定端子連接器之組裝方法，包含下列步驟：<br/> (a)上固定件置於連接器本體之彈片固定槽A上方；<br/> (b)使下固定件置於連接器本體之彈片固定槽B下方；<br/> (c)將連接端子插入連接器本體；<br/> (d)藉由上固定件之固定部A及連接器本體之上固定卡條間的配合，將上固定件向前推，使上固定卡條與檔塊A接觸，且上彈片會夾持於彈片固定槽A之防止壁部；<br/> (e) 藉由下固定件之固定部B及連接器本體之下固定卡條間的配合，將下固定件向前推，使下固定卡條與檔塊B接觸，且下彈片會夾持於彈片固定槽B之防止壁部；<br/> (f)結合步驟(d)及步驟(e)，使上固定件及下固定件固定於連接器本體並使連接端子限位。
一種調節器總成，適用於一供氣設備，該調節器總成包含：一主體包含一氣體通道，該氣體通道用以連接該供氣設備；以及一偵測裝置安排至該主體，該偵測裝置包含：一入口部用以連接至該主體且連通該氣體通道；一容室；一警示單元安排在該容室內；及一開關件活動地安裝至相鄰該入口部；其中，當該開關件處於一第一狀態時，該開關件用以防止該供氣設備提供的一氣體進入該容室內；其中，當該開關件從該第一狀態活動至一第二狀態時，該開關件用以允許該氣體進入該容室內，且該氣體驅動該警示單元。
如請求項1所述之調節器總成，其中，該主體為一級頭調節器。
如請求項1所述之調節器總成，其中，該偵測裝置更包含一出口部，且該容室位於該入口部與該出口部之間。
如請求項3所述之調節器總成，其中，該偵測裝置更包含至少一殼體，且該至少一殼體安排有該入口部、該出口部以及該容室形成於該入口部與該出口部之間。
如請求項4所述之調節器總成，其中，該偵測裝置更包含一第一彈性件；當該供氣設備提供的該氣體處於一高壓狀態時，該氣體以一第一氣壓力量驅動該開關件處於該第一狀態，且該開關件壓住該第一彈性件累積一預定彈力；當該供氣設備提供的該氣體處於一低壓狀態時，該第一氣壓力量降低至一第二氣壓力量，該預定彈力大於該第二氣壓力量，使該開關件回應該第一彈性件的該預定彈力之釋放從該第一狀態活動至該第二狀態。
如請求項4所述之調節器總成，其中，該偵測裝置更包含一第一基座與一第二基座安排在該容室內；該第一基座與該第二基座之間定義一預定空間可供該警示單元活動，且該警示單元活動時用以撞擊該第一基座與該第二基座的其中之一的一預定部，用以發出一警示聲音。
如請求項6所述之調節器總成，其中，該偵測裝置更包含一第二彈性件用以提供彈力至該警示單元。
如請求項7所述之調節器總成，其中，該偵測裝置更包含一保持件安排在該預定空間內，用以導引該警示單元在活動的路徑上。
如請求項7所述之調節器總成，其中，該偵測裝置更包含一輔助件，該輔助件位於該容室與該出口部之間，該輔助件包含一預定段，且該輔助件與該至少一殼體定義一預定間隙；當該開關件處於該第二狀態時，該開關件用以允許該氣體進入該容室內，且該氣體從該容室往該出口部流動的過程中，該氣體帶動該輔助件的預定段在該預定間隙活動。
如請求項9所述之調節器總成，其中，該至少一殼體包含至少一預定孔連通該預定空間；當該開關件處於該第二狀態時，該開關件用以允許該氣體進入該容室內，且該氣體從該容室往該出口部流動的過程中，該氣體透過該至少一預定孔帶動該輔助件的預定段在該預定間隙活動。
如請求項9所述之調節器總成，其中，該輔助件的尺寸大於該第二基座的尺寸，且該輔助件套接至該第二基座的外圍。
如請求項1所述之調節器總成，其中，該偵測裝置的出口部安排有一閥件。
如請求項1所述之調節器總成，更包含一電子模組，且該電子模組依據該警示單元與該開關件的其中之一的活動能發出一預定訊號。
如請求項13所述之調節器總成，其中，該預定訊號包含一聲音或一光源。
如請求項13所述之調節器總成，其中，該預定訊號用以供一電子裝置接收。
一種偵測裝置，包含：一容室；一警示單元活動地安裝在該容室內；以及一開關件；其中，當該開關件處於一第一狀態時，該開關件能阻擋於該容室的一預定入口；其中，當該開關件從該第一狀態活動至一第二狀態時，該開關件不再阻擋於該容室的預定入口；其中，該警示單元的活動方向與該開關件的活動方向實質上為相同。
如請求項16所述之偵測裝置，其中，該偵測裝置透過一入口部用以連接至一一級頭調節器且連通該一級頭調節器的一氣體通道，該開關件位於相鄰該入口部；該警示單元與該開關件直線地相互對齊。
如請求項17所述之偵測裝置，更包含至少一殼體，且該至少一殼體安排有該入口部、一出口部以及該容室形成於該入口部與該出口部之間；該偵測裝置更包含一第一彈性件用以提供彈力至該開關件；該偵測裝置更包含一第二彈性件用以提供彈力至該警示單元；該偵測裝置更包含一第一基座與一第二基座安排在該容室內；該第一基座與該第二基座之間定義一預定空間可供該警示單元活動，且該警示單元活動時用以撞擊該第一基座與該第二基座的其中之一的一預定部，用以發出一警示聲音。
如請求項18所述之偵測裝置，更包含一輔助件，該輔助件位於該容室與該出口部之間，該輔助件的尺寸大於該第二基座的尺寸，且該輔助件套接至該第二基座的外圍；該輔助件包含一基部以及一預定段連接該基部，該容室的一預定出口形成在該基部，且該輔助件與該至少一殼體定義一預定間隙，該預定間隙用以提供該輔助件的預定段能夠在該預定間隙活動。
一種頭戴式裝置，包括：一護目鏡，具有一鏡框與一鏡片，其中該鏡框界定一開口，且該鏡片裝設在該開口上；以及一影像投影模組，包括：一殼體，固定在該護目鏡上，且具有一頂壁、一底壁、一第一側壁、一第二側壁與一第一延伸壁，且該頂壁、該底壁、該第一側壁與該第二側壁相互連接，以界定一通道、一第一通道口與一第二通道口，其中該通道介於該第一通道口與該第二通道口間，該第一通道口鄰近於該開口，該第一延伸壁連接於該底壁、該第一側壁與該第二側壁之間，且該第一延伸壁、該底壁、該第一側壁與該第二側壁界定一第一容置空間；一光學元件，位於該通道上，並具有一第一光學表面與一第二光學表面；一投影器，固定在該殼體上，並經配置以朝該光學元件投射一影像光束，使得該影像光束依序通過該第一光學表面與該第二光學表面；及一反射元件，位在該第一容置空間內，並設置在該底壁上，且該反射元件經配置以接收通過該第一光學表面與該第二光學表面的該影像光束，且將該所接收的影像光束進行反射，以產生一反射光束反射到該第二光學表面，其中該通道位於該投影器與該反射元件之間，且該光學元件經配置以將該反射光束朝該鏡片折射，以產生一折射光束，使得該折射光束從該第一通道口離開該通道而穿越過該鏡片，進而形成一影像。
如請求項1所述的頭戴式裝置，其中：該投影器固定在該頂壁上。
如請求項1所述的頭戴式裝置，其中該光學元件為一平板型分光鏡，且具有至少一側邊固定在該第一延伸壁上。
如請求項3所述的頭戴式裝置，其中：該第一光學表面與該第二通道口間形成一角度，且該角度介於10度與85度之間。
如請求項4所述的頭戴式裝置，其中該反射元件具有一反射曲面，其經配置以接收通過該第一光學表面與該第二光學表面的該影像光束，且將該所接收的影像光束進行反射，以產生該反射光束反射到該第二光學表面。
如請求項1所述的頭戴式裝置，其中：該殼體更具有一第二延伸壁，其連接於該頂壁、該第一側壁與該第二側壁之間；該第二延伸壁、該頂壁、該第一側壁與該第二側壁界定一第二容置空間，且該投影器的至少一部分位在該第二容置空間內；及該第二通道口界定於該第一延伸壁與該第二延伸壁之間。
如請求項2所述的頭戴式裝置，其中：該影像投影模組更包括至少一連接元件，其設置在該頂壁、該底壁、該第一側壁與該第二側壁中之至少一者上，並經配置以連接該鏡框，以將該殼體固定在該護目鏡上。
如請求項1所述的頭戴式裝置，更包括：一處理器，電性連接該投影器，並經配置以產生一資訊，其中該投影器根據該資訊產生該影像光束，使該資訊呈現在該影像中。
如請求項8所述的頭戴式裝置，更包括：一感測器，電性連接該處理器，並經配置以感測一外部環境的一物理量，且將該物理量傳送至該處理器，其中該處理器更經配置以根據該物理量產生該資訊。
如請求項8所述的頭戴式裝置，更包括：一相機模組，電性連接該處理器，並經配置以拍攝一影像，且將該影像傳送至該處理器，其中該處理器更經配置以根據該影像產生該資訊。
如請求項8所述的頭戴式裝置，更包括：一通訊模組，電性連接該處理器，並經配置以接收一無線信號，將該無線信號轉換成一電子信號，且將該電子信號傳送至該處理器，其中該處理器更經配置以根據該電子信號產生該資訊。
一種影像投影模組，用於裝設在一頭戴式裝置上，該頭戴式裝置具有一護目鏡，該護目鏡具有一鏡框與一鏡片，該鏡框界定一開口，該鏡片裝設在該開口上，且該影像投影模組包括：一殼體，具有一頂壁、一底壁、一第一側壁、一第二側壁與一第一延伸壁，且該頂壁、該底壁、該第一側壁與該第二側壁相互連接，以界定一通道、一第一通道口與一第二通道口，其中該通道介於該第一通道口與該第二通道口間，該第一通道口鄰近於該開口，該第一延伸壁連接於該底壁、該第一側壁與該第二側壁之間，且該第一延伸壁、該底壁、該第一側壁與該第二側壁界定一第一容置空間；至少一連接元件，設置在該頂壁、該底壁、該第一側壁與該第二側壁中之至少一者上，並經配置以連接該護目鏡的一鏡框，以將該殼體固定在該護目鏡上；一光學元件，位於該通道上，並具有一第一光學表面與一第二光學表面；一投影器，固定在該殼體上，並經配置以朝該光學元件投射一影像光束，使得該影像光束依序通過該第一光學表面與該第二光學表面；及一反射元件，位在該第一容置空間內，並設置在該底壁上，且該反射元件經配置以接收通過該第一光學表面與該第二光學表面的該影像光束，且將該所接收的影像光束進行反射，以產生一反射光束反射到該第二光學表面，其中該通道位於該投影器與該反射元件之間，且該光學元件經配置以將該反射光束朝該鏡片折射，以產生一折射光束，使得該折射光束從該第一通道口離開該通道而穿越過該鏡片，進而形成一影像。
如請求項12所述的影像投影模組，其中：該投影器固定在該頂壁上。
如請求項12所述的影像投影模組，其中：該殼體更具有一第二延伸壁；該第二延伸壁連接於該頂壁、該第一側壁與該第二側壁之間；該第二通道口界定於該第一延伸壁與該第二延伸壁之間；該第二延伸壁、該頂壁、該第一側壁與該第二側壁界定一第二容置空間，且該投影器的至少一部分位在該第二容置空間內；該光學元件為一平板型分光鏡，且具有至少一側邊固定在該第一延伸壁上；及該第一光學表面與該第二通道口間形成一角度，且該角度介於10度與85度之間。
如請求項14所述的影像投影模組，其中該反射元件具有一反射曲面，其經配置以接收通過該第一光學表面與該第二光學表面的該影像光束，且將該所接收的影像光束進行反射，以產生該反射光束反射到該第二光學表面。
如請求項12所述的影像投影模組，更包括：一處理器，電性連接該投影器，並經配置以產生一資訊，其中該投影器根據該資訊產生該影像光束，使該資訊呈現在該影像中。
如請求項16所述的影像投影模組，更包括：一感測器，電性連接該處理器，並經配置以感測一外部環境的一物理量，且將該物理量傳送至該處理器，其中該處理器更經配置以根據該物理量產生該資訊。
如請求項16所述的影像投影模組，更包括：一相機模組，電性連接該處理器，並經配置以拍攝一影像，且將該影像傳送至該處理器，其中該處理器更經配置以根據該影像產生該資訊。
如請求項16所述的影像投影模組，更包括：一通訊模組，電性連接該處理器，並經配置以接收一無線信號，將該無線信號轉換成一電子信號，且將該電子信號傳送至該處理器，其中該處理器更經配置以根據該電子信號產生該資訊。
一種製造裝置，為電子零件的製造裝置，且 <br/>所述電子零件是經過多個步驟來製造， <br/>所述製造裝置包括：多個機構，分別進行所述多個步驟中所包括的任一步驟； <br/>框體，覆蓋所述多個機構的各個； <br/>第一觀察窗，設置於所述框體，能夠切換透過狀態與不透過狀態；及 <br/>接受部，接受所述製造裝置的操作指示， <br/>所述多個機構沿規定方向排列， <br/>所述第一觀察窗與所述接受部於所述規定方向上相互遠離， <br/>於所述第一觀察窗為所述不透過狀態的情況下，所述第一觀察窗接受所述操作指示。
如請求項1所述的製造裝置，其中，於所述第一觀察窗為所述不透過狀態的情況下，所述第一觀察窗顯示所述製造裝置的操作畫面。
如請求項2所述的製造裝置，其中，所述操作畫面包含用於宣傳所述製造裝置的圖像。
如請求項1所述的製造裝置，其中，所述第一觀察窗包括：顯示器，能夠切換所述透過狀態與所述不透過狀態；及觸控面板，配置於所述顯示器的外側。
如請求項4所述的製造裝置，其中，所述第一觀察窗更包括隔熱用板，所述隔熱用板配置於所述顯示器的內側。
如請求項4或5所述的製造裝置，其更包括控制基板，所述控制基板安裝有對所述顯示器進行控制的第一控制裝置， <br/>所述框體包括矩形形狀的門， <br/>所述第一觀察窗設置於所述門， <br/>將所述顯示器與所述控制基板連接的配線集中於所述門的四邊中被視為旋轉軸的邊的附近。
如請求項1至5中任一項所述的製造裝置，其更包括：照明裝置，自所述框體的內側對所述第一觀察窗進行照射；及 <br/>第二控制裝置，對所述照明裝置進行控制， <br/>所述第二控制裝置對所述照明裝置進行控制，以使其對應於所述第一觀察窗自所述不透過狀態切換至所述透過狀態而熄燈。
如請求項6所述的製造裝置，其更包括：照明裝置，自所述框體的內側對所述第一觀察窗進行照射；及 <br/>第二控制裝置，對所述照明裝置進行控制， <br/>所述門能夠切換鎖定狀態與解鎖狀態， <br/>所述第二控制裝置對所述照明裝置進行控制，以使其於所述第一觀察窗為所述不透過狀態的情況下，對應於所述門自所述鎖定狀態切換至所述解鎖狀態而熄燈。
如請求項1至5中任一項所述的製造裝置，其中，所述接受部由第二觀察窗構成， <br/>所述第二觀察窗設置於所述框體，能夠切換所述透過狀態與所述不透過狀態， <br/>於所述第二觀察窗為所述不透過狀態的情況下，所述第二觀察窗接受所述操作指示。
如請求項1至5中任一項所述的製造裝置，其中，所述電子零件為半導體裝置。
一種用於傳輸樣品之系統，其包括：<br/>一樣品輸送線，其經組態以經由氣壓傳輸來自一遠端取樣系統之一液體樣品；<br/>一緩衝流體迴路，其與該樣品輸送線流體耦合(fluidically coupled)，該緩衝流體迴路經組態以保持(hold)一緩衝流體；<br/>一樣品迴路，其與該樣品輸送線及該緩衝流體迴路流體耦合，該樣品迴路經組態以保持一樣品流體；<br/>一控制器，其與該遠端取樣系統通信；及<br/>一記憶體，其包括電腦可執行指令，該等電腦可執行指令可操作以：<br/>將來自一氣壓源之一氣體之施加導引(direct)至該緩衝流體迴路以推動來自該緩衝流體迴路之該緩衝流體及來自該樣品迴路之該樣品流體以在該樣品輸送線內分別(separately)提供一樣品流體區段及一緩衝流體區段。
如請求項1之系統，該記憶體進一步包括電腦可執行指令可操作以：<br/>將一氣體區段引入至該樣品流體區段與該緩衝流體區段之間之該樣品輸送線以使該樣品流體區段與該緩衝流體區段分離(separate)。
如請求項1之系統，其進一步包括一閥系統，該閥系統與該樣品輸送線、該緩衝流體迴路、該樣品迴路、該氣壓源及該輸送線中之每一者流體耦合。
如請求項3之系統，該記憶體進一步包括電腦可執行指令，該等電腦可執行指令可操作以：<br/>在至少一負載組態與一輸送組態之間切換該閥系統，其中當處於該負載組態時，該氣壓源與該輸送線流體連通，但不與該緩衝流體迴路及該樣品迴路中之一或多者流體連通。
如請求項4之系統，其中當處於該負載組態時，該氣壓源與該輸送線流體連通，但不與該緩衝流體迴路或該樣品迴路流體連通，且其中當處於該負載組態時，該緩衝流體迴路與經組態以將該緩衝流體供應至該緩衝流體迴路之一緩衝流體源流體連通。
如請求項5之系統，其中當處於該輸送組態時，該緩衝流體迴路不與該緩衝流體源流體連通，且當處於該輸送組態時，該緩衝流體迴路與該氣壓源流體連接。
如請求項4之系統，其中當處於該負載組態時，該樣品迴路與該樣品輸送線流體連通，以將該樣品流體供應至該樣品迴路，且其中當處於該輸送組態時，該樣品迴路不與該樣品輸送線流體連通。
如請求項7之系統，其中當處於該輸送組態時，該樣品迴路與該氣壓源流體連通。
如請求項1之系統，其進一步包括一第二緩衝流體迴路，其與該樣品輸送線及該緩衝流體迴路流體耦合，該第二緩衝流體迴路經組態以保持一第二緩衝流體。
如請求項9之系統，其中該記憶體包括電腦可執行指令可操作以：<br/>將來自該氣壓源之該氣體之施加導引至該緩衝流體迴路以推動來自該緩衝流體迴路之該緩衝流體、來自該第二緩衝流體迴路之該第二緩衝流體及來自該樣品迴路之該樣品流體以在該樣品輸送線內分別提供一樣品流體區段、一緩衝流體區段及一第二緩衝流體區段。
一種多帶電粒子束描繪裝置，具備： <br/> 放出部，放出帶電粒子的多射束； <br/> 照射時間控制部，控制構成前述多射束的複數個射束的各者的照射時間； <br/> 前述複數個射束被分類成包含第1群組與第2群組的複數個群組， <br/> 前述照射時間控制部，控制使得前述第1群組的射束在第1時間點同時成為ON，而藉由各射束的照射時間經過成為OFF，並且控制使得前述第2群組的射束根據各射束的照射時間成為ON，而在第2時間點同時成為OFF。
如請求項1記載之多帶電粒子束描繪裝置，其中， <br/> 前述照射時間控制部，對每一射束具備個別遮沒控制電路，該個別遮沒控制電路包含：照射時間記憶部，記憶每一射束的照射時間；及比較部，將計數器的輸出值和每一射束的照射時間比較； <br/> 對應前述第1群組的射束的個別遮沒控制電路，連接至正計數電路， <br/> 對應前述第2群組的射束的個別遮沒控制電路，連接至倒計數電路。
如請求項1記載之多帶電粒子束描繪裝置，其中， <br/> 前述照射時間控制部，對每一射束具備個別遮沒控制電路，該個別遮沒控制電路包含：照射時間記憶部，記憶每一射束的照射時間；及比較部，將計數器的輸出值和每一射束的照射時間比較； <br/> 至少一部分的前述個別遮沒控制電路，進一步包含：反轉部，將前述比較部的輸出反轉， <br/> 對應前述第1群組的射束的個別遮沒控制電路，運用前述比較部的輸出來進行遮沒控制， <br/> 對應前述第2群組的射束的個別遮沒控制電路，運用前述反轉部的輸出來進行遮沒控制。
一種多帶電粒子束描繪方法，具備： <br/> 放出帶電粒子的多射束之工序； <br/> 對基板上的描繪區域根據圖案配置而決定像素與每一像素的照射量之工序； <br/> 對每一像素，由照射像素的射束的強度來決定前述射束照射前述像素時的照射時間之工序； <br/> 將前述多射束的照射位置對齊前述像素之工序；及 <br/> 運用切換前述多射束的各射束的ON/OFF之遮沒手段，來控制各射束的照射時間之工序； <br/> 將前述多射束中包含的複數個射束，分類成包含第1群組與第2群組的複數個群組， <br/> 進行前述多射束的各射束的ON/OFF的控制，使得前述第1群組的射束在第1時間點同時成為ON，而藉由各射束的照射時間經過成為OFF，且使得前述第2群組的射束根據各射束的照射時間成為ON，而在第2時間點同時成為OFF。
一種晶片溫度檢測模組，配置於噴墨晶片之中，包含：<br/> 一晶片接點；以及，<br/> n個雙極性電晶體，該n個雙極性電晶體彼此並聯且透過該晶片接點連接外部訊號端；<br/> 其中，該n個雙極性電晶體具有相同之結構，且為 PNP型態；<br/> 其中，n≧3；<br/> 其中該n個雙極性電晶體被設置在一n井中，該n井的厚度範圍為0.04μm-0.14μm。
如請求項1所述之晶片溫度檢測模組，其中該晶片溫度檢測模組的溫度測量範圍為0℃-40℃。
一種稠密光流產生方法，其特徵在於，所述稠密光流產生方法應用於一電腦設備，所述稠密光流產生方法包括以下步驟：<br/> 對當前圖像幀和下一圖像幀進行塊匹配，得到所述當前圖像幀中每一待處理像素點對應的第一運動估計矢量；所述待處理像素點對應的第一運動估計矢量由所述待處理像素點所在的單位圖像塊對應的塊匹配結果確定；<br/> 基於每一所述待處理像素點在當前圖像幀中的局部圖像與對應的匹配像素點在下一圖像幀中的局部圖像之間的匹配關係，擬合每一所述待處理像素點對應的第二運動估計矢量；所述匹配像素點基於所述待處理像素點和對應的第一運動估計矢量確定，所述第二運動估計矢量為像素級的運動估計矢量；及<br/> 基於每一所述待處理像素點對應的第一運動估計矢量和第二運動估計矢量，產生稠密光流資訊。
如請求項1所述之稠密光流產生方法，其中，所述待處理像素點對應的第一運動估計矢量為所述待處理像素點所在單位圖像塊的目標塊運動矢量；<br/> 所述對當前圖像幀和下一圖像幀進行塊匹配，得到所述當前圖像幀中每一待處理像素點對應的第一運動估計矢量，包括以下步驟：<br/> 針對所述當前圖像幀中的每一預設圖像塊，確定所述預設圖像塊在不同劃分尺度下的圖像塊像素差；<br/> 基於所述預設圖像塊在不同劃分尺度下的圖像塊像素差，確定所述預設圖像塊中每一單位圖像塊的目標塊運動矢量。
如請求項2所述之稠密光流產生方法，其中，所述不同劃分尺度至少包括所述預設圖像塊對應的第一劃分尺度，所述基於所述預設圖像塊在不同劃分尺度下的圖像塊像素差，確定所述預設圖像塊中每一單位圖像塊的目標塊運動矢量，包括以下步驟：<br/> 回應於所述第一劃分尺度下的圖像塊像素差大於或等於任意一個其他劃分尺度下的圖像塊像素差，針對每一所述單位圖像塊，基於所述單位圖像塊在每一所述劃分尺度下對應的塊運動矢量，確定所述單位圖像塊的目標塊運動矢量。
如請求項2所述之稠密光流產生方法，其中，所述不同劃分尺度至少包括所述預設圖像塊對應的第一劃分尺度，所述基於所述預設圖像塊在不同劃分尺度下的圖像塊像素差，確定所述預設圖像塊中每一單位圖像塊的目標塊運動矢量，包括以下步驟：<br/> 回應於所述第一劃分尺度下的圖像塊像素差小於每一個其他劃分尺度下的圖像塊像素差，將所述預設圖像塊對應的塊運動矢量確定為所述預設圖像塊中每一單位圖像塊的目標塊運動矢量。
如請求項2所述之稠密光流產生方法，其中，所述確定所述預設圖像塊在不同劃分尺度下的圖像塊像素差，包括以下步驟：<br/> 針對每一所述劃分尺度，分別確定所述劃分尺度下的第一子圖像塊與對應的第二子圖像塊之間的圖像塊像素差；所述第一子圖像塊為基於所述劃分尺度對所述預設圖像塊進行劃分後得到的；所述第二子圖像塊為所述下一圖像幀中與所述第一子圖像塊之間的圖像塊像素差最小的圖像塊；<br/> 將所述劃分尺度下的第一子圖像塊對應的圖像塊像素差的和作為所述預設圖像塊在所述劃分尺度下的圖像塊像素差。
如請求項3所述之稠密光流產生方法，其中，所述基於所述單位圖像塊在每一所述劃分尺度下對應的塊運動矢量，確定所述單位圖像塊的目標塊運動矢量，包括以下步驟：<br/> 基於所述單位圖像塊在每一所述劃分尺度下對應的塊運動矢量，產生所述單位圖像塊在每一所述劃分尺度下對應的圖像塊像素差；<br/> 將最小的圖像塊像素差對應的塊運動矢量確定為所述單位圖像塊的目標塊運動矢量。
如請求項3或4所述之稠密光流產生方法，其中，所述稠密光流產生方法還包括以下步驟：<br/> 針對每一所述劃分尺度下的每一第一子圖像塊，在所述下一圖像幀中確定所述第一子圖像塊對應的搜索區域；所述第一子圖像塊為基於所述劃分尺度對所述預設圖像塊進行劃分後得到的；<br/> 在所述第一子圖像塊對應的搜索區域內，以所述第一子圖像塊的尺寸對應的滑動窗口截取待選圖像塊，並計算每一所述待選圖像塊與所述第一子圖像塊之間的圖像塊像素差；<br/> 將最小的圖像塊像素差對應的待選圖像塊確定為所述第一子圖像塊對應的第二子圖像塊；<br/> 基於所述第一子圖像塊和對應的第二子圖像塊，產生所述劃分尺度下所述第一子圖像塊對應的塊運動矢量；其中，所述劃分尺度下所述第一子圖像塊內的單位圖像塊對應的塊運動矢量與所述第一子圖像塊對應的塊運動矢量相同。
如請求項1至6中任一項所述之稠密光流產生方法，其中，所述基於每一所述待處理像素點在當前圖像幀中的局部圖像與對應的匹配像素點在下一圖像幀中的局部圖像之間的匹配關係，擬合每一所述待處理像素點對應的第二運動估計矢量，包括以下步驟：<br/> 針對每一所述待處理像素點，在所述當前圖像幀中獲取所述待處理像素點對應的多個鄰域像素點，並在所述下一圖像幀中獲取所述匹配像素點對應的多個鄰域像素點；<br/> 基於所述待處理像素點對應的多個鄰域像素點和所述匹配像素點對應的多個鄰域像素點之間的匹配關係，擬合每一所述待處理像素點對應的第二運動估計矢量。
如請求項8所述之稠密光流產生方法，其中，所述基於所述待處理像素點對應的多個鄰域像素點和所述匹配像素點對應的多個鄰域像素點之間的匹配關係，擬合每一所述待處理像素點對應的第二運動估計矢量，包括以下步驟：<br/> 基於所述待處理像素點對應的多個鄰域像素點，構建第一矩陣函數；所述第一矩陣函數包括所述待處理像素點對應的每一鄰域像素點的第一像素函數，所述第一像素函數為表徵所述當前圖像幀中鄰域像素點的位置坐標與鄰域像素點的灰度值之間的關聯關係的二次多項式函數；<br/> 基於所述鄰域像素點對應的多個鄰域像素點，構建第二矩陣函數；所述第二矩陣函數包括所述鄰域像素點對應的每一鄰域像素點的第二像素函數，所述第二像素函數為表徵所述下一圖像幀中鄰域像素點的位置坐標與鄰域像素點的灰度值之間的關聯關係的二次多項式函數；<br/> 基於所述第一矩陣函數確定的第一像素函數和所述第二矩陣函數確定的第二像素函數之間的匹配關係，產生所述待處理像素點對應的第二運動估計矢量。
如請求項9所述之稠密光流產生方法，其中，像素函數的二次多項式係數包括矩陣係數和向量係數；所述基於所述第一矩陣函數確定的第一像素函數和所述第二矩陣函數確定的第二像素函數之間的匹配關係，產生所述待處理像素點對應的第二運動估計矢量，包括以下步驟：<br/> 基於所述第一像素函數對應的第一矩陣係數和所述第二像素函數對應的第二矩陣係數確定均值矩陣係數；<br/> 基於所述第一像素函數對應的第一向量係數和所述第二像素函數對應的第二向量係數確定差值向量係數；<br/> 將所述均值矩陣係數對應的逆矩陣、預設係數和所述差值向量係數的乘積確定為所述待處理像素點對應的第二運動估計矢量。
如請求項1至6中任一項所述之稠密光流產生方法，其中，所述稠密光流資訊包括每一所述待處理像素點對應的目標運動估計矢量；所述基於每一所述待處理像素點對應的第一運動估計矢量和第二運動估計矢量，產生稠密光流資訊，包括以下步驟：<br/> 針對每一所述待處理像素點，基於預設的像素差計算窗，分別確定在所述第一運動估計矢量下所述待處理像素點對應的第一計算窗像素差，和在所述第二運動估計矢量下所述待處理像素點對應的第二計算窗像素差；<br/> 將所述第一計算窗像素差和所述第二計算窗像素差中的最小計算窗像素差對應的運動估計矢量，作為所述待處理像素點對應的目標運動估計矢量。
一種電腦設備，其包括記憶體和處理器，所述記憶體儲存有可在處理器上運行的電腦程式，其特徵在於，所述處理器執行所述電腦程式時實現如請求項1至11中任一項所述之稠密光流產生方法中的步驟。
一種電腦可讀儲存媒體，其上儲存有電腦程式，其特徵在於，所述電腦程式被處理器執行時實現如請求項1至11中任一項所述之稠密光流產生方法中的步驟。
一種用於形成半導體封裝件的面板級製造方法，包括： <br/>將一模塑導電基板放置於一第一載體上，所述模塑導電基板包含絕緣部份以及多個單獨的導電部分； <br/>沿一寬度方向移除所述模塑導電基板的絕緣部分並保留所述多個單獨的導電部分，並且沿一長度方向分割所述多個單獨的導電部分，以在所述第一載體上形成多個獨立的預製導電單元； <br/>提供至少一個半導體晶粒至二個所述預製導電單元之間； <br/>形成一模塑層，用於封裝所述至少一個半導體晶粒和所述多個預製導電單元，用於形成一重構面板； <br/>將所述重構面板轉移到一第二載體上； <br/>在所述至少一個半導體晶粒的活性面上形成一前側構建層； <br/>形成一外部連接層，其可電耦合至所述前側構建層；以及 <br/>將所述重構面板、前側構建層和外部連接層分割成所述半導體封裝件， <br/>其中，所述至少一個半導體晶粒和所述多個預製導電單元被配置為可通過所述前側構建層電耦合至所述外部連接層。
一種用於形成半導體封裝件的面板級製造方法，包括： <br/>提供至少一個半導體晶粒和多個預製導電單元至一第一載體上的預定位置，其中所述多個預製導電單元由一模塑導電基板製備而成，所述第一載體包含用於容納所述多個預製導電單元的多個單元鍵合區域，每一所述單元鍵合區域包含用於引導所述預製導電單元至所述預定位置的輔助標記； <br/>形成一模塑層，用於封裝所述至少一個半導體晶粒和所述多個預製導電單元，用於形成一重構面板； <br/>將所述重構面板轉移到一第二載體上； <br/>在所述至少一個半導體晶粒的活性面上形成一前側構建層； <br/>形成一外部連接層，其可電耦合至所述前側構建層；以及 <br/>將所述重構面板、前側構建層和外部連接層分割成所述半導體封裝件， <br/>其中，所述至少一個半導體晶粒和所述多個預製導電單元被配置為可通過所述前側構建層電耦合至所述外部連接層； <br/>其中，提供所述至少一個半導體晶粒和所述多個預製導電單元的步驟還包括： <br/>移除所述模塑導電基板上的絕緣部分，並將所述模塑導電基板的多個導電部分保留作為單獨的預製導電單元；以及 <br/>根據所述輔助標記將所述多個預製導電單元鍵合至位於所述第一載體上的預定位置處。
根據請求項2所述的方法，其中所述輔助標記沒有被所述預製導電單元覆蓋，所述方法更包含： <br/>根據所述輔助標記檢查所述預製導電單元是否鍵合至其位於所述第一載體上的所述單元鍵合區域內的預定位置。
一種用於形成半導體封裝件的面板級製造方法，包括： <br/>將多個半導體晶粒分別鍵合至一第一載體上的預定位置； <br/>形成一模塑層，用於封裝所述多個半導體晶粒以形成一重構面板； <br/>將所述重構面板轉移至一第二載體上； <br/>在所述多個半導體晶粒的活性面上形成一前側構建層； <br/>在所述前側構建層上形成一中介層，其中所述中介層包括多個預製導電單元，並且所述預製導電單元由移除一模塑導電基板的絕緣部份，並將所述模塑導電基板的多個導電部分保留所製備而成；所述第一載體具有晶粒鍵合區域，位於相鄰二個所述預製導電單元之間，用於容納所述半導體晶粒，所述預定位置係位於所述晶粒鍵合區域內，所述晶粒鍵合區域內具有主要標記，用於引導所述半導體晶粒鍵合至其在所述晶粒鍵合區域內相應的預定位置； <br/>在所述中介層上形成一外部連接層；以及 <br/>將所述重構面板、前側構建層、中介層和外部連接層分割成所述半導體封裝件， <br/>其中所述半導體晶粒被配置為通過所述前側構建層和中介層而電耦合至所述外部連接層。
根據請求項4所述的方法，其中所述主要標記沒有被所述半導體晶粒覆蓋，所述方法更包含： <br/>根據所述主要標記檢查所述半導體晶粒是否鍵合至其位於所述第一載體上的所述晶粒鍵合區域內的預定位置。
一種具有至少一個預製導電單元的半導體封裝件，包括： <br/>至少一個半導體晶粒； <br/>一模塑層，用於封裝所述至少一個半導體晶粒； <br/>多個預製導電單元，其中，所述多個預製導電單元由模塑導電基板製備且具有一厚度方向，所述多個預製導電單元個別地包括： <br/>多個互連佈線層，沿所述厚度方向之二側分別為一第一佈線層與一第二佈線層； <br/>一前側構建層，電耦合至所述至少一個半導體晶粒和所述多個預製導電單元之第一佈線層；以及 <br/>一外部連接層，電耦合至所述前側構建層； <br/>其中所述多個預製導電單元個別地還包括一絕緣組件，用於包封除了所述第一佈線層與所述第二佈線層以外之所述多個互連佈線層，所述絕緣組件沿所述厚度方向的二側分別具有一第一表面與一第二表面，所述第一佈線層位於所述第一表面且從所述絕緣組件中露出，所述第二佈線層位於所述第二表面且從所述絕緣組件中露出。
根據請求項6所述的半導體封裝件，還包括： <br/>一後側構建層，位於所述預製導電單元上，並與所述前側構建層相對。
根據請求項6所述的半導體封裝件，還包括： <br/>一附加構建層，位於所述至少一個半導體晶粒和前側構建層之間。
根據請求項6所述的半導體封裝件，其中所述至少一個半導體晶粒包括一第一半導體晶粒和一第二半導體晶粒，兩者通過所述至少一個預製導電單元而電耦合，且所述至少一個預製導電單元與所述第一半導體晶粒和所述第二半導體晶粒以垂直方式封裝在一介電層中。
根據請求項6所述的半導體封裝件，其中所述至少一個半導體晶粒包括一第一半導體晶粒和一第二半導體晶粒，兩者通過所述至少一個預製導電單元而電耦合，且所述至少一個預製導電單元與所述第一半導體晶粒和所述第二半導體晶粒以並列方式封裝在所述模塑層中。
一種應用於具有不同內徑工件之電化學反應輔具，供以置放於一工件內，而該應用於具有不同內徑工件之電化學反應輔具，包括：<br/> 銜接之一螺旋管及一直線管，該螺旋管及該直線管供以輸送一電解液；<br/> 該螺旋管，為螺旋狀之管體，該螺旋管具有複數第一穿孔，該等第一穿孔<br/> 供以讓該電解液噴出，該螺旋管具有一外徑；以及<br/> 該直線管，具有複數第二穿孔，該等第二穿孔供以讓該電解液噴出，該直線管具有一管徑，該直線管之管徑小於該螺旋管之外徑。
如請求項1所述之應用於具有不同內徑工件之電化學反應輔具，其中，該工件具有連通之一第一容槽及一第二容槽，該第一容槽之直徑大於該第二容槽之直徑，該螺旋管供以設置於該第一容槽內，該直線管供以伸入該第二容槽內。
如請求項1所述之應用於具有不同內徑工件之電化學反應輔具，其中，該螺旋管具有相反之一頂端及一底端，該螺旋管圍繞形成一內空間，該底端朝向該頂端之方向為一上方向，該頂端朝向該底端之方向為一下方向，該螺旋管朝向該內空間之方向為一內方向，該螺旋管遠離該內空間之方向為一外方向，該電解液自該第一穿孔噴出的方向係包含該下方向及該外方向之分量。
如請求項1所述之應用於具有不同內徑工件之電化學反應輔具，其中，該螺旋管具有相反之一頂端及一底端，該螺旋管朝向該底端之一側具有一底側，該螺旋管圍繞形成一內空間，該螺旋管背向該內空間一側具有一外側，該等第一穿孔位於該底側及該外側之間。
如請求項1所述之應用於具有不同內徑工件之電化學反應輔具，其中，該螺旋管之徑向截面呈環狀，該螺旋管之徑向截面定義出一第一周向，該螺旋管沿著該第一周向區分為一第一象限弧段、一第二象限弧段、一第三象限弧段、一第四象限弧段，該等第一穿孔位於該第三象限弧段或該第四象限弧段。
如請求項1所述之應用於具有不同內徑工件之電化學反應輔具，其中，該螺旋管具有相反之一頂端及一底端，該螺旋管於該底端具有一底端出口，該底端出口供以讓該電解液噴出。
如請求項1所述之應用於具有不同內徑工件之電化學反應輔具，其中，該螺旋管及該直線管之間另具有一橫向管，該橫向管之其中一端連接該直線管，該橫向管之另一端連接該螺旋管。
如請求項1所述之應用於具有不同內徑工件之電化學反應輔具，其中，該等第二穿孔係分佈於該直線管之一環壁，該環壁呈環狀。
如請求項8所述之應用於具有不同內徑工件之電化學反應輔具，其中，該環壁定義出一第二周向，該等第二穿孔設置於該環壁沿著該第二周向的不同位置。
一種清潔模組（1000），其特徵在於，包括：<br/>第一殼體（10-1）；<br/>第二殼體（20-1），可分離式地與所述第一殼體（10-1）連接，以形成容納腔（30-1）；以及<br/>滾刷（40），可裝配於所述容納腔（30-1）內；<br/>其中，在所述滾刷（40）裝配於所述容納腔（30-1）內時，所述第二殼體（20-1）為所述第一殼體（10-1）提供避讓空間，以使所述第一殼體（10-1）與所述第二殼體（20-1）連接；在所述滾刷（40）未裝配於所述容納腔（30-1）內時，所述第二殼體（20-1）未為所述第一殼體（10-1）提供避讓空間，以使所述第一殼體（10-1）無法與所述第二殼體（20-1）連接；<br/>其中，所述清潔模組（1000）還包括：<br/>切割件（70），可活動式地設於所述第一殼體（10-1）或所述第二殼體（20-1）；<br/>其中，在所述第二殼體（20-1）與所述第一殼體（10-1）連接時，所述切割件（70）能夠外露於所述第一殼體（10-1）或所述第二殼體（20-1），用於切割所述滾刷（40）的端部切割面（401A）上的纏繞物，在所述第二殼體（20-1）與所述第一殼體（10-1）分離時，所述切割件（70）能夠收納於所述第一殼體（10-1）或所述第二殼體（20-1）內；<br/>其中，所述第一殼體（10-1）和所述第二殼體（20-1）其中一個具有切割座（60），另一個具有推動件（80-1）；<br/>所述切割件（70）可活動式地設於所述切割座（60）；<br/>其中，在所述第二殼體（20-1）與所述第一殼體（10-1）連接時，所述切割件（70）的至少部分能夠在所述推動件（80-1）的作用下外露於所述切割座（60），用於切割所述滾刷（40）的所述端部切割面（401A）上的纏繞物，在所述第二殼體（20-1）與所述第一殼體（10-1）分離時，所述切割件（70）的至少部分能夠收納於所述切割座（60）內；<br/>其中，所述清潔模組（1000）還包括：<br/>伸縮組件（90-1），可移動地設於所述切割座（60）內，並與所述切割件（70）連接；<br/>其中，在所述第二殼體（20-1）與所述第一殼體（10-1）連接時，所述切割件（70）的至少部分能夠在所述推動件（80-1）和所述伸縮組件（90-1）的作用下外露於所述切割座（60），在所述第二殼體（20-1）與所述第一殼體（10-1）分離時，所述切割件（70）的至少部分能夠在所述伸縮組件（90-1）的作用下收納於所述切割座（60）內；<br/>所述伸縮組件（90-1）沿第一方向在所述切割座（60）內滑動，所述推動件（80-1）沿第二方向插設於所述切割座（60）內，其中，所述第一方向與所述第二方向成夾角設置。
如請求項1所述之清潔模組（1000），其中，所述第一殼體（10-1）和所述第二殼體（20-1）其中一個設有防呆件（50-1），另一個開設有腔室（203）和可開閉的開口（202-1），所述清潔模組（1000）還包括：<br/>防呆閥門（110），活動式地設於所述腔室（203）內，回應於所述滾刷（40）未裝配於所述容納腔（30-1），所述防呆閥門（110）遮蔽所述腔室（203）；<br/>回應於所述滾刷（40）裝配於所述容納腔（30-1），所述防呆閥門（110）藉由移動使得所述腔室（203）藉由所述開口（202-1）暴露，為所述第二殼體（20-1）與所述第一殼體（10-1）扣合時所述防呆件（50-1）穿設於所述腔室（203）提供避讓空間。
如請求項2所述之清潔模組（1000），其中，所述清潔模組（1000）包括至少兩個並列設置的所述滾刷（40）；<br/>所述開口（202-1）在水平面的投影位於兩個所述滾刷（40）的旋轉軸在水平面的投影之間，所述防呆閥門（110）的數目為兩個，且兩個所述防呆閥門（110）與兩個所述滾刷（40）一一對應；<br/>其中，回應於兩個所述滾刷（40）未裝配於所述容納腔（30-1），兩個所述防呆閥門（110）中的每一個遮蔽所述腔室（203）的至少一部分，兩個所述防呆閥門（110）共同遮蔽所述腔室（203）；<br/>回應於兩個所述滾刷（40）中的一個裝配於所述容納腔（30-1），被裝入的所述滾刷（40）對應的防呆閥門（110）藉由移動使得所述腔室（203）的一部分藉由所述開口（202-1）暴露；回應於兩個所述滾刷（40）中均裝配於所述容納腔（30-1），每一個所述滾刷（40）對應的防呆閥門（110）藉由移動使得所述腔室（203）藉由所述開口（202-1）完全暴露，為所述第二殼體（20-1）與所述第一殼體（10-1）扣合時所述防呆件（50-1）穿設於所述腔室（203）提供避讓空間。
如請求項3所述之清潔模組（1000），其中，所述防呆閥門（110）包括：<br/>封堵件（1101）；<br/>觸發件（1102），可轉動式地設置，並與所述封堵件（1101）連接，所述觸發件（1102）至少部分位於所述滾刷（40）的安裝位；<br/>其中，在所述滾刷（40）與所述觸發件（1102）脫離的條件下，所述封堵件（1101）能夠遮閉所述腔室（203）；在所述滾刷（40）與所述觸發件（1102）抵觸的條件下，所述觸發件（1102）藉由轉動以帶動所述封堵件（1101）移動，使得所述腔室（203）藉由所述開口（202-1）暴露。
如請求項4所述之清潔模組（1000），其中，所述清潔模組（1000）還包括轉動軸（1103），所述轉動軸（1103）設置在所述防呆閥門（110）所在的殼體上，所述防呆閥門（110）可繞所述轉動軸（1103）相對於所述防呆閥門（110）所在的殼體轉動。
如請求項5所述之清潔模組（1000），其中，所述滾刷（40）的所述安裝位包括容納槽（201-1）；<br/>回應於所述滾刷（40）與所述觸發件（1102）相脫離，所述觸發件（1102）沿所述滾刷（40）軸向上的投影至少部分與所述容納槽（201-1）重疊。
如請求項2所述之清潔模組（1000），其中，所述清潔模組（1000）還包括：<br/>第二復位件（120），連接於所述防呆閥門（110）與其所在的所述第一殼體（10-1）或所述第二殼體（20-1）之間，所述第二復位件（120）用於保持所述防呆閥門（110）處於遮蔽所述腔室（203）的狀態或者暴露所述腔室（203）的狀態；回應於使得所述防呆閥門（110）的狀態發生變化的外力解除時，驅動所述防呆閥門（110）復位至初始狀態。
如請求項7所述之清潔模組（1000），其中，所述防呆閥門（110）的數目為兩個時，所述第二復位件兩端分別與兩個所述防呆閥門（110）連接。
一種清潔設備，其特徵在於，包括如請求項1至8中任一項所述之清潔模組（1000）。
一種清潔系統，其特徵在於，包括清潔基站；和如請求項9所述之清潔設備。
一種清潔模組（1000），其特徵在於，包括：<br/>第一殼體（101）；<br/>第二殼體（102），可分離式地與所述第一殼體（101）連接，以形成容納腔（103）；<br/>滾刷（201），可轉動式地設於所述容納腔（103）內；及<br/>切割組件（30），包括切割座（301）、切割件（302）和推動件（303），所述切割座（301）和所述推動件（303）其中一個可設置在所述第二殼體（102）上，另一個可設置在所述第一殼體（101）上，所述切割件（302）可活動式地設於所述切割座（301）；<br/>其中，在所述第二殼體（102）與所述第一殼體（101）連接時，所述切割件（302）的至少部分能夠在所述推動件（303）的作用下外露於所述切割座（301），用於切割所述滾刷（201）上的纏繞物，在所述第二殼體（102）與所述第一殼體（101）分離時，所述切割件（302）的至少部分能夠收納於所述切割座（301）內；<br/>其中，所述切割組件（30）還包括：<br/>伸縮組件（304），可滑動式地設於所述切割座（301）內，並與所述切割件（302）連接；<br/>其中，在所述第二殼體（102）與所述第一殼體（101）連接時，所述切割件（302）的至少部分能夠在所述推動件（303）和所述伸縮組件（304）的作用下外露於所述切割座（301），在所述第二殼體（102）與所述第一殼體（101）分離時，所述切割件（302）的至少部分能夠在所述伸縮組件（304）的作用下收納於所述切割座（301）內；<br/>其中，所述伸縮組件（304）可沿第一方向在所述切割座（301）內滑動，所述推動件（303）可沿第二方向插設於所述切割座（301）內，其中，所述第一方向與所述第二方向成夾角設置。
如請求項11所述之清潔模組（1000），其中，所述推動件（303）具有第一斜面（3031），所述伸縮組件（304）具有第二斜面（3041）；<br/>其中，在所述第二殼體（102）與所述第一殼體（101）連接時，所述第一斜面（3031）與所述第二斜面（3041）相抵觸，在所述第二殼體（102）與所述第一殼體（101）分離時，所述第一斜面（3031）與所述第二斜面（3041）相分離。
如請求項11所述之清潔模組（1000），其中，所述伸縮組件（304）包括：<br/>滑動件（3042），可滑動式地設於所述切割座（301）內，並與所述切割件（302）連接；<br/>第一復位件（3043），一端與所述滑動件（3042）相抵觸，另一端與所述切割座（301）的內壁相抵觸；<br/>其中，在所述第二殼體（102）與所述第一殼體（101）連接時，所述切割件（302）的至少部分能夠在所述推動件（303）和所述滑動件（3042）的作用下外露於所述切割座（301），所述第一復位件（3043）處於壓縮狀態，在所述第二殼體（102）與所述第一殼體（101）分離時，所述切割件（302）的至少部分能夠在所述滑動件（3042）和所述第一復位件（3043）的作用下收納於所述切割座（301）內，所述第一復位件（3043）處於伸展狀態。
如請求項13所述之清潔模組（1000），其中，所述滑動件（3042）具有與所述推動件（303）相配合的第二斜面（3041），所述第二斜面（3041）和所述切割件（302）分別位於所述滑動件（3042）相背的兩側。
如請求項13所述之清潔模組（1000），其中，所述滑動件（3042）上開設有用於容納所述第一復位件（3043）的凹槽（3044），所述凹槽（3044）的開口與所述切割件（302）位於所述滑動件（3042）的同一側。
如請求項11至15中任一項所述之清潔模組（1000），其中，所述切割座（301）開設有安裝腔（3011）、與所述安裝腔（3011）連通的通孔（3012）和與所述安裝腔（3011）連通的通槽（3013）；<br/>其中，所述推動件（303）可穿設於所述通孔（3012）設於所述安裝腔（3011）內，所述切割件（302）可穿設於所述通槽（3013）外露於所述安裝腔（3011），所述通孔（3012）位於所述切割座（301）的第一面，所述通槽（3013）位於所述切割座（301）的第二面，所述第一面與所述第二面成夾角設置。
如請求項11至15中任一項所述之清潔模組（1000），其還包括：<br/>保護件（305），與所述切割座（301）連接，並設於所述切割座（301）外；<br/>其中，在所述切割件（302）外露於所述切割座（301）時，所述保護件（305）在所述切割件（302）上的投影與所述切割件（302）的部分重疊。
如請求項11至15中任一項所述之清潔模組（1000），其中，所述滾刷（201）的數目為一個或多個，在所述滾刷（201）的數目為多個時，多個所述滾刷（201）並列間隔設置。
如請求項18所述之清潔模組（1000），其中，在所述滾刷（201）的數目為多個時，一個所述推動件（303）可作用於兩個所述切割件（302），以使兩個所述切割件（302）的至少部分均外露於所述切割座（301）。
如請求項11至15中任一項所述之清潔模組（1000），其中，所述滾刷（201）具有滾刷軸（2021），在所述切割件（302）外露於所述切割座（301）時，所述切割件（302）能夠切割所述滾刷軸（2021）上的纏繞物。
一種清潔設備，其特徵在於，包括如請求項11至20中任一項所述之清潔模組（1000）。
一種清潔系統，其特徵在於，包括清潔基站；和如請求項21所述之清潔設備。
一種電子裝置，包括： <br/>一基板； <br/>多個第一接墊，設置於該基板上； <br/>多個感測單元，設置於該基板上且電性連接該多個第一接墊； <br/>多個測試接墊，設置於該基板上且電性連接該多個感測單元； <br/>多個顯示單元，設置於該基板上；以及 <br/>多個第二接墊，設置於該基板上，且該多個第二接墊電性連接該多個顯示單元； <br/>其中該基板包括一感測區、一第一非感測區及一第二非感測區，該感測區設置在該第一非感測區與該第二非感測區之間，且該多個第一接墊設置於該第一非感測區及該多個測試接墊設置於該第二非感測區。
如請求項1所述的電子裝置，其中該多個第二接墊設置於該第一非感測區。
如請求項2所述的電子裝置，其中在一第一方向上，該多個第二接墊與該多個第一接墊交替排列。
如請求項1所述的電子裝置，還包括多個多工器，其中該第二非感測區包括一多工器區以及一接墊區，該多工器區設置於該接墊區與該感測區之間，且該多個多工器設置於該多工器區內。
如請求項4所述的電子裝置，還包括多條訊號線連接於該多個感測單元及該多個第一接墊之間，且該多條訊號線還連接於該多個多工器。
如請求項5所述的電子裝置，其中該多個多工器的任一個電性連接兩條以上的該多條訊號線。
如請求項5所述的電子裝置，其中該多條訊號線的數量大於該多個測試接墊的數量。
如請求項1所述的電子裝置，其中該多個感測單元各自包括一第一電晶體、一第二電晶體及一感測元件，該感測元件的一端電性連接該第一電晶體的一閘極，該第一電晶體的一第一端電性連接一第一導線，該第一電晶體的一第二端電性連接該第二電晶體的一第一端，且該第二電晶體的一第二端電性連接一第二導線。
如請求項8所述的電子裝置，其中該第一導線與該第二導線的延伸方向相同，且該第二導線連接該多個第一接墊的其中一個。
如請求項1所述的電子裝置，其中該多個顯示單元沿著一第一方向排列，該多個感測單元沿著該第一方向排列，該多個顯示單元與該多個感測單元沿著一第二方向交替排列，且該第一方向垂直該第二方向。
一種噴墨晶片結構，包含：<br/> 一噴墨晶片與一噴孔片，該噴孔片被設置於該噴墨晶片上；<br/> 其中，該噴墨晶片包含複數個供墨孔、複數個第一控制接點、複數個第二控制接點以及複數個墨滴產生器；<br/> 其中，該複數個第一控制接點和該複數個第二控制接點設置於該噴墨晶片之上，每一該第一控制接點接收噴墨控制訊號，每一該第二控制接點接收電源訊號，該複數個第二控制接點的面積為該複數個第一控制接點的兩倍或以上。
如請求項1所述之噴墨晶片結構，其中該複數個墨滴產生器之種類為n種，對應該噴墨晶片中的不同顏色，而該複數個墨滴產生器的數量每個顏色≥ 600；<br/> 其中n=3，且該複數個墨滴產生器的數量≥ 1800。
如請求項1所述之噴墨晶片結構，其中該複數個墨滴產生器之種類為n種，對應該噴墨晶片中的不同顏色，而該複數個墨滴產生器的數量每個顏色≥ 600；<br/> 其中n=4，且該複數個墨滴產生器的數量≥ 2400。
如請求項2或3所述之噴墨晶片結構，其中該噴墨晶片結構所能對應的解析度範圍介於150至48000DPI之間。
如請求項1所述之噴墨晶片結構，其中該噴孔片具有複數個噴孔，而該複數個墨滴產生器更包含一晶片基板、一熱障層、一加熱電阻層、一導電層、一保護層以及一障壁層，並且堆疊形成一堆疊結構，其中該導電層部分形成於該加熱電阻層上，該保護層之部分形成於該加熱電阻層上，該保護層之其它部分形成於該導電層上，一供墨腔室及一墨水出水口一體成型於該障壁層中，且該供墨腔室底部連通該保護層，該墨水出水口頂部連通該複數個噴孔。
如請求項5所述之噴墨晶片結構，其中該熱障層為一絕緣材料所構成，該絕緣材料選自場氧化物(FOX)、 二氧化矽(SiO<sub>2</sub>)、氮化矽(Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>)及磷矽玻璃(PSG)。
如請求項5所述之噴墨晶片結構，其中該加熱電阻層為一電阻材料所構成，該電阻材料選自多晶矽(Polysilicon)、鋁化鉭(TaAl)、鉭(Ta)、氮化鉭(TaN)、二矽化鉭(Si<sub>2</sub>Ta)、碳(C)、碳化矽(SiC)、氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、硫化鎘(CdS)、二硼化鉿(HfB<sub>2</sub>)、鈦鎢合金(TiW)、氮化鈦(TiN)其中之一。
如請求項5所述之噴墨晶片結構，其中該導電層為一導電材料所構成，該導電材料選自鋁(Al)、鋁銅合金(AlCu)、鋁矽合金(AlSi)、金(Au)、鈀(Pd)、鈀銀合金(PdAg)、鉑(Pt)、鋁矽銅(AlSiCu)、鈮(Nb)、釩(V)、鉿(Hf)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、釔(Y)之其中之一。
如請求項5所述之噴墨晶片結構，其中該障壁層為一高分子材料所構成，該高分子材料選自聚醯亞胺(POLYIMIDE)、有機塑膠材料其中之一。
一種高效物理發泡成型設備，包含:<br/> 一機台單元；<br/> 一模座單元，包括一設置於該機台單元的模座組合，及一氣密件，該模座組合具有一固設於該機台單元並形成有一工作腔室的固定模座，及一可移動地設置於該機台單元的活動模座，該活動模座具有一朝向該固定模座的密封軸心部，該氣密件設置於該工作腔室內，該活動模座可相對於該固定模座在一開模位置與一閉模位置之間移動，當該活動模座在該開模位置時，該活動模座不封閉該工作腔室，當該活動模座在該閉模位置時，該密封軸心部進入該工作腔室內，該密封軸心部的外周面與該氣密件的內側接觸，該活動模座封閉該工作腔室，該固定模座具有一模座頂壁，及一與該模座頂壁連接並沿一上下方向朝下延伸出的模座周壁，該模座頂壁與該模座周壁配合界定出該工作腔室，該活動模座具有一活動底板，及一設置於該活動底板的活動模座體，該活動模座體具有該密封軸心部，該氣密件鄰近於該模座周壁的底端，該氣密件具有一底環壁、一從該底環壁的內周緣朝上延伸出的內周壁，及一從該底環壁的外周緣朝上延伸出並與該模座周壁接觸的外周壁，該底環壁、該內周壁與該外周壁配合界定出一與該工作腔室連通的受壓環槽，當該活動模座在該閉模位置時，該密封軸心部的外周面與該氣密件的內周壁接觸；<br/> 一模座驅動單元，設置於該機台單元，並用於驅使該活動模座在該開模位置與該閉模位置之間移動；<br/> 一鎖模單元，設置於該活動模座，當該活動模座在該閉模位置時，該鎖模單元用於將該活動模座與該固定模座鎖扣在一起；<br/> 一加熱單元，設置於該模座組合，當該活動模座在該閉模位置時，該加熱單元用於對該工作腔室進行全周加熱；<br/> 一熱傳導單元，包括至少一導熱鰭片件，該導熱鰭片件設置於該模座組合，當該活動模座在該閉模位置時，該導熱鰭片件位於該工作腔室內；<br/> 一真空閥單元，包括一設置於該固定模座的開關閥，及一設置於該開關閥的真空閥，當該活動模座在該閉模位置時，該開關閥選擇性地阻斷該真空閥與該工作腔室連通；<br/> 一供氣單元，包括至少一設置於該固定模座的進氣壓力閥，及至少一與該進氣壓力閥連接的預熱儲氣筒，該預熱儲氣筒具有一筒體，及一設置於該筒體的加熱模組，當該活動模座在該閉模位置時，該進氣壓力閥選擇性地連通該筒體與該工作腔室；及<br/> 一排氣回收單元，包括至少一設置於該固定模座的排氣壓力閥，及至少一與該排氣壓力閥連接的排氣回收筒，當該活動模座在該閉模位置時，該排氣壓力閥選擇性地連通該排氣回收筒與該工作腔室。
如請求項1所述的高效物理發泡成型設備，其中，該模座驅動單元具有數設置於該機台單元的模座驅動壓缸，每一模座驅動壓缸具有一與該活動底板連接並沿該上下方向延伸的驅動活塞桿，該模座周壁具有一沿徑向朝外凸出的上環形凸緣部，該活動模座體還具有一沿徑向朝外凸出並對應於該上環形凸緣部的下環形凸緣部，該鎖模單元具有數鎖模扣具，及數間隔地設置於該活動底板並分別用於驅動該等鎖模扣具的鎖模壓缸，每一鎖模扣具的內側形成有一扣合凹槽，每一鎖模壓缸具有一與各別的鎖模扣具連接的鎖模活塞桿，當該活動模座在該閉模位置時，該上環形凸緣部與該下環形凸緣部互相抵接，該等鎖模壓缸可驅使該等鎖模扣具朝內移動至該上環形凸緣部與該下環形凸緣部嵌卡於該等鎖模扣具的扣合凹槽內。
如請求項1所述的高效物理發泡成型設備，其中，該固定模座具有一模座頂壁，及一與該模座頂壁連接並沿一上下方向朝下延伸出的模座周壁，該模座頂壁與該模座周壁配合界定出該工作腔室，該模座周壁形成有數在圓周方向上間隔設置並沿該上下方向延伸的周圍穿孔，該活動模座具有一活動底板，及一設置於該活動底板的活動模座體，該活動模座體具有該密封軸心部，該加熱單元包括至少一設置於該模座頂壁的頂面的上熱板、數設置於該上熱板的上電熱管、至少一設置於該活動模座體的底面的下熱板、數設置於該下熱板的下電熱管，及數分別插置於該等周圍穿孔的周圍電熱管，該上熱板形成有數沿一前後方向延伸並在一左右方向上間隔排列的上穿孔，該等上電熱管插置於該上熱板的上穿孔，該下熱板形成有數沿該前後方向延伸並在該左右方向上間隔排列的下穿孔，該等下電熱管插置於該下熱板的下穿孔。
如請求項1所述的高效物理發泡成型設備，其中，該固定模座具有一模座頂壁，及一與該模座頂壁連接並沿一上下方向朝下延伸出的模座周壁，該模座頂壁與該模座周壁配合界定出該工作腔室，該活動模座具有一活動底板，及一設置於該活動底板的活動模座體，該活動模座體具有該密封軸心部，該熱傳導單元包括一上導熱鰭片件、一下導熱鰭片件，及二側導熱鰭片件，該上導熱鰭片件設置於該模座頂壁的底面並位於該工作腔室內，該上導熱鰭片件具有數沿一前後方向延伸並在一左右方向上間隔設置的上導熱鰭片，該下導熱鰭片件設置於該活動模座體的頂面，並具有數沿該前後方向延伸並在該左右方向上間隔設置的下導熱鰭片，該等側導熱鰭片件在該左右方向上相對地設置於該模座周壁的內周面並位於該工作腔室內，每一側導熱鰭片件具有數沿該前後方向延伸並在該上下方向上間隔設置的側導熱鰭片。
如請求項1所述的高效物理發泡成型設備，其中，該模座單元還包括一設置於該固定模座的真空閥座，該真空閥座形成有一與該工作腔室連通的真空流道，該開關閥具有一設置於該真空閥座的開關閥座，及一設置於該開關閥座的開關壓缸，該開關閥座形成有一與該真空流道連通的開關流道，該開關壓缸具有一伸入該開關流道的開關塞桿，該真空閥設置於該開關閥座並與該開關流道連通，當該活動模座在該閉模位置時，該開關塞桿選擇性地阻斷該真空流道與該開關流道連通。
如請求項5所述的高效物理發泡成型設備，其中，該模座單元還包括二設置於該固定模座的輸氣閥座，每一輸氣閥座形成有一與該工作腔室連通的輸氣流道，該供氣單元包括二分別設置於該等輸氣閥座的進氣壓力閥，及二分別與該等進氣壓力閥連接的預熱儲氣筒，當該活動模座在該閉模位置時，每一進氣壓力閥經由各別的輸氣閥座的輸氣流道選擇性地連通各別的預熱儲氣筒的筒體與該工作腔室，每一預熱儲氣筒的加熱模組具有數在一上下方向上間隔地設置於該筒體的外周面的電熱圈。
如請求項6所述的高效物理發泡成型設備，其中，該排氣回收單元包括二分別設置於該等輸氣閥座的排氣壓力閥，及一與該等排氣壓力閥連接的排氣回收筒，當該活動模座在該閉模位置時，每一排氣壓力閥經由各別的輸氣閥座的輸氣流道選擇性地連通該排氣回收筒與該工作腔室。
如請求項7所述的高效物理發泡成型設備，還包含一真空產生器，及二增壓機，該真空產生器與該真空閥連接，每一預熱儲氣筒還具有一設置於該筒體的供氣壓力閥，該等增壓機分別與該等預熱儲氣筒的供氣壓力閥連接，每一預熱儲氣筒的供氣壓力閥選擇性地連通各別的增壓機與各別的預熱儲氣筒的筒體。
如請求項8所述的高效物理發泡成型設備，其中，該模座單元還包括一設置於該固定模座的補壓閥座，該補壓閥座形成有一與該工作腔室連通的補壓流道，該供氣單元還包括一設置於該補壓閥座的補壓壓力閥，該等增壓機的其中一者與該補壓壓力閥連接，該補壓壓力閥經由該補壓閥座的補壓流道選擇性地連通該等增壓機的其中一者與該工作腔室。
一種感光元件模組，具有一光路，且包含：<br/> 一感光元件，對應該光路；<br/> 一反射元件，面對且毗鄰該感光元件，且該反射元件轉折該光路，其中該反射元件包含：<br/> 一稜鏡，沿該光路包含一入光面、至少一反射面及一出光面；<br/> 一光學多層沉積結構層，沿該光路較該反射元件遠離該感光元件，且該光學多層沉積結構層對450 nm至600 nm波長的光線反射率小於等於10%；以及<br/> 一奈米粗糙表面，設置於該感光元件面向該反射元件的一側，該奈米粗糙表面包含複數奈米突起結構，該些奈米突起結構的形狀不規則且相鄰排列，該些奈米突起結構的寬度小於等於300 nm，且高度小於等於350 nm，其中該出光面面對且毗鄰該奈米粗糙表面；<br/> 其中，該奈米粗糙表面的反射率對應該光學多層沉積結構層的反射率，該光學多層沉積結構層的反射率為50%的一波長為R50，該奈米粗糙表面對450 nm到該波長R50的最大反射率小於等於0.49%，其滿足下列條件：<br/> 600 nm ≤ R50 ≤ 720 nm。
如請求項1所述的感光元件模組，其中該光學多層沉積結構層設置於該入光面。
如請求項1所述的感光元件模組，其中該稜鏡為一紅光吸收元件。
如請求項1所述的感光元件模組，其中該稜鏡的該入光面、該至少一反射面及該出光面中至少一者包含一非球面，且該非球面對應該光路設置。
如請求項1所述的感光元件模組，其中該稜鏡更包含：<br/> 複數凹陷結構，相鄰排列並往靠近該光路的方向漸縮，且該些凹陷結構中相鄰二者形成一尖端；<br/> 其中，該些尖端中相鄰二者的距離介於0.3 mm到2.9 mm之間。
如請求項1所述的感光元件模組，其中該稜鏡為一玻璃元件；<br/> 其中，該稜鏡更包含一注料痕，該稜鏡透過該注料痕射出成型。
如請求項6所述的感光元件模組，其中該稜鏡更包含：<br/> 一邊緣表面，該注料痕自該邊緣表面往遠離該光路的方向延伸；<br/> 其中，該注料痕往靠近該邊緣表面的方向漸寬。
如請求項1所述的感光元件模組，更包含：<br/> 一支架，蓋設於該感光元件，其中該反射元件設置於該支架；及<br/> 一空氣隔間，形成於該反射元件與該感光元件之間，該支架環繞該空氣隔間，且該奈米粗糙表面與該空氣隔間於該光路至少部分重疊。
如請求項8所述的感光元件模組，其中該奈米粗糙表面自一感光面向該支架延伸，且該奈米粗糙表面設置於該支架的至少一部分。
如請求項1所述的感光元件模組，其中該反射元件包含一支架部，與該感光元件相對固定；<br/> 其中，該感光元件模組更包含一空氣隔間，形成於該反射元件與該感光元件之間，該支架部環繞該空氣隔間，且該奈米粗糙表面與該空氣隔間於該光路至少部分重疊。
如請求項1所述的感光元件模組，更包含：<br/> 一紅外光吸收塗層，設置於該反射元件；<br/> 其中，該紅外光吸收塗層的厚度介於900 nm至5 um。
如請求項1所述的感光元件模組，更包含：<br/> 一濾光元件，包含一紅光吸收板，其中該光學多層沉積結構層設置於該紅光吸收板。
如請求項1所述的感光元件模組，其中該感光元件包含：<br/> 複數像素單元，該些像素單元的像素尺寸介於400 nm到2000 nm，且該些像素單元中任一者包含一微透鏡；<br/> 其中，該奈米粗糙表面設置於該些像素單元中該任一者的該微透鏡。
一種相機模組，包含：<br/> 如請求項1所述的感光元件模組；以及<br/> 一成像鏡頭，沿該光路設置於該感光元件模組的一物側。
如請求項14所述的相機模組，更包含：<br/> 一物側反射元件，設置於該感光元件模組的該物側，該光學多層沉積結構層設置於該物側反射元件。
如請求項15所述的相機模組，其中該成像鏡頭包含：<br/> 一物側透鏡組，設置於該物側反射元件的一物側。
如請求項15所述的相機模組，其中該成像鏡頭包含：<br/> 一像側透鏡組，設置於該物側反射元件與該感光元件模組之間，其中該光學多層沉積結構層設置於該像側透鏡組與該反射元件之間。
如請求項14所述的相機模組，更包含：<br/> 一物側反射元件，設置於該反射元件的一物側；<br/> 其中，該物側反射元件包含一紅外光吸收塗層，該光路通過該紅外光吸收塗層，且該紅外光吸收塗層的厚度介於900 nm至5 um。
如請求項14所述的相機模組，其中該成像鏡頭包含：<br/> 複數透鏡，沿該光路依序排列，且該光學多層沉積結構層設置該些透鏡中一者。
如請求項19所述的相機模組，其中該成像鏡頭更包含：<br/> 一透鏡組，與該反射元件相對固定；<br/> 其中，該光學多層沉積結構層設置於該透鏡組。
如請求項19所述的相機模組，其中該成像鏡頭更包含：<br/> 一光學吸收透鏡，該光學吸收透鏡的一吸收峰值介於600 nm至800 nm之間。
如請求項19所述的相機模組，其中該感光元件模組更包含：<br/> 一次光學多層沉積結構層，設置於該反射元件，該次光學多層沉積結構層對450 nm至550 nm波長的光線反射率小於等於10%，且該次光學多層沉積結構層的反射率為50%的一波長為R50'，其滿足下列條件：<br/> 600 nm ≤ R50' ≤ 720 nm。
如請求項19所述的相機模組，其中該成像鏡頭對700 nm至800 nm波長光線的波長平均穿透率小於等於5%，且對400 nm至800 nm波長光線的一最大穿透率波長之穿透率大於等於82%。
如請求項14所述的相機模組，其中該些奈米突起結構的寬度小於等於250 nm，且高度小於等於250 nm；<br/> 其中，該光學多層沉積結構層的層數大於30；<br/> 其中，該成像鏡頭包含一光學吸收透鏡，該光學吸收透鏡的一吸收峰值介於650 nm至750 nm之間；<br/> 其中，該成像鏡頭對700 nm至800 nm波長光線的波長平均穿透率小於等於1%，且對400 nm至800 nm波長光線的一最大穿透率波長之穿透率大於等於85%；<br/> 其中，該光學多層沉積結構層的反射率為50%的該波長為R50，且該奈米粗糙表面對450 nm到該波長R50的最大反射率小於等於0.2%，其滿足下列條件：<br/> 650 nm ≤ R50 ≤ 700 nm。
一種電子裝置，包含：<br/> 如請求項14所述的相機模組。
一種溫室效應氣體削減支持裝置，係具備： <br/>資訊取得部，係取得支持對象事業者的特有資訊，該特有資訊包含有關於前述支持對象事業者進行之事業之各種資訊的事業關聯資訊； <br/>演算部，係根據前述資訊取得部所取得之前述特有資訊中所含的前述事業關聯資訊，而演算從目前開始經過特定期間後之溫室效應氣體排出量的預測值，且演算經過前述特定期間後之溫室效應氣體排出量的目標值與前述預測值的差；及 <br/>輸出部，係將藉由前述演算部而得的演算結果輸出至外部； <br/>前述特有資訊係包含前述支持對象事業者的事業擴展資訊； <br/>前述演算部係根據前述事業關聯資訊中所含的能源使用量、及前述事業擴展資訊而算出在從目前開始經過前述特定期間後之年度的目標年度之伴隨著能源使用而產生之溫室效應氣體之排出量之預測值的第一預測值，且根據目前的溫室效應氣體排出量和前述事業擴展資訊，而算出在前述目標年度之伴隨著原料使用而產生之溫室效應氣體之排出量的預測值的第二預測值，及將前述第一預測值與前述第二預測值的合計值作為經過前述特定期間後之溫室效應氣體排出量的預測值。
如請求項1之溫室效應氣體削減支持裝置，當經過前述特定期間後之溫室效應氣體排出量的預測值比前述目標值更大時， <br/>前述演算部係將預先準備之用以削減溫室效應氣體排出量的複數個對策案依性價比較高的順序排列而對於使用者進行提示，且使之從複數個前述對策案之中選擇要實施的對策案以使經過前述特定期間後之溫室效應氣體排出量的預測值成為前述目標值以下。
如請求項2之溫室效應氣體削減支持裝置，其中複數個前述對策案係包括：省能源類型的對策案，係藉由設備的省能源化而削減溫室效應氣體排出量；再生能源類型的對策案，係將設備使用的能源變更為可再生的能源，藉此削減溫室效應氣體排出量；及抵換類型的對策案，係藉由抵換額度制度的利用而削減溫室效應氣體排出量； <br/>前述演算部係使使用者選擇要實施的對策案，以使藉由前述省能源類型之對策案執行而得之溫室效應氣體的削減量、藉由前述再生能源類型之對策案執行而得之溫室效應氣體的削減量、及藉由前述抵換類型之對策案執行而得之溫室效應氣體的削減量成為預先規定的比率。
如請求項3之溫室效應氣體削減支持裝置，其中前述演算部係執行：第一處理，係將前述省能源類型的對策案依性價比較高的順序排列而對於使用者進行提示，且使之選擇要執行的對策案；第二處理，係將前述再生能源類型的對策案依性價比較高的順序排列而對於使用者進行提示，且使之選擇要執行的對策案；及第三處理，係將前述抵換類型的對策案依性價比較高的順序排列而對於使用者進行提示，且使之選擇要執行的對策案。
一種溫室效應氣體削減支持方法，係包括下列步驟： <br/>資訊取得步驟，係取得支持對象事業者的特有資訊，該特有資訊包含有關於前述支持對象事業者進行之事業之各種資訊的事業關聯資訊； <br/>演算步驟，係根據在前述資訊取得步驟中所取得之前述特有資訊中所含的前述事業關聯資訊，而演算從目前開始經過特定期間後之溫室效應氣體排出量的預測值，且演算經過前述特定期間後之溫室效應氣體排出量的目標值與前述預測值的差；及 <br/>輸出步驟，係將在前述演算步驟中的演算結果輸出至外部； <br/>前述特有資訊係包含前述支持對象事業者的事業擴展資訊； <br/>根據前述事業關聯資訊中所含的能源使用量、及前述事業擴展資訊而算出在從目前開始經過前述特定期間後之年度的目標年度之伴隨著能源使用而產生之溫室效應氣體之排出量之預測值的第一預測值，且根據目前的溫室效應氣體排出量和前述事業擴展資訊，而算出在前述目標年度之伴隨著原料使用而產生之溫室效應氣體之排出量的預測值的第二預測值，及將前述第一預測值與前述第二預測值的合計值作為經過前述特定期間後之溫室效應氣體排出量的預測值。
一種記憶媒體，係記憶使電腦執行下列步驟的程式， <br/>資訊取得步驟，係取得支持對象事業者的特有資訊，該特有資訊包含有關於前述支持對象事業者進行之事業之各種資訊的事業關聯資訊； <br/>演算步驟，係根據在前述資訊取得步驟中所取得之前述特有資訊中所含的前述事業關聯資訊，而演算從目前開始經過特定期間後之溫室效應氣體排出量的預測值，且演算經過前述特定期間後之溫室效應氣體排出量的目標值與前述預測值的差；及 <br/>輸出步驟，係將在前述演算步驟中的演算結果輸出至外部； <br/>前述特有資訊係包含前述支持對象事業者的事業擴展資訊； <br/>根據前述事業關聯資訊中所含的能源使用量、及前述事業擴展資訊而算出在從目前開始經過前述特定期間後之年度的目標年度之伴隨著能源使用而產生之溫室效應氣體之排出量之預測值的第一預測值，且根據目前的溫室效應氣體排出量和前述事業擴展資訊，而算出在前述目標年度之伴隨著原料使用而產生之溫室效應氣體之排出量的預測值的第二預測值，及將前述第一預測值與前述第二預測值的合計值作為經過前述特定期間後之溫室效應氣體排出量的預測值。
一種溫室效應氣體削減支持系統，係支持用以削減溫室效應氣體的排出量的對策決定作業以使複數個支持對象事業者之各者中之溫室效應氣體的排出量成為目標值，該溫室效應氣體削減支持系統係包括： <br/>設在複數個前述支持對象事業者之各者中的資料庫、及在前述對策決定作業中所使用的終端裝置，該資料庫係管理包含有關於前述支持對象事業者進行之事業之各種資訊之事業關聯資訊的前述支持對象事業者的特有資訊；及 <br/>溫室效應氣體削減支持裝置，係支援前述對策決定作業； <br/>前述溫室效應氣體削減支持裝置係具備： <br/>資訊取得部，係從前述資料庫取得前述特有資訊； <br/>演算部，係根據前述資訊取得部所取得之前述特有資訊中所含的前述事業關聯資訊，而演算從目前開始經過特定期間後之溫室效應氣體排出量的預測值，且演算經過前述特定期間後之溫室效應氣體排出量的目標值與前述預測值的差；及 <br/>輸出部，係將藉由前述演算部而得的演算結果輸出至終端裝置； <br/>前述特有資訊係包含前述支持對象事業者的事業擴展資訊； <br/>前述演算部係根據前述事業關聯資訊中所含的能源使用量、及前述事業擴展資訊而算出在從目前開始經過前述特定期間後之年度的目標年度之伴隨著能源使用而產生之溫室效應氣體之排出量之預測值的第一預測值，且根據目前的溫室效應氣體排出量和前述事業擴展資訊，而算出在前述目標年度之伴隨著原料使用而產生之溫室效應氣體之排出量的預測值的第二預測值，及將前述第一預測值與前述第二預測值的合計值作為經過前述特定期間後之溫室效應氣體排出量的預測值。
一種超穎透鏡，包括一基板、多個第一穿透率調整結構以及多個第二穿透率調整結構，該基板具有一第一區塊與一第二區塊，該第二區塊圍繞該第一區塊，該些第一穿透率調整結構設置於該第一區塊，該些第二穿透率調整結構設置於該第二區塊，其中該第一區塊與該些第一穿透率調整結構形成該超穎透鏡的一第一穿透部，該第二區塊與該些第二穿透率調整結構形成該超穎透鏡的一第二穿透部，該第一穿透部的穿透率小於該第二穿透部的穿透率； <br/>其中該些第一穿透率調整結構的材料為一第一材料，該些第二穿透率調整結構的材料為一第二材料，該第一材料的穿透率小於該第二材料的穿透率。
如請求項1所述之超穎透鏡，其中任二個相鄰的該些第一穿透率調整結構之間具有一第一間距，任二個相鄰的該些第二穿透率調整結構之間具有一第二間距，該第一間距大於該第二間距。
如請求項2所述之超穎透鏡，其中該第一間距介於0.7 μm至0.9 μm，該第二間距介於0.3 μm至0.5 μm。
如請求項1所述之超穎透鏡，其中該第一穿透部具有一第一相位分布，該第二穿透部具有一第二相位分布，該第一相位分布介於0至小於2π之間，該第二相位分布介於0至2π之間。
如請求項4所述之超穎透鏡，其中該第一穿透部具有一第一子穿透部與一第二子穿透部，該第二子穿透部圍繞該第一子穿透部，該第一子穿透部具有一第一子相位分布，該第二子穿透部具有一第二子相位分布，該第一子相位分布介於0至1π之間，該第二子相位分布介於0至1.5π之間。
如請求項1所述之超穎透鏡，其中每一該些第一穿透率調整結構具有一第一高度，每一該些第二穿透率調整結構具有一第二高度，該第一高度大於該第二高度。
如請求項6所述之超穎透鏡，其中該第一區塊具有一第一子區塊與一第二子區塊，該第二子區塊圍繞該第一子區塊，該些第一穿透率調整結構包括多個第一子穿透率調整結構與多個第二子穿透率調整結構，該些第一子穿透率調整結構設置於該第一子區塊，該些第二子穿透率調整結構設置於該第二子區塊，每一該些第一子穿透率調整結構具有一第一子高度，每一該些第二子穿透率調整結構具有一第二子高度，該第一子高度大於該第二子高度。
如請求項7所述之超穎透鏡，其中該第一子高度介於750 nm至850 nm之間，該第二子高度介於550 nm至650 nm之間，該第二高度介於250 nm至350 nm之間。
如請求項1所述之超穎透鏡，其中該第一材料為非晶矽，該第二材料為五氧化二鈮。
一種測試探針，用於測試待測物的電氣特性，所述測試探針包括： <br/>筒；以及 <br/>端子，包括用於與所述待測物接觸的至少一個尖端部，以及插入所述筒中並支撐所述至少一個尖端部的端子體部， <br/>其中，所述至少一個尖端部的形狀為圓錐體並包括： <br/>多個支撐部，沿著圍繞所述筒的軸線的周向以預定間隔排列， <br/>每一所述多個支撐部包括： <br/>支撐表面，設置在所述圓錐體的底面且從所述端子體部徑向延伸，以在軸向上接觸所述筒的端部表面；以及 <br/>傾斜表面，從所述支撐表面的外緣沿所述軸向向內徑向傾斜。
如請求項1所述的測試探針，其中所述端子還包括形成在其外表面上的由導電材料製成的電鍍層。
如請求項2所述的測試探針，其中所述電鍍層形成為填充在所述筒的內表面與所述端子體部之間的間隙中。
如請求項2所述的測試探針，其中所述端子體部包括在外周表面上沿所述軸向凹陷到預定深度的凹陷部。
一種板對板連接器，其中，包括： <br/>絕緣本體，前述絕緣本體包括第一安裝面、沿第一方向與前述第一安裝面相背對的第二安裝面、以及端子安裝區域；前述端子安裝區域包括第一外側面； <br/>複數導電端子，前述導電端子設於前述端子安裝區域；前述導電端子包括延伸凸出前述第一安裝面的第一接觸彈臂以及延伸凸出前述第二安裝面的第二接觸彈臂；前述第一接觸彈臂配置為與第一電路板電性連接；前述第二接觸彈臂配置為與第二電路板電性連接；以及 <br/>第一接地片，前述第一接地片固定於前述絕緣本體，前述第一接地片包括覆蓋在至少部分前述第一外側面上的第一主體部、自前述第一主體部延伸凸出前述第一安裝面的第一接地彈臂以及自前述第一主體部延伸凸出前述第二安裝面的第二接地彈臂；前述第一接地彈臂配置為與前述第一電路板相接觸；前述第二接地彈臂配置為與前述第二電路板相接觸。
如請求項1所述的板對板連接器，其中：前述端子安裝區域包括第一表面以及與前述第一表面相背對的第二表面；前述第一表面與前述第一安裝面位於前述絕緣本體的同一側，且前述第一安裝面凸出前述第一表面；前述第二表面與前述第二安裝面位於前述絕緣本體的同一側，且前述第二安裝面凸出前述第二表面。
如請求項2所述的板對板連接器，其中：前述絕緣本體設有第一固定槽，前述第一接地片包括自前述第一主體部折彎而成的第一固定片，前述第一固定片插入且固定於前述第一固定槽中。
如請求項3所述的板對板連接器，其中：前述絕緣本體設有第二固定槽，前述第一接地片包括自前述第一主體部折彎而成的第二固定片，前述第二固定片插入且固定於前述第二固定槽中；前述第一固定片以及前述第二固定片分別位於前述第一主體部的兩端。
如請求項4所述的板對板連接器，其中：前述第一接地片為複數個；在任意相鄰的兩個前述第一接地片中，其中一個前述第一接地片的第二固定片與另一個前述第一接地片的第一固定片相互接觸。
如請求項2所述的板對板連接器，其中：前述第一接地片包括自前述第一主體部的一端折彎而成的第一折彎部以及自前述第一主體部的另一端折彎而成的第二折彎部，前述第一接地彈臂與前述第一折彎部相連，前述第二接地彈臂與前述第二折彎部相連。
如請求項6所述的板對板連接器，其中：前述第一接地彈臂呈直條狀且傾斜延伸，前述第一接地彈臂設有位於前述第一接地彈臂的自由端的第一抵接部；前述第一抵接部配置為與前述第一電路板相抵接； <br/>前述第二接地彈臂呈直條狀且傾斜延伸，前述第二接地彈臂設有位於前述第二接地彈臂的自由端的第二抵接部；前述第二抵接部配置為與前述第二電路板相抵接。
如請求項6所述的板對板連接器，其中：前述第一主體部包括第一端面以及沿前述第一方向與前述第一端面相背對的第二端面，其中前述第一端面沿前述第一方向位於前述第一表面和前述第一安裝面之間，前述第二端面沿前述第一方向位於前述第二表面和前述第二安裝面之間。
如請求項8所述的板對板連接器，其中：前述第一折彎部設有上表面，前述上表面沿前述第一方向位於前述第一表面和前述第一安裝面之間； <br/>前述第二折彎部設有下表面，前述下表面沿前述第一方向位於前述第二表面和前述第二安裝面之間。
如請求項8所述的板對板連接器，其中：前述第一主體部包括自前述第一端面凹設而成的兩個第一凹口以及自前述第二端面凹設而成的兩個第二凹口，其中前述第一折彎部位於這兩個第一凹口之間，前述第二折彎部位於這兩個第二凹口之間。
如請求項6所述的板對板連接器，其中：前述端子安裝區域包括自前述第一表面凹設而成的第一固定孔以及自前述第二表面凹設而成的第二固定孔； <br/>前述第一折彎部設有卡持入前述第一固定孔中的第一卡持凸片，前述第二折彎部設有卡持入前述第二固定孔中的第二卡持凸片。
如請求項1所述的板對板連接器，其中：前述端子安裝區域包括沿第二方向與前述第一外側面相背對的第二外側面；前述第二方向垂直於前述第一方向； <br/>前述板對板連接器還包括固定於前述絕緣本體的第二接地片，前述第二接地片包括覆蓋在至少部分前述第二外側面上的第二主體部、延伸凸出前述第一安裝面的第三接地彈臂以及延伸凸出前述第二安裝面的第四接地彈臂，前述第三接地彈臂配置為與前述第一電路板相接觸；前述第四接地彈臂配置為與前述第二電路板相接觸。
如請求項12所述的板對板連接器，其中：前述第一接地片為一體式結構，前述第一接地片包括自前述第一主體部的一端折彎而成的第一固定部以及自前述第一主體部的另一端折彎而成的第二固定部； <br/>前述第二接地片為一體式結構，前述第二接地片包括自前述第二主體部的一端折彎而成的第三固定部以及自前述第二主體部的另一端折彎而成的第四固定部； <br/>前述絕緣本體設有第三外側面以及沿第三方向與前述第三外側面相背對的第四外側面，其中前述第一固定部與前述第三固定部均至少部分覆蓋在前述第三外側面上，前述第二固定部與前述第四固定部均至少部分覆蓋在前述第四外側面上；前述第三方向垂直於前述第一方向以及前述第二方向。
如請求項13所述的板對板連接器，其中：前述第一固定部與前述第三固定部相接觸，前述第二固定部與前述第四固定部相接觸。
如請求項14所述的板對板連接器，其中：前述絕緣本體設有凸出前述第三外側面的第一凸塊以及凸出前述第四外側面的第二凸塊，前述第一凸塊設有第一卡固槽，前述第一固定部以及前述第三固定部固定於前述第一卡固槽中； <br/>前述第二凸塊設有第二卡固槽，前述第二固定部以及前述第四固定部固定於前述第二卡固槽中。
如請求項15所述的板對板連接器，其中：前述第一凸塊設有第一卡持塊，前述第一固定部設有兩個第一卡持臂以及位於這兩個第一卡持臂之間的第一卡持槽，前述第一卡持塊收容於前述第一卡持槽中，每一個第一卡持臂設有凸伸入前述第一卡固槽中的第一鉤部； <br/>前述第一凸塊設有第二卡持塊，前述第三固定部設有兩個第三卡持臂以及位於這兩個第三卡持臂之間的第三卡持槽，前述第二卡持塊收容於前述第三卡持槽中，每一個第三卡持臂設有凸伸入前述第一卡固槽中的第三鉤部； <br/>前述第二凸塊設有第三卡持塊，前述第二固定部設有兩個第二卡持臂以及位於這兩個第二卡持臂之間的第二卡持槽，前述第三卡持塊收容於前述第二卡持槽中，每一個第二卡持臂設有凸伸入前述第二卡固槽中的第二鉤部； <br/>前述第二凸塊設有第四卡持塊，前述第四固定部設有兩個第四卡持臂以及位於這兩個第四卡持臂之間的第四卡持槽，前述第四卡持塊收容於前述第四卡持槽中，每一個第四卡持臂設有凸伸入前述第二卡固槽中的第四鉤部。
如請求項1所述的板對板連接器，其中：前述第一接地片由下料方式製成，前述第一接地片還包括呈懸臂狀且與前述第一接地彈臂相配合的第一抵接臂以及呈懸臂狀且與前述第二接地彈臂相配合的第二抵接臂。
如請求項1至17中任意一項所述的板對板連接器，其中：在安裝前述第一接地片之前，前述第一外側面沿第二方向暴露於前述絕緣本體的外側，前述第二方向垂直於前述第一方向。
一種電源管理電路，其特徵係，具備有：測定電路，可經由對應之開關分別連接於與複數個開關對應的複數個蓄電元件，測定與前述複數個蓄電元件中之經由前述對應的開關而連接之蓄電元件的容量相關的參數； <br/> 升降壓電路，可經由前述對應的開關分別連接於前述複數個蓄電元件，可將前述複數個蓄電元件中之經由前述對應的開關而連接之蓄電元件的電壓進行升壓或降壓； <br/> 複數個端子，被構成為分別連接於前述複數個開關的控制端子；及 <br/> 算出電路，基於與由前述測定電路所獲得之容量相關的參數，算出各蓄電元件之耗盡度， <br/> 接收基於前述測定電路之測定結果、充放電次數及周圍溫度所算出的各蓄電元件之耗盡度，選擇前述耗盡度相對小之特定的蓄電元件作為使用於電力損失保護處理(PLP處理)的蓄電元件。
如請求項1之電源管理電路，其中， <br/> 前述測定電路，係在使前述複數個開關中之1個以上的開關接通之狀態下，測定與對應於前述1個以上的開關之1個以上的蓄電元件之容量相關的參數。
如請求項1之電源管理電路，其中， <br/> 前述升降壓電路，係在使前述複數個開關中之一部分的開關接通之狀態下，對與前述一部分的開關對應之一部分的蓄電元件進行充放電。
一種電源管理電路，其特徵係，具備有： <br/> 複數個開關，被構成為與能夠連接的複數個蓄電元件中之各自對應的蓄電元件連接； <br/> 測定電路，連接有前述複數個開關，測定經由前述複數個開關中之對應的開關而連接之前述對應的蓄電元件之容量； <br/> 升降壓電路，連接有前述複數個開關，可將經由前述對應的開關而連接之前述對應的蓄電元件之電壓進行升壓或降壓； <br/> 複數個端子，被構成為分別連接於前述複數個開關的控制端子；及 <br/> 算出電路，基於與由前述測定電路所獲得之容量相關的參數，算出各蓄電元件之耗盡度， <br/> 接收基於前述測定電路之測定結果、充放電次數及周圍溫度所算出的各蓄電元件之耗盡度，選擇前述耗盡度相對小之特定的蓄電元件作為使用於電力損失保護處理(PLP處理)的蓄電元件。
如請求項4之電源管理電路，其中， <br/> 前述測定電路，係在使前述複數個開關中之1個以上的開關接通之狀態下，測定與對應於前述1個以上的開關之1個以上的蓄電元件之容量相關的參數。
如請求項4之電源管理電路，其中， <br/> 前述升降壓電路，係在使前述複數個開關中之一部分的開關接通之狀態下，對與前述一部分的開關對應之一部分的蓄電元件進行充放電。
一種記憶體系統，其特徵係，具備有： <br/> 如請求項1~6中任一項之電源管理電路；及 <br/> 記憶體，被連接於前述電源管理電路。
一種電源管理方法，其特徵係，包含有： <br/> 測定與能夠連接的複數個蓄電元件中之經由對應的開關而連接之蓄電元件的容量相關的參數； <br/> 因應前述測定的結果，將前述複數個蓄電元件中之經由前述對應的開關而連接之蓄電元件的電壓進行升壓或降壓；及 <br/> 基於與前述容量相關的參數，算出各蓄電元件之耗盡度， <br/> 接收基於前述測定的結果、充放電次數及周圍溫度所算出的各蓄電元件之耗盡度，選擇前述耗盡度相對小之特定的蓄電元件作為使用於電力損失保護處理(PLP處理)的蓄電元件。
一種聲波裝置的製造方法，包括：<br/> 提供一第一基板，該第一基板包括一第一主體板、一第一邊框、及依序堆疊的一第一電極、一壓電層、及一第二電極，其中該第一邊框設置在該第一主體板中，且設置在該第一電極周圍；<br/> 減薄該第一基板使得該第一電極從該第一基板的一第一表面露出；<br/> 提供一第二基板，該第二基板包括一第二主體板及一凹部，該凹部從該第二基板的一第二表面凹陷；及<br/> 將該第一基板的該第一表面與該第二基板的該第二表面接合在一起，使得在一垂直方向上，該凹部、該第一電極、該壓電層、及該第二電極至少部分地重疊，以形成一重疊區域。
如請求項1所述之方法，其中提供該第一基板包括：<br/> 提供該第一主體板；<br/> 在該第一主體板中形成一第一電極容納部；<br/> 在該第一主體板中形成一第一邊框容納部，其中該第一邊框容納部與該第一電極容納部係隔開設置；<br/> 在該第一電極容納部中形成該第一電極；<br/> 利用該第一邊框容納部形成該第一邊框；<br/> 在該第一電極上形成該壓電層；及<br/> 在該壓電層上形成該第二電極。
如請求項2所述之方法，利用該第一邊框容納部形成該第一邊框包括使用一導電材料或一介電材料填充該第一邊框容納部。
如請求項2所述之方法，其中提供該第一基板還包括：<br/> 形成貫穿該壓電層的一接觸孔(contact hole)； <br/> 在該接觸孔中形成一第一接觸部，該第一接觸部電性連接至該第一電極；及<br/> 形成一鈍化層，至少覆蓋該第二電極。
如請求項4所述之方法，其中減薄該第一基板的步驟包括：<br/> 從該第一基板的一第一側施加一附著層；<br/> 藉由該附著層將該第一基板固定於一載板；及<br/> 使用一平坦化製程從該第一基板的一第二側減少該第一基板的一厚度至該第一表面。
如請求項5所述之方法，其中將該第一基板的該第一表面與該第二基板的該第二表面接合在一起的步驟包括：<br/> 翻轉該第二基板或該第一基板，使得該第二基板的該第二表面接合於該第一基板的該第一表面；及<br/> 移除該載板及該附著層。
如請求項2所述之方法，其中該第一電極容納部具有一第一深度，該第一邊框容納部具有一第二深度，該第二深度等於或小於該第一深度。
如請求項7所述之方法，其中減薄該第一基板的步驟使得該第一邊框部從該第一表面露出或不露出。
如請求項1所述之方法，其中提供該第二基板包括：<br/> 提供該第二主體板；及<br/> 在該第二主體板中形成該凹部。
如請求項9所述之方法，其中提供該第二基板包括：<br/> 在該第二主體板中形成一第二邊框容納部，其中該第二邊框容納部與該凹部係隔開設置。
如請求項10所述之方法，其中該凹部具有一第三深度，該第二邊框容納部具有一第四深度，該第四深度等於或大於該第三深度。
如請求項10所述之方法，其中提供該第二基板還包括：<br/> 使用一導電材料或一介電材料填充該第二邊框容納部。
如請求項10所述之方法，其中將該第一基板的該第一表面與該第二基板的該第二表面接合在一起，使得該第一基板與該第二基板在對應於該凹部的一位置處形成一密閉空腔。
如請求項13所述之方法，其中將該第一基板的該第一表面與該第二基板的該第二表面接合在一起，從而利用該第二邊框容納部形成一第二邊框， 其中該第二邊框設置在該第二主體板中，且在該密閉空腔周圍。
如請求項14所述之方法，其中該第一邊框與該第二邊框至少部分地對齊。
如請求項14所述之方法，其中提供該第二基板還包括：<br/> 在該第二主體板中形成一第四邊框容納部，其中該第四邊框容納部與該凹部係隔開設置，且與該第二邊框容納部係隔開設置，<br/> 其中將該第一基板的該第一表面與該第二基板的該第二表面接合在一起，從而利用該第四邊框容納部形成一第四邊框，其中該第四邊框設置該第二主體板中，且在該密閉空腔周圍；以及<br/> 其中該第四邊框與該重疊區域的一水平距離大於該第二邊框與該重疊區域的一水平距離。
如請求項1所述之方法，其中該第一基板更包括一第三邊框，設置在該第一主體板中，且設置在該第一電極周圍，其中該第三邊框與該重疊區域的一水平距離大於該第一邊框與重疊區域的一水平距離。
一種聲波裝置，包括：<br/> 一第一基板，包括：<br/> 一第一表面；<br/> 一第一主體板；<br/> 一第一電極、一壓電層、及一第二電極，其中該第一電極、該壓電層、及該第二電極係依序堆疊，該第一電極從該第一表面露出；及<br/> 一第一邊框，設置在該第一主體板中，設置在該第一電極周圍，且該第一邊框在一俯視平面的投影與該第一電極在該俯視平面的投影係互相分開；及<br/> 一第二基板，包括：<br/> 一第二表面；<br/> 一第二主體板；及<br/> 一凹部(recess)，設置在該第二主體板中且從該第二表面凹陷；其中<br/> 該第一基板的該第一表面與該第二基板的該第二表面接合在一起；<br/> 在一垂直方向上，該凹部、該第一電極、該壓電層、及該第二電極至少部分地重疊，以形成一重疊區域；及<br/> 該第一基板及該第二基板在對應於該凹部的一位置處形成一密閉空腔。
如請求項18所述之聲波裝置，其中該第二基板還包括一第二邊框，設置在該第二主體板中，且設置在該密閉空腔周圍。
如請求項19所述之聲波裝置，其中該第一邊框與該第二邊框至少部分地對齊。
如請求項19所述之聲波裝置，其中該第一基板更包括一第三邊框，設置在該第一主體板中且設置在該第一電極周圍，其中該第三邊框與該重疊區域的一水平距離大於該第一邊框與重疊區域的一水平距離。
如請求項21所述之聲波裝置，其中第二基板還包括一第四邊框，設置在該第二主體板中且設置在該密閉空腔周圍，其中該第四邊框與該重疊區域的一水平距離大於該第二邊框與該重疊區域的一水平距離。
如請求項22所述之聲波裝置，其中該第一邊框、該第二邊框、該第三邊框、及該第四邊框其中至少一者包含一填充材料，該填充材料包括一導電材料或一介電材料。
一種聲波裝置的製造方法，包括：<br/> 提供一第一主體板；<br/> 在該第一主體板上形成一第一電極；<br/> 在該第一主體板上形成一第一邊框，其中該第一邊框設置在該第一電極周圍，且與該第一電極係隔開設置；<br/> 至少在該第一電極上形成一壓電層； <br/> 至少在該壓電層上形成一第二電極；<br/> 形成貫穿該壓電層的一接觸孔； <br/> 在該接觸孔中形成一第一接觸部，該第一接觸部電性連接至該第一電極； <br/> 形成一鈍化層，至少覆蓋該第二電極，藉此形成第一基板；<br/> 從該第一基板的一第一側施加一附著層；<br/> 藉由該附著層將該第一基板固定於一載板；<br/> 使用一平坦化製程從該第一基板的一第二側減少該第一基板的一厚度到一第一表面，使得該第一電極從該第一表面露出；<br/> 提供一第二基板，該第二基板包括一第二主體板及一凹部，該凹部從該第二基板的一第二表面凹陷；<br/> 將該第一基板的該第一表面與該第二基板的該第二表面接合在一起，使得在一垂直方向上，該凹部、該第一電極、該壓電層、及該第二電極至少部分地重疊，以形成一重疊區域；以及<br/> 移除該載板及該附著層。
一種聲波裝置，包括：<br/> 一第一基板，包括：<br/> 一第一表面；<br/> 一第一電極、一壓電層、及一第二電極，其中該第一電極、該壓電層、及該第二電極係依序堆疊，該第一電極從該第一表面露出；及<br/> 一第一邊框，設置在該第一電極周圍，且該第一邊框在一俯視平面的投影與該第一電極在該俯視平面的投影係互相分開；及<br/> 一第二基板，包括：<br/> 一第二表面；<br/> 一第二主體板； <br/> 一凹部(recess)，設置在該第二主體板中且從該第二表面凹陷；及<br/> 一第二邊框，設置在該第二主體板中，其中：<br/> 該第一基板的該第一表面與該第二基板的該第二表面接合在一起；<br/> 在一垂直方向上，該凹部、該第一電極、該壓電層、及該第二電極至少部分地重疊，以形成一重疊區域； <br/> 該第一基板及該第二基板在對應於該凹部的一位置處形成一密閉空腔；及<br/> 該第二邊框設置在該密閉空腔周圍。
一種在一電子設備中提供頁面資訊之方法，該方法包括： <br/>回應於一使用者在與該電子設備相關之一服務中之一第一輸入，識別關於一物品類別及包含於該物品類別中之一第一下屬物品類別之資訊； <br/>基於關於該第一下屬物品類別之資訊，識別關於自對應於該第一下屬物品類別之一物品清單選擇之一或多個第一物品之資訊；及 <br/>提供關於包含一第一界面工具集之一第一頁面之資訊，該第一界面工具集包含關於該一或多個第一物品之該資訊， <br/>其中該一或多個第一物品係基於依序考慮與該物品清單中之一物品之一折扣率相關之第一資訊、與一物品之一可售期相關之第二資訊、與一物品之一賣家是否對一物品提供一價格折扣相關之第三資訊，及與操作該電子設備之一實體是否對一物品提供一價格折扣相關之第四資訊來選擇。
如請求項1之方法，其中該第一輸入包括用於識別關於該服務上之該第一下屬物品類別之該資訊之一輸入，且 <br/>該第一頁面係該第一下屬物品類別之一詳細頁面。
如請求項1之方法，其中用於在該第一界面工具集中顯示該一或多個第一物品之一次序基於該一或多個第一物品之各者之一折扣率來判定。
如請求項1之方法，其中該物品清單基於一預定周期來更新。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>回應於該使用者之一第二輸入，識別關於包含於該物品類別中之一第二下屬物品類別之資訊； <br/>基於關於該第二下屬物品類別之該資訊，識別關於包含於對應於該第二下屬物品類別之一第三下屬物品類別中之一詳細物品群組之資訊； <br/>基於關於該詳細物品群組之該資訊，識別關於自該詳細物品群組選擇之一或多個第二物品之資訊；及 <br/>提供關於包含一第二界面工具集之一第二頁面之資訊，該第二界面工具集包含關於該一或多個第二物品之該資訊。
如請求項5之方法，其中該第二輸入包括用於識別關於該服務上之該第二下屬物品類別之該資訊之一輸入，且 <br/>該第二頁面係該第二下屬物品類別之一詳細頁面。
如請求項5之方法，其中該詳細物品群組包括在對應於用於對該詳細物品群組分類之一詳細類別之物品中具有相對較高利潤率之複數個第二物品，且 <br/>該一或多個第二物品包括在該複數個第二物品中按利潤率之一降序排列之一預定數目之物品。
如請求項7之方法，其中對應於該詳細類別之一物品之一利潤率基於對應於該詳細類別之該物品之一每單位容量利潤來判定。
如請求項5之方法，其中關於該詳細物品群組之該資訊包括關於包含於該詳細物品群組中之一物品之資訊、關於該詳細物品群組之識別資訊及用於對該詳細物品群組分類之文字資訊。
如請求項9之方法，其進一步包括： <br/>識別關於用於該第二界面工具集之一引導片語集之資訊；及 <br/>基於該文字資訊及該引導片語集來設定該詳細物品群組之引導資訊， <br/>其中該第二界面工具集包括該詳細物品群組之該引導資訊。
如請求項10之方法，其中該引導片語集基於與該詳細物品群組相關之一促銷來判定。
如請求項5之方法，其進一步包括： <br/>基於關於該第二下屬物品類別之該資訊，識別與該第二下屬物品類別相關之至少一個下屬物品類別； <br/>自包含於該至少一個下屬物品類別之各者中之複數個物品識別基於利潤率資訊及銷量資訊中之至少一個資訊判定之預定數目個物品； <br/>藉由比較針對該至少一個下屬物品類別之各者判定之該預定數目個物品之利潤率及銷量來識別一最佳下屬物品類別；及 <br/>將該最佳下屬物品類別判定為該第三下屬物品類別。
一種用於提供頁面資訊之電子設備，該電子設備包括： <br/>一處理器；及 <br/>一或多個記憶體，其中儲存一或多個指令， <br/>其中該一或多個指令在執行時控制該處理器執行： <br/>回應於一使用者在與該電子設備相關之一服務中之一第一輸入，識別關於一物品類別及包含於該物品類別中之一第一下屬物品類別之資訊； <br/>基於關於該第一下屬物品類別之資訊，識別關於自對應於該第一下屬物品類別之一物品清單選擇之一或多個第一物品之資訊；及 <br/>提供關於包含一第一界面工具集之一第一頁面之資訊，該第一界面工具集包含關於該一或多個第一物品之該資訊， <br/>其中該一或多個第一物品係基於依序考慮與該物品清單中之一物品之一折扣率相關之第一資訊、與一物品之一可售期相關之第二資訊、與一物品之一賣家是否對一物品提供一價格折扣相關之第三資訊，及與操作該電子設備之一實體是否對一物品提供一價格折扣相關之第四資訊來選擇。
一種鑽尾螺絲，包含：<br/> 一螺頭；<br/> 一螺桿，包括一連接該螺頭的桿身部，及一凸設於該桿身部外周面且沿該桿身部螺旋延伸的螺紋部，該螺桿開設出複數由該桿身部軸向延伸且割穿該螺紋部深入該桿身部的割溝槽；及<br/> 一鑽尾，由該桿身部遠離該螺頭地軸向延伸並逐漸收合，該鑽尾界定出二面向不同方向的排屑溝，每一排屑溝由一曲面、一斜面、一尖端面，及一底面所組成；該等割溝槽同時橫跨於該螺紋部與該鑽尾且割穿部分鑽尾表面，每一排屑溝分別沿該螺桿的軸向貫通該鑽尾並連通對應的該割溝槽，該螺紋部可延設或不延設至該鑽尾；其中，<br/> 每一割溝槽會與其相對應的該排屑溝在該排屑溝表面之法向量投影時部分重疊。
如請求項1所述的鑽尾螺絲，其中，該等割溝槽之數量為二，該二割溝槽與其各自相對應的該二排屑溝重疊區域，彼此比較僅部分相同。
如請求項1所述的鑽尾螺絲，其中，該等割溝槽之數量為二，該二割溝槽與其各自相對應的該二排屑溝重疊區域，彼此比較完全相同。
如請求項1所述的鑽尾螺絲，其中，該等割溝槽之數量為二，該二割溝槽與其各自相對應的該二排屑溝重疊區域，彼此比較完全不同。
如請求項1所述的鑽尾螺絲，其中，該等割溝槽之數量為二，該二割溝槽開口方向一樣。
如請求項1所述的鑽尾螺絲，其中，該等割溝槽之數量為二，該二割溝槽開口方向為完全相反兩方向。
如請求項1所述的鑽尾螺絲，其中，該等割溝槽之數量為二，該二割溝槽開口方向彼此垂直。
如請求項1所述的鑽尾螺絲，其中，該等割溝槽之數量為二，該二割溝槽開口方向彼此呈現一夾角。
如請求項1所述的鑽尾螺絲，其中，該等割溝槽數量大於二時，至少有兩個開口方向相同。
如請求項1所述的鑽尾螺絲，其中，該等割溝槽之數量為二，該二割溝槽彼此平行。
如請求項1所述的鑽尾螺絲，其中，該等割溝槽之數量為二，該二割溝槽同時與軸線平行。
如請求項1所述的鑽尾螺絲，其中，該等割溝槽之數量為二，該二割溝槽同時傾斜並與軸線夾一角度。
如請求項1所述的鑽尾螺絲，其中，該等割溝槽之數量為二，該二割溝槽傾斜方向相同。
如請求項1所述的鑽尾螺絲，其中，該等割溝槽之數量為二，該二割溝槽傾斜方向不相同。
如請求項1所述的鑽尾螺絲，其中，該等割溝槽之數量為二，其中一個割溝槽傾斜與軸線夾一角度，另一個割溝槽與軸線平行。
如請求項1所述的鑽尾螺絲，其中，該螺紋部接近該鑽尾處呈現漸縮狀而使其牙高小於遠離該鑽尾處之該螺紋部的牙高。
如請求項2所述的鑽尾螺絲，其中，該二割溝槽開口方向為完全相反。
如請求項2所述的鑽尾螺絲，其中，該二割溝槽開口方向為完全相同。
如請求項3所述的鑽尾螺絲，其中，該二割溝槽開口方向為完全相反。
如請求項3所述的鑽尾螺絲，其中，該二割溝槽開口方向為完全相同。
如請求項4所述的鑽尾螺絲，其中，該二割溝槽開口方向為完全相反。
如請求項4所述的鑽尾螺絲，其中，該二割溝槽開口方向為完全相同。
如請求項5所述的鑽尾螺絲，其中，該二割溝槽與該鑽尾的底面夾一特定旋轉角度。
如請求項5所述的鑽尾螺絲，其中，該二割溝槽與該鑽尾的底面平行。
如請求項5所述的鑽尾螺絲，其中，該二割溝槽彼此間的間距為不小於該螺紋部之牙底徑的1/4，最少為該鑽尾最厚處之厚度的1/4。
如請求項2至8、10至15中任一項所述的鑽尾螺絲，其中，該二割溝槽彼此間的間距為該二排屑溝在該鑽尾未旋轉前其各自的該曲面與該斜面相交直線的最低點之兩點間的距離。
如請求項2至8、10至15中任一項所述的鑽尾螺絲，其中，該二割溝槽彼此間的間距為該鑽尾旋轉一角度後之該二排屑溝平面間的距離。
如請求項5或6所述的鑽尾螺絲，其中，該二割溝槽的深度為不大於該鑽尾寬度的1/2。
如請求項5或6所述的鑽尾螺絲，其中，該二割溝槽的深度為不大於該螺紋部之牙外徑寬度的1/2。
如請求項6所述的鑽尾螺絲，其中，該二割溝槽的寬度與該螺紋部之牙外徑等寬。
如請求項6所述的鑽尾螺絲，其中，每一割溝槽本身的寬度為不等寬。
如請求項6所述的鑽尾螺絲，其中，該二割溝槽皆各自與其相對應的該二排屑溝投影重疊在該鑽尾之該斜面與該底面。
如請求項6所述的鑽尾螺絲，其中，該二割溝槽皆各自與其相對應的該二排屑溝投影重疊在該鑽尾之該曲面與該斜面。
如請求項1所述的鑽尾螺絲，其中，該等割溝槽之數量為三，任兩個在同一面。
如請求項1所述的鑽尾螺絲，其中，該等割溝槽之數量為三，任兩個在同一面且彼此平行。
如請求項1所述的鑽尾螺絲，其中，該等割溝槽之數量為四，任兩個在同一面。
如請求項1所述的鑽尾螺絲，其中，該等割溝槽之數量為四，各兩個在同一面且同一面者彼此平行。
如請求項1所述的鑽尾螺絲，其中，該等割溝槽之數量為三，任兩個在同一面，且同一面的兩個割溝槽與其對應的該排屑溝重疊在不同區域。
如請求項1所述的鑽尾螺絲，其中，該等割溝槽之數量為四，各兩個在同一面，且同一面的兩個割溝槽各自與其對應的該排屑溝重疊在不同區域。
如請求項1所述的鑽尾螺絲，其中，該鑽尾之每一排屑溝與該螺桿之相對應的該割溝槽係沿一延伸線延伸，該延伸線為相對應的該割溝槽之一上割點與該鑽尾之鑽尖投影至平面上時的連線，且該等延伸線彼此夾設出一夾角。
如請求項1所述的鑽尾螺絲，其中，該鑽尾之每一排屑溝與該螺桿之相對應的該割溝槽係沿一延伸線延伸，該延伸線為相對應的該割溝槽之一上割點與該鑽尾之鑽尖投影至平面上時的連線，且該等延伸線彼此平行。
如請求項1所述的鑽尾螺絲，其中，每一排屑溝兩側分別設有一突起物。
如請求項40所述的鑽尾螺絲，其中，該等延伸線之間的夾角為2度至38度。
如請求項2至8中任一項所述的鑽尾螺絲，其中，該鑽尾包括二連接該螺桿之該桿身部且各自沿該螺桿之軸向延伸的側端刃，及兩個一端分別連接該等側端刃且另一端連接彼此的切削斜刃，每一切削斜刃沿該螺桿之徑向傾斜延伸。
如請求項2至8中任一項所述的鑽尾螺絲，其中，該鑽尾包括二連接該螺桿之該桿身部且各自沿該螺桿之軸向延伸的側端刃、二分別連接該等側端刃的切削斜刃，及一連接該等切削斜刃的橫切削刃，該等切削斜刃與該橫切削刃沿該螺桿之徑向延伸，每一切削斜刃與該橫切削刃間夾設出一夾角。
如請求項2至8中任一項所述的鑽尾螺絲，其中，該鑽尾包括二連接該螺桿之該桿身部且各自沿該螺桿之軸向延伸的側端刃，及兩個一端分別連接該等側端刃且另一端連接彼此的切削斜刃，該鑽尾之每一側端刃與相對應之該切削斜刃的連接處具有一端點，該等端點和該鑽尾之該斜面與該曲面的交線上的任一點在同一平面上。
如請求項2至8中任一項所述的鑽尾螺絲，其中，該鑽尾包括二連接該螺桿之該桿身部且各自沿該螺桿之軸向延伸的側端刃、二分別連接該等側端刃的切削斜刃，及一連接該等切削斜刃的橫切削刃，該等切削斜刃與該橫切削刃沿該螺桿之徑向延伸，每一切削斜刃與該橫切削刃間夾設出一夾角，該鑽尾之每一側端刃與相對應之該切削斜刃的連接處具有一端點，該等端點和該鑽尾之該斜面與該曲面的交線上的任一點在同一平面上。
如請求項2至8中任一項所述的鑽尾螺絲，其中，該鑽尾包括二連接該螺桿之該桿身部且各自沿該螺桿之軸向延伸的側端刃，及兩個一端分別連接該等側端刃且另一端連接彼此的切削斜刃，該鑽尾之每一側端刃與該螺桿之該桿身部的連接處具有一端點，該等端點之間的連接線與該等切削斜刃沿該螺桿的軸向投影後彼此夾設出一角度。
如請求項2至8中任一項所述的鑽尾螺絲，其中，該鑽尾包括二連接該螺桿之該桿身部且各自沿該螺桿之軸向延伸的側端刃，及兩個一端分別連接該等側端刃且另一端連接彼此的切削斜刃，該鑽尾之每一側端刃與該螺桿之該桿身部的連接處具有一端點，該等端點之間的連接線與該等切削斜刃沿該螺桿的軸向投影後彼此平行。
如請求項1所述的鑽尾螺絲，其中，每一排屑溝為自該鑽尾之鑽尖開始往該桿身部方向漸縮延伸且貫通該鑽尾。
如請求項1所述的鑽尾螺絲，其中，每一排屑溝為自該鑽尾之鑽尖開始往該桿身部方向等寬延伸且貫通該鑽尾。
如請求項1所述的鑽尾螺絲，其中，該等割溝槽皆為開放式割溝槽。
如請求項1所述的鑽尾螺絲，其中，該等割溝槽為混合渠道式割溝槽與開放式割溝槽。
如請求項7或8所述的鑽尾螺絲，其中，一割溝槽的深度為不大於其對應之該排屑溝的底面，另一割溝槽的深度為不大於該螺紋部之牙外徑的一半。
如請求項2至8中任一項所述的鑽尾螺絲，其中，其中一割溝槽的間距寬度為該各自對應排屑溝的該曲面與該斜面交線最低點之兩點間的距離。
如請求項2至8中任一項所述的鑽尾螺絲，其中，該二割溝槽彼此間的間距為該鑽尾旋轉一角度後之該二排屑溝平面間的距離。
如請求項6所述的鑽尾螺絲，其中，該等割溝槽的深度為不大於該螺紋部之牙外徑的一半。
如請求項1所述的鑽尾螺絲，其中，該等割溝槽的延伸方向與該等排屑溝的延伸方向不同向。
如請求項1所述的鑽尾螺絲，其中，該等割溝槽的延伸方向與該等排屑溝的延伸方向相同。
如請求項2至12中任一項所述的鑽尾螺絲，其中，該等割溝槽的形狀具傾斜角。
如請求項2至12中任一項所述的鑽尾螺絲，其中，該等割溝槽的形狀為垂直角度。
如請求項2至8、10至12中任一項所述的鑽尾螺絲，其中，一割溝槽的形狀具傾斜角，另一個割溝槽的形狀為垂直角度。
如請求項60所述的鑽尾螺絲，其中，該等割溝槽的傾斜角角度為該鑽尾之該斜面與該底面的夾角。
如請求項62所述的鑽尾螺絲，其中，具傾斜角之該割溝槽的傾斜角角度為該鑽尾之該斜面與該底面的夾角。
如請求項60所述的鑽尾螺絲，其中，該等割溝槽的傾斜角角度大於該鑽尾之該斜面與該底面的夾角。
如請求項62所述的鑽尾螺絲，其中，具傾斜角之該割溝槽的傾斜角角度大於該鑽尾之該斜面與該底面的夾角。
如請求項1所述的鑽尾螺絲，其中，該螺紋部接近該鑽尾處呈現漸縮至與該鑽尾及該螺紋部銜接處的寬度一樣。
如請求項1所述的鑽尾螺絲，其中，該鑽尾為扁平狀、圓柱狀，或螺旋狀。
如請求項1所述的鑽尾螺絲，其中，該鑽尾之該等排屑溝周圍環繞形成有該螺紋部。
如請求項1所述的鑽尾螺絲，其中，該鑽尾之該等排屑溝周圍未形成有該螺紋部。
如請求項5所述的鑽尾螺絲，其中，該二割溝槽彼此平行。
如請求項5或6所述的鑽尾螺絲，其中，該二割溝槽徑向投影時，同時與軸線平行。
如請求項5所述的鑽尾螺絲，其中，該二割溝槽投影時，同時傾斜並與軸線夾一角度。
如請求項6所述的鑽尾螺絲，其中，該二割溝槽徑向投影時，同時傾斜並與軸線夾一角度。
如請求項6所述的鑽尾螺絲，其中，該二割溝槽投影時，彼此夾一角度。
如請求項6所述的鑽尾螺絲，其中，該二割溝槽與該鑽尾的底面夾一特定旋轉角度。
如請求項6所述的鑽尾螺絲，其中，該二割溝槽與該鑽尾的底面平行。
如請求項2至15中任一項所述的鑽尾螺絲，其中，該二割溝槽與其各自相對應的該二排屑溝的重疊長度為該鑽尾之長度的三分之一至二分之一。
如請求項2至15中任一項所述的鑽尾螺絲，其中，該二割溝槽與其各自相對應的該二排屑溝的長度重疊起始位置在該曲面與該斜面的交線的中間位置。
如請求項1所述的鑽尾螺絲，其中，每一割溝槽會與其相對應的該排屑溝在該排屑溝的底面之法向量投影時部分重疊。
如請求項5或6所述的鑽尾螺絲，其中，該二割溝槽的深度等於牙外徑。
如請求項6所述的鑽尾螺絲，其中，每一割溝槽本身的寬度為等寬。
如請求項6所述的鑽尾螺絲，其中，該等割溝槽與其各自相對應的該等排屑溝的投影重疊面積同時為該曲面、該斜面，及該底面。
如請求項83所述的鑽尾螺絲，其中，該等割溝槽從投影重疊區域軸向往該螺頭的方向為不等寬。
如請求項5或6所述的鑽尾螺絲，其中，該二割溝槽之底緣分別延伸至與其各自相對應之該二排屑溝的該等曲面、該等斜面，及該等底面內。
如請求項5或6所述的鑽尾螺絲，其中，該二割溝槽之底緣分別延伸至與其各自相對應之該二排屑溝的該等曲面及該等斜面內。
一種記憶體系統，包括非揮發性記憶體及記憶體控制器，所述非揮發性記憶體具有： <br/>第一串單元及第二串單元，包括多個記憶體胞元及選擇電晶體，所述多個記憶體胞元中各個記憶體胞元串聯連接，所述多個記憶體胞元包含第一記憶體胞元～第m記憶體胞元（m為4以上的整數），各個記憶體胞元能夠保存n位元（n為4以上的整數）的資料，所述選擇電晶體與所述多個記憶體胞元串聯連接； 位元線，與所述第一串單元及所述第二串單元連接； 第一選擇閘極線及第二選擇閘極線，其中各個選擇閘極線與所述第一串單元及所述第二串單元的所述選擇電晶體的閘極連接；以及 第一字元線～第m字元線，其中各個字元線與所述第一串單元及所述第二串單元各自的所述第一記憶體胞元～第m記憶體胞元連接， 所述記憶體控制器構成為：使用第一寫入方式或第二寫入方式來執行針對所述記憶體胞元進行的資料寫入動作，所述第一寫入方式或第二寫入方式中各個寫入方式包含第一階段的程式化動作及於所述第一階段的程式化動作之後執行的第二階段的程式化動作， 所述記憶體控制器 於使用所述第一寫入方式的情況下，作為所述第一階段的程式化動作，執行第一程式化動作，作為所述第二階段的程式化動作，執行第二程式化動作，所述第二程式化動作使得能夠讀出於所述第二階段的程式化動作結束後寫入的所述n位元的資料， 於使用所述第二寫入方式的情況下，作為所述第一階段的程式化動作，執行第三程式化動作，所述第三程式化動作使得能夠於所述第一階段的程式化動作結束後自寫入目的地的記憶體胞元讀出於所述第一階段的程式化動作中寫入的資料，作為所述第二階段的程式化動作，執行第四程式化動作，所述第四程式化動作使得能夠讀出於所述第二階段的程式化動作結束後寫入的所述n位元的資料， 所述記憶體控制器構成為： 對所述第一串單元的與所述第一字元線連接的記憶體胞元執行所述第一程式化動作， 於執行了針對所述第一串單元的與所述第一字元線連接的記憶體胞元進行的所述第一程式化動作後，執行第一寫入處理，其中對所述第一串單元的與第（x+1）字元線連接的記憶體胞元執行所述第一程式化動作（x為1以上且（k-2）以下的整數，k為4以上且m以下的整數），對所述第一串單元的與第x字元線連接的記憶體胞元執行所述第二程式化動作， 於執行所述第一寫入處理後，對所述第一串單元的與第k字元線連接的記憶體胞元執行所述第三程式化動作， 於執行了針對所述第一串單元的與所述第k字元線連接的記憶體胞元進行的所述第三程式化動作後，對所述第一串單元中的與第（k-1）字元線連接的記憶體胞元執行所述第二程式化動作， 於執行了針對所述第一串單元的與所述第（k-1）字元線連接的記憶體胞元進行的所述第二程式化動作後，對所述第二串單元的與所述第一字元線連接的記憶體胞元執行所述第一程式化動作， 於執行了針對所述第二串單元的與所述第一字元線連接的記憶體胞元進行的所述第一程式化動作後，執行第二寫入處理，其中對所述第二串單元的與所述第（x+1）字元線連接的記憶體胞元執行所述第一程式化動作，對所述第二串單元的與所述第x字元線連接的記憶體胞元執行所述第二程式化動作， 於執行所述第二寫入處理後，對所述第二串單元的與所述第k字元線連接的記憶體胞元執行所述第三程式化動作， 於執行了針對所述第二串單元的與所述第k字元線連接的記憶體胞元進行的所述第三程式化動作後，對所述第二串單元的與所述第（k-1）字元線連接的記憶體胞元執行所述第二程式化動作， 於對所述第二串單元的與所述第（k-1）字元線連接的記憶體胞元執行了所述第二程式化動作後，對所述第一串單元中的與所述第k字元線連接的記憶體胞元執行所述第四程式化動作，其中 所述記憶體控制器構成為：藉由使所述n位元的資料與按照電壓從低到高的順序定義了區域的第一臨限值區域～第2<sup>n</sup>臨限值區域對應，向所述記憶體胞元記憶所述n位元的資料， 所述第一臨限值區域與所述記憶體胞元的資料被刪除的刪除狀態對應， 所述第二臨限值區域～所述第2<sup>n</sup>臨限值區域與以電壓位準高於所述第一臨限值區域的方式寫入了資料的寫入狀態對應。
如請求項1所述的記憶體系統，其中 <br/>所述k為未滿m的整數， 所述記憶體控制器構成為： 於對所述第二串單元中的與所述第（k-1）字元線連接的記憶體胞元執行了所述第二程式化動作後，對所述第一串單元中的與第（k+1）字元線連接的記憶體胞元執行所述第一程式化動作， 其後，對所述第一串單元中的與所述第k字元線連接的記憶體胞元執行所述第四程式化動作。
如請求項2所述的記憶體系統，其中 <br/>所述k為（m/2）以下的整數， 所述記憶體控制器構成為： 於對所述第一串單元中的與所述第k字元線連接的記憶體胞元執行了所述第四程式化動作後， 執行第三寫入處理，其中對所述第一串單元中的與第（k+x+1）字元線連接的記憶體胞元執行所述第一程式化動作，對所述第一串單元中的與第（k+x）字元線連接的記憶體胞元執行所述第二程式化動作， 於執行所述第三寫入處理後，對所述第一串單元中的與第（2k）字元線連接的記憶體胞元執行所述第三程式化動作。
如請求項3所述的記憶體系統，其中 <br/>所述記憶體控制器構成為： 於對所述第一串單元中的與所述第（2k）字元線連接的記憶體胞元執行了所述第三程式化動作後， 對所述第一串單元中的與第（2k-1）字元線連接的記憶體胞元執行所述第二程式化動作。
如請求項4所述的記憶體系統，其中 <br/>所述記憶體控制器構成為： 於對所述第一串單元中的與所述第（2k-1）字元線連接的記憶體胞元執行了所述第二程式化動作後，對所述第二串單元中的與所述第（k+1）字元線連接的記憶體胞元執行所述第一程式化動作。
如請求項5所述的記憶體系統，其中 <br/>所述記憶體控制器構成為： 於對所述第二串單元中的與所述第（k+1）字元線連接的記憶體胞元執行了所述第一程式化動作後，對所述第二串單元中的與所述第k字元線連接的記憶體胞元執行所述第四程式化動作。
如請求項1所述的記憶體系統，其中 <br/>所述記憶體控制器 構成為：於所述第一程式化動作中，使所述非揮發性記憶體進行如下程式化，即，所述記憶體胞元中的臨限值區域成為第（2<sup>n</sup>+1）臨限值區域～第（2<sup>n</sup>+2<sup>n</sup>）臨限值區域中的任一臨限值區域般的程式化， 構成為：於所述第二程式化動作中，使所述非揮發性記憶體進行如下程式化，即，所述記憶體胞元中的臨限值區域自所述第（2<sup>n</sup>+1）臨限值區域～第（2<sup>n</sup>+2<sup>n</sup>）臨限值區域中的第（2<sup>n</sup>+p）臨限值區域成為第p臨限值區域（p為1以上且2<sup>n</sup>以下的整數）般的程式化。
如請求項1所述的記憶體系統，其中 <br/>所述記憶體控制器 構成為：於所述第三程式化動作中，使所述非揮發性記憶體進行如下程式化，即，所述記憶體胞元中的臨限值區域根據所述n位元中的二位元的資料，成為表示資料被刪除的刪除狀態的第（2<sup>n</sup>+1）臨限值區域、及表示以電壓位準高於所述第（2<sup>n</sup>+1）臨限值區域的方式寫入了資料的寫入狀態的第（2<sup>n</sup>+2）臨限值區域～第（2<sup>n</sup>+4）臨限值區域中的任一臨限值區域般的程式化， 構成為：於所述第四程式化動作中，使所述非揮發性記憶體進行如下程式化，即，所述記憶體胞元中的臨限值區域自所述第（2<sup>n</sup>+1）臨限值區域～第（2<sup>n</sup>+4）臨限值區域中的任一臨限值區域成為所述第一臨限值區域～第2<sup>n</sup>臨限值區域中的（2<sup>n</sup>/4）個臨限值區域內的任一臨限值區域般的程式化。
如請求項1所述的記憶體系統，其中 <br/>所述記憶體控制器 構成為：於所述第三程式化動作中，使所述非揮發性記憶體進行如下程式化，即，所述記憶體胞元中的臨限值區域根據所述n位元中的三位元的資料，成為表示資料被刪除的刪除狀態的第（2<sup>n</sup>+1）臨限值區域、及表示以電壓位準高於所述第（2<sup>n</sup>+1）臨限值區域的方式寫入了資料的寫入狀態的第（2<sup>n</sup>+2）臨限值區域～第（2<sup>n</sup>+8）臨限值區域中的任一臨限值區域般的程式化， 構成為：於所述第四程式化動作中，使所述非揮發性記憶體進行如下程式化，即，所述記憶體胞元中的臨限值區域自所述第（2<sup>n</sup>+1）臨限值區域～第（2<sup>n</sup>+8）臨限值區域中的任一臨限值區域成為所述第一臨限值區域～第2<sup>n</sup>臨限值區域中的（2<sup>n</sup>/8）個臨限值區域內的任一臨限值區域般的程式化。
如請求項1所述的記憶體系統，其中 <br/>所述第一程式化動作是於所述第二階段的程式化動作完成之前無法自所述寫入目的地的記憶體胞元正確讀出資料的模糊程式化動作， 所述第二程式化動作是使得能夠讀出於所述第二階段的程式化動作結束後寫入的所述n位元的資料的精細程式化動作， 所述第三程式化動作是使得能夠於所述第一階段的程式化動作結束後自所述寫入目的地的記憶體胞元讀出於所述第一階段的程式化動作中寫入的二位元的資料的多層胞元程式化動作， 所述第四程式化動作是使得能夠於所述第二階段的程式化動作結束後自所述寫入目的地的記憶體胞元讀出寫入的所述n位元的資料的精細程式化動作。
如請求項1所述的記憶體系統，其中 <br/>所述第一程式化動作是於所述第二階段的程式化動作完成之前無法自所述寫入目的地的記憶體胞元正確讀出資料的模糊程式化動作， 所述第二程式化動作是使得能夠於所述第二階段的程式化動作結束後自所述寫入目的地的記憶體胞元讀出寫入的所述n位元的資料的精細程式化動作， 所述第三程式化動作是使得能夠於所述第一階段的程式化動作結束後自所述寫入目的地的記憶體胞元讀出於所述第一階段的程式化動作中寫入的三位元的資料的三層胞元程式化動作， 所述第四程式化動作是使得能夠於所述第二階段的程式化動作結束後自所述寫入目的地的記憶體胞元讀出寫入的所述n位元的資料的精細程式化動作。
一種記憶體系統，包括非揮發性記憶體及記憶體控制器，所述非揮發性記憶體具有： <br/>第一串單元及第二串單元，包括多個記憶體胞元及選擇電晶體，所述多個記憶體胞元中各個記憶體胞元串聯連接，所述多個記憶體胞元包含第一記憶體胞元～第m記憶體胞元（m為4以上的整數），各個記憶體胞元能夠保存n位元（n為4以上的整數）的資料，所述選擇電晶體與所述多個記憶體胞元串聯連接； 位元線，與所述第一串單元及所述第二串單元連接； 第一選擇閘極線及第二選擇閘極線，其中各個選擇閘極線與所述第一串單元及所述第二串單元的所述選擇電晶體的閘極連接；以及 第一字元線～第m字元線，其中各個字元線與所述第一串單元及所述第二串單元各自的所述第一記憶體胞元～第m記憶體胞元連接， 所述記憶體控制器構成為：對所述記憶體胞元執行第一程式化動作，於所述第一程式化動作結束後執行第二程式化動作，藉此執行針對所述記憶體胞元進行的資料寫入動作， 所述記憶體控制器能夠於所述第一程式化動作結束後自寫入目的地的記憶體胞元讀出於所述第一程式化動作中寫入的資料， 所述記憶體控制器能夠讀出於所述第二程式化動作結束後寫入所述記憶體胞元的所述n位元的資料， 所述記憶體控制器構成為： 對所述第一串單元的與所述第一字元線連接的記憶體胞元執行所述第一程式化動作， 於執行了針對所述第一串單元的與所述第一字元線連接的記憶體胞元進行的所述第一程式化動作後，執行第一寫入處理，其中對所述第一串單元的與第（x+1）字元線連接的記憶體胞元執行所述第一程式化動作（x為1以上且（k-2）以下的整數，k為4以上且m以下的整數），對所述第一串單元的與第x字元線連接的記憶體胞元執行所述第二程式化動作， 於執行所述第一寫入處理後，對所述第一串單元的與第k字元線連接的記憶體胞元執行所述第一程式化動作， 於執行了針對所述第一串單元的與所述第k字元線連接的記憶體胞元進行的所述第一程式化動作後，對所述第一串單元中的與第（k-1）字元線連接的記憶體胞元執行所述第二程式化動作， 於執行了針對所述第一串單元的與所述第（k-1）字元線連接的記憶體胞元進行的所述第二程式化動作後，對所述第二串單元的與所述第一字元線連接的記憶體胞元執行所述第一程式化動作， 於執行了針對所述第二串單元的與所述第一字元線連接的記憶體胞元進行的所述第一程式化動作後，執行第二寫入處理，其中對所述第二串單元的與所述第（x+1）字元線連接的記憶體胞元執行所述第一程式化動作，對所述第二串單元的與所述第x字元線連接的記憶體胞元執行所述第二程式化動作， 於執行所述第二寫入處理後，對所述第二串單元的與第k字元線連接的記憶體胞元執行所述第一程式化動作， 於執行了針對所述第二串單元的與第k字元線連接的記憶體胞元進行的所述第一程式化動作後，對所述第二串單元的與所述第（k-1）字元線連接的記憶體胞元執行所述第二程式化動作， 於對所述第二串單元的與所述第（k-1）字元線連接的記憶體胞元執行了所述第二程式化動作後，對所述第一串單元中的與第k字元線連接的記憶體胞元執行所述第二程式化動作，其中 所述記憶體控制器構成為：藉由使所述n位元的資料與按照電壓從低到高的順序定義了區域的第一臨限值區域～第2<sup>n</sup>臨限值區域對應，向所述記憶體胞元記憶所述n位元的資料， 所述第一臨限值區域與所述記憶體胞元的資料被刪除的刪除狀態對應， 所述第二臨限值區域～所述第2<sup>n</sup>臨限值區域與以電壓位準高於所述第一臨限值區域的方式寫入了資料的寫入狀態對應。
如請求項12所述的記憶體系統，其中 <br/>所述k為未滿m的整數， 所述記憶體控制器構成為： 於對所述第二串單元中的與所述第（k-1）字元線連接的記憶體胞元執行了所述第二程式化動作後，對所述第一串單元中的與第（k+1）字元線連接的記憶體胞元執行所述第一程式化動作， 其後，對所述第一串單元中的與所述第k字元線連接的記憶體胞元執行所述第二程式化動作。
如請求項13所述的記憶體系統，其中 <br/>所述k為（m/2）以下的整數， 所述記憶體控制器構成為： 於對所述第一串單元中的與所述第k字元線連接的記憶體胞元執行了所述第二程式化動作後， 執行第三寫入處理，其中對所述第一串單元中的與第（k+x+1）字元線連接的記憶體胞元執行所述第一程式化動作，對所述第一串單元中的與第（k+x）字元線連接的記憶體胞元執行所述第二程式化動作， 於執行所述第三寫入處理後，對所述第一串單元中的與第（2k）字元線連接的記憶體胞元執行所述第一程式化動作。
如請求項14所述的記憶體系統，其中 <br/>所述記憶體控制器構成為： 於對所述第一串單元中的與所述第（2k）字元線連接的記憶體胞元執行了所述第一程式化動作後， 對所述第一串單元中的與第（2k-1）字元線連接的記憶體胞元執行所述第二程式化動作。
如請求項15所述的記憶體系統，其中 <br/>所述記憶體控制器構成為： 於對所述第一串單元中的與所述第（2k-1）字元線連接的記憶體胞元執行了所述第二程式化動作後，對所述第二串單元中的與所述第（k+1）字元線連接的記憶體胞元執行所述第一程式化動作。
如請求項16所述的記憶體系統，其中 <br/>所述記憶體控制器構成為： 於對所述第二串單元中的與所述第（k+1）字元線連接的記憶體胞元執行了所述第一程式化動作後，對所述第二串單元中的與所述第k字元線連接的記憶體胞元執行所述第二程式化動作。
如請求項12所述的記憶體系統，其中 <br/>所述記憶體控制器 構成為：於所述第一程式化動作中，使所述非揮發性記憶體進行如下程式化，即，所述記憶體胞元中的臨限值區域根據所述n位元中的三位元的資料，成為表示資料被刪除的刪除狀態的第（2<sup>n</sup>+1）臨限值區域、及表示以電壓位準高於所述第（2<sup>n</sup>+1）臨限值區域的方式寫入了資料的寫入狀態的第（2<sup>n</sup>+2）臨限值區域～第（2<sup>n</sup>+8）臨限值區域中的任一臨限值區域般的程式化， 構成為：於所述第二程式化動作中，使所述非揮發性記憶體進行如下程式化，即，所述記憶體胞元中的臨限值區域自所述第（2<sup>n</sup>+1）臨限值區域～第（2<sup>n</sup>+8）臨限值區域中的任一臨限值區域成為所述第一臨限值區域～第2<sup>n</sup>臨限值區域中的（2<sup>n</sup>/8）個臨限值區域內的任一臨限值區域般的程式化。
一種非揮發性記憶體的控制方法，其中所述非揮發性記憶體具有： <br/>第一串單元及第二串單元，包括多個記憶體胞元及選擇電晶體，所述多個記憶體胞元中各個記憶體胞元串聯連接，所述多個記憶體胞元包含第一記憶體胞元～第m記憶體胞元（m為4以上的整數），各個記憶體胞元能夠保存n位元（n為4以上的整數）的資料，所述選擇電晶體與所述多個記憶體胞元串聯連接； 位元線，與所述第一串單元及所述第二串單元連接； 第一選擇閘極線及第二選擇閘極線，其中各個選擇閘極線與所述第一串單元及所述第二串單元的所述選擇電晶體的閘極連接；以及 第一字元線～第m字元線，其中各個字元線與所述第一串單元及所述第二串單元各自的所述第一記憶體胞元～第m記憶體胞元連接，所述方法包括： 對所述第一串單元的與所述第一字元線連接的記憶體胞元執行第一程式化動作， 於執行了針對所述第一串單元的與所述第一字元線連接的記憶體胞元進行的所述第一程式化動作後，執行第一寫入處理，其中對所述第一串單元的與第（x+1）字元線連接的記憶體胞元執行所述第一程式化動作（x為1以上且（k-2）以下的整數，k為4以上且m以下的整數），對所述第一串單元的與第x字元線連接的記憶體胞元執行第二程式化動作， 於執行所述第一寫入處理後，對所述第一串單元的與第k字元線連接的記憶體胞元執行第三程式化動作， 於執行了針對所述第一串單元的與所述第k字元線連接的記憶體胞元進行的所述第三程式化動作後，對所述第一串單元中的與第（k-1）字元線連接的記憶體胞元執行所述第二程式化動作， 於執行了針對所述第一串單元的與所述第（k-1）字元線連接的記憶體胞元進行的所述第二程式化動作後，對所述第二串單元的與所述第一字元線連接的記憶體胞元執行所述第一程式化動作， 於執行了針對所述第二串單元的與所述第一字元線連接的記憶體胞元進行的所述第一程式化動作後，執行第二寫入處理，其中對所述第二串單元的與所述第（x+1）字元線連接的記憶體胞元執行所述第一程式化動作，對所述第二串單元的與所述第x字元線連接的記憶體胞元執行所述第二程式化動作， 於執行所述第二寫入處理後，對所述第二串單元的與第k字元線連接的記憶體胞元執行所述第三程式化動作， 於執行了針對所述第二串單元的與第k字元線連接的記憶體胞元進行的所述第三程式化動作後，對所述第二串單元的與所述第（k-1）字元線連接的記憶體胞元執行所述第二程式化動作， 於對所述第二串單元的與所述第（k-1）字元線連接的記憶體胞元執行了所述第二程式化動作後，對所述第一串單元中的與第k字元線連接的記憶體胞元執行第四程式化動作，並且 能夠使用第一寫入方式或第二寫入方式來執行針對所述記憶體胞元進行的資料寫入動作，所述第一寫入方式或第二寫入方式中各個寫入方式包含第一階段的程式化動作及於所述第一階段的程式化動作之後執行的第二階段的程式化動作， 所述第一寫入方式包括：作為所述第一階段的程式化動作，執行所述第一程式化動作；及作為所述第二階段的程式化動作，執行所述第二程式化動作，所述第二程式化動作使得能夠讀出於所述第二階段的程式化動作結束後寫入的所述n位元的資料， 所述第二寫入方式包括：作為所述第一階段的程式化動作，執行第三程式化動作，所述第三程式化動作使得能夠於所述第一階段的程式化動作結束後自寫入目的地的記憶體胞元讀出於所述第一階段的程式化動作中寫入的資料；及作為所述第二階段的程式化動作，執行第四程式化動作，所述第四程式化動作使得能夠讀出於所述第二階段的程式化動作結束後寫入的所述n位元的資料，其中 藉由使所述n位元的資料與按照電壓從低到高的順序定義了區域的第一臨限值區域～第2<sup>n</sup>臨限值區域對應，向所述記憶體胞元記憶所述n位元的資料， 所述第一臨限值區域與所述記憶體胞元的資料被刪除的刪除狀態對應， 所述第二臨限值區域～所述第2<sup>n</sup>臨限值區域與以電壓位準高於所述第一臨限值區域的方式寫入了資料的寫入狀態對應。
一種記憶體系統，包括： <br/>非揮發性記憶體； <br/>控制器，具有提供與所述非揮發性記憶體相關的安全功能的安全區塊， <br/>所述安全區塊包括： <br/>第一中央處理單元，執行與請求所述安全功能的外部模組的通訊，受理所述安全區塊內發生的中斷，將與所述請求對應的安全處理作為一個任務，以不中止地執行所述安全處理的方式執行所述安全區塊內的任務管理；以及 <br/>第二中央處理單元，在所述第一中央處理單元的控制下執行所述安全處理， <br/>其中，在所述外部模組與所述第一中央處理單元之間設置用於通訊的信箱機構。
如請求項1所述的記憶體系統，其中， <br/>所述第一中央處理單元 <br/>對所述第二中央處理單元是否處於待機狀態或執行狀態的任一狀態進行監視， <br/>按照優先級由高到低的順序對分別為與來自所述外部模組的請求對應的安全處理的一個以上的任務進行管理， <br/>在所述第二中央處理單元處於待機狀態的情況下，使所述第二中央處理單元執行所述一個以上的任務中優先級最高的任務。
如請求項1所述的記憶體系統，其中， <br/>所述安全區塊包括共享記憶體， <br/>所述第一中央處理單元將用於執行所述安全處理的資料保存於所述共享記憶體中，並指示所述第二中央處理單元執行所述安全處理。
如請求項3所述的記憶體系統，其中， <br/>所述第一中央處理單元 <br/>在所述共享記憶體內創建：第一佇列，保存來自所述外部模組的請求；第二佇列，在所述第二中央處理單元處於待機狀態的情況下保存表示所述第二中央處理單元的資訊；以及第三佇列，在所述第二中央處理單元處於執行狀態的情況下保存表示所述第二中央處理單元的資訊， <br/>在來自所述外部模組的請求被保存於所述第一佇列中、並且表示所述第二中央處理單元的資訊被保存於所述第二佇列中的情況下，指示所述第二中央處理單元執行與所述第一佇列中所保存的來自所述外部模組的請求對應的所述安全處理，並且將表示所述第二中央處理單元的資訊自所述第二佇列中清除並保存於所述第三佇列中， <br/>在所述第二中央處理單元結束了所述安全處理的情況下，將表示所述第二中央處理單元的資訊自所述第三佇列中清除並保存於所述第二佇列中。
如請求項1所述的記憶體系統，其中， <br/>所述控制器具有處理器， <br/>所述處理器作為所述外部模組而對所述安全區塊請求所述安全功能。
一種記憶體系統，包括： <br/>非揮發性記憶體；以及 <br/>控制器，對所述非揮發性記憶體進行控制， <br/>所述控制器包括第一中央處理單元、第二中央處理單元以及一個以上的處理電路， <br/>所述第一中央處理單元將所述第二中央處理單元以及所述一個以上的處理電路的各者作為一個任務，以供給至所述控制器的電力被所述第二中央處理單元及所述一個以上的處理電路中的任一者排他地使用的方式執行所述控制器內的任務管理， <br/>其中，在外部模組與所述第一中央處理單元之間設置用於通訊的信箱機構。
如請求項6所述的記憶體系統，其中， <br/>所述第二中央處理單元及所述一個以上的處理電路藉由所述控制器所包括的排他控制機構而排他地獲得動作權限， <br/>所述第一中央處理單元 <br/>對於所述第二中央處理單元及所述一個以上的處理電路的各者，監視是否為獲得所述動作權限的狀態， <br/>以僅使處於獲得所述動作權限的狀態的所述第二中央處理單元或所述一個以上的處理電路中的任一者運作的方式執行所述控制器內的任務管理。
一種記憶體系統，包括： <br/>非揮發性記憶體；以及 <br/>控制器，對所述非揮發性記憶體進行控制， <br/>所述控制器具有中央處理單元以及具有介面的運算器，所述介面包括分別與運算處理建立對應的多個通道， <br/>所述中央處理單元在將與所述多個通道建立對應的多個運算處理的各者作為一個任務、並且發生了與和所述多個通道中的任一通道建立對應的運算處理相關的參數的更新的情況下，將所述參數的更新處理作為與所述多個運算處理同等的一個任務，以排他地執行所述多個運算處理及所述參數的更新處理的方式執行所述控制器內的任務管理， <br/>其中，在外部模組與所述中央處理單元之間設置用於通訊的信箱機構。
如請求項8所述的記憶體系統，其中， <br/>所述多個運算處理及所述參數的更新處理藉由所述控制器所包括的排他控制機構排他地獲得執行權限， <br/>所述中央處理單元 <br/>對於所述多個運算處理及所述參數的更新處理的各者，監視是否為獲得所述執行權限的狀態； <br/>以在所述多個運算處理全部處於執行等待狀態的狀況下執行所述參數的更新處理的方式執行所述控制器內的任務管理。
一種控制器，對非揮發性記憶體進行控制，所述控制器包括： <br/>安全區塊，提供與所述非揮發性記憶體相關的安全功能， <br/>所述安全區塊包括： <br/>第一中央處理單元，執行與請求所述安全功能的外部模組的通訊，受理所述安全區塊內發生的中斷，將與所述請求對應的安全處理作為一個任務，以不中止地執行所述安全處理的方式執行所述安全區塊內的任務管理；以及 <br/>第二中央處理單元，在所述第一中央處理單元的控制下執行所述安全處理， <br/>其中，在所述外部模組與所述第一中央處理單元之間設置用於通訊的信箱機構。
如請求項10所述的控制器，其中， <br/>所述第一中央處理單元 <br/>對所述第二中央處理單元是否處於待機狀態或執行狀態的任一狀態進行監視， <br/>按照優先級由高到低的順序對分別為與來自所述外部模組的請求對應的安全處理的一個以上的任務進行管理， <br/>在所述第二中央處理單元處於待機狀態的情況下，使所述第二中央處理單元執行所述一個以上的任務中優先級最高的任務。
如請求項10所述的控制器，其中， <br/>所述安全區塊包括共享記憶體， <br/>所述第一中央處理單元將用於執行所述安全處理的資料保存於所述共享記憶體中，並指示所述第二中央處理單元執行所述安全處理。
如請求項12所述的控制器，其中， <br/>所述第一中央處理單元 <br/>在所述共享記憶體內創建：第一佇列，保存來自所述外部模組的請求；第二佇列，在所述第二中央處理單元處於待機狀態的情況下保存表示所述第二中央處理單元的資訊；以及第三佇列，在所述第二中央處理單元處於執行狀態的情況下保存表示所述第二中央處理單元的資訊， <br/>在來自所述外部模組的請求被保存於所述第一佇列中、並且表示所述第二中央處理單元的資訊被保存於所述第二佇列中的情況下，指示所述第二中央處理單元執行與所述第一佇列中所保存的來自所述外部模組的請求對應的所述安全處理，並且將表示所述第二中央處理單元的資訊自所述第二佇列中清除並保存於所述第三佇列中， <br/>在所述第二中央處理單元結束了所述安全處理的情況下，將表示所述第二中央處理單元的資訊自所述第三佇列中清除並保存於所述第二佇列中。
如請求項10所述的控制器，包括處理器， <br/>所述處理器作為所述外部模組而對所述安全區塊請求所述安全功能。
一種控制器，對非揮發性記憶體進行控制，所述控制器包括： <br/>第一中央處理單元； <br/>第二中央處理單元；以及 <br/>一個以上的處理電路， <br/>所述第一中央處理單元將所述第二中央處理單元以及所述一個以上的處理電路的各者作為一個任務，以供給至所述控制器的電力被所述第二中央處理單元及所述一個以上的處理電路中的任一者排他地使用的方式執行所述控制器內的任務管理， <br/>其中，在外部模組與所述第一中央處理單元之間設置用於通訊的信箱機構。
如請求項15所述的控制器，其中， <br/>所述第二中央處理單元及所述一個以上的處理電路藉由所述控制器所包括的排他控制機構而排他地獲得動作權限， <br/>所述第一中央處理單元 <br/>對於所述第二中央處理單元及所述一個以上的處理電路的各者，監視是否為獲得所述動作權限的狀態， <br/>以僅使處於獲得所述動作權限的狀態的所述第二中央處理單元或所述一個以上的處理電路中的任一者運作的方式執行所述控制器內的任務管理。
一種控制器，對非揮發性記憶體進行控制，所述控制器包括： <br/>中央處理單元；以及 <br/>運算器，具有包括分別與運算處理建立對應的多個通道的介面， <br/>所述中央處理單元在將與所述多個通道建立對應的多個運算處理的各者作為一個任務、並且發生了與和所述多個通道中的任一通道建立對應的運算處理相關的參數的更新的情況下，將所述參數的更新處理作為與所述多個運算處理同等的一個任務，以排他地執行所述多個運算處理及所述參數的更新處理的方式執行所述控制器內的任務管理， <br/>其中，在外部模組與所述中央處理單元之間設置用於通訊的信箱機構。
如請求項17所述的控制器，其中， <br/>所述多個運算處理及所述參數的更新處理藉由所述控制器所包括的排他控制機構排他地獲得執行權限， <br/>所述中央處理單元 <br/>對於所述多個運算處理及所述參數的更新處理的各者，監視是否為獲得所述執行權限的狀態； <br/>以在所述多個運算處理全部處於執行等待狀態的狀況下執行所述參數的更新處理的方式執行所述控制器內的任務管理。
一種可攜式電子裝置，包括： <br/>一傳輸介面，供連接一外部裝置； <br/>一電源管理電路，偵測所述外部裝置為一供電裝置或一受電裝置； <br/>一切換電路，提供一第一傳輸通道或一第二傳輸通道與所述傳輸介面連接；以及 <br/>一控制電路，根據所述電源管理電路的偵測結果控制所述切換電路； <br/>其中當所述控制電路控制所述切換電路選擇所述第一傳輸通道與所述傳輸介面導通時，所述控制電路透過所述第一傳輸通道輸出一裝置識別訊號以辨識所述傳輸介面連接的所述外部裝置，當所述外部裝置可被所述裝置識別訊號成功識別時，所述控制電路透過所述第一傳輸通道接收所述外部裝置的一影像訊號； <br/>其中當所述外部裝置無法被所述裝置識別訊號識別時，所述控制電路控制所述切換電路選擇所述第二傳輸通道與所述傳輸介面導通，所述控制電路透過所述第二傳輸通道與所述外部裝置進行訊號傳輸。
如請求項1所述的可攜式電子裝置，其中當所述電源管理電路偵測所述外部裝置為所述受電裝置時，所述電源管理電路對所述受電裝置供電，且所述控制電路控制所述切換電路選擇所述第一傳輸通道與所述傳輸介面導通；當所述電源管理電路偵測所述外部裝置為所述供電裝置時，所述電源管理電路接收所述供電裝置的供電，且所述控制電路控制所述切換電路選擇所述第二傳輸通道與所述傳輸介面導通。
如請求項1所述的可攜式電子裝置，其中當所述電源管理電路偵測所述外部裝置為所述受電裝置時，所述電源管理電路對所述受電裝置供電，且所述控制電路控制所述切換電路選擇所述第一傳輸通道與所述傳輸介面導通；以及當所述電源管理電路偵測所述外部裝置為所述供電裝置時，所述電源管理電路接收所述供電裝置的供電，且所述控制電路控制所述切換電路選擇所述第一傳輸通道與所述傳輸介面導通。
如請求項1所述的可攜式電子裝置，其中所述切換電路包括： <br/>一第一切換器，提供一第一傳輸路徑與一第二傳輸路徑與所述控制電路連接；以及 <br/>一第二切換器，提供一第三傳輸路徑與一第四傳輸路徑與所述控制電路連接； <br/>其中所述第一傳輸通道包括所述第一傳輸路徑與所述第三傳輸路徑，所述第二傳輸通道包括所述第二傳輸路徑與所述第四傳輸路徑； <br/>其中所述控制電路輸出一第一切換訊號至所述第一切換器及所述第二切換器，以使所述第一切換器及所述第二切換器根據所述第一切換訊號選擇所述第一傳輸通道或所述第二傳輸通道與所述傳輸介面導通； <br/>其中所述第一傳輸路徑供傳輸所述裝置識別訊號，所述第二傳輸路徑供傳輸一第一訊號，所述第三傳輸路徑供傳輸所述外部裝置的所述影像訊號，所述第四傳輸路徑供傳輸一第二訊號。
如請求項4所述的可攜式電子裝置，其中所述切換電路更包括： <br/>一第三切換器，提供一第五傳輸路徑及一第六傳輸路徑連接於所述傳輸介面； <br/>其中所述電源管理電路中的一電源控制器偵測所述外部裝置的一連接器與所述傳輸介面的一連接方向，並根據偵測結果輸出一第二切換訊號至所述第三切換器，以使所述第三切換器根據所述第二切換訊號選擇所述第五傳輸路徑或是所述第六傳輸路徑與所述第一傳輸通道或所述第二傳輸通道導通。
如請求項5所述的可攜式電子裝置，其中所述第三切換器連接於所述第一切換器及所述第二切換器，所述第一傳輸路徑或所述第二傳輸路徑經由所述第一切換器及所述第三切換器與所述傳輸介面連接；所述第三傳輸路徑或所述第四傳輸路徑經由所述第二切換器及所述第三切換器與所述傳輸介面連接。
如請求項5所述的可攜式電子裝置，其中所述第三切換器連接於所述第二切換器，所述第一傳輸路徑或所述第二傳輸路徑經由所述第一切換器與所述傳輸介面連接；所述第三傳輸路徑或所述第四傳輸路徑經由所述第二切換器及所述第三切換器與所述傳輸介面連接。
如請求項4所述的可攜式電子裝置，更包括： <br/>一數位影像接收晶片，設置於所述第三傳輸路徑與所述控制電路之間，所述數位影像接收晶片接收及轉換所述外部裝置的所述影像訊號。
如請求項8所述的可攜式電子裝置，其中所述數位影像接收晶片為解串器(Deserializer)，並將所述外部裝置經一串行器(Serializer)輸出的所述影像訊號轉換為符合行動產業處理器介面(Mobile Industry Processor Interface，MIPI)規範的影像訊號。
如請求項1所述的可攜式電子裝置，其中所述傳輸介面為符合USB(Universal Serial Bus) Type-C規格的連接器，所述外部裝置為攝像裝置、USB裝置、USB主機或行動電源。
如請求項1所述的可攜式電子裝置，其中所述控制電路透過所述裝置識別訊號判斷所述外部裝置屬於一第一攝像裝置時，所述控制電路先控制所述電源管理電路停止對所述第一攝像裝置供電，再控制所述電源管理電路重新對所述第一攝像裝置供電。
如請求項1所述的可攜式電子裝置，其中所述控制電路於判斷所述外部裝置拔離於所述傳輸介面時，所述控制電路先控制所述電源管理電路停止對所述傳輸介面傳輸電源，再控制所述電源管理電路重新對所述傳輸介面傳輸電源。
如請求項11所述的可攜式電子裝置，更包括： <br/>一第二攝像裝置，連接於所述控制電路，所述控制電路根據一操作以選擇性地取得所述第二攝像裝置的一影像訊號或所述傳輸介面連接所述第一攝像裝置的所述影像訊號。
一種可攜式電子裝置的傳輸控制方法，包括： <br/>於一外部裝置連接於所述可攜式電子裝置的一傳輸介面時，偵測所述外部裝置為一供電裝置或一受電裝置； <br/>根據偵測結果控制所述可攜式電子裝置的一切換電路選擇一第一傳輸通道或一第二傳輸通道與所述傳輸介面導通； <br/>當所述切換電路選擇所述第一傳輸通道與所述傳輸介面導通時，透過所述第一傳輸通道輸出一裝置識別訊號以辨識所述傳輸介面連接的所述外部裝置，當所述外部裝置可被所述裝置識別訊號成功識別時，透過所述第一傳輸通道接收所述外部裝置的一影像訊號；以及 <br/>當所述外部裝置無法被所述裝置識別訊號識別時，控制所述切換電路選擇所述第二傳輸通道與所述傳輸介面導通，以及透過所述第二傳輸通道與所述外部裝置進行訊號傳輸。
如請求項14所述的可攜式電子裝置的傳輸控制方法，更包括： <br/>判斷所述外部裝置與所述傳輸介面的一接觸面位置； <br/>根據所述接觸面位置的判斷結果控制所述切換電路分別將所述第一傳輸通道及所述第二傳輸通道與所述接觸面位置連接。
如請求項14所述的可攜式電子裝置的傳輸控制方法，更包括： <br/>透過所述第一傳輸通道多次輸出所述裝置識別訊號給所述外部裝置時，且皆無法取得所述外部裝置的成功回應訊號時，控制所述切換電路選擇所述第二傳輸通道與所述傳輸介面導通。
如請求項14所述的可攜式電子裝置的傳輸控制方法，更包括： <br/>當所述外部裝置屬於所述受電裝置時，所述可攜式電子裝置對所述受電裝置供電，且所述切換電路選擇所述第一傳輸通道與所述傳輸介面導通； <br/>當所述外部裝置屬於所述供電裝置時，所述可攜式電子裝置接收所述供電裝置的供電，且所述切換電路選擇所述第二傳輸通道與所述傳輸介面導通。
如請求項14所述的可攜式電子裝置的傳輸控制方法，更包括： <br/>當所述外部裝置屬於所述受電裝置時，所述可攜式電子裝置對所述受電裝置供電，且所述切換電路選擇所述第一傳輸通道與所述傳輸介面導通； <br/>當所述外部裝置屬於所述供電裝置時，所述可攜式電子裝置接收所述供電裝置的供電，且所述切換電路選擇所述第一傳輸通道與所述傳輸介面導通。
如請求項14所述的可攜式電子裝置的傳輸控制方法，更包括： <br/>於透過所述裝置識別訊號判斷所述外部裝置屬於一第一攝像裝置時，且所述第一攝像裝置屬於所述受電裝置時，所述可攜式電子裝置先停止對所述第一攝像裝置供電，再重新對所述第一攝像裝置供電； <br/>於透過所述裝置識別訊號判斷所述外部裝置屬於所述第一攝像裝置時，且所述第一攝像裝置屬於所述供電裝置時，所述可攜式電子裝置控制所述第一攝像裝置重置； <br/>根據一操作以選擇性地取得所述可攜式電子裝置內部的一第二攝像裝置的一影像訊號或所述傳輸介面連接所述第一攝像裝置的所述影像訊號。
如請求項14所述的可攜式電子裝置的傳輸控制方法，更包括： <br/>於判斷所述外部裝置拔離於所述傳輸介面時，所述可攜式電子裝置先停止對所述傳輸介面供電，再重新對所述傳輸介面供電。
一種沉積膜的方法，該方法包含： <br/>將一基板提供至一製程腔室； <br/>在一第一沉積循環中將一材料的一第一量沉積於該基板上，該第一沉積循環包括將第一層的前驅物暴露於反應物質一段第一持續時間以形成該材料的該第一量；及 <br/>在該第一沉積循環之後，使用一第二沉積循環將該材料的一第二量沉積在該材料的該第一量上，該第二沉積循環包括將第二層的前驅物暴露於反應物質一段第二持續時間以形成該材料的該第二量， <br/>其中，該第二持續時間比該第一持續時間更長。
如請求項1之沉積膜的方法，其中該第二持續時間為該第一持續時間至少1.1倍長。
如請求項1之沉積膜的方法，更包含點燃一電漿以產生該反應物質。
如請求項1之沉積膜的方法，其中該第一沉積循環包含一第一原子層沉積（ALD）循環，且該第二沉積循環包含一第二ALD循環。
如請求項1之沉積膜的方法，其中： <br/>該第一沉積循環更包含將該基板暴露於該前驅物，且允許該前驅物吸附至該基板的表面上，其中該第一層的前驅物包含一第一吸附層的該前驅物；及 <br/>該第二沉積循環更包含在該第一沉積循環之後將該基板暴露於該前驅物，且允許該前驅物吸附至該基板的該表面上，其中該第二層的前驅物包含一第二吸附層的該前驅物。
如請求項1之沉積膜的方法，其中該反應物質與氬一同引入。
如請求項1之沉積膜的方法，更包含在沉積該材料的該第二量之前將該第一沉積循環重複一或更多次。
如請求項1之沉積膜的方法，更包含在該第一及該第二沉積循環的至少一者中在將該基板暴露於該前驅物之後進行吹掃。
如請求項1之沉積膜的方法，其中該前驅物包含胺基矽烷。
如請求項9之沉積膜的方法，其中該胺基矽烷包含二異丙胺矽烷（DIPAS）。
如請求項1之沉積膜的方法，其中該材料包含氧化矽。
一種沉積膜的方法，該方法包含： <br/>將一基板提供至一製程腔室；以及 <br/>藉由將該基板暴露於二或多個沉積循環而將一保形膜沉積在該基板上，該二或多個沉積循環包括至少一第一沉積循環及一第二沉積循環，其中該第一沉積循環包括將吸附於該基板的一表面上的一第一層的一前驅物暴露於一反應物及在一第一電漿能量的一第一電漿，且該第二沉積循環包括將一第二吸附層的該前驅物暴露於一反應物及在一第二電漿能量的一第二電漿； <br/>其中，該第二電漿能量大於該第一電漿能量。
如請求項12之沉積膜的方法，其中該第一電漿能量係在約200焦耳與約500焦耳之間，且該第二電漿能量係在約600焦耳與約6000焦耳之間。
如請求項12之沉積膜的方法，其中該第二電漿能量為該第一電漿能量至少三倍大。
如請求項12之沉積膜的方法，其中： <br/>該前驅物包含含矽前驅物，且吸附於該基板的該表面上的該第一層的該前驅物包含一第一吸附層的該含矽前驅物； <br/>該反應物包括含氧氣體；及 <br/>該第一沉積循環更包含：基於該含氧氣體、該第一吸附層的該含矽前驅物、及在該第一電漿能量的該第一電漿之間的一反應，在該基板上形成該保形膜的至少一部分。
如請求項15項之沉積膜的方法，其中該含矽前驅物係胺基矽烷。
如請求項16之沉積膜的方法，其中該胺基矽烷係二異丙胺矽烷（DIPAS）。
如請求項12之沉積膜的方法，其中該第一沉積循環更包含將一惰性氣體引入至該第一層的該前驅物。
如請求項18之沉積膜的方法，其中該惰性氣體包含氬。
如請求項12之沉積膜的方法，其中該第一沉積循環包含一第一電漿輔助原子層沉積（PEALD）循環，且該第二沉積循環包含一第二PEALD循環。
如請求項12之沉積膜的方法，其中每重複n次該第一沉積循環，執行該第二沉積循環，其中n為大於或等於2的整數。
如請求項12之沉積膜的方法，更包括在一第三電漿能量執行的一第三沉積循環，其中該第一電漿能量小於該第二電漿能量且該第二電漿能量小於該第三電漿能量。
如請求項12之沉積膜的方法，其中用以產生該第一電漿能量的電漿功率係與用以產生該第二電漿能量的電漿功率相同。
如請求項12之沉積膜的方法，其中該第一電漿及該第二電漿係各自使用每基板約125瓦到約1625瓦之間的電漿功率產生。
如請求項12之沉積膜的方法，其中該保形膜包含氧化矽膜，其具有在200:1的稀釋氫氟酸中少於1 Å /sec的濕蝕刻率。
一種用於處理基板的儀器，該儀器包含： <br/>一或多個製程腔室，設置以接收一基板； <br/>進入該一或多個製程腔室的一或多個氣體進口；以及 <br/>一控制器，設置以： <br/>造成一前驅物及一反應物的一第一組經由該一或多個氣體進口而引入容納該基板的該一或多個製程腔室的至少一者中達一段第一持續時間；以及 <br/>造成該前驅物及該反應物的一第二組經由該一或多個氣體進口而引入該一或多個製程腔室的該至少一者中達一段第二持續時間；且 <br/>其中，該第二持續時間係長於該第一持續時間。
如請求項26之用於處理基板的儀器，其中該第二持續時間為該第一持續時間至少1.1倍長。
如請求項26之用於處理基板的儀器，其中該一或多個製程腔室的該至少一者包含一電力噴淋頭、及用以持住該基板的一接地底座。
如請求項26之用於處理基板的儀器，其中該一或多個製程腔室的該至少一者包含一電力底座以持住該基板以及一接地噴淋頭。
一種用於處理基板的儀器，該儀器包含： <br/>一或多個製程腔室； <br/>進入該一或多個製程腔室的一或多個氣體進口； <br/>一電漿產生器；以及 <br/>一控制器，設置以： <br/>造成一前驅物及一反應物的一第一組經由該一或多個氣體進口而引入該一或多個製程腔室的至少一者中； <br/>造成藉由該電漿產生器在該一或多個製程腔室的該至少一者中產生具有一第一電漿能量之第一電漿，以在一基板上形成一保形材料；以及 <br/>造成該前驅物及該反應物的一第二組經由該一或多個氣體進口而引入該一或多個製程腔室的該至少一者中；及 <br/>造成藉由該電漿產生器在該一或多個製程腔室的該至少一者中產生具有一第二電漿能量之第二電漿，以形成該保形材料； <br/>其中，該第二電漿能量大於該第一電漿能量。
如請求項30之用於處理基板的儀器，其中該第二電漿能量為該第一電漿能量的至少1.1倍大。
如請求項30之用於處理基板的儀器，其中該一或多個製程腔室的該至少一者包括一電力噴淋頭、及用以持住該基板的一接地底座。
如請求項30之用於處理基板的儀器，其中該一或多個製程腔室的該至少一者包括一電力底座以持住該基板以及一接地噴淋頭。
如請求項30之用於處理基板的儀器，其中該保形材料包含氧化矽膜。
如請求項30之用於處理基板的儀器，其中該第一電漿能量係在約200焦耳與約500焦耳之間，且該第二電漿能量係在約600焦耳與約6000焦耳之間。
如請求項30之用於處理基板的儀器，其中該第一電漿及該第二電漿係各自使用約125瓦到約1625瓦之間的電漿功率產生。
一種電源轉換器，包括： <br/>一變壓器，包括一初級側與一次級側，其中該初級側具有一初級側繞組與一輔助繞組，該次級側具有一次級側繞組； <br/>一諧振電路，耦接該初級側繞組，該諧振電路包括一諧振電容與一諧振電感，其中該諧振電感包括一激磁電感與一漏感； <br/>一第一開關與一第二開關，共接於一節點，且該節點耦接該諧振電路，獲得相應該電源轉換器的一輸出電壓的一第一輸出電壓資訊； <br/>一輸入偵測電路，耦接該第一開關，獲得相應該電源轉換器的一輸入電壓的一輸入電壓資訊； <br/>一輸出偵測電路，包括該輔助繞組，獲得相應該輸出電壓的一第二輸出電壓資訊；以及 <br/>一控制器，接收該第一輸出電壓資訊、該第二輸出電壓資訊以及該輸入電壓資訊，且根據該輸入電壓資訊與該第一輸出電壓資訊的差值或者該輸入電壓資訊與該第二輸出電壓資訊的差值控制該第一開關與該第二開關的導通或關斷。
如請求項1所述之電源轉換器，其中基於該第一開關與該第二開關皆為關斷；當該輸入電壓資訊與該第一輸出電壓資訊的差值大於該第一輸出電壓資訊與一接地電壓的差值時，該控制器控制該第二開關導通與該第一開關關斷；當該輸入電壓資訊與該第一輸出電壓資訊的差值小於該第一輸出電壓資訊與該接地電壓的差值時，該控制器控制該第一開關導通與該第二開關關斷。
如請求項1所述之電源轉換器，其中基於該第一開關與該第二開關皆為關斷；當該輸入電壓資訊與該第二輸出電壓資訊的差值大於該第二輸出電壓資訊與一接地電壓的差值時，該控制器控制該第二開關導通與該第一開關關斷；當該輸入電壓資訊與該第二輸出電壓資訊的差值小於該第二輸出電壓資訊與該接地電壓的差值時，該控制器控制該第一開關導通與該第二開關關斷。
如請求項1所述之電源轉換器，其中基於該第一開關與該第二開關皆為關斷；當該第一輸出電壓資訊與一接地電壓的差值大於一參考電壓時，該控制器控制該第一開關導通與該第二開關關斷；當該第一輸出電壓資訊與該接地電壓的差值小於該參考電壓時，該控制器控制該第二開關導通與該第一開關關斷。
如請求項1所述之電源轉換器，其中基於該第一開關與該第二開關皆為關斷；當該第二輸出電壓資訊與一接地電壓的差值大於一參考電壓時，該控制器控制該第一開關導通與該第二開關關斷；當該第二輸出電壓資訊與該接地電壓的差值小於該參考電壓時，該控制器控制該第二開關導通與該第一開關關斷。
如請求項1所述之電源轉換器，其中該輸入偵測電路包括一第一電阻與一第二電阻；該第一電阻與該第二電阻對該輸入電壓分壓，在該第二電阻上產生該輸入電壓資訊。
如請求項1所述之電源轉換器，其中該第一輸出電壓資訊與該輸出電壓的電壓比等於該初級側繞組與該次級側繞組的匝數比。
如請求項1所述之電源轉換器，其中該輸出偵測電路更包括一第三電阻與一第四電阻，該第三電阻與該第四電阻耦接該輔助繞組；該第三電阻與該第四電阻對該輔助繞組上的一輔助電壓分壓，在該第四電阻上產生該第二輸出電壓資訊；其中該輔助電壓與該輸出電壓的電壓比等於該輔助繞組與該次級側繞組的匝數比。
如請求項2所述之電源轉換器，其中該控制器包括： <br/>一第一差動放大器，接收該輸入電壓資訊與該第一輸出電壓資訊，且放大該輸入電壓資訊與該第一輸出電壓資訊的差值，以獲得一第一電壓差值； <br/>一第二差動放大器，接收該第一輸出電壓資訊與該接地電壓，且放大該第一輸出電壓資訊與該接地電壓的差值，以獲得一第二電壓差值；以及 <br/>一比較器，接收該第一電壓差值與該第二電壓差值，且比較該第一電壓差值與該第二電壓差值，以產生一控制信號； <br/>其中該控制信號為高準位時，該控制信號控制該第二開關導通與該第一開關關斷；該控制信號為低準位時，該控制信號控制該第一開關導通與該第二開關關斷。
如請求項3所述之電源轉換器，其中該控制器包括： <br/>一第一差動放大器，接收該輸入電壓資訊與該第二輸出電壓資訊，且放大該輸入電壓資訊與該第二輸出電壓資訊的差值，以獲得一第一電壓差值； <br/>一第二差動放大器，接收該第二輸出電壓資訊與該接地電壓，且放大該第二輸出電壓資訊與該接地電壓的差值，以獲得一第二電壓差值；以及 <br/>一比較器，接收該第一電壓差值與該第二電壓差值，且比較該第一電壓差值與該第二電壓差值，以產生一控制信號； <br/>其中該控制信號為高準位時，該控制信號控制該第二開關導通與該第一開關關斷；該控制信號為低準位時，該控制信號控制該第一開關導通與該第二開關關斷。
如請求項4所述之電源轉換器，其中該控制器包括： <br/>一差動放大器，接收該第一輸出電壓資訊與一接地電壓，且放大該第一輸出電壓資訊與該接地電壓的差值，以獲得一電壓差值；以及 <br/>一比較器，接收該電壓差值與該參考電壓，且比較該電壓差值與該參考電壓，以產生一控制信號； <br/>其中該控制信號為高準位時，該控制信號控制該第二開關導通與該第一開關關斷；該控制信號為低準位時，該控制信號控制該第一開關導通與該第二開關關斷。
如請求項5所述之電源轉換器，其中該控制器包括： <br/>一差動放大器，接收該第二輸出電壓資訊與一接地電壓，且放大該第二輸出電壓資訊與該接地電壓的差值，以獲得一電壓差值；以及 <br/>一比較器，接收該電壓差值與該參考電壓，且比較該電壓差值與該參考電壓，以產生一控制信號； <br/>其中該控制信號為高準位時，該控制信號控制該第二開關導通與該第一開關關斷；該控制信號為低準位時，該控制信號控制該第一開關導通與該第二開關關斷。
如請求項9至請求項12任一者所述之電源轉換器，其中該控制器更包括： <br/>一暫存器，接收該控制信號，且暫存該控制信號的高準位或低準位；其中當該暫存器觸發時，該控制信號的高準位或低準位輸出控制該第一開關與該第二開關的導通或關斷。
一種電源轉換器的控制方法，該電源轉換器包括一第一開關與一第二開關，該控制方法包括： <br/>基於該電源轉換器的一輸入電壓與一輸出電壓皆為變動，偵測該輸入電壓與該輸出電壓； <br/>獲得相應該輸入電壓的一輸入電壓資訊以及獲得相應該輸出電壓的一輸出電壓資訊； <br/>計算該輸入電壓資訊與該輸出電壓資訊的差值為一第一電壓差值以及計算該輸出電壓資訊與一接地電壓的差值為一第二電壓差值；以及 <br/>當該第一電壓差值大於該第二電壓差值時，控制該第二開關導通與該第一開關關斷；當該第一電壓差值小於該第二電壓差值時，控制該第一開關導通與該第二開關關斷。
如請求項14所述之電源轉換器的控制方法，其中該輸出電壓資訊與該輸出電壓的電壓比等於該電源轉換器的一變壓器的一初級側繞組與一次級側繞組的匝數比；或者該輸出電壓資訊與該輸出電壓的電壓比等於該變壓器的一輔助繞組與該次級側繞組的匝數比。
一種電源轉換器的控制方法，該電源轉換器包括一第一開關與一第二開關，該控制方法包括： <br/>基於該電源轉換器的一輸入電壓為固定、一輸出電壓為變動，偵測該輸出電壓； <br/>獲得相應該輸出電壓的一輸出電壓資訊； <br/>計算該輸出電壓資訊與一接地電壓的差值為一電壓差值；以及 <br/>當該電壓差值大於一參考電壓時，控制該第一開關導通與該第二開關關斷；當該電壓差值小於該參考電壓時，控制該第二開關導通與該第一開關關斷。
如請求項16所述之電源轉換器的控制方法，其中該輸出電壓資訊與該輸出電壓的電壓比等於該電源轉換器的一變壓器的一初級側繞組與一次級側繞組的匝數比；或者該輸出電壓資訊與該輸出電壓的電壓比等於該變壓器的一輔助繞組與該次級側繞組的匝數比。
一種共聚物，係一組合物經共聚合之產物，其中該組合物包含一單體(a)、一單體(b) 、一單體(c)、及 一α-烯烴，其中該單體(a)係具有式(I)結構的化合物、該單體(b)係具有式(II)結構的化合物、以及該單體(c)係具有式(III)結構的化合物<br/><img align="absmiddle" height="174px" width="250px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="171px" width="210px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="197px" width="160px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <br/> 式(I) 式(II) 式(III)<br/> ，其中R<sup>1</sup>係氫、氯、氟、羥基、氰基、胺基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>氟烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>烷胺基(alkylamino)、C<sub>1-6</sub>胺烷基(aminoalkyl) 、硫醇基(thiol) 、C<sub>1-6</sub>烷硫代基(alkylthio) 、C<sub>1-6</sub>硫烷基(thioalkyl)、C<sub>1-6</sub>烷基磺醯基(alkylsulfonyl)、C<sub>1-6</sub>烷氧磺醯基(alkoxysulfonyl) 、C<sub>2-6</sub>烷醯基(alkanoyl)、C<sub>2-6</sub>烷醯氧基(alkanoyloxy group)、C<sub>2-6</sub>烷氧羰基(alkoxycarbonyl)、或C<sub>6-12</sub>芳香基；R<sup>2</sup>以及R<sup>3</sup>係獨立為氫、氯、氟、羥基、甲醯基(formly)、丙烯酸酯基(acrylate group)、甲基丙烯酸酯基(methacrylate group)、氰基、異氰酯基、胺基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>4-8</sub>環烷基、C<sub>1-6</sub>氟烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>5-8</sub>環烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>烷醇基(alkylol)、C<sub>2-6</sub>烷氧烷基(alkoxyalkyl)、C<sub>1-6</sub>烷胺基(alkylamino)、C<sub>1-6</sub>胺烷基(aminoalkyl) 、C<sub>2-6</sub>烷醯基(alkanoyl)、C<sub>2-6</sub>烷醯氧基(alkanoyloxy group)、C<sub>2-6</sub>烷氧羰基(alkoxycarbonyl)、胺甲醯基(carbamoyl)、C<sub>2-7</sub>烷基胺甲醯基(alkylcarbamoyl)、C<sub>1-9</sub>矽烷基(silyl)、C<sub>1-9</sub>矽烷氧基(siloxy)、或C<sub>6-12</sub>芳香基；R<sup>4</sup>係氫、氯、氟、羥基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>氟烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>1-6</sub>烷胺基(alkylamino)、C<sub>1-6</sub>胺烷基(aminoalkyl)、胺甲醯基(carbamoyl)、或C<sub>2-7</sub>烷基胺甲醯基(alkylcarbamoyl)；R<sup>5</sup>係氫、氯、氟、羥基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>氟烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>1-6</sub>烷胺基(alkylamino)、C<sub>1-6</sub>胺烷基(aminoalkyl)、胺甲醯基(carbamoyl)、C<sub>2-7</sub>烷基胺甲醯基(alkylcarbamoyl)、C<sub>2-6</sub>烷醯基(alkanoyl)、C<sub>2-6</sub>烷醯氧基(alkanoyloxy group)、C<sub>2-6</sub>烷氧羰基(alkoxycarbonyl)、C<sub>1-9</sub>矽烷基(silyl)、C<sub>1-9</sub>矽烷氧基(siloxy)、或C<sub>6-12</sub>芳香基；以及，R<sup>6</sup>係氫、氯、氟、氰基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>氟烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>1-6</sub>烷胺基(alkylamino)、C<sub>1-6</sub>胺烷基(aminoalkyl)、胺甲醯基(carbamoyl)、C<sub>2-7</sub>烷基胺甲醯基(alkylcarbamoyl)、C<sub>2-6</sub>烷醯基(alkanoyl)、C<sub>2-6</sub>烷醯氧基(alkanoyloxy group)、C<sub>2-6</sub>烷氧羰基(alkoxycarbonyl)、C<sub>1-9</sub>矽烷基(silyl)、C<sub>1-9</sub>矽烷氧基(siloxy)、或C<sub>6-12</sub>芳香基，其中該共聚物的數目平均分子量係500至100,000，其中該α-烯烴之用量係0.1mol%至80mol%，以該單體(a)、單體(b)、及單體(c)的總莫耳數為基準。
如請求項1之共聚物，其中該單體(a)之莫耳數與單體(b)及單體(c)之莫耳數總合的比為0.5:99.5至99:1。
如請求項1之共聚物，其中該單體(b)與單體(c)的莫耳比為1:99至99:1。
如請求項1之共聚物，其中該單體(b)係降冰片烯(norbornene)、5-亞乙烯基-2-降冰片烯(5-vinyl-2-norbornene、VNB)、5-亞甲基-2-降冰片烯(5-methylidene-2-norbornene、MNB)、5-亞乙基-2-降冰片烯(5-ethylidene-2-norbornene、ENB)、或上述之組合。
如請求項1之共聚物，其中該單體(c)係環戊烯(cyclopentene)、1-甲基環戊烯(1-methylcyclopentene)、3-甲基環戊烯(3-methylcyclopentene)、1-氯環戊烯(1-chlorocyclopentene) 、3-氯環戊烯(3-chlorocyclopentene)、或上述組合。
一種印刷電路板組件(PCBA)組裝平衡的固定結構，包括：在一外殼內部的四角處設置的多個固定柱、所述的固定柱上方的多個定位卡扣和位於所述的外殼內部周邊的多個定位銷；以及，在一PCBA板材四周周邊上設置的多個定位孔、相距最遠的四點上設置的多個固定孔和用於焊接銷(PIN)口的多個焊接口；其中所述的定位銷靠近所述的外殼的內壁，沿豎直方向分佈，與所述的定位孔相配合；所述的定位卡扣位於所述的固定柱的上方，與所述的固定柱固定連接，同時與所述的固定孔相配合；所述的焊接口位於所述的PCBA板材的一側，與焊接用的銷(PIN)口相配合，同時兩側設置有所述的固定孔；<br/> 其固定方式為：所述的定位孔位於所述的PCBA板材的四條邊長上，位於所述的PCBA板材表面，通過所述的定位銷確定板材在所述的外殼內部的位置；所述的固定孔位於所述的PCBA板材的四角處，相對距離最遠，呈對角分佈，通過所述的定位卡扣固定在外殼內部，通過壓裝的方式進行固定；所述的焊接口沿所述的PCBA板材的一條邊長分佈，兩側為所述的固定孔。
根據請求項1所述的印刷電路板組件(PCBA)組裝平衡的固定結構，其中，所述的定位卡扣呈對角分佈，與所述的固定孔相對應。
根據請求項1所述的印刷電路板組件(PCBA)組裝平衡的固定結構，其中，所述的固定孔位於所述的PCBA板材表面未使用的空白處。
根據請求項1所述的印刷電路板組件(PCBA)組裝平衡的固定結構，其中，所述的PCBA板材不是標準矩形時，所述的固定孔分佈在所述的PCBA板材表面上四個相對距離最遠的對角位置。
根據請求項1所述的印刷電路板組件(PCBA)組裝平衡的固定結構，其中，所述的固定孔與所述的PCBA板材周邊的距離不超過所述的PCBA板材最長周邊的1/5。
根據請求項5所述的印刷電路板組件(PCBA)組裝平衡的固定結構，其中，當所述的PCBA板材周邊最短距離不小於80cm時，所述的固定孔與所述的PCBA板材中心軸的距離不小於板材最長周邊的1/6。
根據請求項1所述的印刷電路板組件(PCBA)組裝平衡的固定結構，其中，所述的固定孔與相鄰焊接口的距離為1~2倍的固定孔孔徑。
一種以比色法評估膠體污染物傳輸的方法，包含以下步驟： <br/>(a) 將一待測樣本加入至一實驗裝置，其包含一多孔性材料，其中該多孔性材料之孔洞大小為約100-1000 nm； <br/>(b) 施加電場並使用帶負離子的緩衝液，使該待測樣品中的至少一污染物於該實驗裝置中進行傳輸試驗； <br/>(c) 拍攝該污染物於該實驗裝置中傳輸之影像；以及 <br/>(d) 以比色法評估該污染物之傳輸，隨著電場施加時間之色階強度變化作圖，經分析後產生一成像區域污染物的橫向濃度分布圖。
如請求項1所述之方法，其中該實驗裝置係以一瓊脂凝膠作為該多孔性材材料，並使用一矽晶圓進行黃光製程製作出一樣品通道，並將該瓊脂凝膠注入至黏合好的該樣品通道中製成一奈米或微米通道，將該樣品通道及奈米或微米通道以氧電漿接合技術接合，製成該實驗裝置。
如請求項2所述之方法，其中該實驗裝置之孔隙度為10-70％。
如請求項3所述之方法，其中該實驗裝置之孔隙度為30-50％。
如請求項1所述之方法，其中該緩衝液為帶有負離子的TBE或Tris/Borate/EDTA緩衝液溶液。
如請求項1所述之方法，更包含以下步驟： <br/>(e) 以用平流-延散方程式(advection-dispersion equation, ADE)與萊文伯格-馬夸特（Marquardt-Levenberg）法，搭配初始與邊界條件，利用解析解求得一理論模擬結果。
如請求項6所述之方法，更包含以下步驟： <br/>(f) 依據該理論模擬結果，求得佩克萊特數（Peclect number）與遲滯係數(retardation factor)。
如請求項1所述之方法，其中該污染物包含選自以下之群組之一膠體污染物：奈米金、奈米銀、奈米鐵、奈米光觸媒二氧化鈦或其組合。
如請求項1所述之方法，更包含以下步驟： <br/>(g) 利用一灰階值判別該污染物的濃度變化。
如請求項1所述之方法，更包含以下步驟： <br/>(h) 該待測樣品視需要，於該步驟(d)中可利用一波長光線吸收度根據朗伯-比耳定律(Lambert-Beer Law)吸光值來推算污染物的濃度。
如請求項1所述之方法，更包含以下步驟： <br/>(i)若該待測樣品為無色，於該步驟(g)中可利用一呈色法(Chromogenic) 加入一呈色劑，評估該污染物之傳輸。
一種用於氣相沉積製程腔室的上襯環，包括一第一環本體、一第一導流件和一第二導流件，其中： <br/>該第一導流件和該第二導流件相對設置，且凸出於該第一環本體的下端面，該第一導流件的第一端和該第二導流件的第一端均位於該上襯環的進氣側，該第一導流件的第二端和該第二導流件的第二端均位於該上襯環的排氣側，該上襯環的進氣側和該上襯環的排氣側為該上襯環的相背的兩側，在從該進氣側至該排氣側的方向上，該第一導流件與該第二導流件之間的距離逐漸減小。
如請求項1所述的上襯環，其中該第一導流件和該第二導流件以一第一軸線為對稱軸線對稱分佈，該第一軸線為該上襯環沿該上襯環的進氣側至該上襯環的排氣側的方向延伸的中軸線。
如請求項1所述的上襯環，其中該第一導流件和該第二導流件的材料均為石英材料。
如請求項1所述的上襯環，其中該第一導流件的第一端與該第二導流件的第一端的距離為一第一距離，該第一導流件的第二端與該第二導流件的第二端的距離為一第二距離，其中： <br/>該第一距離與該上襯環的內徑之比大於1；和/或， <br/>該第二距離與該上襯環的內徑之比小於1；和/或， <br/>該第一距離與該第二距離的差值與該上襯環的內徑之比大於或等於1/6，且小於或等於1/3；和/或， <br/>該第一距離與該第二距離的比值為1.2~1.4；和/或， <br/>該第一導流件與該第二導流件之間的在垂直於第一軸線方向上的距離與該上襯環的內徑之比為0.5~1.6，或者該第一導流件與該第二導流件之間的在垂直於第一軸線方向上的距離與該上襯環的內徑之比為0.75~1.25，該第一軸線為該上襯環沿該上襯環的進氣側至該上襯環的排氣側的方向延伸的中軸線。
如請求項1所述的上襯環，其中該第一導流件和該第二導流件的相對的內側邊緣均包括朝著遠離對方的方向凸出的弧形導流段。
如請求項5所述的上襯環，其中該上襯環的內徑與該弧形導流段所在圓的直徑之比大於或等於0.6，且小於或等於0.8。
如請求項5所述的上襯環，其中該第一導流件位於該上襯環的進氣側的一段與該第二導流件的位於該上襯環的進氣側的一段之間的距離減小幅度為一第一距離減小幅度，該第一導流件位於該上襯環的排氣側的一段與該第二導流件的位於該上襯環的排氣側的一段之間的距離減小幅度為一第二距離減小幅度，該第一距離減小幅度小於該第二距離減小幅度。
如請求項7所述的上襯環，其中該第一導流件和該第二導流件的相對的內側邊緣均還包括分別與該弧形導流段兩端連接的一第一平直導流段和一第二平直導流段，該第一平直導流段和該第二平直導流段均與該上襯環的圓形內壁相切，該弧形導流段外切於該上襯環的圓形內壁。
如請求項8所述的上襯環，其中該第一平直導流段和該第二平直導流段均相對於一第一軸線傾斜，該第一平直導流段與該第一軸線之間的夾角，小於該第二平直導流段與該第一軸線之間的夾角，該第一軸線為該上襯環自該上襯環的進氣側至該上襯環的排氣側方向延伸的中軸線。
如請求項9所述的上襯環，其中該第一平直導流段與該第一軸線之間的夾角為3~10°，該第二平直導流段與該第一軸線之間的夾角為10~20°。
如請求項1所述的上襯環，其中該上襯環的進氣側形成有一進氣缺口，該第一導流件和該第二導流件與該第一環本體形成該進氣缺口。
如請求項1所述的上襯環，其中自該上襯環的進氣側至該上襯環的排氣側的方向上，該第一導流件和該第二導流件的尺寸為350mm~400mm；和/或， <br/>該第一導流件和該第二導流件在凸出於該第一環本體的下端面的方向上的尺寸為24mm~30mm。
如請求項1所述的上襯環，其中該上襯環包括位於該排氣側的一擋板，該擋板凸出於該第一環本體的下端面，且位於該第一環本體的外側邊緣，該擋板用於與下襯環的外周壁的局部形成該氣相沉積製程腔室的排氣通道的一部分。
一種用於氣相沉積製程腔室的下襯環，其中該下襯環包括一第二環本體，該第二環本體開設有一傳片口，該第二環本體的外周壁開設有一環形凹槽，該環形凹槽位於該傳片口的下方，該下襯環的圓形內壁圍成的圓形區域的面積為一第一面積，該環形凹槽的橫截面積為一第二面積，該第一面積與該第二面積的比值大於600。
如請求項14所述的下襯環，其中該下襯環的內徑範圍為400mm-600mm，該第一面積與該第二面積的比值小於2000； <br/>或者，該下襯環的內徑範圍為300mm-500mm，該第一面積與該第二面積的比值小於1500。
如請求項15所述的下襯環，其中該下襯環的內徑範圍為400mm-600mm時，該第一面積與該第二面積的比值為1050-1350； <br/>或者，該下襯環的內徑範圍為300mm-500mm，該第一面積與該第二面積的比值為750-900。
如請求項14所述的下襯環，其中該環形凹槽用於通過一環形裝配縫隙與該氣相沉積製程腔室的一製程空間、一進氣通道和一排氣通道均連通，該環形裝配縫隙形成在該下襯環與該氣相沉積製程腔室的腔體之間。
如請求項14所述的下襯環，其中該下襯環還包括設於該第二環本體的頂端，且向該第二環本體的內側延伸的一環形凸緣，該環形凸緣用於支撐環繞該氣相沉積製程腔室的一承載座設置的一預熱環。
如請求項18所述的下襯環，其中該環形凸緣的內側邊緣設有一環形定位凹槽，該環形定位凹槽用於與該預熱環的邊緣定位配合。
如請求項14所述的下襯環，其中該下襯環的外周壁的靠近其排氣側的部位設有一凹台，該凹台用於與該氣相沉積製程腔室的一上襯環之間形成該氣相沉積製程腔室的一排氣通道的至少一部分。
如請求項20所述的下襯環，其中該下襯環的一側設有一氣體輸送孔，該氣體輸送孔自該下襯環的圓形內壁貫穿至該下襯環的外周壁，且位於該凹台的上方，並用於與該排氣通道連通。
如請求項21所述的下襯環，其中該凹台為沿該下襯環的圓周方向延伸的弧形結構，該氣體輸送孔為多個，且多個該氣體輸送孔沿該圓周方向間隔分佈。
如請求項21或22所述的下襯環，其中該氣體輸送孔的流通面積在朝向靠近該凹台的方向上遞減。
一種用於氣相沉積製程腔室的內襯，其中包括請求項1至13中任一項所述的上襯環和/或請求項14至23中任一項所述的下襯環。
如請求項24所述的內襯，其中該上襯環和該下襯環的位於該內襯的進氣側的端部之間形成一進氣口。
如請求項24所述的內襯，其中該上襯環和該下襯環的位於該內襯的排氣側的端部之間形成一排氣口。
一種用於氣相沉積製程腔室的內襯，其中該內襯包括位於該內襯的進氣側與該內襯的排氣側之間，且相對設置的一第一導流件和一第二導流件，該第一導流件的第一端和該第二導流件的第一端均位於該內襯的進氣側，該第一導流件的第二端和該第二導流件的第二端均位於該內襯的排氣側，該內襯的進氣側和該內襯的排氣側為該內襯相背的兩側，從該進氣側至該排氣側的方向上，該第一導流件與該第二導流件之間的距離逐漸減小，和/或， <br/>該內襯的外周壁開設有一環形凹槽，該環形凹槽位於該內襯的傳片口的下方，該內襯的圓形內壁圍成的圓形區域的面積為一第一面積，該環形凹槽的橫截面積為一第二面積，該第一面積與該第二面積的比值大於600。
如請求項27所述的內襯，其中該第一導流件和該第二導流件以一第一軸線為對稱軸線對稱分佈，該第一軸線為該內襯沿該內襯的進氣側至該內襯的排氣側的方向延伸的中軸線。
如請求項27所述的內襯，其中該第一導流件和該第二導流件的材料均為石英材料。
如請求項27所述的內襯，其中該第一導流件的第一端與該第二導流件的第一端的距離為一第一距離，該第一導流件的第二端與該第二導流件的第二端的距離為一第二距離，其中： <br/>該第一距離與該內襯的內徑之比大於1；和/或， <br/>該第二距離與該內襯的內徑之比小於1；和/或， <br/>該第一距離與該第二距離的差值與該內襯的內徑之比大於或等於1/6，且小於或等於1/3；和/或， <br/>該第一距離與該第二距離的比值為1.2~1.4；和/或， <br/>該第一導流件與該第二導流件之間的在垂直於第一軸線方向上的距離與該內襯的內徑之比為0.5~1.6，或者，該第一導流件與該第二導流件之間的在垂直於第一軸線方向上的距離與該內襯的內徑之比為0.75~1.25，該第一軸線為該內襯沿該內襯的進氣側至該內襯的排氣側的方向延伸的中軸線。
如請求項27所述的內襯，其中該第一導流件和該第二導流件的相對的內側邊緣均包括朝著遠離對方的方向凸出的一弧形導流段。
如請求項31所述的內襯，其中該內襯的內徑與該弧形導流段所在圓的直徑之比大於或等於0.6，且小於或等於0.8。
如請求項31所述的內襯，其中該第一導流件位於該內襯的進氣側的一段與該第二導流件的位於該內襯的進氣側的一段之間的距離減小幅度為一第一距離減小幅度，該第一導流件位於該內襯的排氣側的一段與該第二導流件的位於該內襯的排氣側的一段之間的距離減小幅度為一第二距離減小幅度，該第一距離減小幅度小於該第二距離減小幅度。
如請求項33所述的內襯，其中該第一導流件和該第二導流件的相對的內側邊緣均包括分別與該弧形導流段兩端連接的一第一平直導流段和一第二平直導流段，該第一平直導流段和該第二平直導流段均與該內襯的圓形內壁相切，該弧形導流段外切於該內襯的圓形內壁。
如請求項34所述的內襯，其中該第一平直導流段和該第二平直導流段均相對於一第一軸線傾斜，該第一平直導流段與該第一軸線之間的夾角，小於該第二平直導流段與該第一軸線之間的夾角，該第一軸線為該內襯自該內襯的進氣側至該內襯的排氣側方向延伸的中軸線。
如請求項35所述的內襯，其中該第一平直導流段與該第一軸線之間的夾角為3°~10°，該第二平直導流段與該第一軸線之間的夾角為10°~20°。
如請求項27所述的內襯，其中自該內襯的進氣側至該內襯的排氣側的方向上，該第一導流件和該第二導流件的尺寸為350mm~400mm；和/或， <br/>該第一導流件和該第二導流件在該內襯的軸向上的尺寸為24mm~30mm。
如請求項27所述的內襯，其中該內襯包括一上襯環和位於該上襯環下方的一下襯環，該上襯環與該下襯環同軸設置，該上襯環包括一第一環本體和位於該上襯環的排氣側，且凸出於該第一環本體的下端面的一擋板，該擋板位於該第一環本體的外側邊緣，該擋板用於與該下襯環的外周壁的局部形成該氣相沉積製程腔室的排氣通道的一部分。
如請求項27所述的內襯，其中該環形凹槽用於通過一環形裝配縫隙與該氣相沉積製程腔室的一製程空間、一進氣通道和一排氣通道均連通，該環形裝配縫隙形成在該內襯與該氣相沉積製程腔室的一腔體之間。
如請求項27所述的內襯，其中該內襯包括一第二環本體和設於該第二環本體的頂端，且向該第二環本體的內側延伸的一環形凸緣，該環形凸緣用於支撐環繞該氣相沉積製程腔室的一承載座設置的一預熱環。
如請求項40所述的內襯，其中該環形凸緣的內側邊緣設有一環形定位凹槽，該環形定位凹槽用於與該預熱環的邊緣定位配合。
如請求項40所述的內襯，其中該內襯還包括一上襯環；該第二環本體的外周壁的靠近該排氣側的部位設有一凹台，該凹台用於與該上襯環之間形成該氣相沉積製程腔室的一排氣通道的至少一部分。
如請求項42所述的內襯，其中該第二環本體的一側設有一氣體輸送孔，該氣體輸送孔自該第二環本體的圓形內壁貫穿至該第二環本體的外周壁，且位於該凹台的上方，並用於與該排氣通道連通。
如請求項43所述的內襯，其中該凹台為沿該第二環本體的圓周方向延伸的弧形結構，該氣體輸送孔為多個，且多個該氣體輸送孔沿該圓周方向間隔分佈。
如請求項43或44所述的內襯，其中該氣體輸送孔的流通面積在朝向靠近該凹台的方向上遞減。
如請求項27所述的內襯，其中該第一導流件和該第二導流件靠近該內襯的頂部設置，該環形凹槽位於該第一導流件和該第二導流件的下方。
如請求項27所述的內襯，其中該內襯的內徑範圍為400mm-600mm，該第一面積與該第二面積的比值小於2000； <br/>或者，該內襯的內徑範圍為300mm-500mm，該第一面積與該第二面積的比值小於1500。
如請求項27所述的內襯，其中該內襯的內徑範圍為400mm-600mm時，該第一面積與該第二面積的比值為1050-1350； <br/>或者，該內襯的內徑範圍為300mm-500mm，該第一面積與該第二面積的比值為750-900。
一種用於氣相沉積製程腔室的進氣襯體，其中用於與請求項24至48中任一項所述的內襯的進氣口對接，該進氣襯體開設有多個進氣孔，該多個進氣孔在一第一方向排列，且相互隔離，該多個進氣孔的貫通方向一致，該第一方向與該進氣孔的貫通方向相垂直。
如請求項49所述的進氣襯體，其中該進氣襯體為整體式結構，且包括一第一套件和位於該第一套件之內的多個第一隔離件，該多個第一隔離件將該第一套件之內的空間分隔，以形成該多個進氣孔。
如請求項49所述的進氣襯體，其中該進氣襯體為分體式結構，且包括多個第二套件，該多個第二套件在該第一方向依次排列，相鄰的兩個該第二套件接觸；在該多個第二套件中： <br/>每個該第二套件均用於形成一個該進氣孔；或，每個該第二套件內均設有至少一個第二隔離件，以使得該第二套件形成至少兩個該進氣孔；或，一部分該第二套件均形成一個該進氣孔，另一部分該第二套件中均設有至少一個第二隔離件，以使相應的該第二套件形成至少兩個該進氣孔。
如請求項51所述的進氣襯體，其中位於該進氣襯體的相背的兩個側邊緣的兩個該第二套件內均設有一個該第二隔離件，以均形成分別作為一輔助氣體孔和製程氣體孔的兩個該進氣孔，該製程氣體孔處在該輔助氣體孔的內側，該輔助氣體孔在該第一方向的尺寸小於該製程氣體孔在該第一方向的尺寸。
如請求項49所述的進氣襯體，其中該進氣襯體為扁平結構，該進氣襯體具有一頂部平直壁和一底部平直壁，該頂部平直壁與該底部平直壁均分別與該貫通方向和該第一方向相平行，該進氣襯體具有兩個弧形側壁，兩個該弧形側壁分別構成該進氣襯體的相背的兩個側邊緣，兩個該弧形側壁相對設置並向著相互遠離對方的方向凸起，兩個該弧形側壁均連接在該頂部平直壁和該底部平直壁之間。
如請求項49所述的進氣襯體，其中該進氣襯體的材料為石英材料。
如請求項49所述的進氣襯體，其中該多個進氣孔均為扁形孔，該進氣孔在第一方向的尺寸大於在第二方向的尺寸，該第二方向分別與該貫通方向和該第一方向垂直。
如請求項49所述的進氣襯體，其中在該多個進氣孔中，分別鄰近該進氣襯體的相背的兩個側邊緣的兩個該進氣孔均為一輔助氣體孔，位於兩個該輔助氣體孔之間的其它該進氣孔為製程氣體孔。
如請求項56所述的進氣襯體，其中該製程氣體孔在該第一方向上的尺寸大於該輔助氣體孔在該第一方向上的尺寸。
如請求項56所述的進氣襯體，其中該多個進氣孔在該第一方向形成的進氣寬度為一第一進氣寬度，兩個該輔助氣體孔在該第一方向形成的進氣寬度為一第二進氣寬度，該第二進氣寬度與該第一進氣寬度的比值為1:25~1:10。
如請求項56所述的進氣襯體，其中該進氣襯體應用於一氣相沉積製程腔室中，該氣相沉積製程腔室包括一腔體以及設於該腔體之內的一承載座，該輔助氣體孔與該承載座的邊緣的內側相對，或者，該輔助氣體孔與該承載座的邊緣的外側相對。
一種製程腔室，包括腔體和請求項52、56至58任一項所述的進氣襯體，該製程腔室具有一製程空間，該進氣襯體設於該腔體的側壁中，且該多個進氣孔與該製程空間連通。
如請求項60所述的製程腔室，其中該製程腔室還包括設於該腔體之內的一承載座，該輔助氣體孔與該承載座的邊緣的內側相對，或者，該輔助氣體孔與該承載座的邊緣的外側相對。
如請求項60或61所述的製程腔室，其中該進氣襯體可拆卸地安裝於該腔體；或者，該進氣襯體的耐腐蝕性高於該腔體的耐腐蝕性。
一種氣相沉積製程腔室，其中包括腔體以及設於該腔體之內的內襯，該內襯為請求項24至48中任一項所述的內襯。
一種氣相沉積製程腔室，其中包括腔體以及設於該腔體之內的內襯，該內襯為分體式結構，該內襯包括請求項1至13的任一項所述的上襯環以及請求項14至23中任一項所述的下襯環。
如請求項63或64所述的氣相沉積製程腔室，其中該氣相沉積製程腔室還包括請求項49至59中任一項所述的進氣襯體。
如請求項63或64所述的氣相沉積製程腔室，其中該氣相沉積製程腔室還包括位於腔體之內的一承載座，該腔體包括一頂罩，該頂罩至少用於構成該腔體的位於該內襯的上方的一腔體頂壁，該腔體頂壁位於該承載座上方，且向著靠近該承載座的方向凸出。
如請求項63或64所述的氣相沉積製程腔室，其中該氣相沉積製程腔室還包括位於腔體之內的一承載座以及均設於該腔體上，且位於該承載座上方的多個第一外區加熱燈、多個第一內區加熱燈、一第一反射件和一第二反射件； <br/>該承載座包括一中心區域和環繞該中心區域的一環形區域，該多個第一外區加熱燈和該多個第一內區加熱燈均沿該環形區域的圓周方向分佈，且該多個第一外區加熱燈位於該多個第一內區加熱燈的外側，該第一反射件用於將該多個第一外區加熱燈投射的光線反射至該環形區域，該第二反射件用於將該多個第一內區加熱燈投射的光線反射至該中心區域，該多個第一外區加熱燈的高度小於該多個第一內區加熱燈的高度。
如請求項67所述的氣相沉積製程腔室，其中該製程腔室還包括均設於該腔體上，且位於該承載座下方的多個第二外區加熱燈、多個第二內區加熱燈、一第三反射件和一第四反射件，該多個第二外區加熱燈和該多個第二內區加熱燈均沿該環形區域的圓周方向分佈，且該多個第二外區加熱燈位於該多個第二內區加熱燈的外側，該第三反射件用於將該多個第二外區加熱燈投射的光線反射至該環形區域，該第四反射件用於將該多個第二內區加熱燈投射的光線反射至該中心區域，該多個第二外區加熱燈的高度大於該多個第二內區加熱燈的高度。
如請求項68所述的氣相沉積製程腔室，其中該第一反射件、該第二反射件、該第三反射件和該第四反射件中的至少一者的反射角度可調。
一種半導體製程設備，其中包括一傳輸腔室和請求項63至69中任一項所述的氣相沉積製程腔室，該傳輸腔室與該氣相沉積製程腔室相配合。
一種製程腔室，其中包括一腔體及設於該腔體之內的一承載座和一內襯，該內襯包括一環形襯，該環形襯環繞該承載座設置，至少該承載座和該環形襯圍成一製程空間，該環形襯包括請求項1至13的任一項所述的上襯環和/或請求項14至23中任一項所述的下襯環，該製程腔室具有一進氣通道、一排氣通道和一保護氣體通道，該進氣通道和該排氣通道均貫穿該腔體和該內襯而與該製程空間連通； <br/>該環形襯的外周壁和/或該腔體的內周壁設有一環形凹槽，該環形襯與該腔體之間具有一環形裝配縫隙，該環形凹槽通過該環形裝配縫隙與該製程空間、該進氣通道和該排氣通道均連通； <br/>該保護氣體通道與該環形凹槽連通，該保護氣體通道用於接收保護氣體，以使該保護氣體經該環形凹槽進入該環形裝配縫隙。
如請求項71所述的製程腔室，其中該環形襯的內徑圍成的圓形區域的面積為一第一面積，該環形凹槽的橫截面積為一第二面積，該第一面積與該第二面積的比值大於600。
如請求項71所述的製程腔室，其中該腔體包括圍繞該環形襯設置的一基座環，該進氣通道貫穿該環形襯和該基座環，該環形襯的外周壁和/或該基座環的內周壁設有該環形凹槽，該環形襯與該基座環之間具有該環形裝配縫隙。
如請求項73所述的製程腔室，其中該環形凹槽僅開設於該環形襯的外周壁上。
如請求項71所述的製程腔室，其中該內襯包括該上襯環和位於該上襯環下方、並與該上襯環對接的該下襯環，該上襯環包括圍繞該承載座的一第一環本體； <br/>該下襯環包括圍繞該承載座的一第二環本體，該第一環本體和該第二環本體同軸設置； <br/>該第一環本體和該第二環本體中的至少一者的外周壁開設有該環形凹槽，該第一環本體和該第二環本體均與該腔體之間具有該環形裝配縫隙。
如請求項75所述的製程腔室，其中該上襯環在垂直於該承載座的承載面方向的長度小於該下襯環在垂直於該承載面方向上的長度，該環形凹槽開設於該下襯環的外周壁上，且位於該排氣通道的下方。
如請求項76所述的製程腔室，其中該排氣通道包括一第一排氣段、一第二排氣段和一第三排氣段，該進氣通道具有與該製程空間連通的一進氣口，該第一排氣段具有與該製程空間連通的一排氣口，該第二排氣段通過該第一排氣段與該製程空間連通，且該第一排氣段與該第二排氣段相交，該進氣口與該排氣口分別位於該承載座相背的兩側，該進氣口的軸線和該排氣口的軸線均與該承載座的承載面相平行，該第二排氣段與該第三排氣段連通，該第三排氣段與該第一排氣段平行。
如請求項77所述的製程腔室，其中該第一排氣段位於該第二排氣段的上方，該環形凹槽位於該第二排氣段與該第三排氣段的銜接處的下方。
如請求項77所述的製程腔室，其中該第一排氣段內鄰近該排氣口的部位設有一凸起，該上襯環用於構成該第一排氣段的頂壁，該下襯環用於構成該第一排氣段的底壁，該凸起設於該上襯環的用於構成該第一排氣段的頂壁的部位上。
一種形成複合封裝的方法，包括： <br/>在第一半導體晶片的背側形成金屬柱陣列； <br/>在所述金屬柱陣列周圍形成第一模製化合物框架； <br/>將第二半導體晶片和包含所述第一半導體晶片、所述金屬柱陣列及所述第一模製化合物框架的組裝件貼附到中介層；以及 <br/>在所述組裝件和所述第二半導體晶片周圍形成第二模製化合物框架，所述第二模製化合物框架直接接觸所述第一半導體晶片及所述第一模製化合物框架。
如請求項1所述的方法，還包括： <br/>在所述第一半導體晶片的背側表面形成金屬種子層； <br/>在所述金屬種子層上形成包括柱狀腔陣列的電鍍基質層；以及 <br/>在所述柱狀腔陣列中形成所述金屬柱陣列。
如請求項1所述的方法，其中： <br/>所述組裝件使用第一焊料材料部分陣列貼附到所述中介層；以及 <br/>所述第二半導體晶片使用第二焊料材料部分陣列貼附到所述中介層。
一種形成複合封裝的方法，包括： <br/>形成第一半導體晶片和間隔物的堆疊，所述間隔物貼附到所述第一半導體晶片的背側； <br/>將所述堆疊和第二半導體晶片貼附到操作晶圓； <br/>在所述堆疊和所述第二半導體晶片周圍形成多晶片模製化合物框架；以及 <br/>將中介層貼附到所述堆疊、所述第二半導體晶片和所述多晶片模製化合物框架的組合上。
如請求項4所述的方法，還包括移除所述間隔物，其中所述第二半導體晶片的遠端表面比所述第一半導體晶片的遠端表面更遠離所述中介層。
如請求項4所述的方法，其中所述堆疊貼附到所述操作晶圓，使得所述間隔物比所述第一半導體晶片更靠近所述操作晶圓。
一種複合封裝，包括： <br/>中介層； <br/>組裝件，貼附到所述中介層，並包括第一半導體晶片、位於所述第一半導體晶片背側的金屬柱陣列，以及側向環繞所述金屬柱陣列的第一模製化合物框架； <br/>第二半導體晶片，貼附到所述中介層；以及 <br/>第二模製化合物框架，側向環繞所述組裝件和所述第二半導體晶片，所述第二模製化合物框架直接接觸所述第一半導體晶片及所述第一模製化合物框架。
如請求項7所述的複合封裝，還包括位於所述金屬柱陣列與所述第一半導體晶片的背側表面之間的金屬種子板陣列。
如請求項7所述的複合封裝，其中所述第一模製化合物框架直接接觸所述第一半導體晶片的背側表面。
如請求項7所述的複合封裝，還包括金屬種子層，接觸所述第一半導體晶片的背側表面並接觸所述金屬柱陣列內的每個金屬柱。
一種用於散熱風扇之降噪的消音器，該消音器包含：<br/>外管；<br/>至少一個內管，其位於該外管內部，使得環形空間形成於該內管與該外管之間，該內管包括形成通風通道之內空腔；及<br/>複數個分隔板，其位於該環形空間中且將該環形空間分隔成對應於複數個消音頻帶沿著氣流之輸送方向配置的複數個消音腔室，該內管包括將該複數個消音腔室與該通風通道連通之複數個開口。
如請求項1之消音器，其中：<br/>對應於該消音腔室之該消音頻帶愈高，對應連通之該開口的面積愈大及/或該消音腔室之體積愈小；且<br/>對應於該消音腔室之該消音頻帶愈低，對應連通之該開口的面積愈小及/或該消音腔室之體積愈大。
如請求項1之消音器，其中該複數個消音腔室包括：<br/>第一消音腔室，其具有7500 Hz至8500 Hz之消音頻帶；<br/>第二消音腔室，其具有5500 Hz至6500 Hz之消音頻帶；<br/>第三消音腔室，其具有3000 Hz至4000 Hz之消音頻帶；及<br/>第四消音腔室，其具有1500 Hz至2500 Hz之消音頻帶；<br/>其中該第一消音腔室、該第二消音腔室、該第三消音腔室及該第四消音腔室沿著該氣流之該輸送方向從高消音頻率至低消音頻率配置。
如請求項1之消音器，其中該複數個消音腔室包括：<br/>第一消音腔室，其具有3000 Hz至4000 Hz之消音頻帶；<br/>第二消音腔室，其具有5500 Hz至6500 Hz之消音頻帶；及<br/>第三消音腔室，其具有7500 Hz至8500 Hz之消音頻帶。
如請求項1之消音器，其中：<br/>該複數個消音腔室包括複數個第一消音腔室；且<br/>該內管之該複數個開口包括與各該第一消音腔室連通的多個開口，該等開口沿著對應第一消音腔室之圓周方向以間隔配置。
如請求項5之消音器，其中該複數個第一消音腔室包括：<br/>具有7500 Hz至8500 Hz之消音頻帶的至少一個第一消音腔室；<br/>具有5500 Hz至6500 Hz之消音頻帶的至少一個第一消音腔室；<br/>具有3000 Hz至4000 Hz之消音頻帶的至少一個第一消音腔室；及<br/>具有1500 Hz至2500 Hz之消音頻帶的至少一個第一消音腔室。
如請求項5之消音器，其中該複數個第一消音腔室包括：<br/>具有3000 Hz至4000 Hz之消音頻帶的至少一個第一消音腔室；<br/>具有5500 Hz至6500 Hz之消音頻帶的至少一個第一消音腔室；及<br/>具有7500 Hz至8500 Hz之消音頻帶的至少一個第一消音腔室。
如請求項5之消音器，其中：<br/>該複數個消音腔室包含至少一個第二消音腔室；且<br/>該內管之該複數個開口包括與該至少一個第二消音腔室連通之單個開口，該單個開口為沿著對應第二消音腔室之圓周方向配置及延伸的環形開口。
如請求項8之消音器，其中：<br/>該消音器包括僅一個該第二消音腔室；或<br/>至少一個消音腔室包含複數個第二消音腔室，且該複數個第一消音腔室中之至少一者配置於該等第二消音腔室之相鄰對之間。
如請求項8之消音器，其中：<br/>該至少一個消音腔室包含兩個第二消音腔室，使得一個第二消音腔室接近該通風通道之進氣口端而安置，且另一第二消音腔室接近該通風通道之出氣口端而安置；且<br/>該複數個第一消音腔室配置於該兩個第二消音腔室之間。
如請求項8之消音器，其中該消音器包括在該至少一個第二消音腔室中沿著該外管之內壁表面的吸音泡沫，該吸音泡沫具有小於該環形空間之徑向寬度之厚度。
如請求項1之消音器，其中該複數個消音腔室包括：<br/>具有8700 Hz至9200 Hz之消音頻帶的至少一個第二消音腔室，且該內管之該複數個開口中的單個環形開口沿著該第二消音腔室之圓周方向配置及延伸；<br/>具有3000 Hz至4000 Hz之消音頻帶的至少一個第一消音腔室，且該內管之該複數個開口中的多個開口沿著該第一消音腔室之圓周方向以間隔配置；<br/>具有5500 Hz至6500 Hz之消音頻帶的至少一個第一消音腔室，且該內管之該複數個開口中的多個開口沿著該第一消音腔室之圓周方向以間隔配置；及<br/>具有8000 Hz至8500 Hz之消音頻帶的至少一個第二消音腔室，且該內管之該複數個開口中的單個環形開口沿著該第二消音腔室之圓周方向配置及延伸。
如請求項1之消音器，其中該複數個消音腔室包括：<br/>具有8000 Hz至8500 Hz之消音頻帶的至少一個第二消音腔室，且該內管之該複數個開口中的單個環形開口沿著該第二消音腔室之圓周方向配置及延伸；<br/>具有5500 Hz至6500 Hz之消音頻帶的至少一個第一消音腔室，且該內管之該複數個開口中的多個開口沿著該第一消音腔室之圓周方向以間隔配置；<br/>具有8700 Hz至9200 Hz之消音頻帶的至少一個第二消音腔室，且該內管之該複數個開口中的單個環形開口沿著該第二消音腔室之圓周方向配置及延伸；及<br/>具有3000 Hz至4000 Hz之消音頻帶的至少一個第一消音腔室，且該內管之該複數個開口中的多個開口沿著該第一消音腔室之圓周方向以間隔配置。
如請求項1之消音器，其中：<br/>該通風通道之出氣口端經由後導流通道與風扇結構之該散熱風扇的進氣口連通；<br/>該後導流通道沿著該氣流之該輸送方向向外逐漸變窄；<br/>該通風通道之該進氣口端與前導流通道連通；且<br/>該前導流通道沿著該氣流之該輸送方向向內逐漸變窄。
如請求項14之消音器，其中：<br/>蜂巢式網目結構位於該前導流通道之入口處；且<br/>該後導流通道經由密封結構與該散熱風扇之該進氣口密封地連接。
如請求項1之消音器，其中：<br/>該消音器包括在該外管內部平行且間隔開配置之複數個內管；<br/>該外管之管腔室藉由該複數個分隔板中之至少一者劃分成複數個外管道；<br/>該複數個內管安置於該外管之該複數個外管道中以形成複數個環形空間；且<br/>該複數個環形空間各自藉由該複數個分隔板分隔成沿著該氣流之該輸送方向配置的該複數個消音腔室。
如請求項1之消音器，其中該複數個消音腔室具有消音頻率，且沿著該氣流之該輸送方向從高消音頻率至低消音頻率配置。
一種伺服器，其包含散熱風扇及如請求項1至17中任一項之消音器，其中該消音器可操作以用於由該伺服器中之該散熱風扇產生的風扇噪音之吸音及降噪。
一種用於散熱風扇之降噪的消聲器，該消聲器包含：<br/>外管；<br/>至少一個內管，其位於該外管內部，使得環形空間形成於該內管與該外管之間，該內管包括形成通風通道之內空腔；及<br/>複數個分隔板，其位於該環形空間中且將該環形空間分隔成對應於複數個消音頻帶沿著氣流之輸送方向配置的複數個消音腔室，該內管包括將該複數個消音腔室與該通風通道連通之複數個開口。
一種用於電子裝置中之散熱風扇之降噪的裝置，該裝置包含：<br/>外管；<br/>至少一個內管，其位於該外管內部，使得環形空間形成於該內管與該外管之間，該內管包括形成通風通道之內空腔；及<br/>複數個分隔板，其位於該環形空間中且將該環形空間分隔成對應於複數個消音頻帶沿著氣流之輸送方向配置的複數個消音腔室，該內管包括將該複數個消音腔室與該通風通道連通之複數個開口。
一種動態電平移位電路，包括：<br/> 一信號輸入單元，耦接一輸入信號與一使能信號，且被配置以對該輸入信號執行一反相處理以產生一第一輸入信號以及對該第一輸入信號再次執行所述反相處理以產生一第二輸入信號；<br/> 一轉換單元，包括一電流鏡以及和該電流鏡疊接(cascode)的一輸入對，其中，該電流鏡由一第一P型MOSFET元件與一第二P型MOSFET元件組成，且該輸入對包括疊接該第一P型MOSFET元件的一第一N型MOSFET元件以及疊接該第二P型MOSFET元件的一第二N型MOSFET元件；以及<br/> 一啟動模塊，耦接所述使能信號，且同時耦接至該第一P型MOSFET元件與該第二P型MOSFET元件；<br/> 其中，該轉換單元具一第一信號輸入端、一第二信號輸入端與一信號輸出端，且偏置於一第一工作電壓與一接地端之間；<br/> 其中，該第一N型MOSFET元件的閘極端作為該轉換單元的該第一信號輸入端以接收所述第二輸入信號，該第二N型MOSFET元件的閘極端作為該轉換單元的該第二信號輸入端以接收所述第一輸入信號，且該第二P型MOSFET元件的汲極端與該第二N型MOSFET元件的汲極端皆耦接至該轉換單元的該信號輸出端；<br/> 其中，當該使能信號具一第一電壓準位時，該啟動模塊啟用該轉換單元，使得該轉換單元將該第一輸入信號和該第二輸入信號電平移位處理為一輸出信號。
如請求項1所述之動態電平移位電路，其中，當該使能信號具一第二電壓準位時，該信號輸入單元停止輸出該第一輸入信號與該第二輸入信號，同時，該啟動模塊在該第一P型MOSFET元件的汲極端和源極端之間形成一第一通路以及在該第二P型MOSFET元件的汲極端和源極端之間形成一第二通路。
如請求項1所述之動態電平移位電路，其中，當該使能信號具所述第一電壓準位時，該信號輸入單元輸出該第一輸入信號與該第二輸入信號，同時，該啟動模塊在該第一P型MOSFET元件的汲極端和源極端之間形成一第一斷路以及在該第二P型MOSFET元件的汲極端和源極端之間形成一第二斷路。
如請求項1所述之動態電平移位電路，其中，該啟動模塊包括：<br/> 一電平轉換單元，耦接該使能信號，且被配置以將該使能信號電平移位為一閘極開關信號；<br/> 一第三P型MOSFET元件，其源極端和汲極端分別耦接該第一P型MOSFET元件的源極端與汲極端，且其閘極端耦接至該電平轉換單元以接收所述閘極開關信號；以及<br/> 一第四P型MOSFET元件，其源極端和汲極端分別耦接該第二P型MOSFET元件的源極端與汲極端，且其閘極端耦接至該電平轉換單元以接收所述閘極開關信號。
如請求項1所述之動態電平移位電路，其中，該信號輸入單元包括：<br/> 一第一反相器，具有一輸入端、一輸出端、一偏置端以及一使能端，其中，該輸入端耦接該輸入信號，該偏置端耦接一第二工作電壓(VDD)，該輸出端耦接至該第二信號輸入端，且該使能端耦接所述使能信號；以及<br/> 一第二反相器，具有一輸入端、一輸出端、一偏置端以及一使能端，其中，該輸入端耦接該第一反相器的該輸出端，該偏置端耦接該第二工作電壓，該輸出端耦接至該第一信號輸入端，且該使能端耦接所述使能信號；<br/> 其中，該第二工作電壓小於該第一工作電壓。
一種動態電平移位電路，包括:<br/> 一第一信號輸入單元，耦接一輸入信號與一使能信號，且被配置以對該輸入信號執行一反相處理以產生一第一輸入信號以及對該第一輸入信號再次執行所述反相處理以產生一第二輸入信號；<br/> 一第二信號輸入單元，耦接所述輸入信號與所述使能信號，且被配置以對該輸入信號執行所述反相處理以產生一第三輸入信號以及對該第三輸入信號再次執行所述反相處理以產生一第四輸入信號；<br/> 一第一轉換單元，包括一第一電流鏡以及和該第一電流鏡疊接(cascode)的一第一輸入對，其中，該第一電流鏡由一第一P型MOSFET元件與一第二P型MOSFET元件組成，且該第一輸入對包括疊接該第一P型MOSFET元件的一第一N型MOSFET元件以及疊接該第二P型MOSFET元件的一第二N型MOSFET元件；<br/> 一第二轉換單元，包括一第二電流鏡以及和該第二電流鏡疊接的一第二輸入對，其中，該第二電流鏡由一第三P型MOSFET元件與一第四P型MOSFET元件組成，且該第二輸入對包括疊接該第三P型MOSFET元件的一第三N型MOSFET元件以及疊接該第四P型MOSFET元件的一第四N型MOSFET元件；<br/> 一啟動模塊，耦接所述使能信號，且同時耦接至該第一P型MOSFET元件、該第二P型MOSFET元件、該第三P型MOSFET元件、與該第四P型MOSFET元件；<br/> 其中，該第一轉換單元與該第二轉換單元皆具一第一信號輸入端、一第二信號輸入端與一信號輸出端，且皆偏置於一第一工作電壓與一接地端之間；<br/> 其中，該第一N型MOSFET元件的閘極端作為該第一轉換單元的該第一信號輸入端以接收所述第二輸入信號，該第二N型MOSFET元件的閘極端作為該第一轉換單元的該第二信號輸入端以接收所述第四輸入信號，且該第二P型MOSFET元件的汲極端與該第二N型MOSFET元件的汲極端皆耦接至該第一轉換單元的該信號輸出端；<br/> 其中，該第三N型MOSFET元件的閘極端作為該第二轉換單元的該第一信號輸入端以接收所述第四輸入信號，該第四N型MOSFET元件的閘極端作為該第二轉換單元的該第二信號輸入端以接收所述第二輸入信號，且該第四P型MOSFET元件的汲極端與該第四N型MOSFET元件的汲極端皆耦接至該第二轉換單元的該信號輸出端；<br/> 其中，當該使能信號具一第一電壓準位時，該啟動模塊啟用該第一轉換單元與該第二轉換單元，使得該第一轉換單元將該第二輸入信號和該第四輸入信號電平移位為一第一輸出信號，且使得該第二轉換單元將該第四輸入信號和該第二輸入信號電平移位為一第二輸出信號。
如請求項6所述之動態電平移位電路，其中，該當該使能信號具一第二電壓準位時，該第一信號輸入單元停止輸出該第二輸入信號且該第二信號輸入單元停止輸出該第四輸入信號，同時，該啟動模塊在該第一P型MOSFET元件的汲極端和源極端之間形成一第一通路、在該第二P型MOSFET元件的汲極端和源極端之間形成一第二通路、在該第三P型MOSFET元件的汲極端和源極端之間形成一第三通路、在該第四P型MOSFET元件的汲極端和源極端之間形成一第四通路。
如請求項6所述之動態電平移位電路，其中，當該使能信號具所述第一電壓準位時，該第一信號輸入單元輸出該第二輸入信號且該第二信號輸入單元輸出該第四輸入信號，同時，該啟動模塊在該第一P型MOSFET元件的汲極端和源極端之間形成一第一斷路、在該第二P型MOSFET元件的汲極端和源極端之間形成一第二斷路、在該第三P型MOSFET元件的汲極端和源極端之間形成一第三斷路、以及在該第四P型MOSFET元件的汲極端和源極端之間形成一第四斷路。
如請求項6所述之動態電平移位電路，其中，該啟動模塊包括：<br/> 一電平轉換單元，耦接該使能信號，且被配置以將該使能信號電平移位為一閘極開關信號；<br/> 一第五P型MOSFET元件，其源極端和汲極端分別耦接該第一P型MOSFET元件的源極端與汲極端，且其閘極端耦接至該電平轉換單元以接收所述閘極開關信號；<br/> 一第六P型MOSFET元件，其源極端和汲極端分別耦接該第二P型MOSFET元件的源極端與汲極端，且其閘極端耦接至該電平轉換單元以接收所述閘極開關信號；<br/> 一第七P型MOSFET元件，其源極端和汲極端分別耦接該第三P型MOSFET元件的源極端與汲極端，且其閘極端耦接至該電平轉換單元以接收所述閘極開關信號；以及<br/> 一第八P型MOSFET元件，其源極端和汲極端分別耦接該第四P型MOSFET元件的源極端與汲極端，且其閘極端耦接至該電平轉換單元以接收所述閘極開關信號。
如請求項6所述之動態電平移位電路，其中，該第一信號輸入單元包括：<br/> 一第一反相器，具有一輸入端、一輸出端、一偏置端以及一使能端，其中，該輸入端耦接該輸入信號，該偏置端耦接一第二工作電壓(VDD)，且該使能端耦接所述使能信號；以及<br/> 一第二反相器，具有一輸入端、一輸出端、一偏置端以及一使能端，其中，該輸入端耦接該第一反相器的該輸出端，該偏置端耦接該第二工作電壓，該輸出端耦接至該第一轉換單元的該第一信號輸入端以及該第二轉換單元的該第二信號輸入端，且該使能端耦接所述使能信號。
如請求項10所述之動態電平移位電路，其中，該第二信號輸入單元包括：<br/> 一第三反相器，具有一輸入端、一輸出端、一偏置端以及一使能端，其中，該輸入端耦接該輸入信號，該偏置端耦接該第二工作電壓，且該使能端耦接所述使能信號；以及<br/> 一第四反相器，具有一輸入端、一輸出端、一偏置端以及一使能端，其中，該輸入端耦接該第三反相器的該輸出端，該偏置端耦接該第二工作電壓，該輸出端耦接至該第二轉換單元的該第一信號輸入端以及第一轉換單元的該第二信號輸入端，且該使能端耦接所述使能信號。
一種電子晶片，其特徵在於，內含至少一個如請求項1至11中任一項所述之動態電平移位電路。
一種資訊處理裝置，其特徵在於，內含至少一個如請求項12所述之電子晶片。
一種自動建立虛物與實物間關聯之方法，所述方法係透過一電腦軟體執行以下步驟，所述步驟包括：<br/> 建立一虛實關聯表單步驟，所述虛實關聯表單包含在現實中現實玩家的現實資料以及進入一電競遊戲中由所述現實玩家操控至少一虛物角色的虛物資料；其中，所述現實資料包括代表所述現實玩家的現實名稱以及所述現實玩家的現實乘坐位置；所述虛物資料包括所述現實玩家操控之所述虛物角色的虛物角色名稱以及所述虛物角色的虛物角色相片；令每一所述現實玩家的所述現實名稱、所述現實乘坐位置、所述虛物角色名稱、所述虛物角色相片之間彼此相互關聯；<br/> 影像辨識步驟，在執行所述電競遊戲過程中，以影像辨識技術對執行所述電競遊戲當下顯示之遊戲影像辨識出至少一與所述虛物角色相片特徵相符的所述虛物角色，再透過所述虛實關聯表單以所述虛物角色相片關聯至對應所述虛物角色相片的所述虛物角色名稱、所述現實名稱、所述現實乘坐位置；<br/> 現實位置提示步驟，在取得所述現實乘坐位置後，觸發對應所述現實乘坐位置產生提示資訊，透過所述提示資訊的提示得知所述現實玩家在現實中的所在位置。
如請求項1所述之自動建立虛物與實物間關聯之方法，其中，所述提示資訊為視覺資訊、聽覺資訊、觸覺資訊、體感資訊、嗅覺資訊其中之一或至少二者以上之組合。
如請求項2所述之自動建立虛物與實物間關聯之方法，其中，所述視覺資訊為發光器發出的光線，所述聽覺資訊為聲音播放器播放的聲音，所述觸覺資訊為乾冰產生器產生的乾冰或霧化器產生的霧氣，所述體感資訊為震動產生器產生的震動搖晃，所述嗅覺資訊為香味產生器散發的香味。
一種自動建立虛物與實物間關聯之系統，係包括有一影像擷取單元、一虛實關聯表單建立單元、一影像辨識單元、一控制單元、多數個提示設備；其中：<br/> 所述影像擷取單元，係用於時時擷取玩家進行電競遊戲過程的遊戲畫面影像，並將所擷取的遊戲畫面影像送至所述影像辨識單元；<br/> 所述虛實關聯表單建立單元，係由各玩家在進入所述電競遊戲時於遊戲介面輸入現實中的玩家名稱，並選擇所述電競遊戲中欲操控的虛物角色，每一所述虛物角色皆內建有對應的虛物角色相片，所述虛實關聯表單建立單元依據各所述玩家現實中的乘坐位置的編號以及輸入現實中的玩家名稱、選擇欲操控的虛物角色、對應所選擇欲操控虛物角色的虛物角色相片自動建立出一現實玩家與虛物角色之間對應關聯的虛實關聯表單；<br/> 所述影像辨識單元，在接收所述影像擷取單元擷取的遊戲畫面影像後，對所述遊戲畫面影像辨識出至少一與所述虛物角色相片特徵相符的所述虛物角色，並將辨識結果通知所述控制單元；<br/> 所述控制單元，在接收到所述影像辨識單元的所述虛物角色辨識結果後，再透過所述虛實關聯表單建立單元所建立的所述虛實關聯表單，以所述虛物角色相片關聯至對應所述虛物角色相片的所述虛物角色名稱、所述現實名稱、所述現實乘坐位置；並且依據關聯到的所述現實乘坐位置傳送一觸發信號給對應所述現實乘坐位置的所述提示設備；<br/> 多數個所述提示設備，被分別安置在各個所述現實乘坐位置，使每一個所述現實乘坐位置皆有其對應的所述提示設備，接收到所述觸發信號的所述提示設備便能產生一提示資訊。
如請求項4所述之自動建立虛物與實物間關聯之系統，其中，所述提示設備為產生視覺資訊的發光器、產生聽覺資訊的聲音播放器、產生觸覺資訊的乾冰產生器或霧化器、產生體感資訊的震動產生器、產生嗅覺資訊的香味產生器之群組中的其中之一或至少二者以上之組合。
如請求項4或5所述之自動建立虛物與實物間關聯之系統，其中，所述之自動建立虛物與實物間關聯之系統所執行之步驟包括：<br/> 經所述虛實關聯表單建立單元建立一虛實關聯表單的步驟，所述虛實關聯表單包含在現實中現實玩家的現實資料以及進入一電競遊戲中由所述現實玩家操控至少一虛物角色的虛物資料；其中，所述現實資料包括代表所述現實玩家的現實名稱以及所述現實玩家的現實乘坐位置；所述虛物資料包括所述現實玩家操控之所述虛物角色的虛物角色名稱以及所述虛物角色的虛物角色相片；令每一所述現實玩家的所述現實名稱、所述現實乘坐位置、所述虛物角色名稱、所述虛物角色相片之間彼此相互關聯；<br/> 以所述影像辨識單元進行影像辨識的步驟，在執行所述電競遊戲過程中，以所述影像辨識單元的影像辨識技術對執行所述電競遊戲當下顯示之遊戲影像辨識出至少一與所述虛物角色相片特徵相符的所述虛物角色，所述控制單元在取得所述虛物角色後透過所述虛實關聯表單以所述虛物角色相片關聯至對應所述虛物角色相片的所述虛物角色名稱、所述現實名稱、所述現實乘坐位置；<br/> 由所述控制單元控制至少一個所述提示設備進行現實位置提示的步驟，所述控制單元在取得所述現實乘坐位置後，旋即觸發對應所述現實乘坐位置之所述提示設備產生提示資訊，透過所述提示資訊的提示得知所述現實玩家在現實中的所在位置。
一種便攜式模擬反饋系統，包含：<br/> 一虛擬實境裝置，用以穿戴於一使用者的頭部，所述虛擬實境裝置包含：<br/> 一顯示單元，提供一影像畫面給所述使用者觀看；及<br/> 一處理單元，電性耦接於所述顯示單元，所述處理單元執行一虛擬實境程式而對應提供一影像資料至所述顯示單元，以使所述顯示單元提供所述影像畫面；以及<br/> 一便攜式模組，無線連結於所述虛擬實境裝置，所述便攜式模組用以供所述使用者操作，所述便攜式模組包含：<br/> 一本體；<br/> 一感測單元，設置於所述本體內，所述感測單元感測所述本體的姿態，產生一感測訊號，所述感測單元傳送所述感測訊號至所述處理單元，以使所述處理單元得知所述本體的座標位置；其中，所述處理單元執行所述虛擬實境程式得知至少一阻力產生座標位置，當所述本體的所述座標位置等於所述阻力產生座標位置時，所述處理單元產生一觸發訊號；<br/> 一控制單元，接收所述觸發訊號，而產生一控制訊號；及<br/> 一慣性單元，電性耦接於所述控制單元，並接收所述控制訊號，所述慣性單元依據所述控制訊號進行一慣性運動；<br/> 其中，所述慣性單元包含：<br/> 一第一陀螺儀，沿一第一預設方向旋轉，以進行所述慣性運動；及<br/> 一第一驅動馬達，電性耦接於所述第一陀螺儀與所述控制單元，所述第一驅動馬達依據所述控制訊號而驅動所述第一陀螺儀旋轉。
如請求項1所述的便攜式模擬反饋系統，其中，所述慣性單元包含：<br/> 一第二陀螺儀，沿一第二預設方向旋轉，以進行所述慣性運動；其中，所述第一預設方向與所述第二預設方向垂直；以及<br/> 一第二驅動馬達，電性耦接於所述第二陀螺儀與所述控制單元，所述第二驅動馬達依據所述控制訊號而驅動所述第二陀螺儀旋轉。
如請求項2所述的便攜式模擬反饋系統，其中，所述處理單元能執行所述虛擬實境程式得知一阻力需求，所述處理單元依據所述阻力需求產生一調整訊號，並且所述處理單元傳送所述調整訊號至所述控制單元，以控制所述第一陀螺儀與所述第二陀螺儀的轉速。
如請求項1所述的便攜式模擬反饋系統，其更包括：<br/> 一傳輸單元，電性耦接於所述控制單元與所述感測單元，所述傳輸單元接收所述觸發訊號並傳送所述觸發訊號至所述控制單元；以及<br/> 一通訊單元，電性耦接於所述處理單元，所述通訊單元接收所述感測訊號並傳送所述感測訊號至所述處理單元。
一種便攜式模擬反饋系統，其包括：<br/> 一虛擬實境裝置，用以穿戴於一使用者的頭部，所述虛擬實境裝置包含：<br/> 一顯示單元，提供一影像畫面給所述使用者觀看；及<br/> 一處理單元，電性耦接於所述顯示單元，所述處理單元執行一虛擬實境程式而對應提供一影像資料至所述顯示單元，以使所述顯示單元提供所述影像畫面；其中，所述處理單元更執行所述虛擬實境程式產生一啟動訊號；以及<br/> 一便攜式模組，無線連結於所述虛擬實境裝置，所述便攜式模組用以供所述使用者操作，所述便攜式模組包含：<br/> 一控制單元，接收所述啟動訊號，而產生一控制訊號；及<br/> 一慣性單元，電性耦接於所述控制單元，並接收所述控制訊號，所述慣性單元依據所述控制訊號進行一慣性運動；<br/> 其中，所述慣性單元包含：<br/> 一第一陀螺儀，沿一第一預設方向旋轉，以進行所述慣性運動；及<br/> 一第一驅動馬達，電性耦接於所述第一陀螺儀與所述控制單元，所述第一驅動馬達依據所述控制訊號而驅動所述第一陀螺儀旋轉。
如請求項5所述的便攜式模擬反饋系統，其中，所述慣性單元包含：<br/><br/> 一第二陀螺儀，沿一第二預設方向旋轉，以進行所述慣性運動；其中，所述第一預設方向與所述第二預設方向垂直；以及<br/> 一第二驅動馬達，電性耦接於所述第二陀螺儀與所述控制單元，所述第二驅動馬達依據所述控制訊號而驅動所述第二陀螺儀旋轉。
如請求項6所述的便攜式模擬反饋系統，其中，所述處理單元執行所述虛擬實境程式得知一重量阻力需求，所述處理單元依據所述阻力需求產生一調整訊號，並且所述處理單元傳送所述調整訊號至所述控制單元，以控制所述第一陀螺儀與所述第二陀螺儀的轉速。
一種便攜式模擬反饋系統的便攜式模組，無線連結於一虛擬實境裝置，所述便攜式模組用以供一使用者操作，所述便攜式模組包含：<br/> 一本體；<br/> 一感測單元，設置於所述本體內，所述感測單元感測所述本體的姿態，產生一感測訊號，所述感測單元傳送所述感測訊號至所述虛擬實境裝置，所述虛擬實境裝置得知所述本體的座標位置；其中，所述虛擬實境裝置執行一虛擬實境程式得知至少一阻力產生座標位置，當所述便攜式模組的所述座標位置等於所述阻力產生座標位置時，所述虛擬實境裝置產生一觸發訊號；<br/> 一控制單元，接收所述觸發訊號，而產生一控制訊號；及<br/> 一慣性單元，電性耦接於所述控制單元，並接收所述控制訊號，所述慣性單元依據所述控制訊號進行一慣性運動；<br/> 其中，所述慣性單元包含：<br/> 一第一陀螺儀，沿一第一預設方向旋轉，以進行所述慣性運動；及<br/> 一第一驅動馬達，電性耦接於所述第一陀螺儀與所述控制單元，所述第一驅動馬達依據所述控制訊號而驅動所述第一陀螺儀旋轉。
一種電源轉換電路，包括：<br/> 一變壓器，包括一初級線圈以及一次級線圈，其中上述次級線圈產生上述電源轉換電路之一輸出電壓；<br/> 一上橋開關以及一下橋開關，耦接至上述初級線圈，且作為一半橋電路而對上述變壓器進行磁化以及去磁；以及<br/> 一控制電路，基於一回授信號以及一電流偵測信號，分別導通上述上橋開關以及上述下橋開關而調節上述輸出電壓；<br/> 其中上述回授信號係與上述輸出電壓相關，上述電流偵測信號係代表流經上述初級線圈之電流；<br/> 其中上述控制電路更基於上述上橋開關之狀態以及上述回授信號，產生與上述電源轉換電路之一輸出電流相關之一功率信號。
如請求項1之電源轉換電路，其中上述控制電路基於上述上橋開關之導通時間、上述下橋開關之導通時間以及上述回授信號，而產生上述功率信號。
如請求項2之電源轉換電路，其中上述變壓器磁化之時間，等於上述上橋開關之導通時間；<br/> 其中上述變壓器去磁之時間等於上述下橋開關之導通時間。
如請求項1之電源轉換電路，其中上述控制電路係基於上述回授信號之平均，而產生上述功率信號。
如請求項4之電源轉換電路，其中上述控制電路包括一低通濾波器，其中上述低通濾波器用以平均上述回授信號而產生上述功率信號。
如請求項1之電源轉換電路，其中當上述功率信號超過一臨限值時，上述控制電路驅動上述上橋開關以及上述下橋開關而降低上述輸出電流。
如請求項1之電源轉換電路，其中當上述功率信號超過一臨限值時，上述控制電路驅動上述上橋開關以及上述下橋開關，使得流經上述次級線圈之上述輸出電流係為一固定電流。
如請求項1之電源轉換電路，其中一功率因數修正電路用以將一交流電壓轉換為一輸入電壓，其中上述電源轉換電路用以將上述輸入電壓轉換為上述輸出電壓。
如請求項8之電源轉換電路，其中當上述功率信號超過一臨限值時，上述功率因數修正電路基於上述功率信號而提高上述輸入電壓之電壓值。
如請求項8之電源轉換電路，其中當上述功率信號不超過於一臨限值時，上述控制電路失能上述功率因數修正電路；<br/> 其中當上述功率信號超過上述臨限值時，上述控制電路致能上述功率因數修正電路。
一種控制方法，用以控制一電源轉換電路，其中上述電源轉換電路包括一變壓器以及一半橋電路，其中上述變壓器包括一初級線圈以及一次級線圈，其中上述半橋電路包括一上橋開關以及一下橋開關，用以分別對上述初級線圈進行磁化以及去磁，使得上述次級線圈產生上述電源轉換電路之一輸出電壓，其中上述控制方法包括：<br/> 基於一回授信號以及一電流偵測信號，分別導通上述上橋開關以及上述下橋開關而調節上述輸出電壓；以及<br/> 基於上述上橋開關之狀態以及上述回授信號，產生與上述電源轉換電路之一輸出電流相關之一功率信號；<br/> 其中上述回授信號係與上述輸出電壓相關，上述電流偵測信號係代表流經上述初級線圈之電流。
如請求項11之控制方法，其中上述基於上述上橋開關之狀態以及上述回授信號產生與上述電源轉換電路之上述輸出電流相關之上述功率信號之步驟更包括：<br/> 基於上述上橋開關之導通時間、上述下橋開關之導通時間以及上述回授信號，而產生上述功率信號。
如請求項12之控制方法，其中上述變壓器磁化之時間，等於上述上橋開關之導通時間；<br/> 其中上述變壓器去磁之時間等於上述下橋開關之導通時間。
如請求項11之控制方法，其中上述基於上述上橋開關之狀態以及上述回授信號產生與上述電源轉換電路之上述輸出電流相關之上述功率信號之步驟更包括：<br/> 基於上述回授信號之平均，而產生上述功率信號。
如請求項14之控制方法，其中上述基於上述回授信號之平均而產生上述功率信號之步驟更包括：<br/> 利用一低通濾波器對上述回授信號進行平均，而產生上述功率信號。
如請求項11之控制方法，更包括：<br/> 當上述功率信號超過一臨限值時，驅動上述上橋開關以及上述下橋開關而降低上述輸出電流。
如請求項11之控制方法，更包括：<br/> 當上述功率信號超過一臨限值時，驅動上述上橋開關以及上述下橋開關，使得流經上述次級線圈之上述輸出電流係為一固定電流。
如請求項11之控制方法，其中一功率因數修正電路用以將一交流電壓轉換為一輸入電壓，其中上述電源轉換電路用以將上述輸入電壓轉換為上述輸出電壓。
如請求項18之控制方法，更包括：<br/> 當上述功率信號超過一臨限值時，控制上述功率因數修正電路提高上述輸入電壓之電壓值。
如請求項18之控制方法，更包括：<br/> 當上述功率信號不超過於一臨限值時，失能上述功率因數修正電路；以及<br/> 當上述功率信號超過上述臨限值時，致能上述功率因數修正電路。
一種電腦裝置，具有一第一機體以及一第二機體，該第一機體與該第二機體之間透過一連接組件連接，其中該電腦裝置包括： <br/>一主顯示模組，設置在該第一機體； <br/>一影像擷取模組，設置在該第一機體； <br/>一觸控顯示模組，設置在該第二機體；以及 <br/>一處理模組，設置在該第一機體或該第二機體，並且耦接該影像擷取模組、該觸控顯示模組以及該主顯示模組， <br/>其中該處理模組透過該影像擷取模組判斷一使用者的一第一手指組是否位於該第二機體的一機體平面的一預設界線與該連接組件之間，並根據判斷結果控制該第二機體的該觸控顯示模組進行下列模式其中之一：一觸控模式以及一顯示模式， <br/>其中在該觸控模式中，當該處理模組判斷該使用者的一第二手指組的其中一手指接觸該觸控顯示模組時，該處理模組控制該觸控顯示模組在該預設界線與該連接組件之間顯示一虛擬觸控介面。
如請求項1所述的電腦裝置，其中當該處理模組判斷該第一手指組位於該第二機體的該機體平面的該預設界線與該連接組件之間時，該處理模組控制該觸控顯示模組進行該觸控模式。
如請求項2所述的電腦裝置，其中當該處理模組判斷該第一手指組位於該第二機體的該機體平面的該預設界線以外範圍時，該處理模組控制該觸控顯示模組進行該顯示模式。
如請求項3所述的電腦裝置，還包括： <br/>一實體鍵盤，設置在該第二機體的該預設界線與該連接組件之間的位置，並且耦接該處理模組， <br/>其中該預設界線位於該觸控顯示模組與該實體鍵盤之間。
如請求項3所述的電腦裝置，其中該第一手指組包括該使用者的左手或右手的中指、無名指以及小拇指的任兩指。
如請求項1所述的電腦裝置，其中該第二手指組包括該使用者的左手或右手的大拇指或食指。
如請求項1所述的電腦裝置，其中該處理模組根據該使用者的左手或右手的掌骨後端來決定該虛擬觸控介面在該觸控顯示模組顯示的一起始點。
如請求項1所述的電腦裝置，其中該虛擬觸控介面為矩形，該虛擬觸控介面的對角線長度不大於該第二手指組的其中一手指的遠節指骨、中節指骨以及近節指骨的長度總合。
如請求項8所述的電腦裝置，其中該虛擬觸控介面的長寬比等於該主顯示模組的長寬比。
如請求項1所述的電腦裝置，其中在該顯示模式中，當該處理模組透過該影像擷取模組判斷該使用者的該第二手指組的其中一手指的遠節指骨接觸該觸控顯示模組，並且透過該觸控顯示模組接收到由該使用者的該第二手指組的其中一手指的遠節指骨接觸一接觸點所產生的一接觸訊號時，該處理模組將一鼠標移動至該接觸點。
如請求項3所述的電腦裝置，其中該觸控顯示模組設置在該第二機體且涵蓋該預設界線，並且在該觸控模式中，該處理模組控制該觸控顯示模組在該預設界線與該連接組件之間顯示一虛擬鍵盤。
如請求項3所述的電腦裝置，其中該第一手指組包括該使用者的左手以及右手的中指、無名指以及小拇指。
如請求項3所述的電腦裝置，其中在該觸控模式中，當該處理模組判斷該使用者的一第二手指組的其中一手指接觸該觸控顯示模組時，該處理模組控制該觸控顯示模組在該預設界線以外範圍顯示一虛擬觸控介面。
如請求項13所述的電腦裝置，其中該第二手指組包括該使用者的左手或右手的大拇指或食指。
如請求項3所述的電腦裝置，其中在該顯示模式中，該觸控顯示模組顯示對應於該主顯示模組所顯示的一主顯示畫面的一子顯示畫面。
如請求項1所述的電腦裝置，其中該預設界線平行於該連接組件。
一種操作方法，適於一電腦裝置，該電腦裝置具有一第一機體以及一第二機體，該第一機體與該第二機體之間透過一連接組件連接，該操作方法包括： <br/>透過一影像擷取模組判斷一使用者的一第一手指組是否位於該第二機體的一機體平面的一預設界線與該連接組件之間； <br/>當判斷該第一手指組位於該第二機體的該機體平面的該預設界線與該連接組件之間時，控制一觸控顯示模組進行一觸控模式；以及 <br/>當判斷該第一手指組位於該第二機體的該機體平面的該預設界線以外範圍時，控制該觸控顯示模組進行一顯示模式，並根據判斷結果控制觸控顯示模組， <br/>其中在該觸控模式中，當判斷該使用者的一第二手指組的其中一手指接觸該觸控顯示模組時，控制該觸控顯示模組在該預設界線與該連接組件之間顯示一虛擬觸控介面。
如請求項17所述的操作方法，還包括： <br/>當判斷該第一手指組位於該第二機體的該機體平面的該預設界線與該連接組件之間時，控制一觸控顯示模組進行一觸控模式。
如請求項19所述的操作方法，還包括： <br/>當判斷該第一手指組位於該第二機體的該機體平面的該預設界線以外範圍時，控制該觸控顯示模組進行一顯示模式。
如請求項20所述的操作方法，其中該電腦裝置還包括一實體鍵盤，該實體鍵盤設置在該第二機體的該預設界線與該連接組件之間的位置，並且該觸控顯示模組設置在該第二機體的該預設界線以外範圍。
如請求項20所述的操作方法，其中該第一手指組包括該使用者的左手或右手的中指、無名指以及小拇指的任兩指。
如請求項17所述的操作方法，其中該第二手指組包括該使用者的左手或右手的大拇指或食指。
如請求項17所述的操作方法，其中顯示該虛擬觸控介面的步驟包括： <br/>根據該使用者的左手或右手的掌骨後端來決定該虛擬觸控介面在該觸控顯示模組顯示的一起始點。
如請求項17所述的操作方法，其中該虛擬觸控介面為矩形，該虛擬觸控介面的對角線長度等於該第二手指組的其中一手指的遠節指骨、中節指骨以及近節指骨的長度總合。
如請求項24所述的操作方法，其中該虛擬觸控介面的長寬比等於一主顯示模組的長寬比。
如請求項17所述的操作方法，還包括： <br/>在該顯示模式中，當透過該影像擷取模組判斷該使用者的該第二手指組的其中一手指的遠節指骨接觸該觸控顯示模組，並且透過該觸控顯示模組接收到由該使用者的該第二手指組的其中一手指的遠節指骨接觸一接觸點所產生的一接觸訊號時，將一鼠標移動至該接觸點。
如請求項17所述的操作方法，其中該觸控顯示模組設置在該第二機體且涵蓋該預設界線，並且該操作方法還包括： <br/>在該觸控模式中，控制該觸控顯示模組在該預設界線與該連接組件之間顯示一虛擬鍵盤。
如請求項17所述的操作方法，其中該第一手指組包括該使用者的左手以及右手的中指、無名指以及小拇指。
如請求項17所述的操作方法，還包括： <br/>在該觸控模式中，當一處理模組判斷該使用者的一第二手指組的其中一手指接觸該觸控顯示模組時，控制該觸控顯示模組在該預設界線以外範圍顯示一虛擬觸控介面。
如請求項29所述的操作方法，其中該第二手指組包括該使用者的左手或右手的大拇指或食指。
如請求項17所述的操作方法，還包括： <br/>在該顯示模式中，透過該觸控顯示模組顯示對應於一主顯示模組所顯示的一主顯示畫面的一子顯示畫面。
如請求項17所述的操作方法，其中該預設界線平行於該連接組件。
一種電腦裝置，具有一第一機體以及一第二機體，該第一機體與該第二機體之間透過一連接組件連接，其中該電腦裝置包括： <br/>一主顯示模組，設置在該第一機體； <br/>一影像擷取模組，設置在該第一機體； <br/>一觸控顯示模組，設置在該第二機體；以及 <br/>一處理模組，設置在該第一機體或該第二機體，並且耦接該影像擷取模組、該觸控顯示模組以及該主顯示模組， <br/>其中該處理模組透過該影像擷取模組判斷一使用者的一第一手指組是否位於該第二機體的一機體平面的一預設界線與該連接組件之間，並根據判斷結果控制該第二機體的該觸控顯示模組進行下列模式其中之一：一觸控模式以及一顯示模式， <br/>其中該觸控顯示模組設置在該第二機體且涵蓋該預設界線，並且在該觸控模式中，該處理模組控制該觸控顯示模組在該預設界線與該連接組件之間顯示一虛擬鍵盤。
一種電腦裝置，具有一第一機體以及一第二機體，該第一機體與該第二機體之間透過一連接組件連接，其中該電腦裝置包括： <br/>一主顯示模組，設置在該第一機體； <br/>一影像擷取模組，設置在該第一機體； <br/>一觸控顯示模組，設置在該第二機體；以及 <br/>一處理模組，設置在該第一機體或該第二機體，並且耦接該影像擷取模組、該觸控顯示模組以及該主顯示模組， <br/>其中該處理模組透過該影像擷取模組判斷一使用者的一第一手指組是否位於該第二機體的一機體平面的一預設界線與該連接組件之間，並根據判斷結果控制該第二機體的該觸控顯示模組進行下列模式其中之一：一觸控模式以及一顯示模式， <br/>其中在該觸控模式中，當該處理模組判斷該使用者的一第二手指組的其中一手指接觸該觸控顯示模組時，該處理模組控制該觸控顯示模組在該預設界線以外範圍顯示一虛擬觸控介面。
一種電腦裝置，具有一第一機體以及一第二機體，該第一機體與該第二機體之間透過一連接組件連接，其中該電腦裝置包括： <br/>一主顯示模組，設置在該第一機體； <br/>一影像擷取模組，設置在該第一機體； <br/>一觸控顯示模組，設置在該第二機體；以及 <br/>一處理模組，設置在該第一機體或該第二機體，並且耦接該影像擷取模組、該觸控顯示模組以及該主顯示模組， <br/>其中該處理模組透過該影像擷取模組判斷一使用者的一第一手指組是否位於該第二機體的一機體平面的一預設界線與該連接組件之間，並根據判斷結果控制該第二機體的該觸控顯示模組進行下列模式其中之一：一觸控模式以及一顯示模式， <br/>其中在該顯示模式中，該觸控顯示模組顯示對應於該主顯示模組所顯示的一主顯示畫面的一子顯示畫面。
一種物理不可複製功能（PUF）的擷取方法，包括：<br/> 透過記憶體裝置提供記憶體區塊，其中所述記憶體區塊包括多個記憶體子區塊，所述記憶體子區塊包括多個記憶胞，且所述記憶胞被區分為多個記憶體區域；<br/> 透過記憶體控制器，從所述記憶體子區塊中選擇多個待選記憶體子區塊；<br/> 透過所述記憶體控制器，在所述待選記憶體子區塊中形成所述待選記憶體子區塊的組合；<br/> 透過所述記憶體控制器，從每個待選記憶體子區塊中的預設記憶體區域的多個位元中選擇多個待選位元，其中所述預設記憶體區域是所述每個待選記憶體子區塊中的所述記憶體區域其中一者；<br/> 透過所述記憶體控制器，對所述每個待選記憶體子區塊中的所述預設記憶體區域進行弱PUF處理操作；以及<br/> 透過所述記憶體控制器，對所述待選記憶體子區塊的所述組合中的所述預設記憶體區域進行多子區塊讀取操作，以根據通過所述多子區塊讀取操作所讀取的所述預設記憶體區域中的所述待選位元而擷取強PUF資料。
如請求項1所述的擷取方法，其中所述記憶體區域的每一者是所述記憶體區塊的多頁中的一頁或所述頁的一部分，且所述頁中的所述記憶胞耦接至同一字元線。
如請求項1所述的擷取方法，其中所述記憶體子區塊的每一者更包括串選擇線（SSL），<br/> 其中，對所述待選記憶體子區塊的所述組合中的所述預設記憶體區域進行所述多子區塊讀取操作，以根據通過所述多子區塊讀取操作所讀取的所述預設記憶體區域中的所述待選位元而擷取所述強PUF資料的步驟包括：<br/> 對並非是所述待選記憶體子區塊的所述記憶體子區塊的所述串選擇線，施加第一SSL截止電壓；<br/> 對並非被選擇作為所述待選記憶體子區塊的所述組合中的所述記憶體子區塊的所述串選擇線，施加第二SSL截止電壓；<br/> 對位於所述待選記憶體子區塊的所述組合中的所述記憶體子區塊的所述串選擇線，施加選定SSL電壓；<br/> 對位於所述待選記憶體子區塊的所述組合中的所述預設記憶體區域的字元線，施加讀取電壓；<br/> 對位於所述待選記憶體子區塊的所述組合中的所述預設記憶體區域之外的所述記憶體區域的字元線，施加通過電壓；<br/> 根據所述待選記憶體子區塊的所述組合中的所述預設記憶體區域，以獲得多個位元線電流；以及<br/> 根據所述位元線電流的每一者和感測電流參考值，判斷用於所述預設記憶體區域的所述待選位元中的每一者所對應的所述強PUF資料的位元值。
如請求項3所述的擷取方法，其中所述感測電流參考值與所述待選記憶體子區塊的數量呈正比。
如請求項1所述的擷取方法，其中所述待選記憶體子區塊的所述組合包括所述記憶體區塊中的至少一記憶體子區塊及其組合。
如請求項1所述的擷取方法，其中所述弱PUF處理操作是閘極誘導汲極漏電流（GIDL）擦除操作、程式化干擾操作、讀取干擾操作及程式化操作延遲操作的其中一者。
一種記憶體裝置，包括：<br/> 記憶體陣列，包括記憶體區塊，其中所述記憶體區塊包括多個記憶體子區塊，所述記憶體子區塊包括多個記憶胞，且所述記憶胞被區分為多個記憶體區域；<br/> 記憶體控制器，耦接所述記憶體陣列；<br/> 位元線解碼器，耦接所述記憶體控制器；以及<br/> 子區塊選擇電路，耦接所述記憶體控制器，<br/> 其中所述記憶體控制器經配置以：<br/> 從所述記憶體子區塊中選擇多個待選記憶體子區塊；<br/> 在所述待選記憶體子區塊中形成所述待選記憶體子區塊的組合；<br/> 從每個待選記憶體子區塊中的預設記憶體區域的多個位元中選擇多個待選位元，其中所述預設記憶體區域是所述每個待選記憶體子區塊中的所述記憶體區域其中一者；<br/> 對所述每個待選記憶體子區塊中的所述預設記憶體區域進行弱PUF處理操作；以及<br/> 通過控制所述位元線解碼器以及所述子區塊選擇電路，對所述待選記憶體子區塊的所述組合中的所述預設記憶體區域進行多子區塊讀取操作，以根據通過所述多子區塊讀取操作所讀取的所述預設記憶體區域中的所述待選位元而擷取強PUF資料。
如請求項7所述的記憶體裝置，其中所述記憶體區域的每一者是所述記憶體區塊的多頁中的一頁或所述頁的一部分，且所述頁中的所述記憶胞耦接至同一字元線。
如請求項7所述的記憶體裝置，其中所述記憶體子區塊的每一者更包括串選擇線（SSL），<br/> 其中，通過所述記憶體控制器進行所述多子區塊讀取操作的情況下，<br/> 所述子區塊選擇電路對並非是所述待選記憶體子區塊的所述記憶體子區塊的所述串選擇線，施加第一SSL截止電壓，<br/> 所述子區塊選擇電路對並非被選擇作為所述待選記憶體子區塊的所述組合中的所述記憶體子區塊的所述串選擇線，施加第二SSL截止電壓，<br/> 所述子區塊選擇電路對位於所述待選記憶體子區塊的所述組合中的所述記憶體子區塊的所述串選擇線，施加選定SSL電壓，<br/> 讀取電壓被施加到，位於所述待選記憶體子區塊的所述組合中的所述預設記憶體區域的字元線，<br/> 通過電壓被施加到，位於所述待選記憶體子區塊的所述組合中的所述預設記憶體區域之外的所述記憶體區域的字元線， <br/> 所述字元線解碼器根據所述待選記憶體子區塊的所述組合中的所述預設記憶體區域，以獲得多個位元線電流，以及，<br/> 所述記憶體控制器根據所述位元線電流的每一者和感測電流參考值，判斷用於所述預設記憶體區域的所述待選位元中的每一者所對應的所述強PUF資料的位元值。
如請求項9所述的記憶體裝置，其中所述感測電流參考值與所述待選記憶體子區塊的數量呈正比。
如請求項7所述的記憶體裝置，其中所述待選記憶體子區塊的所述組合包括所述記憶體區塊中的至少一記憶體子區塊及其組合。
如請求項7所述的記憶體裝置，其中所述弱PUF處理操作是閘極誘導汲極漏電流（GIDL）擦除操作、程式化干擾操作、讀取干擾操作及程式化操作延遲操作的其中一者。
一種物理不可複製功能（PUF）的擷取方法，包括：<br/> 提供記憶體區塊，其中所述記憶體區塊包括多個記憶體子區塊，所述記憶體子區塊包括多個記憶胞，且所述記憶胞被區分為多個記憶體區域；<br/> 從所述記憶體子區塊中選擇M個待選記憶體子區塊，其中M為正整數；<br/> 在所述M個待選記憶體子區塊中形成所述待選記憶體子區塊的組合；<br/> 從所述M個待選記憶體子區塊中的每一者的預設記憶體區域的多個位元中選擇N個待選位元，其中N為正整數，所述預設記憶體區域是所述M個待選記憶體子區塊中的每一者中的所述記憶體區域其中一者；<br/> 對所述M個待選記憶體子區塊中的每一者的所述預設記憶體區域進行弱PUF處理操作；以及<br/> 對所述待選記憶體子區塊的所述組合中的所述預設記憶體區域進行多子區塊讀取操作，以根據通過所述多子區塊讀取操作所讀取的所述預設記憶體區域中的所述N個待選位元而擷取強PUF資料。
如請求項13所述的擷取方法，其中所述記憶體區域的每一者是所述記憶體區塊的多頁中的一頁或所述頁的一部分，且所述頁中的所述記憶胞耦接至同一字元線。
如請求項13所述的擷取方法，其中所述記憶體子區塊的每一者更包括串選擇線（SSL），<br/> 其中，對所述待選記憶體子區塊的所述組合中的所述預設記憶體區域進行所述多子區塊讀取操作，以根據通過所述讀取操作所讀取的所述預設記憶體區域中的所述N個待選位元而擷取所述強PUF資料的步驟包括：<br/> 對並非是所述M個待選記憶體子區塊的所述記憶體子區塊的所述串選擇線，施加第一SSL截止電壓；<br/> 對並非被選擇作為所述待選記憶體子區塊的所述組合中的所述記憶體子區塊的所述串選擇線，施加第二SSL截止電壓；<br/> 對位於所述待選記憶體子區塊的所述組合中的所述記憶體子區塊的所述串選擇線，施加選定SSL電壓；<br/> 對位於所述待選記憶體子區塊的所述組合中的所述預設記憶體區域的字元線，施加讀取電壓；<br/> 對位於所述待選記憶體子區塊的所述組合中的所述預設記憶體區域之外的所述記憶體區域的字元線，施加通過電壓；<br/> 根據所述待選記憶體子區塊的所述組合中的所述預設記憶體區域，以獲得多個位元線電流；以及<br/> 根據所述位元線電流的每一者和感測電流參考值，判斷用於所述預設記憶體區域的所述N個待選位元中的每一者所對應的所述強PUF資料的位元值。
如請求項15所述的擷取方法，其中所述感測電流參考值與所述待選記憶體子區塊的數量呈正比。
如請求項13所述的擷取方法，其中所述待選記憶體子區塊的所述組合包括所述記憶體區塊中的至少一記憶體子區塊及其組合。
如請求項13所述的擷取方法，其中所述弱PUF處理操作是閘極誘導汲極漏電流（GIDL）擦除操作、程式化干擾操作、讀取干擾操作及程式化操作延遲操作的其中一者。
一種交通事故現場分析系統，包含： <br/>一攝影單元，拍攝一事故的現場影像以輸出一現場畫面，該現場畫面包含至少一肇事車輛； <br/>一輸入單元，用以傳輸一筆錄資訊； <br/>一運算單元，電性連接該攝影單元及該輸入單元以接收該現場畫面及該筆錄資訊，該運算單元對該現場畫面進行圖像分割以產生至少一肇事車輛資訊及一道路資訊，且該運算單元對該筆錄資訊進行斷詞以產生複數關鍵詞資訊；該運算單元執行一生成式人工智慧模型的程式資料，該生成式人工智慧模型根據該至少一肇事車輛資訊、該道路資訊及該複數關鍵詞資訊產生該事故的一初步分析報告，其中該初步分析報告包含一事發動畫，且該生成式人工智慧模型根據該複數關鍵詞資訊產生該至少一肇事車輛的一模擬軌跡並根據該至少一肇事車輛資訊、該道路資訊及該模擬軌跡產生該事發動畫；以及 <br/>一使用者介面，電性連接該運算單元，該使用者介面接收並顯示該初步分析報告。
如請求項1所述之交通事故現場分析系統，其中該運算單元執行一圖像分割模型及一斷詞模型的程式資料，該圖像分割模型連接該斷詞模型，該斷詞模型根據該筆錄資訊產生該複數關鍵詞資訊，該圖像分割模型根據該複數關鍵詞資訊對該現場畫面進行實例分割以產生該至少一肇事車輛資訊。
如請求項2所述之交通事故現場分析系統，其中該運算單元對該筆錄資訊進行自然語言處理(Natural Language Processing)後，再執行該斷詞模型，令該斷詞模型根據經過自然語言處理後的該筆錄資訊產生該複數關鍵詞資訊。
如請求項1所述之交通事故現場分析系統，其中該運算單元執行一圖像分割模型，該圖像分割模型接收該輸入單元輸入的至少一辨識指令，該圖像分割模型對該現場畫面進行語意分割，且根據該至少一辨識指令產生該至少一肇事車輛資訊。
如請求項1所述之交通事故現場分析系統，進一步包含一輔助攝影單元，該輔助攝影單元電性連接該運算單元且拍攝該事故的發生過程以產生一事發影像，該運算單元的該生成式人工智慧模型接收該事發影像，該生成式人工智慧模型根據該至少一肇事車輛資訊、該道路資訊、該複數關鍵詞資訊及該事發影像產生該事故的該初步分析報告。
如請求項1所述之交通事故現場分析系統，其中該生成式人工智慧模型根據該複數關鍵詞資訊產生各該肇事車輛的至少一參考點座標，且該道路資訊包含至少一道路標線座標； <br/>該初步分析報告包含一現場示意圖，該現場示意圖包含複數參考距離，該複數參考距離包含該至少一參考點座標與該至少一道路標線座標的距離。
如請求項1所述之交通事故現場分析系統，其中該道路資訊包含一道路範圍，該生成式人工智慧模型判斷該模擬軌跡是否介於該道路範圍中； <br/>當該生成式人工智慧模型判斷該模擬軌跡介於該道路範圍中，該生成式人工智慧模型根據該至少一肇事車輛資訊、該道路資訊及該模擬軌跡產生該事故的該事發動畫。
如請求項1所述之交通事故現場分析系統，其中該運算單元電性連接透過結構化查詢語音(Structured Query Language)建立的一資料庫，該資料庫儲存有不同事故的該至少一肇事車輛資訊、該道路資訊、該複數關鍵詞資訊及該初步分析報告。
一種微機電系統元件，其包含：<br/> 一感測質量塊；<br/> 一錨點；<br/> 一主彈簧，該主彈簧兩端分別連接該感測質量塊與該錨點，該主彈簧允許該感測質量塊在一第一軸向平移；及<br/> 一彈性止擋件，該彈性止擋件的一端連接於該錨點，該彈性止擋件的另一端朝該感測質量塊延伸，該彈性止擋件在該第一軸向上具可撓性。
如請求項1所述之微機電系統元件，其中，另包含一剛性止擋件，該剛性止擋件供於該第一軸向上阻擋該感測質量塊的位移。
如請求項2所述之微機電系統元件，其中，該剛性止擋件在沿該第一軸向朝向該感測質量塊的一表面形成一抵接部。
如請求項1所述之微機電系統元件，其中，該感測質量塊設有一第一缺槽，該錨點、該主彈簧及該彈性止擋件設置於該第一缺槽中。
如請求項4所述之微機電系統元件，其中，該第一缺槽位於該感測質量塊內部。
如請求項1所述之微機電系統元件，其中，該感測質量塊設有一第二缺槽，該第二缺槽供一感測電極設置。
如請求項2所述之微機電系統元件，其中，該感測質量塊設有一第三缺槽，該第三缺槽供該剛性止擋件設置。
如請求項1所述之微機電系統元件，其中，該彈性止擋件上設有一擋塊，該擋塊設置於該彈性止擋件遠離該錨點的另一端。
如請求項1所述之微機電系統元件，其中，該彈性止擋件在垂直該第一軸向之一第二軸向上具可撓性。
如請求項9所述之微機電系統元件，其中，該彈性止擋件沿不平行於該第一軸向與該第二軸向的方向延伸。
如請求項1所述之微機電系統元件，其中，另包含一輔助彈性止擋件，該輔助彈性止擋件的一端同樣連接於該錨點，該輔助彈性止擋件，為在垂直該第一軸向之一第二軸向上具可撓性的構件。
如請求項2所述之微機電系統元件，其中，該主彈簧為懸浮彈簧 ，以允許該感測質量塊在該第一軸向平移。
如請求項12所述之微機電系統元件，其中，該主彈簧上設有一輔助彈性止擋件，且該輔助彈性止擋件上設置一輔助擋塊。
如請求項2所述之微機電系統元件，其中，該剛性止擋件設置在該錨點沿該第一軸向朝向該感測質量塊的一表面。
如請求項1所述之微機電系統元件，其中，該主彈簧為扭轉彈簧，以允許該感測質量塊環繞一旋轉軸旋轉。
如請求項15所述之微機電系統元件，其中，該感測質量塊於該旋轉軸兩側分別為一第一部分及一第二部分，該彈性止擋件包含一第一彈性止擋件及一第二彈性止擋件，該第一彈性止擋件設置於第該第一部分，該第二彈性止擋件設置於該第二部分。
一種半導體元件，包括： <br/>一基板； <br/>一底部互連層，設置於該基板中； <br/>一底部介電層，設置於該基板上； <br/>一互連結構，沿著該底部介電層而設置，設置於該底部互連層上，並且設置於該底部介電層上； <br/>複數個襯層，橫向地設置於該底部介電層與該互連結構之間並且垂直地設置於該互連結構與該底部互連層之間； <br/>一頂部膠層，順應性地設置於該底部介電層與該互連結構上；以及 <br/>一頂部介電層，圍繞該頂部膠層而設置， <br/>其中該頂部膠層的一頂部表面與該頂部介電層的一頂部表面實質上共平面， <br/>其中該頂部介電層是多孔的。
如請求項1所述之半導體元件，其中該底部介電層是多孔的。
如請求項2所述之半導體元件，其中該頂部介電層的一孔隙率大於該底部介電層的一孔隙率。
如請求項3所述之半導體元件，其中該底部介電層的該孔隙率大於該頂部膠層的一孔隙率。
如請求項4所述之半導體元件，還包括： <br/>一底部膠層，設置於該基板與該底部介電層之間，其中該底部膠層與該頂部膠層包括相同的材料。
如請求項5所述之半導體元件，其中該互連結構包括一導電層，其中該導電層包括： <br/>一垂直片段，沿著該底部介電層與該底部膠層設置，並且設置在該底部互連層上；以及 <br/>一水平片段，設置於該垂直片段上與該底部介電層上， <br/>其中該複數個襯層橫向地設置於該垂直片段與該底部介電層之間並且垂直地設置於該水平片段與該底部互連層之間。
如請求項6所述之半導體元件，其中該水平片段的一寬度大於該垂直片段的一寬度。
如請求項7所述之半導體元件，還包括： <br/>一硬罩幕層，設置於該水平片段上，其中該頂部膠層順應性地覆蓋該硬罩幕層。
如請求項8所述之半導體元件，其中該硬罩幕層的一寬度和該水平片段的該寬度實質上相同。
如請求項9所述之半導體元件，還包括： <br/>一阻障層，設置於該水平片段與該底部介電層之間、該複數個襯層與該底部介電層之間、以及該垂直片段與該底部互連層之間。
如請求項10所述之半導體元件，其中該導電層包括一成核部分，設置於該水平片段與該阻障層之間、該垂直片段與該複數個襯層之間、以及該垂直片段與該阻障層之間。
如請求項10所述之半導體元件，其中該頂部膠層的該孔隙率小於約5%。
如請求項10所述之半導體元件，其中該頂部介電層的該孔隙率大於約50%。
如請求項10所述之半導體元件，其中該底部介電層的該孔隙率介於約20%與約50%之間。
如請求項10所述之半導體元件，其中該導電層包括鎢、銅、鋁或上述之組合。
如請求項10所述之半導體元件，其中該複數個襯層包括鈦、氮化鈦、鈦-鎢合金、鉭、氮化鉭或上述之組合。
一種管理裝置，包括： <br/>一接收單元，用以接收客戶訂購的一個或複數個產品所輸入的一交期，其中，該產品以包括將一個或複數個元件從一板材沖壓下來之一沖壓程序在內的複數個程序所製造； <br/>一取得單元，用以取得該複數個程序各別所需的一工時； <br/>一選擇單元，用以從構成已接單但尚未完成該沖壓程序的該一個或複數個產品的該複數個元件中，根據該工時和該交期選擇至少一部分的元件； <br/>一指示單元，用以對一佈局單元指示所選擇的元件的一佈局，其中該所選擇的元件被佈局到用於該沖壓程序的該板材上； <br/>一運送分配單元，用以將被該佈局單元佈局到該板材上的該所選擇的元件且經該沖壓程序後得到的各個該元件分配到複數個運送工具上，其中，該運送工具用以把該元件運送到該沖壓程序之後的一後續程序之作業場所； <br/>一輸出單元，用以輸出分配結果； <br/>一計算單元，用以利用該工時和該交期計算構成該複數個產品中的各個該產品之一個或複數個元件的該沖壓程序的最晚開始日期，其中，該選擇單元根據該最晚開始日期選擇該至少一部分的元件。
一種管理裝置，包括： <br/>一接收單元，用以接收客戶訂購的一個或複數個產品所輸入的一交期，其中，該產品以包括將一個或複數個元件從一板材沖壓下來之一沖壓程序在內的複數個程序所製造； <br/>一取得單元，用以取得該複數個程序各別所需的一工時； <br/>一選擇單元，用以從構成已接單但尚未完成該沖壓程序的該一個或複數個產品的該複數個元件中，根據該工時和該交期選擇至少一部分的元件； <br/>一指示單元，用以對一佈局單元指示所選擇的元件的一佈局，其中該所選擇的元件被佈局到用於該沖壓程序的該板材上； <br/>一運送分配單元，用以將被該佈局單元佈局到該板材上的該所選擇的元件且經該沖壓程序後得到的各個該元件分配到複數個運送工具上，其中，該運送工具用以把該元件運送到該沖壓程序之後的一後續程序之作業場所； <br/>一輸出單元，用以輸出分配結果； <br/>其中，該複數個運送工具包括形狀或種類不同的複數個運送工具; <br/>其中，該運送分配單元依據各個所選擇的該元件的一運送條件，從該複數個運送工具中選擇一種該運送工具，並將該元件分配給所選擇的該運送工具； <br/>其中，該運送條件包括與該元件在該沖壓程序之後的後續程序以及該後續程序的一作業人員有關的條件。
如請求項1或2所述之管理裝置，包括： <br/>一決定單元，用以將該元件分配給該板材時根據成品率決定是否要修正該佈局，其中當該成品率不符合標準且決定單元決定有修正必要時，該指示單元指示該佈局單元修正該佈局以增加分配給該板材的該元件。
如請求項1或2所述之管理裝置，其中該取得單元從記錄有每個程序所定義的該工時之一資料庫中，取得該複數個程序中的每個該程序所需要的該工時。
如請求項4所述之管理裝置，包括： <br/>一分組單元，用以將該至少一部分的該元件分成複數個組別； <br/>一作業人員分配單元，用以將複數個作業人員分配至該複數個程序中的一特定程序之該複數個組別； <br/>其中，該資料庫中記錄每個程序和每個作業人員的該工時，且該取得單元從該資料庫取得所分配的一作業人員執行該特定程序所需的該工時。
如請求項2所述之管理裝置，其中該運送條件包括與該元件的形狀、尺寸、重量以及該元件有無需要小心處理相關之條件的至少一種。
如請求項2所述之管理裝置，其中該複數個運送工具包括台車、托盤和無人搬運車中的至少一種。
如請求項1或2所述之管理裝置，包括： <br/>一存取單元，用以存取記錄有該複數個運送工具的當前位置的一資料庫，其中，該運送分配單元將該元件分配給該複數個運送工具中位於特定位置的該運送工具。
一種管理方法，包括電腦執行以下各步驟： <br/>接收步驟，接收客戶訂購的一個或複數個產品所輸入的一交期，其中，該產品以包括將一個或複數個元件從一板材沖壓下來之一沖壓程序在內的複數個程序所製造； <br/>取得步驟，取得該複數個程序各別所需的一工時； <br/>選擇步驟，從構成已接單但尚未完成該沖壓程序的該一個或複數個產品的該複數個元件中，根據該工時和該交期選擇至少一部分的元件； <br/>指示步驟，對一佈局單元指示所選擇的元件的佈局，其中該所選擇的元件被佈局到用於該沖壓程序的該板材上； <br/>分配步驟，用以將被該佈局單元佈局到該板材上的該所選擇的元件且經該沖壓程序後得到的各個該元件分配到複數個運送工具上，其中，該運送工具用以把該元件運送到該沖壓程序之後的一後續程序之作業場所； <br/>輸出步驟，輸出分配結果；以及 <br/>利用該工時和該交期計算構成該複數個產品中的各個該產品之一個或複數個元件的該沖壓程序的最晚開始日期的步驟； <br/>其中，在該選擇步驟中，根據該最晚開始日期選擇該至少一部分的元件。
一種程式，用以使電腦執行以下各步驟： <br/>接收步驟，接收客戶訂購的一個或複數個產品所輸入的一交期，其中，該產品以包括將一個或複數個元件從一板材沖壓下來之一沖壓程序在內的複數個程序所製造； <br/>取得步驟，取得該複數個程序各別所需的一工時； <br/>選擇步驟，從構成已接單但尚未完成該沖壓程序的該一個或複數個產品的該複數個元件中，根據該工時和該交期選擇至少一部分的元件； <br/>指示步驟，對一佈局單元指示所選擇的元件的佈局，其中該所選擇的元件被佈局到用於該沖壓程序的該板材上； <br/>分配步驟，用以將被該佈局單元佈局到該板材上的該所選擇的元件且經該沖壓程序後得到的各個該元件分配到複數個運送工具上，其中，該運送工具用以把該元件運送到該沖壓程序之後的一後續程序之作業場所； <br/>輸出步驟，輸出分配結果；以及 <br/>利用該工時和該交期計算構成該複數個產品中的各個該產品之一個或複數個元件的該沖壓程序的最晚開始日期的步驟； <br/>其中，在該選擇步驟中，根據該最晚開始日期選擇該至少一部分的元件。
一種管理方法，包括電腦執行以下各步驟： <br/>接收步驟，接收客戶訂購的一個或複數個產品所輸入的一交期，其中，該產品以包括將一個或複數個元件從一板材沖壓下來之一沖壓程序在內的複數個程序所製造； <br/>取得步驟，取得該複數個程序各別所需的一工時； <br/>選擇步驟，從構成已接單但尚未完成該沖壓程序的該一個或複數個產品的該複數個元件中，根據該工時和該交期選擇至少一部分的元件； <br/>指示步驟，對一佈局單元指示所選擇的元件的佈局，其中該所選擇的元件被佈局到用於該沖壓程序的該板材上； <br/>分配步驟，用以將被該佈局單元佈局到該板材上的該所選擇的元件且經該沖壓程序後得到的各個該元件分配到複數個運送工具上，其中，該運送工具用以把該元件運送到該沖壓程序之後的一後續程序之作業場所； <br/>輸出步驟，輸出分配結果；以及 <br/>其中，該複數個運送工具包括形狀或種類不同的複數個運送工具； <br/>其中，在分配步驟中，依據各個所選擇的該元件的一運送條件，從該複數個運送工具中選擇一種該運送工具，並將該元件分配給所選擇的該運送工具； <br/>其中，該運送條件包括與該元件在該沖壓程序之後的後續程序以及該後續程序的一作業人員有關的條件。
一種程式，用以使電腦執行以下各步驟： <br/>接收步驟，接收客戶訂購的一個或複數個產品所輸入的一交期，其中，該產品以包括將一個或複數個元件從一板材沖壓下來之一沖壓程序在內的複數個程序所製造； <br/>取得步驟，取得該複數個程序各別所需的一工時； <br/>選擇步驟，從構成已接單但尚未完成該沖壓程序的該一個或複數個產品的該複數個元件中，根據該工時和該交期選擇至少一部分的元件； <br/>指示步驟，對一佈局單元指示所選擇的元件的佈局，其中該所選擇的元件被佈局到用於該沖壓程序的該板材上； <br/>分配步驟，用以將被該佈局單元佈局到該板材上的該所選擇的元件且經該沖壓程序後得到的各個該元件分配到複數個運送工具上，其中，該運送工具用以把該元件運送到該沖壓程序之後的一後續程序之作業場所； <br/>輸出步驟，輸出分配結果；以及 <br/>其中，該複數個運送工具包括形狀或種類不同的複數個運送工具； <br/>其中，在分配步驟中，依據各個所選擇的該元件的一運送條件，從該複數個運送工具中選擇一種該運送工具，並將該元件分配給所選擇的該運送工具； <br/>其中，該運送條件包括與該元件在該沖壓程序之後的後續程序以及該後續程序的一作業人員有關的條件。
一種5T4結合多肽構築體，其包含至少一個僅有重鏈的可變域(5T4 VHH域)，其包含互補決定區1 (CDR1)、互補決定區2 (CDR2)及互補決定區3 (CDR3)，該CDR1、該CDR2及該CDR3分別包含如下所示之胺基酸序列： <br/>(i) SEQ ID NO: 87、95及102； <br/>(ii) SEQ ID NO: 87、96及102； <br/>(iii) SEQ ID NO: 87、97及102； <br/>(iv) SEQ ID NO: 87、98及102； <br/>(v) SEQ ID NO: 87、99及102；或 <br/>(vi) SEQ ID NO: 86、98及102。
如請求項1之5T4結合多肽構築體，其包含結合至除5T4外之目標的一或多個額外結合域。
如請求項1或2之5T4結合多肽構築體，其中該5T4為人類5T4。
如請求項1或2之5T4結合多肽構築體，其中該至少一個5T4 VHH域為人類化的。
如請求項2之5T4結合多肽構築體，其中該一或多個額外結合域結合至免疫細胞上之活化受體。
如請求項5之5T4結合多肽構築體，其中該活化受體為CD3 (CD3ε)。
如請求項1或2之5T4結合多肽構築體，其進一步包含放射性試劑。
如請求項1或2之5T4結合多肽構築體，其中該多肽構築體包含免疫球蛋白Fc區。
如請求項1或2之5T4結合多肽構築體，其為二聚體。
如請求項8之5T4結合多肽構築體，其中該Fc區為雜二聚體Fc區。
如請求項1或2之5T4結合多肽構築體，其中該至少一個5T4 VHH域包含：(i) SEQ ID NO: 276所示之序列；(ii) SEQ ID NO:276之人類化變異體；或(iii)展現出與SEQ ID NO: 276有至少85%、86%、87%、88%、89%、90%、91%、92%、93%、94%、95%、96%、97%、98%或99%序列一致性且結合5T4的胺基酸序列。
如請求項1或2之5T4結合多肽構築體，其中該至少一個5T4 VHH域包含SEQ ID NO: 277至287中之任一者中所示之胺基酸序列；或展現出與SEQ ID NO: 277至287有至少85%、86%、87%、88%、89%、90%、91%、92%、93%、94%、95%、96%、97%、98%或99%序列一致性且結合5T4的胺基酸序列。
如請求項1或2之5T4結合多肽構築體，其包含： <br/>(a) 第一組分，其包含雜二聚體Fc區，該雜二聚體Fc區包含第一Fc多肽及第二Fc多肽；及 <br/>(b) 第二組分，其包含抗CD3抗體或抗原結合片段，該抗CD3抗體或抗原結合片段包含可變重鏈區(VH)及可變輕鏈區(VL)，其中： <br/>該抗CD3抗體或抗原結合片段之該VH連接於該雜二聚體Fc區之一個多肽，且該抗CD3抗體或抗原結合片段之該VL連接於該雜二聚體Fc區之另一個多肽； <br/>該第一組分及該第二組分藉由連接子偶合，其中該雜二聚體Fc區位於該抗CD3抗體或抗原結合片段之胺基端；及 <br/>該第一組分及該第二組分中之一或兩者包含至少一個該5T4 VHH域。
如請求項13之5T4結合多肽構築體，其中該雜二聚體Fc區之第一Fc多肽及第二Fc多肽中之每一者包含杵-臼修飾(knob-into-hole modification)或包含電荷突變以增加該等多肽之靜電互補性。
如請求項13之5T4結合多肽構築體，其中該抗CD3抗體或抗原結合片段為Fv抗體片段。
如請求項15之5T4結合多肽構築體，其中該Fv抗體片段包含經二硫鍵穩定之抗CD3結合Fv片段(dsFv)。
如請求項13之5T4結合多肽構築體，其中該至少一個5T4 VHH域係位於該Fc區之胺基端或該抗CD3抗體或抗原結合片段之羧基端。
如請求項13之5T4結合多肽構築體，其中該5T4結合多肽構築體包含特異性結合5T4之第一5T4 VHH域及特異性結合5T4之第二5T4 VHH域。
如請求項18之5T4結合多肽構築體，其中： <br/>(a) 該第一5T4 VHH域及該第二5T4 VHH域各獨立的包含如SEQ ID NO: 276至287中之任一者中所示之VHH域序列，或展現出與SEQ ID NO: 276至287中之任一者有至少85%、86%、87%、88%、89%、90%、91%、92%、93%、94%、95%、96%、97%、98%或99%序列一致性且結合5T4的胺基酸序列；或 <br/>(b) 該第一5T4 VHH域包含如SEQ ID NO: 276至287中之任一者所示胺基酸序列，或展現出與SEQ ID NO: 276至287中之任一者有至少85%、86%、87%、88%、89%、90%、91%、92%、93%、94%、95%、96%、97%、98%或99%序列一致性且結合5T4的胺基酸序列；且 <br/>該第二5T4 VHH域包含如SEQ ID NO: 255至275、294、295及301中之任一者所示之胺基酸序列，或展現出與SEQ ID NO: 255至275、294、295及301中之任一者有至少85%、86%、87%、88%、89%、90%、91%、92%、93%、94%、95%、96%、97%、98%或99%序列一致性且結合5T4的胺基酸序列。
如請求項13之5T4結合多肽構築體，其中該第一組分及該第二組分中之一或兩者包含結合共刺激受體之至少一個共刺激受體結合區(CRBR)。
如請求項13之5T4結合多肽構築體，其中該第一組分及該第二組分中之一或兩者包含結合抑制性受體之至少一個抑制性受體結合區(IRBR)。
如請求項13之5T4結合多肽構築體，其中該連接子為不可裂解連接子。
如請求項7之5T4結合多肽構築體，其中該至少一個5T4 VHH域包含SEQ ID NO: 277至287中之任一者中所示之胺基酸序列；或展現出與SEQ ID NO: 277至287有至少85%、86%、87%、88%、89%、90%、91%、92%、93%、94%、95%、96%、97%、98%或99%序列一致性且結合5T4的胺基酸序列。
一種結合5T4之分離單域抗體(sdAb)，其包含互補決定區1 (CDR1)、互補決定區2 (CDR2)及互補決定區3 (CDR3)，該CDR1、該CDR2及該CDR3分別包含如下所示之胺基酸序列： <br/>(i) SEQ ID NO: 87、95及102； <br/>(ii) SEQ ID NO: 87、96及102； <br/>(iii) SEQ ID NO: 87、97及102； <br/>(iv) SEQ ID NO: 87、98及102； <br/>(v) SEQ ID NO: 87、99及102；或 <br/>(vi) SEQ ID NO: 86、98及102。
如請求項24之分離單域抗體，其包含SEQ ID NO: 276-287中之任一者中所示之胺基酸序列；或展現出與SEQ ID NO: 276-287中之任一者有至少85%、86%、87%、88%、89%、90%、91%、92%、93%、94%、95%、96%、97%、98%或99%序列一致性且結合5T4的胺基酸序列。
一種聚核苷酸，其編碼如請求項1至23中任一項之5T4結合多肽構築體。
一種聚核苷酸，其編碼如請求項24或25之單域抗體。
一種載體，其包含如請求項26或27之聚核苷酸。
一種細胞，其包含如請求項26或27之聚核苷酸或如請求項28之載體。
一種製造5T4結合多肽構築體之方法，該方法包含將如請求項26或27之聚核苷酸或如請求項28之載體引入細胞中，且在產生該5T4結合多肽構築體的條件下培養該細胞。
一種經工程改造之免疫細胞，其包含嵌合抗原受體，該嵌合抗原受體包含： <br/>包含如請求項24或25之單域抗體的胞外域； <br/>跨膜域；及 <br/>胞內信號傳導域。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1至23中任一項之5T4結合多肽構築體、如請求項24或25之單域抗體或如請求項31之經工程改造之免疫細胞，及醫藥學上可接受之載劑。
一種包含如請求項1至23中任一項之5T4結合多肽構築體、如請求項24或25之單域抗體、如請求項31之經工程改造之免疫細胞或如請求項32之醫藥組合物之用途，其係用於製備在患有腫瘤或癌症之個體刺激或誘導免疫反應之藥物。
一種包含如請求項1至23中任一項之5T4結合多肽構築體、如請求項24或25之單域抗體、如請求項31之經工程改造之免疫細胞或如請求項32之醫藥組合物之用途，其係用於製備在個體中治療腫瘤或癌症之藥物。
一種用於向用戶的眼睛顯示圖像的頭戴式顯示器，所述頭戴式顯示器包括：<br/> （a）由透明材料形成的光導結構，所述光導結構具有相互平行的一對主表面，用於支持光通過所述主表面處的內反射在所述光導結構內的傳播；<br/> （b）支承裝置，用於將所述光導結構支承在所述用戶的頭部上，其中，所述主表面中的一個主表面與所述用戶的眼睛成面對關係，並且所述光導結構的水準軸平行於所述用戶的瞳孔之間的線；以及<br/> （c）圖像投射儀，所述圖像投射儀光學地耦合到所述光導結構，以將對應於準直圖像的光引入為通過所述主表面處的內反射在所述光導結構內沿第一方向傳播，<br/> 其中，所述光導結構包括相互平行的平坦的第一組部分反射表面和相互平行的平坦的第二組部分反射表面，所述第一組部分反射表面位於所述一對主表面之間並且被部署成將沿所述第一方向傳播的光逐漸偏轉為通過所述主表面處的內反射在所述光導結構內沿第二方向傳播，並且所述第二組部分反射表面位於所述一對主表面之間並且被部署成將沿所述第二方向傳播的光逐漸偏轉為從所述光導結構朝向所述用戶的眼睛耦出，<br/> 並且其中，所述第二組部分反射表面具有與在所述第二組部分反射表面中的部分反射表面的平面與所述主表面中的一個主表面之間的交線相對應的伸長方向，所述伸長方向傾斜於所述光導結構的所述水準軸。
如請求項1所述的頭戴式顯示器，其中，所述第一組部分反射表面成角度，使得所述第二方向垂直於所述第二組部分反射表面的所述伸長方向。
一種用於向用戶的眼睛顯示圖像的顯示器，所述顯示器包括：<br/> （a）由透明材料形成的光導結構，所述光導結構具有一對相互平行的主表面，所述一對相互平行的主表面限定板狀光導，所述板狀光導支持光通過所述主表面處的內反射在所述光導結構內的傳播；以及<br/> （b）圖像投射儀，所述圖像投射儀光學地耦合到所述光導結構，以將對應於準直圖像的光引入為通過所述主表面處的內反射在所述光導結構內沿第一方向傳播，<br/> 其中，所述光導結構包括第一組部分反射內表面和第二組部分反射內表面，所述第一組部分反射內表面被部署成將沿所述第一方向傳播的光逐漸偏轉為通過所述主表面處的內反射在所述光導結構內沿第二方向傳播，並且所述第二組部分反射內表面被部署成將沿所述第二方向傳播的光逐漸偏轉為從所述光導結構朝向所述用戶的眼睛耦出，<br/> 並且其中，所述圖像投射儀投射矩形準直圖像，所述矩形準直圖像具有圍繞與所述準直圖像的寬度對應的第一軸的光線方向的角擴展和圍繞與所述準直圖像的高度對應的第二軸的光線方向的角擴展，並且其中，所述準直圖像在所述第一軸和所述第二軸均不平行於所述光導結構的主表面的情況下在所述光導結構內沿所述第一方向傳播。
如請求項3所述的顯示器，其中，所述圖像投射儀和所述第一組部分反射內表面與第二組部分反射內表面的取向使得，從所述光導結構朝向所述用戶的眼睛耦出的光相對於所述主表面的法線以偏移角度傾斜，具有沿著所述第二組部分反射內表面的面內延伸方向的非零傾斜分量，所述伸長方向對應於所述第二組部分反射內表面與平行於所述主表面的平面之間的交線。
如請求項4所述的顯示器，還包括支承裝置，所述支承裝置用於將所述光導結構支承在所述用戶的頭部上，其中，所述主表面中的一個主表面與所述用戶的眼睛成面對關係，並且其中，所述偏移角度校正所述光導結構相對於所述用戶的眼睛的面部曲率角。
如請求項4所述的顯示器，還包括支承裝置，所述支承裝置用於將所述光導結構支承在所述用戶的頭部上，其中，所述主表面中的一個主表面與所述用戶的眼睛成面對關係，並且其中，所述偏移角度為由所述用戶的眼睛觀看的圖像提供會聚角。
一種類比數位轉換電路，用以產生N位元的量化數位信號且其包括：<br/> 一比較器，具有一正輸入端、一負輸入端、一正輸出端以及一負輸出端；<br/> 一第一開關，具有一第一端、一第二端與一控制端，其中該第一端耦接該正輸入端，且該第二端耦接該負輸出端；<br/> 一第一電荷儲存單元，耦接該正輸入端與該第一開關的該第一端；<br/> 一第一信號切換單元，具有一第一輸入端、一第二輸入端、一第一輸出端、一第二輸出端、以及一第三輸出端，其中，該第一輸入端耦接一第一輸入像素信號或一重置信號，該第二輸入端耦接一第一斜坡信號，該第一輸出端耦接至該第一開關的該第一端，且該第二輸出端與該第三輸出端皆耦接至該第一電荷儲存單元；<br/> 一第二開關，同樣具有一第一端、一第二端與一控制端，其中該第一端耦接該負輸入端，且該第二端耦接該正輸出端；<br/> 一第二電荷儲存單元，耦接該負輸入端與該第二開關的該第一端；<br/> 一第二信號切換單元，同樣具有一第一輸入端、一第二輸入端、一第一輸出端、一第二輸出端、以及一第三輸出端，其中，該第一輸入端耦接一第二輸入像素信號、所述重置信號或所述第一輸入像素信號，該第二輸入端耦接一第二斜坡信號，該第一輸出端耦接至該第二開關的該第一端，且該第二輸出端與該第三輸出端皆耦接至該第二電荷儲存單元；<br/> 一斜坡信號產生器，用以產生所述第一斜坡信號和所述第二斜坡信號；<br/> 一數位信號輸出單元，耦接該比較器的該正輸出端，且包括一計數器與一時間數位轉換單元；<br/> 一1位元計數器，耦接該計數器以及該比較器的該正輸出端，且被配置用以對該正輸出端的一比較器輸出信號執行一最高有效位元量化操作，從而量化輸出一最高有效位元(Most significant bit, MSB)；以及<br/> 一控制單元，被配置用以控制該第一開關與該第二開關的導通與關斷，用以控制該第一信號切換單元及/或該第二信號切換單元執行一信號切換操作，以及用以控制該比較器的信號輸出；<br/> 其中，該計數器被配置用以對所述比較器輸出信號執行一粗量化時間數位轉換(Coarse TDC)，從而量化輸出P個位元；<br/> 其中，該時間數位轉換單元被配置用以對所述比較器輸出信號執行一細量化時間數位轉換(Fine TDC)，從而量化輸出Q個位元；<br/> 其中，P、Q、N皆為正整數，且N=1+P+Q。
如請求項1所述之類比數位轉換電路，其中，當量化輸出的所述最高有效位元為正確之時，該計數器的一計數器輸出信號所包含的一冗餘位元最終為0，使得該1位元計數器利用該冗餘位元對所述最高有效位元進行校準。
如請求項1所述之類比數位轉換電路，其中，當量化輸出的所述最高有效位元為錯誤之時，該計數器的一計數器輸出信號所包含的一冗餘位元最終為1，使得該1位元計數器利用該冗餘位元對所述最高有效位元進行校準。
如請求項1所述之類比數位轉換電路，其中，該第一信號切換單元包括：<br/> 一第三開關，具有一第一端、一第二端與一控制端，其中，該第一端耦接所述第一斜坡信號，且該第二端耦接該第一電荷儲存單元；<br/> 一第四開關，同樣具有一第一端、一第二端與一控制端，其中，該第一端耦接所述第一輸入像素信號或所述重置信號，且該第二端耦接該第一電荷儲存單元；以及<br/> 一第五開關，同樣具有一第一端、一第二端與一控制端，其中，該第一端耦接至該第四開關的該第一端，且該第二端同時耦接該第一開關的該第一端與該第一電荷儲存單元。
如請求項4所述之類比數位轉換電路，其中，該第一電荷儲存單元包括：<br/> 一第一電容，具有一第一端與一第二端，其中該第一端耦接至該第四開關的該第二端，且該第二端同時耦接該正輸入端、該第一開關的該第一端與該第五開關的該第二端；以及<br/> 一第二電容，具有一第一端與一第二端，其中該第一端耦接至該第三開關的該第二端，且該第二端同時耦接該第一電容的該第二端與該正輸入端。
如請求項4所述之類比數位轉換電路，其中，該第二信號切換單元包括：<br/> 一第六開關，具有一第一端、一第二端與一控制端，其中，該第一端耦接所述第二斜坡信號，且該第二端耦接該第二電荷儲存單元；<br/> 一第七開關，同樣具有一第一端、一第二端與一控制端，其中，該第一端耦接所述第二輸入像素信號、所述重置信號或所述第一輸入像素信號，且該第二端耦接該第二電荷儲存單元；以及<br/> 一第八開關，同樣具有一第一端、一第二端與一控制端，其中，該第一端耦接至該第七開關的該第一端，且該第二端同時耦接該第二開關的該第一端與該第二電荷儲存單元。
如請求項6所述之類比數位轉換電路，其中，該第二電荷儲存單元包括：<br/> 一第一電容，具有一第一端與一第二端，其中該第一端耦接至該第七開關的該第二端，且該第二端同時耦接該負輸入端、該第二開關的該第一端與該第八開關的該第二端；以及<br/> 一第二電容，具有一第一端與一第二端，其中該第一端耦接至該第六開關的該第二端，且該第二端同時耦接該第一電容與該負輸入端。
如請求項1所述之類比數位轉換電路，其中，該數位信號輸出單元還包括一邊沿檢測單元，用以對該計數器的一計數器時鐘信號和所述比較器輸出信號進行一脈衝邊沿檢測，接著產生一邊沿檢測信號。
如請求項8所述之類比數位轉換電路，其中，該時間數位轉換單元包括：<br/> 一開關單元，具有一第一端、一第二端、一第三端、與一控制端，其中該第一端耦接所述邊沿檢測信號；<br/> 一取樣保持器，其一輸入端耦接該開關單元的該第二端；<br/> 一時間數位轉換器，其一輸入端耦接該取樣保持器的一輸出端；<br/> 一數位時間轉換器，其一輸入端耦接該時間數位轉換器的一輸出端；<br/> 一求和運算器，具一第一輸入端、一第二輸入端與一輸出端，其中該第一輸入端耦接該取樣保持器的一輸出端，且該第二輸入端耦接該數位時間轉換器的一輸出端；<br/> 一編碼校正器，其一輸入端耦接該時間數位轉換器的該輸出端；以及<br/> 一時間放大器(Time amplifier, TA)，其一輸入端耦接該求和運算器的該輸出端，且其一輸出端耦接至該開關單元的該第三端。
一種影像採集裝置，包括一驅動單元、一讀出單元、包含複數個感測像素的一感測器陣列、以及包括複數個類比數位轉換電路的一信號轉換單元；其特徵在於，所述類比數位轉換電路係用以產生N位元的量化數位信號且其包括：<br/> 一比較器，具有一正輸入端、一負輸入端、一正輸出端以及一負輸出端；<br/> 一第一開關，具有一第一端、一第二端與一控制端，其中該第一端耦接該正輸入端，且該第二端耦接該負輸出端；<br/> 一第一電荷儲存單元，耦接該正輸入端與該第一開關的該第一端；<br/> 一第一信號切換單元，具有一第一輸入端、一第二輸入端、一第一輸出端、一第二輸出端、以及一第三輸出端，其中，該第一輸入端耦接一第一輸入像素信號或一重置信號，該第二輸入端耦接一第一斜坡信號，該第一輸出端耦接至該第一開關的該第一端，且該第二輸出端與該第三輸出端皆耦接至該第一電荷儲存單元；<br/> 一第二開關，同樣具有一第一端、一第二端與一控制端，其中該第一端耦接該負輸入端，且該第二端耦接該正輸出端；<br/> 一第二電荷儲存單元，耦接該負輸入端與該第二開關的該第一端；<br/> 一第二信號切換單元，同樣具有一第一輸入端、一第二輸入端、一第一輸出端、一第二輸出端、以及一第三輸出端，其中，該第一輸入端耦接一第二輸入像素信號、所述重置信號或所述第一輸入像素信號，該第二輸入端耦接一第二斜坡信號，該第一輸出端耦接至該第二開關的該第一端，且該第二輸出端與該第三輸出端皆耦接至該第二電荷儲存單元；<br/> 一斜坡信號產生器，用以產生所述第一斜坡信號和所述第二斜坡信號；<br/> 一數位信號輸出單元，耦接該比較器的該正輸出端，且包括一計數器與一時間數位轉換單元；<br/> 一1位元計數器，耦接該計數器以及該比較器的該正輸出端，且被配置用以對該正輸出端的一比較器輸出信號執行一最高有效位元量化操作，從而量化輸出一最高有效位元(Most significant bit, MSB)；以及<br/> 一控制單元，被配置用以控制該第一開關與該第二開關的導通與關斷，用以控制該第一信號切換單元及/或該第二信號切換單元執行一信號切換操作，以及用以控制該比較器的信號輸出；<br/> 其中，該計數器被配置用以對所述比較器輸出信號執行一粗量化時間數位轉換(Coarse TDC)，從而量化輸出P個位元；<br/> 其中，該時間數位轉換單元被配置用以對所述比較器輸出信號執行一細量化時間數位轉換(Fine TDC)，從而量化輸出Q個位元；<br/> 其中，P、Q、N皆為正整數，且N=1+P+Q。
如請求項10所述之影像採集裝置，其中，當量化輸出的所述最高有效位元為正確之時，該計數器的一計數器輸出信號所包含的一冗餘位元最終為0，使得該1位元計數器利用該冗餘位元對所述最高有效位元進行校準。
如請求項10所述之影像採集裝置，其中，當量化輸出的所述最高有效位元為錯誤之時，該計數器的一計數器輸出信號所包含的一冗餘位元最終為1，使得該1位元計數器利用該冗餘位元對所述最高有效位元進行校準。
如請求項10所述之影像採集裝置，其中，該第一信號切換單元包括：<br/> 一第三開關，具有一第一端、一第二端與一控制端，其中，該第一端耦接所述第一斜坡信號，且該第二端耦接該第一電荷儲存單元；<br/> 一第四開關，同樣具有一第一端、一第二端與一控制端，其中，該第一端耦接所述第一輸入像素信號或所述重置信號，且該第二端耦接該第一電荷儲存單元；以及<br/> 一第五開關，同樣具有一第一端、一第二端與一控制端，其中，該第一端耦接至該第四開關的該第一端，且該第二端同時耦接該第一開關的該第一端與該第一電荷儲存單元。
如請求項13所述之影像採集裝置，其中，該第一電荷儲存單元包括：<br/> 一第一電容，具有一第一端與一第二端，其中該第一端耦接至該第四開關的該第二端，且該第二端同時耦接該正輸入端、該第一開關的該第一端與該第五開關的該第二端；以及<br/> 一第二電容，具有一第一端與一第二端，其中該第一端耦接至該第三開關的該第二端，且該第二端同時耦接該第一電容的該第二端與該正輸入端。
如請求項13所述之影像採集裝置，其中，該第二信號切換單元包括：<br/> 一第六開關，具有一第一端、一第二端與一控制端，其中，該第一端耦接所述第二斜坡信號，且該第二端耦接該第二電荷儲存單元；<br/> 一第七開關，同樣具有一第一端、一第二端與一控制端，其中，該第一端耦接所述第二輸入像素信號、所述重置信號或所述第一輸入像素信號，且該第二端耦接該第二電荷儲存單元；以及<br/> 一第八開關，同樣具有一第一端、一第二端與一控制端，其中，該第一端耦接至該第七開關的該第一端，且該第二端同時耦接該第二開關的該第一端與該第二電荷儲存單元。
如請求項15所述之影像採集裝置，其中，該第二電荷儲存單元包括：<br/> 一第一電容，具有一第一端與一第二端，其中該第一端耦接至該第七開關的該第二端，且該第二端同時耦接該負輸入端、該第二開關的該第一端與該第八開關的該第二端；以及<br/> 一第二電容，具有一第一端與一第二端，其中該第一端耦接至該第六開關的該第二端，且該第二端同時耦接該第一電容與該負輸入端。
如請求項10所述之影像採集裝置，其中，該數位信號輸出單元還包括一邊沿檢測單元，用以對該計數器的一計數器時鐘信號和所述比較器輸出信號進行一脈衝邊沿檢測，接著產生一邊沿檢測信號。
如請求項17所述之影像採集裝置，其中，該時間數位轉換單元包括：<br/> 一開關單元，具有一第一端、一第二端、一第三端、與一控制端，其中該第一端耦接所述邊沿檢測信號；<br/> 一取樣保持器，其一輸入端耦接該開關單元的該第二端；<br/> 一時間數位轉換器，其一輸入端耦接該取樣保持器的一輸出端；<br/> 一數位時間轉換器，其一輸入端耦接該時間數位轉換器的一輸出端；<br/> 一求和運算器，具一第一輸入端、一第二輸入端與一輸出端，其中該第一輸入端耦接該取樣保持器的一輸出端，且該第二輸入端耦接該數位時間轉換器的一輸出端；<br/> 一編碼校正器，其一輸入端耦接該時間數位轉換器的該輸出端；以及<br/> 一時間放大器(Time amplifier, TA)，其一輸入端耦接該求和運算器的該輸出端，且其一輸出端耦接至該開關單元的該第三端。
一種資訊處理裝置，其特徵在於，具有至少一個如請求項10至請求項18之中任一項所述之影像採集裝置。
一種記憶體元件，包括： <br/>一記憶體單元陣列； <br/>一控制電路，經配置以控制該記憶體單元陣列的資料存取；以及 <br/>一介面電路，經配置以從一記憶體控制器接收一第一資料選通訊號和一第二資料選通訊號，其中該介面電路包括： <br/>一接收器電路，經配置以放大該第一資料選通訊號和該第二資料選通訊號，以產生一第三資料選通訊號和一第四資料選通訊號； <br/>其中響應於該第一資料選通訊號和該第二資料選通訊號滿足一預定條件，該接收器電路還經配置以基於一模式暫存器設定值選擇性地將一第一電阻器和一第二電阻器分別耦接到該第一資料選通訊號和該第二資料選通訊號以用於雜訊抑制， <br/>其中該接收器電路包括： <br/>一差動放大器，經配置以放大該第一資料選通訊號和該第二資料選通訊號，以產生該第三資料選通訊號和該第四資料選通訊號； <br/>一第一晶粒上終端器，耦接到該差動放大器的一第一輸入端； <br/>一第二晶粒上終端器，耦接到該差動放大器的一第二輸入端，其中該第一晶粒上終端器的一第一電阻值和該第二晶粒上終端器的一第二電阻值是基於該模式暫存器設定值所確定的； <br/>一雜訊抑制控制電路，經配置以根據該第一晶粒上終端器和該第二晶粒上終端器對應的該模式暫存器設定值，而產生一雜訊抑制控制訊號； <br/>一第一雜訊抑制電路，經配置以根據一第一控制訊號、一第二控制訊號以及該雜訊抑制控制訊號選擇性地將該第一電阻器耦接到該差動放大器的該第一輸入端；以及 <br/>一第二雜訊抑制電路，經配置以根據該第一控制訊號、該第二控制訊號和該雜訊抑制控制訊號選擇性地將該第二電阻器耦接到該差動放大器的該第二輸入端， <br/>其中當該模式暫存器設定值被設為1時，該第一電阻器的一第三電阻值與該第二電阻器的一第四電阻值大致等於該第二電阻器的該第一電阻值。
如請求項1所述之記憶體元件，其中該第一晶粒上終端器的該第一電阻值和該第二晶粒上終端器的該第二電阻值基本上相同。
如請求項2所述之記憶體元件，其中當該模式暫存器設定值等於0時，該第一晶粒上終端器和該第二晶粒上終端器是呈開路。
如請求項1所述之記憶體元件，其中該第一控制訊號和該第二控制訊號分別是該第三資料選通訊號和該第四資料選通訊號。
如請求項1所述之記憶體元件，其中該第一控制訊號和該第二控制訊號分別是該第一資料選通訊號和該第二資料選通訊號。
如請求項1所述之記憶體元件，其中該接收器電路還包括： <br/>一第一放大器，經配置以放大該第一資料選通訊號以產生一第一放大資料選通訊號；以及 <br/>一第二放大器，經配置以放大該第二資料選通訊號以產生一第二放大資料選通訊號； <br/>其中該第一控制訊號和該第二控制訊號分別為該第一放大資料選通訊號與該第二放大資料選通訊號。
如請求項1所述之記憶體元件，其中響應於該模式暫存器設定值大於一特定值，藉由該雜訊抑制控制電路所產生的該雜訊抑制控制訊號處於一高邏輯狀態，並且響應於該模式暫存器設定值等於或小於該特定值，藉由該雜訊抑制控制電路所產生的該雜訊抑制控制訊號處於一低邏輯狀態。
如請求項7所述之記憶體元件，其中該特定值為2。
如請求項1所述之記憶體元件，其中該第一雜訊抑制電路包括： <br/>一第一電晶體，具有耦接到該第一控制訊號的一控制端、耦接到該差動放大器的該第一輸入端的一第一端以及耦接到一第一節點的一第二端； <br/>一第二電晶體，具有耦接到該第二控制訊號的一控制端、耦接到該第一節點的一第一端以及耦接到一第二節點的一第二端，其中該第一電阻器耦接在該第二節點與一第三節點之間；以及 <br/>一第三電晶體，具有耦接到該雜訊抑制控制訊號的一控制端、耦接到該第三節點的一第一端以及耦接到一接地電壓的一第二端。
如請求項9所述之記憶體元件，其中該第二雜訊抑制電路包括： <br/>一第四電晶體，具有耦接到該第一控制訊號的一控制端、耦接到該差動放大器的該第二輸入端的一第一端以及耦接到一第四節點的一第二端； <br/>一第五電晶體，具有耦接到該第二控制訊號的一控制端，耦接到該第四節點的一第一端、以及耦接到一第五節點的一第二端，其中該第二電阻器耦接在該第五節點與一第六節點之間；以及 <br/>一第六電晶體，具有耦接到該雜訊抑制控制訊號的一控制端、耦接到該第六節點的一第一端以及耦接到該接地電壓的一第二端。
如請求項10所述之記憶體元件，其中該第一電晶體、該第二電晶體、該第四電晶體和該第五電晶體為P型電晶體，以及該第三電晶體和該第六電晶體為N型電晶體。
一種於記憶體元件的自適應雜訊抑制方法，其中該記憶體元件包括一接收器電路，該接收器電路具有一差動放大器、一第一晶粒上終端器以及一第二晶粒上終端器，該方法包括： <br/>判斷來自一記憶體控制器的一第一資料選通訊號和一第二資料選通訊號是否滿足一第一條件； <br/>響應於該第一資料選通訊號和該第二資料選通訊號滿足該第一條件，判斷與該第一晶粒上終端器和該第二晶粒上終端器相關聯的一模式暫存器設定值是否大於N，其中N為正整數； <br/>以及響應於該模式暫存器設定值不大於N，將一第一電阻器和一第二電阻器分別與該差動放大器的一第一輸入端和一第二輸入端斷開耦接；以及 <br/>響應於該模式暫存器設定值大於N，將該第一電阻器和該第二電阻器分別耦接到該差動放大器的該第一輸入端與該第二輸入端。
如請求項12所述之方法，還包括： <br/>響應於該第一資料選通訊號和該第二資料選通訊號滿足該第一條件，將該第一電阻器和該第二電阻器分別與該差動放大器的該第一輸入端和該第二輸入端斷開耦接。
如請求項13所述之方法，其中該第一條件象徵該第一資料選通訊號和該第二資料選通訊號處於一低邏輯狀態。
如請求項12所述之方法，其中基於與該第一晶粒上終端器和該第二晶粒上終端器相對應的該模式暫存器設定值來決定該第一晶粒上終端器的一第一電阻值和該第二晶粒上終端器的一第二電阻值。
如請求項15所述之方法，其中該接收器電路還包括一雜訊抑制控制電路、一第一雜訊抑制電路以及一第二雜訊抑制電路，以及該方法還包括： <br/>利用該差動放大器放大該第一資料選通訊號與該第二資料選通訊號，以產生一第三資料選通訊號和一第四資料選通訊號； <br/>利用該雜訊抑制控制電路根據該第一晶粒上終端器與該第二晶粒上終端器所對應的該模式暫存器設定值，以產生一雜訊抑制控制訊號； <br/>利用該第一雜訊抑制電路根據該第三資料選通訊號、該第四資料選通訊號以及該雜訊抑制控制訊號選擇性地將該第一電阻器耦接到該差動放大器的該第一輸入端；以及 <br/>利用該第二雜訊抑制電路根據該第三資料選通訊號、該第四資料選通訊號、該雜訊抑制控制訊號選擇性地將該第二電阻器耦接到該差動放大器的該第二輸入端。
如請求項16所述之方法，其中響應於該模式暫存器設定值大於一特定值，該雜訊抑制控制電路所產生的該雜訊抑制控制訊號處於一高邏輯狀態，並且響應於該模式暫存器設定值等於或小於該特定值，該雜訊抑制控制電路所產生的該雜訊抑制控制訊號處於一低邏輯狀態。
一種電路板組件，包括：<br/> 一電路板，包括多個第一焊盤；<br/> 一第一電子部件，設置於所述電路板上，且包括多個接墊；<br/> 多條連接線，分別連接所述多個接墊及所述多個第一焊盤，以使所述多個接墊分別電連接所述多個第一焊盤；<br/> 一膠層，覆蓋所述第一電子部件及所述多條連接線；<br/> 一增層結構，覆蓋所述膠層；<br/> 多個通孔，延伸穿過所述增層結構及所述膠層以分別暴露所述多個接墊；<br/> 多個導電柱，分別設置於所述多個通孔中以分別電連接所述多個接墊；以及<br/> 一第二電子部件，設置於所述增層結構上，且電連接所述多個導電柱。
如請求項1所述之電路板組件，其中所述多個通孔由電漿蝕刻所形成。
如請求項1所述之電路板組件，其中於所述電路板的一法線上，所述多個通孔分別與所述多條連接線重疊。
如請求項1所述之電路板組件，更包括：<br/> 多個第二焊盤，分別設置於所述多個導電柱上，其中所述第二電子部件設置於所述多個第二焊盤上，且經由所述多個第二焊盤電連接所述多個導電柱。
如請求項1所述之電路板組件，其中各所述通孔的寬度介於60微米至100微米，各所述通孔的深度介於30微米至50微米。
如請求項1所述之電路板組件，其中各所述通孔於所述膠層的深度大於各所述通孔於所述增層結構的深度。
如請求項1所述之電路板組件，其中於所述電路板的一法線上，所述第一電子部件與所述第二電子部件重疊。
一種電路板組件的製造方法，包括：<br/> 提供一電路板，其中所述電路板包括多個焊盤；<br/> 固設一第一電子部件於所述電路板上，其中所述第一電子部件包括多個接墊；<br/> 在固設所述第一電子部件於所述電路板上之後，提供多條連接線分別連接所述多個接墊及所述多個焊盤，以使所述多個接墊分別電連接所述多個焊盤；<br/> 在所述多條連接線分別連接所述多個接墊及所述多個焊盤之後，形成一膠層以覆蓋所述第一電子部件及所述多條連接線；<br/> 形成一增層結構以覆蓋所述膠層；<br/> 電漿蝕刻所述增層結構及所述膠層以形成多個通孔，其中所述多個通孔分別暴露所述多個接墊；<br/> 形成多個導電柱於所述多個通孔中以分別電連接所述多個接墊；以及<br/> 固設一第二電子部件於所述增層結構上，其中所述第二電子部件電連接所述多個導電柱。
如請求項8所述之電路板組件的製造方法，其中所述增層結構包括一基材及一導電層，電漿蝕刻所述增層結構及所述膠層以形成所述多個通孔的步驟包括：<br/> 形成一光阻層於所述導電層上；<br/> 圖案化所述光阻層；<br/> 在圖案化所述光阻層之後，以所述光阻層為遮罩圖案化所述導電層以形成多個開口；以及<br/> 在形成所述多個開口之後，移除所述光阻層並通過所述多個開口電漿蝕刻所述基材及所述膠層以形成所述多個通孔。
如請求項8所述之電路板組件的製造方法，其中電漿蝕刻所述增層結構的偏壓射頻功率大於電漿蝕刻所述膠層的偏壓射頻功率，且電漿蝕刻所述增層結構的氣體流量大於電漿蝕刻所述膠層的氣體流量。
一測試裝置，用以測試一觸控板之一震動功能，該測試裝置包含： <br/>一活動托架；一配重承載座，係可上下滑動地固定於該活動托架上，其中至少一配重元件係置於該承載座內，該至少一配重元件具有一預定負荷；一負荷感測元件，係固定於該配重承載座之一底部上；一固定架，係固定於該負荷感測元件之一末端上；一加速度感測元件，係固定於該固定架上，該加速度感測元件之一下表面朝下且外露；以及一導電彈性體，係接合於該加速度感測元件之該下表面上，其中該活動托架移動至相對該觸控板之一測試位置之上且進一步向下移動使該測試裝置以該導電彈性體敲擊該觸控板，該負荷感測元件用以感測一碰觸負荷，該加速度感測元件用以感測一震動訊號。
如請求項1所述之測試裝置，進一步包含： <br/>一緩衝彈性體，係固定於該固定架上且包覆該加速度感測元件之一周圍。
一測試裝置，用以測試一觸控板之一震動功能，該測試裝置包含： <br/>一活動托架；一配重承載座，係可上下滑動地固定於該活動托架上，其中至少一配重元件係置於該配重承載座內，該至少一配重元件具有一預定負荷；一負荷感測元件，係固定於該配重承載座之一底部上；一導電彈性體，係固定於該負荷感測元件之一末端上；一固定架，係可上下滑動地固定於該活動托架上且靠近該負荷感測元件；以及一加速度感測元件，係固定於該固定架上，該加速度感測元件之一下表面朝下且外露，其中該活動托架移動至相對該觸控板之一測試位置之上，該加速度感測元件先行藉由該固定架被釋放進而自由地擺放於該觸控板上，該活動托架移動再行向下移動使該測試裝置以該導電彈性體敲擊該觸控板，該負荷感測元件用以感測一碰觸負荷，該加速度感測元件用以感測一震動訊號。
如請求項3所述之測試裝置，進一步包含： <br/>一致動器，係固定於該活動托架上，該固定架係可致動地連接至該致動器，其中在該觸控板之該震動功能進行測試之前，該致動器致動該固定架向上滑動至一固定位置，當該觸控板之該震動功能進行測試時，該致動器釋放該固定架使該固定架向下滑動。
如請求項3所述之測試裝置，進一步包含： <br/>一緩衝層，係形成於該加速度感測元件之該下表面上，其中當該加速度感測元件自由地擺放於該觸控板上時，該加速度感測元件係以該緩衝層接觸該觸控板。
如請求項5所述之測試裝置，其中該緩衝層係一軟性墊或一低黏性黏貼層，該低黏性黏貼層係由一蠟或一膠所形成。
一測試裝置，用以測試一觸控板之一震動功能，該測試裝置包含： <br/>一活動托架；一配重承載座，係可上下滑動地固定於該活動托架上，其中至少一配重元件係置於該配重承載座內，該至少一配重元件具有一預定負荷；一負荷感測元件，係固定於該配重承載座之一底部上；一導電彈性體，係固定於該負荷感測元件之一末端上；一固定主架，係可上下滑動地固定於該活動托架上；一固定子架，係自該固定主架向外延伸且靠近該負荷感測元件之該末端；以及一加速度感測元件，係固定於該固定子架上，該加速度感測元件之一下表面朝下且外露，其中該活動托架移動至相對該觸控板之一測試位置之上，該加速度感測元件先行藉由該固定主架被釋放進而自由地擺放於該觸控板上，該活動托架移動再行向下移動使該測試裝置以該導電彈性體敲擊該觸控板，該負荷感測元件用以感測一碰觸負荷，該加速度感測元件用以感測一震動訊號。
如請求項7所述之測試裝置，進一步包含： <br/>一致動器，係固定於該活動托架上，該固定主架係可致動地連接至該致動器，其中在該觸控板之該震動功能進行測試之前，該致動器致動該固定主架向上滑動至一固定位置，當該觸控板之該震動功能進行測試時，該致動器釋放該固定主架使該固定主架向下滑動。
如請求項7所述之測試裝置，進一步包含： <br/>一緩衝層，係形成於該加速度感測元件之該下表面上，其中當該加速度感測元件自由地擺放於該觸控板上時，該加速度感測元件係以該緩衝層接觸該觸控板。
如請求項9所述之測試裝置，其中該緩衝層係一軟性墊或一低黏性黏貼層，該低黏性黏貼層係由一蠟或一膠所形成。
一種發光裝置(1)、特別是µLED，包含：<br/> 一半導體層堆疊(2)，具有一第一導電性類型之一第一層(3)、一第二導電性類型的一第二層(4)、及配置在該第一層與該第二層之間的一主動區域(5)，該半導體層堆疊(2)具有一底部表面(9)、一頂部表面(11)、以及連接該底部表面(9)和該頂部表面(11)之數個側表面(10)；<br/> 一底部接觸層(7)，配置於電接觸該第二層(4)的該半導體層堆疊(2)之該底部表面(9)上；<br/> 一頂部接觸層(8)，配置在電接觸該第一層(3)的該半導體層堆疊(2)之該頂部表面(11)上；<br/> 一鈍化結構(6)，於一周向方向中封裝該半導體層堆疊(2)並覆蓋該半導體層堆疊(2)的該等側表面(10)，該鈍化結構(6)包含至少一抗老化層(13)以及至少一鈍化層(12)，該鈍化層(12)係設置在該抗老化層(13)與該等側表面(10)之間；<br/> 其中該鈍化層(12)的鄰近該頂部表面(11)之第一端面(14a)被以下的其中一者所覆蓋：<br/> 該頂部接觸層(8)，<br/> 該抗老化層(13)，或<br/> 其他之一抗老化層(16)。
如請求項1之發光裝置，<br/> 其中該鈍化層(12)的該第一端面(14a)係相對於該抗老化層(13)之相鄰端面(15)凹陷。
如請求項1或2之發光裝置，<br/> 其中該鈍化層(12)的該第一端面(14a)係相對於該頂部表面(11)凹陷。
如請求項1之發光裝置，<br/> 進一步包含在該等側表面(10)與該抗老化層(13)之間的一周向間隙(17)。
如請求項4之發光裝置，<br/> 其中該周向間隙(17)係用以下材料的其中一者填充：<br/> 該頂部接觸層(8)，<br/> 該抗老化層(13)，或<br/> 其他之一抗老化層(16)。
如請求項1之發光裝置，<br/> 其中該鈍化層(12)包含Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>或由Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>所組成。
如請求項1之發光裝置，<br/> 其中該抗老化層(13)包含HfO<sub>x</sub>或由HfO<sub>x</sub>所組成。
如請求項1之發光裝置，<br/> 其中該鈍化結構(6)包含彼此緊鄰配置、特別是以交替順序配置的數個鈍化層(13)及數個抗老化層(12)。
如請求項1之發光裝置，<br/> 其中該抗老化層(13)鄰接至該鈍化層(12)的該第一端面(14a)之一端面(15)未被覆蓋。
如請求項1之發光裝置，<br/> 其中該抗老化層(13)鄰接至該鈍化層(12)的該第一端面(14a)之一端面(15)被該頂部接觸層(8)所覆蓋。
如請求項1之發光裝置，<br/> 其中該鈍化層(12)的與該第一端面(14a)相對之第二端面(14b)被該底部接觸層(7)所覆蓋。
一種製造發光裝置(1)、特別是µLED之方法，包含以下步驟：<br/> 於一成長基材(21)上提供一半導體層堆疊(2)，該半導體層堆疊具有一第一導電性類型的一第一層(3)、一第二導電性類型之一第二層(4)、及配置在該第一層與該第二層之間的一主動區域(5)；<br/> 結構化該半導體層堆疊(2)，由而形成一底部表面(9)以及由該底部表面(9)延伸進入一遠離該底部表面(9)之方向的數個側表面(10)；<br/> 提供一鈍化結構(6)，於一周向方向中封裝該半導體層堆疊(2)並覆蓋該半導體層堆疊(2)之該等側表面(10)，該鈍化結構(6)包含至少一抗老化層(13)以及至少一鈍化層(12)，該鈍化層(12)係配置在該抗老化層(13)與該等側表面(10)之間；<br/> 於該半導體層堆疊(2)上提供電接觸該第二層(4)的一底部接觸層(7)；<br/> 移除該成長基材(21)，由而暴露該半導體層堆疊(2)之與該底部表面(9)相對的一頂部表面(11)；<br/> 在該半導體層堆疊(2)之該頂部表面(11)上提供電接觸該第一層(3)的一頂部接觸層(8)；及<br/> 用以下材料之其中一者覆蓋該鈍化層(12)鄰近該頂部表面(11)的一第一端面(14a)：<br/> 該頂部接觸層(8)，<br/> 該抗老化層(13)，或<br/> 其他之一抗老化層(16)。
如請求項12之方法，<br/> 進一步包含在封裝該半導體層堆疊(2)的該鈍化結構(6)及於該周向方向中之該鈍化結構(6)上提供一犧牲結構(18)的步驟。
如請求項12或13之方法，<br/> 進一步包含回蝕刻該鈍化層(12)的步驟，使得該鈍化層(12)之該第一端面(14a)係相對於該抗老化層(13)的相鄰之一端面(15)凹陷，及/或使得該鈍化層(12)之該第一端面(14a)係相對於該頂部表面(11)凹陷，特別是由而在該等側表面(10)與該抗老化層(13)之間提供一周向間隙(17)。
如請求項12之方法，<br/> 進一步包含回蝕刻該頂部表面(11)的步驟，特別是使得該頂部表面(11)係相對於鄰接至該鈍化層(12)之該第一端面(14a)的該抗老化層(13)之一端面(15)凹陷。
如請求項14之方法，<br/> 其中回蝕刻該鈍化層(12)的步驟及回蝕刻該頂部表面(11)之步驟係在一個單一步驟中進行。
如請求項14之方法，<br/> 其中回蝕刻該鈍化層(12)的步驟是選擇性蝕刻步驟，至少蝕刻該鈍化層(12)，但不是或實質上未蝕刻該抗老化層(13)。
如請求項15之方法，<br/> 其中回蝕刻該頂部表面(11)的步驟是於覆蓋該第二端面(14b)的步驟之後進行。
如請求項12之方法，<br/> 其中提供該頂部接觸層(8)的步驟及覆蓋該第二端面(14b)之步驟是在一個單一步驟中進行。
如請求項12之方法，<br/> 其中覆蓋該第二端面(14b)之步驟係於提供該頂部接觸層(8)的步驟之前進行。
如請求項13之方法，<br/> 進一步包含在覆蓋該第二端面(14b)的步驟之後研磨該現有結構以暴露該犧牲結構(18)的步驟。
如請求項13之方法，<br/> 進一步包含移除該犧牲結構(18)的步驟，其中覆蓋該第二端面(14b)之步驟係於移除該犧牲結構(18)的步驟之後進行，特別是藉由將該頂部接觸層(11)的材料濺射至該第二端面(14b)及該頂部表面(11)及/或該頂部接觸層(11)上。
如請求項12之方法，<br/> 其中提供該底部接觸層(7)的步驟包含覆蓋該鈍化層(12)之與該第一端面(14a)相對的第二端面(14a)。
一種具有固碳能力的細菌，該細菌為<i>Rhodopseudomonas rhenobacensis</i>，且寄存於中華民國食品工業發展研究所，其寄存編號為BCRC 911224。
一種固碳菌篩選方法，包含：<br/> 提供數個固碳菌候選菌株；<br/> 以葉綠素螢光測定儀測得各該數個固碳菌候選菌株的電子傳遞速率；<br/> 將各該數個固碳菌候選菌株的電子傳遞速率作為相對電子傳遞速率，依序套入下列公式（一）及公式（二），以換算各該數個固碳菌候選菌株的二氧化碳捕捉能力：<br/><img align="absmiddle" height="17px" width="87px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 公式（一）；<br/><img align="absmiddle" height="9px" width="79px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 公式（二）；<br/> 其中，rETR為各該數個固碳菌候選菌株的相對電子傳遞速率、Abt<sub>465</sub>為各該數個固碳菌候選菌株於465 nm波長下的吸光值，且CO<sub>2</sub>為每單位之固碳菌候選菌株的二氧化碳捕捉能力；及<br/> 以各該數個固碳菌候選菌株的每單位之固碳菌候選菌株的二氧化碳捕捉能力中具有最高數值之固碳菌候選菌株，作為該數個固碳菌候選菌株中固碳能力最佳者。
如請求項1之固碳菌篩選方法，另包含：<br/> 分別以一密閉之培養容器培養各該數個固碳菌候選菌株，該密閉之培養容器中包含一無碳源培養液及該無碳源培養液之體積的6%之二氧化碳氣體，待各該數個固碳菌候選菌株生長之後，續以葉綠素螢光測定儀測得各該數個固碳菌候選菌株的電子傳遞速率。
如請求項2之固碳菌篩選方法，其中，每公升的無碳源培養液包含1 g的硫酸銨（(NH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>SO<sub>4</sub>）、0.12 g的硫酸鎂（MgSO<sub>4</sub>‧7H<sub>2</sub>O）、0.076 g的氯化鈣（CaCl<sub>2</sub>‧2H<sub>2</sub>O）、0.02 g的乙二胺四乙酸、0.59 g的磷酸二氫鉀（KH<sub>2</sub>PO<sub>4</sub>）、0.39 g的磷酸氫二鉀（K<sub>2</sub>HPO<sub>4</sub>）、0.0065 g的硫酸鐵（Fe<sub>2</sub>(SO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>‧7H<sub>2</sub>O）、0.0003 g的氯化錳（MnCl<sub>2</sub>‧4H<sub>2</sub>O）、0.01 g的硫酸鋅（ZnSO<sub>4</sub>‧7H<sub>2</sub>O）、0.02 g的硫酸鈷（CoSO<sub>4</sub>‧7H<sub>2</sub>O）、0.003 g的鉬酸鈉（Na<sub>2</sub>MoO<sub>4</sub>‧2H<sub>2</sub>O）、0.001 g的硫酸銅（CuSO<sub>4</sub>‧5H<sub>2</sub>O）、0.03 g的硼酸、2 g的酵母菌萃取物，其餘比例為水，該無碳源培養液的pH值為6.8。
如請求項2之固碳菌篩選方法，其中，以該密閉之培養容器培養各該數個固碳菌候選菌株時，係將該密閉之培養容器置於溫度為30～40℃、照度為4000～6000 lux的環境中。
一種半導體元件堆疊結構，包括：<br/> 堆疊排列的多個第一半導體元件結構，其中每個所述第一半導體元件結構包括：<br/> 基底，包括正面與背面；<br/> 多個半導體元件，位在所述基底的所述正面上；<br/> 重佈線層，位在所述基底的所述背面上；<br/> 第一基底穿孔，貫穿所述基底，且電性連接於所述重佈線層；以及<br/> 多個第二基底穿孔，貫穿所述基底，其中每個所述第二基底穿孔位在對應的所述半導體元件的正下方，且電性連接於對應的所述半導體元件與所述重佈線層，其中<br/> 所述第一基底穿孔的尺寸大於每個所述第二基底穿孔的尺寸，且<br/> 所述第一基底穿孔與多個所述第二基底穿孔電性連接於同一個連續的所述重佈線層。
如請求項1所述的半導體元件堆疊結構，其中多個所述第一半導體元件結構包括多個半導體晶圓。
如請求項1所述的半導體元件堆疊結構，其中多個所述第一半導體元件結構包括多個半導體晶片。
如請求項1所述的半導體元件堆疊結構，其中所述第一基底穿孔不位在多個所述半導體元件的正下方。
如請求項1所述的半導體元件堆疊結構，其中所述第一基底穿孔的整體高度大於每個所述第二基底穿孔的整體高度。
如請求項1所述的半導體元件堆疊結構，其中所述第一基底穿孔的體積大於每個所述第二基底穿孔的體積。
如請求項1所述的半導體元件堆疊結構，其中所述第一基底穿孔的體積為每個所述第二基底穿孔的體積的10倍至1000倍。
如請求項1所述的半導體元件堆疊結構，其中每個所述第一半導體元件結構更包括：<br/> 介電結構，位在所述基底的所述正面上，其中多個所述半導體元件位在所述介電結構中。
如請求項8所述的半導體元件堆疊結構，其中所述第一基底穿孔延伸至所述介電結構中。
如請求項1所述的半導體元件堆疊結構，其中每個所述第一半導體元件結構更包括：<br/> 介電結構，位在所述基底的所述背面上，其中所述重佈線層位在所述介電結構中。
如請求項10所述的半導體元件堆疊結構，其中所述第一基底穿孔與多個所述第二基底穿孔延伸至所述介電結構中。
如請求項1所述的半導體元件堆疊結構，其中相鄰兩個所述第一半導體元件結構彼此接合。
如請求項12所述的半導體元件堆疊結構，其中相鄰兩個所述第一半導體元件結構的接合方法包括凸塊接合法。
如請求項12所述的半導體元件堆疊結構，其中相鄰兩個所述第一半導體元件結構的接合方法包括混合接合(hybrid bonding)法。
如請求項1所述的半導體元件堆疊結構，包括多個所述第一基底穿孔與多個所述重佈線層，其中每個所述第一基底穿孔電性連接於對應的所述重佈線層。
如請求項15所述的半導體元件堆疊結構，其中多個所述第一基底穿孔位在多個所述第二基底穿孔之間。
如請求項1所述的半導體元件堆疊結構，更包括：<br/> 第二半導體元件結構，其中多個所述第一半導體元件結構堆疊在所述第二半導體元件結構上。
如請求項17所述的半導體元件堆疊結構，其中所述第二半導體元件結構包括半導體晶圓。
如請求項17所述的半導體元件堆疊結構，其中所述第二半導體元件結構包括半導體晶片。
如請求項17所述的半導體元件堆疊結構，其中多個所述第一半導體元件結構中的最靠近所述第二半導體元件結構的一者接合於所述第二半導體元件結構。
一種疾病共病預測模型建構之方法，該疾病共病預測模型建構之方法係以一電腦裝置執行，且包含下列步驟：<br/> (1) 接收一樣本資料，該樣本資料包括複數不同疾病之疾病名稱或代碼、個別疾病之看診人數；<br/> (2) 對該樣本資料中的個別疾病進行一對一卡方檢定（Chi-square test），判斷該樣本資料中每兩個疾病間之關聯性，並保留P值小於一特定值的疾病關係；以及<br/> (3) 透過計算調和中心度（Harmonic centrality）、中介中心度（Betweenness Centrality），找出至少一重要核心疾病與至少一橋樑疾病，以建立一共病預測模型。
如請求項1所述之方法，更包括：在執行步驟(1)前，先對該樣本資料以一設定值進行資料排除，該設定值包括單一疾病一年內看診不足兩次者。
如請求項1所述之方法，更包括：在執行步驟(2)後，將該樣本資料之看診人數採用四分位數區分，保留該看診人數為前50%或75%的疾病。
如請求項1所述之方法，更包括：在執行步驟(2)後，接著以一關聯法則（Association Rules），計算該樣本資料中每兩個疾病間之提升度（Lift），篩選並保留該提升度前25%的疾病。
如請求項1所述之方法，其中該特定值為0.05。
如請求項1所述之方法，其中，<br/> 該調和中心度包括計算：<br/><img align="absmiddle" height="17px" width="88px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> 其中，H(s)代表調和中心度分數，n是疾病節點數量，s、t分別代表不同疾病之節點，d(s,t)為s到t最短路徑長度；及<br/> 該中介中心度包括計算：<br/><img align="absmiddle" height="17px" width="82px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> 其中，C<sub>B</sub>(v) 代表中介中心度分數，s、t、v分別代表不同疾病之節點，σ<sub>st</sub>(v)代表s到t經過v之最短路徑數，σ<sub>st</sub>代表s到t之最短路徑數。
如請求項6所述之方法，其中保留該調和中心度分數為前25%的節點。
如請求項6所述之方法，其中該中介中心度之門檻為大於1.5倍四分位距（interquartile range, IQR）。
如請求項1所述之方法，更包括：計算該樣本資料之網絡平均長度，以建構一多層網絡結構，計算公式為：<br/><img align="absmiddle" height="17px" width="96px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> 其中，l(g)代表網絡平均長度，E是任兩個疾病節點連結數量，s、t分別代表不同疾病之節點，d(s,t)為s到t最短路徑長度；<br/> 其中該網絡平均長度決定該多層網絡結構之層數。
一種疾病預測模型之建構方法，該疾病預測模型之建構方法係以一電腦裝置執行，且包含：<br/> (1) 對患有一目標疾病之複數個樣本病人進行全基因組關聯性研究 (GWAS)，篩選出與該目標疾病相關的複數個單核苷酸多型性位點(後簡稱SNP位點)；<br/> (2) 自該些SNP位點中隨機篩選2個SNP位點，得到一第一SNP組合；<br/> (3) 訓練一第一機器學習模型使用該第一SNP組合進行疾病預測，得到一第一疾病預測模型，再測試使用該第一SNP組合之該第一疾病預測模型對該目標疾病進行預測之準確率；<br/> (4) 自該些SNP位點中扣除該第一SNP組合之該些SNP位點後，讓剩餘之每一該些SNP位點輪流加入該第一SNP組合中，以得到複數個第二SNP組合；<br/> (5) 訓練該第一機器學習模型使用該些第二SNP組合進行疾病預測，得到對應之複數個第二疾病預測模型，再測試分別使用對應的該些第二SNP組合之該些第二疾病預測模型對該目標疾病進行預測之準確率；<br/> (6) 準確率最高之該第二疾病預測模型為第三疾病預測模型，該第三疾病預測模型所用之該第二SNP組合為第三SNP組合；<br/> (7) 比較該第一疾病預測模型和該第三疾病預測模型的準確率；<br/> (8) 當該第一疾病預測模型的準確率較高時，該第一SNP組合為結果SNP組合；<br/> (9) 當該第三疾病預測模型的準確率較高時，以該第三SNP組合做為新的第一SNP組合，執行該步驟(4)；<br/> (10) 當該步驟(4)已無剩餘之SNP位點可被扣除時，該步驟(9)之新的該第一SNP組合為結果SNP組合；<br/> (11) 當該步驟(4)還有剩餘之SNP位點可被扣除時，執行該步驟(5)-(10)，直至在該步驟(8)或該步驟(10)中找到結果SNP組合為止；以及<br/> (12) 以該結果SNP組合訓練該第一機器學習模型，得到一結果疾病預測模型以對該目標疾病進行預測。
如請求項1所述之疾病預測模型之建構方法，還包含：<br/> (13) 執行該步驟(2)，得到新的該第一SNP組合；<br/> (14) 執行該步驟(3)至該步驟(11)，得到新的結果SNP組合；<br/> (15) 執行該步驟(12)，得到該第一機器學習模型之新的結果疾病預測模型；以及<br/> (16) 比較該步驟(12)所得之該結果疾病預測模型和該步驟(15)所得之新的該結果疾病預測模型的準確率，留下準確率較高者為該第一機器學習模型之較佳SNP組合和較佳疾病預測模型。
如請求項2所述之疾病預測模型之建構方法，其中該步驟(13)至該步驟(16)被執行複數次，以為該第一機器學習模型找出具有最高準確率之最終SNP組合和最終疾病預測模型。
如請求項1所述之疾病預測模型之建構方法，還包含：<br/> (17) 以一第二機器學習模型取代該第一機器學習模型；<br/> (18) 執行該步驟(3)至該步驟(11)，得到該第二機器學習模型之結果SNP組合；以及<br/> (19) 執行該步驟(12)，得到該第二機器學習模型之結果疾病預測模型。
如請求項4所述之疾病預測模型之建構方法，還包含：<br/> (20) 執行該步驟(2)，得到新的該第一SNP組合；<br/> (21) 執行該步驟(3)至該步驟(11)，得到新的結果SNP組合；<br/> (22) 執行該步驟(12)，得到該第二機器學習模型之新的結果疾病預測模型；以及<br/> (23) 比較該步驟(12)所得之該結果疾病預測模型和該步驟(22)所得之新的該結果疾病預測模型的準確率，留下準確率較高者為該第二機器學習模型之較佳SNP組合和較佳疾病預測模型。
如請求項5所述之疾病預測模型之建構方法，其中該步驟(15)至該步驟(17)被執行複數次，以為該第二機器學習模型找出具有最高準確率之最終SNP組合和最終疾病預測模型。
如請求項1或4所述之疾病預測模型之建構方法，其中該第一機器學習模型或該第二機器學習模型包含貝氏分類器、支持向量機、隨機梯度下降法線性模型、順序最小優化邏輯、K近鄰演算法、局部加權學習、重複增量修剪減少錯誤演算法、一規則分類器、部分決策樹、零規則分類器、C4.5決策樹、邏輯模型樹、隨機樹、隨機森林或其任意組合。
如請求項1所述之疾病預測模型之建構方法，其中在該步驟(1)中，使用該全基因組關聯性研究篩選該些SNP位點的門檻值為判斷該些SNP位點與該目標疾病之間的關連顯著性指標P值 ＜0.05。
如請求項1所述之疾病預測模型之建構方法，其中該目標疾病包含複數個疾病的組合。
如請求項9所述之疾病預測模型之建構方法，其中該些疾病包含二型糖尿病、高血壓和眼部疾病。
一種自行車輻條定位及置放裝置，包括一輪框處理裝置，其係用於處理一自行車輪之一輪框，以及一個用於處理一輻條之輻條處理裝置；該輪框處理裝置及該輻條處理裝置之設置，係用於執行一協同操作，該協同操作係可將一個或數個輻條定位於相對於該輪框之位置；其中該輻條處理裝置之裝設，係用於接合及彎曲一輻條，接著定位該輻條之一端部；該輻條係位於一第一側，該第一側係附著連接於該自行車輪之一花鼓之一上輪緣或下輪緣，該輻條之一端部，其位置係相對於該和自行車輪之該花鼓上之該上輪緣或該下輪緣相連之第一側，使該端部位在該輪框之一選定輻條孔前方，然後放鬆該輻條，再將該輻條之該端部置入該輪框之該選定輻條孔內；該自行車輻條定位及置放裝置之設置，係用於保持該輪框在一水平面上，而該自行車輻條定位及置放裝置包含一可垂直移動之花鼓支撐件，其係用以支撐該花鼓，相對於該輪框，維持在一所需高度。
如請求項1所述之自行車輻條定位及置放裝置，其中，該可垂直移動之花鼓支撐件之設置，係用於將該花鼓移動至某一高度，該高度取決於由該輻條處理裝置所處理之該輻條，是否和該花鼓之該上輪緣，或該花鼓之該下輪緣相連接。
如請求項1或2所述之自行車輻條定位及置放裝置，其中，該可垂直移動之花鼓支撐件之設置，可將該輻條維持在一基本上低於通過該輪框之水平面的位置，而該輻條係由該輻條處理裝置處理，同時和該花鼓之該上輪緣，或該花鼓之該下輪緣相連接。
如請求項1或2所述之自行車輻條定位及置放裝置，其中，該可垂直移動之花鼓支撐件之裝設，係為調動該花鼓至一高度，當使用該輻條處理裝置處理該連接於該花鼓之該上輪緣之一輻條時，該上輪緣的位置低於該輪框。
如請求項1或2所述之自行車輻條定位及置放裝置，其中，該可垂直移動之花鼓支撐件之裝設，係為調動該花鼓至一高度，當使用該輻條處理裝置處理該連接於該花鼓之該下輪緣之一輻條時，該上輪緣的位置高於該輪框。
如請求項1或2所述之自行車輻條定位及置放裝置，其中，該輻條處理裝置配備有一感應器，該輻條處理裝置，進一步配備有一輻條夾，其係用於接合該輻條；其中在使用時，該輻條夾在收到來自感應器的訊號之後，就會啟動。
如請求項1或2所述之自行車輻條定位及置放裝置，其中，至少有一部分的該輻條處理裝置配置有一輻條夾，該輻條夾可以移動，以彎曲該被該輻條夾夾住之該輻條。
如請求項1或2所述之自行車輻條定位及置放裝置，其中，至少有一部分的該輻條處理裝置可以移動，以便將一已彎曲之該輻條之一端部移動到該輪框的一選定輻條孔前方，且對齊該輪框之該選定輻條孔。
如請求項8所述之自行車輻條定位及置放裝置，其中，該輻條處理裝置可以移動，以放鬆該彎曲輻條，並且將該已放鬆輻條之該端部穿過並移入該輪框之該選定輻條孔內。
如請求項1或2所述之自行車輻條定位及置放裝置，其中，該輻條處理裝置係裝設於一滑動臺架上，該滑動臺架可沿著一導向件移動。
如請求項1或2 所述之自行車輻條定位及置放裝置，其中，該自行車輻條定位及置放裝置還包含至少一螺絲起子，該螺絲起子係用於將一銅頭/鋁頭旋緊在一選定輻條上，而該輻條或該銅頭/鋁頭通過並置入該輪框之該選定輻條孔內，且該銅頭/鋁頭旋緊在該輻條上，如此可將該輻條緊繫固定於該輪框。
如請求項1或2 所述之自行車輻條定位及置放裝置，其中，該自行車輻條定位及置放裝置包含數個該輻條處理裝置，及數個和其數量相對應之螺絲起子，該螺絲起子係用於將銅頭/鋁頭設置於各輻條上。
一種將一個或數個輻條定位及置放於一自行車輪之一輪框上的方法，其包含下列步驟：<br/> 步驟1，水平放置該輪框；<br/> 步驟2，接合及彎曲一輻條，該輻條係位在一第一側而該第一側附著連接於該自行車輪之一花鼓之一上輪緣或下輪緣；<br/> 步驟3，置放該花鼓於一定高度位置，其中當該輻條和該花鼓之該上輪緣相連接時，該花鼓之該上輪緣位置係低於該輪框；或<br/> 步驟4，置放該花鼓於一定高度位置，其中當該輻條和該花鼓之該下輪緣相連接時，該花鼓之該上輪緣位置係高於該輪框；<br/> 步驟5，置放該輻條之一端部於相對於該輻條和該自行車輪之該花鼓附著連接之該第一側的位置，且位於該輪框內之一選定輻條孔前方；<br/> 步驟6，放鬆該輻條，且將該輻條之該端部保持在該輪框之該選定輻條孔前方，或將該端部定位並通過該輪框之該選定輻條孔。
如請求項13所述之方法，其中，將一銅頭/鋁頭旋緊在該輻條上，而該輻條置於該輪框之該選定輻條孔前方，或通過並置入該輪框之該選定輻條孔內。
一種多層聚醯亞胺膜，其具有： <br/>耐熱性聚醯亞胺層，其包含耐熱性聚醯亞胺(PIc)；及 <br/>熱熔合性聚醯亞胺層，其積層於上述耐熱性聚醯亞胺層之單面或兩面，且包含熱熔合性聚醯亞胺(PIb)；且 <br/>上述耐熱性聚醯亞胺(PIc)係使以下成分反應而得： <br/>四羧酸成分(Ac)，其以75莫耳%以上100莫耳%以下之量包含3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐，且以0莫耳%以上25莫耳%以下之量包含均苯四甲酸二酐；及 <br/>二胺成分(Bc)，其以70莫耳%以上95莫耳%以下之量包含對苯二胺，且以5莫耳%以上30莫耳%以下之量包含2,2'-二甲基聯苯胺； <br/>上述熱熔合性聚醯亞胺(PIb)係使以下成分反應而得： <br/>四羧酸成分(Ab)，其以10莫耳%以上60莫耳%以下之量包含3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐，且以40莫耳%以上90莫耳%以下之量包含均苯四甲酸二酐；及 <br/>二胺成分(Bb)，其以50莫耳%以上之量包含2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷。
如請求項1之多層聚醯亞胺膜，其中上述耐熱性聚醯亞胺(PIc)係使以下成分反應而得： <br/>四羧酸成分(Ac)，其以80莫耳%以上且未達100莫耳%之量包含3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐，並且以超過0莫耳%且20莫耳%以下之量包含均苯四甲酸二酐；及 <br/>二胺成分(Bc)，其以75莫耳%以上之量包含對苯二胺，且以25莫耳%以下之量包含2,2'-二甲基聯苯胺。
如請求項1之多層聚醯亞胺膜，其中上述熱熔合性聚醯亞胺(PIb)係使以下成分反應而得： <br/>四羧酸成分(Ab)，其以15莫耳%以上之量包含3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐，且以85莫耳%以下之量包含均苯四甲酸二酐；及 <br/>二胺成分(Bb)，其以60莫耳%以上之量包含2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷。
如請求項1之多層聚醯亞胺膜，其中多層聚醯亞胺膜之介電損耗因數為0.0060以下，聚醯亞胺金屬積層體之長條方向(MD)及寬度方向(TD)之尺寸變化率(絕對值)為0.10%以下(其中，上述尺寸變化率係測定使用多層聚醯亞胺膜而製造之聚醯亞胺金屬積層體之初始尺寸(X)、及對金屬箔進行腐蝕後於250℃下加熱處理30分鐘後之尺寸(Y)，依照以下數式而算出： <br/>尺寸變化率(%)＝(Y－X)/X×100 <br/>)。
一種聚醯亞胺金屬積層體，其於請求項1之多層聚醯亞胺膜之熱熔合性聚醯亞胺層側積層有金屬箔。
如請求項5之聚醯亞胺金屬積層體，其中上述多層聚醯亞胺膜於耐熱性聚醯亞胺層之兩面具有熱熔合性聚醯亞胺層，且於上述多層聚醯亞胺膜之兩面積層有金屬箔。
一種軟性配線基板，其係使用如請求項5之聚醯亞胺金屬積層體而製造。
一種無廢料華司低碳成型加工設備，包含： <br/>一主體單元； <br/>一動力單元，設置於該主體單元上，並包括一馬達、一可被該馬達帶動的傳動機構，及一可被該傳動機構連動而沿一送料方向往復移動的滑座； <br/>一調速單元，設置於該主體單元上，並包括一固定於該主體單元上的固定座、二樞設於該固定座上並可相對於該固定座沿該送料方向往復擺盪的擺臂，及一樞接該等擺臂且沿該送料方向延伸的傳動軸； <br/>一進料單元，沿該送料方向位於該動力單元及該調速單元之間，並包括一樞接該等擺臂的設置座，及一設置於該設置座內的夾線機構，該設置座與該等擺臂的樞接處高於該傳動軸與該等擺臂的樞接處，且低於該固定座與該等擺臂的樞接處，當該等擺臂往復擺盪時，可帶動該夾線機構收緊及放鬆；及 <br/>一成型單元，沿該送料方向位於該動力單元及該進料單元之間，並包括一樞接該滑座且連接該傳動軸的鍛座，及一可與該鍛座對合地固定於該設置座上的模座，該鍛座具有一末端為圓錐狀的鍛造件，及一供該鍛造件設置的模體，該鍛造件與該模體相配合界定出一環繞該鍛造件而呈環狀的模穴，該模座開設有一沿該送料方向貫通且可供該鍛造件之末端插入的穿孔。
如請求項1所述的無廢料華司低碳成型加工設備，其中，該進料單元之夾線機構具有一截頭圓錐狀的套筒，及兩個同軸設置於該套筒中，且拚合後同樣是截頭圓錐狀的夾具，該設置座會被該等擺臂帶動而沿該送料方向往復移動，該二夾具會在套筒中相對於套筒前後移動，當該等夾具相對於該套筒朝向該動力單元地移動而脫離該套筒的束縛時，該等夾具相互分離而張開，當該等夾具遠離該動力單元地移動而被該套筒套住時，該等夾具會相互靠近而夾緊。
如請求項1所述的無廢料華司低碳成型加工設備，其中，該調速單元之每一擺臂上開設有一朝上延伸且供該進料單元之該設置座穿設樞接的上滑槽，及一沿該送料方向與該上滑槽交錯排列，且朝下延伸並供該傳動軸穿設樞接的下滑槽。
如請求項1所述的無廢料華司低碳成型加工設備，其中，該動力單元之傳動機構具有一可被該馬達帶動的皮帶輪組、一可被該皮帶輪組帶動的齒輪組，及一可被該齒輪組帶動而偏心旋轉且穿設該滑座的偏心軸，該偏心軸偏心旋轉時可帶動該滑座沿該送料方向週期性地往復移動。
如請求項1所述的無廢料華司低碳成型加工設備，還包含一沿該送料方向鄰接該進料單元設置的矯直單元，該矯直單元具有一設置於該主體單元上的立架、一設置於該立架上且沿該送料方向遠離該進料單元地延伸的基板，及複數可樞轉地設置於該基板上的壓輪，該等壓輪沿一垂直該送料方向的側向彼此交錯排列。
一種光耦合校正方法，用於透過一奈米級驅動設備來校正一光纖陣列與一待測物之間的相對位置，該光耦合校正方法適用於在一電子裝置上執行，該光耦合校正方法包含：<br/> 將該奈米級驅動設備的一旋轉中心設定於鄰近該待測物；<br/> 搜尋一最佳耦光點；<br/> 沿一第一座標軸旋轉，收集多筆第一校正資料；<br/> 根據該多筆第一校正資料，計算一第一旋轉中心偏差值；<br/> 當該第一旋轉中心偏差值大於一第一閾值，校正該旋轉中心的設定值；<br/> 沿一第二座標軸旋轉，收集多筆第二校正資料，其中，該第二座標軸正交於該第一座標軸；<br/> 根據該多筆第二校正資料，計算一第二旋轉中心偏差值；<br/> 當該第二旋轉中心偏差值大於一第二閾值，校正該旋轉中心的設定值；以及<br/> 根據由該第一旋轉中心偏差值及該第二旋轉中心偏差值所校正的該旋轉中心的設定值，使該旋轉中心校正於該待測物上，<br/> 其中，該奈米級驅動設備控制該光纖陣列相對於該待測物的位置及角度；<br/> 其中，該多筆第一校正資料及該多筆第二校正資料係由該光纖陣列或該待測物所接收的光訊號強度所收集。
如請求項1所述之光耦合校正方法，其中，搜尋該最佳耦光點還包括：<br/> 於一第一平面平移，收集多筆第一平面資料；<br/> 根據該多筆第一平面資料，搜尋收光強度為最大的一最大光強度位置；以及<br/> 以該最大光強度位置所包括的位置資訊與角度資訊，作為該最佳耦光點。
如請求項1所述之光耦合校正方法，其中，該多筆第一校正資料及該多筆第二校正資料均包括收光位置、收光角度，及對應該收光位置與該收光角度的收光強度。
如請求項1所述之光耦合校正方法，其中，該第一旋轉中心偏差值包括正交於該第一座標軸的一第二座標軸位移偏差值及一第三座標軸位移偏差值，該第二座標軸位移偏差值及該第三座標軸位移偏差值係用以表示該旋轉中心與該待測物於第二座標軸及第三座標軸上的偏差。
如請求項1所述之光耦合校正方法，其中，該第二旋轉中心偏差值包括正交於該第二座標軸的一第一座標軸位移偏差值，該第一座標軸位移偏差值係用以表示該旋轉中心與該待測物於第一座標軸上的偏差。
如請求項1所述之光耦合校正方法，其中，該第一旋轉中心偏差值係將沿該第一座標軸旋轉的角度變化量分別與一第二座標軸位移量及一第三座標軸位移量進行線性回歸分析，並依線性回歸分析所得的斜率及決定係數，獲得該旋轉中心與該待測物於第二座標軸及第三座標軸上的偏差值。
如請求項1所述之光耦合校正方法，其中，該第二旋轉中心偏差值係將沿該第二座標軸旋轉的角度變化量分別與一第一座標軸位移量及一第三座標軸位移量進行線性回歸分析，並依線性回歸分析所得的斜率及決定係數，獲得該旋轉中心與該待測物於第一座標軸上的偏差值。
如請求項1所述之光耦合校正方法，其中，該多筆第一校正資料係沿該第一座標軸以0.5度的間隔取角度範圍為-2.5度至2.5度之間所收集。
如請求項1所述之光耦合校正方法，其中，該多筆第二校正資料係沿該第二座標軸以0.1度的間隔取角度範圍為0度至1度之間所收集。
一種光耦合校正系統，用於校正一光纖陣列與一待測物之間的相對位置，該光耦合校正系統包含：<br/> 一奈米級驅動設備，用於驅動以改變該光纖陣列相對於該待測物的位置及角度；<br/> 一處理器；以及<br/> 一儲存裝置，用於儲存多個程式指令；<br/> 其中，該處理器於執行該多個程式指令後，適於進行如請求項1至9中任一項所述之光耦合校正方法。
一種適於光耦合校正的非暫態電子裝置可讀取紀錄媒體，其儲存多個程式指令，使一電子裝置於執行該多個程式指令後，適於進行如請求項1至9中任一項所述之光耦合校正方法。
一種具有自對準淺溝槽隔離支撐樑之先進半導體記憶體元件之承載訊號的導體及其接點的製造方法，包括： <br/>提供一矽基板； <br/>在所述矽基板上形成一第一介電層； <br/>在所述第一介電層上形成一第一圖案層，其中所述第一圖案層包括沿第一方向的次淺溝槽隔離圖案和沿著垂直於所述第一方向的第二方向的次支撐樑圖案； <br/>蝕刻未受所述第一圖案層保護之所述第一介電層以暴露所述矽基板； <br/>移除所述第一圖案層以提供一圖案化第一介電層，其中所述圖案化第一介電層包括所述次淺溝槽隔離圖案和所述次支撐樑圖案； <br/>進行第一STI蝕刻，即在所述第二方向上進行非等向性STI矽蝕刻，同時在所述第一方向上進行STI傾斜矽蝕刻，從而在所述第二方向上提供多個第一淺溝槽以及去除所述次支撐樑圖案下方的部分矽基板，以留下多個矽支撐樑懸掛在所述第一淺溝槽內的所述次支撐樑圖案下方並鄰接所述次淺溝槽隔離圖案下方的所述矽基板； <br/>執行第一熱氧化製程，使得沿著每個所述第一淺溝槽形成一第一二氧化矽襯墊層，並且所述矽支撐樑在所述第一淺溝槽中自轉變為二氧化矽支撐樑； <br/>在所述圖案化第一介電層上形成一層第一導體，並執行第一化學機械研磨製程直至所述圖案化第一介電層上以使所述第一導體填滿所述第一淺溝槽； <br/>移除填充在所述第一淺溝槽中部分的第一導體，以形成多個第一訊號承載導體以及與所述多個第一訊號承載導體一體成形的第一導體柱，其中所述第一導體柱位於所述二氧化矽支撐樑下方且電氣連接所述多個第一訊號承載導體的接點； <br/>執行第一二氧化矽沉積製程，以使所述第一訊號承載導體和所述第一導體柱埋入填充有二氧化矽的所述第一淺溝槽中；及 <br/>執行第二化學機械研磨製程以形成第一淺溝槽隔離結構。
如請求項1之 製造方法，進一步包括： <br/>沿所述第二方向對所述圖案化第一介電層的所述次淺溝槽隔離圖案進行第二STI蝕刻製程，以形成被多個第二淺溝槽劃分的島狀主動區域圖案。
如請求項2之製造方法，進一步包括： <br/>執行第二二氧化矽沉積製程以填充所述多個第二淺溝槽，並執行第三化學機械研磨製程以形成第二淺溝槽隔離結構。
如請求項3之製造方法，進一步包括： <br/>執行第一微影和蝕刻製程以暴露所述第一導體柱和部分位於所述島狀主動區域圖案處的矽基板，以定義所述多個第一訊號承載導體之接點的位置。
如請求項4之製造方法，進一步包括： <br/>沉積一層第二導體並執行第四化學機械研磨製程以形成所述多個第一訊號承載導體的接點。
如請求項3之製造方法，進一步包括： <br/>沿著所述第二方向執行第三STI蝕刻製程，以形成穿過所述島狀主動區域圖案的多個第三淺溝槽。
如請求項6之製造方法，進一步包括： <br/>執行第二熱氧化製程以在所述多個第三淺溝槽形成一第二二氧化矽襯墊層。
如請求項7之製造方法，進一步包括： <br/>在所述多個第三淺溝槽內部形成多個第二訊號承載導體。
如請求項8之製造方法，進一步包括： <br/>執行第三二氧化矽沉積製程以填充所述多個第三淺溝槽並掩埋所述多個第二訊號承載導體。
如請求項1之製造方法，其中，在所述矽基板上形成所述第一介電層的步驟中進一步包含： <br/>在所述矽基板上形成二氧化矽層以及在所述二氧化矽層上形成氮化矽層。
如請求項1之製造方法，其中，所述第一圖案層的次淺溝槽隔離圖案與次支撐樑圖案彼此交錯相鄰。
一種淺溝槽隔離結構內具有為先進記憶體裝置承載訊號的自對準掩埋導體及其接點的半導體結構，包含： <br/>一基板，其在第一維度上具有一第一淺溝槽隔離結構，其中所述第一淺溝槽隔離結構包括沿第一維度填充有二氧化矽的多個第一溝槽； <br/>多個導體，每個所述導體埋入其中一個填充有二氧化矽的所述第一溝槽中，並沿第一維度與所述第一溝槽自對準； <br/>多個導體柱，其沿著垂直於第一維度的第二維度延伸並與所述多個導體一體成形；以及 <br/>多個接點，每個所述接點設置在其中一個所述導體柱上。
如請求項12之半導體結構，其中，進一步包括一第二淺溝槽隔離結構，所述第二淺溝槽隔離結構具有沿著第二維度填充有二氧化矽的多個第二溝槽以及多個主動區域，每個所述主動區域位於一對填充有二氧化矽的所述第二溝槽之間，並且各所述接點佔據其中一所述主動區域的一部分。
如請求項13之半導體結構，其中，進一步包括掩埋在一第三淺溝槽隔離結構中的多個第二導體，所述第三淺溝槽隔離結構具有沿著第三維度填充有二氧化矽並穿過所述主動區域的多個第三溝槽，其中所述第二導體位於所述接點下方，所述第三維度垂直於所述第一維度和所述第二維度。
一種用於車輛特徵分析與統計之方法，係包括：對連續影像之每一幀畫面進行特徵分析，以於該每一幀畫面中偵測出複數個第一特徵區域以及複數個第二特徵區域，進而對各該第一特徵區域辨識出第一識別資訊及對各該第二特徵區域辨識出第二識別資訊；根據該複數個第一特徵區域與該複數個第二特徵區域之間的關聯性，對該複數個第一特徵區域與該複數個第二特徵區域進行特徵配對，以產生包含第一及/或第二識別資訊之特徵配對結果，其中，該特徵配對結果中的各該第一特徵區域或各該第二特徵區域係作為主特徵區域，其中，該特徵配對係包括：於該複數個第一特徵區域與該複數個第二特徵區域之間的關聯性為一對一重疊時，將相互重疊之該第一特徵區域與該第二特徵區域予以配對；以及於該複數個第一特徵區域與該複數個第二特徵區域之間的關聯性非一對一重疊時，計算各該第一特徵區域與各該第二特徵區域之間的相對距離，以將具有最小相對距離之該第一特徵區域和該第二特徵區域予以配對；以及根據該特徵配對結果對該連續影像進行特徵統計，以於該主特徵區域的出現幀數在統計幀數範圍內到達輸出閾值時，將到達該輸出閾值之該主特徵區域及與其配對的第一及/或第二識別資訊予以輸出。
如請求項1所述之方法，更包括：在該特徵配對完成之後，對拍攝該連續影像的攝影機之拍攝路段統計出該拍攝路段的車輛累積出現幀數，以進行參數更新。
如請求項2所述之方法，其中，該參數更新係包括：根據該車輛累積出現幀數，調整該統計幀數範圍；以及根據該車輛累積出現幀數，將該輸出閾值調整成對應該拍攝路段的多個分區或多個時段之多個輸出閾值。
如請求項1所述之方法，其中，該第一特徵區域為車牌區域，而該第一識別資訊為車牌號碼，且其中，該第二特徵區域為車輛區域，而該第二識別資訊為車輛顏色及/或車輛廠牌。
一種電腦程式產品，經電腦載入並執行該程式後，完成請求項1所述之方法。
一種用於車輛特徵分析與統計之系統，係包括：特徵分析模組，用於對連續影像之每一幀畫面進行特徵分析，以於該每一幀畫面中偵測出複數個第一特徵區域以及複數個第二特徵區域，進而對各該第一特徵區域辨識出第一識別資訊及對各該第二特徵區域辨識出第二識別資訊；特徵配對模組，用於根據該複數個第一特徵區域與該複數個第二特徵區域之間的關聯性，對該複數個第一特徵區域與該複數個第二特徵區域進行特徵配對，以產生包含第一及/或第二識別資訊之特徵配對結果，其中，該特徵配對結果中的各該第一特徵區域或各該第二特徵區域係作為主特徵區域，其中，該特徵配對係包括；於該複數個第一特徵區域與該複數個第二特徵區域之間的關聯性為一對一重疊時，該特徵配對模組將相互重疊之該第一特徵區域與該第二特徵區域予以配對，以及於該複數個第一特徵區域與該複數個第二特徵區域之間的關聯性非一對一重疊時，該特徵配對模組計算各該第一特徵區域與各該第二特徵區域之間的相對距離，以將具有最小相對距離之該第一特徵區域和該第二特徵區域予以配對；以及特徵統計模組，用於根據該特徵配對結果對該連續影像進行特徵統計，以於該主特徵區域的出現幀數在統計幀數範圍內到達輸出閾值時，將到達該輸出閾值之該主特徵區域及與其配對的第一及/或第二識別資訊予以輸出。
如請求項6所述之系統，更包括：參數更新模組，用於在該特徵配對模組的特徵配對完成之後，對拍攝該連續影像的攝影機之拍攝路段統計出該拍攝路段的車輛累積出現幀數，以進行參數更新，其中，該參數更新係包括：該參數更新模組根據該車輛累積出現幀數調整該統計幀數範圍，以及根據該車輛累積出現幀數，將該輸出閾值調整成對應該拍攝路段的多個分區或多個時段之多個輸出閾值。
如請求項6所述之系統，其中，該第一特徵區域為車牌區域，而該第一識別資訊為車牌號碼，且其中，該第二特徵區域為車輛區域，而該第二識別資訊為車輛顏色及/或車輛廠牌。
一種用於製造一顯示器之方法，該方法包括： <br/>將一組發射器自一晶圓轉移至一載體； <br/>接著在轉移之後，在該顯示器之不同於該載體之一第一層上沈積： <br/>一第一組跡線，該第一組跡線經配置以自一第一電路扇出(fan out)至該組發射器中之一第一子組，及 <br/>一第二組跡線，該第二組跡線經配置以自一第二電路扇出至該組發射器中之一第二子組； <br/>接著在沈積之後，在該顯示器之不同於該載體及該第一層之一第二層上將該第一電路附接至該第一組跡線且將該第二電路附接至該第二組跡線；及 <br/>沈積一第三組跡線，該組跡線經組態以將一控制器電路電耦合至該第一電路及該第二電路。
如請求項1之方法，其中： <br/>該載體由一透明材料構造，該組發射器經組態以透過該透明材料發射光；且 <br/>一組裝置整合在該載體內且經組態以操縱由該組發射器透過該載體之該透明材料發射之光。
如請求項1至2中任一項之方法，其中該第一組跡線及該第二組跡線沈積在由介電材料分離之複數個層上。
如請求項1至2中任一項之方法，其中： <br/>該載體由一撓性材料構造； <br/>該第一電路及該第二電路由互補金屬氧化物半導體(CMOS)晶片實施；且 <br/>該組發射器由微發光二極體(microLED)實施。
如請求項1至2中任一項之方法，其中該組發射器中之該第一子組包括呈一非直線配置之發射器。
如請求項1至2中任一項之方法，其中該第一電路及該第二電路被製造有矽穿孔，該等矽穿孔經組態以支援一雙側佈線方案，其中： <br/>該第一組跡線及該第二組跡線在該第一電路及該第二電路之一第一側上之一或多個層中實施；且 <br/>該第三組跡線在該第一電路及該第二電路之一第二側上之一或多個層中實施，該第二側與該第一側相對。
如請求項1至2中任一項之方法，其中： <br/>該第一電路及該第二電路附接至一印刷電路板；且 <br/>該第一組跡線、該第二組跡線及該第三組跡線安置至該載體、安置至該印刷電路板，或者分佈在該載體與該印刷電路板之間。
如請求項1至2中任一項之方法，其進一步包括在將該組發射器轉移至該載體之前，在該晶圓上製造該組發射器。
一種用於製造一顯示器之方法，該方法包括： <br/>將一第一電路及一第二電路附接至一載體； <br/>接著在附接該第一電路及該第二電路之後，沈積： <br/>一第一組跡線，該第一組跡線經組態以將一控制器電路電耦合至該第一電路及該第二電路， <br/>一第二組跡線，該第二組跡線在該顯示器之不同於該載體之一第一層上且經配置以自該第一電路扇出至一組發射器中之一第一子組，及 <br/>一第三組跡線，該第三組跡線在該第一層上且經配置以自該第二電路電耦合至該組發射器中之一第二子組；及 <br/>接著在沈積該第一組跡線、該第二組跡線及該第三組跡線之後，將該組發射器中之該第一子組及該第二子組自一晶圓轉移以分別與在該顯示器之不同於該載體及該第一層之一第二層上之該第二組跡線及該第三組跡線耦合。
如請求項9之方法，其進一步包括，接著在轉移該組發射器中之該第一子組及該第二子組之後，將一玻璃施加至該組發射器，該玻璃由一透明材料構造，該組發射器經組態以透過該透明材料發射光； <br/>其中一組裝置整合在該玻璃內且經組態以操縱由該等發射器透過該玻璃之該透明材料發射之光。
如請求項9至10中任一項之方法，其中該第二組跡線及該第三組跡線沈積在由介電材料分離之複數個層上。
如請求項9至10中任一項之方法，其中： <br/>該載體由一撓性材料構造； <br/>該第一電路及該第二電路由互補金屬氧化物半導體(CMOS)晶片實施；且 <br/>該組發射器由微發光二極體(microLED)實施。
如請求項9至10中任一項之方法，其中該組發射器中之該第一子組包括呈一非直線配置之發射器。
如請求項9至10中任一項之方法，其中該第一電路及該第二電路被製造有矽穿孔，該等矽穿孔經組態以支援一雙側佈線方案，其中： <br/>該第二組跡線及該第三組跡線在該第一電路及該第二電路之一第一側上之一或多個層中實施；且 <br/>該第一組跡線在該第一電路及該第二電路之一第二側上之一或多個層中實施，該第二側與該第一側相對。
如請求項9至10中任一項之方法，其進一步包括在轉移該組發射器中之該第一子組及該第二子組之前，在該晶圓上製造該組發射器。
一種顯示器總成，其包括： <br/>安置在該顯示器總成中之一載體上之一組發射器，該組發射器自該組發射器製造於其上之一晶圓轉移至該顯示器總成； <br/>一第一電路，該第一電路在該顯示器總成之不同於該載體之一第一層上且經由在該顯示器總成之不同於該載體及該第一層之一第二層上之一第一組跡線扇出至該組發射器中之一第一子組； <br/>一第二電路，該第二電路在該第一層上且經由在該第二層上之一第二組跡線扇出至該組發射器中之一第二子組；及 <br/>一控制器電路，該控制器電路經由一第三組跡線電耦合至該第一電路及該第二電路。
如請求項16之顯示器總成，其中該載體由一透明材料構造； <br/>其中： <br/>該組發射器自該晶圓轉移至該載體且經組態以透過該載體之該透明材料發射光，且 <br/>該第一組跡線、該第二組跡線、該第三組跡線及介電材料成層地沈積至該載體上。
如請求項17之顯示器總成，其進一步包括一組裝置，該組裝置整合在該載體內且經組態以操縱由該組發射器透過該載體之該透明材料發射之光。
如請求項16至18中任一項之顯示器總成，其中該顯示器總成經組態以用作一智慧型手錶顯示器。
一種顯示器總成，其包括： <br/>安置在該顯示器總成中之一第一層之一組發射器，該組發射器自該組發射器製造於其上之一晶圓轉移至該顯示器總成； <br/>一第一電路，該第一電路安置在該顯示器總成之不同於該第一層之一載體上且經由一第一組跡線扇出至該組發射器中之一第一子組； <br/>一第二電路，該第二電路安置在該載體上且經由一第二組跡線扇出至該組發射器中之一第二子組；及 <br/>一控制器電路，該控制器電路經由一第三組跡線電耦合至該第一電路及該第二電路。
如請求項20之顯示器總成， <br/>其中該第三組跡線、該第一組跡線、該第二組跡線及介電材料成層地沈積至該載體上。
如請求項21之顯示器總成，其進一步包括： <br/>一玻璃，該玻璃由一透明材料構造，該組發射器經組態以透過該透明材料發射光；及 <br/>一組裝置，該組裝置整合在該玻璃內且經組態以操縱由該組發射器透過該玻璃之該透明材料發射之光。
如請求項20至22中任一項之顯示器總成，其中該顯示器總成經組態以用作一智慧型手錶顯示器。
一種清潔設備控制方法，其包括： <br/>在該清潔設備在一待清潔地面執行一清潔任務的一過程中，如果該清潔設備接收到一切換指令，則控制該清潔設備由一非長毛地毯清潔模式切換至一長毛地毯清潔模式，其中該切換指令由一用戶觸發，或者該清潔設備從一非長毛地毯區域行進至一長毛地毯區域時主動觸發；及 <br/>在該長毛地毯清潔模式中，控制該清潔設備將該清潔設備的一機身高度調整至一第一機身高度後執行一清潔動作，該第一機身高度高於該清潔設備在該非長毛地毯清潔模式下的一第二機身高度， <br/>該方法進一步包括： <br/>如果任意一個該長毛地毯區域中存在一障礙空間，則控制該清潔設備將該機身高度調整至一第三機身高度後行進至該障礙空間，以在該障礙空間內執行該清潔動作，該障礙空間的一高度低於該第一機身高度，該第三機身高度高於或等於該第二機身高度且低於該第一機身高度。
如請求項1之方法，其中該待清潔地面包括一非地毯區域和至少一地毯區域，該方法進一步包括： <br/>響應於接收到在該待清潔地面執行該清潔任務的一指令，按照該地毯區域的一位置分佈順序，控制該清潔設備依次對每一個該地毯區域執行該清潔動作；及 <br/>在對該至少一地毯區域清潔完成之後，控制該清潔設備對該非地毯區域執行該清潔動作。
如請求項2之方法，其中該地毯區域包括該長毛地毯區域和一短毛地毯區域，該方法進一步包括： <br/>如果該清潔設備從該長毛地毯區域離開，則控制該清潔設備由該長毛地毯清潔模式切換至該非長毛地毯清潔模式；及 <br/>在該非長毛地毯清潔模式中，控制該清潔設備將該機身高度調整至該第二機身高度後執行該清潔動作。
如請求項2之方法，其中該地毯區域包括該長毛地毯區域和一短毛地毯區域，該方法進一步包括： <br/>如果該清潔設備從該長毛地毯區域行進至該非長毛地毯區域，則控制該清潔設備由該長毛地毯清潔模式切換至該非長毛地毯清潔模式； <br/>如果該清潔設備從一個該長毛地毯區域離開並向另一個該長毛地毯區域行進，則控制該清潔設備保持在該長毛地毯清潔模式；及 <br/>在該非長毛地毯清潔模式中，控制該清潔設備將該機身高度調整至該第二機身高度後執行該清潔動作。
如請求項1之方法，其中該待清潔地面包括一非地毯區域和至少一地毯區域，該地毯區域包括該長毛地毯區域和一短毛地毯區域，該方法進一步包括： <br/>響應於接收到在該待清潔地面執行該清潔任務的一指令，控制該清潔設備依次對每一個該長毛地毯區域執行該清潔動作，其中在該清潔設備從一個該長毛地毯區域離開並向另一個該長毛地毯區域行進的過程中，控制該清潔設備保持在該長毛地毯清潔模式； <br/>在對各個該長毛地毯區域清潔完成之後，控制該清潔設備依次對每一個該短毛地毯區域執行該清潔動作，其中在該清潔設備從該長毛地毯區域離開時，或該清潔設備從該長毛地毯區域行進至該短毛地毯區域時，控制該清潔設備由該長毛地毯清潔模式切換至該非長毛地毯清潔模式；及 <br/>在對各個該短毛地毯區域清潔完成之後，控制該清潔設備對該非地毯區域執行該清潔動作。
如請求項1之方法，其中該障礙空間的一區域面積大於一預設面積閾值。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>如果該第三機身高度等於該第二機身高度，且該清潔設備行進至該障礙空間的一失敗次數高於一預設次數閾值，則控制該清潔設備停止行進至該障礙空間。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>獲取由該用戶提供的一長毛地毯區域設置數據；及 <br/>根據該長毛地毯區域設置數據，在該待清潔地面中設定該長毛地毯區域。
如請求項1至8中任一項所述之方法，其進一步包括： <br/>當該清潔設備在一當前位置按照該非長毛地毯清潔模式執行該清潔動作時，獲取該清潔設備中的一運動組件的一電信號值，該運動組件包括一清潔主刷、一清潔邊刷、及一行走輪中的至少一個；及 <br/>如果該電信號值大於一預設電信號閾值，則將該當前位置判定為一長毛地毯位置。
如請求項9之方法，其進一步包括： <br/>獲取該待清潔地面的任意一個地毯區域中分佈的該長毛地毯位置；及 <br/>根據該長毛地毯位置在該任意一個地毯區域的一分佈數量或者一分佈面積，確定該任意一個地毯區域是否為該長毛地毯區域。
如請求項9之方法，其進一步包括： <br/>當該清潔設備在該當前位置執行該清潔動作時，如果該當前位置被判定為該長毛地毯位置，則將該長毛地毯位置所在的一區域確定為該長毛地毯區域。
如請求項9之方法，其中控制該清潔設備將該機身高度調整至該第一機身高度後執行該清潔動作包括： <br/>獲取該長毛地毯區域的一地毯特徵值，該地毯特徵值用於表徵該長毛地毯區域中的一絨毛長度，該地毯特徵值與該電信號值正相關；及 <br/>根據該地毯特徵值確定該第一機身高度，並控制該清潔設備將該機身高度調整至該第一機身高度後執行該清潔動作，該第一機身高度與該地毯特徵值正相關。
一種清潔設備控制裝置，其包括： <br/>一第一控制單元，用於該清潔設備在一待清潔地面執行一清潔任務的一過程中，如果該清潔設備接收到一切換指令，則控制該清潔設備由一非長毛地毯清潔模式切換至一長毛地毯清潔模式，其中該切換指令由一用戶觸發，或者該清潔設備從一非長毛地毯區域行進至一長毛地毯區域時主動觸發；及 <br/>一第二控制單元，用於在該長毛地毯清潔模式中，控制該清潔設備將該清潔設備的一機身高度調整至一第一機身高度後執行該清潔動作，該第一機身高度高於該清潔設備在該非長毛地毯清潔模式下的一第二機身高度； <br/>所述裝置還包括：第四控制單元，用於如果任意一個長毛地毯區域中存在一障礙空間，則控制該清潔設備將該機身高度調整至一第三機身高度後行進至該障礙空間，以在該障礙空間內執行清潔動作，該障礙空間的一高度低於該第一機身高度，該第三機身高度高於或等於該第二機身高度且低於該第一機身高度。
一種計算機程序產品，其包括一計算機指令，該計算機指令存儲在一計算機可讀存儲介質中，且適於由一處理器讀取並執行，以使得具有該處理器的一計算機設備執行如請求項1至12中任一項所述之方法。
一種計算機可讀存儲介質，其中存儲有至少一條程序代碼，該至少一條程序代碼由一處理器加載並執行以實現如請求項1至12中任一項所述之方法所執行的操作。
一種清潔設備，其包括一個或多個處理器和一個或多個存儲器，該一個或多個存儲器中存儲有至少一條程序代碼，該至少一條程序代碼由該一個或多個處理器加載並執行以實現如請求項1至12中任一項所述之方法。
一種用於一醫療加濕系統之加濕腔室，該加濕腔室包括： <br/>由一側壁所連接的一基部以及一頂部，以限定該加濕腔室； <br/>一入口，包括一入口端、一出口端、以及至少一個壁，該入口端被構造以從一氣體源接收氣體流，該出口端被構造以將該氣體流引入到該加濕腔室的一內部，該至少一個壁至少部分地限定在該入口端與該出口端之間的一通道以在其間輸送氣體；以及 <br/>一氣體出口， <br/>其中該入口被構造以沿著該加濕腔室的該側壁的一內表面引導氣體流； <br/>該入口的該出口端被構造以終止在該加濕腔室的該側壁； <br/>該入口端限定該通道的一第一輪廓並且該出口端限定該通道的一第二輪廓，其中 <br/>該第一輪廓與該第二輪廓在形狀上不同；以及 <br/>其中該入口被構造以在與該加濕腔室的該側壁相切的一方向將該氣體流引到該加濕腔室。
如請求項1所述之加濕腔室，其中該第一輪廓與該第二輪廓在尺寸上不同。
如請求項1所述之加濕腔室，其中該第一輪廓為圓的且該第二輪廓為四邊形的。
如請求項3所述之加濕腔室，其中該第一輪廓為圓形或卵形的且該第二輪廓為正方形或矩形的。
如請求項1所述之加濕腔室，其中該第二輪廓是一細長形狀。
如請求項1所述之加濕腔室，其中該出口端具有一狹槽，該狹槽具有一高度以及一寬度，其中該高度大於該寬度。
如請求項6所述之加濕腔室，其中該狹槽具有在1 : 20與1 : 5之間的一寬度與高度比率。
如請求項1所述之加濕腔室，其中該通道沿著該通道的至少一部分漸縮，使得存在從沿該通道的一第一點移動至沿該通道的一第二點之該通道的截面面積之一減小，該第二點比該第一點更靠近該出口端。
如請求項8所述之加濕腔室，其中在該通道的一第一部分中該通道的該截面面積的減小之一比率高於該通道的一第二部分，該第一部分比該第二部分更靠近該出口端。
如請求項1所述之加濕腔室，其中限定該通道的該至少一個壁的一內表面被構造成沿著該入口的一長度的至少一部分限定一彎曲通道。
如請求項10所述之加濕腔室，其中該出口端被構造成在該加濕腔室的一頂部處或附近。
如請求項1所述之加濕腔室，包括設置在該出口端處或附近的一結構，該結構被構造成用於防止該加濕腔室中的水進入該入口。
如請求項1至12任一項所述之加濕腔室，其中該入口被構造成可釋放地附接到該加濕腔室。
如請求項1至12任一項所述之加濕腔室，其中： <br/>該入口至少部分地與該加濕腔室一體形成，及/或 <br/>該入口至少部分地永久地附接到該加濕腔室。
如請求項1至12任一項所述之加濕腔室，其中該入口的至少一部分與該加濕腔室的該基部平行或者朝向該基部傾斜地成角度。
一種羽毛球之人造球頭，包括：一體成型的一實體部，以及黏著並且包覆於該實體部之外側表面的一球頭皮膜；該實體部包含：圓柱形的一主體部和位於該主體部之軸向前端且為半球形的一前端部，該主體部和該前端部的直徑相同且為同軸的關係，該主體部的軸向尾端具有數個插置孔，該些插置孔均勻排列成環形，該實體部係採用含木屑之熱可塑性混合材料然後通過微發泡射出成型技術製作完成的一種具有微氣泡結構的微彈性多孔結構，該含木屑之熱可塑性混合材料的組成包含：重量百分比50%至60%之熱可塑性彈性體(TPR)、重量百分比30%至40%之天然木屑，以及重量百分比5%至10%之黏著劑。
如請求項1所述羽毛球之人造球頭，其中該天然木屑的粒徑為1mm至2mm。
如請求項1所述羽毛球之人造球頭，其中該球頭皮膜的材質為PU塗層布料，且該球頭皮膜的外側表面具有紋路。
一種噴洗鼻裝置，包括：一下殼體(1)，其內具有一分隔壁(14)分隔形成的第一空間(15)與第二空間(16)，該第一空間(15)凸設有第一中空管(13)，其一端的第一噴嘴(131)從底面(12)凸出，該第一噴嘴(131)的上游呈收縮狀並設有第一開口(133)，而另一端的進氣管(132)則向該第一空間(15)的相反側延伸；一蓋體(2)，配置為可拆卸連接至該下殼體(1)上，由下半部的內框(21)和上半部的側壁(22)組成，第三噴嘴(23)於頂部形成第三開口(27)，且該側壁(22)與第三噴嘴(23)保持距離圍繞，在此距離內，部分區域設置頂面(24)覆蓋第一空間(15)，另一部分形成開孔(25)並從該頂面(24)向下延伸引流壁(26)連接第二空間(16)；以及一第二中空管(3)，係以第二噴嘴(31)對應覆蓋該第一噴嘴(131)而形成第一空腔(36)，再以形狀相異的結合孔(32)套設該第一中空管(13)外周面形成部分未接觸的間隙(34)，且該第二噴嘴(31)的頂端局部與該第三噴嘴(23)對應接觸，當流體通過該第一開口(133)時於出口端形成壓力差，使該第一空腔(36)產生負壓，負壓經該間隙(34)吸取該第一空間(15)的清潔液，使其導入該第一空腔(36)與流體混合形成氣流，再通過該第二開口(35)噴出。
如請求項1所述之噴洗鼻裝置，其中該第一中空管(13)的外周面呈現第一形狀，該結合孔(32)的內周面的呈現第二形狀，該第二形狀的截面積大於該第一形狀的截面積，且該第二形狀的上游截面積大於或等於中游截面積，使該間隙(34)在上游或中游形成截面積變化。
如請求項1所述之噴洗鼻裝置，其中該第一中空管(13)的外周面呈現第一形狀，該結合孔(32)的內周面的呈現第二形狀，該第二形狀的截面積大於該第一形狀的截面積，且該第二形狀的上游截面積小於下游截面積，使該間隙(34)在下中游形成截面積變化。
一種電子裝置，其包括：一個以上之處理器；及 <br/>一個以上之記憶體，其儲存有藉由上述一個以上之處理器而執行之命令； <br/>且上述電子裝置以如下之方式構成： <br/>於執行上述命令時，上述一個以上之處理器如下： <br/>自外部裝置接收用以將銷售者之地址註冊至對上述銷售者之銷售對象商品之取貨服務之註冊請求，其中上述註冊請求係藉由上述外部裝置而自上述銷售者之終端獲得者，包括與上述銷售者之地址關聯之字串； <br/>基於上述字串而識別與上述銷售者之地址對應之地區； <br/>確定上述識別之地區是否支持上述取貨服務； <br/>隨著確定為上述識別之地區支持上述取貨服務，將上述銷售者之地址註冊至上述取貨服務，並將指示上述銷售者之地址已註冊至上述取貨服務之第1響應資訊傳輸至上述外部裝置。
如請求項1之電子裝置，其進而以如下之方式構成：上述一個以上之處理器於基於上述字串而識別與上述銷售者之地址對應之上述地區中， <br/>識別上述字串中包括之單詞中之位於預先確定之順序之單詞， <br/>基於上述識別之單詞，確定與上述銷售者之地址對應之地區。
如請求項1之電子裝置，其進而以如下之方式構成：上述一個以上之處理器於確定上述識別之地區是否支持上述取貨服務中， <br/>確定支持上述取貨服務之一個以上之地區是否包括上述識別之地區， <br/>隨著確定為支持上述取貨服務之一個以上之地區包括上述識別之地區，確定上述識別之地區支持上述取貨服務。
如請求項3之電子裝置，其進而以如下之方式構成：上述一個以上之處理器隨著確定為上述識別之地區支持上述取貨服務，識別於上述識別之地區可用之上述銷售對象商品之取貨工具， <br/>將指示上述識別之取貨工具之資訊連同上述第1響應資訊一併傳輸至上述外部裝置。
如請求項3之電子裝置，其進而以如下之方式構成：上述一個以上之處理器隨著確定為上述識別之地區支持上述取貨服務，於一個以上之集貨倉庫中識別與上述識別之地區對應之集貨倉庫， <br/>將指示上述識別之集貨倉庫之資訊連同上述第1響應資訊一併傳輸至上述外部裝置。
如請求項5之電子裝置，其進而以如下之方式構成：上述一個以上之處理器於在上述一個以上之集貨倉庫中識別與上述識別之地區對應之上述集貨倉庫中， <br/>於上述一個以上之集貨倉庫中識別位於上述識別之地區之集貨倉庫。
如請求項5之電子裝置，其進而以如下之方式構成：上述一個以上之處理器於在上述一個以上之集貨倉庫中識別與上述識別之地區對應之上述集貨倉庫中， <br/>隨著確定為於上述一個以上之集貨倉庫中不存在位於上述識別之地區之集貨倉庫，確定自上述銷售者之地址至上述一個以上之集貨倉庫各者之距離， <br/>於上述一個以上之集貨倉庫中識別距上述銷售者之地址距離最短之集貨倉庫。
如請求項4之電子裝置，其中上述取貨工具指示車輛、托板及箱子中之一者作為上述銷售者之上述銷售對象商品自上述銷售者之地址取貨並搬運之工具。
如請求項8之電子裝置，其中根據上述取貨服務，上述銷售者之上述銷售對象商品自上述銷售者之地址藉由上述取貨工具取貨而入庫至與上述識別之地區對應之集貨倉庫。
如請求項1之電子裝置，其進而以如下之方式構成：上述一個以上之處理器隨著確定為上述識別之地區不支持上述取貨服務，將指示於將上述銷售者之地址註冊至上述取貨服務時已失敗之第2響應資訊傳輸至上述外部裝置。
一種於取貨服務註冊銷售者之地址之方法，其係於包括一個以上之處理器及儲存有用以藉由上述一個以上之處理器而執行之命令之一個以上之記憶體的電子裝置中實行者，其包括如下步驟： <br/>上述一個以上之處理器自外部裝置接收用以於將上述銷售者之地址註冊至上述銷售者之銷售對象商品之上述取貨服務之註冊請求，其中上述註冊請求係藉由上述外部裝置而自上述銷售者之終端獲得者，包括與上述銷售者之地址關聯之字串； <br/>基於上述字串而識別與上述銷售者之地址對應之地區； <br/>確定上述識別之地區是否支持上述取貨服務；及 <br/>隨著確定為上述識別之地區支持上述取貨服務，將上述銷售者之地址註冊至上述取貨服務，並將指示上述銷售者之地址已註冊至上述取貨服務之第1響應資訊傳輸至上述外部裝置。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其係記錄有於藉由一個以上之處理器執行時使上述一個以上之處理器實行動作之命令者，其中上述命令使上述一個以上之處理器自外部裝置接收用以於將銷售者之地址註冊至上述銷售者之銷售對象商品之取貨服務之註冊請求，其中上述註冊請求係藉由上述外部裝置而自上述銷售者之終端獲得者，包括與上述銷售者之地址關聯之字串， <br/>基於上述字串而識別與上述銷售者之地址對應之地區， <br/>確定上述識別之地區是否支持上述取貨服務， <br/>隨著確定為上述識別之地區支持上述取貨服務，將上述銷售者之地址註冊至上述取貨服務，並將指示上述銷售者之地址已註冊至上述取貨服務之第1響應資訊傳輸至上述外部裝置。
一種超聲波加工方法，用於加工具有裂紋層的工件，所述裂紋層位於所述工件的厚度方向的指定厚度位置，所述裂紋層具有裂紋； <br/>所述方法包括： <br/>超聲波聚焦於所述工件的裂紋層，使得所述裂紋層的裂紋擴展； <br/>其中所述超聲波聚焦於所述工件的裂紋層，使得所述裂紋層的裂紋擴展，包括： <br/>超聲波聚焦於所述工件的裂紋層的不同位置，使得所述裂紋層的裂紋擴展； <br/>其中所述超聲波聚焦於所述工件的裂紋層的不同位置，使得所述裂紋層的裂紋擴展，包括： <br/>超聲波聚焦於所述工件的裂紋層的不同位置，使得所述裂紋層的不同位置的裂紋向相鄰位置的裂紋擴展；或者 <br/>超聲波聚焦於所述工件的裂紋層的不同位置，使得所述裂紋層的不同位置的裂紋擴展至與相鄰位置的裂紋相連；或者 <br/>超聲波聚焦於所述工件的裂紋層的不同位置，使得所述裂紋層的不同位置的裂紋擴展至與相鄰位置的裂紋在所述工件的厚度方向相連。
如請求項1所述的超聲波加工方法，其中，所述裂紋層可設定至少兩個點； <br/>所述超聲波聚焦於所述工件的裂紋層，使得所述裂紋層的裂紋擴展，包括： <br/>超聲波從所述裂紋層的一個點相對所述工件運動至所述裂紋層的另一個點，並聚焦於所述工件的裂紋層的不同位置，使得所述裂紋層的裂紋擴展。
如請求項2所述的超聲波加工方法，其中，所述裂紋層的兩個點為一組點，所述裂紋層可設定M組點，M為正整數； <br/>所述超聲波從所述裂紋層的一個點相對所述工件運動至所述裂紋層的另一個點，並聚焦於所述工件的裂紋層的不同位置，使得所述裂紋層的裂紋擴展，包括： <br/>從i等於1開始至i等於M，超聲波從所述裂紋層的第i組點的一個點相對所述工件運動至所述第i組點的另一個點，並聚焦於所述工件的裂紋層的不同位置，使得所述裂紋層的裂紋擴展，i為正整數。
如請求項3所述的超聲波加工方法，其中，各組點中的一點為所述裂紋層的邊沿的點，各組點中的另一點為所述裂紋層的指定內部點，且各組點中的所述指定內部點相同，所述指定內部點是所述裂紋層的邊沿所包圍的區域的點；或者 <br/>各組點的連線均經過所述裂紋層的指定內部點，所述指定內部點是所述裂紋層的邊沿所包圍的區域的點。
如請求項3所述的超聲波加工方法，其中，M為大於1的整數，第i-1組點的連線和第i組點的連線是相鄰的兩條連線。
如請求項2所述的超聲波加工方法，其中，所述超聲波從所述裂紋層的一個點相對所述工件運動至所述裂紋層的另一個點，並聚焦於所述工件的裂紋層的不同位置，使得所述裂紋層的裂紋擴展，包括： <br/>超聲波從所述裂紋層的邊沿的點與所述裂紋層的指定內部點中的一點相對所述工件運動至所述邊沿的點與所述指定內部點中的另一點，並聚焦於所述工件的裂紋層的不同位置，使得所述裂紋層的裂紋擴展，所述指定內部點是所述裂紋層的邊沿所包圍的區域的點。
如請求項6所述的超聲波加工方法，其中，所述裂紋層的邊沿可設定N個點，N為正整數； <br/>所述超聲波從所述裂紋層的邊沿的點與所述裂紋層的指定內部點中的一點相對所述工件運動至所述邊沿的點與所述指定內部點中的另一點，並聚焦於所述工件的裂紋層的不同位置，使得所述裂紋層的裂紋擴展，包括： <br/>從P等於1開始至P等於N，超聲波從所述裂紋層的邊沿的第P點與所述裂紋層的指定內部點中的一點相對所述工件運動至所述第P點與所述指定內部點中的另一點，並聚焦於所述工件的裂紋層的不同位置，使得所述裂紋層的裂紋擴展，P為正整數； <br/>其中N為大於1的整數，第P-1點和第P點是所述裂紋層的邊沿的兩個相鄰點。
如請求項1所述的超聲波加工方法，其中，沿所述超聲波相對所述工件運動的方向，所述超聲波聚焦的兩個相鄰區域有重疊的部分；或者 <br/>沿所述超聲波相對所述工件運動的方向，所述超聲波聚焦的兩個相鄰區域之間存在空隙。
如請求項1所述的超聲波加工方法，其中，所述超聲波的加工路徑為輪輻狀的加工路徑或螺旋狀的加工路徑。
如請求項4所述的超聲波加工方法，其中，所述裂紋層的邊沿的至少一部分為圓弧，所述指定內部點是所述圓弧的圓心； <br/>所述指定內部點是所述裂紋層的邊沿所包圍的區域的中心。
如請求項1所述的超聲波加工方法，其中，沿所述工件的厚度方向，所述超聲波從上至下傳遞至所述工件的裂紋層。
如請求項1所述的加工方法，其中，所述超聲波入射至所述工件的裂紋層的方向與所述工件的厚度方向存在指定夾角，所述指定夾角小於或等於所述超聲波的入射臨界夾角； <br/>所述工件浸沒在液體介質中，所述超聲波通過所述液體介質傳遞至所述工件的裂紋層且所述超聲波的起始位置在所述液體介質中。
如請求項1至12任一項所述的超聲波加工方法，其中，所述裂紋層由雷射照射所述工件形成；所述工件具有C面；所述裂紋沿所述C面分佈； <br/>所述超聲波加工方法還包括： <br/>沿所述裂紋層從所述工件剝離出子工件。
一種超聲波加工裝置，用於加工具有裂紋層的工件，所述裂紋層位於所述工件的厚度方向的指定厚度位置，所述裂紋層具有裂紋； <br/>所述裝置包括： <br/>超聲聚焦模組，用於發出超聲波聚焦於所述工件的裂紋層，使得所述裂紋層的裂紋擴展； <br/>其中所述超聲聚焦模組用於發出超聲波聚焦於所述工件的所述裂紋層的不同位置，使得所述裂紋層的裂紋擴展； <br/>其中所述超聲聚焦模組用於：發出超聲波聚焦於所述工件的所述裂紋層的不同位置，使得所述裂紋層的不同位置的裂紋向相鄰位置的裂紋擴展；或者 <br/>發出超聲波聚焦於所述工件的所述裂紋層的不同位置，使得所述裂紋層的不同位置的裂紋擴展至與相鄰位置的裂紋相連；或者 <br/>發出超聲波聚焦於所述工件的所述裂紋層的不同位置，使得所述裂紋層的不同位置的裂紋擴展至與相鄰位置的裂紋在所述工件的厚度方向相連。
一種器件，根據如請求項1至13中任一項所述的超聲波加工方法製造而成。
如請求項15所述的器件，其中，所述器件具有輪輻狀的加工痕跡。
一種加工設備，包括記憶體、處理器以及存儲在所述記憶體中並可在所述處理器上運行的電腦程式，所述處理器執行所述電腦程式時實現請求項1至13中任一項所述的超聲波加工方法。
一種晶體材料剝離設備，用於加工具有裂紋層的晶體材料，所述裂紋層位於所述晶體材料的厚度方向的指定厚度位置，所述裂紋層具有裂紋； <br/>所述晶體材料剝離設備包括： <br/>超聲聚焦單元，用於發出超聲波聚焦於工件的裂紋層，使得所述裂紋層的裂紋擴展； <br/>其中所述超聲聚焦單元用於發出超聲波聚焦於所述工件的所述裂紋層的不同位置，使得所述裂紋層的裂紋擴展； <br/>其中所述超聲聚焦單元用於：發出超聲波聚焦於所述工件的所述裂紋層的不同位置，使得所述裂紋層的不同位置的裂紋向相鄰位置的裂紋擴展；或者 <br/>發出超聲波聚焦於所述工件的所述裂紋層的不同位置，使得所述裂紋層的不同位置的裂紋擴展至與相鄰位置的裂紋相連；或者 <br/>發出超聲波聚焦於所述工件的所述裂紋層的不同位置，使得所述裂紋層的不同位置的裂紋擴展至與相鄰位置的裂紋在所述工件的厚度方向相連； <br/>剝離單元，用於沿所述裂紋層從所述晶體材料剝離出晶片。
一種電腦可讀存儲介質，所述電腦可讀存儲介質存儲有電腦程式，其中所述電腦程式被處理器執行時實現請求項1至13中任一項所述的超聲波加工方法。
一種電子封裝件，係包括：包覆層；電子元件，係嵌埋於該包覆層中；佈線結構，係形成於該包覆層上，且該佈線結構係包含一設於該包覆層上之絕緣層、一設於該絕緣層上之佈線層、及複數設於該絕緣層中之第一導電盲孔，以令複數該第一導電盲孔電性連接該佈線層與該電子元件；線路結構，係形成於該佈線結構上，且該線路結構係包含至少一設於該絕緣層上之介電層、至少一設於該介電層上之線路層、及複數設於該介電層中之第二導電盲孔，且複數該第二導電盲孔係電性連接該線路層與該佈線層，其中，該第一導電盲孔與該第二導電盲孔係相互錯位，且該介電層之目標區介於該第一導電盲孔與該第二導電盲孔之間；以及強化盲孔，係形成於該介電層之目標區中。
如請求項1所述之電子封裝件，其中，該佈線結構與該線路結構係為線路重佈層(RDL)規格。
如請求項1所述之電子封裝件，其中，該線路結構係包含複數該介電層。
如請求項3所述之電子封裝件，其中，複數該強化盲孔係配置於複數該介電層之不同層中。
如請求項1所述之電子封裝件，其中，單一該介電層中係配置複數該強化盲孔。
如請求項1所述之電子封裝件，其中，該強化盲孔係位於該電子元件之垂直投影區域內。
如請求項1所述之電子封裝件，其中，該強化盲孔係位於鄰接該絕緣層之該介電層中。
如請求項1所述之電子封裝件，其中，該強化盲孔、該第一導電盲孔與該第二導電盲孔係相互錯位。
如請求項1所述之電子封裝件，其中，該強化盲孔之平面形狀係為幾何圖形。
如請求項1所述之電子封裝件，其中，該強化盲孔之寬度係等於或小於該線路層之寬度。
一種電子封裝件之製法，係包括：於電子元件上形成包覆層，以令該包覆層包覆該電子元件；形成佈線結構於該包覆層上，其中，該佈線結構係包含一設於該包覆層上之絕緣層、一設於該絕緣層上之佈線層、及複數設於該絕緣層中之第一導電盲孔，以令複數該第一導電盲孔電性連接該佈線層與該電子元件；形成線路結構於該佈線結構上，其中，該線路結構係包含至少一設於該絕緣層上之介電層、至少一設於該介電層上之線路層、及複數設於該介電層中之第二導電盲孔，且複數該第二導電盲孔係電性連接該線路層與該佈線層，其中，該第一導電盲孔與該第二導電盲孔係相互錯位，且該介電層之目標區介於該第一導電盲孔與該第二導電盲孔之間；以及形成強化盲孔於該介電層之目標區中。
如請求項11所述之電子封裝件之製法，其中，該佈線結構與該線路結構係為線路重佈層(RDL)規格。
如請求項11所述之電子封裝件之製法，其中，該線路結構係包含複數該介電層。
如請求項13所述之電子封裝件之製法，其中，複數該強化盲孔係配置於複數該介電層之不同層中。
如請求項11所述之電子封裝件之製法，其中，單一該介電層中係配置多個該強化盲孔。
如請求項11所述之電子封裝件之製法，其中，該強化盲孔係位於該電子元件之垂直投影區域內。
如請求項11所述之電子封裝件之製法，其中，該強化盲孔係位於鄰接該絕緣層之該介電層中。
如請求項11所述之電子封裝件之製法，其中，該強化盲孔、該第一導電盲孔與該第二導電盲孔係相互錯位。
如請求項11所述之電子封裝件之製法，其中，該強化盲孔之平面形狀係為幾何圖形。
如請求項11所述之電子封裝件之製法，其中，該強化盲孔之寬度係等於或小於該線路層之寬度。
一種化合物或其藥學上可接受的鹽，其係由下述化學式1所示：<br/> [化學式1]<br/><img align="absmiddle" height="141px" width="261px" file="ed10042.jpg" alt="ed10042.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 在化學式1中<br/> R<sup>1</sup>為氫、鹵素、未被取代或被取代的苯基，或C<sub>1-10</sub>碳烷氧基(alkoxy)；<br/> R<sup>2</sup>為氫；<br/> R<sup>3</sup>是氫或鹵素；<br/> R<sup>4</sup>為氫、鹵素、未被取代或被取代的苯基、未被取代或被取代的5-9元雜芳香基(5-9 membered heteroaryl)、未被取代或被一個或多個鹵素取代的6元環烯基(6 membered cycloalkenyl)、未被取代或被取代的6元雜環烯基(6 membered heterocycloalkenyl)、或C<sub>1-10</sub>烷氧基；<br/> R<sup>5</sup>為氫或鹵素；<br/> 或者<br/> R<sup>1</sup>至R<sup>5</sup>中兩個相鄰的取代基一起形成-(CH<sub>2</sub>)<sub>m</sub>-O-、-O-(CH<sub>2</sub>)<sub>m</sub>-O-或-O-(CH<sub>2</sub>)<sub>m</sub>-CO-NH-，其餘三個取代基如上所述；<br/> 該被取代的苯基，是被下述複數個取代基中的1至3者所取代，該複數個取代基是選自於由C<sub>1-10</sub>烷氧基、羧基(carboxyl)、未被取代或被取代的C<sub>1-10</sub>烷基、被羧基所取代的3-6元環烷基、鹵素和羥基所組成的一族群；或者是在兩個相鄰位置上被取代，以形成-O-(CH<sub>2</sub>)<sub>m</sub>-O-；其中，該被取代的C<sub>1-10</sub>烷基，是被羧基、C<sub>1-10</sub>烷氧羰基、氨基(amino)或C<sub>1-10</sub>烷基氨基羰基(alkylaminocarbonyl)所取代；<br/> 該被取代的5-9元雜芳香基是被下述複數個取代基中的1至3者所取代，該複數個取代基是選自於由鹵素、氨基、未被取代的C<sub>1-10</sub>烷基、被取代的C<sub>1-10</sub>烷基、NH<sub>2</sub>CO-、未被取代或被取代的4-6元雜環烷基、C<sub>1-10</sub>烷基磺醯基(alkylsulfonyl)、3-6元環烷基(cycloalkyl)、5-6元雜芳香基和苯基(phenyl)所組成的一群；其中，該被取代的C<sub>1-10</sub>烷基被羧基、C<sub>1-10</sub>烷氧羰基、C<sub>1-10</sub>烷基氨基羰基、被C<sub>1-10</sub>烷基所取代的5-6元雜芳香基、或被一個鹵素、一個或多個鹵素或羥基取代的苯基所取代；且該被取代的4-6元雜環烷基被C<sub>1-10</sub>烷基或C<sub>1-10</sub>烷氧羰基所取代；<br/> 該被取代的6元雜環烯基被C<sub>1-10</sub>烷氧羰基或C<sub>1-10</sub>烷基羰基所取代；<br/> R<sup>6a</sup>和 R<sup>6b</sup>皆為氫或氧代(oxo)；<br/> R<sup>7</sup> 為氫、5-6 元雜芳香基、-CO<sub>x</sub>-R<sup>8a</sup>、-CONR<sup>8b</sup>R<sup>8c</sup>或C<sub>1-10</sub>烷基，其中 x 為 1 或 2；<br/> R<sup>8a</sup> 和 R<sup>8b</sup> 各自為未被取代或被取代的C<sub>1-10</sub> 烷基或C<sub>6-10</sub>芳香基，其中被取代的C<sub>1-10</sub> 烷基是被一個或多個鹵素所取代，或被3-6 個環烷基所取代；<br/> R<sup>8c</sup>為氫或與R<sup>8b</sup>及其被取代的氮原子一起形成5-6元雜環烷基；<br/> m為1至4的整數；且 <br/> n為1至3的整數。
如請求項1所述之化合物或其藥學上可接受的鹽，其中R<sup>1</sup>為氫、鹵素、未被取代或被取代的苯基、或 C<sub>1-5</sub>烷氧基，且該被取代的苯基被被羧基取代的環丙基，或被未被取代或被取代的C<sub>1-5</sub>烷基所取代；其中該被取代的C<sub>1-5</sub>烷基被羧基或氨基所取代。
如請求項1所述之化合物或其藥學上可接受的鹽，其中R<sup>4</sup>為氫、鹵素、未被取代或被取代的苯基、9元雙環雜芳香基、未被取代或被取代的5-6元雜芳香基、未被取代或被一個或多個鹵素所取代的6元環烯基、未被取代或被取代且含有氧(O)和氮(N)中之一雜原子的6元雜環烯基或C<sub>1-5</sub>烷氧基；<br/> 該被取代的苯基是被1至3個下述複數個取代基所取代，該複數個取代基是選自C1-5烷氧基、羧基、未被取代或被取代的C<sub>1-5</sub>烷基、被羧基取代的環丙基、鹵素和羥基所組成的一族群；或者是在兩個相鄰位置上被取代藉以形成-O-(CH<sub>2</sub>)m-O-；其中，該被取代的C<sub>1-5</sub>烷基是被羧基、氨基或C<sub>1-5</sub>烷基氨基羰基所取代；<br/> 該被取代的5-6元雜芳香基被1至3個下述複數個取代基所取代；該複數個取代基是選自於鹵素、氨基、未被取代的C<sub>1-5</sub>烷基、被取代的C<sub>1-5</sub>烷基、NH<sub>2</sub>CO-、未被取代或被取代的4-6元雜環烷基、甲基磺醯基、環丙基、6元雜芳香基、苯基所組成的一族群；該被取代的C<sub>1-5</sub>烷基被羧基、C<sub>1-5</sub>烷氧羰基、C<sub>1-5</sub>烷基氨基羰基、被C<sub>1-5</sub>烷基取代的5元雜芳香基、或被一個鹵素、一個或多個鹵素或羥基取代的苯基所取代；且該被取代的4-6元雜環烷基是被C<sub>1-5</sub>烷基或C<sub>1-5</sub>烷氧羰基所取代；<br/> 該被取代的6元雜環烯基是被C<sub>1-5</sub>烷氧羰基或C<sub>1-5</sub>烷基羰基所取代；且<br/> m是1至3的整數。
如請求項3所述之化合物或其藥學上可接受的鹽，其中當R<sup>1</sup>至R<sup>5</sup>中兩個相鄰的取代基一起形成-(CH<sub>2</sub>)m-O-、-O-(CH<sub>2</sub>)m-O-或-O-(CH<sub>2</sub>)<sub>m</sub>-CO-NH-時，其餘三個取代基獨立各自為氫、鹵素或被取代的苯基；<br/> 其中，該被取代的苯基是被羧基取代的3-6元環烷基或氨基取代的C<sub>1-10</sub>烷基所取代；且<br/> m是1至3的整數。
如請求項1所述之化合物或其藥學上可接受的鹽，其中當R<sup>1</sup>至R<sup>5</sup>中相鄰的兩個取代基為R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>，且R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>共同形成-(CH<sub>2</sub>)m-O-、-O-(CH<sub>2</sub>)m-O-或-O-(CH<sub>2</sub>)<sub>m</sub>-CO-NH-時，其餘三個取代基各自獨立為氫、鹵素或被取代的苯基；<br/> 該被取代的苯基是被羧基取代的環丙基，或氨基取代的C<sub>1-5</sub>烷基所取代；或者<br/> 其中，當R<sup>1</sup>至R<sup>5</sup>中相鄰的兩個取代基為R<sup>2</sup>和R<sup>3</sup>，且R<sup>2</sup>和R<sup>3</sup>共同形成-(CH<sub>2</sub>)m-O-或-O-(CH<sub>2</sub>)<sub>m</sub>-CO-NH-時，其餘三個取代基均為氫；且<br/> m是1至2的整數。
如請求項1所述之化合物或其藥學上可接受的鹽，其中R<sup>7</sup> 為氫、6 元雜芳香基、-CO<sub>x</sub>-R<sup>8a</sup>、-CONR<sup>8b</sup>R<sup>8c</sup> 或C<sub>1-5</sub>烷基，其中 x 為 1 或 2；<br/> R<sup>8a</sup>為未被取代的或被 1 個鹵素取代的C<sub>1-6</sub> 烷基；<br/> R<sup>8b</sup>為未被取代或被取代的C<sub>1-6</sub>烷基或苯基；其中，該被取代的C<sub>1-6</sub>烷基是被1或2個鹵素、或環丙基所取代；<br/> R<sup>8c</sup>為氫或與R<sup>8b</sup>及所其取代的氮原子一起形成6元雜環烷基。
如請求項1所述之化合物或其藥學上可接受的鹽，其中R<sup>1</sup>為C<sub>1-5</sub>烷氧基、鹵素、氫或未被取代或被取代的苯基；<br/> R<sup>2</sup>是氫；<br/> R<sup>3</sup>是氫或鹵素；<br/> R<sup>4</sup> 為氫、鹵素、未被取代或被取代的苯基、吡唑並吡啶(pyrazolopyridine)、未被被取代或被取代的5-6元雜芳香基、未被取代或被一個或多個鹵素取代的6元環烯基、含有氧(O)和氮(N)中之一雜原子的未取代或被取代的雜環烯基或C<sub>1-5</sub>烷氧基；<br/> R<sup>5</sup>為氫或鹵素；或者<br/> R<sup>1</sup>至R<sup>5</sup>中兩個相鄰的取代基共同形成-(CH<sub>2</sub>)m-O-、-O-(CH<sub>2</sub>)m-O-或-O-(CH<sub>2</sub>)<sub>m</sub>-CO-NH-，其餘三個取代基各自獨立地為氫、鹵素或被取代的苯基；其中，該被取代的苯基是被羧基取代的環丙基或氨基取代的C<sub>1-3</sub>烷基所取代；<br/> 被取代的苯基是被C<sub>1-5</sub>烷氧基、羧基、未被取代或被取代的C<sub>1-5</sub>烷基、或被羧基取代的環丙基所取代；或者被1 至 3 個選自鹵素和羥基的取代基所取代；或者是在兩個相鄰取代位置形成-O-(CH<sub>2</sub>)<sub>m</sub>-O-；其中，該被取代的C<sub>1-5</sub>烷基是被羧基、C<sub>1-5</sub>烷氧羰基、氨基或C<sub>1-5</sub>烷基氨基羰基所取代；<br/> 該被取代的5-6元雜芳香基被下述複數個取代基之1至3者所取代，其中該複數個取代基是選自於由鹵素、氨基、未被取代的C<sub>1-5</sub>烷基、被取代的C<sub>1-5</sub>烷基、NH<sub>2</sub>CO-、未被取代或被取代的4-6元雜環烷基、甲基磺醯基、環丙基、6元雜芳香基和苯基所組成的一族群；其中，被取代的C<sub>1-5</sub>烷基被羧基、C<sub>1-5</sub>烷氧羰基、C<sub>1-5</sub>烷基氨基羰基、被C<sub>1-5</sub>烷基取代的5元雜芳香基、或被一個鹵素、一個或多個鹵素或羥基取代的苯基所取代；且該被取代的4-6元雜環烷基是被C<sub>1-5</sub>烷基或C<sub>1-5</sub>烷氧羰基所取代；<br/> 該被取代的6元雜環烯基是被C<sub>1-5</sub>烷氧羰基或C<sub>1-5</sub>烷基羰基所取代；<br/> R<sup>6a</sup>和 R<sup>6b</sup>皆為氫或氧代(oxo)；<br/> R<sup>7</sup> 為氫、嘧啶基(pyrimidinyl)、-CO<sub>x</sub>-R<sup>8a</sup>、-CONR<sup>8b</sup>R<sup>8c</sup>或C<sub>1-5</sub>烷基，其中 x 為 1 或 2；<br/> R<sup>8a</sup>為未被取代或被 1 個鹵素所取代的C<sub>1-6</sub>烷基；<br/> R<sup>8b</sup>為未被取代或被取代的C<sub>1-6</sub>烷基或苯基；<br/> 其中，該被取代的C<sub>1-6</sub>烷基被1或2個鹵素或環丙基所取代；<br/> R<sup>8c</sup>為氫或與R<sup>8b</sup>及其被取代的氮原子一起形成嗎啉基(morpholinyl)；<br/> m為1或2的整數；且 <br/> n為1至3的整數。
如請求項1所述之化合物或其藥學上可接受的鹽，其中<br/> R<sup>1</sup>為氫、鹵素、<img align="absmiddle" height="91px" width="162px" file="ed10043.jpg" alt="ed10043.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或甲氧基；<br/> R<sup>2</sup> 是氫；<br/> R<sup>3</sup>是氫或鹵素；<br/> R<sup>4</sup>為氫、鹵素，<br/><img align="absmiddle" height="106px" width="281px" file="ed10044.jpg" alt="ed10044.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="109px" width="260px" file="ed10046.jpg" alt="ed10046.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="76px" width="362px" file="ed10048.jpg" alt="ed10048.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="94px" width="356px" file="ed10050.jpg" alt="ed10050.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="78px" width="368px" file="ed10052.jpg" alt="ed10052.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="94px" width="397px" file="ed10054.jpg" alt="ed10054.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="109px" width="365px" file="ed10056.jpg" alt="ed10056.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="72px" width="344px" file="ed10058.jpg" alt="ed10058.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="91px" width="309px" file="ed10060.jpg" alt="ed10060.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 或甲氧基；<br/> R<sup>5</sup>為氫或鹵素；或者<br/> R<sup>1</sup>至R<sup>5</sup>中兩個相鄰的取代基一起形成<img align="absmiddle" height="32px" width="26px" file="ed10062.jpg" alt="ed10062.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 、<img align="absmiddle" height="43px" width="38px" file="ed10064.jpg" alt="ed10064.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="52px" width="58px" file="ed10066.jpg" alt="ed10066.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；且其餘三個取代基各自獨立地為氫、鹵素或被取代的苯基；其中該被取代的苯基是被羧基取代的環丙基或氨基取代的C<sub>1-3</sub>烷基所取代；<br/> R<sup>6a</sup>和 R<sup>6b</sup>皆為氫或氧代(oxo)；<br/> R<sup>7</sup> 為氫、<img align="absmiddle" height="62px" width="326px" file="ed10068.jpg" alt="ed10068.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="57px" width="382px" file="ed10070.jpg" alt="ed10070.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="64px" width="207px" file="ed10072.jpg" alt="ed10072.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或C<sub>1-3</sub>烷基；且<br/> n是1至3的整數。
如請求項1所述之化合物或其藥學上可接受的鹽，其中該化合物或其藥學上可接受的鹽係選自下列化合物所組成的一族群：<br/> ＜1＞ 5-氯-2-甲氧基-N-(5-氧代-6,7-二氫-5H-吡咯並[3,4-b]吡啶-3-基)苯磺胺(5-chloro-2-methoxy-N-(5-oxo-6,7-dihydro-5H-pyrrolo[3,4-b]pyridine-3-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜2＞ 5-溴-2-甲氧基-N-(5-氧代-6,7-二氫-5H-吡咯並[3,4-b]吡啶-3-基)苯磺胺 (5-bromo-2-methoxy-N-(5-oxo-6,7-dihydro-5H-pyrrolo[3,4-b]pyridine-3-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜3＞ 2,5-二甲氧基-N-(5-氧代-6,7-二氫-5H-吡咯並[3,4-b]吡啶-3-基)苯磺胺(2,5-dimethoxy-N-(5-oxo-6,7-dihydro-5H-pyrrolo[3,4-b]pyridine-3-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜4＞ 5-氟-2-甲氧基-N-(5-氧代-6,7-二氫-5H-吡咯並[3,4-b]吡啶-3-基)苯磺胺(5-fluoro-2-methoxy-N-(5-oxo-6,7-dihydro-5H-pyrrolo[3,4-b]pyridine-3-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜5＞ 5-溴-N-(5-氧代-6,7-二氫-5H-吡咯並[3,4-b]吡啶-3-基)-2,3-二氫苯並呋喃-7-磺胺(5-bromo-N-(5-oxo-6,7-dihydro-5H-pyrrolo[3,4-b]pyridine-3-yl)-2,3-dihydrobenzofuran-7-sulfonamide)；<br/> ＜6＞ 5-氯-2-甲氧基-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)苯磺胺(5-chloro-2-methoxy-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜7＞ 2,5-二甲氧基-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)苯磺胺(2,5-dimethoxy-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜8＞ 5-氟-2-甲氧基-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)苯磺胺(5-fluoro-2-methoxy-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜9＞ 5-溴-2-甲氧基-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)苯磺胺(5-bromo-2-methoxy-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜10＞ 5-溴-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)-2,3-二氫苯並呋喃-7-磺胺(5-bromo-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)-2,3-dihydrobenzofuran-7-sulfonamide)；<br/> ＜11＞ 2-溴-5-氟-N-(5-氧代-6,7-二氫-5H-吡咯並[3,4-b]吡啶-3-基)苯磺胺 (2-bromo-5-fluoro-N-(5-oxo-6,7-dihydro-5H-pyrrolo[3,4-b]pyridine-3-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜12＞ 2-溴-4,6-二氟-N-(5-氧代-6,7-二氫-5H-吡咯並[3,4-b]吡啶-3-基)苯磺胺(2-bromo-4,6-difluoro-N-(5-oxo-6,7-dihydro-5H-pyrrolo[3,4-b]pyridine-3-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜13＞ 5-氯-2-甲氧基-N-(5-氧代-6,7,8,9-四氫-5H-吡啶並[3,2-c]氮雜卓-3-基)苯磺胺(5-chloro-2-methoxy-N-(5-oxo-6,7,8,9-tetrahydro-5H-pyrido[3,2-c]azepine-3-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜14＞ 5-溴-2-甲氧基-N-(5-氧代-6,7,8,9-四氫-5H-吡啶並[3,2-c]氮雜卓-3-基)苯磺胺(5-bromo-2-methoxy-N-(5-oxo-6,7,8,9-tetrahydro-5H-pyrido[3,2-c]azepine-3-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜15＞ 5-氟-2-甲氧基-N-(5-氧代-6,7,8,9-四氫-5H-吡啶並[3,2-c]氮雜卓-3-基)苯磺胺(5-fluoro-2-methoxy-N-(5-oxo-6,7,8,9-tetrahydro-5H-pyrido[3,2-c]azepine-3-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜16＞ 2,5-二甲氧基-N-(5-氧代-6,7,8,9-四氫-5H-吡啶並[3,2-c]氮雜卓-3-基)苯磺胺(2,5-dimethoxy-N-(5-oxo-6,7,8,9-tetrahydro-5H-pyrido[3,2-c]azepine-3-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜17＞ 5-溴-N-(5-氧代-6,7,8,9-四氫-5H-吡啶並[3,2-c]氮雜卓-3-基)-2,3-二氫苯並呋喃-7-磺胺(5-bromo-N-(5-oxo-6,7,8,9-tetrahydro-5H-pyrido[3,2-c]azepine-3-yl)-2,3-dihydrobenzofuran-7-sulfonamide)；<br/> ＜18＞ N-(5-氧代-6,7-二氫-5H-吡咯並[3,4-b]吡啶-3-基)-2,3-二氫苯並呋喃-7-磺胺(N-(5-oxo-6,7-dihydro-5H-pyrrolo[3,4-b]pyridine-3-yl)-2,3-dihydrobenzofuran-7-sulfonamide)；<br/> ＜19＞ N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)-2,3-二氫苯並呋喃-7-磺胺(N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)-2,3-dihydrobenzofuran-7-sulfonamide)；<br/> ＜20＞ 5-氯-N-(5-氧代-6,7-二氫-5H-吡咯並[3,4-b]吡啶-3-基)-2,3-二氫苯並呋喃-7-磺胺(5-chloro-N-(5-oxo-6,7-dihydro-5H-pyrrolo[3,4-b]pyridine-3-yl)-2,3-dihydrobenzofuran-7-sulfonamide)；<br/> ＜21＞ 5-氟-N-(5-氧代-6,7-二氫-5H-吡咯並[3,4-b]吡啶-3-基)-2,3-二氫苯並呋喃-7-磺胺(5-fluoro-N-(5-oxo-6,7-dihydro-5H-pyrrolo[3,4-b]pyridine-3-yl)-2,3-dihydrobenzofuran-7-sulfonamide)；<br/> ＜22＞ 5-氯-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)-2,3-二氫苯並呋喃-7-磺胺(5-chloro-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)-2,3-dihydrobenzofuran-7-sulfonamide)；<br/> ＜23＞ 5-氟-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)-2,3-二氫苯並呋喃-7-磺胺(5-fluoro-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)-2,3-dihydrobenzofuran-7-sulfonamide)；<br/> ＜24＞ N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)-2,3-二氫苯並[b][1,4]二氧雜環己烯-6-磺胺(N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)-2,3-dihydrobenzo[b][1,4]dioxine-6-sulfonamide)；<br/> ＜25＞ 3-氧代-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)-3,4-二氫-2H-苯並[b][1,4]惡嗪-6-磺胺(3-oxo-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)-3,4-dihydro-2H-benzo[b][1,4]oxazine-6-sulfonamide)；<br/> ＜26＞ 2-甲氧基-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)苯磺胺(2-methoxy-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜27＞ 2-(4'-甲氧基-3'-(N-(5-氧代-6,7-二氫-5H-吡咯並[3,4-b]吡啶-3-基)氨磺醯基)-[1,1'-聯苯]-4-基)乙酸甲酯(methyl 2-(4'-methoxy-3'-(N-(5-oxo-6,7-dihydro-5H-pyrrolo[3,4-b]pyridine-3-yl)sulfamoyl)-[1,1'-biphenyl]-4-yl)acetate)；<br/> ＜28＞ 2-(4'-甲氧基-3'-(N-(5-氧代-6,7-二氫-5H-吡咯並[3,4-b]吡啶-3-基)氨磺醯基)-[1,1'-聯苯]-4-基)乙酸(methyl 2-(4'-methoxy-3'-(N-(5-oxo-6,7-dihydro-5H-pyrrolo[3,4-b]pyridine-3-yl)sulfamoyl)-[1,1'-biphenyl]-4-yl)acetate)；<br/> ＜29＞ 5-(2,3-二氫苯並[b][1,4]二氧雜環己烯-6-基)-2-甲氧基-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)苯磺胺(5-(2,3-dihydrobenzo[b][1,4]dioxine-6-yl)-2-methoxy-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜30＞ 4,4'-二甲氧基-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)-[1,1'-聯苯]-3-磺胺(4,4'-dimethoxy-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)-[1,1'-biphenyl]-3-sulfonamide)；<br/> ＜31＞ 2-甲氧基-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)-5-(吡啶-4-基)苯磺胺(2-methoxy-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)-5-(pyridine-4-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜32＞ 1-(4'-甲氧基-3'-(N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)氨磺醯基)-[1,1'-聯苯]-4-基)環丙烷-1-羧酸(1-(4'-methoxy-3'-(N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)sulfamoyl)-[1,1'-biphenyl]-4-yl)cyclopropane-1-carboxylic acid)；<br/> ＜33＞ 2-(4'-甲氧基-3'-(N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)氨磺醯基)-[1,1'-聯苯]-4-基)乙酸(2-(4'-methoxy-3'-(N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)sulfamoyl)-[1,1'-biphenyl]-4-yl)acetic acid)；<br/> ＜34＞ 4'-甲氧基-3'-(N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)氨磺醯基)-[1,1'-聯苯]-4-羧酸(4'-methoxy-3'-(N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)sulfamoyl)-[1,1'-biphenyl]-4-carboxylic acid)；<br/> ＜35＞ 2-(4'-氟-2'-(N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)氨磺醯基)-[1,1'-聯苯]-4-基)乙酸(2-(4'-fluoro-2'-(N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)sulfamoyl)-[1,1'-biphenyl]-4-yl)acetic acid)；<br/> ＜36＞ 1-(4'-氟-2'-(N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)氨磺醯基)-[1,1'-聯苯]-4-基)環丙烷-1-羧酸(1-(4'-fluoro-2'-(N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)sulfamoyl)-[1,1'-biphenyl]-4-yl)cyclopropane-1-carboxylic acid)；<br/> ＜37＞ 1-(3',5'-二氟-2'-(N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)氨磺醯基)-[1,1'-聯苯]-4-基)環丙烷-1-羧酸(1-(3',5'-difluoro-2'-(N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)sulfamoyl)-[1,1'-biphenyl]-4-yl)cyclopropane-1-carboxylic acid)；<br/> ＜38＞ 1-(4-(7-(N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)氨磺醯基)-2,3-二氫苯並呋喃-5-基)苯基)環丙烷-1-羧酸(1-(4-(7-(N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)sulfamoyl)-2,3-dihydrobenzofuran-5-yl)phenyl)cyclopropane-1-carboxylic acid)；<br/> ＜39＞ 4'-(氨基甲基)-4-氟-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)-[1,1'-聯苯]-2-磺胺鹽酸鹽(4'-(aminomethyl)-4-fluoro-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)-[1,1'-biphenyl]-2-sulfonamide hydrochloride)；<br/> ＜40＞ 4'-(氨基甲基)-3,5-二氟-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)-[1,1'-聯苯]-2-磺胺鹽酸鹽(4'-(aminomethyl)-3,5-difluoro-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)-[1,1'-biphenyl]-2-sulfonamide hydrochloride)；<br/> ＜41＞ 5-(4-(氨基甲基)苯基)-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)-2,3-二氫苯並呋喃-7-磺胺(5-(4-(aminomethyl)phenyl)-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)-2,3-dihydrobenzofuran-7-sulfonamide)；<br/> ＜42＞ 2-(4-(4-甲氧基-3-(N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)氨磺醯基)苯基)-1H-吡唑-1-基)丙酸乙酯(ethyl 2-(4-(4-methoxy-3-(N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)sulfamoyl)phenyl)-1H-pyrazole-1-yl)propanoate)；<br/> ＜43＞ 2-(4-(4-甲氧基-3-(N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)氨磺醯基)苯基)-1H-吡唑-1-基)丙酸(2-(4-(4-methoxy-3-(N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)sulfamoyl)phenyl)-1H-pyrazole-1-yl)propanoic acid)；<br/> ＜44＞ 5-(2-氨基嘧啶-5-基)-2-甲氧基-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)苯磺胺(5-(2-aminopyrimidine-5-yl)-2-methoxy-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜45＞ 2-甲氧基-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)-5-(吡唑並[1,5-a]吡啶-3-基)苯磺胺(2-methoxy-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)-5-(pyrazolo[1,5-a]pyridine-3-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜46＞ 3',5'-二氟-4'-羥基-4-甲氧基-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)-[1,1'-聯苯]-3-磺胺(3',5'-difluoro-4'-hydroxy-4-methoxy-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)-[1,1'-biphenyl]-3-sulfonamide)；<br/> ＜47＞ 2-(4-(4-甲氧基-3-(N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)氨磺醯基)苯基)-1H-吡唑-1-基)乙酸叔丁酯(tert-butyl 2-(4-(4-methoxy-3-(N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)sulfamoyl)phenyl)-1H-pyrazole-1-yl)acetate)；<br/> ＜48＞ 2-(4-(4-甲氧基-3-(N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)氨磺醯基)苯基)-1H-吡唑-1-基)乙酸(2-(4-(4-methoxy-3-(N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)sulfamoyl)phenyl)-1H-pyrazole-1-yl)acetic acid)；<br/> ＜49＞ 3-(4'-甲氧基-3'-(N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)氨磺醯基)-[1,1'-聯苯]-4-基)丙酸乙酯(ethyl 3-(4'-methoxy-3'-(N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)sulfamoyl)-[1,1'-biphenyl]-4-yl)propanoate)；<br/> ＜50＞ 3-(4'-甲氧基-3'-(N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)氨磺醯基)-[1,1'-聯苯]-4-基)丙酸(3-(4'-methoxy-3'-(N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)sulfamoyl)-[1,1'-biphenyl]-4-yl)propanoic acid)；<br/> ＜51＞ 5-(3,6-二氫-2H-吡喃-4-基)-2-甲氧基-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)苯磺胺(5-(3,6-dihydro-2H-pyran-4-yl)-2-methoxy-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)benzenesulfonamide);<br/> ＜52＞ 4-(4-甲氧基-3-(N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)氨磺醯基)苯基)-3,6-二氫吡啶-1(2H)-羧酸叔丁酯(tert-butyl 4-(4-methoxy-3-(N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)sulfamoyl)phenyl)-3,6-dihydropyridine-1(2H)-carboxylate)；<br/> ＜53＞ 2-甲氧基-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)-5-(1,2,3,6-四氫吡啶-4-基)苯磺胺鹽酸鹽(2-methoxy-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)-5-(1,2,3,6-tetrahydropyridine-4-yl)benzenesulfonamide hydrochloride)；<br/> ＜54＞ 2-甲氧基-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)-5-(1-(四氫-2H-吡喃-2-基)-1H-吡唑-4-基)苯磺胺(2-methoxy-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)-5-(1-(tetrahydro-2H-pyran-2-yl)-1H-pyrazole-4-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜55＞ 2-甲氧基-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)-5-(1H-吡唑-4-基)苯磺胺(2-methoxy-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)-5-(1H-pyrazole-4-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜56＞ 2-溴-5-氟-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)苯磺胺(2-bromo-5-fluoro-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜57＞ 2-甲氧基-5-(1-甲基-1H-吡唑-4-基)-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)苯磺胺(2-methoxy-5-(1-methyl-1H-pyrazole-4-yl)-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜58＞ 2-(4-(4-甲氧基-3-(N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)氨磺醯基)苯基)-1H-吡唑-1-基)-2-甲基丙醯胺(2-(4-(4-methoxy-3-(N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)sulfamoyl)phenyl)-1H-pyrazole-1-yl)-2-methylpropanamide)；<br/> ＜59＞ 2-(4-(4-甲氧基-3-(N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)氨磺醯基)苯基)-1H-吡唑-1-基)-2-甲基丙酸乙酯(ethyl 2-(4-(4-methoxy-3-(N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)sulfamoyl)phenyl)-1H-pyrazole-1-yl)-2-methylpropanoate)；<br/> ＜60＞ 2-(4-(4-甲氧基-3-(N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)氨磺醯基)苯基)-1H-吡唑-1-基)-2-甲基丙酸(2-(4-(4-methoxy-3-(N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)sulfamoyl)phenyl)-1H-pyrazole-1-yl)-2-methylpropanoic acid)；<br/> ＜61＞ 5-(1-乙醯基-1,2,3,6-四氫吡啶-4-基)-2-甲氧基-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)苯磺胺(5-(1-acetyl-1,2,3,6-tetrahydropyridine-4-yl)-2-methoxy-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜62＞ 5-(5,6-二氫-2H-吡喃-3-基)-2-甲氧基-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)苯磺胺(5-(5,6-dihydro-2H-pyran-3-yl)-2-methoxy-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜63＞ 4-甲氧基-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)-2',3',4',5'-四氫-[1,1'-聯苯]-3-磺胺(4-methoxy-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)-2',3',4',5'-tetrahydro-[1,1'-biphenyl]-3-sulfonamide)；<br/> ＜64＞ 4',4'-二氟-4-甲氧基-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)-2',3',4',5'-四氫-[1,1'-聯苯]-3-磺胺(4',4'-difluoro-4-methoxy-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)-2',3',4',5'-tetrahydro-[1,1'-biphenyl]-3-sulfonamide)；<br/> ＜65＞ 2-甲氧基-5-(1-(1-甲基哌啶-4-基)-1H-吡唑-4-基)-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)苯磺胺(2-methoxy-5-(1-(1-methylpiperidine-4-yl)-1H-pyrazole-4-yl)-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜66＞ N-乙基-2-(4-(4-甲氧基-3-(N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)氨磺醯基)苯基)-1H-吡唑-1-基)乙醯胺(N-ethyl-2-(4-(4-methoxy-3-(N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)sulfamoyl)phenyl)-1H-pyrazole-1-yl)actamide)；<br/> ＜67＞ N-乙基-3-(4'-甲氧基-3'-(N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)氨磺醯基)-[1,1'-聯苯]-4-基)丙醯胺(N-ethyl-3-(4'-methoxy-3'-(N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)sulfamoyl)-[1,1'-biphenyl]-4-yl)propanamide)；<br/> ＜68＞ 2-(4-(4-甲氧基-3-(N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)氨磺醯基)苯基)-1H-吡唑-1-基)乙酸乙酯(ethyl 2-(4-(4-methoxy-3-(N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)sulfamoyl)phenyl)-1H-pyrazole-1-yl)acetate)；<br/> ＜69＞ 5-(1-(1-(3-異丙基-1,2,4-惡二唑-5-基)乙基)-1H-吡唑-4-基)-2-甲氧基-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)苯磺胺(5-(1-(1-(3-isopropyl-1,2,4-oxadiazole-5-yl)ethyl)-1H-pyrazole-4-yl)-2-methoxy-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜70＞ 2-甲氧基-5-(1-(1-(3-甲基-1,2,4-惡二唑-5-基)乙基)-1H-吡唑-4-基)-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)苯磺胺(2-methoxy-5-(1-(1-(3-methyl-1,2,4-oxadiazole-5-yl)ethyl)-1H-pyrazole-4-yl)-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜71＞ 5-(1-(1-(3-(4-氟苯基)-1,2,4-惡二唑-5-基)乙基)-1H-吡唑-4-基)-2-甲氧基-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)苯磺胺(5-(1-(1-(3-(4-fluorophenyl)-1,2,4-oxadiazole-5-yl)ethyl)-1H-pyrazole-4-yl)-2-methoxy-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜72＞ 5-(1-異丙基-1H-吡唑-4-基)-2-甲氧基-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)苯磺胺(5-(1-isopropyl-1H-pyrazole-4-yl)-2-methoxy-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜73＞ 2-甲氧基-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)-5-(1-(三氟甲基)-1H-吡唑-4-基)苯磺胺(2-methoxy-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)-5-(1-(trifluoromethyl)-1H-pyrazole-4-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜74＞ 5-(1-環丙基-1H-吡唑-4-基)-2-甲氧基-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)苯磺胺(5-(1-cyclopropyl-1H-pyrazole-4-yl)-2-methoxy-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜75＞ 2-甲氧基-5-(1-(甲基磺醯基)-1H-吡唑-4-基)-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)苯磺胺(2-methoxy-5-(1-(methylsulfonyl)-1H-pyrazole-4-yl)-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜76＞ 2-甲氧基-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)-5-(1-(四氫-2H-吡喃-4-基)-1H-吡唑-4-基)苯磺胺(2-methoxy-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)-5-(1-(tetrahydro-2H-pyran-4-yl)-1H-pyrazole-4-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜77＞ 5-(6-氟吡啶-3-基)-2-甲氧基-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)苯磺胺(5-(6-fluoropyridine-3-yl)-2-methoxy-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜78＞ 5-(2-氨基-4-(三氟甲基)嘧啶-5-基)-2-甲氧基-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)苯磺胺(5-(2-amino-4-(trifluoromethyl)pyrimidine-5-yl)-2-methoxy-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜79＞ 2-甲氧基-5-(1-(氧雜環丁烷-3-基)-1H-吡唑-4-基)-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)苯磺胺(2-methoxy-5-(1-(oxetane-3-yl)-1H-pyrazole-4-yl)-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜80＞5-(1-(2-羥乙基)-1H-吡唑-4-基)-2-甲氧基-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)苯磺胺(5-(1-(2-hydroxyethyl)-1H-pyrazole-4-yl)-2-methoxy-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜81＞ 5-(1-異丙基-3-(三氟甲基)-1H-吡唑-4-基)-2-甲氧基-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)苯磺胺(5-(1-isopropyl-3-(trifluoromethyl)-1H-pyrazole-4-yl)-2-methoxy-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜82＞ 5-(1-乙基-3-(三氟甲基)-1H-吡唑-4-基)-2-甲氧基-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)苯磺胺(5-(1-ethyl-3-(trifluoromethyl)-1H-pyrazole-4-yl)-2-methoxy-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜83＞ 5-(異噁唑-4-基)-2-甲氧基-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)苯磺胺(5-(isoxazole-4-yl)-2-methoxy-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜84＞ 5-(3,5-二甲基異噁唑-4-基)-2-甲氧基-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)苯磺胺(5-(3,5-dimethylisoxazole-4-yl)-2-methoxy-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜85＞ 4-(4-(4-甲氧基-3-(N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)氨磺醯基)苯基)-1H-吡唑-1-基)哌啶-1-羧酸叔丁酯(tert-butyl 4-(4-(4-methoxy-3-(N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)sulfamoyl)phenyl)-1H-pyrazole-1-yl)piperidine-1-carboxylate)；<br/> ＜86＞ 2-甲氧基-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)-5-(1-(哌啶-4-基)-1H-吡唑-4-基)苯磺胺鹽酸鹽(2-methoxy-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)-5-(1-(piperidine-4-yl)-1H-pyrazole-4-yl)benzenesulfonamide hydrochloride)；<br/> ＜87＞ 5-溴-2-甲氧基-N-(6-甲基-5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)苯磺胺(5-bromo-2-methoxy-N-(6-methyl-5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜88＞ 3-((5-溴-2-甲氧基苯基)磺胺基)-7,8-二氫-1,6-萘啶-6(5H)-羧酸叔丁酯(tert-butyl 3-((5-bromo-2-methoxyphenyl)sulfonamido)-7,8-dihydro-1,6-naphthyridine-6(5H)-carboxylate)；<br/> ＜89＞ 3-((2,5-二甲氧基苯基)磺胺基)-7,8-二氫-1,6-萘啶-6(5H)-羧酸叔丁酯(tert-butyl 3-((2,5-dimethoxyphenyl)sulfonamido)-7,8-dihydro-1,6-naphthyridine-6(5H)-carboxylate)；<br/> ＜90＞ 5-氟-2-甲氧基-N-(5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)苯磺胺鹽酸鹽(5-fluoro-2-methoxy-N-(5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)benzenesulfonamide hydrochloride)；<br/> ＜91＞ 5-氟-2-溴-N-(5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)苯磺胺鹽酸鹽(5-fluoro-2-bromo-N-(5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)benzenesulfonamide hydrochloride)；<br/> ＜92＞ 5-氯-2-甲氧基-N-(5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)苯磺胺鹽酸鹽(5-chloro-2-methoxy-N-(5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)benzenesulfonamide hydrochloride)；<br/> ＜93＞ 5-溴-2-甲氧基-N-(5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)苯磺胺鹽酸鹽(5-bromo-2-methoxy-N-(5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)benzenesulfonamide hydrochloride)；<br/> ＜94＞ 2,5-二甲氧基-N-(5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)苯磺胺鹽酸鹽(2,5-dimethoxy-N-(5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)benzenesulfonamide hydrochloride)；<br/> ＜95＞ 3-((5-氟-2-甲氧基苯基)磺胺基)-7,8-二氫-1,6-萘啶-6(5H)-羧酸乙酯(ethyl 3-((5-fluoro-2-methoxyphenyl)sulfonamido)-7,8-dihydro-1,6-naphthyridine-6(5H)-carboxylate)；<br/> ＜96＞ 3-((5-氯-2-甲氧基苯基)磺胺基)-7,8-二氫-1,6-萘啶-6(5H)-羧酸乙酯(ethyl 3-((5-chloro-2-methoxyphenyl)sulfonamido)-7,8-dihydro-1,6-naphthyridine-6(5H)-carboxylate)；<br/> ＜97＞ 3-((5-溴-2-甲氧基苯基)磺胺基)-7,8-二氫-1,6-萘啶-6(5H)-羧酸乙酯(ethyl 3-((5-bromo-2-methoxyphenyl)sulfonamido)-7,8-dihydro-1,6-naphthyridine-6(5H)-carboxylate)；<br/> ＜98＞ 新戊基3-((5-氯-2-甲氧基苯基)磺胺基)-7,8-二氫-1,6-萘啶-6(5H)-羧酸酯(neopentyl 3-((5-chloro-2-methoxyphenyl)sulfonamido)-7,8-dihydro-1,6-naphthyridine-6(5H)-carboxylate)；<br/> ＜99＞ 新戊基3-((5-溴-2-甲氧基苯基)磺胺基)-7,8-二氫-1,6-萘啶-6(5H)-羧酸酯(neopentyl 3-((5-bromo-2-methoxyphenyl)sulfonamido)-7,8-dihydro-1,6-naphthyridine-6(5H)-carboxylate)；<br/> ＜100＞ 新戊基3-((5-甲氧基-2-甲氧基苯基)磺胺基)-7,8-二氫-1,6-萘啶-6(5H)-羧酸酯(neopentyl 3-((5-methoxy-2-methoxyphenyl)sulfonamido)-7,8-dihydro-1,6-naphthyridine-6(5H)-carboxylate)；<br/> ＜101＞ 2-氟乙基-3-((5-氯-2-甲氧基苯基)磺胺基)-7,8-二氫-1,6-萘啶-6(5H)-羧酸酯(2-fluoroethyl-3-((5-chloro-2-methoxyphenyl)sulfonamido)-7,8-dihydro-1,6-naphthyridine-6(5H)-carboxylate)；<br/> ＜102＞ 2-氟乙基-3-((5-溴-2-甲氧基苯基)磺胺基)-7,8-二氫-1,6-萘啶-6(5H)-羧酸酯(2-fluoroethyl3-((5-bromo-2-methoxyphenyl)sulfonamido)-7,8-dihydro-1,6-naphthyridine-6(5H)-carboxylate)；<br/> ＜103＞ 2-氟乙基-3-((5-甲氧基-2-甲氧基苯基)磺胺基)-7,8-二氫-1,6-萘啶-6(5H)-羧酸酯(2-fluoroethyl-3-((5-methoxy-2-methoxyphenyl)sulfonamido)-7,8-dihydro-1,6-naphthyridine-6(5H)-carboxylate)；<br/> ＜104＞ 3-((5-氯-2-甲氧基苯基)磺胺基)-N-異丙基-7,8-二氫-1,6-萘啶-6(5H)-甲醯胺(3-((5-chloro-2-methoxyphenyl)sulfonamido)-N-아isopropyl-7,8-dihydro-1,6-naphthyridine-6(5H)-carboxamide);<br/> ＜105＞ 3-((5-氟-2-甲氧基苯基)磺胺基)-N-異丙基-7,8-二氫-1,6-萘啶-6(5H)-甲醯胺(3-((5-fluoro-2-methoxyphenyl)sulfonamido)-N-아isopropyl-7,8-dihydro-1,6-naphthyridine-6(5H)-carboxamide);<br/> ＜106＞ 3-((5-氯-2-甲氧基苯基)磺胺)-N-戊基-7,8-二氫-1,6-萘啶-6(5H)-甲醯胺(3-((5-chloro-2-methoxyphenyl)sulfonamido)-N-pentyl-7,8-dihydro-1,6-naphthyridine-6(5H)-carboxamide)；<br/> ＜107＞ 3-((5-氯-2-甲氧基苯基)磺胺基)-N-(2,2-二氟乙基)-7,8-二氫-1,6-萘啶-6(5H)-甲醯胺(3-((5-chloro-2-methoxyphenyl)sulfonamido)-N-(2,2-difluoroethyl)-7,8-dihydro-1,6-naphthyridine-6(5H)-carboxamide)；<br/> ＜108＞ 3-((5-溴-2-甲氧基苯基)磺胺基)-N-(2,2-二氟乙基)-7,8-二氫-1,6-萘啶-6(5H)-甲醯胺(3-((5-bromo-2-methoxyphenyl)sulfonamido)-N-(2,2-difluoroethyl)-7,8-dihydro-1,6-naphthyridine-6(5H)-carboxamide)；<br/> ＜109＞ 5-氯-2-甲氧基-N-(6-(嗎啉-4-羰基)-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)苯磺胺(5-chloro-2-methoxy-N-(6-(morpholine-4-carbonyl)-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜110＞ 5-溴-2-甲氧基-N-(6-(嗎啉-4-羰基)-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)苯磺胺(5-bromo-2-methoxy-N-(6-(morpholine-4-carbonyl)-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜111＞ 3-((5-溴-2-甲氧基苯基)磺胺基)-N-甲基-7,8-二氫-1,6-萘啶-6(5H)-甲醯胺(3-((5-bromo-2-methoxyphenyl)sulfonamido)-N-methyl-7,8-dihydro-1,6-naphthyridine-6(5H)-carboxamide)；<br/> ＜112＞ 5-氯-N-(6-異丙基-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)-2-甲氧基苯磺胺(5-chloro-N-(6-isopropyl-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)-2-methoxybenzenesulfonamide)；<br/> ＜113＞ 5-溴-N-(6-異丙基-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)-2-甲氧基苯磺胺(5-bromo-N-(6-isopropyl-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)-2-methoxybenzenesulfonamide)；<br/> ＜114＞ 3-5-氯-2-甲氧基-N-(6-(嘧啶-2-基)-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)苯磺胺(3-5-chloro-2-methoxy-N-(6-(pyrimidine-2-yl)-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜115＞ 3-((5-氯-2-甲氧基苯基)磺胺基)-N-苯基-7,8-二氫-1,6-萘啶-6(5H)-甲醯胺(3-((5-chloro-2-methoxyphenyl)sulfonamido)-N-phenyl-7,8-dihydro-1,6-naphthyridine-6(5H)-carboxamide)；<br/> ＜116＞ 3-((5-氯-2-甲氧基苯基)磺胺基)-N-(環丙基甲基)-7,8-二氫-1,6-萘啶-6(5H)-甲醯胺(3-((5-chloro-2-methoxyphenyl)sulfonamido)-N-(cyclopropylmethyl)-7,8-dihydro-1,6-naphthyridine-6(5H)-carboxamide)；<br/> ＜117＞ 3-((5-氯-2-甲氧基苯基)磺胺基)-N-(2-氟乙基)-7,8-二氫-1,6-萘啶-6(5H)-甲醯胺(3-((5-chloro-2-methoxyphenyl)sulfonamido)-N-(2-fluoroethyl)-7,8-dihydro-1,6-naphthyridine-6(5H)-carboxamide)；<br/> ＜118＞ 5-氯-N-(6-(3,3-二甲基丁醯基)-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)-2-甲氧基苯磺胺(5-chloro-N-(6-(3,3-dimethylbutanoyl)-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)-2-methoxybenzenesulfonamide)；<br/> ＜119＞ 5-溴-N-(6-(3,3-二甲基丁醯基)-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)-2-甲氧基苯磺胺(5-bromo-N-(6-(3,3-dimethylbutanoyl)-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)-2-methoxybenzenesulfonamide)；<br/> ＜120＞ 2-甲氧基-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)-5-(1-(吡啶-4-基)-1H-吡唑-4-基)苯磺胺(2-methoxy-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)-5-(1-(pyridine-4-yl)-1H-pyrazole-4-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜121＞ 2-甲氧基-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)-5-(1,3,5-三甲基-1H-吡唑-4-基)苯磺胺(2-methoxy-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)-5-(1,3,5-trimethyl-1H-pyrazole-4-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜122＞ 5-(1-(叔丁基)-1H-吡唑-4-基)-2-甲氧基-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)苯磺胺(5-(1-(tert-butyl)-1H-pyrazole-4-yl)-2-methoxy-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)benzenesulfonamide)；<br/> ＜123＞ 5-(1-丁基-1H-吡唑-4-基)-2-甲氧基-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)苯磺胺(5-(1-butyl-1H-pyrazole-4-yl)-2-methoxy-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)benzenesulfonamide)；以及<br/> ＜124＞ 2-甲氧基-N-(5-氧代-5,6,7,8-四氫-1,6-萘啶-3-基)-5-(1-苯基-1H-吡唑-4-基)苯磺胺(2-methoxy-N-(5-oxo-5,6,7,8-tetrahydro-1,6-naphthyridine-3-yl)-5-(1-phenyl-1H-pyrazole-4-yl)benzenesulfonamide)。
如請求項1至9之一者所述之化合物或其藥學上可接受的鹽，其中該化合物或其藥學上可接受的鹽係用於抑制組織非專一性鹼性磷酸酶(tissue-nonspecific alkaline phosphatase，TNAP)。
一種藥物組合物，用於預防或治療與過度表達或過度活化的組織非專一性鹼性磷酸酶(TNAP)相關的複數個疾病，其特徵在於，採用包含請求項1至9之一者所述之化合物或其藥學上可接受的鹽作為一活性成分，其中該複數個疾病係選自於下述疾病所組成的一族群:<br/> 彈性纖維偽黃瘤(pseudoxanthoma elasticum，PXE)、廣泛性嬰兒動脈硬化(generalized arterial calcification of infancy，GACI)、顱骨幹骺端發育不良(craniometaphyseal dysplasia，CMD)、黃韌帶鈣化(ossification of the yellow ligament，OYL)、動脈鈣化(arterial calcification)、關節鈣化(calcification of joints)、變形性關節炎(arthrosis deformans)、骨關節炎(osteoarthritis)、關節僵直(ankylosis of the joint)、特發性嬰兒動脈鈣化(idiopathic infantile arterial calcification，IIAC)、僵直性脊椎炎(ankylosing spondylitis，AS)、類腫瘤鈣質沈積症(tumoral calcinosis，TC)、進行性骨質發育不全(progressive osseous heteroplasia，POH)、Keutel 綜合症(Keutel syndrome)、與慢性腎衰竭(腎絲球腎炎(glomerulonephritis))相關的血管鈣化、IgA腎病變(IgA nephropathy)(高血壓腎病變和糖尿病腎病變)、繼發性副甲狀腺增生(secondary parathyroid hyperplasia)、轉移性鈣化(metastatic calcification)、鈣化防禦症(calciphylaxis)、頸長肌鈣化性肌腱炎(calcific tendinitis of the longus colli muscle)、進行性肌肉骨化症(Fibrodysplasia Ossificans Progressiva，FOP)、鈣化性主動脈瓣狹窄(calcific aortic stenosis)、結石性心包膜炎(pericarditis calculosa)、動脈粥狀硬化血管鈣化(atherosclerotic vascular calcification)、尿毒症鈣化性動脈病變(calcific uremic arteriopathy，CUA)、川崎氏症(Kawasaki disease)、因肥胖和老化而導致的鈣化、脛動脈鈣化(tibial arterial calcification)、癌症骨轉移(bone metastasis)、假體鈣化(prosthetic calcification)、柏哲德氏症(Paget 's disease)、特發性基底核鈣化(idiopathic basal ganglia calcification，IBGC)、異位性骨化症(heterotopic ossification，HO)、鈣化性主動脈瓣疾病(calcific aortic valve disease，CAVD)、主動脈瓣狹窄(aortic valve stenosis，AVS)、鈣化性肌腱炎(calcific tendinitis)、頸椎後縱韌帶骨鈣化症(ossification of the posterior longitudinal ligament，OPLL)、頸椎前縱韌帶骨鈣化症 (ossification of the anterior longitudinal ligament，OALL)、瀰漫性特發性骨質增生(diffuse idiopathic skeletal hyperostosis，DISH)、半月板鈣化(meniscal calcification)以及腹膜鈣化(peritoneal calcification)。
如請求項11所述之藥物組合物，其中該化合物或其藥學上可接受的鹽係用於抑制組織非專一性鹼性磷酸酶(TNAP)。
一種製備如請求項1至8之一者所述之化合物或其藥學上可接受的鹽以作為預防或治療與過度表達或過度活化的組織非專一性鹼性磷酸酶(TNAP)相關疾病之藥物的用途。
一種儲存設備，其包含： <br/>一磁頭，其具有一轉換器陣列，該等轉換器包含資料元件、朝向該陣列之一第一末端定位的至少兩個第一伺服讀取器及朝向該陣列之一第二末端定位的至少兩個第二伺服讀取器， <br/>其中該陣列繞其一中心點對稱，使得該等第一伺服讀取器中之一最內者之一中心與最靠近其的該資料元件之一中心之間的一距離相同於該等第二伺服讀取器中之一最內者之一中心與最靠近其的該資料元件之一中心之間的一距離，且使得該等第一伺服讀取器中之一最外者之一中心與最靠近其的該資料元件之該中心之間的一距離相同於該等第二伺服讀取器中之一最外者之一中心與最靠近其的該資料元件之該中心之間的一距離， <br/>該磁頭包含沿著該陣列之一縱軸對準的一第二轉換器陣列，其中該第二轉換器陣列之一第一末端與該陣列相鄰地定位，其中該第二轉換器陣列包含第二資料元件及朝向該第二轉換器陣列之一第二末端定位的至少兩個第三伺服讀取器，其中該等第二資料元件之一數目等於該等資料元件之一數目。
如請求項1之儲存設備，其中該等第一伺服讀取器中僅兩者及該等第二伺服讀取器中僅兩者存在於該陣列中。
如請求項2之儲存設備，其中： <br/>該陣列中之該等資料元件之一數目<img align="absmiddle" height="16px" width="19px" file="ed10796.jpg" alt="ed10796.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>係32，該等資料元件具有在86微米至97微米之一範圍內的一平均節距<i>W<sub>EP</sub></i><i><sub>.</sub></i><i><sub>Head</sub></i>， <br/>最靠近該陣列之該第一末端的該資料元件與最靠近該等資料元件之該第一伺服讀取器之間的一中心至中心距離<i>W<sub>SE</sub></i><i><sub>.</sub></i><i><sub>Short</sub></i><i><sub>.</sub></i><i><sub>Head</sub></i>在(<i>W<sub>EP.Head</sub></i>/2) + 3至(<i>W<sub>EP.Head</sub></i>/2) + 10微米之一範圍內， <br/>最靠近該陣列之該第一末端的該資料元件與最遠離該等資料元件之該第一伺服讀取器之間的一中心至中心距離<i>W<sub>SE.Long.Head</sub></i>在<i>W<sub>EP.Head</sub></i> + 3至<i>W<sub>EP.Head</sub></i> + 10微米之一範圍內， <br/>最靠近該陣列之該第二末端的該資料元件與最靠近該資料元件之該第二伺服讀取器之間的一中心至中心距離約等於<i>W<sub>SE</sub></i><i><sub>.</sub></i><i><sub>Short</sub></i><i><sub>.</sub></i><i><sub>Head</sub></i>， <br/>最靠近該陣列之該第二末端的該資料元件與最遠離該資料元件之該第二伺服讀取器之間的一中心至中心距離約等於<i>W<sub>SE</sub></i><i><sub>.</sub></i><i><sub>Long</sub></i>。
如請求項1之儲存設備，其中該等資料元件為寫入元件，其中該磁頭包括在橫越其之一預期帶行進方向上與該陣列對準的一第二陣列，該第二陣列包含讀取元件、朝向該第二陣列之一第一末端定位的至少兩個第三伺服讀取器及朝向該第二陣列之一第二末端定位的至少兩個第四伺服讀取器，其中該第二陣列繞其一中心點對稱。
如請求項1之儲存設備，其中該陣列之一縱軸相對於橫越其之一預期帶行進方向自法向標稱地傾斜大於0度。
如請求項1之儲存設備，其中該最內第二伺服讀取器之該中心與最靠近其的該第二轉換器陣列之該第二資料元件之一中心之間的一距離相同於該最外第一伺服讀取器之該中心與最靠近其的該資料元件之該中心之間的該距離，其中該最外第二伺服讀取器之一中心與最靠近其的該第二轉換器陣列之該第二資料元件之一中心之間的一距離相同於該最內第二伺服讀取器之該中心與最靠近其的該資料元件之該中心之間的該距離。
如請求項6之儲存設備，其中由該陣列及該第二轉換器陣列組成之一組合陣列繞該組合陣列之一中心點對稱。
如請求項1之儲存設備，其中該等資料元件之一平均節距W<sub>EP</sub><sub>.</sub><sub>Head</sub>滿足以下方程式中之一或多者： <br/><img align="absmiddle" height="138px" width="314px" file="ed10797.jpg" alt="ed10797.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>具有10%之一準確度，其中： <br/><i>W<sub>Tape</sub></i>為由設計該設備所針對之一格式指定的一磁帶之一總寬度， <br/><i>W<sub>Edge</sub></i>為由該格式指定的該磁帶之一邊緣頻帶之一寬度， <br/><i>N<sub>E</sub></i>為該陣列中之資料元件之一總數目， <br/><i>N<sub>DB</sub></i>為由該格式指定的該磁帶上之資料頻帶之一數目，且 <br/><img align="absmiddle" height="17px" width="15px" file="ed10794.jpg" alt="ed10794.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該磁頭相對於法向自橫越該磁頭之一預期帶行進方向之一標稱傾斜角。
如請求項1之儲存設備，其中該等資料元件之一平均節距W<sub>EP</sub><sub>.</sub><sub>Head</sub>滿足以下方程式： <br/><img align="absmiddle" height="66px" width="524px" file="ed10799.jpg" alt="ed10799.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>具有2%之一準確度，其中： <br/><i>W<sub>Tape</sub></i>為由設計該設備所針對之一格式指定的一磁帶之一總寬度， <br/><i>W<sub>Edge</sub></i>為由該格式指定的該磁帶之一邊緣頻帶之一寬度， <br/><i>W<sub>S</sub></i>為由該格式指定的該磁帶之一伺服頻帶之一寬度， <br/><i>W<sub>SBG</sub></i>為由該格式指定的該磁帶之一伺服頻帶防護之一寬度， <br/><i>W<sub>TP</sub></i><i><sub>.</sub></i><i><sub>Nom</sub></i>為在大於0奈米至650奈米之一範圍內的一預定義標稱資料軌節距， <br/><i>N<sub>E</sub></i>為該陣列中用於對一個資料頻帶執行資料操作的資料元件之一總數目， <br/><i>N<sub>DB</sub></i>為由該格式指定的該磁帶上之資料頻帶之一數目，且 <br/><img align="absmiddle" height="17px" width="15px" file="ed10794.jpg" alt="ed10794.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該磁頭相對於法向自橫越該磁頭之一預期帶行進方向之一標稱傾斜角。
如請求項1之儲存設備，其中該最內第一伺服讀取器之該中心與最靠近其的該資料元件之該中心之間的一距離W<sub>SE</sub><sub>.</sub><sub>Short</sub><sub>.</sub><sub>Head</sub>滿足以下方程式： <br/><img align="absmiddle" height="42px" width="306px" file="ed10801.jpg" alt="ed10801.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>具有2%之一準確度，其中： <br/><i>W<sub>EP</sub></i><i><sub>.</sub></i><i><sub>Head</sub></i>為該陣列之該等資料元件之一平均節距， <br/><i>W<sub>S</sub></i>為該陣列中之該等伺服讀取器之一寬度， <br/><i>W<sub>SBG</sub></i>為由設計該設備所針對之一格式指定的一伺服頻帶防護之一寬度，且 <br/><img align="absmiddle" height="17px" width="15px" file="ed10794.jpg" alt="ed10794.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該磁頭相對於法向自橫越該磁頭之一預期帶行進方向之一標稱傾斜角。
如請求項1之儲存設備，其中該最內第一伺服讀取器之該中心與最靠近其的該資料元件之該中心之間的一距離W<sub>SE</sub><sub>.</sub><sub>Short</sub><sub>.</sub><sub>Head</sub>滿足以下方程式： <br/><img align="absmiddle" height="43px" width="403px" file="ed10802.jpg" alt="ed10802.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>具有2%之一準確度，其中： <br/><i>W<sub>EP</sub></i><i><sub>.</sub></i><i><sub>Head</sub></i>為該陣列之該等資料元件之一平均節距， <br/><i>W<sub>S</sub></i>為該陣列中之該等伺服讀取器之一寬度， <br/><i>W<sub>SBG</sub></i>為由設計該設備所針對之一格式指定的一伺服頻帶防護之一寬度， <br/><i>W<sub>TP</sub></i><i><sub>.</sub></i><i><sub>Nom</sub></i>為在大於0奈米至650奈米之一範圍內的一預定義標稱資料軌節距，且 <br/><img align="absmiddle" height="17px" width="15px" file="ed10794.jpg" alt="ed10794.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該磁頭相對於法向自橫越該磁頭之一預期帶行進方向之一標稱傾斜角。
如請求項1之儲存設備，其中該最外第一伺服讀取器之該中心與最靠近其的該資料元件之該中心之間的一距離W<sub>SE</sub><sub>.</sub><sub>Long</sub><sub>.</sub><sub>Head</sub>滿足以下方程式： <br/><img align="absmiddle" height="41px" width="297px" file="ed10803.jpg" alt="ed10803.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>具有2%之一準確度，其中： <br/><i>W<sub>EP</sub></i><i><sub>.</sub></i><i><sub>Head</sub></i>為該陣列之該等資料元件之一平均節距， <br/><i>W<sub>S</sub></i>為該陣列中之該等伺服讀取器之一寬度， <br/><i>W<sub>SBG</sub></i>為由設計該設備所針對之一格式指定的一伺服頻帶防護之一寬度，且 <br/><img align="absmiddle" height="17px" width="15px" file="ed10794.jpg" alt="ed10794.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該磁頭相對於法向自橫越該磁頭之一預期帶行進方向之一標稱傾斜角。
如請求項1之儲存設備，其中該最外第一伺服讀取器之該中心與最靠近其的該資料元件之該中心之間的一距離W<sub>SE</sub><sub>.</sub><sub>Long</sub><sub>.</sub><sub>Head</sub>滿足以下方程式： <br/><img align="absmiddle" height="41px" width="395px" file="ed10804.jpg" alt="ed10804.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>具有2%之一準確度，其中： <br/><i>W<sub>EP</sub></i><i><sub>.</sub></i><i><sub>Head</sub></i>為該陣列之該等資料元件之一平均節距， <br/><i>W<sub>S</sub></i>為該陣列中之該等伺服讀取器之一寬度， <br/><i>W<sub>TP</sub></i><i><sub>.</sub></i><i><sub>Nom</sub></i>為在大於0奈米至650奈米之一範圍內的一預定義標稱資料軌節距， <br/><i>W<sub>SBG</sub></i>為由該格式指定的一伺服頻帶防護之一寬度，且 <br/><img align="absmiddle" height="17px" width="15px" file="ed10794.jpg" alt="ed10794.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該磁頭相對於法向自橫越該磁頭之一預期帶行進方向之一標稱傾斜角。
如請求項1之儲存設備，其中該等第一伺服讀取器中之該最內者之該中心與該等第二伺服讀取器中之該最外者之該中心之間的一距離W<sub>ServoSpan</sub><sub>.</sub><sub>Head</sub>滿足以下方程式： <br/><img align="absmiddle" height="41px" width="384px" file="ed10805.jpg" alt="ed10805.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>具有2%之一準確度，其中： <br/><i>N<sub>E</sub></i>為該陣列中之資料元件之一總數目， <br/><i>W<sub>EP</sub></i><i><sub>.</sub></i><i><sub>Head</sub></i>為該陣列之該等資料元件之一平均節距， <br/><i>W<sub>S</sub></i>為該陣列中之該等伺服讀取器之一寬度， <br/><i>W<sub>SBG</sub></i>為由設計該設備所針對之一格式指定的一伺服頻帶防護之一寬度，且 <br/><img align="absmiddle" height="17px" width="15px" file="ed10794.jpg" alt="ed10794.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該磁頭相對於法向自橫越該磁頭之一預期帶行進方向之一標稱傾斜角。
如請求項1之儲存設備，其中該等第一伺服讀取器中之該最內者之該中心與該等第二伺服讀取器中之該最外者之該中心之間的一距離W<sub>ServoSpan</sub><sub>.</sub><sub>Head</sub>滿足以下方程式： <br/><img align="absmiddle" height="41px" width="470px" file="ed10806.jpg" alt="ed10806.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>具有2%之一準確度，其中： <br/><i>N<sub>E</sub></i>為該陣列中之資料元件之一總數目， <br/><i>W<sub>EP</sub></i><i><sub>.</sub></i><i><sub>Head</sub></i>為該陣列之該等資料元件之一平均節距， <br/><i>W<sub>S</sub></i>為該陣列中之該等伺服讀取器之一寬度， <br/><i>W<sub>TP</sub></i><i><sub>.</sub></i><i><sub>Nom</sub></i>為在大於0奈米至650奈米之一範圍內的一預定義標稱資料軌節距， <br/><i>W<sub>SBG</sub></i>為由該格式指定的一伺服頻帶防護之一寬度，其中<i>W<sub>SBG</sub></i>在大於0微米至5微米之一範圍內，且 <br/><img align="absmiddle" height="17px" width="15px" file="ed10794.jpg" alt="ed10794.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該磁頭相對於法向自橫越該磁頭之一預期帶行進方向之一標稱傾斜角。
如請求項1之儲存設備，其包含： <br/>一驅動機構，其用於遍歷該磁頭傳送一磁帶；及 <br/>一控制器，其電耦接至該磁頭。
如請求項16之儲存設備，其中該控制器經組態以在寫入期間不用資料軌覆寫伺服頻帶之任何部分。
一種儲存設備，其包含： <br/>一磁頭，其具有一轉換器陣列及沿著該陣列之一縱軸對準的一第二轉換器陣列，其中該第二轉換器陣列之一第一末端與該陣列相鄰地定位； <br/>該陣列包含資料元件、朝向該陣列之一第一末端定位的至少兩個第一伺服讀取器及朝向該陣列之一第二末端定位的至少兩個第二伺服讀取器； <br/>該第二轉換器陣列包含第二資料元件及朝向該第二轉換器陣列之一第二末端定位的至少兩個第三伺服讀取器， <br/>其中該陣列繞其一中心點對稱，使得該等第一伺服讀取器中之一最內者之一中心與最靠近其的該資料元件之一中心之間的一距離相同於該等第二伺服讀取器中之一最內者之一中心與最靠近其的該資料元件之一中心之間的一距離，且使得該等第一伺服讀取器中之一最外者之一中心與最靠近其的該資料元件之該中心之間的一距離相同於該等第二伺服讀取器中之一最外者之一中心與最靠近其的該資料元件之該中心之間的一距離，且 <br/>其中該最內第二伺服讀取器之該中心與最靠近其的該第二轉換器陣列之該資料元件之一中心之間的一距離相同於該最外第一伺服讀取器之該中心與最靠近其的該資料元件之該中心之間的該距離，其中該最外第二伺服讀取器之一中心與最靠近其的該第二轉換器陣列之該資料元件之一中心之間的一距離相同於該最內第二伺服讀取器之該中心與最靠近其的該資料元件之該中心之間的該距離。
如請求項18之儲存設備，其中該等第一伺服讀取器中僅兩者及該等第二伺服讀取器中僅兩者存在於該陣列中。
如請求項18之儲存設備，其中該等資料元件為寫入元件，其中該磁頭包括在橫越其之一預期帶行進方向上與該陣列對準的一第三陣列及在該預期帶行進方向上與該第二轉換器陣列對準的一第四陣列，該第三陣列包含讀取元件、朝向該第三陣列之一第一末端定位的至少兩個第四伺服讀取器及朝向該第三陣列之一第二末端定位的至少兩個第五伺服讀取器，其中該第三陣列繞其一中心點對稱。
如請求項18之儲存設備，其中該陣列之一縱軸相對於橫越其之一預期帶行進方向自法向標稱地傾斜大於0度。
如請求項18之儲存設備，其中由該陣列及該第二轉換器陣列組成之一組合陣列繞該組合陣列之一中心點對稱。
一種儲存產品，其包含： <br/>一磁帶，其具有沿著該磁帶之一縱軸延伸的複數個伺服頻帶， <br/>其中該等伺服頻帶中之各者之一寬度W<sub>SB</sub><sub>.</sub><sub>Tape</sub>滿足以下方程式： <br/><img align="absmiddle" height="38px" width="137px" file="ed10807.jpg" alt="ed10807.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>達10%之一準確度，其中： <br/><i>W<sub>EP</sub></i><i><sub>.</sub></i><i><sub>Tape</sub></i>為一頭上用以讀取及寫入資料之元件之一平均節距且給出為： <br/><img align="absmiddle" height="76px" width="268px" file="ed10808.jpg" alt="ed10808.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中： <br/><img align="absmiddle" height="17px" width="19px" file="ed10792.jpg" alt="ed10792.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為用以寫入各資料頻帶之元件之數目， <br/><img align="absmiddle" height="16px" width="28px" file="ed10793.jpg" alt="ed10793.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為由該磁帶之一格式指定的資料頻帶之數目， <br/><i>W<sub>Edge</sub></i>為由該格式指定的其中沒有寫入資料且沒有寫入伺服型樣的該磁帶之一邊緣頻帶之一寬度，且 <br/><i>W<sub>Tape</sub></i>為該磁帶之一寬度。
如請求項23之儲存產品，其中該等伺服頻帶之相鄰對之一節距W<sub>ServoSpan</sub><sub>.</sub><sub>Tape</sub>滿足以下方程式： <br/><img align="absmiddle" height="30px" width="336px" file="ed10810.jpg" alt="ed10810.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>達1%之一準確度，其中： <br/><i>N<sub>E</sub></i>為由該磁帶之一格式指定的用於每資料頻帶並行寫入之資料元件的一總數目，且 <br/><i>W<sub>SBG</sub></i>為一伺服頻帶防護之一寬度，其中<i>W<sub>SBG</sub></i>在大於0微米至5微米之一範圍內。
如請求項23之儲存產品，其中該等伺服頻帶之相鄰對之一節距W<sub>ServoSpan</sub><sub>.</sub><sub>Tape</sub>滿足以下方程式： <br/><img align="absmiddle" height="26px" width="494px" file="ed10811.jpg" alt="ed10811.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>具有1%之一準確度，其中 <br/><i>W<sub>EP</sub></i><i><sub>.</sub></i><i><sub>Tape</sub></i>為該頭上用以讀取及寫入資料之元件之一平均節距且給出為： <br/><img align="absmiddle" height="74px" width="267px" file="ed10812.jpg" alt="ed10812.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><i>W<sub>SE</sub></i><i><sub>.</sub></i><i><sub>Short</sub></i><i><sub>.</sub></i><i><sub>Tape</sub></i>為由該磁帶之一格式指定的在最靠近一陣列之一第一末端的一資料元件與該陣列之位於最靠近該資料元件處的一伺服讀取器之間的一設計節距，且由下式給出： <br/><img align="absmiddle" height="42px" width="175px" file="ed10813.jpg" alt="ed10813.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><i>W<sub>SE</sub></i><i><sub>.</sub></i><i><sub>Long</sub></i><i><sub>.</sub></i><i><sub>Tape</sub></i>為由該磁帶之一格式指定的在最靠近該陣列之該第一末端的該資料元件與該陣列之位於最靠近該第一末端處的一第二伺服讀取器之間的一設計節距， <br/>且由下式給出： <br/><img align="absmiddle" height="19px" width="168px" file="ed10814.jpg" alt="ed10814.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中： <br/><i>N<sub>E</sub></i>為由該磁帶之一格式指定的用於並行寫入之資料元件的一總數目，且 <br/><i>N<sub>DB</sub></i>為由該磁帶之一格式指定的該帶上之資料頻帶之一總數目，且 <br/><i>W<sub>Tape</sub></i>為該帶之該寬度且由該磁帶之一格式指定，且 <br/><i>W<sub>Edge</sub></i>為該帶之且由該磁帶之一格式指定為該帶上在其中沒有寫入資料或伺服型樣的區之一邊緣頻帶之一寬度。
一種特徵篩選方法，適用於一處理單元及一資料庫，該資料庫儲存一資料集，該資料集包括多個待分析資料，每一該待分析資料包括多個分析變數及一目標變數，該特徵篩選方法包含下列步驟：<br/> (A)藉由該處理單元對該資料集的該等待分析資料的每一該分析變數計算一缺失率及一相異值比率，並根據一缺失率閾值及一相異值比率閾值，對該等分析變數作篩選以產生篩選後的該資料集；<br/> (B)藉由該處理單元對篩選後的該資料集執行一快速相關性濾波(Fast correlation-based filter，FCBF)演算法，以獲得該等分析變數之其中與該目標變數的一相關性數值大於一設定閾值的多個一階特徵變數，並再根據該等一階特徵變數之間的該等相關性數值決定多個二階特徵變數，該處理單元在該快速相關性濾波演算法中對每一該分析變數X與該目標變數Y計算該相關性數值，SU(X,Y)=2*IG(X∣Y)/[H(X)+H(Y)]，其中，SU為該相關性數值，H(X)與H(Y)為一熵值，IG(X∣Y)為一資訊增益(Gain)值，該處理單元還將所計算出的該等相關性數值由大至小作排序，而獲得同樣排序後的該等分析變數，且由排序後的該等分析變數逐一作為該分析變數Xj，以計算該分析變數Xj與排序在後的每一該分析變數Xi的該相關性數值SU(Xi,Xj)，且當該處理單元判斷該相關性數值SU(Xi,Xj)大於該相關性數值SU(Xi,Y)時，則判定對應的該分析變數Xi為一冗餘特徵變數，且將該冗餘特徵變數從排序後的該等分析變數中排除，i及j是正整數，最後，在排序後的該等分析變數中未被排除者即為該等二階特徵變數；及<br/> (C)藉由該處理單元將該等二階特徵變數作為篩選結果的多個特徵變數，以用於對該目標變數的模型建立。
如請求項1所述的特徵篩選方法，其中，在步驟(A)中，該處理單元計算同一個該分析變數在該等待分析資料中所缺失的筆數除以該等待分析資料的總筆數，以獲得對應該分析變數的該缺失率。
如請求項1所述的特徵篩選方法，其中，在步驟(A)中，該處理單元計算同一個該分析變數在該等待分析資料中的態樣數量除以該等待分析資料的總筆數，以獲得對應該分析變數的該相異值比率。
如請求項1所述的特徵篩選方法，其中，在步驟(A)中，當該處理單元判斷任一個該分析變數所對應的該缺失率大於該缺失率閾值時，則剔除該分析變數，而當該處理單元判斷任一個該分析變數的所對應的該相異值比率大於該相異值比率閾值時，則剔除該分析變數，該處理單元還對未剔除的該等分析變數作離散化處理的計算，以產生篩選後的該資料集。
一種特徵篩選系統，包含：<br/> 一資料庫，儲存一資料集，該資料集包括多個待分析資料，每一該待分析資料包括多個分析變數及一目標變數；<br/> 一通訊單元，用於提供連網功能；及<br/> 一處理單元，電連接該通訊單元，並藉由該通訊單元與該資料庫建立連線而形成電連接，該處理單元經由該通訊單元對該資料庫所儲存的該資料集的該等待分析資料的每一該分析變數計算一缺失率及一相異值比率，並根據一缺失率閾值及一相異值比率閾值，對該等分析變數作篩選以產生篩選後的該資料集，<br/> 該處理單元對篩選後的該資料集執行一快速相關性濾波演算法，以獲得該等分析變數之其中與該目標變數的一相關性數值大於一設定閾值的多個一階特徵變數，並再根據該等一階特徵變數之間的該等相關性數值決定多個二階特徵變數，該處理單元將該等二階特徵變數作為篩選結果的多個特徵變數，以用於對該目標變數的模型建立，<br/> 該處理單元在該快速相關性濾波演算法中對每一該分析變數X與該目標變數Y計算該相關性數值，SU(X,Y)=2*IG(X∣Y) /[H(X)+H(Y)]，其中，SU為該相關性數值，H(X)與H(Y)為一熵值，IG(X∣Y)為一資訊增益(Gain)值，該處理單元還將所計算出的該等相關性數值由大至小作排序，而獲得同樣排序後的該等分析變數，且由排序後的該等分析變數逐一作為該分析變數Xj，以計算該分析變數Xj與排序在後的每一該分析變數Xi的該相關性數值SU(Xi,Xj)，且當該處理單元判斷該相關性數值SU(Xi,Xj)大於該相關性數值SU(Xi,Y)時，則判定對應的該分析變數Xi為一冗餘特徵變數，且將該冗餘特徵變數從排序後的該等分析變數中排除，i及j是正整數，最後，在排序後的該等分析變數中未被排除者即為該等二階特徵變數。
如請求項5所述的特徵篩選系統，其中，該處理單元計算同一個該分析變數在該等待分析資料中所缺失的筆數除以該等待分析資料的總筆數，以獲得對應該分析變數的該缺失率。
如請求項5所述的特徵篩選系統，其中，該處理單元計算同一個該分析變數在該等待分析資料中的態樣數量除以該等待分析資料的總筆數，以獲得對應該分析變數的該相異值比率。
如請求項5所述的特徵篩選系統，其中，當該處理單元判斷任一個該分析變數所對應的該缺失率大於該缺失率閾值時，則剔除該分析變數，而當該處理單元判斷任一個該分析變數的所對應的該相異值比率大於該相異值比率閾值時，則剔除該分析變數，該處理單元還對未剔除的該等分析變數作離散化處理的計算，以產生篩選後的該資料集。
一種記憶體電路，包括： <br/>一第一緩衝器，用以儲存複數個第一資料元素； <br/>一第二緩衝器，用以儲存複數個第二資料元素； <br/>一控制器，用以基於一層類型產生一控制信號； <br/>一陣列，包括複數個處理組件(PE)，該些PE中的每一者包含複數個儲存單元；及 <br/>一資料路由器，用以接收該控制信號且基於該控制信號來判定是將該些第一資料元素中的一對應者還是該些第二資料元素中的多個對應者儲存於該些PE中的每一者的該些儲存單元中。
如請求項1所述之記憶體電路，其中該資料路由器包含： <br/>一第一多工器，具有連接至該第二緩衝器的一第一輸入、連接至該第一緩衝器的一第二輸入及連接至該陣列的一輸入埠的一第一輸出；及 <br/>一第二多工器，具有連接至該第二緩衝器的一第三輸入、連接至該第一緩衝器的一第四輸入及連接至該陣列的一寫入埠的一第二輸出。
如請求項2所述之記憶體電路，其中該第一多工器用以基於該控制信號的一邏輯反相版本來選擇自該第一輸入或該第二輸入中的一者接收到的一資料元素，且該第二多工器用以基於該控制信號來選擇自該第三輸入或該第四輸入中的一者接收到的一資料元素。
如請求項3所述之記憶體電路，其中當該控制信號指示該層類型為一規則卷積層或一注意力層時，該第一多工器用以將該些第二資料元素輸出至該輸入埠，且該第二多工器用以將該些第一資料元素輸出至該寫入埠。
如請求項3所述之記憶體電路，其中當該控制信號指示該層類型為一逐深度卷積層時，該第一多工器用以將該些第一資料元素輸出至該輸入埠，且該第二多工器用以將該些第二資料元素輸出至該寫入埠。
如請求項5所述之記憶體電路，其中回應於該控制信號的該指示，該些PE中的每一者用以儲存該些第二資料元素中的複數個對應者。
一種記憶體電路，包括： <br/>一陣列，包括複數個處理組件(PE)； <br/>其中該些PE中的每一者包含複數個儲存單元；且 <br/>其中該些PE中的每一者用以基於指示一層類型的一控制信號來選擇性地(i)將複數個第一資料元素中的一單一者儲存於該些對應儲存單元中的一者中；或(ii)將複數個第二資料元素中的複數者分別儲存於該些對應儲存單元中。
如請求項7所述之記憶體電路，進一步包括一資料路由器，該資料路由器用以接收該控制信號且基於該控制信號來判定是儲存該些第一資料元素中的該單一者還是該些第二資料元素中的該複數者。
如請求項8所述之記憶體電路，其中該資料路由器包含： <br/>一第一多工器，具有用以接收該些第二資料元素中的至少一者的一第一輸入、用以接收該些第一資料元素中的至少一者的一第二輸入及連接至該陣列的一輸入埠的一第一輸出；及 <br/>一第二多工器，具有用以接收該些第二資料元素中的至少一者的一第三輸入、用以接收該些第一資料元素中的至少一者的一第四輸入及連接至該陣列的一寫入埠的一第二輸出。
一種操作記憶體電路的方法，包括以下步驟： <br/>識別一神經網路的用於處理複數個輸入資料元素及複數個權重資料元素的一層類型； <br/>回應於該層類型為一第一類型，將該些權重資料元素中的一單一者儲存於一對應處理組件的複數個儲存單元中的一者中；及 <br/>回應於該層類型為一第二類型，將該些輸入資料元素中的複數者分別儲存於該對應處理組件的該些儲存單元中。
一種折疊式相機，包括：<br/> 一鏡頭，其包括多個透鏡元件L<sub>i</sub>，該些透鏡元件被分成一第一透鏡組（G1）和一第二透鏡組（G2），並且具有一有效焦距，在8毫米＜EFL＜40毫米的範圍內；<br/> 一影像感測器；<br/> 一光路折疊元件（OPFE），用於將一第一光路（OP1）折疊為一第二光路（OP2），其中該第一透鏡組位於該光路折疊元件的一物側，該第二透鏡組位於該光路折疊元件的一像側，並且該光路折疊元件具有沿該第一光路量測的一高度H<sub>O</sub>；及<br/> 一光學影像穩定（OIS）致動器，可操作的以執行光學影像穩定並且包括單個馬達，<br/> 其中該折疊式相機是一折疊式望遠相機，<br/> 該單個馬達可操作的以通過將該第一透鏡組圍繞一第一透鏡組旋轉軸共同地旋轉一第一透鏡組旋轉行程（Rot<sub>G1</sub>）並將該光路折疊元件圍繞一光路折疊元件旋轉軸旋轉一光路折疊元件旋轉行程（Rot<sub>OPFE</sub>）來沿著一第一光學影像穩定方向執行光學影像穩定，其中Rot<sub>OPFE</sub>＜Rot<sub>G1</sub>，<br/> 該第一透鏡組旋轉軸和該光路折疊元件旋轉軸彼此相平行，並垂直於該第一光路和該第二光路，<br/> 該第一透鏡組旋轉軸和該光路折疊元件旋轉軸分離相隔一距離d<sub>ROT</sub>，以及<br/> d<sub>ROT</sub>滿足d<sub>ROT</sub> ＜ H<sub>O</sub>/2。
如請求項1所述的折疊式相機，其中該光學影像穩定致動器包括一控制桿系統，該控制桿系統至少包括一第一控制桿、一第二控制桿和一控制桿基準點，並且該第一控制桿和該第二控制桿限定了相對於該控制桿基準點的該第一透鏡組的旋轉軸和該光路折疊元件的旋轉軸。
如請求項2所述的折疊式相機，其中連接該光路折疊元件旋轉軸和該控制桿基準點的直線與該第一光路形成一角度α，連接該第一透鏡組旋轉軸和該控制桿基準點的直線與該第一光路形成一角度β，連接該第一透鏡組旋轉軸和該控制桿基準點的直線與該第二光路形成一角度γ，其中60度＜α＜120度，30度＜β＜90度，0度＜γ＜90度。
如請求項3所述的折疊式相機，其中80度＜α＜100度。
如請求項3所述的折疊式相機，其中85度＜α＜95度。
如請求項3所述的折疊式相機，其中50度＜β＜70度。
如請求項3所述的折疊式相機，其中55度＜β＜65度。
如請求項3所述的折疊式相機，其中該第一控制桿是固定地連接到該第一透鏡組的一第一透鏡組控制桿，該第一控制桿具有從一第一透鏡組滾珠軸承到該控制桿基準點的一長度L<sub>G1</sub>，該第二控制桿是固定地連接到該光路折疊元件的一光路折疊元件控制桿，該第二控制桿具有從一光路折疊元件滾珠軸承到該控制桿基準點的一長度L<sub>OPFE</sub>，其中一控制桿比為L<sub>G1</sub>：L<sub>OPFE</sub>並且角度α、β和γ定義了一旋轉行程比Rot<sub>OPFE</sub>：Rot<sub>G1</sub>在1：1.25至1：3的範圍內，其中L<sub>G1</sub>：L<sub>OPFE</sub>在0.5：1至1：2範圍內。
如請求項8所述的折疊式相機，其中L<sub>G1</sub>：L<sub>OPFE</sub>在0.75：1至0.95：1的範圍內。
如請求項8所述的折疊式相機，其中L<sub>G1</sub>：L<sub>OPFE</sub>為0.84：1至0.88：1。
如請求項8所述的折疊式相機，其中L<sub>G1</sub>在1毫米至10毫米的範圍內。
如請求項8所述的折疊式相機，其中L<sub>G1</sub>在2毫米至5毫米的範圍內。
如請求項8所述的折疊式相機，其中L<sub>G1</sub>在3毫米至4毫米的範圍內。
如請求項8所述的折疊式相機，其中Rot<sub>OPFE</sub>：Rot<sub>G1</sub>在1：1.4至1：8的範圍內。
如請求項8所述的折疊式相機，其中Rot<sub>OPFE</sub>：Rot<sub>G1</sub>在1：1.5至1：7的範圍內。
如請求項2所述的折疊式相機，其中該第一透鏡組旋轉軸、該控制桿基準點和該光路折疊元件旋轉軸位於一直線上。
如請求項16所述的折疊式相機，其中該第一控制桿是固定地連接到該第一透鏡組的一第一透鏡組控制桿，該第一控制桿具有從一第一透鏡組滾珠軸承到該控制桿基準點的一長度L<sub>G1</sub>，該第二控制桿是固定地連接到該光路折疊元件的一光路折疊元件控制桿，該第二控制桿具有從一光路折疊元件滾珠軸承到該控制桿基準點的一長度L<sub>OPFE</sub>，其中L<sub>G1</sub>＜ L<sub>OPFE</sub>，其中一控制桿比L<sub>G1</sub>：L<sub>OPFE</sub>等於一旋轉行程比Rot<sub>OPFE</sub>：Rot<sub>G1</sub>，該旋轉行程比Rot<sub>OPFE</sub>：Rot<sub>G1</sub>在1：1.25至1：3的範圍內，其中LG1：L<sub>OPFE</sub>在1：1.25至1：3範圍內。
如請求項17所述的折疊式相機，其中L<sub>G1</sub>：L<sub>OPFE</sub>在1：1.5至1：1.8的範圍內。
如請求項17所述的折疊式相機，其中L<sub>G1</sub>：L<sub>OPFE</sub>為1：1.65。
如請求項17所述的折疊式相機，其中L<sub>G1</sub>在0.5毫米至5毫米的範圍內。
如請求項17所述的折疊式相機，其中L<sub>G1</sub>在1.25毫米至2.5毫米的範圍內。
如請求項17所述的折疊式相機，其中Rot<sub>OPFE</sub>：Rot<sub>G1</sub>在1：1.4至1：8的範圍內。
如請求項17所述的折疊式相機，其中Rot<sub>OPFE</sub>：Rot<sub>G1</sub>在1：1.5至1：7的範圍內。
如請求項1所述的折疊式相機，其中該光路折疊元件的一反射表面與該第一光路形成一角度在40度至45度的範圍內。
如請求項1所述的折疊式相機，其中該折疊式相機包括一附加光路折疊元件，用於將該第二光路折疊到平行於該第一光路的一第三光路（OP3），並且該附加光路折疊元件位於該鏡頭的一像側。
如請求項25所述的折疊式相機，其中該折疊式相機包括一濾光器，並且該濾光器定向為垂直於該第二光路。
如請求項2所述的折疊式相機，其中該控制桿基準點是一滾動鉸鏈。
如請求項2所述的折疊式相機，其中該光學影像穩定致動器包括限定該第一透鏡組旋轉軸的二滾珠軸承、限定該光路折疊元件旋轉軸的二滾珠軸承和限定該控制桿基準點的一滾珠軸承。
如請求項2所述的折疊式相機，其中該光學影像穩定致動器包括限定該控制桿基準點的一撓曲件、限定該第一透鏡組旋轉軸的二滾珠軸承和限定該光路折疊元件旋轉軸的二滾珠軸承。
如請求項2所述的折疊式相機，其中該光學影像穩定致動器包括二第一透鏡組控制桿固定地連接到該第一透鏡組，並且該光學影像穩定致動器包括二光路折疊元件控制桿固定地連接到該光路折疊元件。
如請求項1所述的折疊式相機，其中該單個馬達是一音圈馬達（VCM），其包括兩個或更多個線圈及兩個或更多個磁體。
如請求項31所述的折疊式相機，其中該音圈馬達包括兩個或更多個軛部。
如請求項1所述的折疊式相機，其中該折疊式相機包括三個或更多個預負載彈簧。
如請求項33所述的折疊式相機，其中一第一預負載彈簧位於該光路折疊元件的一第一側，及一第二預負載彈簧和一第三預負載彈簧均位於該光路折疊元件的一第二側。
如請求項1所述的折疊式相機，其中該折疊式相機具有沿該第一光路量測的一相機模組高度H<sub>M</sub>在5至15毫米的範圍內。
如請求項35所述的折疊式相機，其中H<sub>M</sub>在5至12.5毫米的範圍內。
如請求項35所述的折疊式相機，其中該折疊式相機具有一第一相機模組區域，該第一相機模組區域具有一相機模組高度H<sub>M</sub>，及一第二相機肩部區域，該第二相機肩部區域具有一相機肩部區域高度H<sub>S</sub>，其中H<sub>M</sub>和H<sub>S</sub>都是沿該第一光路量測的，且H<sub>S</sub>＜H<sub>M</sub>-2毫米。
如請求項1所述的折疊式相機，其中該單個馬達可操作的以使該第一透鏡組和該光路折疊元件一起圍繞平行於該第二光路的軸旋轉，以執行沿一第二光學影像穩定方向的光學影像穩定。
如請求項1所述的折疊式相機，其中該第二透鏡組可沿平行於該第二光路的軸線性地移動，以進行聚焦。
如請求項1所述的折疊式相機，其中該第一透鏡組、該光路折疊元件和該第二透鏡組可沿該第二光路一起移動，以進行聚焦。
如請求項1所述的折疊式相機，其中該影像感測器可平行於該第二光路移動，以進行聚焦。
如請求項1所述的折疊式相機，其中該光路折疊元件是一棱鏡。
如請求項1所述的折疊式相機，其中該影像感測器具有一感測器對角線（SD）在3毫米＜SD＜17毫米的範圍內。
如請求項1至43任一項所述的折疊式相機，其中該折疊式相機被包括在一行動裝置中。
如請求項44所述的折疊式相機，其中該行動裝置是一智慧型手機。
一種電容器結構，包括：<br/>一底部電極，該底部電極包括一底部及一側部，其中該側部從該底部的一邊緣向上延伸，該側部具有從上到下逐漸變細的一寬度，該側部包括一第一部分及一第二部分在該第一部分上，以及該第一部分的一第一寬度小於該第二部分的一第二寬度，其中該第二寬度的一最大值為大於2 nm且小於或等於8.4 nm，該第一寬度的一最小值為2 nm至6 nm；<br/>一第一介電層在該底部電極上；以及<br/>一第一頂部電極在該第一介電層上。
如請求項1所述之電容器結構，其中該第一部分及該第二部分共同地圍繞該第一介電層及該第一頂部電極。
如請求項1所述之電容器結構，其中該第二寬度與該第一寬度的一比值大於1且小於或等於1.4。
如請求項1所述之電容器結構，更包括一第二介電層及一第二頂部電極，其中該第二介電層圍繞該第一部分及該第二部分，以及該第二頂部電極圍繞該第二介電層。
一種形成電容器結構之方法，包括：<br/>形成一硬遮罩層在一基板上；<br/>形成包括一開口的一圖案化光阻層在該硬遮罩層上；<br/>藉由該圖案化光阻層的該開口移除該硬遮罩層的一部分及該基板的一部分，以形成一溝槽；<br/>形成一底部電極在該溝槽中，其中該底部電極包括一底部及一側部在該溝槽的一側壁表面上，該側部從該底部的一邊緣向上延伸，該側部具有從上到下逐漸變細的一寬度，該側部包括一第一部分及一第二部分在該第一部分上，以及該第一部分的一第一寬度小於該第二部分的一第二寬度，該第二寬度的一最大值為大於2 nm且小於或等於8.4 nm，該第一寬度的一最小值為2 nm至6 nm；<br/>形成一保護層在該底部電極上；<br/>形成一氧化層填充該溝槽及在該保護層及該硬遮罩層的一剩餘部分上；<br/>移除該溝槽外的該氧化層的一部分及該硬遮罩層的該剩餘部分；<br/>移除該溝槽中的該氧化層的一剩餘部分及該保護層，以暴露出該底部電極；<br/>形成一第一介電層在該底部電極上；以及<br/>形成一第一頂部電極在該第一介電層上。
如請求項5所述之方法，其中該保護層將該底部電極與該氧化層分離開來。
如請求項5所述之方法，其中該保護層包括鑭系元素的氧化物、氧化鈦、氧化鋁、氧化矽、氧化鋯、氧化鉿、氧化鉭、氧化釔、氧化鈧、氧化鎵、氧化鈮、氧化鎂、氮化矽、氧氮化矽或其組合。
如請求項5所述之方法，其中該保護層的一厚度小於或等於10 nm。
如請求項5所述之方法，其中形成該保護層是藉由一溫度小於或等於400°C的一熱原子層沉積進行。
如請求項5所述之方法，其中移除該溝槽外的該氧化層的該部分及該硬遮罩層的該剩餘部分是藉由一化學機械拋光進行。
如請求項5所述之方法，更包括：<br/>在移除該氧化層的該剩餘部分及該保護層之後，移除該溝槽外的該基板的一部分；<br/>形成一第二介電層在該底部電極的一側上，該側相對於該底部電極形成有該第一介電層的一側；以及<br/>形成一第二頂部電極在該第二介電層上。
一種回收多元醇的方法，包含以下步驟：<br/> 降解一聚氨酯類材料，以得到一降解產物；<br/> 將一如式(I)所示的處理劑與該降解產物進行反應，以獲得一液態反應產物；及<br/> 蒸餾該反應產物，以獲得一含有一多元醇類化合物的多元醇混合物；<br/><img align="absmiddle" height="45px" width="31px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 式(I)<br/> 其中，於式(I)中，X為O或N-R，R為氫或直鏈烷基；<br/> n為2；<br/> R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>各自表示氫、直鏈烷基、或支鏈烷基，位於不同碳上的R<sup>1</sup>可為相同或不同，位於不同碳上的R<sup>2</sup>可為相同或不同。
如請求項1所述的方法，其中，該處理劑包含碳酸乙烯酯、碳酸丙烯酯、1,2-丁二醇碳酸酯、或其組合。
如請求項1所述的方法，其中，該X為N-R。
如請求項3所述的方法，其中，該處理劑包含2-噁唑烷酮、4-甲基-2-噁唑烷酮、3-甲基-2-噁唑烷酮、或其組合。
如請求項1所述的方法，其中，該降解產物含有一胺類化合物及一多元醇類化合物，且該胺類化合物包含脂肪族胺類化合物、芳香族胺類化合物、醇胺類化合物、或其組合。
如請求項1所述的方法，其中，該降解產物與該處理劑是在溫度範圍為50°C至150°C下進行反應。
如請求項1所述的方法，其中，該反應產物是在溫度範圍為70°C至160°C以及壓力範圍為0.001 mbar至100 mbar下進行蒸餾。
如請求項1所述的方法，其中，該反應產物包含脲基多元醇、氨酯基多元醇、或其組合。
如請求項1所述的方法，其中，該多元醇混合物於波數範圍落在1730 cm<sup>-1</sup>至1745 cm<sup>-1</sup>之間具有一紅外線吸收峰。
如請求項1所述的方法，其中，該多元醇混合物包含脲基多元醇、氨酯基多元醇、聚氧化丙烯多元醇、或其組合。
一種擺臂型纜線管理裝置，包括：<br/> 一安裝基座，組配安裝於一充電機台的一側壁上；<br/> 一第一支臂，具有彼此相對的一第一端和一第二端，其中該第一端通過垂直於一地面的一第一樞軸樞接於該安裝基座，且允許該第一支臂通過該第一樞軸相對該安裝基座旋轉；<br/> 一第二支臂，具有彼此相對的一第三端和一第四端，其中該第三端通過垂直於該地面的一第二樞軸樞接於該第一支臂的該第二端，且允許該第二支臂通過該第二樞軸相對該第一支臂旋轉；<br/> 一導引模組，設置於該第二支臂上，且該導引模組包含相對的兩個引導槽，其中該導引模組從該第三端至該第四端沿水平方向傾斜而增加高度，其中該導引模組包括相對的一後端與一前端，該後端鄰近該第三端且低於鄰近該第四端的該前端；<br/> 一滑動組件，滑動地設置於該導引模組上，該滑動組件包括一水平軸及兩個緊固螺帽，該水平軸穿過該導引模組的該兩個引導槽並與該滑動組件的中心軸線對齊，該兩個緊固螺帽分別螺合於該水平軸的兩端，使該滑動組件能沿該導引模組滑動；該第二支臂包括一長型中空框架，其中該長型中空框架包括一底部開口，以容納該滑動組件與該水平軸於該導引模組內滑動；以及<br/> 一夾固組件，連接至該滑動組件，組配夾固該充電機台的一充電纜線；<br/> 其中於該充電纜線閒置時，該充電纜線受重力作用，拉動該夾固組件向下，並帶動該滑動組件移動至該導引模組的該後端；於該充電纜線受一充電槍項拉動而展開使用時，該充電纜線受一充電槍頭的拉力作用，拉動該夾固組件遠離該安裝基座，並帶動該滑動組件移動至該導引模組的該前端。
如請求項1所述的擺臂型纜線管理裝置，其中該充電機台設置於該地面，且該充電機台的該側壁垂直於該地面，該安裝基座安裝於該充電機台的該側壁且鄰近該充電機台的一頂部，該充電纜線連接於該充電機台的該側壁與該充電槍頭之間。
如請求項1所述的擺臂型纜線管理裝置，更包括至少一扭力彈簧，其中該至少一扭力彈簧設置在該第一樞軸或/和該第二樞軸的周圍，且組配提供一彈性恢復力以保持該第一支臂相對該安裝基座收合或/和該第二支臂相對該第一支臂保持折疊。
如請求項1所述的擺臂型纜線管理裝置，其中當該第一支臂上該夾固組件因該充電纜線的重力作用而被向下拉動帶動該滑動組件移動至該導引模組的該後端時，該第一支臂和該第二支臂折疊貼合於該充電機台的該側壁上，其中當該夾固組件在該充電槍頭的拉力作用下拉離該安裝基座並帶動該滑動組件移動至該導引模組的該前端時，該第一支臂和該第二支臂在該充電機台的前方展開。
如請求項1所述的擺臂型纜線管理裝置，其中該第一支臂包含該長型中空框架。
如請求項5所述的擺臂型纜線管理裝置，其中該導引模組之該兩個引導槽穿過該第二支臂的兩個相對壁，該滑動組件位於該兩個引導槽之間，其中該水平軸及該兩個緊固螺帽組配將該滑動組件設置在該導引模組上。
如請求項5所述的擺臂型纜線管理裝置，其中該滑動組件設置於該導引模組的兩個引導槽之間，其中該水平軸的兩端被兩個緊固螺帽限位，該兩個緊固螺帽分別位於該長型中空框架的兩個相對壁的外側，以使得該滑動組件可滑動地設置在該導引模組上。
如請求項7所述的擺臂型纜線管理裝置，其中該滑動組件和該夾固組件通過一繩索連接，該繩索穿過該底部開口。
如請求項8所述的擺臂型纜線管理裝置，其中該繩索纏繞在該滑動組件上，且該繩索的一端固定至該夾固組件，另一端固定至該第二支臂的該第三端。
如請求項8所述的擺臂型纜線管理裝置，其中該繩索纏繞在該滑動組件上，且包括固定至該夾固組件的兩端。
如請求項5所述的擺臂型纜線管理裝置，其中該第二支臂的該長型中空框架包括一底部開口，其中該導引模組包括斜嵌於該第二支臂內的一管狀導軌，該滑動組件包括一滑輪組，該滑輪組可滑動地設置於該管狀導軌內。
如請求項11所述的擺臂型纜線管理裝置，其中該滑動組件和該夾固組件通過一繩索連接，該繩索穿過該底部開口。
如請求項5所述的擺臂型纜線管理裝置，其中該第二支臂的該長型中空框架包括一底部開口，其中該導引模組包括斜嵌於該第二支臂內的一導桿，該滑動組件滑動地套設於該導桿上，且通過該底部開口連接至該夾固組件。
如請求項13所述的擺臂型纜線管理裝置，其中該滑動組件和該夾固組件通過一繩索連接，該繩索穿過該底部開口。
如請求項1所述的擺臂型纜線管理裝置，更包括一限制機構，其中該限制機構設置於該第二端和該第三端之間，組配限制該第一支臂和該第二支臂的旋轉角度。
如請求項1所述的擺臂型纜線管理裝置，更包括一緩衝件，其中該緩衝件設置於該安裝基座和該第一端之間和該第四端和該第一端之間，於該第一支臂相對該安裝基座收合和該第二支臂相對該第一支臂折疊時提供緩衝功能。
如請求項1所述的擺臂型纜線管理裝置，更包括一緩衝件，其中該緩衝件設置於該第二端和該第三端之間，於該第二支臂相對該第一支臂展開時提供緩衝功能。
一種半導體元件，包括： <br/>一載體； <br/>一下部支撐框架，設置在該載體之上； <br/>一上部支撐框架，設置在該下部支撐框架之上並與該下部支撐框架分隔； <br/>一電容構件，設置在該載體之上，其中該電容構件包括一下部電極，且該下部電極具有一不連續的側壁而鄰接該下部支撐框架；以及 <br/>一接地電極，電性連接到該電容構件，其中該接地電極向外延伸而鄰接於該下部支撐框架。
如請求項1所述之半導體元件，其中該下部電極的該不連續的側壁向外延伸而鄰接該下部支撐框架。
如請求項1所述之半導體元件，其中在一剖視圖中，該下部電極的該不連續的側壁定義的一開口向遠離該載體的方向擴大。。
如請求項1所述之半導體元件，其中該電容構件包括一電容介電材料，該電容介電材料具有一不連續的側壁。
如請求項1所述之半導體元件，其中該電容構件包括一上部電極，該上部電極具有一不連續的側壁。
如請求項1所述之半導體元件，其中該下部支撐框架的一材料與該上部支撐框架的一材料不同。
如請求項1所述之半導體元件，其中該下部支撐框架的一材料包括碳化矽、碳氧化矽或上述之組合。
如請求項1所述之半導體元件，其中該下部電極的該不連續的側壁具有一第一表面、一第二表面及一第三表面，並且該第二表面在該第一表面與該第三表面之間延伸。
如請求項1所述之半導體元件，其中該接地電極具有鄰接該下部支撐框架的一上部表面的一第一寬度以及鄰接該載體的一第二寬度，並且該第一寬度大於該第二寬度。
如請求項1所述之半導體元件，其中該載體包括一墊，該墊電性連接到該電容構件，並且該接地電極具有一頸部位於該墊正上方。
如請求項1所述之半導體元件，其中該載體包括一墊以及一鈍化層，該墊電性連接到該電容構件，該鈍化層包圍該墊，並且該鈍化層具有一凹槽。
如請求項11所述之半導體元件，其中該下部支撐框架填充該凹槽。
一種晶圓檢測系統，係包括：<br/>第一平台，係提供以放置一目標物；<br/>第二平台，係相對於該第一平台移動，使該目標物相對於該第二平台移動；<br/>第三平台，係相對於該第一平台移動，且該第三平台位於該第二平台的側邊；<br/>同軸背投影取像裝置，係包括配置在該第二平台的上背投影模組及下背投影模組，以將同軸光線引導至該目標物之周圍邊緣的上方及下方，而分別獲取該周圍邊緣的正面背投影影像及背面背投影影像；以及<br/>側光取像裝置，係設置於該第三平台上，以將側光光線引導至該目標物之周圍邊緣的側邊，俾獲取該周圍邊緣的對比影像。
如請求項1所述之晶圓檢測系統，其中，該上背投影模組及該下背投影模組各具有相對應的分光元件、同軸光源及取像元件，且該周圍邊緣和相對應的該分光元件與該同軸光源之間形成第一成像路徑，而相對應的該分光元件與該取像元件之間形成第二成像路徑。
如請求項2所述之晶圓檢測系統，其中，該上背投影模組及該下背投影模組的同軸光源係相對地設置在同一軸線上，且該上背投影模組及該下背投影模組的分光元件係設置在該軸線上的該同軸光源之間。
如請求項2所述之晶圓檢測系統，其中，該上背投影模組及該下背投影模組的第一成像路徑係分別與該上背投影模組及該下背投影模組的第二成像路徑成90度。
如請求項1所述之晶圓檢測系統，更包括一座標校正裝置，係具有至少兩個標靶及正面校正標靶投影影像視窗、背面校正標靶投影影像視窗，以使該正面背投影影像及該背面背投影影像成像有至少兩個參考點，而藉由該至少兩個參考點將該正面背投影影像及該背面背投影影像轉換為共平面座標。
如請求項5所述之晶圓檢測系統，其中，該座標校正裝置係配置成在第三平台上且鄰近該側光取像裝置。
如請求項1所述之晶圓檢測系統，其中，該側光取像裝置係具有側光源及成像元件，且該側光源、該成像元件及該周圍邊緣係形成第三成像路徑。
一種晶圓檢測方法，係包括：<br/>提供如請求項1所述之晶圓檢測系統；<br/>提供堆疊之上晶圓和下晶圓設置於該第一平台上；<br/>使用該同軸背投影取像裝置取得該上晶圓和該下晶圓的周圍邊緣的正面背投影影像及背面背投影影像；<br/>使用該側光取像裝置取得該上晶圓和該下晶圓之周圍邊緣的對比影像；<br/>檢測該正面背投影影像、該背面背投影影像及該對比影像，以從該正面背投影影像、背面背投影影像及對比影像中取得該上晶圓和該下晶圓之周圍邊緣的缺角頂點座標及複數個特徵點座標；<br/>藉由該複數個特徵點座標分別計算該上晶圓和該下晶圓的圓心座標；以及<br/>藉由該缺角頂點座標及該圓心座標計算該該上晶圓和該下晶圓之間的位置偏移量。
如請求項8所述之晶圓檢測方法，其中，該上晶圓的缺角頂點座標與圓心座標係形成第一直線，而該下晶圓的缺角頂點座標及圓心座標係形成第二直線，以藉由該第一直線及該第二直線的斜率計算出一夾角值。
如請求項8所述之晶圓檢測方法，其中，該上晶圓的缺角頂點座標和該下晶圓的缺角頂點座標之間具有一連心弧長值，以藉由該連心弧長值與該上晶圓和該下晶圓之半徑長度和缺角高度的差值的比率計算出一夾角值。
一種貼膜模組，適用於一貼膜裝置，包括：<br/> 一真空網板結構，包含：<br/> 一第一框架，具有至少一抽氣流道；<br/> 一彈性層，與該第一框架連接設置；<br/> 一第二框架，與該第一框架對應緊密設置；以及<br/> 一透氣層，具有一透氣吸附區，該透氣吸附區設置於該透氣層之中央，該透氣層與該第二框架連接設置；以及<br/> 一膜料，對應設置於該透氣吸附區之下；<br/> 其中，該真空網板結構之該第一框架、該彈性層及該透氣層共同定義一密閉空間，且該至少一抽氣流道與該密閉空間相連通，藉由一真空泵透過該至少一抽氣流道對該密閉空間抽氣，使該透氣層產生一吸附力，以使該膜料吸附於該透氣層，<br/> 其中，該貼膜裝置具有一上腔體及一對應設置之下腔體，且該真空網板結構連接於該上腔體，其中該上腔體具有一第一流道，該第一流道貫穿該上腔體且具有一第一開口，該第一開口面對該彈性層。
如請求項1所述之貼膜模組，其中該第一框架及該第二框架之間設有至少一密封環，該至少一密封環設置於該第一框架及該第二框架之間，以使該第一框架與該第二框架彼此氣密緊迫設置。
如請求項1所述之貼膜模組，其中該第一流道連接於一氣體泵，當該氣體泵透過該第一流道之該開口向上抽氣，俾使該彈性層受該抽吸力而貼附於該上腔體；當該上腔體與該下腔體對應關腔閉合後，該氣體泵透過該第一流道向下排氣，產生向下之一氣體壓力，該彈性層因應該氣體壓力，隨之向下延展形變，並推壓設置於其下之該透氣層及該膜料，使該膜料向下貼附於一基板上。
如請求項3所述之貼膜模組，其中該氣體泵係為該真空泵。
如請求項3所述之貼膜模組，其中該上腔體與該下腔體關腔閉合時，該上腔體向下位移，並使該下腔體之一側框表面抵接於該透氣層之底部。
如請求項5所述之貼膜模組，其中該下腔體與該透氣層之間設有至少一密封環，以使該上腔體與該下腔體彼此緊密閉合。
如請求項1所述之貼膜模組，其中該彈性層為一氣囊結構。
如請求項7所述之貼膜模組，其中該彈性層為一矽膠墊。
一種貼膜方法，包括步驟：<br/> (a) 提供一貼膜裝置，該貼膜裝置具有一上腔體、一真空網板結構及一下腔體，該真空網板結構連接於該上腔體，具有一第一框架、與該第一框架連接之一彈性層、一第二框架以及與該第二框架連接之一透氣層，該下腔體內設有一基座，該基座上置放一基板；藉由一真空泵經由該第一框架內之至少一抽氣流道對由該第一框架、該彈性層及該透氣層共同定義之一密閉空間抽氣，使該透氣層產生一吸附力，使該膜料吸附於該透氣層之下，其中該透氣層具有一透氣吸附區，該透氣吸附區設置於該透氣層之中央，該膜料對應設置於該透氣吸附區之下；<br/> (b) 該上腔體受一機械式驅動而向下位移，以與該下腔體對應關腔閉合，且使該基板對應設置於該膜料下；<br/> (c) 該上腔體更設有一第一流道，該第一流道連接於一氣體泵，當該氣體泵透過該第一流道向下排氣，產生向下之一氣體壓力，該真空網板結構之該彈性層因應該氣體壓力，隨之向下延展形變，並推壓設置於其下之該透氣層及該膜料，使該膜料向下貼附於該基板上；<br/> (d) 將該氣體由該上腔體之該第一框架之該至少一抽氣流道輸送至該密閉空間內，並經由該真空網板結構之該透氣層向下流動，使該透氣層與該膜料分離；以及<br/> (e) 該氣體泵透過該第一流道進行抽氣，該彈性層因應該氣體之一抽吸力而向上復位，且該透氣層亦隨之向上復位，使該膜料與該基板完成貼膜作業。
如請求項9所述之貼膜方法，其中該第一框架及該第二框架之間設有至少一密封環，以使該第一框架與該第二框架彼此氣密緊迫設置。
如請求項9所述之貼膜方法，其中於該步驟(b)中，該下腔體與該透氣層之間設有至少一密封環，以使該上腔體與該下腔體彼此緊密閉合。
如請求項9所述之貼膜方法，其中該下腔體更具有一第二流道，該第二流道與該氣體泵相連接，於該步驟(c)之後，當該上腔體與該下腔體對應關腔閉合之後，更包含步驟(c1)，透過該氣體泵對該第一流道排氣、對該第二流道抽氣、以及該真空泵對該抽氣通道抽氣，俾使該上腔體及該下腔體之間呈現一真空狀態，且該基板受一向下之吸附力，而穩固設置於該基座上。
如請求項12所述之貼膜方法，其中該步驟(c)及該步驟(c1)之該氣體泵係為該步驟(a)之該真空泵。
如請求項12所述之貼膜方法，其中於該步驟(c)中，當該氣體泵透過該第一流道向下排氣時，該氣體泵亦同時對該第二流道抽氣，以增加該彈性層向下之抽吸力，俾使該膜料向下貼附於該基板上。
如請求項12所述之貼膜方法，其中於該步驟(d)中，該真空泵透過該至少一抽氣通道進行排氣，使該氣體輸送至該密閉空間內，並經由該透氣層向下流動，俾使該膜料與該透氣層脫離。
如請求項12所述之貼膜方法，其中於該步驟(e)中，更包含步驟(e1)，該氣體泵透過該第一流道進行抽氣時，該氣體泵亦同時對該第二流道排氣，俾增加該彈性層向上復位之推力，並使該上腔體及該下腔體之間恢復一大氣狀態。
如請求項16所述之貼膜方法，其中於該步驟(e1)之後，更包含步驟(e2)，該上腔體受該機械式驅動而向上位移，與該下腔體分離。
如請求項12所述之貼膜方法，其中該第一流道以及該第二流道各設置一閥門結構，藉由該等閥門結構，使該氣體泵分別對該第一流道或該第二流道排氣或抽氣，或者同時對該第一流道及該第二流道排氣或抽氣。
一種半導體裝置，包括：<br/> 光子晶粒，包括邊緣耦合器；以及<br/> 反射耦合器，其中所述反射耦合器的至少一部分配置成面向所述光子晶粒的側壁，且來自所述光子晶粒內的所述邊緣耦合器的光被所述反射耦合器反射或光被所述反射耦合器反射然後入射到所述光子晶粒內的所述邊緣耦合器。
如請求項1所述的半導體裝置，其中所述反射耦合器完全配置在所述光子晶粒外。
如請求項1所述的半導體裝置，其中所述反射耦合器部分配置在所述光子晶粒外且部分配置在所述光子晶粒中。
如請求項1所述的半導體裝置，其中所述反射耦合器進一步延伸到所述邊緣耦合器下方。
如請求項1所述的半導體裝置，其中所述邊緣耦合器配置在所述光子晶粒的所述側壁，所述光子晶粒包括連接所述側壁的第一表面與第二表面，且所述反射耦合器在相對的所述第一表面與所述第二表面之間延伸。
如請求項1所述的半導體裝置，其中所述反射耦合器是波導。
一種半導體裝置，包括：<br/> 光子晶粒；<br/> 反射耦合器，位於所述光子晶粒外；<br/> 電子晶粒，接合到所述光子晶粒；以及<br/> 單層包封體，其中所述單層包封體同時封裝所述光子晶粒和所述反射耦合器。
如請求項7所述的半導體裝置，其中所述光子晶粒在所述光子晶粒的側壁上包括邊緣耦合器。
一種形成半導體裝置的方法，包括：<br/> 接合光子晶粒和電子晶粒；<br/> 以包封體封裝所述光子晶粒和所述電子晶粒；<br/> 形成具有介電層的重分布層結構，所述重分布層結構位於所述包封體的一側，且所述介電層不同於所述包封體；以及<br/> 在所述包封體中形成反射耦合器。
如請求項9所述的方法，其中形成所述反射耦合器包括：<br/> 通過蝕刻製程在所述包封體中形成開口；以及<br/> 在所述開口中形成所述反射耦合器。
一種偏振分光膜堆結構，適於設置在一基板上且包含：<br/> 多個膜層，包含多個高折射層和多個低折射層，該些高折射層和該些低折射層交錯地堆疊在該基板上；<br/> 其中，該偏振分光膜堆結構對在一特定波段的第一偏振光在入射角45度的穿透率定義為T1，該偏振分光膜堆結構對在該特定波段的第二偏振光在入射角45度的穿透率定義為T2，該第一偏振光的偏振方向垂直於該第二偏振光的偏振方向，並且符合以下條件式：T2/T1＞1000；以及<br/> 最靠近該基板的膜層是高折射層，最遠離該基板的膜層也是高折射層。
根據請求項1所述的偏振分光膜堆結構，其中該偏振分光膜堆結構對871nm~927nm的波段中的第一偏振光在入射角45度的穿透率低於0.1%，但對871nm~927nm的波段中的第二偏振光在入射角45度的穿透率高於0.1%。
根據請求項1所述的偏振分光膜堆結構，其中最靠近該基板的膜層的厚度大於最遠離該基板的膜層的厚度。
根據請求項1所述的偏振分光膜堆結構，其中該些高折射層的數量大於該些低折射層的數量。
根據請求項1所述的偏振分光膜堆結構，其中該偏振分光膜堆結構對931nm~991nm的波段中的第一偏振光在入射角45度的穿透率低於0.1%，但對931nm~991nm的波段中的第二偏振光在入射角45度的穿透率高於0.1%。
根據請求項2所述的偏振分光膜堆結構，其中厚度最大的膜層是第二遠離該基板的膜層。
根據請求項2所述的偏振分光膜堆結構，其中第二靠近該基板的膜層的厚度小於第二遠離該基板的膜層的厚度。
根據請求項2所述的偏振分光膜堆結構，其中在緊鄰的兩個膜層中，靠近該基板的膜層對遠離該基板的膜層的厚度比在0.34~9.10的範圍內。
根據請求項2所述的偏振分光膜堆結構，其中緊鄰的低折射層對高折射層的厚度比在0.41~2.70的範圍內。
根據請求項1所述的偏振分光膜堆結構，其中該些高折射層是二氧化鈦層，該些低折射層是二氧化矽層。
根據請求項2所述的偏振分光膜堆結構，其中厚度最小的膜層是最遠離該基板的膜層。
根據請求項5所述的偏振分光膜堆結構，其中厚度最小的膜層是第二遠離該基板的膜層。
根據請求項5所述的偏振分光膜堆結構，其中第二靠近該基板的膜層的厚度大於第二遠離該基板的膜層的厚度。
根據請求項5所述的偏振分光膜堆結構，其中在緊鄰的兩個膜層中，靠近該基板的膜層對遠離該基板的膜層的厚度比在0.30~2.70的範圍內。
根據請求項5所述的偏振分光膜堆結構，其中緊鄰的低折射層對高折射層的厚度比在0.74~2.27的範圍內。
一種偏極化分光元件，包含一基板以及如請求項1至15的任一項所述的偏振分光膜堆結構，該偏振分光膜堆結構設置在該基板上。
一種具有晶圓邊緣溫度補償設計的化學氣相沉積系統，包含：<br/> 一承載盤，繞著一中心軸旋轉；<br/> 複數個晶圓承載器，位於該承載盤內，每個該晶圓承載器承載一晶圓，該晶圓具有一磊晶面，每個該晶圓承載器的一內周圍具有複數個朝其圓心的延伸結構以承載該磊晶面，其中，該內周圍於該複數個延伸結構之外具有複數個挖除區域；<br/> 一製程氣體，靠近該晶圓的該磊晶面，經加熱反應形成一薄膜沉積在該磊晶面上；以及<br/> 一均熱板，用於加熱該晶圓，設置於該晶圓相對於該磊晶面的一側，並被該晶圓承載器所支撐。
如申請專利範圍第1項所述的化學氣相沉積系統，其中該均熱板的邊緣具有複數個溫度補償區域以分別對應該複數個延伸結構，每個該溫度補償區域具有一溫度補償結構以增加或減少該溫度補償區域與該晶圓的距離，從而補償該晶圓的邊緣溫度。
如申請專利範圍第2項所述的化學氣相沉積系統，其中該溫度補償結構包含一切除結構，以增加該溫度補償區域與該晶圓的距離。
如申請專利範圍第3項所述的化學氣相沉積系統，其中該切除結構包含階梯狀的同心半圓切除結構。
如申請專利範圍第3項所述的化學氣相沉積系統，其中該切除結構包含一半圓椎切除結構。
如申請專利範圍第3項所述的化學氣相沉積系統，其中該切除結構包含一截頂半圓椎切除結構。
如申請專利範圍第2項所述的化學氣相沉積系統，其中該溫度補償結構包含一突出結構，以減少該溫度補償區域與該晶圓的距離。
如申請專利範圍第7項所述的化學氣相沉積系統，其中該突出結構包含階梯狀的同心半圓突出結構。
如申請專利範圍第7項所述的化學氣相沉積系統，其中該突出結構包含一圓椎突出結構。
如申請專利範圍第7項所述的化學氣相沉積系統，其中該突出結構包含一截頂半圓椎突出結構。
如申請專利範圍第1項所述的化學氣相沉積系統，其中該內周圍於對應該複數個延伸結構處不具有挖除區域而形成複數個第一凸塊，每個該第一凸塊與未經加熱的該晶圓的邊緣的距離介於0.1mm至0.5mm之間。
如申請專利範圍第1項所述的化學氣相沉積系統，其中該內周圍於對應該複數個延伸結構處不具有挖除區域而形成複數個第一凸塊，每個該第一凸塊與未經加熱的該晶圓的邊緣的距離介於0.2mm至0.4mm之間。
如申請專利範圍第1項所述的化學氣相沉積系統，其中該內周圍在複數個延伸結構之外的每兩個該挖除區域之間沒有被挖除而形成一第二凸塊，該第二凸塊與未經加熱的該晶圓的邊緣的距離介於0.1mm至0.5mm之間。
如申請專利範圍第1項所述的化學氣相沉積系統，其中該內周圍在複數個延伸結構之外的每兩個該挖除區域之間沒有被挖除而形成一第二凸塊，該第二凸塊與未經加熱的該晶圓的邊緣的距離介於0.2 mm至0.4 mm之間。
如申請專利範圍第1項所述的化學氣相沉積系統，其中每個延伸結構具有一寬度以及一長度，該寬度介於1.5 mm至4 mm之間，該長度介於1 mm至3 mm之間。
如申請專利範圍第1項所述的化學氣相沉積系統，其中每個挖除區域的深度介於0.1 mm至0.6 mm之間。
如申請專利範圍第1項所述的化學氣相沉積系統，其中每個該晶圓承載器的內緣具有複數個凹槽，而該均熱板的邊緣具有複數個凸緣，以分別嵌合該複數個凹槽，從而防止該均熱板於製程中相對於該晶圓承載器產生旋轉或位移。
如申請專利範圍第1項所述的化學氣相沉積系統，其中每個該晶圓承載器的內緣具有複數個凸緣，而該均熱板的邊緣具有複數個凹槽，以分別嵌合該複數個凸緣，從而防止該均熱板於製程中相對於該晶圓承載器產生旋轉或位移。
一種成像鏡頭，包含： <br/>一反射元件，具有一法線軸，該反射元件用以將一入射光路對稱於該法線軸轉折至一出射光路，該反射元件包含： <br/>一光學有效面，該法線軸垂直通過該光學有效面，被該法線軸所通過的面積，可定義出一光學有效面積； <br/>一相對面，與該光學有效面相對設置； <br/>一外徑面，環繞該光學有效面並可定義出一邊緣輪廓，該邊緣輪廓可定義出一最大輪廓面積；以及 <br/>一連接面，連接該光學有效面與該外徑面；以及 <br/>一反射元件載體，用以固定該反射元件並將該反射元件嵌入其中，該反射元件與該反射元件載體以埋入射出一體成型製成； <br/>其中，該光學有效面為一平面； <br/>其中，該反射元件載體包含一覆蓋部，設置於該連接面上； <br/>其中，沿平行該法線軸方向觀察該反射元件，該外徑面的該邊緣輪廓被該反射元件載體的該覆蓋部所遮蔽； <br/>其中，該最大輪廓面積為Ac，該光學有效面積為Ao，該光學有效面與該覆蓋部的一表面之間，沿平行該法線軸方向上的高度差為ΔH，其滿足下列條件： <br/>0 mm <sup>2</sup>＜ Ao ＜ Ac ≤ 250 mm <sup>2</sup>；以及 <br/>-0.15 mm ≤ ΔH ≤ 0.005 mm。
如請求項1所述的成像鏡頭，其中該反射元件載體更包含一相對部設置於該外徑面與該相對面之間，該覆蓋部與該相對部沿平行該法線軸方向上有重疊。
如請求項1所述的成像鏡頭，其中該反射元件載體更包含一相對部設置於該外徑面與該相對面之間，該覆蓋部與該相對部沿平行該法線軸方向上無重疊。
如請求項1所述的成像鏡頭，其中該反射元件的該光學有效面具有一面精度PV，使用檢測波長λ，該入射光路與該法線軸之間具有一夾角θ'，其滿足下列條件： <br/>PV ＜ λ/5；以及 <br/>0 度 ＜ θ' ＜ 90 度。
如請求項1所述的成像鏡頭，其中該最大輪廓面積為Ac，該光學有效面積為Ao，其滿足下列條件： <br/>0 mm <sup>2</sup>＜ Ao ＜ Ac ≤ 200 mm <sup>2</sup>。
如請求項1所述的成像鏡頭，其中該光學有效面與該覆蓋部的該表面之間，沿平行該法線軸方向上的高度差為ΔH，其滿足下列條件： <br/>-0.1 mm ≤ ΔH ≤ 0.003 mm。
如請求項1所述的成像鏡頭，其中該反射元件載體更包含一定位結構。
如請求項1所述的成像鏡頭，其中該成像鏡頭具有一光軸，該光軸與該入射光路互相平行。
一種相機模組，包含： <br/>如請求項1所述的成像鏡頭；以及 <br/>一電子感光元件，設置於該成像鏡頭的一成像面。
一種電子裝置，包含： <br/>如請求項9所述的相機模組。
一種成像鏡頭，包含： <br/>一反射元件，具有一法線軸，該反射元件用以將一入射光路對稱於該法線軸轉折至一出射光路，該反射元件包含： <br/>一光學有效面，該法線軸垂直通過該光學有效面，被該法線軸所通過的面積，可定義出一光學有效面積； <br/>一相對面，與該光學有效面相對設置； <br/>一外徑面，環繞該光學有效面並可定義出一邊緣輪廓，該邊緣輪廓可定義出一最大輪廓面積；以及 <br/>一連接面，連接該光學有效面與該外徑面；以及 <br/>一反射元件載體，用以固定該反射元件並將該反射元件嵌入其中，該反射元件與該反射元件載體以埋入射出一體成型製成； <br/>其中，該光學有效面為一平面； <br/>其中，該反射元件載體包含一覆蓋部，設置於該連接面上； <br/>其中，沿平行該法線軸方向觀察該反射元件，該外徑面的該邊緣輪廓被該反射元件載體的該覆蓋部所遮蔽； <br/>其中，該最大輪廓面積為Ac，該光學有效面積為Ao，該最大輪廓面積被該覆蓋部所遮蔽的範圍沿環繞該法線軸的一圓周方向上所佔角度為θ，其滿足下列條件： <br/>0 mm <sup>2</sup>＜ Ao ＜ Ac ≤ 250 mm <sup>2</sup>；以及 <br/>180 度 ≤ θ ≤ 360 度。
如請求項11所述的成像鏡頭，其中該反射元件載體更包含一相對部設置於該外徑面與該相對面之間，該覆蓋部與該相對部沿平行該法線軸方向上有重疊。
如請求項11所述的成像鏡頭，其中該反射元件載體更包含一相對部設置於該外徑面與該相對面之間，該覆蓋部與該相對部沿平行該法線軸方向上無重疊。
如請求項11所述的成像鏡頭，其中該反射元件的該光學有效面具有一面精度PV，使用檢測波長λ，該入射光路與該法線軸之間具有一夾角θ'，其滿足下列條件： <br/>PV ＜ λ/5；以及 <br/>0 度 ＜ θ' ＜ 90 度。
如請求項11所述的成像鏡頭，其中該最大輪廓面積為Ac，該光學有效面積為Ao，其滿足下列條件： <br/>0 mm <sup>2</sup>＜ Ao ＜ Ac ≤ 200 mm <sup>2</sup>。
一種成像鏡頭，包含： <br/>一反射元件，具有一法線軸，該反射元件用以將一入射光路對稱於該法線軸轉折至一出射光路，該反射元件包含： <br/>一光學有效面，該法線軸垂直通過該光學有效面，被該法線軸所通過的面積，可定義出一光學有效面積； <br/>一相對面，與該光學有效面相對設置； <br/>一外徑面，環繞該光學有效面並可定義出一邊緣輪廓，該邊緣輪廓可定義出一最大輪廓面積；以及 <br/>一連接面，連接該光學有效面與該外徑面；以及 <br/>一反射元件載體，用以固定該反射元件並將該反射元件嵌入其中，該反射元件與該反射元件載體以埋入射出一體成型製成； <br/>其中，該光學有效面為一平面； <br/>其中，該反射元件載體包含一覆蓋部，設置於該連接面上； <br/>其中，沿平行該法線軸方向觀察該反射元件，該外徑面的該邊緣輪廓被該反射元件載體的該覆蓋部所遮蔽； <br/>其中，該光學有效面與該覆蓋部的一表面之間，沿平行該法線軸方向上的高度差為ΔH，其滿足下列條件： <br/>-0.15 mm ≤ ΔH ≤ 0.005 mm。
如請求項16所述的成像鏡頭，其中該反射元件載體更包含一相對部設置於該外徑面與該相對面之間，該覆蓋部與該相對部沿平行該法線軸方向上有重疊。
如請求項16所述的成像鏡頭，其中該反射元件載體更包含一相對部設置於該外徑面與該相對面之間，該覆蓋部與該相對部沿平行該法線軸方向上無重疊。
如請求項16所述的成像鏡頭，其中該反射元件的該光學有效面具有一面精度PV，使用檢測波長λ，該入射光路與該法線軸之間具有一夾角θ'，其滿足下列條件： <br/>PV ＜ λ/5；以及 <br/>0 度 ＜ θ' ＜ 90 度。
如請求項16所述的成像鏡頭，其中該光學有效面與該覆蓋部的該表面之間，沿平行該法線軸方向上的高度差為ΔH，其滿足下列條件： <br/>-0.1 mm ≤ ΔH ≤ 0.003 mm。
一種成像鏡頭，包含： <br/>一反射元件，具有一法線軸，該反射元件用以將一入射光路對稱於該法線軸轉折至一出射光路，該反射元件包含： <br/>一光學有效面，該法線軸垂直通過該光學有效面，被該法線軸所通過的面積，可定義出一光學有效面積； <br/>一相對面，與該光學有效面相對設置； <br/>一外徑面，環繞該光學有效面並可定義出一邊緣輪廓，該邊緣輪廓可定義出一最大輪廓面積；以及 <br/>一連接面，連接該光學有效面與該外徑面；以及 <br/>一反射元件載體，用以固定該反射元件並將該反射元件嵌入其中，該反射元件與該反射元件載體以埋入射出一體成型製成； <br/>其中，該光學有效面為一平面； <br/>其中，該反射元件載體包含一覆蓋部，設置於該連接面上； <br/>其中，沿平行該法線軸方向觀察該反射元件，該外徑面的該邊緣輪廓被該反射元件載體的該覆蓋部所遮蔽； <br/>其中，該反射元件載體更包含一階差結構，該階差結構包含一階差表面，該階差結構與該光學有效面相鄰設置； <br/>其中，該階差表面與該覆蓋部的一表面之間，沿平行該法線軸方向上的高度差為ΔE，其滿足下列條件： <br/>-0.25 mm ≤ ΔE ≤ 0.25 mm。
如請求項21所述的成像鏡頭，其中該反射元件載體更包含一相對部設置於該外徑面與該相對面之間，該覆蓋部與該相對部沿平行該法線軸方向上有重疊。
如請求項21所述的成像鏡頭，其中該反射元件載體更包含一相對部設置於該外徑面與該相對面之間，該覆蓋部與該相對部沿平行該法線軸方向上無重疊。
如請求項21所述的成像鏡頭，其中該反射元件的該光學有效面具有一面精度PV，使用檢測波長λ，該入射光路與該法線軸之間具有一夾角θ'，其滿足下列條件： <br/>PV ＜ λ/5；以及 <br/>0 度 ＜ θ' ＜ 90 度。
如請求項21所述的成像鏡頭，其中該階差表面與該覆蓋部的該表面之間，沿平行該法線軸方向上的高度差為ΔE，其滿足下列條件： <br/>-0.2 mm ≤ ΔE ≤ 0.2 mm。
一種晶圓擺動檢測方法，其特徵在於：<br/> 作為適用於在對安裝於內部的晶圓進行旋轉的同時執行工程的半導體設備中的晶圓擺動檢測方法，包括：<br/> 獲取包括被安裝到設備內部且位置固定的固定物反射到晶圓的表面上的反射像的晶圓表面影像的步驟；以及，<br/> 通過在所獲取到的影像中對因為擺動而移動的反射像進行分析而對晶圓的擺動進行檢測的步驟。
如請求項1所述之晶圓擺動檢測方法，其特徵在於：<br/> 所述對反射像進行分析的過程，<br/> 是通過將影像的特定位置設定為正常區域，並設定以圍繞所述正常區域的方式配置的第一異常區域，<br/> 進而計算出影像中的反射像所屬的各個區域的比例的方式執行。
如請求項2所述之晶圓擺動檢測方法，其特徵在於：<br/> 還在所述正常區域與所述第一異常區域之間設定具有特定寬度的偏移區域。
如請求項2所述之晶圓擺動檢測方法，其特徵在於：<br/> 還設定以圍繞所述第一異常區域的方式配置的第二異常區域。
如請求項4所述之晶圓擺動檢測方法，其特徵在於：<br/> 分別設定可包含於所述第一異常區域以及所述第二異常區域的反射像的比例上限，進而在從影像計算出來的反射像的比例高於各自的上限的情況下判定為非正常擺動。
如請求項1所述之晶圓擺動檢測方法，其特徵在於：<br/> 在所述對反射像進行分析的過程中，<br/> 在影像的特定位置設定由像素連接而成的閉合曲線，<br/> 並對包含於閉合曲線中的各個像素分配編號之後，通過反射像主要所處的像素的編號對發生擺動的方向進行檢測。
一種晶圓擺動檢測系統，其特徵在於：<br/> 作為適用於在對安裝於內部的晶圓進行旋轉的同時執行工程的半導體設備中的晶圓擺動檢測系統，包括：<br/> 固定部，安裝到設備內部且位置固定；<br/> 攝像機，獲取包括固定物反射到晶圓的表面上的反射像的晶圓表面影像；以及，<br/> 機器視覺分析部，通過對所獲取到的影像進行分析而對晶圓的擺動進行檢測；<br/> 所述機器視覺分析部，<br/> 通過在所獲取到的影像中對因為擺動而移動的反射像進行分析而對晶圓的擺動進行檢測。
如請求項7所述之晶圓擺動檢測系統，其特徵在於：<br/> 所述機器視覺分析部，<br/> 將影像的特定位置設定為正常區域，並設定以圍繞所述正常區域的方式配置的第一異常區域，<br/> 進而計算出影像中的反射像所屬的各個區域的比例。
如請求項8所述之晶圓擺動檢測系統，其特徵在於：<br/> 所述機器視覺分析部，<br/> 還在所述正常區域與所述第一異常區域之間設定具有特定寬度的偏移區域。
如請求項8所述之晶圓擺動檢測系統，其特徵在於：<br/> 所述機器視覺分析部，<br/> 還設定以圍繞所述第一異常區域的方式配置的第二異常區域。
如請求項10所述之晶圓擺動檢測系統，其特徵在於：<br/> 所述機器視覺分析部，<br/> 分別設定可包含於所述第一異常區域以及所述第二異常區域的反射像的比例上限，進而在從影像計算出來的反射像的比例高於各自的上限的情況下判定為非正常擺動。
如請求項7所述之晶圓擺動檢測系統，其特徵在於：<br/> 所述機器視覺分析部，<br/> 在影像的特定位置設定由像素連接而成的閉合曲線，<br/> 並對包含於閉合曲線中的各個像素分配編號之後，通過反射像主要所處的像素的編號對發生擺動的方向進行檢測。
一種半導體結構，包括:<br/> 基底，包括第一表面、與所述第一表面相對的第二表面、從所述第一表面往所述第二表面延伸的至少一絕緣空腔以及貫穿所述基底的貫孔；<br/> 襯層，分佈於所述基底的所述第一表面以及用以定義出所述至少一絕緣空腔以及所述貫孔的側壁上；<br/> 絕緣材料，完全填充於所述絕緣空腔內；<br/> 導電層，填入所述貫孔內；以及<br/> 半導體元件，配置在所述第二表面上，且所述半導體元件與所述導電層電性連接，其中所述絕緣空腔對應於所述半導體元件分佈。
如請求項1所述的半導體結構，其中所述半導體元件包括電晶體，所述電晶體的源極透過所述導電層接地，且所述絕緣空腔位於所述電晶體的通道層下方以減少所述通道層的高頻耦合效應。
如請求項2所述的半導體結構，其中所述源極透過接觸插塞的底面與所述導電層的頂面接觸，且所述導電層的所述頂面的面積大於或等於所述接觸插塞的所述底面的面積。
如請求項2所述的半導體結構，其中所述源極透過接觸插塞與所述導電層電性連接，所述接觸插塞的底面與所述導電層的頂面接觸。
如請求項1所述的半導體結構，其中所述絕緣空腔從所述第一表面往所述第二表面延伸以貫穿所述基底。
如請求項5所述的半導體結構，其中所述貫孔的寬度小於或等於所述絕緣空腔的寬度。
如請求項1所述的半導體結構，其中所述貫孔的寬度大於所述絕緣空腔的寬度，且所述絕緣空腔的深度小於所述基底的厚度。
如請求項1所述的半導體結構，其中所述襯層至少位於所述基底與所述導電層之間。
如請求項1所述的半導體結構，更包括:<br/> 支撐基底，其中所述導電層與所述支撐基底接合。
如請求項1所述的半導體結構，其中所述絕緣材料包括導熱介電材料。
如請求項1所述的半導體結構，其中所述絕緣空腔包括微流道，且所述絕緣材料包括位於所述微流道中的冷卻液以及將所述冷卻液密封於所述微流道內的密封膠。
一種半導體裝置，包含： <br/>一第一電晶體，該第一電晶體的一控制端用以接收一輸入信號； <br/>一第二電晶體，與該第一電晶體串聯，該第二電晶體的一第一端用以在一第一節點接收該輸入信號； <br/>一第一電感器，串接在該第一電晶體與該第一節點之間；以及 <br/>一第二電感器，接至該第二電晶體的一控制端， <br/>其中該第一電感器及該第二電感器藉由變壓器相互耦合。
如請求項1所述的半導體裝置，更包含： <br/>一第三電感器及一第四電感器，與該第一電晶體及該第二電晶體串聯， <br/>其中該第一電晶體及該第二電晶體串接在該第三電感器與該第四電感器之間。
如請求項2所述的半導體裝置，其中該第三電感器與該第四電感器藉由變壓器相互耦合。
如請求項1所述的半導體裝置，更包含： <br/>一第三電感器，用以接收一參考電壓信號， <br/>其中該第二電感器用以接收一第一偏壓電壓信號，且 <br/>該第二電晶體串聯在該第一電感器與該第三電感器之間。
如請求項4所述的半導體裝置，更包含： <br/>一第三電晶體，串聯在該第三電感器與該第二電晶體之間，該第三電晶體的一控制端用以接收一第二偏壓電壓信號。
如請求項4所述的半導體裝置，其中該第一電感器包含： <br/>一第四電感器，接至該第一電晶體，且用以在一第二節點接收該參考電壓信號；以及 <br/>一第五電感器，接至該第二電晶體，且用以在該第二節點接收該參考電壓信號。
如請求項1所述的半導體裝置，更包含： <br/>一第三電感器，用以接收一參考電壓信號；以及 <br/>一第三電晶體，串聯在該第三電感器與該第一電晶體之間，該第三電晶體的一控制端用以接收一第一偏壓電壓信號。
一種半導體裝置的操作方法，包含： <br/>由一第一電晶體的一控制端及一第二電晶體的一第一端中的每一者接收一輸入信號； <br/>回應於該輸入信號，感應流經一第一電感器的一電流信號，該第一電感器接至該第二電晶體的一控制端；以及 <br/>在該第二電晶體的一第二端產生一第一輸出信號， <br/>其中該第一電晶體的導電類型不同於該第二電晶體的導電類型。
如請求項8所述的操作方法，其中感應該電流信號包含： <br/>由串接在該第一電晶體與該第二電晶體之間的一第二電感器感應該電流信號。
一種半導體裝置，包含： <br/>一第一電晶體； <br/>一第一電感器，該第一電感器的一第一端串接至該第一電晶體的一第一端； <br/>一第二電晶體，該第二電晶體的一第一端串接至該第一電感器的一第二端；以及 <br/>一第二電感器，串接至該第二電晶體的一控制端， <br/>其中該第一電感器及該第二電感器藉由變壓器相互耦合。
一種去除過濾器中的氣泡的方法，包括：<br/> 提供化學液供應系統，所述化學液供應系統包括過濾器及除泡裝置，其中所述過濾器包括濾芯，所述除泡裝置包括氣液分離槽；<br/> 執行化學液補充製程，以將化學液通過所述過濾器進料到所述氣液分離槽中，直到所述化學液在所述氣液分離槽中達到預定液位；<br/> 執行第一側除泡製程，使所述化學液自所述氣液分離槽沿第一循環路徑循環地流動，以去除所述濾芯的第一側的氣泡，其中所述化學液沿所述第一循環路徑流入所述濾芯的所述第一側，再從所述濾芯的所述第一側流出；以及<br/> 執行第二側除泡製程，使所述化學液自所述氣液分離槽沿第二循環路徑循環地流動，以去除所述濾芯的第二側的氣泡，其中所述化學液沿所述第二循環路徑流入所述濾芯的所述第二側，再從所述濾芯的所述第二側流出，<br/> 其中所述第一側除泡製程及所述第二側除泡製程透過泵浦使所述化學液循環地流動，<br/> 其中在所述第一側除泡製程的過程中，所述化學液自所述氣液分離槽流至所述過濾器，並自所述過濾器的入口端流入所述濾芯的所述第一側，再從所述濾芯的所述第一側流至所述過濾器的第一排放端流出，之後流經所述泵浦回到所述氣液分離槽，其中所述第一排放端與所述濾芯的所述第一側位於同側，位於所述濾芯的所述第一側的所述氣泡隨著所述化學液被帶到所述氣液分離槽，而使所述氣泡於所述氣液分離槽中與所述化學液分離。
如請求項1所述的方法，其中在所述第二側除泡製程的過程中，所述化學液自所述氣液分離槽流至所述過濾器，並自所述過濾器的出口端流入所述濾芯的所述第二側，再從所述濾芯的所述第二側流至所述過濾器的第二排放端流出，之後流經所述泵浦回到所述氣液分離槽，其中位於所述濾芯的所述第二側的所述氣泡隨著所述化學液被帶到所述氣液分離槽，而使所述氣泡於所述氣液分離槽中與所述化學液分離。
如請求項1所述的方法，其中在執行所述第一側除泡製程或所述第二側除泡製程的過程中，所述化學液在所述氣液分離槽的液位逐漸下降。
如請求項3所述的方法，其中所述化學液在所述氣液分離槽的所述液位下降到低液位時，執行所述化學液補充製程。
如請求項1所述的方法，其中所述除泡裝置更包括：<br/> 進料循環管線，連接於所述氣液分離槽與所述過濾器之間；以及<br/> 出料循環管線，連接於所述氣液分離槽與所述過濾器之間，其中所述氣液分離槽連接於所述進料循環管線與所述出料循環管線之間。
如請求項5所述的方法，更包括：<br/> 透過氣泡偵測器偵測所述進料循環管線，當所述氣泡偵測器持續一預定時間未偵測到氣泡，停止所述第一側除泡製程或所述第二側除泡製程。
如請求項6所述的方法，其中所述氣泡偵測器設置於所述進料循環管線靠近所述氣液分離槽的一端。
如請求項5所述的方法，其中部分所述出料循環管線位於所述氣液分離槽中，所述出料循環管線的一端以低於所述氣液分離槽的低液位設置。
如請求項5所述的方法，其中所述泵浦設置於所述進料循環管線上。
如請求項1所述的方法，其中所述化學液補充製程、所述第一側除泡製程及所述第二側除泡製程透過控制器進行自動控制。
如請求項1所述的方法，更包括：<br/> 在執行所述化學液補充製程之前，對所述濾芯進行沖洗製程。
如請求項1所述的方法，其中所述濾芯在進行所述第一側除泡製程及所述第二側除泡製程之前未應用於過濾製程。
一種荷電粒子束裝置，其係將荷電粒子束照射至試料，取得該試料之觀察圖像者，且包含： <br/>鏡體，其包含荷電粒子束源及透鏡； <br/>載台裝置；及 <br/>控制裝置，其控制前述載台裝置之動作；且 <br/>前述控制裝置 <br/>使用前述載台裝置之平移方向及旋轉方向之馬達推力，控制任意之旋轉中心， <br/>於旋轉動作時，基於表示前述載台裝置之旋轉中心座標與試料觀察座標之間之X軸、Y軸、或Z軸方向中至少1個距離之位置資訊、及θx軸、θy軸、θz軸之各旋轉角度，求取自前述觀察圖像之視野中心之偏移量或該偏移量之軌道， <br/>於使前述載台裝置移動時，藉由將前述偏移量或前述偏移量之軌道添加至前述載台裝置之位置資訊，而修正自前述觀察圖像之視野中心之前述偏移量。
如請求項1之荷電粒子束裝置，其中 <br/>前述載台裝置之平移方向包含X軸方向、Y軸方向、或Z軸方向中至少1個方向；且 <br/>前述載台裝置之旋轉方向包含θx軸、θy軸、或θz軸中至少1個方向。
如請求項1之荷電粒子束裝置，其中 <br/>前述控制裝置除前述位置資訊外，亦基於前述偏移量或前述偏移量之軌道，而變更前述載台裝置之速度資訊、加速度資訊、或躍度資訊中至少1者。
如請求項1之荷電粒子束裝置，其中 <br/>前述控制裝置基於前述載台裝置之前述旋轉中心座標與前述試料觀察座標之間之X軸、Y軸、或Z軸方向之至少1個方向之距離、前述θx軸、θy軸、或θz軸中至少1個旋轉角度、及前述試料之表面之高度資訊，而求取自前述觀察圖像之視野中心之前述偏移量或前述偏移量之軌道。
如請求項4之荷電粒子束裝置，其中 <br/>將距前述試料之表面之前述高度資訊作為映射而保存於記憶器件；且 <br/>前述控制裝置當求取前述偏移量或前述偏移量之軌道時，自前述記憶器件之前述映射取得前述高度資訊。
如請求項1之荷電粒子束裝置，其中 <br/>前述控制裝置一面使前述載台裝置旋轉，一面連續取得前述觀察圖像。
如請求項1之荷電粒子束裝置，其中 <br/>前述控制裝置 <br/>將用於指定前述載台裝置之前述旋轉中心、前述各旋轉角度、及前述旋轉方向之使用者介面顯示於顯示畫面上， <br/>基於前述指定之前述旋轉中心、前述各旋轉角度、及前述旋轉方向，而求取自前述觀察圖像之視野中心之偏移量或前述偏移量之軌道。
如請求項7之荷電粒子束裝置，其中 <br/>前述試料包含深孔圖案；且 <br/>當觀察前述深孔圖案時，前述旋轉中心係於深孔之孔底中指定。
如請求項1之荷電粒子束裝置，其中 <br/>進一步將與前述偏移量或前述偏移量之軌道對應之、規定前述偏移量之誤差的誤差映射保存於記憶器件；且 <br/>前述控制裝置自前述誤差映射取得前述偏移量之誤差，使該取得之誤差反映於前述偏移量或前述偏移量之軌道。
如請求項1之荷電粒子束裝置，其中 <br/>前述控制裝置藉由將2次型評估函數最佳化，而求取控制前述載台裝置時之座標轉換之係數參數。
如請求項1之荷電粒子束裝置，其中 <br/>前述控制裝置應答於自外部輸入之模式指令應答，而切換是否將前述偏移量或前述偏移量之軌道添加至前述載台裝置之位置資訊。
如請求項1之荷電粒子束裝置，其中 <br/>前述載台裝置之前述旋轉中心係前述載台裝置之重心座標。
如請求項1之荷電粒子束裝置，其中 <br/>前述控制裝置藉由機器學習，學習前述載台裝置之前述旋轉中心座標與前述試料觀察座標之間之前述X軸、Y軸、或Z軸方向中至少1個距離、及前述θx軸、θy軸、θz軸之各旋轉角度與前述偏移量之傳遞特性。
如請求項1之荷電粒子束裝置，其中 <br/>前述控制裝置根據前述荷電粒子束相對於前述試料之入射角度，使前述載台裝置旋轉，而變更前述荷電粒子束之前述入射角度。
一種嬰兒車，包括車架和輪組煞車機構；該車架安裝有車輪；該輪組煞車機構用於鎖止該車輪該車輪通過空心軸可萬向旋轉地安裝於該車架；該輪組煞車機構包括：<br/> 驅動件，安裝於該車架；<br/> 煞車組件，包括驅動銷、牽引件和鎖止件；其中，該驅動銷均與該驅動件可操作地連接，該牽引件包括第一拉索及第二拉索，該第一拉索的第一端與該驅動銷連接，該第一拉索的第二端伸入到該空心軸的內腔中並與該第二拉索的第一端可旋轉地連接，該第二拉索的第二端與該鎖止件連接；<br/> 其中，該驅動件用於驅動該驅動銷滑動，以通過該牽引件使該鎖止件滑動，使得該鎖止件鎖止該車輪中的對應車輪, 該牽引件和該鎖止件之運動方向相異。
如請求項1所述的嬰兒車， 該鎖止件包括垂直設置的橫向軸和縱 向軸，該縱向軸可沿與該車輪的滾動軸線垂直的方向滑動，該第二拉索的該第二端與該縱向軸連接。
如請求項1所述的嬰兒車，<br/> 該驅動件可轉動地設置在該車架的橫管，以使該驅動件轉動至初始位置或者制動位置；當該驅動件處於該初始位置時，該鎖止件解除對該車輪的鎖止；當該驅動件處於該制動位置時，該鎖止件鎖止該車輪；<br/> 該輪組煞車機構還包括第一彈性件，該第一彈性件用於將該驅動件保持在該初始位置。
如請求項1所述的嬰兒車，該第一拉索的該第二端具有連接頭，該連接頭設置有連接槽；該第二拉索的該第一端設置有第一樞接頭，該第一樞接頭可轉動地設置在該連接槽中。
如請求項2所述的嬰兒車，<br/> 該車輪均具有輪架，該輪架與該空心軸連接；<br/> 該縱向軸上固定設置有滑套，該滑套與該輪架滑動配合，該滑套的遠離該橫向軸的端部設置有容納槽；該第二拉索的該第二端設置有第二樞接頭，該第二樞接頭可轉動地設置在該容納槽中。
如請求項5所述的嬰兒車，該縱向軸伸入到該滑套中並通過銷軸與該滑套連接。
如請求項1所述的嬰兒車，<br/> 該驅動件可轉動地設置在該車架的橫管，以使該驅動件轉動至初始位置或者制動位置；以及，該驅動件具有端面；<br/> 鎖止組件，安裝至該車架；<br/> 其中，當該驅動件從該初始位置向該制動位置轉動時，該端面與該鎖止組件抵靠，直至該端面之一位置與該鎖止組件卡合而將該驅動件鎖止於該制動位置；以及，當該驅動件從該制動位置向該初始位置轉動時，該端面之一位置頂推該鎖止組件而使該端面之一位置脫離與該鎖止組件的卡合。
如請求項7所述的嬰兒車，該端面之一位置設置有鎖止凹部，該鎖止組件包括鎖止凸部；當該驅動件轉動至該制動位置時，該鎖止凸部與該鎖止凹部卡合；以及，當該驅動件從該制動位置向該初始位置轉動時，該驅動件頂推該鎖止凸部並使該鎖止凸部脫離該鎖止凹部。
如請求項8所述的嬰兒車，該鎖止凸部由可彈性地伸縮的鎖止銷形成，當該驅動件從該制動位置向該初始位置轉動時，該驅動件頂推該鎖止銷回縮而使該鎖止凹部和該鎖止凸部脫離卡合。
如請求項1所述的嬰兒車，該嬰兒車還包括輪組定向機構，該輪組定向機構用於鎖止該車輪的萬向旋轉；該車架設置有輪座，該車輪具有輪架，該輪架與該輪座樞轉連接，以允許該車輪萬向旋轉；該嬰兒車還包括輪組定向機構，該輪組定向機構用於鎖止該輪架的轉動；該輪組定向機構包括操作部、第三拉索、定位銷及第二彈性復位件，該操作部與該第三拉索的第一端連接，該第三拉索的第二端與該定位銷連接，該定位銷的軸線平行於該輪架的轉動軸線；該輪架設置有定位孔，該第二彈性復位件用於驅使該定位銷伸入該定位孔中，該操作部用於通過該第三拉索將該定位銷移出該定位孔。
如請求項10所述的嬰兒車，其中，該車輪包括一對前輪和一對後輪；<br/> 該一對前輪和該一對後輪均可萬向旋轉地安裝於該車架，該輪組定向機構用於同時鎖止該一對後輪的萬向旋轉；<br/> 和/或，該驅動件通過兩套該煞車組件鎖止該一對後輪。
一種顯示裝置，包含：一基板，包含能夠顯示一圖像之一顯示區域及不同於該顯示區域之一非顯示區域；複數個發光裝置，設置於該基板上；一堤岸，用於限定該些發光裝置中之每一者的一發光區域；一第一無機物層，位於該些發光裝置與該堤岸上；一第一有機物層，位於該第一無機物層上；一第二無機物層，位於該第一有機物層上；以及一阻塞件，設置於該顯示區域外側並置於該堤岸之最外側上部，其中該阻塞件的至少一部分設置於該第一有機物層之更外側，並且其中該阻塞件之一內側具有一倒錐形，且該阻塞件之一外側具有一規則的錐形。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該阻塞件包含一無機材料。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該阻塞件包含一第一阻塞部件及一第二阻塞部件，該第一阻塞部件包括一第一側與一第二側，該第二阻塞部件包括一第三側與一第四側，其中該第一阻塞部件比該第二阻塞部件更靠近該顯示區域，該第一阻塞部件之該第一側比該第一阻塞部件之該第二側更靠近該顯示區域，且該第二阻塞部件之該第三側比該第二阻塞部件之該第四側更靠近該顯示區域，並且其中該第一阻塞部件之該第二側與該第二阻塞部件之該第三側相互接觸，且該第一阻塞部件之該第一側具有作為該阻塞件的該內側之該倒錐形。
如請求項3所述之顯示裝置，其中該第二阻塞部件之該第四側具有一規則的錐形。
如請求項3所述之顯示裝置，其中該第一阻塞部件包含一無機材料。
如請求項3所述之顯示裝置，其中該第二阻塞件包含一無機材料。
如請求項3所述之顯示裝置，其中該第二阻塞件包含一有機材料。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該些發光裝置中之每一者包含一像素電極、一中間層和一共用電極，其中該些發光裝置中之每一者的該中間層包含一共用中間層，其中該些發光裝置的該些中間層所包含的該些共用中間層相互連接，其中該共用中間層位於該阻塞件內，並且其中該顯示裝置還包含設置於該阻塞件上之一分離材料層，該分離材料層包含與該共用中間層相同的材料，並與該共用中間層分離。
如請求項8所述之顯示裝置，其中該分離材料層設置於該阻塞件上，而不設置於該阻塞件外。
如請求項9所述之顯示裝置，進一步包含設置於該分離材料層上的一金屬圖案化層，其中該金屬圖案化層設置於該阻塞件上，而不設置於該阻塞件外。
如請求項8所述之顯示裝置，其中該第一無機物層沿該阻塞件的該內側延伸至該阻塞件的上部並設置於該分離材料層上，並且其中該第一無機物層不設置於該阻塞件外。
如請求項11所述之顯示裝置，其中該第一有機物層延伸至該阻塞件的該上部並且不設置於該阻塞件外。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該第二無機物層從該顯示區域延伸至該非顯示區域，以及 其中該第二無機物層沿該阻塞件的外側與該堤岸的外側延伸。
如請求項1所述之顯示裝置，進一步包含：一第二有機物層，設置於該第二無機物層上；以及一第三無機物層，設置於該第二有機物層上，其中該第三無機物層沿該第二有機物層的一側延伸，並進一步延伸到位於該堤岸外的該第二無機物層之上方。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該非顯示區域包含：一第一非顯示區域，在一第一方向上位於該顯示區域外並包含一接墊區域；一第二非顯示區域，在與該第一方向不同之一第二方向上位於該顯示區域外；一第三非顯示區域，在與該第一方向相反之一方向上位於該顯示區域側；以及一第四非顯示區域，在與該第二方向相反之一方向上位於該顯示區域外；其中該基板包含形成於該非顯示區域中之一凹槽；其中該凹槽不形成於該第一非顯示區域的至少一部分中，並且是沿該第二非顯示區域、該第三非顯示區域及該第四非顯示區域形成為一溝槽狀，並且其中該第二無機物層從該顯示區域延伸至該非顯示區域，並沿該阻塞件之一側與該阻塞件之一側延伸至該凹槽內。
如請求項15所述之顯示裝置，其中該基板包含：一第一基板；一第二基板，設置於該第一基板上；以及一基板中間層，位於該第一基板與該第二基板之間，其中該凹槽形成於該第二基板中。
一種顯示裝置，包含：一基板，包含一顯示區域與一非顯示區域；複數個發光裝置，設置於該基板上；一第一有機物層，設置於該些發光裝置上；以及一阻塞件，設置為較該些發光裝置中之最外側之發光裝置更向外，位於該第一有機物層外，並且具有呈一倒錐形之一內側，其中該阻塞件的一外側部分具有一規則的錐形。
如請求項17所述之顯示裝置，進一步包含：一中間層，構成該些發光裝置，存在於該阻塞件的該內側，而不存在於該阻塞件的外側；以及一分離材料層，設置於該阻塞件之上部，與該中間層分離，並包含與該中間層相同的材料。
一種冷卻系統，用於一計算裝置，該冷卻系統包括：<br/> 一冷板，配置以從一熱源傳導熱，該冷板具有一內部流道與一基座，包括至少一鰭片，與該冷板的該基座熱接觸，該內部流道配置以接收一液體冷卻劑；以及<br/> 一相變冷卻劑模組，延伸至該基座上方，設置於該熱源與該冷板之間，並熱接觸該熱源與該冷板，該相變冷卻劑模組包含一相變冷卻劑，該相變冷卻劑模組的至少一部分與該至少一鰭片熱接觸，並且至少部分在該內部流道內。
如請求項1所述之冷卻系統，其中該相變冷卻劑模組經由該冷板的至少一基座與該冷板熱接觸，該相變冷卻劑模組配置以位於該熱源上方並與該熱源熱接觸。
如請求項2所述之冷卻系統，其中該相變冷卻劑配置以：<br/> 響應於來自該熱源的熱流，至少部分地從一液態蒸發為一氣態；<br/> 在該氣態，在該相變冷卻劑模組內上升；<br/> 響應於流向該冷板的熱流，至少部分地從該氣態凝結為該液態；以及<br/> 在該液態，在該相變冷卻劑模組內下降。
如請求項3所述之冷卻系統，其中該相變冷卻劑為水。
如請求項4所述之冷卻系統，其中該液體冷卻劑為水。
如請求項4所述之冷卻系統，其中該冷板更具有一液體冷卻劑入口以及一液體冷卻劑出口，該液體冷卻劑入口以及該液體冷卻劑出口與該內部流道流體連通。
如請求項1所述之冷卻系統，其中該相變冷卻劑模組具有一底部表面，配置以具有大於該熱源的一面積。
如請求項1所述之冷卻系統，其中延伸至該基座上方的該相變冷卻劑模組的至少一部分包括一管，與該相變冷卻劑模組的一內部流體連通，其中該管配置以橫向延伸過該至少一鰭片，並且至少部分在該內部流道內。
一種冷卻系統，用於一計算裝置，該冷卻系統包括：<br/> 一冷板，用於從一熱源導熱，該冷板更具有一內部流道與一基座，包括至少一鰭片，與該冷板的該基座熱接觸，該內部流道配置以接收一液體冷卻劑；以及<br/> 一相變冷卻劑模組，設置於該冷板的一基座下方，並熱接觸該冷板的該基座，該相變冷卻劑模組的至少一部分延伸至該冷板的該基座上方，該相變冷卻劑模組配置以設置於該熱源上方並與該熱源熱接觸，該相變冷卻劑模組包含一相變冷卻劑，該相變冷卻劑模組的至少一部分與該至少一鰭片熱接觸，並且至少部分在該內部流道內。
如請求項9所述之冷卻系統，其中延伸至該冷板的該基座上方的該相變冷卻劑模組的至少一部分具有一第一高度，大於設置於該冷板的該基座下方的該相變冷卻劑模組的一第二部分的一第二高度。
一種靜態隨機存取記憶體(SRAM)單元的布局圖案，至少包含：<br/> 一區域內包含有一SRAM單元，該SRAM單元包含有:<br/> 複數個鰭狀結構位於一基底上，該複數個鰭狀結構至少包含有一第一鰭狀結構，一第二鰭狀結構以及一第三鰭狀結構沿著一Y方向排列；<br/> 複數個閘極結構位於該基底上，各該閘極結構沿著一X方向延伸，該複數個閘極結構包含有一第一閘極結構、一第二閘極結構、一第三閘極結構、一第四閘極結構、一第五閘極結構以及一第六閘極結構，其中該複數個閘極結構中的任一者跨越該複數個鰭狀結構之中的至少其中一者，且其中該第一閘極結構、該第二閘極結構、該第三閘極結構以及該第五閘極結構均跨越該第二鰭狀結構，且該第一閘極結構、該第二閘極結構、該第四閘極結構以及該第六閘極結構均跨越該第三鰭狀結構，構成一第一上拉電晶體(PU1)、一第二上拉電晶體(PU2)、一第一下拉電晶體(PD1)、一第二下拉電晶體(PD2)、一第一傳輸閘電晶體(PG1A)、一第二傳輸閘電晶體(PG1B)、一第三傳輸閘電晶體(PG2A)、一第四傳輸閘電晶體(PG2B)位於該基底上；<br/> 其中從一上視圖來看，該第一上拉電晶體(PU1)與該第二上拉電晶體(PU2)在該Y方向上完全相互對齊。
如申請專利範圍第1項所述的靜態隨機存取記憶體單元的布局圖案，其中該第一上拉電晶體(PU1)與該第二上拉電晶體跨越該多個鰭狀結構中的同一鰭狀結構。
如申請專利範圍第1項所述的靜態隨機存取記憶體單元的布局圖案，其中該第一閘極結構跨越該第一鰭狀結構，並且構成該第一上拉電晶體(PU1)，該第一閘極結構跨越該第二鰭狀結構並且構成一部分該第一下拉電晶體(PD1)，該部分第一下拉電晶體(PD1)被定義為一左半第一下拉電晶體(PD1-)L，該第一閘極結構跨越該第三鰭狀結構並且構成另一部分該第一下拉電晶體(PD1)，該另一部分第一下拉電晶體(PD1)被定義為一右半第一下拉電晶體(PD1-R)。
如申請專利範圍第3項所述的靜態隨機存取記憶體單元的布局圖案，其中沿著該X方向，該第一上拉電晶體(PU1)位於該左半第一下拉電晶體(PD1-L)以及該右半第一下拉電晶體(PD1-R)之間，且該第一上拉電晶體(PU1)、該左半第一下拉電晶體(PD1-L)以及該右半第一下拉電晶體(PD1-R)在該X方向上對齊。
如申請專利範圍第3項所述的靜態隨機存取記憶體單元的布局圖案，其中該第三閘極結構跨越該第二鰭狀結構，並且構成該第一傳輸閘電晶體(PG1A)，該第五閘極結構跨越該第二鰭狀結構，並且構成該第三傳輸閘電晶體(PG2A)，其中沿著一Y方向來看，該第一傳輸閘電晶體(PG1A)、該第三傳輸閘電晶體(PG2A)以及該左半第一下拉電晶體(PD1-L)相互對齊，且該左半第一下拉電晶體(PD1-L)位於該第一傳輸閘電晶體(PG1A)以及該第三傳輸閘電晶體(PG2A)之間。
如申請專利範圍第1項所述的靜態隨機存取記憶體單元的布局圖案，其中該第二閘極結構跨越該第一鰭狀結構，並且構成該第二上拉電晶體(PU2)，該第二閘極結構跨越該第二鰭狀結構並且構成一部分該第二下拉電晶體(PD2)，該部分第二下拉電晶體(PD2)被定義為一左半第二下拉電晶體(PD2-L)，該第二閘極結構跨越該第三鰭狀結構並且構成另一部分該第二下拉電晶體(PD2)，該另一部分第二下拉電晶體(PD2被定義為一右半第二下拉電晶體(PD2-R)。
如申請專利範圍第6項所述的靜態隨機存取記憶體單元的布局圖案，其中沿著該X方向，該第二上拉電晶體(PU2)位於該左半第二下拉電晶體(PD2-L)以及該右半第二下拉電晶體(PD2-R)之間，且該第二上拉電晶體(PU2)、該左半第二下拉電晶體(PD2-L)以及該右半第二下拉電晶體(PD2-R)在該X方向上對齊。
如申請專利範圍第1項所述的靜態隨機存取記憶體單元的布局圖案，其中更包含有一Vcc接觸層以及兩Vss接觸層，其中從一上視圖來看，該Vcc接觸層以及該兩Vss接觸層均位於該第一閘極結構以及該第二閘極結構之間。
如申請專利範圍第8項所述的靜態隨機存取記憶體單元的布局圖案，其中該Vcc接觸層以及該兩Vss接觸層沿著該X方向相互對齊。
一種靜態隨機存取記憶體(SRAM)單元的布局圖案的製作方法，至少包含：<br/> 在一區域內形成有一SRAM單元，該SRAM單元包含有:<br/> 複數個鰭狀結構位於一基底上，該複數個鰭狀結構至少包含有一第一鰭狀結構，一第二鰭狀結構以及一第三鰭狀結構沿著一Y方向排列；<br/> 複數個閘極結構位於該基底上，各該閘極結構沿著一X方向延伸，該複數個閘極結構包含有一第一閘極結構、一第二閘極結構、一第三閘極結構、一第四閘極結構、一第五閘極結構以及一第六閘極結構，其中該複數個閘極結構中的任一者跨越該複數個鰭狀結構之中的至少其中一者，且其中該第一閘極結構、該第二閘極結構、該第三閘極結構以及該第五閘極結構均跨越該第二鰭狀結構，且該第一閘極結構、該第二閘極結構、該第四閘極結構以及該第六閘極結構均跨越該第三鰭狀結構，構成一第一上拉電晶體(PU1)、一第二上拉電晶體(PU2)、一第一下拉電晶體(PD1)、一第二下拉電晶體(PD2)、一第一傳輸閘電晶體(PG1A)、一第二傳輸閘電晶體(PG1B)、一第三傳輸閘電晶體(PG2A)、一第四傳輸閘電晶體(PG2B)位於該基底上；<br/> 其中從一上視圖來看，該第一上拉電晶體(PU1)與該第二上拉電晶體(PU2)在該Y方向上完全相互對齊。
如申請專利範圍第10項所述的靜態隨機存取記憶體單元的布局圖案的製作方法，其中該第一上拉電晶體(PU1)以及該第二上拉電晶體(PU2)跨越該多個鰭狀結構中的同一鰭狀結構。
如申請專利範圍第10項所述的靜態隨機存取記憶體單元的布局圖案的製作方法，其中該第一閘極結構跨越該第一鰭狀結構，並且構成該第一上拉電晶體(PU1)，該第一閘極結構跨越該第二鰭狀結構並且構成一部分該第一下拉電晶體(PD1)，該部分第一下拉電晶體(PD1)被定義為一左半第一下拉電晶體(PD1-L)，該第一閘極結構跨越該第三鰭狀結構並且構成另一部分該第一下拉電晶體(PD1)，該另一部分第一下拉電晶體(PD1)被定義為一右半第一下拉電晶體(PD1-R)。
如申請專利範圍第12項所述的靜態隨機存取記憶體單元的布局圖案的製作方法，其中沿著該X方向，該第一上拉電晶體(PU1)位於該左半第一下拉電晶體(PD1-L)以及該右半第一下拉電晶體(PD1-R)之間，且該第一上拉電晶體(PU1)、該左半第一下拉電晶體(PD1-L)以及該右半第一下拉電晶體(PD1-R)在該X方向上對齊。
如申請專利範圍第12項所述的靜態隨機存取記憶體單元的布局圖案的製作方法，其中該第三閘極結構跨越該第二鰭狀結構，並且構成該第一傳輸閘電晶體(PG1A)，該第五閘極結構跨越該第二鰭狀結構，並且構成該第三傳輸閘電晶體(PG2A)，其中沿著一Y方向來看，該第一傳輸閘電晶體(PG1A)、該第三傳輸閘電晶體(PG2A)以及該左半第一下拉電晶體(PD1-L)相互對齊，且該左半第一下拉電晶體(PD1-L)位於該第一傳輸閘電晶體(PG1A)以及該第三傳輸閘電晶體(PG2A)之間。
如申請專利範圍第10項所述的靜態隨機存取記憶體單元的布局圖案的製作方法，其中該第二閘極結構跨越該第一鰭狀結構，並且構成該第二上拉電晶體(PU2)，該第二閘極結構跨越該第二鰭狀結構並且構成一部分該第二下拉電晶體(PD2)，該部分(PD2)被定義為一左半第二下拉電晶體(PD2-L)，該第二閘極結構跨越該第三鰭狀結構並且構成另一部分該第二下拉電晶體(PD2)，該另一部分(PD2)被定義為一右半第二下拉電晶體(PD2-R)。
如申請專利範圍第15項所述的靜態隨機存取記憶體單元的布局圖案的製作方法，其中沿著該X方向，該第二上拉電晶體(PU2)位於該左半第二下拉電晶體(PD2-L)以及該右半第二下拉電晶體(PD2-R)之間，且該第二上拉電晶體(PU2)、該左半第二下拉電晶體(PD2-L)以及該右半第二下拉電晶體(PD2-R)在該X方向上對齊。
如申請專利範圍第10項所述的靜態隨機存取記憶體單元的布局圖案的製作方法，其中更包含形成有一Vcc接觸層以及兩Vss接觸層，其中從一上視圖來看，該Vcc接觸層以及該兩Vss接觸層均位於該第一閘極結構以及該第二閘極結構之間。
如申請專利範圍第17項所述的靜態隨機存取記憶體單元的布局圖案的製作方法，其中該Vcc接觸層以及該兩Vss接觸層沿著該X方向相互對齊。
一種輻射發射器，包括： <br/>第一光源，發射沿第一光路傳輸的第一光束； <br/>偏振片，配置在所述第一光束的所述第一光路上；以及 <br/>至少一個反射鏡，配置在所述第一光束的所述第一光路上，其中所述第一光束被所述至少一個反射鏡的第一反射鏡反射以離開所述輻射發射器， <br/>其中所述第一光束為太赫茲輻射。
如請求項1所述的輻射發射器，其中所述第一光源為光導天線。
如請求項1所述的輻射發射器，其中所述偏振片為線性偏振片。
如請求項1所述的輻射發射器，其中所述至少一個反射鏡的所述第一反射鏡為離軸拋物面鏡。
如請求項1所述的輻射發射器，其中所述輻射發射器還包括： <br/>第二光源，發射沿第二光路傳輸的第二光束， <br/>其中所述第二光束為可見光， <br/>其中在所述第二光束被所述至少一個反射鏡的所述第一反射鏡反射或透過所述第一反射鏡後，所述第二光路與所述第一光路重合。
如請求項5所述的輻射發射器，其中所述第一光束在樣品上形成的第一光斑和所述第二光束在所述樣品上形成的第二光斑是重合的。
一種測量系統，包括： <br/>雷射光源，發射雷射光束； <br/>分光鏡，將所述雷射光束分光為所述雷射光束的第一部分和所述雷射光束的第二部分； <br/>樣品台，經組態用以放置樣品； <br/>輻射發射器，接收所述雷射光束的第一部分，包括： <br/>第一光源，根據所述雷射光束的所述第一部分發射第一光束，沿第一光路傳輸到所述樣品以產生第一反射光束； <br/>偏振片，配置在所述第一光束的所述第一光路上；以及 <br/>至少一個反射鏡，配置在所述第一光束的所述第一光路上，其中所述第一光束被所述至少一個反射鏡的第一反射鏡反射以離開所述輻射發射器到所述樣品； <br/>輻射檢測器，接收所述雷射光束的第二部分，包括： <br/>至少一個接收器，接收第一反射光束的部分；以及 <br/>鎖相放大器，連接到所述輻射檢測器並接收來自所述輻射檢測器的檢測信號， <br/>其中所述第一光束是太赫茲輻射。
如請求項7所述的測量系統，其中所述第一光源是光導天線。
如請求項7所述的測量系統，其中所述偏振片是線性偏振片。
如請求項7所述的測量系統，其中所述至少一個反射鏡的所述第一反射鏡是離軸拋物面鏡。
如請求項7所述的測量系統，其中所述輻射發射器還包括： <br/>第二光源，發射沿第二光路傳輸到所述樣品以產生第二反射光束的第二光束， <br/>其中所述第二光束是可見光， <br/>其中在所述第二光束被所述至少一個反射鏡的所述第一反射鏡反射或透過後，所述第二光路與所述第一光路重合，且所述第二光束被引導到所述樣品。
如請求項11所述的測量系統，其中所述第一光束在所述樣品上形成的第一光斑和所述第二光束在所述樣品上形成的第二光斑是重合的。
如請求項7所述的測量系統， <br/>其中所述至少一個接收器包括第一接收器和第二接收器， <br/>其中所述輻射檢測器還包括： <br/>分光鏡，配置在所述第一反射光束的第三光路上，其將所述第一反射光束分光為所述第一反射光束的第一部分和所述第一反射光束的第二部分； <br/>第一偏振片，配置在所述分光鏡和所述第一接收器之間； <br/>第二偏振片，配置在所述分光鏡和所述第二接收器之間， <br/>其中所述第一反射光束的所述第一部分透過所述第一偏振片傳輸到所述第一接收器，並被偏振為第一偏振方向， <br/>其中所述第一反射光束的所述第二部分透過所述第二偏振片傳輸到所述第二接收器，並被偏振為與所述第一偏振方向不同的第二偏振方向。
如請求項13所述的測量系統，其中所述第一偏振片是S型偏振片和P型偏振片中的一種，且所述第二偏振片是S型偏振片和P型偏振片中的另一種。
如請求項7所述的測量系統，其中所述樣品台是XY平台。
一種大豆種子(<i>Glycine max</i> seed)的乙醇蒸餾產物(ethanol-distilled product)供應用於製備一用來改善乾眼症之醫藥品的用途，其中該乙醇蒸餾產物是藉由在90℃下使用0.13 wt%乙醇對大豆種子進行蒸餾而被製得，0.13 wt%乙醇與大豆種子的重量比為1：10。
如請求項1的用途，其中該醫藥品進一步包含有一藥學上可接受的載劑。
如請求項1的用途，其中該醫藥品是呈一供口服投藥、局部投藥或非經腸道投藥的劑型。
如請求項1的用途，其中該醫藥品是供局部地施用於皮膚上的外部製劑。
一種記憶體電路，包含： <br/>多個記憶體單元，共同耦接至一字元線； <br/>一字元線驅動器，選擇性地耦接至該字元線且用以在耦接至該字元線時使該字元線達到一第一電壓； <br/>一過電壓產生器，用以對一電容器充電；以及 <br/>一記憶體控制器，用以： <br/>將該字元線驅動器與該字元線耦接，以使該字元線達到該第一電壓； <br/>將該字元線驅動器與該字元線解耦，以將該字元線維持於該第一電壓； <br/>將該過電壓產生器與該電容器耦接，以將該電容器充電至超過該第一電壓的一電壓； <br/>將該電容器與該字元線耦接，以使該字元線達到超過該第一電壓的該電壓；以及 <br/>在該字元線被驅動至超過該第一電壓的該電壓時，將一資料值寫入該多個記憶體單元的其中一者。
如請求項1所述之記憶體電路，其中該記憶體電路用以： <br/>接收關於一操作條件的一指令，該操作條件包含一操作溫度、一操作電壓或一時序參數； <br/>基於該操作條件選擇超過該第一電壓的該電壓；以及 <br/>響應於選擇該電壓，將該電容器與該字元線耦接。
如請求項1所述之記憶體電路，其中該電容器包含多個電極，該多個電極可與該字元線耦接，以使該字元線達到多個電壓。
如請求項3所述之記憶體電路，其中該記憶體控制器用以： <br/>基於該記憶體電路的一操作條件，選擇該多個電極中的一第一電極；以及 <br/>將該第一電極與該字元線耦接。
如請求項3所述之記憶體電路，其中該記憶體控制器用以根據一預定時序或一迴轉率進行以下操作： <br/>將該多個電極中的一第一電極與該字元線耦接；以及 <br/>將該多個電極中的一第二電極與該字元線耦接。
如請求項1所述之記憶體電路，進一步包含： <br/>一第二記憶體單元群，該第二記憶體單元群可與一第二字元線耦接，該字元線驅動器選擇性地耦接至該第二字元線且用以使該第二字元線達到該第一電壓；以及 <br/>一第二過電壓產生器，用以將一第二電容器充電至超過該第一電壓的該電壓。
如請求項6所述之記憶體電路，其中該多個記憶體單元可根據一位址線的一第一狀態定址，且該第二記憶體單元群可根據該位址線的一第二狀態定址，該第二狀態與該第一狀態相反。
如請求項1所述之記憶體電路，其中該字元線的一第二端耦接至一第二字元線驅動器，該第二端與該字元線的一第一端相反，該字元線的該第一端由該字元線驅動器驅動。
一種記憶體系統，包含： <br/>多個記憶體單元，共同耦接至一字元線； <br/>一第一驅動器，用以在耦接至該字元線時使該字元線達到一第一電壓； <br/>一第二驅動器，用以使該字元線達到一第二電壓，該第二電壓大於該第一電壓；以及 <br/>一控制器，用以根據一寫入週期的一時間及該多個記憶體單元的一操作條件，啟動該第一驅動器或該第二驅動器的其中一者。
一種操作方法，適用於儲存一資料值，包含以下步驟： <br/>藉由一字元線驅動器將一字元線驅動至一第一電壓； <br/>藉由一第一過電壓產生器將一電容器充電至大於該第一電壓的一第二電壓； <br/>將該字元線與該字元線驅動器解耦； <br/>將該電容器與該字元線耦接，以使該字元線達到大於該第一電壓的一第三電壓；以及 <br/>在該第三電壓下，向耦接至該字元線的一第一記憶體單元寫入該資料值。
一種記憶體電路，包含： <br/>一記憶體內計算(CIM)陣列，其包含： <br/>一記憶體單元陣列，其用以儲存一第一資料集合，該第一資料集合包括一第一權重集合或一第二資料集合，該第一資料集合係對應多個浮點數的多個指數部分，該第二資料集合係該第一權重集合的一壓縮版本，該第一權重集合具有一第一資料長度，該第二資料集合具有小於該第一資料長度的一第二資料長度；及 <br/>一解碼器，其耦接至該記憶體單元陣列，並經組態以回應於一第一輸入信號集合、該第一資料集合、及一旗標信號而產生一第一輸出信號集合。
如請求項1所述之記憶體電路，其中該解碼器包含： <br/>一第一加法器，其耦接至該記憶體單元陣列，用以接收該第一輸入信號集合及該第一權重集合的一第一基值，並用以回應於該第一輸入信號集合及該第一權重集合的該第一基值來判定一第一和值，其中該第一權重集合的該第一基值係該第一權重集合中的一最小值。
如請求項2所述之記憶體電路，其中該解碼器進一步包含： <br/>一第一多工器集合，其耦接至該記憶體單元陣列，該第一多工器集合用以接收一第一差量信號集合、一第二差量信號集合、及一位址信號，並用以回應於該位址信號輸出一第一信號集合， <br/>其中該第一差量信號集合係該第二資料集合； <br/>該第一差量信號集合等於該第一權重集合的該第一基值與該第一權重集合之間的一差值； <br/>該第二差量信號集合等於一第二權重集合的一第二基值與該第二權重集合之間的一差值，其中該第二權重集合的該第二基值係該第二權重集合中的一最小值；及 <br/>該位址信號可由該第一多工器集合用來選擇該第一差量信號集合或該第二差量信號集合作為該第一信號集合。
如請求項3所述之記憶體電路，其中該解碼器進一步包含： <br/>一第一暫存器集合，其耦接至該第一多工器集合，該第一暫存器集合用以接收該第一信號集合及一第一輸入信號集合，並用以輸出一第二信號集合， <br/>其中該第二信號集合係該第一輸入信號集合與該第一信號集合的一組合，且係具有與該第一權重集合相同的一長度的該第一信號集合的一零填充版本。
如請求項4所述之記憶體電路，其中該解碼器進一步包含： <br/>一第二多工器集合，其耦接至該記憶體單元陣列及該第一暫存器集合，該第二多工器集合用以接收該第二信號集合、該第一權重集合、及該旗標信號，並用以回應於該旗標信號輸出一第三信號集合， <br/>其中該旗標信號可由該第二多工器集合用來選擇該第二信號集合或該第一權重集合作為該第三信號集合。
一種記憶體電路，包含： <br/>一記憶體內計算(CIM)陣列，其包含： <br/>一記憶體單元陣列，其用以儲存一第一指數資料集合及一第一尾數資料集合，該第一指數資料集合包括一第一權重集合或一第二指數資料集合，該第一指數資料集合係多個對應浮點數的多個指數部分，且該第二指數資料集合係該第一權重集合的一壓縮版本，該第一尾數資料集合係一第二權重集合，且該第一尾數資料集合係該些對應浮點數的多個尾數部分； <br/>一第一加法器電路，其耦接至該記憶體單元陣列，並用以回應於一第一輸入信號集合、該第一指數資料集合、及一旗標信號而產生一第一輸出信號集合；及 <br/>一乘法器集合，其耦接至該記憶體單元陣列，並用以回應於該第一輸入信號集合及該第一集尾數資料集合而產生一第二輸出信號集合。
如請求項6所述之記憶體電路，其中該第一加法器電路包含： <br/>一第一加法器，其耦接至該記憶體單元陣列，用以接收該第一輸入信號集合及該第一權重集合的一第一基值，並用以回應於該第一輸入信號集合及該第一權重集合的該第一基值來判定一第一和值，其中該第一權重集合的該第一基值係該第一權重集合中的一最小值。
如請求項7所述之記憶體電路，其中該第一加法器電路進一步包含： <br/>一第一多工器集合，其耦接至該記憶體單元陣列，該第一多工器集合用以接收一第一差量信號集合、一第二差量信號集合、及一位址信號，並用以回應於該位址信號輸出一第一信號集合， <br/>其中該第一差量信號集合係該第二指數資料集合； <br/>該第一差量信號集合等於該第一權重集合的該第一基值與該第一權重集合之間的一差值； <br/>該第二差量信號集合係一第三指數資料集合； <br/>該第二差量信號集合等於一第二權重集合的一第二基值與該第二權重集合之間的一差值，其中該第二權重集合的該第二基值係該第二權重集合中的一最小值；及 <br/>該位址信號可由該第一多工器集合用來選擇該第一差量信號集合或該第二差量信號集合作為該第一信號集合。
一種操作一記憶體電路的方法，該方法包含以下步驟： <br/>由一編碼器接收一第一權重集合，該第一權重集合係一浮點數格式； <br/>由該編碼器將該第一權重集合壓縮為一第一差量信號集合，該第一權重集合包括一第一資料長度，該第一差量信號集合包括小於該第一資料長度的一第二資料長度； <br/>由一記憶體內計算陣列執行對該記憶體內計算陣列中的一記憶體單元陣列的一讀取操作，從而輸出該第一差量信號集合，該記憶體內計算陣列耦接至該編碼器；及 <br/>由一解碼器回應於一第一輸入信號集合及該第一差量信號集合來產生一第一輸出信號集合。
如請求項9所述之方法，其中將該第一權重集合壓縮為該第一差量信號集合之步驟包含以下步驟： <br/>由一控制器接收該第一權重集合； <br/>判定該第一權重集合的一第一基值，該第一基值係該第一權重集合的一最小值； <br/>從該第一權重集合的該第一基值及該第一權重集合判定該第一差量集合，該第一差量集合等於該第一基值與該第一權重集合之間的一差值； <br/>判定該第一差量集合中的一最大差量值；及 <br/>至少： <br/>回應於該第一差量集合中的該最大差量值大於一第一臨限值，將該第一差量集合寫入該記憶體單元陣列；或 <br/>回應於該第一差量集合中的該最大差量值小於該第一臨限值，將該第一權重集合寫入該記憶體單元陣列。
一種形成半導體結構的方法，包括: <br/>形成一光阻圖案在一晶圓上的一抗反射層； <br/>形成一氧化層在該抗反射層及該光阻圖案上，其中該氧化層具有與該光阻圖案重疊的一凸出部； <br/>形成一研磨停止層沿著該氧化層的一上表面； <br/>形成一緩衝層在該研磨停止層上； <br/>研磨該緩衝層，使該緩衝層的至少一部分移除且該研磨停止層暴露；以及 <br/>蝕刻該緩衝層、該研磨停止層及該氧化層，使該光阻圖案暴露。
如請求項1所述之形成半導體結構的方法，其中執行研磨該緩衝層，使在該氧化層的該凸出部上的該研磨停止層暴露。
如請求項2所述之形成半導體結構的方法，其中執行研磨該緩衝層以更移除不重疊該光阻圖案的該緩衝層的一上部分。
如請求項2所述之形成半導體結構的方法，其中執行研磨該緩衝層，使不重疊該光阻圖案的該緩衝層的一上表面與在該氧化層的該凸出部上的該研磨停止層的一上表面共平面。
如請求項1所述之形成半導體結構的方法，其中執行研磨該緩衝層，使重疊光阻圖案的該氧化層的該上表面藉由該研磨停止層凹陷及暴露。
如請求項1所述之形成半導體結構的方法，其中在研磨該緩衝層後，該緩衝層具有在50奈米至60奈米範圍中的一厚度。
如請求項1所述之形成半導體結構的方法，其中研磨該緩衝層包括分配一研磨液及一界面活性劑。
如請求項7所述之形成半導體結構的方法，其中該研磨停止層對抗該研磨液的一摩擦力與該緩衝層對抗該研磨液的一摩擦力是不同的。
如請求項1所述之形成半導體結構的方法，其中該研磨停止層的一材料包括氮化矽且該緩衝層的一材料包括四乙氧矽烷(TEOS)氧化物。
如請求項7所述之形成半導體結構的方法，其中該研磨液分配在從每分鐘50毫升至每分鐘60毫升範圍的比率中。
如請求項7所述之形成半導體結構的方法，其中該界面活性劑分配在從每分鐘200毫升至每分鐘350毫升範圍的比率中。
如請求項1所述之形成半導體結構的方法，更包括: <br/>形成一氮化層在該晶圓上；以及 <br/>在形成該光阻圖案之前，形成該抗反射層在該氮化層上。
如請求項1所述之形成半導體結構的方法，其中該抗反射層是一介電塗佈膜，以及該抗反射層的一材料包括碳。
如請求項1所述之形成半導體結構的方法，其中該緩衝層具有從150奈米至250奈米範圍中的一厚度。
一種形成半導體結構的方法，包括: <br/>形成一氮化層在一晶圓上； <br/>形成一抗反射層在該氮化層上； <br/>形成一光阻圖案在該抗反射層上； <br/>形成一氧化層在該抗反射層及該光阻圖案上，其中該氧化層具有與該光阻圖案重疊的一凸出部； <br/>形成沿著該氧化層的一上表面的一研磨停止層； <br/>形成一緩衝層在該研磨停止層上；以及 <br/>研磨該緩衝層，使該緩衝層的至少一部分移除且使該研磨停止層暴露。
如請求項15所述之形成半導體結構的方法，其中執行研磨該緩衝層，使在該氧化層的該凸出部上的該研磨停止層暴露。
如請求項16所述之形成半導體結構的方法，其中執行研磨該緩衝層以更移除在該氧化層的該凸出部上的該研磨停止層的一上表面上方的該緩衝層的一上部分。
如請求項16所述之形成半導體結構的方法，其中執行研磨該緩衝層，使不重疊該光阻圖案的該緩衝層的一上表面與該研磨停止層的一上表面共平面。
如請求項15所述之形成半導體結構的方法，其中研磨該緩衝層包括分配一研磨液及一界面活性劑。
如請求項19所述之形成半導體結構的方法，其中該研磨停止層對抗該研磨液的材料的一摩擦力與該氧化層對抗該研磨液的材料的一摩擦力是不同的。
一種印刷網版，包含：<br/> 一網框；以及<br/> 一網布，設置於該網框中，其中該網布具有：<br/> 一第一材料層，具有一圖形開口；以及<br/> 一第二材料層，設置於該第一材料層之上，並具有一透墨開口；<br/> 其中該透墨開口對應該圖形開口設置，該透墨開口之寬度大於該圖形開口之寬度，該第一材料層對應該透墨開口之區域具有位於中間之一第一區段以及位於側邊之至少一第二區段，該第一區段之平均厚度小於該第二區段之平均厚度，以使該第一材料層沿著該圖形開口之延伸方向上，於該圖形開口之區域的側視剖面形成中心低側邊高之造型。
如請求項1所述之印刷網版，其中該第一材料層或該第二材料層之材質為金屬或高分子材料。
如請求項1所述之印刷網版，其中該第一材料層與該第二材料層為一體成形。
如請求項1所述之印刷網版，其中該第一區段與該第二區段形成厚度漸變的斜坡。
如請求項1所述之印刷網版，其中該第一材料層進一步包含一子材料層，該第二區段設置於該子材料層。
如請求項1、2、3或5所述之印刷網版，其中該第一區段具有實質上均勻的一第一厚度，該第二區段具有實質上均勻的一第二厚度。
一種物聯網監控方法，包括： <br/>透過一第一電子裝置產生一物聯網裝置的一監控模組，其中該物聯網裝置包括一或多個可監控設備；以及 <br/>響應於該監控模組運行於該第一電子裝置或一第二電子裝置中，透過該監控模組經由一雲端伺服器來實現對該物聯網裝置的監控， <br/>其中，透過該第一電子裝置產生該物聯網裝置的該監控模組包括： <br/>接收該物聯網裝置的一資源描述檔，其中該資源描述檔包括與所述一或多個可監控設備各自相對應的一資源訊息以及該物聯網裝置用以與該雲端伺服器通訊連接的一連線訊息； <br/>基於所述一或多個可監控設備各自的該資源訊息，獲取對應於所述一或多個可監控設備各自的一視覺化物件以及一控制碼，進而產生一監控介面； <br/>基於該連線訊息來產生一控制邏輯；以及 <br/>基於該控制邏輯以及該監控介面，產生該監控模組， <br/>其中響應於該監控模組運行於該第一電子裝置或該第二電子裝置中，更包括： <br/>基於該監控模組的該控制邏輯連接至該雲端伺服器，並向該雲端伺服器所提供的一或多個主題建立關聯；以及 <br/>顯示該監控模組所提供的該監控介面，以透過該監控介面來實現底下步驟中的其中一者，包括： <br/>響應於該雲端伺服器中具有關聯性的所述一或多個主題中的一第一主題接收到一發佈訊息而自該雲端伺服器接收該發佈訊息，在該監控介面中呈現該發佈訊息；以及 <br/>響應於該監控介面接收對應於該視覺化物件的一監控指令，向該雲端伺服器中與該視覺化物件相對應的所述一或多個主題中的一第二主題發佈該監控指令，進而經由該雲端伺服器向該物聯網裝置發佈該監控指令，使得所述一或多個可監控設備中的至少其中一者執行對應的動作。
如請求項1所述的物聯網監控方法，其中透過該第一電子裝置產生該物聯網裝置的該監控模組，更包括： <br/>將該視覺化物件配置至一樣本頁面中的一預設位置，並將該視覺化物件與該控制碼相關聯，進而產生該監控介面。
如請求項1所述的物聯網監控方法，其中該第一電子裝置中具有一開發工具，該開發工具提供一編輯區域，而透過該第一電子裝置產生該物聯網裝置的該監控模組，更包括： <br/>將該視覺化物件配置至該編輯區域中的一預設位置；以及 <br/>在該編輯區域中，基於一使用者操作調整該視覺化物件的位置，並將該視覺化物件與該控制碼相關聯，進而產生該監控介面。
如請求項1所述的物聯網監控方法，更包括： <br/>透過一物聯網開發平台產生該物聯網裝置的該資源描述檔。
如請求項1所述的物聯網監控方法，其中該資源描述檔包括：一唯一識別碼、一類別識別碼、一裝置識別碼、一資源清單、與所述一或多個可監控設備各自相對應的該資源訊息、用以與該雲端伺服器連接的一帳號資訊。
如請求項1所述的物聯網監控方法，其中該監控模組為一應用程式或一網頁。
如請求項1所述的物聯網監控方法，其中在生成該監控模組之後，更包括： <br/>將該監控模組綁定至一群組。
一種物聯網的監控模組的生成方法，其是利用一處理器來執行如下步驟，包括： <br/>接收一物聯網裝置的一資源描述檔，其中該資源描述檔包括與該物聯網裝置中的一或多個可監控設備各自相對應的一資源訊息以及該物聯網裝置用以與一雲端伺服器通訊連接的一連線訊息； <br/>基於所述一或多個可監控設備各自的該資源訊息，獲取對應於所述一或多個可監控設備各自的一視覺化物件以及一控制碼，進而產生一監控介面； <br/>基於該連線訊息來產生一控制邏輯；以及 <br/>基於該控制邏輯以及該監控介面，產生一監控模組， <br/>其中，響應於該監控模組運行於一用戶端裝置中，包括： <br/>基於該監控模組的該控制邏輯連接至該雲端伺服器，並向該雲端伺服器所提供的一或多個主題建立關聯；以及 <br/>顯示該監控模組所提供的該監控介面，以透過該監控介面來實現底下步驟中的其中一者，包括： <br/>響應於該雲端伺服器中具有關聯性的所述一或多個主題中的一第一主題接收到一發佈訊息而自該雲端伺服器接收該發佈訊息，在該監控介面中呈現該發佈訊息；以及 <br/>響應於該監控介面接收對應於該視覺化物件的一監控指令，向該雲端伺服器中與該視覺化物件相對應的所述一或多個主題中的一第二主題發佈該監控指令，進而經由該雲端伺服器向該物聯網裝置發佈該監控指令，使得所述一或多個可監控設備中的至少其中一者執行對應的動作。
一種電子裝置，包括： <br/>一儲存器，包括一開發工具；以及 <br/>一處理器，耦接至該儲存器，其中該處理器經配置以執行該開發工具以： <br/>接收一物聯網裝置的一資源描述檔，其中該資源描述檔包括與該物聯網裝置中的一或多個可監控設備各自相對應的一資源訊息以及該物聯網裝置用以與一雲端伺服器通訊連接的一連線訊息； <br/>基於所述一或多個可監控設備各自的該資源訊息，獲取對應於所述一或多個可監控設備各自的一視覺化物件以及一控制碼，進而產生一監控介面； <br/>基於該連線訊息來產生一控制邏輯；以及 <br/>基於該控制邏輯以及該監控介面，產生一監控模組， <br/>其中，響應於該監控模組運行於一用戶端裝置中，包括： <br/>基於該監控模組的該控制邏輯連接至該雲端伺服器，並向該雲端伺服器所提供的一或多個主題建立關聯；以及 <br/>顯示該監控模組所提供的該監控介面，以透過該監控介面來實現底下步驟中的其中一者，包括： <br/>響應於該雲端伺服器中具有關聯性的所述一或多個主題中的一第一主題接收到一發佈訊息而自該雲端伺服器接收該發佈訊息，在該監控介面中呈現該發佈訊息；以及 <br/>響應於該監控介面接收對應於該視覺化物件的一監控指令，向該雲端伺服器中與該視覺化物件相對應的所述一或多個主題中的一第二主題發佈該監控指令，進而經由該雲端伺服器向該物聯網裝置發佈該監控指令，使得所述一或多個可監控設備中的至少其中一者執行對應的動作。
一種加密貨幣錢包破解系統，係包括：前端採集模組，係連接至電子設備以自該電子設備採集錢包原始資料；正規化模組，係將該錢包原始資料處理為錢包正規化資料並標註錢包種類；加密貨幣錢包演算法比對模組，係接收該正規化模組所輸出之該錢包正規化資料及標註的該錢包種類，自預設的錢包矩陣清單中提取對應該錢包種類之錢包類型及其加密演算法；以及助記詞還原模組，係接收提取出之該錢包類型及其加密演算法，從而進一步基於預先建置的字典檔、該錢包類型及其加密演算法，對該錢包正規化資料進行解密運算，以輸出還原出的助記詞。
如請求項1所述之加密貨幣錢包破解系統，其中，該正規化模組、該加密貨幣錢包演算法比對模組、該助記詞還原模組，係分離設置於雲端伺服器中，而該前端採集模組則係設置在具有該電子設備之本地端，且該前端採集模組更係透過網際網路與該雲端伺服器連接。
如請求項1所述之加密貨幣錢包破解系統，係與該電子設備同樣地位於一本地端。
如請求項1所述之加密貨幣錢包破解系統，其中，該助記詞還原模組係為圖形處理器(GPU)。
一種加密貨幣錢包破解方法，係包括：採集電子設備之錢包原始資料；將該錢包原始資料處理為錢包正規化資料並標註錢包種類；根據該錢包正規化資料及標註的錢包種類，自預先建置的錢包矩陣清單提取對應該錢包種類之錢包類型及其加密演算法；以及利用提取出的錢包類型及其加密演算法，以及預先建置的字典檔，對該錢包正規化資料進行解密，以輸出還原的助記詞。
如請求項5所述之加密貨幣錢包破解方法，其中，採集電子設備之錢包原始資料的步驟，係於本地端進行者，而其餘步驟，皆係於雲端伺服器進行者。
如請求項5所述之加密貨幣錢包破解方法，其中，利用提取出的錢包類型及其加密演算法，以及預先建置的字典檔，對該錢包正規化資料進行解密，以輸出還原的助記詞之步驟，係為利用圖形處理器(GPU)所執行者。
一種基於語者辨識之語者語音轉換方法，其包含:<br/> 接收一第一語音資料至一語音取樣模組，驅使該語音取樣模組依據該第一語音資料進行一語音文字取樣，以取得一語音頻譜特徵資料與一基礎頻率特徵資料並傳送至一語者特徵向量模組，該第一語音資料對應至少一文字；<br/> 驅使該語者特徵向量模組依據該語音頻譜特徵資料與該基礎頻率特徵資料之一關聯性特徵運算，而取得一語句特徵資料，並將該語句特徵資料進行轉換，以取得一第一嵌入式特徵資料；<br/> 驅使一特徵向量比對模組依據該第一嵌入式特徵資料投影於一語者特徵向量空間中產生一投影特徵資料，並依據該投影特徵資料比對複數個語者特徵向量資料之相似度，而依據該些個語者特徵向量資料之其中一語者特徵向量資料作為一第二嵌入式特徵資料，該第二嵌入式特徵資料相對於該第一嵌入式特徵資料具備一相似度最大值； <br/> 依據該第一嵌入式特徵資料與該第二嵌入式特徵資料進行一濾波運算，以取得一第一關鍵特徵資料與一第二關鍵特徵資料；以及<br/> 驅使一語音生成模組依據該第一關鍵特徵資料與該第二關鍵特徵資料產生一第一權重資料與一第二權重資料，並依據該第一權重資料與該第二權重資料產生該至少一文字之一第二語音資料，該第二語音資料對應該至少一文字。
如請求項1所述之基於語者辨識之語者語音轉換方法，其中於接收一第一語音資料至一語音取樣模組，驅使該語音取樣模組依據該第一語音資料進行一語音文字取樣，以取得一語音頻譜特徵資料與一基礎頻率特徵資料並傳送至一語者特徵向量模組之步驟中，其包含:<br/> 該語音取樣模組將該第一語音資料經一預加重運算進行一高通濾波；<br/> 該語音取樣模組將經該預加重運算之該第一語音資料經一分幀運算進行文字擷取，以濾除均值為0之區段；<br/> 該語音取樣模組將經該分幀運算之該第一語音資料經一加窗運算進行波峰區段置中；<br/> 該語音取樣模組將經該加窗運算之該第一語音資料經一離散傅立葉轉換進行訊號轉換，以取得該第一語音資料對應之一離散資料；<br/> 該語音取樣模組將該離散資料經一梅爾濾波運算進行訊號濾波，以消除該離散資料之至少一諧波參數；<br/> 該語音取樣模組將經該梅爾濾波運算之該離散資料進行一對數運算，以取得一對數資料；以及<br/> 該語音取樣模組將該對數資料經一離散餘弦轉換，以去除該對數資料之虛數並取得一語者特徵資料，該語者特徵資料包含該至少一文字之該語音頻譜特徵資料與該基礎頻率特徵資料。
如請求項1所述之基於語者辨識之語者語音轉換方法，其中於驅使該語者特徵向量模組依據該語音頻譜特徵資料與該基礎頻率特徵資料之一關聯性特徵運算，而取得一語句特徵資料，並將該語句特徵資料進行轉換，以取得一第一嵌入式特徵資料之步驟中，該語者特徵向量模組依據一語者辨識模型將該語音頻譜特徵資料與該基礎頻率特徵資料進行該特徵運算，以取得該語句特徵資料。
如請求項3所述之基於語者辨識之語者語音轉換方法，其中於驅使該語者特徵向量模組依據該語音頻譜特徵資料與該基礎頻率特徵資料之一關聯性特徵運算，而取得一語句特徵資料，並將該語句特徵資料進行轉換，以取得一第一嵌入式特徵資料之步驟中，該語者辨識模型之一特徵向量聚合空間包含複數個加權平均值與複數個變異數，該語者特徵向量模組依據該特徵向量聚合空間將該語句特徵資料進行一向量聚合運算與一向量轉換運算，以取得該第一嵌入式特徵資料。
如請求項1所述之基於語者辨識之語者語音轉換方法，其中於驅使一特徵向量比對模組依據該第一嵌入式特徵資料投影於一語者特徵向量空間中產生一投影特徵資料，並依據該投影特徵資料比對複數個語者特徵向量資料之相似度，而依據該些個語者特徵向量資料之其中一語者特徵向量資料作為一第二嵌入式特徵資料，該第二嵌入式特徵資料相對於該第一嵌入式特徵資料具備一相似度最大值之步驟中，該特徵向量比對模組係將該第一嵌入式特徵資料透過一非線性降維演算法投影至該語者特徵向量空間中，以形成一投影特徵向量，並透過一歐式距離法或一餘弦相似度法而依據該投影特徵資料比對該些個語者特徵向量，以取得具備該最大相似度之一語者特徵向量而作為該第二嵌入式特徵資料。
如請求項1所述之基於語者辨識之語者語音轉換方法，其中於依據該第一嵌入式特徵資料與該第二嵌入式特徵資料進行一濾波運算，以取得一第一關鍵特徵資料與一第二關鍵特徵資料之步驟中，更包含:<br/> 依據該第一嵌入式特徵資料與該第二嵌入式特徵資料取得該第一關鍵特徵資料之一第一梅爾倒譜係數、一第一頻譜包絡參數與一第一非週期參數以及與該第二關鍵特徵資料之一第二梅爾倒譜係數、一第二頻譜包絡參數與一第二非週期參數；以及<br/> 正規化該第一梅爾倒譜係數、該第一頻譜包絡參數與該第一非週期參數以及該第二梅爾倒譜係數、該第二頻譜包絡參數與該第二非週期參數。
如請求項1所述之基於語者辨識之語者語音轉換方法，其中於驅使一語音生成模組依據該第一關鍵特徵資料與該第二關鍵特徵資料產生一第一權重資料與一第二權重資料，並依據該第一權重資料與該第二權重資料產生一第二語音資料之步驟中，該語音生成模組依據該第一關鍵特徵資料與該第二關鍵特徵資料分別包含之一語音梅爾倒譜係數、一頻譜包絡係數與一非週期參數特徵向量，經結合成一第一權重向量與一第二權重向量，以輸入至該語音生成模組之一語者生成模型，而產生該第二語音資料。
如請求項7所述之基於語者辨識之語者語音轉換方法，其中於驅使該語音生成模組依據該第一關鍵特徵資料與該第二關鍵特徵資料產生一第一權重資料與一第二權重資料，並依據該第一權重資料與該第二權重資料產生一第二語音資料之步驟中，該語音生成模組包含一生成式網路模型，其將該第一關鍵特徵資料之一機率分布調整到逼近該第二關鍵特徵資料之一機率分布，進而生成該第二語音資料。
一種電子元件，包括： <br/>一第一半導體晶片，被一第一封裝劑所封裝； <br/>一第二半導體晶片，設置在該第一半導體晶片之上並且電性連接到該第一半導體晶片，其中該第二半導體晶片被一第二封裝劑所封裝；以及 <br/>一第一中間結構，插入設置在該第一半導體晶片與該第二半導體晶片之間，並且包括一第一剛性層，其中該第一中間結構的該第一剛性層的一周邊部分垂直重疊於該第一封裝劑及該第二封裝劑，並且被配置為控制該電子元件的翹曲， <br/>其中從一俯視圖觀察，該周邊部分呈一環形。
如請求項1所述之電子元件，其中該第一中間結構的該第一剛性層的該周邊部分直接接觸該第一封裝劑及該第二封裝劑。
如請求項1所述之電子元件，其中該第一中間結構的該第一剛性層的一材料包括金屬。
如請求項1所述之電子元件，其中該第一半導體晶片的一材料及該第二半導體晶片的一材料均包括矽，其中該第一封裝劑的一材料及該第二封裝劑的一材料均包括模製化合物。
如請求項1所述之電子元件，其中該第一中間結構的該第一剛性層還包括：複數個混成接合墊，連接該第一半導體晶片與該第二半導體晶片。
如請求項5所述之電子元件，其中該周邊部分及該複數個混成接合墊同時形成。
如請求項5所述之電子元件，其中該周邊部分的一頂表面與該複數個混成接合墊的複數個頂表面實質上齊平。
如請求項5所述之電子元件，其中該周邊部分圍繞該複數個混成接合墊。
如請求項1所述之電子元件，其中該周邊部分包括：複數個部分，排列置成複數行。
如請求項1所述之電子元件，其中該第一中間結構還包括：一介電層，封裝該第一剛性層。
如請求項10所述之電子元件，其中該介電層是混成接合介電層。
如請求項10所述之電子元件，其中該介電層的一部分直接接觸該第一封裝劑及該第二封裝劑。
如請求項10所述之電子元件，其中該介電層的一頂表面與該第一剛性層的一頂表面實質上齊平。
如請求項1所述之電子元件，其中該第一半導體晶片還包括： <br/>一第一基部部分； <br/>一第一導電結構，設置在該第一基部部分的一第一表面上； <br/>一第一下部結構，設置在該第一導電結構上；以及 <br/>一第一上部結構，設置在該第一基部部分的一第二表面上，其中該第二表面與該第一基部部分的該第一表面相對。
如請求項14所述之電子元件，其中該第一半導體晶片還包括： <br/>複數個第一導電通孔，延伸穿過該第一基部部分， <br/>其中該第一下部結構包括： <br/>一第一下部介電層及複數個第一下部墊，埋設於該第一基部部分中，並且該複數個第一下部墊經由該第一導電結構而電性連接到該複數個第一導電通孔。
如請求項15所述之電子元件，其中該複數個第一導電通孔延伸到該第一導電結構中。
如請求項15所述之電子元件，其中該第一上部結構包括一第一上部介電層，並且該第一中間結構設置在該第一上部介電層上。
如請求項17所述之電子元件，其中該複數個第一導電通孔延伸穿過該第一上部結構並且電性連接到該第一中間結構。
如請求項1所述之電子元件，其中該第一中間結構的該第一剛性層的該周邊部分是虛設的。
一種觸控感測系統，包括： <br/>觸控感測裝置，包括驅動器電路及觸控感測面板，所述驅動器電路用以驅動所述觸控感測面板輸出上行信號；以及 <br/>主動筆，用以根據所述上行信號輸出下行信號給所述觸控感測面板， <br/>其中所述驅動器電路根據所述觸控感測裝置的操作模式調整所述上行信號的頻率， <br/>其中當所述觸控感測裝置操作在第一操作模式時，所述驅動器電路將所述上行信號設定為具有第一頻率，並且當所述觸控感測裝置的操作在第二操作模式時，所述驅動器電路將所述上行信號設定為具有第二頻率，其中所述第一頻率大於所述第二頻率。
如請求項1所述的觸控感測系統，其中當所述觸控感測裝置操作在所述第一操作模式時，所述驅動器電路驅動所述觸控感測面板輸出具有所述第一頻率所述上行信號。
如請求項2所述的觸控感測系統，其中當所述觸控感測裝置的操作在所述第二操作模式時，所述驅動器電路驅動所述觸控感測面板輸出具有所述第二頻率所述上行信號，其中所述第一頻率不同於所述第二頻率。
如請求項1所述的觸控感測系統，其中所述驅動器電路根據所述觸控感測裝置的操作模式調整所述主動筆的掃描率。
如請求項4所述的觸控感測系統，其中所述觸控感測裝置的所述操作模式包括所述第一操作模式及所述第二操作模式，且在所述第二操作模式中所述主動筆的所述掃描率大於在所述第一操作模式中所述主動筆的所述掃描率。
如請求項1所述的觸控感測系統，其中所述驅動器電路根據所述觸控感測裝置的操作模式調整觸摸事件的掃描率。
如請求項6所述的觸控感測系統，其中所述觸控感測裝置的所述操作模式包括所述第一操作模式及所述第二操作模式，且在所述第二操作模式中所述觸摸事件的所述掃描率大於在所述第一操作模式中所述觸摸事件的所述掃描率。
如請求項1所述的觸控感測系統，其中所述驅動器電路在所述第二操作模式中執行雜訊偵測操作。
一種觸控感測裝置，包括： <br/>觸控感測面板，用以輸出上行信號，並且接收下行信號，其中主動筆用以根據所述上行信號輸出所述下行信號給所述觸控感測面板；以及 <br/>驅動器電路，耦接到所述觸控感測面板，並且用以驅動所述觸控感測面板輸出所述上行信號，其中所述驅動器電路根據所述觸控感測裝置的操作模式調整所述上行信號的頻率， <br/>其中當所述觸控感測裝置操作在第一操作模式時，所述驅動器電路將所述上行信號設定為具有第一頻率，並且當所述觸控感測裝置的操作在第二操作模式時，所述驅動器電路將所述上行信號設定為具有第二頻率，其中所述第一頻率大於所述第二頻率。
一種新型咬口器，係包括：護齒件，係供使用者之上排牙齒與下排牙齒放置且包含橫向貫穿該護齒件之穿孔，其中，該護齒件沿該使用者之齒弓向後延伸，且該護齒件之厚度為前厚後薄；以及套管，係設於該護齒件之前側，且連通該穿孔。
如請求項1所述之新型咬口器，其中，該護齒件包含具有上凹槽之上齒墊以及具有下凹槽之下齒墊，以及該套管具有分別設於該上齒墊及該下齒墊之上半管部及下半管部，以於該上齒墊及該下齒墊結合時，令該上凹槽及該下凹槽結合而形成該穿孔，以及令該上半管部與該下半管部結合成為該套管。
如請求項2所述之新型咬口器，其中，該上齒墊之下側面與該下齒墊之上側面分別設有至少一凸塊以及對應該至少一凸塊之至少一嵌卡槽，或是該上齒墊之下側面與該下齒墊之上側面分別設有至少一嵌卡槽以及對應該至少一嵌卡槽之至少一凸塊，以於該凸塊嵌卡對應之該嵌卡槽時，使該上齒墊與該下齒墊兩者結合。
如請求項2或3所述之新型咬口器，其中，該上齒墊與該下齒墊之一側邊連接而可相互樞擺。
如請求項1所述之新型咬口器，其中，該護齒件包含具有左凹槽之左齒墊以及具有右凹槽之右齒墊，以及該套管具有分別設於該左齒墊及該右齒墊之左半管部及右半管部，以於該左齒墊及該右齒墊結合時，令該左凹槽及該右凹槽結合而形成該穿孔，以及令該左半管部與該右半管部結合成為該套管。
如請求項1所述之新型咬口器，其中，該護齒件具有相對之上側部與下側部以及分別設於該上側部與該下側部之上齒溝及下齒溝。
如請求項1所述之新型咬口器，其中，該護齒件於其後側具有斜向延伸之壓舌板。
如請求項1所述之新型咬口器，其中，該護齒件於該前側具有護齦板。
如請求項8所述之新型咬口器，其中，該護齦板之上方或下方開設有槽口。
如請求項1所述之新型咬口器，其中，該護齒件係呈弧狀結構。
如請求項1所述之新型咬口器，其中，該護齒件及該套管為一體成形之結構。
如請求項1所述之新型咬口器，其中，該護齒件定義有一水平線，以及該套管定義有一軸線，使該水平線與該軸線之夾角為0°至5°。
如請求項1所述之新型咬口器，其中，該套管之管徑為1公分。
如請求項1所述之新型咬口器，其中，該護齒件係以矽膠材質所製成。
一種基於動態視窗演算法的機器人自主導航方法，包括： <br/>以一攝影裝置取得一環境的深度影像，其中該環境中具有多個物件； <br/>以一運算裝置執行一物件偵測模型以從該深度影像中辨識該些物件； <br/>以該運算裝置依據該些物件的間距產生多個聚類； <br/>以該運算裝置計算一機器人與該些聚類之間的多個距離，選擇該些距離中小於指定距離的該些聚類中的至少一者，並計算出一噴灑路徑； <br/>以一光學雷達取得該環境的一感測資料； <br/>以該運算裝置依據該感測資料產生一成本地圖； <br/>以該運算裝置執行一動態視窗演算法以產生多個候選軌跡；以及 <br/>以該運算裝置輸入該噴灑路徑、該成本地圖及該些候選軌跡至一目標函數以產生多個數值，並選擇該些數值中的最大者對應的該些候選軌跡中的一者。
如請求項1所述的基於動態視窗演算法的機器人自主導航方法，其中該物件偵測模型為YOLO。
如請求項1所述的基於動態視窗演算法的機器人自主導航方法，其中該運算裝置採用基於密度的帶噪聲空間聚類演算法產生該些聚類。
如請求項1所述的基於動態視窗演算法的機器人自主導航方法，其中以該運算裝置選擇該些聚類中的至少一者並計算出該噴灑路徑包括：依據該些聚類中的二者計算一擬合路徑作為該噴灑路徑。
如請求項1所述的基於動態視窗演算法的機器人自主導航方法，其中以該運算裝置選擇該些聚類中的至少一者並計算出該噴灑路徑包括：計算該些聚類中的一者對應的一B樣條曲線及一安全距離的加總作為該噴灑路徑。
一種基於動態視窗演算法的機器人自主導航系統，包括： <br/>攝影裝置，用於取得一環境的深度影像； <br/>光學雷達，用於取得該環境的一感測資料；以及 <br/>運算裝置，電性連接該攝影裝置及該光學雷達，該運算裝置用於執行一物件偵測模型以從該深度影像中辨識該些物件，依據該些物件的間距產生多個聚類，計算一機器人與該些聚類之間的多個距離，選擇該些距離中小於指定距離的該些聚類中的至少一者，並計算出一噴灑路徑，依據該感測資料產生一成本地圖，執行動態視窗演算法以產生多個候選軌跡，輸入該噴灑路徑、該成本地圖及該些候選軌跡至一目標函數以產生多個數值，並選擇該些數值中的最大者對應的該些候選軌跡中的一者。
如請求項6所述的基於動態視窗演算法的機器人自主導航系統，其中該物件偵測模型為YOLO。
如請求項6所述的基於動態視窗演算法的機器人自主導航系統，其中該運算裝置採用基於密度的帶噪聲空間聚類演算法產生該些聚類。
如請求項6所述的基於動態視窗演算法的機器人自主導航系統，其中以該運算裝置選擇該些聚類中的至少一者並計算出該噴灑路徑包括：依據該些聚類中的二者計算一擬合路徑作為作為該噴灑路徑。
如請求項6所述的基於動態視窗演算法的機器人自主導航系統，其中以該運算裝置選擇該些聚類中的至少一者並計算出該噴灑路徑包括：計算該些聚類中的一者對應的一B樣條曲線及一安全距離的加總作為該噴灑路徑。
一種多孔過濾膜，其包括聚烯烴及具有非H<sup>+</sup>之陽離子抗衡離子之至少一種強酸官能基以移除一或多種金屬或金屬離子污染物。
如請求項1之膜，其中該陽離子抗衡離子選自銨、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基銨、環己基銨、鏻、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基鏻、咪唑鎓、吡啶鎓、鈲、鋶、吡咯啶鎓、嗎啉鎓及嘧啶鎓。
如請求項1之膜，其中該強酸官能基選自磺酸基、膦酸基或其等組合。
一種自液體組合物移除一或多種金屬或金屬離子之方法，該液體組合物包括至少一種酮，該方法包括： <br/>(i) 使多孔過濾材料與包括至少一種酮及一或多種金屬或金屬離子之液體組合物接觸，該多孔過濾材料包括聚烯烴及具有非H<sup>+</sup>之陽離子抗衡離子之至少一種強酸官能基以移除一或多種金屬或金屬離子；及 <br/>(ii) 減少該液體組合物中之該一或多種金屬或金屬離子之量，由此提供經純化液體組合物。
如請求項4之方法，其中該過濾材料包括膜。
如請求項4之方法，其中該過濾材料呈樹脂珠粒形式。
一種過濾器，其包括如請求項1至3中任一項之膜。
如請求項7之過濾器，其進一步包括過濾材料，其中該過濾材料接觸該膜且該過濾材料不同於該膜。
一種半導體裝置，包括： <br/>一基板； <br/>一汲極結構，設置於該基板上，包括： <br/>一汲極接墊，設置於該基板上； <br/>一接入端，設置於該汲極接墊上；以及 <br/>一汲極區，配置為一環形形狀(ring-shape)且環繞該汲極接墊； <br/>一閘極區，設置於該基板上且環繞該汲極區； <br/>一源極區，設置於該基板上且環繞該閘極區；以及 <br/>一電阻結構，設置於該汲極接墊與該汲極區之間且電性連接該接入端與該汲極區。
如請求項1所述之半導體裝置，其中在一頂視圖中，該汲極接墊具有一基部以及從該基部延伸的一對指狀部，並且其中該電阻結構設置於該基部與該閘極區之間。
如請求項2所述之半導體裝置，其中該基部具有連接至該對指狀部的一對長邊以及垂直於該對長邊的一短邊，並且其中該電阻結構設置於該短邊與該閘極區之間。
如請求項2所述之半導體裝置，其中在一頂視圖中，該閘極區以及該源極區配置成環繞該汲極區的一跑道形(track-shape)輪廓。
如請求項2所述之半導體裝置，其中在該頂視圖中，該電阻結構鄰近該基部設置。
如請求項5所述之半導體裝置，其中在該頂視圖中，該電阻結構設置於未被該汲極接墊覆蓋的該基板之表面上。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該電阻結構不重疊於該汲極接墊。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該電阻結構包括一多晶矽(poly-Si)電阻元件。
如請求項1所述之半導體裝置，更包括一接面場效電晶體(junction gate field-effect transistor, JFET)，電性連接至該源極區。
如請求項1所述之半導體裝置，更包括一金屬層，自該接入端正上方延伸至該汲極區正上方並且電性連接該接入端與該汲極區。
如請求項1所述之半導體裝置，其中在一頂視圖中，該汲極結構的該汲極接墊、該閘極區以及該源極區在該基板上各自配置為類矩形(rectangular-like)形狀。
如請求項11所述之半導體裝置，其中在該頂視圖中，其中該電阻結構設置於該汲極接墊與該閘極區之間。
如請求項12所述之半導體裝置，其中在該頂視圖中，該電阻結構設置於未被該汲極接墊覆蓋的該基板之表面上。
一種用於在基材上沉積保形層之物理化學方法，其包含：<br/> 在一反應器中提供一基材；<br/> 在該反應器中提供一濺鍍靶材；<br/> 在該基材上方之蒸氣相中及/或在一基材表面上將一化學物種導入該反應器；<br/> 由該濺鍍靶材射出包含至多三個原子之單種原子或多原子團；<br/> 使射出的單種原子或多原子團與該化學物種在該基材上方之該蒸氣相中及/或在該基材表面上交互作用；<br/> 其中該交互作用在該蒸氣相中及/或在該基材表面上形成一錯合物；<br/> 其中該錯合物相較於射出的原子或團具有減少的黏附係數及較高表面移動性；及<br/> 在該基材表面上由該錯合物形成一保形層，其中該保形層具有與該濺鍍靶材相同之元素組成。
一種用於在圖案化基材上沉積保形層之物理化學方法，該方法包含：<br/> 在一沉積腔室之一反應區中提供一圖案化基材；<br/> 在該沉積腔室之該反應區中提供一濺鍍靶材；<br/> 將該基材加熱到大約100℃至大約650℃之溫度；<br/> 將該基材維持在大約100℃至大約650℃；<br/> 實行一化學反應性蒸氣沉積步驟，該化學反應性蒸氣沉積步驟包含藉由將該圖案化基材暴露於物理吸附或化學吸附在該圖案化基材之一表面上之一前驅物的一脈衝用一單一化學反應性蒸氣沉積循環處理該圖案化基材，以在該基材表面上形成一保形催化或反應性單層或近零厚度層；<br/> 在該濺鍍靶材與該基材之間形成一惰性或反應性氣體之一電漿；<br/> 藉由使用該電漿將來自該濺鍍靶材之單一元素或二元化合物濺鍍在該基材上之該單層或近零厚度層上來實行一濺鍍步驟；<br/> 使經濺鍍的單一元素或二元化合物與該催化或反應性單層或近零厚度層在該基材表面上反應以形成一暫穩定錯合物；其中該暫穩定錯合物相較於經濺鍍的單一元素或二元化合物具有減少的黏附係數或該基材表面上之較高移動性；及<br/> 實行一表面誘發製程以在該圖案化基材上將該暫穩定錯合物轉化成一保形層。
如請求項2之方法，其中該等化學反應性蒸氣沉積及濺鍍步驟順序地、同時地或交替地重複直到獲得一預定厚度之一保形薄膜。
如請求項2或3之方法，其中該表面誘發製程係選自於：由該基材能量轉移、一遠距或直接電漿施加、電子離子化、氧化及/或還原。
如請求項2或3之方法，更包含在形成該電漿前使該基材暴露於一惰性或反應性氣體之一脈衝以由該沉積腔室移除反應副產物。
如請求項5之方法，其中該惰性氣體係選自於由下列構成之群組：氖、氬、氙及氪。
如請求項5之方法，其中該反應性氣體係選自於由下列構成之群組：氮、氫、一氧化碳、二氧化碳、氨、聯胺及疊氮化氫。
如請求項2或3之方法，其中該基材係選自於由下列構成之群組：矽、二氧化矽、氮化矽、碳化矽、矽鍺合金、鍺、鎵、氮化鎵、鈷、釕、鉑、銀、鉑、金、鎳、銅、鉑、鈦、氧化鋁(藍寶石)、鋁、氮化鋁、氮化鈦、碳化鈦、鉭及氮化鉭。
如請求項2或3之方法，其中在該蒸氣沉積步驟期間該反應器中之一工作壓力係在大約0.0001托至大約760托之範圍內。
如請求項2或3之方法，其中該化學反應性蒸氣沉積步驟係由下列中之一或多者構成：ALD、ALCVD、CVD、MLD、SAM或點擊(CLICK)。
一種用於在圖案化基材上沉積保形層之物理化學方法，該方法包含：<br/> 在一沉積腔室之一反應區中提供一圖案化基材；<br/> 在該沉積腔室之該反應區中提供一濺鍍靶材；<br/> 將該基材加熱到大約100℃至大約650℃之溫度；<br/> 將該基材維持在大約100℃至大約650℃；<br/> 在一蒸氣相中將一反應性或催化前驅物、試劑或反應物導入該沉積腔室之該反應區；<br/> 在該濺鍍靶材與該基材之間形成一惰性或反應性氣體之一電漿；<br/> 藉由使用該電漿以濺鍍來自該濺鍍靶材且在該蒸氣相中與該前驅物、試劑或反應物反應的一元或二元化合物來實行一濺鍍步驟以形成至少一暫穩定錯合物；<br/> 將該至少一暫穩定錯合物傳送至一基材表面，該至少一暫穩定錯合物以相較於經濺鍍的一元或二元化合物減少之黏附係數或較高之移動性物理吸附或化學吸附於該基材表面；及<br/> 實行一表面誘發製程以在該基材上將該至少一暫穩定錯合物轉化成一保形層，<br/> 其中當該濺鍍靶材包含單一元素時，該保形層包含一元或二元化合物，且當該濺鍍靶材包含二元元素時，該保形層包含二元或三元化合物。
如請求項11之方法，其中該濺鍍步驟及該表面誘發製程係同步地實行直到該基材上之該保形層到達該基材上之一期望厚度。
如請求項11或12之方法，其中該前驅物係一完全配位化學化合物、一非完全配位化合物、一分子片段或一離子物種。
一種用於在圖案化基材上沉積保形化合物之物理化學方法，該方法包含：<br/> 在一沉積腔室之一反應區中提供一圖案化基材，該圖案化基材包含具有一第一化學組成之至少一區域及具有一第二化學組成之至少一區域；<br/> 在該沉積腔室之該反應區中提供一濺鍍靶材；<br/> 將該基材加熱到大約100℃至大約650℃之溫度；<br/> 將該基材維持在大約100℃至大約650℃；<br/> 導入分子結構或前驅物並使其在該基材之一表面上反應以在該圖案化基材上選擇地形成只覆蓋具有該第一化學組成之該區域的一反應性或催化單層、近零厚度層或種子層；<br/> 在該濺鍍靶材與該基材之間形成一惰性或反應性氣體之一電漿；<br/> 藉由使用該電漿將來自該濺鍍靶材之一元、單一元素或二元化合物濺鍍在該圖案化基材上來實行一濺鍍步驟；<br/> 其中經濺鍍的元素或化合物與該反應性或催化單層、近零厚度層或種子層反應以透過一表面誘發製程轉化且選擇地形成只覆蓋具有該第一化學組成之該區域的一保形二元或三元化合物；且<br/> 其中保形經濺鍍的元素或化合物只沉積在具有該第二化學組成之該區域上。
如請求項14之方法，其中該濺鍍步驟重複直到該二元或三元化合物及經濺鍍的元素或化合物都到達一期望厚度。
如請求項14或15之方法，其中導入該等分子結構或前驅物並使用ALD、CVD、ALCVD、MLD、SAM及/或點擊(CLICK)反應。
一種錢幣及財物捐獻收納智慧系統，包括：<br/> 一主機，具有一機體，該機體內設有至少一收納室，該機體並設有一顯示輸入組件與一主控器，該顯示輸入組件電性連接該主控器，該顯示輸入組件用於供捐獻者選擇要進行捐獻錢幣財物或點光明燈，該顯示輸入組件也用於供捐獻者輸入捐獻或點燈祈福服務的資料； <br/> 至少一設於該機體的歸檔總成，該歸檔總成具有一計判組件，各該計判組件分別對應於各該收納室，該計判組件用於計算判斷捐獻物的價值資料，該計判組件與該收納室之間則皆設有一包裝打印組件，該包裝打印組件用於包裝捐獻物並在包裝上打印捐獻日期、捐獻人、捐獻物價值與專屬條碼編號之資訊，各該計判組件與各該包裝打印組件皆電性連接該主控器，另各該計判組件皆以一投入口連通該機體外部；<br/> 藉此，捐獻者於該顯示輸入組件選擇捐獻錢幣財物之動作並輸入資料後，可將錢幣財物從該投入口投入至該計判組件進行計算判斷，接著由該包裝打印組件包裝錢幣財物並於包裝上打印資料後，錢幣財物會被送至該收納室者。
如請求項1所述之錢幣及財物捐獻收納智慧系統，其中，該主控器電性連接至少一攝錄器，該攝錄器位於該投入口、該計判組件或該包裝打印組件旁者。
如請求項2所述之錢幣及財物捐獻收納智慧系統，其中，該機體設有至少一照明燈，各該照明燈分別位於各該攝錄器旁者。
如請求項1所述之錢幣及財物捐獻收納智慧系統，其中，該主控器電性連接一收據產生組件者。
如請求項1所述之錢幣及財物捐獻收納智慧系統，其中，該主控器電性連接一警報組件者。
如請求項1所述之錢幣及財物捐獻收納智慧系統，其中，該包裝打印組件用於將捐獻物包裝於袋體或盒體中者。
如請求項1所述之錢幣及財物捐獻收納智慧系統，其中，該計判組件具有一秤重器者。
一種搬運車的馬達解析度校正方法，其適用於對一搬運車系統中的N-1台搬運車所分別儲存的一初始馬達解析度進行校正，所述搬運車系統包含N台所述搬運車、一中央控制裝置及多條軌道，各個所述搬運車具有一處理模組，所述處理模組中儲存有所述初始馬達解析度，其中一台所述搬運車定義為一標準車，其餘所述搬運車定義為一普通車；所述中央控制裝置能控制任一台所述搬運車沿著任一條所述軌道移動；所述搬運車的馬達解析度校正方法包含至少一次實際長度取得程序及N-1次校正程序； <br/>其中，當所述標準車位於其中一直線軌道的一啟始位置，且所述標準車的一讀取裝置，讀取到設置於所述啟始位置的周邊的一啟始位置標示件時，所述實際長度取得程序將被執行，而所述標準車的所述處理模組將執行以下步驟： <br/>一第一初始步驟：對所述標準車的一伺服馬達的一編碼器的一回授值進行歸零； <br/>一第一移動步驟：控制所述標準車沿著所述直線軌道移動，並在所述標準車的所述讀取裝置讀取到設置於所述直線軌道的一結束位置的周邊的一結束位置標示件時，記錄所述編碼器的一結束回授值，且控制所述標準車停車； <br/>一實際軌道長度計算步驟：利用所述標準車的所述初始馬達解析度乘上所述結束回授值，以計算出所述直線軌道的一實際軌道長度； <br/>其中，當所述普通車位於所述直線軌道的所述啟始位置，且所述普通車的所述讀取裝置，讀取到設置於所述啟始位置標示件時，其中一次的所述校正程序將被執行，而所述普通車的所述處理模組將先執行一移動程序一預定次數後，再執行一校正步驟：所述預定次數大於10次； <br/>所述移動程序包含以下步驟： <br/>一第二初始步驟：對所述普通車的所述編碼器的所述回授值進行歸零； <br/>一第二移動步驟：控制所述普通車沿著所述直線軌道移動，並在所述普通車的所述讀取裝置讀取到所述結束位置標示件時，記錄所述編碼器的一結束回授值，且控制所述普通車停車； <br/>一實際馬達解析度計算步驟：將所述實際軌道長度除以所述結束回授值，以計算出所述普通車的一實際馬達解析度； <br/>其中，所述校正步驟為：去除多筆所述實際馬達解析度中的離群值，並利用剩餘的多筆所述實際馬達解析度進行平均，以計算出一平均馬達解析度，且將所述平均馬達解析度儲存於所述普通車的所述處理模組中，以取代所述普通車的所述處理模組中的所述初始馬達解析度； <br/>其中，所述中央控制裝置控制任一台所述普通車於任一條所述軌道，移動一預定距離時，所述處理模組是先利用所述預定距離除上所述平均馬達解析度，以計算出一運轉脈波數(pulse)，再依據所述運轉脈波數，控制所述伺服馬達，以使所述普通車能沿著所述軌道行走所述預定距離；其中，N為不小於2的正整數。
如請求項1所述的搬運車的馬達解析度校正方法，其中，所述實際軌道長度取得程序是被執行M次，且於所述實際軌道長度取得程序被執行M次後，是先執行一實際軌道長度平均步驟後，才執行及N-1次校正程序；所述實際軌道長度平均步驟是：將所述實際軌道長度取得程序是被執行M次後，所取得的M筆所述實際軌道長度進行平均；其中，M為大於1的正整數。
如請求項1所述的搬運車的馬達解析度校正方法，其中，於所述第一移動步驟中，所述控制裝置是控制所述標準車的所述伺服馬達，以一預定低速及一預定高加速度，沿著所述直線軌道由所述啟始位置移動至所述結束位置；所述預定低速不大於100公釐/每秒(mm/s)，所述預定高加速度不小於1000公釐/每秒平方(mm/s²)。
如請求項1所述的搬運車的馬達解析度校正方法，其中，於所述實際馬達解析度計算步驟後，所述處理模組是控制所述伺服馬達，而使所述普通車沿著所述直線軌道，由所述結束位置向所述啟始位置移動，直到所述普通車的所述讀取裝置讀取到所述啟始位置標示件，所述處理模組才控制所述普通車停車，且所述處理模組將接續執行下一次的所述第二移動步驟。
一種搬運車系統，其包含： <br/>多條軌道，其用以安裝於一廠房中； <br/>N-1台搬運車，各台所述搬運車包含一處理模組，所述處理模組中儲存有一初始馬達解析度；其中一台所述搬運車定義為一標準車，其餘的所述搬運車定義為一普通車；其中，N為不小於2的正整數； <br/>一中央控制裝置，其能控制任一台所述搬運車沿著任一條所述軌道移動； <br/>其中，所述中央控制裝置能執行一搬運車的馬達解析度校正方法，所述搬運車的馬達解析度校正方法包含至少一次實際長度取得程序及N-1次校正程序； <br/>其中，當所述標準車位於其中一直線軌道的一啟始位置，且所述標準車的一讀取裝置，讀取到設置於所述啟始位置的周邊的一啟始位置標示件時，所述實際長度取得程序將被執行，而所述標準車的所述處理模組將執行以下步驟： <br/>一第一初始步驟：對所述搬運車的一伺服馬達的一編碼器的一回授值進行歸零； <br/>一第一移動步驟：控制所述標準車沿著所述直線軌道移動，並在所述標準車的所述讀取裝置讀取到設置於所述直線軌道的一結束位置的周邊的一結束位置標示件時，記錄所述編碼器的一結束回授值，且控制所述標準車停車； <br/>一實際軌道長度計算步驟：利用所述標準車的所述初始馬達解析度乘上所述結束回授值，以計算出所述直線軌道的一實際軌道長度； <br/>其中，當所述普通車位於所述直線軌道的所述啟始位置，且所述普通車的所述讀取裝置，讀取到設置於所述啟始位置標示件時，其中一次的所述校正程序將被執行，而所述普通車的所述處理模組將先執行一移動程序一預定次數後，再執行一校正步驟：所述預定次數大於10次； <br/>所述移動程序含以下步驟： <br/>一第二初始步驟：對所述普通車的所述編碼器的所述回授值進行歸零； <br/>一第二移動步驟：控制所述普通車沿著所述直線軌道移動，並在所述普通車的所述讀取裝置讀取到所述結束位置標示件時，記錄所述編碼器的一結束回授值，且控制所述普通車停車； <br/>一實際馬達解析度計算步驟：將所述實際軌道長度除以所述結束回授值，以計算出所述普通車的一實際馬達解析度； <br/>其中，所述校正步驟為：去除多筆所述實際馬達解析度中的離群值，並利用剩餘的多筆所述實際馬達解析度進行平均，以計算出一平均馬達解析度，且將所述平均馬達解析度儲存於所述普通車的所述處理模組中，以取代所述普通車的所述處理模組中的所述初始馬達解析度； <br/>其中，所述中央控制裝置控制任一台所述普通車於任一條所述軌道，移動一預定距離時，所述處理模組是先利用所述預定距離除上所述平均馬達解析度，以計算出一運轉脈波數(pulse)，再依據所述運轉脈波數，控制所述伺服馬達，以使所述普通車能沿著所述軌道行走所述預定距離。
如請求項5所述的搬運車系統，其中，於所述第一移動步驟中，所述控制裝置是控制所述標準車的所述伺服馬達，以一預定低速及一預定高加速度，沿著所述直線軌道由所述啟始位置移動至所述結束位置；所述預定低速不大於100公釐/每秒(mm/s)，所述預定高加速度不小於1000公釐/每秒平方(mm/s²)。
如請求項5所述的搬運車系統，其中，於所述實際馬達解析度計算步驟後，所述處理模組是控制所述伺服馬達，而使所述普通車沿著所述直線軌道，由所述結束位置向所述啟始位置移動，直到所述普通車的所述讀取裝置讀取到所述啟始位置標示件，所述處理模組才控制所述普通車停車，且所述處理模組將接續執行下一次的所述第二移動步驟。
如請求項5所述的搬運車系統，其中，各條所述軌道的啟始位置及結束位置，分別設置有一啟始位置標示件及一結束位置標示件；所述中央控制裝置及各個所述標準車的所述處理模組中的至少一個，預先儲存有一已知軌道資訊，所述已知軌道資訊包含各條所述軌道的一啟始位置資料、一結束位置資料及一長度資料；所述中央控制裝置執行完所述搬運車的馬達解析度校正方法後，所述中央控制裝置能執行一軌道探索程序，以使所述標準車的所述處理模組，執行以下步驟： <br/>一第一控制步驟：依據所述已知軌道資訊，控制所述標準車沿著各條所述軌道行走，且記錄所述標準車讀取到各條所述軌道的所述啟始位置標示件或所述結束位置標示件時，所述編碼器的一回授值； <br/>一第一計算步驟：利用所述第一控制步驟所取得的多筆所述回授值及所述標準車的所述初始馬達解析度，計算出所述標準車於所述第一控制步驟中，所行經的各條所述軌道的一探勘實際軌道長度； <br/>一第一更新步驟：使多筆所述探勘實際軌道長度，取代所述已知軌道資訊中的多筆所述長度資料； <br/>一第二更新步驟：將所有的所述探勘實際軌道長度，傳遞至所述中央控制裝置，而使所述中央控制裝置對其餘的所有所述搬運車中儲存的所述已知軌道資訊中的所述長度資料進行更新。
如請求項5所述的搬運車系統，其中，各條所述軌道每間隔一預設區段，設置有一位置標示件，各個所述搬運車的所述讀取裝置能讀取所述位置標示件，以生成出一位置資料；所述中央控制裝置能依據所述搬運車所傳遞的所述位置資料，以確定所述搬運車於所述軌道的位置；各台所述搬運車還設置有至少一偵測器，所述偵測器用以偵測所述搬運車的周圍是否存在一貨架，所述偵測器偵測到所述搬運車的周圍存在所述貨架時，將生成一偵測訊號；所述中央控制裝置能執行一貨架探索程序，以使所述標準車的所述處理模組執行以下步驟： <br/>一第二控制步驟：控制所述標準車沿著各條所述軌道行走；在所述搬運車沿著所述軌道行走的過程中，所述處理模組接收到所述偵測訊號時，所述處理模組會把所述讀取裝置讀取到的所述位置資料，記錄為一貨架啟始位置資料，且所述處理模組在所述偵測器不再傳遞所述偵測訊號時，所述處理模組將會把所述讀取裝置讀取到的所述位置資料，記錄為一貨架結束位置資料，且所述處理模組將傳遞一貨架回報資訊至所述中央控制裝置，所述貨架回報資訊包含所述貨架啟始位置資料及所述貨架結束位置資料； <br/>當所述中央控制裝置接收到所述貨架回報資訊，所述中央控制裝置將執行以下步驟： <br/>一查詢步驟：依據所述貨架啟始位置資料及所述貨架結束位置資料，查找所述中央控制裝置所連接的一資料庫中，是否存在包含所述貨架啟始位置資料及所述貨架結束位置資料的一貨架資訊； <br/>若所述中央控制裝置判定所述資料庫中，未儲存有包含所述貨架啟始位置資料及所述貨架結束位置資料的所述貨架資訊時，則於所述資料庫中，儲存一筆新的所述貨架資訊，新的所述貨架資訊則包含所述貨架啟始位置資料及所述貨架結束位置資料。
如請求項9所述的搬運車系統，其中，各台搬運車包含兩個所述偵測器，兩個所述偵測器分別用以偵測所述搬運車的左側及右側是否出現所述貨架；所述貨架回報資訊中更包含一方向資料；所述方向資料代表所述貨架位於所述搬運車的方向；所述資料庫中的各筆所述貨架資訊更包含所述方向資料。
如請求項9所述的搬運車系統，其中，所述中央控制裝置執行所述貨架探索程序時，所述處理模組不再接收到所述偵測訊號的位置時，所述處理模組將控制所述標準車停車，以使所述標準車停在鄰近於所述處理模組接收到所述貨架結束位置資料的位置；於所述查詢步驟中，若所述中央控制裝置判定所述資料庫中，未儲存有包含所述貨架啟始位置資料及所述貨架結束位置資料的所述貨架資訊時，所述中央控制裝置將先執行以下步驟： <br/>一倒車步驟：控制所述標準車以一預定慢速向後退，以將所述偵測器第一次生成所述偵測訊號時，所述讀取裝置所讀取到的位置資料，記錄為所述貨架結束位置資料，並在所述偵測器不再生成所述偵測訊號時，所述讀取裝置所讀取到的位置資料，記錄為所述貨架啟始位置資料；於記錄所述貨架結束位置資料或所述貨架啟始位置資料的同時，所述處理模組還會記錄當下的所述編碼器的所述回授值； <br/>一第二計算步驟：利用所述處理模組所記錄的兩筆所述回授值及所述標準車的所述初始馬達解析度，計算出一行經距離； <br/>一比對步驟：計算所述行經距離與一預設貨架長度的差值，是否符合一誤差範圍； <br/>若判定符合所述誤差範圍，則於所述資料庫中，儲存一筆新的所述貨架資訊，所述貨架資訊包含所述貨架啟始位置資料及所述貨架結束位置資料； <br/>若判定不符合所述誤差範圍，則不於所述資料庫中，儲存一筆新的所述貨架資訊。
如請求項5所述的搬運車系統，其中，部分所述軌道為一彎道軌道，各個所述彎道軌道設置有一彎道標示件，所述彎道軌道的整個區段都設置有所述彎道標示件，所述標準車設置有一彎道偵測器，所述彎道偵測器能於偵測到所述彎道標示件時，對應生成一彎道訊號；所述中央控制裝置能執行一彎道探勘程序，以使所述標準車的所述處理模組執行以下步驟： <br/>一第三移動步驟：使所述標準車沿所述軌道移動，並使所述彎道偵測器開啟；其中，當所述處理模組接收到所述彎道偵測器傳遞的所述彎道訊號時，執行以下步驟： <br/>一停車步驟：控制所述標準車停車； <br/>一搜尋步驟：使所述標準車，以一預訂慢速前進或後退，直到所述標準車停在所述彎道偵測器剛好能偵測到所述彎道標示件的位置為止； <br/>一記錄及儲存步驟：記錄所述讀取裝置讀取到的位置資料，並將所述位置資料，做為一彎道位置資料，並將所述彎道位置資料儲存於所述中央控制裝置所連接的一資料庫； <br/>其中，所述搬運車依據所述中央控制裝置所傳遞的一移動資訊，移動至任一個所述彎道位置資料所對應的所述彎道標示件的位置時，所述搬運車的所述處理模組能控制一切換機構，以使所述搬運車於一直行狀態及一轉彎狀態之間切換。
一種微發光二極體結構，其包含：<br/> 一第一類型傳導層；<br/> 堆疊在該第一類型傳導層上的一第二類型傳導層；與<br/> 形成在該第一類型傳導層與該第二類型傳導層之間的一發光層，<br/> 其中，該發光層遠離該第一類型傳導層的一頂部邊緣以及該第二類型傳導層的一底部邊緣沿著一水平面延伸，致使該發光層的一邊緣不接觸該第一類型傳導層之該頂部邊緣及該第二類型傳導層之該底部邊緣，且<br/> 該第二類型傳導層垂直投影在該第一類型傳導層之一頂面上的一輪廓被該第一類型傳導層之該頂部邊緣包圍，其中，該第二類型傳導層之一底面之面積小於該第一類型傳導層之該頂面之面積。
如請求項1之微發光二極體結構，其進一步包含：<br/> 形成在該發光層之一頂面上的一頂部間隔體；與<br/> 形成在該發光層之一底面上的一底部間隔體，<br/> 其中，該頂部間隔體的一邊緣與該發光層的該邊緣對齊，且<br/> 該底部間隔體的一邊緣與該發光層的該邊緣對齊。
如請求項2之微發光二極體結構，其中，該頂部間隔體的一厚度大於該發光層的一厚度，且該底部間隔體的一厚度大於該發光層的該厚度。
如請求項2之微發光二極體結構，其進一步包含：形成於該第二類型傳導層上且於該頂部間隔體之一頂面上的一微透鏡。
如請求項1之微發光二極體結構，其中，該第一類型傳導層的一頂部面積大於該第一類型傳導層的一底部面積，且該第二類型傳導層的一頂部面積小於該第二類型傳導層的一底部面積。
如請求項1之微發光二極體結構，其中，該發光層只包括一對量子阱層，或包括多對量子阱層。
如請求項1之微發光二極體結構，其進一步包含：包圍該第一類型傳導層的一反射結構。
如請求項7之微發光二極體結構，其中，該反射結構附著在該第一類型傳導層的一側壁上，且<br/> 該微發光二極體結構進一步包含形成在該第一類型傳導層之下且與該第一類型傳導層電氣連接的一底部連接結構。
如請求項8之微發光二極體結構，其進一步包含：在該第一類型傳導層之下的一基體，且該基體藉由在該基體中的一連接墊與該底部連接結構電氣連接。
如請求項9之微發光二極體結構，其中，該基體包括一IC電路。
如請求項9之微發光二極體結構，其中，在該第一類型傳導層之該側壁上的該反射結構相對於該基體的一表面傾斜，且該反射結構的一傾斜角度大約為30度到大約75度。
如請求項8之微發光二極體結構，其中，該底部連接結構由一反射性導電材料製成。
如請求項8之微發光二極體結構，其中，在該第一類型傳導層之該側壁上的該反射結構有一弧形表面。
如請求項8之微發光二極體結構，其中，在該第一類型傳導層之該側壁的該反射結構由一ODR(全方位反射器)結構或一DBR(分佈布拉格反射)結構製成。
如請求項7之微發光二極體結構，其中，該反射結構附著在該第一類型傳導層的一側壁表面及一底面兩者上。
如請求項15之微發光二極體結構，其中，在該第一類型傳導層之該底面上的該反射結構導電，且<br/> 該微發光二極體結構進一步包含形成在該反射結構之一底部且與該反射結構電氣連接的一底部連接結構。
如請求項7之微發光二極體結構，其中，該反射結構經組配為可聚集光線於該第二類型傳導層上。
如請求項1之微發光二極體結構，其進一步包含：<br/> 附著在該第一類型傳導層之一底面上的一反射結構。
如請求項18之微發光二極體結構，其中，該反射結構導電，且<br/> 該微發光二極體結構進一步包含形成在該反射結構之一底部且與該反射結構之該底部電氣連接的一底部連接結構。
如請求項1之微發光二極體結構，其進一步包含：包圍該第一類型傳導層而形成且在該發光層之下的一隔離層，該隔離層由一光吸收材料製成。
一種微發光二極體結構，其包含：<br/> 一第一類型傳導層；<br/> 堆疊在該第一類型傳導層上的一第二類型傳導層；與<br/> 形成在該第一類型傳導層與該第二類型傳導層之間的一發光層，<br/> 其中，該發光層遠離該第一類型傳導層的一頂部邊緣以及該第二類型傳導層的一底部邊緣沿著一水平面延伸，致使該發光層的一邊緣不接觸該第一類型傳導層之該頂部邊緣及該第二類型傳導層之該底部邊緣，且<br/> 該第一類型傳導層垂直投影在該第二類型傳導層之一底面上的一輪廓被該第二類型傳導層之該底部邊緣包圍，其中，該第二類型傳導層之該底面之面積大於該第一類型傳導層之頂面之面積。
如請求項1之微發光二極體結構，其進一步包含：<br/> 形成在該發光層之一頂面上的一頂部間隔體；與<br/> 形成在該發光層之該底面上的一底部間隔體，<br/> 其中，該頂部間隔體的一邊緣與該發光層的該邊緣對齊，且<br/> 該底部間隔體的一邊緣與該發光層的該邊緣對齊。
如請求項2之微發光二極體結構，其中，該頂部間隔體的一厚度大於該發光層的一厚度，且該底部間隔體的一厚度大於該發光層的該厚度。
如請求項2之微發光二極體結構，其進一步包含：形成於該第二類型傳導層及該頂部間隔體之一頂面上的一微透鏡。
如請求項1之微發光二極體結構，其中，該第一類型傳導層的一頂部面積大於該第一類型傳導層的一底部面積，且該第二類型傳導層的一頂部面積小於該第二類型傳導層的一底部面積。
如請求項1之微發光二極體結構，其中，該發光層只包括一對量子阱層，或包括多對量子阱層。
如請求項1之微發光二極體結構，其進一步包含：包圍該第一類型傳導層而形成的一反射結構。
如請求項7之微發光二極體結構，其中，該反射結構附著在該第一類型傳導層的一側壁上，且<br/> 該微發光二極體結構進一步包含形成在該第一類型傳導層之下且與該第一類型傳導層電氣連接的一底部連接結構。
如請求項8之微發光二極體結構，其進一步包含：一基體，其在該第一類型傳導層之下且藉由在該基體中的一連接墊與該底部連接結構電氣連接。
如請求項9之微發光二極體結構，其中，該基體包括一IC電路。
如請求項8之微發光二極體結構，其中，該底部連接結構由一反射性導電材料製成。
如請求項8之微發光二極體結構，其中，在該第一類型傳導層之該側壁上的該反射結構有一弧形表面。
如請求項9之微發光二極體結構，其中，在該第一類型傳導層之該側壁上的該反射結構相對於該基體的一頂面傾斜，且該反射結構相對於該基體的該表面的一傾斜角度大約為30度到大約75度。
如請求項8之微發光二極體結構，其中，在該第一類型傳導層之該側壁的該反射結構由一ODR(全方位反射器)結構或一DBR(分佈布拉格反射)結構製成。
如請求項7之微發光二極體結構，其中，該反射結構附著在該第一類型傳導層的一側壁表面及一底面兩者上。
如請求項15之微發光二極體結構，其中，在該第一類型傳導層之該底面上的該反射結構導電，且<br/> 該微發光二極體結構進一步包含形成在該反射結構之一底部且是與該反射結構電氣連接的一底部連接結構。
如請求項7之微發光二極體結構，其中，該反射結構經組配為可聚集光線於該第二類型傳導層上。
如請求項1之微發光二極體結構，其進一步包含：<br/> 附著在該第一類型傳導層之一底面上的一反射結構。
如請求項18之微發光二極體結構，其中，該反射結構導電，且<br/> 該微發光二極體結構進一步包含形成在該反射結構之一底部且與該反射結構電氣連接的一底部連接結構。
如請求項1之微發光二極體結構，其進一步包含：包圍該第一類型傳導層而形成且在該發光層之下的一隔離層，該隔離層由一光吸收材料製成。
一種微發光二極體結構，其包含：<br/> 一第一類型傳導層；<br/> 堆疊在該第一類型傳導層上的一第二類型傳導層；<br/> 形成在該第一類型傳導層與該第二類型傳導層之間的一發光層，<br/> 其中，該發光層自該第一類型傳導層的一邊緣沿著一水平面延伸，<br/> 該發光層的一邊緣與該第二類型傳導層的一邊緣對齊，且<br/> 該第二類型傳導層之該邊緣沿著該水平面延伸遠離該第一類型傳導層之該邊緣；<br/> 形成在該發光層之一頂面上的一頂部間隔體； <br/> 形成在該發光層之一底面上的一底部間隔體，<br/> 其中，該頂部間隔體的一邊緣與該發光層的該邊緣實質共平面，且該底部間隔體的一邊緣與該發光層的該邊緣實質共平面；及 <br/> 包圍該發光層、頂部間隔體及該底部間隔體的一頂部隔離層，<br/> 其中，該頂部隔離層之一頂面和該第二類型傳導層之底面實質共平面，且該頂部隔離層之一底面和該第一類型傳導層之頂面實質共平面。
如請求項1之微發光二極體結構，其中，該頂部間隔體的一厚度大於該發光層的一厚度，且該底部間隔體的一厚度大於該發光層的該厚度。
如請求項1之微發光二極體結構，其進一步包含：<br/> 形成在該第二類型傳導層上且在該頂部隔離層的該頂面上之一微透鏡。
如請求項1之微發光二極體結構，其中，該第二類型傳導層的一頂部面積小於該第二類型傳導層的一底部面積，且<br/> 該發光層的該邊緣與該第二類型傳導層的一底部邊緣對齊。
如請求項1之微發光二極體結構，其中，該發光層只包括一對量子阱層，或包括多對量子阱層。
如請求項1之微發光二極體結構，其進一步包含：包圍該第一類型傳導層所形成的一反射結構。
如請求項6之微發光二極體結構，其中，該反射結構附著在該第一類型傳導層的一側壁上，且<br/> 該微發光二極體結構進一步包含形成在該第一類型傳導層之下且與該第一類型傳導層電氣連接的一底部連接結構。
如請求項7之微發光二極體結構，其進一步包含：在該第一類型傳導層之下的一基體，且該基體藉由在該基體中的一連接墊與該底部連接結構電氣連接。
如請求項8之微發光二極體結構，其中，該基體包括一IC電路。
如請求項8之微發光二極體結構，其中，在該第一類型傳導層之該側壁上的該反射結構相對於該基體的一頂面傾斜，且該反射結構相對於該基體之該頂面的一傾斜角度大約為30度到大約75度。
如請求項7之微發光二極體結構，其中，該底部連接結構由一反射性導電材料製成。
如請求項7之微發光二極體結構，其中，在該第一類型傳導層之該側壁上的該反射結構有一弧形表面。
如請求項7之微發光二極體結構，其中，在該第一類型傳導層之該側壁的該反射結構由一ODR(全方位反射器)結構或一DBR(分佈布拉格反射)結構製成。
如請求項6之微發光二極體結構，其中，該反射結構附著在該第一類型傳導層的一側壁表面及一底面兩者上。
如請求項14之微發光二極體結構，其中，在該第一類型傳導層之該底面上的該反射結構導電，且<br/> 該微發光二極體結構進一步包含形成在該反射結構之一底部且與該反射結構電氣連接的一底部連接結構。
如請求項6之微發光二極體結構，其中，該反射結構經組配為可聚集光線於該第二類型傳導層上。
如請求項1之微發光二極體結構，其進一步包含：<br/> 附著在該第一類型傳導層之一底面上的一反射結構。
如請求項17之微發光二極體結構，其中，該反射結構導電，且<br/> 該微發光二極體結構進一步包含形成在該反射結構之一底部且與該反射結構電氣連接的一底部連接結構。
如請求項1之微發光二極體結構，其進一步包含：包圍該第一類型傳導層所形成且在該發光層之下的一隔離層，該隔離層由一光吸收材料製成。
一種微發光二極體結構，其包含：<br/> 一第一類型傳導層；<br/> 堆疊在該第一類型傳導層上的一第二類型傳導層；<br/> 形成在該第一類型傳導層與該第二類型傳導層之間的一發光層，<br/> 其中，該發光層自該第二類型傳導層的一邊緣沿著一水平面延伸，<br/> 該發光層的一邊緣與該第一類型傳導層的一邊緣對齊，且<br/> 該第一類型傳導層之該邊緣沿著該水平面延伸遠離該第二類型傳導層之該邊緣；<br/> 形成在該發光層之一頂面上的一頂部間隔體；<br/> 形成在該發光層之一底面上的一底部間隔體，<br/> 其中，該頂部間隔體的一邊緣與該發光層的該邊緣實質共平面，且該底部間隔體的一邊緣與該發光層的該邊緣實質共平面；及<br/> 包圍該發光層、頂部間隔體及該底部間隔體的一頂部隔離層，<br/> 其中，該頂部隔離層之一頂面和該第二類型傳導層之底面實質共平面，且該頂部隔離層之一底面和該第一類型傳導層之頂面實質共平面。
如請求項1之微發光二極體結構，其中，該頂部間隔體的一厚度大於該發光層的一厚度，且該底部間隔體的一厚度大於該發光層的該厚度。
如請求項1之微發光二極體結構，其進一步包含：<br/> 形成在該第二類型傳導層上且在該頂部隔離層的該頂面上之一微透鏡。
如請求項1之微發光二極體結構，其中，該第一類型傳導層的一頂部面積大於該第一類型傳導層的一底部面積，且<br/> 該發光層的該邊緣與該第一類型傳導層的一底部邊緣對齊。
如請求項1之微發光二極體結構，其中，該發光層只包括一對量子阱層，或包括多對量子阱層。
如請求項1之微發光二極體結構，其進一步包含：包圍該第一類型傳導層所形成的一反射結構。
如請求項6之微發光二極體結構，其中，該反射結構附著在該第一類型傳導層的一側壁上，且<br/> 該微發光二極體結構進一步包含形成在該第一類型傳導層之下且與該第一類型傳導層電氣連接的一底部連接結構。
如請求項7之微發光二極體結構，其進一步包含：在該第一類型傳導層之下的一基體，且該基體藉由在該基體中的一連接墊與該底部連接結構電氣連接。
如請求項8之微發光二極體結構，其中，該基體包括一IC電路。
如請求項8之微發光二極體結構，其中，在該第一類型傳導層之該側壁上的該反射結構相對於該基體的一頂面傾斜，且該反射結構相對於該基體之該頂面的一傾斜角度大約為30度到大約75度。
如請求項7之微發光二極體結構，其中，該底部連接結構由一反射性導電材料製成。
如請求項7之微發光二極體結構，其中，在該第一類型傳導層之該側壁上的該反射結構有一弧形表面。
如請求項7之微發光二極體結構，其中，在該第一類型傳導層之該側壁的該反射結構由一ODR(全方位反射器)結構或一DBR(分佈布拉格反射)結構製成。
如請求項6之微發光二極體結構，其中，該反射結構經組配為可聚集光線於該第二類型傳導層上。
如請求項6之微發光二極體結構，其中，該反射結構附著在該第一類型傳導層的一側壁表面及一底面兩者上。
如請求項15之微發光二極體結構，其中，在該第一類型傳導層之該底面上的該反射結構導電，且<br/> 該微發光二極體結構進一步包含形成在該反射結構之一底部且與該反射結構電氣連接的一底部連接結構。
如請求項1之微發光二極體結構，其進一步包含：<br/> 附著在該第一類型傳導層之一底面上的一反射結構。
如請求項17之微發光二極體結構，其中，該反射結構導電，且<br/> 該微發光二極體結構進一步包含形成在該反射結構之一底部且與該反射結構電氣連接的一底部連接結構。
如請求項1之微發光二極體結構，其進一步包含：包圍該第一類型傳導層所形成且在該發光層之下的一隔離層，該隔離層由一光吸收材料製成。
一種異音偵測方法，其包含以下步驟：<br/> 訓練一判斷模組，使該判斷模組具有一設備的一正常音訊特徵範圍；<br/> 獲得該設備的一待測音訊；<br/> 濾除該待測音訊中的一環境音訊，以獲得一處理後待測音訊；<br/> 從該處理後待測音訊中提取出一待測音訊特徵，其中包含：計算該處理後待測音訊中各頻帶能量強度的平均值、標準差或偏度等統計值，並且以該統計值做為該待測音訊特徵；<br/> 將該待測音訊特徵輸入至該判斷模組；以及<br/> 通過該判斷模組比對該待測音訊特徵是否落於該正常音訊特徵範圍之內，並且輸出一異音偵測結果，其中該判斷模組比對該待測音訊特徵是否落於該正常音訊特徵範圍之內包含：在一預定時間內，以一預定次數來比對該待測音訊特徵是否落於該正常音訊特徵範圍之內，當該待測音訊特徵落於該正常音訊特徵範圍之外的一數量與該預定次數的比值大於或等於0.5時，則確定該待測音訊特徵具有一異音。
如請求項1所述之異音偵測方法，其中訓練該判斷模組包含：<br/> 獲得該設備的複數個正常音訊；<br/> 濾除該些正常音訊中的該環境音訊，以獲得一處理後正常音訊；<br/> 從該處理後正常音訊中提取出複數個正常音訊特徵；以及<br/> 使用一機器學習算法分析該些正常音訊特徵，獲得該正常音訊特徵範圍，以訓練該判斷模組。
如請求項1所述之異音偵測方法，其中濾除該待測音訊中的該環境音訊，以獲得該處理後待測音訊包含：<br/> 將該待測音訊由一時域型態轉換為一時頻型態；<br/> 計算出該時頻型態中各頻帶在一時域方向上的一統計值，並且以該統計值作為各頻帶的一正規化參數；以及<br/> 使用該正規化參數對該時頻型態中各頻帶進行正規化，以濾除該待測音訊中的該環境音訊，並獲得該處理後待測音訊。
如請求項2所述之異音偵測方法，其中濾除該正常音訊中的該環境音訊，以獲得該處理後正常音訊包含：<br/> 將該正常音訊由一時域型態轉換為一時頻型態；<br/> 計算出該時頻型態中各頻帶在一時域方向上的一統計值，並且以該統計值作為各頻帶的一正規化參數；以及<br/> 使用該正規化參數對該時頻型態中各頻帶進行正規化，以濾除該正常音訊中的該環境音訊，並獲得該處理後正常音訊。
如請求項2所述之異音偵測方法，其中該機器學習算法包含：單分類支持向量機、孤立森林、最小協方差行列式。
如請求項1所述之異音偵測方法，其中通過該判斷模組比對該待測音訊特徵是否落於該正常音訊特徵範圍之內包含：<br/> 在一預定時間內，當該待測音訊特徵落於該正常音訊特徵範圍之外的一數量大於或等於一閾值時，則確定該待測音訊特徵具有一異音。
如請求項6所述之異音偵測方法，其中該預定時間為10秒，且該閾值為5。
一種異音偵測系統，其包含：<br/> 一判斷模組，其具有一設備的一正常音訊特徵範圍；<br/> 一音訊模組，用以獲得該設備的一待測音訊；<br/> 一過濾模組，連接該音訊模組以接收該待測音訊，該過濾模組用以濾除該待測音訊中的一環境音訊，以獲得一處理後待測音訊；以及<br/> 一提取模組，連接該過濾模組及該判斷模組，該提取模組用以從該處理後待測音訊中提取出一待測音訊特徵，並且將該待測音訊特徵輸入至該判斷模組，其中該提取模組從該處理後待測音訊中提取出該待測音訊特徵包含：計算該處理後待測音訊中各頻帶能量強度的平均值、標準差或偏度等統計值，並且以該統計值做為該待測音訊特徵；<br/> 其中該判斷模組比對該待測音訊特徵是否落於該正常音訊特徵範圍之內，並且輸出一異音偵測結果，該判斷模組比對該待測音訊特徵是否落於該正常音訊特徵範圍之內包含：在一預定時間內，以一預定次數來比對該待測音訊特徵是否落於該正常音訊特徵範圍之內，當該待測音訊特徵落於該正常音訊特徵範圍之外的一數量與該預定次數的比值大於或等於0.5時，則確定該待測音訊特徵具有一異音。
如請求項8所述之異音偵測系統，其中該判斷模組還包含一訓練模式，該訓練模式用以：<br/> 通過該音訊模組，獲得該設備的複數個正常音訊；<br/> 通過該過濾模組，濾除該些正常音訊中的該環境音訊，以獲得一處理後正常音訊；<br/> 通過該提取模組，從該處理後正常音訊中提取出複數個正常音訊特徵；以及<br/> 使用一機器學習算法分析該些正常音訊特徵，獲得該正常音訊特徵範圍，以訓練該判斷模組。
一種具有式(I)之(S)-2-(((S)-6,8-二氟-1,2,3,4-四氫萘-2-基)胺基)-N-(1-(2-甲基-1-(新戊基胺基)丙-2-基)-1H-咪唑-4-基)戊醯胺之氫溴酸鹽之結晶形式 <br/><img align="absmiddle" height="37px" width="101px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(I)， <br/>其選自由以下組成之群： <br/>a) 結晶形式B，其中形式B之特徵在於如圖4所示之XRPD圖式； <br/>b) 結晶形式D，其中形式D之特徵在於如圖11所示之XRPD圖式； <br/>c) 結晶形式E，其中形式E之特徵在於如圖14所示之XRPD圖式； <br/>d) 結晶形式F，其中形式F之特徵在於如圖17所示之XRPD圖式； <br/>e) 結晶形式G，其中形式G之特徵在於如圖21所示之XRPD圖式； <br/>f) 結晶形式H，其中形式H之特徵在於如圖22所示之XRPD圖式； <br/>g) 結晶形式J，其中形式J之特徵在於如圖24所示之XRPD圖式； <br/>h) 結晶形式K，其中形式K之特徵在於如圖25所示之XRPD圖式； <br/>i) 結晶形式L，其中形式L之特徵在於如圖26所示之XRPD圖式； <br/>j) 結晶形式M，其中形式M之特徵在於如圖29所示之XRPD圖式；及 <br/>k) 結晶形式N，其中形式N之特徵在於如圖30所示之XRPD圖式。
如請求項1之結晶形式，其中該結晶形式為結晶形式B，其中 <br/>(i) 形式B具有至少90%之多晶型純度；及/或 <br/>(ii) 形式B具有在約0.5 μm與約15 μm之間的D[V,0.10]粒子大小、在約2 μm與約30 μm之間的D[V,0.50]粒子大小、在約8 μm與約600 μm之間的D[V,0.90]粒子大小或約5 μm至約200 μm的D[4,3]粒子大小中之一或多者。
如請求項1之結晶形式，其中該結晶形式為結晶形式D，其中 <br/>(i) 形式D具有指示為單純單斜晶之單位晶胞： <br/>(ii) TGA展現出形式D在約24℃與約109℃之間損失約1.2至約2.5 wt%； <br/>(iii) 形式D展現出在約65℃下具有吸熱事件之DSC熱分析圖； <br/>(iv) 形式D具有至少90%之多晶型純度；及/或 <br/>(v) 形式D具有在約0.5 μm與約15 μm之間的D[V,0.10]粒子大小、在約2 μm與約30 μm之間的D[V,0.50]粒子大小、在約8 μm與約600 μm之間的D[V,0.90]粒子大小或約5 μm至約200 μm的D[4,3]粒子大小中之一或多者。
如請求項1之結晶形式，其中該結晶形式為形式E，其中 <br/>(i) TGA展現出形式E在約28℃與約120℃之間損失約8 wt%； <br/>(ii) 形式E展現出在約80℃下具有吸熱事件之DSC熱分析圖； <br/>(iii) 形式E具有至少90%之多晶型純度；及/或 <br/>(iv) 形式E具有在約0.5 μm與約15 μm之間的D[V,0.10]粒子大小、在約2 μm與約30 μm之間的D[V,0.50]粒子大小、在約8 μm與約600 μm之間的D[V,0.90]粒子大小或約5 μm至約200 μm的D[4,3]粒子大小中之一或多者。
如請求項1之結晶形式，其中該結晶形式為形式F，其中 <br/>(i) 形式F具有至少90%之多晶型純度；及/或 <br/>(ii) 形式F具有在約0.5 μm與約15 μm之間的D[V,0.10]粒子大小、在約2 μm與約30 μm之間的D[V,0.50]粒子大小、在約8 μm與約600 μm之間的D[V,0.90]粒子大小或約5 μm至約200 μm的D[4,3]粒子大小中之一或多者。
如請求項1之結晶形式，其中該結晶形式為形式G，其中 <br/>(i) 形式G具有至少90%之多晶型純度；及/或 <br/>(ii) 形式G具有在約0.5 μm與約15 μm之間的D[V,0.10]粒子大小、在約2 μm與約30 μm之間的D[V,0.50]粒子大小、在約8 μm與約600 μm之間的D[V,0.90]粒子大小或約5 μm至約200 μm的D[4,3]粒子大小中之一或多者。
如請求項1之結晶形式，其中該結晶形式為形式H，其中 <br/>(i) 形式H具有至少90%之多晶型純度；及/或 <br/>(ii) 形式H具有在約0.5 μm與約15 μm之間的D[V,0.10]粒子大小、在約2 μm與約30 μm之間的D[V,0.50]粒子大小、在約8 μm與約600 μm之間的D[V,0.90]粒子大小或約5 μm至約200 μm的D[4,3]粒子大小中之一或多者。
如請求項1之結晶形式，其中該結晶形式為形式J，其中 <br/>(i) 形式J具有至少90%之多晶型純度；及/或 <br/>(ii) 形式J具有在約0.5 μm與約15 μm之間的D[V,0.10]粒子大小、在約2 μm與約30 μm之間的D[V,0.50]粒子大小、在約8 μm與約600 μm之間的D[V,0.90]粒子大小或約5 μm至約200 μm的D[4,3]粒子大小中之一或多者。
如請求項1之結晶形式，其中該結晶形式為形式K，其中 <br/>(i) 形式K具有至少90%之多晶型純度；及/或 <br/>(ii) 形式K具有在約0.5 μm與約15 μm之間的D[V,0.10]粒子大小、在約2 μm與約30 μm之間的D[V,0.50]粒子大小、在約8 μm與約600 μm之間的D[V,0.90]粒子大小或約5 μm至約200 μm的D[4,3]粒子大小中之一或多者。
如請求項1之結晶形式，其中該結晶形式為形式L，其中 <br/>(i) 形式L之特徵在如圖27所示之TGA輪廓； <br/>(ii) 形式L展現出在約157℃下具有吸熱事件之DSC熱分析圖； <br/>(iii) 形式L具有至少90%之多晶型純度；及/或 <br/>(iv) 形式L具有在約0.5 μm與約15 μm之間的D[V,0.10]粒子大小、在約2 μm與約30 μm之間的D[V,0.50]粒子大小、在約8 μm與約600 μm之間的D[V,0.90]粒子大小或約5 μm至約200 μm的D[4,3]粒子大小中之一或多者。
如請求項1之結晶形式，其中該結晶形式為形式M，其中 <br/>(i) 形式M具有至少90%之多晶型純度；及/或 <br/>(ii) 形式M具有在約0.5 μm與約15 μm之間的D[V,0.10]粒子大小、在約2 μm與約30 μm之間的D[V,0.50]粒子大小、在約8 μm與約600 μm之間的D[V,0.90]粒子大小或約5 μm至約200 μm的D[4,3]粒子大小中之一或多者。
如請求項1之結晶形式，其中該結晶形式為形式N，其中 <br/>(i) 形式N具有至少90%之多晶型純度；及/或 <br/>(ii) 形式N具有在約0.5 μm與約15 μm之間的D[V,0.10]粒子大小、在約2 μm與約30 μm之間的D[V,0.50]粒子大小、在約8 μm與約600 μm之間的D[V,0.90]粒子大小或約5 μm至約200 μm的D[4,3]粒子大小中之一或多者。
一種具有式(II)之(S)-2-(((S)-6,8-二氟-1,2,3,4-四氫萘-2-基)胺基)-N-(1-(2-甲基-1-(新戊基胺基)丙-2-基)-1H-咪唑-4-基)戊醯胺之氫溴酸鹽之結晶形式C <br/><img align="absmiddle" height="37px" width="101px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(II)， <br/>其中n為2，並且 <br/>(i) 形式C之特徵在於如圖5所示之XRPD圖式； <br/>(ii) 形式C具有如選自由圖8至10組成之群之圖所示之TG-IR聯結光譜； <br/>(iii) 形式C具有指示為單純正交晶之單位晶胞； <br/>(iv) TGA展現出形式C在約60℃與約190℃之間損失至少8 wt%； <br/>(v) 形式C展現出在約39℃下具有第一吸熱事件並且在約152℃下具有第二吸熱事件之DSC熱分析圖； <br/>(vi) 形式C具有至少90%之多晶型純度；及/或 <br/>(vii) 形式C具有在約0.5 μm與約15 μm之間的D[V,0.10]粒子大小、在約2 μm與約30 μm之間的D[V,0.50]粒子大小、在約8 μm與約600 μm之間的D[V,0.90]粒子大小或約5 μm至約200 μm的D[4,3]粒子大小中之一或多者。
一種具有式(I)之(S)-2-(((S)-6,8-二氟-1,2,3,4-四氫萘-2-基)胺基)-N-(1-(2-甲基-1-(新戊基胺基)丙-2-基)-1H-咪唑-4-基)戊醯胺之氫溴酸鹽之非晶形式 <br/><img align="absmiddle" height="37px" width="101px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(I)， <br/>其中 <br/>(i) 該非晶形式之特徵在於如圖31所示之XRPD圖式； <br/>(ii) 該非晶形式具有至少90%之多晶型純度；及/或 <br/>(iii) 該非晶形式具有在約0.5 μm與約15 μm之間的D[V,0.10]粒子大小、在約2 μm與約30 μm之間的D[V,0.50]粒子大小、在約8 μm與約600 μm之間的D[V,0.90]粒子大小或約5 μm至約200 μm的D[4,3]粒子大小中之一或多者。
一種組成物，其包含如請求項1至13中任一項之結晶形式及/或如請求項14之非晶形式，其具有在約0.5 μm與約15 μm之間的D[V,0.10]粒子大小、在約2 μm與約30 μm之間的D[V,0.50]粒子大小、在約8 μm與約600 μm之間的D[V,0.90]粒子大小或約5 μm至約200 μm的D[4,3]粒子大小中之一或多者。
一種醫藥組成物，其包含如請求項1至13中任一項之結晶形式及/或如請求項14之非晶形式或如請求項15之組成物及醫藥學上可接受之載劑，視情況其中該醫藥組成物為錠劑。
如請求項16之醫藥組成物，其中該醫藥組成物包含約25 mg至約400 mg該(S)-2-(((S)-6,8-二氟-1,2,3,4-四氫萘-2-基)胺基)-N-(1-(2-甲基-1-(新戊基胺基)丙-2-基)-1H-咪唑-4-基)戊醯胺之氫溴酸鹽。
如請求項17之醫藥組成物，其中該醫藥組成物包含約50 mg、約100 mg或約150 mg之該(S)-2-(((S)-6,8-二氟-1,2,3,4-四氫萘-2-基)胺基)-N-(1-(2-甲基-1-(新戊基胺基)丙-2-基)-1H-咪唑-4-基)戊醯胺之氫溴酸鹽。
一種如請求項16至18中任一項之醫藥組成物之用途，其係用以製造用於治療腫瘤或癌症之藥劑。
如請求項19之用途，其中該等腫瘤為硬纖維瘤。
如請求項19之用途，其中該癌症選自由以下組成之群：多發性骨髓瘤、在Notch途徑基因中具有突變之癌症、腺樣囊狀癌及T細胞急性淋巴母細胞白血病。
如請求項19至21中任一項之用途，其中每日向個體投與約50 mg 至約500 mg之該(S)-2-(((S)-6,8-二氟-1,2,3,4-四氫萘-2-基)胺基)-N-(1-(2-甲基-1-(新戊基胺基)丙-2-基)-1H-咪唑-4-基)戊醯胺之氫溴酸鹽。
如請求項19至21中任一項之用途，其中每日向個體投與約300 mg或約200 mg之該(S)-2-(((S)-6,8-二氟-1,2,3,4-四氫萘-2-基)胺基)-N-(1-(2-甲基-1-(新戊基胺基)丙-2-基)-1H-咪唑-4-基)戊醯胺之氫溴酸鹽。
如請求項23之用途，其中總每日劑量係以兩個單獨劑量提供，視情況其中總每日劑量係以兩個150 mg單獨劑量或以兩個100 mg單獨劑量提供。
一種檢查用連接器，其係配置於被檢查設備與檢查裝置之間者，其包括：<br/> 導電部，其於所述被檢查設備與所述檢查裝置之間沿上下方向延伸，且將所述被檢查設備與所述檢查裝置之間彼此電性連接；及<br/> 絕緣外殼，其沿所述上下方向形成貫通孔以收容所述導電部；且<br/> 所述貫通孔包括複數個支架及複數個凹部，所述複數個支架向所述導電部突出且以沿所述貫通孔之周向彼此隔開之方式配置，所述複數個凹部分別配置於所述複數個支架中之鄰接之2個支架之間。
如請求項1之檢查用連接器，其中所述複數個支架為3個。
如請求項1之檢查用連接器，其中所述導電部之至少一部分由所述複數個支架中之至少一個以上之支架支持。
如請求項3之檢查用連接器，其中所述複數個支架與所述導電部之外周面之間的相隔距離短於所述複數個凹部與所述導電部之外周面之間的相隔距離。
如請求項1之檢查用連接器，其中所述複數個支架各者於所述貫通孔內沿所述上下方向延伸。
如請求項1之檢查用連接器，其中所述絕緣外殼包括：<br/> 第1絕緣外殼；<br/> 第2絕緣外殼，其積層於所述第1絕緣外殼之上方及下方之至少一側。
如請求項6之檢查用連接器，其中於所述第1絕緣外殼形成圓筒狀之貫通孔，<br/> 於所述第2絕緣外殼形成具有所述複數個支架之所述貫通孔。
如請求項7之檢查用連接器，其中形成有所述圓筒狀之貫通孔之所述第1絕緣外殼與形成有具有所述複數個支架之所述貫通孔的所述第2絕緣外殼交替地積層為複數層。
如請求項1之檢查用連接器，其中所述導電部包括複數個導電部，<br/> 所述檢查用連接器進一步包括支持所述複數個導電部之支持部。
如請求項9之檢查用連接器，其中所述支持部以如下方式構成：於所述複數個導電部之上方及下方之至少一側支持所述複數個導電部。
如請求項10之檢查用連接器，其中於所述支持部形成與所述複數個導電部各者之外周面隔開之複數個支持部貫通孔，<br/> 所述支持部包括複數個突出部，所述複數個突出部自所述複數個支持部貫通孔各者向所述複數個導電部各者突出，沿所述複數個導電部各者之周向彼此隔開，且與所述複數個導電部各者之外周面抵接。
如請求項1之檢查用連接器，其中所述絕緣外殼包括：<br/> 第1絕緣外殼，其形成有具有所述複數個支架之第1貫通孔；<br/> 第2絕緣外殼，其形成有具有所述複數個支架之第2貫通孔；且<br/> 所述導電部包括複數個導電部，<br/> 所述檢查用連接器進一步包括支持部，所述支持部支持所述複數個導電部且配置於所述第1絕緣外殼與所述第2絕緣外殼之間。
如請求項12之檢查用連接器，其中於所述支持部形成與所述複數個導電部各者之外周面隔開之複數個支持部貫通孔，<br/> 所述支持部包括複數個突出部，所述複數個突出部自所述複數個支持部貫通孔各者向所述複數個導電部各者突出，沿所述複數個支持部貫通孔各者之周向彼此隔開，且與所述複數個導電部各者之外周面抵接。
如請求項12之檢查用連接器，其進一步包括：<br/> 第1結合部，其於所述第1絕緣外殼之上方結合所述複數個導電部；<br/> 第2結合部，其於所述第2絕緣外殼之下方結合所述複數個導電部。
一種緩釋麻醉劑組成物，其包含： <br/>一脂質基底複合物，其包含 <br/>一醯胺類麻醉劑之游離鹼，以及 <br/>一脂質混合物，該脂質混合物包含一中性飽和磷脂及一固醇； <br/>一酸鹼值介於5.5至8.0之水性緩衝溶液； <br/>其中，該脂質基底複合物具有一不小於1微米的中徑；且 <br/>該醯胺類麻醉劑之游離鹼與該中性飽和磷脂於該脂質基底複合物中的莫耳比例至少為0.5:1。
如請求項1之緩釋麻醉劑組成物，其中該中性飽和磷脂係由飽和脂肪酸所衍生而成，每條飽和脂肪酸各自包含一碳原子數不超過18的碳鏈。
如請求項1之緩釋麻醉劑組成物，其中該中性飽和磷脂係選自於由二肉豆蔻醯基卵磷脂 (DMPC)、二油醯基卵磷脂 (DLPC)、及二軟脂醯卵磷脂 (DPPC)所組成的群組。
如請求項1之緩釋麻醉劑組成物，其中該脂質混合物更包含一不飽和磷脂，該不飽和磷脂的莫耳百分比含量小於總磷脂含量的10%。
如請求項4之緩釋麻醉劑組成物，其中該不飽和磷脂係選自於由1-棕櫚醯-2-油醯- <i>sn</i>-甘油-3-磷酸乙醇胺 (POPE)、磷脂醯乙醇胺 (卵PE)、及卵磷脂醯膽鹼 (卵PC)所組成的群組。
如請求項1之緩釋麻醉劑組成物，其中該脂質混合物中固醇之莫耳百分比不超過50%。
如請求項1之緩釋麻醉劑組成物，其中該中性飽和磷脂及該固醇之間的莫耳比例介於1:0.01至1:1之間。
如請求項1之緩釋麻醉劑組成物，其中該固醇為膽固醇。
如請求項1之緩釋麻醉劑組成物，其中該醯胺類麻醉劑係選自於由羅哌卡因(ropivacaine)、布比卡因 (bupivacaine)、左旋布比卡因 (levobupivacaine)、利多卡因 (lidocaine)、甲哌卡因 (mepivacaine)、吡咯卡因 (pyrrocaine)、阿替卡因 (articaine)、及丙胺卡因 (prilocaine)所組成的群組。
如請求項1之緩釋麻醉劑組成物，其中該醯胺類麻醉劑為羅哌卡因。
如請求項1之緩釋麻醉劑組成物，其中該脂質基底複合物的中徑介於5微米至50微米之間。
如請求項1之緩釋麻醉劑組成物，其中該脂質基底複合物的中徑介於5微米至20微米之間。
如請求項1之緩釋麻醉劑組成物，其中該緩釋麻醉劑組成物對於該醯胺類麻醉劑之游離鹼的締合效率(AE)至少為60%。
如請求項1之緩釋麻醉劑組成物，其中該緩釋麻醉劑組成物對於該醯胺類麻醉劑之游離鹼的締合效率(AE)介於70%至99%之間。
如請求項1之緩釋麻醉劑組成物，其中該醯胺類麻醉劑之游離鹼與該中性飽和磷脂於該脂質基底複合物中的莫耳比例介於0.5:1至1.5:1之間。
如請求項1之緩釋麻醉劑組成物，其中該醯胺類麻醉劑之游離鹼與該中性飽和磷脂於該脂質基底複合物中的莫耳比例介於0.7:1至1.5:1之間。
如請求項1之緩釋麻醉劑組成物，其中該中性飽和磷脂與該固醇於該脂質基底複合物中的莫耳比例為1:1至3:1。
一種緩釋麻醉劑組成物用於製備治療一需要麻醉的個體之疼痛的醫藥組合物之用途，該緩釋麻醉劑組成物包含： <br/>一脂質基底複合物，其包含 <br/>一醯胺類麻醉劑之游離鹼，以及 <br/>一脂質混合物，該脂質混合物包含一中性飽和磷脂及一固醇； <br/>一酸鹼值介於5.5至8.0之水性緩衝溶液； <br/>其中，該脂質基底複合物的一中徑介於1微米至30微米之間；且 <br/>該醯胺類麻醉劑之游離鹼與該中性飽和磷脂於該脂質基底複合物中的莫耳比例至少為0.5:1。
如請求項18之用途，其中該中性飽和磷脂係由飽和脂肪酸所衍生而成，每條飽和脂肪酸各自包含一碳原子數不超過18的碳鏈。
如請求項18之用途，其中該醯胺類麻醉劑係選自於由羅哌卡因(ropivacaine)、布比卡因 (bupivacaine)、左旋布比卡因 (levobupivacaine)、利多卡因 (lidocaine)、甲哌卡因 (mepivacaine)、吡咯卡因 (pyrrocaine)、阿替卡因 (articaine)、及丙胺卡因 (prilocaine)所組成的群組。
如請求項18之用途，其中該中性飽和磷脂係選自於由二肉豆蔻醯基卵磷脂 (DMPC)、二油醯基卵磷脂 (DLPC)及二軟脂醯卵磷脂 (DPPC)所組成的群組。
如請求項18之用途，其中該緩釋麻醉劑組成物係施予於該需要麻醉的個體之神經周圍或是於手術創傷處。
如請求項18之用途，其中該疼痛為慢性術後疼痛或分娩痛。
如請求項18之用途，其中該緩釋麻醉劑組成物係經由神經阻斷 (nerve block)之方式施予該需要麻醉的個體。
如請求項18之用途，其中該緩釋麻醉劑組成物係經由浸潤麻醉 (infiltration anesthesia)之方式施予該需要麻醉的個體。
如請求項18之用途，其中該緩釋麻醉劑組成物係經由區域阻滯 (field block)之方式施予該需要麻醉的個體。
一種藉由拉晶設備（100）的拉製設備（110）生產單晶棒的方法，其中該拉晶設備（100）係限定擺旋轉中心 （center of pendulum rotation）D，晶體擺（crystal pendulum）的限定靜止軸（defined axis of rest）係基本上沿著高度軸延伸通過該擺旋轉中心D，<br/> 其中，在至少一個拉製過程期間內，藉由用控制設備（120）致動該拉製設備（110），根據該拉製設備（110）的可設定的可變目標拉製速度，從熔體中拉製具有關聯的基本上逐漸漸進的指定單晶長度（associated essentially gradually progressive assigned single-crystal length）之基本上逐漸漸進的單晶棒段（essentially gradually progressive single-crystal rod section），從而得到該單晶棒，<br/> 其中，<br/> 在拉製過程的至少一個階段期間內，藉由經由該控制設備（120）對該拉製設備（110）進行受控致動而以如下方式進行該目標拉製速度的受控的可變設定：在每次改變目標拉製速度的設定之後，對於拉製過程的延續，基於該晶體擺的靜止軸之該漸進單晶棒段的最大擺偏轉（maximum pendulum deflection）係作為漸進拉製時間及／或漸進單晶長度的函數而發展，相較於在參考拉製過程中可選地發展到拉製過程的最大參考擺偏轉的量值及／或差值，該最大擺偏轉的量值及／或該最大擺偏轉與連續量值的差值係至少在階段中被減小，在每種情況下，在其中參考單晶棒根據參考過程典型參考目標拉製速度分佈（reference process-typical reference target pulling speed profile）而被拉製的漸進參考單晶棒段上具有相同的漸進拉製時間及／或相同的漸進單晶棒長度。
如請求項1所述的方法，其中<br/> 基於該晶體擺的靜止軸之最大擺偏轉在該至少一個階段內出現的減小是專門藉由該目標拉製速度的受控的設定來實現，<br/> 及／或<br/> 該目標拉製速度的可變設定是回應於達到或超過或低於可限定擺偏轉觸發閾值（definable pendulum deflection trigger threshold value）的該最大擺偏轉的當前結果而進行，該可限定擺偏轉觸發閾值係在0毫米至100.0毫米的範圍內。
如請求項1或2所述的方法，其中<br/> 擺運動確定設備（pendulum movement determination device）（130）的照相機設備（131）係連續地記錄至少一個成像區域作為時間函數，該至少一個成像區域包括在前進的單晶棒段（advancing single-crystal rod section）與該熔體之間的圓周邊緣（circumferential edge）的至少一段，以及<br/> 該擺運動確定設備（130）的處理設備（132），係至少對於該圓周邊緣的該段，使用基於電腦的影像處理的手段，確定其時間相關的位置座標（time-dependent location coordinate），並且基於該等位置座標，經由該單晶棒段相對於該晶體擺的靜止軸且圍繞該擺旋轉中心D的擺振盪，確定該單晶棒段的該圓周邊緣的該段的至少一個時間相關的進程及／或晶體長度相關的進程，並且針對每個擺振盪n確定指定週期持續時間T、零軸截距時間（zero axis intercept time）t以及最大擺偏轉Â，以及<br/> 該處理設備（132）還至少確定該單晶棒段的當前最大擺偏轉的進程作為當前拉製時間及／或當前單晶長度的函數。
如請求項3所述的方法，其中<br/> 藉由擺運動確定設備（130），以連續的方式將確定結果傳輸至指示設備（210）用於進一步使用，及／或將該確定結果傳輸至記憶設備（220）用於進一步使用，其中該指示設備（210）與該記憶設備（220）是包括處理器單元（201）的電腦設備（200）的一部分，並且<br/> 將確定的最大擺偏轉Â的當前結果傳輸至該控制設備（120），並且如果該最大擺偏轉Â的當前結果達到或超過或低於可限定擺偏轉觸發閾值，則該控制設備（120）以可變且受控的方式來設定該目標拉製速度。
如請求項3所述的方法，其中，<br/> 至少在該拉製過程的該階段期間內，根據以下切換步驟中的至少一個並遵循可限定的切換標準，經由該控制設備（120）致動的該拉製設備（110）係進行該目標拉製速度作為該最大擺偏轉Â的當前結果的函數之設定，該最大擺偏轉Â的當前結果是藉由如請求項3所述的方法與擺運動確定設備來確定：<br/> i. 根據第一切換標準，如下執行第一切換步驟：如果該最大擺偏轉Â的當前確定結果係保持低於可限定擺偏轉觸發閾值，則該拉製設備（110）的當前設定的目標拉製速度係基本上保持恆定，當前設定的目標拉製速度是第一或第三目標拉製速度，<br/> 及／或<br/> ii. 根據第二切換標準，如下執行第二切換步驟：該最大擺偏轉Â的當前確定結果一旦達到可限定擺偏轉觸發閾值，就會從目標拉製速度基本上突然轉換到由第二上目標拉製速度及／或第二下目標拉製速度所限制的可限定的目標拉製速度區間，其中該第二上目標拉製速度係相對於該目標拉製速度升高量值Δ<sub>v2o</sub>，且該第二下目標拉製速度係相對於該目標拉製速度降低量值Δ<sub>v2u</sub>，其中該目標拉製速度是第一或第三目標拉製速度，<br/> 及／或<br/> iii. 根據第三切換標準，如下執行第三切換步驟：如果該最大擺偏轉Â的當前確定結果係超過可限定擺偏轉觸發閾值，則在第二上目標拉製速度與第二下目標拉製速度之間，基本上在相對於該晶體擺的靜止軸之該單晶棒段的擺運動的每個零軸截距時間t處基本上突然地存在連續轉換，其中該第二上目標拉製速度已經相對於目標拉製速度升高了量值Δ<sub>v2o</sub>，並且該第二下目標拉製速度已經相對於目標拉製速度降低了量值Δ<sub>v2u</sub>，其中該目標拉製速度是第一或第三目標拉製速度，<br/> 及／或<br/> iv. 根據第四切換標準，如下執行第四切換步驟：該最大擺偏轉Â的當前確定結果一旦低於可限定擺偏轉觸發閾值，<br/> 就會從相對於第一或第三目標拉製速度升高量值Δ<sub>v2o</sub>的第二上目標拉製速度基本上突然地轉換為該第一或第三目標拉製速度，<br/> 或<br/> 就會從相對於第一或第三目標拉製速度降低量值Δ<sub>v2u</sub>的第二下目標拉製速度基本上突然地轉換為該第一或第三目標拉製速度。
如請求項5所述的方法，其中<br/> 該可限定擺偏轉觸發閾值係在0毫米至100.0毫米的範圍內，<br/> 及／或<br/> 根據至少一個切換步驟並且遵循可限定的切換標準，可限定的可設定目標拉製速度及／或第一目標拉製速度及／或第三目標拉製速度係在0毫米／分鐘至10毫米／分鐘的範圍內。
如請求項5所述的方法，其中<br/> 該量值Δ<sub>v2o</sub>在0.0001毫米／分鐘至3毫米／分鐘的範圍內是可設定的，量值Δ<sub>v2o</sub>是在目標拉製速度與第二上目標拉製速度之間的目標拉製速度量值，該目標拉製速度為第一或第三目標拉製速度，<br/> 及／或<br/> 該量值Δ<sub>v2u</sub>在0.0001毫米／分鐘至3毫米／分鐘的範圍內是可設定的，量值Δ<sub>v2u</sub>是在目標拉製速度與第二下目標拉製速度之間的目標拉製速度量值，該目標拉製速度為第一或第三目標拉製速度。
如請求項1或2所述的方法，其中<br/> 該方法係在具有纜索擺設備類型（cable pendulum device type）的拉製設備的拉晶設備（100）上進行，<br/> 或<br/> 該方法係在具有常規柴可斯基（Czochralski，CZ）拉製設備類型的拉製設備的拉晶設備（100）上進行，該拉製設備具有框架單元（framework unit）。
一種具有拉製設備（110）的用於生產單晶棒的拉晶設備（100），其中，至少在拉製過程期間內，藉由利用控制設備（120）致動該拉製設備（110），該拉製設備（110）係被設計成根據該拉製設備（110）的可設定的可變目標拉製速度而從熔體拉製具有關聯的基本上逐漸漸進的指定單晶長度之基本上逐漸漸進的單晶棒段，從而得到該單晶棒，<br/> 其中該拉晶設備（100）係限定擺旋轉中心D，晶體擺的限定靜止軸係基本上沿著高度軸延伸通過該擺旋轉中心D，<br/> 其中<br/> 在拉製過程的至少一個階段期間內，該拉晶設備（100）被設計成藉由經由該控制設備（120）對該拉製設備（110）進行受控致動而以如下方式進行該目標拉製速度的受控的可變設定：在每次改變目標拉製速度的設定之後，對於拉製過程的延續，基於該晶體擺的靜止軸之該漸進單晶棒段的最大擺偏轉係作為漸進拉製時間及／或漸進單晶長度的函數而發展，相較於在參考拉製過程中可選地發展到拉製過程的最大參考擺偏轉的量值及／或差值，該最大擺偏轉的量值及／或該最大擺偏轉與連續量值的差值係至少在階段中被各自減小，在每種情況下，在其中參考單晶棒根據參考過程典型參考目標拉製速度分佈而被拉製的漸進參考單晶棒段上具有相同的漸進拉製時間及／或相同的漸進單晶棒長度。
如請求項9所述的拉晶設備（100），其中該拉晶設備（100）係執行如請求項1至8中任一項所述的方法。
一種如請求項9所述的拉晶設備（100）的用途，用於減小從拉製設備（110）懸掛的質量單元（mass unit）的擺偏轉。
一種包括指令（command）的電腦程式，當程式係由包括處理器單元（201）的電腦設備（200）所執行時，該指令係使該處理器單元（201）藉由如請求項9或10所述的拉晶設備（100）的控制設備（120）而具體地致動拉製設備（110），以藉由如請求項1至8中任一項所述的生產方法生產具有減小的擺偏轉的晶棒。
一種電腦可讀取媒體（computer-readable medium），其上存儲有如請求項12所述的電腦程式。
一種從單晶棒生產半導體材料的晶圓的方法，該單晶棒係已藉由如請求項1至8中任一項所述的生產單晶棒的方法以減小的擺偏轉所生產，隨後從生產該單晶棒的方法的結尾進行至少以下步驟：<br/> 將該單晶棒鋸成薄晶圓，<br/> 對半導體材料的薄晶圓中的至少一個進行化學及／或機械的進一步處理，其中該進一步處理包括來自以下的至少一個進一步處理步驟：邊緣倒圓（edge rounding）、研磨（lapping）、清潔、拋光、沉積氧化物層、磊晶生長單晶層。
一種微發光二極體晶片，其包括多個微發光二極體，其中，<br/> 該等多個微發光二極體中之至少一微發光二極體包含：<br/> 一第一類型傳導層；<br/> 堆疊在該第一類型傳導層上的一第二類型傳導層；與<br/> 形成在該第一類型傳導層與該第二類型傳導層之間的一發光層，<br/> 其中，該發光層連續形成於整個微發光二極體晶片上，該等多個微發光二極體共享該發光層，<br/> 該微發光二極體晶片進一步包含：<br/> 形成在該發光層與該第二類型傳導層之間的一頂部間隔體；以及<br/> 形成在該發光層與該第一類型傳導層之間的一底部間隔體。
如請求項1之微發光二極體晶片，<br/> 其中，該頂部間隔體的一邊緣與該發光層的一邊緣對齊，且該底部間隔體的一邊緣與該發光層的該邊緣對齊。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該頂部間隔體的一厚度大於該發光層的一厚度，且該底部間隔體的一厚度大於該發光層的該厚度。
如請求項1之微發光二極體晶片，其進一步包含：在該至少一微發光二極體中，形成於該第二類型傳導層上且於該頂部間隔體之一頂面上的一微透鏡。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該第一類型傳導層的一頂部面積大於該第一類型傳導層的一底部面積，且該第二類型傳導層的一頂部面積小於該第二類型傳導層的一底部面積。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該發光層只包括一對量子阱層，或包括多對量子阱層。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該至少一微發光二極體進一步包含：包圍該第一類型傳導層而形成的一反射結構。
如請求項7之微發光二極體晶片，其中，在該至少一微發光二極體中，該反射結構附著在該第一類型傳導層的一側壁表面上，且<br/> 該至少一微發光二極體進一步包含形成在該第一類型傳導層之下且與該第一類型傳導層電氣連接的一底部連接結構。
如請求項8之微發光二極體晶片，其進一步包含：在該第一類型傳導層之下的一基體，且該基體藉由在該基體中的一連接墊與該底部連接結構電氣連接。
如請求項9之微發光二極體晶片，其中，該基體包括一IC電路。
如請求項9之微發光二極體晶片，其中，在該第一類型傳導層之該側壁上的該反射結構相對於該基體的一表面傾斜，且該反射結構相對於該基體之該表面的一傾斜角度大約為30度到大約75度。
如請求項8之微發光二極體晶片，其中，該底部連接結構由一反射性導電材料製成。
如請求項8之微發光二極體晶片，其中，在該第一類型傳導層之該側壁上的該反射結構有一弧形表面。
如請求項8之微發光二極體晶片，其中，在該第一類型傳導層之該側壁的該反射結構由一ODR(全方位反射器)結構或一DBR(分佈布拉格反射)結構製成。
如請求項7之微發光二極體晶片，其中，該反射結構附著在該第一類型傳導層的一側壁表面及一底面兩者上。
如請求項15之微發光二極體晶片，其中，在該第一類型傳導層之該底面上的該反射結構導電，且<br/> 該微發光二極體晶片進一步包含形成在該反射結構之一底部且與該反射結構電氣連接的一底部連接結構。
如請求項7之微發光二極體晶片，其中，該反射結構經組配為可聚集光線於該第二類型傳導層上。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該至少一微發光二極體進一步包含：<br/> 附著在該第一類型傳導層之一底面上的一反射結構。
如請求項18之微發光二極體晶片，其中，該反射結構導電，且<br/> 該至少一微發光二極體進一步包含形成在該反射結構之一底部且與該反射結構電氣連接的一底部連接結構。
如請求項1之微發光二極體晶片，其進一步包含：在該至少一微發光二極體中，包圍該第一類型傳導層而形成且在該發光層之下的一隔離層，該隔離層由一光吸收材料製成。
一種微發光二極體晶片，其包括多個微發光二極體，其中，<br/> 該等多個微發光二極體中之至少一微發光二極體包含：<br/> 一第一類型傳導層；<br/> 堆疊在該第一類型傳導層上的一第二類型傳導層；與<br/> 其形成在該第一類型傳導層與該第二類型傳導層之間的一發光層，<br/> 其中，該發光層連續形成於整個微發光二極體晶片上，該等多個微發光二極體共享該發光層，以及<br/> 一隔離結構形成在相鄰的微發光二極體之間，該隔離結構的至少一部份形成在該發光層中，<br/> 該微發光二極體晶片進一步包含：<br/> 形成在該發光層之一頂面上的一頂部間隔體；<br/> 形成在該發光層之一底面上的一底部間隔體，<br/> 其中，該頂部間隔體的一邊緣與該發光層的一邊緣對齊，且<br/> 該底部間隔體的一邊緣與該發光層的該邊緣對齊。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該隔離結構由一光吸收材料製成。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該隔離結構由一反射材料製成。
如請求項1之微發光二極體晶片，其進一步包含：在該至少一微發光二極體中，形成於該第二類型傳導層上且於該頂部間隔體之一頂面上的一微透鏡。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該頂部間隔體的一厚度大於該發光層的一厚度，且該底部間隔體的一厚度大於該發光層的該厚度。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該第一類型傳導層的一頂部面積大於該第一類型傳導層的一底部面積，且該第二類型傳導層的一頂部面積小於該第二類型傳導層的一底部面積。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該發光層只包括一對量子阱層，或包括多對量子阱層。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該至少一微發光二極體進一步包含：包圍該第一類型傳導層而形成的一反射結構。
如請求項8之微發光二極體晶片，其中，在該至少一微發光二極體中，該反射結構附著在該第一類型傳導層的一側壁表面上，且<br/> 該至少一微發光二極體進一步包含形成在該第一類型傳導層之下且與該第一類型傳導層電氣連接的一底部連接結構。
如請求項9之微發光二極體晶片，其進一步包含：在該第一類型傳導層之下的一基體，且該基體藉由在該基體中的一連接墊與該底部連接結構電氣連接。
如請求項9之微發光二極體晶片，其中，該底部連接結構由一反射性導電材料製成。
如請求項9之微發光二極體晶片，其中，在該第一類型傳導層之該側壁上的該反射結構有一弧形表面。
如請求項9之微發光二極體晶片，其進一步包含：在該第一類型傳導層之下的一基體，其中，在該第一類型傳導層之該側壁上的該反射結構相對於該基體的一表面傾斜，且該反射結構的一傾斜角度大約為30度到大約75度。
如請求項9之微發光二極體晶片，其中，在該第一類型傳導層之該側壁的該反射結構由一ODR(全方位反射器)結構或一DBR(分佈布拉格反射)結構製成。
如請求項8之微發光二極體晶片，其中，該反射結構附著在該第一類型傳導層的一側壁表面及一底面兩者上。
如請求項15之微發光二極體晶片，其中，在該第一類型傳導層之該底面上的該反射結構導電，且<br/> 該微發光二極體晶片進一步包含形成在該反射結構之一底部且與該反射結構電氣連接的一底部連接結構。
如請求項8之微發光二極體晶片，其中，該反射結構經組配為可聚集光線於該第二類型傳導層上。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該至少一微發光二極體進一步包含：<br/> 附著在該第一類型傳導層之一底面上的一反射結構。
如請求項18之微發光二極體晶片，其中，該反射結構導電，且<br/> 該至少一微發光二極體進一步包含形成在該反射結構之一底部且與該反射結構電氣連接的一底部連接結構。
一種電子鎖裝置，用於限制一電動輔助車的一車輪轉動，包含有：<br/> 一阻擋單元；<br/> 一機電控制單元，耦接該阻擋單元，用來於接收一上鎖命令時控制該阻擋單元移動至一上鎖位置；<br/> 一感測器，用來偵測該阻擋單元的一位置，並產生一偵測結果；<br/> 一處理器，耦接於該感測器和該機電控制單元；以及<br/> 一記憶體，耦接於該處理器，用來儲存一程式碼，該程式碼指示該處理器於接收該上鎖命令時執行一電子鎖控制方法，該電子鎖控制方法包含有：<br/> 接收該偵測結果；<br/> 當該偵測結果指示該位置沒有位於該上鎖位置時，產生一調整訊號並傳送該調整訊號給該電動輔助車； <br/> 接收該電動輔助車根據該調整訊號調整該車輪後回應的一回應訊號；以及<br/> 根據該回應訊號，命令該機電控制單元控制該阻擋單元移動至該上鎖位置。
如請求項1所述之電子鎖裝置，其中該上鎖位置位於該車輪的相鄰二幅條之間，其中該相鄰二幅條相夾一第一角度。
如請求項2所述之電子鎖裝置，其中該電動輔助車根據該調整訊號調整該車輪的步驟包含：<br/> 命令該車輪轉動一第二角度，其中該第二角度小於該第一角度。
一種電動輔助車，包含有：<br/> 一電子鎖裝置，包含有：<br/> 一阻擋單元；<br/> 一機電控制單元，耦接該阻擋單元，用來於接收一上鎖命令時控制該阻擋單元移動至一上鎖位置以限制該電動輔助車的一車輪轉動；<br/> 一感測器，用來偵測該阻擋單元的一位置，並產生一偵測結果；<br/> 一處理器，耦接於該感測器和該機電控制單元；以及<br/> 一記憶體，耦接於該處理器，用來儲存一程式碼，該程式碼指示該處理器於接收該上鎖命令時執行一電子鎖控制方法，該電子鎖控制方法包含有：<br/> 接收該偵測結果；<br/> 當該偵測結果指示該位置沒有位於該上鎖位置時，產生一調整訊號； <br/> 接收該電動輔助車根據該調整訊號調整該車輪後回應的一回應訊號；以及<br/> 根據該回應訊號，命令該機電控制單元控制該阻擋單元移動至該上鎖位置；<br/> 一馬達；<br/> 一驅動模組；以及<br/> 一控制模組，耦接該驅動模組，該控制模組於接收該調整訊號時命令該驅動模組驅動該馬達以調整該車輪，並產生該回應訊號。
如請求項4所述之電動輔助車，其中該上鎖位置位於該車輪的相鄰二幅條之間，其中該相鄰二幅條相夾一第一角度。
如請求項5所述之電動輔助車，其中該驅動模組驅動該馬達以調整該車輪的步驟包含：<br/> 該驅動模組驅動該車輪轉動一第二角度，其中該第二角度小於該第一角度。
一種電子鎖控制方法，用於一電動輔助車和一電子鎖裝置，包含有：<br/> 偵測該電子鎖裝置的一阻擋單元的一位置，並產生一偵測結果；<br/> 當該偵測結果指示該位置沒有位於一上鎖位置時，產生一調整訊號； <br/> 根據該調整訊號調整該電動輔助車的一車輪後，控制該阻擋單元移動至該上鎖位置。
如請求項7所述之電子鎖控制方法，其中該上鎖位置位於該車輪的相鄰二幅條之間，其中該相鄰二幅條相夾一第一角度。
如請求項8所述之電子鎖控制方法，其中根據該調整訊號調整該車輪的步驟包含：<br/> 命令該車輪轉動一第二角度，其中該第二角度小於該第一角度。
一種樹脂組合物，其含有聚丁二烯， <br/>上述聚丁二烯中之1,2鍵結構與1,4鍵結構之莫耳比為60：40～100：0， <br/>於上述聚丁二烯中之一個以上之碳原子上鍵結有式(III)所表示之含磷基， <br/>[化1] <br/><img align="absmiddle" height="119px" width="169px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式(III)中，*表示鍵結位置，X <sup>1</sup>及X <sup>2</sup>分別獨立地表示單鍵或氧原子，R <sup>1</sup>及R <sup>2</sup>分別獨立地表示有機基) <br/>上述樹脂組合物用於印刷配線板之絕緣層。
如請求項1之樹脂組合物，其進而含有聚合起始劑。
如請求項1或2之樹脂組合物，其中僅於上述聚丁二烯中之末端之碳原子上鍵結有上述含磷基。
如請求項1或2之樹脂組合物，其中上述聚丁二烯之重量平均分子量為1,000～8,000。
如請求項1或2之樹脂組合物，其中上述聚丁二烯之分子量分佈為1.00～3.00。
一種預浸體，其含浸有如請求項1或2之樹脂組合物。
一種接著膜，其於支持膜上具有含有如請求項1或2之樹脂組合物之樹脂組合物層。
一種附有樹脂組合物之金屬箔，其於金屬箔上具有含有如請求項1或2之樹脂組合物之樹脂組合物層。
一種積層物，其具備 <br/>如請求項1或2之樹脂組合物之硬化物之層、及 <br/>金屬箔。
一種聚丁二烯，其中 <br/>聚丁二烯中之1,2鍵結構與1,4鍵結構之莫耳比為60：40～100：0， <br/>僅於上述聚丁二烯中之末端之碳原子上鍵結有式(III)所表示之含磷基， <br/>[化2] <br/><img align="absmiddle" height="119px" width="171px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式(III)中，*表示鍵結位置，X <sup>1</sup>及X <sup>2</sup>分別獨立地表示單鍵或氧原子，R <sup>1</sup>及R <sup>2</sup>分別獨立地表示有機基)。
一種如請求項10之聚丁二烯之製造方法，其包括： <br/>在溶劑及陰離子性起始劑存在下使1,3-丁二烯進行陰離子聚合之步驟、及 <br/>於上述步驟後使式(IV)所表示之化合物進行反應之步驟， <br/>[化3] <br/><img align="absmiddle" height="119px" width="165px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式(IV)中，X <sup>1</sup>、X <sup>2</sup>、R <sup>1</sup>及R <sup>2</sup>與式(III)中之定義相同，X <sup>3</sup>表示鹵素基或式「-OR <sup>3</sup>」所表示之基，R <sup>3</sup>表示有機基)。
一種電腦系統，其包含： <br/>一記憶體，其儲存電腦可執行組件；及 <br/>一處理器，其執行儲存於該記憶體中之該等電腦可執行組件，其中該等電腦可執行組件包含： <br/>一接收器組件，其自一源節點接收一量子輸入及與該量子輸入相關聯之一釋放準則； <br/>一運算組件，其在一緩衝環境中基於該量子輸入進行一運算以產生滿足該釋放準則之一結果；及 <br/>一輸出組件，其將該結果輸出至一接收器節點。
如請求項1之電腦系統，其中產生該結果包含在該緩衝環境中進行該運算至少一第一反覆以產生一第一結果。
如請求項2之電腦系統，其進一步包含： <br/>一更新組件，其基於該第一結果更新該量子輸入以產生一經更新量子輸入，使得在該緩衝環境中基於該經更新量子輸入進行該運算產生該結果。
如請求項3之電腦系統，其中若該結果不滿足一釋放準則，則該更新組件基於該結果進一步更新該經更新量子輸入。
如請求項1之系統，其中該接收器節點為一量子裝置或一傳統裝置。
如請求項1之電腦系統，其中該源節點為一量子裝置或一傳統裝置。
如請求項1之電腦系統，其中基於該釋放準則產生該結果提高一接收器節點進行運算之效率。
一種電腦實施方法，其包含： <br/>由以操作方式耦接至處理器之一系統自一源節點接收一量子輸入及與該量子輸入相關聯之一釋放準則； <br/>由該系統在一緩衝環境中基於該量子輸入進行一運算以產生滿足該釋放準則之一結果；及 <br/>由該系統將該結果輸出至一接收器節點。
如請求項8之電腦實施方法，其中產生該結果包含在該緩衝環境中進行該運算至少一第一反覆以產生一第一結果。
如請求項9之電腦實施方法，其進一步包含： <br/>由該系統基於該第一結果更新該量子輸入以產生一經更新量子輸入，使得在該緩衝環境中基於該經更新量子輸入進行該運算產生該結果。
如請求項10之電腦實施方法，其進一步包含： <br/>若該結果不滿足一釋放準則，則由該系統基於該結果更新該經更新量子輸入。
如請求項8之電腦實施方法，其中該接收器節點為一量子裝置或一傳統裝置。
如請求項8之電腦實施方法，其中該源節點為一量子裝置或一傳統裝置。
如請求項8之電腦實施方法，其中基於該釋放準則產生該結果提高一接收器節點進行運算之效率。
一種電腦程式產品，其用於使得緩衝器能夠用於量子中心超級運算中之串流，該電腦程式產品包含一電腦可讀儲存媒體，該電腦可讀儲存媒體具有與其一起體現之程式指令，該等程式指令可由一處理器執行以使得該處理器進行以下操作： <br/>由該處理器自一源節點接收一量子輸入及與該量子輸入相關聯之一釋放準則； <br/>由該處理器在一緩衝環境中基於該量子輸入進行一運算以產生滿足該釋放準則之一結果；及 <br/>由該處理器將該結果輸出至一接收器節點。
如請求項15之電腦程式產品，其中產生該結果包含在該緩衝環境中進行該運算至少一第一反覆以產生一第一結果。
如請求項16之電腦程式產品，其中該等程式指令可由該處理器進一步執行以使得該處理器進行以下操作： <br/>由該處理器基於該第一結果更新該量子輸入以產生一經更新量子輸入，使得在該緩衝環境中基於該經更新量子輸入進行該運算產生該結果。
如請求項17之電腦程式產品，其中該等程式指令可由該處理器進一步執行以使得該處理器進行以下操作： <br/>若該結果不滿足一釋放準則，則由該處理器基於該結果更新該經更新量子輸入。
如請求項15之電腦程式產品，其中該接收器節點為一量子裝置或一傳統裝置。
如請求項15之電腦程式產品，其中該源節點為一量子裝置或一傳統裝置。
一種護齒器，適合配戴於一上牙齒列，包括：<br/> 一基礎部，具有一第一側及與該第一側相對的一第二側；<br/> 一外周壁及一內周壁，分別沿著該基礎部的一外周緣側及一內周緣側形成，並且從該基礎部的該第一側突出，其中複數個齒槽部形成於該基礎部的該第一側，位於該外周壁及該內周壁之間，用於接收該上牙齒列中的各個牙齒；以及<br/> 兩個橫向限位部沿著該基礎部的該外周緣側形成，並且從該基礎部的該第二側突出，其中該兩個橫向限位部分別對應於該上牙齒列中的左右的犬齒，並且該兩個橫向限位部各自還沿著一前後方向橫跨該上牙齒列中的一組相鄰的犬齒和至少第1小臼齒，並覆蓋該組相鄰的犬齒和至少第1小臼齒的咬合面，其中該兩個橫向限位部各自的一最底部分比該基礎部的該第二側對應於該上牙齒列中的正門牙位置的部分更低。
如請求項1之護齒器，其中該兩個橫向限位部各自的一內側具有一斜坡面，用於接觸及引導下牙齒列中的對應下牙。
如請求項2之護齒器，其中該兩個橫向限位部各自沿著該前後方向進一步橫跨至該上牙齒列中的左、右的第2小臼齒的咬合面。
如請求項3之護齒器，其中該兩個橫向限位部各自的該斜坡面在對應於該上牙齒列中的該犬齒、該第1小臼齒及該第2小臼齒的位置處具有相似的坡度及高度。
如請求項3之護齒器，其中該兩個橫向限位部各自在對應於該上牙齒列中的該第1小臼齒及該第2小臼齒的位置處與該基礎部的該內周緣側間隔開。
如請求項1之護齒器，其中當從該基礎部的該第二側觀察時，該兩個橫向限位部各自的該最底部分與該基礎部的該外周緣側大致對齊。
如請求項1之護齒器，其中當從該護齒器的一前側觀察時，該兩個橫向限位部分的外側朝左右方向傾斜。
如請求項1之護齒器，其中該基礎部的該第二側與該兩個橫向限位部各自的該最底部分之間的一垂直距離約為3mm。
如請求項1之護齒器，其中該兩個橫向限位部延伸到該外周壁之一外側上。
如請求項1之護齒器，其中該基礎部、該外周壁、該內周壁以及該兩個橫向限位部具有相同的樹脂材料。
一種微發光二極體晶片，其包括多個微發光二極體，其中，<br/> 該等多個微發光二極體中之至少一微發光二極體包含：<br/> 一第一類型傳導層；<br/> 堆疊在該第一類型傳導層上的一第二類型傳導層；與<br/> 形成在該第一類型傳導層與該第二類型傳導層之間的一發光層，<br/> 其中，該發光層連續形成於整個微發光二極體晶片上，該等多個微發光二極體共享該發光層，<br/> 該第二類型傳導層的一底部邊緣與該第一類型傳導層的一頂部邊緣對齊，並且<br/> 該微發光二極體晶片進一步包含：<br/> 形成在該發光層與該第二類型傳導層之間的一頂部間隔體；以及<br/> 形成在該發光層與該第一類型傳導層之間的一底部間隔體。
如請求項1之微發光二極體晶片，<br/> 其中，該頂部間隔體的一邊緣與該發光層的一邊緣對齊，且<br/> 該底部間隔體的一邊緣與該發光層的該邊緣對齊。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該頂部間隔體的一厚度大於該發光層的一厚度，且該底部間隔體的一厚度大於該發光層的該厚度。
如請求項1之微發光二極體晶片，其進一步包含：在該至少一微發光二極體中，形成於該第二類型傳導層上且於該頂部間隔體之一頂面上的一微透鏡。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該第一類型傳導層的一頂部面積大於該第一類型傳導層的一底部面積，且該第二類型傳導層的一頂部面積小於該第二類型傳導層的一底部面積。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該發光層只包括一對量子阱層，或包括多對量子阱層。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該至少一微發光二極體進一步包含：包圍該第一類型傳導層而形成的一反射結構。
如請求項7之微發光二極體晶片，其中，在該至少一微發光二極體中，該反射結構附著在該第一類型傳導層的一側壁上，且<br/> 該至少一微發光二極體進一步包含形成在該第一類型傳導層之下且與該第一類型傳導層電氣連接的一底部連接結構。
如請求項8之微發光二極體晶片，其進一步包含：在該第一類型傳導層之下的一基體，且該基體藉由在該基體中的一連接墊與該底部連接結構電氣連接。
如請求項9之微發光二極體晶片，其中，該基體包括一IC電路。
如請求項9之微發光二極體晶片，其中，在該第一類型傳導層之該側壁上的該反射結構相對於該基體的一表面傾斜，且該反射結構相對於該基體之該表面的一傾斜角度大約為30度到大約75度。
如請求項8之微發光二極體晶片，其中，該底部連接結構由一反射性導電材料製成。
如請求項8之微發光二極體晶片，其中，在該第一類型傳導層之該側壁上的該反射結構有一弧形表面。
如請求項8之微發光二極體晶片，其中，在該第一類型傳導層之該側壁的該反射結構由一ODR(全方位反射器)結構或一DBR(分佈布拉格反射)結構製成。
如請求項7之微發光二極體晶片，其中，該反射結構附著在該第一類型傳導層的一側壁及一底面兩者上。
如請求項15之微發光二極體晶片，其中，在該第一類型傳導層之該底面上的該反射結構導電，且<br/> 該微發光二極體晶片進一步包含形成在該反射結構之一底部且與該反射結構電氣連接的一底部連接結構。
如請求項7之微發光二極體晶片，其中，該反射結構經組配為可聚集光線於該第二類型傳導層上。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該至少一微發光二極體進一步包含：<br/> 一反射結構，其附著在該第一類型傳導層之一底面上。
如請求項18之微發光二極體晶片，其中，該反射結構導電，且<br/> 該至少一微發光二極體進一步包含一底部連接結構，其形成在該反射結構之一底部且與該反射結構電氣連接。
如請求項1之微發光二極體晶片，其進一步包含：在該至少一微發光二極體中，一隔離層包圍該第一類型傳導層而形成且在該發光層之下，該隔離層由一光吸收材料製成。
一種微發光二極體晶片，其包括多個微發光二極體，其中，<br/> 該等多個微發光二極體中之至少一微發光二極體包含：<br/> 一第一類型傳導層；<br/> 堆疊在該第一類型傳導層上的一第二類型傳導層；與<br/> 形成在該第一類型傳導層與該第二類型傳導層之間的一發光層，<br/> 其中，該發光層連續形成於整個微發光二極體晶片上，該等多個微發光二極體共享該發光層，並且<br/> 其中，該第二類型傳導層垂直投影在該第一類型傳導層之一頂面上的一輪廓被該第一類型傳導層的一邊緣包圍，其中，該第二類型傳導層之一底面之面積小於該第一類型傳導層之該頂面之面積。
如請求項1之微發光二極體晶片，其進一步包含：<br/> 形成在該發光層之一頂面上的一頂部間隔體；<br/> 形成在該發光層之一底面上的一底部間隔體，<br/> 其中，該頂部間隔體的一邊緣與該發光層的一邊緣對齊，且<br/> 該底部間隔體的一邊緣與該發光層的該邊緣對齊。
如請求項2之微發光二極體晶片，其中，該頂部間隔體的一厚度大於該發光層的一厚度，且該底部間隔體的一厚度大於該發光層的該厚度。
如請求項2之微發光二極體晶片，其進一步包含：在該至少一微發光二極體中，形成於該第二類型傳導層上且於該頂部間隔體之一頂面上的一微透鏡。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該第一類型傳導層的一頂部面積大於該第一類型傳導層的一底部面積，且該第二類型傳導層的一頂部面積小於該第二類型傳導層的一底部面積。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該發光層只包括一對量子阱層，或包括多對量子阱層。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該至少一微發光二極體進一步包含：包圍該第一類型傳導層而形成的一反射結構。
如請求項7之微發光二極體晶片，其中，在該至少一微發光二極體中，該反射結構附著在該第一類型傳導層的一側壁上，且<br/> 該至少一微發光二極體進一步包含形成在該第一類型傳導層之下且與該第一類型傳導層電氣連接的一底部連接結構。
如請求項8之微發光二極體晶片，其進一步包含：在該第一類型傳導層之下的一基體，且該基體藉由在該基體中的一連接墊與該底部連接結構電氣連接。
如請求項9之微發光二極體晶片，其中，該基體包括一IC電路。
如請求項9之微發光二極體晶片，其中，在該第一類型傳導層之該側壁上的該反射結構相對於該基體的一表面傾斜，且該反射結構相對於該基體之該表面的一傾斜角度大約為30度到大約75度。
如請求項8之微發光二極體晶片，其中，該底部連接結構由一反射性導電材料製成。
如請求項8之微發光二極體晶片，其中，在該第一類型傳導層之該側壁上的該反射結構有一弧形表面。
如請求項8之微發光二極體晶片，其中，在該第一類型傳導層之該側壁的該反射結構由一ODR(全方位反射器)結構或一DBR(分佈布拉格反射)結構製成。
如請求項7之微發光二極體晶片，其中，該反射結構附著在該第一類型傳導層的一側壁及一底面兩者上。
如請求項15之微發光二極體晶片，其中，在該第一類型傳導層之該底面上的該反射結構導電，且<br/> 該微發光二極體晶片進一步包含形成在該反射結構之一底部且與該反射結構電氣連接的一底部連接結構。
如請求項7之微發光二極體晶片，其中，該反射結構經組配為可聚集光線於該第二類型傳導層上。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該至少一微發光二極體進一步包含：<br/> 附著在該第一類型傳導層之一底面上的一反射結構。
如請求項18之微發光二極體晶片，其中，該反射結構導電，且<br/> 該至少一微發光二極體進一步包含形成在該反射結構之一底部且與該反射結構電氣連接的一底部連接結構。
如請求項1之微發光二極體晶片，其進一步包含：在該至少一微發光二極體中，包圍該第一類型傳導層而形成且在該發光層之下的一隔離層，該隔離層由一光吸收材料製成。
一種微發光二極體晶片，其包括多個微發光二極體，其中，<br/> 該等多個微發光二極體中之至少一微發光二極體包含：<br/> 一第一類型傳導層；<br/> 堆疊在該第一類型傳導層上的一第二類型傳導層；與<br/> 形成在該第一類型傳導層與該第二類型傳導層之間的一發光層，<br/> 其中，該發光層連續形成於整個微發光二極體晶片上，該等多個微發光二極體共享該發光層，並且<br/> 其中，該第一類型傳導層垂直投影在該第二類型傳導層之一底面上的一輪廓被該第二類型傳導層的一邊緣包圍，其中，該第二類型傳導層之該底面之面積大於該第一類型傳導層之一頂面之面積。
如請求項1之微發光二極體晶片，其進一步包含：<br/> 形成在該發光層之一頂面上的一頂部間隔體；<br/> 形成在該發光層之一底面上的一底部間隔體，<br/> 其中，該頂部間隔體的一邊緣與該發光層的一邊緣對齊，且<br/> 該底部間隔體的一邊緣與該發光層的該邊緣對齊。
如請求項2之微發光二極體晶片，其中，該頂部間隔體的一厚度大於該發光層的一厚度，且該底部間隔體的一厚度大於該發光層的該厚度。
如請求項2之微發光二極體晶片，其進一步包含：在該至少一微發光二極體中，形成於該第二類型傳導層上且於該頂部間隔體之一頂面上的一微透鏡。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該第一類型傳導層的一頂部面積大於該第一類型傳導層的一底部面積，且該第二類型傳導層的一頂部面積小於該第二類型傳導層的一底部面積。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該發光層只包括一對量子阱層，或包括多對量子阱層。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該至少一微發光二極體進一步包含：包圍該第一類型傳導層而形成的一反射結構。
如請求項7之微發光二極體晶片，其中，在該至少一微發光二極體中，該反射結構附著在該第一類型傳導層的一側壁上，且<br/> 該至少一微發光二極體進一步包含形成在該第一類型傳導層之下且與該第一類型傳導層電氣連接的一底部連接結構。
如請求項8之微發光二極體晶片，其進一步包含：在該第一類型傳導層之下的一基體，且該基體藉由在該基體中的一連接墊與該底部連接結構電氣連接。
如請求項9之微發光二極體晶片，其中，該基體包括一IC電路。
如請求項9之微發光二極體晶片，其中，在該第一類型傳導層之該側壁上的該反射結構相對於該基體的一表面傾斜，且該反射結構相對於該基體之該表面的一傾斜角度大約為30度到大約75度。
如請求項8之微發光二極體晶片，其中，該底部連接結構由一反射性導電材料製成。
如請求項8之微發光二極體晶片，其中，在該第一類型傳導層之該側壁上的該反射結構有一弧形表面。
如請求項8之微發光二極體晶片，其中，在該第一類型傳導層之該側壁的該反射結構由一ODR(全方位反射器)結構或一DBR(分佈布拉格反射)結構製成。
如請求項7之微發光二極體晶片，其中，該反射結構經組配為可聚集光線於該第二類型傳導層上。
如請求項7之微發光二極體晶片，其中，該反射結構附著在該第一類型傳導層的一側壁表面及一底面兩者上。
如請求項16之微發光二極體晶片，其中，在該第一類型傳導層之該底面上的該反射結構導電，且<br/> 該微發光二極體晶片進一步包含形成在該反射結構之一底部且與該反射結構電氣連接的一底部連接結構。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該至少一微發光二極體進一步包含：<br/> 附著在該第一類型傳導層之一底面上的一反射結構。
如請求項18之微發光二極體晶片，其中，該反射結構導電，且<br/> 該至少一微發光二極體進一步包含形成在該反射結構之一底部且與該反射結構電氣連接的一底部連接結構。
如請求項1之微發光二極體晶片，其進一步包含：在該至少一微發光二極體中，包圍該第一類型傳導層而形成且在該發光層之下的一隔離層，該隔離層由一光吸收材料製成。
一種半導體封裝結構，包含：<br/> 一基板，包含一本體層、一破口部、一跨接部、至少一電源焊球、至少一接地焊球、至少一訊號焊球、至少一訊號走線部、至少一電源走線部及至少一接地走線部，該破口部貫穿該本體層，該跨接部自該本體層延伸橫跨該破口部，該至少一電源焊球固定安裝至該本體層上，該至少一接地焊球固定安裝至該本體層上，該至少一訊號焊球固定安裝至該本體層上，該至少一訊號走線部僅內嵌於該本體層內，該至少一電源走線部內嵌於該本體層及該跨接部內，該至少一接地走線部內嵌於該本體層及該跨接部內； <br/> 一半導體晶粒，固定安裝至該基板上，具有分別伸入該破口部內的至少一電源導接墊及至少一接地導接墊，該半導體晶粒更具有伸入該破口部內的至少一訊號導接墊；以及<br/> 一封裝體，將該基板及該半導體晶粒封裝為一體，<br/> 其中該至少一電源導接墊藉由一穿過該破口部的電源鍵合線電連接該至少一電源走線部，且該至少一接地導接墊藉由一穿過該破口部的接地鍵合線電連接該至少一接地走線部，並且該至少一訊號導接墊藉由一穿過該破口部的訊號鍵合線電連接該至少一訊號走線部。
如請求項1所述之半導體封裝結構，其中該本體層具有彼此相對的一正面與一背面，該至少一電源焊球及該至少一接地焊球分別位於該本體層的該正面上，且該半導體晶粒固定地覆蓋該本體層的該背面、該破口部及該跨接部。
如請求項1所述之半導體封裝結構，其中該跨接部分別連接該破口部的兩相對邊緣。
如請求項1所述之半導體封裝結構，其中該跨接部為直線形與十字形其中之一。
如請求項1所述之半導體封裝結構，其中該跨接部包含彼此正交的一第一條狀部及一第二條狀部，<br/> 其中該至少一電源焊球包括複數個電源焊球，該至少一電源走線部包括複數個電源走線部，該至少一接地走線部包括複數個接地走線部，該些電源走線部之一部分經過該第二條狀部伸入該第一條狀部，該些電源走線部之另一部分伸入該第一條狀部而不經過該第二條狀部，該至少一接地焊球包括複數個接地焊球，該些接地走線部之一部分經過該第二條狀部伸入該第一條狀部，該些接地走線部之另一部分伸入該第一條狀部而不經過該第二條狀部。
如請求項1所述之半導體封裝結構，其中該封裝體之一部分覆蓋該本體層之一正面、該破口部及該跨接部，該封裝體之另一部分覆蓋該本體層之一背面及該半導體晶粒。
如請求項1所述之半導體封裝結構，其中該跨接部將該破口部分隔成至少二個窗口，且該至少一電源導接墊及該至少一接地導接墊分別伸入該些窗口內。
如請求項1所述之半導體封裝結構，其中該跨接部沒有內嵌任何訊號走線部。
如請求項1所述之半導體封裝結構，其中該至少一電源走線部包含一第一電源指狀接點、一第二電源指狀接點及一電源跡線，該第一電源指狀接點固定安裝至該本體層上，該第二電源指狀接點固定安裝至該跨接部上，且該電源跡線內嵌於該跨接部及該本體層內，且分別耦接至該第一電源指狀接點及該第二電源指狀接點；以及<br/> 該至少一接地走線部包含一第一接地指狀接點、一第二接地指狀接點及一接地跡線，該第一接地指狀接點固定安裝至該本體層上，該第二接地指狀接點固定安裝至該跨接部上，且該接地跡線內嵌於該跨接部及該本體層內，且分別耦接至該第一接地指狀接點及該第二接地指狀接點。
一種半導體封裝結構，包含：<br/> 一本體層，該本體層中形成複數個細長溝槽，使得該本體層的一電源/接地區匹配地形成於該些細長溝槽之間；<br/> 至少一訊號走線部，僅內嵌於該本體層內；<br/> 至少一電源走線部及至少一接地走線部，分別內嵌於該電源/接地區內；<br/> 至少一電源焊球、至少一訊號焊球及至少一接地焊球，分別固定安裝至該本體層之正面上； <br/> 一半導體晶粒，固定安裝至該本體層相對該正面之背面，且具有至少一電源導接墊、至少一訊號導接墊及至少一接地導接墊，該至少一訊號導接墊伸入該些細長溝槽其中之一內，且該至少一訊號導接墊藉由穿過該些細長溝槽其中一個的一訊號鍵合線電連接該至少一訊號走線部；<br/> 一電源鍵合線，穿過該些細長溝槽的其中一個，並共同電連接該至少一電源導接墊及該至少一電源走線部；<br/> 一接地鍵合線，穿過該些細長溝槽的另一個，並共同電連接該至少一接地導接墊及該至少一接地走線部；以及<br/> 一封裝體，將該本體層及該半導體晶粒封裝為一體。
如請求項10所述之半導體封裝結構，其中該半導體晶粒固定地覆蓋該本體層之該背面及所有該些細長溝槽。
如請求項10所述之半導體封裝結構，其中該電源/接地區為直線形與十字形其中之一。
如請求項10所述之半導體封裝結構，其中該電源/接地區包含彼此正交的一第一條狀部及一第二條狀部，<br/> 其中該至少一電源焊球包括複數個電源焊球，該至少一電源走線部包括複數個電源走線部，該至少一接地走線部包括複數個接地走線部，該些電源走線部之一部分經過該第二條狀部而伸入該第一條狀部，該些電源走線部之另一部分伸入該第一條狀部而不經過該第二條狀部，該至少一接地焊球包括複數個接地焊球，該些接地走線部之一部分經過該第二條狀部伸入該第一條狀部，該些接地走線部之另一部分伸入該第一條狀部而不經過該第二條狀部。
如請求項10所述之半導體封裝結構，其中該封裝體之一部分覆蓋該本體層之該正面、該些細長溝槽及該電源/接地區，該封裝體之另一部分覆蓋該本體層之該背面及該半導體晶粒。
如請求項10所述之半導體封裝結構，其中該本體層之該電源/接地區位於該些細長溝槽之長邊之間；或者<br/> 該本體層之該電源/接地區位於該些細長溝槽之短邊之間。
如請求項10所述之半導體封裝結構，其中該本體層之該電源/接地區沒有內嵌任何訊號走線部。
如請求項10所述之半導體封裝結構，其中該至少一電源走線部包含一第一電源指狀接點、一第二電源指狀接點及一電源跡線，該第一電源指狀接點固定安裝至該本體層之該正面上，該第二電源指狀接點固定安裝至該電源/接地區上，且該電源跡線內嵌於該電源/接地區內，且分別耦接至該第一電源指狀接點及該第二電源指狀接點；以及<br/> 該至少一接地走線部包含一第一接地指狀接點、一第二接地指狀接點及一接地跡線，該第一接地指狀接點固定安裝至該本體層之該正面上，該第二接地指狀接點固定安裝至該電源/接地區上，且該接地跡線內嵌於該電源/接地區內，且分別耦接至該第一接地指狀接點及該第二接地指狀接點。
一種半導體封裝結構之製造方法，包含：<br/> 根據一佈局圖案，分別形成內嵌於一基板內的至少一電源走線部、至少一訊號走線部及至少一接地走線部； <br/> 根據該佈局圖案，形成複數個細長溝槽於該基板中，從而讓一電源/接地區被匹配地成形於該基板之該些細長溝槽之間，使得該電源走線部及該接地走線部能夠被刻意地內嵌於該電源/接地區內，且該訊號走線部沒有內嵌於該電源/接地區內； <br/> 固定安裝至少一電源焊球及至少一接地焊球在該基板上，並讓該電源焊球電性連接該電源走線部，以及讓該接地焊球電性連接該接地走線部；<br/> 將一半導體晶粒依附於該基板上，使得該半導體晶粒的至少一電源導接墊、至少一訊號導接墊及至少一接地導接墊分別伸入該些細長溝槽內；<br/> 透過一電源鍵合線將該電源走線部電連接至該電源導接墊；<br/> 透過一訊號鍵合線將該訊號走線部電連接至該訊號導接墊；<br/> 透過一接地鍵合線將該接地走線部電連接至該接地導接墊；以及<br/> 形成一封裝體並將該基板及該半導體晶粒封裝為一體。
一種用於計算一鄰接矩陣之一跡數近似的經電腦實施之方法，該經電腦實施之方法包含： <br/>藉由一電腦擷取與一複雜圖相關聯之一鄰接矩陣，其中該所擷取鄰接矩陣具有一第一維度； <br/>藉由該電腦基於該所擷取鄰接矩陣而判定一隨機向量，該隨機向量具有零之一期望值； <br/>藉由該電腦基於該所擷取鄰接矩陣及該所判定隨機向量而生成一矩陣向量； <br/>藉由該電腦基於該所擷取鄰接矩陣之該第一維度而判定一第一組自然數，其中該所判定之第一組自然數中的元素之一計數小於該所擷取鄰接矩陣之該第一維度； <br/>藉由該電腦基於該所判定之第一組自然數而自該所生成矩陣向量選擇一項目子組； <br/>藉由該電腦基於由該所選擇項目子組形成之正準外積之一總和而判定一對角隨機矩陣； <br/>藉由該電腦基於該所判定對角隨機矩陣及該所選擇項目子組而計算該鄰接矩陣之一跡數近似； <br/>藉由該電腦儲存該鄰接矩陣之該所計算跡數近似； <br/>藉由該電腦判定至少一個電子裝置之一運算能力；以及 <br/>藉由該電腦基於該電子裝置之該所判定運算能力而自該所生成矩陣向量選擇該項目子組。
如請求項1之經電腦實施之方法，其進一步包含藉由該電腦基於該鄰接矩陣之該所計算跡數近似而生成一圖分析問題之一解，其中該複雜圖與該圖分析問題相關聯。
如請求項2之經電腦實施之方法，其中該圖分析問題對應於以下中之一者：一圖遍歷問題、一網路路由問題、一社交網路分析問題、一蛋白質摺疊問題、一圖中心性問題、一排序問題或一圖分類問題。
如請求項1之經電腦實施之方法，其進一步包含藉由該電腦基於該所擷取鄰接矩陣、該所判定隨機向量及該第一組自然數而生成該矩陣向量，其中基於對不存在與來自該第一組自然數之一初始矩陣向量之至少一列相關聯的一對應列號之一判定，藉由該所生成矩陣向量中之一零列向量來更新該所擷取鄰接矩陣之至少一列。
如請求項1之經電腦實施之方法，其進一步包含： <br/>藉由該電腦偵測與由至少一個電子裝置執行之一或多個計算相關聯的一或多個錯誤；以及 <br/>藉由該電腦基於對該一或多個錯誤之該偵測而自該所生成矩陣向量選擇該項目子組。
如請求項1之經電腦實施之方法，其進一步包含： <br/>藉由該電腦基於該所判定之第一組自然數而自該所生成矩陣向量反覆地選擇該項目子組； <br/>藉由該電腦基於由該對應項目子組形成之該等正準外積之該總和而反覆地判定該對角隨機矩陣；以及 <br/>藉由該電腦基於一組中間結果之一平均值而計算該鄰接矩陣之該跡數近似，該組中間結果係基於對該項目子組之該反覆選擇及對該對角隨機矩陣之該反覆判定而獲得。
如請求項1之經電腦實施之方法，其中該所判定隨機向量之一方差等於1。
如請求項1之經電腦實施之方法，其中該隨機向量係基於一拉特馬赫分佈或一高斯分佈中之一者而取樣。
一種用於計算一鄰接矩陣之一跡數近似的經電腦實施之系統，其包含： <br/>處理器組，其經組態以： <br/>擷取與一複雜圖相關聯之一鄰接矩陣，其中該所擷取鄰接矩陣具有一第一維度； <br/>基於該所擷取鄰接矩陣而判定一隨機向量，該隨機向量具有零之一期望值； <br/>基於該所擷取鄰接矩陣及該所判定隨機向量而生成一矩陣向量； <br/>基於該所擷取鄰接矩陣之該第一維度而判定一第一組自然數，其中該所判定之第一組自然數中的元素之一計數小於該所擷取鄰接矩陣之該第一維度； <br/>基於該所判定之第一組自然數而自該所生成矩陣向量選擇一項目子組； <br/>基於由該所選擇項目子組形成之正準外積之一總和而判定一對角隨機矩陣； <br/>基於該所判定對角隨機矩陣及該所選擇項目子組而計算該鄰接矩陣之一跡數近似； <br/>儲存該鄰接矩陣之該所計算跡數近似； <br/>判定該系統之一運算能力；以及 <br/>基於該系統之該所判定運算能力而自該所生成矩陣向量選擇該項目子組。
如請求項9之系統，其中該處理器組進一步經組態以基於該鄰接矩陣之該所計算跡數近似而生成一圖分析問題之一解，其中該複雜圖與該圖分析問題相關聯。
如請求項10之系統，其中該圖分析問題對應於以下中之一者：一圖遍歷問題、一網路路由問題、一社交網路分析問題、一蛋白質摺疊問題、一圖中心性問題、一排序問題或一圖分類問題。
如請求項9之系統，其中該處理器組進一步經組態以基於該所擷取鄰接矩陣、該所判定隨機向量及該第一組自然數而生成該矩陣向量，其中基於對不存在與來自該第一組自然數之一初始矩陣向量之至少一列相關聯的對應列號之一判定，藉由該所生成矩陣向量中之一零列向量來更新該所擷取鄰接矩陣之至少一列。
如請求項9之系統，其中該處理器組進一步經組態以： <br/>偵測與由該系統執行之一或多個計算相關聯的一或多個錯誤；以及 <br/>基於對該一或多個錯誤之該偵測而自該所生成矩陣向量選擇該項目子組。
如請求項9之系統，其中該處理器組進一步經組態以： <br/>基於該所判定之第一組自然數而自該所生成矩陣向量反覆地選擇該項目子組； <br/>基於由該對應項目子組形成之該等正準外積之該總和而反覆地判定該對角隨機矩陣；以及 <br/>基於一組中間結果之一平均值而計算該鄰接矩陣之該跡數近似，該組中間結果係基於對該項目子組之該反覆選擇及對該對角隨機矩陣之該反覆判定而獲得。
如請求項9之系統，其中該處理器組進一步經組態以： <br/>基於處理器組資訊而自該所生成矩陣向量選擇一項目子組，其中該處理器組資訊指示該處理器組中之處理器之一計數；以及 <br/>基於由該所選擇項目子組形成之正準外積之該總和而判定該對角隨機矩陣。
如請求項9之系統，其中該所判定隨機向量之一方差等於1。
如請求項9之系統，其中該隨機向量係基於以下中之一者而取樣：一拉特馬赫分佈或一高斯分佈。
一種用於計算一鄰接矩陣之一跡數近似的電腦程式產品，該電腦程式產品包含一電腦可讀儲存媒體，該電腦可讀儲存媒體具有以此體現之程式指令，該等程式指令可由一系統執行以使得該系統： <br/>擷取與一複雜圖相關聯之該鄰接矩陣，其中該所擷取鄰接矩陣具有一第一維度； <br/>基於該所擷取鄰接矩陣而判定一隨機向量，該隨機向量具有零之一期望值； <br/>基於該所擷取鄰接矩陣及該所判定隨機向量而生成一矩陣向量； <br/>基於該所擷取鄰接矩陣之該第一維度而判定一第一組自然數，其中該所判定之第一組自然數中的元素之一計數小於該所擷取鄰接矩陣之該第一維度； <br/>基於該所判定之第一組自然數而自該所生成矩陣向量選擇一項目子組； <br/>基於由該所選擇項目子組形成之正準外積之一總和而判定一對角隨機矩陣； <br/>基於該所判定對角隨機矩陣及該所選擇項目子組而計算該鄰接矩陣之該跡數近似； <br/>儲存該鄰接矩陣之該所計算跡數近似； <br/>判定該系統之一運算能力；以及 <br/>基於該系統之該所判定運算能力而自該所生成矩陣向量選擇該項目子組。
一種用於計算一鄰接矩陣之一跡數近似的經電腦實施之系統，其包含： <br/>處理器組，其經組態以： <br/>擷取與一複雜圖相關聯之一鄰接矩陣，其中該所擷取鄰接矩陣具有一第一維度； <br/>基於該所擷取鄰接矩陣而判定與該系統之一運算能力或對與由該系統執行之一或多個計算相關聯之一或多個錯誤的偵測中之至少一者相關聯的至少一個觸發點； <br/>基於該所擷取鄰接矩陣及該所判定之至少一個觸發點而判定一隨機向量，該隨機向量具有零之一期望值； <br/>基於該所擷取鄰接矩陣及該所判定隨機向量而生成一矩陣向量； <br/>基於該所擷取鄰接矩陣之該第一維度而判定一第一組自然數，其中該所判定之第一組自然數中的元素之一計數小於該所擷取鄰接矩陣之該第一維度； <br/>基於該所判定之第一組自然數而自該所生成矩陣向量選擇一項目子組； <br/>基於由該所選擇項目子組形成之正準外積之一總和而判定一對角隨機矩陣； <br/>基於該所判定對角隨機矩陣及該所選擇項目子組而計算該鄰接矩陣之一跡數近似； <br/>儲存該鄰接矩陣之該所計算跡數近似； <br/>判定該系統之一運算能力；以及 <br/>基於該系統之該所判定運算能力而自該所生成矩陣向量選擇該項目子組。
如請求項19之系統，其中該處理器組進一步經組態以基於該鄰接矩陣之該所計算跡數近似而生成一圖分析問題之一解，其中該複雜圖與該圖分析問題相關聯。
如請求項20之系統，其中該圖分析問題對應於以下中之一者：一圖遍歷問題、一網路路由問題、一社交網路分析問題、一蛋白質摺疊問題、一圖中心性問題、一排序問題或一圖分類問題。
如請求項19之系統，其中該處理器組進一步經組態以： <br/>比較該系統之該運算能力與一預定運算能力臨限值；以及 <br/>基於該比較而判定至少一個觸發點。
一種用於計算一鄰接矩陣之一跡數近似的經電腦實施之方法，該經電腦實施之方法包含： <br/>藉由一電腦擷取與一複雜圖相關聯之一鄰接矩陣，其中該所擷取鄰接矩陣具有一第一維度； <br/>藉由該電腦基於該所擷取鄰接矩陣而判定與該電腦之一運算能力或對與由該電腦執行之一或多個計算相關聯之一或多個錯誤的偵測中之至少一者相關聯的至少一個觸發點； <br/>藉由該電腦基於該所擷取鄰接矩陣及該所判定之至少一個觸發點而判定一隨機向量，該隨機向量具有零之一期望值； <br/>藉由該電腦基於該所擷取鄰接矩陣及該所判定隨機向量而生成一矩陣向量； <br/>藉由該電腦基於該所擷取鄰接矩陣之該第一維度而判定一第一組自然數，其中該所判定之第一組自然數中的元素之一計數小於該所擷取鄰接矩陣之該第一維度； <br/>藉由該電腦基於該所判定之第一組自然數而自該所生成矩陣向量選擇一項目子組； <br/>藉由該電腦基於由該所選擇項目子組形成之正準外積之一總和而判定一對角隨機矩陣； <br/>藉由該電腦基於該所判定對角隨機矩陣及該所選擇項目子組而計算該鄰接矩陣之一跡數近似； <br/>藉由該電腦儲存該鄰接矩陣之該所計算跡數近似； <br/>判定該系統之一運算能力；以及 <br/>基於該系統之該所判定運算能力而自該所生成矩陣向量選擇該項目子組。
一種電源供應器，包含： 一轉換電路，耦接於一輸入端，以將一輸入電壓轉換為一輸出電壓，其中該轉換電路包含一功率開關，且該功率開關用以根據一控制訊號調整該輸出電壓； <br/>一測量電路，耦接於該輸入端，以測量該輸入端的一輸入電流，其中該測量電路用以根據該輸入電流計算複數個諧波參數，且該些諧波參數對應於複數個諧波頻率；以及 <br/>一控制電路，耦接於該轉換電路及該測量電路，且用以根據該輸入電壓產生對應於該些諧波頻率的複數個倍頻訊號； <br/>其中當該輸入電流在複數個測量週期間的一變化率大於一預設值時，該控制電路用以根據該些倍頻訊號及該些諧波參數產生一電流補償訊號，且根據該電流補償訊號產生該控制訊號。
如請求項1所述之電源供應器，其中該電流補償訊號包含一第一電流補償訊號及一第二電流補償訊號，且該控制電路用以自該轉換電路接收一回授電壓，以根據該回授電壓產生一理想電流訊號；以及 其中該控制電路根據該些倍頻訊號及該些諧波參數產生該第一電流補償訊號及該第二電流補償訊號，且用以將該第一電流補償訊號及該第二電流補償訊號依序地加入該理想電流訊號，以依序地調整該控制訊號。
如請求項2所述之電源供應器，其中該些倍頻訊號包含一低倍頻訊號及一高倍頻訊號，該控制電路係先根據該低倍頻訊號產生一第一控制訊號，再根據該高倍頻訊號產生一第二控制訊號。
如請求項1所述之電源供應器，其中該些測量週期包含一第一測量週期及一第二測量週期，且該控制電路於該第一測量週期中以至少一第一電流補償訊號產生該控制訊號；以及 <br/>其中當該輸入電流在該第一測量週期及該第二測量週期間的該變化率小於該預設值時，該控制電路維持使用該至少一第一電流補償訊號產生該控制訊號。
如請求項4所述之電源供應器，其中該第一測量週期及該第二測量週期的任一者的時間大於或等於該輸入電壓的一電壓週期。
如請求項1所述之電源供應器，其中該控制電路用以將該電流補償訊號與該轉換電路的一回授電流相比較，以產生一校正電流，且根據該校正電流產生該控制訊號。
如請求項1所述之電源供應器，其中該些倍頻訊號的頻率為該輸入電壓的頻率的整數倍。
一種功率因數校正方法，包含： <br/>透過一測量電路，取得一轉換電路的一輸入電流； <br/>透過一控制電路，判斷該輸入電流的一變化率是否大於一預設值； <br/>在該變化率大於該預設值時，自該測量電路接收複數個諧波參數，其中該些諧波參數對應於複數個諧波頻率； <br/>透過該控制電路，根據該轉換電路的一輸入電壓產生對應於該些諧波頻率的複數個倍頻訊號；以及 <br/>根據該些倍頻訊號及該些諧波參數產生一電流補償訊號，且根據該電流補償訊號產生一控制訊號，其中該控制訊號用以控制該轉換電路的一功率開關，以調整該轉換電路的一輸出電壓。
如請求項8所述之功率因數校正方法，其中該電流補償訊號包含一第一電流補償訊號及一第二電流補償訊號，且根據該些倍頻訊號及該些諧波參數產生該電流補償訊號，且根據該電流補償訊號產生該控制訊號的方法包含： <br/>自該轉換電路接收一回授電壓，以根據該回授電壓產生一理想電流訊號；以及 <br/>將該第一電流補償訊號及該第二電流補償訊號依序地加入該理想電流訊號，以依序地調整該控制訊號。
如請求項9所述之功率因數校正方法，其中將該第一電流補償訊號及該第二電流補償訊號依序地加入該理想電流訊號，以依序地調整該控制訊號的方法包含： <br/>先根據該些倍頻訊號的一低倍頻訊號產生第一控制訊號，再根據該些倍頻訊號的一高倍頻訊號產生一第二控制訊號。
如請求項8所述之功率因數校正方法，其中判斷該輸入電流的該變化率是否大於該預設值的方法包含： <br/>計算該輸入電流於一第一測量週期及一第二測量週期之間的差異，以作為該變化率，其中該控制電路於該第一測量週期中以至少一第一電流補償訊號產生該控制訊號； <br/>在該變化率小於該預設值時，維持使用該至少一第一電流補償訊號產生該控制訊號。
如請求項11所述之功率因數校正方法，其中該第一測量週期及該第二測量週期的任一者的時間大於或等於該輸入電壓的一電壓週期。
如請求項8所述之功率因數校正方法，其中根據該些倍頻訊號及該些諧波參數產生該電流補償訊號，且根據該電流補償訊號產生該控制訊號的方法包含： <br/>將該電流補償訊號與該轉換電路的一回授電流相比較，以產生一校正電流；以及 <br/>根據該校正電流產生該控制訊號。
如請求項8所述之功率因數校正方法，其中該些倍頻訊號的頻率為該輸入電壓的頻率的整數倍。
一種電源供應器，包含： <br/>一轉換電路，耦接於一輸入端，以將一輸入電壓轉換為一輸出電壓，其中該轉換電路包含一功率開關，且該功率開關用以根據一控制訊號調整該輸出電壓； <br/>一測量電路，耦接於該輸入端，以測量該輸入端的一輸入電流，其中該測量電路用以根據該輸入電流計算複數個諧波參數，且該些諧波參數對應於複數個諧波頻率；以及 <br/>一控制電路，耦接於該轉換電路及該測量電路，且用以根據該輸入電壓產生對應於該些諧波頻率的複數個倍頻訊號，其中該控制電路還用以根據該些倍頻訊號的每一者及該些諧波參數的對應一者，依序產生複數個電流補償訊號，且根據該些電流補償訊號依序校正該控制訊號。
如請求項15所述之電源供應器，其中該些倍頻訊號包含一低倍頻訊號及一高倍頻訊號，該控制電路係先根據該低倍頻訊號產生一第一控制訊號，再根據該高倍頻訊號產生一第二控制訊號。
如請求項16所述之電源供應器，其中該控制電路根據該低倍頻訊號產生該第一控制訊號後，該控制電路在經過該輸入電壓的一電壓週期後，再產生該第二控制訊號。
如請求項15所述之電源供應器，其中該控制電路於一第一測量週期中以至少一第一電流補償訊號校正該控制訊號，在一第二測量週期中，當該輸入電流的一變化率小於一預設值時，該控制電路維持使用該至少一第一電流補償訊號校正該控制訊號。
如請求項15所述之電源供應器，其中該控制電路用以將該電流補償訊號與該轉換電路的一回授電流相比較，以產生一校正電流，且根據該校正電流產生該控制訊號。
如請求項15所述之電源供應器，其中該些倍頻訊號的頻率為該輸入電壓的頻率的整數倍。
一種半導體元件，包括： <br/>一基底； <br/>一汲極，設置在該基底中； <br/>一上介電層，設置在該基底上； <br/>一單元接觸結構，包括： <br/>一單元接觸下導電層，設置在該上介電層中以及在該汲極上； <br/>一單元接觸上導電層，設置在該上介電層中以及在該單元接觸下導電層上；以及 <br/>一單元接觸上密封層，設置在該上介電層中、在該單元接觸下導電層上，以及圍繞該單元接觸上導電層，其中該單元接觸上密封層包含氧化矽或氮化矽； <br/>一字元線結構，設置在該汲極中並具有一字元線罩蓋層，其中該字元線罩蓋層具有一錐形截面輪廓；以及 <br/>一第一氣隙，設置在該上介電層中並圍繞該單元接觸下導電層。
如請求項1所述之半導體元件，其中該第一氣隙包括一頂視圖中的一環形截面輪廓。
如請求項2所述之半導體元件，其中該單元接觸上密封層包括一頂視圖中的一環形截面輪廓。
如請求項3所述之半導體元件，其中該單元接觸上密封層的一厚度大於該第一氣隙的一厚度。
如請求項4所述之半導體元件，還包括一位元線結構，設置在該基底上並鄰近該單元接觸結構。
如請求項5所述之半導體元件，還包括一第一位元線間隙子，設置在該位元線結構的一側壁上以及設置在該單元接觸結構與該位元線結構之間。
如請求項6所述之半導體元件，其中該第一位元線間隙子包含未摻雜氧化物或氮化矽。
如請求項7所述之半導體元件，其中該單元接觸下導電層包含多晶矽、多晶鍺、多晶矽鍺、摻雜多晶矽、摻雜多晶鍺、摻雜多晶矽鍺或其組合。
如請求項8所述之半導體元件，其中該單元接觸上導電層包含鎢、鈷、鋯、鉭、鈦、鋁、釕、銅、金屬碳化物、金屬氮化物、過渡金屬鋁化物或其組合。
如請求項1所述之半導體元件，其中該字元線結構還具有一接觸間隙子，設置在該汲極與該字元線罩蓋層之間。
如請求項1所述之半導體元件，還包括一共源極，設置在該基底中並透過該字元線結構而與該汲極間隔開。
如請求項11所述之半導體元件，還包括一位元線結構，設置在該上介電層中以及在該共源極上。
如請求項12所述之半導體元件，還包括一第一位元線間隙子，設置在該位元線結構的一側壁上以及在該單元接觸結構與該位元線結構之間。
一種半導體元件，包括： <br/>一基底； <br/>一汲極，設置在該基底中； <br/>一上介電層，設置在該基底上； <br/>一單元接觸結構，包括： <br/>一單元接觸下導電層，設置在該上介電層中以及在該汲極上； <br/>一單元接觸上導電層，設置在該上介電層中以及在該單元接觸下導電層上；以及 <br/>一單元接觸上密封層，設置在該上介電層中、在該單元接觸下導電層上，以及圍繞該單元接觸上導電層，其中該單元接觸上密封層包含氧化矽或氮化矽； <br/>一字元線結構，設置在該汲極中並具有一字元線罩蓋層，其中該字元線罩蓋層具有一錐形截面輪廓； <br/>一第一氣隙，設置在該上介電層中並圍繞該單元接觸下導電層； <br/>一共源極，設置在該基底中並透過該字元線結構而與該汲極間隔開； <br/>一位元線結構，設置在該上介電層中以及在該共源極上； <br/>一第一位元線間隙子，設置在該位元線結構的一側壁上以及在該單元接觸結構與該位元線結構之間；以及 <br/>一第三位元線間隙子，設置在該第一位元線間隙子上。
如請求項14所述之半導體元件，還包括一第二氣隙，設置在該第一位元線間隙子與該第三位元線間隙子之間。
如請求項15所述之半導體元件，還包括一位元線接觸件，設置在該位元線結構與該共源極之間。
如請求項1所述之半導體元件，其中該字元線罩蓋層具有一梯形截面輪廓。
一種紡織品，該紡織品包括一複合結構，該複合結構包括： <br/>一襯底層； <br/>一膜層，當其暴露於水分時在尺寸上變換，該膜層固定到該襯底層的第一表面；及 <br/>多條狹縫，延伸穿過該複合結構的厚度，該多條狹縫從共同的一第一端徑向地向外延伸以形成多個翼片。
如請求項1的紡織品，其中該多條狹縫的數量為奇數數量。
如請求項2的紡織品，其中該多條狹縫彼此間等距配置。
如請求項1的紡織品，還包括固定到該複合結構的支撐層，該支撐層與該膜層成面共享關係。
如請求項4的紡織品，其中該支撐層沿著該支撐層的一個或多個周邊邊緣固定到該複合結構。
如請求項5的紡織品，其中該支撐層包括網狀材料或間隔網狀材料中的一種。
如請求項5的紡織品，其中該支撐層包括羊毛材料。
如請求項7的紡織品，其中該羊毛材料包括一個或多個開口，該一個或多個開口的至少一部分與該多條狹縫的至少一部分軸向對齊。
如請求項1的紡織品，其中該襯底層包括針織紡織品、非織造紡織品或織造紡織品中的一種。
如請求項1的紡織品，其中該膜層是熱塑性材料。
如請求項10的紡織品，其中該熱塑性材料是熱塑性聚酯彈性體（TPEE）。
如請求項1的紡織品，其中該膜層的整體固定到該襯底層的該第一表面。
如請求項12的紡織品，其中該膜層粘合到該襯底層。
一種微發光二極體晶片，其包括多個微發光二極體，其中，<br/> 該等多個微發光二極體中之至少一微發光二極體包含：<br/> 一第一類型傳導層；<br/> 堆疊在該第一類型傳導層上的一第二類型傳導層；與<br/> 形成在該第一類型傳導層與該第二類型傳導層之間的一發光層，<br/> 其中，該發光層連續形成於整個微發光二極體晶片上，該等多個微發光二極體共享該發光層，<br/> 該微發光二極體晶片進一步包含：<br/> 形成在該發光層之一頂面上的一頂部間隔體；<br/> 形成在該發光層之一底面上的一底部間隔體，其中，該頂部間隔體的一邊緣與該發光層的一邊緣對齊，且該底部間隔體的一邊緣與該發光層的該邊緣對齊；及<br/> 形成在相鄰的微發光二極體之間的一隔離結構，其中，該隔離結構的至少一部份形成在該發光層中，<br/> 該隔離結構的一頂面與該發光層的一頂部對齊，且該隔離結構的一底面在該底部間隔體的一底面之上且在該發光層之下。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該隔離結構的一頂面面積等於該隔離結構的一底面面積。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該隔離結構的一頂面面積大於該隔離結構的一底面面積。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該隔離結構的一頂面面積小於該隔離結構的一底面面積。
如請求項4之微發光二極體晶片，其中，該隔離結構在該發光層與該底部間隔體之間之一介面的一橫截面面積大於該隔離結構的該底面面積。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該隔離結構由一光吸收材料製成。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該隔離結構由一反射材料製成。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該第一類型傳導層的一頂部面積大於該第一類型傳導層的一底部面積，且該第二類型傳導層的一頂部面積小於該第二類型傳導層的一底部面積。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該發光層只包括一對量子阱層，或包括多對量子阱層。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該頂部間隔體的一厚度大於該發光層的一厚度，且該底部間隔體的一厚度大於該發光層的該厚度。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該至少一微發光二極體進一步包含：包圍該第一類型傳導層而形成的一反射結構。
如請求項11之微發光二極體晶片，其中，在該至少一微發光二極體中，該反射結構附著在該第一類型傳導層的一側壁上，且<br/> 該至少一微發光二極體進一步包含形成在該第一類型傳導層之下且與該第一類型傳導層電氣連接的一底部連接結構。
如請求項12之微發光二極體晶片，其進一步包含：在該第一類型傳導層之下的一基體，且該基體藉由在該基體中的一連接墊與該底部連接結構電氣連接。
如請求項12之微發光二極體晶片，其中，在該第一類型傳導層之該側壁上的該反射結構有一弧形表面。
如請求項13之微發光二極體晶片，其中，在該第一類型傳導層之該側壁上的該反射結構相對於該基體的一表面傾斜，且該反射結構的一傾斜角度大約為30度到大約75度。
如請求項12之微發光二極體晶片，其中，該反射結構附著在該第一類型傳導層的該側壁及一底面兩者上。
如請求項12之微發光二極體晶片，其中，在該第一類型傳導層之該側壁的該反射結構由一ODR(全方位反射器)結構或一DBR(分佈布拉格反射)結構製成。
如請求項11之微發光二極體晶片，其中，在該至少一微發光二極體中，該反射結構經組配為可聚集光線於該第二類型傳導層上。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該至少一微發光二極體進一步包含：<br/> 附著在該第一類型傳導層之一底面上的一反射結構。
如請求項1之微發光二極體晶片，其進一步包含：在該至少一微發光二極體中，形成於該第二類型傳導層上且於該頂部間隔體之一頂面上的一微透鏡。
一種密封罐之罐蓋結構，係包括一罐蓋，以及一組設在所述罐蓋的吸濕塊；其中，所述罐蓋的端面的下表面設有一開口朝下開放式容槽；所述吸濕塊呈一體式塊狀體，該一體式之所述吸濕塊容設於所述開放式容槽內，並與所述容槽周壁呈緊迫配合卡設；所述罐蓋對應接觸一罐身的端面的表面處，一體形成有一道以上的環狀形變阻氣圈；於所述罐蓋與所述罐身鎖緊狀態下，使所述環狀形變阻氣圈受到鎖緊壓力產生形變，並與所述罐身的端面緊密貼合形成密封。
如請求項1所述密封罐之罐蓋結構，其中，所述吸濕塊的周側套設有彈性環。
如請求項2如上所述之密封罐之罐蓋結構，其中，所述彈性環的上段或/及下段設有徑向外凸的卡環。
如請求項1、2或3如上所述之密封罐之罐蓋結構，其中，所述容槽的周壁表面設有多數個朝所述容槽中心凸出的夾持件，所述夾持件呈凸片狀，所述夾持件在末梢處形成有往所述容槽之中心凸出的卡掣部。
如請求項4如上所述之密封罐之罐蓋結構，其中，所述端面的上表面設有淺槽，所述淺槽蓋合一蓋板，在所述淺槽所述蓋板所界定的空間中容置有吸濕變色顯示材，所述端面對應所述淺槽處設有貫穿所述端面厚度的孔洞，所述容槽經所述孔洞與所述淺槽連通。
如請求項5所述之密封罐之罐蓋結構，其中，所述端面的上表面設有日期標示部件。
如請求項6所述之密封罐之罐蓋結構，其中，所述日期標示部件包括月標示區與日標示區，所述月標示區記載數字1-12，所述日標示區記載數字1-31，所述日期標示部件還包括月指示件、日指示件，所述月指示件上具有月選定孔，所述日指示件上具有日選定孔；所述月指示件能在所述月標示區的範圍移動，並藉所述日選定孔選定所述月標示區之數字1-12中的任一數字；所述日指示件則能在所述日標示區的範圍移動，且透過所述日選定孔選定所述日標示區之數字1-31中的任一數字。
如請求項1所述之密封罐之罐蓋結構，其中，所述環狀形變阻氣圈係凸出於所述罐蓋表面且尖角朝向所述罐身的端面的環狀尖角圈。
如請求項8所述之密封罐之罐蓋結構，其中，所述尖角的角度介於30～60度之間。
一種蒸氣鍋爐節省燃料調控裝置，包含：<br/> 一加熱單元，包括一加熱模組；<br/> 一第一導熱單元，包括一與該加熱模組連接的第一導熱主體，及一容置於該第一導熱主體中的第一導熱介質，該第一導熱介質中具有蓖麻油，該第一導熱介質的重量百分比為100%，該蓖麻油的重量百分比介於20%～100%；及<br/> 一受熱單元，包括一與該第一導熱主體連接的受熱主體，及一容置於該受熱主體中的受熱介質，該第一導熱介質儲存該加熱模組提供的熱量，並將熱量傳導至該受熱介質；<br/> 該第一導熱主體具有一與該加熱模組連接的第一導熱容器，及一與該第一導熱容器連接的第一導熱管件，該第一導熱管件的入水端與出水端皆與該第一導熱容器連接，以使該第一導熱介質從該第一導熱容器流進該第一導熱管件後再流回該第一導熱容器，該第一導熱管件延伸至該受熱主體的內部，該第一導熱管件外表面與該受熱介質接觸，該第一導熱管件將該第一導熱介質的熱量傳導至該受熱介質。
如請求項1所述蒸氣鍋爐節省燃料調控裝置，其中，該受熱主體具有一設置於該第一導熱主體中的受熱管件，該受熱管件外表面與該第一導熱介質接觸。
如請求項1所述蒸氣鍋爐節省燃料調控裝置，更包含一第二導熱單元，該第二導熱單元包括一與該第一導熱主體和該受熱主體連接的第二導熱主體，及一容置於該第二導熱主體中的第二導熱介質，該第二導熱主體的外表面分別與該第一導熱介質與該受熱介質接觸，以藉由該第二導熱介質將該第一導熱介質的熱量傳導至該受熱介質。
如請求項3所述蒸氣鍋爐節省燃料調控裝置，其中，該第二導熱單元更包括一與該第二導熱主體連接的排氣結構，該排氣結構設置於該受熱主體內部，以將該第二導熱介質排入該受熱介質中。
如請求項3所述蒸氣鍋爐節省燃料調控裝置，更包含一導熱單元，該導熱單元包括一石墨烯導熱層，該石墨烯導熱層設置於該加熱模組、該第一導熱主體、該受熱主體、該第二導熱主體其中之一或其組合的表面。
如請求項1所述蒸氣鍋爐節省燃料調控裝置，其中，該第一導熱單元更包括一與該第一導熱主體連接的第一液位控制模組，該第一液位控制模組用於控制該第一導熱主體中第一導熱介質的高度，該受熱單元更包括一與該受熱主體連接的受熱液位控制模組，該受熱液位控制模組用於控制該受熱主體中受熱介質的高度。
如請求項1所述蒸氣鍋爐節省燃料調控裝置，其中，該受熱單元更包括一與該受熱主體連接的受熱壓力控制模組。
如請求項1所述蒸氣鍋爐節省燃料調控裝置，其中，該第一導熱介質中還具有選自於植物提煉油、動物提煉油、蓖麻精煉油、甘油、礦物油、聚α-烯烴PAO、酯類、矽油、氟油、降低摩擦的流動點降低劑、抗乳化的清淨分散添加劑、防止變質的極壓添加劑、防腐蝕添加劑、抗氧化添加劑、防起泡添加劑、酸中和劑、著色劑的其中之一或其組合。
如請求項1所述蒸氣鍋爐節省燃料調控裝置，其中，該第一導熱單元更包括一與該第一導熱介質連接的第一溫度偵測模組，及一與該第一溫度偵測模組和該加熱模組連接的第一溫度控制模組，該第一溫度偵測模組用於偵測該第一導熱介質的溫度，該第一溫度控制模組用於控制該第一導熱介質的溫度。
一種自我競爭型引子，其相較於一參考核酸可專一擴增一突變核酸，其中該突變核酸及該參考核酸在一選定位置分別具有一變異核苷酸及一參考核苷酸；該自我競爭型引子由5’端到3’端包含： <br/>一錨定域，其核苷酸序列與該選定位置之上游區域的核苷酸序列相同，其中該上游區域與該選定位置間隔15到40個核苷酸； <br/>一阻斷域，其由5’端到3’端包含： <br/>至少二個位於該選定位置之前的核苷酸； <br/>該參考核苷酸；以及 <br/>至少二個位於該選定位置之後的核苷酸； <br/>一延長域，其由5’端到3’端包含： <br/>至少八個位於該選定位置之前的核苷酸；以及 <br/>該變異核苷酸；且 <br/>所述自我競爭型引子的長度為40到80個核苷酸。
如請求項1所述之自我競爭型引子，其中該阻斷域包含3到8個位於該選定位置之前的核苷酸，以及2到7個位於該選定位置之後的核苷酸。
如請求項2所述之自我競爭型引子，其中該阻斷域的長度為8到15個核苷酸。
如請求項1所述之自我競爭型引子，其中該延長域包含5到11個位於該選定位置之前的核苷酸。
如請求項1所述之自我競爭型引子，其中該錨定域的長度為24到40個核苷酸。
如請求項1所述之自我競爭型引子，更包含一用以連接該錨定域及該阻斷域的第一連接子。
如請求項1所述之自我競爭型引子，更包含一用以連接該阻斷域及該延長域的第二連接子。
如請求項1所述之自我競爭型引子，其中該自我競爭型引子是序列編號：7、9、11-15、17、19、21、23、25或27任一核苷酸序列。
一種用以決定一檢體核酸於一選定位置是否具有一變異核苷酸的方法，包含以請求項1所述之自我競爭型引子對該檢體核酸進行聚合酶連鎖反應，其中擴增產物的存在表示該檢體核酸具有該變異核苷酸。
如請求項9所述之方法，其中該自我競爭型引子是序列編號：7、9、11-15、17、19、21、23、25或27任一核苷酸序列。
一種藉由一個體之生物檢體來診斷該個體是否患有子宮內膜癌的方法，包含： <br/>(a) 分離該生物檢體的核酸； <br/>(b) 以請求項8所述之自我競爭型引子對該核酸進行聚合酶連鎖反應；以及 <br/>(c) 基於步驟(b)的產物來診斷該子宮內膜癌，其中擴增產物的存在表示該個體患有該子宮內膜癌。
如請求項11所述之方法，其中該生物檢體是子宮內膜檢體或子宮頸陰道檢體。
如請求項11所述之方法，其中該個體為一人類。
一種線材供線裝置，包含： <br/>一輸送單元，沿一第一方向延伸且適用於輸送一線材； <br/>一作動單元，與該輸送單元間隔設置，並包括一沿一垂直於該第一方向之第二方向延伸且用以沿自身軸線轉動地供該線材套設的輥軸，及一沿一垂直於該第一方向與該第二方向延伸之第三方向地與該輥軸間隔設置且與該輸送單元位於同側的頂抵機構，該頂抵機構具有一沿該第三方向延伸且與該輥軸彼此間隔設置的支撐件、一可移動地安裝於該支撐件的動滾輪，及一與該動滾輪沿該第三方向間隔設置的定滾輪，該支撐件具有一位於頂端的結合部、一銜接於該結合部且用以供該動滾輪安裝的第一銜接段，及一銜接於該第一銜接段且用以供該定滾輪安裝的第二銜接段；及 <br/>一控制單元，資訊連接於該作動單元，並能切換一正常作業狀態，及一異常排除狀態，在該正常作業狀態時，該控制單元控制該作動單元之該輥軸朝該第一方向順向轉動且該動滾輪與該定滾輪彼此遠離地間隔排列，在該異常排除狀態時，該控制單元控制該輥軸朝相反於該第一方向地逆向轉動，且該動滾輪朝該定滾輪靠近，並相互頂抵於該線材。
如請求項1所述的線材供線裝置，其中，該頂抵機構還具有一安裝於該支撐件之該結合部的致動器。
如請求項2所述的線材供線裝置，其中，該致動器為一數位液壓缸。
如請求項1所述的線材供線裝置，還包含一連接該輸送單元且與該作動單元間隔設置的基座。
如請求項1所述的線材供線裝置，還包含一電連接該輸送單元且用以配合該控制單元控制該輸送單元之輸送速度的傳感器。
如請求項1所述的線材供線裝置，還包含一設置於該輸送單元且用以裁切所述線材的切割單元。
如請求項1所述的線材供線裝置，還包含一設置於該輸送單元且用以查看線材狀況的光學檢測模組。
一種測試參數設定系統，包含： <br/>一電腦，讀取複數設定檔中的其中一者並傳送該設定檔，其中各該設定檔包含複數測試編號及複數測試參數，該複數測試編號對應該複數測試參數； <br/>一測試應用裝置，電性連接該電腦以接收該設定檔，該測試應用裝置根據該設定檔的該複數測試參數進行設定，且該測試應用裝置根據該複數測試參數的設定結果產生並傳送一回饋資訊至該電腦；以及 <br/>一顯示器，電性連接該電腦； <br/>其中，該回饋資訊包含複數字元，各該字元分別對應各該測試編號的測試參數；該電腦為獨立於該測試應用裝置的電腦，該電腦根據該回饋資訊的該複數字元比對該設定檔的該複數測試參數，當該電腦判斷該回饋資訊不對應該複數測試參數，該電腦控制該顯示器顯示一錯誤提示訊息並控制該測試應用裝置停止測試。
如請求項1所述之測試參數設定系統，其中，各該設定檔的該複數測試編號彼此完全不同。
如請求項1所述之測試參數設定系統，其中，各該設定檔的該複數測試編號彼此部分相同，相同的該測試編號的測試參數彼此相同。
如請求項1所述之測試參數設定系統，其中，各該設定檔的該複數測試編號彼此部分相同，相同的該測試編號的測試參數彼此不同。
如請求項1所述之測試參數設定系統，其中，各該設定檔的該複數測試編號彼此完全相同，相同的該測試編號的測試參數彼此不同。
如請求項1所述之測試參數設定系統，其中該電腦具有一儲存裝置，該儲存裝置中儲存有該複數設定檔。
如請求項1所述之測試參數設定系統，其中該電腦電性連接一外接儲存裝置，該外接儲存裝置儲存有該複數設定檔。
如請求項1所述之測試參數設定系統，其中： <br/>當該電腦判斷該測試應用裝置處於一批次開始階段時，該電腦傳送該設定檔至該測試應用裝置進行該複數測試參數的設定。
一種基板運送系統，包括： <br/>運送部，以A位置、B位置、C位置、該B位置、該A位置此順序到達的方式運送基板； <br/>A感測器，檢測出到達該A位置之該基板的存在； <br/>B感測器，檢測出到達該B位置之該基板的存在； <br/>計時部，計算該A感測器以及該B感測器以此順序檢測出該基板的存在時之經過時間；以及 <br/>異常偵測部，執行到達該C位置之該基板的拍攝，並且，基於由該計時部計算的該經過時間和由該拍攝獲得的影像，偵測該基板之運送中有無異常。
如請求項1記載之基板運送系統，其中，該異常偵測部係，基於由該計時部計算的該經過時間，在所決定的時點執行該拍攝。
如請求項1記載之基板運送系統，更包括：通知部，執行藉由該異常偵測部偵測到該基板的運送中具有異常時的通知。
如請求項3記載之基板運送系統，更包括： <br/>第二運送部，以第二A位置、第二B位置、第二C位置、該第二B位置、該第二A位置此順序到達的方式運送第二基板； <br/>第二A感測器，檢測出到達該第二A位置之該第二基板的存在；以及 <br/>第二B感測器，檢測出到達該第二B位置之該第二基板的存在； <br/>其中，該計時部係，計算該第二A感測器以及該第二B感測器以此順序檢測出該第二基板的存在時之第二經過時間； <br/>其中，該異常偵測部係，執行到達該第二C位置之該第二基板的第二拍攝，並且，基於由該計時部計算的該第二經過時間和由該第二拍攝獲得的影像，偵測該第二基板之運送中有無異常； <br/>其中，該通知部係，執行藉由該異常偵測部偵測到該第二基板的運送中具有異常時的通知。
一種折疊式顯示器用硬塗膜，係於聚酯薄膜之至少單面依序具有易接著樹脂層及硬塗層的硬塗膜，其中前述易接著樹脂層係由包含黏結劑樹脂、以及選自氧化鈦粒子、氧化鋯粒子及二氧化矽粒子之至少一種粒子的組成物硬化而成，前述粒子的平均粒徑為5～150nm，且具有前述易接著樹脂層且積層硬塗層之前的聚酯薄膜滿足下述條件(1)～(4)；<br/> (1)彎曲方向的折射率為1.590～1.620<br/> (2)折疊部之方向的折射率為1.670～1.700<br/> (3)厚度方向的折射率為1.520以下<br/> (4)密度為1.380g/cm<sup>3</sup>以上<br/> (此處，所謂彎曲方向係指與將聚酯薄膜折疊時之折疊部正交的方向)。
如請求項1之折疊式顯示器用硬塗膜，其中用以形成前述易接著樹脂層的組成物包含前述粒子之分散劑。
如請求項1之折疊式顯示器用硬塗膜，其中具有前述易接著樹脂層且積層硬塗層之前的聚酯薄膜的全光線穿透率為85%以上，霧度為3%以下，且最大熱收縮率為6%以下。
一種折疊式顯示器，係將如請求項1至3中任一項之折疊式顯示器用硬塗膜以使硬塗層位於表面的方式配置作為表面保護膜的折疊式顯示器，其配置有通過折疊式顯示器之折疊部分而連續的單一硬塗膜。
一種攜帶式終端機，其具有如請求項4之折疊式顯示器。
一種微發光二極體晶片，其包括多個微發光二極體，其中，<br/> 該等多個微發光二極體中之至少一微發光二極體包含：<br/> 一第一類型傳導層；<br/> 堆疊在該第一類型傳導層上的一第二類型傳導層；<br/> 形成在該第一類型傳導層與該第二類型傳導層之間的一發光層；<br/> 形成在該發光層與該第二類型傳導層之間的一頂部間隔體；與<br/> 形成在該發光層與該第一類型傳導層之間的一底部間隔體，<br/> 其中，該發光層、該頂部間隔體及該底部間隔體連續形成於整個微發光二極體晶片上，該等多個微發光二極體共享該發光層、該頂部間隔體及該底部間隔體，<br/> 一隔離結構形成在相鄰的微發光二極體之間，該隔離結構的至少一部份形成在該發光層中，並且<br/> 該隔離結構的一頂面在該發光層之上，且該隔離結構的一底面在該發光層之下。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該隔離結構的一頂面面積等於該隔離結構的一底面面積。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該隔離結構的一頂面面積大於該隔離結構的一底面面積。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該隔離結構的一頂面面積小於該隔離結構的一底面面積。
如請求項4之微發光二極體晶片，其中，該隔離結構在該發光層之一底部的一橫截面面積大於該隔離結構的該底面面積。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該隔離結構由一光吸收材料製成。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該隔離結構由一反射材料製成。
如請求項1之微發光二極體晶片，<br/> 其中，該頂部間隔體的一邊緣與該發光層的一邊緣對齊，且<br/> 該底部間隔體的一邊緣與該發光層的該邊緣對齊。
如請求項8之微發光二極體晶片，其進一步包含：在該至少一微發光二極體中，形成於該第二類型傳導層上且於該頂部間隔體之一頂面上的一微透鏡。
如請求項8之微發光二極體晶片，其中，該頂部間隔體的一厚度大於該發光層的一厚度，且該底部間隔體的一厚度大於該發光層的該厚度。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該第一類型傳導層的一頂部面積大於該第一類型傳導層的一底部面積，且該第二類型傳導層的一頂部面積小於該第二類型傳導層的一底部面積。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該發光層只包括一對量子阱層，或包括多對量子阱層。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該至少一微發光二極體進一步包含：包圍該第一類型傳導層而形成的一反射結構。
如請求項13之微發光二極體晶片，其中，在該至少一微發光二極體中，該反射結構附著在該第一類型傳導層的一側壁上，且<br/> 該至少一微發光二極體進一步包含形成在該第一類型傳導層之下且與該第一類型傳導層電氣連接的一底部連接結構。
如請求項14之微發光二極體晶片，其進一步包含：在該第一類型傳導層之下的一基體，且該基體藉由在該基體中的一連接墊與該底部連接結構電氣連接。
如請求項15之微發光二極體晶片，其中，在該第一類型傳導層之該側壁上的該反射結構相對於該基體的一表面傾斜，且該反射結構相對於該基體之該表面的一傾斜角度大約為30度到大約75度。
如請求項14之微發光二極體晶片，其中，在該第一類型傳導層之該側壁上的該反射結構有一弧形表面。
如請求項14之微發光二極體晶片，其中，該反射結構附著在該第一類型傳導層的該側壁及一底面兩者上。
如請求項14之微發光二極體晶片，其中，在該第一類型傳導層之該側壁的該反射結構由一ODR(全方位反射器)結構或一DBR(分佈布拉格反射)結構製成。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該至少一微發光二極體進一步包含：<br/> 附著在該第一類型傳導層之一底面上的一反射結構。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該隔離結構未完全填滿於該等相鄰的微發光二極體之間的一空間，且<br/> 該隔離結構與該等相鄰的微發光二極體之每一者的一側壁間隔開。
一種結晶，包含等莫耳量的1-{2-[(3S,4R)-1-[(3R,4R)-1-環戊基-3-氟-4-(4-甲氧基苯基)吡咯啶-3-羰基]-4-(甲氧基甲基)吡咯啶-3-基]-5-(三氟甲基)苯基}哌啶-4-羧酸與磷酸， <br/>該結晶為1-{2-[(3S,4R)-1-[(3R,4R)-1-環戊基-3-氟-4-(4-甲氧基苯基)吡咯啶-3-羰基]-4-(甲氧基甲基)吡咯啶-3-基]-5-(三氟甲基)苯基}哌啶-4-羧酸與磷酸的共結晶， <br/>該結晶在粉末X光繞射光譜中，就以2θ所示之繞射角度而言，在5.7°±<br/> 0.2°、11.5°±0.2°、12.3°±0.2°、13.9°±0.2°、17.4°±0.2°、19.0°±0.2°、20.4°±0.2°及21.9°±<br/> 0.2°顯示尖峰。
如申請專利範圍第1項所述之結晶，其在示差掃描熱量測量分析中，於230℃至240℃具有吸熱尖峰。
如申請專利範圍第1或2項所述之結晶，其係藉由於1-{2-[(3S,4R)-1-[(3R,4R)-1-環戊基-3-氟-4-(4-甲氧基苯基)吡咯啶-3-羰基]-4-(甲氧基甲基)吡咯啶-3-基]-5-(三氟甲基)苯基}哌啶-4-羧酸、磷酸及良溶劑的混合物中加入種晶而得者。
如申請專利範圍第1或2項所述之結晶，其係藉由於1-{2-[(3S,4R)-1-[(3R,4R)-1-環戊基-3-氟-4-(4-甲氧基苯基)吡咯啶-3-羰基]-4-(甲氧基甲基)吡咯啶-3-基]-5-(三氟甲基)苯基}哌啶-4-羧酸、磷酸及良溶劑的混合物中加入不良溶劑，並加入種晶之後，再加入不良溶劑而得者。
一種黑皮質素受體1促效藥，其含有申請專利範圍第1至4項中任一項所述之結晶作為有效成分。
一種醫藥組成物，其含有申請專利範圍第1至4項中任一項所述之結晶與製藥上容許的添加劑。
如申請專利範圍第6項所述之醫藥組成物，其係用以治療可望由黑皮質素受體1之活化來改善病情的疾病。
如申請專利範圍第7項所述之醫藥組成物，其中疾病係選自類風溼性關節炎、痛風性關節炎、骨關節炎、炎症性腸病、全身性硬皮症、乾癬、纖維症、原紫質症、全身性紅斑性狼瘡、皮膚癌、白斑症、脫毛、疼痛、缺血/再灌流傷害、腦的炎症性疾病、肝炎、敗血症/敗血症性休克、腎炎、移植、HIV疾病的惡化、血管炎、葡萄膜炎、視網膜色素變性症、老年性黃斑病變、微生物感染、乳糜瀉、及腎病症候群中的1種以上的疾病。
如申請專利範圍第7項所述之醫藥組成物，其中疾病係黑色素瘤。
如申請專利範圍第7項所述之醫藥組成物，其中疾病係黑色素瘤浸潤。
一種申請專利範圍第1至4項中任一項所述之結晶的用途，其係使用於醫藥的製造，該醫藥係用以治療可望由黑皮質素受體1之活化來改善病情的疾病。
如申請專利範圍第1或2項所述之結晶，其係用於治療可望由黑皮質素受體1之活化來改善病情的疾病。
一種散熱風扇，包含：<br/> 一扇框，具有一基座，一側牆連接該基座，一蓋板連接該側牆，該蓋板與該基座相對，該扇框具有至少一入風口，該基座、該側牆及該蓋板共同形成一出風口，該扇框具有一第一基準面及一第二基準面，該第一基準面通過該扇輪的一軸心，該第一基準面於徑向平行於該出風口的端緣，該第二基準面正交於該第一基準面，依該扇輪的旋轉方向該第一基準面與該第二基準面將扇輪與該側牆之間的該風道依序定義為一第一區、一第二區、一第三區及一第四區，該扇輪與該側牆之間的最小徑向距離位於該第一區；<br/> 一扇輪，可旋轉地位於該扇框內，該扇框具有一風道；及<br/> 數個凸體，位於扇輪與該側牆之間的該風道，該數個凸體為圓柱體，該數個凸體僅位於該第四區，該數個凸體位於該扇輪直徑的1.2～1.8倍之間的範圍，該數個凸體具有一第一軸向高度，該扇輪具有一第二軸向高度，該第一軸向高度大於或等於該第二軸向高度的1/10，以及該第一軸向高度小於或等於該第二軸向高度的1/4，該數個凸體中的至少一該凸體的最大徑向尺寸為該扇輪直徑的1/15～1/10。
如請求項1之散熱風扇，其中，該數個凸體中的至少一該凸體位於該基座，或者該數個凸體中的至少一該凸體位於該蓋板。
如請求項1之散熱風扇，其中，該基座與該蓋板之間具有一軸向距離，該數個凸體中的至少一該凸體的第一軸向高度不超過該軸向距離的20％。
如請求項1之散熱風扇，其中，該數個凸體中的至少一該凸體的一端部具有一導弧端緣。
如請求項1之散熱風扇，其中，至少二凸體的幾何中心與該扇輪的軸心的距離不同。
如請求項1之散熱風扇，其中，至少二凸體的幾何中心與該扇輪的軸心的距離相同。
如請求項1之散熱風扇，其中，各該凸體的幾何中心與該扇輪的軸心通過一基準線，任二相鄰的凸體的基準線之間的夾角為5～30°。
如請求項7之散熱風扇，其中，該數個凸體中各個二相鄰凸體的基準線之間的夾角為相同。
一種顯示裝置，包含： <br/>一源極驅動電路；及 <br/>一顯示面板，包含： <br/>複數個資料線；及 <br/>一多工器，包含： <br/>複數個控制信號線； <br/>複數個反向信號線；及 <br/>複數個多工器電路，該些多工器電路每一個包含： <br/>一第一電晶體，具有一第一端、一第二端及一第一控制端，其中該第一端耦接該源極驅動電路，該第二端耦接該些資料線其中一個，且該第一控制端耦接該些控制信號線其中一個；及 <br/>一第二電晶體，具有一第三端、一第四端及一第二控制端，其中該第三端和該第四端耦接該些反向信號線其中一個，該第二控制端耦接該第一電晶體的該第一端。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該源極驅動電路用以輸出一第一源極驅動信號和一第二源極驅動信號； <br/>其中在該些多工器電路其中一個中，該第一電晶體的該第一端接收該第一源極驅動信號； <br/>其中在該些多工器電路另一個中，該第一電晶體的該第一端接收該第二源極驅動信號。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該些控制信號線每一個用以傳輸一控制信號，而該些反向信號線每一個用以傳輸一反向控制信號； <br/>該些多工器電路每一個接收該些控制信號其中一個和該些反向控制信號其中一個； <br/>在該些多工器電路每一個中，所接收的該反向控制信號與所接收的該控制信號同步且反相。
如請求項1所述之顯示裝置，其中在該些多工器電路每一個中，該第一電晶體具有一第一寬長比，而該第二電晶體具有一第二寬長比； <br/>其中該第二寬長比與該第一寬長比的差異之一絕對值小於或等於該第一寬長比的30%。
一種顯示裝置，包含： <br/>一源極驅動電路；及 <br/>一顯示面板，包含： <br/>複數個資料線；及 <br/>一多工器，包含： <br/>複數個控制信號線； <br/>複數個反向信號線；及 <br/>複數個多工器電路，該些多工器電路每一個包含： <br/>一第一電晶體，具有一第一端、一第二端及一第一控制端，其中該第一端耦接該源極驅動電路，該第二端耦接該些資料線其中一個，且該第一控制端耦接該些控制信號線其中一個；及 <br/>一第二電晶體，具有一第三端、一第四端及一第二控制端，其中該第三端和該第四端耦接該些反向信號線其中一個，該第二控制端耦接該第一電晶體的該第二端。
如請求項5所述之顯示裝置，其中該源極驅動電路配置為輸出一第一源極驅動信號和一第二源極驅動信號； <br/>其中在該些多工器電路其中一個中，該第一電晶體的該第一端接收該第一源極驅動信號； <br/>其中在該些多工器電路另一個中，該第一電晶體的該第一端接收該第二源極驅動信號。
如請求項5所述之顯示裝置，其中該些控制信號線每一個用以傳輸一控制信號，而該些反向信號線每一個用以傳輸一反向控制信號； <br/>該些多工器電路每一個接收該些控制信號其中一個和該些反向控制信號其中一個； <br/>在該些多工器電路每一個中，所接收的該反向控制信號與所接收的該控制信號同步且反相。
如請求項5所述之顯示裝置，其中在該些多工器電路每一個中，該第一電晶體具有一第一寬長比，而該第二電晶體具有一第二寬長比； <br/>其中該第二寬長比與該第一寬長比的差異之一絕對值小於或等於該第一寬長比的30%。
一種降低雜訊的方法，適用於如請求項1或5所述的顯示裝置，且該降低雜訊的方法包含： <br/>該些控制信號線分別傳輸複數個控制信號；以及 <br/>該些反向信號線分別與該些控制信號線同步，以傳輸複數個反向控制信號，使得在該些多工器電路每一個中，在該第一電晶體開啟時，該第二電晶體的該第三端和該第四端相對於該第二控制端形成一電容。
如請求項9所述之方法，其中該些反向控制信號分別與同步的該些控制信號反相。
一種薄膜(pellicle)，其中該薄膜包含至少一金屬氮化物層及一罩蓋層(capping layer)。
如請求項1之薄膜，其中該至少一金屬氮化物層包含釕、鉬、硼、鋯、鈦、鉭或其組合。
如請求項1或2之薄膜，其中該薄膜係用作一濾光器(filter)。
如請求項1或2之薄膜，其中該至少一金屬氮化物層係一晶種層(seeding layer)。
如請求項1或2之薄膜，其中該罩蓋層安置在該至少一金屬氮化物層上。
如請求項1或2之薄膜，其中該罩蓋層係一金屬層。
如請求項1或2之薄膜，其中該罩蓋層包含選自釕、鉬、硼、鋯及其組合中之一材料。
如請求項1或2之薄膜，其中該至少一金屬氮化物層經組態以作為一障壁(barrier)以減慢或防止金屬矽化物(metal silicides)之形成。
如請求項1或2之薄膜，其進一步包含一或多個其他層。
如請求項9之薄膜，其中該一或多個其他層係一隔膜、一核心、一犧牲層、一保護層、及一薄膜層中的一或多者。
如請求項10之薄膜，其中該核心係選自矽、氮化矽、石墨烯、石墨烯衍生物(graphene derivatives)、及碳奈米管。
如請求項10之薄膜，其中該薄膜層包含一金屬層、一氧化物層、一氮化物層、一矽化物層、一半金屬層、一非金屬層、及一金屬氮化物層中之至少一者。
如請求項12之薄膜，其中該矽化物層包含金屬矽化物。
如請求項13之薄膜，其中該金屬矽化物包含矽化鉬、矽化釕或矽化鋯。
一種薄膜總成，其包含如請求項1至14中任一項之薄膜，其進一步包含支撐該薄膜之一框架。
如請求項15之薄膜總成，其中該薄膜係一獨立隔膜(freestanding membrane)。
一種設備，其包含如請求項1至14中任一項之薄膜。
一種閥，其包含： 殼體，及 閥膜，且 前述殼體包含第1殼體構件及第2殼體構件， 前述第1殼體構件包含： 第1端部構件，其具備第1面及第2面；及 <br/>環形狀之第1側壁構件，其直接或間接地連接於前述第1端部構件，在與連接於前述第2面之一部分之側為相反側具備第3面；並且 <br/>前述第2殼體構件包含： 第2端部構件，其具備第4面及與前述第2面之一部分對向之第5面；及 <br/>環形狀之第2側壁構件，其直接或間接地連接於前述第2端部構件，具備與前述第5面之一部分對向或接合之第6面及與前述第1側壁構件之前述第3面之一部分對向或接合之第7面；並且 <br/>前述第1端部構件包含： 複數個第1通氣孔，其等連通前述第1面與前述第2面；及 <br/>第1閥座，其係自前述第2面突出之形狀，在俯視前述第2面時配置於前述第1側壁構件之環內，具備第1頂面；並且 <br/>前述第2端部構件具備連通第4面及第5面之第2通氣孔， 前述第2側壁構件包含： 排氣孔，其連通於前述第7面；及 <br/>第2閥座，其在俯視前述第4面時，配置於前述第2側壁構件之環之內側面與前述排氣孔之間，在前述第7面側具備第2頂面；並且 <br/>前述閥膜， 遍及前述第1側壁構件之環內及前述第2側壁構件之環內而配置；沿前述第1殼體構件與前述第2殼體構件排列之高度方向觀察，具備與前述第1閥座重疊之第1部分、與前述第2閥座重疊之第2部分、及位於較前述第2部分靠外周側之外端部； <br/>前述外端部被前述第1殼體構件與前述第2殼體構件夾住， <br/>在前述被夾住之狀態下，自與前述高度方向正交之橫向方向觀察，前述第2部分位於較前述第1部分靠前述第1面側， <br/>前述第1部分之厚度及前述第2部分之厚度較前述外端部之厚度大。
如請求項1之閥，其中前述第1殼體構件與前述第2殼體構件之夾住前述外端部之部分之高度， 較前述閥膜未被前述第1殼體構件與前述第2殼體構件夾住時之厚度小。
如請求項1或2之閥，其中前述閥膜， 在自前述第1通氣孔流入有氣體之第1狀態下，與前述第1閥座分開，且與前述第2閥座接觸， <br/>在不自前述第1通氣孔流入前述氣體之第2狀態下，為與前述第1閥座接觸，與前述第2閥座分開之形狀。
如請求項1或2之閥，其中沿前述高度方向觀察，前述第2閥座為包圍前述第1閥座之形狀。
如請求項4之閥，其中前述第2側壁構件沿前述高度方向觀察，在較前述排氣孔靠外側具備自前述第7面凹陷之第2側壁構件凹部， 前述第1殼體構件沿前述高度方向觀察，在與前述第2側壁構件凹部重疊之位置具備第1突起， 前述閥膜之一部分被前述第2側壁構件凹部之底面與前述第1突起夾持。
如請求項4之閥，其中前述第1殼體構件包含： 第1突起，其沿前述高度方向觀察，在與前述第7面重疊之位置，在前述高度方向上較前述第3面更靠近前述第2面之位置具有頂面；及 <br/>槽，其配置於較前述第1突起靠外側面側，為自前述第3面凹陷之形狀；且 <br/>前述閥膜之外周端收容於前述槽，前述閥膜之一部分被前述第7面與前述第1突起夾持。
如請求項4之閥，其中前述第1殼體構件沿前述高度方向觀察在與前述第2側壁構件重疊之位置，具備自前述第3面凹陷之第1構件凹部， 前述閥膜之一部分被前述第1構件凹部之底面與前述第7面夾持。
如請求項4之閥，其中前述第1殼體構件具備自前述第2面向前述第3面之方向突起之複數個第2突起， 前述閥膜之一部分被前述複數個第2突起與前述第7面夾持。
如請求項1或2之閥，其中前述第2閥座之一端連通於前述第2側壁構件之環內，另一端具備朝前述第2頂面開口之輔助孔。
如請求項1或2之閥，其中沿前述高度方向觀察，前述排氣孔及前述第1通氣孔具有重疊之部分。
如請求項1或2之閥，其中前述第2殼體構件具備自前述第5面向前述閥膜側突起之第3突起。
如請求項1或2之閥，其中在前述高度方向上，前述第1頂面配置於較前述第2頂面靠前述第4面側。
如請求項1或2之閥，其中前述第2側壁構件具備突出部，該突出部具有構成前述環形狀之內側面，自前述內側面向前述環形狀之中心側突出。
如請求項1或2之閥，其中前述第2側壁構件具備自前述內側面凹陷、貫通前述第6面與前述第7面之凹部。
如請求項14之閥，其中前述凹部在沿著前述內側面之周向上，配置於與前述第1通氣孔或前述排氣孔相同之位置。
一種流體控制裝置，其包含： 如請求項1至15中任一項之閥，及 泵，其具備連通於前述第1通氣孔之噴出孔。
一種電子裝置，包括：<br/> 一觸控筆，包括沿著所述觸控筆之筆身的延伸方向排列的一磁性元件和一第一磁鐵；<br/> 一容置部，用於收納所述觸控筆，所述容置部包括一第二磁鐵以及一電磁鐵元件，所述觸控筆放置於所述容置部時，所述第二磁鐵重疊於所述磁性元件，所述電磁鐵元件重疊於所述第一磁鐵；<br/> 一觸控顯示面板，具有一操作介面區用於接收一控制指令；以及<br/> 一處理模組，電性連接所述觸控顯示面板以及所述電磁鐵元件，根據所述控制指令使所述觸控筆處於收納狀態或拾取狀態，其中當處於所述收納狀態時，所述電磁鐵元件對所述第一磁鐵不施力或產生一吸引力；當處於所述拾取狀態時，所述電磁鐵元件對所述第一磁鐵產生一排斥力。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述觸控筆還包括第三磁鐵，所述容置部還包括第四磁鐵，所述觸控筆放置於所述容置部時，所述第三磁鐵重疊於所述第四磁鐵。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述觸控顯示面板適於感測外部物體，以產生一感測結果，所述處理模組判斷所述感測結果是否符合一預設條件，若是，則產生一喚醒訊號；以及<br/> 所述處理模組根據所述喚醒訊號，控制所述觸控顯示面板顯示所述操作介面區。
如請求項3所述的電子裝置，其中所述感測結果為所述外部物體與所述觸控顯示面板之間的高度，所述預設條件為所述高度小於一距離閥值。
如請求項3所述的電子裝置，其中所述感測結果，為所述外部物體接觸所述操作介面區的持續時間，所述預設條件為所述持續時間大於一時間閥值。
如請求項3所述的電子裝置，其中所述感測結果，為所述外部物體接觸所述操作介面區時的位移，所述預設條件為所述位移大於一第一位移閥值。
如請求項6所述的電子裝置，其中所述觸控顯示面板顯示所述操作介面區後，所述觸控顯示面板適於感測所述外部物體接觸所述操作介面區時的另一位移，當所述另一位移大於一第二位移閥值時，所述處理模組控制所述電磁鐵元件，使所述觸控筆處於所述拾取狀態，其中所述第一位移閥值不同於所述第二位移閥值。
如請求項3所述的電子裝置，其中所述感測結果，為所述外部物體與所述操作介面區之間造成的電容變化，所述預設條件包括所述電容變化大於一預設面積、所述電容變化符合一預設形狀、以及所述電容變化符合一預設輪廓中的至少一者。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述觸控筆包括主動式觸控筆。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述磁性元件的形狀包括圓柱體，所述圓柱體的軸向垂直於所述觸控筆的延伸方向。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述電子裝置為筆記型電腦且包括一第一機體以及一第二機體，所述第一機體包括顯示面板，所述觸控顯示面板和鍵盤設置在所述第二機體上。
如請求項11所述的電子裝置，其中所述容置部設置在所述鍵盤的第一側，所述觸控顯示面板設置在所述鍵盤的第二側，所述第一側和所述第二側實質上垂直。
一種電子裝置的操控方法，包括：<br/> 提供一觸控筆，包括沿著所述觸控筆之筆身的延伸方向排列的一磁性元件和一第一磁鐵；<br/> 提供一容置部，用於收納所述觸控筆，所述容置部包括一第二磁鐵以及一電磁鐵元件，所述觸控筆放置於所述容置部時，所述第二磁鐵重疊於所述磁性元件，所述電磁鐵元件重疊於所述第一磁鐵；<br/> 提供一觸控顯示面板，具有一操作介面區用於接收一控制指令；以及<br/> 提供一處理模組，電性連接所述觸控顯示面板以及所述電磁鐵元件，根據所述控制指令使所述觸控筆處於收納狀態或拾取狀態，<br/> 其中當處於所述收納狀態時，藉由所述電磁鐵元件對所述第一磁鐵不施力或產生一吸引力，使所述觸控筆放置於所述容置部；當處於所述拾取狀態時，藉由所述電磁鐵元件對所述第一磁鐵產生一排斥力，使所述觸控筆部分遠離所述容置部。
如請求項13所述的電子裝置的操控方法，其中所述觸控筆還包括第三磁鐵，所述容置部還包括第四磁鐵，所述觸控筆放置於所述容置部時，所述第三磁鐵重疊於所述第四磁鐵。
如請求項13所述的電子裝置的操控方法，其中所述觸控顯示面板適於感測外部物體，以產生一感測結果，所述處理模組判斷所述感測結果是否符合一預設條件，若是，則產生一喚醒訊號；以及<br/> 所述處理模組根據所述喚醒訊號，控制所述觸控顯示面板顯示所述操作介面區。
如請求項15所述的電子裝置的操控方法，其中所述感測結果為所述外部物體與所述觸控顯示面板之間的高度，所述預設條件為所述高度小於一距離閥值。
如請求項15所述的電子裝置的操控方法，其中所述感測結果，為所述外部物體接觸所述操作介面區的持續時間，所述預設條件為所述持續時間大於一時間閥值。
如請求項15所述的電子裝置的操控方法，其中所述感測結果，為所述外部物體接觸所述操作介面區時的位移，所述預設條件為所述位移大於一第一位移閥值。
如請求項18所述的電子裝置的操控方法，其中所述觸控顯示面板顯示所述操作介面區後，所述觸控顯示面板適於感測所述外部物體接觸所述操作介面區時的另一位移，當所述另一位移大於一第二位移閥值時，所述處理模組控制所述電磁鐵元件，使所述觸控筆處於所述拾取狀態，其中所述第一位移閥值不同於所述第二位移閥值。
如請求項15所述的電子裝置的操控方法，其中所述感測結果，為所述外部物體與所述操作介面區之間造成的電容變化，所述預設條件包括所述電容變化大於一預設面積、所述電容變化符合一預設形狀、以及所述電容變化符合一預設輪廓中的至少一者。
如請求項13所述的電子裝置的操控方法，其中所述磁性元件的形狀包括圓柱體，所述圓柱體的軸向垂直於所述觸控筆的延伸方向。
如請求項13所述的電子裝置的操控方法，其中於所述拾取狀態時，所述電磁鐵元件以所述磁性元件和所述第二磁鐵接觸的部分為支點，並對所述觸控筆產生力矩，以使所述觸控筆轉動。
一種材料次表面層裂紋促長方法，適於經一雷射改質後之一材料，該材料包括一欲分離片體與其連接之一次表面層，於該次表面層經該雷射改質後具有多個微裂紋，該材料次表面層裂紋促長方法包括以下步驟： <br/>以多個微米級粒子衝擊該欲分離片體之一上表面，以使該些微裂紋促長而產生一結合結構；以及 <br/>以一治具作動於該欲分離片體，使該欲分離片體於該結合結構處與該材料分離。
如請求項1所述的材料次表面層裂紋促長方法，其中所述以該些微米級粒子衝擊該欲分離片體之該上表面的步驟中，包括以下步驟： <br/>採用硬度低於該材料的粒子作為該些微米級粒子。
如請求項1所述的材料次表面層裂紋促長方法，其中所述以該些微米級粒子衝擊該欲分離片體之該上表面的步驟中，包括以下步驟： <br/>採用選擇金屬、塑膠或陶瓷之一作為該些微米級粒子之材料。
如請求項1所述的材料次表面層裂紋促長方法，其中所述以該些微米級粒子衝擊該欲分離片體之該上表面的步驟中，包括以下步驟： <br/>採用粒徑介於20微米至1000微米(µm)之間之尺寸之範圍作為該些微米級粒子。
如請求項1所述的材料次表面層裂紋促長方法，其中所述以該些微米級粒子衝擊該欲分離片體之該上表面的步驟中，包括以下步驟： <br/>以一噴嘴透過氣壓將該些微米級粒子朝該欲分離片體之該上表面噴出。
如請求項5所述的材料次表面層裂紋促長方法，其中所述以該噴嘴透過氣壓將該些微米級粒子朝該欲分離片體之該上表面噴出的步驟中，包括以下步驟： <br/>將該噴嘴與該欲分離片體之該上表面之間設置一設置距離； <br/>設定該噴嘴具有一噴出角度，該噴出角度之範圍為介於0度到45度之間；以及 <br/>設定該噴嘴與該欲分離片體之該上表面作用具有一作用角度，該作用角度之範圍為介於0度到45度之間。
如請求項1所述的材料次表面層裂紋促長方法，其中使該欲分離片體於該結合結構處與該材料分離後，該材料具有一未分離材料，該未分離材料之一上表面為該次表面層之一下表面，更包括以下步驟： <br/>對該未分離材料之該上表面進行研磨拋光。
如請求項1所述的材料次表面層裂紋促長方法，其中所述以該治具作動於該欲分離片體，包括以下步驟：以該治具夾持並旋轉該欲分離片體。
如請求項1所述的材料次表面層裂紋促長方法，其中所述以該治具作動於該欲分離片體，包括以下步驟：以該治具沿一分離方向拉持該欲分離片體。
一種材料次表面層裂紋促長機器，適於經一雷射改質後之一材料，該材料包括一欲分離片體與其連接之一次表面層，於該次表面層經該雷射改質後具有多個微裂紋，該材料次表面層裂紋促長機器包括： <br/>一載台，用以承載經該雷射改質後之該材料；以及 <br/>一噴射機構，位於該載台上方，該噴射機構包括一噴嘴，該噴嘴提供多個微米級粒子朝該欲分離片體之一上表面噴出，以使該些微裂紋促長而產生一結合結構。
如請求項10所述的材料次表面層裂紋促長機器，其中該載台能沿著至少一方向而相對於該噴射機構相對運動。
如請求項10所述的材料次表面層裂紋促長機器，其中該噴射機構之該噴嘴能相對於該載台移動，以調整該噴嘴與該次表面層之間之一設置距離、以及該噴嘴與該次表面層之間之一角度，該角度之範圍為介於0度到45度之間。
一種用於製造供生產一絕緣體上壓電(POI)結構(9)之一供體底材(1)之方法，包括<br/> 提供一支撐底材(1b)；<br/> 在該支撐底材(1b)上面或上方形成一塊狀壓電材料，其中該壓電材料包括鉭酸鋰和鈮酸鋰當中一者，或由鉭酸鋰和鈮酸鋰當中一者所組成；<br/> 對該塊狀壓電材料進行化學機械拋光(CMP)，以獲得一壓電底材(1a)；<br/> 將一元素植入該壓電底材(1a)，以在該壓電底材(1a)中獲得一弱化層(2)；<br/> 且其中，該化學機械拋光係經由一CMP墊進行，該CMP墊包括蕭式硬度超過45 shore A的一底墊。
如請求項1之方法，其中該化學機械拋光經由一CMP墊進行，該CMP墊包括一底墊，其蕭式硬度超過50 shore A，或其蕭式硬度範圍在45 shore A 至 55 shore A，詳言之蕭式硬度範圍在50 shore A 至 55 shore A。
如請求項1或2之方法，其中該底墊之密度大於0.35 g/cm<sup>3</sup>，詳言之大於0.4 g/cm<sup>3</sup>，或在0.35 g/cm<sup>3</sup> 至 0.45 g/cm<sup>3</sup>的範圍內。
如請求項1之方法，其中該底墊的壓縮力偏差範圍為 600 kPa 至 670 kPa。
如請求項1之方法，其中該化學機械拋光經由一CMP研磨液進行，該CMP研磨液由非晶矽的水性懸浮液構成，該非晶矽的重量百分比小於 20，詳言之範圍在 10 至 18 或 12.5 至 17.5 。
如請求項5之方法，其中該非晶矽包括直徑範圍 40 到 60 nm 的沉澱非晶矽顆粒或由前述沉澱非晶矽顆粒所構成。
如請求項1之方法，其更包括在該化學機械拋光之前，對該塊狀壓電材料進行研磨(grinding)。
一種用於製造一絕緣體上壓電(POI)結構(9)之方法，包括<br/> 進行如請求項1至7任一項之方法的步驟；以及<br/> 將一壓電層(3)從該壓電底材移轉到一目標底材(7)，包括在該壓電底材(1a)那側將該供體底材(1)鍵合至該目標底材(7)，以及在該弱化層(2)處斷裂該壓電底材(1a)。
如請求項8之方法，其更包括對移轉至該目標底材(7)之該壓電層(3)進行一熱處理，然後再進行化學機械拋光。
一種POI結構(9)，其包括形成在一目標底材(7)上面或上方之一壓電層(3)，該壓電層(3)可透過如請求項8或9之方法而獲得。
一種微電子、微機械或光子元件或微機電系統，其包括如請求項10之POI結構(9)。
一種閥，其具備：殼體，及 閥膜；且 前述殼體包含第1殼體構件及第2殼體構件， 前述第1殼體構件包含： 第1端部構件，其具備第1面及第2面；及 <br/>環形狀之第1側壁構件，其直接或間接地連接於前述第1端部構件，在與連接於前述第2面之一部分之側為相反側具備第3面；且 <br/>前述第2殼體構件包含： 第2端部構件，其具備第4面及與前述第2面之一部分對向之第5面；及 <br/>環形狀之第2側壁構件，其直接或間接地連接於前述第2端部構件，具備與前述第5面之一部分對向或接合之第6面及與前述第1側壁構件之前述第3面之一部分對向或接合之第7面；且 <br/>前述第1端部構件包含： 複數個第1通氣孔，其等連通前述第1面與前述第2面；及 <br/>第1閥座，其連接於前述第2面，在俯視前述第2面時配置於前述第1側壁構件之環內；且 <br/>前述第1閥座具備第1頂面， 前述第1頂面在前述第1殼體構件之厚度方向上位於較前述第2面靠前述第5面側， 前述第2端部構件具備連通第4面及第5面之第2通氣孔， 前述第2側壁構件包含： 排氣孔，其連通於前述第7面；及 <br/>第2閥座，其在俯視前述第4面時，配置於前述第2側壁構件之環之內壁面與前述排氣孔之間，在前述第7面側具備第2頂面；且 <br/>前述閥膜係， 在前述第1側壁構件之環內或前述第2側壁構件之環內以至少一部分可變形之狀態固定於前述殼體， <br/>沿前述第1殼體構件與前述第2殼體構件排列之高度方向觀察，具備與前述第1閥座重疊之第1部分及與前述第2閥座重疊之第2部分， <br/>前述閥膜與前述第1閥座構成止回閥， 前述閥膜與前述第2閥座構成排氣閥， 沿前述高度方向觀察，前述排氣閥配置於包圍前述止回閥之位置。
如請求項1之閥，其中前述排氣孔具備複數個， 沿前述高度方向觀察，前述複數個排氣孔配置於以前述止回閥為基準而對稱之位置。
如請求項1或2之閥，其中沿前述高度方向觀察，前述第2側壁構件在較前述排氣孔靠外側具備自前述第7面凹陷之第2側壁構件凹部， 沿前述高度方向觀察，前述第1殼體構件在與前述第2側壁構件側凹部重疊之位置具備第1突起， 前述閥膜之一部分被前述第2側壁構件側凹部之底面與前述第1突起夾持。
如請求項1或2之閥，其中前述第1殼體構件包含： 第1突起，其沿前述高度方向觀察，在與前述第7面重疊之位置，於在前述高度方向上較前述第3面更靠近前述第2面之位置具有頂面；及 <br/>槽，其配置於較前述第1突起靠外側面側，為自前述第3面凹陷之形狀；且 <br/>前述閥膜之外周端收容於前述槽，前述閥膜之一部分被前述第7面與前述第1突起夾持。
如請求項1或2之閥，其中前述第1殼體構件具備自前述第2面向前述第3面之方向突出之第2突起， 前述閥膜之一部分被前述第2突起與前述第7面挾持。
如請求項5之閥，其中前述第2突起具備複數個， 沿前述高度方向觀察，前述複數個第2突起呈環狀等間隔地配置。
如請求項1或2之閥，其中沿前述高度方向觀察，前述排氣孔之前述第7面之開口面與前述第1通氣孔具有重疊之部分。
如請求項1或2之閥，其中前述第2閥座之一端連通於前述第2側壁構件之環內，另一端具備朝前述第2頂面開口之輔助孔。
如請求項1或2之閥，其中前述第2殼體構件具備自前述第5面向前述閥膜側突出之第3突起。
一種流體控制裝置，其包含：如請求項1至9中任一項之閥，及 泵，其具備連通於前述第1通氣孔之噴出孔。
一種微發光二極體晶片，其包括多個微發光二極體，其中：<br/> 該等多個微發光二極體之至少一微發光二極體包含：<br/> 一第一類型傳導層；<br/> 堆疊在該第一類型傳導層上的一第二類型傳導層；與<br/> 形成在該第一類型傳導層與該第二類型傳導層之間的一發光層，其中該發光層從該第一類型傳導層的一頂部邊緣與該第二類型傳導層的一底部邊緣沿著一水平面延伸，致使該發光層之一邊緣不接觸該第一類型導電層的該頂部邊緣及該第二類型傳導層的該底部邊緣，並且垂直地投影在第一類型傳導層之一頂面上的該第二類型傳導層的輪廓係被該第一類型傳導層的一邊緣包圍，其中，該第二類型傳導層之一底面之面積小於該第一類型傳導層之該頂面之面積，且<br/> 該微發光二極體晶片進一步包括一金屬層，其形成在從該第一類型傳導層之該頂部邊緣延伸的該發光層的一部分上。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該金屬層係形成於該發光層的一表面上且未接觸該第一類型傳導層或該第二類型傳導層。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該金屬層的一橫向尺寸值係不超過該發光層的一邊緣與該第一類型傳導層的該頂部邊緣間之一距離。
如請求項3之微發光二極體晶片，其中，該金屬層的該橫向尺寸值係從2奈米至10微米。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該金屬層的一中心點係與相鄰之微發光二極體之間的一中心點對齊。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該金屬層的一中心點係靠近相鄰之微發光二極體中之一者。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該金屬層包含複數個金屬層，並且該等複數個金屬層係沿著該發光層的一表面平行地配置。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該金屬層的一材料包括與該發光層的一材料匹配的一高功函數金屬材料。
如請求項8之微發光二極體晶片，其中，該高功函數金屬材料包括金、鉑、鈀、鈹、鈷、鎳或鎢中之至少一者。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該發光層係連續地形成於該微發光二極體晶片上。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該等多個微發光二極體共享該發光層。
如請求項1之微發光二極體晶片，其進一步包含：<br/> 形成在該發光層的一頂面上的一頂部間隔體；<br/> 形成在該發光層的一底面上的一底部間隔體，<br/> 其中，該頂部間隔體的一邊緣與該發光層的一邊緣對齊，且<br/> 該底部間隔體的一邊緣與該發光層的該邊緣對齊。
如請求項12之微發光二極體晶片，其中，該頂部間隔體的一厚度係大於該發光層的一厚度，且該底部間隔體的一厚度係大於該發光層的該厚度。
如請求項12之微發光二極體晶片，其進一步包含：在該至少一微發光二極體中，形成於該第二類型傳導層上且於該頂部間隔體的一頂面上的一微透鏡。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該第一類型傳導層的一頂部面積係大於該第一類型傳導層的一底部面積，且該第二類型傳導層的一頂部面積係小於該第二類型傳導層的一底部面積。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該發光層只包括一對量子阱層，或包括多對量子阱層。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該至少一微發光二極體進一步包含包圍該第一類型傳導層所形成的一反射結構。
如請求項17之微發光二極體晶片，其中，在該至少一微發光二極體中，該反射結構係附著在該第一類型傳導層的一側壁表面上，且<br/> 該至少一微發光二極體進一步包含形成在該第一類型傳導層之下且與該第一類型傳導層電氣連接的一底部連接結構。
如請求項18之微發光二極體晶片，其進一步包含：在該第一類型傳導層之下的一基體，且該基體藉由在該基體中的一連接墊與該底部連接結構電氣連接。
如請求項18之微發光二極體晶片，其中，該底部連接結構由一反射性導電材料製成。
一種微發光二極體晶片，其包括多個微發光二極體，其中：<br/> 該等多個微發光二極體的至少一微發光二極體包含：<br/> 一第一類型傳導層；<br/> 堆疊在該第一類型傳導層上的一第二類型傳導層；與<br/> 形成在該第一類型傳導層與該第二類型傳導層之間的一發光層，該發光層的至少一部分被形成在相鄰之微發光二極體間，且<br/> 該微發光二極體晶片進一步包含形成在位於該等相鄰之微發光二極體之間之該發光層上的一金屬層，其中，該金屬層之一底表面係與該第二類型傳導層之一底表面水平地對齊。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該金屬層係形成於該發光層的一表面上且未接觸該第一類型傳導層或該第二類型傳導層。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該金屬層的一橫向尺寸值係不超過該發光層的一邊緣與該第一類型傳導層的一邊緣之間的一距離，或<br/> 該金屬層的該橫向尺寸值係不超過該發光層的該邊緣與該第二類型傳導層的一邊緣之間的一距離。
如請求項3之微發光二極體晶片，其中，該金屬層的該橫向尺寸值係從2奈米至10微米。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該金屬層的一中心點係與該等相鄰之微發光二極體之間的一中心點對齊。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該金屬層的一中心點係靠近該等相鄰之微發光二極體中之一者。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該金屬層包含複數個金屬層，並且該等複數個金屬層係沿著該發光層的一表面平行地配置。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該金屬層的一材料包括與該發光層的一材料匹配的一高功函數金屬材料。
如請求項8之微發光二極體晶片，其中，該高功函數金屬材料包括金、鉑、鈀、鈹、鈷、鎳或鎢中之至少一者。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該發光層係連續地形成於該微發光二極體晶片上。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該等多個微發光二極體共享該發光層。
如請求項1之微發光二極體晶片，其進一步包含：<br/> 形成在該發光層的一頂面上的一頂部間隔體；<br/> 形成在該發光層的一底面上的一底部間隔體，<br/> 其中，該頂部間隔體的一邊緣與該發光層的一邊緣對齊，且<br/> 該底部間隔體的一邊緣與該發光層的該邊緣對齊。
如請求項12之微發光二極體晶片，其中，該頂部間隔體的一厚度係大於該發光層的一厚度，且該底部間隔體的一厚度係大於該發光層的該厚度。
如請求項12之微發光二極體晶片，其進一步包含：在該至少一微發光二極體中，形成於該第二類型傳導層上且於該頂部間隔體的一頂面上的一微透鏡。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該第一類型傳導層的一頂部面積係大於該第一類型傳導層的一底部面積，且該第二類型傳導層的一頂部面積係小於該第二類型傳導層的一底部面積。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該發光層只包括一對量子阱層，或包括多對量子阱層。
如請求項1之微發光二極體晶片，其中，該至少一微發光二極體進一步包含包圍該第一類型傳導層所形成的一反射結構。
如請求項17之微發光二極體晶片，其中，在該至少一微發光二極體中，該反射結構係附著在該第一類型傳導層的一側壁表面上，且<br/> 該至少一微發光二極體進一步包含形成在該第一類型傳導層之下且與該第一類型傳導層電氣連接的一底部連接結構。
如請求項18之微發光二極體晶片，其進一步包含：在該第一類型傳導層之下的一基體，且該基體藉由在該基體中的一連接墊與該底部連接結構電氣連接。
如請求項18之微發光二極體晶片，其中，該底部連接結構由一反射性導電材料製成。
一種清潔設備控制方法，其包含：<br/> 如果清潔設備被困在障礙物上，獲取所述清潔設備的機身底部與地面之間的距離；以及<br/> 如果所述距離落入預設距離區間，控制所述清潔設備伸長驅動輪，並執行脫困動作；<br/> 其中，所述清潔設備的機身底部與地面之間的距離為所述機身底部的與驅動輪對應的部分與地面之間的距離，所述驅動輪包括第一驅動輪和第二驅動輪。
如請求項1所述之清潔設備控制方法，其中，所述控制所述清潔設備伸長驅動輪，並執行脫困動作，包括：<br/> 控制所述清潔設備同時伸長所述第一驅動輪和所述第二驅動輪，並執行第一脫困動作；<br/> 如果在執行完所述第一脫困動作之後脫困失敗，控制所述清潔設備收縮所述第二驅動輪，並執行第二脫困動作；以及<br/> 如果在執行完所述第二脫困動作之後脫困失敗，控制所述清潔設備收縮所述第一驅動輪，伸長所述第二驅動輪，並執行第三脫困動作。
如請求項1所述之清潔設備控制方法，其中，所述控制所述清潔設備伸長驅動輪，並執行脫困動作，包括：<br/> 控制所述清潔設備伸長所述第一驅動輪，並執行第二脫困動作；<br/> 如果在執行完所述第二脫困動作之後脫困失敗，控制所述清潔設備伸長所述第二驅動輪，並執行第一脫困動作；以及<br/> 如果在執行完所述第一脫困動作之後脫困失敗，控制所述清潔設備收縮所述第一驅動輪，並執行第三脫困動作。
如請求項1所述之清潔設備控制方法，其中，所述控制所述清潔設備伸長驅動輪，並執行脫困動作，包括：<br/> 控制所述清潔設備伸長所述第一驅動輪，並執行第二脫困動作；<br/> 如果在執行完所述第二脫困動作之後脫困失敗，控制所述清潔設備收縮所述第一驅動輪，伸長所述第二驅動輪，並執行第三脫困動作；以及<br/> 如果在執行完所述第三脫困動作之後脫困失敗，控制所述清潔設備伸長所述第一驅動輪，並執行第一脫困動作。
如請求項1所述之清潔設備控制方法，其中，所述控制所述清潔設備伸長驅動輪，並執行脫困動作，包括：<br/> 控制所述清潔設備同時伸長所述第一驅動輪和所述第二驅動輪，並執行第一脫困動作；以及<br/> 如果脫困失敗，控制所述清潔設備收縮所述第一驅動輪，並執行第三脫困動作。
如請求項1所述之清潔設備控制方法，其中，所述控制所述清潔設備伸長驅動輪，並執行脫困動作，包括：<br/> 控制所述清潔設備伸長所述第一驅動輪，並執行第二脫困動作；以及<br/> 如果脫困失敗，控制所述清潔設備伸長所述第二驅動輪，並執行第一脫困動作。
如請求項1所述之清潔設備控制方法，其中，所述控制所述清潔設備伸長驅動輪，並執行脫困動作，包括：<br/> 控制所述清潔設備伸長所述第一驅動輪，並執行第二脫困動作；以及<br/> 如果脫困失敗，控制所述清潔設備收縮所述第一驅動輪，伸長所述第二驅動輪，並執行第三脫困動作。
如請求項1所述之清潔設備控制方法，其中，所述控制所述清潔設備伸長驅動輪，並執行脫困動作，包括如下任意一種：<br/> 控制所述清潔設備同時伸長所述第一驅動輪和所述第二驅動輪，並執行第一脫困動作；<br/> 控制所述清潔設備伸長所述第一驅動輪，並執行第二脫困動作；以及<br/> 控制所述清潔設備伸長所述第二驅動輪，並執行第三脫困動作。
如請求項1所述之清潔設備控制方法，其中，所述控制所述清潔設備伸長驅動輪，並執行脫困動作，包括：<br/> 如果所述機身底部的與所述第一驅動輪和所述第二驅動輪對應的部分與地面之間的距離均落入所述預設距離區間，控制所述清潔設備同時伸長所述第一驅動輪和所述第二驅動輪，並執行第一脫困動作；<br/> 如果所述機身底部的與所述第一驅動輪對應的部分與地面之間的距離落入所述預設距離區間，控制所述清潔設備伸長所述第一驅動輪，並執行第二脫困動作；以及<br/> 如果所述機身底部的與所述第二驅動輪對應的部分與地面之間的距離落入所述預設距離區間，控制所述清潔設備伸長所述第二驅動輪，並執行第三脫困動作。
如請求項2至6、8至9其中任一項所述之清潔設備控制方法，其中，所述執行第一脫困動作，包括如下任意一種或多種：<br/> 同時控制所述第一驅動輪和所述第二驅動輪朝遠離所述障礙物的方向轉動；以及<br/> 交替控制所述第一驅動輪和所述第二驅動輪朝遠離所述障礙物的方向轉動。
如請求項2至4、6至9其中任一項所述之清潔設備控制方法，其中，所述執行第二脫困動作，包括：<br/> 控制所述第一驅動輪朝遠離所述障礙物的方向轉動。
如請求項2至5、7至9其中任一項所述之清潔設備控制方法，其中，所述執行第三脫困動作，包括：<br/> 控制所述第二驅動輪朝遠離所述障礙物的方向轉動。
如請求項1至9其中任一項所述之清潔設備控制方法，其中，所述驅動輪的伸長長度與所述距離正相關。
一種清潔設備控制裝置，包括：<br/> 獲取單元，配置為如果清潔設備被困在障礙物上，獲取所述清潔設備的機身底部與地面之間的距離；以及<br/> 控制單元，配置為如果所述距離落入預設距離區間，控制所述清潔設備伸長驅動輪，並執行脫困動作；<br/> 其中，所述清潔設備的機身底部與地面之間的距離為所述機身底部的與驅動輪對應的部分與地面之間的距離，所述驅動輪包括第一驅動輪和第二驅動輪。
一種電腦程式產品，包括電腦指令，所述電腦指令存儲在電腦可讀存儲介質中，且適於由處理器讀取並執行，以使得具有所述處理器的電腦設備執行如請求項1至13任一項所述的清潔設備控制方法。
一種電腦可讀存儲介質，包括存儲在其上的至少一條程式碼，所述至少一條程式碼由處理器載入並執行以實現如請求項1至13任一項所述的清潔設備控制方法所執行的操作。
一種清潔設備，包括一個或多個處理器和一個或多個記憶體，所述一個或多個記憶體中存儲有至少一條程式碼，所述至少一條程式碼由所述一個或多個處理器載入並執行以實現如請求項1至13中任一項所述的清潔設備控制方法。
一種監控攝影機，其包含有：<br/> 一殼體；<br/> 一影像擷取裝置，其係至少部分設置於該殼體內；以及<br/> 一鎖定裝置，其係設置在該殼體與該影像擷取裝置之間，該鎖定裝置包含有一操作件，該操作件係樞轉設置在該殼體與該影像擷取裝置之間且用來於一鎖定位置與一解鎖位置之間切換，當該操作件由該解鎖位置移動至該鎖定位置時，該影像擷取裝置沿一第一方向移動，以使該影像擷取裝置與該鎖定裝置彼此緊配合且該鎖定裝置與該殼體彼此緊配合，從而鎖定該影像擷取裝置的方位；<br/> 其中該第一方向平行於該操作件的一樞轉軸軸向。
如請求項1所述的監控攝影機，其中該鎖定裝置另包含有一支撐件，其係設置在該操作件與該影像擷取裝置之間，當該操作件由該解鎖位置移動至該鎖定位置時，該操作件驅動該支撐件沿該第一方向移動，以使該支撐件驅動該影像擷取裝置沿該第一方向移動。
如請求項2所述的監控攝影機，其中該操作件形成有至少一驅動結構，該支撐件形成有至少一配驅結構，當該操作件由該解鎖位置移動至該鎖定位置時，該操作件藉由該至少一驅動結構與該至少一配驅結構的彼此配合以驅動該支撐件沿該第一方向移動。
如請求項2所述的監控攝影機，其中該操作件形成有至少一驅動結構，該殼體形成有至少一配驅結構，當該操作件由該解鎖位置移動至該鎖定位置時，該操作件藉由該至少一驅動結構與該至少一配驅結構的彼此配合而沿該第一方向移動，藉以推抵該支撐件沿該第一方向移動。
如請求項3或4所述的監控攝影機，其中該殼體形成有至少一導引結構，該支撐件形成有至少一配導結構，該至少一導引結構與該至少一配導結構係用以彼此滑動配合，以導引該支撐件沿該第一方向移動。
如請求項3或4所述的監控攝影機，其中該鎖定裝置另包含有一支架，其係至少部分罩覆該影像擷取裝置，且該影像擷取裝置係於沿該第一方向移動時推抵該支架，以驅動該支架沿該第一方向移動。
如請求項6所述的監控攝影機，其中該影像擷取裝置包含有至少一卡合結構，該支架包含有至少一配卡結構，當該影像擷取裝置沿該第一方向移動時，該至少一卡合結構推抵該至少一配卡結構以驅動該支架沿該第一方向移動。
如請求項7所述的監控攝影機，其中當該操作件由該解鎖位置移動至該鎖定位置時，該影像擷取裝置沿該第一方向移動，以使該至少一卡合結構與該至少一配卡結構彼此緊配合，當該操作件由該鎖定位置移動至該解鎖位置時，該影像擷取裝置沿相反於該第一方向之一第二方向移動，以使解除該至少一卡合結構與該至少一配卡結構的緊配合。
如請求項6所述的監控攝影機，其中該殼體包含有一底座以及設置於該底座之至少一輔助件，該支架包含有活動設置於該底座與該至少一輔助件之間的一活動部，當該操作件由該解鎖位置移動至該鎖定位置時，該支架的該活動部沿該第一方向移動，以使該活動部與該至少一輔助件彼此緊配合。
如請求項9所述的監控攝影機，其中該活動部形成有一抵接結構，該至少一輔助件形成有一配抵結構，當該操作件由該解鎖位置移動至該鎖定位置時，該支架的該活動部沿該第一方向移動，以使該抵接結構與該配抵結構彼此緊配合。
如請求項10所述的監控攝影機，其中當該操作件由該鎖定位置移動至該解鎖位置時，該支架的該活動部沿相反於該第一方向之一第二方向移動，以解除該抵接結構與該配抵結構的緊配合。
如請求項1至4其中任一項所述的監控攝影機，其中當該操作件由該鎖定位置移動至該解鎖位置時，該影像擷取裝置沿相反於該第一方向之一第二方向移動，以解除該影像擷取裝置與該鎖定裝置的緊配合以及該鎖定裝置與該殼體的緊配合。
如請求項1至4其中任一項所述的監控攝影機，其中該殼體形成有一定位結構，其係用以於該操作件由該解鎖位置移動至該鎖定位置時，將該操作件定位在該鎖定位置。
如請求項1至4其中任一項所述的監控攝影機，其中該殼體形成有至少一止擋結構，其係用以將該操作件止擋在該解鎖位置，或該鎖定位置。
一種光譜特徵量測方法，包括： <br/>以光譜量測裝置，對待測物上的多個待測點進行量測，以得到所述多個待測點所發出的多個待測光譜的多個濾波訊號組，其中所述光譜量測裝置包括一光學濾片組及至少一個光感測器，其中所述多個待測點所發出的所述多個待測光譜經所述光學濾片組入射所述至少一個光感測器，經所述至少一個光感測器偵測後而得到所述多個濾波訊號組； <br/>根據所述多個濾波訊號組與一演算法，計算所述多個待測光譜的光譜特徵， <br/>其中所述演算法由多個參考光譜、所述多個參考光譜的多個參考濾波訊號組與所述多個光譜特徵所產生，所述演算法為所述參考光譜的參考光譜特徵對所述參考濾波訊號組的擬合函數，所述多個參考光譜與所述多個待測光譜的相似性大於一相似性閥值， <br/>其中所述演算法為對所述參考濾波訊號組進行數學運算以得到多個代表性參數，並對所述多個代表性參數及所述參考光譜特徵以機器學習演算法分群、回歸分析、或深度學習方式得到對應關係。
如請求項1所述的方法，其中所述多個濾波訊號組的每一個包括至少兩個濾波訊號。
如請求項1所述的方法，其中，所述方法更包括： <br/>根據所述光譜特徵，判斷所述多個待測點的狀態。
如請求項3所述的方法，其中所述測物的所述狀態包括正常、異常、或符合標準。
如請求項1所述的方法，其中所述多個參考光譜為其他相同待測物所產生的光譜。
如請求項1所述的方法，其中所述多個參考光譜為所述待測物中數個參考點產生的光譜。
如請求項1所述的方法，其中所述多個參考光譜包括所述待測物中至少一參考點產生的第一參考光譜，並根據所述第一參考光譜的峰值波長對所述第一參考光譜進行平移。
如請求項1所述的方法，所述演算法為由一資料庫中，以與所述待測物相似的樣品的已建立的所述參考光譜與對應的所述參考濾波訊號組之關係。
如請求項1所述的方法，其中所述光譜特徵包括：峰波長、主波長、光譜總強度、半高寬、色純度或色度座標。
如請求項1所述的方法，其中所述多個待測點以電致發光或光致發光發出所述多個待測光譜， <br/>其中所述電致發光為對所述待測點通電使所述待測點發光， <br/>其中所述光致發光為對所述待測點以一激發光束照射，以激發所述待測點，並使所述待測點發光。
如請求項1所述的方法，其中所述的光譜量測裝置更包括一光譜儀，其中所述方法更包括：用所述光譜儀量測所述待測物的至少一個點的監視光譜，並提取所述監視光譜的光譜特徵。
如請求項11所述的方法，更包括：若所述待測光譜的所述光譜特徵與所述監視光譜的所述光譜特徵的差值或所述差值與所述監視光譜的所述光譜特徵的比值小於一閥值，則以所述待測光譜的所述光譜特徵作為所述待測物的光譜特徵。
如請求項11所述的方法，更包括：若所述待測光譜的所述光譜特徵與所述監視光譜的所述光譜特徵的差值或所述差值與所述監視光譜的所述光譜特徵的比值大於一閥值，則對所述待測光譜的所述光譜特徵進行一第二演算法，以得到修正後的所述待測光譜的所述光譜特徵，並以所述修正後的所述待測光譜的所述光譜特徵作為所述待測物的所述光譜特徵。
如請求項1所述的方法，其中所述的光譜量測裝置更包括一光譜儀，其中所述方法更包括：用所述光譜儀量測所述待測物的至少一個點的光譜，以作為所述多個參考光譜。
如請求項1所述的方法，更包括：以所述光譜特徵，判斷所述待測物的瑕疵種類。
一種光譜特徵量測方法，包括： <br/>以光譜量測裝置，對待測物上的多個待測點進行量測，以得到所述多個待測點所發出的多個待測光譜的多個濾波訊號組，其中所述光譜量測裝置包括一光學濾片組及至少一個光感測器，其中所述多個待測點所發出的所述多個待測光譜經所述光學濾片組入射所述至少一個光感測器，經所述至少一個光感測器偵測後而得到所述多個濾波訊號組； <br/>根據所述多個濾波訊號組與一演算法，判斷所述待測物的瑕疵種類， <br/>其中所述演算法由所述待測物的多種瑕疵所產生的多個參考光譜、所述多個參考光譜的多個參考濾波訊號組，與所述待測物的所述多種瑕疵所產生，其中所述演算法為所述參考光譜的參考光譜特徵對所述參考濾波訊號組的擬合函數， <br/>其中所述演算法為對所述參考濾波訊號組進行數學運算以得到多個代表性參數，並對所述多個代表性參數及所述參考光譜特徵以機器學習演算法分群、回歸分析、或深度學習方式得到對應關係。
一種用於記憶體內計算的權重映射的電路，包括：<br/> 一記憶體陣列，包含複數個記憶體單元；<br/> 複數個第一位址線，該些第一位址線中的每一者與該些記憶體單元中的一對應記憶體單元耦接；及<br/> 複數個第二位址線，該些第二位址線中的每一者與該些記憶體單元中的一組記憶體單元耦接，<br/> 其中當對應於該些記憶體單元中的一或多個記憶體單元的該些第一位址線中的一或多者及該些第二位址線中的一或多者被斷言時，該些記憶體單元中的該一或多個記憶體單元用以被存取一或多個權重值，<br/> 其中該記憶體陣列的一列用以儲存對應一權重矩陣的複數個第一權重值，該些第一權重值為該權重矩陣的全部權重值，<br/> 其中該電路用以將該列的複數個第一記憶體單元中的每相鄰二者的儲存值相互切換，以使該列對應該權重矩陣的一轉置矩陣，<br/> 其中該些第一記憶體單元是該列中的該些記憶體單元的一部分。
如請求項1所述之電路，進一步包括複數個邏輯及閘，該些邏輯及閘中的每一者可操作地耦接在該些第一位址線中的一對應第一位址線與該些第二位址線中的一對應第二位址線之間。
如請求項2所述之電路，其中該些邏輯及閘中的每一者包含用於接收一致能訊號的一第一輸入及用於接收一位址訊號的一第二輸入。
如請求項1所述之電路，其中該權重矩陣係一<i>n</i>乘<i>n</i>矩陣。
如請求項1所述之電路，其中該些記憶體單元中的該一或多個記憶體單元用以在一第一時間利用該權重矩陣存取以進行一讀取操作。
如請求項1所述之電路，其中該些第一位址線中的位址線的一第一數目對應於該些記憶體單元的一數目，且該些第二位址線中的位址線的一第二數目對應於該些記憶體單元中的列或行的一數目。
一種用於記憶體內計算的權重映射的電路，包括：<br/> 一記憶體陣列；及<br/> 一控制電路，與該記憶體陣列可操作地耦接，該控制電路用以：<br/> 提供一致能訊號及一位址訊號；<br/> 基於該致能訊號及該位址訊號存取該記憶體陣列的至少一個記憶體單元，<br/> 其中該記憶體陣列的一列用以儲存對應一權重矩陣的複數個第一權重值，該些第一權重值為該權重矩陣的全部權重值；及<br/> 將該列的複數個第一記憶體單元中的每相鄰二者的儲存值相互切換，以使該列對應該權重矩陣的一轉置矩陣，<br/> 其中該些第一記憶體單元是該列中的該些記憶體單元的一部分。
如請求項7所述之電路，其中該控制電路用以交替地斷言該記憶體陣列的不同列，<br/> 其中當該控制電路斷言該記憶體陣列的一個列時，該控制電路用以一次存取耦接至該記憶體陣列的該一個列的完整記憶體單元。
一種用於記憶體內計算的權重映射的方法，包括以下步驟：<br/> 在一第一時間提供一第一位址訊號及一第一致能訊號；<br/> 基於該第一位址訊號及該第一致能訊號存取一記憶體陣列中的一第一組記憶體單元，其中該第一組記憶體單元對應於一第一權重矩陣；<br/> 在一第二時間提供一第二位址訊號及一第二致能訊號；<br/> 基於該第二位址訊號及該第二致能訊號存取該記憶體陣列中的一第二組記憶體單元，其中該第二組記憶體單元對應於一第二權重矩陣，該第二權重矩陣係該第一權重矩陣的一轉置矩陣；<br/> 藉由該記憶體陣列的一列儲存對應一第三權重矩陣的複數個第一權重值，該些第一權重值為該第三權重矩陣的全部權重值；及<br/> 將該列的複數個第一記憶體單元中的每相鄰二者的儲存值相互切換，以使該列對應該第三權重矩陣的一轉置矩陣。
如請求項9所述之方法，進一步包括以下步驟：<br/> 基於該第一位址訊號及該第一致能訊號的一邏輯及操作存取該第一組記憶體單元。
一種半導體製程設備，包括： <br/>一製程腔室，該製程腔室在一第一方向上相對設置有一第一爐門和一第二爐門，該第一爐門被設置為能夠開啟或關閉，且該製程腔室中設置有一承載裝置，該承載裝置用於承載多個載片舟，且多個該載片舟沿該第一方向間隔設置，每個該載片舟均包括間隔設置的多個舟片； <br/>多個連接組，與多個該載片舟一一對應地設置，且每個該連接組包括一連接結構，該連接結構被設置為與對應的該載片舟中的各該舟片電連接，且使各相鄰的兩個該舟片的極性相反；並且，各相鄰兩個該連接組的該連接結構在相鄰兩個該載片舟之間電連接；靠近該第二爐門的該連接組的該連接結構在相對於該第二爐門的一側設置有一第一電極連接端和一第二電極連接端； <br/>一第一電極引入組件和一第二電極引入組件，貫通設置於該第二爐門，並分別與該第一電極連接端和該第二電極連接端電連接，用以將射頻電壓通過對應該連接組的該連接結構加載至該載片舟中的各該舟片。
如請求項1所述的半導體製程設備，其中，每個該載片舟中的該舟片包括至少一個第一舟片、至少一個第二舟片和至少一個第三舟片；其中， <br/>該第一舟片和該第二舟片均具有三個舟耳，其中兩個舟耳與另一個舟耳分別位於該第一舟片或該第二舟片在該第一方向上的兩側，且該第一舟片的兩個舟耳所在一側與該第二舟片的兩個舟耳所在一側相反；該第三舟片具有兩個舟耳，且分別位於該第三舟片在該第一方向上的兩側； <br/>每個該連接結構用於通過與該至少一個第一舟片、至少一個第二舟片和至少一個第三舟片的各舟耳電連接，來實現各相鄰的兩個該舟片的極性相反。
如請求項2所述的半導體製程設備，其中，每個該載片舟中，該第一舟片和該第二舟片相鄰；多個該第三舟片劃分為一第一組和一第二組，該第一組位於該第二舟片遠離該第一舟片一側，該第二組位於該第一舟片遠離該第二舟片一側；所有的該舟片沿該舟片的間隔排布方向，且從該第一組向該第二組依次排序； <br/>每個該連接結構均包括一第一連接組件和一第二連接組件；其中，該第一連接組件位於對應該載片舟在該第一方向上的其中一側，且被設置為將位於該側的該第一組中序號為奇數的第三舟片均與該第二舟片電連接，且極性為一第一極性，並且序號為偶數的第三舟片均與該第一舟片電連接，且極性為一第二極性；以及將位於該側的該第二組中序號為奇數的第三舟片之間電連接，且極性為該第一極性，並且序號為偶數的第三舟片均與該第一舟片電連接，且極性為該第二極性；該第一極性與該第二極性相反； <br/>該第二連接組件位於每個該載片舟在該第一方向上的另一側，且被設置為將位於該側的該第一組中序號為奇數的第三舟片均與該第二舟片電連接，且極性為該第一極性，並且序號為偶數的第三舟片之間電連接，且極性為該第二極性；以及將位於該側的該第二組中序號為奇數的第三舟片與該第二舟片電連接，且極性為該第一極性，並且序號為偶數的第三舟片均與該第一舟片電連接，且極性為該第二極性； <br/>兩個該載片舟的該第一連接組件位於該第一方向上分別靠近該第一爐門和該第二爐門一側，兩個該載片舟的該第二連接組件均位於兩個該載片舟之間，且電連接；靠近該第二爐門的該載片舟對應的該第一連接組件設置有該第一電極連接端和該第二電極連接端。
如請求項3所述的半導體製程設備，其中，該第一連接組件包括一第一側第一連接件和一第一側第二連接件，其中， <br/>該第一側第一連接件位於一第二方向上的一第一高度位置處，用於將該第一組中序號為奇數的第三舟片對應高度的舟耳均與該第二舟片對應高度的舟耳電連接，並將該第二組中序號為偶數的第三舟片對應高度的舟耳均與該第一舟片對應高度的舟耳電連接，且將該第一舟片對應高度的舟耳與該第二舟片對應高度的舟耳電絕緣；該第二方向垂直於水平面； <br/>該第一側第二連接件位於該第二方向上的一第二高度位置處，用於將該第一組中序號為偶數的第三舟片對應高度的舟耳均與該第一舟片對應高度的舟耳電連接，並將該第二組中序號為奇數的第三舟片對應高度的舟耳電連接，且將該第一舟片對應高度的舟耳與該第二組中最靠近該第一舟片的第三舟片的對應高度的舟耳電絕緣；該第二高度位置與該第一高度位置不同。
如請求項4所述的半導體製程設備，其中，該第一側第一連接件包括沿該舟片的間隔排布方向，且從第一組向第二組依次排列，且固定連接在一起的一第一側第一導電塊、一第一側第一絕緣塊和一第一側第二導電塊，其中， <br/>該第一側第一導電塊與該第一組中序號為奇數的第三舟片對應高度的舟耳以及該第二舟片對應高度的舟耳插接，且電導通； <br/>該第一側第二導電塊與該第二組中序號為偶數的第三舟片對應高度的舟耳以及該第一舟片對應高度的舟耳插接，且電導通； <br/>該第一側第一絕緣塊位於該第一舟片對應高度的舟耳與該第二舟片對應高度的舟耳之間，且將二者電絕緣； <br/>靠近該第二爐門的該載片舟對應的該第一側第二導電塊上設置有該第二電極連接端。
如請求項4所述的半導體製程設備，其中，該第一側第二連接件包括沿該舟片的間隔排布方向，且從第一組向第二組依次排列，且固定連接在一起的一第一側第三導電塊、一第一側第二絕緣塊和一第一側第四導電塊，其中， <br/>該第一側第三導電塊與該第一組中序號為偶數的第三舟片對應高度的舟耳以及該第一舟片對應高度的舟耳插接，且電導通； <br/>該第一側第四導電塊與該第二組中序號為奇數的第三舟片對應高度的舟耳插接，且電導通； <br/>該第一側第二絕緣塊位於該第一舟片對應高度的舟耳與該第二組中最靠近該第一舟片的第三舟片的對應高度的舟耳之間，且將二者電絕緣； <br/>靠近第二爐門的載片舟對應的該第一側第四導電塊上設置有該第一電極連接端。
如請求項4所述的半導體製程設備，其中，該第二連接組件包括一第二側第一連接件和一第二側第二連接件，其中， <br/>該第二側第一連接件位於該第一高度位置處，用於將該第一組中序號為偶數的第三舟片對應高度的舟耳電連接，並將該第二組中奇數的第三舟片對應高度的舟耳與該第二舟片對應高度的舟耳電連接，且將位於該第一組中最靠近該第二舟片的第三舟片的對應高度的舟耳與該第二舟片的對應高度的舟耳電絕緣； <br/>該第二側第二連接件位於該第二高度位置處，用於將該第一組中序號為奇數的第三舟片對應高度的舟耳均與該第二舟片對應高度的舟耳電連接，並將該第二組中序號為偶數的第三舟片對應高度的舟耳均與該第一舟片對應高度的舟耳電連接，且將該第一舟片對應高度的舟耳與該第二舟片對應高度的舟耳電絕緣。
如請求項7所述的半導體製程設備，其中，該第二側第一連接件包括沿該舟片的間隔排布方向，且從第一組向第二組依次排列，且固定連接在一起的一第二側第一導電塊、一第二側第一絕緣塊和一第二側第二導電塊，其中， <br/>該第二側第一導電塊與該第一組中序號為偶數的第三舟片對應高度的舟耳插接，且電導通； <br/>該第二側第二導電塊與該第二組中奇數的第三舟片對應高度的舟耳以及該第二舟片對應高度的舟耳插接，且電導通； <br/>該第二側第一絕緣塊位於該第一組中最靠近該第二舟片的第三舟片的對應高度的舟耳與該第二舟片的對應高度的舟耳之間，且將二者電絕緣。
如請求項7所述的半導體製程設備，其中，該第二側第二連接件包括沿該舟片的間隔排布方向，且從第一組向第二組依次排列，且固定連接在一起的一第二側第三導電塊、一第二側第二絕緣塊和一第二側第四導電塊，其中， <br/>該第二側第三導電塊與該第一組中序號為奇數的第三舟片對應高度的舟耳以及該第二舟片對應高度的舟耳插接，且電導通； <br/>該第二側第四導電塊與該第二組中序號為偶數的第三舟片對應高度的舟耳以及該第一舟片對應高度的舟耳插接，且電導通； <br/>該第二側第二絕緣塊位於該第一舟片對應高度的舟耳與該第二舟片對應高度的舟耳之間，且將二者電絕緣。
如請求項9所述的半導體製程設備，還包括導線組件，該導線組件包括一第一導線和一第二導線，其中，該第一導線的兩端分別與相鄰兩個該載片舟對應的該第二側第三導電塊插接，且電導通； <br/>該第二導線的兩端分別與相鄰兩個該載片舟對應的該第二側第四導電塊插接，且電導通。
如請求項4所述的半導體製程設備，其中，該第二高度位置低於該第一高度位置。
如請求項1所述的半導體製程設備，其中，該第一電極引入組件和該第二電極引入組件均包括設置於該第二爐門背離該製程腔室內部的一側的一電極主體，以及一電極連接杆，其中，該電極主體用於與射頻電源電連接；該電極連接杆的一端與該電極主體電連接，另一端貫通該第二爐門，並延伸至該製程腔室內部，且與該第一電極連接端或第二電極連接端插接，且電導通。
如請求項1-12中任意一項所述的半導體製程設備，其中，每個該載片舟中的該舟片均沿舟片間隔排布的方向劃分為多個舟片組，兩個該載片舟對應的該舟片組的數量相同，且一一對應； <br/>每個該連接組中的該連接結構為多個，各該連接結構被設置為一一對應地與各該舟片組中的多個舟片電性連接，且使各相鄰的兩個該舟片的極性相反； <br/>對於靠近該第二爐門的該連接組中的多個該連接結構均設置有該第一電極連接端和該第二電極連接端；各相鄰兩個該連接組中的各個該連接結構在相鄰兩個該載片舟之間一一對應地電連接； <br/>該第一電極引入組件的數量與該第一電極連接端的數量相同，且一一對應地電連接；該第二電極引入組件的數量與該第二電極連接端的數量相同，且一一對應地電連接。
如請求項13所述的半導體製程設備，其中，每個該載片舟中各相鄰兩個該舟片組之間均設置有一絕緣片； <br/>各相鄰的兩個該連接結構之間均設置有一絕緣件。
如請求項1所述的半導體製程設備，其中，該承載裝置包括兩個支撐柱，兩個該支撐柱在該舟片的間隔排布方向上相對設置，且均沿該第一方向延伸設置，每個該支撐柱的兩端分別與該第一爐門和該第二爐門固定連接； <br/>每個該支撐柱上均設置有一絕緣結構，用於將該支撐柱與兩個該載片舟電絕緣。
一種電子裝置，包括： <br/>一第一機體； <br/>一第二機體，該第一機體可樞轉地連接於該第二機體；以及 <br/>至少一樞軸模組，其中各該至少一樞軸模組包括： <br/>一第一傳動輪； <br/>一連動組件，連接於該第一機體及該第二機體； <br/>一第一滑動件，連接於該第一機體且連動於該第一傳動輪； <br/>一第一從動件，連接於該第一傳動輪及該連動組件；以及 <br/>一第一繩體，連接於該第一滑動件及該第一傳動輪， <br/>該第一機體相對於該第二機體的轉動，帶動該連動組件及該第一從動件作動而驅動該第一傳動輪轉動，該第一傳動輪相對於第一繩體的轉動驅動第一滑動件及至少部分的該第一機體相對於該連動組件的一中心軸移動。
如請求項1所述的電子裝置，其中該第一機體包括一第一功能模組及一第一殼體，該第一功能模組可滑動地連接於該第一殼體，該第一滑動件連接於該第一功能模組，且適於帶動該第一功能模組相對於該第一殼體滑動。
如請求項2所述的電子裝置，其中當該電子裝置處於一第一狀態時，該第一功能模組對該第一殼體的投影完全位於該第一殼體內，當該電子裝置處於一第二狀態時，該第一功能模組對該第一殼體的投影部分位於該第一殼體內。
如請求項2所述的電子裝置，其中處於一第一狀態的該電子裝置的該第一功能模組的一末端與該第一殼體的一末端之間的一距離，小於處於一第二狀態的該電子裝置的該第一功能模組的該末端與第一殼體的該末端之間的一距離。
如請求項1所述的電子裝置，其中該第一機體包括一第一功能模組及一第一殼體，該第一功能模組設置於該第一殼體，該第一滑動件連接於該第一殼體，且適於帶動該第一機體相對於該第二機體滑動。
如請求項1所述的電子裝置，其中該連動組件包括一第一主軸、一第二主軸及一連動部，該第一主軸連動於該第一機體，該第二主軸連動於該第二機體，該連動部包括兩主軸齒輪及一連動齒輪，該兩主軸齒輪分別套設於該第一主軸及該第二主軸，該連動齒輪設置於該兩主軸齒輪之間且嚙合於該兩主軸齒輪。
如請求項6所述的電子裝置，其中該連動組件包括一第一支架及一第二支架，該第一支架連接於該第一機體，該第二支架連接於該第二機體，該第一主軸連接於該第一支架，該第二主軸連接於該第二支架。
如請求項6所述的電子裝置，其中該第一從動件包括相互嚙合的多個齒輪，該連動組件包括一連接件及一第一齒結構，該第一主軸及該第二主軸可動地套設於該連接件，該第一齒結構形成於該連接件，該些齒輪中的一個連接該第一傳動輪，該些齒輪中的另一個嚙合於該第一齒結構。
如請求項1所述的電子裝置，其中各該至少一樞軸模組更包括一第一調節件，該第一繩體連接於該第一滑動件及第一調節件。
如請求項1所述的電子裝置，其中各該至少一樞軸模組更包括一第二傳動輪、一第二滑動件、一第二從動件及一第二繩體，該第二從動件連接於該第二傳動輪及該連動組件，該第二滑動件連接於該第二機體且連動於該第二傳動輪，該第二繩體連接於該第二滑動件及該第二傳動輪。
如請求項10所述的電子裝置，該第一機體相對於該第二機體的轉動，帶動該連動組件作動以驅動該第二機體相對於該第一機體轉動，且帶動該第二從動件驅動該第二傳動輪轉動，該第二傳動輪相對於第二繩體的轉動驅動第二滑動件及至少部分的該第二機體相對於該第一機體滑動。
如請求項10所述的電子裝置，其中該第二機體包括一第二功能模組及一第二殼體，該第二功能模組可滑動地連接於該第二殼體，該第二滑動件連接於該第二功能模組，且適於帶動該第二功能模組相對於該第二殼體滑動。
如請求項12所述的電子裝置，其中當該電子裝置處於一第一狀態時，該第二功能模組對該第二殼體的投影完全位於該第二殼體內，當該電子裝置處於一第二狀態時，該第二功能模組對該第二殼體的投影部分位於該第二殼體內。
如請求項12所述的電子裝置，其中處於一第一狀態的該電子裝置的該第二功能模組的一末端與該第二殼體的一末端之間的一距離，小於處於一第二狀態的該電子裝置的該第二功能模組的該末端與第二殼體的該末端之間的一距離。
如請求項10所述的電子裝置，其中該第二機體包括一第二功能模組及一第二殼體，該第二功能模組設置於該第二殼體，該第二滑動件連接於該第二殼體，且適於帶動該第二機體相對於該第一機體滑動。
如請求項10所述的電子裝置，其中該連動組件包括一第一主軸、一第二主軸、一連動部、一連接件及一第二齒結構，該第一主軸通過該連動部連動於該第二主軸，該第二從動件包括相互嚙合的多個齒輪，該第一主軸及該第二主軸可動地套設於該連接件，該第二齒結構形成於該連接件，該些齒輪中的一個連接該第二傳動輪，該些齒輪中的另一個嚙合於該第二齒結構。
如請求項10所述的電子裝置，其中各該至少一樞軸模組更包括一第二調節件，該第二繩體連接於該第二滑動件及第二調節件。
如請求項1所述的電子裝置，更包括一連動桿，該至少一樞軸模組包括兩樞軸模組，該連動桿連接於該兩樞軸模組。
一種超薄型LED電極組件的製作方法，包括：<br/> 在側面相互隔開的至少兩個第一電極相互隔開的第一電極線投入具有多個超薄型LED元件的溶液的步驟；<br/> 向相鄰的第一電極施加具有500Hz以下頻率的交流電源，來形成電場的步驟；<br/> 向第一電極的頂面內移動位於電場內的超薄型LED元件的步驟；及<br/> 在配置於第一電極的頂面內的超薄型LED元件形成第二電極線的步驟。
如請求項1之超薄型LED電極組件的製作方法，其中<br/> 所述交流電源的頻率為1Hz～500Hz，電壓為5Vpp～100Vpp。
如請求項1之超薄型LED電極組件的製作方法，其中<br/> 所述溶液內的溶劑的黏度為50cP以下。
如請求項1之超薄型LED電極組件的製作方法，其中<br/> 所述溶液內的溶劑的介電常數（ε）為5～50。
如請求項1之超薄型LED電極組件的製作方法，其中<br/> 所述超薄型LED元件由包括第一導電性半導體層、光活性層及第二導電性半導體層的多個層層疊而成，為了以垂直於所述多個層所層疊的方向的軸方向為準產生旋轉扭矩，還具有用於包圍超薄型LED元件的側面的旋轉誘導膜。
如請求項5之超薄型LED電極組件的製作方法，其中<br/> 所述旋轉誘導膜的介電常數（ε）為3～26。
如請求項1之超薄型LED電極組件的製作方法，其中<br/> 在所述超薄型LED元件中，垂直於多個層的層疊方向的橫截面內的長軸長度（a）與作為所述層疊方向的長度的厚度（b）的比率（b/a）為大於0～2.0以下。
如請求項7之超薄型LED電極組件的製作方法，其中<br/> 超薄型LED元件的所述比率（b/a）為大於0～1.8以下。
一種超薄型LED電極組件，包括：<br/> 第一電極線，包括以側面相向的方式相互隔開的至少兩個第一電極；<br/> 多個超薄型LED元件，包括位於第一電極的頂面內的第一超薄型LED元件；及<br/> 第二電極線，配置於所述第一超薄型LED元件，<br/> 並且，根據下列數學式1算出的第一電極頂面內的放置比率滿足40%以上，<br/> 其中所述超薄型LED元件由包括第一導電性半導體層、光活性層及第二導電性半導體層的多個層層疊而成，為了以垂直於所述多個層所層疊的方向的軸方向為準產生旋轉扭矩，還具有用於包圍超薄型LED元件的側面的旋轉誘導膜，其中所述旋轉誘導膜的介電常數（ε）為3～30，<br/> 其中在所述超薄型LED元件中，垂直於多個層的層疊方向的橫截面內的長軸長度（a）與作為所述層疊方向的長度的厚度（b）的比率（b/a）為大於0～2.0以下：<br/> [數學式1]<br/><img align="absmiddle" height="32px" width="214px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中超薄型LED元件的數量意味著配置於第一電極線的單位面積（1mm<sup>2</sup>）內的超薄型LED元件總數及第一超薄型LED元件數量。
如請求項9之超薄型LED電極組件，其中<br/> 作為在配置於第一電極線的單位面積（1mm<sup>2</sup>）內的第一超薄型LED元件數量中以第一面與第一電極的頂面相接觸，第二面與第二電極線相接觸的方式得到安裝的第三超薄型LED元件的數量以及以第二面與第一電極的頂面相接觸，第一面與第二電極線相接觸的方式得到安裝的第四超薄型LED元件的數量總和之比的可驅動的安裝比率為40%以上。
如請求項9之超薄型LED電極組件，其中<br/> 相鄰的第一電極之間的間隔為2μm～10μm。
如請求項9之超薄型LED電極組件，其中<br/> 在所述超薄型LED元件中，作為多個層所層疊的方向的長度的厚度為0.5μm～1.5μm，垂直於多個層的層疊方向的橫截面內的長軸長度為0.5μm～3.0μm。
如請求項10之超薄型LED電極組件，其中<br/> 根據數學式1算出的第一電極頂面內的放置比率為80%以上，且所述可驅動的安裝比率為50%以上。
一種光源，其中包括請求項9至請求項13中任一項之超薄型LED電極組件。
一種生產二苯胺的方法，其特徵在於，所述方法包括：在烯烴的存在下，將苯胺與催化劑接觸，進行縮合反應；其中，所述烯烴中的碳原子數為2-4個；所述縮合反應的條件包括：反應溫度為130-220℃，苯胺的液時體積空速為0.01-1h<sup>-1</sup>，反應壓力為1-5MPa。
如請求項1所述的方法，其中，所述烯烴選自乙烯、丙烯、1-丁烯、2-丁烯和異丁烯中的至少一種。
如請求項2所述的方法，其中，所述烯烴為乙烯和/或丙烯。
如請求項3所述的方法，其中，所述烯烴為丙烯。
如請求項1所述的方法，其中，所述烯烴與苯胺的莫耳比為1：（1-5）。
如請求項5所述的方法，其中，所述烯烴與苯胺的莫耳比為1：（1.5-3）。
如請求項1所述的方法，其中，在縮合反應過程中，所述烯烴以氣態形式存在。
如請求項1所述的方法，其中，所述縮合反應的條件包括：反應溫度為150-200℃，苯胺的液時體積空速為0.05-0.5h<sup>-1</sup>，反應壓力為3-5MPa。
如請求項1所述的方法，其中，所述接觸反應在固定床反應器中進行；烯烴與苯胺均採用上進料的方式送入所述固定床反應器並通過催化劑床層；或者，烯烴與苯胺均採用下進料的方式送入所述固定床反應器並通過催化劑床層；或者，烯烴採用下進料的方式、苯胺採用上進料的方式送入所述固定床反應器並通過催化劑床層。
如請求項1所述的方法，其中，所述催化劑包括β沸石和金屬組分。
如請求項10所述的方法，其中，所述β沸石中氧化矽與氧化鋁的莫耳比為20-100。
如請求項10所述的方法，其中，所述金屬組分選自鹼金屬中的至少一種。
如請求項12所述的方法，其中，所述金屬組分為鋰、鈉和鉀中的至少一種。
如請求項10所述的方法，其中，以所述催化劑的總質量為基準，所述β沸石的含量為50-90wt%，以元素計的所述金屬組分的含量為0.1-40wt%。
如請求項10所述的方法，其中，所述催化劑中還含有黏結劑，所述黏結劑為氧化鋁和/或二氧化矽。
如請求項15所述的方法，其中，以所述催化劑的總質量為基準，所述β沸石的含量為50-90wt%，以金屬元素計的鹼金屬組分含量為0.1-40wt%，黏結劑的含量為0.5-49.9wt%。
一種半導體封裝結構，包含：一導線架，包含彼此分離的一承載部及一電路部；一晶粒，設置於該導線架的該承載部，並電性連接於該導線架的該電路部；一第一電連接元件，包含一導電膠，該第一電連接元件的該導電膠設置並電性連接於該導線架的該電路部；一第二電連接元件，包含一導電膠，該第二電連接元件的該導電膠設置並電性連接於該導線架的該承載部；以及一封裝層，包覆該晶粒，該第一電連接元件的該導電膠及該第二電連接元件的該導電膠設置於該封裝層中，且該封裝層的相對二側面分別顯露該第一電連接元件的該導電膠及該第二電連接元件的該導電膠；其中該第一電連接元件更包含一非金屬核心以及一金屬膜，該金屬膜位於該非金屬核心之表面，該非金屬核心設置於該第一電連接元件的該導電膠遠離該導線架的一側，該封裝層的其中一個該側面顯露該非金屬核心及該金屬膜。
如請求項1所述之半導體封裝結構，其中該非金屬核心為不導電的。
如請求項1所述之半導體封裝結構，其中該非金屬核心的材料選自玻璃、無摻雜矽、氮化矽、氧化矽或模封樹脂。
如請求項1所述之半導體封裝結構，其中該金屬膜的材料和該導線架的材料相同。
如請求項1所述之半導體封裝結構，更包含一金屬層，至少部分的該金屬層設置於該導線架遠離該晶粒的一側。
如請求項5所述之半導體封裝結構，其中該金屬層包含一底部及至少一側部，該底部設置於導線架遠離該晶粒的一側，該至少一側部設置於該導線架的一側面並包含一平坦段及一弧形段，該平坦段連接該底部及該弧形段。
如請求項1所述之半導體封裝結構，其中該導線架具有至少一缺口，該至少一缺口位於該導線架的一底面及一側面的連接處。
如請求項1所述之半導體封裝結構，更包含一引線，該晶粒透過該引線電性連接於該導線架的該電路部，該引線未連接至該電路部上的該第一電連接元件。
如請求項1所述之半導體封裝結構，其中該第一電連接元件的該導電膠及該第二電連接元件的該導電膠為金屬導電膠。
一種可投放動態變化光影圖像的投影模組，包括：<br/> 一投影裝置，包含有相鄰且並列而設的一第一投影單元和一第二投影單元，以及設置於該第一、第二投影單元一側的一基板單元；<br/> 該第一和第二投影單元分別具有一第一投影筒和一第二投影筒，且各別的該第一和第二投影筒內各設有一透鏡組和一微縮圖像透光片，所述的兩微縮圖像透光片上分別具有相同且錯位的圖像，或是對稱且互補的圖像；<br/> 該基板單元上設有各自將光源投入該第一和第二投影筒內的至少一個發光元件，且投入該第一和第二投影筒的各別光源，分別經由設置於筒內的該透鏡組聚光並穿過該微縮圖像透光片後，將穿過兩個該微縮圖像透光片而形成的兩個光源影像同時投射到一目標區域，以產生錯位或是互補的一光影圖像；及<br/> 一光源控制器，用以控制該些發光元件產生明暗變化，在預定的一時間內，該些發光元件的光源會分別從全暗逐漸轉亮，且於到達全亮時再逐漸轉暗到全暗，並且持續重覆循環前述的光源明暗變化模式，該些發光元件的光源變化時間歷程包含一第一段歷程，該些發光元件保持亮度100%恆亮狀態的時間段；及一第二段歷程，該些發光元件展開多次循環光源明暗變化的時間段；其中，將光源分別投入該第一和第二投影筒以產生光影圖像的不同發光元件，經由時間差的控制而形成非同步的光源明暗變化，俾讓從該第一和第二投影筒分別投放到目標區域上所形成的光影圖像，產生視覺上的連續動態變化。
如請求項1所述的可投放動態變化光影圖像的投影模組，其中該些發光元件在第二段歷程中，以非同步模式展開多次循環光源明暗變化。
如請求項2所述的可投放動態變化光影圖像的投影模組，其中該些發光元件先後從全亮狀態逐漸降低亮度到達全暗狀態，並維持全暗狀態一段時間後，再開始反轉逐漸升高亮度，直到到達全亮狀態，然後維持全亮狀態一段時間。
如請求項1所述的可投放動態變化光影圖像的投影模組，其中該第二段歷程的時間段為3秒鐘以上。
如請求項4所述的可投放動態變化光影圖像的投影模組，其中該第二段歷程的時間段為5-10秒鐘。
如請求項1所述的可投放動態變化光影圖像的投影模組，其中該些發光元件的光源變化時間歷程進一步包含：一第三段歷程，該些發光元件回復到亮度100%全亮的時間段。
如請求項1所述的可投放動態變化光影圖像的投影模組，其中該基板單元進一步包含有：<br/> 一第一基板，設置於該第一投影單元一側，且該第一基板設有用以將光源投入該第一投影筒內的至少一個發光元件；及<br/> 一第二基板，設置於該第二投影單元一側，且該第二基板設有用以將光源投入該第二投影筒內的至少一個發光元件。
如請求項1所述的可投放動態變化光影圖像的投影模組，其中該微縮圖像透光片上所設的圖像為係為文字、圖形、符號或其組合。
如請求項1所述的可投放動態變化光影圖像的投影模組，其中該微縮圖像透光片上所設的圖像為彩色圖像或無彩色圖像任一者。
一種半導體裝置的形成方法，包括：<br/> 提供一基底；<br/> 形成一溝槽於該基底中；<br/> 對該基底執行植入製程，以形成一第一阻障層於該溝槽的一側表面上；<br/> 形成一第二阻障層於該第一阻障層上且於該溝槽的一底表面上；<br/> 形成一晶種層於該第二阻障層上；及<br/> 形成一導電柱於該晶種層上，<br/> 其中該晶種層包括複數個子部分，且該複數個子部分彼此物理上地分離，且<br/> 其中形成該導電柱於該晶種層上更包括：<br/> 形成一目標層於該晶種層上；及<br/> 對該目標層執行再濺鍍製程，以使該目標層的一第一部分位於該溝槽之外，且使該目標層的一第二部分位於該溝槽之內，其中該目標層的該第二部分使該晶種層的該複數個子部分電性連接。
如請求項1所述的形成方法，其中該第一阻障層包括該基底的氮化物、碳化物或碳氮化物，且該第二阻障層包括金屬、導電金屬氮化物或導電金屬碳化物。
如請求項1所述的形成方法，其中形成該晶種層於該第二阻障層上更包括：<br/> 形成該晶種層於該第二阻障層上，其中該晶種層暴露該第一阻障層的一側表面；<br/> 形成一襯層於該晶種層上；<br/> 形成一介電層於該襯層上；及<br/> 移除該介電層及該襯層，以暴露該晶種層。
如請求項3所述的形成方法，其中在移除該介電層及該襯層之後，形成該目標層於該晶種層上。
如請求項4所述的形成方法，其中形成該晶種層於該第二阻障層上更包括：<br/> 在對該目標層執行該再濺鍍製程之前，移除該襯層，以暴露該晶種層、該第二阻障層及該第一阻障層。
如請求項1所述的形成方法，更包括：<br/> 提供一導電結構於該基底中，其中該溝槽的該底表面與該導電結構的一頂表面間隔一距離。
如請求項6所述的形成方法，其中該第一阻障層與該第二阻障層接觸該導電結構的該頂表面。
一種半導體裝置，包括：<br/> 一基底；<br/> 一導電結構，設置於該基底中；<br/> 一第一阻障層，設置於該基底中，且設置於該導電結構的一頂表面的一部分上；<br/> 一第二阻障層，設置於該基底中，設置於該第一阻障層上，且設置於該導電結構的該頂表面的一剩餘部分上；<br/> 一晶種層，設置於該第二阻障層上；及<br/> 一導電柱，設置於該晶種層上，<br/> 其中該第二阻障層暴露該第一阻障層的一側表面。
如請求項8所述的半導體裝置，其中該晶種層暴露該第一阻障層的一側表面，且該導電柱覆蓋經暴露的該第一阻障層的該側表面。
一種電化學反應設備，適用於與包括至少一能夠提供至少一金屬離子的材料的至少一反應液搭配使用而產生由該至少一金屬離子轉變的沉積物及該至少一反應液轉變成的經反應的溶液，且該電化學反應設備包含：<br/> 一反應槽，界定出一反應空間，且該反應空間被該至少一反應液分隔出一上空間部及一用來供該至少一反應液容置的下空間部；<br/> 一電極單元，包括<br/> 一陽極，具有一位於該下空間部的反應部，及<br/> 一陰極，能夠被驅動而旋轉並具有兩個以上的反應部，其中，該陰極的該等反應部輪流地設置在一第一位置及一第二位置，且當該陰極的該等反應部中任一者在該第一位置時，該陰極的該反應部位於該下空間部且與該陽極的反應部相對設置，當該陰極的該等反應部中任一者在該第二位置時，該陰極的反應部位於該上空間部且傾斜於該至少一反應液的液面，並與該液面的夾角為大於0度且85度以下；<br/> 一移除單元，設置在該上空間部並鄰近位在該第二位置的該陰極的該反應部，以用來移除沉積於位在該第二位置的該陰極的該反應部上的該沉積物；<br/> 一輸送單元，包括一用來承載經由該移除單元移除的沉積物的承載件，該承載件設置在該上空間部並延伸至該反應槽外，且設置於位在該第二位置的該陰極的該反應部的下方；及<br/> 一驅動單元，連接該陰極，以驅動該陰極旋轉，而使該陰極的該等反應部輪流地設置在該第一位置及該第二位置。
如請求項1所述的電化學反應設備，其中，該陽極的形狀為板狀、網狀、多孔狀或絲絨狀。
如請求項1所述的電化學反應設備，其中，該陰極及陽極中任一者包括至少一種材料，且該材料選自於金屬、金屬氧化物、金屬氫氧化物、金屬磷化物、金屬硫化物、碳材或多層複合物。
如請求項1所述的電化學反應設備，其中，該陽極的該反應部的表面積為位在該第一位置的該陰極的該反應部的表面積的1倍至1000倍。
如請求項1所述的電化學反應設備，其中，該陰極的該等反應部一體成型而構成的形狀為圓形、環形或錐形，或者該等反應部分別為數個間隔設置的導電件且每一導電件的形狀為扇形、矩形或柱形；當該等反應部為該等導電件時，該陰極界定出一對稱中心軸且每一導電件位於該對稱中心軸的徑向上。
如請求項1所述的電化學反應設備，其中，該電極單元還包括一隔離件，該隔離件設置在該反應槽的反應空間的下空間部，並設置在該陽極的反應部與位在該第一位置的該陰極的該反應部之間。
如請求項1所述的電化學反應設備，其中，該反應槽包括一與該反應空間的下空間部連通且用來供該至少一反應液流入至該反應空間的入液口，及一與該反應空間的下空間部連通且用來供該經反應的溶液流出的出液口。
如請求項1所述的電化學反應設備，還包含一位於該反應槽的反應空間的下空間部的輸液單元，該輸液單元包括至少一設置在該電極單元的周圍的噴頭。
如請求項1所述的電化學反應設備，其中，該驅動單元包括一連接該陰極的轉軸，以驅動該陰極旋轉，而使該陰極的該等反應部輪流地設置在該第一位置及該第二位置，且該轉軸傾斜於該陰極且與該陰極間的夾角為90度至150度。
如請求項1所述的電化學反應設備，其中，該移除單元選自於包括振盪器的振盪裝置、包括刮刀的移除裝置或包括噴嘴的流體噴射裝置。
一種電化學反應設備，適用於與包括至少一能夠提供金屬離子的材料的至少一反應液搭配使用而產生由該至少一金屬離子轉變的沉積物及該至少一反應液轉變成的經反應的溶液，且該電化學反應設備包含：<br/> 一反應槽，界定出一反應空間，且該反應空間被該至少一反應液分隔出一上空間部及一用來供該至少一反應液容置的下空間部；<br/> 複數電極單元，間隔地設置且每一電極單元包括<br/> 一陽極，具有一位於該下空間部的反應部，及<br/> 一陰極，能夠被驅動而旋轉並包括兩個以上的反應部，其中，該陰極的該等反應部輪流地設置在一第一位置及一第二位置，且當該陰極的該等反應部中任一者在該第一位置時，該陰極的該反應部位於該下空間部且與該陽極的反應部相對設置，當該陰極的該等反應部中任一者在該第二位置時，該陰極的反應部位於該上空間部且傾斜於該至少一反應液的液面，並與該液面的夾角為大於0度且85度以下；<br/> 複數移除單元，間隔地設置，且每一移除單元設置在該反應槽的反應空間的上空間部並鄰近位在各自的第二位置的各自的陰極的各自的反應部，以用來移除沉積於位在各自的第二位置的各自的陰極的各自的反應部上的該沉積物；<br/> 複數輸送單元，間隔地設置且每一輸送單元包括一用來承載經由各自的移除單元移除的沉積物的承載件，該承載件設置在該上空間部並延伸至該反應槽外，且位在各自的第二位置的各自的陰極的各自反應部的下方；及<br/> 複數驅動單元，間隔地設置且每一驅動單元連接各自的陰極，以驅動各自的陰極旋轉，而使各自的陰極的該等反應部輪流地設置在該第一位置及該第二位置。
一種使用電化學反應設備的方法，包含：<br/> (a)對一如請求項1至11中任一項所述的電化學反應設備的電極單元進行通電，以使容置在該電化學反應設備的該反應液進行反應，從而於位在該第一位置的該陰極的該反應部上沉積出沉積物；<br/> (b)該電化學反應設備的驅動單元驅動該陰極旋轉，以使位在該第一位置的該陰極的該反應部移動至該第二位置；及<br/> (c)該移除單元將位在該第二位置的該陰極的該反應部上的該沉積物移除，而落於該輸送單元上。
如請求項12所述的使用電化學反應設備的方法，還包含在步驟(a)前，將該反應液導入該電化學反應設備的反應槽中，且該反應液的能夠提供至少一金屬離子的材料為氯化物。
如請求項13所述的使用電化學反應設備的方法，其中，該反應液還包括過氧化氫，且該使用電化學反應設備的方法還包含在該提供至少一金屬離子的材料導入至該反應槽後加入過氧化氫，或者，在該反應液導入至該反應槽前，將該提供至少一金屬離子的材料與該過氧化氫混合。
一種可以提高訊號雜訊比的超音波換能器，其包含有：<br/> 一減振層；<br/> 一聲透鏡；<br/> 一換能模組，設置在該減振層與該聲透鏡之間；以及<br/> 一介面結構，設置在該換能模組之鄰近該減振層的一側，該介面結構具有規則排列且為六面體外型的複數個子結構，並且該複數個子結構之任意兩個子結構的尺寸差異低於一預定值。
如請求項1所述之超音波換能器，其中該換能模組包含一壓電材料層以及一聲阻匹配層，該壓電材料層附著於該減振層，該聲阻匹配層設置在該壓電材料層與該聲透鏡之間，該介面結構係設置在該壓電材料層之鄰近該減振層的一側。
如請求項1所述之超音波換能器，其中該換能模組包含一基材以及多個振動單元，該基材附著於該減振層，該多個振動單元設置在該基材與該聲透鏡之間，該介面結構係設置在該基材之鄰近該減振層的一側。
如請求項1所述之超音波換能器，其中該超音波換能器利用一中心頻率與一聲速計算出一預定波長，並且該複數個子結構之各子結構的一尺寸係小於該預定波長的四分之一。
如請求項4所述之超音波換能器，其中該子結構的該尺寸係介於該預定波長的12.5%與3.3%之間。
如請求項1所述之超音波換能器，其中該該超音波換能器利用一中心頻率與一聲速計算出一預定波長，並且該複數個子結構之各子結構的一尺寸係為該預定波長的二分之一的奇數倍。
如請求項1所述之超音波換能器，其中該換能模組之一壓電材料層包含多個條狀壓電單元，該多個條狀壓電單元之各條狀壓電單元具有鄰接的一長側與一短側，並且該多個條狀壓電單元以該短側並列設置之方式組合為該壓電材料層。
如請求項7所述之超音波換能器，其中該複數個子結構係均勻分布在該多個條狀壓電單元之該些長側。
如請求項7所述之超音波換能器，其中該多個條狀壓電單元之該些短側分別具有相對應的至少一個子結構。
如請求項1所述之超音波換能器，其中該複數個子結構之各子結構係為一梯形結構或一三角形結構。
一種記憶體裝置，包含：<br/> 一第一周邊電路，包含至少一頁緩衝器與至少一輸入／輸出電路(input/output circuit)；<br/> 一第二周邊電路，包含至少一電荷泵電路(charge pumping circuit)與至少一行解碼器(row decoder)；以及<br/> 一記憶體陣列，該記憶體陣列分別電性連接該第一周邊電路與該第二周邊電路，<br/> 其中該第一周邊電路、該第二周邊電路與該記憶體陣列沿著一縱向方向設置，該第一周邊電路與該第二周邊電路包含不同元件。
如請求項1所述之記憶體裝置，其中該第一周邊電路與該第二周邊電路設置於該記憶體陣列的相對兩側。
如請求項1所述之記憶體裝置，其中該第一周邊電路與該第二周邊電路設置於該記憶體陣列的同一側。
如請求項1所述之記憶體裝置，其中該第一周邊電路設置於一第一半導體結構中，該第二周邊電路設置於一第二半導體結構中，該第一半導體結構與該第二半導體結構沿著該縱向方向彼此堆疊，該第一半導體結構混合鍵合(hybrid bonding)於該第二半導體結構。
一種記憶體裝置，包含：<br/> 一第一半導體結構，包含一第一周邊電路，該第一周邊電路包含至少一頁緩衝器與至少一輸入／輸出電路；以及<br/> 一第二半導體結構，包含一第二周邊電路與一記憶體陣列，該第二周邊電路包含至少一電荷泵電路與至少一行解碼器，<br/> 其中該第一半導體結構鍵合於該第二半導體結構，該第一周邊電路電性連接該記憶體陣列，該第二周邊電路電性連接該記憶體陣列，該第一周邊電路與該第二周邊電路包含不同元件。
如請求項5所述之記憶體裝置，其中該第一周邊電路與該第二周邊電路設置於該記憶體陣列的相對兩側。
如請求項5所述之記憶體裝置，其中該第二半導體結構包含一基板與一接觸元件，<br/> 該第二周邊電路設置於該基板的一第一側，該記憶體陣列設置於該基板的一第二側且在該基板與該第一半導體結構之間，該第一側相對於該第二側，該接觸元件使該第一周邊電路電性連接該第二周邊電路。
如請求項7所述之記憶體裝置，其中該第一半導體結構包含一裝置層、一第一互連結構、一第二互連結構、一穿孔元件、一第三互連結構、以及輸入／輸出墊，該第一互連結構與第二互連結構設置於該裝置層的相對兩側，該第二互連結構設置於該輸入／輸出墊與該裝置層之間，該第一互連結構與該第三互連結構設置於該裝置層與該第二半導體結構之間，該穿孔元件貫穿該裝置層。
如請求項8所述之記憶體裝置，其中該輸入／輸出墊通過該第二互連結構、該穿孔元件與該第三互連結構電性連接該第二半導體結構。
一種記憶體裝置，包含：<br/> 一第一半導體結構，包含一第一周邊電路，該第一周邊電路包含至少一頁緩衝器與至少一輸入／輸出電路；<br/> 一第二半導體結構，包含一第二周邊電路，該第二周邊電路包含至少一電荷泵電路與至少一行解碼器；以及<br/> 一第三半導體結構，包含一記憶體陣列，<br/> 其中該第一半導體結構、該第二半導體結構與該第三半導體結構沿著一縱向方向設置，該第一周邊電路電性連接該記憶體陣列，該第二周邊電路電性連接該記憶體陣列，該第一周邊電路與該第二周邊電路包含不同元件。
如請求項10所述之記憶體裝置，其中該第三半導體結構在一縱向方向上設置於該第一半導體結構與該第二半導體結構之間。
如請求項10所述之記憶體裝置，其中該第一半導體結構以面朝面的方式鍵合於該第三半導體結構，該第二半導體結構以面朝背的方式鍵合於第三半導體結構。
如請求項10所述之記憶體裝置，其中該第二半導體結構以面朝面的方式鍵合於該第三半導體結構，該第一半導體結構以面朝背的方式鍵合於第三半導體結構。
如請求項10所述之記憶體裝置，其中該第三半導體結構包含一基板、一字元線、一插塞元件與一導電結構，該字元線、該插塞元件與該記憶體陣列在該基板上，該導電結構貫穿該基板，該字元線通過該插塞元件與該導電結構電性連接該第二半導體結構。
如請求項10所述之記憶體裝置，其中該第三半導體結構包含一基板與一導電元件，該記憶體陣列在該基板上，該導電元件貫穿該基板，該記憶體陣列通過該導電元件電性連接該第一半導體結構。
如請求項10所述之記憶體裝置，其中該第一半導體結構在一縱向方向上設置於該第三半導體結構與該第二半導體結構之間。
一種具有用於形成至半導體基材上之電晶體的連接的佈局之記憶體設備，其包含： <br/>複數個位元單元，該等位元單元相鄰地定位，其中該複數個位元單元包括相鄰於一第二位元單元的一第一位元單元； <br/>複數個頂側金屬層，該複數個頂側金屬層在垂直於該複數個位元單元的一垂直維度上位於該複數個位元單元上方； <br/>複數個背側金屬層，該複數個背側金屬層在垂直於該複數個位元單元的該垂直維度上位於該複數個位元單元下方； <br/>一第一位元線，其在一第一方向上橫跨該第一位元單元，其中該第一位元線包括位於該複數個頂側金屬層之一第一金屬層中之一第一導線，且其中該第一導線連接至該第一位元單元； <br/>一第二位元線，其在一第一方向上橫跨該第二位元單元，其中該第二位元線包括位於該複數個背側金屬層之一第一金屬層中之一第二導線，且其中該第二導線連接至該第二位元單元； <br/>一第一字線，其在一第二方向上橫跨該第一位元單元及該第二位元單元，該第二方向係垂直於該第一方向，其中該第一字線包括位於該複數個頂側金屬層之一第二金屬層中之一第三導線，該第三導線連接至該第二位元單元以提供一第一控制信號至該第二位元單元，但是不提供該第一控制信號至該相鄰的第二位元單元；及 <br/>一第二字線，其在該第二方向上橫跨該第一位元單元及該第二位元單元，其中該第二字線包括位於該複數個背側金屬層之一第二金屬層中之一第四導線，該第四導線連接至該第一位元單元以提供一第二控制信號至該第一位元單元，但是不提供該第二控制信號至該相鄰的第一位元單元。
如請求項1之記憶體設備，其進一步包含：一第三位元線，其在該第一方向上橫跨該第一位元單元，其中該第三位元線包括位於該複數個頂側金屬層之該第一金屬層中之一第五導線，且其中該第五導線連接至該第一位元單元；且其中該第一導線及該第五導線係經組態成一互補對。
如請求項1之記憶體設備，其進一步包含：一第四位元線，其在該第一方向上橫跨該第二位元單元，其中該第四位元線包括位於該複數個背側金屬層之該第一金屬層中之一第六導線，且其中該第六導線連接至該第二位元單元；且其中該第二導線及該第六導線係經組態成一互補對。
如請求項1之記憶體設備，其進一步包含： <br/>一第三位元單元，其相鄰於該複數個位元單元中之該第二位元單元，該第三位元單元係在該第二位元單元之與該第一位元單元相對的一側上；及 <br/>一第三位元線，其橫跨該第三位元單元，其中該第三位元線包括位於該複數個頂側金屬層之該第一金屬層中之一額外導線，且其中該額外導線連接至該第三位元單元。
如請求項4之記憶體設備，其進一步包含： <br/>一第四位元單元，其相鄰於該複數個位元單元中之該第三位元單元，該第四位元單元係在該第三位元單元之與該第二位元單元相對的一側上；及 <br/>一第四位元線，其橫跨該第四位元單元，其中該第四位元線包括位於該複數個背側金屬層之該第一金屬層中之一額外導線，且其中位於該第二金屬層中之該額外導線連接至該第四位元單元。
如請求項1之記憶體設備，其中該第一位元線係平行該第二位元線。
如請求項1之記憶體設備，其中該等位元單元在該第二方向上相鄰地定位，且其中該第一位元線及該第二位元線在該第一方向上橫跨該複數個位元單元。
如請求項1之記憶體設備，其中該第一字線及該第二字線在該第二方向上橫跨該複數個位元單元。
一種具有用於形成至半導體基材上之電晶體的連接的佈局之記憶體設備，其包含： <br/>複數個位元單元，該等位元單元相鄰地定位，其中該複數個位元單元包括在該記憶體設備之一水平維度上相鄰於一第二位元單元的一第一位元單元； <br/>一第一金屬層，其在垂直於該複數個位元單元的一垂直維度上位於該複數個位元單元上方； <br/>一第二金屬層，其在垂直於該複數個位元單元的該垂直維度上位於該複數個位元單元下方； <br/>一第一字線，其橫跨該複數個位元單元，其中該第一字線包括位於該第一金屬層中之一導線，且其中位於該第一金屬層中之該導線連接至該第一位元單元，而且提供一第一控制信號至該第一位元單元，但是不提供該第一控制信號至該相鄰的第二位元單元；及 <br/>一第二字線，其橫跨該複數個位元單元，其中該第二字線包括位於該第二金屬層中之一導線，且其中位於該第二金屬層中之該導線連接至該第二位元單元，而且提供一第二控制信號至該第二位元單元，但是不提供該第二控制信號至該相鄰的第一位元單元。
如請求項9之記憶體設備，其進一步包含一第三位元單元，該第三位元單元相鄰於該複數個位元單元中之該第二位元單元，該第三位元單元係在該第二位元單元之與該第一位元單元相對的一側上，其中位於該第一金屬層中之該導線係連接至該第三位元單元。
如請求項10之記憶體設備，其進一步包含一第四位元單元，該第四位元單元相鄰於該複數個位元單元中之該第三位元單元，該第四位元單元係在該第三位元單元之與該第二位元單元相對的一側上，其中位於該第二金屬層中之該導線係連接至該第四位元單元。
如請求項9之記憶體設備，其中該等位元單元在該水平維度上在一第一方向上相鄰地定位，且其中在該第一字線中之該導線及在該第二字線之該導線在該第一方向上橫跨該複數個位元單元。
如請求項9之記憶體設備，其中該第一字線及該第二字線在一第一方向上橫跨該複數個位元單元，該設備進一步包含： <br/>一第一位元線，其在一第二方向上橫跨該第一位元單元，該第二方向係垂直於該第一方向，其中該第一位元線包括位於該第一金屬層中之一額外導線；及 <br/>一第二位元線，其在該第二方向上橫跨該第二位元單元，其中該第二位元線包括位於該第二金屬層中之一額外第二導線。
如請求項9之記憶體設備，其進一步包含一字線邏輯單元，該字線邏輯單元耦接至該第一字線及該第二字線，其中該字線邏輯單元經組態以提供該第一控制信號及該第二控制信號至該第一字線及該第二字線。
如請求項9之記憶體設備，其中該第一控制信號及該第二控制信號係分開的控制信號。
一種記憶體設備，其包含： <br/>複數個位元單元，該等位元單元相鄰地定位，其中該複數個位元單元包括相鄰於一第二位元單元的一第一位元單元； <br/>一第一金屬層，其在垂直於該複數個位元單元的一垂直維度上位於該複數個位元單元上方； <br/>一第二金屬層，其在垂直於該複數個位元單元的該垂直維度上位於該複數個位元單元下方； <br/>一第一互補對位元線，其在一第一方向上橫跨該第一位元單元，其中該第一互補對位元線包括位於該第一金屬層中之兩條導線，而且其中位於該第一金屬層中之該兩條導線係連接至該第一位元單元； <br/>一第二互補對位元線，其橫跨該第二位元單元，其中該第二互補對位元線包括位於該第二金屬層中之兩條導線，而且其中位於該第二金屬層中之該兩條導線係連接至該第二位元單元； <br/>一第三金屬層，其在垂直於該複數個位元單元的該垂直維度上位於該複數個位元單元上方，該第三金屬層係與該第一金屬層分開； <br/>一第四金屬層，其在垂直於該複數個位元單元的該垂直維度上位於該複數個位元單元下方，該第四金屬層係與該第二金屬層分開； <br/>一第一字線，其在一第二方向上橫跨該第一位元單元及該第二位元單元，該第二方向係垂直於該第一方向，其中該第一字線包括位於該第三金屬層中之一第一字線導線，該第一字線導線係連接至該第二位元單元；及 <br/>一第二字線，其在該第二方向上橫跨該第一位元單元及該第二位元單元，其中該第二字線包括位於該第四金屬層中之一第二字線導線，該第二字線導線係連接至該第一位元單元。
如請求項16之記憶體設備，其中位於該第一金屬層中之該兩條導線係在空間上分開的兩個位置處連接至該第一位元單元。
如請求項16之記憶體設備，其中位於該第二金屬層中之該兩條導線係在空間上分開的兩個位置處連接至該第二位元單元。
如請求項16之記憶體設備，其中位於該第一金屬層中之該兩條導線係平行的，以及其中位於該第二金屬層中之該兩條導線係平行的。
如請求項16之記憶體設備，其中該第一互補對位元線係平行於該第二互補對位元線。
一種天線控制方法，應用於一無人機的天線系統，所述控制方法包括以下步驟：<br/> 一初始步驟：進行一初始化；<br/> 一接收步驟：接收來自一全球定位系統的一遙測數據；<br/> 一身份檢查步驟：檢查所述遙測數據是否符合一參數列表（ParamList）；<br/> 其中，於所述遙測數據不符合所述參數列表時，維持一波束的當前方向；於所述遙測數據符合所述參數列表時，調整所述波束以面朝一地面站的位置；<br/> 一提取步驟：由一單脈衝中提取一輸出訊號；<br/> 一計算步驟：依據所述輸出訊號計算一角度偏差（ε）；<br/> 一修正步驟：利用一單脈衝波束跟蹤技術與所述角度偏差調整所述波束，以對準一視軸；<br/> 一檢查同步步驟：檢查所述波束是否同步所述地面站；<br/> 其中，於所述波束同步所述地面站時，下載數據至所述地面站；於所述波束不同步所述地面站時，再次接收來自所述全球定位系統的所述遙測數據；<br/> 其中，利用一非地面網路天線模組執行所述初始步驟、所述接收步驟、所述身份檢查步驟中的接收與發送；<br/> 其中，利用一線性相控陣列天線模組執行所述提取步驟、所述計算步驟、所述修正步驟、及所述檢查同步步驟中的接收與發送；所述線性相控陣列天線模組的數據通訊量大於所述非地面網路天線模組的數據通訊量。
如請求項1所述的天線控制方法，其中，所述線性相控陣列天線模組通過一功分器分配訊號至多個左旋圓極化貼片天線進行發射；所述線性相控陣列天線模組通過一功合器合併由多個右旋圓極化貼片天線所接收的訊號。
如請求項1所述的天線控制方法，其中，所述天線控制方法還包含以下步驟：<br/> 一產生步驟：利用一比較器建立一差分通道及一總和通道，並且所述輸出訊號通過所述差分通道及所述總和通道產生為一差分射頻訊號及一總和射頻訊號；<br/> 一轉換步驟：利用一下變頻器轉換所述差分射頻訊號及所述總和射頻訊號為一差分中頻訊號及一總和中頻訊號；<br/> 一比較步驟：利用一干擾檢測電路比較所述差分中頻訊號及所述總和中頻訊號；<br/> 其中，當所述總和中頻訊號的功率高於所述差分中頻訊號的功率時，所述差分中頻訊號及所述總和中頻訊號被傳送至一計算單元執行所述計算步驟；當所述總和中頻訊號的功率低於所述差分中頻訊號的功率時，利用一調適運算法則（Adaptive Algorithm），使一旁波辦區域的干擾訊號方位產生零點（Null）。
一種天線系統，包括：<br/> 一收發單元，能接收來自一全球定位系統的一遙測數據、以及由一單脈衝中提取一輸出訊號；<br/> 一第一檢測單元，電性耦接所述收發單元，所述第一檢測單元具有一參數列表，並且所述第一檢測單元能依據所述參數列表檢查所述遙測數據是否符合；<br/> 其中，當所述第一檢測單元檢測所述遙測數據不符合所述參數列表時，所述第一檢測單元發出一維持命令至所述收發單元，以維持所述收發單元的一波束的當前方向；當所述第一檢測單元於所述遙測數據符合所述參數列表時，所述第一檢測單元發出一第一調整命令至所述收發單元，以調整所述波束面向一地面站的位置；<br/> 一計算單元，電性耦接所述收發單元，所述計算單元能依據所述輸出訊號計算一角度偏差，並所述計算單元利用一單脈衝波束跟蹤技術與所述角度偏差計算出一第二調整命令，所述第二調整命令能被發送至所述收發單元以調整所述波束對準一視軸；<br/> 一第二檢測單元，電性耦接所述收發單元，所述第二檢測單元能檢查所述波束是否同步所述地面站；<br/> 其中，當所述第二檢測單元檢測所述波束同步所述地面站時，所述第二檢測單元允許所述收發單元下載數據至所述地面站；當所述第二檢測單元檢測所述波束不同步所述地面站時，所述第二檢測單元命令所述收發單元再次接收所述遙測數據；<br/> 其中，所述收發單元包含多個左旋圓極化貼片天線、電性耦接多個所述左旋圓極化貼片天線的一功分器、多個右旋圓極化貼片天線、及電性耦接多個所述右旋圓極化貼片天線的一功合器，所述功分器能分配訊號至多個所述左旋圓極化貼片天線進行發射，所述功合器能合併由多個所述右旋圓極化貼片天線所接收的訊號。
如請求項4所述的天線系統，其中，所述天線系統包含：<br/> 一比較器，電性耦接所述收發單元，所述比較器具有一差分通道及一總和通道，並且所述輸出訊號通過所述差分通道及所述總和通道產生為一差分射頻訊號及一總和射頻訊號；<br/> 一下變頻器，電性耦接所述比較器，所述下變頻器能轉換所述差分射頻訊號及所述總和射頻訊號為一差分中頻訊號及一總和中頻訊號；<br/> 一干擾檢測電路，電性耦接所述下變頻器，所述干擾檢測電路能比較所述差分中頻訊號及所述總和中頻訊號，當所述總和中頻訊號的功率高於所述差分中頻訊號的功率時，所述差分中頻訊號及所述總和中頻訊號被傳送至所述計算單元計算所述角度偏差；當所述總和中頻訊號的功率低於所述差分中頻訊號的功率時，利用一調適運算法則（Adaptive Algorithm），使旁波辦區域的干擾訊號方位產生零點（Null）。
一種手持式酸鹼值檢測儀，包括：<br/> 一外殼，具有一內部空間與一開口；<br/> 一檢測系統，設置在該內部空間並具有一滾筒組、一輸送帶與一檢測試紙，其中該檢測試紙設置在該輸送帶上，且該輸送帶由該滾筒組往該外殼的一端延伸並突出該外殼，該檢測系統還包括一第一轉輪以及一第二轉輪，該第一轉輪設置在該滾筒組旁，且該第二轉輪設置在該開口，該輸送帶連接該滾筒組、該第一轉輪與該第二轉輪；<br/> 一光學檢測系統，具有一光學檢測器以及一顯示器，其中該光學檢測器設置在該外殼上，該顯示器連接該光學檢測器並顯示該光學檢測器的檢測結果；以及<br/> 一發電系統，具有一儲電元件以及一滾輪，其中該儲電元件設置在該內部空間並提供電力給該光學檢測系統，且該滾輪設置在該外殼上並連接該儲電元件，<br/> 當該檢測試紙接觸一待測液體並產生顏色變化後，該光學檢測器偵測該檢測試紙的顏色以判定待測液體的酸鹼值。
如請求項1所述的手持式酸鹼值檢測儀，其中該發電系統還具有一微型發電機，設置在該內部空間並連接該滾輪與該儲電元件。
如請求項2所述的手持式酸鹼值檢測儀，其中當該滾輪轉動時，該滾輪帶動該微型發電機產生電力並儲存至該儲電元件。
如請求項1所述的手持式酸鹼值檢測儀，其中該滾筒組具有一第一滾筒與一第二滾筒，且該第一滾筒設置在該第二滾筒旁。
如請求項4所述的手持式酸鹼值檢測儀，其中該開口設置在該外殼一端，該第二滾筒設置在該開口與該第一滾筒之間，且該輸送帶的一端固定於該第一滾筒，該輸送帶的另一端固定於該第二滾筒。
如請求項5所述的手持式酸鹼值檢測儀，其中該第一轉輪設置在該第一滾筒旁，該輸送帶由該第一滾筒依序連接該第一轉輪、該第二轉輪以及該第二滾筒。
如請求項4所述的手持式酸鹼值檢測儀，其中該滾筒組還包括一第一齒輪與一第二齒輪，該第一齒輪樞接該第一滾筒，該第二齒輪樞接該第二滾筒，且該第一齒輪嚙接該第二齒輪。
如請求項1所述的手持式酸鹼值檢測儀，其中該光學檢測系統還包括一光學辨識器，設置在該內部空間並連接該光學檢測器與該顯示器。
如請求項8所述的手持式酸鹼值檢測儀，其中該儲電元件連接該光學辨識器。
如請求項1所述的手持式酸鹼值檢測儀，其中該光學檢測器設置在該外殼的一外側，當該檢測試紙被取出並與該待測液體接觸產生顏色變化後，將該光學檢測器放置在該檢測試紙上方，使該光學檢測器檢測該檢測試紙的顏色。
如請求項1所述的手持式酸鹼值檢測儀，其中該光學檢測器設置在該外殼的一內側，當該檢測試紙與該待測液接觸並產生顏色變化後，該檢測試紙隨著該輸送帶移動至該光學檢測器的上方，使該光學檢測器檢測該檢測試紙的顏色。
一種線圈零件，其特徵在於具備：<br/> 線圈；<br/> 本體部，其包含磁性粉體及黏合劑，且具有位於對上述線圈通電時產生之感應磁場所及之範圍內之部分；<br/> 塗佈型電極，其與上述線圈電性連接，以覆蓋上述本體部之一部分之方式設置，且包含導電材；及<br/> 介隔層，其位於上述本體部與上述塗佈型電極之間，包含粉體分散樹脂；且<br/> 上述介隔層中，與上述塗佈型電極對向之面之表面粗糙度大於與上述本體部對向之面之表面粗糙度；<br/> 其中上述粉體分散樹脂包含粉體及基質材，<br/> 對上述介隔層進行剖面觀察，根據位於觀察視野內之上述粉體之剖面之圓換算直徑而求出上述粉體的體積粒度分佈時，上述體積粒度分佈中之50%累計粒徑D50與上述觀察視野中之上述介隔層之平均厚度Ti滿足下述式(1)：<br/> Ti/D50≦20 (1)。
如請求項1之線圈零件，其中上述黏合劑包含樹脂之熱改性物等，<br/> 上述本體部於表面附近具有將生成上述樹脂之熱改性物等時所形成之孔部之至少一部分填充之含浸塗佈樹脂。
如請求項1之線圈零件，其中上述本體部具備具有安裝時與基板對向之安裝面及與上述安裝面交叉之側面之包含壓粉成形體的部分，<br/> 上述安裝面之表面粗糙度大於上述側面之表面粗糙度。
如請求項3之線圈零件，其中上述側面包含複數個面，<br/> 上述安裝面之面積大於上述複數個面之面積中之任一者。
一種線圈零件之製造方法，其特徵在於，其係如請求項1之線圈零件之製造方法，且包括如下步驟而形成上述介隔層，即，將包含提供上述基質材之熱固性樹脂及上述粉體之粉體分散樹脂組合物吹送至上述本體部，並且使附著於上述本體部之上述熱固性樹脂硬化，且<br/> 包括如下步驟而形成上述塗佈型電極，即，以覆蓋上述介隔層之一部分之方式塗佈包含上述導電材之含導電材樹脂組合物。
如請求項5之線圈零件之製造方法，其包括如下步驟而形成壓粉成形體，即，將包含上述磁性粉體之磁性粉體分散樹脂組合物及上述線圈配置於模具之模穴中，進行壓粉成形，<br/> 藉由對上述壓粉成形體進行加熱使上述磁性粉體分散樹脂組合物中所包含之樹脂之至少一部分熱分解，而於上述本體部形成包含上述樹脂之熱分解殘渣之上述黏合劑並產生孔部，<br/> 以填充上述孔部之至少一部分之方式配置含浸塗佈樹脂，<br/> 對具有上述含浸塗佈樹脂之上述本體部吹送上述粉體分散樹脂組合物。
一種電子、電氣機器，其具備安裝有如請求項1之線圈零件之基板，且上述線圈零件之上述塗佈型電極電性連接於設置在上述基板之端子。
一種用於減小記憶體陣列中的近-近-遠-遠記憶體單元電阻值差異的設備，其包含： <br/>一第一記憶體單元，其耦接在一第一字線與一第一位元線之間並且與一第一字線電阻值及一第一位元線電阻值串聯耦接，該第一記憶體單元包含一第一硬遮罩，該第一硬遮罩包含一第一硬遮罩材料；及 <br/>一第二記憶體單元，其耦接在一第二字線與一第二位元線之間並且與一第二字線電阻值及一第二位元線電阻值串聯耦接，該第二記憶體單元包含一第二硬遮罩，該第二硬遮罩包含一第二硬遮罩材料， <br/>其中： <br/>該第一硬遮罩材料具有一第一電阻率，且該第二硬遮罩材料具有低於該第一電阻率的一第二電阻率；及 <br/>該第一硬遮罩經組態以補償在該第一字線電阻值及該第一位元線電阻值的一第一總和與該第二字線電阻值及該第二位元線電阻值的一第二總和之間的一差異。
如請求項1之設備，其中： <br/>該第一總和小於一第一臨限電阻值；及 <br/>該第二總和大於一第二臨限電阻值。
如請求項1之設備，其中該第一硬遮罩具有一第一電阻值，且該第二硬遮罩具有低於該第一電阻值的一第二電阻值。
如請求項3之設備，其中在該第一電阻值與該第二電阻值之間的一差異實質上等於在該第二總和與該第一總和之間的該差異。
如請求項1之設備，其中該第一硬遮罩材料使用第一處理參數形成，且該第二硬遮罩材料使用與該等第一處理參數不同的第二處理參數形成。
如請求項5之設備，其中該等第一處理參數及該等第二處理參數各自包括處理材料、時間、溫度、及流速中的一或多者。
如請求項1之設備，其中該第一硬遮罩及該第二硬遮罩各自包含一金屬材料。
如請求項1之設備，其中該第一硬遮罩及該第二硬遮罩各自包含鉭、氮化鉭、鈦、氮化鈦、鎢、氮化鎢、鉻、及釕中的一或多者。
如請求項1之設備，其中該第一硬遮罩材料及該第二硬遮罩材料包含一相同材料。
如請求項1之設備，其中該第一硬遮罩材料及該第二硬遮罩材料包含不同材料。
如請求項1之設備，其中該第一記憶體單元及該第二記憶體單元各自包含與一選擇器元件串聯耦接的一磁性記憶體元件。
如請求項1之設備，其中該第一記憶體單元包含一近-近記憶體單元且該第二記憶體單元包括一遠-遠記憶體單元。
一種用於減小記憶體陣列中的近-近-遠-遠記憶體單元電阻值差異的設備，其包含： <br/>一第一字線，其包含一第一字線部分及一第二字線部分，該第一字線部分包含一第一電阻率，該第二字線部分包含高於該第一電阻率的一第二電阻率； <br/>一第一記憶體單元，其耦接在該第一字線與一第一位元線之間，該第一字線包含一第一字線電阻值且該第一位元線包含一第一位元線電阻值；及 <br/>一第二記憶體單元，其耦接在一第二字線與一第二位元線之間，該第二字線包含一第二字線電阻值，且該第二位元線包含一第二位元線電阻值， <br/>其中： <br/>該第一字線的該第二字線部分設置在該第一記憶體單元與該第一字線的該第一字線部分之間； <br/>該第二字線部分經組態以補償在該第一字線電阻值及該第一位元線電阻值的一第一總和與該第二字線電阻值及該第二位元線電阻值的一第二總和之間的一差異。
如請求項13之設備，其中： <br/>該第一總和小於一第一臨限電阻值；及 <br/>該第二總和大於一第二臨限電阻值。
如請求項13之設備，其中： <br/>該第一記憶體單元包含一第一硬遮罩，該第一硬遮罩包含一第一電阻值；及 <br/>該第二記憶體單元包含一第二硬遮罩，該第二硬遮罩包含實質上等於該第一電阻值的一第二電阻值。
如請求項13之設備，其中： <br/>該第一位元線包含一第一位元線部分及一第二位元線部分，該第一位元線部分包含一第三電阻率，該第二位元線部分包含高於該第三電阻率的一第四電阻率； <br/>該第一位元線的該第二位元線部分設置在該第一記憶體單元與該第一位元線的該第一位元線部分之間； <br/>該第二位元線部分經組態以補償在該第一總和與該第二總和之間的該差異。
如請求項13之設備，其中該第二字線部分及該第二位元線部分經組態以補償在該第一總和與該第二總和之間的該差異。
如請求項13之設備，其中該第一記憶體單元及該第二記憶體單元各自包含與一選擇器元件串聯耦接的一磁性記憶體元件。
一種用於減小記憶體陣列中的近-近-遠-遠記憶體單元電阻值差異的方法，其包含： <br/>形成一第一複數個記憶體單元柱及一第二複數個記憶體單元柱，該第一複數個記憶體單元柱包含近-近記憶體單元，該第二複數個記憶體單元柱包含遠-遠記憶體單元； <br/>在該第一複數個記憶體單元柱及該第二複數個記憶體單元柱之上形成一電阻膜； <br/>圖案化及蝕刻該第一複數個記憶體單元柱上方的該電阻膜； <br/>在該電阻膜及該第二複數個記憶體單元柱上方形成一導電材料層；及 <br/>圖案化及蝕刻該導電材料層及該電阻膜以形成耦接至該第一複數個記憶體單元柱及該第二複數個記憶體單元柱的字線， <br/>其中該電阻膜經組態以補償在遠-遠記憶體單元與近-近記憶體單元之間的一電阻值差異。
如請求項19之方法，其中該第一複數個記憶體單元柱及該第二複數個記憶體單元柱各自包含與一選擇器元件串聯耦接的一磁性記憶體元件。
一種用於監控儲存區域中的多個電池的熱條件的系統，所述系統包括： 多個電池監控無線溫度感測器，被配置為放置成與所述多個電池熱連通； 多個參考無線溫度感測器，被定位在所述儲存區域內的多個不同位置處，以提供代表性環境溫度資料； 無線通訊接口，被配置為獲得來自所述多個電池監控無線溫度感測器的電池監控溫度測量和來自所述多個參考無線溫度感測器的參考溫度測量； 一個或多個處理器； 通訊耦合到所述一個或多個處理器的記憶體； 溫度日誌，儲存於所述記憶體中，其中所述溫度日誌包含接收自所述多個電池監控無線溫度感測器及所述多個參考無線溫度感測器的溫度測量的歷史； 感測器註冊表，儲存於所述記憶體中，其中所述感測器註冊表包含關於所述多個電池監控無線溫度感測器及所述多個參考無線溫度感測器的訊息；以及 溫度處理模塊，儲存於所述記憶體中且能夠由所述一個或多個處理器執行，以基於所述參考溫度測量和先前的電池監控溫度測量對所述電池監控溫度測量進行處理，其中對接收自電池監控無線溫度感測器的電池監控溫度測量進行處理包括： 基於所述感測器註冊表中的位置字段，識別在空間上最鄰近所述電池監控無線溫度感測器的參考無線溫度感測器； 將所述電池監控溫度測量與由所述參考無線溫度感測器所做出的至少一項參考溫度測量以及由所述電池監控無線溫度感測器所做出的至少一項先前的電池監控溫度測量進行比較，所述至少一項參考溫度測量及所述至少一項先前的電池監控溫度測量係儲存於所述溫度日誌中；以及 當所述電池監控溫度測量比至少一項參考溫度測量或至少一項先前的電池監控溫度測量超出溫度差閾值時，關於至少一個電池發起預防動作。
如請求項1所述的系統，其中，每一個電池監控無線溫度感測器和每一個參考無線溫度感測器被配置為以預定義的週期性時間間隔報告溫度測量。
如請求項1所述的系統，其中，所述溫度處理模塊還能夠由所述一個或多個處理器執行以實施以下步驟： 監控從每一個電池監控無線溫度感測器接收到溫度測量以來所過去的時間；以及 當針對任何這樣的電池監控無線溫度感測器所過去的時間超出過去時間閾值時，發起校正動作。
如請求項3所述的系統，其中，監控所過去的時間包括： 針對每一個電池相關無線溫度感測器跟蹤最後讀取時間戳；以及 週期性地將所述最後讀取時間戳與當前時間進行比較。
如請求項1所述的系統，其中： 每一個無線溫度感測器與唯一感測器標識符相關聯； 所述多個參考無線溫度感測器中的每一個的唯一感測器標識符包括將所述多個參考無線溫度感測器與所述多個電池監控無線溫度感測器進行區分的區分特徵；並且 所述溫度處理模塊還能夠由所述一個或多個處理器執行，以基於在伴隨溫度測量的唯一感測器標識符內是否存在所述區分特徵來確定接收自無線溫度感測器的溫度測量是否源自參考無線溫度感測器。
如請求項1所述的系統，其中，關於所述至少一個電池所採取的所述預防動作包括以下各項當中的至少一項： 使得向與負責所述儲存區域的一個或多個使用者相關聯的至少一個通訊端點發送通知消息；或者 用訊號通知機器人系統自動重新安置所述至少一個電池。
如請求項1所述的系統，其中，關於所述至少一個電池所採取的所述預防動作包括使得向與負責所述儲存區域的一個或多個使用者相關聯的至少一個預定義通訊端點發送通知消息，並且其中所述通知消息包括標識以下各項當中的至少一項的訊息： （i）所述至少一個電池； （ii）儲存所述至少一個電池的容器； （iii）所述至少一個電池被嵌入的物體；或者 （iv）（i）、（ii）或（iii）的至少其中之一的位置。
如請求項1所述的系統，其中： 所述多個電池被包括在儲存於倉庫內的容器中；並且 所述多個電池監控無線溫度感測器的至少其中一些附著到所述容器。
如請求項8所述的系統，其中： 所述倉庫包括容器儲存區域和容器收入區域，新的容器在被放置於容器儲存區域中之前在容器收入區域被處理； 每一個容器包括機器可讀對象，所述機器可讀對象包括唯一容器標識符； 每一個容器還包括至少一個電池監控無線溫度感測器； 每一個電池監控無線溫度感測器包括唯一感測器標識符； 容器收入區域包括對象讀取設備，所述對象讀取設備被配置為從附著到容器的機器可讀對象讀取唯一容器標識符；並且 容器收入區域還包括感測器讀取設備，所述感測器讀取設備被配置為從附著到容器的電池監控無線溫度感測器讀取唯一感測器標識符。
如請求項9所述的系統，還包括註冊表管理模塊，所述註冊表管理模塊能夠由所述一個或多個處理器執行，以在容器被添加到容器儲存區域之前關於所述容器實施以下操作： 使得從附著到所述容器的機器可讀對象讀取唯一容器標識符； 使得從附著到所述容器的至少一個電池監控無線溫度感測器讀取至少一個唯一感測器標識符；以及 使得在容器註冊表中將所述唯一容器標識符映射到所述至少一個唯一感測器標識符。
如請求項9或10所述的系統，其中： 所述系統還包括容器註冊表，所述容器註冊表包括關於儲存在倉庫中的容器的訊息；並且 所述容器註冊表對於每一個容器包括：（i）關於所述容器的位置訊息，以及（ii）關於附著到所述容器的一個或多個電池監控無線溫度感測器的識別訊息。
如請求項1所述的系統，其中： 所述多個電池被包括在通過運輸系統所運輸的多個貨物單元中； 所述儲存區域包括所述運輸系統的儲存所述多個貨物單元的部分；並且 所述多個電池監控無線溫度感測器可移除地附著到所述多個貨物單元。
如請求項1所述的系統，其中，所述溫度處理模塊還能夠由所述一個或多個處理器執行，以基於接收自以下各項的一個或多個無線訊號確定電池監控無線溫度感測器的位置： 所述電池監控無線溫度感測器；以及 其位置已知的至少兩個參考無線溫度感測器。
如請求項1所述的系統，其中： 所述系統包括使用者界面，所述使用者界面被配置為顯示每一個活動的電池監控無線溫度感測器的溫度歷史；並且 針對特定電池監控無線溫度感測器的溫度歷史包括由所述特定電池監控無線溫度感測器捕獲的溫度測量的加有時間戳的序列。
如請求項1所述的系統，其中： 發起所述預防動作包括使得向消息排隊服務發送消息；並且 所述消息排隊服務保持至少兩個隊列，所述至少兩個隊列包括針對與過高溫度測量相關的預防動作的第一隊列和針對與非通訊電池監控無線溫度感測器相關的校正動作的第二隊列。
如請求項15所述的系統，還包括： 高溫響應系統，被配置為對來自第一隊列的高溫消息進行處理和響應；以及 非通訊無線溫度感測器響應系統，被配置為對來自第二隊列的非通訊無線溫度感測器消息進行處理和響應。
如請求項1所述的系統，其中，所述多個參考無線溫度感測器在整個儲存區域中被佈置在水平並且垂直間隔開的不同位置，以捕獲儲存區域中的不同高度和儲存區域的不同分區處的溫度變化。
一種用於監控儲存區域中的多個電池的熱條件的方法，所述方法包括： 將多個電池監控無線溫度感測器放置成與所述多個電池熱連通； 將多個參考無線溫度感測器放置在所述儲存區域內的多個不同位置處，以提供代表性環境溫度資料； 於電腦記憶體中提供溫度日誌及感測器註冊表； 於所述感測器註冊表中儲存關於所述多個電池監控無線溫度感測器及所述多個參考無線溫度感測器的訊息； 獲得來自所述多個參考無線溫度感測器的多項參考溫度測量； 將所述多項參考溫度測量儲存於所述溫度日誌中； 獲得來自所述多個電池監控無線溫度感測器的多項電池監控溫度測量； 將所述多項電池監控溫度測量儲存於所述溫度日誌中；以及 基於所述多項參考無線溫度測量對所述多項電池監控溫度測量進行處理，其中對獲得自電池監控無線溫度感測器的電池監控溫度測量進行處理包括： 基於所述感測器註冊表中的位置字段，識別在空間上最鄰近所述電池監控無線溫度感測器的參考無線溫度感測器； 將所述電池監控溫度測量與由所述參考無線溫度感測器所做出的至少一項參考溫度測量以及由所述電池監控無線溫度感測器所做出的至少一項先前的電池監控溫度測量進行比較，所述至少一項參考溫度測量及所述至少一項先前的電池監控溫度測量係儲存於所述溫度日誌中；以及 當所述電池監控溫度測量比至少一項參考溫度測量或至少一項先前的電池監控溫度測量超出溫度差閾值時，關於至少一個電池發起預防動作。
如請求項18所述的方法，還包括： 監控從每一個電池監控無線溫度感測器接收到溫度測量以來所過去的時間；以及 當針對任何這樣的電池監控無線溫度感測器所過去的時間超出過去時間閾值時，發起校正動作。
如請求項18所述的方法，其中發起所述預防動作包括以下至少一項： 使得向與負責所述儲存區域的一個或多個使用者相關聯的至少一個通訊端點發送通知消息；或者 用訊號通知機器人系統自動重新安置所述至少一個電池。
一種益生菌用於製備一治療或預防一過敏進行曲的藥物之用途，該益生菌係選自由人類腸道桿菌(Bacteroides plebeius)、卵形擬桿菌(B. ovatus)、普拉梭菌亞種74-B菌株 (Faecalibacterium duncaniae (74-B))和普拉梭菌亞種YCFA-33菌株 (Faecalibacterium prausnitzii (YCFA-33))所組成之群組。
如請求項1所述之益生菌用於製備一治療或預防一過敏進行曲的藥物之用途，該益生菌可以降低異位性皮膚炎判定評分。
如請求項1所述之益生菌用於製備一治療或預防一過敏進行曲的藥物之用途，該益生菌可以降低血清中OVA-IgE含量。
如請求項1所述之益生菌用於製備一治療或預防一過敏進行曲的藥物之用途，該益生菌可以降低肺沖洗液中TNF-α促炎因子的分泌量。
如請求項1所述之益生菌用於製備一治療或預防一過敏進行曲的藥物之用途，該益生菌可以減緩過敏反應發生時持續產生的免疫反應。
如請求項1所述之益生菌用於製備一治療或預防一過敏進行曲的藥物之用途，該益生菌可以阻斷過敏進行曲的發展，防止新的過敏性疾病的出現。
一種噴墨印刷方法，其用於使用油墨連續印刷一三維(3D)物品(100)之一頂側(110)之至少一部分及一側表面(120)之至少一部分，其包含以下步驟： <br/>- 在一平坦平面(50)上提供一三維物品(100)； <br/>- 提供一印刷頭(10)，該印刷頭具有用於以墨滴形式施配油墨之複數個印刷噴嘴(12)，其中該複數個印刷噴嘴(12)在一二維印刷噴嘴平面(14)中延伸，且其中該複數個印刷噴嘴(12)之一第一部分(A1)配置成一第一印刷噴嘴列(A)且該複數個印刷噴嘴(12)之一第二部分(B1)配置成一第二印刷噴嘴列(B)，且其中該第一印刷噴嘴列(A)在該印刷噴嘴平面(14)中與該第二印刷噴嘴列(B)相距一距離，且其中該印刷噴嘴平面(14)經配置以相對於該平坦平面(50)成一角度(α)； <br/>- 針對該物品(100)之該頂側(110)中待印刷之該部分及該側表面(120)中待印刷之該部分兩者產生用於該複數個印刷噴嘴(12)之各印刷噴嘴之印刷資料； <br/>- 使該物品(100)與該印刷頭(10)相對移動； <br/>- 使用油墨以線狀方式印刷該物品(100)之該頂側(110)之該部分及該側表面(120)之該部分； <br/>- 其特徵在於，在印刷在該物品(100)之該頂側(110)之該部分及該側表面(120)之該部分之前，由一第一校正因數(KA)校正用於該第一印刷噴嘴列(A)中之該等印刷噴嘴(A1)之該印刷資料，及/或由一第二校正因數(KB)校正用於該第二印刷噴嘴列(B)中之該等印刷噴嘴(B1)之該印刷資料，且基於先前在未校正之情況下產生之一先前產生比較印刷影像判定該第一校正因數(KA)及/或該第二校正因數(KB)，且該第一校正因數(KA)及/或該第二校正因數(KB)取決於在該先前產生比較印刷影像中由該第一印刷噴嘴列(A)中之該等印刷噴嘴(A1)產生之印刷線(DA)與由該第二印刷噴嘴列(B)中之該等印刷噴嘴(B1)產生之印刷線(DB)的距離(d)。
如請求項1之噴墨印刷方法，其中該先前產生比較印刷影像係藉由使用一幾何相同之物品進行模擬或藉由印刷一相同物品(100)之該頂側(110)之至少一部分或該側表面(120)之至少一部分而產生。
如請求項1或2之噴墨印刷方法，其中該第一校正因數(KA)及/或該第二校正因數(KB)取決於在該先前產生比較印刷影像中在該物品(100)之該側表面上之該印刷線(DA)與該印刷線(DB)之該距離(d)。
如請求項1或2之噴墨印刷方法，其中該第一校正因數(KA)在該第一印刷噴嘴列(A)內變化且/或該第二校正因數(KB)在該第二印刷噴嘴列(B)內變化。
如請求項1或2之噴墨印刷方法，其中該第一校正因數(KA)及/或該第二校正因數(KB)係基於一值(k)判定，該值(k)由以下方程式得出： <br/><br/><img align="absmiddle" height="18px" width="56px" file="ed10002.jpg" alt="ed10002.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>
如請求項1或2之噴墨印刷方法，其進一步包含以下步驟： <br/>- 產生該三維物品(100)之該頂側(110)及該側表面(120)之三維幾何表面資料，及 <br/>- 基於該三維物品(100)之該頂側(110)及該側表面(120)之該三維幾何表面資料產生該三維物品(100)之該頂側(110)及該側表面(120)之二維幾何表面資料。
如請求項6之噴墨印刷方法，其中該三維物品(100)之該側表面之該二維幾何表面資料係藉由將該三維物品(100)之該側表面投影至一參考平面(1000)中而產生，且該參考平面(1000)包含該三維物品(100)之該頂側(110)之平面。
如請求項6之噴墨印刷方法，其中該三維物品(100)之該頂側(110)及該側表面(120)之該三維幾何表面資料係使用3D CAD資料或藉由一光學掃描儀獲得之3D資料而產生。
如請求項1或2之噴墨印刷方法，其中自該複數個印刷噴嘴(12)施配之該等墨滴之發射時間彼此之間不相同。
如請求項1或2之噴墨印刷方法，其中該印刷噴嘴平面(14)與該平坦平面(50)之間的該角度(α)在20°至70°之一範圍內。
如請求項1或2之噴墨印刷方法，其中該三維物品(100)與該印刷頭(10)之間的該相對移動係沿一直線之一線性移動。
如請求項1或2之噴墨印刷方法，其中在該三維物品(100)與該印刷頭(10)之間的該相對移動期間，該三維物品(100)相對於該印刷頭(10)移動。
如請求項12之噴墨印刷方法，其中在該三維物品(100)相對於該印刷頭(10)移動期間，連接該三維物品(100)之兩個鄰近側表面(120)之一側邊緣引出。
一種電腦程式，其包含指令，該等指令使一噴墨印刷機之一控制裝置執行以下步驟以使用油墨連續印刷一三維(3D)物品(100)之一頂側(110)之至少一部分及一側表面(120)之至少一部分： <br/>- 針對該物品(100)之該頂側(110)中待印刷之該部分及該側表面(120)中待印刷之該部分兩者，產生用於該噴墨印刷機之一印刷頭(10)之複數個印刷噴嘴(12)之各印刷噴嘴之印刷資料，其中該複數個印刷噴嘴(12)在一二維印刷頭平面(14)中延伸，且其中該複數個印刷噴嘴(12)之一第一部分(A1)配置成一第一印刷噴嘴列(A)且該複數個印刷噴嘴(12)之一第二部分(B1)配置成一第二印刷噴嘴列(B)，且其中該第一印刷噴嘴列(A)在該印刷噴嘴平面(14)中與該第二印刷噴嘴列(B)相距一距離；及 <br/>- 由一第一校正因數(KA)校正用於該第一印刷噴嘴列(A)中之該等印刷噴嘴(A1)之該印刷資料，及/或由一第二校正因數(KB)校正用於該第二印刷噴嘴列(B)中之該等印刷噴嘴(B1)之該印刷資料，使得基於先前在未校正之情況下產生之一先前產生比較印刷影像判定該第一校正因數(KA)及/或該第二校正因數(KB)，且使得該第一校正因數(KA)及/或該第二校正因數(KB)取決於在該先前產生比較印刷影像中由該第一印刷噴嘴列(A)中之該等印刷噴嘴(A1)產生之印刷線(DA)與由該第二印刷噴嘴列(B)中之該等印刷噴嘴(B1)產生之印刷線(DB)的距離(d)。
一種電腦可讀取儲存媒體，其上儲存有如請求項14之電腦程式。
一種半導體元件，包括：<br/> 一驅動件；<br/> 一發光件及一感光件，並排於該驅動件上；<br/> 一覆蓋層，覆蓋該發光件、該感光件、及該驅動件；<br/> 複數第一電連接層及複數第二電連接層，位於該覆蓋層與該驅動件之間，該發光件藉由該些第一電連接層與該驅動件電性連接，該感光件藉由該些第二電連接層與該驅動件電性連接；以及<br/> 一中間層，位於該覆蓋層與該驅動件之間，且該些第一電連接層及該些第二電連接層位於該覆蓋層與該中間層之間，該中間層包含複數第一貫孔及複數第二貫孔，該些第一貫孔暴露部分該發光件，該些第二貫孔暴露部分該感光件，該些第一電連接層藉由該些第一貫孔與該發光件電性連接，該些第二電連接層藉由該些第二貫孔與該感光件電性連接；<br/> 其中，該覆蓋層包含一第一開口及一第二開口，該第一開口對應位於該發光件上，並暴露出部分該發光件，該第二開口對應位於該感光件上，並暴露出部分該感光件。
如請求項1所述之半導體元件，其中該些第一電連接層與該些第二電連接層共形地位於該覆蓋層與該中間層之間。
如請求項1所述之半導體元件，其中該覆蓋層包含不透光材料。
如請求項1所述之半導體元件，其中該中間層更包含複數第三貫孔，該些第三貫孔暴露部分該驅動件，該些第一電連接層及該些第二電連接層藉由該些第三貫孔與該驅動件電性連接。
如請求項1所述之半導體元件，其中該些第一貫孔與該第一開口彼此分隔，且該些第二貫孔與該第二開口彼此分隔。
如請求項2所述之半導體元件，其中，該發光件包含雷射二極體。
如請求項6所述之半導體元件，其中該發光件與該感光件沿一第一方向排列於該驅動件上，於剖視時，該發光件的側壁與該第一方向之間具有一夾角，其中該夾角角度範圍為40˚~85˚。
如請求項1所述之半導體元件，更包含一第一接合層及一第二接合層，該第一接合層對應位於該發光件與該驅動件之間，該第二接合層對應位於該感光件與該驅動件之間。
如請求項8所述之半導體元件，其中部分的該發光件埋設於該第一接合層中，以使該發光件的側壁的一部分被該第一接合層覆蓋。
如請求項9所述之半導體元件，其中該發光件於該第一接合層中埋設的深度小於或等於10μm。
一種臭氧產生裝置，係具備： <br/>平板狀的第一金屬電極；以及 <br/>平板狀的第二金屬電極，係與前述第一金屬電極相對向配置； <br/>前述第一及第二金屬電極之中至少一個電極係於中央部具有氣體流出口； <br/>前述臭氧產生裝置係在前述第一及第二金屬電極間更具備至少一個電極用介電質，該至少一個電極用介電質係與前述第一及第二金屬電極之中至少一個金屬電極鄰接而設置； <br/>在前述第一及第二金屬電極間，以和前述至少一個電極用介電質相接之方式設有放電空間； <br/>藉由在前述第一及第二金屬電極間施加電壓，從而在前述放電空間產生介電質阻擋放電； <br/>使原料氣體朝前述放電空間供給，且使前述原料氣體通過產生前述介電質阻擋放電的前述放電空間，從而得到臭氧氣體； <br/>前述放電空間係包含與前述氣體流出口連通的放電中央空間、以及存在於前述放電中央空間之周邊的放電周邊空間，前述原料氣體係從前述放電周邊空間朝向前述放電中央空間供給； <br/>前述第一及第二金屬電極之中至少一個金屬電極為流路內置金屬電極； <br/>前述流路內置金屬電極係具有：電極中央區域，係在俯視觀看時與前述放電中央空間重疊；以及電極周邊區域，係在俯視觀看時與前述放電周邊空間重疊； <br/>前述流路內置金屬電極係在內部具有供冷媒流動的冷媒流路，前述冷媒流路係從前述電極中央區域形成到前述電極周邊區域； <br/>在前述放電空間得到的前述臭氧氣體係從前述放電中央空間經由前述氣體流出口而輸出至外部； <br/>前述冷媒流路係具有中心優先冷媒流路構造，該中心優先冷媒流路構造係使前述冷媒在流動至前述電極周邊區域之前先流動至前述電極中央區域； <br/>前述臭氧產生裝置係更具備： <br/>冷媒供給口，係從外部接收前述冷媒；以及 <br/>冷媒排出口，係將前述冷媒排出至外部； <br/>前述冷媒流路係包含： <br/>改變流路方向的至少一條彎曲流路；以及 <br/>各自使前述冷媒沿著流路方向流動的複數條環繞流路； <br/>前述複數條環繞流路之中鄰接之一對環繞流路係經由前述至少一條彎曲流路之中的一條彎曲流路而連接成彼此的流路方向呈相反方向； <br/>前述複數條環繞流路係包含：與前述冷媒供給口連通的供給側環繞流路；以及與前述冷媒排出口連通的排出側環繞流路；前述複數條環繞流路之中，前述供給側環繞流路係存在於最靠近前述氣體流出口之處，前述排出側環繞流路係存在於最遠離前述氣體流出口之處； <br/>前述中心優先冷媒流路構造係包含環繞循環流路構造，該環繞循環流路構造係以在最初使前述冷媒從前述冷媒供給口被供給至前述供給側環繞流路，而在最後使前述冷媒從前述排出側環繞流路經由前述冷媒排出口排出至外部之方式，使前述冷媒於前述複數條環繞流路及前述至少一條彎曲流路中流動。
如請求項1所述之臭氧產生裝置，其中， <br/>前述冷媒流路係包含複數條部分冷媒流路； <br/>前述複數條部分冷媒流路係各自具有前述複數條環繞流路、以及前述至少一條彎曲流路； <br/>前述複數條部分冷媒流路各自之前述供給側環繞流路係與前述冷媒供給口連通； <br/>前述複數條部分冷媒流路各自之前述排出側環繞流路係與前述冷媒排出口連通； <br/>前述複數條部分冷媒流路係各自具有前述環繞循環流路構造。
如請求項1所述之臭氧產生裝置，其中， <br/>前述冷媒供給口及前述冷媒排出口係在俯視觀看時不與前述放電空間重疊。
如請求項3所述之臭氧產生裝置，其中， <br/>前述冷媒供給口及前述冷媒排出口係在俯視觀看時相對於前述放電空間設於同一方向。
如請求項1至4中任一項所述之臭氧產生裝置，其中， <br/>前述放電空間係在俯視觀看時呈圓狀。
如請求項1至4中任一項所述之臭氧產生裝置，其中， <br/>前述流路內置金屬電極係包含前述第一金屬電極； <br/>前述臭氧產生裝置係更具備： <br/>絕緣構造體，係與前述第二金屬電極鄰接而設於前述放電空間的相反側；以及 <br/>具有冷卻功能的冷卻板，係與前述絕緣構造體鄰接而設於前述放電空間的相反側。
如請求項6所述之臭氧產生裝置，其中， <br/>前述冷卻板係在內部具有供第二冷媒流動的第二冷媒流路； <br/>前述冷卻板係具有：冷卻中央區域，係在俯視觀看時與前述放電中央空間重疊；以及冷卻周邊區域，係在俯視觀看時與前述放電周邊空間重疊； <br/>前述第二冷媒流路係從前述冷卻中央區域形成到前述冷卻周邊區域，且具有第二中心優先冷媒流路構造，該第二中心優先冷媒流路構造係使前述第二冷媒在流動至前述冷卻周邊區域之前先流動至前述冷卻中央區域。
一種臭氧產生方法，係使用臭氧產生裝置產生臭氧氣體，其中， <br/>前述臭氧產生裝置係具備： <br/>平板狀的第一金屬電極；以及 <br/>平板狀的第二金屬電極，係與前述第一金屬電極相對向配置； <br/>前述第一及第二金屬電極之中至少一個電極係於中央部具有氣體流出口； <br/>前述臭氧產生裝置係在前述第一及第二金屬電極間更具備至少一個電極用介電質，該至少一個電極用介電質係與前述第一及第二金屬電極之中至少一個金屬電極鄰接而設置； <br/>在前述第一及第二金屬電極間，以和前述至少一個電極用介電質相接之方式設有放電空間； <br/>前述放電空間係包含與前述氣體流出口連通的放電中央空間、以及存在於前述放電中央空間之周邊的放電周邊空間； <br/>前述第一及第二金屬電極之中至少一個金屬電極為流路內置金屬電極； <br/>前述流路內置金屬電極係具有：電極中央區域，係在俯視觀看時與前述放電中央空間重疊；以及電極周邊區域，係在俯視觀看時與前述放電周邊空間重疊； <br/>前述流路內置金屬電極係在內部具有供冷媒流動的冷媒流路，前述冷媒流路係從前述電極中央區域形成到前述電極周邊區域； <br/>前述臭氧產生方法係具備： <br/>步驟(a)：在前述第一及第二金屬電極間施加電壓以在前述放電空間產生介電質阻擋放電； <br/>步驟(b)：執行中心優先冷媒流路設定處理，其係在前述冷媒流路中，使前述冷媒在流動至前述電極周邊區域之前先流動至前述電極中央區域；以及 <br/>步驟(c)：藉由從前述放電周邊空間的周邊朝向前述放電中央空間供給原料氣體，從而在前述放電空間內得到前述臭氧氣體； <br/>在前述放電空間得到的前述臭氧氣體係從前述放電中央空間經由前述氣體流出口而輸出至外部； <br/>前述臭氧產生裝置係更具備： <br/>冷媒供給口，係從外部接收前述冷媒；以及 <br/>冷媒排出口，係將前述冷媒排出至外部； <br/>前述冷媒流路係包含： <br/>改變流路方向的至少一條彎曲流路；以及 <br/>各自使前述冷媒沿著流路方向流動的複數條環繞流路； <br/>前述複數條環繞流路之中鄰接之一對環繞流路係經由前述至少一條彎曲流路之中的一條彎曲流路而連接成彼此的流路方向呈相反方向； <br/>前述複數條環繞流路係包含：與前述冷媒供給口連通的供給側環繞流路；以及與前述冷媒排出口連通的排出側環繞流路；前述複數條環繞流路之中，前述供給側環繞流路係存在於最靠近前述氣體流出口之處，前述排出側環繞流路係存在於最遠離前述氣體流出口之處； <br/>前述步驟(b)中的前述中心優先冷媒流路設定處理係具備： <br/>步驟(b-1)：將前述冷媒從前述冷媒供給口供給至前述供給側環繞流路；以及 <br/>步驟(b-2)：將前述冷媒從前述排出側環繞流路排出至前述冷媒排出口； <br/>藉由前述步驟(b-1)及步驟(b-2)的執行，在前述冷媒流路中設定環繞循環流路，該環繞循環流路係以在最初使前述冷媒從前述冷媒供給口被供給至前述供給側環繞流路，而在最後使前述冷媒從前述排出側環繞流路經由前述冷媒排出口排出至外部之態樣，使前述冷媒流動於前述複數條環繞流路及前述至少一條彎曲流路中。
一種臭氧產生裝置，係具備： <br/>平板狀的第一金屬電極；以及 <br/>平板狀的第二金屬電極，係與前述第一金屬電極相對向配置； <br/>前述第一及第二金屬電極之中至少一個電極係於中央部具有氣體供給口； <br/>前述臭氧產生裝置係在前述第一及第二金屬電極間更具備至少一個電極用介電質，該至少一個電極用介電質係與前述第一及第二金屬電極之中至少一個金屬電極鄰接而設置； <br/>在前述第一及第二金屬電極間，以和前述至少一個電極用介電質相接之方式設有放電空間； <br/>藉由在前述第一及第二金屬電極間施加電壓，從而在前述放電空間產生介電質阻擋放電； <br/>使原料氣體經由前述氣體供給口朝前述放電空間供給，且使前述原料氣體通過產生前述介電質阻擋放電的前述放電空間，從而得到臭氧氣體； <br/>前述放電空間係包含與前述氣體供給口連通的放電中央空間、以及存在於前述放電中央空間之周邊的放電周邊空間，前述原料氣體係從前述放電中央空間朝向前述放電周邊空間供給，與前述放電周邊空間連通的外部空間成為臭氧氣體輸出空間； <br/>前述第一及第二金屬電極之中至少一個金屬電極為流路內置金屬電極； <br/>前述流路內置金屬電極係具有：電極中央區域，係在俯視觀看時與前述放電中央空間重疊；以及電極周邊區域，係在俯視觀看時與前述放電周邊空間重疊； <br/>前述流路內置金屬電極係在內部具有供冷媒流動的冷媒流路，前述冷媒流路係從前述電極周邊區域形成到前述電極中央區域； <br/>在前述放電空間得到的前述臭氧氣體係從前述放電周邊空間輸出至前述臭氧氣體輸出空間； <br/>前述冷媒流路係具有周邊優先冷媒流路構造，該周邊優先冷媒流路構造係使前述冷媒在流動至前述電極中央區域之前先流動至前述電極周邊區域； <br/>前述臭氧產生裝置係更具備： <br/>冷媒供給口，係從外部接收前述冷媒；以及 <br/>冷媒排出口，係將前述冷媒排出至外部； <br/>前述冷媒流路係包含： <br/>改變流路方向的至少一條彎曲流路；以及 <br/>各自使前述冷媒沿著流路方向流動的複數條環繞流路； <br/>前述複數條環繞流路之中鄰接之一對環繞流路係經由前述至少一條彎曲流路之中的一條彎曲流路而連接成彼此的流路方向呈相反方向； <br/>前述複數條環繞流路係包含：與前述冷媒供給口連通的供給側環繞流路；以及與前述冷媒排出口連通的排出側環繞流路；前述複數條環繞流路之中，前述供給側環繞流路係存在於最遠離前述氣體供給口之處，前述排出側環繞流路係存在於最靠近前述氣體供給口之處； <br/>前述周邊優先冷媒流路構造係包含環繞循環流路構造，該環繞循環流路構造係以在最初使前述冷媒從前述冷媒供給口被供給至前述供給側環繞流路，而在最後使前述冷媒從前述排出側環繞流路經由前述冷媒排出口排出至外部之方式，使前述冷媒於前述複數條環繞流路及前述至少一條彎曲流路中流動。
如請求項9所述之臭氧產生裝置，其中， <br/>前述冷媒流路係包含複數條部分冷媒流路； <br/>前述複數條部分冷媒流路係各自具有前述複數條環繞流路、以及前述至少一條彎曲流路； <br/>前述複數條部分冷媒流路各自之前述供給側環繞流路係與前述冷媒供給口連通； <br/>前述複數條部分冷媒流路各自之前述排出側環繞流路係與前述冷媒排出口連通； <br/>前述複數條部分冷媒流路係各自具有前述環繞循環流路構造。
如請求項9所述之臭氧產生裝置，其中， <br/>前述冷媒供給口及前述冷媒排出口係在俯視觀看時不與前述放電空間重疊。
如請求項11所述之臭氧產生裝置，其中， <br/>前述冷媒供給口及前述冷媒排出口係在俯視觀看時相對於前述放電空間設於同一方向。
如請求項9至12中任一項所述之臭氧產生裝置，其中， <br/>前述放電空間係在俯視觀看時呈圓狀。
如請求項9至12中任一項所述之臭氧產生裝置，其中， <br/>前述流路內置金屬電極係包含前述第一金屬電極； <br/>前述臭氧產生裝置係更具備： <br/>絕緣構造體，係與前述第二金屬電極鄰接而設於前述放電空間的相反側；以及 <br/>具有冷卻功能的冷卻板，係與前述絕緣構造體鄰接而設於前述放電空間的相反側。
如請求項14所述之臭氧產生裝置，其中， <br/>前述冷卻板係在內部具有供第二冷媒流動的第二冷媒流路； <br/>前述冷卻板係具有：冷卻中央區域，係在俯視觀看時與前述放電中央空間重疊；以及冷卻周邊區域，係在俯視觀看時與前述放電周邊空間重疊； <br/>前述第二冷媒流路係從前述冷卻周邊區域形成到前述冷卻中央區域，且具有第二周邊優先冷媒流路構造，該第二周邊優先冷媒流路構造係使前述第二冷媒在流動至前述冷卻中央區域之前先流動至前述冷卻周邊區域。
一種指尖訓練裝置，包括：<br/> 一刺激模組，係設於一使用者手指的指腹處，該刺激模組設有複數刺激塊體，該些刺激塊體係具有複數凸粒，該些凸粒採用4×4陣列配置，每個手指對應16個凸粒，該些凸粒以2.45毫米的間距排列，可朝該使用者之手指指腹方向往復伸縮，該些凸粒可提供至少17厘牛頓之觸感力度，且具有50毫秒之快速反應時間以及一控制組件，該控制組件係分別與各刺激塊體電性連接，該控制組件可依該使用者設定選擇點位辨識、圖案辨識、紋理辨識以及音樂刺激等訓練模式，其中該點位辨識訓練模式係透過該些凸粒依序顯示全點位、外圈點位、橫列點位及直行點位等模式;該圖案辨識模式包含級聯方形模式、直線模式、級聯模式、閃爍模式及交替模式;該音樂刺激模式包含基礎音樂刺激模式及進階音樂刺激模式，該基礎音樂刺激模式係透過音符起始點檢測技術自動偵測音符時間點並將該時間點映射至視覺區塊使音樂播放與觸覺刺激同步，該進階音樂刺激模式係同時使用音符起始點檢測及頻率萃取技術並將音樂分割為每200毫秒一個區塊當特定頻率達到設定閾值時該控制組件即啟動對應之凸粒；以及<br/> 一電子裝置， 資訊連接該控制組件，具有一顯示單元，用以在該些凸粒進行觸覺刺激前同步顯示各刺激塊體之訓練圖像，藉由視覺提示配合觸覺刺激，使該使用者能預期在未來某個時間點會感受到哪些觸覺輸入，進而訓練使用者的神經系統識別和處理觸覺刺激並橋接感覺輸入和運動反應之間的差距。
如請求項1所述之指尖訓練裝置，更包含一基座，該基座具有一上表面，形成有可放置該刺激模組之置放槽，以及一置放部，用以供該使用者放置手掌，其中該基座係一客製化基座，係透過一客製化程序依據該使用者的手部特徵製成。
如請求項2所述之指尖訓練裝置，其中該客製化基座透過將該使用者的手壓入木節土(Kibushi clay)中形成詳細的模具，以複製精確輪廓的該手部特徵。
如請求項2所述之指尖訓練裝置，其中該基座的該上表面以一靜電植毛(electrostatic flocking)方式將一絨毛層包覆於上表面。
如請求項2所述之指尖訓練裝置，其中該些刺激模組係設置於該些置放槽下方，且該使用者之手指的置放位置係位於該些刺激模組之正上方，使該使用者之手指指腹朝向該些刺激塊體。
如請求項5所述之指尖訓練裝置，其中該些刺激塊體係具有複數凸粒，可朝該使用者之手指指腹方向往復伸縮。
如請求項1所述之指尖訓練裝置，其中該控制組件用以依該使用者設定的一控制指令以令該些凸粒進行伸縮。
如請求項1所述之指尖訓練裝置，其中該控制組件更包括一無線網路模組，用以與該電子裝置建立網路連接。
如請求項1所述之指尖訓練裝置，其中該電子裝置具有一人機介面，用以設定一控制指令。
一種指尖訓練方法，係適用於如請求項1至9中任一項所述的指尖訓練裝置，該指尖訓練方法包括以下步驟：<br/> 將該使用者的該手指分別置放於該些置放槽上，使該手指指尖接觸該刺激模組；<br/> 透過該控制組件控制該刺激模組的該些刺激塊體往復伸縮，以刺激該使用者手指；<br/> 透過該電子裝置顯示對應於該些刺激塊體往復伸縮情況的一訓練圖像。
一種高速纜線組件，其包括： <br/>一殼體； <br/>一端子板，其穿設並固定於該殼體中，該端子板包含有一基板、多個第一接墊、及多個第二接墊組，該基板穿設並固定於該殼體中，所述第一接墊設置於該基板上並用以接地，所述第二接墊組設置於該基板上並用以供訊號傳遞，所述第二接墊組分別設置於相鄰的第一接墊之間，各第二接墊組包含有至少一第二接墊； <br/>至少一扁平高速纜線組件，其穿設並固定於該殼體中，各扁平高速纜線組件包含有多個導線組及一絕緣護套，所述導線組分別電連接於所述第二接墊組，且各導線組具有至少一金屬傳輸線，該絕緣護套覆蓋所述導線組，其中一部分的絕緣護套係剝除以暴露出各所述金屬傳輸線之部分，且各金屬傳輸線之暴露部分包含有一彎折部及一焊接部，所述彎折部突出於該絕緣護套外，所述焊接部由所述彎折部向外延伸並焊接於相對應的第二接墊組之第二接墊上； <br/>至少一接地遮蔽單元，其設置於該端子板上，所述接地遮蔽單元覆蓋並遠離各金屬傳輸線的暴露部分，所述接地遮蔽單元透過該端子板之第一接墊來接地，所述接地遮蔽單元包含有一基座及多個分隔板，該基座設於該端子板上，所述分隔板間隔成形於該基座上，以形成多個容槽於相鄰的分隔板之間，所述分隔板分別與所述第一接墊連接以達到接地效果； <br/>其中各容槽具有一第一區域及一第二區域，該第二區域較該第一區域要寬，各容槽之第一區域覆蓋對應的導線組之金屬傳輸線的焊接部，各容槽之第二區域覆蓋對應的導線組之金屬傳輸線的彎折部。
如請求項1所述之高速纜線組件，其中各第二接墊組所具有之第二接墊的數量為二，各第二接墊組之所述二個第二接墊成對設置，各導線組所具有之金屬傳輸線的數量為二，各導線組之所述二個金屬傳輸線成對設置。
如請求項1或2所述之高速纜線組件，其中所述接地遮蔽單元之各容槽具有一前開口及一後開口，各容槽之該前開口、該第一區域、該第二區域、該後開口係依序連續設置，該前開口較該後開口為窄。
如請求項1或2所述之高速纜線組件，其中 <br/>該端子板之基板具有相對的一第一表面及一第二表面； <br/>所述第一接墊分別設置於該基板之第一表面及第二表面； <br/>所述第二接墊組分別設置於該基板之第一表面及第二表面； <br/>所述扁平高速纜線組件其數量為二、所述接地遮蔽單元其數量為二，所述扁平高速纜線組件之導線組分別與設於該第一表面及該第二表面之第二接墊組電連接，所述接地遮蔽單元分別設於該第一表面及該第二表面。
如請求項3所述之高速纜線組件，其中 <br/>該端子板之基板具有相對的一第一表面及一第二表面； <br/>所述第一接墊分別設置於該基板之第一表面及第二表面； <br/>所述第二接墊組分別設置於該基板之第一表面及第二表面； <br/>所述扁平高速纜線組件其數量為二、所述接地遮蔽單元其數量為二，所述扁平高速纜線組件之導線組分別與設於該第一表面及該第二表面之第二接墊組電連接，所述接地遮蔽單元分別設於該第一表面及該第二表面。
如請求項1或2所述之高速纜線組件，其中該殼體具有一前開口及一後開口，該端子板貫穿該前開口設於該殼體中，所述扁平高速纜線組件貫穿該後開口設於該殼體中。
如請求項3所述之高速纜線組件，其中該殼體具有一前開口及一後開口，該端子板貫穿該前開口設於該殼體中，所述扁平高速纜線組件貫穿該後開口設於該殼體中。
如請求項4所述之高速纜線組件，其中該殼體具有一前開口及一後開口，該端子板貫穿該前開口設於該殼體中，所述扁平高速纜線組件貫穿該後開口設於該殼體中。
如請求項5所述之高速纜線組件，其中該殼體具有一前開口及一後開口，該端子板貫穿該前開口設於該殼體中，所述扁平高速纜線組件貫穿該後開口設於該殼體中。
如請求項1或2所述之高速纜線組件，其中該端子板設有凹槽接近於兩端，所述接地遮蔽單元之基座設有兩凸部接近於兩端處，所述接地遮蔽單元之基座的凸部分別嵌合於該端子板之凹槽中。
如請求項9所述之高速纜線組件，其中該端子板設有凹槽接近於兩端，所述接地遮蔽單元之基座設有兩凸部接近於兩端處，所述接地遮蔽單元之基座的凸部分別嵌合於該端子板之凹槽中。
如請求項11所述之高速纜線組件，其中該殼體包含有一外殼及一內殼，該內殼設於該外殼中。
如請求項12所述之高速纜線組件，其一拉耳設於該殼體之上外壁面。
如請求項1或2所述之高速纜線組件，其中所述接地遮蔽單元之各分隔板具有倒角部，係用以焊接至對應的第一接墊上。
如請求項13所述之高速纜線組件，其中所述接地遮蔽單元之各分隔板具有倒角部，係用以焊接至對應的第一接墊上。
一種背光模組，包含： <br/>切換控制單元； <br/>第一光源單元，位於該切換控制單元下方並包含第一光源及第一導光板； <br/>第二光源單元，位於該切換控制單元及該第一光源單元之間並包含第二光源及第二導光板；以及 <br/>第一稜鏡片，設置於該第一導光板的出光側， <br/>其中在一防窺模式中，該第二光源關閉，該第一光源開啟，且該切換控制單元啟動以調控該第一光源單元通過該第一稜鏡片的光線，使該背光模組具有第一出光範圍； <br/>在一非防窺模式中，該第二光源開啟且該切換控制單元關閉，以使該背光模組具有第二出光範圍，且該第二出光範圍大於該第一出光範圍， <br/>其中該第二光源包含第一子光源及第二子光源，且該切換控制單元包含第一調控區及第二調控區，分別對應該第一子光源及該第二子光源，在一局部防窺模式中，該第一光源為開啟，該第一子光源選擇性開啟或關閉，且該第二子光源關閉，該切換控制單元關閉該第一調控區並啟動該第二調控區，以使該背光模組具有第三出光範圍及第四出光範圍，其中該第三出光範圍實質對應該第一調控區，該第四出光範圍實質對應該第二調控區，且該第四出光範圍小於該第三出光範圍。
如請求項1所述之背光模組，其中在該非防窺模式中，該第一光源開啟，且該第二出光範圍係由該第一光源單元及該第二光源單元的出光構成。
如請求項1所述之背光模組，其中該第一稜鏡片具有沿第一方向延伸的複數第一稜鏡條。
如請求項3所述之背光模組，更包含一第二稜鏡片，其中該第二稜鏡片具有沿第二方向延伸的複數第二稜鏡條，該第二方向實質垂直該第一方向。
如請求項4所述之背光模組，其中該第二稜鏡片係設置於該第一導光板之該出光側，且位於該第一導光板及該第二導光板之間。
如請求項4所述之背光模組，其中該第二稜鏡片係設置於該第二導光板之出光側。
如請求項1所述之背光模組，更包含反射層，設置於該第一導光板之該出光側的相反側。
如請求項1所述之背光模組，更包含光學膜片，設置於該第一導光板之該出光側。
如請求項1所述之背光模組，其中在該局部防窺模式中，該第一子光源為開啟，以加大該第三出光範圍。
如請求項1所述之背光模組，其中該第一光源與該第二光源的亮度比為2：1。
一種背光模組，包含： <br/>切換控制單元，具有第一調控區及第二調控區； <br/>第一光源單元，位於該切換控制單元下方並包含第一光源及第一導光板； <br/>第二光源單元，位於該切換控制單元及該第一光源單元之間並包含第二光源及第二導光板，該第二光源包含第一子光源及第二子光源分別對應該第一調控區及該第二調控區；以及 <br/>第一稜鏡片，設置於該第一導光板的出光側， <br/>其中在一局部防窺模式中，該第一光源開啟，該第一子光源選擇性開啟或關閉，且該第二子光源關閉，該切換控制單元關閉該第一調控區並啟動該第二調控區，以使該背光模組具有實質對應該第一調控區的非防窺出光範圍及實質對應該第二調控區的防窺出光範圍，且該防窺出光範圍小於該非防窺出光範圍。
如請求項11所述之背光模組，其中該第一稜鏡片具有沿第一方向延伸的複數第一稜鏡條。
如請求項12所述之背光模組，更包含一第二稜鏡片，其中該第二稜鏡片具有沿第二方向延伸的複數第二稜鏡條，該第二方向實質垂直該第一方向。
如請求項13所述之背光模組，其中該第二稜鏡片係設置於該第一導光板之該出光側，且位於該第一導光板及該第二導光板之間。
如請求項13所述之背光模組，其中該第二稜鏡片係設置於該第二導光板之出光側。
如請求項11所述之背光模組，更包含反射層，設置於該第一導光板之該出光側的相反側。
如請求項11所述之背光模組，更包含光學膜片，設置於該第一導光板之該出光側。
如請求項11所述之背光模組，其中在該局部防窺模式中，該第一子光源為開啟，以加大該非防窺出光範圍。
一種顯示裝置，包含： <br/>顯示面板，具有顯示面；以及 <br/>如請求項1至18任一項所述的背光模組，設置於該顯示面板之該顯示面的相反側。
一種水性透溼防水材料製作方法，其包括：<br/> 將一高嶺土加入一水性聚氨酯中，以形成一樹脂混合物；<br/> 攪拌所述樹脂混合物，使所述樹脂混合物形成孔隙；以及<br/> 將所述樹脂混合物塗布在一基底層上，並進行加熱乾燥；<br/> 其中，所述水性聚氨酯包括聚醚多元醇、異氰酸酯及1,4環己烷二甲醇聚合以形成具有環狀結構的聚氨酯樹脂；<br/> 其中，相對於所述水性聚氨酯的總重，所述高嶺土的添加量為3 wt%至8 wt%；<br/> 其中，以所述水性聚氨酯的總重量為100 wt%，所述聚醚多元醇的含量為20 wt%至30 wt%，所述1,4環己烷二甲醇的含量為0.1 wt%至1 wt %。
如請求項1所述的方法，其中，所述樹脂混合物以1000至1200 rpm的轉速攪拌10至15分鐘。
如請求項1所述的方法，其中，所述加熱乾燥的溫度為100°C至120°C加熱15分鐘至20分鐘。
一種水性透溼防水樹脂，其包括：<br/> 一水性聚氨酯，其包括聚醚多元醇、異氰酸酯及1,4環己烷二甲醇聚合以形成具有環狀結構的聚氨酯樹脂；以及<br/> 一高嶺土；<br/> 其中，相對於所述水性聚氨酯的總重，所述高嶺土的添加量為3 wt%至8 wt%；<br/> 其中，以所述水性聚氨酯的總重量為100 wt%，所述聚醚多元醇的含量為20 wt%至30 wt%，所述1,4環己烷二甲醇的含量為0.1 wt%至1 wt %。
如請求項4所述的水性透溼防水樹脂，其中，所述水性透溼防水樹脂的粒徑(D90)的分佈範圍為180 nm至215 nm。
如請求項4所述的水性透溼防水樹脂，其中，所述水性透溼防水樹脂的黏度為10000 cps至100000 cps。
如請求項4所述的水性透溼防水樹脂，其中，以所述水性聚氨酯的總重量為100 wt%，所述異氰酸酯的含量為10 wt%至15 wt %，所述水性聚氨酯更包括：<br/> 1 wt%至2 wt %的2,2-二羥甲基丙酸；<br/> 0.5 wt%至1 wt %的鏈延長劑； <br/> 1 wt%至2 wt %的三乙胺；以及<br/> 50 wt%至65 wt %的水。
如請求項7所述的水性透溼防水樹脂，其中，所述異氰酸酯是選自甲苯二異氰酸酯（TDI）、異佛爾酮二異氰酸酯（IPDI）、二苯基甲烷二異氰酸酯（MDI）以及二環己基甲烷二異氰酸酯（HMDI）所組成的群組。
如請求項7所述的水性透溼防水樹脂，其中，所述聚醚多元醇的分子量為200至6000。
如請求項7所述的水性透溼防水樹脂，其中，所述鏈延長劑是選自乙二胺、六亞甲基二胺、二甲苯二胺、異佛爾酮二胺、二乙烯三胺、N-胺基乙基-N-乙醇胺所組成的群組。
一種具嵌入式接地表面之模組化微波源，包括：<br/> 一介電板，其具有一第一表面和與該第一表面相反的一第二表面；<br/> 一腔，該腔進入該介電板的該第一表面，其中該腔包括介於該第一表面與該第二表面之間的一第三表面；以及<br/> 一介電共振器，該介電共振器遠離該第三表面延伸，其中在該腔的一側壁與該介電共振器的一側壁之間設有一間隙。
如請求項1所述的模組化微波源，其中，該介電共振器包括一第四表面，其中該介電板的該第一表面位於該腔的該第三表面與該介電共振器的該第四表面之間。
如請求項1所述的模組化微波源，其中，該介電共振器的一寬度小於該腔的一寬度。
如請求項1所述的模組化微波源，其中，該介電共振器是對通過該介電共振器的一中心的一軸來對稱的。
如請求項4所述的模組化微波源，其中，該介電共振器沿著平行於該第一表面的一平面的一橫截面是圓形的。
如請求項4所述的模組化微波源，其中，該介電共振器沿著平行於該第一表面的一平面的一橫截面是多邊形的。
如請求項1所述的模組化微波源，更包括：<br/> 在該介電共振器的一軸向中心上的一孔。
如請求項7所述的模組化微波源，其中，該孔延伸越過該介電板的該第一表面。
如請求項1所述的模組化微波源，更包括：<br/> 多個腔；及<br/> 多個介電共振器，其中每個介電共振器位於該多個腔中的不同者中。
如請求項1所述的模組化微波源，其中，該介電板和該介電共振器中的一或更多者包括一陶瓷。
一種電子裝置，包括： <br/>基板，包括第一部分、第二部分以及第三部分，其中所述第一部分低於所述第二部分，且所述第三部分將所述第二部分與所述第一部分連接，而形成凹槽； <br/>屏蔽層，設置在所述第一部分、所述第二部分以及所述第三部分上； <br/>絕緣層，設置在所述屏蔽層上； <br/>電路層，設置在所述絕緣層上；以及 <br/>至少一個電子元件，設置在所述凹槽中並與所述電路層電性連接，其中設置在所述第三部分上的所述屏蔽層側向環繞所述至少一個電子元件。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述凹槽的深度大於或等於所述電子元件的厚度的2倍。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述第三部分與所述第一部分之間的夾角大於或等於90度且小於或等於110度。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述第三部分與所述第一部分之間的轉角為長度大於或等於1mm的倒角或半徑大於或等於1mm的倒圓角。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述基板的厚度大於或等於0.1mm且小於或等於5mm，且所述基板的楊氏係數大於或等於0.5GPa且小於或等於20GPa。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述屏蔽層的拉伸率大於或等於20%，且所述屏蔽層的電阻率大於或等於10 <sup>-8</sup>Ω·m且小於或等於10 <sup>-6</sup>Ω·m。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述至少一個電子元件包括至少一個電磁波敏感元件。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述至少一個電子元件包括第一電子元件以及第二電子元件，且所述第一電子元件與所述第二電子元件之間的距離大於或等於10mm。
如請求項1所述的電子裝置，還包括： <br/>散熱層，設置在所述電路層上，其中所述電路層位於所述散熱層與所述屏蔽層之間。
如請求項9所述的電子裝置，其中所述散熱層的導熱係數大於或等於6W/m·K。
如請求項9所述的電子裝置，其中： <br/>所述散熱層接觸所述至少一個電子元件的接腳或散熱片， <br/>在俯視圖中，所述散熱層的面積大於或等於設置在所述凹槽中的所述至少一個電子元件的面積的4倍，且 <br/>所述散熱層的厚度大於或等於所述至少一個電子元件的厚度的3/5倍。
如請求項1所述的電子裝置，還包括： <br/>另一屏蔽層，設置在所述電路層上；以及 <br/>屏蔽貫孔，貫穿所述電路層以及所述絕緣層，以將所述屏蔽層與所述另一屏蔽層電性連接。
如請求項12所述的電子裝置，還包括： <br/>封裝層，設置在所述另一屏蔽層上。
如請求項13所述的電子裝置，其中所述另一屏蔽層與所述封裝層重疊於所述至少一個電子元件，且所述封裝層與所述凹槽重疊的部分比所述封裝層的其他部分薄。
如請求項13所述的電子裝置，其中所述另一屏蔽層與所述封裝層曝露出所述至少一個電子元件。
如請求項12所述的電子裝置，其中所述另一屏蔽層完全覆蓋所述至少一個電子元件，且所述電子裝置還包括： <br/>平坦層，設置在所述至少一個電子元件與所述另一屏蔽層之間。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述凹槽的寬度大於或等於所述至少一個電子元件的長度的1.5倍。
一種電子裝置的製造方法，包括： <br/>形成平面多層結構，所述平面多層結構包括基板以及依序堆疊於所述基板上的屏蔽層、絕緣層以及電路層； <br/>對所述平面多層結構進行成型製程，以使所述平面多層結構轉變成具有凹槽的非平面多層結構；以及 <br/>將至少一個電子元件接合至待形成或已形成的所述凹槽中的所述電路層。
如請求項18所述的電子裝置的製造方法，其中將所述屏蔽層、所述絕緣層以及所述電路層形成在所述基板上的方法包括網印製程。
如請求項18所述的電子裝置的製造方法，其中所述成型製程包括真空高壓熱成型製程或真空吸塑成型製程。
一種預燒爐體，包含：<br/> 爐本體：設有至少一測試室及至少一出風流道，該測試室以供流入具有預<br/> 設測試溫度之氣體，該出風流道相通該測試室，以供流入該測試室所排出之該氣體；<br/> 出風單元：包含箱具、至少一止擋件及至少一閥門，該箱具裝配於該爐本體，並設有相通該出風流道之通道，至少一該止擋件裝配於該通道，並設有至少一排氣孔及至少一貼接面，該排氣孔能夠排出該通道之該氣體，該貼接面相對於該出風流道，至少一該閥門裝配於該止擋件之下方，並能夠位移啟閉該通道，且能夠承受該出風流道之該氣體推力而緊密貼合該止擋件之該貼接面，以確實封閉該通道，其中，該閥門之頂面界定為壓接面，而底面界定為承推面，該承推面能夠承受該氣體推力，使該壓接面能夠緊密貼合該貼接面，該閥門與該止擋件間設有嵌合結構，該嵌合結構於該閥門之該壓接面與該止擋件之該貼接面設有相互嵌合之第一嵌合部及第二嵌合部。
如請求項1所述之預燒爐體，其該出風單元之該止擋件為可壓縮材<br/> 質製作。
如請求項1所述之預燒爐體，其該出風單元之該止擋件呈中空框<br/> 形，並設有貫通頂面及該貼接面之該排氣孔。
如請求項1所述之預燒爐體，其該止擋件之該排氣孔的內徑尺寸小<br/> 於該閥門之外徑尺寸。
如請求項1所述之預燒爐體，其該出風單元之該止擋件與該箱具間<br/> 設有結合結構，該結合結構於該止擋件之外環部與該箱具之該通道設有相互配合之第一結合部及第二結合部。
如請求項1所述之預燒爐體，其該出風單元於該箱具設有至少一驅<br/> 動器，該驅動器能夠驅動該閥門作擺動位移。
如請求項1所述之預燒爐體，其該爐本體設有至少一入風管及至少一入風流道，該入風管以供流入該氣體，該入風流道相通該入風管及該測試室<br/> ，以供該氣體流入該測試室。
一種預燒設備，包含：<br/> 至少一如請求項7所述之預燒爐體；<br/> 至少一抽風器：裝配於該預燒爐體，以供將具有預設測試溫度之氣體輸送<br/> 至該預燒爐體之入風流道；<br/> 至少一承架：配置於該預燒爐體之測試室，以供承置至少一待測件；<br/> 至少一測試電控器：裝配於該預燒爐體，以供電性連接該待測件而執行測<br/> 試作業。
一種包覆有抗纖維化藥物的線材，其具有： <br/>一線材及一抗纖維化藥物層，所述線材為單股縫線，且預先以醋酸電漿進行表面改質或預先在表面包覆丙烯酸，所述抗纖維化藥物層包覆所述線材； <br/>其中，以所述線材的表面積為基準，所述抗纖維化藥物層的面積覆蓋率為10%至100%；所述線材的材料為聚丙烯，所述抗纖維化藥物為絲裂黴素C。
如請求項1所述之包覆有抗纖維化藥物的線材，其中，所述包覆有抗纖維化藥物的線材的強度為1.0至2.0牛頓。
如請求項1所述之包覆有抗纖維化藥物的線材，其中，所述包覆有抗纖維化藥物的線材的最大延長長度為7.5毫米至40毫米。
如請求項1至3任一項之包覆有抗纖維化藥物的線材，其係用於抑制血管平滑肌細胞增殖。
如請求項1至3任一項之包覆有抗纖維化藥物的線材，其係用於減緩血管內膜增生。
如請求項5之包覆有抗纖維化藥物的線材，其中，所述減緩血管內膜增生包含減緩主動脈壁增生。<b> </b>
一種用於近視或近視加散光的眼鏡裝置套件，所述眼鏡裝置套件包括： <br/>至少兩副眼鏡，其中每副眼鏡包括個別近視眼用於左眼的鏡片和用於右眼的鏡片，每個鏡片是具有基本處方的標準單光眼鏡鏡片；以及 <br/>多個光學膜，其中每個光學膜：具有用於覆蓋眼鏡鏡片的基本區域的尺寸，且 <br/>被配置為在光學膜上具有基本上是平光，並且至少一個橢圓光學元件被配置為具有散光或柱鏡焦度輪廓； <br/>其中所述基本處方和所述散光或柱鏡度數分佈的組合在所述近視眼的視網膜的至少一個區域上至少部分地提供子午向矯正，並且至少部分地誘導子午向散光。
如請求項1所述的眼鏡裝置套件，其中，所述至少一個橢圓光學元件的面積為至少3mm<sup>2</sup>。
如請求項1所述的眼鏡裝置套件，其中，所述至少一個橢圓光學元件的散光或柱鏡分佈的大小為至少+0.5 DC。
如請求項1所述的眼鏡裝置套件，其中，所述至少一個橢圓光學元件的所述散光或柱鏡焦度輪廓應用以運算式為球鏡度+（柱鏡度/2）*（方位角分量）描述焦度分佈函數來表示，其中，球鏡度指的是矯正近視眼的遠用球面處方焦度，柱鏡度指的是散光或柱鏡焦度的大小，其中，焦度分佈函數的方位角分量被描述為C<sub>a</sub>*cos（mθ），其中C<sub>a</sub>是方位角係數，m是介於1和6之間的整數，並且Theta（θ）是所述至少一個橢圓光學元件內給定點的方位角。
如請求項1所述的眼鏡裝置套件，其中，所述多個光學膜中的每個光學膜被黏貼到所述標準單光眼鏡鏡片上，或者用手指按壓黏附到所述標準單光眼鏡鏡片上，或者用作所述標準單光眼鏡鏡片的一個表面上的黏貼標籤，或者用作在所述標準單光眼鏡鏡片或其組合的一個面上的可剝離黏合物。
如請求項1所述的眼鏡裝置套件，其中所述視網膜的所述至少一個區域包括所述視網膜的鼻、顳、上或下部分。
如請求項1所述的眼鏡裝置套件，其中所述視網膜的所述至少一個區域在視野的至少30度內。
如請求項1所述的眼鏡裝置套件，其中，所述多個光學膜中的至少一個光學膜包括多個橢圓光學元件，所述多個橢圓光學元件被配置有不同度數或軸向的散光。
如請求項8所述的眼鏡裝置套件，其中所述多個橢圓光學元件在所述光學膜內的佈置是非旋轉對稱的。
如請求項8所述的眼鏡裝置套件，其中，所述光學膜包括多個橢圓形光學元件，其中，所述視網膜的第一區域配置的橢圓形光學元件組合的表面積與第二區域配置的橢圓光學元件組合的表面積基本不同，其中，至少所述第一區域和至少所述第二區被配置為相同的尺寸和相同的視場角。
如請求項1所述的眼鏡裝置套件，其中，用於所述右眼的所述鏡片的至少兩個或多個所述光學膜的第一區域和第二區域的組合的表面積被配置為基本上不同，並且其中，用於所述左眼的所述鏡片的至少兩個以上的所述光學膜的第一區域和第二區域的組合表區域被配置為基本上不同。
如請求項1所述的眼鏡裝置套件，其中，具有所述至少一個橢圓光學元件的兩對或多對光學膜的兩副或多副所述眼鏡被配置為彼此基本上不同，或者對於所述右眼的所述標準單光眼鏡鏡片和所述左眼的所述標準單光鏡片基本上不同。
如請求項1所述的眼鏡裝置套件，其中，配置有兩對或多對光學膜的兩副或多副所述眼鏡被配置為向近視個體的右眼和左眼提供空間和時間變化的光學停止信號。
如請求項1所述的眼鏡裝置套件，其中，至少一個所述光學膜被施加到至少一個所述鏡片上面，或者所有的鏡片上都被施加了光學膜，或者只提供光學膜而不被施加到鏡片上。
如請求項1至14中任一項所述的眼鏡裝置套件，還包括用於近視個體的說明書，所述說明書包括了詳細說明所述至少兩副眼鏡使用的配戴護理方案。
一種使用如請求項15所述的眼鏡裝置套件的方法，所述方法包括根據所述配戴護理方案配戴至少一副所述眼鏡，其中所述配戴護理方案包括了使用至少兩副或多副所述眼鏡的間隔時間至少為2小時。
如請求項16所述的方法，其中所述配戴護理方案包括了使用至少兩副所述眼鏡的間隔時間至少為1天。
如請求項17所述的方法，還包括在配戴之前，通過評估與個人相關的近視進展或風險因素來確定所述配戴護理方案。
一種使用如請求項1至14中任一項所述的眼鏡裝置套件的方法，其中所述多個光學膜中的至少兩對是用於將至少兩副矯正近視的所述眼鏡，轉換為矯正近視和延緩、減慢、減少和/或管理近視進展的近視管理眼鏡。
一種矽光子測試插拔模組，包含：<br/> 一載板，包含一凹槽及一定位孔；<br/> 一浮動移動器，包含一定位銷，該浮動移動器可移動地安裝於該載板之該凹槽；<br/> 一對接連接器，浮動地安裝於該浮動移動器之中；以及<br/> 一容置座，包含有一移動定位器及一容置槽，該容置座鄰設於該載板，該移動定位器用以固定一矽光子裝置在該容置槽，當該浮動移動器在該凹槽向該容置座移動時，該定位銷與該定位孔匹配，而該對接連接器自動對準該矽光子裝置的一矽光子裝置連接器。
如請求項1所述之矽光子測試插拔模組，其中該浮動移動器，包含：<br/> 一移動外框體；<br/> 複數個浮動承靠裝置，設置於該移動外框體之中，用以夾緊該對接連接器；以及<br/> 複數個彈性裝置，安裝於該移動外框體以及該些浮動承靠裝置之間，以使該對接連接器可在該移動外框體之中位移。
如請求項1所述之矽光子測試插拔模組，其中該容置座，更包含一第三吸嘴，以將該矽光子裝置固定在該容置座之上。
如請求項3所述之矽光子測試插拔模組，其中該容置座，更包含一第一壓力感測器，相對於該移動定位器設置，其中該矽光子裝置夾持於該移動定位器以及該第一壓力感測器之間。
如請求項1所述之矽光子測試插拔模組，更包含一第二壓力感測器，安裝於該載板以及該浮動移動器之間，以量測該對接連接器對接該矽光子裝置連接器時的插入力。
一種矽光子測試設備，包含：<br/> 一矽光子測試機；以及<br/> 一分類機，電性連接於該矽光子測試機，其中該分類機，包含：<br/> 一矽光子測試插拔模組，包含：<br/> 一載板；<br/> 一浮動移動器，可移動地安裝於該載板之上；<br/> 一對接連接器，浮動地安裝於該浮動移動器之中；以及<br/> 一容置座，鄰設於該載板，用以固定一矽光子裝置，而該對接連接器自動對準該矽光子裝置的一矽光子裝置連接器；<br/> 一測試台，用以測試該矽光子裝置；<br/> 一進料模組，用以容置複數個待測試的矽光子裝置；<br/> 一出料模組，用以容置複數個已測試的矽光子裝置；<br/> 一矽光子取放裝置，設置於該矽光子測試插拔模組、該進料模組以及該出料模組之間，用以移動該些待測試的矽光子裝置以及該些已測試的矽光子裝置；以及<br/> 一移動模組，其中該矽光子測試插拔模組安裝於該移動模組之上，用以移動該矽光子測試插拔模組以及該矽光子測試插拔模組上的該矽光子裝置至該測試台的位置。
如請求項6所述之矽光子測試設備，其中該移動模組，包含：<br/> 一第一移動器；<br/> 一第二移動器，垂直於該第一移動器設置；以及<br/> 一第三移動器，垂直於該第一移動器以及該第二移動器設置。
如請求項7所述之矽光子測試設備，其中該第三移動器，包含二個自由度的移動器。
如請求項8所述之矽光子測試設備，更包含一第一光學辨識器，安裝於該進料模組鄰近該矽光子測試插拔模組的一側，以辨識該矽光子裝置的方向與識別碼。
如請求項9所述之矽光子測試設備，更包含一第二光學辨識器，安裝於該測試台，以辨識該矽光子裝置測試前後的結構與位置。
如請求項10所述之矽光子測試設備，更包含一第三光學辨識器，鄰設於該出料模組，以檢測該矽光子裝置的晶片下表面以及四側面。
如請求項11所述之矽光子測試設備，更包含一第四光學辨識器以及一光學辨識器支架，該光學辨識器支架將該第四光學辨識器固定於該第三移動器，以偵測該測試台的測試頭的測試端子的位置，用以調整該矽光子裝置的位置。
如請求項12所述之矽光子測試設備，更包含一第五光學辨識器，設置於該進料模組的上方，以導引該矽光子取放裝置吸取該矽光子裝置。
如請求項13所述之矽光子測試設備，其中該矽光子取放裝置，包含至少一吸嘴，以吸取該矽光子裝置。
如請求項14所述之矽光子測試設備，其中該至少一吸嘴，包含：<br/> 一第一吸嘴，以吸附該矽光子裝置的該矽光子裝置連接器；以及<br/> 一第二吸嘴，以吸附該矽光子裝置的矽光子晶片。
如請求項15所述之矽光子測試設備，其中該矽光子裝置，更包含一基板以及一特定應用積體電路，其中該特定應用積體電路以及該矽光子晶片固定於該基板之上。
如請求項16所述之矽光子測試設備，其中該矽光子測試插拔模組，更包含複數個探針，以電性連接該特定應用積體電路。
如請求項17所述之矽光子測試設備，其中該矽光子測試插拔模組，更包含一壓板，以按壓於該矽光子裝置之上。
一種基於光學變形的無人機導航方法，該方法包括：<br/>經由一無人機的相機擷取環境的第一影像，其中該相機具有高光學變形特性之鏡頭；<br/>偵測該第一影像中的參考物件以及對應至該參考物件的多條參考線條；<br/>判定由該些參考線條所形成的多個區格，並監測每個參考線條的曲率；<br/>從該些區格中判定一參考區格，其中該無人機位於該參考區格旁邊；<br/>根據該參考區格的多個邊界的多個曲率，判定該無人機相對於該參考物件在該參考區格中的投影位置；<br/>根據導航任務判定目標運動方向，並控制該無人機沿著該目標運動方向移動；以及<br/>基於目前監測到的該參考區格邊界的該些曲率，持續更新該無人機的該投影位置，從而根據更新後的該投影位置來管理該無人機執行該導航任務的運動。
如請求項1所述的無人機導航方法，該方法還包括：<br/>判定該參考區格的多個邊界各自的該曲率；<br/>基於該參考區格的該些邊界的該些曲率，計算對應至該些邊界的多個方向向量，其中每個方向向量包括對應至第一座標軸的第一向量值以及對應至第二座標軸的第二向量值；<br/>基於所有該些方向向量的總和，判定相對於該參考區格中之一區格中心點的該投影位置，其中當所有該些方向向量的總和為0時，判定該無人機的該投影位置位於該區格中心點。
如請求項2所述的無人機導航方法，其中該些邊界包括一左邊界、一右邊界、一上邊界和一下邊界，該方法還包括：<br/>判定對應至該左邊界的一左曲率、對應至該右邊界的一右曲率、對應至該上邊界的一上曲率，以及對應至該下邊界的一下曲率；<br/>基於一第一曲率差異閾值以及該左曲率和該右曲率之間的一第一曲率差異，判定是否執行對應至該第一座標軸的一第一相機姿態校正操作，從而在執行該第一相機姿態校正操作之後的一更新後第一曲率差異小於該第一曲率差異閾值；以及<br/>基於一第二曲率差異閾值以及該上曲率和該下曲率之間的一第二曲率差異，判定是否執行對應至該第二座標軸的一第二相機姿態校正操作，從而在執行該第二相機姿態校正操作之後的一更新後第二曲率差異小於該第二曲率差異閾值。
如請求項2所述的無人機導航方法，該方法還包括：<br/>當該些曲率的絕對值的一總和大於一第一曲率總和閾值時，控制該無人機沿著一第三座標軸遠離該參考物件；以及<br/>當該些曲率的該些絕對值的該總和小於一第二曲率總和閾值時，控制該無人機沿著該第三座標軸靠近該參考物件。
如請求項1所述的無人機導航方法，該方法還包括：<br/>監測該參考區格的該些邊界的該些曲率的變化；<br/>基於一目標邊界的一目標曲率的變化，判定該無人機的該投影位置是否已經跨越該目標邊界並進入鄰近該參考區格的一相鄰區格；<br/>反應於判定該無人機的該投影位置已經跨越該目標邊界並進入該相鄰區格，將該相鄰區格更新為目前的該參考區格，並重新判定該無人機在目前的該參考區格中的該投影位置。
如請求項5所述的無人機導航方法，其中該基於該目標邊界的該目標曲率的該變化，判定該無人機的該投影位置是否已經跨越該目標邊界並進入鄰近該參考區格的該相鄰區格的步驟包括：<br/>反應於監測到一個邊界的曲率已從一正值變為一負值或從一負值變為一正值，判定該個邊界為該目標邊界且該無人機的該投影位置已跨越該目標邊界並進入該相鄰區格。
如請求項1所述的無人機導航方法，該方法還包括：<br/>獲取該參考物件的整體結構資訊以計算該參考物件的每個該區格之每個區格中心點之間的相對距離，以及每個該區格的每個該邊界的長度；以及<br/>指派多個區格座標給對應至該參考物件的所有該些區格。
如請求項1所述的無人機導航方法，其中該導航任務是用於到達一目標區格的一抵達目標任務，該方法還包括：<br/>判定該參考區格的參考區格座標以及該目標區格的目標區格座標；<br/>基於目前的參考區格的該參考區格座標以及該目標區格座標，持續判定該目標運動方向；以及<br/>控制該無人機沿著已判定的該目標運動方向移動，直到目前判定的該參考區格座標等於該目標區格座標。
如請求項1所述的無人機導航方法，其中該偵測該第一影像中的該參考物件以及對應至該參考物件的該多條參考線條的步驟包括：<br/>朝向該參考物件發射一特定光線；<br/>擷取被該特定光線照射的該參考物件的第二影像；<br/>基於該第二影像區分該參考物件的一結構輪廓，其中該參考物件的表面的第一反射係數大於包含於該參考物件中的其他物件的表面的第二反射係數；以及<br/>在該參考物件的該結構輪廓上虛擬設定該多條參考線條，從而使該些對應至該參考物件的虛擬設定的參考線條反映該參考物件的該結構輪廓。
如請求項1所述的無人機導航方法，其中該導航任務是一結構掃描任務，該方法還包括：<br/>(a)從該參考物件的該些區格中判定一起始區格、對應至該起始區格的一目標列以及用於掃描該目標列的一目標方向；<br/>(b)控制該無人機沿著該目標方向水平移動以掃描該目標列，直到到達該目標列的一末端區格；<br/>(c)控制該無人機垂直移動至一相鄰列，並將該相鄰列更新為一新的目標列；<br/>(d)判定一新的目標方向，其與舊的該目標方向相反，用於掃描該些區格的該新的目標列；<br/>(e)控制該無人機沿著該新的目標方向水平移動以掃描該些區格的該新的目標列，直到到達該新的目標列的一末端區格；<br/>(f)重複步驟(c)至(e)直到該參考物件的該些區格的所有列都已被掃描，其中目前的該參考區格在該運動內被持續更新；以及<br/>(g)使該無人機返回該起始區格。
一種基於光學變形的無人機，包括：<br/>具有高光學變形特性之鏡頭的一相機；<br/>一運動裝置，被配置以使該無人機能夠沿著三維空間中的三個正交軸移動；以及<br/>一處理器，耦接至該相機和該運動裝置，其中該處理器被配置以執行多個程式模組以：<br/>經由該相機，擷取環境的第一影像；<br/>偵測該第一影像中的參考物件以及對應至該參考物件的多條參考線條；<br/>判定由該些參考線條所形成的多個區格，並監測每個參考線條的曲率；<br/>從該些區格中判定一參考區格，其中該無人機位於該參考區格旁邊；<br/>根據該參考區格的多個邊界的曲率，判定該無人機相對於該參考物件在該參考區格中的投影位置；<br/>根據導航任務判定目標運動方向，並經由指示該運動裝置以控制該無人機沿著該目標運動方向移動；以及<br/>基於目前監測到的該參考區格邊界的該些曲率，持續更新該無人機的該投影位置，從而根據更新後的該投影位置來管理該無人機執行該導航任務的運動。
如請求項11所述的無人機，其中該處理器還被配置以：<br/>判定該參考區格的多個邊界各自的該曲率；<br/>基於該參考區格的該些邊界的該些曲率，計算對應至該些邊界的多個方向向量，其中每個方向向量包括對應至第一座標軸的第一向量值以及對應至第二座標軸的第二向量值；<br/>基於所有該些方向向量的總和，判定相對於該參考區格中之一區格中心點的該投影位置，其中當所有該些方向向量的總和為0時，判定該無人機的該投影位置位於該區格中心點。
如請求項12所述的無人機，其中該些邊界包括一左邊界、一右邊界、一上邊界和一下邊界，其中該處理器還被配置以：<br/>判定對應至該左邊界的一左曲率、對應至該右邊界的一右曲率、對應至該上邊界的一上曲率，以及對應至該下邊界的一下曲率；<br/>基於一第一曲率差異閾值以及該左曲率和該右曲率之間的一第一曲率差異，判定是否執行對應至該第一座標軸的一第一相機姿態校正操作，從而在執行該第一相機姿態校正操作之後的一更新後第一曲率差異小於該第一曲率差異閾值；以及<br/>基於一第二曲率差異閾值以及該上曲率和該下曲率之間的一第二曲率差異，判定是否執行對應至該第二座標軸的一第二相機姿態校正操作，從而在執行該第二相機姿態校正操作之後的一更新後第二曲率差異小於該第二曲率差異閾值。
如請求項12所述的無人機，其中該處理器還被配置以：<br/>當該些曲率的絕對值的一總和大於一第一曲率總和閾值時，控制該無人機沿著一第三座標軸遠離該參考物件；以及<br/>當該些曲率的該些絕對值的該總和小於一第二曲率總和閾值時，控制該無人機沿著該第三座標軸靠近該參考物件。
如請求項11所述的無人機，其中該處理器還被配置以：<br/>監測該參考區格的該些邊界的該些曲率的多個變化；<br/>基於一目標邊界的一目標曲率的變化，判定該無人機的該投影位置是否已經跨越該目標邊界並進入鄰近該參考區格的一相鄰區格；<br/>反應於判定該無人機的該投影位置已經跨越該目標邊界並進入該相鄰區格，將該相鄰區格更新為目前的參考區格，並在目前的該參考區格中重新判定該無人機的該投影位置。
如請求項15所述的無人機，其中基於該目標邊界的該目標曲率的該變化，判定該無人機的該投影位置是否已經跨越該目標邊界並進入鄰近該參考區格的該相鄰區格的步驟包括：<br/>反應於監測到一個邊界的曲率已從一正值變為一負值或從一負值變為一正值，判定該個邊界為該目標邊界且該無人機的該投影位置已跨越該目標邊界並進入該相鄰區格。
如請求項11所述的無人機，其中該處理器還被配置以：<br/>獲取該參考物件的整體結構資訊以計算該參考物件的每個該區格之每個區格中心點之間的相對距離，以及每個該區格的每個該邊界的長度；以及<br/>指派多個區格座標給對應至該參考物件的所有該些區格。
如請求項11所述的無人機，其中該導航任務是用於到達一目標區格的一抵達目標任務，其中該處理器還被配置以：<br/>判定該參考區格的參考區格座標以及該目標區格的目標區格座標；<br/>基於目前的參考區格的該參考區格座標以及該目標區格座標，持續判定該目標運動方向；以及<br/>控制該無人機沿著已判定的目標運動方向移動，直到目前判定的該參考區格座標等於該目標區格座標。
如請求項11所述的無人機，其中該偵測該第一影像中的參考物件以及對應至該參考物件的多條參考線條的步驟包括：<br/>朝向該參考物件發射一特定光線；<br/>擷取被該特定光線照射的該參考物件的第二影像；<br/>基於該第二影像區分該參考物件的一結構輪廓，其中該參考物件的表面的第一反射係數大於包含於該參考物件中的其他物件的表面的第二反射係數；以及<br/>在該參考物件的該結構輪廓上虛擬設定該多條參考線條，從而使該些對應至該參考物件的虛擬設定的該多條參考線條反映該參考物件的該結構輪廓。
如請求項11所述的無人機，其中該導航任務是一結構掃描任務，其中該處理器還被配置以：<br/>(a)從該參考物件的該些區格中判定一起始區格、對應至該起始區格的一目標列以及用於掃描該目標列的一目標方向；<br/>(b)控制該無人機沿著該目標方向水平移動以掃描該目標列，直到到達該目標列的一末端區格；<br/>(c)控制該無人機垂直移動至一相鄰列，並將該相鄰列更新為一新的目標列；<br/>(d)判定一新的目標方向，其與舊的該目標方向相反，用於掃描該些區格的該新的目標列；<br/>(e)控制該無人機沿著該新的目標方向水平移動以掃描該些區格的該新的目標列，直到到達該新的目標列的一末端區格；<br/>(f)重複步驟(c)至(e)直到該參考物件的該些區格的所有列都已被掃描，其中目前的該參考區格在該運動內被持續更新；以及<br/>(g)使該無人機返回該起始區格。
一種用一封裝材料至少部分地包封之焊料接點，其中 <br/>該焊料接點包含一錫合金； <br/>該封裝材料包含分散在一環氧樹脂中之矽石粒子；及 <br/>該錫合金包含： <br/>2.8至4.5 wt.%的銀， <br/>2.8至4 wt.%的鉍， <br/>1.0至6.5 wt.%的銻， <br/>0.3至1.2 wt.%的銅， <br/>0.001至0.4 wt.%的鎳， <br/>0.001至0.3 wt.%的鈦，及 <br/>其餘係錫與不可避免的雜質。
如請求項1之焊料接點，其中該錫合金包含3至4 wt.%的銀。
如請求項2之焊料接點，其中該錫合金包含3至4 wt.%的鉍。
如請求項1至3中任一項之焊料接點，其中該錫合金包含2至6 wt.%的銻。
如請求項1至3中任一項之焊料接點，其中該錫合金包含0.4至0.8 wt.%的銅。
如請求項1至3中任一項之焊料接點，其中該錫合金包含0.01至0.3 wt.%的鎳。
如請求項1至3中任一項之焊料接點，其中該錫合金包含0.005至0.2 wt.%的鈦。
如請求項1至3中任一項之焊料接點，其中該錫合金係由以下組成：2.8至3.2 wt.%的銀、2.8至3.2 wt.%的鉍、5.5至6.5 wt.%的銻、0.3至0.8 wt.%的銅、0.08至0.2 wt.%的鎳、0.005至0.02 wt.%的鈦、及其餘係錫與不可避免的雜質。
如請求項1之焊料接點，其中該錫合金係由以下組成：2.9至3.2 wt.%的銀、2.9至3.2 wt.%的鉍、5至7 wt.%的銻、0.3至0.7 wt.%的銅、0.09至0.18 wt.%的鎳、0.002至0.01 wt.%的鈦、及其餘係錫與不可避免的雜質。
如請求項1之焊料接點，其中該錫合金包含： <br/>約3.2 wt.%的銀， <br/>約3.1 wt.%的鉍， <br/>約5.9 wt.%的銻， <br/>約0.5 wt.%的銅， <br/>約0.16 wt.%的鎳， <br/>約0.006 wt.%的鈦，以及 <br/>其餘係錫與不可避免的雜質。
如請求項1至3、9及10中任一項之焊料接點，其中該封裝材料為底部填充物或邊緣結合物之形式。
如請求項1至3、9及10中任一項之焊料接點，其中該封裝材料中的環氧樹脂與矽石粒子之重量比為1:1至1:3或1:2至1:5。
如請求項1至3、9及10中任一項之焊料接點，其中該封裝材料進一步包含分散在該環氧樹脂中之一固化促進劑。
如請求項13之焊料接點，其中該封裝材料中的環氧樹脂與固化促進劑之重量比為1:0.0001至1:10。
如請求項1至3、9及10中任一項之焊料接點，其中該矽石包含球形矽石。
如請求項1至3、9及10中任一項之焊料接點，其中該封裝材料基本上由該等矽石粒子及該環氧樹脂組成。
如請求項13之焊料接點，其中該封裝材料基本上由該等矽石粒子、該環氧樹脂及該固化促進劑組成。
如請求項1至3、9及10中任一項之焊料接點，其中該焊料接點為球柵陣列(BGA)之形式。
如請求項1至3、9及10中任一項之焊料接點，其中該錫合金： <br/>具有至少205℃的一固相線溫度；及/或 <br/>具有235℃或更低的一液相線溫度；及/或 <br/>係無鉛的。
一種電子裝置，其包含透過一焊料接點連接至一印刷電路板之一電子組件，該焊料接點係如請求項1至19中任一項之焊料接點。
一種如請求項1至19中任一項之焊料接點用於改善一電子裝置之熱循環特性之用途。
一種由以下化學式1表示之化合物： <br/>[化學式1] <br/><img align="absmiddle" height="68px" width="148px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，在該化學式1中， <br/>n1至n3各自獨立地為0至6的整數， <br/>R<sub>1</sub>至R<sub>6</sub>各自獨立地為氫、氘、氚或C<sub>1-6</sub>烷基。
如請求項1之化合物， <br/>其中n1至n3各自獨立地為1至3的整數。
如請求項1之化合物， <br/>其中R<sub>1</sub>至R<sub>6</sub>皆為氫。
如請求項1之化合物， <br/>其中該化學式1由以下化學式1-1表示： <br/>[化學式1-1] <br/><img align="absmiddle" height="32px" width="104px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種包含二甲苯二異氰酸酯（xylylene diisocyanate）及由以下化學式1表示之化合物的異氰酸酯組成物，其中由化學式1表示之該化合物的含量係大於0 ppm至1000 ppm或更小： <br/>[化學式1] <br/><img align="absmiddle" height="68px" width="148px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，在該化學式1中， <br/>n1至n3各自獨立地為0至6的整數， <br/>R<sub>1</sub>至R<sub>6</sub>各自獨立地為氫、氘、氚或C<sub>1-6</sub>烷基。
如請求項5之異氰酸酯組成物，其中由化學式1表示之該化合物之含量為0.1 ppm至1000 ppm。
如請求項5之異氰酸酯組成物，其進一步包含選自由以下組成之群中之一或多者：異氰酸氯甲基苯甲酯、異氰基甲基苯甲醛及異氰基甲基苯甲腈。
一種可聚合組成物，其包含如請求項5之異氰酸酯組成物；及 <br/>一或多種多元醇及/或多元硫醇組分。
如請求項8之可聚合組成物，其中該一或多種多元硫醇組分包括單獨的2,3-雙(2-氫硫基乙基氫硫基)丙烷-1-硫醇、5,7-二巰基甲基-1,11-二巰基-3,6,9-三硫雜十一烷、4,7-二巰基甲基-1,11-二巰基-3,6,9-三硫雜十一烷或4,8-二巰基甲基-1,11-二巰基-3,6,9-三硫雜十一烷，或其中兩者或更多者的混合物。
如請求項8之可聚合組成物，其進一步包含聚合起始劑、內部脫模劑及UV吸收劑。
一種光學材料，其包含藉由使如請求項8之可聚合組成物發生聚合而獲得之聚合物。
一種覆晶式發光二極體，包含：<br/> 一透明基板；<br/> 一磊晶複合層，設置於該透明基板上；<br/> 一第一導電型電極焊墊，設置於該透明基板上，電性連接至該磊晶複合層；<br/> 一第二導電型電極焊墊，設置於該磊晶複合層上，電性連接至該磊晶複合層，該第二導電型電極焊墊與該第一導電型電極焊墊之焊墊表面位於該透明基板同側之同一水平面上；及<br/> 一晶圓鍵結複合層，包含至少一設置於靠近該磊晶複合層一側之二氧化鈦（TiO<sub>2</sub>）層及至少一二氧化矽（SiO<sub>2</sub>）層，夾置於該磊晶複合層與該透明基板間，與該透明基板進行晶圓鍵結，且該二氧化鈦層於該磊晶複合層之一發光波段具有高於氧化鋁之折射率。
如請求項1所述之覆晶式發光二極體，其中該至少一二氧化鈦層之厚度係200~300埃（Å）。
如請求項1所述之覆晶式發光二極體，其中該晶圓鍵結複合層包含複數二氧化鈦層及複數二氧化矽層，各該二氧化鈦層與各該二氧化矽層彼此間隔地疊置。
如請求項1所述之覆晶式發光二極體，其中該磊晶複合層包含一第一化合物半導體層、一發光層及一第二化合物半導體層，該第一化合物半導體層及該第二化合物半導體層夾置該發光層，且該第一化合物半導體層設置於該發光層與該透明基板之間。
如請求項4所述之覆晶式發光二極體，其中該第一化合物半導體層係一第一導電型砷化鋁鎵（AlGaAs）層，且該第二化合物半導體層係一第二導電型砷化鋁鎵層。
如請求項5所述之覆晶式發光二極體，更包含一歐姆接觸層，夾置於該第一導電型砷化鋁鎵層與該至少一二氧化鈦層之間。
如請求項6所述之覆晶式發光二極體，其中該歐姆接觸層係一磷化鎵（GaP）層。
如請求項6所述之覆晶式發光二極體，其中該歐姆接觸層與該至少一二氧化鈦層間係一粗化表面。
如請求項6所述之覆晶式發光二極體，其中該歐姆接觸層與該至少一二氧化鈦層間係一平坦表面。
如請求項1所述之覆晶式發光二極體，其中該透明基板係一藍寶石（Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>）基板、一氮化鎵（GaN）基板、一氧化鋅（ZnO）基板、一砷化鎵（GaAs）基板及一磷化銦（InP）基板其中之一。
一種覆晶式發光二極體之製造方法，包含：<br/> 提供一磊晶複合層，設置於一磊晶成長基板上；<br/> 提供一晶圓鍵結複合層，設置於該磊晶複合層上，其中該晶圓鍵結複合層包含至少一設置於靠近該磊晶複合層一側之二氧化鈦（TiO<sub>2</sub>）層及至少一二氧化矽（SiO<sub>2</sub>）層，且該二氧化鈦層於該磊晶複合層之一發光波段具有高於氧化鋁之折射率；<br/> 提供一透明基板以晶圓鍵結至該晶圓鍵結複合層；<br/> 移除該磊晶成長基板；<br/> 提供一第一導電型電極焊墊，設置於該透明基板上，電性連接至該磊晶複合層；及<br/> 提供一第二導電型電極焊墊，設置於該磊晶複合層上，電性連接至該磊晶複合層，該第二導電型電極焊墊與該第一導電型電極焊墊之焊墊表面位於該透明基板同側之同一水平面上。
如請求項11所述覆晶式發光二極體之製造方法，其中該至少一二氧化鈦層之厚度係200~300埃（Å）。
如請求項11所述覆晶式發光二極體之製造方法，其中提供一晶圓鍵結複合層之該步驟係於該磊晶複合層上間隔地形成複數二氧化鈦層及複數二氧化矽層，使各該二氧化鈦層與各該二氧化矽層彼此間隔地疊置。
如請求項11所述覆晶式發光二極體之製造方法，其中提供一磊晶複合層之該步驟係形成一第一化合物半導體層、一發光層及一第二化合物半導體層，該第一化合物半導體層及該第二化合物半導體層夾置該發光層，且該第二化合物半導體層設置於該發光層與該磊晶成長基板之間。
如請求項14所述覆晶式發光二極體之製造方法，其中該第一化合物半導體層係一第一導電型砷化鋁鎵（AlGaAs）層，且該第二化合物半導體層係一第二導電型砷化鋁鎵層。
如請求項15所述覆晶式發光二極體之製造方法，更包含提供一歐姆接觸層，夾置於該第一導電型砷化鋁鎵層與該至少一二氧化鈦層之間。
如請求項16所述覆晶式發光二極體之製造方法，其中該歐姆接觸層係一磷化鎵（GaP）層。
如請求項16所述覆晶式發光二極體之製造方法，其中提供一晶圓鍵結複合層之該步驟係於該歐姆接觸層形成一粗化表面後形成該至少一二氧化鈦層覆蓋該粗化表面。
如請求項16所述覆晶式發光二極體之製造方法，其中提供一晶圓鍵結複合層之該步驟係於該歐姆接觸層之一平坦表面上形成該至少一二氧化鈦層。
如請求項11所述覆晶式發光二極體之製造方法，其中提供一透明基板之該步驟係提供一藍寶石（Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>）基板、一氮化鎵（GaN）基板、一氧化鋅（ZnO）基板、一砷化鎵（GaAs）基板及一磷化銦（InP）基板其中之一。
一種陶瓷基座，其包括設置有高頻電極的陶瓷板，其中，所述陶瓷基座包括：<br/> 電極桿，所述電極桿的一端部與所述高頻電極電連接，另一端部與電源電連接，並且所述電極桿用於向所述高頻電極供電，<br/> 所述電極桿包括：<br/> 母材，由Mo、W或它們的金屬合金製成；以及<br/> 金屬氮化膜，包裹所述母材表面，<br/> 所述電極桿的一端部包括未被所述金屬氮化膜包覆的暴露面，<br/> 所述金屬氮化膜包括AlCrN膜。
如請求項1所述之陶瓷基座，其中，所述AlCrN膜的Cr/（Al+Cr）原子比為0.1~0.9。
如請求項1所述之陶瓷基座，其中，所述金屬氮化膜包括選自由AlCrSiN、AlCrSiWN及AlTiCrN組成的組中的一種以上的氮化膜。
如請求項1所述之陶瓷基座，其中，所述金屬氮化膜的比電阻與所述母材的比電阻的比率為10<sup>2</sup>以上。
如請求項1所述之陶瓷基座，其中，所述金屬氮化膜的比電阻與所述母材的比電阻的比率為10<sup>3</sup>以上。
如請求項1所述之陶瓷基座，其中，所述金屬氮化膜的比電阻與所述母材的比電阻的比率為10<sup>4</sup>以上。
如請求項1所述之陶瓷基座，其中，所述母材與所述金屬氮化膜之間還包括CrN基底層。
如請求項1所述之陶瓷基座，其中，所述金屬氮化膜的厚度為1.0μm~10.0μm。
一種陶瓷基座，其包括設置有高頻電極的陶瓷板，其中，所述陶瓷基座包括：<br/> 電極桿組件，所述電極桿組件的一端部與所述高頻電極電連接，另一端部與電源電連接，並且所述電極桿組件用於向所述高頻電極供電，<br/> 所述電極桿組件包括串聯連接的第一電極桿及第二電極桿，<br/> 所述第一電極桿包括：<br/> 母材，由Mo、W或它們的金屬合金製成；以及<br/> 金屬氮化膜，包裹所述母材表面，<br/> 所述第一電極桿的一端部是未被所述金屬氮化膜包覆的母材暴露面，<br/> 所述金屬氮化膜包括AlCrN膜。
如請求項9所述之陶瓷基座，其中，所述第一電極桿及所述第二電極桿藉由接合材料接合。
如請求項10所述之陶瓷基座，其中，所述第一電極桿及所述第二電極桿的接合面是未包覆所述金屬氮化膜的母材暴露面。
如請求項9所述之陶瓷基座，其中，所述第二電極桿包括可伐材質的母材。
如請求項9所述之陶瓷基座，其中，所述AlCrN膜的Cr/（Al+Cr）原子比為0.1~0.9。
如請求項9所述之陶瓷基座，其中，所述金屬氮化膜包括選自由AlCrSiN、AlCrSiWN及AlTiCrN組成的組中的一種以上的氮化膜。
如請求項9所述之陶瓷基座，其中，所述金屬氮化膜的比電阻與所述母材的比電阻的比率為10<sup>2</sup>以上。
一種太陽能電池模組，包括：<br/> 一第一太陽能電池，包括第一鈣鈦礦層；<br/> 一第二太陽能電池，包括第二鈣鈦礦層；以及<br/> 一導電膠層，設置於所述第一太陽能電池與所述第二太陽能電池之間，其中所述導電膠層由導電膠所組成，所述導電膠包括：<br/> 30wt%至90wt%的導電粒子；<br/> 0.1wt%至10wt%的黏結劑；<br/> 0.1wt%至2wt%的有機胺；以及<br/> 10wt%至50wt%的溶劑，<br/> 其中所述導電膠層包括導電部分與至少二絕緣部分，所述第一太陽能電池通過所述導電部分與所述第二太陽能電池電性連接，且所述第一鈣鈦礦層及所述第二鈣鈦礦層通過所述至少二絕緣部分電性絕緣。
如請求項1所述的太陽能電池模組，其中所述導電部分分別與所述至少二絕緣部分之間皆不具有介面。
如請求項1所述的太陽能電池模組，其中所述至少二絕緣部分包含能隙1.8eV以上的寬能隙鈣鈦礦結晶。
如請求項1所述的太陽能電池模組，其中所述第一太陽能電池包括背電極，所述第二太陽能電池包括前電極，所述背電極設置於所述第一鈣鈦礦層與所述導電膠層上並通過所述導電部分與所述前電極電性連接。
如請求項4所述的太陽能電池模組，其中所述導電膠層的頂表面具有圓角，且所述背電極覆蓋所述圓角。
如請求項4所述的太陽能電池模組，其中所述背電極不直接接觸所述第一鈣鈦礦層。
如請求項1所述的太陽能電池模組，其中所述導電膠層的寬度大於等於10微米且小於等於2000微米。
如請求項1所述的太陽能電池模組，其中所述導電膠層的厚度大於等於1微米且小於等於100微米。
一種太陽能電池模組的製造方法，包括：<br/> 提供一基板；<br/> 形成一第一圖案化導電層於所述基板上，其中所述第一圖案化導電層具有開口；<br/> 形成鈣鈦礦層於所述基板上，其中部分所述鈣鈦礦層填入所述開口中；<br/> 形成導電膠於所述鈣鈦礦層上，其中所述導電膠於所述基板上的正投影與所述開口於所述基板上的正投影重疊，所述導電膠包括：<br/> 30wt%至90wt%的導電粒子；<br/> 0.1wt%至10wt%的黏結劑；<br/> 0.1wt%至2wt%的有機胺；以及<br/> 10wt%至50wt%的溶劑；以及<br/> 所述導電膠與下層所述鈣鈦礦層進行蝕刻反應形成2D鈣鈦礦層與導電膠層，使得所述導電膠層與所述第一圖案化導電層電性連接並與所述鈣鈦礦層電性隔離。
如請求項9所述的太陽能電池模組的製造方法，其中所述蝕刻反應包括執行加熱製程與乾燥製程。
如請求項9所述的太陽能電池模組的製造方法，其中所述加熱製程的溫度範圍大於等於50℃且小於等於120℃。
如請求項9所述的太陽能電池模組的製造方法，其中所述加熱製程的時間範圍大於等於10且小於等於1000秒。
如請求項9所述的太陽能電池模組的製造方法，其中通過遮罩形成所述第一圖案化導電層。
如請求項9所述的太陽能電池模組的製造方法，更包括進行所述蝕刻反應後，通過遮罩形成第二圖案化導電層於所述導電膠層相對於所述第一圖案化導電層的一側上。
一種直流耦合電力系統，自一交流電源接收一交流電壓，包含：<br/>一交流-直流轉換器，用以將該交流電壓轉換為一第一直流電壓，並將該第一直流電壓以及一供電功率提供至一直流母線；<br/>一電池模組，直接連接該直流母線；<br/>一直流耦合充電器，耦接該直流母線，接收該第一直流電壓並提供一負載功率以對一負載供電；以及<br/>一控制單元，耦接該交流-直流轉換器、該電池模組以及該直流耦合充電器，並用以判斷該電池模組的電量，並比較該負載功率以及一契約功率容量，以將該交流-直流轉換器設定在一定電壓模式、一定功率模式以及一定電壓-定功率模式的其中一者，<br/>其中該電池模組直接從該交流-直流轉換器接收該第一直流電壓，並透過該第一直流電壓的電壓準位的調整來使該電池模組進行充電或放電，<br/>其中該電池模組以及該直流母線之間不具備一直流-直流轉換器。
如請求項1所述之直流耦合電力系統，其中：<br/>該定電壓模式係使該第一直流電壓的電壓準位維持為一第一電壓準位，<br/>該定功率模式係使該供電功率固定且小於等於該契約功率容量，以及<br/>該定電壓-定功率模式係使該第一直流電壓的電壓準位維持為一第二電壓準位，並使該供電功率固定且<b><u>小於</u></b>等於該契約功率容量。
如請求項2所述之直流耦合電力系統，其中當該負載功率小於該契約功率容量且該電池模組的電量為一滿充閾值時，該控制單元使該交流-直流轉換器工作於該定電壓模式。
如請求項2所述之直流耦合電力系統，其中當該負載功率小於該契約功率容量且該電池模組的電量小於一滿充閾值，或當該負載功率大於等於該契約功率容量且該電池模組的電量大於一放電閾值時，該控制單元使該交流-直流轉換器工作於該定功率模式。
如請求項2所述之直流耦合電力系統，其中當該負載功率大於該契約功率容量且該電池模組的電量為一放電閾值時，該控制單元使該交流-直流轉換器工作於該定電壓-定功率模式。
如請求項1所述之直流耦合電力系統，其中該直流母線進一步包含：<br/>一第一電源線，耦接該交流-直流轉換器、該電池模組以及該直流耦合充電器，用以提供一高電位；以及<br/>一第二電源線，耦接該交流-直流轉換器、該電池模組以及該直流耦合充電器，用以提供一低電位。
如請求項1所述之直流耦合電力系統，進一步包含：<br/>一太陽能發電系統，耦接該直流母線，用以提供一太陽能功率；以及<br/>一風力發電系統，耦接該直流母線，用以提供一風力功率。
如請求項1所述之直流耦合電力系統，進一步包含多個直流耦合充電器，該些直流耦合充電器的每一者均耦接至該直流母線，並接收該第一直流電壓以向對應多個負載進行充電。
一種直流耦合電力系統的控制方法，包含：<br/>自一交流電源接收一交流電壓；<br/>透過一交流-直流轉換器，將該交流電壓轉換為一第一直流電壓，並將該第一直流電壓以及一供電功率提供至一直流母線；<br/>提供一電池模組，其中該電池模組直接連接該直流母線；<br/>透過一直流耦合充電器，從該直流母線接收該第一直流電壓，並提供一負載功率以對一負載供電；以及<br/>透過一控制單元，以判斷該電池模組的電量，並比較該負載功率以及一契約功率容量，以將該交流-直流轉換器設定在一定電壓模式、一定功率模式以及一定電壓-定功率模式的其中一者，<br/>其中該電池模組直接從該交流-直流轉換器接收該第一直流電壓，並透過該第一直流電壓的電壓準位的調整來使該電池模組進行充電或放電，<br/>其中該電池模組以及該直流母線之間不具備一直流-直流轉換器。
如請求項9所述之控制方法，其中：<br/>該定電壓模式係使該第一直流電壓的電壓準位維持為一第一電壓準位，<br/>該定功率模式係使該供電功率固定且小於等於該契約功率容量，以及<br/>該定電壓-定功率模式係使該供電功率固定且小於等於該契約功率容量，並使該第一直流電壓的電壓準位維持為一第二電壓準位。
如請求項10所述之控制方法，其中當該負載功率小於該契約功率容量且該電池模組的電量為一滿充閾值時，使該交流-直流轉換器工作於該定電壓模式。
如請求項10所述之控制方法，其中當該負載功率小於該契約功率容量且該電池模組的電量小於一滿充閾值，或當該負載功率大於等於該契約功率容量且該電池模組的電量大於一放電閾值時，使該交流-直流轉換器工作於該定功率模式。
如請求項10所述之控制方法，其中當該負載功率大於該契約功率容量且該電池模組的電量為一放電閾值時，該控制單元使該交流-直流轉換器工作於該定電壓-定功率模式。
如請求項9所述之控制方法，其中該直流母線進一步包含一第一電源線以及一第二電源線，該控制方法進一步包含：<br/>透過該第一電源線提供一高電位；以及<br/>透過該第二電源線提供一低電位。
如請求項9所述之控制方法，進一步包含：<br/>透過一太陽能發電系統，向該直流母線提供一太陽能功率；以及<br/>透過一風力發電系統，向該直流母線提供一風力功率。
一種大型語言模型微調訓練系統，包括：一量化降維模組，係將原始之大型語言模型進行量化以降低或減少該大型語言模型之位元數或參數量，再由該量化降維模組使用低秩分解技術以分解已降低或減少該位元數或參數量之該大型語言模型之原始參數為原始凍結參數與可訓練參數；一偏好導向最佳化模組，係通訊連結該量化降維模組，以由該偏好導向最佳化模組對該量化降維模組之該低秩分解技術所分解出之該大型語言模型之該可訓練參數進行微調訓練或偏好導向最佳化訓練而得出已訓練完成之大型語言模型；以及一模型微調訓練模組，係通訊連結該量化降維模組與該偏好導向最佳化模組，以由該模型微調訓練模組將該偏好導向最佳化模組所訓練完成之該大型語言模型結合該量化降維模組之該低秩分解技術所分解出之該原始凍結參數而得出已微調訓練之大型語言模型。
如請求項1所述之大型語言模型微調訓練系統，其中，該量化降維模組利用一量化降維方法將該大型語言模型之權重或參數進行量化以降低或減少該大型語言模型之該位元數或參數量，再由該量化降維模組使用該低秩分解技術將該大型語言模型之可訓練參數矩陣分解為第一低秩矩陣與第二低秩矩陣。
如請求項1所述之大型語言模型微調訓練系統，其中，該量化降維模組利用一量化轉換法，以定義該大型語言模型之權重矩陣，俾由該量化轉換法對該大型語言模型之權重矩陣進行權重縮放而計算出該權重矩陣之最大值與最小值，再由該量化轉換法依據該最大值與該最小值將該權重矩陣進行正規化以得到該大型語言模型之已正規化之權重矩陣。
如請求項1所述之大型語言模型微調訓練系統，其中，該偏好導向最佳化模組利用一直接偏好最佳化方法，以使用偏好資料集作為該大型語言模型之訓練資料，且該偏好資料集之一筆訓練資料包括輸入提示詞、選擇回應與拒絕回應，該輸入提示詞作為訓練該大型語言模型之輸入語句，而該選擇回應與該拒絕回應作為訓練該大型語言模型之參照樣本。
如請求項1所述之大型語言模型微調訓練系統，其中，該偏好導向最佳化模組利用一直接偏好最佳化方法，以透過分析映射技術將強化學習中之獎勵函數轉換為損失函數，俾使該大型語言模型透過該損失函數直接基於偏好資料集進行二元交叉熵(BCE)之偏好學習。
如請求項1所述之大型語言模型微調訓練系統，其中，該偏好導向最佳化模組利用一直接偏好最佳化方法，以在該大型語言模型之訓練階段引入相對熵，而衡量該大型語言模型之策略模型與參照模型在生成機率分布上之差異，俾穩定偏好導向訓練該大型語言模型之過程。
如請求項1所述之大型語言模型微調訓練系統，其中，該偏好導向最佳化模組利用一直接偏好最佳化方法，以監督式學習框架將該大型語言模型直接訓練於偏好資料集，且該直接偏好最佳化方法將強化學習中之獎勵函數蘊含於損失函數中，俾以二元交叉熵(BCE)進行優化該大型語言模型。
一種大型語言模型微調訓練方法，包括：由一量化降維模組將原始之大型語言模型進行量化以降低或減少該大型語言模型之位元數或參數量，再由該量化降維模組使用低秩分解技術以分解已降低或減少該位元數或參數量之該大型語言模型之原始參數為原始凍結參數與可訓練參數；由一偏好導向最佳化模組對該量化降維模組之該低秩分解技術所分解出之該大型語言模型之該可訓練參數進行微調訓練或偏好導向最佳化訓練而得出已訓練完成之大型語言模型；以及由一模型微調訓練模組將該偏好導向最佳化模組所訓練完成之該大型語言模型結合該量化降維模組之該低秩分解技術所分解出之該原始凍結參數而得出已微調訓練之大型語言模型。
如請求項8所述之大型語言模型微調訓練方法，更包括由該量化降維模組之一量化降維方法將該大型語言模型之權重或參數進行量化以降低或減少該大型語言模型之該位元數或參數量，再由該量化降維模組使用該低秩分解技術將該大型語言模型之可訓練參數矩陣分解為第一低秩矩陣與第二低秩矩陣。
如請求項8所述之大型語言模型微調訓練方法，更包括由該量化降維模組之一量化轉換法定義該大型語言模型之權重矩陣，以由該量化轉換法對該大型語言模型之權重矩陣進行權重縮放而計算出該權重矩陣之最大值與最小值，再由該量化轉換法依據該最大值與該最小值將該權重矩陣進行正規化以得到該大型語言模型之已正規化之權重矩陣。
如請求項8所述之大型語言模型微調訓練方法，更包括由該偏好導向最佳化模組之一直接偏好最佳化方法使用偏好資料集作為該大型語言模型之訓練資料，且該偏好資料集之一筆訓練資料包括輸入提示詞、選擇回應與拒絕回應，該輸入提示詞作為訓練該大型語言模型之輸入語句，而該選擇回應與該拒絕回應作為訓練該大型語言模型之參照樣本。
如請求項8所述之大型語言模型微調訓練方法，更包括由該偏好導向最佳化模組之一直接偏好最佳化方法透過分析映射技術將強化學習中之獎勵函數轉換為損失函數，以使該大型語言模型透過該損失函數直接基於偏好資料集進行二元交叉熵(BCE)之偏好學習。
如請求項8所述之大型語言模型微調訓練方法，更包括由該偏好導向最佳化模組之一直接偏好最佳化方法在該大型語言模型之訓練階段引入相對熵，以衡量該大型語言模型之策略模型與參照模型在生成機率分布上之差異，俾穩定偏好導向訓練該大型語言模型之過程。
如請求項8所述之大型語言模型微調訓練方法，更包括由該偏好導向最佳化模組之一直接偏好最佳化方法以監督式學習框架將該大型語言模型直接訓練於偏好資料集，且該直接偏好最佳化方法將強化學習中之獎勵函數蘊含於損失函數中，俾以二元交叉熵(BCE)進行優化該大型語言模型。
一種電腦可讀媒介，應用於計算裝置或電腦中，係儲存有指令，並透過處理器與記憶體執行該電腦可讀媒介，以於執行該電腦可讀媒介時，執行如請求項8至14中任一項所述之大型語言模型微調訓練方法。
一種半導體記憶裝置，係具備有： <br/>記憶體胞陣列，係具有各別包含複數之記憶體胞電晶體之第1區塊以及第2區塊；和 <br/>控制部，係對於前述記憶體胞陣列進行控制， <br/>前述第1區塊，係具備有使閘極被與第1字元線作連接之第1記憶體胞電晶體， <br/>前述第2區塊，係具備有使閘極被與第2字元線作連接之第2記憶體胞電晶體， <br/>前述控制部，係將與寫入至前述第1記憶體胞電晶體中的資料相對應之第1電壓，經由位元線來施加於前述第1記憶體胞電晶體之通道區域處，之後，使前述第1記憶體胞電晶體之通道區域被設為浮動狀態，並在使前述第1記憶體胞電晶體之通道區域被設為浮動狀態的狀態下，藉由對於前述第1字元線施加程式化電壓來實行對於前述第1記憶體胞電晶體而寫入資料之第1寫入動作， <br/>並在將前述第1記憶體胞電晶體之通道區域設為浮動狀態之後，直到對於前述第1字元線之前述程式化電壓之施加結束為止的期間中，開始對於前述第2記憶體胞電晶體而寫入資料之第2寫入動作。
如請求項1所記載之半導體記憶裝置，其中， <br/>前述第1區塊，係更進而具備有：第1選擇電晶體，係被設置在前述第1記憶體胞電晶體與前述位元線之間， <br/>在前述第1字元線中，係包含有： <br/>第1選擇字元線，係對應於前述第1記憶體胞電晶體之中之身為資料之寫入對象的第1記憶體胞電晶體；和 <br/>第1非選擇字元線，係對應於前述第1記憶體胞電晶體之中之並非為資料之寫入對象的第1記憶體胞電晶體， <br/>前述控制部，係作為前述第1寫入動作，而實行第1程式化動作，該第1程式化動作，係藉由在使前述第1電壓被施加於前述位元線處的狀態下而使前述第1選擇電晶體成為ON，來從前述位元線而對於前述第1記憶體胞電晶體之通道區域施加前述第1電壓，並在使前述第1電壓被施加於前述第1記憶體胞電晶體之通道區域處的狀態下，使前述第1選擇電晶體成為OFF並將前述第1記憶體胞電晶體之通道區域設為浮動狀態，之後，對於前述第1選擇字元線而施加程式化電壓，並且對於前述第1非選擇字元線而施加較前述程式化電壓而更低之寫入旁通電壓。
如請求項2所記載之半導體記憶裝置，其中， <br/>前述控制部，係作為前述第1寫入動作，而實行第1預充電動作，該第1預充電動作，係對於前述位元線而施加前述第1電壓，並在使前述第1選擇電晶體成為ON的狀態下，對於前述第1選擇字元線以及前述第1非選擇字元線，而施加較前述寫入旁通電壓而更低之預充電電壓， <br/>並且，接續於前述第1預充電動作，而實行前述第1程式化動作。
如請求項2所記載之半導體記憶裝置，其中， <br/>前述第1區塊，係更進而具備有：第2選擇電晶體，係被設置在前述第1記憶體胞電晶體與源極線之間， <br/>前述控制部，係作為前述第1寫入動作，而實行第2預充電動作，該第2預充電動作，係對於前述位元線而施加前述第1電壓，並在使前述第2選擇電晶體成為ON的狀態下，對於前述第1選擇字元線以及前述第1非選擇字元線，而施加較前述寫入旁通電壓而更低之預充電電壓， <br/>並且，接續於前述第2預充電動作，而實行前述第1程式化動作。
如請求項2所記載之半導體記憶裝置，其中， <br/>前述控制部，係在將前述第1記憶體胞電晶體之通道區域設為浮動狀態之後，於對於前述第1選擇字元線而施加前述程式化電壓之前，開始前述第2寫入動作。
如請求項2所記載之半導體記憶裝置，其中， <br/>前述控制部，係在將前述第1記憶體胞電晶體之通道區域設為浮動狀態之後，於對於前述第1選擇字元線而施加前述程式化電壓之後，開始前述第2寫入動作。
如請求項1所記載之半導體記憶裝置，其中， <br/>前述第2區塊，係更進而具備有：第3選擇電晶體，係被設置在前述第2記憶體胞電晶體與前述位元線之間， <br/>在前述第2字元線中，係包含有： <br/>第2選擇字元線，係對應於前述第2記憶體胞電晶體之中之身為資料之寫入對象的第2記憶體胞電晶體；和 <br/>第2非選擇字元線，係對應於前述第2記憶體胞電晶體之中之並非為資料之寫入對象的第2記憶體胞電晶體， <br/>前述控制部，係作為前述第2寫入動作，而實行第2程式化動作，該第2程式化動作，係藉由在使與寫入至前述第2記憶體胞電晶體中之資料相對應的第2電壓被施加於前述位元線處的狀態下而使前述第3選擇電晶體成為ON，來從前述位元線而對於前述第2記憶體胞電晶體之通道區域施加前述第2電壓，並在使前述第2電壓被施加於前述第2記憶體胞電晶體之通道區域處的狀態下，使前述第3選擇電晶體成為OFF並將前述第2記憶體胞電晶體之通道區域設為浮動狀態，之後，對於前述第2選擇字元線而施加程式化電壓，並且對於前述第2非選擇字元線而施加較前述程式化電壓而更低之寫入旁通電壓。
如請求項7所記載之半導體記憶裝置，其中， <br/>前述控制部，係作為前述第2寫入動作，而實行第3預充電動作，該第3預充電動作，係對於前述位元線而施加前述第2電壓，並在使前述第3選擇電晶體成為ON的狀態下，對於前述第2選擇字元線以及前述第2非選擇字元線，而施加較前述寫入旁通電壓而更低之預充電電壓， <br/>並且，接續於前述第3預充電動作，而實行前述第2程式化動作。
如請求項7所記載之半導體記憶裝置，其中， <br/>前述第2區塊，係更進而具備有：第4選擇電晶體，係被設置在前述第2記憶體胞電晶體與源極線之間， <br/>前述控制部，係作為前述第2寫入動作，而實行第4預充電動作，該第4預充電動作，係對於前述位元線而施加前述第2電壓，並在使前述第4選擇電晶體成為ON的狀態下，對於前述第2選擇字元線以及前述第2非選擇字元線，而施加較前述寫入旁通電壓而更低之預充電電壓， <br/>並且，接續於前述第4預充電動作，而實行前述第2程式化動作。
如請求項1所記載之半導體記憶裝置，其中，係更進而具備有： <br/>第1行解碼器，係被與前述第1字元線作連接；和 <br/>第2行解碼器，係被與前述第2字元線作連接，並與前述第1行解碼器相異， <br/>前述控制部，係經由前述第1行解碼器來對於前述第1字元線之電壓作控制，並經由前述第2行解碼器來對於前述第2字元線之電壓作控制。
如請求項1所記載之半導體記憶裝置，其中， <br/>前述記憶體胞陣列，係具備有第1區塊群與第2區塊群，該第1區塊群，係包含有作為將資料暫時性地作保存之快取區域而被使用的複數之區塊，該第2區塊群，係包含有作為將從前述第1區塊群所傳輸而來之資料作記憶之記憶區域而被使用的複數之區塊， <br/>前述第1區塊以及前述第2區塊，係被包含於前述第1區塊群中。
如請求項1所記載之半導體記憶裝置，其中， <br/>前述控制部，係交互實行前述第1寫入動作以及前述第2寫入動作。
一種圖案結構，其包括：一第一圖案，係由第一光源單元組成的一第一幾何形狀，且具有一第一顏色；以及一第二圖案，係由第二光源單元組成的一第二幾何形狀；其中該第二圖案的內側緣沿該第一圖案之外側緣相對設置，其中該第一圖案的外側緣與該第二圖案的內側緣彼此對應的各位置之間具有一第一特徵間距，且各位置之間的該第一特徵間距為相同；其中該第二圖案具有一第一端以及一第二端，該第一端與該第二端是相對設置且分別與該第二圖案的內側緣連接，且該第一端與該第二端相隔一第二特徵間距，其中該第一特徵間距與該第二特徵間距皆未經該第一幾何形狀與第二幾何形狀，且該第一特徵間距與該第二特徵間距皆未通過該第一光源單元及該第二光源單元；其中一主要幾何形狀為一集合，該第二幾何形狀為該主要幾何形狀與另一幾何形狀的差集，且該第一幾何形狀為該另一幾何形狀的子集合，其中該第一特徵間距與該第二特徵間距不同；其中該第一光源單元與該第二光源單元由下至上分別包括一第一電極、一第一反射鏡面層、一活性層、一第二反射鏡面層、一出光側及一第二電極。
一種圖案結構，其包括：一第一圖案，係由第一光源單元組成的一第一幾何形狀，且具有一第一顏色；以及一第二圖案，係由第二光源單元組成的一第二幾何形狀；其中該第二圖案的內側緣沿該第一圖案之外側緣相對設置，其中該第一圖案的外側緣與該第二圖案的內側緣彼此對應的各位置之間具有一第一特徵間距，且各位置之間的該第一特徵間距為相同；其中該第二圖案具有一第一端以及一第二端，該第一端與該第二端是相對設置且分別與該第二圖案的內側緣連接，且該第一端與該第二端相隔一第二特徵間距，其中該第一特徵間距與該第二特徵間距皆未經該第一幾何形狀與第二幾何形狀，且該第一特徵間距與該第二特徵間距皆未通過該第一光源單元及該第二光源單元；其中該第一光源單元與該第二光源單元由下至上分別包括一第一電極、一第一反射鏡面層、一活性層、一第二反射鏡面層、一出光側及一第二電極；其中該第一特徵間距的範圍為小於或等於19.95微米，該第二特徵間距的範圍為小於或等於19.95微米，該第一特徵間距與該第二特徵間距為相同或不同。
如請求項1或2所述之圖案結構，其中該第一光源單元與該第二光源單元均為共振腔發光二極體(RCLED，Resonant Cavity Light Emitting Diode)；該圖案結構具有一第一瞄準模式及一第二瞄準模式，其中該第一瞄準模式係點亮該第一圖案，該第二瞄準模式係同時點亮該第一圖案及該第二圖案。
如請求項2所述之圖案結構，其中一主要幾何形狀為一集合，該第一幾何形狀與該第二幾何形狀均為該主要幾何形狀的一子集合；或該第一幾何形狀與該第二幾何形狀為從該主要幾何形狀形成的兩個部分幾何形狀。
如請求項2所述之圖案結構，其中一主要幾何形狀為具有一第一直徑的第一圓形，該第一幾何形狀為具有一第二直徑的第二圓形，該第二幾何形狀為具有第三直徑的圓環形，該第一直徑大於該第二直徑且該第一直徑等於該第三直徑，該第一圓形的圓心、該第二圓形的圓心及該圓環形的圓心係重合，該第一幾何形狀與該第二幾何形狀滿足以下任一條件或其組合：該第三直徑d3與該第二直徑d2的比值的範圍為2.85≦d3/d2≦10；該第二圖案的面積A2與該第一圖案的面積A1的比具有以下的範圍：8.55≦A2/A1≦100；該第一特徵間距是大於或等於18.05微米；該第二特徵間距是大於或等於18.05微米。
如請求項2所述之圖案結構，其中該第一特徵間距的範圍更大於或等於18.05微米，該第二特徵間距的範圍更大於或等於18.05微米。
如請求項1所述之圖案結構，其中該主要幾何形狀為具有一第一尺寸的三角形，該第一幾何形狀為具有一第四直徑的第三圓形，該另一幾何形狀為具有一第三直徑的一第四圓形，該第三圓形的圓心及該第四圓形的圓心位於該三角形的頂點。
如請求項1或2所述之圖案結構，其中該第二圖案具有一第二顏色，該第一顏色與該第二顏色相同或不同。
一種瞄準器，包括：一物鏡單元，其中該物鏡單元包含一物側面與一像側面，該物側面與該像側面定義一第一光軸；以及如請求項1至8中任一項所述的圖案結構，其中該第一光源單元與該第二光源單元設置於該像側面之一側，該第一光源單元與該第二光源單元分別產生一光束，該些光束朝向該物鏡單元且經該物鏡單元反射後，沿該第一光軸前進以供檢視。
一種瞄準器，包括：一目鏡單元；一中繼鏡組單元；一物鏡單元，其中該物鏡單元與該目鏡單元形成一第一光軸，其中該物鏡單元具有一第一成像面，該中繼鏡組單元具有一第二光軸與一第二成像面，該中繼鏡組單元設置於該物鏡單元與該目鏡單元之間，該第二光軸可活動地與該第一光軸平行；以及如請求項1至8中任一項所述的圖案結構，其中該第一光源單元與該第二光源單元設置於該第一成像面或該第二成像面，該第一光源單元與該第二光源單元分別產生一光束，該些光束朝向該目鏡單元且沿該第一光軸前進，且可經由該目鏡單元檢視該圖案結構。
一種一半導體裝置的製造方法，包含以下步驟： <br/>將一第一硬式遮罩層堆疊於一主動區域層上； <br/>在該第一硬式遮罩層上塗佈一光阻劑，其中該光阻劑覆蓋該第一硬式遮罩層的一第一周邊部分； <br/>部分蝕刻該第一硬式遮罩層； <br/>側向蝕刻該光阻劑以暴露該第一硬式遮罩層的一第二周邊部分； <br/>蝕刻該第一硬式遮罩層及該主動區域層，其中在該蝕刻步驟之後，該主動區域層具有一梯形上表面；及 <br/>在該梯形上表面上沈積一介電層。
如請求項1所述之半導體裝置的製造方法，進一步包含以下步驟： <br/>在該第一硬式遮罩層上堆疊一第二硬式遮罩層；及 <br/>蝕刻該第二硬式遮罩層以形成一開口。
如請求項2所述之半導體裝置的製造方法，進一步包含以下步驟： <br/>在該第二硬式遮罩層之該開口的一側壁上形成一間隔物；及 <br/>蝕刻該第二硬式遮罩層。
如請求項1所述之半導體裝置的製造方法，進一步包含以下步驟： <br/>在該介電層上沈積一第一導電層。
如請求項4所述之半導體裝置的製造方法，進一步包含以下步驟： <br/>在該第一導電層上沈積一第二導電層。
如請求項4所述之半導體裝置的製造方法，進一步包含以下步驟： <br/>回蝕該第一導電層。
如請求項1所述之半導體裝置的製造方法，進一步包含以下步驟： <br/>將一第三硬式遮罩層堆疊於該主動區域層上。
一種一半導體裝置的製造方法，包含以下步驟： <br/>側向蝕刻一光阻劑以暴露一硬式遮罩層的一周邊部分，其中該硬式遮罩層位於一主動區域層上； <br/>蝕刻該硬式遮罩層及該主動區域層，其中在該蝕刻步驟之後，該主動區域層具有一梯形上表面； <br/>在該梯形上表面上沈積一第一導電層； <br/>回蝕該第一導電層； <br/>在該第一導電層上沈積一第二導電層；及 <br/>蝕刻該第二導電層以暴露該第一導電層的一周邊部分，其中該第一導電層的該周邊部分在一垂直方向上與該硬式遮罩層的該周邊部分重疊。
如請求項8所述之半導體裝置的製造方法，進一步包含以下步驟： <br/>拋光該第二導電層以暴露一第一介電層。
如請求項9所述之半導體裝置的製造方法，進一步包含以下步驟： <br/>在該第一導電層、該第二導電層及該第一介電層上沈積一第二介電層；及 <br/>在該第二介電層中形成一導電觸點，其中該導電觸點接觸該第一導電層的該周邊部分。
如請求項8所述之半導體裝置的製造方法，進一步包含以下步驟： <br/>在該梯形上表面上沈積一第三介電層。
如請求項8所述之半導體裝置的製造方法，進一步包含以下步驟： <br/>在該主動區域層上堆疊該硬式遮罩層。
如請求項8所述之半導體裝置的製造方法，進一步包含以下步驟： <br/>在該硬式遮罩層上塗佈該光阻劑，其中該光阻劑覆蓋該硬式遮罩層的一第二周邊部分。
如請求項8所述之半導體裝置的製造方法，進一步包含以下步驟： <br/>部分蝕刻該硬式遮罩層。
一種半導體裝置，包含： <br/>一基板； <br/>位於該基板上之一主動區域層，其中該主動區域層具有一梯形上表面； <br/>位於該主動區域層上的一第一導電層；及 <br/>定位於該第一導電層上的一第二導電層，其中該第二導電層並不與該第一導電層的一周邊部分重疊。
如請求項15所述之半導體裝置，進一步包含： <br/>一第一介電層，其定位於該主動區域層與該第一導電層之間。
如請求項15所述之半導體裝置，進一步包含： <br/>一第二介電層，其定位於該主動區域層、該第一導電層及該第二導電層上。
如請求項17所述之半導體裝置，進一步包含： <br/>一導電觸點，其刺穿該第二介電層且在該第一導電層的該周邊部分中接觸該第一導電層。
如請求項15所述之半導體裝置，其中該第一導電層之一材料的一功函數不同於該第二導電層之一材料的一功函數。
如請求項15所述之半導體裝置，其中該梯形上表面包含一傾斜表面。
一種接合體，其具有成為母材之第1不鏽鋼及第2不鏽鋼、及上述第1不鏽鋼與上述第2不鏽鋼的接合部； <br/>上述接合部之Sn含量為40質量%以上； <br/>上述母材之被加熱區域之表層Cr濃化層之最深點為300 nm以下； <br/>其中，表層Cr濃化層係於被加熱區域之表面起至深度5μm之位置，A(d)滿足下式(1)之關係的區域； <br/>A(d)＞(B+C)×0.6 ･･･(1) <br/>式中， <br/>A(d)為深度d之[Cr]/([Cr]+[Fe])， <br/>B為被加熱區域之表面起至深度5μm之位置的[Cr]/([Cr]+[Fe])之最大值， <br/>C為被加熱區域之深度10μm之位置起至深度20μm之位置的[Cr]/([Cr]+[Fe])之平均值， <br/>[Cr]為Cr之元素濃度(at%)，及 <br/>[Fe]為Fe之元素濃度(at%)。
如請求項1之接合體，其中，上述接合部為重疊接合部或T字接合部。
一種接合體之製造方法，係用於製造請求項1或2之接合體的方法；其具備有： <br/>以第1不鏽鋼及第2不鏽鋼作為被接合材，將上述被接合材加熱並使接合金屬熔融，而將上述被接合材接合的接合步驟； <br/>上述接合金屬係Sn或Sn含量為40質量%以上的Sn合金； <br/>上述接合步驟中， <br/>上述被接合材之加熱區域中最高到達溫度為350℃以下； <br/>上述被接合材之加熱區域中於100℃以上之溫度區域的滯留時間為5秒以上且300秒以下； <br/>其滿足下式(2)之關係； <br/>t≦300×10.5/[Cr <sub>0</sub>]×400/T ･･･(2) <br/>式中， <br/>T：被接合材之加熱區域中最高到達溫度(℃)， <br/>t：被接合材之加熱區域中於100℃以上之溫度區域的滯留時間(秒)，及 <br/>[Cr <sub>0</sub>]：成為被接合材之第1不鏽鋼及第2不鏽鋼中，形成加熱區域之不鏽鋼之Cr含量(質量%)。
一種高分子可塑劑的製造方法，其包含：<br/> 將二元酸成分及二元醇成分進行一酯化反應，以形成一高分子預聚物；其中，所述二元酸成分為一直鏈飽和二元酸、且具有C4至C10的碳數；其中，所述二元醇成分為一化學結構中具有側基的二元醇、且具有C3至C16的碳數；其中所述二元醇成分的所述側基為甲基（methyl）或二甲基（dimethyl）；其中所述直鏈飽和二元酸選自由：琥珀酸（succinic acid）、已二酸（hexanedioic acid）、壬二酸（azelaic acid）、及葵二酸（sebacic acid）所組成的材料群組的至少其中之一；以及<br/> 以一封端劑對高分子預聚物進行封端，以形成一高分子可塑劑；其中，所述封端劑為一化學結構具有側基的單元醇封端劑、且具有C4至C12的碳數；其中所述單元醇封端劑的所述側基為乙基（ethyl）或丙基（propyl）；所述單元醇封端劑選自由：2-乙基已醇及2-丙基庚醇所組成的材料群組的至少其中之一；<br/> 其中，所述二元醇成分同時包含：2-甲基-1,3-丙二醇（MPO）及2,2-二甲基-1,3丙二醇（NPG），並且2-甲基-1,3-丙二醇與2,2-二甲基-1,3丙二醇間的莫耳比例介於0.3：0.7至0.7：0.3。
如請求項1所述的高分子可塑劑的製造方法，其中，所述二元醇成分與所述二元酸成分間的一莫耳比例介於1：1.1至1：1.5，且所述封端劑的莫耳用量為所述二元醇成分的莫耳用量的0.26至1.3倍。
如請求項2所述的高分子可塑劑的製造方法，其中，所述二元醇成分與所述二元酸成分的所述莫耳比例介於1：1.15至1：1.25，並且所述封端劑的所述莫耳用量為所述二元醇成分的所述莫耳用量的0.45至0.55倍。
如請求項1至3中任一項所述的高分子可塑劑的製造方法，其中，所述高分子可塑劑的一數量平均分子量（Mn）介於1,000 g/mol至4,000 g/mol，一重量平均分子量（Mw）是介於3,000 g/mol至8,000 g/mol，並且一多分散性指數（Mw/Mn）是介於1.2至4之間。
如請求項4所述的高分子可塑劑的製造方法，其中，所述高分子可塑劑的所述數量平均分子量介於2,500 g/mol至3,000 g/mol，所述重量平均分子量介於5,000 g/mol至7,000 g/mol，並且所述多分散性指數介於1.5至2.5之間。
一種高分子可塑劑，其特徵在於，所述高分子可塑劑是由二元酸成分及二元醇成分進行酯化反應，並通過封端劑封端形成；其中，所述二元酸成分為一直鏈飽和二元酸、且具有C4至C10的碳數；其中，所述二元醇成分為一化學結構中具有側基的二元醇、且具有C3至C16的碳數；其中，所述封端劑為一化學結構具有側基的單元醇封端劑、且具有C4至C12的碳數；<br/> 其中，所述二元醇成分的所述側基為甲基或二甲基，並且所述單元醇封端劑的所述側基為乙基或丙基；<br/> 其中，所述直鏈飽和二元酸選自由琥珀酸、已二酸、壬二酸、及葵二酸所組成的材料群組的至少其中之一；<br/> 其中，所述單元醇封端劑選自由2-乙基已醇及2-丙基庚醇所組成的材料群組的至少其中之一；<br/> 其中，所述二元醇成分與所述二元酸成分間的一莫耳比例介於1：1.1至1：1.5，且所述封端劑的莫耳用量為所述二元醇成分的莫耳用量的0.26至1.3倍；<br/> 其中，其中所述二元醇成分同時包含：2-甲基-1,3-丙二醇（MPO）及2,2-二甲基-1,3丙二醇（NPG），並且2-甲基-1,3-丙二醇與2,2-二甲基-1,3丙二醇間的莫耳比例介於0.3：0.7至0.7：0.3。
如請求項6所述的高分子可塑劑，其中，所述二元醇成分與所述二元酸成分的所述莫耳比例介於1：1.15至1：1.25，並且所述封端劑的所述莫耳用量為所述二元醇成分的所述莫耳用量的0.45至0.55倍。
如請求項6至7中任一項所述的高分子可塑劑，其中，所述高分子可塑劑的一數量平均分子量（Mn）介於1,000 g/mol至4,000 g/mol，一重量平均分子量（Mw）介於3,000 g/mol至8,000 g/mol，且一多分散性指數（Mw/Mn）介於1.2至4之間。
如請求項8所述的高分子可塑劑，其中，所述高分子可塑劑的所述數量平均分子量介於2,500 g/mol至3,000 g/mol，所述重量平均分子量介於5,000 g/mol至7,000 g/mol，並且所述多分散性指數介於1.5至2.5之間。
一種聚氯乙烯產品，其由聚氯乙烯樹脂與如請求項9所述的高分子可塑劑製備所形成；其中所述聚氯乙烯產品的一絕緣阻抗不小於0.5×10<sup>14</sup> Ω cm；且所述聚氯乙烯產品於60℃至80℃的熱水下經時14天的泡水的一體積膨脹率不大於2%。
如請求項10所述的聚氯乙烯產品，其中，所述絕緣阻抗不小於1×10<sup>14</sup> Ω cm，並且所述體積膨脹率不大於1%。
一種通用型輸入/輸出埠電路，該通用型輸入/輸出埠電路具有一輸出電路，該輸出電路包括： <br/> 連接在該通用型輸入/輸出埠與一參考地之間的一第一n型金屬氧化物場效應（NMOS）電晶體； <br/> 串聯連接在一工作電壓輸出端與該通用型輸入/輸出埠之間的一第一p型金屬氧化物場效應（PMOS）電晶體和一第二PMOS電晶體； <br/> 該第一NMOS電晶體具有一閘極、一源極以及一汲極，其汲極連接至該通用型輸入/輸出埠，其源極連接至該參考地； <br/> 該第一PMOS電晶體具有一閘極、一源極以及一汲極，其汲極連接至該工作電壓輸出端； <br/> 該第二PMOS電晶體具有一閘極、一源極以及一汲極，其汲極連接至該通用型輸入/輸出埠； <br/> 該第一PMOS電晶體的該源極與該第二PMOS電晶體的該源極直接連接並形成一第一公共點； <br/> 該第一PMOS電晶體的該閘極和該第二PMOS電晶體的該閘極均連接至一第二閘極驅動電路。
如請求項1該的通用型輸入/輸出埠電路，該第一NMOS電晶體的該閘極連接至一第一閘極驅動電路，晶片中多個供電電壓中的最大電壓被用於為該第一閘極驅動電路供電。
如請求項1該的通用型輸入/輸出埠電路，該輸出電路還包括串聯連接在該工作電壓輸出端和該通用型輸入/輸出埠之間的一第二NMOS電晶體和一第三NMOS電晶體； <br/> 該第二NMOS電晶體具有一閘極、一源極和一汲極，其汲極連接至該工作電壓輸出端； <br/> 該第三NMOS電晶體具有一閘極、一源極以及一汲極，其汲極連接至該通用型輸入/輸出埠； <br/> 該第二NMOS電晶體的該源極與該第三NMOS電晶體的該源極連接，該第二NMOS電晶體的該閘極和該第三NMOS電晶體的該閘極均連接至一第三閘極驅動電路。
如請求項3該的通用型輸入/輸出埠電路，其中，晶片中多個供電電壓中的最大電壓被用於為該第三閘極驅動電路供電。
如請求項1該的通用型輸入/輸出埠電路，該第二閘極驅動電路控制該第一PMOS電晶體與該第二PMOS電晶體同時導通或同時關斷；當同時被關斷時，該第一PMOS電晶體的一閘極電位以及該第二PMOS電晶體的一閘極電位被設定為與該第一公共點的電位相同。
如請求項1該的通用型輸入/輸出埠電路，該第二閘極驅動電路包括一第四NMOS電晶體、一第三PMOS電晶體和一第五NMOS電晶體； <br/> 該第四NMOS電晶體包括一閘極、一源極和一汲極，其汲極連接至該第一PMOS電晶體的該閘極和該第二PMOS電晶體的該閘極，其源極連接至該參考地，其閘極接收一上拉信號； <br/> 該第三PMOS電晶體包括一閘極、一源極和一汲極，其汲極連接至該第一PMOS電晶體的該閘極和該第二PMOS電晶體的該閘極，其源極連接至該第一PMOS電晶體的該源極，其閘極連接至該第五NMOS電晶體的該汲極； <br/> 該第五NMOS電晶體包括一閘極、一源極和一汲極，其源極連接至該參考地，其汲極連接至該第三PMOS電晶體的該閘極，其閘極接收經反相的上拉信號。
如請求項1該的通用型輸入/輸出埠電路，該第二閘極驅動電路包括一第四NMOS電晶體、一第三PMOS電晶體和一第五NMOS電晶體、一第六NMOS電晶體、一脈衝發生器和一第一電流源； <br/> 該第四NMOS電晶體包括一閘極、一源極和一汲極，其汲極連接至該第一PMOS電晶體的該閘極和該第二PMOS電晶體的該閘極，其源極連接至該參考地，其閘極連接至一上拉信號； <br/> 該第三PMOS電晶體包括一閘極、一源極和一汲極，其汲極連接至該第一PMOS電晶體的該閘極和該第二PMOS電晶體的該閘極，其源極連接至該第一PMOS電晶體的該源極，其閘極連接至該第五NMOS電晶體的該汲極； <br/> 該第五NMOS電晶體包括一閘極、一源極和一汲極，其源極連接至該參考地，其汲極連接至該第三PMOS電晶體的該閘極，其閘極耦接至該脈衝發生器； <br/> 該第六NMOS電晶體具有一閘極、一源極和一汲極，其汲極連接至該第五NMOS電晶體的該汲極，其源極經由該第一電流源接地，其閘極接收經反相的上拉信號； <br/> 該脈衝發生器接收該經反相的上拉信號，並基於該經反相的上拉信號產生單個脈衝。
如請求項1該的通用型輸入/輸出埠電路，該輸出電路還包括一電壓選擇電路，該電壓選擇電路包括一第七NMOS電晶體、一第四PMOS電晶體和一第五PMOS電晶體以及一第一放大電路； <br/> 該第一放大電路接收一電壓選擇信號並基於該電壓選擇信號提供一第一選擇信號和一第二選擇信號； <br/> 該第四PMOS電晶體包括一閘極、一源極和一汲極，其源極耦接至一第一電源端子，其汲極耦接至該工作電壓輸出端，其閘極耦接至該第一選擇信號； <br/> 該第七NMOS電晶體包括一閘極、一源極和一汲極，其源極耦接至一第二電源端子，其汲極耦接至該工作電壓輸出端，其閘極耦接至該第一選擇信號； <br/> 該第五PMOS電晶體包括一閘極、一源極和一汲極，其汲極耦接至該第二電源端子，其源極耦接至該工作電壓輸出端，其閘極耦接至該第二選擇信號。
如請求項8該的通用型輸入/輸出埠電路，其中，該第一選擇信號與該電壓選擇信號反相，該第二選擇信號與該電壓選擇信號同相。
如請求項8該的通用型輸入/輸出埠電路，晶片中多個供電電壓中的最大電壓被用於為該第一放大電路供電。
如請求項8該的通用型輸入/輸出埠電路，晶片中多個供電電壓中的最大電壓被分配至該第一電源端子，其餘供電電壓被分配至該第二電源端子。
一種基板處理裝置，其包含： <br/>處理槽，其儲存用於浸漬複數片基板之處理液； <br/>升降器，其以使相鄰基板之主面彼此隔開間隙對向之方式，使上述複數片基板於上述處理槽內沿規定之排列方向整齊排列並予以支持； <br/>噴出管，其配置於上述處理槽內之下部，具有沿上述排列方向隔開間隔開口之複數個噴出孔，其中上述複數個噴出孔包含沿上述排列方向排列之不同孔徑之複數種噴出孔；及 <br/>處理液供給機構，其對上述噴出孔供給處理液； <br/>上述複數種噴出孔包含：第1孔徑之第1噴出孔，其配置於上述排列方向上之中央區域；及第2孔徑之第2噴出孔，其配置於上述排列方向上較上述中央區域靠外側之區域，且上述第2孔徑大於上述第1孔徑。
如請求項1之基板處理裝置，其中上述複數種噴出孔進而包含第3孔徑之第3噴出孔，該第3孔徑之第3噴出孔配置於上述排列方向上較配置有上述第2噴出孔之區域外側的區域，且上述第3孔徑大於上述第2孔徑。
如請求項1之基板處理裝置，其中上述複數種噴出孔係以於上述排列方向上隨著自中央朝向外側而孔徑變大之方式配置。
如請求項1之基板處理裝置，其中將上述複數個噴出孔僅包含孔徑相等之單一種類噴出孔時，將上述複數片基板之主面上之處理液流速在上述排列方向上的分佈設為基準流速分佈，以流速分佈較上述基準流速分佈偏差小的方式，設計上述複數種噴出孔之孔徑。
如請求項1至4中任一項之基板處理裝置，其構成為一對上述噴出管自上述排列方向觀察時配置於上述複數片基板之兩側，形成自上述一對噴出管之上述複數個噴出孔沿上述處理槽之底面朝向上述處理槽之中央的處理液之流動。
如請求項1至4中任一項之基板處理裝置，其中上述處理液包含臭氧水或蝕刻液。
一種基板處理裝置，其包含： <br/>處理槽，其儲存用於浸漬複數片基板之處理液； <br/>升降器，其以使相鄰基板之主面彼此隔開間隙對向之方式，使上述複數片基板於上述處理槽內沿規定之排列方向整齊排列並予以支持； <br/>噴出管，其配置於上述處理槽內之下部，具有沿上述排列方向隔開間隔開口之複數個噴出孔，其中上述複數個噴出孔包含沿上述排列方向排列之不同孔徑之複數種噴出孔；及 <br/>處理液供給機構，其對上述噴出孔供給處理液； <br/>上述複數個噴出孔包含第1噴出孔群及第2噴出孔群，該第1噴出孔群由具有第1孔徑且於上述排列方向上連續之複數個第1噴出孔構成，該第2噴出孔群由具有與上述第1孔徑不同之第2孔徑且於上述排列方向上連續之第2噴出孔構成。
如請求項7之基板處理裝置，其中構成上述第1噴出孔群之上述複數個第1噴出孔之噴出流量分佈區，與構成上述第2噴出孔群之上述複數個第2噴出孔之噴出流量分佈區具有重疊區域。
如請求項7之基板處理裝置，其中構成上述第1噴出孔群之上述複數個第1噴出孔之噴出流量分佈區，與構成上述第2噴出孔群之上述複數個第2噴出孔之噴出流量分佈區之30%以上重疊。
如請求項7之基板處理裝置，其中構成上述第1噴出孔群之上述複數個第1噴出孔之噴出流量分佈區，包含構成上述第2噴出孔群之上述複數個第2噴出孔之噴出流量分佈區之整個區域。
如請求項7至10中任一項之基板處理裝置，其中上述第2孔徑為上述第1孔徑之99%以上且101%以下。
如請求項7至10中任一項之基板處理裝置，其中上述第1孔徑為1 mm，上述第2孔徑為0.99 mm以上且1.01 mm以下。
如請求項7至10中任一項之基板處理裝置，其中上述處理液自上述複數個噴出孔之噴出流量之均勻性未達2%。
如請求項1、7至10中任一項之基板處理裝置，其中上述複數種噴出孔之孔徑之差異處於±1%之範圍內。
如請求項1、7至10中任一項之基板處理裝置，其構成為形成自上述噴出管之上述複數個噴出孔，朝向上述基板之主面之中央區域的處理液之流動。
如請求項1、7至10中任一項之基板處理裝置，其構成為一對上述噴出管自上述排列方向觀察時配置於上述複數片基板之兩側，形成自上述一對噴出管之上述複數個噴出孔朝向上述基板之主面之中央區域的處理液之流動。
如請求項1、7至10中任一項之基板處理裝置，其中上述處理液包含磷酸、氨-過氧化氫混合液、及TMAH(四甲基氫氧化銨：Tetramethyl ammonium hydroxide)中之1種以上。
如請求項1、7至10中任一項之基板處理裝置，其中上述處理液以40℃以上且170℃以下之溫度自上述噴出孔噴出。
如請求項1至4、7至10中任一項之基板處理裝置，其中上述噴出管於上述排列方向上之一端被閉塞，於上述排列方向上之另一端具有上述處理液之導入埠。
如請求項1至4、7至10中任一項之基板處理裝置，其中於上述排列方向上，在相鄰基板之間配置有一個上述噴出孔。
如請求項1至4、7至10中任一項之基板處理裝置，其中上述噴出管為石英製。
一種半導體結構的製造方法，包括：<br/> 提供一基板，該基板具有一第一陣列區、一第二陣列區與一周邊區，其中該第二陣列區圍繞該第一陣列區，且該周邊區圍繞該第二陣列區；<br/> 在該基板上形成一第一下導電層，該第一下導電層連續地具有位於該第一陣列區中的一第一部分、位於該第二陣列區中的一第二部分與位於該周邊區中的一第三部分，其中該第一部分的一頂表面高於該第二部分的一頂表面與該第三部分的一頂表面，且該第二部分的該頂表面與該第三部分的該頂表面共平面；<br/> 移除該第一下導電層的該第一部分與該第一下導電層的該第二部分；及<br/> 在該基板上形成一第二下導電層，該第二下導電層連續地具有位於該第一陣列區中的一第一部分、位於該第二陣列區中的一第二部分與位於該周邊區中的一第三部分；<br/> 其中該第二下導電層的該第三部分的一頂表面高於該第二下導電層的該第一部分的一頂表面，且該第二下導電層的該第一部分高於該第二下導電層的該第二部分的該頂表面，並且其中該第二下導電層與該第一下導電層包含相同的材料使得該第二下導電層與該第一下導電層共同形成一下導電層。
如請求項1所述之方法，進一步包括：<br/> 在移除該第一下導電層的該第一部分與該第一下導電層的該第二部分之前，在該第一下導電層上形成一犧牲層，<br/> 其中該犧牲層連續地具有位於該第一陣列區中的一第一部分、位於該第二陣列區中的一第二部分與位於該周邊區中的一第三部分，其中該第一部分的一頂表面高於該第二部分的一頂表面。
如請求項1所述之方法，其中在移除該第一下導電層的該第一部分與該第一下導電層的該第二部分之前，在該第一下導電層的該第三部分上形成一光阻。
如請求項1所述之方法，其中該第一下導電層與該第二下導電層包括多晶矽。
如請求項1所述之方法，進一步包括：<br/> 摻雜該下導電層位於該第一陣列區中的一部分，以形成一摻雜下導電層。
如請求項5所述之方法，進一步包括：<br/> 在該下導電層與該摻雜下導電層上形成一上導電層。
如請求項6所述之方法，進一步包括：<br/> 在該上導電層上形成一覆蓋層。
如請求項7所述之方法，進一步包括：<br/> 執行一蝕刻製程以在該第一陣列區中形成一第一位元線結構與一第二位元線結構；<br/> 其中該第一位元線結構包括該覆蓋層、該上導電層與該下導電層；及<br/> 其中該第二位元線結構包括該覆蓋層、該上導電層與該摻雜下導電層。
如請求項8所述之方法，其中該第一位元線結構的該下導電層的一側壁與該基板的該頂表面之間具有一第一角度，該第二位元線結構的該摻雜下導電層的一側壁與該基板的頂表面之間具有一第二角度，該第一角度與該第二角度不同。
如請求項8所述之方法，進一步包括：<br/> 在該第一位元線結構的一側壁和該第二位元線結構的一側壁上形成一第一間隔物；及<br/> 在該第一位元線結構的該第一間隔物和該第二位元線結構的該第一間隔物上形成一第二間隔物。
一種半導體結構的製造方法，包括：<br/> 提供一基板，該基板具有一第一陣列區、一第二陣列區與一周邊區，其中該第一陣列區中的該基板的一頂表面高於該第二陣列區中的該基板的一頂表面與該周邊區中的該基板的一頂表面，該第二陣列區中的該基板的該頂表面與該周邊區的該基板的該頂表面共平面；<br/> 在該基板上形成一第一下導電層，該第一下導電層連續地具有位於該第一陣列區中的一第一部分、位於該第二陣列區中的一第二部分與位於該周邊區中的一第三部分，其中該第一部分、該第二部分與該第三部分具有相同的一厚度；<br/> 移除該第一下導電層的該第一部分與該第一下導電層的該第二部分；及<br/> 在該基板上形成一第二下導電層，該第二下導電層連續地具有位於該第一陣列區中的一第一部分、位於該第二陣列區中的一第二部分與位於該周邊區中的一第三部分，<br/> 其中該第二下導電層的該第一部分、該第二部分與該第三部分具有相同的一厚度，並且<br/> 其中該第二下導電層與該第一下導電層包括多晶矽，使得該第二下導電層與該第一下導電層共同形成一下導電層。
如請求項11所述之方法，進一步包括：<br/> 摻雜該下導電層位於該第一陣列區中的一部分，以形成一摻雜下導電層；<br/> 在該下導電層與該摻雜下導電層上形成一上導電層；及<br/> 在該上導電層上形成一覆蓋層。
如請求項12所述之方法，進一步包括：<br/> 執行一蝕刻製程以在該第一陣列區中形成一第一位元線結構與一第二位元線結構；<br/> 其中該第一位元線結構包括該覆蓋層、該上導電層與該下導電層；及<br/> 其中該第二位元線結構包括該覆蓋層、該上導電層與該摻雜下導電層。
如請求項13所述之方法，其中該第一位元線結構的該下導電層的一側壁與該基板的該頂表面之間的一第一角度在90度至180度之間。
如請求項13所述之方法，其中該第二位元線結構的該摻雜下導電層的一側壁與該基板的該頂表面之間的一第二角度為90度。
一種二合一水槍，其包含有： <br/>一槍身，內部設有一連通至其前端之內通道，以供導引一流體至前端； <br/>一噴頭組件，可旋轉地連接於該槍身之前端，並於該內通道相連通，令該流體經由該噴頭組件噴灑至外部；以及該噴頭組件包括有， <br/>一轉盤，具有一組接端及一出水端，該出水端設有數個出水口，該轉盤內設有與該些出水口一一對應之組接座； <br/>一隔板，開設複數個通孔，該些通孔對應地套設於該些組接座，使該隔板之外周抵貼於該轉盤之周壁； <br/>一底盤，沿周向等距設有複數噴嘴，且各該噴嘴之中心處與該底盤之中心處的距離相等，該底盤組裝於該轉盤之組接端，令該些噴嘴一一對應接設於該些組接座而將該隔板迫緊固定於該轉盤內，將該轉盤內部區隔爲一出水腔及一密合腔，該轉盤與該底盤一併旋轉可轉換不同的噴嘴連通於該內通道，流體經該噴嘴自對應之出水口噴出； <br/>其中，該些噴嘴中包括一圓形噴嘴及一扇形噴嘴；該扇形噴嘴具有一軸芯，該軸芯內設有一可與該內通道相連通之軸芯通道，該軸芯之前端具有一連通於該軸芯通道之軸芯出水孔，該軸芯出水孔呈橢圓形；該軸芯可轉動地組設於該底盤，並以其前端伸入相對應的組接座，該軸芯之外周沿徑向伸設一撥動部，該撥動部具有一擋片及一撥桿，該撥桿伸設於該擋片之外緣並自一開設於該轉盤周壁之弧形槽內穿出，使該軸芯噴出不同擴散方向的扇形水花； <br/>該圓形噴嘴包括一閥芯及一突出於該轉盤外之調節滾輪，該閥芯內設有可與該內通道相連通之閥芯通道，該閥芯前端之周側開設數個連通該閥芯通道之閥芯出水孔，該閥芯組設於該底盤並以其前端伸入相對應的組接座，該閥芯之外表面設有一外螺紋，該調節滾輪套設於該閥芯並與該外螺紋相螺合，可帶動該閥芯沿軸向前後移動，改變該閥芯之閥芯出水孔與該出水口之間的間隙大小以調節出水形狀。
如請求項1所述之二合一水槍，其中，該轉盤之周壁還開設一導向槽，該導向槽自該組接端朝該出水端延伸，以令該組接端與該弧形槽相連通；該底盤相對應地設有一導向塊，該導向塊插入該導向槽將該底盤導引至與該轉盤相組接的位置。
如請求項1所述之二合一水槍，其中，該底盤面向該轉盤之一側設有數個固定塊，該轉盤之組接端內邊緣設有一凹台，該凹台相對應地設有複數個固定槽，該底盤卡入該凹台內且該些固定塊對應地嵌入該些固定槽內，以輔助將底盤固定於該轉盤之組接端。
如請求項1所述之二合一水槍，其中，該槍身之前端伸設一連接柱，該連接柱之前端具有一安裝孔，該轉盤及該底盤均具有一供該連接柱穿伸之連接孔，一鎖固元件自該轉盤之出水端穿入該連接孔並鎖接於該安裝孔，使該轉盤與該底盤可同步旋轉。
如請求項1所述之二合一水槍，其中，各該組接座之間以一環牆相連接，該環牆將該轉盤之出水腔區隔爲一內水腔及一外水腔，而該些組接座中包括一出水口連通於該內水腔之第一組接座，以及一出水口連通於該外水腔之第二組接座，該內水腔及該外水腔均設有複數花灑孔，藉由該噴頭組件轉動使相對應的噴嘴連通於該內通道，令水流經該內水腔或該外水腔之花灑孔噴灑。
如請求項5所述之二合一水槍，其中，該環牆之頂面凸設一第一凸齒部，該第一凸齒部沿該環牆延伸並包繞於各組接座外周而構成，該轉盤之內壁於鄰近該出水端處設有一凸台，該凸台頂面凸設一第二凸齒部；該些設於該扇形噴嘴及該圓形噴嘴之間的噴嘴朝向該轉盤之端部均凸設一第三凸齒部，該轉盤與該底盤相組接時該些噴嘴之端部與相對應的組接座共同迫緊該隔板，且該第一凸齒部、該第二凸齒部及該第三凸齒部一併嵌入該隔板以將該隔板固定於該轉盤內。
如請求項1所述之二合一水槍，其中，該扇形噴嘴與該圓形噴嘴爲相對設置。
如請求項1所述之二合一水槍，其中，該底盤設有一供該閥芯組接之第一安裝座及一供該軸芯組接之第二安裝座，該調節滾輪朝向該底盤之一端設有一阻尼環及一彈性元件，該阻尼環與該彈性元件均套設於該第一安裝座；該彈性元件以其一端彈抵於該阻尼環，使該阻尼環貼合與該調節滾輪，並以其另一端彈抵於該底盤，增加該調節滾輪轉動阻力以防止誤觸；該軸芯通道與該第二安裝座構成一徑向截面爲圓形的直流通道。
如請求項1所述之二合一水槍，其中， 該撥動部係一體成型於該軸芯之外周，該擋片具有一第一阻擋部及一第二阻擋部，且該第一阻擋部之弧形半徑大於該第二阻擋部之弧形半徑，該第一阻擋部之弧度大於該第二阻擋部之弧度；該第一阻擋部穿置於該弧形槽內，而該撥桿自該第一阻擋部之外緣一體延伸而成。
如請求項1所述之二合一水槍，其中，該軸芯出水孔之長軸線與該撥桿之中軸線相交處的夾角爲45∘，藉由該撥桿帶動該軸芯以軸向爲中心於0∘〜90∘角度範圍內轉動。
一種抗菌奈米基質，包含：<br/> 一基板，包含相對應之一第一表面及一第二表面；以及<br/> 一奈米結構混合體，形成於該基板之該第一表面上，包含相鄰且間隔排列之複數第一奈米結構體及複數第二奈米結構體；<br/> 其中，所述第一奈米結構體與所述第二奈米結構體分別週期性地排列，各所述第一奈米結構體之中心位置定義為一第一基準點，各所述第二奈米結構體之中心位置定義為一第二基準點，所述第一奈米結構體對應所述第二奈米結構體之中心位置設置，該第一基準點相對於該第二基準點於一第一方向上具有一第一位移量以及於垂直於該第一方向之一第二方向上具有一第二位移量，兩個相鄰排列之所述第一奈米結構體的該第一基準點之間定義一第一間距，該第一位移量及該第二位移量小於該第一間距，所述第一奈米結構體與所述第二奈米結構體相對於該第二方向具有一旋轉角度。
如請求項1所述之抗菌奈米基質，其中，所述第一奈米結構體具有複數第一奈米柱，所述第二奈米結構體具有複數第二奈米柱，所述第一奈米柱及所述第二奈米柱延伸形成於該第一表面上。
如請求項1所述之抗菌奈米基質，其中，所述第一奈米結構體與所述第二奈米結構體係共同呈現四角型堆積陣列或六角型堆積陣列。
如請求項1所述之抗菌奈米基質，其中，所述第一奈米結構體與所述第二奈米結構體係二重週期性地排列。
如請求項1所述之抗菌奈米基質，其中，該抗菌奈米基質相對於水的接觸角大於90°。
一種製造抗菌奈米基質之方法，包含以下步驟：<br/> (a)準備一基板；<br/> (b)以一微結構製程於該基板之一第一表面上形成一奈米結構混合體，包含複數第一奈米結構體及複數第二奈米結構體，其中，各所述第一奈米結構體之中心位置定義為一第一基準點，各所述第二奈米結構體之中心位置定義為一第二基準點，所述第一奈米結構體對應所述第二奈米結構體之中心位置設置，該第一基準點相對於該第二基準點於一第一方向上具有一第一位移量以及於垂直於該第一方向之一第二方向上具有一第二位移量，兩個相鄰之所述第一奈米結構體的該第一基準點之間定義一第一間距，該第一位移量及該第二位移量小於該第一間距，所述第一奈米結構體與所述第二奈米結構體相對於該第二方向具有一旋轉角度。
如請求項6所述之方法，其中，所述第一奈米結構體與所述第二奈米結構體係共同呈現四角型堆積陣列或六角型堆積陣列。
如請求項6所述之方法，其中，該方法所製備的抗菌奈米基質係用於抑制大腸桿菌、肺炎克雷伯氏菌、綠膿桿菌或金黃色葡萄球菌之生長。
一種訊號傳輸裝置，包括： <br/>一控制組件，處於一第一溫度下； <br/>一隔熱腔體，具有一腔壁及由該腔壁所形成的一第一容置空間，其中該第一容置空間處於一第二溫度下，其中該第一溫度大於該第二溫度； <br/>一第一訊號轉換組件，部分設置於該腔壁上或該第一容置空間中，並電性連接該控制組件； <br/>一塑膠波導元件，設置於該第一容置空間中，並電性連接該第一訊號轉換組件； <br/>一第二訊號轉換組件，設置於該第一容置空間中，並電性連接該塑膠波導元件；以及 <br/>一量子位元(Qubit)，設置於該第一容置空間中，並電性連接該第二訊號轉換組件。
如請求項1所述之訊號傳輸裝置，其中該塑膠波導元件包括一中空管。
如請求項2所述之訊號傳輸裝置，其中該中空管包括聚乙烯（PE 10）、聚四氟乙烯（PTFE）、聚醯亞胺（PI）或其組合。
如請求項1所述之訊號傳輸裝置，其中該第二溫度在1 K至4 K之間。
如請求項1所述之訊號傳輸裝置，其中該第一溫度在273 K至313 K之間。
如請求項1所述之訊號傳輸裝置，其中該第一溫度在4 K至10 K之間。
如請求項1所述之訊號傳輸裝置，其中該第一訊號轉換組件包括一第一混頻器及一第一轉接器，其中該第一混頻器設置於該隔熱腔體之外，且該第一轉接器設置於該腔壁之上或該第一容置空間中。
如請求項1所述之訊號傳輸裝置，其中 <br/>該隔熱腔體更包括由該腔壁所形成的一第二容置空間，且該第二容置空間處於一第三溫度下，其中該第三溫度介於該第一溫度及該第二溫度之間， <br/>該第一訊號轉換組件包括一第一混頻器及一第一轉接器，其中該第一混頻器設置於該第二容置空間中，且該第一轉接器設置於該腔壁上或該第一容置空間中。
如請求項8所述之訊號傳輸裝置，其中該第一溫度在273 K至313 K之間，且該第三溫度在4 K至10 K之間。
如請求項1所述之訊號傳輸裝置，其中該第二訊號轉換組件包括一第二轉接器，且該第二轉接器電性連接該量子位元與該塑膠波導元件。
如請求項10所述之訊號傳輸裝置，其中該第二訊號轉換組件更包括一第二混頻器，且該第二混頻器電性連接該第二轉接器與該量子位元。
如請求項1所述之訊號傳輸裝置，其中該控制組件發出一第一控制訊號，該第一訊號轉換組件將該第一控制訊號轉換為一第一傳輸訊號，該塑膠波導元件傳輸該第一傳輸訊號至該第二訊號轉換組件，該第二訊號轉換組件將該第一傳輸訊號轉換為一第二控制訊號，且該量子位元接收該第二控制訊號。
如請求項12所述之訊號傳輸裝置，其中該量子位元更根據該第二控制訊號來發出一第一讀取訊號，該第二訊號轉換組件將該第一讀取訊號轉換為一第二傳輸訊號，該塑膠波導元件傳輸該第二傳輸訊號至該第一訊號轉換組件，該第一訊號轉換組件將該第二傳輸訊號轉換為一第二讀取訊號，以及該控制組件接收該第二讀取訊號。
如請求項13所述之訊號傳輸裝置，其中該第一訊號轉換組件更包括一第一混頻器及一第一轉接器，該第一轉接器連接該控制組件及該塑膠波導元件，該第一混頻器將該第一控制訊號升頻以及將該第二讀取訊號降頻，且該第一轉接器將該第二傳輸訊號轉換為降頻後的該第二讀取訊號以及將升頻後的該第一控制訊號轉換為該第一傳輸訊號。
如請求項13所述之訊號傳輸裝置，其中該第二訊號轉換組件更包括一第二轉接器及一第二混頻器，該第二轉接器連接於該塑膠波導元件及該量子位元，該第二混頻器將該第一讀取訊號升頻以及將該第二控制訊號降頻，且該第二轉接器將升頻後的該第一讀取訊號轉換為該第二傳輸訊號以及將該第一傳輸訊號轉換為降頻後的該第二控制訊號。
一種指紋感測系統，包括：<br/> 一指紋感測模組，包含一指紋感測器及一控制器，其中該控制器連接該指紋感測器，該指紋感測器是用以感測一手指的指紋產生多張連續的指紋圖像，該控制器是用以依據該多張連續的指紋圖像的至少其中之一來產生一識別結果，以及用以依據該多張連續的指紋圖像產生至少一移動資訊或至少一角度資訊；以及<br/> 一中央處理單元，耦接該指紋感測模組，該中央處理單元用於執行一應用程式及一驅動程式，其中該應用程式用於提供多個功能選項；<br/> 其中，該驅動程式接收該識別結果以及該至少一移動資訊或該至少一角度資訊，該中央處理單元因應該識別結果啟動該應用程式，並且該中央處理單元根據該至少一移動資訊或該至少一角度資訊判斷該多個功能選項之中的哪一個被選擇，並執行該被選擇的功能選項的功能。
如請求項1所述的指紋感測系統，其中該至少一移動資訊包括水平方向移動量、垂直方向移動量以及移動方向的至少其中之一，該至少一角度資訊包括旋轉角度與旋轉方向的至少其中之一。
如請求項2所述的指紋感測系統，其中該中央處理單元根據該垂直方向移動量或該水平方向移動量的累積值在一預設時間長度內達到一臨界值來判斷該手指的移動方向。
如請求項2所述的指紋感測系統，其中該至少一移動資訊用於控制一游標。
如請求項4所述的指紋感測系統，更包括將該水平方向移動量以及該垂直方向移動量乘上一參數值後作為該游標的移動量。
如請求項4所述的指紋感測系統，更包括使用雙線性插值或雙三次插值來產生該游標的移動量。
如請求項4所述的指紋感測系統，其中該應用程式是在一顯示器以一輪盤選單的形式顯示該多個功能選項，該中央處理單元根據該游標的位置判斷該多個功能選項的哪一個被選擇。
如請求項4所述的指紋感測系統，其中該應用程式是在一顯示器以一長條狀選單的形式顯示該多個功能選項，該中央處理單元根據該游標的位置判斷該多個功能選項的哪一個被選擇。
如請求項1所述的指紋感測系統，其中該應用程式是在一顯示器以一輪盤選單的形式顯示該多個功能選項，該中央處理單元根據該至少一角度資訊判斷該手指的旋轉方向，進而判斷該多個功能選項的哪一個被選擇。
如請求項1所述的指紋感測系統，其中該應用程式是在一顯示器以一長條狀選單的形式顯示該多個功能選項，該中央處理單元根據該至少一移動資訊判斷該手指的移動方向，進而判斷該多個功能選項的哪一個被選擇。
如請求項1所述的指紋感測系統，其中該控制器產生該至少一移動資訊的方法包括以電腦視覺方法對二張連續的該指紋圖像進行特徵點的比對，以計算該手指在垂直方向與水平方向的移動量作為該至少一移動資訊。
如請求項1所述的指紋感測系統，其中該控制器產生該至少一移動資訊的方法包括：<br/> 將該多張連續的指紋圖像的第t張指紋圖像的第一區域作為模板，其中t為大於0的正整數；<br/> 找出該多張連續的指紋圖像的第t+1張指紋圖像中與該第一區域最相似的第二區域；以及<br/> 依據該第一區域及該第二區域的座標計算出該手指在垂直方向與水平方向的移動量作為該至少一移動資訊。
如請求項1所述的指紋感測系統，其中該控制器產生該至少一移動資訊的方法包括：<br/> 計算該多張連續的指紋圖像的第t張指紋圖像的第一重心位置，其中t為大於0的正整數；<br/> 計算該多張連續的指紋圖像的第t+1張指紋圖像的第二重心位置；以及<br/> 依據該第一重心位置及該第二重心位置產生該手指在垂直方向與水平方向的移動量作為該至少一移動資訊。
如請求項1所述的指紋感測系統，其中該控制器產生該至少一角度資訊的方法是以電腦視覺方法根據二張連續的該指紋圖像計算該手指的旋轉角度或該手指的旋轉方向作為該至少一角度資訊。
如請求項1所述的指紋感測系統，更包括一震動感應器連接該控制器，用以提供一觸覺回饋給使用者。
一種指紋感測系統，包括：<br/> 一指紋感測模組，包含一指紋感測器，該指紋感測器是用以感測一手指的指紋產生多張連續的指紋圖像；以及<br/> 一中央處理單元，耦接該指紋感測模組，該中央處理單元用於執行一應用程式及一驅動程式，其中該應用程式用於提供多個功能選項；<br/> 其中，該指紋感測模組將該多張連續的指紋圖像傳送給該驅動程式；<br/> 其中，該驅動程式識別該多張連續的指紋圖像的至少其中之一以產生一識別結果，並且依據該多張連續的指紋圖像產生至少一移動資訊或至少一角度資訊，該中央處理單元因應該識別結果啟動該應用程式；<br/> 其中，該中央處理單元根據該至少一移動資訊或該至少一角度資訊判斷該多個功能選項之中的哪一個被選擇，並執行該選擇的功能選項的功能。
如請求項16所述的指紋感測系統，其中該至少一移動資訊包括水平方向移動量、垂直方向移動量以及移動方向的至少其中之一，該至少一角度資訊包括旋轉角度與旋轉方向的至少其中之一。
如請求項17所述的指紋感測系統，其中該中央處理單元根據該垂直方向移動量或該水平方向移動量的累積值在一預設時間長度內達到一臨界值來判斷該手指的移動方向。
如請求項17所述的指紋感測系統，其中該至少一移動資訊用於控制一游標。
如請求項19所述的指紋感測系統，更包括將該水平方向移動量以及該垂直方向移動量乘上一參數值後作為該游標的移動量。
如請求項19所述的指紋感測系統，更包括使用雙線性插值或雙三次插值來產生該游標的移動量。
如請求項19所述的指紋感測系統，其中該應用程式是在一顯示器以一輪盤選單的形式顯示該多個功能選項，該中央處理單元根據該游標的位置判斷該多個功能選項的哪一個被選擇。
如請求項19所述的指紋感測系統，其中該應用程式是在一顯示器以一長條狀選單的形式顯示該多個功能選項，該中央處理單元根據該游標的位置判斷該多個功能選項的哪一個被選擇。
如請求項16所述的指紋感測系統，其中該應用程式是在一顯示器以一輪盤選單的形式顯示該多個功能選項，該中央處理單元根據該至少一角度資訊判斷該手指的旋轉方向，進而判斷該多個功能選項的哪一個被選擇。
如請求項16所述的指紋感測系統，其中該應用程式是在一顯示器以一長條狀選單的形式顯示該多個功能選項，該中央處理單元根據該至少一移動資訊判斷該手指的移動方向，進而判斷該多個功能選項的哪一個被選擇。
如請求項16所述的指紋感測系統，其中該驅動程式產生該至少一移動資訊的方法包括以電腦視覺方法對二張連續的該指紋圖像進行特徵點的比對，以計算該手指在垂直方向與水平方向的移動量作為該至少一移動資訊。
如請求項16所述的指紋感測系統，其中該驅動程式產生該至少一移動資訊的方法包括：<br/> 將該多張連續的指紋圖像的第t張指紋圖像的第一區域作為模板，其中t為大於0的正整數；<br/> 找出該多張連續的指紋圖像的第t+1張指紋圖像中與該第一區域最相似的第二區域；以及<br/> 依據該第一區域及該第二區域的座標計算出該手指在垂直方向與水平方向的移動量作為該至少一移動資訊。
如請求項16所述的指紋感測系統，其中該驅動程式產生該至少一移動資訊的方法包括：<br/> 計算該多張連續的指紋圖像的第t張指紋圖像的第一重心位置，其中t為大於0的正整數；<br/> 計算該多張連續的指紋圖像的第t+1張指紋圖像的第二重心位置；以及<br/> 依據該第一重心位置及該第二重心位置產生該手指在垂直方向與水平方向的移動量作為該至少一移動資訊。
如請求項16所述的指紋感測系統，其中該驅動程式產生該至少一角度資訊的方法是以電腦視覺方法根據二張連續的該指紋圖像計算該手指的旋轉角度或該手指的旋轉方向作為該至少一角度資訊。
如請求項16所述的指紋感測系統，更包括一震動感應器連接該控制器，用以提供一觸覺回饋給使用者。
一種指紋感測系統的操作方法，包括下列步驟：<br/> 感測一手指的指紋產生多張連續的指紋圖像；<br/> 識別該多張連續的指紋圖像的至少其中之一以產生一識別結果；<br/> 依據該識別結果啟動一應用程式，其中該應用程式提供多個功能選項； <br/> 依據該多張連續的指紋圖像產生至少一移動資訊或至少一角度資訊；以及<br/> 根據該至少一移動資訊或該至少一角度資訊判斷該多個功能選項之中的哪一個被選擇，並執行該選擇的功能選項的功能。
如請求項31所述的操作方法，其中該至少一移動資訊包括水平方向移動量、垂直方向移動量以及移動方向的至少其中之一，該至少一角度資訊包括旋轉角度與旋轉方向的至少其中之一。
如請求項32所述的操作方法，更包括根據該垂直方向移動量或該水平方向移動量的累積值在一預設時間長度內達到一臨界值來判斷該手指的移動方向。
如請求項32所述的操作方法，更包括使用該至少一移動資訊來控制一游標。
如請求項34所述的操作方法，其中使用該至少一移動資訊來控制該游標的步驟包括將該水平方向移動量以及該垂直方向移動量乘上一參數值後作為該游標的移動量。
如請求項34所述的操作方法，其中使用該至少一移動資訊來控制該游標的步驟包括使用雙線性插值或雙三次插值來產生該游標的移動量。
如請求項34所述的操作方法，其中該應用程式在一顯示器上以一輪盤選單的形式顯示具有該多個功能選項，其中判斷該多個功能選項之中的哪一個被選擇的步驟包括根據該游標的位置判斷該多個功能選項的哪一個被選擇。
如請求項34所述的操作方法，其中該應用程式是在一顯示器以一長條狀選單的形式顯示該多個功能選項，該中央處理單元根據該游標的位置判斷該多個功能選項的哪一個被選擇。
如請求項31所述的操作方法，其中該應用程式是在一顯示器以一輪盤選單的形式顯示該多個功能選項，該中央處理單元根據該至少一角度資訊判斷該手指的旋轉方向，進而判斷該多個功能選項的哪一個被選擇。
如請求項31所述的操作方法，其中該應用程式是在一顯示器以一長條狀選單的形式顯示該多個功能選項，該中央處理單元根據該至少一移動資訊判斷該手指的移動方向，進而判斷該多個功能選項的哪一個被選擇。
如請求項31所述的操作方法，其中產生該至少一移動資訊的步驟包括以電腦視覺方法對二張連續的該指紋圖像進行特徵點的比對，以計算該手指在垂直方向與水平方向的移動量作為該至少一移動資訊。
如請求項31所述的操作方法，其中產生該至少一移動資訊的步驟包括：<br/> 將該多張連續的指紋圖像的第t張指紋圖像的第一區域作為模板，其中t為大於0的正整數；<br/> 找出該多張連續的指紋圖像的第t+1張指紋圖像中與該第一區域最相似的第二區域；以及<br/> 依據該第一區域及該第二區域的座標計算出該手指在垂直方向與水平方向的移動量作為該至少一移動資訊。
如請求項31所述的操作方法，其中產生該至少一移動資訊的步驟包括：<br/> 計算該多張連續的指紋圖像的第t張指紋圖像的第一重心位置，其中t為大於0的正整數；<br/> 計算該多張連續的指紋圖像的第t+1張指紋圖像的第二重心位置；以及<br/> 依據該第一重心位置及該第二重心位置產生該手指在垂直方向與水平方向的移動量作為該至少一移動資訊。
如請求項31所述的操作方法，其中產生該至少一角度資訊的步驟包括以電腦視覺方法根據二張連續的該指紋圖像計算該手指的旋轉角度或該手指的旋轉方向作為該至少一角度資訊。
如請求項31所述的操作方法，更包括因應手指的觸碰、該至少一移動資訊或該至少一角度資訊而提供一觸覺回饋給使用者。
一種切屑過濾系統，包括：<br/> 一水箱，用以容納一切削液；<br/> 一噴嘴，配置在該水箱內；<br/> 一過濾器；<br/> 一噴嘴幫浦，連接該噴嘴；<br/> 一過濾器幫浦，連接該過濾器； <br/> 一濃度感測器，用以感測該切削液之一切屑濃度；<br/> 一控制器，電性連接該噴嘴幫浦、該過濾器幫浦及該濃度感測器且用以：<br/> 判斷該切屑濃度是否等於或大於一預設濃度；<br/> 當該切屑濃度等於或大於該預設濃度且該切削液之一切屑密度等於或大於一預設密度，提高該噴嘴幫浦之轉速；及<br/> 當該切屑濃度等於或大於該預設濃度且該切削液之該切屑密度小於該預設密度，提高該過濾器幫浦之轉速。
如請求項1所述之切屑過濾系統，其中該控制器更用以：<br/> 當該切屑濃度小於該預設濃度且該切削液之該切屑密度小於該預設密度，控制該過濾器幫浦停止運轉。
如請求項1所述之切屑過濾系統，其中該切屑濃度為5%。
如請求項1所述之切屑過濾系統，其中該預設密度為3公克/立方公分(g/cm<sup>3</sup>)。
如請求項1所述之切屑過濾系統，其中該噴嘴的噴射方向與一水平軸之間的夾角至少為0度。
如請求項1所述之切屑過濾系統，更包括：<br/> 一擾流板，配置在該水箱內；<br/> 其中，該擾流板與該水箱之一底面之間具有一間距，該間距沿一遠離該噴嘴之方向漸縮。
如請求項6所述之切屑過濾系統，包括：<br/> 複數個該擾流板，該些擾流板之相鄰二者之間的流場長度介於200毫米~300毫米之間。
如請求項1所述之切屑過濾系統，包括：<br/> 複數個該噴嘴，該些噴嘴之相鄰二者之間的流場長度介於400毫米~600毫米之間。
如請求項1所述之切屑過濾系統，更包括：<br/> 一抽液管，連接該過濾器幫浦且具有一抽液端，該抽液端進入該水箱內。
一種切屑過濾方法，包括：<br/> 判斷一切屑過濾系統之一水箱內之一切削液之一切屑濃度是否等於或大於一預設濃度；<br/> 當該切屑濃度等於或大於該預設濃度且該切削液之一切屑密度等於或大於一預設密度，提高一噴嘴幫浦之轉速；以及<br/> 當該切屑濃度等於或大於該預設濃度且該切削液之該切屑密度小於該預設密度，提高一過濾器幫浦之轉速。
如請求項10所述之切屑過濾方法，更包括：<br/> 當該切屑濃度小於該預設濃度且該切削液之該切屑密度小於該預設密度，控制該過濾器幫浦停止運轉。
如請求項10所述之切屑過濾方法，其中該切屑濃度為5%。
如請求項10所述之切屑過濾方法，其中該預設密度為3 g/cm<sup>3</sup>。
如請求項10所述之切屑過濾方法，其中一噴嘴的噴射方向與一水平軸之間的夾角至少為0度。
如請求項10所述之切屑過濾方法，其中該切屑過濾系統更包括一擾流板，該擾流板及一噴嘴配置在該水箱內，且該擾流板與該水箱之一底面之間具有一間距，該間距沿一遠離該噴嘴之方向漸縮。
如請求項15所述之切屑過濾方法，其中該切屑過濾系統包括複數個該擾流板，該些擾流板之相鄰二者之間的流場長度介於200毫米~300毫米之間。
如請求項10所述之切屑過濾方法，其中該切屑過濾系統包括複數個噴嘴，該些噴嘴配置在該水箱內，該些噴嘴之相鄰二者之間的流場長度介於400毫米~600毫米之間。
如請求項10所述之切屑過濾方法，其中該切屑過濾系統更包括一抽液管，該抽液管連接該過濾器幫浦且具有一抽液端，該抽液端進入該水箱內。
一種記憶裝置，其包含： <br/>複數個第1記憶體串，其配置於第1記憶區域； <br/>複數個第2記憶體串，其配置於第2記憶區域； <br/>複數個第3記憶體串，其配置於第3記憶區域； <br/>第1位元線，其在上述第1記憶區域、上述第2記憶區域、及上述第3記憶區域之上延伸於第1方向，上述第1位元線連接至上述複數個第1記憶體串之第1子集； <br/>第2位元線，其在上述第1記憶區域、上述第2記憶區域、及上述第3記憶區域之上延伸於上述第1方向，上述第2位元線連接至上述複數個第2記憶體串之第1子集； <br/>第3位元線，其於與上述第1方向交叉之第2方向上配置於上述第2記憶區域與第1電路之間，上述第3位元線在上述第2方向上被上述第2記憶區域重疊(overlapped)； <br/>第4位元線，其於上述第2方向上配置於上述第3記憶區域與第2電路之間，上述第4位元線在上述第2方向上被上述第3記憶區域重疊； <br/>第1接觸插塞，其於上述第2方向延伸，上述第1接觸插塞配置於上述第1記憶區域與上述第2記憶區域之間的第1接觸區域，上述第1接觸插塞連接至上述第1位元線及上述第3位元線；及 <br/>第2接觸插塞，其於上述第2方向延伸，上述第2接觸插塞配置於上述第2記憶區域與上述第3記憶區域之間的第2接觸區域，上述第2接觸插塞連接至上述第2位元線及上述第4位元線。
如請求項1之記憶裝置，其進一步包含： <br/>基板；及 <br/>源極線，其連接至上述複數個第1記憶體串之上述第1子集； <br/>其中上述源極線配置為比上述複數個第1記憶體串之上述第1子集更遠離上述基板。
如請求項1之記憶裝置，其中上述第1位元線及上述第2位元線在與上述第1方向及上述第2方向交叉之第3方向上彼此分開。
如請求項3之記憶裝置，其中上述第1接觸插塞及上述第2接觸插塞在與上述第1方向、上述第2方向、及上述第3方向交叉之第4方向上彼此分開。
如請求項1之記憶裝置，其中 <br/>上述第3位元線比上述第1位元線短，且 <br/>上述第4位元線比上述第2位元線短。
如請求項5之記憶裝置，其中上述第1位元線沿著上述第1方向的長度與上述第2位元線沿著上述第1方向的長度實質相同。
如請求項1之記憶裝置，其中上述第1位元線沿著上述第1方向的長度與上述第2位元線沿著上述第1方向的長度實質相同。
如請求項1之記憶裝置，其中 <br/>上述第1位元線連接至上述複數個第2記憶體串之第2子集及上述複數個第3記憶體串之第1子集，且 <br/>上述第2位元線連接至上述複數個第1記憶體串之第2子集及上述複數個第3記憶體串之第2子集。
一種記憶裝置，其包含： <br/>複數個第1記憶體串，其配置於第1記憶區域； <br/>複數個第2記憶體串，其配置於第2記憶區域； <br/>複數個第3記憶體串，其配置於第3記憶區域； <br/>第1位元線，其在上述第1記憶區域、上述第2記憶區域、及上述第3記憶區域之上延伸於第1方向，上述第1位元線連接至上述複數個第1記憶體串之第1子集； <br/>第2位元線，其在上述第1記憶區域、上述第2記憶區域、及上述第3記憶區域之上延伸於上述第1方向，上述第2位元線連接至上述複數個第2記憶體串之第1子集； <br/>第1接觸插塞，其於與上述第1方向交叉之第2方向延伸，上述第1接觸插塞配置於上述第1記憶區域與上述第2記憶區域之間的第1接觸區域，上述第1接觸插塞連接至上述第1位元線； <br/>第2接觸插塞，其於上述第2方向延伸，上述第2接觸插塞配置於上述第2記憶區域與上述第3記憶區域之間的第2接觸區域，上述第2接觸插塞連接至上述第2位元線； <br/>第3位元線，其於上述第1方向延伸，上述第3位元線經由上述第1接觸插塞及上述第1位元線而連接至在上述第2方向上配置於上述第1位元線與上述第3位元線之間的上述複數個第1記憶體串之上述第1子集； <br/>第4位元線，其於上述第1方向延伸，上述第4位元線經由上述第2接觸插塞及上述第2位元線而連接至在上述第2方向上配置於上述第2位元線與上述第4位元線之間的上述複數個第2記憶體串之上述第1子集； <br/>基板；及 <br/>源極線，其連接至上述複數個第1記憶體串之上述第1子集，上述源極線在上述第2方向上配置於上述第1位元線與上述複數個第1記憶體串之上述第1子集之間。
如請求項9之記憶裝置，其進一步包含： <br/>第1電路，其配置於上述基板上，上述第1電路連接至上述第3位元線；及 <br/>第2電路，其配置於上述基板上，上述第2電路連接至上述第4位元線。
如請求項9之記憶裝置，其中上述第1位元線及上述第2位元線在與上述第1方向及上述第2方向交叉之第3方向上彼此分開。
如請求項11之記憶裝置，其中上述第1接觸插塞及上述第2接觸插塞在與上述第1方向、上述第2方向、及上述第3方向交叉之第4方向上彼此分開。
如請求項9之記憶裝置，其中上述第1位元線沿著上述第1方向的長度與上述第2位元線沿著上述第1方向的長度實質相同。
一種記憶裝置，其包含： <br/>複數個第1記憶體串，其配置於第1記憶區域； <br/>複數個第2記憶體串，其配置於第2記憶區域； <br/>複數個第3記憶體串，其配置於第3記憶區域； <br/>第1位元線，其在上述第1記憶區域、上述第2記憶區域、及上述第3記憶區域之上延伸於第1方向，上述第1位元線連接至上述複數個第1記憶體串之第1子集； <br/>第2位元線，其在上述第1記憶區域、上述第2記憶區域、及上述第3記憶區域之上延伸於上述第1方向，上述第2位元線連接至上述複數個第2記憶體串之第1子集； <br/>第1接觸插塞，其於與上述第1方向交叉之第2方向延伸，上述第1接觸插塞配置於上述第1記憶區域與上述第2記憶區域之間的第1接觸區域，上述第1接觸插塞連接至上述第1位元線； <br/>第2接觸插塞，其於上述第2方向延伸，上述第2接觸插塞配置於上述第2記憶區域與上述第3記憶區域之間的第2接觸區域，上述第2接觸插塞連接至上述第2位元線； <br/>第3位元線，其於上述第1方向延伸，上述第3位元線經由上述第1接觸插塞及上述第1位元線而連接至在上述第2方向上配置於上述第1位元線與上述第3位元線之間的上述複數個第1記憶體串之上述第1子集；及 <br/>第4位元線，其於上述第1方向延伸，上述第4位元線經由上述第2接觸插塞及上述第2位元線而連接至在上述第2方向上配置於上述第2位元線與上述第4位元線之間的上述複數個第2記憶體串之上述第1子集；其中 <br/>上述第3位元線比上述第1位元線短，且 <br/>上述第4位元線比上述第2位元線短。
如請求項14之記憶裝置，其中上述第1位元線沿著上述第1方向的長度與上述第2位元線沿著上述第1方向的長度實質相同。
一種記憶裝置，其包含： <br/>複數個第1記憶體串，其配置於第1記憶區域； <br/>複數個第2記憶體串，其配置於第2記憶區域； <br/>複數個第3記憶體串，其配置於第3記憶區域； <br/>第1位元線，其在上述第1記憶區域、上述第2記憶區域、及上述第3記憶區域之上延伸於第1方向，上述第1位元線連接至上述複數個第1記憶體串之第1子集； <br/>第2位元線，其在上述第1記憶區域、上述第2記憶區域、及上述第3記憶區域之上延伸於上述第1方向，上述第2位元線連接至上述複數個第2記憶體串之第1子集； <br/>第1接觸插塞，其於與上述第1方向交叉之第2方向延伸，上述第1接觸插塞配置於上述第1記憶區域與上述第2記憶區域之間的第1接觸區域，上述第1接觸插塞連接至上述第1位元線； <br/>第2接觸插塞，其於上述第2方向延伸，上述第2接觸插塞配置於上述第2記憶區域與上述第3記憶區域之間的第2接觸區域，上述第2接觸插塞連接至上述第2位元線； <br/>第3位元線，其於上述第1方向延伸，上述第3位元線經由上述第1接觸插塞及上述第1位元線而連接至在上述第2方向上配置於上述第1位元線與上述第3位元線之間的上述複數個第1記憶體串之上述第1子集；及 <br/>第4位元線，其於上述第1方向延伸，上述第4位元線經由上述第2接觸插塞及上述第2位元線而連接至在上述第2方向上配置於上述第2位元線與上述第4位元線之間的上述複數個第2記憶體串之上述第1子集：其中 <br/>上述第1位元線連接至上述複數個第2記憶體串之第2子集及上述複數個第3記憶體串之第1子集，且 <br/>上述第2位元線連接至上述複數個第1記憶體串之第2子集及上述複數個第3記憶體串之第2子集。
一種記憶裝置，其包含： <br/>複數個第1記憶體串，其配置於第1記憶區域； <br/>複數個第2記憶體串，其配置於第2記憶區域； <br/>複數個第3記憶體串，其配置於第3記憶區域； <br/>第1配線，其在上述第1記憶區域、上述第2記憶區域、及上述第3記憶區域之上延伸於第1方向，上述第1配線連接至上述複數個第1記憶體串之第1子集； <br/>第2配線，其在上述第1記憶區域、上述第2記憶區域、及上述第3記憶區域之上延伸於上述第1方向，上述第2配線連接至上述複數個第2記憶體串之第1子集； <br/>第3配線，其於與上述第1方向交叉之第2方向上配置於上述第2記憶區域與第1電路之間，上述第3配線在上述第2方向上被上述第2記憶區域重疊； <br/>第4配線，其於上述第2方向上配置於上述第3記憶區域與第2電路之間，上述第4配線在上述第2方向上被上述第3記憶區域重疊； <br/>第1接觸插塞，其於上述第2方向延伸，上述第1接觸插塞於上述第1方向上配置於上述第1記憶區域與上述第3記憶區域之間，上述第1接觸插塞連接至上述第1配線及上述第3配線；及 <br/>第2接觸插塞，其於上述第2方向延伸，上述第2接觸插塞於上述第1方向上配置於上述第1記憶區域與上述第3記憶區域之間，上述第2接觸插塞連接至上述第2配線及上述第4配線。
如請求項17之記憶裝置，其中 <br/>上述第1配線及上述第2配線在與上述第1方向及上述第2方向交叉之第3方向上彼此分開，且 <br/>上述第1接觸插塞及上述第2接觸插塞在與上述第1方向、上述第2方向、及上述第3方向交叉之第4方向上彼此分開。
如請求項17之記憶裝置，其中 <br/>上述第3配線比上述第1配線短， <br/>上述第4配線比上述第2配線短，且 <br/>上述第1配線沿著上述第1方向的長度與上述第2配線沿著上述第1方向的長度實質相同。
一種剎車碟盤，包括：<br/> 一本體，定義一軸向，包括於該軸向上相對之二側面、一外周面及一內周面，該外周面與該內周面分別連接於該二側面之間；及<br/> 複數第一貫槽，各該第一貫槽凹設於其中一該側面且延伸貫穿於該外周面與該內周面之間，各該第一貫槽包括一位於該外周面之第一進氣端口及一位於該內周面之第一排氣端口，該第一進氣端口之一寬度大於該第一排氣端口之一寬度；<br/> 其中，各該第一貫槽之該第一進氣端口之一深度大於該第一排氣端口之一深度。
一種剎車碟盤，包括：<br/> 一本體，定義一軸向，包括於該軸向上相對之二側面、一外周面及一內周面，該外周面與該內周面分別連接於該二側面之間；<br/> 複數第一貫槽，各該第一貫槽凹設於其中一該側面且延伸貫穿於該外周面與該內周面之間，各該第一貫槽包括一位於該外周面之第一進氣端口及一位於該內周面之第一排氣端口，該第一進氣端口之一寬度大於該第一排氣端口之一寬度；及<br/> 至少一第一導流機構，各該第一導流機構包括一軸向貫穿該本體之第一穿孔、一第一進氣導槽及一第一排氣導槽，該第一進氣導槽設於一該側面且連通於該外周面與該第一穿孔之間，該第一排氣導槽設於另一該側面且連通於該內周面與該第一穿孔之間。
如請求項2所述的剎車碟盤，其中各該第一進氣導槽連通一該第一穿孔之一端口的寬度大於一該第一排氣導槽連通該第一穿孔之一端口的寬度。
如請求項2所述的剎車碟盤，其中定義至少一延伸於該內周面與該外周面之間之第一假想直線，各該第一進氣導槽與一該第一排氣導槽延伸通過同一該第一假想直線。
如請求項1所述的剎車碟盤，另包括至少一第二導流機構，其中各該第二導流機構包括複數軸向貫穿該本體之第二穿孔、一第二進氣導槽、至少一連通槽及一第二排氣導槽，該第二進氣導槽、該至少一連通槽及該第二排氣導槽分別設於該二側面且任相鄰二者位於該本體於該軸向上之相異側，該第二進氣導槽連通於該外周面與一該第二穿孔之間，該第二排氣導槽連通於該內周面與一該第二穿孔之間，各該連通槽連通於相鄰之二該第二穿孔之間。
如請求項5所述的剎車碟盤，其中靠近該內周面之一該第二穿孔之一徑向尺寸大於靠近該外周面之一該第二穿孔之一徑向尺寸。
如請求項5所述的剎車碟盤，其中各該第二導流機構之該複數第二穿孔於該本體之一徑向上不相重疊。
如請求項1至7任一項所述的剎車碟盤，另包括複數第二貫槽，其中各該第二貫槽凹設於其中一該側面且延伸貫穿於該外周面與該內周面之間，各該第二貫槽包括一位於該內周面之第二進氣端口及一位於該外周面之第二排氣端口，該第二進氣端口之一寬度大於該第二排氣端口之一寬度。
如請求項6所述的剎車碟盤，其中各該第一貫槽之寬度自該第一進氣端口朝該第一排氣端口漸減；各該第一貫槽之深度自該第一進氣端口朝該第一排氣端口漸減；各剎車碟盤另包括複數第一導流機構，各該第一導流機構包括一軸向貫穿該本體之第一穿孔、一第一進氣導槽及一第一排氣導槽，該第一進氣導槽設於一該側面且連通於該外周面與該第一穿孔之間，該第一排氣導槽設於另一該側面且連通於該內周面與該第一穿孔之間；各該第一進氣導槽連通一該第一穿孔之一端口的寬度大於一該第一排氣導槽連通該第一穿孔之一端口的寬度；定義至少一延伸於該內周面與該外周面之間之第一假想直線，各該第一進氣導槽與一該第一排氣導槽延伸通過同一該第一假想直線，各該第一進氣導槽之寬度自該外周面朝一該第一穿孔漸減；各該第二導流機構之該複數第二穿孔於該本體之一徑向上不相重疊，各該第二導流機構之該複數第二穿孔至少其中二者具有相異的形狀；定義至少一延伸於該內周面與該外周面之間之第二假想直線，各該第二導流機構之該第二進氣導槽、該至少一連通槽及該第二排氣導槽延伸通過同一該第二假想直線；各該第一假想直線與各該第二假想直線不平行；各該第二進氣導槽連通一該第二穿孔之一端口的寬度小於一該第二排氣導槽連通一該第二穿孔之一端口的寬度，各該第二進氣導槽之寬度自該外周面朝一該第二穿孔漸減，各該第二排氣導槽之寬度自一該第二穿孔朝該內周面漸減；該剎車碟盤另包括複數第二貫槽，各該第二貫槽凹設於其中一該側面且延伸貫穿於該外周面與該內周面之間，各該第二貫槽包括一位於該內周面之第二進氣端口及一位於該外周面之第二排氣端口，該第二進氣端口之一寬度大於該第二排氣端口之一寬度；至少一該第二貫槽延伸通過二該第二穿孔之間；該複數第二貫槽之一弧曲延伸方向與該複數第一貫槽之一弧曲延伸方向相反；及該複數第一貫槽分設於該二側面，該複數第二貫槽設於同一該側面。
一種研磨墊，包括研磨層，其中： <br/>於頻率1.6 Hz下進行的動態黏彈性測定中，所述研磨層在15℃至120℃之溫度範圍內不具有損失係數（tanδ）峰值溫度，且 <br/>在15℃至120℃之溫度範圍內的tanδ值依照以下式子求出的tanδ值變化率為20%以下， <br/>tanδ值變化率=|(15℃至120℃之溫度範圍內的tanδ之最大值) - (15℃至120℃之溫度範圍內的tanδ之最小值)| / (15℃至120℃之溫度範圍內的tanδ之最大值)×100%。
如請求項1所述的研磨墊，其中於頻率1.6 Hz下進行的所述動態黏彈性測定為彎曲模式的動態黏彈性測定。
如請求項1所述的研磨墊，其中於頻率1.6 Hz下進行的所述動態黏彈性測定為拉伸模式的動態黏彈性測定。
如請求項1至請求項3中任一項所述的研磨墊，其中所述研磨層在15℃至120℃之溫度範圍內的tanδ值小於0.1。
如請求項1至請求項3中任一項所述的研磨墊，其中所述研磨層在30℃下進行動態黏彈性測定的儲存模數(E’30)與在50℃下進行動態黏彈性測定的儲存模數(E’50)的比值(E’30/E’50)小於1.5。
如請求項1至請求項3中任一項所述的研磨墊，其中所述研磨層在30℃下進行動態黏彈性測定的儲存模數(E’30)與在90℃下進行動態黏彈性測定的儲存模數(E’90)的比值(E’30/E’90)小於2.5。
如請求項1至請求項3中任一項所述的研磨墊，其中於頻率1.6 Hz下進行的動態黏彈性測定中，所述研磨層在15℃至120℃之溫度範圍內的儲存模數(E’)為100 MPa至720 MPa。
如請求項1至請求項3中任一項所述的研磨墊，其中在頻率1.6 Hz下進行的所述動態黏彈性測定中，所述研磨層的溫度與tanδ值的分佈曲線在15℃至120℃之溫度範圍內的斜率絕對值小於5。
一種研磨墊，包括研磨層，其中： <br/>於頻率1.6 Hz下進行的動態黏彈性測定中，所述研磨層在15℃至120℃之溫度範圍內不具有tanδ峰值溫度，且 <br/>於頻率1.6 Hz下進行的所述動態黏彈性測定中，所述研磨層在30℃至65℃之溫度範圍內的任一溫度下在吸水狀態下的儲存模數與乾燥狀態下的儲存模數的比值為0.9~1.0。
如請求項9所述的研磨墊，其中所述研磨層在15℃至120℃之溫度範圍內的tanδ值小於0.1。
如請求項9所述的研磨墊，其中所述研磨層在30℃下進行動態黏彈性測定的儲存模數(E’30)與在50℃下進行動態黏彈性測定的儲存模數(E’50)的比值(E’30/E’50)小於1.5。
如請求項9所述的研磨墊，其中所述研磨層在30℃下進行動態黏彈性測定的儲存模數(E’30)與在90℃下進行動態黏彈性測定的儲存模數(E’90)的比值(E’30/E’90)小於2.5。
如請求項9所述的研磨墊，其中於頻率1.6 Hz下進行的動態黏彈性測定中，所述研磨層在15℃至120℃之溫度範圍內的儲存模數(E’)為100 MPa至720 MPa。
如請求項9所述的研磨墊，其中在頻率1.6 Hz下進行的所述動態黏彈性測定中，所述研磨層的溫度與tanδ值的分佈曲線在15℃至120℃之溫度範圍內的斜率絕對值小於5。
一種研磨方法，包括： <br/>提供研磨墊，所述研磨墊如請求項1至請求項14中任一項所述的研磨墊； <br/>對物件施加壓力以壓置於所述研磨墊上；以及 <br/>對所述物件及所述研磨墊提供相對運動以進行研磨程序。
一種輸入輸出裝置，包含：<br/>第一撓性基板；<br/>該第一撓性基板上的第二撓性基板；以及<br/>顯示部，位於該第一撓性基板與該第二撓性基板之間，且包含複數個像素以及複數個攝像像素，<br/>其中，該像素包含發光元件，<br/>該攝像像素包含光電轉換元件，<br/>該光電轉換元件上設有絕緣層，<br/>該絕緣層上設有該發光元件，<br/>該發光元件的上部電極與該第二撓性基板之間設有遮光層，<br/>該光電轉換元件具有與該遮光層不重疊的區域，<br/>並且，該發光元件具有藉由該第二撓性基板發射光的功能。
如請求項1之輸入輸出裝置，<br/>其中，該攝像像素具有能夠感測出指頭等靠近或接觸的功能。
如請求項1之輸入輸出裝置，更包含：<br/>感測部，<br/>其中，該感測部包含一或複數個壓電元件。
如請求項3之輸入輸出裝置，<br/>其中，該感測器沿著該顯示部的外周配置。
一種輸入輸出裝置，包含：<br/>光電轉換元件；<br/>絕緣層；<br/>第一部分，包含配置成矩陣狀的複數個發光元件；以及<br/>感測部，包含一或複數個壓電元件，<br/>其中，該絕緣層位於該該光電轉換元件上，<br/>該第一部分位於該絕緣層上，<br/>該感測部沿著該第一部分的外周配置，<br/>並且，該光電轉換元件具有與該發光元件的下部電極不重疊的區域。
如請求項5之輸入輸出裝置，更包含：<br/>該第一部分上的撓性基板；以及<br/>該撓性基板上的第二感測器，<br/>其中，該第二感測器具有能夠感測出指頭等靠近或接觸的功能。
如請求項6之輸入輸出裝置，更包含：<br/>第一撓性印刷電路；以及<br/>第二撓性印刷電路，<br/>其中，該第一撓性印刷電路具有供應影像信號的功能，<br/>並且，該第二撓性印刷電路與該第二感測器連接。
如請求項5之輸入輸出裝置，更包含：<br/>該第一部分上的撓性基板；以及<br/>遮光層，設置於該發光元件的上部電極與該撓性基板之間，<br/>其中，該光電轉換元件具有與該遮光層不重疊的區域，<br/>並且，該發光元件具有藉由該撓性基板發射光的功能。
一種半導體裝置，包括：<br/> 第一半導體組件，包括第一邊緣區域；<br/> 堆疊於該第一半導體組件下方的第二半導體組件，包括第二邊緣區域；以及<br/> 損傷檢測結構，包括：<br/> 設置於該第一邊緣區域中的複數個第一導電路徑；以及<br/> 設置於該第二邊緣區域中的複數個第二導電路徑，其中，該複數個第二導電路徑與該複數個第一導電路徑電性耦接；<br/> 其中，該半導體裝置還包括：<br/> 堆疊於該第二半導體組件下方的基板，<br/> 其中，該損傷檢測結構進一步包括設置於該基板中的複數個第三導電路徑，用於與該複數個第一導電路徑和/或該複數個第二導電路徑電性耦接。
如請求項1所述的半導體裝置，其中，該複數個第一導電路徑彼此間隔開，以及，該複數個第二導電路徑彼此間隔開。
如請求項1所述的半導體裝置，其中，該複數個第一導電路徑包括複數個第一導電墊，該複數個第二導電路徑包括複數個第二導電墊，以及，該複數個第一導電墊中的每一個與該複數個第二導電墊中的相應者直接接觸。
如請求項1所述的半導體裝置，其中，該第一導電路徑具有倒V形狀、倒U形狀、倒M形狀、倒W形狀、倒階梯形狀或其組合，以及，該第二導電路徑具有V形狀、U形狀、M形狀、W形狀、階梯形狀或其組合。
如請求項1所述的半導體裝置，其中，該第一半導體組件和該第二半導體組件為半導體晶片。
如請求項1所述的半導體裝置，其中，該第一半導體組件為半導體晶片，以及，該第二半導體組件為中介層。
如請求項6所述的半導體裝置，其中，該半導體裝置還包括：<br/> 沿著該第二半導體組件的頂表面延伸的導電線，用於將該複數個第二導電路徑與該複數個第一導電路徑電性耦接。
一種半導體裝置，包括：<br/> 第一半導體組件，垂直重疊第二半導體組件；以及<br/> 損傷檢測結構，包括：<br/> 沿著該第一半導體組件的第一邊緣延伸的複數個第一導電路徑；以及<br/> 沿著該第二半導體組件的第二邊緣延伸的複數個第二導電路徑，以用於與該複數個第一導電路徑電性耦接，<br/> 其中，該複數個第一導電路徑和該複數個第二導電路徑呈第一交錯排列。
如請求項8所述的半導體裝置，其中，該第一半導體組件和該第二半導體組件面對面組裝。
如請求項8所述的半導體裝置，其中，該半導體裝置還包括：<br/> 設置於該第一半導體組件的頂表面上方和/或設置於該第二半導體組件的底表面下方的導電端子，其中，該導電端子與該複數個第一導電路徑和該複數個第二導電路徑電性耦接。
如請求項8所述的半導體裝置，其中，該半導體裝置還包括：<br/> 複數個第一介電層，用於將相鄰的第一導電路徑分隔開；以及<br/> 複數個第二介電層，用於將相鄰的第二導電路徑分隔開；<br/> 其中，該複數個第一介電層和該複數個第二介電層呈第二交錯排列。
如請求項8所述的半導體裝置，其中，該半導體裝置還包括：<br/> 環繞該損傷檢測結構的封裝環。
如請求項8所述的半導體裝置，其中，該第一半導體組件的第一邊緣垂直重疊該第二半導體組件的第二邊緣。
如請求項8所述的半導體裝置，其中，在俯視圖中，該第二半導體組件的第二邊緣環繞該第一半導體組件的第一邊緣。
一種半導體裝置，包括：<br/> 第一堆疊結構，包括第一半導體組件和第二半導體組件；以及<br/> 損傷檢測結構，設置於該第一堆疊結構的邊緣區域中且包括第一導電路徑；<br/> 其中，該第一導電路徑以鋸齒形狀連續環繞該第一半導體組件的第一有源區域和該第二半導體組件的第二有源區域。
如請求項15所述的半導體裝置，其中，該鋸齒形狀包括鄰接於該第一半導體組件的第一有源區域的複數個倒V形狀和鄰接於該第二半導體組件的第二有源區域的複數個V形狀。
如請求項16所述的半導體裝置，其中，在頂視圖中，該複數個倒V形狀中的每一個位於兩個V形狀之間。
如請求項15所述的半導體裝置，其中，該半導體裝置還包括：<br/> 位於該第一堆疊結構下方的基板；以及<br/> 位於該基板上方並包括第三半導體組件和第四半導體組件的第二堆疊結構，<br/> 其中，該損傷檢測結構進一步包括：<br/> 環繞該第三半導體組件的第三有源區域和該第四半導體組件的第四有源區域的第二導電路徑；以及<br/> 位於該基板中並用於將該第二導電路徑與該第一導電路徑電性耦接的第三導電路徑。
如請求項15所述的半導體裝置，其中，該第一導電路徑包括導電通孔和導電墊。
一種半導體裝置，包括： <br/>一半導體基板； <br/>一閘極結構，位於該半導體基板上； <br/>一阻障結構，位於該半導體基板上，該阻障結構包括一第一阻障層、一第二阻障層與一第三阻障層，該第一阻障層包覆該閘極結構，該第二阻障層位於該第一阻障層與該第三阻障層之間； <br/>一接觸結構，位於該阻障結構的一側，且延伸至並接觸該半導體基板，其中該接觸結構的寬度由該接觸結構的一頂端往該接觸結構的一底端逐漸減少，該半導體基板具有位於該閘極結構下的一第一頂面、位於該第二阻障層與該第三阻障層下的一第二頂面以及位於該接觸結構下的一凹狀面，且該第一頂面高於該第二頂面，該第二頂面高於該凹狀面；以及 <br/>一襯層，位於該阻障結構與該接觸結構之間，其中該襯層的寬度由該襯層的頂端往底端逐漸減少。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該閘極結構與該接觸結構之間沿一水平方向的距離大於等於25.4奈米。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該閘極結構包括一第一閘極與位於該第一閘極上的第二閘極，且該襯層沿一水平方向的一投影與該第一閘極的底部重疊。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該第三阻障層的底部通過該襯層與該半導體基板之間的位置而超出該襯層的外側壁並延伸至該接觸結構。
如請求項1所述之半導體裝置，更包括: <br/>一閘極介電層，位於該閘極結構與該半導體基板之間，且位於該阻障結構與該半導體基板之間。
如請求項5所述之半導體裝置，更包括: <br/>一覆蓋層，位於該阻障結構與該襯層上並鄰接該接觸結構的側壁，其中該覆蓋層的寬度由該覆蓋層的頂面往底面逐漸增加。
一種半導體裝置的製造方法，包括: <br/>形成一閘極結構於一半導體基板上； <br/>形成一阻障結構包覆該閘極結構； <br/>形成一襯層於該半導體基板上；以及 <br/>使用一電漿蝕刻氣體對該襯層與該半導體基板執行一電漿蝕刻以形成一開口，並使該半導體基板具有一凹狀面，其中該電漿蝕刻氣體包括氧氣，該電漿蝕刻在該襯層與該阻障結構之間具有選擇比，該開口的寬度由該開口的一頂部往一底部逐漸減少，且該襯層沿一水平方向的一投影與該閘極結構重疊。
如請求項7所述之半導體裝置的製造方法，其中該電漿蝕刻氣體的流動速度在165sccm至175sccm的範圍中。
如請求項7所述之半導體裝置的製造方法，其中該電漿蝕刻的射頻功率在2250W至2750W的範圍中。
如請求項7所述之半導體裝置的製造方法，更包括: <br/>形成一接觸結構於該開口中，使該接觸結構接觸該半導體基板，其中該接觸結構的寬度由該接觸結構的一頂端往一底端逐漸減少。
一種用於多核心圖形處理器的任務處理方法，包括以下步驟： <br/> 在所述多核心圖形處理器處理第一任務的過程中，基於第一核心的當前處理能力和所述第一任務中已分配到各個核心的已分配子任務的數量，從所述第一任務中確定所述第一核心的目標子任務；所述第一核心為所述多核心中的一個；<br/> 藉由所述第一核心，獲取所述目標子任務並處理；<br/> 所述任務處理方法還包括以下步驟：<br/> 接收來自中央處理器下發的所述第一任務；所述第一任務中包括所述第一任務的子任務總數。
如請求項1所述之任務處理方法，其中，所述多核心圖形處理器包括任務計數模組，所述各個核心的已分配子任務的數量藉由所述任務計數模組的計數值進行確定。
如請求項2所述之任務處理方法，其中，所述從所述第一任務中確定所述第一核心的目標子任務，包括以下步驟：<br/> 藉由所述第一核心，向所述任務計數模組發送子任務獲取指令；所述子任務獲取指令中包括所述第一核心的所述當前處理能力，所述當前處理能力用可處理的子任務的數量表徵；<br/> 藉由所述任務計數模組回應所述子任務獲取指令，將所述計數值發送至所述第一核心；<br/> 藉由所述第一核心，根據所述計數值和所述當前處理能力，從所述第一任務中的未分配子任務中確定所述目標子任務。
如請求項3所述之任務處理方法，其中，所述任務處理方法還包括以下步驟：藉由所述任務計數模組將所述計數值增加所述可處理的子任務的數量，得到更新後的計數值。
如請求項3所述之任務處理方法，其中，所述向所述任務計數模組發送子任務獲取指令，包括以下步驟：<br/> 在接收到來自所述中央處理器的子任務獲取指示資訊的情況下，向所述任務計數模組發送所述子任務獲取指令。
如請求項3所述之任務處理方法，其中，所述向所述任務計數模組發送子任務獲取指令，包括以下步驟：<br/> 在所述第一核心內的第一數量個子任務被處理完成的情況下，向所述任務計數模組發送所述子任務獲取指令；所述可處理的子任務的數量為所述被處理完成的第一數量個子任務的數量。
如請求項3所述之任務處理方法，其中，所述向所述任務計數模組發送子任務獲取指令，包括以下步驟：<br/> 在與上一次發送子任務獲取指令之間的時間間隔大於或者等於預設獲取時間間隔，且所述可處理的子任務的數量大於0的情況下，向所述任務計數模組發送所述子任務獲取指令；所述可處理的子任務的數量為上一次發送任務獲取指令之後處理完成的子任務的數量。
如請求項3所述之任務處理方法，其中，所述根據所述計數值和所述當前處理能力，從所述第一任務中的未分配子任務中確定所述目標子任務，包括以下步驟：<br/> 在所述計數值小於所述第一任務的子任務總數的情況下，根據所述計數值和所述可處理的子任務的數量，確定所述目標子任務的目標任務標識； <br/> 將所述未分配子任務中與所述目標任務標識對應的子任務，確定為所述目標子任務。
如請求項8所述之任務處理方法，其中，所述第一任務的子任務包括任務標識；所述任務標識的順序用於表徵所述第一任務的子任務的分配順序；所述根據所述計數值和所述可處理的子任務的數量，確定所述目標子任務的目標任務標識，包括以下步驟：<br/> 根據所述計數值確定所述目標任務標識中的起始標識，按照所述分配順序，依次獲取所述可處理的子任務的數量個任務標識，作為所述目標任務標識。
如請求項3所述之任務處理方法，其中，所述根據所述計數值和所述當前處理能力，從所述第一任務中的未分配子任務中確定所述目標子任務，包括以下步驟：<br/> 在所述計數值大於或者等於所述第一任務的子任務總數的情況下，確定所述未分配子任務的數量為0，且所述目標子任務不存在。
如請求項3所述之任務處理方法，其中，所述任務處理方法還包括以下步驟：<br/> 所述任務計數模組在接收到來自多個核心的多個子任務獲取指令的情況下，按照所述子任務獲取指令中可處理的子任務的數量進行排序，得到回應順序；根據所述回應順序依次回應所述子任務獲取指令。
如請求項1至11中任一項所述之任務處理方法，其中，所述任務處理方法還包括以下步驟：<br/> 藉由所述第一核心，在所述第一核心的子任務全部處理完成的情況下，向所述中央處理器回饋空閒資訊。
如請求項2所述之任務處理方法，其中，所述任務處理方法還包括以下步驟：<br/> 藉由所述任務計數模組，回應來自所述中央處理器的清零指令，將所述計數值清零。
如請求項9所述之任務處理方法，其中，所述任務標識藉由64位整數表徵。
如請求項2所述之任務處理方法，其中，所述任務計數模組位於所述多核心圖形處理器的記憶體中。
一種多核心圖形處理器，其包括： <br/> 第一核心，被配置為在所述多核心圖形處理器處理第一任務的過程中，基於所述第一核心的當前處理能力和所述第一任務中已分配到各個核心的已分配子任務的數量，從所述第一任務中確定所述第一核心的目標子任務；所述第一核心為所述多核心中的一個；<br/> 所述第一核心，還被配置為獲取所述目標子任務並處理；<br/> 所述第一核心，還被配置為接收來自中央處理器下發的所述第一任務；所述第一任務中包括所述第一任務的子任務總數。
一種電子設備，其包括如請求項16所述之多核心圖形處理器。
一種電腦可讀儲存媒體，其上儲存有電腦程式，所述電腦程式被處理器執行時，實現如請求項1至15中任一項所述的任務處理方法中的步驟。
一種資料處理方法，包括：資料處理裝置獲取第一指令，所述第一指令用於指示顯示與應用相關的客戶端頁面；所述資料處理裝置基於所述第一指令，通過Flutter框架在Flutter跨平臺側創建與Flutter視圖對應的占位基礎構建塊，所述占位基礎構建塊用於描述所述客戶端頁面的用戶介面控制項的配置資料；所述資料處理裝置按照所述配置資料，在所述應用的原生層創建平臺視圖；所述資料處理裝置在所述應用的第一主視窗的視窗佈局中嵌入所述平臺視圖的平臺視圖實例，得到第二主視窗；所述資料處理裝置通過所述應用的原生引擎渲染所述第二主視窗，在用戶介面中顯示所述客戶端頁面；所述資料處理裝置通過所述應用的原生引擎渲染所述第二主視窗，在用戶介面中顯示所述客戶端頁面，包括：所述資料處理裝置在所述占位基礎構建塊描述的配置資料表示所述Flutter跨平臺頁面遮擋所述用戶介面中所述應用的原生視圖的情況下，通過所述應用的原生層獲取所述用戶介面中原生組件的截圖，所述Flutter跨平臺側包括Flutter跨平臺頁面；所述資料處理裝置將所述用戶介面中與所述原生層對應的原生組件進行隱藏；所述資料處理裝置在所述截圖所在的圖層上疊加所述平臺視圖的圖層，得到所述Flutter跨平臺頁面；所述資料處理裝置在所述用戶介面中顯示所述Flutter跨平臺頁面。
如請求項1所述的方法，其中，所述配置資料包括所述客戶端頁面在所述用戶介面中的顯示座標資料、所述客戶端頁面中顯示內容的訪問位置資料和所述顯示內容的資料量；所述資料處理裝置基於所述第一指令，通過Flutter框架在Flutter跨平臺側創建與Flutter視圖對應的占位基礎構建塊，包括：所述資料處理裝置基於所述第一指令，通過Flutter框架在Flutter跨平臺側創建與Flutter視圖對應的初始占位基礎構建塊；所述資料處理裝置基於所述配置資料，對所述初始占位基礎構建塊進行初始化處理，得到所述占位基礎構建塊。
如請求項1所述的方法，其中，所述配置資料包括所述客戶端頁面在所述用戶介面中的顯示座標資料、所述客戶端頁面中顯示內容的訪問位置資料和所述顯示內容的資料量；所述資料處理裝置按照所述配置資料，在所述應用的原生層創建平臺視圖之前，所述方法還包括：所述資料處理裝置通過所述Flutter跨平臺側與所述應用的原生層之間的平臺通道，將目標資料傳輸到所述應用的原生層，所述目標資料包括所述配置資料；所述資料處理裝置按照所述配置資料，在所述應用的原生層創建平臺視圖，包括：所述資料處理裝置通過所述應用的原生代碼，按照所述配置資料，在所述應用的原生層創建平臺視圖。
如請求項3所述的方法，其中，所述資料處理裝置通過所述Flutter跨平臺側與所述應用的原生層之間的平臺通道，將目標資料傳輸到所述應用的原生層之前，所述方法還包括：所述資料處理裝置獲取所述配置資料的資料量；所述資料處理裝置通過所述Flutter跨平臺側與所述應用的原生層之間的平臺通道，將目標資料傳輸到所述應用的原生層，包括：所述資料處理裝置在所述配置資料的資料量小於預設資料量的情況下，通過所述Flutter跨平臺側與所述應用的原生層之間的平臺通道，將所述配置資料傳輸到所述應用的原生層。
如請求項4所述的方法，其中，所述目標資料包括存儲位置標識資料；所述方法還包括：所述資料處理裝置在所述配置資料的資料量大於或等於所述預設資料量的情況下，將所述配置資料存儲到所述Flutter跨平臺側與所述應用的原生層之間的共用空間，並生成存儲位置標識資料；所述資料處理裝置通過所述Flutter跨平臺側與所述應用的原生層之間的平臺通道，將所述存儲位置標識資料傳輸到所述應用的原生層；所述資料處理裝置通過所述應用的應用層按照所述存儲位置標識資料，從所述共用空間中提取所述配置資料。
如請求項1所述的方法，其中，所述資料處理裝置獲取第一指令之前，所述方法還包括：所述資料處理裝置顯示所述應用的第一介面，所述第一介面包括所述Flutter跨平臺側的Flutter視圖組件，所述Flutter視圖組件的實例在所述應用的第一主視窗中；所述資料處理裝置接收對所述Flutter視圖組件的第一輸入；所述資料處理裝置獲取第一指令，包括：所述資料處理裝置回應於所述第一輸入，生成所述第一指令。
如請求項6所述的方法，其中，所述資料處理裝置獲取第一指令之前，所述方法還包括：所述資料處理裝置在所述應用被啟動的情況下，通過所述Flutter框架在所述應用的原生層創建初始視窗；所述資料處理裝置在所述初始視窗的佈局方式為盒式佈局方式的情況下，將所述初始視窗的佈局方式從所述盒式佈局方式修改為堆疊佈局方式，得到所述第一主視窗。
如請求項6或7所述的方法，其中，所述方法還包括：所述資料處理裝置在所述應用被啟動的情況下，通過所述Flutter框架在所述Flutter跨平臺側創建所述Flutter視圖組件；所述資料處理裝置在第一主視窗的視窗佈局中嵌入所述Flutter視圖組件的實例。
如請求項1所述的方法，其中，所述資料處理裝置按照所述配置資料，在所述應用的原生層創建平臺視圖之後，所述方法還包括：所述資料處理裝置基於所述平臺視圖，生成與所述平臺視圖對應的平臺視圖標識；所述資料處理裝置通過所述Flutter跨平臺側與所述應用的原生層之間的平臺通道，將所述平臺視圖標識傳輸到所述占位基礎構建塊；所述資料處理裝置將所述占位基礎構建塊與所述平臺視圖標識進行關聯，得到關聯資訊，所述關聯資訊用於在獲取到第二指令的情況下，按照所述關聯資訊刪除所述第二指令中指示的占位基礎構建塊和與所述占位基礎構建塊關聯的平臺視圖標識，所述第二指令用於指示刪除所述Flutter跨平臺側的占位基礎構建塊。
如請求項1所述的方法，其中，所述方法還包括：所述資料處理裝置接收用戶對所述客戶端頁面的第二輸入，所述第二輸入用於所述客戶端頁面的身份認證；所述資料處理裝置回應於所述第二輸入，通過所述Flutter跨平臺側與所述應用的原生層之間的平臺通道，將與所述客戶端頁面的身份認證對應的業務資料傳輸到所述Flutter跨平臺側；所述資料處理裝置基於所述業務資料，通過所述Flutter跨平臺側的占位基礎構建塊進行業務邏輯處理，得到身份認證處理結果；所述資料處理裝置通過所述平臺通道，將所述身份認證處理結果傳輸到所述應用的應用層；所述資料處理裝置通過所述應用的應用層，顯示與所述身份認證處理結果對應的內容。
一種資料處理裝置，包括：獲取模組，用於獲取第一指令，所述第一指令用於指示顯示與應用相關的客戶端頁面；創建模組，用於基於所述第一指令，通過Flutter框架在Flutter跨平臺側創建與Flutter視圖對應的占位基礎構建塊，所述占位基礎構建塊用於描述所述客戶端頁面的用戶介面控制項的配置資料；所述創建模組還用於，按照所述配置資料，在所述應用的原生層創建平臺視圖；嵌入模組，用於在所述應用的第一主視窗的視窗佈局中嵌入所述平臺視圖的平臺視圖實例，得到第二主視窗；渲染模組，用於通過所述應用的原生引擎渲染所述第二主視窗，在用戶介面中顯示所述客戶端頁面；所述獲取模組還用於在所述占位基礎構建塊描述的配置資料表示所述Flutter跨平臺頁面遮擋所述用戶介面中所述應用的原生視圖的情況下，通過所述應用的原生層獲取所述用戶介面中原生組件的截圖，所述Flutter跨平臺側包括Flutter跨平臺頁面；處理模組，用於將所述用戶介面中與所述原生層對應的原生組件進行隱藏；疊加模組，用於在所述截圖所在的圖層上疊加所述平臺視圖的圖層，得到所述Flutter跨平臺頁面；顯示模組，用於在所述用戶介面中顯示所述Flutter跨平臺頁面。
一種電腦設備，所述電腦設備包括：處理器以及存儲有電腦程式指令的記憶體；所述處理器執行所述電腦程式指令時實現如請求項1至10任意一項所述的資料處理方法。
一種存儲介質，所述存儲介質上存儲有電腦程式指令，所述電腦程式指令被處理器執行時實現如請求項1至10任意一項所述的資料處理方法。
一種用以顯示物品之認證資訊之方法，其係藉由電子裝置而實行者，其包括如下步驟： <br/>自用戶終端獲得用戶對包括一個以上之物品之目錄之資訊之第1頁面的連接請求； <br/>識別與上述目錄所包括之一個以上之物品各者對應之一個以上之評論資訊； <br/>基於上述一個以上之評論資訊來選擇上述目錄所包括之一個以上之物品中之至少一個目標物品；及 <br/>以於與上述至少一個目標物品對應之上述第1頁面之區域顯示第1圖標的方式，產生用於輸出上述第1頁面之第1頁面資訊，上述第1圖標指示上述至少一個目標物品之認證；且 <br/>與上述一個以上之物品對應之上述一個以上之評論資訊各者如下： <br/>至少包括上述一個以上之物品各者的評論分數資訊； <br/>於登記有與上述評論分數資訊對應之詳細評價資訊之情形時，進而包括上述詳細評價資訊。
如請求項1之方法，其包括如下步驟： <br/>獲得用戶對第2頁面之連接請求，上述第2頁面包括上述目錄所包括之一個以上之物品中之目標物品之詳情資訊；及 <br/>以於上述第2頁面之至少一部分區域顯示第2圖標的方式，進而產生用於輸出上述第2頁面之第2頁面資訊，上述第2圖標指示上述所選擇之目標物品之認證。
如請求項2之方法，其中產生上述第2頁面資訊之步驟包括如下步驟： <br/>確認用戶對上述第2頁面之連接請求是否為基於與上述第1頁面對應之用戶輸入而獲得者；及 <br/>於用戶對上述第2頁面之連接請求係基於與上述第1頁面對應之用戶輸入而獲得之情形時，以在上述第2頁面之至少一部分區域顯示上述第2圖標之方式產生上述第2頁面資訊。
如請求項1之方法，其中選擇上述至少一個目標物品之步驟包括如下步驟： <br/>基於與上述一個以上之物品各者對應之評論資訊之個數、與上述一個以上之物品各者對應之評論分數資訊、及與上述一個以上之物品各者對應之詳細評價資訊中的至少一部分，將上述目錄所包括之一個以上之物品中之至少一部分選擇為上述目標物品。
如請求項4之方法，其中將上述目錄所包括之一個以上之物品中之至少一部分選擇為上述目標物品的步驟包括如下步驟： <br/>將上述評論資訊之個數為指定之臨界個數以上之物品選擇為上述至少一個目標物品。
如請求項5之方法，其進而包括如下步驟： <br/>算出與和上述目錄對應之一個以上之物品各者對應之評論資訊之個數；及 <br/>基於與上述一個以上之物品各者對應之評論資訊之個數來確定上述臨界個數。
如請求項5之方法，其進而包括如下步驟： <br/>算出與和上述目錄對應之一個以上之物品中之第1物品對應的類別中包括之複數個物品各者所對應之評論資訊之個數；及 <br/>基於與上述第1物品對應之類別中包括之複數個物品各者所對應之評論資訊之個數來確定上述臨界個數。
如請求項5之方法，其進而包括如下步驟： <br/>算出與基於上述用戶之購買歷史而識別出之一個以上之購買歷史物品各者對應的評論資訊之個數；及 <br/>基於與一個以上之購買歷史物品各者對應之評論資訊之個數來確定上述臨界個數。
如請求項4之方法，其中將上述目錄所包括之一個以上之物品中之至少一部分選擇為上述目標物品的步驟包括如下步驟： <br/>將基於上述評論分數資訊而算出之物品之平均評論分數為指定之臨界分數以上的物品選擇為上述至少一個目標物品。
如請求項9之方法，其進而包括如下步驟： <br/>算出與和上述目錄對應之一個以上之物品各者對應之平均評論分數；及 <br/>基於與上述一個以上之物品各者對應之平均評論分數來確定上述臨界分數。
如請求項9之方法，其進而包括如下步驟： <br/>算出與基於上述用戶之購買歷史而識別出之一個以上之購買歷史物品各者對應的平均評論分數；及 <br/>基於與一個以上之購買歷史物品各者對應之平均評論分數來確定上述臨界分數。
如請求項9之方法，其進而包括如下步驟： <br/>算出與和上述目錄對應之一個以上之物品中之第1物品對應的類別中包括之複數個物品各者所對應之平均評論分數；及 <br/>基於與上述第1物品對應之類別中包括之複數個物品各者所對應之平均評論分數來確定上述臨界分數。
如請求項12之方法，其進而包括如下步驟： <br/>於與上述複數個物品各者對應之平均評論分數未達指定之臨界分數之情形時， <br/>以在與上述第1圖標對應之上述第1頁面之一部分區域進而顯示第3圖標之方式產生上述第1頁面資訊，上述第3圖標指示上述物品之認證之詳細資訊。
如請求項4之方法，其中將上述目錄所包括之一個以上之物品中之至少一部分選擇為上述目標物品之步驟包括如下步驟： <br/>於上述評論資訊之個數為指定之臨界個數以上之物品中，按照平均評論分數由高及低之順序以指定之選擇個數選擇目標物品。
如請求項14之方法，其進而包括如下步驟： <br/>基於第1購買率與第2購買率之比較結果來確定上述選擇個數，上述第1購買率係於將上述選擇個數設為第1個數來提供上述第1頁面之情形時上述用戶購買上述目標物品之比率，上述第2購買率係於將上述選擇個數設為第2個數來提供上述第1頁面之情形時上述用戶購買上述目標物品之比率。
如請求項4之方法，其中將上述目錄所包括之一個以上之物品中之至少一部分選擇為上述目標物品的步驟包括如下步驟： <br/>基於與上述一個以上之物品各者對應之一個以上之評論資訊中評論分數資訊為指定之臨界分數以上的評論資訊之個數來選擇上述目標物品。
如請求項1之方法，其進而包括如下步驟： <br/>基於已識別出之上述一個以上之評論資訊各者所包括之詳細評價資訊，算出與上述一個以上之評論資訊各者對應之物品之關聯度；及 <br/>刪除上述關聯度未達指定之臨界關聯度之評論資訊。
如請求項1之方法，其進而包括如下步驟： <br/>算出與已識別出之上述一個以上之評論資訊各者對應之編寫者之可靠度；及 <br/>刪除上述一個以上之評論資訊中與上述可靠度未達指定之臨界可靠度之編寫者對應之評論資訊。
一種電子裝置，其包括： <br/>一個以上之處理器； <br/>一個以上之記憶體，其儲存有藉由上述一個以上之處理器執行之命令；且上述電子裝置以如下方式構成： <br/>於藉由上述一個以上之處理器執行上述命令時，上述一個以上之處理器執行如請求項1至18中任一項之方法。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有於藉由一個以上之處理器執行時使上述一個以上之處理器實行動作之命令，且 <br/>上述命令以如下方式構成：使上述一個以上之處理器執行如請求項1至18中任一項之方法。
一種吸水性樹脂的製造方法，包含：<br/> 對一吸水性樹脂組成物進行一自由基聚合反應，以獲得一凝膠體，其中該吸水性樹脂組成物包含一不飽和單體水溶液、一聚合反應引發劑及一自由基聚合反應交聯劑；<br/> 利用一絞碎機剪切該凝膠體，以獲得複數個吸水性樹脂顆粒，其中該絞碎機的一出料口包含一刀片及一孔盤，該刀片與該孔盤相隔一間距，該間距為0.01 mm至0.09 mm，該刀片之一截面為一平行四邊形，該孔盤包含複數個孔洞，該些孔洞之每一者具有一孔徑，且該孔徑為10 mm至20 mm；以及<br/> 對該些吸水性樹脂顆粒進行一表面交聯反應，以獲得該吸水性樹脂。
如請求項1所述之吸水性樹脂的製造方法，其中該平行四邊形具有在一第一方向上互相平行的一第一邊長與一第二邊長，該第一邊長與該第二邊長在相同側的端點分別為一第一端點與一第二端點，該第一邊長等於一第一長度與一第二長度的和，該第一長度為該第一邊長的該第一端點與該第二邊長的該第二端點在該第一方向上相隔的一距離，且該第一長度與該第二長度的一比值為0.1至0.8。
如請求項2所述之吸水性樹脂的製造方法，其中該平行四邊形具有與該第一邊長交於該第一端點的一相鄰邊，該第一邊長與一相鄰邊之間具有一夾角，且該夾角的一正切值為0.1至0.9。
如請求項2所述之吸水性樹脂的製造方法，其中該第一長度為40 mm至120 mm，且該第二長度為190 mm至210 mm。
如請求項1所述之吸水性樹脂的製造方法，其中該絞碎機的一比機械能為25 kWh/t至65 kWh/t。
如請求項1所述之吸水性樹脂的製造方法，其中在進行該表面交聯反應之前，更包含：<br/> 對該些吸水性樹脂顆粒添加一表面交聯劑及一鋁鹽化合物。
如請求項6所述之吸水性樹脂的製造方法，其中基於該吸水性樹脂顆粒為100 wt%，該鋁鹽化合物的一添加量為0.1 wt%至1.0 wt%。
如請求項6所述之吸水性樹脂的製造方法，其中該鋁鹽化合物包含硫酸鋁、乳酸鋁、檸檬酸鋁或前述之任意組合。
一種吸水性樹脂，係由如請求項1至8中之任一項所述之製造方法所製得。
一種記憶體電路，其包含：<br/> 一記憶體單元陣列，其用以儲存權重信號之一第一集合或權重信號之一第二集合，權重信號之該第二集合相對於權重信號之該第一集合進行轉置；<br/> 一乘法累加(MAC)電路，其耦接至該記憶體單元陣列，並用以回應於輸入資料之一集合與權重信號之該第一集合或權重信號之該第二集合中之一者而產生資料之一第一集合；<br/> 一第一驅動器電路，其耦接至該記憶體單元陣列，並用以回應於由一第一啟動信號啟動，將權重信號之該第二集合寫入至該記憶體單元陣列；及<br/> 一第二驅動器電路，其耦接至該記憶體單元陣列，並用以回應於由一第二啟動信號啟動，將權重信號之該第一集合寫入至該記憶體單元陣列，該第二啟動信號與該第一啟動信號反向。
如請求項1所述之記憶體電路，其中該記憶體單元陣列包含：<br/> 雙埠記憶體單元之一陣列，雙埠記憶體單元之該陣列中之各雙埠記憶體單元組態為：<br/> 回應於該第一驅動器電路經啟動的一雙埠記憶體單元，或<br/> 回應於該第二驅動器電路經啟動的一單埠記憶體單元。
如請求項2所述之記憶體電路，其進一步包含：<br/> 導體之一第一集合，其在一第一方向上延伸，並耦接至該記憶體單元陣列；<br/> 導體之一第二集合，其在該第一方向上延伸，並耦接至該記憶體單元陣列；<br/> 導體之一第三集合，其在一第二方向上延伸，並耦接至該記憶體單元陣列，該第二方向不同於該第一方向；<br/> 導體之一第四集合，其在該第二方向上延伸，並耦接至該記憶體單元陣列；<br/> 導體之一第五集合，其在該第一方向上延伸，並耦接至該記憶體單元陣列；及<br/> 導體之一第六集合，其在該第二方向上延伸，並耦接至該記憶體單元陣列。
如請求項3所述之記憶體電路，其中雙埠記憶體單元之該陣列中之各雙埠記憶體單元包含：<br/> 一第一反向器，其耦接至一第一儲存節點；<br/> 一第二反向器，其耦接至一第二儲存節點及該第一反向器；<br/> 一第一通道閘電晶體，其耦接至導體之該第三集合中之一第一導體、該第一儲存節點、該第一反向器、及導體之該第五集合中之一第一導體；<br/> 一第二通道閘電晶體，其耦接至導體之該第四集合中之一第一導體、該第二儲存節點、該第二反向器、及導體之該第五集合中之該第一導體；<br/> 一第三通道閘電晶體，其耦接至導體之該第一集合中之一第一導體、該第二反向器、及導體之該第六集合中之一第一導體；及<br/> 一第四通道閘電晶體，其耦接至導體之該第二集合中之一第一導體、該第一反向器、及導體之該第六集合中之該第一導體。
如請求項4所述之記憶體電路，其中<br/> 雙埠記憶體單元之該陣列中之各雙埠記憶體單元組態為回應於該第一驅動器電路經啟動的該雙埠記憶體單元，而非回應於該第二驅動器電路經啟動的該單埠記憶體單元；<br/> 導體之該第一集合中之該第一導體組態為一寫入位元線；<br/> 導體之該第二集合中之該第一導體組態為一寫入位元線棒；<br/> 導體之該第三集合中之該第一導體組態為一讀取位元線棒；<br/> 導體之該第四集合中之該第一導體組態為一讀取位元線；<br/> 導體之該第五集合中之該第一導體組態為一讀取字元線；及<br/> 導體之該第六集合中之該第一導體組態為一寫入字元線。
一種記憶體電路，其包含：<br/> 一第一記憶體單元陣列，其用以儲存權重信號之一第一集合或權重信號之一第二集合，權重信號之該第二集合相對於權重信號之該第一集合進行轉置；<br/> 一第一乘法累加(MAC)電路，其耦接至該第一記憶體單元陣列，並用以回應於輸入資料之一第一集合與權重信號之該第一集合或權重信號之該第二集合中之一者而產生資料之一第一集合；<br/> 一第一驅動器電路，其耦接至該第一記憶體單元陣列，並用以回應於由一第一啟動信號啟動而將權重信號之該第二集合寫入至該第一記憶體單元陣列，該第一驅動器電路用以回應於該第一啟動信號而經啟動或禁用；<br/> 一第二驅動器電路，其耦接至該第一記憶體單元陣列，並用以回應於由一第二啟動信號啟動而將權重信號之該第一集合寫入至該第一記憶體單元陣列，該第二啟動信號與該第一啟動信號反向，該第二驅動器電路用以回應於該第二啟動信號而經啟動或禁用；及<br/> 一讀取電路，其耦接至該第一記憶體單元陣列及該第一乘法累加電路，並用以回應於由一第三啟動信號啟動而讀取該第一記憶體單元陣列。
如請求項6所述之記憶體電路，其中該第一驅動器電路包含：<br/> 一第一電路，其耦接至該第一記憶體單元陣列，且該第一電路包含：<br/> 該第一電路之一第一輸入端子，其用以接收權重信號之該第一集合；<br/> 該第一電路之一第一輸出端子，其用以回應於該第一電路經啟動而輸出權重信號之該第二集合；及<br/> 一第一電壓供應節點；及<br/> 一第一電晶體，其耦接在該第一電路之該第一電壓供應節點與一第一電壓供應之間，<br/> 其中該第一電路用以進行權重信號之該第二集合相對於權重信號之該第一集合之轉置。
如請求項7所述之記憶體電路，其中該第一電晶體包含：<br/> 該第一電晶體之一第一源極，其耦接至該第一電壓供應；<br/> 該第一電晶體之一第一閘極，其用以接收該第一啟動信號；及<br/> 該第一電晶體之一第一汲極，其與該第一電路之該第一電壓供應節點耦接。
如請求項8所述之記憶體電路，其中該第二驅動器電路包含：<br/> 一第二電路，其耦接至該第一記憶體單元陣列，且該第二電路包含：<br/> 該第二電路之一第一輸入端子，其用以接收權重信號之該第一集合；<br/> 該第二電路之一第一輸出端子，其用以回應於該第二電路經啟動而輸出權重信號之該第一集合；及<br/> 一第二電壓供應節點；及<br/> 一第二電晶體，其耦接在該第二電路之該第二電壓供應節點與該第一電壓供應之間。
一種操作一記憶體電路的方法，該方法包含以下步驟：<br/> 由一第一驅動器電路及一第二驅動器電路接收權重信號之一第一集合；<br/> 由該第一驅動器電路接收一第一啟動信號，該第一驅動器電路用以回應於該第一啟動信號而經啟動或禁用；<br/> 由該第二驅動器電路接收一第二啟動信號，該第二驅動器電路用以回應於該第二啟動信號而經啟動或禁用，該第二啟動信號與該第一啟動信號反向；<br/> 回應於該第一啟動信號及該第二啟動信號，將一記憶體單元陣列中之一第一記憶體單元組態為一多埠記憶體單元或一單埠記憶體單元；<br/> 執行該記憶體單元陣列之一寫入操作，該執行該記憶體單元陣列之該寫入操作之步驟包含以下步驟：<br/> 由該第一驅動器電路回應於該第一啟動信號而寫入權重信號之一第二集合，或<br/> 由該第二驅動器電路回應於該第二啟動信號而寫入權重信號之該第一集合，權重信號之該第二集合相對於權重信號之該第一集合進行轉置；及<br/> 回應於由該第二啟動信號啟動，由一讀取電路執行該記憶體單元陣列之一讀取操作。
一種自行車零件之製造方法，包括以下步驟：<br/> 在一自行車零件主體上形成至少一待黏貼區塊，該至少一待黏貼區塊之材質係為塑料，該至少一待黏貼區塊包含有一待加工表面；<br/> 對該待加工表面進行等離子處理以活化得到一黏合表面，該黏合表面之表面能係大於該待加工表面之表面能；及<br/> 一降溫步驟，當該至少一待黏貼區塊之表面進行等離子處理後，該自行車零件主體會靜置一預定時間，令該黏合表面的溫度係介於20度至60度之間；<br/> 令至少一黏貼物覆設貼合於該黏合表面。
如請求項1所述的自行車零件之製造方法，其中該預定時間介於1分鐘至10分鐘之間。
如請求項1所述的自行車零件之製造方法，另包含有一上膠步驟，將一膠體設於該黏合表面後，一貼合步驟，再將該至少一黏貼物貼覆於該黏合表面。
如請求項1所述的自行車零件之製造方法，另包含有一壓合步驟，施以一作用力予該黏合表面上的該至少一黏貼物。
如請求項1所述的自行車零件之製造方法，其中該待加工表面每1平方公厘進行等離子處理的時間為0.5秒至5秒之間。
如請求項1所述的自行車零件之製造方法，其中以5×5µm區域進行微觀檢測，該黏合表面之平均粗糙度與該待加工表面之平均粗糙度的比值係介於0.2至0.6之間。
如請求項1至6其中任一項所述的自行車零件之製造方法，其中該待加工表面包含有複數纖維條及複數延伸突部，該複數纖維條相互交疊，該複數延伸突部設於該複數纖維條；該黏合表面包含有該複數纖維條與該複數延伸突部相互結合質變而成的一融合面、複數突起部與複數凹部，該複數突起部凸設於該融合面，該複數凹部凹設於該融合面。
如請求項7所述的自行車零件之製造方法，其中複數該突起部之數量係大於複數該延伸突部之數量。
如請求項2所述的自行車零件之製造方法，另包含有一上膠步驟、貼合步驟及一壓合步驟，將一膠體設於該黏合表面後，再將該至少一黏貼物貼覆於該黏合表面，施以一作用力予貼合於該黏合表面上的該至少一黏貼物；該待加工表面每1平方公厘進行等離子處理的時間為0.5秒至5秒之間；以5×5µm區域進行微觀檢測，該黏合表面之平均粗糙度與該待加工表面之平均粗糙度的比值係介於0.2至0.6之間；該待加工表面包含有複數纖維條及複數延伸突部，該複數纖維條相互交疊，該複數延伸突部設於該複數纖維條；該黏合表面包含有該複數纖維條與該複數延伸突部相互結合質變而成的一融合面、複數突起部與複數凹部，該複數突起部凸設於該融合面，該複數凹部凹設於該融合面；複數該突起部之數量係大於複數該延伸突部之數量；該黏合表面之表面能係該待加工表面之表面能至少2倍以上；經過該降溫步驟，該黏合表面的溫度係介於20度至60度之間；該預定時間較佳係3分鐘至7分鐘之間；該自行車零件主體是踏板，該至少一黏貼物是防滑墊。
一種溫度控制閥，包括：<br/> 一閥體，包括一第一流體入口、一第二流體入口、一流體出口、一第一流道及一第二流道，該第一流道與該第二流道位於該閥體的內部，該第一流道連通於該第一流體入口與該流體出口，該第二流道連通於該第二流體入口與該流體出口；以及<br/> 一溫感調節件，設置於該閥體內部且位於該第一流道與該第二流道之間，該溫感調節件響應該第一流道內的溫度大於該第二流道內的溫度而朝該第二流道方向彎曲，使該第一流道內的體積大於該第二流道內的體積；<br/> 其中，該溫感調節件包括一擺臂，該擺臂的一樞接端樞設於該閥體，該擺臂響應該第一流道內的流量大於該第二流道內的流量而以該樞接端為支點朝該第二流道方向旋擺。
如請求項1所述之溫度控制閥，其中該溫感調節件包括彼此相連之一第一溫感變形體與一第二溫感變形體。
如請求項2所述之溫度控制閥，其中該第一溫感變形體的熱膨脹係數不同於該第二溫感變形體的熱膨脹係數。
如請求項2所述之溫度控制閥，其中該第一溫感變形體與該第二溫感變形體為金屬片且彼此堆疊設置。
一種液冷散熱系統，包括：<br/> 一第一液冷頭，具有一第一入液口與一第一出液口；<br/> 一第二液冷頭，具有一第二入液口與一第二出液口；<br/> 一管路組，包括一第一入液管、一第一出液管、一第二入液管及一第二出液管，該第一入液管連接於該第一入液口，該第二入液管連接於該第二入液口；以及<br/> 如請求項1至4中任一項所述之溫度控制閥，該管路組之該第一出液管連接於該第一出液口與該溫度控制閥之該閥體的該第一流體入口，該管路組之該第二出液管連接於該第二出液口與該閥體之該第二流體入口。
如請求項5所述之液冷散熱系統，其中該第一液冷頭連接一第一發熱件，該第二液冷頭連接一第二發熱件。
如請求項6所述之液冷散熱系統，其中該第一發熱件與該第二發熱件皆為擴充卡模組。
如請求項5所述之液冷散熱系統，更包括一散熱模組，該管路組包括一第一連接管，該第一連接管連接於該閥體之該流體出口與該散熱模組，該管路組之該第一入液管與該第二入液管連接於該散熱模組。
如請求項8所述之液冷散熱系統，更包括一分流閥，具有一入液閥口、一第一出液閥口及一第二出液閥口，該管路組包括一第二連接管，該第二連接管連接於該分流閥之該入液閥口與該散熱模組，該管路組之該第一入液管與該第二入液管分別連接於該第一出液閥口與該第二出液閥口。
一種具有自動切換基本輸入輸出系統功能的顯示卡，包含： <br/>一電路板； <br/>一處理晶片，設置於該電路板； <br/>多個基本輸入輸出系統晶片，設置於該電路板； <br/>一風扇連接埠，設置於該電路板；以及 <br/>一切換電路，設置於該電路板，電性連接於該風扇連接埠及該些基本輸入輸出系統晶片，且用於根據該風扇連接埠的電位控制該些基本輸入輸出系統晶片與該處理晶片之間的導通狀態。
如請求項1所述的具有自動切換基本輸入輸出系統功能的顯示卡，其中該風扇連接埠包含第一連接端及第二連接端，且該切換電路包含一電壓接收端及多個切換元件，該電壓接收端電性連接於該第一連接端且用於接收一固定電壓，該些切換元件電性連接於該第二連接端、該些基本輸入輸出系統晶片及該處理晶片。
如請求項2所述的具有自動切換基本輸入輸出系統功能的顯示卡，其中該些基本輸入輸出系統晶片包含第一晶片及第二晶片，當該第二連接端具有固定電位時，該些切換元件導通該第一晶片與該處理晶片，當該第二連接端具有浮動電位時，該些切換元件導通該第二晶片與該處理晶片，且該第一晶片的基本輸入輸出系統的處理速度高於該第二晶片的基本輸入輸出系統的處理速度。
如請求項3所述的具有自動切換基本輸入輸出系統功能的顯示卡，其中該第一晶片為渦輪基本輸入輸出系統晶片。
如請求項2所述的具有自動切換基本輸入輸出系統功能的顯示卡，其中該些基本輸入輸出系統晶片包含第一晶片及第二晶片，且該些切換元件包含： <br/>一第一切換元件，該第一切換元件的第一端用於接收一第一固定電壓，該第一切換元件的第二端用於接收一第二固定電壓，且該第一切換元件的控制端電性連接於該風扇連接埠的該第二連接端； <br/>一第二切換元件，該第二切換元件的第一端電性連接於該第一晶片，該第二切換元件的第二端電性連接於該處理晶片，且該第二切換元件的控制端電性連接於該風扇連接埠的該第二連接端；以及 <br/>一第三切換元件，該第三切換元件的第一端電性連接於該第二晶片，該第三切換元件的第二端電性連接於該處理晶片，且該第三切換元件的控制端電性連接於該第一切換元件的該第一端。
如請求項5所述的具有自動切換基本輸入輸出系統功能的顯示卡，其中該些切換元件更包含一第四切換元件，該第四切換元件的第一端電性連接於該第一晶片，該第四切換元件的第二端用於電性連接於一通用型之輸入輸出埠，且該第四切換元件的控制端電性連接於該風扇連接埠的該第二連接端。
如請求項5所述的具有自動切換基本輸入輸出系統功能的顯示卡，其中該第二晶片包含一第一子晶片及一第二子晶片，該第三切換元件的該第一端電性連接於該第一子晶片，該些切換元件更包含一第五切換元件，該第五切換元件的第一端電性連接於該第二子晶片，該第五切換元件的第二端用於電性連接於一通用型之輸入輸出埠，且該第五切換元件的控制端電性連接於該第一切換元件的該第一端。
如請求項1所述的具有自動切換基本輸入輸出系統功能的顯示卡，其中該些基本輸入輸出系統晶片包含第一晶片及第二晶片，當該風扇連接埠的該電位指示風扇連接時，該切換電路導通該第一晶片與該處理晶片，當該風扇連接埠的該電位指示風扇未連接時，該切換電路導通該第二晶片與該處理晶片，且該第一晶片的基本輸入輸出系統的處理速度高於該第二晶片的基本輸入輸出系統的處理速度。
如請求項8所述的具有自動切換基本輸入輸出系統功能的顯示卡，其中該第一晶片為渦輪基本輸入輸出系統晶片。
如請求項1所述的具有自動切換基本輸入輸出系統功能的顯示卡，其中該風扇連接埠包含第一連接端及第二連接端，該顯示卡更包含： <br/>一風扇，具有分別對應於該第一連接端及該第二連接端的一第三連接端及一第四連接端，該第三連接端與該第四連接端彼此電性連接，且該第三連接端及該第四連接端連接於該第一連接端及該第二連接端以使該第二連接端具有一固定電位。
一種複合型碳纖維線材，其包含：<br/> 一碳纖維線，其係由複數純碳材質的碳纖維束聚集而成；<br/> 一保護層，其利用一樹脂圈圍披覆於該碳纖維線之外表面，束合該碳纖維線；<br/> 一潤滑層，其具有複數潤滑粒子附著於該保護層之外表面，<br/> 其中，該碳纖維線之直徑與該保護層之厚度比值介於0.5：1至4：1之間。
如請求項1所述之複合型碳纖維線材，其中，該樹脂為熱塑性材料。
如請求項1所述之複合型碳纖維線材，其中，該樹脂選自於由聚丙烯、聚碳酸酯、聚醚醚酮及尼龍所組成之群組。
如請求項1所述之複合型碳纖維線材，其中，該些潤滑粒子為硬脂酸鈣。
如請求項1所述之複合型碳纖維線材，其中，該碳纖維線之直徑與該保護層之厚度比值為1：1。
一種複合型碳纖維線材的製備方法，其包含以下步驟：<br/> 一拉線步驟：利用一線材輸出機台將一碳纖維線拉直輸出，該碳纖維線係由複數純碳材質的碳纖維束聚集而成；<br/> 一保護層形成步驟：利用一披覆模具接收該碳纖維線，再將熔融狀態的一樹脂披覆於該碳纖維線之外表面形成一保護層；<br/> 一冷卻步驟：利用一冷卻裝置將披覆於該碳纖維線且成熔融狀態的樹脂進行降溫，固化該保護層；<br/> 一潤滑成形步驟：利用一潤滑裝置將完成冷卻的該碳纖維線浸泡於該潤滑裝置中之一潤滑液中後取出；<br/> 一烘乾步驟：利用一烘乾工具將該碳纖維線進行烘乾，使附著於該保護層表面的潤滑液乾燥，而使複數潤滑粒子附著於該保護層之外表面而形成一潤滑層，<br/> 其中，該碳纖維線之直徑與該保護層之厚度比值介於0.5：1至4：1之間。
如請求項6所述之複合型碳纖維線材的製備方法，其中，該保護層形成步驟更包含有以下步驟：<br/> 一熔融步驟：先將固態的該樹脂從一下料斗進入一螺桿機筒中，使該樹脂開始進行熔融；<br/> 一披覆步驟：利用該披覆模具將熔融狀態的該樹脂完整圈圍披覆於該碳纖維線之外表面，束合該碳纖維線。
如請求項7所述之複合型碳纖維線材的製備方法，其中，該保護層形成步驟使用之樹脂為熱塑性材料。
如請求項6所述之複合型碳纖維線材的製備方法，其中，該樹脂選自於由聚丙烯、聚碳酸酯、聚醚醚酮及尼龍所組成之群組。
如請求項6所述之複合型碳纖維線材的製備方法，其中，該潤滑成形步驟更包含有以下步驟：<br/> 一調配溶液步驟：該潤滑液之材料包含有硬脂酸鈣，並配製潤滑液中硬脂酸鈣佔整體潤滑液之重量百分濃度的比例至30%~80%；<br/> 一液體浸泡步驟：將完成冷卻的該碳纖維線浸泡於該潤滑液中後取出。
如請求項6所述之複合型碳纖維線材的製備方法，其中，於該烘乾步驟完成後，更具有一收捲步驟，利用一收捲機台拉動且引導完成製程之該碳纖維線進行收捲於一繞線盤；該碳纖維線以連續式線性的製程順序，依序通過該線材輸出機台、該披覆模具、該冷卻裝置、該潤滑裝置、該烘乾工具以及該收捲機台。
一種閉鎖勾，包括： <br/>一勾本體，包括依序相連的一勾部、一樞接段與一基部；該勾部具有一第一自由端；該樞接段具有一第一樞接部與一第二樞接部； <br/>一鎖扣，於中間具有一抵部且兩端分別具有一鎖扣樞接部與一第二自由端，該鎖扣樞接部樞接於該第一樞接部而令該鎖扣可於一第一位置與一第二位置之間樞擺；該鎖扣於該第一位置時，該第二自由端抵接於該第一自由端；以及 <br/>一開關元件，樞接於該第二樞接部而可於一第三位置與一第四位置之間樞擺；該開關元件具有二側臂與連接於該二側臂一端之間的一連接臂，該二側臂連接於該連接臂的部分與該連接臂共同形成一限位面；該開關元件於該第三位置時，該限位面位於該抵部隨該鎖扣由該第一位置樞擺至該第二位置的路徑上，藉以在該鎖扣由該第一位置往該第二位置樞擺之初即抵接於該抵部以阻擋該鎖扣的樞擺動作；該開關元件於該第四位置時，該限位面由可阻擋該鎖扣樞擺動作的位置轉開。
如請求項1所述之閉鎖勾，其中該開關元件包括相連的一壓柄與一限位件；該壓柄具有一開關元件樞接部，該開關元件樞接部樞接於該第二樞接部而令該開關元件可於該第三位置與該第四位置之間樞擺；該限位件包括該連接臂與該二側臂，該二側臂的另一端結合於該壓柄。
如請求項2所述之閉鎖勾，其中該壓柄的兩側具有二壓柄側板，該二壓柄側板設置於該樞接段的兩側，且該二壓柄側板的一端形成該開關元件樞接部；於該二壓柄側板背離該樞接段的一側之間連接一壓柄底板；該限位件的該二側臂結合於該二壓柄側板，該限位件的該連接臂位於該鎖扣與該樞接段之間。
如請求項3所述之閉鎖勾，其中該第二樞接部係軸孔；該開關元件樞接部係軸孔且貫穿於該二壓柄側板的一端，於該第二樞接部與該開關元件樞接部穿置一開關元件樞軸。
如請求項4所述之閉鎖勾，其中該二側臂的另一端分別具有一側臂軸孔，該二側臂軸孔套合於該開關元件樞軸。
如請求項5所述之閉鎖勾，其中該二壓柄側板具有對稱設置的二個插槽，各該插槽的一端為開放端，另一端通往該開關元件樞接部；該限位件的該二側臂穿插於該二插槽。
如請求項3所述之閉鎖勾，其中該第二樞接部係軸孔；該開關元件樞接部係軸孔且貫穿於該二壓柄側板的一端；該二壓柄側板具有對稱設置的二個插槽，各該插槽的一端為開放端，另一端通往該開關元件樞接部；該限位件的該二側臂穿插於該二插槽，且該二側臂的另一端分別具有一側臂軸孔；於該第二樞接部、該開關元件樞接部與該二側臂軸孔穿置一開關元件樞軸。
如請求項3所述之閉鎖勾，其中該第一樞接部係軸孔；該鎖扣的兩側具有二鎖扣側板，該二鎖扣側板的一端位於該第一樞接部的兩側，於該鎖扣側板背離該開關元件的一側之間連接一鎖扣底板，該二鎖扣側板的一端形成該鎖扣樞接部，該鎖扣樞接部係軸孔；於該第一樞接部與該鎖扣樞接部穿置一鎖扣樞軸。
如請求項8所述之閉鎖勾，其中該抵部包括二抵板，該二抵板係間隔且連接於該二鎖扣側板靠近該開關元件的另一側。
如請求項9所述之閉鎖勾，其中該二抵板鄰接該二鎖扣側板的部分各成一彎折段，以該二彎折段連接於該二鎖扣側板靠近該開關元件的另一側；該二抵板之間的最小距離小於該二鎖扣側板之間的最小距離；該第一樞接部兩端的周圍分別形成一凸環，各該凸環的端緣抵接於各該鎖扣側板一端的內面；各該鎖扣側板的一端與該樞接段的表面之間分別形成一讓槽；該開關元件於該第三位置樞擺至該第四位置時，該開關元件的一部分進入該二讓槽內。
一種製造半導體結構的方法，包括：<br/> 在一主動裝置層上形成一第一支撐層；<br/> 在該第一支撐層上沉積一氧化物層，其中該氧化物層包括一摻雜劑，且該摻雜劑的一濃度從該氧化物層的一上部到該氧化物層的一下部逐漸增加；<br/> 在該氧化物層上形成一第二支撐層；<br/> 蝕刻該第二支撐層、該氧化物層及該第一支撐層以形成一第一開口，以暴露該主動裝置層的一頂表面的一部分；<br/> 在該第一開口中共形地形成一第一導電層，其中該第一導電層的一側壁與該第一支撐層的一頂表面垂直；<br/> 去除該氧化物層，以形成一第二開口使該氧化物層的一上部外表面及一底部外表面暴露；<br/> 在該第一導電層上共形地沉積一絕緣層，及在該第二開口中及該第一導電層的一部分的一外表面上共形地沉積一內絕緣層，其中該內絕緣層的一側表面與該第一支撐層的一頂表面垂直；<br/> 在該絕緣層上共形地形成一第二導電層，及在該內絕緣層上共形地形成一第二內導電層，其中在一俯視圖中，該第二內導電層圍繞該內絕緣層；以及<br/> 在該第二導電層上形成一第二導電層以填充該第一開口，及在該第二內導電層上形成一第三內導電層以填充該第二開口，其中在該俯視圖中，該第三內導電層圍繞該第二內導電層。
如請求項1所述之方法，其中該摻雜劑是硼。
如請求項1所述之方法，其中該氧化物層的該下部的一蝕刻選擇性大於該氧化物層的該上部的一蝕刻選擇性。
如請求項3所述之方法，其中蝕刻該氧化物層的一蝕刻劑的一濃度與該氧化物層中的該摻雜劑的該濃度呈正相關。
如請求項1所述之方法，其中該氧化物層的該上部的一開口寬度基本上與該氧化物層的該下部的一開口寬度相等。
一種製造半導體結構方法，包括：<br/> 在一主動裝置層上形成一第一支撐層；<br/> 在該第一支撐層上沉積包含一摻雜劑的一氧化物層，其中該氧化物層的一上部具有一第一摻雜濃度，該氧化物層的一中部具有大於該第一摻雜濃度的一第二摻雜濃度，且該氧化物層的一下部的大於該第二摻雜濃度的一第三摻雜濃度；<br/> 在該氧化物層上形成一第二支撐層；<br/> 蝕刻該第二支撐層、該氧化物層及該第一支撐層以形成一第一開口，以暴露該主動裝置層的一部分的一頂表面；<br/> 在該第一開口中共形地形成一第一導電層，其中該第一導電層的一側壁與該第一支撐層的一頂表面垂直；<br/> 去除該氧化物層，以形成一第二開口使該氧化物層的一上部外表面及一底部外表面暴露；<br/> 在該第一導電層上共形地沉積一絕緣層，及在該第二開口中及該第一導電層的一部分的一外表面上共形地沉積一內絕緣層，其中該內絕緣層的一側表面與該第一支撐層的一頂表面垂直；<br/> 在該絕緣層上共形地形成一第二導電層，及在該內絕緣層上共形地形成一第二內導電層，其中在一俯視圖中，該第二內導電層圍繞該內絕緣層；以及<br/> 在該第二導電層上形成一第二導電層以填充該第一開口，及在該第二內導電層上形成一第三內導電層以填充該第二開口，其中在該俯視圖中，該第三內導電層圍繞該第二內導電層。
如請求項6所述之方法，其中蝕刻該第二支撐層、該氧化物層及該第一支撐層包括一濕式蝕刻製程。
如請求項6所述之方法，其中蝕刻該氧化物層的該上部的一蝕刻劑的一濃度小於蝕刻該氧化物層的該中部的該蝕刻劑的一濃度，且蝕刻該氧化物層的該中部的該蝕刻劑的該濃度小於蝕刻該氧化物層的該下部的該蝕刻劑的一濃度。
如請求項6所述之方法，其中在蝕刻後，透過該第一開口暴露的該氧化物層的該上部的一側表面、透過該第一開口暴露的該氧化物層的該中部的一側表面、與透過該第一開口暴露的該氧化物層的該下部的一側表面共平面。
如請求項6所述之方法，其中該第一導電層的該側壁與該主動裝置層的一頂表面基本上垂直。
一種半導體結構，包括：<br/> 一主動裝置層，設置於一基板上方；以及<br/> 一電容器結構，設置於該主動裝置層上，其中該電容器結構包括：<br/> 一第一導電層，設置於該主動裝置層上；<br/> 一第一介電層，圍繞該第一導電層的一底部，其中該第一導電層的一側壁與該第一介電層的一頂表面垂直；<br/> 一絕緣層，設置於該第一導電層的一內表面上；<br/> 一第二導電層，設置於該絕緣層上；<br/> 一第三導電層，設置於該第二導電層上；<br/> 一底部內絕緣層，設置於該第一導電層的一部分的一外表面上，在一俯視圖中，圍繞該第一導電層，其中該底部內絕緣層的一側表面與該第一介電層的一頂表面垂直；<br/> 一第二內導電層，在該俯視圖中，圍繞該底部內絕緣層；以及<br/> 一第三內導電層，在該俯視圖中，圍繞該第二內導電層。
如請求項11所述之半導體結構，其中該電容器結構進一步包括：<br/> 一第二介電層，設置在該底部內絕緣層上並圍繞該第一導電層的該側壁，<br/> 其中接觸該第一導電層的該側壁的該底部內絕緣層的該側表面與該第二介電層的一底表面基本上垂直。
如請求項12所述之半導體結構，其中該電容器結構進一步包括：<br/> 一頂部內絕緣層，設置於該第二介電層上，且在該俯視圖中，圍繞該第一導電層；<br/> 一頂部第二內導電層，在該俯視圖中，圍繞該頂部內絕緣層；以及<br/> 一頂部第三內導電層，在該俯視圖中，圍繞該頂部第二內導電層。
如請求項13所述之半導體結構，其中在一截面圖中，該第一導電層具有一高度及一寬度，且該高度與該寬度的一比值大於30。
如請求項13所述之半導體結構，其中該電容器結構進一步包括：<br/> 一第三介電層，設置在該頂部內絕緣層上並圍繞該第一導電層的該側壁，<br/> 其中該第三介電層的一頂表面與該第一導電層的一頂表面共平面。
一種製造記憶體元件的方法，包含： 形成一硬遮罩結構於一介電結構上方，其中該硬遮罩結構包含一第一硬遮罩層、位於該第一硬遮罩層上方的一第二硬遮罩層以及位於該第二硬遮罩層上方的一第三硬遮罩層，其中該第二硬遮罩層的一氧濃度高於該第三硬遮罩層的一氧濃度；<br/>形成一間隔物層於該硬遮罩結構上方，其中該間隔物層具有一圖案；<br/>執行一圖案化製程，以轉移該間隔物層的該圖案至該硬遮罩結構的該第一硬遮罩層與該第二硬遮罩層；<br/>在該圖案化製程完成後，自該第一硬遮罩層移除該第二硬遮罩層；以及<br/>通過該第一硬遮罩層蝕刻該介電結構。
如請求項1所述之方法，其中該第三硬遮罩層的一矽濃度高於該第二硬遮罩層的一矽濃度。
如請求項1所述之方法，其中該第一硬遮罩層為一含碳材料。
如請求項1所述之方法，其中該圖案化製程包含：<br/>執行一第一蝕刻製程，以轉移該間隔物層的該圖案至該第二硬遮罩層，使得該第二硬遮罩層具有該圖案；以及<br/>執行一第二蝕刻製程，以轉移該第二硬遮罩層的該圖案至該第一硬遮罩層。
如請求項4所述之方法，其中在該第一蝕刻製程中，該間隔物層與該第三硬遮罩層被消耗。
如請求項5所述之方法，其中在該第二蝕刻製程中，該第二硬遮罩層的一頂表面免於該間隔物層與該第三硬遮罩層的覆蓋。
如請求項1所述之方法，其中自該第一硬遮罩層移除該第二硬遮罩層，使得該第一硬遮罩層的一頂表面暴露。
一種製造記憶體元件的方法，包含：<br/>形成一介電結構於一基材的一陣列區與一周邊區上方；<br/>形成一硬遮罩結構於該介電結構上方，其中該硬遮罩結構包含一第一硬遮罩層、位於該第一硬遮罩層上方的一第二硬遮罩層以及位於該第二硬遮罩層上方的一第三硬遮罩層，其中該第二硬遮罩層的一氧濃度高於該第三硬遮罩層的一氧濃度；<br/>執行一圖案化製程，以在該第一硬遮罩層的一第一部位中形成複數個第一開口，同時該第一硬遮罩層的一第二部位維持實質上完整，其中該第一硬遮罩層的該第一部位位於該基材的該陣列區上方，而該第一硬遮罩層的該第二部位位於該基材的該周邊區上方；<br/>在該圖案化製程完成後，自該第一硬遮罩層的該第一部位移除該第二硬遮罩層的一第一部位，其中該第二硬遮罩層的該第一部位位於該基材的該陣列區上方；以及<br/>通過該第一硬遮罩層的該第一部位蝕刻該介電結構的一第一部位，其中該介電結構的該第一部位位於該基材的該陣列區上方。
如請求項8所述之方法，其中執行該圖案化製程包含：<br/>形成一光阻覆蓋該基材的該周邊區；<br/>執行一第一蝕刻製程，以在該第三硬遮罩層的一第一部位與該第二硬遮罩層的該第一部位中形成複數個第二開口，其中該第三硬遮罩層的該第一部位位於該基材的該陣列區上方，且該些第二開口的複數個底端高於該第二硬遮罩層的一底表面；<br/>執行一第二蝕刻製程，以使該些第二開口延伸至該第二硬遮罩層的該第一部位中，直到該第一硬遮罩層的該第一部位暴露；以及<br/>執行一第三蝕刻製程，以通過該第二硬遮罩層的該第一部位的該些第二開口形成該些第一開口於該第一硬遮罩層的該第一部位中。
如請求項9所述之方法，其中一旦該第二蝕刻製程完成，移除該第三硬遮罩層的該第一部位。
如請求項9所述之方法，還包含在執行該第一蝕刻製程之後且在執行該第三蝕刻製程之前移除該光阻。
如請求項11所述之方法，其中執行該第二蝕刻製程，使得複數個第三開口形成於該第二硬遮罩層的一第二部位中，其中該第二硬遮罩層的該第二部位位於該基材的該周邊區上方，且該些第三開口的複數個底端高於該第二硬遮罩層的該底表面。
如請求項12所述之方法，其中在該第三蝕刻製程中，該第一硬遮罩層的該第二部位的整體由該第二硬遮罩層的該第二部位覆蓋。
如請求項9所述之方法，其中移除該第二硬遮罩層的該第一部位，使得該第一硬遮罩層的該第一部位的一頂表面暴露。
如請求項9所述之方法，其中該第二硬遮罩層與該第三硬遮罩層由氮氧化矽製成，且該第一硬遮罩層由含碳材料製成。
如請求項15所述之方法，其中該第三硬遮罩層的一矽濃度高於該第二硬遮罩層的一矽濃度。
如請求項15所述之方法，其中該第一硬遮罩層由非晶質碳製成。
如請求項9所述之方法，還包含形成複數個導電材料於經蝕刻的該介電結構中。
一種光學成像系統，包括：<br/>第一透鏡、第二透鏡、第三透鏡、第四透鏡、第五透鏡、第六透鏡、第七透鏡、第八透鏡、第九透鏡、第十透鏡及第十一透鏡，自物體側依次排列，<br/>其中所述第一透鏡具有正的折射力，且所述第二透鏡具有正的折射力及凸的物體側表面和凹的影像側表面，<br/>其中所述第十一透鏡在物體側表面及影像側表面中的至少一者上具有至少一個拐點，<br/>其中滿足0.6 ＜ TTL/(2×IMG HT) ＜ 0.8及10 ＜ f1/f2 ＜ 150，其中TTL是在光軸上自所述第一透鏡的物體側表面至成像表面的距離，IMG HT是所述成像表面的對角線長度的一半，且f1是所述第一透鏡的焦距，且f2是所述第二透鏡的焦距，且<br/>其中滿足29 ＜ |v1-v3 | ＜40，其中v1是所述第一透鏡的阿貝數，且v3是所述第三透鏡的阿貝數。
如請求項1所述的光學成像系統，其中滿足Nv26 ≥ 4，其中Nv26是具有小於26的阿貝數的透鏡的數目。
如請求項1所述的光學成像系統，其中滿足1.15 ＜ TTL/f ＜ 1.3，其中f是所述光學成像系統的總焦距。
如請求項1所述的光學成像系統，其中滿足30 ＜ v2-v3 ＜ 40，其中v2是所述第二透鏡的阿貝數。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第一透鏡至所述第七透鏡之中的連續排列的至少兩個透鏡具有小於26的阿貝數。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第三透鏡至所述第五透鏡中的至少一者具有大於1.63的折射率及小於24的阿貝數。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第六透鏡至所述第八透鏡中的至少兩者具有大於1.61的折射率及小於26的阿貝數。
如請求項1所述的光學成像系統，其中滿足30 ＜ v2-v6 ＜40，其中v2是所述第二透鏡的阿貝數，且v6是所述第六透鏡的阿貝數。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第二透鏡的光軸厚度較所述第一透鏡的光軸厚度厚。
如請求項1所述的光學成像系統，其中滿足1.5 ＜ T2/T1 ＜3，其中T1是所述第一透鏡的所述光軸厚度，且T2是所述第二透鏡的所述光軸厚度。
如請求項1所述的光學成像系統，其中滿足0.25 ＜ D15/TTL ＜ 0.45，其中D15是在所述光軸上自所述第一透鏡的所述物體側表面至所述第五透鏡的影像側表面的距離。
如請求項1所述的光學成像系統，其中滿足1.4 ＜ Fno ＜ 1.7，其中Fno是所述光學成像系統的F數。
如請求項1所述的光學成像系統，其中滿足|f345|+|f678| ＜0.3毫米，其中f345是所述第三透鏡、所述第四透鏡與所述第五透鏡的合成焦距，且f678是所述第六透鏡、所述第七透鏡與所述第八透鏡的合成焦距。
如請求項1所述的光學成像系統，其中滿足0.5 ＜ |f345/f678 | ＜3，其中f345是所述第三透鏡、所述第四透鏡與所述第五透鏡的合成焦距，且f678是所述第六透鏡、所述第七透鏡與所述第八透鏡的合成焦距。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第三透鏡至所述第四透鏡中的每一者具有凸的物體側表面及凹的影像側表面。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第七透鏡具有負的折射力。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第七透鏡具有凸的物體側表面和凹的影像側表面。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第八透鏡具有負的折射力。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第一透鏡至所述第十一透鏡中的相鄰的透鏡彼此間隔開。
一種具有溫控食材儲存環境自動化食材配方定量充填及儲存設備，藉由具有配方記憶之微型觸控電腦單元(10)之觸控螢幕或外接式鍵盤輸入控制程序與食材重量參數；該具有配方記憶之微型觸控電腦單元(10)有配方記憶、電性訊號輸出、輸入、控制功能，可輸入並記憶一組以上產品配方與程序，完成設置後，僅需選取配方後啟動，即可控制馬達電機配合食材儲存裝置以及食材輸送管道配合，充填食材位於重量感測器單元(20)之容器中至完成配方；本設備特徵為具有配方記憶之微型觸控電腦單元(10)控制設備中泵浦電機運轉抽取推送食材，並透過食材輸送管道輸送各種型態食材至重量感測器單元(20)，再藉由重量感測器單元(20)之電訊號回饋至具有配方記憶之微型觸控電腦單元(10)，決定充填種類與重量至完成配方，實現自動化食材計量及裝填。
如請求項1所述之具有溫控食材儲存環境自動化食材配方定量充填及儲存設備，其具有溫控儲存區含液體食材儲存設備(33)，藉由食材輸送管道與出料口連接，再由泵浦配合食材輸送管道抽取食材至定量單元；其儲存裝置具有三個以上之對外通道，其功能一可為與食材輸送管道連結而輸出食材，並依據食材型態是否含有顆粒及顆粒大小配合其通道開口與食材輸送管道大小，避免食材輸送管道堵塞；其餘另一開口用途為平衡因食材被輸出後食材減少體積，而儲存裝置內產生之負壓，該開口裝配有空氣過濾裝置，以確保食品安全；因應更嚴格之食材保存規範，另一通道口為注入保鮮氣體使用，例如食品用氮氣，藉以提升食材保存品質或期限；或當液體食材中帶有顆粒時，藉由通道口加入攪拌裝置，於抽取食材前先進行均質化，避免顆粒於食材輸送管道口堵塞或抽取食材時顆粒出料不均。
如請求項1所述之具有溫控食材儲存環境自動化食材配方定量充填及儲存設備，其具有一種粉體、帶顆粒粉體食材儲存裝置(42)，藉電機馬達推送粉體、帶顆粒粉體食材至其出料口，再藉食材輸送管道結至重量感測器單元(20)，其食材輸送管道搭配震動單元，使粉體食材可有效率地充填至重量感測單元。
如請求項2、3任一項所述之具有溫控食材儲存環境自動化食材配方定量充填及儲存設備，其具有配備一光電感應缺料警報器，藉由非接觸式食材之光電感測器，當某儲存食材低於設定高度時，該設備將輸出一缺料警報，可為聲響或燈光示警，提醒作業人員需補充物料。
如請求項2、3任一項所述之具有溫控食材儲存環境自動化食材配方定量充填及儲存設備，其具有配備一種以上電機泵浦、食材輸送管道管徑及材質配合，可實現輸送液體、高黏滯係數液體、散布顆粒之液體，散布顆粒之粉體。
如請求項1所述之具有溫控食材儲存環境自動化食材配方定量充填及儲存設備，其具有溫控食材儲存環境，可為冷藏冰箱、或為電熱箱，依據食物產品需要不同進行配置。
如請求項1所述之具有溫控食材儲存環境自動化食材配方定量充填及儲存設備，裝備一種以上泵浦或馬達電機，作為輸送液體或粉體食材之動力來源；通過一個以上之食材輸送管道至單一出料口，其出料出口為可承載容器之重量感測裝置，食材充填入容器中，重量感測器訊號回饋電腦，做為更換繼續填充他種食材或填充完成之判斷標準。
一種二次上牌麻將機上牌機構，包括有支架（1），支架（1）上設置螺旋狀的送牌軌道槽（2），送牌軌道槽（2）上設置有送牌機構（3），送牌軌道槽（2）的出牌端連接有上牌槽（4），上牌槽（4）內設置有升牌機構（5），其特徵在於： <br/>所述送牌軌道槽（2）與上牌槽（4）之間設置有分牌機構（6），所述分牌機構（6）用於將送牌軌道槽（2）內的麻將牌分成兩次送入上牌槽（4）內，所述送牌機構（3）包括有設置在送牌軌道槽（2）中心的第一旋轉電機（31），第一旋轉電機（31）的輸出端連接有行星齒輪組件（32），行星齒輪組件（32）上固定安裝有支撐板（33），支撐板（33）上固定連接有推牌臂（34），推牌臂（34）的推牌端從送牌軌道槽（2）的內側面跨過並延伸至送牌軌道槽（2）內，所述行星齒輪組件（32）可帶動推牌臂（34）沿送牌軌道槽（2）內部轉動並推動麻將牌； <br/>所述分牌機構（6）包括設置在送牌軌道槽（2）出牌端一側的安裝槽（61），安裝槽（61）內設置有光眼感應器（62），當光眼感應器（62）感應到推牌臂（34）將預設數量的麻將牌從送牌軌道槽（2）推動至出牌口時，推牌臂（34）會暫停推送，待升牌機構（5）完成第一次上牌後，玩家將升起的麻將牌拿走後推牌臂（34）繼續將剩餘的麻將牌從送牌軌道槽（2）推動至升牌機構（5）進行二次上牌。
如請求項1所述之二次上牌麻將機上牌機構，其中，所述送牌軌道槽（2）上設置有第一磁控板（7），第一磁控板（7）上設置有第二霍爾傳感器（71）和第三霍爾傳感器（72），推牌臂（34）上設置有第一信號磁鋼（35），第二霍爾傳感器（71）和第三霍爾傳感器（72）配合感應連接。
如請求項2所述之二次上牌麻將機上牌機構，其中，所述升牌機構（5）包括有安裝在支架（1）上的固定架（51），固定架（51）上設置有第二旋轉電機（52），第二旋轉電機（52）的輸出端貫穿固定架（51）連接有升牌搖臂（53），升牌搖臂（53）的頂部設置有滾輪（54），滾輪（54）上滾動連接有升牌撐板（55），升牌撐板（55）的頂部設置有升牌板（56），升牌板（56）的底部設置有第六霍爾傳感器（57），升牌板（56）的底部一側鉸鏈連接有升牌板支座（58）。
如請求項3所述之二次上牌麻將機上牌機構，其中，所述固定架（51）上安裝有第二磁控板（511），第二磁控板（511）上設置有第四霍爾傳感器（512）和第五霍爾傳感器（513）。
如請求項4所述之二次上牌麻將機上牌機構，其中，所述升牌搖臂（53）的底部設置有第三信號磁鋼（531），第三信號磁鋼（531）與升牌搖臂（53）的旋轉軸對稱位置處設置有第四信號磁鋼（532）。
如請求項5所述之二次上牌麻將機上牌機構，其中，所述第三信號磁鋼（531）與第四霍爾傳感器（512）、第四信號磁鋼（532）與第五霍爾傳感器（513）均可配合感應。
一種二次上牌麻將機上牌機構，包括有支架（1），支架（1）上設置螺旋狀的送牌軌道槽（2），送牌軌道槽（2）上設置有送牌機構（3），送牌軌道槽（2）的出牌端連接有上牌槽（4），上牌槽（4）內設置有升牌機構（5），其特徵在於：<br/> 所述送牌軌道槽（2）與上牌槽（4）之間設置有分牌機構（6），所述分牌機構（6）用於將送牌軌道槽（2）內的麻將牌分成兩次送入上牌槽（4）內，所述送牌機構（3）包括有設置在送牌軌道槽（2）中心的第一旋轉電機（31），第一旋轉電機（31）的輸出端連接有行星齒輪組件（32），行星齒輪組件（32）上固定安裝有支撐板（33），支撐板（33）上固定連接有推牌臂（34），推牌臂（34）的推牌端從送牌軌道槽（2）的內側面跨過並延伸至送牌軌道槽（2）內，所述行星齒輪組件（32）可帶動推牌臂（34）沿送牌軌道槽（2）內部轉動並推動麻將牌；<br/> 推牌臂（34）上設置有第一信號磁鋼（35），通過與第一信號磁鋼（35）配合感應的霍爾傳感器可用於感應推牌臂（34）的位置。
如請求項1所述之二次上牌麻將機上牌機構，其中，所述分牌機構（6）包括設置在送牌軌道槽（2）與送牌機構（3）中間設置有第一霍爾傳感器（63），當第一霍爾傳感器（63）感應到推牌臂（34）上的第一信號磁鋼（35）時，推牌臂（34）推牌臂（34）會暫停推送，待升牌機構（5）完成第一次上牌後，玩家將升起的麻將牌拿走後推牌臂（34）繼續將剩餘的麻將牌從送牌軌道槽（2）推動至升牌機構（5）進行二次上牌。
如請求項1所述之二次上牌麻將機上牌機構，其中，所述送牌軌道槽（2）上設置有第一磁控板（7），第一磁控板（7）上設置有第二霍爾傳感器（71）和第三霍爾傳感器（72），所述第一信號磁鋼（35）與第一霍爾傳感器（63）、第二霍爾傳感器（71）和第三霍爾傳感器（72）配合感應連接。
如請求項3所述之二次上牌麻將機上牌機構，其中，所述升牌機構（5）包括有安裝在支架（1）上的固定架（51），固定架（51）上設置有第二旋轉電機（52），第二旋轉電機（52）的輸出端貫穿固定架（51）連接有升牌搖臂（53），升牌搖臂（53）的頂部設置有滾輪（54），滾輪（54）上滾動連接有升牌撐板（55），升牌撐板（55）的頂部設置有升牌板（56），升牌板（56）的底部設置有第六霍爾傳感器（57），升牌板（56）的底部一側鉸鏈連接有升牌板支座（58）。
如請求項4所述之二次上牌麻將機上牌機構，其中，所述固定架（51）上安裝有第二磁控板（511），第二磁控板（511）上設置有第四霍爾傳感器（512）和第五霍爾傳感器（513）。
如請求項5所述之二次上牌麻將機上牌機構，其中，所述升牌搖臂（53）的底部設置有第三信號磁鋼（531），第三信號磁鋼（531）與升牌搖臂（53）的旋轉軸對稱位置處設置有第四信號磁鋼（532）。
如請求項6所述之二次上牌麻將機上牌機構，其中，第三信號磁鋼（531）與第四霍爾傳感器（512）、第四信號磁鋼（532）與第五霍爾傳感器（513）均可配合感應。
一種應力波傳動裝置(8)，包括剛輪(4)、波發生器(6)以及柔輪(2)，該柔輪具有包含齒的外齒系(14)，其中，相應的齒滿足一參考輪廓(16，20，24，40，48)，該參考輪廓係在xy平面中依據x = b · (ɸ - a · sin (ɸ))，y = 0.5 · h · cos(ɸ)參數化成參考輪廓曲線，其中，b為寬度因數，ɸ為函數參數，a為形狀參數並且h為參考輪廓高度，且其中，-π ＜= ɸ ＜= π。
如請求項1之應力波傳動裝置(8)，其中，該參考輪廓高度(h)之值介於0.8與1.5之間。
如請求項1或2之應力波傳動裝置(8)，其中，該形狀參數(a)之值介於0.3與1.2之間。
如請求項1或2之應力波傳動裝置(8)，其中，該寬度因數(b)之值小於或等於0.5。
如請求項1或2之應力波傳動裝置(8)，其中，在該參考輪廓(16，20，24，40，48)之頭部區域(36)中，該參數化之曲線被一幾何形狀、特別是一圓弧段(44)替代。
如請求項1或2之應力波傳動裝置(8)，其中，在該參考輪廓(16，20，24，40，48)之底腳區域(52)中，該參考輪廓在側部增添有幾何造型、特別是直線區段。
如請求項1或2之應力波傳動裝置(8)，其中，該剛輪(4)之齒係由置入腔槽(60)的滾子(58)形成。
一種用於應力波傳動裝置(8)的柔輪(4)，具有包含齒的外齒系(14)，其中，相應的齒滿足一參考輪廓(16，20，24，40，48)，該參考輪廓係在xy平面中依據x = b · (ɸ - a · sin (ɸ))，y = 0.5 · h · cos(ɸ)參數化成參考輪廓曲線，其中，b為寬度因數，ɸ為函數參數，a為形狀參數並且h為參考輪廓高度，且其中，-π ＜= ɸ ＜= π。
一種針對用於應力波傳動裝置(8)的柔輪(2)的外齒系(14)的參考輪廓(16，20，24，40，48)，該參考輪廓係在xy平面中依據x = b · (ɸ - a · sin (ɸ))，y = 0.5 · h · cos(ɸ)參數化成參考輪廓曲線，其中，b為寬度因數，ɸ為函數參數，a為形狀參數並且h為參考輪廓高度，其中，-π ＜= ɸ ＜= π。
一種具有如請求項9之參考輪廓(16，20，24，40，48)的傳動裝置製造工具。
如請求項10之傳動裝置製造工具，其係建構為蝸桿砂輪、砂輪、滾刀、切割輪、滾式剝離輪、刨梳、或者壓型輥。
一種製造用於應力波傳動裝置(8)的具有外齒系(14)的柔輪(2)的方法，其中，使用如請求項10或11之傳動裝置製造工具來形成該外齒系(14)。
一種影像擷取模組，其包括：<br/> 一電路基板，所述電路基板具有一上表面、一下表面以及連接於所述上表面與所述下表面之間的一貫穿開口；<br/> 一影像感測晶片，所述影像感測晶片設置在所述電路基板的所述貫穿開口內且電性連接於所述電路基板；以及<br/> 一絕緣連接結構，所述絕緣連接結構設置在所述電路基板的所述貫穿開口內且連接於所述影像感測晶片與所述電路基板之間； <br/> 其中，所述影像感測晶片的一下表面未被所述絕緣連接結構所覆蓋而裸露在外；<br/> 其中，所述電路基板具有靠近且圍繞所述貫穿開口的一無線路布局區域，且所述無線路布局區域與所述影像感測晶片的所述下表面相互齊平；<br/> 其中，所述電路基板的所述無線路布局區域的最大寬度界於100 µm至150 µm之間。
如請求項1所述的影像擷取模組，<br/> 其中，所述電路基板包括設置在所述電路基板的所述下表面上的一線路布局層以及用於覆蓋所述線路布局層的一絕緣覆蓋層，且所述線路布局層具有靠近且圍繞所述貫穿開口的多個導電線路部；<br/> 其中，所述電路基板的所述無線路布局區域被所述線路布局層以及所述絕緣覆蓋層所圍繞。
如請求項1所述的影像擷取模組，其中，所述無線路布局區域位於所述電路基板的所述下表面。
如請求項1所述的影像擷取模組，其中，所述絕緣連接結構具有被裸露在外而未被遮蓋的一下圍繞表面，且所述絕緣連接結構的所述下圍繞表面、所述電路基板的所述無線路布局區域以及所述影像感測晶片的所述下表面相互齊平。
如請求項1所述的影像擷取模組， <br/> 其中，所述電路基板的所述上表面具有多個基板導電焊墊，所述影像感測晶片的所述上表面具有多個晶片導電焊墊，且所述影像感測晶片的多個所述晶片導電焊墊分別透過多個金屬導線，以分別電性連接於所述電路基板的多個所述基板導電焊墊；<br/> 其中，所述絕緣連接結構緊密地連接於所述影像感測晶片的一外圍繞表面以及所述電路基板的所述貫穿開口的一內圍繞表面之間；<br/> 其中，所述電路基板的所述貫穿開口的所述內圍繞表面被配置為一粗化圍繞表面，藉此以增加所述絕緣連接結構與所述電路基板兩者之間的接著力或者接觸面積；<br/> 其中，所述影像感測晶片的所述外圍繞表面的全部或者一部分被所述絕緣連接結構所覆蓋，藉此以調整所述絕緣連接結構與所述影像感測晶片兩者之間的接著力或者接觸面積；<br/> 其中，所述絕緣連接結構的厚度小於或者等於所述影像感測晶片的厚度，且所述絕緣連接結構的厚度小於或者等於所述電路基板的厚度；<br/> 其中，所述影像擷取模組進一步包括一鏡頭組件，所述鏡頭組件包括設置在所述電路基板上的一鏡頭承載件以及被所述鏡頭承載件所承載的一鏡頭模組，且所述影像感測晶片的一上表面具有對應於所述鏡頭模組的一影像感測區域；<br/> 其中，所述影像擷取模組進一步包括一濾光元件，所述濾光元件透過多個支撐體或者一圍繞狀支撐件的支撐以設置在所述影像感測晶片的上方，且所述濾光元件被多個所述金屬導線所圍繞。
一種可攜式電子裝置，所述可攜式電子裝置被配置以使用一影像擷取模組，其特徵在於，所述影像擷取模組包括：<br/> 一電路基板，所述電路基板具有一上表面、一下表面以及連接於所述上表面與所述下表面之間的一貫穿開口；<br/> 一影像感測晶片，所述影像感測晶片設置在所述電路基板的所述貫穿開口內且電性連接於所述電路基板；以及<br/> 一絕緣連接結構，所述絕緣連接結構設置在所述電路基板的所述貫穿開口內且連接於所述影像感測晶片與所述電路基板之間； <br/> 其中，所述影像感測晶片的一下表面未被所述絕緣連接結構所覆蓋而裸露在外；<br/> 其中，所述電路基板具有靠近且圍繞所述貫穿開口的一無線路布局區域，且所述無線路布局區域與所述影像感測晶片的所述下表面相互齊平；<br/> 其中，所述電路基板的所述無線路布局區域的最大寬度界於100 µm至150 µm之間。
如請求項6所述的可攜式電子裝置，<br/> 其中，所述電路基板包括設置在所述電路基板的所述下表面上的一線路布局層以及用於覆蓋所述線路布局層的一絕緣覆蓋層，且所述線路布局層具有靠近且圍繞所述貫穿開口的多個導電線路部；<br/> 其中，所述電路基板的所述無線路布局區域被所述線路布局層以及所述絕緣覆蓋層所圍繞。
如請求項6所述的可攜式電子裝置，其中，所述無線路布局區域位於所述電路基板的所述下表面。
如請求項6所述的可攜式電子裝置，其中，所述絕緣連接結構具有被裸露在外而未被遮蓋的一下圍繞表面，且所述絕緣連接結構的所述下圍繞表面、所述電路基板的所述無線路布局區域以及所述影像感測晶片的所述下表面相互齊平。
如請求項6所述的可攜式電子裝置， <br/> 其中，所述電路基板的所述上表面具有多個基板導電焊墊，所述影像感測晶片的所述上表面具有多個晶片導電焊墊，且所述影像感測晶片的多個所述晶片導電焊墊分別透過多個金屬導線，以分別電性連接於所述電路基板的多個所述基板導電焊墊；<br/> 其中，所述絕緣連接結構緊密地連接於所述影像感測晶片的一外圍繞表面以及所述電路基板的所述貫穿開口的一內圍繞表面之間；<br/> 其中，所述電路基板的所述貫穿開口的所述內圍繞表面被配置為一粗化圍繞表面，藉此以增加所述絕緣連接結構與所述電路基板兩者之間的接著力或者接觸面積；<br/> 其中，所述影像感測晶片的所述外圍繞表面的全部或者一部分被所述絕緣連接結構所覆蓋，藉此以調整所述絕緣連接結構與所述影像感測晶片兩者之間的接著力或者接觸面積；<br/> 其中，所述絕緣連接結構的厚度小於或者等於所述影像感測晶片的厚度，且所述絕緣連接結構的厚度小於或者等於所述電路基板的厚度；<br/> 其中，所述影像擷取模組進一步包括一鏡頭組件，所述鏡頭組件包括設置在所述電路基板上的一鏡頭承載件以及被所述鏡頭承載件所承載的一鏡頭模組，且所述影像感測晶片的一上表面具有對應於所述鏡頭模組的一影像感測區域；<br/> 其中，所述影像擷取模組進一步包括一濾光元件，所述濾光元件透過多個支撐體或者一圍繞狀支撐件的支撐以設置在所述影像感測晶片的上方，且所述濾光元件被多個所述金屬導線所圍繞。
一種影像擷取模組，其包括：<br/> 一電路基板，所述電路基板具有一上表面、一下表面以及連接於所述上表面與所述下表面之間的一貫穿開口；<br/> 一影像感測晶片，所述影像感測晶片設置在所述電路基板的所述貫穿開口內且電性連接於所述電路基板；以及<br/> 一絕緣連接結構，所述絕緣連接結構設置在所述電路基板的所述貫穿開口內且連接於所述影像感測晶片與所述電路基板之間； <br/> 其中，所述影像感測晶片的一下表面未被所述絕緣連接結構所覆蓋而裸露在外；<br/> 其中，所述電路基板具有靠近且圍繞所述貫穿開口的一平整圍繞結構，且所述平整圍繞結構的一下表面與所述影像感測晶片的所述下表面相互齊平；<br/> 其中，所述電路基板包括設置在所述電路基板的所述下表面上的一線路布局層以及用於覆蓋所述線路布局層的一絕緣覆蓋層，且所述線路布局層具有靠近且圍繞所述貫穿開口的多個導電線路部。
如請求項1所述的影像擷取模組，<br/> 其中，所述絕緣覆蓋層包括多個第一覆蓋部、多個第二覆蓋部以及多個凹陷空間，多個所述第一覆蓋部設置在所述電路基板的所述下表面上，多個所述第二覆蓋部分別用於覆蓋多個所述導電線路部，且每一個所述凹陷空間位於相對應的所述第一覆蓋部以及相鄰的兩個所述第二覆蓋部之間；<br/> 其中，所述電路基板的所述平整圍繞結構包括多個填充材料層，且所述平整圍繞結構的多個所述填充材料層分別填充在所述絕緣覆蓋層的多個所述凹陷空間內；<br/> 其中，所述平整圍繞結構的每一個所述填充材料層的一下表面以及所述絕緣覆蓋層的每一個所述第二覆蓋部的一下表面相互齊平，且所述平整圍繞結構的每一個所述填充材料層的所述下表面以及所述影像感測晶片的所述下表面相互齊平；<br/> 其中，所述絕緣連接結構具有被裸露在外而未被遮蓋的一下圍繞表面，且所述絕緣連接結構的所述下圍繞表面、所述平整圍繞結構的所述下表面以及所述影像感測晶片的所述下表面相互齊平。
如請求項1所述的影像擷取模組，<br/> 其中，所述絕緣覆蓋層包括多個第一覆蓋部、多個第二覆蓋部以及多個凹陷空間，多個所述第一覆蓋部設置在所述電路基板的所述下表面上，多個所述第二覆蓋部分別用於覆蓋多個所述導電線路部，且每一個所述凹陷空間位於相對應的所述第一覆蓋部以及相鄰的兩個所述第二覆蓋部之間；<br/> 其中，所述電路基板的所述平整圍繞結構包括多個填充材料層以及一增厚材料層，所述平整圍繞結構的多個所述填充材料層分別填充在所述絕緣覆蓋層的多個所述凹陷空間內，且所述增厚材料層用於覆蓋多個所述填充材料層以及多個所述第二覆蓋部；<br/> 其中，所述平整圍繞結構的所述增厚材料層具有一平整表面，且所述平整圍繞結構的所述增厚材料層的所述平整表面以及所述影像感測晶片的所述下表面相互齊平；<br/> 其中，所述絕緣連接結構具有被裸露在外而未被遮蓋的一下圍繞表面，且所述絕緣連接結構的所述下圍繞表面、所述平整圍繞結構的所述下表面以及所述影像感測晶片的所述下表面相互齊平。
如請求項1所述的影像擷取模組，<br/> 其中，所述絕緣連接結構具有設置在所述電路基板的所述貫穿開口內的一主要填充層以及圍繞地連接於所述主要填充層的一圍繞填充層，所述圍繞填充層被配置以做為所述平整圍繞結構，且所述圍繞填充層設置在所述電路基板的所述下表面上且覆蓋所述線路布局層的多個所述導電線路部；<br/> 其中，所述主要填充層的一下表面、做為所述平整圍繞結構的所述圍繞填充層的一下表面以及所述影像感測晶片的所述下表面相互齊平。
如請求項1所述的影像擷取模組，<br/> 其中，所述電路基板的所述下表面具有一無線路布局區域，所述電路基板的所述無線路布局區域被所述線路布局層以及所述絕緣覆蓋層所圍繞，且所述電路基板的所述無線路布局區域被配置以做為所述平整圍繞結構；<br/> 其中，所述電路基板的所述無線路布局區域的最大寬度界於100 µm至150 µm之間；<br/> 其中，所述絕緣連接結構具有被裸露在外而未被遮蓋的一下圍繞表面，且所述絕緣連接結構的所述下圍繞表面、所述電路基板的所述無線路布局區域以及所述影像感測晶片的所述下表面相互齊平；<br/> 其中，所述電路基板的所述上表面具有多個基板導電焊墊，所述影像感測晶片的所述上表面具有多個晶片導電焊墊，且所述影像感測晶片的多個所述晶片導電焊墊分別透過多個金屬導線，以分別電性連接於所述電路基板的多個所述基板導電焊墊；<br/> 其中，所述絕緣連接結構緊密地連接於所述影像感測晶片的一外圍繞表面以及所述電路基板的所述貫穿開口的一內圍繞表面之間；<br/> 其中，所述電路基板的所述貫穿開口的所述內圍繞表面被配置為一粗化圍繞表面，藉此以增加所述絕緣連接結構與所述電路基板兩者之間的接著力或者接觸面積；<br/> 其中，所述影像感測晶片的所述外圍繞表面的全部或者一部分被所述絕緣連接結構所覆蓋，藉此以調整所述絕緣連接結構與所述影像感測晶片兩者之間的接著力或者接觸面積；<br/> 其中，所述絕緣連接結構的厚度小於或者等於所述影像感測晶片的厚度，且所述絕緣連接結構的厚度小於或者等於所述電路基板的厚度；<br/> 其中，所述影像擷取模組進一步包括一鏡頭組件，所述鏡頭組件包括設置在所述電路基板上的一鏡頭承載件以及被所述鏡頭承載件所承載的一鏡頭模組，且所述影像感測晶片的一上表面具有對應於所述鏡頭模組的一影像感測區域；<br/> 其中，所述影像擷取模組進一步包括一濾光元件，所述濾光元件透過多個支撐體或者一圍繞狀支撐件的支撐以設置在所述影像感測晶片的上方，且所述濾光元件被多個所述金屬導線所圍繞。
一種可攜式電子裝置，所述可攜式電子裝置被配置以使用一影像擷取模組，其特徵在於，所述影像擷取模組包括：<br/> 一電路基板，所述電路基板具有一上表面、一下表面以及連接於所述上表面與所述下表面之間的一貫穿開口；<br/> 一影像感測晶片，所述影像感測晶片設置在所述電路基板的所述貫穿開口內且電性連接於所述電路基板；以及<br/> 一絕緣連接結構，所述絕緣連接結構設置在所述電路基板的所述貫穿開口內且連接於所述影像感測晶片與所述電路基板之間； <br/> 其中，所述影像感測晶片的一下表面未被所述絕緣連接結構所覆蓋而裸露在外；<br/> 其中，所述電路基板具有靠近且圍繞所述貫穿開口的一平整圍繞結構，且所述平整圍繞結構的一下表面與所述影像感測晶片的所述下表面相互齊平；<br/> 其中，所述電路基板包括設置在所述電路基板的所述下表面上的一線路布局層以及用於覆蓋所述線路布局層的一絕緣覆蓋層，且所述線路布局層具有靠近且圍繞所述貫穿開口的多個導電線路部。
如請求項6所述的可攜式電子裝置，<br/> 其中，所述絕緣覆蓋層包括多個第一覆蓋部、多個第二覆蓋部以及多個凹陷空間，多個所述第一覆蓋部設置在所述電路基板的所述下表面上，多個所述第二覆蓋部分別用於覆蓋多個所述導電線路部，且每一個所述凹陷空間位於相對應的所述第一覆蓋部以及相鄰的兩個所述第二覆蓋部之間；<br/> 其中，所述電路基板的所述平整圍繞結構包括多個填充材料層，且所述平整圍繞結構的多個所述填充材料層分別填充在所述絕緣覆蓋層的多個所述凹陷空間內；<br/> 其中，所述平整圍繞結構的每一個所述填充材料層的一下表面以及所述絕緣覆蓋層的每一個所述第二覆蓋部的一下表面相互齊平，且所述平整圍繞結構的每一個所述填充材料層的所述下表面以及所述影像感測晶片的所述下表面相互齊平；<br/> 其中，所述絕緣連接結構具有被裸露在外而未被遮蓋的一下圍繞表面，且所述絕緣連接結構的所述下圍繞表面、所述平整圍繞結構的所述下表面以及所述影像感測晶片的所述下表面相互齊平。
如請求項6所述的可攜式電子裝置，<br/> 其中，所述絕緣覆蓋層包括多個第一覆蓋部、多個第二覆蓋部以及多個凹陷空間，多個所述第一覆蓋部設置在所述電路基板的所述下表面上，多個所述第二覆蓋部分別用於覆蓋多個所述導電線路部，且每一個所述凹陷空間位於相對應的所述第一覆蓋部以及相鄰的兩個所述第二覆蓋部之間；<br/> 其中，所述電路基板的所述平整圍繞結構包括多個填充材料層以及一增厚材料層，所述平整圍繞結構的多個所述填充材料層分別填充在所述絕緣覆蓋層的多個所述凹陷空間內，且所述增厚材料層用於覆蓋多個所述填充材料層以及多個所述第二覆蓋部；<br/> 其中，所述平整圍繞結構的所述增厚材料層具有一平整表面，且所述平整圍繞結構的所述增厚材料層的所述平整表面以及所述影像感測晶片的所述下表面相互齊平；<br/> 其中，所述絕緣連接結構具有被裸露在外而未被遮蓋的一下圍繞表面，且所述絕緣連接結構的所述下圍繞表面、所述平整圍繞結構的所述下表面以及所述影像感測晶片的所述下表面相互齊平。
如請求項6所述的可攜式電子裝置，<br/> 其中，所述絕緣連接結構具有設置在所述電路基板的所述貫穿開口內的一主要填充層以及圍繞地連接於所述主要填充層的一圍繞填充層，所述圍繞填充層被配置以做為所述平整圍繞結構，且所述圍繞填充層設置在所述電路基板的所述下表面上且覆蓋所述線路布局層的多個所述導電線路部；<br/> 其中，所述主要填充層的一下表面、做為所述平整圍繞結構的所述圍繞填充層的一下表面以及所述影像感測晶片的所述下表面相互齊平。
如請求項6所述的可攜式電子裝置，<br/> 其中，所述電路基板的所述下表面具有一無線路布局區域，所述電路基板的所述無線路布局區域被所述線路布局層以及所述絕緣覆蓋層所圍繞，且所述電路基板的所述無線路布局區域被配置以做為所述平整圍繞結構；<br/> 其中，所述電路基板的所述無線路布局區域的最大寬度界於100 µm至150 µm之間；<br/> 其中，所述絕緣連接結構具有被裸露在外而未被遮蓋的一下圍繞表面，且所述絕緣連接結構的所述下圍繞表面、所述電路基板的所述無線路布局區域以及所述影像感測晶片的所述下表面相互齊平；<br/> 其中，所述電路基板的所述上表面具有多個基板導電焊墊，所述影像感測晶片的所述上表面具有多個晶片導電焊墊，且所述影像感測晶片的多個所述晶片導電焊墊分別透過多個金屬導線，以分別電性連接於所述電路基板的多個所述基板導電焊墊；<br/> 其中，所述絕緣連接結構緊密地連接於所述影像感測晶片的一外圍繞表面以及所述電路基板的所述貫穿開口的一內圍繞表面之間；<br/> 其中，所述電路基板的所述貫穿開口的所述內圍繞表面被配置為一粗化圍繞表面，藉此以增加所述絕緣連接結構與所述電路基板兩者之間的接著力或者接觸面積；<br/> 其中，所述影像感測晶片的所述外圍繞表面的全部或者一部分被所述絕緣連接結構所覆蓋，藉此以調整所述絕緣連接結構與所述影像感測晶片兩者之間的接著力或者接觸面積；<br/> 其中，所述絕緣連接結構的厚度小於或者等於所述影像感測晶片的厚度，且所述絕緣連接結構的厚度小於或者等於所述電路基板的厚度；<br/> 其中，所述影像擷取模組進一步包括一鏡頭組件，所述鏡頭組件包括設置在所述電路基板上的一鏡頭承載件以及被所述鏡頭承載件所承載的一鏡頭模組，且所述影像感測晶片的一上表面具有對應於所述鏡頭模組的一影像感測區域；<br/> 其中，所述影像擷取模組進一步包括一濾光元件，所述濾光元件透過多個支撐體或者一圍繞狀支撐件的支撐以設置在所述影像感測晶片的上方，且所述濾光元件被多個所述金屬導線所圍繞。
一種用於製造半導體封裝的方法，所述方法包括：<br/>提供封裝基部；<br/>經由焊料凸塊將第一中介層附接在所述封裝基部上；<br/>將第一半導體裸片附接在所述封裝基部上並且鄰近於所述第一中介層；<br/>經由焊料凸塊將第二中介層附接在所述第一中介層上以形成中介層堆疊，其中所述第一中介層和所述第二中介層限定階梯結構，所述階梯結構在所述中介層堆疊的鄰近於所述第一半導體裸片的側邊，其中所述階梯結構包括兩個階梯表面，所述兩個階梯表面在所述中介層堆疊的側邊分別從所述第一中介層和所述第二中介層延伸；<br/>將第二半導體裸片附接在所述第一半導體裸片和所述第一中介層兩者上，其中所述第二半導體裸片經由無功能凸塊附接到所述第一半導體裸片上；以及<br/>在所述封裝基部上形成第一密封劑層以密封所述第一中介層、所述第二中介層、所述第一半導體裸片和所述第二半導體裸片。
如請求項1所述的方法，其中，所述提供封裝基部包括：<br/>提供基底作為所述封裝基部；或<br/>提供上面安裝有至少一個電子組件的基底作為所述封裝基部，其中所述至少一個電子組件共同限定平坦表面。
如請求項1所述的方法，其中，所述將第二半導體裸片附接在所述第一半導體裸片和所述第一中介層兩者上包括：<br/>使用沾浸製程在附接到所述第二半導體裸片的焊料凸塊上施加助焊劑；<br/>將所述第二半導體裸片的無功能凸塊附接在所述第一半導體裸片的無功能焊盤上；和/或<br/>在所述第一半導體裸片上施配預點助焊劑。
如請求項1所述的方法，其中，所述方法還包括：<br/>形成穿過所述第一密封劑層的開口以暴露所述第二中介層的頂面上的導電圖案。
如請求項4所述的方法，其中，所述方法還包括：<br/>通過焊料凸塊將第三半導體裸片附接在所述第一密封劑層上，以將所述第三半導體裸片與所述第二中介層的頂面上的暴露的導電圖案至少部分地電連接。
如請求項5所述的方法，其中，所述方法還包括：<br/>形成第二密封劑層以密封所述第一密封劑層和所述第三半導體裸片。
如請求項4所述的方法，其中，所述方法還包括：<br/>通過焊料凸塊將第三中介層附接在所述第一密封劑層上，以將所述第三中介層與所述第二中介層的頂面上暴露的導電圖案的一部分電連接。
如請求項7所述的方法，其中，所述方法還包括：<br/>形成第二密封劑層以密封所述第一密封劑層和所述第三中介層。
如請求項4所述的方法，其中，所述在形成穿過所述第一密封劑層的開口之前，所述方法還包括：<br/>移除所述第二半導體裸片上方的第一密封劑層的密封劑材料以暴露所述第二半導體裸片的頂面。
一種製造半導體封裝的方法，所述方法包括：<br/>提供基底和多個半導體裸片；<br/>形成集成中介層塊，所述集成中介層塊包括中介層部分和無功能部分，所述中介層部分具有多層的連接結構；<br/>從所述集成中介層塊移除所述無功能部分以形成集成中介層堆疊，所述集成中介層堆疊在側邊具有階梯結構，其中所述集成中介層堆疊包括多個中介層，所述多個中介層的每個中介層具有所述多層的連接結構中的一層連接結構以及在所述階梯結構處的暴露階梯表面；<br/>將所述集成中介層堆疊附接在所述基底上；<br/>將半導體裸片附接在所述基底上並且鄰近於所述集成中介層堆疊；<br/>將至少兩個半導體裸片附接到所述集成中介層堆疊上，其中所述至少兩個半導體裸片中的每個半導體裸片部分地附接在一個所述暴露階梯表面上；以及<br/>在所述基底上形成密封劑層以密封所述集成中介層堆疊和所述半導體裸片。
如請求項10所述的方法，其中，所述形成集成中介層塊包括：<br/>形成所述集成中介層塊，所述集成中介層塊包括兩個所述中介層部分和所述兩個中介層部分之間的所述無功能部分，其中所述兩個中介層部分相對於所述無功能部分彼此對稱；並且<br/>其中從所述集成中介層塊移除所述無功能部分以形成所述集成中介層堆疊，所述集成中介層堆疊在側邊具有階梯結構包括：<br/>從所述集成中介層塊移除所述無功能部分；以及<br/>將所述兩個中介層部分單分成兩個件以獲得具有所述階梯結構的集成中介層堆疊。
如請求項10所述的方法，其中，所述形成集成中介層塊包括：<br/>形成多層的連接結構，其中每層的所述連接結構包括一組裸片連接結構和一組層間連接結構，所述一組層間連接結構延伸穿過所述層的連接結構；<br/>在較低的層的所述連接結構上的較低的階梯表面的位置處形成阻擋層，其中所述較低的階梯表面的拐角未形成有所述阻擋層，並且其中所述阻擋層上的區域限定所述集成中介層塊的無功能部分；<br/>在所述較低的階梯表面的拐角處執行鐳射鑽孔以暴露所述較低的階梯表面的拐角；<br/>從所述集成中介層塊移除所述阻擋層和所述無功能部分；並且其中<br/>在從所述集成中介層塊移除所述無功能部分後，所述一組裸片連接結構的導電圖案暴露於中介層處的對應階梯表面以用於電耦合所述階梯表面上的對應半導體裸片。
如請求項10所述的方法，其中：從所述集成中介層塊移除所述無功能部分包括對所述無功能部分進行鐳射鑽孔。
如請求項10所述的方法，其中，所述將至少兩個半導體裸片附接到所述集成中介層堆疊上包括：<br/>使用沾浸製程在附接到所述至少兩個半導體裸片中的一個半導體裸片的焊料凸塊上施加助焊劑；<br/>將所述至少兩個半導體裸片中的一個半導體裸片的無功能凸塊附接在所述一個半導體裸片下方的半導體裸片的無功能焊盤上；和/或<br/>在所述至少兩個半導體裸片和附接在所述基底上的半導體裸片中的一個半導體裸片上施配預點助焊劑。
一種製造半導體封裝的方法，所述方法包括：<br/>提供多個半導體裸片；<br/>形成集成中介層塊，所述集成中介層塊包括基底、中介層部分和無功能部分，所述中介層部分具有多層的連接結構；<br/>從所述集成中介層塊移除所述無功能部分以形成與所述基底集成的集成中介層堆疊，其中所述集成中介層堆疊在側邊具有階梯結構，其中所述集成中介層堆疊包括多個中介層，所述多個中介層的每個中介層具有所述多層的連接結構中的一層連接結構以及在所述階梯結構處的暴露階梯表面；<br/>將半導體裸片附接在所述基底上並且鄰近於所述集成中介層堆疊；<br/>將至少兩個半導體裸片附接到所述集成中介層堆疊上，其中所述至少兩個半導體裸片中的每個半導體裸片部分地附接在一個所述暴露階梯表面上；以及<br/>在所述基底上形成密封劑層以密封所述集成中介層堆疊和所述半導體裸片。
如請求項15所述的方法，其中，所述形成集成中介層塊包括：<br/>形成所述集成中介層塊，所述集成中介層塊包括在兩個所述基底上的兩個所述中介層部分和在所述兩個中介層部分之間的所述集成中介層塊，其中所述兩個中介層部分相對於所述無功能部分彼此對稱；並且<br/>其中所述從所述集成中介層塊移除所述無功能部分以形成與所述基底集成的集成中介層堆疊包括：<br/>從所述集成中介層塊移除所述無功能部分；以及<br/>將所述兩個中介層部分和所述兩個基底單分成兩個件以獲得與所述基底集成的集成中介層堆疊。
如請求項15所述的方法，其中，所述形成集成中介層塊包括：<br/>在所述基底上形成多層的所述連接結構，其中每層的所述連接結構包括一組裸片連接結構和一組層間連接結構，所述一組層間連接結構延伸穿過所述層的連接結構；<br/>在較低的層的所述連接結構上的較低的階梯表面的位置處形成阻擋層，其中所述較低的階梯表面的拐角未形成有所述阻擋層，並且其中所述阻擋層上的區域限定所述集成中介層塊的無功能部分；<br/>在所述較低的階梯表面的拐角處執行鐳射鑽孔以暴露所述較低的階梯表面的拐角；<br/>從所述集成中介層塊移除所述阻擋層和所述無功能部分；並且<br/>其中，在從所述集成中介層塊移除所述無功能部分後，所述一組裸片連接結構的導電圖案暴露於所述中介層處的對應階梯表面以用於電耦合所述階梯表面上的對應半導體裸片。
如請求項15所述的方法，其中：從所述集成中介層塊移除所述無功能部分包括對所述無功能部分進行鐳射鑽孔。
如請求項15所述的方法，其中，所述將至少兩個半導體裸片附接到所述集成中介層堆疊上包括：<br/>使用沾浸製程在附接到所述至少兩個半導體裸片中的一個半導體裸片的焊料凸塊上施加助焊劑；<br/>將所述至少兩個半導體裸片中的一個半導體裸片的無功能凸塊附接在所述一個半導體裸片下方的半導體裸片的無功能焊盤上；和/或<br/>在所述至少兩個半導體裸片和附接在所述基底上的半導體裸片中的一個半導體裸片上施配預點助焊劑。
一種半導體封裝，所述半導體封裝包括：<br/>基底；<br/>中介層堆疊，所述中介層堆疊形成於所述基底上，其中所述中介層堆疊包括多個中介層，所述多個中介層堆疊在一起且在所述中介層堆疊的側邊限定階梯結構，並且其中所述階梯結構包括暴露於所述中介層堆疊中的相應中介層的至少兩個階梯表面；<br/>多個半導體裸片，所述多個半導體裸片在所述基底上堆疊在一起並且鄰近於所述中介層堆疊的階梯結構，其中，較高的所述半導體裸片經由無功能凸塊附接到較低的所述半導體裸片上，且所述多個半導體裸片中的每個半導體裸片部分地附接在所述基底上，或附接在所述階梯結構的階梯表面中的一個階梯表面上；以及<br/>密封劑層，所述密封劑層形成於所述基底上，其中所述密封劑層密封所述中介層堆疊和所述多個半導體裸片。
如請求項20所述的半導體封裝，其中：所述中介層堆疊一體地形成在一起並且經由焊料凸塊安裝在所述基底上。
如請求項20所述的半導體封裝，其中：所述中介層堆疊和所述基底一體地形成。
如請求項20所述的半導體封裝，其中：所述中介層堆疊中的多個中介層經由焊料凸塊堆疊在彼此之上。
如請求項20所述的半導體封裝，其中：所述多個半導體裸片中的較低的半導體裸片包括在所述較低的半導體裸片的頂面上的至少一個無功能焊盤。
一種基於數位孿生的智慧製造方法，該方法應用於生產機台或加工設備之操作與製程控制，其中決策反饋包含以下步驟：<br/> 數據迴歸分析：基於加工過程中收集之即時與歷史多維數據，利用大數據與迴歸分析技術建立加工參數與結果間之關聯模型，以獲得描述如切削速度、進給速率、刀具磨耗及加工表面粗糙度變化之數學關係；<br/> 異常診斷：根據所建立之迴歸模型，分析生產機台或加工設備運作數據進而診斷異常狀態，判定異常原因與影響範圍；<br/> 趨勢預測：根據迴歸模型輸出與預測結果，分析刀具磨耗趨勢、加工效率變化及設備健康狀態，生成加工行為之未來趨勢報告；<br/> 決策生成：根據趨勢預測結果，提供加工參數優化建議，包括但不限於主軸轉速、進給速率、冷卻策略或刀具更換方案，以供後續控制階段使用；<br/> 其中，所述各步驟以數位孿生平台為運算核心，並透過工業電腦與雲端伺服器進行數據同步與模型更新。
一種基於數位孿生的智慧製造方法，該方法應用於生產機台或加工設備之參數調整與模型迭代，其中閉環控制包含下列步驟：<br/> 專家系統支援：結合數位孿生平台與專家系統資料庫，提供針對異常狀況或分析結果對應的最佳解決方案；<br/> 即時參數調整：根據專家系統建議與數據分析結果，供操作員半自動或自動的動態調整生產機台或加工設備加工參數，以穩定加工狀態並提升加工精度；<br/> 虛擬模型更新：閉環控制實現實時數據的雙向傳輸，將加工數據回傳雲端伺服器以更新數位孿生虛擬模型，使其與實體加工狀態保持同步；<br/> 迭代優化：經多次模型更新與分析迭代調整，實現加工效率與穩定性的持續提升，形成持續優化之閉環控制流程。
根據請求項1所述的智慧製造方法，其中決策生成反饋的結果包括多層效益：<br/> 加工參數優化：根據迴歸分析與專家建議，生成最適參數如主軸轉速與進給速率，以實現加工效率的最大化；<br/> 數據驅動的即時診斷：基於數據分析提供實時異常處理建議，如增加切削液流量與流速、或持續時間等，減少設備異常造成加工延誤；<br/> 加工趨勢報告：提供預測性加工趨勢數據，如加工路徑最佳化參數調整策略，以縮短加工時間或追求加工品品質為目標，協助操作員預先調整生產製造或加工計劃，提升智慧製造環境的反應效率。<br/> 異常處理與維護建議：利用迴歸分析結果，生成針對生產機台或加工設備及刀具的維護計劃，包括磨耗更換建議與健康檢測時間表；
根據請求項2所述的智慧製造方法，其中閉環控制實現以下具體成果：<br/> 加工品質穩定性提升：半自動或自動調整加工參數，降低切削過程中的誤差幅度，使加工精度達到目標範圍；<br/> 刀具壽命延長：透過即時參數優化與冷卻策略調整，減少刀具磨損與崩損，延長刀具使用壽命；<br/> 生產製造或加工效率提高：閉環控制縮短異常處理時間，提升加工穩定性，並降低生產製造或加工中斷風險；<br/> 數據模型迭代更新：將閉環控制過程中的數據結果傳回數位孿生平台，持續優化虛擬模型的準確性與適應性。
一種鋸切工具機，其包含有：<br/> 一工具機本體，具有一工作台、一加工模組、一樞接該工作台與該加工模組之擺臂；<br/> 一鋸片護罩，設置於該工具機本體之加工模組，其具有一固定護罩、一活動護罩與一彈性件，該彈性件之兩端分別設置於該固定護罩與該活動護罩，於該加工模組相對該擺臂向下翻轉時，該活動護罩透過該彈性件相對該固定護罩向上翻轉；<br/> 一導引機構，設置於該鋸片護罩之活動護罩，該導引機構之一端具有一第一導槽，以該端連接於該鋸片護罩之活動護罩；以及<br/> 一遮蓋元件，設置於該鋸片護罩之固定護罩與活動護罩，該遮蓋元件於該鋸片護罩之活動護罩沿著該導引機構之第一導槽且相對該固定護罩偏轉時被帶動；<br/> 其中，該固定護罩固定於該工具機本體之加工模組，該固定護罩與該活動護罩透過一連接板相互組接，該導引機構透過該第一導槽穿設一插銷以連接於該鋸片護罩之活動護罩。
如請求項1所述鋸切工具機，其中該工具機本體之加工模組包含有一機殼、一設置於該機殼內之馬達、一透過主軸螺絲連接該馬達之鋸片與一固定於該機殼之把手。
如請求項1所述鋸切工具機，其中該工具機本體之擺臂之一端透過一下轉軸樞接該工作台，另一端透過一上轉軸樞接該加工模組與該導引機構。
如請求項1所述鋸切工具機，其中該導引機構還具有一第二導槽，該導引機構透過一插銷穿設該第二導槽以連接於該工具機本體之加工模組，使該加工模組沿著該第二導槽而相對該擺臂向下翻轉。
如請求項1所述鋸切工具機，其中該導引機構之另一端固定於該工具機本體之工作台。
如請求項1所述鋸切工具機，其中該鋸片護罩之固定護罩具有該連接板與一形成於該連接板之第三導槽，該遮蓋元件穿設該第三導槽並抵接於該活動護罩的內側面，該遮蓋元件被帶動時係沿著該第三導槽位移，而該連接板係固定該彈性件的一端。
如請求項1所述鋸切工具機，其中該鋸片護罩之活動護罩之內側面具有一連接部、一設置於該連接部之中央的連接孔與至少一形成於該連接部之推抵部，該活動護罩透過一插銷穿設該連接孔以樞接於該固定護罩，該推抵部與該遮蓋元件相抵接，而該連接部係固定該彈性件的一端。
如請求項1、6或7所述鋸切工具機，其中該鋸片護罩之彈性件為扭力彈簧。
如請求項1所述鋸切工具機，其中該遮蓋元件具有一凸塊與一貫通該遮蓋元件之兩面的銜接孔，該遮蓋元件透過該凸塊穿設該鋸片護罩之固定護罩以抵接於該活動護罩的內側面，該遮蓋元件透過一插銷穿設該銜接孔以連接於該固定護罩。
一種用於一食品處理裝置(2)的電源降噪適配器，包括：<br/> 一輸入線路(W0)，用於接收交流的一輸入電源信號(AC_IN)；<br/> 一第一分流線路(W1)、一第二分流線路(W2)及一第三分流線路(W3)，電性連接於該輸入線路(W0)，其中該輸入電源信號(AC_IN)在該第一分流線路(W1)、該第二分流線路(W2)及該第三分流線路(W3)上產生一第一分流電源信號、一第二分流電源信號與一第三分流電源信號；<br/> 一降壓限流裝置(11)，電性連接該第一分流線路(W1)，用於對該第一分流電源信號進行降壓限流；<br/> 一除頻降噪裝置(12)，電性連接該降壓限流裝置(11)，用於對降壓限流後的該第一分流電源信號進行至少一次除頻，並用於輸出至少一除頻信號，令該除頻信號以特定方式釋放至接地；<br/> 一雜訊擷取累積觸發裝置(13)，電性連接該第二分流線路(W2)，用於自該第二分流電源信號擷取與累積複數個雜訊信號，以產生一雜訊累積信號，並於該雜訊累積信號累積到一門檻值時，輸出一觸發信號，令該觸發信號以特定方式釋放至接地；以及<br/> 一輸出線路(W4)，電性連接該第三分流線路(W3)，用於將該第三分流電源信號作為該電源降噪適配器的一輸出電源信號(AC_OUT)，其中該輸出線路(W4)更電性連接該食品處理裝置(2)的一電源模組(21)，令該食品處理裝置(2)的電源模組(21)接收該輸出電源信號(AC_OUT)。
如請求項1所述的電源降噪適配器，更包括：<br/> 一發光裝置(14)，電性連接該除頻降噪裝置(12)及該雜訊擷取累積觸發裝置(13)，包括有複數個發光單元，用於接收該觸發信號及該除頻信號，其中該複數個發光單元根據該觸發信號及該除頻信號發光，令該觸發信號及該除頻信號以特定方式釋放至接地。
如請求項1所述的電源降噪適配器，其中該除頻降噪裝置(12)包括串接的複數個除頻單元，該複數個除頻單元用於對該第一分流電源信號進行一次至複數次除頻，並用於輸出對應於一次至複數次除頻所產生的複數個除頻信號。
如請求項3所述的電源降噪適配器，其中該複數個除頻單元的每一者的一除數為2。
如請求項1所述的電源降噪適配器，其中該輸入電源信號(AC_IN)為一交流市電，該交流市電的一頻率為50或60赫茲，以及該交流市電的一電壓為100伏特、110伏特或200～240伏特。
如請求項1所述的電源降噪適配器，其中該雜訊擷取累積觸發裝置(13)包括彼此電性連接的一脈衝變壓器及一控制晶片，以藉此擷取與累積該複數個雜訊信號，以及該降壓限流裝置(11)包括彼此電性連接的一高壓電容及一限流裝置，以進行降壓限流。
如請求項2所述的電源降噪適配器，其中該電源降噪適配器(1)獨立配置於該食品處理裝置(2)外且電性連接該食品處理裝置(2)的一電源模組(21)，以及該電源模組(21)接收該輸出電源信號(AC_OUT)，以供該食品處理裝置(2)使用該輸出電源信號(AC_OUT)對一食品進行處理。
如請求項7所述的電源降噪適配器，其中該電源降噪適配器(1)更包括一殼體(C)，其中該輸入線路(W0)、該第一分流線路(W1)、該第二分流線路(W2)、該第三分流線路(W3)、該降壓限流裝置(11)、該除頻降噪裝置(12)、該雜訊擷取累積觸發裝置(13)及該發光裝置(14)配置於該殼體(C)內，該殼體(C)配置有至少一開孔、一輸入電源插槽(IP)與一輸出電源插槽(OP)，該開孔用於暴露該發光裝置(14)的一發光部分，該輸入電源插槽(IP)與該輸出電源插槽(OP)分別連接該輸入線路(W0)及輸出線路(W4)，以及該輸入電源插槽(IP)與該輸出電源插槽(OP)分別用於連接一輸入電線與一輸出電線。
一種食品處理裝置，包括：<br/> 一電源模組(21)；以及<br/> 如請求項1～6其中一項所述的電源降噪適配器(1)，電性連接該電源模組(21)，其中該電源模組(21)接收該輸出電源信號(AC_OUT)，以供該食品處理裝置(2)使用該輸出電源信號(AC_OUT)對一食品進行處理。
如請求項1所述的食品處理裝置，該食品處理裝置(2)為一義式咖啡機、一咖啡磨豆機、一香料研磨機、一麵包機、一釀酒機、一乳品發酵機或一蒸氣式泡茶機。
一種用於一食品處理裝置(2)之電源降噪方法，執行於一電源降噪適配器(1)中，包括：<br/> 將一輸入電源信號(AC_IN)透過並聯方式，分流成一第一分流電源信號、一第二分流電源信號與一第三分流電源信號；<br/> 對該第一分流電源信號進行降壓限流；<br/> 對降壓限流後的該第一分流電源信號進行至少一次除頻，並用於輸出至少一除頻信號；<br/> 自該第二分流電源信號擷取與累積複數個雜訊信號，以產生一雜訊累積信號，並於該雜訊累積信號累積到一門檻值時，輸出一觸發信號；<br/> 將該第三分流電源信號作為該電源降噪適配器(1)的一輸出電源信號(AC_OUT)，令該食品處理裝置(2)的一電源模組(21)接收該輸出電源信號(AC_OUT)；以及<br/> 以發光方式呈現該觸發信號及該除頻信號，令該觸發信號及該除頻信號以特定方式釋放至接地。
一種清潔模組（1000），包括：<br/> 第一殼體（101）；<br/> 第二殼體（102），可分離式地與所述第一殼體（101）連接，以形成容納腔（103）；<br/> 防呆組件（40），至少部分活動式地設於所述容納腔（103）內；及<br/> 滾刷（201），可裝配於所述容納腔（103）內，並在所述滾刷（201）裝配於所述容納腔（103）內的條件下，所述滾刷（201）與所述防呆組件（40）抵觸；<br/> 其中，在所述滾刷（201）與所述防呆組件（40）脫離的條件下，所述第二殼體（102）無法與所述第一殼體（101）扣合；在所述滾刷（201）與所述防呆組件（40）抵觸的條件下，所述第二殼體（102）能夠與所述第一殼體（101）扣合；<br/> 其中，所述防呆組件（40）包括第一防呆件（401）和第二防呆件（402），所述第一防呆件（401）和所述第二防呆件（402）中的一個與所述第二殼體（102）和所述第一殼體（101）中的一個活動連接，所述第一防呆件（401）和所述第二防呆件（402）中的另一個與所述第二殼體（102）和所述第一殼體（101）中的另一個固定連接；<br/> 其中，在所述第一防呆件（401）與所述第二殼體（102）活動連接，所述第二防呆件（402）與所述第一殼體（101）固定連接的條件下，所述第一防呆件（401）包括插件（403），所述第二防呆件（402）上開設有缺口（404）；<br/> 其中，在所述滾刷（201）與所述防呆組件（40）脫離的條件下，所述插件（403）與所述缺口（404）錯開；在所述滾刷（201）與所述防呆組件（40）抵觸的條件下，所述插件（403）插設於所述缺口（404）內。
如請求項1所述之清潔模組（1000），其中，所述第一防呆件（401）還包括：<br/> 第一轉動軸（4012），可轉動式地與所述插件（403）和所述第二殼體（102）連接。
如請求項2所述之清潔模組（1000），其中，所述清潔模組（1000）還包括：<br/> 第二復位件（4013），一端與所述第二殼體（102）連接，另一端與所述第一轉動軸（4012）或所述插件（403）連接。
如請求項3所述之清潔模組（1000），其中，在所述第二復位件（4013）與所述插件（403）連接時，第一觸發件（4011）的周面上具有凸起（4014），所述第二復位件（4013）與所述凸起（4014）連接。
如請求項1所述之清潔模組（1000），其中，所述插件（403）包括：<br/> 插部（4031）；<br/> 第一觸發件（4011），與所述插部（4031）連接，所述第一觸發件（4011）至少部分位於所述滾刷（201）的安裝位，所述插部（4031）安裝於所述第一觸發件（4011）上。
如請求項5所述之清潔模組（1000），其中，所述滾刷（201）的安裝位包括容納槽（1021）；<br/> 在所述滾刷（201）與所述防呆組件（40）脫離的條件下，所述第一觸發件（4011）沿所述滾刷（201）軸向上的投影至少部分與所述容納槽（1021）重疊。
如請求項1至6中任一項所述之清潔模組（1000），其中，所述滾刷（201）的數目為一個或多個，在所述滾刷（201）的數目為多個時，多個所述滾刷（201）並列間隔設置，一個所述滾刷（201）的兩端中至少一端設有所述防呆組件（40）。
一種清潔設備，包括如請求項1至7中任一項所述之清潔模組（1000）。
一種清潔系統，包括清潔基站；和如請求項8所述之清潔設備。
一種清潔設備，其包括：<br/> 移動平台，被配置為在操作面上自動移動；<br/> 清潔器，設置於所述移動平台底部，配置為採用濕式清潔方式清潔所述操作面的至少一部分，所述清潔器包括：<br/> 驅動器，用於輸出具有第一工作模式和第二工作模式的驅動力；<br/> 子清潔器組，包括第一子清潔器和第二子清潔器，所述第一子清潔器和所述第二子清潔器配置為在所述驅動器的所述第一工作模式下清潔所述操作面的至少一部分，在所述驅動器的所述第二工作模式下脫離所述操作面；<br/> 供水口，配置為在所述驅動器的所述第一工作模式下向所述第一子清潔器和所述第二子清潔器供水；<br/> 其中，所述供水口有多個出水口，分別向所述第一子清潔器和所述第二子清潔器供水，並且所述供水口能夠單獨為所述第一子清潔器或所述第二子清潔器供水。
如請求項1所述之清潔設備，其中，所述供水口包括：<br/> 水泵，配置為在所述驅動器的所述第一工作模式下向所述子清潔器組方向泵水；<br/> 分水器，與所述水泵連接，配置為在所述水泵的驅動下將水流分配至所述第一子清潔器和/或所述第二子清潔器。
如請求項2所述之清潔設備，其中，所述分水器包括：<br/> 動片，具有至少一個動片進水孔，配置為在所述驅動器的所述第一工作模式下連續旋轉；<br/> 靜片，設置於所述動片的出水方向一側，具有多個靜片出水孔，分別與所述供水口的所述多個出水口連通；<br/> 其中，所述動片相對於所述靜片連續旋轉，回應於所述至少一個動片進水孔與所述靜片出水孔的投影重疊，所述分水器通過所述投影重疊的靜片出水孔向所述第一子清潔器和/或所述第二子清潔器供水。
如請求項3所述之清潔設備，其中，所述分水器還包括：<br/> 動片支架，與所述動片卡接，配置為在所述水泵的驅動下連續旋轉並帶動所述動片連續旋轉。
如請求項4所述之清潔設備，其中，所述動片支架包括：<br/> 至少一個支架進水孔，所述至少一個支架進水孔與所述至少一個動片進水孔重疊，配置為使水流經所述至少一個支架進水孔、所述至少一個動片進水孔後從所述靜片出水孔流出。
如請求項4所述之清潔設備，其中，<br/> 所述動片支架與所述動片卡接後形成空腔；<br/> 所述動片支架包括至少一個支架進水孔，配置為使水流經所述至少一個支架進水孔進入所述空腔然後經所述至少一個動片進水孔、所述靜片出水孔流出。
如請求項4至6中任一項所述之清潔設備，其中，所述動片支架包括：<br/> 鍵合件，設置於所述動片支架遠離所述動片的一側，配置為與所述水泵卡接。
如請求項4所述之清潔設備，其中，所述分水器還包括：<br/> 外殼，配置為容納所述動片、所述靜片以及所述動片支架；<br/> 其中，所述多個出水口設置於所述外殼，且所述外殼具有進水口，水流從所述進水口進入所述外殼，並經支架進水孔、所述動片進水孔以及所述靜片出水孔後從至少一個所述出水口流出。
如請求項3所述之清潔設備，其中，所述分水器還包括：<br/> 軟膠墊，設置於所述靜片遠離所述動片的一側。
如請求項4所述之清潔設備，其中，所述分水器還包括：<br/> 至少一個密封圈，設置於所述動片支架與所述分水器的外殼之間。
如請求項7所述之清潔設備，其中，<br/> 所述水泵包括鍵合槽，與所述鍵合件卡接；<br/> 其中，所述水泵在所述驅動器的驅動下旋轉並通過所述鍵合槽帶動所述動片支架旋轉，同時向所述分水器供水。
如請求項1所述之清潔設備，其中，所述第二子清潔器設置於所述第一子清潔器的邊緣，所述第二子清潔器配置為在所述驅動器的驅動下連續旋轉以清潔所述操作面的至少一部分。
如請求項1所述之清潔設備，其中，所述第一子清潔器具有多個布水孔，所述第一子清潔器配置為在所述驅動器的驅動下往復運動以清潔所述操作面的至少一部分。
如請求項1所述之清潔設備，其中，所述驅動器包括：<br/> 馬達，配置為在所述第一工作模式下正轉，輸出正向驅動力，在所述第二工作模式下反轉，輸出反向驅動力；<br/> 其中，回應於所述正向驅動力，所述第一子清潔器實現往復運動，所述第二子清潔器實現連續旋轉，所述供水口向所述第一子清潔器和所述第二子清潔器供水；回應於所述反向驅動力，所述第一子清潔器停止往復運動，所述第二子清潔器停止連續旋轉，所述供水口停止向所述第一子清潔器和所述第二子清潔器供水，所述第一子清潔器和所述第二子清潔器脫離所述操作面。
如請求項14所述之清潔設備，其中，所述驅動器還包括：<br/> 蝸桿，在所述馬達的驅動下實現正轉或反轉；<br/> 多個驅動齒輪，分別與所述蝸桿嚙合，在所述蝸桿正轉或反轉的驅動下，分別驅動所述第一子清潔器、所述第二子清潔器和所述供水口在所述第一工作模式或所述第二工作模式下工作。
如請求項1所述之清潔設備，其中，所述清潔器還包括：<br/> 升降機構，配置為在所述驅動器的所述第二工作模式下使所述子清潔器組升起以脫離所述操作面，在重力作用下使所述子清潔器組落下以接觸所述操作面。
一種清潔設備用邊刷模組，包括：<br/> 固定臂，安裝在所述清潔設備的移動平台底部；<br/> 擺動臂，所述擺動臂的一端轉動連接於所述固定臂，所述擺動臂的另一端安裝有能夠旋轉的清潔件；及<br/> 動力組件，連接於所述固定臂，所述動力組件能夠驅動所述擺動臂擺動，以帶動所述清潔件在收起位置和伸出位置之間移動，所述收起位置和所述伸出位置是指水平方向上的不同位置，<br/> 所述邊刷模組具有第一清潔模式和第二清潔模式，在所述第一清潔模式下，所述清潔件位於所述收起位置，在所述第二清潔模式下，所述清潔件位於所述伸出位置。
如請求項1所述之清潔設備用邊刷模組，其中，所述動力組件包括傳動組件，所述傳動組件在驅動件的驅動下能夠帶動所述擺動臂以及所述清潔件中的至少一者旋轉。
如請求項2所述之清潔設備用邊刷模組，其中，所述驅動件包括轉動輸出軸，在所述第一清潔模式下，所述轉動輸出軸沿著第一時針方向轉動，在所述第二清潔模式下，所述轉動輸出軸沿著第二時針方向轉動，<br/> 在所述轉動輸出軸的轉動方向從所述第一時針方向改變為所述第二時針方向的情況下，所述邊刷模組從所述第一清潔模式切換為所述第二清潔模式，<br/> 在所述轉動輸出軸的轉動方向從所述第二時針方向改變為所述第一時針方向的情況下，所述邊刷模組從所述第二清潔模式切換為所述第一清潔模式。
如請求項3所述之清潔設備用邊刷模組，其中，所述清潔件在所述第二清潔模式下和所述第一清潔模式下繞著相同的時針方向轉動。
如請求項2至4中任一項所述之清潔設備用邊刷模組，其中，所述傳動組件包括：<br/> 聯動軸，繞著自身的中心軸轉動連接於所述固定臂和所述擺動臂，所述驅動件驅動連接於所述聯動軸，能夠驅動所述聯動軸轉動；<br/> 第一傳動組件，所述第一傳動組件的輸入端連接於所述聯動軸，所述第一傳動組件的輸出端連接於所述擺動臂，所述聯動軸轉動時能夠通過所述第一傳動組件帶動所述擺動臂擺動；<br/> 第二傳動組件，所述第二傳動組件的輸入端連接於所述第一傳動組件，所述第二傳動組件的輸出端連接於所述清潔件，所述聯動軸轉動時能夠通過所述第一傳動組件和所述第二傳動組件帶動所述清潔件旋轉。
如請求項5所述之清潔設備用邊刷模組，其中，所述第一傳動組件包括第一齒輪和第二齒輪，所述第一齒輪套設於所述聯動軸，且能夠隨著所述聯動軸轉動，所述第二齒輪轉動連接於所述擺動臂，所述第一齒輪和所述第二齒輪相嚙合，所述第一齒輪改變轉動方向時能夠通過所述第二齒輪帶動所述擺動臂改變擺動方向，以使所述邊刷模組在所述第一清潔模式和所述第二清潔模式之間切換。
如請求項6所述之清潔設備用邊刷模組，其中，所述第二傳動組件包括第一旋轉傳動組件和第二旋轉傳動組件，所述第一齒輪通過改變轉動方向使得所述第二齒輪可選擇地連接於所述第一旋轉傳動組件的輸入端或所述第二旋轉傳動組件的輸入端，所述第一旋轉傳動組件的輸出端和所述第二旋轉傳動組件的輸出端分別連接於所述清潔件，<br/> 在所述第一清潔模式下，所述第二齒輪連接於所述第一旋轉傳動組件的輸入端，所述第二齒輪繞著一個時針方向轉動時，能夠通過所述第一旋轉傳動組件帶動所述清潔件繞著設定時針方向旋轉，<br/> 在所述第二清潔模式下，所述第二齒輪連接於所述第二旋轉傳動組件的輸入端，所述第二齒輪繞著另一個時針方向轉動時，能夠通過所述第二旋轉傳動組件帶動所述清潔件繞著所述設定時針方向旋轉。
如請求項7所述之清潔設備用邊刷模組，其中，所述第一旋轉傳動組件包括第三齒輪、第一中間傳動組件和輸出齒輪，所述第三齒輪和所述輸出齒輪分別連接於所述第一中間傳動組件的輸入端和輸出端，<br/> 所述第二旋轉傳動組件包括第四齒輪、第二中間傳動組件和所述輸出齒輪，所述第四齒輪和所述輸出齒輪分別連接於所述第二中間傳動組件的輸入端和輸出端，<br/> 所述輸出齒輪轉動連接於所述擺動臂，所述清潔件同軸連接於所述輸出齒輪，所述第一齒輪通過改變轉動方向使得所述第二齒輪可選擇地同軸連接於所述第三齒輪或所述第四齒輪。
如請求項8所述之清潔設備用邊刷模組，其中，所述第一中間傳動組件包括依次嚙合的多個第一傳動齒輪，沿著所述第一中間傳動組件的傳動方向，第一個所述第一傳動齒輪嚙合於所述第三齒輪，最後一個所述第一傳動齒輪嚙合於所述輸出齒輪，<br/> 所述第二中間傳動組件包括依次嚙合的多個第二傳動齒輪，沿著所述第二中間傳動組件的傳動方向，第一個所述第二傳動齒輪嚙合於所述第四齒輪，最後一個所述第二傳動齒輪嚙合於所述輸出齒輪，<br/> 所述第一傳動齒輪的數量比所述第二傳動齒輪的數量多一個或少一個。
如請求項8所述之清潔設備用邊刷模組，其中，所述第一齒輪和所述第二齒輪均為斜齒輪，所述第二齒輪的兩側面均設有棘齒，所述第二齒輪沿著其軸向可活動地且同軸設置於所述第三齒輪和所述第四齒輪之間，所述第三齒輪和所述第四齒輪朝向所述第二齒輪的側面均設置有棘齒，所述第一齒輪通過改變轉動方向使得所述第二齒輪的棘齒可選擇地嚙合於所述第三齒輪的棘齒或所述第四齒輪的棘齒。
如請求項8所述之清潔設備用邊刷模組，其中，所述第一中間傳動組件包括同步帶輪組件和沿著傳動方向依次設置的多個第一傳動齒輪，所述同步帶輪組件傳動連接於第一個所述第一傳動齒輪和所述第三齒輪之間、任意兩個相鄰的所述第一傳動齒輪之間或最後一個所述第一傳動齒輪和所述輸出齒輪之間，<br/> 所述第二中間傳動組件包括依次嚙合的多個第二傳動齒輪，沿著傳動方向，第一個所述第二傳動齒輪嚙合於所述第四齒輪，最後一個所述第二傳動齒輪嚙合於所述輸出齒輪，<br/> 所述第一傳動齒輪的數量和所述第二傳動齒輪的數量相同。
如請求項5所述之清潔設備用邊刷模組，其中，所述第一傳動組件包括擺動推桿和推桿傳動組件，所述擺動推桿的一端轉動連接於所述聯動軸，所述擺動推桿的另一端連接於所述推桿傳動組件，所述聯動軸連接於所述推桿傳動組件，所述聯動軸改變轉動方向時，能夠通過所述推桿傳動組件帶動所述擺動推桿改變繞著所述聯動軸擺動的方向，以帶動所述擺動臂改變擺動方向，以使得所述邊刷模組在所述第一清潔模式和所述第二清潔模式之間切換。
如請求項12所述之清潔設備用邊刷模組，其中，所述推桿傳動組件包括：<br/> 第一齒輪，套設於所述聯動軸，且能夠隨著所述聯動軸轉動；<br/> 第一安裝軸，連接於所述擺動推桿的背離所述聯動軸的一端；<br/> 摩擦傳動輪，套設於所述第一安裝軸，且能夠相對於所述第一安裝軸轉動，所述第一齒輪和所述摩擦傳動輪相嚙合；<br/> 摩擦輪，套設於所述第一安裝軸，且能夠相對於所述第一安裝軸轉動，所述摩擦輪連接於所述摩擦傳動輪，所述摩擦輪能夠沿著所述固定臂的壁面滾動，<br/> 其中，所述第一齒輪改變轉動方向時，能夠通過所述摩擦傳動輪帶動所述摩擦輪改變滾動方向，從而使得所述擺動推桿改變擺動方向。
如請求項13所述之清潔設備用邊刷模組，其中，所述摩擦傳動輪和所述摩擦輪的側面相接觸，<br/> 所述推桿傳動組件還包括增壓組件，所述增壓組件對所述摩擦傳動輪施以朝向所述摩擦輪的第一按壓力以及朝向所述摩擦傳動輪的第二按壓力中的至少一者，以使得所述摩擦傳動輪和所述摩擦輪之間的摩擦力能夠驅使所述摩擦輪隨著所述摩擦傳動輪同步轉動。
如請求項14所述之清潔設備用邊刷模組，其中，所述增壓組件包括第一限位件和第一彈性件，所述第一限位件連接於所述第一安裝軸，且位於所述摩擦輪背離所述摩擦傳動輪的一側，所述第一彈性件彈性壓縮於所述第一限位件和所述摩擦輪之間；和/或<br/> 所述增壓組件包括第二限位件和第二彈性件，所述第二限位件連接於所述第一安裝軸，且位於所述摩擦傳動輪背離所述摩擦輪的一側，所述第二彈性件彈性壓縮於所述第二限位件和所述摩擦傳動輪之間。
一種清潔設備，包括：<br/> 移動平台，被配置為在操作面上自動移動；及<br/> 清潔模組，設置於所述移動平台的底部，配置為清潔所述操作面的至少一部分，所述清潔模組包括如請求項1至15中任一項所述之清潔設備用邊刷模組。
一種對象尋找方法，應用於自移動設備，所述自移動設備設置有影像採集設備，所述對象尋找方法包括以下步驟：<br/>在接收到對象尋找指令之後，通過所述影像採集設備採集所述自移動設備在移動過程中的取景影像；所述對象尋找指令中包含待尋找的目標對象的特徵描述資訊；以及<br/>根據所述特徵描述資訊檢測所述取景影像中是否包含所述目標對象，獲得對象檢測結果，基於所述對象檢測結果確定針對所述目標對象的對象尋找結果；<br/>其中，所述在接收到對象尋找指令之後，通過所述影像採集設備採集所述自移動設備在移動過程中的取景影像，包括以下步驟：<br/>在接收到所述對象尋找指令之後，從當前所處場景中確定初始待尋找子區域；<br/>通過所述影像採集設備採集所述自移動設備在所述初始待尋找子區域內移動過程中的初始取景影像；<br/>並且其中，所述通過所述影像採集設備採集所述自移動設備在所述初始待尋找子區域內移動過程中的初始取景影像，包括以下步驟：<br/>以所述初始位置為旋轉中心，在所述初始待尋找子區域內旋轉預設角度；<br/>通過所述影像採集設備採集所述自移動設備在所述初始待尋找子區域內旋轉過程中的初始取景影像。
如請求項1所述之對象尋找方法，其中，所述從當前所處場景中確定初始待尋找子區域，包括以下步驟：<br/>確定所述自移動設備在所述當前所處場景中的初始位置；<br/>將以所述初始位置為圓心，以預設距離長度為半徑的圓形區域確定為所述初始待尋找子區域。
如請求項1所述之對象尋找方法，其中，所述從當前所處場景中確定初始待尋找子區域，包括以下步驟：<br/>從所述當前所處場景中確定關鍵尋找區域；所述關鍵尋找區域對應的尋找優先級高於所述當前所處場景中的其他區域，所述尋找優先級用於表徵所述自移動設備在所述當前所處場景的不同區域中尋找所述目標對象的先後順序；<br/>從當前位置移動至所述關鍵尋找區域內，在所述關鍵尋找區域中確定所述初始待尋找子區域。
如請求項3所述之對象尋找方法，其中，所述在所述關鍵尋找區域中確定所述初始待尋找子區域，包括以下步驟：<br/>確定所述自移動設備在所述關鍵尋找區域中的初始位置；<br/>將以所述初始位置為圓心，以預設距離長度為半徑的圓形區域確定為所述初始待尋找子區域。
如請求項3或4所述之對象尋找方法，其中，所述從所述當前所處場景中確定關鍵尋找區域，包括以下步驟：<br/>檢測所述對象尋找指令中是否包含針對所述目標對象的指定尋找區域；<br/>若所述對象尋找指令中包含所述指定尋找區域，則將所述指定尋找區域確定為所述關鍵尋找區域。
一種自移動設備，所述自移動設備設置有影像採集設備，所述自移動設備包括：<br/>影像採集模組，用於在接收到對象尋找指令之後，通過所述影像採集設備採集所述自移動設備在移動過程中的取景影像；所述對象尋找指令中包含待尋找的目標對象的特徵描述資訊；以及<br/>對象尋找模組，用於根據所述特徵描述資訊檢測所述取景影像中是否包含所述目標對象，獲得對象檢測結果，基於所述對象檢測結果確定針對所述目標對象的對象尋找結果；<br/>其中，所述影像採集模組進一步用於在接收到所述對象尋找指令之後，從當前所處場景中確定初始待尋找子區域；以及通過所述影像採集設備採集所述自移動設備在所述初始待尋找子區域內移動過程中的初始取景影像；<br/>並且其中，所述影像採集模組進一步用於以所述初始位置為旋轉中心，在所述初始待尋找子區域內旋轉預設角度；以及通過所述影像採集設備採集所述自移動設備在所述初始待尋找子區域內旋轉過程中的初始取景影像。
一種電腦儲存媒體，其上儲存有電腦程式，所述電腦程式被處理器執行時實現如請求項1至5中任一項所述之對象尋找方法。
一種電子設備，包括：<br/>處理器；以及<br/>記憶體，用於儲存所述處理器的可執行指令，<br/>其中，所述處理器配置為經由執行所述可執行指令來執行如請求項1至5中任一項所述之對象尋找方法。
一種軟體測試方法，包括： <br/>通過處理器，獲取測試用例；以及 <br/>通過所述處理器，當所述測試用例具有增量代碼時，基於所述增量代碼的覆蓋率，以根據向量資料庫中的多個特徵向量以及所述測試用例生成補充測試用例，包括： <br/> 提取所述測試用例的關鍵資訊以獲得多個第一資料向量單元； <br/> 根據所述多個第一資料向量單元以及所述多個特徵向量執行相似度搜索以獲得多個第二資料向量單元； <br/> 組合所述多個第二資料向量單元以生成所述補充測試用例； <br/> 根據多個代碼權重，計算所述測試用例所包括的未被覆蓋的代碼的加權總合值；以及 <br/> 根據所述加權總合值所對應的用例級別，執行至少一個策略以根據測試用例資料庫、所述向量資料庫以及所述未被覆蓋的代碼生成所述補充測試用例， <br/>其中所述多個代碼權重包括所述未被覆蓋的代碼所分別對應的代碼複雜度權重、業務重要性權重以及歷史故障率權重。
如請求項1所述的軟體測試方法，其中提取所述測試用例的所述關鍵資訊以獲得所述多個第一資料向量單元的步驟包括： <br/>通過所述處理器，根據所述關鍵資訊生成關鍵資料； <br/>通過所述處理器，根據多個標識符，將所述關鍵資料拆分為多個資料單元，其中所述多個資料單元分別具有所述多個標識符；以及 <br/>通過所述處理器，向量化所述多個資料單元以生成所述多個第一資料向量單元。
如請求項2所述的軟體測試方法，其中所述處理器根據預設邏輯，組合所述多個第二資料向量單元以生成所述補充測試用例，其中所述預設邏輯包括參數的組合邏輯以及請求的排列邏輯。
如請求項1所述的軟體測試方法，其中基於所述增量代碼的所述覆蓋率，以根據所述向量資料庫中的所述多個特徵向量以及所述測試用例生成所述補充測試用例的步驟還包括： <br/>根據所述多個第二資料向量單元之間的匹配度，判斷是否組合所述多個第二資料向量單元以生成所述補充測試用例，或者根據測試用例資料庫中的用例模板以及所述增量代碼生成所述補充測試用例。
如請求項1所述的軟體測試方法，還包括： <br/>通過所述處理器，將所述多個第一資料向量單元儲存至所述向量資料庫以更新所述向量資料庫。
如請求項1所述的軟體測試方法，還包括： <br/>通過所述處理器，存取測試用例資料庫以獲取所述測試用例；以及 <br/>通過所述處理器，將所述補充測試用例儲存至所述測試用例資料庫以更新所述測試用例資料庫。
如請求項1所述的軟體測試方法，還包括： <br/>通過所述處理器，根據所述用例級別發出通知資訊以指示生成所述補充測試用例。
一種軟體測試系統，包括： <br/>記憶體，用以儲存向量資料庫；以及 <br/>處理器，耦接所述記憶體，用以執行如請求項1所述的軟體測試方法。
一種可插拔的連接裝置，包括： <br/>一第一連接器，包含一內殼體、一第一電源模組、一第一信號模組、一第一同軸模組、一第一尾蓋、一尾管及一鎖固模組，所述內殼體的內部具有一容置空間，所述容置空間曝露於所述內殼體的前端，所述第一電源模組、所述第一信號模組及所述第一同軸模組設置於所述容置空間內，所述第一電源模組、所述第一信號模組及所述第一同軸模組連接於一第一線材，所述第一尾蓋連接於所述內殼體，所述第一尾蓋設置於所述第一線材外，所述尾管連接於所述內殼體，所述尾管設置於所述第一尾蓋外，所述第一尾蓋內通過灌膠方式使所述第一線材與所述第一連接器固定，所述鎖固模組套設於所述內殼體外，所述鎖固模組能在所述內殼體上轉動，所述鎖固模組的內側設有鎖固體，所述鎖固模組及所述內殼體之間設置一彈性元件，而能提供所述鎖固模組轉動復位力量；以及 <br/>一第二連接器，包含一外殼體、一第二電源模組、一第二信號模組、一第二同軸模組及一第二尾蓋，所述外殼體的內部具有一插槽，所述插槽曝露於所述外殼體的前端，所述外殼體的外側設有鎖固槽，所述第二電源模組、所述第二信號模組及所述第二同軸模組設置於所述外殼體內，所述第二電源模組、所述第二信號模組及所述第二同軸模組連接於一第二線材，所述第二尾蓋連接於所述外殼體，所述第二尾蓋設置於所述第二線材外，所述第二尾蓋內通過灌膠方式，使所述第二線材與所述第二連接器固定； <br/>其中當所述第一連接器及所述第二連接器相互插接時，所述第一電源模組、所述第一信號模組及所述第一同軸模組分別與所述第二電源模組、所述第二信號模組及所述第二同軸模組相互接觸導通，並能以所述鎖固模組的鎖固體與所述外殼體的鎖固槽相互鎖固。
如請求項1所述的可插拔的連接裝置，其中所述第一信號模組的外側設有一第一金屬屏蔽殼。
如請求項1所述的可插拔的連接裝置，其中所述第一同軸模組具有多個第一端子組，該些第一端子組各具有一第一軸心及一第一套筒，所述第一套筒間隔的設置於所述第一軸心外，所述第一軸心及所述第一套筒之間以第一絕緣體絕緣隔離，所述第一套筒的後端連接一第一管體，所述第一管體的外側設有一第二金屬屏蔽殼。
如請求項1所述的可插拔的連接裝置，其中所述第二信號模組外側設有一第三金屬屏蔽殼。
如請求項1所述的可插拔的連接裝置，其中所述第二同軸模組具有多個第二端子組，該些第二端子組各具有一第二軸心及一第二套筒，所述第二套筒間隔的設置於所述第二軸心外，所述第二軸心及所述第二套筒之間以第二絕緣體絕緣隔離，所述第二套筒的後端連接一第二管體，所述第二管體的外側設有一第四金屬屏蔽殼。
如請求項1所述的可插拔的連接裝置，其中所述內殼體的外側套設一密封圈，所述第一連接器及所述第二連接器相互插接時，所述密封圈位於所述內殼體及所述外殼體之間。
如請求項1所述的可插拔的連接裝置，其中所述內殼體的外側設置一環座，所述環座設有一容置槽，所述彈性元件放置於所述容置槽內，所述鎖固模組設置於所述環座外，所述彈性元件設置於所述環座及所述鎖固模組之間。
一種可插拔的連接裝置，包括： <br/>一第一連接器，包含一內殼體、一第一電源模組、一第一信號模組、一第一流體模組、一第一尾蓋、一尾管及一鎖固模組，所述內殼體的內部具有一容置空間，所述容置空間曝露於所述內殼體的前端，所述第一電源模組、所述第一信號模組及所述第一流體模組設置於所述容置空間內，所述第一電源模組、所述第一信號模組及所述第一流體模組連接於一第一線材，所述第一尾蓋連接於所述內殼體，所述第一尾蓋設置於所述第一線材外，所述尾管連接於所述內殼體，所述尾管設置於所述第一尾蓋外，所述第一尾蓋內通過灌膠方式使所述第一線材與所述第一連接器固定，所述鎖固模組套設於所述內殼體外，所述鎖固模組能在所述內殼體上轉動，所述鎖固模組的內側設有鎖固體，所述鎖固模組及所述內殼體之間設置一彈性元件，而能提供所述鎖固模組轉動復位力量；以及 <br/>一第二連接器，包含一外殼體、一第二電源模組、一第二信號模組、一第二流體模組及一第二尾蓋，所述外殼體的內部具有一插槽，所述插槽曝露於所述外殼體的前端，所述外殼體的外側設有鎖固槽，所述第二電源模組、所述第二信號模組及所述第二流體模組設置於所述外殼體內，所述第二電源模組、所述第二信號模組及所述第二流體模組連接於一第二線材，所述第二尾蓋連接於所述外殼體，所述第二尾蓋設置於所述第二線材外，所述第二尾蓋內通過灌膠方式，使所述第二線材與所述第二連接器固定； <br/>其中當所述第一連接器及所述第二連接器相互插接時，所述第一電源模組、所述第一信號模組及所述第一流體模組分別與所述第二電源模組、所述第二信號模組及所述第二流體模組相互接觸導通，並能以所述鎖固模組的鎖固體與所述外殼體的鎖固槽相互鎖固。
如請求項8所述的可插拔的連接裝置，其中所述第一信號模組的外側設有一第一金屬屏蔽殼。
如請求項8所述的可插拔的連接裝置，其中所述第二信號模組外側設有一第三金屬屏蔽殼。
如請求項8所述的可插拔的連接裝置，其中所述內殼體的外側套設一密封圈，所述第一連接器及所述第二連接器相互插接時，所述密封圈位於所述內殼體及所述外殼體之間。
如請求項8所述的可插拔的連接裝置，其中所述內殼體的外側設置一環座，所述環座設有一容置槽，所述彈性元件放置於所述容置槽內，所述鎖固模組設置於所述環座外，所述彈性元件設置於所述環座及所述鎖固模組之間。
一種基板處理裝置，包含： 處理容器； 載置台本體，配置於該處理容器內； 靜電吸盤，配置於該載置台本體的頂面，且具有邊緣環載置部，該邊緣環載置部係用以配置包圍基板載置部和基板之邊緣環； 可搬運之第1邊緣環，配置於該邊緣環載置部； 第2邊緣環，配置於該第1邊緣環的周圍；及 該第1邊緣環的升降機構； 該第2邊緣環的外徑，較該處理容器的基板搬運口的寬度為大； 該第1邊緣環的外周部和該第2邊緣環的內周部中，至少一部分係於俯視觀察下重疊。
如請求項1之基板處理裝置，其中， 該第1邊緣環的外徑，較該處理容器的基板搬運口的寬度為小。
如請求項1或2之基板處理裝置，其中， 於該靜電吸盤內之與該第1邊緣環對向的位置和與該第2邊緣環對向的位置中至少一者，具有吸附電極。
如請求項3之基板處理裝置，其中， 於該靜電吸盤內之與該第1邊緣環對向的位置和與該第2邊緣環對向的位置，任一者皆具有吸附電極。
如請求項3之基板處理裝置，其中， 該吸附電極，係由分割成複數個的電極所構成。
如請求項5之基板處理裝置，其中， 該吸附電極，係由在徑向上分割成複數個的電極所構成。
如請求項5之基板處理裝置，其中， 該吸附電極，係由在圓周方向上分割成複數個的電極所構成。
如請求項1或2之基板處理裝置，其中， 於該靜電吸盤形成有貫通孔，該貫通孔係從該邊緣環載置部之該第1邊緣環和該第2邊緣環中至少一者的載置面貫通至該靜電吸盤的背面，以供給熱媒體。
如請求項8之基板處理裝置，其中， 於該靜電吸盤形成有第1貫通孔及第2貫通孔， 該第1貫通孔係從該邊緣環載置部之該第1邊緣環的載置面貫通至該靜電吸盤的背面，以供給熱媒體， 該第2貫通孔係從該邊緣環載置部之該第2邊緣環的載置面貫通至該靜電吸盤的背面，以供給熱媒體。
如請求項9之基板處理裝置，其中， 於該第1貫通孔，插穿有使該第1邊緣環升降的升降銷。
一種氣體處理裝置，包括：<br/> 進風口和出風口；<br/> 管道，連接於該進風口和該出風口之間； <br/> 第一準分子燈，設置於該管道中；<br/> 防止逆流結構，設置在該出風口下方；以及<br/> 一風扇，該防止逆流結構設置在該出風口和該風扇之間，其中該防止逆流結構為一中空管並具有一距離，以使該風扇和該出風口之間保持間距。
如請求項1所述的氣體處理裝置，其中該第一準分子燈所發出的光束的波長小於200奈米。
如請求項1所述的氣體處理裝置，其中該第一準分子燈具有相對設置的第一出光面和第二出光面，其中該第一出光面和該第二出光面實質上為平面。
如請求項3所述的氣體處理裝置，其中該第一準分子燈還包括第一電極和第二電極，該第一電極設置在該第一出光面上，該第二電極設置在該第二出光面上。
如請求項4所述的氣體處理裝置，其中該第一電極和該第二電極的材料包括金和鉑。
如請求項1所述的氣體處理裝置，其中該管道還包括：<br/> 第一管道，該第一準分子燈設置在該第一管道中；<br/> 第二管道，連接於該第一管道，且該第二管道和該第一管道並排設置；以及<br/> 彎折部，連接於該第一管道和該第二管道，<br/> 其中當氣體進入該氣體處理裝置時，依序流過該第一管道、該彎折部以及該第二管道。
如請求項6所述的氣體處理裝置，還包括：<br/> 第二準分子燈，設置在該第二管道中。
如請求項1所述的氣體處理裝置，還包括：<br/> 觸媒轉換器，設置在該出風口和該管道之間。
如請求項1所述的氣體處理裝置，還包括：<br/> 第一排風罩，設置在該進風口；以及<br/> 第二排風罩，設置在該出風口。
如請求項1所述的氣體處理裝置，還包括：<br/> 腳輪，設置在該氣體處理裝置的底面。
一種機車的電池盒轉動控制系統，機車至少具有一車架單元及一可將該車架單元蓋覆的車體蓋單元；該車架單元上軸支一電池盒，該電池盒內收納有一可供應驅動該機車的動力的電池；該電池盒設有可使該電池盒呈開啟位置或收納位置的驅動裝置；該車架單元設有可使該電池盒收納鎖定的鎖定裝置；該驅動裝置連接作動控制器；該作動控制器具有第一操作模式與第二操作模式；該作動控制器接收該鎖定裝置的鎖定與非鎖定訊號與實際狀態不同而造成該驅動裝置無法運作時，該第二操作模式可使該作動控制器令該驅動裝置做出與該第一操作模式不同的運作。
如請求項1所述之機車的電池盒轉動控制系統，其中，該鎖定裝置係被作動器所控制；該驅動裝置與該作動器電訊連接該作動控制器，該作動控制器電性連接主開關鎖與觸動開關；該主開關鎖未打開通電下，長押按觸該觸動開關不放的同時打開該主開關鎖通電，來使該作動控制器進入該第二操作模式運作。
如請求項1所述之機車的電池盒轉動控制系統，其中，該作動控制器更進一步的設置通訊介面，該通訊介面具有可與其匹配的外部裝置，該外部裝置可藉由該通訊介面來使該作動控制器作該第一操作模式與該第二操作模式指令的切換。
如請求項2所述之機車的電池盒轉動控制系統，其中，該作動控制器具有第一操作模式與第二操作模式；該第一操作模式係按觸該觸動開關來使該作動控制器令該驅動裝置使該電池盒作開啟位置或收納位置的轉動。
一種光引發劑，其具有式(I)的結構 <br/><img align="absmiddle" height="62px" width="425px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(I) <br/>其中 <br/>x:y為1:1至1:13； <br/>R<sub>1</sub>獨立地為多異氰酸酯的殘基； <br/>R<sub>2</sub>獨立地選自鹵素、C<sub>1-20</sub>烷基或C<sub>1-20</sub>烷氧基； <br/>R<sub>3</sub>獨立地選自<img align="absmiddle" height="35px" width="105px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="51px" width="154px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中n為1至12的整數； <br/>且 <br/>m獨立地為0、1、2、3或4。
如請求項1之光引發劑，其中該光引發劑具有1500至9000 g/mol的重均分子量M<sub>w</sub>。
如請求項1之光引發劑，其中該光引發劑具有2000至5000 g/mol的重均分子量M<sub>w</sub>。
如請求項1或2之光引發劑，其中m為0。
如請求項1或2之光引發劑，其中n為1至10的整數。
如請求項1或2之光引發劑，其中x為1至5的整數且y為1至5的整數。
如請求項1或2之光引發劑，其中R<sub>1</sub>獨立地選自未經取代或經烷氧基、烯基或羧基取代的C<sub>1-20</sub>伸烷基或C<sub>6-20</sub>伸芳基。
如請求項1或2之光引發劑，其中R<sub>1</sub>獨立地選自C<sub>1-20</sub>伸烷基。
一種光可固化組合物，其包含烯系不飽和可固化化合物和如請求項1至8中任一項之光引發劑，其中按該光可固化組合物的總量計，該光引發劑以0.1至10重量%的量存在於該光可固化組合物中。
如請求項9之光可固化組合物，其中該光可固化組合物包括(甲基)丙烯酸酯官能化低聚物和(甲基)丙烯酸酯官能化單體。
如請求項10之光可固化組合物，其中該光可固化組合物包含10至80重量%的量的該(甲基)丙烯酸酯官能化低聚物和10至85重量%的量的該(甲基)丙烯酸酯官能化單體。
如請求項9或10之光可固化組合物，其進一步包含胺增效劑。
如請求項12之光可固化組合物，其中該胺增效劑為丙烯酸化胺增效劑或低聚胺增效劑。
一種碳纖維粒，其包括： <br/>多個強化纖維，包含多個碳纖維、及包覆於多個所述碳纖維的一上漿劑組成物；所述上漿劑組成物包含一上漿劑，並且所述上漿劑為丙烯酸酯接枝改質的聚氨酯樹脂；其中，所述上漿劑是以多個改質單體對聚氨酯樹脂進行接枝改質，並且所述改質單體是選自含烷基之(甲基)丙烯酸酯、含羥基之(甲基)丙烯酸酯、及含羧基的乙烯基單體的至少其中之一；以及 <br/>一樹脂材料，包覆於多個所述強化纖維，所述樹脂材料包含：聚丙烯樹脂、及改質乙烯丙烯共聚物；其中，所述改質乙烯丙烯共聚物為經馬來酸酐改質的乙烯丙烯共聚物，並且所述馬來酸酐改質於所述改質乙烯丙烯共聚物上的一接枝比率是介於0.5%至5%之間；其中，所述聚丙烯樹脂具有介於5～75 g/10min的一第一熔融指數範圍，所述改質乙烯丙烯共聚物具有介於10～30 g/10min的一第二熔融指數範圍，並且所述第一熔融指數及所述第二熔融指數是根據ASTM D1238在190℃及1.2 kg負載之下量測的結果； <br/>其中，多個所述強化纖維及所述樹脂材料之間的一重量比例的是介於1：9至11：9之間。
如請求項1所述的碳纖維粒，其中，多個所述強化纖維的含量是介於1～60重量份，所述聚丙烯樹脂的含量是介於10～90重量份，並且所述改質乙烯丙烯共聚物的含量是介於2～25重量份。
如請求項2所述的碳纖維粒，其中，於各個所述強化纖維中，基於多個所述改質單體的重量總和為100 wt%，所述含羥基之(甲基)丙烯酸酯的含量是介於4～9 wt%。
如請求項3所述的碳纖維粒，其中，於各個所述強化纖維中，基於多個所述改質單體的重量總和為100 wt%，所述含烷基之(甲基)丙烯酸酯的含量是介於90～95 wt%，並且所述含羧基的乙烯基單體的含量是介於1～5 wt%。
如請求項1所述的碳纖維粒，其中，所述馬來酸酐改質於所述改質乙烯丙烯共聚物上的所述接枝比率是介於0.6 wt%至1 wt%之間。
如請求項1所述的碳纖維粒，其中，所述樹脂材料進一步包含一第一阻燃劑及一第二阻燃劑；其中，所述第一阻燃劑是選自焦磷酸哌嗪、聚磷酸酯哌嗪、及2-甲基哌嗪單磷酸酯的至少其中之一；所述第二阻燃劑是選自三聚氰胺磷酸酯、三氰胺焦磷酸酯的至少其中之一。
如請求項6所述的碳纖維粒，其中，所述第一阻燃劑的含量是介於5～25重量份，並且所述第二阻燃劑的含量是介於3～20重量份。
如請求項1所述的碳纖維粒，其中，各個所述碳纖維具有介於6毫米（mm）至25毫米之間的一平均纖維長度，並且所述碳纖維具有介於5微米（μm）至8微米的一平均直徑。
如請求項1所述的碳纖維粒，其中，所述聚氨酯樹脂的數均分子量是介於8,000至65,000之間。
一種碳纖維粒的製造方法，其包括： <br/>一前處理步驟：將一碳纖維束中的多個碳纖維彼此分離，並且將多個所述碳纖維含浸於一上漿劑組成物中，以形成多個強化纖維；其中，所述上漿劑組成物包含一上漿劑，並且所述上漿劑為丙烯酸酯接枝改質的聚氨酯樹脂；其中，所述上漿劑是以多個改質單體對聚氨酯樹脂進行接枝改質，並且所述改質單體是選自含烷基之(甲基)丙烯酸酯、含羥基之(甲基)丙烯酸酯、及含羧基的乙烯基單體的至少其中之一； <br/>一押出步驟：將一樹脂材料進行熔融並押出；所述樹脂材料包含：聚丙烯樹脂、及改質乙烯丙烯共聚物；其中，所述改質乙烯丙烯共聚物為經馬來酸酐改質的乙烯丙烯共聚物，並且所述馬來酸酐改質於所述改質乙烯丙烯共聚物上的一接枝比率是介於0.5%至5%之間；其中，所述聚丙烯樹脂具有介於5～75 g/10min的一第一熔融指數範圍，所述改質乙烯丙烯共聚物具有介於10～30 g/10min的一第二熔融指數範圍，並且所述第一熔融指數及所述第二熔融指數是根據ASTM D1238在190℃及1.2 kg負載之下量測的結果； <br/>一含浸步驟：將多個所述強化纖維含浸所述樹脂材料，以形成一碳纖維強化複合材料；其中，多個所述強化纖維及所述樹脂材料之間的一重量比例是介於1：9至11：9之間；以及 <br/>一切粒步驟：對所述碳纖維強化複合材料進行冷卻及切割，以得到多個碳纖維粒。
如請求項10所述的碳纖維粒的製造方法，其中，所述樹脂材料進一步包含一第一阻燃劑及一第二阻燃劑；其中，所述第一阻燃劑是選自焦磷酸哌嗪、聚磷酸酯哌嗪、及2-甲基哌嗪單磷酸酯的至少其中之一，並且所述第二阻燃劑是選自三聚氰胺磷酸酯、三氰胺焦磷酸酯的至少其中之一。
如請求項11所述的碳纖維粒的製造方法，其中，於各個所述碳纖維粒中，多個所述強化纖維的含量是介於1～60重量份，所述聚丙烯樹脂的含量是介於10～90重量份，所述改質乙烯丙烯共聚物的含量是介於2～25重量份，所述第一阻燃劑的含量是介於5～25重量份，並且所述第二阻燃劑的含量是介於3～20重量份。
如請求項10所述的碳纖維粒的製造方法，其中，於各個所述強化纖維中，基於多個所述改質單體的重量總和為100 wt%，所述含羥基之(甲基)丙烯酸酯的含量是介於4～9 wt%。
如請求項13所述的碳纖維粒的製造方法，其中，於各個所述強化纖維中，基於多個所述改質單體的重量總和為100 wt%，所述含烷基之(甲基)丙烯酸酯的含量是介於90～95 wt%，並且所述含羧基的乙烯基單體的含量是介於1～5 wt%。
如請求項10所述的碳纖維粒的製造方法，其中，各個所述碳纖維具有介於6毫米（mm）至25毫米之間的一平均纖維長度，並且所述碳纖維具有介於5微米（μm）至8微米的一平均直徑。
如請求項10所述的碳纖維粒的製造方法，其中，所述聚氨酯樹脂的數均分子量是介於8,000至65,000之間。
一種以煙氣轉製碳酸鈣的方法，其包含：<br/> 一前置步驟，蒐集通過一玻璃熔爐以甲烷富氧燃燒一玻璃原料所產生的煙氣；其中，所述煙氣包含二氧化碳、氮氣、水蒸氣、氧氣、氟酸化合物及硼酸化合物；<br/> 一除酸步驟，對所述煙氣執行一第一除酸作業；其中，所述第一除酸作業是以氫氧化鈉水溶液去除所述煙氣中的氟酸化合物及硼酸化合物；其中，於所述除酸步驟中，還對所述煙氣執行一第二除酸作業，並且所述第二除酸作業是以碳酸氫鈉粉末除去所述煙氣中的氟酸化合物及硼酸化合物；<br/> 一降溫除水步驟，將所述煙氣的溫度降低至20℃至40℃之間且降低所述煙氣中水蒸氣的含量；<br/> 其中，在所述降溫除水步驟後，所述煙氣能做為所述二氧化碳捕捉步驟中的所述輸入煙氣﹔<br/> 一二氧化碳捕捉步驟，將一輸入煙氣通入一鹼性水溶液中以形成一第一溶液；其中，基於所述輸入煙氣的體積為100%，所述輸入煙氣包含60%至80%的二氧化碳、6.1%至26.1%的氮氣及4.7%至13.9%的氧氣；其中，所述鹼性水溶液為氫氧化鈉水溶液，所述第一溶液包含碳酸鹽，並且所述碳酸鹽為碳酸鈉及碳酸氫鈉中的至少其中一種；以及<br/> 一碳酸鈣形成步驟，將氫氧化鈣粉末加入所述第一溶液中以形成一第二溶液，並且所述第二溶液包含由所述碳酸鹽和所述氫氧化鈣粉末反應形成的碳酸鈣粉末。
如請求項1所述的以煙氣轉製碳酸鈣的方法，其中，於所述二氧化碳捕捉步驟後且於所述碳酸鈣形成步驟前，所述以煙氣轉製碳酸鈣的方法進一步包含一pH值量測步驟，量測所述第一溶液的pH值，當所述第一溶液的pH值介於11至12之間時開始執行所述碳酸鈣形成步驟。
如請求項1所述的以煙氣轉製碳酸鈣的方法，其中，於所述碳酸鈣形成步驟中，所述第二溶液還包含由所述碳酸鹽和所述氫氧化鈣粉反應形成的氫氧化鈉，並且所述氫氧化鈉能被回收且做為所述二氧化碳捕捉步驟中的所述鹼性水溶液。
如請求項1所述的以煙氣轉製碳酸鈣的方法，其中，於所述碳酸鈣形成步驟中，所述第二溶液的pH值被控制在介於12至14之間。
如請求項1所述的以煙氣轉製碳酸鈣的方法，其中，於所述碳酸鈣形成步驟中，還形成有一排出氣體；其中，基於所述排出氣體的體積為100%，所述排出氣體包含5%至8%的二氧化碳、88%至93%的氮氣及2%至4%的氧氣。
如請求項5所述的以煙氣轉製碳酸鈣的方法，其中，所述以煙氣轉製碳酸鈣的方法能提供80%以上93.75%以下的一二氧化碳回收率，並且所述二氧化碳回收率定義為所述輸入煙氣中的二氧化碳含量和所述排出氣體中的二氧化碳含量之間的差值除以為所述輸入煙氣中的二氧化碳含量。
如請求項1所述的以煙氣轉製碳酸鈣的方法，其中，於所述前置步驟中，基於所述煙氣的體積為100%，二氧化碳的含量是介於30%至34%之間，氮氣的含量是介於1%至5%之間，水蒸氣的含量是介於58%至62%之間，並且氧氣的含量是介於2%至6%之間。
一種硬化性組成物，係用於形成散熱材、且含有主劑及硬化劑之組合的二劑硬化型硬化性組成物，其中， <br/>上述主劑係含有：多胺(A)、二醇(C)、及無機填充劑(D1)； <br/>上述硬化劑係含有：聚異氰酸酯(B)與無機填充劑(D2)； <br/>上述主劑中，上述多胺(A)含有量佔上述多胺(A)與上述二醇(C)合計係50~90質量%； <br/>上述硬化劑中的異氰酸酯基之莫耳數(NCO)相對於上述主劑中的胺基及羥基之合計莫耳數(NH+OH)的比(NCO/(NH+OH))之值係0.75~2.50； <br/>上述主劑中的上述無機填充劑(D1)之填充率係70~95質量%； <br/>上述硬化劑中的上述無機填充劑(D2)之填充率係50~95質量%。
如請求項1之硬化性組成物，其中，上述多胺(A)的胺值係300mgKOH/g以下。
如請求項1之硬化性組成物，其中，上述聚異氰酸酯(B)係脂肪族聚異氰酸酯。
如請求項1之硬化性組成物，其中，上述無機填充劑(D1)及上述無機填充劑(D2)係各自獨立地選自由金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氫氧化物、及金屬碳酸鹽所構成群組中之至少一種。
一種散熱材，係使請求項1至4中任一項之硬化性組成物進行硬化而成的硬化物。
如請求項5之散熱材，其熱導率係2.0W/(m・K)以上。
如請求項5之散熱材，其中，上述無機填充劑(D1)與上述無機填充劑(D2)的合計填充率係65~95質量%。
一種使用散熱材之物品，係具備有：發熱體、及以與上述發熱體接觸之狀態配置之請求項5至7中任一項之散熱材。
一種相位轉移光罩，包括： <br/>多個第一特徵圖案，在第一方向上排列且在與所述第一方向交叉的第二方向上延伸； <br/>多個第二特徵圖案，在所述第一方向和所述第二方向上排列且所述第一特徵圖案在所述第二特徵圖案之間；以及 <br/>多個第三特徵圖案，在所述第一特徵圖案之間以及在所述第二特徵圖案之間， <br/>其中所述第一特徵圖案和所述第二特徵圖案中的每一者包括第一圖案以及將所述第一圖案夾置於其間的第二圖案， <br/>其中所述第三特徵圖案、所述第一圖案和所述第二圖案具有大於約97%的透光率，且所述第二圖案能夠使經過其之光束與經過所述第一圖案和所述第三特徵圖案的光束具有約177˚至約183˚的相位差。
如請求項1所述的相位轉移光罩，其中所述第一圖案的寬度約等於所述第二圖案的寬度。
如請求項1所述的相位轉移光罩，其中所述第一圖案和所述第三特徵圖案各自包括能夠使經過其之所述光束相位轉移約0˚的材料。
如請求項3所述的相位轉移光罩，其中所述第三特徵圖案的所述材料相同於所述第一圖案的所述材料。
如請求項3所述的相位轉移光罩，其中所述第二圖案包括能夠使經過其之所述光束相位轉移約180˚的材料。
如請求項3所述的相位轉移光罩，其中所述第二圖案的材料相同於所述第一圖案的所述材料，所述第二圖案具有能夠使經過其的所述光束相位轉移約180˚的厚度。
如請求項3所述的相位轉移光罩，其中所述第二圖案包括第一部分以及在所述第一部分上的第二部分，所述第一部分的材料相同於所述第一圖案的所述材料，所述第二部分具有能夠使經過所述第二圖案的所述光束相位轉移約180˚的厚度。
如請求項1所述的相位轉移光罩，其中通過所述第二圖案的所述光束與通過所述第一圖案和所述第三特徵圖案的所述光束包括偏軸照明（off-axis illumination）。
如請求項8所述的相位轉移光罩，其中所述偏軸照明包括C四邊形（C-quad）照明模式。
如請求項1所述的相位轉移光罩，其中所述第一方向與所述第二方向正交。
如請求項1所述的相位轉移光罩，其中所述第一特徵圖案和所述第二特徵圖案中的每一者更包括透光率大於約97%的第三圖案，所述第二圖案夾置在所述第一圖案和所述第三圖案之間，且所述第三圖案包括能夠使經過其之光束相位轉移約0˚的材料。
如請求項11所述的相位轉移光罩，其中所述第三圖案的所述材料相同於所述第一圖案的材料。
如請求項12所述的相位轉移光罩，其中所述第三圖案的寬度約等於所述第二圖案的寬度。
如請求項1所述的相位轉移光罩，其中所述第二特徵圖案在所述第一方向上的兩端與所述第一特徵圖案接觸。
一種檢查裝置，其係對複數個發光元件進行檢查者，且具備： <br/>激發光源，其產生照射至對象物之激發光； <br/>光學元件，其將來自上述對象物之螢光藉由根據波長使其透過或反射而分離，且於規定之波長區域中，相對於波長之透過率及反射率之比率單調遞增； <br/>第1攝像部，其拍攝經上述光學元件反射之螢光； <br/>第2攝像部，其拍攝透過上述光學元件之螢光； <br/>分光器，其將來自上述對象物之螢光按各波長進行分解並計測光譜；及 <br/>處理部，其基於由上述第1攝像部所獲取之第1螢光圖像、及由上述第2攝像部所獲取之第2螢光圖像，導出來自上述對象物之螢光之中心波長。
如請求項1之檢查裝置，其中上述處理部基於上述分光器之計測結果修正上述中心波長。
如請求項1或2之檢查裝置，其中 <br/>上述處理部係：於在導出上述中心波長之前進行之預處理中，基於上述光譜，特定出原本之螢光強度即第1螢光強度、及小於該第1螢光強度之異常螢光強度即第2螢光強度，且以上述第1螢光強度與上述第2螢光強度相比大規定值以上之方式，決定照射至上述對象物之上述激發光之照明亮度， <br/>上述激發光源產生由上述處理部所決定之上述照明亮度之上述激發光。
如請求項1或2之檢查裝置，其中上述光學元件之規定之波長區域為150 nm以下。
如請求項4之檢查裝置，其中上述光學元件為分色鏡。
如請求項1或2之檢查裝置，其中上述處理部進而考慮上述光學元件中之相對於波長之變化的透過率或反射率之變化比率而導出上述中心波長。
如請求項1或2之檢查裝置，其中上述處理部係： <br/>基於上述第1螢光圖像及上述第2螢光圖像導出各發光元件之亮度與螢光波長之重心，且 <br/>將上述螢光波長之重心之不均大於規定值之亮度之上述發光元件判定為不良品，將上述螢光波長之重心之不均成為上述規定值以下之亮度之上述發光元件判定為良品。
如請求項1或2之檢查裝置，其進而具備保持上述對象物之保持構件，且 <br/>上述保持構件具有調溫功能。
如請求項1或2之檢查裝置，其進而具備保持上述對象物之保持構件，且 <br/>上述保持構件僅吸附上述對象物之周邊部。
如請求項1或2之檢查裝置，其中上述處理部於每次變更上述對象物及上述激發光之照明亮度時變更上述螢光圖像之濃淡。
如請求項1或2之檢查裝置，其中上述激發光源將上述激發光之照明亮度切換複數次。
一種海洋保護區連結規畫系統，其包含：至少一收集資料及設定單元，其用以收集、分析及選擇設定數個海洋保護源區，且該收集資料及設定單元用以收集、分析及選擇設定數個海洋保護匯區；至少一連接路徑模型，其於數個該海洋保護源區及數個該海洋保護匯區之間尋找數個主連接路徑；至少一計算單元，其具有至少一搜索演算法，並利用該搜索演算法計算數個該主連接路徑，以便獲得至少一優先排名順序資料；及至少一優選主連接路徑，其於至少一計算單元依據該優先排名順序資料自數個該主連接路徑選擇該至少一優選主連接路徑，且該至少一優選主連接路徑為至少一優選主連接路徑資料；其中於至少一計算單元以數個該海洋保護源區及數個該海洋保護匯區之間依該至少一優選主連接路徑提供至少一優先規劃保護總路徑資料。
依申請專利範圍第1項之海洋保護區連結規畫系統，其中該海洋保護源區或海洋保護匯區取自至少一海洋遙測資訊單元、至少一海洋監控資訊單元、至少一海洋量測資訊單元、至少一海洋研究資料庫單元或其任意組合。
依申請專利範圍第1項之海洋保護區連結規畫系統，其中該海洋保護源區或海洋保護匯區對應於一全球定位系統、一電子地圖服務系統、一海洋雷達網系統或其任意組合。
依申請專利範圍第1項之海洋保護區連結規畫系統，其中該海洋保護源區選自一海洋資源保護源區、一海洋環境保護源區、一海洋生物保護源區或其任意組合。
依申請專利範圍第1項之海洋保護區連結規畫系統，其中該海洋保護匯區選自一海洋資源保護匯區、一海洋環境保護匯區、一海洋生物保護匯區或其任意組合。
一種海洋保護區連結規畫方法，其包含：於至少一計算單元收集、分析及選擇設定數個海洋保護源區；於至少一計算單元收集、分析及選擇設定數個海洋保護匯區；於至少一計算單元於數個該海洋保護源區及數個該海洋保護匯區之間尋找數個主連接路徑；於至少一計算單元利用一搜索演算法計算數個該主連接路徑，以便獲得至少一優先排名順序資料；於至少一計算單元依據該優先排名順序資料自數個該主連接路徑選擇至少一優選主連接路徑；及於至少一計算單元以數個該海洋保護源區及數個該海洋保護匯區之間依該至少一優選主連接路徑提供至少一優先規劃保護總路徑資料。
依申請專利範圍第6項之海洋保護區連結規畫方法，其中該主連接路徑包含數個子連接路徑。
依申請專利範圍第6項之海洋保護區連結規畫方法，其中該主連接路徑包含數個子連接路徑，而數個該子連接路徑具有一預定數量，且該優先排名順序資料可依該子連接路徑之預定數量進行排序。
依申請專利範圍第6項之海洋保護區連結規畫方法，其中該主連接路徑包含一海流連接路徑、一海洋生物種類連接路徑、一海洋生物迴游連接路徑、一海洋營養鹽連接路徑、一海底地形連接路徑、一海岸地形連接路徑或其任意組合。
依申請專利範圍第6項之海洋保護區連結規畫方法，其中該主連接路徑取自至少一海洋遙測資訊單元、至少一海洋監控資訊單元、至少一海洋量測資訊單元、至少一海洋研究資料庫單元或其任意組合。
一種汽車座椅的通風裝置，該汽車座椅界定出一安裝空間，並具有多個連通於該安裝空間之通風孔，該汽車座椅的通風裝置包含：<br/> 一第一風扇，適用於設置在該安裝空間，並包括一運作本體，及一連接於該運作本體且用以產生一驅動該運作本體運轉而對所述通風孔導入氣流之驅動訊號的控制模組；及<br/> 至少一第二風扇，適用於設置在該安裝空間且資訊連接於該第一風扇，並包括一用以運轉而對所述通風孔導入氣流的運轉模組，及一連接於該運轉模組與該第一風扇之該控制模組之間的連接線，該連接線用以將該控制模組之該驅動訊號傳遞至該運轉模組，使得該運轉模組與該運作本體同步轉動；<br/> 其中，該第一風扇之該控制模組產生的該驅動訊號，包括一用以控制該運作本體以一第一轉動方向轉動的第一轉向資訊，及至少一用以控制該第二風扇之該運轉模組以一第二轉動方向轉動的第二轉向資訊。
如請求項1所述汽車座椅的通風裝置，其中，該第一轉動方向與該第二轉動方向相同。
如請求項1所述汽車座椅的通風裝置，其中，該第一轉動方向與該第二轉動方向相反。
如請求項1至3任一項所述汽車座椅的通風裝置，包含多個所述的第二風扇，該驅動訊號包括多個分別用以控制該等第二風扇之該等運轉模組的所述第二轉向資訊，及至少一用以控制該等運轉模組的至少其中之一以相反於該第二轉動方向之方向轉動的附加轉向資訊。
一種線路基板，包括： <br/>基板； <br/>第一金屬層，設置於所述基板上，所述第一金屬層包括沿著第一方向延伸的第一連接線與第二連接線以及沿著第二方向延伸的第一掃描線與第二掃描線，所述第一連接線電性連接所述第一掃描線，所述第二連接線電性連接所述第二掃描線，其中所述第二掃描線包括兩個分離的線段，所述兩個分離的線段分別位於所述第一連接線的相對兩側； <br/>第二金屬層，設置於所述基板上，所述第二金屬層包括沿著所述第一方向延伸的第一資料線以及沿著所述第二方向延伸的輔助掃描線，所述第一資料線重疊所述第一連接線；以及 <br/>第三金屬層，設置於所述基板上，所述第三金屬層包括沿著所述第二方向延伸的橋接線，所述橋接線電性連接所述第二掃描線的所述兩個分離的線段， <br/>其中，所述第二金屬層設置於所述第一金屬層與所述第三金屬層之間， <br/>其中，所述第一掃描線通過導電通孔電性連接所述輔助掃描線。
如請求項1所述的線路基板，更包括閘極驅動電路以及資料驅動電路，其中所述閘極驅動電路以及所述資料驅動電路設置於所述基板的相同側。
如請求項2所述的線路基板，其中所述第一資料線電性連接所述資料驅動電路，且重疊並跨越所述閘極驅動電路。
如請求項1所述的線路基板，其中所述第二掃描線與所述輔助掃描線至少部分地重疊。
如請求項1所述的線路基板，其中所述輔助掃描線包括輔助掃描圖案，且一部分的所述輔助掃描圖案重疊所述第一掃描線。
如請求項5所述的線路基板，其中所述輔助掃描圖案設置於所述第一掃描線與所述橋接線之間。
如請求項1所述的線路基板，更包括第四金屬層，所述第四金屬層設置於所述基板上，且包括源極與汲極。
如請求項7所述的線路基板，更包括第五金屬層，所述第五金屬層設置於所述基板上，且包括閘極。
如請求項8所述的線路基板，其中所述橋接線通過所述第四金屬層連接至所述閘極。
如請求項1所述的線路基板，其中所述第一金屬層更包括線路，且所述線路基板通過所述線路電性連接發光元件。
一種光學超表面(metasurface)結構，包括：<br/> 一基底；<br/> 一第一金屬軌道結構與一第二金屬軌道結構，其中該第一金屬軌道結構與該第二金屬軌道結構設置在該基底之上，且該第一金屬軌道結構包括：<br/> 一第一部分；以及<br/> 一第二部分，設置在該第一部分之上，其中該第二部分的寬度大於該第一部分的寬度；<br/> 一擴散阻障層，設置在該第一金屬軌道結構與該第二金屬軌道結構上；<br/> 一高介電常數介電層，設置在該擴散阻障層上；以及<br/> 一液晶材料，設置在該基底之上，其中該液晶材料的至少一部分在一水平方向上位於該第一金屬軌道結構與該第二金屬軌道結構之間，該擴散阻障層具有第一厚度，該高介電常數介電層的一部分具有第二厚度，且該第一厚度大於該第二厚度。
如請求項1所述之光學超表面結構，其中該高介電常數介電層的介電常數高於該擴散阻障層的介電常數。
如請求項1所述之光學超表面結構，其中該高介電常數介電層的介電常數大於10。
如請求項1所述之光學超表面結構，其中該高介電常數介電層的介電常數大於或等於30。
如請求項1所述之光學超表面結構，其中該第一厚度與該第二厚度的比值大於或等於1.6。
如請求項1所述之光學超表面結構，其中該高介電常數介電層包括：<br/> 一第一部分，在該水平方向上被夾設在該第一金屬軌道結構的該第一部分與該液晶材料之間；以及<br/> 一第二部分，在該水平方向上被夾設在該第一金屬軌道結構的該第二部分與該液晶材料之間，其中該高介電常數介電層的該第一部分在該水平方向上的厚度大於該高介電常數介電層的該第二部分在該水平方向上的厚度。
如請求項1所述之光學超表面結構，其中該擴散阻障層的一部分在一垂直方向上位於該第一金屬軌道結構的側壁的正下方。
如請求項1所述之光學超表面結構，其中該高介電常數介電層的一部分在一垂直方向上位於該擴散阻障層的正下方。
如請求項1所述之光學超表面結構，其中該第一金屬軌道結構在該光學超表面結構的剖視圖中具有一倒梯形結構。
一種光學超表面(metasurface)結構的製作方法，包括：<br/> 提供一基底；<br/> 在該基底之上形成一第一金屬軌道結構與一第二金屬軌道結構；<br/> 在該第一金屬軌道結構與該第二金屬軌道結構上形成一擴散阻障層；<br/> 在該擴散阻障層上形成一高介電常數介電層；以及<br/> 在該基底之上形成一液晶材料，其中該液晶材料的至少一部分在一水平方向上位於該第一金屬軌道結構與該第二金屬軌道結構之間，該擴散阻障層具有第一厚度，該高介電常數介電層的一部分具有第二厚度，且該第一厚度大於該第二厚度，<br/> 其中形成該第一金屬軌道結構與該第二金屬軌道結構的方法包括：<br/> 在該基底之上形成一介電層；<br/> 形成一第一溝槽以及一第二溝槽分別貫穿該介電層；<br/> 在該第一溝槽與該第二溝槽中分別形成一第一阻障層與一第二阻障層；<br/> 在該第一溝槽與該第二溝槽中分別形成一第一金屬層與一第二金屬層；以及<br/> 進行一移除製程，用以移除該介電層。
如請求項10所述之光學超表面結構的製作方法，其中該第一阻障層的一部分與該第二阻障層的一部分被該移除製程移除。
如請求項10所述之光學超表面結構的製作方法，還包括：<br/> 在該移除製程之後以及形成該擴散阻障層之前，對該第一金屬層與該第二金屬層進行一氫處理。
如請求項10所述之光學超表面結構的製作方法，其中該擴散阻障層共形地形成在該第一金屬軌道結構與該第二金屬軌道結構上，且該高介電常數介電層共形地形成在該擴散阻障層上。
如請求項10所述之光學超表面結構的製作方法，其中該高介電常數介電層的介電常數高於該擴散阻障層的介電常數。
如請求項10所述之光學超表面結構的製作方法，其中該第一金屬軌道結構包括：<br/> 一第一部分；以及<br/> 一第二部分，設置在該第一部分之上，其中該第二部分的寬度大於該第一部分的寬度。
如請求項15所述之光學超表面結構的製作方法，其中該高介電常數介電層包括：<br/> 一第一部分，在該水平方向上被夾設在該第一金屬軌道結構的該第一部分與該液晶材料之間；以及<br/> 一第二部分，在該水平方向上被夾設在該第一金屬軌道結構的該第二部分與該液晶材料之間，其中該高介電常數介電層的該第一部分在該水平方向上的厚度大於該高介電常數介電層的該第二部分在該水平方向上的厚度。
如請求項10所述之光學超表面結構的製作方法，其中該擴散阻障層的一部分在一垂直方向上位於該第一金屬軌道結構的側壁的正下方。
如請求項10所述之光學超表面結構的製作方法，其中該高介電常數介電層的一部分在一垂直方向上位於該擴散阻障層的正下方。
一種電鍍掛架之導電線佈線構造，包含有：<br/> 一主架體，具有絕緣性，並且具有耐蝕性，該主架體凸設複數支桿；<br/> 複數鉤部，係結合於該支桿，該鉤部上吊掛有一被鍍物；<br/> 複數導電線，一條以上的該導電線分別透過並聯方式對應的連接至每一個該鉤部或該被鍍物。
如請求項1之電鍍掛架之導電線佈線構造，其中，該主架體係為塑膠、橡膠或玻璃纖維所製成。
如請求項1之電鍍掛架之導電線佈線構造，其中，該主架體係一體成型凸設有該支桿，或該支桿採用焊接方式結合於該主架體。
如請求項1之電鍍掛架之導電線佈線構造，其中，該鉤部一體成型結合於該支桿，或該鉤部採用焊接方式結合於該支桿的端部。
如請求項1之電鍍掛架之導電線佈線構造，其中，該鉤部具有絕緣性，並且具有耐蝕性，或該鉤部係為一導電材料所製成。
如請求項5之電鍍掛架之導電線佈線構造，其中，該鉤部係為塑膠、橡膠或玻璃纖維所製成，該導電材料係為另一金屬材料。
如請求項1之電鍍掛架之導電線佈線構造，其中，該導電線的一端連接至電源的一負極，該導電線的另一端則設有一夾具，該夾具係夾持於該鉤部或該被鍍物。
一種電鍍掛架之導電線佈線方法，包含有下列步驟：<br/> 設置有具絕緣的一電鍍掛架；<br/> 將至少一被鍍物吊掛於該電鍍掛架上；<br/> 至少一導電線連接至一電源的一負極；<br/> 該導電線以並聯的方式連接至該被鍍物；<br/> 該電源的一正極輸出一電流，該電流通過一電解液，對該被鍍物進行電鍍，該電流通過該導電線，構成一電鍍迴路。
一種電鍍掛架之導電線佈線方法，包含有下列步驟：<br/> 設置有具絕緣的一電鍍掛架；<br/> 將複數被鍍物吊掛於該電鍍掛架上；<br/> 設有複數導電線，該等導電線連接至一電源的一負極；<br/> 一條以上的該導電線分別以並聯方式對應連接至每一個該被鍍物；<br/> 該電源的一正極輸出一電流，該電流通過一電解液，對該等被鍍物進行電鍍，該電流分別通過該等導電線，構成一電鍍迴路。
一種散熱器快拆扣具，包括有配合固定散熱器(1)兩端的第一鎖緊裝置(2)和第二鎖緊裝置(3)，其特徵在於：第一鎖緊裝置(2)包括有安裝於主機板(4)上的卡位件(21)及設置於散熱器(1)一端並能夠與卡位件(21)匹配扣接的扣接件(22)，通過將扣接件(22)抵扣到卡位件(21)上實現散熱器(1)固定一端與主機板(4)的連接；所述扣接件(22)通過第一螺釘(23)安裝於散熱器(1)底部，該扣接件(22)上設置有至少一個用於勾住卡位件(21)的鎖鉤部(221)；所述扣接件(22)的頂部設置有定位凸條部(222)，所述散熱器(1)的底部設置有與定位凸條部(222)匹配對應的定位凹槽(11)；所述卡位件(21)的下端與主機板(4)固定連接，該卡位件(21)的上端設置有用於供鎖鉤部(221)扣接的鉤柱部(211)；所述扣接件(22)上設置有兩個鎖鉤部(221)，所述卡位件(21)呈T字型，鉤柱部(211)位於上端供鎖鉤部(221)同時勾住；所述第一螺釘(23)於兩個鎖鉤部(221)的中間穿過扣接件(22)與散熱器(1)連接固定。
如請求項1所述的一種散熱器快拆扣具，其中：所述卡位件(21)位於主機板(4)上電連接器(5)旁側，且卡位件(21)與電連接器(5)之間具有供扣接件(22)插入與卡位件(21)扣接的間隙(40)。
如請求項2所述的一種散熱器快拆扣具，其中：所述第二鎖緊裝置(3)為第二螺釘或者卡扣裝置。
如請求項3所述的一種散熱器快拆扣具，其中：所述主機板(4)上設置有用於配合第二螺釘固定的螺母座(41)。
如請求項3所述的一種散熱器快拆扣具，其中：所述散熱器(1)的另一端設置有對應第二螺釘的C型槽(12)，該C型槽(12)與電子元件(6)的固定槽對應，且電子元件(6)通過第二螺釘固定於主機板(4)上。
一種化學研磨與拋光系統，用於對一晶圓進行研磨與拋光，該化學研磨與拋光系統包含： <br/>一基座單元； <br/>一研磨單元，包括一設置於該基座單元並可受驅動而繞一第一軸線轉動的轉盤，及一設置於該轉盤上的研磨墊，該第一軸線沿一上下方向延伸； <br/>一移動單元，包括一設置於該基座單元的水平移動模組、一設置於該水平移動模組並可受該水平移動模組帶動而沿一垂直該上下方向的第一方向移動的轉動模組，及一設置於該轉動模組並可受該轉動模組帶動而繞一第二軸線轉動的上下移動模組； <br/>一修整單元，包括一設置於該上下移動模組並可受該上下移動模組帶動而沿該上下方向移動的調整台、一可調整狀態地設置於該調整台的修整模組，及一設置於該修整模組並可受該修整模組帶動而繞一第三軸線轉動的修整輪，該修整輪可用於對該研磨墊進行修整，且具有一相反於該修整模組的修整表面，及一連接該修整表面且環繞該第三軸線的修整環面，該修整模組及該修整輪可於一第一狀態及一第二狀態之間調整，於該第一狀態時，該修整模組及該修整輪調整位置至使該修整表面朝向該研磨墊的狀態，於該第二狀態時，該修整模組及該修整輪調整位置至使該修整環面朝向該研磨墊的狀態；及 <br/>一工作單元，設置於該基座單元，該工作單元包括一可受帶動而沿該上下方向移動並用於供該晶圓設置的承盤組，該承盤組可受連動而帶動使該晶圓接觸該研磨墊而受到研磨。
如請求項1所述的化學研磨與拋光系統，其中，該調整台具有複數第一螺孔及複數第二螺孔，該修整模組具有一修整基座、一設置於該修整基座並用於連動該修整輪的修整馬達、複數位於該修整基座的安裝孔，及複數安裝螺桿，該修整模組及該修整輪於該第一狀態時，該等安裝螺桿分別穿入該等安裝孔並螺鎖於該等第一螺孔，以使該修整表面朝向該研磨墊，該修整模組及該修整輪於該第二狀態時，該等安裝螺桿分別穿入該等安裝孔並螺鎖於該等第二螺孔，以使該修整環面朝向該研磨墊。
如請求項2所述的化學研磨與拋光系統，其中，該工作單元還包括一設置於該基座單元的第一移動模組、一設置於該第一移動模組並可受該第一移動模組帶動而沿一垂直該上下方向的第二方向移動的安裝管、一穿設於該安裝管的第二移動模組，及一穿設於該安裝管的連接模組，該承盤組設置於該連接模組並可受該連接模組帶動而沿該上下方向移動。
如請求項3所述的化學研磨與拋光系統，其中，該連接模組具有一連接該第二移動模組的第一連接件、一穿設於該安裝管的第二連接件，及複數朝下抵於該第二連接件的彈性件，該承盤組具有一盤體、一自該盤體朝上延伸並穿入該第二連接件的桿體、一環繞該桿體並朝下抵於該彈性件以恆承受該彈性件朝上的彈性力的止推軸承座、一螺鎖於該桿體相反該盤體的一端且位於該止推軸承座上方的調整螺帽，及一設置於該止推軸承座及該調整螺帽之間的止推軸承環。
如請求項4所述的化學研磨與拋光系統，其中，該連接模組還具有一環繞於該第一連接件及該第二連接件間以使該第二連接件能相對該第一連接件相對偏轉的球形軸承。
如請求項5所述的化學研磨與拋光系統，其中，該第二連接件具有一外管壁、一自該外管壁朝內延伸的內環壁、一設置於該內環壁的止推環座，及一由該止推環座圍繞界定的穿孔，該等彈性件設置於該止推環座上，該桿體具有一連接該盤體且外徑大於該穿孔的直徑的大徑段，及一自該大徑段穿過該穿孔並供該調整螺帽螺鎖的小徑段。
一種液晶介質，其特徵在於其具有負介電各向異性且包含至少一種選自式IA至IH化合物之群之化合物， <br/><br/><br/><br/>其中 <br/>Z<sup>1</sup> 表示單鍵、-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-、-CH=CH-、-CH<sub>2</sub>O-、-OCH<sub>2</sub>-、-CF<sub>2</sub>O-、-OCF<sub>2</sub>-、-COO-、-OCO-、-C<sub>2</sub>F<sub>4</sub>-、-(CH<sub>2</sub>)<sub>4</sub>-、-CHFCHF-、-CF<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-、-CH<sub>2</sub>CF<sub>2</sub>-、-C≡C-、-CF=CF-、-CH=CHCHO-或-CH<sub>2</sub>CF<sub>2</sub>O-，及 <br/>選自下列式T-1至T-22、CCG-V-F、CAIY-n-Om、APY-n-Om及CLP-1V-1之化合物之群之至少一種化合物， <br/><img align="absmiddle" height="216px" width="718px" file="ed10379.jpg" alt="ed10379.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> T-1 <br/><img align="absmiddle" height="201px" width="839px" file="ed10380.jpg" alt="ed10380.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> T-2 <br/><img align="absmiddle" height="204px" width="839px" file="ed10381.jpg" alt="ed10381.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> T-3 <br/><img align="absmiddle" height="202px" width="839px" file="ed10382.jpg" alt="ed10382.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> T-4 <br/><img align="absmiddle" height="202px" width="839px" file="ed10383.jpg" alt="ed10383.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> T-5 <br/><img align="absmiddle" height="204px" width="839px" file="ed10384.jpg" alt="ed10384.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> T-6 <br/><img align="absmiddle" height="202px" width="839px" file="ed10385.jpg" alt="ed10385.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> T-7 <br/><img align="absmiddle" height="204px" width="839px" file="ed10386.jpg" alt="ed10386.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> T-8 <br/><img align="absmiddle" height="204px" width="839px" file="ed10387.jpg" alt="ed10387.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> T-9 <br/><img align="absmiddle" height="204px" width="839px" file="ed10388.jpg" alt="ed10388.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> T-10 <br/><img align="absmiddle" height="204px" width="839px" file="ed10389.jpg" alt="ed10389.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> T-11 <br/><img align="absmiddle" height="201px" width="839px" file="ed10390.jpg" alt="ed10390.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> T-12 <br/><img align="absmiddle" height="201px" width="839px" file="ed10392.jpg" alt="ed10392.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> T-13 <br/><img align="absmiddle" height="202px" width="839px" file="ed10394.jpg" alt="ed10394.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> T-14 <br/><img align="absmiddle" height="202px" width="839px" file="ed10396.jpg" alt="ed10396.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> T-15 <br/><img align="absmiddle" height="204px" width="839px" file="ed10397.jpg" alt="ed10397.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> T-16 <br/><img align="absmiddle" height="203px" width="839px" file="ed10398.jpg" alt="ed10398.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> T-17 <br/><img align="absmiddle" height="203px" width="839px" file="ed10400.jpg" alt="ed10400.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> T-18 <br/><img align="absmiddle" height="203px" width="839px" file="ed10402.jpg" alt="ed10402.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> T-19 <br/><img align="absmiddle" height="203px" width="775px" file="ed10404.jpg" alt="ed10404.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> T-20 <br/><img align="absmiddle" height="204px" width="977px" file="ed10406.jpg" alt="ed10406.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> T-21 <br/><img align="absmiddle" height="203px" width="773px" file="ed10408.jpg" alt="ed10408.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> T-22 <br/><br/>其中 <br/>R 表示具有1至7個C原子之直鏈烷基或烷氧基， <br/>m 表示0、1、2、3、4、5或6，且 <br/>n 表示0、1、2、3或4； <br/><img align="absmiddle" height="37px" width="130px" file="ed10410.jpg" alt="ed10410.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> CCG-V-F <br/><img align="absmiddle" height="198px" width="915px" file="ed10412.jpg" alt="ed10412.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> CAIY-n-Om <br/><img align="absmiddle" height="201px" width="914px" file="ed10414.jpg" alt="ed10414.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> APY-n-Om <br/><img align="absmiddle" height="27px" width="145px" file="ed10416.jpg" alt="ed10416.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> CLP-1V-1, <br/>其中 <br/>n及m各自彼此獨立地表示1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14或15。
如請求項1之液晶介質，其中該液晶介質具有負介電各向異性且包含至少一種選自式IA至IH化合物之群之化合物， <br/><br/><br/>其中 <br/>Z<sup>1</sup> 表示-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-、-CH=CH-、-CH<sub>2</sub>O-、-OCH<sub>2</sub>-、-CF<sub>2</sub>O-、-OCF<sub>2</sub>-、-COO-、-OCO-、-C<sub>2</sub>F<sub>4</sub>-、-(CH<sub>2</sub>)<sub>4</sub>-、-CHFCHF-、-CF<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-、-CH<sub>2</sub>CF<sub>2</sub>-、-C≡C-、-CF=CF-、-CH=CHCHO-或-CH<sub>2</sub>CF<sub>2</sub>O-，或Z<sup>1</sup>在式IB至IH中表示單鍵，及 <br/>選自下列式T-1至T-22、CCG-V-F、CAIY-n-Om、APY-n-Om及CLP-1V-1之化合物之群之至少一種化合物， <br/><img align="absmiddle" height="216px" width="718px" file="ed10379.jpg" alt="ed10379.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> T-1 <br/><img align="absmiddle" height="201px" width="839px" file="ed10380.jpg" alt="ed10380.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> T-2 <br/><img align="absmiddle" height="204px" width="839px" file="ed10381.jpg" alt="ed10381.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> T-3 <br/><img align="absmiddle" height="202px" width="839px" file="ed10382.jpg" alt="ed10382.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> T-4 <br/><img align="absmiddle" height="202px" width="839px" file="ed10383.jpg" alt="ed10383.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> T-5 <br/><img align="absmiddle" height="204px" width="839px" file="ed10384.jpg" alt="ed10384.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> T-6 <br/><img align="absmiddle" height="202px" width="839px" file="ed10385.jpg" alt="ed10385.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> T-7 <br/><img align="absmiddle" height="204px" width="839px" file="ed10386.jpg" alt="ed10386.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> T-8 <br/><img align="absmiddle" height="204px" width="839px" file="ed10387.jpg" alt="ed10387.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> T-9 <br/><img align="absmiddle" height="204px" width="839px" file="ed10388.jpg" alt="ed10388.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> T-10 <br/><img align="absmiddle" height="204px" width="839px" file="ed10389.jpg" alt="ed10389.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> T-11 <br/><img align="absmiddle" height="201px" width="839px" file="ed10390.jpg" alt="ed10390.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> T-12 <br/><img align="absmiddle" height="201px" width="839px" file="ed10392.jpg" alt="ed10392.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> T-13 <br/><img align="absmiddle" height="202px" width="839px" file="ed10394.jpg" alt="ed10394.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> T-14 <br/><img align="absmiddle" height="202px" width="839px" file="ed10396.jpg" alt="ed10396.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> T-15 <br/><img align="absmiddle" height="204px" width="839px" file="ed10397.jpg" alt="ed10397.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> T-16 <br/><img align="absmiddle" height="203px" width="839px" file="ed10398.jpg" alt="ed10398.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> T-17 <br/><img align="absmiddle" height="203px" width="839px" file="ed10400.jpg" alt="ed10400.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> T-18 <br/><img align="absmiddle" height="203px" width="839px" file="ed10402.jpg" alt="ed10402.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> T-19 <br/><img align="absmiddle" height="203px" width="775px" file="ed10404.jpg" alt="ed10404.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> T-20 <br/><img align="absmiddle" height="204px" width="977px" file="ed10406.jpg" alt="ed10406.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> T-21 <br/><img align="absmiddle" height="203px" width="773px" file="ed10408.jpg" alt="ed10408.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> T-22 <br/><br/>其中 <br/>R 表示具有+ ++++ 1至7個C原子之直鏈烷基或烷氧基， <br/>m 表示0、1、2、3、4、5或6，且 <br/>n 表示0、1、2、3或4； <br/><img align="absmiddle" height="37px" width="130px" file="ed10410.jpg" alt="ed10410.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> CCG-V-F <br/><img align="absmiddle" height="198px" width="915px" file="ed10412.jpg" alt="ed10412.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> CAIY-n-Om <br/><img align="absmiddle" height="201px" width="914px" file="ed10414.jpg" alt="ed10414.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> APY-n-Om <br/><img align="absmiddle" height="27px" width="145px" file="ed10416.jpg" alt="ed10416.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> CLP-1V-1, <br/>其中 <br/>n及m各自彼此獨立地表示1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14或15。
如請求項1之液晶介質，其中其包含至少一種以下各式之化合物： <br/><br/>
如請求項1之液晶介質，其中該(等)式IA至IH之化合物在整體混合物中之比例為1重量%至50重量%。
如請求項1之液晶介質，其中該介質另外包含一或多種式III化合物， <br/><img align="absmiddle" height="25px" width="218px" file="ed10444.jpg" alt="ed10444.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中 <br/>R<sup>31</sup>及R<sup>32</sup> 各自彼此獨立地表示具有最多12個C原子之直鏈烷基、烯基、烷氧基、烷氧基烷基或烯基氧基，且 <br/><img align="absmiddle" height="16px" width="34px" file="ed10445.jpg" alt="ed10445.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示<img align="absmiddle" height="16px" width="111px" file="ed10446.jpg" alt="ed10446.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="16px" width="31px" file="ed10447.jpg" alt="ed10447.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="17px" width="30px" file="ed10448.jpg" alt="ed10448.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>Z<sup>3</sup> 表示單鍵、-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-、-CH=CH-、-CF<sub>2</sub>O-、 -OCF<sub>2</sub>-、-CH<sub>2</sub>O-、-OCH<sub>2</sub>-、-COO-、-OCO-、-C<sub>2</sub>F<sub>4</sub>-、 -C<sub>4</sub>H<sub>9</sub>-、-C≡C-或-CF=CF-。
如請求項1之液晶介質，其中該介質另外包含一或多種式L-1至L-11之化合物， <br/><img align="absmiddle" height="296px" width="334px" file="ed10449.jpg" alt="ed10449.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="121px" width="359px" file="ed10450.jpg" alt="ed10450.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="268px" width="371px" file="ed10451.jpg" alt="ed10451.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中 <br/>R、R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>各自彼此獨立地表示H；具有最多15個C原子之烷基或烯基，其未經取代、經CN或CF<sub>3</sub>單取代或至少經鹵素單取代，其中另外該等基團中之一或多個CH<sub>2</sub>基團可以使得O原子彼此不直接連接之方式經-O-、-S-、<img align="absmiddle" height="16px" width="42px" file="ed10452.jpg" alt="ed10452.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、-C≡ C- 、-CF<sub>2</sub>O-、-OCF<sub>2</sub>-、-OC-O-或-O-CO-替代；環丙基環；環丁基環；或環戊基環，且烷基表示具有1至6個C原子之烷基，且 <br/>s 表示1或2。
如請求項1之液晶介質，其中該介質進一步包含以下化合物： <br/><img align="absmiddle" height="30px" width="91px" file="ed10453.jpg" alt="ed10453.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之液晶介質，其中該介質另外包含一或多種以下各式之化合物： <br/><br/>
如請求項1之液晶介質，其中該介質包含5%至60%之下式化合物(縮寫字：CC-3-V) <br/><img align="absmiddle" height="26px" width="114px" file="ed10505.jpg" alt="ed10505.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之液晶介質，其中該介質另外包含一或多種選自以下各式化合物之群之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="139px" width="705px" file="ed10507.jpg" alt="ed10507.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="695px" width="753px" file="ed10509.jpg" alt="ed10509.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="398px" width="732px" file="ed10511.jpg" alt="ed10511.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="951px" width="754px" file="ed10513.jpg" alt="ed10513.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中 <br/>在該等式BF-1、BF-2、BS-1及BS-2中，R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>各自彼此獨立地具有請求項6中R之含義、c表示0、1或2，及d表示1或2， <br/>該等化合物V-10及L-4中之R及R<sup>10</sup>各自彼此獨立地具有請求項6中R之含義， <br/>烷基及烷基* 各自彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基， <br/>烯基及烯基* 各自彼此獨立地表示具有2至6個C原子之直鏈烯基， <br/>x 表示1至6。
如請求項1之液晶介質，其中該介質包含一或多種式CC-n-Vm化合物， <br/>其中n表示2至6，及m表示1至6。
如請求項11之液晶介質，其中n表示4且m表示1、n表示3且m表示1，或n表示3且m表示2。
如請求項11之液晶介質，其中該一或多種式CC-n-Vm化合物在整體混合物中之比例為5重量%至45重量%。
如請求項1之液晶介質，其中該介質包含式CC-n-Vm化合物、一或多種式CCH-nm化合物及式CY-n-Om化合物： <br/><br/>其中n表示4且m表示1， <br/><br/>其中n及m各自彼此獨立地表示1、2、3、4、5或6， <br/><br/>其中n表示3且m表示2。
如請求項1之液晶介質，其中該介質包含式CC-n-Vm化合物、一或多種式CCH-nm化合物、式CY-n-Om化合物及式CCY-n-Om化合物： <br/><br/>其中n表示4且m表示1， <br/><br/>其中n及m各自彼此獨立地表示1、2、3、4、5或6， <br/><br/>其中n表示3且m表示2， <br/><br/>其中n表示3且m表示2。
如請求項1之液晶介質，其中該介質包含式CC-n-Vm化合物及一或多種式CCOY-n-Om化合物： <br/><br/>其中n表示4且m表示1， <br/><br/>其中n表示2、3或4且m表示2。
如請求項1之液晶介質，其中該介質包含式CC-n-Vm化合物及一或多種式CCOY-V-Om化合物： <br/><br/>其中n表示4且m表示1， <br/><br/><br/>其中m表示2或3。
如請求項1之液晶介質，其中該介質包含式CC-n-Vm化合物及式CCY-1V-Om化合物： <br/><br/>其中n表示4且m表示1， <br/><br/>其中m表示2。
如請求項1之液晶介質，其中該介質包含式CC-n-Vm化合物及式CCY-V-Om化合物： <br/><br/>其中n表示4且m表示1， <br/><br/>其中m表示1。
如請求項1之液晶介質，其中該介質包含式CC-n-Vm化合物及式CCY-V-Om化合物： <br/><br/>其中n表示4且m表示1， <br/><br/>其中m表示2。
如請求項1之液晶介質，其中該介質包含式CC-n-Vm化合物及式CCY-V-Om化合物： <br/><br/>其中n表示4且m表示1， <br/><br/>其中m表示4。
如請求項1之液晶介質，其中該介質包含式CC-n-Vm化合物及式CCY-V2-Om化合物： <br/><br/>其中n表示4且m表示1， <br/><br/>其中m表示2。
如請求項1之液晶介質，其中該介質包含式CC-n-Vm化合物及式PY-n-Om化合物： <br/><br/>其中n表示4且m表示1， <br/><br/>其中n表示3且m表示2。
如請求項1之液晶介質，其中該介質包含式CC-n-Vm化合物及一或多種式COY-n-Om化合物： <br/><br/>其中n表示4且m表示1， <br/><br/>其中n表示2或3且m表示2。
如請求項1之液晶介質，其中該介質包含式CC-n-Vm化合物及COY-1V-Om化合物： <br/><br/>其中n表示4且m表示1， <br/><br/>其中m表示2。
如請求項1之液晶介質，其中該介質包含式CC-n-Vm化合物及COY-1V-Om化合物： <br/><br/>其中n表示4且m表示1， <br/><br/>其中m表示1。
如請求項1之液晶介質，其中該介質包含式CC-n-Vm化合物及一或多種式CPY-V-Om化合物： <br/><br/>其中n表示4且m表示1， <br/><br/>其中m表示2或4。
如請求項1之液晶介質，其中該介質包含式CC-n-Vm化合物及一或多種式CY-V-Om化合物： <br/><br/>其中n表示4且m表示1， <br/><br/>其中m表示2或4。
如請求項1之液晶介質，其中該介質包含式CC-n-Vm化合物及式PY-V2-Om化合物： <br/><br/>其中n表示4且m表示1， <br/><br/>其中m表示2。
如請求項1之液晶介質，其中該介質包含式CC-4-V1化合物及式CC-3-V1化合物： <br/><img align="absmiddle" height="27px" width="193px" file="ed10540.jpg" alt="ed10540.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>及 <br/><img align="absmiddle" height="26px" width="194px" file="ed10541.jpg" alt="ed10541.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之液晶介質，其中該介質包含式CC-n-Vm化合物、一或多種式CCH-nm化合物及式CY-n-Om化合物： <br/><br/>其中n表示3且m表示2， <br/><br/>其中n及m各自彼此獨立地表示1、2、3、4、5或6， <br/><br/>其中n表示3且m表示2。
如請求項1之液晶介質，其中該介質包含式CC-n-Vm化合物、一或多種式CCH-nm化合物、式CY-n-Om化合物及式CCY-n-Om化合物： <br/><br/>其中n表示3且m表示2， <br/><br/>其中n及m各自彼此獨立地表示1、2、3、4、5或6， <br/><br/>其中n表示3且m表示2， <br/><br/>其中n表示3且m表示2。
如請求項1之液晶介質，其中該介質包含式CC-n-Vm化合物及一或多種式CCOY-n-Om化合物： <br/><br/>其中n表示3且m表示2， <br/><br/>其中n表示2、3或4且m表示2。
如請求項1之液晶介質，其中該介質包含式CC-n-Vm化合物及一或多種式CCOY-V-Om化合物： <br/><br/>其中n表示3且m表示2， <br/><br/><br/>其中m表示2或3。
如請求項1之液晶介質，其中該介質包含式CC-n-Vm化合物及式CCY-1V-Om化合物： <br/><br/>其中n表示3且m表示2， <br/><br/>其中m表示2。
如請求項1之液晶介質，其中該介質包含式CC-n-Vm化合物及式CCY-V-Om化合物： <br/><br/>其中n表示3且m表示2， <br/><br/>其中m表示1。
如請求項1之液晶介質，其中該介質包含式CC-n-Vm化合物及式CCY-V-Om化合物： <br/><br/>其中n表示3且m表示2， <br/><br/>其中m表示2。
如請求項1之液晶介質，其中該介質包含式CC-n-Vm化合物及式CCY-V-Om化合物： <br/><br/>其中n表示3且m表示2， <br/><br/>其中m表示4。
如請求項1之液晶介質，其中該介質包含式CC-n-Vm化合物及式CCY-V2-Om化合物： <br/><br/>其中n表示3且m表示2， <br/><br/>其中m表示2。
如請求項1之液晶介質，其中該介質包含式CC-n-Vm化合物及式PY-n-Om化合物： <br/><br/>其中n表示3且m表示2， <br/><br/>其中n表示3且m表示2。
如請求項1之液晶介質，其中該介質包含式CC-n-Vm化合物及一或多種式COY-n-Om化合物： <br/><br/>其中n表示3且m表示2， <br/><br/>其中n表示2或3且m表示2。
如請求項1之液晶介質，其中該介質包含式CC-n-Vm化合物及COY-1V-Om化合物： <br/><br/>其中n表示3且m表示2， <br/><br/>其中m表示2。
如請求項1之液晶介質，其中該介質包含式CC-n-Vm化合物及COY-1V-Om化合物： <br/><br/>其中n表示3且m表示2， <br/><br/>其中m表示1。
如請求項1之液晶介質，其中該介質包含式CC-n-Vm化合物及一或多種式CPY-V-Om化合物： <br/><br/>其中n表示3且m表示2， <br/><br/>其中m表示2或4。
如請求項1之液晶介質，其中該介質包含式CC-n-Vm化合物及一或多種式CY-V-Om化合物： <br/><br/>其中n表示3且m表示2， <br/><br/>其中m表示2或4。
如請求項1之液晶介質，其中該介質包含式CC-n-Vm化合物及式PY-V2-Om化合物： <br/><br/>其中n表示3且m表示2， <br/><br/>其中m表示2。
如請求項1之液晶介質，其中該介質包含式CC-n-Vm化合物及式CC-3-V1化合物， <br/>其中n表示3及m表示2， <br/><br/>
如請求項1至47中任一項之液晶介質，其中該介質包含至少一種可聚合化合物。
如請求項1至47中任一項之液晶介質，其中該介質包含一或多種添加劑。
如請求項49之液晶介質，其中該添加劑係選自自由基清除劑、抗氧化劑、摻雜劑及/或UV穩定劑之群。
一種如請求項1至50中任一項之液晶介質之用途，其係用於光電顯示器中。
一種具有主動矩陣定址之光電顯示器，其特徵在於其含有如請求項1至50中任一項之液晶介質作為電介質。
如請求項52之光電顯示器，其中其係VA、PSA、PA-VA、PS-VA、SA-VA、SS-VA、PALC、IPS、PS-IPS、FFS、UB-FFS或PS-FFS顯示器。
如請求項53之光電顯示器，其中其係具有平面配向層之IPS、PS-IPS、FFS或PS-FFS顯示器。
一種發光裝置，包含： <br/> 陽極； <br/> 陰極；及 <br/> 依次位於該陽極與該陰極之間的第一層、第二層、第三層、發光層及第四層， <br/> 其中該第一層與該陽極接觸， <br/> 其中該第一層包含第一有機化合物及第二有機化合物， <br/> 其中該第二層包含第三有機化合物， <br/> 其中該第三層包含具有咔唑骨架的第四有機化合物， <br/> 其中該發光層包含第五有機化合物及第六有機化合物， <br/> 其中該第四層包含第七有機化合物， <br/> 其中該第一有機化合物為包含至少一個氰基及鹵基的有機化合物， <br/> 其中該第二有機化合物及該第三有機化合物為相同物質， <br/> 其中該第五有機化合物為發光中心物質， <br/> 其中該第六有機化合物具有蒽骨架及雜環骨架， <br/> 其中該第二有機化合物的HOMO能階為-5.7 eV以上且為-5.2 eV以下， <br/> 其中該第六有機化合物的LUMO能階淺於該第七有機化合物的LUMO能階， <br/> 其中該第六有機化合物的LUMO能階與該第七有機化合物的LUMO能階之差為0.1 eV以上且為0.3 eV以下， <br/> 其中該第四有機化合物的HOMO能階深於該第三有機化合物的HOMO能階，且 <br/> 其中該第三有機化合物的HOMO能階與該第四有機化合物的HOMO能階之差為0.2 eV以下。
一種發光裝置，包含： <br/> 陽極； <br/> 陰極；及 <br/> 依次位於該陽極與該陰極之間的第一層、第二層、第三層、發光層及第四層， <br/> 其中該第一層與該陽極接觸， <br/> 其中該第一層包含第一有機化合物及第二有機化合物， <br/> 其中該第二層包含第三有機化合物， <br/> 其中該第三層包含第四有機化合物， <br/> 其中該發光層包含第五有機化合物及第六有機化合物， <br/> 其中該第四層為包含第七有機化合物的電子傳輸層，且該電子傳輸層與該發光層接觸， <br/> 其中該第一有機化合物為包含至少一個氰基及鹵基的有機化合物， <br/> 其中該第二有機化合物及該第三有機化合物為相同物質， <br/> 其中該第五有機化合物為發光中心物質， <br/> 其中該第六有機化合物具有蒽骨架及雜環骨架， <br/> 其中該第二有機化合物的HOMO能階為-5.7 eV以上且為-5.2 eV以下， <br/> 其中該第六有機化合物的LUMO能階淺於該第七有機化合物的LUMO能階， <br/> 其中該第六有機化合物的LUMO能階與該第七有機化合物的LUMO能階之差為0.1 eV以上且為0.3 eV以下， <br/> 其中該第四有機化合物的HOMO能階深於該第三有機化合物的HOMO能階，且 <br/> 其中該第三有機化合物的HOMO能階與該第四有機化合物的HOMO能階之差為0.2 eV以下。
一種發光裝置，包含： <br/> 陽極； <br/> 陰極；及 <br/> 依次位於該陽極與該陰極之間的第一層、第二層、第三層、發光層及第四層， <br/> 其中該第一層與該陽極接觸， <br/> 其中該第一層包含第一有機化合物及第二有機化合物， <br/> 其中該第二層包含第三有機化合物， <br/> 其中該第三層包含第四有機化合物，該第四有機化合物為具有包括二苯并呋喃環之取代基的芳香胺， <br/> 其中該發光層包含第五有機化合物及第六有機化合物， <br/> 其中該第四層為包含第七有機化合物的電子傳輸層，且該電子傳輸層與該發光層接觸， <br/> 其中該第一有機化合物為包含至少一個氰基及鹵基的有機化合物， <br/> 其中該第二有機化合物及該第三有機化合物為相同物質， <br/> 其中該第五有機化合物為發光中心物質， <br/> 其中該第六有機化合物具有蒽骨架及雜環骨架， <br/> 其中該第二有機化合物的HOMO能階為-5.7 eV以上且為-5.2 eV以下， <br/> 其中該第六有機化合物的LUMO能階淺於該第七有機化合物的LUMO能階， <br/> 其中該第六有機化合物的LUMO能階與該第七有機化合物的LUMO能階之差為0.1 eV以上且為0.3 eV以下， <br/> 其中該第四有機化合物的HOMO能階深於該第三有機化合物的HOMO能階，且 <br/> 其中該第三有機化合物的HOMO能階與該第四有機化合物的HOMO能階之差為0.2 eV以下。
一種發光裝置，包含： <br/> 陽極； <br/> 陰極；及 <br/> 依次位於該陽極與該陰極之間的第一層、第二層、第三層、發光層及第四層， <br/> 其中該第一層與該陽極接觸， <br/> 其中該第一層包含第一有機化合物及第二有機化合物， <br/> 其中該第二層包含第三有機化合物， <br/> 其中該第三層包含具有咔唑骨架的第四有機化合物， <br/> 其中該發光層包含第五有機化合物及第六有機化合物， <br/> 其中該第四層包含第七有機化合物， <br/> 其中該第一有機化合物為包含至少一個氰基及鹵基的有機化合物， <br/> 其中該第二有機化合物及該第三有機化合物為相同物質， <br/> 其中該第五有機化合物為發光中心物質， <br/> 其中該第六有機化合物具有蒽骨架及雜環骨架， <br/> 其中該第二有機化合物的HOMO能階為-5.7 eV以上且為-5.2 eV以下， <br/> 其中該第七有機化合物為缺π電子型雜芳族化合物， <br/> 其中該第四有機化合物的HOMO能階深於該第三有機化合物的HOMO能階，且 <br/> 其中該第三有機化合物的HOMO能階與該第四有機化合物的HOMO能階之差為0.2 eV以下。
一種發光裝置，包含： <br/> 陽極； <br/> 陰極；及 <br/> 依次位於該陽極與該陰極之間的第一層、第二層、第三層、發光層及第四層， <br/> 其中該第一層與該陽極接觸， <br/> 其中該第一層包含第一有機化合物及第二有機化合物， <br/> 其中該第二層包含第三有機化合物， <br/> 其中該第三層包含第四有機化合物， <br/> 其中該發光層包含第五有機化合物及第六有機化合物， <br/> 其中該第四層為包含第七有機化合物的電子傳輸層，且該電子傳輸層與該發光層接觸， <br/> 其中該第一有機化合物為包含至少一個氰基及鹵基的有機化合物， <br/> 其中該第二有機化合物及該第三有機化合物為相同物質， <br/> 其中該第五有機化合物為發光中心物質， <br/> 其中該第六有機化合物具有蒽骨架及雜環骨架， <br/> 其中該第二有機化合物的HOMO能階為-5.7 eV以上且為-5.2 eV以下， <br/> 其中該第七有機化合物為缺π電子型雜芳族化合物， <br/> 其中該第四有機化合物的HOMO能階深於該第三有機化合物的HOMO能階，且 <br/> 其中該第三有機化合物的HOMO能階與該第四有機化合物的HOMO能階之差為0.2 eV以下。
一種發光裝置，包含： <br/> 陽極； <br/> 陰極；及 <br/> 依次位於該陽極與該陰極之間的第一層、第二層、第三層、發光層及第四層， <br/> 其中該第一層與該陽極接觸， <br/> 其中該第一層包含第一有機化合物及第二有機化合物， <br/> 其中該第二層包含第三有機化合物， <br/> 其中該第三層包含第四有機化合物，該第四有機化合物為具有包括二苯并呋喃環之取代基的芳香胺， <br/> 其中該發光層包含第五有機化合物及第六有機化合物， <br/> 其中該第四層為包含第七有機化合物的電子傳輸層，且該電子傳輸層與該發光層接觸， <br/> 其中該第一有機化合物為包含至少一個氰基及鹵基的有機化合物， <br/> 其中該第二有機化合物及該第三有機化合物為相同物質， <br/> 其中該第五有機化合物為發光中心物質， <br/> 其中該第六有機化合物具有蒽骨架及雜環骨架， <br/> 其中該第二有機化合物的HOMO能階為-5.7 eV以上且為-5.2 eV以下， <br/> 其中該第七有機化合物為缺π電子型雜芳族化合物， <br/> 其中該第四有機化合物的HOMO能階深於該第三有機化合物的HOMO能階，且 <br/> 其中該第三有機化合物的HOMO能階與該第四有機化合物的HOMO能階之差為0.2 eV以下。
如請求項4至6中任一項之發光裝置，其中該缺π電子型雜芳族化合物包含喹<img align="absmiddle" height="25px" width="23px" file="d10089.TIF" alt="ed10089.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10089.png"/>啉骨架、苯并咪唑骨架和三嗪骨架中的任意個。
如請求項1至6中任一項之發光裝置， <br/> 其中該第二有機化合物包含第一電洞傳輸性骨架， <br/> 其中該第三有機化合物包含第二電洞傳輸性骨架， <br/> 其中該第四有機化合物包含第三電洞傳輸性骨架，且 <br/> 其中該第一電洞傳輸性骨架、該第二電洞傳輸性骨架及該第三電洞傳輸性骨架各自獨立為咔唑骨架、二苯并呋喃骨架、二苯并噻吩骨架和蒽骨架中的任一者。
如請求項1至6中任一項之發光裝置， <br/> 其中該第四有機化合物的HOMO能階與該第六有機化合物的HOMO能階之差小於0.2 eV。
如請求項1至6中任一項之發光裝置， <br/> 其中該第四有機化合物中兩個咔唑環與萘環鍵合。
如請求項8之發光裝置，其中該第四有機化合物為3,3’-(萘-1,4-二基)雙(9-苯基-9H-咔唑)。
如請求項1至6中任一項之發光裝置， <br/> 其中該第二有機化合物的HOMO能階為-5.7 eV以上且為-5.4 eV以下。
如請求項1至6中任一項之發光裝置，其中當電場強度[V/cm]的平方根為600時，該第七有機化合物的電子移動率小於該第六有機化合物的電子移動率。
如請求項1至6中任一項之發光裝置，其中該第二有機化合物包含二苯并呋喃骨架。
如請求項1至6中任一項之發光裝置，其中該第七有機化合物包含喹<img align="absmiddle" height="25px" width="23px" file="d10089.TIF" alt="ed10089.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10089.png"/>啉骨架。
如請求項1至6中任一項之發光裝置，其中該第五有機化合物為藍色螢光材料。
如請求項1至6中任一項之發光裝置，其中該第一有機化合物相對於該第二有機化合物呈現電子接受性。
一種電子裝置，包含如請求項1至6中任一項之發光裝置；及一種或多個感測器，操作按鈕，揚聲器及麥克風。
一種多孔質碳的製造方法，包括： <br/>將易石墨化碳原料粉碎的第一粉碎步驟、 <br/>使於所述第一粉碎步驟中經粉碎的所述易石墨化碳原料不熔化的步驟、以及 <br/>將於所述不熔化的步驟中經不熔化的所述易石墨化碳原料固相碳化的步驟， <br/>所述易石墨化碳原料為石油瀝青或無灰炭， <br/>所述多孔質碳的製造方法不包括活化步驟。
如請求項1所述的多孔質碳的製造方法，其中於所述不熔化的步驟後更包括將所述易石墨化碳原料粉碎的第二粉碎步驟。
如請求項2所述的多孔質碳的製造方法，其中於所述固相碳化的步驟之前進行所述第二粉碎步驟。
如請求項1至3中任一項所述的多孔質碳的製造方法，其中所述固相碳化的步驟時的所述易石墨化碳原料的平均粒子徑為20 μm以下。
如請求項1至3中任一項所述的多孔質碳的製造方法，其中於所述第一粉碎步驟中將所述易石墨化碳原料粉碎至平均粒子徑20 μm以下。
如請求項1至3中任一項所述的多孔質碳的製造方法，其中於30℃、100 kPa的100%二氧化碳環境下，所述多孔質碳對二氧化碳的吸附量相對於所述多孔質碳100質量份而為4質量份以上。
如請求項1至3中任一項所述的多孔質碳的製造方法，其中所述多孔質碳為二氧化碳分離材料。
一種二氧化碳分離方法，包括： <br/>使包含二氧化碳的氣體與藉由如請求項1至3中任一項所述的多孔質碳的製造方法而製造的多孔質碳接觸的步驟。
如請求項8所述的二氧化碳分離方法，其中所述氣體為使包含碳的材料燃燒時產生的燃燒排出氣體。
一種抗壞血酸碳鏈二元酸酯的固體形式，該抗壞血酸碳鏈二元酸酯的固體形式的組成為大於90wt.%的二抗壞血酸-6,6-壬二酸酯，和其X光粉末繞射圖譜如圖1所示，且具有以下以2θ角表示的特徵峰：7.2±0.2°、14.1±0.2°、18.5±0.2°、18.7±0.2°、19.8±0.2°、22.4±0.2°、23.9±0.2°和25.4±0.2°。
如請求項1所述的的抗壞血酸碳鏈二元酸酯的固體形式，該組成為大於90wt.%的二抗壞血酸-6,6-壬二酸酯的固體形式的傅立葉紅外光譜圖如圖2所示，且包括以下波數(cm<sup>-1</sup>)的特徵峰：3416±2、3172±2、2928±2、2857±2、1749±2、1737±2、1681±2、1347±2、1305±2、1146±2和761±2cm<sup>-1</sup>。
如請求項1所述的抗壞血酸碳鏈二元酸酯的固體形式，該組成為大於90wt.%的二抗壞血酸-6,6-壬二酸酯的固體形式在差示掃描熱分析圖譜的150~160℃具有單一特徵峰。
一種用於皮膚保養的組合物，以該組合物的總重量計，其包含0.0001~20wt.%的如請求項1至3所述的組成為大於90wt.%的二抗壞血酸-6,6-壬二酸酯的固體形式和80~99.9999wt.%的基底，和該基底的水活性值小於或等於0.7。
如請求項4所述的用於皮膚保養的組合物，該基底是油包水(W/O)劑型、硅油包水(W/Si)劑型、無水凝膠或凝膠。
如請求項4所述的用於皮膚保養的組合物，該基底的組成物包含植物油、礦物油、多元醇、矽烷或其任一組合。
一種保養皮膚的方法，其步驟包含使用一包含如請求項1~3所述的組成為大於90wt.%的二抗壞血酸-6,6-壬二酸酯的固體形式的配方在一個體的皮膚表面，和以該配方的總重量計，所述的抗壞血酸碳鏈二元酸酯的固體形式的添加量在該配方中的重量百分比是0.0001~20wt.%，和該配方的基底的水活性值小於或等於0.7。
如請求項7所述的保養皮膚的方法，該配方的型態是選自下列群組之一：乳霜、乳液、凝膠、粉體、膏體、面膜液和精華液。
如請求項7所述的保養皮膚的方法，該配方的型態是選自下列群組之一：乳霜、乳液、凝膠、粉體、膏體、面膜液和精華液該如請求項1~3所述的組成為大於90wt.%的二抗壞血酸-6,6-壬二酸酯的固體形式具有保護皮膚纖維母細胞或角質細胞免於紫外線傷害的用途。
如請求項7所述的保養皮膚的方法，該如請求項1~3所述的組成為大於90wt.%的二抗壞血酸-6,6-壬二酸酯的固體形式具有促進皮膚纖維母細胞或角質細胞製造膠原蛋白的用途。
一種資料處理方法，包括：<br/> 加載第一組模型；以及<br/> 根據統一的量化參數對該第一組模型進行量化，以獲得第一組量化後的模型；其中，該第一組模型具有浮點值，並且該第一組量化後的模型具有定點值或整數值；<br/> 其中，該第一組模型包含至少一個模型，該第一組量化後的模型包含至少一個量化後的模型，且該統一的量化參數根據第二組模型的複數個量化參數獲得；<br/> 其中，該統一的量化參數在預校準過程中獲得，該預校準過程包括：<br/> 獲得該第二組模型，該第二組模型包含複數個模型；<br/> 利用一組校準資料校準該第二組模型以獲得該複數個量化參數；以及<br/> 基於該複數個量化參數獲得該統一的量化參數。
如請求項1所述的資料處理方法，進一步包括：<br/> 編譯該第一組量化後的模型以形成第一組可執行的模型，其中，該第一組可執行的模型包含至少一個可執行的模型。
如請求項2所述的資料處理方法，進一步包括：<br/> 推理該第一組可執行的模型。
如請求項1所述的資料處理方法，其中，該複數個量化參數中的所有量化參數所反映的值範圍的全局最小值被定義為該統一的量化參數的下限，且該複數個量化參數中的所有量化參數所反映的值範圍的全局最大值被定義為該統一的量化參數的上限。
如請求項4所述的資料處理方法，其中，該所有量化參數所反映的值範圍包括至少一個通過對該複數個量化參數進行加權操作獲得的值範圍。
如請求項1所述的資料處理方法，其中，該第一組模型包含至少一個適配後的模型，且該第二組模型包含基礎模型和複數個適配後的模型，每一個適配後的模型通過對該基礎模型進行模型適配（MA）獲得。
如請求項6所述的資料處理方法，其中，該第一組模型和該第二組模型中的每一個模型是穩定擴散模型，用於對複數個圖像進行文本到圖像的生成；或者，該第一組模型和該第二組模型中的每一個模型是大語言模型（LLM），用於執行自然語言處理任務。
如請求項6所述的資料處理方法，其中，該模型適配包括至少一個低秩適配（LoRA），對應圖像的各種風格或各種角色。
一種資料處理方法，包括：<br/> 加載包含複數個操作單元的網絡；以及<br/> 根據統一的量化參數對該網絡進行量化，以獲得量化後的網絡；其中，該網絡具有浮點值，並且該量化後的網絡具有定點值或整數值；<br/> 其中，該統一的量化參數根據一組修改後的網絡的複數個量化參數獲得，且該組修改後的網絡通過將複數組權重輸入該網絡獲得；<br/> 其中，該統一的量化參數在預校準過程中獲得，該預校準過程包括：<br/> 加載該網絡後，將該複數組權重輸入該網絡以獲得該組修改後的網絡；<br/> 利用一組校準資料校準該組修改後的網絡以獲得該複數個量化參數；以及<br/> 基於該複數個量化參數獲得該統一的量化參數。
如請求項9所述的資料處理方法，其中，該網絡包含基礎模型和至少一個模型適配（MA），該基礎模型和每一個MA包含該複數個操作單元中的至少一個。
如請求項10所述的資料處理方法，其中，該複數組權重中的每一組與一個MA相關聯，或該複數組權重的組合與一個MA相關聯。
如請求項9所述的資料處理方法，其中，該複數個量化參數中的所有量化參數所反映的值範圍的全局最小值被定義為該統一的量化參數的下限，且該複數個量化參數中的所有量化參數所反映的值範圍的全局最大值被定義為該統一的量化參數的上限。
如請求項12所述的資料處理方法，其中該所有量化參數所反映的值範圍包括至少一個通過對該複數個量化參數進行加權操作獲得的值範圍。
如請求項12所述的資料處理方法，其中該組修改後的網絡中的每一個通過向該網絡輸入一組權重獲得；或者，該組修改後網絡中的每一個通過向該網絡輸入複數組權重的組合獲得。
如請求項9所述的資料處理方法，進一步包括：<br/> 編譯該量化後的網絡以形成可執行的網絡。
如請求項15所述的資料處理方法，進一步包括：<br/> 向該可執行的網絡輸入至少一組新權重；<br/> 基於該可執行的網絡的該統一的量化參數對該至少一組新權重進行量化，以獲得至少一組量化後的新權重；<br/> 用該至少一組量化後的新權重修改該可執行的網絡，以獲得可執行的模型；以及<br/> 對該可執行的模型進行推理。
如請求項16所述的資料處理方法，進一步包括：<br/> 在該推理步驟後返回到輸入至少一組新權重的步驟。
如請求項16所述的資料處理方法，其中該可執行的網絡包括基礎模型和至少一個模型適應（MA），該基礎模型和每一個MA包括該複數個操作單元中的至少一個操作單元；其中該至少一組新權重中的每一組新權重與至少一個MA中的一個MA相關聯。
一種化學氣相沉積裝置，其特徵在於，具備： <br/>腔體； <br/>基座，設置在所述腔體的內部來安放基板； <br/>下加熱器，設置在所述基座的下方來加熱所述基座；以及 <br/>上加熱器，設置在所述基座的上方， <br/>所述上加熱器由能夠單獨進行溫度調節的第一區域加熱器、第二區域加熱器以及第三區域加熱器構成， <br/>與所述第一區域加熱器相對應的第一加熱空間對應於處理所述基板的處理空間的前端部，與所述第二區域加熱器相對應的第二加熱空間對應於與所述基座相對應的區域，與所述第三區域加熱器相對應的第三加熱空間對應於所述處理空間的後端部。
如請求項1所述的化學氣相沉積裝置，其特徵在於， <br/>所述下加熱器與所述上加熱器的加熱方式不同。
如請求項1所述的化學氣相沉積裝置，其特徵在於， <br/>所述下加熱器由感應加熱器構成，所述上加熱器由電阻加熱器構成。
如請求項3所述的化學氣相沉積裝置，其特徵在於， <br/>所述化學氣相沉積裝置還具備向所述電阻加熱器供應電源的電源部，在所述電源部連接雜訊篩檢程式。
如請求項1所述的化學氣相沉積裝置，其特徵在於， <br/>所述化學氣相沉積裝置具備設置在所述基座與所述下加熱器之間且配置所述基座的下板以及設置在所述基座與所述上加熱器之間的上板， <br/>所述下板與所述上板之間形成處理所述基板的處理空間。
如請求項5所述的化學氣相沉積裝置，其特徵在於， <br/>所述化學氣相沉積裝置還具備從所述處理空間的一側面向所述處理空間供應製程氣體的氣體供應部。
如請求項1所述的化學氣相沉積裝置，其特徵在於， <br/>所述多個區域加熱器沿著製程氣體的流動方向排列。
如請求項1所述的化學氣相沉積裝置，其特徵在於， <br/>所述化學氣相沉積裝置還具備阻熱部件，所述阻熱部件設置在所述腔體的內部而圍繞所述基座、所述上加熱器以及所述下加熱器。
如請求項8所述的化學氣相沉積裝置，其特徵在於， <br/>所述阻熱部件由碳氈或者石墨氈構成。
一種化學氣相沉積裝置，其特徵在於，具備： <br/>腔體； <br/>內腔體，設置在所述腔體的內側； <br/>基座，設置在所述內腔體的內部來安放基板； <br/>下加熱器，設置在所述基座的下方來加熱所述基座；以及 <br/>上加熱器，設置在所述基座的上方， <br/>所述上加熱器由能夠單獨進行溫度調節的第一區域加熱器以及第二區域加熱器構成， <br/>所述第一區域加熱器配置於未配置所述基座的處理所述基板的處理空間的前端部，所述第二區域加熱器的末端部配置在所述基座的後端部和所述處理空間的末端部之間。
如請求項10所述的化學氣相沉積裝置，其特徵在於， <br/>所述下加熱器由感應加熱器構成，所述上加熱器由電阻加熱器構成。
如請求項10所述的化學氣相沉積裝置，其特徵在於， <br/>所述化學氣相沉積裝置具備設置在所述基座與所述下加熱器之間且配置所述基座的下板以及設置在所述基座與所述上加熱器之間的上板， <br/>所述下板與所述上板之間形成處理所述基板的處理空間。
如請求項10所述的化學氣相沉積裝置，其特徵在於， <br/>所述內腔體由碳氈或者石墨氈構成。
一種成像鏡頭，包括：一第一透鏡，該第一透鏡為彎月型透鏡具有屈光力；一第二透鏡，該第二透鏡為彎月型透鏡具有正屈光力，該第二透鏡包括一凸面朝向一物側以及一凹面朝向一像側；一第三透鏡，該第三透鏡具有屈光力；一第四透鏡，該第四透鏡具有正屈光力，該第四透鏡包括一凸面朝向該像側；一第五透鏡，該第五透鏡具有正屈光力；一第六透鏡，該第六透鏡具有正屈光力；一第七透鏡，該第七透鏡具有屈光力；以及一第八透鏡，該第八透鏡具有正屈光力；其中該第一透鏡、該第二透鏡、該第三透鏡、該第四透鏡、該第五透鏡、該第六透鏡、該第七透鏡以及該第八透鏡沿著一光軸從該物側至該像側依序排列；其中具有屈光力的透鏡僅八個；其中該成像鏡頭滿足以下其中至少一條件：4<img align="absmiddle" height="15px" width="12px" file="d10114.TIF" alt="其他非圖式ed10114.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10114.png"/>TTL/f<img align="absmiddle" height="15px" width="12px" file="d10116.TIF" alt="其他非圖式ed10116.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10116.png"/>4.8；2<img align="absmiddle" height="16px" width="13px" file="d10117.TIF" alt="其他非圖式ed10117.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10117.png"/>f2/f<img align="absmiddle" height="16px" width="12px" file="d10118.TIF" alt="其他非圖式ed10118.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10118.png"/>2.5；3<img align="absmiddle" height="16px" width="13px" file="d10119.TIF" alt="其他非圖式ed10119.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10119.png"/>(R21+R22)/f2<img align="absmiddle" height="15px" width="14px" file="d10120.TIF" alt="其他非圖式ed10120.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10120.png"/>10；1.7<img align="absmiddle" height="15px" width="14px" file="d10121.TIF" alt="其他非圖式ed10121.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10121.png"/>f4/f<img align="absmiddle" height="15px" width="14px" file="d10122.TIF" alt="其他非圖式ed10122.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10122.png"/>2.5；0.3<img align="absmiddle" height="15px" width="12px" file="d10123.TIF" alt="其他非圖式ed10123.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10123.png"/>(R61+R62)/f6<img align="absmiddle" height="16px" width="13px" file="d10115.TIF" alt="其他非圖式ed10115.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10115.png"/>0.9；1.2<img align="absmiddle" height="15px" width="14px" file="d10124.TIF" alt="其他非圖式ed10124.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10124.png"/>f2/f6<img align="absmiddle" height="15px" width="14px" file="d10125.TIF" alt="其他非圖式ed10125.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10125.png"/>1.8；1.2<img align="absmiddle" height="15px" width="13px" file="d10126.TIF" alt="其他非圖式ed10126.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10126.png"/>f4/f6<img align="absmiddle" height="15px" width="14px" file="d10127.TIF" alt="其他非圖式ed10127.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10127.png"/>2；3.5<img align="absmiddle" height="15px" width="14px" file="d10128.TIF" alt="其他非圖式ed10128.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10128.png"/>TTL/BFL<img align="absmiddle" height="16px" width="14px" file="d10129.TIF" alt="其他非圖式ed10129.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10129.png"/>4.5；0.9<img align="absmiddle" height="16px" width="14px" file="d10130.TIF" alt="其他非圖式ed10130.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10130.png"/>f2/f4<img align="absmiddle" height="15px" width="14px" file="d10131.TIF" alt="其他非圖式ed10131.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10131.png"/>1.3；其中，TTL為該第一透鏡之一物側面至一成像面於該光軸上之一間距，f為該成像鏡頭之一有效焦距，f2為該第二透鏡之一有效焦距，f4為該第四透鏡之一有效焦距，f6為該第六透鏡之一有效焦距，R21為該第二透鏡之一物側面之一曲率半徑，R22為該第二透鏡之一像側面之一曲率半徑，R61為該第六透鏡之一物側面之一曲率半徑，R62為該第六透鏡之一像側面之一曲率半徑，BFL為該第八透鏡之一像側面至該成像面於該光軸上之一間距。
如申請專利範圍第1項所述之成像鏡頭，其中：該第一透鏡具有負屈光力；以及該第七透鏡具有負屈光力。
如申請專利範圍第2項所述之成像鏡頭，其中：該第三透鏡具有負屈光力且包括一凹面朝向該物側；以及該第七透鏡包括一凹面朝向該物側。
如申請專利範圍第3項所述之成像鏡頭，其中：該第五透鏡包括一凸面朝向該物側；該第六透鏡包括一凸面朝向該物側；以及該第八透鏡包括一凸面朝向該物側。
如申請專利範圍第4項所述之成像鏡頭，其中：該第一透鏡包括一凸面朝向該物側以及一凹面朝向該像側。
如申請專利範圍第5項所述之成像鏡頭，其中；該第三透鏡為雙凹透鏡，且更包括一凹面朝向該像側；以及該第七透鏡為雙凹透鏡，且更包括一凹面朝向該像側。
如申請專利範圍第6項所述之成像鏡頭，其中：該第五透鏡為雙凸透鏡，且更包括一凸面朝向該像側；該第六透鏡為雙凸透鏡，且更包括一凸面朝向該像側；以及該第八透鏡為雙凸透鏡，且更包括一凸面朝向該像側。
如申請專利範圍第7項所述之成像鏡頭，其中該第四透鏡為雙凸透鏡，且更包括一凸面朝向該物側。
如申請專利範圍第7項所述之成像鏡頭，其中該第四透鏡為彎月型透鏡，且更包括一凹面朝向該物側。
如申請專利範圍第1項至第9項中任一請求項所述之成像鏡頭，其中該成像鏡頭滿足以下條件：0.1<img align="absmiddle" height="16px" width="13px" file="d10132.TIF" alt="其他非圖式ed10132.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10132.png"/>T23/CT3<img align="absmiddle" height="16px" width="13px" file="d10133.TIF" alt="其他非圖式ed10133.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10133.png"/>0.5；其中，T23為該第二透鏡之該像側面至該第三透鏡之一物側面於該光軸上之一空氣間距，CT3為該第三透鏡之該物側面至該第三透鏡之一像側面於該光軸上之一間距。
一種記憶體系統，其能夠連接於主機，且具備： <br/>非揮發性記憶體，其包含複數個物理區塊，上述複數個物理區塊分別為資料抹除動作之單位；及 <br/>控制器，其電性連接於上述非揮發性記憶體；且 <br/>上述控制器構成為： <br/>管理複數個超級區塊，上述複數個超級區塊之各者包含上述複數個物理區塊中之一個以上之物理區塊，上述複數個超級區塊至少包含第1超級區塊及第2超級區塊； <br/>將能夠寫入上述複數個超級區塊之各者中之資料尺寸中之最大尺寸作為第1尺寸通知給上述主機，上述第1尺寸係上述主機對資料之管理單位之尺寸； <br/>響應於從上述主機接收到指定具有上述第1尺寸之第1管理單位之一個以上之寫入命令， <br/>將屬於上述第1管理單位之資料中能夠寫入上述第1超級區塊之資料尺寸即第2尺寸之資料寫入上述第1超級區塊，且 <br/>將屬於上述第1管理單位之資料中上述第1尺寸與上述第2尺寸之差量即第3尺寸之資料寫入上述第2超級區塊。
如請求項1之記憶體系統，其中 <br/>上述複數個超級區塊之各者包含上述複數個物理區塊中能夠並行動作之N個第1物理區塊，N為2以上之整數， <br/>上述最大尺寸為上述複數個超級區塊之各者所包含之上述N個第1物理區塊之記憶容量之合計。
如請求項1之記憶體系統，其中 <br/>上述複數個超級區塊進而包含第3超級區塊及第4超級區塊， <br/>上述控制器進而構成為： <br/>於對上述第1超級區塊之第1處理中， <br/>將儲存於上述第1超級區塊中之屬於上述第1管理單位之資料、及儲存於上述第2超級區塊中之屬於上述第1管理單位之資料中能夠寫入上述第3超級區塊之資料尺寸即第4尺寸之資料寫入上述第3超級區塊，將上述第1尺寸與上述第4尺寸之差量即第5尺寸之資料寫入上述第4超級區塊。
如請求項3之記憶體系統，其中 <br/>上述控制器構成為： <br/>於對上述第1超級區塊之上述第1處理中， <br/>於上述第4尺寸大於上述第2尺寸之情形時，將儲存於上述第1超級區塊中之上述第1資料全部寫入上述第3超級區塊， <br/>於上述第4尺寸小於上述第2尺寸之情形時，僅將儲存於上述第1超級區塊中之上述第1資料之一部分寫入上述第3超級區塊。
如請求項3之記憶體系統，其中 <br/>上述第1處理為更新處理， <br/>上述控制器進而構成為： <br/>從上述第1超級區塊中讀出上述第1資料， <br/>對上述讀出之第1資料進行錯誤校正， <br/>將進行上述錯誤校正後之第1資料寫入上述第3超級區塊， <br/>從上述第2超級區塊中讀出上述第2資料， <br/>對上述讀出之第2資料進行錯誤校正， <br/>將進行上述錯誤校正後之第2資料寫入上述第3超級區塊。
如請求項1之記憶體系統，其中 <br/>上述複數個超級區塊進而包含第3超級區塊， <br/>上述控制器進而構成為： <br/>於對上述第1超級區塊之第2處理中， <br/>將儲存於上述第1超級區塊中之屬於上述第1管理單位之第1有效資料、及儲存於上述第2超級區塊中之屬於上述第1管理單位之第2有效資料寫入上述第3超級區塊。
如請求項6之記憶體系統，其中 <br/>上述複數個超級區塊進而包含第4超級區塊， <br/>上述控制器進而構成為： <br/>響應於從上述主機接收到：指定具有上述第1尺寸且與上述第1管理單位不同之第2管理單位之一個以上之寫入命令， <br/>將屬於上述第2管理單位之資料中能夠寫入上述第4超級區塊之資料尺寸即第4尺寸之資料寫入上述第4超級區塊， <br/>於對上述第4超級區塊之上述第2處理中， <br/>將儲存於上述第4超級區塊中之屬於上述第2管理單位之第3有效資料寫入上述第3超級區塊。
如請求項6之記憶體系統，其中 <br/>上述第2處理為垃圾回收處理， <br/>上述控制器進而構成為： <br/>從上述第1超級區塊中讀出上述第1有效資料， <br/>將上述讀出之第1有效資料寫入上述第3超級區塊， <br/>從上述第2超級區塊中讀出上述第2有效資料， <br/>將上述讀出之第2有效資料寫入上述第3超級區塊。
如請求項1之記憶體系統，其中 <br/>上述控制器進而構成為： <br/>於對上述第1超級區塊之第2處理中， <br/>將儲存於上述第1超級區塊中之屬於上述第1管理單位之資料中之有效資料，寫入儲存有屬於上述第1管理單位之資料中之有效資料之上述第2超級區塊。
如請求項1之記憶體系統，其中 <br/>上述管理單位為收回單元(RU)， <br/>屬於一個上述收回單元之資料與複數個邏輯區塊位址(LBA)建立關聯。
如請求項10之記憶體系統，其中 <br/>上述控制器進而構成為： <br/>響應於從上述主機接收到不指定寫入目標之收回單元之寫入命令，將與上述不指定寫入目標之收回單元之寫入命令建立關聯之資料寫入上述第2超級區塊。
如請求項1之記憶體系統，其中 <br/>上述控制器進而構成為： <br/>於將上述第3尺寸之資料寫入上述第2超級區塊時， <br/>將上述第1超級區塊與表示寫入有上述第3尺寸之資料之上述第2超級區塊內之記憶區域之物理位址範圍之間的對應關係儲存於第1表中。
如請求項12之記憶體系統，其中 <br/>上述複數個超級區塊進而包含第3超級區塊及第4超級區塊， <br/>上述控制器進而構成為： <br/>於對上述第1超級區塊之第1處理中， <br/>將儲存於上述第1超級區塊中之屬於上述第1管理單位之資料、及於上述第1表中寫入有上述第3尺寸之資料之以物理位址範圍表示之記憶區域中儲存之資料中能夠寫入上述第3超級區塊之資料尺寸即第4尺寸之資料寫入上述第3超級區塊，將上述第1尺寸與上述第4尺寸之差量即第5尺寸之資料寫入上述第4超級區塊， <br/>將上述第3超級區塊與表示寫入有上述第5尺寸之資料之上述第4超級區塊內之記憶區域之物理位址範圍之間的對應關係儲存於上述第1表中。
如請求項12之記憶體系統，其中 <br/>上述複數個超級區塊進而包含第3超級區塊及第4超級區塊， <br/>上述控制器進而構成為： <br/>於對上述第1超級區塊之第2處理中， <br/>將第1有效資料及第2有效資料中能夠寫入上述第3超級區塊之資料尺寸即第4尺寸之資料寫入上述第3超級區塊，將作為上述第1有效資料和上述第2有效資料之總尺寸之第5尺寸與上述第4尺寸之差量即第6尺寸之資料寫入上述第4超級區塊，上述第1有效資料係儲存於上述第1超級區塊中之屬於上述第1管理單位之資料中之有效資料，上述第2有效資料係於上述第1表中寫入有上述第3尺寸之資料之以物理位址範圍表示之記憶區域中儲存之資料中之有效資料。
如請求項1之記憶體系統，其中 <br/>上述控制器進而構成為： <br/>響應於從上述主機接收到指定上述第1管理單位之第1請求，將上述第1尺寸與如下之總尺寸之差量通知給上述主機，其中上述總尺寸為上述第2尺寸和上述第3尺寸之總尺寸。
一種風扇防洩壓結構，係包含：<br/>一風扇轉子，具有一輪轂並垂設一軸心，該輪轂外緣延伸有複數扇葉，並該等扇葉末端連接一外環體；及<br/>一風扇框，具有一入風側及一出風側，並該出、入風側之間具有一通道，該風扇框靠近該出風側的一側設有一基座，該基座上係垂設一軸筒，該基座透過複數連接體與該風扇框連接，該軸筒外部套設一定子組，其內部設有至少一軸承，該風扇轉子透過該軸心與該軸承樞設，該風扇轉子之外環體設置於該風扇框的通道內，並兩者之間形成一間隙流道，該外環體的外表面與該風扇框的內壁以非平面設置有對應凹凸交錯結構以構形成一防洩壓區，該防洩壓區係由該風扇框內壁面呈複數非連續凹部搭配該外環體外表面呈複數非連續凸部對應配置所構型，當氣流流經該防洩壓區時會在每一凹結構的上下側產生渦流造成流動阻礙達到防洩壓之效果者。
如請求項1所述之風扇防洩壓結構，其中該風扇框的間隙流道的直徑由該入風側向該出風側漸縮所形成，或令該扇框的內壁呈傾斜設置，所述風扇轉子之外環體的外徑由相對該風扇框入風側的一端向相對該出風側的一端逐漸漸縮所形成，並該外環體的外表面與該風扇框的內壁面相互平行設置。
如請求項1所述之風扇防洩壓結構，其中該風扇框的間隙流道的直徑由該入風側向該出風側漸擴所形成，或令該風扇框的內壁呈傾斜設置，所述風扇轉子之外環體的外徑由相對該風扇框入風側的一端向相對該出風側的一端逐漸漸擴所形成，並該外環體的外表面與該風扇框的內壁面相互平行設置。
如請求項1所述之風扇防洩壓結構，其中該等連接體係為靜葉或肋。
一種風扇防洩壓結構，係包含：<br/>一風扇轉子，具有一輪轂並垂設一軸心，該輪轂外緣延伸有複數扇葉，並該等扇葉末端連接一外環體；及<br/>一風扇框，具有一入風側及一出風側，並該出、入風側之間具有一通道，該風扇框靠近該出風側的一側設有一基座，該基座上係垂設一軸筒，該基座透過複數連接體與該風扇框連接，該軸筒外部套設一定子組，其內部設有至少一軸承，該風扇轉子透過該軸心與該軸承樞設，該風扇轉子之外環體設置於該風扇框的通道內，並兩者之間形成一間隙流道，該外環體的外表面與該風扇框的內壁以非平面設置有對應凹凸交錯結構以構形成一防洩壓區，該防洩壓區係由該風扇框內壁面呈連續鋸齒狀搭配該外環體外表面呈連續鋸齒狀交錯對應配置所構型，當氣流流經該防洩壓區時會在每一凹結構的上下側產生渦流造成流動阻礙達到防洩壓之效果者。
如請求項5所述之風扇防洩壓結構，其中該風扇框的間隙流道的直徑由該入風側向該出風側漸縮所形成，或令該扇框的內壁呈傾斜設置，所述風扇轉子之外環體的外徑由相對該風扇框入風側的一端向相對該出風側的一端逐漸漸縮所形成，並該外環體的外表面與該風扇框的內壁面相互平行設置。
如請求項5所述之風扇防洩壓結構，其中該風扇框的間隙流道的直徑由該入風側向該出風側漸擴所形成，或令該風扇框的內壁呈傾斜設置，所述風扇轉子之外環體的外徑由相對該風扇框入風側的一端向相對該出風側的一端逐漸漸擴所形成，並該外環體的外表面與該風扇框的內壁面相互平行設置。
如請求項5所述之風扇防洩壓結構，其中該等連接體係為靜葉或肋。
一種模組化的智慧刀把，適用於連接一主軸單元與一刀具，包含： <br/>一刀把單元，包括一適用於連接該主軸單元的刀柄，及一沿一軸線的方向可卸離地連接於該刀柄且適用於連接該刀具的刀桿，該刀桿與該刀柄界定一腔室； <br/>一感測單元，穿置在該腔室且可卸離地固定於該刀桿，包括二相互對合的固定座，及一被定位在該等固定座間的感測模組；及 <br/>一功能單元，穿置在該腔室且可脫離地被限位在該刀柄與該刀桿間，包括二相互對合且界定一安裝空間的限位座，及一穿置在該安裝空間且電連接於該感測模組的電控模組。
如請求項1所述的模組化的智慧刀把，其中，該刀桿包括一開口朝向該刀柄的凹槽，該感測單元沿該軸線的方向固定於該刀桿，且至少其中一該固定座卡合於該凹槽，該功能單元沿該軸線的方向被限位在該刀柄與該刀桿間。
如請求項1所述的模組化的智慧刀把，其中，該感測單元還包括一感測傳輸線，每一該固定座具有一對接面，該等對接面相互對合，至少其中一該固定座還具有一形成在該對接面的安裝槽，及一連通於該安裝槽且用於連通該腔室的安裝通道，該感測模組設置在該安裝槽，該感測傳輸線通過該安裝通道且電連接於該感測模組與該電控模組。
如請求項1所述的模組化的智慧刀把，其中，該安裝空間沿該軸線的方向延伸且開口朝向該感測單元，該刀桿具有一面向該刀柄的接合面，及一由該接合面沿該軸線的方向延伸且穿置入該腔室的環肋，該環肋具有至少一卡槽，每一該限位座具有一對合面，及一沿該軸線的方向相反於該對合面的抵靠面，該等對合面相互面對，該等抵靠面分別抵靠於該刀柄與該刀桿，其中一該限位座還具有至少一由該抵靠面沿該軸線的方向延伸且對合於該至少一卡槽的凸肋。
如請求項4所述的模組化的智慧刀把，其中，該環肋具有二卡槽，該其中一限位座具有二凸肋，及一由該抵靠面沿該軸線的方向延伸且位於該等凸肋間的凸塊，每一該凸肋沿該軸線的方向界定一第一長度，該凸塊沿該軸線的方向界定一大於該第一長度的第二長度，並具有一沿該軸線的方向延伸且連通於該安裝空間與該腔室的線通道。
如請求項1所述的模組化的智慧刀把，還包含一通訊單元，該刀桿具有一連通外界與該腔室的傳輸通道，該通訊單元安裝在該刀桿，包括一環繞該刀桿的無線通訊模組，及一電連接該無線通訊模組與該電控模組且通過該傳輸通道與該安裝空間的電控傳輸線。
如請求項1所述的模組化的智慧刀把，其中，該功能單元還包括至少一電連接於該電控模組的電池，該等限位座還界定至少一供電倉，該至少一電池安裝在該至少一供電倉。
一種加工裝置，適用於連接一刀具，包含： <br/>一主軸單元，包括一軸座，及一可轉動地穿置在該軸座的轉軸； <br/>一如請求項1~6任一項所述的智慧刀把，其中，該刀柄連接於該轉軸，該刀桿適用於連接該刀具。
如請求項8所述的加工裝置，還包含一電能傳輸單元，該電能傳輸單元包括一套接於該轉軸的第一傳輸模組、一安裝在該軸座且環繞該第一傳輸模組的第二傳輸模組，及一第三傳輸模組，該第二傳輸模組與該第一傳輸模組能夠通過電磁感應傳輸電能，該第三傳輸模組具有二電連接於該第一傳輸模組且沿該軸線的方向穿出該轉軸的第一導電接點，及二安裝在該刀柄且電連接於該電控模組的第二導電接點，該等第二導電接點可斷開地電連接於該等第一導電接點。
如請求項9所述的加工裝置，其中，該轉軸具有二形成在該第一傳輸模組與該等第一導電接點間的第一孔道，該刀柄具有二形成在該等第二導電接點與該腔室間的第二孔道，該第三傳輸模組還具有二穿置在該等第一孔道且電連接於該第一傳輸模組與該等第一導電接點的第一電接線，及二穿置在該等第二孔道且電連接該等第二導電接點與該電控模組的第二電接線。
一種影像感測器，包括：<br/> 基底，包括光電轉換區和浮動擴散區；<br/> 轉移閘極結構，設置在所述基底上且包括在第一方向上彼此相對的第一側以及第二側，其中所述第一側覆蓋所述光電轉換區的一部分，且所述第二側覆蓋所述浮動擴散區的一部分；<br/> 介電層，設置在所述基底上且覆蓋所述轉移閘極結構，其中所述介電層包括設置在所述浮動擴散區和所述轉移閘極結構上方的第一溝渠；<br/> 光反射層，設置在所述第一溝渠的表面上；<br/> 導電接觸件，設置在所述介電層中且與所述浮動擴散區電性連接；以及<br/> 內連線層，設置在所述介電層上，其中所述內連線層包括層間介電層以及設置在所述層間介電層中且與所述導電接觸件電性連接的內連線，其中所述層間介電層包括設置在所述第一溝渠中的部分。
如請求項1所述的影像感測器，其中所述第一溝渠包括在所述第一方向上彼此相對的第一側壁和第二側壁以及連接所述第一側壁與所述第二側壁的底面，所述第一側壁在所述轉移閘極結構上方且與所述底面的夾角大於90度。
如請求項2所述的影像感測器，其中所述第二側壁在所述浮動擴散區上方且與所述底面的夾角大於90度。
如請求項1所述的影像感測器，其中所述光反射層與所述內連線和所述導電接觸件電性隔離。
如請求項4所述的影像感測器，其中所述光反射層的材料包括金屬。
如請求項4所述的影像感測器，其中所述導電接觸件與所述第一溝渠間隔開來。
如請求項4所述的影像感測器，其中所述導電接觸件設置在所述第一溝渠中且與所述光反射層間隔開來。
如請求項1所述的影像感測器，其中所述第一溝渠包括在不同於所述第一方向的第二方向上延伸的溝渠圖案。
如請求項1所述的影像感測器，其中所述第一溝渠包括環狀溝渠圖案，所述環狀溝渠圖案包括設置在所述浮動擴散區和所述轉移閘極結構上方的第一部分以及圍繞於所述光電轉換區上方的第二部分，<br/> 所述環狀溝渠圖案包括面向光電轉換區的內側壁、與所述內側壁相對的外側壁以及連接所述內側壁與所述外側壁的底面，所述內側壁與所述底面的夾角大於90度。
一種腿部訓練機，包含： <br/>一底座； <br/>一扶手部，其係固定於底座之一端以供使用者的手部扶靠於其上； <br/>兩作動桿，分別樞設連接於底座上，於兩作動桿異於與底座相樞接之一端分別設置有一踏板； <br/>一平衡連動裝置，設置於兩作動桿之間，使兩作動桿得反向相對底座呈擺盪運動；以及 <br/>兩阻尼器，設置於兩作動桿與底座之間，各阻尼器之兩端係分別樞設連接於底座與一相對的作動桿上。
如請求項1所述之腿部訓練機，其中於底座遠離設置扶手部之一端設置有一朝扶手部一側斜向延伸的支撐桿，兩作動桿之一端係樞設連接於支撐桿上。
如請求項1或2所述之腿部訓練機，其中各阻尼器係為一液/氣壓缸。
如請求項3所述之腿部訓練機，其中各阻尼器係為可調整的阻尼器，於各阻尼器靠近底座一端設置有一用以調整該阻尼器阻尼大小的調整鈕。
如請求項4所述之腿部訓練機，其中該平衡連動裝置包含有一固定於支撐桿上的連動座，於連動座上設置有一橫向的轉軸管，於轉軸管中設置有一可相對轉軸管轉動的轉動軸，於轉動軸兩端分別固定連接設置有一轉動臂，於轉動臂異於與轉動軸相連接之一端樞設連接有一樞接桿，樞接桿異於與轉動臂相連接之一端係樞設連接於一相對的作動桿。
如請求項5所述之腿部訓練機，其中於連動座上設置有一相對連動座呈傾斜角度且可與兩轉動臂相抵靠的限位板。
如請求項6所述之腿部訓練機，其中於支撐桿頂端設置有一座椅。
如請求項2所述之腿部訓練機，其中該平衡連動裝置包含有一固定於支撐桿上的連動座，於連動座上設置有一橫向的轉軸管，於轉軸管中設置有一可相對轉軸管轉動的轉動軸，於轉動軸兩端分別固定連接設置有一轉動臂，於轉動臂異於與轉動軸相連接之一端樞設連接有一樞接桿，樞接桿異於與轉動臂相連接之一端係樞設連接於一相對的作動桿。
如請求項8所述之腿部訓練機，其中於連動座上設置有一相對連動座呈傾斜角度且可與兩轉動臂相抵靠的限位板。
如請求項2、8或9所述之腿部訓練機，其中於支撐桿頂端設置有一座椅。
一種水槽，用於飼養魚苗，其中，具有：平面部，在橫向方向上擴展；一對曲面部，與所述平面部的所述橫向方向的一端部及另一端部連結，在所述橫向方向上相互向相反側鼓出並向上方延伸；以及一對側面部，與所述一對曲面部分別連結並向上方延伸，將所述一對側面部的各上端的所述橫向方向的間隔設為W（mm），將從所述平面部到所述一對側面部的所述各上端的高度設為H（mm）時，滿足1.12≤W/H≤1.90 ……（1）。
如請求項1所述的水槽，其中，還滿足1.24≤W/H≤1.78 ……（1a）。
如請求項1所述的水槽，其中，在將所述平面部的所述橫向方向的寬度設為P（mm）時，滿足50mm≤P≤350mm ……（2）。
如請求項2所述的水槽，其中，在將所述平面部的所述橫向方向的寬度設為P（mm）時，滿足100mm≤P≤300mm ……（2a）。
如請求項1所述的水槽，其中，滿足H≤500mm ……（3）。
如請求項5所述的水槽，其中，還滿足H≤410mm ……（3a）。
如請求項1所述的水槽，其中，在與包含所述平面部的法線方向和所述橫向方向而規定的剖面垂直的方向上為長條狀。
如請求項1所述的水槽，其中，所述曲面部為圓弧狀。
一種魚苗的飼養裝置，其中，具備：如請求項1至8中任一項所述的水槽；注水部，向所述水槽內注水；以及排水部，排出向所述水槽內注水而超過所述水槽的規定的收納量的水。
如請求項9所述的魚苗的飼養裝置，其中，在將從所述平面部起的所述排水部的高度設為H0（mm）時，代替所述式（1），滿足1.12≤W/H0≤1.90 ……（A）。
一種魚苗的飼養裝置，其中，具備：如請求項7所述的水槽；注水部，向所述水槽內注水；以及排水部，排出向所述水槽內注水而超過所述水槽的規定的收納量的水，所述注水部具有沿著所述水槽的長邊方向延伸的注水管，所述注水管具有在所述長邊方向上排列形成的多個注水口，所述排水部以比所述注水口的數量少的數量在所述長邊方向上排列配置。
如請求項11所述的魚苗的飼養裝置，其中，所述注水口以及所述排水部相對於所述長邊方向的中央部在所述長邊方向上對稱地配置。
一種背照式影像感測器的製造方法，包括：<br/> 在基底的第一表面上形成第一隔離結構，包括：<br/> 在所述基底的所述第一表面上形成第一開口；<br/> 對所述基底的所述第一開口進行第一蝕刻製程，以形成第一凹陷；以及<br/> 在所述基底的所述第一凹陷中填入第一填充層，且在所述基底的所述第一開口中填入第一介電層；以及<br/> 在所述基底的第二表面上形成第二隔離結構，包括：<br/> 在所述基底的所述第二表面上形成第二開口；<br/> 對所述基底的所述第二開口進行第二蝕刻製程，以形成第二凹陷；以及<br/> 在所述基底的所述第二凹陷以及所述第二開口中填入第二填充層，<br/> 其中在形成所述第一隔離結構的步驟與形成所述第二隔離結構的步驟之間，在所述基底的所述第一表面上進行形成感光元件以及元件層的製程，其中所述元件層與所述感光元件電性連接，<br/> 其中所述第二凹陷的尖端與所述基底的所述第一表面之間的最短距離小於所述第一凹陷的尖端與所述基底的所述第一表面之間的最短距離。
如請求項1所述的背照式影像感測器的製造方法，其中所述第二隔離結構未與所述第一隔離結構接觸。
如請求項1所述的背照式影像感測器的製造方法，其中所述第一蝕刻製程以及所述第二蝕刻製程為濕式蝕刻製程。
如請求項1所述的背照式影像感測器的製造方法，其中在所述基底的所述第一表面上形成所述第一開口的步驟包括：<br/> 在所述基底的所述第一表面上依序形成第一硬罩幕層以及第一光阻層；<br/> 利用所述第一光阻層對所述第一硬罩幕層進行圖案化製程，以形成第一圖案化硬罩幕層；以及<br/> 利用所述第一圖案化硬罩幕層對所述基底進行圖案化製程。
如請求項4所述的背照式影像感測器的製造方法，在形成所述第一硬罩幕層之前，在所述基底的所述第一表面上依序形成第二介電層以及導電層。
如請求項4所述的背照式影像感測器的製造方法，在形成所述第一光阻層之前，在所述第一硬罩幕層上形成抗反射層。
如請求項1所述的背照式影像感測器的製造方法，其中形成所述第一凹陷的步驟包括：<br/> 在所述基底的所述第一表面上依序形成第二硬罩幕層以及第二光阻層；<br/> 利用所述第二光阻層對所述第二硬罩幕層進行圖案化製程，以形成第二圖案化硬罩幕層，其中所述第二圖案化硬罩幕層暴露出一部分的所述第一開口的底表面；以及<br/> 利用所述第二圖案化硬罩幕層對所述基底進行圖案化製程。
如請求項1所述的背照式影像感測器的製造方法，其中在所述基底的所述第一凹陷中填入所述第一填充層的步驟包括：<br/> 在所述基底的所述第一開口以及所述第一凹陷中形成填充材料層；以及<br/> 利用回拉（pull-back）製程移除位於所述第一凹陷外的所述填充材料層。
如請求項8所述的背照式影像感測器的製造方法，其中所述回拉製程包括對所述填充材料層進行濕式蝕刻製程。
如請求項8所述的背照式影像感測器的製造方法，其中利用臨場蒸氣產生法形成所述填充材料層。
如請求項10所述的背照式影像感測器的製造方法，其中所述填充材料層的材料包括氮化矽。
如請求項8所述的背照式影像感測器的製造方法，其中所述第一填充層的頂表面具有圓弧狀。
如請求項1所述的背照式影像感測器的製造方法，其中在所述基底的所述第一開口中填入所述第一介電層的步驟包括進行高密度電漿化學氣相沉積製程以及平坦化製程。
如請求項1所述的背照式影像感測器的製造方法，其中在所述基底的所述第二表面上形成所述第二開口的步驟包括：<br/> 在所述基底的所述第二表面上形成第三圖案化硬罩幕層；以及<br/> 利用所述第三圖案化硬罩幕層對所述基底進行圖案化製程。
如請求項14所述的背照式影像感測器的製造方法，其中形成所述第二凹陷的步驟包括：<br/> 利用所述第三圖案化硬罩幕層作為罩幕進行所述第二蝕刻製程，其中所述第三圖案化硬罩幕層暴露出所述第二開口的底表面。
如請求項1所述的背照式影像感測器的製造方法，其中在形成所述第二填充層之前，還包括在所述基底的所述第二表面上形成保護層。
如請求項16所述的背照式影像感測器的製造方法，其中通過進行原子層沉積製程形成所述保護層。
如請求項1所述的背照式影像感測器的製造方法，其中所述第一隔離結構為淺溝渠隔離結構。
如請求項1所述的背照式影像感測器的製造方法，其中所述第二隔離結構為深溝渠隔離結構。
如請求項1所述的背照式影像感測器的製造方法，其中在所述基底的所述第二表面上形成所述第二隔離結構之後，還包括：<br/> 在所述填充層上形成彩色濾光層；以及<br/> 在所述彩色濾光層上形成微透鏡。
一種風扇驅動裝置，用以驅動一風扇旋轉以對一資料處理系統進行散熱，該風扇驅動裝置包含:<br/> 一風扇驅動模組，用以輸出一驅動電壓以驅動該風扇旋轉；<br/> 一機器學習模組，用以根據該資料處理系統所執行或即將執行之指令之指令數量或是指令類型預測該資料處理系統於一預設時間後之溫度，並根據該溫度決定該驅動電壓；<br/> 其中該機器學習模組使用該資料處理系統所執行指令之該指令數量、該指令類型、一驅動電壓與風扇轉速關係表、以及一風扇轉速與溫度關係表進行訓練。
如請求項1所述之風扇驅動裝置，其中該指令數量包含該資料處理系統所包含之匯流排介面於每單位時間內傳輸之指令之數量、該資料處理系統所包含之記憶體介面於每單位時間內傳輸之指令之數量。
如請求項1所述之風扇驅動裝置，其中該指令類型包含大量傳輸型、連續傳輸型或是加解密運算型。
如請求項1所述之風扇驅動裝置，其中該機器學習模組經過訓練以使該風扇之一風扇轉速之變化幅度最小。
如請求項1所述之風扇驅動裝置，更包含一更新模組，用以從該風扇接收一風扇轉速，並根據該驅動電壓以及所接收之該風扇轉速更新該驅動電壓與風扇轉速關係表，該機器學習模組根據更新後的該驅動電壓與風扇轉速關係表進行訓練，用以決定該驅動電壓的範圍。
如請求項5所述之風扇驅動裝置，其中該機器學習模組根據更新後的該驅動電壓與風扇轉速關係表進行訓練，以使該風扇驅動裝置之能耗最小。
一種風扇驅動裝置 ，用以驅動一風扇旋轉以對一資料處理系統進行散熱，該風扇驅動裝置包含:<br/> 一風扇驅動模組，用以輸出一驅動電壓以驅動該風扇旋轉；<br/> 一記憶體，儲存可執行指令；<br/> 一處理模組，執行該可執行指令，用以:<br/> 偵測該資料處理系統所執行或即將執行之指令之指令類型或指令數量；以及<br/> 基於該指令數量或該指令類型、以及基於一機器學習模型，預測於一預設時間後的該資料處理系統之溫度，並根據該溫度決定該驅動電壓；<br/> 其中一機器學習模組使用該資料處理系統所執行指令之該指令數量、該指令類型、一驅動電壓與風扇轉速關係表、以及一風扇轉速與溫度關係表進行訓練。
如請求項7所述之風扇驅動裝置，其中該指令數量包含該資料處理系統所包含之匯流排介面於每單位時間內傳輸之指令之數量、該資料處理系統所包含之記憶體介面於每單位時間內傳輸之指令之數量，該指令類型包含大量傳輸型、連續傳輸型或是加解密運算型。
如請求項7所述之風扇驅動裝置，其中該機器學習模型使用該指令數量、該指令類型、一驅動電壓與風扇轉速關係表、以及一風扇轉速與溫度關係表進行訓練，以使該風扇之一風扇轉速之變化幅度最小。
一種風扇驅動方法，用以驅動一風扇旋轉以對一資料處理系統進行散熱，該風扇驅動方法包含:<br/> 偵測該資料處理系統所執行或即將執行指令之指令類型或指令數量；<br/> 使用一機器學習模組預測該資料處理系統於一預設時間後之溫度，並根據該溫度決定一驅動電壓，其中該機器學習模組使用該資料處理系統所執行指令之該指令數量、該指令類型、一驅動電壓與風扇轉速關係表、以及一風扇轉速與溫度關係表進行訓練；以及<br/> 輸出該驅動電壓以驅動該風扇旋轉。
一種植牙結構之改良，包含有：<br/> 一植體，一端具有一定位部； <br/> 一外冠，套設於該植體；該外冠相鄰於該定位部之軸向一端具有一定位孔，用以供該植體之該定位部插入；以及<br/> 一牙冠，一端具有一結合孔，用以供該外冠遠離該植體之一端插入固定；<br/> 其中該植體之該定位部之外徑朝接近該外冠的方向漸縮，使該定位部之外周緣與該植體之軸向之間夾一預定角度；其中該定位孔之內徑朝遠離該植體的方向漸縮，使該定位孔之內周緣與該外冠之軸向之間夾該預定角度；<br/> 其中當該外冠套設於該定位部時，該定位部之頂側與該定位孔之底側之間相隔一預定距離並形成有一氣墊空間。
如請求項1所述之植牙結構之改良，其中該預定角度之範圍較佳為1度到10度之間。
如請求項2所述之植牙結構之改良，其中該預定角度之範圍更佳為2度到6度之間。
如請求項1所述之植牙結構之改良，其中該外冠具有相連接之一上層及一下層，該上層相較該下層遠離該植體；其中該上層之外徑小於該下層之外徑。
如請求項4所述之植牙結構之改良，其中該上層沿該外冠之軸向之高度大於該下層沿該外冠之軸向之高度。
如請求項4所述之植牙結構之改良，其中該上層沿該外冠之軸向之高度小於該下層沿該外冠之軸向之高度。
如請求項4所述之植牙結構之改良，其中該外冠更具有一向內凹陷之凹槽部，形成於該上層與該下層之間，兩端分別連接於該上層與該下層。
如請求項4所述之植牙結構之改良，其中該外冠更具有一倒角部，形成於該下層遠離該上層之一端，且該倒角部之外徑朝遠離該下層的方向漸縮。
如請求項1所述之植牙結構之改良，其中該植體更包含有一螺紋部及一帽部；該螺紋部連接於該定位部之一側，且外周面具有複數個外螺紋；該帽部形成於該定位部與該螺紋部之間，兩端分別連接於該定位部與該螺紋部；其中該帽部之外徑由該定位部朝該螺紋部的方向漸增，使該帽部之外周緣與該植體之軸向夾一第二預定角度，且該第二預定角度大於該預定角度。
一種防手震測距型光學裝置，用於偵測一待測物的距離，該防手震測距型光學裝置包括：一發射組件，其發射一偵測光束，該偵測光束照射至該待測物且由該待測物反射而形成一反射光束；一接收組件，該反射光束由該接收組件接收；一第一防手震模組，對應於該發射組件，該第一防手震模組包括一第一鏡片以及一第一補償組件，該第一鏡片具有一第一光軸，該偵測光束穿過該第一鏡片，該第一補償組件使該第一鏡片可與該發射組件相對移動或置中固定；一限位機構，結合於該第一補償組件，該限位機構限制該第一鏡片的一移動行程；一控制模組，電性連接於該第一補償組件及一運動感測器，根據該運動感測器的偵測控制該第一補償組件，使得該第一鏡片的該第一光軸在該限位機構所限制的該移動行程內移動或置中固定；一第二防手震模組，對應於該接收組件，該第二防手震模組包括一第二鏡片以及一第二補償組件，該第二鏡片具有一第二光軸，該反射光束穿過該第二鏡片，該第二補償組件使該第二鏡片可與該接收組件相對移動或置中固定，該限位機構結合於該第二補償組件且限制該第二鏡片的移動行程，該控制模組根據該運動感測器的偵測控制該第二補償組件，使得該第二鏡片的該第二光軸在該限位機構所限制的該移動行程內與該第一鏡片的該第一軸同步移動或置中固定；其中該第一補償組件包括一驅動件以及一限位件，該驅動件驅動該限位件於行程內移動。
如請求項1所述之防手震測距型光學裝置，其更包括一望遠組件，該望遠組件具有一物鏡端、一目鏡端以及一望遠光軸，該望遠組件對應於該發射組件，該望遠光軸係重合於該第一光軸，該偵測光束經由該望遠組件及該第一鏡片傳遞至該待測物，該第一補償組件使該第一鏡片與該望遠組件相對移動，使該待測物發出的該光線經由該望遠組件保持成像於該目鏡端。
如請求項1所述之防手震測距型光學裝置，其更包括一望遠組件，該望遠組件具有一物鏡端、一目鏡端以及一望遠光軸，該望遠組件對應於該接收組件，該望遠光軸係部分重合於該第二光軸，該反射光束經由該第二鏡片及該望遠組件傳遞至該接收組件，該第二補償組件使該第二鏡片與該望遠組件相對移動，使該待測物發出的該光線經由該望遠組件保持成像於該目鏡端。
如請求項1所述之防手震測距型光學裝置，其更包括一望遠組件以及一第三防手震模組，其中該望遠組件具有一物鏡端、一目鏡端以及一望遠光軸，該第三防手震模組包括一第三鏡片以及一第三補償組件，該第三鏡片具有一第三光軸，該第三光軸與該望遠光軸重合，該第三補償組件使該第三鏡片與該望遠組件相對移動，使該待測物發出的該光線經由該望遠組件保持成像於該目鏡端；該第一鏡片設置於垂直於該第一光軸的一第一截面，該第二鏡片設置於垂直於該第二光軸的一第二截面，該第三鏡片設置於垂直於該第三光軸的一第三截面，該第三截面是平行於該第一截面，且該第三截面是平行於該第二截面，其中該第三補償組件電性連接於該控制模組，該控制模組控制該第三補償組件，使該第三鏡片的該第三光軸與該第一鏡片的該第一光軸及該第二鏡片的該第二光軸同步移動，其中同步移動的容許誤差為±0.1度。
一種防手震測距型光學裝置，用於偵測一待測物的距離，該防手震測距型光學裝置包括：一發射組件，其發射一偵測光束，該偵測光束照射至該待測物且由該待測物反射而形成一反射光束；一接收組件，該反射光束由該接收組件接收；一第一防手震模組，對應於該發射組件，該第一防手震模組包括一第一鏡片以及一第一補償組件，該第一鏡片具有一第一光軸，該偵測光束穿過該第一鏡片，該第一補償組件使該第一鏡片可與該發射組件相對移動或置中固定；一限位機構，結合於該第一補償組件，該限位機構限制該第一鏡片的一移動行程；一控制模組，電性連接於該第一補償組件及一運動感測器，根據該運動感測器的偵測控制該第一補償組件，使得該第一鏡片的該第一光軸在該限位機構所限制的該移動行程內移動或置中固定；一第二防手震模組，包括一第二鏡片；其中該第一補償組件包括一驅動件以及一限位件，該驅動件驅動該限位件於行程內移動；其中該第一鏡片的該第一光軸與該第二鏡片的該第二光軸具有相同的移動速度；該第一鏡片設置於垂直於該第一光軸的一第一截面，該第二鏡片設置於垂直於該第二光軸的一第二截面，該第一截面與該第二截面為平行或重合。
如請求項1至5中任一項所述之防手震測距型光學裝置，其中該第一補償組件更包括一基座以及一可動載台、一第一線圈以及一第一磁鐵，該可動載台可移動地設置於該基座，該第一鏡片設置於該可動載台，該第一線圈設置於該基座，該第一磁鐵設置於該可動載台，該第一線圈與該第一磁鐵產生電磁交互作用使該可動載台在該基座上沿一第一方向移動，該第一線圈電性連接於該控制模組；其中該第一補償組件的各部分的尺寸滿足以下任一條件或其任意組合：0.25≦(ξmax/(φ2max-φ4))≦0.5；0.475≦(ξmin/(φ2min-φ3))≦0.525；0.5≦(φ3/φ1)≦0.7；0.65≦(φ3/φ2max)≦0.75；0.495≦ξmax/(φ2max-φ2min)≦0.55，其中φ1為該第一補償組件的一直徑，φ2為該限位件對應於該可動載台的一內直徑，φ2max為φ2的最大值，φ2min為φ2的最小值，φ3為該可動載台與該限位件對應的外直徑，ξ為該限位件與該可動載台之間的間隙，ξmax為ξ的最大值，ξmin為ξ的最小值，φ4為該可動載台的內孔直徑。
如請求項6所述之防手震測距型光學裝置，其中該第一補償組件更包括一第二線圈、一第二磁鐵、一第一位置感測器以及一第二位置感測器，該第二線圈設置於該基座，該第二磁鐵設置於該可動載台，該第二線圈與該第二磁鐵產生電磁交互作用使該可動載台在該基座上沿一第二方向移動，該第二線圈電性連接於該控制模組，該第二方向與該第一方向正交，且該第一光軸係垂直於該第一方向及該第二方向，該第一位置感測器與該第二位置感測器均電性連接於該控制模組，該控制模組根據該第一位置感測器偵測該第一磁鐵的位置或/及該第二位置感測器偵測該第二磁鐵的位置以控制流過該第一線圈或/及該第二線圈的電流；該限位機構限制該可動載台與該第一方向及該第二方向具有相同的行程範圍。
如請求項7所述之防手震測距型光學裝置，其中該限位機構包括一第一限位模組，該第一限位模組包括一第一限位銷、一第二限位銷、一第一限位孔及一第二限位孔，該第一限位銷與該第二限位銷設置於該可動載台，該第一限位孔及該第二限位孔形成於該基座，藉由該第一限位銷抵接於該第一限位孔的孔壁而限制該可動載台於該第一方向上的移動行程，該第二限位銷抵接於該第二限位孔的孔壁而限制該可動載台於該第二方向上的移動行程。
如請求項7所述之防手震測距型光學裝置，其中該限位件設置於該基座，且該鎖扣解鎖行程包括於一鎖扣位置及一釋放位置之間的移動路徑，當該限位件移動至該鎖扣位置時，該限位件抵接於該可動載台，使該可動載台置中固定，當該限位件移動至該釋放位置時，該限位件與該可動載台分離，該可動載台可相對於該基座移動。
一種防手震測距型光學裝置，用於偵測一待測物的距離，該防手震測距型光學裝置包括：一發射組件，其發射一偵測光束，該偵測光束照射至該待測物且由該待測物反射而形成一反射光束；一接收組件，該反射光束由該接收組件接收；一第一防手震模組，對應於該發射組件，該第一防手震模組包括一第一鏡片以及一第一補償組件，該第一鏡片具有一第一光軸，該偵測光束穿過該第一鏡片，該第一補償組件使該第一鏡片可與該發射組件相對移動或置中固定；一限位機構，結合於該第一補償組件，該限位機構限制該第一鏡片的一移動行程；以及一控制模組，電性連接於該第一補償組件及一運動感測器，根據該運動感測器的偵測控制該第一補償組件，使得該第一鏡片的該第一光軸在該限位機構所限制的該移動行程內移動或置中固定；其中該第一補償組件包括一驅動件以及一限位件，該驅動件驅動該限位件於行程內移動；其中該第一補償組件更包括一基座以及一可動載台、一第一線圈以及一第一磁鐵，該可動載台可移動地設置於該基座，該第一鏡片設置於該可動載台，該第一線圈設置於該基座，該第一磁鐵設置於該可動載台，該第一線圈與該第一磁鐵產生電磁交互作用使該可動載台在該基座上沿一第一方向移動，該第一線圈電性連接於該控制模組；其中該第一補償組件的各部分的尺寸滿足以下任一條件或其任意組合：0.25≦(ξmax/(φ2max-φ4))≦0.5；0.475≦(ξmin/(φ2min-φ3))≦0.525；0.5≦(φ3/φ1)≦0.7；0.65≦(φ3/φ2max)≦0.75；0.495≦ξmax/(φ2max-φ2min)≦0.55，其中φ1為該第一補償組件的一直徑，φ2為該限位件對應於該可動載台的一內直徑，φ2max為φ2的最大值，φ2min為φ2的最小值，φ3為該可動載台與該限位件對應的外直徑，ξ為該限位件與該可動載台之間的間隙，ξmax為ξ的最大值，ξmin為ξ的最小值，φ4為該可動載台的內孔直徑。
一種TGV玻璃基板的穿孔檢測裝置，包括： <br/>一第一景深相機(211)及一第一準直光源(212)，設置於具有至少一玻璃基板穿孔(12)的一玻璃基板(1)之上，並正對該玻璃基板(1)的一上表面(10)； <br/>一第二景深相機(221)及一第二準直光源(222)，設置於該玻璃基板(1)之下，並正對該玻璃基板(1)的一下表面(11)； <br/>一微控制器單元(23)，電性連接該第一景深相機(211)、該第一準直光源(212)、該第二景深相機(221)及該第二準直光源(222)； <br/>一分光稜鏡模組(25)，設置於該玻璃基板(1)的該上表面(10)與該第一準直光源(212)之間；以及 <br/>一第三景深相機(261)，設置於該分光稜鏡模組(25)的一側，電性連接該微控制器單元(23)； <br/>其中該第一準直光源(212)與該第二準直光源(222)分別發射一第一準直光束(L1)與一第二準直光束(L2)至該玻璃基板(1)，該分光稜鏡模組(25)用於對射向該玻璃基板(1)的該第一準直光束(L1)、被該玻璃基板(1)反射的該第一準直光束(L1)及通過該玻璃基板穿孔(12)的該第二準光束(L2)分光，射向該玻璃基板(1)的該第一準直光束(L1)被分光後的一部分、被該玻璃基板(1)反射的該第一準直光束(L1)被分光後的一部分及通過該玻璃基板穿孔(12)的該第二準光束(L2)被分光後的一部分被該第三景深相機(261)接收，被該玻璃基板(1)反射的該第一準直光束(L1)被分光後的另一部分及通過該玻璃基板穿孔(12)的該第二準光束(L2)被分光後的另一部分被該第一景深相機(211)接收，射向該玻璃基板(1)的該第一準直光束(L1)被分光後的另一部分部分穿透該玻璃基板(1)及部分被該玻璃基板(1)反射，該第一準直光束(L1)的一光波段相同或不同於該第二準直光束(L2)的一光波段，該第一景深相機(211)、該第二景深相機(221)與該第三景深相機(261)分別用於取得一第一影像、一第二影像與一第三影像，且該微控制器單元(23)用於根據該第一影像、該第二影像與該第三影像獲得該至少一玻璃基板穿孔(12)的至少一檢測結果，其中該檢測結果包括該玻璃基板穿孔(12)的一上開口(121)與一下開口(123)的一開口尺徑(Rt、Rb)、一開口座標、一開口真圓度、一裂痕檢測結果、一髒汙檢測結果、一點傷檢測結果、一刮傷檢測結果、一雜質檢測結果與一崩邊檢測結果、該玻璃基板穿孔(12)的一穿孔尺徑(Rm)、該玻璃基板穿孔(12)的一孔塞檢測結果與一上下開口錯開量的至少一者。
如請求項1所述的TGV玻璃基板的穿孔檢測裝置，其中該第一景深相機(211)及該第一準直光源(212)整合成一第一遠心鏡取像模組(21)，該第一遠心鏡取像模組(21)包括一光接收鏡頭模組(213)、一遠心鏡頭模組(214)及一成像模組(215)，該第一遠心鏡取像模組(21)的外形呈現為一T字形，其中該成像模組(215)設置於該第一遠心鏡取像模組(21)的一頂端，該光接收鏡頭模組(213)設置於該第一遠心鏡取像模組(21)的一側端，該遠心鏡頭模組(214)設置於該第一遠心鏡取像模組(21)的一底端，該光接收鏡頭模組(213)接收一初始光源的一光束(L0)，該遠心鏡頭模組(214)用於發出該第一準直光束(L1)以及接收一第一感測光束(L2')，以及該成像模組(215)用於根據該第一感測光束(L2')產生該第一影像。
如請求項2所述的TGV玻璃基板的穿孔檢測裝置，其中該第二景深相機(221)及該第二準直光源(222)整合成一第二遠心鏡取像模組(22)，該第二遠心鏡取像模組(22)包括一另一光接收鏡頭模組、一另一遠心鏡頭模組及一另一成像模組，該第二遠心鏡取像模組(22)的外形呈現為一T字形，其中該另一成像模組設置於該第二遠心鏡取像模組(22)的一頂端，該另一光接收鏡頭模組設置於該第二遠心鏡取像模組(22)的一側端，該另一遠心鏡頭模組設置於該第二遠心鏡取像模組(22)的一底端，該另一光接收鏡頭模組接收一另一初始光源的一光束，該另一遠心鏡頭模組用於發出該第二準直光束(L2)以及接收一第二感測光束，以及該另一成像模組用於根據該第二感測光束產生該第二影像。
如請求項3所述的TGV玻璃基板的穿孔檢測裝置，更包括： <br/>一主架體；以及 <br/>一玻璃基板承載結構，設置於該主架體中，用於接觸該玻璃基板(1)的至少一部分，以承載該玻璃基板(1)。
如請求項4所述的TGV玻璃基板的穿孔檢測裝置，更包括： <br/>一基座結構(24)，包括一共同基座(240)、一第一基座(241a)與一第二基座(241b)，其中該第一基座(241a)與該第二基座(241b)形成於該共同基座(240)的相對兩側，並分別用於承載與固定該第一遠心鏡取像模組(21)及該第二遠心鏡取像模組(22)，且該共同基座(240)設置於該主架體中。
如請求項5所述的TGV玻璃基板的穿孔檢測裝置，其中該共同基座(240)固定於該主架體中，而該玻璃基板承載結構可動地設置於該主架體中，故透過該玻璃基板承載結構的移動，該玻璃基板(1)相對於該第一遠心鏡取像模組(21)及該第二遠心鏡取像模組(22)移動；或者，該共同基座(240)可動地設置於該主架體中，而該玻璃基板承載結構固定於該主架體中，故透過該共同基座(240)的移動，該玻璃基板(1)相對於該第一遠心鏡取像模組(21)及該第二遠心鏡取像模組(22)移動。
如請求項1所述的TGV玻璃基板的穿孔檢測裝置，其中該第一準直光束(L1)的一光束顏色與該第二準直光束(L2)的該光束顏色的每一者選自一白色、一紅色、一綠色與一藍色的一者。
如請求項1所述的TGV玻璃基板的穿孔檢測裝置，其中該第一影像與該第三影像的每一者呈現該玻璃基板(1)的該至少一玻璃基板穿孔(12)的一上開口(121)、一腰身的一穿孔(122)及該上開口(121)附近的該玻璃基板(1)的部分該上表面(10)之影像，其中該穿孔的顏色為該第二準直光束(L2)的一光束顏色，該上開口(121)至該穿孔(122)的顏色為一黑色，以及該上開口(121)附近的該玻璃基板(1)的部分該上表面(10)的顏色為該第一準直光束(L1)的一光束顏色與該第二準直光束(L2)的該光束顏色的混色。
如請求項1所述的TGV玻璃基板的穿孔檢測裝置，其中該第二影像呈現該玻璃基板(1)的該至少一玻璃基板穿孔(12)的一下開口(123)、一腰身的一穿孔(122)及該下開口(123)附近的該玻璃基板(1)的部分該下表面(11)之影像，其中該穿孔(122)的顏色為該第一準直光束(L1)的一光束顏色，該下開口(123)至該穿孔(122)的顏色為一黑色，以及該下開口(123)附近的該玻璃基板(1)的部分該下表面(11)的顏色為該第一準直光束(L1)的該光束顏色與該第二準直光束(L2)的一光束顏色的混色。
一種分離式虛擬實境裝置，其係供一使用者配戴，且該使用者身上係具有一第一位置，該分離式虛擬實境裝置包含： <br/>一分離式頭盔，其係配戴在該使用者之頭部，且於該分離式頭盔上設有一第二位置；以及 <br/>一分離式主機，電性連接該分離式頭盔，該分離式主機根據該分離式主機位於該第一位置或該第二位置而選擇對應之一第一功率表或一第二功率表，以根據該第一功率表或該第二功率表來收發一射頻訊號。
如請求項1所述之分離式虛擬實境裝置，其中該分離式主機更內建一處理裝置，該處理裝置判斷該分離式主機位於該第一位置或該第二位置。
如請求項2所述之分離式虛擬實境裝置，其中該分離式主機更包含一霍爾感測器，該霍爾感測器電性連接該處理裝置，以透過該霍爾感測器偵測該分離式主機位於該第一位置或該第二位置。
如請求項2所述之分離式虛擬實境裝置，更包含一傳輸纜線，該分離式頭盔係利用該傳輸纜線連接該分離式主機。
如請求項4所述之分離式虛擬實境裝置，其中該傳輸纜線更可選自一第一傳輸纜線或一第二傳輸纜線，該第一傳輸纜線具有一第一識別碼且該第二傳輸纜線具有一第二識別碼，該分離式主機位於該第一位置時，該分離式主機係透過該第一傳輸纜線連接該分離式頭盔，該分離式主機位於該第二位置時，該分離式主機係透過該第二傳輸纜線連接該分離式頭盔，該處理裝置係根據該第一識別碼及該第二識別碼來辨識該分離式主機是透過該第一傳輸纜線或該第二傳輸纜線來連接該分離式頭盔，以判斷該分離式主機位於該第一位置或該第二位置。
如請求項2所述之分離式虛擬實境裝置，其中該分離式頭盔更包含複數影像擷取元件，以透過該等影像擷取元件拍攝影像來提供給該處理裝置，以判斷該分離式主機係位於該第一位置或該第二位置。
如請求項2所述之分離式虛擬實境裝置，其中該分離式頭盔更包含一第一射頻模組，該分離式主機更包含一第二射頻模組，以根據該第一射頻模組及該第二射頻模組之間的一射頻強度來判斷該分離式主機係位於該第一位置或該第二位置。
如請求項1所述之分離式虛擬實境裝置，其中該分離式頭盔之該第二位置上更設有一承載座，使該分離式主機係安裝在該承載座上。
如請求項1所述之分離式虛擬實境裝置，其中該分離式主機係透過一繫帶穿戴在該使用者身上而位於該第一位置。
如請求項9所述之分離式虛擬實境裝置，其中該分離式主機係透過該繫帶穿戴在該使用者之手臂或腰上而位於該第一位置。
如請求項1所述之分離式虛擬實境裝置，其中該分離式主機係透過一夾持件配戴在該使用者身上而位於該第一位置。
一種形成半導體裝置的方法，包括：<br/>形成一第一層間介電質在一電晶體結構上方；<br/>形成穿過該第一層間介電質到該電晶體結構的複數個第一導電接觸件；<br/>形成一第一接觸蝕刻停止層在該些第一導電接觸件與該第一層間介電質上方；<br/>形成一第二層間介電質在該第一接觸蝕刻停止層上方；<br/>形成穿過該第二層間介電質、該第一接觸蝕刻停止層與該第一層間介電質到該電晶體結構的一第二導電接觸件；<br/>蝕刻一凹槽在該第二層間介電質與該第一接觸蝕刻停止層中；<br/>在該凹槽中執行一處理以形成一處理層在該第一接觸蝕刻停止層中；以及<br/>形成一第一導電特徵在該凹槽中，該第一導電特徵被電耦合到該些第一導電接觸件<b>。</b>
如請求項1所述之方法，更包括：<br/>在形成該第一接觸蝕刻停止層之前，形成複數個接觸間隔件在該些第一導電接觸件的複數個側壁上。
如請求項2所述之方法，其中在該凹槽中執行該處理形成該處理層在該些接觸間隔件中。
如請求項2所述之方法，其中該些接觸間隔件的至少一個從該電晶體結構延伸穿過該第一層間介電質到該第一接觸蝕刻停止層。
一種形成半導體裝置的方法，包括：<br/>形成一電晶體結構，該電晶體結構包括與一閘極相鄰的複數個源極與汲極區域；<br/>沉積一第一層間介電層在該閘極及該些源極與汲極區域上方；<br/>圖案化該第一層間介電層以暴露該些源極與汲極區域的複數個部分；<br/>形成穿過該第一層間介電層並與該些源極與汲極區域電耦合的複數個源極/汲極接觸件；<br/>形成複數個接觸間隔件在該些源極/汲極接觸件的複數個側壁上；<br/>形成一低k接觸蝕刻停止層在該第一層間介電層、該些源極/汲極接觸件與該些接觸間隔件上方；<br/>沉積一第二層間介電層在該低k接觸蝕刻停止層上方；<br/>圖案化該第二層間介電層與該低k接觸蝕刻停止層以形成一第一凹槽；<br/>施加一處理在該第一凹槽中以改變該低k接觸蝕刻停止層與該些接觸間隔件；以及<br/>形成一第一導電特徵在該第一凹槽中，該第一導電特徵被電耦合至該些源極/汲極接觸件。
如請求項5所述之方法，更包括：<br/>形成穿過該第二層間介電層、該低k接觸蝕刻停止層與該第一層間介電層的一閘極接觸件，該閘極接觸件被電耦合至該電晶體結構的該閘極。
如請求項5所述之方法，其中該些接觸間隔件在形成該些源極/汲極接觸件之前形成。
如請求項5所述之方法，其中該處理包括暴露該第一凹槽於一含氧氣體，其中該含氧氣體更包括選自由氮氣、氬氣與惰性氣體所組成的群組的一或多種氣體。
一種半導體裝置，包括：<br/>一電晶體結構，包括與一閘極相鄰的複數個源極與汲極區域；<br/>一第一層間介電層，在該閘極與該些源極與汲極區域上方；<br/>複數個源極/汲極接觸件，延伸穿過該第一層間介電層並電耦合該些源極與汲極區域；<br/>複數個接觸間隔件，在該些源極/汲極接觸件的複數個側壁上；<br/>一低k接觸蝕刻停止層，在該第一層間介電層、該些源極/汲極接觸件與該些接觸間隔件上方；<br/>一第二層間介電層，在該低k接觸蝕刻停止層上方；<br/>一第一導電特徵，在該第二層間介電層與該低k接觸蝕刻停止層中，且該第一導電特徵被電耦合至該些源極/汲極接觸件；以及<br/>複數個絕緣塞，在該低k接觸蝕刻停止層與該些接觸間隔件中，該些絕緣塞被與該低k接觸蝕刻停止層中的該第一導電特徵相鄰並與該些接觸間隔件中的該些源極/汲極接觸件相鄰。
如請求項9所述之半導體裝置，其中該些接觸間隔件包括選自由氮化矽、氮氧化矽及其組合所組成的群組的一材料，且其中該低k接觸蝕刻停止層包括比該些接觸間隔件的該材料具有一更低k值的一材料。
一種無線充電裝置，包括： <br/>一殼體，該殼體上具有一置放面與複數通氣孔，且該殼體內具有一安裝空間並與該置放面相鄰相對，而該等通氣孔排列於該置放面的周圍處； <br/>一無線充電模組，設於該安裝空間內以相對於該置放面； <br/>一封閉機構，設於該殼體內並具有一連接部件、以及設於該連接部件上的複數封閉塞件，該等封閉塞件係分別對應於該等通氣孔，且該連接部件能朝向該置放面作相對移動而使該等封閉塞件分別對該等通氣孔作封閉或開啟；以及 <br/>一止滑結構，具有一墊體、以及設於該墊體上的複數止滑突部，且該墊體上設有對應該置放面的一穿置部，該穿置部通過該置放面而使該墊體疊置於該殼體上，該墊體上還設有複數進氣孔並貫穿該墊體，且該等進氣孔係與該等通氣孔相連通； <br/>其中，該殼體上設有一凹部，該凹部所形成的範圍係涵蓋該等進氣孔，且該凹部與各該通氣孔間形成有一擋部，而該凹部的底面低於各該通氣孔的上端處。
如請求項１所述之無線充電裝置，其中該殼體係具有面朝向上的一表面，並於所述表面上突設有一置放台，且該置放面位於該置放台上而該安裝空間則位於該置放台內。
如請求項２所述之無線充電裝置，其中該等通氣孔係設於所述表面上。
如請求項１所述之無線充電裝置，其中該殼體更設有一或複數排氣孔並與該殼體內相連通，且於所述排氣孔處設有一風扇。
如請求項１所述之無線充電裝置，其中該封閉機構更包括一觸動組件，該觸動組件具有一觸發部件與一作動部件，且該觸發部件觸發該作動部件作動而驅使該連接部件作所述相對移動。
如請求項５所述之無線充電裝置，其中該觸動組件係為設於該連接部件上的一突狀物，所述突狀物通過該殼體而延伸並高於該置放面，且所述突狀物高出於該置放面的部位即為所述觸發部件，而所述突狀物連接該連接部件至該觸發部件間的部位即為所述作動部件。
如請求項６所述之無線充電裝置，其更包括一或複數彈性元件並以彈力將該連接部件向上頂起。
如請求項５所述之無線充電裝置，其中該觸發部件係為感應器並設於該殼體上。
如請求項８所述之無線充電裝置，其中該作動部件係為電磁閥或電磁元件。
如請求項１所述之無線充電裝置，其中該墊體下方係設有連通該等進氣孔與該等通氣孔間的一或複數通道。
如請求項１所述之無線充電裝置，其中該墊體上之各該止滑突部係依該穿置部的二側分別作排列而各為一排，其中所述一排的各該止滑突部所排列而成的距離，係大於所述另一排的各該止滑突部所排列而成的距離，且所述另一排的各該止滑突部於該墊體上偏向一側而形成一讓位空間。
如請求項１或１１所述之無線充電裝置，其中所述另一排的各該止滑突部與其所相鄰之各該進氣孔間的最小間距，係大於所述一排的各該止滑突部與其所相鄰之各該進氣孔間的最小間距。
一種用於安裝一基板(13)之基板固持器(1、1‘、1‘‘、1‘‘‘、1‘‘‘‘、1‘‘‘‘‘)，其包括用於固定該基板(13)之固定元件(6、6‘、6‘‘)，其中該等固定元件(6、6‘、6‘‘)可分組成區域(7、7‘)，其中該基板固持器(1、1‘、1‘‘、1‘‘‘、1‘‘‘‘、1‘‘‘‘‘)具有用於監測該基板(13)與該基板固持器(1、1‘、1‘‘、1‘‘‘、1‘‘‘‘、1‘‘‘‘‘)之間的距離之感測器(8)， <br/>其中該等區域(7、7‘)在徑向方向或方位角方向上彼此均勻地隔開， <br/>其中在該徑向方向上之該等區域(7、7‘)之間沒有固定元件(6、6‘、6‘‘)。
如請求項1之基板固持器(1、1‘、1‘‘、1‘‘‘、1‘‘‘‘、1‘‘‘‘‘)，其中該等區域(7、7‘)相對於該基板固持器(1、1‘、1‘‘、1‘‘‘、1‘‘‘‘、1‘‘‘‘‘)之中心對稱地配置。
如請求項1之基板固持器(1、1‘、1‘‘、1‘‘‘、1‘‘‘‘、1‘‘‘‘‘)，其中該等區域(7、7‘)配置成環形。
如請求項1至3中任一項之基板固持器(1、1‘、1‘‘、1‘‘‘、1‘‘‘‘、1‘‘‘‘‘)，其中該等區域(7、7‘)配置成圍繞該基板固持器(1、1‘、1‘‘、1‘‘‘、1‘‘‘‘、1‘‘‘‘‘)之中心之複數個環。
如請求項1至3中任一項之基板固持器(1、1‘、1‘‘、1‘‘‘、1‘‘‘‘、1‘‘‘‘‘)，其中該等區域(7、7‘)經形成具有從該基板固持器(1、1‘、1‘‘、1‘‘‘、1‘‘‘‘、1‘‘‘‘‘)之該中心至該基板固持器(1、1‘、1‘‘、1‘‘‘、1‘‘‘‘、1‘‘‘‘‘)之邊緣之一變化寬度。
如請求項1至3中任一項之基板固持器(1、1‘、1‘‘、1‘‘‘、1‘‘‘‘、1‘‘‘‘‘)，其中該等區域(7、7‘)可個別地切換。
如請求項1至3中任一項之基板固持器(1、1‘、1‘‘、1‘‘‘、1‘‘‘‘、1‘‘‘‘‘)，其中複數個區域(7、7‘)可經分組且共同切換。
如請求項1至3中任一項之基板固持器(1、1‘、1‘‘、1‘‘‘、1‘‘‘‘、1‘‘‘‘‘)，其中該等區域(7、7‘)中之固定元件(6、6‘、6‘‘)之數目可靈活地改變。
如請求項1至3中任一項之基板固持器(1、1‘、1‘‘、1‘‘‘、1‘‘‘‘、1‘‘‘‘‘)，其中該等固定元件(6、6‘)可靈活地指派給不同區域(7、7‘)。
如請求項1至3中任一項之基板固持器(1、1‘、1‘‘、1‘‘‘、1‘‘‘‘、1‘‘‘‘‘)，其中可以一跨區域方式觸發該等固定元件(6、6‘)。
如請求項1至3中任一項之基板固持器(1、1‘、1‘‘、1‘‘‘、1‘‘‘‘、1‘‘‘‘‘)，其中在接合程序期間藉由該等感測器(8)可監測接合波之傳播速度。
一種用於以請求項1至11中任一項之基板固持器(1、1‘、1‘‘、1‘‘‘、1‘‘‘‘、1‘‘‘‘‘)固定及接合一基板(13)或複數個基板之方法，其中固定元件(6、6‘、6‘‘)分組成區域(7、7‘)。
如請求項12之方法，其中該等區域(7、7‘)構成為環形。
如請求項12之方法，其中該等區域(7、7‘)個別地切換。
如請求項12至14中任一項之方法，其中複數個區域(7、7‘)經分組且共同切換。
如請求項12至14中任一項之方法，其中該等區域(7、7‘)中之固定元件(6、6‘、6‘‘)之該數目可靈活地改變。
如請求項12至14中任一項之方法，其中該等固定元件(6、6‘)被指派給不同區域(7、7‘)。
一種提供資訊之方法，其係於電子裝置中進行者，其包括如下步驟： <br/>獲得腳本之資訊； <br/>對上述腳本實行初次驗證流程； <br/>獲得部署上述腳本所需之一個以上之資訊； <br/>於上述腳本通過上述初次驗證流程之情形時，基於上述一個以上之資訊對上述腳本實行二次驗證流程；及 <br/>於上述腳本通過上述二次驗證流程之情形時，將上述腳本部署至生產環境； <br/>其中，上述初次驗證流程包括判斷上述腳本是否具有形式缺陷之流程，及 <br/>上述二次驗證流程包括藉由將上述腳本部署至一個以上之測試環境以判斷上述腳本之功能是否正常實現之流程， <br/>其中實行上述初次驗證流程之步驟包括驗證上述腳本包括之代碼， <br/>其中驗證上述代碼之步驟包括如下步驟中之一者以上： <br/>確認上述代碼之覆蓋率；及 <br/>對上述代碼實行可用性測試。
如請求項1之提供資訊之方法，其中實行上述二次驗證流程之步驟包括如下步驟中之一者以上： <br/>於登台環境中部署並測試上述腳本；及 <br/>實行金絲雀測試。
如請求項1之提供資訊之方法，其進而包括如下步驟： <br/>收集將上述腳本部署至上述生產環境之結果資訊；及 <br/>基於上述結果資訊來驗證上述腳本。
如請求項1之提供資訊之方法，其中實行上述二次驗證流程之步驟包括如下步驟： <br/>對於與上述腳本具有關聯性之一個以上之其他腳本，判斷上述腳本之上述二次驗證流程是否與上述一個以上之其他腳本之上述二次驗證流程相互關聯地實行。
如請求項1之提供資訊之方法，其中實行上述二次驗證流程之步驟包括如下步驟： <br/>接收請求開始上述二次驗證流程之輸入。
如請求項1之提供資訊之方法，其中上述一個以上之資訊包括與用以實行上述二次驗證流程之頁面相關聯之識別資訊， <br/>基於上述識別資訊，上述電子裝置確認上述頁面並提供上述頁面之資訊。
如請求項1之提供資訊之方法，其中上述一個以上之資訊包括如下資訊中之一者以上： <br/>與上述腳本相關聯之識別資訊； <br/>用以實行上述二次驗證流程之測試員之資訊； <br/>用以驗證上述腳本之時間段資訊；及 <br/>應變計劃資訊。
如請求項1之提供資訊之方法，其中實行上述初次驗證流程之步驟進一步包括如下步驟中之一者以上： <br/>實行設計評審； <br/>確認上述腳本之標題之格式；及 <br/>確認測試員是否批准。
如請求項1之提供資訊之方法，其進而包括如下步驟： <br/>於上述腳本未通過上述初次驗證流程所包括之一個以上之詳細流程中之至少一部分之情形時，提供告知該情形之資訊。
如請求項1之提供資訊之方法，其中上述腳本具有於全棧環境中部署之可能性。
如請求項1之提供資訊之方法，其中獲得上述一個以上之資訊之步驟包括如下步驟： <br/>提供包括上述一個以上之資訊之輸入功能之用戶介面。
如請求項1之提供資訊之方法，其中獲得上述一個以上之資訊之步驟包括如下步驟： <br/>上述電子裝置產生上述一個以上之資訊中之至少一部分。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有用以於電腦中執行請求項1之方法之程式。
一種電子裝置，其係提供資訊者，其包括收發器、儲存命令之記憶體及處理器， <br/>其中，上述處理器與上述收發器及上述記憶體連接， <br/>獲得腳本之資訊， <br/>對上述腳本實行初次驗證流程， <br/>獲得部署上述腳本所需之一個以上之資訊， <br/>於上述腳本通過上述初次驗證流程之情形時，基於上述一個以上之資訊對上述腳本實行二次驗證流程， <br/>於上述腳本通過上述二次驗證流程之情形時，將上述腳本部署至生產環境； <br/>其中，上述初次驗證流程包括判斷上述腳本是否具有形式缺陷之流程，及 <br/>上述二次驗證流程包括藉由將上述腳本部署至一個以上之測試環境以判斷上述腳本之功能是否正常實現之流程， <br/>其中上述處理器透過驗證上述腳本包括之代碼實行上述初次驗證流程，及 <br/>其中上述處理器透過以下一者以上驗證上述代碼： <br/>確認上述代碼之覆蓋率；及 <br/>對上述代碼實行可用性測試。
一種表面處理鋼材，具備：鋼材、及配置於前述鋼材表面的鍍敷層；<br/>前述鍍敷層之平均化學組成以質量%計包含：<br/>Al：大於10.0%且為40.0%以下、<br/>Mg：大於4.0%且為15.0%以下、<br/>Si：0%以上且1.0%以下、<br/>Sn：0%以上且0.7%以下、<br/>Bi：0%以上且0.3%以下、<br/>In：0%以上且0.3%以下、<br/>Sn、Bi及In之合計量ΣX：0%以上且0.7%以下、<br/>Ca：0%以上且0.6%以下、<br/>Y：0%以上且0.3%以下、<br/>La：0%以上且0.3%以下、<br/>Ce：0%以上且0.3%以下、<br/>Sr：0%以上且0.3%以下、<br/>Li：0%以上且0.3%以下、<br/>Ca、Y、La、Ce、Sr及Li之合計量ΣYa：0%以上且0.6%以下、<br/>Cr：0%以上且3.0%以下、<br/>Ni：0%以上且1.0%以下、<br/>Mo：0%以上且0.25%以下、<br/>Cu：0%以上且1.0%以下、<br/>Ag：0%以上且0.25%以下、<br/>Sb：0%以上且0.25%以下、<br/>Pb：0%以上且0.25%以下、<br/>Cr、Ni、Mo、Cu、Ag、Sb及Pb之合計量ΣYb：0%以上且3.0%以下、<br/>B：0%以上且0.5%以下、<br/>P：0%以上且0.5%以下、<br/>B及P之合計量ΣYc：0%以上且0.5%以下、<br/>Ti：0%以上且0.25%以下、<br/>Co：0%以上且0.25%以下、<br/>V：0%以上且0.25%以下、<br/>Nb：0%以上且0.25%以下、<br/>Mn：0%以上且0.25%以下、<br/>Zr：0%以上且0.25%以下、<br/>W：0%以上且0.25%以下、<br/>Ti、Co、V、Nb、Mn、Zr及W之合計量ΣZ：0%以上且0.25%以下、<br/>Fe：0%以上且5.0%以下、<br/>剩餘部分：40%以上的Zn及不純物；<br/>在前述鍍敷層表面上積層了含有Zn<sub>3</sub>(PO<sub>4</sub>)<sub>2</sub>・4H<sub>2</sub>O的磷酸鋅結晶層，<br/>前述磷酸鋅結晶層含有：濃度1.5質量%以上的Mg、及濃度1.0質量%以上的Al；<br/>在前述磷酸鋅結晶層表面之一部分，設有C濃度為2.5質量%以上的第1區域。
如請求項1的表面處理鋼材，其中，在前述磷酸鋅結晶層表面，設有C濃度為2.5%以上的前述第1區域、及C濃度為0.1%以下的第2區域。
如請求項1的表面處理鋼材，其中，在前述鍍敷層表面的前述磷酸鋅結晶層其附著量為1.0g/m<sup>2</sup>以上。
如請求項2的表面處理鋼材，其中，前述第2區域之蒙賽爾色度值N<sub>2</sub>為3.5以下。
如請求項2的表面處理鋼材，其中，前述第1區域之蒙賽爾色度值N<sub>1</sub>與前述第2區域之蒙賽爾色度值N<sub>2</sub>的差值(N<sub>1</sub>-N<sub>2</sub>)為0.5以上。
一種表面處理鋼材之製造方法，具備：雷射照射步驟，是對表面配置有磷酸鋅結晶層的被處理材其表面進行雷射照射；<br/>前述被處理材具備：<br/>鋼材，<br/>配置於前述鋼材表面的鍍敷層，及<br/>配置於前述鍍敷層表面的前述磷酸鋅結晶層；<br/>前述磷酸鋅結晶層含有Zn<sub>3</sub>(PO<sub>4</sub>)<sub>2</sub>・4H<sub>2</sub>O且含有濃度1.5%以上的Mg、及濃度1.0%以上的Al；<br/>前述雷射照射步驟是在大氣中對前述磷酸鋅結晶層之表面照射雷射的步驟。
一種表面處理鋼材之製造方法，具備：<br/>皮膜形成步驟：是在鍍敷鋼材表面形成磷酸鋅結晶層，該鍍敷鋼材具備：鋼材、及配置於前述鋼材表面的鍍敷層；及<br/>雷射照射步驟：是對前述磷酸鋅結晶層表面之一部分進行雷射照射；<br/>前述鍍敷層之平均化學組成以質量%計包含：<br/>Al：大於10.0%且為40.0%以下、<br/>Mg：大於4.0%且為15.0%以下、<br/>Si：0%以上且1.0%以下、<br/>Sn：0%以上且0.7%以下、<br/>Bi：0%以上且0.3%以下、<br/>In：0%以上且0.3%以下、<br/>Sn、Bi及In之合計量ΣX：0%以上且0.7%以下、<br/>Ca：0%以上且0.6%以下、<br/>Y：0%以上且0.3%以下、<br/>La：0%以上且0.3%以下、<br/>Ce：0%以上且0.3%以下、<br/>Sr：0%以上且0.3%以下、<br/>Li：0%以上且0.3%以下、<br/>Ca、Y、La、Ce、Sr及Li之合計量ΣYa：0%以上且0.6%以下、<br/>Cr：0%以上且3.0%以下、<br/>Ni：0%以上且1.0%以下、<br/>Mo：0%以上且0.25%以下、<br/>Cu：0%以上且1.0%以下、<br/>Ag：0%以上且0.25%以下、<br/>Sb：0%以上且0.25%以下、<br/>Pb：0%以上且0.25%以下、<br/>Cr、Ni、Mo、Cu、Ag、Sb及Pb之合計量ΣYb：0%以上且3.0%以下、<br/>B：0%以上且0.5%以下、<br/>P：0%以上且0.5%以下、<br/>B及P之合計量ΣYc：0%以上且0.5%以下、<br/>Ti：0%以上且0.25%以下、<br/>Co：0%以上且0.25%以下、<br/>V：0%以上且0.25%以下、<br/>Nb：0%以上且0.25%以下、<br/>Mn：0%以上且0.25%以下、<br/>Zr：0%以上且0.25%以下、<br/>W：0%以上且0.25%以下、<br/>Ti、Co、V、Nb、Mn、Zr及W之合計量ΣZ：0%以上且0.25%以下、<br/>Fe：0%以上且5.0%以下、<br/>剩餘部分：40%以上的Zn及不純物；<br/>前述皮膜形成步驟是如下的步驟：使pH5.0以下的磷酸鋅溶液附著在前述鍍敷層表面來形成磷酸鋅結晶層，並且該磷酸鋅結晶層含有Zn<sub>3</sub>(PO<sub>4</sub>)<sub>2</sub>・4H<sub>2</sub>O且含有濃度1.5%以上的Mg、及濃度1.0%以上的Al；<br/>前述雷射照射步驟是在大氣中對前述磷酸鋅結晶層之表面照射雷射的步驟。
一種晶片組件，包括：<br/> 一電路板；<br/> 一晶片，設置於該電路板上；<br/> 一支架，設置於該電路板上且環繞該晶片；<br/> 一散熱件，設置於該晶片上方，該散熱件的二側具有二突出部；<br/> 複數個彈性件，位於該支架與該散熱件之間；以及<br/> 一操作件，可移動地設置於該支架的一側，該操作件的二側形成有二卡槽；<br/> 其中，當該操作件位於一釋鎖位置時，該複數個彈性件支撐該散熱件，使得該散熱件與該晶片分離；當該操作件自該釋鎖位置沿一第一方向移動至一鎖定位置時，該操作件將該二突出部沿一第二方向向下壓以驅動該散熱件沿該第二方向朝該晶片移動，使得該散熱件壓縮該複數個彈性件且接觸該晶片，且該二突出部與該二卡槽卡合；該第一方向與該第二方向彼此正交。
如請求項1所述的晶片組件，其中該二突出部位於該散熱件平行該第一方向的二側中間。
如請求項1所述的晶片組件，其中該操作件包括：<br/> 二支臂，沿該第一方向延伸，該二卡槽形成於該二支臂的一端；以及<br/> 一把手，沿一第三方向延伸，且該把手的二端連接於該二支臂的另一端，該第一方向、該第二方向與該第三方向彼此正交。
如請求項3所述的晶片組件，其中各該突出部形成有一斜面，該二支臂的一端形成有一半弧，且該斜面面向該半弧。
如請求項3所述的晶片組件，其中該支架的二側形成有二導引槽，沿該第一方向延伸，各該支臂包括一導引部，該導引部設置於該導引槽中。
如請求項1所述的晶片組件，其中該支架包括複數個定位銷，該散熱件形成有複數個定位孔，該複數個定位銷插設於該複數個定位孔中，以將該散熱件定位於該晶片上方。
如請求項6所述的晶片組件，其中各該定位銷具有一止擋面，該止擋面在該第二方向上高於該晶片。
如請求項1所述的晶片組件，另包括一背板、複數個螺絲以及複數個螺母，其中該支架設置於該電路板的一上表面，該背板設置於該電路板的一下表面上，該複數個螺絲自該電路板的該下表面依序穿過該背板、該電路板與該支架，該複數個螺母自該電路板的該上表面鎖附於該複數個螺絲。
如請求項1所述的晶片組件，其中該複數個彈性件固定於該散熱件或該支架，且鄰近於該散熱件平行一第三方向的兩側，該第一方向、該第二方向與該第三方向彼此正交。
一種晶片組件的組裝方法，包括下列步驟：<br/> 設置一晶片於一電路板上；<br/> 設置一支架環繞該晶片於該電路板上，其中一操作件可移動地設置於該支架的一側，該操作件的二側形成有二卡槽；<br/> 設置一散熱件於該晶片上方，其中該散熱件的二側具有二突出部，複數個彈性件位於該支架與該散熱件之間，該複數個彈性件支撐該散熱件，使得該散熱件與該晶片分離；以及<br/> 移動該操作件自一釋鎖位置沿一第一方向至一鎖定位置，使操作件將該二突出部沿一第二方向向下壓以驅動該散熱件沿該第二方向朝該晶片移動，使得該散熱件壓縮該複數個彈性件且接觸該晶片，且該二突出部與該二卡槽卡合；該第一方向與該第二方向彼此正交。
如請求項10所述的晶片組件的組裝方法，其中該操作件具有一把手以及二支臂，該二支臂連接於該把手的二側，該二卡槽形成於該二支臂的端部；其中將該操作件自該釋鎖位置移動至該鎖定位置的步驟另包括下列步驟：<br/> 沿該第一方向推動該把手，使得該二支臂沿該第二方向將該二突出部向下壓，以驅動該散熱件沿該第二方向朝該晶片移動。
如請求項10所述的晶片組件的組裝方法，在設置該散熱件於該晶片上方的步驟之前，該方法還包括：<br/> 固定該複數個彈性件於該散熱件或該支架，其中該複數個彈性件鄰近於該散熱件平行一第三方向的兩側，該第一方向、該第二方向與該第三方向彼此正交。
如請求項10所述的晶片組件的組裝方法，在設置該晶片於該電路板上的步驟之後以及在設置該散熱件於該晶片上方的步驟之前，該方法還包括：<br/> 設置一散熱墊於該晶片上方，其中該散熱件經由該散熱墊接觸該晶片。
如請求項10所述的晶片組件的組裝方法，其中該支架包括複數個定位銷，該散熱件形成有複數個定位孔；其中將該散熱件設置於該晶片上方的步驟另包括下列步驟：<br/> 插設該複數個定位銷於該複數個定位孔中，以將該散熱件定位於該晶片上方。
如請求項14所述的晶片組件的組裝方法，另包括下列步驟：<br/> 依照順序鎖附複數個螺母於該複數個定位銷；<br/> 其中該複數個螺母的第(2n-1)個螺母鎖附於鄰近該散熱件平行該第一方向的一第一側，該複數個螺母的第2n個螺母鎖附於鄰近該散熱件平行該第一方向的一第二側，且n是正整數。
如請求項10所述的晶片組件的組裝方法，另包括下列步驟：<br/> 設置該支架於該電路板的一上表面上；<br/> 設置一背板於該電路板的一下表面上；<br/> 將複數個螺絲自該電路板的該下表面依序穿過該背板、該電路板與該支架；以及<br/> 將複數個螺母自該電路板的該上表面鎖附於該複數個螺絲。
一種飛機，其包括： <br/>一機身，其具有一前端與一後端； <br/>一機翼，其附接至該機身之一上表面； <br/>一掛架，其在沿著該機身之該後端之一位置處附接至該機身之該上表面，並在一向上方向上自該機身延伸遠離；及 <br/>一導罩推進器，其包含一導罩與一容納在該導罩內之推進器，其中該推進器包含一轉子，該轉子包含界定該推進器之一外直徑之複數個葉片，其中該推進器經構形以基於該轉子之旋轉以產生推力，且其中該推進器係定位於自該機身之一垂直距離處，該垂直距離係該推進器之該外直徑之至少30%；及 <br/>其中該機翼相對於該推進器之定位提供該機身之至少一部分聲音屏蔽免受自該推進器之一前端發出之噪音之影響。
如請求項1之飛機，其中該飛機係一無人機或一無人駕駛飛機。
如請求項1之飛機，其中該機身係一單一、連續結構。
如請求項1之無人機，其中該掛架向該機身之後掃，並相對於該機身之一上表面以一斜角定向。
如請求項1之飛機，其進一步包括至少一有效負載，該至少一有效負載係在該機身內，並在該機翼之一前緣之前定位於該機身之該前端，其中該至少一有效負載係位於聲音屏蔽免受自該推進器之該前端發出之噪音之影響的該機身之該部分中。
如請求項5之飛機，其中該至少一有效負載包含一相機。
如請求項5之飛機無人機，其中該至少一有效負載包含一或多個感測器、雷達感測器、雷射雷達感測器、音訊感測器、振動感測器、麥克風或定向麥克風。
如請求項5之飛機，其中該至少一有效負載包含一或多個情報設備、監視設備或偵察設備。
如請求項1之飛機，其進一步包括一控制器，該控制器包含一或多個處理器及記憶體，其中該控制器經構形以控制該飛機之至少一組件。
如請求項9之飛機，其中該飛機之至少一組件係該推進器或該飛機之一或多個控制表面之至少一者。
如請求項1之飛機，其中該機翼係相對於該機身成反角。
如請求項1之飛機，其中該機翼包含附接至該機身之一右側之一第一側，以及附接至機身之一左側之一第二側，且其中該機翼係一單一連續表面。
如請求項1之飛機，其進一步包括一或多個尾翼，其中該飛機之任一尾翼係附接至該飛機之一機翼。
如請求項13之飛機，其中該一或多個尾翼包含在一水平方向延伸之一水平尾翼、在一向上垂直方向延伸之一垂直尾翼或在一向下垂直方向延伸之一垂直尾翼之至少一者。
如請求項1之飛機，其中該掛架係附接至該機身之一上表面。
一種飛機，其包括： <br/>一機身； <br/>一機翼，其附接至該機身之一上表面，該機翼包含一前緣與一後緣； <br/>一掛架，其在該機翼之後緣之後附接至該飛機之一上表面，並自該飛機之該上表面延伸出去；及 <br/>一推進器，其附接至該掛架。
如請求項16之飛機，其中該掛架之一高度至少係該推進器之一外直徑之30%。
如請求項16之飛機，其中該掛架之一高度係足夠引起該推進器之一入口在操作期間接受一實質均勻空氣流。
如請求項16之飛機，其進一步包括一或多個尾翼，其中該飛機之任一尾翼係附接至該飛機之一機翼。
如請求項16之飛機，其進一步包括至少一有效負載，該至少一有效負載係在該機身內，並在該機翼之一前緣之前定位於該機身之一前端。
如請求項16之飛機，其中該掛架之一第一端係附接至該飛機之該上表面，而該推進器係附接至與該第一端相對之該掛架之一第二端。
如請求項16之飛機，其進一步包括： <br/>一吊桿，其附接至與該機身相對之該機翼之一端；及 <br/>以下至少一者：(1)在沿著該吊桿之一後端之一位置附接並在一水平方向自該吊桿延伸出去的一水平尾翼，(2)在沿著該吊桿之一後端之一位置附接並在一向上垂直方向自該吊桿延伸出去的一垂直尾翼，(3)在沿著該吊桿之一後端之一位置附接並在一向下垂直方向自該吊桿延伸出去的一垂直尾翼。
一種飛機，其包括： <br/>一機身； <br/>一機翼，其附接至該機身之一上表面，該機翼包含一前緣與一後緣； <br/>一掛架，其在該機翼之該後緣之後附接至該飛機之一上表面，並自該飛機之該上表面延伸出去； <br/>一推進器，其在該飛機之該上表面的上方附接至該掛架； <br/>其中該掛架經構形以定位該推進器在該機身之一垂直距離處，該垂直距離至少部分地基於被定位在操作期間流過該機翼之空氣所形成之一邊界層的上方之該推進器，而引起該推進器之一入口在操作期間接受一實質均勻空氣流。
如請求項23之飛機，其進一步包括一或多個尾翼，其中該飛機之任一尾翼係附接至該飛機之一機翼。
如請求項23之飛機，其中該機翼係由一複合材料所構成。
如請求項23之飛機，其中該掛架向該機身之後掃，並相對於該機身之上表面以一斜角定向。
如請求項23之飛機，其進一步包括至少一感測器，其在該機身內並在該機翼之該前緣之前定位於該機身之一前端。
一種上傳原始碼之方法，其係於電子裝置中進行者，其包括如下步驟： <br/>當接收到將包含該原始碼的一私用分支合併至一主分支的請求時，回應該請求之核准，將該私用分支合併至該主分支； <br/>當該私用分支合併至該主分支時，識別該原始碼之變更；以及 <br/>回應於識別到該原始碼之該變更，阻止包含已變更之該原始碼的該私用分支合併至該主分支； <br/>其中阻止合併包括如下步驟： <br/>回應該原始碼已變更而重置該私用分支之該錯誤資訊； <br/>基於已重置之該錯誤資訊，確定不核准該請求；及 <br/>當該請求未核准，阻止包括已變更之該原始碼之該私用分支合併至該主分支。
如請求項1之上傳原始碼之方法，其中該私用分支為用戶開發原始碼時利用之一專用分支，且 <br/>該主分支為其他用戶開發及下載原始碼時利用之一共享分支。
如請求項1之上傳原始碼之方法，其中該私用分支至該主分支之該合併包括基於與該私用分支的識別資訊對應之該私用分支的的錯誤資訊，確定是否核准該請求。
如請求項2之上傳原始碼之方法，其中識別該原始碼之該變更包括識別該私用分支中包含的該原始碼已由該用戶更新。
如請求項1之上傳原始碼之方法，其中已重置的該錯誤資訊被包括在錯誤追蹤系統中需要額外處理的設定錯誤訊息之一群組中。
如請求項1之上傳原始碼之方法，其中阻止該合併包括如下步驟： <br/>識別與已變更之該原始碼對應之已變更之該錯誤資訊； <br/>基於已變更之該錯誤資訊，再次核准該請求；及 <br/>當再次核准該請求，則將該私用分支合併至該主分支。
如請求項6之上傳原始碼之方法，其中已變更之該錯誤資訊為根據是否藉由一QA(Quality Assurance，品質保證)終端或開發該原始碼之一用戶之一終端來核准已變更之該原始碼而變更之資訊。
一種用以上傳原始碼之電子裝置，其包括： <br/>一收發器； <br/>一儲存器，其儲存一個以上之命令；及 <br/>一處理器，其中該處理器經組態以： <br/>當接收到將包含該原始碼的一私用分支合併至一主分支的請求時，回應該請求之核准，將該私用分支合併至該主分支； <br/>當該私用分支合併至該主分支時，識別該原始碼之變更；以及 <br/>回應於識別到該原始碼之該變更，阻止包含已變更之該原始碼的該私用分支合併至該主分支； <br/>其中阻止合併包括如下步驟： <br/>回應該原始碼已變更而重置該私用分支之該錯誤資訊； <br/>基於已重置之該錯誤資訊，確定不核准該請求；及 <br/>當該請求未核准，阻止包括已變更之該原始碼之該私用分支合併至該主分支。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有用以於電腦中執行如請求項1之方法之程式。
一種用於顯影經輻射曝光之有機金屬圖案化層的方法，該經輻射曝光之有機金屬圖案化層具有幅照部分與未幅照部分，該方法包含：<br/>使該經輻射曝光之有機金屬圖案化層暴露至在45°C至250°C的範圍之第一溫度及第一氣氛以形成經烘烤圖案化層；以及<br/>使該經烘烤圖案化層暴露至在45°C至250°C的範圍之第二溫度及第二氣氛，其中該第二溫度係不同於該第一溫度及／或該第二氣氛係不同於該第一氣氛，<br/>其中該經輻射曝光之有機金屬圖案化層係包含有機金屬氧化物／氫氧化物網路。
如請求項1所述之方法，其中該第一氣氛係包含反應氣體。
如請求項1所述之方法，其中該第二氣氛係包含惰性氣體。
如請求項1所述之方法，其中該第二氣氛係包含氮氣。
如請求項1至4中任一項所述之方法，其中該第一溫度係在50°C至150°C的範圍。
如請求項1至4中任一項所述之方法，其中該第二溫度係在95°C至250°C的範圍。
如請求項1至4中任一項所述之方法，其中該第一氣氛係包含空氣。
如請求項1至4中任一項所述之方法，其中該第一氣氛係包含水蒸氣。
如請求項1至4中任一項所述之方法，其中該第一氣氛係包含氧氣。
如請求項1至4中任一項所述之方法，其中該第一氣氛係包含二氧化碳。
如請求項1至4中任一項所述之方法，其中該第一氣氛係包含氧氣與水蒸氣。
如請求項1至4中任一項所述之方法，其中該第一氣氛係包含氧氣與二氧化碳。
如請求項1至4中任一項所述之方法，其中該經輻射曝光之有機金屬圖案化層係包含具有Sn-C鍵的有機錫氧化物氫氧化物。
如請求項13所述之方法，其中該經輻射曝光之有機金屬圖案化層係包含單烷基錫氧化物氫氧化物。
如請求項1至4中任一項所述之方法，其中該方法係導致在幅照部分與未幅照部分之間的顯影速率上的對比度增加。
一種具備使用習慣分析之用戶終端設備供裝系統，包括：一用戶終端設備，係具有一核心軟體、一遠端管理代理軟體、一隔離軟體、一狀態監測軟體與至少一加值軟體，以由該隔離軟體使用軟體隔離技術管理該用戶終端設備之遠端管理代理軟體、狀態監測軟體與加值軟體且隔離該用戶終端設備之核心軟體與加值軟體；以及一用戶終端軟體供裝子系統，係通訊連結該用戶終端設備，其中，該用戶終端軟體供裝子系統具有一使用習慣分析模組與一軟體供裝模組，且該使用習慣分析模組具有一使用習慣分析模型，以由該使用習慣分析模組利用一深度強化學習方法依據具有該核心軟體、遠端管理代理軟體、隔離軟體、狀態監測軟體與加值軟體之該用戶終端設備之使用資料以及外部之營運支援系統之訊務資料進行訓練該使用習慣分析模型，再由該使用習慣分析模組透過該深度強化學習方法所訓練完成之該使用習慣分析模型預測出具有該核心軟體、遠端管理代理軟體、隔離軟體、狀態監測軟體與加值軟體之該用戶終端設備之軟體可變更時間，俾由該軟體供裝模組依據該使用習慣分析模型所預測出之該軟體可變更時間於具有該核心軟體、遠端管理代理軟體、隔離軟體、狀態監測軟體與加值軟體之該用戶終端設備之閒置狀態時進行該用戶終端設備之軟體變更或軟體供裝。
如請求項1所述之用戶終端設備供裝系統，其中，該用戶終端軟體供裝子系統更確認該用戶終端設備之合法性與有關該用戶終端設備之用戶之合法性，再對該用戶終端設備進行參數供裝以對該用戶終端設備提供基礎服務或上網服務，俾由該軟體供裝模組對該用戶終端設備發動軟體變更以對該用戶終端設備進行安裝軟體。
如請求項1所述之用戶終端設備供裝系統，其中，該用戶終端軟體供裝子系統更具有一遠端管理模組，係於該用戶終端設備初次安裝時，由該用戶終端設備主動傳送請求訊息至該遠端管理模組，以請求該遠端管理模組對該用戶終端設備進行遠端設備納管。
如請求項1所述之用戶終端設備供裝系統，其中，該用戶終端軟體供裝子系統更具有一遠端管理模組，以於用戶或其用戶裝置向一服務供應端訂閱軟體時，由該營運支援系統派送軟體供裝需求至該遠端管理模組，再由該遠端管理模組檢查該用戶所使用之該用戶終端設備是否支援該軟體之安裝，俾於該用戶終端設備支援該軟體之安裝時，將該用戶終端設備之設備資訊登錄至該營運支援系統。
如請求項1所述之用戶終端設備供裝系統，其中，該用戶終端軟體供裝子系統更具有一遠端管理模組與一應用軟體庫，以於該遠端管理模組接收到該用戶終端軟體供裝子系統所發動之軟體變更訊息時，由該軟體供裝模組透過該應用軟體庫向該用戶終端設備提供軟體下載路徑，再由該軟體供裝模組透過該使用習慣分析模型所分析出之該軟體可變更時間向該用戶終端設備發動軟體變更排程，俾由該用戶終端設備向該應用軟體庫獲取軟體以進行更新。
如請求項1所述之用戶終端設備供裝系統，其中，該用戶終端軟體供裝子系統更具有一遠端管理模組，係對該用戶終端設備進行遠端設備納管，以由該使用習慣分析模型利用該用戶終端設備之前一時間區間之資料預測出該用戶終端設備之當前時間區間之使用情況，再由該遠端管理模組依據該用戶終端設備之設備狀態之監測資訊對該使用習慣分析模型之預測結果進行回饋。
如請求項1所述之用戶終端設備供裝系統，其中，當進行該用戶終端設備之軟體變更時，由該用戶終端設備先行檢查本身之相依軟體為不忙碌或正在忙碌，以於該相依軟體為不忙碌時，由該軟體供裝模組對該用戶終端設備進行軟體變更。
如請求項1所述之用戶終端設備供裝系統，其中，該使用習慣分析模組更利用該用戶終端設備之設備狀態、該營運支援系統之訊務資料與該使用習慣分析模型之重播記憶，對該使用習慣分析模型進行深度強化學習訓練，且採用該用戶終端設備之真實之線上資料持續訓練該使用習慣分析模型，俾使該使用習慣分析模型趨近或吻合用戶對於該用戶終端設備之使用習慣。
一種具備使用習慣分析之用戶終端設備供裝方法，包括：提供包括一用戶終端設備與與一用戶終端軟體供裝子系統之用戶終端設備供裝系統，其中，該用戶終端設備具有一核心軟體、一遠端管理代理軟體、一隔離軟體、一狀態監測軟體與至少一加值軟體，以由該隔離軟體使用軟體隔離技術管理該用戶終端設備之遠端管理代理軟體、狀態監測軟體與加值軟體且隔離該用戶終端設備之核心軟體與加值軟體，且該用戶終端軟體供裝子系統具有一使用習慣分析模組與一軟體供裝模組；以及由該使用習慣分析模組利用一深度強化學習方法依據具有該核心軟體、遠端管理代理軟體、隔離軟體、狀態監測軟體與加值軟體之該用戶終端設備之使用資料以及一營運支援系統之訊務資料進行訓練一使用習慣分析模型，再由該使用習慣分析模組透過該深度強化學習方法所訓練完成之該使用習慣分析模型預測出具有該核心軟體、遠端管理代理軟體、隔離軟體、狀態監測軟體與加值軟體之該用戶終端設備之軟體可變更時間，俾由該軟體供裝模組依據該使用習慣分析模型所預測出之該軟體可變更時間於具有該核心軟體、遠端管理代理軟體、隔離軟體、狀態監測軟體與加值軟體之該用戶終端設備之閒置狀態時進行該用戶終端設備之軟體變更或軟體供裝。
如請求項9所述之用戶終端設備供裝方法，更包括由該用戶終端軟體供裝子系統確認該用戶終端設備之合法性與有關該用戶終端設備之用戶之合法性，再對該用戶終端設備進行參數供裝以對該用戶終端設備提供基礎服務或上網服務，俾由該軟體供裝模組對該用戶終端設備發動軟體變更以對該用戶終端設備進行安裝軟體。
如請求項9所述之用戶終端設備供裝方法，更包括當用戶或其用戶裝置向一服務供應端訂閱軟體時，由該營運支援系統派送軟體供裝需求至該遠端管理模組，再由該遠端管理模組檢查該用戶所使用之該用戶終端設備是否支援該軟體之安裝，俾於該用戶終端設備支援該軟體之安裝時，將該用戶終端設備之設備資訊登錄至該營運支援系統。
如請求項9所述之用戶終端設備供裝方法，更包括當該用戶終端軟體供裝子系統之一遠端管理模組接收到該用戶終端軟體供裝子系統所發動之軟體變更訊息時，由該軟體供裝模組透過該用戶終端軟體供裝子系統之一應用軟體庫向該用戶終端設備提供軟體下載路徑，再由該軟體供裝模組透過該使用習慣分析模型所分析出之該軟體可變更時間向該用戶終端設備發動軟體變更排程，俾由該用戶終端設備向該應用軟體庫獲取軟體以進行更新。
如請求項9所述之用戶終端設備供裝方法，更包括由該用戶終端軟體供裝子系統之一遠端管理模組對該用戶終端設備進行遠端設備納管，以由該使用習慣分析模型利用該用戶終端設備之前一時間區間之資料預測出該用戶終端設備之當前時間區間之使用情況，再由該遠端管理模組依據該用戶終端設備之設備狀態之監測資訊對該使用習慣分析模型之預測結果進行回饋。
如請求項9所述之用戶終端設備供裝方法，更包括當進行該用戶終端設備之軟體變更時，由該用戶終端設備先行檢查本身之相依軟體為不忙碌或正在忙碌，以於該相依軟體為不忙碌時，由該軟體供裝模組對該用戶終端設備進行軟體變更。
如請求項9所述之用戶終端設備供裝方法，更包括由該使用習慣分析模組利用該用戶終端設備之設備狀態、該營運支援系統之訊務資料與該使用習慣分析模型之重播記憶，對該使用習慣分析模型進行深度強化學習訓練，且採用該用戶終端設備之真實之線上資料持續訓練該使用習慣分析模型，俾使該使用習慣分析模型趨近或吻合用戶對於該用戶終端設備之使用習慣。
一種電腦可讀媒介，應用於計算裝置或電腦中，係儲存有指令，並透過處理器與記憶體執行該電腦可讀媒介，以於執行該電腦可讀媒介時，執行如請求項9至15中任一項所述之具備使用習慣分析之用戶終端設備供裝方法。
一種換氣扇，包括：<br/> 一風扇單體，包括：<br/> 一馬達；<br/> 一葉輪，連接該馬達；以及<br/> 一渦形流道，沿該葉輪的一圓周方向圍繞該葉輪，且具有一出風口，其中該渦形流道的一頂部包括一曲面，該曲面的直徑與截面高度從該圓周方向的起始處沿該圓周方向至一區域遞增，該區域由經該葉輪的圓心且平行該出風口的一截面通過，其中該區域具有最大截面高度，且該區域的最大截面高度相同。
如請求項1所述之換氣扇，其中該曲面的截面高度從該區域沿該圓周方向至該出風口遞減。
如請求項1所述之換氣扇，其中該渦形流道具有靠近該出風口的一舌部，且該渦形流道的該頂部包括靠近該出風口的一平面。
如請求項1所述之換氣扇，其中該渦形流道的該曲面的最大直徑在該區域處。
如請求項1所述之換氣扇，其中該渦形流道從該區域至該出風口的頂部為該曲面的一部分。
如請求項1所述之換氣扇，其中該渦形流道為漸擴流道。
如請求項1所述之換氣扇，其中該渦形流道的該頂部的俯視形狀為圓形或多邊形。
如請求項1所述之換氣扇，其中該渦形流道從該截面通過的該區域至該出風口的頂部為該曲面的一部分。
如請求項8所述之換氣扇，其中該曲面的該部分的截面高度是從該截面通過的該區域沿該圓周方向至該出風口遞減。
一種網路連線交換裝置，包含：<br/> 一處理器，用以設定一連線超時期間及一連線確認期間，且同時或依序啟動該連線超時期間以及該連線確認期間，其中，該連線確認期間小於且落於該連線超時期間之中；以及<br/> 一收發器，電性連接至該處理器，且用以在該網路連線交換裝置與一第一網路裝置之間建立一第一連線，以使一使用者裝置透過該網路連線交換裝置與該第一網路裝置通訊；<br/> 其中，該處理器還用以：<br/> 當該連線確認期間結束時，判斷該第一連線之一連線狀態；以及<br/> 當判斷該第一連線之該連線狀態為無效時，透過該收發器將該使用者裝置的一連線對象從該第一網路裝置交換為一第二網路裝置，以使該使用者裝置改為透過該網路連線交換裝置與該第二網路裝置通訊，以及重新啟動該連線超時期間以及該連線確認期間。
如請求項1所述的網路連線交換裝置，還包含一電性連接至該處理器之儲存器，其中，該儲存器用以儲存該網路連線交換裝置之一連線資訊，且該連線資訊包含一路由表、一位址解析協定表或一轉送表。
如請求項2所述的網路連線交換裝置，其中，該處理器還用以：當判斷該第一連線之該連線狀態為無效時，更新該網路連線交換裝置之該連線資訊，且透過該收發器通知該使用者裝置更新後的該連線資訊。
如請求項2所述的網路連線交換裝置，其中，該網路連線交換裝置是一網路交換機。
如請求項1所述的網路連線交換裝置，其中，該第一網路裝置與該第二網路裝置各自是一路由器或一伺服器。
如請求項1所述的網路連線交換裝置，其中，該處理器還用以：當判斷該第一連線之該連線狀態為有效時，重設該連線超時期間。
如請求項1所述的網路連線交換裝置，其中，還包含一電性連接至該處理器之儲存器，其中：<br/> 該儲存器用以儲存一監控名單；以及<br/> 該處理器還用以：根據該監控名單，透過該收發器確認複數網路裝置之連線狀態，該複數網路裝置包含該第一網路裝置與該第二網路裝置。
如請求項7所述的網路連線交換裝置，其中，該監控名單包含一自定義名單。
如請求項8所述的網路連線交換裝置，其中，該監控名單還包含一自動生成名單。
如請求項1所述的網路連線交換裝置，其中，該第一網路裝置與該第二網路裝置支持一網路連線交換協定，而該網路連線交換裝置不支持該網路連線交換協定。
如請求項10所述的網路連線交換裝置，其中，該網路連線交換協定是第一跳冗餘協定，且該處理器將該第一跳冗餘協定所界定的問候時間設定為該連線確認期間的時間長度。
一種網路連線交換方法，由一網路連線交換裝置執行，該網路連線交換方法包含：<br/> 設定一連線超時期間及一連線確認期間，其中，該連線確認期間小於且落於該連線超時期間之中；<br/> 同時或依序啟動該連線超時期間以及該連線確認期間；<br/> 當該連線確認期間結束時，判斷與一第一網路裝置之間的一第一連線之一連線狀態；以及<br/> 當判斷該第一連線之該連線狀態為無效時，將一使用者裝置的一連線對象從該第一網路裝置交換為一第二網路裝置，以使該使用者裝置改為透過該網路連線交換裝置與該第二網路裝置通訊，以及重新啟動該連線超時期間以及該連線確認期間。
如請求項12所述的網路連線交換方法，其中，該網路連線交換裝置儲存著該網路連線交換裝置之一連線資訊，且該連線資訊包含一路由表、一位址解析協定表或一轉送表。
如請求項13所述的網路連線交換方法，還包含：<br/> 當判斷該第一連線之該連線狀態為無效時，更新該連線資訊，且通知該使用者裝置更新後的該連線資訊。
如請求項13所述的網路連線交換方法，其中，該網路連線交換裝置是一網路交換機。
如請求項12所述的網路連線交換方法，其中，該第一網路裝置與該第二網路裝置各自是一路由器或一伺服器。
如請求項12所述的網路連線交換方法，還包含：當判斷該第一連線之該連線狀態為有效時，重設該連線超時期間。
如請求項12所述的網路連線交換方法，其中，該網路連線交換裝置儲存著一監控名單，且該網路連線交換方法還包含：<br/> 根據該監控名單確認複數網路裝置之連線狀態，該複數網路裝置包含該第一網路裝置與該第二網路裝置。
如請求項18所述的網路連線交換方法，其中，該監控名單包含一自定義名單。
如請求項19所述的網路連線交換方法，其中，該監控名單還包含一自動生成名單。
如請求項12所述的網路連線交換方法，其中，該第一網路裝置與該第二網路裝置支持一網路連線交換協定，而該網路連線交換裝置不支持該網路連線交換協定。
如請求項21所述的網路連線交換方法，其中，該網路連線交換協定是第一跳冗餘協定，且該網路連線交換裝置將該第一跳冗餘協定所界定的問候時間設定為該連線確認期間的時間長度。
一種基板處理方法，其係一併處理具有由正面及背面規定之朝向之複數片基板者，其特徵在於具備：<br/>基板群取得過程，其取得由朝向一方向之基板空開規定間隔排列而成之基板群；<br/>第1組配過程，其藉由將朝向上述一方向之第1基板空開上述規定間隔排列而成之第1排列、與上述基板群組合，而使上述第1基板位於將上述基板群中之上述規定間隔切成3分之第1位置、第2位置中之上述第1位置；<br/>第2組配過程，其藉由將朝向上述一方向之第2基板空開上述規定間隔排列而成之第2排列、與上述基板群組合，使上述第2基板位於上述第2位置而構成臨時分批批次；<br/>拆解過程，其以構成上述臨時分批批次之基板中對向之2個基板成為不同組之方式，將基板分為第1組與第2組，使上述第1組與上述第2組於與基板之排列方向正交之方向上相對移動，藉此將上述臨時分批批次拆解；<br/>半旋轉過程，其藉由使上述第2組半旋轉，而使構成上述第2組之基板朝向上述一方向之相反方向；<br/>重排過程，其將上述第1組與上述第2組組合，使朝向上述一方向之基板與朝向上述相反方向之基板交替地排列而產生分批批次；及<br/>處理過程，其使上述分批批次浸漬於處理液中。
如請求項1之基板處理方法，其中<br/>上述拆解過程以將位於上述臨時分批批次之一端之基板、與位於上述臨時分批批次之另一端之基板分為互不同組之方式，將上述臨時分批批次拆解。
如請求項1之基板處理方法，其中<br/>構成上述分批批次之基板之片數為上述基板群取得過程中之上述基板群之片數之3倍。
如請求項1之基板處理方法，其具備：<br/>第1過程，其自將水平姿勢之基板於鉛直方向上空開規定間隔排列而收納基板之載體一併取得各基板；及<br/>第2過程，其將上述各基板之姿勢自水平姿勢一併轉換為鉛直姿勢；且<br/>於各組配過程之前進行上述第1過程及上述第2過程。
如請求項4之基板處理方法，其中<br/>上述規定間隔與收納於上述載體之基板之排列間距相等。
如請求項4之基板處理方法，其中<br/>上述第1位置至上述第2位置之距離為收納於上述載體之基板之排列間距之1/3倍。
如請求項1之基板處理方法，其中<br/>上述第1位置、上述第2位置將上述規定間隔進行3等分。
一種電氣結構，包括： <br/>一基底； <br/>一第一絕緣層，經配置在該基底的一第一表面上； <br/>一第二絕緣層，經配置在該第一絕緣層上； <br/>一電氣接點，係延伸穿過該第一絕緣層及該第二絕緣層，以電性連接至該基底的該第一表面，其中該電氣接點包括一第一部分，經配置在該第一絕緣層中，以及一第二部分，經配置在該第二絕緣層中，該第一部分具有一第一寬度，該第二部分具有一第二寬度，該第一寬度與該第二寬度之間的一差值對該第一寬度的一比值小於10%； <br/>至少一個隔離特徵，延伸至該基底中並低於該基底的該第一表面；以及 <br/>至少一個導電特徵，延伸穿過該第二絕緣層及該第一絕緣層，並進入該基底。
如請求項1所述之電氣結構，其中該電氣接點的該第一部分及該第二部分是一體地且同時地形成。
如請求項1所述之電氣結構，其中該基底包括矽。
如請求項1所述之電氣結構，更包括配置於該基底上的一第一MOS電晶體及一第二MOS電晶體，其中該電氣接點經配置以在該第一MOS電晶體與該第二MOS電晶體之間。
如請求項4所述之電氣結構，其中該電氣接點與該第一MOS電晶體的一電極、該第二MOS電晶體的一電極或與該第一MOS電晶體及第二MOS電晶體兩者之電極電性連接。
如請求項1所述之電氣結構，其中該第二絕緣層之一材料不同於該第一絕緣層的一材料。
如請求項1所述之電氣結構，其中該電氣接點更延伸至該基底中。
如請求項7所述之電氣結構，其中該電氣接點更包括配置在該基底中的一第三部分，且該第三部分具有小於該第一寬度的一第三寬度。
如請求項8所述之電氣結構，其中該第三寬度小於該第二寬度。
如請求項8所述之電氣結構，其中該電氣接點的該第一部分、該第二部分及該第三部分是一體地且同時地形成。
如請求項8所述之電氣結構，其中該基底包括一低電阻層，且該低電阻層實質上與該電氣接點的該第三部分共形。
如請求項11所述之電氣結構，其中該低電阻層包括鈷。
如請求項4所述之電氣結構，其中該至少一個隔離特徵包括兩個隔離特徵，且該兩個隔離特徵配置於該電氣接點的兩側。
如請求項13所述之電氣結構，其中該兩個隔離特徵中的一個隔離特徵與該第一MOS電晶體相鄰配置並與該第二MOS電晶體相隔開，而該兩個隔離特徵中的另一個隔離特徵與該第二MOS電晶體相鄰配置並與該第一MOS電晶體相隔開。
如請求項14所述之電氣結構，其中該至少一個導電特徵包括兩個導電特徵，該兩個導電特徵的其中一個配置於該電氣接點與該兩個隔離特徵之間且與該第一MOS電晶體相鄰，而該兩個導電特徵的另一個配置在該電氣接點與該兩個隔離特徵之間且與該第二MOS電晶體相鄰。
如請求項1所述之電氣結構，其中該至少一個導電特徵包括一下部，配置於該基底的該第一表面之下並插入該基底，以及一上部，配置在該基底的該第一表面之上並插入該第二絕緣層及該第一絕緣層。
如請求項16所述之電氣結構，其中該兩個導電特徵的每一個的該下部具有一第一關鍵尺寸，而該兩個導電特徵的每一個的該上部具有一第二關鍵尺寸，且該第二關鍵尺寸大於該第一關鍵尺寸。
如請求項17所述之電氣結構，其中該第一關鍵尺寸在距離該基底的該第一表面越遠的位置逐漸減小，而該第二關鍵尺寸保持不變。
一種防漏方法，其包含： <br/>(1) 提供一緊固件； <br/>(2) 在將該緊固件鎖附於其所對應之對鎖件之前，將一光固化防漏材料塗覆於該緊固件之部分表面，形成一塗覆層，其中該緊固件之部分表面預定將會與該對鎖件接觸；以及 <br/>(3) 同時使用UVA及UVC對該塗覆層進行光照3秒至60秒，使該塗覆層固化並形成防漏層，得出一防漏緊固件，其中UVA之照射強度為500毫瓦特/平方公分(mW/cm<sup>2</sup>)以上，UVC之照射強度為30 mW/cm<sup>2</sup>以上；在該防漏緊固件鎖附於其所對應之對鎖件時，該防漏層將會與該對鎖件接觸； <br/>其中，該光固化防漏材料係包含：以該光固化防漏材料之總重量計，60重量%至80重量%之甲基丙烯酸脂族聚氨酯寡聚物、10重量%至34重量%之丙烯酸酯單體、4重量%至8重量%之光起始劑、1重量%至8重量%之微米碳氫蠟及1重量%至4重量%之填充劑。
如請求項1所述之防漏方法，其中該甲基丙烯酸脂族聚氨酯寡聚物為α-氫-ω-羥基-聚(氧-1,4-丁烷二基)與5-異氰酸酯基-1-(異氰酸酯基甲基)-1,3,3-三甲基環己烷、甲基丙烯酸2-羥基乙酯的嵌段共聚物。
如請求項1所述之防漏方法，其中該丙烯酸酯單體包含羥乙基丙烯酸酯、羥甲基丙烯酸酯、丙烯酸異冰片酯、丙烯酸醯基嗎啉(acryloyl morpholine)、丙烯酸、二甲基乙醯基乙醯胺(dimethylacetoacetamide)、丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸、二甲基丙烯醯胺、二甲基烯丙基胺或其組合。
如請求項1所述之防漏方法，其中該光起始劑為苯乙酮類之光起始劑。
如請求項1所述之防漏方法，其中該微米碳氫蠟為經羧酸化改質之聚丙烯蠟。
如請求項1所述之防漏方法，其中該填充劑為二氧化矽。
如請求項1所述之防漏方法，其中該光固化防漏材料進一步包含1重量%至5重量%之添加劑，且該添加劑可選自色料、矽烷、觸變劑、架橋劑或其組合。
如請求項1至7中任一項所述之防漏方法，其中步驟(2)係包含： <br/>(2-1) 將該光固化防漏材料於一25℃至40℃之預熱溫度加熱，成為一流動狀態的光固化防漏材料；以及 <br/>(2-2) 在將該緊固件鎖附於一對鎖件之前，將該流動狀態的光固化防漏材料塗覆於該緊固件之部分表面，形成一塗覆層。<b> </b><br/><b> </b>
一種轉動結構，包括：<br/> 一底座，包括一底板及一固定側板，該固定側板連接於該底板的一端；以及<br/> 一旋轉支架，包括一連接板及一旋轉側板，旋轉側板連接於該連接板的一端，該旋轉側板透過一轉軸樞接於該固定側板，其中<br/> 該旋轉側板包括一定位組件，該固定側板包括一弧形定位齒列及一弧形導引槽，該弧形定位齒列位於該弧形導引槽中，該弧形導引槽的一圓心為該轉軸的一中心，當該旋轉支架相對該底座旋轉，該弧形導引槽導引該定位組件以適於移動於該弧形定位齒列的多個齒部之間，當該旋轉支架相對該底座靜止，該定位組件固定於該些齒部之間的多個齒槽的任一個之中。
如請求項1所述的轉動結構，還包括一彈簧，該彈簧連接於該固定側板及該旋轉側板之間。
如請求項1所述的轉動結構，還包括一第一扭力組件，設置於該定位組件。
如請求項1所述的轉動結構，還包括一第二扭力組件，設置於該轉軸上。
如請求項1所述的轉動結構，還包括一吸震墊，設置於該底板。
如請求項1所述的轉動結構，其中該底板包括一第一底板及一第二底板，該第一底板包括一第一定位孔，該第二底板包括一第二定位孔，一鎖固件穿過該第一定位孔及該第二定位孔以鎖固該第一底板及該第二底板。
如請求項1所述的轉動結構，還包括另一固定側板及一限位柱，該固定側板與該另一固定側板分別設置於該底板的相對二端，該限位柱連接於該固定側板與該另一固定側板之間。
一種半導體裝置，包括： <br/>配線基板，具有與上下方向相交的主面； <br/>第一積層體，包含沿與所述上下方向相交的第一寬度方向具有第一寬度的N個第一板狀部，N為2以上的整數，且N個所述第一板狀部沿所述上下方向積層在所述配線基板的上方；以及 <br/>第二積層體，包含第二板狀部及M個第三板狀部，M為1以上的整數，所述第二板狀部沿所述第一寬度方向具有較所述第一寬度大的第二寬度，且設在所述第一積層體的上方，所述M個第三板狀部設在所述第二板狀部的上方，且沿所述第一寬度方向具有所述第一寬度，且所述第二板狀部及M個所述第三板狀部沿所述上下方向積層， <br/>所述第一板狀部包含第一記憶體晶片，所述第一記憶體晶片在上方的面設有通過第一接合線電性連接於所述配線基板的第一電極墊， <br/>所述第二板狀部包含：第二記憶體晶片，在上方的面設有通過第二接合線電性連接於所述配線基板的第二電極墊；以及第一樹脂層，連接於所述第二記憶體晶片的所述第一寬度方向的第一側， <br/>所述第三板狀部包含第三記憶體晶片，所述第三記憶體晶片在上方的面設有通過所述第二接合線電性連接於所述配線基板的第三電極墊， <br/>所述第一積層體的所述第一寬度方向的所述第一側的相反側即第二側呈所述第一電極墊位於台階面的階梯狀， <br/>所述第二積層體的所述第二側呈所述第二電極墊或所述第三電極墊位於台階面的階梯狀， <br/>在俯視所述主面時，所述第二積層體的所述第二側的端部較所述第一積層體的所述第二側的端部位於所述第二側。
如請求項1所述的半導體裝置，其中 <br/>所述第二記憶體晶片較所述第二板狀部的所述第一側的端部位於所述第二板狀部的所述第二側的端部附近。
如請求項1所述的半導體裝置，其中 <br/>所述半導體裝置更包括第三積層體，所述第三積層體包含沿所述第一寬度方向具有所述第一寬度的N個第四板狀部，且N個所述第四板狀部沿所述上下方向積層在所述第一積層體的所述第一側， <br/>所述第四板狀部包含第四記憶體晶片，所述第四記憶體晶片在上方的面設有通過第三接合線電性連接於所述配線基板的第四電極墊， <br/>所述第三積層體的所述第一側呈所述第四電極墊位於台階面的階梯狀， <br/>所述第二積層體中的所述第二板狀部是跨及所述第一積層體的上方的面及所述第三積層體的上方的面而設。
如請求項3所述的半導體裝置，其中 <br/>所述第二板狀部更包含第五記憶體晶片，所述第五記憶體晶片在上方的面設有通過第四接合線電性連接於所述配線基板的第五電極墊，且設在所述第一樹脂層的所述第一側， <br/>所述第二積層體更包含M個第五板狀部，所述M個第五板狀部設在M個所述第三板狀部的所述第一側，且沿所述第一寬度方向具有所述第一寬度， <br/>M個所述第五板狀部沿所述上下方向積層， <br/>所述第五板狀部包含第六記憶體晶片，所述第六記憶體晶片在上方的面設有通過所述第四接合線電性連接於所述配線基板的第六電極墊， <br/>所述第二積層體的所述第一側呈所述第五電極墊或所述第六電極墊位於台階面的階梯狀， <br/>在俯視所述主面時，所述第二積層體的所述第一側的端部較所述第三積層體的所述第一側的端部位於所述第一側。
如請求項3所述的半導體裝置，其中 <br/>所述半導體裝置更包括第二樹脂層，所述第二樹脂層與所述第二積層體中的所述第二板狀部的下方的面相接，且與所述第一積層體的上方的面及所述第三積層體的上方的面相接。
如請求項3所述的半導體裝置，其中 <br/>所述半導體裝置更包括第一半導體晶片，所述第一半導體晶片在所述第一積層體與所述第三積層體之間連接於所述配線基板的所述主面。
如請求項6所述的半導體裝置，其中 <br/>所述半導體裝置更包括第二樹脂層，所述第二樹脂層與所述第二積層體中的所述第二板狀部的下方的面相接，且與所述第一積層體的上方的面及第三積層體的上方的面相接， <br/>所述第一半導體晶片的上方的面與所述第二樹脂層相接。
如請求項4所述的半導體裝置，其中 <br/>所述第二板狀部更包含：第三樹脂層，連接於所述第五記憶體晶片的所述第二側；以及第一半導體層，連接於所述第一樹脂層的所述第一側及所述第三樹脂層的所述第二側。
如請求項4所述的半導體裝置，其中 <br/>所述第二板狀部中的所述第五記憶體晶片連接於所述第一樹脂層的所述第一側， <br/>所述半導體裝置更包括設在所述第一樹脂層的上方的第一半導體層。
如請求項4所述的半導體裝置，其中 <br/>所述第二板狀部中的所述第五記憶體晶片連接於所述第一樹脂層的所述第一側， <br/>所述半導體裝置更包括設在所述第一樹脂層的下方的第一半導體層。
如請求項1所述的半導體裝置，其中 <br/>所述半導體裝置更包括控制器晶片，所述控制器晶片設在所述第一積層體的下方，且連接於所述配線基板的所述主面。
一種半導體裝置，包括： <br/>配線基板，具有與上下方向相交的主面；以及 <br/>第四積層體，包含L個第六板狀部及L個第七板狀部與第八板狀部，L為1以上的整數，所述L個第六板狀部及L個第七板狀部沿與所述上下方向相交的第一寬度方向具有第一寬度，所述第八板狀部沿所述第一寬度方向具有較所述第一寬度大的第二寬度，且L個所述第六板狀部沿所述上下方向積層在所述配線基板的上方，L個所述第七板狀部沿所述上下方向積層在L個所述第六板狀部的所述第一寬度方向的第一側，所述第八板狀部是跨及最上階的所述第六板狀部的上方的面及最上階的所述第七板狀部的上方的面而設， <br/>所述第六板狀部及所述第七板狀部分別包含第七記憶體晶片及第八記憶體晶片， <br/>所述第八板狀部包含：第九記憶體晶片；第四樹脂層，連接於所述第九記憶體晶片的所述第一側；以及第十記憶體晶片，設在所述第四樹脂層的所述第一側， <br/>所述第四積層體的所述第一側及所述第一側的相反側即第二側呈階梯狀。
如請求項12所述的半導體裝置，其中 <br/>所述第八板狀部更包含第二半導體晶片，所述第二半導體晶片具有與所述第九記憶體晶片的下方的面及所述第十記憶體晶片的下方的面相接的上方的面，且控制所述第九記憶體晶片及所述第十記憶體晶片。
如請求項12所述的半導體裝置，更包括： <br/>第五積層體，包含沿所述第一寬度方向具有所述第一寬度的K個第九板狀部及K個第十板狀部、與沿所述第一寬度方向具有所述第二寬度的第十一板狀部，K為1以上的整數，且K個所述第九板狀部沿所述上下方向積層在L個所述第六板狀部的上方，K個所述第十板狀部沿所述上下方向積層在K個所述第九板狀部的所述第一側，所述第十一板狀部是跨及最上階的所述第九板狀部的上方的面及最上階的所述第十板狀部的上方的面而設， <br/>所述第九板狀部及所述第十板狀部分別包含第十一記憶體晶片及第十二記憶體晶片， <br/>所述第十一板狀部包含：第十三記憶體晶片；第五樹脂層，連接於所述第十三記憶體晶片的所述第一側；以及第十四記憶體晶片，設在所述第五樹脂層的所述第一側， <br/>所述第五積層體的所述第一側及所述第二側呈階梯狀。
如請求項14所述的半導體裝置，其中 <br/>在俯視所述主面時，最下階的所述第九板狀部的所述第二側的端部較所述第八板狀部的所述第二側的端部位於所述第二側，最下階的所述第十板狀部的所述第一側的端部較所述第八板狀部的所述第一側的端部位於所述第一側。
一種半導體裝置，包括： <br/>配線基板，具有與上下方向相交的主面； <br/>第一積層體，包含沿與所述上下方向相交的第一寬度方向具有第一寬度的N個第一板狀部，N為2以上的整數，且N個所述第一板狀部沿所述上下方向積層在所述配線基板的上方； <br/>第三積層體，包含沿所述第一寬度方向具有所述第一寬度的N個第四板狀部，且N個所述第四板狀部沿所述上下方向積層在所述第一積層體的所述第一寬度方向的第一側；以及 <br/>第二積層體，包含第二板狀部、M個第三板狀部及M個第五板狀部，M為1以上的整數，所述第二板狀部沿與所述上下方向及所述第一寬度方向相交的第二寬度方向具有較所述第一寬度大的第二寬度，且跨及所述第一積層體的上方的面及所述第三積層體的上方的面而設，所述M個第三板狀部設在所述第二板狀部的上方，且沿所述第二寬度方向具有所述第一寬度，所述M個第五板狀部沿所述第二寬度方向具有所述第一寬度，且所述第二板狀部及M個所述第三板狀部沿所述上下方向積層，M個所述第五板狀部沿所述上下方向積層在M個所述第三板狀部的所述第二寬度方向的第三側， <br/>所述第一板狀部包含第一記憶體晶片，所述第一記憶體晶片在上方的面設有通過第一接合線電性連接於所述配線基板的第一電極墊， <br/>所述第四板狀部包含第四記憶體晶片，所述第四記憶體晶片在上方的面設有通過第三接合線電性連接於所述配線基板的第四電極墊， <br/>所述第二板狀部包含：第二記憶體晶片，在上方的面設有通過第二接合線電性連接於所述配線基板的第二電極墊；第一樹脂層，連接於所述第二記憶體晶片的所述第二寬度方向的所述第三側；以及第五記憶體晶片，在上方的面設有通過第四接合線電性連接於所述配線基板的第五電極墊，且設在所述第一樹脂層的所述第三側， <br/>所述第三板狀部包含第三記憶體晶片，所述第三記憶體晶片在上方的面設有通過所述第二接合線電性連接於所述配線基板的第三電極墊， <br/>所述第五板狀部包含第六記憶體晶片，所述第六記憶體晶片在上方的面設有通過所述第四接合線電性連接於所述配線基板的第六電極墊， <br/>所述第一積層體的所述第一寬度方向的所述第一側的相反側即第二側呈所述第一電極墊位於台階面的階梯狀， <br/>所述第三積層體的所述第一寬度方向的所述第一側呈所述第四電極墊位於台階面的階梯狀， <br/>所述第二積層體的所述第二寬度方向的所述第三側的相反側即第四側呈所述第二電極墊或所述第三電極墊位於台階面的階梯狀， <br/>所述第二積層體的所述第二寬度方向的所述第三側呈所述第五電極墊或所述第六電極墊位於台階面的階梯狀。
如請求項1或請求項16所述的半導體裝置，其中 <br/>所述第一板狀部更包含第二半導體晶片，所述第二半導體晶片具有與所述第一記憶體晶片的下方的面相接的上方的面，且控制所述第一記憶體晶片， <br/>所述第二半導體晶片的所述第一寬度方向的寬度大於所述第一記憶體晶片的所述第一寬度方向的寬度。
如請求項17所述的半導體裝置，其中 <br/>在所述第二半導體晶片的上方的面形成有第一焊墊， <br/>在所述第一記憶體晶片的下方的面形成有第二焊墊， <br/>藉由接合所述第一焊墊與所述第二焊墊來貼合所述第一記憶體晶片及所述第二半導體晶片。
如請求項18所述的半導體裝置，其中 <br/>所述第一記憶體晶片包含層間連接點，所述層間連接點電性連接所述第二焊墊與設在所述第一記憶體晶片的上方的面的所述第一電極墊，且沿著所述上下方向。
如請求項12所述的半導體裝置，其中 <br/>所述第七板狀部更包含第二半導體晶片，所述第二半導體晶片具有與所述第七記憶體晶片的下方的面相接的上方的面，且控制所述第七記憶體晶片， <br/>所述第二半導體晶片的所述第一寬度方向的寬度大於所述第七記憶體晶片的所述第一寬度方向的寬度。
如請求項20所述的半導體裝置，其中 <br/>在所述第二半導體晶片的上方的面形成有第一焊墊， <br/>在所述第七記憶體晶片的下方的面形成有第二焊墊， <br/>藉由接合所述第一焊墊與所述第二焊墊來貼合所述第七記憶體晶片及所述第二半導體晶片。
如請求項21所述的半導體裝置，其中 <br/>所述第七記憶體晶片包含層間連接點，所述層間連接點電性連接所述第二焊墊與設在所述第七記憶體晶片的上方的面的電極墊，且沿著所述上下方向。
一種適用表面處理的旋風筒式加工裝置，包含： <br/>一基座單元； <br/>一移動單元，沿一軸線的延伸方向能移動地設置於該基座單元； <br/>一驅動單元，設置於該基座單元且用來驅動該移動單元移動；及 <br/>一流通單元，包括二分別設置於該基座單元及該移動單元的端蓋、一設置於該基座單元及該移動單元其中一者且圍繞該軸線的筒件、一設置於該筒件且圍繞該軸線的壓抵環、一設置於該基座單元及該移動單元其中另一者的承載座、複數接管至該等端蓋的管件，及一連通該等管件的鼓風機，每一該端蓋具有二連通該等管件的開口； <br/>該移動單元能被驅動而相對該基座單元在一開放位置及一閉合位置間移動，在該開放位置時，該壓抵環與該承載座沿該軸線的延伸方向相間隔，該承載座上方與外界連通，在該閉合位置時，該壓抵環壓抵於該承載座，並形成一連通該等端蓋、該筒件、該承載座、該等管件及該鼓風機且供流體流通的循環流路。
如請求項1所述的適用表面處理的旋風筒式加工裝置，其中，該基座單元包括沿該軸線的延伸方向間隔設置的一第一基座及一第二基座，該第一基座供其中一該端蓋設置。
如請求項2所述的適用表面處理的旋風筒式加工裝置，其中，該基座單元還包括複數沿該軸線的延伸方向延伸且連接於該第一基座及該第二基座的導引桿，該移動單元包括一供另一該端蓋設置的滑動座，及複數穿設於該滑動座且分別套設於該等導引桿的套管。
如請求項3所述的適用表面處理的旋風筒式加工裝置，其中，該基座單元還包括複數設置於該第一基座及該第二基座其中一者且朝該滑動座延伸的限位件，該移動單元還包括複數沿該軸線的延伸方向延伸的擋止件，該等擋止件位於該滑動座相反於該等限位件的一側。
如請求項3所述的適用表面處理的旋風筒式加工裝置，其中，該滑動座位於該第一基座及該第二基座間，該驅動單元包括一設置於該第二基座的驅動件，及一連接該驅動件及該滑動座的轉接件，該驅動件用來驅動該轉接件連動該滑動座。
如請求項1所述的適用表面處理的旋風筒式加工裝置，其中，每一該端蓋具有一圍繞該軸線且界定出一孔道的管體部，及一圍繞該管體部且與該管體部界定出一環道的本體部。
如請求項1所述的適用表面處理的旋風筒式加工裝置，其中，該承載座具有一形成於底面的流通空間，及複數形成於頂面且繞該軸線角度間隔設置的通孔組，每一通孔組具有複數沿該軸線的徑向間隔設置且連通該流通空間的連通孔。
如請求項1所述的適用表面處理的旋風筒式加工裝置，還包含一設置於該筒件內的旋風環件，該旋風環件具有一圍繞該軸線的環本體，及複數形成於該環本體外表面且適用於導引流體在該筒件內產生渦流的葉片。
一種組裝結構，包括： <br/>一基板； <br/>一模製結構，設置於該基板之上並與其電性連接，其中該模製結構包括至少一半導體元件、至少一非主動元件和一封裝膠，其封裝該至少一半導體元件和該至少一非主動元件； <br/>一重分佈結構，設置於該模製結構上並與其電性連接；以及 <br/>一較高電子元件，設置於該重分佈結構之上並與其電性連接，其中該至少一非主動元件被配置以在該較高電子元件和該基板之間提供一垂直導電路徑，且該較高電子元件未透過該至少一半導體元件電性連接至該基板， <br/>其中該較高電子元件垂直重疊該至少一非主動元件。
如請求項1所述之組裝結構，其中該較高電子元件藉由混合接合電性連接至該重分佈結構。
如請求項1所述之組裝結構，其中該較高電子元件透過複數個銲錫材料電性連接至該重分佈結構。
如請求項1所述之組裝結構，其中該較高電子元件的一寬度等於該模製結構的一寬度。
如請求項4所述之組裝結構，其中該較高電子元件的一側表面實質上對齊該模製結構的一側表面。
如請求項1所述之組裝結構，其中該較高電子元件的一功能與該至少一半導體元件的一功能不同。
如請求項1所述之組裝結構，其中該至少一半導體元件包括一主要部分和延伸穿過該主要部分的至少一穿孔，以及該封裝膠的一第二表面與該至少一非主動元件的一第二表面和該至少一半導體元件的一第二表面實質上共平面。
如請求項7所述之組裝結構，更包括： <br/>至少一第一凸塊，連接該至少一穿孔與該基板；以及 <br/>至少一第二凸塊，連接該至少一半導體元件的該第二表面與該基板。
如請求項8所述之組裝結構，其中該至少一第一凸塊與該至少一第二凸塊同時形成。
如請求項8所述之組裝結構，其中其中該至少一第二凸塊包含迴銲材料，其中該迴銲材料用以控制該模製結構與該基板之間的一間隙。
如請求項8所述之組裝結構，其中該至少一第一凸塊包含複數個第一凸塊，該至少一第二凸塊包含複數個第二凸塊，其中該些第一凸塊中相鄰兩者之間的一第一間隙小於該些第二凸塊中相鄰兩者之間的一第二間隙。
如請求項1所述之組裝結構，其中該重分佈結構包含複數個介電層、覆蓋該些介電層的複數個電路層以及連接該些電路層中相鄰兩者的複數個內通孔，其中該些內通孔向該模製結構漸縮。
如請求項1所述之組裝結構，其中該至少一半導體元件包含一第一半導體元件以及設置於該第一半導體元件旁的一第二半導體元件，且該至少一非主動元件包含一第一非主動元件以及設置在該第一半導體元件與該第二半元件裝置周圍的一第二非主動元件，其中從一俯視圖來看，該第一非主動元件的一尺寸不同於該第二非主動元件的一尺寸。
如請求項1所述之組裝結構，其中該至少一半導體元件的一寬度大於該至少一非主動元件的一寬度。
如請求項1所述之組裝結構，其中該至少一半導體元件包含一主要部分和設置於該主要部分上的一主動電路結構，其中該至少一非主動元件包含一主要部分與延伸穿過該主要部份的至少一通孔，其中該至少一半導體元件的該主要部分的一厚度小於該至少一非主動元件的該主要部分的一厚度。
如請求項15所述之組裝結構，其中該至少一半導體元件的該主要部分的一材料與該至少一非主動元件的該主要部分的一材料相同。
如請求項15所述之組裝結構，其中該至少一非主動元件的該至少一穿孔的一第一表面暴露自該至少一非主動元件的該第一表面，且該至少一非主動元件的該至少一穿孔的一第二表面暴露自該至少一非主動元件的該第二表面。
一種背光模組，其包含有：<br/> 一基板，具有至少一發光元件；<br/> 一導光板，該導光板之一邊角具有一支撐部與一開口結構，該開口結構之一位置鄰近該支撐部，並且對齊該發光元件；以及<br/> 一透光緩衝件，設置在該基板與該支撐部之間的一縫隙，並且覆蓋該發光元件，用來止擋該支撐部而不會直接撞擊該基板；<br/> 其中該開口結構之一尺寸係大於或等於該透光緩衝件之一尺寸。
如請求項1所述之背光模組，其中該透光緩衝件包含一本體、一延伸部以及一穿孔結構，該延伸部設置在該本體之一側以延伸到該縫隙內，該穿孔結構設置在該本體的中間並且對齊該發光元件。
如請求項2所述之背光模組，其中該本體之一外表面具有光散射結構。
如請求項1所述之背光模組，另包含有：<br/> 一光學元件，設置在該透光緩衝件與該導光板之間，用來擴大該發光元件所輸出之照明光的一照明範圍。
一種車用顯示器，其包含有：<br/> 一殼件，具有相互結合之一後框與一前框；以及<br/> 一背光模組，位於該後框與該前框之間，該背光模組包含：<br/> 一基板，設置在該後框之一側壁，該基板具有至少一發光元件；<br/> 一導光板，該導光板之一邊角具有一支撐部與一開口結構，該開口結構之一位置鄰近該支撐部，並且對齊該發光元件；以及<br/> 一透光緩衝件，設置在該基板與該支撐部之間的一縫隙，並且覆蓋該發光元件，用來止擋該支撐部而不會直接撞擊該基板；<br/> 其中該開口結構之一尺寸係大於或等於該透光緩衝件之一尺寸。
如請求項5所述之車用顯示器，其中該透光緩衝件包含一本體、一延伸部以及一穿孔結構，該延伸部設置在該本體之一側以延伸到該縫隙內，該穿孔結構設置在該本體的中間並且對齊該發光元件，該本體之一外表面具有光散射結構。
如請求項5所述之車用顯示器，其中該背光模組另包含一光學元件，設置在該透光緩衝件與該導光板之間，用來擴大該發光元件所輸出之照明光的一照明範圍。
如請求項5所述之車用顯示器，其中該背光模組另包含：<br/> 一反射片，設置在該導光板與該後框之間；<br/> 一擴散片，設置在該導光板與該前框之間；以及<br/> 一增亮片，設置在該擴散片與該前框之間。
一種氣體檢測系統，適用於檢測一待採樣物中的氣體，該氣體檢測系統包含：<br/> 一吸取式採樣裝置，適用於採樣該待採樣物，並包括<br/> 一採樣筒，包括一主筒體及一形成於該主筒體的輸出側管，該主筒體界定出一容置空間，該輸出側管連通該容置空間，及<br/> 一採樣單元，設置於該主筒體，適用於將該待採樣物吸取至該容置空間；及<br/> 一氣體檢測裝置，連通該輸出側管，適用於檢測該待採樣物中的氣體；<br/> 其中，該主筒體具有一吸取端及一相反於吸取端的通氣端，該採樣筒還包括一形成於該主筒體的輸入側管，該輸入側管與該輸出側管皆鄰近該通氣端並位於同一直線上。
如請求項1所述的氣體檢測系統，其中，該吸取端形成一吸取口，該採樣單元包括一可活動地設置於該主筒體的活動桿及一連接該活動桿末端的活塞，該活塞緊抵該主筒體的內壁面，以將該容置空間區隔為彼此不連通的一下部及一上部。
如請求項2所述的氣體檢測系統，其中，該採樣單元還包括一位於該下部的反應試劑，用於與該待採樣物的含氮物質反應，以使該含氮物質轉變成含氮氣體。
如請求項2所述的氣體檢測系統，其中，該採樣筒還包括一可拆卸地封閉該吸取口的封蓋。
如請求項1所述的氣體檢測系統，其中，該採樣單元包括一設置於該採樣筒位於該容置空間的採樣試紙及一設置於該採樣試紙的反應試劑，該採樣試紙適用於吸取該待採樣物，該反應試劑用於與該待採樣物的含氮物質反應，以使該含氮物質轉變成含氮氣體。
如請求項5所述的氣體檢測系統，其中，該採樣筒還包括一形成於該主筒體的輸入側管，該輸入側管與該輸出側管位於同一直線上。
一種吸取式採樣裝置，適用於採樣一待採樣物，該吸取式採樣裝置包含：<br/> 一採樣筒，包括一主筒體及一形成於該主筒體的輸出側管，該主筒體界定出一容置空間，該輸出側管連通該容置空間；及<br/> 一採樣單元，設置於該主筒體，適用於將該待採樣物吸取至該容置空間；<br/> 其中，該主筒體具有一吸取端及一相反於吸取端的通氣端，該採樣筒還包括一形成於該主筒體的輸入側管，該輸入側管與該輸出側管皆鄰近該通氣端並位於同一直線上。
如請求項7所述的吸取式採樣裝置，其中，該吸取端形成一吸取口，該採樣單元還包括一可活動地設置於該主筒體的活動桿及一連接該活動桿末端的活塞，該活塞緊抵該主筒體的內壁面，以將該容置空間區隔為彼此不連通的一下部及一上部。
如請求項8所述的吸取式採樣裝置，其中，該採樣單元還包括一位於該下部的反應試劑，用於與該待採樣物的含氮物質反應，以使該含氮物質轉變成含氮氣體。
如請求項8所述的吸取式採樣裝置，其中，該採樣筒還包括一可拆卸地封閉該吸取口的封蓋。
如請求項7所述的吸取式採樣裝置，其中，該採樣單元包括一設置於該採樣筒位於該容置空間的採樣試紙及一設置於該採樣試紙的反應試劑，該採樣試紙適用於吸取該待採樣物，該反應試劑用於與該待採樣物的含氮物質反應，以使該含氮物質轉變成含氮氣體。
如請求項111所述的吸取式採樣裝置，其中，該採樣筒還包括一形成於該主筒體的輸入側管，該輸入側管與該輸出側管位於同一直線上。
一種半導體元件，包括： <br/>一電容接觸，設置在一半導體基板之上； <br/>一第一介電層，設置在該電容接觸之上； <br/>一圖案化罩幕，設置在該第一介電層之上；以及 <br/>一底部電容電極，設置在該電容接觸之上並且電性連接到該電容接觸，其中該底部電容電極包括： <br/>一基底層，設置在該電容接觸與第一介電層之間； <br/>一圍繞部分，設置於該基底層之上並且沿著該第一介電層的側壁及圖案化罩幕的側壁而設置； <br/>一第一互連部分，設置在該圖案化罩幕與該基底層之間，其中該第一互連部分實質上平行於該基底層； <br/>一第二介電層，設置於一源極/汲極區上，其中該源極/汲極區形成於該半導體基板中；以及 <br/>一底部阻擋層，其中該底部阻擋層形成於該源極/汲極區上且設置於該第二介電層與該電容接觸之間， <br/>其中該圖案化罩幕被該圍繞部分所圍繞，其中該圖案化罩幕的該些側壁實質上對準於該第一介電層的該些側壁。
如請求項1所述之半導體元件，其中該電容接觸設置於該源極/汲極區上。
如請求項2所述之半導體元件，其中該第二介電層包含設置於該源極/汲極區上的一底部多孔介電層以及設置於該底部多孔介電層上的一頂部多孔介電層。
如請求項3所述之半導體元件，其中該頂部多孔介電層的一孔隙率大於該底部多孔介電層的一孔隙率。
如請求項4所述之半導體元件，其中該電容接觸被該第二介電層圍繞。
如請求項5所述之半導體元件，其中該電容接觸包含一導電層以及一襯墊層，其中該導電層包含設置於該半導體基板上的一垂直部分以及設置於該垂直部分上的一水平部分。
如請求項6所述之半導體元件，其中該垂直部分的一寬度小於該水平部分的一寬度。
如請求項6所述之半導體元件，其中該底部阻擋層由鉭、氮化鉭、鈦、氮化鈦或上述之組合製成。
如請求項1所述之半導體元件，其中該底部電容電極更包含一第二互連部分，其中該第二互連部分設置在該第一介電層上，且位於該第一互連部分與該基底層之間。
如請求項9所述之半導體元件，其中該第二互連部分大致上平行於該第一互連部分。
如請求項1所述之半導體元件，其中該基底層由鋁、銅、鎢、鈦、鉭或上述之組合製成。
一種扣具，供二第一繩尾及二第二繩尾穿設，該扣具包括：第一扣件，包含二片體、二第一內連接體、二第一外連接體、二第一外通道及一第一內通道，所述片體彼此相間隔地平行排列，所述第一內連接體彼此相間隔地設於所述片體之間並與所述片體共同圍繞界定該第一內通道，所述第一外連接體彼此相間隔地設於所述片體之間並分別與所述片體及所述第一內連接體共同圍繞界定所述第一外通道，所述第一內連接體位於所述第一外連接體之間，且該第一內通道位於所述第一外通道之間；以及第二扣件，與該第一扣件相互組配，並包含二第二外通道及二第二內通道，所述第二外通道彼此相間隔並分別連通所述第一外通道，所述第二內通道彼此相間隔並連通該第一內通道，且所述第二內通道位於所述第二外通道之間；其中，所述第一繩尾穿設於該第一內通道及所述第二內通道，且所述第二繩尾穿設於所述第一外通道及所述第二外通道。
如請求項1所述之扣具，其中，該第二扣件更包含一座體及二翼體，所述第二內通道貫通形成於該座體，所述翼體分別自該座體的相對兩側朝外延伸，且所述第二外通道分別貫通形成於所述翼體。
如請求項2所述之扣具，其中，各所述第一內連接體具有一第一內齒部，所述第一內齒部面向該第一內通道且彼此相對應，各所述第一外連接體具有一第一外齒部，所述第一外齒部分別面向所述第一外通道，該座體具有二第二外齒部，且所述第二外齒部分別面向所述第一外齒部。
如請求項3所述之扣具，其中，該第二扣件更包含二彈片及一齒輪，所述彈片彼此相間隔地自該座體朝外延伸並對應位於該第一內通道，該齒輪可動地設於所述彈片之間並對應位於所述第一內齒部之間。
如請求項4所述之扣具，其中，各所述彈片具有一圓柱，該齒輪具有相對之凹部，所述圓柱分別設於所述凹部中，且所述凹部的截面面積大於所述圓柱的截面面積。
如請求項4所述之扣具，其中，該第二扣件能相對該第一扣件於一釋放狀態及一鎖固狀態之間變換，於該鎖固狀態時，該齒輪鄰近所述第一內齒部且所述第二外齒部鄰近所述第一外齒部，使所述第一繩尾由該齒輪及所述第一內齒部所夾設，且使所述第二繩尾由所述第一外齒部及所述第二外齒部所夾設，於該釋放狀態時，該齒輪遠離所述第一內齒部，使所述第一繩尾能於該第一內通道及所述第二內通道中移動，且所述第二外齒部遠離所述第一外齒部，使所述第二繩尾能於所述第一外通道及所述第二外通道中移動。
如請求項6所述之扣具，其中，於該鎖固狀態時，施加一外力拉動所述第一繩尾，使所述第一繩尾自該第一內通道往所述第二內通道移動，同時帶動該齒輪靠近該座體，而令所述第一繩尾累積一緊迫力，俾於該外力移除時，該緊迫力使所述第一繩尾帶動該齒輪遠離該座體並鄰近所述第一內齒部，而使所述第一繩尾由該齒輪及所述第一內齒部所夾設。
如請求項6所述之扣具，更包含一第三扣件及一彈性件，其中，該第三扣件固接於該第一扣件，該彈性件設於該第三扣件及該第二扣件之間，並恆提供一彈性力，該彈性力傾向使該第二扣件維持在該鎖固狀態。
如請求項2所述之扣具，其中，該第一扣件更包含分別形成於所述片體之複數滑軌，該第二扣件更包含分別凹陷形成於該座體及所述翼體並供所述滑軌滑設於其中之複數滑道。
如請求項1所述之扣具，其中，該第一扣件更包含二限位凹槽，所述限位凹槽彼此相對應地分別凹陷形成於所述片體，並用以對該第二扣件限位。
一種運算裝置，用以對2 <sup>N</sup>個輸入資料的一序列執行一蝶形處理，其中N是一正整數，及該運算裝置包含： <br/>一第一緩衝單元； <br/>一第二緩衝單元； <br/>一讀寫單元，耦接至一記憶體、該第一緩衝單元及該第二緩衝單元； <br/>一算數單元，耦接至該第一緩衝單元及該第二緩衝單元，且用以執行該蝶形處理需要的運算操作；以及 <br/>一控制單元，用以： <br/>使該讀寫單元從該記憶體讀取該2 <sup>N</sup>個輸入資料的2 <sup>h</sup>個輸入資料作為一第一組輸入資料，其中該第一組輸入資料係儲存至該第一緩衝單元，且h大於或等於2並小於N； <br/>使該算數單元對該第一組輸入資料執行該蝶形處理的h個階段，以產生一第一組已更新資料，其中該第一組已更新資料係儲存至該第一緩衝單元； <br/>在產生該第一組已更新資料時，使該讀寫單元從該記憶體讀取該2 <sup>N</sup>個輸入資料的另外2 <sup>h</sup>個輸入資料作為一第二組輸入資料，其中該第二組輸入資料係儲存至該第二緩衝單元；以及 <br/>使該讀寫單元將該第一組已更新資料寫入至該記憶體。
如請求項1所述之運算裝置，其中該控制單元進一步用以： <br/>一旦該第二組輸入資料的至少一部分被儲存至該第二緩衝單元，使該算數單元對該第二組輸入資料執行該蝶形處理的h個階段，以產生一第二組已更新資料，其中該第二組已更新資料係儲存至該第二緩衝單元。
如請求項2所述之運算裝置，其中當產生該第二組已更新資料時，該控制單元使該讀寫單元將該第一組已更新資料寫入至該記憶體。
如請求項2所述之運算裝置，其中該控制單元進一步用以： <br/>當產生該第二組已更新資料時，使該讀寫單元從該記憶體讀取該2 <sup>N</sup>個輸入資料的又另2 <sup>h</sup>個輸入資料作為一第三組輸入資料，其中該第三組輸入資料係儲存至該第一緩衝單元。
如請求項1所述之運算裝置，其中一旦該第一組輸入資料的至少一部分被儲存至該第一緩衝單元，該控制單元使該算數單元對該第一組輸入資料執行該蝶形處理的該h個階段。
如請求項1所述之運算裝置，其中在該第一組輸入資料的該蝶形處理的該h個階段的一第一階段中產生的中間資料以位置不變的一就地方式儲存至該第一緩衝單元。
如請求項1所述之運算裝置，其中在一個週期內，該算數單元用以完成對兩個輸入資料進行該蝶形處理的一個階段所需的運算。
如請求項1所述之運算裝置，其中該蝶形處理是用於快速傅立葉變換(fast Fourier transformation，FFT)或數理變換(number-theoretic transform，NTT)，且該算數單元包含： <br/>一加法器，其具有耦接至該算數單元的一第一輸入端的一第一輸入端、一第二輸入端、以及耦接至該算數單元的一第一輸出端的一輸出端； <br/>一減法器，其具有耦接至該算數單元的該第一輸入端的一第一輸入端、一第二輸入端、以及耦接至該算數單元的一第二輸出端的一輸出端；以及 <br/>一模數乘法器，其具有耦接至該算數單元的一第二輸入端的一第一輸入端、用以接收一相對應的旋轉因子的一第二輸入端、以及耦接至該加法器的該第二輸入端以及該減法器的該第二輸入端的一輸出端。
如請求項8所述之運算裝置，還包含： <br/>一第一多工器(multiplexer，MUX)，其具有耦接至該讀寫單元的一第一輸入端、耦接至該算數單元的該第一輸出端的一第二輸入端、以及耦接至該第一緩衝單元的一第一暫存器的一輸出端； <br/>一第二MUX，其具有耦接至該讀寫單元的一第一輸入端、耦接至該算數單元的該第一輸出端的一第二輸入端、耦接至該算數單元的該第二輸出端的一第三輸入端、以及耦接至該第一緩衝單元的一第二暫存器的一輸出端； <br/>一第三MUX，其具有耦接至該讀寫單元的一第一輸入端、耦接至該算數單元的該第一輸出端的一第二輸入端、耦接至該算數單元的該第二輸出端的一第三輸入端、以及耦接至該第一緩衝單元的一第三暫存器的一輸出端； <br/>一第四MUX，其具有耦接至該讀寫單元的一第一輸入端、耦接至該算數單元的該第二輸出端的一第二輸入端、以及耦接至該第一緩衝單元的一第四暫存器的一輸出端； <br/>一第五MUX，其具有耦接至該讀寫單元的一第一輸入端、耦接至該算數單元的該第一輸出端的一第二輸入端、以及耦接至該第二緩衝單元的一第一暫存器的一輸出端； <br/>一第六MUX，其具有耦接至該讀寫單元的一第一輸入端、耦接至該算數單元的該第一輸出端的一第二輸入端、耦接至該算數單元的該第二輸出端的一第三輸入端、以及耦接至該第二緩衝單元的一第二暫存器的一輸出端； <br/>一第七MUX，其具有耦接至該讀寫單元的一第一輸入端、耦接至該算數單元的該第一輸出端的一第二輸入端、耦接至該算數單元的該第二輸出端的一第三輸入端、以及耦接至該第二緩衝單元的一第三暫存器的一輸出端；以及 <br/>一第八MUX，其具有耦接至該讀寫單元的一第一輸入端、耦接至該算數單元的該第二輸出端的一第二輸入端、以及耦接至該第二緩衝單元的一第四暫存器的一輸出端。
如請求項9所述之運算裝置，還包含： <br/>一第九MUX，其具有耦接至該第一緩衝單元的該第二暫存器的一第一輸入端、耦接至該第一緩衝單元的該第三暫存器的一第二輸入端、耦接至該第一緩衝單元的該第四暫存器的一第三輸入端、以及一輸出端； <br/>一第十MUX，其具有耦接至該第二緩衝單元的該第二暫存器的一第一輸入端、耦接至該第二緩衝單元的該第三暫存器的一第二輸入端、耦接至該第二緩衝單元的該第四暫存器的一第三輸入端、以及一輸出端；以及 <br/>一第十一MUX，其具有耦接至該第九MUX的該輸出端的一第一輸入端、耦接至該第十MUX的該輸出端的一第二輸入端、以及耦接至該算數單元的該第二輸入端的一輸出端。
如請求項9所述之運算裝置，還包含： <br/>一第十二MUX，其具有耦接至該第一緩衝單元的該第一暫存器的一第一輸入端、耦接至該第一緩衝單元的該第二暫存器的一第二輸入端、耦接至該第一緩衝單元的該第三暫存器的一第三輸入端、以及一輸出端； <br/>一第十三MUX，其具有耦接至該第二緩衝單元的該第一暫存器的一第一輸入端、耦接至該第二緩衝單元的該第二暫存器的一第二輸入端、耦接至該第二緩衝單元的該第三暫存器的一第三輸入端、以及一輸出端；以及 <br/>一第十四MUX，其具有耦接至該第十二MUX的該輸出端的一第一輸入端、耦接至該第十三MUX的該輸出端的一第二輸入端、以及耦接至該算數單元的該第一輸入端的一輸出端。
一種操作運算裝置的方法，用以對2 <sup>N</sup>個輸入資料的一序列執行一蝶形處理，其中N是一正整數，且該運算裝置包含一第一緩衝單元、一第二緩衝單元、一讀寫單元以及一算數單元，且該方法包含： <br/>利用該讀寫單元從一記憶體讀取該2 <sup>N</sup>個輸入資料的2 <sup>h</sup>個輸入資料作為一第一組輸入資料至該第一緩衝單元，其中h大於或等於2並小於N； <br/>利用該算數單元對該第一組輸入資料執行該蝶形處理的h個階段，以產生一第一組已更新資料至該第一緩衝單元； <br/>在產生該第一組已更新資料時，利用該讀寫單元從該記憶體讀取該2 <sup>N</sup>個輸入資料的另外2 <sup>h</sup>個輸入資料作為一第二組輸入資料至該第二緩衝單元；以及 <br/>利用該讀寫單元將該第一組已更新資料寫入至該記憶體。
如請求項12所述之方法，還包含： <br/>一旦該第二組輸入資料的至少一部分被儲存至該第二緩衝單元，利用該算數單元對該第二組輸入資料執行該蝶形處理的h個階段，以產生一第二組已更新資料至該第二緩衝單元。
如請求項13所述之方法，其中在產生該第二組已更新資料時，利用該讀寫單元將該第一組已更新資料寫入至該記憶體的步驟會被執行。
如請求項13所述之方法，還包含： <br/>在產生該第二組已更新資料時，利用該讀寫單元從該記憶體讀取該2 <sup>N</sup>個輸入資料中的又另2 <sup>h</sup>個輸入資料作為一第三組輸入資料至該第一緩衝單元。
如請求項12所述之方法，其中一旦該第一組輸入資料的至少一部分被儲存至該第一緩衝單元時，利用該算數單元對該第一組輸入資料執行該蝶形處理的該h個階段，以產生該第一組已更新資料至該第一緩衝單元的步驟會被執行。
如請求項12所述之方法，還包含利用該第一緩衝單元以位置不變的一就地方式儲存在該第一組輸入資料的該蝶形處理的該h個階段的一第一階段中產生的中間資料。
如請求項12所述之方法，其中h等於2，該蝶形處理是用於NTT或FFT，且第一組輸入資料包含該2 <sup>N</sup>個輸入資料的一第一輸入資料、該2 <sup>N</sup>個輸入資料的一第(2 <sup>N-2</sup>+1)個輸入資料、該2 <sup>N</sup>個輸入資料的一第(2 <sup>N-1</sup>+1)個輸入資料、以及該2 <sup>N</sup>個輸入資料一第(2 <sup>N-1</sup>+2 <sup>N-2</sup>+1)個輸入資料。
如請求項12所述之方法，其中h等於2，該蝶形處理是用於INTT或IFFT，且第一組輸入資料包含該2 <sup>N</sup>個輸入資料的一第一輸入資料、該2 <sup>N</sup>個輸入資料的一第二輸入資料、該2 <sup>N</sup>個輸入資料的一第三輸入資料、以及該2 <sup>N</sup>個輸入資料的一第四輸入資料。
如請求項12所述之方法，其中利用該算數單元在該第一組輸入資料執行該蝶形處理的該h個階段，以產生該第一組已更新資料至該第一緩衝單元的步驟包含： <br/>利用該算數單元在一個週期內，完成對兩個輸入資料進行該蝶形處理的一個階段所需的運算。
一種半導體裝置，包括： <br/>複數個半導體晶粒，排列於一堆疊結構中， <br/>其中該些半導體晶粒的每一個半導體晶粒包括一識別符產生電路，電性連接至該些半導體晶粒的其他半導體晶粒的識別符產生電路， <br/>其中回應於一第一半導體晶粒並非該堆疊結構中的一底部半導體晶粒的情況，該第一半導體晶粒的一第一識別符產生電路係配置以為該第一半導體晶粒自動產生一第一晶片識別符，該第一晶片識別符的產生係基於一輔助輸入訊號和一第二晶片識別符，該第二晶片識別符係由鄰近於且在該第一半導體晶粒下之一第二半導體晶粒的一第二識別符產生電路所產生， <br/>其中該第一半導體晶粒的該第一識別符產生電路的一第一輸入訊號為該第二識別符產生電路產生的該第二晶片識別符。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該堆疊結構為一三維堆疊結構。
如請求項1所述之半導體裝置，其中回應於該第二半導體晶粒為該堆疊結構中的該底部半導體晶粒的情況，該第二半導體晶粒的該第二識別符產生電路係配置以使用該輔助輸入訊號和一第二輸入訊號為該第二半導體晶粒自動產生該第二晶片識別符。
如請求項3所述之半導體裝置，其中該第一晶片識別符不同於該第二晶片識別符。
如請求項4所述之半導體裝置，其中該第一識別符產生電路包括複數個第一邏輯閘、複數個第一輸入埠和複數個第一輸出埠，且該些第一邏輯閘相應於該些第一輸入埠和該些第一輸出埠， <br/>其中該些第一邏輯閘中的每一者自該相應的第一輸入埠接收該第二晶片識別符中的一相應位元和與其相鄰的一相鄰低位元。
如請求項5所述之半導體裝置，其中該輔助輸入訊號作為與該第一輸入訊號之至少一有效位元相應的該第一邏輯閘的該相鄰低位元。
如請求項6所述之半導體裝置，其中該些第一邏輯閘為相同類型的二輸入邏輯閘。
如請求項7所述之半導體裝置，其中該些二輸入邏輯閘為AND閘、NAND閘、OR閘、NOR閘、XOR閘或XNOR閘。
如請求項5所述之半導體裝置，其中該第二識別符產生電路包括複數個第二邏輯閘、複數個第二輸入埠和複數個第二輸出埠，且該些第二邏輯閘相應於該些第二輸入埠和該些第二輸出埠， <br/>其中回應於該第二半導體晶粒作為該堆疊結構中的該底部半導體晶粒的情況，該第二半導體晶粒之該第二識別符產生電路的該複數個第二輸入埠接收該第二輸入訊號。
如請求項9所述之半導體裝置，其中視該些第二邏輯閘的類型決定該第二輸入訊號的一預設值。
如請求項10所述之半導體裝置，其中： <br/>當該第二輸入訊號的一特殊位元為1時，對相應於一特定位元的該第二輸入埠提供一電源供應電壓；以及 <br/>當該第二輸入訊號的該特定位元為0時，對相應於該特定位元的該第二輸入埠提供一接地電壓。
如請求項10所述之半導體裝置，其中該些第一邏輯閘和該些第二邏輯閘為相同類型。
如請求項3所述之半導體裝置，其中該第一識別符產生電路經由該第二半導體晶粒中的複數個矽穿孔電性連接至該第二識別符產生電路。
如請求項1所述之半導體裝置，其中分別將該第一晶片識別符和該第二晶片識別符傳輸至設置於該第一半導體晶粒和該第二半導體晶粒上的一第一解碼器電路和一第二解碼器電路。
一種扣具，包括：第一扣件，包含一第一鎖定部、二側桿部、二滑槽及一穿繩空間，所述側桿部彼此相間隔地沿一第一方向設置，該第一鎖定部沿垂直該第一方向的一第二方向連接於所述側桿部的一端，所述滑槽分別凹陷形成於所述側桿部且彼此相對應，且該穿繩空間由該第一鎖定部及所述側桿部圍繞界定；以及第二扣件，與該第一扣件相互組配且沿該第一方向滑設於所述滑槽中，並包含一第二鎖定部，該第二鎖定部沿該第二方向設置並位於所述側桿部之間，且容設於該穿繩空間內；其中，該第二扣件能相對該第一扣件於一鎖定狀態及一解鎖狀態之間變換，當於該鎖定狀態時，該第二鎖定部鄰近該第一鎖定部，當於該解鎖狀態時，該第二鎖定部遠離該第一鎖定部；其中，該扣具供一繩體穿設，該繩體定義有一第一繩段，該第一繩段穿設於該穿繩空間，當於該解鎖狀態時，該第一繩段未被該第一鎖定部及該第二鎖定部夾設，當於該鎖定狀態時，該第一繩段由該第一鎖定部及該第二鎖定部夾設；其中，該第二扣件更包含一操作部及一通孔，該操作部沿該第一方向自該第二鎖定部朝外延伸形成並對應該第一鎖定部，且該通孔由該操作部及該第二鎖定部所圍繞界定，使該通孔位於該操作部及該第二鎖定部之間並供該第一繩段穿設；其中，該繩體更定義有一彎折段及一第二繩段，該彎折段的兩端分別連接該第一繩段及該第二繩段並能抵靠該操作部，且該第二繩段延伸出該扣具；其中，於該解鎖狀態時，該第二繩段由沿該第一方向施加之拉力所拉動，使該彎折段與該操作部之間產生一摩擦力，進而帶動該第二扣件移動，而能從該解鎖狀態變換成該鎖定狀態。
如請求項1所述之扣具，其中，該通孔於該鎖定狀態時被該第一鎖定部遮蓋的部分大於該通孔於該解鎖狀態時被該第一鎖定部遮蓋的部分。
如請求項1所述之扣具，其中，該第一扣件更包含至少一固定部，所述固定部沿該第二方向連接於所述側桿部並與該第一鎖定部相間隔。
如請求項3所述之扣具，其中，該第一扣件更包含一外桿部及一穿孔，該外桿部沿該第二方向連接於所述側桿部的另一端並與所述固定部相間隔，該穿孔由該外桿部及所述固定部圍繞界定，且該第一繩段穿過該穿繩空間後能穿設該穿孔，使該第一繩段抵接於該第二鎖定部並受該外桿部限位。
如請求項1所述之扣具，其中，該第一扣件更包含二凹槽，所述凹槽分別凹陷形成於所述側桿部且彼此相對應，並分別與所述滑槽相連通，該第二扣件更包含二卡扣部，所述卡扣部分別自該第二鎖定部的相對兩側朝外延伸形成並分別滑設於所述凹槽。
如請求項5所述之扣具，其中，於該鎖定狀態時，所述卡扣部分別抵接於所述凹槽的一端，並受所述凹槽限位，使該第二扣件無法脫離該第一扣件。
如請求項5所述之扣具，其中，所述側桿部分別具有一止擋面，所述止擋面分別對應位於所述滑槽的一端，於該解鎖狀態時，所述卡扣部抵接於所述止擋面。
如請求項1所述之扣具，其中，該第一扣件更包含一橫桿部，該橫桿部沿該第二方向連接於所述側桿部並與該第一鎖定部相間隔，且與該第一鎖定部及所述側桿部共同圍繞界定該穿繩空間。
如請求項8所述之扣具，其中，該第一扣件更包含一導引槽，該導引槽沿該第一方向凹陷形成於該橫桿部，該第二扣件更包含一導引件，該導引件自該第二鎖定部朝外延伸形成，並容設於該導引槽，使該第二鎖定部能沿該第一方向相對該橫桿部移動。
如請求項8所述之扣具，其中，該第一鎖定部及該橫桿部之間在垂直於該第一方向及該第二方向的一第三方向上具有一間隔距離，該第二鎖定部於該第三方向上具有一厚度，該厚度等於或小於該間隔距離。
一種半導體裝置的製造方法，包括： <br/>形成一基底層和位於該基底層上方的一墊層； <br/>在該基底層和該墊層中形成一隔離層，其中該隔離層將該基底層和該墊層分隔成一第一基底層和位於該第一基底層上方的一第一墊層，以及一第二基底層和位於該第二基底層上方的一第二墊層； <br/>移除該第二墊層； <br/>降低該第二基底層的一頂表面；以及 <br/>在該第二基底層上形成一半導體層，其中該半導體層的一頂表面與該第一基底層的一頂表面基本上齊平。
如請求項1所述之方法，其中降低該第二基底層的該頂表面包含使用氯化氫（HCl）和氫氣（H <sub>2</sub>）進行一蝕刻製程。
如請求項1所述之方法，其中降低該第二基底層的該頂表面是在低於該第二基底層的一材料的一熔點的一溫度下進行地。
如請求項3所述之方法，其中該溫度在約930°C±20°C的範圍內。
如請求項1所述之方法，其中降低該第二基底層的該頂表面是在約5秒±1秒的一時間內進行地。
如請求項1所述之方法，其中降低該第二基底層的該頂表面包括從該第二基底層的該頂表面蝕刻該第二基底層約 8nm 至約 10nm的一垂直長度。
如請求項1所述之方法，其中在該第二基底層上形成該半導體層是在約0.1Å/秒至約0.8Å/秒的一沉積速率的一範圍內進行地。
如請求項1所述之方法，其中在該第二基底層上形成該半導體層是在約700°C±50°C的一範圍內的一沉積溫度進行地。
如請求項1所述之方法，其中在該第二基底層上形成該半導體層是在約5 mTorr 至約 30 mTorr的一範圍內的一沉積壓力進行地。
如請求項1所述之方法，其中在該第二基底層上形成該半導體層包括一矽（Si）前驅體，其中該矽前驅體為二氯矽烷（DCS；SiH <sub>2</sub>Cl <sub>2</sub>）或矽烷（SiH <sub>4</sub>），以及一鍺（Ge）前驅體，其中該鍺前驅體為四氟化鍺（GeF <sub>4</sub>）。
一種半導體裝置，包括： <br/>一基底層，具有一第一區域和一第二區域； <br/>一隔離層，位於該基底層的該第一區域與該第二區域之間； <br/>一第一電晶體，位於該基底層的該第一區域上方，且包括： <br/>該基底層的一第一部分；以及 <br/>位於該基底層的該第一部分上方的一第一閘極結構；以及 <br/>一第二電晶體，位於該基底層的該第二區域上方，且包括： <br/>該基底層的一第二部分； <br/>位於該基底層的該第二部分上方的一半導體層，其中該半導體層的一頂表面基本上與該基底層的該第一部分的一頂表面齊平；以及 <br/>位於該半導體層上方的一第二閘極結構。
如請求項11所述之半導體裝置，其中該基底層的該第二部分的一頂表面低於該基底層的該第一部分的該頂表面。
如請求項11所述之半導體裝置，其中該半導體層的一垂直長度為約8nm至約10nm。
如請求項11所述之半導體裝置，其中該隔離層具有一階梯狀頂面輪廓。
如請求項14所述之半導體裝置，其中該隔離層包括更靠近該基底層的該第一區域的一第一部分，其中該隔離層的該第一部分的一頂表面與該基底層的該第一部分的該表面基本上齊平。
如請求項15所述之半導體裝置，其中該隔離層包括更靠近該基底層的該第二區域的一第二部分，其中該隔離層的該第二部分的一頂表面處於比該基底層的該第二部分的該頂表面更低的一垂直水平。
如請求項11所述之半導體裝置，其中該半導體層和該基底層的該第一部分由不同的半導體材料製成。
如請求項17所述之半導體裝置，其中該半導體層是由矽鍺（SiGe）製成，而該基底層是由矽（Si）製成。
如請求項11所述之半導體裝置，其中該第一電晶體包括位於該基底層的該第一部分且位於該第一閘極結構的相對側的一第一源極/汲極區，且該第二電晶體包括位於該半導體層且位於該第二閘極結構的相對側的一第二源極/汲極區，其中該第一源極/汲極區包括N型摻雜劑，該第二源極/汲極區包括P型摻雜劑。
如請求項19所述之半導體裝置，其中該第二源極/汲極區延伸至該基底層的該第二部分。
一種圖像處理裝置，係具備：<br/> 支撐部，係以能夠繞著旋轉軸旋轉之方式支撐對象物；<br/> 物鏡，係將在前述對象物處反射的反射光聚光；<br/> 驅動部，係能夠變動前述物鏡的光軸方向中之前述對象物的重心與前述物鏡的聚光位置之屬於相對位置的Z位置；<br/> 取得部，係經由前述物鏡取得前述對象物的拍攝圖像；<br/> 控制部，係控制前述支撐部以及前述驅動部，使前述取得部取得複數個前述拍攝圖像；<br/> 特定部，係在前述Z位置分別不同且前述對象物的旋轉角度分別不同之複數個前述拍攝圖像中特定像素位置，前述像素位置為亮度成為預定以上之像素的位置；<br/> 記憶部，係將所特定的前述像素位置與各個拍攝圖像中的前述Z位置以及前述旋轉角度一起作為高亮度時資訊來記憶；以及<br/> 生成部，係基於所記憶的複數個前述高亮度時資訊來生成前述對象物的影像資訊。
如請求項1所記載之圖像處理裝置，其中前述控制部係一邊藉由前述支撐部使前述對象物繞著前述旋轉軸旋轉一邊藉由前述驅動部使前述Z位置變動，藉此使前述取得部取得前述對象物的端部的複數個前述拍攝圖像。
如請求項1所記載之圖像處理裝置，其中前述驅動部係能夠於與前述旋轉軸垂直的方向變動前述對象物與前述物鏡的聚光位置之屬於相對位置的半徑位置；<br/> 前述控制部係一邊藉由前述支撐部使前述對象物繞著前述旋轉軸旋轉一邊藉由前述驅動部使前述半徑位置於與前述旋轉軸垂直的第一方向變動且使前述Z位置在第一位置處保持一定，並使前述取得部取得前述對象物的主表面的複數個前述拍攝圖像。
如請求項3所記載之圖像處理裝置，其中前述控制部係一邊藉由前述支撐部使前述對象物繞著前述旋轉軸旋轉一邊藉由前述驅動部使前述半徑位置於與前述第一方向相反方向的第二方向變動且使前述Z位置在第二位置處保持一定，並使前述取得部取得前述對象物的前述主表面的複數個前述拍攝圖像；<br/> 前述第二位置係與前述第一位置不同；<br/> 前述第二位置與前述第一位置的差係在包含前述物鏡之光學系統的焦點深度以內。
一種圖像處理裝置，係具備：<br/> 支撐部，係以能夠繞著旋轉軸旋轉之方式支撐對象物；<br/> 物鏡，係將在前述對象物處反射的反射光聚光；<br/> 驅動部，係能夠變動前述物鏡的光軸方向中之前述對象物的重心與前述物鏡的聚光位置之屬於相對位置的Z位置；<br/> 取得部，係經由前述物鏡取得前述對象物的拍攝圖像；<br/> 控制部，係控制前述支撐部以及前述驅動部，使前述取得部取得複數個前述拍攝圖像；<br/> 特定部，係在前述Z位置分別不同且前述對象物的旋轉角度分別不同之複數個前述拍攝圖像中特定像素位置，前述像素位置為亮度成為預定以上之像素的位置；以及<br/> 生成部，係基於前述亮度成為預定以上之像素來生成前述對象物的影像資訊；<br/> 前述生成部係基於在前述旋轉角度為特定的旋轉角度且前述Z位置彼此不同之複數個前述拍攝圖像中亮度分別成為預定以上之像素來生成前述特定的旋轉角度中的前述對象物的影像資訊。
如請求項5所記載之圖像處理裝置，其中前述生成部係基於下述兩個像素來生成複數個特定的前述旋轉角度中的前述對象物的前述影像資訊：<br/> 在前述旋轉角度為第一旋轉角度且前述Z位置彼此不同之複數個前述拍攝圖像中亮度分別成為預定以上之像素；以及<br/> 在前述旋轉角度為第二旋轉角度且前述Z位置彼此不同之複數個前述拍攝圖像中亮度分別成為預定以上之像素。
如請求項5所記載之圖像處理裝置，其中前述驅動部係能夠變動光軸角度，前述光軸角度為前述物鏡的光軸相對於與前述旋轉軸正交的面之角度；<br/> 前述特定部係在前述Z位置、前述旋轉角度以及前述光軸角度分別不同之複數個前述拍攝圖像中特定像素位置，前述像素位置為亮度成為預定以上之像素的位置；<br/> 前述生成部係基於下述兩個像素來生成特定的前述旋轉角度中的前述對象物的端部的前述影像資訊：<br/> 前述旋轉角度為特定的旋轉角度且前述光軸角度為第一光軸角度且前述Z位置彼此不同之複數個前述拍攝圖像中亮度分別成為預定以上之像素；以及<br/> 在前述旋轉角度為特定的旋轉角度且前述光軸角度為第二光軸角度且前述Z位置彼此不同之複數個前述拍攝圖像中亮度分別成為預定以上之像素。
如請求項1或5所記載之圖像處理裝置，其中前述取得部係從第一受光部取得第一拍攝圖像並從第二受光部取得第二拍攝圖像，前述第一受光部係用以接受前述反射光中之與第一顏色對應的第一波長的光線，前述第二受光部係用以接受前述反射光中之與第二顏色對應的第二波長的光線；<br/> 前述特定部係在前述Z位置分別不同之複數個前述第一拍攝圖像中特定第一波長像素位置，並在前述Z位置分別不同之複數個前述第二拍攝圖像中特定第二波長像素位置，前述第一波長像素位置為前述亮度成為預定以上之前述像素位置，前述第二波長像素位置為前述亮度成為預定以上之前述像素位置；<br/> 前述生成部係基於在前述第一拍攝圖像以及前述第二拍攝圖像中亮度分別成為預定以上之像素來生成以複數個顏色所表示的前述對象物的彩色影像。
一種圖像處理方法，係具備下述步驟：<br/> 使支撐部以能夠繞著旋轉軸旋轉之方式支撐對象物；<br/> 藉由物鏡使在前述對象物處反射的反射光聚光；<br/> 使驅動部變動前述物鏡的光軸方向中之前述對象物的重心與前述物鏡的聚光位置之屬於相對位置的Z位置；<br/> 使取得部經由前述物鏡取得前述對象物的拍攝圖像；<br/> 用以控制前述支撐部以及前述驅動部之控制部係使前述取得部取得複數個前述拍攝圖像；<br/> 使特定部在前述Z位置分別不同且前述對象物的旋轉角度分別不同之複數個前述拍攝圖像中特定像素位置，前述像素位置為亮度成為預定以上之像素的位置；<br/> 使記憶部將所特定的前述像素位置與各個拍攝圖像中的前述Z位置以及前述旋轉角度一起作為高亮度時資訊來記憶；以及<br/> 使生成部基於所記憶的複數個前述高亮度時資訊來生成前述對象物的影像資訊。
如請求項9所記載之圖像處理方法，其中在用以使前述取得部取得前述拍攝圖像之步驟中，前述控制部係一邊藉由前述支撐部使前述對象物繞著前述旋轉軸旋轉一邊藉由前述驅動部使前述Z位置變動，藉此使前述取得部取得前述對象物的端部的複數個前述拍攝圖像。
如請求項9所記載之圖像處理方法，其中在用以使前述支撐部進行支撐之步驟中，前述驅動部係能夠於與前述旋轉軸垂直的方向使前述對象物與前述物鏡的聚光位置之屬於相對位置的半徑位置移動；<br/> 在用以使前述取得部取得前述拍攝圖像之步驟中，前述控制部係一邊藉由前述支撐部使前述對象物繞著前述旋轉軸旋轉一邊藉由前述驅動部使前述半徑位置於與前述旋轉軸垂直的第一方向變動且使前述Z位置在第一位置處保持一定，並使前述取得部取得前述對象物的主表面的複數個前述拍攝圖像。
如請求項11所記載之圖像處理方法，其中在用以使前述取得部取得前述拍攝圖像之步驟中，前述控制部係一邊藉由前述支撐部使前述對象物繞著前述旋轉軸旋轉一邊藉由前述驅動部使前述半徑位置於與前述第一方向相反方向的第二方向變動且使前述Z位置在第二位置處保持一定，並使前述取得部取得前述對象物的前述主表面的複數個前述拍攝圖像；<br/> 前述第二位置係與前述第一位置不同；<br/> 前述第二位置與前述第一位置的差係在包含前述物鏡之光學系統的焦點深度以內。
一種圖像處理方法，係具備下述步驟：<br/> 使支撐部以能夠繞著旋轉軸旋轉之方式支撐對象物；<br/> 藉由物鏡使在前述對象物處反射的反射光聚光；<br/> 使驅動部變動前述物鏡的光軸方向中之前述對象物的重心與前述物鏡的聚光位置之屬於相對位置的Z位置；<br/> 使取得部經由前述物鏡取得前述對象物的拍攝圖像；<br/> 用以控制前述支撐部以及前述驅動部之控制部係使前述取得部取得複數個前述拍攝圖像；<br/> 使特定部在前述Z位置分別不同且前述對象物的旋轉角度分別不同之複數個前述拍攝圖像中特定像素位置，前述像素位置為亮度成為預定以上之像素的位置；以及<br/> 使生成部基於前述亮度成為預定以上之像素來生成前述對象物的影像資訊；<br/> 在用以使前述生成部進行生成之步驟中，前述生成部係基於在前述旋轉角度為特定的旋轉角度且前述Z位置彼此不同之複數個前述拍攝圖像中亮度分別成為預定以上之像素來生成前述特定的旋轉角度中的前述對象物的影像資訊。
如請求項13所記載之圖像處理方法，其中在用以使前述生成部進行生成之步驟中，前述生成部係基於下述兩個像素來生成複數個特定的前述旋轉角度中的前述對象物的前述影像資訊：<br/> 在前述旋轉角度為第一旋轉角度且前述Z位置彼此不同之複數個前述拍攝圖像中亮度分別成為預定以上之像素；以及<br/> 在前述旋轉角度為第二旋轉角度且前述Z位置彼此不同之複數個前述拍攝圖像中亮度分別成為預定以上之像素。
如請求項13所記載之圖像處理方法，其中在用以使前述驅動部變動前述Z位置之步驟中，前述驅動部係能夠使光軸角度變動，前述光軸角度為前述物鏡的光軸相對於與前述旋轉軸正交的面之角度；<br/> 在用以使前述特定部特定前述像素位置之步驟中，前述特定部係在前述Z位置、前述旋轉角度以及前述光軸角度分別不同之複數個前述拍攝圖像中特定像素位置，前述像素位置為亮度成為預定以上之像素的位置；<br/> 在用以使前述生成部進行生成之步驟中，前述生成部係基於下述兩個像素來生成特定的前述旋轉角度中的前述對象物的端部的前述影像資訊：<br/> 在前述旋轉角度為特定的旋轉角度且前述光軸角度為第一光軸角度且前述Z位置彼此不同之複數個前述拍攝圖像中亮度分別成為預定以上之像素；以及<br/> 在前述旋轉角度為特定的旋轉角度且前述光軸角度為第二光軸角度且前述Z位置彼此不同之複數個前述拍攝圖像中亮度分別成為預定以上之像素。
如請求項9或13所記載之圖像處理方法，其中在用以取得前述拍攝圖像之步驟中，前述控制部係使前述取得部從第一受光部取得第一拍攝圖像並從第二受光部取得第二拍攝圖像，前述第一受光部係用以接受前述反射光中之與第一顏色對應的第一波長的光線，前述第二受光部係用以接受前述反射光中之與第二顏色對應的第二波長的光線；<br/> 在用以使前述特定部特定前述像素位置之步驟中，前述特定部係在前述Z位置分別不同之複數個前述第一拍攝圖像中特定第一波長像素位置，並在前述Z位置分別不同之複數個前述第二拍攝圖像中特定第二波長像素位置，前述第一波長像素位置為前述亮度成為預定以上之前述像素位置，前述第二波長像素位置為前述亮度成為預定以上之前述像素位置；<br/> 在用以使前述生成部進行生成之步驟中，前述生成部係基於在前述第一拍攝圖像以及前述第二拍攝圖像中亮度分別成為預定以上之像素來生成以複數個顏色所表示的前述對象物的彩色影像。
一種指甲刀，其包括： <br/>一刀刃(blade)，其包含一切削刃(cutting edge)；及 <br/>一單體式本體，其包含： <br/>一第一構件，其中該刀刃自該第一構件之一近端延伸， <br/>一第二構件，其中該第二構件之一近端安置為與該刀刃之該切削刃相對， <br/>一第三構件，及 <br/>複數個撓性鉸鏈(hinges)，其等經構形使得當該第三構件之一近端自一第一位置轉變至一第二位置時，該單體式本體在該複數個撓性鉸鏈處撓曲(flexes)以便減小該切削刃與該第二構件之該近端之間的一距離， <br/>其中該第二構件包含一突起(protrusion)，該突起經構形以接觸該第一構件以便當該第三構件之該近端處於該第二位置時防止該切削刃與該第二構件之該近端之間的接觸。
如請求項1之指甲刀，其中該第二構件之一遠端藉由該複數個撓性鉸鏈之一第一撓性鉸鏈接合(joined)至該第三構件之一遠端。
如請求項2之指甲刀，其中該第一構件之一遠端藉由該複數個撓性鉸鏈之一第二撓性鉸鏈在該第二構件之該近端與該第二構件之該遠端之間接合至該第二構件之一中間部分。
如請求項3之指甲刀，其中該單體式本體進一步包含一第四構件，其中該第四構件之一近端藉由該複數個撓性鉸鏈之一第三撓性鉸鏈在該第一構件之該近端與該第一構件之該遠端之間接合至該第一構件之一中間部分。
如請求項4之指甲刀，其中該第四構件之一遠端藉由該複數個撓性鉸鏈之一第四撓性鉸鏈接合至該第三構件之該遠端。
如請求項1之指甲刀，其中該刀刃包含一第一材料且該單體式本體包含與該第一材料不同之一第二材料。
如請求項6之指甲刀，其中該第一材料具有比該第二材料更大之一硬度。
如請求項6之指甲刀，其中該第一材料包括一金屬；且該第二材料包括一聚合物材料。
如請求項1之指甲刀，其中該刀刃與該單體式本體成整體。
如請求項1之指甲刀，其中該刀刃係自該單體式本體延伸之唯一刀刃。
如請求項1之指甲刀，其中該刀刃之硬度係至少55 HRC。
一種指甲刀，其包括： <br/>一刀刃，其包含一切削刃；及 <br/>一單體式本體，其包含： <br/>一第一構件，其中該刀刃自該第一構件之一近端延伸， <br/>一第二構件，其中該第二構件之一近端安置為與該刀刃之該切削刃相對， <br/>一第三構件，及 <br/>複數個撓性鉸鏈，其等經構形使得當該第三構件之一近端自一第一位置轉變至一第二位置時，該單體式本體在該複數個撓性鉸鏈處撓曲以便減小該切削刃與該第二構件之該近端之間的一距離， <br/>其中該第二構件之該近端包含一凹部，該凹部經構形以接納該刀刃之該切削刃。
一種指甲刀，其包括： <br/>一刀刃，其包含一切削刃；及 <br/>一單體式本體，其包含： <br/>一第一構件，其中該刀刃自該第一構件之一近端延伸， <br/>一第二構件，其中該第二構件之一近端安置為與該刀刃之該切削刃相對， <br/>一第三構件，及 <br/>複數個撓性鉸鏈，其等經構形使得當該第三構件之一近端自一第一位置轉變至一第二位置時，該單體式本體在該複數個撓性鉸鏈處撓曲以便減小該切削刃與該第二構件之該近端之間的一距離， <br/>其中該刀刃之該切削刃在一第一方向及一第二方向上彎曲，其中該第一方向垂直於該第二方向。
一種包括單體式本體之指甲刀，其中該單體式本體包含： <br/>一第一構件； <br/>一第二構件； <br/>一第三構件； <br/>一第四構件；及 <br/>複數個撓性鉸鏈，包含一第一撓性鉸鏈、一第二撓性鉸鏈、一第三撓性鉸鏈及一第四撓性鉸鏈， <br/>其中： <br/>該第二構件藉由該第一撓性鉸鏈接合至該第三構件， <br/>該第一構件藉由該第二撓性鉸鏈接合至該第二構件， <br/>該第四構件藉由該第三撓性鉸鏈接合至該第一構件，且 <br/>該第四構件藉由該第四撓性鉸鏈接合至該第三構件， <br/>其中該指甲刀包含具有一切削刃之一刀刃，其中該刀刃耦合至該單體式本體或與該單體式本體成整體， <br/>其中該第二構件包含一突起，該突起經構形以接觸該第一構件以便防止該切削刃與該第二構件之間的接觸。
如請求項14之指甲刀，其中： <br/>該第二構件之一遠端藉由該第一撓性鉸鏈接合至該第三構件之一遠端，且 <br/>該第一構件之一遠端藉由該第二撓性鉸鏈在該第二構件之該遠端與該第二構件之一近端之間接合至該第二構件之一中間部分。
如請求項14之指甲刀，其中： <br/>該第四構件之一近端藉由該第三撓性鉸鏈在該第一構件之一遠端與該第一構件之一近端之間接合至該第一構件之一中間部分，且 <br/>該第四構件之一遠端藉由該第四撓性鉸鏈接合至該第三構件之一遠端。
如請求項14之指甲刀，其中： <br/>該單體式本體經構形使得將該第三構件自一第一位置轉變至一第二位置致使該等第一、第二、第三及第四撓性鉸鏈之各者之屈曲(flexion)。
如請求項17之指甲刀，其中： <br/>該第一撓性鉸鏈接合該第二構件之一遠端及該第三構件之一遠端，且其中將該第三構件自該第一位置轉變至該第二位置包含減小該第二構件之一近端與該第三構件之一近端之間的一距離。
如請求項14之指甲刀，其中該刀刃係一單刀刃。
一種用於晶圓承載裝置的電連接結構，該電連接結構包括一絕緣基部和一導電部，其中： <br/>該導電部用於向該晶圓承載裝置供電，該導電部包括順序連接的一第一剛性導電件、一可形變導電件和一第二剛性導電件，該第一剛性導電件和該第二剛性導電件穿設於該絕緣基部，該絕緣基部具有一形變空間，該可形變導電件設於該形變空間內。
根據請求項1所述的電連接結構，其中該可形變導電件包括柔性導電件，該柔性導電件在該形變空間內具有冗余彎折段。
根據請求項1所述的電連接結構，其中該第一剛性導電件開設有一焊接槽，該可形變導電件包括柔性導電件，該柔性導電件通過焊料焊接於該焊接槽內。
根據請求項3所述的電連接結構，其中該焊接槽的側壁開設有與該焊接槽連通的一焊料流出孔。
根據請求項1所述的電連接結構，其中該電連接結構還包括絕緣隔熱層，該絕緣隔熱層與該絕緣基部連接，且位於該絕緣基部的用於與該晶圓承載裝置連接的一側。
根據請求項1所述的電連接結構，其中該可形變導電件包括一導電彈簧，該第二剛性導電件在該導電彈簧的彈性力的作用下與該晶圓承載裝置接觸。
根據請求項1所述的電連接結構，其中該電連接結構還包括一隔熱件，該隔熱件套設於該第二剛性導電件。
根據請求項1至7任一項所述的電連接結構，其中該電連接結構包括多個該導電部，該多個導電部的該多個第一剛性導電件間隔地穿設於該絕緣基部；該多個導電部的該多個第二剛性導電件間隔地穿設於該絕緣基部；該多個第一剛性導電件與該多個第二剛性導電件沿自該絕緣基部的一端向另一端的方向順序排布；該絕緣基部包括多個隔板，該形變空間通過該多個隔板分隔為多個子空間，該多個導電部的該多個可形變導電件對應地設於該多個子空間內。
根據請求項8所述的電連接結構，其中該絕緣基部包括依次疊置連接的第一基部、第二基部和第三基部，該第二基部包括該多個隔板，該多個第一剛性導電件穿設於該第一基部，該多個第二剛性導電件穿設於該第三基部。
根據請求項9所述的電連接結構，其中該多個隔板的一端相連接，該多個隔板的另一端呈放射狀延伸，以將該形變空間分隔為該多個子空間。
根據請求項9所述的電連接結構，其中該第一基部開設有安裝槽，該第二基部的在與該第一基部疊置的方向上的輪廓與該安裝槽的延伸形狀相適配，第二基部插設於該安裝槽內。
根據請求項11所述的電連接結構，其中該第二基部與該安裝槽的內壁粘接。
根據請求項9所述的電連接結構，其中該第一基部還設置有第一限位部，該第一基部開設有多個第一通孔，該多個第一剛性導電件對應地穿設於該多個第一通孔內，該第一限位部設於該多個第一通孔的第一孔口，以與該多個第一剛性導電件的第一端限位接觸，該多個第一通孔與該多個子空間一一對應，該多個第一通孔的第二孔口與對應的該多個子空間連通。
根據請求項13所述的電連接結構，其中該第二基部還包括安裝部，該多個隔板的一端沿該安裝部的周向環繞地連接於該安裝部，該安裝部遮擋該多個第一通孔的第二孔口的部分區域，以與該多個第一剛性導電件的第二端限位接觸。
根據請求項14所述的電連接結構，其中該第二基部還包括多個連接部，該多個隔板中的至少部分該多個隔板的背離該安裝部的一端設有該多個連接部，該多個連接部開設有連接通孔； <br/>該電連接結構還包括多個螺紋連接件，該多個螺紋連接件依次穿過該第一基部、該多個連接通孔與該第三基部，以使該第一基部、該第二基部和該第三基部連接。
根據請求項9所述的電連接結構，其中該第三基部開設有多個第二通孔，該多個第二通孔與該多個子空間對應，該多個第二通孔的第一孔口與對應的該多個子空間連通，該多個第二剛性導電件為螺栓，該多個螺栓的頭部與該多個第二通孔的該多個第一孔口的孔壁限位接觸，該多個螺栓的螺桿穿設於該多個第二通孔內，該多個螺桿用於與該晶圓承載裝置的連接端子螺紋連接。
根據請求項16所述的電連接結構，其中該多個頭部與該多個第二通孔的該多個第一孔口的孔壁之間連接有彈簧墊片和/或平墊片。
根據請求項16所述的電連接結構，其中該第一基部的與該多個頭部相對的位置開設有避讓孔，該多個頭部通過該多個子空間和該多個避讓孔顯露。
一種下電極組件，包括：晶圓承載裝置和請求項1-18任一項所述的電連接結構； <br/>該晶圓承載裝置包括一基座和與該基座疊置連接的功能層，該功能層內設置有電極，該電極引出有連接端子，該基座具有容納空間，該電連接結構的至少部分位於該容納空間，且該第二剛性導電件與該連接端子電連接。
根據請求項19所述的下電極組件，其中該晶圓承載裝置包括靜電卡盤，該靜電卡盤包括該基座和該功能層，該功能層內設置的該電極包括靜電吸附電極、偏壓電極、加熱電極中的至少一者。
一種製程腔室，包括腔體及設於該腔體內的下電極組件，該下電極組件為請求項19或20所述的下電極組件。
一種用來控制位準偏移器（level shifter）作為輸入容差（input tolerance）輸入/輸出（input/output, I/O）位準偏移器之設備（apparatus），該輸入容差輸入/輸出位準偏移器係用來將一輸入/輸出焊墊（I/O pad）耦接至一輸入接收器電路內的一緩衝電路，以充當該輸入接收器電路的一子電路，該設備包含：<br/> 一基於電壓偵測的（voltage-detection-based）閘極偏壓（gate bias）控制電路，用來對該輸入容差輸入/輸出位準偏移器內的一第一N型（N-type）電晶體進行基於電壓偵測的閘極偏壓控制，其中該輸入容差輸入/輸出位準偏移器內的一第二N型電晶體係耦接至該第一N型電晶體，且該第二N型電晶體的一閘極（gate）耦接至一電源電壓，其中該基於電壓偵測的閘極偏壓控制電路包含：<br/> 一電壓偵測及控制電路，耦接至該輸入/輸出焊墊，用來對該輸入/輸出焊墊上的一接收到的電壓位準進行至少一電壓偵測操作以產生至少一電壓偵測結果，以供產生與該至少一電壓偵測結果相對應之一自控（self-control）訊號來進行閘極偏壓控制，其中該至少一電壓偵測結果指出該接收到的電壓位準對應於一邏輯高狀態（logic high state）還是一邏輯低狀態（logic low state）；以及<br/> 一位準降低（level-down）裝置，耦接至該電壓偵測及控制電路和該第一N型電晶體的一閘極，用來根據該至少一電壓偵測結果，選擇性地進行一位準降低操作以根據該接收到的電壓位準產生一位準降低電壓作為該自控訊號，以供控制該第一N型電晶體之一閘極偏壓。
如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該電壓偵測及控制電路包含：<br/> 一第一電壓偵測及路徑控制子電路，耦接至該輸入/輸出焊墊，用來根據該至少一電壓偵測結果選擇性地開啟該輸入/輸出焊墊和該位準降低裝置之間的一訊號路徑，以容許該位準降低裝置進行該位準降低操作以產生該位準降低電壓作為該自控訊號；以及<br/> 一第二電壓偵測及路徑控制子電路，耦接至該輸入/輸出焊墊，用來根據該至少一電壓偵測結果選擇性地關閉該電源電壓和該位準降低裝置的一輸出端子之間的一電源路徑，以容許該位準降低裝置正確地輸出該位準降低電壓作為該自控訊號，而不被該電源電壓影響。
如申請專利範圍第2項所述之設備，其中該至少一電壓偵測結果包含一第一時間點的一第一電壓偵測結果，以及該第一電壓偵測結果指出該接收到的電壓位準對應於該邏輯高狀態，其中：<br/> 該第一電壓偵測及路徑控制子電路係用來於該第一時間點根據該第一電壓偵測結果開啟該訊號路徑，以容許該位準降低裝置進行該位準降低操作以產生該位準降低電壓作為該自控訊號；以及<br/> 該第二電壓偵測及路徑控制子電路係用來於該第一時間點根據該第一電壓偵測結果關閉該電源路徑，以容許該位準降低裝置正確地輸出該位準降低電壓作為該自控訊號，而不被該電源電壓影響。
如申請專利範圍第3項所述之設備，其中該至少一電壓偵測結果另包含一第二時間點的一第二電壓偵測結果，以及該第二電壓偵測結果指出該接收到的電壓位準對應於該邏輯低狀態，其中：<br/> 該第一電壓偵測及路徑控制子電路係用來於該第二時間點根據該第二電壓偵測結果關閉該訊號路徑，以避免該位準降低裝置進行該位準降低操作；以及<br/> 該第二電壓偵測及路徑控制子電路係用來於該第二時間點根據該第二電壓偵測結果開啟該電源路徑，以根據該電源電壓產生該自控訊號。
如申請專利範圍第2項所述之設備，其中：<br/> 該第一電壓偵測及路徑控制子電路包含：<br/> 一第一開關，耦接至該輸入/輸出焊墊，用來根據該至少一電壓偵測結果選擇性地開啟該訊號路徑，以容許該位準降低裝置進行該位準降低操作以產生該位準降低電壓作為該自控訊號；以及<br/> 該第二電壓偵測及路徑控制子電路包含：<br/> 一第二開關，耦接至該輸入/輸出焊墊，用來根據該至少一電壓偵測結果選擇性地關閉該電源路徑，以容許該位準降低裝置正確地輸出該位準降低電壓作為該自控訊號，而不被該電源電壓影響。
如申請專利範圍第5項所述之設備，其中該第一開關和該第二開關分別被實施為一第一P型（P-type）電晶體和一第二P型電晶體，其中該第一P型電晶體之一閘極和該第二P型電晶體之一閘極係分別耦接至該電源電壓和該輸入/輸出焊墊，該第一P型電晶體之一源極（source）和該第二P型電晶體之一源極係分別耦接至該輸入/輸出焊墊和該電源電壓，以及該第一P型電晶體之一汲極（drain）和該第二P型電晶體之一汲極係分別耦接至該位準降低裝置之一輸入端子和該輸出端子。
如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該至少一電壓偵測結果包含一第一時間點的一第一電壓偵測結果，以及該第一電壓偵測結果指出該接收到的電壓位準對應於該邏輯高狀態；以及於該第一時間點，該電源電壓小於該接收到的電壓位準。
如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該位準降低裝置包含：<br/> 一二極體連接形式的電晶體（diode-connected transistor），耦接至該電壓偵測及控制電路和該第一N型電晶體的該閘極，用來進行該位準降低操作以產生該位準降低電壓作為該自控訊號。
如申請專利範圍第8項所述之設備，其中：<br/> 該二極體連接形式的電晶體係實施為一第三N型電晶體，其中該第三N型電晶體之一汲極（drain）和一閘極係彼此電氣連接且耦接至該輸入/輸出焊墊和該位準降低裝置之間的一訊號路徑，以及該第三N型電晶體之一源極（source）係耦接至該電源電壓和該位準降低裝置之間的一電源路徑；或<br/> 該二極體連接形式的電晶體係實施為一P型（P-type）電晶體，其中該P型電晶體之一汲極和一閘極係彼此電氣連接且耦接至該電源路徑，以及該P型電晶體之一源極係耦接至該訊號路徑。
如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該自控訊號係被接收作為該第一N型電晶體之該閘極偏壓，以及該設備另包含：<br/> 該輸入容差輸入/輸出位準偏移器，耦接至該基於電壓偵測的閘極偏壓控制電路，用來接收該自控訊號以根據該自控訊號來操作。
一種用來控制位準偏移器（level shifter）作為輸入容差（input tolerance）輸入/輸出（input/output, I/O）位準偏移器之方法，該輸入容差輸入/輸出位準偏移器係用來將一輸入/輸出焊墊（I/O pad）耦接至一輸入接收器電路內的一緩衝電路，以充當該輸入接收器電路的一子電路，該方法包含：<br/> 對該輸入容差輸入/輸出位準偏移器內的一第一N型（N-type）電晶體進行基於電壓偵測的（voltage-detection-based）閘極偏壓控制，其中該輸入容差輸入/輸出位準偏移器內的一第二N型電晶體係耦接至該第一N型電晶體，且該第二N型電晶體的一閘極（gate）耦接至一電源電壓，其中對該輸入容差輸入/輸出位準偏移器內的該第一N型電晶體進行該基於電壓偵測的閘極偏壓控制另包含：<br/> 對該輸入/輸出焊墊上的一接收到的電壓位準進行至少一電壓偵測操作以產生至少一電壓偵測結果，以供產生與該至少一電壓偵測結果相對應之一自控（self-control）訊號來進行閘極偏壓控制，其中該至少一電壓偵測結果指出該接收到的電壓位準對應於一邏輯高狀態（logic high state）還是一邏輯低狀態（logic low state）；以及<br/> 根據該至少一電壓偵測結果，選擇性地進行一位準降低（level-down）操作以根據該接收到的電壓位準產生一位準降低電壓作為該自控訊號，以供控制該第一N型電晶體之一閘極偏壓。
如申請專利範圍第11項所述之方法，其中一位準降低裝置係用來進行該位準降低操作；以及對該輸入/輸出焊墊上的該接收到的電壓位準進行該至少一電壓偵測操作以產生該至少一電壓偵測結果，以供產生與該至少一電壓偵測結果相對應之該自控訊號來進行閘極偏壓控制另包含：<br/> 根據該至少一電壓偵測結果選擇性地開啟該輸入/輸出焊墊和該位準降低裝置之間的一訊號路徑，以容許該位準降低裝置進行該位準降低操作以產生該位準降低電壓作為該自控訊號；以及<br/> 根據該至少一電壓偵測結果選擇性地關閉該電源電壓和該位準降低裝置的一輸出端子之間的一電源路徑，以容許該位準降低裝置正確地輸出該位準降低電壓作為該自控訊號，而不被該電源電壓影響。
如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該至少一電壓偵測結果包含一第一時間點的一第一電壓偵測結果，以及該第一電壓偵測結果指出該接收到的電壓位準對應於該邏輯高狀態，其中：<br/> 根據該至少一電壓偵測結果選擇性地開啟該輸入/輸出焊墊和該位準降低裝置之間的該訊號路徑，以容許該位準降低裝置進行該位準降低操作以產生該位準降低電壓作為該自控訊號另包含：<br/> 於該第一時間點根據該第一電壓偵測結果開啟該訊號路徑，以容許該位準降低裝置進行該位準降低操作以產生該位準降低電壓作為該自控訊號；以及<br/> 根據該至少一電壓偵測結果選擇性地關閉該電源電壓和該位準降低裝置的該輸出端子之間的該電源路徑，以容許該位準降低裝置正確地輸出該位準降低電壓作為該自控訊號，而不被該電源電壓影響另包含：<br/> 該第一時間點根據該第一電壓偵測結果關閉該電源路徑，以容許該位準降低裝置正確地輸出該位準降低電壓作為該自控訊號，而不被該電源電壓影響。
如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該至少一電壓偵測結果另包含一第二時間點的一第二電壓偵測結果，以及該第二電壓偵測結果指出該接收到的電壓位準對應於該邏輯低狀態，其中：<br/> 根據該至少一電壓偵測結果選擇性地開啟該輸入/輸出焊墊和該位準降低裝置之間的該訊號路徑，以容許該位準降低裝置進行該位準降低操作以產生該位準降低電壓作為該自控訊號另包含：<br/> 於該第二時間點根據該第二電壓偵測結果關閉該訊號路徑，以避免該位準降低裝置進行該位準降低操作；以及<br/> 根據該至少一電壓偵測結果選擇性地關閉該電源電壓和該位準降低裝置的該輸出端子之間的該電源路徑，以容許該位準降低裝置正確地輸出該位準降低電壓作為該自控訊號，而不被該電源電壓影響另包含：<br/> 於該第二時間點根據該第二電壓偵測結果開啟該電源路徑，以根據該電源電壓產生該自控訊號。
如申請專利範圍第12項所述之方法，其中：<br/> 根據該至少一電壓偵測結果選擇性地開啟該輸入/輸出焊墊和該位準降低裝置之間的該訊號路徑，以容許該位準降低裝置進行該位準降低操作以產生該位準降低電壓作為該自控訊號另包含：<br/> 利用一第一開關，根據該至少一電壓偵測結果選擇性地開啟該訊號路徑，以容許該位準降低裝置進行該位準降低操作以產生該位準降低電壓作為該自控訊號；以及<br/> 根據該至少一電壓偵測結果選擇性地關閉該電源電壓和該位準降低裝置的該輸出端子之間的該電源路徑，以容許該位準降低裝置正確地輸出該位準降低電壓作為該自控訊號，而不被該電源電壓影響另包含：<br/> 利用一第二開關，根據該至少一電壓偵測結果選擇性地關閉該電源路徑，以容許該位準降低裝置正確地輸出該位準降低電壓作為該自控訊號，而不被該電源電壓影響。
如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該第一開關和該第二開關分別被實施為一第一P型（P-type）電晶體和一第二P型電晶體，其中該第一P型電晶體之一閘極和該第二P型電晶體之一閘極係分別耦接至該電源電壓和該輸入/輸出焊墊，該第一P型電晶體之一源極（source）和該第二P型電晶體之一源極係分別耦接至該輸入/輸出焊墊和該電源電壓，以及該第一P型電晶體之一汲極（drain）和該第二P型電晶體之一汲極係分別耦接至該位準降低裝置之一輸入端子和該輸出端子。
如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該至少一電壓偵測結果包含一第一時間點的一第一電壓偵測結果，以及該第一電壓偵測結果指出該接收到的電壓位準對應於該邏輯高狀態；以及於該第一時間點，該電源電壓小於該接收到的電壓位準。
如申請專利範圍第11項所述之方法，其中一位準降低裝置係用來進行該位準降低操作；以及該位準降低裝置包含：<br/> 一二極體連接形式的電晶體（diode-connected transistor），耦接至該電壓偵測及控制電路和該第一N型電晶體的一閘極，用來進行該位準降低操作以產生該位準降低電壓作為該自控訊號。
如申請專利範圍第18項所述之方法，其中：<br/> 該二極體連接形式的電晶體係實施為一第三N型電晶體，其中該第三N型電晶體之一汲極（drain）和一閘極係彼此電氣連接且耦接至該輸入/輸出焊墊和該位準降低裝置之間的一訊號路徑，以及該第三N型電晶體之一源極（source）係耦接至該電源電壓和該位準降低裝置之間的一電源路徑；或<br/> 該二極體連接形式的電晶體係實施為一P型（P-type）電晶體，其中該P型電晶體之一汲極和一閘極係彼此電氣連接且耦接至該電源路徑，以及該P型電晶體之一源極係耦接至該訊號路徑。
如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該自控訊號係被接收作為該第一N型電晶體之該閘極偏壓，以及該方法另包含：<br/> 利用該輸入容差輸入/輸出位準偏移器接收該自控訊號以根據該自控訊號來操作。
一種支援系統，用以對生產現場的目標達成進行支援，所述支援系統具有： <br/>財務目標獲取部，獲取於所述生產現場中應達成的財務指標的目標即財務目標； <br/>非財務目標獲取部，獲取於所述生產現場中應達成的非財務指標的目標即非財務目標； <br/>第一策略生成部，基於表示於所述生產現場運轉的生產設備的運轉狀況的資訊、及所述財務目標，來生成用以使所述生產現場的財務指標的值接近所述財務目標的第一策略；以及 <br/>第二策略生成部，基於表示應用由所述第一策略生成部所生成的所述第一策略時的所述生產設備的運轉狀況的資訊、及所述非財務目標，來生成用以使所述生產現場的非財務指標的值接近所述非財務目標的第二策略。
如請求項1所述的支援系統，更具有財務指標評價部， <br/>所述財務指標評價部獲取將所述第一策略應用於所述生產現場時的財務指標的變化值，基於所述財務指標的變化值來評價所述財務目標是否達成， <br/>於由所述財務指標評價部評價為所述財務目標未達到的情況下，所述第一策略生成部進行所述第一策略的修正。
如請求項1所述的支援系統，更具有非財務指標評價部， <br/>所述非財務指標評價部獲取將所述第二策略應用於所述生產現場時的非財務指標的變化值，基於所述非財務指標的變化值來評價所述非財務目標是否達成， <br/>於由所述非財務指標評價部評價為所述非財務目標未達到的情況下，所述第二策略生成部進行所述第二策略的修正。
如請求項1所述的支援系統，更具有： <br/>非財務指標評價部，獲取將所述第二策略應用於所述生產現場時的非財務指標的變化值，基於所述非財務指標的變化值來評價所述非財務目標是否達成；以及 <br/>第三策略生成部，於由所述非財務指標評價部評價為所述非財務目標未達到的情況下，作為用以使所述生產現場的非財務指標的值接近所述非財務目標的策略，生成與所述第二策略不同的第三策略。
如請求項4所述的支援系統，其中 <br/>所述第三策略生成部生成多個策略候補作為所述第三策略，並向用戶提示所生成的所述多個策略候補。
如請求項5所述的支援系統，更具有學習部， <br/>所述學習部對由所述用戶自所述多個策略候補中選擇的策略的資訊，與將所選擇的策略應用於所述生產現場時的所述非財務指標的變化值進行機器學習。
如請求項1至6中任一項所述的支援系統，其中 <br/>所述第一策略包含用以變更所述生產設備的控制的控制參數。
如請求項1所述的支援系統，其中 <br/>所述第一策略生成部包括學習完畢模型，所述學習完畢模型以如下方式，即，基於表示所述生產設備的運轉狀況的資訊與所述財務目標來輸出用以使所述生產現場的財務指標的值接近所述財務目標的策略的方式進行機器學習。
如請求項1所述的支援系統，其中 <br/>所述第二策略生成部包括學習完畢模型，所述學習完畢模型以如下方式，即，基於表示所述生產設備的運轉狀況的資訊與所述非財務目標來輸出用以使所述生產現場的非財務指標的值接近所述非財務目標的策略的方式進行機器學習。
如請求項1所述的支援系統，更具有模擬器，所述模擬器使用於虛擬空間中再現了所述生產設備的虛擬生產設備進行運轉模擬， <br/>所述模擬器將由所述第一策略生成部所生成的所述第一策略應用於所述虛擬生產設備並執行運轉模擬，藉此估算應用所述第一策略時的所述生產設備的運轉狀況， <br/>所述第二策略生成部使用所述模擬器的估算結果作為表示應用所述第一策略時的所述生產設備的運轉狀況的資訊，來生成所述第二策略。
如請求項2所述的支援系統，更具有模擬器，所述模擬器使用於虛擬空間中再現了所述生產設備的虛擬生產設備進行運轉模擬， <br/>所述模擬器將由所述第一策略生成部所生成的所述第一策略應用於所述虛擬生產設備並執行運轉模擬，藉此估算應用所述第一策略時的所述生產設備的運轉狀況， <br/>所述財務指標評價部基於所述模擬器的估算結果，來估算將所述第一策略應用於所述生產設備時的財務指標的變化值。
如請求項3或4所述的支援系統，更具有模擬器，所述模擬器使用於虛擬空間中再現了所述生產設備的虛擬生產設備進行運轉模擬， <br/>所述模擬器將由所述第二策略生成部所生成的所述第二策略應用於所述虛擬生產設備並執行運轉模擬，藉此估算應用所述第二策略時的所述生產設備的運轉狀況， <br/>所述非財務指標評價部基於所述模擬器的估算結果，來估算將所述第二策略應用於所述生產設備時的非財務指標的變化值。
一種支援方法，由電腦對生產現場的目標達成進行支援，所述支援方法包括如下步驟： <br/>電腦獲取於所述生產現場中應達成的財務指標的目標即財務目標； <br/>電腦獲取於所述生產現場中應達成的非財務指標的目標即非財務目標； <br/>電腦基於表示於所述生產現場運轉的生產設備的運轉狀況的資訊、及所述財務目標，來生成用以使所述生產現場的財務指標的值接近所述財務目標的第一策略；以及 <br/>電腦基於表示應用所述第一策略時的所述生產設備的運轉狀況的資訊、及所述非財務目標，來生成用以使所述生產現場的非財務指標的值接近所述非財務目標的第二策略。
一種支援程式，用以使電腦執行如請求項13所述的方法的各步驟。
一種用於一微影設備之膜(membrane)，該膜具有為至少0.1之IR輻射發射率(emissivity)且對EUV輻射實質上透射，該膜包括： <br/>對EUV輻射實質上透明之一核心層，其包括奈米管且其厚度為60奈米或小於60奈米，及 <br/>一保護罩蓋層，該保護罩蓋層來自保護免於氧化及/或蝕刻之一材料且具有厚度為20奈米或小於20奈米之一層，其中該保護罩蓋層係選擇使得該膜之IR輻射發射率大於該核心層之IR輻射發射率。
如請求項1之膜，其進一步包括一或多個中間層或罩蓋層。
如請求項1或2之膜，其進一步包括用於經改良IR發射率之一層，其中用於經改良IR發射率之該層受到該保護罩蓋層保護，該保護罩蓋層來自保護免於氧化及/或蝕刻之該材料。
如請求項1或2之膜，其中該保護罩蓋層來自保護免於氧化及/或蝕刻之該材料，該材料選自以下材料之氧化物、碳化物或氮化物：Zr、Ti、Hf、Si、Rh及Ru。
如請求項1或2之膜，其中該保護罩蓋層具有自1奈米至3奈米之一厚度。
如請求項1之膜，其中該核心層具有16奈米或小於16奈米之一厚度，且包括一以碳為基礎之材料。
如請求項6之膜，其中該以碳為基礎之材料為碳奈米管(carbon nanotubes)。
如請求項3之膜，其中用於經改良IR發射率之該層係一金屬層。
如請求項8之膜，其中用於經改良IR發射率之該層的該材料包括選自Ru、Ti、Nd、Pr、Mo、Nb、La、Zr、B、Y及Be之一金屬。
如請求項3之膜，其中用於經改良IR發射率之該層的該材料包括B <sub>4</sub>C、SiNx、ZrO <sub>2</sub>或一矽化物(silicide)。
如請求項10之膜，其中該矽化物為MoSi <sub>2</sub>、ZrSi <sub>2</sub>或NbSi <sub>2</sub>。
如請求項8之膜，其中用於經改良IR發射率之該層為具有厚度1奈米至10奈米之該金屬層。
如請求項2之膜，其中該膜進一步包括一複合材料之一層，該複合材料包括一金屬及分散於其中之非金屬EUV透明雜質。
如請求項2之膜，其中該膜進一步包括選自來自如下各者之清單之一材料之一層：(多晶)Si、Si <sub>3</sub>N <sub>4</sub>、SiC、ZrN、ZrB <sub>2</sub>、ZrC、MoB <sub>2</sub>、MoC、RuB <sub>2</sub>、LaB <sub>2</sub>、LaC、TiB2、TiC、(多)晶釔、(多)晶Zr、Be、C、B及B <sub>4</sub>C。
一種光罩總成(mask assembly)，其包括一微影光罩及耦接至該光罩之一框架，該框架經配置以支撐如請求項1-14中任一項之膜。
一種微影設備，其包括如請求項1-14中任一項之一或多個膜，其中該等膜中之至少一者作為保護一組件免於污染之一護膜而操作或作為用於阻擋非想要輻射波長之一光譜濾光器膜而操作。
一種薄膜總成(membrane assembly)，其包含一薄膜及一邊界(border)，該邊界圍繞該薄膜之一周邊支撐該薄膜，該薄膜包含形成一薄膜核心之至少一部分之至少一金屬矽化物或經摻雜金屬矽化物薄膜層， <br/>其中該邊界包含如下之一有序堆疊：一平面基板之一部分及至少一個犧牲層之至少一部分，且其中該至少一個犧牲層鄰近於該薄膜，其中鄰近於該薄膜之該犧牲層包含一氧化物且實質上比該薄膜薄。
如請求項1之薄膜總成，其中該至少一個犧牲層之厚度實質上比該薄膜薄。
如請求項1或2之薄膜總成，其中該至少一個犧牲層包含一第一犧牲層及安置於該第一犧牲層與該至少一個薄膜核心之間的至少一個額外犧牲層。
如請求項1或2之薄膜總成，其中該至少一個犧牲層包含一第一犧牲層、一第二犧牲層及一第三犧牲層，其中該第一犧牲層及該第三犧牲層包含相同材料，較佳地為一熱氧化物。
如請求項1或2之薄膜總成，其中該薄膜核心包含一第一薄膜層、一第二薄膜層及一第三薄膜層。
如請求項5之薄膜總成，其中該第一薄膜層及該第三薄膜層包含金屬矽化物，且該第二薄膜層包含摻雜的金屬矽化物，較佳地其中該金屬包含鉬。
如請求項1或2之薄膜總成，其中該至少一個犧牲層包含一氧化物或矽，且較佳地其中相鄰犧牲層之組成可在一氧化物與矽之間交替。
如請求項3之薄膜總成，其中該第一犧牲層或該至少一個額外犧牲層包含非晶碳。
如請求項5之薄膜總成，其中該第一薄膜層及該第三薄膜層包含金屬矽化物且該第二薄膜層包含非晶碳。
一種製造一薄膜總成之方法，其包含： <br/>在一平面基板上提供包含非晶碳之至少一個犧牲層以形成一堆疊；及向該堆疊之至少一部分提供至少一個金屬矽化物或摻雜的金屬矽化物薄膜核心層，其形成該薄膜之至少一部分； <br/>至少一個蝕刻步驟以移除該基板及一或多個犧牲層之至少一部分， <br/>其中該至少一個蝕刻步驟定義圍繞該薄膜之一周邊支撐該薄膜之一邊界，使得： <br/>該邊界包含如下之一有序堆疊：該平面基板之一部分及包含非晶碳之該至少一個犧牲層之至少一部分，其中該至少一個犧牲層鄰近於該薄膜，其中鄰近於該薄膜之該犧牲層包含一氧化物且實質上比該薄膜薄。
如請求項10之方法，其中該平面基板經退火以在設置一正矽酸四乙酯層之前提供一熱氧化物層。
如請求項10或11之方法，其中該至少一個犧牲層包含一第一犧牲層及一第二犧牲層，且其中該方法包含在於該平面基板上設置該第一犧牲層及該第二犧牲層之後圖案化該堆疊之一背側。
如請求項12之方法，其進一步包含如下有序步驟： <br/>i) 設置呈氧化物形式之一第三犧牲層以形成一底部氧化物； <br/>ii) 在該堆疊之一面上沈積該薄膜核心層； <br/>iii) 在該薄膜核心層之一頂部表面上視情況沈積呈一另一氧化物層形式之一罩蓋層，以形成一頂部氧化物層； <br/>iv) 退火該堆疊； <br/>v) 視情況移除該頂部氧化物層(若存在)及/或任何原生氧化物層； <br/>vi) 圖案化該堆疊之一前側； <br/>vii) 設置一保護層以保護該堆疊之該前側；以及 <br/>viii) 自該堆疊之該背側實行一空腔蝕刻以移除該平面基板、第一犧牲層、第二犧牲層之一部分且視情況該第三犧牲層之一部分，以定義一薄膜總成。
如請求項13之方法，其進一步包含移除該保護層以釋放該薄膜總成。
如請求項13之方法，其中該第三犧牲層為一化學氧化物或一熱氧化物。
一種裝置，其包含如請求項1至9中任一項之薄膜總成或依據請求項10至15中任一項所製造之薄膜總成。
一種電源轉換器，包括： <br/>一初級側模組，包括： <br/>一升壓單元，提供一前級電壓； <br/>一第一調節單元，耦接該升壓單元，該第一調節單元根據該前級電壓與一第一回授訊號輸出一第一分壓訊號； <br/>一轉換單元，接收該前級電壓並且輸出一輸出電壓；以及 <br/>一第一控制單元，耦接該升壓單元、該第一調節單元以及該轉換單元，該第一控制單元根據該第一分壓訊號控制該升壓單元以調節該前級電壓，並且根據一第二回授訊號控制該轉換單元以調節該輸出電壓；以及 <br/>一次級側模組，電性隔離該初級側模組，該次級側模組，包括： <br/>一第二調節單元，根據該輸出電壓與一第一控制訊號輸出一第二分壓訊號；其中該第二調節單元包括： <br/>一第二分壓電路，根據該輸出電壓輸出該第二分壓訊號；以及 <br/>一第二變壓電路，耦接該第二分壓電路，並且接收該第一控制訊號； <br/>一回授電路，根據該第一控制訊號提供該第一回授訊號； <br/>一偵測單元，根據該轉換單元的一輸出端的一負載狀態，以輸出一狀態電壓；以及 <br/>一第二控制單元，耦接該第二調節單元、該偵測單元以及該回授電路，該第二控制單元根據該狀態電壓與一參考電壓輸出該第一控制訊號，並且根據該第二分壓訊號輸出一第二控制訊號。
如請求項1所述之電源轉換器，其中該第一調節單元包括： <br/>一第一分壓電路，耦接該升壓單元，並且輸出該第一分壓訊號；以及 <br/>一第一變壓電路，耦接該第一分壓電路，並且接收該第一回授訊號。
如請求項2所述之電源轉換器，其中該第一分壓電路包括串聯的一第一電阻與一第二電阻；該第一電阻的一第一端耦接該升壓單元，該第二電阻的一第一端耦接該初級側模組的一接地端；該第一電阻的一第二端、該第二電阻的一第二端、該第一控制單元以及該第一變壓電路耦接，並且輸出該第一分壓訊號。
如請求項3所述之電源轉換器，其中該第一變壓電路包括： <br/>一第一變壓電阻，並聯該第一分壓電路；以及 <br/>一第一開關元件，該第一開關元件的一第一端耦接該第一電阻的該第二端與該第二電阻的該第二端；該第一開關元件的一第二端耦接該第一變壓電阻；該第一開關元件的一控制端耦接一第二耦合元件； <br/>其中，當該第一開關元件根據該第一回授訊號關斷時，該第一變壓電阻不連接該第一電阻或該第二電阻。
如請求項1所述之電源轉換器，其中該第二分壓電路包括串聯的一第三電阻與一第四電阻；該第三電阻的一第一端耦接該輸出端，該第四電阻的一第一端耦接該次級側模組的一接地端；該第三電阻的一第二端、該第四電阻的一第二端、該第二控制單元以及該第二變壓電路耦接，並且輸出該第二分壓訊號。
如請求項5所述之電源轉換器，其中該第二變壓電路包括： <br/>一第二變壓電阻，並聯該第二分壓電路；以及 <br/>一第二開關元件，該第二開關元件的一第一端耦接該第三電阻的該第二端與該第四電阻的該第二端；該第二開關元件的一第二端耦接該第二變壓電阻；該第二開關元件的一控制端用以接收該第一控制訊號； <br/>其中，當該第二開關元件根據該第一控制訊號關斷時，該第二變壓電阻不連接該第三電阻或該第四電阻。
如請求項4所述之電源轉換器，其中該回授電路包括： <br/>該第二耦合元件包括： <br/>一第二發射端，耦接該輸出端；以及 <br/>一第二接收端，耦接該第一開關元件的該控制端；以及 <br/>一第三開關元件，該第三開關元件的一控制端耦接該第二控制單元，並且接收該第一控制訊號以控制該第三開關元件的導通或關斷；該第三開關元件的一第一端耦接該次級側模組的一接地端；該第三開關元件的一第二端耦接該第二發射端； <br/>其中，當該第三開關元件關斷時，該第二發射端提供該第一回授訊號。
如請求項1所述之電源轉換器，更包括一第一耦合元件，包括： <br/>一第一發射端，耦接該次級側模組的該第二控制單元；以及 <br/>一第一接收端，耦接該初級側模組的該第一控制單元； <br/>其中該第一發射端根據該第二控制訊號提供該第二回授訊號至該第一接收端。
如請求項1所述之電源轉換器，其中該偵測單元包括一偵測元件，耦接該輸出端與該第二控制單元之間，該偵測元件用以偵測該輸出端的該負載狀態，以輸出該狀態電壓。
一種半導體元件結構，包括： <br/>一基板； <br/>一電晶體及一電阻，設置在該基板中； <br/>複數個隔離結構，設置在該基板中，其中該電晶體設置在該複數個隔離結構的其中一對之間，且該電阻設置在該複數個隔離結構的另一對之間； <br/>一介電層，設置在該基板之上；以及 <br/>一互連結構，設置在該電晶體及該電阻之上並且電性連接到該電晶體及該電阻， <br/>其中該電晶體包括： <br/>一閘極電極； <br/>複數個源極/汲極區，設置在該閘極電極的兩側；以及 <br/>該介電層的一第一部分，設置在該閘極電極與該基板之間。
如請求項1所述的半導體元件結構，其中該電阻包括： <br/>一電阻電極； <br/>一井區，設置在該電阻電極下方；以及 <br/>該介電層的一第二部分，設置在該電阻電極與該井區之間。
如請求項2所述的半導體元件結構，其中該複數個隔離結構的其中一者設置在該電晶體與該電阻之間，且該隔離結構距離該電阻比距離該電晶體更近。
如請求項3所述的半導體元件結構，其中該互連結構包括： <br/>複數個導電接觸，設置在該電晶體的相應的複數個源極/汲極區之上； <br/>複數個導電通孔，設置在該電阻的該電阻電極之上，並且電性連接到該電阻的該電阻電極；以及 <br/>複數個導電層，設置在該複數個導電接觸及該複數個導電通孔之上，並且電性連接到該電晶體的該複數個源極/汲極區及該電阻的該電阻電極。
如請求項4所述的半導體元件結構，其中該複數個導電接觸貫穿該介電層而進入該複數個源極/汲極區中。
如請求項5所述的半導體元件結構，其中該複數個導電接觸的每一者包括：一導電通孔，受到一阻障層圍繞。
如請求項6所述的半導體元件結構，其中該阻障層包括在相應的該複數個導電通孔的複數個側壁上的一第一厚度，以及在相應的該複數個導電通孔的複數個底表面下的一第二厚度。
如請求項7所述的半導體元件結構，其中該阻障層的該第一厚度小於該阻障層的該第二厚度。
如請求項6所述的半導體元件結構，還包括： <br/>一層間介電層，設置在該介電層與該複數個導電層之間，並且圍繞該互連結構的該複數個導電接觸及該複數個導電通孔。
一種半導體元件結構，包括： <br/>複數個源極/汲極區，設置在一基板中； <br/>一介電層，設置在該源極/汲極區之上；以及 <br/>一導電接觸貫穿該介電層而進入到該源極/汲極區中，其中該導電接觸包括： <br/>一導電通孔；以及 <br/>一阻障層，覆蓋該導電通孔的複數個側壁及一底表面， <br/>其中該阻障層在該導電通孔的該複數個側壁上的一第一厚度小於該阻障層在該導電通孔的該底表面下的一第二厚度。
如請求項10所述的半導體元件結構，還包括： <br/>一層間介電層，設置在該介電層之上，並且圍繞該導電接觸；以及 <br/>一導電層，設置在該層間介電層之上。
如請求項11所述的半導體元件結構，還包括： <br/>一隔離結構，設置在該基板中，以定義一第一主動區及一第二主動區；以及 <br/>一導電結構，設置在該基板中及該隔離結構之上。
如請求項12所述的半導體元件結構，還包括： <br/>一閘極電極，設置在該第一主動區中且位於該複數個源極/汲極區之間；以及 <br/>一電阻電極，設置在該第二主動區中的一井區中。
如請求項13所述的半導體元件結構，其中該閘極電極藉由該導電結構而電性連接到該電阻電極。
如請求項13所述的半導體元件結構，其中該介電層的一第一部分設置在該閘極電極與該基板之間，且該介電層的一第二部分設置在該電阻電極與該井區之間。
一種具靜音減震散熱之箱體結構，包含： <br/>一外箱體，具有一第一容置空間及一連通該第一容置空間的第一開口，該第一開口設有一外箱門，用於封閉該第一開口，該外箱體內面及該外箱門內面貼設有第一隔音棉； <br/>一內箱體，容置於該外箱體的第一容置空間內，該內箱體具有一第二容置空間及一連通該第二容置空間的第二開口，該第二開口設有一內箱門，用於封閉該第二開口，該內箱體內面及該內箱門內面貼設有第二隔音棉，該內箱體設有一第一穿孔及一第二穿孔； <br/>一第一減震墊，鋪設於該內箱體的第二容置空間底部； <br/>一風扇，安裝於該內箱體的第一穿孔上，用於將該第一容置空間內的空氣抽送至該第二容置空間；及 <br/>一消音器，安裝於該第一容置空間內，並通過該第二穿孔與該第二容置空間連通，用於將該第二容置空間內的空氣排放至該第一容置空間。
如請求項1所述之具靜音減震散熱之箱體結構，其另包含有一第二減震墊，該第二減震墊鋪設於該外箱體的第一容置空間底部，以支撐該內箱體並減少震動。
如請求項1所述之具靜音減震散熱之箱體結構，其中該外箱體底部設有複數腳輪，使得該外箱體能夠輕鬆進行移動。
如請求項1所述之具靜音減震散熱之箱體結構，其中該第一穿孔位於該內箱體一側，該第二穿孔位於該內箱體上方。
一種具靜音減震散熱之箱體結構，包含： <br/>一外箱體，具有一第一容置空間及一連通該第一容置空間的第一開口，該第一開口設有一外箱門，用於封閉該第一開口，該外箱體內面及該外箱門內面貼設有第一隔音棉，該外箱體設有一第三穿孔及一第四穿孔； <br/>一內箱體，容置於該外箱體的第一容置空間內，該內箱體具有一第二容置空間及一連通該第二容置空間的第二開口，該第二開口設有一內箱門，用於封閉該第二開口，該內箱體內面及該內箱門內面貼設有第二隔音棉，該內箱體設有一第一穿孔及一第二穿孔； <br/>一第一減震墊，鋪設於該內箱體的第二容置空間底部； <br/>一風扇，安裝於該內箱體的第一穿孔上； <br/>一第一消音器，安裝於該外箱體的外側，並通過該第三穿孔、該風扇及該第一穿孔與該第二容置空間連通，用於配合該風扇將該外箱體外側的空氣抽送至該第二容置空間；及 <br/>一第二消音器，安裝於該第一容置空間內，並通過該第二穿孔與該第二容置空間連通，及通過該第四穿孔與該外箱體的外側連通，用於將該第二容置空間內的空氣排放至該外箱體的外側。
如請求項5所述之具靜音減震散熱之箱體結構，其另包含有一第二減震墊，該第二減震墊鋪設於該外箱體的第一容置空間底部，以支撐該內箱體並減少震動。
如請求項5所述之具靜音減震散熱之箱體結構，其中該外箱體底部設有複數腳輪，使得該外箱體能夠輕鬆進行移動。
如請求項5所述之具靜音減震散熱之箱體結構，其中該第三穿孔位於該外箱體一側，該第四穿孔位於該外箱體上方。
如請求項5所述之具靜音減震散熱之箱體結構，其中該第一穿孔位於該內箱體一側，該第二穿孔位於該內箱體上方。
一種接收器，包含：<br/>一相位內插器，接收一輸入時脈，並對該輸入時脈施以相位內插以產生N個內插時脈訊號，其中N≥2，且每一該內插時脈訊號相對於該輸入時脈的一相位移是可調整的；<br/>一解碼器裝置，包括N個解碼器；<br/>該等N個解碼器的每一者連接該相位內插器以接收該等N個內插時脈訊號其中對應的一者；<br/>該等N個解碼器彼此協作以接收一呈脈波振幅調變(PAM)-M格式的饋入資料訊號，並彼此協作參考該等N個內插時脈訊號而將該等饋入資料訊號解多工為N個分別自該等解碼器提供的第一已解多工資料訊號，其中M≥3；<br/>該等N個解碼器的將其分別所提供的該第一已解多工資料訊號解多工為P個第二已解多工資料訊號，並分別解碼該等P個第二已解多工資料訊號為P個解碼訊號，其中P≥2，該等P個解碼訊號的每一者具有多個依序產生的樣本，該等樣本的每一者具有一資料部分，且該等P個解碼訊號中的至少一個的該等樣本中的每一者還具有一個誤差部分；<br/>一適應性控制器，電連接該解碼器裝置以接收一源自該等N個解碼器所產生的該等解碼訊號的解碼輸出，並電連接該相位內插器；<br/>根據該等解碼訊號，該適應性控制器產生該解碼輸出，並參考該等解碼訊號的一第一樣本的該資料部分及該誤差部分、該等解碼訊號的一在該第一樣本產生之前所產生的第二樣本的該資料部分，及該等解碼訊號的一在該第一樣本產生之後所產生的第三樣本的該資料部分而對該相位內插器施以適應性校正而調整該等內插時脈訊號的該等相位移；<br/>當表示該等解碼訊號的該第二樣本的該資料部分的一數位值之絕對值不等於表示該等解碼訊號的該第三樣本的該資料部分的一數位值之絕對值時，該適應性控制器調整該等N個內插時脈訊號的該等相位移而改變該等N個內插時脈訊號的相位。
如請求項1所述的接收器，其中，當滿足以下條件時，該適應性控制器調整該等N個內插時脈訊號的該等相位移以延遲該等內插時脈訊號的相位：<br/>表示該等解碼訊號的該第二樣本的該資料部分的該數位值之絕對值小於表示該等解碼訊號的該第三樣本的該資料部分的該數位值之絕對值、表示該等解碼訊號的該第一樣本的該資料部分的一數位值不大於表示該等解碼訊號的該第二樣本的該資料部分的該數位值且不小於表示該等解碼訊號的該第三樣本的該資料部分的該數位值，及表示該等解碼訊號的該第一樣本的該資料部分的該數位值為正。
如請求項1所述的接收器，其中，當滿足以下條件時，該適應性控制器調整該等N個內插時脈訊號的該等相位移以延遲該等內插時脈訊號的相位：<br/>表示該等解碼訊號的該第二樣本的該資料部分的該數位值之絕對值小於表示該等解碼訊號的該第三樣本的該資料部分的該數位值之絕對值、表示該等解碼訊號的該第一樣本的該資料部分的一數位值不小於表示該等解碼訊號的該第二樣本的該資料部分的該數位值且不大於表示該等解碼訊號的該第三樣本的該資料部分的該數位值，及表示該等解碼訊號的該第一樣本的該誤差部分的該數位值為負。
如請求項1所述的接收器，其中，當滿足以下條件時，該適應性控制器調整該等N個內插時脈訊號的該等相位移以提前該等內插時脈訊號的相位：<br/>表示該等解碼訊號的該第二樣本的該資料部分的該數位值之絕對值大於表示該等解碼訊號的該第三樣本的該資料部分的該數位值之絕對值、表示該等解碼訊號的該第一樣本的該資料部分的一數位值不大於表示該等解碼訊號的該第二樣本的該資料部分的該數位值且不小於表示該等解碼訊號的該第三樣本的該資料部分的該數位值，及表示該等解碼訊號的該第一樣本的該誤差部分的該數位值為負。
如請求項1所述的接收器，其中，當滿足以下條件時，該適應性控制器調整該等N個內插時脈訊號的該等相位移以提前該等內插時脈訊號的相位：<br/>表示該等解碼訊號的該第二樣本的該資料部分的該數位值之絕對值大於表示該等解碼訊號的該第三樣本的該資料部分的該數位值之絕對值、表示該等解碼訊號的該第一樣本的該資料部分的一數位值不小於表示該等解碼訊號的該第二樣本的該資料部分的該數位值且不大於表示該等解碼訊號的該第三樣本的該資料部分的該數位值，及表示該等解碼訊號的該第一樣本的該誤差部分的該數位值為正。
如請求項1所述的接收器，其中，當表示該等解碼訊號的該第二樣本的該資料部分的該數位值與表示該等解碼訊號的該第三樣本的該資料部分的該數位值具有相同數值大小及相反數值符號時，該適應性控制器調整該等N個內插時脈訊號的該等相位移而改變該等N個內插時脈訊號的相位。
如請求項6所述的接收器，其中，當滿足以下條件時，該適應性控制器調整該等N個內插時脈訊號的該等相位移以延遲該等內插時脈訊號的相位：<br/>表示該等解碼訊號的該第二樣本的該資料部分的該數位值以及表示該等解碼訊號的該第三樣本的該資料部分的該數位值具有相同數值大小及相反數值符號、表示該等解碼訊號的該第一樣本的該資料部分的一數位值不大於表示該等解碼訊號的該第二樣本的該資料部分的該數位值且不小於表示該等解碼訊號的該第三樣本的該資料部分的該數位值，及表示該等解碼訊號的該第一樣本的該誤差部分的該數位值為正。
如請求項6所述的接收器，其中，當滿足以下條件時，該適應性控制器調整該等N個內插時脈訊號的該等相位移以延遲該等內插時脈訊號的相位：<br/>表示該等解碼訊號的該第二樣本的該資料部分的該數位值以及表示該等解碼訊號的該第三樣本的該資料部分的該數位值具有相同數值大小及相反數值符號、表示該等解碼訊號的該第一樣本的該資料部分的一數位值不小於表示該等解碼訊號的該第二樣本的該資料部分的該數位值且不大於表示該等解碼訊號的該第三樣本的該資料部分的該數位值，及表示該等解碼訊號的該第一樣本的該誤差部分的該數位值為負。
如請求項6所述的接收器，其中，當滿足以下條件時，該適應性控制器調整該等N個內插時脈訊號的該等相位移以提前該等內插時脈訊號的相位：<br/>表示該等解碼訊號的該第二樣本的該資料部分的該數位值以及表示該等解碼訊號的該第三樣本的該資料部分的該數位值具有相同數值大小及相反數值符號、表示該等解碼訊號的該第一樣本的該資料部分的一數位值不大於表示該等解碼訊號的該第二樣本的該資料部分的該數位值且不小於表示該等解碼訊號的該第三樣本的該資料部分的該數位值，及表示該等解碼訊號的該第一樣本的該誤差部分的該數位值為負。
如請求項6所述的接收器，其中，當滿足以下條件時，該適應性控制器調整該等N個內插時脈訊號的該等相位移以提前該等內插時脈訊號的相位：<br/>表示該等解碼訊號的該第二樣本的該資料部分的該數位值以及表示該等解碼訊號的該第三樣本的該資料部分的該數位值具有相同數值大小及相反數值符號、表示該等解碼訊號的該第一樣本的該資料部分的一數位值不小於表示該等解碼訊號的該第二樣本的該資料部分的該數位值且不大於表示該等解碼訊號的該第三樣本的該資料部分的該數位值，及表示該等解碼訊號的該第一樣本的該誤差部分的該數位值為正。
一種資料接收方法，藉由一接收器執行，並包含以下步驟：<br/>(A)根據一時脈訊號將一輸入資料訊號解碼為一具有多個依序產生的樣本的解碼輸出，每一樣本具有一資料部分，且該等樣本的至少一些中的每一者具有一誤差部分；及<br/>(B)參考該解碼輸出的一第一樣本的該資料部分及該誤差部分、該解碼輸出的一在該第一樣本產生之前所產生的第二樣本的該資料部分，及該等解碼輸出的一在該第一樣本產生之後所產生的第三樣本的該資料部分而調整時脈訊號的相位；<br/>其中，在步驟(B)中，當表示該等解碼輸出的該第二樣本的該資料部分的一數位值之絕對值不等於表示該等解碼輸出的該第三樣本的該資料部分的一數位值之絕對值時，改變該時脈訊號的相位。
如請求項11所述的資料接收方法，其中，在步驟(B)中，當滿足以下條件時，該時脈訊號的相位將延遲：<br/>表示該等解碼輸出的該第二樣本的該資料部分的該數位值之絕對值小於表示該等解碼輸出的該第三樣本的該資料部分的該數位值之絕對值、表示該等解碼輸出的該第一樣本的該資料部分的一數位值不大於表示該等解碼輸出的該第二樣本的該資料部分的該數位值且不小於表示該等解碼輸出的該第三樣本的該資料部分的該數位值，及表示該等解碼輸出的該第一樣本的該誤差部分的該數位值為正。
如請求項11所述的資料接收方法，其中，在步驟(B)中，當滿足以下條件時，該時脈訊號的相位將延遲：<br/>表示該等解碼輸出的該第二樣本的該資料部分的該數位值之絕對值小於表示該等解碼輸出的該第三樣本的該資料部分的該數位值之絕對值、表示該等解碼輸出的該第一樣本的該資料部分的一數位值不小於表示該等解碼輸出的該第二樣本的該資料部分的該數位值且不大於表示該等解碼輸出的該第三樣本的該資料部分的該數位值，及表示該等解碼輸出的該第一樣本的該誤差部分的該數位值為負。
如請求項11所述的資料接收方法，其中，在步驟(B)中，當滿足以下條件時，該時脈訊號的相位將提前：<br/>表示該等解碼輸出的該第二樣本的該資料部分的該數位值之絕對值大於表示該等解碼輸出的該第三樣本的該資料部分的該數位值之絕對值、表示該等解碼輸出的該第一樣本的該資料部分的一數位值不大於表示該等解碼輸出的該第二樣本的該資料部分的該數位值且不小於表示該等解碼輸出的該第三樣本的該資料部分的該數位值，及表示該等解碼輸出的該第一樣本的該誤差部分的該數位值為負。
如請求項11所述的資料接收方法，其中，在步驟(B)中，當滿足以下條件時，該時脈訊號的相位將提前：<br/>表示該等解碼輸出的該第二樣本的該資料部分的該數位值之絕對值大於表示該等解碼輸出的該第三樣本的該資料部分的該數位值之絕對值、表示該等解碼輸出的該第一樣本的該資料部分的一數位值不小於表示該等解碼輸出的該第二樣本的該資料部分的該數位值且不大於表示該等解碼輸出的該第三樣本的該資料部分的該數位值，及表示該等解碼輸出的該第一樣本的該誤差部分的該數位值為正。
如請求項11所述的資料接收方法，其中，在步驟(B)中，當表示該等解碼輸出的該第二樣本的該資料部分的該數位值與表示該等解碼輸出的該第三樣本的該資料部分的該數位值具有相同數值大小及相反數值符號時，還會改變該時脈訊號的相位。
如請求項16所述的資料接收方法，其中，在步驟(B)中，當滿足以下條件時，該時脈訊號的相位將延遲：<br/>表示該等解碼輸出的該第二樣本的該資料部分的該數位值以及表示該等解碼輸出的該第三樣本的該資料部分的該數位值具有相同數值大小及相反數值符號、表示該等解碼輸出的該第一樣本的該資料部分的一數位值不大於表示該等解碼輸出的該第二樣本的該資料部分的該數位值且不小於表示該等解碼輸出的該第三樣本的該資料部分的該數位值，及表示該等解碼輸出的該第一樣本的該誤差部分的該數位值為正。
如請求項16所述的資料接收方法，其中，在步驟(B)中，當滿足以下條件時，該時脈訊號的相位將延遲：<br/>表示該等解碼輸出的該第二樣本的該資料部分的該數位值以及表示該等解碼輸出的該第三樣本的該資料部分的該數位值具有相同數值大小及相反數值符號、表示該等解碼輸出的該第一樣本的該資料部分的一數位值不小於表示該等解碼輸出的該第二樣本的該資料部分的該數位值且不大於表示該等解碼輸出的該第三樣本的該資料部分的該數位值，及表示該等解碼輸出的該第一樣本的該誤差部分的該數位值為負。
如請求項16所述的資料接收方法，其中，在步驟(B)中，當滿足以下條件時，該時脈訊號的相位將提前：<br/>表示該等解碼輸出的該第二樣本的該資料部分的該數位值以及表示該等解碼輸出的該第三樣本的該資料部分的該數位值具有相同數值大小及相反數值符號、表示該等解碼輸出的該第一樣本的該資料部分的一數位值不大於表示該等解碼輸出的該第二樣本的該資料部分的該數位值且不小於表示該等解碼輸出的該第三樣本的該資料部分的該數位值，及表示該等解碼輸出的該第一樣本的該誤差部分的該數位值為負。
如請求項16所述的資料接收方法，其中，在步驟(B)中，當滿足以下條件時，該時脈訊號的相位將提前：<br/>表示該等解碼輸出的該第二樣本的該資料部分的該數位值以及表示該等解碼輸出的該第三樣本的該資料部分的該數位值具有相同數值大小及相反數值符號、表示該等解碼輸出的該第一樣本的該資料部分的一數位值不小於表示該等解碼輸出的該第二樣本的該資料部分的該數位值且不大於表示該等解碼輸出的該第三樣本的該資料部分的該數位值，及表示該等解碼輸出的該第一樣本的該誤差部分的該數位值為正。
一種晶圓光學檢測設備，安裝在一機台中，該機台具有至少一製程區用以設置一批次晶圓，該晶圓光學檢測設備包含：<br/> 一影像捕捉裝置，包含一感光元件、一發光二極體光源以及一雷射光源，其中該發光二極體光源在該批次晶圓的邊緣產生反射特徵，該雷射光源在該批次晶圓的邊緣產生輪廓特徵，該感光元件擷取該批次晶圓的一晶圓影像、該反射特徵以及該輪廓特徵，以構成一晶圓組側面影像；以及<br/> 一影像辨識裝置，透過該晶圓組側面影像產生一晶圓組二維圖像，以及將一晶圓確認模板套用在該晶圓組二維圖像上，以辨識出該批次晶圓的晶圓數量以及晶圓位置。
如申請專利範圍第1項所述之晶圓光學檢測設備，其中該機台為酸槽機台且該製程區為一製程槽體，該酸槽機台具有至少一晶圓承載裝置以傳送該批次晶圓至各該製程槽體，每一該晶圓承載裝置係配置一對應的該影像捕捉裝置。
如申請專利範圍第1項所述之晶圓光學檢測設備，其中該影像捕捉裝置以斜角度擷取該批次晶圓的該晶圓組側面影像。
如申請專利範圍第1項所述之晶圓光學檢測設備，其中該影像辨識裝置具有一辨識軟體演算法並透過該辨識軟體演算法辨識出該批次晶圓的晶圓數量以及晶圓位置。
如申請專利範圍第2項所述之晶圓光學檢測設備，其中該酸槽機台具有一機械手臂在各個該製程槽體之間傳遞該批次晶圓，並且該機械手臂與該晶圓承載裝置在該製程槽體上方的一晶圓轉移位置轉移該批次晶圓，該影像捕捉裝置擷取該晶圓承載裝置位於該晶圓轉移位置時該批次晶圓的該晶圓影像。
如申請專利範圍第5項所述之晶圓光學檢測設備，其中該影像辨識裝置辨識之該晶圓位置為該批次晶圓所在之該晶圓承載裝置之槽位格。
如申請專利範圍第1項所述之晶圓光學檢測設備，更包含一可程式化邏輯控制模組控制該影像捕捉裝置與該影像辨識裝置之間的協同運作與資料傳輸。
一種晶圓光學檢測方法，包含：<br/> 在一機台中安裝一晶圓光學檢測設備，該機台具有至少一製程區用以設置一批次晶圓，該晶圓光學檢測設備包含：<br/> 一影像捕捉裝置，對應一該製程區且包含一感光元件、一發光二極體光源以及一雷射光源；以及<br/> 一影像辨識裝置；<br/> 透過該影像捕捉裝置定點擷取該批次晶圓的一晶圓組側面影像，並透過該影像辨識裝置使用該晶圓組側面影像產生一晶圓組二維圖像，其中該發光二極體光源在該批次晶圓的邊緣產生反射特徵，該雷射光源在該批次晶圓的邊緣產生輪廓特徵，該感光元件擷取該批次晶圓影像、該反射特徵以及該輪廓特徵以構成該晶圓組側面影像；以及<br/> 使用該影像辨識裝置將一晶圓確認模板套用在該晶圓組二維圖像上，以辨識出該批次晶圓的批次晶圓資料，該批次晶圓資料包含該批次晶圓的晶圓數量以及晶圓位置。
如申請專利範圍第8項所述之晶圓光學檢測方法，更包含在該影像辨識裝置辨識前進行一影像前處理，該影像前處理包含對關注區域中的該晶圓組側面影像進行解碼、轉換、增強、去噪、對比度調整或是邊緣檢測。
如申請專利範圍第8項所述之晶圓光學檢測方法，該影像辨識裝置辨識該批次晶圓資料的步驟包含對該晶圓組側面影像進行一向量偏差校正動作得出較為均勻一致的晶圓間距資料，並根據該晶圓間距資料產生該晶圓組二維圖像，該晶圓組二維圖像包含多個晶圓圖像。
如申請專利範圍第10項所述之晶圓光學檢測方法，該影像辨識裝置辨識該批次晶圓資料的步驟更包含將該晶圓確認模板套用在該晶圓組二維圖像上而構成一模板匹配資料，該晶圓確認模板包含複數個晶圓槽位，各該晶圓槽位包含一槽位編號以及靠近槽位底部與頂部的位置確認框，以及根據該模板匹配資料中該晶圓組二維圖像中的晶圓圖像是否與該位置確認框重疊來確認該晶圓位置是否異常。
如申請專利範圍第11項所述之晶圓光學檢測方法，其中該影像辨識裝置透過該模板匹配資料辨識出該批次晶圓當前的該批次晶圓資料。
如申請專利範圍第8項所述之晶圓光學檢測方法，更包含將該批次晶圓資料與一參考資料作比對而得出辨識結果，該參考資料來自於自動化系統派工資訊，每一批次資料皆為獨立樣本，包含該批次晶圓在完成前一製程或前一傳送動作時的該批次晶圓資料。
如申請專利範圍第8項所述之晶圓光學檢測方法，其中該機台為酸槽機台且該製程區為一製程槽體，該酸槽機台具有一機械手臂在各個該製程槽體之間傳遞該批次晶圓，且具有一晶圓承載裝置傳送該批次晶圓至該製程槽體，該機械手臂與該晶圓承載裝置在該製程槽體上方的一晶圓轉移位置轉移該批次晶圓，該影像捕捉裝置定點擷取該晶圓承載裝置位於該晶圓轉移位置時該批次晶圓的該晶圓組側面影像。
如申請專利範圍第14項所述之晶圓光學檢測方法，其中該批次晶圓資料中的該晶圓位置為晶圓所在之該晶圓承載裝置之槽位格。
一種具有改良的位元線接觸件的動態隨機存取記憶體，包含：<br/> 一基底，其上具有多個由淺溝槽隔離結構界定出的主動區；<br/> 一接觸孔，形成在每一該主動區上，該接觸孔凹入該主動區中且兩側為該淺溝槽隔離結構；<br/> 一位元線接觸件，位於該接觸孔中且與該主動區直接接觸，其中該位元線接觸件的部分側壁上具有一隔離氧化層，該隔離氧化層與該接觸孔兩側的該淺溝槽隔離結構之間有空隙存在，且該隔離氧化層從該空隙中露出；<br/> 一位元線，位於該些位元線接觸件上並與之連接；<br/> 一儲存節點接觸件，位於鄰近該位元線接觸件的另一該主動區上並與之直接接觸，其中該儲存節點接觸件與該位元線接觸件之間隔著該淺溝槽隔離結構、該空隙以及該隔離氧化層；<br/> 一填隙絕緣層，位於該位元線接觸件與該空隙之間；<br/> 一第一間隔壁，位於該位元線的側壁且位於該填隙絕緣層上方；以及<br/> 一儲存節點，位於每一該儲存節點接觸件上並與之連接。
如申請專利範圍第1項所述之具有改良的位元線接觸件的動態隨機存取記憶體，其中該位元線包含一多晶矽層、一金屬層以及一硬遮罩層，位於該接觸孔中的該多晶矽層的部分為該位元線接觸件，位於該接觸孔外的該多晶矽層的部分為該位元線。
如申請專利範圍第2項所述之具有改良的位元線接觸件的動態隨機存取記憶體，其中該金屬層的材料為鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)、鎢(W)或是其上材料組成之複層結構。
如申請專利範圍第2項所述之具有改良的位元線接觸件的動態隨機存取記憶體，其中該硬遮罩層的材料為氮化矽(Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>)。
如申請專利範圍第2項所述之具有改良的位元線接觸件的動態隨機存取記憶體，其中該位元線接觸件與該位元線為以該多晶矽層所一體成形者。
如申請專利範圍第1項所述之具有改良的位元線接觸件的動態隨機存取記憶體，其中該隔離氧化層的材料為氧化矽(SiO<sub>2</sub>)。
如申請專利範圍第1項所述之具有改良的位元線接觸件的動態隨機存取記憶體，其中該填隙絕緣層的材料為氮化矽(Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>)，該第一間隔壁的材料為氧化矽(SiO<sub>2</sub>)。
如申請專利範圍第1項所述之具有改良的位元線接觸件的動態隨機存取記憶體，更包含一第二間隔壁位於該第一間隔壁上，該第二間隔壁封住該空隙的頂部開口。
如申請專利範圍第8項所述之具有改良的位元線接觸件的動態隨機存取記憶體，其中該第二間隔壁的材料為氮化矽(Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>)。
一種氣霧耕植物栽培系統，包含： <br/>一結構架體，包括一底部； <br/>一旋轉基座，係設置於該底部上，包括一具有複數個固定單元之旋轉主動表面及一馬達，其中該馬達驅動該旋轉主動表面產生旋轉運動； <br/>一植栽塔，包括一具有一開口之上方端部、一具有一旋轉從動表面之下方端部及一具有複數個種植穴之塔壁，其中該塔壁位於該上方端部及該下方端部之間；以及 <br/>一第一噴霧管，係由該上方端部之該開口伸入至該塔壁之內； <br/>其中該旋轉主動表面係藉由該複數個固定單元傳遞該旋轉運動至該旋轉從動表面，從而該旋轉基座驅動該植栽塔一起旋轉。
如請求項1所述的氣霧耕植物栽培系統，另包含一防蟲網，係具有促進光合作用之一特定顏色，其中該結構架體包括一頂部及至少一側部，及該防蟲網覆蓋該頂部或該至少一側部。
如請求項1所述的氣霧耕植物栽培系統，其中該結構架體包括一第一側部、一與該第一側部相對之第二側部、一第三側部及一與該第三側部相對之第四側部，該第三側部及該第四側部分別與該第一側部及該第二側部相連接，又該第一側部、該第二側部及該第三側部允許該結構架體之外部的空氣進入。
如請求項3所述的氣霧耕植物栽培系統，其中該第一側部、該第二側部及該第三側部係分別設有可收折或可收捲之遮蔽屏幕。
如請求項1所述的氣霧耕植物栽培系統，另包含一液體輸送模組，其包括設有複數個第一噴頭之該第一噴霧管、一第一液體輸送管路、一第一液體槽、一設有複數個第二噴頭之第二液體輸送管路及一第二液體槽，其中該第一液體輸送管路將該第一液體槽內之一第一液體輸送至該第一噴霧管，該第二液體輸送管路將該第二液體槽內之一第二液體輸送至該複數個第二噴頭，又該複數個第二噴頭係在該塔壁之外噴灑該第二液體。
如請求項5所述的氣霧耕植物栽培系統，另包含一回收模組，其包括一具有一排水孔之集水槽及一回收管路，其中該回收管路係穿越過該旋轉基座與該排水孔相連通，其中該第一噴霧管朝向該塔壁噴灑該第一液體，及該集水槽接受落下之該第一液體，並由該回收管路輸送至該第一液體槽；其中該集水槽係設置於該植栽塔之下方端部及該旋轉基座之間，並與該複數個固定單元相互連接，而傳遞該旋轉運動至該旋轉從動表面。
如請求項5所述的氣霧耕植物栽培系統，另包含一脈衝裝置，係設置於該第一液體輸送管路之中。
如請求項5所述的氣霧耕植物栽培系統，另包含一微氣泡產生裝置或一臭氧產生裝置，其係產生富含溶氧的養液或富含臭氧的養液至該第一液體槽內之該第一液體中。
如請求項3所述的氣霧耕植物栽培系統，另包含一照明模組，其包括複數個LED燈具及一光感測器，其中該複數個LED燈具分別設置於該第一側部、該第二側部及該第三側部，又當該光感測器偵測日光照度低於一閾值，則啟動該複數個LED燈具。
如請求項1所述的氣霧耕植物栽培系統，另包含一太陽能板，其中該結構架體包括一容置該植栽塔之栽培區及一與該栽培區隔開之機電設備區，該太陽能板設置於該機電設備區之上方，產生電能以供應該機電設備區所需之電力。
一種元件結構，包含：<br/> 一底部電極，被一下介電層環繞；<br/> 一介電層，設置在該底部電極上方；<br/> 一頂部電極，設置在該介電層上方；<br/> 一垂直成形電壓處理區域，在該元件結構之一外部區域中，該外部區域包含該底部電極、該介電層及該頂部電極的側邊區域；以及<br/> 一成形有效區域，在該元件結構之一內部區域中，該成形有效區域與該元件結構的一側邊分隔，且靠近該介電層與該頂部電極之間的一邊界，該成形有效區域配置以使該元件結構在與一第一資料狀態相關的一高電阻狀態與一第二資料狀態相關的一低電阻狀態之間進行一可逆轉變。
如請求項1所述之元件結構，其中該垂直成形電壓處理區域延伸進入該元件結構一距離，該距離大於該元件結構的一半徑的10%且小於該元件結構的該半徑的90%。
如請求項1所述之元件結構，其中該垂直成形電壓處理區域已暴露於一熱處理，該熱處理配置以導致該成形有效區域的一橫向尺寸縮小。
一種元件結構形成方法，包含：<br/> 藉由沉積一薄膜形成一元件結構，該元件結構包含由一下介電層環繞的一底部電極、設置在該底部電極上方的一介電層、設置在該介電層上方的一頂部電極以及設置在該頂部電極上方的一上絕緣體；以及<br/> 對該元件結構的側邊區域進行一垂直處理，該垂直處理包含一熱處理，該熱處理配置以使該元件結構中靠近該介電層與該頂部電極之間一邊界的一成形有效區域的一直徑縮小；<br/> 其中該成形有效區域配置以使該元件結構在與一第一資料狀態相關的一高電阻狀態與一第二資料狀態相關的一低電阻狀態之間進行一可逆轉變。
如請求項4所述之元件結構形成方法，其中該成形有效區域包含比位於該介電層與該頂部電極之間的該邊界附近且在該成形有效區域之外的一氧化侵蝕區還高的一氧離子濃度。
如請求項4所述之元件結構形成方法，其中該成形有效區域包含比位於該介電層與該頂部電極之間的該邊界附近且在該成形有效區域之外的一氧化侵蝕區還高的一氧空位濃度。
一種記憶體陣列，包含：<br/> 多個記憶體單元，該些記憶體單元的每一者包含由一下介電層環繞的一底部電極、設置在該底部電極上方的一介電層、設置在該介電層上方的一頂部電極以及設置在該頂部電極上方的一上絕緣體；以及<br/> 一垂直成形電壓處理區域，位於該些記憶體單元的一外部區域中，該外部區域包含該些記憶體單元中的該底部電極、該介電層、該頂部電極及該上絕緣體的側邊區域； <br/> 其中該垂直成形電壓處理區域已暴露於一熱處理，該熱處理配置以導致該些記憶體單元中的一成形有效區域的一側向尺寸的一縮小，該成形有效區域配置以導致該些記憶體單元在與一第一資料狀態相關聯的一高電阻狀態與一第二資料狀態相關聯的一低電阻狀態之間發生一可逆轉變。
如請求項7所述之記憶體陣列，其中該成形有效區域包含比位於該介電層與該頂部電極之間的一邊界附近且位於該成形有效區域之外的一氧化侵蝕區還高的一氧離子濃度。
如請求項7所述之記憶體陣列，其中該成形有效區域包含比位於該介電層與該頂部電極之間的一邊界附近且位於該成形有效區域之外的一氧化侵蝕區還高的一氧空位濃度。
如請求項7所述之記憶體陣列，其中該些記憶體單元進一步包含在該成形有效區域外且靠近該介電層與該頂部電極之間的一邊界的一氧化侵蝕區，其中該氧化侵蝕區缺乏氧離子與氧空位。
一種動力工具，包括驅動部分和馬達，其中所述馬達具有適於驅動所述驅動部分的馬達軸，所述驅動部分適於接合工件，所述動力工具包括： <br/>齒輪組件，其可操作地聯接至所述馬達軸和所述驅動部分，並且適於將所述馬達軸的旋轉運動傳遞到所述驅動部分；以及 <br/>鎖定機構，其適於防止所述馬達軸、所述齒輪組件和所述驅動部分中的至少一者旋轉，以允許利用所述動力工具對所述工件進行手動扭矩施加。
如請求項1所述的動力工具，其中，所述馬達是無刷馬達，並且所述鎖定機構包括鎖定按鈕，其中當所述鎖定按鈕被致動時，所有高側開關元件或所有低側開關元件處於導通狀態，以防止所述馬達軸旋轉，從而允許手動扭矩施加。
如請求項1所述的動力工具，其中，所述鎖定機構包括電動關斷制動器。
如請求項3所述的動力工具，其中，所述電動關斷制動器可操作地聯接至所述馬達軸，其中當向所述馬達提供動力時，所述電動關斷制動器允許所述馬達軸旋轉，並且當未向所述馬達提供動力時，所述電動關斷制動器防止所述馬達軸旋轉，以允許手動扭矩施加。
如請求項4所述的動力工具，其中，當未向所述馬達提供動力時，所述電動關斷制動器以機械方式夾緊所述馬達軸，以防止所述馬達軸旋轉，從而允許手動扭矩施加。
如請求項1所述的動力工具，其中，所述鎖定機構包括板，所述板能夠在鎖定位置與解鎖位置之間移動，其中當所述板處於所述鎖定位置時，所述板防止所述馬達軸旋轉，以允許手動扭矩施加，並且當所述板處於所述解鎖位置時，所述板允許所述馬達軸旋轉。
如請求項6所述的動力工具，其中，所述鎖定機構包括偏置構件，所述偏置構件適於將所述板偏置到所述解鎖位置。
如請求項6所述的動力工具，其中，所述板包括第一孔部分和第二孔部分，並且當所述板處於所述解鎖位置時，所述馬達軸的六角形部分設置在所述第一孔部分中，並且所述板允許所述馬達軸旋轉；並且當所述板處於所述鎖定位置時，所述馬達軸的所述六角形部分設置在所述第二孔部分中，並且所述板防止所述馬達軸旋轉，以允許手動扭矩施加。
如請求項1所述的動力工具，其中，所述鎖定機構包括能夠在鎖定位置與解鎖位置之間移動的鎖定杆，其中當所述鎖定杆處於所述鎖定位置時，所述鎖定杆防止所述馬達軸旋轉，以允許手動扭矩施加；並且當所述鎖定杆處於所述解鎖位置時，所述鎖定杆允許所述馬達軸旋轉。
如請求項1所述的動力工具，其中，所述鎖定機構包括楔塊式離合器。
如請求項1所述的動力工具，進一步包括扳機，當所述扳機被致動時，使得向所述馬達提供動力，以使所述馬達軸旋轉。
如請求項11所述的動力工具，其中，所述扳機是能夠在第一切換方向和第二切換方向上致動的切換扳機。
如請求項12所述的動力工具，其中，當在所述第一切換方向上致動所述切換扳機時，所述馬達使所述馬達軸在第一旋轉方向上旋轉；並且當在所述第二切換方向上致動所述切換扳機時，所述馬達使所述馬達軸在第二旋轉方向上旋轉。
如請求項10所述的動力工具，其中，所述楔塊式離合器設置在所述馬達軸與所述齒輪組件之間。
一種動力工具，包括驅動部分和馬達，所述馬達具有適於驅動所述驅動部分的馬達軸，所述動力工具包括： <br/>齒輪組件，其可操作地聯接至所述馬達軸和所述驅動部分，並且適於將所述馬達軸的旋轉運動傳遞到所述驅動部分，其中所述齒輪組件包括聯接至所述馬達軸的蝸輪和與所述蝸輪嚙合地接合的正齒輪，並且當通過所述驅動部分進行手動扭矩施加時，所述正齒輪不能使所述蝸輪旋轉。
如請求項15所述的動力工具，進一步包括扳機，當所述扳機被致動時，使得向所述馬達提供動力，以使所述馬達軸旋轉，從而使所述驅動部分旋轉。
如請求項16所述的動力工具，其中，所述扳機是能夠選擇性地在第一切換方向和第二切換方向上致動的切換扳機。
如請求項17所述的動力工具，其中，當在所述第一切換方向上致動所述切換扳機時，所述馬達使所述馬達軸在第一旋轉方向上旋轉；並且當在所述第二切換方向上致動所述切換扳機時，所述馬達使所述馬達軸在第二旋轉方向上旋轉。
如請求項16所述的動力工具，其中，所述馬達是無刷馬達。
如請求項19所述的動力工具，進一步包括馬達控制電子器件，所述馬達控制電子器件可操作地聯接至所述馬達和所述扳機，並且適於控制所述馬達的操作。
一種用於校準一電感耦合電漿(ICP，inductively-coupled plasma)分析儀器之系統，其包含： <br/>一遠端取樣系統，其經組態以收集一液體樣本及準備該液體樣本用於傳送至一液體樣本傳送線； <br/>一ICP光譜測定儀器(spectrometry instrument)，其經組態以經由該液體樣本傳送線自該遠端取樣系統接收該樣本並判定該所接收樣本中的一第一樣本矩陣中之一所關注的化學物種(species)之一濃度；及 <br/>一控制器，其可操作地耦接至該ICP光譜測定儀器且經組態以： <br/>基於藉由該ICP光譜測定儀器對該第一樣本矩陣中之該所關注的化學物種之不同濃度之一分析而產生一初級(primary)校準曲線， <br/>基於藉由該ICP光譜測定儀器對一第二樣本矩陣中之該所關注的化學物種之不同濃度之一分析而產生一次級校準曲線， <br/>判定使該次級校準曲線與該初級校準曲線相關聯的一矩陣校正因子，其中該初級校準曲線具有一初級曲線斜率且該次級校準曲線具有一第二曲線斜率，及 <br/>基於藉由該ICP光譜測定儀器對該第二樣本矩陣中之該所關注的化學物種之不同濃度之週期性分析而更新該初級校準曲線。
如請求項1之系統，其中該ICP光譜測定儀器安置於一第一位置處且該遠端取樣系統安置於一第二位置處，該第一位置遠離該第二位置。
如請求項1之系統，其中該第二樣本矩陣與該第一樣本矩陣相比相對更多回應於該ICP光譜測定儀器處的衰減(attenuation)及漂移中之至少一者。
如請求項1之系統，其中該遠端取樣系統經組態以準備該液體樣本用於經由稀釋劑(diluent)、內標物(internal standard)、或載劑(carrier)之額外至少一者傳送至一液體樣本傳送線。
一種校準一電感耦合電漿(ICP)分析儀器之方法，其包含： <br/>收集一液體樣本； <br/>經由一液體樣本傳送線將該液體樣本傳送至一ICP光譜測定儀器； <br/>基於藉由該ICP光譜測定儀器對具有一第一樣本矩陣之一所關注的化學物種的一第一標準溶液之一分析而產生一初級校準曲線； <br/>基於藉由該ICP光譜測定儀器對具有一第二樣本矩陣之該所關注的化學物種之一第二標準溶液之一分析而產生一次級校準曲線； <br/>判定該次級校準曲線之一矩陣校正因子以使該次級校準曲線與該初級校準曲線相關聯； <br/>基於藉由該ICP光譜測定儀器對該第一樣本矩陣中之該所關注的化學物種之不同濃度之週期性分析而更新該初級校準曲線；及 <br/>至少基於該矩陣校正因子判定該液體樣本中之該所關注的化學物種之一數量。
如請求項5之方法，其中產生該初級校準曲線包含基於藉由該ICP光譜測定儀器對一第一樣本矩陣中之所關注之該化學物種的不同濃度之一分析產生該初級校準曲線。
如請求項5之方法，其中產生該次級校準曲線包含基於藉由該ICP光譜測定儀器對該第二樣本矩陣中之該所關注的化學物種的不同濃度之一分析產生該次級校準曲線。
如請求項5之方法，其中相較於該第二樣本矩陣，該第一樣本矩陣相對地更能回應於該ICP光譜測定儀器處的衰減及漂移中之至少一者。
一種用於校準一電感耦合電漿(ICP)分析儀器之系統，其包含： <br/>一遠端取樣系統，其經組態以收集一液體樣本及準備該液體樣本用於傳送至一液體樣本傳送線； <br/>一ICP光譜測定儀器，其經組態以經由該液體樣本傳送線自該遠端取樣系統接收該樣本並判定該所接收樣本中的一第一樣本矩陣中之一所關注的化學物種之一濃度； <br/>一處理器，其經組態而以通信方式耦接至該ICP光譜測定儀器，其經組態以接收該液體樣本並判定該所接收樣本中的一第一樣本矩陣中之一所關注的化學物種之一濃度；及 <br/>至少一個記憶體，其包含電腦程式碼，該至少一個記憶體及該電腦程式碼經組態以與該處理器一起使得該處理器或該ICP光譜測定儀器中之至少一者執行以下操作： <br/>基於藉由該ICP光譜測定儀器對該第一樣本矩陣中之該所關注的化學物種之不同濃度之一分析產生一初級校準曲線， <br/>基於藉由該ICP光譜測定儀器對一第二樣本矩陣中之該所關注的化學物種之不同濃度之一分析產生一次級校準曲線，及 <br/>判定使該次級校準曲線與該初級校準曲線相關聯的一矩陣校正因子。
如請求項9之系統，其中該處理器進一步使得該ICP光譜測定儀器基於藉由該ICP光譜測定儀器對一第一樣本矩陣中之該所關注的化學物種的不同濃度之一分析產生該初級校準曲線。
如請求項9之系統，其中該處理器進一步使得該ICP光譜測定儀器基於藉由該ICP光譜測定儀器對該第二樣本矩陣中之該所關注的化學物種的不同濃度之一分析產生該次級校準曲線。
如請求項9之系統，其中相較於該第二樣本矩陣，該第一樣本矩陣相對地更能回應於該ICP光譜測定儀器處的衰減及漂移中之至少一者。
如請求項9之系統，其中該處理器進一步使得該ICP光譜測定儀器基於藉由該ICP光譜測定儀器對該第一樣本矩陣中之該所關注的化學物種之不同濃度之週期性分析而更新該初級校準曲線。
如請求項9之系統，其中該處理器進一步使得該ICP光譜測定儀器藉由將該次級校準曲線之一斜率除以該初級校準曲線之一斜率而判定該矩陣校正因子。
一種半導體記憶裝置，其具備： 第1積層膜，其係將複數個第1導電層與複數個第1絕緣層於第1方向上一層一層地交替積層而成，且於與上述第1方向交叉之第2方向、及與上述第1方向及上述第2方向交叉之第3方向上延伸； 第1芯絕緣膜，其於上述第1方向上貫通上述第1積層膜，且包含氧化物； 第2芯絕緣膜，其設置於上述第1芯絕緣膜之周圍，於上述第1方向上貫通上述第1積層膜，且包含氮化物； 第3芯絕緣膜，其設置於上述第2芯絕緣膜之周圍，於上述第1方向上貫通上述第1積層膜，且包含氧化物； 第1通道半導體膜，其設置於上述第3芯絕緣膜之周圍，且於上述第1方向上貫通上述第1積層膜； 第1隧道絕緣膜，其設置於上述第1通道半導體膜之周圍，且於上述第1方向上貫通上述第1積層膜； 第1電荷儲存膜，其設置於上述第1隧道絕緣膜之周圍，且於上述第1方向上貫通上述第1積層膜； 第2積層膜，其係將複數個第2導電層與複數個第2絕緣層於上述第1方向上一層一層地交替積層而成，且於上述第2方向及上述第3方向上延伸； 第4芯絕緣膜，其於上述第1方向上貫通上述第2積層膜，且包含氧化物； 第2通道半導體膜，設置於上述第4芯絕緣膜之周圍，且於上述第1方向上貫通上述第1積層膜； 第2隧道絕緣膜，其設置於上述第2通道半導體膜之周圍，且於上述第1方向上貫通上述第2積層膜；及 第2電荷儲存膜，其設置於上述第2隧道絕緣膜之周圍，且於上述第1方向上貫通上述第2積層膜。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中 上述第1積層膜與上述第2積層膜於上述第1方向上並排設置， 上述第1通道半導體膜電性連接於上述第2通道半導體膜。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中 上述第1積層膜與上述第2積層膜於上述第2方向上並排設置。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中 上述第1電荷儲存膜之設置於上述第1導電層與上述第1通道半導體膜之間之部分作為能夠記憶第1資料之第1記憶胞而發揮功能， 上述第2電荷儲存膜之設置於上述第2導電層與上述第2通道半導體膜之間之部分作為能夠記憶具有較上述第1資料少之位元數之第2資料之第2記憶胞而發揮功能。
一種具有連接件的IC封裝結構，包括：<br/> 一導線架；<br/> 一晶粒，接合至該導線架； <br/> 多個連接件，接合至該導線架；<br/> 一模封件，位於該導線架上，其中該模封件包覆該晶粒與該連接件；<br/> 一金屬層，位於該模封件上，其中每個該連接件的一端與該金屬層電性連接；<br/> 一溝槽，延伸穿過該金屬層至該模封件並將該金屬層分成多個端點區；以及<br/> 一電子元件，安裝在該金屬層上。
如申請專利範圍第1項所述之具有連接件的IC封裝結構，其中該些連接件為導線。
如申請專利範圍第1項所述之具有連接件的IC封裝結構，其中該些連接件為導電柱。
如申請專利範圍第1項所述之具有連接件的IC封裝結構，還包括在該模封件上的每個該些連接件周圍形成一凹孔，其中該金屬層包括形成在每個該凹孔中且圍繞每個該連接件的該端的延伸部。
如申請專利範圍第1項所述之具有連接件的IC封裝結構，其中該電子元件與兩個該端點區電性接合。
如申請專利範圍第1項所述之具有連接件的IC封裝結構，其中該電子元件為電感器、電容器、電阻器、二極體、電晶體、連接器、發光二極體、感測器、或是微動開關。
如申請專利範圍第1項所述之具有連接件的IC封裝結構，還包括一個其他的連接件耦接於該晶粒與該金屬層間。
如申請專利範圍第1項所述之具有連接件的IC封裝結構，其中該晶粒透過接線接合到該導線架。
如申請專利範圍第1項所述之具有連接件的IC封裝結構，其中該晶粒是覆晶晶粒並透過錫球、銅柱、微凸塊、或是導電黏合劑接合到該導線架。
如申請專利範圍第1項所述之具有連接件的IC封裝結構，其中該IC封裝結構是四方扁平無引線封裝結構。
一種具有連接件的IC封裝結構的製造方法，包括：<br/> 提供一具有多個晶粒墊的導線架；<br/> 將一晶粒黏附到該導線架的每個該晶粒墊上；<br/> 將該晶粒電性接合至該導線架；<br/> 形成多個電性接合至該導線架的連接件；<br/> 在形成該些連接件之後，在該導線架上形成一模封件，其中該模封件包覆該晶粒以及該些連接件；<br/> 在該模封件上形成一金屬層，其中每個該連接件的一端與該金屬層電性連接；<br/> 形成一溝槽，該溝槽延伸穿過該金屬層至該模封件並將該金屬層分成多個端點區；以及<br/> 將一電子元件安裝在該金屬層上。
如申請專利範圍第11項所述之具有連接件的IC封裝結構的製造方法，其中該晶粒過打線接合接合至該導線架。
如申請專利範圍第11項所述之具有連接件的IC封裝結構的製造方法，其中該晶粒透過使用錫球、銅柱、微凸塊、或是導電黏合劑的覆晶製程接合至該導線架。
如申請專利範圍第11項所述之具有連接件的IC封裝結構的製造方法，還包括在每個該連接件周圍的該模封件上形成一凹孔，其中該金屬層包括一延伸部形成在每個該凹孔中並圍繞每個該連接件的該端。
如申請專利範圍第14項所述之具有連接件的IC封裝結構的製造方法，其中該凹孔透過雷射鑽孔形成。
如申請專利範圍第11項所述之具有連接件的IC封裝結構的製造方法，其中該溝槽透過雷射切割或是刀片切割形成。
如申請專利範圍第11項所述之具有連接件的IC封裝結構的製造方法，其中該電子元件透過表面黏著技術安裝在該金屬層上。
如申請專利範圍第17項所述之具有連接件的IC封裝結構的製造方法，其中該金屬層透過濺射、電鍍、塗覆或是貼帶方式形成在該模封件的該頂面上。
一種具有連接件的IC封裝結構，包括：<br/> 一導線架；<br/> 一晶粒，接合至該導線架； <br/> 多個連接件，接合至該導線架；<br/> 一模封件，位於該導線架上，其中該模封件包覆該晶粒與該連接件；<br/> 一金屬層，位於該模封件上，其中每個該連接件的一端與該金屬層電性連接，且該模封件上的每個該些連接件周圍形成有一凹孔，該金屬層包括形成在每個該凹孔中且圍繞每個該連接件的該端的延伸部；以及<br/> 一電子元件，安裝在該金屬層上。
如申請專利範圍第19項所述之具有連接件的IC封裝結構，其中該晶粒透過接線接合到該導線架。
一種液冷交換系統，包含：<br/> 一殼體，具有數個分隔件，該數個分隔件將該殼體內分隔為數個液冷交換裝置容置槽；及<br/> 至少一液冷交換裝置，可拆裝地位於該液冷交換裝置容置槽，該至少一液冷交換裝置連接一管件組，該管件組具有數個管件，各該管件由一端至另一端具有數個徑段連接形成，各該徑段具有單一徑寬，任二徑段的徑寬為不同，該數個徑段的徑寬由小至大排列，各該管件分別具有數個對接口，該數個對接口的數量對應於該液冷交換裝置容置槽的數量，該數個徑段中的各徑段具有一個對接口，以分別對應一個液冷交換裝置容置槽。
如請求項1之液冷交換系統，其中，該殼體具有一下端板、一上端板以及二側板以圍繞形成該數個液冷交換裝置容置槽。
如請求項2之液冷交換系統，其中，該數個分隔件由該下端板朝該上端板依序間隔設置，以使該數個液冷交換裝置容置槽於該下端板至該上端板的方向成垂直並列。
如請求項1之液冷交換系統，其中，該殼體具有一置入口，該置入口連通該數個液冷交換裝置容置槽。
如請求項4之液冷交換系統，其中，該殼體具有一連接口，該連接口連通該數個液冷交換裝置容置槽。
如請求項5之液冷交換系統，其中，該殼體具有至少一門片可開閉的位於該置入口或該連接口。
如請求項1之液冷交換系統，其中，該至少一液冷交換裝置具有一熱源輸出口、一熱源回流口、一水源回送口及一水源接收口，該管件組分別連接該熱源輸出口、該熱源回流口、該水源回送口及該水源接收口。
如請求項7之液冷交換系統，其中，該管件組包含一熱源輸出管連接該至少一液冷交換裝置的熱源輸出口，一熱源回流管連接該至少一液冷交換裝置的該熱源回流口，一水源回送管連接該至少一液冷交換裝置的水源回送口，以及一水源接收管連接該至少一液冷交換裝置的水源接收口。
一種光學透鏡，其包括：<br/>多層膜結構，係包括多個交替堆疊的高折射率層、中折射率層及低折射率層，該高折射率層的折射率為2至4，該中折射率層的折射率為1.6至1.9，該低折射率層的折射率為1.3至1.5，該中折射率層的層數占該多層膜結構總層數的15%至25%；以及<br/>基板，係具有沿厚度方向對應之第一側和第二側，供該多層膜結構設置在該第一側；<br/>其中，該光學透鏡對從該第二側入射的入射角為0°且波長範圍在430nm至630nm的第一入射光的反射率小於5%，該光學透鏡對從該第一側入射的入射角為55°且波長範圍在430nm至630nm的第二入射光S偏振光的反射率為30%至40%，該光學透鏡對從該第一側入射的入射角為55°且波長範圍在430nm至630nm的第二入射光P偏振光的反射率為30%至40%，且該第二入射光S偏振光與該第二入射光P偏振光的反射率差值小於或等於5%。
如請求項1所述的光學透鏡，其中，該光學透鏡對從該第一側入射的入射角為55°且波長範圍在430nm至630nm的第二入射光S偏振光的反射率為35%至38%，該光學透鏡對從該第一側入射的入射角為55°且波長範圍在430nm至630nm的第二入射光P偏振光的反射率為33%至34%。
如請求項1所述的光學透鏡，其中，該光學透鏡對從該第一側入射的入射角為60°且波長範圍在430nm至630nm的第三入射光S偏振光的反射率為45%至55%，該光學透鏡對從該第一側入射的入射角為60°且波長範圍在430nm至630nm的第三入射光P偏振光的反射率為45%：55%，且該第三入射光S偏振光與該第三入射光P偏振光的反射率差值小於或等於5%。
如請求項3所述的光學透鏡，其中，該第三入射光S偏振光與該第三入射光P偏振光的反射率差值小於或等於3%。
如請求項1所述的光學透鏡，其中，該第二入射光S偏振光與該第二入射光P偏振光的反射率差值小於或等於2%。
如請求項1所述的光學透鏡，其中，該多層膜結構的總層數為60層時，該中折射率層的層數為10至15層。
如請求項1所述的光學透鏡，其中，該高折射率層的層數與該低折射率層的層數相等，或者該高折射率層的層數與該低折射率層的層數相差一層。
如請求項1所述的光學透鏡，其中，在該多層膜結構中，該高折射率層與該低折射率層相鄰設置，或者該高折射率層與該低折射率層之間夾設有該中折射率層。
如請求項1所述的光學透鏡，其中，該多層膜結構中最接近該第一側者為該中折射率層，及/或該多層膜結構中最遠離該第一側者為該中折射率層。
如請求項1所述的光學透鏡，其中，該中折射率層在該多層膜結構中係均勻地分佈。
如請求項1所述的光學透鏡，其中，該高折射率層的材料為TiO<sub>2</sub>、Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>、Ti<sub>3</sub>O<sub>5</sub>、Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>及Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>中的一種。
如請求項1所述的光學透鏡，其中，該中折射率層的材料為Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>及MgO中的一種。
如請求項1所述的光學透鏡，其中，該低折射率層的材料為MgF<sub>2</sub>及SiO<sub>2</sub>的一種。
如請求項1所述的光學透鏡，其中，該多層膜結構的厚度小於或等於4μm，及/或該基板的厚度小於或等於0.5mm。
如請求項1所述的光學透鏡，其中，該基板的折射率為1.52至1.9，及/或該基板的材料為無色透明玻璃、磷酸鹽藍玻璃、鑭系玻璃及熱塑性聚合物中的一種。
一種可穿戴設備，包括鏡框、設置於該鏡框上的如請求項1至15中任一項所述的光學透鏡及設置於該鏡框上的光源發射裝置，其中，該光學透鏡用於與該光源發射裝置配合，以產生一虛擬影像。
一種離子植入系統，包括： <br/>離子源，用於產生離子束； <br/>終端站，設置以容納在一植入製程期間用來接收所述離子束的基底； <br/>束線，用於在所述離子源以及所述終端站之間使所述離子束加速和/或減速；以及 <br/>至少一電漿腔室，與所述離子源分開且通訊耦合所述終端站，其中所述至少一電漿腔室被設置以容納並處理所述基底，以在所述基底上產生摻雜劑層， <br/>其中所述離子植入系統被配置以在一真空環境下在所述終端站以及所述至少一電漿腔室之間傳送所述基底。
如請求項1所述的離子植入系統，其中所述至少一電漿腔室包括第一電漿源，所述第一電漿源被配置以執行一電漿清潔操作，所述電漿清潔操作從所述基底的一表面移除天然氧化物，在所述電漿清潔操作之後利用氫鈍化來對所述基底的所述表面進行最終處理。
如請求項1所述的離子植入系統，其中所述至少一電漿腔室包括第二電漿源，所述第二電漿源被配置以在所述植入製程前產生包含摻雜劑元素的摻雜劑物種，並且當所述基底處於室溫與攝氏100度之間的基底溫度下時將所述摻雜劑物種引導至所述基底的一表面，其中所述摻雜劑層形成在所述基底上。
如請求項3所述的離子植入系統，其中所述摻雜劑層在所述植入製程之前包括1奈米至7奈米的厚度，且其中離子物種的植入範圍大於所述摻雜劑層在所述植入製程之前的所述厚度。
如請求項1所述的離子植入系統，其中所述離子植入系統被配置以執行一植入循環，所述植入循環利用所述終端站以及所述至少一電漿腔室，所述植入循環包括電漿清潔、對所述摻雜劑層的沈積以及所述植入製程，其中所述植入循環被重複進行一或多次以將目標摻雜劑水準植入至所述基底中。
如請求項2所述的離子植入系統，其中所述離子植入系統被配置以藉由以下步驟來完成所述電漿清潔操作： <br/>在所述至少一電漿腔室中產生氫物種；以及 <br/>當所述基底處於室溫與攝氏100度之間的清潔溫度下時將所述氫物種引導至所述基底的所述表面。
如請求項3所述的離子植入系統，其中所述摻雜劑物種包括含硼物種或含磷物種。
如請求項3所述的離子植入系統，其中所述摻雜劑物種包括含硼物種或含磷物種，且所述摻雜劑物種包含自若干電子伏至100電子伏的能量。
如請求項1所述的離子植入系統，其中所述至少一電漿腔室包括電漿清潔腔室以及電漿摻雜腔室，所述電漿清潔腔室以及所述電漿摻雜腔室分開，且所述離子植入系統被配置以在所述真空環境下在所述終端站、所述電漿清潔腔室以及所述電漿摻雜腔室之間傳送所述基底。
如請求項1所述的離子植入系統，其中所述離子源以及第二電漿源被配置以產生相同的摻雜劑物種。
一種離子植入設備，包括： <br/>電漿清潔腔室，被配置以在基底上執行電漿清潔操作； <br/>電漿摻雜腔室，被配置以在所述電漿清潔操作之後在所述基底上執行摻雜劑層的沈積； <br/>離子源，用於產生離子物種以植入所述基底；以及 <br/>終端站，設置以容納在所述摻雜劑層的所述沈積之後的一植入製程期間用來接收所述離子物種的所述基底， <br/>其中所述離子植入設備被配置以在一真空環境下依序在所述電漿清潔腔室、所述電漿摻雜腔室以及所述終端站之間傳送所述基底。
如請求項11所述的離子植入設備，其中在所述電漿清潔操作之後利用氫鈍化來對所述基底的一表面進行最終處理。
如請求項11所述的離子植入設備，其中所述電漿摻雜腔室包括電漿源，所述電漿源被配置以在所述植入製程之前產生產生包含摻雜劑元素的摻雜劑物種，並且當所述基底處於室溫與攝氏100度之間的基底溫度下時將所述摻雜劑物種引導至所述基底的一表面，其中摻雜層形成在所述基底上。
如請求項13所述的離子植入設備，其中所述摻雜劑層在所述植入製程之前包括1奈米至7奈米的厚度，且其中所述離子物種的植入範圍大於所述摻雜劑層在所述植入製程之前的所述厚度。
如請求項11所述的離子植入設備，其中所述離子植入設備被配置以執行一植入循環，所述植入循環利用所述終端站、所述電漿清潔腔室以及所述電漿摻雜腔室，所述植入循環包括電漿清潔、所述摻雜劑層的所述沈積、以及所述植入製程，其中所述植入循環被重複進行一或多次以將目標摻雜劑水準植入至所述基底中。
如請求項12所述的離子植入設備，其中所述離子植入設備被配置以藉由以下步驟來完成所述電漿清潔操作： <br/>在所述電漿清潔腔室中產生氫物種；以及 <br/>當所述基底處於室溫與攝氏100度之間的清潔溫度下時將所述氫物種引導至所述基底的所述表面。
如請求項13所述的離子植入設備，其中所述摻雜劑物種包括含硼物種或含磷物種。
如請求項13所述的離子植入設備，其中所述摻雜劑物種包括含硼物種或含磷物種，且所述摻雜劑物種包含自若干電子伏至100電子伏的能量。
如請求項11所述的離子植入設備，其中所述離子源以及第二電漿源被配置以產生相同的摻雜劑物種。
一種板卡偵測方法，用於偵測插入一主機板上的一連接器之一待偵測板卡是否為一目標支援卡，並藉由設置於該主機板之一邏輯裝置實施，該邏輯裝置包含一控制模組及一時脈產生單元，該主機板還安裝有一開關裝置並提供一第一電源電壓，且該控制模組包括一第一偵測電路、一第二偵測電路及一邏輯單元；該板卡偵測方法包含：<br/> (A) 該時脈產生單元輸出一第一時脈訊號至該控制模組，且該時脈產生單元根據該第一時脈訊號輸出一第二時脈訊號至該主機板的一第一輸入輸出接腳；<br/> (B)該控制模組透過該主機板的一第二輸入輸出接腳接收一待偵測訊號；<br/> (C)該控制模組判斷該待偵測訊號是否匹配於該第一時脈訊號，其中，係藉由該第一偵測電路來偵測該待偵測訊號在由該第一時脈訊號所界定出之正緣是否存在一第一邏輯值，且藉由該第二偵測電路來偵測該待偵測訊號在由該第一時脈訊號所界定出之負緣是否存在一第二邏輯值，當該第一偵測電路偵測出該待偵測訊號存在該第一邏輯值時，輸出的一第一訊號為該第一邏輯值，當該第一偵測電路偵測出該待偵測訊號不存在該第一邏輯值時，輸出的該第一訊號為該第二邏輯值，當該第二偵測電路偵測出該待偵測訊號存在該第二邏輯值時，輸出的一第二訊號為該第一邏輯值，當該第二偵測電路偵測出該待偵測訊號不存在該第二邏輯值時，輸出的該第二訊號為該第二邏輯值；及<br/> (D)該控制模組在判定出該待偵測訊號匹配該第一時脈訊號後，判定該待偵測板卡為該目標支援卡並輸出一輸出訊號至該開關裝置，其中，該邏輯單元接收該第一偵測電路輸出的該第一訊號及該第二偵測電路輸出的該第二訊號，並輸出該輸出訊號至該開關裝置，當該第一訊號處於該第一邏輯值且該第二訊號處於該第一邏輯值時，該開關裝置導通該第一電源電壓對該待偵測板卡供電；<br/> 該開關裝置包括接收該輸出訊號的一控制端、接收該第一電源電壓的一第一端、及電連接一第三輸入輸出接腳的一第二端，當該第一訊號處於該第一邏輯值且該第二訊號處於該第一邏輯值時，該開關裝置的該第一端及該第二端導通，使得該第一電源電壓對該待偵測板卡供電。
如請求項1所述的板卡偵測方法，其中，當該目標支援卡插入該主機板時，該第一輸入輸出接腳及該第二輸入輸出接腳電性相連。
如請求項1所述的板卡偵測方法，該主機板還安裝有一警示裝置，在步驟(C)中，該邏輯單元還將該輸出訊號輸出至該警示裝置，當該第一偵測電路輸出處於該第二邏輯值的該第一訊號，或該第二偵測電路輸出處於該第二邏輯值的該第二訊號時，該開關裝置截止該第一電源電壓對該待偵測板卡供電，且該警示裝置根據該輸出訊號輸出一異常警示通知。
如請求項1所述的板卡偵測方法，還包含在步驟(C)之前的：<br/> (E) 該控制模組根據該待偵測訊號判斷該主機板與該待偵測板卡是否處於連接狀態；<br/> (F)當該控制模組判斷出該主機板與該待偵測板卡處於連接狀態時，步驟(C)被執行。
如請求項4所述的板卡偵測方法，其中，在步驟(E)中，當該控制模組判斷該待偵測訊號有出現電壓準位的變化時，判斷該主機板與該待偵測板卡是處於連接狀態。
一種板卡偵測方法，用於偵測插入一主機板上的一連接器之一待偵測板卡是否為一目標支援卡，並藉由設置於該主機板之一邏輯裝置實施，該邏輯裝置包含一第一控制模組、一時脈產生單元、多個第二控制模組及一電連接該等第二控制模組的偵測模組；該板卡偵測方法包含：<br/> (A) 該時脈產生單元輸出一第一時脈訊號至該第一控制模組、及該等第二控制模組，且該時脈產生單元根據該第一時脈訊號輸出一第二時脈訊號至該主機板的一第一輸入輸出接腳；<br/> (B)該主機板的多個識別接腳分別接收來自該連接器的多個輸入訊號，且該第一控制模組接收一對應該等輸入訊號的待偵測訊號；<br/> (C)該第一控制模組判斷該待偵測訊號是否匹配於該第一時脈訊號； <br/> (D)該第一控制模組在判定出該待偵測訊號匹配該第一時脈訊號後，判定該待偵測板卡為該目標支援卡；<br/> (E) 該等第二控制模組分別接收該等輸入訊號，且對於每一該輸入訊號，該第二控制模組對該輸入訊號進行一還原處理以獲得一對應該輸入訊號的還原訊號；及<br/> (F)該偵測模組根據該等還原訊號以決定該目標支援卡的類型。
如請求項1所述的板卡偵測方法，其中，當該目標支援卡插入該主機板時，該第一輸入輸出接腳及該等識別接腳至少一者電性相連。
如請求項1所述的板卡偵測方法，該主機板還安裝有一開關裝置並提供一第一電源電壓，且該第一控制模組包括一第一偵測電路、一第二偵測電路及一第一邏輯單元，其中：<br/> 在步驟(C)中，係藉由該第一偵測電路根據該第一時脈訊號之正緣觸發對該待偵測訊號進行一第一邏輯值的取樣，且藉由該第二偵測電路根據該第一時脈訊號之負緣觸發對該待偵測訊號進行一第二邏輯值的取樣，當該第一偵測電路的取樣結果符合該第一邏輯值，輸出的一第一訊號為該第一邏輯值，當該第一偵測電路的取樣結果不符合該第一邏輯值，輸出的該第一訊號為該第二邏輯值，當該第二偵測電路的取樣結果符合該第二邏輯值，輸出的一第二訊號為該第一邏輯值，當該第二偵測電路的取樣結果不符合該第二邏輯值，輸出的該第二訊號為該第二邏輯值；且<br/> 在步驟(D)中，該第一邏輯單元接收該第一偵測電路輸出的該第一訊號及該第二偵測電路輸出的該第二訊號，並輸出一輸出訊號至該開關裝置，當該第一訊號處於該第一邏輯值且該第二訊號處於該第一邏輯值時，該開關裝置導通該第一電源電壓對該待偵測板卡供電；<br/> 該開關裝置包括接收該輸出訊號的一控制端、接收該第一電源電壓的一第一端、及電連接一第二輸入輸出接腳的一第二端，當該第一訊號處於該第一邏輯值且該第二訊號處於該第一邏輯值時，該第一端及該第二端導通，使得該第一電源電壓對該待偵測板卡供電。
如請求項1所述的板卡偵測方法，每一第二控制模組包括一第三偵測電路、一第四偵測電路及一第二邏輯單元；其中，步驟(E)包括以下子步驟：<br/> (E-1)：對於每一輸入訊號，藉由該第三偵測電路根據該第一時脈訊號之正緣觸發對該輸入訊號進行一第一邏輯值的取樣，且藉由該第四偵測電路根據該第一時脈訊號之負緣觸發對該輸入訊號進行一第二邏輯值的取樣，當該第三偵測電路的取樣結果符合該第一邏輯值，輸出的一第三訊號為該第一邏輯值，當該第三偵測電路的取樣結果不符合該第一邏輯值，輸出的該第三訊號為該第二邏輯值，當該第四偵測電路的取樣結果符合該第二邏輯值，輸出的一第四訊號為該第一邏輯值，當該第四偵測電路的取樣結果不符合該第二邏輯值，輸出的該第四訊號為該第二邏輯值；<br/> (E-2)：對於每一輸入訊號，該第二邏輯單元接收該第三偵測電路輸出的該第三訊號及該第四偵測電路輸出的該第四訊號並輸出該還原訊號。
如請求項1所述的板卡偵測方法，還包含在步驟(C)之前的：<br/> (G) 該第一控制模組根據該待偵測訊號判斷該主機板與該待偵測板卡是否處於連接狀態；<br/> (H)當該第一控制模組判斷出該主機板與該待偵測板卡處於連接狀態時，步驟(C)被執行。
如請求項5所述的板卡偵測方法，其中，在步驟(G)中，當該第一控制模組判斷該待偵測訊號有出現電壓準位的變化時，判斷該主機板與該待偵測板卡是處於連接狀態。
一種記憶體裝置，其係具有接合面者，且具備：<br/>基板，其具有排列於第1方向之第1區域與第2區域；<br/>第1電路層，其設置於上述基板與上述接合面之間，包含CMOS電路；及<br/>第2電路層，其設置於上述接合面之上方；且<br/>上述第2電路層具有：記憶胞陣列，其包含：積層體，其包含於上述第1區域內於與上述第1方向交叉之第2方向上交替積層之第1絕緣體層及第1導電體層；及複數個第1柱，其等於上述第2方向上貫通上述積層體，且於上述積層體之上方與源極線電性連接；且包含：至少1個第1接點，其具有於上述第2區域內設置成與上述積層體相同高度之部分，且電性連接於上述CMOS電路；<br/>上述源極線包含：第2導電體層，其具有於上述第1區域內覆蓋上述記憶胞陣列所含之上述複數個第1柱之各者之上部而設置之部分、及於上述第2區域內覆蓋上述至少1個第1接點之上部而設置之部分；上述第2導電體層將上述複數個第1柱與上述至少1個第1接點之間電性連接，上述第2導電體層之表面於上述複數個第1柱與上述至少1個第1接點之至少一者之上方設置成非平面狀。
如請求項1之記憶體裝置，其中<br/>上述積層體進而包含：第1半導體層，其設置於最上層之第1導電體層與上述第2導電體層之間，作為上述源極線之一部分發揮功能；上述第2導電體層具有於上述第2區域內沿上述第1半導體層之側面設置之部分。
如請求項1之記憶體裝置，其中<br/>上述複數個第1柱分別包含於上述第2方向延伸而設置之第2半導體層，上述源極線進而包含：第3半導體層，其設置於上述積層體與上述第2導電體層之間，且具有沿上述複數個第1柱之各者之上部之部分；上述第3半導體層與上述複數個第1柱之各者之上述第2半導體層相接。
如請求項3之記憶體裝置，其中<br/>上述第2導電體層具有於上述第2區域內沿上述第3半導體層之側面設置之部分。
如請求項3之記憶體裝置，其中<br/>上述第2導電體層與上述至少1個第1接點相接。
如請求項1之記憶體裝置，其進而具備：<br/>配線層，其設置於上述第2電路層之上方；<br/>上述配線層包含：第3導電體層，其經由上述第2電路層電性連接於上述CMOS電路，且具有與上述至少1個第1接點於上述第2方向上重疊之部分。
如請求項6之記憶體裝置，其中<br/>上述第2導電體層不與設置於上述第3導電體層之高度之導電體層電性連接。
如請求項6之記憶體裝置，其中<br/>上述第3導電體層具有至少一部分與上述至少1個第1接點於上述第2方向上重疊之焊墊部。
如請求項1之記憶體裝置，其中<br/>上述複數個第1柱分別包含於上述第2方向延伸而設置之第2半導體層，上述第2導電體層與上述複數個第1柱之各者之上述第2半導體層相接。
如請求項9之記憶體裝置，其中<br/>上述第2半導體層之雜質濃度係與上述第2導電體層相接之部分高於與上述第1導電體層於上述第1方向上對向之部分。
如請求項1之記憶體裝置，其中<br/>上述第1區域包含排列於與上述第1方向及上述第2方向之各者交叉之第3方向之第3區域、及第4區域；<br/>上述第2電路層於上述第3區域內包含上述複數個第1柱；<br/>上述第2電路層進而包含：複數個柱狀構件，其等於上述第4區域內，於上述第2方向上貫通上述積層體，且具有於上述積層體之上方設置成與上述第2導電體層相同高度之部分；第2接點，其連接於上述第1導電體層，且電性連接於上述CMOS電路；及第4半導體層，其覆蓋上述複數個柱狀構件之各者之上述部分而設置。
如請求項11之記憶體裝置，其中<br/>上述第2電路層進而包含設置於上述第4半導體層上之第2絕緣體層；上述第2導電體層具有設置於上述第2絕緣體層之上方之部分。
如請求項1之記憶體裝置，其中<br/>上述第2導電體層包含鎢(W)或鋁(Al)。
一種記憶體裝置，其係具有接合面者，且具備：<br/>基板，其具有排列於第1方向之第1區域與第2區域；<br/>第1電路層，其設置於上述基板與上述接合面之間，包含CMOS電路；及<br/>第2電路層，其設置於上述接合面之上方；且<br/>上述第2電路層具有：記憶胞陣列，其包含：積層體，其包含於上述第1區域內於與上述第1方向交叉之第2方向上交替積層之第1絕緣體層及第1導電體層；及複數個第1柱，其等於上述第2方向上貫通上述積層體，且於上述積層體之上方與源極線電性連接；且包含：至少1個第1接點，其具有於上述第2區域內設置成與上述積層體相同高度之部分，且電性連接於上述CMOS電路；<br/>上述第1區域包含排列於與上述第1方向及上述第2方向之各者交叉之第3方向之第3區域、及第4區域；<br/>上述第2電路層於上述第3區域內包含上述複數個第1柱，上述源極線於上述第3區域內包含至少具有覆蓋上述複數個第1柱之各者之上部而設置之部分之第2導電體層，上述複數個第1柱與上述至少1個第1接點之間至少經由上述第2導電體層電性連接；<br/>上述第2電路層進而包含：複數個柱狀構件，其等於上述第4區域內，於上述第2方向上貫通上述積層體，且具有於上述積層體之上方設置成與上述第2導電體層相同高度之部分；第2接點，其連接於上述第1導電體層，且電性連接於上述CMOS電路；及半導體層，其覆蓋上述複數個柱狀構件之各者之上述部分而設置；<br/>上述第3區域分成以於上述第3方向上隔著上述第4區域之方式配置之第5區域及第6區域而設置；<br/>上述第2導電體層中，設置於上述第5區域之部分、與設置於上述第6區域之部分之間經由於上述第4區域內設置於上述半導體層之上方之上述第2導電體層之部分連續設置。
如請求項14之記憶體裝置，其進而具備：<br/>配線層，其設置於上述第2電路層之上方；<br/>上述第2電路層進而包含：至少1個第3接點，其具有於上述第2區域內設置成與上述積層體相同高度之部分，且電性連接於上述CMOS電路；<br/>上述配線層包含：第3導電體層，其具有：第1部分，其經由上述至少1個第3接點電性連接於上述CMOS電路，且與上述至少1個第3接點於上述第2方向上重疊；及第2部分，其於上述第4區域內與上述第2導電體層分離且於上述第2方向上與上述第2導電體層重疊；<br/>上述第3導電體層之上述第2部分之上表面之高度高於上述第3導電體層之上述第1部分之上表面之高度。
一種記憶體裝置，其係具有接合面者，且具備：<br/>基板，其具有排列於第1方向之第1區域與第2區域；<br/>第1電路層，其設置於上述基板與上述接合面之間，包含CMOS電路；及<br/>第2電路層，其設置於上述接合面之上方；且<br/>上述第2電路層包含：積層體，其包含於上述第1區域內於與上述第1方向交叉之第2方向上交替積層之第1絕緣體層及第1導電體層；複數個第1柱，其等於上述第1區域內，於上述第2方向上貫通上述積層體，且於上述積層體之上方與源極線電性連接；位元線，其於上述第1區域內設置於上述積層體之下方，電性連接於上述複數個第1柱中之一個；第2導電體層，其於上述第1區域內設置於上述位元線與上述接合面之間；第3及第4導電體層，其等於上述第2區域內設置成與上述第2導電體層相同高度，且互相分開配置；第5導電體層，其於上述第2區域內設置成與上述源極線相同高度；以及第1及第2接點，其等具有於上述第2區域內設置成與上述積層體相同高度之部分；<br/>上述第3導電體層經由上述第1接點，電性連接於上述第5導電體層；<br/>上述第4導電體層經由上述第2接點，電性連接於上述第5導電體層；<br/>上述第5導電體層經由上述第2接點及上述第4導電體層，電性連接於上述CMOS電路，不經由上述第1接點及上述第3導電體層電性連接於上述CMOS電路。
如請求項16之記憶體裝置，其中<br/>上述第3導電體層設置成網狀。
如請求項16之記憶體裝置，其中<br/>上述第2電路層包含：至少1個第3接點，其具有於上述第2區域內設置成與上述積層體相同高度之部分，且電性連接於上述CMOS電路；<br/>上述源極線包含：第6導電體層，其具有於上述第1區域內覆蓋上述複數個第1柱之各者之上部而設置之部分、及於上述第2區域內覆蓋上述至少1個第3接點之上部而設置之部分；上述第6導電體層將上述複數個第1柱與上述至少1個第3接點之間電性連接，上述第6導電體層之表面於上述複數個第1柱與上述至少1個第3接點之至少一者之上方設置成非平面狀。
如請求項16之記憶體裝置，其進而具備：<br/>第7導電體層，其於上述第2接點之上方，設置於上述第5導電體層上；及<br/>第8導電體層，其於上述第1接點之上方，與上述第7導電體層相同之高度且與上述第7導電體層分開設置；且<br/>上述第7導電體層與上述第8導電體層作為不同電位之電源線使用。
如請求項16之記憶體裝置，其中<br/>上述第5導電體層包含鎢(W)或鋁(Al)。
一種尺寸評估系統，其適於與一檢測儀器電性連接，該檢測儀器係檢查一目標物並產生一即時影像，該尺寸評估系統包含：<br/> 一運算裝置，訊號連接該檢測儀器，並內建有一異常偵測模型、一三維特徵預測模型以及一特徵追蹤預測模型，該運算裝置接收該即時影像，該異常偵測模型偵測該即時影像上之一異常特徵，以於該異常特徵周圍標示一選擇框，並取得一位置資訊，該三維特徵預測模型根據該即時影像及該位置資訊計算該異常特徵之一尺寸，該特徵追蹤預測模型確認該即時影像中之每一當前畫面偵測到的該異常特徵與一前一畫面偵測到的該異常特徵為相同時，對同一該異常特徵之所有該尺寸進行數學統計，並在該運算裝置收到一畫面靜止訊號時，產生該異常特徵對應之該尺寸的一數學統計結果；以及<br/> 一顯示裝置，電性連接該運算裝置，該顯示裝置用以顯示該即時影像、該選擇框及該數學統計結果，<br/> 其中該畫面靜止訊號係由該檢測儀器受觸發所產生者。
如請求項1所述之尺寸評估系統，其中該三維特徵預測模型更包含一深度預測模型及一尺寸預測模型，該深度預測模型根據該即時影像及該位置資訊估算距離該異常特徵之一深度，且該尺寸預測模型根據該位置資訊及該深度計算該異常特徵之該尺寸。
如請求項1所述之尺寸評估系統，其中該檢測儀器係為一內視鏡系統。
如請求項1所述之尺寸評估系統，其中該數學統計係為一平均數（Mean）、一算術平均數（Arithmetic Mean）、一幾何平均數（Geometric Mean）、一調和平均數（Harmonic Mean）、一加權平均數（Weighted Mean）、一截尾平均數（Trimmed Mean）、一中位數（Median）、一眾數（Mode）或一百分位數（Percentiles）。
如請求項1所述之尺寸評估系統，其中該特徵追蹤預測模型在進行追蹤預測之步驟更包含：<br/> 對應該即時影像上之每一該異常特徵創建一識別碼；<br/> 透過卡爾曼濾波預測該異常特徵於該當前畫面的一預測框；<br/> 通過該異常偵測模型獲得該前一畫面的該選擇框；以及<br/> 計算該選擇框及該預測框的交聯比（Intersection Over Union，IOU），使用一匈牙利演算法匹配該交聯比，並在該交聯比匹配成功時，表示該選擇框及該預測框匹配成功，對該異常特徵之所有該尺寸進行數學統計。
如請求項5所述之尺寸評估系統，其中該交聯比匹配不成功時，該異常特徵未匹配成功或是該選擇框未匹配成功。
如請求項1所述之尺寸評估系統，其中該異常特徵包含該目標物之增生組織或病變組織。
一種尺寸評估方法，其適於一檢測儀器檢查一目標物所產生之一即時影像，該尺寸評估方法包含：<br/> 接收該即時影像，並偵測該即時影像上之一異常特徵，以便於該異常特徵周圍標示一選擇框，並取得一位置資訊；<br/> 根據該即時影像及該位置資訊計算該異常特徵之一尺寸；<br/> 確認該即時影像中之每一當前畫面偵測到的該異常特徵與一前一畫面偵測到的該異常特徵為相同時，對同一該異常特徵之所有該尺寸進行數學統計；<br/> 在收到一畫面靜止訊號時，產生該異常特徵對應之該尺寸的一數學統計結果；以及<br/> 顯示該即時影像、該選擇框及該數學統計結果，<br/> 其中該畫面靜止訊號係由該檢測儀器受觸發所產生者。
如請求項8所述之尺寸評估方法，其中該檢測儀器係為一內視鏡系統。
如請求項8所述之尺寸評估方法，其中該異常特徵係由一異常偵測模型進行偵測並進行選擇框標示。
如請求項8所述之尺寸評估方法，其中該尺寸係由一三維特徵預測模型所產生者。
如請求項11所述之尺寸評估方法，其中該三維特徵預測模型更包含一深度預測模型及一尺寸預測模型，該深度預測模型根據該即時影像及該位置資訊估算距離該異常特徵之一深度，且該尺寸預測模型根據該位置資訊及該深度計算該異常特徵之該尺寸。
如請求項8所述之尺寸評估方法，其中該數學統計係為一平均數（Mean）、一算術平均數（Arithmetic Mean）、一幾何平均數（Geometric Mean）、一調和平均數（Harmonic Mean）、一加權平均數（Weighted Mean）、一截尾平均數（Trimmed Mean）、一中位數（Median）、一眾數（Mode）或一百分位數（Percentiles）。
如請求項8所述之尺寸評估方法，其中確認該異常特徵是否相同之步驟係由一特徵追蹤預測模型執行，並對同一該異常特徵之所有該尺寸進行數學統計。
如請求項14所述之尺寸評估方法，其中該特徵追蹤預測模型在進行追蹤預測之步驟更包含：<br/> 對應該即時影像上之每一該異常特徵創建一識別碼；<br/> 透過卡爾曼濾波預測該異常特徵於該當前畫面的一預測框；<br/> 通過異常偵測獲得該前一畫面的該選擇框；以及<br/> 計算該選擇框及該預測框的交聯比（Intersection Over Union，IOU），使用一匈牙利演算法匹配該交聯比，並在該交聯比匹配成功時，表示該選擇框及該預測框匹配成功，對該異常特徵之所有該尺寸進行數學統計。
如請求項15所述之尺寸評估方法，其中該交聯比匹配不成功時，該異常特徵未匹配成功或是該選擇框未匹配成功。
如請求項8所述之尺寸評估方法，其中該異常特徵係包含該目標物之增生組織或病變組織。
一種智慧裝置的狀態通知方法，運用於一伺服器及複數智慧裝置，該智慧裝置的狀態通知方法包含以下步驟： <br/>(A) 該伺服器根據一設定規則資訊，分別輸出相關於該設定規則資訊的複數設定信號至該等智慧裝置，該設定規則資訊至少相關於每一該智慧裝置於狀態變化時所要通知的另一該智慧裝置，及另一該智慧裝置要進行的一預定動作的資訊； <br/>(B) 任一該智慧裝置於狀態變化時，根據該設定規則資訊輸出一通知信號至所對應的另一該智慧裝置；及 <br/>(C) 任一該智慧裝置於接收到該通知信號時，根據該設定規則資訊執行該預定動作。
如請求項1所述的智慧裝置的狀態通知方法，其中，於步驟(B)中，該智慧裝置透過Wi-Fi、藍牙或紫蜂技術輸出該通知信號至所對應的另一該智慧裝置。
如請求項1所述的智慧裝置的狀態通知方法，其中，於步驟(B)中，該智慧裝置輸出該通知信號至所對應的另一該智慧裝置的路徑不經過該伺服器。
如請求項1所述的智慧裝置的狀態通知方法，還包含一設定電子裝置，該設定電子裝置連線至該伺服器，並用以輸出該設定規則資訊至該伺服器。
如請求項1所述的智慧裝置的狀態通知方法，其中，該設定規則資訊還相關於每一該智慧裝置的一通知規則之資訊，該通知規則相關於對應之該智慧裝置的其中一種狀態變化。
如請求項1所述的智慧裝置的狀態通知方法，其中，該設定規則資訊還相關於每一該智慧裝置的一持續時間及一顯示內容之資訊，該持續時間相關於持續該預定動作的時間，該顯示內容相關於該預定動作所輸出之文字、語音或亮光之資訊。
如請求項1所述的智慧裝置的狀態通知方法，其中，於步驟(C)中，該預定動作為發出亮光或聲音。
一種感測電池之狀態之電子裝置，其包括： <br/>一處理器； <br/>至少一個熱電元件，其利用該電池產生之熱來產生電動勢； <br/>至少一個感測器，其可測量該電池之該狀態；及 <br/>至少一個電源供給部，其經組態以將自該至少一個熱電元件產生之電動勢轉換為具有該處理器之一額定電壓之直流電源； <br/>該處理器經組態以： <br/>響應於自該至少一個電源供給部供給具有該處理器之該額定電壓之直流電源，以測量該電池之該狀態之方式控制上述至少一個感測器。
如請求項1之感測電池之狀態之電子裝置，其中該電池之該狀態包含該電池之一表面溫度或該電池之一周邊溫度之至少一者，且 <br/>其中該處理器經組態以： <br/>將與該電池之一溫度相關之資訊傳輸至一伺服器裝置，該溫度係藉由該至少一個感測器測得。
如請求項1之感測電池之狀態之電子裝置，其進而包括： <br/>一殼體，其經組構以提供一內部空間， <br/>其中該處理器、該至少一個熱電元件、該至少一個感測器及該至少一個電源供給部配置於該殼體之該內部空間；且 <br/>其中該至少一個熱電元件之一個面及該至少一個感測器之一部分經組構以經由該殼體之一正面露出。
如請求項3之感測電池之狀態之電子裝置，其中至少一個孔形成於該殼體之該正面，且 <br/>其中該至少一個熱電元件之該一個面及該至少一個感測器之該部分經組構而經由該至少一個孔露出。
如請求項3之感測電池之狀態之電子裝置，其中於該殼體之該內部空間中填充一耐熱材料。
如請求項1之感測電池之狀態之電子裝置，其進一步包括： <br/>一附著構件，其經組構以使該電子裝置附著至該電池； <br/>其中當該附著構件使該電子裝置附著至該電池，該至少一個熱電元件之一個面經組構而與該電池的一個區域接觸。
如請求項1之感測電池之狀態之電子裝置，其進而包括： <br/>一隔熱膜，其配置於該至少一個熱電元件之一個面及該電池之一個區域之間。
如請求項7之感測電池之狀態之電子裝置，其中配置於該至少一個熱電元件之該一個面及該電池之該一個區域之間之該隔熱膜經組構以隔絕該電池產生之熱，以使得該至少一個熱電元件之該一個面之一溫度保持於一預定溫度以下。
如請求項1之感測電池之狀態之電子裝置，其中該處理器經組態以： <br/>控制該至少一個感測器以週期性地測量該電池之該狀態。
如請求項1之感測電池之狀態之電子裝置，其中該處理器經組態以： <br/>判斷該電池是否完全燒毀；及 <br/>響應於判斷該電池未完全燒毀，以測量該電池之該狀態之方式控制該至少一個感測器。
如請求項1之感測電池之狀態之電子裝置，其進一步包括： <br/>一記憶體， <br/>其中該處理器經組態以： <br/>自包含該電池之一外部自動化設備接收該外部自動化設備之資訊； <br/>將該外部自動化設備之資訊儲存於該記憶體；及 <br/>將與藉由該至少一個感測器而測得之該電池之該狀態相關之資訊及該外部自動化設備之資訊傳輸至一伺服器裝置。
如請求項11之感測電池之狀態之電子裝置，其中該外部自動化設備之資訊包括該外部自動化設備之一當前位置、及包含於該外部自動化設備中之該電池之資訊。
如請求項1之感測電池之狀態之電子裝置，其進而包括： <br/>一電池管理模組，其係與該電池及該處理器連接並經組態以監控該電池之該狀態， <br/>其中該處理器經組態以： <br/>自該電池獲得電源； <br/>響應於自該電池正常地供給該電源，以監控該電池之該狀態之方式控制該電池管理模組，及 <br/>響應於未自該電池正常地供給該電源，而是自該至少一個電源供給部供給具有該處理器之該額定電壓之直流電源，以測量該電池之該狀態之方式控制該至少一個感測器。
如請求項2之感測電池之狀態之電子裝置，其中該處理器經組態以： <br/>響應於藉由該至少一個感測器而測得之溫度超過一預定之臨界溫度，判斷該電池發生火災； <br/>響應於判斷該電池發生火災，將該電池發生火災之一通知傳輸至該伺服器裝置。
如請求項14之感測電池之狀態之電子裝置，其進而包括： <br/>一滅火裝置，其具有儲存於其中之一滅火劑， <br/>其中該處理器經組態以響應於判斷該電池發生火災，控制該滅火裝置以將該滅火劑噴射至該電池。
如請求項1之感測電池之狀態之電子裝置，其中該電池包含於一無人搬運車輛、無人叉車、遙控飛機或一電動汽車中。
如請求項1之感測電池之狀態之電子裝置，其進而包括： <br/>一滅火裝置，其具有儲存於其中之一滅火劑， <br/>該處理器經組態以： <br/>自一伺服器裝置接收該電池發生火災之一通知；及 <br/>響應於接收到該電池發生火災之該通知，控制該滅火裝置以將該滅火劑噴射至該電池。
如請求項1之感測電池之狀態之電子裝置，其中該電池包括複數個電池模組； <br/>其中該至少一個熱電元件包括對應於該複數個電池模組之複數個熱電元件； <br/>其中該至少一個感測器包括對應於該複數個電池模組之複數個感測器； <br/>其中該至少一個電源供給部包括對應於該複數個熱電元件之複數個電源供給部； <br/>其中該複數個熱電元件之各者利用該複數個電池模組之對應之電池模組產生之熱來產生電動勢； <br/>其中該複數個感測器之各者測量該複數個電池模組之對應之電池模組之一狀態；且 <br/>其中該複數個電源供給部之各者經組態以將自該複數個熱電元件之對應之熱電元件產生之電動勢轉換為具有該處理器之該額定電壓之直流電源。
一種感測一電池之狀態之方法，其係由一電子裝置執行，該電子裝置包括一處理器、至少一個熱電元件、至少一個感測器及至少一個電源供給部，該方法包括如下動作： <br/>藉由該至少一個熱電元件，利用該電池產生之熱來產生電動勢； <br/>藉由該至少一個電源供給部，將自該至少一個熱電元件產生之該電動勢轉換為具有該處理器之一額定電壓之直流電源；及 <br/>響應於自該至少一個電源供給部向該處理器供給具有該處理器之該額定電壓之直流電源，藉由該處理器而以測量該電池之該狀態之方式控制該至少一個感測器。
一種食藥成分組合物，包含：<br/> 0.5至1.5重量份的赤芍；<br/> 0.5至1.5重量份的川芎；<br/> 10至15重量份的紅耆；及<br/> 50至55重量份的完整生魚，該完整生魚的種類為鱔魚。
如請求項1所述的食藥成分組合物，其中該完整生魚的重量份為52至54重量份。
一種食藥複方藥劑的製備方法，包含：<br/> (a) 提供0.5至1.5重量份的赤芍、0.5至1.5重量份的川芎、10至15重量份的紅耆、50至55重量份的完整生魚及200至400重量份的水，該完整生魚的種類為鱔魚；<br/> (b) 將該赤芍、該川芎、該紅耆及該完整生魚浸泡於該水中，並將該水加熱至沸騰，以對該赤芍、該川芎、該紅耆及該完整生魚進行煎煮處理；<br/> (c) 將步驟(a)中提供的該水煮至該水的初始體積的大約75%之體積，即製得該食藥複方藥劑。
一種食藥複方藥劑，係以如請求項3所述之製備方法所製得。
一種食藥成分組合物用於製備治療急性中樞神經損傷或急性中樞神經損傷後遺症的藥物之用途，該食藥成分組合物包含如請求項1或2所述之食藥成分組合物。
一種食藥複方藥劑用於製備治療急性中樞神經損傷或急性中樞神經損傷後遺症的藥物之用途，該食藥複方藥劑包含如請求項4所述之食藥複方藥劑。
一種花鍵，其特徵在於，所述花鍵(1)的傳動端形成有沿所述花鍵(1)的周向均勻分布的多個齒(11)；<br/> 所述多個齒(11)的齒面依次連接形成環形曲面，所述環形曲面為一階連續的週期性波形面；<br/> 每個所述齒(11)的齒面均包括齒頂錐面(111)、齒根錐面(113)以及相切連接在所述齒頂錐面(111)和所述齒根錐面(113)之間的傾斜平面(112)，所述傾斜平面(112)相對於所述花鍵(1)的軸線(141)傾斜設置；<br/> 所述齒頂錐面(111)、所述傾斜平面(112)和所述齒根錐面(113)均為工作齒面，且全部為可展曲面；<br/> 所述多個齒(11)的齒頂高分別相同，所述多個齒(11)的齒根高分別相同；所述齒頂高為h1，所述齒根高為h2，所述h1和h2滿足：0≤h2-h1≤2μm。
根據請求項1所述的花鍵，其特徵在於，所述齒頂錐面(111)相對齒頂徑向面(154)對稱，所述齒根錐面(113)相對齒根徑向面(155)對稱；<br/> 其中，所述齒頂錐面(111)圍設成齒頂，所述齒頂徑向面(154)為所述齒頂過所述花鍵(1)的軸線(141)的徑向中心面；所述齒根錐面(113)圍設成齒根，所述齒根徑向面(155)為所述齒根過所述花鍵(1)的軸線(141)的徑向中心面。
根據請求項1所述的花鍵，其特徵在於，所述齒頂錐面(111)的軸線相對於所述花鍵(1)的軸線(141)傾斜設置，所述齒頂錐面(111)的最高位置母線(114)垂直於所述花鍵(1)的軸線(141)；和/或<br/> 所述齒根錐面(113)的軸線相對於所述花鍵(1)的軸線(141)傾斜設置，所述齒根錐面(113)的最低位置母線(115)垂直於所述花鍵(1)的軸線(141)。
根據請求項1所述的花鍵，其特徵在於，兩個相鄰的所述齒(11)相對該兩個相鄰的所述齒(11)之間形成的齒槽(12)的徑向中心面對稱。
根據請求項1所述的花鍵，其特徵在於，所述齒頂錐面(111)和齒根錐面(113)均為圓錐面；或<br/> 所述齒頂錐面(111)和所述齒根錐面(113)均為橢圓錐面，且所述橢圓錐面的長軸和所述花鍵(1)的軸線(141)垂直。
根據請求項1所述的花鍵，其特徵在於，所述環形曲面可由一個圓柱面或圓錐面包絡形成。
根據請求項1所述的花鍵，其特徵在於，所述環形曲面係通過銑刀的側刃加工成型。
根據請求項2所述的花鍵，其特徵在於，所述齒頂錐面(111)和所述傾斜平面(112)的切線(145)在所述齒頂徑向面(154)上的投影和齒頂切面(152)之間的夾角為θ；所述齒根錐面(113)和所述傾斜平面(112)的切線(146)在所述齒根徑向面(155)上的投影和齒根切面(153)之間的夾角為δ；<br/> 所述θ和δ滿足：3°≤θ≤25°，3°≤δ≤25°；<br/> 其中，所述齒頂切面(152)為與所述花鍵(1)的軸線(141)垂直且與所述齒頂錐面(111)相切的平面，所述齒根切面(153)為與所述花鍵(1)的軸線(141)垂直且與所述齒根錐面(113)相切的平面。
根據請求項2所述的花鍵，其特徵在於，所述傾斜平面(112)和所述花鍵(1)的軸線(141)之間的夾角為γ，所述γ滿足：5°≤γ≤45°。
根據請求項3所述的花鍵，其特徵在於，所述齒頂錐面(111)的軸線和所述最高位置母線(114)之間的夾角為α，所述齒根錐面(113)的軸線和所述最低位置母線(115)之間的夾角為β；<br/> 所述α和β滿足：5°≤α≤30°，5°≤β≤30°。
根據請求項10所述的花鍵，其特徵在於，所述α和β還滿足：0度≤α-β≤10<sup>-8</sup>度。
一種花鍵組件，其特徵在於，包括第一花鍵(161)和第二花鍵(162)，所述第一花鍵(161)和所述第二花鍵(162)均為請求項1至9任一項所述的花鍵；所述第一花鍵(161)的齒面和所述第二花鍵(162)的齒面配合，用於所述第一花鍵(161)和所述第二花鍵(162)的連接。
一種花鍵組件，其特徵在於，包括第一花鍵(161)和第二花鍵(162)，所述第一花鍵(161)和所述第二花鍵(162)均為請求項10至11任一項所述的花鍵；所述第一花鍵(161)的齒面和所述第二花鍵(162)的齒面配合，用於所述第一花鍵(161)和所述第二花鍵(162)的連接；<br/> 所述第一花鍵(161)和所述第二花鍵(162)連接時，所述第一花鍵(161)的齒面和所述第二花鍵(162)的齒面之間存在兩種配合狀態；所述兩種配合狀態包括全齒面貼合狀態和部分齒面貼合狀態，所述全齒面貼合狀態是指所述第一花鍵(161)的整個齒面和所述第二花鍵(162)的整個齒面全部貼合的狀態，所述部分齒面貼合狀態是指僅有所述第一花鍵(161)的所有傾斜平面(112)和所述第二花鍵(162)的所有傾斜平面(112)貼合的狀態；<br/> 當所述α=β時，所述第一花鍵(161)的齒面和所述第二花鍵(162)的齒面處於所述全齒面貼合狀態；<br/> 當所述α＞β且所述第一花鍵(161)和所述第二花鍵(162)未受到預緊力時，所述第一花鍵(161)的齒面和所述第二花鍵(162)的齒面處於所述部分齒面貼合狀態；<br/> 當所述α＞β且所述第一花鍵(161)和所述第二花鍵(162)受到預緊力時，所述第一花鍵(161)的齒面和所述第二花鍵(162)的齒面處於所述全齒面貼合狀態。
一種主軸刀柄機構，用於機床，其特徵在於，所述主軸刀柄機構包括主軸、刀柄(3)和請求項12至13任一項所述的花鍵組件；所述主軸的一端形成有第一花鍵(161)，所述刀柄(3)的一端形成有第二花鍵(162)；所述第一花鍵(161)和所述第二花鍵(162)配合，可使所述主軸和刀柄(3)連接。
一種轉輪機構，其特徵在於，包括多個依次設置的渦輪及請求項12至13任一項所述的花鍵組件，所述渦輪的軸向一端形成有第一花鍵(161)，所述渦輪的軸向另一端形成有第二花鍵(162)；兩個相鄰的所述渦輪可通過所述第一花鍵(161)和所述第二花鍵(162)連接為一體；或<br/> 所述轉輪機構包括多個依次設置的壓縮機葉輪及請求項12至13任一項所述的花鍵組件，所述壓縮機葉輪的軸向一端形成有第一花鍵(161)，所述壓縮機葉輪的軸向另一端形成有第二花鍵(162)；兩個相鄰的所述壓縮機葉輪可通過所述第一花鍵(161)和所述第二花鍵(162)連接為一體；或<br/> 所述轉輪機構包括相鄰設置的渦輪和壓縮機葉輪及請求項12至13任一項所述的花鍵組件，所述渦輪的軸向一端形成有第一花鍵(161)，所述壓縮機葉輪的軸向一端形成有第二花鍵(162)；所述第一花鍵(161)和所述第二花鍵(162)配合，可使所述渦輪和所述壓縮機葉輪連接為一體。
一種傳動機構，其特徵在於，包括盤形件(41)、轉軸(42)和請求項12至13任一項所述的花鍵組件，所述盤形件(41)的一端形成有第一花鍵(161)，所述轉軸(42)形成有軸肩(421)，所述軸肩(421)的一端形成有第二花鍵(162)；所述第一花鍵(161)和所述第二花鍵(162)配合，可使所述盤形件(41)和所述轉軸(42)傳動連接。
一種傳動機構，用於絞車，其特徵在於，所述傳動機構包括捲筒、驅動齒輪和請求項12至13任一項所述的花鍵組件，所述捲筒的一端形成有第一花鍵(161)，所述驅動齒輪的一端形成有第二花鍵(162)；所述第一花鍵(161)和所述第二花鍵(162)配合，可使所述捲筒和所述驅動齒輪傳動連接。
一種能量轉換器（100；300），其用以將該能量轉換器（100；300）內輸入或產生的一個或多個光子轉換為電能，其中，該能量轉換器（100；300）包括至少一個基板（110），該至少一個基板（110）包括一運作區域（140；340A，340B），該一個或多個光子在該運作區域內被空間分離，以產生對應的一個或多個物質-反物質偶極子，其中，該運作區域（140；340A，340B）被配置為在運作時支持所述一個或多個物質-反物質偶極子在其周圍或沿其傳播，其中，該能量轉換器（100；300）還包括一能量收集裝置（210；390），其用以用於從傳播的該一個或多個物質-反物質偶極子中提取能量以產生該電能。
如請求項1所述之能量轉換器（100），其中該能量轉換器（100）被配置為使該至少一個基板（110）支撐該運作區域（140），該運作區域（140）被配置成一迴圈式區域（140），其中該迴圈式區域（140）是透過使用一種或多種光學材料實現的，該一種或多種光學材料在使用時會表現出一種非線性光學效應，使得該一個或多個光子在空間上分離為對應的一個或多個電子與一個或多個正電子，以產生在該迴圈式區域（140）周圍傳播的該一個或多個物質-反物質偶極子，同時保持該一個或多個光子在該迴圈式區域（140）內的相干性。
如請求項1所述之能量轉換器（300），其中該能量轉換器（300）被配置為使該至少一個基板（110）支撐該運作區域（340A、340B），該運作區域被配置成一線性區域（340A、340B），其中該線性區域（340A、340B）係透過使用一種或多種光學材料實現，該一種或多種光學材料在使用時會展現出非線性光學效應，致使該一個或多個光子在空間上分離為對應的一個或多個電子與一個或多個正電子，以產生沿著該線性區域（340A、340B）傳播的該一個或多個物質－反物質偶極子，同時保持該一個或多個光子在該線性區域（340A、340B）內的相干性。
如請求項2或3所述之能量轉換器（100；300），其中該非線性光學效應包含光學克爾效應（optical Kerr effect），該光學克爾效應導致光子在空間上分離為其對應的電子與正電子。
如請求項2或3所述之能量轉換器（100；300），其中該一種或多種光學材料包含下列至少一種：鈮酸鋰（Lithium Niobate）、絕緣體上的鈮酸鋰（Lithium-Niobate-On-Insulator）、鈦酸鋇（Barium Titanate）、鈮酸鋇（Barium Niobate）、石墨烯（Graphene）、摻雜石墨烯（doped Graphene）、n型摻雜光學透光材料（n-doped optically-transmissive material）與p型摻雜光學透光材料（p-doped optically-transmissive material）。
如請求項2或3所述之能量轉換器（100；300），其中該一種或多種光學材料包含零能隙材料（zero band-gap material）。
如請求項1所述之能量轉換器（100；300），其中該至少一個基板（110）包含一種介電材料（dielectric material）。
如請求項7所述之能量轉換器（100；300），其中該至少一個基板（110）的該介電材料包含下列至少之一：二氧化矽（silica）、矽（silicon）、石英（quartz）與藍寶石（sapphire）。
如請求項7所述之能量轉換器（100；300），其中該至少一個基板（110）包含形成於矽基底（bulk Silicon substrate）上的一介電層，其中該運作區域（operating region）製作於該介電層上，並與該矽基底（110）保持遠離。
如請求項1所述之能量轉換器（100；300），其中該運作區域（140；340A、340B）包含至少兩個波導（195A、195B；340A、340B），該等波導在該至少一個基板（110）上彼此空間配置，以支援該一個或多個電子與該一個或多個正子之空間分離，以產生該一個或多個對應的物質–反物質偶極子，並在該一個或多個對應的物質–反物質偶極子於該運作區域（140；340A、340B）中傳播時，維持產生該一個或多個物質–反物質偶極子的一個或多個光子之相干性。
如請求項1所述之能量轉換器（100；300），其中該能量收集裝置（210）用於提取能量，並包含一個或多個電極（210；390），其設置方式使其縱軸實質上平行於或呈曲線形狀配置於該運作區域（140、340A、340B），以收集該一個或多個物質－反物質偶極子所產生的電子，其中該一個或多個電極（210；390）配置為包含於在該運作區域（140；340A、340B）中傳播之光子的波函數內。
如請求項1所述之能量轉換器（100；300），其中該能量轉換器（100；340）被多個實施並以陣列形式配置。
如請求項12所述之能量轉換器（100；300），其中該陣列形式可實現為以下任一項：太陽能光伏發電陣列、可攜式柴油發電機、固定式電力發電設施、道路車輛、智慧型手機、可攜式個人電腦、電子裝置、衛星系統或飛行器。
一種能量轉換方法（600），其運作一能量轉換器（100；300）將一個或多個在該能量轉換器（100；300）內部輸入或產生的光子轉換為電能，該方法包括：<br/> (i) 配置該能量轉換器（100；300）包含至少一個基板（110），該至少一個基板（110）包含一運作區域（140；340A，340B），供該一個或多個光子在其中傳播；<br/> (ii) 空間分離該一個或多個光子，以產生對應的一個或多個物質-反物質偶極子，該運作區域（140；340A，340B）在運作時被配置為支援該一個或多個物質-反物質偶極子於其周圍或沿其方向傳播；<br/> (iii) 使用該能量轉換器（100；300）中的能量收集裝置（210）從傳播中的該一個或多個物質-反物質偶極子中提取能量，以產生該電能。
一種軟體產品，儲存在機器可讀資料載體上，其中該軟體產品可在計算硬體（650）上執行，以實現如請求項14項所述之能量轉換方法（600）。
一種緊湊型靜電放電（ESD）結構，其包括： <br/>一基板； <br/>一子集極區，該子集極區在該基板上； <br/>一集極區，該集極區在該子集極區之一第一部分上； <br/>一基極區，該基極區在該集極區上； <br/>一發射極區，該發射極區在該基極區上，其中該發射極區、該基極區及該集極區形成一雙極電晶體； <br/>半導體材料之一陰極區，該陰極區在該子集極區之一第二部分上且與該子集極區之該第二部分接觸； <br/>一陽極觸點，該陽極觸點在該陰極區上，其中該陰極區及該陽極觸點形成一肖特基二極體；以及 <br/>該發射極區電耦合至該陽極觸點，其中該集極區及該陰極區經由該子集極區電耦合，使得該雙極電晶體及該肖特基二極體以一反並聯方式連接。
如請求項1所述之緊湊型ESD結構，其進一步包括在該發射極區上之一發射極觸點以及一發射極/陽極橋，其中該發射極/陽極橋耦合至該發射極觸點。
如請求項2所述之緊湊型ESD結構，其進一步包括在該子集極區之一第三部分上之一集極/陰極觸點，其中該第三部分在該第一部分與該第二部分之間。
如請求項3所述之緊湊型ESD結構，其進一步包括在該基極區上之一基極觸點。
如請求項1所述之緊湊型ESD結構，其中該雙極電晶體與該肖特基二極體之間不存在隔離區。
如請求項5所述之緊湊型ESD結構，其中圍繞包含該雙極電晶體及該肖特基二極體之一區之一周邊提供至少一個隔離區。
如請求項1所述之緊湊型ESD結構，其中該集極區比該陰極區厚。
如請求項1所述之緊湊型ESD結構，其中該發射極區摻雜有一N型材料，該基極區摻雜有一P型材料，該集極區摻雜有一N型材料，該陰極區摻雜有一N型材料，並且該子集極區摻雜有一N型材料。
一種緊湊型靜電放電（ESD）結構，其包括： <br/>一基板； <br/>一子集極區，該子集極區在該基板上； <br/>一集極區，該集極區在該子集極區之一第一部分上； <br/>一基極區，該基極區在該集極區上； <br/>一發射極區，該發射極區在該基極區上，其中該發射極區、該基極區及該集極區形成一雙極電晶體； <br/>一陰極區，該陰極區在該子集極區之一第二部分上且與該子集極區之該第二部分接觸； <br/>一陽極觸點，該陽極觸點在該陰極區上，其中該陰極區及該陽極觸點形成一肖特基二極體； <br/>其中該發射極區電耦合至該陽極觸點，其中該集極區及該陰極區經由該子集極區電耦合，使得該雙極電晶體及該肖特基二極體以一反並聯方式連接； <br/>一發射極觸點，該發射極觸點在該發射極區上； <br/>一集極/陰極觸點，該集極/陰極觸點在該子集極區之一第三部分上，其中該第三部分在該第一部分與該第二部分之間；以及 <br/>一基極觸點，該基極觸點在該基極區上。
如請求項9所述之緊湊型ESD結構，其中該雙極電晶體與該肖特基二極體之間不存在隔離區。
如請求項10所述之緊湊型ESD結構，其中圍繞包含該雙極電晶體及該肖特基二極體之一區之一周邊提供至少一個隔離區。
如請求項11所述之緊湊型ESD結構，其中該集極區比該陰極區厚。
如請求項9所述之緊湊型ESD結構，其中該發射極區摻雜有一N型材料，該基極區摻雜有一P型材料，該集極區摻雜有一N型材料，該陰極區摻雜有一N型材料，並且該子集極區摻雜有一N型材料。
一種用於形成一緊湊型靜電放電（ESD）結構之方法，其包括： <br/>形成一基板； <br/>在該基板上形成一子集極區； <br/>在該子集極區之一第一部分上形成一集極區，並且在該子集極區之一第二部分上形成與該子集極區之該第二部分接觸的半導體材料之一陰極區； <br/>在該集極區上形成一基極區； <br/>在該基極區上形成一發射極區，其中該發射極區、該基極區及該集極區形成一雙極電晶體； <br/>在該陰極區上形成一陽極觸點，其中該陰極區及該陽極觸點形成一肖特基二極體；以及 <br/>將該發射極區電耦合至該陽極觸點，其中該集極區及該陰極區經由該子集極區電耦合，使得該雙極電晶體及該肖特基二極體以一反並聯方式連接。
如請求項14所述之方法，其進一步包括在該發射極區上形成一發射極觸點，其中一發射極/陽極橋耦合至該發射極觸點。
如請求項15所述之方法，其進一步包括在該子集極區之一第三部分上形成一集極/陰極觸點，其中該第三部分在該第一部分與該第二部分之間。
如請求項16所述之方法，其進一步包括在該基極區上形成一基極觸點。
如請求項14所述之方法，其中該雙極電晶體與該肖特基二極體之間不存在隔離區。
如請求項18所述之方法，其中圍繞包含該雙極電晶體及該肖特基二極體之一區之一周邊供至少一個隔離區。
如請求項14所述之方法，其中該集極區比該陰極區厚。
一種光通訊耦合模塊，包括：<br/> 至少一光電二極體（Photo Diode, PD）；<br/> 一類比數位轉換器（Analog-to-Digital Converter, ADC）；<br/> 一可變電阻，具有一第一端、一第二端及一第三端，其中該第一端連接於該至少一光電二極體及該第二端係接地； <br/> 一比較器，具有一第一輸入端、一第二輸入端及一輸出端，該第一輸入端連接於該至少一光電二極體，該第二輸入端連接於該閥值電壓，該輸出端連接於該可變電阻之該第三端，該比較器用以比較該至少一光電二極體之一輸入電壓與一閥值電壓，以獲得該比較結果；以及<br/> 一切換器，連接於該光電二極體與該類比數位轉換器之間，以導通或斷開該類比數位轉換器，<br/> 其中該可變電阻之一電阻值係依據該至少一光電二極體之該輸入電壓與該閥值電壓之一比較結果進行調整，並且該類比數位轉換器係依據該比較結果被決定是否啟用，以避免該輸入電壓超過該類比數位轉換器之一動態範圍，<br/> 其中該比較器之該第一輸入端連接於該至少一光電二極體與該切換器之間。
如請求項1所述之光通訊耦合模塊，其中該閥值電壓具有複數個位準。
如請求項1所述之光通訊耦合模塊，其中該比較結果係為該輸入電壓之一電壓範圍區間，該可變電阻之該電阻值係依據該電壓範圍區間進行調整。
如請求項3所述之光通訊耦合模塊，其中該比較器以一二分搜尋法（Binary Search）搜尋出該輸入電壓之該電壓範圍區間。
如請求項1所述之光通訊耦合模塊，其中該閥值電壓具有7個位準。
如請求項1所述之光通訊耦合模塊，其中該光通訊耦合模塊用以偵測一雷射二極體（Laser Diode, LD）之一雷射光之一光量，以使該雷射光之該光量被控制於一預定範圍。
一種光通訊耦合模塊之操作方法，包括：<br/> 接收至少一光電二極體（Photo Diode, PD）之一輸入電壓；<br/> 接收一閥值電壓；<br/> 藉由一比較器依據該輸入電壓及該閥值電壓，獲得一比較結果；<br/> 依據該比較結果，調整一可變電阻之一電阻值；以及<br/> 啟動連接於該光電二極體之一類比數位轉換器（Analog-to-Digital Converter, ADC），<br/> 其中該可變電阻具有一第一端、一第二端及一第三端，其中該第一端連接於該至少一光電二極體及該第二端係接地，<br/> 其中該比較器具有一第一輸入端、一第二輸入端及一輸出端，該第一輸入端連接於該至少一光電二極體，該第二輸入端連接於該閥值電壓，該輸出端連接於該可變電阻之該第三端，<br/> 其中連接於該光電二極體之該類比數位轉換器之步驟執行於調整該可變電阻之該電阻值之步驟之後。
如請求項7所述之光通訊耦合模塊之操作方法，其中該比較結果係為該輸入電壓之一電壓範圍區間，該可變電阻之該電阻值係依據該電壓範圍區間進行調整。
如請求項8所述之光通訊耦合模塊之操作方法，其中在獲得該比較結果之步驟中，係以一二分搜尋法（Binary Search）搜尋出該輸入電壓之該電壓範圍區間。
一種顯示裝置，包括： <br/>一顯示組件，被配置為提供光束；以及 <br/>一調製組件，所述調製組件包括調製層、位於所述調製層的下表面與所述顯示組件的上表面之間的第一驅動層、以及位於所述調製層的上表面的第二驅動層，所述第一驅動層和所述第二驅動層被配置為在驅動訊號的作用下驅動所述調製層，以對所述光束進行調製， <br/>其中，所述驅動訊號包括施加在所述第一驅動層上的第一驅動訊號和施加在所述第二驅動層上的第二驅動訊號，所述第一驅動訊號為交流訊號，並且所述第二驅動訊號為穩定直流訊號或交流訊號。
如請求項1所述的顯示裝置，其中，所述調製組件還包括位於所述第一驅動層與所述顯示組件之間的第三驅動層，所述驅動訊號還包括施加在所述第三驅動層上的第三驅動訊號，所述第三驅動訊號為穩定直流訊號。
如請求項2所述的顯示裝置，其中，所述調製組件還包括位於所述第二驅動層上表面的第四驅動層，所述驅動訊號還包括施加在所述第四驅動層上的第四驅動訊號，所述第四驅動訊號為穩定直流訊號。
如請求項1所述的顯示裝置，其中，所述調製層在被所述驅動訊號驅動時使所述光束通過並改變所通過的光束的強度，在未被驅動時阻礙所述光束的通過。
如請求項1所述的顯示裝置，其中，所述調製層包括液晶層，所述液晶層被配置為在由所述驅動訊號在所述第一驅動層和所述第二驅動層之間產生的電場的作用下調節液晶的取向來對所述光束進行調製。
如請求項3所示的顯示裝置，其中，所述第一驅動層、所述第二驅動層、所述第三驅動層和所述第四驅動層包括透明導電材料。
如請求項1所述的顯示裝置，還包括位於所述第二驅動層的上表面的觸控組件，並且在所述第二驅動訊號為穩定直流訊號時，所述第二驅動層被配置為在所述調製層被驅動期間屏蔽所述第一驅動訊號對所述觸控組件的干擾。
如請求項2所述的顯示裝置，其中，所述第三驅動層被配置為在所述調製層被驅動期間屏蔽所述第一驅動訊號對所述顯示組件的干擾。
如請求項3所述的顯示裝置，還包括位於所述第四驅動層的上表面的觸控組件，並且在所述第二驅動訊號為交流訊號時，所述第四驅動層被配置為在所述調製層被驅動期間屏蔽所述第二驅動訊號對所述觸控組件的干擾。
如請求項1所述的顯示裝置，其中，所述光束是二維光束，並且所述調製組件還包括佈置在所述調製層中的多光束元件陣列，所述多光束元件陣列中的多光束元件被配置為散射所述二維光束以生成具有不同方向的多個定向光束。
如請求項1所述的顯示裝置，其中，所述光束是三維光束，所述顯示組件包括背光體，所述背光體包括多光束元件陣列，所述多光束元件陣列中的多光束元件被配置為散射光以生成具有不同方向的多個定向光束作為所述三維光束。
如請求項10或11所述的顯示裝置，其中，所述多光束元件陣列中的多光束元件包括衍射光柵、微反射元件和微折射元件中的一個或多個，所述衍射光柵被配置為衍射地散射光以生成所述多個定向光束，所述微反射元件被配置為反射地散射光以生成所述多個定向光束，並且所述微折射元件被配置為折射地散射光以生成所述多個定向光束。
一種顯示裝置的操作方法，包括： <br/>利用顯示組件提供光束；以及 <br/>將驅動訊號施加在調製組件的第一驅動層和第二驅動層上，以驅動調製組件的調製層對所述光束進行調製，所述第一驅動層位於所述調製層的下表面與所述顯示組件的上表面之間，並且所述第二驅動層位於所述調製層的上表面， <br/>其中，所述驅動訊號包括施加在所述第一驅動層上的第一驅動訊號和施加在所述第二驅動層上的第二驅動訊號，所述第一驅動訊號為交流訊號，並且所述第二驅動訊號為穩定直流訊號或交流訊號。
如請求項13所述的方法，其中，所述驅動訊號還包括施加在位於所述第一驅動層與所述顯示組件之間的第三驅動層上的第三驅動訊號，並且所述第三驅動訊號為穩定直流訊號。
如請求項14所述的方法，其中，所述驅動訊號還包括施加在位於所述第二驅動層上表面的第四驅動層上的第四驅動訊號，所述第四驅動訊號為穩定直流訊號。
如請求項13所述的方法，其中，所述調製層在被所述驅動訊號驅動時使所述光束通過並改變所通過的光束的強度，在未被驅動時阻礙所述光束的通過。
如請求項13所述的方法，其中，所述調製層包括液晶層，所述方法還包括：施加所述驅動訊號以在所述第一驅動層和所述第二驅動層之間產生電場，所述液晶層在所述電場的作用下調節液晶的取向以對所述光束進行調製。
如請求項15所述的方法，其中，所述第一驅動層、所述第二驅動層、所述第三驅動層和所述第四驅動層包括透明導電材料。
如請求項13所述的方法，還包括：在所述第二驅動訊號為穩定直流訊號時，利用所述第二驅動層在所述調製層被驅動期間屏蔽所述第一驅動訊號對位於所述第二驅動層的上表面上的觸控組件的干擾。
如請求項14所述的方法，還包括：利用所述第三驅動層在所述調製層被驅動期間屏蔽所述第一驅動訊號對所述顯示組件的干擾。
如請求項15所述的方法，還包括：在所述第二驅動訊號為交流訊號時，利用所述第四驅動層在所述調製層被驅動期間屏蔽所述第二驅動訊號對位於所述第四驅動層的上表面上的觸控組件的干擾。
一種車輛用燈具之電壓調整電路，包括：<br/> 一電源輸入單元，其包括有將交流電源轉換成直流電源的一交流/直流轉換器，並輸出有一高直流電壓；<br/> 一降壓控制單元，接收該高直流電壓並做降電壓處理，並輸出有一低直流電壓；<br/> 一反饋調整電壓輸出單元，接收該低直流電壓並做高頻雜訊濾波處理，並根據一反饋調整輸出電壓來輸出可供電給預設燈具之導通電壓；<br/> 一電流感測單元，其包括接收該導通電壓並與該反饋調整輸出電壓並做一比較之一電流感測器及一比較器，該比較器接收該電流感測器是否產生感測電流而輸出一比較數據，該比較數據經由一判斷器根據一對差分信號之參考值進行邏輯判斷，並輸出一判斷數據；以及<br/> 一處理單元，接收該判斷數據並進行運算處理，若該導通電壓與該反饋調整輸出電壓之間存在有較大的電壓差可使該電流感測器產生較大感測電流並使該預設燈具被點亮；若該導通電壓與該反饋調整輸出電壓為等電位，該預設燈具無法被導通且需進行電壓升壓調整，電壓升壓調整係由該處理單元控制自動調整輸出電壓單元之第一主動開關而使該導通電壓疊加第一反饋調整輸出電壓且使該預設燈具被點亮；若該導通電壓疊加第一反饋調整輸出電壓無法使該預設燈具被點亮，則由該處理單元控制該自動調整輸出電壓單元之第二主動開關而使該導通電壓疊加第二反饋調整輸出電壓且使該預設燈具被點亮。
如請求項1所述之車輛用燈具之電壓調整電路，其中該電源輸入單元於交流/直流轉換器之輸入端更包括有將交流輸入電壓進行降電壓及減少線路雜訊的一隔離變壓器，而該交流/直流轉換器係為橋式全波整流器所構成。
如請求項1所述之車輛用燈具之電壓調整電路，其中該電源輸入單元與該降壓控制單元之間更耦接有可做直流整流且呈並聯之複數旁路電容。
如請求項1所述之車輛用燈具之電壓調整電路，其中該反饋調整電壓輸出單元包括有低通濾波器且該低通濾波器係由呈並聯的複數濾波電容所組成。
如請求項1所述之車輛用燈具之電壓調整電路，其中該降壓控制單元與該反饋調整電壓輸出單元之間更耦接有一手動調整輸出電壓單元，該手動調整輸出電壓單元包括閉合導通後使該導通電壓疊加第一反饋調整輸出電壓的第一機械開關，及閉合導通後使該導通電壓疊加第二反饋調整輸出電壓的第二機械開關，當該手動調整輸出電壓單元作動時可被該降壓控制單元及微控制單元感測並使該自動調整輸出電壓單元停止輸出。
如請求項1所述之車輛用燈具之電壓調整電路，其中該判斷器之該判斷數據包括有序列時脈信號、序列資料輸出信號及晶片選擇信號。
如請求項1所述之車輛用燈具之電壓調整電路，其中該電流感測單元之該電流感測器係由一電阻所構成；且該比較器係由一運算放大器所構成。
如請求項1所述之車輛用燈具之電壓調整電路，其中該處理單元係由一微控制器及一低壓差穩壓器所構成，該低壓差穩壓器係可將直流電源進行降壓及穩壓。
如請求項1所述之車輛用燈具之電壓調整電路，其中該自動調整輸出電壓單元之該第一主動開關及該第二主動開關係由一N通道增強型金氧半場效電晶體所構成，且該N通道增強型金氧半場效電晶體於其源極和汲極之間連接有可防止靜電放電之一稽納二極體。
一種半導體結構的製造方法，包括： <br/>提供基底； <br/>利用光罩進行微影製程，而在所述基底上形成圖案化光阻層，其中所述圖案化光阻層包括第一開口與第二開口，所述第一開口包括第一傾斜側壁，且所述光罩包括： <br/>透明基底，包括多個孔洞區，其中每個所述孔洞區中的所述透明基底包括多個孔洞；以及 <br/>遮光層，位於所述透明基底上，其中所述遮光層包括第三開口與第四開口，所述第一開口對應於所述第三開口，所述第二開口對應於所述第四開口，多個所述孔洞區位於由所述第三開口所暴露的所述透明基底中且鄰近於所述第三開口的側壁； <br/>使用圖案化光阻層作為罩幕，對所述基底進行蝕刻製程，而在所述基底中形成對應於所述第一開口的第五開口與對應於所述第二開口的第六開口，其中所述第五開口包括第二傾斜側壁； <br/>在所述基底上形成導電層，其中所述導電層填入所述第五開口與所述第六開口；以及 <br/>利用位在所述第五開口中的所述導電層作為終止層，移除部分所述導電層，而在所述第五開口中形成標記且在所述第六開口中形成基底穿孔。
如請求項1所述的半導體結構的製造方法，其中所述導電層未完全地填滿所述第五開口。
如請求項2所述的半導體結構的製造方法，其中在移除部分所述導電層的製程中，同時移除部分所述基底，而移除所述第五開口的未被填滿的部分。
如請求項1所述的半導體結構的製造方法，其中所述第一開口的寬度小於所述第二開口的寬度，且所述第五開口的寬度小於所述第六開口的寬度。
如請求項1所述的半導體結構的製造方法，其中所述第一開口的頂部的寬度大於所述第一開口的底部的寬度，且所述第五開口的頂部的寬度大於所述第五開口的底部的寬度。
如請求項1所述的半導體結構的製造方法，其中多個所述孔洞區的透光率大於0%且小於100%。
如請求項1所述的半導體結構的製造方法，其中鄰近於所述第三開口的側壁的所述孔洞區的孔洞密度大於遠離所述第三開口的側壁的所述孔洞區的孔洞密度。
如請求項1所述的半導體結構的製造方法，其中鄰近於所述第三開口的側壁的所述孔洞區的透光率小於遠離所述第三開口的側壁的所述孔洞區的透光率。
如請求項1所述的半導體結構的製造方法，其中多個所述孔洞的形成方法包括利用雷射在所述透明基底中形成多個所述孔洞。
如請求項1所述的半導體結構的製造方法，其中在由所述第四開口所暴露的所述透明基底中不具有由所述孔洞所形成的所述孔洞區。
一種服務伺服器之資訊提供方法，其包括： <br/>確認複數個物品之步驟； <br/>確認上述複數個物品中應用會員資格折扣優惠之第1子集之步驟； <br/>提供第1頁面至用戶之終端之步驟，上述第1頁面包括上述複數個物品之清單、及表示上述第1子集之物品各者之折扣資訊之對象； <br/>獲得與上述對象對應之上述用戶之第1輸入之步驟； <br/>響應於上述第1輸入，提供第2頁面至上述用戶之上述終端之步驟，上述第2頁面顯示與上述對象相關聯之物品之折扣價格之資訊； <br/>自上述用戶獲得與上述第2頁面對應之第2輸入之步驟； <br/>響應於上述第2輸入，於上述用戶加入上述會員資格之情形時，確認上述用戶於預定期間內藉由上述會員資格所節省之金額之步驟；及 <br/>提供第4頁面至上述用戶之上述終端之步驟，上述第4頁面用於管理上述會員資格，並包括上述用戶藉由上述會員資格所節省之該金額之資訊； <br/>其中上述清單包括上述複數個物品各者之價格資訊， <br/>上述服務伺服器之資訊提供方法進而包括： <br/>確認上述複數個物品中應用複數個折扣之第2子集之步驟；及 <br/>於上述複數個折扣中確認要顯示於上述第2子集之物品各者之價格資訊中之代表性折扣的步驟； <br/>上述代表性折扣包括上述複數個折扣中具有最大折扣率之折扣。
如請求項1之服務伺服器之資訊提供方法，其進而包括： <br/>當上述用戶於上述預定期間內藉由上述會員資格而節省之該金額少於基準金額時，於上述第4頁面上向上述用戶提供至少一張額外的折扣券。
如請求項2之服務伺服器之資訊提供方法，其中，上述基準金額根據上述用戶之上述會員資格之訂閱期間而有所不同。
如請求項1之服務伺服器之資訊提供方法，其進而包括： <br/>於上述用戶未加入上述會員資格之情形時，響應於上述第2輸入而提供用於加入上述會員資格之第3頁面之步驟。
如請求項1之服務伺服器之資訊提供方法，其進而包括： <br/>獲得與上述第2頁面對應之上述用戶之第3輸入之步驟；及 <br/>於上述用戶加入上述會員資格之情形時，響應於上述第3輸入而提供包括與上述會員資格折扣資訊相關聯之物品之詳細資訊之第5頁面的步驟。
如請求項5之服務伺服器之資訊提供方法，其中於上述第1子集之物品中之除上述會員資格折扣外進而應用其他折扣之物品的情形時，在上述第5頁面上顯示上述其他折扣之資訊。
如請求項1之服務伺服器之資訊提供方法，其中上述對象包括表示上述會員資格之徽章、及用於提供上述會員資格之詳細資訊之圖標。
如請求項1之服務伺服器之資訊提供方法，其中上述清單包括上述複數個物品各者之價格資訊， <br/>上述價格資訊包括對上述第1子集之物品各者應用上述會員資格折扣後之價格， <br/>上述對象一同顯示於顯示上述價格資訊之區域上。
如請求項1之服務伺服器之資訊提供方法，其中上述代表性折扣係基於上述用戶之折扣應用歷史而確定。
如請求項1之服務伺服器之資訊提供方法，其進而包括： <br/>響應於與上述第1頁面中包括之購物車對象對應之上述用戶之第4輸入，提供包括添加於購物車中之物品之資訊之第6頁面的步驟；及 <br/>於上述用戶未加入上述會員資格之情形時，響應於與上述第6頁面中添加於上述購物車中之物品之資訊對應之上述用戶的第5輸入，提供用於加入上述會員資格之第3頁面之步驟。
一種提供資訊之服務伺服器，其包括： <br/>收發器，其與其他裝置收發資訊；及 <br/>處理器，其控制上述收發器，確認複數個物品，確認上述複數個物品中應用會員資格折扣優惠之第1子集，提供包括上述複數個物品之清單、及表示上述第1子集之物品各者之折扣資訊之對象的第1頁面至用戶之終端，獲得與上述對象對應之上述用戶之第1輸入，響應於上述第1輸入而提供顯示與上述對象相關聯之物品之折扣價格之資訊的第2頁面至該用戶之該終端；自上述用戶獲得與上述第2頁面對應之第2輸入；響應於上述第2輸入，於上述用戶加入上述會員資格之情形時，確認上述用戶於預定期間內藉由上述會員資格所節省之金額；及提供用於管理上述會員資格，並包括上述用戶藉由上述會員資格所節省之該金額之資訊之第4頁面至上述用戶之上述終端； <br/>其中上述清單包括上述複數個物品各者之價格資訊， <br/>上述處理器進而： <br/>確認上述複數個物品中應用複數個折扣之第2子集；及 <br/>於上述複數個折扣中確認要顯示於上述第2子集之物品各者之價格資訊中之代表性折扣； <br/>其中上述代表性折扣包括上述複數個折扣中具有最大折扣率之折扣。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其中存儲有用於執行服務伺服器之資訊提供方法的程式，其中該方法包括： <br/>確認複數個物品之步驟； <br/>確認上述複數個物品中應用會員資格折扣優惠之第1子集之步驟； <br/>提供第1頁面至用戶之終端之步驟，上述第1頁面包括上述複數個物品之清單、及表示上述第1子集之物品各者之折扣資訊之對象； <br/>獲得與上述對象對應之上述用戶之第1輸入之步驟； <br/>響應於上述第1輸入，提供第2頁面至上述用戶之上述終端之步驟，上述第2頁面顯示與上述對象相關聯之物品之折扣價格之資訊； <br/>自上述用戶獲得與上述第2頁面對應之第2輸入之步驟； <br/>響應於上述第2輸入，於上述用戶加入上述會員資格之情形時，，確認上述用戶於預定期間內藉由上述會員資格所節省之金額之步驟；及 <br/>提供第4頁面至上述用戶之上述終端之步驟，上述第4頁面用於管理上述會員資格，並包括上述用戶藉由上述會員資格所節省之該金額之資訊； <br/>其中上述清單包括上述複數個物品各者之價格資訊， <br/>上述服務伺服器之資訊提供方法進而包括： <br/>確認上述複數個物品中應用複數個折扣之第2子集之步驟；及 <br/>於上述複數個折扣中確認要顯示於上述第2子集之物品各者之價格資訊中之代表性折扣的步驟； <br/>其中上述代表性折扣包括上述複數個折扣中具有最大折扣率之折扣。
一種接收裝置，包括： <br/>一輸入緩衝器，接收來自一外部晶片的一原資料訊號，以產生一經增益資料訊號； <br/>一類比前饋等化器，其中該類比前饋等化器的一輸入端耦接至該輸入緩衝器的一輸出端以接收該經增益資料訊號，以及該類比前饋等化器調整該經增益資料訊號的一反相器強度以抑制資料相關抖動；以及 <br/>一第一邏輯電路，其中該第一邏輯電路的一輸入端耦接至該類比前饋等化器的一輸出端以接收一經延遲調整資料訊號，以及該第一邏輯電路提供一經邏輯處理資料訊號給該接收裝置的一後級電路， <br/>其中該類比前饋等化器包括： <br/>一反相裝置，其中該反相裝置的一輸入端與一輸出端均耦接至該輸入緩衝器的該輸出端至該第一邏輯電路的該輸入端之間的一相同傳輸路徑，該反相裝置的該輸出端所輸出的訊號為該經增益資料訊號的一反相訊號，以及該反相裝置的該輸出端的驅動力弱於該輸入緩衝器的該輸出端的驅動力。
如請求項1所述的接收裝置，其中該反相裝置包括： <br/>一反相電路，其中該反相電路的一輸入端耦接至該反相裝置的該輸入端，該反相電路的一輸出端耦接至該反相裝置的該輸出端，以及該反相電路的該輸出端的驅動力弱於該輸入緩衝器的該輸出端的驅動力。
如請求項2所述的接收裝置，其中該反相電路包括： <br/>一反相器，其中該反相器的一輸入端耦接至該反相電路的該輸入端，該反相器的一輸出端耦接至該反相電路的該輸出端，以及該反相器的該輸出端的驅動力弱於該輸入緩衝器的該輸出端的驅動力； <br/>一第一電源電流調整電路，耦接至該反相器的一電源端以提供一第一經調整電源電流；以及 <br/>一第二電源電流調整電路，耦接至該反相器的一參考端以汲取一第二經調整電源電流。
如請求項1所述的接收裝置，其中該反相裝置包括： <br/>一緩衝器，其中該緩衝器的一輸入端耦接至該反相裝置的該輸入端；以及 <br/>一第一反相電路，其中該第一反相電路的一輸入端耦接至該緩衝器的一輸出端，該第一反相電路的一輸出端耦接至該反相裝置的該輸出端，以及該第一反相電路的該輸出端的驅動力弱於該輸入緩衝器的該輸出端的驅動力。
如請求項4所述的接收裝置，其中該緩衝器包括： <br/>一第二反相電路，其中該第二反相電路的一輸入端耦接至該緩衝器的該輸入端；以及 <br/>一第三反相電路，其中該第三反相電路的一輸入端耦接至該第二反相電路的一輸出端，以及該第三反相電路的一輸出端耦接至該緩衝器的該輸出端。
如請求項5所述的接收裝置，其中該緩衝器更包括： <br/>一電阻，其中該電阻的一第一端耦接至該第三反相電路的該輸入端，以及該電阻的一第二端耦接至該第三反相電路的該輸出端。
一種接收裝置，包括： <br/>一輸入緩衝器，接收來自一外部晶片的一原資料訊號，以產生一經增益資料訊號； <br/>一類比前饋等化器，其中該類比前饋等化器的一輸入端耦接至該輸入緩衝器的一輸出端以接收該經增益資料訊號，以及該類比前饋等化器調整該經增益資料訊號的一反相器強度以抑制資料相關抖動；以及 <br/>一第一邏輯電路，其中該第一邏輯電路的一輸入端耦接至該類比前饋等化器的一輸出端以接收一經延遲調整資料訊號，以及該第一邏輯電路提供一經邏輯處理資料訊號給該接收裝置的一後級電路， <br/>其中該類比前饋等化器包括： <br/>一第二邏輯電路，其中該第二邏輯電路的一輸入端耦接至該輸入緩衝器的該輸出端以接收該經增益資料訊號，以及該第二邏輯電路的一輸出端提供該經延遲調整資料訊號給該第一邏輯電路；以及 <br/>一反相裝置，其中該反相裝置的一輸入端與一輸出端均耦接至該第二邏輯電路的該輸出端至該第一邏輯電路的該輸入端之間的一相同傳輸路徑，該反相裝置的該輸出端所輸出的訊號為該經延遲調整資料訊號的一反相訊號，以及該反相裝置的該輸出端的驅動力弱於該第二邏輯電路的該輸出端的驅動力。
如請求項7所述的接收裝置，其中該反相裝置包括： <br/>一反相電路，其中該反相電路的一輸入端耦接至該反相裝置的該輸入端，該反相電路的一輸出端耦接至該反相裝置的該輸出端，以及該反相電路的該輸出端的驅動力弱於該第二邏輯電路的該輸出端的驅動力。
一種接收裝置，包括： <br/>一輸入緩衝器，接收來自一外部晶片的一原資料訊號，以產生一經增益資料訊號； <br/>一類比前饋等化器，其中該類比前饋等化器的一輸入端耦接至該輸入緩衝器的一輸出端以接收該經增益資料訊號，以及該類比前饋等化器調整該經增益資料訊號的一反相器強度以抑制資料相關抖動；以及 <br/>一第一邏輯電路，其中該第一邏輯電路的一輸入端耦接至該類比前饋等化器的一輸出端以接收一經延遲調整資料訊號，以及該第一邏輯電路提供一經邏輯處理資料訊號給該接收裝置的一後級電路， <br/>其中該類比前饋等化器包括： <br/>一第二邏輯電路，其中該第二邏輯電路的一輸入端耦接至該輸入緩衝器的該輸出端以接收該經增益資料訊號，以及該第二邏輯電路的一輸出端提供該經延遲調整資料訊號給該第一邏輯電路；以及 <br/>一反相裝置，其中該反相裝置的一輸入端耦接至該第二邏輯電路的該輸入端，該反相裝置的一輸出端耦接至該第二邏輯電路的該輸出端，以及該反相裝置的該輸出端的驅動力弱於該第二邏輯電路的該輸出端的驅動力。
如請求項9所述的接收裝置，其中該反相裝置包括： <br/>一反相電路，其中該反相電路的一輸入端耦接至該反相裝置的該輸入端，該反相電路的一輸出端耦接至該反相裝置的該輸出端，以及該反相電路的該輸出端的驅動力弱於該第二邏輯電路的該輸出端的驅動力。
一種接收裝置的資料抖動抑制方法，包括： <br/>由該接收裝置的一輸入緩衝器接收來自一外部晶片的一原資料訊號，以產生一經增益資料訊號； <br/>由該接收裝置的一類比前饋等化器調整該經增益資料訊號的一反相器強度以抑制資料相關抖動，其中該類比前饋等化器的一輸入端耦接至該輸入緩衝器的一輸出端以接收該經增益資料訊號；以及 <br/>由該接收裝置的一第一邏輯電路提供一經邏輯處理資料訊號給該接收裝置的一後級電路，其中該第一邏輯電路的一輸入端耦接至該類比前饋等化器的一輸出端以接收一經延遲調整資料訊號， <br/>其中該類比前饋等化器包括一反相裝置，該反相裝置的一輸入端與一輸出端均耦接至該輸入緩衝器的該輸出端至該第一邏輯電路的該輸入端之間的一相同傳輸路徑，該反相裝置的該輸出端所輸出的訊號為該經增益資料訊號的一反相訊號，以及該反相裝置的該輸出端的驅動力弱於該輸入緩衝器的該輸出端的驅動力。
如請求項11所述的資料抖動抑制方法，其中該反相裝置包括一反相電路，該反相電路的一輸入端耦接至該反相裝置的該輸入端，該反相電路的一輸出端耦接至該反相裝置的該輸出端，以及該反相電路的該輸出端的驅動力弱於該輸入緩衝器的該輸出端的驅動力。
如請求項11所述的資料抖動抑制方法，其中該反相裝置包括一緩衝器以及一反相電路，該緩衝器的一輸入端耦接至該反相裝置的該輸入端，該反相電路的一輸入端耦接至該緩衝器的一輸出端，該反相電路的一輸出端耦接至該反相裝置的該輸出端，以及該反相電路的該輸出端的驅動力弱於該輸入緩衝器的該輸出端的驅動力。
一種接收裝置的資料抖動抑制方法，包括： <br/>由該接收裝置的一輸入緩衝器接收來自一外部晶片的一原資料訊號，以產生一經增益資料訊號； <br/>由該接收裝置的一類比前饋等化器調整該經增益資料訊號的一反相器強度以抑制資料相關抖動，其中該類比前饋等化器的一輸入端耦接至該輸入緩衝器的一輸出端以接收該經增益資料訊號； <br/>由該接收裝置的一第一邏輯電路提供一經邏輯處理資料訊號給該接收裝置的一後級電路，其中該第一邏輯電路的一輸入端耦接至該類比前饋等化器的一輸出端以接收一經延遲調整資料訊號；以及 <br/>由該類比前饋等化器的一第二邏輯電路的一輸出端提供該經延遲調整資料訊號給該第一邏輯電路，其中該第二邏輯電路的一輸入端耦接至該輸入緩衝器的該輸出端以接收該經增益資料訊號，該類比前饋等化器的一反相裝置的一輸入端與一輸出端均耦接至該第二邏輯電路的該輸出端至該第一邏輯電路的該輸入端之間的一相同傳輸路徑，該反相裝置的該輸出端所輸出的訊號為該經延遲調整資料訊號的一反相訊號，以及該反相裝置的該輸出端的驅動力弱於該第二邏輯電路的該輸出端的驅動力。
一種接收裝置的資料抖動抑制方法，包括： <br/>由該接收裝置的一輸入緩衝器接收來自一外部晶片的一原資料訊號，以產生一經增益資料訊號； <br/>由該接收裝置的一類比前饋等化器調整該經增益資料訊號的一反相器強度以抑制資料相關抖動，其中該類比前饋等化器的一輸入端耦接至該輸入緩衝器的一輸出端以接收該經增益資料訊號； <br/>由該接收裝置的一第一邏輯電路提供一經邏輯處理資料訊號給該接收裝置的一後級電路，其中該第一邏輯電路的一輸入端耦接至該類比前饋等化器的一輸出端以接收一經延遲調整資料訊號；以及 <br/>由該類比前饋等化器的一第二邏輯電路的一輸出端提供該經延遲調整資料訊號給該第一邏輯電路，其中該第二邏輯電路的一輸入端耦接至該輸入緩衝器的該輸出端以接收該經增益資料訊號，該類比前饋等化器的一反相裝置的一輸入端耦接至該第二邏輯電路的該輸入端，該反相裝置的一輸出端耦接至該第二邏輯電路的該輸出端，以及該反相裝置的該輸出端的驅動力弱於該第二邏輯電路的該輸出端的驅動力。
一種磁性膜之加工方法， <br/>包含： <br/>第1程序，其為對形成有磁性膜的被加工物，進行利用氧電漿的情況下的電漿蝕刻者；以及 <br/>第2程序，其為在前述第1程序後，進行使用包含氧與二酮的混合氣體的情況下的氣體蝕刻者； <br/>將由前述第1程序與前述第2程序所成的循環反覆複數次， <br/>在前述第2程序，前述混合氣體，從第1方向照射，該第1方向，為和前述被加工物的表面相向的方向。
如請求項1的磁性膜之加工方法，其中， <br/>在前述第2程序，前述混合氣體，除前述第1方向以外，從為和前述第1方向不同的方向的第2方向進行照射。
如請求項1的磁性膜之加工方法，其中， <br/>前述混合氣體，從和照射前述混合氣體的方向相同的方向進行排氣。
如請求項1的磁性膜之加工方法，其中， <br/>在前述磁性膜上具有所預先圖案化的非磁性氧化膜，使前述非磁性氧化膜作為遮罩而對前述磁性膜進行前述第1程序及前述第2程序。
如請求項1的磁性膜之加工方法，其中， <br/>作為前述二酮，使用乙醯丙酮， <br/>作為前述磁性膜，使用鈷、鐵或鎳的單金屬，或使用包含鈷、鐵及鎳中的至少一者的合金。
一種磁性裝置製造方法， <br/>具有： <br/>在基板上製造多層膜的程序，該多層膜，至少依序積層有固定層、穿隧阻障層、自由層以以及遮罩層； <br/>將前述遮罩層圖案化為既定的圖案的程序； <br/>在前述圖案化的程序後，將經前述圖案化的前述遮罩層利用為遮罩，對前述自由層以利用氧電漿的情況下的電漿蝕刻從而進行加工的程序； <br/>在對前述自由層以前述電漿蝕刻從而進行加工的程序後，對前述自由層以使用包含氧與二酮的混合氣體的情況下的氣體蝕刻從而進行加工的程序； <br/>在對前述自由層以前述氣體蝕刻從而進行加工的程序後，對前述穿隧阻障層及前述固定層以利用氧電漿的情況下的電漿蝕刻從而進行加工的程序； <br/>在對前述穿隧阻障層及前述固定層以前述電漿蝕刻從而進行加工的程序後，對前述固定層以使用包含氧與二酮的混合氣體的情況下的氣體蝕刻從而進行加工的程序； <br/>在對前述固定層以氣體蝕刻從而進行加工的程序後，形成層間絕緣膜的程序；以及 <br/>對在形成前述層間絕緣膜的程序所形成的前述層間絕緣膜實施平坦化處理的程序。
一種加工裝置， <br/>具備： <br/>容器，其具備第1氣體導入部與第1氣體排出部； <br/>樣品台，其在前述容器內載置被加工物； <br/>電漿誘發部，其從自前述第1氣體導入部所導入的氣體，使電漿誘發於前述容器內； <br/>氧供應部，其將氧供應至前述第1氣體導入部； <br/>二酮供應部，其對前述第1氣體導入部供應二酮；以及 <br/>第1限制部，其對從前述二酮供應部往前述第1氣體導入部的前述二酮的供應進行限制； <br/>前述第1氣體導入部，設於和載置於前述樣品台之前述被加工物的表面相向的壁面， <br/>前述第1氣體排出部，設於和設有前述第1氣體導入部的前述壁面相向的壁面， <br/>前述第1限制部，在前述電漿誘發部進行動作之際對來自前述二酮供應部的前述二酮的供應進行限制，僅使前述氧供應至前述第1氣體導入部，在前述電漿誘發部非動作之際予以供應來自前述二酮供應部的前述二酮的供應而使前述氧與前述二酮的混合氣體供應至前述第1氣體導入部。
如請求項7的加工裝置，其中， <br/>前述容器，進一步具備：第2氣體導入部，其設於和前述第1氣體導入部正交的壁面；以及第2氣體排出部，其設於和前述第2氣體導入部相向的壁面； <br/>具備從前述第2氣體導入部限制前述混合氣體的導入的第2限制部； <br/>前述第2限制部，在前述電漿誘發部進行動作之際從前述第2氣體導入部對前述混合氣體的導入進行限制，在前述電漿誘發部非動作之際使前述混合氣體從前述第2氣體導入部導入。
如請求項7的加工裝置，其中， <br/>前述電漿誘發部，進一步具備將在所誘發的前述電漿內產生的離子進行加速的加速部， <br/>前述樣品台，可沿著相對於前述被加工物的載置面延伸於垂直的方向的旋轉軸而旋轉，同時前述旋轉軸與前述離子的行進方向的相對角度為可變更。
一種半導體製造裝置的運轉方法，處理真空容器內部的處理室的內部配置的晶圓之半導體製造裝置的運轉方法，其特徵為具備： <br/> 在1個的晶圓的處理結束之後在前述處理室的內部配置別的晶圓之工序；及 <br/> 在前述別的晶圓配置於前述處理室的內部的狀態下，將使減少了小於預定值的波長量的電磁波照射至前述處理室的內部之工序， <br/> 在將前述電磁波照射至前述處理室的內部的工序中使前述處理室的內部的粒子附著於前述別的晶圓。
如請求項1記載的半導體製造裝置的運轉方法，其中，前述電磁波是被減少1μm以下的波長的量。
如請求項1或2記載的半導體製造裝置的運轉方法，其中，在前述別的晶圓保持於前述處理室的內部配置的試料台上的狀態下照射前述電磁波至前述處理室的內部。
一種半導體製造裝置的運轉方法，處理真空容器內部的處理室的內部配置的晶圓之半導體製造裝置的運轉方法，其特徵為具備： <br/> 在1個的晶圓的處理結束之後在前述處理室的內部配置別的晶圓之工序；及 <br/> 在前述別的晶圓配置於前述處理室的內部的狀態下，將使減少了小於預定值的波長量的電磁波照射至前述處理室的內部之工序， <br/> 前述試料台被維持於冷卻前述別的晶圓的溫度，前述別的晶圓配置於前述處理室的內部的試料台上與前述試料台的上面隔開間隙而保持的狀態下，前述電磁波被照射至前述處理室的內部。
一種半導體製造裝置，其特徵為具備： <br/> 處理室，其配置於真空容器內部； <br/> 試料台，其配置於前述處理室的內部，在其上面的上方載置晶圓； <br/> 燈，其配置於前述處理室的上方，放射被照射至前述處理室的內部的電磁波；及 <br/> 屏蔽，其配置於前述燈與前述處理室之間，使減少小於預定值的波長量， <br/> 在前述處理室的內部處理前述晶圓， <br/> 而且，具備控制裝置，其在1個的前述晶圓的處理結束之後，在前述處理室的內部配置別的前述晶圓的狀態下驅動前述燈而使經由前述屏蔽的電磁波照射至前述處理室的內部， <br/> 前述控制裝置是在1個的前述晶圓的處理中驅動前述屏蔽的驅動裝置，使前述屏蔽移動至和別的前述晶圓配置於前述處理室的狀態的位置不同的位置，不經由前述屏蔽使前述電磁波照射至1個的前述晶圓。
一種半導體製造裝置，其特徵為具備： <br/> 處理室，其配置於真空容器內部； <br/> 試料台，其配置於前述處理室的內部，在其上面的上方載置晶圓； <br/> 燈，其配置於前述處理室的上方，放射被照射至前述處理室的內部的電磁波；及 <br/> 屏蔽，其配置於前述燈與前述處理室之間，使減少小於預定值的波長量， <br/> 在前述處理室的內部處理前述晶圓， <br/> 而且，具備： <br/> 控制裝置，其在1個的前述晶圓的處理結束之後，在前述處理室的內部配置別的前述晶圓的狀態下驅動前述燈而使經由前述屏蔽的電磁波照射至前述處理室的內部；及 <br/> 反射板，將來自前述燈的電磁波反射而使前述電磁波朝向前述處理室的內部。
如請求項6記載的半導體製造裝置，其中，前述屏蔽是具備減少1μm以下的波長的前述電磁波的量的功能。
如請求項6或7記載的半導體製造裝置，其中，具有試料台，其配置於前述處理室的內部，在上面載置1個的前述晶圓及別的前述晶圓， <br/> 前述試料台是在其內部具有流路，該流路是被供給用以冷卻前述試料台的媒體。
一種控制電路，適用於橋接一主機裝置以及多個儲存裝置，包括：<br/> 一橋接控制器，包括一上行埠介面電路、一下行埠介面電路以及一路由電路，其中該上行埠介面電路用以基於一第一傳輸規範耦接該主機裝置以及該路由電路，並且該下行埠介面電路用以基於一第二傳輸規範耦接該路由電路以及該些儲存裝置；以及<br/> 一磁碟陣列控制器，耦接該路由電路以及該下行埠介面電路，用以透過該下行埠介面電路存取該些儲存裝置，<br/> 其中該路由電路包括：<br/> 一配接器電路，耦接該上行埠介面電路以及該磁碟陣列控制器，用以轉換符合USB4規範、USB3規範、TBT規範或者PCIe規範的數據以傳輸經轉換的數據；以及<br/> 一增強型超高速功能電路，耦接該上行埠介面電路、該磁碟陣列控制器以及該下行埠介面電路，用以轉換符合USB3規範或者PCIe規範的數據以傳輸經轉換的數據。
如請求項1所述的控制電路，其中該橋接控制器以及該磁碟陣列控制器設置在相同的晶片上。
如請求項1所述的控制電路，其中該第一傳輸規範包括通用串列匯流排（universal serial bus，USB）規範或者霹靂（Thunderbolt，TBT）規範。
如請求項1所述的控制電路，其中該第二傳輸規範包括高速週邊元件交互連接（PCI Express，PCIe）規範。
如請求項1所述的控制電路，其中該下行埠介面電路包括：<br/> 多個PCIe開關控制器，耦接該磁碟陣列控制器以及該路由電路；以及<br/> 一PCIe實體層電路，耦接該些PCIe開關控制器。
如請求項1所述的控制電路，其中該配接器電路包括：<br/> 一通道配接器，耦接該上行埠介面電路；<br/> 一USB配接器，透過該上行埠介面電路耦接該增強型超高速功能電路；<br/> 一PCIe配接器，耦接該磁碟陣列控制器；以及<br/> 一控制配接器，耦接該通道配接器、該USB配接器以及該PCIe配接器。
如請求項6所述的控制電路，其中該增強型超高速功能電路包括：<br/> 一USB2.0裝置控制器，耦接該上行埠介面電路；<br/> 一USB3.2裝置控制器，透過該上行埠介面電路耦接該USB配接器；以及<br/> 一虛擬高速非揮發性記憶體（NVM Express，NVMe）主機，耦接該USB2.0裝置控制器、該USB3.2裝置控制器、該磁碟陣列控制器以及該下行埠介面電路。
如請求項7所述的控制電路，其中該上行埠介面電路包括：<br/> 一USB3.2物理編碼子層（Physical Coding Sub-layer，PCS）電路；<br/> 一解多工器，具有輸入端耦接該主機裝置，該解多工器的多個輸出端耦接該通道配接器以及該USB3.2 PCS電路；以及<br/> 一多工器，具有多個輸入端耦接該USB配接器以及該USB3.2 PCS電路，該多工器的輸出端耦接該USB2.0裝置控制器。
如請求項1所述的控制電路，其中該些儲存裝置包括至少一固態硬碟（Solid-State Disk，SSD）以及至少一硬碟（Hard Disk Drive，HDD）中的至少一者。
一種處理一基板的方法，包含以下步驟：<br/> 使置於一處理腔室的一處理容積中的該基板接觸一含烴氣體混合物；<br/> 使該基板接觸一含硼氣體混合物，其中該含烴氣體混合物與該含硼氣體混合物依(含硼氣體混合物)/(含硼氣體混合物+含烴氣體混合物)為0.38至0.85的一前驅物比率流入該處理容積；及<br/> 在該處理容積中產生一射頻（RF）電漿，以於該基板上沉積一硼-碳膜，其中該硼-碳膜具有至少55原子百分比至95原子百分比的硼，以及少於10原子百分比的氫。
如請求項1所述之方法，其中該含烴氣體混合物包含烷烴。
如請求項2所述之方法，其中該含烴氣體混合物包含丙烯（C<sub>3</sub>H<sub>6</sub>）。
如請求項1所述之方法，其中該含硼氣體混合物包含以氫氣（H<sub>2</sub>）稀釋、9重量百分比（重量%）的二硼烷（B<sub>2</sub>H<sub>6</sub>）。
如請求項1所述之方法，其中該含烴氣體混合物與含硼氣體混合物之比為0.07：1至0.12：1。
如請求項1所述之方法，其中產生該RF電漿之步驟包含以下步驟：施加12 MHz至14 MHz的高頻和0.1 kHz至1 kHz的低頻。
如請求項6所述之方法，其中該施加高頻和低頻係以50 W至2500 W的功率位準施加。
一種處理一基板的方法，包含以下步驟：<br/> 使置於一處理腔室的一處理容積中的該基板接觸一含烴氣體混合物；<br/> 使該基板接觸一含硼氣體混合物，其中該含烴氣體混合物與該含硼氣體混合物依(含硼氣體混合物)/(含硼氣體混合物+含烴氣體混合物)為0.38至0.85的一前驅物比率流入該處理容積；及<br/> 在該處理容積中產生一射頻（RF）電漿，以於該基板上沉積一硼-碳膜，其中該硼-碳膜具有至少55原子百分比至95原子百分比的硼，以及少於10原子百分比的氫。
如請求項8所述之方法，其中產生該RF電漿之步驟包含以下步驟：施加12 MHz至14 MHz的高頻和0.1 kHz至1 kHz的低頻。
如請求項9所述之方法，其中該施加高頻和低頻係以50 W至2500 W的功率位準施加。
如請求項8所述之方法，其中該基板固定於一靜電卡盤（ESC）。
一種非暫態電腦可讀取媒體，該媒體含有程式指令，用以使一電腦進行下列方法：<br/> 使置於一處理腔室的一處理容積中的一基板接觸一含烴氣體混合物；<br/> 使該基板接觸一含硼氣體混合物，其中該含烴氣體混合物與該含硼氣體混合物依(含硼氣體混合物)/(含硼氣體混合物+含烴氣體混合物)為0.38至0.85的一前驅物比率流入該處理容積；及<br/> 在該處理容積中產生一射頻（RF）電漿，以於該基板上沉積一硼-碳膜，其中該硼-碳膜具有至少55原子百分比至95原子百分比的硼，以及少於10原子百分比的氫。
如請求項12所述之非暫態電腦可讀取媒體，其中該含烴氣體混合物包含烷烴。
如請求項12所述之非暫態電腦可讀取媒體，其中該含硼氣體混合物包含以氫氣（H<sub>2</sub>）稀釋、9重量百分比（重量%）的二硼烷（B<sub>2</sub>H<sub>6</sub>）。
如請求項12所述之非暫態電腦可讀取媒體，其中該含烴氣體混合物與含硼氣體混合物之比為0.07：1至0.12：1。
如請求項1所述之方法，其中該處理容積中的壓力為2托耳至10托耳。
如請求項1所述之方法，其中該基板維持在450℃至650℃的溫度。
如請求項8所述之方法，其中該含硼氣體混合物包含以氫氣（H<sub>2</sub>）稀釋、9重量百分比（重量%）的二硼烷（B<sub>2</sub>H<sub>6</sub>）。
如請求項8所述之方法，其中該含烴氣體混合物與含硼氣體混合物之比為0.07：1至0.12：1。
如請求項12所述之非暫態電腦可讀取媒體，其中該含烴氣體混合物包含丙烯（C<sub>3</sub>H<sub>6</sub>）。
一種光配向法用的液晶配向劑，包含：<br/> 一聚合物(A)；<br/> 一溶劑(B)；及<br/> 一羥烷基醯胺(C)；<br/> 其中，該聚合物(A)選自於由一聚醯亞胺前驅物，以及一該聚醯亞胺前驅物所形成的醯亞胺化聚合物所組成的群組中至少一種聚合物，該聚合物(A)的該聚醯亞胺前驅物包含如式(I)所示的結構，<br/><img align="absmiddle" height="42px" width="110px" file="ed10214.jpg" alt="ed10214.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(I)<br/> 於該式(I)中，<br/> X<sup>1</sup>是選自於由如式(I-1)至式(I-7)所示的結構所組成的群組中的至少一者，其中，「*」代表鍵結位置，<br/><img align="absmiddle" height="39px" width="34px" file="ed10216.jpg" alt="ed10216.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (I-1)、<img align="absmiddle" height="28px" width="41px" file="ed10217.jpg" alt="ed10217.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (I-2)、<br/><img align="absmiddle" height="28px" width="44px" file="ed10218.jpg" alt="ed10218.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (I-3)、<img align="absmiddle" height="26px" width="40px" file="ed10219.jpg" alt="ed10219.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (I-4)、<br/><img align="absmiddle" height="28px" width="42px" file="ed10220.jpg" alt="ed10220.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (I-5)、<img align="absmiddle" height="28px" width="44px" file="ed10221.jpg" alt="ed10221.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (I-6)、<br/><img align="absmiddle" height="69px" width="49px" file="ed10222.jpg" alt="ed10222.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (I-7)，<br/> 於式(I-1)中，X<sup>11</sup>、X<sup>12</sup>、X<sup>13</sup>與X<sup>14</sup>分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、碳數為1至6的烷基、碳數為2至6的烯基、碳數為2至6的炔基、碳數為1至6且含有氟原子的一價有機基，或苯基，<br/> 於式(I-7)中，X<sup>15</sup>與X<sup>16</sup>分別獨立地表示氫原子或甲基，<br/> X<sup>2</sup>表示氫原子或碳數為1至4的烷基，<br/> Y為4價有機基，<br/> 該羥烷基醯胺(C)包含如式(C1)所示的結構，<br/><img align="absmiddle" height="25px" width="50px" file="ed10215.jpg" alt="ed10215.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (C1)<br/> R<sup>1</sup>至R<sup>4</sup>各自獨立地表示氫原子、可具有取代基的碳數為1至6的烷基、可具有取代基的碳數為2至6的烯基、或可具有取代基的碳數為2至6的炔基，其中，R<sup>1</sup>至R<sup>4</sup>中至少有一個表示被羥基取代的烷基，<br/> 基於該聚合物(A)的總量為100重量份，該羥烷基醯胺(C)的使用量為6重量份至30重量份。
如請求項1所述的光配向法用的液晶配向劑，其中，X<sup>1</sup>是選自於如式(I-1-1)至式(I-1-6)所示的結構，<br/><img align="absmiddle" height="38px" width="34px" file="ed10223.jpg" alt="ed10223.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (I-1-1)、<img align="absmiddle" height="38px" width="35px" file="ed10224.jpg" alt="ed10224.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (I-1-2)、<br/><img align="absmiddle" height="56px" width="34px" file="ed10225.jpg" alt="ed10225.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (I-1-3)、<img align="absmiddle" height="56px" width="35px" file="ed10226.jpg" alt="ed10226.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (I-1-4)、<br/><img align="absmiddle" height="76px" width="35px" file="ed10227.jpg" alt="ed10227.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (I-1-5)、<img align="absmiddle" height="21px" width="35px" file="ed10228.jpg" alt="ed10228.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (I-1-6)。
如請求項2所述的光配向法用的液晶配向劑，其中，X<sup>1</sup>表示如式(I-1-1)所示的結構，<br/><img align="absmiddle" height="38px" width="34px" file="ed10223.jpg" alt="ed10223.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (I-1-1)。
如請求項1所述的光配向法用的液晶配向劑，其中，R<sup>1</sup>至R<sup>4</sup>中至少有三個表示被羥基取代的烷基。
如請求項1所述的光配向法用的液晶配向劑，其中，該羥烷基醯胺(C)是選自於下列化合物，<br/><img align="absmiddle" height="64px" width="97px" file="ed10229.jpg" alt="ed10229.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="75px" width="116px" file="ed10230.jpg" alt="ed10230.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="65px" width="83px" file="ed10231.jpg" alt="ed10231.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="48px" width="97px" file="ed10232.jpg" alt="ed10232.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="53px" width="97px" file="ed10233.jpg" alt="ed10233.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="33px" width="97px" file="ed10234.jpg" alt="ed10234.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="32px" width="78px" file="ed10235.jpg" alt="ed10235.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="32px" width="97px" file="ed10236.jpg" alt="ed10236.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="32px" width="116px" file="ed10237.jpg" alt="ed10237.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="32px" width="101px" file="ed10238.jpg" alt="ed10238.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="32px" width="134px" file="ed10239.jpg" alt="ed10239.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="32px" width="92px" file="ed10240.jpg" alt="ed10240.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="32px" width="153px" file="ed10241.jpg" alt="ed10241.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="42px" width="101px" file="ed10242.jpg" alt="ed10242.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="32px" width="171px" file="ed10243.jpg" alt="ed10243.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="44px" width="101px" file="ed10244.jpg" alt="ed10244.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種液晶配向膜，是利用如請求項1至5中任一項所述的光配向法用的液晶配向劑所形成。
一種液晶顯示元件，包含如請求項6所述的液晶配向膜。
一種半導體結構的製造方法，包含： <br/>形成一位元線結構於一基板上方； <br/>形成一第一間隔層於該位元線結構的一第一側壁上； <br/>形成一第二間隔層於該第一間隔層的一第二側壁上； <br/>形成一第三間隔層於該第二間隔層的一第三側壁上； <br/>對該第二間隔層和該第三間隔層執行一電漿製程，以在該第二間隔層中形成一氧化部分以及一剩餘部分並移除第三間隔層的一部分，其中該氧化部分位於該剩餘部分與剩餘的該第三間隔層之間，且該氧化部分的一厚度大於被移除的該第三間隔層的該部分的一厚度；以及 <br/>形成一第四間隔層於該第三間隔層的一第四側壁上。
如請求項1所述之半導體結構的製造方法，其中該第一間隔層包含一絕緣氮化物。
如請求項1所述之半導體結構的製造方法，其中該第二間隔層包含SiCO。
如請求項1所述之半導體結構的製造方法，其中該第三間隔層包含一絕緣氧化物。
如請求項1所述之半導體結構的製造方法，其中該第四間隔層包含一絕緣氮化物。
如請求項1所述之半導體結構的製造方法，其中對該第二間隔層和該第三間隔層執行該電漿製程是在形成該第四間隔層於該第三間隔層的該第四側壁上之前執行的。
如請求項1所述之半導體結構的製造方法，其中該第二間隔層的該氧化部分包含SiO <sub>2</sub>且該第三間隔層包含SiO <sub>2</sub>。
如請求項1所述之半導體結構的製造方法，其中該電漿製程為一電漿氧化製程。
如請求項8所述之半導體結構的製造方法，其中該電漿氧化製程包含O <sub>2</sub>和H <sub>2</sub>N <sub>2</sub>電漿氧化製程。
如請求項1所述之半導體結構的製造方法，其中該第一間隔層、該第二間隔層和該第三間隔層分別具有一第一厚度、一第二厚度和一第三厚度，該第二厚度大於該第三厚度，且該第三厚度大於該第一厚度。
一種半導體結構的製造方法，包含： <br/>形成一位元線結構於一基板上方； <br/>形成一第一間隔層於該位元線結構的一第一側壁上，其中該第一間隔層包含一絕緣氮化物； <br/>形成一第二間隔層於該第一間隔層的一第二側壁上，其中該第二間隔層包含SiO <sub>2</sub>並具有一第一部分和一第二部分，且該第一部分位於該第一間隔層與該第二部分之間； <br/>形成一第三間隔層覆蓋該第二間隔層的該第二部分； <br/>對該第二間隔層的該第二部分和該第三間隔層執行一電漿製程，以氧化該第二間隔層的該第二部分並移除該第三間隔層的一部分，其中該第二部分的一厚度大於被移除的該第三間隔層的該部分的一厚度； <br/>形成一第四間隔層於該第三間隔層的一第三側壁上；以及 <br/>形成一埋入式接觸件與該第四間隔層相鄰。
如請求項11所述之半導體結構的製造方法，其中該電漿製程為一電漿氧化製程。
如請求項12所述之半導體結構的製造方法，其中該電漿氧化製程包含O <sub>2</sub>和H <sub>2</sub>N <sub>2</sub>電漿氧化製程。
如請求項12所述之半導體結構的製造方法，其中在執行該電漿製程之前該第三間隔層具有一第一厚度，在執行該電漿製程之後該第三間隔層具有一第二厚度，且該第二厚度小於該第一厚度。
如請求項11所述之半導體結構的製造方法，其中該第三間隔層包含一絕緣氧化物。
如請求項11所述之半導體結構的製造方法，其中該第四間隔層包含一絕緣氮化物。
如請求項11所述之半導體結構的製造方法，其中執行該電漿製程以氧化該第二間隔層的該第二部分是在形成該第四間隔層於該第三間隔層的該第三側壁上之前執行的。
一種半導體封裝結構的製造方法，包括： <br/>製造多個封裝晶片； <br/>混合接合該多個封裝晶片中的兩個，以構成雙層封裝結構，其中該雙層封裝結構中的一個封裝晶片具有多個基板穿孔（TSV）結構； <br/>在該雙層封裝結構上形成第一介電層覆蓋該多個基板穿孔結構； <br/>在該第一介電層中形成與該多個基板穿孔結構相連的犧牲佈線層； <br/>在該犧牲佈線層上形成多個第一測試墊； <br/>經由該多個第一測試墊對該雙層封裝結構進行的第一測試； <br/>去除該多個第一測試墊與該犧牲佈線層，以於該第一介電層中形成多個溝槽； <br/>在該第一介電層上形成第二介電層，且該第二介電層填補該多個溝槽；以及 <br/>在該第一介電層與該第二介電層內形成多個接合墊。
如請求項1所述的半導體封裝結構的製造方法，其中該第一測試包括晶圓接受測試或最終測試。
如請求項1所述的半導體封裝結構的製造方法，其中製造該多個封裝晶片中的一個的方法包括： <br/>在一基板上形成至少一半導體元件； <br/>在該基板上形成內連線結構，耦接該至少一半導體元件； <br/>在該內連線結構上形成一附加線路層； <br/>經由該附加線路層對該內連線結構與該至少一半導體元件進行第二測試；以及 <br/>去除該附加線路層的一部分的表面。
如請求項3所述的半導體封裝結構的製造方法，其中在去除該附加線路層的一部分的表面後，更包括在該附加線路層的剩餘部分上形成接合介面結構。
如請求項4所述的半導體封裝結構的製造方法，其中該接合介面結構包括介電層與多個接合墊。
如請求項3所述的半導體封裝結構的製造方法，其中該第二測試包括晶圓接受測試或最終測試。
如請求項3所述的半導體封裝結構的製造方法，其中形成該內連線結構之前，更包括形成穿過該基板的該多個基板穿孔（TSV）結構。
一種半導體封裝結構，包括堆疊的多個晶粒，所述多個晶粒包括： <br/>第一晶粒，包括第一接合介面結構； <br/>第二晶粒，包括第二底部接合介面結構與第二頂部接合介面結構，該第二底部接合介面結構設置於該第二晶粒的底部接合面並接合至該第一晶粒的該第一接合介面結構，且該第二頂部接合介面結構設置於該第二晶粒的頂部接合面；以及 <br/>第三晶粒，包括第三接合介面結構，接合至該第二晶粒的該第二頂部接合介面結構，其中 <br/>該第二頂部接合介面結構包括： <br/>多層介電層，其中在該多層介電層內具有不平整的界面；以及 <br/>多個接合墊，設置於該多層介電層中，其中該多個接合墊中的第一部分設置於該多層介電層中的該不平整的界面上方，該多個接合墊中的第二部分設置於該多層介電層中並穿過該不平整的界面。
如請求項8所述的半導體封裝結構，其中該第一晶粒包括： <br/>第一基板； <br/>至少一第一半導體元件，設置於該第一基板上； <br/>第一內連線結構，設置於該第一基板上並耦接該至少一第一半導體元件；以及 <br/>該第一接合介面結構，設置於該第一內連線結構上。
如請求項9所述的半導體封裝結構，其中該第一晶粒更包括：附加線路層，設置於該第一內連線結構的頂部，且該附加線路層的厚度小於該第一內連線結構中的金屬化層的厚度。
如請求項10所述的半導體封裝結構，其中該附加線路層電性連接於該第一內連線結構中的該金屬化層。
如請求項8所述的半導體封裝結構，其中該第二晶粒更包括： <br/>第二基板，介於該第二底部接合介面結構與該第二頂部接合介面結構之間； <br/>至少一第二半導體元件，設置於該第二基板與該第二底部接合介面結構之間； <br/>第二內連線結構，設置於該至少一第二半導體元件與該第二底部接合介面結構之間，並耦接該至少一第二半導體元件；以及 <br/>多個基板穿孔（TSV）結構，穿過該第二基板耦接該第二內連線結構與該第二頂部接合介面結構。
如請求項12所述的半導體封裝結構，其中該第二晶粒更包括：附加線路層，設置於該第二內連線結構的底部，且該附加線路層的厚度小於該第二內連線結構中的金屬化層的厚度。
如請求項13所述的半導體封裝結構，其中該附加線路層電性連接於該第二內連線結構中的該金屬化層。
如請求項8所述的半導體封裝結構，其中該第三晶粒包括： <br/>第三基板； <br/>至少一第三半導體元件，設置於該第三基板與該第三接合介面結構之間； <br/>第三內連線結構，設置於該至少一第三半導體元件與該第三接合介面結構之間，並耦接該至少一第三半導體元件； <br/>該第三接合介面結構，設置於該第三內連線結構與該第二晶粒之間；以及 <br/>多個基板穿孔（TSV）結構，穿過該第三基板耦接至該第三內連線結構。
如請求項15所述的半導體封裝結構，更包括： <br/>佈線層，設置於該第三晶粒的頂面；以及 <br/>測試墊，設置於該佈線層上。
如請求項15所述的半導體封裝結構，其中該第三晶粒更包括：附加線路層，設置於該第三內連線結構的底部，且該附加線路層的厚度小於該第三內連線結構中的金屬化層的厚度。
如請求項17所述的半導體封裝結構，其中該附加線路層電性連接於該第三內連線結構中的該金屬化層。
一種計算系統，具有浸沒冷卻，該計算系統包括：<br/> 一或多個計算裝置，該一或多個計算裝置的每個計算裝置具有至少一產熱部件；<br/> 一冷卻劑分配單元，用於循環一冷卻劑；以及<br/> 一冷卻槽，與該冷卻劑分配單元流體耦接以接收該冷卻劑，該冷卻槽包括浸沒在該冷卻劑中的一或多個裝置冷卻導件，該一或多個裝置冷卻導件的每個裝置冷卻導件包括：<br/> 一電磁閥，用於循環該冷卻劑；以及<br/> 一開放通道，由一第一牆、一第二牆、以及一底板定義，該開放通道更包括一第一彈簧板，該第一彈簧板安裝在該第一牆上並位於該開放通道內，該開放通道與該電磁閥結構性耦接並與該電磁閥流體連通，該開放通道配置以接收該一或多個計算裝置中的一相應計算裝置，並將該冷卻劑引導至經過該一或多個計算裝置中的該相應計算裝置的一冷卻路徑。
如請求項1所述之計算系統，其中一或多個裝置冷卻導件包括複數個裝置冷卻導件，該等複數個裝置冷卻導件的每個裝置冷卻導件大致平行另一裝置冷卻導件。
如請求項1所述之計算系統，其中該電磁閥與該開放通道的一底板耦接。
如請求項1所述之計算系統，其中該第一牆以及該第二牆均與該底板在端部耦接，該第一牆與該第二牆位於相對位置，定義該開放通道。
如請求項4所述之計算系統，其中該第一牆以及該第二牆各自包括一斜角邊緣。
一種計算系統，包括：<br/> 一或多個計算裝置，每個計算裝置具有至少一產熱部件；以及<br/> 一浸沒冷卻系統，具有一冷卻劑分配單元以及一冷卻槽，該冷卻劑分配單元用於循環一冷卻劑，該冷卻槽與該冷卻劑分配單元流體耦接以接收該冷卻劑，該冷卻槽包括一或多個裝置冷卻導件，浸沒在該冷卻劑中，該一或多個裝置冷卻導件的每個裝置冷卻導件包括：<br/> 一電磁閥，用於循環該冷卻劑；以及<br/> 一開放通道，由一第一牆、一第二牆、以及一底板定義，該開放通道更包括一第一彈簧板，該第一彈簧板安裝在該第一牆上並位於該開放通道內，該開放通道與該電磁閥結構性耦接並與該電磁閥流體連通，該開放通道配置以接收該一或多個計算裝置中的一相應計算裝置，並將該冷卻劑引導至經過該一或多個計算裝置中的該相應計算裝置的一冷卻路徑。
如請求項6所述之計算系統，更包括：<br/> 一記憶裝置，儲存複數機器可讀指令；以及<br/> 一控制系統，與該電磁閥、該冷卻劑分配單元、以及該相應計算裝置的一基板管理控制器通訊連接，其中該控制系統具有一或多個處理器，配置以執行該等機器可讀指令，以使該計算系統：<br/> 在該相應計算裝置的一溫度超過該基板管理控制器所確定的一預定值時打開該電磁閥；以及<br/> 使用該冷卻劑分配單元，該冷卻劑流動通過該開放通道以及該相應計算裝置。
一種冷卻方法，用於冷卻一計算系統，該計算系統具有一或多個計算裝置，該冷卻方法包括：<br/> 獲得一浸沒冷卻系統，具有一冷卻劑分配單元以及一冷卻槽，其中該冷卻槽與該冷卻劑分配單元流體耦接以接收一冷卻劑；<br/> 在該冷卻槽內安裝一或多個裝置冷卻導件；<br/> 將一電磁閥安裝到該一或多個裝置冷卻導件的每個裝置冷卻導件；<br/> 將該電磁閥與該一或多個裝置冷卻導件的每個裝置冷卻導件的一開放通道流體耦接；<br/> 在該開放通道內接收一或多個計算裝置中的一相應計算裝置；<br/> 將一第一彈簧板安裝於該開放通道的一第一牆上並且位於該開放通道內；以及<br/> 如果該電磁閥打開，該冷卻劑通過該開放通道，在一冷卻路徑中流動經過一或多個計算裝置中的該相應計算裝置。
如請求項8所述之冷卻方法，更包括：<br/> 將一感測器安裝在該開放通道；<br/> 由該感測器確定該開放通道為空；以及<br/> 根據確定該開放通道為空，關閉該電磁閥。
一種嵌合件，<br/> 具備一對帶狀的第一嵌合構件及第二嵌合構件，<br/> 前述第一嵌合構件具有帶狀的第一基材和沿長邊方向設置於前述第一基材的表面上的雄側嵌合部，<br/> 前述第二嵌合構件具有帶狀的第二基材和沿長邊方向設置於前述第二基材的表面上且與前述雄側嵌合部拆裝自如地嵌合的雌側嵌合部，<br/> 於前述雄側嵌合部，於前述雄側嵌合部的長邊方向上隔開0.3mm以上30mm以下的間隔，形成有多個與長邊方向交叉的方向的切口，<br/> 前述雄側嵌合部的長邊方向上的切口的位置與前述雌側嵌合部的長邊方向上的切口的位置錯開，<br/> 於重複100次前述雄側嵌合部和前述雌側嵌合部之間的嵌合及嵌合解除的動作後，測定的內容物側的嵌合強度相對於初始嵌合強度的變化率為-30%以上。
如請求項1之嵌合件，其中，<br/> 當將以下述測定條件測定的環境音設為A（dB），將解除前述雄側嵌合部與前述雌側嵌合部的嵌合時的嵌合解除音設為B（dB）時，滿足｜B｜－｜A｜＞10，<br/> 測定條件：<br/> 以40m/分鐘的速度進行前述雄側嵌合部和前述雌側嵌合部的嵌合解除動作，測定前述嵌合解除音。
一種附嵌合件之袋體，其具備請求項1或請求項2之前述嵌合件。
一種嵌合件，具備：一對帶狀的第1嵌合構件及第2嵌合構件，<br/>前述第1嵌合構件具備：帶狀的第1基材、以及在前述第1基材的表面沿著長邊方向設置的公側嵌合部；<br/>前述第2嵌合構件具備：帶狀的第2基材、以及在前述第2基材的表面沿著長邊方向設置並且裝卸自如地與前述公側嵌合部嵌合的母側嵌合部；<br/>在前述母側嵌合部中，在前述母側嵌合部的長度方向以隔開間隔的方式形成複數個低位部，前述低位部在前述母側嵌合部的高度方向壓垮而高度為低，並且幅寬變寬，<br/>在前述公側嵌合部中，在前述公側嵌合部的長邊方向以隔開大於或等於0.3mm且小於或等於30mm的間隔的方式形成有與長邊方向交叉的方向的複數個切口。
如請求項1記載的嵌合件，其中，在以以下測定條件測定的環境音作為A（dB）、以在解除前述公側嵌合部與前述母側嵌合部之嵌合時的嵌合解除音作為B（dB）、以在使前述公側嵌合部與前述母側嵌合部嵌合時的嵌合音作為C（dB）時，滿足|B|-|A|＞10且|C|-|A|＞10，<br/>測定條件：<br/>以速度40m/分進行前述公側嵌合部與前述母側嵌合部之嵌合與嵌合解除之動作，以位於距離前述嵌合件10cm處的噪音計測定前述嵌合解除音、前述嵌合音。
一種附嵌合件之袋體，具備如請求項1或2記載的前述嵌合件。
一種冷板機構，其特徵在於，包括： <br/>傳輸組件（100），所述傳輸組件（100）包括第一進水管（110）、第一出水管（120）、第一連接板（140）和第二連接板（150），所述第一進水管（110）包括第一管口（111）和第二管口（112），所述第一管口（111）與所述第一連接板（140）連接，所述第一出水管（120）包括第三管口（121）和第四管口（122），所述第三管口（121）與所述第二連接板（150）連接；記憶體冷板（300），所述記憶體冷板（300）的一端連接所述第一連接板（140），所述記憶體冷板（300）的另一端連接所述第二連接板（150），所述第一進水管（110）、所述第一連接板（140）、所述記憶體冷板（300）、所述第二連接板（150）和所述第一出水管（120）依次形成連通的液冷通道，所述液冷通道內設置有液冷工質；以及電壓調節器冷板（400），所述電壓調節器冷板（400）設置於所述第一連接板（140）和/或所述第二連接板（150）。
如請求項1所述的冷板機構，其中： <br/>所述冷板機構（10）還包括處理器冷板（200），所述傳輸組件（100）還包括連接水管（130），所述第一管口（111）與所述處理器冷板（200）連接，所述連接水管（130）包括第五管口（131）和第六管口（132），所述第五管口（131）連接所述處理器冷板（200），所述第六管口（132）連接所述第一連接板（140），以使所述處理器冷板（200）、所述連接水管（130）接入所述液冷通道的第一進水管（110）和所述第一連接板（140）之間。
如請求項1所述的冷板機構，其中： <br/>所述記憶體冷板（300）包括多個，所述記憶體冷板（300）沿第一方向間隔排列設置，相鄰兩個所述記憶體冷板（300）之間設有記憶體安裝間隔（300A）。
如請求項1所述的冷板機構，其中： <br/>所述記憶體冷板（300）設有導熱墊片（330）和薄膜（340），所述導熱墊片（330）連接於所述記憶體冷板（300）的至少一側表面，所述薄膜（340）包裹於所述記憶體冷板（300）和所述導熱墊片（330）的外側。
如請求項3所述的冷板機構，其中： <br/>所述冷板機構（10）還包括第一導向蓋板（143）和第二導向蓋板（153），所述第一導向蓋板（143）可活動地安裝於所述第一連接板（140），所述第一導向蓋板（143）設有多個第一安裝槽（143A），所述第二導向蓋板（153）可活動地安裝於所述第二連接板（150），所述第二導向蓋板（153）設有多個第二安裝槽（153A），所述第一安裝槽（143A）和所述第二安裝槽（153A）一一相對設置，且所述第一安裝槽（143A）和所述第二安裝槽（153A）對應所述記憶體安裝間隔（300A）的位置設置。
如請求項2所述的冷板機構，其中： <br/>所述傳輸組件（100）還包括第一接液盤（161）、第二接液盤（162）、第三接液盤（163）和第四接液盤（164），所述第一接液盤（161）連接於所述第一連接板（140），且所述第一接液盤（161）設置於所述第六管口（132）的底部，所述第二接液盤（162）連接於所述第二連接板（150），且所述第二接液盤（162）設置於所述第三管口（121）的底部，所述第三接液盤（163）設置於所述第一管口（111）的底部，所述第四接液盤（164）設置於所述第五管口（131）的底部。
如請求項2所述的冷板機構，其中： <br/>所述第一管口（111）、所述第三管口（121）、所述第五管口（131）和所述第六管口（132）均設置有漏液監測件。
如請求項2所述的冷板機構，其中： <br/>所述冷板機構（10）還包括安裝把手（500），所述安裝把手（500）包括第一連接部（510）、第二連接部（520）和第三連接部（530），所述第一連接部（510）透過第一緊固件（511）與所述第一連接板（140）可拆卸地連接，所述第二連接部（520）透過第二緊固件（521）與所述處理器冷板（200）可拆卸地連接，所述第三連接部（530）透過第三緊固件（531）與所述第二連接板（150）可拆卸地連接。
一種散熱模組，其特徵在於： <br/>包括第二進水管（11）、第二出水管（12）、第一分水器（13）、第二分水器（14）和至少兩個請求項1-8任一所述的冷板機構（10），所述第一分水器（13）設有第五入水口（13A）和至少兩個第五出水口（13B），第五入水口（13A）與所述第五出水口（13B）連通，所述第二分水器（14）設有第六出水口（14A）和至少兩個第六入水口（14B），所述第六出水口（14A）與所述第六入水口（14B）連通，所述第二進水管（11）與所述第五入水口（13A）連接，所述第一進水管（110）的第二管口（112）與所述第五出水口（13B）一一連接，所述第一出水管（120）的第四管口（122）與所述第六入水口（14B）一一連接，所述第二出水管（12）與所述第六出水口（14A）連接。
一種伺服器，其特徵在於： <br/>包括櫃體（2）、主板（3）、處理器、記憶體和請求項9所述的散熱模組（1），所述櫃體（2）設有容置腔（2A），所述主板（3）設置於所述容置腔（2A），所述處理器和所述記憶體安裝於所述主板（3）；所述第一連接板（140）設有第一導向孔（140A），所述第二連接板（150）設有第二導向孔（150A），所述主板（3）設有第一導向柱（31）和第二導向柱（32），所述冷板機構（10）安裝於所述主板（3）時，所述第一導向柱（31）連接所述第一導向孔（140A），所述第二導向柱（32）連接所述第二導向孔（150A）；所述記憶體設置於所述冷板機構（10）的記憶體安裝間隔（300A），且所述記憶體的兩端分別卡設於所述冷板機構（10）的第一安裝槽（143A）和所述冷板機構（10）的第二安裝槽（153A），所述記憶體的兩側面均抵接所述記憶體冷板（300）；所述處理器冷板（200）抵接所述處理器設置；所述主板（3）設有電壓調節器（33），所述電壓調節器冷板（400）抵接所述電壓調節器（33）。
一種以腦部活動及身體活動預測操作功能之無觸碰操作系統包含： <br/>一身體活動判斷模組，包含一影像截取裝置、一身體活動訊號處理單元及一身體影像預訓練模型，該影像截取裝置用以截取一身體影像並形成一影像訊號，該身體活動訊號處理單元用以接收該影像訊號並形成一身體節點特徵的鄰接矩陣訊號，該身體影像預訓練模型用以接收該身體節點特徵的鄰接矩陣訊號並形成一第一預測操作訊號； <br/>一腦部活動判斷模組，包含一腦部活動截取裝置、一腦部活動訊號處理單元及一腦部活動預訓練模型，該腦部活動截取裝置用以截取一腦部活動並形成一腦部活動訊號，該腦部活動訊號處理單元用以接收該腦部活動訊號並形成一現時間的連結矩陣訊號，該腦部活動預訓練模型用以接收該現時間的連結矩陣訊號並形成一第二預測操作訊號； <br/>一整合判斷模組，包含一操作訊號處理單元及一適應操作預訓練模型，該操作訊號處理單元用以接收該第一預測操作訊號及該第二預測操作訊號並形成一鄰接矩陣訊號，該適應操作預訓練模型用以接收該鄰接矩陣訊號並形成一操作訊號；及 <br/>一運算裝置，用以接收該操作訊號，並執行對應該操作訊號的一操作功能。
如請求項1之以腦部活動及身體活動預測操作功能之無觸碰操作系統，其中該腦部活動預訓練模型包含一第一預訓練模型及一第二預訓練模型，該第一預訓練模型用以接收該現時間的連結矩陣訊號並形成一下一時間的連結矩陣訊號，該第二預訓練模型用以接收該下一時間的連結矩陣訊號並形成該第二預測操作訊號。
如請求項2之以腦部活動及身體活動預測操作功能之無觸碰操作系統，其中該第一預訓練模型具有一預訓練的現時間單位連結矩陣訊號資料集及一預訓練的下一時間單位連結矩陣訊號資料集，該預訓練的現時間單位連結矩陣訊號資料集包含複數個預訓練的現時間單位連結矩陣資料，該預訓練的下一時間單位矩陣訊號資料集包含複數個預訓練的下一時間單位連結矩陣資料，每一該預訓練的現時間單位連結矩陣資料接續每一該預訓練的下一時間單位連結矩陣資料，該第一預訓練模型用以接收該現時間的連結矩陣訊號並比對該些預訓練的時間單位連結矩陣資料及該些預訓練的下一時間單位連結矩陣資料，以形成該下一時間的連結矩陣訊號。
如請求項3之以腦部活動及身體活動預測操作功能之無觸碰操作系統，其中該第二預訓練模型包含一預訓練的連結矩陣資料集及一預訓練的操作功能資料集，該預訓練的連結矩陣資料集包含複數個預訓練的連結矩陣資料，該預訓練的操作功能資料集包含複數個預訓練的操作功能資料，每一該預訓練的連結矩陣資料分別對應每一該預訓練的操作功能資料，該第二預訓練模型用以接收該下一時間的連結矩陣訊號，並比對該些預訓練的連結矩陣資料及該些預訓練的操作功能資料，以形成第二預測操作訊號。
如請求項1之以腦部活動及身體活動預測操作功能之無觸碰操作系統，其中該身體影像為一肢體影像，該影像訊號為包含複數個肢體節點的一肢體影像訊號，該身體活動訊號處理單元包含一肢體活動訊號處理單元，該身體節點特徵的鄰接矩陣訊號包含一肢體節點特徵的鄰接矩陣訊號，該身體影像預訓練模型包含一預訓練的肢體節點特徵的矩陣訊號資料集，該預訓練的肢體節點特徵矩陣訊號資料集包含複數個預訓練的肢體節點特徵矩陣資料，該影像截取裝置用以截取該肢體影像，並形成該肢體影像訊號，該肢體活動訊號處理單元用以接收該肢體影像訊號並截取該肢體影像訊號的複數個肢體節點的座標資料，以形成該肢體節點特徵的鄰接矩陣訊號，該身體影像預訓練模型用以接收該肢體節點特徵的鄰接矩陣訊號，並比對該些預訓練的肢體節點特徵矩陣資料以形成該第一預測操作訊號。
如請求項1之以腦部活動及身體活動預測操作功能之無觸碰操作系統，其中該身體影像為一軀幹影像，該影像訊號為包含複數個軀幹節點的一軀幹影像訊號，該身體活動訊號處理單元包含一軀幹活動訊號處理單元，該身體節點特徵的鄰接矩陣訊號包含一軀幹節點特徵的鄰接矩陣訊號，該身體影像預訓練模型包含一預訓練的軀幹節點特徵的矩陣訊號資料集，該預訓練的軀幹節點特徵矩陣訊號資料集包含複數個預訓練的軀幹節點特徵矩陣資料，該影像截取裝置用以截取該軀幹影像，並形成該軀幹影像訊號，該軀幹活動訊號處理單元用以接收該軀幹影像訊號並截取該軀幹影像訊號的複數個軀幹節點的座標資料，以形成該軀幹節點特徵的鄰接矩陣訊號，該身體影像預訓練模型用以接收該軀幹節點特徵的鄰接矩陣訊號並比對該些預訓練的軀幹節點特徵矩陣資料，以形成該第一預測操作訊號。
如請求項1之以腦部活動及身體活動預測操作功能之無觸碰操作系統，其中該身體影像包含一肢體影像及一軀幹影像，該影像訊號包含複數個肢體節點的一肢體影像訊號及複數個軀幹節點的一軀幹影像訊號，該身體活動訊號處理單元包含一肢體活動訊號處理單元、一軀幹活動訊號處理單元及一活動訊號整合處理單元，該身體節點特徵的鄰接矩陣訊號包含一整合肢體節點及軀幹節點特徵的鄰接矩陣訊號，該身體影像預訓練模型包含一預訓練的整合肢體節點特徵及軀幹節點特徵的矩陣訊號資料集，該預訓練的整合肢體節點特徵及軀幹節點特徵的矩陣訊號資料集包含複數個預訓練的整合預訓練的軀幹節點及肢體節點特徵矩陣資料，該影像截取裝置用以截取該肢體影像及該軀幹影像，並分別形成該肢體影像訊號及該軀幹影像訊號，該肢體活動訊號處理單元用以接收該肢體影像訊號並截取該肢體影像訊號的該些肢體節點的座標資料，該軀幹活動訊號處理單元用以接收該軀幹影像訊號並截取該軀幹影像訊號的該些軀幹節點的座標資料，該活動訊號整合處理單元用以接收該些肢體節點的座標資料及該些軀幹節點的座標資料以形成該整合肢體節點特徵及軀幹節點特徵的鄰接矩陣訊號，該身體影像預訓練模型用以接收該整合肢體節點特徵及軀幹節點特徵的鄰接矩陣訊號，並比對該些預訓練的整合預訓練的軀幹節點及肢體節點特徵矩陣資料以形成該第一預測操作訊號。
如請求項1之以腦部活動及身體活動預測操作功能之無觸碰操作系統，其中該適應操作預訓練模型包含一預訓練的適應操作功能鄰接矩陣訊號資料集及一預訓練的適應操作功能資料集，該預訓練的適應操作功能鄰接矩陣訊號資料集包含複數個預訓練的適應操作功能鄰接矩陣訊號資料，該預訓練的適應操作功能資料集包含複數個預訓練的適應操作功能資料，每一該預訓練的適應操作功能鄰接矩陣訊號資料分別對應每一該預訓練的適應操作功能資料，該適應操作預訓練模型用以接收該鄰接矩陣訊號，並比對該些預訓練的適應操作功能鄰接矩陣訊號資料及該些預訓練的適應操作功能資料，以形成該操作訊號。
如請求項1之以腦部活動及身體活動預測操作功能之無觸碰操作系統，其中該影像截取裝置選自於攝影機。
如請求項1之以腦部活動及身體活動預測操作功能之無觸碰操作系統，其中該腦部活動截取裝置選自於功能性磁振造影儀（functional Magnetic Resonance Imaging，fMRI）或腦電圖儀(electroencephalogram，EEG)。
一種浮力材，其特徵在於包含：<br/> 中間層，由比重小於水的發泡材形成，形成有複數個貫通於厚度方向的孔部；以及<br/> 外層，配設於該中間層的外表面，由比重小於水且具有防水性的材料形成，<br/> 該中間層係將具有該孔部的複數個中間層形成構件疊層而形成，並混合在上下的該中間層形成構件彼此該孔部不重疊的部位與該孔部重疊的部位，<br/> 該中間層的外表面遍及全周藉由該外層覆蓋。
如請求項1之浮力材，其中複數個該中間層形成構件互相藉由熔合或接著接合。
如請求項1之浮力材，其中配設於該中間層的複數個該孔部分布不均。
一種浮力服，其特徵在於包含：<br/> 人穿戴用之服部；以及<br/> 配置於該服部的請求項1至請求項3中任一項之浮力材。
一種掛籃上層物（900d），具有一收疊組態以供儲存，以及一部署組態，用於放置在一可折疊遊戲床（1000c）的一地面（90）或一隆起面（511）之一者上，以支承一兒童（50），該掛籃上層物包括： <br/>一上層物構架（910c），包括： <br/>多個支承腳（940a、940b），配置成支承該掛籃上層物於該地面或該隆起面上； <br/>多個殼體（950a），所述多個殼體的每一個殼體耦接到所述多個支承腳的至少一支承腳；及 <br/>多個頂欄桿（912d、912e），耦接至所述多個殼體的每一個殼體；以及 <br/>一掛籃支承平台（990c），耦接至該上層物構架，使得該掛籃支承平台設置在該地面或該隆起面上方，以支承該兒童； <br/>其中所述多個殼體的每一個殼體具有一通孔開口（956），以及其中所述多個支承腳的每一個支承腳穿越所述多個殼體的一殼體的該通孔開口插入，每一個該支承腳係可相對於對應的該殼體旋轉以在該收疊組態與該部署組態之間改變。
如請求項1所述之掛籃上層物，其中所述多個殼體的每一個包含至少一插口接頭（958a、958b）。
如請求項2所述之掛籃上層物，其中所述多個頂欄桿的每一個頂欄桿包含插入該至少一插口接頭中的一接頭端。
如請求項3所述之掛籃上層物，其中該接頭端實質係相對於該地面或該隆起面垂直定向，而該頂欄桿之一其餘部位實質係相對於該地面或該隆起面平行定向。
如請求項1所述之掛籃上層物，其中所述多個支承腳的每一個支承腳包含一旋轉止動件（936），其剛性耦接到該支承腳並配置在所述多個殼體的一殼體的該通孔開口內，該旋轉止動件在該部署組態下與該殼體機械干擾使得產生一預負載並施加到該支承腳。
一種掛籃上層物（900d），具有一收疊組態以供儲存，以及一部署組態，用於放置在一可折疊遊戲床（1000c）的一地面（90）或一隆起面（511）之一者上，以支承一兒童（50），該掛籃上層物包括： <br/>一上層物構架（910c），包括： <br/>多個支承腳（940a、940b），配置成支承該掛籃上層物於該地面或該隆起面上； <br/>多個殼體（950a），所述多個殼體的每一個殼體耦接到所述多個支承腳的至少一支承腳；及 <br/>多個頂欄桿（912d、912e），耦接至所述多個殼體的每一個殼體；以及 <br/>一掛籃支承平台（990c），耦接至該上層物構架，使得該掛籃支承平台設置在該地面或該隆起面上方，以支承該兒童；以及 <br/>一閂鎖（930），其剛性耦合到該掛籃支承平台，並通過一扣合連接耦合到所述多個支承腳的至少一個支承腳上，以便將該掛籃上層物保持在該部署組態，當將該掛籃上層物改變為該收疊組態時，該閂鎖從至少一個支承腳上移除。
如請求項1所述之掛籃上層物，更包括一攜行握把（914），其經由一樞轉組件連接至所述多個頂欄桿，使得該攜行握把（914）係相對於所述多個頂欄桿可旋轉或可樞轉。
如請求項7所述之掛籃上層物，其中該樞轉組件之每一個包含： <br/>一握把安裝件（922），其包括具一插口開口（924）的一插口（923）以接受該攜行握把之一端部；及 <br/>一軌安裝件（926），連接至該握把安裝件，該軌安裝件包括具該通孔開口（928）的一基座端（927）以接受所述多個頂欄桿的端部。
如請求項8所述之掛籃上層物，其中該握把安裝件旋轉地連接到該軌安裝件，使得該握把安裝件可相對於該軌安裝件繞一旋轉軸旋轉。
如請求項8所述之掛籃上層物，其中所述軌安裝件的基座端包括一緊固件開口（929），其配置為用於接受一緊固件以固定所述多個頂欄桿的端部於該通孔開口（928）內。
一種掛籃上層物（900d），具有一收疊組態以供儲存，以及一部署組態，用於放置在一可折疊遊戲床（1000c）的一地面（90）或一隆起面（511）之一者上，以支承一兒童（50），該掛籃上層物包括： <br/>一上層物構架（910c），包括： <br/>多個支承腳（940a、940b），配置成支承該掛籃上層物於該地面或該隆起面上； <br/>多個殼體（950a），所述多個殼體的每一個殼體耦接到所述多個支承腳的至少一支承腳；及 <br/>多個頂欄桿（912d、912e），耦接至所述多個殼體的每一個殼體；以及 <br/>一掛籃支承平台（990c），耦接至該上層物構架，使得該掛籃支承平台設置在該地面或該隆起面上方，以支承該兒童；以及 <br/>其中所述多個殼體的每一個包含： <br/>一基座段部，其包含一第一側、一第二側、一第三側、一第四側； <br/>至少一插口接頭（958a、958b）延伸穿過或延伸穿入該基座段部的該第一側；以及 <br/>一通孔開口（956），從該基座段部的該第二側至該第四側延伸穿過該基座段部。
如請求項11所述之掛籃上層物，其中該至少一插口接頭大致垂直定向於該通孔開口。
如請求項1所述之掛籃上層物，其中該掛籃上層物配置成與該可折疊遊戲床（1000c）的一床墊耦接或由該可折疊遊戲床（1000c）的床墊支承。
如請求項1所述之掛籃上層物，其中一軟質件配置成耦接至該上層物構架，以界定支承該兒童於其中的一內部空間。
一種環氧環二氧化矽/環氧樹脂光固化塗層製備方法，其包括以下步驟：<br/> (a)配製光聚合物，其是由具改質環氧環二氧化矽、環氧樹脂及陽離子型起始劑混合而成光聚合物，該光聚合物包含：<br/> (i) 改質環氧環二氧化矽，該改質環氧環二氧化矽於該光聚合物中佔比為1 wt%至5 wt%； <br/> (ii)環氧樹脂，其包含至少二個環氧基，該環氧樹脂於該光聚合物中佔比為95 wt%至97wt%；及<br/> (iii)陽離子型起始劑，該陽離子型起始劑於該光聚合物中佔比為0.5 wt%至4 wt%；<br/> (b) 光聚合物攪拌，其於室溫下攪拌該光聚合物使之均勻；<br/> (c)光聚合物塗覆，其以刮刀塗布方式將光聚合物塗覆於被塗覆物之表面，該光聚合物之塗覆厚度為30μm至150 μm；及<br/> (d)光聚合反應，該被塗覆物表面之光聚合物藉由暴露於紫外光或紫外光至可見光下進行光聚合反應，光聚合反應後光聚合物固化為複合薄膜，其複合薄膜以作為抗腐蝕及隔熱塗層。
如請求項1所述之環氧環二氧化矽/環氧樹脂光固化塗層製備方法 ，其中，該改質環氧環二氧化矽具複數環氧官能基。
如請求項1所述之環氧環二氧化矽/環氧樹脂光固化塗層製備方法 ，其中，該改質環氧環二氧化矽之化學結構，如化學式II：<br/><img align="absmiddle" height="84px" width="81px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(II) 。
如請求項1所述之環氧環二氧化矽/環氧樹脂光固化塗層製備方法 ，其中，該環氧樹脂為雙酚A型環氧樹脂(Bisphenol A epoxy resin) ，如化學式III：<br/><img align="absmiddle" height="17px" width="157px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(III) 。
如請求項1所述之環氧環二氧化矽/環氧樹脂光固化塗層製備方法 ，其中，該陽離子型起始劑為三甲芳基六氟磷酸硫鎓鹽，如化學式IV：<br/><img align="absmiddle" height="61px" width="44px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(IV) 。
如請求項1所述之環氧環二氧化矽/環氧樹脂光固化塗層製備方法 ，其中，該陽離子型起始劑之固含量為40 wt%。
如請求項1所述之環氧環二氧化矽/環氧樹脂光固化塗層製備方法 ，其中，該光聚合物攪拌，其於室溫下攪拌時間為24小時使該光聚合物均勻。
如請求項1所述之環氧環二氧化矽/環氧樹脂光固化塗層製備方法 ，其中，該光聚合物塗覆，其以刮刀塗布方式將光聚合物塗覆於被塗覆物之表面，該刮刀塗布之移動速度為100 mm/min。
如請求項1所述之環氧環二氧化矽/環氧樹脂光固化塗層製備方法 ，其中，該光聚合反應使用該紫外光或紫外光至可見光為多波段波長，該多波段波長之波長範圍介於250 nm至450 nm，或該光聚合反應使用該紫外光為單一波長，該單一波長之波長為365 nm (20 mW/cm<sup>2</sup>)。
如請求項1所述之環氧環二氧化矽/環氧樹脂光固化塗層製備方法 ，其中，該光聚合反應，該被塗覆物表面之光聚合物藉由暴露於紫外光或紫外光至可見光下進行光聚合反應，其暴露之時間為30分鐘。
一種理線器，包含：<br/> 一本體，具有相對的一第一側與一第二側，以及相對的一第三側與一第四側；<br/> 一第一線扣部，設置於該第一側；<br/> 一第二線扣部，設置於該第二側；<br/> 一通道，連通該第一側與該第二側，並具有一第一開槽與一第二開槽，該第一開槽位於該第一側且連通該第一線扣部，該第二開槽位於該第二側且連通該第二線扣部，且該第一開槽與該第二開槽經由至少一連通部連通；以及<br/> 兩卡槽，分別設置於該第三側與該第四側。
如請求項1所述之理線器，進一步包含至少一分隔部，該至少一分隔部設置於該通道內，以於該通道內形成連通該第一開槽與該第二開槽的該至少一連通部。
如請求項1所述之理線器，其中該本體進一步具有相對的一第五側與一第六側，該第三側、該第五側、該第四側與該第六側係依序環繞排列於該第一側與該第二側的外緣，該第一線扣部包含至少一第一線扣槽，且該第一線扣槽由該通道分別連通至該第五側與該第六側，並且該第二線扣部包含至少一第二線扣槽，且該第二線扣槽由該通道分別連通至該第五側與該第六側。
一種防水殼體，包含：<br/> 一理線器，包含：<br/> 一本體，具有相對的一第一側與一第二側，以及相對的一第三側與一第四側；<br/> 一第一線扣部，設置於該第一側；<br/> 一第二線扣部，設置於該第二側；<br/> 一通道，連通該第一側與該第二側；以及<br/> 兩卡槽，分別設置於該第三側與該第四側；<br/> 一底板；以及<br/> 兩牆部，設置於該底板，一缺口形成於該兩牆部之間，其中該理線器之該本體位於該缺口，該第二側抵接該底板，且該兩牆部分別卡合於該兩卡槽。
如請求項4所述之防水殼體，進一步包含一蓋體設置於該本體之該第一側，其中該兩牆部分別抵接該蓋體的相對兩側。
如請求項5所述之防水殼體，其中該蓋體包含一凸肋，位於該蓋體遠離該本體的一側，該凸肋抵接於該兩牆部之間。
如請求項5所述之防水殼體，進一步包含兩限位壁，該兩限位壁設置於該底板上，並分別連接於該兩牆部的相反兩側，且該本體抵接於該兩限位壁之間。
如請求項7所述之防水殼體，其中一讓位部形成於該蓋體與該兩限位壁之間，該讓位部經由該第一線扣部以及該第二線扣部連通該通道。
如請求項5所述之防水殼體，進一步包含一膠體無縫地填充該通道，配置以封閉該蓋體與該底板間的一間隙。
一種互連結構，該互連結構包括：<br/> 第一BEOL（Back-End-Of-Line後端製程）階層；<br/> 第一MLG（Multi-Layer Graphene多層石墨烯）層；<br/> 第一隔離層，<br/> 其中，該第一BEOL階層包括該第一MLG層和該第一隔離層，<br/> 其中，該第一MLG層包括至少一個第一線結構，該第一線結構包括MLG材料，<br/> 其中，該第一隔離層包括電性隔離材料，<br/> 其中，該第一隔離層設置在該至少一個包括MLG材料的第一線結構的上方和旁邊；<br/> 第二BEOL階層；<br/> 第二MLG層；<br/> 連接路徑；及<br/> 至少一個通孔，<br/> 其中，該第二BEOL階層包括該第二MLG層，<br/> 其中，該第二MLG層設置在該第一隔離層上方，<br/> 其中，該第二MLG層包含MLG材料，<br/> 其中，該連接路徑將該第一MLG層電性連接至該第二MLG層，<br/> 其中，該連接路徑包括該至少一個通孔之一，<br/> 其中，該第二MLG層包括至少一個第二線結構，該第二線結構包括MLG材料，<br/> 其中，該至少一個包括MLG材料的第二線結構的寬度大於該至少一個通孔之一的直徑，且<br/> 其中，該第一MLG層和該第二MLG層經過插層摻雜（n型或p型）；以及<br/> 第二隔離層，設置在該至少一個包括MLG材料的第一線結構下方，<br/> 其中，該至少一個通孔有部分蝕刻到該第二隔離層內。
依據請求項1所記載的互連結構，另包括：<br/> 硬掩模，<br/> 其中，該硬掩模配置在該第二MLG層上方。
依據請求項1所記載的互連結構，其中，該第二MLG層包括多於一層的石墨烯層。
依據請求項1所記載的互連結構，<br/> 其中，該至少一個包括MLG材料的第一線結構的寬度大於該至少一個通孔之一的直徑；且<br/> 其中，第二MLG層包括多於一層的石墨烯層。
依據請求項1所記載的互連結構，<br/> 其中，該電性隔離材料包括低k電介質。
依據請求項1所記載的互連結構，<br/> 其中，該第一MLG層包括多於一層石墨烯層。
依據請求項1所記載的互連結構，<br/> 其中，該至少一個通孔具有在俯視圖中呈鋸齒狀圖案的第一周長，該第一周長大於與該至少一個通孔直徑相等的傳統圓形通孔的第二周長，藉此使該至少一個包括MLG材料的第一線結構直接接觸該至少一個通孔的側壁面積最大化。
一種互連結構，該互連結構包括：<br/> 第一BEOL（Back-End-Of-Line後端製程）階層；<br/> 第一MLG（Multi-Layer Graphene多層石墨烯）層；<br/> 第一隔離層，<br/> 其中，該第一BEOL階層包括該第一MLG層和該第一隔離層，<br/> 其中，該第一MLG層包括至少一個第一線結構，該第一線結構包括MLG材料，<br/> 其中，該第一隔離層包括電性隔離材料，<br/> 其中，該第一隔離層設置在該至少一個包括MLG材料的第一線結構的上方和旁邊；<br/> 第二BEOL階層；<br/> 第二MLG層；<br/> 連接路徑；及<br/> 至少一個通孔，<br/> 其中，該第二BEOL階層包括該第二MLG層，<br/> 其中，該第二MLG層設置在該第一隔離層上方，<br/> 其中，該第二MLG層包含MLG材料，<br/> 其中，該連接路徑將該第一MLG層電性連接至該第二MLG層，<br/> 其中，該連接路徑包括該至少一個通孔之一，<br/> 其中，該第二MLG層包括至少一個第二線結構，該第二線結構包括MLG材料，<br/> 其中，該至少一個包括MLG材料的第二線結構的第一寬度大於該至少一個通孔之一的直徑，<br/> 其中，該第一MLG層和該第二MLG層經過插層摻雜（n型或p型）；且<br/> 其中，該至少一個通孔具有在俯視圖中呈鋸齒狀圖案的第一周長，該第一周長大於與該至少一個通孔直徑相等的傳統圓形通孔的第二周長，藉此使該至少一個包括MLG材料的第一線結構直接接觸該至少一個通孔的側壁面積最大化。
依據請求項8所記載的互連結構，另包括：<br/> 硬掩模，<br/> 其中，該硬掩模配置在該第二MLG層上方。
依據請求項8所記載的互連結構，<br/> 其中，該第二MLG層包括多於一層的石墨烯層。
依據請求項8所記載的互連結構，<br/> 其中，該至少一個包括MLG材料的第一線結構的寬度大於該至少一個通孔之一的直徑；<br/> 其中，該第一MLG層包括多於一層的石墨烯層。
依據請求項8所記載的互連結構，<br/> 其中，該電性隔離材料包括低k電介質。
依據請求項8所記載的互連結構，<br/> 其中，該第一MLG層包括多於一層石墨烯層。
依據請求項8所記載的互連結構，另包括：<br/> 第二隔離層，設置在該至少一個包括MLG材料的第一線結構下方，<br/> 其中，該至少一個通孔有部分蝕刻到該第二隔離層內；且<br/> 其中，該第一MLG層包括多於一層石墨烯層。
一種互連結構，該互連結構包括：<br/> 第一BEOL（Back-End-Of-Line後端製程）階層；<br/> 金屬層；<br/> 第一隔離層，<br/> 其中，該第一BEOL階層包括該金屬層和該第一隔離層，<br/> 其中，該金屬層包括至少一個第一線結構，該第一線結構包括金屬材料，<br/> 其中，該第一隔離層包括電性隔離材料，<br/> 其中，該第一隔離層設置在該至少一個包括金屬材料的第一線結構的上方和旁邊；<br/> 第二BEOL階層；<br/> 第一MLG層；<br/> 連接路徑；及<br/> 至少一個通孔，<br/> 其中，該第二BEOL階層包括該第一MLG層，<br/> 其中，該第一MLG層設置在該第一隔離層上方，<br/> 其中，該第一MLG層包括至少一個第一線結構，該第一線結構包括MLG材料，<br/> 其中，該連接路徑將該金屬層電性連接至該第一MLG層，<br/> 其中，該連接路徑包括該至少一個通孔之一，<br/> 其中，該至少一個包括MLG材料的第一線結構的第一寬度大於該至少一個通孔中的一個的直徑，<br/> 其中，該連接路徑以最小接觸電阻將該第一MLG層電性連接至該至少一個通孔之一， <br/> 其中，該第一MLG層經過插層摻雜（n型或p型），且<br/> 其中，該至少一個通孔具有在俯視圖中呈鋸齒狀圖案的第一周長，該第一周長大於與該至少一個通孔直徑相等的傳統圓形通孔的第二周長，藉此使該至少一個包括MLG材料的第一線結構直接接觸該至少一個通孔的側壁面積最大化。
依據請求項15所記載的互連結構，另包括：<br/> 硬掩模，<br/> 其中，該硬掩模配置在該第一MLG層的上方。
依據請求項15所記載的互連結構，<br/> 其中，該至少一個通孔有部分蝕刻到該至少一個包括常規金屬材料的第一線結構中。
依據請求項15所記載的互連結構，<br/> 其中，該第一MLG層包括至少一個石墨烯層。
依據請求項15所記載的互連結構，<br/> 其中，該俯視圖中呈鋸齒狀圖案的第一周長包括缺口結構或齒槽結構。
依據請求項15所記載的互連結構，<br/> 其中，該金屬層的常規金屬線結構的寬度大於或等於該至少一個通孔之一的直徑。
一種阻抗可變的連接器，其包括： <br/>一支撐件（100），由絕緣材質製備； <br/>一固定導通組件（200），固定設於該支撐件（100），該固定導通組件（200）具有一第一固定導通部（211）、一第二固定導通部（2211）和一第三固定導通部（2223）； <br/>一活動導通件（300），設於該支撐件（100），且至少局部能在該第一固定導通部（211）和該第二固定導通部（2211）之間移動，並能與該第一固定導通部（211）或該第二固定導通部（2211）連接且導通；該活動導通件（300）在該第一固定導通部（211）和該第二固定導通部（2211）之間移動的過程中，與該第三固定導通部（2223）保持連接且導通； <br/>其中，該活動導通件（300）與該第一固定導通部（211）之間的接觸面積為一第一面積，該活動導通件（300）與該第二固定導通部（2211）之間的接觸面積為一第二面積，該活動導通件（300）與該第三固定導通部（2223）之間的接觸面積為一第三面積，該第三面積小於該第一面積，且小於該第二面積。
如請求項1所述的阻抗可變的連接器，其中，該固定導通組件（200）包括一第一導通件（210），該第一固定導通部（211）設於該第一導通件（210），該活動導通件（300）具有一活動本體（310）和設於該活動本體（310）的一第一活動導通部（321），該活動本體（310）可移動地設於該支撐件（100）；該活動導通件（300）抵接該第一導通件（210）時，該第一活動導通部（321）和該第一固定導通部（211）抵接並導通。
如請求項2所述的阻抗可變的連接器，其中，該第一導通件（210）為塊狀結構，其頂面形成該第一固定導通部（211），該活動本體（310）為筒狀結構，該活動本體（310）的下端面局部向下凸起形成長條狀的一導通臂（320），該導通臂（320）的下端面形成該第一活動導通部（321）；和/或， <br/>該支撐件（100）透過射出成型工藝包裹於該第一導通件（210）外周，該第一導通件（210）為圓柱狀結構，且其周向沿遠離自身軸線方向延伸有一止擋臂（212），以阻止該第一導通件（210）相對該支撐件（100）轉動。
如請求項2所述的阻抗可變的連接器，其中，該固定導通組件（200）還包括與該第一導通件（210）導通連接的一第二導通件（220），該第三固定導通部（2223）設於該第二導通件（220），該活動導通件（300）具有一第三活動導通部（330），該第三活動導通部（330）與該第三固定導通部（2223）之間的接觸面積為該第三面積。
如請求項4所述的阻抗可變的連接器，其中，該第三活動導通部（330）與該第三固定導通部（2223）之間相對滑動配合。
如請求項5所述的阻抗可變的連接器，其中，該第二導通件（220）具有一第二導通本體（221）和設於該第二導通本體（221）的一導通彈性部（222），該第三固定導通部（2223）設於該導通彈性部（222）上，且受到該導通彈性部（222）的彈性力，以保持靠近該第三活動導通部（330）運動的趨勢。
如請求項6所述的阻抗可變的連接器，其中，該導通彈性部（222）包括一彈性臂（2221）和一彈性座（2222），該彈性臂（2221）的一端與該第二導通本體（221）連接，另一端與該彈性座（2222）連接，透過衝壓片狀的該彈性座（2222）形成凸向該第三活動導通部（330）的一凸台，該凸台靠近該第三活動導通部（330）的側壁形成該第三固定導通部（2223）。
如請求項5所述的阻抗可變的連接器，其中，該活動本體（310）為筒狀結構，該活動本體（310）的下端面局部向下凸起形成長條狀的一導通臂（320），該活動本體（310）和該導通臂（320）的外側壁形成該第三活動導通部（330）。
如請求項6所述的阻抗可變的連接器，其中，該第二固定導通部（2211）設於該第二導通件（220），該活動導通件（300）具有一第二活動導通部（341）；當該活動導通件（300）遠離該第一導通件（210）的狀態下，該第二固定導通部（2211）和該第二活動導通部（341）連接且導通。
如請求項9所述的阻抗可變的連接器，其中，該第二導通本體（221）為片狀結構，其底面形成該第二固定導通部（2211），該活動導通件（300）包括筒狀結構的該活動本體（310），該活動本體（310）的下端面局部向外翻折形成一限位臂（340），該限位臂（340）的上側面形成該第二活動導通部（341），當該活動導通件（300）遠離該第一導通件（210）的狀態下，該限位臂（340）抵接該第二導通本體（221）。
如請求項4所述的阻抗可變的連接器，其中，該第二導通件（220）包括一第二導通本體（221）和設於該第二導通本體（221）的一導通連接片（223）；該第一導通件（210）為塊狀結構，該第一導通件（210）的頂面和該導通連接片（223）焊接。
如請求項11所述的阻抗可變的連接器，其中，該第二導通件（220）具有至少四個該導通連接片（223），四個該導通連接片（223）分散設置於該第二導通本體（221）的周側。
如請求項4所述的阻抗可變的連接器，其中，該第二導通件（220）可拆卸連接於該支撐件（100）。
如請求項13所述的阻抗可變的連接器，其中，該支撐件（100）設有一卡槽，該第二導通件（220）還包括設於一第二導通本體（221）的一卡接片（224），該卡接片（224）卡接於該卡槽內。
如請求項1至14中任一項所述的阻抗可變的連接器，其中，該活動導通件（300）受到彈性力，以使其至少局部遠離該第一固定導通部（211）。
如請求項15所述的阻抗可變的連接器，其中，該阻抗可變的連接器包括一彈性件（400），該彈性件（400）設於該支撐件（100）和該活動導通件（300）之間，用於驅動該活動導通件（300）遠離該第一固定導通部（211）。
如請求項16所述的阻抗可變的連接器，其中，該支撐件（100）包括一支撐座（110）和一導向環（120），該活動導通件（300）包括筒狀結構的一活動本體（310）以及設於該活動本體（310）一端的一封堵板（350），該導向環（120）位於該活動本體（310）中，該彈性件（400）為一彈簧，該彈簧的部分位於該導向環（120）中，且一端抵接該支撐座（110），另一端抵接該封堵板（350）。
如請求項17所述的阻抗可變的連接器，其中，該封堵板（350）為半球面狀，且向遠離該活動本體（310）的方向凸起。
一種防治雜草的組成物，由(A)石膏、(B)顆粒為0.0625~2mm的沙及(C)咖啡渣所組成，其中，(A)、(B)與(C)之混合比例為1：0.8-1.8：0.2-0.6，以體積比計。
如申請專利範圍第1項所述之防治雜草的組成物，其中，該沙進一步包含顆粒為0.004~0.0625mm的沙混合於該顆粒為0.0625~2mm的沙，其混合比例為0.1：1~1：1，以體積比計。
一種防治雜草的方法，包含將申請專利範圍第1項或第2項所述的組成物覆蓋於雜草植物生長之處，以水加濕該組成物。
如申請專利範圍第3項所述之防治雜草的方法，其中，該方法係以水噴灑在組成物上來濕潤該組成物。
如申請專利範圍第3項所述之防治雜草的方法，其中，該方法係在雜草萌芽前或萌芽後。
如申請專利範圍第3項所述之防治雜草的方法，其中，該方法為利用自然乾燥之該組成物。
如申請專利範圍第5項所述之防治雜草的方法，其中，該組成物覆蓋的厚度在2mm~20mm。
一種防治雜草的方法，包含將申請專利範圍第1項或第2項所述的組成物加水混合後覆蓋於雜草植物生長之處。
如申請專利範圍第8項所述之防治雜草的方法，其中，該方法係在雜草萌芽前或萌芽後。
如申請專利範圍第8項所述之防治雜草的方法，其中，係以人工披覆或機械噴塗方式將組成物覆蓋在雜草植物生長之處。
如申請專利範圍第8項所述之防治雜草的方法，其中，該方法為利用自然乾燥該組成物。
如申請專利範圍第8項所述之防治雜草的方法，其中，該組成物覆蓋的厚度在2mm~20mm。
如申請專利範圍第8項所述之防治雜草的方法，其中，水佔的混合比例為20~45%，以體積比計。
一種多功能鞋，包括： <br/>一鞋底，包括： <br/>一上表面； <br/>一後緣； <br/>二相對側緣；以及 <br/>一凹槽或一滑槽，該凹槽沿著該後緣設置且由該上表面向下延伸，該滑槽沿著該二相對側緣設置；以及 <br/>一鞋面，包括： <br/>一前幫片，具有一移動單元，該移動單元具有二個端部，與該鞋底連接；以及 <br/>一後幫片，與該鞋底的該後緣連接，用於包覆一腳後踵部； <br/>其中該多功能鞋具有一第一型態及一第二型態，當該多功能鞋在該第二型態時，該後幫片容納於該凹槽中，當該多功能鞋在該第一型態時，該後幫片於該凹槽外展開並包覆該腳後踵部，以及 <br/>當該鞋底包括該滑槽時，該移動單元的該二個端部嵌設於該滑槽中，以使該移動單元沿著該滑槽前後移動。
如請求項1所述的多功能鞋，其中該後幫片包含橫向延伸、彼此相連接且可彼此重疊的多個單元。
如請求項2所述的多功能鞋，其中該多個單元彼此透過一結合元件相連接。
如請求項3所述的多功能鞋，其中該多個單元彼此獨立，且該結合元件是至少一連接繩。
如請求項3所述的多功能鞋，其中該多個單元彼此接觸，且該結合元件是一縫線或一壓褶部。
如請求項2所述的多功能鞋，其中當該多功能鞋在該第二型態時，該多個單元彼此重疊且容納於該凹槽中。
如請求項1所述的多功能鞋，還包括： <br/>一固定元件，與該後幫片連接，以便於當該多功能鞋在該第一型態時，使該後幫片定位在與該腳後踵部相互貼合的一位置。
如請求項7所述的多功能鞋，其中該固定元件選自下列至少其中之一：一魔鬼氈、一繫繩、一扣件以及一彈性帶，以執行一固定功能。
如請求項7所述的多功能鞋，其中： <br/>該鞋底還包括一前緣，該前幫片還包括： <br/>與該鞋底的該前緣連接的一第一單元；以及 <br/>與該鞋底的該後緣連接的一第二單元，以及 <br/>該移動單元在一第一移動位置和一第二移動位置之間變化，該第一移動位置在該第一單元和該第二單元之間，該第二移動位置為與該第一單元至少部分重疊的一位置。
如請求項7所述的多功能鞋，其中該固定元件設置在該前幫片上，且包括： <br/>一導軌，具有多段定位點；以及 <br/>一定位扣，嵌設於該導軌中以沿著該導軌移動，且與該後幫片連接，以透過該多段定位點進行定位，進而決定該後幫片的一展開程度。
一種多功能鞋，包括： <br/>一鞋面，包括： <br/>一前幫片，具有二個端部；以及 <br/>一後幫片，用於包覆一腳後踵部， <br/>其中該前幫片和該後幫片的至少其中之一是可收納的； <br/>一鞋底，包括： <br/>一上表面； <br/>一後緣； <br/>二相對側緣；以及 <br/>一收納部，該收納部以下列方式至少其中之一配置： <br/>沿著該後緣設置，以容納收納後之該後幫片；以及 <br/>沿著該二相對側緣設置，以供可收納的該前幫片的該二個端部沿著該二相對側緣的延伸方向移動。
如請求項11所述的多功能鞋，其中該收納部包含一凹槽，該凹槽沿著該後緣設置且具有與該上表面切齊的一上緣，且該凹槽設置於該鞋底內或鄰近該鞋底設置。
如請求項11所述的多功能鞋，其中該收納部包含一滑槽，該滑槽設置於該鞋底內或鄰近該鞋底設置，且該前幫片的該二個端部嵌設於該滑槽中，以沿著該滑槽移動。
一種將如請求項1至10的任一項所述多功能鞋從該第一型態變換至該第二型態的方法，其中該後幫片包含橫向延伸且可彼此重疊的多個單元，該方法包括： <br/>將該後幫片的該多個單元摺疊以使其相互重疊；以及 <br/>將該後幫片塞入該凹槽中，以從該第一型態變換至該第二型態。
一種餵釘方法，包括：通電激勵一擊釘電磁鐵作功而管制一撞針執行一擊釘移動，用以擊發一射孔內的一待擊釘件，接續斷電消磁該擊釘電磁鐵而管制該撞針執行一復位移動；及通電激勵一餵釘電磁鐵作功而管制一推釘爪朝向遠離該射孔方向執行一退位移動，接續斷電消磁該餵釘電磁鐵而管制該推釘爪朝向該射孔方向執行一餵釘移動，用以推送複數備位釘件的其中一進入該射孔成為該待擊釘件；其中，通電激勵該餵釘電磁鐵作功的時間點，坐落在斷電消磁該擊釘電磁鐵的時間點之前或當時；且，斷電消磁該餵釘電磁鐵的時間點，坐落在斷電消磁該擊釘電磁鐵，而使該撞針執行所述復位移動的過程中。
如請求項1所述餵釘方法，其中所述備位釘件經由一餵釘孔進入該射孔，該撞針執行的所述復位移動過程包含該撞針移動經過該餵釘孔，該推釘爪的所述餵釘移動係於該撞針通過該餵釘孔之後執行。
如請求項1所述餵釘方法，其中該擊釘電磁鐵作功時先驅動蓄存有旋轉動能的一飛輪擺動，用以嚙合驅動該撞針執行所述擊釘移動。
如請求項1所述餵釘方法，其中該擊釘電磁鐵作功時先驅動提供該撞針滑動位移的一撞針座擺動，使該狀針嚙合蓄存有旋轉動能的一飛輪，進而經由該飛輪驅動該撞針執行所述擊釘移動。
如請求項1所述餵釘方法，其中在該擊釘移動前，該撞針承受一槍體內之高壓空氣的集壓推力作用，該擊釘電磁鐵作功時釋放受集壓推力作用的該撞針執行所述擊釘移動。
一種餵釘方法，包括：通電激勵一擊釘電磁鐵作功而管制一撞針執行一擊釘移動，用以擊發一射孔內的一待擊釘件，接續斷電消磁該擊釘電磁鐵而管制該撞針執行一復位移動；及通電激勵一餵釘電磁鐵作功而管制一推釘爪朝向遠離該射孔方向執行一退位移動，接續斷電消磁該餵釘電磁鐵而管制該推釘爪朝向該射孔方向執行一餵釘移動，用以推送複數備位釘件的其中一進入該射孔成為該待擊釘件；其中，通電激勵該餵釘電磁鐵作功的時間點，坐落在斷電消磁該擊釘電磁鐵的時間點之前或當時；且，斷電消磁該餵釘電磁鐵的時間點，坐落在斷電消磁該擊釘電磁鐵，而使該撞針完成執行所述復位移動之後。
如請求項6所述餵釘方法，其中所述備位釘件經由一餵釘孔進入該射孔，該撞針執行的所述復位移動過程包含該撞針移動經過該餵釘孔，該推釘爪的所述餵釘移動係於該撞針通過該餵釘孔之後執行。
如請求項6所述餵釘方法，其中該擊釘電磁鐵作功時先驅動蓄存有旋轉動能的一飛輪擺動，用以嚙合驅動該撞針執行所述擊釘移動。
如請求項6所述餵釘方法，其中該擊釘電磁鐵作功時先驅動提供該撞針滑動位移的一撞針座擺動，使該狀針嚙合蓄存有旋轉動能的一飛輪，進而經由該飛輪驅動該撞針執行所述擊釘移動。
如請求項6所述餵釘方法，其中在該擊釘移動前，該撞針承受一槍體內之高壓空氣的集壓推力作用，該擊釘電磁鐵作功時釋放受集壓推力作用的該撞針執行所述擊釘移動。
一種用於執行如請求項1或6所述餵釘方法的電動釘槍，係於一槍體內安裝包括：一擊釘驅動組，包含該擊釘電磁鐵和該撞針，該撞針沿一擊釘軸向滑動配置於該槍體並且植入該射孔，該撞針能接受該擊釘驅動桿的管制而往復執行所述擊釘移動和所述復位移動；一衍架，用於導持一釘鍊，該釘鍊由複數釘件鍊結形成，且複數所述釘件包含該待擊釘件以及鍊結於該待擊釘件後方的複數所述備位釘件；一餵釘器，包含安裝於該衍架的該餵釘電磁鐵和該推釘爪，該推釘爪能接受該餵釘驅動桿的管制而往復執行所述退位移動和所述餵釘移動；及一控制單元，建構於一直流電源電性連接的該擊釘電磁鐵和該餵釘電磁鐵之間，用以管制該直流電源供電激勵和斷電消磁該擊釘電磁鐵和該餵釘電磁鐵。
如請求項11所述的電動釘槍，其中該槍體內具有一餵釘孔，該推釘爪執行所述餵釘移動時推移所述備位釘件經由該餵釘孔進入該射孔。
如請求項11所述的電動釘槍，其中該擊釘驅動組還包含電性連接所述直流電源的一動力飛輪，所述直流電源提供電流驅動該動力飛輪生成旋轉動能，該擊釘電磁鐵用於帶動已生成旋轉動能的該動力飛輪、該撞針的其中之一，驅使該動力飛輪和該撞針相互囓合，而執行所述擊釘移動。
如請求項13所述的電動釘槍，其中該擊釘驅動組還包含樞置於該槍體內用以配置該動力飛輪的一擺臂，該擊釘電磁鐵經由該擺臂帶動該動力飛輪囓合該撞針而執行所述擊釘移動。
如請求項13所述的電動釘槍，其中該擊釘驅動組還包含樞置於該槍體內用以滑組該撞針的一撞針座，該擊釘電磁鐵經由該撞針座帶動該撞針囓合該動力飛輪而執行所述擊釘移動。
如請求項11所述的電動釘槍，係為充填有高壓空氣的一氣瓶式電動釘槍。
一種電動載具之電量計算系統，包括：<br/> 一電池；<br/> 一電量計算模組，電性連接於該電池，該電量計算模組包括一電流感測單元、一電壓感測單元及一處理器，該處理器電性連接於該電流感測單元與該電壓感測單元，該電流感測單元偵測並取得該電池的一電流值，該電壓感測單元偵測並取得該電池的一電壓值，該處理器根據該電流值與該電壓值計算該電池的一當下電量值；以及<br/> 一儲存單元，該儲存單元電性連接於該處理器，該儲存單元儲存一第一運算式與一第二運算式，該第一運算式不同於該第二運算式，該處理器於該電流值小於一閾值時，將該電壓值帶入該第一運算式以計算該當下電量值；該處理器於該電流值大於或等於該閾值時，將該電流值與該電壓值帶入該第二運算式以計算該當下電量值；<br/> 其中該第二運算式包括一電量方程式與一補償方程式，該處理器於該電流值大於或等於該閾值時，將該電壓值帶入該電量方程式以計算一第一電量值以及將該電流值與該電壓值帶入該補償方程式以計算一第二電量值，該當下電量值為該第一電量值與該第二電量值之總和。
如請求項1所述之電動載具之電量計算系統，其中該閾值為該電池之一最大放電電流值的1/10～1/5。
如請求項1所述之電動載具之電量計算系統，其中該處理器比對該當下電量值與一前次電量值以取得一電量變化值，當該電量變化值小於一門檻值時，該處理器輸出該當下電量值。
如請求項3所述之電動載具之電量計算系統，其中當該電量變化值大於該門檻值時，該處理器輸出一調整電量值，該調整電量值為該前次電量值與該門檻值的差值。
如請求項1所述之電動載具之電量計算系統，更包括一顯示模組，該電量計算模組包括一通訊單元，該通訊單元連接於該處理器與該顯示模組，該顯示模組接收並顯示該通訊單元傳送之該當下電量值。
一種電動載具之電量計算方法，包括：<br/> 步驟(a)：以一電流感測單元偵測並取得一電池的一電流值；<br/> 步驟(b)：以一電壓感測單元偵測並取得該電池的一電壓值；以及<br/> 步驟(c)：根據該電流值與該電壓值計算該電池的一當下電量值，於該電流值小於一閾值時，將該電壓值帶入一第一運算式以計算該當下電量值；於該電流值大於或等於該閾值時，將該電流值與該電壓值帶入一第二運算式以計算該當下電量值，且該第一運算式不同於該第二運算式；其中該第二運算式包括一電量方程式與一補償方程式，於該電流值大於或等於該閾值時，將該電壓值帶入該電量方程式以計算一第一電量值、將該電流值與該電壓值帶入該補償方程式以計算一第二電量值以及加總該第一電量值與該第二電量值以取得該當下電量值。
如請求項6所述之電動載具之電量計算方法，其中該閾值為該電池之一最大放電電流值的1/10～1/5。
如請求項6所述之電動載具之電量計算方法，其中該第一運算式經由一第一處理程序建立，該第一處理程序包括：<br/> 放電步驟：將滿電狀態之該電池釋放一預定電流並持續一第一時間；<br/> 靜置步驟：將該電池靜置一第二時間後記錄一電壓變化值；<br/> 重複步驟：持續重複進行該放電步驟與該靜置步驟以取得一第一電壓變化資訊，該第一電壓變化資訊包括複數個該電壓變化值；以及<br/> 建立步驟：根據該預定電流與該第一電壓變化資訊建立該第一運算式。
如請求項6所述之電動載具之電量計算方法，其中該第二運算式經由一第二處理程序建立，該第二處理程序包括：<br/> 負載步驟：將滿電狀態之該電池連接一負載；<br/> 釋放步驟：將該電池持續釋放一設定電流以持續記錄一第二電壓變化資訊；以及<br/> 處理步驟：根據該設定電流與該第二電壓變化資訊建立該第二運算式。
如請求項6所述之電動載具之電量計算方法，更包括步驟(d)：比對該當下電量值與一前次電量值以取得一電量變化值，當該電量變化值小於一門檻值時，輸出該當下電量值。
如請求項10所述之電動載具之電量計算方法，其中該步驟(d)包括：當該電量變化值大於該門檻值時，輸出一調整電量值，該調整電量值為該前次電量值與該門檻值的差值。
一種機殼組件，包含：<br/> 一殼體，具有一第一插槽以及一第二插槽；以及<br/> 一鎖定機構，設置在該殼體中，並包含一第一鎖具以及一第二鎖具，該第一鎖具以及該第二鎖具分別對應於該第一插槽以及該第二插槽設置，且各包含：<br/> 一卡榫，配置以在一第一展開位置以及一第一收合位置之間移動，位於該第一展開位置及該第一收合位置的該卡榫分別是伸入及退出對應的該第一插槽或該第二插槽；<br/> 一滑動桿，耦接於對應的該卡榫，當該滑動桿從一上鎖位置移動至一解鎖位置時，該滑動桿驅使對應的該卡榫從該第一展開位置移動至該第一收合位置；以及<br/> 一插入感應件，可滑動地設置在該殼體中，並配置以因應於一物體插入對應的該第一插槽或該第二插槽而從一第二展開位置移動至一第二收合位置，其中位於該第二展開位置及該第二收合位置的該第一鎖具的該插入感應件分別是阻擋及離開該第二鎖具的該滑動桿的一移動路徑，位於該第二展開位置及該第二收合位置的該第二鎖具的該插入感應件分別是阻擋及離開該第一鎖具的該滑動桿的一移動路徑，<br/> 其中該第一鎖具以及該第二鎖具在該第一插槽以及該第二插槽之間並列設置，該卡榫具有相對的一第一端以及一第二端，該第一端面向對應的該第一插槽或該第二插槽，該第一鎖具以及該第二鎖具的該卡榫的該第二端以一間隙分隔，該間隙的一寬度小於該第一鎖具以及該第二鎖具的該卡榫的一退出行程的和。
如請求項1所述之機殼組件，其中該第一鎖具以及該第二鎖具在該第一插槽以及該第二插槽之間並列設置，該插入感應件包含一延伸臂，該第一鎖具的該插入感應件的該延伸臂朝向該第二鎖具的該滑動桿延伸，並配置以阻擋該第二鎖具的該滑動桿，該第二鎖具的該插入感應件的該延伸臂朝向該第一鎖具的該滑動桿延伸，並配置以阻擋該第一鎖具的該滑動桿。
如請求項2所述之機殼組件，其中該第一鎖具的該滑動桿包含一凸台，該第二鎖具的該插入感應件的該延伸臂包含一凸塊，當該第二鎖具的該插入感應件位於該第二展開位置時，該凸塊與該凸台位置對齊，當該第二鎖具的該插入感應件位於該第二收合位置時，該凸塊與該凸台位置錯開。
如請求項2所述之機殼組件，其中該第一鎖具以及該第二鎖具的該插入感應件的該延伸臂錯開設置，該插入感應件還包含一導引肋，該第一鎖具的該插入感應件的該延伸臂與該第二鎖具的該插入感應件的該導引肋滑動配合，該第二鎖具的該插入感應件的該延伸臂與該第一鎖具的該插入感應件的該導引肋滑動配合。
如請求項2所述之機殼組件，其中該鎖定機構進一步包含一彈性件，該彈性件設置在該第一鎖具以及該第二鎖具的該插入感應件之間，當該物體退出對應的該第一插槽或該第二插槽時，該彈性件驅使該插入感應件移動至該第二展開位置。
如請求項1所述之機殼組件，其中該插入感應件的末端具有相連的兩斜面。
如請求項1所述之機殼組件，其中該鎖定機構進一步包含一彈性件，該彈性件設置在該第一鎖具以及該第二鎖具的該卡榫之間。
一種機殼組件，包含：<br/> 一殼體，具有一第一插槽以及一第二插槽；以及<br/> 一鎖定機構，設置在該殼體中，並包含一第一鎖具以及一第二鎖具，該第一鎖具以及該第二鎖具分別對應於該第一插槽以及該第二插槽設置，且各包含：<br/> 一卡榫，配置以在一第一展開位置以及一第一收合位置之間移動，位於該第一展開位置及該第一收合位置的該卡榫分別是伸入及退出對應的該第一插槽或該第二插槽；<br/> 一滑動桿，耦接於對應的該卡榫，當該滑動桿從一上鎖位置移動至一解鎖位置時，該滑動桿驅使對應的該卡榫從該第一展開位置移動至該第一收合位置；以及<br/> 一插入感應件，可滑動地設置在該殼體中，並配置以因應於一物體插入對應的該第一插槽或該第二插槽而從一第二展開位置移動至一第二收合位置，其中位於該第二展開位置及該第二收合位置的該第一鎖具的該插入感應件分別是阻擋及離開該第二鎖具的該滑動桿的一移動路徑，位於該第二展開位置及該第二收合位置的該第二鎖具的該插入感應件分別是阻擋及離開該第一鎖具的該滑動桿的一移動路徑，<br/> 其中該第一鎖具以及該第二鎖具中的至少一者還包含一定位件，該定位件包含一第一突起，該滑動桿包含一第二突起，該第一突起配置以與該第二突起干涉以將該滑動桿維持在該解鎖位置。
如請求項8所述之機殼組件，其中該定位件可滑動地設置在該殼體中，並配置以伸入對應的該第一插槽或該第二插槽，且該第一突起配置以因應於該定位件退出對應的該第一插槽或該第二插槽而與該第二突起分離。
一種電子裝置，包含：<br/> 一如請求項1～9任一項所述之機殼組件；<br/> 一第一可插拔部件，具有一第一凹槽，並配置以插入該機殼組件的該第一插槽，當該第一可插拔部件插入該第一插槽時，該第一鎖具的該卡榫卡入該第一凹槽；以及<br/> 一第二可插拔部件，具有一第二凹槽，並配置以插入該機殼組件的該第二插槽，當該第二可插拔部件插入該第二插槽時，該第二鎖具的該卡榫卡入該第二凹槽。
一種海上漂浮裝置，包含： <br/>複數漂浮本體，每一個該漂浮本體分別具有一浮筒、一加固層、至少一串接元件與一錨定接合元件，該浮筒內部定義有一密封的獨立腔體，該加固層係設置在該浮筒外圍，該等串接元件設置在該漂浮本體的至少一端部，該錨定接合元件係設置在該漂浮本體的底部；以及 <br/>一錨定結構，係接合於該錨定接合元件； <br/>其中，每一個該漂浮本體的其中一個該串接元件可與相鄰的另一個該漂浮本體的該串接元件組合，以將該等漂浮本體透過各該串接元件連續相接，各該串接元件係採非剛性的相接。
如請求項1之海上漂浮裝置，其中該加固層係完全包覆於該浮筒外圍。
如請求項1之海上漂浮裝置，其中每一個該漂浮本體還具有一補強結構，該補強結構係設置在該加固層。
如請求項1之海上漂浮裝置，其中該等串接元件係被固定在該浮筒的左邊端部以及該浮筒的右邊端部。
如請求項1之海上漂浮裝置，其中該等串接元件係被固定在該加固層的左邊端部以及該加固層的右邊端部。
如請求項1之海上漂浮裝置，其中該錨定接合元件係被固定在該浮筒或該加固層任一者的底部。
如請求項1之海上漂浮裝置，其中該錨定結構為一消波塊本體，該消波塊本體還設有一吊掛件，該吊掛件用於與該錨定接合元件接合。
一種紅外線熱像儀校準方法，其包含有：<br/> 步驟S1：以一紅外線熱像模組朝一工作環境進行拍攝；<br/> 步驟S2：該紅外線熱像模組對一設置於該工作環境的熱源模組及一設置於該熱源模組的調整模組同時發出一搜索熱源訊號，該熱源模組依據該搜索熱源訊號產生一熱源，該熱源依據一預設溫度變化模式隨時進行溫度變化；<br/> 步驟S3：該調整模組依據該搜索熱源訊號調整該熱源模組的發熱表面，該紅外線熱像模組依據該搜索熱源訊號、該熱源的溫度變化或該熱源模組的發熱表面鎖定拍攝該熱源，該紅外線熱像模組對該熱源模組發出一校正溫度訊號，該熱源模組依據該校正溫度訊號產生一校正溫度；以及<br/> 步驟S4：該紅外線熱像模組依據該熱源模組的該校正溫度，取得一溫度校正值。
如請求項1所述之紅外線熱像儀校準方法，其中，於該步驟S2中，該熱源依據該預設溫度變化模式隨時改變熱源發熱面積。
如請求項2所述之紅外線熱像儀校準方法，其中，於該步驟S2中，該熱源依據該預設溫度變化模式改變熱源發熱形狀。
如請求項1所述之紅外線熱像儀校準方法，其中，於該步驟S2中，該紅外線熱像模組以一無線訊號或一有線訊號對該調整模組與該熱源模組同時發出該搜索熱源訊號。
如請求項1所述之紅外線熱像儀校準方法，其中，於該步驟S4中，一與該紅外線熱像模組耦接的距離偵測模組對一個或多個該熱源進行距離偵測，該距離偵測模組產生一距離偵測資料，該紅外線熱像模組依據該熱源模組的該校正溫度與該距離偵測模組的該距離偵測資料，取得該溫度校正值。
一種紅外線熱像儀校準裝置，其架設於一工作環境，該紅外線熱像儀校準裝置包含有：<br/> 一紅外線熱像模組，其朝該工作環境進行拍攝；<br/> 一熱源模組，其設置於該工作環境，該紅外線熱像模組對該熱源模組發出一搜索熱源訊號，該熱源模組依據該搜索熱源訊號產生一熱源，該熱源依據一預設溫度變化模式隨時進行溫度變化；<br/> 一調整模組，其設置於該熱源模組，該紅外線熱像模組對該調整模組與該熱源模組同時發出該搜索熱源訊號，該調整模組依據該搜索熱源訊號調整該熱源模組的發熱表面；以及<br/> 其中，該紅外線熱像模組依據該搜索熱源訊號、該熱源的溫度變化或該熱源模組的發熱表面鎖定拍攝該熱源，該紅外線熱像模組對該熱源模組發出一校正溫度訊號，該熱源模組依據該校正溫度訊號產生一校正溫度，該紅外線熱像模組依據該熱源模組的該校正溫度，取得一溫度校正值。
如請求項6所述之紅外線熱像儀校準裝置，其中，更包括一距離偵測模組，該距離偵測模組與該紅外線熱像模組耦接，該距離偵測模組對一個或多個該熱源進行距離偵測，該距離偵測模組產生一距離偵測資料，該紅外線熱像模組依據該熱源模組的該校正溫度與該距離偵測模組的該距離偵測資料，取得該溫度校正值。
如請求項6所述之紅外線熱像儀校準裝置，其中，更包括一過熱保護模組，該過熱保護模組設置於該熱源模組，該過熱保護模組與該熱源模組耦接，當該過熱保護模組偵測到該熱源模組的溫度超過一預設溫度時，該過熱保護模組以訊號控制該熱源模組停止產生該熱源。
一種在一電子設備中處理物品訂單資訊之方法，該方法包括： <br/>獲取來自一使用者之針對一或多個物品之一訂單請求； <br/>回應於該訂單請求處理該一或多個物品之一支付及一遞送； <br/>識別該一或多個物品之一部分之一訂單取消原因； <br/>基於該訂單取消原因，獲取關於該一或多個物品之一部分之訂單取消之資訊； <br/>向該使用者提供關於該訂單取消之該資訊；及 <br/>識別存放在相對於遭受該訂單取消之物品所存放之一位置的一位置之至少一庫存物品是否具有該訂單取消原因。
如請求項1之方法，其中該訂單取消原因之該識別包括在完成該遞送之後識別針對該一或多個物品之一部分發生之一退款之一原因。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>判定是否自一遞送地址收取具有該訂單取消原因之一物品。
如請求項1之方法，其中該訂單取消原因之該識別包括獲取來自該使用者之關於該一或多個物品之至少一部分之回饋資訊。
如請求項4之方法，其中該訂單取消原因之該識別進一步包括判定該回饋資訊是否包含該訂單取消原因。
如請求項5之方法，其中該訂單取消原因之該識別進一步包括，當該回饋資訊不包含該訂單取消原因時，向該使用者提供對應於該回饋資訊之回應資訊。
如請求項1之方法，其中向一管理者提供用於接收該訂單取消原因之一使用者介面，且 <br/>該訂單取消原因之該識別包括透過該使用者介面接收來自該管理者之包含該訂單取消原因之資訊。
如請求項1之方法，其中關於該訂單取消之該資訊包含以下至少一者： <br/>指示該一或多個物品當中的一訂單取消之物品之資訊； <br/>指示該訂單取消原因之資訊；及 <br/>關於待支付給該使用者之一金額之金額資訊。
如請求項8之方法，其中當在該一或多個物品當中的一預定類型之一物品之一訂單數量中取消一部分數量之一訂單時，關於該訂單取消之該資訊包含藉由自該訂單數量減去該部分數量來計算之數量資訊。
如請求項1之方法，其中該訂單取消原因包含以下至少一者： <br/>其中自該使用者獲取指示該一或多個物品之一部分之購買意圖之一變化之資訊的一情況； <br/>其中該一或多個物品之一部分之庫存不足的一情況； <br/>其中存在與進行該一或多個物品之一部分之一遞送有關之一遞送問題的一情況； <br/>其中存在與支付該一或多個物品之一部分之一金額有關之一支付問題的一情況；及 <br/>其中存在該一或多個物品之一部分之一物品狀況問題的一情況。
如請求項1之方法，其進一步包括基於該訂單取消原因，獲取與該一或多個物品之一未來訂單有關之回饋。
如請求項1之方法，其進一步包括基於該訂單取消原因請求對應於與該一或多個物品之一部分之類型相同之一類型之一有貨物品的一狀況檢查。
如請求項1之方法，其中獲取關於該一或多個物品之一部分之該訂單取消之該資訊包括：基於該訂單取消原因，計算待支付給該使用者之一金額。
如請求項13之方法，其中待支付給該使用者之該金額之該計算包括以下至少一者： <br/>判定在由該使用者支付之一物品金額當中的待退回給該使用者之一第一金額； <br/>判定以下至少一者：是否將向該使用者退回與該訂單請求有關之一遞送費用，及待退回之一第二金額；及 <br/>判定以下至少一者：是否將向該使用者支付一額外獎勵，及待支付之一第三金額。
如請求項1之方法，其中在該使用者之一裝置中，在其中顯示處理該訂單請求之一結果之一畫面上提供關於該訂單取消之該資訊。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>基於關於該訂單取消之該資訊，獲取針對該使用者之經推薦物品資訊；及 <br/>向該使用者提供該經推薦物品資訊。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其包括用於執行如請求項1之方法之一電腦程式。
一種用於處理物品訂單資訊之電子設備，該電子設備包括： <br/>一收發器； <br/>一記憶體，其中儲存一指令；及 <br/>一處理器， <br/>其中該處理器連接至該收發器及該記憶體且經組態以： <br/>獲取來自一使用者之針對一或多個物品之一訂單請求； <br/>回應於該訂單請求處理該一或多個物品之一支付及一遞送； <br/>識別該一或多個物品之一部分之一訂單取消原因； <br/>基於該訂單取消原因獲取關於該一或多個物品之一部分之訂單取消之資訊； <br/>向該使用者提供關於該訂單取消之該資訊；及 <br/>識別存放在相對於遭受該訂單取消之物品所存放之一位置的一位置之至少一庫存物品是否具有該訂單取消原因。
一種盤元資訊量測平台，包括：<br/>一平台本體，有呈漸縮內凹的一承載面，該 承載面沿一軸向延伸，且該承載面於該軸向有相對的一入料端及一出料端；<br/>一夾抱裝置，包括設置在靠近該出料端的一擋板，以及設置在靠近該入料端的一移動推板，該移動推板可朝該擋板移動；<br/>一量測光幕，設置在相鄰該承載面並沿著該入料端延伸至該出料端；<br/>一盤元內外徑量測單元，設置在相對該平台本體的位置；<br/>將一盤元由該平台本體之入料端放置在該承載面上，透過該移動推板推抵該盤元朝該擋板移動，而將該盤元推動至該出料端並將該盤元夾抱在該移動推板與該擋板之間；<br/>由該量測光幕量測獲得該盤元於該軸向的長度；<br/>由該盤元內外徑量測單元量測獲得該盤元在一徑向之內徑及外徑，並由一控制單元在該盤元之內徑中設定一AGV搬運車之一牙叉的一伸入路徑。
如請求項1所述之盤元資訊量測平台，進一步，有一重量感測器，設置在該平台本體上，由該重量感測器獲得該盤元之重量。
如請求項1所述之盤元資訊量測平台，進一步，有一RFID讀取器，設置在相對該平台本體的位置，由該RFID讀取器讀取該盤元上之一RFID標籤而取得該盤元之一身分識別ID。
如請求項1所述之盤元資訊量測平台，其中，該盤元內外徑量測單元為一視覺辨識模組，該視覺辨識模組拍攝取得該盤元於該徑向的一盤元影像，該控制單元根據該盤元影像以電腦視覺量測該盤元之內徑及外徑。
如請求項4所述之盤元資訊量測平台，其中，該視覺辨識模組包括分別設置在相鄰該平台本體之入料端及出料端的一擺臂，分別設置在上述擺臂上的一相機；該盤元放置在該承載面上並夾抱在該移動推板與該擋板之間後，上述擺臂帶動該相機於該徑向上朝向該盤元以取得該盤元分別於該入料端及該出料端之該盤元影像。
如請求項1所述之盤元資訊量測平台，其中，在該平台本體上設置一對射光電及一檢測光電，該對射光電靠近該入料端，該檢測光電靠近該出料端，該對射光電偵測一叉車是否完成將該盤元由該入料端放置在該承載面上，該檢測光電偵測該盤元是否被推動至該出料端。
一種避免盤元勾絲的方法，包括下列步驟：<br/>一盤元資訊量測平台有一平台本體，將一盤元放置在該平台本體之一承載面上；<br/>一盤元內外徑量測單元量測獲得該盤元在一徑向之內徑及外徑；<br/>一控制單元在該盤元的內徑中設定一伸入路徑；<br/>該控制單元控制一AGV搬運車之一牙叉沿該伸入路徑穿過該盤元而不產生勾絲，之後該AGV搬運車將該盤元抬升並搬離該平台本體。
如請求項7所述之避免盤元勾絲的方法，其中，該控制單元根據該內徑及外徑計算該盤元的中心，該伸入路徑靠近該盤元的中心。
如請求項7所述之避免盤元勾絲的方法，其中，該盤元內外徑量測單元為一視覺辨識模組，該視覺辨識模組拍攝取得該盤元於該徑向的一盤元影像，該控制單元根據該盤元影像以電腦視覺量測該盤元之內徑及外徑。
如請求項7所述之避免盤元勾絲的方法，其中，該內徑的量測係指該盤元最短的內徑，且該內徑進一步是量測該盤元於相對二端最短的內徑。
一種盤元自動化搬運系統，包括：<br/>一盤元資訊量測平台，包括：<br/>一平台本體，有呈漸縮內凹的一承載面，該承載面沿一軸向延伸，且該承載面於該軸向有相對的一入料端及一出料端；<br/>一夾抱裝置，包括設置在靠近該出料端的一擋板，以及設置在靠近該入料端的一移動推板，該移動推板可朝該擋板移動；<br/>一量測光幕，設置在相鄰該承載面並沿著該入料端延伸至該出料端；<br/>一重量感測器，設置在該平台本體上；<br/>一RFID讀取器，設置在相對該平台本體的位置；<br/>一盤元內外徑量測單元，設置在相對該平台本體的位置；<br/>將一盤元由該平台本體之入料端放置在該承載面上，透過該移動推板推抵該盤元朝該擋板移動，而將該盤元推動至該出料端並將該盤元夾抱在該移動推板與該擋板之間；<br/>由該量測光幕量測獲得該盤元於該軸向的長度；<br/>由該重量感測器獲得該盤元之重量；<br/>由該RFID讀取器讀取該盤元上之一RFID標籤而取得該盤元之一身分識別ID；<br/>由該盤元內外徑量測單元量測獲得該盤元在一徑向之內徑及外徑；<br/>一控制單元，電性連接該夾抱裝置、該量測光幕、該重量感測器、該RFID讀取器及該盤元內外徑量測單元；該控制單元在該盤元之內徑中設定一伸入路徑；<br/>一AGV搬運車，訊號連接該控制單元，該AGV搬運車設置有一牙叉，該控制單元控制該牙叉沿該伸入路徑穿過該盤元而不產生勾絲，之後該AGV搬運車將該盤元抬升並搬離該平台本體；<br/>複數料架，每一料架有橫向延伸的一料柱，該控制單元控制該AGV搬運車將該盤元掛置在其中一該料架之料柱上。
如請求項11所述之盤元自動化搬運系統，進一步，有一RGV搬運車，該RGV搬運車訊號連接該控制單元，該控制單元控制該AGV搬運車自該料架上將該盤元搬運至該RGV搬運車上，該RGV搬運車控制該盤元穿過一生產設備之一料柱後退出。
如請求項12所述之盤元自動化搬運系統，其中，該RGV搬運車有弧形內凹的一對接面，在該對接面上設置二支撐擋板，該AGV搬運車將該盤元搬運至該對接面上，並支撐在該二支撐擋板之間，該RGV搬運車上並設置一物料感應光電元件，該物料感應光電元件感應該盤元是否放置在該RGV搬運車上以及該盤元在該RGV搬運車上的位置。
一種盤元自動化搬運方法，包括：<br/>一盤元資訊量測平台有一平台本體，將一盤元放置在該平台本體之一承載面上；<br/>一盤元內外徑量測單元量測獲得該盤元在一徑向之內徑及外徑；<br/>一控制單元在該盤元的內徑中設定一伸入路徑；<br/>該控制單元控制一AGV搬運車之一牙叉沿該伸入路徑穿過該盤元而不產生勾絲，之後該AGV搬運車將該盤元抬升並搬離該平台本體；<br/>該控制單元控制該AGV搬運車將該盤元掛置在一料架橫向延伸的一料柱上。
如請求項14所述之盤元自動化搬運方法，其中，該控制單元控制該AGV搬運車自該料架上將該盤元搬運至一RGV搬運車上，該RGV搬運車控制該盤元穿過一生產設備之一料柱後退出。
一種晶粒黏貼裝置，包括： <br/>一載板支撐單元，包括： <br/>至少一支撐元件，其限定了一支撐平面；以及 <br/>一支撐架，可操作以將一載板依靠於所述至少一支撐元件，從而將所述載板保持在所述支撐平面的一側，所述載板平行於所述支撐平面； <br/>一晶圓供給單元，具有一晶圓架可操作以保持一切割晶圓，以便將所述切割晶圓與所述載板支撐單元的至少一支撐元件所限定的支撐平面相分離，並確定所述切割晶圓的方向，以使其暴露表面朝向所述支撐平面保持所述載板的這一側； <br/>一個設置在所述載板支撐單元和晶圓供給單元之間的晶粒傳送模組，可操作以從所述晶圓供給單元所保持的切割晶圓上拾取一個晶粒，並將所述晶粒放置在由所述載板支撐單元所保持的載板上，從而將所述晶粒貼合到所述載板上；以及 <br/>一個感測設備，可提供回饋以控制從所述切割晶圓處拾取所述晶粒和/或將所述晶粒放置在載板上。
如請求項1所述的晶粒黏貼裝置，其中，所述晶圓供給單元可操作以保持所述切割晶圓，使所述暴露表面基本上平行於由所述載板支撐單元的至少一個支撐元件所限定的支撐平面。
如請求項1所述的晶粒黏貼裝置，其中，所述感測設備還包括一個晶粒拾取感測裝置，其具有至少一個感測器用於確定所述晶粒相對於預定拾取定位的佈置，用於控制所述晶圓供給單元沿一晶圓移動平面的移動和所述晶粒傳送模組的移動，以將所述晶粒和所述預定拾取定位相對準，從而從所述切割晶圓上拾取所述晶粒。
如請求項3所述的晶粒黏貼裝置，其中，所述晶圓供給單元可沿著所述晶圓移動平面移動，其平行於由所述載板支撐單元的至少一個支撐元件所限定的支撐平面，用於將所述晶粒和所述預定拾取定位相對準。
如請求項1所述的晶粒黏貼裝置，其中，所述感測設備還包括至少一個晶粒放置感測設備，其具有至少一個感測器，用於確定由所述晶粒傳送模組所保持的晶粒相對於由所述載板支撐單元所保持的載板上的目標放置位置的佈置，用於控制所述載板支撐單元和/或晶粒傳送模組，用於將所述晶粒與所述載板上的目標放置位置以相對準的方式相對移動所述晶粒和所述載板，從而將所述晶粒放置在所述載板上。
如請求項5所述的晶粒黏貼裝置，其中，所述晶粒放置感測設備具有至少一個第一感測器，用於確定所述晶粒相對於所述目標放置位置處的目標取向之相對取向，以便控制晶粒傳送模組對所述晶粒進行定向從而對準到所述相對取向。
如請求項6所述的晶粒黏貼裝置，其中，所述晶粒傳送模組被配置為可圍繞一個延伸穿過所述晶粒的軸線而將所述晶粒進行旋轉，以將所述晶粒定向成對準所述相對取向。
如請求項6所述的晶粒黏貼裝置，其中，所述晶粒放置感測設備還具有一個第二感測器，用於確定所述晶粒的中心相對於所述目標放置位置處的目標位置的中心之相對位置，以便控制所述載板支撐單元移動所述載板以對準到所述目標位置。
如請求項8所述的晶粒黏貼裝置，其中，所述載板支撐單元可沿著一載板移動平面移動，其平行於由所述載板支撐單元的至少一個支撐元件所限定的支撐平面，用於對齊到所述目標位置。
如請求項1所述的晶粒黏貼裝置，其中，所述晶粒傳送模組包括一拾取移動單元，所述拾取移動單元具有可在一拾取位置和一釋放位置之間移動的至少一拾取頭； <br/>當所述至少一拾取頭位於所述拾取位置時，其朝向由所述晶圓供給單元所保持的切割晶圓，並被對準所述晶粒，用於從所述晶圓供給單元所保持的切割晶圓上拾取所述晶粒；以及當所述至少一拾取頭位於所述釋放位置時，其朝向遠離由所述晶圓供給單元所保持的切割晶圓，並指向由所述載板支撐單元所保持的載板。
如請求項6所述的晶粒黏貼裝置，其中，所述晶粒傳送模組包括一個拾取移動單元，所述拾取移動單元具有可在一拾取位置和一釋放位置之間移動的至少一拾取頭；當所述至少一拾取頭位於所述拾取位置時，其朝向由所述晶圓供給單元所保持的切割晶圓，並被對準所述晶粒，用於從所述晶圓供給單元所保持的切割晶圓上拾取所述晶粒；以及當所述至少一拾取頭位於所述釋放位置時，其朝向遠離由所述晶圓供給單元所保持的切割晶圓，並指向由所述載板支撐單元所保持的載板，以將所述晶粒與載板處的目標放置位置相對齊的方式，將所述晶粒放置在載板上；其中所述至少一拾取頭被配置為可圍繞一個延伸穿過所述晶粒的軸線而將所述晶粒進行旋轉，以將所述晶粒定向成對準所述目標取向。
如請求項11所述的晶粒黏貼裝置，其中，所述至少一拾取頭具有一個馬達或致動器，其可配置為使所述晶粒圍繞著一個延伸穿過所述晶粒的軸線而旋轉。
如請求項11所述的晶粒黏貼裝置，其中，當所述至少一拾取頭位於所述釋放位置時，可操作以將所述晶粒推向所述載板支撐單元所保持的載板，以施加接合力而將所述晶粒黏貼至所述載板。
如請求項10所述的晶粒黏貼裝置，其中，所述至少一拾取頭可圍繞一旋轉軸而旋轉，該旋轉軸平行於由所述載板支撐單元的至少一支撐元件所限定的支撐平面，從而將所述拾取頭沿著一彎曲路徑從所述拾取位置移動和旋轉至所述釋放位置，其中所述拾取位置和所述釋放位置相對於所述旋轉軸的徑向距離相同。
一種晶粒黏貼裝置，其特徵在於，包括： <br/>一個晶粒傳送模組，其設置在一個具有多個晶粒的切割晶圓和一個載板之間，所述晶粒可貼合到所述載板上； <br/>一個感測設備，可提供回饋以控制從所述切割晶圓處拾取所述晶粒和/或將所述晶粒放置在所述載板上； <br/>其中， <br/>一第一拾取移動單元，具有可在一第一拾取位置和一第一釋放位置之間移動的一拾取頭；以及 <br/>一第二拾取移動單元，具有可在一第二拾取位置和一第二釋放位置之間移動的一拾取頭， <br/>其中，所述第一拾取移動單元與所述第二拾取移動單元串聯設置，使所述第一拾取移動單元在其第一拾取位置從所述切割晶圓處拾取所述晶粒，並將所述晶粒移動至其第一釋放位置以將所述晶粒轉移到所述第二拾取移動單元；所述第二拾取移動單元在其第二拾取位置從第一拾取移動單元接收所述晶粒，並將所述晶粒移動至其第二釋放位置，以將所述晶粒放置在所述載板上，從而將所述晶粒黏貼於所述載板。
如請求項15所述的晶粒黏貼裝置，其中，所述感測設備還包括至少一個晶粒放置感測設備，其具有至少一個感測器，用於確定由所述晶粒傳送模組所保持的晶粒相對於由載板支撐單元所保持的載板上的目標放置位置的佈置，用於控制所述晶粒傳送模組，用於將所述晶粒與所述載板上的目標放置位置以相對準的方式相對移動晶粒和載板，從而將所述晶粒載板，從而將所述晶粒上放置在晶粒載板的方式上。
如請求項16所述的晶粒黏貼裝置，其中，所述晶粒放置感測設備具有至少一個第一感測器，用於確定所述晶粒和所述目標放置位置處的目標取向之相對取向，以便控制晶粒傳送模組對所述晶粒進行定向從而對準到所述目標取向。
如請求項17所述的晶粒黏貼裝置，其中，所述晶粒放置感測設備還具有一個第二感測器，用於確定所述晶粒的中心相對於所述目標放置位置處的目標位置的中心之相對位置，以便控制所述載板支撐單元移動所述載板以對準到所述目標位置。
一種使用一晶粒黏貼裝置而將多個晶粒黏貼到一載板的黏貼方法，包括： <br/>將晶粒經由所述晶粒黏貼裝置的一晶粒傳送模組從一切割晶圓上拾取，所述切割晶圓由所述晶粒黏貼裝置的一晶粒供給單元的晶圓架而保持，以便將所述切割晶圓和由所述晶粒黏貼裝置的載板支撐單元而保持的載板相間隔，並且將所述切割晶圓進行定向，使其暴露表面朝向所述載板的一黏貼表面；以及 <br/>將所述晶粒經由所述晶粒傳送模組而放置在由所述載板支撐單元而保持的載板的黏貼表面上，用於將所述晶粒黏貼於所述載板的黏貼表面，其中所述晶粒傳送模組位於所述載板支撐單元和晶圓供給單元之間， <br/>其中基於感測設備的回饋，從所述切割晶圓拾取所述晶粒和/或將所述晶粒放置在所述載板的貼片表面。
如請求項19所述的黏貼方法，使用所述感測設備之至少一個晶粒拾取感測設備之至少一個感測器確定所述晶粒相對於預定拾取定位的佈置，以便控制所述晶粒供給單元的移動，從而將所述晶粒對準到所述預定拾取定位，用於從所述切割晶圓拾取所述晶粒；和/或使用所述感測設備之至少一個晶粒放置感測設備之至少一個感測器確定由所述晶粒傳送模組保持的所述晶粒相對於由所述載板支撐單元保持的所述載板上的目標放置位置的佈置，以控制所述載板支撐單元和/或晶粒傳送模組，使所述晶粒以與所述載板上的目標放置位置相對準的方式相對移動所述晶粒和載板，從而將所述晶粒放置在所述載板上。
一種透明塗料組成物，包含：含羥基之樹脂(A)、硬化劑(B)、消泡劑(C)、以及選自於由脂肪族烴系溶劑(D1)及脂環式烴系溶劑(D2)所構成群組中之至少一種有機溶劑(D)，<br/> 前述消泡劑(C)包含聚矽氧系消泡劑(C1)，<br/> 該透明塗料組成物在塗佈時之固體成分濃度為55質量%以上。
一種透明塗料組成物，係由第1劑及第2劑所構成，<br/> 前述第1劑含有含羥基之樹脂(A)，<br/> 前述第2劑含有硬化劑(B)，<br/> 前述第1劑及前述第2劑中之至少一者含有包含聚矽氧系消泡劑(C1)之消泡劑(C)，<br/> 前述第1劑及前述第2劑中之至少一者含有選自於由脂肪族烴系溶劑(D1)及脂環式烴系溶劑(D2)所構成群組中之至少一種有機溶劑(D)，<br/> 該透明塗料組成物在塗佈時之固體成分濃度為55質量%以上。
如請求項1或2之透明塗料組成物，其中前述含羥基之樹脂(A)包含含羥基之丙烯酸樹脂(A1)。
如請求項1或2之透明塗料組成物，其中前述硬化劑(B)包含多異氰酸酯化合物(B1)。
如請求項1或2之透明塗料組成物，其中以透明塗料組成物中之樹脂固體成分100質量份為基準，前述消泡劑(C)之含量為0.01~1質量份之範圍內。
如請求項1或2之透明塗料組成物，其中前述選自於由脂肪族烴系溶劑(D1)及脂環式烴系溶劑(D2)所構成群組中之至少一種有機溶劑(D)，包含碳數10以上之脂肪族烴系溶劑(D11)。
如請求項1或2之透明塗料組成物，其中以透明塗料組成物中之樹脂固體成分100質量份為基準，前述選自於由脂肪族烴系溶劑(D1)及脂環式烴系溶劑(D2)所構成群組中之至少一種有機溶劑(D)之含量為3~20質量份之範圍內。
如請求項1或2之透明塗料組成物，其中前述消泡劑(C)與前述選自於由脂肪族烴系溶劑(D1)及脂環式烴系溶劑(D2)所構成群組中之至少一種有機溶劑(D)之質量比，以(C)/(D)之比計為0.01~0.5之範圍內。
一種塗膜形成方法，包含：對被塗物塗佈如請求項1至8中任一項之透明塗料組成物而形成透明塗膜。
一種多層塗膜形成方法，包含：步驟(I-1)：於被塗物上塗佈第1塗料組成物而形成未硬化之第1塗膜之步驟、<br/> 步驟(I-2)：於前述步驟(I-1)所形成之未硬化的第1塗膜上，塗佈第2塗料組成物而形成未硬化之第2塗膜之步驟、<br/> 步驟(I-3)：於前述步驟(I-2)所形成之未硬化的第2塗膜上，塗佈如請求項1至8中任一項之透明塗料組成物而形成未硬化之透明塗膜之步驟、以及<br/> 步驟(I-4)：將前述步驟(I-1)所形成之未硬化的第1塗膜、前述步驟(I-2)所形成之未硬化的第2塗膜、及前述步驟(I-3)所形成之未硬化的透明塗膜一次加熱硬化之步驟。
一種多層塗膜形成方法，包含：步驟(I-1)：於被塗物上塗佈第1塗料組成物後使其硬化而形成已硬化之第1塗膜之步驟、<br/> 步驟(I-2)：於步驟(I-1)所形成之已硬化之第1塗膜上，塗佈第2塗料組成物而形成未硬化之第2塗膜之步驟、<br/> 步驟(I-3)：於步驟(I-2)所形成之未硬化之第2塗膜上，塗佈如請求項1至8中任一項之透明塗料組成物而形成未硬化之透明塗膜之步驟、以及<br/> 步驟(I-4)：使步驟(I-3)所形成之未硬化之第2塗膜及透明塗膜一次硬化。
一種導釘件，適用於安裝在一多種針釘槍的一殼體單元，該導釘件包含： <br/>一基板，包括一沿一上下方向延伸的基壁，及一形成於該基壁的凹槽部，該基壁具有一呈平整的後側面、一沿一前後方向相反於該後側面的前側面，及二沿該前後方向相反於該後側面的抵靠面，該凹槽部凹設於該前側面，並具有一沿該前後方向與該等抵靠面相間隔的槽底面，及二分別連接於該槽底面的左右兩側的槽周側面，每一該槽周側面沿該前後方向實質上垂直連接於對應的該抵靠面，每一該抵靠面沿該前後方向與該槽底面相隔一第一距離(D1)；及 <br/>一延伸組，與該基板以一體射出成型方式製成，且與該基板圍繞界定一容針空間，該延伸組包括沿一左右方向間隔設置且自該前側面朝遠離該後側面的方向延伸的一第一延伸壁及一第二延伸壁，且具有二分別形成在該第一延伸壁與該第二延伸壁相反於該基壁的一側的延伸壁面，每一該延伸壁面沿該前後方向與對應的該抵靠面相間隔，且沿該前後方向與該槽底面相隔一第二距離(D2)，D2:D1介於8:1~4:1，該左右方向實質上垂直於該上下方向與該前後方向。
如請求項1所述的導釘件，其中，該基板的該凹槽部還具有一沿該上下方向延伸且凸設於該槽底面的第一凸肋，該第一凸肋沿該左右方向靠近該第一延伸壁。
如請求項2所述的導釘件，其中，該基板的該凹槽部還具有二沿該上下方向延伸且凸設於該槽底面的第二凸肋，該等第二凸肋沿該左右方向間隔設置，每一該第二凸肋沿該上下方向延伸的長度小於該第一凸肋沿該上下方向延伸的長度。
如請求項1所述的導釘件，其中，該延伸組的該第一延伸壁具有一鄰近於對應的該延伸壁面且朝向該容針空間的第一凸塊。
如請求項4所述的導釘件，其中，該延伸組的該第二延伸壁具有一朝向該容針空間且靠近該凹槽部的第二凸塊。
如請求項1所述的導釘件，還包含一嵌合板，該第一延伸壁具有一自對應的該延伸壁面朝該前側面的方向凹設延伸的第一凹槽，該第二延伸壁具有一自對應的該延伸壁面朝該前側面的方向凹設延伸的第二凹槽，該嵌合板連接於該延伸組，並具有一沿該左右方向延伸且嵌設於該第一凹槽與該第二凹槽的嵌合壁，及一形成在該嵌合壁且朝向該容針空間的嵌合槽。
如請求項6所述的導釘件，其中，該第二凹槽沿該上下方向延伸的長度大於該第一凹槽沿該上下方向延伸的長度。
如請求項1所述的導釘件，其中，該第二延伸壁具有一朝向該容針空間且沿該上下方向遠離該凹槽部的凸稜。
一種多種針釘槍，包含： <br/>一殼體單元，圍繞界定一容置空間； <br/>一釘軌，設置在該容置空間且適用於供數個釘針設置； <br/>一如請求項1~8任一項所述的導釘件，設置於該容置空間； <br/>一導釘座，連接於該釘軌且朝向該導釘件，該導釘座與該導釘件相配合界定一空間連通該容針空間且開口朝下的擊釘口；及 <br/>一擊釘片，設置在該容置空間且能被操作地沿一上下方向移動，該擊釘片沿該上下方向位於該擊釘口的上方，且適用於將其中一該釘針擊出該擊釘口。
如請求項9所述的多種針釘槍，其中，該延伸組的該第一延伸壁具有一鄰近於該擊釘口的第一缺口，該第二延伸壁具有一鄰近於該擊釘口且沿該左右方向與該第一缺口相對設置的第二缺口，該導釘座具有二能分別嵌設於該第一缺口與該第二缺口的導釘部，每一該導釘部具有一靠近該擊釘口的導引面。
一種玻璃基板毛細散熱結構，包含一玻璃基板，該玻璃 <br/>基板上方可設置晶片，其特徵在於： <br/>該玻璃基板內層設有若干中空管部，該中空管部一端係位於該晶片下方，另端則位於該玻璃基板外側邊緣，且各該中空管部中空內壁面形成有一多孔隙材料的鍍層，該鍍層內部分佈有孔洞而構成網狀結構，並於該中空管部內填充冷卻液，據以利用毛細散熱結構對該晶片進行散熱。
依據申請專利範圍第１項所述之玻璃基板毛細散熱結 <br/>構，其中構成該鍍層可利用電漿化學氣相沉積（PECVD）方式將多孔隙材料鍍膜於該中空管部的內壁面。
依據申請專利範圍第１或２項所述之玻璃基板毛細散熱 <br/>結構，其中該多孔隙材料可為氧化矽（SiOx）或氮化矽（SiNx）。
一種玻璃基板毛細散熱結構成型方法，其製程包含： <br/>A.製備受損通道，將玻璃基板置於一機台上，利用飛秒雷射光線在該玻璃基板內部形成受損通道，該受損通道係由該玻璃基板外側面往中心適當處延伸； <br/>B.成型中空管部，將該玻璃基板置於一容器中，利用該容器中的蝕刻液將該受損通道部位的玻璃侵蝕而形成中空管部，該中空管部位於該玻璃基板外側面處係形成開口； <br/>C.成型鍍層，利用電漿輔助式化學氣相沉積（PECVD）設備，將多孔隙材料鍍膜於該中空管部的內壁面形成一鍍層，該鍍層內部分佈有孔洞而構成網狀結構； <br/>D. 填充冷卻液，利用一充填設備將冷卻液填充至該等中空管部內； <br/>E.封閉開口，於該開口處塗上封口膠，將該中空管部的開口封閉。
依據申請專利範圍第4項所述之玻璃基板毛細散熱結構成型方法，其中該多孔隙材料可為氧化矽（SiOx）或氮化矽（SiNx）。
依據申請專利範圍第4項所述之玻璃基板毛細散熱結構成型方法，其中該冷卻液可為水、冷媒。
依據申請專利範圍第4項所述之玻璃基板毛細散熱結構成型方法，其中該充填設備包含一真空泵、真空閥、充填室、流體充填閥及洩流閥，該真空泵係利用一第一管體連接該充填室，該真空閥係設於該第一管體適當處，而能對該充填室抽真空，使其內部呈現負壓狀態，又該充填室適當處接設一第二管體及第三管體，該流體充填閥係設於第二管路適當處，該第二管體路另端則設於一流體供應槽，用以將冷卻液注入該充填室內，而該洩流閥係設於該第三管體適當處，用以將該充填室內的冷卻液向外排出，當該玻璃基板置於該充填室內，啟動該真空泵令該充填室內呈現負壓，之後開啟該流體充填閥將冷卻液輸送至該充填室，該充填室內有一槽道，該槽道係與該玻璃基板的外側邊相鄰，該冷卻液會匯流於該槽道及玻璃基板具有中空管部其開口的外側面處，當該真空泵停止作動後，該充填室內的空氣壓力會逐漸回復至大氣壓力，但該中空管部內仍然保持真空狀態，因此當該充填室內的壓力回復至大氣壓力後，冷卻液會被吸入該中空管部內，達到填充冷卻液的目的。
依據申請專利範圍第4項所述之玻璃基板毛細散熱結構成型方法，其中該封口膠可為玻璃膠。
一種樹脂組成物，包括：樹脂混合物，其中，以所述樹脂混合物的總重量計，所述樹脂混合物包括： <br/>15重量%至75重量%的含苯并環丁烯單體； <br/>20重量%至40重量%的低介電樹脂；以及 <br/>5重量%至20重量%的交聯劑， <br/>其中所述低介電樹脂為聚二乙烯苯。
如請求項1所述的樹脂組成物，其中所述含苯并環丁烯單體具有兩個或更多個苯并環丁烯基團及兩個或更多個烯丙基反應性官能基。
如請求項1所述的樹脂組成物，其中所述交聯劑為1,2-雙(乙烯基苯基)乙烷。
如請求項1所述的樹脂組成物，其中所述樹脂混合物還包括0重量%至40重量%的碳氫樹脂。
如請求項1所述的樹脂組成物，其中， <br/>以所述樹脂混合物的總重量計，所述樹脂混合物包括： <br/>15重量%至75重量%的含苯并環丁烯單體； <br/>20重量%至40重量%的低介電樹脂；以及 <br/>5重量%至20重量%的交聯劑； <br/>以100重量份的所述樹脂混合物計，所述樹脂組成物還包括： <br/>20 phr至50 phr的耐燃劑； <br/>0.1 phr至5 phr的矽烷耦合劑；以及 <br/>0.5 phr至2 phr的過氧化物；且 <br/>所述樹脂組成物還包括球型二氧化矽，其中，以所述樹脂組成物的總重量計，所述球型二氧化矽的含量為40重量%至60重量%。
如請求項5所述的樹脂組成物，其中， <br/>以所述樹脂混合物的總重量計，所述樹脂混合物包括： <br/>20重量%至60重量%的含苯并環丁烯單體； <br/>25重量%的低介電樹脂；以及 <br/>15重量%的交聯劑； <br/>以100重量份的所述樹脂混合物計，所述樹脂組成物還包括： <br/>30 phr的耐燃劑； <br/>0.5 phr的矽烷耦合劑；以及 <br/>1.0 phr的過氧化物；且 <br/>所述樹脂組成物還包括球型二氧化矽，其中，以所述樹脂組成物的總重量計，所述球型二氧化矽的含量為45重量%。
如請求項6所述的樹脂組成物，還包括以所述樹脂混合物的總重量計0重量%至40重量%的碳氫樹脂。
一種預浸體，包括如請求項1至7中任一項所述的樹脂組成物以及纖維質基材。
一種覆金屬積層板，包括如請求項8所述的預浸體以及金屬箔。
如請求項9所述的覆金屬積層板，其中，按照IPC-TM-650的標準測試方法，所述覆金屬積層板同時具有小於3.02的介電常數以及小於0.00072的介電損耗因子。
一種高層數基板，包括20至30層如請求項9或10所述的覆金屬積層板。
一種自動取樣裝置，適於移載一容器自動完成取樣，包含：<br/> 一機殼；<br/> 一承載模組，包含：<br/> 一驅動件，可沿一第一方向線性位移地設置於該機殼內；以及<br/> 一承座，連接該驅動件以受該驅動件帶動而能繞該第一方向轉動，其中該承座包含一固定座及一夾持件，該固定座連接該驅動件，該夾持件可位移地設置於該固定座的一側；<br/> 一動力模組，連接該驅動件以驅動該驅動件沿該第一方向位移；<br/> 一工作模組，設置於該承載模組的位移路徑上，包含一清洗單元、一取樣單元及一瓶蓋啟閉單元，該清洗單元、該取樣單元及該瓶蓋啟閉單元間隔配置；以及<br/> 一控制器，電性連接該驅動件、該動力模組及該工作模組。
如請求項1所述之自動取樣裝置，其中垂直該第一方向為一第二方向，該動力模組與該承載模組分別位於該機殼內不同的該第二方向位置上。
如請求項1所述之自動取樣裝置，其中該機殼更包含一第一隔板，該第一隔板沿該第一方向延伸並平行於該承載模組，該第一隔板具有一長孔，該長孔沿該第一方向延伸長度，該承載模組及該動力模組分別位於該第一隔板的相反側，該動力模組透過該長孔連接該驅動件。
如請求項1所述之自動取樣裝置，其中該承載模組更包含一箱體，該驅動件容置於該箱體內，該承座位於該箱體外，該動力模組連接於該箱體。
如請求項3所述之自動取樣裝置，其中該機殼更包含一第二隔板，一端有角度地連接於該第一隔板並具有一通過口，該第二隔板與該承載模組位於該第一隔板的同一側，該工作模組位於該第二隔板的一側。
如請求項5所述之自動取樣裝置，其中該承載模組可沿該第一方向依序位移於一第一位置、一第二位置、一第三位置及一第四位置之間，當該承載模組位於該第一位置時，該承座通過該通過口位於該第二隔板的另一側。
如請求項6所述之自動取樣裝置，更包含一門片及一帶動組件，垂直該第一方向為一第二方向，該帶動組件設置於該機殼，該門片連接該帶動組件，該帶動組件能帶動該門片沿垂直於該第一方向及該第二方向的一第三方向位移以啟閉該通過口。
如請求項7所述之自動取樣裝置，其中該帶動組件包含一齒輪、一齒條及一動力源，該齒輪可轉動地設置於該機殼，該齒條沿該第三方向延伸長度地固定於該門片並嚙合於該齒輪，該動力源連接該齒輪。
如請求項1所述之自動取樣裝置，其中該瓶蓋啟閉單元包含一升降模組、一轉動模組及一夾持模組，該升降模組固定於該機殼，該轉動模組連接於該升降模組，該夾持模組連接於該轉動模組。
如請求項9所述之自動取樣裝置，其中該升降模組具有一滑台，該滑台能沿垂直於該第一方向的一第二方向滑移，該轉動模組連接於該滑台。
如請求項10所述之自動取樣裝置，其中該轉動模組包含一馬達及一驅動軸，該馬達固定於該滑台，該驅動軸連接該馬達並能繞垂直於該第一方向與該第二方向的一第三方向轉動，該夾持模組連接於該驅動軸。
如請求項9所述之自動取樣裝置，其中該夾持模組包含一套件及二夾持件，該套件具有一套口，該夾持模組的各該夾持件可線性位移地設置於該套口內的相對兩側。
如請求項3所述之自動取樣裝置，更包含二滑片組，分別設置於該第一隔板遠離該承載模組的一側，各該滑片組分別包含複數滑片及複數限位件，各該滑片彼此平行並至少局部重疊，且各該滑片分別具有沿該第一方向開設的滑槽，各該限位件分別可滑移地穿設於相鄰的兩個該滑片的滑槽內，其中，最靠近該第一隔板的該滑片固定於該承載模組，最遠離該第一隔板的該滑片固定於該機殼。
如請求項13所述之自動取樣裝置，其中該機殼更包含一第四隔板，該第四隔板平行間隔設置於該第一隔板遠離該承載模組的一側，各該滑片組位於該第一隔板及該第四隔板之間。
一種具可升降螢幕的電子裝置，包括：<br/> 一底座；<br/> 一螢幕，電性耦接於該底座，該螢幕的背面設有一固定座；以及<br/> 一升降機構，能使該螢幕相對於該底座位於一下降位置與一上升位置，該升降機構包括一制動桿、一彈性件、及一對連桿，該制動桿的底端固定於該底座，該制動桿穿過該固定座，該彈性件的一端抵接該底座並且提供一彈性力使該螢幕遠離該底座，該一對連桿連接該底座與該螢幕；<br/> 其中該一對連桿分別設置於該制動桿的兩側，每一該連桿具有一端係樞接於該固定座、及另一端係樞接於該底座。
如請求項1所述之具可升降螢幕的電子裝置，其中該固定座包括一固定板體、及一連接套筒，該固定板體固定於該螢幕的該背面，該連接套筒連接於該固定板體，該制動桿可動地穿過該連接套筒。
如請求項1所述之具可升降螢幕的電子裝置，其中該彈性件套設於該制動桿，該彈性件的另一端抵接於該固定座。
如請求項1所述之具可升降螢幕的電子裝置，其中每一該連桿具有一第一桿體、及一第二桿體，該第一桿體具有一第一上端樞接於該固定座、及一第一下端樞接於該第二桿體，該第二桿體具有一第二上端樞接於該第一桿體、及一第二下端樞接於該底座。
如請求項4所述之具可升降螢幕的電子裝置，其中每一該連桿還具有一阻尼鉸鏈設置於該第一桿體與該第二桿體的樞接處。
如請求項1所述之具可升降螢幕的電子裝置，還包括至少一導引桿用以導引該螢幕相對於該底座的移動，該至少一導引桿的底端固定於該底座，該至少一導引桿能相對於該螢幕滑動，從而該螢幕能沿著該至少一導引桿上升或下降。
如請求項6所述之具可升降螢幕的電子裝置，其中該螢幕的該背面設有至少一導軌，該至少一導引桿能滑動地設置於該至少一導軌內。
如請求項7所述之具可升降螢幕的電子裝置，其中該螢幕的該背面還設有至少一導引護蓋，該至少一導引護蓋覆蓋於該至少一導軌，該至少一導引桿具有面向該至少一導引護蓋的一限位槽，該導引護蓋具有面向該導引桿的一導引凸塊，該導引凸塊能滑動地設置於該限位槽內。
如請求項1所述之具可升降螢幕的電子裝置，還包括一磁吸定位機構，該磁吸定位機構包括至少一第一磁吸件、及一第二磁吸件，該至少第一磁吸件設置於該螢幕，該第二磁吸件設置於相對於該底座的一固定位置，該至少第一磁吸件能吸附於該第二磁吸件以定位該螢幕於該下降位置。
如請求項9所述之具可升降螢幕的電子裝置，其中該第一磁吸件固定於該螢幕的該固定座內，該第二磁吸件固定地設置於該制動桿內，當該螢幕位於該下降位置，該至少一第一磁吸件與該第二磁吸件位於相同的水平位置且彼此靠近。
一種具生質阻燃劑的可生物降解複合材料，其包含均勻混合之聚丁二酸丁二醇酯 5~95 wt%；及一生質阻燃劑 5~95 wt%，其中:<br/> 該生質阻燃劑包含:<br/> 茶多酚；<br/> 植物纖維，其顆粒粒徑為30篩目以下且含水量低於5%；<br/> 聚磷酸銨；<br/> 三聚氰胺或氧化鋅；<br/> 其中，茶多酚:植物纖維:聚磷酸銨:三聚氰胺或氧化鋅的重量比為 1:1:3:1。
如請求項1所述的具生質阻燃劑的可生物降解複合材料，其中：該植物纖維為四乙氧基矽烷改質之植物纖維。
如請求項1或2所述的具生質阻燃劑的可生物降解複合材料，其中：該植物纖維的含水量低於1%。
如請求項1或2所述的具生質阻燃劑的可生物降解複合材料，其中：聚丁二酸丁二醇酯與該生質阻燃劑利用螺桿混煉機進行混煉混合形成具該生質阻燃劑的可生物降解複合材料。
如請求項1或2所述的具生質阻燃劑的可生物降解複合材料，其中：該具生質阻燃劑的可生物降解複合材料的UL-94為V2-V0等級，且燃燒超過30秒產生輕微或不發生滴垂。
一種網路封包處理裝置，包含： <br/>一接收環形緩衝器，包含複數個儲存區塊，每一儲存區塊用以於一封包被處理之前暫存該封包的一接收封包描述元； <br/>一傳送環形緩衝器，包含複數個儲存區塊，每一儲存區塊用以於該封包被處理之後暫存該封包的一傳送封包描述元； <br/>複數個佇列； <br/>複數個第一處理器核心，用以依據一輪詢順序來輪流讀取該接收環形緩衝器中的複數組接收封包描述元，並依據該複數組接收封包描述元來對複數組封包進行平行處理，其中該複數個佇列分別配置予該複數個第一處理器核心，該複數個第一處理器核心中的每一第一處理器核心用以針對一組封包來產生至少一傳送封包描述元與對應該至少一傳送封包描述元的至少一佇列元素，並將該至少一佇列元素加入至該複數個佇列中的一相對應佇列，其中該至少一佇列元素會設置一結束標記；以及 <br/>一第二處理器核心，用以依據該輪詢順序來輪流讀取該複數個佇列，並將每一佇列所讀取之一佇列元素所對應的一傳送封包描述元寫入至該傳送環形緩衝器，其中當該第二處理器核心從一目前佇列讀取到該結束標記，會依據該輪詢順序而切換讀取一下一佇列。
如請求項1所述之網路封包處理裝置，其中該複數組接收封包描述元具有相同的接收封包描述元個數。
如請求項2所述之網路封包處理裝置，其中該接收環形緩衝器的該複數個儲存區塊連續劃分為複數組儲存區塊，以及該複數組儲存區塊中的每一組儲存區塊用以儲存一組接收封包描述元。
如請求項1所述之網路封包處理裝置，其中每一佇列元素包含一傳送封包描述元位址欄位以及一結束標記欄位，該傳送封包描述元位址欄位用以指示一傳送封包描述元於一儲存裝置中的位址，以及該結束標記欄位用以指示該結束標記是否被設置。
如請求項1所述之網路封包處理裝置，其中該至少一佇列元素中對應至該組封包中最後一個封包的佇列元素會設置該結束標記。
如請求項1所述之網路封包處理裝置，其中該組封包包含一第一封包，該至少一傳送封包描述元包含僅對應該第一封包的一第一傳送封包描述元，以及該至少一佇列元素包含對應該第一傳送封包描述元的一第一佇列元素。
如請求項6所述之網路封包處理裝置，其中該複數個第一處理器核心中的該每一第一處理器核心另用依據該相對應佇列的使用率來設定一封包聚合個數，並於判定該封包聚合個數不大於1時，產生該第一傳送封包描述元。
如請求項1所述之網路封包處理裝置，其中該組封包包含複數個第一封包，該至少一傳送封包描述元包含對應該複數個第一封包的一第一傳送封包描述元，以及該至少一佇列元素包含對應該第一傳送封包描述元的一第一佇列元素。
如請求項8所述之網路封包處理裝置，其中該複數個第一處理器核心中的該每一第一處理器核心另用依據該相對應佇列的使用率來設定一封包聚合個數，並於判定該封包聚合個數大於1時，產生該第一傳送封包描述元。
如請求項9所述之網路封包處理裝置，其中於判定該封包聚合個數大於1時，該複數個第一處理器核心中的該每一第一處理器核心另產生一聚合封包，該聚合封包會聚合該複數個第一封包，以及該第一傳送封包描述元中的一封包位址欄位會記錄該聚合封包於一儲存裝置的位址。
一種網路封包處理方法，包含： <br/>透過複數個第一處理器核心來依據一輪詢順序輪流讀取一接收環形緩衝器中的複數組接收封包描述元，並依據該複數組接收封包描述元來對複數組封包進行平行處理，其中該接收環形緩衝器包含複數個儲存區塊，每一儲存區塊用以於一封包被處理之前暫存該封包的一接收封包描述元； <br/>將複數個佇列分別配置予該複數個第一處理器核心； <br/>透過該複數個第一處理器核心中的每一第一處理器核心來針對一組封包產生至少一傳送封包描述元與對應該至少一傳送封包描述元的至少一佇列元素，並將該至少一佇列元素加入至該複數個佇列中的一相對應佇列，其中該至少一佇列元素會設置一結束標記；以及 <br/>透過一第二處理器核心來依據該輪詢順序輪流讀取該複數個佇列，並將每一佇列所讀取之一佇列元素所對應的一傳送封包描述元寫入至一傳送環形緩衝器，其中該傳送環形緩衝器包含複數個儲存區塊，每一儲存區塊用以於該封包被處理之後暫存該封包的一傳送封包描述元，以及當該第二處理器核心從一目前佇列讀取到該結束標記，會依據該輪詢順序而切換讀取一下一佇列。
如請求項11所述之網路封包處理方法，其中該複數組接收封包描述元具有相同的接收封包描述元個數。
如請求項12所述之網路封包處理方法，另包含： <br/>將該接收環形緩衝器的該複數個儲存區塊連續劃分為複數組儲存區塊；以及 <br/>使用該複數組儲存區塊中的每一組儲存區塊來儲存一組接收封包描述元。
如請求項11所述之網路封包處理方法，其中每一佇列元素包含一傳送封包描述元位址欄位以及一結束標記欄位，該傳送封包描述元位址欄位用以指示一傳送封包描述元於一儲存裝置中的位址，以及該結束標記欄位用以指示該結束標記是否被設置。
如請求項11所述之網路封包處理方法，其中該至少一佇列元素中對應至該組封包中最後一個封包的佇列元素會設置該結束標記。
如請求項11所述之網路封包處理方法，其中該組封包包含一第一封包，該至少一傳送封包描述元包含僅對應該第一封包的一第一傳送封包描述元，以及該至少一佇列元素包含對應該第一傳送封包描述元的一第一佇列元素。
如請求項16所述之網路封包處理方法，另包含： <br/>透過該複數個第一處理器核心中的該每一第一處理器核心，依據該相對應佇列的使用率設定一封包聚合個數，以及於於判定該封包聚合個數不大於1時，產生該第一傳送封包描述元。
如請求項11所述之網路封包處理方法，其中該組封包包含複數個第一封包，該至少一傳送封包描述元包含對應該複數個第一封包的一第一傳送封包描述元，以及該至少一佇列元素包含對應該第一傳送封包描述元的一第一佇列元素。
如請求項18所述之網路封包處理方法，另包含： <br/>透過該複數個第一處理器核心中的該每一第一處理器核心，依據該相對應佇列的使用率來設定一封包聚合個數，並於判定該封包聚合個數大於1時，產生該第一傳送封包描述元。
如請求項19所述之網路封包處理方法，另包含： <br/>於判定該封包聚合個數大於1時，透過該複數個第一處理器核心中的該每一第一處理器核心來產生一聚合封包，其中該聚合封包會聚合該複數個第一封包，以及該第一傳送封包描述元中的一封包位址欄位會記錄該聚合封包於一儲存裝置的位址。
一種具靜電消散的電動研磨工具機，該電動研磨工具機具有一工具機本體，一設於該工具機本體內的馬達，一設於該工具機本體內並連接該馬達的電力供應組，一隨該馬達轉動的研磨盤，以及一面對該研磨盤並與該工具機本體組接的集塵件，該工具機本體具有一提供該集塵件組接的銜接塊，該集塵件具有一與該銜接塊組接的連接塊，該電力供應組具有一電源地線，該電動研磨工具機特徵在於：<br/> 該工具機本體具有一設於該銜接塊並接觸該集塵件的電荷傳導件，該集塵件具有一設於該連接塊並面對該電荷傳導件的接觸面，該電荷傳導件以下列其中之一與該電源地線產生電氣連接：直接連接與間接連接，該電荷傳導件於該集塵件上產生一靜電荷時，令該靜電荷導向該電源地線。
如請求項1所述具靜電消散的電動研磨工具機，其中，該集塵件的表面電阻值介於103歐姆至107歐姆之間。
如請求項1所述具靜電消散的電動研磨工具機，其中，該銜接塊與該連接塊其中一者成形為一提供卡入的槽狀結構。
如請求項3所述具靜電消散的電動研磨工具機，其中，該銜接塊為該槽狀結構，該電荷傳導件設於該槽狀結構的一終端上。
如請求項1所述具靜電消散的電動研磨工具機，其中，該集塵件材質包含一靜電消散材料。
如請求項5所述具靜電消散的電動研磨工具機，其中，該靜電消散材料於製成該集塵件所有材料中的佔比小於30%。
如請求項1所述具靜電消散的電動研磨工具機，其中，該集塵件具有一設於該接觸面上並可與該電荷傳導件接觸的輔助傳導件。
如請求項1所述具靜電消散的電動研磨工具機，其中，該工具機本體區分為一抓持部分以及一與該抓持部分連接的掌握部分，該銜接塊位於該掌握部分。
如請求項8所述具靜電消散的電動研磨工具機，其中，該集塵件與一集塵管連接。
如請求項1或2所述具靜電消散的電動研磨工具機，其中，該集塵件與一集塵管連接。
如請求項1或2所述具靜電消散的電動研磨工具機，其中，該集塵件材質包含一靜電消散材料。
如請求項11所述具靜電消散的電動研磨工具機，其中，該靜電消散材料於製成該集塵件所有材料中的佔比小於30%。
一種多帶電粒子束描繪方法，係在基板的描繪區域以前述基板上的多帶電粒子束的射束間間距尺寸被網目狀地分割而成的複數個間距單元區域內，設定由複數個射束照射單位區域所構成的複數個群組，以前述複數個群組的描繪順序依示意多重描繪處理的處理順序的每一處理編號而異之方式，設定前述多重描繪處理的每一處理編號的前述複數個群組的描繪順序，依循前述多重描繪處理的每一處理編號的前述複數個群組的設定好的描繪順序而進行多重描繪。
如請求項1記載的多帶電粒子束描繪方法，其中，當進行多重描繪時，於每一追蹤周期，一面將多重描繪處理的處理編號依序變更而進行該處理編號的描繪處理，一面於該處理編號的描繪處理中的該追蹤控制中使得前述多帶電粒子束的各射束描繪位於前述多帶電粒子束的照射區域內的相互相異的其中1個的間距單元區域內的同一群組的所有的射束照射單位區域，藉此在往平行於描繪方向的方向的1次的平台移動中，依循前述多重描繪處理的每一處理編號的前述複數個群組的設定好的描繪順序而進行多重描繪；其中，該追蹤周期係反覆做追蹤控制與追蹤重置，該追蹤控制係使前述多帶電粒子束的照射區域跟隨被載置於連續移動的平台上的前述基板的移動，該追蹤重置係將前述多帶電粒子束的照射區域的位置重置。
如請求項1記載的多帶電粒子束描繪方法，其中，依前述多重描繪處理的每一處理編號，將前述複數個群組的描繪順序依序錯開。
如請求項1記載的多帶電粒子束描繪方法，其中，依前述多重描繪處理的每一處理編號，將前述多帶電粒子束的照射區域以未滿前述射束照射單位區域的尺寸之尺寸朝正交於前述描繪方向的方向錯開。
一種非暫態地記錄程式的可讀取記錄媒體，該程式用來令電腦執行：在基板的描繪區域以前述基板上的多帶電粒子束的射束間間距尺寸被網目狀地分割而成的複數個間距單元區域內，設定由複數個射束照射單位區域所構成的複數個群組之處理；以前述複數個群組的描繪順序依示意多重描繪處理的處理順序的每一處理編號而異之方式，設定前述多重描繪處理的每一處理編號的前述複數個群組的描繪順序之處理；將多重描繪處理的每一處理編號的前述複數個群組的設定好的描繪順序記憶至記憶裝置之處理；從前述記憶裝置讀出多重描繪處理的每一處理編號的前述複數個群組的設定好的描繪順序，依循前述多重描繪處理的每一處理編號的前述複數個群組的設定好的描繪順序而進行多重描繪之處理。
一種多帶電粒子束描繪裝置，具備：群組設定電路，在基板的描繪區域以前述基板上的多帶電粒子束的射束間間距尺寸被網目狀地分割而成的複數個間距單元區域內，設定由複數個射束照射單位區域所構成的複數個群組；群組順序設定電路，以前述複數個群組的描繪順序依示意多重描繪處理的處理順序的每一處理編號而異之方式，設定前述多重描繪處理的每一處理編號的前述複數個群組的描繪順序；描繪控制電路，依循前述多重描繪處理的每一處理編號的前述複數個群組的設定好的描繪順序而進行多重描繪。
一種多帶電粒子束描繪方法，係在基板的描繪區域以前述基板上的多帶電粒子束的射束間間距尺寸被網目狀地分割而成的複數個間距單元區域內，以複數個射束照射單位區域的描繪順序依示意多重描繪處理的處理順序的每一處理編號而異之方式，設定前述多重描繪處理的每一處理編號的前述複數個間距單元區域內的複數個射束照射單位區域的描繪順序，於每一追蹤周期，一面將多重描繪處理的處理編號依序變更而進行該處理編號的描繪處理，一面於該處理編號的描繪處理中的該追蹤控制中使得前述多帶電粒子束的各射束描繪位於前述多帶電粒子束的照射區域內的相互相異的其中1個的間距單元區域內的同一射束照射單位區域，藉此在往平行於描繪方向的方向的1次的平台移動中，依循前述多重描繪處理的每一處理編號的前述複數個間距單元區域內的複數個射束照射單位區域的設定好的描繪順序而進行多重描繪；其中，該追蹤周期係反覆做追蹤控制與追蹤重置，該追蹤控制係使前述多帶電粒子束的照射區域跟隨被載置於連續移動的平台上的前述基板的移動，該追蹤重置係將前述多帶電粒子束的照射區域的位置重置。
一種資料快取方法，適用於一第一儲存裝置以及一第二儲存裝置，該資料快取方法包含： <br/>將多個代符輸入至一神經網路，並取得對應至多個層的多個鍵值資料； <br/>將該第一儲存裝置劃分為多個快取區塊以及至少一共享區塊； <br/>將該些鍵值資料中對應至該些層的第一鍵值資料分別儲存至該些快取區塊中該些層各自對應的快取區塊； <br/>將該些鍵值資料中對應至該些層的一第一層的第二鍵值資料儲存至該至少一共享區塊； <br/>將該些鍵值資料中對應至該些層中除了該第一層的至少部份其他層的第二鍵值資料儲存至該第二儲存裝置；以及 <br/>在進行關於該第一層的一推論程序時，從該些快取區塊中讀取對應至該第一層的該第一鍵值資料，並從該至少一共享區塊中讀取對應至該第一層的該第二鍵值資料。
如請求項1所述的資料快取方法，其中該第一儲存裝置的存取速度大於該第二儲存裝置的存取速度，該些鍵值資料的大小大於該第一儲存裝置的一容量。
如請求項1所述的資料快取方法，還包括： <br/>在執行完該第一層的該推論程序後，將一新代符對應的該第二鍵值資料從該至少一共享區塊搬移至該第二儲存裝置； <br/>從該第二儲存裝置讀取對應至該些層中的一第二層的該第二鍵值資料至該至少一共享區塊；以及 <br/>在進行關於該第二層的一推論程序時，從該些快取區塊中讀取對應至該第二層的該第一鍵值資料，並從該至少一共享區塊中讀取對應至該第二層的該第二鍵值資料。
如請求項1所述的資料快取方法，還包括： <br/>取得該神經網路所支援的一代符長度；以及 <br/>根據該代符長度決定該些快取區塊的數量以及該至少一共享區塊的數量。
如請求項4所述的資料快取方法，其中根據該代符長度決定該些快取區塊的數量以及該至少一共享區塊的數量的步驟包括： <br/>取得該第一儲存裝置的一總區塊數量； <br/>設定該些快取區塊的該數量以及該至少一共享區塊的該數量的和相同於該總區塊數量； <br/>將該代符長度除以一區塊大小以得到一區塊長度；以及 <br/>計算在一條件下該至少一共享區塊的該數量的最小值，其中該條件為該至少一共享區塊的該數量乘上該些層的數量再加上該些快取區塊的數量所得到一數值大於等於該區塊長度。
如請求項5所述的資料快取方法，還包括： <br/>隨著該神經網路持續產生多個輸出代符，逐漸增加該代符長度，其中該區塊長度大於該總區塊數量。
如請求項1所述的資料快取方法，還包括： <br/>由該神經網路產生多個輸出代符，將該些輸出代符連接至該些代符以得到多個歷史代符； <br/>取得該些歷史代符的一第一前綴； <br/>計算該第一前綴的一第一雜湊值；以及 <br/>將該第一雜湊值以及該第一前綴對應的該鍵值資料儲存至該第二儲存裝置。
如請求項7所述的資料快取方法，還包括： <br/>取得該些歷史代符的一第二前綴，其中該第二前綴涵蓋該第一前綴； <br/>計算該第二前綴的一第二雜湊值；以及 <br/>將該第二雜湊值以及該第二前綴對應的該鍵值資料儲存至該第二儲存裝置。
如請求項7所述的資料快取方法，其中將該第一雜湊值以及該第一前綴對應的該鍵值資料儲存至該第二儲存裝置的步驟包括： <br/>判斷該第一雜湊值是否命中一第三儲存裝置的一第一先前雜湊值，其中該第三儲存裝置的存取速度大於該第二儲存裝置的存取速度，該第三儲存裝置的存取速度小於該第一儲存裝置的存取速度； <br/>如果該第一雜湊值沒有命中該第一先前雜湊值，判斷該第三儲存裝置是否已滿； <br/>如果該第三儲存裝置未滿，將該第一雜湊值以及該第一前綴對應的該鍵值資料寫入至該第三儲存裝置； <br/>如果該第三儲存裝置已滿，判斷該第二儲存裝置是否已滿； <br/>如果該第二儲存裝置已滿，清除該第二儲存裝置的資料； <br/>如果該第二儲存裝置未滿，選擇該第三儲存裝置中的一先前鍵值資料； <br/>判斷該先前鍵值資料的一雜湊值是否命中該第二儲存裝置的一第二先前雜湊值；以及 <br/>如果該先前鍵值資料的該雜湊值沒有命中該第二先前雜湊值，將該先前鍵值資料移動至該第二儲存裝置。
如請求項1所述的資料快取方法，其中取得對應至該些層的該些鍵值資料包括： <br/>取得該些代符的一前綴； <br/>計算該前綴的一雜湊值； <br/>判斷該雜湊值是否命中儲存在該第二儲存裝置的一先前雜湊值；以及 <br/>如果該雜湊值命中該先前雜湊值，從該第二儲存裝置讀取對應至該前綴的鍵值資料。
如請求項1所述的資料快取方法，還包括： <br/>在進行關於該些層的其中之一的一推論程序時，該些快取區塊中儲存有M層的第一鍵值資料，該共享區塊儲存有N層的第二鍵值資料，其中，該些快取區塊以及該至少一共享區塊分佈於同一記憶體晶片上，M、N為正整數，且M大於N。
一種主機系統，包含： <br/>一處理器，包含一第一儲存裝置；以及 <br/>一第二儲存裝置；以及 <br/>其中該處理器電性連接至該第二儲存裝置，並用以執行多個步驟： <br/>將多個代符輸入至一神經網路，並取得對應至多個層的多個鍵值資料； <br/>將該第一儲存裝置劃分為多個快取區塊以及至少一共享區塊； <br/>將該些鍵值資料中對應至該些層的第一鍵值資料分別儲存至該些快取區塊中該些層各自對應的快取區塊； <br/>將該些鍵值資料中對應至該些層的一第一層的第二鍵值資料儲存至該至少一共享區塊； <br/>將該些鍵值資料中對應至該些層中除了該第一層的至少部份其他層的第二鍵值資料儲存至該第二儲存裝置；以及 <br/>在進行關於該第一層的一推論程序時，從該些快取區塊中讀取對應至該第一層的該第一鍵值資料，並從該至少一共享區塊中讀取對應至該第一層的該第二鍵值資料。
如請求項12所述的主機系統，其中該第一儲存裝置的存取速度大於該第二儲存裝置的存取速度，該些鍵值資料的大小大於該第一儲存裝置的一容量。
如請求項12所述的主機系統，其中該些步驟還包括： <br/>在執行完該第一層的該推論程序後，將一新代符對應的該第二鍵值資料從該至少一共享區塊搬移至該第二儲存裝置； <br/>從該第二儲存裝置讀取對應至該些層中的一第二層的該第二鍵值資料至該至少一共享區塊；以及 <br/>在進行關於該第二層的一推論程序時，從該些快取區塊中讀取對應至該第二層的該第一鍵值資料，並從該至少一共享區塊中讀取對應至該第二層的該第二鍵值資料。
如請求項12所述的主機系統，其中該些步驟還包括： <br/>取得該神經網路所支援的一代符長度；以及 <br/>根據該代符長度決定該些快取區塊的數量以及該至少一共享區塊的數量。
如請求項15所述的主機系統，其中根據該代符長度決定該些快取區塊的數量以及該至少一共享區塊的數量的步驟包括： <br/>取得該第一儲存裝置的一總區塊數量； <br/>設定該些快取區塊的該數量以及該至少一共享區塊的該數量的和相同於該總區塊數量； <br/>將該代符長度除以一區塊大小以得到一區塊長度；以及 <br/>計算在一條件下該至少一共享區塊的該數量的最小值，其中該條件為該至少一共享區塊的該數量乘上該些層的數量再加上該些快取區塊的數量所得到一數值大於等於該區塊長度。
如請求項16所述的主機系統，其中該些步驟還包括： <br/>隨著該神經網路持續產生多個輸出代符，逐漸增加該代符長度，其中該區塊長度大於該總區塊數量。
如請求項12所述的主機系統，其中該些步驟還包括： <br/>由該神經網路產生多個輸出代符，將該些輸出代符連接至該些代符以得到多個歷史代符； <br/>取得該些歷史代符的一第一前綴； <br/>計算該第一前綴的一第一雜湊值；以及 <br/>將該第一雜湊值以及該第一前綴對應的該鍵值資料儲存至該第二儲存裝置。
如請求項18所述的主機系統，其中該些步驟還包括： <br/>取得該些歷史代符的一第二前綴，其中該第二前綴涵蓋該第一前綴； <br/>計算該第二前綴的一第二雜湊值；以及 <br/>將該第二雜湊值以及該第二前綴對應的該鍵值資料儲存至該第二儲存裝置。
如請求項18所述的主機系統，還包括一第三儲存裝置，其中將該第一雜湊值以及該第一前綴對應的該鍵值資料儲存至該第二儲存裝置的步驟包括： <br/>判斷該第一雜湊值是否命中該第三儲存裝置的一第一先前雜湊值，其中該第三儲存裝置的存取速度大於該第二儲存裝置的存取速度，該第三儲存裝置的存取速度小於該第一儲存裝置的存取速度； <br/>如果該第一雜湊值沒有命中該第一先前雜湊值，判斷該第三儲存裝置是否已滿； <br/>如果該第三儲存裝置未滿，將該第一雜湊值以及該第一前綴對應的該鍵值資料寫入至該第三儲存裝置； <br/>如果該第三儲存裝置已滿，判斷該第二儲存裝置是否已滿； <br/>如果該第二儲存裝置已滿，清除該第二儲存裝置的資料； <br/>如果該第二儲存裝置未滿，選擇該第三儲存裝置中的一先前鍵值資料； <br/>判斷該先前鍵值資料的一雜湊值是否命中該第二儲存裝置的一第二先前雜湊值；以及 <br/>如果該先前鍵值資料的該雜湊值沒有命中該第二先前雜湊值，將該先前鍵值資料移動至該第二儲存裝置。
如請求項12所述的主機系統，其中取得對應至該些層的該些鍵值資料包括： <br/>取得該些代符的一前綴； <br/>計算該前綴的一雜湊值； <br/>判斷該雜湊值是否命中儲存在該第二儲存裝置的一先前雜湊值；以及 <br/>如果該雜湊值命中該先前雜湊值，從該第二儲存裝置讀取對應至該前綴的鍵值資料。
如請求項12所述的主機系統，其中該些步驟還包括： <br/>在進行關於該些層的其中之一的一推論程序時，該些快取區塊中儲存有M層的第一鍵值資料，該共享區塊儲存有N層的第二鍵值資料，其中，該些快取區塊以及該至少一共享區塊分佈於同一記憶體晶片上，M、N為正整數，且M大於N。
一種基於邊緣計算的網路語音交換機自動路由方法，包含：(A)初始化複數個網路語音交換機，將其載入系統基本配置、啟動必要的通訊模組和初始化處理單元；(B)該複數個網路語音交換機中的各該網路語音交換機建立一本地資料儲存區，用於儲存本地路由決策所需資料；(C)該複數個網路語音交換機連接一中央資料庫，並執行初始資料同步，將該中央資料庫中的資料載入至各該網路語音交換機的本地資料儲存區，至少包含該複數個網路語音交換機資料、複數個網路語音交換機所屬層級的交換機群組關係、各電信服務業者資料、費用資料；(D)各該網路語音交換機根據本地資料儲存區的資料，建立一本地路由表，並設定資料更新頻率參數；(E)各該網路語音交換機之間建立點對點通信通道，用於直接交換路由資料和狀態資料，而無需經由該中央資料庫；(F)根據預設的觸發條件，各該網路語音交換機自主決定是否從該中央資料庫更新資料或從相鄰網路語音交換機獲取最新路由資料；(G)各該網路語音交換機接收語音通訊指令時，首先使用其中的該本地路由表執行路由決策，當其中的該本地路由表中存在所需路由資料時，則執行語音通訊指令；(H)當其中的該本地路由表中不存在所需路由資料或資料已過期時，各該網路語音交換機根據網路連接狀況，選擇從相鄰網路語音交換機或該中央資料庫獲取所需路由資料；(I)根據獲取的最新路由資料更新其中的該本地路由表，並執行語音通訊指令；以及其中各該網路語音交換機包含一資料分層模組，用以將高頻使用的路由資料儲存於快速存取的記憶體中，將低頻使用的路由資料儲存於次級記憶體中，並根據使用頻率動態調整資料儲存位置。
如申請專利範圍第1項所述之網路語音交換機自動路由方法，其中該預設的觸發條件包含：本地路由表項目的生存時間到期、網路負載低於預設臨界值、新的路由請求無法由本地路由表解析、或接收到來自其他網路語音交換機的路由更新通知。
如申請專利範圍第1項所述之網路語音交換機自動路由方法，其中步驟(E)中建立的點對點通信通道使用一種輕量級協議，該協議至少包含以下欄位：發送交換機識別碼、目標交換機識別碼、消息類型、路由資料版本號、路由表項目和校驗和。
如申請專利範圍第1項所述之網路語音交換機自動路由方法，其中各該網路語音交換機根據以下參數動態調整其與該中央資料庫的同步頻率：網路負載、本地處理能力、路由請求頻率和內部時間。
如申請專利範圍第1項所述之網路語音交換機自動路由方法，其中各該網路語音交換機包含一種故障檢測模組，用以當檢測到與該中央資料庫的連接中斷時，自動切換至一種自主運行模式，該模式下僅使用本地路由表和來自相鄰網路語音交換機的路由資料進行路由決策。
如申請專利範圍第1項所述之網路語音交換機自動路由方法，其中各網路語音交換機實施一種路由學習模組，該機制根據過去成功的路由決策和用戶行為模式，優化本地路由表，並在特定條件下將學習結果回傳至該中央資料庫。
一種基於邊緣計算的網路語音交換機自動路由系統，該系統包含：複數個網路語音交換機，各該網路語音交換機電性連接於一或複數個網路電話機，該複數個網路語音交換機分屬於一個或複數個交換機群組，其中，各該交換機群組相互之間以一中繼連線連接；一中央資料庫，儲存全局路由資料，各該網路語音交換機能夠與該中央資料庫進行週期性同步；複數個本地資料儲存區，分別設置於各該網路語音交換機中，用於儲存從該中央資料庫同步的資料和本地產生的路由決策資料；其中，各該網路語音交換機接收語音通訊指令時，首先使用本地資料儲存區中的資料獨立執行路由決策，當本地資料不足或過期的情況下，則選擇從相鄰網路語音交換機或該中央資料庫獲取所需路由資料；以及其中各該網路語音交換機包含一資料分層模組，用以將高頻使用的路由資料儲存於快速存取的記憶體中，將低頻使用的路由資料儲存於次級記憶體中，並根據使用頻率動態調整資料儲存位置。
如申請專利範圍第7項所述之語音交換系統，其中各該網路語音交換機配備一資源監控模組，該資源監控模組即時監控本地計算資源、儲存資源和網路連接狀況，並據此調整本地決策比例和資料同步策略。
如申請專利範圍第7項所述之語音交換系統，其中該中央資料庫實施一種差分更新機制，使得各網路語音交換機僅需下載自上次同步以來發生變化的資料，從而節省網路頻寬和同步時間。
一種提供頁面之方法，其係藉由電子裝置而進行者，其包括如下步驟： <br/>自用戶之終端接收對第1頁面之請求； <br/>確認與上述第1頁面相關之第1物品清單所包括之第1物品； <br/>於與第2頁面相關之第2物品清單所包括之物品中確認滿足所設定之條件之第2物品；及 <br/>提供包括第1區域及第2區域之上述第1頁面，該第1區域顯示有上述第1物品之資訊，該第2區域顯示有上述第2物品之資訊， <br/>其中上述第1物品清單對應於手推車所包括之物品之清單， <br/>其中上述第2物品清單對應於上述用戶之願望物品清單， <br/>其中上述第1頁面係顯示有上述手推車所包括之上述物品之資訊之頁面，及 <br/>其中上述第2頁面係顯示有上述願望物品清單所包括之物品之資訊之頁面， <br/>其中所設定之上述條件包括當上述第2物品清單所包括之上述物品之庫存數量小於或等於設定之數量時，將上述物品識別為上述第2物品之條件。
如請求項1之提供頁面之方法，其中確認上述第2物品之步驟包括如下步驟： <br/>當上述第2物品清單所包括之物品之數量超過所設定之第一數量時，從上述第2物品清單所包括之較早添加到上述第2物品清單中之物品中確認所設定之上述第一數量之物品；及 <br/>從所設定之上述第一數量之物品中確認滿足所設定之上述條件之上述第2物品。
如請求項1之提供頁面之方法，其中該第2區域位於該第1區域之上方。
如請求項1之提供頁面之方法，其中確認上述第2物品之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述第2物品清單所包括之物品之折扣額，確認上述第2物品。
如請求項1之提供頁面之方法，其中確認上述第2物品之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述第2物品清單所包括之物品之折扣期間，確認上述第2物品。
如請求項1之提供頁面之方法，其中上述第2物品之資訊包括如下資訊中之至少一者： <br/>上述第2物品之影像資訊、上述第2物品之折扣期間之剩餘期間之資訊、上述第2物品之折扣額之資訊、上述第2物品之庫存數量之資訊、上述第1物品之類別之資訊、或者上述第2物品之類別之資訊。
如請求項6之提供頁面之方法，其中上述剩餘期間之資訊係根據上述剩餘期間是否超過所設定之第1期間而不同地顯示於上述第2區域者。
如請求項1之提供頁面之方法，其中所設定之上述條件包括複數個條件，且當確認滿足所設定之上述條件之上述第2物品清單所包括之物品為複數個物品時，確認上述第2物品包括： <br/>基於上述用戶之購買歷史判定與上述複數個條件對應之複數個權重；以及 <br/>基於上述複數個權重對上述複數個物品之各者判定一分數， <br/>其中上述第2物品之資訊的顯示順序是基於上述分數來判定。
如請求項1之提供頁面之方法，其中於上述第2物品清單所包括之物品中之滿足所設定之條件之物品被確認為複數個物品時，上述第2物品係基於與上述複數個物品各者對應之折扣期間或將上述複數個物品各者追加至上述第2物品清單之時點中之至少一者而確定為上述複數個物品中之一個物品者。
如請求項1之提供頁面之方法，其中於上述第2物品清單所包括之物品中之滿足所設定之條件之物品被確認為複數個物品時，上述第2物品係隨機確定為上述複數個物品中之一個物品者。
如請求項1之提供頁面之方法，其中於上述第2物品被確認為複數個物品時，上述複數個物品之資訊依次顯示於上述第2區域。
如請求項1之提供頁面之方法，其中於上述第2物品被確認為複數個物品時，顯示於上述第2區域之上述複數個物品之資訊包括上述複數個物品之各者之影像資訊。
如請求項1之提供頁面之方法，其中於追加至上述第1物品清單之後經過了第2期間之物品中存在滿足上述設定之條件之第3物品時，上述第3物品之資訊顯示於上述第2區域。
如請求項1之提供頁面之方法，其進而包括如下步驟： <br/>於未接收到上述用戶藉由上述第2區域之輸入之情形時，自上述終端再次接收對上述第1頁面之請求； <br/>於上述第2物品清單所包括之物品中確認滿足所設定之條件之第4物品；及 <br/>提供包括第2區域之上述第1頁面，該第2區域顯示有上述第4物品之資訊；且 <br/>上述第4物品係不同於上述第2物品之物品。
如請求項1之提供頁面之方法，其進而包括如下步驟： <br/>對應於接收到上述用戶藉由上述第2區域之輸入，提供上述第2頁面；且 <br/>上述第2物品之資訊顯示於上述終端之顯示器之第1位置。
如請求項1之提供頁面之方法，其進而包括如下步驟： <br/>於上述第2物品為複數個物品時，對應於接收到上述用戶藉由上述第2區域之輸入，提供上述第2頁面；且 <br/>上述複數個物品中之基於折扣期間或追加至上述第2物品清單之時點中之至少一者而識別之一個物品的資訊顯示於上述終端之顯示器之第1位置。
如請求項1之提供頁面之方法，其中上述第1頁面對應於欄標式介面頁面之第1欄標， <br/>上述第2頁面對應於上述欄標式介面頁面之第2欄標。
一種用以提供頁面之電子裝置，其包括： <br/>收發器； <br/>一個以上之處理器；及 <br/>儲存器，其儲存藉由上述一個以上之處理器而執行之一個以上之命令； <br/>上述一個以上之處理器藉由執行上述一個以上之命令， <br/>自用戶之終端接收對第1頁面之請求， <br/>確認與上述第1頁面相關之第1物品清單所包括之第1物品， <br/>於與第2頁面相關之第2物品清單所包括之物品中確認滿足所設定之條件之第2物品， <br/>提供包括第1區域及第2區域之上述第1頁面，該第1區域顯示有上述第1物品之資訊，該第2區域顯示有上述第2物品之資訊， <br/>其中上述第1物品清單對應於手推車所包括之物品之清單， <br/>其中上述第2物品清單對應於上述用戶之願望物品清單， <br/>其中上述第1頁面係顯示有上述手推車所包括之上述物品之資訊之頁面，及 <br/>其中上述第2頁面係顯示有上述願望物品清單所包括之物品之資訊之頁面， <br/>其中所設定之上述條件包括當上述第2物品清單所包括之上述物品之庫存數量小於或等於設定之數量時，將上述物品識別為上述第2物品之條件。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有用以於電腦中執行如請求項1之方法之程式。
一種預組裝式鉸鏈模組系統，其被組態為用於將一第一部件耦接至一第二部件以用於相對於彼此的樞轉運動，該預組裝式鉸鏈模組包含：<br/>一軸，其界定一樞轉軸線，該軸與該第一部件分離並且被組態為安裝至該第一部件；<br/>一轉矩元件，其摩擦地接合該軸；<br/>一殼體，其容納該轉矩元件，該殼體具有一側壁及一蓋，且其中該蓋之一周邊邊緣之至少一部份係與該側壁之一上部之一表面接合，該側壁向內延伸並覆蓋該蓋之該周邊邊緣之該部分，藉此將該蓋固定在適當位置；以及<br/>一配接器，其具有被組態為固定耦接至該軸的一端部，以及被組態為可釋放地耦接至該第一部件的一相對端部。
如請求項1之預組裝式鉸鏈模組系統，其中，該軸與該配接器配合，該配接器界定一擴孔開口以接納該軸的一端部的一部分。
如請求項1之預組裝式鉸鏈模組系統，其中，當該蓋之該周邊邊緣之該至少一部份與該側壁之該上部之該表面接合時，該側壁之該上部之該表面與該蓋之該周邊邊緣之該至少一部份係流體密封的壓接。
如請求項1之預組裝式鉸鏈模組系統，其中該蓋之該周邊邊緣之一整體係與該側壁之該上部之該表面接合。
如請求項1之預組裝式鉸鏈模組系統，其中該側壁之該上部之該表面在一向下及向內方向中之至少其中之一者上變形，藉此以與該蓋之該周邊邊緣之該至少一部份接合。
如請求項1之預組裝式鉸鏈模組系統，其中，當該蓋之該周邊邊緣之該至少一部份與該側壁之該上部之該表面接合時，該蓋提供一部分或完全密封以防止污染物進入該殼體之一內部空間。
如請求項1之預組裝式鉸鏈模組系統，其中，當該蓋之該周邊邊緣之該至少一部份與該側壁之該上部之該表面接合時，該蓋防止或限制油脂或潤滑劑自該殼體之一內部空間逸出。
一種5000系H11X類之鋁板之製備方法，包括：<br/> 步驟1：將經改質之5000系鋁胚進行澆鑄，以得到經澆鑄之鋁胚；其中以該經改質之5000系鋁胚之總重量計，該經改質之5000系鋁胚包括介於0.1wt%與0.2wt%之間的鉻及介於0.01wt%與0.05wt%之間的釩；<br/> 步驟2：將該經澆鑄之鋁胚進行均質化處理後，再分切，以得到經均質化處理之鋁胚；其中該均質化處理之溫度係介於350℃與420℃，及該均質化處理之時間係介於8小時與18小時之間；<br/> 步驟3：將該經均質化處理之鋁胚進行粗軋製程，以得到經粗軋之鋁板；<br/> 步驟4：利用調水油冷噴與空冷程序，將該經粗軋之鋁板降溫至介於210℃與290℃之間，以得到經降溫之鋁板；以及<br/> 步驟5：將該經降溫之鋁板進行精軋製程，以得到該5000系H11X類之鋁板；<br/> 其中該製備方法未進行中間退火製程、冷軋製程及安定化退火製程。
如請求項1所述之方法，其中該均質化處理之時間係介於8小時與14小時之間。
如請求項1所述之方法，其中該經粗軋之鋁板係降溫至介於250℃與290℃之間。
如請求項3所述之方法，其中該經粗軋之鋁板係降溫至介於260℃與290℃之間。
如請求項3所述之方法，其中該經粗軋之鋁板係降溫至介於250℃與280℃之間。
如請求項5所述之方法，其中該經粗軋之鋁板係降溫至介於260℃與280℃之間。
如請求項1所述之方法，其中該均質化處理之溫度係介於380℃與420℃。
如請求項1所述之方法，其中該均質化處理之溫度係介於400℃與420℃。
如請求項1所述之方法，其中該5000系H11X類之鋁板之厚度係介於10 mm與40 mm之間。
如請求項1所述之方法，其中該5000系H11X類之鋁板之降伏強度係介於190 MPa與250 MPa之間。
一種非揮發性記憶體的控制方法，所述非揮發性記憶體包括第一區塊，且所述第一區塊包括：第一子區塊，包含第一記憶胞；以及第二子區塊，包含第二記憶胞，所述第二記憶胞與所述第一記憶胞串聯連接或者與所述第一記憶胞並聯連接於同一位元線，其中所述控制方法 <br/>對所述非揮發性記憶體中所記憶的資料執行子區塊單元的抹除處理， <br/>在對所述第二子區塊執行所述子區塊單元的抹除處理時，所述第一子區塊中所記憶的資料不會被抹除， <br/>根據與所述第一子區塊對應的第一值達到或超過第一臨限值， <br/>自所述第一子區塊讀出第一資料， <br/>對自所述第一子區塊讀出的所述第一資料執行錯誤校正處理， <br/>將被執行所述錯誤校正處理後的所述第一資料寫入至所述非揮發性記憶體， <br/>所述非揮發性記憶體包括： <br/>第一導電體層及第二導電體層，在第一方向上相互分離排列；以及 <br/>記憶體柱，與所述第一導電體層及所述第二導電體層在所述第一方向上交叉， <br/>所述記憶體柱中的與所述第一導電體層交叉的部分作為所述第一記憶胞發揮功能， <br/>所述記憶體柱中的與所述第二導電體層交叉的部分作為所述第二記憶胞發揮功能， <br/>所述記憶體柱包括：第一部分，包含與所述第一導電體層交叉的部分；以及第二部分，包含與所述第二導電體層交叉的部分， <br/>所述第一部分的側面與所述第二部分的側面的延長在包含所述第一方向的面內偏離。
如請求項1所述的控制方法，其中 <br/>更根據所述第一子區塊中所記憶的資料的抹除處理而重置所述第一值。
如請求項1所述的控制方法，其中 <br/>藉由遞增計數器管理所述第一值， <br/>根據所述第二子區塊中所記憶的資料的抹除處理而使所述遞增計數器的值遞增。
如請求項1所述的控制方法，其中 <br/>藉由遞減計數器管理所述第一值， <br/>根據所述第二子區塊中所記憶的資料的抹除處理而使所述遞減計數器的值遞減。
如請求項1所述的控制方法，其中 <br/>更根據與所述第二子區塊對應的第二值達到或超過所述第一臨限值， <br/>自所述第二子區塊讀出第二資料， <br/>對自所述第二子區塊讀出的所述第二資料執行錯誤校正處理， <br/>將被執行所述錯誤校正處理後的所述第二資料寫入至所述非揮發性記憶體。
如請求項5所述的控制方法，其中 <br/>所述第一值與所述第一子區塊中所記憶的資料的可靠性對應， <br/>所述第二值與所述第二子區塊中所記憶的資料的可靠性對應， <br/>根據所述第一子區塊中所記憶的資料的抹除處理，將所述第二值更新為與所述第二子區塊中所記憶的資料的所述可靠性降低對應的值， <br/>根據所述第二子區塊中所記憶的資料的抹除處理，將所述第一值更新為與所述第一子區塊中所記憶的資料的所述可靠性降低對應的值。
如請求項1所述的控制方法，其中 <br/>藉由遞增計數器管理所述第一值， <br/>根據向所述第二子區塊的資料的寫入處理而使所述遞增計數器的值遞增。
如請求項1所述的控制方法，其中 <br/>藉由遞減計數器管理所述第一值， <br/>根據向所述第二子區塊的資料的寫入處理而使所述遞減計數器的值遞減。
如請求項1所述的控制方法，其中 <br/>在對所述第二子區塊執行所述子區塊單元的抹除處理時，與所述第一記憶胞連接的第一字元線被設定為浮動狀態，且與所述第二記憶胞連接的第二字元線被施加第一電壓。
如請求項9所述的控制方法，其中 <br/>所述第一電壓為接地電壓。
一種非揮發性記憶體的控制方法，所述非揮發性記憶體包含多個區塊，且所述多個區塊的各者包含多個子區塊，所述多個子區塊的各者包含多個記憶胞， <br/>所述多個區塊中的第一區塊至少包括：第一子區塊，包含第一記憶胞；以及第二子區塊，包含第二記憶胞，所述第二記憶胞與所述第一記憶胞串聯連接或者與所述第一記憶胞並聯連接於同一位元線，其中控制方法 <br/>對所述非揮發性記憶體中所記憶的資料執行子區塊單元的抹除處理， <br/>在對所述第二子區塊執行所述子區塊單元的抹除處理時，所述第一子區塊中所記憶的資料不會被抹除， <br/>根據表示所述第一子區塊的疲勞量的第三值、與表示所述第一區塊中的子區塊的疲勞量的最大值的第四值的差達到或超過第二臨限值，將所述第一子區塊中所記憶的資料寫入至所述第一子區塊以外的第三子區塊， <br/>所述非揮發性記憶體包括： <br/>第一導電體層及第二導電體層，在第一方向上相互分離排列；以及 <br/>記憶體柱，與所述第一導電體層及所述第二導電體層在所述第一方向上交叉， <br/>所述記憶體柱中的與所述第一導電體層交叉的部分作為所述第一記憶胞發揮功能， <br/>所述記憶體柱中的與所述第二導電體層交叉的部分作為所述第二記憶胞發揮功能， <br/>所述記憶體柱包括：第一部分，包含與所述第一導電體層交叉的部分；以及第二部分，包含與所述第二導電體層交叉的部分， <br/>所述第一部分的側面與所述第二部分的側面的延長在包含所述第一方向的面內偏離。
如請求項11所述的控制方法，其中 <br/>所述第三子區塊是已抹除資料的子區塊。
如請求項11所述的控制方法，其中 <br/>所述第三子區塊是與所述第四值對應的子區塊， <br/>將所述第一子區塊中所記憶的資料與所述第三子區塊中所記憶的資料在所述第一子區塊與所述第三子區塊中進行交換。
一種非揮發性記憶體的控制方法，所述非揮發性記憶體包含多個區塊，且所述多個區塊的各者包含多個子區塊，所述多個子區塊的各者包含多個記憶胞， <br/>所述多個區塊中的第一區塊包括：第一子區塊，包含第一記憶胞；以及第二子區塊，包含第二記憶胞，所述第二記憶胞與所述第一記憶胞串聯連接或者與所述第一記憶胞並聯連接於同一位元線，其中控制方法 <br/>對所述非揮發性記憶體中所記憶的資料執行子區塊單元的抹除處理， <br/>在對所述第二子區塊執行所述子區塊單元的抹除處理時，所述第一子區塊中所記憶的資料不會被抹除， <br/>根據表示所述第一子區塊的疲勞量的第五值、與表示所述多個區塊中的子區塊的疲勞量的最大值的第六值的差達到或超過第三臨限值，將所述第一子區塊中所記憶的資料寫入至所述第一子區塊以外的第三子區塊， <br/>所述非揮發性記憶體包括： <br/>第一導電體層及第二導電體層，在第一方向上相互分離排列；以及 <br/>記憶體柱，與所述第一導電體層及所述第二導電體層在所述第一方向上交叉， <br/>所述記憶體柱中的與所述第一導電體層交叉的部分作為所述第一記憶胞發揮功能， <br/>所述記憶體柱中的與所述第二導電體層交叉的部分作為所述第二記憶胞發揮功能， <br/>所述記憶體柱包括：第一部分，包含與所述第一導電體層交叉的部分；以及第二部分，包含與所述第二導電體層交叉的部分， <br/>所述第一部分的側面與所述第二部分的側面的延長在包含所述第一方向的面內偏離。
如請求項14所述的控制方法，其中 <br/>所述第三子區塊是已抹除資料的子區塊。
如請求項14所述的控制方法，其中 <br/>所述第三子區塊是與所述第六值對應的子區塊， <br/>將所述第一子區塊中所記憶的資料與所述第三子區塊中所記憶的資料在所述第一子區塊與所述第三子區塊中進行交換。
一種磁穿隧接面(MTJ)小塊，其包括：<br/>一合成反鐵磁(SAF)固定區，該SAF固定區包括：<br/>一或多個反向平行區；及<br/>一或多個耦合區，其中該一或多個耦合區之每一者安置於該一或多個反向平行區中之兩者之間，且其中該SAF固定區之一高度大於或等於該SAF固定區之一寬度。
如申請專利範圍第1項之MTJ小塊，其中該SAF固定區包括至少四個反向平行區。
如申請專利範圍第1項之MTJ小塊，其中該SAF固定區之該高度大於約10 nm。
如申請專利範圍第1項之MTJ小塊，其中該SAF固定區之該高度係在約20 nm與約40 nm之間。
如申請專利範圍第1項之MTJ小塊，其進一步包括：<br/>一自由區，其中該自由區之一高度約等於該SAF固定區之該高度。
如申請專利範圍第1項之MTJ小塊，其中該SAF固定區之該高度為該SAF固定區之該寬度的1至3倍。
如申請專利範圍第1項之MTJ小塊，其中該SAF固定區為一第一SAF固定區，且進一步包括：<br/>一第二SAF固定區，該第二SAF固定區包括：<br/>兩個反向平行區；及<br/>一耦合區，該耦合區安置於該等反向平行區之間；及<br/>一自由區，其中該第一SAF固定區及該第二SAF固定區安置於該自由區之相對側上。
如申請專利範圍第1項之MTJ小塊，其中該一或多個耦合區之每一者包含銥、釕、錸或銠中之一者。
一種磁穿隧接面(MTJ)小塊，其包括：<br/>一合成反鐵磁(SAF)固定區，該SAF固定區包括：<br/>一或多個反向平行區，其中該一或多個反向平行區之每一者包括一第一鐵磁材料及一第二鐵磁材料之複數個層；及<br/>一或多個耦合區，<br/>其中該一或多個耦合區之每一者安置於該一或多個反向平行區中之兩者之間。
如申請專利範圍第9項之MTJ小塊，其中該SAF固定區包括至少四個反向平行區。
如申請專利範圍第9項之MTJ小塊，其中該第一鐵磁材料及該第二鐵磁材料中之每一者包括鈷、鎳及鐵中之至少一者。
如申請專利範圍第9項之MTJ小塊，其中每個反向平行區進一步包括包含鈀、鉑、鎂、錳及鉻中之一或多者的一合金或工程材料。
如申請專利範圍第9項之MTJ小塊，其中該MTJ小塊之一寬度係在約10 nm與約30 nm之間。
一種磁穿隧接面(MTJ)小塊，其包括：<br/>一合成反鐵磁(SAF)固定區，該SAF固定區包括：<br/>一或多個反向平行區；及<br/>一或多個耦合區，其中該一或多個耦合區之每一者安置於該一或多個反向平行區中之兩者之間；<br/>一自由區，該自由區包括：<br/>一或多個鐵磁區；及<br/>一或多個耦合區，其中該一或多個耦合區之每一者安置於該一或多個鐵磁區中之兩者之間；及<br/>一中間區，該中間區安置於該SAF固定區與該自由區之間，<br/>其中該SAF固定區之一高度大於或等於該SAF固定區之一寬度，且該自由區之一高度大於或等於該自由區之一寬度。
如申請專利範圍第14項之MTJ小塊，其中該自由區包括合成反鐵磁耦合區與合成鐵磁耦合區。
如申請專利範圍第15項之MTJ小塊，其中該自由區正好包括一個合成反鐵磁耦合區。
如申請專利範圍第15項之MTJ小塊，其中該自由區包括不超過兩個合成鐵磁耦合區。
如申請專利範圍第14項之MTJ小塊，其中該自由區包括呈一交替組態之合成反鐵磁耦合區與合成鐵磁耦合區。
如申請專利範圍第14項之MTJ小塊，其中該自由區中之該一或多個耦合區中之每一者包含以下各項中之一者：鋁、鎂、鉭、鈦、釩、鉻、鋯、鈮、鉬、鉿、鎢、銥、釕、鈀、錸、銠、鋨、鉑或其一合金。
如申請專利範圍第14項之MTJ小塊，其中該自由區之該高度約等於該SAF固定區之該高度。
一種發光二極體（LED）加熱器系統，<br/> 作為對半導體晶圓進行加熱的發光二極體（LED）加熱器系統，<br/> 該發光二極體（LED）加熱器系統包括散熱板以及沿著圓周方向配備於該散熱板的多個發光二極體（LED）模組，<br/> 各個該發光二極體（LED）模組包括電路基板以及安裝到該電路基板上的多個發光二極體（LED），<br/> 各個該發光二極體（LED）模組包括對沿著放射方向配置的多個該發光二極體（LED）進行分組並一起進行控制的通道，<br/> 該通道沿著圓周方向配備有多個。
如請求項1所述之發光二極體（LED）加熱器系統，<br/> 各個該發光二極體（LED）模組包括多個該通道。
如請求項1所述之發光二極體（LED）加熱器系統，<br/> 配備於多個該發光二極體（LED）模組中的至少某一個該發光二極體（LED）模組上的該發光二極體（LED）的排列與配備於至少其他某一個該發光二極體（LED）模組上的該發光二極體（LED）的排列不同。
如請求項1所述之發光二極體（LED）加熱器系統，<br/> 配備於多個該通道中的至少某一個該通道上的該發光二極體（LED）的排列與配備於至少其他某一個該通道上的該發光二極體（LED）的排列不同。
如請求項1所述之發光二極體（LED）加熱器系統，<br/> 多個該通道可按照各個該通道進行單獨控制。
如請求項1所述之發光二極體（LED）加熱器系統，<br/> 多個該通道可按照各個該通道進行輸出控制。
如請求項1所述之發光二極體（LED）加熱器系統，<br/> 多個該通道是以該半導體晶圓的加熱溫度維持均勻的方式進行控制。
一種半導體晶圓處理裝置，包括：<br/> 卡盤台，以對半導體晶圓進行夾持的方式構成；以及，<br/> 發光二極體（LED）加熱器系統，以對夾持到該卡盤台的該半導體晶圓進行加熱的方式安裝；<br/> 該發光二極體（LED）加熱器系統包括散熱板以及沿著圓周方向配備於該散熱板的多個發光二極體（LED）模組，<br/> 各個該發光二極體（LED）模組包括電路基板以及安裝到該電路基板上的多個發光二極體（LED），<br/> 各個該發光二極體（LED）模組包括對沿著放射方向配置的多個該發光二極體（LED）進行分組並一起進行控制的通道，<br/> 該通道沿著圓周方向配備有多個。
如請求項8所述之半導體晶圓處理裝置，<br/> 通過將多個該通道按照各個該通道進行單獨控制而對該半導體晶圓進行均勻加熱。
如請求項8所述之半導體晶圓處理裝置，<br/> 通過將多個該通道按照各個該通道進行輸出控制而對該半導體晶圓進行均勻加熱。
如請求項8所述之半導體晶圓處理裝置，<br/> 該散熱板由水冷式、風冷式以及散熱器片中的至少某一個構成。
一種除靜電結構，適用於可相對滑動的第一構件和第二構件，所述除靜電結構包括：<br/>滑軌、除靜電模組和接觸支座；<br/>所述接觸支座的數量為兩個，分別為第一支座和第二支座，所述滑軌、所述第一支座和所述第二支座均設於所述第一構件，且所述第一支座和所述第二支座分別位於所述第一構件在所述滑軌延伸方向上的兩端；<br/>所述除靜電模組設於所述第二構件，當所述第一構件和所述第二構件相對滑動時，所述除靜電模組沿所述滑軌延伸方向滑動，且所述除靜電模組在所述滑軌延伸方向上的兩側分別適於抵觸所述第一支座和所述第二支座；<br/>所述第一構件或所述第二構件接地，所述第一構件和所述第二構件因相對滑動而產生的靜電經所述除靜電模組、所述接觸支座和接地線釋放。
如請求項1所述之除靜電結構，其中，<br/>所述除靜電模組在所述滑軌延伸方向上的兩側分別具有第一觸頭和第二觸頭，所述第一觸頭適於抵觸所述第一支座朝向所述第二支座的一側，所述第二觸頭適於抵觸所述第二支座朝向所述第一支座的一側。
如請求項2所述之除靜電結構，其中，<br/>所述除靜電模組包括固定座、活動杆和彈性件；<br/>所述活動杆穿設於所述固定座內，可相對於所述固定座沿自身軸向移動，且所述活動杆的一端端部設有觸頭；<br/>其中，所述活動杆的數量至少為兩個，且至少一個所述活動杆的所述觸頭朝向所述第一支座方向設置，以形成所述第一觸頭，及，至少一個所述活動杆的所述觸頭朝向所述第二支座方向設置，以形成所述第二觸頭；<br/>所述彈性件連接所述活動杆和所述固定座，當所述活動杆上的所述觸頭抵觸於所述第一支座或所述第二支座時，所述彈性件受力壓縮；當所述觸頭脫離所述第一支座或所述第二支座時，所述彈性件回彈並帶動所述活動杆回復至初始狀態。
如請求項3所述之除靜電結構，其中，<br/>所述固定座設有可供所述活動杆穿設的穿設孔，且所述穿設孔位於所述活動杆遠離所述觸頭的一端連接有適於容納所述彈性件的容納空間；<br/>所述彈性件為彈簧，所述活動杆遠離所述觸頭的一端設有抵接凸台，所述彈簧與所述活動杆同軸設置，且所述彈簧一端連接至所述抵接凸台，另一端連接至所述容納空間。
如請求項3或4所述之除靜電結構，其中，<br/>所述活動杆的數量為四個，其中兩個所述活動杆的所述觸頭適於抵觸所述第一支座，其餘兩個所述活動杆的所述觸頭適於抵觸所述第二支座；及，<br/>適於抵觸所述第一支座的所述活動杆與適於抵觸所述第二支座的所述活動杆依次交替設置。
如請求項2-4任一項所述之除靜電結構，其中，<br/>所述觸頭具有四個觸點。
如請求項1-4任一項所述之除靜電結構，其中，<br/>所述滑軌的數量為兩個，且兩個所述滑軌相平行設置；<br/>所述除靜電模組的數量為一個，設於所述第二構件對應其中一所述滑軌的一側邊緣，且所述第一構件於對應有所述除靜電模組的所述滑軌的兩端分別設有所述第一支座和所述第二支座。
一種射頻測試治具，包括：<br/>可相對滑動的治具底座和治具下模，以及，請求項1-7任一項所述之除靜電結構；<br/>所述治具底座形成所述第一構件，所述治具下模適於承載測試產品，形成所述第二構件。
一種射頻測試系統，包括：<br/>工作臺，具有工作面；<br/>防靜電墊，鋪設於所述工作臺的所述工作面上；<br/>請求項8所述之射頻測試治具，放置於所述防靜電墊上。
一種製造隔離結構的方法，包含： 製備一基材，其上具有一底部導電墊，具有一頂部電極以及一底部電極的至少一微型二極體接合在該底部導電墊上，其中一鈍化層覆蓋該頂部電極與該至少一微型二極體的一側壁；<br/>形成一光阻層以覆蓋該基材與該至少一微型二極體，其中該光阻層在該至少一微型二極體的一頂側與一側面分別具有一上部與一側部，且該上部與該側部之間的一高度差小於該至少一微型二極體的一元件高度的一半；<br/>以一低劑量曝光該光阻層，其中該低劑量小於該光阻層的一全劑量的一半；<br/>腐蝕經暴露之該光阻層，至少直到該鈍化層的一頂面被經腐蝕之該光阻層暴露出來；以及<br/>去除該鈍化層以暴露出該頂部電極。
如請求項1所述之方法，其中該至少一微型二極體包含一微型發光二極體、一微型雷射二極體、一微型PIN二極體以及一微型PN光電二極體中的至少一者。
如請求項1所述之方法，進一步包含：<br/>在去除該鈍化層之後，剝離該光阻層。
如請求項1所述之方法，其中該鈍化層的一材料包含一氧化物。
如請求項4所述之方法，其中該氧化物包含SiO<sub>2</sub>或Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>。
如請求項1所述之方法，其中該鈍化層的一材料包含一聚合物。
如請求項1所述之方法，進一步包含：<br/>形成一透明導體以覆蓋經暴露之該頂部電極。
如請求項7所述之方法，其中該透明導體包含透明導電氧化物。
如請求項7所述之方法，其中該透明導體為一薄金屬膜。
如請求項1所述之方法，其中該製備包含：<br/>放置該至少一微型二極體於該基材上，使該底部電極與該底部導電墊接觸；以及<br/>在該放置之後沉積該鈍化層。
如請求項1所述之方法，其中該光阻層為一正性光阻。
如請求項11所述之方法，進一步包含：<br/>在該腐蝕之前，曝光該光阻層以形成一全曝光圖案。
如請求項12所述之方法，其中該以該低劑量曝光該光阻層以及該曝光該光阻層以形成該全曝光圖案係同時執行。
如請求項11所述之方法，進一步包含：<br/>在該腐蝕之後，曝光該光阻層以形成一全曝光圖案；以及<br/>再次腐蝕該光阻層以去除該全曝光圖案。
如請求項1所述之方法，其中該光阻層為一負性光阻，且該方法進一步包含：<br/>在該腐蝕之後，曝光該光阻層以形成一全曝光圖案；以及<br/>再次腐蝕該光阻層以去除該光阻層的一未曝光部位。
如請求項15所述之方法，進一步包含：<br/>形成一導體圖案以覆蓋該基材上的該頂部電極以及一接觸電極，以形成一互連。
如請求項16所述之方法，其中該至少一微型二極體的一數量為至少二，且該形成該導體圖案係執行以使得該些微型二極體的該些頂部電極藉由該導體圖案連接。
一種電動車鋰電池著火防火毯自動披覆裝置之氣動裝置，該氣動裝置係設於一防火毯匣內部的四邊角處，以及一防火毯設於該防火毯匣內部，並與該氣動裝置連接，包含：<br/> 氣壓提供單元，包含氣壓儲存裝置與壓力釋放裝置，該壓力釋放裝置耦接該氣壓儲存裝置；以及<br/> 氣動單元，包含氣筒與活塞；該氣筒的一端具有氣筒開口，該防火毯的一角係套設於該氣筒開口處，該氣筒的內部具有氣室，該氣室的一端且位於該氣筒的另一端具有氣孔，該氣孔耦接該氣壓提供單元，該氣室朝向該氣筒開口的一端具有出氣口；該活塞設於該氣室，該活塞的一端具有頭部，該頭部位於該出氣口；<br/> 其中該氣動單元更包含有至少一致動器與氣動彈性體；該氣室的一端且相鄰於該出氣口處具有至少一容室；該致動器設於該容室，該致動器具有栓與彈性體，該彈性體的一端推抵該栓，該彈性體的另一端推抵該容室的底端或該致動器的殼體；該活塞的一端具有頭部，該頭部位於該出氣口，該頭部的周側具有卡槽，該栓的一端推抵該頭部的側壁；該氣動彈性體的一端固定於該氣室的內壁，該氣動彈性體的另一端固定於該活塞。
一種電動車鋰電池著火防火毯自動披覆裝置之氣動裝置，該氣動裝置係設於一防火毯匣內部的四邊角處，以及一防火毯設於該防火毯匣內部，並與該氣動裝置連接，包含：<br/> 氣壓提供單元，包含氣壓儲存裝置與壓力釋放裝置，該壓力釋放裝置耦接該氣壓儲存裝置；以及<br/> 氣動單元，包含氣筒與活塞；該氣筒的一端具有氣筒開口，該防火毯的一角係套設於該氣筒開口處，該氣筒的內部具有氣室，該氣室的一端且位於該氣筒的另一端具有氣孔，該氣孔耦接該氣壓提供單元，該氣室朝向該氣筒開口的一端具有出氣口；該活塞設於該氣室，該活塞的一端具有頭部，該頭部位於該出氣口；<br/> 其中該氣動單元更包含有至少一致動器與氣動彈性體；該氣室的內部具有隔室，該隔室朝向該出氣口的一端具有隔室開口與至少一容室；該致動器設於該容室中，該致動器具有栓與彈性體，該彈性體的一端係推抵該栓，該彈性體的另一端係推抵該容室底端或該致動器的殼體；該活塞的一端延伸至該隔室的內部，該活塞的另一端具有第一推動部、卡槽與第二推動部，該卡槽位於該第一推動部與該第二推動部之間，該第一推動部位於該隔室開口，該第二推動部位於該隔室的內部，該栓的一端推抵該第二推動部的側壁；該氣動彈性體設於該隔室的內部，該氣動彈性體的一端推抵該隔室的內壁，該氣動彈性體的另一端推抵該第二推動部。
如請求項1或2所述之電動車鋰電池著火防火毯自動披覆裝置之氣動裝置，其中該氣壓儲存裝置為可儲存高壓空氣的氣瓶，該壓力釋放裝置包含氣管與閥體，該閥體設於該氣管，該氣管耦接該氣孔。
如請求項3所述之電動車鋰電池著火防火毯自動披覆裝置之氣動裝置，其中該閥體為電磁閥。
如請求項3所述之電動車鋰電池著火防火毯自動披覆裝置之氣動裝置，其中該壓力釋放裝置更包含有驅動單元，該驅動單元具有齒輪組與馬達，該馬達耦接該齒輪組，該齒輪組耦接該閥體。
如請求項3所述之電動車鋰電池著火防火毯自動披覆裝置之氣動裝置，其中該壓力釋放裝置更包含有驅動單元，該驅動單元具有螺桿與馬達，該馬達耦接該螺桿，該螺桿耦接該閥體。
如請求項2所述之電動車鋰電池著火防火毯自動披覆裝置之氣動裝置，其中該第二推動部的直徑大於該第一推動部。
一種線性軌道印刷裝置之印刷方法，係於一印刷機台上進行作業，而該印刷機台主要包括有一作業基座、一印刷組件、一固化組件及一南北極轉向模組，且該線性軌道印刷裝置之印刷方法為包括下列步驟：<br/> (A01)、該印刷機台的表面為設有第一線性滑軌及第二線性滑軌，並於該第一線性滑軌及該第二線性滑軌二側各設有連接該第一線性滑軌及該第二線性滑軌之旋轉平台，再於該第一線性滑軌上鄰近其中一側之旋轉平台處組裝有一上下料模組，再於該第一線性滑軌上設有複數夾持治具，並於該第一線性滑軌及該第二線性滑軌處設有該印刷組件、該固化組件及該南北極轉向模組，，；<br/> (A02)、該印刷組件於該第一線性滑軌上鄰近該上下料模組處依序設有第一移印機、第二移印機、第三移印機及第四移印機，再於該第二線性滑軌上設有第五移印機，並於各該移印機對應各滑軌處設有第一印刷站、第二印刷站、第三印刷站及第四印刷站；<br/> (A03)、該固化組件於該第二線性滑軌上組裝有一第一UV固化模組及第二UV固化模組，並且該第一UV固化模組及該第二UV固化模組係各位於該第五移印機的二側，且該第一UV固化模組及該第二UV固化模組對應該第二線性滑軌處各依序設有第一固化站、第二固化站及第三固化站，係在將該南北極轉向模組設置於該第一UV固化模組及該第五移印機之間；<br/> (A04)、該上下料模組中設有之上料部係將至少一預設球體依序運輸至該第一線性滑軌上的該些夾持治具，令該夾持治具上的夾球座固定該預設球體；<br/> (A05)、選擇滾印模式，選擇移印模式則執行步驟(A06)，若選擇移滾印模式則執行步驟(A07)；<br/> (A06)、該夾持治具於該第一線性滑軌上進行四個該夾持治具的同部運輸，且該四個該夾持治具係通過該第一線性滑軌依序於該第一移印機、該第二移印機、該第三移印機及該第四移印機的該第一印刷站、該第二印刷站、該第三印刷站及該第四印刷站同步進行各該夾持治具內的該預設球體的印刷，且各該第一印刷站、各該第二印刷站、各該第三印刷站及各該第四印刷站上設有的第一馬達轉向機構係會再各該預設球體印刷完後進行90度的轉向，以確保四面都被印刷到後；<br/> (A061)、各該夾持治具依序透過該旋轉平台移動至該第二線性滑軌上，並移動最多三個該夾持治具至該第一UV固化模組內的該第一固化站、該第二固化站及該第三固化站內對各該預設球體進行烘乾，且該第一固化站、該第二固化站及該第三固化站內各設有的第二馬達轉向機構係會對各該預設球體進行四面轉向以確保四面的乾燥後；<br/> (A062)、該第二線性滑軌係移動單個該夾持治具至該南北極轉向模組的一翻轉平台，係令該翻轉平台處設有的南北轉向裝置將該夾持治具內的該預設球體進行南北極轉向，以令各該預設球體未印刷的二面轉向至被印刷面；<br/> (A063)、該第二線性滑軌係移動最多二個該夾持治具至該第五移印機內的該第一印刷站、該第二印刷站進行印刷，再於印刷後於該第一印刷站、該第二印刷站內的該第一馬達轉向機構進行180度的轉向後移動至該第三印刷站、該第四印刷站後，執行步驟(A08)；<br/> (A07)、該夾持治具於該第一線性滑軌上進行四個該夾持治具的同部運輸，且該四個該夾持治具係通過該第一線性滑軌依序於該第一移印機、該第二移印機的該第一印刷站、該第二印刷站、該第三印刷站及該第四印刷站同步進行各該夾持治具內的該預設球體的印刷，且各該第一印刷站、各該第二印刷站、各該第三印刷站及各該第四印刷站上設有的第一馬達轉向機構係會再各該預設球體印刷完後進行180度的轉向，以確保對稱的二面都被印刷到後；<br/> (A071)、各該夾持治具依序跳過該第三移印機及該第四移印機後，透過該旋轉平台移動至該第二線性滑軌上，並移動最多三個該夾持治具至該第一UV固化模組內的該第一固化站、該第二固化站及該第三固化站內對各該預設球體進行烘乾，且該第一固化站、該第二固化站及該第三固化站內各設有的第二馬達轉向機構係會對各該預設球體進行二面轉向以確保對稱二面的乾燥後；<br/> (A072)、該第二線性滑軌係移動單個該夾持治具至該南北極轉向模組的一翻轉平台，係令該翻轉平台處設有的南北轉向裝置將該夾持治具內的該預設球體進行南北極轉向，以令各該預設球體未印刷的四面轉向至被印刷面；<br/> (A073)、該第二線性滑軌係移動單個該夾持治具至該第五移印機內，此時係藉由該第二線性滑軌的特性令該夾持治具內的該預設球體進行四面的滾動，係以藉由滾動的方式以令單個該預設球體的四面能在該第五移印機內的該第一印刷站、該第二印刷站、該第三印刷站及該第四印刷站上進行無縫的四面印刷，執行步驟(A08)；<br/> (A08)、該第二線性滑軌移動最多三個該夾持治具至該第二UV固化模組內的該第一固化站、該第二固化站及該第三固化站內，並對各該預設球體進行烘乾後，透過該旋轉平台移動至該第一線性滑軌，並依序透過該上下料模組中設有之下料部將六面印刷完的各該預設球體進行回收。
如請求項1所述之線性軌道印刷裝置之印刷方法，其中該印刷組件內的該第一移印機、該第二移印機、該第三移印機、該第四移印機及該第五移印機內為設有於該第一印刷站、該第二印刷站、該第三印刷站及該第四印刷站處進行印刷之複數印刷頭。
如請求項2所述之線性軌道印刷裝置之印刷方法，其中該印刷組件的該些印刷頭為具有各別設有不同圖案、顏色之第一印刷頭、第二印刷頭、第三印刷頭及第四印刷頭。
如請求項1所述之線性軌道印刷裝置之印刷方法，其中該印刷機台的表面為設有的該第一線性滑軌及該第二線性滑軌係依靠線性馬達驅動各該夾持治具進行單個或數個移動。
如請求項1所述之線性軌道印刷裝置之印刷方法，其中該作業基座之各該夾持治具上為設有固定該預設球體用之夾球座。
一種黏合膜，包括黏合組合物的固化產物，所述黏合組合物包含(甲基)丙烯酸共聚物、固化劑、含芳香基的單官能或更高官能化合物、含極性官能基的單官能化合物和引發劑， <br/>根據方程式1計算，所述黏合膜具有3或大於3的剝離強度增加率： <br/>剝離強度增加率 = P2/P1 --- (1) <br/>其中P1是所述黏合膜相對於被黏物在25°C下單位為克力/英寸的剝離強度，P1通過將所述黏合膜黏附到所述被黏物上而製備樣本且在所述樣本在25°C和50%相對濕度下放置30分鐘後測量；和 <br/>P2是所述黏合膜相對於所述被黏物在25°C和50%相對濕度下單位為克力/英寸的剝離強度，P2通過將所述黏合膜黏附到所述被黏物上而製備樣本且在所述樣本在25°C和50%相對濕度(RH)下放置30分鐘並經受光照射後測量， <br/>通過將所述黏合膜黏附到所述被黏物上而製備樣本且在所述樣本在25°C和50%相對濕度(RH)下放置30分鐘並經受光照射後測量，所述黏合膜相對於被黏物在105°C下具有50克力/英寸或大於50克力/英寸的剝離強度， <br/>其中所述(甲基)丙烯酸共聚物具有-60°C至-10°C的玻璃轉變溫度， <br/>其中所述(甲基)丙烯酸共聚物是非芳香(甲基)丙烯酸共聚物， <br/>其中所述極性官能基包括羥基、羧酸基、醯胺基或嗎啉基， <br/>其中相對於100重量份的所述(甲基)丙烯酸共聚物，所述含芳香基的單官能或更高官能化合物以50重量份至200重量份的量存在， <br/>其中相對於100重量份的所述(甲基)丙烯酸共聚物，所述含極性官能基的單官能化合物以1重量份至20重量份的量存在，且 <br/>其中相對於100重量份的所述(甲基)丙烯酸共聚物，所述固化劑以0.01重量份至8重量份的量存在。
根據請求項1所述的黏合膜，其中，在方程式1中，P1大於0克力/英寸且小於或等於50克力/英寸，且P2大於或等於500克力/英寸。
根據請求項1所述的黏合膜，其中所述含芳香基的單官能或更高官能化合物、所述含極性官能基的單官能化合物和所述引發劑分散在作為所述(甲基)丙烯酸共聚物和所述固化劑的固化產物的用於所述黏合膜的基質中。
根據請求項1所述的黏合膜，其中所述含極性官能基的單官能化合物是不含芳香基的非芳香化合物。
根據請求項1所述的黏合膜，其中所述含極性官能基的單官能化合物包括從以下中選擇的至少一者：(甲基)丙烯醯基嗎啉、(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯醯胺、(甲基)丙烯酸羥丁酯和(甲基)丙烯酸羥乙酯。
根據請求項1所述的黏合膜，其中相對於100重量份的所述含極性官能基的單官能化合物，所述含芳香基的單官能或更高官能化合物以1,000至3,000重量份的量存在。
根據請求項1所述的黏合膜，其中所述含芳香基的單官能或更高官能化合物具有比所述(甲基)丙烯酸共聚物更高的均聚物玻璃轉變溫度。
根據請求項7所述的黏合膜，其中所述含芳香基的單官能或更高官能化合物的均聚物與所述(甲基)丙烯酸共聚物之間的玻璃轉變溫度差為20°C或大於20°C。
根據請求項1所述的黏合膜，其中所述含芳香基的單官能或更高官能化合物包括由式1表示的化合物： <br/>式1 <br/><img align="absmiddle" height="49px" width="178px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中R<sup>1</sup>是氫或甲基， <br/>s是0至10的整數， <br/>R<sup>2</sup>是經取代或未經取代的C<sub>6</sub>至C<sub>50</sub>芳基或經取代或未經取代的C<sub>6</sub>至C<sub>50</sub>芳氧基，且 <br/>T是經取代或未經取代的C<sub>1</sub>至C<sub>6</sub>伸烷基或經取代或未經取代的C<sub>1</sub>至C<sub>6</sub>伸烷基氧基。
根據請求項1所述的黏合膜，其中所述(甲基)丙烯酸共聚物包括單體混合物的共聚物，所述單體混合物包括含烷基的(甲基)丙烯酸酯單體和含羥基的(甲基)丙烯酸酯單體。
根據請求項1所述的黏合膜，其中所述固化劑包括異氰酸酯固化劑和金屬螯合物固化劑的混合物。
一種光學構件，包括根據請求項1至11中任一項所述的黏合膜。
根據請求項12所述的光學構件，其中所述光學構件包括包含柔性基材的光學顯示面板、設置在所述柔性基材的下表面上的所述黏合膜、以及設置在所述黏合膜的下表面上的保護層。
一種光學顯示裝置，包括根據請求項1至11中任一項所述的黏合膜。
一種具有資訊防護功能的觸控筆，包括：<br/>一筆身；<br/>至少一按鍵單元，位於該筆身上；<br/>複數個功能元件，位於該筆身内；以及<br/>一處理單元，位於該筆身内，分別電連接該按鍵單元及該些功能元件，其中該處理單元用以：<br/>檢測該些功能元件是否異常；<br/>當檢測出該些功能元件至少其中之一為異常時，產生對應該些功能元件之檢測結果，並且依據一可逆函數將該檢測結果轉換為一失真資訊；<br/>判斷該按鍵單元目前被按壓之模式是否符合一觸發模式；<br/>當判斷出該按鍵單元目前被按壓之模式符合該觸發模式時，將該失真資訊還原為該檢測結果；以及<br/>將還原後之該檢測結果對外傳出。
如請求項1所述之具有資訊防護功能的觸控筆，其中該些功能元件為N個，且該可逆函數包含如下條件式：<br/>Y=AX+B，其中N為大於1的正整數，Y為該失真資訊，包含Y1~YN的N*1陣列，A為N階單位矩陣，X為該檢測結果，包含X1~XN的N*1陣列，且B為包含1~N的N*1陣列，<br/>其中該處理單元將經檢測為異常之該功能元件之該檢測結果指派為數值1，以及經檢測為正常之該功能元件之該檢測結果指派為數值0，且該處理單元透過一反矩陣方式對該失真資訊進行還原。
如請求項1所述之具有資訊防護功能的觸控筆，其中該些功能元件為N個，且該可逆函數包含如下條件式：<br/>Y=X<sup>2</sup>+2X+1，其中N為大於1的正整數，Y為該失真資訊，X為該檢測結果，<br/>其中該處理單元將經檢測為異常之該功能元件之該檢測結果指派為數值1，以及經檢測為正常之該功能元件之該檢測結果指派為數值0。
如請求項1所述之具有資訊防護功能的觸控筆，其中該些功能元件為N個，且該可逆函數包含如下條件式：<br/>Y=20X<sup>1</sup>，其中N為大於1的正整數，Y為該失真資訊，X為該檢測結果，<br/>其中該處理單元將經檢測為異常之該功能元件之該檢測結果指派為數值1，以及經檢測為正常之該功能元件之該檢測結果指派為數值0。
如請求項1所述之具有資訊防護功能的觸控筆，更包含：<br/>一計時器單元，位於該筆身内，且電連接該處理單元，用以在一預設時間點通知該處理單元，<br/>其中該處理單元在該預設時間點開始檢測該些功能元件是否異常。
如請求項1所述之具有資訊防護功能的觸控筆，更包含：<br/>一韌體控制單元，位於該筆身内，且電連接該處理單元，用以執行該觸控筆之系統開機工作，<br/>其中在該觸控筆每次被執行系統開機時，該處理單元開始檢測該些功能元件是否異常。
如請求項1所述之具有資訊防護功能的觸控筆，其中該處理單元定期地或非定期地檢測該些功能元件是否異常。
如請求項1所述之具有資訊防護功能的觸控筆，其中該處理單元對該些功能元件其中之一發出異常檢測訊號，但未從該功能元件接收匹配該異常檢測訊號之回饋訊號時，該處理單元判斷出該功能元件為異常。
如請求項1所述之具有資訊防護功能的觸控筆，其中該按鍵單元包含一第一按鍵單元與一第二按鍵單元，<br/>其中該觸發模式為在一特定時間內完成該第一按鍵單元被按壓第一次、該第一按鍵單元被按壓第二次，以及在該第一按鍵單元被按壓第一次與第二次之間，該第二按鍵單元被按壓一次。
如請求項1所述之具有資訊防護功能的觸控筆，其中該些功能元件為感應器、馬達、電池、訊號燈及訊號收發器中至少其中之一。
一種觸控筆之資訊防護方法，包括：<br/>檢測一觸控筆之多個功能元件是否異常；<br/>當檢測出該些功能元件至少其中之一為異常時，產生對應該些功能元件之檢測結果，並且依據一可逆函數將該檢測結果轉換為一失真資訊；<br/>判斷該觸控筆之至少一按鍵單元目前被按壓之模式是否符合一觸發模式；<br/>當判斷出該按鍵單元目前被按壓之模式符合該觸發模式時，將該失真資訊還原為該檢測結果；以及<br/>將還原後之該檢測結果對外傳出。
如請求項11所述之觸控筆之資訊防護方法，其中產生對應該些功能元件之檢測結果之步驟更包含：<br/>將經檢測為異常之該功能元件之該檢測結果指派為數值1，以及經檢測為正常之該功能元件之該檢測結果指派為數值0。
如請求項12所述之觸控筆之資訊防護方法，其中該些功能元件為N個，且該可逆函數包含如下條件式：<br/>Y=AX+B，其中N為大於1的正整數，Y為該失真資訊，包含Y1~YN的N*1陣列，A為N階單位矩陣，X為該檢測結果，包含X1~XN的N*1陣列，且B為包含1~N的N*1陣列。
如請求項13所述之觸控筆之資訊防護方法，其中將該失真資訊還原為該檢測結果之步驟更包含：<br/>透過一反矩陣方式將該失真資訊還原為該檢測結果。
如請求項12所述之觸控筆之資訊防護方法，其中該些功能元件為N個，且該可逆函數包含如下條件式：<br/>Y=X<sup>2</sup>+2X+1，其中N為大於1的正整數，Y為該失真資訊，X為該檢測結果。
如請求項12所述之觸控筆之資訊防護方法，其中該些功能元件為N個，且該可逆函數包含如下條件式：<br/>Y=20X<sup>1</sup>，其中N為大於1的正整數，Y為該失真資訊，X為該檢測結果。
如請求項11所述之觸控筆之資訊防護方法，其中檢測該觸控筆之該些功能元件是否異常之步驟更包含：<br/>在一預設時間點開始檢測該觸控筆之該些功能元件是否異常。
如請求項11所述之觸控筆之資訊防護方法，其中檢測該觸控筆之該些功能元件是否異常之步驟更包含：<br/>在該觸控筆每次被執行系統開機時，開始檢測該觸控筆之該些功能元件是否異常。
如請求項11所述之觸控筆之資訊防護方法，其中檢測該觸控筆之該些功能元件是否異常之步驟更包含；<br/>對該些功能元件其中之一發出異常檢測訊號，但未從該功能元件接收匹配該異常檢測訊號之回饋訊號時，判斷出該功能元件為異常。
如請求項11所述之觸控筆之資訊防護方法，其中判斷該觸控筆之該至少一按鍵單元目前被按壓之模式是否符合一觸發模式之步驟更包含：<br/>該按鍵單元包含一第一按鍵單元與一第二按鍵單元，<br/>判斷在一特定時間內是否完成該第一按鍵單元被按壓第一次、該第一按鍵單元被按壓第二次，其中在該第一按鍵單元被按壓第一次與第二次之間，該第二按鍵單元被按壓一次；以及<br/>若是，認定該觸控筆之該至少一按鍵單元目前被按壓之模式符合該觸發模式。
一種噴塗工具用儲料容器，包含有：<br/>一容器本體，具有一儲料室、一朝上的開口及一與該開口相異之結合部，該開口及該結合部分別連通於該儲料室；<br/>一上蓋，結合於該開口，具有一軸向設置之凹座，該凹座由一大徑段及一小徑段構成，該大徑段與該小徑段相接處形成一階面，該小徑段之底部形成一阻擋面，該阻擋面貫穿一閥孔以連通該儲料室；<br/>一旋鈕，其一端具有一軸部，該軸部之延伸末端具有一端面，該端面同軸延伸一可穿伸於該小徑段之封閉部，該封閉部對應該阻擋面具有一封閉面，該旋鈕貫通一氣道，該氣道以其一端連通外部，其另一端連通至該端面，該旋鈕可操控該軸部軸向移動，當該軸部沿軸向下移時，該端面及該封閉面分別對應貼合於該階面及該阻擋面，以關閉該氣道及該閥孔，藉此封閉該儲料室，當該軸部沿軸向上移時，該端面及該封閉面分別與該階面及該阻擋面分離，使儲料室藉由該閥孔及該氣道連通外部。
如請求項1所述之噴塗工具用儲料容器，其中，該軸部之外周壁設有一外螺紋，該大徑段之內周壁對應該外螺紋設有一內螺紋，使該軸部與該大徑段螺紋結合。
如請求項2所述之噴塗工具用儲料容器，其中，該軸部相異於該封閉部的一端套設一第一密封環，該第一密封環與該外螺紋相鄰設置。
如請求項1所述之噴塗工具用儲料容器，其中，該端面與該封閉面之間有一套設於該封閉部之第二密封環。
如請求項1所述之噴塗工具用儲料容器，其中，該封閉部於其延伸末端之周緣設有一導斜面與該封閉面相接。
如請求項1所述之噴塗工具用儲料容器，其中，該上蓋與該容器本體之開口之間設有一墊片。
如請求項1所述之噴塗工具用儲料容器，其中，該結合部內有一之通道以連通該儲料室，該結合部之外周壁設有結合螺紋。
一種高頻寬遠場射頻獵能系統，包括：一射頻接收器，其包含有至少一正六邊形環，該正六邊形環的成型材料包含有奈米碳管(CNTs)、奈米鈷(Nano Cobalt)及光敏環氧樹脂(Photosensitive Epoxy Resin)，又該正六邊形環中央開設有一正六邊形孔，該正六邊形環之外接圓直徑為12至14mm，且該正六邊形孔的外接圓直徑為7mm至9mm，又該正六邊形環的厚度介於9mm至13mm之間；以及一電能轉換器，其包括有一整流電路板，且該整流電路板電性連接有複數個電線，並由上述電線電性連接該正六邊形環。
如請求項1所述的高頻寬遠場射頻獵能系統，其中該正六邊形環的成型材料包含有0.5wt%至2wt%的奈米碳管(CNTs)、11wt%至13wt%的奈米鈷(Nano Cobalt)及剩餘重量百分比的光敏環氧樹脂(Photosensitive Epoxy Resin)。
如請求項2所述的高頻寬遠場射頻獵能系統，其中該正六邊形環的長對角線兩端皆一體成型有一延伸體，兩該延伸體呈角括號狀的形成於該正六邊形環的外緣。
如請求項3所述的高頻寬遠場射頻獵能系統，其中該延伸體的厚度相較該正六邊形環的厚度增加2mm至4mm之間。
如請求項2所述的高頻寬遠場射頻獵能系統，其中該射頻接收器能將複數個該正六邊形環呈矩陣狀排列，複數個該正六邊形環以該延伸體互相抵觸形成橫向延伸，複數個該正六邊形環以未設有該延伸體的兩側邊互相抵觸形成縱向延伸。
如請求項5所述的高頻寬遠場射頻獵能系統，其中該射頻接收器將複數個該正六邊形環排列形成每個相鄰的該正六邊形孔皆相等間距的蜂巢形狀。
如請求項1所述的高頻寬遠場射頻獵能系統，其中該正六邊形環所包含的奈米碳管(CNTs)之重量百分比為1wt%，該正六邊形環所包含的奈米鈷(Nano Cobalt)之重量百分比為12.5wt%。
如請求項1所述的高頻寬遠場射頻獵能系統，其中該射頻接收器能吸收遠場射頻的範圍介於2.00GHz~6.00GHz之間，該電能轉換器匹配該射頻接收器產生5V的直流電。
如請求項8所述的高頻寬遠場射頻獵能系統，其中該整流電路板先以耦合電容(Coupling Capacitor)方式來傳遞該射頻接收器所吸收的AC信號並阻擋DC分量，並由肖特基二極體(Schottky Diodes)將射頻信號(RF)轉換為直流電(DC)。
如請求項9所述的高頻寬遠場射頻獵能系統，其中該整流電路板電性連接有一儲電元件，讓該電能轉換器所產生的直流電(DC)儲存於該儲電元件。
一種在鋁熔鑄生產流程的熔化爐或靜置爐精煉製程中的鋁湯淨化方法，包含以下步驟：<br/>一含氯鹽類精煉劑添加步驟，以氬氣為載氣將一含氯鹽類精煉劑吹射進該熔化爐或該靜置爐的鋁湯中，其中該含氯鹽類精煉劑的添加量為該鋁湯總重的0.015 wt%至0.06 wt%；<br/>一額外氬氣噴吹步驟，將氬氣噴吹進該鋁湯中，以使該含氯鹽類精煉劑的氯化物附著於氬氣泡上，進而吸附該鋁湯中的介在物，並該氬氣泡將吸附該介在物之氯化物藉由浮力帶往該鋁湯的表面後移除該介在物，其中該額外氬氣噴吹步驟的持續時間為10至60分鐘，氬氣的流速為100至200公升/分鐘；及<br/>一靜置步驟，將該鋁湯的表面處吸附的該介在物移除後靜置，以使比重大於該鋁湯的其他介在物藉由重力自然沉降至該熔化爐或該靜置爐的爐底，其中該靜置步驟的持續時間為20至60分鐘。
如請求項1所述的鋁湯淨化方法，其中該含氯鹽類精煉劑的添加量為該鋁湯總重的0.03 wt%至0.06 wt%。
如請求項1所述的鋁湯淨化方法，其中該該額外氬氣噴吹步驟的持續時間為10至30分鐘。
如請求項1所述的鋁湯淨化方法，其中該靜置步驟的持續時間為30至60分鐘。
如請求項1所述的鋁湯淨化方法，其中該鋁湯的清淨度為0.6至0.9 mm<sup>2</sup>/kg。
如請求項1所述的鋁湯淨化方法，其中該含氯鹽類精煉劑含有40至60 wt%的氯化鎂及40至60％的氯化鉀。
如請求項1所述的鋁湯淨化方法，其中該鋁湯的組成包含：2.2至2.8 wt%的鎂、0.15至0.35 wt%的鉻、大於0且小於0.1 wt%的銅、大於0且小於 0.4 wt%的鐵、大於0且小於0.1 wt%的錳、大於0且小於 0.25 wt%的矽、大於0且小於0.1 wt%的鋅、平衡量的鋁及不可避免的雜質。
一種功率半導體裝置，包含:<br/>一第一電極單元；<br/>一散熱基板，疊置於該第一電極單元上；<br/>一金屬連結單元，疊置於該散熱基板上；<br/>一氧化鎵單元，疊置於該金屬連結單元上，且包括一N型氧化鎵層；<br/>一氮化鎵單元，疊置於該氧化鎵單元上，且包括一P型氮化鎵層；及<br/>一第二電極單元，疊置於該氮化鎵單元上，且包括至少一第二電極金屬層。
如請求項1所述的功率半導體裝置，其中，該至少一第二電極金屬層的材料選自於鈦、鋁、鎳或金，該氮化鎵單元還包括一介於該第二電極單元與該P型氮化鎵層間的重摻雜N型氮化鎵層及氮化銦鎵層中一者，且該重摻雜N型氮化鎵層或該氮化銦鎵層與該第二電極單元形成歐姆接觸。
如請求項1或2所述的功率半導體裝置，其中，該氧化鎵單元還包括一介於該N型氧化鎵層與該P型氮化鎵層間的未摻雜氧化鎵層。
如請求項1所述的功率半導體裝置，其中，該氧化鎵單元還包括一介於該N型氧化鎵層與該P型氮化鎵層間的未摻雜氧化鎵層，且該N型氧化鎵層具有一疊置於該金屬連結單元上的第一N型氧化鎵膜，及一介於該第一N型氧化鎵膜與該未摻雜氧化鎵層間的第二N型氧化鎵膜，且該第二N型氧化鎵膜的摻雜濃度大於該第一N型氧化鎵膜的摻雜濃度。
如請求項4所述的功率半導體裝置，其中，該氮化鎵單元還包括一介於該P型氮化鎵層與該第二電極單元間的未摻雜氮化鎵層。
如請求項1所述的功率半導體裝置，其中，該金屬連結單元包括至少一金屬連接層，且該至少一金屬連接層的材料選自鈦、鉑、金、銦或鋁。
如請求項1所述的功率半導體裝置，其中，該第一電極單元包括至少一第一電極金屬層，且該至少一第一電極金屬層的材料選自於鈦、鋁、鎳或銅。
如請求項1所述的功率半導體裝置，其中，該散熱基板是選自矽基板、碳化矽基板、氮化鋁基板或金屬基板。
一種功率半導體裝置的製備方法，包含：<br/>一步驟(a)，在一暫時單元上形成一氮化鎵單元，其中，該暫時單元包括一暫時基板，且該氮化鎵單元包括一P型氮化鎵層；<br/>一步驟(b)，於該氮化鎵單元上形成一氧化鎵單元，其中，該氧化鎵單元包括一N型氧化鎵層；<br/>一步驟(c)，通過一金屬連結單元將一散熱基板與該氧化鎵單元接合；<br/>一步驟(d)，通過包括雷射處理的處理程序，剝離移除該暫時單元，以使該氮化鎵單元裸露；及<br/>一步驟(e)，在該步驟(d)後，於該氮化鎵單元上形成一第二電極單元，並於該散熱基板相反於該金屬連結單元的一側上形成一第一電極單元。
如請求項9所述的功率半導體裝置的製備方法，其中，在該步驟(d)中，還包含在該處理程序後，對裸露的該氮化鎵單元進行化學平坦化處理。
如請求項9所述的功率半導體裝置的製備方法，其中，在該步驟(a)中，該暫時單元還包括一介於該暫時基板與該氮化鎵單元間的氮化鎵犧牲層。
如請求項9所述的功率半導體裝置的製備方法，其中，在該步驟(a)中，將該氮化鎵單元磊製在該暫時單元上。
如請求項11所述的功率半導體裝置的製備方法，其中，該暫時基板為藍寶石基板。
如請求項11所述的功率半導體裝置的製備方法，其中，在該步驟(a)中，該暫時單元還包括一介於該氮化鎵犧牲層與該氮化鎵單元間的N型氮化鎵層，且在該步驟(d)中，該處理程序還包括蝕刻處理，且對該N型氮化鎵層進行該蝕刻處理，以自該P型氮化鎵層上移除該N型氮化鎵層移除。
如請求項11所述的功率半導體裝置的製備方法，其中，在該步驟(a)中，該暫時單元還包括一介於該氮化鎵犧牲層與該氮化鎵單元間的輕摻雜N型氮化鎵層，且該氮化鎵單元還包括介於該暫時單元與該P型氮化鎵層間的一重摻雜N型氮化鎵層及一氮化銦鎵層中一者，且在該步驟(d)中，該處理程序還包含蝕刻處理，對該暫時單元的該輕摻雜N型氮化鎵層進行蝕刻處理，以自該氮化鎵單元上移除該輕摻雜N型氮化鎵層。
如請求項11所述的功率半導體裝置的製備方法，在該步驟(b)中，該氧化鎵單元還包括一介於該N型氧化鎵層與該P型氮化鎵層間的未摻雜氧化鎵層。
如請求項16所述的功率半導體裝置的製備方法，在該步驟(b)中，該氮化鎵單元還包括一介於該暫時單元與該P型氮化鎵層間的重摻雜N型氮化鎵層。
如請求項9所述的功率半導體裝置的製備方法，其中，在該步驟(a)中，該氮化鎵單元還包括一介於該P型氮化鎵層與該暫時單元間的未摻雜氮化鎵層，而在該步驟(b)中，該氧化鎵單元還包括一介於該N型氧化鎵層與該P型氮化鎵層間的未摻雜氧化鎵層，且該N型氧化鎵層具有依序疊置於該未摻雜氧化鎵層上的一第二N型氧化鎵膜，及一疊置於該第二N型氧化鎵膜上的第一N型氧化鎵膜，且該第二N型氧化鎵膜的摻雜濃度大於該第一N型氧化鎵膜的摻雜濃度。
如請求項18所述的功率半導體裝置的製備方法，其中，在該步驟(d)中，還包括在該處理程序後，對該氮化鎵單元的該未摻雜氮化鎵層進行蝕刻處理，以自該氮化鎵單元上移除該未摻雜氮化鎵層。
一種腹部衝擊裝置，固定於一椅背結構上，其特徵在於：其包含：一固定器，具有一承壓部，該固定器透過至少一固定元件固定於該椅背結構上，以緊靠該承壓部於該椅背結構上；以及一施壓器，其頂部具有向上突出的圓鈍形狀，設於該固定器之頂部，該施壓器接合於該固定器之遠離地面之側；其中，當該腹部衝擊裝置固定於該椅背結構上時，該承壓部貼合於該椅背結構之上緣，且該施壓器的該頂部朝向遠離地面的方向突出。
根據請求項1所述之腹部衝擊裝置，其中該至少一固定元件為選自螺釘、黏膠、擋止部、彈簧、延伸夾部及突起部所成群中之至少一者。
根據請求項2所述之腹部衝擊裝置，其中該固定元件為螺釘，該螺釘之末端設有一擋板，該螺釘透過該擋板頂住該椅背結構。
根據請求項1所述之腹部衝擊裝置，其中該固定器包含一固定板，該施壓器設於該固定板之頂部，該固定板之底部作為該承壓部。
根據請求項1所述之腹部衝擊裝置，其中該施壓器具有人類拳頭的形狀。
根據請求項1所述之腹部衝擊裝置，其中該施壓器之水平截面最寬處例如為大於等於8CM，優選為大於等於10CM，更優選為大於等於12CM，該水平截面平行該承壓部緊靠該椅背結構之上緣。
根據請求項1所述之腹部衝擊裝置，更包含一軟性材料，其覆蓋至少部分該施壓器。
根據請求項1所述之腹部衝擊裝置，其中該固定器之該頂部具有一第一卡合部，該施壓器之底部具有一第二卡合部，該第一卡合部卡合該第二卡合部，以固定該施壓器於該固定器之該頂部。
根據請求項1所述之腹部衝擊裝置，其中該固定器、該施壓器或該至少一固定元件之間進一步用鍊子或繩子串連。
根據請求項1至9中任一項所述之腹部衝擊裝置，其中該固定器進一步包含一第一側延伸壁，該第一側延伸壁連接該承壓部之一側緣並與該承壓部呈垂直設置；該第一側延伸壁與該固定器之除該第一側延伸壁之其餘部分為一體成形，或各自為獨立元件並相互連接。
根據請求項10所述之腹部衝擊裝置，其中該固定器進一步包含一第二側延伸壁，該第二側延伸壁連接該承壓部之與該側緣相對之另一側緣，並與該承壓部呈垂直設置；該第二側延伸壁與該固定器之除該第二側延伸壁之其餘部分為一體成形，或各自為獨立元件並相互連接。
根據請求項11所述之腹部衝擊裝置，其中該至少一固定元件為選自螺釘、黏膠、擋止部及彈簧所成群中之至少一者。
根據請求項10所述之腹部衝擊裝置，其中該椅背結構為一椅背橫桿；該固定器進一步包含一水平延伸壁，該水平延伸壁連接該第一側延伸壁並與該承壓部呈平行設置。
根據請求項13所述之腹部衝擊裝置，其中該至少一固定元件為延伸夾部或彈簧，該延伸夾部或該彈簧連接該第一側延伸壁與該水平延伸壁。
根據請求項1至9中任一項所述之腹部衝擊裝置，其中該固定器為一C型夾具。
根據請求項15所述之腹部衝擊裝置，其中該至少一固定元件為螺釘。
根據請求項15所述之腹部衝擊裝置，其中該C型夾具彈性夾置該椅背結構。
根據請求項17所述之腹部衝擊裝置，其中該至少一固定元件為一突起部，該C型夾具藉由該突起部頂住該椅背結構。
根據請求項18所述之腹部衝擊裝置，其中該至少一固定元件與該固定器為一體成型者。
根據請求項15所述之腹部衝擊裝置，其中該C型夾具包含至少一側延伸壁。
一種基板承載裝置，其適用於承載一基板，並使所述基板沒入一液槽中，所述基板承載裝置包含：<br/>一框體，其區分為一沒入區及一操作區，所述沒入區用以沒入所述液槽中；所述操作區不會沒入所述液槽中；<br/>至少一活動架，其可活動地與所述框體連接；<br/>至少一定位組件，其設置於所述框體的所述操作區，所述定位組件與所述活動架位於所述操作區的部分連接，所述定位組件能被操作，以使所述活動架於一抵靠位置及一未抵靠位置之間切換；<br/>至少一抵靠件，其設置於所述活動架，所述抵靠件用以提供所述基板的側邊抵靠；<br/>其中，所述定位組件位於所述抵靠位置時，多個所述抵靠件共同提供所述基板的不同側邊抵靠；所述定位組件位於所述未抵靠位置時，所述抵靠件不與所述基板接觸。
如請求項1所述的基板承載裝置，其中，多個所述抵靠件設置於所述框體及所述活動架的同一側，且多個所述抵靠件是突出於所述框體及所述活動架設置。
如請求項1所述的基板承載裝置，其中，所述基板承載裝置包含兩個所述活動架及兩個所述定位組件；兩個所述活動架與兩個所述定位組件連接；設置於其中一個所述活動架的多個所述抵靠件，用以抵靠所述基板的其中一側邊；設置於另一個所述活動架的多個所述抵靠件，用以抵靠所述基板的另一側邊。
如請求項1所述的基板承載裝置，其中，所述框體設置有一支撐件，所述支撐件的兩端固定於所述框體，而所述支撐件橫跨於所述框體之中，所述支撐件用以將所述框體區隔為所述操作區及所述沒入區；所述定位組件包含：一固定件、一活動件及一限位件；所述固定件的兩端分別固定於所述框體及所述支撐件；所述活動件與所述活動架連接，所述活動件能被操作，以帶動所述活動架向靠近或遠離所述框體的方向移動，據以使所述活動架於所述抵靠位置及所述未抵靠位置之間切換；所述限位件與所述活動件連接，所述限位件的一部分穿過所述支撐件，且所述限位件具有至少一限位結構，所述限位結構能與所述支撐件相互配合，以使所述活動件及所述活動架，定位於所述抵靠位置或所述未抵靠位置。
如請求項4所述的基板承載裝置，其中，所述定位組件還包含多個復位件，各個所述復位件的兩端分別固定於所述活動件及所述固定件；所述活動件受操作，以向靠近所述支撐件的方向移動時，多個所述復位件將產生回復力。
如請求項4所述的基板承載裝置，其中，所述限位件包含一柱體，所述柱體的一端設置有兩個所述限位結構，兩個所述限位結構分別為柱狀結構，兩個所述柱狀結構交叉地間隔設置於所述柱體；所述固定件具有一輔助限位結構及一容置凹槽；所述輔助限位結構能與各個所述限位結構相互卡合，所述容置凹槽能容置各個所述限位結構；所述活動架處於所述抵靠位置時，其中一個所述限位結構與其中一個所述輔助限位結構相互卡合，而另一個所述限位結構位於所述容置凹槽中；所述活動架處於所述未抵靠位置時，其中一個所述限位結構與其中一個所述輔助限位結構相互卡合，而另一個所述限位結構位於所述容置凹槽中。
如請求項1所述的基板承載裝置，其中，所述抵靠件為塑膠結構，且所述抵靠件具有一凹槽；所述抵靠件可拆卸地固定於所述框體的一輔助固定結構或所述活動架的一輔助固定結構。
如請求項1所述的基板承載裝置，其中，設置所述框體的多個所述抵靠件用以抵靠所述基板的下緣，設置於所述活動架的多個所述抵靠件用以抵靠所述基板的側邊。
如請求項1所述的基板承載裝置，其中，設置所述框體的部分所述抵靠件用以抵靠所述基板的下緣，設置所述框體的部分所述抵靠件用以抵靠所述基板的其中一側邊，設置於所述活動架的多個所述抵靠件用以抵靠所述基板的另一側邊。
一種風險向量生成系統，包含有：一資料庫，預存一第一標準操作程序(Standard Operating Procedure,SOP)以及一風險計算表；一大語言模型模組，連接於該資料庫，用以接收一第一指令以生成N個屬性資料，並判斷該N個屬性資料是否匹配該第一SOP，其中該大語言模型模組進一步包含一動態SOP生成單元，該第一指令進一步包含一第一法規資料，若是該N個屬性資料不匹配該第一SOP，則該動態SOP生成單元擷取該第一指令中之該第一法規資料以生成一第二SOP；一風險評估模組，連接於該資料庫以及該大語言模型模組，用以接收該N個屬性資料，並讀取該風險計算表以計算一嚴重度指標之數值、一偵測度指標之數值與一發生率指標之數值，並執行運算以進一步將該嚴重度指標之數值、該偵測度指標之數值與該發生率指標之數值相乘產生一第一風險優先係數(Risk Priority Number,RPN)；以及一風險向量生成模組，連接於該大語言模型模組以及該風險評估模組，用以接收匹配該第一SOP之該N個屬性資料以產生M個分量，並與該第一RPN生成一風險多維向量；其中，N以及M均為大於1的自然數。
如申請專利範圍第1項所述的風險向量生成系統，其中該風險向量生成模組用以根據該N個屬性資料以及該第一SOP以產生該M個分量，以及M大於N。
如申請專利範圍第1項所述的風險向量生成系統，其中該資料庫進一步包含一法規資料庫，若是該N個屬性資料不匹配該第一SOP，則該動態SOP生成單元擷取該法規資料庫中之一第二法規資料，以生成一第三SOP。
如申請專利範圍第3項所述的風險向量生成系統，其中該第二SOP以及該第三SOP係儲存至該資料庫之一品質數據庫。
如申請專利範圍第1項所述的風險向量生成系統，其中該大語言模型模組進一步包含一比對單元，用以判斷該N個屬性資料是否匹配該第一SOP。
如申請專利範圍第5項所述的風險向量生成系統，其中該比對單元包含有一人工智慧代理人(Artificial Intelligence Agent)，用以識別該N個屬性資料與該第一SOP之間的一不匹配項目，並基於該不匹配項目對該第一SOP進行修正以生成更新後之該第一SOP。
如申請專利範圍第1項所述的風險向量生成系統，其中該M個分量進一步包含一人員分量、一機械分量、一原料分量、一規範分量、一環境分量、一事件分量以及一時間分量。
如申請專利範圍第1項所述的風險向量生成系統，其中該N個屬性資料包含一人員屬性、一事件屬性、一時間屬性、一地點屬性以及一物件屬性。
如申請專利範圍第1項所述的風險向量生成系統，其中該風險評估模組進一步包含一負RPN生成單元，該負RPN生成單元用以將該第一RPN中之該嚴重度指標之數值、以及預存之一偵測度指標之數值與一發生率指標之數值相乘並加上負號，以生成一第二RPN。
如申請專利範圍第9項所述的風險向量生成系統，其中該第二RPN小於零，該風險向量生成模組接收該N個屬性資料以產生該M個分量，並與該第二RPN以生成一風險多維負向量。
一種風險向量管制系統，其包含有：一風險向量生成計算模組，用以接收一第一事件之一第一指令以生成一總體風險優先係數(Risk Priority Number,RPN)；一警報模組，預存一閾值，該警報模組連接該風險向量生成計算模組，用以接收該總體RPN，並根據超出該閾值範圍之該總體RPN以產生一第一訊號以及一第一警報訊號；一演算法模組，連接該警報模組，用以接收該第一訊號以生成一第二訊號以及該演算法模組另包含一負向量生成單元用以接收該第一訊號以生成一負向量，該負向量包含一負RPN；以及一決策模組，連接該演算法模組，用以接收該第二訊號以生成一稽核計畫書以及一建議改善計畫書。
如申請專利範圍第1項所述的風險向量管制系統，進一步包含一資料庫，該資料庫預存一風險計算表，該風險計算表包含一嚴重度指標、一偵測度指標以及一發生率指標，該演算法模組根據該風險計算表之該嚴重度指標、該偵測度指標以及該發生率指標以生成該負RPN。
如申請專利範圍第1項所述的風險向量管制系統，其中該風險向量生成計算模組用以接收一第一事件之一第一指令以生成一第一事件風險多維向量，以及該第一事件風險多維向量進一步包含M個分量以及一第一RPN。
如申請專利範圍第3項所述的風險向量管制系統，其中該總體RPN包含該第一事件風險多維向量中之該第一RPN以及一第二事件風險多維向量中之一第二RPN，該M個分量包含一時間分量，該第一事件風險多維向量之該M個分量中之一非時間分量與該第二事件風險多維向量之該M個分量中之一非時間分量相同。
如申請專利範圍第4項所述的風險向量管制系統，其中該演算法模組包含一第一參數處理單元，該第一參數處理單元連接該警報模組以接收該第一訊號，並加總該第一RPN以及該第二RPN以生成一事件RPN。
如申請專利範圍第5項所述的風險向量管制系統，其中該演算法模組另包含一第二參數處理單元，該第二參數處理單元連接該第一參數處理單元以及該負向量生成單元，以接收該事件RPN以及該負RPN，以產生一第二警報訊號以及一計時啟動訊號。
如申請專利範圍第6項所述的風險向量管制系統，其中該演算法模組另包含一計時單元，該計時單元連接該第二參數處理單元以接收該計時啟動訊號，用以啟動計時至一預設時間值。
如申請專利範圍第7項所述的風險向量管制系統，其中該演算法模組另包含一參數設置介面單元，該參數設置介面單元連接該計時單元，用以提供一使用者於該參數設置介面單元輸入該預設時間值。
如申請專利範圍第8項所述的風險向量管制系統，其中該計時單元連接該參數設置介面單元、該負向量生成單元以及該風險向量生成計算模組，該負向量生成單元連接該風險向量生成計算模組，當於該預設時間值範圍內，該風險向量生成計算模組藉由接收一第五事件之一第五指令，以產生一第五事件風險多維向量以及一重建負向量訊號，該第五事件風險多維向量之該M個分量中之一非時間分量與該第一事件風險多維向量之該M個分量中之該非時間分量相同。
如申請專利範圍第1項所述的風險向量管制系統，進一步包含一歷史風險向量庫，該演算法模組另包含一第三參數處理單元，該第三參數處理單元連接該歷史風險向量庫以擷取該歷史風險向量庫中之一特定分量，以加總該風險向量管制系統內具有相同該特定分量之該總體RPN。
一種PCB板撕膠嵌入機，其特徵在於：包括機架以及設置於該機架上的PCB板移栽裝置、撕膠裝置和嵌入裝置；該PCB板移栽裝置包括前後移動模組、水平旋轉平台、垂直旋轉平台和PCB板夾取元件，該前後移動模組設置在該機架上，該水平旋轉平台設置在該前後移動模組上，該垂直旋轉平台與該水平旋轉平台連接，該PCB板夾取元件設置在該垂直旋轉平台上；該撕膠裝置包括第一水平模組、第一垂直模組、膠帶加熱元件、撕膠元件和捲膠元件，該第一水平模組設置在該機架上，該第一垂直模組與該第一水平模組連接，該膠帶加熱元件、撕膠元件和捲膠元件均設置在該第一垂直模組上，通過該第一水平模組和該第一垂直模組驅動膠帶加熱元件和撕膠元件移動，以加熱和撕去該PCB板夾取元件夾取的PCB板上的膠帶，通過該捲膠元件捲收經該撕膠元件撕下的膠帶；該嵌入裝置包括第二水平模組、裝板框元件和裝板框轉運裝置，該第二水平模組設置在該機架上，該裝板框元件與該第二水平模組連接，該裝板框轉運裝置設置在該機架底部，通過該裝板框元件接收經該PCB板移栽裝置移栽的完成撕膠的PCB板，通過該第二水平模組驅動該裝板框元件移動至該裝板框轉運裝置上。
如申請專利範圍第1項所述的PCB板撕膠嵌入機，其中該PCB板夾取元件包括支撐豎板和夾爪單元，該支撐豎板與該垂直旋轉平台連接，該夾爪單元設置有兩組，兩個該夾爪單元間隔設置在該支撐豎板上，通過夾爪單元夾緊待撕膠的PCB板。
如申請專利範圍第2項所述的PCB板撕膠嵌入機，其中該夾爪單元包括安裝板、上夾爪和下夾爪，該支撐豎板上沿水平方向設置有第三水平模組，通過安裝板與該第三水平模組連接，該上夾爪和該下夾爪分別設置在該安裝板的上下兩端，該上夾爪包括第一垂直升降件、第一水平伸縮件和第一夾爪件，該第一垂直升降件與該安裝板連接，第一水平伸縮件與該第一垂直升降件連接，該第一夾爪件與該第一水平伸縮件連接；該下夾爪包括第二垂直升降件、第二水平伸縮件和第二夾爪件，該第二垂直升降件與該安裝板連接，第二水平伸縮件與該第二垂直升降件連接，該第二夾爪件與該第二水平伸縮件連接。
如申請專利範圍第1項所述的PCB板撕膠嵌入機，其中該膠帶加熱元件包括第三水平伸縮件、雙向滑台氣缸和加熱件，該第三水平伸縮件與該第一垂直模組連接，該雙向滑台氣缸與該第三水平伸縮件連接，該加熱件設在該雙向滑台氣缸的兩端，通過該第一垂直模組驅動該加熱件升降以加熱該PCB板夾取元件夾取的PCB板上的膠帶。
如申請專利範圍第4項所述的PCB板撕膠嵌入機，其中該撕膠元件包括夾爪氣缸和夾爪，該夾爪氣缸與該第一垂直模組連接，該夾爪與該夾爪氣缸連接，通過該夾爪氣缸驅動該夾爪夾緊膠帶，通過該第一水平模組驅動該夾爪移動以撕去該PCB板夾取元件夾取的PCB板上的膠帶。
如申請專利範圍第5項所述的PCB板撕膠嵌入機，其中該捲膠元件包括第四水平伸縮件、第一驅動馬達和捲膠叉，該第四水平伸縮件與該第一垂直模組連接，該第一驅動馬達與該第四水平伸縮件連接，該捲膠叉與該第一驅動馬達連接，通過該第四水平伸縮件驅動該捲膠叉移動以使經該夾爪撕下的膠帶位於該捲膠叉中，並通過該第一驅動馬達驅動該捲膠叉轉動以捲收膠帶。
如申請專利範圍第6項所述的PCB板撕膠嵌入機，其中該機架上於該捲膠叉的下方設置有取膠板，通過該第一垂直模組驅動該捲膠叉下移以使該取膠板位於該捲膠叉中，通過該第四水平伸縮件驅動該捲膠叉移動以取下纏繞在該捲膠叉上的膠帶。
如申請專利範圍第7項所述的PCB板撕膠嵌入機，其中該第一垂直模組上設置有導料斗，該取膠板設置在該導料斗中，該機架底部於與該導料斗對應處設置有接料斗。
如申請專利範圍第1項所述的PCB板撕膠嵌入機，其中該裝板框元件包括裝板框、框體圍板和夾緊氣缸，該框體圍板與該第二水平模組連接，該夾緊氣缸設置在該框體圍板上，該裝板框通過該夾緊氣缸固定在該框體圍板上。
一種偏振板，包括：<br/> 偏振器；以及<br/> 液晶延遲層和用於偏振板的黏合膜，按順序堆疊在所述偏振器的一個表面上，<br/> 其中所述液晶延遲層具有取向膜，所述取向膜形成在所述液晶延遲層面向所述用於偏振板的黏合膜的表面上，且所述液晶延遲層和所述取向膜之間的剝離強度為大於0克力/25毫米且小於或等於50克力/25毫米；<br/> 其中所述用於偏振板的黏合膜在25°C下具有50千帕至1000千帕的模數和50克力至150克力的黏性，並且包括組成物的固化產品，所述組成物包括可固化組分和起始劑；<br/> 其中所述可固化組分包括混合物，且所述混合物在所述可固化組分中以95重量%或更多的量存在；<br/> 其中所述混合物包括：1重量%至30重量%的脂肪族低聚物；1重量%至30重量%的至少一種環脂族或雜環脂族低聚物、芳香族低聚物，及所述環脂族或雜環脂族低聚物和所述芳香族低聚物的組合；以及50重量%至90重量%的共單體；並且<br/> 其中所述脂肪族低聚物包括含有經取代或未經取代的線性或支鏈C<sub>4</sub>至C<sub>10</sub>烷基的(甲基)丙烯酸單體的低聚物。
如請求項1所述的偏振板，其中用於所述環脂族或雜環脂族低聚物的單體包括至少一種在其酯基位點含有環脂族基團或雜環脂族基團的(甲基)丙烯酸酯。
如請求項1所述的偏振板，其中用於所述芳香族低聚物的單體包括至少一種在其酯基位點含有芳香族基團的(甲基)丙烯酸酯。
如請求項1所述的偏振板，其中用於所述環脂族或雜環脂族低聚物和所述芳香族低聚物的組合的單體包括至少一種在其酯基位點含有環脂族或雜環脂族基團的(甲基)丙烯酸酯和至少一種在其酯基位點含有芳香族基團的(甲基)丙烯酸酯。
如請求項2所述的偏振板，其中所述(甲基)丙烯酸酯包括至少一種異冰片基(甲基)丙烯酸酯及四氫糠基(甲基)丙烯酸酯。
如請求項3所述的偏振板，其中所述(甲基)丙烯酸酯包括苯氧基乙基(甲基)丙烯酸酯。
如請求項1所述的偏振板，其中所述共單體包括至少一種在其酯基位點含有環脂族或雜環脂族基團的(甲基)丙烯酸酯和至少一種在其酯基位點含有芳香族基團的(甲基)丙烯酸酯。
如請求項1所述的偏振板，其中所述脂肪族低聚物和至少一種所述環脂族或雜環脂族低聚物、所述芳香族低聚物、及所述環脂族或雜環脂族低聚物和所述芳香族低聚物的組合，總計以10重量%或更多的量存在於所述混合物中。
如請求項1所述的偏振板，其中所述起始劑是光起始劑。
如請求項1所述的偏振板，其中所述液晶延遲層是盤狀液晶層。
如請求項1所述的偏振板，還包括：<br/> 液晶延遲層，堆疊在所述黏合膜的一個表面上。
一種用於偏振板的黏合膜，包括組成物的固化產品，所述組成物包括可固化組分和起始劑，<br/> 其中所述黏合膜在25°C下具有50千帕至1,000千帕的模數和50克力至150克力的黏性；其中所述可固化組分包括混合物，且所述混合物在所述可固化組分中以95重量%或更多的量存在；<br/> 其中所述混合物包括：1重量%至30重量%的脂肪族低聚物；1重量%至30重量%的至少一種環脂族或雜環脂族低聚物、芳香族低聚物，及所述環脂族或雜環脂族低聚物和所述芳香族低聚物的組合；以及50重量%至90重量%的共單體；並且<br/> 其中所述脂肪族低聚物包括含有經取代或未經取代的線性或支鏈C<sub>4</sub>至C<sub>10</sub>烷基的(甲基)丙烯酸單體的低聚物。
一種顯示裝置，包括請求項1至11中任一項所述的偏振板。
一種基於現實寵物情緒狀態的遊戲系統，包括：<br/> 一寵物端裝置，包括一生理偵測單元，該生理偵測單元具有貼附於一現實寵物的一非光學式的心率偵測器以及一呼吸偵測器，該心率偵測器根據該現實寵物的一脈搏或一心搏輸出一關聯於該脈搏或該心搏的第一訊號，該呼吸偵測器根據該現實寵物的一呼吸輸出一關聯於該呼吸的第二訊號，該第一訊號與該第二訊號分別反映該現實寵物的一心率資料及一呼吸資料，該心率資料及該呼吸資料應用於一情緒狀態分類模型而得到該現實寵物的一情緒狀態；以及<br/> 一使用者端裝置，具有一顯示單元，該顯示單元顯示一動態虛擬寵物，該動態虛擬寵物根據一或多個預先地輸入的關聯於該現實寵物的寵物特徵而呈現，其中，該情緒狀態被輸入一虛擬生成模型而將該情緒狀態反映於該顯示單元上的該動態虛擬寵物；<br/> 其中，該情緒狀態分類模型被配置為以下式表達：<br/><img align="absmiddle" height="20px" width="40px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中，<img align="absmiddle" height="7px" width="5px" file="ed10012.jpg" alt="ed10012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>代表第i個樣本的一預測情緒分數，<img align="absmiddle" height="7px" width="5px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為一輸入特徵向量，<img align="absmiddle" height="7px" width="5px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為第k個決策樹，n為決策樹的總數，該輸入特徵向量係基於該心率資料及該呼吸資料；以及<br/> 其中，該使用者端裝置還可將至少一經選取的外部套件疊加或組合於該顯示單元該動態虛擬寵物，以將一客製化的虛擬寵物外型顯示於該顯示單元。
如請求項1所述的遊戲系統，其中該情緒狀態分類模型將該情緒狀態分類為一高覺醒高效價、一高覺醒低效價、一低覺醒低效價或一低覺醒高效價。
如請求項1所述的遊戲系統，其中，該寵物端裝置還包括一運動偵測單元，該運動偵測單元根據該現實寵物的一運動輸出一或多個第三訊號，該第三訊號被配置為獲取該現實寵物的一活動狀態資料。
如請求項3所述的遊戲系統，其中該寵物端裝置被配置為執行：<br/> 經由該生理偵測單元及該運動偵測單元取得多個標記用寵物的一生理資料集及對應該生理資料集的一活動狀態資料集，該生理資料集包括多筆的生理資料，該生理資料包括關聯於時間戳記的心率及呼吸頻率，該活動狀態資料集包括多筆的活動狀態資料，該活動狀態資料時間上對應該生理資料；<br/> 判斷各個該標記用寵物的該生理資料集是否存在一或多個雜訊，其中，當該活動狀態資料符合以下條件時，對應的該生理資料屬於該雜訊：<br/><img align="absmiddle" height="15px" width="98px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中，<img align="absmiddle" height="8px" width="19px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該活動狀態資料中的一陀螺儀相關資料，<img align="absmiddle" height="8px" width="19px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該活動狀態資料中的一加速度相關資料，T1與T2為彼此獨立的一預設門檻值；<br/> 捨棄該生理資料集的該雜訊；以及<br/> 根據關聯於該生理資料的一或多個含有該標記用寵物的影像，對該生理資料進行一情緒標記。
如請求項4所述的遊戲系統，其中該寵物端裝置進一步被配置為執行：<br/> 對該生理資料集進行一特徵擷取而取得多個第一擷取特徵以及多個第二擷取特徵，其中，該第一擷取特徵為選自HRV、SDNN、RMSSD、LF、HF、<img align="absmiddle" height="10px" width="6px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、arLF、arHF、<img align="absmiddle" height="10px" width="11px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、SD2、<img align="absmiddle" height="10px" width="8px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及SDRR所組成的群組，該第二擷取特徵為選自該心率及該呼吸頻率的平均、變異係數、廣義熵及香農熵所組成的群組。
如請求項5所述的遊戲系統，其中該寵物端裝置進一步被配置為執行：<br/> 對該生理資料集進行一特徵融合，該特徵融合對該第一擷取特徵及該第二擷取特徵進行一或多個運算而得到多個候選特徵；<br/> 對該候選特徵進行一特徵選擇，包括以下步驟：<br/> 根據各個該候選特徵訓練出一對應的模型；<br/> 對該模型進行一擬合而得到一預測結果與一實際結果的殘差，其中，該實際結果係基於該情緒標記；以及<br/> 根據該殘差從該些候選特徵中挑選出一或多個高貢獻特徵。
如請求項6所述的遊戲系統，其中該寵物端裝置進一步被配置為執行：<br/> 訓練一梯度提升決策樹模型，並以該些高貢獻特徵作為一輸入；<br/> 對該梯度提升決策樹模型進行一交叉驗證；<br/> 對該梯度提升決策樹模型進行一參數優化；以及<br/> 得到一基於該梯度提升決策樹模型的一情緒狀態分類模型。
如請求項6所述的遊戲系統，其中該高貢獻特徵選自以下所組成之群組：心率的廣義熵與香農熵的合、心率的香農熵、連續及正常心跳之間的差異的均方根與50ms心跳占比兩者之最小值、心率與單位時間內小於50ms之心跳數之差、連續與正常心跳之間的差異的均方根、心率與呼吸率之合、呼吸率、心率的龐加萊圖R-R間期短軸標準差、心率的龐加萊圖R-R間期長軸標準差以及心率的頻譜分析之副交感神經活性。
如請求項1所述的遊戲系統，其中該顯示單元為即時且連續地輸出該動態虛擬寵物，該動態虛擬寵物為映射該寵物特徵且即時地展現該情緒狀態。
一種式Ⅰ化合物的晶型，其特徵在於，所述晶型為游離鹼晶型A，<br/><img align="absmiddle" height="41px" width="81px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 式Ⅰ<br/> 所述游離鹼晶型A的X射線粉末衍射圖譜在如下2θ值處具有特徵峰：15.2±0.2°、18.4±0.2°、19.0±0.2°、20.5±0.2°、24.3±0.2°。
如請求項1所述晶型，其特徵在於，所述游離鹼晶型A的X射線粉末衍射圖譜在如下2θ值處具有特徵峰：9.6±0.2°、14.4±0.2°、15.2±0.2°、18.4±0.2°、19.0±0.2°、20.2±0.2°、20.5±0.2°、24.3±0.2°、25.1±0.2°、27.3±0.2°。
如請求項1所述晶型，其特徵在於，所述游離鹼晶型A的X射線粉末衍射圖譜在如下2θ值處具有特徵峰：9.6±0.2°、14.4±0.2°、14.5±0.2°、15.2±0.2°、18.4±0.2°、19.0±0.2°、20.2±0.2°、20.5±0.2°、20.9±0.2°、21.6±0.2°、22.0±0.2°、24.3±0.2°、24.6±0.2°、25.1±0.2°、27.3±0.2°。
如請求項1所述晶型，其特徵在於，所述游離鹼晶型A的X射線粉末衍射圖譜基本如圖2所示。
如請求項1所述的晶型，其特徵在於，所述游離鹼晶型A的熱重分析圖譜和差示掃描量熱圖譜基本如圖3所示。
如請求項1所述的晶型，其特徵在於，所述游離鹼晶型A為無水合物。
一種如請求項1所述晶型的製備方法，其特徵在於，所述方法包括如下步驟：<br/> 將式I所示化合物與溶劑m混合，於室溫下攪拌1-10天，過濾，乾燥，得到如請求項1所述晶型；<br/> 所述溶劑m選自下組：氯仿、2-甲基四氫呋喃、石油醚、乙酸乙酯、甲苯、水、N,N-二甲基甲醯胺、乙醇、或其組合。
一種藥物組合物，其特徵在於，包含安全有效量的如請求項1所述晶型和藥學上可接受的載體。
一種如請求項1所述晶型的用途，其特徵在於，用於製備藥物，所述藥物用於選自下組的用途：<br/> 1)治療與CDK調節有關的疾病或病症；<br/> 2)治療腫瘤；<br/> 3)抑制細胞增殖。
如請求項9所述用途，其特徵在於，所述腫瘤選自下組：乳腺癌、卵巢癌、膀胱癌、子宮癌、肺癌、結直腸癌、前列腺癌、胰腺癌、胃癌、甲狀腺癌、食道癌、腎癌、肝癌、頭頸癌膠質母細胞瘤、外套細胞淋巴瘤(MCL)、慢性髓細胞白血病(CML)和急性髓細胞白血病(AML)。
一種具有光學雙模感測模組陣列之智動裝置，係用於辨識一紡織物件(T)的一紡織物件主體(T1)以產生一分選信號，再根據該分選信號對該紡織物件主體(T1)進行分選至一預定存放位置(E)，該具有光學雙模感測模組陣列之智動裝置(100)係包含：一輸送模組(2)、一感測模組陣列(3)、一分選模組(4)及一控制中心(6)，該控制中心(6)係與該輸送模組(2)、該感測模組陣列(3)及該分選模組(4)耦接；其中，<br/>該輸送模組(2)將該紡織物件主體(T1)自該輸送模組(2)的一輸送前端輸送至該輸送模組(2)的一輸送末端，該輸送模組(2)包含一輸送帶(20)，該紡織物件主體(T1)在該輸送帶(20)的一輸送表面(21)上沿著該輸送帶(20)的一輸送方向(23)而被輸送，該輸送帶(20)的該輸送表面(21)係設置有複數個位置識別裝置(22)，該複數個位置識別裝置(22)係沿著該輸送帶(20)的該輸送方向(23)呈間隔設置，該複數個位置識別裝置(22)中的每一個該位置識別裝置(22)所代表的一位置資訊係不同於其他的該位置識別裝置(22)；<br/>該感測模組陣列(3)則設置鄰近於該輸送模組(2)的一側且位於該輸送前端與該輸送末端之間，該感測模組陣列(3)係包含至少一感測模組(30)，該至少一感測模組(30)具有一影像辨識模組(31)及一光譜辨識模組(32)，該影像辨識模組(31)及該光譜辨識模組(32)係分別與該控制中心(6)耦接，且該至少一感測模組(30)的數量為複數個，該複數個感測模組(30)係沿著該輸送帶(20)的該輸送方向(23)設置成一列而形成該感測模組陣列(3)；<br/>該影像辨識模組(31)包含至少一影像擷取元件(310)，該至少一影像擷取元件(310)與該控制中心(6)耦接，該控制中心(6)係包含有一處理模組(61)及一儲存模組(62)，該處理模組(61)係與該儲存模組(62)及該影像擷取元件(310)耦接，該影像辨識模組(31)或該控制中心(6)能夠辨識紡織物件主體(T1)的種類；該光譜辨識模組(32)包含一基座(321)、一反射集光器(322)、至少一個光源(323)、至少一個光學探頭(324)及至少一條光纖(325)，其中該反射集光器(322)設置於該基座(321)上，而該至少一個光源(323)與該至少一個光學探頭(324)設置於該反射集光器(322)上，該至少一條光纖(325)對應連接該至少一個光學探頭(324)，該至少一條光纖(325)係為該至少一個光學探頭(324)與一光譜儀(326)彼此連接的至少一部分，且該光譜儀(326)係與該處理模組(61)耦接，該光譜辨識模組(32)或該控制中心(6)能夠辨識出該紡織物件主體(T1)的材質並產生一主體材質資訊；每一個該光譜辨識模組(32)中的該至少一個光源(323)、該至少一個光學探頭(324)及該至少一條光纖(325)的數量係分別為複數個或複數條，每一條該光纖(325)係對應連接一個該光學探頭(324)，該複數個光學探頭(324)係彼此間隔設置且位於該反射集光器(322)之一內表面，該反射集光器(322)為中空半球形其內部形成一容置空間(S)且具有一開口(O)，該複數個光源(323)係彼此間隔設置於該反射集光器(322)之該內表面，任一個該光源(323)於該反射集光器(322)之該內表面係不與任一個該光源(323)重疊，且該複數條該光纖(325)於連接至該光譜儀(326)之前係先以一光纖整合模組(3250)整合成一條整合光纖(3251)後再經由一光纖陣列開關(327)之後以一共用光纖(328)連接至該光譜儀(326)；該光纖陣列開關(327)包含一開關切換模組(3270)及分別與該開關切換模組(3270)耦接之複數個光纖開關(3271)，每一條該整合光纖(3251)連接至該光譜儀(326)的路徑上係連接一個相對應的該光纖開關(3271)，通過每一個該光纖開關(3271)後的每一條該整合光纖(3251)係被整合成該共用光纖(328)而連接至該光譜儀(326)，該開關切換模組(3270)係與該處理模組(61)耦接且由該處理模組(61)通知該開關切換模組(3270)而控制每一個該光纖開關(3271)的一開啟狀態或一關閉狀態，該開啟狀態係指一光可通過而該關閉狀態係指該光不可通過；以及，<br/>該影像辨識模組(31)或該控制中心(6)能夠同時辨識出該輸送表面(21)上之該紡織物件主體(T1)及該紡織物件主體(T1)所對應之該位置識別裝置(22)，藉以該影像辨識模組(31)或該控制中心(6)能夠辨識出該紡織物件主體(T1)及其位於該輸送表面(21)上之該位置資訊為一紡織物件位置資訊，該分選模組(4)設置鄰近於該輸送模組(2)的該輸送末端，該分選模組(4)包含一機械手臂(41)，該分選模組(4)或該機械手臂(41)係與該處理模組(61)耦接；該感測模組(30)、該分選模組(4)或該控制中心(6)係依據該紡織物件主體(T1)的種類及該主體的材質資訊以產生該分選信號，該分選模組(4)或該處理模組(61)依據該分選信號及該紡織物件位置資訊通知該機械手臂(41)的複數個機械爪(411)夾取該紡織物件主體(T1)分選至該預定存放位置(E)。
如請求項1所述之具有光學雙模感測模組陣列之智動裝置，其中該複數個光學探頭(324)係彼此間隔設置且全部位於該反射集光器(322)之該內表面的一頂部。
如請求項1所述之具有光學雙模感測模組陣列之智動裝置，其中該複數個光學探頭(324)的一部分係設置於該反射集光器(322)之該內表面的一頂部，而該複數個光學探頭(324)的其餘部分係間隔設置於該反射集光器(322)之該內表面且鄰近於該開口(O)。
如請求項1所述之具有光學雙模感測模組陣列之智動裝置，其中該開口(O)係以一不透光板材(P)完全封閉且係將設置於該反射集光器(322)之該內表面的該複數個光源(323)移至該不透光板材(P)之一外表面並呈彼此間隔設置，該不透光板材(P)並以複數條輔助光纖(329)貫穿，該複數個光源(323)於該不透光板材(P)之該外表面的位置係與該複數條輔助光纖(329)的位置係為不同。
如請求項1所述之具有光學雙模感測模組陣列之智動裝置，其中該紡織物件(T)還包含一配件(T2)，該配件(T2)係配置於該紡織物件主體(T1)，該影像辨識模組(31)或該控制中心(6)能夠同時辨識出該輸送表面(21)上之該配件(T2)及該配件(T2)所對應之該位置識別裝置(22)，藉以該影像辨識模組(31)或該控制中心(6)能夠辨識出該配件(T2)及其位於該輸送表面(21)上之該位置資訊為一配件位置資訊；該具有光學雙模感測模組陣列之智動裝置(100)更包含一切割模組(5)，該切割模組(5)設置鄰近於該輸送模組(2)且設置鄰近於該感測模組陣列(3)的一陣列末端，該切割模組(5)係包含一能量件(50)，該能量件(50)係與該處理模組(61)耦接，該處理模組(61)或該能量件(50)基於該紡織物件位置資訊及該配件位置資訊，並以該配件位置資訊劃定一切割範圍(T3)，接著啟動該能量件(50)以一能量沿著該切割範圍(T3)而將該配件(T2)自該紡織物件主體(T1)分離，或者該能量件(50)以該能量直接破壞該配件(T2)。
一種具有光學雙模感測模組陣列之智動裝置，係用於辨識一紡織物件(T)的一紡織物件主體(T1)以產生一分選信號，再根據該分選信號對該紡織物件主體(T1)進行分選至一預定存放位置(E)，該具有光學雙模感測模組陣列之智動裝置(100)係包含至少一感測分選模組、一輸送模組(2)及一控制中心(6)，該至少一感測分選模組包含一感測模組(30)及一分選模組(4)，該分選模組(4)係可旋轉地設置於該感測模組(30)，該控制中心(6)係與該輸送模組(2)、該感測模組(30)及該分選模組(4)耦接；其中，<br/>該輸送模組(2)係將該紡織物件主體(T1)自該輸送模組(2)的一輸送前端輸送至該輸送模組(2)的一輸送末端，該至少一感測分選模組則設置鄰近於該輸送模組(2)的一側且位於該輸送前端與該輸送末端之間，該輸送模組(2)包含一輸送帶(20)，該紡織物件主體(T1)在該輸送帶(20)的一輸送表面(21)上沿著該輸送帶(20)的一輸送方向(23)而被輸送，該輸送帶(20)的該輸送表面(21)係設置有複數個位置識別裝置(22)，該複數個位置識別裝置(22)係沿著該輸送帶(20)的該輸送方向(23)呈間隔設置，該複數個位置識別裝置(22)中的每一個該位置識別裝置(22)所代表的一位置資訊係不同於其他的該位置識別裝置(22)；<br/>該感測模組(30)具有一影像辨識模組(31)及一光譜辨識模組(32)，該影像辨識模組(31)及該光譜辨識模組(32)係分別與該控制中心(6)耦接；該影像辨識模組(31)包含至少一影像擷取元件(310)，該控制中心(6)係包含有一處理模組(61)及一儲存模組(62)，該處理模組(61)係與該儲存模組(62)及該影像擷取元件(310)耦接，該影像辨識模組(31)或該控制中心(6)能夠辨識紡織物件主體(T1)的種類；該光譜辨識模組(32)包含一基座(321)、一反射集光器(322)、至少一個光源(323)、至少一個光學探頭(324)及至少一條光纖(325)，其中該反射集光器(322)設置於該基座(321)上，而該至少一個光源(323)與該至少一個光學探頭(324)設置於該反射集光器(322)上，該至少一條光纖(325)對應連接該至少一個光學探頭(324)，該至少一條光纖(325)係為該至少一個光學探頭(324)與一光譜儀(326)彼此連接的至少一部分，且該光譜儀(326)係與該處理模組(61)耦接，該光譜辨識模組(32)或該控制中心(6)能夠辨識出該紡織物件主體(T1)的材質並產生一主體材質資訊；該至少一個感測分選模組的數量為複數個，該複數個感測分選模組設置於該輸送帶(20)的上方側且沿著該輸送帶(20)的該輸送方向(23)呈間隔設置；每一個該光譜辨識模組(32)中的該至少一個光源(323)、該至少一個光學探頭(324)及該至少一條光纖(325)的數量係分別為複數個或複數條，每一條該光纖(325)係對應連接一個該光學探頭(324)，該複數個光學探頭(324)係彼此間隔設置且位於該反射集光器(322)之一內表面，該反射集光器(322)為中空半球形其內部形成一容置空間(S)且具有一開口(O)，該複數個光源(323)係彼此間隔設置於該反射集光器(322)之該內表面，任一個該光源(323)於該反射集光器(322)之該內表面係不與任一個該光源(323)重疊，且該複數條該光纖(325)於連接至該光譜儀(326)之前係先以一光纖整合模組(3250)整合成一條整合光纖(3251)後再經由一光纖陣列開關(327)之後以一共用光纖(328)連接至該光譜儀(326)；以及，該光纖陣列開關(327)包含一開關切換模組(3270)及分別與該開關切換模組(3270)耦接之複數個光纖開關(3271)，每一條該整合光纖(3251)連接至該光譜儀(326)的路徑上係連接一個相對應的該光纖開關(3271)，通過每一個該光纖開關(3271)後的每一條該整合光纖(3251)係被整合成該共用光纖(328)而連接至該光譜儀(326)，該開關切換模組(3270)係與該處理模組(61)耦接且由該處理模組(61)通知該開關切換模組(3270)而控制每一個該光纖開關(3271)的一開啟狀態或一關閉狀態，該開啟狀態係指一光可通過而該關閉狀態係指該光不可通過；<br/>該影像辨識模組(31)或該控制中心(6)能夠同時辨識出該輸送表面(21)上之該紡織物件主體(T1)及該紡織物件主體(T1)所對應之該位置識別裝置(22)，藉以該影像辨識模組(31)或該控制中心(6)能夠辨識出該紡織物件主體(T1)及其位於該輸送表面(21)上之該位置資訊為一紡織物件位置資訊，該分選模組(4)包含一機械手臂(41)與一旋轉座(42)，該旋轉座(42)係可旋轉地設置於該基座(321)上，該機械手臂(41)係可旋轉地設置於該旋轉座(42)上，該影像擷取元件(310)係設置於該機械手臂(41)的一側部，該機械手臂(41)的一頂端具有複數個機械爪(411)，該機械手臂(41)可藉由該複數個機械爪(411)夾取該紡織物件主體(T1)，該分選模組(4)或該處理模組(61)依據該紡織物件位置資訊通知該機械手臂(41)的該複數個機械爪(411)將該紡織物件主體(T1)拿至該光譜辨識模組(32)下方或該反射集光器(322)內部之該容置空間(S)以對該紡織物件主體(T1)進行辨識，該感測模組(30)、該分選模組(4)或該控制中心(6)係依據該紡織物件主體(T1)的種類及該主體的材質資訊以產生該分選信號，該分選模組(4)或該處理模組(61)依據該分選信號通知該機械手臂(41)的複數個機械爪(411)將該紡織物件主體(T1)分選至該預定存放位置(E)。
如請求項6所述之具有光學雙模感測模組陣列之智動裝置，其中該複數個光學探頭(324)係彼此間隔設置且全部位於該反射集光器(322)之該內表面的一頂部。
如請求項7所述之具有光學雙模感測模組陣列之智動裝置，該具有光學雙模感測模組陣列之智動裝置(100)更包含一進料模組(1)，該控制中心(6)係與該進料模組(1)耦接，該進料模組(1)設置鄰近於該輸送模組(2)的該輸送前端，該進料模組(1)係將該紡織物件(T)傾倒於一滾輪(11)的一滾輪表面(12)上，該滾輪表面(12)係設置有複數個鈎件(13)，該複數個鈎件(13)彼此係間隔設置，藉以當該滾輪(11)往該輸送模組(2)方向旋轉時，該複數個鈎件(13)能夠勾住該紡織物件(T)，並將該紡織物件(T)甩至或掉落至該輸送表面(21)而被輸送。
如請求項6所述之具有光學雙模感測模組陣列之智動裝置，其中該複數個光學探頭(324)的一部分係設置於該反射集光器(322)之該內表面的一頂部，而該複數個光學探頭(324)的其餘部分係間隔設置於該反射集光器(322)之該內表面且鄰近於該開口(O)。
如請求項6所述之具有光學雙模感測模組陣列之智動裝置，其中該開口(O)係以一不透光板材(P)完全封閉且係將設置於該反射集光器(322)之該內表面的該複數個光源(323)移至該不透光板材(P)之一外表面並呈彼此間隔設置，該不透光板材(P)並以複數條輔助光纖(329)貫穿，該複數個光源(323)於該不透光板材(P)之該外表面的位置係與該複數條輔助光纖(329)的位置係為不同。
一種可釋出香味的煙霧滅菌機，包含有：<br/> 一滅菌機本體，具有一霧化裝置、一可供裝填抗菌藥劑之容器及一出煙口，該霧化裝置用以將該容器中之抗菌藥劑霧化成一抗菌煙霧後自該出煙口排出；<br/> 一具有香味的香氛單元，可拆卸地組設於該出煙口上，該香氛單元具有一用以組設於該出煙口之接設端及一出口端，並於該香氛單元之內部形成有一連通該接設端及該出口端之通道，使自該出煙口排出之抗菌煙霧可經過該通道與該香氛單元散發之香味混合後，再由該出口端向外釋出，該香氛單元係以其接設端可拆卸地組設於該出煙口上，該香氛單元係由預先吸附有香水之多孔性材質製成一中空套管狀，使該香氛單元可依據其所吸附之香水種類而散發出特定香味。
如請求項1所述之可釋出香味的煙霧滅菌機，其中，該香氛單元可呈圓形套管狀、錐形套管狀、橫斷面呈C字形之中空套管狀或多邊形套管狀。
如請求項1所述之可釋出香味的煙霧滅菌機，其中，該接設端與該出煙口之間以相互插接、套接、螺接或快拆卡扣方式可拆卸地組設在一起。
如請求項1所述之可釋出香味的煙霧滅菌機，其中，該霧化裝置由一加熱式煙霧產生器構成，該霧化裝置透過其內部設置的一電熱型加熱器將抗菌藥劑加熱汽化成該抗菌煙霧。
如請求項1所述之可釋出香味的煙霧滅菌機，其中，該霧化裝置由一超音波霧化器所構成，該霧化裝置透過其內部設置的一超音波振盪片所產生之高頻音波將抗菌藥劑振盪成水霧狀粒子以構成該抗菌煙霧。
一種可釋出香味的煙霧滅菌機，包含有：<br/> 一滅菌機本體，具有一霧化裝置、一可供裝填抗菌藥劑之容器及一出煙口，該霧化裝置用以將該容器中之抗菌藥劑霧化成一抗菌煙霧後自該出煙口排出；<br/> 一具有香味的香氛單元，可拆卸地組設於該出煙口上，該香氛單元具有一用以組設於該出煙口之接設端及一出口端，並於該香氛單元之內部形成有一連通該接設端及該出口端之通道，使自該出煙口排出之抗菌煙霧可經過該通道與該香氛單元散發之香味混合後，再由該出口端向外釋出，該香氛單元由一連接件及一預先吸附有香水之擴香卡組成，該連接件係呈中空套管狀，使該連接件之兩端可分別構成有該接設端與該出口端，並於該連接件之內部形成有連通該接設端及該出口端之通道，該連接件係以其接設端可拆卸地組設於該出煙口上，另於該連接件上開設有一連通至該通道之插槽，且該擴香卡經由該插槽而相對插入於該通道中。
如請求項6所述之可釋出香味的煙霧滅菌機，其中，該接設端與該出煙口之間以相互插接、套接、螺接或快拆卡扣方式可拆卸地組設在一起。
一種熱軋鋼板，以質量%計，含有 <br/> C:0.030~0.110%、 <br/> Si:0.01~0.50%、 <br/> Mn:0.50~1.50%、 <br/> P:0.025%以下、 <br/> S:0.010%以下、 <br/> Al:0.010~0.070%、 <br/> N:0.0070%以下、 <br/> Ti:0.055~0.200%、 <br/> W:0.020~0.100%、 <br/> B:0.0010~0.0050%、 <br/> Nb:0~0.150%、 <br/> V:0~0.20%、及、 <br/> Cr:0~1.00%， <br/> 其餘部分由Fe及雜質組成， <br/> 顯微組織中，變韌肥粒體的面積率為85%以上， <br/> 從前述熱軋鋼板的表面起至板厚方向的深度0.2mm位置為止的表層區域中，藉由飛行時間型二次離子質量分析法檢出BO<sub>2</sub><sup>-</sup>的殘留沃斯田體粒界的總長度，每100μm×100μm單位中為0.80~5.00mm， <br/> 前述在殘留沃斯田體粒界的B偏析度為80以上。
如請求項1之熱軋鋼板，其中，以質量%計，含有選自由 <br/> Nb:0.001~0.150%、 <br/> V:0.01~0.20%、及 <br/> Cr:0.01~1.00% <br/>組成之群之1種以上。
一種熔融鍍鋅鋼板，具備 <br/> 請求項1或請求項2之熱軋鋼板、與 <br/> 形成於前述熱軋鋼板的表面上的熔融鋅系鍍覆層，其中，該熔融鋅系鍍覆層，以質量%計，含有65.00%以上的Zn。
一種可換鎖芯的鎖結構，包括: <br/> 一外殼，包含一殼座及結合在該殼座上的一面板，且該殼座具有一鎖筒； <br/> 一旋鈕，結合在該面板上，該旋鈕在伸入該面板的一端面設置有一卡掣塊； <br/> 一鎖芯，包含一鎖掣段、一結合段及位於該鎖掣段及該結合段之間的一連接段，該鎖掣段的端面設置有一卡掣槽，該鎖掣段透過該卡掣槽與該卡掣塊相互卡扣而定位，該鎖掣段伸入該鎖筒，且可卸離地扣合該卡掣塊，該結合段凸伸在該鎖筒外； <br/> 一定位塊，套合該連接段，並可卸離地鎖固在該鎖筒中；以及 <br/> 一鎖舌，可卸離地結合在該結合段上。
如請求項1所述之可換鎖芯的鎖結構，其更包括一限制片，該限制片設置在該定位塊及該鎖舌之間，並可卸離地結合在該結合段上。
如請求項2所述之可換鎖芯的鎖結構，其中該鎖筒在遠離該面板的一端面成型有一限制面，該限制片隨該鎖芯轉動，並可選擇地靠抵該限制面。
如請求項3所述之可換鎖芯的鎖結構，其中該定位塊的端面係齊平該鎖筒的端面，從而在該限制面的一側形成一旋轉空間。
如請求項3所述之可換鎖芯的鎖結構，其中該結合段具有一限位塊，該限制片設置有一限位孔，該限制片透過該限位孔套合該限位塊而定位在該結合段上。
如請求項1所述之可換鎖芯的鎖結構，其更包括一螺帽，該結合段設置有複數第一螺紋，該鎖舌透過該螺帽螺合該些第一螺紋而固定在該結合段上。
如請求項1所述之可換鎖芯的鎖結構，其中該定位塊的外緣面設置有複數第二螺紋，該鎖筒的內壁面設置有複數内螺紋，該定位塊透過該些第二螺紋螺合該些内螺紋而結合在該鎖筒內。
如請求項1所述之可換鎖芯的鎖結構，其中該定位塊設有一穿孔，該定位塊透過該穿孔套設該連接段。
如請求項1所述之可換鎖芯的鎖結構，其中該定位塊設有複數卡槽。
一種肋部具有內凹結構的板式球拍，包含：<br/>一肋部，該肋部具有一延伸方向，該肋部界定一對端面及至少一側面，該對端面沿該延伸方向間隔設置，該至少一側面上對應於該延伸方向設有一內凹結構，該內凹結構沿該延伸方向延展，該內凹結構界定一對邊緣，該對邊緣之間界定一內凹區域。
如請求項1所述之肋部具有內凹結構的板式球拍，其中，該對邊緣沿該延伸方向互不相交。
如請求項1所述之肋部具有內凹結構的板式球拍，其中，該對邊緣沿該延伸方向由互不相交轉為相交，並於相交處形成一交角，該交角為圓角、弧角、直角、銳角或鈍角。
如請求項1所述之肋部具有內凹結構的板式球拍，其中，該對邊緣沿該延伸方向由相交轉為互不相交，並於相交處形成一交角，該交角為圓角、弧角、直角、銳角或鈍角。
如請求項1所述之肋部具有內凹結構的板式球拍，其中，該內凹區域具有一第一方向，該第一方向與該延伸方向相交，該內凹區域在該第一方向上的一第一截面輪廓自外朝內由淺變深。
如請求項5所述之肋部具有內凹結構的板式球拍，其中，該內凹區域具有一第二方向，該第二方向與該延伸方向及該第一方向皆相交，該內凹區域在該第二方向上的一第二截面輪廓自外朝內深度一致或由淺變深。
如請求項1所述之肋部具有內凹結構的板式球拍，進一步包含：<br/>一框架；<br/>一手柄，連接於該框架；<br/>一核心，支撐於該框架內部，該核心包含多個該肋部；及<br/>至少一拍面，設置於該核心的一側。
如請求項7所述之肋部具有內凹結構的板式球拍，其中，該內凹結構設於任二相鄰或相接之該肋部各自的該至少一側面上。
如請求項7所述之肋部具有內凹結構的板式球拍，其中，該內凹結構設於與該至少一拍面相鄰或相接之該肋部的該至少一側面上。
如請求項1所述之肋部具有內凹結構的板式球拍，其中，該肋部為複合纖維結構，該複合纖維結構包含碳纖維、玻璃纖維、硼纖維、芳綸纖維其中之一或其組合，該肋部內具有一第一空間，該第一空間設有一第一發泡結構，該第一發泡結構包含乙烯/醋酸乙烯酯共聚物或閉孔聚氨酯，該肋部的該對邊緣和該內凹區域共同界定一第二空間，該第二空間設有一第二發泡結構，該第二發泡結構包含膨脹型聚氨酯。
一種膠結材，包含：<br/> 水泥；<br/> 爐石粉；及<br/> 水泥添加料，包含再生粉料，該再生粉料由球磨機研磨包含廢棄混凝土塊的營建廢棄物研磨製成，該再生粉料包含：<br/> 氧化鈣，及<br/> 二氧化矽，該氧化鈣的含量為3至35%，該二氧化矽的含量為大於等於30%，且該再生粉料之相對活性指數大於等於2%，該再生粉料的顆粒為球狀，該再生粉料之比表面積為不小於4000cm<sup>2</sup>/g且不大於8000cm<sup>2</sup>/g。
如請求項1所述的膠結材，其中，該水泥添加料還包含飛灰。
一種混凝土，由水、骨材，及如請求項1所述的膠結材混和製成，當該水泥添加料的比表面積大於4000cm<sup>2</sup>/g時，比表面積每增加500cm<sup>2</sup>/g，該混凝土的28天強度至少增加7kgf/cm<sup>2</sup>。
一種建築物，包含：<br/> 如請求項3所述的混凝土。
一種再生粉料的製造方法，是將一營建廢棄物經由球磨機研磨製成再生粉料，該營建廢棄物包含廢棄混凝土塊，及廢棄混和物，該再生粉料中的氧化鈣的含量為3至35%，二氧化矽的含量大於等於30%，且該再生粉料的相對活性指數大於2%，該再生粉料之比表面積為不小於4000cm<sup>2</sup>/g且不大於8000 cm<sup>2</sup>/g，用於取代飛灰作為混凝土中的膠結材的成分。
如請求項5所述的再生粉料的製造方法，其中，該廢棄混擬土塊的含量大於等於50%。
如請求項5所述的再生粉料的製造方法，其中，該廢棄混和物包含磚塊、磁磚、石材或玻璃。
一種電子裝置的製造方法，包括：<br/>形成多個電路走線於基板上；<br/>提供至少一個電子元件通過所述多個電路走線電連接一測試裝置；<br/>通過所述測試裝置施加一順向偏壓於所述至少一個電子元件，以根據所述至少一個電子元件所發出的光或者所述至少一個電子元件的熱特性來判斷所述至少一個電子元件為正常或損壞；以及<br/>運送被判斷為正常的所述至少一個電子元件至下一生產站點，其中所述至少一個電子元件由一逆向偏壓驅動以進行所述至少一個電子元件的電容調變功能。
如請求項1所述的電子裝置的製造方法，還包括：<br/>通過一偵測元件，偵測所述多個電路走線以及所述至少一個電子元件的熱特性，以判斷所述至少一個電子元件與所述多個電路走線之間的電連接是否正常。
如請求項2所述的電子裝置的製造方法，其中所述偵測元件為一紅外線顯像儀。
如請求項1所述的電子裝置的製造方法，還包括：<br/>修復被判斷為損壞的所述至少一個電子元件。
如請求項1所述的電子裝置的製造方法，還包括：<br/>提供一測試墊通過所述多個電路走線電連接所述至少一個電子元件以及所述測試裝置；以及<br/>施加所述順向偏壓於所述測試墊，以使所述至少一個電子元件根據所述順向偏壓來發光。
如請求項5所述的電子裝置的製造方法，還包括：<br/>在完成測試所述至少一個電子元件為正常之後，保留所述測試墊於所述基板上。
如請求項6所述的電子裝置的製造方法，還包括：<br/>通過所保留的所述測試墊，將一驅動電路鍵合於所述基板上。
如請求項5所述的電子裝置的製造方法，其中所述測試墊形成於所述基板上，所述製造方法還包括：<br/>在完成測試所述至少一個電子元件為正常或損壞之後，切割所述基板中設有所述測試墊的部分。
如請求項1所述的電子裝置的製造方法，還包括：<br/>提供另一電子元件通過所述多個電路走線電連接所述至少一個電子元件；以及<br/>通過一偵測元件，偵測所述另一電子元件所發射的光，以判斷所述至少一個電子元件為正常或損壞。
如請求項9所述的電子裝置的製造方法，其中所述至少一個電子元件用以發出具有一第一波長的光，並且所述另一電子元件用以發出具有不同於所述第一波長的一第二波長的光。
一種晶片封裝體，包括：<br/> 一基底，具有一第一表面及相對於該基底的該第一表面的一第二表面，其中該基底為一半導體基底，且具有一感測區鄰近於該基底的該第二表面； <br/> 一介電層，具有一第一表面及相對於該介電層的該第一表面的一第二表面，其中該介電層的該第一表面鄰接於該基底的該第二表面；以及<br/> 一光學部件，位於該介電層的該第二表面上，且對準於該感測區；<br/> 其中該基底具有一側壁表面自該基底的該第一表面沿一方向延伸至該基底的該第二表面，該介電層的該第一表面的寬度小於該基底的該第一表面的寬度而不大於該基底的該第二表面的寬度，且該介電層具有一傾斜側壁表面。
如請求項1之晶片封裝體，其中該基底具有一實質上垂直側壁表面。
如請求項2之晶片封裝體，其中該介電層的該傾斜側壁表面為一乾式或濕式蝕刻表面，且該基底的該實質上垂直側壁表面為一鋸切表面。
如請求項1之晶片封裝體，其中該基底具有一傾斜側壁表面，且該介電層的該第一表面的寬度小於該基底的該第二表面的寬度。
如請求項4之晶片封裝體，其中該介電層具有一開口露出該基底的該第二表面，且其中該開口鄰近於該介電層的該傾斜側壁表面，且環繞該感測區。
如請求項1之晶片封裝體，其中該介電層的該第一表面的寬度大於該介電層的該第二表面的寬度。
一種晶片封裝體，包括：<br/> 一基底，具有一第一表面及相對於該基底的該第一表面的一第二表面，其中該基底為一半導體基底，且具有一感測區鄰近於該基底的該第一表面； <br/> 一介電層，具有一第一表面及相對於該介電層的該第一表面的一第二表面，且該介電層的該第一表面鄰接於該基底的該第二表面；以及<br/> 一光學部件，位於該基底的該第一表面上，且對準於該感測區；<br/> 其中該基底具有一第一傾斜側壁表面，且該介電層具有一第二傾斜側壁表面實質上對準於該第一傾斜側壁表面，且其中該第一傾斜側壁表面與該第二傾斜側壁表面沿同一方向延伸，且環繞該光學部件及該感測區。
如請求項7之晶片封裝體，其中該基底的該第二表面的寬度大於該基底的該第一表面的寬度，且小於該介電層的該第二表面的寬度。
如請求項7之晶片封裝體，其中該第一傾斜側壁表面及該第二傾斜側壁表面為乾式或濕式蝕刻表面。
如請求項8之晶片封裝體，更包括一承載基底，鄰接於該介電層的該第二表面。
如請求項10之晶片封裝體，其中該承載基底具有一實質上垂直側壁表面，且該承載基底的寬度大於該介電層的該第二表面的寬度。
如請求項11之晶片封裝體，其中該實質上垂直側壁表面為鋸切表面。
如請求項10之晶片封裝體，其中該承載基底具有一第三傾斜側壁表面實質上對準於該第二傾斜側壁表面，且其中該第三傾斜側壁表面與該第二傾斜側壁表面沿同一方向延伸。
如請求項10之晶片封裝體，其中一開口自該基底的該第一表面延伸至該介電層的該第二表面，以露出該承載基底，且其中該開口鄰近於該第一傾斜側壁表面及該第二傾斜側壁表面且環繞該感測區。
一種晶片封裝體，包括：<br/> 一第一晶片，包括：<br/> 一第一基底，具有一第一表面及相對於該第一基底的第一表面的一第二表面，其中該第一基底為一半導體基底，且具有一感測區鄰近於該基底的該第一表面；<br/> 一第一介電層，具有一第一表面及相對於該第一介電層的該第一表面的一第二表面，且該第一介電層的該第一表面鄰接於該第一基底的該第二表面；以及<br/> 一光學部件，位於該第一基底的該第一表面上，且對準於該感測區；以及<br/> 一第二晶片，疊置於該第一晶片下方；<br/> 其中該第一基底具有一第一傾斜側壁表面，且該第一介電層具有一第二傾斜側壁表面實質上對準於該第一傾斜側壁表面，且其中該第一傾斜側壁表面與該第二傾斜側壁表面沿同一方向延伸，且環繞該光學部件及該感測區。
如請求項15之晶片封裝體，其中該第一基底的該第二表面的寬度大於該第一基底的該第一表面的寬度，且小於該第一介電層的該第二表面的寬度。
如請求項15之晶片封裝體，其中該第二晶片包括：<br/> 一第二基底，具有一第一表面及相對於該第二基底的該第一表面的一第二表面；以及<br/> 一第二介電層，具有一第一表面及相對於該第二介電層的該第一表面的一第二表面，且該第二介電層的該第一表面及該第二表面分別鄰接於該第二基底的該第二表面及該第一介電層的該第二表面；<br/> 其中該第二基底具有一實質上垂直側壁表面，且該第二基底的寬度大於該第二介電層的該第二表面的寬度，其中該第二介電層具有一第三傾斜側壁表面實質上對準於該第二傾斜側壁表面，且其中該第三傾斜側壁表面與該第二傾斜側壁表面沿同一方向延伸。
如請求項17之晶片封裝體，其中該實質上垂直側壁表面為鋸切表面。
如請求項15之晶片封裝體，其中該第二晶片包括：<br/> 一第二基底，具有一第一表面及相對於該第二基底的該第一表面的一第二表面；以及<br/> 一第二介電層，具有一第一表面及相對於該第二介電層的該第一表面的一第二表面，且該第一介電層的該第一表面及該第二表面分別鄰接於該第二基底的該第二表面及該第一介電層的該第二表面；<br/> 其中該第二介電層及該第二基底分別具有一第三傾斜側壁表面及一第四傾斜側壁表面，且該第一、該第二、該第三及該第四傾斜側壁表面實質上彼此對準且沿同一方向延伸。
如請求項19之晶片封裝體，其中一開口自該第一基底的該第一表面延伸至該第二介電層的該第一表面，以露出該第二基底的該第二表面，且其中該開口鄰近於該第一、該第二及該第三傾斜側壁表面且環繞該感測區。
如請求項19之晶片封裝體，其中該第二介電層的該第一表面的寬度大於該第一介電層的該第二表面的寬度且小於該第二基底的該第一表面的寬度。
如請求項15之晶片封裝體，其中該第一晶片包括一影像感測裝置。
如請求項15之晶片封裝體，其中該第二晶片為一特定應用積體電路晶片、一記憶體晶片或一系統級晶片。
一種預燒結片結構，包括：<br/> 至少一預燒結片；以及<br/> 至少一奈米孿晶層，設置在所述預燒結片上，<br/> 其中所述至少一預燒結片包括一第一預燒結片及一第二預燒結片，且一金屬導電片夾設於所述第一預燒結片與所述第二預燒結片之間，<br/> 所述至少一奈米孿晶層包括：<br/> 一第三奈米孿晶層，設置在所述第一預燒結片的相對於所述金屬導電片的一側；以及<br/> 一第四奈米孿晶層，設置在所述第二預燒結片的相對於所述金屬導電片的一側。
如請求項1所述之預燒結片結構，其中所述金屬導電片包括銅片、鎳片、銀片、或金箔。
如請求項1所述之預燒結片結構，其中所述金屬導電片的厚度為10微米至100微米。
如請求項1所述之預燒結片結構，其中所述預燒結片包括銀粒子或銅粒子。
如請求項1所述之預燒結片結構，其中所述預燒結片的厚度為10微米至100微米。
如請求項1所述之預燒結片結構，其中所述奈米孿晶層包括銀、銅、或銀銅合金。
如請求項1所述之預燒結片結構，其中所述奈米孿晶層的厚度為0.1微米至100微米。
如請求項1所述之預燒結片結構，其中所述奈米孿晶層包括一平行排列孿晶界，所述平行排列孿晶界的間距為1奈米至50奈米，且於所述奈米孿晶層的一截面金相圖中，所述平行排列孿晶界佔總晶界50%以上。
一種預燒結片結構的製造方法，包括：<br/> 提供至少一預燒結片；以及<br/> 形成至少一奈米孿晶層在所述預燒結片上，<br/> 其中所述至少一預燒結片包括一第一預燒結片及一第二預燒結片，所述預燒結片結構的製造方法更包括：<br/> 提供一金屬導電片；<br/> 將所述第一預燒結片及所述第二預燒結片接合到所述金屬導電片的相對兩側；以及<br/> 將一第三奈米孿晶層形成在所述第一預燒結片的相對於所述金屬導電片的一側，且將一第四奈米孿晶層形成在所述第二預燒結片的相對於所述金屬導電片的一側。
如請求項9所述之預燒結片結構的製造方法，其中所述預燒結片是利用塗佈製程及預燒結製程接合到所述金屬導電片上。
如請求項9所述之預燒結片結構的製造方法，其中所述奈米孿晶層是利用電鍍、濺鍍或蒸鍍形成。
一種顯示面板，包括： <br/>一電路基板，定義有多個畫素區域； <br/>一圖案化結構層，配置在該電路基板上而區隔該些畫素區域，並且形成分別對應該些畫素區域的多個容置空間； <br/>多個微型發光晶片，連接該電路基板，並且對應該些畫素區域而分別配置於該些容置空間； <br/>多個屈光球體，設置於該些微型發光晶片遠離該電路基板的一側，且各該屈光球體分別容置於該些容置空間的其中之一，其中各該屈光球體具有一球面，該球面在朝向對應的該微型發光晶片的一側與該微型發光晶片具有一距離，且該距離隨著該球面的中心往該球面的邊緣增加；以及 <br/>一填充層，其中在平行於該電路基板的表面的方向上，該填充層填充於該圖案化結構層與各該屈光球體之間，且該填充層的材料、該圖案化結構層的材料以及該些屈光球體的材料均相異。
如請求項1所述的顯示面板，其中各該屈光球體直接接觸對應的該微型發光晶片。
如請求項1所述的顯示面板，其中在垂直於該電路基板的表面的方向上，該填充層至少填充於各該屈光球體與對應的該微型發光晶片之間。
如請求項1所述的顯示面板，更包括一透光基板，設置於該些微型發光晶片遠離該電路基板的一側，且該圖案化結構層連接該透光基板。
如請求項4所述的顯示面板，更包括一光學膠層，設置於該圖案化結構層以及該些微型發光晶片之間。
如請求項5所述的顯示面板，更包括一平坦層，覆蓋該些微型發光晶片，且該平坦層設置於該光學膠層與該電路基板之間。
如請求項4所述的顯示面板，其中各該屈光球體直接接觸該透光基板。
如請求項4所述的顯示面板，其中在垂直於該電路基板的表面的方向上，該填充層填充於各該屈光球體與該透光基板之間。
如請求項1所述的顯示面板，其中該填充層為透光材料，且至少設置於各該球面遠離對應的該微型發光晶片的一側。
如請求項9所述的顯示面板，其中該圖案化結構層為透光材料，且該填充層的折射率小於該圖案化結構層的折射率。
如請求項1所述的顯示面板，其中該圖案化結構層為一光反射層、一光吸收層或一透光層。
如請求項1所述的顯示面板，其中在垂直於該電路基板的表面的方向的視角上，該圖案化結構層共形地圍繞該些屈光球體。
如請求項1所述的顯示面板，其中該些微型發光晶片各具有平行該電路基板的一發光層，在平行於該電路基板的表面的方向上，至少一部分的該發光層的幾何中心相對該微型發光晶片的幾何中心具有一第一偏移量，並且相對該容置空間的幾何中心具有一第二偏移量，且該第一偏移量大於該第二偏移量。
一種顯示面板的製造方法，包括： <br/>提供多個屈光球體，該些屈光球體具有不同尺寸； <br/>提供一第一篩選單元以及一第二篩選單元，該第一篩選單元具有一第一篩選尺寸，該第二篩選單元具有大於或等於該第一篩選尺寸的一第二篩選尺寸； <br/>置入該些屈光球體至該第一篩選單元，以得到一部分具有該第一篩選尺寸以上的該些屈光球體； <br/>提供一載板，並將該第二篩選單元與該載板結合，以使該第二篩選單元在該載板上形成多個容置空間；以及 <br/>置入具有該第一篩選尺寸以上的該些屈光球體至該第二篩選單元，使該些屈光球體經由該第二篩選單元進入該些容置空間。
如請求項14所述的顯示面板的製造方法，其中該第二篩選單元為一圖案化結構層。
如請求項15所述的顯示面板的製造方法，其中在將該第二篩選單元與該載板結合的步驟中，該第二篩選單元塗佈形成於該載板，且該第二篩選尺寸經由圖案化製程形成。
如請求項16所述的顯示面板的製造方法，其中該載板為一電路基板，該電路基板具有對應該些容置空間的多個畫素區域，各該畫素區域設有至少一微型發光晶片，且該第二篩選單元經由圖案化製程而暴露該些微型發光晶片。
如請求項16所述的顯示面板的製造方法，其中該載板為一透光基板，且該顯示面板的製造方法更包括： <br/>提供一電路基板；以及 <br/>在該些屈光球體進入該些容置空間之後，封閉該些屈光球體於該透光基板以及該電路基板之間。
如請求項14所述的顯示面板的製造方法，更包括： <br/>向該些容置空間提供一填充層，使該填充層被填充於該些屈光球體、該第二篩選單元以及該載板之間。
如請求項19所述的顯示面板的製造方法，其中該些容置空間的至少一部分為彼此相連，且該填充層在相連的該些容置空間內也為一體相連。
如請求項19所述的顯示面板的製造方法，其中該填充層與該第二篩選單元均為透光材料，且該填充層的折射率小於該第二篩選單元的折射率。
如請求項14所述的顯示面板的製造方法，更包括： <br/>提供一振盪單元；以及 <br/>在該些屈光球體被置入該第一篩選單元或該第二篩選單元時，啟動該振盪單元，使該振盪單元作用於該第一篩選單元或該第二篩選單元。
如請求項14所述的顯示面板的製造方法，其中該載板為一電路基板，該電路基板具有對應該些容置空間的多個畫素區域，各該畫素區域設有至少一微型發光晶片，且該顯示面板的製造方法更包括： <br/>提供一第三篩選單元，其具有大於該第二篩選尺寸的一第三篩選尺寸； <br/>將該第二篩選單元與該載板置入該第三篩選單元；以及 <br/>提供一回收單元，並設置該回收單元於該第三篩選單元的一側以回收未進入該些畫素區域的該些屈光球體。
一種可雙向驅動的緩衝器，其具有：<br/> 一第一端及一第二端；<br/> 一第一閘控緩衝電路，具有一第一邏輯單元、一第一緩衝電路、一第一輸入端、一第一對控制端及一第一輸出端，該第一輸入端耦接該第一端，該第一對控制端耦接互補之一第一控制信號及一第二控制信號，且該第一輸出端耦接該第二端，該第一邏輯單元具有一輸入端、二控制端及二輸出端，該輸入端耦接該第一輸入端，該二控制端耦接該第一對控制端；該第一緩衝電路具有二輸入端及一輸出端，該二輸入端耦接該第一邏輯單元之該二輸出端，該輸出端耦接該第一輸出端；以及<br/> 一第二閘控緩衝電路，具有一第二邏輯單元、一第二緩衝電路、一第二輸入端、一第二對控制端及一第二輸出端，該第二輸入端耦接該第二端，該第二對控制端耦接該第二控制信號及該第一控制信號，且該第二輸出端耦接該第一端，該第二邏輯單元具有一輸入端、二控制端及二輸出端，該輸入端耦接該第二輸入端，該二控制端耦接該第二對控制端；該第二緩衝電路具有二輸入端及一輸出端，該二輸入端耦接該第二邏輯單元之該二輸出端，該輸出端耦接該第二輸出端；<br/> 其中，當該第一控制信號為高準位且該第二控制信號為低準位時：該第一邏輯單元之該二輸出端呈現該第一端之該邏輯信號之反相準位，且該第一緩衝電路之該輸出端呈現該第一端之該邏輯信號之非反相準位；及該第二邏輯單元之該二輸出端分別呈現高準位及低準位以禁能該第二緩衝電路而使該第二緩衝電路之該輸出端呈現高阻抗；以及<br/> 當該第一控制信號為低準位且該第二控制信號為高準位時：該第二邏輯單元之該二輸出端呈現該第二端之該邏輯信號之反相準位，且該第二緩衝電路之該輸出端呈現該第二端之該邏輯信號之非反相準位；及該第一邏輯單元之該二輸出端分別呈現高準位及低準位以以禁能該第一緩衝電路而使該第一緩衝電路之該輸出端呈現高阻抗。
一種電子晶片，用以對一顯示面板進行顯示驅動，且內含複數個源極驅動模塊；其特徵在於，各所述源極驅動模塊皆具有至少一可雙向驅動的緩衝器，且該可雙向驅動的緩衝器包括：<br/> 一第一端及一第二端；<br/> 一第一閘控緩衝電路，具有一第一邏輯單元、一第一緩衝電路、一第一輸入端、一第一對控制端及一第一輸出端，該第一輸入端耦接該第一端，該第一對控制端耦接互補之一第一控制信號及一第二控制信號，且該第一輸出端耦接該第二端，該第一邏輯單元具有一輸入端、二控制端及二輸出端，該輸入端耦接該第一輸入端，該二控制端耦接該第一對控制端；該第一緩衝電路具有二輸入端及一輸出端，該二輸入端耦接該第一邏輯單元之該二輸出端，該輸出端耦接該第一輸出端；以及<br/> 一第二閘控緩衝電路，具有一第二邏輯單元、一第二緩衝電路、一第二輸入端、一第二對控制端及一第二輸出端，該第二輸入端耦接該第二端，該第二對控制端耦接該第二控制信號及該第一控制信號，且該第二輸出端耦接該第一端，該第二邏輯單元具有一輸入端、二控制端及二輸出端，該輸入端耦接該第二輸入端，該二控制端耦接該第二對控制端；該第二緩衝電路具有二輸入端及一輸出端，該二輸入端耦接該第二邏輯單元之該二輸出端，該輸出端耦接該第二輸出端；<br/> 其中，當該第一控制信號為高準位且該第二控制信號為低準位時：該第一邏輯單元之該二輸出端呈現該第一端之邏輯信號之反相準位，且該第一緩衝電路之該輸出端呈現該第一端之該邏輯信號之非反相準位；及該第二邏輯單元之該二輸出端分別呈現高準位及低準位以禁能該第二緩衝電路而使該第二緩衝電路之該輸出端呈現高阻抗；以及<br/> 當該第一控制信號為低準位且該第二控制信號為高準位時：該第二邏輯單元之該二輸出端呈現該第二端之邏輯信號之反相準位，且該第二緩衝電路之該輸出端呈現該第二端之該邏輯信號之非反相準位；及該第一邏輯單元之該二輸出端分別呈現高準位及低準位以禁能該第一緩衝電路而使該第一緩衝電路之該輸出端呈現高阻抗。
如請求項2所述之電子晶片，其中，該電子晶片為選自於由顯示驅動晶片和觸控顯示驅動整合(touch and display driver integration, TDDI)晶片所組成群組之中的任一者。
一種資訊處理裝置，具有至少一個顯示裝置，其特徵在於，該顯示裝置具有一顯示面板與至少一個如請求項2至請求項3之中任一項所述之電子晶片。
一種高比重石膏硬化體，係於內部填充有石膏原石粒子的高比重石膏硬化體，其特徵為， <br/>其為由含有包含熟石膏與水之熟石膏漿、以及石膏原石粒子的混合物所構成的板狀成形品，該成形品的乾燥比重係1.46以上且1.9以下； <br/>上述石膏原石粒子係依含有粒度篩上殘留之粒度為0.3mm以上、且上述板狀成形品厚度之0.3倍以下大小之粒子的方式經篩分之粒度者。
如請求項1之高比重石膏硬化體，其中，上述成形品厚度之0.3倍以下大小的石膏原石粒子，係粒度為3mm以下。
如請求項1或2之高比重石膏硬化體，其中，上述成形品中，上述石膏原石粒子的填充率係15體積%以上且60體積%以下。
如請求項1或2之高比重石膏硬化體，其中，上述熟石膏係β型半水石膏。
如請求項1或2之高比重石膏硬化體，其中，上述石膏原石粒子係從無水石膏粒子及二水石膏粒子中選擇之至少任一者。
如請求項1或2之高比重石膏硬化體，其中，上述成形品的壓縮強度係25MPa以上。
如請求項6之高比重石膏硬化體，其中，上述壓縮強度係與上述乾燥比重的平方成比例。
如請求項1或2之高比重石膏硬化體，其中，將上述成形品加熱至700℃後，再冷卻至常溫時的體積變化率係25%以下。
如請求項1或2之高比重石膏硬化體，其中，經煅燒的上述成形品係成為可作為熟石膏回收再生的材料。
如請求項1或2之高比重石膏硬化體，其中，在上述石膏原石粒子的所有劈裂面中，無間隙地填充源自上述熟石膏漿的針狀結晶。
如請求項1或2之高比重石膏硬化體，其中，上述石膏原石粒子係更進一步含有超過上述成形品厚度之0.3倍的粗粒。
如請求項1或2之高比重石膏硬化體，其中，上述石膏原石粒子係更進一步含有粒度超過3mm的粗粒。
一種高比重石膏硬化體之製造方法，係用於獲得於內部填充有石膏原石粒子、且乾燥比重為1.46以上且1.9以下之高比重石膏硬化體的高比重石膏硬化體之製造方法，其特徵在於包括有： <br/>朝上述石膏原石的粒子表面噴射陰離子性界面活性劑或非離子性界面活性劑之0.1~3.0%溶液之其中一部分，而使其潤濕的步驟； <br/>在熟石膏粉末中添加上述陰離子性界面活性劑或非離子性界面活性劑之0.1~3.0%溶液之剩餘其中一部分或全部，或添加上述溶液之剩餘其中一部分或全部與水，或添加水，進行混合成為熟石膏漿的步驟； <br/>將在作成為該熟石膏漿的步驟所獲得、且開始硬化前的熟石膏漿其中一部分，與上述石膏原石粒子進行混合，而獲得預混合漿的預混合步驟； <br/>將在該預混合步驟所獲得之預混合漿、與上述預混合步驟中使用後剩餘的熟石膏漿進行混合，而獲得混合漿的混合步驟； <br/>將在該混合步驟所獲得之混合漿流入至成形用構件中的流入步驟；以及 <br/>使在該流入步驟流入的上述混合漿靜置而硬化的硬化步驟。
如請求項13之高比重石膏硬化體之製造方法，其中，上述成形用構件係模框，包括以下步驟：在該模框中流入上述混合漿之前，在形成為利用第1表面材覆蓋上述模框內面的狀態後，將上述混合漿流入至模框而填充，再於已填充上述混合漿的模框開口部覆蓋第2表面材。
如請求項13或14之高比重石膏硬化體之製造方法，其中，上述高比重石膏硬化體係板狀成形品； <br/>上述石膏原石粒子係使用含有粒度篩上殘留之粒度為0.3mm以上、且上述成形品厚度之0.3倍以下大小之粒子的經篩分之粒度者的石膏原石粒子。
如請求項13或14之高比重石膏硬化體之製造方法，其中，上述石膏原石粒子係依粒度篩上殘留之粒度為0.3mm以上、且粒度成為3mm以下的方式經利用粒度篩進行篩分的粒度者。
一種由一使用者設備（UE）（504）進行的無線通訊的方法（800），包括以下步驟：<br/> 從一基地台（502）接收（802）與一上行鏈路取消指示（ULCI）的一第一區塊（606）相關聯的一第一配置，其中該第一配置與一細胞中的一補充上行鏈路（SUL）載波或一非補充上行鏈路（NUL）載波中的至少一個相關聯；<br/> 決定（804）與該ULCI的一第二區塊（608）相關聯的一第二配置，其中該第二配置與該細胞中的該SUL載波相關聯且是基於從該基地台所接收的該第一配置來決定的；及<br/> 基於該第一配置和一第二配置來監測（806）該ULCI。
根據請求項1之方法（800），其中該ULCI是基於從該基地台（502）所接收的一無線電資源控制（RRC）參數而基於該第二配置來監測的。
一種由一基地台（502）進行的無線通訊的方法（900），包括以下步驟：<br/> 向一使用者設備（UE）（504）發送（902）與一上行鏈路取消指示（ULCI）的一第一區塊（606）相關聯的一第一配置，其中該第一配置與一細胞中的一補充上行鏈路（SUL）載波或一非補充上行鏈路（NUL）載波中的至少一個相關聯；及<br/> 使用與該ULCI的一第二區塊（608）相關聯的一第二配置來配置該UE（904），其中該第二配置與該細胞中的該SUL載波相關聯且是基於發送至該UE（504）的該第一配置的。
根據請求項1或3之方法（800、900），其中該第二配置包括發送至該UE（504）且與該SUL載波相關聯的無線電資源控制（RRC）參數。
根據請求項4之方法（800、900），其中該第一配置包括指示與該第一區塊相關聯的一第一位元數量的一NUL大小參數，及對與該第一區塊（606）相關聯的時頻資源的一NUL指示；且其中該第二配置包括指示與該第二區塊相關聯的一第二位元數量的一SUL取消指示（CI）有效負荷大小參數，及對與該第二區塊相關聯的時頻資源的一SUL指示。
根據請求項5之方法（800、900），其中該SUL CI有效負荷大小參數和該SUL指示是與該NUL大小參數和該NUL指示分開的RRC參數，或者，其中該第一配置及該第二配置被配置在一相同的RRC參數下。
根據請求項1或3之方法（800、900），<br/> 其中該第一配置包括指示與該第一區塊相關聯的一第一位元數量的一NUL大小參數；<br/> 其中該第二配置包括指示與該第二區塊相關聯的一第二位元數量的一SUL取消指示（CI）有效負荷大小參數；及<br/> 其中該SUL CI有效負荷大小參數與該NUL大小參數相同。
根據請求項1或3之方法（800、900），其中該第二配置包括一SUL頻率資源集合，且該SUL頻率資源集合包括該SUL上的一頻寬部分（BWP）或該SUL的一頻寬中的一項。
根據請求項1或3之方法（800、900），<br/> 其中該第一配置包括以下至少一者：一NUL時域細微性、對該NUL上的上行鏈路取消優先順序的一第一指示或對與該第一區塊相關聯的NUL時域資源的一第一指示；<br/> 其中該第二配置包括以下一相應的至少一者：一SUL時域細微性、對該SUL上的上行鏈路取消優先順序的一第二指示或對與該第二區塊相關聯的SUL時域資源的一第二指示；及<br/> 其中該NUL時域細微性與該SUL時域細微性相同，該NUL上的該上行鏈路取消優先順序與該SUL上的該上行鏈路取消優先順序相同，且該等NUL時域資源的一NUL持續時間與該等SUL時域資源的一SUL持續時間相同。
根據請求項9之方法（800、900），<br/> 其中當該UE的一ULCI監測週期為至少一個時槽時，該SUL持續時間等於該ULCI監測週期；及<br/> 其中當該ULCI監測週期小於一個時槽時，該SUL持續時間等於一經配置的符號數量。
根據請求項3之方法（900），進一步包括以下步驟：<br/> 當與該SUL載波相關聯的無線電資源控制（RRC）參數被該基地台配置時，配置（906）該UE（504）以從該等RRC參數來決定該第二配置；及<br/> 當該等RRC參數未被配置時，配置（908）該UE以基於該第一配置來決定該第二配置。
根據請求項11之方法（900），其中與該SUL載波相關聯的該等RRC參數包括以下至少一者：一頻域資源集合、一位元數量、時域資源的一總持續時間、一時域細微性，或一上行鏈路取消優先順序。
一種用於由一使用者設備（UE）（504）進行的無線通訊的裝置（1000），包括：<br/> 用於從一基地台（502）接收（1030）與一上行鏈路取消指示（ULCI）的一第一區塊（606）相關聯的一第一配置的構件，其中該第一配置與一細胞中的一補充上行鏈路（SUL）載波或一非補充上行鏈路（NUL）載波中的至少一個相關聯；<br/> 用於決定（1040）與該ULCI的一第二區塊（608）相關聯的一第二配置的構件，其中該第二配置與該細胞中的該SUL載波相關聯且是基於從該基地台所接收的該第一配置來決定的；及<br/> 用於基於該第一配置和一第二配置來監測該ULCI的構件。
一種由一基地台（502）進行的無線通訊的裝置（1100），包括：<br/> 用於向一使用者設備（UE）（504）發送（1134）與一上行鏈路取消指示（ULCI）的一第一區塊（606）相關聯的一第一配置的構件，其中該第一配置與一細胞中的一補充上行鏈路（SUL）載波或一非補充上行鏈路（NUL）載波中的至少一個相關聯；及<br/> 用於使用與該ULCI的一第二區塊（608）相關聯的一第二配置來配置該UE的構件，其中該第二配置與該細胞中的該SUL載波相關聯且是基於該第一配置的。
一種儲存電腦可執行代碼的電腦可讀取媒體，該代碼在由一處理器執行時使得該處理器執行根據請求項1至12之任一項所述之方法（800、900）。
一種渦輪風壓式筆記型電腦散熱墊裝置，其主要包含一散熱墊主體(1)、一組旋動支撐架(2)、一組旋動彈性卡扣擋板(3)、一渦輪風扇(5)、一導氣盤(4)、一主電路板(6)、一軟性氣密墊(7)、一LED導光板(8)及一拆卸式濾網組(9)；<br/> 上述散熱墊主體(1)，由一散熱墊槽形底座(11)及一散熱墊上蓋(12)組成，該散熱墊槽形底座(11)底部設有一進氣孔(111)，並於該散熱墊槽形底座(11)背面底部前緣兩側各設有一組軸式固定之旋轉腳座(112)，該散熱墊上蓋(12)，其朝上面處設有一凹槽(121)，並於對應於散熱墊槽形底座(11)進氣孔(111)處，設有複數透氣孔(122)，另於散熱墊上蓋(12)朝上面上述凹槽(121)內之前緣兩端處，設有一成組對稱之旋動支撐架(2)，而於該散熱墊上蓋(12)朝上面近使用端緣兩側，軸式固定一組旋動彈性卡扣擋板(3)；<br/> 該散熱墊主體(1)內之容納空間處，固設有一導氣盤(4)、一渦輪風扇(5)及一主電路板(6)；<br/> 該導氣盤(4)係固定於上述散熱墊槽形底座(11)上方；<br/> 該渦輪風扇(5)，係對應於上述散熱墊槽形底座(11)之進氣孔(111)處位於導氣盤(4)上方固設；<br/> 該主電路板(6)，設置於散熱墊主體(1)內適當處；<br/> 上述軟性氣密墊(7)，其對應於散熱墊上蓋(12)之凹槽(121)處，呈一中空狀(71)，軟性氣密墊(7)固定於散熱墊上蓋(12)之凹槽(121)上方外緣；<br/> 上述LED導光板(8)，係固定於散熱墊主體(1)外緣一側，其並與主電路板(6)電性連接，其目的係增進本發明散熱墊之(RGB)眩光效果；<br/> 上述拆卸式濾網組(9)，包含一防塵蓋(91)、一過濾網(92)及一壓板(93)，供使用者可隨時自行拆卸清除飛塵並復位；<br/> 本發明於電玩專用筆記型電腦(G)使用時，將其直接置於散熱墊主體(1)上方，並將散熱墊主體(1)之旋動彈性卡扣擋板(3)旋動升起定位並以其上方之卡扣板(321)壓合彈性卡扣該電玩專用筆記型電腦(G)下端，並使其底部與散熱墊上蓋(12)之凹槽(121)上方槽緣之軟性氣密墊(7)緊密貼合，若於一般或小尺寸筆記型電腦(N)使用時，可將散熱墊主體(1)之旋動支撐架(2)及旋動卡扣擋板(3)旋動升起定位，使一般或小尺寸筆記型電腦 (N)置放於散熱墊主體(1)上方時，使其底部與散熱墊主體(1)凹槽(121)上槽緣之軟性氣密墊(7)間產生適當通氣間隙(72)，據以供電玩專用筆記型電腦(G)及一般或小尺寸筆記型電腦(N)共通使用，並達到良好散熱效果。
如請求項1所述渦輪風壓式筆記型電腦散熱墊裝置，其中各別旋動彈性卡扣擋板(3)，係由一主擋板(31)及一副擋板(32)組成，該主擋板(31)腹側設有一滑槽(311)，而副擋板(32)上方具有一卡扣板(321)，利用上述滑槽(311)供副擋板(32)套入主擋板(31)，且於主擋板(31)與副擋板(32)間設有一彈簧圈(33)，使副擋板(32)能自行彈性上下調整移動，使該旋動彈性卡扣擋板(3)具有可旋開並能根據置放其上之筆記型電腦的厚度自動彈性調節而緊密卡扣該電腦下端平面，當使用者手放到鍵盤上操作電腦時，氣密墊會因手部重力連同電腦一起下沉，此時該旋動彈性卡扣擋板之卡扣板也會自動下壓緊扣電腦平面，當拿開手部而電腦不受重力時，旋動彈性卡扣擋板會上升到原始高度位置。
如請求項1所述渦輪風壓式筆記型電腦散熱墊裝置，其中導氣盤(4)，對應上述散熱墊上蓋(12)之進氣孔(111)處設有一透氣孔(41)，該透氣孔(41)外圍呈一圓弧型容納間(42)並於其兩側各有一弧型導流板(43)，該各自之弧型導流板(43)末端各形成一導流通道(44)，並於各導流通道(44)一側各自形成一集氣空間(45)，據使由底部吸入之空氣被聚集導流而不致產生擾流，並集中推送至上述散熱墊上蓋(12)兩側之複數透氣孔(122)，產生冷空氣順暢流通。
如請求項1所述渦輪風壓式筆記型電腦散熱墊裝置，其中主電路板(6)，係連接一C型連接器(61)，供電源輸入於主電路板(6)，主電路板(6)上並設有控制按鍵(62)、轉速控制按鍵(63)及轉速顯示器(64)，且顯露於散熱墊(1)外部，該主電路板(6)並與上述渦輪風扇(5)電性連接，據以供應電源及控制並顯示其轉速。
一種藥盒檢測系統，包括：<br/> 一第一影像擷取裝置，擷取一藥盒的多個藥盒影像資訊，所述第一影像擷取裝置擷取所述藥盒在不開啟藥盒上蓋的狀況下的藥盒的一外部影像資訊；<br/> 其中，所述第一影像擷取裝置傳送所述藥盒的所述多個藥盒影像資訊至一第一電子裝置，所述第一電子裝置根據所述多個藥盒影像資訊分割為對應的多個次要藥盒影像資訊，所述第一電子裝置根據所述多個次要藥盒影像資訊，判斷所述次要藥盒影像資訊中的一個或是多個藥品被服用或是未被服用；<br/> 其中，所述第一電子裝置根據所述次要藥盒影像資訊的一前次藥盒影像資訊以及一本次藥盒影像資訊進行比對，以判斷所述次要藥盒影像資訊中的所述一個或是多個藥品被服用或是未被服用，決定一使用者的一藥品服用資訊，並提供對應所述藥品服用資訊的一藥品服用通知資訊通知另一使用者。
如請求項1所述之藥盒檢測系統，更包括：<br/> 一支架，所述影像擷取裝置設置在所述支架的一側，所述藥盒設置在影像擷取裝置的一側，以讓所述影像擷取裝置擷取所述藥盒的所述多個藥盒影像資訊。
如請求項2所述之藥盒檢測系統，其中，所述前次藥盒影像資訊被分割為多個前次次要藥盒影像資訊，所述本次藥盒影像資訊被分割為多個本次次要藥盒影像資訊，所述多個前次次要藥盒影像資訊是分別對應所述多個本次次要藥盒影像資訊。
如請求項3所述之藥盒檢測系統，其中，所述第一電子裝置的一控制電路比較所述多個前次次要藥盒影像資訊以及所述多個本次次要藥盒影像資訊，以決定所述多個次要藥盒影像資訊中的一個或是多個藥品是否被一使用者服用或是未被所述使用者服用，所述前次藥盒影像資訊與所述本次藥盒影像資訊是不同時間點擷取的。
如請求項4所述之藥盒檢測系統，還包括：<br/> 一第二影像擷取裝置，用於擷取所述使用者的一藥品服用影像資訊，所述控制電路根據所述藥品服用影像資訊與所述次要藥盒影像資訊中的一個或是多個藥品被服用或是未被服用，決定所述藥品服用資訊，所述藥品服用資訊包括一未上傳的藥品服用資訊以及一已上傳的藥品服用資訊。
一種藥盒檢測方法，包括：<br/> 擷取一藥盒的多個藥盒影像資訊，所述多個藥盒影像資訊是多個所述藥盒在不開啟藥盒上蓋時的外部影像資訊；<br/> 根據所述多個藥盒影像資訊，分別分割為每一個所述藥盒影像資訊對應的多個次要藥盒影像資訊；<br/> 根據每一個所述藥盒影像資訊對應的所述多個次要藥盒影像資訊，判斷所述次要藥盒影像資訊中的一個或是多個藥品是否被一使用者服用或是未被所述使用者服用；以及<br/> 根據所述次要藥盒影像資訊的一前次藥盒影像資訊以及一本次藥盒影像資訊判斷所述次要藥盒影像資訊中的一個或是多個藥品被服用或是未被服用，決定所述使用者的一藥品服用資訊，並根據所述藥品服用資訊提供一藥品服用通知資訊至一電子裝置。
如請求項6所述之藥盒檢測方法，其中，所述前次藥盒影像資訊被分割為多個前次次要藥盒影像資訊，所述本次藥盒影像資訊被分割為多個本次次要藥盒影像資訊，所述多個前次次要藥盒影像資訊是分別對應所述多個本次次要藥盒影像資訊。
如請求項7所述之藥盒檢測方法，其中，所述多個前次次要藥盒影像資訊與所述多個本次次要藥盒影像資訊進行比較，以決定所述次要藥盒影像資訊中的一個或是多個藥品是否被一使用者服用或是未被所述使用者服用。
如請求項8所述之藥盒檢測方法，更包括：<br/> 擷取所述使用者的一藥品服用影像資訊，以與所述次要藥盒影像資訊中的一個或是多個藥品被服用或是未被服用，共同決定所述藥品服用資訊。
如請求項8所述之藥盒檢測方法，所述前次藥盒影像資訊與所述本次藥盒影像資訊是不同時間點擷取的。
一種衣物處理設備的控制方法，所述衣物處理設備包括加熱裝置和洗滌筒，所述方法包括：<br/> 獲取洗滌水的目標加熱溫度；<br/> 根據所述目標加熱溫度，確定目標加熱方式，所述目標加熱方式包括持續加熱方式或分段加熱方式；其中，若所述目標加熱溫度小於第二預設溫度，則確定所述目標加熱方式為所述持續加熱方式；若所述目標加熱溫度大於或等於第二預設溫度，則確定所述目標加熱方式為所述分段加熱方式；<br/> 按照所述目標加熱方式，控制所述加熱裝置將所述洗滌水加熱至所述目標加熱溫度，以及在加熱過程的至少部分時間內，按照預設恆定轉速控制所述洗滌筒旋轉。
如請求項1所述的方法，其中，在所述目標加熱溫度小於或等於第一預設溫度的情況下，所述在加熱過程的至少部分時間內，按照預設恆定轉速控制所述洗滌筒旋轉，包括： <br/> 在加熱至所述目標加熱溫度的至少部分時間內，控制所述衣物處理設備的電機按照所述預設恆定轉速和第一轉停比，帶動所述洗滌筒旋轉；<br/> 在所述目標加熱溫度大於第一預設溫度的情況下，所述在加熱過程的至少部分時間內，按照預設恆定轉速控制所述洗滌筒旋轉，包括：<br/> 在加熱至所述第一預設溫度的至少部分時間內，控制所述衣物處理設備的電機按照所述預設恆定轉速和所述第一轉停比，帶動所述洗滌筒旋轉；以及<br/> 在從所述第一預設溫度加熱至所述目標加熱溫度的至少部分時間內，控制所述電機按照所述預設恆定轉速和第二轉停比，帶動所述洗滌筒旋轉，所述第二轉停比小於所述第一轉停比。
如請求項2所述的方法，其中，<br/> 所述第一預設溫度的範圍為50℃至70℃；和/或，<br/> 所述預設恆定轉速的範圍為45rpm至55rpm；和/或，<br/> 所述第一轉停比的範圍為6至7；和/或，<br/> 所述第二轉停比的範圍為0.5至2。
如請求項1至3中任一項所述的方法，其中，所述根據所述目標加熱溫度，確定目標加熱方式，包括：<br/> 根據加熱溫度與加熱方式的對應關係，確定與所述目標加熱溫度對應的目標加熱方式；或者，<br/> 比較所述目標加熱溫度與第二預設溫度的大小關係，根據比較結果確定目標加熱方式；其中，若所述比較結果為所述目標加熱溫度小於所述第二預設溫度，則確定所述目標加熱方式為所述持續加熱方式；若所述比較結果為所述目標加熱溫度大於或等於所述第二預設溫度，則確定所述目標加熱方式為所述分段加熱方式。
如請求項4所述的方法，其中，<br/> 所述分段加熱方式下，所述目標加熱溫度的高低與所述分段加熱方式的加熱分段數量成正比。
如請求項4所述的方法，其中，<br/> 所述第二預設溫度的範圍為50℃至70℃。
如請求項1至3中任一項所述的方法，其中，所述按照所述目標加熱方式，控制所述加熱裝置將所述洗滌水加熱至所述目標加熱溫度，包括：<br/> 若所述目標加熱方式為所述持續加熱方式，則控制所述加熱裝置持續對所述洗滌水加熱，直至所述洗滌水的水溫達到所述目標加熱溫度時停止加熱；<br/> 若所述目標加熱方式為所述分段加熱方式，則控制所述加熱裝置按照多個不同子溫度分段對所述洗滌水加熱，且在每個所述子溫度維持預設持續時間，直至所述洗滌水的水溫達到所述目標加熱溫度時停止加熱，其中多個所述子溫度均小於所述目標加熱溫度，且多個所述子溫度依次增大。
如請求項7所述的方法，其中，<br/> 多個所述子溫度中，目標子溫度對應的預設持續時間大於其他子溫度對應的預設持續時間，所述目標子溫度處於洗滌劑酶的活化溫度範圍內。
如請求項8所述的方法，其中，<br/> 所述目標子溫度的範圍為35℃至55℃；和/或，<br/> 所述目標子溫度對應的預設持續時間的範圍為20分鐘至40分鐘。
如請求項7所述的方法，其中，在所述子溫度維持預設持續時間，包括：<br/> 在所述洗滌水的水溫達到所述子溫度後，對所述加熱裝置進行開啟和關閉交替控制，以使所述水溫維持在所述子溫度的預設範圍內，並維持所述預設持續時間。
如請求項10所述的方法，其中，所述對所述加熱裝置進行開啟和關閉交替控制，包括：<br/> 當所述水溫達到所述子溫度時，控制所述加熱裝置關閉；<br/> 當所述水溫相比於所述子溫度下降預設溫度差時，控制所述加熱裝置開啟。
如請求項1至3中任一項所述的方法，其中，在所述獲取洗滌水的目標加熱溫度的同時，所述方法還包括：<br/> 獲取對所述洗滌水的目標洗滌時長；<br/> 所述按照所述目標加熱方式，控制所述加熱裝置將所述洗滌水加熱至所述目標加熱溫度，包括：<br/> 按照所述目標加熱方式，控制所述加熱裝置在所述目標洗滌時長內，將所述洗滌水加熱至所述目標加熱溫度。
如請求項12所述的方法，其中，所述按照所述目標加熱方式，控制所述加熱裝置在所述目標洗滌時長內，將所述洗滌水加熱至所述目標加熱溫度，包括： <br/> 若所述目標加熱方式為所述分段加熱方式，則確定所述分段加熱方式的各個子溫度對應的預設持續時間在所述分段加熱方式的標準洗滌時長中的占比，並根據所述目標洗滌時長和所述占比，調整所述子溫度對應的預設持續時間，得到調整後的各個所述子溫度對應的更新持續時間； <br/> 控制所述加熱裝置按照多個所述子溫度分段對所述洗滌水加熱，且在每個所述子溫度維持對應的所述更新持續時間，直至所述洗滌水的水溫達到所述目標加熱溫度時停止加熱。
如請求項1至3中任一項所述的方法，其中，所述獲取洗滌水的目標加熱溫度，包括：<br/> 獲取目標洗滌程式以及所述目標洗滌程式下洗滌水的目標加熱溫度。
一種衣物處理設備的控制裝置，所述衣物處理設備包括加熱裝置和洗滌筒，所述裝置包括：<br/> 獲取模組，用於獲取洗滌水的目標加熱溫度；<br/> 加熱方式確定模組，用於根據所述目標加熱溫度，確定目標加熱方式，所述目標加熱方式包括持續加熱方式或分段加熱方式；其中，若所述目標加熱溫度小於第二預設溫度，則確定所述目標加熱方式為所述持續加熱方式；若所述目標加熱溫度大於或等於第二預設溫度，則確定所述目標加熱方式為所述分段加熱方式；<br/> 加熱控制模組，用於按照所述目標加熱方式，控制所述加熱裝置將所述洗滌水加熱至所述目標加熱溫度，以及在加熱過程的至少部分時間內，按照預設恆定轉速控制所述洗滌筒旋轉，其中在所述洗滌水的水溫小於第一預設溫度的情況下，所述預設恆定轉速固定不變。
如請求項15所述的裝置，其中，在所述目標加熱溫度小於或等於第一預設溫度的情況下，所述加熱控制模組，用於：<br/> 在加熱至所述目標加熱溫度的至少部分時間內，控制所述衣物處理設備的電機按照所述預設恆定轉速和第一轉停比，帶動所述洗滌筒旋轉；<br/> 在所述目標加熱溫度大於第一預設溫度的情況下，所述加熱控制模組，用於：<br/> 在加熱至所述第一預設溫度的至少部分時間內，控制所述衣物處理設備的電機按照所述預設恆定轉速和所述第一轉停比，帶動所述洗滌筒旋轉；以及<br/> 在從所述第一預設溫度加熱至所述目標加熱溫度的至少部分時間內，控制所述電機按照所述預設恆定轉速和第二轉停比，帶動所述洗滌筒旋轉，所述第二轉停比小於所述第一轉停比。
如請求項16所述的裝置，其中，<br/> 所述第一預設溫度的範圍為50℃至70℃；和/或，<br/> 所述預設恆定轉速的範圍為45rpm至55rpm；和/或，<br/> 所述第一轉停比的範圍為6至7；和/或，<br/> 所述第二轉停比的範圍為0.5至2。
如請求項15至17中任一項所述的裝置，其中，所述加熱方式確定模組：<br/> 根據加熱溫度與加熱方式的對應關係，確定與所述目標加熱溫度對應的目標加熱方式；或者，<br/> 比較所述目標加熱溫度與第二預設溫度的大小關係，根據比較結果確定目標加熱方式；其中，若所述比較結果為所述目標加熱溫度小於所述第二預設溫度，則確定所述目標加熱方式為所述持續加熱方式；若所述比較結果為所述目標加熱溫度大於或等於所述第二預設溫度，則確定所述目標加熱方式為所述分段加熱方式。
如請求項18所述的裝置，其中，<br/> 所述分段加熱方式下，所述目標加熱溫度的高低與所述分段加熱方式的加熱分段數量成正比。
如請求項18所述的裝置，其中，<br/> 所述第二預設溫度的範圍為50℃至70℃。
如請求項15至17中任一項所述的裝置，其中，所述加熱控制模組，用於：<br/> 若所述目標加熱方式為所述持續加熱方式，則控制所述加熱裝置持續對所述洗滌水加熱，直至所述洗滌水的水溫達到所述目標加熱溫度時停止加熱；<br/> 若所述目標加熱方式為所述分段加熱方式，則控制所述加熱裝置按照多個不同子溫度分段對所述洗滌水加熱，且在每個所述子溫度維持預設持續時間，直至所述洗滌水的水溫達到所述目標加熱溫度時停止加熱，其中多個所述子溫度均小於所述目標加熱溫度，且多個所述子溫度依次增大。
如請求項21所述的裝置，其中，<br/> 多個所述子溫度中，目標子溫度對應的預設持續時間大於其他子溫度對應的預設持續時間，所述目標子溫度處於洗滌劑酶的活化溫度範圍內。
如請求項22所述的裝置，其中，<br/> 所述目標子溫度的範圍為35℃至55℃；和/或，<br/> 所述目標子溫度對應的預設持續時間的範圍為20分鐘至40分鐘。
如請求項21所述的裝置，其中，所述加熱控制模組，用於：<br/> 在所述洗滌水的水溫達到所述子溫度後，對所述加熱裝置進行開啟和關閉交替控制，以使所述水溫維持在所述子溫度的預設範圍內，並維持所述預設持續時間。
如請求項24所述的裝置，其中，所述加熱控制模組，用於：<br/> 當所述水溫達到所述子溫度時，控制所述加熱裝置關閉；<br/> 當所述水溫相比於所述子溫度下降預設溫度差時，控制所述加熱裝置開啟。
如請求項15至17中任一項所述的裝置，其中，所述獲取模組，還用於： <br/> 獲取對所述洗滌水的目標洗滌時長；<br/> 所述加熱控制模組，用於：<br/> 按照所述目標加熱方式，控制所述加熱裝置在所述目標洗滌時長內，將所述洗滌水加熱至所述目標加熱溫度。
如請求項26所述的裝置，其中，所述加熱控制模組，用於：<br/> 若所述目標加熱方式為所述分段加熱方式，則確定所述分段加熱方式的各個子溫度對應的預設持續時間在所述分段加熱方式的標準洗滌時長中的占比，並根據所述目標洗滌時長和所述占比，調整所述子溫度對應的預設持續時間，得到調整後的各個所述子溫度對應的更新持續時間；<br/> 控制所述加熱裝置按照多個所述子溫度分段對所述洗滌水加熱，且在每個所述子溫度維持對應的所述更新持續時間，直至所述洗滌水的水溫達到所述目標加熱溫度時停止加熱。
如請求項15至17中任一項所述的裝置，其中，所述獲取模組，用於：<br/> 獲取目標洗滌程式以及所述目標洗滌程式下洗滌水的目標加熱溫度。
一種衣物處理設備，其中，包括處理器和記憶體，所述記憶體儲存有在所述處理器上運行的程式或指令，所述程式或指令被所述處理器執行時實現如請求項1至14中任一項所述的衣物處理設備的控制方法的步驟。
一種可讀儲存介質，其上儲存有程式或指令，所述程式或指令被處理器執行時實現如請求項1至14中任一項所述的衣物處理設備的控制方法的步驟。
一種影片編解碼的方法，該方法包括：<br/> 接收輸入資料，其中該輸入資料包括編碼器端的當前塊的殘差資料或解碼器端的該當前塊的編碼轉換殘差資料；<br/> 確定一個或多個幀內預測模式候選，以便為在解碼器端幀內模式推導（DIMD）模式中編碼的該當前塊推導相關的轉換集，其中所述一個或多個幀內預測模式候選是通過考慮由DIMD構建的梯度直方圖（HoG）的分佈來確定的，其中該由DIMD構建的HoG是通過使用在該DIMD模式中生成的融合幀內預測訊號對應的該當前塊的預測樣本來推導的，或者其中該由DIMD構建的HoG是通過使用鄰近重建樣本或該當前塊的預測樣本自適應地推導的；<br/> 根據所述一個或多個幀內預測模式候選中的目標幀內預測模式，為該當前塊推導低頻非分離轉換（LFNST）或非分離主轉換（NSPT）的目標集；<br/> 在該編碼器端根據該目標LFNST或NSPT集的選定轉換核對該殘差資料應用正向轉換，以在該編碼器端生成轉換資料，或者根據該選定轉換核對該編碼轉換殘差資料應用逆向轉換，以在該解碼器端推導重建殘差資料；以及<br/> 提供該編碼器端的轉換資料或該解碼器端的該重建殘差資料。
如請求項1所述的該方法，其中所述一個或多個幀內預測模式候選包括一個或多個幀內預測模式，該一個或多個幀內預測模式與基於該當前塊的預測樣本由DIMD構建的該HoG中的一個或多個最大幅度相關。
如請求項1所述的該方法，其中所述一個或多個幀內預測模式候選包括第一幀內預測模式和第二幀內預測模式，該第一幀內預測模式和第二幀內預測模式與基於該當前塊的預測樣本由DIMD構建的該HoG中的第一和第二最大幅度相關。
如請求項1所述的該方法，其中是否使用該鄰近重建樣本或該當前塊的預測樣本來構建該HoG取決於由該鄰近重建樣本構建的該HoG的分佈或取決於與該當前塊相關的編解碼參數。
如請求項4所述的該方法，其中該編解碼參數包括在該DIMD模式中編碼的該當前塊相關的當前幀內預測模式和/或融合權重。
如請求項5所述的該方法，其中當與該當前塊相關的第一DIMD幀內預測模式的第一融合權重大於指定閾值時，用於推導該當前塊的該相關轉換集的第一和第二幀內預測模式被設置為該第一DIMD幀內預測模式和第二DIMD幀內預測模式，分別對應於由該鄰近重建樣本構建的該HoG的第一和第二大的幅度值。
如請求項6所述的該方法，其中當與該當前塊相關的該第一DIMD幀內預測模式的該第一融合權重不大於該指定閾值時，第二HoG由DIMD從該當前塊的預測樣本構建，並且用於推導該當前塊的該相關轉換集的該第一和第二幀內預測模式被設置為該第一DIMD幀內預測模式和第二DIMD幀內預測模式，分別對應於該第二HoG的第一和第二大的第二幅度值。
一種影片編解碼的裝置，該裝置包括一個或多個電子設備或處理器，配置為：接收輸入資料，其中該輸入資料包括編碼器端的當前塊的殘差資料或解碼器端的該當前塊的編碼轉換殘差資料；確定一個或多個幀內預測模式候選，用於導出在解碼器端幀內模式導出（DIMD）模式中編碼的該當前塊的相關轉換集，其中所述一個或多個幀內預測模式候選是通過考慮由DIMD構建的梯度直方圖（HoG）的分佈來確定的，其中該由DIMD構建的HoG是通過使用對應於在該DIMD模式中生成的融合幀內預測訊號的該當前塊的預測樣本來導出的，或者其中該由DIMD構建的HoG是通過使用鄰近重建樣本或該當前塊的預測樣本自適應地導出的；<br/> 根據所述一個或多個幀內預測模式候選中的目標幀內預測模式，導出該當前塊的低頻非分離變換（LFNST）或非分離主變換（NSPT）的目標集；<br/> 在該編碼器端根據目標集的LFNST或NSPT的選定變換核對該殘差資料應用正向變換，以在該編碼器端生成轉換資料，或者根據目標集的LFNST或NSPT的選定變換核對該編碼轉換殘差資料應用逆向變換，以在該解碼器端導出重建殘差資料；以及<br/> 提供該編碼器端的轉換資料或該解碼器端的重建殘差資料。
一種影片編解碼的方法，該方法包括：接收與當前塊相關的輸入資料，其中該輸入資料包括在編碼器端要編碼的像素資料或在解碼器端要解碼的當前塊的編碼資料；<br/> 根據解碼器端幀內模式導出（DIMD）模式中的梯度直方圖（HoG）確定多個選定的角度幀內預測模式；從該多個選定的角度幀內預測模式中確定目標角度幀內預測模式；<br/> 根據與非角度幀內預測器和與該目標角度幀內預測模式相對應的角度幀內預測器相關的模板匹配成本，確定該非角度幀內預測器的融合權重值；<br/> 通過使用包括該非角度幀內預測器的融合權重值的權重，將該非角度幀內預測器與分別對應於該多個選定的角度幀內預測模式的該多個角度幀內預測器進行融合，生成融合幀內預測器；以及<br/> 使用該融合幀內預測器編碼或解碼當前塊。
如請求項9所述的方法，其中該目標角度幀內預測模式對應於具有最大HoG幅度的一個選定的角度幀內預測模式。
如請求項9所述的方法，其中該非角度幀內預測器是從包括平面、直流(DC)、幀內模板匹配預測（intaTMP）、幀內塊複製（IBC）或其組合的集合中選擇的。
如請求項9所述的方法，其中該模板匹配成本計算為絕對轉換差異之和（SATD）或絕對差異之和（SAD）。
一種影片編解碼的裝置，該裝置包括一個或多個電子設備或處理器，配置為：<br/> 接收與當前塊相關的輸入資料，其中該輸入資料包括在編碼器端要編碼的像素資料或在解碼器端與該當前塊相關要解碼的編碼資料；根據解碼器端幀內模式導出（DIMD）模式中的梯度直方圖（HoG）確定多個選定的角度幀內預測模式；<br/> 從該多個選定的角度幀內預測模式中確定目標角度幀內預測模式；<br/> 根據與非角度幀內預測器和與該目標角度幀內預測模式相對應的角度幀內預測器相關的模板匹配成本，確定該非角度幀內預測器的融合權重值；<br/> 通過使用包括該非角度幀內預測器的融合權重值的權重，將該非角度幀內預測器與分別對應於該多個選定的角度幀內預測模式的多個角度幀內預測器進行融合，生成融合幀內預測器；以及<br/> 使用該融合幀內預測器編碼或解碼該當前塊。
一種電子裝置，包括：<br/>第一機體；<br/>第二機體；以及<br/>滑動結構，其中該第一機體透過該滑動結構滑接於該第二機體，且適於相對於該第二機體滑動第一行程與傾斜於該第一行程的第二行程，該滑動結構包括：<br/>第一線軌，固定於該第一機體；<br/>第一滑塊，滑接於該第一線軌，且具有第一斜向導槽；<br/>第二線軌，固定於該第二機體，且平行於該第一線軌；<br/>第二滑塊，滑接於該第二線軌，且具有平行於該第一斜向導槽的第二斜向導槽；以及<br/>從動件，包括相對的第一導塊與第二導塊，其中該第一導塊滑接於該第一斜向導槽，且該第二導塊滑接於該第二斜向導槽。
如請求項1所述的電子裝置，其中該第一機體適於沿第一方向相對於該第二機體滑動該第一行程，且該第一行程包括：<br/>該第一線軌沿該第一方向相對於該第一滑塊的滑動；以及<br/>在該第一線軌的末端對該第一滑塊產生結構干涉時，被該第一線軌帶動的該第一滑塊透過該從動件帶動該第二滑塊沿該第一方向相對於該第二線軌的滑動。
如請求項2所述的電子裝置，其中滑動完成該第一行程的該第一機體適於沿傾斜於該第一方向的第二方向相對於該第二機體滑動該第二行程，且該第二行程包括：<br/>該第一滑塊沿該第二方向相對於該從動件的該第一導塊的滑動；以及<br/>在該第一滑塊的底部對該從動件產生結構干涉時，被該第一滑塊帶動的該從動件的該第二導塊沿該第二方向相對於該第二滑塊的滑動。
如請求項3所述的電子裝置，其中該第一機體具有相對的第一顯示面與第一底面，且該第二機體具有相對的第二顯示面與第二底面，在該第一機體滑動該第一行程前，該第一底面的至少部分覆蓋該第二顯示面，當該第一機體滑動完成該第一行程時，該第二顯示面暴露於該第一底面外。
如請求項4所述的電子裝置，其中該第一機體還具有位於該第一顯示面與該第一底面之間的第一斜面，且該第二機體還具有位於該第二顯示面與該第二底面之間的第二斜面，該第一斜面與該第二斜面互為平行，在該第一機體滑動該第一行程前，該第一斜面與該第二斜面分別位於該第一線軌的相對兩側。
如請求項5所述的電子裝置，其中在該第一機體滑動該第一行程的過程中，該第一斜面滑動靠近該第二斜面，當該第一機體滑動完成該第一行程時，該第一斜面分離於該第二斜面，且對位於該第二斜面。
如請求項6所述的電子裝置，其中在該第一機體滑動該第二行程的過程中，該第一斜面與該第二斜面產生滑動接觸。
如請求項6所述的電子裝置，其中當該第一機體滑動完成該第二行程時，該第一斜面接觸該第二斜面，且該第一顯示面齊平於該第二顯示面。
如請求項5所述的電子裝置，其中該第二機體還具有貫穿該第二斜面的開孔，且該開孔位於該從動件的滑動路徑上。
如請求項5所述的電子裝置，其中該第二行程在該第一方向上的滑動距離等於該第二斜面在該第二底面上的投影距離，且該第二行程在垂直於該第一方向的第三方向上的滑動距離等於該第二機體的厚度。
如請求項4所述的電子裝置，其中該第一行程的滑動距離等於該第一底面的寬度或該第二顯示面的寬度。
如請求項4所述的電子裝置，其中該第一底面的寬度等於該第二顯示面的寬度。
如請求項1所述的電子裝置，其中該第一滑塊包括具有該第一斜向導槽的滑動座與滑接於該第一線軌的滑塊部，且該滑塊部固定於該滑動座。
如請求項1所述的電子裝置，其中該第二滑塊還具有用於收容該第二導塊的凹槽，且該第二斜向導槽位於該凹槽內，該第二導塊具有凸肋，且該凸肋滑設於該第二斜向導槽。
如請求項1所述的電子裝置，其中該第一機體的厚度等於該第二機體的厚度。
如請求項1所述的電子裝置，其中該第一線軌、該第一滑塊及該第一導塊位於該第一機體內，且該第二線軌、該第二滑塊及該第二導塊位於該第二機體內。
一種雙翼同軸穿刺針，包含：<br/>一針座，具有相對之一第一端及一第二端；<br/>一穿刺針，沿一軸向線穿設於該針座中，該穿刺針之針管自該針座之該第一端穿出；<br/>一第一翼片，設置於該針座之該第二端，該第一翼片之至少一翼面具有一第一刻度部；以及<br/>一第二翼片，設置於該針座之該第二端，該第二翼片之至少一翼面具有一第二刻度部，該第一翼片與該第二翼片彼此垂直設置。
如請求項1所述之雙翼同軸穿刺針，其中該第一刻度部包含複數第一刻度線，該第二刻度部包含複數第二刻度線，該些第一刻度線及該些第二刻度線皆平行於該軸向線。
如請求項2所述之雙翼同軸穿刺針，其中該些第一刻度線彼此間隔一第一長度單位，該些第二刻度線彼此間隔一第二長度單位。
如請求項3所述之雙翼同軸穿刺針，其中該第一長度單位及該第二長度單位為公釐。
如請求項2所述之雙翼同軸穿刺針，其中該些第一刻度線以該軸向線為中心鏡向對稱設置，該些第二刻度線以該軸向線為中心鏡向對稱設置。
如請求項1所述之雙翼同軸穿刺針，其中該第一翼片與該第一翼片沿該軸向線排列設置。
如請求項1所述之雙翼同軸穿刺針，其中該軸向線通過該第一翼片及該第二翼片。
一種呼吸監控裝置，包含： 一呼吸感測模組，用以感測人體呼吸以對應產生一感測數值且對應輸出一感測訊號；<br/> 一資料儲存裝置，儲存一預設範圍，該預設範圍對應該感測數值的一穩定狀態；<br/> 一顯示模組，包含一發光單元；及<br/> 一控制單元，電性連接該資料儲存裝置、該呼吸感測模組及該顯示模組，該控制單元接收該感測訊號且根據該感測訊號判斷該感測數值符合該預設範圍時，該人體的一胸腔形變量近似或等於一定值，該控制單元對應輸出一第一控制訊號至該顯示模組，該顯示模組根據該第一控制訊號產生一第一警示；該控制單元根據該感測訊號判斷該感測數值未符合該預設範圍時，該控制單元對應輸出一第二控制訊號至該顯示模組，該顯示模組根據該第二控制訊號產生一第二警示，該發光單元分別對應該第一警示及該第二警示產生一第一燈號及一第二燈號。
如請求項1所述之呼吸監控裝置，其中該顯示模組包含一顯示器，該控制單元根據該感測訊號控制該顯示器顯示該感測數值。
如請求項2所述之呼吸監控裝置，其中該顯示器分別對應該第一警示及該第二警示產生一第一影像及一第二影像。
如請求項1所述之呼吸監控裝置，其中當該控制單元根據該感測訊號判斷該感測數值未符合該預設範圍持續一預設時間時，該控制單元對應輸出一第三控制訊號至該顯示模組，該顯示模組根據該第三控制訊號產生一第三警示。
一種接著膜，其用於半導體裝置的製造製程中的半導體晶片與基板的接著，且包括： <br/>寬度100 mm以下的帶狀的載體膜；以及 <br/>以在所述載體膜的長邊方向排列的方式配置於所述載體膜上的多個接著劑片，並且 <br/>所述接著劑片的面積為10 mm<sup>2</sup>～200 mm<sup>2</sup>，<sup> </sup><br/>所述接著劑片包含於130℃下的熔融黏度為3500 Pa·s～20000 Pa·s且至少包含熱塑性樹脂、熱硬化性樹脂及填料的接著劑組成物， <br/>所述熔融黏度是於升溫速度：10℃/min且頻率：1 Hz的條件下，於20℃～200℃的溫度範圍內測定而得， <br/>當將所述接著劑片中的所述熱塑性樹脂的含量設為100質量份時，所述填料的含量為10質量份～450質量份。
如請求項1所述的接著膜，其中當將所述熱塑性樹脂的含量設為100質量份時，所述熱硬化性樹脂的含量為70質量份～240質量份。
一種接著膜，其用於半導體裝置的製造製程中的半導體晶片與基板的接著，且包括： <br/>寬度100 mm以下的帶狀的載體膜；以及 <br/>以在所述載體膜的長邊方向排列的方式配置於所述載體膜上的多個接著劑片，並且 <br/>所述接著劑片的面積為10 mm<sup>2</sup>～200 mm<sup>2</sup>，<sup> </sup><br/>所述接著劑片包含於130℃下的熔融黏度為3500 Pa·s～20000 Pa·s且至少包含熱塑性樹脂及熱硬化性樹脂的接著劑組成物， <br/>所述熔融黏度是於升溫速度：10℃/min且頻率：1 Hz的條件下，於20℃～200℃的溫度範圍內測定而得， <br/>當將所述接著劑片中的所述熱塑性樹脂的含量設為100質量份時，所述熱硬化性樹脂的含量為70質量份～240質量份， <br/>所述熱塑性樹脂的重量平均分子量為10萬以上且200萬以下， <br/>所述熱硬化性樹脂為選自由環氧樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、酚樹脂、熱硬化型聚醯亞胺樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、三聚氰胺樹脂及脲樹脂所組成的群組中的至少一種。
如請求項3所述的接著膜，其中所述接著劑組成物更包含填料， <br/>當將所述熱塑性樹脂的含量設為100質量份時，所述填料的含量為10質量份～450質量份。
如請求項1至4中任一項所述的接著膜，其中所述接著劑片是藉由將以覆蓋所述載體膜的表面的方式形成的接著劑層刀模壓裁而形成。
如請求項1至4中任一項所述的接著膜，進而包括保護構件，所述保護構件覆蓋所述接著劑片的與所述載體膜側的第一面相反的一側的第二面且具有與所述接著劑片相同的形狀。
如請求項6所述的接著膜，其中所述接著劑片及所述保護構件是藉由將以覆蓋所述載體膜的表面的方式形成的接著劑層與以覆蓋所述接著劑層的方式配置的保護膜刀模壓裁而形成。
一種單級式交流對直流轉換器，包括：<br/>一輸入電源處理電路，接收一交流電源，用以轉換該交流電源為一直流電源；<br/>一零電壓輔助轉換電路，連接該輸入電源處理電路，該零電壓輔助轉換電路包括：<br/>一輔助變壓器，具有一第一側繞組與一第二側繞組；<br/>一輔助開關，連接該第一側繞組；<br/>一輔助電容，連接該第二側繞組；以及<br/>一輔助二極體，連接該第二側繞組與該輔助電容；以及<br/>一輸出電路，具有一輸入側繞組與一輸出側繞組，該輸入側繞組連接該零電壓輔助轉換電路；<br/>其中該輸入電源處理電路用以在一儲能週期內，儲存該直流電源所提供的能量；該輸出電路用以在一釋能週期內，將該輸入電源處理電路所儲存的能量傳遞至該輸出側繞組以產生一輸出電源。
如請求項1所述之單級式交流對直流轉換器， 其中該輸入電源處理電路包括：<br/>一橋式整流電路，接收該交流電源；<br/>一電感，連接該橋式整流電路；以及<br/>一主開關，並聯耦接該橋式整流電路。
如請求項1所述之單級式交流對直流轉換器， 其中該輸入電源處理電路包括：<br/>一電感，接收該交流電源；<br/>一二極體臂，包括串聯連接的一第一二極體與一第二二極體；以及<br/>一開關臂，並聯該二極體臂，包括串聯連接的一第一開關與一第二開關。
如請求項2所述之單級式交流對直流轉換器，其中在該儲能週期內，該輔助開關早於該主開關導通，並且在該主開關的跨壓為零時，再導通該主開關。
如請求項2所述之單級式交流對直流轉換器，其中該輔助變壓器的該第一側繞組的一第一端連接該電感與該主開關；該輔助變壓器的該第一側繞組的一第二端串聯連接該輔助開關。
如請求項2或請求項3所述之單級式交流對直流轉換器，其中該輔助變壓器的該第二側繞組的一第一端連接該輔助電容的一第一端；該輔助變壓器的該第二側繞組的一第二端連接該輔助二極體的一陰極；該輔助電容的一第二端連接該輔助二極體的一陽極。
如請求項3所述之單級式交流對直流轉換器，其中在一半週期的儲能週期內，該第二開關導通，該輔助開關早於該第一開關導通，並且在該第一開關的跨壓為零時，再導通該第一開關；在另一半週期的儲能週期內，該第一開關導通，該輔助開關早於該第二開關導通，並且在該第二開關的跨壓為零時，再導通該第二開關。
如請求項3所述之單級式交流對直流轉換器，其中該輔助變壓器的該第一側繞組的一第一端連接該二極體臂與該開關臂；該輔助變壓器的該第一側繞組的一第二端串聯連接該輔助開關。
如請求項1所述之單級式交流對直流轉換器，其中該輸出電路包括：<br/>一變壓器，包括該輸入側繞組與該輸出側繞組，其中該輸入側繞組與該輸出側繞組的數量比為1:m，其中m大於或等於2；以及<br/>至少兩電容，分別對應地耦接於該等輸出側繞組，以提供該輸出電源。
一種交流對直流轉換裝置，包括：<br/>複數個請求項1至請求項9任一項的單級式交流對直流轉換器；<br/>其中該等單級式交流對直流轉換器的輸入側分別連接該交流電源，該等單級式交流對直流轉換器的輸出側形成並聯連接或串聯連接，以輸出該輸出電源。
如請求項10所述之交流對直流轉換裝置，其中該等單級式交流對直流轉換器的該等主開關的導通與關斷為同步控制；該等單級式交流對直流轉換器的該等輔助開關的導通與關斷為同步控制。
如請求項10所述之交流對直流轉換裝置，其中該等單級式交流對直流轉換器的該等主開關的導通與關斷為錯相控制；該等單級式交流對直流轉換器的該等輔助開關的導通與關斷為錯相控制。
如請求項10所述之交流對直流轉換裝置，更包括：<br/>一切換開關陣列，連接該等單級式交流對直流轉換器的輸出側，包括至少一第一切換開關與複數第二切換開關，用以透過導通與關斷控制，形成該等單級式交流對直流轉換器的輸出側為串聯或並聯連接。
如請求項13所述之交流對直流轉換裝置，其中該至少一第一切換開關的數量等於該等單級式交流對直流轉換器的數量減少一個；該等第二切換開關的數量等於該等單級式交流對直流轉換器的數量。
如請求項10所述之交流對直流轉換裝置，其中該等單級式交流對直流轉換器分別連接該交流電源為一三相交流電源的三相。
一種顯示裝置，包含：<br/>第一佈線，具有延著列方向延伸的區域；<br/>第二佈線，具有延著列方向延伸的區域；<br/>第三佈線，具有延著行方向延伸的區域；<br/>第一電晶體；<br/>第二電晶體；<br/>第三電晶體；<br/>第四電晶體；<br/>第一電致發光元件；<br/>第二電致發光元件；<br/>該第一電晶體、該第二電晶體以及該第一電致發光元件，配置於第一像素上；<br/>該第三電晶體、該第四電晶體以及該第二電致發光元件，配置於第二像素上；<br/>從該第一佈線提供的第一影像信號，至少透過該第一電晶體的通道形成區域，從該第一佈線傳輸至該第二電晶體；<br/>傳輸至該第二電晶體的該第一影像信號相對應的電流，至少透過該第二電晶體的通道形成區域，從該第二佈線流入該第一電致發光元件；<br/>從該第一佈線提供的第二影像信號，至少透過該第三電晶體的通道形成區域，從該第一佈線傳輸至該第四電晶體；<br/>傳輸至該第四電晶體的該第二影像信號相對應的電流，至少透過該第四電晶體的通道形成區域，從該第二佈線流入該第二電致發光元件；<br/>具有該第一電晶體的通道形成區域的半導體層，具有該第二電晶體的通道形成區域、該第三電晶體的通道形成區域、該第四電晶體的通道形成區域；<br/>具有用作該第三佈線的區域的第一導電層，具有用作該第一電晶體的閘極電極的區域；<br/>從俯視圖來看，該第三佈線具有第一區域，該第一區域位於該第一佈線與該第二佈線之間，且與該半導體層不重疊；<br/>該第三佈線具有的該第一區域，具有與該第三佈線相向的兩邊的各自一部分。
一種顯示裝置，包含：<br/>第一佈線，具有延著列方向延伸的區域；<br/>第二佈線，具有延著列方向延伸的區域；<br/>第三佈線，具有延著行方向延伸的區域；<br/>第一導電層；<br/>第二導電層；<br/>第一電晶體；<br/>第二電晶體；<br/>第三電晶體；<br/>第四電晶體；<br/>第一電致發光元件；<br/>第二電致發光元件；<br/>該第一電晶體、該第二電晶體以及該第一電致發光元件，配置於第一像素上；<br/>該第三電晶體、該第四電晶體以及該第二電致發光元件，配置於第二像素上；<br/>從該第一佈線提供的第一影像信號，至少透過該第一電晶體的通道形成區域以及該第一導電層，從該第一佈線傳輸至該第二電晶體；<br/>傳輸至該第二電晶體的該第一影像信號相對應的電流，至少透過該第二電晶體的通道形成區域，從該第二佈線流入該第一電致發光元件；<br/>從該第一佈線提供的第二影像信號，至少透過該第三電晶體的通道形成區域以及該第二導電層，從該第一佈線傳輸至該第四電晶體；<br/>傳輸至該第四電晶體的該第二影像信號相對應的電流，至少透過該第四電晶體的通道形成區域，從該第二佈線流入該第二電致發光元件；<br/>具有該第一電晶體的通道形成區域的半導體層，具有該第二電晶體的通道形成區域、該第三電晶體的通道形成區域、該第四電晶體的通道形成區域；<br/>具有用作該第三佈線的區域的第三導電層，具有用作該第一電晶體的閘極電極的區域；<br/>從俯視圖來看，該第三佈線具有第一區域，該第一區域位於該第一佈線與該第二佈線之間，且與該半導體層不重疊；<br/>該第三佈線具有的該第一區域，具有與該第三佈線相向的兩邊的各自一部分；<br/>該半導體層，具有第一開口部與第二開口部；<br/>在該第一開口部中，該半導體層的側面具有與該第一導電層接觸的區域；<br/>在該第二開口部中，該半導體層的側面具有與該第二導電層接觸的區域。
一種顯示裝置，包含：<br/>第一佈線，具有延著列方向延伸的區域；<br/>第二佈線，具有延著列方向延伸的區域；<br/>第三佈線，具有延著行方向延伸的區域；<br/>第一導電層；<br/>第二導電層；<br/>第一電晶體；<br/>第二電晶體；<br/>第三電晶體；<br/>第四電晶體；<br/>第一電致發光元件；<br/>第二電致發光元件；<br/>該第一電晶體、該第二電晶體以及該第一電致發光元件，配置於第一像素上；<br/>該第三電晶體、該第四電晶體以及該第二電致發光元件，配置於第二像素上；<br/>從該第一佈線提供的第一影像信號，至少透過該第一電晶體的通道形成區域以及該第一導電層，從該第一佈線傳輸至該第二電晶體；<br/>傳輸至該第二電晶體的該第一影像信號相對應的電流，至少透過該第二電晶體的通道形成區域，從該第二佈線流入該第一電致發光元件；<br/>從該第一佈線提供的第二影像信號，至少透過該第三電晶體的通道形成區域以及該第二導電層，從該第一佈線傳輸至該第四電晶體；<br/>傳輸至該第四電晶體的該第二影像信號相對應的電流，至少透過該第四電晶體的通道形成區域，從該第二佈線流入該第二電致發光元件；<br/>具有該第一電晶體的通道形成區域的半導體層，具有該第二電晶體的通道形成區域、該第三電晶體的通道形成區域、該第四電晶體的通道形成區域；<br/>具有用作該第三佈線的區域的第三導電層，具有用作該第一電晶體的閘極電極的區域；<br/>從俯視圖來看，該第三佈線具有第一區域，該第一區域位於該第一佈線與該第二佈線之間，且與該半導體層不重疊；<br/>該第三佈線具有的該第一區域，具有與該第三佈線相向的兩邊的各自一部分；<br/>該第一導電層具有與該半導體層接觸的區域；<br/>該第一導電層的底面，具有位於與比該半導體層頂面還下方的區域；<br/>該第二導電層具有與該半導體層接觸的區域；<br/>該第二導電層的底面，具有位於與比該半導體層頂面還下方的區域。
一種顯示裝置，包含：<br/>第一佈線，具有延著列方向延伸的區域；<br/>第二佈線，具有延著列方向延伸的區域；<br/>第三佈線，具有延著行方向延伸的區域；<br/>第一導電層；<br/>第二導電層；<br/>第一絕緣層；<br/>第二絕緣層；<br/>第三絕緣層；<br/>第一電晶體；<br/>第二電晶體；<br/>第三電晶體；<br/>第四電晶體；<br/>第一電致發光元件；<br/>第二電致發光元件；<br/>該第一電晶體、該第二電晶體以及該第一電致發光元件，配置於第一像素上；<br/>該第三電晶體、該第四電晶體以及該第二電致發光元件，配置於第二像素上；<br/>從該第一佈線提供的第一影像信號，至少透過該第一電晶體的通道形成區域以及該第一導電層，從該第一佈線傳輸至該第二電晶體；<br/>傳輸至該第二電晶體的該第一影像信號相對應的電流，至少透過該第二電晶體的通道形成區域，從該第二佈線流入該第一電致發光元件；<br/>從該第一佈線提供的第二影像信號，至少透過該第三電晶體的通道形成區域以及該第二導電層，從該第一佈線傳輸至該第四電晶體；<br/>傳輸至該第四電晶體的該第二影像信號相對應的電流，至少透過該第四電晶體的通道形成區域，從該第二佈線流入該第二電致發光元件；<br/>具有該第一電晶體的通道形成區域的半導體層，具有該第二電晶體的通道形成區域、該第三電晶體的通道形成區域、該第四電晶體的通道形成區域；<br/>具有用作該第三佈線的區域的第三導電層，具有用作該第一電晶體的閘極電極的區域；<br/>從俯視圖來看，該第三佈線具有第一區域，該第一區域位於該第一佈線與該第二佈線之間，且與該半導體層不重疊；<br/>該第三佈線具有的該第一區域，具有與該第三佈線相向的兩邊的各自一部分；<br/>該第一絕緣層具有，第四導電層的上方的區域與第五導電層的上方的區域，該第四導電層具有用作該第二電晶體的閘極電極的區域，該第五導電層具有用作該第四電晶體的閘極電極的區域；<br/>該第二絕緣層具有該第一絕緣層上方的區域；<br/>該第三絕緣層具有該第二絕緣層上方的區域；<br/>該第一導電層以及該第二導電層具有該第三絕緣層上方的區域；<br/>該第一導電層具有與該第四導電層接觸的區域；<br/>該第二導電層具有與該第五導電層接觸的區域；<br/>該第一導電層具有的第一區域，配置於該第一絕緣層具有的第一開口部；<br/>該第一導電層具有的第二區域，配置於該第二絕緣層具有的第一開口部；<br/>該第一導電層具有的第三區域，配置於該第三絕緣層具有的第一開口部；<br/>該第一絕緣層具有的第一開口部與該第二絕緣層具有的第一開口部互相重疊；<br/>該第二絕緣層具有的第一開口部與該第三絕緣層具有的第一開口部互相重疊；<br/>該第三絕緣層具有的第一開口部與該第一絕緣層具有的第一開口部互相重疊；<br/>該第二導電層具有的第一區域，配置於該第一絕緣層具有的第二開口部；<br/>該第二導電層具有的第二區域，配置於該第二絕緣層具有的第二開口部；<br/>該第二導電層具有的第三區域，配置於該第三絕緣層具有的第二開口部；<br/>該第一絕緣層具有的第二開口部與該第二絕緣層具有的第二開口部互相重疊；<br/>該第二絕緣層具有的第二開口部與該第三絕緣層具有的第二開口部互相重疊；<br/>該第三絕緣層具有的第二開口部與該第一絕緣層具有的第二開口部互相重疊；<br/>該第一絕緣層與該第二絕緣層具有互相重疊且不接觸的區域。
如請求項1至4任一項之顯示裝置，更包含：<br/>第四佈線，具有延著行方向延伸的區域；<br/>具有用作該第四佈線的區域的第六導電層，具有用作該第三電晶體的閘極電極的區域；<br/>該第四佈線，具有該第二電晶體的通道形成區域與該第四電晶體的通道形成區域之間的區域。
如請求項1至4之任一種顯示裝置，其中，<br/>該半導體層包含矽。
如請求項1至4之任一種顯示裝置，其中，<br/>該半導體層包含多晶半導體。
一種早療教具，包含：<br/> 一第一教學組件，包括一模特兒板單元及複數配件組，該模特兒板單元具有一繪製有一人形的第一板件，及複數分佈於該第一板件上的第一黏扣件，該各個配件組具有一頭飾配件及一衣飾配件，且該各個頭飾配件與該各個衣飾配件的一背面各自設有一第二黏扣件，該等第二黏扣件是能拆卸地黏扣於該等第一黏扣件上；<br/> 一第二教學組件，包括一第二板件及複數彼此間隔地樞設於該第二板件上的轉板，該等轉板中的一第一部分轉板上各自帶有一個十字、該等轉板中的一第二部分轉板上各自帶有一個L字，且該等轉板中的一第三部分轉板上各自帶有一個一字，該各個轉板能帶動各自所對應之十字、L字或一字於該第二板件上自轉；及<br/> 一行動裝置，預載有一學習應用程式並配置有一機殼、一位在該機殼內的主機板、位在該機殼上且訊號連接該主機板的一觸控螢幕與一數位鏡頭，該主機板上設置有彼此訊號連接的一儲存模組、一無線通訊模組及一處理模組。
如請求項1所述的早療教具，其中，該各個配件組還選擇性地具有一對鞋飾配件，且該各個鞋飾配件的一背面各自設有各自所對應的一第二黏扣件。
一種搭載應變規的諧波減速傳動裝置，係於一器殼內依同軸心軌跡配置包括：<br/> 一馬達，包含固定於該器殼內的一定子以及樞置於該定子內的一轉子；<br/> 一諧波減速器，傳動連結該轉子並且輸出一減速旋轉扭力；<br/> 一剛性齒輪，固定於該器殼內導持該諧波減速器，進而承受該諧波減速器的扭力作用；其中，<br/> 該剛性齒輪形成有等圓周半徑的一環狀端面，該環狀端面沿所述軸心軌跡延伸形成有可生成彎曲力矩之形變的至少一衍架，該剛性齒輪經由所述衍架而固定於該器殼內，且該應變規貼附於所述衍架上感測該諧波減速器輸出的所述減速旋轉扭力。
如請求項1所述搭載應變規的諧波減速傳動裝置，其中所述衍架的斷面呈長方形，所述長方形的二長邊分別垂直於該環狀端面的切線，所述長方形的二短邊分別平行或共線於該環狀端面的切線，且該應變規貼附於任一所述長邊延伸形成的一徑向端面上。
如請求項1所述搭載應變規的諧波減速傳動裝置，其中所述衍架呈條片形體坐落於該環狀端面和該器殼之間，所述條片形體的至少一長邊延伸形成有一徑向端面，且該應變規貼附於該徑向端面上。
如請求項1所述搭載應變規的諧波減速傳動裝置，其中所述衍架呈M字形體坐落於該環狀端面和該器殼之間，所述M字形體具有相對稱的二條片部，各該條片部具有相對稱的二長邊，該應變規貼附於任一所述長邊延伸形成的一徑向端面上。
如請求項1所述搭載應變規的諧波減速傳動裝置，其中所述衍架成對形成於該環狀端面。
如請求項1至5中任1項所述搭載應變規的諧波減速傳動裝置，其中該環狀端面形成有成對對應所述衍架的的嵌槽，所述衍架的底部分別形成能固定於所述嵌槽的一嵌持部，所述衍架經由所述嵌持部而形成於該環狀端面。
如請求項6所述搭載應變規的諧波減速傳動裝置，其中該環狀端面沿所述軸心軌跡延伸形成一凸檯，所述嵌槽分別形成於該凸檯和該環狀端面之間。
如請求項1至5中任1項所述搭載應變規的諧波減速傳動裝置，其中該器殼由一殼座及一殼蓋相互樞接而成， 該剛性齒輪經由所述衍架而固定於該器殼的所述殼座內，並且延伸至該殼蓋內導持該諧波減速器。
如請求項1至5中任1項所述搭載應變規的諧波減速傳動裝置，其中該器殼由一殼座及一殼蓋相互樞接而成，該殼座提供該定子和該剛性齒輪固定，該殼蓋用於容置並且提供該諧波減速器傳動連結，用以作為所述諧波減速傳動裝置的一動力輸出端。
如請求項1所述搭載應變規的諧波減速傳動裝置，其中該諧波減速器包含一波形產生組以及一柔性齒輪，該波形產生組包含傳動連接該轉子的一橢圓盤以及結合於該橢圓盤和該柔性齒輪之間的一柔性軸承，且該諧波減速器憑藉該柔性齒輪而接受該剛性齒輪的導持。
如請求項10所述搭載應變規的諧波減速傳動裝置，其中該柔性齒輪形成有能產生形變的一薄壁部以及能保有剛性強度的一厚壁部，該薄壁部具有一平滑的內壁面以及呈現環狀分佈於該薄壁部外圍的多個外齒，該剛性齒輪具有呈現環狀分佈的多個內齒，該柔性齒輪憑藉該內壁面而結合該柔性軸承並且憑藉所述外齒嚙觸該剛性齒輪的部分所述內齒。
如請求項11所述搭載應變規的諧波減速傳動裝置，其中該器殼由一殼座及一殼蓋相互樞接而成，該殼座提供該定子和該剛性齒輪固定，該柔性齒輪經由所述厚壁部傳動連結該殼蓋，驅使該殼蓋成為所述諧波減速傳動裝置的一動力輸出端。
如請求項1所述搭載應變規的諧波減速傳動裝置，其中該轉子形成有一中心樞孔，該器殼由一殼座及一殼蓋相互樞接而成，該殼座形成有能穿伸至該中心樞孔內的一中心座部，該轉子憑藉該中心樞孔而樞設於該中心座部和該定子之間，該中心座部形成有一座孔，該殼蓋內延伸形成一中心柱，該殼蓋經由該中心柱而與該殼座樞接。
一種用於形成晶種保護層之組合物，包含：<br/> （A）高碳含量成分，其中以該高碳含量成分（A）的總原子數計，該高碳含量成分（A）之碳原子含量為30%至85%；<br/> （B）層狀成分，其中該層狀成分（B）具有36至320之視徑比（aspect ratio）；以及<br/> （C）矽氧烷系化合物，<br/> 其中以該組合物的總重量計，該高碳含量成分（A）的含量為15重量%至99.8重量%，該層狀成分（B）的含量為0.1重量%至80重量%，且該矽氧烷系化合物（C）的含量為0.1重量%至5重量%。
如請求項1所述之組合物，其中該高碳含量成分（A）係選自以下群組：聚醋酸乙烯酯、聚乙烯醇、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚丙烯腈、聚醯胺酸（polyamic acid）、聚苯胺、及其組合。
如請求項1所述之組合物，其中該層狀成分（B）係選自以下群組：石墨、蒙脫土（montmorillonite）、膨潤石（smectite）、蛭石（vermiculite）、雲母、層狀雙氫氧化物（layered double hydroxides，LDH）、及其組合。
如請求項1所述之組合物，其中該矽氧烷系化合物（C）係選自以下群組：（3-胺基丙基）三乙氧基矽烷（(3-aminopropyl)triethoxysilane，APTES）、N-（2-胺基乙基）-3-胺基丙基三甲氧基矽烷（N-(2-aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane）、四乙氧基矽烷（tetraethoxysilane，TEOS）、四甲氧基矽烷（tetramethoxysilane，TMOS）、3-（三羥基矽基）丙烷-1-磺酸（3-trihydroxysilylpropane-1-sulfonic acid）、羧基乙基矽烷三醇鈉鹽（carboxyethylsilanetriol sodium salt）、2-（羧基甲硫基）乙基三甲基矽烷（2-(carboxymethylthio) ethyltrimethylsilane）、N-（3-三甲氧基矽基丙基）二乙烯三胺（N-(3-trimethoxysilylpropyl)diethylenetriamine）、及其組合。
一種晶種保護層，其具有一層狀結構，且係由如請求項1至4中任一項所述之用於形成晶種保護層之組合物所形成。
一種用於生長單晶的方法，依序包含以下步驟：<br/> 提供一晶種；<br/> 於該晶種背面形成一如請求項5所述之晶種保護層；以及<br/> 利用該晶種生長單晶，<br/> 其中係利用二流體自動噴塗設備於該晶種之背面形成該晶種保護層。
如請求項6所述之方法，其中該晶種保護層的厚度為5微米至2000微米。
如請求項6或7所述之方法，其中該單晶為碳化矽單晶。
一種鳳梨醱酵物的製造方法，包含：<br/> 提供一鳳梨樣品，該鳳梨樣品為一鳳梨果實；<br/> 於40～60℃的溫度、60～99%的相對濕度下，使該鳳梨樣品進行一陳化反應20～60天，得一陳化鳳梨樣品；及<br/> 於30～45℃的溫度下，以一植物乳桿菌醱酵該陳化鳳梨樣品24～180小時。
如請求項1之鳳梨醱酵物的製造方法，其中，係於60℃的溫度、85%的相對濕度下進行該陳化反應40天。
如請求項1之鳳梨醱酵物的製造方法，其中，係於37℃的溫度下，以該植物乳桿菌醱酵該陳化鳳梨樣品96小時。
如請求項1之鳳梨醱酵物的製造方法，其中，在以該植物乳桿菌醱酵該陳化鳳梨樣品之前，混合該陳化鳳梨樣品及葡萄糖與蛋白腖，以形成一混合物，續將該植物乳桿菌加入該混合物中，使該植物乳桿菌醱酵該陳化鳳梨樣品。
如請求項4之鳳梨醱酵物的製造方法，其中，該混合物包含以重量百分比計為2～20%的葡萄糖、2～20%的蛋白腖及60～96%的陳化鳳梨樣品。
一種藉由粉末冶金法所製造之濺鍍靶，該濺鍍靶包含0.3至10重量%之含氧鑭化合物，餘量為鉬（Mo）及不可避免之雜質，其特徵在於該濺鍍靶具有Mo相及La相，其中該Mo相中Mo晶粒之平均晶粒尺寸為1至200 μm，並且該濺鍍靶具有等向性微觀結構。
如請求項1之濺鍍靶，其特徵在於該La相包含氧化鑭（La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>）及氫氧化鑭（La(OH)<sub>3</sub>）。
如請求項1或2之濺鍍靶，其特徵在於該La相具有在靶材橫截面上測量之5%至18%之間之面積分數。
如請求項1或2之濺鍍靶，其特徵在於該La相中La(OH)<sub>3</sub>之在靶材橫截面上測量之面積分數不大於10%。
如請求項1或2之濺鍍靶，其特徵在於該含氧鑭化合物之比例為＞0.7至10 wt.%。
如請求項1或2之濺鍍靶，其中該濺鍍靶之密度為至少95%理論密度。
如請求項1或2之濺鍍靶，其中該Mo相中Mo晶粒之平均晶粒尺寸在1及50 μm之間。
如請求項1或2之濺鍍靶，其特徵在於其為平面濺鍍靶。
一種如請求項1至8中任一項之濺鍍靶之用途，其用於沉積金屬薄膜。
一種如請求項1至8中任一項之濺鍍靶之用途，其用於沉積耐高溫薄膜。
一種藉由粉末冶金法製造濺鍍靶之方法，該濺鍍靶包含0.3至10重量%之含氧鑭化合物，餘量為鉬（Mo）及不可避免之雜質，該方法之特徵在於其至少包含以下步驟： <br/>混合Mo粉末及呈粉末狀之含氧鑭化合物，以形成粉末混合物； <br/>藉由施加壓力、熱或壓力及熱將該粉末混合物壓實成坯料， <br/>其特徵在於該濺鍍靶具有Mo相及La相，其中該Mo相中Mo晶粒之平均晶粒尺寸為1至200 μm，並且該濺鍍靶具有等向性微觀結構。
如請求項11之製造濺鍍靶之方法，其中該含氧鑭化合物藉由煅燒獲得。
如請求項11或12之方法，其中該壓實步驟藉由放電電漿燒結、熱壓或熱等靜壓進行。
如請求項11或12之方法，其中該壓實步驟在1000至1800°C之間之溫度下進行。
一種液體藥物製劑，其中所述藥物製劑包含PTH綴合物、緩衝劑、等滲劑、防腐劑和pH調節劑，並且其中所述PTH綴合物包含與水溶性載體共價和可逆地綴合的PTH部分，其中所述藥物製劑包含：<br/>所述PTH綴合物，其中所述PTH部分 0.3 ± 0.03 mg/ml，<br/>琥珀酸 1.18 ± 0.118 mg/ml，<br/>D-甘露醇 41.7 ± 4.17 mg/ml，<br/>間甲酚 2.5 ± 0.25 mg/ml；<br/>並且其中pH以氫氧化鈉調節至pH 4 ± 0.4，<br/>其中所述PTH綴合物具有式(IIf-i)的結構：<br/><img align="absmiddle" height="32px" width="128px" file="ed10051.jpg" alt="ed10051.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(IIf-i)，<br/>其中未標記的虛線表示通過形成醯胺鍵而與SEQ ID NO:51的PTH部分的N-端胺官能團的氮連接；且<br/>標有星號的虛線表示與<br/><img align="absmiddle" height="38px" width="192px" file="ed10050.jpg" alt="ed10050.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>部分連接；<br/>其中m和p彼此獨立地爲400至500範圍並包括400和500的整數。
如請求項1所述的液體藥物製劑，其中所述pH調節劑具有0.13 ± 0.013 mg/ml的濃度。
如請求項1或2所述的液體藥物製劑，其中所述藥物製劑包含0.3 mg/ml 所述PTH部分、1.18 mg/ml所述琥珀酸、41.7 mg/ml 所述D-甘露醇、2.5 mg/ml所述間甲酚、0.13 mg/ml氫氧化鈉且其中pH爲4.0。
一種生產如請求項1至3中任一項所述的液體藥物製劑的方法，其中所述方法包括以下步驟：<br/>(i)將所述PTH綴合物與至少所述緩衝劑、所述等滲劑、所述防腐劑和任選的抗氧化劑混合；<br/>(ii)以所述pH調節劑調節步驟(i)的混合物的pH；<br/>(iii)任選地，過濾步驟(ii)的所述混合物；<br/>(iv)將相當於所需劑量的步驟(ii)或(iii)的所述混合物量轉移到容器中；<br/>(v)密封所述容器；並且<br/>其中步驟(ii)和(iii)的順序可以任選地顛倒。
如請求項4所述的生產方法，其中步驟(ii)和(iii)不顛倒。
如請求項1或2所述的液體藥物製劑，其用作藥物。
如請求項1或2所述的液體藥物製劑，其用於治療副甲狀腺功能減退。
一種如請求項1至3中任一項所述的液體藥物製劑在製備用於治療副甲狀腺功能減退的藥劑的用途。
一種製造組件載體(100)的方法，其中該方法包含： <br/> 將包含彼此具有不同深度及/或不同長度之一體子結構的表面輪廓沖壓在設計層(102)中，其中該一體子結構係跡線類型及/或通孔類型及/或組合的跡線和通孔類型凹部(108)； <br/> 在該沖壓的設計層(102)上形成導電晶種層(118)； <br/> 在該晶種層(118)之部分上形成圖案化的電鍍保護結構(106)；以及 <br/> 在相對於該電鍍保護結構(106)露出的該晶種層(118)之部分上或之上選擇性地電鍍電鍍結構(110)。
如請求項1之方法，其中該方法包含去除由去除該電鍍保護結構(106)而露出的該晶種層(118)的部分。
如請求項1或2之方法，其中該方法包含： <br/> 在覆蓋有釋放層(114)的載體(112)上或之上形成該設計層(102)，該載體較佳地包含玻璃或由玻璃組成；以及 <br/> 在該釋放層(114)處將該輪廓化設計層(102)與該晶種層(118)和該電鍍結構(110)的部分從該載體(112)分離。
如請求項1或2之方法，其中該方法包含在形成該導電晶種層(118)之前，在該沖壓的設計層(102)上施加黏著促進劑(104)及/或阻障層。
如請求項1或2之方法，其中該方法包含去除，特別是藉由蝕刻，在該輪廓化設計層(102)之該凹部(108)之至少一底部區域中該設計層(102)的殘餘物。
如請求項1或2之方法，其中該方法包含配置和沖壓，並且特別是額外的蝕刻，在導電層(120)上的該設計層(102)，使得該導電層(120)之至少一表面部分相對於該沖壓的設計層(102)露出。
如請求項6之方法，其中該方法包含下列步驟中的至少一者： <br/> 選擇性地在該導電層(120)的至少一露出的表面部分上及在該輪廓化設計層(102)之相應的至少一凹部(108)中形成金屬基底結構(122、122’)，隨後在該金屬基底結構(122、122’)上或之上電鍍該電鍍結構(110)， <br/> 其中該方法包含形成該金屬基底結構(122、122’)以包含底側子結構(122)及頂側子結構(122’)， <br/> 藉由電鍍形成該金屬基底結構(122、122’)的至少一部分， <br/> 至少部分地由特別是包含錫或由錫組成的可焊金屬材料形成該金屬基底結構(122、122’)。
一種組件載體(100)，其中該組件載體(100)包含： <br/> 設計層(102)，其具有包含彼此具有不同深度及/或不同長度之一體子結構之沖壓的表面輪廓，該一體子結構係跡線類型及/或通孔類型及/或組合的跡線和通孔類型凹部(108)； <br/> 導電晶種層(118)，其選擇性地襯在該沖壓的設計層(102)之凹部(108)；以及 <br/> 電鍍結構(110)，其選擇性地在該晶種層(118)之分離部分上或之上； <br/> 其中該電鍍結構(110)形成導電跡線類型及/或通孔類型子結構或形成一部分。
如請求項8之組件載體(100)，其包含至少一個以下特徵： <br/> 其中該電鍍結構(110)在該設計層(102)中形成不同深度及/或不同長度的導電子結構或形成一部分， <br/> 其中該電鍍結構(110)形成具有大於1，特別是大於1.5的深度直徑比的至少一導電子結構或形成一部分。
如請求項8或9之組件載體(100)，其中該電鍍結構(110)具有錐形側壁。
如請求項8或9之組件載體(100)，其中該設計層(102)係配置在導電層(120)上，使得該導電層(120)之至少一表面部分在該等凹部(108)的至少一處相對於該設計層(102)露出。
如請求項8或9之組件載體(100)，包含至少一個以下特徵： <br/> 其中該組件載體(100)包含在該設計層(102)之相應凹部(108)之底部中的金屬基底結構(122、122’)， <br/> 其中該電鍍結構(110)的至少一部分係配置在該金屬基底結構(122、122’)之頂部上， <br/> 其中該金屬基底結構(122、122’)包含底側子結構(122)及頂側子結構(122’)， <br/> 其中該金屬基底結構(122、122’)的至少一部分被電鍍， <br/> 其中該組件載體(100)包含在該輪廓化設計層(102)之一或兩個相對側上具有該晶種層(118)和該電鍍結構(110)之部分的積層(116)， <br/> 其中該積層(116)包含至少一層壓印刷電路板層堆疊。
如請求項8或9之組件載體(100)， <br/> 更包含具有另一沖壓的表面輪廓的另一設計層(102’)、選擇性地襯在該沖壓的另一設計層(102’)的另一凹部的另一導電晶種層、以及選擇性地在該另一晶種層之分離部分上或之上的另一電鍍結構； <br/> 其中具有另一導電晶種層之該另一輪廓化設計層(102’)及另一電鍍結構係配置在具有導電晶種層(118)之輪廓化設計層(102)及電鍍結構(110)上並且特別是與之電耦接，特別是形成多層再分佈結構， <br/> 其中特別是該另一導電晶種層及該另一電鍍結構以無焊盤的方式與該導電晶種層(118)和該電鍍結構(110)連接。
如請求項8或9之組件載體(100)，包含藉由連接結構安裝在該設計層(102)上的組件(124)，特別是藉由配置在該組件(124)與該設計層(102)之間的焊料結構(172)和熱壓接合結構之一者。
如請求項8或9之組件載體(100)，其中該電鍍結構(110)包含三維彎曲的子結構。
如請求項8或9之組件載體(100)，其中該沖壓的設計層(102)之該等凹部(108)係至少部分地填充有至少一佈線結構(164、166、168)，其由以下群組組成： <br/> 具有由金屬基底結構(122)之底側部分構成的底部的佈線結構(164)，其中該金屬基底結構(122’)之頂側部分係直接形成在該底側部分上，其中該佈線結構(164)的剩餘體積襯在覆蓋該金屬基底結構(122、122’)之頂表面以及該設計層(102)之露出的側壁之該晶種層(118)的一部分，並且其中由該晶種層(118)之該部分定界的該佈線結構(164)的剩餘體積係填充有該電鍍結構(110)的至少一部分； <br/> 具有該晶種層(118)之一部分的佈線結構(166)襯在該設計層(102)之露出的側壁及露出的底表面，其中該佈線結構(166)之剩餘體積係填充有該電鍍結構(110)的至少一部分； <br/> 具有由金屬基底結構(122)之底側部分構成的底部的佈線結構(168)，其中該金屬基底結構(122’)之頂側部分係直接形成在該底側部分上，其中該佈線結構(168)的剩餘體積襯在覆蓋該金屬基底結構(122、122’)之頂表面以及該設計層(102)之露出的側壁及露出的水平壁之該晶種層(118)的一部分，其中由該晶種層(118)之該部分定界的該佈線結構(168)的剩餘體積係填充有該電鍍結構(110)的至少一部分，以及其中該分配的凹部(108)具有階梯(170)。
如請求項8或9之組件載體(100)，包含至少一個以下特徵： <br/> 其中該設計層(102)具有大於600 Nm的黏著性；<b> </b><br/><b> </b>其中該設計層(102)具有200℃和300℃之間的耐溫性，特別是230℃到260℃； <br/> 其中該設計層(102)包含阻燃等級4的材料； <br/> 其中該設計層(102)包含具有玻璃化轉變溫度在120℃和200℃之間，特別是在135℃和170℃之間的材料； <br/> 其中該設計層(102)在玻璃化轉變溫度以下具有1000MPa至14000MPa、特別是5000MPa至13000MPa的模數； <br/> 其中該設計層(102)在玻璃化轉變溫度以上具有60MPa至800MPa、特別是100MPa至600MPa的模數； <br/> 其中該設計層(102)在玻璃化轉變溫度以下具有10ppm/K至40ppm/K，特別是20ppm/K至40ppm/K的熱膨脹係數； <br/> 其中該設計層(102)在玻璃化轉變溫度以上具有50ppm/K至100ppm/K，特別是60ppm/K至85ppm/K的熱膨脹係數。
一種組件載體(100)，其中該組件載體(100)包含： <br/> 安裝基底(137)及/或一或多個組件(124)； <br/> 層壓層堆疊(131)，其安裝在該安裝基底(137)上或之上及/或在該一或多個組件(124)上或之上； <br/> 至少一設計層(102)，其各具有包含彼此具有不同深度及/或不同長度之一體子結構之沖壓的表面輪廓，該一體子結構係跡線類型及/或通孔類型及/或組合的跡線和通孔類型凹部(108) ，其中該等凹部(108)至少部分填充有用作再分佈結構的積體佈線結構(164、166、168)，其中該至少一設計層(102)係形成在該層壓層堆疊(131)上；以及 <br/> 一或多個表面安裝的組件(124)，其在該至少一設計層(102)上。
如請求項18之組件載體(100)，其中該安裝基底(137)係主機板、印刷電路板或積體電路基材， <br/> 其中該層壓層堆疊(131)係印刷電路板、積體電路基材或中介層。
一種電子裝置，包含：一機殼，包含一電子元件擺放區、一走線區及一豎牆，該走線區位於該電子元件擺放區及該豎牆之間；以及一擴充模組，設置於該機殼的該走線區且包含：一架體，固定於該豎牆，該架體包含一承載部、一第一限位部、一第二限位部及多個理線結構，該第一限位部、該第二限位部及該承載部共同形成一容置槽，該些理線結構自該承載部的一第二表面凸出而共同形成一理線槽，該容置槽及該理線槽位於該架體的相對二側；以及一電路板，設置於該架體的該容置槽內。
如請求項1所述之電子裝置，其中該第一限位部及該第二限位部連接於該承載部的一第一表面且相分離，該承載部平行於該豎牆，且該第一限位部及該第二限位部固定於該豎牆。
如請求項2所述之電子裝置，其中該豎牆包含相分離的一第一定位槽及一第二定位槽，該第一限位部包含一定位掛勾，該第二限位部包含一定位凸塊，該定位掛勾及該定位凸塊分別可分離地定位於該第一定位槽及該第二定位槽。
如請求項3所述之電子裝置，其中該豎牆更包含一卡固孔，該第一限位部更包含一連接部及一彈臂部，該定位掛勾及該彈臂部透過該連接部連接於該承載部且彼此相分離，該定位掛勾及該彈臂部部分平行於該承載部，該彈臂部包含一卡塊，該卡塊可分離地卡固於該豎牆的該卡固孔。
如請求項4所述之電子裝置，其中該擴充模組更包含一操作件，該操作件連接於該彈臂部。
如請求項1所述之電子裝置，其中該些理線結構包含一分隔凸肋及一限位擋牆，該分隔凸肋被設置以分離該承載部的該第二表面的上緣及下緣，該限位擋牆連接於該分隔凸肋，該限位擋牆平行於該承載部的該第二表面且朝該承載部的上緣及下緣延伸，而將該理線槽分隔成二子線槽。
如請求項6所述之電子裝置，其中該些理線結構更包含一第一限位凸肋及一第二限位凸肋，該第一限位凸肋位於該承載部的上緣且與該限位擋牆呈交錯配置，該第二限位凸肋位於該承載部的下緣且與該限位擋牆呈交錯配置。
一種擴充模組，用以裝設於一機殼的一豎牆與一電子元件擺放區之間，該擴充模組包含：一架體，用以固定於該豎牆，且包含一承載部、一第一限位部、一第二限位部及多個理線結構，該第一限位部、該第二限位部及該承載部共同形成一容置槽，該些理線結構自該承載部的一第二表面凸出而共同形成一理線槽，該容置槽及該理線槽位於該架體的相對二側；以及一電路板，設置於該架體的該容置槽。
如請求項8所述之擴充模組，其中該第一限位部及該第二限位部連接於該承載部的一第一表面且相分離，該承載部平行於該豎牆，且該第一限位部及該第二限位部用以固定於該豎牆。
如請求項8所述之擴充模組，其中該些理線結構包含一分隔凸肋及一限位擋牆，該分隔凸肋被設置以分離該承載部的該第二表面的上緣及下緣，該限位擋牆連接於該分隔凸肋，該限位擋牆平行於該承載部的該第二表面且朝該承載部的上緣及下緣延伸，而將該理線槽分隔成二子線槽。
一種有關SWOT分析的遊戲教具，用以供一定數量之玩家進行設置與遊玩，其包含有：<br/>一遊戲圖板，包含有複數個移動格、複數個卡片放置區域及一空白區域；該等移動格包含有一起點及一終點；該卡片放置區域包含有一優勢卡放置格、一劣勢卡放置格、一機會卡放置格、一威脅卡放置格、一運氣卡放置格及一回收卡放置格；該空白區域位於該等移動格與該等卡片放置區域之間；<br/>一SWOT套組，包含有複數個問題卡，各該問題卡之正面分別包含數種不同之問題指令；其中該問題指令包含有關於優勢(Strength)之說明文字、關於劣勢（Weaknesses）之說明文字、關於機會（Opportunities）之說明文字與關於威脅（Threats）之說明文字；該SWOT套組經由洗牌後以正面朝上的形式提供於該遊戲圖板之該空白區域；<br/>一運氣套組，包含有複數個運氣卡，各該運氣卡上分別包含數種不同之移動指令；該運氣套組經由洗牌後提供於該遊戲圖板之該運氣卡放置格；以及<br/>複數個遊戲配件，包含有複數個玩家指示物，經由分配給各該玩家後提供於該遊戲圖板之該移動格之該起點。
如請求項1所述之有關SWOT分析的遊戲教具，其中各該問題卡之背面分別包含有數種不同之解答指令；該等解答指令包含有「S」、「W」、「O」、「T」，分別對應於正面之關於優勢(Strength)之說明文字、關於劣勢（Weaknesses）之說明文字、關於機會（Opportunities）之說明文字與關於威脅（Threats）之說明文字。
如請求項1所述之有關SWOT分析的遊戲教具，其中該移動指令包含有「前進1步」、「前進1步」、「前進3步」、「後退1步」、「後退2步」、「找一位玩家一起前進1步」、「根據擲骰結果前進X步」之其中一者。
如請求項1所述之有關SWOT分析的遊戲教具，更包含有一評分套組，包含有複數個評分卡，各該評分卡上分別包含數種不同之分數指令；該評分套組經由洗牌後提供於該遊戲圖板之一第三預定區域。
如請求項4所述之有關SWOT分析的遊戲教具，其中該等分數指令包含有「1分」、「2分」、「3分」之其中一者。
如請求項1所述之有關SWOT分析的遊戲教具，其中該等遊戲配件更包含有一策略陀螺，具有一本體及一桿體，該本體具有四策略面環繞於周圍；該桿體一端連接於該本體，另一端沿遠離該本體之方向延伸；該策略陀螺經設置後提供於該遊戲圖板附近，用以供玩家轉動該桿體而使該本體轉動，直到該本體停止移動時令其中一該策略面朝向上方。
如請求項6所述之有關SWOT分析的遊戲教具，其中該策略陀螺之該等策略面包含有一SO策略面、一ST策略面、一WO策略面及一WT策略面。
如請求項1所述之有關SWOT分析的遊戲教具，其中該等卡片放置區域更包含有一SO策略組合卡放置格、一ST策略組合卡放置格、一WO策略組合卡放置格及一WT策略組合卡放置格；且該SO策略組合卡放置格、該ST策略組合卡放置格、該WO策略組合卡放置格及該WT策略組合卡放置格分別定義有一計分倍率。
如請求項1所述之有關SWOT分析的遊戲教具，其中該等遊戲配件更包含有一骰子，具有複數個點數面，每一該點數面之點數皆不相同；該骰子經設置後提供於該遊戲圖板附近，用以供玩家使用以得到一擲骰結果。
如請求項1所述之有關SWOT分析的遊戲教具，其中該等遊戲配件更包含有一計時道具，經設置後提供於該遊戲圖板附近，用以供玩家使用以執行一預定時間的倒數計時。
一種行星滾柱螺桿傳動組件，包括：一螺母，具有一軸向貫穿的內孔，該螺母的內周面設有至少一環形槽區段，以及鄰近該環形槽區段的至少一非齒型區段；一螺桿，穿設該螺母之內孔中，並延伸至該螺母外部，該螺桿的外周面設有一螺紋結構；複數滾柱，設於該螺母的內孔中，並配置於該螺桿的外周，各滾柱的外周面設有複數環形齒，且沿其軸向設有至少一大節徑區段與至少一具有平滑面之小節徑區段，該大節徑區段設有用於與該螺桿形成滾動嚙合的環形齒，該小節徑區段設有用於與該螺母形成滾動嚙合的環形齒；一保持件組，設置於該等滾柱的軸向端部，用以維持該等滾柱的周向上的間距配置；及至少一摩擦彈性件，設置於該螺母內周面的非齒型區段，且與該等滾柱之小節徑區段的平滑面形成干涉接觸。
如請求項1所述之行星滾柱螺桿傳動組件，其中，該螺母的內周面還設有至少一退讓槽區段，該退讓槽區段係對應設置於該等滾柱之大節徑區段所對應的位置。
如請求項1所述之行星滾柱螺桿傳動組件，其中，該螺母的內周面於該非齒型區段設有一第一凹槽，該摩擦彈性件嵌設於該第一凹槽中。
如請求項1所述之行星滾柱螺桿傳動組件，其中，該摩擦彈性件與該滾柱之小節徑區段的平滑面形成干涉接觸之接觸點至該螺母幾何中心的徑向距離，實質上等同於該螺母之環形槽區段與該滾柱之小節徑區段形成滾動接觸之接觸點至該螺母幾何中心的徑向距離。
如請求項1所述之行星滾柱螺桿傳動組件，其中，該螺桿具有一節圓半徑Rs，係指該螺桿之螺紋結構與該滾柱之大節徑區段形成滾動接觸之接觸點至該螺桿幾何中心的徑向距離；該滾柱之大節徑區段具有一節圓半徑Rps，係指該大節徑區段的環形齒與該螺桿之螺紋結構形成滾動接觸之接觸點至該滾柱幾何中心的徑向距離；該滾柱之小節徑區段具有一節圓半徑Rpr，係指該小節徑區段的環形齒與該螺母之環形槽區段形成滾動接觸之接觸點至該滾柱幾何中心的徑向距離；該螺母具有一節圓半徑Rr，係指該螺母之環形槽區段與該滾柱之小節徑區段形成滾動接觸之接觸點至該螺母幾何中心的徑向距離；上述各節圓半徑滿足以下關係式：Rr=Rs+Rpr+Rps。
如請求項1所述之行星滾柱螺桿傳動組件，其中，該保持件組包括兩個環狀構件，該等環狀構件套設於該螺桿上並分別配置於該等滾柱之軸向兩端部，以共同維持該等滾柱於周向上的間距配置。
如請求項6所述之行星滾柱螺桿傳動組件，其中，該環狀構件設有複數定位槽，各定位槽用以容置一對應滾柱的軸向端部，以維持該等滾柱於周向上的間距配置。
如請求項7所述之行星滾柱螺桿傳動組件，還包括至少一固定件，該固定件設置於該螺母的內孔中，並抵止於該環狀構件背離該等滾柱之一側，以限制該保持件組於該螺母內的軸向位移。
一種具有交匯式雙流道之冷板裝置，包含：<br/>一冷板本體，包含：<br/>一基板，係具有相對設置之一散熱面與一吸熱面，該吸熱面係背向於該散熱面，並用以熱連結一電子元件；<br/>一外圍結構，係設置於該散熱面，並且包含：<br/>二側板，係彼此間隔設置，並分別沿一長度方向延伸；以及<br/>二端板，係分別自該二側板之一端沿垂直於該長度方向之一寬度方向延伸至該二側板之另一端，藉以圍構出一熱交換空間，且該熱交換空間沿該長度方向設有複數個鰭片設置區，且每一該些鰭片設置區包含一中心通道、二鰭片設置分區以及二側邊通道，該二鰭片設置分區係位於該中心通道之兩側，該二側邊通道係分別位於該二鰭片設置分區相對於該中心通道之另一側；<br/>一內側導流結構，係在該外圍結構內設置於該散熱面，並使該中心通道經由該二鰭片設置分區分別連通該二側邊通道，藉以形成彼此往復分流與匯流之一交匯式雙流道；以及<br/>複數個散熱鰭片，係沿該長度方向排列設置於該些鰭片設置區之該二鰭片設置分區，並分別沿該寬度方向延伸；以及<br/>一蓋板，係蓋合於該冷板本體，並具有一流體輸入口與一流體輸出口，該流體輸入口係對應於該些鰭片設置區其中之一輸入端鰭片設置區之該中心通道，該流體輸出口係對應於該些鰭片設置區其中之一輸出端鰭片設置區之該中心通道，且該些鰭片設置區係自該輸入端鰭片設置區沿該長度方向依序排列至該輸出端鰭片設置區；<br/>其中，當一冷卻流體經由該流體輸入口進入該冷板本體後，係在該交匯式雙流道內與該些散熱鰭片進行熱交換，藉以對該電子元件進行散熱。
如請求項1所述之具有交匯式雙流道之冷板裝置，其中，該內側導流結構更包含n個中心分流導板與（2n-2）個側邊導流結構，該n個中心分流導板與該（2n-2）個側邊導流結構係沿該長度方向依序交錯排列設置於該些鰭片設置區之間，且n為大於0之正整數。
如請求項1所述之具有交匯式雙流道之冷板裝置，其中，每一該些散熱鰭片具有一鰭片厚度，該些散熱鰭片其中任意相鄰二者之間具有一鰭片間距，且該鰭片間距係介於該鰭片厚度的1倍至1.5倍之間。
如請求項1所述之具有交匯式雙流道之冷板裝置，其中，每一該些鰭片設置區在該長度方向上具有一鰭片區長度，該些鰭片設置區之該鰭片區長度係沿該長度方向遞減。
一種移動機構的定位方法，該移動機構用於移動一晶圓，該定位方法包括：<br/> 透過一雷射產生一參考圖案，其中該雷射所產生的光束投射到目標表面的光線形成該參考圖案；<br/> 依據一擷取影像中的該晶圓與該參考圖案之間的大小關係決定與該晶圓相距的一參考距離；<br/> 依據該參考距離決定該擷取影像中的該移動機構的一參考元件在一平面的一參考尺寸，其中該平面位於該參考距離上，且該參考元件的實際尺寸及該參考元件在多個位置上與該參考圖案之間的大小關係為已知的；以及<br/> 依據該參考尺寸決定該移動機構的位置。
如請求項1所述的移動機構的定位方法，其中該參考圖案包括多個子圖案，且依據該擷取影像中的該晶圓與該參考圖案之間的大小關係決定與該晶圓相距的該參考距離的步驟包括：<br/> 決定該晶圓的外圍輪廓覆蓋該些子圖案的一佔據數量；以及<br/> 依據一距離上限、一第一參考面積、一距離下限及一第二參考面積之間的比例關係決定該佔據數量對應的該參考距離，其中該參考距離介於該距離上限及該距離下限之間，該第一參考面積是對應該佔據數量的該些子圖案位於該距離上限上的面積，且該第二參考面積是對應該佔據數量的該些子圖案位於該距離下限上的面積。
如請求項2所述的移動機構的定位方法，其中該參考圖案為一網格，每一該子圖案為該網格中的一方格，且該移動機構為一機械手臂。
如請求項1所述的移動機構的定位方法，其中依據該參考距離決定該擷取影像中的該移動機構的該參考元件在該平面的該參考尺寸的步驟包括：<br/> 依據該參考元件的實際尺寸及該參考元件在該些位置上的面決定該參考元件在該參考距離下在該擷取影像中呈現出的該參考尺寸，其中該參考元件在該擷取影像中的影像尺寸與該參考圖案中的子圖案的實際尺寸的比值相等於該參考尺寸與該參考圖案中的子圖案在該擷取影像中的影像尺寸的比值。
如請求項1所述的移動機構的定位方法，其中依據該參考尺寸決定該移動機構的位置的步驟包括：<br/> 依據該參考尺寸決定該晶圓與該移動機構之間的一間距，包括：<br/> 量測該擷取影像中的該晶圓到該移動機構之間的一像素距離；以及<br/> 利用該參考元件的該實際尺寸與該參考尺寸的比值決定該像素距離對應的該間距，其中利用該參考元件的該實際尺寸與該參考尺寸的比值與該像素距離的乘積為該間距；以及<br/> 依據該間距發出一位置偏移訊息。
一種定位處理裝置，包括：<br/> 一記憶體，用以儲存一程式碼；以及<br/> 一處理器，耦接該記憶體，並經配置用以載入該程式碼以執行：<br/> 透過一雷射產生一參考圖案，其中該雷射所產生的光束投射到目標表面的光線形成該參考圖案；<br/> 依據一擷取影像中的一晶圓與該參考圖案之間的大小關係決定與該晶圓相距的一參考距離；<br/> 依據該參考距離決定該擷取影像中的一移動機構的一參考元件在一平面的一參考尺寸，其中該移動機構用於移動該晶圓，該平面位於該參考距離上，且該參考元件的實際尺寸及該參考元件在多個位置上與該參考圖案之間的大小關係為已知的；以及<br/> 依據該參考尺寸決定該移動機構的位置。
如請求項6所述的定位處理裝置，其中該參考圖案包括多個子圖案，且該處理器更經配置用以：<br/> 決定該晶圓的外圍輪廓覆蓋該些子圖案的一佔據數量；以及<br/> 依據一距離上限、一第一參考面積、一距離下限及一第二參考面積之間的比例關係決定該佔據數量對應的該參考距離，其中該參考距離介於該距離上限及該距離下限之間，該第一參考面積是對應該佔據數量的該些子圖案位於該距離上限上的面積，且該第二參考面積是對應該佔據數量的該些子圖案位於該距離下限上的面積。
如請求項7所述的定位處理裝置，其中該參考圖案為一網格，每一該子圖案為該網格中的一方格，且該移動機構為一機械手臂。
如請求項6所述的定位處理裝置，其中該處理器更經配置用以：<br/> 依據該參考元件的實際尺寸及該參考元件在該些位置上的面決定該參考元件在該參考距離下在該擷取影像中呈現出的該參考尺寸，其中該參考元件在該擷取影像中的影像尺寸與該參考圖案中的子圖案的實際尺寸的比值相等於該參考尺寸與該參考圖案中的子圖案在該擷取影像中的影像尺寸的比值。
如請求項6所述的定位處理裝置，其中該處理器更經配置用以：<br/> 依據該參考尺寸決定該晶圓與該移動機構之間的一間距，包括：<br/> 量測該擷取影像中的該晶圓到該移動機構之間的一像素距離；以及<br/> 利用該參考元件的該實際尺寸與該參考尺寸的比值決定該像素距離對應的該間距，其中利用該參考元件的該實際尺寸與該參考尺寸的比值與該像素距離的乘積為該間距；以及<br/> 依據該間距發出一位置偏移訊息。
一種可用於狹小空間的自動夾持氣嘴接頭，其係一氣嘴接頭(1)對一美式氣嘴(3)結合產生導通供充氣，該美式氣嘴(3)端部中央設有一入氣部(3A)與外部設有一美式螺牙部(3B)； <br/>該氣嘴接頭(1)包含：一氣密殼體(10)及一美式夾持套件(20)； <br/>該氣密殼體(10)設有一美式空間(11)及有一前端與一後端，該氣密殼體(10)的該前端與該後端間的側邊設有一入氣部(14)連接導通該美式空間(11)； <br/>該美式夾持套件(20)設置於該美式空間(11)，包含：一美式按壓件(21)、至少一美式控制件(22)、一端止氣環(23)、一第一歸位手段(27)以及一第四歸位手段(290)； <br/>該氣密殼體(10)的該美式空間(11)外側設有一按壓槽(16)，配合該按壓槽(16)設有至少一美式控制槽(17)，該美式空間(11)前端設一美式出氣孔(18)，該美式出氣孔(18)連通該入氣部(14)，該美式控制槽(17)往該後端方向通設該美式空間(11)中的一卡固位置(171)，該美式控制槽(17)往該前端的該美式出氣孔(18)方向設有一樞轉軸部(172)，該美式控制件(22)設置於該美式控制槽(17)，該美式出氣孔(18)內設有該端止氣環(23)； <br/>該美式控制件(22)一端設有一結合軸(221)組設於該樞轉軸部(172)，令該美式控制件(22)以該結合軸(221)可以產生弧狀的擺動，該美式控制件(22)另設有一咬合部(222)及一被控部(223)，該咬合部(222)端部為齒狀可以由外側伸入該美式空間(11)中的該卡固位置(171)； <br/>該美式按壓件(21)一端設有美式按壓部(211)，另一端延伸出設有一控制部(212)設於該按壓槽(16)並與該被控部(223)連動，該美式按壓部(211)位於該美式空間(11)的後端，可供使用者按壓，該第四歸位手段(290)供該美式按壓件(21)歸位，該美式控制件(22)受該第一歸位手段(27)控制，常態以該咬合部(222)伸入該卡固位置(171)，該端止氣環(23)在該卡固位置(171)後方。
如請求項1之可用於狹小空間的自動夾持氣嘴接頭，其中該氣嘴接頭(1)對該美式氣嘴(3)結合產生導通供充氣並可供一法式氣嘴(2)結合產生切換導通供充氣，該氣嘴接頭(1)更包含一法式夾持套件(30)，該氣密殼體(10)設有一法式空間(12)，該法式夾持套件(30)設置於該法式空間(12)，該美式空間(11)與該法式空間(12)間有一通氣孔(13)。
如請求項2之可用於狹小空間的自動夾持氣嘴接頭，其中該美式夾持套件(20)更包含：一閥桿(24)、一第一致動件(25)、一第二致動件(26)、一第二歸位手段(28)以及一第三歸位手段(29)；該美式出氣孔(18)該端止氣環(23)往後端依序設有該閥桿(24)、該第一致動件(25)及該第二致動件(26)；該閥桿(24)前端設有頂部(241)，該頂部(241)常態設置在該卡固位置(171)前方，該閥桿(24)靠後端設有至少一切換止氣環(242)，該第一致動件(25)前端該端止氣環(23)結合，且該第二致動件(26)有一連通該通氣孔(13)與入氣部(14)的聯通部(261)，該第二歸位手段(28)設於該閥桿(24)與該第二致動件(26)之間，該第三歸位手段(29)設於該第一致動件(25)與該第二致動件(26)之間，該第四歸位手段(290)設於該美式按壓件(21)與該第二致動件(26)之間，同時供該美式按壓件(21)與該第二致動件(26)歸位，該閥桿(24)常態被往前端方向作動時，該入氣部(14)、該通氣孔(13)與該法式空間(12)彼此通氣，此時該入氣部(14)與該美式出氣孔(18)則止氣，當該閥桿(24)常態被往後端作動時，該入氣部(14)與該美式出氣孔(18)通氣，此時該入氣部(14)、該通氣孔(13)與該法式空間(12)則止氣。
如請求項2之可用於狹小空間的自動夾持氣嘴接頭，其中該美式夾持套件(20)更包含：一閥桿(24)、一第二致動件(26)以及一第二歸位手段(28)；該美式出氣孔(18)該端止氣環(23)往後端依序設有該閥桿(24)及該第二致動件(26)；該閥桿(24)前端設有頂部(241)，該頂部(241)常態設置在該卡固位置(171)前方，該閥桿(24)靠後端設有至少一切換止氣環(242)，且該第二致動件(26)有一連通該通氣孔(13)與入氣部(14)的聯通部(261)，該第二歸位手段(28)設於該閥桿(24)與該第二致動件(26)之間，該第四歸位手段(290)設於該美式按壓件(21)與該第二致動件(26)之間，同時供該美式按壓件(21)與該第二致動件(26)歸位，該閥桿(24)常態被往前端方向作動時，該入氣部(14)、該通氣孔(13)與該法式空間(12)彼此通氣，此時該入氣部(14)與該美式出氣孔(18)則止氣，當該閥桿(24)常態被往後端作動時，該入氣部(14)與該美式出氣孔(18)通氣，此時該入氣部(14)、該通氣孔(13)與該法式空間(12)則止氣。
如請求項1之可用於狹小空間的自動夾持氣嘴接頭，其中該氣密殼體(10)的該美式空間(11)配合有一外蓋(15)組合而成，該外蓋(15)設有一穿孔(151)，當該外蓋(15)與該氣密殼體(10)結合，該入氣部(14)由該穿孔(151)通過。
如請求項5之可用於狹小空間的自動夾持氣嘴接頭，其中該入氣部(14)設有一連接管(40)以供利用一螺帽(46)固定一軟管(50)，該連接管(40)中心為氣道(41)，延伸出末端設有一大徑套管(42)，該大徑套管(42)末端設有一小徑套管(43)，配合該大徑套管(42)與該小徑套管(43)周緣設有夾爪(44)與螺牙(45)，該螺牙(45)供該螺帽(46)鎖設。
如請求項1之可用於狹小空間的自動夾持氣嘴接頭，其中該美式夾持套件(20)更包含：一閥桿(24)，該閥桿(24)前端設有頂部(241)，該頂部(241)設置在該卡固位置(171)前方。
一種黃芩黃酮II(skullcapflavone II)醣苷，係具有如下式(I)之結構式：<br/>式(I)<br/><img align="absmiddle" height="240px" width="221px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>
一種黃芩黃酮II(skullcapflavone II)醣苷的製備方法，包括：以醣基轉移酶，在一醣供體的存在下，催化黃芩黃酮II，以獲得黃芩黃酮II醣苷，其中該黃芩黃酮II醣苷具有有如下式(I)之結構式：<br/>式(I)<br/><img align="absmiddle" height="194px" width="178px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項2所述之方法，其中該醣供體包含葡萄糖基團。
如請求項3所述之方法，其中該醣供體為尿苷二磷酸葡萄糖。
如請求項2所述之方法，其中該醣基轉移酶包括枯草桿菌(<i>Bacillus subtilis</i>)、蘇雲金芽孢桿菌(<i>Bacillus thuringiensis</i>)或是抗生素鏈黴菌(<i>Streptomyces antibioticus</i>)的醣基轉移酶。
如請求項2所述之方法，該醣基轉移酶於30~40°C催化黃芩黃酮II的醣基化反應。
如請求項2所述之方法，該醣基轉移酶在pH 7.0~8.0催化黃芩黃酮II的醣基化反應。
如請求項2所述之方法，該醣基轉移酶包括Leloir型醣基轉移酶(Leloir glycosyltransferase)。
一種如請求項1所述之黃芩黃酮II醣苷於製備抑制黑色素瘤生成之組合物的用途，係將該將黃芩黃酮II醣苷施用於黑色素瘤細胞，以誘導該黑色素瘤細胞死亡。
一種翹曲抑制的元件內埋結構，包括：<br/> 一第一框；<br/> 一第一階部，與該第一框相鄰，且該第一框的高度高於該第一階部的高度；<br/> 至少一元件，設置於該第一框與該第一階部內；以及<br/> 一絕緣材料，填充於該第一框與該元件之間，<br/> 其中該第一框具有作為該絕緣材料的流道的凹槽，且該凹槽由該第一框的外表面貫穿到該第一框的內表面。
如請求項1之翹曲抑制的元件內埋結構，其中該絕緣材料覆蓋該第一階部與該元件，且該絕緣材料的高度與該第一框的高度相等。
如請求項1之翹曲抑制的元件內埋結構，其中該第一階部與該元件具有一間距。
如請求項1之翹曲抑制的元件內埋結構，其中該第一框具有作為該絕緣材料的流道的複數個凹槽，該等凹槽的高度相等。
如請求項1之翹曲抑制的元件內埋結構，其中該凹槽位於該元件的上方。
如請求項1之翹曲抑制的元件內埋結構，其中該凹槽向下延伸超過該元件。
如請求項1之翹曲抑制的元件內埋結構，其中該凹槽為向下凹的弧狀或方形。
如請求項1之翹曲抑制的元件內埋結構，<br/> 其中該第一階部位於該第一框的部分內側。
如請求項8之翹曲抑制的元件內埋結構，其中該絕緣材料覆蓋該第一階部與該元件，且該絕緣材料的高度與該第一框的高度相等。
如請求項8之翹曲抑制的元件內埋結構，其中該第一階部與該元件具有一間距。
一種固定裝置，係包括基座及鎖扣機構，其中：<br/> 該基座內部具有容置空間，並於該容置空間一側的二長側壁處設有樞接部、另側為形成向外鏤空之槽口；<br/> 該鎖扣機構係組裝於該基座的該容置空間內，係包括限位座體、活動組裝於該限位座體之蓋體，該限位座體一側具有對接部、且該對接部往一側延伸有具鎖孔之座板，而於該蓋體一側設有活動組裝於該限位座體的該對接部處之銜接部，再於該銜接部往一側延伸有罩覆於該座板之扳動件，且該扳動件上設有對位於該座板的該鎖孔處之替換式鎖具，該蓋體設有供組裝該替換式鎖具之組裝孔，該鎖具係包括組設於該組裝孔處之定位座、組裝於該定位座內之旋轉體、組裝於該旋轉體內之驅動軸、位於該定位座底部外側受該驅動軸連動之旋動扣體，而該定位座內部具有容置槽，且於該容置槽底部設有穿孔、位於該穿孔一側之導引槽孔，以供該旋轉體組裝於該容置槽內，則於該旋轉體設有對位於該穿孔之內框孔，即於該驅動軸一側凸設有穿過該內框孔、該穿孔之結合桿，再於該旋動扣體設有供該結合桿組裝之組接孔，該旋動扣體一側凸設有穿過該定位座的該導引槽孔進入該容置槽內部之卡持件，而於該旋轉體外部設有供該卡持件嵌扣卡制之嵌合槽，並於該旋動扣體底部設有旋動對位於該限位座體的該鎖孔處之扣持部。
如請求項1所述之固定裝置，其中該基座內部凹設有矩形狀之該容置空間，並供該樞接部於該容置空間一側的二長側壁處分別設有呈Ｕ形狀之轉軸孔，且該鎖扣機構之該蓋體則於近該銜接部二側邊分別凸設有組裝於該二轉軸孔處之轉軸。
如請求項2所述之固定裝置，其中該基座的該矩形狀容置空間具有二長側壁、連結於該二長側壁一側的短側壁、相對該短側壁的該二長側壁另側為形成鏤空狀之槽口，而於近該短側壁的該二長側壁一側為設有該樞接部之該轉軸孔。
如請求項1所述之固定裝置，其中該鎖扣機構的該限位座體一側設有柱體狀之該對接部，並於該對接部的軸向設有呈長槽狀之軸孔，再於該柱體狀對接部一側延伸設有板狀之該座板，且該座板上則設有呈長橢圓槽狀之該鎖孔，而該蓋體一側該銜接部係設有對位於該軸孔之通孔，再設有穿置於該通孔、該軸孔處之銜接軸。
如請求項1所述之固定裝置，其中該定位座的該容置槽底部表面與該旋轉體底面之間設有內襯墊片，再於該定位座外部底面與該旋動扣體頂部表面之間設有外襯墊片。
如請求項1所述之固定裝置，其中該旋動體內部設有呈矩形弧狀之該內框孔，而於該驅動軸的該結合桿處設有卡固於該內框孔處之矩形弧狀外桿件，再於該外桿件一側凸設有減縮桿徑之組接件，以供該組接件活動式組裝於該旋動扣體之該組接孔處。
如請求項1所述之固定裝置，其中該旋動扣體一側凸設有呈三角形狀、菱形狀、梯形狀、多邊形狀或齒狀之該卡持件，而於該旋轉體的外部設有三角形狀、菱形狀、梯形狀、多邊形狀或齒狀之該嵌合槽，以供該卡持件對位卡固於該嵌合槽處形成卡制限位。
一種式（P-1）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽之用途，其係用於製備治療癌症之藥物，<br/><img align="absmiddle" height="72px" width="80px" file="ed10461.jpg" alt="ed10461.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/>其中，<br/>T<sub>1</sub>和T<sub>3</sub>分別獨立地選自CH和N；<br/>R<sub>3</sub>選自苯基和5-6元雜芳基，該苯基和5-6元雜芳基分別獨立地任選被1、2或3個R<sub>b</sub>取代；<br/>R<sub>6</sub>選自C<sub>3-6</sub>環烷基，該C<sub>3-6</sub>環烷基任選被1、2或3個R<sub>d</sub>取代；<br/>R<sub>7</sub>選自H和C<sub>1-3</sub>烷基，該C<sub>1-3</sub>烷基任選被1、2或3個R<sub>e</sub>取代；<br/>各R<sub>8</sub>分別獨立地選自H、C<sub>1-3</sub>烷基和5-10元雜環烷基，該C<sub>1-3</sub>烷基和5-10元雜環烷基分別獨立地任選被1、2或3個R<sub>f</sub>取代；<br/>L<sub>3</sub>選自-CH<sub>2</sub>-、環丙基、環丁基、環戊基和環己基；<br/>各R<sub>d</sub>分別獨立地選自C<sub>1-3</sub>烷基，該C<sub>1-3</sub>烷基任選被1、2或3個R取代；<br/>各R<sub>b</sub>分別獨立地選自H、D、F、Cl、OH和CH<sub>3</sub>；<br/>各R<sub>e</sub>分別獨立地選自H、D、F和Cl；<br/>各R<sub>f</sub>分別獨立地選自H、D、F、Cl、CH<sub>3</sub>和OCH<sub>3</sub>，該CH<sub>3</sub>和OCH<sub>3</sub>分別獨立地任選被1、2或3個R取代；及<br/>各R分別獨立地選自D和F。
如請求項1之用途，其中在式（P-1）化合物中，R<sub>3</sub>為5-6元雜芳基。
如請求項1之用途，其中在式（P-1）化合物中，R<sub>3</sub>為5元雜芳基。
如請求項1之用途，其中在式（P-1）化合物中，L<sub>3</sub>係-CH<sub>2</sub>-。
如請求項1之用途，其中在式（P-1）化合物中，R<sub>6</sub>係<img align="absmiddle" height="12px" width="19px" file="ed10407.jpg" alt="ed10407.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="18px" width="19px" file="ed10408.jpg" alt="ed10408.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之用途，其中在式（P-1）化合物中，R<sub>7</sub>係H、CH<sub>3</sub>、CH<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>、CH<sub>2</sub>F、CHF<sub>2</sub>、CF<sub>3</sub>、CH<sub>2</sub>CF<sub>3</sub>或CD<sub>3</sub>。
如請求項1之用途，其中在式（P-1）化合物中，R<sub>7</sub>係CH<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>。
如請求項1之用途，其中在式（P-1）化合物中，各R<sub>8</sub>分別獨立地選自H、C<sub>1-3</sub>烷基和5-6元雜環烷基，且該C<sub>1-3</sub>烷基和5-6元雜環烷基分別獨立地任選被1、2或3個R<sub>f</sub>取代。
如請求項1之用途，其中該式（P-1）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽係選自由以下組成之群：<br/><img align="absmiddle" height="64px" width="117px" file="ed10462.jpg" alt="ed10462.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="85px" width="121px" file="ed10463.jpg" alt="ed10463.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="64px" width="116px" file="ed10464.jpg" alt="ed10464.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="85px" width="121px" file="ed10465.jpg" alt="ed10465.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="79px" width="118px" file="ed10466.jpg" alt="ed10466.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="79px" width="118px" file="ed10467.jpg" alt="ed10467.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="74px" width="118px" file="ed10468.jpg" alt="ed10468.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="74px" width="118px" file="ed10469.jpg" alt="ed10469.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="79px" width="118px" file="ed10470.jpg" alt="ed10470.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="74px" width="118px" file="ed10471.jpg" alt="ed10471.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="79px" width="118px" file="ed10472.jpg" alt="ed10472.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="74px" width="118px" file="ed10473.jpg" alt="ed10473.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="79px" width="118px" file="ed10474.jpg" alt="ed10474.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="74px" width="118px" file="ed10475.jpg" alt="ed10475.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="79px" width="128px" file="ed10476.jpg" alt="ed10476.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="74px" width="128px" file="ed10477.jpg" alt="ed10477.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="79px" width="118px" file="ed10478.jpg" alt="ed10478.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="74px" width="118px" file="ed10479.jpg" alt="ed10479.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="79px" width="118px" file="ed10480.jpg" alt="ed10480.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="74px" width="118px" file="ed10481.jpg" alt="ed10481.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="74px" width="118px" file="ed10482.jpg" alt="ed10482.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="79px" width="118px" file="ed10483.jpg" alt="ed10483.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<br/><img align="absmiddle" height="74px" width="118px" file="ed10484.jpg" alt="ed10484.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及<img align="absmiddle" height="79px" width="118px" file="ed10485.jpg" alt="ed10485.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之用途，其中該式（P-1）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽係選自由以下組成之群：<br/><img align="absmiddle" height="79px" width="118px" file="ed10486.jpg" alt="ed10486.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="94px" width="114px" file="ed10487.jpg" alt="ed10487.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="79px" width="118px" file="ed10488.jpg" alt="ed10488.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="94px" width="114px" file="ed10489.jpg" alt="ed10489.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="79px" width="118px" file="ed10490.jpg" alt="ed10490.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="95px" width="111px" file="ed10491.jpg" alt="ed10491.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="79px" width="118px" file="ed10492.jpg" alt="ed10492.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="95px" width="111px" file="ed10493.jpg" alt="ed10493.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<br/><img align="absmiddle" height="75px" width="121px" file="ed10494.jpg" alt="ed10494.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="82px" width="121px" file="ed10495.jpg" alt="ed10495.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="91px" width="112px" file="ed10496.jpg" alt="ed10496.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="99px" width="113px" file="ed10497.jpg" alt="ed10497.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="79px" width="118px" file="ed10498.jpg" alt="ed10498.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="94px" width="114px" file="ed10499.jpg" alt="ed10499.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="79px" width="118px" file="ed10500.jpg" alt="ed10500.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="94px" width="114px" file="ed10501.jpg" alt="ed10501.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="80px" width="128px" file="ed10502.jpg" alt="ed10502.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="95px" width="123px" file="ed10503.jpg" alt="ed10503.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="80px" width="128px" file="ed10504.jpg" alt="ed10504.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="95px" width="123px" file="ed10505.jpg" alt="ed10505.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="74px" width="118px" file="ed10506.jpg" alt="ed10506.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="88px" width="114px" file="ed10507.jpg" alt="ed10507.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="74px" width="118px" file="ed10508.jpg" alt="ed10508.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="93px" width="114px" file="ed10509.jpg" alt="ed10509.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="89px" width="128px" file="ed10510.jpg" alt="ed10510.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="82px" width="128px" file="ed10511.jpg" alt="ed10511.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="89px" width="128px" file="ed10512.jpg" alt="ed10512.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="82px" width="128px" file="ed10513.jpg" alt="ed10513.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="106px" width="124px" file="ed10514.jpg" alt="ed10514.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="99px" width="124px" file="ed10515.jpg" alt="ed10515.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="106px" width="124px" file="ed10516.jpg" alt="ed10516.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="99px" width="124px" file="ed10409.jpg" alt="ed10409.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="89px" width="138px" file="ed10410.jpg" alt="ed10410.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="82px" width="138px" file="ed10411.jpg" alt="ed10411.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="89px" width="128px" file="ed10412.jpg" alt="ed10412.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="82px" width="128px" file="ed10413.jpg" alt="ed10413.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="117px" width="124px" file="ed10414.jpg" alt="ed10414.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="109px" width="124px" file="ed10415.jpg" alt="ed10415.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="106px" width="124px" file="ed10416.jpg" alt="ed10416.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="99px" width="124px" file="ed10417.jpg" alt="ed10417.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="89px" width="128px" file="ed10418.jpg" alt="ed10418.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="89px" width="128px" file="ed10419.jpg" alt="ed10419.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="106px" width="120px" file="ed10420.jpg" alt="ed10420.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="106px" width="120px" file="ed10421.jpg" alt="ed10421.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="82px" width="128px" file="ed10422.jpg" alt="ed10422.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="82px" width="128px" file="ed10423.jpg" alt="ed10423.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="98px" width="120px" file="ed10424.jpg" alt="ed10424.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="98px" width="120px" file="ed10425.jpg" alt="ed10425.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="89px" width="128px" file="ed10426.jpg" alt="ed10426.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="82px" width="128px" file="ed10427.jpg" alt="ed10427.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="106px" width="124px" file="ed10428.jpg" alt="ed10428.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="99px" width="124px" file="ed10429.jpg" alt="ed10429.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="89px" width="128px" file="ed10430.jpg" alt="ed10430.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="82px" width="128px" file="ed10431.jpg" alt="ed10431.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="106px" width="124px" file="ed10432.jpg" alt="ed10432.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及<img align="absmiddle" height="113px" width="124px" file="ed10433.jpg" alt="ed10433.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項9之用途，其中該式（P-1）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽係為：<br/><img align="absmiddle" height="85px" width="122px" file="ed10434.jpg" alt="ed10434.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項9之用途，其中該式（P-1）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽係為：<br/><img align="absmiddle" height="85px" width="122px" file="ed10435.jpg" alt="ed10435.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項9之用途，其中該式（P-1）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽係為：<br/><img align="absmiddle" height="79px" width="128px" file="ed10436.jpg" alt="ed10436.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="74px" width="128px" file="ed10437.jpg" alt="ed10437.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>.。
如請求項10之用途，其中該式（P-1）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽係為：<br/><img align="absmiddle" height="63px" width="95px" file="ed10438.jpg" alt="ed10438.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項10之用途，其中該式（P-1）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽係為：<br/><img align="absmiddle" height="63px" width="95px" file="ed10439.jpg" alt="ed10439.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項10之用途，其中該式（P-1）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽係為：<br/><img align="absmiddle" height="60px" width="97px" file="ed10440.jpg" alt="ed10440.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項10之用途，其中該式（P-1）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽係為：<br/><img align="absmiddle" height="66px" width="97px" file="ed10441.jpg" alt="ed10441.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項10之用途，其中該式（P-1）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽係為：<br/><img align="absmiddle" height="79px" width="118px" file="ed10442.jpg" alt="ed10442.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項10之用途，其中該式（P-1）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽係為：<br/><img align="absmiddle" height="74px" width="118px" file="ed10443.jpg" alt="ed10443.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項10之用途，其中該式（P-1）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽係為：<br/><img align="absmiddle" height="74px" width="118px" file="ed10444.jpg" alt="ed10444.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項10之用途，其中該式（P-1）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽係為：<br/><img align="absmiddle" height="89px" width="128px" file="ed10445.jpg" alt="ed10445.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項10之用途，其中該式（P-1）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽係為：<br/><img align="absmiddle" height="82px" width="128px" file="ed10446.jpg" alt="ed10446.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項10之用途，其中該式（P-1）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽係為：<br/><img align="absmiddle" height="89px" width="128px" file="ed10447.jpg" alt="ed10447.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項10之用途，其中該式（P-1）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽係為：<br/><img align="absmiddle" height="82px" width="128px" file="ed10448.jpg" alt="ed10448.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項10之用途，其中該式（P-1）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽係為：<br/><img align="absmiddle" height="89px" width="138px" file="ed10449.jpg" alt="ed10449.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項10之用途，其中該式（P-1）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽係為：<br/><img align="absmiddle" height="82px" width="138px" file="ed10450.jpg" alt="ed10450.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項10之用途，其中該式（P-1）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽係為：<br/><img align="absmiddle" height="89px" width="128px" file="ed10451.jpg" alt="ed10451.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項10之用途，其中該式（P-1）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽係為：<br/><img align="absmiddle" height="82px" width="128px" file="ed10452.jpg" alt="ed10452.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項10之用途，其中該式（P-1）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽係為：<br/><img align="absmiddle" height="89px" width="128px" file="ed10453.jpg" alt="ed10453.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項10之用途，其中該式（P-1）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽係為：<br/><img align="absmiddle" height="89px" width="128px" file="ed10454.jpg" alt="ed10454.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項10之用途，其中該式（P-1）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽係為：<br/><img align="absmiddle" height="82px" width="128px" file="ed10455.jpg" alt="ed10455.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項10之用途，其中該式（P-1）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽係為：<br/><img align="absmiddle" height="82px" width="128px" file="ed10456.jpg" alt="ed10456.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項10之用途，其中該式（P-1）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽係為：<br/><img align="absmiddle" height="89px" width="128px" file="ed10457.jpg" alt="ed10457.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項10之用途，其中該式（P-1）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽係為：<br/><img align="absmiddle" height="82px" width="128px" file="ed10458.jpg" alt="ed10458.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項10之用途，其中該式（P-1）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽係為：<br/><img align="absmiddle" height="89px" width="128px" file="ed10459.jpg" alt="ed10459.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項10之用途，其中該式（P-1）化合物、其立體異構體或其藥學上可接受的鹽係為：<br/><img align="absmiddle" height="82px" width="128px" file="ed10460.jpg" alt="ed10460.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。<br/><b/>
一種速釋型錠劑，其以該錠劑總重量計包含：<br/>55.0 wt%至75.0 wt%之蘭尼菲諾(lanifibranor)；<br/>10.0 wt%至35.0 wt%之填充劑；<br/>1.0 wt%至5.0 wt%之界面活性劑；<br/>1.0 wt%至10.0 wt%之黏合劑；<br/>0.5 wt%至5.0 wt%之潤滑劑；<br/>1.0 wt%至8.0 wt%之崩解劑；及<br/>0.1 wt%至5.0 wt%之滑動劑；<br/>其中蘭尼菲諾具有使得D50≤30 μm且D90≤50 μm之粒度分佈。
如請求項1之速釋型錠劑，其中蘭尼菲諾具有使得D50≤10 μm且D90≤30 μm之粒度分佈。
如請求項1之速釋型錠劑，其中該錠劑經口服攝入後15分鐘內釋放約30%至60%之蘭尼菲諾。
如請求項1之速釋型錠劑，其中該錠劑經口服攝入後45分鐘內釋放至少80%之蘭尼菲諾。
如請求項1之速釋型錠劑，其中該填充劑係選自單水合乳糖、無水乳糖、澱粉、經改質澱粉、甘露醇及其混合物。
如請求項1之速釋型錠劑，其中該界面活性劑係選自非離子型界面活性劑、陰離子型界面活性劑、陽離子型界面活性劑及其混合物。
如請求項1之速釋型錠劑，其中該黏合劑係選自纖維素、經改質纖維素、微晶纖維素、聚乙烯吡咯啶酮及其混合物。
如請求項1之速釋型錠劑，其中該潤滑劑係選自滑石、硬脂酸、硬脂酸鎂、硬脂酸鈣、硬脂醯富馬酸鈉、矽膠及其混合物。
如請求項1之速釋型錠劑，其中該崩解劑係選自澱粉、經改質澱粉、交聯羧甲基纖維素鈉、交聯普維酮(crospovidone)、羥基乙酸澱粉鈉及其混合物。
如請求項1之速釋型錠劑，其包含200 mg至1,200 mg之蘭尼菲諾。
如請求項10之速釋型錠劑，其包含400 mg、600 mg、800 mg、1,000 mg或1,200 mg之蘭尼菲諾。
如請求項1之速釋型錠劑，其中蘭尼菲諾呈結晶形式。
一種如請求項1至12中任一項之速釋型錠劑之用途，其用於製造供治療非酒精性脂肪肝病(NAFLD)用之藥劑。
如請求項13之用途，其中NAFLD包括非酒精性脂肪肝及非酒精性脂肪變性肝炎。
一種如請求項1至12中任一項之速釋型錠劑之用途，其用於製造供治療處於自代償期進展至失代償期之風險下的肝硬化個體用的藥劑。
一種如請求項1至12中任一項之速釋型錠劑之用途，其用於製造供治療以下用之藥劑：肝硬化(cirrhosis)、肝纖維化、肝脂肪變性、脂肪肝病、急性代償不全、慢性肝衰竭急性發作、急性肝衰竭、代謝相關之脂肪變性肝炎或糖尿病。
一種如請求項1至12中任一項之速釋型錠劑之用途，其用於製造供治療以下用之藥劑：代償不全之肝硬化、代償性肝硬化、肝硬化(liver cirrhosis)或代謝相關之脂肪肝病。
一種鋼，具有：<br/>成分組成，以質量%計含有<br/>C：0.03%以上且0.30%以下、<br/>Si：0.01%以上且0.50%以下、<br/>Mn：0.01%以上且1.00%以下、<br/>S：0.001%以上且0.100%以下、<br/>Cu：0.01%以上且0.50%以下、<br/>Ni：0.01%以上且0.50%以下、<br/>Ti：3.4×[N]%以上且0.100%以下，其中[N]表示鋼中的N量，及<br/>N：0.0010%以上且0.0080%以下，<br/>其餘部分為Fe及不可避免的雜質；以及<br/>微觀組織，鐵氧體及波來體組織的合計面積率為90%以上，且包含雪明碳鐵粒子，<br/>固溶N量為0.0015質量%以下，<br/>平均維氏硬度為250 HV以下，<br/>所述微觀組織中，<br/>所述雪明碳鐵粒子更包含以Ti氮化物為核的雪明碳鐵粒子，且滿足：<br/>（a）於以所述Ti氮化物為核的雪明碳鐵粒子周圍的基體部分具有Cu及Ni中的任一種或兩種元素相對於基體整體的平均濃度而濃化了三倍以上的區域；及<br/>（b）以所述Ti氮化物為核的雪明碳鐵粒子中圓相當直徑為10 nm以上且100 nm以下的粒子的數密度為20個/mm<sup>2</sup>以上，且所述雪明碳鐵粒子中圓相當直徑為1 mm以上的粒子的數密度為10個/mm<sup>2</sup>以下。
如請求項1所述的鋼，其中所述成分組成以質量%計更含有選自如下的群組中的一種或兩種以上的元素：<br/>Cr：1.50%以下、<br/>Mo：0.50%以下、<br/>Al：0.100%以下、<br/>V：0.300%以下、<br/>Nb：0.100%以下、<br/>B：0.0050%以下、<br/>Sn：0.100%以下及<br/>Sb：0.030%以下。
一種鋼的製造方法，為製造如請求項1或2所述的鋼的方法，所述鋼的製造方法中，對具有如請求項1或2所述的成分組成的鋼原材料實施加熱至1000℃以上且1200℃以下的溫度的熱軋，繼而實施300℃以上且Ar<sub>3</sub>點以下的溫度區域的平均冷卻速度為0.1℃/s以上且{1.5-（[Cu]+[Ni]/2）}℃/s以下的冷卻，<br/>此處，[Cu]及[Ni]分別表示於鋼原材料中的Cu量及Ni量。
一種流體空化動態熱能系統，其包括：<br/> 一儲水槽，具有冷水腔及熱水腔，該冷水腔用於儲存冷水，該熱水腔用於接收經空化現象及動態衝擊後的流體；<br/> 一加壓泵，連接於該儲水槽，用於將該冷水腔中的該冷水加壓至一預定壓力；<br/> 一加熱裝置，設置於該加壓泵後，用於將該冷水加熱成熱水及濕蒸氣；<br/> 一反應腔體；<br/> 一第一噴射器，連接於該加熱裝置與該反應腔體之間，用於接收該熱水及濕蒸氣並將其形成第一動態流導入該反應腔體；<br/> 一第二噴射器，連接於該加壓泵與該反應腔體之間，用於接收該冷水並將其形成第二動態流導入該反應腔體；及<br/> 複數個開關閥，用於動態控制流體流動；<br/> 其中，該第一動態流與該第二動態流在該反應腔體中交互作用以產生空化現象及動態衝擊，進而產生熱能，且該反應腔體流出的流體進入該熱水腔中。
如請求項1所述的流體空化動態熱能系統，其中，該儲水槽的該熱水腔及該冷水腔相連通，使該熱水腔中經空化現象及動態衝擊後的流體得以流至該冷水腔。
如請求項1所述的流體空化動態熱能系統，其中，該反應腔體為一共振腔、一混合腔體及一雙套管換熱器其中之一。
如請求項3所述的流體空化動態熱能系統，其中，當該反應腔體為該共振腔時，該共振腔包含複數個不同容積的腔體，用於放大該空化現象及該動態衝擊。
如請求項3所述的流體空化動態熱能系統，其中，當該反應腔體為該混合腔體時，該混合腔體具有： <br/> 一第一入口，設置於該混合腔體的底端，用於該第一動態流進入，以產生該空化現象及該動態衝擊；及<br/> 一第二入口，設置於該混合腔體的頂端，用於該第二動態流進入，以產生該空化現象及該動態衝擊。
如請求項5所述的流體空化動態熱能系統，其中，該混合腔體還包含：<br/> 一內管，設置於該混合腔體內，該內管管壁上具有複數個孔；<br/> 一外管，該內管末端與該外管相通；及<br/> 一逆轉裝置，位於該外管底部，用於強化該空化現象及該動態衝擊。
如請求項1所述的流體空化動態熱能系統，其中，該第一噴射器及該第二噴射器中的至少一個包含： <br/> 複數個腔體，其中至少一個腔體為漸擴錐形，且該漸擴錐形腔體的母線與軸的夾角為5度。
如請求項1所述的流體空化動態熱能系統，其中，該複數個開關閥包括： <br/> 一第一開關閥，設置於該加熱裝置後，用於控制該第一動態流；及<br/> 一第二開關閥，設置於該第二噴射器前，用於控制該第二動態流。
如請求項8所述的流體空化動態熱能系統，其中，該第一開關閥維持常開狀態，該第二開關閥的開啟時間與關閉時間的比例為1:2。
如請求項1所述的流體空化動態熱能系統，其中，該加壓泵將該冷水加壓至之該預定壓力的範圍介於錶壓295千帕至1961千帕之間。
如請求項1所述的流體空化動態熱能系統，其中，該流體空化動態熱能系統另包含一超音波震盪器，設置於該第一噴射器及該第二噴射器的至少一個外部，提供20至40千赫茲之震盪頻率，用於強化該空化現象。
一種礫石地大樹移植方法，包含：<br/>對一樹木主幹基部的徑向原生根設定一保留根球範圍，將該設定保留根球範圍分為二個區及先後對各區進行斷根步驟，各次斷根步驟分別包括：<br/>側向斷根步驟，係斷去所區分的一個區的數原生根的一部份以形成數保留根；<br/>包紮步驟：將2-3 條保留根置入於一袋體中，且該袋體中填入介質；<br/>照顧步驟：對該包紮步驟所形成的各該袋體充份灌水，經二個月以完成該次斷根步驟；<br/>搬運步驟：包括：<br/>一吊掛步驟，將樹緩緩吊起；<br/>一運送步驟，備具一移送車輛，使該樹木移送至預移植地的一植穴及回填土壤，以使該樹木移植在定位。
如請求項1之礫石地大樹移植方法，其中，該主幹基部具有一第一徑向尺寸，該保留根球範圍具有一第三徑向尺寸，該第三徑向尺寸為該第一徑向尺寸的3-4倍。
如請求項1之礫石地大樹移植方法，其中，在該包紮步驟中，於各該袋體中塞入2或3條的保留根。
如請求項1之礫石地大樹移植方法，其中，經填滿介質及該保留根的該袋體被固定在該主幹基部。
如請求項1之礫石地大樹移植方法，其中，該照顧步驟係對各該袋體每2-3天充份灌水一次。
如請求項1之礫石地大樹移植方法，其中，完成該第一次斷根步驟後另包括一固定步驟，該固定步驟係以支撐件對該大樹進行支撐。
如請求項1之礫石地大樹移植方法，其中，在經過該第二次斷根步驟的該照顧步驟之後，該搬運步驟之前另包括一修剪步驟，該修剪步驟係對該樹上枯枝、不定枝、交叉枝、徒長枝 、平行枝、對生枝、纏繞枝修剪。
如請求項1之礫石地大樹移植方法，其中，該移送車輛係一板車，該板車上係鋪墊30-40 公分的土壤，使該樹木可以直立定位在該板車上。
如請求項1之礫石地大樹移植方法，其中，在該搬運步驟之後，另包含一養護步驟，該養護步驟包括對移植在定位的該樹木適時的給水、施肥、病蟲害防治及防止排水不良之照顧。
如請求項9之礫石地大樹移植方法，其中，在回填土壤之前，先移除包紮各該保留根的各該袋體。
一種羅茨真空泵殼體，其中，所述羅茨真空泵殼體具有左腔室與右腔室；其中，<br/>所述左腔室與所述右腔室的內壁面上均設置有沿殼體軸線方向分佈的多個周向槽，所述周向槽自殼體的頂壁向底壁延伸；<br/>在返流流體流動至轉子葉頂附近時，所述返流流體沿所述周向槽被抽吸至低壓區，隨所述轉子轉動過程中進行重複增壓，形成噴射流。
如請求項1所述的羅茨真空泵殼體，其中，所述多個周向槽自所述殼體的泵進口向所述殼體的泵出口方向傾斜設置。
如請其項2所述的羅茨真空泵殼體，其中，所述周向槽的傾斜方向與殼體的高度方向夾角小於90°。
如請求項1所述的羅茨真空泵殼體，其中，所述周向槽的兩端分別與所述殼體的泵進口、泵出口相連通。
如請求項4所述的羅茨真空泵殼體，其中，在所述殼體頂壁內側沿其軸線方向設置有進氣通道，所述進氣通道與所述殼體的泵進口相連通，所述周向槽的其中一端與所述進氣通道相連通；<br/>在所述殼體底壁內側沿其軸線方向設置有排氣通道，所述排氣通道與所述殼體的泵出口相連通，所述周向槽的另外一端與所述排氣通道相連通。
如請求項1所述的羅茨真空泵殼體，其中，所述左腔室中的多個周向槽與所述右腔室中的多個周向槽沿殼體的軸向中心線對稱設置。
如請求項1至6項中任一項所述的羅茨真空泵殼體，其中，所述周向槽的寬度為所述殼體內部直徑的0.05%~15%；和/或，<br/>所述周向槽的深度為所述殼體內部直徑的0.2%~16.7%；和/或，<br/>殼體的前端蓋板與靠近殼體前端蓋板的周向槽的距離為殼體內部直徑的0.05%~20%；和/或<br/>殼體的後端蓋板與靠近殼體後端蓋板的周向槽的距離為殼體內部直徑的0.05%~20%。
如請求項1至6項中任一項所述的羅茨真空泵殼體，其中，所述周向槽的表面設置有減摩塗層。
一種羅茨真空泵，其中，所述羅茨真空泵包括：左轉子、右轉子以及殼體，所述殼體採用如請求項1至8項中任一項所述的羅茨真空泵殼體；其中，<br/>所述左轉子位於所述殼體內的左腔室中，在所述左腔室內壁面上設置有沿殼體軸線方向分佈的多個左周向槽，所述左轉子與多個左周向槽相對應；<br/>所述右轉子位於所述殼體內的右腔室中，在所述右腔室內壁面上設置有沿殼體軸線方向分佈的多個右周向槽，所述右轉子與多個右周向槽相對應。
一種如請求項9所述的羅茨真空泵的工作方法，其中，所述工作方法包括：<br/>左轉子、右轉子在各自的旋轉軸的帶動下沿相反方向旋轉，氣體由泵進口流入殼體內的左腔室和右腔室；<br/>在氣體隨著左轉子和右轉子旋轉過程中，當返流流體流動至左轉子和右轉子葉頂附近時，所述返流流體沿所述左周向槽和右周向槽被抽吸至低壓區，隨所述左轉子和右轉子轉動過程中進行重複增壓，形成噴射流；<br/>在氣體經歷吸入、位移過程後，氣體在與泵出口接通過程中，臨近泵出口位置的氣體通過所述左周向槽和右周向槽提前與泵出口氣體接觸，以使壓縮過程之前的氣體與泵出口氣體壓力達到預平衡；<br/>氣體由泵出口排出。
一種門窗角壁面防裂組件結構，係包含：<br/> 數防裂元件，乃使該數防裂元件相互對應，並呈間隔設置，該防裂元件係包含一縱向設立之第一片部與一橫向設立之第二片部，該第一片部及該第二片部係垂直連接為一體，該第一片部與該第二片部一側係共同形成一缺口，該第一片部及該第二片部係在其端部邊緣位於該缺口旁側處分別設有二相鄰之固定孔；<br/> 數固定桿，係使該數防裂元件之該第一片部及該第二片部各於其相對應之二該固定孔中分別穿設固接有一固定桿；其特徵在於：<br/> 該防裂元件係定義有一中心點及假想通過該中心點呈縱、橫交叉的十字中心線，以使該防裂元件由該十字中心線分成四個象限區域，而該防裂元件之該缺口係位於其一象限區域，另於其它三個象限區域分別設有一應力削減部，該應力削減部係包含有一第一通孔，又於該第一通孔周側環佈有數第二通孔，而於該第一通孔及數該第二通孔間係共同圍設形成一環形卸力區間。
如請求項1所述之門窗角壁面防裂組件結構，其中，該防裂元件之該缺口係形成有一縱向的第一邊及一橫向的第二邊，另設有一阻力牽引片，該阻力牽引片係位於該防裂元件之該缺口處，該阻力牽引片係包含有一縱向的第一片體、一橫向的第二片體及一牽引片體，該第一片體係與該第二片體垂直連接為一體，該第一片體及該第二片體係形成有相對的第一側及第二側，該牽引片體係位於該第一片體及該第二片體的第一側，並與該第一片體及該第二片體的第一側連接為一體，又該第一片體的第二側係與該防裂元件之該缺口的該第一邊連接為一體，另該第二片體的第二側係與該防裂元件之該缺口的該第二邊連接為一體。
如請求項2所述之門窗角壁面防裂組件結構，其中，該阻力牽引片之該牽引片體係概呈直角三角形，而包含有一弧形斜邊、一縱邊及一橫邊，又該牽引片體的該縱邊係與該第一片體的第一側連接為一體，另該牽引片體的該橫邊係與該第二片體的第一側連接為一體。
如請求項1所述之門窗角壁面防裂組件結構，其中，該應力削減部之該第一通孔係呈圓形，又於該第一通孔周側等角度環佈有四個概呈三角形之該第二通孔，另概呈三角形之該第二通孔其朝向該第一通孔的一邊係呈圓弧狀，而使圓形之該第一通孔與數該第二通孔之圓弧狀一邊共同圍設形成該環形卸力區間。
如請求項1所述之門窗角壁面防裂組件結構，其中，該應力削減部之該第一通孔係呈方形，又於該第一通孔周側等角度環佈有四個概呈三角形之該第二通孔，另概呈三角形之該第二通孔其朝向該第一通孔的一邊係呈圓弧狀，而使方形之該第一通孔與數該第二通孔之圓弧狀一邊共同圍設形成該環形卸力區間。
如請求項1所述之門窗角壁面防裂組件結構，其中，該應力削減部之該第一通孔係呈圓形，又於該第一通孔周側等角度環佈有四個呈三角形之該第二通孔，而使圓形之該第一通孔與呈三角形之數該第二通孔其朝向圓形該第一通孔的一邊共同圍設形成該環形卸力區間。
如請求項1所述之門窗角壁面防裂組件結構，其中，該防裂元件係設有數第一加固部，數該第一加固部係間隔成型於該應力削減部之該第一通孔的孔壁，該第一加固部係呈錐形凸塊狀。
如請求項1所述之門窗角壁面防裂組件結構，其中，該防裂元件係設有數第二加固部，數該第二加固部係位於該應力削減部之該環形卸力區間，而呈環狀排列於該第一通孔周側，該防裂元件係形成相對表面及背面，該第二加固部係包含一成型於該防裂元件表面之凹槽，又於該凹槽至少一側邊成型有至少一縫隙，另於該防裂元件背面相對該凹槽及該縫隙處係形成至少一凸片。
如請求項1所述之門窗角壁面防裂組件結構，其中，該防裂元件係沿該十字中心線設有數第二加固部，該防裂元件係形成相對表面及背面，該第二加固部係包含一成型於該防裂元件表面之凹槽，又於該凹槽至少一側邊成型有至少一縫隙，另於該防裂元件背面相對該凹槽及該縫隙處係形成至少一凸片。
如請求項1所述之門窗角壁面防裂組件結構，其中，該防裂元件係設有數第三加固部，該防裂元件係形成相對表面及背面，該防裂元件表面及背面至少其中之一係在相鄰該應力削減部之兩該第二通孔之間的位置處成型有數呈長槽狀之該第三加固部。
如請求項1所述之門窗角壁面防裂組件結構，其中，該防裂元件係設有一第四加固部，該防裂元件係形成相對表面及背面，該防裂元件表面或背面係位於該防裂元件之該中心點位置處成型有該第四加固部，該第四加固部係包含相異直徑且同心設立之一圓形凹部及一圓形凸部。
如請求項1所述之門窗角壁面防裂組件結構，其中，該防裂元件係設有數第五加固部，該防裂元件係形成相對表面及背面，該第五加固部係位於該防裂元件的表面及背面至少其中之一，以於該防裂元件的至少一側邊成型有數間隔設立之該第五加固部，該第五加固部係呈梯形凸塊狀。
如請求項1所述之門窗角壁面防裂組件結構，其中，該防裂元件係設有數第六加固部，該防裂元件係形成相對表面及背面，該防裂元件之該缺口係形成有一縱向的第一邊及一橫向的第二邊，數該第六加固部係分別間隔成型於該防裂元件之該缺口的縱向之該第一邊及橫向之該第二邊，該第六加固部係呈片狀並往該防裂元件其表面及背面至少其中之一方向凹折。
如請求項1所述之門窗角壁面防裂組件結構，其中，該防裂元件係於該第一片部定義有縱向通過其二該固定桿之二縱向邊線，又於該第二片部定義有橫向通過其二該固定桿之二橫向邊線，二該縱向邊線及二該橫向邊線係與該第一片部及該第二片部之端部邊緣共同圍設形成一作業區間，且於該作業區間設有至少一定位孔，另包含有至少一定位桿，至少一該定位桿係穿設於數該防裂元件其相對應之至少一該定位孔中。
如請求項1所述之門窗角壁面防裂組件結構，其中，該防裂元件之該第一片部及該第二片部至少其中之一所穿設之該固定桿上係樞接有至少一定位片，且於該定位片上設有至少一鎖孔。
一種經純化之小花蔓澤蘭之外泌體的用途，係應用於製備抗發炎製劑。
一種經純化之小花蔓澤蘭之外泌體的用途，係應用於製備促進皮膚細胞新生的製劑。
如請求項1或2之經純化之小花蔓澤蘭之外泌體的用途，其中，以奈米粒子追蹤分析法測得之該經純化之小花蔓澤蘭之外泌體的粒徑主要分布於50～200 nm之間。
一種Zn-Al-Mg系熔融鍍敷鋼材，具有：鋼材、及配置於前述鋼材表面之鍍敷層；<br/> 前述鍍敷層以質量%計具有包含下列之化學組成：<br/> Al：大於10.0%且在40.0%以下、<br/> Mg：4.0%以上且15.0%以下、<br/> Si：0%以上且2.0%以下、<br/> Co：0.05%以上且3.0%以下、<br/> Sn：0%以上且0.7%以下、<br/> Bi：0%以上且0.3%以下、<br/> In：0%以上且0.3%以下、<br/> Ca：0%以上且0.6%以下、<br/> Y：0%以上且0.3%以下、<br/> La：0%以上且0.3%以下、<br/> Ce：0%以上且0.3%以下、<br/> Sr：0%以上且0.3%以下、<br/> Li：0%以上且0.3%以下、<br/> Ni：0%以上且3.0%以下、<br/> Cu：0%以上且0.3%以下、<br/> Ag：0%以上且0.3%以下、<br/> Sb：0%以上且0.3%以下、<br/> Pb：0%以上且0.3%以下、<br/> B：0%以上且0.3%以下、<br/> P：0%以上且0.3%以下、<br/> Ti：0%以上且0.3%以下、<br/> V：0%以上且0.3%以下、<br/> Nb：0%以上且0.3%以下、<br/> Mn：0%以上且0.3%以下、<br/> Zr：0%以上且0.3%以下、<br/> W：0%以上且0.3%以下、<br/> Fe：大於0%且在5.0%以下、<br/> 剩餘部分為Zn及不純物；<br/> 前述鍍敷層含有(Al,Zn)<sub>x</sub>(Fe,Co)<sub>1</sub>金屬間化合物(其中，x=1~10)；<br/> 從前述鋼材表面起朝向前述鍍敷層在5μm之厚度範圍內，前述(Al,Zn)<sub>x</sub>(Fe,Co)<sub>1</sub>金屬間化合物之面積率為10%以上且50%以下。
如請求項1之Zn-Al-Mg系熔融鍍敷鋼材，其中前述鍍敷層之化學組成中Co：0.15~1.5%；且<br/> 前述(Al,Zn)<sub>x</sub>(Fe,Co)<sub>1</sub>金屬間化合物中令Co/(Fe+Co)=y時，0.10≦y≦0.50。
如請求項1之Zn-Al-Mg系熔融鍍敷鋼材，其中前述鍍敷層之化學組成中Si：0.1~0.5%；且<br/> 關於前述(Al,Zn)<sub>x</sub>(Fe,Co)<sub>1</sub>金屬間化合物：<br/> 使用Cu-Kα線並在X射線輸出為50kV及300mA之條件下所測得之前述鍍敷層表面之X射線繞射圖中，令前述(Al,Zn)<sub>x</sub>(Fe,Co)<sub>1</sub>金屬間化合物之繞射強度為I[(Al,Zn)x(Fe,Co)]時，滿足下述(1)式：<br/> {I(49.5°)+I(68.6°)}/2×I(12.5°)}＞2.0…(1)。
一種水凝膠組合物，包括有：<br/> 一式(I)之共聚物其具有如下列式(I)之結構、一聚乙二醇二丙烯酸酯(poly(ethylene glycol) diacrylate)、一多酚化合物以及一光起始劑；其中，該式(I)之共聚物包括有硫醇官能基之甜菜鹼(thiol-functionalized sulfobetaine)之分子；<img align="absmiddle" height="232px" width="352px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式(I)。
如請求項1所述之水凝膠組合物，其中該多酚化合物的固體含量為0.1 wt%至0.5 wt%之間。
如請求項1所述之水凝膠組合物，其中該聚乙二醇二丙烯酸酯的固體含量為5 wt%至15 wt%之間。
如請求項1所述之水凝膠組合物，其中該式(I)之共聚物與該聚乙二醇二丙烯酸酯之比例為3:7至7:3之間。
如請求項1至請求項4任一項所述之水凝膠組合物，其中該水凝膠組合物可用於製備修復傷口敷料。
一種水凝膠組合物之製備方法，包括有以下步驟：<br/> 合成一前驅化合物，將磺基甜菜鹼硫乙酸酯與有機化合物攪拌以進行溶解，接著加入鹼類化合物且以冷凍乾燥處理後，取得該前驅化合物；<br/> 合成一式(I)之共聚物，將碳酸鹽類化合物、光起始劑、有機溶劑及該前驅化合物進行溶解反應，接著透過冷凍乾燥處理且照射於特定波長之一光源下，令發生光交聯反應以形成該式(I)之共聚物，且該式(I)之共聚物其具有如下列式(I)之結構、一聚乙二醇二丙烯酸酯(poly(ethylene glycol) diacrylate)、一多酚化合物以及一光起始劑；其中，該式(I)之共聚物包括有硫醇官能基之甜菜鹼(thiol-functionalized sulfobetaine)之分子；<img align="absmiddle" height="232px" width="352px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式(I)；<br/> 合成一聚乙二醇二丙烯酸酯，將聚乙二醇、有機溶劑及胺類化合物進行溶解反應，以形成一反應物，另將聚乙二醇、有機化合物與該反應物進行滴定反應，接著透過萃取及抽氣過濾以形成共聚物之該聚乙二醇二丙烯酸酯；以及<br/> 合成一水凝膠組合物，將該式(I)之共聚物、該聚乙二醇二丙烯酸酯及一交聯促進劑進行溶解反應，再將其照射於特定波長之一光源下，以進行光聯反應後而產生水凝膠組合物。
如請求項6所述之水凝膠組合物之製備方法，其中該交聯促進劑為多酚化合物。
如請求項6所述之水凝膠組合物之製備方法，其中該光源為紫外光。
如請求項6所述之水凝膠組合物之製備方法，其中該光源的特定波長是介於250至350 nm。
如請求項6所述之水凝膠組合物之製備方法，其中該水凝膠組合物可用於製備供傷口敷料。
一種乾衣機門蓋裝置，包含：<br/> 一門蓋單元，包括一門蓋本體及一門蓋支架，該門蓋支架設置於該門蓋本體，並具有至少一第一安裝結構，該第一安裝結構具有形成於該門蓋支架遠離該門蓋本體的一面的一上卡扣孔及一下定位孔，該下定位孔位於該上卡扣孔的下方；及<br/> 一過濾單元，包括一濾網及一用於將該濾網安裝於該門蓋單元的濾網固定架，該濾網固定架具有一供該濾網可分離地設置的固定架本體，及至少一設置於該固定架本體的第二安裝結構，該第二安裝結構具有一彈性卡扣件及一位於該彈性卡扣件的下方的卡鉤，該卡鉤具有一自該固定架本體朝靠近該門蓋本體的方向延伸的延伸部，及一自該延伸部遠離該固定架本體的一側向下延伸的限位部，<br/> 其中，該過濾單元能夠在一安裝於該門蓋單元的安裝狀態及一自該門蓋單元取下的未安裝狀態之間變換，當該過濾單元處於該安裝狀態時，該彈性卡扣件卡扣於該上卡扣孔，該卡鉤的該限位部插入該下定位孔並靠抵於該門蓋支架面向該門蓋本體的一面，使得該卡鉤受到該門蓋支架限制而無法朝遠離該門蓋本體的方向移動；在該過濾單元由該安裝狀態變換成該未安裝狀態的過程中，該固定架本體的上側受到操作以該卡鉤為支點朝遠離該門蓋本體的方向向下轉動，並帶動該彈性卡扣件退出該上卡扣孔，進而讓該卡鉤的該限位部能夠由下往上退出該下定位孔，該彈性卡扣件具有一自該固定架本體朝靠近該門蓋本體的方向延伸並可彈性變形的彈臂部，及一自該彈臂部遠離該固定架本體的一側朝不平行於該彈臂部的延伸方向凸出的擋部，在該彈性卡扣件卡扣於該上卡扣孔時，該擋部靠抵於該門蓋支架面向該門蓋本體的一面，使得該彈性卡扣件受到該門蓋支架限制移動；在該固定架本體的上側受到操作以該卡鉤為支點朝遠離該門蓋本體的方向向下轉動，且帶動該彈性卡扣件移動時，該彈性卡扣件的該彈臂部靠抵於該門蓋支架且受力彈性變形，使得該彈性卡扣件能夠退出該上卡扣孔。
如請求項1所述的乾衣機門蓋裝置，其中，該門蓋支架還具有至少一支架結構，該支架結構具有一設置於該門蓋本體的支架主體部、一自該支架主體部朝遠離該門蓋本體的方向凸出的凸出部，該上卡扣孔形成於該支架主體部遠離該門蓋本體的一面，該下定位孔具有一形成於該支架主體部遠離該門蓋本體的一面的第一孔部，以及一形成於該凸出部的上表面且連通該第一孔部的底緣的第二孔部，當該過濾單元處於該安裝狀態時，該卡鉤的該限位部插入該下定位孔的該第二孔部；在該彈性卡扣件受到該固定架本體帶動而退出該上卡扣孔之後，該卡鉤的該限位部能夠自該第二孔部向上退出該下定位孔。
如請求項2所述的乾衣機門蓋裝置，其中，該門蓋支架具有兩個該第一安裝結構與兩個該支架結構，該等支架結構在一第一方向上排列地設置於該門蓋本體，該等第一安裝結構分別形成於該等支架結構；該濾網固定架具有兩個該第二安裝結構，該等第二安裝結構在該第一方向上排列地設置於該固定架本體，當該過濾單元處於該安裝狀態時，該等第二安裝結構的該彈性卡扣件分別卡扣於該等第一安裝結構的該上卡扣孔，該等第二安裝結構的該限位部分別插入該等第一安裝結構的該第二孔部並靠抵於該門蓋支架面向該門蓋本體的一面，使得該等第二安裝結構的該卡鉤受到該門蓋支架限制而無法朝遠離該門蓋本體的方向移動；在該過濾單元由該安裝狀態變換成該未安裝狀態的過程中，該固定架本體的上側受到操作以該等卡鉤為支點朝遠離該門蓋本體的方向向下轉動，並帶動該等彈性卡扣件分別退出該等上卡扣孔，進而讓該等卡鉤的該限位部能夠分別自該等第二孔部向上退出該等下定位孔。
如請求項3所述的乾衣機門蓋裝置，其中，該門蓋支架還具有一呈圓環狀且設置於該門蓋本體的環形支撐件，該環形支撐件的兩相反側分別連接於該等支架結構相互遠離的一側。
如請求項3所述的乾衣機門蓋裝置，其中，該固定架本體具有一與該門蓋本體間隔且遮蔽該濾網的蓋板部、兩個分別自該蓋板部的兩相反側朝靠近該門蓋本體的方向延伸的銜接部，及一位於該等銜接部之間且鄰近該蓋板部的底緣的支撐部，該蓋板部供該第二安裝結構設置，並具有多個貫穿該蓋板部的兩相反面且開口朝向該濾網的通氣孔，該等銜接部在該第一方向上排列地設置於該蓋板部，該等銜接部彼此相鄰的一側凹陷各形成一滑槽；該等滑槽供該濾網的兩相反側分別可滑移地插入，該支撐部頂抵於該濾網的底部。
一種半導體裝置的製造方法，為製造包含基板和安裝於基板的表面的半導體晶片的半導體裝置的方法，其包括：<br/>將所述基板的所述表面與所述半導體晶片的電極形成面中的至少一者的樹脂膜的第一區域進行親水性表面改質的步驟；<br/>將液體供應至所述基板的所述表面及所述半導體晶片的所述電極形成面中的至少一者的步驟；<br/>在將所述半導體晶片及所述基板中的至少一者釋放的狀態下，藉由所述液體將所述基板及所述半導體晶片中的一者載置在另一者上的步驟；<br/>使所述液體蒸發，並將所述基板的所述表面與所述半導體晶片的所述電極形成面進行接合的步驟。
如請求項1所述的半導體裝置的製造方法，將所述第一區域進行親水性表面改質的步驟為，<br/>將形成於所述基板上的第一樹脂膜的第一區域進行親水性表面改質的步驟。
如請求項2所述的半導體裝置的製造方法，還包括：<br/>在所述半導體晶片的所述電極形成面上形成第二樹脂膜的步驟；<br/>將所述半導體晶片的所述電極形成面的所述第二樹脂膜的第二區域進行親水性表面改質的步驟，<br/>所述載置步驟藉由所述液體、所述基板中的所述第一樹脂膜的所述第一區域及所述半導體晶片中的所述第二樹脂膜的所述第二區域，相對於所述基板對所述半導體晶片進行自對準處理。
如請求項1所述的半導體裝置的製造方法，將所述第一區域進行親水性表面改質的步驟為，<br/>將形成於所述半導體晶片上的第一樹脂膜的第一區域進行親水性表面改質的步驟。
如請求項1所述的半導體裝置的製造方法，將所述樹脂膜的所述第一區域進行親水性表面改質的步驟，包括對所述第一區域進行電漿處理。
如請求項1所述的半導體裝置的製造方法，將所述基板的所述表面與所述半導體晶片的所述電極形成面進行接合的步驟，包括使所述基板及所述半導體晶片乾燥以使所述液體蒸發。
如請求項1所述的半導體裝置的製造方法，所述基板是半導體基板。
如請求項1所述的半導體裝置的製造方法，所述基板是樹脂基板。
如請求項1所述的半導體裝置的製造方法，所述第一區域的最窄的寬度為1μm以下。
一種紡紗製造用纖維處理劑，其含有下述磷酸化合物（A）及下述醇類（B），其特徵在於：<br/> 上述紡紗製造用纖維處理劑在鹼性過量中和前處理時的P核NMR測定中，當磷酸酯P1、磷酸酯P2、磷酸酯P3、磷酸酯P4、磷酸酯P5、正磷酸及其鹽所歸屬的P核NMR積分比例的總計設為100％時，上述磷酸酯P4所歸屬的P核NMR積分比例為20％以上70％以下，上述磷酸酯P5所歸屬的P核NMR積分比例為20％以上50％以下，根據下述數學式（1）所求出的値為8以下，<br/> 且，上述紡紗製造用纖維處理劑中不揮發成分的酸價為2.5KOH-mg／g以上25.0KOH-mg／g以下，<br/> 磷酸化合物（A）：含有下述通式（3）所示的磷酸酯P3、下述通式（4）所示的磷酸酯P4、下述通式（5）所示的磷酸酯P5、及正磷酸，並且進而隨意選擇性地含有選自下述通式（1）所示的磷酸酯P1及下述通式（2）所示的磷酸酯P2之至少一者，<br/> <img align="absmiddle" height="61px" width="205px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> （通式（1）中，<br/> M<sup>1</sup>、M<sup>2</sup>、M<sup>3</sup>：氫原子、鹼金屬、鹼土類金屬（1／2）、有機胺、銨、或鏻）<br/> <img align="absmiddle" height="60px" width="205px" file="ed10012.jpg" alt="ed10012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> （通式（2）中，<br/> R<sup>1</sup>：碳數16以上20以下的烷基或烯基，<br/> M<sup>4</sup>、M<sup>5</sup>：氫原子、鹼金屬、鹼土類金屬（1／2）、有機胺、銨、或鏻）<br/> <img align="absmiddle" height="65px" width="208px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> （通式（3）中，<br/> R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>：碳數16以上20以下的烷基或烯基，<br/> M<sup>6</sup>：氫原子、鹼金屬、鹼土類金屬（1／2）、有機胺、銨、或鏻）<br/> <img align="absmiddle" height="61px" width="203px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> （通式（4）中，<br/> R<sup>4</sup>：碳數16以上20以下的烷基或烯基，<br/> M<sup>7</sup>、M<sup>8</sup>：氫原子、鹼金屬、鹼土類金屬（1／2）、有機胺、銨、或鏻）<br/> <img align="absmiddle" height="60px" width="237px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> （通式（5）中，<br/> R<sup>5</sup>、R<sup>6</sup>：碳數16以上20以下的烷基或烯基，<br/> M<sup>9</sup>：氫原子、鹼金屬、鹼土類金屬（1／2）、有機胺、銨、或鏻）<br/> ｛［磷酸酯P1所歸屬的P核NMR積分比例｝× 2 +［磷酸酯P2所歸屬的P核NMR積分比例］｝× ［紡紗製造用纖維處理劑中的磷酸化合物（A）的濃度（質量%）］／100 …（1）<br/> 醇類（B）：碳數8以上18以下的脂肪族醇類。
如請求項1所述的紡紗製造用纖維處理劑，其中<br/> 根據上述數學式（1）所求出的値為3.5以下。
如請求項1所述的紡紗製造用纖維處理劑，其中<br/> 上述磷酸酯P3所歸屬的P核NMR積分比例為6.5％以上40％以下。
如請求項1所述的紡紗製造用纖維處理劑，其中<br/> 上述磷酸酯P2及上述磷酸酯P3所歸屬的P核NMR積分比例的總計為大於0％且低於25％。
如請求項1所述的紡紗製造用纖維處理劑，其中<br/> 當上述磷酸化合物（A）及上述醇類（B）的含有比例設為100質量％時，含有上述磷酸化合物（A）85質量％以上99.5質量％以下、及上述醇類（B）0.5質量％以上15質量％以下的比例。
如請求項1所述的紡紗製造用纖維處理劑，其中<br/> 滿足下述2條件當中之至少一者，<br/> 條件1：含有碳數不同的2種以上的上述醇類（B），<br/> 條件2：含有碳數12以上20以下的脂肪酸（C）。
如請求項1所述的紡紗製造用纖維處理劑，其中<br/> 進而含有下述非離子界面活性劑（D），<br/> 非離子界面活性劑（D）：選自聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯烯基醚、聚氧乙烯烷基酯、聚氧乙烯烯基酯、聚氧乙烯烷基苯基醚、聚氧伸烷基烷基胺、聚氧伸烷基烯基胺、聚氧伸烷基烷基胺與無機酸所形成的鹽、及聚氧伸烷基烯基胺與無機酸所形成的鹽之至少一者。
如請求項7所述的紡紗製造用纖維處理劑，其中<br/> 當上述磷酸化合物（A）、上述醇類（B）、及非離子界面活性劑（D）的含有比例設為100質量％時，含有上述磷酸化合物（A）25質量％以上80質量％以下、上述醇類（B）0.5質量％以上10質量％以下、及非離子界面活性劑（D）15質量％以上74.5質量％以下的比例。
一種紡紗製造用纖維處理劑的水性液，其特徵在於：<br/> 請求項1～8中任一項所述的紡紗製造用纖維處理劑的不揮發成分濃度為0.1質量％以上10質量％以下。
一種纖維，其特徵在於：<br/> 附著有請求項1～8中任一項所述的紡紗製造用纖維處理劑。
如請求項10所述的纖維，其中<br/> 上述纖維為聚酯短纖維。
一種仿生織物，包含：<br/>一底層，由複數個彈性紗編織而成；<br/>一表層，由複數個第一經紗與複數個緯紗編織而成，且該表層部分地與該底層連接，其中該表層包含複數個開口結構排，該些開口結構排彼此平行排列，且每一該些開口結構排包含：<br/>一經向連接邊，在該經向連接邊，該些第一經紗織入該底層；<br/>一經向開口邊，在該經向開口邊，該表層未與該底層連接，該經向開口邊包含一第二經紗，且該第二經紗為一聚酯單絲紗；及<br/>複數個緯向連接部，該些緯向連接部彼此間隔設置，且在每一該些緯向連接部，該些緯紗織入該底層，以形成複數個開口結構；以及<br/>一封邊層，設置於該底層的外沿和該表層的外沿。
如請求項1所述之仿生織物，其中該底層具有複數個網孔。
如請求項1所述之仿生織物，其中每一該些彈性紗為一包覆彈性紗。
如請求項3所述之仿生織物，其中該包覆彈性紗的一丹尼數為70 D至140 D，該包覆彈性紗的一縷數值為75 F至300 F。
如請求項1所述之仿生織物，其中該聚酯單絲紗的一直徑為0.07 mm至0.25 mm。
如請求項5所述之仿生織物，其中每一該些開口結構的一開口端呈半圓弧拱型。
如請求項1所述之仿生織物，其中每一該些開口結構具有一經向長度和一緯向寬度，該經向長度為0.7 mm至0.8 mm，該緯向寬度為0.5 mm至0.7 mm。
如請求項1所述之仿生織物，其中該仿生織物具有一經向拉伸率，該經向拉伸率為150%至350%。
如請求項1所述之仿生織物，其中該仿生織物具有一緯向拉伸率，該緯向拉伸率為110%至200%。
如請求項1所述之仿生織物，其中該表層的顏色不同於該底層的顏色。
一種顯示裝置，包含： <br/> 顯示區域、佈線、與該佈線電連接的驅動電路、連接部； <br/> 該顯示區域，係包括像素； <br/> 該像素，係包括像素電路、與該像素電路電連接的顯示元件； <br/> 該佈線，係與該像素電路電連接； <br/> 該連接部，係具有將該驅動電路與該像素電路電連接的功能； <br/> 在剖面視圖中，該連接部係包括與該像素電路重疊的區域； <br/> 在上面視圖中，該驅動電路與該顯示區域重疊，該顯示區域的輪廓具有曲線，且該像素沿著該曲線被配置。
一種顯示裝置，包含： <br/> 顯示區域、佈線、與該佈線電連接的驅動電路、連接部； <br/> 該顯示區域，係包括像素； <br/> 該像素，係包括像素電路、與該像素電路電連接的顯示元件； <br/> 該佈線，係與該像素電路電連接； <br/> 該連接部，係具有將該驅動電路與該像素電路電連接的功能； <br/> 在剖面視圖中，該連接部係包括與該像素電路重疊的區域； <br/> 在上面視圖中，該驅動電路與該顯示區域重疊，該顯示區域的輪廓具有曲線，且該像素沿著該曲線被配置； <br/> 該像素電路，係包括電晶體； <br/> 該電晶體的通道形成區域，係包含氧化物半導體。
一種顯示裝置，包含： <br/> 顯示區域、佈線、與該佈線電連接的驅動電路、連接部； <br/> 該顯示區域，係包括像素； <br/> 該像素，係包括像素電路、與該像素電路電連接的顯示元件； <br/> 該佈線，係與該像素電路電連接； <br/> 該連接部，係具有將該驅動電路與該像素電路電連接的功能； <br/> 在剖面視圖中，該連接部係包括與該像素電路重疊的區域； <br/> 在上面視圖中，該驅動電路與該顯示區域重疊，該顯示區域的輪廓具有曲線，且該像素沿著該曲線被配置； <br/> 該像素電路，係包括電晶體； <br/> 該電晶體的通道形成區域，係包含銦氧化物。
一種顯示裝置，包含： <br/> 顯示區域、佈線、與該佈線電連接的驅動電路、連接部； <br/> 該顯示區域，係包括像素； <br/> 該像素，係包括像素電路、與該像素電路電連接的顯示元件； <br/> 該佈線，係與該像素電路電連接； <br/> 該連接部，係具有將該驅動電路與該像素電路電連接的功能； <br/> 在剖面視圖中，該連接部係包括與該像素電路以及該顯示元件重疊的區域； <br/> 在上面視圖中，該驅動電路與該顯示區域重疊，該顯示區域的輪廓具有曲線，且該像素沿著該曲線被配置。
一種顯示裝置，包含： <br/> 顯示區域、佈線、與該佈線電連接的驅動電路、連接部； <br/> 該顯示區域，係包括像素； <br/> 該像素，係包括像素電路、與該像素電路電連接的顯示元件； <br/> 該佈線，係與該像素電路電連接； <br/> 該連接部，係具有將該驅動電路與該像素電路電連接的功能； <br/> 在剖面視圖中，該連接部係包括與該像素電路以及該顯示元件重疊的區域； <br/> 在上面視圖中，該驅動電路與該顯示區域重疊，該顯示區域的輪廓具有曲線，且該像素沿著該曲線被配置； <br/> 該像素電路，係包括電晶體； <br/> 該電晶體的通道形成區域，係包含氧化物半導體。
一種顯示裝置，包含： <br/> 顯示區域、佈線、與該佈線電連接的驅動電路、連接部； <br/> 該顯示區域，係包括像素； <br/> 該像素，係包括像素電路、與該像素電路電連接的顯示元件； <br/> 該佈線，係與該像素電路電連接； <br/> 該連接部，係具有將該驅動電路與該像素電路電連接的功能； <br/> 在剖面視圖中，該連接部係包括與該像素電路以及該顯示元件重疊的區域； <br/> 在上面視圖中，該驅動電路與該顯示區域重疊，該顯示區域的輪廓具有曲線，且該像素沿著該曲線被配置； <br/> 該像素電路，係包括電晶體； <br/> 該電晶體的通道形成區域，係包含銦氧化物。
一種顯示裝置，包含： <br/> 顯示區域、佈線、與該佈線電連接的驅動電路、連接部； <br/> 該顯示區域，係包括像素； <br/> 該像素，係包括像素電路、與該像素電路電連接的顯示元件； <br/> 該佈線，係與該像素電路電連接； <br/> 該連接部，係具有將該驅動電路與該像素電路電連接的功能； <br/> 在剖面視圖中，該連接部與該顯示區域重疊； <br/> 在上面視圖中，該驅動電路與該顯示區域重疊，該顯示區域的輪廓具有曲線，且該像素沿著該曲線被配置。
一種顯示裝置，包含： <br/> 顯示區域、佈線、與該佈線電連接的驅動電路、連接部； <br/> 該顯示區域，係包括像素； <br/> 該像素，係包括像素電路、與該像素電路電連接的顯示元件； <br/> 該佈線，係與該像素電路電連接； <br/> 該連接部，係具有將該驅動電路與該像素電路電連接的功能； <br/> 在剖面視圖中，該連接部與該顯示區域重疊； <br/> 在上面視圖中，該驅動電路與該顯示區域重疊，該顯示區域的輪廓具有曲線，且該像素沿著該曲線被配置； <br/> 該像素電路，係包括電晶體； <br/> 該電晶體的通道形成區域，係包含氧化物半導體。
一種顯示裝置，包含： <br/> 顯示區域、佈線、與該佈線電連接的驅動電路、連接部； <br/> 該顯示區域，係包括像素； <br/> 該像素，係包括像素電路、與該像素電路電連接的顯示元件； <br/> 該佈線，係與該像素電路電連接； <br/> 該連接部，係具有將該驅動電路與該像素電路電連接的功能； <br/> 在剖面視圖中，該連接部與該顯示區域重疊； <br/> 在上面視圖中，該驅動電路與該顯示區域重疊，該顯示區域的輪廓具有曲線，且該像素沿著該曲線被配置； <br/> 該像素電路，係包括電晶體； <br/> 該電晶體的通道形成區域，係包含銦氧化物。
一種差動式滾柱螺桿傳動組件，包括：一螺母，具有一沿軸向貫穿的內孔，該螺母之內周面設有一環形齒區段；一螺桿，穿設於該內孔中，其外周面設有一螺紋結構，該螺紋結構具有多條螺紋線，其中該多條螺紋線之數量為M，且M為大於一之整數；複數滾柱，設置於該螺母與該螺桿之間，各滾柱具有均一之節徑，其外周設有一環形齒槽結構，該環形齒槽結構具有複數齒槽，用於與該螺桿之螺紋結構及該螺母之環形齒區段相嚙合，其中該複數滾柱之數量為N，且N為M之大於一的因數；及一保持件組，設置於該複數滾柱之軸向端部，用以維持該複數滾柱的周向間距配置。
如請求項1所述之差動式滾柱螺桿傳動組件，其中，該螺桿之多條螺紋線各具有一螺旋角，該螺旋角與該複數滾柱之周向間距配置相配合，使任一螺紋線於相鄰兩根滾柱上對應之齒槽在軸向上的距離等於該環形齒槽結構之節距。
如請求項1所述之差動式滾柱螺桿傳動組件，其中，該複數滾柱之環形齒槽結構沿其軸向呈連續齒型設置。
如請求項1所述之差動式滾柱螺桿傳動組件，其中，該複數滾柱之環形齒槽結構具有一致之齒槽節距。
如請求項1所述之差動式滾柱螺桿傳動組件，其中，該螺母之內周面還設有一內槽區段，該內槽區段的內徑大於該環形齒區段的內徑。
如請求項1所述之差動式滾柱螺桿傳動組件，其中，該保持件組包括兩個環狀構件，該兩個環狀構件套設於該螺桿上並分別配置於該複數滾柱之相對兩軸向端部，用以共同維持該等滾柱於周向上的間距配置。
如請求項6所述之差動式滾柱螺桿傳動組件，其中，各環狀構件設有複數定位槽，各定位槽對應容置一滾柱的軸向端部。
如請求項6所述之差動式滾柱螺桿傳動組件，還包括一固定件，該固定件設置於該螺母的內孔中，並抵止於該環狀構件背離該複數滾柱之一側。
一種介面卡之組拆裝置，包括：<br/> 一基座，其包括有頂板及底板且於內部形成有一容置空間，於該頂板上凸設有可穿設定位於預設介面卡一側之鎖槽中的至少一定位軸，於遠離該定位軸之該頂板上凸設有二限位部，於該二限位部上裝設有可滑移至該預設介面卡一側形成夾合的一鎖片；<br/> 一把手，樞接於該基座之該頂板及該底板之間，該把手於遠離樞接處形成有一操作部且於該操作部之懸空端設有一卡扣；以及<br/> 一釋放件，樞接於該基座之該頂板及該底板之間且相對於該把手另一側處，該釋放件於遠離樞接處形成有一按壓部，且於該按壓部對應該把手處凹陷形成有供該卡扣旋動卡合的一扣槽。
如請求項1所述之介面卡之組拆裝置，其中該基座之該二限位部之間設有一定位槽，該定位槽係供具有頭部及桿體的一壓制件做一穿入固定，且該鎖片於該定位槽與該壓制件之間形成限位及滑移。
如請求項2所述之介面卡之組拆裝置，其中該鎖片中設有呈『U』字型的導引片且該導引片與該鎖片之間具有鏤空之滑槽，於相對於該導引片另一側則形成抵接於預設介面卡一側形成夾合的鎖扣部，該滑槽於鄰近該鎖扣部處形成供該壓制件容置的較大孔徑及三邊皆形成擋止部，而該導引片底面二側形成有被限位於該基座之二限位部之間的接觸側邊，且該導引片於遠離該鎖扣部處向下彎折形成一抵持部。
如請求項1所述之介面卡之組拆裝置，其中該基座之該頂板及該底板中皆透設有供該把手樞接之第一固定槽，且該把手對應該二第一固定槽處設有一軸槽，而該二第一固定槽及該軸槽透過一樞軸穿設固定，而該樞軸二端各具有定位環部及供外力衝壓形成外擴的撞擊部。
如請求項1所述之介面卡之組拆裝置，其中該基座之該頂板及該底板中皆透設有供該釋放件樞接之第二固定槽，且該釋放件對應該二第二固定槽處設有一透槽，而該二第二固定槽及該透槽透過一軸桿穿設固定，而該軸桿二端各具有擋止環部及供外力衝壓形成外擴的擴張部。
如請求項1所述之介面卡之組拆裝置，其中該基座之該底板及位於該頂板與該底板之間的側板中，皆設有與該容置空間相連通的複數散熱孔。
如請求項1所述之介面卡之組拆裝置，其中該把手之該卡扣朝該基座之該容置空間方向延伸形成有呈三角錐體之導斜體，且該釋放件於該扣槽上方形成有供該導斜體抵接及順暢滑動之一斜面。
如請求項1所述之介面卡之組拆裝置，其中該把手於該操作部中鏤空形成有一透氣孔，且該操作部與軸槽之間形成呈透空狀的二透氣通道，且該透氣孔與該二透氣通道皆與該容置空間相連通。
如請求項1所述之介面卡之組拆裝置，其中該釋放件之按壓部上設有呈複數條狀的止滑結構。
如請求項1所述之介面卡之組拆裝置，其中該預設介面卡係指一E1.S規格之固態硬碟，該預設介面卡二端各具有一定位對接端及一電子基板，且於該定位對接端上設有供該基座之該定位軸穿設定位之該鎖槽。
一種顯示裝置，包括：<br/>一反射式顯示面板，具有一顯示面；<br/>一導光板，設置在該反射式顯示面板的該顯示面的一側，且具有相連接的一第一入光面、一第二入光面、一第一表面與一第二表面，該第二入光面連接該第一表面與該第二表面且相對於該第一入光面，該第一表面朝向該反射式顯示面板的該顯示面，該第二表面連接該第一入光面且相對於該第一表面；<br/>一第一光源，設置在該導光板的該第一入光面的一側，且用於朝向該導光板的該第一入光面發出多道第一光束；<br/>一第二光源，設置在該導光板的該第二入光面的一側，且用於朝向該導光板的該第二入光面發出多道第二光束；以及<br/>多個光學微結構，設置在該導光板的該第二表面上，該些光學微結構各自具有一平面，且該平面與該第二表面相互平行，其中各該些光學微結構的延伸方向與該導光板的該第一入光面之間的夾角大於或等於45度且小於或等於90度，<br/>該些光學微結構包括多個第一光學微結構、多個第二光學微結構及多個第三光學微結構，各該些第二光學微結構位在該些第一光學微結構與該第一入光面之間，各該些第三光學微結構位在該些第一光學微結構與該第二入光面之間，各該些第一光學微結構在該延伸方向上的一第一長度大於各該些第二光學微結構在該延伸方向上的一第二長度以及各該些第三光學微結構在該延伸方向上的一第三長度。
如請求項1所述的顯示裝置，其中各該些光學微結構的該延伸方向垂直於該導光板的該第一入光面與該第二入光面。
如請求項1所述的顯示裝置，其中各該些第二光學微結構的該第二長度隨著靠近該導光板的該第一入光面而漸減，各該些第三光學微結構的該第三長度隨著靠近該導光板的該第二入光面而漸減。
如請求項1所述的顯示裝置，其中各該些光學微結構的該平面沿著遠離該第一表面的方向自該第二表面凸起，或沿著朝向該第一表面的方向自該第二表面凹陷。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該些光學微結構沿著一排列方向排列，該些第一光學微結構中沿著該排列方向排列的任兩相鄰者具有一第一間距，該些第二光學微結構中沿著該排列方向排列的任兩相鄰者具有一第二間距，該些第三光學微結構中沿著該排列方向排列的任兩相鄰者具有一第三間距，且該第二間距與該第三間距大於該第一間距。
一種刀具（100'），其經配置以裝配至一切割設備以在由塑膠製成之意欲封閉一容器的一瓶帽（7）上獲得割開線及切口，該刀具（100'）適合於在該瓶帽（7）藉由繞一旋轉軸線（R）旋轉而在一前進方向（T）上沿著一路徑移動以與該刀具（100'）相互作用時在該瓶帽（7）之一側壁（70）上執行切割及割開，該刀具（100'）包含配置於一分層結構中之複數個切割工具，其中該等切割工具平行於一平面（P）且在正交於該平面（P）之一豎直軸線（Z）的方向上堆疊，該分層結構包含：<br/>一第一水平切割工具（10），其經配置以用於在該豎直軸線（Z）上之一第一高度處在該側壁（70）上執行圓周切割以在該瓶帽（7）中界定一防拆環（72）；<br/>一第二水平切割工具（20），其經配置以用於在不同於該豎直軸線（Z）上之該第一高度的一第二高度處在該側壁（70）上執行進一步的圓周切割；<br/>及一第三切割工具（30'），其經配置以用於在該側壁（70）上執行傾斜切割且用於在使用中連同該第二水平切割工具（20）及該第一水平切割工具（10）一起決定連接該防拆環（72）及該側壁（70）之連接部分（74a、74b）；<br/>該刀具之特徵在於該第三切割工具（30'）包含具有彼此不同之一傾斜度的至少兩個傾斜切割邊緣（32a'、34'），該傾斜度參考穿過該豎直軸線（Z）且與該瓶帽（7）之該前進方向（T）相切的一參考平面，該第三切割工具（30'）插入於該第一水平切割工具（10）與該第二水平切割工具（20）之間，其中該第三切割工具（30'）經配置以自該分層結構拆除以便用一不同的第三切割工具替換，以獲得該等連接部分（74a、74b）之一不同形狀；且其中該刀具（100'）包括水平切割邊緣（42、52），以執行介於兩個具有不同傾斜度的斜切之間的一個相對應的平切。
如請求項1之刀具（100'），其中：<br/>該第一水平切割工具（10）包含：<br/>一第一下部面（14）及一第一上部面（15），該第一上部面（15）經塑形以接觸該第三切割工具（30'）；<br/>複數個第一刀片（11a、11b、11c），該複數個第一刀片在其一自由末端上具<br/>備複數個第一水平切割邊緣（12a、12b、12c）；<br/>該等第一刀片（11a、11b、11c）藉由一或多個第一凹槽（16a、16b）間隔<br/>開。
如請求項2之刀具（100'），其中該等水平切割邊緣中之一者與該等第一水平切割邊緣（12a、12b、12c）位於相同之高度。
如請求項1至3其中一項之刀具（100'），其中：<br/>該第二水平切割工具（20）包含：<br/>一第二下部面（24）及一第二上部面（25），該第二下部面（24）經塑形以接觸該第三切割工具（30'）；<br/>複數個第二刀片（21a、21b），該複數個第二刀片在其一自由末端上具備沿著平行於該平面（P）之一第二平面延伸的複數個第二水平切割邊緣（22a、22b）；<br/>該等第二刀片（21a、21b）藉由一或多個第二凹槽（26）間隔開。
如請求項4之刀具（100'），其中該等水平切割邊緣中之一者與該等第二水平切割邊緣（22a、22b）位於相同之高度。
如請求項1至3其中一項之刀具（100'），其中該第三切割工具（30'）包含一第三下部面（37'）及一第三上部面（38'）；該第三下部面（37'）經塑形以接觸該第一水平切割工具（10）且該第三上部面（38'）經塑形以接觸該第二水平切割工具（20）。
如請求項1至3其中一項之刀具（100'），其中該至少兩個傾斜切割邊緣（32a'、34'）具有一相反傾斜度且分別包含具有一負傾斜度（32a'）之一第三切割邊緣及具有一正傾斜度（34'）之一第三切割邊緣，其中該負傾斜度對應於一上部末端相對於一下部末端沿著該前進方向（T）後退之一切割邊緣，且反之亦然，該正傾斜度對應於該上部末端相對於一下部末端沿著該前進方向（T）前進之一切割邊緣。
如請求項7之刀具（100'），其中具有一正傾斜度之該第三切割邊緣（34'）沿著該前進方向（T）配置於具有一負傾斜度之該第三切割邊緣（32a'）下游。
如請求項8之刀具（100'），其中除了該兩個傾斜切割邊緣（32a'、34'）以外，該第三切割工具（30'）亦進一步包含沿著該前進方向（T）配置於該兩個傾斜切割邊緣（32a'、34'）下游之另一第三傾斜切割邊緣（32b'、32c'）。
如請求項9之刀具（100'），其中該另一第三傾斜切割邊緣（32b'、32c'）在該參考平面中具有一負傾斜度，其中該負傾斜度對應於一上部末端相對於一下部末端沿著該前進方向（T）後退之一切割邊緣。
如請求項10之刀具（100'），其中該第三切割工具（30'）進一步包含具有一負傾斜度之又一第三傾斜切割邊緣（32c'），其沿著該前進方向（T）配置於具有一負傾斜度之該另一第三傾斜切割邊緣（31b'）之下游，其中該負傾斜度對應於一上部末端相對於一下部末端沿著該前進方向（T）後退之一切割邊緣。
如請求項1至3其中一項之刀具（100'），其中：<br/>該第二水平切割工具（20）包含：<br/>一第二下部面（24）及一第二上部面（25），該第二下部面（24）經塑形以接觸該第三切割工具（30'）；<br/>複數個第二刀片（21a、21b），該複數個第二刀片在其一自由末端上具備沿著平行於該平面（P）之一第二平面延伸的複數個第二水平切割邊緣（22a、22b）；<br/>該等第二刀片（21a、21b）藉由一或多個第二凹槽（26）間隔開，且其中：<br/>該等水平切割邊緣中之一者與該等第二水平切割邊緣（22a、22b）位於相同之高度，且其中：<br/>該至少兩個傾斜切割邊緣（32a'、34'）具有一相反傾斜度且分別包含具有一負傾斜度（32a'）之一第三切割邊緣及具有一正傾斜度（34'）之一第三切割邊緣，其中該負傾斜度對應於一上部末端相對於一下部末端沿著該前進方向（T）後退之一切割邊緣，且反之亦然，該正傾斜度對應於該上部末端相對於一下部末端沿著該前進方向（T）前進之一切割邊緣。
如請求項12之刀具（100'），其中具有一正傾斜度之該第三切割邊緣（34'）沿著該前進方向（T）配置於具有一負傾斜度之該第三切割邊緣（32a'）下游。
如請求項13之刀具（100'），其中除了該兩個傾斜切割邊緣（32a'、34'）以外，該第三切割工具（30'）亦進一步包含沿著該前進方向（T）配置於該兩個傾斜切割邊緣（32a'、34'）下游之另一第三傾斜切割邊緣（32b'、32c'）。
如請求項14之刀具（100'），其中該另一第三傾斜切割邊緣（32b'、32c'）在該參考平面中具有一負傾斜度，其中該負傾斜度對應於一上部末端相對於一下部末端沿著該前進方向（T）後退之一切割邊緣。
如請求項15之刀具（100'），其中該第三切割工具（30'）進一步包含具有一負傾斜度之又一第三傾斜切割邊緣（32c'），其沿著該前進方向（T）配置於具有一負傾斜度之該另一第三傾斜切割邊緣（31b'）之下游，其中該負傾斜度對應於一上部末端相對於一下部末端沿著該前進方向（T）後退之一切割邊緣。
如請求項1至3其中一項之刀具（100'），其中該至少兩個傾斜切割邊緣（32a'、34'；34'、32b'）包含以一預設距離（35）配置之各別下部末端及/或各別上部末端，以在該等傾斜切割邊緣（32a'、34'；34'、32b'）在該側壁（70）中執行之各別傾斜切割之間形成由塑膠材料製成之一橋接件。
如請求項1至3其中一項之刀具（100'），其中該至少兩個傾斜切割邊緣（32a'、34'）包含以一預設距離配置之各別下部末端，該分層結構之另一切割工具（40）的另一刀片（41）插入於該等各別下部末端之間；該等水平切割邊緣中之一水平切割邊緣（42）經設置在該另一刀片（41）上。
如請求項1至3其中一項之刀具（100'），其中該至少兩個傾斜切割邊緣（32a'、34'）包含以一預設距離配置之各別上部末端，該分層結構之另一切割工具（50）的另一刀片（51）插入於該等各別上部末端之間；該等水平切割邊緣中之一水平切割邊緣（42）經設置在該另一刀片（51）上。
如請求項1至3其中一項之刀具（100'），其中除了該至少兩個傾斜切割邊緣（32a'、34'）以外，該第三切割工具（30'）亦包含其他切割邊緣，該等其他切割邊緣經配置以便在使用中決定連接該防拆環（72）及該側壁（70）之三個連接部分或四個連接部分。
一種光學裝置，包含：<br/>一矽基板，其包含一n型摻雜區；<br/>由矽基板支撐的複數像素，該複數像素中的每一該像素包含一由鍺組成的吸收區，該吸收區包含一p型摻雜區；<br/>其中該吸收區被配置為吸收從一三維物體反射的光子，並在對吸收的光子做出反應時產生複數光載子；以及<br/>其中該複數像素中的每一該像素的吸收區被設置於該三維物體與該矽基板之間。
如請求項1所述之光學裝置，其中，該吸收區形成於該矽基板之表平面上。
如請求項1所述之光學裝置，其中，該吸收區形成於一溝槽，該溝槽至少部分環繞於一絕緣或一半導體材料。
如請求項1所述之光學裝置，更包含一被配置用於處理光載子的處理單元。
如請求項4所述之光學裝置，其中，該處理單元被配置為判斷該三維物體的一特性。
如請求項4所述之光學裝置，其中，該處理單元被配置為判斷該三維物體的深度資訊。
如請求項4所述之光學裝置，其中，該處理單元被配置為進行關於該三維物體之眼部追蹤應用。
如請求項4所述之光學裝置，其中，該處理單元被配置為進行關於該三維物體之手勢辨識應用。
如請求項4所述之光學裝置，其中，該處理單元被配置為進行關於該三維物體之擴增實境或虛擬實境應用。
如請求項4所述之光學裝置，其中，該處理單元包含有一控制電路或一或多個處理器。
如請求項1所述之光學裝置，更包含一傳送單元，且該傳送單元包含有一或多個光源。
如請求項1所述之光學裝置，其中，該複數像素中的每個該像素更包含一或多個由一第一控制信號控制的一第一開關，且每該一或多個各別該第一開關被配置為依據該第一控制信號收集至少一第一部分的光載子。
如請求項12所述之光學裝置，其中，該複數像素中的每個該像素更包含一或多個由一第二控制信號控制的第二開關，且每該一或多個各別該第二開關被配置為依據該第二控制信號收集至少一第二部分的光載子，其中該第二控制信號與該第一控制信號不同。
如請求項1所述之光學裝置，更包含有一接合於該矽基板的第二基板。
如請求項14所述之光學裝置，其中，該第二基板包含有一處理複數光載子的電路。
如請求項1所述之光學裝置，更包含一或多個形成於該矽基板的光學元件，每該一或多個各該光學元件在光到達該多個像素之前被配置為聚焦、準直、散焦、濾光或其他方式操作從該三維物體反射的光。
如請求項1所述之光學裝置，更包含有一隔離結構，該隔離結構將多個不同像素從多個像素中分隔，其中該隔離結構包括絕緣分隔或佈植分隔。
一種光學感測系統，包含：<br/>一光源；<br/>一光學感測器，其包含由半導體基板支撐的複數像素；<br/>其中，該複數像素中的每一該像素包含一材料組成與該半導體基板不同的吸收區；<br/>其中，該吸收區被配置為吸收由該光源產生的至少一部分光子，並產生光載子；<br/>其中，該複數像素包含：<br/>一第一像素，其包含一第一開關，該第一開關被配置為基於一第一控制訊號收集由該第一像素的一第一吸收區產生的一第一部分光載流子；以及<br/>一第二像素，其包含一第二開關，該第二開關被配置為基於一第二控制訊號收集由該第二像素的一第二吸收區產生的一第二部分光載流子，<br/>其中該第一控制訊號與該第二控制訊號為具有獨立電壓值的電壓訊號。
如請求項18所述之光學感測系統，其中，該吸收區包含鍺，且該半導體基板包含矽。
如請求項18所述之光學感測系統，更包含一或多個光學元件，該一或多個光學元件被配置為在光到達該光學感測器之前對來自該光源的光進行操作。
一種智能模組化照護便盆輪椅，提供一使用者乘坐，其包含：<br/> 一輪椅單元，包括一輪椅主體，及一設置於該輪椅主體之隱私遮簾主體，該隱私遮簾主體用於遮蔽該使用者；及<br/> 一便盆單元，包括一設置於該輪椅主體之便盆主體；<br/> 一控制單元，包括一設置於該輪椅主體之遮簾偵測模組、一與該遮簾偵測模組連接之控制模組、一與該控制模組連接之照明模組，及一與該控制模組連接之除臭模組，該遮簾偵測模組用於偵測該隱私遮簾主體是否遮蔽該使用者，當該隱私遮簾主體遮蔽該使用者時，該控制模組控制該照明模組發光，以及控制該除臭模組發出除臭氣體。
如請求項1所述智能模組化照護便盆輪椅，其中，該控制單元更包括一與該控制模組連接之臭味偵測模組，該臭味偵測模組為一氣體傳感器，包含以二氧化錫為氣敏材料，用於偵測該便盆主體的氣味，該控制模組中具有一除臭啟動閾值，當該便盆主體的氣味符合該除臭啟動閾值時，該控制模組控制該除臭模組發出除臭氣體。
如請求項1所述智能模組化照護便盆輪椅，其中，該控制單元更包括一與該控制模組連接之環境偵測模組，該環境偵測模組用於偵測環境亮度，該控制模組中具有一照明啟動閾值，當環境亮度符合該照明啟動閾值時，該控制模組控制該照明模組發光。
如請求項1所述智能模組化照護便盆輪椅，其中，該控制單元更包括一與該控制模組連接之人員偵測模組，該人員偵測模組用於偵測該使用者，當該人員偵測模組偵測該使用者時，該控制模組控制該照明模組發光。
如請求項1所述智能模組化照護便盆輪椅，其中，該便盆單元更包括一設置於該輪椅主體之智能沖洗模組，該控制單元更包括一與該控制模組連接之供電模組，該智能沖洗模組具有一設置於該輪椅主體之儲水容器、一與該儲水容器連接之加壓泵浦、一與該加壓泵浦連接之沖水開關，及一與該加壓泵浦連接之噴水結構。
如請求項1所述智能模組化照護便盆輪椅，其中，該輪椅主體具有一輪椅支撐架、一設置於該輪椅支撐架之乘坐板件、一設置於該乘坐板件之收納容置部，及一設置於該乘坐板件之乘坐坐墊，該便盆主體設置於該收納容置部並顯露於該乘坐板件，該乘坐坐墊覆蓋該便盆主體。
如請求項1所述智能模組化照護便盆輪椅，其中，該除臭模組具有一設置於該輪椅主體之除臭容器，及一與該除臭容器連接之噴霧產生器，該除臭容器容置除臭液，該控制模組與該噴霧產生器連接，以使該噴霧產生器將該除臭液霧化並向該便盆主體噴出。
如請求項1所述智能模組化照護便盆輪椅，其中，該便盆單元更包括一可分離地設置於該便盆主體之封口袋，及一設置於該封口袋中的凝固劑。
如請求項1所述智能模組化照護便盆輪椅，其中，該便盆單元更包括一設置於該便盆主體之投放模組，及一放置於該投放模組之凝固劑，該投放模組與該控制模組連接，當該隱私遮簾主體從遮蔽該使用者之狀態改變成未遮蔽該使用者之狀態時，該控制模組控制該投放模組將該凝固劑投放至該便盆主體中。
如請求項1所述智能模組化照護便盆輪椅，其中，該便盆單元更包括一與該便盆主體連接之抽吸模組，該抽吸模組具有一與該便盆主體連接之儲存槽、一設置於該儲存槽之空氣抽吸組件、一設置於該儲存槽之啟閉封口組件、一設置於該便盆主體之液體偵測組件，及一與該控制模組連接之封口啟動開關，該空氣抽吸組件用於抽吸該儲存槽的空氣，以於該啟閉封口組件開啟時，將該便盆主體中之物體抽吸至該儲存槽中。
一種IVB族金屬化合物，其具有通式1： <br/>通式1 <br/><img align="absmiddle" height="47px" width="44px" file="ed10054.jpg" alt="ed10054.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>其中，M為Ti，Zr或Hf； <br/>R<sub>1</sub>至R<sub>10</sub>各自獨立地選自H、C<sub>1</sub>至C<sub>6</sub>基團，且R<sub>8</sub>不為H； <br/>m、n、k各自獨立地選自1、2、3； <br/>所述C<sub>1</sub>至C<sub>6</sub>基團為飽和或不飽和的直鏈、支鏈或環狀基團，其任選被氟原子取代。
根據請求項1所述的IVB族金屬化合物，其中，R<sub>9</sub>、R<sub>10</sub>各自為H，其具有通式2： <br/>通式2 <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="44px" file="ed10055.jpg" alt="ed10055.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
根據請求項2所述的IVB族金屬化合物，其中，k為1； <br/>當m、n均為2時，其具有通式3： <br/>通式3 <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="44px" file="ed10056.jpg" alt="ed10056.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>當m、n均為3時，其具有通式4： <br/>通式4 <br/><img align="absmiddle" height="45px" width="44px" file="ed10057.jpg" alt="ed10057.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
根據請求項1所述的IVB族金屬化合物，其中，R<sub>9</sub>、R<sub>10</sub>各自為CH<sub>3</sub>，k為1，當m、n均為2時，其具有以下通式5： <br/>通式5 <br/><img align="absmiddle" height="47px" width="44px" file="ed10058.jpg" alt="ed10058.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>當m、n均為3時，其具有通式6： <br/>通式6 <br/><img align="absmiddle" height="46px" width="44px" file="ed10059.jpg" alt="ed10059.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
根據請求項1所述的IVB族金屬化合物，其中，所述化合物選自： <br/>(CpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe) M (MeNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NHCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)， <br/>(CpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NEt) M (MeNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NHCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)， <br/>(CpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>N<sup>n</sup>Pr) M (MeNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NHCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)， <br/>(CpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>N<sup>i</sup>Pr) M (MeNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NHCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)， <br/>(MeCpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe) M (MeNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NHCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)， <br/>(MeCpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NEt) M (MeNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NHCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)， <br/>(MeCpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>N<sup>n</sup>Pr) M (MeNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NHCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)， <br/>(MeCpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>N<sup>i</sup>Pr) M (MeNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NHCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)， <br/>(EtCpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe) M (MeNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NHCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)， <br/>(EtCpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NEt) M (MeNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NHCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)， <br/>(EtCpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>N<sup>n</sup>Pr) M (MeNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NHCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)， <br/>(EtCpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>N<sup>i</sup>Pr) M (MeNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NHCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)， <br/>(<sup>n</sup>PrCpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe) M (MeNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NHCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)， <br/>(<sup>n</sup>PrCpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NEt) M (MeNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NHCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)， <br/>(<sup>n</sup>PrCpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>N<sup>n</sup>Pr) M (MeNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NHCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)， <br/>(<sup>n</sup>PrCpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>N<sup>i</sup>Pr) M (MeNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NHCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)， <br/>(<sup>i</sup>PrCpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe) M (MeNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NHCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)， <br/>(<sup>i</sup>PrCpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NEt) M (MeNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NHCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)， <br/>(<sup>i</sup>PrCpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>N<sup>n</sup>Pr) M (MeNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NHCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)， <br/>(<sup>i</sup>PrCpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>N<sup>i</sup>Pr) M (MeNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NHCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)， <br/>(CpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe) M (MeNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMeCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)， <br/>(CpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NEt) M (MeNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMeCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)， <br/>(CpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>N<sup>n</sup>Pr) M (MeNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMeCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)， <br/>(CpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>N<sup>i</sup>Pr) M (MeNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMeCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)， <br/>(MeCpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe) M (MeNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMeCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)， <br/>(MeCpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NEt) M (MeNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMeCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)， <br/>(MeCpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>N<sup>n</sup>Pr) M (MeNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMeCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)， <br/>(MeCpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>N<sup>i</sup>Pr) M (MeNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMeCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)， <br/>(EtCpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe) M (MeNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMeCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)， <br/>(EtCpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NEt) M (MeNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMeCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)， <br/>(EtCpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>N<sup>n</sup>Pr) M (MeNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMeCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)， <br/>(EtCpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>N<sup>i</sup>Pr) M (MeNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMeCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)， <br/>(<sup>n</sup>PrCpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe) M (MeNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMeCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)， <br/>(<sup>n</sup>PrCpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NEt) M (MeNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMeCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)， <br/>(<sup>n</sup>PrCpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>N<sup>n</sup>Pr) M (MeNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMeCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)， <br/>(<sup>n</sup>PrCpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>N<sup>i</sup>Pr) M (MeNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMeCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)， <br/>(<sup>i</sup>PrCpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe) M (MeNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMeCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)， <br/>(<sup>i</sup>PrCpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NEt) M (MeNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMeCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)， <br/>(<sup>i</sup>PrCpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>N<sup>n</sup>Pr) M (MeNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMeCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)， <br/>(<sup>i</sup>PrCpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>N<sup>i</sup>Pr) M (MeNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMeCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)， <br/>(CpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe) M (EtNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NHCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NEt)， <br/>(CpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NEt) M (EtNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NHCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NEt)， <br/>(CpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>N<sup>n</sup>Pr) M (EtNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NHCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NEt)， <br/>(CpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>N<sup>i</sup>Pr) M (EtNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NHCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NEt)， <br/>(CpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe) M (EtNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMeCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NEt)， <br/>(CpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NEt) M (EtNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMeCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NEt)， <br/>(CpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>N<sup>n</sup>Pr) M (EtNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMeCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NEt)， <br/>(CpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>N<sup>i</sup>Pr) M (EtNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMeCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NEt)， <br/>(CpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe) M (<sup>i</sup>PrNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NHCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>N<sup>i</sup>Pr)， <br/>(CpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NEt) M (<sup>i</sup>PrNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NHCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>N<sup>i</sup>Pr)， <br/>(CpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>N<sup>n</sup>Pr) M (<sup>i</sup>PrNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NHCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>N<sup>i</sup>Pr)， <br/>(CpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>N<sup>i</sup>Pr) M (<sup>i</sup>PrNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NHCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>N<sup>i</sup>Pr)， <br/>(CpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe) M (<sup>i</sup>PrNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMeCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>N<sup>i</sup>Pr)， <br/>(CpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NEt) M (<sup>i</sup>PrNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMeCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>N<sup>i</sup>Pr)， <br/>(CpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>N<sup>n</sup>Pr) M (<sup>i</sup>PrNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMeCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>N<sup>i</sup>Pr)， <br/>(CpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>N<sup>i</sup>Pr) M (<sup>i</sup>PrNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMeCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>N<sup>i</sup>Pr)； <br/>(CpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)M(HNCHAllylNHCHMeNCycloAm)； <br/>(2-AllylCpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)M(HNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NHCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>N<sup>i</sup>Bu)； <br/>(CpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)M(AllylNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NHCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NCF<sub>3</sub>)； <br/>(CpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)M(MeNCH<sub>2</sub>NCF<sub>3</sub>CH<sub>2</sub>NMe)； <br/>(2,3,4,5-4MeCpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NCF<sub>3</sub>)M(CycloAmNCH<sub>2</sub> CH<sub>2</sub>CHMeNMeCHMeCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)； <br/>(2,4-2MeCpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NAllyl)M(MeNCHMeCH<sub>2</sub>NHCH<sub>2</sub>CHMeNMe)； <br/>(MeCpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)M(MeNCH<sub>2</sub>CHMeCH<sub>2</sub>NMeCH<sub>2</sub>CHMeCH<sub>2</sub>NMe)； <br/>(CpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)M(MeNCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NHCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)；或 <br/>(CpCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NMe)M(MeNCH<sub>2</sub>CHMeNHCHMeCH<sub>2</sub>NMe)； <br/>其中，M為Ti，Zr或Hf，<sup>i</sup>Pr代表異丙基，<sup>n</sup>Pr代表正丙基，Cp代表環戊二烯基，Allyl代表烯丙基，CycloAm代表環戊基，<sup>i</sup>Bu代表異丁基。
一種IVB族金屬化合物的製備方法，其中，包括： <br/>將通式7的化合物和通式8的化合物反應，得到中間產物； <br/>將所述中間產物和通式9的化合物反應，得到通式1的IVB族金屬化合物； <br/>通式7 <br/><img align="absmiddle" height="25px" width="35px" file="ed10060.jpg" alt="ed10060.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>通式8 <br/><img align="absmiddle" height="27px" width="44px" file="ed10061.jpg" alt="ed10061.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>通式9 <br/><img align="absmiddle" height="24px" width="30px" file="ed10062.jpg" alt="ed10062.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>通式1 <br/><img align="absmiddle" height="47px" width="44px" file="ed10063.jpg" alt="ed10063.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>其中，M為Ti、Zr或Hf； <br/>R<sub>1</sub>至R<sub>10</sub>各自獨立地選自H、C<sub>1</sub>至C<sub>6</sub>基團，且R<sub>8</sub>不為H； <br/>R<sub>11</sub>至R<sub>12</sub>各自獨立地選自C<sub>1</sub>至C<sub>6</sub>基團；m、n、k各自獨立地選自：1、2、3； <br/>C<sub>1</sub>至C<sub>6</sub>基團為飽和或不飽和的直鏈、支鏈或環狀基團，其任選被氟原子取代。
根據請求項6所述的製備方法，其中，將通式7的化合物和通式8的化合物反應，得到中間產物的步驟為： <br/>將通式7的化合物分散在有機溶劑中，在冷卻攪拌下，將通式8的化合物逐滴滴加至有機溶劑中，之後升溫至反應溫度進行反應，反應結束後藉由精餾得到所述中間產物。
根據請求項6所述的製備方法，其中，將所述中間產物和通式9的化合物反應，得到IVB族金屬化合物的步驟為： <br/>將所述中間產物分散在有機溶劑中，在冷卻攪拌下，將通式9的化合物逐滴滴加至有機溶劑中，之後升溫至反應溫度進行反應，反應結束後藉由精餾得到所述IVB族金屬化合物。
根據請求項7或8所述的製備方法，其中，有機溶劑選自烴或醚。
根據請求項6所述的製備方法，其中，通式7的化合物、通式8的化合物和通式9的化合物的莫耳比為1：（1~1.2）：（1~1.1）。
一種組合物，其包含0.1重量%至99.9重量%的通式1的化合物和餘量的選自烴、醚、酯、醇、胺、硫化物、膦的一種或多種有機化合物； <br/>通式1 <br/><img align="absmiddle" height="47px" width="44px" file="ed10054.jpg" alt="ed10054.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>其中，M為Ti、Zr或Hf； <br/>R<sub>1</sub>至R<sub>10</sub>各自獨立地選自H、C<sub>1</sub>至C<sub>6</sub>基團，且R<sub>8</sub>不為H； <br/>m、n、k各自獨立地選自：1、2、3； <br/>C<sub>1</sub>至C<sub>6</sub>基團為飽和或不飽和的直鏈、支鏈或環狀基團，其任選被氟原子取代。
一種烯烴聚合方法，包括使用請求項1至5中任一項所述的IVB族金屬化合物或請求項6至10中任一項所述的方法製備得到的IVB族金屬化合物作為有機催化劑。
一種含第IVB族金屬元素的功能材料的製備方法，包括使用請求項1至5中任一項所述的IVB族金屬化合物或請求項6至10中任一項所述的方法製備得到的IVB族金屬化合物作為前驅體，功能材料成膜的形式。
根據請求項13所述的方法，其中，含第IVB族金屬元素的膜藉由化學氣相沉積製程或原子層沉積製程製備。
根據請求項14所述的方法，其中，含第IVB族金屬元素的膜包含下式的化合物：（M<sup>1</sup><sub>a</sub>O<sub>b</sub>M<sup>2</sup><sub>1-a</sub>）N<sub>c</sub>C<sub>d</sub>； <br/>式中，0＜a≤1，0≤b＜3，0≤c＜2，0≤d＜1，而且b+c≠0； <br/>M<sup>1</sup>代表Ti、Zr或Hf； <br/>M<sup>2</sup>代表Mg、Al、In、Ga、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、La或Ce； <br/>而且M<sup>1</sup>和M<sup>2</sup>不同。
一種三維動態隨機存取記憶體(DRAM)裝置，其包括：<br/>一陣列結構，其包括：<br/>一堆疊結構，其包含相對於彼此垂直堆疊之DRAM胞元之層級，該等層級之各者之該等DRAM胞元包括：<br/>存取裝置，其分別包括：<br/>源極材料；<br/>汲極材料；<br/>通道材料，其在一第一方向上水平地插入於該源極材料與該汲極材料之間；及<br/>閘極電極材料，其垂直上覆於該通道材料且在正交於該第一方向之一第二方向上水平地延伸；及<br/>電容器，其在該第一方向上與該等存取裝置水平相鄰，該等電容器分別垂直上覆且耦合至該等存取裝置之一者之該汲極材料；及<br/>導電支柱，其垂直延伸完全穿過DRAM胞元之該等層級，該等導電支柱耦合至DRAM胞元之該等層級內之該等DRAM胞元之該等存取裝置之各別者之該源極材料；及<br/>一控制電路結構，其垂直上覆且直接接合至該陣列結構，該控制電路結構包括經組態以實現用於DRAM胞元之該等層級之控制操作之控制邏輯電路。
如請求項1之三維DRAM裝置，其中該控制電路結構經由氧化物至氧化物接合(oxide-to-oxide bonds)直接接合至該陣列結構。
如請求項1之三維DRAM裝置，其中該陣列結構進一步包括全域導電結構(global conductive structures)，該等全域導電結構垂直上覆於該堆疊結構且分別耦合至該等導電支柱之一群組。
如請求項3之三維DRAM裝置，其進一步包括：<br/>導電後段製程(BEOL)結構，其垂直上覆於該控制電路結構；及<br/>導電接觸結構，其垂直延伸穿過該控制電路結構且至該陣列結構中，該等導電接觸結構之一些將該等導電BEOL結構之一些耦合至該等全域導電結構之一些。
如請求項4之三維DRAM裝置，其中：<br/>該控制電路結構之該控制邏輯電路包含水平重疊於該陣列結構之該等DRAM胞元之感測放大器電路；及<br/>該等導電BEOL結構之該些耦合至該控制邏輯電路之該感測放大器電路。
如請求項5之三維DRAM裝置，其中該陣列結構進一步包括額外導電接觸結構，該等額外導電接觸結構個別地垂直延伸至用於DRAM胞元之該等層級之一各別者之該等存取裝置之該閘極電極材料且與其接觸。
如請求項6之三維DRAM裝置，其中：<br/>該等導電接觸結構之另一些將該等導電BEOL結構之另一些耦合至該等額外導電接觸結構；<br/>該控制電路結構之該控制邏輯電路進一步包括一子字線驅動器電路(sub-word line driver circuity)，該子字線驅動器電路在該第一方向及該第二方向上皆自該感測放大器電路水平位移；及<br/>該等導電BEOL結構之該另一些耦合至該控制邏輯電路之該字線驅動器電路。
如請求項6之三維DRAM裝置，其中：<br/>該等額外導電接觸結構之一些在該堆疊結構之一第一端處之一階梯結構之台階著陸；及<br/>該等額外導電接觸結構之另一些在與該堆疊結構之該第一端相對之該堆疊結構之一第二端處之一額外階梯結構之額外台階著陸。
如請求項6之三維DRAM裝置，其中在該第二方向上與該等額外導電接觸結構之一額外者水平相鄰之該等額外導電接觸結構之一者在該第一方向上自該等額外導電接觸結構之該額外者水平位移。
如請求項1之三維DRAM裝置，其進一步包括：<br/>一導電板結構，其垂直延伸穿過該堆疊結構且在該第二方向上水平延伸，該導電板結構耦合至DRAM胞元之該等層級之該等DRAM胞元之該等存取裝置之該源極材料；及<br/>一額外導電板結構，其垂直延伸穿過該堆疊結構且在該第二方向上水平延伸，該額外導電板結構耦合至DRAM胞元之該等層級之該等DRAM胞元之該等電容器。
如請求項1之三維DRAM裝置，其中該控制電路結構之該控制邏輯電路之電晶體之閘極電極經定位為，相較於該等電晶體之源極與汲極區，更垂直接近於該陣列結構之該堆疊結構。
一種記憶體裝置，其包括：<br/>一第一結構，其包括：<br/>一陣列區，其包括：<br/>相對於彼此垂直堆疊之揮發性記憶體胞元之層級，該等層級之各者之該等揮發性記憶體胞元包括：<br/>存取裝置；及<br/>耦合至該等存取裝置之儲存節點裝置，該等儲存節點裝置之各者垂直重疊且水平相鄰於該等存取裝置之一各別者；及<br/>導電支柱，其垂直延伸完全穿過揮發性記憶體胞元之該等層級，該等導電支柱耦合至揮發性記憶體胞元之該等層級內之該等揮發性記憶體胞元之該等存取裝置；及<br/>一導電接觸區，其水平相鄰於該陣列區且包括：<br/>一階梯結構，其具有在揮發性記憶體胞元之該等層級處之台階；及<br/>導電接觸結構，其與該階梯結構之該等台階之至少一些接觸；及<br/>一第二結構，其經由氧化物至氧化物接合附接至該第一結構，該第二結構包括：<br/>一感測放大器區，其與該第一結構之該陣列區水平重疊且包括耦合至該第一結構之該陣列區內之該等導電支柱之感測放大器電路；及<br/>一子字線驅動器區，其自該感測放大器區水平位移且包括耦合至該第一結構之該導電接觸區內之該等導電接觸結構之子字線驅動器電路。
如請求項12之記憶體裝置，其中該第二結構進一步包括一導電接觸出口區，其與該第一結構之該導電接觸區水平重疊且包括耦合至該第一結構之該導電接觸區之該等導電接觸結構及該第二結構之該子字線驅動器區之該子字線驅動器電路之互連結構。
如請求項12之記憶體裝置，其中該第二結構進一步包括水平相鄰於在一第一方向上之該感測放大器區及在正交於該第一方向之一第二方向上之該子字線驅動器區之一額外區，該額外區包括以下之一或多者：電壓泵電路、延遲鎖定迴路(DLL)電路、汲極供應電壓(V<sub>dd</sub>)調節器電路、晶片/層疊控制電路、及區塊開關電路。
如請求項12之記憶體裝置，其中：<br/>該第一結構之該陣列區進一步包括耦合至該等導電支柱之一群組之一導電佈線結構；<br/>該第一結構進一步包括水平相鄰於該陣列區之一插座區，該插座區包含垂直下伏於該導電佈線結構且與其接觸之一深導電接觸結構，該深導電接觸結構垂直延伸穿過該第一結構之一大部分(majority)；及<br/>該第二結構進一步包括與該第一結構之該插座區水平重疊之一額外插座區，該額外插座區包括垂直上覆於該導電佈線結構且與其接觸之一額外導電接觸結構，該額外導電接觸結構垂直延伸穿過該第二結構之一大部分。
如請求項12之記憶體裝置，其進一步包括垂直上覆於該第二結構之導電後段製程(BEOL)結構，該等導電BEOL結構之一些將該第二結構之該感測放大器電路耦合至該第一結構之該等導電支柱，及該等導電BEOL結構之另一些將該第二結構之該子字線驅動器電路耦合至該第一結構之該等導電接觸結構。
如請求項12之記憶體裝置，其中揮發性記憶體胞元之該等層級之該等揮發性記憶體胞元之該等存取裝置分別包括：<br/>源極材料，其與該等導電支柱之一各別者接觸；<br/>汲極材料，其與該等儲存節點裝置之一各別者接觸；<br/>通道材料，其在一第一方向上水平地插入於該源極材料與該汲極材料之間；<br/>一閘極電極，其垂直上覆於該通道材料且在正交於該第一方向之一第二方向上水平地延伸；及<br/>閘極介電材料，其垂直地插入於該閘極電極與該通道材料之間。
如請求項17之記憶體裝置，其中揮發性記憶體胞元之該等層級之該等揮發性記憶體胞元之該等儲存節點裝置包括電容器，該等電容器分別包含兩個電極結構及水平地插入於該兩個電極結構之間之介電材料。
如請求項12之記憶體裝置，其中該等揮發性記憶體胞元包括動態隨機存取記憶體(DRAM) 胞元。
一種電子系統，其包括：<br/>一處理器裝置，其可操作地耦合至一輸入裝置及一輸出裝置；及<br/>一三維動態隨機存取記憶體(DRAM)裝置，其可操作地耦合至該處理器裝置且包括：<br/>一陣列結構，其包括：<br/>相對於彼此垂直堆疊之DRAM胞元之層級，該等層級之各者之該等DRAM胞元包括：<br/>存取電晶體，其分別包括一源極區、一汲極區、在一第一水平方向上插入於該源極區與該汲極區之間之一通道區、上覆於該通道區且在正交於該第一水平方向之一第二水平方向上延伸之閘極電極；及<br/>電容器，其在該第一水平方向上與該等存取電晶體相鄰，該等電容器分別垂直重疊且耦合至該等存取電晶體之一者之該汲極區；及<br/>導電數位線結構，其垂直延伸完全穿過DRAM胞元之該等層級，該等導電數位線結構耦合至DRAM胞元之該等層級內之該等DRAM胞元之該等存取電晶體之各別者之該源極區；及<br/>一控制電路結構，其經由氧化物至氧化物接合附接至該陣列結構且包括感測放大器電路，該感測放大器電路垂直上覆、水平重疊、及耦合至該等導電數位線結構。
一種顯示面板，包含：<br/>第一區域；<br/>第二區域；以及<br/>第三區域，<br/>其中，該第一區域、該第二區域和該第三區域之至少一個被配置為執行顯示；<br/>其中，該第一區域包含第一邊和第二邊；<br/>其中，該第二區域被設置以與該第一邊接觸；以及<br/>其中，該第三區域被設置以與該第二邊接觸。
一種電子裝置，包含：<br/>外殼；以及<br/>顯示面板，<br/>其中，該顯示面板包含第一至第三顯示區域，<br/>其中，該第一顯示區域沿著該外殼的頂面設置，<br/>其中，該第一顯示區域包含四邊形狀的輪廓，<br/>其中，該第二顯示區域與該第一顯示區域接觸，<br/>其中，該第二顯示區域沿著該外殼的第一彎曲側面和背面設置，<br/>其中，該頂面和該背面彼此平行，<br/>其中，該第三顯示區域與該第一顯示區域接觸，<br/>其中，該第三顯示區域沿著該外殼的第二彎曲側面設置，<br/>其中，該第二顯示區域的邊和該第三顯示區域的邊形成暴露該外殼的角，<br/>其中，該第一至第三顯示區域之至少一個包含像素，該像素包括電晶體，以及<br/>其中，該電晶體包含半導體層，該半導體層包含氧化物半導體。
一種電子裝置，包含：<br/>外殼；以及<br/>顯示面板，<br/>其中，該顯示面板包含第一至第三顯示區域，<br/>其中，該第一顯示區域沿著該外殼的頂面設置，<br/>其中，該第一顯示區域包含四邊形狀的輪廓，<br/>其中，該第二顯示區域與該第一顯示區域接觸，<br/>其中，該第二顯示區域沿著該外殼的第一彎曲側面和背面設置，<br/>其中，該頂面和該背面彼此平行，<br/>其中，該第三顯示區域與該第一顯示區域接觸，<br/>其中，該第三顯示區域沿著該外殼的第二彎曲側面設置，<br/>其中，該第二顯示區域的邊和該第三顯示區域的邊形成暴露該外殼的角，<br/>其中，撓性印刷電路被設置成電連接至該第三顯示區域，<br/>其中，該第一至第三顯示區域之至少一個包含像素，該像素包括電晶體，以及<br/>其中，該電晶體包含半導體層，該半導體層包含氧化物半導體。
一種指示型扭力工具，其包括有：<br/>一個軸體，該軸體設置有虛擬的一個轉軸，該軸體沿的的外周緣設置有以該轉軸為中心呈螺旋軌跡的一個導槽；<br/>一個套管，該套管能以該轉軸為中心轉動地套接於該軸體，該套管沿該轉軸徑向設置有一個第一定位槽及一個第二定位槽，該套管沿該轉軸軸向的一端設置有一個端部；<br/>一個扭力模組，該扭力模組包括有一個彈性件、一個第一導引件及一個第二導引件，該彈性件設置於該套管內，該彈性件的一端抵靠於該軸體且另一端抵靠於該套管並提供沿該轉軸軸向的推力，該第一導引件設置於該第一定位槽內且能夠沿螺旋軌跡移動地設置於該導槽內，該第二導引件設置於該第二定位槽內且能夠沿螺旋軌跡移動地設置於該導槽內，該第一導引件至該端部的距離形成一個第一距離，該第二導引件至該端部的距離形成一個第二距離，該第二距離大於該第一距離。
如請求項1所述之指示型扭力工具，其中該第二距離減該第一距離之差小於或等於六分之五該導槽的螺距。
如請求項2所述之指示型扭力工具，其中該套管沿該轉軸徑向的外周緣連接有一個套環，該套環覆蓋該第一定位槽與該第二定位槽，該第一導引件與該第二導引件相反於該導槽的一端分別抵靠於該套環。
如請求項3所述之指示型扭力工具，其中該套管沿該轉軸徑向的外周緣設置有一個外螺紋部及一個鎖孔，該套環沿該轉軸徑向的內周緣設置有一個內螺紋部及一個卡孔，該內螺紋部螺鎖於該外螺紋部，該套管連接有一個鎖定件，該鎖定件穿過該卡孔並以螺鎖方式插接於該鎖孔。
如請求項3所述之指示型扭力工具，其中該軸體沿該轉軸徑向的外周緣設置有一個指向標示，該套環沿該轉軸徑向的外周緣設置有數個刻度標示，該指向標示指向該數個刻度標示的其中之一。
如請求項5所述之指示型扭力工具，其中該套環沿該轉軸徑向的外周緣設置有數個數值標示，該數個數值標示對應該數個刻度標示。
如請求項6所述之指示型扭力工具，其中該數個刻度標示與該數個數值標示分別以雷射雕刻方式刻劃於該套環的外周緣。
如請求項7所述之指示型扭力工具，其中該軸體、該套管、該套環與該扭力模組組裝完成後，對該軸體與該套管施加預設的扭力，依據該指向標示所指向的位置，以雷射雕刻方式在該套環上相對應位置刻劃該刻度標示與相對應扭力數職的該數值標示。
如請求項1所述之指示型扭力工具，其中該套管沿該轉軸軸向設置有一個滑槽，該滑槽的一端連接該套管的外周緣且另一端呈封閉結構，該軸體能夠沿該轉軸軸向移動地設置於該滑槽內，該軸體的一端設置有一個凹部，該彈性件設置於該滑槽內，該彈性件的一端抵靠於該滑槽底面且另一端抵靠於該凹部。
如請求項9所述之指示型扭力工具，其中該軸體沿該轉軸軸向相反於該凹部的一端設置有一個驅動槽，該驅動槽的內周緣沿該轉軸徑向的截面形狀呈多邊形，該套管沿該轉軸軸向相反於該滑槽開口的一端設置有一個驅動部，該驅動部的外周緣沿該轉軸徑向的截面形狀呈多邊形，該導槽沿該轉軸徑向的截面形狀呈凹弧形，該第一導引件與該第二導引件皆呈球體結構並能夠以滾動方式在該導槽移動。
一種光學積層體，其係使用於影像顯示裝置之光學積層體，其具備：<br/>由雙軸延伸聚對苯二甲酸乙二酯薄膜構成，在面內具有雙折射性之光穿透性基材；與<br/>設置於該光穿透性基材的一面之光學功能層，<br/>該光學功能層的表面的算術平均粗糙度Ra為0.04μm以上0.536μm以下，存在於該光學功能層的表面之凹凸的平均傾斜角θa為0.30°以上4.58°以下，存在於該光學功能層的表面之凹凸的最大高度Rz為0.2μm以上2.982μm以下，<br/>總霧度為5%以上71.6%以下，<br/>下述式(1)所定義之該光穿透性基材的面內延遲Re為2,000nm以上7,500nm以下；<br/>Re=(nx-ny)×d (1)<br/>此處，<br/>nx：慢軸方向之折射率<br/>ny：快軸方向之折射率<br/>d：光穿透性基材的厚度。
如請求項1之光學積層體，其滿足下述條件(2)；<br/>(nx-ny)＜0.06 (2)。
如請求項1之光學積層體，其中下述式(3)所示之該光穿透性基材的厚度方向延遲Rth’為9,500nm以上18,000nm以下；<br/>Rth’=(nx-nz)×d (3)<br/>此處，<br/>nz：厚度方向的折射率。
如請求項1之光學積層體，其中下述式(4)所示之比Nz’為1.5以上5.5以下；<br/>Nz’=Rth’/Re (4)。
如請求項1之光學積層體，其在以將該光學功能層設為外側，相對之面間的距離成為2mm的方式重複進行20萬次180°折疊之折疊試驗時未發生斷裂。
一種影像顯示裝置，其具備：<br/>影像顯示面板、與<br/>設置於該影像顯示面板的前表面之如請求項1至5中任一項之光學積層體。
一種使用一汽化器之方法，包括：<br/>在一或多個處理器接收與一汽化器匣體上之匣體識別器相關之第一資料，該汽化器匣體與一汽化器裝置連接，該第一資料包含與汽化器匣體內的可汽化材料相關聯的年齡限制之資訊；<br/>回應接收到與匣體識別器相關的第一資料，由該一個或多個處理器生成的使用者介面，呈現要求使用者身份識別的請求；<br/>透過該使用者介面接收與使用者識別相對應的第二資料；<br/>至少基於第二資料，對使用者身份進行驗證，該驗證包括進行年齡分析，其中使用者的年齡係基於已註冊使用者識別資訊與第二資料之比較而確定，並確定該使用者的年齡滿足與該第一資料相關的最低年齡要求；及<br/>在驗證使用者身份後，使該汽化器裝置按照由該一個或多個處理器所確定的一個或多個參數來操作。
如請求項1之方法，進一步包括：<br/>將一通訊裝置與該汽化器配對，該配對包括在該通訊裝置的第一通訊硬體及該汽化器的第二通訊硬體之間建立無線通訊頻道，其中該通訊裝置包括該一個或多個處理器及該顯示器，該存取包括經由無線通訊頻道在該汽化器與該通訊裝置之間的第一資訊之交換，且其中基於該通訊裝置向該汽化器發送數據，使該汽化器按照一個或多個參數操作。
如請求項1或2之方法，其中該第一資訊進一步包括電池資訊、匣體狀態及汽化器狀態中之一項或多項。
如請求項1之方法，其中使該汽化器按照一個或多個參數操作包括設定一或多項汽化器的安全或授權特徵。
如請求項1之方法，其中使該汽化器按照一個或多個參數操作，該參數包括設定或指定在一段時間週期內所要的數目個啟動循環。
如請求項1之方法，其中使該汽化器按照一個或多個參數操作，該參數包括設定或指定一個或多個提醒、警報或使用者通知。
如請求項1之方法，其中使該汽化器按照一個或多個參數操作，該參數包括設定或指定使用者期望的劑量以用於傳遞每次吸入之一種或多種活性物質。
如請求項1之方法，其中使該汽化器按照一個或多個參數操作，該參數包括設定或指定在一時間週期上之所要的總傳遞之劑量活性物質。
如請求項1之方法，其中使該汽化器按照一個或多個參數操作，該參數包括設定或指定汽化發器之一或多個功率設定以調變下列中之一或多者：蒸汽或煙霧劑強度、蒸汽或煙霧劑密度、蒸汽或煙霧劑容積、蒸汽或煙霧劑味道、蒸汽或煙霧劑溫度或由汽化器產生的蒸汽或煙霧劑之其他蒸汽或煙霧劑特性。
如請求項1之方法，其中使該汽化器按照一個或多個參數操作，該參數包括設定或指定汽化器的一個或多個功率設定以調整汽化器的設定以影響電池壽命或電源效能。
如請求項1或2之方法，其中使該汽化器按照一個或多個參數操作，該參數包括設定或指定與液體組分及調配物有關的汽化器之組配。
如請求項1之方法，其中使該汽化器按照一個或多個參數操作包括設定或指定汽化器的基於環境溫度的環境配置或基於濕度的環境配置。
如請求項1或2之方法，其中使該汽化器按照一個或多個參數操作包括設定或指定汽化器的基於高度的環境配置。
如請求項1或2之方法，其中使該汽化器與一個或多個參數操作包括設定或指定汽化器的基於時間的配置。
如請求項1或2之方法，其中使該汽化器與一個或多個參數操作包括設定或指定一個或多個參數以最小化、最大化或調節由汽化器產生的蒸氣產品之味道和/或風味組分之功能效果。
如請求項1或2之方法，其中使該汽化器按照一個或多個參數操作包括設定或指定功能效應參數以最小化或最大化與由汽化器產生之蒸氣或煙霧劑的活性成分或藥物組分之藥效動力學及藥代動力學相關的功能效應。
一種通訊裝置，包括：<br/>一顯示器；<br/>第一通訊硬體；<br/>一或多個處理器，經組配以執行一應用程式，其當執行時產生之操作包括：<br/>在一或多個處理器接收與一汽化器匣體上之匣體識別器相關之第一資料，該汽化器匣體與一汽化器裝置連接，該第一資料包含與汽化器匣體內的可汽化材料相關聯的年齡限制之資訊；<br/>回應接收到與匣體識別器相關的第一資料，由該一個或多個處理器生成的使用者介面，呈現要求使用者身份識別的請求；<br/>透過該使用者介面接收與使用者識別相對應的第二資料；<br/>至少基於第二資料，對使用者身份進行驗證，該驗證包括進行年齡分析，其中使用者的年齡係基於已註冊使用者識別資訊與第二資料之比較而確定，並確定該使用者的年齡滿足與該第一資料相關的最低年齡要求；及<br/>在驗證使用者身份後，使該汽化器裝置按照由該一個或多個處理器所確定的一個或多個參數來操作。
如請求項17之通訊裝置，其中該操作進一步包括：<br/>在該通訊裝置的第一通訊硬體及該汽化器的第二通訊硬體之間建立無線通訊頻道，其中，該存取包括經由無線通訊頻道在該汽化器與該通訊裝置之間的第一資訊之交換，且其中基於該通訊裝置向該汽化器發送數據，使該汽化器按照一個或多個參數操作。
如請求項17之通訊裝置，其中使該汽化器按照一個或多個參數操作包括設定或指定汽化器的一個或多個安全特徵或授權特徵。
如請求項17之通訊裝置，其中使該汽化器與一個或多個參數操作包括設定或指定使用者所要的每次吸入遞送一種或多種活性物質的劑量。
如請求項17或18之通訊裝置，其中使該汽化器與一個或多個參數操作包括設定或指定使用者所要的一種或多種活性物質在一時間週期內的總遞送劑量。
如請求項17或18之通訊裝置，其中使該汽化器按照一個或多個參數操作包括設定或指定汽化器的一個或多個功率設定以調變蒸汽和/或煙霧劑強度、蒸汽或煙霧劑密度、蒸汽或煙霧劑容積、蒸汽或煙霧劑味道、蒸汽或煙霧劑溫度、或汽化器產生的蒸氣或煙霧劑的其他蒸氣和/或煙霧劑特性。
一種應用程式，其當被一或多個處理器執行時產生之操作包括：<br/>在一或多個處理器接收與一汽化器匣體上之匣體識別器相關之第一資料，該汽化器匣體與一汽化器裝置連接，該第一資料包含與汽化器匣體內的可汽化材料相關聯的年齡限制之資訊；<br/>回應接收到與匣體識別器相關的第一資料，由該一個或多個處理器生成的使用者介面，呈現要求使用者身份識別的請求；<br/>透過該使用者介面接收與使用者識別相對應的第二資料；<br/>至少基於第二資料，對使用者身份進行驗證，該驗證包括進行年齡分析，其中使用者的年齡係基於已註冊使用者識別資訊與第二資料之比較而確定，並確定該使用者的年齡滿足與該第一資料相關的最低年齡要求；及<br/>在驗證使用者身份後，使該汽化器裝置按照由該一個或多個處理器所確定的一個或多個參數來操作。
如請求項23之應用程式，其中該操作進一步包括：<br/>將一通訊裝置與該汽化器配對，該配對包括在該通訊裝置的第一通訊硬體及該汽化器的第二通訊硬體之間建立無線通訊頻道，其中該通訊裝置包括該一個或多個處理器及該顯示器，該存取包括經由無線通訊頻道在該汽化器與該通訊裝置之間的第一資訊之交換，且其中基於該通訊裝置向該汽化器發送數據，使該汽化器按照一個或多個參數操作。
如請求項23或24之應用程式，其中使該汽化器按照一個或多個參數操作包括設定或指定汽化器的一個或多個安全特徵或授權特徵。
如請求項23或24之應用程式，其中使該汽化器與一個或多個參數操作包括設定或指定使用者所要的每次吸入遞送一種或多種活性物質的劑量。
如請求項23或24之應用程式，其中使該汽化器與一個或多個參數操作包括設定或指定使用者所要的一種或多種活性物質在一時間週期內的總遞送劑量。
如請求項23或24之應用程式，其中使該汽化器按照一個或多個參數操作包括設定或指定汽化器的一個或多個功率設定以調變蒸汽和/或煙霧劑強度、蒸汽或煙霧劑密度、蒸汽或煙霧劑容積、蒸汽或煙霧劑味道、蒸汽或煙霧劑溫度、或汽化器產生的蒸氣或煙霧劑的其他蒸氣和/或煙霧劑特性。
一種在記憶體子系統中實行校準的設備，其包含：<br/>一記憶體電路；及 <br/>一記憶體控制器電路，其經組態以： <br/>在一初始化程序期間，對複數個效能狀態的多者執行多個記憶體校準；及 <br/>針對該複數個效能狀態的該多者，儲存指示多個校準結果之資訊； <br/>從該複數個效能狀態的一第一效能狀態至該複數個效能狀態的一第二效能狀態的一改變之後，基於與該第二效能狀態有關的該經儲存的資訊，設定用於該記憶體控制器電路的多個操作參數； <br/>基於兩個或更多個校準點，執行一邊限檢查校準；及 <br/>基於該兩個或更多個校準點來的多個校準結果，判定是否執行一完整校準。
如請求項1之設備，其中該複數個效能狀態的一者的一給定效能狀態包括相對於該複數個效能狀態之其他者的一操作電壓及一時脈頻率的一獨特組合。
如請求項1之設備，其中判定是否執行該完整校準，該記憶體控制器電路進一步經組態以：<br/>判定在該兩個或更多個校準點之一第一校準點的一第一校準結果，其中該第一點校準點對應於小於一經校準延遲點的一延遲值；及 <br/>判定在該兩個或更多個校準點之一第二校準點的一第二校準結果，其中該第二點校準點對應於大於該經校準延遲點的一延遲值。
如請求項3之設備，其中該記憶體控制器電路經組態以基於該第一及第二校準結果係通過結果之一判定而跳過在該第二效能狀態中執行一完整水平校準。
如請求項3之設備，其中該記憶體控制器電路進一步經組態以：<br/>回應於判定該第一及第二校準結果之至少一者未通過而在該第二效能狀態中執行一完整水平校準；及 <br/>基於該完整水平校準的多個結果更新與該第二效能狀態有關的該經儲存的資訊。
如請求項1之設備，其中該記憶體控制器電路進一步經組態以：<br/>追蹤在進入該第二效能狀態之後執行該邊限檢查校準的次數，以及<br/>回應於該經追蹤的次數超過一臨限次數之一判定，執行一完整水平校準而非該邊限檢查校準。
如請求項6之設備，其中該記憶體控制器電路進一步經組態以：<br/>回應於執行該完整水平校準時，重設該經追蹤的次數。
如請求項1之設備，其中為了在一特定校準點執行一校準，該記憶體控制器電路進一步經組態：<br/>以一特定參考電壓及以施加至一資料選通信號的一特定延遲值來執行至該記憶體電路的資料寫入及自該記憶體電路的資料讀取。
如請求項1之設備，其中該記憶體電路包含一多秩記憶體系統，該多秩記憶體系統具有共用該記憶體控制器電路與該記憶體電路之間的一組共同信號路徑的一第一組記憶體陣列及一第二組記憶體陣列。
如請求項1之設備，其中該初始化程序包含一系統啟動（boot）程序。
一種在記憶體子系統中實行校準的方法，其包含：<br/>在一初始化程序期間藉由一記憶體控制器電路對複數個效能狀態的多者執行多個記憶體校準； <br/>藉由該記憶體控制器電路，儲存指示該等記憶體校準之多個校準結果之資訊； <br/>基於從該複數個效能狀態的一第一效能狀態至該複數個效能狀態的一第二效能狀態的一改變，藉由該記憶體控制器電路，基於與該第二效能狀態有關的該經儲存的資訊，設定用於該第二效能狀態的多個初始記憶體控制器參數； <br/>在改變至該第二效能狀態之後，藉由該記憶體控制器電路，執行一邊限檢查校準；及 <br/>基於該邊限檢查校準的多個結果，藉由該記憶體控制器電路，判定是否執行一完整校準。
如請求項11之方法，其中執行該邊限檢查校準包含：<br/>藉由該記憶體控制器電路，判定在一第一點的一第一校準結果，其中該第一點對應於小於一經校準延遲點的一延遲值；及 <br/>藉由該記憶體控制器電路，判定在一第二點的一第二校準結果，其中該第二點對應於大於該經校準延遲點的一延遲值。
如請求項12之方法，其進一步包含藉由該記憶體控制器電路，基於判定該第一及該第二校準結果係通過結果而跳過在該第二效能狀態中執行一完整水平校準。
如請求項12之方法，其進一步包含藉由該記憶體控制器電路，若該第一及該第二校準結果中之至少一者未產生一通過結果，執行一完整水平校準。
如請求項11之方法，其進一步包含：<br/>藉由該記憶體控制器電路，追蹤在進入該第二效能狀態之後執行該邊限檢查校準的次數，以及<br/>回應於該經追蹤的次數超過一臨限次數之判定，藉由該記憶體控制器電路，執行一完整水平校準而非該邊限檢查校準。
如請求項15之方法，其進一步包含藉由該記憶體控制器電路回應於執行該完整水平校準時，重設該經追蹤的次數。
一種在記憶體子系統中實行校準的系統，其包含：<br/>一記憶體電路； <br/>一記憶體控制器電路，其包括：<br/>一記憶體介面，其耦合至該記憶體電路並且包括一延遲電路；以及 <br/>一校準電路，其經組態以在一初始化程序期間對複數個效能狀態的多者執行該延遲電路的多個校準；及 <br/>一儲存電路，其經組態以儲存指示與該複數個效能狀態有關的多個校準結果之資訊；及<br/>一電力管理電路，其經組態以將該系統的操作從該複數個效能狀態的一第一效能狀態改變至該複數個效能狀態的一第二效能狀態； <br/>其中該記憶體控制器電路進一步經組態以： <br/>基於從該第一效能狀態至該第二效能狀態的改變，並基於與該第二效能狀態有關的該經儲存的資訊，設定用於該第二效能狀態的多個初始記憶體控制器參數； <br/>在改變至該第二效能狀態之一特定量的時間之後，使用該校準電路執行該延遲電路之 一邊限檢查校準，而不執行一完整校準。
如請求項17之系統，其中該校準電路經組態以：<br/>在對應於小於一經校準延遲點的一延遲值之一第一操作點，執行該延遲電路之 一第一校準；及 <br/>在對應於大於該經校準延遲點的一延遲值之一第二操作點，執行該延遲電路之 一第二校準。
如請求項18之系統，其中該校準電路經進一步組態以回應於該第一及該第二校準結果係通過結果之一判定而跳過在該第二效能狀態中執行該完整校準。
如請求項17之系統，其中該校準電路經進一步組態以：<br/>追蹤在進入該第二效能狀態之後執行該邊限檢查校準的次數，以及<br/>基於該經追蹤的次數超過一臨限次數之一判定，執行一完整校準而非該邊限檢查校準。
一種跌倒防護及預警系統，包含：<br/>一監控單元，包括二適用於分別配置在一助行器左右兩側的跌倒監控模組、一資訊連接於該等跌倒監控模組且適用於穿戴在一使用該助行器之人體的體徵感測模組，及二適用於分別設置在該人體之二腳底的足部監控模組，每一該跌倒監控模組具有一第一微控制器、一連接於該第一微控制器並用以傳接訊息的第一無線通訊器、一資訊連接於該第一微控制器的第一指示介面，及一連接於該第一微控制器的第一警報器，該體徵感測模組資訊連接於該第一微控制器，並用以感測該人體之至少一種體徵參數，並具有一用以判斷該人體跌倒的跌倒感測器，每一該足部監控模組具有一第二微控制器、一連接於該第二微控制器且用以傳接資訊的第二無線通訊器、一資訊連接於該第二微控制器且適用於感測來自該腳底之壓力的壓力感測器、一資訊連接於該第二微控制器的第二指示介面，及一連接於該第二微控制器的第二警報器；<br/>一主控單元，適用於穿戴在該人體上且資訊連接於該監控單元，該主控單元包括一主控制器、一連接該主控制器且與該等第一無線通訊器和該等第二無線通訊器連結並用以傳接資訊的無線通訊模組、一資訊連接於該主控制器的操作介面，及一資訊連接於該主控制器的顯示介面；<br/>至少一防護單元，適用於穿戴在該人體且資訊連接於該監控單元，該防護單元包括一用以提供一充氣氣體的氣瓶、一連通於該氣瓶且能使用該充氣氣體完成充氣的充氣護罩，及一配置於該氣瓶與該充氣護罩之間，且資訊連接於該等第一微控制器與該等第二微控制器的氣閥；<br/>一伺服主機，資訊連接於該監控單元與該主控單元，並包括一用以執行資料處理與相關運算的主處理器，及一資訊連接於該主處理器並儲存有多筆歷史資料的資料庫；及<br/>一行動監控裝置，資訊連接於該監控單元與該主控單元，並安裝有一應用程式，該應用程式用以配合該監控單元與該主控單元執行設定、控制、監看，以及查詢的功能。
如請求項1所述的跌倒防護及預警系統，其中，該監控單元還包括另一適用於安裝在一手杖的跌倒監控模組。
如請求項1所述的跌倒防護及預警系統，其中，該監控單元之每一該跌倒監控模組的該第一指示介面具有一適用於設定該人體之體重的設定按鈕、一適用於操作而發出一求救資訊的求救按鈕，及一用以顯示一回應資訊的回應指示燈。
如請求項1所述的跌倒防護及預警系統，其中，該監控單元之該體徵感測模組還具有一用以感測該人體之一心跳資訊的心跳感測器、一用以感測該人體之一呼吸資訊的呼吸感測器、一用以感測該人體之一體溫資訊的體溫感測器，及一用以感測該人體之一血氧資訊的血氧感測器。
如請求項1所述的跌倒防護及預警系統，其中，該監控單元之每一該足部監控模組的該第二指示介面具有多個可呈現不同顏色的狀態指示燈。
如請求項1所述的跌倒防護及預警系統，其中，該監控單元還包括一資訊連接於該伺服主機及該行動監控裝置，並用以提供一監控影像的紅外線攝影機。
如請求項1至6任一項所述的跌倒防護及預警系統，其中，該監控單元還包括一資訊連接於該等跌倒監控模組及該等足部監控模組，且用以提供一位置資訊的衛星定位模組。
如請求項1所述的跌倒防護及預警系統，其中，該主控單元之該操作介面具有多個操作按鈕、多個操作開關，及一用以重置該等操作按鈕與該等操作開關之設定的重置按鈕。
如請求項8所述的跌倒防護及預警系統，其中，該操作介面之該等操作開關的其中二者，為一用以設定優先管控之順序的優先性設定開關，及一用以設定有關參數到達臨界值之時間長度的延時性設定開關。
如請求項1所述的跌倒防護及預警系統，其中，該主控單元之該顯示介面具有一用以顯示數據的數據顯示部，及多個分別對應不同提示狀態的狀態提示燈。
一種醫療資料摘要方法，適用於一電子裝置，所述方法包括：<br/> 獲取原始醫療資料；<br/> 利用一生成式摘要（Abstractive Summarization）模型根據所述原始醫療資料產生一初步醫療摘要；<br/> 利用一自然語言推理（Natural Language Inference，NLI）模型基於所述原始醫療資料獲取所述初步醫療摘要的多個文本分段各自的可信度分數；<br/> 根據所述初步醫療摘要的所述多個文本分段各自的可信度分數，自所述初步醫療摘要移除一不可信文本分段，以產生一可信賴醫療摘要；<br/> 根據所述原始醫療資料將一遺漏文本添加至所述可信賴醫療摘要，以產生一最終增強醫療摘要；以及<br/> 輸出所述最終增強醫療摘要，<br/> 其中根據所述原始醫療資料將所述遺漏文本添加至所述可信賴醫療摘要，以產生所述最終增強醫療摘要的步驟包括：<br/> 自所述原始醫療資料抽取出多個關鍵語句文本；<br/> 根據各所述多個關鍵語句文本與所述可信賴醫療摘要之間的文本相似度，從所述原始醫療資料的所述多個關鍵語句文本辨識出所述遺漏文本；以及<br/> 透過將所述遺漏文本添加至所述可信賴醫療摘要，產生所述最終增強醫療摘要。
如請求項1所述的醫療資料摘要方法，其中根據所述初步醫療摘要的所述多個文本分段各自的可信度分數，自所述初步醫療摘要移除所述不可信文本分段，以產生所述可信賴醫療摘要的步驟包括：<br/> 判斷所述初步醫療摘要的所述多個文本分段各自的可信度分數是否大於一可信度閾值；<br/> 當所述多個文本分段其中一者的可信度分數未大於所述可信度閾值，將所述多個文本分段其中所述一者識別為所述不可信文本分段；以及<br/> 透過自所述初步醫療摘要移除所述不可信文本分段，以產生所述可信賴醫療摘要。
如請求項1所述的醫療資料摘要方法，其中利用所述自然語言推理模型基於所述原始醫療資料獲取所述初步醫療摘要的所述多個文本分段各自的可信度分數的步驟包括：<br/> 切分所述初步醫療摘要為所述多個文本分段；以及<br/> 將所述原始醫療資料與所述多個文本分段其中一者輸入至所述自然語言推理模型，以獲取所述多個文本分段其中所述一者的可信度分數。
如請求項3所述的醫療資料摘要方法，其中所述多個文本分段包括基於第一分段基準的多個第一文本分段與基於第二分段基準的多個第二文本分段。
如請求項1所述的醫療資料摘要方法，其中根據各所述多個關鍵語句文本與所述可信賴醫療摘要之間的所述文本相似度，從所述原始醫療資料的所述多個關鍵語句文本辨識出所述遺漏文本的步驟包括：<br/> 對各所述多個關鍵語句文本與所述可信賴醫療摘要進行文本相似度計算，以獲取各所述多個關鍵語句文本與所述可信賴醫療摘要之間的所述文本相似度；以及<br/> 當所述多個關鍵語句文本其中一者與所述可信賴醫療摘要之間的所述文本相似度小於一相似度閾值，決定所述多個關鍵語句文本其中所述一者為所述遺漏文本。
如請求項5所述的醫療資料摘要方法，其中對各所述多個關鍵語句文本與所述可信賴醫療摘要進行文本相似度計算，以獲取各所述多個關鍵語句文本與所述可信賴醫療摘要之間的所述文本相似度的步驟包括：<br/> 將所述多個關鍵語句文本分別轉換為多個第一文本特徵向量；<br/> 根據所述可信賴醫療摘要獲取一第二文本特徵向量；以及<br/> 透過比較各所述多個第一文本特徵向量與所述第二文本特徵向量，獲取各所述多個關鍵語句文本與所述可信賴醫療摘要之間的所述文本相似度。
如請求項1所述的醫療資料摘要方法，其中透過將所述遺漏文本添加至所述可信賴醫療摘要，產生所述最終增強醫療摘要的步驟包括：<br/> 透過將所述遺漏文本添加至所述可信賴醫療摘要中的多個插入位置，獲取多個候選摘要文本；以及<br/> 透過利用一自然語言模型評估各所述多個候選摘要文本的困惑度（perplexity）分數，選擇所述多個候選摘要文本其中一者產生所述最終增強醫療摘要。
如請求項7所述的醫療資料摘要方法，其中所述多個候選摘要文本其中所述一者的困惑度分數低於所述多個候選摘要文本其中其他者的困惑度分數。
如請求項1所述的醫療資料摘要方法，其中所述原始醫療資料包括醫療報告、病患詢問、醫病對話或其組合。
一種電子裝置，包括：<br/> 儲存裝置，記錄有多個指令；以及<br/> 處理裝置，連接所述儲存裝置，經配置執行所述指令以：<br/> 獲取原始醫療資料；<br/> 利用一生成式摘要（Abstractive Summarization）模型根據所述原始醫療資料產生一初步醫療摘要；<br/> 利用一自然語言推理（Natural Language Inference，NLI）模型基於所述原始醫療資料獲取所述初步醫療摘要的多個文本分段各自的可信度分數；<br/> 根據所述初步醫療摘要的所述多個文本分段各自的可信度分數，自所述初步醫療摘要移除一不可信文本分段，以產生一可信賴醫療摘要；<br/> 根據所述原始醫療資料將一遺漏文本添加至所述可信賴醫療摘要，以產生一最終增強醫療摘要；以及<br/> 輸出所述最終增強醫療摘要，<br/> 其中根據所述原始醫療資料將所述遺漏文本添加至所述可信賴醫療摘要，以產生所述最終增強醫療摘要的步驟包括：<br/> 自所述原始醫療資料抽取出多個關鍵語句文本；<br/> 根據各所述多個關鍵語句文本與所述可信賴醫療摘要之間的文本相似度，從所述原始醫療資料的所述多個關鍵語句文本辨識出所述遺漏文本；以及<br/> 透過將所述遺漏文本添加至所述可信賴醫療摘要，產生所述最終增強醫療摘要。
一種含硒之藍綠藻萃取物，其包含一硒原料及一藍綠藻之水萃取物，或包含一富硒藍綠藻之水萃取物；其中該硒原料包含粒徑為100 nm至300 nm之奈米硒顆粒，且該藍綠藻為雨來菇(Nostoc commune)。
如請求項1所述的含硒之藍綠藻萃取物，其中該富硒藍綠藻係以該硒原料與該藍綠藻共同培養後得出。
如請求項1所述的含硒之藍綠藻萃取物，其中該藍綠藻之水萃取物係由下列方法製備得出： <br/>(a1) 將一藍綠藻在一光源下於25℃至40℃培養6小時至12小時，使該藍綠藻進行光合作用，其中該光源之光照強度為1500勒克斯至8000勒克斯； <br/>(a2) 使該藍綠藻破壁並於約25℃的溫度下以水進行萃取，其中每公斤藍綠藻使用3至4公升的水；以及 <br/>(a3) 將破壁後之該藍綠藻的藻體濾除，得出該藍綠藻之水萃取物。
如請求項1所述的含硒之藍綠藻萃取物，其中該富硒藍綠藻之水萃取物係由下列方法製備得出： <br/>(b1) 將一藍綠藻在一光源下於25℃至40℃與一含硒水溶液共同培養6小時至12小時，使該藍綠藻進行光合作用，其中該含硒水溶液包含濃度為30 mg/kg 至3000 mg/kg之前述硒原料，且該光源之光照強度為1500勒克斯至8000勒克斯，得出富硒藍綠藻； <br/>(b2) 使該富硒藍綠藻破壁並於約25℃的溫度下以水進行萃取，其中每公斤富硒藍綠藻使用3至4公升的水；以及 <br/>(b3) 將破壁後之該富硒藍綠藻的藻體濾除，得出該富硒藍綠藻之水萃取物。
如請求項1所述的含硒之藍綠藻萃取物，其類超氧化物歧化酶活性為7.5×10<sup>6</sup>單位/mL以上。
如請求項1所述的含硒之藍綠藻萃取物，其總硒含量為1000 mg/kg以上。
如請求項1所述的含硒之藍綠藻萃取物，其硒半胱胺酸含量為10 μg/L以上。
一種營養組成物，其包含如請求項1至7中任一項所述的含硒之藍綠藻萃取物及一第一添加劑。
如請求項8所述的營養組成物，其中該第一添加劑係選自甘油、水及雞精。
如請求項8或9所述的營養組成物，其進一步包含一第二添加劑，且該第二添加劑係選自明膠、羥丙基甲基纖維素、幾丁聚醣及膠原蛋白。
一種鞋底尺寸檢測系統，包含：<br/> 一掃描裝置，用以獲取一鞋底的一鞋底表面輪廓資訊；<br/> 一運算裝置，與該掃描裝置電性連接，該運算裝置依據該鞋底表面輪廓資訊判斷是否具有至少一尺寸標記組，該至少一尺寸標記組具有二標記點，其中，當判斷具有該至少一尺寸標記組時，該運算裝置執行一第一模式，當判斷不具有該至少一尺寸標記組時，該運算裝置執行一第二模式；<br/> 其中，在該第一模式時，該運算裝置依據該鞋底表面輪廓資訊取得至少一第一參考直線上的一第一曲線資料，其中該至少一第一參考直線係由該至少一尺寸標記組的該二標記點連線所形成，並且該運算裝置基於該第一曲線資料產生一第一檢測曲線長度；<br/> 其中，在該第二模式時，該運算裝置提供該鞋底表面輪廓資訊至少一虛擬尺寸標記組，該虛擬尺寸標記組具有二虛擬標記點，並且基於該至少一虛擬尺寸標記組的該二虛擬標記點產生位於該二虛擬標記點之間的一第二檢測曲線長度。
如請求項1所述之鞋底尺寸檢測系統，包含一資料庫，訊號連接該運算裝置，該資料庫儲存複數個鞋底資訊，各該鞋底資訊包括一預定直線長度與一預定曲線長度；在該第二模式時，該運算裝置計算該二虛擬標記點之間的一虛擬直線長度，並依據該虛擬直線長度自該資料庫中的該些鞋底資訊中搜尋與該虛擬直線長度相匹配的該預定直線長度以取得對應的該預定曲線長度，並將取得的該預定曲線長度作為該第二檢測曲線長度。
如請求項2所述之鞋底尺寸檢測系統，其中該運算裝置執行該第一模式之後，更執行一第三模式，在該第三模式中，該運算裝置基於該第一參考直線的一直線長度自該資料庫中的該些鞋底資訊中搜尋與該直線長度相匹配的該預定直線長度，並基於該第一檢測曲線長度調整相匹配的該預定直線長度所對應的該預定曲線長度。
如請求項1所述之鞋底尺寸檢測系統，其中在該第二模式時，該運算裝置依據該鞋底表面輪廓資訊判斷該鞋底的一上表面的相對二部位之中的至少一該部位的一邊緣輪廓線，並基於該邊緣輪廓線產生一該虛擬標記點。
如請求項4所述之鞋底尺寸檢測系統，其中該運算裝置以該邊緣輪廓線的一中點產生一該虛擬標記點。
如請求項1所述之鞋底尺寸檢測系統，包含一資料庫，訊號連接該運算裝置，該資料庫儲存複數個標記點位置資訊，該些標記點位置資訊分別對應不同型號及尺寸的複數個預定鞋底；在該第二模式時，該運算裝置依據該鞋底之一型號及尺寸資料自該資料庫中搜尋匹配的一該預定鞋底對應的該標記點位置資訊，並基於對應的該標記點位置資訊產生至少一該虛擬標記點。
如請求項1所述之鞋底尺寸檢測系統，其中在該第一模式中，該運算裝置係先對該第一曲線資料進行平滑化處理，以形成一第一平滑化曲線資料；該運算裝置依據該第一平滑化曲線資料計算該第一檢測曲線長度。
如請求項7所述之鞋底尺寸檢測系統，其中該第一平滑化曲線資料包括複數個第一資料點，該運算裝置依據各該第一資料點取得一第一水平位置值與一第一深度位置值，該運算裝置係據相鄰的兩個第一資料點的該第一水平位置值與該第一深度位置值計算相鄰兩個第一資料點的一第一相鄰距離，並且將該些第一資料點的該些第一相鄰距離加總，以得到該第一檢測曲線長度。
如請求項8所述之鞋底尺寸檢測系統，其中各該第一資料點分別具有一第一水平原始值及一第一深度原始值，該運算裝置係先將該第一水平原始值及該第一深度原始值進行轉換，得到一第一水平實際值及一第一深度實際值，並將該第一水平實際值加上一第一水平偏移值，得到該第一水平位置值；並將該第一深度實際值加上一第一深度偏移值，得到該第一深度位置值。
如請求項1所述之鞋底尺寸檢測系統，其中在該第二模式時，該運算裝置係依據該鞋底表面輪廓資訊取得至少一第二參考直線上的一第二曲線資料，其中該至少一第二參考直線係由該至少一虛擬尺寸標記組的該二虛擬標記點連線所形成，並且該運算裝置基於該第二曲線資料計算該第二檢測曲線長度。
如請求項10所述之鞋底尺寸檢測系統，其中在該第二模式中，該運算裝置係先對該第二曲線資料進行平滑化處理，以形成一第二平滑化曲線資料；該運算裝置依據該第二平滑化曲線資料計算該第二檢測曲線長度。
如請求項11所述之鞋底尺寸檢測系統，其中該第二平滑化曲線資料包括複數個第二資料點，該運算裝置依據各該第二資料點取得一第二水平位置值與一第二深度位置值，該運算裝置係據相鄰的兩個第二資料點的該第二水平位置值與該第二深度位置值計算相鄰兩個第二資料點的一第二相鄰距離，並且將該些第二資料點的該些第二相鄰距離加總，以得到該第二檢測曲線長度。
如請求項12所述之鞋底尺寸檢測系統，其中各該第二資料點分別具有一第二水平原始值及一第二深度原始值，該運算裝置係先將該第二水平原始值及該第二深度原始值進行轉換，得到一第二水平實際值及一第二深度實際值，並將該第二水平實際值加上一第二水平偏移值，得到該第二水平位置值；並將該第二深度實際值加上一第二深度偏移值，得到該第二深度位置值。
一種鞋底尺寸檢測方法，包含以下步驟：<br/> A. 藉由一掃描裝置獲取一鞋底的一鞋底表面輪廓資訊；<br/> B. 將該鞋底表面輪廓資訊傳送至一運算裝置；<br/> C. 該運算裝置依據該鞋底表面輪廓資訊判斷是否具有至少一尺寸標記組，該至少一尺寸標記組具有二標記點，其中，<br/> 當判斷具有該至少一尺寸標記組時，該運算裝置執行一第一模式，當判斷不具有該至少一尺寸標記組時，該運算裝置執行一第二模式；<br/> 其中，在該第一模式時，該運算裝置依據該鞋底表面輪廓資訊取得至少一第一參考直線上的一第一曲線資料，其中該至少一第一參考直線係由該至少一尺寸標記組的該二標記點連線所形成，並且該運算裝置基於該第一曲線資料產生一第一檢測曲線長度；<br/> 其中，在該第二模式時，該運算裝置提供該鞋底表面輪廓資訊至少一虛擬尺寸標記組，該虛擬尺寸標記組具有二虛擬標記點，並且基於該至少一虛擬尺寸標記組的該二虛擬標記點產生位於該二虛擬標記點之間的一第二檢測曲線長度。
如請求項14所述之鞋底尺寸檢測方法，其中步驟C之後更包含，該運算裝置判斷該第一檢測曲線長度或該第二檢測曲線長度不符合一標準長度範圍時產生一提示訊號。
如請求項14所述之鞋底尺寸檢測方法，包含提供一資料庫，該資料庫儲存複數個鞋底資訊，各該鞋底資訊包括一預定直線長度與一預定曲線長度；在該第二模式時，該運算裝置計算該二虛擬標記點之間的一虛擬直線長度，並依據該虛擬直線長度自該資料庫中的該些鞋底資訊中搜尋與該虛擬直線長度相匹配的該預定直線長度以取得對應的該預定曲線長度，並將取得的該預定曲線長度作為該第二檢測曲線長度。
如請求項16所述之鞋底尺寸檢測方法，執行該第一模式後，更包含一鞋底資訊建立步驟，該鞋底資訊建立步驟包括：<br/> 該運算裝置基於該第一參考直線的一直線長度與該第一檢測曲線長度於該資料庫中建立新的一鞋底資訊，其中所建立的該新的鞋底資訊之一預定直線長度與一預定曲線長度分別為該直線長度與該第一檢測曲線長度。
一種複合型餐具自動清洗裝置，其包含有：<br/> 一座體，可拆卸地組接於一水龍頭；<br/> 一清洗總成，組設於該座體上，用以清潔被洗淨物；<br/> 其中，該清洗總成包括有：<br/> 一平移機構，組設於該座體，具有一導向座，該導向座之長度延伸方向定義爲X軸，並於該導向座上設有一可移動的平移座，該平移座受一平移驅動裝置驅動沿X軸方向左右移動；<br/> 一升降機構，具有一升降座，組接於該平移座且位在該平移座的下方，該升降座受一升降驅動裝置驅動相對該平移座上下移動，該升降座的移動方向定義爲Y軸，且該升降座可隨該平移座一併沿X軸左右移動；<br/> 一偏擺機構，具有一組設於該升降座一側的連接板，藉由一第一偏擺驅動裝置驅動該連接板以Y軸爲中心左右偏擺；<br/> 一旋轉機構，具有一樞接座，該樞接座設在該連接板相異於該升降座的一側，藉由一旋轉驅動裝置驅動該樞接座旋轉；<br/> 一噴臂，樞設於該樞接座並朝相對遠離該座體的方向伸出，該噴臂之延伸方向定義爲Z軸，藉由一第二偏擺驅動裝置驅使該噴臂以Z軸爲中心水平左右樞擺，該噴臂具有一入口接頭和複數噴嘴，該些噴嘴連通於該入口接頭，藉由該入口接頭導入氣體、清潔劑或液體至該噴臂內，經由該些噴嘴噴出，利用流理臺之水槽作爲清洗空間以清洗被洗淨物。
如請求項1所述之複合型餐具自動清洗裝置，其中，該平移驅動裝置包括設在該導向座側面兩端之一受動力驅動而轉動的主動輪及一從動輪，該平移座在同側設有一導引輪，該主動輪、該從動輪及該導引輪外周繞設一傳動帶，藉由該主動輪驅使該傳動帶移動，進而牽引該平移座在該導向座上移動。
如請求項2所述之複合型餐具自動清洗裝置，其中，該導向座沿長度方向設有一導槽，該平移座的底部對稱設有二滾軸，該滾軸跨設於該導槽的兩側，以帶動該平移座沿該導槽移動。
如請求項3所述之複合型餐具自動清洗裝置，其中，該升降驅動裝置包括設於該升降座的頂部之一齒條，該齒條沿Y軸向上延伸穿過該導槽並自該平移座頂部伸出，該平移座內設有至少一與該齒條相互嚙合的齒輪，該齒輪受驅動而轉動與該齒條相嚙合驅使該齒條沿Y軸上下移動，以驅動該升降座上下移動。
如請求項1所述之複合型餐具自動清洗裝置，其中，該Y軸偏擺機構和該旋轉機構之間還可設有一角度調節組件，該角度調節組件包括一上樞擺板和一下組接板，該上樞擺板樞接於該下組接板，該下組接板組接於該Y軸偏擺機構之連接板，該旋轉機構之樞接座組接於該上樞擺板，藉由該上樞擺板相對該下組接板樞擺以改變該噴臂的水平夾角。
如請求項5所述之複合型餐具自動清洗裝置，其中，該下組接板平行設有二通槽，該二通槽分別穿設一螺固件以將該組接板鎖設於該連接板。
如請求項1所述之複合型餐具自動清洗裝置，其中，該座體上設有一增壓機，該增壓機連接於該噴臂之入口接頭，以氣體或液體增壓輸入該噴臂內。
如請求項1所述之複合型餐具自動清洗裝置，其中，該座體的一側伸設一固定件，藉由該固定件將該座體結合於水龍頭一側，該固定件包括固定連接於該座體之一第一夾片和一與該第一夾片對合之第二夾片，該第二夾片的兩端分別以一螺固件鎖接於該第一夾片。
如請求項1所述之複合型餐具自動清洗裝置，其中，還包括一遮擋件，該遮擋件包括一固定槽和一組設於該固定槽之擋板，該固定槽沿一水槽周邊設置，藉由該擋板於該清洗總成外圈圍一清洗空間。
如請求項1所述之複合型餐具自動清洗裝置，其中，該座體還設有一控制單元，該控制單元無線連接於移動裝置，透過移動裝置遠程發出指令至該控制單元，以操控該清洗總成運作；藉由該控制單元調整該噴臂的清洗範圍，並控制該噴臂的出水量、水溫、清潔劑擠出量、氣流量、氣體溫度等，以滿足不同被洗淨物的清洗需求。
一種以光敏電阻監控龍蝦脫殼之方法，其特徵在於使用光敏電阻進行光感測應用，藉由光線照射轉換為電阻值，並監控其變量，當電阻值於短時間內瞬間大量變化且超出預設範圍，此時便有警示提醒相關人員確認龍蝦是否已脫殼，以達到適時抓取龍蝦之目的。
如請求項1所述之以光敏電阻監控龍蝦脫殼之方法，其光敏電阻為並聯布設於電路板上並設置於養殖箱底部，以達到偵測光線變化之目的。
如請求項1所述之以光敏電阻監控龍蝦脫殼之方法，其光敏電阻對於光線之電阻值變化，不限於光源變少導致電阻值增加之光敏電阻，反之光源變少導致電阻值減少之此類型光敏電阻同樣適用。
一種三維（3D）記憶體，包括：<br/> 一第一半導體結構，包括一存儲陣列，所述存儲陣列包括一第一存儲平面和與所述第一存儲平面在一第一方向上相鄰的一第二存儲平面； <br/> 一第二半導體結構，包括複數個頁緩衝器電路和焊盤電路，所述複數個頁緩衝器電路中的一第一頁緩衝器電路和一第二頁緩衝器電路分別耦接到所述第一存儲平面；<br/> 其中，所述第一頁緩衝器電路在垂直於一第二方向的平面視圖上部分與所述第二存儲平面重疊，所述第二方向垂直於所述第一方向；<br/> 所述焊盤電路在垂直於所述第二方向的平面視圖上與所述第一存儲平面重疊。
如請求項1所述的三維記憶體，所述焊盤電路與所述第一頁緩衝器電路之間的最短距離大於與所述第二頁緩衝器電路之間的最短距離。
如請求項1所述的三維記憶體，其中，所述複數個頁緩衝器電路中的一第三頁緩衝器電路和一第四頁緩衝器電路分別耦接到所述第二存儲平面，所述第三頁緩衝器電路與所述焊盤電路之間的最短距離大於所述第一頁緩衝器電路與所述焊盤電路之間的最短距離。
如請求項3所述的三維記憶體，其中，所述第三頁緩衝器電路和所述第四頁緩衝器電路在垂直於所述第二方向的平面視圖上與所述第二存儲平面重疊。
如請求項3所述的三維記憶體，其中，所述第一頁緩衝器電路和所述第二頁緩衝器電路之間的最短距離大於所述第三頁緩衝器電路和所述第四頁緩衝器電路之間的最短距離。
如請求項5所述的三維記憶體，其中，所述第一頁緩衝器電路與所述焊盤電路在第三方向上的距離小於所述第二頁緩衝器電路與所述焊盤電路在第三方向上的距離，所述第三方向垂直於所述第一方向和所述第二方向。
如請求項1所述的三維記憶體，其中，所述第一頁緩衝器電路與所述焊盤電路在第三方向上的距離大於所述第二頁緩衝器電路與所述焊盤電路在第三方向上的距離，所述第三方向垂直於所述第一方向和所述第二方向；<br/> 所述第二頁緩衝器電路與所述焊盤電路在所述第三方向上相鄰。
如請求項1所述的三維記憶體，其中，所述第二頁緩衝器電路在垂直於所述第二方向的平面視圖上與所述第一存儲平面重疊，所述第一頁緩衝器電路在垂直於所述第二方向的平面視圖上部分與所述第一存儲平面重疊。
如請求項1所述的三維記憶體，其中，所述第一半導體結構與所述第二半導體結構鍵合連接。
如請求項9所述的三維記憶體，還包括：<br/> 一第一鍵合介電質層，所述第一鍵合介電質層具有複數個導電的第一鍵合觸點，所述第一鍵合介電質層設置在所述第一半導體結構的所述存儲陣列上方；以及<br/> 一第二鍵合介電質層，所述第二鍵合介電質層具有複數個導電的第二鍵合觸點，所述第二鍵合介電質層設置在所述第二半導體結構的所述複數個頁緩衝器電路上方，<br/> 其中，所述第一半導體結構上的所述複數個存儲平面中的第一存儲平面通過至少一個第一鍵合觸點和至少一個第二鍵合觸點電耦合到所述第二半導體結構上的第一頁緩衝器電路。
如請求項10所述的三維記憶體，其中，所述至少一個第一鍵合觸點和所述至少一個第二鍵合觸點均包括銅。
如請求項10所述的三維記憶體，其中，所述第一半導體結構上的所述複數個存儲平面中的所述第一存儲平面的第一位元線通過所述複數個導電的第一鍵合觸點中的至少一個導電的第一鍵合觸點和所述複數個導電的第二鍵合觸點中的至少一個導電的第二鍵合觸點電耦合到所述第二半導體結構上的第一頁緩衝器電路。
如請求項1所述的三維記憶體，其中，所述三維記憶體是NAND記憶體。
一種製造三維（3D）記憶體的方法，包括：<br/> 提供具有一存儲陣列的一第一半導體結構，其中，所述存儲陣列包括一第一存儲平面和與所述第一存儲平面在一第一方向上相鄰的一第二存儲平面；<br/> 提供具有複數個頁緩衝器電路和焊盤電路的一第二半導體結構；以及<br/> 將所述第一半導體結構和所述第二半導體結構鍵合，使得一第一頁緩衝器電路在垂直於一第二方向的平面視圖上部分與所述第二存儲平面重疊，所述焊盤電路在垂直於所述第二方向的平面視圖上與所述第一存儲平面重疊，其中，所述第二方向垂直於所述第一方向。
如請求項14所述的方法，還包括：<br/> 在所述存儲陣列上方形成一個或複數個互連層；以及<br/> 在所述一個或複數個互連層上方形成具有複數個導電的第一鍵合觸點的一第一鍵合介電質層，<br/> 其中，所述一個或複數個互連層提供所述存儲陣列的位元線與所述第一鍵合介電質層的第一鍵合觸點之間的至少一個導電路徑的至少一部分。
如請求項14所述的方法，還包括：<br/> 在所述複數個頁緩衝器電路上方形成一個或複數個互連層；以及<br/> 形成設置在所述一個或複數個互連層上方的具有複數個導電的第二鍵合觸點的一第二鍵合介電質層，<br/> 其中，所述一個或複數個互連層提供第一頁緩衝器電路與所述第二鍵合介電質層的第二鍵合觸點之間的至少一個導電路徑的至少一部分。
如請求項14所述的方法，其中，所述存儲陣列是非揮發性存儲陣列。
如請求項14所述的方法，其中，所述存儲陣列是快閃存儲陣列。
如請求項14所述的方法，還包括：<br/> 將一第一頁緩衝器電路放置在所述第二半導體結構上的位置處，使得在鍵合之後，所述第一頁緩衝器電路與所述第一存儲平面豎直對準，使得所述第一頁緩衝器電路的第一部分在垂直於所述第二方向的平面視圖上部分與所述第一存儲平面重疊。
一種記憶體系統，包括：<br/> 一記憶體控制器；以及<br/> 複數個非揮發性記憶體裝置，所述複數個非揮發性記憶體裝置耦合到所述記憶體控制器，<br/> 其中，所述複數個非揮發性記憶體裝置中的至少一個非揮發性記憶體裝置包括：<br/> 一第一半導體結構，包括一存儲陣列，所述存儲陣列包括一第一存儲平面和與所述第一存儲平面在一第一方向上相鄰的一第二存儲平面； <br/> 一第二半導體結構，包括複數個頁緩衝器電路和焊盤電路，所述複數個頁緩衝器電路中的一第一頁緩衝器電路和一第二頁緩衝器電路分別耦接到所述第一存儲平面；<br/> 其中，所述第一頁緩衝器電路在垂直於一第二方向的平面視圖上部分與所述第二存儲平面重疊，所述第二方向垂直於所述第一方向；<br/> 所述焊盤電路在垂直於所述第二方向的平面視圖上與所述第一存儲平面重疊。
如請求項20所述的記憶體系統，其中，所述複數個非揮發性記憶體裝置中的至少一個非揮發性記憶體裝置還包括：<br/> 一第一鍵合介電質層，所述第一鍵合介電質層具有複數個導電的第一鍵合觸點；以及<br/> 一第二鍵合介電質層，所述第二鍵合介電質層具有複數個導電的第二鍵合觸點。
如請求項20所述的記憶體系統，其中，所述焊盤電路與所述第一頁緩衝器電路之間的最短距離大於與所述第二頁緩衝器電路之間的最短距離。
如請求項20所述的記憶體系統，其中，所述第二頁緩衝器電路在垂直於所述第二方向的平面視圖上與所述第一存儲平面重疊，所述第一頁緩衝器電路在垂直於所述第二方向的平面視圖上部分的與所述第一存儲平面重疊。
一種點火裝置，包括點火腔室（100）、用於輸送第一氣體的第一進氣管道（200）和用於輸送第二氣體的第二進氣管道（300）； <br/>該點火腔室（100）包括：燃燒室（130）和吹掃氣進口（110），該吹掃氣進口（110）、該第一進氣管道（200）和該第二進氣管道（300）均與該燃燒室（130）相連通，該燃燒室（130）的內表面為弧形凹面，該弧形凹面的凹陷方向為遠離該點火腔室（100）的中心軸線的方向。
根據請求項1所述的點火裝置，其中，該點火腔室（100）還包括相背設置的進氣部和排氣部，該排氣部和該進氣部均與該燃燒室（130）相連通，該第一進氣管道（200）和該第二進氣管道（300）均設置於該進氣部，在該進氣部向該排氣部的延伸方向上，該燃燒室（130）的通流面積先逐漸增大再逐漸減小。
根據請求項1所述的點火裝置，其中，該點火腔室（100）還包括相背設置的排氣部和進氣部，該排氣部和該進氣部均與該燃燒室（130）相連通， <br/>該吹掃氣進口（110）設置於該進氣部，該吹掃氣進口（110）還用於向該點火腔室（100）通入該第二氣體； <br/>該排氣部設有排氣口（150），該排氣口（150）用於排出該點火腔室（100）內的該第一氣體、該第二氣體和/或吹掃氣體。
根據請求項3所述的點火裝置，其中，該燃燒室（130）形成有相連通的燃燒區（131）和穩定區（132），該穩定區（132）環繞該燃燒區（131）； <br/>該進氣部包括進氣管段（160），該進氣管段（160）和該燃燒室（130）同軸設置且相連通，該吹掃氣進口（110）開設於該進氣管段（160），該第二進氣管道（300）的至少部分延伸至該進氣管段（160）內，該第二進氣管道（300）的外表面與該進氣管段（160）的內表面之間形成環形通道，該環形通道朝向該穩定區（132），該第一進氣管道（200）的排氣端朝向該燃燒區（131）。
根據請求項4所述的點火裝置，該點火裝置還包括反光層（400），該反光層（400）設置於該燃燒室（130）的表面，該反光層（400）用於反射部分火光，以使該部分火光彙聚至該燃燒區（131）。
根據請求項5所述的點火裝置，其中，該燃燒室（130）為透光結構，該反光層（400）環繞設置於該燃燒室（130）的外表面，該反光層（400）自該燃燒室（130）的一端延伸至該燃燒室（130）的另一端。
根據請求項4所述的點火裝置，其中，該第一進氣管道（200）的至少部分延伸至該進氣管段（160）內，該第一進氣管道（200）的排氣端與該燃燒區（131）之間具有第一距離，該第二進氣管道（300）的排氣端與該燃燒區（131）之間具有第二距離，該第一距離大於該第二距離。
根據請求項4所述的點火裝置，該點火裝置還包括加熱件（500），該加熱件（500）套設於該進氣管段（160）上，該吹掃氣進口（110）與該環形通道相連通，且位於該加熱件（500）背離該燃燒室（130）的一側。
根據請求項4所述的點火裝置，其中，該排氣口（150）的通流面積小於該進氣管段（160）的通流面積。
根據請求項4所述的點火裝置，其中，該排氣部包括排氣管段（170），該進氣管段（160）、該燃燒室（130）和該排氣管段（170）依次相連通，該排氣管段（170）設有該排氣口（150）。
一種半導體製程設備，其中，包括半導體製程腔室（600）和請求項1至10中任一項所述的點火裝置，該點火裝置的該點火腔室（100）與該半導體製程腔室（600）相連通。
一種半導體製造裝置系統，係具備：<br/>基板保持手，係包含要載置基板的載片以及支持前述載片的載片支持部；<br/>攝影部，係配置於前述載片支持部而與前述基板保持手一體地移動，為了檢測對前述基板進行搬送、處理及收納之至少一者的半導體製造裝置的異常而拍攝至少前述半導體製造裝置中的具有要載置而收納前述基板的複數個基板載置部的收納部；以及<br/>控制部；<br/>前述控制部係依據由前述攝影部拍攝前述收納部而取得的拍攝影像，檢測前述基板載置部是否異常以檢測前述收納部是否異常，並且，將該半導體製造裝置系統控制成為避開檢測出異常的前述基板載置部，而對於同一個前述收納部，繼續進行前述基板對於無異常的其他的前述基板載置部的搬送動作。
如請求項1所述之半導體製造裝置系統，其中，<br/>前述控制部係依據前述拍攝影像，檢測前述基板載置部的形狀變化、前述基板載置部的位置偏移及異物之至少一者，而將之檢測為前述收納部的異常。
如請求項1或2所述之半導體製造裝置系統，其中，<br/>前述控制部係進一步依據前述拍攝影像，檢測收納於前述收納部的前述基板的狀態，在前述基板的狀態為正常時，繼續進行對於前述基板的處理，而在前述收納部的異常導致前述基板的狀態成為異常時，從前述收納部搬出前述基板。
如請求項1或2所述之半導體製造裝置系統，其中，<br/>前述控制部係比較預先設定的基準影像與前述攝影部所拍攝到的前述拍攝影像，藉此檢測前述收納部的異常。
如請求項4所述之半導體製造裝置系統，其中，每次異常檢測時，使用前一次的異常檢測中拍攝到的前述拍攝影像作為前述基準影像。
如請求項1或2所述之半導體製造裝置系統，其中，前述收納部大於前述攝影部的視野時，前述控制部係控制前述基板保持手的動作使前述攝影部相對於前述收納部移動同時進行複數次的拍攝，並依據拍攝到的複數個拍攝影像，檢測前述收納部及前述基板的狀態。
如請求項1或2所述之半導體製造裝置系統，其更具備通信部，<br/>該通信部係在前述控制部檢測出前述收納部的異常時，輸出表示檢測出前述收納部的異常的異常測得信號。
如請求項7所述之半導體製造裝置系統，其更具備通知部，該通知部係通知來自前述通信部的表示檢測出前述收納部的異常的異常測得信號。
如請求項8所述之半導體製造裝置系統，其中，前述通知部為顯示所檢測出的前述收納部的異常的顯示裝置。
如請求項9所述之半導體製造裝置系統，其中，<br/>前述控制部係依據前述拍攝影像，檢測前述收納部的異常徵兆，且推測從當時至發生異常的期間，並且顯示於前述顯示裝置。
如請求項1或2所述之半導體製造裝置系統，其中，<br/>前述控制部係依據以預先設定的預定間隔所拍攝到的前述拍攝影像，檢測前述收納部的異常。
如請求項1或2所述之半導體製造裝置系統，其中，複數個前述基板載置部係以隔著預定間隔的狀態沿鉛直方向排列配置。
如請求項1或2所述之半導體製造裝置系統，其中，前述攝影部係配置於前述載片支持部的鉛直方向的上方側。
如請求項1或2所述之半導體製造裝置系統，其中，前述攝影部係由單一個二維照相機構成。
一種半導體製造裝置系統的控制方法，該半導體製造裝置系統係具備：<br/>基板保持手，係包含要載置基板的載片以及支持前述載片的載片支持部； 以及<br/>攝影部，係配置於前述載片支持部而與前述基板保持手一體地移動，為了檢測對前述基板進行搬送、處理及收納之至少一者的半導體製造裝置的異常而拍攝至少前述半導體製造裝置中的具有要載置而收納前述基板的複數個基板載置部的收納部；<br/>該控制方法係依據由前述攝影部拍攝前述收納部而取得的拍攝影像，檢測前述基板載置部是否異常以檢測收納部是否異常，並且，避開檢測出異常的前述基板載置部，而對於同一個前述收納部，繼續進行前述基板對於無異常的其他的前述基板載置部的搬送動作。
一種分析交通事件影片的系統，包括：<br/> 處理器，其中<br/> 所述處理器取得原始交通事件影片；<br/> 所述處理器利用光學字元辨識（Optical Character Recognition）模型以及交通事件資料來獲得關聯於所述原始交通事件影片的目標影像；<br/> 所述處理器利用所述目標影像、車牌辨識模型以及車牌追蹤模型來獲得關聯於所述原始交通事件影片的關鍵影片；<br/> 所述處理器將所述關鍵影片以及預設事件定義輸入至事件檢索模型以獲得所述關鍵影片中的候選交通事件影像，並且獲得對應於所述候選交通事件影像的評估分數；<br/> 所述處理器利用所述候選交通事件影像以及所述評估分數來獲得交通事件連續關鍵影格；<br/> 所述處理器利用所述預設事件定義來獲得對應於所述交通事件連續關鍵影格的分析結果，<br/> 其中所述處理器基於所述事件檢索模型以及時間序列來顯示所述交通事件連續關鍵影格。
如請求項1所述的系統，其中<br/> 所述處理器基於機器學習方法以及所述原始交通事件影片來獲得候選影像；<br/> 所述處理器將所述候選影像輸入至所述光學字元辨識模型來獲得對應於所述候選影像的原始文字資料；<br/> 所述處理器對所述原始文字資料執行過濾操作以獲得對應於所述候選影像的日期資訊以及時間資訊。
如請求項2所述的系統，其中<br/> 當所述處理器判定所述日期資訊以及所述時間資訊匹配所述交通事件資料時，所述處理器將所述候選影像設置為所述目標影像。
如請求項1所述的系統，其中<br/> 所述處理器利用所述車牌辨識模型來獲得對應於所述目標影像的車牌偵測框，其中所述車牌偵測框對應於座標、影片編號、辨識結果以及影格編號；<br/> 所述處理器利用所述車牌追蹤模型來獲得對應於所述目標影像的車輛追蹤框，其中所述車輛追蹤框對應於所述座標、所述影片編號以及所述影格編號。
如請求項4所述的系統，其中<br/> 所述處理器利用所述影格編號來判定所述車牌偵測框是否匹配所述車輛追蹤框；<br/> 當所述處理器判定所述車牌偵測框匹配所述車輛追蹤框時，所述處理器利用所述影格編號來從所述原始交通事件影片中獲得所述關鍵影片。
如請求項1所述的系統，其中<br/> 所述處理器將所述交通事件連續關鍵影格以及所述預設事件定義輸入至視覺語言模型，以獲得對應於所述交通事件連續關鍵影格的所述分析結果。
一種分析交通事件影片的方法，適於包括處理器的系統，其中所述方法包括以下步驟：<br/> 所述處理器取得原始交通事件影片；<br/> 所述處理器利用光學字元辨識（Optical Character Recognition）模型以及交通事件資料來獲得關聯於所述原始交通事件影片的目標影像；<br/> 所述處理器利用所述目標影像、車牌辨識模型以及車牌追蹤模型來獲得關聯於所述原始交通事件影片的關鍵影片；<br/> 所述處理器將所述關鍵影片以及預設事件定義輸入至事件檢索模型以獲得所述關鍵影片中的候選交通事件影像，並且獲得對應於所述候選交通事件影像的評估分數；<br/> 所述處理器利用所述候選交通事件影像以及所述評估分數來獲得交通事件連續關鍵影格；<br/> 所述處理器利用所述預設事件定義來獲得對應於所述交通事件連續關鍵影格的分析結果，<br/> 其中所述處理器基於所述事件檢索模型以及時間序列來顯示所述交通事件連續關鍵影格。
一種用於運輸一物品之一電子設備之操作方法，該方法包括： <br/>藉由該電子設備識別該物品之特性資訊； <br/>藉由該電子設備識別該所識別之特性資訊是否包括與計劃放置相關聯之主要特性資訊； <br/>其中該主要特性資訊包括具有等於或大於一第一特定值之一盜竊率之特性、或具有等於或大於一第二特定值之一遺失率之特性，該盜竊率或該遺失率係基於一使用者輸入來預定以對應於該物品之一類型； <br/>當該特性資訊包括該主要特性資訊時，藉由該電子設備於複數個放置空間中識別對應於該主要特性資訊之一放置空間，其中該放置空間為該物品將被運輸至之一位置，該位置為位於距離一預設位置之一預定距離內之一放置空間，該預設位置包含由一安全攝像機監測之一區域內之特定地點；及藉由該電子設備控制一運輸裝置以運輸該物品至對應於所識別之該放置空間之該位置。
如請求項1之操作方法，其進一步包括： <br/>當該所識別之特性資訊不包括該主要特性資訊時，藉由該電子設備隨機識別該複數個放置空間中之一個放置空間。
如請求項1之操作方法，其中該特性資訊之該識別包括： <br/>藉由該電子設備自一使用者終端獲得該物品之基本資訊；及 <br/>基於該所獲得之基本資訊，藉由該電子設備識別該物品之該特性資訊， <br/>其中該物品之該基本資訊包括關於該物品之名稱、該物品之該類型及分配給該物品之一序號之至少一者之資訊。
如請求項3之操作方法，其進一步包括將該所識別之特性資訊傳輸至該使用者終端； <br/>其中該所識別之特性資訊顯示於該使用者終端上。
如請求項1之操作方法，其中控制該運輸裝置之步驟包含： <br/>當所識別之該放置空間係複數個所識別之放置空間時，基於關於以下之至少一者之資訊，藉由該電子設備在該複數個所識別之放置空間中選擇一個放置空間：該複數個所識別之放置空間之各者中之一可用體積、分配給該複數個所識別之放置空間之各者之工人之一數目及在該複數個所識別之放置空間之各者處放置之物品類型之一數目；及 <br/>控制該運輸裝置將該物品運輸至對應於經選定之該放置空間之一位置。
如請求項5之操作方法，其中該放置空間之該選擇包括： <br/>藉由該電子設備識別關於該複數個所識別之放置空間之各者之該可用體積之資訊；及 <br/>藉由該電子設備在該複數個所識別之放置空間中選擇具有一最大可用體積之一放置空間作為將該物品運輸至其之一放置空間。
如請求項5之操作方法，其中該放置空間之該選擇包括： <br/>藉由該電子設備識別關於分配給該複數個所識別之放置空間之各者之該工人數目之資訊；及 <br/>藉由該電子設備在該複數個所識別之放置空間中選擇具有一最大分配工人數目之一放置空間作為將該物品運輸至其之一放置空間。
如請求項5之操作方法，其中該放置空間之該選擇包括： <br/>藉由該電子設備識別預放置於該複數個所識別之放置空間之各者中之物品類型之一數目；及 <br/>藉由該電子設備在該複數個所識別之放置空間中選擇具有一最小數目個類型之預放置物品之一放置空間作為將該物品運輸至其之一放置空間。
如請求項5之操作方法，其中從一使用者終端接收關於該至少一者之資訊。
如請求項1之操作方法， <br/>其中該複數個放置空間之各者包括用於在其中放置一物品之一預定空間；且 <br/>其中該主要特性資訊包括關於一銷售率、一損壞風險、一價格、該盜竊率及該遺失率之至少一者之資訊。
如請求項1之操作方法，其中該主要特性資訊包括關於具有等於或大於一特定值之一銷售率之一特性，具有等於或大於一特定值之一損壞風險之一特性及具有等於或大於一特定值之一價格之一特性之資訊。
如請求項1之操作方法，其中當該主要特性資訊包括具有等於或大於一特定值之一銷售率之一特性時，對應於該主要特性資訊之該放置空間包括在距一運送位置一預定距離內之一放置空間。
如請求項1之操作方法，其中當該主要特性資訊包括具有等於或大於一特定值之一損壞風險之一特性時，對應於該主要特性資訊之該放置空間包括在距一接收位置或一運送位置一預定距離內之一放置空間。
如請求項1之操作方法，其進一步包括：將關於該所識別之放置空間之資訊傳輸至一使用者終端。
如請求項1之操作方法，其中該運輸裝置包括連接至該電子設備之一輸送裝置。
一種用於運輸一物品之電子設備，該設備包括： <br/>一記憶體，其儲存至少一個指令，及 <br/>一處理器，其經組態以執行該所儲存之至少一個指令以： <br/>識別該物品之特性資訊； <br/>識別該所識別之特性資訊是否包括與計劃放置相關聯之主要特性資訊； <br/>其中該主要特性資訊包括具有等於或大於一第一特定值之一盜竊率之特性、或具有等於或大於一第二特定值之一遺失率之特性，該盜竊率或該遺失率係基於一使用者輸入來預定以對應於該物品之一類型；及 <br/>當該特性資訊包括該主要特性資訊時，於複數個放置空間中識別對應於該主要特性資訊之一放置空間，其中該放置空間為該物品將被運輸至之一位置，該位置為位於距離一預設位置之一預定距離內之一放置空間，該預設位置包含由一安全攝像機監測之一區域內之特定地點；及 <br/>控制一運輸裝置以運輸該物品至對應於所識別之該放置空間之該位置。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其包括用於執行如請求項1之方法之一電腦程式。
一種棒包，其以該棒包總重量計包含： <br/>55.0 wt%至75.0 wt%之蘭尼菲諾(lanifibranor)； <br/>10.0 wt%至35.0 wt%之填充劑； <br/>1.0 wt%至5.0 wt%之界面活性劑； <br/>1.0 wt%至10.0 wt%之黏合劑； <br/>0.5 wt%至5.0 wt%之潤滑劑； <br/>1.0 wt%至8.0 wt%之崩解劑；及 <br/>0.1 wt%至5.0 wt%之滑動劑； <br/>其中蘭尼菲諾具有使得D50≤30 μm且D90≤50 μm之粒度分佈。
如請求項1之棒包，其中蘭尼菲諾具有使得D50≤10 μm且D90≤30 μm之粒度分佈。
如請求項1之棒包，其中該棒包經口服攝入後15分鐘內釋放約30%至60%之蘭尼菲諾。
如請求項1之棒包，其中該棒包經口服攝入後45分鐘內釋放至少80%之蘭尼菲諾。
如請求項1之棒包，其中該填充劑係選自單水合乳糖、無水乳糖、澱粉、經改質澱粉、甘露醇及其混合物。
如請求項1之棒包，其中該界面活性劑係選自非離子型界面活性劑、陰離子型界面活性劑、陽離子型界面活性劑及其混合物。
如請求項1之棒包，其中該黏合劑係選自纖維素、經改質纖維素、微晶纖維素、聚乙烯吡咯啶酮及其混合物。
如請求項1之棒包，其中該潤滑劑係選自滑石、硬脂酸、硬脂酸鎂、硬脂酸鈣、硬脂醯富馬酸鈉、矽膠及其混合物。
如請求項1之棒包，其中該崩解劑係選自澱粉、經改質澱粉、交聯羧甲基纖維素鈉、交聯普維酮(crospovidone)、羥基乙酸澱粉鈉及其混合物。
如請求項1之棒包，其包含200 mg至1,200 mg之蘭尼菲諾。
如請求項10之棒包，其包含400 mg、600 mg、800 mg、1,000 mg或1,200 mg之蘭尼菲諾。
如請求項1之棒包，其中蘭尼菲諾呈結晶形式。
一種如請求項1至12中任一項之棒包之用途，其用於製造供治療非酒精性脂肪肝病(NAFLD)用之藥劑。
如請求項13之用途，其中NAFLD包括非酒精性脂肪肝及非酒精性脂肪變性肝炎。
一種如請求項1至12中任一項之棒包之用途，其用於製造供治療處於自代償期進展至失代償期之風險下的肝硬化個體用的藥劑。
一種如請求項1至12中任一項之棒包之用途，其用於製造供治療以下用之藥劑：肝硬化(cirrhosis)、肝纖維化、肝脂肪變性、脂肪肝病、急性代償不全、慢性肝衰竭急性發作、急性肝衰竭、代謝相關之脂肪變性肝炎或糖尿病。
一種如請求項1至12中任一項之棒包之用途，其用於製造供治療以下用之藥劑：代償不全之肝硬化、代償性肝硬化、肝硬化(liver cirrhosis)或代謝相關之脂肪肝病。
一種記憶體元件，包括： <br/>一字元線結構，設置於一半導體基板中，其中該字元線結構包括： <br/>一較低閘極電極層； <br/>一較高閘極電極層，設置於該較低閘極電極層之上並與該較低閘極電極層的一頂表面直接接觸，其中該較低閘極電極層的一工作函數高於該較高閘極電極層的一工作函數；以及 <br/>一閘極介電層，包圍該較低閘極電極層和該較高閘極電極層； <br/>一第一源/汲極區域和一第二源/汲極區域，設置於該半導體基板中和該字元線結構的相對側； <br/>一位元線結構，設置於該第一源/汲極區域之上並與其電性連接；以及 <br/>一電容器，設置於該第二源/汲極區域之上並與其電性連接。
如請求項1所述之記憶體元件，其中該較低閘極電極層包括氮化鈦，且該較高閘極電極層包括多晶矽。
如請求項1所述之記憶體元件，其中該較低閘極電極層的一高度大於該較高閘極電極層的一高度。
如請求項1所述之記憶體元件，其中該較低閘極電極層被該閘極介電層的一較低部分包圍，且該較高閘極電極層被該閘極介電層的一較高部分包圍，其中該閘極介電層的該較低部分的一厚度大於該閘極介電層的該較高部分的一厚度。
如請求項4所述之記憶體元件，其中該字元線結構更包括： <br/>一對間隔物，設置於該較高閘極電極層的相對側上，其中該對間隔物夾設於該閘極介電層的該較高部分與該較高閘極電極層之間。
如請求項1所述之記憶體元件，其中該對間隔物與該較低閘極電極層的該頂表面直接接觸。
如請求項1所述之記憶體元件，更包括： <br/>一介電蓋層，設置於該半導體基板之上，其中該介電蓋層的一部分延伸至該半導體基板中以覆蓋該字元線結構，以及該介電蓋層的該部分的一寬度大於該較高閘極電極層的一寬度。
如請求項7所述之記憶體元件，其中該較低閘極電極層的一寬度大於該較高閘極電極層的該寬度。
如請求項7所述之記憶體元件，其中該介電蓋層與該較高閘極電極層直接接觸。
如請求項7所述之記憶體元件，更包括： <br/>一襯層，設置於該閘極介電層和該介電蓋層之間。
如請求項10所述之記憶體元件，其中該襯層的一頂表面高於該閘極介電層的一頂表面。
如請求項10所述之記憶體元件，其中該較高閘極電極層藉由該襯層與該介電蓋層分隔。
一種閘門桿體具有正反螺紋的絕緣連接扣環，包括：<br/> 一扣環本體，係C型環體且外表面具有一扣環絕緣層；該扣環本體前側的中間形成一開口，該扣環本體鄰接於該開口的下端與上端各具有一樞接部與一扣頭；以及<br/> 一閘門桿體，包括一閘門桿身與一閘門桿絕緣層；該閘門桿身具有一中心軸，且該閘門桿身以下端部樞接於該樞接部，於該閘門桿身下側的外表面形成一嵌件面，該嵌件面的範圍涵蓋該閘門桿身的下端部，於該嵌件面形成以該中心軸為旋轉中心的一正螺紋與一反螺紋；該閘門桿身的上端部形成於前方開口的一扣頭槽，該扣頭槽向前扣合於該扣頭；該閘門桿絕緣層分為一第一段絕緣層與一第二段絕緣層，該第一段絕緣層包覆於該嵌件面且接觸該正螺紋與該反螺紋；該第二段絕緣層至少包覆於該閘門桿身具有該扣頭槽處的外表面；該第一段絕緣層與該第二段絕緣層不相連。
如請求項1所述之閘門桿體具有正反螺紋的絕緣連接扣環，其中該正螺紋與該反螺紋的交叉處形成兩排交叉點，各排交叉點的延伸方向平行於該中心軸。
如請求項2所述之閘門桿體具有正反螺紋的絕緣連接扣環，其中所述兩排交叉點各位於該嵌件面的前後兩側，或者位於垂直於該嵌件面的前後兩側的左右兩側。
如請求項1所述之閘門桿體具有正反螺紋的絕緣連接扣環，其中該扣頭的內側形成一對溝槽，該扣頭於下端部形成一固定勾，該固定勾鄰接於該對溝槽的下邊緣；該扣頭槽的前側與上側分別形成一套口與一穿口，該套口與該穿口相連，且該扣頭槽鄰接於該穿口部分形成一對勾部；該對勾部置入該對溝槽，且該固定勾嵌入該扣頭槽內位於該對勾部下方的位置。
如請求項1所述之閘門桿體具有正反螺紋的絕緣連接扣環，其中該閘門桿身的下端部具有於下方開口的一剖溝，該剖溝貫穿該嵌件面的前後兩側，於該嵌件面的兩側形成二樞接孔，該二樞接孔與該剖溝相通；該樞接部具有一插板，該插板設置於該剖溝內且具有一軸孔，該軸孔的兩端與該二樞接孔相通，於該二樞接孔與該軸孔穿置一樞接元件。
如請求項5所述之閘門桿體具有正反螺紋的絕緣連接扣環，其中該正螺紋與該反螺紋的交叉處形成兩排交叉點，各排交叉點的延伸方向平行於該中心軸，所述兩排交叉點分別位於該嵌件面的前後兩側，各排交叉點包括多個交叉點，且各排交叉點中的部分交叉點係位於該剖溝前後兩側的虛擬的交叉點。
如請求項1所述之閘門桿體具有正反螺紋的絕緣連接扣環，其中該第一段絕緣層的上邊緣與第二段絕緣層的下邊緣間隔；於該閘門桿身中間的外表面形成一腰部，該腰部設置於該第一段絕緣層與第二段絕緣層之間；於該閘門桿體具有該扣頭槽處的周圍套合一外管，該外管的外表面具有一外管絕緣層，該外管以該中心軸為旋轉中心可轉動地套合於該閘門桿體；該外管的上端部遮蔽該扣頭槽，且該外管於上端部形成於上方開口的一開啟凹口，該開啟凹口的形狀等於或大於該扣頭槽前側的形狀，且該開啟凹口朝向與該扣頭槽相對偏轉的位置；於該腰部的周圍套合一渦捲彈簧，該渦捲彈簧的一端連接於該腰部，另一端連接於該外管，該渦捲彈簧提供一回復力，令該外管的該開啟凹口被轉動至朝前且正對於該扣頭槽的位置時，於釋放後回復原位。
如請求項7所述之閘門桿體具有正反螺紋的絕緣連接扣環，其中於該閘門桿身的外表面位於該嵌件面的上方處形成一下凸環，於該閘門桿身外表面位於該扣頭槽下方處形成一上凸環，該上凸環與該下凸環上下間隔，該腰部形成於該上凸環與該下凸環之間；該第一段絕緣層的上邊緣與該下凸環之間形成一第一環形槽，該第二段絕緣層的下邊緣與該上凸環之間形成一第二環形槽；於該第一環形槽嵌設一第一墊環，該第一墊環的外表面凸出於該第一段絕緣層的外表面；於該第二環形槽嵌設一第二墊環，該第二墊環的外表面凸出於該第二段絕緣層的外表面；該外管的內周面可滑動地抵靠於該第一墊環的外表面與該第二墊環的外表面。
如請求項8所述之閘門桿體具有正反螺紋的絕緣連接扣環，其中該腰部具有一彈簧插孔，於該開啟凹口的底側形成向內開口的一長溝，該長溝的上端與該開啟凹口相通；該渦捲彈簧的一端插入該彈簧插孔，該渦捲彈簧的另一端插入該長溝內。
如請求項9所述之閘門桿體具有正反螺紋的絕緣連接扣環，其中該閘門桿身進一步具有於下方開口的一剖溝，該剖溝貫穿該嵌件面的前後兩側，於該嵌件面的兩側形成二樞接孔，該二樞接孔與該剖溝相通；該樞接部具有一插板，該插板設置於該剖溝內且具有一軸孔，該軸孔的兩端與該二樞接孔相通，於該二樞接孔與該軸孔穿置一樞接元件，該樞接元件的一端具有一頭部；該外管的底緣內凹形成一弧形凹口，該弧形凹口的兩側各具有一擋止面，該頭部設置於該弧形凹口內且抵靠於兩擋止面的其中一擋止面。
一種多任務心血管不良事件預測系統，包含：<br/> 一儲存單元；及<br/> 一處理單元，電連接於該儲存單元；<br/> 該處理單元將一待分析心電圖輸入一心電圖特徵擷取模型，以產生一心電圖特徵擷取結果；<br/> 該處理單元將一待分析臨床數據輸入一臨床數據特徵擷取模型，以產生一臨床數據特徵擷取結果，其中，該心電圖特徵擷取模型與該臨床數據特徵擷取模型透過模型嫁接策略進行融合；<br/> 該處理單元將該心電圖特徵擷取結果及該臨床數據特徵擷取結果輸入多個分別對應於多種心血管不良事件的事件機率預測模型，以分別產生多個心血管不良事件發生機率。
如請求項1所述的多任務心血管不良事件預測系統，其中，該處理單元將該心電圖特徵擷取結果及該臨床數據特徵擷取結果輸入該等事件機率預測模型，以分別產生該等心血管不良事件發生機率，及多個心血管不良事件發生時間。
一種心血管不良事件預測方法，藉由一多任務心血管不良事件預測系統實施，該多任務心血管不良事件預測系統包含一處理單元，該方法包含：<br/> 該處理單元將一待分析心電圖輸入一心電圖特徵擷取模型，以產生一心電圖特徵擷取結果；<br/> 該處理單元將一待分析臨床數據輸入一臨床數據特徵擷取模型，以產生一臨床數據特徵擷取結果，其中，該心電圖特徵擷取模型與該臨床數據特徵擷取模型透過模型嫁接策略進行融合；及<br/> 該處理單元將該心電圖特徵擷取結果及該臨床數據特徵擷取結果輸入多個分別對應於多種心血管不良事件的事件機率預測模型，以分別產生多個心血管不良事件發生機率。
如請求項3所述的心血管不良事件預測方法，其中，該處理單元將該心電圖特徵擷取結果及該臨床數據特徵擷取結果輸入該等事件機率預測模型，以分別產生該等心血管不良事件發生機率，及多個心血管不良事件發生時間。
一種多光譜濾光片，其包括： <br/>複數個濾光片層，其包括： <br/>第一濾光片層，其包括第一濾光片陣列， <br/>其中該第一濾光片陣列包括第一複數個通道，且 <br/>其中該第一複數個通道的第一通道處的該第一濾光片層的第一厚度與該第一複數個通道的第二通道處的該第一濾光片層的第二厚度不同；以及 <br/>第二濾光片層，其包括第二濾光片陣列，其中該第二濾光片陣列包括第二複數個通道， <br/>其中該第二複數個通道的第三通道處的該第二濾光片層的第三厚度與該第二複數個通道的第四通道處的該第二濾光片層的第四厚度不同。
根據請求項1所述的多光譜濾光片，其中，該第二厚度及該第四厚度為相同厚度。
根據請求項1所述的多光譜濾光片，其中該第一厚度大於該第三厚度。
根據請求項1所述的多光譜濾光片，其中該第一濾光片陣列為4x4濾光片陣列。
根據請求項1所述的多光譜濾光片，其中該第一複數個通道的第一群通道具有該第一厚度，且該第一複數個通道的第二群通道具有該第二厚度。
根據請求項1所述的多光譜濾光片，其中該第一濾光片陣列為線性陣列。
一種多光譜濾光片，其包括： <br/>濾光片陣列，其包括： <br/>複數個通道；以及 <br/>複數個層，其包括： <br/>第一層， <br/>其中該複數個通道的第一通道處的該第一層的第一厚度與該複數個通道的第二通道處的該第一層的第二厚度不同；及 <br/>第二層，其中該第一通道處的該第二層的第三厚度與該第二通道處的該第二層的第四厚度不同。
根據請求項7所述的多光譜濾光片，其中該第一層在該複數個通道的第三通道處具有該第二厚度，且 <br/>其中該第二層在該第三通道處具有該第二厚度。
根據請求項7所述的多光譜濾光片，其中該第一層在該複數個通道的第一群通道處具有該第一厚度，且 <br/>其中該第一層在該複數個通道的第二群通道處具有該第二厚度。
根據請求項9所述的多光譜濾光片，其中該第二層在該複數個通道的第三群通道處具有該第三厚度。
根據請求項10所述的多光譜濾光片，其中該第二層在該複數個通道的第四群通道處具有該第二厚度。
根據請求項10所述的多光譜濾光片，其中該第三厚度小於該第一厚度。
一種多光譜濾光片，其包括： <br/>濾光片陣列，其包括： <br/>複數個通道；以及 <br/>複數個層，其至少包含第一層及第二層， <br/>其中該複數個通道的第一通道處的該第一層的第一厚度與該複數個通道的第二通道處的該第一層的第二厚度不同， <br/>且其中該複數個通道的的第三通道處的該第二層的第三厚度與該複數個通道的第四通道處的該第二層的第四厚度不同。
根據請求項13所述的多光譜濾光片，其中該複數個通道的該第三通道處的該第二層的該第三厚度與該第二厚度及該第一厚度不同。
根據請求項13所述的多光譜濾光片，其中與該複數個層相關聯的一組厚度與該複數個通道的每一條通道為非等距。
根據請求項13所述的多光譜濾光片，其中該濾光片陣列為4x4陣列。
根據請求項13所述的多光譜濾光片，其中該濾光片陣列具有線性排列。
根據請求項13所述的多光譜濾光片，其中該第一層具有該複數個通道的第一群通道處的厚度，而該第一群通道處的該厚度與該複數個通道的第二群通道處的厚度不同。
一種適用各類種苗培育單元結構，係包含一具有預定支撐性的栽培介質體，該栽培介質體係具有預定厚距並形成上下相對的一頂端面及一底端面，該頂端面係向下凹設一第一導引孔及具有一第一軸線，該第一軸線並與頂端面的水平線相交設成一投射夾角，俾供一種苗的種子方便投入第一導引孔；該底端面則向上凹設一第二導引孔及具有一第二軸線，該第二軸線並與底端面的水平線相交設成一投射夾角，俾供一種苗的種子方便投入第二導引孔；該第一導引孔的終端與第二導引孔的終端係相交連通形成一最小圓徑的限位頸部，藉由限位頸部軸向空氣流速提升引流加大該第一導引孔及第二導引孔內部的含氧量，該限位頸部的最小圓徑並需小於種子的最小圓徑，得選擇該第一導引孔或第二導引孔進行種子的投設定位操作；據此，達成單元結構廣泛適用各類不同種子大小的種入操作及大幅提昇種子發芽與成長的培育效能。
如請求項1所述適用各類種苗培育單元結構，其中該第一導引孔的第一軸線與第二導引孔的第二軸線，係以同一中心軸線。
如請求項1所述適用各類種苗培育單元結構，其中該第一導引孔與第二導引孔係呈一預定角度的錐形孔。
如請求項1所述適用各類種苗培育單元結構，其中該種子投射夾角係以30~90度角度範圍。
如請求項1所述適用各類種苗培育單元結構，其中栽培介質體係為聚氨酯泡棉(PU Foam)、酚醛泡棉(Phenolic Foam)、天然海藻素發泡體(例如岩藻膠)、椰纖結合膠體成型的海綿塊，藉由不同材料改變，調整獲取空氣流量及含水量。
如請求項1所述適用各類種苗培育單元結構，其中該栽培介質體並設有複數可供空氣流通的孔隙，該孔隙係分別與第一導引孔與第二導引孔內部連通。
一種適用各類種苗培育單元結構，係包含一具有預定支撐性的栽培介質體，該栽培介質體係具有預定厚距並形成上下相對的一頂端面及一底端面，該頂端面及底端面且分別對應凹設一第一導引孔及一第二導引孔，並形成該第一導引孔與第二導引孔共有同心的一中心軸線，該中心軸線並分別與頂底端面的水平線相交設成一投射夾角，俾供一種苗的種子方便投入第一導引孔或第二導引孔；該第一導引孔的終端與第二導引孔的終端係相交連通形成一限位頸部，藉由限位頸部軸向空氣流速提升引流加大該第一導引孔及第二導引孔內部的含氧量，該限位頸部的最小圓徑並需小於種子的最小圓徑，得選擇該第一導引孔或第二導引孔進行種子的投設定位操作；據此，達成單元結構廣泛適用各類不同種子大小的種入操作及大幅提昇種子發芽與成長的培育效能。
如請求項7所述適用各類種苗培育單元結構，其中該種子投射夾角係以30~90度角度範圍。
如請求項7所述適用各類種苗培育單元結構，其中該栽培介質體並設有複數可供空氣流通的孔隙，該第一導引孔與第二導引孔內部係分別與該孔隙連通。
一種形成半導體結構的方法，包括：<br/> 形成一閘極結構在一基板上；<br/> 共形沉積一第一介電材料在該閘極結構和該基板上；<br/> 執行一第一植入製程以對該基板植入一第一摻雜種類，以在該基板中形成一第一摻雜區，其中該基板的一頂表面是均勻的；<br/> 執行一第二植入製程以對該基板植入一第二摻雜種類，以在該基板中形成一第二摻雜區，該第二摻雜種類與該第一摻雜種類相反，其中該基板的該頂表面是均勻的；<br/> 沉積一第二介電材料在該第一介電材料上；<br/> 蝕刻該第一介電材料、該第二介電材料和該基板的一部分，以在該基板中形成複數個凹陷；<br/> 執行一第三植入製程以對該基板中的該些凹陷植入一第三摻雜種類，以在該基板中形成一第三摻雜區，其中該第三摻雜種類與該第二摻雜種類相同；以及<br/> 對該基板執行一退火製程。
如請求項1所述之方法，其中該第一植入製程包括具有一角度植入的環狀植入(HALO implantation)，以及該第二植入製程包括輕摻雜汲極植入(light doped drain，LDD)。
如請求項2所述之方法，其中該角度植入是以在對該閘極結構的一側壁的一角度執行，且該角度在12˚和22˚之間。
如請求項3所述之方法，其中該第一摻雜區延伸至該閘極結構下方的一區域。
如請求項1所述之方法，其中該第一摻雜區的該第一摻雜種類的一摻雜濃度在從1.0E14至8.0E14 cm<sup>2</sup>的範圍內。
如請求項1所述之方法，其中該第二摻雜區的該第二摻雜種類的一摻雜濃度在從1.0E15至6.0E15 cm<sup>2</sup>的範圍內。
如請求項1所述之方法，其中該第三摻雜區的該第三摻雜種類的一摻雜濃度在從2.0E15至9.0E15 cm<sup>2</sup>的範圍內。
如請求項1所述之方法，其中該第三植入製程包括源極/汲極植入。
如請求項1所述之方法，其中蝕刻該第一介電材料、該第二介電材料和該基板的該部分，以在該基板中形成該些凹陷包括：<br/> 移除在該閘極結構的一頂表面上方的該第一介電材料和該第二介電材料的一水平部分，以及部分移除在該基板上的該第一介電材料和該第二介電材料的另一水平部分，使得暴露該閘極結構的該頂表面。
如請求項1所述之方法，其中蝕刻該第一介電材料、該第二介電材料和該基板的該部分，以在該基板中形成該些凹陷進一步包括移除該第二摻雜區的一部分。
一種半導體結構，包括：<br/> 一閘極結構，在一基板上；<br/> 複數個間隔物，各該間隔物包括：<br/> 一第一部分，沿著該閘極結構的一側壁；以及<br/> 一第二部分，在該基板上且連接該第一部分的一端點；<br/> 一第二介電層，在該些間隔物上且鄰接該些第一部分和該些第二部分；<br/> 複數個凹陷，在該基板的一頂部暴露且橫向圍繞該閘極結構、該些間隔物和該第二介電層；<br/> 一第一摻雜區，在該基板中且具有一第一摻雜種類，包括：<br/> 在該第一摻雜區的一頂表面和一底表面之間的一寬度，該寬度在從18.2 nm至33.8 nm的範圍內；<br/> 在該第一摻雜區的該頂表面和該基板的一頂表面之間的一距離，該距離在從16.1 nm至23.9 nm的範圍內；<br/> 在該第一摻雜區的該底表面和該基板的該頂表面之間的一距離，該距離在從42.1 nm至49.9 nm的範圍內；以及<br/> 在該基板的該頂表面下方的一深度處的一最高摻雜濃度，該深度在從30 nm至36 nm的範圍內；<br/> 一第二摻雜區，在該第二部分下方的該基板中且具有與該第一摻雜種類相反的一第二摻雜種類，包括：<br/> 在該第二摻雜區的一頂表面和一底表面之間的一寬度，該寬度在從1.6 nm至2.8 nm的範圍內；<br/> 在該第二摻雜區的該頂表面和該基板的該頂表面之間的一距離，該距離在從1.6 nm至2.2 nm的範圍內；<br/> 在該第二摻雜區的該底表面和該基板的該頂表面之間的一距離，該距離在從3.8 nm至4.4 nm的範圍內；以及<br/> 在該基板的該頂表面下方的一深度處的一最高摻雜濃度，該深度在從2.75 nm至3.25 nm的範圍內；以及<br/> 一第三摻雜區，在該些凹陷下方的該基板中且具有一第三摻雜種類，其中該第三摻雜區與該第一摻雜區部分重疊。
如請求項11所述之半導體結構，其中該第一摻雜區的一摻雜濃度從該深度至該第一摻雜區的該頂表面逐漸降低；以及其中該第一摻雜區的該摻雜濃度從該深度至該第一摻雜區的該底表面逐漸降低。
如請求項11所述之半導體結構，其中該些凹陷在距離該基板的該頂表面從6 nm至10 nm的範圍內。
如請求項11所述之半導體結構，其中該第三摻雜區包括：<br/> 在該第三摻雜區的一頂表面和一底表面之間的一寬度，該寬度在從8 nm至24 nm的範圍內；<br/> 在該第三摻雜區的該頂表面和該基板的該頂表面之間的一距離，該距離在從7.5 nm至15.5 nm的範圍內；<br/> 在該第三摻雜區的該底表面和該基板的該頂表面之間的一距離，該距離在從23.5 nm至31.5 nm的範圍內；以及<br/> 在該基板的該頂表面下方的一深度處的一最高摻雜濃度，該深度在從16 nm至20 nm的範圍內。
如請求項11所述之半導體結構，其中該第一部分和該第二部分是L型。
如請求項11所述之半導體結構，其中該半導體結構包括NMOS電晶體，該第一摻雜種類包括p型摻雜，該第二摻雜種類包括n型摻雜，以及該第三摻雜種類包括n型摻雜。
一種滑軌總成，包含：一第一軌；一第二軌可相對該第一軌縱向地位移；以及一驅動裝置安排在該第二軌與該第一軌的其中之一，該驅動裝置包含；一第一預定構件；一第二預定構件與該第一預定構件可相對彼此縱向地位移；一第一彈性件安裝在該第一預定構件與該第二預定構件之間；一鎖件活動地安裝在該第二預定構件與該第一預定構件的其中之一，且該第二預定構件與該第一預定構件的其中之一安排有一預定部；及一同步桿座活動地安裝在該第二預定構件與該第一預定構件的其中之另一，該同步桿座安排有一接觸件與一第二彈性件；其中，該第二軌與該第一軌的其中之另一包含一第一預定結構與一固定結構；該滑軌總成更包含一輔助套件可拆卸地安裝在該第二軌與該第一軌的其中之另一，該輔助套件包含一基座、一輔助件以及一扣件皆活動地安裝在該基座；該基座包含一第一安裝結構用以卡掣至該第一預定結構；當該基座的該第一安裝結構卡掣至該第一預定結構時，透過該扣件從一第一預定狀態被操作至一第二預定狀態用以扣住該固定結構；其中，當該第二軌相對該第一軌處於一收合位置時，該鎖件處於一鎖定狀態而用以鎖定該第一彈性件的一第一預定彈力，且該預定部壓住該接觸件，使該接觸件處於一第一預定位置，令該第二彈性件累積一第二預定彈力；其中，當該第二軌相對該第一軌從該收合位置往一收合方向位移至一過壓位置時，該鎖件從該鎖定狀態被帶動至一解鎖狀態，用以釋放該第一彈性件的該第一預定彈力以驅動該第二軌往一開啟方向位移；其中，當該第二軌相對該第一軌從該收合位置往該收合方向位移至該過壓位置的過程中，該接觸件往該收合方向越過該預定部而不再被該預定部壓住，使該接觸件回應該第二彈性件釋放該第二預定彈力而從該第一預定位置活動至一第二預定位置，用以讓該接觸件與該預定部於該第二軌往該開啟方向被該第一彈性件釋放的該第一預定彈力驅動的過程中能相互勾抵，使該同步桿座從一第一狀態被驅動至一第二狀態；其中，當該第一彈性件完全地釋放該第一預定彈力而將該第二軌往該開啟方向驅動至一預定延伸位置後，該第二軌可從該預定延伸位置往該開啟方向繼續位移至一完全延伸位置；其中，該第二預定構件與該第一預定構件的其中之另一安排有一擋牆；當該第二軌從該完全延伸位置往該收合方向朝該收合位置位移的過程中，處於該解鎖狀態的該鎖件會與該輔助件的一輔助部相互推抵，使該第二預定構件相對該第一預定構件往該開啟方向位移，直到該鎖件卡掣至該擋牆而處於該鎖定狀態而鎖定該第一彈性件的第一預定彈力。
如請求項1所述之滑軌總成，其中，該第二預定構件與該第一預定構件的其中之一安排有一凸部，且該第二預定構件與該第一預定構件的其中之另一安排有一縱向槽可供該凸部伸入，用以提供該第一預定構件與該第二預定構件僅可相對彼此在有限度的範圍內縱向地位移。
如請求項1所述之滑軌總成，其中，當該第二軌相對該第一軌處於該收合位置時，該鎖件卡掣至該擋牆而處於該鎖定狀態。
如請求項3所述之滑軌總成，其中，該驅動裝置更包含一工作件以及一第三彈性件安排在該第二預定構件與該第一預定構件的其中之另一；該第三彈性件用以提供彈力至該工作件，且該工作件與該鎖件的其中之一具有一導引特徵；當該第二軌相對該第一軌從該收合位置往該收合方向位移至該過壓位置時，該工作件與該鎖件透過該導引特徵相互推抵，使該鎖件從該鎖定狀態被帶動至該解鎖狀態。
如請求項4所述之滑軌總成，其中，該工作件包含一第一牆、一第二牆以及一縱向空間定義於該第一牆與該第二牆之間，且該同步桿座包含一對應部伸入該縱向空間；當該同步桿座被驅動至該第二狀態，且該第一彈性件繼續釋放該第一預定彈力時，該第一預定構件相對該第二預定構件往該開啟方向位移，使處於該第二預定位置的該接觸件因該同步桿座處於該第二狀態而與該預定部不再相互勾抵，且一旦該接觸件往該第二方向位越過該預定部，該工作件回應該第三彈性件的彈力而活動，用以能透過該第一牆與第二牆的其中之一推抵該同步桿座的對應部，使該同步桿座從該第二狀態回到該第一狀態。
如請求項5所述之滑軌總成，其中，該第二預定構件包含一保持部、一第一導引部、一第二導引部以及一預定路徑；該保持部位於該第一導引部與該第二導引部之間，而該預定路徑環繞於該保持部周圍；該預定路徑用以與該輔助件的輔助部搭配使用，且透過該第一導引部與該第二導引部可用以帶動該輔助件相對該基座活動。
如請求項6所述之滑軌總成，其中，該第二預定構件更包含一容納槽，且該容納槽位於相鄰該第一導引部；當該第二軌相對該第一軌處於該收合位置時，該輔助件的輔助部卡掣至該容納槽內。
如請求項1所述之滑軌總成，其中，該驅動裝置固定地連接至該第二軌與該第一軌的其中之一。
如請求項1所述之滑軌總成，其中，該接觸件與該預定部的其中之一包含一導引段；當該第二軌相對該第一軌從該收合位置往該收合方向位移至該過壓位置的過程中，該接觸件透過該導引段與該預定部接觸而往該收合方向越過該預定部而不再被該預定部壓住。
如請求項1所述之滑軌總成，更包含一第三軌活動地安裝在該第一軌與該第二軌之間，該第三軌用以延長該第二軌相對該第一軌的位移行程。
如請求項1所述之滑軌總成，其中，該第一軌用以安裝至一櫃體，且該第二軌用以承載一承載物。
如請求項1所述之滑軌總成，其中，該第二軌與該第一軌的其中之另一更包含一第二預定結構，且該基座更包含一第二安裝結構用以卡掣至該第二預定結構；其中，當該基座的該第一安裝結構與該第二安裝結構分別卡掣至該第一預定結構與該第二預定結構時，透過該扣件處於該第二預定狀態用以扣住該第二軌與該第一軌的其中之另一的固定結構。
如請求項12所述之滑軌總成，其中，該第一預定結構與該第二預定結構皆安排在該第二軌與該第一軌的其中之另一的一底部；於安裝過程中，該基座先以一傾斜角度以該第一安裝結構被卡掣至該第一預定結構，然後以一高度方向以該第二安裝結構被卡掣至該第二預定結構，透過該扣件從該第一預定狀態被操作至該第二預定狀態用以扣住該第二軌與該第一軌的其中之另一的固定結構。
如請求項12所述之滑軌總成，其中，該基座包含一保持特徵，且該扣件包含一操作部與一延伸部連接該操作部；當該扣件處於該第二預定狀態時，該延伸部上的一扣段用以扣住該第二軌與該第一軌的其中之另一的固定結構，且該操作部彈性地卡掣至該保持特徵。
如請求項14所述之滑軌總成，其中，該扣件的操作部與延伸部實質上相互垂直地彎折。
一種輔助套件，用以可拆卸地安裝在一滑軌總成的一第一軌，該第一軌包含一第一預定結構與一固定結構，該輔助套件包含：一基座包含一第一安裝結構用以卡掣至該第一預定結構；以及一扣件活動地安裝在該基座；其中，當該基座的該第一安裝結構卡掣至該第一預定結構時，透過該扣件從一第一預定狀態被操作至一第二預定狀態用以扣住該第一軌的固定結構；其中，該第一軌更包含一第二預定結構，且該基座更包含一第二安裝結構用以卡掣至該第二預定結構；其中，當該基座的該第一安裝結構與該第二安裝結構分別卡掣至該第一預定結構與該第二預定結構時，透過該扣件處於該第二預定狀態用以扣住該第一軌的固定結構。
如請求項16所述之輔助套件，其中，該第一預定結構與該第二預定結構皆安排在該第一軌的一底部；於安裝過程中，該基座先以一傾斜角度以該第一安裝結構被卡掣至該第一預定結構，然後以一高度方向以該第二安裝結構被卡掣至該第二預定結構，透過該扣件從該第一預定狀態被操作至該第二預定狀態用以扣住該第一軌的固定結構。
如請求項16所述之輔助套件，其中，該基座包含一保持特徵，且該扣件包含一操作部與一延伸部連接該操作部；當該扣件處於該第二預定狀態時，該延伸部上的一扣段用以扣住該第一軌的固定結構，且該操作部卡掣至該保持特徵；該基座更包含一支撐特徵；當該扣件處於該第二預定狀態時，該操作部被該支撐特徵支撐。
一種輔助套件，用以可拆卸地安裝在一滑軌總成的一第一軌，該第一軌包含一第一預定結構與一固定結構，該輔助套件包含：一基座包含一第一安裝結構用以卡掣至該第一預定結構；以及一扣件活動地安裝在該基座；其中，當該基座的該第一安裝結構卡掣至該第一預定結構時，透過該扣件從一第一預定狀態被操作至一第二預定狀態用以扣住該第一軌的固定結構；其中，該滑軌總成更包含一第二軌以及一驅動裝置安排在該第二軌；該第二軌可相對該第一軌縱向地位移，且該驅動裝置包含一鎖件與一第一彈性件；該輔助套件更包含一輔助件安裝在該基座；當該第二軌相對該第一軌從一完全延伸位置往一收合方向位移的過程中，該輔助件用以與該鎖件相互推抵，直到該鎖件鎖定該第一彈性件的一第一預定彈力。
一種滅火器，其包括： <br/> 一罐體，供盛裝滅火劑；<br/> 一閥座，其具有一閥體及一帽蓋，該閥體具有一直向部及一橫向部，該直向部之底端連接該罐體，該直向部具有相連通之一管道部及一注液部；該橫向部以水平方向設於該直向部之頂端，該橫向部之內部具有一滑道部，該滑道部連通該管道部；該橫向部之一側具有一連接部，該連接部連通一長管件，該長管件具有至少一噴射口；該帽蓋之一端連接該橫向部之一端，該帽蓋上具有一穿孔部，該帽蓋之另一端具有一支架部；<br/> 一感溫玻璃管，其定位於該支架部內，該感溫玻璃管之一端抵壓住該穿孔部；以及<br/> 一活塞組件，其具有一活塞及一彈性件，該活塞以滑動之方式定位於該滑道部內，該活塞具有一本體，該本體上具有一環凹部，供連通該管道部、該連接部及該長管件；該本體之一端具有一活塞桿，該活塞桿之一端以鬆釋之方式穿過該穿孔部，並抵壓住該感溫玻璃管之該端，該本體之另一端抵壓該彈性件。
如請求項1之滅火器，其中該活塞桿之該端具有徑向貫穿之一第一固定孔，該帽蓋上具有徑向貫穿之一第二固定孔，該第一固定孔及該第二固定孔內具有一插接件，供連接該活塞桿及該帽蓋。
如請求項2之滅火器，其中當插接件插接該第一固定孔及該第二固定孔之中，該彈性件之一彈性回復力值係大於剪斷該插接件之一剪力值，藉以在該感溫玻璃管破裂時，讓該活塞桿之該端經由該穿孔部向外穿出。
如請求項1之滅火器，其中該活塞桿之該端之外周緣與該穿孔部之內周緣之間具有可供空氣通過之一間隙，藉以讓該活塞桿之該端以鬆釋之方式穿過該穿孔部。
一種使用如請求項1~4其中任一項之滅火器之電池箱，其具有一箱體，該箱體內部具有至少一電池芯模組，任一該電池芯模組之一側具有該滅火器，且該滅火器之該長管件位於該電池芯模組之上方。
一種防指紋塗料，包含以重量百分比的以下成分：<br/> 乙基‐九氟丁基醚60%~70%、甲基‐九氟丁基醚26%~35%以及全氟丁烷1%~5%。
一種防指紋塗料的塗佈方法，包含：<br/> 將請求項1所述的防指紋塗料噴塗或覆蓋一基材表面，該基材為金屬或玻璃；以及<br/> 以130℃~150℃烘烤塗佈完成的該材料至乾燥，以形成一抗指紋薄膜，該抗指紋薄膜的模厚厚度0.007~0.012μm。
如請求項2所述之塗佈方法，其中，將請求項1所述的防指紋塗料噴塗或覆蓋一材料表面之間，還包含一表面預處理步驟，將該材料表面進行一常壓電漿處理。
一種有機發光顯示設備，包含：一基板，具有位於多個發光區中的多個子像素；一緩衝層，設置於該基板上；一層間絕緣層，設置於該緩衝層上；多個線路，設置於該層間絕緣層上；一保護層，設置於該些線路及該層間絕緣層上；多個色彩濾波器層，各自設置為對應於對應的該子像素，該些色彩濾波器層包含彼此相鄰設置的一第一色彩濾波器層及一第二色彩濾波器層；一平坦化層，設置於該些色彩濾波器層上，且該平坦化層包含含有一凸部及多個凹部的多個光提取圖案，一發光裝置，包含各自設置於該些子像素之對應的一者中的一第一電極、一發光層，以及一第二電極；一堤部層，界定該些子像素中之各者的該發光區；一封裝部，設置於該第二電極上；以及一相對基板，設置於該封裝部上，其中該堤部層與該第一色彩濾波器層及該第二色彩濾波器層重疊的一重疊區重疊；並且其中該堤部層在該些發光區之間與該些線路重疊。
如請求項1所述之有機發光顯示設備，其中該基板具有平行一第一方向及一第二方向界定的多個邊緣；並且其中該些子像素之至少一第一光提取圖案相對於該第一方向或該第二方向以關於該些凹部之各者的一中心部的角度配向，並且其中該些子像素之各者中的該些光提取圖案的配向針對該些子像素之各者而各別具有不同旋轉角度，並且其中該旋轉角度大於0度。
如請求項1所述之有機發光顯示設備，其中該堤部層重疊該些光提取圖案的一最外側圖案的一邊緣部。
如請求項3所述之有機發光顯示設備，其中各該些發光區中的該些光提取圖案的該最外側圖案被設置直至該發光區的一外側。
如請求項1所述之有機發光顯示設備，其中該些色彩濾波器層在該些發光區之間與該些線路重疊。
如請求項1所述之有機發光顯示設備，其中該堤部層為黑色堤部層。
如請求項1所述之有機發光顯示設備，更包含設置於在空間上與該發光區分離的一電路區中的一驅動電晶體，其中該驅動電晶體包含一主動層、一閘極電極、一汲極電極，以及一源極電極。
如請求項2所述之有機發光顯示設備，其中設置於該些子像素中相鄰的兩個該些子像素中的該些光提取圖案的配向相差3度或更大的角度，且在大於0度且小於60度的範圍內。
如請求項2所述之有機發光顯示設備，其中在分別設置於該些子像素中的該些光提取圖案中，設置於相同顏色的該些子像素中的光提取圖案的配向相差3度或更大的角度，且在大於0度且小於60度的範圍內。
如請求項2所述之有機發光顯示設備，其中設置於該些子像素中沿該第一方向、垂直於該第一方向的該第二方向或一對角方向彼此相鄰的兩個該些子像素中的該些光提取圖案的配向相差3度或更大的角度，且在大於0度且小於60度的範圍內。
如請求項1所述之有機發光顯示設備，其中各該些色彩濾波器層設置為從該發光區延伸至對應的該子像素的一電路區。
如請求項11所述之有機發光顯示設備，其中該些子像素包含一第一子像素、一第二子像素、一第三子像素及一第四子像素，並且其中設置於該第一子像素、該第二子像素、該第三子像素及該第四子像素中發出具有最短波長的顏色的光的該子像素中的該色彩濾波器層延伸直至相鄰的不同顏色的該子像素的該電路區。
如請求項11或12所述之有機發光顯示設備，其中該第一子像素為紅色子像素，該第二子像素為藍色子像素，該第三子像素為白色子像素，且該第四子像素為綠色子像素，並且其中該藍色子像素延伸直至該第三子像素及該第四子像素的該些電路區。
如請求項2所述之有機發光顯示設備，其中該第一電極設置於各對應的該子像素的該發光區中，其中針對該些子像素之各者，該第一電極包含一連接部，該連接部設置於構成對應的該子像素的該發光區及該發光區外的一電路區之間，並且其中設置為對應於對應的該子像素的該色彩濾波器層重疊該連接部。
如請求項14所述之有機發光顯示設備，其中該些子像素包含一第一子像素、一第二子像素、一第三子像素及一第四子像素，並且其中設置於該第一子像素、該第二子像素、該第三子像素及該第四子像素中發出具有最短波長的顏色的光的該子像素中的該色彩濾波器層延伸直至相鄰的不同顏色的該子像素的該連接部且重疊該連接部。
如請求項15所述之有機發光顯示設備，其中該第一子像素為紅色子像素，該第二子像素為藍色子像素，該第三子像素為白色子像素，且該第四子像素為綠色子像素，並且其中該第二子像素重疊該第三子像素及該第四子像素的該些連接部。
如請求項16所述之有機發光顯示設備，其中該第二子像素延伸至該第三子像素及該第四子像素的該些電路區。
如請求項11所述之有機發光顯示設備，其中該堤部層設置於針對相鄰的該些子像素之各者具有不同配向的該些光提取圖案之間。
如請求項14所述之有機發光顯示設備，其中該黑色堤部層重疊該連接部。
一種口紅盒，適用於設置一個口紅膏，該口紅盒包含一個盒本體，該盒本體包括：<br/> 一個外殼，內部界定出一個開口朝上的安裝空間；<br/> 一個承載件，設置在該安裝空間內，並固定在該外殼，而可用以承載該口紅膏，且會使所承載之該口紅膏外露在該安裝空間外，該承載件具有一個固定在該外殼且上下延伸設置在該伸縮管中的固定部，及一個連接於該固定部頂端且可用以承載設置該口紅膏的承載座部； <br/> 一個伸縮管，無法轉動但可上下位移地插裝在該安裝空間內，並套置在該承載件外，該伸縮管可被驅動而相對該外殼在一個往上突伸出該安裝空間外之第一使用位置，及一個下移縮入該安裝空間中的第二使用位置間位移變化；及<br/> 一個操作件，嵌穿設置在該外殼外周側並連結於該伸縮管，該操作件可供操作而相對該外殼上下位移，並同步傳動該伸縮管在該第一位置與該第二位置間位移變化。
如請求項1所述的口紅盒，其中，該外殼具有一個上下延伸且貫穿其內周面與外周面的調移孔，該伸縮管具有一個外露在該調移孔的連結結構，該操作件具有一個設置在該外殼外周側的操作部，及一個可上下位移地嵌穿設置在該調移孔且連結於該連結結構的連結部。
如請求項1所述的口紅盒，其中，該承載件具有一個通孔，該通孔具有一個穿設在該固定部的連通段，及一個上下延伸貫穿該承載座部且用以供該口紅膏底端部嵌裝固定的嵌裝段，該外殼穿設有一個連通該連通段的貫孔。
如請求項1所述的口紅盒，還包含一個可拆離地罩蓋設置在該外殼頂端部的外蓋，且該外蓋與該外殼相配合界定出一個用以容置該口紅膏的容置空間。
一種口紅模具，適用於供灌注口紅膏料液，而用以製造一個口紅半成品，該口紅模具包含：<br/> 一個盒本體，包括，<br/> 一個外殼，內部界定出一個開口朝下的安裝空間，且穿設有一個可用以灌注口紅膏料液的貫孔，<br/> 一個承載件，上下延伸固定在該安裝空間內，並具有一個連通該貫孔，而可用以往下導引來自該貫孔之所述口紅膏料液的通孔，及<br/> 一個伸縮管，無法轉動但可上下位移地插裝在該安裝空間內，而套置在該承載件外，並可被驅動而相對該外殼在一個往下突伸出該安裝空間外之第一使用位置，及一個上移縮入該安裝空間中的第二使用位置間位移變化；及<br/> 一個底座，可拆離地安裝於位在該第一使用位置的該伸縮管的底端部，並與該伸縮管相配合界定出一個連通該通孔，而可用以供自該通孔往下注入之所述口紅膏料液固化成一口紅膏的成型空間。
如請求項5所述的口紅模具，其中，該承載件具有一個上下延伸貫穿該伸縮管並固接在該外殼的固定部，及一個連接於該固定部底端的承載座部，該通孔具有一個穿設在該固定部並連通該貫孔的連通段，及一個穿設在該承載座部且口徑大於該連通段之口徑的嵌裝段，該嵌裝段可用以供成型於該成型空間之該口紅膏的頂端部嵌裝固定，該承載座部具有多個突伸入該嵌裝段中，且沿該嵌裝段周緣間隔分布的止轉結構。
如請求項5所述的口紅模具，其中，該底座具有一個上下傾斜延伸，並界定出該成型空間底緣的內底面。
如請求項5所述的口紅模具，其中，該盒本體還包括一個嵌穿設置在該外殼外周側並連結於該伸縮管的操作件，該操作件可供操作而相對該外殼上下位移，而同步傳動該伸縮管在該第一使用位置與該第二使用位置間位移變化。
一種口紅製造方法，適用於搭配請求項5～8任一項所述之口紅模具以製造一口紅半成品，該口紅製造方法包含以下步驟：<br/> 設置口紅模具步驟，將該盒本體之該伸縮管調整至該第一使用位置，並將該底座安裝在該伸縮管底端部，使該底座與該伸縮管相配合界定出該成型空間；<br/> 灌注口紅膏料液步驟，使一灌注設備經由該外殼之該貫孔與該承載件之該通孔灌注入口紅膏料液，使所述口紅膏料液填滿該成型空間與該通孔之底端區段；<br/> 口紅膏成型步驟，使已灌注所述口紅膏料液之該口紅模具靜置一預定時間，使所述口紅膏料液固化成型而構成一口紅膏；及<br/> 脫模步驟，將該底座拆離該伸縮管，而製成由該盒本體與該口紅膏相配合構成之該口紅半成品。
一種腦神經訊號分析與刺激之裝置，應用於一閉迴路深腦電刺激系統中，該腦神經訊號分析與刺激之裝置包括：<br/> 一處理器，接收一感測器所傳送之一時間序列的深腦神經電位訊號，該處理器利用複數模組以對該深腦神經電位訊號進行分析，該等模組包括：<br/> 一特徵提取模組，從該深腦神經電位訊號中提取電壓大於一第一閾值的複數突刺（spike）；<br/> 一計數模組，連接該特徵提取模組，用以根據該等突刺在該時間序列上的複數時間點計算複數突刺時間間隔；以及<br/> 一生物標記模組，連接該計數模組，用以計算該等突刺時間間隔之一標準差，當該標準差高於一第二閾值時，該生物標記模組輸出一刺激頻率和一刺激幅度。
如請求項1所述之腦神經訊號分析與刺激之裝置，其中該感測器為一電壓感測器，用以偵測該深腦神經電位訊號。
如請求項1所述之腦神經訊號分析與刺激之裝置，更包括一記憶體，其與該處理器連接，該記憶體儲存該等突刺之發生時間及發生當時的電壓。
如請求項1所述之腦神經訊號分析與刺激之裝置，其中該生物標記模組於每一預設時間區間重新計算該標準差。
如請求項1所述之腦神經訊號分析與刺激之裝置，其中該第二閾值係根據帕金森病理狀態與正常狀態下之標準差統計資料所設定者。
如請求項1所述之腦神經訊號分析與刺激之裝置，其中該處理器連接一電刺激裝置，該生物標記模組將該刺激頻率和該刺激幅度輸出至該電刺激裝置，使該電刺激裝置根據該刺激頻率和該刺激幅度發出一刺激電壓或一刺激電流。
一種腦神經訊號分析與刺激之方法，應用於一閉迴路深腦電刺激系統中的一處理器，該腦神經訊號分析與刺激之方法包括下列步驟：<br/> 接收一感測器所傳送之一時間序列的深腦神經電位訊號；<br/> 從該深腦神經電位訊號中提取電壓大於一第一閾值的複數突刺；<br/> 根據該等突刺在該時間序列上的複數時間點計算複數突刺時間間隔；以及<br/> 計算該等突刺時間間隔之一標準差，並根據該標準差判斷該等突刺是否呈現聚集或分離趨勢，其中，當該標準差高於一第二閾值，輸出一刺激頻率和一刺激幅度。
如請求項7所述之腦神經訊號分析與刺激之方法，其中該感測器為一電壓感測器，用以偵測該深腦神經電位訊號。
如請求項7所述之腦神經訊號分析與刺激之方法，其中該等突刺之發生時間及電壓係儲存於一記憶體中。
如請求項7所述之腦神經訊號分析與刺激之方法，其中該標準差係每隔一預設時間區間便會重新計算。
如請求項7所述之腦神經訊號分析與刺激之方法，其中該第二閾值係根據帕金森病理狀態與正常狀態下之標準差統計資料所設定者。
如請求項7所述之腦神經訊號分析與刺激之方法，其中該處理器連接一電刺激裝置，該電刺激裝置接收該刺激頻率和該刺激幅度並據以發出一刺激電壓或一刺激電流。
一種阻抗校準電路，包含： <br/>一可變阻抗電路，包含以並聯方式連接的複數個導通路徑，每一導通路徑均耦接於一輸出端，該可變阻抗電路用以根據一校準碼啟用該複數個導通路徑中的一個或多個導通路徑，而據以調整該輸出端的阻抗值； <br/>一第一比較器，耦接於該可變阻抗電路，用以將一輸入電壓與一預定參考電壓作比較，以產生一第一比較結果，該第一比較結果作為該校準碼的第一部分；以及 <br/>一訊號產生電路，耦接於該可變阻抗電路以及該第一比較器，用以根據該第一比較結果將該輸入電壓與選自一第一組參考電壓與一第二組參考電壓兩者中的一組參考電壓作比較，而據以產生該校準碼的第二部分，其中該第一組參考電壓不同於該第二組參考電壓。
如請求項1所述之阻抗校準電路，其中該第一組參考電壓中的每一參考電壓均大於該預定參考電壓，而該第二組參考電壓中的每一參考電壓均小於該預定參考電壓。
如請求項1所述之阻抗校準電路，其中： <br/>該複數個導通路徑包含一導通路徑、一第一組導通路徑以及一第二組導通路徑；該導通路徑以及該第一組導通路徑中的每一導通路徑被啟用； <br/>當該第一比較結果指示出該輸入電壓小於該預定參考電壓時，該可變阻抗電路用以根據該校準碼選擇性地啟用該第二組導通路徑中的至少一導通路徑；以及 <br/>當該第一比較結果指示出該輸入電壓大於該預定參考電壓時，該可變阻抗電路用以停用該第二組導通路徑中的每一導通路徑，並根據該校準碼選擇性地停用該第一組導通路徑中的至少一導通路徑。
如請求項1所述之阻抗校準電路，其中： <br/>該複數個導通路徑包含一第一導通路徑以及一第二導通路徑，而該第一導通路徑之阻抗值不同於該第二導通路徑之阻抗值； <br/>所選取之該組參考電壓包含一第一參考電壓、一第二參考電壓以及一第三參考電壓；第二參考電壓大於該第一參考電壓，而小於該第三參考電壓；以及 <br/>當該輸入電壓介於該第一參考電壓與該第二參考電壓之間時，該可變阻抗電路用以停用該第一導通路徑，而啟用該第二導通路徑；當該輸入電壓介於該第二參考電壓與該第三參考電壓之間時，該可變阻抗電路用以啟用該第一導通路徑，而停用該第二導通路徑。
如請求項4所述之阻抗校準電路，其中當該輸入電壓大於該第三參考電壓時，該可變阻抗電路用以停用該第一導通路徑與該第二導通路徑。
如請求項4所述之阻抗校準電路，其中當該輸入電壓小於該第一參考電壓時，該可變阻抗電路用以啟用該第一導通路徑與該第二導通路徑。
如請求項1所述之阻抗校準電路，其中該訊號產生電路包含： <br/>N個比較電路，分別耦接於該第一組參考電壓中的N個參考電壓，以及分別耦接於該第二組參考電壓中的N個參考電壓，N是大於1的整數，其中每一比較電路用以將該輸入電壓與所選取之該組參考電壓中相對應的一參考電壓作比較，據以產生一第二比較結果；以及 <br/>一處理電路，耦接於該N個比較電路，該處理電路用以處理N個第二比較結果，以產生該校準碼的第二部分。
如請求項7所述之阻抗校準電路，其中每一比較電路包含： <br/>一第一多工器，用以根據該第一比較結果，將該輸入電壓與該第一組參考電壓中相對應的一參考電壓兩者的其中之一輸出為一第一電壓； <br/>一第二多工器，用以根據該第一比較結果，將該輸入電壓與該第二組參考電壓中相對應的一參考電壓兩者的其中之一輸出為一第二電壓；以及 <br/>一第二比較器，耦接於該第一多工器與該第二多工器，該第二比較器用以將該第一電壓與該第二電壓作比較，以產生該第二比較結果； <br/>其中當該第一多工器用以將該第一組參考電壓中相對應的該參考電壓輸出為該第一電壓時，該第二多工器用以將該輸入電壓輸出為該第二電壓；當該第一多工器用以將該輸入電壓輸出為該第一電壓時，該第二多工器用以將該第二組參考電壓中相對應的該參考電壓輸出為該第二電壓。
如請求項1所述之阻抗校準電路，其中該訊號產生電路包含： <br/>一選擇級，用以根據該第一比較結果自該第一組參考電壓與該第二組參考電壓中選取該組參考電壓，並輸出所選取之該組參考電壓； <br/>一比較級，耦接於該選擇級，該比較級用以將該輸入電壓與所選取之該組參考電壓中的每一參考電壓作比較，以產生一組第二比較結果；以及 <br/>一處理電路，耦接於該比較級，該處理電路用以處理該組第二比較結果，以產生該校準碼的第二部分。
如請求項1所述之阻抗校準電路，其中： <br/>該複數個導通路徑包含一導通路徑、一第一組導通路徑以及一第二組導通路徑； <br/>當該輸入電壓小於該複數個參考電壓中的最小電壓時，該可變阻抗電路用以啟用該導通路徑、該第一組導通路徑中的每一導通路徑以及該第二組導通路徑中的每一導通路徑；以及 <br/>當該輸入電壓大於該複數個參考電壓中的最大電壓時，該可變阻抗電路用以啟用該導通路徑、停用該第一組導通路徑中的每一導通路徑，以及停用該第二組導通路徑中的每一導通路徑。
如請求項1所述之阻抗校準電路，其中該第一組參考電壓與該第二組參考電壓中相對應的兩參考電壓的平均電壓是相等於該預定參考電壓。
一種阻抗校準方法，包含： <br/>施加一供應電壓至一可變阻抗電路的一供電端，其中複數個導通路徑並聯於該可變阻抗電路的該供電端與一輸出端之間； <br/>將一輸入電壓與一預定參考電壓作比較，以產生一第一比較結果，該第一比較結果作為一校準碼的第一部分； <br/>根據該第一比較結果將該輸入電壓與從一第一組參考電壓與一第二組參考電壓兩者中選取的一組參考電壓作比較，而據以產生該校準碼的第二部分；以及 <br/>根據該校準碼啟用該複數個導通路徑中的一個或多個導通路徑，而據以調整該輸出端的阻抗值。
如請求項12所述之阻抗校準方法，其中該第一組參考電壓中的每一參考電壓均大於該預定參考電壓，而該第二組參考電壓中的每一參考電壓均小於該預定參考電壓。
如請求項12所述之阻抗校準方法，其中該複數個導通路徑包含一導通路徑、一第一組導通路徑以及一第二組導通路徑；該導通路徑以及該第一組導通路徑中的每一導通路徑被啟用；根據該校準碼啟用該複數個導通路徑中的一個或多個導通路徑而據以調整該輸出端的阻抗值的步驟包含： <br/>當該第一比較結果指示出該輸入電壓小於該預定參考電壓時，根據該校準碼選擇性地啟用該第二組導通路徑中的至少一導通路徑；以及 <br/>當該第一比較結果指示出該輸入電壓大於該預定參考電壓時，停用該第二組導通路徑中的每一導通路徑，並根據該校準碼選擇性地停用該第一組導通路徑中的至少一導通路徑。
如請求項12所述之阻抗校準方法，其中該複數個導通路徑包含一第一導通路徑以及一第二導通路徑，而該第一導通路徑之阻抗值不同於該第二導通路徑之阻抗值；所選取之該組參考電壓包含一第一參考電壓、一第二參考電壓以及一第三參考電壓；第二參考電壓大於該第一參考電壓，而小於該第三參考電壓；根據該校準碼啟用該複數個導通路徑中的一個或多個導通路徑而據以調整該輸出端的阻抗值的步驟包含： <br/>當該輸入電壓介於該第一參考電壓與該第二參考電壓之間時，停用該第一導通路徑，而啟用該第二導通路徑；以及 <br/>當該輸入電壓介於該第二參考電壓與該第三參考電壓之間時，啟用該第一導通路徑，而停用該第二導通路徑。
如請求項15所述之阻抗校準方法，其中根據該校準碼啟用該複數個導通路徑中的一個或多個導通路徑而據以調整該輸出端的阻抗值的步驟包含： <br/>當該輸入電壓大於該第三參考電壓時，停用該第一導通路徑與該第二導通路徑。
如請求項15所述之阻抗校準方法，其中根據該校準碼啟用該複數個導通路徑中的一個或多個導通路徑而據以調整該輸出端的阻抗值的步驟包含： <br/>當該輸入電壓小於該第一參考電壓時，啟用該第一導通路徑與該第二導通路徑。
如請求項12所述之阻抗校準方法，其中該第一組參考電壓包含N個參考電壓，該第二組參考電壓包含N個參考電壓，N是大於1的整數；根據該第一比較結果將該輸入電壓與從該第一組參考電壓與該第二組參考電壓兩者中選取的一組參考電壓作比較而據以產生該校準碼的第二部分的步驟包含： <br/>將該輸入電壓與所選取之該組參考電壓中的該N個參考電壓分別作比較，據以產生N個第二比較結果；以及 <br/>處理該N個第二比較結果，以產生該校準碼的第二部分。
如請求項12所述之阻抗校準方法，其中根據該第一比較結果將該輸入電壓與從該第一組參考電壓與該第二組參考電壓兩者中選取的一組參考電壓作比較而據以產生該校準碼的第二部分的步驟包含： <br/>根據該第一比較結果自該第一組參考電壓與該第二組參考電壓中選取一組參考電壓；以及 <br/>將該輸入電壓與所選取之該組參考電壓中的每一參考電壓作比較，以產生該校準碼的第二部分。
如請求項12所述之阻抗校準方法，其中該複數個導通路徑包含一導通路徑、一第一組導通路徑以及一第二組導通路徑；根據該校準碼啟用該複數個導通路徑中的一個或多個導通路徑而據以調整該輸出端的阻抗值包含： <br/>當該輸入電壓小於該複數個參考電壓中的最小電壓時，啟用該導通路徑、該第一組導通路徑中的每一導通路徑以及該第二組導通路徑中的每一導通路徑；以及 <br/>當該輸入電壓大於該複數個參考電壓中的最大電壓時，啟用該導通路徑、停用該第一組導通路徑中的每一導通路徑，以及停用該第二組導通路徑中的每一導通路徑。
一種顯示裝置製造方法，包括：<br/> 在暫時基板上依序配置第二半導體層、發光層、第一半導體層以及第一接墊，其中所述第一接墊連接所述第一半導體層；<br/> 在所述暫時基板上依序配置膠層以及基板，其中所述膠層包括色轉換粒子且環繞所述發光層，所述基板鍵合所述第一接墊；<br/> 移除所述暫時基板； <br/> 在所述第二半導體層上配置第二接墊；以及<br/> 完成第一發光單元。
如請求項1所述的顯示裝置製造方法，還包括：<br/> 在所述第一發光單元上配置透明導電層；以及<br/> 在所述透明導電層上配置第二發光單元，其中所述透明導電層為所述第一發光單元以及所述第二發光單元的共電極層。
一種減震裝置，包括：<br/> 一第一板件；<br/> 一第二板件，間隔於該第一板件；<br/> 一復位組件，可伸縮地連接該第一板件與該第二板件且該復位組件具有一第一套管，該第一套管固設於該第一板件；<br/> 至少一阻力器，配置在該復位組件靠近該第一板件的一側； <br/> 至少一連桿組件，連接該至少一阻力器及該第二板件；以及<br/> 一固定座，圍繞配置在該第一套管，且該至少一阻力器配置在該固定座，以懸空在該第一板件與該第二板件之間，<br/> 其中，當一外力施加於該第二板件時，該第二板件適於壓縮該復位組件，同時該第二板件帶動該至少一連桿組件相對該至少一阻力器旋轉，當解除該外力時，該復位組件適於推動該第二板件上升至一初始高度，同時該第二板件帶動至少一連桿組件恢復至一初始角度。
如請求項1所述的減震裝置，其中該復位組件具有一第二套管以及一彈性件，該第二套管固設於該第二板件且可移動地穿設於該第一套管，該彈性件配置於該第一套管及該第二套管中且分別抵靠該第一板件及該第二板件。
如請求項2所述的減震裝置，其中該第一套管具有一第一空間且該第二套管具有一第二空間，該彈性件沿一軸向延伸在該第一空間及該第二空間中，該第一空間的一內徑大於該第二套管的一外徑。
如請求項2所述的減震裝置，其中該第一套管具有兩導向輪，該第二套管具有兩滑槽，該兩導向輪對向配置在該第一套管的一內壁面，該兩滑槽直線成形於該第二套管的對向兩側邊，且該兩滑槽分別可移動地套設該兩導向輪。
如請求項1所述的減震裝置，其中該至少一阻力器的數量包括有兩個，該兩阻力器分別配置在該固定座的對向兩側。
如請求項1所述的減震裝置，還包括多個鎖固件，穿設於該固定座並螺合於該第一套管。
如請求項1所述的減震裝置，其中該至少一連桿組件具有一定位塊、一傳動桿以及一阻力桿，該定位塊固設於該第二板件朝向該第一板件的一側，該傳動桿的一端固接於該定位塊，該阻力桿分別於樞接於該傳動桿的另一端與該至少一阻力器的中心。
如請求項7所述的減震裝置，其中該第二板件適於透過該定位塊帶動該傳動桿相對該阻力桿旋轉，同時該傳動桿帶動該阻力桿相對該至少一阻力器旋轉。
如請求項7所述的減震裝置，其中該至少一阻力器具有一磁流變液，該阻力桿的一轉軸穿入該至少一阻力器且接觸該磁流變液。
如請求項7所述的減震裝置，其中該至少一連桿組件的數量包括有兩個，該兩連桿組件分別位在該復位組件的對向兩側。
如請求項2所述的減震裝置，其中該彈性件採用壓縮彈簧、空氣或液體。
一種織物結構，包含：<br/> 複數第一紗線，每一該些第一紗線包含複數第一線圈；<br/> 複數第二紗線，每一該些第二紗線包含複數第二線圈，且該些第二線圈與該些第一線圈相互串套；以及<br/> 至少一固定節點，該至少一固定節點設置於相互串套的該些第一線圈中之至少一者與該些第二線圈中之至少一者之間，且用以固定該些第一線圈中之該至少一者與該些第二線圈中之該至少一者。
如請求項1所述的織物結構，其中該至少一固定節點的一數量小於等於該些第一線圈的一數量或該些第二線圈的一數量。
如請求項2所述的織物結構，其中該至少一固定節點的該數量小於等於該些第一線圈的該數量的二分之一或該些第二線圈的該數量的二分之一。
如請求項1所述的織物結構，更包含：<br/> 至少一第三紗線，該至少一第三紗線包含複數第三線圈，其中該些第三線圈交織於相互串套的該些第一線圈中之該至少一者與該些第二線圈中之該至少一者。
如請求項4所述的織物結構，其中該至少一第三紗線包含一金屬材料。
如請求項1所述的織物結構，其中該至少一固定節點包含一金屬材料。
如請求項6所述的織物結構，其中該金屬材料包含金、銀、銅、鋁、鎳、鉻、鐵或不銹鋼。
如請求項1所述的織物結構，其中每一該些第一紗線和每一該些第二紗線的至少一者包含一金屬材料。
如請求項8所述的織物結構，其中每一該些第一紗線包含聚對苯二甲醯對苯二胺、尼龍、聚丙烯或聚酯，且每一該些第二紗線包含聚對苯二甲醯對苯二胺、尼龍、聚丙烯或聚酯。
如請求項1所述的織物結構，其中每一該些第一紗線的一線徑為0.01 mm至3 mm，且每一該些第二紗線的一線徑為0.01 mm至3 mm。
一種農業智慧方舟，包括：<br/> 一密閉艙體，用以定義一可控環境以進行植物栽培，且該密閉艙體的底部配置有一可移動底座；<br/> 一感測器組，用以監測該密閉艙體內之環境條件與栽培介質狀態；<br/> 一人工智慧控制單元，與該感測器組作動連接；<br/> 多個環境控制裝置，由該人工智慧控制單元控制，該環境控制裝置至少包括一照明裝置、一灌溉裝置、及一通風裝置，以調節該密閉艙體內之環境條件；<br/> 一自動化栽培設備，用以於該密閉艙體內執行農業作業，所述農業作業包括整地、育苗、播種、施肥、採收與包裝作物；<br/> 一自主能源子系統，包括一再生能源電源及一能量儲存模組，用以使該農業智慧方舟可於無需外部電網之情況下獨立供電；<br/> 一水資源管理子系統，用以收集並回收水源供該灌溉裝置使用，並管理營養液與有機肥料之供給；<br/> 一溯源模組，配置為將與作物相關之操作與生產資料紀錄於一區塊鏈帳本，並進一步產生包含減碳憑證資訊之非同質化代幣，該非同質化代幣綁定生長條件、採收資訊、MRV測量資料雜湊、與驗證時間戳，以提供一可驗證之完整栽培歷史與碳權價值；及<br/> 一數位雙生平台模組，配置為提供該密閉艙體及其內容物之一虛擬模型，並包括一參數沙盒模組，該數位雙生平台模組配置為：<br/> 接收並即時同步來自該密閉艙體之感測器資料至該虛擬模型，並即時反映設備與作物狀態；<br/> 接收一遠端使用者所發出的環境控制參數或操作指令，並將其回寫至人工智慧控制單元以執行控制操作；以及<br/> 進行個別化栽培參數模擬、多人策略比較與貝氏最佳化演算，並可將最佳模擬參數一鍵回寫至該人工智慧控制單元。
如請求項1所述之農業智慧方舟，其中該密閉艙體包括一可攜式模組化的外殼，該外殼係以一隔熱且抗紫外線之材料構成，並包括：一可調式採光天窗、設置於該外殼上表面之至少一太陽能板、設於側壁之至少一通風口、以及設置於該密閉艙體之底部的一集水槽；並且<br/> 其中，該密閉艙體進一步包括一可伸縮柱體與快拆接合節點，使該密閉艙體可依據部署場域調整高度與外型。
如請求項1所述之農業智慧方舟，其中該再生能源電源為包括至少一光伏太陽能板，且該能量儲存模組包括一相變材料儲能模組，該相變材料儲能模組配置為於日照期間儲存熱能，並於日照不足期間向該系統供給電力。
如請求項1所述之農業智慧方舟，其中該密閉艙體包括設置於其地板下方的一集水槽，且該水資源管理子系統包括整合於包括一過濾與消毒裝置及一水質監測與調節模組，該水資源管理子系統配置為處理所收集之水源並將經處理之水供應至該灌溉裝置以重複使用。
如請求項1所述之農業智慧方舟，進一步包括一故障偵測與保護機制，該故障偵測與保護機制配置為：<br/> 透過電流感測器與振動感測器監測一水泵的運作狀態，於剩餘壽命低於預設門檻時自動切換備援泵浦；<br/> 當該照明裝置過熱時執行降載；<br/> 當人工智慧控制單元失去心跳信號時進入備援控制模式；及<br/> 於無線通訊中斷時自動切換通訊通道，並即時推播異常訊息。
如請求項1所述之農業智慧方舟，其中該感測器組包括一設置於該密閉艙體內用以擷取植物影像之攝影機，且該人工智慧控制單元更包括一基於人工智慧之影像分析模組，該影像分析模組配置為藉由分析所擷取之影像以檢測植物病害或蟲害，其中當檢測到潛在病害或蟲害時，該人工智慧控制單元會自以下措施中自動啟動至少一項對策：施放天然驅蟲劑、啟動誘蟲燈、發出超音波驅避聲波、或向遠端使用者發送警報。
如請求項1所述之農業智慧方舟，其中該水資源管理子系統進一步配置為在供應至所述灌溉裝置之灌溉液中添加一高效天然有機肥料，該高效天然有機肥料包含：魚類副產物、海藻原料、酵素與菌種之發酵產物、火山礦物粉末、腐植酸，以及海水元素。
如請求項1所述之農業智慧方舟，進一步包括一極端氣候應變機制，該極端氣候應變模組機制為根據戶外氣象資料與艙體內部感測值，偵測是否出現熱浪、颱風、長時停電、或沙塵暴的情境，並自動執行以下至少一項防護操作：關閉可調式採光天窗、開啟液冷或強通風、降載模式、鎖定可移動底座、停止自動化栽培設備的運作、切換儲能供電路徑、或進氣防塵切換。
如請求項1所述之農業智慧方舟，其中該密閉艙體之底部配置有可調傾角地腳座、錨固裝置、防水裙邊與浮力模組，並可結合鄰艙進行能資源協同調度，使其適用於多種自然地形與極端環境場域。
如請求項1所述之農業智慧方舟，其中該密閉艙體內之至少一元件包括一具卡扣式或插拔式安裝結構，所述元件包括該照明裝置及該感測器組。
一種記憶體系統，係具備有： <br/> 記憶體陣列；和 <br/> 控制器，係構成為： <br/> 當從主機裝置收訊到寫入指令時，係使第1資料藉由第1寫入方式而被寫入至前述記憶體陣列中，其中，該第1寫入方式係在讀取該第1資料時向前述主機裝置提供第1讀取傳輸時間， <br/> 當收訊到第1指令時，係使藉由前述第1寫入方式所被寫入的前述第1資料從前述記憶體陣列中而被讀出，並以第2寫入方式重新寫入至前述記憶體陣列中，其中，該第2寫入方式係在讀取前述第1資料時提供第2讀取傳輸時間，且前述第2讀取傳輸時間係小於前述第1讀取傳輸時間， <br/> 當在前述第1指令之後收訊到讀取指令時，係使藉由前述第2寫入方式所被寫入的前述第1資料被從前述記憶體陣列中讀出並被傳輸至前述主機裝置處。
如請求項1所記載之記憶體系統，其中， <br/> 前述控制器，係更進而被構成為： <br/> 當從前述主機裝置收訊到第2指令時，係使藉由前述第2寫入方式所被寫入至前述記憶體陣列中之前述第1資料被讀出，並藉由前述第1寫入方式來重新寫入至前述記憶體陣列中。
如請求項1所記載之記憶體系統，其中， <br/> 前述控制器，係更進而被構成為： <br/> 當收訊到電源OFF之指示時，係使藉由前述第2寫入方式所被寫入至前述記憶體陣列中之前述第1資料被讀出，並藉由前述第1寫入方式來重新寫入至前述記憶體陣列中。
如請求項1所記載之記憶體系統，其中， <br/> 前述記憶體陣列係針對前述第1寫入方式與前述該第2寫入方式而分別具有相異之記憶體區域。
如請求項4所記載之記憶體系統，其中， <br/> 前述控制器係被構成為維護一邏輯物理轉換表，該邏輯物理轉換表，係用以將藉由前述主機裝置所被指定的資料之邏輯位址轉換為前述記憶體陣列之物理位址。
如請求項1所記載之記憶體系統，其中， <br/> 前述控制器係被構成為維護一邏輯物理轉換表，該邏輯物理轉換表，係用以將藉由前述主機裝置所被指定的資料之邏輯位址轉換為前述記憶體陣列之物理位址，並且在依應於前述第1指令而以前述第2寫入方式重新寫入前述第1資料時，更新前述邏輯物理轉換表。
如請求項1所記載之記憶體系統，其中， <br/> 前述控制器係被構成為基於主機介面之資料傳輸速度以及前述記憶體陣列之空閒容量，來選擇前述第2寫入方式。
如請求項1所記載之記憶體系統，其中， <br/> 前述該記憶體陣列係包含有NAND型記憶體胞。
如請求項1所記載之記憶體系統，其中， <br/> 前述第2寫入方式係為單一位元層級(single-bit level)寫入方式。
如請求項1所記載之記憶體系統，其中， <br/> 前述第2寫入方式係為雙位元層級(two-bit level)寫入方式。
一種記憶體控制器，係具備有： <br/> 主機介面，係構成為與主機裝置進行通訊並從前述主機裝置接收訊號；和 <br/> 記憶體介面，係構成為與記憶體陣列進行通訊；和 <br/> 處理器，係構成為進行下述動作： <br/> 當從前述主機裝置收訊到寫入指令時，係使第1資料藉由第1寫入方式而被寫入至前述記憶體陣列中，其中，該第1寫入方式係在讀取該第1資料時向前述主機裝置提供第1讀取傳輸時間， <br/> 當收訊到第1指令時，係使藉由前述第1寫入方式所被寫入的前述第1資料從前述記憶體陣列中而被讀出，並以第2寫入方式重新寫入至前述記憶體陣列中，其中，該第2寫入方式係在讀取前述第1資料時提供第2讀取傳輸時間，且前述第2讀取傳輸時間係小於前述第1讀取傳輸時間， <br/> 當在前述第1指令之後收訊到讀取指令時，係使藉由前述第2寫入方式所被寫入的前述第1資料被從前述記憶體陣列中讀出並被傳輸至前述主機裝置處。
如請求項11所記載之記憶體控制器，其中， <br/> 前述處理器，係更進而被構成為： <br/> 當從前述主機裝置收訊到第2指令時，係使藉由前述第2寫入方式所被寫入至前述記憶體陣列中之前述第1資料被讀出，並藉由前述第1寫入方式來重新寫入至前述記憶體陣列中。
如請求項11所記載之記憶體控制器，其中， <br/> 前述處理器，係更進而被構成為管理一邏輯物理轉換表，該邏輯物理轉換表，係用以將藉由前述主機裝置所被指定的資料之邏輯位址轉換為前述記憶體陣列之物理位址。
如請求項13所記載之記憶體控制器，其中， <br/> 前述記憶體陣列，在讀取該前述第1資料時，係使用複製模式之讀出， <br/> 前述處理器，係更進而被構成為管理一第二邏輯物理轉換表，該第2邏輯物理轉換表，係追蹤有在進行重新寫入之前之前述第1資料之在前述記憶體陣列中的原始位置。
如請求項14所記載之記憶體控制器，其中， <br/> 前述處理器，係更進而被構成為： <br/> 在經由前述主機介面而從前述主機裝置收訊到第2指令或者是收訊到電源OFF通知時，更新前述邏輯物理轉換表，以將前述第1資料之邏輯位址與來自前述第二邏輯物理轉換表的原始位置相互附加關連性。
如請求項11所記載之記憶體控制器，其中， <br/> 前述第2寫入方式係為單一位元層級(single-bit level)寫入方式。
如請求項11所記載之記憶體控制器，其中， <br/> 前述記憶體控制器，係構成為基於前述主機介面之資料傳輸速度以及前述記憶體陣列之空閒容量，來設定前述第2寫入方式所對應之位元層級。
一種記憶體控制方法，係包含有： <br/> 使用第1寫入方式將第1資料寫入至記憶體陣列中之步驟，其中，該第1寫入方式係在讀取該第1資料時向主機裝置提供第1讀取傳輸時間；和 <br/> 在從主機裝置收訊到第1指令時，從前述記憶體陣列中讀取藉由前述第1指令所被指定的前述第1資料，並使用第2寫入方式而將該資料重新寫入至前述記憶體陣列中，其中，該第2寫入方式係在讀取前述第1資料時向前述主機裝置提供第2讀取傳輸時間，且該第2讀取傳輸時間係小於該第1讀取傳輸時間；和 <br/> 當在該第1指令之後而從該主機裝置收訊到讀取指令時，係使藉由前述第2寫入方式所被寫入的前述第1資料被從前述記憶體陣列中讀出，並傳輸至前述主機裝置處。
如請求項18所記載之記憶體控制方法，其中， <br/> 前述第2寫入方式係為單一位元層級(single-bit level)寫入方式。
如請求項18所記載之記憶體控制方法，其中， <br/> 前述第1寫入方式係為三位元層級(three-bit level)寫入方式或四位元層級(four-bit level)寫入方式， <br/> 前述第2寫入方式係為雙位元層級（two-bit level）寫入方式。
一種經由連接層(4)將產品基材(2)接合至載體基材(5)之方法，其中將可溶層(3)施加於該連接層(4)與該產品基材(2)間的該產品基材(2)之整個表面，其中該產品基材(2)包含複數個功能單元(6)及凸起結構(7)在該產品基材(2)之表面上，及其中 <br/>a)該可溶層(3)可因與輻射源之電磁輻射相互作用而溶解，該相互作用僅發生於UV-VIS光譜中，及 <br/>b)該連接層(4)及該載體基材(5)各自對該電磁輻射係至少主要透明的。
一種自經由連接層(4)接合至產品基材(2)之載體基材(5)去接合該產品基材(2)之方法，其中可溶層(3)施加於該連接層(4)與該產品基材(2)間的該產品基材(2)之整個表面，其中該產品基材(2)包含複數個功能單元(6)及凸起結構(7)在該產品基材(2)之表面上，及其中 <br/>a)該可溶層(3)因與輻射源之電磁輻射相互作用而溶解，該相互作用僅發生於UV-VIS光譜中，及 <br/>b)該連接層(4)及該載體基材(5)各自對該電磁輻射係至少主要透明的。
如請求項1或2之方法，其中該可溶層(3)經該電磁輻射昇華。
如請求項1或2之方法，其中該可溶層(3)係以小於10 μm之層厚度形成或施加。
一種產品基材至載體基材之複合物，其具有經由連接層(4)接合至載體基材(5)之產品基材(2)，其中可溶層(3)施加於該連接層(4)與該產品基材(2)間的該產品基材(2)之整個表面，其中該產品基材(2)包含複數個功能單元(6)及凸起結構(7)在該產品基材(2)之表面上，及其中 <br/>a)該可溶層(3)可因與輻射源之電磁輻射相互作用而溶解，該相互作用僅發生於UV-VIS光譜中，及 <br/>b)該連接層(4)及該載體基材(5)各自對透射通過該連接層(4)之該電磁輻射係至少主要透明的。
一種處理資訊之方法，其係於電子裝置中進行者，其包括如下步驟： <br/>藉由上述電子裝置，獲得與物品之訂貨請求對應之固有代碼資訊； <br/>藉由上述電子裝置，對應於上述訂貨請求，將日誌資訊與上述固有代碼資訊繫結並記錄，該日誌資訊係與自履行中心接收之上述物品之處理相關； <br/>藉由上述電子裝置，於上述物品報廢之情形時，基於上述固有代碼資訊及上述日誌資訊來判斷上述物品之報廢事由；及 <br/>藉由上述電子裝置，基於上述物品之上述報廢事由而獲得反饋資訊。
如請求項1之處理資訊之方法，其中獲得上述固有代碼資訊之步驟包括如下步驟： <br/>藉由上述電子裝置，獲得上述物品之資訊； <br/>藉由上述電子裝置，獲得與上述訂貨請求對應之時間資訊；及 <br/>藉由上述電子裝置，基於上述物品之資訊及上述時間資訊而產生上述固有代碼資訊。
如請求項2之處理資訊之方法，其中獲得上述固有代碼資訊之步驟進而包括如下步驟中之一個以上： <br/>藉由上述電子裝置，獲得接收上述物品之前存在於上述履行中心中之上述物品之預測數量資訊；及 <br/>藉由上述電子裝置，獲得接收上述物品之後之上述物品之預測銷售量資訊， <br/>上述電子裝置進而基於上述預測數量資訊及上述預測銷售量資訊中之一個以上，產生上述固有代碼資訊。
如請求項2之處理資訊之方法，其中上述物品之資訊包括如下資訊中之一個以上： <br/>上述物品之類型資訊； <br/>上述物品之生產時點資訊；及 <br/>上述物品之利用期限資訊。
如請求項1之處理資訊之方法，其中上述日誌資訊包括如下資訊中之一個以上： <br/>上述物品之生產時點資訊； <br/>上述物品之利用期限資訊； <br/>上述物品之陳列期限資訊； <br/>接收上述物品之時點資訊； <br/>卸載上述物品所需之時間資訊； <br/>陳列上述物品所需之時間資訊；及 <br/>上述物品之報廢數量資訊。
如請求項1之處理資訊之方法，其進而包括判斷上述物品是否報廢之步驟。
如請求項6之處理資訊之方法，其中判斷上述物品是否報廢之步驟包括如下步驟： <br/>藉由上述電子裝置，根據上述物品之利用期限而倒算設定之期間來確認上述物品之陳列期限；及 <br/>藉由上述電子裝置，判斷是否已超過上述陳列期限。
如請求項1之處理資訊之方法，其中判斷上述報廢事由之步驟包括如下步驟： <br/>藉由上述電子裝置，獲得按照複數個候補事由而設定之優先順序資訊；及 <br/>藉由上述電子裝置，基於上述優先順序資訊，確認上述複數個候補事由中之屬於上述報廢事由之候補事由。
如請求項8之處理資訊之方法，其中確認屬於上述報廢事由之候補事由之步驟包括如下步驟： <br/>藉由上述電子裝置，判斷第1候補事由是否屬於上述報廢事由，該第1候補事由係於未判斷是否屬於上述報廢事由之一個以上之候補事由中具有最高優先順序者；及 <br/>藉由上述電子裝置，於上述第1候補事由不屬於上述報廢事由之情形時，判斷第2候補事由是否屬於上述報廢事由，該第2候補事由係於未判斷是否屬於上述報廢事由之一個以上之候補事由中具有僅次於上述第1候補事由之優先順序者。
如請求項8之處理資訊之方法，其中上述複數個候補事由包括如下事由中之一個以上： <br/>與上述物品之品質相關之一個以上之事由； <br/>與上述物品之處理過程相關之一個以上之事由；及 <br/>與上述物品之訂貨請求數量相關之一個以上之事由。
如請求項10之處理資訊之方法，其中與上述物品之品質相關之一個以上之事由包括如下事由中之一個以上： <br/>與上述物品之生產品質相關之事由；及 <br/>與上述物品之保管品質及搬運品質相關之事由。
如請求項10之處理資訊之方法，其中與上述物品之處理過程相關之一個以上之事由包括如下事由中之一個以上： <br/>與接收上述物品之時點相關之事由； <br/>與卸載上述物品所需之時間相關之事由；及 <br/>與陳列上述物品所需之時間相關之事由。
如請求項10之處理資訊之方法，其中與上述物品之訂貨請求數量相關之一個以上之事由包括如下事由中之一個以上： <br/>與手動接收上述物品之訂貨請求數量之過程相關之事由； <br/>與用於上述物品之訂貨之單位數量相關之事由； <br/>與獲得上述物品之預測銷售量資訊相關之事由；及 <br/>與獲得在接收上述物品之前存在於上述履行中心中之上述物品之預測數量資訊相關的事由。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有用以於電腦中執行如請求項1之方法之程式。
一種電子裝置，其係處理資訊者，其包括儲存命令之記憶體及處理器， <br/>上述處理器如下： <br/>與上述記憶體連接，而獲得與物品之訂貨請求對應之固有代碼資訊； <br/>對應於上述訂貨請求，將日誌資訊與上述固有代碼資訊繫結並記錄，該日誌資訊係與自履行中心接收之上述物品之處理相關； <br/>於上述物品報廢之情形時，基於上述固有代碼資訊及上述日誌資訊來判斷上述物品之報廢事由；及 <br/>基於上述物品之上述報廢事由而獲得反饋資訊。
一種物品資訊提供方法，其係於服務伺服器中進行者，其包括： <br/>自用戶之終端接收購買請求之步驟； <br/>於對應於上述購買請求之複數個物品中確定用於選擇推薦物品之第1物品之步驟； <br/>確認與上述第1物品相關之上述推薦物品之步驟； <br/>確認上述購買請求是否滿足條件之步驟；及 <br/>於確認滿足上述條件之情形時，在實行與上述購買請求對應之結算之前，提供包括與上述第1物品相關之推薦物品清單之第1頁面的步驟。
如請求項1之物品資訊提供方法，其中確定上述第1物品之步驟包括： <br/>確認與上述複數個物品之上述第1頁面相關之轉換率的步驟；及 <br/>基於上述複數個物品之轉換率而確定上述第1物品之步驟。
如請求項1之物品資訊提供方法，其中確定上述第1物品之步驟包括： <br/>確認上述複數個物品之平均銷售單價之步驟；及 <br/>基於上述複數個物品之平均銷售單價而確定第1物品之步驟。
如請求項1之物品資訊提供方法，其中確認上述推薦物品之步驟包括： <br/>確認購買上述第1物品之複數個用戶之購買歷史之步驟；及 <br/>基於上述複數個用戶之購買歷史而確定上述推薦物品之步驟； <br/>上述複數個用戶之購買歷史包括自上述複數個用戶各自購買上述第1物品之時點於固定範圍之期間內購買之物品的資訊。
如請求項4之物品資訊提供方法，其中上述固定範圍之期間係基於上述第1物品之特性而不同地判定。
如請求項4之物品資訊提供方法，其中確定上述推薦物品之步驟包括： <br/>將上述複數個用戶之購買歷史中包括之物品中之與上述第1物品屬於同一類別且購買量為第2臨界值以上之物品確定為上述推薦物品的步驟。
如請求項1之物品資訊提供方法，其中提供上述第1頁面之步驟包括： <br/>於確認不滿足上述條件之情形時，提供指示與上述購買請求對應之上述結算之完成之第3頁面之步驟。
如請求項1之物品資訊提供方法，其中上述條件包含與上述購買請求對應之金額大於或等於第1臨界值；且 <br/>其中上述第1臨界值係基於在上述第1頁面中上述用戶之購買歷史而確定。
如請求項1之物品資訊提供方法，其進而包括： <br/>確定與上述第1頁面相關之目標類別之步驟；及 <br/>基於上述用戶之購買歷史，確認上述用戶是否與上述目標類別對應之步驟； <br/>於上述用戶與上述目標類別對應之情形時，上述第1頁面包括屬於上述目標類別之上述推薦物品清單。
如請求項9之物品資訊提供方法，其中確定上述目標類別之步驟包括： <br/>將複數個類別中之購買轉換率最高之一個以上之類別確定為上述目標類別之步驟。
如請求項9之物品資訊提供方法，其中確認上述用戶是否與上述目標類別對應之步驟包括： <br/>確認上述用戶是否最近於固定期間內購買了固定次數以上之屬於上述目標類別物品之步驟。
如請求項1之物品資訊提供方法，其中上述推薦物品清單中包括之物品中之屬於同一頁類別之物品為固定個數以下。
如請求項1之物品資訊提供方法，其中上述用戶最近於固定期間內購買之物品排除於上述推薦物品清單以外。
如請求項1之物品資訊提供方法，其進而包括： <br/>響應於與上述購買請求對應之複數個物品中之第2物品對應之上述用戶的輸入，提供包括上述第2物品之詳細資訊之第2頁面之步驟； <br/>上述第2頁面進而包括上述第2物品及上述推薦物品之組合資訊。
如請求項14之物品資訊提供方法，其中上述組合資訊係基於上述第2物品之類別清單而確定， <br/>上述類別清單包括： <br/>上述第2物品所處之第1類別； <br/>與上述第1類別之最高類別對應之第2類別；及 <br/>與上述第2類別之最低類別對應且包括上述推薦物品之第3類別； <br/>上述第1類別及上述第3類別不同。
如請求項14之物品資訊提供方法，其中上述組合資訊包括複數個組合資訊， <br/>上述物品資訊提供方法進而包括： <br/>自上述用戶之終端獲得上述複數個組合資訊中之第1組合資訊之選擇輸入的步驟； <br/>響應於上述第1組合資訊之選擇輸入，提供與上述複數個組合資訊中之第2組合資訊之比較資訊之步驟。
一種提供物品資訊之服務伺服器，其包括： <br/>收發器，其與其他裝置收發資訊；及 <br/>處理器，其對上述收發器進行控制，於對應於上述購買請求之複數個物品中確定用於選擇推薦物品之第1物品，確認與上述第1物品相關之上述推薦物品，確認上述購買請求是否滿足條件，於滿足上述條件之情形時，在實行與上述購買請求對應之結算之前，提供包括與上述第1物品相關之推薦物品清單之第1頁面。
一種非暫時性電腦可讀儲存媒體，其上儲存有用於在電腦中執行於服務伺服器中提供物品資訊之方法，該方法包括： <br/>自用戶之終端接收購買請求之步驟； <br/>於對應於上述購買請求之複數個物品中確定用於選擇推薦物品之第1物品之步驟； <br/>確認與上述第1物品相關之上述推薦物品之步驟； <br/>確認上述購買請求是否滿足條件之步驟；及 <br/>於確認滿足上述條件之情形時，在實行與上述購買請求對應之結算之前，提供包括與上述第1物品相關之推薦物品清單之第1頁面的步驟。AA
一種結合人工智慧之雞飼料自動配製系統，其特徵在於，包含：<br/> 一原料儲存模組（10），用以儲存多種動植物性飼料原料；<br/> 一成分資料輸入模組（20），用以接收並提供各飼料原料之胺基酸成分資訊；<br/> 一飼育條件設定模組（30），用以輸入雞種、日齡與飼育目標；<br/> 一人工智慧演算模組（40），用以根據由所述成分資料輸入模組（20）提供之胺基酸成分資訊，及由所述飼育條件設定模組（30）提供之飼育條件，計算各飼料原料之配比；<br/> 一控制模組（50），用以根據所述人工智慧演算模組（40）之計算結果，控制所述原料儲存模組（10）釋放相應比例之飼料原料，其中，所述原料儲存模組（10）包含六個原料儲存槽，分別為第一原料槽（11）、第二原料槽（12）、第三原料槽（13）、第四原料槽（14）、第五原料槽（15）與第六原料槽（16），各原料槽分別儲存可供混合配製之不同飼料原料，並各配置有出料閥或輸送裝置，其出料動作由所述控制模組（50）控制；<br/> 一飼料加工模組（60），用以處理所釋放之原料，並完成飼料成品之製備。
根據請求項1所述的一種結合人工智慧之雞飼料自動配製系統，其中，所述第一原料槽（11）儲存之原料於整體配方中之配比為50%，以作為飼料基底與穩定整體含水率，其餘各原料槽（12）至（16）儲存原料之配比則由所述人工智慧演算模組（40）計算決定。
根據請求項1所述的一種結合人工智慧之雞飼料自動配製系統，其中各原料槽所儲存原料提供不同胺基酸來源與機能組成，包含至少一種植物性蛋白來源、至少一種動物性蛋白來源、以及至少一種水分調整與顆粒結構改善之成分，供所述人工智慧演算模組（40）用以計算胺基酸平衡配方。
根據請求項1所述的一種結合人工智慧之雞飼料自動配製系統，其中所述控制模組（50）根據人工智慧演算模組（40）所計算之各原料配比，控制所述六個原料槽（11～16）之出料動作，並確保各原料依比例混入所述飼料加工模組（60）。
根據請求項1所述的一種結合人工智慧之雞飼料自動配製系統，其中所述飼料加工模組（60）包含一攪拌混合槽（61）與一擠粒裝置（62），該攪拌混合槽（61）用以充分混合來自各原料槽之原料，該擠粒裝置（62）依據所述飼育條件設定模組（30）之雞隻日齡調整擠出口模具尺寸，以形成對應飼料顆粒。
根據請求項1所述的一種結合人工智慧之雞飼料自動配製系統，其中所述人工智慧演算模組（40）於進行原料配比演算時，參考所述六個原料槽所儲原料之胺基酸含量與類別，並根據輸入之雞種、日齡與生產目標，輸出胺基酸平衡化配方。
根據請求項1所述的一種結合人工智慧之雞飼料自動配製系統，其中所述人工智慧演算模組（40）能針對不同飼育目的輸出差異化飼料配方，至少包含蛋雞與肉雞、或成雞與雛雞兩組胺基酸配置明顯不同之配方結果。
根據請求項1所述的一種結合人工智慧之雞飼料自動配製系統，其中所述飼料加工模組（60）進一步包含一發酵模組（63），用以先行發酵特定植物性原料以提升其可吸收之胺基酸比例。
根據請求項1所述的一種結合人工智慧之雞飼料自動配製系統，其中，進一步包含一資料回饋模組（70），用以收集飼育成果或增重指標資料，並提供至所述人工智慧演算模組（40）進行模型改善修正。
一種點滴升降控制系統，包含：<br/>一桿體，具有一懸掛部以懸掛一點滴；<br/>一高度感測器，設置於該桿體上，該高度感測器係用以感測懸掛於該懸掛部上之該點滴與地面間之一垂直距離，以產生一點滴高度訊號；<br/>一手部感測器，環繞於一使用者之一手腕，該手部感測器係用以根據該使用者者之該手腕的高度產生一手部高度訊號；<br/>一訊號處理模組，設置於該桿體並訊號連接該高度感測器以及該手部感測器以接收該點滴高度訊號及該手部高度訊號，該訊號處理模組係用以根據該點滴高度訊號以及該手部高度訊號產生一升降指示；以及<br/>一升降調節模組，設置於該桿體，連接該訊號處理模組，用以根據該升降指示驅動該桿體之該懸掛部上下移動。
如請求項1之點滴升降控制系統，其中該手部感測器係用以感測一手腕起始位置以及一手腕當前位置，並根據該手腕起始位置以及該手腕當前位置間之差異產生該手部高度訊號，並且該手部感測器進一步用以感測該手腕的姿勢，以產生一手部追蹤訊號，該手部追蹤訊號包含一手腕旋轉角度以及一手腕移動軌跡。
如請求項2之點滴升降控制系統，其中該手部感測器進一步包含一三軸加速度感測器以及一三軸角速度感測器，係用以根據該使用者之該手腕於X、Y、Z三軸向之一旋轉速度以及一加速度產生該手部追蹤訊號。
如請求項2之點滴升降控制系統，其中該升降指示進一步包含一上升指示，當該手腕當前位置高於該手腕起始位置時，該訊號處理模組用以根據該手腕起始位置與該手腕當前位置之間之一垂直距離產生該上升指示至該升降調節模組以使該升降調節模組調升該懸掛部。
如請求項2之點滴升降控制系統，其中該升降指示進一步包含一下降指示，當該手腕當前位置低於該手腕起始位置時，該訊號處理模組用以根據該手腕起始位置與該手腕當前位置之間之一垂直距離產生該下降指示至該升降調節模組以使該升降調節模組調降該懸掛部。
如請求項2之點滴升降控制系統，進一步包含一流速感測器，係設置於該點滴之一輸液管中並連接該訊號處理模組，用以感測該點滴之一點滴流速以產生一點滴流速訊號，該訊號處理模組用以根據該手部追蹤訊號以及該點滴流速訊號產生一警告指示。
如請求項6之點滴升降控制系統，其中該訊號處理模組連接一行動裝置中之一應用程式，以於該行動裝置顯示該點滴高度訊號、該手部高度訊號、該手部追蹤訊號、該升降指示以及該警告指示。
如請求項2之點滴升降控制系統，其中該訊號處理模組進一步包含一通訊單元，該通訊單元係藉由無線通訊技術與該手部感測器配對，並接受自該手部感測器之該手部追蹤訊號以及該手部高度訊號。
如請求項1之點滴升降控制系統，其中該高度感測器係一紅外線感測器，並且該紅外線感測器之高度對準該點滴之底部的高度。
如請求項1之點滴升降控制系統，其中該訊號處理模組進一步包含一識別單元，該手部感測器進一步包含一標籤識別碼，該識別單元係藉由讀取該標籤識別碼與該手部感測器配對，以識別該手部感測器。
一種消防噴管，其包含一噴管組件、一高壓氣瓶及一電磁閥，其中： <br/>該噴管組件包含一管體、一管塞及一活塞，該管體具有一儲存段及一輸出段，該儲存段的前端形成有一輸入端口，該輸出段係連接該儲存段的後端，該輸出段與該儲存段內部構成連通該輸入端口的一儲存腔室，且該輸出段銜接一噴嘴，該輸出段的內徑係自鄰近該儲存段的一端朝該噴嘴方向尺寸漸縮，所述噴嘴係連通該儲存腔室，該管塞係設置於該管體上並封閉該噴嘴，該活塞能線性移動地設置於該管體的儲存段內，且該活塞具有一單向閥，該單向閥能控制流體從該輸入端口單向流通至該儲存腔室，該儲存腔室內部填充有滅火流體； <br/>該高壓氣瓶內部裝填有高壓氣體，所述高壓氣體為不可燃氣體；以及 <br/>該電磁閥係連通該高壓氣瓶及該管體的輸入端口，並能控制該高壓氣瓶與該輸入端口之間的連接與否。
如請求項1所述之消防噴管，其中該噴嘴的內徑係自鄰近該輸出段的一端朝另一端尺寸漸增。
如請求項1或2所述之消防噴管，其中該活塞包含一塞套，該塞套係能線性移動地設置於該管體內，且該塞套內部形成貫通之一通道，該單向閥係設置於該塞套的通道內。
如請求項3所述之消防噴管，其中該單向閥包含一止逆件及一復位彈簧，該止逆件能移動地設置於該塞套的通道內，該復位彈簧係設置於該塞套的通道內，且該復位彈簧的二端係分別抵接該塞套及該止逆件，使該止逆件能單向封閉該通道。
一種拆卸工具，其用於拆卸或安裝輪轂之螺栓；該拆卸工具包含：<br/> 一第一工具件；<br/> 一第二工具件，其與該第一工具件間隔設置；<br/> 兩導引件，其兩端分別連接於該第一工具件與該第二工具件；<br/> 一第一接合件，其相對設於該第一工具件之一側且與該兩導引件之一端鎖固；<br/> 一第二接合件，其相對設於該第二工具件之一側且與該兩導引件之另一端鎖固；以及<br/> 一操作組，其可拆離式地選擇安裝於該第一工具件或該第二工具件，其中，當該第一工具件抵於該螺栓之一端，該第二工具件卡接於該螺栓之另一端時，施以外力驅動該操作組轉動，使該操作組之一端抵推該第一工具件或該第二工具件，促使該第一工具件或該第二工具件沿該兩導引件之軸向朝另一方靠近。
如請求項1所述之拆卸工具，其中，該操作組具有一基座及一作動件，該基座能夠與該第一接合件或該第二接合件連接，該基座貫穿設有一作動孔，該作動件能夠相對繞該兩導引件之軸向轉動穿設於該基座之該作動孔，該作動件之一端抵接於該第一工具件或該第二工具件。
如請求項2所述之拆卸工具，其中，該第一接合件貫穿設有一第一固定孔，該第二接合件貫穿設有一第二固定孔；該操作組之該基座能夠螺鎖於該第一固定孔或該第二固定孔。
如請求項2或3所述之拆卸工具，其中，該作動件具有相反設置之一相接端及一作用端，該相接端能夠連接一驅動工具，該作用端能夠抵接該第一工具件或該第二工具件。
如請求項4所述之拆卸工具，其中，該作用端凹設一容置槽，該容置槽內設有一鋼珠，該鋼珠能抵接該第一工具件或該第二工具件。
如請求項1或2所述之拆卸工具，其中，該兩導引件分別設有一復位件，該復位件之兩端能抵接於該第一工具件與該第二工具件。
如請求項6所述之拆卸工具，其中，該第二工具件之相對兩側邊凹設有一卡槽，該兩卡槽能卡接於該輪轂之該螺栓。
如請求項7所述之拆卸工具，其中，該第一工具件具有相反設置之一第一連接面及一第一承接面；該第二工具件具有相反設置之一第二連接面及一第二承接面，該第一承接面朝向該第二承接面，該操作組能夠抵接於該第一連接面或該第二連接面。
如請求項8所述之拆卸工具，其中，該第一承接面凹設有一抵槽，該螺栓之一端抵接於該抵槽。
一種碎解混合塑膠中聚乳酸之方法，其包含下列步驟：<br/> (a) 提供OD600值大於0.5至小於2.5的克勞氏芽孢桿菌液；<br/> (b) 將該克勞氏芽孢桿菌液、鹼性溶液與含有聚乳酸的混合塑膠混合在一起，形成待碎解混合物，該鹼性溶液的pH值為pH 8至pH 12；及<br/> (c) 將該待碎解混合物置於25℃至55℃的環境中，並使該鹼性溶液的pH值維持在pH 8至pH 12，使該克勞氏芽孢桿菌將該混合塑膠中之聚乳酸碎解為多個聚乳酸碎塊。
如請求項1所述之方法，其中，在(b)步驟中，該鹼性溶液的pH值為pH 10至pH 12。
如請求項2所述之方法，其中，在(c)步驟中，將該待碎解混合物置於30℃至55℃的環境中。
如請求項3所述之方法，更包含下列步驟：<br/> (d1) 在該克勞氏芽孢桿菌將該混合塑膠中之聚乳酸碎解為該等聚乳酸碎塊之後，從該混合塑膠中分離出含有該等聚乳酸碎塊之多個混合塑膠碎塊，將該等混合塑膠碎塊與pH 10至pH 13的鹼液混合，並使該鹼性溶液的pH值維持在pH 10至pH 13，以90℃至110℃對該混合塑膠進行加熱，以將該聚乳酸碎塊降解為乳酸單體或乳酸鹽。
如請求項3所述之方法，其中，更包含下列步驟：<br/> (d2) 在該克勞氏芽孢桿菌將該混合塑膠中之聚乳酸碎解為該等聚乳酸碎塊之後，從該混合塑膠中分離出含有該等聚乳酸碎塊之多個混合塑膠碎塊，將該等混合塑膠碎塊與醇類溶液混合，以140℃至200℃對該混合塑膠進行加熱，以將該聚乳酸碎塊降解為乳酸單體或乳酸鹽。
如請求項1所述之方法，其中，在(c)步驟中，將該待碎解混合物置於30℃至55℃的環境中。
如請求項1所述之方法，更包含下列步驟：<br/> (d1) 在該克勞氏芽孢桿菌將該混合塑膠中之聚乳酸碎解為該等聚乳酸碎塊之後，從該混合塑膠中分離出含有該等聚乳酸碎塊之多個混合塑膠碎塊，將該等混合塑膠碎塊與pH 10至pH 13的鹼液混合，以90℃至110℃對該混合塑膠進行加熱，並使該鹼性溶液的pH值維持在pH 10至pH 13，以將該聚乳酸碎塊降解為乳酸單體或乳酸鹽。
如請求項1所述之方法，其中，更包含下列步驟：<br/> (d2) 在該克勞氏芽孢桿菌將該混合塑膠中之聚乳酸碎解為該等聚乳酸碎塊之後，從該混合塑膠中分離出含有該等聚乳酸碎塊之多個混合塑膠碎塊，將該等混合塑膠碎塊與醇類溶液混合，以140℃至200℃對該混合塑膠進行加熱，以將該聚乳酸碎塊降解為乳酸單體或乳酸鹽。
一種導拉輪組構造，包含：<br/> 一本體，具有相對的下表面與上表面，在該下表面具有向下延伸的一結合部，該上表面具有一支持座，該支持座具有一軸，該軸的二端各用以支持一滑輪定位旋轉，該本體另具有貫穿該下表面與該上表面的一槽孔，該槽孔的二側係各具有至少一軸孔；及<br/> 一抵接輪，具有一中心孔用以穿設於一軸桿，該軸桿結合在該槽孔的二側該至少一軸孔，使該抵接輪依該軸桿在該槽孔定位旋轉，該抵接輪的外周面係凸出在該本體的該上表面。
如請求項1之導拉輪組構造，其中，該槽孔二側的該軸孔中心係相對的位於同一中心線上。
如請求項1之導拉輪組構造，其中，該本體係具有至少一定位孔，該定位孔用以供一螺件通過。
如請求項1之導拉輪組構造，其中，該槽孔的二側係各具有二軸孔，且該二軸孔各在一軸座部之中。
如請求項4之導拉輪組構造，其中，該軸座部局部凸出在該本體的上表面。
如請求項4之導拉輪組構造，其中，該槽孔二側的該二軸孔係各穿設一軸桿，該二軸桿係各具有一抵接輪。
如請求項6之導拉輪組構造，其中，該二抵接輪成分開的具有一間距。
如請求項7之導拉輪組構造，其中，該滑輪與該二抵接輪垂直向投影在一水平面時，該二滑輪的中心線係位於該二抵接輪之間。
一種碳纖維複合材料骨科器材之加工製程，<br/> 備置碳纖維及樹脂，該樹脂包含聚醚醚酮、聚醚酮酮、熱塑性聚氨酯或其組合，並透過含浸製程將兩者形成碳纖維強化複合材料；<br/> 將該碳纖維強化複合材料形成碳纖維強化複合材料捲帶；<br/> 裁切該碳纖維強化複合材料捲帶部分，以形成複數層狀材質；<br/> 堆疊該複數層狀材質；<br/> 將該堆疊後複數層狀材質置入模具機；<br/> 以該模具機將該堆疊後複數層狀材質形成一初始體；其中形成該初始體的熱壓參數包含壓力：1 ~ 200 kg/cm²、溫度: 100 ~ 500 度C、時間: 5~120分鐘。
如請求項1之碳纖維複合材料骨科器材之加工製程，其中將該初始體加工形成該碳纖維複合材料骨科器材。
如請求項1或2之碳纖維複合材料骨科器材之加工製程，其中該複數層狀材質包含複數方向性。
如請求項3之碳纖維複合材料骨科器材之加工製程，其中該複數層狀材質包含上部與下部，該上部方向性與該下部方向性為鏡像關係。
如請求項4之碳纖維複合材料骨科器材之加工製程，其中該下部方向性包含0度、90度、45度、負45度。
如請求項5之碳纖維複合材料骨科器材之加工製程，其中該上部方向性包含負45度、45度、90度、0度。
如請求項4之碳纖維複合材料骨科器材之加工製程，其中該複數層狀材質具有複數方向性，包含0度、90度、45度、負45度、負45度、45度、90度、0度。
如請求項1或2之碳纖維複合材料骨科器材之加工製程，其中該碳纖維複合材料骨科器材包含骨板、髓內釘、椎間融合器、人工膝關節襯墊、人工髖關節襯墊。
如請求項2之碳纖維複合材料骨科器材之加工製程，其中該加工工具包含金剛石刀具、硬質合金刀具、聚晶鑽石刀具、硬質合金立銑刀、鑽石塗層鋼刀具。
如請求項2之碳纖維複合材料骨科器材之加工製程，其中該加工參數包含:切削速度: 10 ~ 300 m/min，進給速度: 0.01 ~ 0.09 mm/rev，主軸轉速: 1000 ~ 20000 RPM，加工切削液包含水溶性切削液。
如請求項1之碳纖維複合材料骨科器材之加工製程，其中該碳纖維強化複合材料包含連續碳纖維混合30%~70%聚醚醚酮、連續碳纖維混合30%~70%聚醚酮酮，或連續碳纖維混合30%~70%熱塑性聚氨酯。
一種聚合物膜，該聚合物膜具有第一表面及第二表面，其中該第一表面及該第二表面分別具有0.30至5.50的峰度Sku（kurtosis）、以及6.0%至17.0%的界面展開面積比Sdr（developed interfacial area ratio），其中Sku與Sdr的定義係依據ISO 25178-2:2012，<br/> 其中該第一表面之Sku值與該第二表面之Sku值的差值的絕對值係小於2，該第一表面之Sdr值與該第二表面之Sdr值的差值的絕對值係小於2%，以及<br/> 其中該聚合物膜係包含聚乙烯醇縮醛（polyvinylacetal）以及塑化劑。
如請求項1所述之聚合物膜，其中該聚合物膜係包含聚（乙烯醇縮丁醛）（poly(vinyl butyral)）。
如請求項1或2所述之聚合物膜，其中以100重量份之聚乙烯醇縮醛計，該塑化劑的含量為30重量份至70重量份。
如請求項1或2所述之聚合物膜，其中該聚合物膜之玻璃轉移溫度（glass transition temperature，Tg）為0°C至30°C。
一種夾層玻璃，其依序包含第一玻璃片、中間膜及第二玻璃片，其中該中間膜係由如請求項1至4中任一項所述之聚合物膜所提供。
一種混合封裝晶片，包括：一基板層，設置在該基板層上方的一中介層，一用於執行集成運算的運算區塊，一用於執行輔助功能的功能區塊：<br/> 其中，所述運算區塊與所述功能區塊基於不同的製程技術製成，且基於不同的封裝技術堆疊設置在所述中介層上，所述功能區塊和所述運算區塊通過所述中介層互聯；<br/> 所述運算區塊的運算功能要求高於所述功能區塊的運算功能要求；<br/> 所述運算區塊基於3D封裝技術堆疊設置在所述中介層上，所述功能區塊基於2.5D封裝技術堆疊設置在所述中介層上。
如請求項1所述的混合封裝晶片，其中，與所述運算區塊和所述功能區塊的功能相匹配的製程技術與所述運算區塊和所述功能區塊的第一性能需求正相關；<br/> 所述第一性能需求包括以下至少一種：速率需求、功耗需求、頻寬需求。
如請求項1所述的混合封裝晶片，其中，與所述運算區塊和所述功能區塊的功能相匹配的封裝技術與所述運算區塊和所述功能區塊的第二性能需求正相關；<br/> 所述第二性能需求包括以下至少一種：速率需求、頻寬需求。
如請求項1所述的混合封裝晶片，其中，所述功能區塊包括以下的一種或多種：<br/> 一用於執行晶片控制的控制區塊；一用於執行晶片測試的測試區塊；一用於提供I/O介面的介面區塊。
如請求項1所述的混合封裝晶片，其中，所述中介層為一倒T型中介層；<br/> 所述倒T型中介層包括設置在基板層上側的主體部和沿多個運算區塊的堆疊方向設置的分支部；<br/> 所述多個運算區塊堆疊設置在主體部的上側，且所述多個運算區塊中的每一個橫向延伸連接至所述分支部，所述多個運算區塊中的每一個到所述分支部的路線長度一致。
一種混合封裝晶片製造方法，包括：<br/> 在基板層上方生成一中介層；<br/> 基於不同的製程技術和不同的封裝技術在所述中介層上方堆疊設置一運算區塊和一功能區塊；<br/> 通過所述中介層將所述功能區塊和所述運算區塊互聯；<br/> 所述運算區塊的運算功能要求高於所述功能區塊的運算功能要求，所述運算區塊基於3D封裝技術堆疊設置在所述中介層上，所述功能區塊基於2.5D封裝技術堆疊設置在所述中介層上。
一種服務伺服器之資訊提供方法，其包括如下步驟： <br/>確認物品之第1期間內之預測訂單數量資訊； <br/>將上述預測訂單數量資訊提供至與上述物品之供應商相關聯之伺服器； <br/>自與上述供應商相關聯之伺服器接收上述物品之交貨計劃資訊； <br/>基於上述預測訂單數量資訊及上述交貨計劃資訊，產生上述物品之購買訂單資訊；及 <br/>將上述購買訂單資訊提供至與上述供應商相關聯之伺服器； <br/>其中，上述交貨計劃資訊包括上述第1期間內每週之可交貨數量； <br/>其中，接收上述交貨計劃資訊之步驟還包括： <br/>確認於上述第1期間內上述可交貨數量為0之週； <br/>於上述第1期間存在可交貨數量為0之週之情形時，向與上述供應商相關聯之伺服器傳輸上述週之上述可交貨數量為0之確認請求。
如請求項1之服務伺服器之資訊提供方法，還包括： <br/>基於一個以上之供應商之交貨歷史，確定上述一個以上之供應商中之接受上述預測訂單數量資訊之上述供應商。
如請求項2之服務伺服器之資訊提供方法，其中確定接受上述預測訂單數量資訊之供應商之步驟包括： <br/>基於上述一個以上之供應商之交貨歷史來計算與上述服務伺服器相關聯之銷售損失；及 <br/>基於上述銷售損失來確定接受上述預測訂單數量資訊之上述供應商。
如請求項1之服務伺服器之資訊提供方法，其中上述第1期間係基於與上述供應商相關聯之上述物品之前置時間來確定。
如請求項1之服務伺服器之資訊提供方法，其中上述購買訂單資訊包括上述物品之前置時間以後之第2期間之上述物品的購買訂單。
如請求項5之服務伺服器之資訊提供方法，其中上述前置時間與上述第2期間之和處於上述第1期間內。
如請求項1之服務伺服器之資訊提供方法，其中， <br/>上述預測訂單數量資訊包括今後第1期間內每週之預測訂單數量；及 <br/>上述服務伺服器之資訊提供方法還包括： <br/>於上述可交貨數量小於上述預測訂單數量之週係固定期間以上之情形時，向與上述供應商相關聯之伺服器請求增加上述可交貨數量。
如請求項1之服務伺服器之資訊提供方法，其中，產生上述購買訂單資訊之步驟包括： <br/>確認與上述供應商相關聯之目標訂單量 <br/>基於上述預測訂單數量資訊，確定用以滿足上述目標訂單量之上述物品之追加訂單量；及 <br/>考慮上述追加訂單量而產生上述購買訂單資訊。
如請求項8之服務伺服器之資訊提供方法，其中確定上述物品之追加訂單量之步驟包括： <br/>基於上述供應商提供之複數個物品之基本庫存量來確定追加上述複數個物品之訂單量之優先順序；及 <br/>基於上述優先順序來確定上述物品之追加訂單量。
如請求項8之服務伺服器之資訊提供方法，其中上述追加訂單量被設定為上述物品之保管天數不超過固定期間。
一種提供資訊之服務伺服器，其包括： <br/>記憶體，其儲存至少一個命令；及 <br/>處理器，其係組態為藉由執行上述至少一個命令而實行： <br/>確認物品之第1期間內之預測訂單數量資訊； <br/>將上述預測訂單數量資訊提供至與上述物品之供應商相關聯之伺服器； <br/>自與上述供應商相關聯之伺服器接收上述物品之交貨計劃資訊； <br/>基於上述預測訂單數量資訊及上述交貨計劃資訊，產生上述物品之購買訂單資訊；及 <br/>將上述購買訂單資訊提供至與上述供應商相關聯之伺服器； <br/>其中，上述交貨計劃資訊包括上述第1期間內每週之可交貨數量； <br/>其中，接收上述交貨計劃資訊之步驟還包括： <br/>確認於上述第1期間內上述可交貨數量為0之週； <br/>於上述第1期間存在可交貨數量為0之週之情形時，向與上述供應商相關聯之伺服器傳輸上述週之上述可交貨數量為0之確認請求。
一種非暫時性電腦可讀儲存媒體， <br/>其包括以儲存電腦可讀命令之方式構成之媒體， <br/>於上述電腦可讀命令藉由處理器而執行之情形時，使得上述處理器實行服務伺服器之資訊提供方法，該方法包括如下步驟： <br/>確認物品之第1期間內之預測訂單數量資訊； <br/>將上述預測訂單數量資訊提供至與上述物品之供應商相關聯之伺服器； <br/>自與上述供應商相關聯之伺服器接收上述物品之交貨計劃資訊； <br/>基於上述預測訂單數量資訊及上述交貨計劃資訊，產生上述物品之購買訂單資訊；及 <br/>將上述購買訂單資訊提供至與上述供應商相關聯之伺服器； <br/>其中，上述交貨計劃資訊包括上述第1期間內每週之可交貨數量； <br/>其中，接收上述交貨計劃資訊之步驟還包括： <br/>確認於上述第1期間內上述可交貨數量為0之週； <br/>於上述第1期間存在可交貨數量為0之週之情形時，向與上述供應商相關聯之伺服器傳輸上述週之上述可交貨數量為0之確認請求。
一種用於三維反及元件之字元線接點形成的方法，包括： <br/>提供包括第一多個交替的第一層與第二層的第一膜堆疊； <br/>在所述第一膜堆疊中形成第一多個接觸開口，其中所述第一多個接觸開口中的每一接觸開口被相對於所述第一膜堆疊的上表面形成至不同的蝕刻深度； <br/>在所述第一多個接觸開口內形成犧牲間隙填充件； <br/>在所述第一膜堆疊的所述上表面頂上形成第二膜堆疊，其中所述第二膜堆疊包括第二多個交替的第一層與第二層； <br/>在所述第二膜堆疊中形成第二多個接觸開口，其中所述第二多個接觸開口中的第一組接觸開口延伸至所述犧牲間隙填充件； <br/>自所述第一多個接觸開口移除所述犧牲間隙填充件；以及 <br/>在所述第一多個接觸開口及所述第二多個接觸開口內沈積第二導電材料以形成多個字元線接點，其中在所述多個字元線接點中的一或多個的所述第二導電材料內形成空隙。
如請求項1所述的用於三維反及元件之字元線接點形成的方法，更包括： <br/>在所述第二膜堆疊之上沈積襯墊，所述在所述第二膜堆疊之上沈積所述襯墊包括在所述第一多個接觸開口及所述第二多個接觸開口中的每一接觸開口內沈積所述襯墊； <br/>移除所述第一膜堆疊的所述第一層及所述第二膜堆疊的所述第一層以在所述第一膜堆疊及所述第二膜堆疊中形成多個字元線開口； <br/>藉由在所述多個字元線開口內沈積第一導電材料來形成多個字元線； <br/>自所述第一多個接觸開口及所述第二多個接觸開口的底部移除所述襯墊；以及 <br/>自所述第一多個接觸開口及所述第二多個接觸開口的所述底部移除所述襯墊之後，在所述第一多個接觸開口及所述第二多個接觸開口內沈積所述第二導電材料以形成所述多個字元線接點。
如請求項2所述的用於三維反及元件之字元線接點形成的方法，其中自所述第一多個接觸開口及所述第二多個接觸開口的所述底部移除所述襯墊，而不自所述第一多個接觸開口及所述第二多個接觸開口中的每一接觸開口的側壁移除所述襯墊。
如請求項2所述的用於三維反及元件之字元線接點形成的方法，其中形成所述第二多個接觸開口包括： <br/>穿過所述第二膜堆疊蝕刻出所述第一組接觸開口以暴露出所述犧牲間隙填充件的上表面；以及 <br/>與所述第一組接觸開口相鄰地形成第二組接觸開口，其中所述第二組接觸開口中的每一者被相對於所述第二膜堆疊的上表面形成至不同的蝕刻深度。
如請求項1所述的用於三維反及元件之字元線接點形成的方法，其中在所述第一多個接觸開口及所述第二多個接觸開口內沈積所述第二導電材料以形成所述多個字元線接點包括在所述第一多個接觸開口及所述第二多個接觸開口內沈積鎢，且其中所述多個字元線接點中的每一者延伸至所述第二膜堆疊的上表面。
如請求項1所述的用於三維反及元件之字元線接點形成的方法，其中在所述第一膜堆疊中形成所述第一多個接觸開口包括： <br/>穿過第一遮罩層圖案化出第一組開口； <br/>穿過所述第一組開口蝕刻出所述第一多個接觸開口中的第一組接觸開口； <br/>穿過第二遮罩層圖案化出第二組開口，其中所述第二組開口中的一個開口與所述第一組接觸開口中的一個接觸開口對準； <br/>穿過所述第二組開口蝕刻出所述第一多個接觸開口中的第二組接觸開口； <br/>穿過第三遮罩層圖案化出第三組開口，其中所述第三遮罩層形成於所述第一組接觸開口及所述第二組接觸開口之上；以及 <br/>穿過所述第三組開口蝕刻出所述第一多個接觸開口中的第三組接觸開口。
如請求項6所述的用於三維反及元件之字元線接點形成的方法，其中所述第一組接觸開口的第一深度小於所述第二組接觸開口的第二深度，且其中所述第二組接觸開口的所述第二深度小於所述第三組接觸開口的第三深度。
如請求項1所述的用於三維反及元件之字元線接點形成的方法，其中所述第一多個交替的第一層與第二層中的所述第一層以及所述第二多個交替的第一層與第二層中的所述第一層是氧化矽，且其中所述第一多個交替的第一層與第二層中的所述第二層以及所述第二多個交替的第一層與第二層中的所述第二層是氮化矽。
如請求項1所述的用於三維反及元件之字元線接點形成的方法，其中所述第一膜堆疊中的所述第一多個接觸開口中的每一接觸開口具有第一直徑，其中所述第二膜堆疊中的所述第二多個接觸開口中的每一接觸開口具有第二直徑，且其中所述第一直徑大於所述第二直徑。
一種用於三維反及元件之直接字元線接點形成的系統，包括： <br/>處理器； <br/>記憶體，儲存能夠由所述處理器執行以進行以下操作的指令： <br/>提供包括第一多個交替的第一層與第二層的第一膜堆疊； <br/>在所述第一膜堆疊中形成第一多個接觸開口，其中所述第一多個接觸開口中的每一接觸開口被相對於所述第一膜堆疊的上表面形成至不同的蝕刻深度； <br/>在所述第一多個接觸開口內形成犧牲間隙填充件； <br/>在所述第一膜堆疊的所述上表面頂上形成第二膜堆疊，其中所述第二膜堆疊包括第二多個交替的第一層與第二層； <br/>在所述第二膜堆疊中形成第二多個接觸開口，其中所述第二多個接觸開口中的第一組接觸開口延伸至所述犧牲間隙填充件； <br/>自所述第一多個接觸開口移除所述犧牲間隙填充件；以及 <br/>在所述第一多個接觸開口及所述第二多個接觸開口內沈積第二導電材料以形成多個字元線接點，其中在所述多個字元線接點中的一或多個的所述第二導電材料內形成空隙。
如請求項10所述的用於三維反及元件之直接字元線接點形成的系統，更包括能夠由所述處理器執行以進行以下操作的指令： <br/>在所述第二膜堆疊之上沈積襯墊，所述在所述第二膜堆疊之上沈積所述襯墊包括在所述第一多個接觸開口及所述第二多個接觸開口中的每一接觸開口內沈積所述襯墊； <br/>移除所述第一膜堆疊的所述第一層及所述第二膜堆疊的所述第一層以在所述第一膜堆疊及所述第二膜堆疊中形成多個字元線開口； <br/>藉由在所述多個字元線開口內沈積第一導電材料來形成多個字元線； <br/>自所述第一多個接觸開口及所述第二多個接觸開口的底部移除所述襯墊；以及 <br/>自所述第一多個接觸開口及所述第二多個接觸開口的所述底部移除所述襯墊之後，在所述第一多個接觸開口及所述第二多個接觸開口內沈積所述第二導電材料以形成所述多個字元線接點。
如請求項11所述的用於三維反及元件之直接字元線接點形成的系統，其中自所述第一多個接觸開口及所述第二多個接觸開口的所述底部移除所述襯墊，而不自所述第一多個接觸開口及所述第二多個接觸開口中的每一接觸開口的側壁移除所述襯墊。
如請求項10所述的用於三維反及元件之直接字元線接點形成的系統，能夠由所述處理器執行以在所述第一膜堆疊中形成所述第一多個接觸開口的所述指令更包括用於進行以下操作的指令： <br/>穿過第一遮罩層圖案化出第一組開口； <br/>穿過所述第一組開口蝕刻出所述第一多個接觸開口中的第一組接觸開口； <br/>穿過第二遮罩層圖案化出第二組開口，其中所述第二組開口中的一個開口與所述第一組接觸開口中的一個接觸開口對準； <br/>穿過所述第二組開口蝕刻出所述第一多個接觸開口中的第二組接觸開口； <br/>穿過第三遮罩層圖案化出第三組開口，其中所述第三遮罩層形成於所述第一組接觸開口及所述第二組接觸開口之上；以及 <br/>穿過所述第三組開口蝕刻出所述第一多個接觸開口中的第三組接觸開口。
如請求項13所述的用於三維反及元件之直接字元線接點形成的系統，其中所述第一組接觸開口的第一深度小於所述第二組接觸開口的第二深度，且其中所述第二組接觸開口的所述第二深度小於所述第三組接觸開口的第三深度。
如請求項10所述的用於三維反及元件之直接字元線接點形成的系統，其中所述第一膜堆疊中的所述第一多個接觸開口中的每一接觸開口具有第一直徑，其中所述第二膜堆疊中的所述第二多個接觸開口中的每一接觸開口具有第二直徑，且其中所述第一直徑大於所述第二直徑。
如請求項10所述的用於三維反及元件之直接字元線接點形成的系統，其中能夠由所述處理器執行以形成所述第二多個接觸開口的所述指令更包括用於進行以下操作的指令： <br/>穿過所述第二膜堆疊蝕刻出所述第一組接觸開口以暴露出所述犧牲間隙填充件的上表面；以及 <br/>與所述第一組接觸開口相鄰地形成第二組接觸開口，其中所述第二組接觸開口中的每一者被相對於所述第二膜堆疊的上表面形成至不同的蝕刻深度。
一種記憶體元件，包括： <br/>層堆疊，包括第一膜堆疊及第二膜堆疊，其中所述層堆疊包括在水平方向上定向的多個交替的第一層與字元線； <br/>第一多個接觸開口及第二多個接觸開口，在垂直方向上經由所述第一膜堆疊及所述第二膜堆疊形成，其中所述第一多個接觸開口及所述第二多個接觸開口中的每一接觸開口延伸至所述層堆疊的上表面，且其中所述第一多個接觸開口及所述第二多個接觸開口中的每一接觸開口被相對於所述層堆疊的所述上表面形成至不同的蝕刻深度；以及 <br/>多個字元線接點，形成於所述第一多個接觸開口及所述第二多個接觸開口中的每一接觸開口內，其中在所述多個字元線接點中的一或多個內形成空隙。
如請求項17所述的記憶體元件，更包括沿著所述第一多個接觸開口及所述第二多個接觸開口中的每一接觸開口的側壁形成的襯墊。
如請求項17所述的記憶體元件，其中所述第一多個接觸開口中的每一接觸開口具有第一直徑，其中所述第二多個接觸開口中的每一接觸開口具有第二直徑，且其中所述第一直徑大於所述第二直徑。
如請求項17所述的記憶體元件，其中所述層堆疊的所述第一層是介電材料，其中所述字元線是第一導電材料，其中所述多個字元線接點是第二導電材料，且其中所述第一導電材料與所述第二導電材料彼此直接接觸。
一種隔震橡膠疊層體用橡膠組成物，其使用於隔震橡膠疊層體的橡膠層，<br/> 含有下述(A)~(C)成分，(B)成分相對於100質量份的(A)成分之含量為10~30質量份；<br/> (A)成分：異戊二烯橡膠及丁二烯橡膠的至少一者<br/> (B)成分：分子量300~900的己二酸酯系塑化劑<br/> (C)成分：DBP吸油量為100ml/100g以上、碘吸附量為150mg/g以上、且氮吸附比表面積為140m<sup>2</sup>/g以上的碳黑。
如請求項1之隔震橡膠疊層體用橡膠組成物，其中，該(C)成分的含量，相對於100質量份的該(A)成分為30~150質量份。
如請求項1或2之隔震橡膠疊層體用橡膠組成物，其含有異戊二烯橡膠作為該(A)成分，該異戊二烯橡膠的含量相對於該隔震橡膠疊層體用橡膠組成物中含有之橡膠成分的總量為70質量%以上。
一種隔震橡膠疊層體，其具有由如請求項1至3中任一項之隔震橡膠疊層體用橡膠組成物構成之橡膠層、及由金屬板構成之層。
一種球拍運動比賽自動計分系統，包含：<br/> 影像擷取模組，設置於一球拍運動球場以俯視的方式對該球拍運動球場的球體物件、球員物件及球場邊界進行擷取而取得包括球體物件即時影像、球員物件即時影像及球場邊界影像的球場即時影像；<br/> 資訊處理模組，連接於該影像擷取模組並且對該球場即時影像進行物件辨識，該資訊處理模組包括球體追蹤子模組、球員追蹤子模組、球場邊界座標辨識子模組及得分判定子模組，其中該球體追蹤子模組對該球場即時影像中的該球體物件進行追蹤，以取得含有球體飛行軌跡及球體落點的球體運動追蹤資訊，該球員追蹤子模組對該球場即時影像中的該球員物件進行追蹤，以取得含有球員位置及球員擊球動作的球員運動追蹤資訊，該球場邊界座標辨識子模組對該球場即時影像中的包括端線、邊線、前發球線、後發球線、中線、球網及球柱的該球場邊界進行辨識而取得球場邊界座標資訊，該得分判定子模組，根據該球體運動追蹤資訊及該球員運動追蹤資訊，並且基於該球場邊界座標資訊進行判斷而取得一得分判定結果，該得分判定結果包括球體落點出界判定結果、擊網判定結果、觸及地面前被擊回判定結果、違反擊球順序判定結果；以及<br/> 計分顯示模組，連接於該資訊處理模組，根據該得分判定結果而將所對應的得分內容予以顯示。
如請求項1所述之球拍運動比賽自動計分系統，其中該球員物件即時影像包括球員物件的手部之位置、腳部之位置、球拍之位置及由該手部之姿勢、該腳部之姿勢及該球拍之角度所構成的整體擊球姿勢。
如請求項1所述之球拍運動比賽自動計分系統，其中該球體追蹤子模組追蹤該球體物件的角動量及加速度而取得該球體運動追蹤資訊。
如請求項1所述之球拍運動比賽自動計分系統，其中該球體追蹤子模組藉由卷積神經網路進行該球體物件的影像追蹤、起點及落點的追蹤。
如請求項1所述之球拍運動比賽自動計分系統，更包含環景攝影模組，該環景攝影模組連接於該資訊處理模組並且設置於球拍運動球場的周圍，該環景攝影模組以側視的方式對該球拍運動球場攝影而獲得比賽影像內容。
如請求項1所述之球拍運動比賽自動計分系統，更包含播報模組，該播報模組連接於該資訊處理模組，根據該得分判定結果而將所對應的得分結果內容予以透過聲音的方式進行播報。
如請求項1所述之球拍運動比賽自動計分系統，更包含通訊模組，該通訊模組連接於該資訊處理模組，將該得分判定結果予以傳輸至外部裝置，而將所對應的得分結果予以顯示於該外部裝置。
如請求項5所述之球拍運動比賽自動計分系統，更包含收音模組，該收音模組連接於該資訊處理模組並且收集該球拍運動球場的擊球聲音及球員吶喊聲而獲得比賽聲音內容，該資訊處理模組根據該比賽影像內容及該比賽聲音內容而進行比賽事件的判斷並且獲得精彩鏡頭影音內容。
如請求項8所述之球拍運動比賽自動計分系統，更包含多媒體顯示模組，該多媒體顯示模組連接於該資訊處理模組並且顯示該得分內容、該比賽影像內容、該比賽聲音內容及該精彩鏡頭影音內容。
如請求項1所述之球拍運動比賽自動計分系統，其中該球體物件為選自羽球、匹克球、網球、桌球、壁球、羽牆球、帕德爾球所構成的群組中的其中一種。
一種保鮮裝置警報通知方法，包含： <br/> 提供一保鮮裝置，該保鮮裝置包含一本體及一控制模組，該本體具有連通外部空間之一容室，該容室供放置一保鮮劑，該控制模組包含至少一感測單元及一控制器；<br/> 該至少一感測單元感測外部空間之環境資訊並輸出一感測訊號，該至少一感測單元包含一含氧量感測器，該感測訊號包含一環境含氧量數值，當該含氧量感測器於複數預定時間區間所偵測之複數個含氧量數值皆高於一預定含氧量數值時，該控制模組發出一警示訊號；當該含氧量感測器於複數預定時間區間所偵測之複數個含氧量數值中，若僅其中一預定時間區間所偵測之含氧量數值高於該預定含氧量數值、或最後偵測之預定時間區間所偵測之含氧量數值低於該預定含氧量數值時，該控制模組則不發出或停止發出該警示訊號。
如請求項1所述之保鮮裝置警報通知方法，其中該至少一感測單元包含一溫度感測器，該感測訊號包含一環境溫度數值。
如請求項1所述之保鮮裝置警報通知方法，其中該至少一感測單元包含一濕度感測器，該感測訊號包含一環境濕度數值。
如請求項1所述之保鮮裝置警報通知方法，其中該保鮮裝置包含一藍芽模組，該藍芽模組及該控制器電性連接，該控制模組包含至少一感測單元，該控制器控制該藍芽模組每隔一時間區間發出一該感測訊號。
如請求項1所述之保鮮裝置警報通知方法，包含提供一提示裝置與該控制模組電性連接，該控制模組之該至少一感測單元感測外部空間之環境資訊並透過該提示裝置顯示該環境資訊。
如請求項5所述之保鮮裝置警報通知方法，其中該提示裝置能依據該控制模組感測之環境資訊顯示一影像提示、一聲音提示或一燈光提示。
如請求項5所述之保鮮裝置警報通知方法，其中該控制器與該提示裝置電性連接，一行動裝置能透過一藍芽模組傳送一內容物資訊至該控制器，該控制器控制該提示裝置顯示該內容物資訊。
如請求項7所述之保鮮裝置警報通知方法，其中該內容物資訊包含內容物期限，當該內容物期限過期時該控制器控制該提示裝置顯示一過期警示訊號。
一種重力發電裝置，包括：<br/> 一基座，供固定於一設置面；<br/> 一動力單元，包括一傳動軸、一滑軌及一驅動體，該傳動軸可轉動地設於該基座，該滑軌固設於該基座且沿該傳動軸之一轉動軸線螺旋環繞於該傳動軸之外周，該驅動體可藉由重力沿該滑軌滑移並帶動該傳動軸轉動；及<br/> 一發電機，包括一與該傳動軸同步轉動地連接之輸入軸，該發電機用以將該輸入軸之轉動動能轉換為電能；<br/> 其中，該滑軌靠近該設置面之一出口端設有一擋件，該擋件可相對該滑軌移動於一擋止位置與一閃避位置之間；當該擋件位於該擋止位置時，該擋件可卡擋自該滑軌滑落至該出口端之該驅動體；當該擋件位於該閃避位置時，該驅動體與該擋件不相干涉且可脫離該滑軌。
如請求項1所述的重力發電裝置，其中該傳動軸及該驅動體其中一者設有至少一卡凸、另一者設有至少一卡凹，該至少一卡凸與該至少一卡凹於該驅動體之一移動路徑上相干涉卡接。
如請求項2所述的重力發電裝置，其中該傳動軸之外周面徑向凸設有複數該卡凸，各該卡凸平行於該轉動軸線延伸，該驅動體面向該傳動軸之一側凹設有一該卡凹。
如請求項1所述的重力發電裝置，其中該滑軌包括一導向面，該驅動體包括一對應於該滑軌成弧形延伸之卡槽及複數可轉動且位於該卡槽內之滾輪，該複數滾輪可接觸連接該導向面。
如請求項3所述的重力發電裝置，其中該滑軌包括一導向面，該驅動體包括一對應於該滑軌成弧形延伸之卡槽及複數可轉動且位於該卡槽內之滾輪，該複數滾輪可接觸連接該導向面；該驅動體另包括位於該卡凹內之二滾珠，該二滾珠可抵接於一該卡凸之相對二側；該基座包括複數等角分布之支柱，該滑軌相對於該導向面之一側設有一支撐板，該支撐板徑向朝外突出於該導向面且連接於該複數支柱。
一種玻璃纖維，作為玻璃組成，以質量%計含有SiO<sub>2</sub> 50%～80%、Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 0%～20%、B<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 18%～30%、MgO 0%～6%、CaO 0%～5%、SrO 0%～1%、Li<sub>2</sub>O 0%～2%、Na<sub>2</sub>O 0%～3%、K<sub>2</sub>O 0%～3%、Ti<sub>2</sub>O 0%～6%、ZrO<sub>2</sub> 0%～0.2%、Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 0.0001%～0.5%、SnO<sub>2</sub> 0%～0.5%、MoO<sub>3</sub> 0.01%～500 ppm， <br/>MoO<sub>3</sub>、Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Pt及Rh的總量為0.01 ppm～500 ppm，且 <br/>TiO<sub>2</sub>（質量%）×MoO<sub>3</sub>（ppm）的值為3100以下， <br/>藉由{（Pt+Rh）/（Pt+Rh+MoO<sub>3</sub>+Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>）}×100（%）而計算出的值為0.01%～99%， <br/>β-OH值為0.3/mm以上，0.8/mm以下。
如請求項1所述的玻璃纖維，其中，在壁厚1 mm下，波長300 nm下的總光線透過率為70%以下，波長400 nm～800 nm下的最小總光線透過率為50%以上。
如請求項1或2所述的玻璃纖維，其中，25℃、40 GHz下的介電常數為6以下，介電損耗角正切為0.011以下。
如請求項1或2所述的玻璃纖維，其中，紡絲溫度為1450℃以下。
如請求項1或2所述的玻璃纖維，作為玻璃組成，以質量%計含有Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 0.0001%～0.15%、Pt 0.01 ppm～100 ppm。
一種開瓶器扳手結構，其係包括：<br/> 一本體，該本體依序設有一第一端、一第一柄部、一第二端、一第二柄部及一第三端，該第一端、該第二端及該第三端具有相同之厚度或不同厚度，該第一柄部及該第二柄部具有相同厚度或不同厚度，該第一端、該第二端及該第三端相對該第一柄部及該第二柄部具有不同厚度差，該第一端、該第二端及該第三端之厚度大於該第一柄部及該第二柄部之厚度，該第一端、該第一柄部、該第二端、該第二柄部及該第三端之間係形成不同寬度，該第三端左、右二側最寬處具有最大之寬度；<br/> 該本體設有一中軸線，該本體相對該中軸線呈相對稱狀，該中軸線即為該本體之中心線；<br/> 該第一端設有一第一套合部，該第一套合部係具開瓶功效，該第一套合部係設有一第一六角槽，該第一六角槽係具有六虛擬第一邊面，該第一套合部係設有一開口，該開口係使該第一六角槽呈開口槽狀，二個相對之該第一邊面之間之距離係大於該開口之寬度之距離，該第一套合部近槽底處設有一第二六角槽，該第二六角槽之規格係小於該第一六角槽之規格；<br/> 該第二端設有一第三套合部，該第三端設有一第五套合部；<br/> 該第一端之上側面係設有一第一面，該第一端之下側面係設有一第一底面；該第一柄部之上側面係設有一第二面，該第一柄部之下側面係設有一第二底面；該第二端上側面設有一第三面，該第二端下側面設有一第三底面；該第二柄部上側面係設有一第四面，該第二柄部之下側面係設有一第四底面；該第三端之上側面係設有一第五面，該第三端之下側面係設有一第五底面；<br/> 該本體之上側處係依序設有該第一面、該第二面、該第三面、該第四面及該第五面；該本體之下側處係依序設有該第一底面、該第二底面、該第三底面、該第四底面及該第五底面。
如請求項1所述之開瓶器扳手結構，其中，該第一柄部與該第一端相連設，該第一柄部略呈長方體狀，該第二端連設該第一柄部，該第一柄部設於該第一端與該第二端之間，該第二端呈多角體狀，該第二柄部與該第二端相連設，該第二柄部係由該第二端往該第三端處呈漸大狀，該第二端係設於該第一柄部及該第二柄部之間，該第三端係連設該第二柄部，該第三端呈六角體狀。
如請求項1所述之開瓶器扳手結構，其中，六個虛擬該第一邊面相對該中軸線係均呈非平行狀，該第二六角槽與該第一六角槽係呈相通狀，亦即該第二六角槽與該第一六角槽之間係有部分相重疊，該第二六角槽係具有六虛擬第二邊面，其中二個相對虛擬該第二邊面係與該中軸線呈相平行。
如請求項1所述之開瓶器扳手結構，其中，該第一柄部係設有一第二套合部，該第二套合部呈四角槽、六角槽或多角槽狀，該第三套合部呈六角槽或多角槽狀，該第二柄部係設有一第四套合部，該第四套合部略呈ㄇ形開口槽狀，該第五套合部呈六角槽狀、多角槽狀或圓槽狀，該第五套合部之規格大於該第三套合部之規格。
如請求項1所述之開瓶器扳手結構，其中，該第一面係呈平面狀或弧面狀，該第一底面係呈平面狀或弧面狀，該第一面及該第一底面相對該中軸線係呈相對稱狀；該第二面係呈平面狀或弧面狀，該第二底面係呈平面狀或弧面狀，該第二面及該第二底面相對該中軸線係呈相對稱狀；該第三面呈平面狀，該第三面外觀略呈六角面狀，該第三底面呈平面狀或弧面狀，該第三面及該第三底面相對中軸線呈相對稱狀；該第四面係呈平面狀或弧面狀，該第四底面係呈平面狀或弧面狀，該第四面與該第四底面相對該中軸線係呈相對稱狀。
如請求項1所述之開瓶器扳手結構，其中，該第三端之上側面係設有一第五面，該第五面係呈平面狀或弧面狀，該第三端之下側面係設有一第五底面，該第五底面係呈平面狀或弧面狀，該第五面及該第五底面相對該中軸線係呈相對稱狀。
如請求項1所述之開瓶器扳手結構，其中，以二維方式觀之，該第一面與該第一底面之間係具有一第一距離，該第二面與該第二底面之間係具有一第二距離，該第三面與該第三底面之間係具有一第三距離，該第四面與該第四底面之間係具有一第四距離，該第五面與該第五底面之間係具有一第五距離；該第一距離、該第三距離與該第五距離三者之數值係相當接近或相同、該第二距離與該第四距離二者之數值係相當接近或相同。
如請求項7所述之開瓶器扳手結構，其中，該第一柄部斷面略呈十字狀，使該第一柄部係具有該第二距離、一第一長度、一第二長度及一第三長度，該第一距離之數值係大於該第一長度之數值，該第二長度之數值大於該第三長度之數值。
如請求項7所述之開瓶器扳手結構，其中，該第二柄部斷面略呈十字狀，使該第二柄部具有該第四距離、一第四長度、一第五長度及一第六長度，該第四距離之數值大於該第四長度之數值，該第五長度之數值大於該第六長度之數值。
如請求項1所述之開瓶器扳手結構，其中，設有一第一工具，該第一工具呈多角體狀，該第一工具與該第三套合部相套設，設有一第二工具，該第二工具一端呈多角體狀，該第二工具係與該第五套合部相套設。
如請求項4所述之開瓶器扳手結構，其中，該第二套合部係呈六角槽狀，該第五套合部係呈圓槽體狀。
如請求項1所述之開瓶器扳手結構，其中，該第三端增設一第六套合部，該第六套合部係呈六角槽狀，該第六套合部與該第五套合部係部分重疊，該第六套合部與該第五套合部係呈相通狀。
一種由以下化學式1表示之化合物或其醫藥上可接受之鹽， [化學式1] <br/><img align="absmiddle" height="51px" width="60px" file="ed10285.jpg" alt="ed10285.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>於化學式1中， <br/>Y<sub>1</sub>係單鍵、C<sub>1-4</sub>伸烷基或C<sub>1-4</sub>鹵伸烷基， <br/>R<sub>1</sub>係C<sub>1-10</sub>烷基、C<sub>1-10</sub>烷氧基、C<sub>3-10</sub>環烷基、C<sub>6-20</sub>芳基、含N的6員雜芳基、四氫呋喃基或四氫哌喃基， <br/>其中R<sub>1</sub>未經取代或經一或多個選自由以下者組成的群組的取代基取代：鹵素、氰基、羥基、C<sub>1-4</sub>烷基及C<sub>1-4</sub>鹵烷基， <br/>A係吡唑環， <br/>R<sub>2</sub>各自獨立地係氫、鹵素、氰基、C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>1-4</sub>鹵烷基、C<sub>1-4</sub>烷氧基、C<sub>1-4</sub>鹵烷氧基或-CONH(C<sub>1-4</sub>烷基)， <br/>k係1或2， <br/>Y<sub>2</sub>係單鍵、-O-或-O-(C<sub>1-4</sub>伸烷基)， <br/>L係由以下化學式2a至2k表示的連接基中之任一者， <br/><img align="absmiddle" height="112px" width="137px" file="ed10286.jpg" alt="ed10286.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>於化學式2a至2k中， <br/>n係0、1、2或3， <br/>Z各自獨立地係鹵素、C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>1-4</sub>鹵烷基、C<sub>1-4</sub>烷氧基或C<sub>1-4</sub>鹵烷氧基， <br/>a各自獨立地係0、1或2， <br/>L’係亞甲基、伸乙基或亞甲基-O-亞甲基， <br/>v及w各自獨立地係0、1或2， <br/>條件為v+w係自0至3的整數， <br/>p至s各自獨立地係0、1、2、3或4， <br/>條件為p+q及r+s各自獨立地係自2至4的整數， <br/>*意指連接至化學式1中的Y<sub>2</sub>的點，且 <br/>X係CO或SO<sub>2</sub><br/>R<sub>3</sub>係C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>2-4</sub>烯基或C<sub>2-4</sub>炔基， <br/>其中R<sub>3</sub>未經取代或經一或多個選自由以下者組成的群組的取代基取代：鹵素、NH<sub>2</sub>、NH(C<sub>1-4</sub>烷基)及N(C<sub>1-4</sub>烷基)<sub>2</sub>。
如請求項1之化合物或其醫藥上可接受之鹽，其中： <br/>Y<sub>1</sub>係單鍵、亞甲基或伸乙基。
如請求項1之化合物或其醫藥上可接受之鹽，其中： <br/>R<sub>1</sub>係甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、正戊基、異戊基、正己基、異己基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、環丙基、環丁基、環戊基、環己基、苯基、吡啶基、四氫呋喃基或四氫哌喃基， <br/>其中R<sub>1</sub>未經取代或經1至3個選自由以下者組成的群組的取代基取代：氯基、氟基、氰基、羥基、甲基、單氟甲基、二氟甲基及三氟甲基。
如請求項1之化合物或其醫藥上可接受之鹽，其中： <br/>R<sub>2</sub>係氫、氯基、氟基、氰基、甲基、乙基、單氟甲基、二氟甲基、三氟甲基、甲氧基或-CONH(甲基)。
如請求項1之化合物或其醫藥上可接受之鹽，其中： <br/>Y<sub>2</sub>係單鍵、-O-或-O-(亞甲基)。
如請求項1之化合物或其醫藥上可接受之鹽，其中： <br/>當Y<sub>2</sub>係單鍵時，L係由化學式2a至2g表示的連接基中之任一者。
如請求項1之化合物或其醫藥上可接受之鹽，其中： <br/>當Y<sub>2</sub>係-O-或-O-(C<sub>1-4</sub>伸烷基)時，L係由化學式2h至2k表示的連接基中之任一者。
如請求項1之化合物或其醫藥上可接受之鹽，其中： <br/>L係任一選自由以下者表示的基的連接基： <br/><img align="absmiddle" height="169px" width="142px" file="ed10287.jpg" alt="ed10287.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中， <br/>Z及a係如請求項1中定義，且 <br/>*意指連接至化學式1中的Y<sub>2</sub>的點。
如請求項1之化合物或其醫藥上可接受之鹽，其中： <br/>Z係氯基、氟基、甲基或甲氧基。
如請求項1之化合物或其醫藥上可接受之鹽，其中： <br/>R<sub>3</sub>係-CH<sub>3</sub>、-CH=CH<sub>2</sub>、-CH=CHCH<sub>3</sub>、-C≡CH或-C≡CCH<sub>3</sub>， <br/>其中R<sub>3</sub>未經取代或經一或二個選自由以下者組成的群組的取代基取代：氯基、氟基、NH<sub>2</sub>、NH(甲基)及N(甲基)<sub>2</sub>。
如請求項1之化合物或其醫藥上可接受之鹽，其中： <br/>該由化學式1表示的化合物係由以下化學式1-1至1-3中之任一者表示： <br/>[化學式1-1] <br/><img align="absmiddle" height="51px" width="60px" file="ed10288.jpg" alt="ed10288.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式1-2] <br/><img align="absmiddle" height="51px" width="66px" file="ed10289.jpg" alt="ed10289.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式1-3] <br/><img align="absmiddle" height="51px" width="63px" file="ed10290.jpg" alt="ed10290.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>於化學式1-1至1-3中， <br/>R’<sub>2</sub>係鹵素、氰基、C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>1-4</sub>鹵烷基、C<sub>1-4</sub>烷氧基、C<sub>1-4</sub>鹵烷氧基或-CONH(C<sub>1-4</sub>烷基)， <br/>Y<sub>1</sub>、R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>、Y<sub>2</sub>、L及R<sub>3</sub>係如請求項1中定義。
如請求項1之化合物或其醫藥上可接受之鹽，其中： <br/>該由化學式1表示的化合物係選自由以下者組成的群組的任一者： <br/>192) (S)-1-(3-((6-((1H-吡唑-3-基)胺基)-1-異丙基-1H-吡咯并[3,2-c]吡啶-4-基)氧基)吡咯啶-1-基)丙-2-烯-1-酮、 <br/>193) (S)-1-(3-((1-異丙基-6-((1-甲基-1H-吡唑-3-基)胺基)-1H-吡咯并[3,2-c]吡啶-4-基)氧基)吡咯啶-1-基)丙-2-烯-1-酮、 <br/>194) (S)-1-(3-((1-異丙基-6-((5-甲基-1H-吡唑-3-基)胺基)-1H-吡咯并[3,2-c]吡啶-4-基)氧基)吡咯啶-1-基)丙-2-烯-1-酮、 <br/>195) 1-((3R,4S)-3-((6-((1H-吡唑-3-基)胺基)-1-異丁基-1H-吡咯并[3,2-c]吡啶-4-基)氧基)-4-氟吡咯啶-1-基)丙-2-烯-1-酮、 <br/>196) 1-((3S,4R)-3-氟-4-((1-異丁基-6-((5-甲基-1H-吡唑-3-基)胺基)-1H-吡咯并[3,2-c]吡啶-4-基)氧基)吡咯啶-1-基)丙-2-烯-1-酮，及 <br/>197) 1-((3S,4R)-3-氟-4-((1-異丁基-6-((1-甲基-1H-吡唑-3-基)胺基)-1H-吡咯并[3,2-c]吡啶-4-基)氧基)吡咯啶-1-基)丙-2-烯-1-酮。
一種醫藥組成物，其包含如請求項1至12中之任一項之化合物或其醫藥上可接受的鹽作為活性成分。
一種醫藥組成物，其係用於治療發炎性疾病、自體免疫疾病或癌症，其包含如請求項1至12中之任一項之化合物或其醫藥上可接受的鹽作為活性成分。
一種製作半導體元件的方法，其特徵在於，包含：<br/> 將一第一晶圓接合至一第二晶圓，其中該第一晶圓以及該第二晶圓之間包含一第一空隙；<br/> 形成一填充層填滿該第一空隙，其中該第一晶圓包含一第一基底，一第一金屬間介電層設於該第一基底上，以及一第一混合鍵結設於該第一金屬間介電層內；以及<br/> 形成一保護層環繞該第一晶圓以及該第二晶圓。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第二晶圓包含：<br/> 一第二基底；<br/> 一第二金屬間介電層設於該第二基底上；以及<br/> 一第二混合鍵結設於該第二金屬間介電層內。
如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該第一空隙暴露該第一金屬間介電層以及該第二金屬間介電層。
如申請專利範圍第2項所述之方法，另包含：<br/> 形成一第二空隙於該第一晶圓以及該第二晶圓之間；以及<br/> 形成該填充層填滿該第一空隙以及該第二空隙。
如申請專利範圍第4項所述之方法，其中該第二空隙暴露該第一金屬間介電層以及該第二金屬間介電層。
如申請專利範圍第1項所述之方法，另包含形成該保護層於該填充層、該第一晶圓以及該第二晶圓上。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該填充層包含一有機層。
一種半導體元件，其特徵在於，包含：<br/> 一第一晶圓接合至一第二晶圓，其中該第一晶圓以及該第二晶圓之間包含一第一空隙，其中該第一晶圓包含一第一基底，一第一金屬間介電層設於該第一基底上，以及一第一混合鍵結設於該第一金屬間介電層內；<br/> 一填充層填滿該第一空隙；以及<br/> 一保護層環繞該第一晶圓以及該第二晶圓。
如申請專利範圍第8項所述之半導體元件，其中該第二晶圓包含：<br/> 一第二基底；<br/> 一第二金屬間介電層設於該第二基底上；以及<br/> 一第二混合鍵結設於該第二金屬間介電層內。
如申請專利範圍第9項所述之半導體元件，其中該第一空隙暴露該第一金屬間介電層以及該第二金屬間介電層。
如申請專利範圍第9項所述之半導體元件，另包含：<br/> 一第二空隙設於該第一晶圓以及該第二晶圓之間；以及<br/> 該填充層填滿該第一空隙以及該第二空隙。
如申請專利範圍第11項所述之半導體元件，其中該第二空隙暴露該第一金屬間介電層以及該第二金屬間介電層。
如申請專利範圍第8項所述之半導體元件，另包含：<br/> 該保護層設於該填充層、該第一晶圓以及該第二晶圓上。
如申請專利範圍第8項所述之半導體元件，其中該填充層包含一有機層。
一種字線的製造方法，包括：<br/> 在一基板中形成一第一溝槽；<br/> 在該基板和該第一溝槽上共形地形成一第一介電層；<br/> 側向蝕刻該第一溝槽的一頂部及部分該第一介電層，以形成該第一溝槽的一第一拓寬部及一第一介電結構；<br/> 在該第一介電結構及該第一拓寬部上共形地形成一第二介電結構；以及<br/> 在該第二介電結構中形成一第一字線結構。
如請求項1所述之製造方法，進一步包括：<br/> 在該基板中形成一摻雜區域，其中該摻雜區域毗鄰該第一字線結構。
如請求項1所述之製造方法，其中該第一拓寬部具有上寬下窄的一梯形截面特徵。
如請求項1所述之製造方法，其中形成該第一字線結構包括：<br/> 形成一第一導電結構及位於該第一導電結構上的一第二導電結構，其中該第一導電結構及該第二導電結構包括不同的導電材料。
如請求項1所述之製造方法，更包括在該第一字線結構上形成一第一絕緣帽蓋，其中該第一絕緣帽蓋包括：<br/> 一基部；以及<br/> 一外擴頂部，設置於該基部之上。
如請求項1所述之製造方法，其中該第二介電結構包括一漏斗狀頂部。
一種字線的製造方法，包括：<br/> 在一基板中形成一第二溝槽；<br/> 側向蝕刻該第二溝槽的一頂部並形成該第二溝槽的一第二拓寬部；<br/> 在該第二溝槽及該第二拓寬部中共形地形成一第三介電結構；以及<br/> 在該第三介電結構中形成一第二字線結構。
如請求項7所述之製造方法，進一步包括：<br/> 在該基板中形成一摻雜區域，其中該摻雜區域毗鄰該第二字線結構。
如請求項7所述之製造方法，其中形成該第二字線結構包括：<br/> 形成一第三導電結構及位於該第三導電結構上的一第四導電結構，其中該第三導電結構及該第四導電結構包括不同的導電材料。
如請求項7所述之製造方法，更包括在該第二字線結構上形成一第二絕緣帽蓋，其中該第二絕緣帽蓋包括：<br/> 一基部；以及<br/> 一外擴頂部，設置於該基部之上。
如請求項7所述之製造方法，其中該第二拓寬部具有上寬下窄的一梯形截面特徵。
如請求項7所述之製造方法，其中該第三介電結構包括一漏斗狀頂部。
一種半導體裝置，包括：<br/> 一基板；<br/> 一第一字線結構，設置於該基板中；<br/> 一第一介電結構，呈筒狀並設置於該基板與該第一字線結構之間；<br/> 一摻雜區域，設置於該基板中，並毗鄰該第一字線結構；以及<br/> 一第一絕緣帽蓋，設置於該第一字線結構之上，其中該第一絕緣帽蓋包括：<br/> 一基部；以及<br/> 一外擴頂部，設置於該基部之上。
如請求項13所述之半導體裝置，更包括一第二介電結構，其中該第二介電結構設置於該第一介電結構及該第一字線結構之間，該第二介電結構為筒狀並具有一漏斗狀頂部。
如請求項14所述之半導體裝置，更包括該第二介電結構的該漏斗狀頂部從該第一介電結構內延伸至該第一介電結構外。
一種抑制M0型巨噬細胞向M1型巨噬細胞極化之方法，包含以下步驟： <br/>(a) M0 型巨噬細胞之製備：將人類單核白血球細胞(THP-1)以450000–550000 個/mL的密度，於含有胎牛血清、2-巰基乙醇與佛波醇-12-十四烷醯-13-乙酸酯 (PMA)之 RPMI 培養基中培養 48 小時，誘導分化為 M0 型巨噬細胞，其中，所述PMA之濃度為80 ng/mL–120 ng/mL； <br/>(b) 人類脂肪來源間質幹細胞之預培養：先將人類脂肪來源間質幹細胞以50000–70000 個/cm²的密度，於含有人類血小板裂解液(hPL)與肝素之α-MEM + GlutaMAX培養基中預培養48小時； <br/>(c) 非接觸式共培養：以滲透膜孔徑為0.3 µm–0.5 µm之細胞小室培養盤，將步驟(a)中之 M0 型巨噬細胞與步驟(b)中預培養後之人類脂肪來源間質幹細胞，於含有干擾素-γ與脂多醣之RPMI培養基中進行68-76小時之非接觸式共培養，其中，所述干擾素-γ之濃度為12 ng/mL–18 ng/mL，及所述脂多醣之濃度為90 ng/mL–110 ng/mL；及 <br/>(d) 於步驟(c)後，量測共培養後巨噬細胞表面CD80中位螢光強度(MFI)，其中所述CD80中位螢光強度相對於未調控之M1組降低40%至60%。
如請求項1所述之方法，其中，所述M0 型巨噬細胞之製備步驟中，所述胎牛血清之體積百分比為 8%–12%；及所述2-巰基乙醇之莫耳濃度為 0.04 mM–0.06 mM。
如請求項1所述之方法，其中，所述人類脂肪來源間質幹細胞之預培養步驟中，所述人類血小板裂解液(hPL)之體積百分比為 5%–10%；及 <br/>所述肝素之體積百分比為 0.02%–0.04%，且所述肝素之初始濃度為5000 U/mL。
如請求項1所述之方法，其中，所述PMA之濃度為100 ng/mL，所述干擾素-γ之濃度為 15 ng/mL，及所述脂多醣之濃度為 100 ng/mL。
一種人類真皮纖維母細胞之體外培養方法，包括以下步驟：(a)將豬脂肪來源之間質幹細胞培養於添加胎牛血清與慶大黴素之DMEM/F12培養基中，收集其上清液，得到條件式培養基；(b)將人類真皮纖維母細胞培養於包含步驟(a)所述條件式培養基之培養液中；其中步驟(a)所述豬脂肪來源間質幹細胞之細胞密度為3500至4500個/cm<sup>2</sup>；其中所述DMEM/F12培養基中，所述胎牛血清之體積百分比含量為18%至22%，所述慶大黴素之終濃度為0.2mg/mL-0.28mg/mL；其中步驟(a)所述豬脂肪來源間質幹細胞之培養傳代數不超過7代；其中步驟(b)所述人類真皮纖維母細胞之細胞密度為7900至31600個/cm<sup>2</sup>；其中步驟(b)所述培養液中，步驟(a)所述條件式培養基之體積百分比含量為10%至25%。
如請求項1所述的培養方法，其中步驟(a)所述豬脂肪來源間質幹細胞之培養時間為48至168小時。
如請求項1所述的培養方法，其中步驟(b)所述人類真皮纖維母細胞之培養時間為40至96小時。
如請求項1所述的培養方法，其中步驟(b)所述人類真皮纖維母細胞為第4代至第6代細胞。
一種影像擷取裝置，包含：<br/> 一鏡頭模組，具有一光軸；<br/> 一感測模組，設置於該鏡頭模組之一端且對齊該光軸；以及<br/> 一光圈模組，設置於該光軸，該光圈模組包含：<br/> 一液晶層；<br/> 成對配向膜，分別設置於該液晶層之兩側，各該配向膜之內側面包含複數溝槽，其一該配向膜之該複數溝槽垂直於另一該配向膜之該複數溝槽；以及<br/> 一薄膜電晶體層，設置於其一該配向膜之外側，包含多個電晶體單元，構成一陣列。
如請求項1所述之影像擷取裝置，其中，其一該配向膜之該複數溝槽呈水平排列，另一該配向膜之該複數溝槽呈垂直排列。
如請求項1所述之影像擷取裝置，其中，其一該配向膜之該複數溝槽呈同心圓排列，另一該配向膜之該複數溝槽呈放射狀排列，該光軸通過該同心圓之圓心及該放射狀之中心。
如請求項1所述之影像擷取裝置，更包含一控制模組，該薄膜電晶體層包含同心圓之一第一光圈範圍及一第二光圈範圍，該控制模組經配置以驅動該第一光圈範圍之內或該第二光圈範圍之內的該多個電晶體單元導通。
如請求項1所述之影像擷取裝置，更包含一控制模組，該薄膜電晶體層包含共頂點扇形之一第一光圈範圍及一第二光圈範圍，該控制模組經配置以驅動該第一光圈範圍之內或該第二光圈範圍之內的該多個電晶體單元導通。
如請求項1所述之影像擷取裝置，更包含一控制模組，該光圈模組包含一第一調光膜及一第二調光膜，分別包含該液晶層、該成對配向膜以及該薄膜電晶體層，該第一調光膜設置於該第二調光膜之上，該第一調光膜之該薄膜電晶體層包含同心圓之一第一光圈範圍及一第二光圈範圍，該第二調光膜之該薄膜電晶體層包含共頂點扇形之另一第一光圈範圍及另一第二光圈範圍，該控制模組經配置以驅動該第一光圈範圍之內或該第二光圈範圍之內的該多個電晶體單元導通，且經配置以驅動該另一第一光圈範圍之內或該另一第二光圈範圍之內的該多個電晶體單元導通。
如請求項1所述之影像擷取裝置，更包含一濾光片，設置於該光軸，該濾光片包含多個濾光區。
如請求項7所述之影像擷取裝置，該濾光片包含共頂點扇形之該多個濾光區，該光軸通過該多個濾光區之共頂點。
一種光圈模組，包含：<br/> 一液晶層；<br/> 成對配向膜，分別設置於該液晶層之兩側，各該配向膜之內側面包含複數溝槽，其一該配向膜之該複數溝槽垂直於另一該配向膜之該複數溝槽；以及<br/> 一薄膜電晶體層，設置於其一該配向膜之外側，包含多個電晶體單元，構成一陣列。
如請求項9所述之光圈模組，更包含一第一調光膜、一第二調光膜及一濾光層，該第一調光膜及該第二調光膜分別包含該液晶層、該成對配向膜以及該薄膜電晶體層，該濾光層設置於該第一調光膜與該第二調光膜之間，該濾光層包含多個濾光區。
一種音訊處理單元，包含：<br/>一或更多處理器；<br/>記憶體，其耦接到所述一或更多處理器並且配置以儲存多個指令，當所述指令由所述一或更多處理器執行時，致使所述一或更多處理器用以進行操作，所述操作包含：<br/>接收包含音訊節目之編碼音訊位元流，所述編碼音訊位元流包含一組一或更多音訊頻道的編碼音訊資料以及與該組音訊頻道相關的元資料，其中所述元資料包含動態範圍控制(DRC)元資料、響度元資料，以及指示在該組音訊頻道中的頻道的數量的元資料，其中所述DRC元資料包含DRC值和指示用於產生所述DRC值之DRC分佈的DRC分佈元資料，以及其中所述響度元資料包含指示所述音訊節目之對話響度的元資料；<br/>將所述編碼音訊資料解碼，以獲得該組音訊頻道的解碼音訊資料；<br/>從所述編碼音訊位元流的元資料獲得所述DRC值和所述指示所述音訊節目之對話響度的元資料；以及<br/>回應於所述DRC值和所述指示所述音訊節目之對話響度的元資料來修改該組音訊頻道中的所述解碼音訊資料，其中修改所述解碼音訊資料包含使用所述音訊節目之對話響度對所述解碼音訊資料進行響度控制。
如請求項1的音訊處理單元，其中所述編碼音訊位元流包含元資料盒，以及其中所述元資料盒包含信頭和在所述信頭之後的一或更多元資料酬載，所述一或更多元資料酬載包含所述DRC元資料。
一種透過音訊處理單元進行的方法，包含：<br/>接收包含音訊節目之編碼音訊位元流，所述編碼音訊位元流包含一組一或更多音訊頻道的編碼音訊資料以及與該組音訊頻道相關的元資料，其中所述元資料包含動態範圍控制(DRC)元資料、響度元資料，以及指示在該組音訊頻道中的頻道的數量的元資料，其中所述DRC元資料包含DRC值和指示用於產生所述DRC值之DRC分佈的DRC分佈元資料，以及其中所述響度元資料包含指示所述音訊節目之對話響度的元資料；<br/>將所述編碼音訊資料解碼，以獲得該組音訊頻道的解碼音訊資料；<br/>從所述編碼音訊位元流的元資料獲得所述DRC值和所述指示所述音訊節目之對話響度的元資料；以及<br/>回應於所述DRC值和所述指示所述音訊節目之對話響度的元資料來修改該組音訊頻道中的所述解碼音訊資料，其中修改所述解碼音訊資料包含使用所述音訊節目之對話響度對所述解碼音訊資料進行響度控制。
一種非暫態電腦可讀取儲存媒體，其具有多個指令儲存於其上，當所述指令由一或更多處理器執行時，致使所述一或更多處理器用以進行操作，所述操作包含：<br/>接收包含音訊節目之編碼音訊位元流，所述編碼音訊位元流包含一組一或更多音訊頻道的編碼音訊資料以及與該組音訊頻道相關的元資料，其中所述元資料包含動態範圍控制(DRC)元資料、響度元資料，以及指示在該組音訊頻道中的頻道的數量的元資料，其中所述DRC元資料包含DRC值和指示用於產生所述DRC值之DRC分佈的DRC分佈元資料，以及其中所述響度元資料包含指示所述音訊節目之對話響度的元資料；<br/>將所述編碼音訊資料解碼，以獲得該組音訊頻道的解碼音訊資料；<br/>從所述編碼音訊位元流的元資料獲得所述DRC值和所述指示所述音訊節目之對話響度的元資料；以及<br/>回應於所述DRC值和所述指示所述音訊節目之對話響度的元資料來修改該組音訊頻道中的所述解碼音訊資料，其中修改所述解碼音訊資料包含使用所述音訊節目之對話響度對所述解碼音訊資料進行響度控制。
一種用於不同軌道型式之減振效果分析與比較之模擬系統，運作於一電腦處理器及記憶體，其特徵在於，包含：<br/> 一三維建模單元，為用以建立至少二種不同軌道型式之三維軌道模型，以及一支撐前述至少二三維軌道模型之三維橋梁模型；<br/> 一多體動力學分析單元，用以建立一虛擬列車模型，並模擬該虛擬列車模型在一預設速度條件下行駛時，產生對應之一組輪軌接觸力時間序列數據；<br/> 一有限元素分析單元，耦接該三維建模單元及該多體動力學分析單元，用以將該輪軌接觸力時間序列數據作為一移動動態載重，分別施加於前述至少二三維軌道模型上，並透過一瞬態動態分析，計算獲得至少二三維軌道模型的動態響應；<br/> 一減振效果計算單元，耦接該有限元素分析單元，用以基於該至少二動態響應，計算至少二動態響應之間的一量化減振指標；及<br/> 一圖形使用者介面，耦接前述該三維建模單元、該多體動力學分析單元、該有限元素分析單元，及該減振效果計算單元，用以提供使用者輸入該預設速度之分析條件，並以圖形或數據形式顯示該量化減振指標。
如請求項1所述之模擬系統，其中該至少兩種不同軌道型式係包含一PC直結式軌道及一彈性基鈑式軌道。
如請求項1所述之模擬系統，其中該量化減振指標為插入損失(Insertion Loss)，其係根據該至少二動態響應間之一比值計算而得。
如請求項3所述之模擬系統，其中該至少二動態響應分別為在該三維橋梁模型上一預設測點之加速度、速度或位移數據。
如請求項1所述之模擬系統，其中該三維建模單元係由一電腦輔助設計(CAD)軟體所實現。
如請求項1或2所述之模擬系統，其中該多體動力學分析單元係由一多體動力學(MBD)分析軟體所實現，且該虛擬列車模型包含複數個車身、轉向架及輪軸組件。
如請求項6所述之模擬系統，其中該有限元素分析單元係由一有限元素法(FEM)分析軟體所實現，且藉由將該三維軌道模型與三維橋梁模型剖分為複數個有限元素來進行該瞬態動態分析。
如請求項7所述之模擬系統，其中該減振效果計算單元係由一程式演算軟體所實現，用以對該至少二動態響應進行數據後處理。
如請求項1所述之模擬系統，其中該圖形使用者介面更提供一參數化分析功能，允許使用者改變該預設速度、該列車模型之類型或該軌道模型之材料參數，以進行複數次的模擬比較。
一種用於判定一遊戲環境中之物件(objects)之位置之系統，該系統包括： <br/>複數個射頻辨識(RFID)天線，其等配置於一遊戲桌上之複數個位置處； <br/>一或多個RFID讀取器，其耦合至該複數個RFID天線；及 <br/>一控制系統，其儲存指示該複數個RFID天線之一第一子集之第一資訊及指示該複數個RFID天線之一第二子集之第二資訊，其中在該第一子集中之各RFID天線不與RFID標籤相關聯，且其中該第二子集中之各RFID天線與至少一個RFID標籤相關聯， <br/>其中該控制系統控制該一或多個RFID讀取器以使用該第一子集執行一掃描，其中執行該掃描包含使用該第一子集傳輸一讀取命令， <br/>其中當該一或多個RFID讀取器未接收到對該讀取命令之一回應時，該控制系統保持該第一資訊不變， <br/>其中當該一或多個RFID讀取器確實接收到對該讀取命令之該回應時，該控制系統反覆地(iteratively)選擇該第一子集之子集，控制該一或多個RFID讀取器以執行對已反覆地選擇之該等子集之該掃描，基於對該掃描之一回應而辨識各具有至少一個RFID標籤之一或多個特定天線，更新該第一資訊以刪除該一或多個特定天線，且更新該第二資訊以添加該一或多個特定天線，及 <br/>其中對該讀取命令之該回應包含一初始標籤回應(initial tag response)之至少部分且排除一給定RFID標籤之一完整唯一項目辨識符(complete unique item identifier)。
如請求項1之系統，其中該控制系統自該第二子集選擇一選定天線且控制該一或多個RFID讀取器以使用該選定天線傳輸一第二讀取命令，其中對該第二讀取命令之該回應包含該初始標籤回應及該給定RFID標籤之該完整唯一項目辨識符。
如請求項1之系統，其中該控制系統儲存指示複數個遊戲狀態之資訊，其中該控制系統基於自一個遊戲狀態至另一遊戲狀態之一改變而控制該一或多個RFID讀取器以使用該第一子集執行該掃描。
如請求項1之系統，其進一步包括： <br/>一開關網路，其耦合於該一或多個RFID讀取器與該複數個RFID天線之間， <br/>其中該控制系統控制該一或多個RFID讀取器以藉由控制該開關網路來連接該一或多個RFID讀取器及該第一子集而使用該第一子集執行該掃描。
如請求項1之系統，其進一步包括： <br/>一阻抗匹配網路，其耦合於該一或多個RFID讀取器與該複數個RFID天線之間，該阻抗匹配網路經組態以接收來自該控制系統之一控制信號， <br/>其中該控制系統在該系統之操作期間使用該控制信號改變該阻抗匹配網路之一阻抗。
如請求項1之系統，其中該控制系統控制該一或多個RFID讀取器俾以低功率傳輸該讀取命令，其中該低功率小於全功率。
如請求項1之系統，其中該控制系統控制該一或多個RFID讀取器俾以全功率傳輸該讀取命令。
一種判定一遊戲環境中之物件之位置之方法，該方法包括： <br/>提供配置於一遊戲桌上之複數個位置處之複數個射頻辨識(RFID)天線； <br/>提供耦合至該複數個RFID天線之一或多個RFID讀取器； <br/>提供一控制系統； <br/>由該控制系統儲存指示該複數個RFID天線之一第一子集之第一資訊及指示該複數個RFID天線之一第二子集之第二資訊，其中該第一子集中之各RFID天線不與RFID標籤相關聯，且其中該第二子集中之各RFID天線與至少一個RFID標籤相關聯； <br/>由該控制系統控制該一或多個RFID讀取器以使用該第一子集執行一掃描，其中執行該掃描包含使用該第一子集傳輸一讀取命令， <br/>當該一或多個RFID讀取器未接收到對該讀取命令之一回應時： <br/>由該控制系統保持該第一資訊不變；及 <br/>當該一或多個RFID讀取器確實接收到對該讀取命令之該回應時： <br/>由該控制系統反覆地選擇該第一子集之子集； <br/>由該控制系統控制該一或多個RFID讀取器以執行已反覆選擇之該等子集之該掃描； <br/>由該控制系統基於對該掃描之一回應而辨識各具有至少一個RFID標籤之一或多個特定天線； <br/>由該控制系統更新該第一資訊以刪除該一或多個特定天線；及 <br/>由該控制系統更新該第二資訊以添加該一或多個特定天線， <br/>其中對該讀取命令之該回應包含一初始標籤回應之至少部分且排除一給定RFID標籤之一完整唯一項目辨識符。
如請求項8之方法，其進一步包括： <br/>由該控制系統自該第二子集選擇一選定天線；及 <br/>由該控制系統控制該一或多個RFID讀取器以使用該選定天線傳輸一第二讀取命令， <br/>其中對該第二讀取命令之該回應包含該初始標籤回應及該給定RFID標籤之該完整唯一項目辨識符。
如請求項8之方法，其進一步包括： <br/>由該控制系統儲存指示複數個遊戲狀態之資訊， <br/>其中該控制系統基於自一個遊戲狀態至另一遊戲狀態之一改變而控制該一或多個RFID讀取器以使用該第一子集執行一掃描。
如請求項8之方法，其中控制該一或多個RFID讀取器以使用該第一子集執行該掃描包含： <br/>由該控制系統控制耦合於該一或多個RFID讀取器與該複數個RFID天線之間的一開關網路以連接該一或多個RFID讀取器及該第一子集。
如請求項8之方法，其進一步包括： <br/>在該控制系統之操作期間改變耦合於該一或多個RFID讀取器與該複數個RFID天線之間的一阻抗匹配網路之一阻抗。
如請求項8之方法，其中使用該第一子集傳輸該讀取命令包括： <br/>以低功率傳輸該讀取命令，其中該低功率小於全功率。
如請求項8之方法，其中使用該第一子集傳輸該讀取命令包括： <br/>以全功率傳輸該讀取命令。
一種用於判定一遊戲環境中之物件之位置之系統，該系統包括： <br/>一遊戲桌； <br/>複數個射頻辨識(RFID)天線，其等配置於該遊戲桌上之複數個位置處； <br/>一或多個RFID讀取器，其耦合至該複數個RFID天線；及 <br/>一控制系統，其儲存指示該複數個RFID天線之一第一子集之第一資訊及指示該複數個RFID天線之一第二子集之第二資訊，其中在該第一子集中之各RFID天線不與RFID標籤相關聯，且其中該第二子集中之各RFID天線與至少一個RFID標籤相關聯， <br/>其中該控制系統控制該一或多個RFID讀取器以使用該第一子集執行一掃描，其中執行該掃描包含使用該第一子集傳輸一讀取命令， <br/>其中當該一或多個RFID讀取器未接收到對該讀取命令之一回應時，該控制系統保持該第一資訊不變， <br/>其中當該一或多個RFID讀取器確實接收到對該讀取命令之該回應時，該控制系統反覆地選擇該第一子集之子集，控制該一或多個RFID讀取器以執行對已反覆地選擇之該等子集之該掃描，基於對該掃描之一回應而辨識各具有至少一個RFID標籤之一或多個特定天線，更新該第一資訊以刪除該一或多個特定天線，且更新該第二資訊以添加該一或多個特定天線，及 <br/>其中對該讀取命令之該回應包含一初始標籤回應之至少部分且排除一給定RFID標籤之一完整唯一項目辨識符。
如請求項15之系統，其中該控制系統自該第二子集選擇一選定天線且控制該一或多個RFID讀取器以使用該選定天線傳輸一第二讀取命令，其中對該第二讀取命令之該回應包含該初始標籤回應及該給定RFID標籤之該完整唯一項目辨識符。
如請求項15之系統，其中該控制系統儲存指示複數個遊戲狀態之資訊，其中該控制系統基於自一個遊戲狀態至另一遊戲狀態之一改變而控制該一或多個RFID讀取器以使用該第一子集執行該掃描。
如請求項15之系統，其進一步包括： <br/>一開關網路，其耦合於該一或多個RFID讀取器與該複數個RFID天線之間， <br/>其中該控制系統控制該一或多個RFID讀取器以藉由控制該開關網路來連接該一或多個RFID讀取器及該第一子集而使用該第一子集執行該掃描。
如請求項15之系統，其進一步包括： <br/>一阻抗匹配網路，其耦合於該一或多個RFID讀取器與該複數個RFID天線之間，該阻抗匹配網路經組態以接收來自該控制系統之一控制信號， <br/>其中該控制系統在該系統之操作期間使用該控制信號改變該阻抗匹配網路之一阻抗。
如請求項15之系統，其中該控制系統控制該一或多個RFID讀取器俾以低功率傳輸該讀取命令，其中該低功率小於全功率。
一種電催化劑組成物的製造方法，包含：<br/> 預處理步驟，將鎳泡棉以1:1體積比的乙醇與丙酮的混合溶液清洗後，浸漬於鹽酸以除去表面的氧化鎳，接著將該鎳泡棉以混合溶液清洗，再將該鎳泡棉進行真空乾燥以得到經預處理的該鎳泡棉；<br/> 懸浮溶液製造步驟，將1.0 g的二硫化鉬與10.0 g的組胺酸混合，並分散於500 mL去離子水以得到懸浮溶液；<br/> 前驅產物製造步驟，將1.415 g的六水合硝酸鈷、3.195 g的2-甲基咪唑及1.6 g的十二烷基硫酸鈉溶解於200 mL的去離子水而得到前驅混合溶液，將該混合溶液加熱處理以進行反應，再將該混合溶液離心處理後取其沉澱物以得到前驅產物；及<br/> 合成步驟，將該前驅產物溶解於25 mL的去離子水，再加入5 mL的懸浮溶液以得到合成溶液，將該鎳泡棉浸漬於該合成溶液並進行水熱反應處理以取得該電催化劑組成物。
如請求項1所述的製造方法，其中於該前驅產物製造步驟中，係以80˚C進行12小時的加熱處理。
如請求項1所述的製造方法，其中該合成步驟中，係以80˚C進行12小時的水熱反應處理。
一種基板處理方法，其係處理具有包含凹部之圖案之基板者，且包含： 第1藥液工序，其對前述基板供給第1藥液； 沖洗工序，其對前述基板供給第1沖洗液； 去除工序，其於使前述第1沖洗液停止供給之狀態下使前述基板旋轉，自前述凹部排出前述第1沖洗液，自前述基板去除前述第1沖洗液；及 第2藥液工序，其對經去除前述第1沖洗液之前述基板供給第2藥液；且 於前述第1藥液工序中，對旋轉之前述基板供給前述第1藥液，藉由包圍前述基板之第1護罩，承接自前述基板排出之前述第1藥液； 於前述去除工序中，藉由前述第2護罩承接自旋轉之前述基板排出之前述第1沖洗液； 於前述第2藥液工序中，對旋轉之前述基板供給前述第2藥液，藉由前述第2護罩承接自旋轉之前述基板排出之前述第2藥液； 前述沖洗工序包含： 對旋轉之前述基板供給前述第1沖洗液之工序；及 旋覆浸沒工序，其於前述基板上保持前述第1沖洗液之液膜；且 於前述旋覆浸沒工序中，自包圍前述基板之前述第1護罩調換為包圍前述基板之前述第2護罩。
如請求項1之基板處理方法，其中於前述去除工序及前述第2藥液工序中，回收由前述第2護罩承接之前述第1沖洗液及前述第2藥液。
如請求項1之基板處理方法，其中於前述去除工序中，以與前述第2藥液工序開始時之前述基板之旋轉速度相等之旋轉速度使前述基板旋轉。
如請求項1之基板處理方法，其中前述沖洗工序係第1沖洗工序；且 前述基板處理方法進一步包含： 第2沖洗工序，其對旋轉之前述基板供給第2沖洗液，自前述基板沖去前述第2藥液；及 乾燥工序，其使前述基板之旋轉速度增加，使前述基板乾燥； 於前述去除工序中，以較前述乾燥工序中使前述基板旋轉之旋轉速度為低之旋轉速度使前述基板旋轉。
如請求項1之基板處理方法，其中前述沖洗工序係第1沖洗工序；且 前述基板處理方法進一步包含： 第2沖洗工序，其對旋轉之前述基板供給第2沖洗液，自前述基板沖去前述第2藥液；及 乾燥工序，其使前述基板之旋轉速度增加，使前述基板乾燥； 前述去除工序之時間之長度較前述乾燥工序之時間之長度短。
如請求項1之基板處理方法，其中前述圖案包含將多晶矽層與氧化矽層交替積層而成之多層之積層構造體。
如請求項6之基板處理方法，其中前述多層之積層構造體包含80層以上之積層構造體。
如請求項6之基板處理方法，其中前述凹部沿前述多晶矽層與前述氧化矽層交替積層之方向即積層方向凹入；且 前述第2藥液工序包含蝕刻前述多晶矽層而於前述凹部之內側面形成凹窪部的工序。
如請求項1之基板處理方法，其中前述第1藥液包含酸性之藥液；且 前述第2藥液包含鹼性之藥液。
一種基板處理裝置，其係處理具有包含凹部之圖案之基板者，且包含： 基板保持部，其將前述基板水平地保持； 基板旋轉部，其以沿上下方向延伸之中心軸為中心使前述基板保持部旋轉，使前述基板與前述基板保持部一體地旋轉； 處理液供給部，其對前述基板供給處理液； 複數個護罩，其等包圍前述基板，承接自前述基板排出之前述處理液； 升降部，其使前述複數個護罩個別地升降，於前述複數個護罩之間調換包圍前述基板之護罩；及 控制部，其控制前述基板旋轉部、前述處理液供給部、及前述升降部；且 前述處理液包含第1藥液、第1沖洗液、及第2藥液； 前述複數個護罩包含第1護罩及第2護罩； 前述控制部執行： 控制前述處理液供給部，對前述基板供給前述第1藥液的第1藥液處理； 控制前述處理液供給部，對前述基板供給前述第1沖洗液的沖洗處理； 於控制前述處理液供給部而使前述第1沖洗液停止供給之狀態下，控制前述基板旋轉部，使前述基板旋轉，使前述第1沖洗液自前述凹部排出，自前述基板去除前述第1沖洗液的去除處理； 控制前述處理液供給部，對經去除前述第1沖洗液之前述基板供給前述第2藥液的第2藥液處理； 控制前述基板旋轉部，於前述第1藥液處理時、前述沖洗處理時、及前述第2藥液處理時使前述基板旋轉的處理； 控制前述升降部，於前述第1藥液處理時，藉由前述第1護罩承接自旋轉之前述基板排出之前述第1藥液的處理；及 於前述沖洗處理時控制前述升降部，於前述去除處理時及前述第2藥液處理時，藉由前述第2護罩承接自旋轉之前述基板排出之前述第1沖洗液及前述第2藥液的處理； 前述沖洗處理包含： 一面控制前述基板旋轉部使前述基板旋轉，一面控制前述處理液供給部而對旋轉之前述基板供給前述第1沖洗液的處理；及 於前述基板上保持前述第1沖洗液之液膜之旋覆浸沒處理；且 前述控制部於前述旋覆浸沒處理時控制前述升降部，自包圍前述基板之前述第1護罩調換為包圍前述基板之前述第2護罩。
如請求項10之基板處理裝置，其進一步包含回收部，該回收部回收由前述第2護罩承接之前述第1沖洗液及前述第2藥液。
如請求項10之基板處理裝置，其中前述控制部控制前述基板旋轉部，於前述去除處理時，以與前述第2藥液處理開始時之前述基板之旋轉速度相等之旋轉速度使前述基板旋轉。
如請求項10之基板處理裝置，其中前述沖洗處理係第1沖洗處理；且 前述控制部進一步執行： 第2沖洗處理，其一面控制前述基板旋轉部使前述基板旋轉，一面控制前述處理液供給部對前述基板供給第2沖洗液，自前述基板沖去前述第2藥液；及 乾燥處理，其控制前述基板旋轉部，使前述基板之旋轉速度增加，使前述基板乾燥； 前述控制部控制前述基板旋轉部，於前述去除處理時，以較前述乾燥處理時之前述基板之旋轉速度為低之旋轉速度使前述基板旋轉。
如請求項10之基板處理裝置，其中前述沖洗處理係第1沖洗處理；且 前述控制部進一步執行： 第2沖洗處理，其一面控制前述基板旋轉部使前述基板旋轉，一面控制前述處理液供給部對前述基板供給第2沖洗液，自前述基板沖去前述第2藥液；及 乾燥處理，其控制前述基板旋轉部，使前述基板之旋轉速度增加，使前述基板乾燥； 前述控制部以較前述乾燥處理為短之時間執行前述去除處理。
如請求項10之基板處理裝置，其中前述圖案包含將多晶矽層與氧化矽層交替積層而成之多層之積層構造體。
如請求項15之基板處理裝置，其中前述多層之積層構造體包含80層以上之積層構造體。
如請求項15之基板處理裝置，其中前述凹部沿前述多晶矽層與前述氧化矽層交替積層之方向即積層方向凹入；且 前述控制部藉由前述第2藥液處理，蝕刻前述多晶矽層，於前述凹部之內側面形成凹窪部。
如請求項10之基板處理裝置，其中前述第1藥液包含酸性之藥液；且 前述第2藥液包含鹼性之藥液。
一種用於藉由至少以下步驟將組件自一發送方基板傳遞至一接收方基板之方法： <br/>i) 在該發送方基板上設置及/或製造該等組件， <br/>ii) 將該發送方基板之該等組件傳遞至一傳遞基板， <br/>iii) 將該等組件自該傳遞基板傳遞至該接收方基板， <br/>其中可憑藉結合構件及/或去結合構件選擇性地傳遞該等組件， <br/>其中該傳遞基板靜電地固定該等組件， <br/>其中該傳遞基板係一彈性膜。
如請求項1之方法，其中在步驟ii)及/或步驟iii)中之傳遞期間，藉由雷射輻射固定、局部地限制個別組件或複數個組件。
如請求項1或2之方法，其中在步驟ii)及/或步驟iii)中之傳遞期間，藉由該去結合構件釋放、局部地限制個別組件或複數個組件。
如請求項1或2之方法，其中為了進行選擇，藉由一電測試對該等組件進行至少一次功能性測試。
如請求項1或2之方法，其中在步驟ii)中之傳遞期間，該傳遞基板接觸及/或將壓力施加至設置於該發送方基板上之該等組件，使得將該等組件保持於該發送方基板與該傳遞基板之間的一特定位置中。
如請求項1或2之方法，其中在步驟iii)中之傳遞期間，配置於該傳遞基板上之該等組件接觸及/或將壓力施加至該接收方基板，使得將該等組件固持於該傳遞基板與該接收方基板之間。
如請求項1或2之方法，其中分別在該發送方基板及/或該傳遞基板及/或該接收方基板及/或該等組件上施加一釋放層及/或一黏合層，該等層透過該去結合構件及/或該結合構件之作用，改變其等在一黏合劑區域中相對於該等組件之黏合性質。
如請求項1或2之方法，其中該發送方基板及/或該傳遞基板及/或該接收方基板經設計成可被雷射輻射穿透。
如請求項1或2之方法，其中該傳遞基板包括固定元件，該等固定元件在傳遞期間藉由表面黏合固定該等組件。
如請求項1或2之方法，其中該等固定元件由一聚合物材料製成及/或經設計於類似於一吸盤(suction cup)。
如請求項10之方法，其中在傳遞期間藉由機械及/或氣動構件使該傳遞基板變形，使得自該等固定元件釋放該等組件及/或藉由該等固定元件以在空間及/或時間上偏移之一方式固定該等組件。
一種使用如請求項1至11中任一項之方法傳遞組件之裝置，其中可在一發送方基板上製造及/或設置組件，且其中可將該發送方基板之該等組件傳遞至一傳遞基板，且其中可將該等組件自該傳遞基板傳遞至該接收方基板，且其中可藉由結合構件及/或去結合構件選擇性地實行該等組件至該傳遞基板及/或該接收方基板之該傳遞。
一種發光二極體(LED)，其藉由如請求項1至11中任一項之方法來製造，其中該發光二極體係由複數個組件組成，該複數個組件由不同發送方基板提供且彼此上下及/或彼此並排配置。
一種用於測試晶圓上之電子元件之探頭，該探頭包括： <br/>複數個測試位點，該等測試位點各自經組態以測試該等電子元件之不同者； <br/>複數個接觸部件群組，該等接觸部件群組各自與該複數個測試位點之不同測試位點相關聯且經組態以接觸該不同測試位點中之各自待測試電子元件；及 <br/>複數個氣體供應通道，該等氣體供應通道各自通過該複數個測試位點之各自測試位點，且經組態以將加壓氣體供應至與該各自測試位點相關聯之各自接觸部件群組。
如請求項1之探頭，其中該複數個氣體供應通道之各氣體供應通道包括經組態以調整該氣體供應通道內之氣體之流動阻力之機械調整。
如請求項2之探頭，其中各氣體供應通道之該機械調整個別地調整該氣體之該流動阻力。
如請求項1之探頭，其進一步包括： <br/>複數個電子控制節流閥，該等電子控制節流閥各自經組態以控制該複數個氣體供應通道之各自氣體供應通道之氣體之流動阻力。
如請求項4之探頭，其中該等電子控制節流閥經組態以封閉至該複數個氣體供應通道之每一各自氣體供應通道之該氣體。
如請求項1之探頭，其進一步包括： <br/>氣體供應，其經組態以將加壓氣體提供至該複數個氣體供應通道之各者。
如請求項1之探頭，其中根據白仙定律(Paschen’s Law)，將該加壓氣體設定為防止該複數個接觸部件群組之各接觸部件群組內之兩個或更多個接觸部件之間、該複數個測試位點之相鄰測試位點之間或相鄰待測裝置(DUT)之間的電弧作用之壓力值。
如請求項1之探頭，其中該加壓氣體包括加壓空氣。
如請求項1之探頭，其中該複數個測試位點經組態以在該晶圓之主平面之方向上測試電子元件之每隔一者或少於每隔一者。
如請求項9之探頭，其進一步包括定位於該複數個測試位點之兩者之間且在該晶圓上之一或多個電子元件上方的未由該複數個測試位點之一者測試之一或多個測試間隙。
如請求項1之探頭，其進一步包括： <br/>底表面，其包括主要部分及複數個凸起部分， <br/>其中該等凸起部分之每一者包圍該複數個接觸部件群組之不同者，及 <br/>其中該等凸起部分相對於該主要部分自該底表面突出更多。
如請求項1之探頭，其進一步包括： <br/>板，其包括複數個貫穿孔及氣體分配單元，該複數個貫穿孔之每一者係配置於該氣體分配單元之間， <br/>其中該氣體分配單元將氣體供應分成各自進入該複數個貫穿孔之不同者之不同氣體供應分支，及 <br/>其中該氣體分配單元分別向該複數個氣體供應通道饋送該加壓氣體。
一種用於電子元件之晶圓級測試之半導體測試設備，該半導體測試設備包括： <br/>探頭，其包括經組態以同時接觸形成於半導體晶圓上之複數個電子元件之複數個測試位點； <br/>複數個接觸部件群組，各群組與該等測試位點之不同測試位點相關聯且經組態以接觸各自待測試電子元件；及 <br/>氣體分配單元，其經組態以在測試期間使用獨立氣體供應通道獨立地控制至該等不同測試位點之氣體之流速。
如請求項13之半導體測試設備，其中各氣體供應通道包括經組態以調整該氣體供應通道內之氣體之流動阻力之機械調整。
如請求項14之半導體測試設備，其中該機械調整包括節流閥。
如請求項14之半導體測試設備，其進一步包括經組態以個別地調整該等機械調整之不同者之控制器。
如請求項13之半導體測試設備，其進一步包括經組態以將加壓氣體提供至該氣體分配單元之氣體供應。
如請求項17之半導體測試設備，其中該加壓氣體包括加壓空氣。
如請求項13之半導體測試設備，其中該複數個測試位點經組態以在該半導體晶圓之主平面之方向上接觸該等電子元件之每隔一者或少於每隔一者。
如請求項13之半導體測試設備，其中該探頭進一步包括定位於該複數個測試位點之兩者之間且在形成於該晶圓上之一或多個電子元件上方的未由該複數個測試位點之一者接觸之一或多個測試間隙。
如請求項13之半導體測試設備，其中該探頭進一步包括： <br/>底表面，其包括主要部分及複數個凸起部分， <br/>其中該等凸起部分之每一者包圍該複數個接觸部件群組之不同者，及 <br/>其中該等凸起部分相對於該主要部分自該底表面突出更多。
一種導光裝置，包括：<br/>一導光元件；以及<br/>一第一發光元件，設置於該導光元件上。
如請求項1所述的導光裝置，更包括一基座，該導光元件設置於該基座上。
如請求項1所述的導光裝置，其中該導光元件具有一第一導光元件及一第二導光元件，該第一導光元件具有一第一弧形段及一第一直線段，該第二導光元件具有一第二弧形段及一第二直線段，且該第一弧形段、該第一直線段、該第二弧形段及該第二直線段相互連接。
如請求項3所述的導光裝置，更包括一第二發光元件，設置於該第二導光元件的該第二弧形段，且該第一發光元件設置於該第一導光元件的該第一弧形段。
如請求項2所述的導光裝置，其中該導光元件具有一出光面及一反射面，該出光面與該反射面相對設置，且該導光元件的該反射面位於該基座上。
如請求項5所述的導光裝置，其中該導光元件的該反射面或該出光面設置有一微結構。
如請求項5所述的導光裝置，其中該出光面與該反射面之間具有一第一角度，該第一角度介於5<sup>o</sup>至45<sup>o</sup>之間。
如請求項5所述的導光裝置，其中該反射面具有一第一反射面及一第二反射面，該第一反射面與該第二反射面之間具有一入光面，該入光面與該第一反射面及該第二反射面連接。
如請求項8所述的導光裝置，其中該第一發光元件發出的光線朝向該入光面。
如請求項8所述的導光裝置，其中該第一發光元件發出的光線經由一反射元件反射後朝向該入光面。
一種矽基板支撐的精細複合掩膜(SS-FHM)，用於OLED顯示器製造，其包括：一個位於顯示區域之外的矽基板，用於提供結構穩定性；一個開孔複合層，其在顯示區域之外由矽基板支撐，並在顯示區域中處於無支撐狀態，其中：所述開孔複合層具有多個用於材料沉積的開孔；以及所述開孔複合層至少包含一層開孔金屬層與至少一層開孔陶瓷層，以增強結構強度、形狀保持性及機械穩定性，確保適用於各種OLED顯示應用。
如請求項1所述的矽基板支撐的精細複合掩膜，其中矽基板選自硼矽酸鹽矽、熔融石英或TFT等級顯示矽，如Corning Eagle XG，厚度範圍為0.1mm至5.0mm，以確保在OLED沉積過程中的結構完整性與化學穩定性。
如請求項1所述的矽基板支撐的精細複合掩膜，其中開孔陶瓷層的熱膨脹係數(CTE)低於20ppm/K，其中開孔陶瓷層可選自氮化矽(Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>)、氧化鋁(Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)、氧化鋯(ZrO<sub>2</sub>)、碳化矽(SiC)、氮化硼(BN)或鎢酸鋯，其中開孔陶瓷層透過LPCVD(低壓化學氣相沉積)、PECVD(電漿增強化學氣相沉積)或ALD(原子層沉積)製備，其中開孔陶瓷層的厚度範圍為0.01μm至20μm，以確保結構穩定性並與矽基板相容。
如請求項1所述的矽基板支撐的精細複合掩膜，其中開孔金屬層的熱膨脹係數(CTE)低於20ppm/K，其中開孔金屬層可選自鉬(Mo)、殷鋼(Invar)、超級殷鋼(SuperInvar)、鎢(W)、錸(Re)、鉭(Ta)、鎳(Ni)或合金42，其中開孔金屬層透過濺射、ALD、蒸鍍或電鑄製備，其中開孔金屬層的厚度範圍為0.01μm至20μm，以確保精確的圖案保持性及OLED材料沉積期間的尺寸穩定性。
如請求項4所述的矽基板支撐的精細複合掩膜，進一步包括設置於開孔金屬層下方的電極金屬層，其中電極金屬層的熱膨脹係數(CTE)低於20ppm/K，其中電極金屬層的厚度範圍為0.01μm至20μm，以確保均勻的電鑄成長與機械可靠性。
如請求項1所述的矽基板支撐的精細複合掩膜，其中矽基板為半導體等級的單晶矽晶圓，直徑為8吋或12吋。
如請求項1所述的矽基板支撐的精細複合掩膜，其中開孔複合層包含具有直角或負錐角形態的開孔，其中直角開孔具有垂直側壁，負錐角開孔的頂部開口小於底部開口，以確保最佳的OLED製造材料沉積角度。
如請求項1所述的矽基板支撐的精細複合掩膜，包括：沉積於矽基板上的開孔複合層，並透過光阻圖案化及從正面蝕刻形成開孔；顯示區域的矽基板經選擇性蝕刻並從背面去除。
如請求項8所述的矽基板支撐的精細複合掩膜，其中在圖案化後，透過進一步從背面蝕刻開孔複合層來形成負錐角開孔。
如請求項1所述的矽基板支撐的精細複合掩膜，包括：沉積於矽基板上的開孔複合層，並透過光阻圖案化及從背面蝕刻形成開孔；顯示區域的矽基板經選擇性蝕刻並從背面去除。
如請求項1或請求項5任一項所述的矽基板支撐的精細複合掩膜，包括：沉積於矽基板上的開孔陶瓷層與電極金屬層，並透過光阻圖案化及從正面蝕刻形成開孔；在電極金屬層上透過電鑄形成開孔金屬層，開孔金屬層具有負錐角形態；顯示區域的矽基板經選擇性蝕刻並從背面去除，其中在顯示區域的矽基板去除後透過進一步從背面蝕刻開孔陶瓷層與電極金屬層來調整開孔的負錐角形態。
一種不動產交易系統，設置於一伺服器上，該不動產交易系統包括：<br/>一交易模組，包括：<br/>一出價模組，設定為：<br/>允許賣方列出物件並指定所列物件的價格和議價參數；<br/>使買方能夠提交出價並直接在線上參與後續的還價；<br/>一交易完成模組，設定為一旦雙方同意價格後，讓交易達成最終確定；及<br/>一即時通訊模組，設定為在談判的過程中支援買方和賣方的溝通；<br/>一使用者介面模組，設定為提供一使用者介面，該使用者介面設置於一電子裝置上，該電子裝置是與該伺服器電性連接；及<br/>一資料分析模組，設定為：<br/>存取並分析來自至少一外部資料庫的多筆不動產交易價格資料；及<br/>生成並顯示多筆價格趨勢分析，所述價格趨勢分析是由所述多筆不動產交易價格資料推導而得且至少包含歷史價格與市場趨勢資訊；<br/>根據所述價格趨勢分析，提供設定或建議準確物件價格之指引；<br/>其中，所述資料分析模組經由一定價演算法，以整合當前市場條件、歷史交易資料及類似物件資訊，從而協助使用者於談判過程中進行知情的價格決策，該使用者是包括買方與賣方；及<br/>其中，該交易模組還包括一定價助手，該定價助手與該資料分析模組相連接並為賣方提供當前市場條件和價格趨勢，以幫助賣方設定具有競爭力且符合現狀的價格。
如請求項1所述的不動產交易系統，其中所述即時通訊模組進一步設定為：<br/>當收到一出價時通知賣方；及<br/>根據買方的偏好向買方告知新上市的物件。
如請求項1所述的不動產交易系統，進一步包括一法律諮詢模組，設定為提供使用者即時接取與不動產交易相關之法律資源和法律諮詢。
如請求項3所述的不動產交易系統，其中所述法律諮詢模組通過連接所述使用者與至少一政府部門的多位法律專家來提供線上法律諮詢的服務。
如請求項1所述的不動產交易系統，進一步包括一物業安全模組，設定為協助使用者申請物業檢查，並提供數位化之檢驗報告。
如請求項1所述的不動產交易系統，進一步包括：<br/>一配對模組，設定為根據物件特性和使用者偏好將所述買方和所述賣方配對至至少一不動產仲介；及<br/>一仲介評分模組，設定為收集並評估使用者對不動產仲介之評分與表現資料。
如請求項6所述之不動產交易系統，其中所述配對模組設定為基於地理位置、使用者偏好、和仲介評分，來優化配對結果。
如請求項1所述的不動產交易系統，進一步包括一附加服務模組，設定為允許使用者申請包括裝潢、搬家、清潔與家電安裝在內之一系列附加服務。
如請求項1所述的不動產交易系統，其中所述使用者介面模組進一步設定為提供即時更新和進行中的不動產交易的進度追蹤。
如請求項1所述的不動產交易系統，進一步包括一教育模組，設定為提供與不動產交易相關之學習資料，並根據使用者之個人資料與互動歷史推薦個人化學習路徑。
如請求項1所述的不動產交易系統，進一步包括一銀行服務模組，該銀行服務模組設定為：<br/>使買方能夠申請銀行鑑價服務以確定貸款金額； 以及<br/>促進與不動產訂金及最終結算相關的線上支付交易。
如請求項11所述的不動產交易系統，該銀行服務模組進一步設定為使賣方能夠申請銀行鑑價服務以評估所列物件的參考價值。
如請求項1所述之不動產交易系統，進一步包括一AI配對模組，電性連接到該資料分析模組，該AI配對模組設定為儲存買方偏好，並主動將新上架或外部來源之物件與所儲存之偏好進行比對媒合。
如請求項13所述之不動產交易系統，其中所述AI配對模組進一步設定為依據買方條件辨識並擷取來自第三方不動產平台或社交媒體之物件列表。
如請求項1所述之不動產交易系統，進一步包括一虛擬代理介面，電性連接到該使用者介面模組，該虛擬代理介面設定為透過虛擬角色、虛擬化身或語音助手模擬不動產仲介之角色，引導使用者完成搜尋、議價與交易流程。
如請求項1所述之不動產交易系統，進一步包括一遠距看屋模組，電性連接到該使用者介面模組，該遠距看屋模組設定為透過串流影片、機器人設備或智慧門鎖存取系統進行即時之虛擬看屋。
如請求項16所述之不動產交易系統，其中所述遠距看屋模組進一步包括一3D虛擬互動導覽子模組，該3D虛擬互動導覽子模組設定為：<br/>可提供沉浸式虛擬看屋介面，以允許使用者於圖形使用者介面中點選不同區域以進入對應空間，並進行環景視角旋轉、移動與縮放；<br/>並結合一虛擬代理介面，以即時回應使用者查詢之物件資訊；以及<br/>提供尺寸測量工具，供使用者量測室內空間尺度。
如請求項1所述之不動產交易系統，進一步包括一政府整合模組，電性連接到該交易完成模組，該政府整合模組設定為協助使用者完成與不動產交易、稅務或補助申請相關之官方文件填寫與提交，該提交可透過API或可下載表單進行。
如請求項18所述之不動產交易系統，進一步包括一地政協辦模組，該地政協辦模組設定為協助使用者選擇並預約一地政士，並整合完成不動產移轉登記所需文件之提示與彙整，並透過與政府整合模組之連線完成資料交換與申報作業。
一種自行車修理架結構，包括：一夾持裝置，包括一調整夾頭及一與調整夾頭連結之旋轉卡座，調整夾頭前端設具可上下夾合之夾合部，後端設具可調整夾合緊密度之快拆把手，旋轉卡座一端具有二可相分離結合呈公母嚙齒部之定位環套，以及遠離調整夾頭一端具有一可活動樞轉與鎖合定位之控制把手，於下方設有一結合部；一升降調節裝置，設置於夾持裝置下方，並與該夾持裝置之旋轉卡座樞設，用以支撐夾持裝置可呈縱向調整傾仰角度，包括：一升降桿，包括：一第一支架，係於管壁一縱向軸向相對縱向邊分別凹設一嵌結有一鍊條之調節軌道及一呈平滑面之軌槽，於管壁一水平軸向相對縱向邊分別凹設二槽道相對；一第二支架，係於管壁頂端往上凸設一管徑大於第一支架管徑之凸緣，與第一支架可相容伸；一套環，係設置於第一、第二支架間，與第一支架凸緣管壁相對呈上下抵接，於對應第一支架調節軌道及軌槽的相對縱向側邊之管壁分別設有一導引孔道及一彈片相對，於對應第一支架二槽道縱向側邊之管壁分別設有二肋條相對；一手搖座，設置於升降調節裝置之升降桿上，用以調節升降桿升降位置，包括：一傳動件，係設有一具若干嚙齒部之齒盤與一斜齒輪相連結，並於該齒盤及斜齒輪一側端中心均凸設一定位柱；一帶動件，係一連接桿，於連接桿一側設有一渦輪與傳動件斜齒輪抵接連動，遠離傳動件之末端連接桿一側套設有一軸套；一手搖桿，係設呈一曲柄臂，於曲柄臂一外側端設有一握持部，連離握持部一內側端設有一定位部與帶動件軸套抵接並與末端連接桿連結；二鎖殼，係二可相分離結合之套蓋，內部一側邊相對分別凹設第一、第二管套口，並且於第一管套口對應套環管壁二肋條處分別設有二相對嵌槽，於另二側邊分別設置齒輪套口及渦桿套口；其中，利用夾持裝置之調整夾頭前端夾合部夾合工件，後端快拆把手可調整夾合緊密度，啟閉旋轉卡座控制把手可連動定位環套開合調節調整夾頭定位角度，以及利用手搖座具齒盤及斜齒輪之傳動件及具渦輪及連接桿之帶動件與調節軌道之鍊條相配合作動下以形成一鍊條式升降調節裝置之傳動機構，令調節軌道之鍊條可確實穩固地與傳動件齒盤嚙齒部相嚙合作動，令傳動效率及耐用度均更佳，有效穩固控制調節升降桿升降位置，俾達據以呈現全方位旋轉調整角度及控制升降調節之自行車修理架者。
如請求項1所述之自行車修理架結構，其中該升降桿進一步包括一樞座，該樞座一端設有一與升降桿第一支架頂端管徑可相嵌設之套合部，一端設有與旋轉卡座結合部相對之樞耳部，並且與該結合部結合處設一樞結件。
如請求項1所述之自行車修理架結構，其中該升降桿進一步包括一底座，該底座包括一活動束環、二腳架、二連桿，該活動束環樞設於該第二支架上可上下位移，該二腳架一端分別為固定端樞設於該第二支架下端，另一端分別為自由端，該連桿係一連結樞片，二端分別與該活動束環及該腳架連結形成連動，使底呈呈向上折收縮合，向下呈展立支撐。
如請求項1所述之自行車修理架結構，其中該升降桿之第一支架與第二支架係設呈彼此可相收容伸呈內、外管相對之伸縮桿。
如請求項4所述之自行車修理架結構，其中該升降桿之第一支架係設呈一內管，第二支架係設呈可容伸第一支架並與第一支架內管呈相對之外管。
如請求項1所述之自行車修理架結構，其中該鎖殼之第一管套口於對應套環彈片處設有一調節孔，配合一定位栓嵌設。
如請求項6所述之自行車修理架結構，其中該鎖殼調節孔樞設之定位栓，係設呈一調整螺桿，前、後端分別設有一頂抵部及一壓桿，令該頂抵部可抵壓套環彈片對升降桿之第一支架保持一緊密度之彈性抵撐防止鬆脫，以及令該壓桿可旋動調整定位栓緊密度。
一種椅子結構，用以供一使用者乘坐與踩踏，該椅子結構包含：<br/>一樞接座；<br/>一支桿，樞設於該樞接座；<br/>一坐墊部，樞設該支桿之一端，並用以供該使用者乘坐；以及<br/>一腳踏部，連接該支桿之另一端，並用以供該使用者踩踏；<br/>其中，該腳踏部受該使用者踩踏而使該坐墊部透過該支桿於一第一位置與一第二位置之間往復移動或定點平衡。
如請求項1所述之椅子結構，更包含：<br/>一緩衝單元，樞設於該樞接座，且包含：<br/>一緩衝座管，包含：<br/>一抵擋頂面；及<br/>一抵擋底面，相對於該抵擋頂面；<br/>一緩衝軸心，活動地穿設於該緩衝座管，且包含：<br/>一第一緩衝軸心部；及<br/>一第二緩衝軸心部，連接該第一緩衝軸心部；以及<br/>一緩衝軟墊，供該第一緩衝軸心部穿設。
如請求項2所述之椅子結構，其中，<br/>當該腳踏部受該使用者踩踏而使該坐墊部透過該支桿於該第一位置時，該緩衝軸心之該第二緩衝軸心部抵接該緩衝座管之該抵擋底面，該緩衝軟墊會被帶動而壓縮，使該緩衝軟墊抵接於該緩衝座管之該抵擋頂面；及<br/>當該腳踏部受該使用者踩踏而使該坐墊部透過該支桿於該第二位置時，該緩衝軸心之該第二緩衝軸心部不抵接該緩衝座管之該抵擋底面，而使該緩衝軟墊遠離該緩衝座管之該抵擋頂面。
如請求項1所述之椅子結構，更包含：<br/>一可調式液壓緩衝單元，樞設於該樞接座，且包含：<br/>一液壓外管；<br/>一液壓內管，穿設於該液壓外管，且該液壓內管具有一液壓限位面，該液壓限位面位於該液壓外管內；及<br/>一液壓軸心，穿設於該液壓內管，且包含：<br/>一軸心身部，活動地穿設於該液壓內管；及<br/>一軸心頭部，連接該軸心身部且容設於該液壓外管內。
如請求項4所述之椅子結構，其中，<br/>當該腳踏部受該使用者踩踏而使該坐墊部透過該支桿於該第一位置時，該軸心身部埋入於該液壓內管內，且該軸心頭部靠近該液壓內管之該液壓限位面；及<br/>當該腳踏部受該使用者踩踏而使該坐墊部透過該支桿於該第二位置時，該軸心身部伸出於該液壓內管，且該軸心頭部遠離該液壓內管之該液壓限位面。
一種椅子結構，用以供一使用者乘坐與踩踏，該椅子結構包含：<br/>一樞接座；<br/>一支桿，樞設於該樞接座；<br/>一坐墊部，樞設該支桿之一端，並用以供該使用者乘坐；<br/>一腳踏部，連接該支桿之另一端，並用以供該使用者踩踏；以及<br/>一緩衝件，連接於該坐墊部與該樞接座之間；<br/>其中，該腳踏部受該使用者踩踏而使該坐墊部透過該支桿於一第一位置與一第二位置之間往復移動，當該腳踏部由該第二位置移動至該第一位置時，該緩衝件用以減緩該坐墊部下降的速度。
如請求項6所述之椅子結構，其中該緩衝件為一緩衝單元，該緩衝單元樞設於該樞接座，且包含：<br/>一緩衝座管，包含：<br/>一抵擋頂面；及<br/>一抵擋底面，相對於該抵擋頂面；<br/>一緩衝軸心，活動地穿設於該緩衝座管，且包含：<br/>一第一緩衝軸心部；及<br/>一第二緩衝軸心部，連接該第一緩衝軸心部；及<br/>一緩衝軟墊，供該第一緩衝軸心部穿設。
如請求項7所述之椅子結構，其中，<br/>當該腳踏部受該使用者踩踏而使該坐墊部透過該支桿於該第一位置時，該緩衝軸心之該第二緩衝軸心部抵接該緩衝座管之該抵擋底面，該緩衝軟墊會被帶動而壓縮，使該緩衝軟墊抵接於該緩衝座管之該抵擋頂面；及<br/>當該腳踏部受該使用者踩踏而使該坐墊部透過該支桿於該第二位置時，該緩衝軸心之該第二緩衝軸心部不抵接該緩衝座管之該抵擋底面，而使該緩衝軟墊遠離該緩衝座管之該抵擋頂面。
如請求項6所述之椅子結構，其中該緩衝件為一可調式液壓緩衝單元，該可調式液壓緩衝單元樞設於該樞接座，且包含：<br/>一液壓外管；<br/>一液壓內管，穿設於該液壓外管，且該液壓內管具有一液壓限位面，該液壓限位面位於該液壓外管內；及<br/>一液壓軸心，穿設於該液壓內管，且包含：<br/>一軸心身部，活動地穿設於該液壓內管；及<br/>一軸心頭部，連接該軸心身部且容設於該液壓外管內。
如請求項9所述之椅子結構，其中，<br/>當該腳踏部受該使用者踩踏而使該坐墊部透過該支桿於該第一位置時，該軸心身部埋入於該液壓內管內，且該軸心頭部靠近該液壓內管之該液壓限位面；及<br/>當該腳踏部受該使用者踩踏而使該坐墊部透過該支桿於該第二位置時，該軸心身部伸出於該液壓內管，且該軸心頭部遠離該液壓內管之該液壓限位面。
一種椅子結構，用以供一使用者乘坐與踩踏，該椅子結構包含：<br/>一樞接座；<br/>一支桿，樞設於該樞接座；<br/>一坐墊部，樞設該支桿之一端，並用以供該使用者乘坐；<br/>一腳踏部，連接該支桿之另一端，並用以供該使用者踩踏；<br/>一緩衝單元，連接於該坐墊部與該樞接座之間；以及<br/>一可調式液壓緩衝單元，連接於該坐墊部與該樞接座之間；<br/>其中，該腳踏部受該使用者踩踏而使該坐墊部透過該支桿於一第一位置與一第二位置之間往復移動，當該腳踏部由該第二位置移動至該第一位置時，該緩衝單元與該可調式液壓緩衝單元用以減緩該坐墊部下降的速度。
如請求項11所述之椅子結構，其中，<br/>該緩衝單元樞設於該樞接座，且包含：<br/>一緩衝座管，包含：<br/>一抵擋頂面；及<br/>一抵擋底面，相對於該抵擋頂面；<br/>一緩衝軸心，活動地穿設於該緩衝座管，且包含：<br/>一第一緩衝軸心部；及<br/>一第二緩衝軸心部，連接該第一緩衝軸心部；及<br/>一緩衝軟墊，供該第一緩衝軸心部穿設；及<br/>該可調式液壓緩衝單元樞設於該樞接座，且包含：<br/>一液壓外管；<br/>一液壓內管，穿設於該液壓外管，且該液壓內管具有一液壓限位面，該液壓限位面位於該液壓外管內；及<br/>一液壓軸心，穿設於該液壓內管，且包含：<br/>一軸心身部，活動地穿設於該液壓內管；及<br/>一軸心頭部，連接該軸心身部且容設於該液壓外管內。
如請求項12所述之椅子結構，其中，<br/>當該腳踏部受該使用者踩踏而使該坐墊部透過該支桿於該第一位置時，該緩衝軸心之該第二緩衝軸心部抵接該緩衝座管之該抵擋底面，該緩衝軟墊會被帶動而壓縮，使該緩衝軟墊抵接於該緩衝座管之該抵擋頂面，同時該可調式液壓緩衝單元之該軸心身部埋入於該液壓內管，並且該軸心頭部靠近該液壓內管之該液壓限位面；及<br/>當該腳踏部受該使用者踩踏而使該坐墊部透過該支桿於該第二位置時，該緩衝軸心之該第二緩衝軸心部不抵接該緩衝座管之該抵擋底面，而使該緩衝軟墊遠離該緩衝座管之該抵擋頂面，同時該可調式液壓緩衝單元之該軸心身部伸出於該液壓內管，並且該軸心頭部遠離該液壓內管之該液壓限位面。
一種清淨空氣輸送與置換系統，係將清淨空氣導入一使用空間並進行空氣置換，包含：<br/>一空氣採集壓縮模組，其設置於所述清淨空氣的來源處，該空氣採集壓縮模組用以採集並壓縮所述清淨空氣，使所述清淨空氣形成高壓狀態；<br/>一空氣輸送模組，其連通該空氣採集壓縮模組，該空氣輸送模組包括：<br/>一空氣輸送管道，其用以輸送高壓狀態下的所述清淨空氣；<br/>一壓力調節裝置，其設置於鄰近該使用空間之前端位置，該壓力調節裝置用以將高壓狀態下的所述清淨空氣調節至適用於該使用空間的壓力範圍；<br/>一流量控制裝置，其設置於鄰近該壓力調節裝置，該流量控制裝置用以調節經由壓力調節後所釋放之所述清淨空氣進入該使用空間之流量；<br/>一換氣模組，其設置於該使用空間並連通該空氣輸送模組，該換氣模組包括：<br/>一清淨空氣導入單元，其與該空氣輸送模組連接，用以將所述清淨空氣導入該使用空間；<br/>一原有空氣排出單元，其設置於該使用空間，並與外部空氣環境連通，用以將原有室內空氣排出。
如請求項1所述之清淨空氣輸送與置換系統，其中，該流量控制裝置更包括一流量感測器，該流量感測器設置於所述清淨空氣進入該使用空間的流路中，該流量感測器用以感測進入該使用空間之所述清淨空氣之流量，並且可依預設時間間隔調整所述清淨空氣之流量。
如請求項1所述之清淨空氣輸送與置換系統，其中，更包括至少一空氣儲存轉運站，設置於該空氣採集壓縮模組與該使用空間之間，且該空氣儲存轉運站與該空氣輸送模組連通，該空氣儲存轉運站用以接收並儲存所述清淨空氣，並依使用需求將儲存所述清淨空氣輸送至該使用空間。
如請求項3所述之清淨空氣輸送與置換系統，其中，該空氣儲存轉運站與該使用空間之間更包括一控溫裝置，該控溫裝置包括：<br/>一溫度感測器，設置於該空氣輸送管道，該溫度感測器用以感測所述清淨空氣之輸送溫度；及<br/>一溫度調節單元，其與該溫度感測器電訊連接，該溫度調節單元根據該溫度感測器所感測之溫度資訊調整所述清淨空氣之輸送溫度。
如請求項3所述之清淨空氣輸送與置換系統，其中，該空氣儲存轉運站更包括一儲氣模組，該儲氣模組用以將儲存之所述清淨空氣分裝至複數空氣瓶。
如請求項5所述之清淨空氣輸送與置換系統，其中，該複數空氣瓶的外表面標示所述清淨空氣的來源地。
如請求項1所述之清淨空氣輸送與置換系統，其中，更包括一空氣監控模組，設置於鄰近該空氣採集壓縮模組，該空氣監控模組包括：<br/>一影像監控裝置，用以全天候拍攝該空氣採集壓縮模組的周邊環境與設備狀態；<br/>一空氣品質感測裝置，用以檢測該空氣採集壓縮模組的周邊環境空氣品質；及<br/>一資料整合裝置，電訊連接該影像監控裝置及該空氣品質感測裝置，該資料整合裝置用以接收並整合來自該影像監控裝置與該空氣品質感測裝置之資料，並進行儲存與傳輸。
如請求項7所述之清淨空氣輸送與置換系統，其中，該空氣監控模組更包括一空氣品質警報裝置，該空氣品質警報裝置連接於該資料整合裝置，當該空氣品質感測裝置所檢測之PM2.5濃度或有害氣體濃度超過預設閾值時，觸發該空氣品質警報裝置的視覺或聽覺警報。
如請求項7所述之清淨空氣輸送與置換系統，其中，該空氣監控模組更包括一入侵偵測裝置，該入侵偵測裝置具有一動態警報器，該入侵偵測裝置設置於該空氣採集壓縮模組之周邊區域，該入侵偵測裝置用以感測野生動物或非授權人員進入該空氣採集壓縮模組之周邊區域，並於偵測到入侵行為時觸發該動態警報器。
如請求項1所述之清淨空氣輸送與置換系統，其中，該空氣採集壓縮模組於外部套設一攔阻過濾裝置，該攔阻過濾裝置係由多層結構組成，用以分層攔阻外界異物。
如請求項10所述之清淨空氣輸送與置換系統，其中，該攔阻過濾裝置包括由外而內依序設置一第一攔阻層、一第二攔阻層、一第一過濾層及一第二過濾層，該第一攔阻層的孔徑為10mm至50mm，該第二攔阻層的孔徑為0.15mm至0.4mm，該第一過濾層的孔徑為10µm至100µm，該第二過濾層的孔徑小於2.5µm。
如請求項1所述之清淨空氣輸送與置換系統，其中，更包括一自動緊急關閉模組，該自動緊急關閉模組電訊連接該空氣採集壓縮模組，該自動緊急關閉模組包括：<br/>複數異常事件感測裝置，用以感測空氣品質之異常狀態；<br/>一控制判斷單元，電訊連接該複數異常事件感測裝置，並用以接收該複數異常事件感測裝置所傳送之突發事件訊號，依照預設邏輯啟動緊急關閉指令；及<br/>一壓縮機關閉執行單元，電訊連接該控制判斷單元及該空氣採集壓縮模組，該壓縮機關閉執行單元用以控制該空氣採集壓縮模組之壓縮機停止運作。
如請求項1所述之清淨空氣輸送與置換系統，其中，該換氣模組結合至該使用空間中之一冷氣機內，該換氣模組更包括：<br/>一進氣切換單元，其設置於該冷氣機之進氣端，該進氣切換單元連通該清淨空氣導入單元、該原有空氣排出單元以及外部空氣，該進氣切換單元用以選擇該冷氣機之進氣來源為該清淨空氣導入單元、該原有空氣排出單元以及外部空氣之一；及<br/>一空氣供應控制單元，電訊連接該清淨空氣導入單元與該冷氣機，用以設定所述清淨空氣之供應時間、供應流量及供應溫度參數。
如請求項13所述之清淨空氣輸送與置換系統，其中，該換氣模組更包括一空氣比例調節單元，該空氣比例調節單元根據該使用空間之體積與預設條件，調整所述清淨空氣相對於室內空氣之混合比例。
如請求項13所述之清淨空氣輸送與置換系統，其中，該換氣模組更包括一智慧空氣品質控制單元，該智慧空氣品質控制單元接收外部空氣品質資訊，據以調整所述清淨空氣之供應參數，或將空氣品質資訊呈現在該冷氣機之人機介面上。
一種自動打包便盆結構，係應用於便盆椅具有孔洞之坐椅板底部，其特徵在於，包括︰<br/> 一自動打包裝置，係設於便盆椅之坐椅板下端，該自動打包裝置中央設有貫通之一下孔洞且對應該坐椅板之孔洞，該自動打包裝置外側及內部分別設有相互電性連接之至少一打包鈕及至少一電路板、一電源、一驅動裝置、至少四活動熱條；<br/> 至少一便盆，係設於該自動打包裝置底部，該便盆上端設有一開口且對應該自動打包裝置之該下孔洞；<br/> 至少一垃圾袋卷，係設於該自動打包裝置內部且連接該驅動裝置，該垃圾袋卷於上段及下段分別對應該自動打包裝置之該活動熱條及該便盆；<br/> 利用該自動打包裝置為該活動熱條透過該驅動裝置內縮熱壓封合打包該垃圾袋卷，及利用該活動熱條透過該驅動裝置擴開為延伸該垃圾袋卷落至該便盆。
如申請專利範圍第1項所述之自動打包便盆結構，其中，所述該便盆椅中段設有一坐椅架，該坐椅架上端設有該坐椅板。
如申請專利範圍第1項所述之自動打包便盆結構，其中，所述坐椅板係為符合人體工學。
如申請專利範圍第2項所述之自動打包便盆結構，其中，所述便盆椅之位於該坐椅板上端兩側設有一扶手。
如申請專利範圍第4項所述之自動打包便盆結構，其中，所述便盆椅下端分別設有一滾輪。
如申請專利範圍第5項所述之自動打包便盆結構，其中，所述便盆椅上端兩側分別設有一握持推拉柄。
如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述之自動打包便盆結構，其中，所述電源係電池或市電供電。
如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述之自動打包便盆結構，其中，所述垃圾袋卷係為水性並添加有芳香防臭材質。
一種油桶蓋塞結構改良，係用在油桶上方開口之蓋塞；該蓋塞，為一中空向上開口狀，上方外圍為一凸緣，往下延伸一外環壁段，並於外環壁段上設置一個以上之凸環體，再於下方之抵部內縮延伸一倒勾體，倒勾體與抵部間形成一凹環槽，其倒勾體底部設有一倒角面，並於蓋塞內部設一拉環，利用底部延伸一柱體與拉環相連結；並於蓋塞上方凸緣底部及向下延伸之外環壁段、凸環體、抵部、凹環槽及倒勾體開設數條錯開及相通之排氣道段。
一種油桶蓋塞結構改良，係用在油桶上方開口之蓋塞；該蓋塞，為一中空向上開口狀，上方外圍為一凸緣，往下延伸一外環壁段，並於外環壁段上設置一個以上之凸環體，再於下方之抵部內縮延伸一倒勾體，倒勾體與抵部間形成一凹環槽，其倒勾體底部設有一倒角面，並於蓋塞內部設一拉環，利用底部延伸一柱體與拉環相連結。
一種油桶蓋塞結構改良，係用在油桶上方開口之蓋塞；該蓋塞，為一中空向上開口狀，上方外圍為一凸緣，往下延伸一外環壁段，於下方之抵部內縮延伸一倒勾體，倒勾體與抵部間形成一凹環槽，其倒勾體底部設有一倒角面。
一種油桶蓋塞結構改良，係用在油桶上方開口之蓋塞；該蓋塞，為一中空向上開口狀，上方外圍為一凸緣，往下延伸一外環壁段，並於外環壁段上設置一個以上之凸環體。
如申請專利範圍第1項或第2項或第3項或第4項所述膠蓋結構改良，其中，該蓋塞之外環壁段設置數個凸環體，可利用每個凸環體的尺寸不同，來解決外環壁段與內環壁加工時因廠商、環境及材料等因素，而產生的直徑公差不一致，造成外環壁段塞入內環壁時的鬆緊度不依之缺失。
如申請專利範圍第1項或第2項或第3項或第4項所述膠蓋結構改良，其中，可於蓋塞上方凸緣底部及向下延伸之外環壁段、凸環體、抵部、凹環槽及倒勾體開設數條錯開及相通之排氣道段。
如申請專利範圍第1項或第2項或第3項或第4項所述膠蓋結構改良，其中，可於蓋塞上方凸緣底部及向下延伸之外環壁段、凸環體、抵部、凹環槽及倒勾體開排氣道。
一種具外泌體的精華保養品結構，係包含有:<br/> 一容器，係該容器更包含有一本體，且該本體設有一容置空間；及<br/> 一精華液，係填充於該本體所設該容置空間，且該精華液所含成分係包含有一乳酸桿菌胞外囊泡、一維他命B5(泛醇)、一杏仁酸、一3-O-乙基維他命C、一替普瑞酮、一小分子量玻尿酸、一維他命B3(菸鹼胺)、一精胺酸、一木糖醇葡萄糖苷、一脫水木醣醇、一水母萃取、一勃那特螺旋藻萃取、一木醣醇、一尿囊素、一丙酮酸、一海藻萃取、一猴麵包樹果萃取、一檸檬酸、一印度蛇婆子提取物、一阿魏酸及一冰河褐藻細胞活化精粹。
如請求項1所述具外泌體的精華保養品結構，其中該乳酸桿菌胞外囊泡由微生物所分離出的外泌體。
如請求項1或2所述具外泌體的精華保養品結構，其中該容器更包含有一滴管及一蓋體，其中該蓋體接設於該本體所設一開口，且該滴管穿伸接設於該蓋體。
一種具外泌體的精華保養品結構，係包含有:<br/> 一容器，係該容器更包含有一本體，且該本體設有一容置空間；及<br/> 一精華液，係填充於該本體所設該容置空間，且該精華液所含成分係包含有一乳酸桿菌胞外囊泡、一維他命B5(泛醇)、一杏仁酸、一3-O-乙基維他命C、一替普瑞酮、一小分子量玻尿酸、一維他命B3(菸鹼胺)、一精胺酸、一木糖醇葡萄糖苷、一脫水木醣醇、一水母萃取、一勃那特螺旋藻萃取、一木醣醇、一尿囊素、一丙酮酸、一海藻萃取、一猴麵包樹果萃取、一檸檬酸、一印度蛇婆子提取物、一阿魏酸及一冰河褐藻細胞活化精粹。
如請求項4所述具外泌體的精華保養品結構，其中該乳酸桿菌胞外囊泡由微生物所分離出的外泌體。
如請求項4或5所述具外泌體的精華保養品結構，其中該容器更包含有一按壓蓋及一軟管，且該軟管接設於該按壓蓋下方，而該按壓蓋接設於該本體所設一開口。
一種嬰兒防溺澡盆，包含有：<br/>一洗澡盆，向下凹設有一盛水空間，於該洗澡盆一側且設有一第一組接部;<br/>一放置盆，向下凹設有一安放空間，於該放置盆一側且設有一第二組接部;<br/>一支撐柱，用以組接該第二組接部與該第一組接部，使該放置盆疊置組接於該洗澡盆的上方，該放置盆且可以該支撐柱為中心旋轉，使該洗澡盆之該盛水空間外顯露出。
如請求項1所述之嬰兒防溺澡盆，其中該第一組接部係位於該洗澡盆的一側且呈縱向設置，該第一組接部設為一孔洞且具有一開口連通於外部的型態，該第二組接部係位於該放置盆的一側呈縱向設置，該第二組接部亦設為一孔洞且具有一開口連通於外部的的型態，該支撐柱設為一圓型桿柱，由該第二組接部之該孔洞上方往下插設通過該第一組接部之該孔洞。
如請求項1所述之嬰兒防溺澡盆，其中該支撐柱的高度等於該洗澡盆與該放置盆的高度和。
如請求項1所述之嬰兒防溺澡盆，其中該洗澡盆為一圓型狀盆體。
如請求項1所述之嬰兒防溺澡盆，其中該放置盆為一圓型狀盆體。
一種導電構件總成，該導電構件總成係包括：<br/>一待接端導電構件，該待接端導電構件係具有一待接端導電構件膠芯、一待接端導電構件上方端子與一待接端導電構件下方端子，該待接端導電構件膠芯係具有一待接端導電構件膠芯對接槽，該待接端導電構件上方端子係具有一待接端導電構件上方端子對接結構，該待接端導電構件下方端子係具有一待接端導電構件下方端子對接結構，其中，該待接端導電構件膠芯係可接合該待接端導電構件上方端子與該待接端導電構件下方端子，使該待接端導電構件上方端子對接結構抵接該待接端導電構件膠芯對接槽的上方的槽壁，且使該待接端導電構件下方端子對接結構抵接該待接端導電構件膠芯對接槽的下方的槽壁；以及<br/>一對接端導電構件，該對接端導電構件係可對接該待接端導電構件，該對接端導電構件係具有一對接端導電構件膠芯、一對接端導電構件上方端子與一對接端導電構件下方端子，該對接端導電構件膠芯係具有一對接端導電構件膠芯對接頭，該對接端導電構件上方端子係具有一對接端導電構件上方端子對接結構與一對接端導電構件上方端子彈性結構，該對接端導電構件下方端子係具有一對接端導電構件下方端子對接結構與一對接端導電構件下方端子彈性結構，其中，該對接端導電構件膠芯係可接合該對接端導電構件上方端子與該對接端導電構件下方端子，使該對接端導電構件上方端子對接結構位於該對接端導電構件膠芯對接頭的上方，且使該對接端導電構件下方端子對接結構位於該對接端導電構件膠芯對接頭的下方；其中，<br/>於該對接端導電構件對接該待接端導電構件，該對接端導電構件膠芯對接頭係可提供對準該待接端導電構件膠芯對接槽，從而讓該對接端導電構件膠芯對接頭容易進入該待接端導電構件膠芯對接槽，使該對接端導電構件上方端子彈性結構可對該對接端導電構件上方端子對接結構提供彈力，以令該對接端導電構件上方端子對接結構抵接該待接端導電構件上方端子對接結構，而使該對接端導電構件上方端子達成對接該待接端導電構件上方端子，且使該對接端導電構件下方端子彈性結構可對該對接端導電構件下方端子對接結構提供彈力，以令該對接端導電構件下方端子對接結構抵接該待接端導電構件下方端子對接結構，而使該對接端導電構件下方端子達成對接該待接端導電構件下方端子。
如請求項第1項所述的導電構件總成，其中，該待接端導電構件膠芯還具有一待接端導電構件膠芯對接引導孔，該對接端導電構件還具有一對接引導體，該對接引導體係具有一對接引導結構，其中，該對接端導電構件膠芯係可接合該對接引導體，使該對接引導結構由該對接端導電構件膠芯延伸，於該對接端導電構件對接該待接端導電構件，該對接引導結構係可進入該待接端導電構件膠芯對接引導孔，而引導該對接端導電構件膠芯對接頭進入該待接端導電構件膠芯對接槽。
如請求項第2項所述的導電構件總成，其中，該對接引導結構的延伸長度係大於該對接端導電構件膠芯對接頭的延伸長度，使該對接引導結構進入該待接端導電構件膠芯對接引導孔的時間，早於該對接端導電構件膠芯對接頭進入該待接端導電構件膠芯對接槽的時間。
如請求項第2項所述的導電構件總成，其中，該對接引導結構係為柱狀結構。
如請求項第1項所述的導電構件總成，其中，該待接端導電構件還具有一待接端導電構件板材；該待接端導電構件上方端子還具有一待接端導電構件上方端子搭接結構與一待接端導電構件上方端子銜接結構，該待接端導電構件上方端子銜接結構係銜接該待接端導電構件上方端子對接結構與該待接端導電構件上方端子搭接結構，且該待接端導電構件上方端子銜接結構係具有一待接端導電構件上方端子銜接結構折彎延伸段，該待接端導電構件上方端子銜接結構折彎延伸段係提供折彎延伸，使該待接端導電構件上方端子搭接結構沿著一待接端導電構件上方端子搭接路徑延伸，以令該待接端導電構件上方端子搭接結構可搭接該待接端導電構件板材；以及該待接端導電構件下方端子還具有一待接端導電構件下方端子搭接結構與一待接端導電構件下方端子銜接結構，該待接端導電構件下方端子銜接結構係銜接該待接端導電構件下方端子對接結構與該待接端導電構件下方端子搭接結構，且該待接端導電構件下方端子銜接結構係具有一待接端導電構件下方端子銜接結構折彎延伸段，該待接端導電構件下方端子銜接結構折彎延伸段係提供折彎延伸，使該待接端導電構件下方端子搭接結構沿著一待接端導電構件下方端子搭接路徑延伸，以令該待接端導電構件下方端子搭接結構可搭接該待接端導電構件板材，其中，該待接端導電構件上方端子搭接路徑與該待接端導電構件下方端子搭接路徑係實質平行延伸。
如請求項第5項所述的導電構件總成，其中，該對接端導電構件還具有一對接端導電構件板材；該對接端導電構件上方端子還具有一對接端導電構件上方端子搭接結構與一對接端導電構件上方端子銜接結構，該對接端導電構件上方端子銜接結構係銜接該對接端導電構件上方端子對接結構與該對接端導電構件上方端子搭接結構，且該對接端導電構件上方端子銜接結構係具有一對接端導電構件上方端子銜接結構直線延伸段，該對接端導電構件上方端子銜接結構直線延伸段係提供直線延伸，使該對接端導電構件上方端子搭接結構沿著一對接端導電構件上方端子搭接路徑延伸，以令該對接端導電構件上方端子搭接結構可搭接該對接端導電構件板材；以及該對接端導電構件下方端子還具有一對接端導電構件下方端子搭接結構與一對接端導電構件下方端子銜接結構，該對接端導電構件下方端子銜接結構係銜接該對接端導電構件下方端子對接結構與該對接端導電構件下方端子搭接結構，且該對接端導電構件下方端子銜接結構係具有一對接端導電構件下方端子銜接結構直線延伸段，該對接端導電構件下方端子銜接結構直線延伸段係提供直線延伸，使該對接端導電構件下方端子搭接結構沿著一對接端導電構件下方端子搭接路徑延伸，以令該對接端導電構件下方端子搭接結構可搭接該對接端導電構件板材，其中，該對接端導電構件上方端子搭接路徑與該對接端導電構件下方端子搭接路徑係實質平行延伸。
如請求項第6項所述的導電構件總成，其中，該待接端導電構件上方端子搭接路徑與該對接端導電構件上方端子搭接路徑的延伸係可實質垂直相交；以及該待接端導電構件下方端子搭接路徑與該對接端導電構件下方端子搭接路徑的延伸係可實質垂直相交。
如請求項第6項所述的導電構件總成，其中，該對接端導電構件膠芯對接頭係具有一對接端導電構件上方端子容置空間與一對接端導電構件下方端子容置空間，於該對接端導電構件對接該待接端導電構件，該對接端導電構件上方端子的至少一部分係可置入該對接端導電構件上方端子容置空間，該對接端導電構件下方端子的至少一部分係可置入該對接端導電構件下方端子容置空間。
如請求項第8項所述的導電構件總成，其中，該待接端導電構件膠芯對接槽的上方的槽壁係可支撐該待接端導電構件上方端子對接結構，以令該待接端導電構件上方端子對接結構可迫使該對接端導電構件上方端子彈性變形，而使該對接端導電構件上方端子的至少一部分可置入該對接端導電構件上方端子容置空間；以及該待接端導電構件膠芯對接槽的下方的槽壁係可支撐該待接端導電構件下方端子對接結構，以令該待接端導電構件下方端子對接結構可迫使該對接端導電構件下方端子彈性變形，而使該對接端導電構件下方端子的至少一部分可置入該對接端導電構件下方端子容置空間。
一種魚類靜脈穿刺技術練習仿真模型，包含一魚類靜脈穿刺技術練習仿真模型(10)，其至少有一組輸液系統導管頭端開閉口(20)可供替換外置補充液體末端閉口之前端粗後端細輸液系統導管(21)並由至少一組仿魚類脊椎結構之輸液系統導管托架(30)固定支撐，該仿魚類脊椎結構之輸液系統導管托架(30)放置於魚類尾部脊椎下方正確靜脈叢生理解剖位置用以固定與撐托該前端粗後端細輸液系統導管(21)使之位於脊椎下方，提供施針抽血及靜脈穿刺使用；當使用帶針針筒施針扎入模型後，可沿著該仿魚類脊椎結構之輸液系統導管托架(30)做為標的，將針頭引導施針內置之模擬魚類靜脈叢血管之該前端粗後端細輸液系統導管(21)內穿刺抽血，當施針抽血方式、位置、角度或深度不當時，亦即是未施針至該仿魚類脊椎結構之輸液系統導管托架(30)狹小範圍之該前端粗後端細輸液系統導管(21)內時，則無法抽取到液體，該魚類靜脈穿刺技術練習仿真模型(10)之肌肉材料主要由合成矽膠和/或橡膠製成，肌肉材料包含矽氧橡膠、乙烯丙烯橡膠、氟橡膠、烯烴系橡膠、乳膠橡膠、腈橡膠或丁基橡膠，其耐用、簡潔且可重複使用的設計使其能夠反覆練習。
如請求項1所述之魚類靜脈穿刺技術練習仿真模型，其中供固定用之該仿魚類脊椎結構之輸液系統導管托架(30)形狀可為片狀、梳狀或骨狀，材質可為塑膠或金屬。
如請求項2所述之魚類靜脈穿刺技術練習仿真模型，其中供固定用之該仿魚類脊椎結構之輸液系統導管托架(30)放置於該魚類靜脈穿刺技術練習仿真模型(10)內魚體尾部脊椎位置。
如請求項2所述之魚類靜脈穿刺技術練習仿真模型，其中供固定用之該仿魚類脊椎結構之輸液系統導管托架(30)裝置於該魚類靜脈穿刺技術練習仿真模型(10)內正確靜脈叢位置且形成90~120度開放角度固定，用以配合特定施針方向。
如請求項1所述之魚類靜脈穿刺技術練習仿真模型，其外表型態可為紡錘型、梭型、側扁型、圓筒型或棍棒型。
如請求項1所述之魚類靜脈穿刺技術練習仿真模型，其中之該肌肉材料包含矽氧橡膠、乙烯丙烯橡膠、氟橡膠、烯烴系橡膠、乳膠橡膠、腈橡膠或丁基橡膠，配置之該肌肉材料邵氏硬度(Shore硬度)範圍為10A至70A的軟硬度，適合用於不同魚類動物肌肉軟硬度之抽血與施針觸感需求。
如請求項1所述之魚類靜脈穿刺技術練習仿真模型，其中之該前端粗後端細輸液系統導管(21)係一條具前端粗後端細設計彈性管，該彈性管係可任何可疏水性材質。
如請求項7所述之魚類靜脈穿刺技術練習仿真模型，其中之該前端粗後端細輸液系統導管(21)，係一條具前端粗後端細設計彈性管，該前端粗後端細輸液系統導管(21)放置於魚類尾部脊椎下方正確靜脈叢生理解剖位置，用以提供施針抽血及靜脈穿刺使用。
如請求項1所述之魚類靜脈穿刺技術練習仿真模型，其中之該輸液系統導管頭端開閉口(20)可供外接替換補充輸液套組。
如請求項1所述之魚類靜脈穿刺技術練習仿真模型，可移除固定用之該仿魚類脊椎結構之輸液系統導管托架(30)，只配置一該前端粗後端細輸液系統導管(21)放置於該魚類靜脈穿刺技術練習仿真模型(10)內之約略靜脈叢位置未限定角度固定，可用以配合非特定不同方向與角度施針。
一種智慧墊圈，包含有：<br/> 一墊圈本體，具有相對兩側的一對垂直受檢測區及一對水平受檢測區；<br/> 一感測單元，具有一組垂直感應變片及一組水平感應變片，係分別設置在該垂直受檢測區及該水平受檢測區上，該垂直感應變片係用以檢測壓縮形變係數，該水平感應變片係用以檢測拉升形變係數；<br/> 一處理單元，係電性連接該感測單元，用以處理分析該壓縮形變係數與拉升形變係數。
如請求項1所述之智慧墊圈，其中該垂直感應變片及水平感應變片係為4個可變電阻組成，使形成一惠斯頓電橋，當該墊圈本體受到擠壓使該垂直感應變片及水平感應變片形變，而產生一電位差Vdd信號。
如請求項2所述之智慧墊圈，其中該惠斯頓電橋平衡時，電位差Vdd信號為0V，該惠斯頓電橋不平衡時，電位差Vdd信號不為0V。
如請求項1所述之智慧墊圈，其中該處理單元更包括設有一信號放大器電路、一信號比較器電路、一類比數位轉換器電路，該信號放大器電路用以將微弱的電位差Vdd信號放大，該信號比較器電路將電位差Vdd信號和Vref比較並放大，進而產生一輸出電位Vout，該類比數位轉換器電路用以將輸出電位Vout轉換為數位形式，並傳送給該處理單元。
如請求項4所述之智慧墊圈，其中透過該處理單元的閉迴路調整，使輸出電位Vout微調至中點電位。
如請求項1所述之智慧墊圈，其中該處理單元更包括電性連接一數位輸出介面，該數位輸出介面為USB介面、RS-232、RS-485、RJ-45、或Type-C介面。
如請求項1所述之智慧墊圈，其中該處理單元更包括電性連接一無線通信器，該無線通信器為一射頻傳收器。
一種智慧墊圈與智慧介面模組，包含有：<br/> 一墊圈本體，具有相對兩側形成有一對垂直受檢測區及相對兩側形成有一對水平受檢測區；<br/> 一感測單元，具有一組垂直感應變片及一組水平感應變片，係分別設置在該垂直受檢測區及該水平受檢測區上，該垂直感應變片係用以檢測壓縮形變係數，該水平感應變片係用以檢測拉升形變係數；<br/> 一處理單元，係電性連接該感測單元與一數位輸出介面，該處理單元用以處理分析該壓縮形變係數與拉升形變係數；<br/> 該智慧介面模組包含有一信號放大器電路、一信號比較器電路、一類比數位轉換器電路及一微處理器，該信號放大器電路用以將微弱的電位差Vdd信號放大，該信號比較器電路將電位差Vdd信號和Vref比較並放大，進而產生一輸出電位Vout，該類比數位轉換器電路用以將輸出電位Vout轉換為數位形式，並傳送給該微處理器，該智慧介面模組可與該數位輸出介面電信連接。
如請求項8所述之智慧墊圈與智慧介面模組，該智慧介面模組與該數位輸出介面為一公母相對應的USB介面、RS-232、RS-485、RJ-45、或Type-C介面。
一種智慧穿戴殼結構，包括：<br/> 穿戴殼體（100），該穿戴殼體（100）的外壁上設有腕帶連接部（110）和安裝部（120），該安裝部（120）在第一方向（Z）上的投影與該腕帶連接部（110）至少部分重合，該第一方向（Z）為該穿戴殼體（100）的厚度方向；<br/> 轉動控制件（200），可轉動地安裝於該安裝部（120），且該轉動控制件（200）的至少部分露出於該穿戴殼體（100）；<br/> 轉動感應件（300），設於該穿戴殼體（100）內並連接於控制模組（800），該轉動感應件（300）用於感應該轉動控制件（200）的轉動，以使該控制模組（800）根據該轉動控制件（200）的轉動實現相應控制。
如請求項1之智慧穿戴殼結構，還包括連接支架（400），該連接支架（400）設置於該安裝部（120）內，該轉動控制件（200）可轉動地連接於該連接支架（400）；該轉動感應件（300）位於該安裝部（120）上。
如請求項2之智慧穿戴殼結構，其中，該安裝部（120）包括底擋板（121）、頂擋板（122）及設置於該底擋板（121）和該頂擋板（122）之間的多個側擋板（123），該轉動感應件（300）為光電感測器，且該轉動控制件（200）的結構沿周向具有透光結構，以使該轉動感應件（300）能感應轉動的該轉動控制件（200）的轉動。
如請求項3之智慧穿戴殼結構，其中，該轉動控制件（200）包括轉動主體（210）及多個凸齒部（220），多個該凸齒部（220）沿該轉動主體（210）的圓周方向間隔設置，相鄰該凸齒部（220）之間形成該透光結構。
如請求項3之智慧穿戴殼結構，其中，多個該側擋板（123）包括至少一個透明板（1231），該轉動控制件（200）和該轉動感應件（300）位於該透明板（1231）厚度方向上的兩側，且該轉動控制件（200）的轉動軸平行於該透明板（1231）。
如請求項2之智慧穿戴殼結構，其中，該穿戴殼體（100）內設置有觸碰感應件（10），該連接支架（400）沿第二方向（Y）可滑動地設置於該安裝部（120）內，且該連接支架（400）的一端穿過該安裝部（120）並延伸至該穿戴殼體（100）的內部；其中，該第二方向（Y）垂直於該第一方向（Z）。
如請求項6之智慧穿戴殼結構，還包括彈性件（500），該彈性件（500）設於該安裝部（120）的一側壁與該連接支架（400）之間。
如請求項6之智慧穿戴殼結構，還包括密封件，該密封件連接於該安裝部（120）和/或該連接支架（400）。
如請求項1-8中任一項之智慧穿戴殼結構，其中，該腕帶連接部（110）相對設置有兩個；<br/> 該安裝部（120）設有一個，該安裝部（120）與其中一個該腕帶連接部（110）在該第一方向（Z）上的投影至少部分重合；<br/> 或者，該安裝部（120）設有兩個，每個該安裝部（120）均安裝有該轉動控制件（200），兩個該安裝部（120）與兩個該腕帶連接部（110）一一對應，該安裝部（120）在該第一方向（Z）上的投影與其對應的該腕帶連接部（110）至少部分重合。
一種智慧穿戴設備，包括如請求項1-9中任一項之智慧穿戴殼結構，該智慧穿戴設備還包括控制模組（800），該轉動感應件（300）連接於該控制模組（800）。
一種晨曦柔光鏡片，係包括：<br/> 一偏光鏡片，提供40%至60%的偏振效果；以及<br/> 一光學鍍膜，形成於該偏光鏡片的一入射面上，該光學鍍膜包括一基底結構及一調整結構，該基底結構疊設於該入射面上，且該調整結構疊設於該基底結構上；其中該基底結構包括逐一堆疊的複數二氧化矽層，且該調整結構包括交替堆疊的複數五氧化三鈦層及複數二氧化矽層。
如請求項1所述的晨曦柔光鏡片，其中該偏光鏡片經加色及調色調處理，並配合該光學鍍膜的設置，使得該晨曦柔光鏡片對入射光中介於600 nm至700 nm之間的波段範圍的光穿透率維持在平均17.63%以下，且對入射光中介於400 nm至500 nm之間的波段範圍的光穿透率維持在平均5.36%以上。
如請求項2所述的晨曦柔光鏡片，其中該偏光鏡片經加色及調色調處理，並配合該光學鍍膜的設置，使得該晨曦柔光鏡片將光穿透率降至平均10%至12%。
如請求項2所述的晨曦柔光鏡片，其中該偏光鏡片經加色及調色調處理後，該偏光鏡片對入射光中介於600 nm至700 nm之間的波段範圍的光穿透率為13.38%至54.11%，且對入射光中介於400 nm至600 nm之間的波段範圍的光穿透率為0.04%至13.38%。
如請求項3所述的晨曦柔光鏡片，其中該晨曦柔光鏡片對入射光中介於600 nm至700 nm之間的波段範圍的光穿透率為9.83%至31.86%，且對入射光中介於400 nm至600 nm之間的波段範圍的光穿透率為0.02%至9.83%。
如請求項1所述的晨曦柔光鏡片，其中該基底結構的該複數二氧化矽層的總堆疊層數為5層。
如請求項5所述的晨曦柔光鏡片，其中該調整結構的該複數五氧化三鈦層及該複數二氧化矽層的總堆疊層數為12層。
如請求項1所述的晨曦柔光鏡片，其中該偏光鏡片提供50%的偏振效果。
一種智慧安全查詢系統，包含：<br/> 一權限管理伺服器，用以接收與該智慧安全查詢系統連接之一提問者裝置傳送之一提問，並根據該提問者對應之一權限決定一資料範圍；以及<br/> 一查詢伺服器，與該權限管理伺服器連接，該查詢伺服器包含：<br/> 一問題拆解模組，用以根據該提問以一問題拆解模型判斷生成一查詢指令；<br/> 一查詢指令生成模組，與該問題拆解模組連接，用以當該問題拆解模組判斷生成該查詢指令時，根據該提問以一查詢指令生成模型生成對應該資料範圍之該查詢指令；<br/> 一查詢模組，與該查詢指令生成模組連接，該查詢模組用以根據該查詢指令自與該智慧安全查詢系統連接之一查詢資料庫在該資料範圍內查詢一企業資料，並據以產生一查詢資料；以及<br/> 一回應模組，與該查詢模組連接，該回應模組用以將該查詢資料作為該提問之一回應傳送至該提問者裝置。
如請求項1所述之智慧安全查詢系統，其中該查詢伺服器更包含：<br/> 一資料結構處理模組，與該問題拆解模組連接，該資料結構處理模組用以根據該提問提供一資料結構、一範例資料及一提示詞中至少一者至該查詢指令生成模組；<br/> 當該問題拆解模組根據該提問及該資料結構、該範例資料及該提示詞中至少一者判斷生成該查詢指令，則該查詢指令生成模組以該查詢指令生成模型根據該資料結構、該範例資料及該提示詞中至少一者生成對應該資料範圍之該查詢指令。
如請求項1所述之智慧安全查詢系統，其中該問題拆解模組更用以根據該提問以該問題拆解模型判斷生成一圖表指令；<br/> 該查詢伺服器更包含：<br/> 一圖表指令生成模組，與該問題拆解模組連接，用以當該問題拆解模組判斷生成該圖表指令時，根據該提問以一圖表指令生成模型生成對應該資料範圍內之該圖表指令；<br/> 該查詢模組更與該圖表指令生成模組連接，且該查詢模組更用以根據該圖表指令自該查詢資料庫在該資料範圍內查詢該企業資料，並據以產生一圖表，由該回應模組將該圖表作為該回應傳送至該提問者裝置。
如請求項3所述之智慧安全查詢系統，其中該查詢伺服器更包含：<br/> 一資料結構處理模組，與該問題拆解模組連接，該資料結構處理模組用以根據該提問提供一資料結構、一範例資料及一提示詞中至少一者；<br/> 當該問題拆解模組根據該提問及該資料結構、該範例資料及該提示詞中至少一者判斷生成該圖表指令，則該圖表指令生成模組以該圖表指令生成模型根據該資料結構、該範例資料及該提示詞中至少一者生成對應該資料範圍之該圖表指令。
如請求項2或4中任一項所述之智慧安全查詢系統，其中該資料結構為該企業資料中對應該資料範圍之一資料表之一資料表資訊。
如請求項2或4中任一項所述之智慧安全查詢系統，其中該範例資料為一指令模板。
如請求項1所述之智慧安全查詢系統，更包含：<br/> 一安全性檢測伺服器，與該查詢伺服器連接，該安全性檢測伺服器用以檢測該查詢指令是否符合一安全條件。
如請求項7所述之智慧安全查詢系統，其中該安全條件用以限制該查詢指令不出現至少一敏感字元、所執行並產生之該查詢資料不超出一限制查詢資料量、以及不超出該資料範圍中至少一者。
如請求項1所述之智慧安全查詢系統，其中該回應模組更用以將該查詢資料以一回應模型轉換為一自然語言形式並作為該回應傳送至該提問者裝置。
如請求項1所述之智慧安全查詢系統，其中該權限管理伺服器用以根據該提問者對應之該權限傳送該資料範圍之該企業資料至該提問者裝置顯示。
一種眼鏡鏡腳，包含：<br/> 鏡腳本體，該鏡腳本體前端設有樞接座；<br/> 軟質構件，係射出成型結合於該鏡腳本體上；<br/> 其特徵在於：該鏡腳本體外側面設有第一凹陷部與下方第二凹陷部，並於內側面下方設有大面積的第三凹陷部，該第三凹陷部前端設有第四凹陷部穿出鏡腳本體上緣；軟質構件，為軟質材料製成，係射出成型包覆結合於鏡腳本體之第一、第二、第三及第四凹陷部上，藉此，軟質構件使該眼鏡鏡腳外側面形成斜線與曲面線條造型，該眼鏡鏡腳內側面下方則具有大面積的柔軟貼合面。
如請求項1所述之眼鏡鏡腳，其中，該外側面係呈<br/> 狀。
如請求項1所述之眼鏡鏡腳，其中，該軟質材料外側面<br/> 係呈 狀，結合於鏡腳本體上。
如請求項1所述之眼鏡鏡腳，其中，該鏡腳本體上之第一、第四凹陷部為一斜線狀。
如請求項1所述之眼鏡鏡腳，其中，該鏡腳本體上之第一、第四凹陷部之夾角為45-75度者。
如請求項1所述之眼鏡鏡腳，其中，該鏡腳本體上之第一凹陷部與第四凹陷部相連，可讓軟質構件形成環包於鏡腳本體，提供更穩定之結合。
一種眼鏡鏡腳，包含：<br/> 鏡腳本體，該鏡腳本體前端設有樞接座，並於樞接座後方環設有第一及第四凹陷部；<br/> 軟質構件，係射出成型結合於該鏡腳本體之凹陷部，使軟質構件可以穩固結合於鏡腳本體上。
一種折疊式容器，應用於一冰品擠壓機的一杯槽內，其特徵在於，該折疊式容器包含：一杯體，該杯體包括有相接續的一上杯體、一接續部與一下杯體，該上杯體具有相接續的一上環形杯壁、一頂側緣與一頂面，該頂側緣具有一向外凸出的一圈形凸環，該圈形凸環的外徑略大於該杯槽的口徑，該下杯體具有相接續的一下環形杯壁與一底面，該底面開設有一擠出口，該杯體的內圍具有一儲納空間為與該擠出口相通，該頂面上設有兩凸點，該兩凸點位於該杯體內，並朝向該底面凸起；以及一封合膜片，貼設於該底面，並覆蓋該擠出口。
如請求項1所述之折疊式容器，其特徵在於，該下環形杯壁與該底面之間形成有一下導角弧面。
如請求項1所述之折疊式容器，其特徵在於，該封合膜片具有一膜片本體與一壓力式開口單元，該壓力式開口單元位於該膜片本體的中央部位，並覆蓋該擠出口。
如請求項3所述之折疊式容器，其特徵在於，該壓力式開口單元具有呈環狀排列的數個扇形片體，各該扇形片體各具有相接續的一圓弧邊與兩側邊，各該扇形片體的圓弧邊各以一連接部與該膜片本體相連，並各以一圓弧邊點斷線與該膜片本體相接，各該扇形片體的兩側邊各以一側邊點斷線與相鄰之扇形片體的側邊相接。
如請求項1所述之折疊式容器，其特徵在於，該上杯體的外徑小於該下杯體的內徑。
如請求項1所述之折疊式容器，其特徵在於，該兩凸點與該擠出口的邊緣在該頂面與該底面的排列方向上相對。
如請求項1所述之折疊式容器，其特徵在於，該兩凸點之間相距一距離，該擠出口具有一寬度，且該距離等於或大於該寬度。
一種AI臉部穴位標識與保健諮詢系統，其包含：<br/> 一影像擷取模組，其係用以即時擷取多個臉部影像與多個手部影像； <br/> 一臉部特徵辨識模組，其係耦接於該影像擷取模組，該臉部特徵辨識模組係用以辨識所述臉部影像之臉部特徵點；<br/> 一穴位定位模組，其係耦接於該臉部特徵辨識模組，根據所述臉部特徵點對應計算複數臉部穴位位置；<br/> 一手指定位模組，其係耦接於該臉部特徵辨識模組與該穴位定位模組，該手指定位模組係用以偵測一手指位置並對應其所指向之其一所述臉部穴位位置；以及<br/> 一保健諮詢模組，其係耦接於穴位定位模組與手指定位模組，該保健諮詢模組包含一大型語言模型及一檢索增強生成技術，該保健諮詢模組係用以根據辨識其一所述臉部穴位即時提供對應保健資訊與建議內容；<br/> 其中，該影像擷取模組將所擷取之所述臉部影像與所述手部影像，係同步提供予該臉部特徵辨識模組與該手指定位模組，並由該穴位定位模組對應於一中醫穴位知識庫進行計算，以定位其一所述臉部穴位位置。
如請求項1所述之系統，更包含一使用者介面模組，其係耦接於該保健諮詢模組，該使用者介面模組係用以即時顯示其一所述臉部穴位之保健資訊與建議內容。
如請求項2所述之系統，其中，當該手指接近其一所述臉部穴位時，該使用者介面模組即顯示其一所述臉部穴位相關之保健資訊與建議內容。
如請求項1至請求項3中任一項所述之系統，更包含一語音合成模組，其係耦接於該保健諮詢模組，該語音合成模組係用以將其一所述臉部穴位所產生之保健資訊與建議內容轉換為語音。
如請求項1至請求項3中任一項所述之系統，其中，該穴位定位模組係根據鄰近四臉部特徵點對應計算另一所述臉部穴位位置。
一種軟硬板通用之電路板垂直定位框，包括有：<br/> 一垂直框，具有一頂框條、一對直框條與一底框條； <br/> 一上夾板模組，具有一對上定位件、一上活動桿、數個上扣爪與數個上夾爪，該對上定位件固定於該對直框條上端，該對上定位件相向具有一對縱向的上嵌槽，且相對該上嵌槽成型有一列縱向的上插銷孔，該上活動桿嵌設於該對上嵌槽且利用插銷插設於該列上插銷孔，而將該上活動桿定位於該對上定位件，各該上扣爪與各該上夾爪朝下橫向排列設置於該上活動桿；以及<br/> 一下夾板模組，具有一對下定位件、一下活動桿、數個下扣爪與數個下夾爪，該對下定位件固定於該對直框條下端，該對下定位件相向具有一對縱向的下嵌槽，且相對該下嵌槽成型有一列縱向的下插銷孔，該下活動桿嵌設於該對下嵌槽且利用插銷插設於該列下插銷孔，而將該下活動桿定位於該對下定位件，各該下扣爪與各該下夾爪朝上橫向排列設置於該下活動桿。
如請求項1所述軟硬板通用之電路板垂直定位框，其中，該對上定位件的斷面為H型，該對下定位件的斷面為H型。
如請求項1所述軟硬板通用之電路板垂直定位框，其中，該上活動桿橫向成型有上定位溝，各該上扣爪與各該上夾爪設置於該上定位溝；該下活動桿橫向成型有下定位溝，各該下扣爪與各該下夾爪設置於該下定位溝。
一種散熱結構，包括：<br/> 一基底，其由一第一金屬材料及一第二金屬材料構成；以及<br/> 兩鰭片組，其連接於該基底之一面且對稱排列於該基底之兩側，並且該些鰭片組包含複數鰭片；<br/> 其中，該第一金屬材料具有一第一熱傳導係數，該第二金屬材料具有一第二熱傳導係數，並且該第一熱傳導係數不同於該第二熱傳導係數。
如請求項1所述之散熱結構，其中該第一熱傳導係數是大於該第二熱傳導係數。
如請求項1所述之散熱結構，其中該第一金屬材料的材質為銅。
如請求項1所述之散熱結構，其中該第二金屬材料的材質為鋁。
如請求項1所述之散熱結構，其中該基底和該些鰭片組是一體成形。
如請求項1所述之散熱結構，其中該些鰭片組的材質為鋁。
如請求項1所述之散熱結構，其中該些鰭片組與該第二金屬材料相連接。
一種具人工智慧的廣告受眾推薦系統，該系統包含:<br/> 一伺服器，連接複數個網路平台，該些網路平台依一受眾屬性資訊刊登複數個多媒體廣告；其中，該伺服器包含：<br/> 一資料庫，用以儲存該些多媒體廣告及其對應之該受眾屬性資訊，以及一觀看資訊；<br/> 一處理器，用以對該些多媒體廣告執行一廣告多模態素材特徵分析，並將該些多媒體廣告關聯複數個特徵標籤；<br/> 一模型訓練模組，用以根據該些多媒體廣告、其關聯之該些特徵標籤、該些網路平台及該受眾屬性資訊進行訓練，並產生複數個廣告受眾模型；以及<br/> 一受眾推薦介面，提供輸入預投放之該廣告素材，藉由該廣告多模態素材特徵分析輸出所對應之該些特徵標籤，該處理器依據該些特徵標籤自該模型訓練模組匹配對應之該廣告受眾模型，並顯示於該受眾推薦介面上。
如請求項1所述之具人工智慧的廣告受眾推薦系統，該受眾屬性資訊包含一年齡層標籤、一性別標籤以及一特徵標籤列表。
如請求項1所述之具人工智慧的廣告受眾推薦系統，該觀看資訊包含一點擊率或/及一廣告觀看時間。
如請求項1所述之具人工智慧的廣告受眾推薦系統，該些特徵標籤列表包含一第一層特徵標籤，該第一層特徵標籤包含娛樂、嗜好與活動、科技、購物與時尚、食品與飲料、家庭與關係、健身與保健、商業與產業、教育及動物等。
如請求項4所述之具人工智慧的廣告受眾推薦系統，該第一層特徵標籤對應包含一第二層特徵標籤，該第二層特徵標籤包含：娛樂: 電影、電視節目、音樂、書籍、遊戲、幽默等，嗜好與活動: 運動、旅遊、烹飪、攝影、園藝、藝術、手工藝等；科技: 電腦、手機、網路、軟體、人工智慧等；購物與時尚: 服飾、美妝、奢侈品、線上購物、零售等；食品與飲料: 各式料理、餐廳、飲品、烹飪、健康飲食等；家庭與關係: 育兒、婚姻、家庭生活、友誼等，健身與保健: 運動、健康飲食、營養、心理健康等；商業與產業: 行銷、廣告、金融、房地產、科技業等；教育: 各級教育、語言學習、線上課程等，動物: 寵物、野生動物、動物保護等。
如請求項1所述之具人工智慧的廣告受眾推薦系統，該廣告多模態素材特徵分析還包含一基於語意相似度的負樣本採樣。
如請求項1所述之具人工智慧的廣告受眾推薦系統，該模型訓練模組進一步包含一對該些多媒體廣告進行去重複處理之模組。
如請求項1所述之具人工智慧的廣告受眾推薦系統，該觀看資訊還包含與該些多媒體廣告相關之一貼文資訊及一使用者互動資料，該使用者互動資料包括按讚、留言及分享等資訊。
如請求項1所述之具人工智慧的廣告受眾推薦系統，該些多媒體廣告包含文本、圖片、影片等多模態資訊。
一種煲仔飯機結構，用於至少一煲鍋體之炊煮，其包含：<br/>一爐台；<br/>至少一灶頭，設於該爐台上，具有一凸軸部及設於該凸軸部中心之芯軸孔，該灶頭於凸軸部外圍環設有複數出火頭；<br/>至少一旋轉支架組，設置於各該灶頭上，各該旋轉支架組包含：<br/>一驅動件，設於該灶頭對應爐台內部中，該驅動件具有一對應該芯軸孔之輸出軸，其頂端具一聯軸部；<br/>一支撐架，用於支撐該煲鍋體，該支撐架具有一芯軸，其底端具有一接軸部，該芯軸穿設於該芯軸孔中，且所述接軸部與該聯軸部可選擇性嵌合連接，<br/>至少一對應各該灶頭之控制模組，包含：<br/>一控制器，電性連接該驅動件及一設於該灶頭之節流閥件，<br/>一設定單元，設於該爐台操作面，可控制該驅動件之啟閉、轉速及該節流閥件對火力之調整，並可設定烹飪時間。
如請求項1所述之煲仔飯機結構，其中該爐台具有一供安裝灶頭之台面、一供安裝控制模組之安裝腔室及一供安裝該設定單元之操作台面。
如請求項1所述之煲仔飯機結構，其中該支撐架並包含複數爪肋，等角分布於該芯軸頂端，且該爪肋之自由端具一向上延伸之限位端部，以防止煲鍋體於旋轉過程中脫落。
如請求項3所述之煲仔飯機結構，其中該爪肋之上表面設有複數凸齒，以增加摩擦力並防止煲鍋體滑動。
如請求項1所述之煲仔飯機結構，其中該驅動件為一馬達，所述聯軸部及接軸部為相對之多角嵌筒與多角栓頭，以實現驅動動力之有效傳遞。
如請求項2所述之煲仔飯機結構，其中該灶頭外圍設有一封閉蓋板，該蓋板連接至爐台台面，以防止油污或水漬滲入該安裝腔室。
如請求項1所述之煲仔飯機結構，其中該灶頭進一步設有至少一電子式連續點火器與一感溫棒，用於自動點火與熄火安全保護。
如請求項1所述之煲仔飯機結構，其中該設定單元之按鍵部可供使用者設定烹飪模式、轉速及火力等參數。
如請求項1所述之煲仔飯機結構，其中該設定單元之顯示部可即時顯示烹飪模式、火力大小、剩餘倒數時間等資訊。
一種智能餵食系統，包含：一導軌組，該導軌組具有一橫向軌道以及至少二立桿，各該立桿係設置於該導軌組之橫向軌道末端；以及一餵食裝置，該餵食裝置具有一容置盒以及一導輪，該容置盒具有一半開放容室，其該半開放容室係透過一蓋體開啟即封閉，該導輪設置於該容置盒相對蓋體之另端，並置放於該導軌組之該軌導上，使其餵食裝置可以於該導軌組上橫向位移。
如請求項1所述之智能餵食系統，其中更包含至少一餵食器皿，其系置放於橫向軌道下方適當位置處。
如請求項2所述之智能餵食系統，其中更包含至少一RFID標籤，其該RFID標籤係設置於被餵食的動物身上，而該餵食器品更設有一讀取器，使該RFID標籤靠近時可透過該讀取器取得對應的數值來提供餵食量以及餵食次數。
如請求項3所述之智能餵食系統，其中更包含一手持裝置，該手持裝置可與該餵食裝置遠端連接，用以控制餵食量、餵食次數等相關參數。
一種涼暖隨行無線音樂環，其為一穿戴式風扇裝置，其包含：一頭戴本體，具一環狀結構，供使用者配戴於頸部；複數吹氣孔，設於該頭戴本體之內側與外側，包含一主吹氣孔與複數次吹氣孔；一風扇模組，設於該頭戴本體內部，並與各該吹氣孔連通，用以產生氣流輸出；一電源模組，包含充電埠與控制開關，用以提供所述風扇模組所需之電力；一藍芽開關，設於該頭戴本體上，並可與外部裝置連線以進行控制；一加熱元件，設於該頭戴本體之適當位置，用以提供加熱功能；以及一外殼配件連接埠，設置於該頭戴本體的適當位置處。
如申請專利範圍第1項所述之涼暖隨行無線音樂環，其中，所述風扇模組具有多段風速調整功能，供使用者依需求調整氣流強度。
如申請專利範圍第1項所述之涼暖隨行無線音樂環，其中，所述頭戴本體具有彈性結構或可調節機構，以調整配戴時之貼合度與舒適性。
一種晶片基材之狀態檢測裝置，其包括：<br/>一載台；<br/>一收納載體，係設於該載台上，並供間隔層疊的設置數個晶片基材；<br/>一載體門蓋，係可開啟的設置於該收納載體一側；<br/>一開門裝置，係活動設置於該載台一側，以供開啟該載體門蓋；<br/>至少一閃光元件，係設於該開門裝置上，以供打光於各該晶片基材前緣，而分別對應各該晶片基材之側表面產生一反光輪廓；<br/>至少一攝像裝置，係設於該開門裝置上且資訊連結該閃光元件，以於該閃光元件作動時拍攝該反光輪廓，而取得一基材輪廓影像；<br/>一儲存元件，係供儲存各該晶片基材之標準狀態資訊；及<br/>一辨識模組，係資訊連結該攝像裝置及該儲存元件，以根據該基材輪廓影像及該標準狀態資訊，判斷各該晶片基材之厚度及變形量是否異常。
如請求項1所述之晶片基材之狀態檢測裝置，其中該辨識模組內具有一中心線方程式，以供定義該標準狀態資訊之厚度資訊。
如請求項2所述之晶片基材之狀態檢測裝置，其中該辨識模組內具有一曲線擬合模組，以供計算該變形量。
如請求項1所述之晶片基材之狀態檢測裝置，其中該開門裝置一側設有一資訊連結該辨識模組之取片裝置，以根據辨識結果針對該晶片基材之取片動作進行略過或補償。
一種具有下垂控制機制的儲能系統，包括：<br/> 一配電型靜態同步補償器，經配置以將多個輸出電流分別供應至多個輸出節點；<br/> 一儲能電路，連接至多個所述輸出節點；<br/> 一感測電路，連接至各所述輸出節點，所述感測電路經配置以感測流至各所述輸出節點的所述輸出電流以及各所述輸出節點的一輸出電壓；<br/> 一補償控制電路，連接所述感測電路及所述儲能電路，所述補償控制電路經配置以基於感測到的所述輸出電壓與所述輸出電流以計算出一輸出實功率及一輸出虛功率；<br/> 一第一下垂控制電路，連接所述補償控制電路，所述第一下垂控制電路接收所述補償控制電路傳送的所述輸出實功率，所述第一下垂控制電路根據所述輸出實功率產生一角頻率命令；及<br/> 一第二下垂控制電路，連接所述補償控制電路，所述第二下垂控制電路接收所述補償控制電路傳送的所述輸出虛功率，所述第二下垂控制電路根據所述輸出虛功率產生一電壓命令；<br/> 其中所述補償控制電路經配置以根據所述角頻率命令及所述電壓命令產生一控制訊號，且所述儲能電路經配置以依據所述控制訊號以補償各所述輸出節點的所述輸出電壓、所述輸出電壓的頻率及所述輸出電流。
如請求項1所述的儲能系統，所述第一下垂控制電路包括：<br/> 一第一減法器，連接所述補償控制電路，所述第一減法器接收所述補償控制電路傳送的所述輸出實功率，所述第一減法器執行一初始實功率減掉所述輸出實功率；<br/> 一第一乘法器，連接所述第一減法器，所述第一乘法器執行所述初始實功率減掉所述輸出實功率的差值乘以一第一下垂係數產生一第一下垂控制值；<br/> 一第一加法器，連接所述第一乘法器，所述第一加法器接收所述第一乘法器傳送的所述第一下垂控制值，所述第一加法器執行所述第一下垂控制值加上一初始角頻率以產生所述角頻率命令。
如請求項2所述的儲能系統，所述第二下垂控制電路包括：<br/> 一第二減法器，連接所述補償控制電路，所述第二減法器接收所述補償控制電路傳送的所述輸出虛功率，所述第二減法器執行一初始虛功率減掉所述輸出虛功率；<br/> 一第二乘法器，連接所述第二減法器，所述第二乘法器執行所述初始虛功率減掉所述輸出虛功率的差值乘以一第二下垂係數產生一第二下垂控制值； <br/> 一第二加法器，連接所述第二乘法器，所述第二加法器接收所述第二乘法器傳送的所述第二下垂控制值，所述第二加法器執行所述第二下垂控制值加上一初始電壓以產生所述電壓命令。
如請求項3所述的儲能系統，所述補償控制電路包括：<br/> 一輸出功率計算電路，連接所述感測電路、所述第一下垂控制電路的所述第一減法器及所述第二下垂控制電路的所述第二減法器，所述輸出功率計算電路接收所述感測電路傳送的所述輸出電壓以及所述輸出電流，所述輸出功率計算電路根據所述輸出電壓以及所述輸出電流產生所述輸出實功率、所述輸出虛功率及一相電壓峰值。
如請求項4所述的儲能系統，所述補償控制電路包括：<br/> 一相位產生電路，連接所述第一下垂控制電路的所述第一加法器，所述相位產生電路接收所述第一下垂控制電路的所述第一加法器傳送的所述角頻率命令，所述相位產生電路根據所述角頻率命令執行積分並產生一相位；<br/> 一第三減法器，連接所述第一下垂控制電路的所述第一加法器，所述第三減法器接收所述第一下垂控制電路的所述第一加法器傳送的所述角頻率命令，所述第三減法器執行所述角頻率命令減掉一角頻率並產生一角頻率差值；<br/> 一角頻率控制器，連接所述第三減法器，所述角頻率控制器接收所述第三減法器傳送的所述角頻率差值，所述角頻率控制器根據所述角頻率差值產生一d軸命令電流；<br/> 一第四減法器，連接所述角頻率控制器，所述第四減法器接收所述角頻率控制器傳送的所述d軸命令電流，所述第四減法器執行所述d軸命令電流減掉一d軸電流並產生一d軸電流差值；<br/> 一d軸電流控制器，連接所述第四減法器，所述d軸電流控制器接收所述第四減法器傳送的所述d軸電流差值，所述d軸電流控制器根據所述d軸電流差值產生一d軸控制力。
如請求項5所述的儲能系統，所述補償控制電路包括：<br/> 一第五減法器，連接所述第二下垂控制電路的所述第二加法器，所述第五減法器接收所述第二下垂控制電路的所述第二加法器傳送的所述電壓命令，所述第五減法器執行所述電壓命令減掉所述相電壓峰值並產生一電壓差值；<br/> 一電壓控制器，連接所述第五減法器，所述電壓控制器接收所述第五減法器傳送的所述電壓差值，所述電壓控制器根據所述電壓差值產生一q軸命令電流；<br/> 一第六減法器，連接所述電壓控制器，所述第六減法器接收所述電壓控制器傳送的所述q軸命令電流，所述第六減法器執行所述q軸命令電流減掉一q軸電流並產生一q軸電流差值；<br/> 一q軸電流控制器，連接所述第六減法器，所述q軸電流控制器接收所述第六減法器傳送的所述q軸電流差值，所述q軸電流控制器根據所述q軸電流差值產生一q軸控制力。
如請求項6所述的儲能系統，所述補償控制電路包括： <br/> 一座標軸轉換電路，連接所述d軸電流控制器及所述q軸電流控制器，所述座標軸轉換電路接收所述d軸電流控制器傳送的所述d軸控制力及所述q軸電流控制器傳送的所述q軸控制力；所述座標軸轉換電路將在同步旋轉座標軸上的所述d軸控制力及所述q軸控制力轉換成在三相固定座標軸上的三臂控制力；<br/> 一脈寬調變訊號產生電路，連接所述座標軸轉換電路，所述脈寬調變訊號產生電路接收所述座標軸轉換電路傳送的所述三臂控制力，所述脈寬調變訊號產生電路用單電壓極性切換方式根據所述三臂控制力的三角波產生所述控制訊號。
如請求項1所述的儲能系統，其中各所述輸出節點分別連接至多個負載，所述補償控制電路經配置以依據所述感測電路所感測到的從各所述輸出節點流至各所述負載的所述輸出電壓、所述輸出電壓的頻率以及所述輸出電流，調變所述控制訊號。
如請求項5所述的儲能系統，其中所述補償控制電路配置以：<br/> 對多個所述輸出電壓執行濾波，以產生多個一階濾波電壓；<br/> 基於所述角頻率，調變多個所述一階濾波電壓，以分別輸出多個二階濾波電壓；<br/> 依據多個所述二階濾波電壓中的其中一者與多個所述一階濾波電壓中的其中一者，以產生一第一初始鎖相電壓；<br/> 基於一第一鎖相係數，將所述第一初始鎖相電壓轉換成一第一正序分量電壓；<br/> 依據多個所述二階濾波電壓中的另一者與多個所述一階濾波電壓中的另一者，以產生一第二初始鎖相電壓；<br/> 基於一第二鎖相係數，將所述第二初始鎖相電壓轉換成一第二正序分量電壓；以及<br/> 依據所述第一正序分量電壓或所述第二正序分量電壓，以產生所述角頻率。
如請求項7所述的儲能系統，其中所述補償控制電路配置以：<br/> 將所述輸出電壓中的三者作為在所述三相固定座標軸上的三個所述輸出電壓，並轉換成在所述同步旋轉座標軸上的兩個所述輸出電壓；及<br/> 將所述輸出電流中的三者作為在所述三相固定座標軸上的三個所述輸出電流，並轉換成在所述同步旋轉座標軸上的兩個所述輸出電流。
如請求項1所述的儲能系統，其中所述儲能電路包括：<br/> 多個上橋開關，各所述上橋開關具有一第一端、一第二端以及一控制端，各所述上橋開關的所述第一端連接一電壓源的正端；<br/> 多個下橋開關，各所述下橋開關具有一第一端、一第二端以及一控制端，各所述下橋開關的所述第二端連接所述電壓源的負端；以及<br/> 一儲能元件，所述儲能元件的兩端分別連接所述電壓源的所述正端和所述負端；<br/> 其中多個所述上橋開關的多個所述第二端分別連接多個所述下橋開關的多個所述第一端，且分別連接多個所述輸出節點；<br/> 其中多個所述上橋開關與多個所述下橋開關的多個所述控制端分別連接所述補償控制電路，以分別接收所述控制訊號。
一種底座組件，包括：<br/> 一底座，該底座形成有具有一敞開端的一容納空間，該容納空間用於容納一第一設備；該底座包括相對的一底板及一頂蓋以及位於該底板與該頂蓋之間的複數個側板，該敞開端位於該複數個側板的其中一者上；以及<br/> 一第一連接件，該第一連接件包括一第一連接部與一第一翻折部，該第一連接部與該底座連接，該第一翻折部被配置為與一第二設備連接。
根據請求項1所述的底座組件，其中，該第一翻折部與該第一連接部連接，且相對該第一連接部朝向遠離該頂蓋的一側延伸。
根據請求項1所述的底座組件，其中，該第一連接件與該底座可拆卸連接，及/或該第一翻折部被配置為與該第二設備可拆卸連接。
根據請求項1所述的底座組件，其中，該底座在該頂蓋上包括複數個轉角部，每一該複數個轉角部上均設置有一個該第一連接件。
根據請求項4所述的底座組件，其中，該第一連接件為一體式結構，該第一連接件包括複數個該第一翻折部，複數個該第一翻折部分別位於該複數個轉角部的其中一者的兩個側邊。
根據請求項5所述的底座組件，其中，該第一翻折部遠離該第一連接部的邊緣形成有朝向該側板外圍的翻邊。
根據請求項5所述的底座組件，其中，該第一連接件為對稱結構。
一種清潔系統，包括：<br/> 如請求項1至7中任一項所述的底座組件；以及<br/> 該第二設備。
根據請求項8所述的清潔系統，其中，該第二設備的底部設有一第二連接件，該第二連接件包括一第二連接部與一第二翻折部，該第二連接部與該第二設備的底部連接，該第二翻折部與該第二連接部連接且相對該第二連接部朝向遠離該第二設備的底部的一側延伸；該第二設備設置在該底座上，且該第二翻折部與該第一翻折部連接。
根據請求項9所述的清潔系統，其中，該第二連接件與該第二設備可拆卸連接，及/或該第二翻折部與該第一翻折部可拆卸連接。
根據請求項9所述的清潔系統，其中，該第二設備的底部具有一支腳螺紋孔，該第二連接部透過螺紋件固定在該支腳螺紋孔上。
根據請求項9所述的清潔系統，其中，該第二連接件更包括一定位翻折部，該定位翻折部位於該第二連接部靠近該第二設備外圍的一端，且該定位翻折部沿該第二連接部的厚度方向延伸，並與該第二翻折部分別位於該第二連接部的兩側。
根據請求項9所述的清潔系統，其中，該第二連接部寬度方向上的兩側均形成有該第二翻折部，兩側的該第二翻折部遠離該第二連接部的一端形成相向延伸且間隔設置的一支撐翻折部，相向延伸的該支撐翻折部之間形成有至少一避讓部。
根據請求項13所述的清潔系統，其中，該第二連接件為對稱結構。
一種底座組件，其特徵在於，包括：<br/> 一底座，該底座包括一容納空間，該容納空間用於容納一第一設備；以及<br/> 一第一卡合件及一第二卡合件，該第一卡合件與該第二卡合件相對設於該底座的一頂面上，且該第一卡合件與該第二卡合件配合形成開口朝向該頂面背離底面之一側的一定位孔。
根據請求項1所述的底座組件，其特徵在於，該第一卡合件與該第二卡合件可拆卸連接。
根據請求項1所述的底座組件，其特徵在於，該底座組件包括多組該第一卡合件與該第二卡合件。
根據請求項1所述的底座組件，其特徵在於，該第一卡合件包括一第一固定部及一第一定位部，該第一定位部形成有一第一凹陷部，該第二卡合件包括一第二固定部及一第二定位部，該第二定位部形成有一第二凹陷部；該第一固定部與該底座固定連接，該第二固定部與該第一固定部連接，該第一凹陷部與該第二凹陷部配合形成該定位孔。
根據請求項4所述的底座組件，其特徵在於，該第一凹陷部的開口朝向該底座的側面外圍。
根據請求項4所述的底座組件，其特徵在於，該第一卡合件更包括一第三固定部，該第三固定部與該第一定位部連接，該第三固定部的延伸方向與該第一固定部的延伸方向相交。
根據請求項4所述的底座組件，其特徵在於，該第一卡合件更包括一限位部，該限位部與該第一固定部連接，該限位部被配置為形成該第二固定部與該第一固定部連接的限位。
一種清潔系統，其特徵在於，包括：<br/> 如請求項1至3中任一項所述的底座組件；以及<br/> 一第二設備，該第二設備設置在該底座組件上，該第二設備的底部設有一支撐件，該支撐件位於該定位孔中。
一種清潔系統，其特徵在於，包括：<br/> 如請求項4至7中任一項所述的底座組件；以及<br/> 一第二設備，該第二設備設置在該底座組件上，該第二設備的底部設有一支撐件，該支撐件位於該定位孔中。
根據請求項9所述的清潔系統，其特徵在於，<br/> 該第二卡合件包括該第二固定部、該第二定位部、一第三定位部，該第二定位部形成有該第二凹陷部，該第三定位部位於該第二定位部背離該底座的一側；該第三定位部形成有一卡槽，該卡槽的寬度小於該定位孔的直徑；以及<br/> 該支撐件包括一第一支撐部及一第二支撐部，該第二支撐部位於該第一支撐部背離該第二設備的一側，該第一支撐部位於該卡槽中，該第二支撐部位於該定位孔中，且該第二支撐部的寬度大於該卡槽的寬度。
根據請求項10所述的清潔系統，其特徵在於，該支撐件包括一支腳，該支腳包括一支座及一支杆，該支座位於該定位孔，該支杆位於該卡槽中。
一種幼兒體操互動控制系統，包括：<br/> 一輸入設備端，包含至少一電腦裝置，係連結於平台端；<br/> 一第一設備端，包含至少一電腦裝置、至少一螢幕顯示裝置以及至少一聲音撥放裝置，係連結於平台端；<br/> 一第二設備端，包含至少一電腦裝置、至少一動作監測裝置以及至少一觸控感應裝置，係連結於平台端；<br/> 以及<br/> 一平台端，包含至少一電腦裝置及至少一螢幕顯示裝置，係連接該輸入設備端、第一設備端及第二設備端。
如申請專利範圍第1項所述幼兒體操互動控制系統，其中，輸入設備端之電腦主機依使用者性別、年齡、使用者成像特徵分析成第一主觀資料，並傳送至平台端。
如申請專利範圍第1項所述幼兒體操互動控制系統，其中，平台端之電腦裝置儲存第一課程資料，於接收輸入設備端之第一主觀資料後，分析第一課程資料及第一主觀資料成一理想值，產生第一分析資料，傳送至第一設備端及第二設備端。
如申請專利範圍第1項所述幼兒體操互動控制系統，其中，第一設備端之電腦裝置儲存螢幕顯示資料及聲音撥放資料，於接收第一分析資料後，顯示及撥放於螢幕顯示裝置及聲音撥放裝置。
如申請專利範圍第1項所述幼兒體操互動控制系統，其中，第二設備端之動作監測裝置於接收第一分析資料後，依其結果監測使用者之動作，分析成第一動作資料。
如申請專利範圍第1項所述幼兒體操互動控制系統，其中，第二設備端之觸控感應裝置於接收第一分析資料後，依其結果感應使用者之動作，分析成第二動作資料。
如申請專利範圍第1項所述幼兒體操互動控制系統，其中，第二設備端之電腦裝置，分析第一動作資料及第二動作資料成第三動作資料，分析成第一結果資料，傳送至平台端。
如申請專利範圍第1項所述幼兒體操互動控制系統，其中，平台端接收第一結果資料後，顯示於螢幕顯示裝置。
如申請專利範圍第1項所述幼兒體操互動控制系統，其中，該平台端之電腦裝置更連接一雲端資料庫，於產生結果後同步儲存於該雲端資料庫中。
一種個人危害智慧防護組合，包括<br/> 衣物載體，用於套設於有其需要之個體的軀幹；<br/> 環境溫度量測裝置，設置於該衣物載體之表層，並用於感測該個體所處環境的環境溫度；<br/> 人體溫度量測裝置，設置於該個體的指定量測部位，並用於感測該個體之體溫及/或熱敏感生理訊號；<br/> 降溫裝置，設置於該衣物載體，並用於產生並引導降溫氣流自該環境流入該衣物載體和該軀幹之皮膚之間的空間；及<br/> 處理器，耦接於該環境溫度量測裝置、該人體溫度量測裝置和該降溫裝置，並用於根據該環境溫度和該體溫及/或該熱敏感生理訊號驅動或停止該降溫裝置或調整該降溫裝置產生該降溫氣流之強度，從而透過該降溫氣流調節該個體之該體溫至最適溫度。
如請求項1所述之個人危害智慧防護組合，其中：<br/> 該處理器另用於根據該環境溫度、該體溫及/或該熱敏感生理訊號生成示警訊息。
如請求項1所述之個人危害智慧防護組合，另包括：<br/> 具有汗液感測器的內搭衣，用於套設於該個體的該軀幹且位於該軀幹及該衣物載體之間，其中，<br/> 該汗液感測器耦接於該處理器，並包括：<br/> 電極貼片，縫置於該內搭衣上，並用於響應於該個體的發汗量以生成感測訊號；及<br/> 導電纖維，耦接於該電極貼片並縫製於該內搭衣上，並用於傳遞該感測訊號；<br/> 且其中，該處理器另用於根據該感測訊號生成示警訊息。
如請求項1所述之個人危害智慧防護組合，另包括：<br/> 生理訊息感測裝置，耦接於該處理器並設置於該個體的指定量測部位，並用於自該指定量測部位量測該個體的生理指標數值；<br/> 且其中，該處理器另用於根據該生理指標數值生成示警訊息。
如請求項4所述之個人危害智慧防護組合，其中：<br/> 該生理指標數值包括選自由心率、心跳變異率、血壓、呼吸速率、皮膚導電度、肌肉活動電位、末梢血流量、腦波、前額血流、動作姿勢、最大心跳率、最大攝氧量及乳酸值所組成之群組中的至少一量測值。
如請求項4所述之個人危害智慧防護組合，其中，<br/> 該生理指標數值係由該個體的動作姿勢判定，且該示警訊息係根據該動作姿勢判定生成的跌倒判斷訊息。
如請求項1或4所述之個人危害智慧防護組合，其中：<br/> 該指定量測部位包括選自由耳部、太陽穴、頸部、腕部、手指、腳趾、腳踝、臉部、背部、左胸、腋下、口腔、腳背及大腿所組成之群組中的至少一者。
如請求項2至4中任一項所述之個人危害智慧防護組合，另包括：<br/> 行動裝置，耦接於該處理器，用於顯示該示警訊息。
如請求項1所述之個人危害智慧防護組合，其中：<br/> 該衣物載體包括制冷口袋，設置於該衣物載體上對應該個體之背部、頸部及/或肩部的位置，並用於容納制冷裝置，從而降低流經之該降溫氣流的溫度以產生冷氣循環於該空間中。
如請求項1所述之個人危害智慧防護組合，其中：<br/> 該降溫裝置係設置於該衣物載體上對應該個體之側胸區的位置，該側胸區係該個體之側身上第二肋骨到第六肋骨之間及/或該個體之腋中線上前鋸肌和附外斜肌的重疊之區域；且<br/> 該降溫氣流被設置為經過該衣物載體上對應該側胸區之該位置的過濾材料再流入該空間。
一種鼓風機之防護網罩結構，其包括：<br/> 一外殼罩體，內部具有至少一渦流通道，該外殼罩體兩側壁面中至少一側具有連通該渦流通道之一進風口，以及至少一開口向上之排風口，該排風口連通該渦流通道，該進風口經相對之渦流通道連通該排風口；<br/> 一馬達組，安裝於該外殼罩體內，並包括至少一設置於該渦流通道內的葉輪；以及<br/> 至少一防護網罩，裝設於該進風口上，該防護網罩具有一內側面及一相對之外側面，該防護網罩包括：<br/> 一軸心部，朝該內側面凹設；<br/> 一外框部，環繞於該軸心部外圍；<br/> 以及由該軸心部至該外框部依序設置有：<br/> 一內流區，由複數等距且軸向延伸之第一導氣柵片構成；<br/> 一渦流區，由複數等距且呈弧彎狀延伸之第二導氣柵片構成；<br/> 一匯流區，由複數等距且徑向延伸之第三導氣柵片構成，<br/> 其中，該內流區與該渦流區間設有一第一支撐環肋，而該渦流區與該匯流區間設有一第二支撐環肋，且各該第一、第二及第三導氣柵片均略呈向軸心收束之放射狀排列。
如請求項1所述之鼓風機之防護網罩結構，其中，該軸心部並設有一向該外側面凸出並向中心收束之角錐體。
如請求項1所述之鼓風機之防護網罩結構，其中，該匯流區與該內流區不在同一平面，且該內流區朝該內側面一側凹陷。
如請求項1所述之鼓風機之防護網罩結構，其中，該外框部周緣設有複數支撐扣件，且該進風口對應設有複數卡扣部，藉由該支撐扣件與卡扣部之扣合，使該防護網罩可選擇性地裝設於該進風口上。
如請求項1或4所述之鼓風機之防護網罩結構，其中，該防護網罩與該外殼罩體之壁面間形成有一通氣間隙，使外部氣體可經由該通氣間隙進入該外殼罩體。
一種腳輪結構，供附加於載物裝置底部，該腳輪結構包含有；一輪座，具有一第一安裝槽及一第二安裝槽；一連接座，可轉動地設於該輪座頂部，該輪座並可轉動地設於該連接座底部；一輪組，包括分設於該輪座兩側之二滾輪，各該滾輪之內端設有一齒輪，並由一軸桿連接該輪座；一刹車機構，包括一刹車板，該刹車板可活動設置於所述第一安裝槽中，兩側並分別具有凸出輪座之一齒部，該齒部可與所述滾輪齒輪選擇性嚙合或分離；一操作機構，包括一設置於所述第二安裝槽內之操作件，該操作件與所述刹車板形成接觸配合以驅動刹車動作；藉此，當所述操作件驅動所述刹車板齒部與所述滾輪齒輪嚙合時，可禁止所述滾輪轉動，達成穩定剎車功能。
如請求項1所述之腳輪結構，其中該輪座頂部並設有一第一連接孔，該第一連接孔周圍設有複數彈簧安裝槽，供多個減震彈簧分別設置，用以提供該連接座傳遞之振動。
如請求項2所述之腳輪結構，其中該輪座頂部於彈簧安裝槽外圍形成有一環形槽，且相鄰彈簧安裝槽間分設有一支撐肋，且該支撐肋上設有缺口，該環形槽內供設置一擋蓋，擋蓋並具有一對應該第一連接孔之第二連接孔與多個抵接塊，該抵接塊插接於所述彈簧安裝槽中，且周向相鄰抵接塊之間由凸筋連接，並與支撐肋之缺口形成限位配合。
如請求項3所述之腳輪結構，其中該擋蓋並具有一下滾槽，而連接座具有一相對之上滾槽，該擋蓋與該連接座間的上、下滾槽間設有具複數滾珠之一滾珠保持架。
如請求項1所述之腳輪結構，其中該刹車板與所述第一安裝槽內壁之間設有一復位彈簧，該復位彈簧兩端分別套接於刹車板與第一安裝槽內壁，以確保刹車板之彈力方向穩定。
如請求項1所述之腳輪結構，其中該操作件具有與該刹車機構抵接配合的一抵接端，該抵接端包括有相鄰接的一第一抵接面及一第二抵接面，其中該第一抵接面和操作件的樞設軸心之間的徑向距離大於該第二抵接面和操作件的樞設軸心之間的徑向距離，在驅動操作件轉動時可切換的使第一抵接面或第二抵接面與該刹車機構相抵接。
如請求項6所述之腳輪結構，其中該第一抵接面上設置有定位凸點，而該刹車板對應位置設有一定位凹槽，藉以在刹車狀態下提供定位嵌合，防止操作件於使用中因震動而自動旋轉或鬆脫。
如請求項1所述之腳輪結構，其中該刹車板之兩端設置有四個限位凸柱，該等限位凸柱與所述輪座兩側結構壁形成配合限位，以防止刹車板自所述第一安裝槽中脫出，並於滑動過程中提供導向作用。
一種活性炭濾材，包含：<br/> 一個多孔隙的濾材單元，包括層疊連接之多孔隙的一個第一濾材本體與一個第二濾材本體，該第一濾材本體與該第二濾材本體相互融接界定出多個沿兩者延伸平面分布之環狀的融接部，且該第一濾材本體與該第二濾材本體還相配合界定出多個分別由該等融接部各別圈圍界定出的容裝空間；及<br/> 多個活性炭單元，分別設置於該等容裝空間中，每一活性炭單元具有多個活性炭顆粒。
如請求項1所述的活性炭濾材，其中，該等融接部相鄰連接。
一種活性炭濾材之製造設備，適用於將一第一濾材本體、一第二濾材本體與多個活性炭顆粒加工製成請求項1或2所述的該活性炭濾材，該製造設備包含：<br/> 一個輸送裝置，可用以上下間隔地輸送該第一濾材本體與該第二濾材本體；<br/> 一個給料裝置，用以容裝所述活性炭顆粒，且設置在該輸送裝置輸送該第一濾材本體之輸送路徑上，該給料裝置可被控制而在該第一濾材本體的頂面設置多個相間隔的活性炭堆，每一該活性炭堆具有多個活性炭顆粒；及<br/> 一個融接裝置，設置在該輸送裝置輸送該第一濾材本體與該第二濾材本體之輸送路徑，且相對位於該給料裝置的下游，該融接裝置可被控制而將該第二濾材本體與該第一濾材本體上下局部融接，使相融之該第二濾材本體與該第一濾材本體相配合界定出多個分別包圍容裝該等活性炭堆的容裝空間，而製成該活性炭濾材。
如請求項3所述的活性炭濾材之製造設備，其中，該給料裝置包括一個用以容裝所述活性炭顆粒的料槽、一個設置在該料槽下方且用以設置在該第一濾材本體上方的分料載台，及一個設置在該分料載台的分料單元，該料槽可被控制以釋放預定量之活性炭顆粒於該分料載台上，該分料載台具有多個上下貫穿的分料孔，每一該分料孔可用以供預定量之所述活性炭顆粒往下通過，而在該第一濾材本體頂面堆積成一個該活性炭堆，該分料單元可被驅動而將該分料載台上的所述活性炭顆粒推移通過該等分料孔。
如請求項4所述的活性炭濾材之製造設備，其中，該分料單元具有至少一個緊鄰設置在該分料載台頂面的刮刀，該至少一刮刀可被驅動而沿該分料載台頂面往復位移通過該等分料孔，而將該分料載台上的所述活性炭顆粒推移通過該等分料孔。
如請求項5所述的活性炭濾材之製造設備，其中，該分料單元包括兩個沿兩者位移方向間隔設置的該刮刀，該等刮刀可被驅動而沿該分料載台頂面同步往復位移通過該等分料孔，而使該等刮刀交替地將該分料載台上的所述活性炭顆粒推移通過該等分料孔。
如請求項3所述的活性炭濾材之製造設備，其中， 該輸送裝置具有一個用以成捲設置該第一濾材本體的第一料軸、一個用以成捲設置該第二濾材本體的第二料軸，及一個收料捲軸，該收料捲軸可被控制運轉以捲收製成之該活性炭濾材，並同步將該第一濾材本體與該第二濾材本體分別逐漸拉引脫離該第一料軸與該第二料軸。
如請求項3所述的活性炭濾材之製造設備，其中，該融接裝置具有一個用以設置在該第一濾材本體下方的第一融接模具，及一個用以設置在該第二濾材本體上方的第二融接模具，該第一融接模具與該第二融接模具的其中至少一者設置有一個融接壓模，該第一融接模具與該第二融接模具可被驅動上下相向位移，而相配合以該至少一融接壓模將該第一濾材本體與該第二濾材本體局部熱壓融接。
如請求項8所述的活性炭濾材之製造設備，其中，該第一融接模具與該第二融接模具各別設置有該融接壓模，該第一融接模具與該第二融接模具會以該等融接壓模相配合將該第一濾材本體與該第二濾材本體局部熱壓融接。
一種用於線性傳動模組之覆蓋帶固定裝置，該線性傳動模組包含一底座及一設於該底座之覆蓋帶，該覆蓋帶固定裝置包含：<br/> 一軸承座，設於該底座之一端，該軸承座具有一容置槽及一連通該容置槽之固定孔，其中該容置槽用以容納該覆蓋帶之一端；<br/> 一壓板，設於該軸承座之該容置槽內並位於該覆蓋帶上方；以及<br/> 一固定件，設於該軸承座之該固定孔並抵壓該壓板，使該壓板將該覆蓋帶迫緊固定於該軸承座。
如請求項1所述之用於線性傳動模組之覆蓋帶固定裝置，其中， 該壓板具有一穿孔，該壓板之該穿孔連通該軸承座之該固定孔，該固定件具有一錐形端部，該固定件之該錐形端部穿設於該壓板之該穿孔內。
如請求項2所述之用於線性傳動模組之覆蓋帶固定裝置，其中，該壓板具有二該穿孔，該等穿孔之間的距離定義為d，該壓板的長度定義為L，兩者滿足以下關係式：d / L＝60%~80%。
如請求項3所述之用於線性傳動模組之覆蓋帶固定裝置，其中，該容置槽的寬度定義為W1，該容置槽的高度定義為H，該壓板的厚度定義為T，三者滿足以下關係式：W1 / L ＝101%~102%且H / T＝110%~120%。
如請求項1所述之用於線性傳動模組之覆蓋帶固定裝置，其中，該容置槽的深度定義為D，該壓板的寬度定義為W2，兩者滿足以下關係式：D≧W2。
如請求項1至5中任一項所述之用於線性傳動模組之覆蓋帶固定裝置，其中，該固定件以螺合方式設於該軸承座之該固定孔。
一種高架搬運裝置，設置於具一預定運行路徑之高空軌道系統上，用以搬運並啟閉一前開式基板容器，該高架搬運裝置包含：<br/> 一車體，構造成可沿所述高空軌道行進，且具有一用以容納所述前開式基板容器之容室；<br/> 一操作模組，設置於該車體中，用以執行所述前開式基板容器之橫移、旋轉及升降操作；<br/> 一夾取單元，設於所述車體之容室，經由所述操作模組之驅動用以夾取並釋放所述前開式基板容器；<br/> 一控制模組，設於所述車體，用以控制所述搬運裝置中與所述前開式基板容器操作相關之所有動作元件；及<br/> 一門閂解鎖模組，設於該車體之一側，構造成可與該前開式基板容器之一門板產生相對移動，該門閂解鎖模組具有至少一解鎖單元，該解鎖單元構造成可與所述門板的至少一閂鎖單元結合，用以執行相對轉動以致所述門板脫離所述前開式基板容器之一容器本體之鎖定。
如申請專利範圍第1項所述之高架搬運裝置，其中所述解鎖單元係構造成於其與所述閂鎖單元結合期間，保持機構連接狀態，以致於解鎖後得以攜帶所述門板遠離所述容器本體。
如申請專利範圍第1項所述之高架搬運裝置，其中所述門閂解鎖模組設置於一連接所述車體之橫向操作單元上，以驅動所述門閂解鎖模組於一解鎖位置與一開門位置間相對移動，並於解鎖狀態維持對所述門板之持載。
如申請專利範圍第1項所述之高架搬運裝置，其中所述門閂解鎖模組設有至少一第一定位部，且所述門板對應設有至少一第二定位部，兩者於結合過程中相互導引對位，以提升結合準確性。
如申請專利範圍第1項所述之高架搬運裝置，其中所述門閂解鎖模組設有至少一可動式撐托單元，構造成於門板與容器本體分離後，對所述門板進行由下方撐托或由兩側夾持，以防止門板脫落。
如申請專利範圍第1～5項中任一項所述之高架搬運裝置，其中所述車體具有一限位支撐單元，設於該車體之容室兩側下緣，該限位支撐單元包含一對撐板，構造成於承載所述前開式基板容器底部兩側時，限制其在橫向、縱向及高度方向之位置偏移。
如申請專利範圍第6項所述之高架搬運裝置，其中所述限位支撐單元之撐板具有至少一第一導正限位部，並與設於所述前開式基板容器底部之第二導正限位部配合，以實現定位與防偏移。
如申請專利範圍第6項所述之高架搬運裝置，其中所述限位支撐單元之撐板構造成可動式，能選擇性伸入或退出所述容室，以便於所述前開式基板容器之承載與卸放。
一種具圖案標記的多層式留言系統，該系統包含:<br/> 複數個電子裝置，該些電子裝置上安裝有一社群軟體，該些電子裝置之一顯示螢幕可顯示複數個使用者於該社群軟體中的互動過程；該社群軟體包含: 一主頁面，顯示一圖片資訊及一主互動版面；一次頁面，顯示該圖片資訊所關聯之一局部圖片及一次互動版面，該主互動版面與該次互動版面提供該些使用者進行一互動評論；以及<br/> 一伺服器，經由一網際網路連接該些電子裝置，該伺服器包含: 一處理器，該處理器係將該社群軟體發布之該圖片資訊劃分複數個區塊；<br/> 其中，當該社群軟體偵測到該些使用者其中之一，於該主頁面中對該圖片資訊進行點選時，將所點選之該些區塊對應之一局部圖片傳送至與該圖片資訊關聯之該次頁面。
如請求項1所述之具圖案標記的多層式留言系統，該社群軟體將對應該局部圖片之該互動評論的筆數進行加總，並於該主頁面顯示一次評論數，該次評論數顯示位置對應該局部圖片於該圖片資訊之位置；該社群軟體偵測到該些使用者其中之一，於該主頁面點選該圖片資訊上所顯示之其中之一該次評論數時，該社群軟體開啟該次評論數所對應的該局部圖片之該次頁面，並提供該些使用者於該次頁面之該次互動版面進行評論。
如請求項1所述之具圖案標記的多層式留言系統，該局部圖片之擷取方法包含依據該圖片資訊之長寬尺寸進行等比例劃分、固定比例劃分、固定格子數劃分、固定尺寸劃分。
如請求項1所述之具圖案標記的多層式留言系統，該局部圖片擷取方法還包含以該使用者點擊之格子為中心，擷取該格子外圍一圈之九宮格作為截圖範圍。
如請求項1所述之具圖案標記的多層式留言系統，該社群軟體包含一次評論數隱藏功能，用以隱藏該主頁面所顯示之該次評論數。
如請求項2所述之具圖案標記的多層式留言系統，該主互動版面還包含一互動評論列表，該互動評論列表彙整該主互動版面及該次互動版面之所有互動評論。
如請求項6所述之具圖案標記的多層式留言系統，當該些使用者於該主頁面對該圖片資訊上顯示之該次評論數其中之一執行一指定操作時，該社群軟體將於該互動評論列表中標示顯示所對應的該次評論數之所有評論。
如請求項1所述之具圖案標記的多層式留言系統，該圖片資訊係由一影片中擷取取得，其取得方式為當該社群軟體偵測到該些使用者其中之一，於該主頁面點選該影片時，該社群軟體依據所點選時之一時間序，自該影片擷取一影片幀作為該圖片資訊。
如請求項2所述之具圖案標記的多層式留言系統，當該些使用者於該主頁面對該圖片資訊進行放大或縮小操作時，該社群軟體將依照畫面比例拆分或合併一定範圍內之該次評論數。
如請求項2所述之具圖案標記的多層式留言系統，該主頁面對該圖片資訊所顯示之該次評論數，依該次評論數數量不同，而有不同顏色或形狀變化。
一種光電封裝結構，包括： <br/>一基板，包括多個內埋襯墊； <br/>一電訊號層，設置於該基板內且電性連接該多個內埋襯墊；以及 <br/>一光學模組，設置於該基板內且包括一發射器及一接收器； <br/>其中，該發射器與該接收器之間的直線距離定義出一光學通道，並且該光學通道與該電訊號層在路徑上重疊。
如請求項1之光電封裝結構，其中該電訊號層覆蓋該多個內埋襯墊。
如請求項1之光電封裝結構，其中該電訊號層具有多個階梯狀結構。
如請求項1之光電封裝結構，其中該光學模組係與該多個內埋襯墊相鄰設置。
如請求項1之光電封裝結構，還包括： <br/>一第一重布線層，設置於該基板內且覆蓋該多個內埋襯墊，該第一重布線層包括該電訊號層及該光學通道，其中該光學通道與該電訊號層在該第一重布線層內共用相同的材料路徑。
如請求項5之光電封裝結構，其中該第一重布線層相對於該多個內埋襯墊具有較佳的導電性、透光性及導熱性。
如請求項5之光電封裝結構，還包括： <br/>一第二重布線層，設置於該第一重布線層上且電性連接該多個內埋襯墊。
如請求項7之光電封裝結構，其中該第一重布線層相對於該第二重布線層具有較佳的導電性、透光性及導熱性。
如請求項5之光電封裝結構，其中該第一重布線層係由石墨烯(Graphene)構成。
如請求項7之光電封裝結構，其中該電訊號層與該第二重布線層相鄰處具有一側壁，並且該側壁相對於該第二重布線層的底面所在平面所夾的角度為5<img align="absmiddle" height="8px" width="3px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>至85<img align="absmiddle" height="8px" width="3px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項7之光電封裝結構，還包括： <br/>一種子層，設置於該基板內且位於該第一重布線層與該第二重布線層之間。
如請求項7之光電封裝結構，還包括： <br/>一介電層，設置於該基板內且覆蓋該第一重布線層與該第二重布線層。
如請求項12之光電封裝結構，還包括： <br/>多個外接襯墊，設置於該介電層上且分別透過該介電層內的多個貫孔電性連接該第二重布線層。
如請求項13之光電封裝結構，還包括： <br/>多個連接器，分別設置於該多個外接襯墊上，並且電性連接該多個外接襯墊。
如請求項14之光電封裝結構，其中該多個連接器具有微凸塊(uBump)結構。
如請求項13之光電封裝結構，其中該光電封裝結構的該多個外接襯墊電性連接另一光電封裝結構，以形成堆疊模組式的光電封裝結構。
如請求項16之光電封裝結構，其中該光電封裝結構的該多個外接襯墊與該另一光電封裝結構的另多個外接襯墊直接電性連接，並且該多個外接襯墊與該另多個外接襯墊具有不同尺寸。
如請求項16之光電封裝結構，其中該光電封裝結構的該多個外接襯墊與該另一光電封裝結構的另多個外接襯墊之間透過多個連接器電性連接。
如請求項14之光電封裝結構，其中該多個連接器電性連接一晶片。
如請求項19之光電封裝結構，其中該晶片係由一載板所承載，並且該載板為矩形或圓形。
一種電動自行車車架，其包含有：<br/> 一立管，用以組設一座墊；<br/> 一下管，以其後端組接於該立管之末端，並以其前端連接於一頭管，該下管呈中空狀，並於其內部沿長度方向設有一隔板，該隔板與該下管的內壁固接，用以將該下管之內部沿長度方向分隔爲一電池槽和一通道，該電池槽開設一連通外部之槽口，以供一電池從該槽口裝設於該電池槽內；<br/> 二後輪架，對稱地組設於該立管相異於該下管的一側，並朝相互遠離方向斜向外伸展，各該後輪架分別包括一後上叉管、一後下叉管和一連接該後上叉管和該後下叉管的連接管，該後上叉管設於該立管之上端，而該後下叉管設於該下管之末端並位在該上叉管之下方，使該後上叉管、該後下叉管、該連接管和該立管圈圍成梯形狀的框體。
如請求項1所述之電動自行車車架，其中，該隔板呈彎弧狀，以其內凹側面向該電池槽的內部，使該電池槽之容積大於該通道之容積。
如請求項1所述之電動自行車車架，其中，該電池槽之槽口開設於該下管之頂面。
如請求項1所述之電動自行車車架，其中，該立管與該下管之間連接一斜向補強架。
如請求項1所述之電動自行車車架，其中，該二後輪架之後上叉管之間連接一上補強架。
如請求項1所述之電動自行車車架，其中，該二後輪架之後下叉管之間連接一下補強架。
如請求項1所述之電動自行車車架，其中，該二後輪架之後上叉管均向下傾斜並向外斜向延伸，該二後上叉管分別具有一第一延伸段和一第二延伸段，該二後上叉管彼此之間的間距自該第一延伸段朝向該第二延伸段逐漸增加，該二第一延伸段爲彎曲的曲線段，使該二後上叉管構成一U形輪廓；該二後下叉管均斜向上朝相互遠離的方向延伸，使該二後下叉管構成一V形輪廓。
一種醫療用屏風結構，其包含：<br/>至少二屏風本體，各該屏風本體具有一支架以及套設於該支架上之一布簾；以及<br/>一遮擋連接布，其設置於相鄰二屏風本體之間，該遮擋連接布的兩側分別可拆卸地固定於該屏風本體的相對邊緣，其中，該遮擋連接布用以遮蔽相鄰屏風本體間的縫隙，以防止外界視線穿透，並可透過該遮擋連接布達到連結之目的，更可連接額外屏風本體以達到延伸屏風長度之效果。
如請求項1所述之醫療用屏風結構，其中，該遮擋連接布的兩側分別具有一第一固定部，而該屏風本體的相對邊緣分別設有一第二固定部，該第一固定部與該第二固定部可相互連接以達到可拆卸固定。
如請求項2所述之醫療用屏風結構，其中，該第一固定部以及該第二固定部係為魔鬼氈結構。
如請求項1所述之醫療用屏風結構，其中，該遮擋連接布係為柔性材質製成。
如請求項1所述之醫療用屏風結構，其中，該支架下方設有一腳輪以便於移動。
如請求項1所述之醫療用屏風結構，其中，該布簾一端係可橫向延伸形成一延伸部，該延伸部係用於連接相鄰之另一屏風本體。
一種清潔設備，包括： <br/>殼體； <br/>清潔模組，所述清潔模組包括清潔頭和驅動組件，所述驅動組件被配置為能夠帶動所述清潔頭朝向靠近所述殼體一側移動以位於第一位置，或朝向遠離所述殼體一側移動以位於第二位置； <br/>其中，所述清潔頭和/或所述殼體上設有阻尼件；當所述清潔頭位於所述第一位置，所述阻尼件與所述清潔頭和所述殼體中的一個連接，與所述清潔頭和所述殼體中的另一個抵接。
如請求項1所述之清潔設備，其中，所述清潔頭上設有所述阻尼件，所述驅動組件被配置為還能夠帶動所述清潔頭進行轉動，所述阻尼件圍繞所述清潔頭的轉軸呈環形。
如請求項1所述之清潔設備，其中，所述清潔頭上設有所述阻尼件，所述驅動組件被配置為還能夠帶動所述清潔頭進行轉動，所述阻尼件沿所述清潔頭的徑向設於所述清潔頭的邊緣部上。
如請求項3所述之清潔設備，其中，所述清潔頭包括底板和清潔件，所述阻尼件設於所述底板上。
如請求項4所述之清潔設備，其中，所述阻尼件沿所述清潔頭的周向套設在所述底板的邊緣部上。
如請求項3所述之清潔設備，其中，所述阻尼件沿所述徑向朝向所述清潔頭外圍的一側設有緩衝結構。
如請求項6所述之清潔設備，其中，所述緩衝結構與所述阻尼件為一體成型式結構。
如請求項6所述之清潔設備，其中，所述緩衝結構包括鏤空結構。
如請求項1所述之清潔設備，其中，所述阻尼件與所述清潔頭為一體式成型結構，和/或，所述阻尼件與所述殼體為一體式成型結構。
如請求項1所述之清潔設備，其中，所述阻尼件與所述清潔頭卡接，和/或，所述阻尼件與所述殼體卡接。
如請求項1所述之清潔設備，其中，所述阻尼件為橡膠件。
如請求項1所述之清潔設備，其中，所述殼體包括上殼與下殼，所述上殼與所述下殼圍合形成容納空間，所述驅動組件設於所述容納空間中，且所述清潔頭與所述驅動組件位於所述下殼的兩側。
一種清潔系統，包括： <br/>如請求項1至12任一項所述之清潔設備； <br/>基站，所述基站用於停放所述清潔設備。
一種骨傳導棒棒糖，其包含：<br/> 一手柄，其具有一第一端、相對於該第一端之一第二端以及位於該第一端與該第二端之間之一本體，該第一端可拆卸地連接於該本體，且該第一端與該本體之間設置有用以彼此對接之兩電連接器；<br/> 一控制單元，其包含一控制電路板及電連接於該控制電路板之一操作模組，該控制電路板設置於該手柄之該第一端內之一第一內部空間，該操作模組包含設置於該手柄之該第一端之至少一操作件，以供使用者操作；<br/> 一儲存單元，其設置於該手柄之該第一端內之該第一內部空間且電連接於該控制電路板，該儲存單元用以儲存一預設音訊；<br/> 一骨傳導震動單元，其電連接於該控制電路板且設置於該手柄之該第二端內之一第二內部空間，該骨傳導震動單元用以根據儲存於該儲存單元之該預設音訊產生震動，從而透過使用者口腔骨骼傳遞聲音；<br/> 一電源供應單元，其電連接於該控制電路板，以對該控制單元、該儲存單元與該骨傳導震動單元進行供電；以及<br/> 一糖果體，其包覆該骨傳導震動單元。
一種骨傳導棒棒糖，其包含：<br/> 一手柄，其具有一第一端、相對於該第一端之一第二端以及連接於該第一端與該第二端之間之一本體；<br/> 一控制單元，其包含一控制電路板及電連接於該控制電路板之一操作模組，該控制電路板設置於該手柄之該第一端內之一第一內部空間，該操作模組包含設置於該手柄之該第一端之至少一操作件，以供使用者操作；<br/> 一儲存單元，其設置於該手柄之該第一端內之該第一內部空間且電連接於該控制電路板，該儲存單元用以儲存一預設音訊；<br/> 一骨傳導震動單元，其電連接於該控制電路板且設置於該手柄之該第二端內之一第二內部空間，該骨傳導震動單元用以根據儲存於該儲存單元之該預設音訊產生震動，從而透過使用者口腔骨骼傳遞聲音；<br/> 一電源供應單元，其電連接於該控制電路板，以對該控制單元、該儲存單元與該骨傳導震動單元進行供電；以及<br/> 一糖果體，其包覆該骨傳導震動單元。
如請求項1或2所述之骨傳導棒棒糖，其另包含電連接於該控制電路板之一錄音單元，該錄音單元用以錄製一自訂音訊並將該自訂音訊儲存在該儲存單元，以允許該骨傳導震動單元根據該自訂音訊產生震動。
如請求項1或2所述之骨傳導棒棒糖，其另包含電連接於該控制電路板之一通訊單元，該通訊單元用以接收由一外部裝置所傳來之一外部音訊，以允許該骨傳導震動單元根據該外部音訊產生震動。
如請求項4所述之骨傳導棒棒糖，其中該通訊單元為一藍牙單元。
如請求項1或2所述之骨傳導棒棒糖，其另包含電連接於該控制電路板之一充電單元，該充電單元用以對該電源供應單元進行充電。
如請求項6所述之骨傳導棒棒糖，其中該充電單元為一太陽能充電單元。
如請求項7所述之骨傳導棒棒糖，其中該太陽能充電單元包含一太陽能充電板，該太陽能充電板至少部分暴露於該手柄外。
如請求項8所述之骨傳導棒棒糖，其中該太陽能充電單元包含一透光油墨層，該透光油墨層覆蓋於該太陽能充電板。
如請求項1或2所述之骨傳導棒棒糖，其另包含電連接於該控制電路板之一發光單元，該發光單元用以根據該骨傳導棒棒糖之一操作狀態顯示對應之一燈號。
一種防止包裝撕裂之吊掛貼片，其包括：一貼片本體，其背面設有壓敏黏著層；該貼片本體具一由切割線界定之補強島膜與圍繞該補強島膜之可掀起之吊掛膜區；於貼片本體上沿橫向設一彎折虛線，使該吊掛膜區可相對貼片本體上翻，並與留貼之補強島膜共同界定一吊掛孔。
如請求項1之吊掛貼片，其中該彎折虛線兩端設有緩衝圓孔，且吊掛膜區之邊緣通過各該圓孔之中心。
如請求項1之吊掛貼片，其中該補強島膜之平面外形為上端圓弧、下端連接一圓形段之狹長形，整體呈驚嘆號狀。
如請求項1之吊掛貼片，其中該吊掛孔於上翻後位於吊掛膜區的中部，且其下半邊界由補強島膜之上端圓弧界定；該吊掛膜區之外周邊，係在切割線設置點續狀之斷點，如此在未使用吊掛膜區時，使其不致翻翹，使用時撕起掀開。
如請求項1之吊掛貼片，其中該貼片本體材質選自PET膜或BOPP膜。
如請求項1之吊掛貼片，其中該壓敏黏著層為丙烯酸系壓敏膠，適於黏貼於聚丙烯或聚乙烯包裝袋表面，塗佈於除了吊掛膜區以外之貼片本體區域。
如請求項1之吊掛貼片，其中該彎折虛線為連續虛線、點虛線或多段輕切線之一。
如請求項1之吊掛貼片，進一步包括位於該貼片本體下邊之一撥起邊。
如請求項1之吊掛貼片，其中該貼片本體之外形為四角圓弧之矩形。
如請求項1之吊掛貼片，安裝於包裝袋上後，該吊掛孔可供陳列鉤件鉤掛，並可供使用者手指穿握拎取。
一種具有多層插畫片排列組合之燈箱裝置，包含：<br/> 一框體，包含：<br/> 一開口；<br/> 一背板，與該開口彼此相對；<br/> 一空間，定義於該開口與該背板之間；以及<br/> 複數個插槽，彼此平行且沿一第一方向依序設置於該空間內，各插槽沿相異於該第一方向之一第二方向延伸；<br/> 複數個插畫片，分別沿該第二方向可抽取地插設於該複數個插槽；以及<br/> 一燈源，設置於該空間內且位於該複數個插畫片與該框體之該背板之間。
如請求項1所述之具有多層插畫片排列組合之燈箱裝置，其中該燈源包含：<br/> 一導光板，設置於該空間內且位於該複數個插畫片與該框體之該背板之間；<br/> 一電路板，固定於該框體之該背板；<br/> 至少一發光元件，固定於該背板且電連接於該電路板；<br/> 一供電裝置，電連接於該電路板；以及<br/> 一開關，電連接於該電路板且用以控制該供電裝置對該發光元件進行供電。
如請求項2所述之具有多層插畫片排列組合之燈箱裝置，其中該導光板形成有一定位孔，該框體包含有用以穿設於相對應的該定位孔之至少一定位柱。
如請求項2所述之具有多層插畫片排列組合之燈箱裝置，其中該開關另用以調節該發光元件之發光亮度。
如請求項1所述之具有多層插畫片排列組合之燈箱裝置，其中該插畫片之材質為壓克力板。
如請求項1所述之具有多層插畫片排列組合之燈箱裝置，其中該插畫片上印刷有至少一插畫圖樣，且該插畫圖樣與該插畫片之間未設有白膜底層。
如請求項1所述之具有多層插畫片排列組合之燈箱裝置，其另包含有一抽屜，該抽屜可沿該第一方向被拉出於該框體。
如請求項7所述之具有多層插畫片排列組合之燈箱裝置，其該抽屜包含有一面板、一操作部以及一抽屜本體，該面板提供有一邊框以固定一物件，且該操作部凸起形成於該面板以供使用者握持。
如請求項1所述之具有多層插畫片排列組合之燈箱裝置，其另包含有一面板，固定連接於該框體且與該背板相對，該面板提供有一邊框以固定一物件。
如請求項8或9所述之具有多層插畫片排列組合之燈箱裝置，其中該面板為一磁性面板，該磁性面板用以供一磁性件進行吸附。
一種體重計式鬧鐘裝置，該裝置包括：<br/>一微處理器，用以接收使用者設定之鬧鐘時間並控制該裝置系統運作；<br/>一時鐘模組，與該微處理器連接通訊以提供實時時刻；<br/>一顯示模組，與該微處理器連接以顯示當前時間及設定參數；<br/>一鍵盤輸入模組，與該微處理器連接以接收使用者之模式選擇及鬧鐘時間設定；<br/>一荷重感測模組，與該微處理器連接以量測並回饋使用者站立時之重量；及<br/>一蜂鳴器，與該微處理器連接以在鬧鐘時間設定到達時發出聲響；當該鬧鐘時間設定到達而蜂鳴器響起時，僅當使用者站在荷重感測模組上且量測重量與使用者於鬧鐘設置時所量測之重量相符於允許一誤差範圍內時，才停止該蜂鳴器之響動。
如申請專利範圍第1項之裝置，該誤差範圍為預設重量之5%。
如申請專利範圍第1項之裝置，該系統運作包括一體重模式及一鬧鐘模式；在該體重模式下，持續顯示實時時間並顯示即時量測重量；在該鬧鐘模式下，接收使用者設定之鬧鐘時間並量測記憶設定時之重量，在該蜂鳴器響起後，持續監測使用者站立重量以判斷是否停止響鈴。
如申請專利範圍第1項之裝置，其中該荷重感測模組包含荷重元件及模擬數位轉換模組。
如申請專利範圍第1項之裝置，其中該鍵盤輸入模組為4×3薄膜數字鍵盤。
如申請專利範圍第1項之裝置，其中該微處理器為Arduino UNO。
如申請專利範圍第1項之裝置，其中該顯示模組為LCD1602-I2C。
如申請專利範圍第1項之裝置，其中該時鐘模組為DS1302。
一種快拆式電纜軸擋塊，可選擇地裝設於一纜線軸盤之一盤板的外表面，或抵接於一地面及該盤板之一外週緣的一部份，該快拆式電纜軸擋塊包含：<br/> 一軸盤抵接部，用以使該軸盤抵接部與該盤板相抵接，且在抵接時，該軸盤抵接部的一部分的形狀對應於該盤板之該外週緣的一部份；<br/> 一防滑抵接部，用以使在該快拆式電纜軸擋塊與該地面接觸；<br/> 一第一連接部，與該軸盤抵接部與該防滑抵接部相連接；以及<br/> 一裝設部，位於該快拆式電纜軸擋塊的一第一表面，該第一表面面對該盤板的外表面，且該裝設部裝設於該盤板的外表面上；<br/> 其中該軸盤抵接部、該防滑抵接部及該第一連接部位於該快拆式電纜軸擋塊的該第一表面及一第二表面之間，該第二表面相對於該第一表面。
如請求項1所述之快拆式電纜軸擋塊，其中該盤板的外表面包含一筒軸部、一內側緣及該外週緣，該筒軸部位於該盤板的外表面的中心，該快拆式電纜軸擋塊可選擇地裝設於該筒軸部及該內側緣之間。
如請求項2所述之快拆式電纜軸擋塊，其中該盤板的外表面更包含複數個輪輻，該等輪輻位於該筒軸部與該內側緣之間，且該裝設部為與該等輪輻的至少之一相卡合。
如請求項3所述之快拆式電纜軸擋塊，其中該裝設部為一凹槽，該等輪輻的寬度略大於該裝設部的寬度，且該裝設部的深度略大於該等輪輻的高度。
如請求項3所述之快拆式電纜軸擋塊，其中該等輪輻包含一第一輪輻及一第二輪輻，該第一輪輻及該第二輪輻彼此相交，該裝設部包含一第一凹槽及一第二凹槽，該第一凹槽及該第二凹槽彼此連通，且該第一凹槽卡接於該第一輪輻、該第二凹槽卡接於該第二輪輻。
如請求項3所述之快拆式電纜軸擋塊，更包含複數個扣接部，該等扣接部由該第二表面延伸，且鄰近於該軸盤抵接部，當該軸盤抵接部與該盤板相抵接時，該等扣接部扣接於該等輪輻之一的側緣或該盤板的該內側緣。
如請求項2所述之快拆式電纜軸擋塊，其中該盤板的外表面更包含一卡扣部，該裝設部為一卡孔，該卡孔對應於該卡扣部而使該快拆式電纜軸擋塊可選擇地裝設於該盤板的外表面。
如請求項2所述之快拆式電纜軸擋塊，其中該盤板的外表面更包含一第一磁性元件，該裝設部為一第二磁性元件，該第一磁性元件與該第二磁性元件彼此相吸，而使該快拆式電纜軸擋塊可選擇地裝設於該盤板的外表面。
如請求項2所述之快拆式電纜軸擋塊，其中該快拆式電纜軸擋塊更包含一第二連接部，該第二連接部與該軸盤抵接部與該防滑抵接部相連接，且位於該第一連接部的相對側。
如請求項9所述之快拆式電纜軸擋塊，當該快拆式電纜軸擋塊裝設於該盤板的外表面時，該第一連接部與該盤板的該內側緣抵接，該第二連接部與該筒軸部抵接。
如請求項1所述之快拆式電纜軸擋塊，其中當該快拆式電纜軸擋塊裝設於該盤板的外表面時，由該盤板的中心延伸至該軸盤抵接部的邊緣所成的一第一軸線與由該盤板的中心延伸至該防滑抵接部的邊緣所成的一第二軸線所夾之角度為35至45度。
如請求項1所述之快拆式電纜軸擋塊，其中當該快拆式電纜軸擋塊與該地面及該盤板之該外週緣的一部份抵接時，該盤板之該外週緣位於該地面處為一第一抵接點，該盤板之該外週緣與該軸盤抵接部相抵接的最上方處為一第二抵接點，其中該第一抵接點延伸至該第二抵接點的一割線與該地面的夾角為27至34度。
如請求項12所述之快拆式電纜軸擋塊，其中由該地面至該第二抵接點之間的一垂直高度與該盤板之半徑比為0.48至0.54。
如請求項12所述之快拆式電纜軸擋塊，其中由該第二抵接點沿該軸盤抵接部延伸至該地面定義為一延伸半徑，該延伸半徑與該盤板之半徑比為0.38至0.44。
如請求項1所述之快拆式電纜軸擋塊，其中該防滑抵接部包含複數個止滑條。
如請求項1所述之快拆式電纜軸擋塊，更包含一取物槽，該取物槽開設於該第一表面，並延伸至該軸盤抵接部。
一種具有座椅固定裝置的助行車，包含：<br/> 一車架單元，包括數個在一頂底方向位於該車架單元的底側且能轉動的輪組；及<br/> 一座椅單元，設置在該車架單元且包括：<br/> 一座椅裝置，沿一左右方向延伸，且具有一第一主體、一能相對於該第一主體樞轉的第二主體，及一沿一前後方向穿設該第一主體與該第二主體的軸桿，該第一主體具有數個在該前後方向相間隔且供該軸桿穿設的樞軸部，該第二主體具有數個與該等樞軸部交錯接合且供該軸桿穿設的軸接部，及<br/> 一展開固定裝置，設置在該座椅裝置且用來使該第一主體與該第二主體維持展開，該展開固定裝置包括至少一固定座、一移動件、一操作件及一限位單元，該至少一固定座供該軸桿穿設，該移動件沿該頂底方向能移動地設置在該固定座，該移動件具有一凸部，該操作件連接該移動件並用來帶動該移動件移動，該限位單元能相對於該固定座移動，該限位單元具有一容置在其中一該樞軸部的第一移動桿、一推抵於該第一移動桿的另一端且容置在其中一該樞軸部與其中一該軸接部的第二移動桿，及一恆推動該第二移動桿朝向該固定座的方向移動的限位彈性件，當該操作件帶動該移動件移動時，該第一移動桿的一端被該凸部推抵，且該第一移動桿帶動該第二移動桿朝遠離該固定座的方向移動，該第二移動桿退出其中一該樞軸部，使該第一主體與該第二主體能相對樞轉並收合。
如請求項1所述的具有座椅固定裝置的助行車，其中，該展開固定裝置包括兩個固定座，其中一該固定座供該移動件設置，該操作件的一端連接該移動件，且另一端連接另一該固定座。
如請求項1所述的具有座椅固定裝置的助行車，其中，該展開固定裝置還包括沿該左右方向延伸的一第一限位桿及一第二限位桿，該第一移動桿具有一沿該前後方向延伸且供該第一限位桿穿設的第一導槽，該第二移動桿具有一沿該前後方向延伸且供該第二限位桿穿設的第二導槽，使得該第一移動桿與該第二移動桿分別能相對於該第一限位桿及該第二限位桿移動。
如請求項3所述的具有座椅固定裝置的助行車，其中，該展開固定裝置還包括一與該第二限位桿間隔設置的尾桿，該限位彈性件彈抵於該尾桿與該第二移動桿之間。
如請求項1所述的具有座椅固定裝置的助行車，其中，該移動件還具有一本體，該凸部自該本體延伸出，該本體具有一沿該頂底方向延伸且供該軸桿穿設的長槽、一供該操作件連接的勾部，及一連接該凸部且朝該勾部的方向傾斜延伸的斜面，在該斜面與該勾部之間形成一在該頂底方向上與該凸部相間隔的退讓空間，該第一移動桿的一端能伸入該退讓空間。
如請求項1所述的具有座椅固定裝置的助行車，其中，該固定座具有兩個間隔設置的容槽，及兩個分別安裝在該等容槽且供該移動件抵壓的彈簧。
如請求項1所述的具有座椅固定裝置的助行車，其中，該座椅裝置的一側具有一沿該前後方向延伸的安裝孔、一空間連通於該安裝孔與外界的限位槽，及一沿該左右方向延伸且空間連通於該安裝孔與外界的貫孔，該座椅單元還包含一收合固定裝置，該收合固定裝置用來使該第一主體與該第二主體維持收合，且具有一能活動地穿設於該限位槽與該安裝孔的活動桿、一位於該安裝孔內且套設在該活動桿的鎖定彈性件，及一設置在該座椅裝置的另一側且沿該左右方向延伸的鎖定桿，該鎖定桿具有一沿該前後方向延伸的定位孔，當該第一主體與該第二主體相對收合時，該鎖定桿穿入該貫孔，且該活動桿穿入該鎖定桿的定位孔。
如請求項7所述的具有座椅固定裝置的助行車，其中，該限位槽具有一推入槽位及一大體上垂直於該推入槽位的退出槽位，該推入槽位較該退出槽位更朝該安裝孔的方向凹陷，該活動桿具有一朝該安裝孔的方向延伸的擋塊，該活動桿能相對於該座椅裝置移動與轉動，當該第一主體與該第二主體在收合時，該活動桿的擋塊位於該推入槽位，當該第一主體與該第二主體展開時，該活動桿的擋塊位於該退出槽位，該鎖定桿脫離該貫孔。
如請求項8所述的具有座椅固定裝置的助行車，其中，該收合固定裝置還具有一固定在該座椅裝置的一側且供該活動桿能移動地穿設的固定套，該活動桿還具有一與該固定套相間隔的凸肩，該鎖定彈性件是壓縮彈簧且一端固定在該凸肩，另一端固定在該固定套。
如請求項1所述的具有座椅固定裝置的助行車，還包含一安裝在該車架單元的護帶，及一能卸離地安裝在該座椅單元的收納箱，該車架單元包括一左架體、一在該左右方向與該左架體間隔設置的右架體，及兩個沿該頂底方向分別設置在該左架體與該右架體的頂端的握把組。
一種電子元件載帶之封合設備，包含：<br/> 二支承座，沿一寬度方向彼此相間隔，每一支承座包括一底台、二插設於該底台上且由該底台朝上延伸的導桿、一被該等導桿穿設地位於該底台上方的升降台，及二分別設置於該等升降台上的載台；<br/> 二封合座，分別對應該等支承座設置，每一封合座包括一設置於相對應支承座之該等導桿上的主座體，及一固定於該主座體上而位於該載台上方的封刀；<br/> 二升降機構，分別設置於該等支承座上，每一升降機構可受控制帶動相對應支承座之該升降台相對於該底台沿該等導桿上下移動，從而帶動相對應載台朝上靠近相對應封合座之該封刀，或帶動該載台朝下遠離該封刀；<br/> 一導引機構，位於該等封合座上方，該導引機構供每一封合座可沿該寬度方向移動地設置；及<br/> 二平移機構，每一平移機構包括至少一設置於其中一支承座之該載台上的滑塊、至少一沿該寬度方向延伸並供該至少一滑塊可移動地設置的線性滑軌、一設置於該導引機構上的驅動件，及一可被該驅動件帶動旋轉且連動其中一封合座之該主座體的螺桿。
如請求項1所述的封合設備，其中，每一支承座之該升降台界定出二開口朝下的內腔室，每一升降機構包括二沿該寬度方向設置於該升降台外側且分別連通該等內腔室的氣嘴，及二連接該底台且分別伸置於該等內腔室中的活塞。
如請求項2所述的封合設備，其中，每一升降機構之每一活塞具有一由該底台朝上延伸至相對應內腔室中的延伸桿，及一設置於該延伸桿頂端的塞體，當該等氣嘴進氣至該等內腔室中時，會推動相對應升降台上升。
如請求項1所述的封合設備，其中，該導引機構包括一頂座、二沿該寬度方向分別設置於該頂座相反兩側且朝下延伸的側座，及二朝下穿設該頂座且分別連接該等主座體的連接件，該頂座界定出至少一沿該寬度方向延伸且供該等連接件穿伸通過的滑槽。
如請求項4所述的封合設備，其中，該導引機構還包括複數穿設該等側座且各自上下延伸的升降桿，及二沿該寬度方向分別位於該等支承座及該等封合座相反兩側，且供該等升降桿插設的基座。
如請求項5所述的封合設備，其中，該導引機構還包括複數沿該寬度方向穿設該等主座體，且兩端分別設置於該等側座上的滑桿。
如請求項1所述的封合設備，其中，每一封合座還包括二分別套設於相對應支承座之該等導桿上的復位彈簧，每一復位彈簧的頂端靠抵該主座體，底端則穿伸通過該載台而靠抵該升降台。
如請求項1所述的封合設備，其中，每一封合座還包括一穿伸插設至該封刀內的加熱棒。
一種發光裝置，包括：<br/> 一基板，具有一第一表面，該第一表面具有一第一晶片接合區以及一第二晶片接合區；<br/> 一半導體元件，設置於第一晶片接合區；<br/> 至少一發光元件，設置於該第二晶片接合區；<br/> 一反射遮蓋，包覆該半導體元件； <br/> 一第一擋牆，設置於該半導體元件與該發光元件之間；以及<br/> 至少一銲線，電性連接該半導體元件及該發光元件；<br/> 其中，該反射遮蓋之高度大於該第一擋牆之高度，且該第一擋牆之高度大於該發光元件之高度。
如請求項1所述之發光裝置，其中沿該半導體元件之中心橫截面視之，該第一擋牆與該反射遮蓋接觸並具有一夾角，該夾角小於或等於100度。
如請求項1所述之發光裝置，其中該反射遮蓋之高度為該發光元件之高度的1.5至2.5倍。
如請求項1所述之發光裝置，更包括一第二擋牆，該第二擋牆設置於該基板上並位於該半導體元件之遠離該第一擋牆的一側。
如請求項4所述之發光裝置，其中該反射遮蓋之高度大於該第二擋牆之高度。
如請求項4所述之發光裝置，其中沿該半導體元件之中心橫截面視之，該第二擋牆與該反射遮蓋接觸並具有一夾角，該夾角小於或等於100度。
如請求項1所述之發光裝置，其中該銲線具有一上升段、一水平段及一下降段，部分之該水平段及該下降段顯露於該反射遮蓋外。
如請求項7所述之發光裝置，其中該水平段及該下降段之間具有至少一轉折角，該轉折角大於110度。
如請求項1所述之發光裝置，其中第一擋牆及該反射遮蓋不接觸該發光元件。
如請求項1所述之發光裝置，其中該半導體元件之上表面具有複數個銲墊，該銲墊分布於該半導體元件之該上表面的周圍，該半導體元件之中間具有一銲墊空乏區，其中該反射遮蓋之外輪廓具有一頂點，該頂點對應於該銲墊空乏區。
一種開心果剝殼裝置，其包括：<br/> 一剝殼夾，其包括：<br/> 一第一握把部，其一側延伸設置一第一勾子；<br/> 一第二握把部，其一側延伸設置一第二勾子；該第一握把部樞接於該第二握把部，當該第一握把部往該第二握把部移動時，該第一勾子往離開該第二勾子的方向移動，使得該第一勾子與該第二勾子間距加大；<br/> 一置果盒，其內設置一導軌，其中，該導軌呈八字型，當一開心果置於該導軌時，該開心果的開口處兩側殼體分別位於該第一勾子與該第二勾子之間；又，該第一勾子與該第二勾子係位於該置果盒內；<br/> 當該第一握把部受壓往該第二握把部移動時，帶動該第一勾子與該第二勾子反向移動的過程中，抵住該開心果的開口處之兩側殼體，並帶動該二殼體向外移動，以完成剝殼動作；<br/> 又，該置果盒進一步設置一出口，相對鄰近於該第一勾子與該第二勾子，以供剝殼後的一果實排出。
如請求項1所述之開心果剝殼裝置，其中，該第一握把部與該第一勾子之間，設置有一第一彎曲部。
如請求項2所述之開心果剝殼裝置，其中，該導軌下方設置有一位置調整台，用以調整在該導軌內該開心果的位置。
如請求項3所述之開心果剝殼裝置，其中，該位置調整台樞接於該置果盒，並設置有一連動桿，該連動桿之一端凸出於該置果盒，形成一按鈕，該連動桿之另端連接一與該位置調整台的帶動機構，當按壓該按鈕時，該連動桿移動後使該帶動機構作動，使得該位置調整台轉動或是跳動。
如請求項4所述之開心果剝殼裝置，其中，該置果盒進一步設置一退殼引道，以將剝下的殼體引導排出。
如請求項5所述之開心果剝殼裝置，其中，該退殼引道的一端設置於該第一勾子與該第二勾子的下方；該置果盒上設置一開口，該開口與該退殼引道連通。
如請求項6所述之開心果剝殼裝置，其中，該出口外設置有一承接盤。
如請求項7所述之開心果剝殼裝置，其中，該出口外設置有至少一防止果實逆行進入該置果盒的彈片。
一種具吸濕與防霉配方釋放雙重功能之乾燥劑，包含： <br/>一第一包裝袋，其內部設有一第一容置空間； <br/>一第二包裝袋，其內部設有一第二容置空間，且該第二包裝袋與該第一包裝袋相連或一體成型； <br/>一第一乾燥劑本體，其設置於該第一容置空間內，該第一乾燥劑本體係以碳化稻殼為基材，並於該碳化稻殼上均勻塗佈或浸漬有防霉配方精油，其中該碳化稻殼用以吸附環境濕氣，並作為該防霉配方精油之載體，使該精油得以持續緩慢釋放，發揮防霉與抑菌之功效；以及 <br/>一第二乾燥劑本體，其設置於該第二容置空間內，該第二乾燥劑本體係由具多孔結構之分子篩所構成，用以高效吸附環境中之水分子，實現深度除濕之功效。
如請求項1所述之具吸濕與防霉配方釋放雙重功能之乾燥劑，其中該第一包裝袋與該第二包裝袋由可生物分解之透氣材料所製成，具備高透氣性、耐撕裂性與高吸濕效率。
如請求項2所述之具吸濕與防霉配方釋放雙重功能之乾燥劑，其中該可生物分解之透氣材料為聚乳酸（PLA）或其衍生物。
如請求項1所述之具吸濕與防霉配方釋放雙重功能之乾燥劑，其中該第一包裝袋與該第二包裝袋呈四邊形體。
如請求項1所述之具吸濕與防霉配方釋放雙重功能之乾燥劑，其中該第一包裝袋與該第二包裝袋之間設有一撕裂線，藉以，方便使用者沿該撕裂線將該第一包裝袋與該第二包裝袋分離。
如請求項1所述之具吸濕與防霉配方釋放雙重功能之乾燥劑，其中該碳化稻殼係將稻殼於缺氧或限氧環境下，於600℃至900℃之溫度進行高溫炭化處理所得。
如請求項1所述之具吸濕與防霉配方釋放雙重功能之乾燥劑，其中該防霉配方精油係採用兒茶素、芥末或辣椒萃取物、薄荷提取物。
如請求項1所述之具吸濕與防霉配方釋放雙重功能之乾燥劑，其中該分子篩採用A4分子篩。
如請求項1所述之具吸濕與防霉配方釋放雙重功能之乾燥劑，其中該分子篩更可透過技術控制吸附預定比例之防霉配方精油，並緩慢穩定地釋放該防霉配方精油。
如請求項9所述之具吸濕與防霉配方釋放雙重功能之乾燥劑，其中該分子篩吸附之該防霉配方精油佔該分子篩總重量之5%至30%。
如請求項9所述之具吸濕與防霉配方釋放雙重功能之乾燥劑，其中該分子篩透過浸漬、噴塗或化學鍵合方式吸附該防霉配方精油。
一種包覆式轉軸，安裝於底座與螢幕之間，包括：<br/> 中空軸，具有相連接之第一軸段、第二軸段及容置段，該容置段套設有扭簧且末端組接擋止環；<br/> 第一組接件，具有相連接之第一片體及包覆組件，該第一片體組接於該底座內部，該包覆組件樞組於該第一軸段；<br/> 第二組接件，具有相連接之第二片體及組接部，該第二片體組接於該螢幕內部，該組接部組接於該第二軸段；<br/> 彈性組件，具有第一彈性件及第二彈性件，該第一彈性件套組於該容置段且兩端分別抵靠該扭簧與該包覆組件，該第二彈性件套組於該容置段且兩端分別抵靠該扭簧與該擋止環，當該螢幕掀合時，藉由該彈性組件吸收該扭簧變形產生的撞擊力道。
如請求項1所述之包覆式轉軸，其中該容置段自末端向內剖設出二橫槽，便於彈性按壓該容置段末端以組接該擋止環。
如請求項1所述之包覆式轉軸，其中該擋止環具有環壁及供該容置段穿組之穿孔，該容置段末端具有二凸部，當該擋止環穿組於該容置段時，該二凸部擋設於該擋止環之環壁的外側。
如請求項1所述之包覆式轉軸，其中該第一片體鄰靠該扭簧處設有卡槽，該擋止環之環壁設有卡孔，該卡槽及該卡孔分別供該扭簧兩端卡組。
如請求項1所述之包覆式轉軸，其中該第一軸段具有相連接之第一圓軸面及第二圓軸面，且該第一軸段沿該中空軸之轉動軸向剖設出相連接之第一槽面及第二槽面，該第一槽面具有第一橫徑，該第二槽面具有相連接之第二橫徑及第三橫徑，該第一橫徑、該第二橫徑及該第一圓軸面的長度相同且對應設置，該第三橫徑與該第二圓軸面對應設置。
如請求項5所述之包覆式轉軸，其中該包覆組件具有第一包覆部及第二包覆部，該第一包覆部包覆於該第一橫徑及該第二橫徑，且該第一包覆部的內表面相對底側位置形成第一干涉面，該第二包覆部包覆於該第三橫徑，且該第二包覆部的內表面相對底側位置形成第二干涉面，該第一干涉面及該第二干涉面均為平面。
如請求項6所述之包覆式轉軸，其中該螢幕尚未向上掀轉時，該第一圓軸面、該第一槽面及該第二槽面均未與該第一干涉面形成接觸，而該第二圓軸面則與該第二干涉面形成第一接觸面積的干涉。
如請求項6所述之包覆式轉軸，其中該螢幕向上掀轉45度時，該第一圓軸面及該第一槽面分別與該第一干涉面形成第二接觸面積的干涉，而該第二圓軸面與該第二干涉面形成完全接觸面積的干涉。
如請求項6所述之包覆式轉軸，其中該螢幕向上掀轉60度時，該第一圓軸面及該第一槽面分別與該第一干涉面形成第三接觸面積的干涉，而該第二圓軸面與該第二干涉面形成完全接觸面積的干涉。
如請求項6所述之包覆式轉軸，其中該螢幕向上掀轉90度時，該第一圓軸面與該第一干涉面形成完全接觸面積的干涉，而該第二圓軸面與該第二干涉面形成完全接觸面積的干涉。
一種羽毛球的複合材質人造羽毛，包括：一主軸以及一羽片，該主軸包含以同軸的關係相連為一體的一羽軸和一羽根，該主軸使用第一塑膠射出材料製成，該羽片使用第二塑膠射出材料製成；該第一塑膠射出材料的密度相對大於該第二塑膠射出材料的密度，該羽片係包覆在該羽軸的外部，該羽片的正面具有複數溝紋，該羽片的背面為平直表面，該溝紋係自該主軸的軸線為起點朝向離開該主軸的方向延伸。
如請求項1所述羽毛球的複合材質人造羽毛，其中該第一塑膠射出材料係為包含塑膠射出材料和RF木質纖維素的混合物。
如請求項1所述羽毛球的複合材質人造羽毛，其中該第一塑膠射出材料係選自由：聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)和RF木質纖維素的混合物、尼龍(Nylon)和RF木質纖維素的混合物所組成的群組。
如請求項3所述羽毛球的複合材質人造羽毛，該聚丙烯(PP)和RF木質纖維素的混合物，以及該尼龍(Nylon)和RF木質纖維素的混合物，其中的該RF木質纖維素佔該混合物之重量百分比為30~40wt%。
如請求項1所述羽毛球的複合材質人造羽毛，其中該第二塑膠射出材料係選自由：聚乙烯(PE)、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)、發泡聚乙烯(EPE)、聚氨酯(PU)所組成的群組。
如請求項5所述羽毛球的複合材質人造羽毛，其中該羽片係為使用該第二塑膠射出材料，利用微發泡射出成型(MuCell)技術製成者。
如請求項1所述羽毛球的複合材質人造羽毛，其中該主軸的橫斷面的形狀為工字型。
如請求項1所述羽毛球的複合材質人造羽毛，其中該主軸的寬度自該羽根向該羽軸延伸的方向由寬漸窄，且該主軸的厚度自該羽根向該羽軸延伸的方向由厚漸薄。
如請求項1所述羽毛球的複合材質人造羽毛，其中該主軸的軸向兩端係分別朝向該背面的方向微翹而形成翹曲弧形，該主軸的軸向略微彎曲而呈一弧形。
如請求項1所述羽毛球的複合材質人造羽毛，其中該羽片包括一第一羽片和一第二羽片，該第一羽片和該第二羽片分別配置於該羽軸的左側邊和右側邊。
如請求項10所述羽毛球的複合材質人造羽毛，其中該第一羽片和該第二羽片的厚度自該羽軸朝向離開該羽軸的方向由厚漸薄。
如請求項10所述羽毛球的複合材質人造羽毛，其中該羽軸具有數個橫切槽，該些橫切槽平均分配在該羽軸的軸向的不同位置，該些橫切槽橫貫該羽。
一種傳動構造，其用以沿著一第一中心線方向與一傳動軸相結合，該傳動構造包含： 一傳動輪，具有一第一端部、一第二端部、一傳動部及一第一接合孔，該傳動部位於該傳動輪的一外側壁，該第一接合孔位於該第一端部與該第二端部之間，該第一接合孔的一孔徑由該第一端部朝該第二端部方向逐漸擴大，該第一接合孔的一孔壁具有至少一第一紋路；及<br/> 一傳動套，具有一套接部及一讓位槽，該套接部具有一第三端部、一第四端部、一第二接合孔及一軸壁，該第二接合孔位於該第三端部及該第四端部之間，沿著該第一中心線方向，該第二接合孔用以結合該傳動軸，該套接部具有一外徑，該外徑由該第三端部朝該第四端部方向逐漸擴大，該軸壁具有至少一第二紋路，沿著該第三端部朝該第四端部方向，該讓位槽形成於該套接部，該讓位槽並連通第二接合孔及該軸壁，使該套接部具有位於該讓位槽二側的一第一自由端及一第二自由端，該套接部由該第一端部朝該第二端部方向並沿著該第一中心線嵌設於該第一接合孔中，藉由該第一接合孔限制該套接部及該讓位槽提供一讓位空間，使該第二接合孔的一孔徑縮小，以束緊該傳動軸，該第一紋路用以使該第二紋路被限位於該第一端部及該第一紋路之間，使該傳動套被限位於該第一接合孔中。
如請求項1之傳動構造，其中沿著該軸壁往該第二接合孔方向，該讓位槽具有一位於該第一自由端及該第二自由端之間的一第二中心線，該第二中心線不與該第一中心線相交。
如請求項1或2之傳動構造，其另包含二限位環，各該限位環分別設置於該傳動輪的二側，使該傳動部與該二限位環之間形成一限位空間。
如請求項1或2之傳動構造，其中該傳動輪具有一容置槽及複數個螺孔，沿著該第一中心線方向，該容置槽連通該第一接合孔，該些螺孔設置於該容置槽的一槽底且環設於該第一接合孔外側，該傳動套具有一受壓部及一第三接合孔，該受壓部凸出於該軸壁並具有複數個通孔，各該通孔分別對應各該螺孔，沿著該第一中心線方向，該第三接合孔連通第二接合孔，且該讓位槽連通該第三接合孔及該軸壁，該第三接合孔用以結合該傳動軸。
如請求項4之傳動構造，其中該受壓部具有一缺口，該缺口連接該讓位槽。
如請求項1或2之傳動構造，其中沿著該第一接合孔的一周向，該第一紋路形成於該孔壁，沿著該套接部的一周向，該第二紋路形成於該軸壁。
如請求項1或2之傳動構造，其中該第一接合孔的該孔壁具有一第一斜率，該套接部的該軸壁具有一第二斜率，該第二斜率相同該第一斜率。
一種污水箱，其包括： <br/>一箱體，該箱體形成有一容納空間，該箱體上沿一高度方向的一頂部設有該容納空間的一敞開端，該箱體的一底部設有一進汙口； <br/>一液位監測組件，該液位監測組件包括有位於該容納空間的一第一監測點位與一第二監測點位，在該箱體的該高度方向上，該第二監測點位位於該第一監測點位的上方。
如請求項1所述的污水箱，其中，該液位監測組件包括： <br/>一第一監測杆與一第二監測杆，該第一監測杆與該第二監測杆位於該容納空間中，且沿該高度方向延伸；該第一監測杆與該第二監測杆上均形成有該第一監測點位與該第二監測點位，該第一監測杆與該第二監測杆中的其中一個為正極，另一個為負極。
如請求項2所述的污水箱，其中，在該箱體的該高度方向上，該第一監測杆與該第二監測杆上的該第一監測點位的高度一致，和/或，該第一監測杆與該第二監測杆上的該第二監測點位的高度一致。
如請求項2所述的污水箱，其中，該第一監測杆上的該第一監測點位位於該第一監測杆的一端部，和/或，該第二監測杆上的該第一監測點位位於該第二監測杆的一端部。
如請求項2所述的污水箱，其中，該第一監測杆與該第二監測杆均包括一導電柱和覆蓋於該導電柱上的一絕緣層，該導電柱在該第一監測點位與該第二監測點位處藉由該絕緣層露出。
如請求項2所述的污水箱，其中，該污水箱還包括： <br/>一分離組件，該分離組件的至少一部分位於該容納空間內，該分離組件在該容納空間內形成有一風道，該風道的一進口與該進汙口連通，該風道的一出口用於連接一負壓裝置，該風道的一中間部分與該容納空間連通； <br/>其中，該液位監測組件連接於該分離組件上。
如請求項6所述的污水箱，其中，該分離組件包括： <br/>一分離支架，該分離支架包括一安裝部和一風道部，該分離支架藉由該安裝部裝配於該污水箱的一敞開端上，該風道部上形成有至少部分該風道； <br/>其中，該液位監測組件連接於該分離支架上。
如請求項7所述的污水箱，其中，該分離支架上設有多個安裝孔，該第一監測杆與該第二監測杆分別插設於對應的該安裝孔中。
如請求項7所述的污水箱，其中，該液位監測組件還包括： <br/>一第一接觸電極和一第二接觸電極，該第一接觸電極和該第二接觸電極設於該安裝部上；該第一接觸電極與該第一監測杆連接，該第二接觸電極與該第二監測杆連接。
如請求項9所述的污水箱，其中，該污水箱還包括： <br/>一上蓋，該上蓋與該安裝部固定連接，該第一接觸電極與該第二接觸電極藉由該上蓋露出。
如請求項7所述的污水箱，其中，該風道包括：一第一風道、一第二風道與一第三風道，該第一風道的一進口與該進汙口連通，該第一風道的一出口位於靠近該頂部的一側並與該第二風道的一進口連通，該第二風道的一出口位於靠近該底部的一側並與該容納空間連通；該第三風道的一進口位於靠近該底部的一側並與該容納空間連通，該第三風道的一出口位於靠近該頂部的一側並用於連接該負壓裝置。
如請求項11所述的污水箱，其中，該風道部上形成有該第二風道，該風道部與該污水箱的側壁配合形成的有該第三風道。
如請求項12所述的污水箱，其中，該風道部包括一導風管，該導風管形成該第二風道。
如請求項13所述的污水箱，其中，該導風管包括一風管主體和一彎頭，該彎頭的一出口與該風管主體密封連接，該彎頭的一進口與該第一風道的該出口連通。
如請求項13所述的污水箱，其中，該分離組件還包括： <br/>一進汙管，該進汙管形成有該第一風道，該進汙管的一進口連接於該箱體上的該進汙口上，該導風管的一進口與該進汙管的該出口密封插接。
如請求項15所述的污水箱，其中，在該箱體的一寬度方向上，該進汙管靠近該污水箱一側的一側壁設置，該進汙管的該出口朝向該污水箱上相對的另一側的一側壁傾斜設置。
如請求項15所述的污水箱，其中，在該箱體的一寬度方向上，該進汙管靠近該污水箱一側的側壁設置；該進汙管從該進汙口處朝向該進汙管的該出口一側延伸的至少一部分管體，僅與該污水箱上相對的另一側的一側壁之間具有該容納空間。
如請求項17所述的污水箱，其中，該進汙管從該進汙口處朝向該進汙管的該出口一側延伸的至少該部分管體，為該箱體的側壁。
如請求項15所述的污水箱，其中，該分離組件還包括： <br/>一過濾板，該過濾板設於該容納空間中並沿該高度方向將該容納空間分割為一第一容納空間和一第二容納空間，該過濾板上設有一避讓缺口，該進汙管位於該避讓缺口中。
如請求項19所述的污水箱，其中，該過濾板包括與該第二風道對應的一第一過濾部和與該第三風道對應的一第二過濾部，在該高度方向上，該第一過濾部相對該第二過濾部靠近該箱體的底部設置。
如請求項20所述的污水箱，其中，該第一過濾部呈平板狀。
如請求項19所述的污水箱，其中，該過濾板與該分離支架連接。
如請求項22所述的污水箱，其中，該過濾板與該分離支架可拆卸連接。
如請求項11所述的污水箱，其中，該分離組件還包括： <br/>一第一氣水分離件，該第一氣水分離件設於該第三風道中。
如請求項24所述的污水箱，其中，該第一氣水分離件與該分離支架可拆卸連接。
如請求項11所述的污水箱，其中，該分離組件還包括： <br/>一第二氣水分離件，該第二氣水分離件設於該第三風道的該出口處。
如請求項11所述的污水箱，其中，在該高度方向上，該第二風道的該出口與該第三風道的該進口高度一致。
如請求項1所述的污水箱，其中，該液位監測組件包括： <br/>一第一液位感測器，該第一液位感測器形成有該第一監測點位； <br/>一第二液位感測器，該第二液位感測器形成有該第二監測點位。
一種清潔設備，其包括： <br/>一機體和一清潔底座，該清潔底座連接於該機體的一端； <br/>如請求項1~28中任一項所述的污水箱，該污水箱可拆卸的連接於該機體上。
一種清潔系統，其包括： <br/>如請求項29所述的清潔設備； <br/>一樁體，該樁體被配置為停放該清潔設備。
一種菇類太空包的密封片結構，適用於結合在一塞蓋，該塞蓋具有一結合環部及一由該結合環部圍成的開口，該菇類太空包的密封片結構包含：<br/> 一透氣布，具有一第一透氣表面、及一反向於該第一透氣表面的第二透氣表面；以及<br/> 一熔噴布，具有一結合在該第二透氣表面的第一熔噴表面、及一反向於該第一熔噴表面的第二熔噴表面，該第二熔噴表面具有一結合在該結合環部並封閉該開口的熔噴環區。
一種菇類太空包的密封片結構，適用於結合在一塞蓋，該塞蓋具有一結合環部及一由該結合環部圍成的開口，該菇類太空包的密封片結構包含：<br/> 一透氣布，具有一第一透氣表面、及一反向於該第一透氣表面的第二透氣表面，該第二透氣表面具有一結合在該結合環部並封閉該開口的透氣環區；以及<br/> 一熔噴布，具有一第一熔噴表面、及一反向於該第一熔噴表面且結合在該第一透氣表面的第二熔噴表面。
如請求項2所述之菇類太空包的密封片結構，其中，該菇類太空包的密封片結構還具有一外透氣布，該外透氣布具有一結合在該第一熔噴表面的結合表面。
如請求項1或2所述之菇類太空包的密封片結構，其中，該熔噴布係由複數纖維隨機堆積而成三維網狀結構。
如請求項4所述之菇類太空包的密封片結構，其中，該熔噴布經過靜電駐極處理，使各該纖維帶有靜電荷。
如請求項1或2所述之菇類太空包的密封片結構，其中，該透氣布與該熔噴布之間具有一透氣膠層。
一種雲端資產管理系統，其運作於一計算機裝置內，與至少一雲服務和至少一用戶端通訊連接，且該雲端資產管理系統包含彼此通訊連接之一資產管理模組和一資產資料庫，其中： <br/>該資產管理模組用以執行以下步驟： <br/>依據來自該用戶端之一雲端資產設定資訊，查詢該雲服務中相對應之一第一雲端資產資訊，其中該雲端資產設定資訊包含一組織資訊、資料夾、專案資產類型或資產名稱，且該第一雲端資產資訊包含一唯一識別值；和 <br/>判斷該雲端資產設定資訊相對應該第一雲端資產資訊於該雲服務中之一儲存狀態； <br/>將相對應該雲服務之該第一雲端資產資訊以一第二雲端資產資訊同步儲存於該資產資料庫中，且該第二雲端資產資訊包含一資產序號；以及 <br/>該資產資料庫，儲存有至少一筆該雲端資產設定資訊及該第二雲端資產資訊。
如請求項1所述之系統，其中該資產管理模組更包含指派該第二雲端資產資訊至一盤點單位。
如請求項2所述之系統，其中該資產管理模組更包含依據該專案資訊將該第二雲端資產資訊指派至一使用單位。
如請求項1所述之系統，該資產管理模組判斷該儲存狀態的步驟如下： <br/>若該雲服務中無相對應之該第一雲端資產資訊，該資產資料庫中儲存無該第一雲端資產資訊，則視為新增雲端資產資訊； <br/>若該雲服務中有相對應之該第一雲端資產資訊，該資產資料庫中儲存有該第二雲端資產資訊，則視為更新雲端資產資訊；以及 <br/>若該雲服務中無相對應之該第一雲端資產資訊，該資產資料庫中儲存有該第二雲端資產資訊，則視為刪除雲端資產資訊。
如請求項1所述之系統，其中該雲端資產設定資訊為專案資訊或組織資訊。
如請求項1所述之系統，其中該第一雲端資產資訊為複數筆，且經由辨識和比對該些第一雲端資產資訊後，並以統一格式將該第二雲端資產資訊儲存至該資產資料庫中。
如請求項1所述之系統，其中該第一雲端資產資訊之該唯一識別值主要由專案資訊、資產類型和資產名稱所組成。
如請求項1所述之系統，其中該資產管理模組可依據該用戶端相對應之一使用層級，提供至少一雲端資產設定範疇至該用戶端。
如請求項1所述之系統，更包含一資產盤點模組與該資產管理模組和該資產資料庫通訊連接，該資產盤點模組依據來自該用戶端之一資產盤點請求進行雲端資產盤點。
一種水體過濾設備，該水體過濾設備係可過濾一水體，其中，該水體係摻雜有一第一顆粒物質與一第二顆粒物質，該水體過濾設備係可以自該水體濾出該第一顆粒物質與該第二顆粒物質，該水體過濾設備係包括：<br/> 一設備箱，該設備箱係具有一設備箱本體、一設備箱內牆、一水體接收管路與一水體輸出管路；其中，該設備箱內牆係在該設備箱本體中延伸，以形成一第一容置空間與一第二容置空間，且該設備箱內牆係具有一設備箱內牆流道，該設備箱內牆流道係連通該第一容置空間與該第二容置空間；該水體接收管路係提供接收該水體，且該水體接收管路係延伸進入該第一容置空間，使該水體可以經由該水體接收管路流入該第一容置空間，且流入該第一容置空間的該水體可以經由該設備箱內牆流道流入該第二容置空間；以及該水體輸出管路係延伸進入該第二容置空間，以輸出流入該第二容置空間的該水體；以及<br/> 一濾材組，該濾材組係具有一第一濾材與一第二濾材，其中，該第一濾材係設置於該設備箱內牆流道，以過濾經由該設備箱內牆流道流入該第二容置空間的該水體而濾出該第一顆粒物質；以及該第二濾材係設置於該水體輸出管路，以過濾該水體而濾出該第二顆粒物質。
如請求項1所述之水體過濾設備，其中，一導流構件組，該導流構件組係跨設於該設備箱內牆，且該導流構件組係具有一第一導流構件與一第二導流構件，其中，該第一導流構件係位於該第一容置空間，以提供引導流入該第一容置空間的該水體流向該設備箱內牆流道；以及該第二導流構件係位於該第二容置空間，以提供引導流入該第二容置空間的該水體流向該水體輸出管路。
如請求項1所述之水體過濾設備，其中，該設備箱還具有一第一溢流管路與一第二溢流管路，該第一溢流管路係延伸進入該第一容置空間，以提供溢流使該水體於該第一容置空間的液位高度實質等於一第一容置空間溢流高度，該第二溢流管路係延伸進入該第二容置空間，以提供溢流使該水體於該第二容置空間的液位高度實質等於一第二容置空間溢流高度，其中，該第一容置空間溢流高度係高於該第二容置空間溢流高度，使流入該第一容置空間的該水體能夠流向該第二容置空間。
如請求項1所述之水體過濾設備，其中，該設備箱還具有一第一溢流管路，該第一溢流管路係延伸進入該第一容置空間，以提供溢流使該水體於該第一容置空間的液位高度實質等於一第一容置空間溢流高度，該設備箱內牆流道的水體流入高度係為一設備箱內牆流道流入高度，其中，該第一容置空間溢流高度係高於該設備箱內牆流道流入高度，使流入該第一容置空間的該水體能夠流向該設備箱內牆流道。
如請求項1所述之水體過濾設備，其中，該設備箱還具有一第一排水孔與一第二排水孔，其中，該第一排水孔係位於該第一容置空間的底部，以提供排除流入該第一容置空間的該水體；以及該第二排水孔係位於該第二容置空間的底部，以提供排除流入該第二容置空間的該水體。
如請求項1所述之水體過濾設備，其中，該水體過濾設備係可搭配一第一高壓氣體，該水體過濾設備還具有一第一沖洗構件，該第一沖洗構件係延伸進入該第一容置空間，且該第一沖洗構件係可接收該第一高壓氣體，而藉由該第一高壓氣體迫使流入該第一容置空間的該水體沖洗該第一容置空間。
如請求項6所述之水體過濾設備，其中，該第一沖洗構件係具有一第一沖洗構件流道與一第一沖洗構件內部空間，該第一沖洗構件流道係連通該第一容置空間與該第一沖洗構件內部空間，於該第一沖洗構件接收該第一高壓氣體，該第一高壓氣體係可進入該第一沖洗構件內部空間，以迫使流入該第一容置空間的該水體經由該第一沖洗構件流道流入該第一沖洗構件內部空間以對該第一容置空間提供沖洗。
如請求項1所述之水體過濾設備，其中，該水體過濾設備係可搭配一第二高壓氣體，該水體過濾設備還具有一第二沖洗構件，該第二沖洗構件係延伸進入該第二容置空間，且該第二沖洗構件係可接收該第二高壓氣體，而藉由該第二高壓氣體迫使流入該第二容置空間的該水體沖洗該第二容置空間。
如請求項8所述之水體過濾設備，其中，該第二沖洗構件係具有一第二沖洗構件流道與一第二沖洗構件內部空間，該第二沖洗構件流道係連通該第二容置空間與該第二沖洗構件內部空間，於該第二沖洗構件接收該第二高壓氣體，該第二高壓氣體係可進入該第二沖洗構件內部空間，以迫使流入該第二容置空間的該水體經由該第二沖洗構件流道流入該第二沖洗構件內部空間以對該第二容置空間提供沖洗。
如請求項1所述之水體過濾設備，其中，該水體過濾設備係可搭配一第二高壓氣體，該設備箱水體輸出管路係可接收該第二高壓氣體，而藉由該第二高壓氣體迫使流入該設備箱水體輸出管路的該水體沖洗該第二濾材。
如請求項1所述之水體過濾設備，其中，該設備箱還具有一設備箱蓋體，該設備箱蓋體係蓋設於該設備箱本體上，以遮擋該第一容置空間與該第二容置空間，且該設備箱蓋體係可接合該水體輸出管路，以對該水體輸出管路提供定位。
一種氣體處理設備，該氣體處理設備係可搭配一主槽體冷卻液體以對一待處理氣體提供處理，該待處理氣體係包含一待去除水溶物質，該氣體處理設備係包括：<br/> 一冷卻主槽體，該冷卻主槽體係具有一冷卻主槽體液體容納空間與一冷卻主槽體液面高度；其中，該冷卻主槽體係接受該主槽體冷卻液體，使該主槽體冷卻液體流入該冷卻主槽體液體容納空間，且使該主槽體冷卻液體於該冷卻主槽體液體容納空間中的液面高度到達該冷卻主槽體液面高度；<br/> 一第一冷卻次槽體，該第一冷卻次槽體係具有一第一冷卻次槽體非液體容納空間、一第一冷卻次槽體注入管路與一第一冷卻次槽體輸出管路；其中，該第一冷卻次槽體的至少一部分係於該冷卻主槽體液體容納空間中浸入該主槽體冷卻液體，使該主槽體冷卻液體可冷卻該第一冷卻次槽體；該第一冷卻次槽體注入管路係連通該第一冷卻次槽體非液體容納空間，且該第一冷卻次槽體注入管路係具有一第一冷卻次槽體注入管路引導段與一第一冷卻次槽體注入管路出口，該第一冷卻次槽體注入管路引導段係進入該第一冷卻次槽體非液體容納空間，且該第一冷卻次槽體注入管路出口係位於該第一冷卻次槽體非液體容納空間；該第一冷卻次槽體輸出管路係連通該第一冷卻次槽體非液體容納空間，且該第一冷卻次槽體輸出管路係具有一第一冷卻次槽體輸出管路引導段與一第一冷卻次槽體輸出管路入口，該第一冷卻次槽體輸出管路引導段係進入於該第一冷卻次槽體非液體容納空間，且該第一冷卻次槽體輸出管路入口係位於該第一冷卻次槽體非液體容納空間；以及<br/> 一第二冷卻次槽體，該第二冷卻次槽體係具有一第二冷卻次槽體液體容納空間、一第二冷卻次槽體非液體容納空間、一第二冷卻次槽體液面高度、一第二冷卻次槽體注入管路與一第二冷卻次槽體輸出管路；其中，該第二冷卻次槽體的至少一部分係於該冷卻主槽體液體容納空間中浸入該主槽體冷卻液體，使該主槽體冷卻液體可冷卻該第二冷卻次槽體；該第二冷卻次槽體係可接受該主槽體冷卻液體，使該主槽體冷卻液體流入該第二冷卻次槽體液體容納空間，且使該主槽體冷卻液體於該第二冷卻次槽體液體容納空間中的液面高度到達該第二冷卻次槽體液面高度；該第二冷卻次槽體注入管路係連通該第二冷卻次槽體液體容納空間，且該第二冷卻次槽體注入管路係具有一第二冷卻次槽體注入管路引導段與一第二冷卻次槽體注入管路出口，該第二冷卻次槽體注入管路引導段係進入該第二冷卻次槽體液體容納空間，且該第二冷卻次槽體注入管路出口係位於該第二冷卻次槽體液體容納空間；該第二冷卻次槽體輸出管路係連通該第二冷卻次槽體非液體容納空間，且該第二冷卻次槽體輸出管路係具有一第二冷卻次槽體輸出管路入口；其中，<br/> 於該氣體處理設備對該待處理氣體提供處理，該第一冷卻次槽體注入管路係可接收該待處理氣體，而該第一冷卻次槽體注入管路引導段係可引導該待處理氣體透過該第一冷卻次槽體注入管路出口注入該第一冷卻次槽體非液體容納空間中，使該待處理氣體係於該第一冷卻次槽體非液體容納空間中冷卻，且令該待處理氣體經由該第一冷卻次槽體輸出管路入口流入該第一冷卻次槽體輸出管路而輸出，還令該第一冷卻次槽體輸出管路引導段引導流入該第一冷卻次槽體輸出管路的該待處理氣體流向該第二冷卻次槽體注入管路，接著，該第二冷卻次槽體注入管路係可接收流入該第一冷卻次槽體輸出管路的該待處理氣體，而該第二冷卻次槽體注入管路引導段係可引導該待處理氣體透過該第二冷卻次槽體注入管路出口注入該第二冷卻次槽體液體容納空間中，以令該待處理氣體於該第二冷卻次槽體液體容納空間中冷卻，且令該待去除水溶物質的至少一部份於該第二冷卻次槽體液體容納空間中溶於該主槽體冷卻液體，還令該待處理氣體係可經由該第二冷卻次槽體輸出管路入口流入該第二冷卻次槽體輸出管路而輸出。
如請求項1所述之氣體處理設備，其中，該第二冷卻次槽體注入管路出口係低於該第二冷卻次槽體液面高度，以於該氣體處理設備對該待處理氣體提供處理，該第二冷卻次槽體注入管路引導段係可引導該待處理氣體透過該第二冷卻次槽體注入管路出口注入該第二冷卻次槽體液體容納空間中低於該第二冷卻次槽體液面高度的位置，而令該待處理氣體於該第二冷卻次槽體液體容納空間中流入該主槽體冷卻液體。
如請求項1所述之氣體處理設備，其中，該第二冷卻次槽體輸出管路入口的高度係高於該第二冷卻次槽體液面高度。
如請求項1所述之氣體處理設備，其中，該第一冷卻次槽體還具有一第一冷卻次槽體液體容納空間與一第一冷卻次槽體液面高度，該第一冷卻次槽體係可接受該主槽體冷卻液體，使該主槽體冷卻液體流入該第一冷卻次槽體液體容納空間，且使該主槽體冷卻液體於該第一冷卻次槽體液體容納空間中的液面高度到達該第一冷卻次槽體液面高度； <br/> 於該氣體處理設備對該待處理氣體提供處理，該第一冷卻次槽體注入管路引導段還可引導該待處理氣體流入該第一冷卻次槽體非液體容納空間中，以令該待去除水溶物質的至少一部份於該第一冷卻次槽體非液體容納空間中溶於該主槽體冷卻液體。
如請求項4所述之氣體處理設備，其中，該第一冷卻次槽體注入管路出口的高度係高於該第一冷卻次槽體液面高度。
如請求項4所述之氣體處理設備，其中，該第一冷卻次槽體輸出管路入口的高度係高於該第一冷卻次槽體液面高度。
如請求項4所述之氣體處理設備，其中，該第一冷卻次槽體輸出管路入口的高度係實質等於該第一冷卻次槽體液面高度。
如請求項1所述之氣體處理設備，該氣體處理設備還可搭配一次槽體冷卻液體以對該待處理氣體提供處理，其中，該第一冷卻次槽體還具有一第一冷卻次槽體液體容納空間與一第一冷卻次槽體液面高度，該第一冷卻次槽體係可接受該次槽體冷卻液體，使該次槽體冷卻液體流入該第一冷卻次槽體液體容納空間，且使該次槽體冷卻液體於該第一冷卻次槽體液體容納空間中的液面高度到達該第一冷卻次槽體液面高度； <br/> 於該氣體處理設備對該待處理氣體提供處理，該第一冷卻次槽體注入管路引導段還可引導該待處理氣體流入該第一冷卻次槽體非液體容納空間中，以令該待去除水溶物質的至少一部份於該第一冷卻次槽體非液體容納空間中溶於該次槽體冷卻液體。
如請求項8所述之氣體處理設備，其中，該第一冷卻次槽體注入管路出口的高度係高於該第一冷卻次槽體液面高度。
如請求項8所述之氣體處理設備，其中，該第一冷卻次槽體輸出管路入口的高度係高於該第一冷卻次槽體液面高度。
如請求項8所述之氣體處理設備，其中，該第一冷卻次槽體輸出管路入口的高度係實質等於該第一冷卻次槽體液面高度。
如請求項8所述之氣體處理設備，其中，該第一冷卻次槽體液體容納空間與該冷卻主槽體液體容納空間係未連通，以避免該冷卻主槽體液體容納空間中的該主槽體冷卻液體流入該第一冷卻次槽體液體容納空間。
如請求項1所述之氣體處理設備，其中，該冷卻主槽體還具有一冷卻主槽體溢流管路，該冷卻主槽體溢流管路係可溢流該冷卻主槽體液體容納空間中多餘的該主槽體冷卻液體，以避免該主槽體冷卻液體於該冷卻主槽體液體容納空間中的液面高度超過該冷卻主槽體液面高度。
如請求項1所述之氣體處理設備，其中，該冷卻主槽體還具有一冷卻主槽體排液管路，該冷卻主槽體排液管路係可排出該冷卻主槽體液體容納空間中的該主槽體冷卻液體。
如請求項1所述之氣體處理設備，還包括一製冷裝置，該製冷裝置係對流入該冷卻主槽體液體容納空間的該主槽體冷卻液體提供製冷，使該主槽體冷卻液體的溫度降至預期的冷卻溫度。
如請求項1所述之氣體處理設備，其中，該氣體處理設備還可搭配一輔助氣體，且該氣體處理設備還包括一輔助氣體注入管路，該輔助氣體注入管路係接受該輔助氣體，該輔助氣體注入管路係延伸到該冷卻主槽體液體容納空間中低於該冷卻主槽體液面高度的位置，以將該輔助氣體注入該冷卻主槽體液體容納空間的該主槽體冷卻液體中，而輔助該氣體處理設備對該待處理氣體提供處理。
如請求項1所述之氣體處理設備，其中，該第一冷卻次槽體輸出管路與該第二冷卻次槽體注入管路係於該冷卻主槽體的外部連通，使流入該第一冷卻次槽體輸出管路的該待處理氣體在流向該第二冷卻次槽體注入管路的過程中經歷溫度變化。
如請求項1所述之氣體處理設備，其中，該第二冷卻次槽體輸出管路還具有一第二冷卻次槽體輸出管路引導段，且該氣體處理設備還包括：一第三冷卻次槽體，該第三冷卻次槽體係具有一第三冷卻次槽體液體容納空間、一第三冷卻次槽體非液體容納空間、一第三冷卻次槽體液面高度、一第三冷卻次槽體注入管路與一第三冷卻次槽體輸出管路；其中，該第三冷卻次槽體的至少一部分係於該冷卻主槽體液體容納空間中浸入該主槽體冷卻液體，使該主槽體冷卻液體可冷卻該第三冷卻次槽體；該第三冷卻次槽體係可接受該主槽體冷卻液體，使該主槽體冷卻液體流入該第三冷卻次槽體液體容納空間，且使該主槽體冷卻液體於該第三冷卻次槽體液體容納空間中的液面高度到達該第三冷卻次槽體液面高度；該第三冷卻次槽體注入管路係連通該第三冷卻次槽體非液體容納空間，且該第三冷卻次槽體注入管路係具有一第三冷卻次槽體注入管路引導段與一第三冷卻次槽體注入管路出口，該第三冷卻次槽體注入管路引導段係進入該第三冷卻次槽體非液體容納空間，且該第三冷卻次槽體注入管路出口係位於該第三冷卻次槽體非液體容納空間；該第三冷卻次槽體輸出管路係連通該第三冷卻次槽體非液體容納空間，且該第三冷卻次槽體輸出管路係具有一第三冷卻次槽體輸出管路入口；其中，<br/> 於該氣體處理設備對該待處理氣體提供處理，該第二冷卻次槽體輸出管路引導段係引導流入該第二冷卻次槽體輸出管路的該待處理氣體流向該第三冷卻次槽體注入管路，接著，該第三冷卻次槽體注入管路係可接收流入該第二冷卻次槽體輸出管路的該待處理氣體，而該第三冷卻次槽體注入管路引導段係可引導該待處理氣體透過該第三冷卻次槽體注入管路出口注入該第三冷卻次槽體非液體容納空間中，以令該待處理氣體於該第三冷卻次槽體非液體容納空間中冷卻，且令該待去除水溶物質的至少一部份於該第三冷卻次槽體液體容納空間中溶於該主槽體冷卻液體，還令該待處理氣體係可經由該第三冷卻次槽體輸出管路入口流入該第三冷卻次槽體輸出管路而輸出。
如請求項18所述之氣體處理設備，其中，該第三冷卻次槽體注入管路出口的高度係高於該第三冷卻次槽體液面高度，以於該氣體處理設備對該待處理氣體提供處理，該第三冷卻次槽體注入管路引導段係可引導該待處理氣體透過該第三冷卻次槽體注入管路出口注入該第三冷卻次槽體非液體容納空間中高於該第三冷卻次槽體液面高度的位置，而令該待處理氣體於該第三冷卻次槽體非液體容納空間中冷卻。
如請求項18所述之氣體處理設備，其中，該第三冷卻次槽體輸出管路入口的高度係高於該第三冷卻次槽體液面高度。
如請求項18所述之氣體處理設備，其中，該第二冷卻次槽體輸出管路與該第三冷卻次槽體注入管路係於該冷卻主槽體的外部連通，使流入該第二冷卻次槽體輸出管路的該待處理氣體在流向該第三冷卻次槽體注入管路的過程中經歷溫度變化。
一種用於氣瓶快速插拔輔助裝置，該快速插拔輔助裝置係包含有一按壓模組及一提握盤，該按壓模組係由一按壓頂蓋及一蝶形扣拉件組成；其中：該按壓頂蓋，其整體結構最頂面形成一按壓部，內部形成一容置空間，以供快速接頭之母接頭本體上半段對應置設；該蝶形扣拉件，係由兩對稱之半月翼板組配而成，該蝶形扣拉件一端面形徑向成有一延伸凸緣翼，另一端面軸向形成一定位部，該定位部中央軸心處形成一簍空穿道，該半月翼板係對應包覆並組配於該快速接頭母接頭本體活動區段外緣，並使該母接頭本體活動區段對應設置於該簍空穿道中；該提握盤，其本體有一上表面及一下表面，該上表面為一平面，該下表面係形成一符合人體工學之弧面，該提握盤中心軸位置設有一穿孔，該穿孔係由提握盤之上表面貫穿至下表面，以供快速接頭之公接頭穿設於其中。
如請求項1之用於氣瓶快速插拔輔助裝置，其中，該按壓頂蓋之上端面為按壓部，該按壓部往下延伸一頸身部，該按壓頂蓋外觀型體形成一類倒L型。
如請求項2之用於氣瓶快速插拔輔助裝置，其中，該按壓頂蓋之頸身部一側面開設一開口處。
如請求項2之用於氣瓶快速插拔輔助裝置，其中，該按壓頂蓋位於該頸身部區段之容置空間壁緣係設置有至少一組凸肋條。
如請求項4之用於氣瓶快速插拔輔助裝置，其中，該凸肋條由寬漸窄延伸至開口處，使於鄰近開口處端形成較收縮的導引斜切段。
如請求項4之用於氣瓶快速插拔輔助裝置，其中，快速接頭之母接頭係對應設置於該按壓頂蓋的容置空間中，並藉由該凸肋條卡合於母接頭凹槽處以予卡固。
如請求項1之用於氣瓶快速插拔輔助裝置，其中，該蝶形扣拉件之定位部其固定方案可選用機械卡榫/卡勾卡設定位或螺絲螺孔對應鎖固定位其中之一。
如請求項1之用於氣瓶快速插拔輔助裝置，其中，該蝶形扣拉件之兩個半月翼板係對應包覆並組配於該快速接頭母接頭本體活動區段外緣。
如請求項1之用於氣瓶快速插拔輔助裝置，其中，該提握盤係鎖固於氣瓶瓶頸上緣氣體進出口處的快速接頭公接頭上；且該提握盤下表面之弧面呈現一漏斗形設計。
如請求項1之用於氣瓶快速插拔輔助裝置，其中，該快速插拔輔助裝置之加工方案可選用3D列印、塑膠射出、真空成型、吹塑成型、粉末冶金、粉末燒結、精密脫蠟、精密壓鑄或重力鑄造其中之一。
一種防火保溫板結構改良，其包括:<br/> 一保溫板，其包含一硫酸鎂結構層、一設置於該硫酸鎂結構層一側面之氧化鎂結構層、一設置於該氧化鎂結構層一側面之添加劑結構層及一設置於該添加劑結構層一側面之玻纖增強結構層，其中該硫酸鎂結構層、該氧化鎂結構層、該添加劑結構層及該玻纖增強結構層經層壓工藝壓制成型，該保溫板的側邊設置複數企口型拼接結構，該保溫板有效寬度為950mm。
如請求項1所述之防火保溫板結構改良，其中該保溫板厚度範圍為 50mm–100mm。
如請求項1所述之防火保溫板結構改良，其中該保溫板密度為 200kg/m³-250kg/m³。
如請求項1所述之防火保溫板結構改良，其中該保溫板為彩鋼淨化板芯材。
一種Type-C 連接器，其特徵在於，包括端子主體(1)及保護殼元件(10)，其中：<br/> 該端子主體(1)，包括兩個端子元件(11)和中間片(12)，該中間片(12)設置於兩個該端子元件(11)之間，該端子元件(11)包括第一注塑體(111)和嵌設於該第一注塑體(111)上的多個引腳件(112)，該引腳件(112)包括依次連接的第一彎折段(1121)、第二彎折段(1122)、第三彎折段(1123)、第四彎折段(1124)和第五彎折段(1125)，該第一彎折段(1121)和該第三彎折段(1123)沿第一方向延伸，該第二彎折段(1122)和該第四彎折段(1124)沿第二方向延伸，該第五彎折段(1125)沿第三方向延伸，第一方向、第二方向和第三方向相互垂直；<br/> 該保護殼元件(10)，該端子主體(1)設置於該保護殼元件(10)內，該保護殼元件(10)的兩側均設置有L 形外殼腳(2)，該L 形外殼腳(2)用於插設於電路板上。
如請求項1該之Type-C 連接器，其特徵在於，套設於該保護殼元件(10)內之該端子主體(1)還包括： <br/> 第二注塑體(13)，該第二注塑體(13)包裹於兩個該端子元件(11)的外壁面。
如請求項2該之Type-C 連接器，其特徵在於，該保護殼元件(10)包括： <br/> 第一保護殼體(3)，該第一保護殼體(3)的兩側均設置有該L 形外殼腳 (2)，該第一保護殼體(3)前埠的側壁設置有第一凸包(31)，該第一凸包 (31)延伸至該第一保護殼體(3)內。
如請求項3該之Type-C 連接器，其特徵在於，該第一保護殼體 (3)前埠的側壁設置有第一卡槽(32)，該第一卡槽(32)內設置有第一彈片(33)，該第一彈片(33)的一端延伸至該第一保護殼體(3)內。
如請求項3該之Type-C 連接器，其特徵在於，該第一保護殼體 (3)具有第一卡扣部(341)的封板部(34)，該第一保護殼體(3)後埠的兩側設置有第二卡扣部，該第一卡扣部(341)與該第二卡扣部扣合，該第二注塑體(13)止動於該封板部(34)。
如請求項3該之Type-C 連接器，其特徵在於，該第一保護殼體 (3)的兩側均設置有若干個第一加強肋(35)。
如請求項2該之Type-C 連接器，其特徵在於，該保護殼元件(10)包括：<br/> 第二保護殼體(4)，套設於該第二注塑體(13)的前端，該第二保護殼體 (4)的側壁設置有第二卡槽(41)和第二凸包(42)，該第二卡槽(41)內設置有第二彈片(43)，該第二彈片(43)的一端以及該第二凸包(42)均延伸至該第二保護殼體(4)內；<br/> 第三保護殼體(5)，套設於該第二注塑體(13)的後端，該第三保護殼體 (5)與該第二保護殼體(4)的重疊處焊接，該第三保護殼體(5)的兩側均設置有該L 形外殼腳(2)。
如請求項7該之Type-C 連接器，其特徵在於，該第二注塑體(13)上沿第一方向間隔設置有兩個限位部(131)，該第三保護殼體(5)止動於兩個該限位部(131)之間，和/或<br/> 該第二保護殼體(4)設置有定位缺口(44)，該第三保護殼體(5)設置有定位凸起結構(52)，該定位凸起結構(52)插設於該定位缺口(44)內。
如請求項7該之Type-C 連接器，其特徵在於，該第三保護殼體(5)的兩側均設置有若干個第二加強肋(51)。
如請求項1-9任一項該的 Type-C 連接器，其特徵在於，該L形外殼腳(2)貫通設置有鏤空結構(21)。
一種連接器總成，該連接器總成係包括：<br/> 一線端連接器，該線端連接器係具有一線端絕緣膠體與一線端導電端子；其中，<br/> 該線端導電端子係具有一線端端子抵接結構、一線端端子夾持結構與一線端端子搭線結構；該線端端子抵接結構係抵接該線端絕緣膠體，以令該線端端子夾持結構背靠該線端絕緣膠體，還令該線端端子搭線結構背靠該線端絕緣膠體；以及<br/> 一板端連接器，該板端連接器係具有一板端絕緣膠體與一板端導電端子；其中，<br/> 該板端絕緣膠體係具有一板端膠體對接空間；<br/> 該板端導電端子係具有一板端端子搭板結構與一板端端子鍘刀結構；該板端端子搭板結構係抵接該板端絕緣膠體，使該板端端子鍘刀結構進入該板端膠體對接空間；以及<br/> 該線端連接器係可對接該板端連接器，使該線端端子夾持結構進入該板端膠體對接空間而夾持該板端端子鍘刀結構，以令該線端導電端子電性連接該板端導電端子，且令該線端端子夾持結構與該板端端子鍘刀結構上下交疊。
如請求項1所述之連接器總成，係可搭配一導電線材與一導電板材，其中，該線端端子搭線結構係提供電性搭接該導電線材，而該板端端子搭板結構係提供電性搭接該導電板材。
如請求項1所述之連接器總成，其中，該板端連接器還具有一板端連接器對接引導結構，該板端連接器對接引導結構係可引導該線端連接器縱向移動而對接該板端連接器。
如請求項1所述之連接器總成，係可傳輸一電性訊號，其中，<br/> 該線端連接器還具有一線端訊號觸發構件；該線端絕緣膠體還具有一線端絕緣膠體導電端子設置區與一線端絕緣膠體觸發構件設置區，其中，該線端導電端子係設置於該線端絕緣膠體導電端子設置區，該線端訊號觸發構件係設置於該線端絕緣膠體觸發構件設置區，該線端絕緣膠體觸發構件設置區係位於該線端絕緣膠體導電端子設置區的側邊；以及<br/> 該板端連接器還具有一板端訊號觸發構件；該板端絕緣膠體還具有一板端絕緣膠體導電端子設置區與一板端絕緣膠體觸發構件設置區，其中，該板端導電端子係設置於該板端絕緣膠體導電端子設置區，該板端訊號觸發構件係設置於該板端絕緣膠體觸發構件設置區，該板端絕緣膠體觸發構件設置區係位於該板端絕緣膠體導電端子設置區的側邊；其中<br/> 於該線端連接器對接該板端連接器，該線端訊號觸發構件係可電性抵觸該板端訊號觸發構件，以觸發電性連接的該線端導電端子與該板端導電端子傳輸該電性訊號。
如請求項4所述之連接器總成，其中，該線端連接器還具有一線端金屬殼體，該線端金屬殼體係接合該線端絕緣膠體，以作為該線端訊號觸發構件。
如請求項4所述之連接器總成，其中，該線端導電端子電性連接該板端導電端子的時間係早於該線端訊號觸發構件電性抵觸該板端訊號觸發構件的時間。
一種線端連接器，該線端連接器係可對接一板端連接器，該板端連接器係具有一板端端子鍘刀結構，該線端連接器係包括：<br/> 一線端絕緣膠體，該線端絕緣膠體係具有一線端膠體抵接引導結構、一線端膠體對接空間與一線端膠體搭線空間；其中，<br/> 該線端膠體對接空間與該線端膠體搭線空間係位於該線端絕緣膠體上的同一側；以及<br/> 一線端導電端子， 該線端導電端子係具有一線端端子抵接結構、一線端端子夾持結構與一線端端子搭線結構；其中，<br/> 該線端膠體抵接引導結構係提供引導該線端端子抵接結構側向移動而抵接該線端絕緣膠體，以令該線端端子夾持結構進入該線端膠體對接空間且背靠該線端絕緣膠體，還令該線端端子搭線結構且進入該線端膠體搭線空間背靠該線端絕緣膠體；以及<br/> 於該線端連接器對接該板端連接器，該線端端子夾持結構係可夾持該板端端子鍘刀結構，以令該線端端子夾持結構與該板端端子鍘刀結構上下交疊。
如請求項7所述之線端連接器，係可搭配一導電線材，其中，該導電線材係可延伸進入該線端膠體搭線空間，使該線端端子搭線結構可電性搭接該導電線材。
如請求項8所述之線端連接器，該線端導電端子還具有一線端端子隔開結構，該線端端子隔開結構係位於該線端端子搭線結構與該線端端子夾持結構之間，以隔開該線端膠體搭線空間與該線端膠體對接空間，而避免該導電線材由該線端膠體搭線空間進入該線端膠體對接空間。
如請求項7所述之線端連接器，其中，還包括一線端金屬殼體，該線端金屬殼體係接合該線端絕緣膠體，以為該線端絕緣膠體提供支撐。
如請求項7所述之線端連接器，其中，該線端導電端子還具有一線端端子抵接引導結構，該線端端子抵接引導結構係可滑動接觸該線端膠體抵接引導結構，以引導該線端端子抵接結構側向移動而抵接該線端絕緣膠體。
如請求項11所述之線端連接器，其中，該線端端子抵接引導結構與該線端端子搭線結構係相鄰且具有U字形截面。
一種板端連接器，該板端連接器係可提供一線端連接器對接，該線端連接器係具有一線端端子夾持結構，該板端連接器係包括：<br/> 一板端絕緣膠體，該板端絕緣膠體係具有一板端膠體抵接引導結構、一板端膠體對接空間與一板端膠體搭板埠；以及<br/> 一板端導電端子，該板端導電端子係具有一板端端子抵接結構、一板端端子鍘刀結構與一板端端子搭板結構；其中，<br/> 該板端膠體抵接引導結構係提供引導該板端端子抵接結構橫向移動而抵接該板端絕緣膠體，以令該板端端子鍘刀結構進入該板端膠體對接空間，還令該板端端子搭板結構進入該板端膠體搭板埠；以及<br/> 於該線端連接器對接該板端連接器，該線端端子夾持結構係可夾持該板端端子鍘刀結構，以令該線端端子夾持結構與該板端端子鍘刀結構上下交疊。
如請求項13所述之板端連接器，係可搭配一導電板材，該導電板材係可靠近該板端膠體搭板埠，使該板端端子搭板結構可電性搭接該導電板材。
一種虛擬互動拍攝系統，其包括：一顯示器，係包括複數個影像區域以顯示一預設背景，該顯示器由複數個顯示螢幕拼接而成；一影像擷取模組，係用於擷取包括該預設背景及一目標物體的一待處理影像；以及一處理模組，係與該顯示器及該影像擷取模組連接，並用於分析該待處理影像中的該目標物體的複數個區塊的顏色以獲得該些區塊的顏色的對應色，並推論該些區塊的邊界頂部，再產生分別與該些區塊的至少一部分的邊界頂部連接的複數個補償區塊，以產生一去背影像。
如請求項1所述的虛擬互動拍攝系統，其中各個該顯示螢幕包括一個或多個該影像區域。
如請求項1所述的虛擬互動拍攝系統，其中該處理模組用於執行一人工智慧運算以根據一專家規則分析該待處理影像中的該目標物體的該些區塊的顏色以獲得該些區塊的顏色的對應色。
如請求項1所述的虛擬互動拍攝系統，其中該些區塊的顏色的對應色為該些區塊的顏色的對比色。
如請求項1所述的虛擬互動拍攝系統，其中該處理模組用於控制各個該影像區域的顯示模式以定位該影像區域以產生一定位資料，並根據該定位資料產生分別與該些區塊的至少一部分的邊界頂部連接的該些補償區塊。
如請求項5所述的虛擬互動拍攝系統，其中各個該影像區域的顯示模式為各個該影像區域的亮度。
如請求項5所述的虛擬互動拍攝系統，其中各個該影像區域的顯示模式為各個該影像區域的顏色。
如請求項1所述的虛擬互動拍攝系統，其中該處理模組用於通過一人工智能姿態估計推論該去背影像中的該目標物體的姿態及身體範圍，且根據該目標物體的姿態及身體範圍將一虛擬影像的一部分與該目標物體結合以產生一半成品影像，再將該虛擬影像的另一部分與該半成品影像合成以產生一合成影像。
如請求項1所述的虛擬互動拍攝系統，其中該影像擷取模組為攝影機或相機。
如請求項1所述的虛擬互動拍攝系統，其中該顯示螢幕為LCD螢幕、LED螢幕或OLED螢幕。
一種氣泡水販賣機，包含：<br/> 一機台，具有一出水閥口；<br/> 一過濾單元，設在該機台並具有一接設一水源的過濾入水口、一連接該出水閥口的第一過濾出水口、及一第二過濾出水口；<br/> 一高壓氣瓶，設在該機台並用以提供一高壓氣體，並具有一高壓氣嘴；<br/> 一混合缸，設在該機台並具有一混合槽、一與該混合槽連通且連接該第二過濾出水口的第一混合接口、一與該混合槽連通且連接該高壓氣嘴的第二混合接口、及一與該混合槽連通且連接該出水閥口的混合出口；<br/> 一控制閥組，具有一連接該機台之出水閥口與該過濾單元之第一過濾出水口之間的第一控制閥、一連接該過濾單元之第二過濾出水口與該混合缸之第一混合接口之間的第二控制閥、一連接該高壓氣瓶之高壓氣嘴與該混合缸之第二混合接口之間的第三控制閥、一連接該機台之出水閥口與該混合缸之混合出口之間的第四控制閥；以及<br/> 一控制單元，設在該機台，並用以控制該控制閥組的啟閉，當該控制單元控制該第一控制閥開啟時，該機台的出水閥口提供一過濾後的流體；當該控制單元控制該第二控制閥與該第三控制閥開啟時，該混合缸的混合槽內填充有過濾後的流體及高壓氣體，且過濾後的流體及高壓氣體混合後獲得一氣泡流體；當該控制單元控制該第四控制閥開啟時，該機台的出水閥口提供一混合後的氣泡流體。
如請求項1所述之氣泡水販賣機，其中，該機台的出水閥口為三通閥而具有一出水口、一連接該過濾單元之第一過濾出水口的第一進水口、及一連接該混合缸之混合出口的第二進水口。
如請求項1所述之氣泡水販賣機，其中，該控制單元還具有一金流控制機制，該金流控制機制用以控制該第一控制閥開啟時間或該第四控制閥開啟時間，以控制過濾後流體或氣泡流體的輸出量。
如請求項1所述之氣泡水販賣機，其中，該氣泡水販賣機還具有一訊號連接該控制單元的冷卻單元，該冷卻單元用以降低該混合缸的混合槽內的溫度。
如請求項4所述之氣泡水販賣機，其中，該氣泡水販賣機還具有一訊號連接該控制單元的偵測單元，該偵測單元用以偵測該混合缸的混合槽內的溫度及該混合槽內的氣泡流體含氣量，當該混合槽內的溫度過低時，則輸出一溫度訊號至該控制單元，該控制單元則控制該冷卻單元作動，以降低該混合槽內的溫度，當該氣泡流體的含氣量過低時，則輸出一氣泡訊號至該控制單元，該控制單元則控制該第三控制閥開啟，使該高壓氣瓶的高壓氣體進入該混合槽內。
如請求項1所述之氣泡水販賣機，其中，該氣泡水販賣機還具有一偵測單元，該偵測單元用以偵測該過濾單元的過濾效果，當該偵測單元偵測該過濾單元的過濾效果不佳時，則輸出一濾芯更換訊號。
如請求項1所述之氣泡水販賣機，其中，該氣泡水販賣機還具有一偵測單元，該偵測單元用以偵測該高壓氣瓶的高壓氣體剩餘量，當該偵測單元偵測該高壓氣瓶的高壓氣體剩餘量不足時，則輸出一氣瓶更換訊號。
如請求項1所述之氣泡水販賣機，其中，該控制單元為觸控面板、機械式按鈕面板、語音控制介面、或手勢辨識系統。
一種具支撐板體之輕量鞋底結構，包含有一鞋底，該鞋底具有頂面及底面，該底面設有至少一穿孔，該穿孔貫穿該鞋底，該頂面設有一組接槽，該組接槽組設有一支撐板體，該支撐板體具有可繞性，透過該穿孔可視該支撐板體。
如申請專利範圍第1項所述之具支撐板體之輕量鞋底結構，其中，該支撐板體為碳纖維材質製成。
如申請專利範圍第2項所述之具支撐板體之輕量鞋底結構，其中，該鞋底為超臨界發泡輕量鞋底，由高分子發泡材料製成，該高分子發泡材料為TPU、EVA、PEBA或前述材料兩種以上之混合材料。
如申請專利範圍第1項所述之具支撐板體之輕量鞋底結構，其中，該支撐板體之大小，大於該穿孔之大小，小於該鞋底之該頂面之大小。
如申請專利範圍第1項所述之具支撐板體之輕量鞋底結構，其中，該鞋底之該底面設有複數凸塊及複數溝槽。
一種具肉品展示功能之豬公造型展示裝置，包含：<br/>一主體籠架，依序具有一前連接部、一身部及一後連接部，該身部之側面與頂面具有數支撐件，各該支撐件間形成鏤空空間，該身部底面具有一底座，用以放置於一台面上，該身部之該側面、該頂面與該底面圈圍構成一內室空間，用以設置冷空氣媒介物，且各該鏤空空間係與該內室空間相連通，各該支撐件用以設置數個展示肉品且各該展示肉品係覆蓋各該鏤空空間；<br/>一仿真豬頭，具有一頸部，該頸部端緣具有用以連接於該前連接部之一第一結合件；以及<br/>一仿真豬臀，具有一腰部，該腰部端緣具有用以連接於該後連接部之一第二結合件。
如請求項1所述具肉品展示功能之豬公造型展示裝置，其中，該仿真豬頭之該第一結合件為一插銷，該前連接部設有對應之一插孔，該第一結合件與該前連接部係以該插銷插入該插孔進行定位結合。
如請求項1所述具肉品展示功能之豬公造型展示裝置，其中，該仿真豬臀之該第二結合件為一插銷，該後連接部設有對應之一插孔，該第二結合件與該後連接部係以該插銷插入該插孔進行定位結合。
如請求項1所述具肉品展示功能之豬公造型展示裝置，其中，該冷空氣媒介物為冰塊或冷凍的保冷劑。
如請求項1所述具肉品展示功能之豬公造型展示裝置，其中，該仿真豬臀之頂面設置一通孔、該仿真豬臀之內壁底面設置對應於該通孔之位置設置一凹座，用以將一旗子之旗桿穿過該通孔後插入該凹座。
如請求項1所述具肉品展示功能之豬公造型展示裝置，其中，該主體籠架為金屬、木頭、竹子或塑膠材料一體成型之製成品。
一種具雙層排風限位結構之反向折疊抗風雨傘，包括：一傘布與排風結構，其覆蓋於該副傘骨上方，包含一外層傘布與一內層傘布，其中該外層傘布設有多組錯位排風孔並由檔片覆蓋，以分散風壓與降低翻折風險，而該內層傘布則形成反向折疊結構，使雨傘收合時將受雨面朝內，避免滴水外濺；一主傘骨，其連結於該中棒上方，包含多組主傘骨與副傘骨，藉此展開或收合傘面；一限位彈片，設於該副傘骨與中棒之間，於受強風時能吸收外力，並避免傘骨過度反折；一反向折疊機構，設於該中棒與滑車之間，收合時濕面集中於內側避免滴水；一中棒，作為傘骨主幹，用以支撐整體結構；一滑車，設於該中棒上，能沿該中棒移動，用以控制傘面之開啟與收合，並具防夾手緩衝裝置；一把手端件，設於該中棒下端，採符合人體工學之造型並具止滑設計，以提升握持舒適性與穩定性；一副傘骨，設於傘布與排風結構上，用以吸收風力並防止過度反折；因此，本創作兼具防風、防雨、安全操作與便利收納之功能，能有效提升使用者於日常生活中之舒適性、耐用性與實用性。
如請求項1所述之具雙層排風限位結構之反向折疊抗風雨傘，其中該傘布與排風結構係設於外層傘布上，具有多組錯位排風孔，以利分散風壓並降低翻折風險。
如請求項2所述之具雙層排風限位結構之反向折疊抗風雨傘，其中包含主傘骨與副傘骨，主傘骨採高韌性玻璃纖維或碳纖材質，副傘骨則設有限位彈片以吸收風力並避免過度反折。
如請求項3所述之具雙層排風限位結構之反向折疊抗風雨傘，其副傘骨與中棒之間，於受強風時能吸收外力，並避免傘骨過度反折。
如請求項4所述之具雙層排風限位結構之反向折疊抗風雨傘，其中該中棒為高強度合金材質，提供整體結構之支撐強度。
如請求項5所述之具雙層排風限位結構之反向折疊抗風雨傘，其中該滑車部件能沿該中棒移動，具防夾手之緩衝裝置，以控制傘面之開啟與收合。
如請求項6所述之具雙層排風限位結構之反向折疊抗風雨傘，其中該限位彈片設置於副傘骨與中棒之間，於傘面受風時可提供彈性位移並避免結構損壞。
如請求項7所述之具雙層排風限位結構之反向折疊抗風雨傘，其中該把手端件採人體工學止滑設計，以提升握持之舒適性與穩定性。
一種多點噴灑式冷板裝置，包括： <br/>一熱交換件，具有一熱交換面； <br/>一導流件，該導流件的一側與該熱交換面之間圍設形成一熱交換室，該導流件具有朝向該熱交換面延伸配置的複數入水管以及背向該熱交換面延伸配置的複數排水管； <br/>一分隔件，該分隔件的一側與該導流件的另一側之間圍設形成一入水腔； <br/>一外罩殼，罩蓋該分隔件的另一側而圍設形成一集水腔，該外罩殼具入水管路連通該集水腔的一出水口，且各該排水管連通至該集水腔；及 <br/>一入水管路，連通該入水腔。
如請求項1所述之多點噴灑式冷板裝置，其中該熱交換面上立設有複數導熱柱，且該些導熱柱分別對齊該些排水管排列。
如請求項1所述之多點噴灑式冷板裝置，其中該熱交換面上設有複數凹穴，且該些凹穴分別對齊該些入水管排列。
如請求項1所述之多點噴灑式冷板裝置，其中該入水腔位於該熱交換室及該集水腔之間，且各該排水管分別穿過該入水腔而連通該熱交換室及該集水腔。
如請求項1所述之多點噴灑式冷板裝置，其中該導流件的其中一面設置有一上凹部，該導流件包含分隔該導流件二面的一隔板，該些入水管以及該些排水管設置在該隔板上，該分隔件包含一蓋板，該蓋板的其中一面閉合該導流件的該上凹部而圍設形成該入水腔。
如請求項5所述之多點噴灑式冷板裝置，其中該導流件的另一面設置有一下凹部，該熱交換件閉合該下凹部而圍設形成該熱交換室。
如請求項5所述之多點噴灑式冷板裝置，其中該熱交換件設置有一下凹部，該導流件的另一面閉合該下凹部而圍設形成該熱交換室。
如請求項5所述之多點噴灑式冷板裝置，其中該熱交換件與該導流件的另一面閉合而圍設形成該熱交換室。
如請求項5所述之多點噴灑式冷板裝置，其中該蓋板的另一面閉合該外罩殼而圍設形成該集水腔。
如請求項5所述之多點噴灑式冷板裝置，其中該蓋板設有複數第一通口以及一第二通口，各該排水管分別連接該些第一通口而連通至該集水腔，該入水管路連接該第二通口而連通至該入水腔。
如請求項1所述之多點噴灑式冷板裝置，其中該外罩殼、該導流件及該分隔件堆疊配在該熱交換件且共同鎖附於該熱交換件。
如請求項1所述之多點噴灑式冷板裝置，其中該些入水管呈矩陣排列，該些排水管呈矩陣排列，且該些入水管與該些排水管穿插排列。
如請求項1所述之多點噴灑式冷板裝置，其中該外罩殼與該分隔件為一體成型。
如請求項1所述之多點噴灑式冷板裝置，其中入水管路設於該外罩殼或該分隔件。
一種訊號橋接電路，具有複數個寄存器，且用以整合在一電子裝置之中；其中，該電子裝置具有至少一處理器與複數個收發模組，且所述訊號橋接電路耦接於該處理器與該複數個收發模組之間，並被配置以執行：<br/> 接收由該處理器所發送之複數個第一數據封包；其中，該複數個第一數據封包係由該處理器依據增強型序列周邊介面(enhanced serial peripheral interface, eSPI)傳輸協定對一控制命令數據或一狀態查詢命令數據進行封包編碼處理所產生；<br/> 解碼各所述第一數據封包，從而獲得複數個第一位元組(bytes)；<br/> 基於一eSPI基底位址(base address)與對應之複數個輸入/輸出偏移位址(I/O offset address)，將各所述第一位元組寄存於對應的所述寄存器；以及<br/> 依據資料輸入輸出管理介面(management data input/output, MDIO)傳輸協定對自複數個所述寄存器讀出的複數個所述第一位元組進行封包編碼處理，從而產生一第二數據封包；<br/> 通過將該第二數據封包傳送至對應的所述收發模組以實現一寫入操作，或通過將該第二數據封包傳送至對應的所述收發模組並隨後接收由對應的所述收發模組所回應之一第三數據封包以實現一讀出操作。
如請求項1所述之訊號橋接電路，其中，所述電子裝置為選自於由交換機(switch)、伺服器(server)、邊緣節點伺服器(edge node server)、分散式儲存系統(Distributed storage system)、人工智慧計算節點(AI compute node)、網路分流器(network tap)、和電信級核心路由器(telecom-grade core router)所組成群組之中的任一者。
如請求項1所述之訊號橋接電路，其包括一微控制單元，且該微控制單元包括：<br/> 一解碼器，通過一eSPI介面耦接該處理器，且被配置用以解碼各所述第一數據封包，從而獲得複數個所述第一位元組；<br/> 一寄存器單元，耦接該解碼器，包括複數個所述寄存器，其中各所述寄存器用於寄存對應的所述第一位元組；<br/> 一MDIO主控制器，耦接該寄存器單元，且通過一MDIO介面耦接該收發模組，並被配置以下列操作：<br/> 依據MDIO傳輸協定對自複數個所述寄存器讀出的複數個所述第一位元組進行封包編碼處理，以產生所述第二數據封包；<br/> 將該第二數據封包傳送至對應的所述收發模組，以實現所述寫入操作；及<br/> 將該第二數據封包傳送至對應的所述收發模組並隨後接收由該收發模組所回應的該第三數據封包，接著解碼該第三數據封包以獲得一第二低位位元組與一第二高位位元組，並將該第二低位位元組與該第二高位位元組寄存於該寄存器單元之中的對應的二個所述寄存器，實現所述讀出操作；以及<br/> 一編碼器，耦接該寄存器單元，且被配置以依據eSPI傳輸協定對自該寄存器單元讀出的該第二低位位元組與該第二高位位元組編碼處理，從而產生一第四數據封包，並通過該eSPI介面將該第四數據封包傳送至該處理器。
如請求項3所述之訊號橋接電路，其中，該微控制單元包含選自於由複雜可程式邏輯裝置(CPLD)、現場可程式閘陣列(FPGA)、嵌入式控制器(embedded controller, EC)、和應用特定積體電路(ASIC)所組成群組之中的任一個電子晶片。
如請求項3所述之訊號橋接電路，其包括一微控制單元，且該微控制單元包括：<br/> 一eSPI主控制器，通過一eSPI介面耦接該處理器，且被配置用以解碼各所述第一數據封包，從而獲得複數個所述第一位元組；<br/> 一寄存器單元，耦接該eSPI主控制器，包括複數個所述寄存器，其中各所述寄存器用於寄存對應的所述第一位元組；以及<br/> 一MDIO主控制器，耦接該寄存器單元，且通過一MDIO介面耦接該收發模組，並被配置以下列操作：<br/> 依據MDIO傳輸協定對自複數個所述寄存器讀出的複數個所述第一位元組進行封包編碼處理，以產生所述第二數據封包；<br/> 將該第二數據封包傳送至對應的所述收發模組，以實現所述寫入操作；及<br/> 將該第二數據封包傳送至對應的所述收發模組並隨後接收由該收發模組所回應的該第三數據封包，接著解碼該第三數據封包以獲得一第二低位位元組與一第二高位位元組，並將該第二低位位元組與該第二高位位元組寄存於該寄存器單元之中的對應的二個所述寄存器，實現所述讀出操作；以及<br/> 其中，該eSPI主控制器還被配置以依據eSPI傳輸協定對自該寄存器單元讀出的該第二低位位元組與該第二高位位元組編碼處理，從而產生一第四數據封包，並通過該eSPI介面將該第四數據封包傳送至該處理器。
如請求項3所述之訊號橋接電路，其中，該控制命令數據由一第一低位位元組與一第一高位位元組所組成，所述收發模組具有一包含複數個配置寄存器的實體層模組，且該複數個位元組包括:<br/> 一第一位元組，包含一讀/寫位元、一控制位元與一忙碌狀態位元；<br/> 一第二位元組，包含複數個第一位址位元用以表示對應的所述實體層模組之位址(PHY address)；<br/> 一第三位元組，包含複數個第二位址位元用以表示對應的所述配置寄存器之位址(register address)；<br/> 一第四位元組，為所述第一低位位元組；以及<br/> 一第五位元組，為所述第一高位位元組。
如請求項6所述之訊號橋接電路，其中，該第三數據封包帶有由所述第二低位位元組與所述第二高位位元組組成的收發模組狀態數據，且該複數個寄存器包括:<br/> 一第一寄存器，用於寄存所述第一位元組；<br/> 一第二寄存器，用於寄存所述第二位元組；<br/> 一第三寄存器，用於寄存所述第三位元組；<br/> 一第四寄存器，用於寄存所述第一低位位元組；<br/> 一第五寄存器，用於寄存所述第一高位位元組；<br/> 一第六寄存器，用於寄存所述第二低位位元組；以及<br/> 一第七寄存器，用於寄存所述第二高位位元組。
如請求項6所述之訊號橋接電路，其中，所述實體層模組整合在所述收發模組所具有的一網路處理器晶片中。
如請求項6所述之訊號橋接電路，其中，所述收發模組進一步具有一MAC控制器晶片，且所述實體層模組為與該MAC控制器晶片耦接的一實體層(PHY)晶片。
如請求項5所述之訊號橋接電路，其中，所述收發模組搭載複數個收發介面，且所述收發介面選自於由乙太網路連接器和搭載光電收發器所組成群組之中的任一者。
一種電子裝置，包括一機殼、設置在該機殼內的一母板、設置在該機殼內的一電源供應裝置、設置在該機殼內的複數個收發模組、以及設置在該母板上的至少一個處理器；其特徵在於，該母板上還設有如請求項1至請求項9之中任一項所述之訊號橋接電路，且該訊號橋接電路耦接於該處理器與該複數個收發模組之間。
一種具目標數量控制之受眾擴充系統，包括：<br/>一伺服器設備，其設有一運算平台；<br/>一數據資料庫，用以儲存複數筆多維度使用者資料，且與該運算平台相連結，以供該運算平台讀取各該多維度使用者資料，其中，該多維度使用者資料包含同一使用者在複數個資訊維度中的屬性數據；<br/>一向量化處理單元，係由該運算平台執行，用以將每一筆多維度使用者資料轉換為對應之複數個特徵向量；<br/>一檢索單元，係由該運算平台執行，以基於一目標使用者集合於各該資訊維度所導出之至少一錨點向量，在該數據資料庫中進行相似度檢索，並篩選出各該資訊維度下之至少一候選使用者及其對應的一相似度分數；及<br/>一輸出單元，用以輸出一使用者名單，其中，該使用者名單包含該目標使用者集合以及各該候選使用者。
如請求項1所述之受眾擴充系統，還包括一排序單元，其中，該排序單元係由該運算平台執行，以依各該候選使用者分別對應之各該相似度分數，進行排序。
如請求項2所述之受眾擴充系統，還包括一加權計分單元，其中，該加權計分單元係由該運算平台執行，以對各該候選使用者所對應之相似度分數進行加權計分，以產生加權後之相似度分數。
如請求項2所述之受眾擴充系統，還包括一預測單元，其中，該預測單元係由該運算平台執行，用以接收各該多維度使用者資料，在各該多維度使用者資料之至少一屬性數據不完整或缺失的情況下，該預測單元能藉由梯度提升決策樹模型運算以推斷並補足所缺失之各該屬性數據。
如請求項2所述之受眾擴充系統，還包括一數量控制單元，其中，該數量控制單元係由該運算平台執行，用以控制該檢索單元所篩選之各該候選使用者的數量，以使該使用者名單符合一目標數量。
如請求項5所述之受眾擴充系統，其中，該數量控制單元能調整一相似度閾值，以控制該檢索單元所篩選之各該候選使用者的數量，以使該使用者名單的數量符合該目標數量。
如請求項5所述之受眾擴充系統，其中，該數量控制單元能根據該排序單元之排序結果，自各該候選使用者中選取前N名候選使用者，使得該使用者名單的數量符合該目標數量。
如請求項1至7任一項所述之受眾擴充系統，其中，各該錨點向量係該目標使用者集合於各該資訊維度中的平均向量。
如請求項1至7任一項所述之受眾擴充系統，其中，該伺服器設備包含一處理器與一記憶體，其中，該運算平台儲存於該記憶體，並由該處理器執行其程式指令，以使該運算平台能讀取該數據資料庫，以及能執行該向量化處理單元、該檢索單元與該輸出單元。
一種能自體轉動的漂浮結構，其可容納一發泡錠；該漂浮結構具有： <br/>一主體，其為一中空殼體，並具有： <br/> 一漂浮部，其位於該主體頂部，並呈圓盤狀； <br/> 一沉水部，其位於該主體的底部，並呈圓柱狀；該沉水部的外徑小於該漂浮部的外徑；該沉水部具有： <br/> 至少一進水孔，其形成於該沉水部； <br/> 一第一空間，其形成於該主體的內部，並連通該漂浮部的內部及該沉水部的內部；該第一空間用以容納該發泡錠；該至少一進水孔連通該第一空間及該主體的外部； <br/>至少一排氣孔，其貫穿形成於該主體的該漂浮部，並連通該第一空間及該主體的外部；該至少一排氣孔的軸向延伸不通過該漂浮部的軸心。
如請求項1所述之能自體轉動的漂浮結構，其中，該至少一排氣孔包含有二該排氣孔；該二排氣孔分別設置於該漂浮部的徑向上的兩端，且該二排氣孔的方向相反且平行於彼此。
如請求項1所述之能自體轉動的漂浮結構，其中，該沉水部具有： <br/>一進水蓋，其可拆卸地設置於該主體的底端，並位於該沉水部遠離該漂浮部的一端；該至少一進水孔貫穿形成於該進水蓋。
如請求項3所述之能自體轉動的漂浮結構，其中： <br/>該主體具有： <br/> 一環狀突部，其形成於該主體的底端的內壁面； <br/>該進水蓋具有： <br/> 一環狀凹槽，其形成於該進水蓋的外壁面；該環狀突部能與該環狀凹槽相卡合。
如請求項3所述之能自體轉動的漂浮結構，其中，該沉水部具有： <br/>一配重塊，其設置於該沉水部的底端。
如請求項5所述之能自體轉動的漂浮結構，其中，該進水蓋具有： <br/>一容置槽，該配重塊設置於該容置槽中。
如請求項6所述之能自體轉動的漂浮結構，其中： <br/>該容置槽形成於該進水蓋的中央； <br/>該至少一進水孔包含有複數進水孔；該等進水孔圍繞設置於該容置槽。
如請求項1至7中任一項所述之能自體轉動的漂浮結構，其中，該漂浮結構具有： <br/>一浮力件，其設置於該漂浮部的內部，並位於該漂浮部的頂部；該浮力件較該至少一排氣孔接近該主體的頂部；該浮力件的密度低於水的密度。
如請求項1至7中任一項所述之能自體轉動的漂浮結構，其中，該主體具有： <br/>一第二空間，其形成於該漂浮部的內部，並位於該漂浮部的頂部； <br/>一隔板，其固設於該漂浮部的內部；該隔板阻隔該第一空間及該第二空間，並阻隔該至少一排氣孔及該第二空間。
如請求項9所述之能自體轉動的漂浮結構，其中： <br/>該主體具有： <br/> 一穿孔，其貫穿形成於該主體的該漂浮部，並連通該第二空間及該主體的外部； <br/>該漂浮結構具有： <br/> 一阻擋件，其可拆卸地穿設於該主體的該穿孔，並能阻隔該第二空間及該主體的外部。
一種綁帶，包含有：<br/> 一固定器，具有一固定板、一第一固定帶體及一第二固定帶體；該固定板具有一第一端部以及一與該第一端部相對的第二端部，該第一固定帶體自該第一端部向外延伸並具有一第一黏扣面，該第二固定帶體自該第二端部向外延伸並具有一第二黏扣面，且該第一黏扣面與該第二黏扣面面向相反的方向；以及<br/> 一束緊帶，具有一環圈以及一束緊帶體，該束緊帶體具有一第一端、一與該第一端相對的第二端，以及一位於該第一端與該第二端之間且具有一黏扣面之身部，該束緊帶體之第一端結合於該環圈，該束緊帶體之第二端穿過該環圈而結合於該固定板，使該束緊帶體之身部於該環圈與該第一端之間形成一可束緊於一物體上之束圈；<br/> 其中，該固定板可於一第一位置與一第二位置之間翻轉地相對固定於該束緊帶；當該固定板位於該第一位置時，該第一固定帶體之第一黏扣面係結合固定於該束緊帶體之黏扣面，使該束圈可束緊固定於該物體上；當該第二固定帶體被拉動使該固定板從該第一位置翻轉至該第二位置時，該固定板係以該第一端部為支點翻轉一百八十度，且該第二固定帶體之第二黏扣面係結合固定於該束緊帶體之黏扣面，使該束圈更加束緊固定於該物體上。
如請求項1所述之綁帶，其中該束緊帶體之第二端位於該固定板之該第一端部與該第二端部之間，或者該束緊帶體之第二端位於該固定板之該第二端部。
如請求項1所述之綁帶，其中當該固定板位於該第二位置時，該第一黏扣面與該第二黏扣面都結合固定於該束緊帶體之黏扣面。
如請求項1所述之綁帶，其中該固定板具有一第一面以及一與該第一面相對的第二面；當該固定板位於該第一位置時，位於該束緊帶體之第二端與該環圈之間的該束緊帶體的身部，係至少有一部分受該固定板之第二面壓抵；當該固定板位於該第二位置時，位於該束緊帶體之第二端與該環圈之間的該束緊帶體的身部，係至少有一部分壓抵在該固定板之第二面。
如請求項4所述之綁帶，其中當該固定板位於該第二位置時，該固定板之第一面係壓抵著該第一固定帶體。
如請求項1至5其中任一項所述之綁帶，其中該固定板具有位於該第一端部與該第二端部之間且間隔排列的多個固定穿孔；該固定器包含有一固定帶，該固定帶具有一第一端部、一與該固定帶之第一端部相對的第二端部，以及一位於該固定帶之第一端部與第二端部之間的身部，該固定帶的身部穿過所述多個穿孔，使該固定帶之第一端部自該固定板之第一端部向外延伸而形成該第一固定帶體，且該固定帶之第二端部自該固定板之第二端部向外延伸而形成該第二固定帶體。
如請求項6所述之綁帶，其中該束緊帶體之第二端係固定於該固定帶之身部而結合於該固定板。
如請求項6所述之綁帶，其中該固定帶的身部具有一第三黏扣面，該第三黏扣面位於該固定板之該第一端部與該第二端部之間，且與該第二黏扣面面向相同的方向；當該固定板位於該第二位置時，該第三黏扣面係結合固定於該束緊帶體之黏扣面。
如請求項1至5其中任一項所述之綁帶，其中該第一固定帶體固定於該固定板之第一端部，該第二固定帶體固定於該固定板之第二端部，且該束緊帶體之第二端固定於該固定板之該第一端部與該第二端部之間。
一種綁帶與行李箱之總成，包含有：<br/> 一行李箱；以及<br/> 一如請求項1至9中任一項所述之綁帶，該綁帶以該束圈套設固定於該行李箱。
一種直驅式破碎機，包括：<br/> 一個底盤單元；<br/> 一個驅動單元，固設在所述底盤單元上，所述驅動單元包括可轉動的一個輸出軸；<br/> 一個主體單元，與所述底盤單元以及所述驅動單元固接，所述主體單元包括一個空間，所述輸出軸可轉動地延伸至所述空間內，所述主體單元進一步包括與所述空間連通地結合的一個進料斗以及與所述進料斗隔開的一個噴嘴；<br/> 一個刀具，容置在所述空間內並且與所述輸出軸一起轉動地結合，所述刀具適用來將從所述進料斗進入所述空間的物品切碎並且從所述噴嘴噴出。
如申請專利範圍第１項所述的直驅式破碎機，其中所述主體單元進一步包括一個結合壁以及與所述結合壁隔開的一個側蓋，所述空間以及所述刀具沿著所述輸出軸的軸向位於位於所述結合壁與所述側蓋之間，所述驅動單元延伸出所述輸出軸的一個側與所述結合壁固定，所述輸出軸穿過所述結合壁進入至所述空間內並且與所述側蓋隔開。
如申請專利範圍第２項所述的直驅式破碎機，其中所述底盤單元進一步包括一個支架以及從所述支架一端垂直地延伸的一個延伸臂，所述延伸臂固設在所述側蓋上，所述底盤單元進一步包括與所述支架隔開的一個駐車架以及跨接所述駐車架以及所述支架的一個驅動單元支架，所述驅動單元包括的一底壁固設在所述驅動單元支架上。
一種門縫防夾裝置，係安裝於門板靠近門框之側端之兩側，該門板在靠近該側端上下與該門框之間直立連接有門軸，且該門板之該側端與該門框之間垂直形成縫隙，讓該門板可依該門軸進行旋擺啟閉；該門縫防夾裝置包括兩圓弧管，該兩圓弧管對應直立設置於該門板在該側端之兩側表面，該兩圓弧管配合該側端共同以該門軸為圓心，並以相同半徑分別形成朝向該門框之外圓弧壁，且該兩圓弧管之該外圓弧壁配合該側端至少形成半圓型態，使該門板旋擺啟閉過程中，該門框與對應該圓弧管之該外圓弧壁之間恆定保持該縫隙。
如申請專利範圍第1項所述之門縫防夾裝置，其中該兩圓弧管之該外圓弧壁配合該側端至少形成五分之三圓型態。
如申請專利範圍第1項所述之門縫防夾裝置，其中該兩圓弧管之該外圓弧壁配合該側端形成全圓型態。
如申請專利範圍第1項所述之門縫防夾裝置，其中該門框設為牆側端。
如申請專利範圍第1項所述之門縫防夾裝置，其中該兩圓弧管各具有貼合固定於該門板兩側表面之貼合壁，且該兩圓弧管內部連接有補強肋。
如申請專利範圍第1項所述之門縫防夾裝置，其中該門框兩側對應該兩圓弧管各直立設置有圓弧條，該兩圓弧條各以該門軸為圓心設有圓弧壁面，且該兩圓弧管之該外圓弧壁與該兩圓弧條之該圓弧壁面之間分別對應相隔形成圓弧縫隙。
如申請專利範圍第6項所述之門縫防夾裝置，其中該兩圓弧條各具有貼合固定於該門框兩側表面之固定壁。
如申請專利範圍第6項所述之門縫防夾裝置，其中該兩圓弧條各設為空心狀。
一種方便檢修之USB插座模組，包括有：<br/> 一定位座，具有一底板、一立板、一頂板與一對側板，該立板成型於該底板之一端，該頂板與該對側板成型於該立板而位於該底板之上方，該對側板底緣與該底板頂緣之間距成型為一嵌槽，而將該定位座利用該嵌槽設置於電子設備的主機板，且令該立板恰位於該主機板的端緣，該立板具有一導引口，該頂板具有一卡扣槽；以及<br/> 一可更換式插座，具有一金屬殼體、一絕緣支架與數接腳端子，該絕緣支架設置於該金屬殼體內部，各該接腳端子被隔離固定於該絕緣支架，該絕緣支架前端成型有一舌片，該舌片與該金屬殼體之間距成型為一插接口，各該接腳端子前端各具有一舌片裸露部，各該接腳端子後端各連接一彈片引腳，該金屬殼體頂緣成型有一卡扣凸塊，該卡扣凸塊卡扣於該卡扣槽，而將該可更換式插座設置於該定位座，且令該插接口恰對接於該導引口，並使各該彈片引腳抵觸於該主機板的電連接墊。
如請求項1所述方便檢修之USB插座模組，其中，各該接腳端子後端各具有一引腳裸露部，各該彈片引腳連接於各該引腳裸露部。
一種易於檢修之USB插座模組，包括有：<br/> 一定位座，具有一底板與一立板，該立板成型於該底板之一端，該底板的頂面具有一對定位片，該對定位片搭配有一對定位片穿槽，該對定位片穿槽成型於電子設備的主機板，該對定位片穿設於該對定位片穿槽，而將該定位座焊接固定於該主機板，且令該立板恰位於該主機板的端緣，該對定位片各具有一卡扣槽，該立板具有一導引口；以及<br/> 一可更換式插座，具有一金屬殼體、一絕緣支架與數接腳端子，該絕緣支架設置於該金屬殼體內部，各該接腳端子被隔離固定於該絕緣支架，該絕緣支架前端成型有一舌片，該舌片與該金屬殼體之間距成型為一插接口，各該接腳端子前端各具有一舌片裸露部，各該接腳端子後端各連接一彈片引腳，該金屬殼體外周緣成型有一對卡扣凸塊，該對卡扣凸塊卡扣於該對卡扣槽，而將該可更換式插座設置於該定位座，且令該插接口恰對接於該導引口，並使各該彈片引腳抵觸於該主機板的電連接墊。
如請求項1所述易於檢修之USB插座模組，其中，各該接腳端子後端各具有一引腳裸露部，各該彈片引腳連接於各該引腳裸露部。
如請求項1所述易於檢修之USB插座模組，其中，該底板的頂面還具有一對定位柱，該對定位柱搭配有一對定位柱穿孔，該對定位柱穿孔成型於該主機板，該對定位柱穿設於該對定位柱穿孔。
如請求項1、2或3所述易於檢修之USB插座模組，其中，該定位座還搭配有一扣壓罩，該對定位片還各具有一第二卡扣凸塊，該立板的兩側面還各具有一第三卡扣凸塊；該扣壓罩具有一頂板與一對側板，該對側板成型於該頂板之兩側，該對側板各具有一第二卡扣槽與一第三卡扣槽，該對第二卡扣凸塊卡扣於該對第二卡扣槽，該對第三卡扣凸塊卡扣於該對第三卡扣槽，而將該扣壓罩設置於該定位座，且令該頂板恰可壓制該可更換式插座。
一種衛浴用水龍頭，包括：一龍頭本體，該龍頭本體具有一垂直段、一水平段及一出水段，該垂直段之一側連結形成該水平段，該出水段連接於該垂直段異於該水平段位置，該水平段異於該垂直段之一端設置有一開關把手，該龍頭本體內形成有一進水管路及一出水管路，且該進水管路底側連通設有一冷水進水管及一熱水進水管，而該垂直段之頂端形成有一結合部；一出水組，該出水組設有一中空之出水管，該出水管固設於該龍頭本體之出水段，且該出水管內部連通於該龍頭本體之出水管路；以及一過濾組，該過濾組包括一延伸管、一濾心及一外蓋，該延伸管之兩端分別形成有一第一組合部及一第二組合部，該第一組合部鎖固於該龍頭本體之結合部，而該濾心容置於該龍頭本體之垂直段與該延伸管之間，且該濾心朝該垂直段之一端周緣形成一密合部，端面形成一入水口，異於該密合部之另側形成一過濾部，且該密合部之管徑大於該過濾部之管徑，該外蓋鎖合於該延伸管之第二組合部，而該龍頭本體之進水管路連通至該濾心之入水口，該濾心之過濾部與相鄰之該延伸管及該垂直段間形成有一間隙，該龍頭本體之出水管路連通於該間隙。
如請求項1所述之衛浴用水龍頭，其中該龍頭本體之出水段高度高於該水平段之高度，且該出水段與該水平段分別位於該垂直段相異之兩側位置。
如請求項1所述之衛浴用水龍頭，其中該龍頭本體之結合部係為一內螺紋部，該過濾組之第一組合部及該第二組合部分別為一外螺紋段。
如請求項1所述之衛浴用水龍頭，其中該過濾組之延伸管呈透明狀。
如請求項1所述之衛浴用水龍頭，其中該濾心之密合部經由一O形環密合於該龍頭本體之垂直段。
如請求項1所述之衛浴用水龍頭，其中該濾心係具有一陶瓷外層及一過濾內層，且該陶瓷外層包覆於該過濾內層外周。
如請求項6所述之衛浴用水龍頭，其中該濾心之陶瓷外層添加海藻泥。
如請求項6所述之衛浴用水龍頭，其中該過濾內層為椰殼活性碳。
一種紅外線感應投影燈，包括：<br/>控制模組，包含電路板及作為主控單元之可程式設計晶片：<br/>光源模組，包含有LED及鏡頭，所述LED電連接至所述控制模組，所述LED與所述鏡頭的入光面之間設有具備圖像的透光片；<br/>紅外線感應模組，包含紅外線發射器及紅外線接收器，均電連接至所述控制模組；以及<br/>鏡筒模組，形成有內空間，用以容納所述控制模組、所述光源模組及所述紅外線感應模組；<br/>其中，所述主控單元用以控制所述LED的工作時間及所述紅外線感應模組的感應距離和靈敏度。
如請求項1所述之紅外線感應投影燈，其中，所述光源模組還包括：<br/>鋁基板，所述LED設置在所述鋁基板上；以及<br/>鏡頭支撐件，形成為筒狀，其一端設置於所述鋁基板，所述鏡頭同軸地設置在所述鏡頭支撐件內。
如請求項2所述之紅外線感應投影燈，其中，所述紅外線感應模組還包含感測器支架，用以套在所述紅外線發射器和所述紅外線接收器以將其彼此隔開。
如請求項3所述之紅外線感應投影燈，還包括：<br/>鏡筒模組，形成有內空間，用以供所述控制模組、所述光源模組、所述紅外線感應模組置入其中。
如請求項4所述之紅外線感應投影燈，其中，所述鏡筒模組包括：<br/>外殼上蓋，形成為半圓筒形，其外表面形成有上蓋外螺紋；<br/>外殼下蓋，形成為半圓筒形，其外表面形成有下蓋外螺紋；以及<br/>緊固螺帽；<br/>其中，所述外殼上蓋與所述外殼下蓋對合形成圓筒形後以橡膠圈套設在所述外殼上蓋和所述外殼下蓋的外圍，再利用密封壓環將所述外殼上蓋和所述外殼下蓋緊密相連的同時將所述橡膠圈固定，所述緊固螺帽則以其內螺紋螺旋組合於所述上蓋外螺紋及所述下蓋外螺紋，以將所述外殼上蓋與所述外殼下蓋固定。
一種車載集成式地毯慢行燈，包括：<br/>散熱殼體，以金屬鋁材一體成型為具有本體部及從該本體部往外側方向延伸長度的筒部，該本體部及該筒部的外側表面形成有複數個散熱鰭片；<br/>基座，結合於該散熱殼體，使該基座與該散熱殼體之間形成內部空間；<br/>地毯燈總成，固定地設置於該散熱殼體，並且容置於該內部空間及該筒部內，使該地毯燈總成的出光口露出該基座；<br/>慢行燈總成，固定地設置於該散熱殼體，並且容置於該內部空間，使該慢行燈總成的出光口露出該基座；以及<br/>罩蓋板，結合於該基座以遮蔽該地毯燈總成及該慢行燈總成，該罩蓋板為可透光材質製成，<br/>其中，該地毯燈總成及該慢行燈總成發射的光線均通過該罩蓋板投射而出。
如請求項1所述之車載集成式地毯慢行燈，其中，該地毯燈總成的電路單元藉由導熱矽膠黏合至該筒部的內側表面。
如請求項2所述之車載集成式地毯慢行燈，其中，<br/>該本體部的內側面形成有散熱器支柱；以及<br/>該慢行燈總成的電路單元藉由導熱矽膠黏合至該散熱器支柱。
如請求項1所述之車載集成式地毯慢行燈，其中，<br/>該罩蓋板為可透光的材料製成，其一側形成為反射鏡面；以及<br/>該殼體、該基座、及該罩蓋板共同構成車輛的後視鏡。
一種基於智能座艙系統的全車照明裝置，包括：<br/>前頂燈模組，設於車輛內部的前排座艙，並且通過LIN通訊協議電連接至車輛的電腦主機及電控系統，包含：<br/>殼體；<br/>左閱讀照明燈，設於該殼體前方的左側，用以照明該前排座艙的主駕駛座區域；<br/>右閱讀照明燈，設於該殼體前方的右側，用以照明該前排座艙的副駕駛座區域；<br/>中控環境照明燈，環繞地配置在該殼體周圍，用以照明該前排座艙的全部區域；以及<br/>觸控開關，設於殼體上的該左閱讀照明燈及該右閱讀照明燈之間，包含有用以控制該左閱讀照明燈的左觸控按鍵、用以控制該右閱讀照明燈的右觸控按鍵及用以控制該中控環境照明燈的中控觸控按鍵；<br/>二個第一環境照明燈模組，設於車輛內部的中間排座艙的左、右側，並且通過該LIN通訊協議電連接至該車輛的該電腦主機及電控系統，每一個該第一環境照明燈模組包含第一照明燈及用於控制該第一照明燈的第一按鍵開關；以及<br/>二個第二環境照明燈模組，設於車輛內部的後排座艙的左、右側，並且通過該LIN通訊協議電連接至該車輛的該電腦主機及電控系統，每一個該第二環境照明燈模組包含第二照明燈及用於控制該第二照明燈的第二按鍵開關。
如請求項1所述的基於智能座艙系統的全車照明裝置，其中，該左觸控按鍵、該右觸控按鍵及該中控觸控按鍵的表面均具有背光指示圖案。
一種可改變發光區域的氛圍燈，包括：<br/>支架，形成有並排排列的複數個凹陷空間，每一所述凹陷空間在相同一側均具備開口；<br/>複數個導光條，分別對應地設於一個所述凹陷空間，使所述複數個導光條並排地排列在所述支架；<br/>複數個光源模組，設於所述支架，每一個所述光源模組配置一個所述導光條，每一個所述光源模組包括有複數個LED，所述複數個LED分別將光線投射至所述複數個導光條中傳導；<br/>控制器，電性連接所述複數個光源模組，用以控制所述複數個光源模組的各個所述LED發光與否及發光時序；<br/>燈罩，固定至所述支架具有所述開口的一側，同時將所述複數個導光條固定在所述支架；<br/>其中，所述複數個導光條在徑向方向上分別具有不同的出光角度，光線通過所述複數個導光條分別照射在被照射物的不同區域。
如請求項1所述之可改變發光區域的氛圍燈，其中，所述複數個導光條的一側形成有反光面，相對於所述反光面的另一側形成為出光面，每一所述導光條的所述反光面和水平面的夾角均不相同，所述導光條設於所述凹陷空間時，所述反光面位於所述凹陷空間的內側，所述出光面位於所述凹陷空間的外側。
如請求項2所述之可改變發光區域的氛圍燈，其中，所述反光面為平面，該平面上形成複數個細小的用來反射光線的突齒，複數個所述夾角沿著所述複數個導光條的排列方向從一側往另一側逐漸減小或逐漸增加。
如請求項3所述之可改變發光區域的氛圍燈，其中，所述控制器控制所述複數個LED依序發光，從而使所述複數個導光條沿著其排列方向從一側往另一側依序發光。
如請求項1至4中任一項所述之可改變發光區域的氛圍燈，其中，所述燈罩的外側面形成有突起或凹入的花紋或形成有鍍膜，從所述導光條發出的光線通過所述花紋或所述鍍膜發射至所述燈罩外。
一種汽車閱讀燈點光源自動組裝設備，包括：<br/>工作台；<br/>上料單元，設於該工作台的X軸方向的一側，其包含沿著該工作台的Y軸方向依序排列的堆疊上料區、光源元件擷取區及空拖盤堆疊區，並且設有擷取輸送機，用以將堆疊拖盤從該堆疊上料區往該光源元件擷取區及該空拖盤堆疊區輸送；<br/>下料單元，設於該工作台的X軸方向的另一側，其包含沿著該工作台的Y軸方向依序排列的空拖盤上料區、成品下料區及滿拖盤堆疊區，並且設有下料輸送機，用以將空拖盤從該空拖盤上料區往該成品下料區及該拖盤堆疊區輸送；<br/>組裝區，設於該工作台上且位於該上料單元與該下料單元之間；<br/>傳送單元，設於該工作台上，包括：<br/>第一擷取輸送機，設於該上料單元與該組裝區之間，用以將該光源元件擷取區的該拖盤上的光源元件擷取後輸送至該組裝區；以及<br/>第二擷取輸送機，設於該組裝區與該下料單元之間，用以將該組裝區的成品擷取後輸送至該下料單元的該成品下料區；<br/>PCB上料區，設於該工作台的Y軸方向的一側，其包括有用於承載PCB的PCB拖盤及用以將該PCB拖盤上的PCB輸送到該組裝區的PCB輸送機；<br/>後蓋上料區，設於該工作台的Y軸方向的另一側，其包括有用於承載後蓋的後蓋拖盤及用以將該後蓋拖盤上的該後蓋輸送到該組裝區的後蓋輸送機；<br/>檢測裝置，設於該組裝區，用以檢查組裝的成品是否合格；以及<br/>打印裝置，設於該組裝區與該下料單元之間，藉由雷射打印方式在合格的該成品表面打印文字或圖案。
如請求項1所述的汽車閱讀燈點光源自動組裝設備，其中，該上料單元還包括用以盛載該光源元件的振動盤，該振動盤連接有料道，該振動盤振動時通過該料道將該振動盤上的光源元件一一地輸送到該堆疊上料區的該堆疊拖盤上。
如請求項2所述的汽車閱讀燈點光源自動組裝設備，其中，其料道使用的材質為防靜電的聚氨酯。
如請求項1所述的汽車閱讀燈點光源自動組裝設備，其中，該檢測裝置包括視覺辨識單元，當該光源元件、該PCB及該後蓋組裝完成後，該檢測裝置藉由攝影機獲取該成品的影像後與預先儲存的參考影像比較，利用該視覺辨識單元辨識該成品的影像是否符合規定。
一種收放板機，包括：<br/> 至少一裝卸機構，所述至少一裝卸機構具有一升降裝置，所述升降裝置能升降載具，所述載具中能放置板件；<br/> 一移載機構，所述移載機構設置於所述裝卸機構的一側，能以所述移載機構取出所述載具中的板件；<br/> 一檢測機構，所述檢測機構能檢測板件，用以判斷板件為合格或不合格；<br/> 一輸送機構；<br/> 一翻板機構；以及<br/> 一不合格板件暫存架，所述移載機構位於所述至少一裝卸機構、所述檢測機構、所述輸送機構、所述翻板機構及所述不合格板件暫存架之間；<br/> 其中不需要翻板的板件能以所述移載機構搬運至所述檢測機構進行檢測，需要翻板的板件能以所述移載機構搬運至所述翻板機構進行翻板的動作，再以所述移載機構將板件搬運至所述檢測機構進行檢測；經所述檢測機構檢測後，能以所述移載機構將不合格的板件搬運至所述不合格板件暫存架，合格的板件能以所述移載機構搬運至所述輸送機構，以輸送至下一個製程。
如請求項1所述的收放板機，其中所述移載機構包括一升降單元、一平移單元及一機械手臂，所述升降單元豎立的設置，所述平移單元水平的設置，所述平移單元設置於所述升降單元上，所述機械手臂設置於所述平移單元上，所述升降單元能傳動所述平移單元及所述機械手臂升降移動，所述平移單元能傳動所述機械手臂左右移動，所述機械手臂能夾持板件，且所述機械手臂能帶動板件水平移動，將板件移動至預定的位置。
如請求項2所述的收放板機，其中所述機械手臂為一水平機械臂，所述機械手臂能帶動板件前後移動。
如請求項1所述的收放板機，其中所述輸送機構、所述翻板機構及所述不合格板件暫存架位於所述移載機構遠離所述至少裝卸機構的一側。
如請求項1所述的收放板機，其中所述輸送機構及所述不合格板件暫存架相鄰設置，且所述不合格板件暫存架位於所述翻板機構的上方。
如請求項1所述的收放板機，其中所述不合格板件暫存架為一多層式的架體。
如請求項1所述的收放板機，其中所述裝卸機構設置兩個，兩個所述裝卸機構相鄰設置，兩個所述裝卸機構位於所述移載機構的一側。
如請求項7所述的收放板機，其中所述輸送機構、所述翻板機構及所述不合格板件暫存架位於所述移載機構的另一側。
一種除臭裝置，其包括：<br/>一載體件；<br/>一結合口，係形成於該載體件一側，以供與一通風設備結合；<br/>一氣密結構，係設於該結合口與該通風設備間；<br/>一固定結構，係設於該載體件側處，以供固定該載體件於該通風設備一側；<br/>複數進氣部，係形成於該載體件背離該結合口一側，並透過該通風設備引入異味氣體；<br/>複數擾流板，各該擾流板部分設置於該載體件一側內側壁，部分設置於另一側內側壁，而透過平行交錯之設置方式形成一迂迴通道；<br/>複數導氣口，係形成於該載體件之兩相對側壁上，且位置對應於該迂迴通道之路徑轉向處，以供導入臭氧；及<br/>複數紫外燈，係設於該載體件內側壁上，且位置對應於該迂迴通道之路徑轉向處。
如請求項1所述之除臭裝置，其中各該導氣口係連結一臭氧產生裝置。
如請求項2所述之除臭裝置，其中該臭氧產生裝置具有二集風罩，係分別罩設該載體件兩側之各該導氣口。
如請求項2所述之除臭裝置，其中該結合口一側設有至少一臭氧濃度感測件，係資訊連結該臭氧產生裝置，以根據臭氧濃度調整臭氧輸出流量。
如請求項1所述之除臭裝置，其中各該進氣部一側設有一活性碳濾網。
如請求項1所述之除臭裝置，其中各該紫外燈係為UVC燈管或UVC LED。
如請求項1所述之除臭裝置，其中各該導氣口係設於該載體件鄰近該進氣部一側，且各該紫外燈係設於該載體件鄰近該結合口一側。
如請求項1所述之除臭裝置，其中該氣密結構係以金屬焊接、設置密封墊、或塗布密封膠之方式氣密。
如請求項1所述之除臭裝置，其中該固定結構係以螺絲鎖固、打釘固定、強磁吸附、或膠合固定之方式固定。
一種具鏡面強化膜衣層之反光防鳥水果套袋結構，其係應用於水果生長期之包覆保護，包括： <br/>一果實套袋體，所述果實套袋體設有二外側表面部；以及 <br/>數鏡面強化連續性膜衣層體，所述鏡面強化連續性膜衣層體設有一外光澤反光面部及一內結合面部，該鏡面強化連續性膜衣層體之設置厚度為5~30µm，其中該內結合面部與果實套袋體之二外側表面部加以全面式密著結合。
如請求項1所述之具鏡面強化膜衣層之反光防鳥水果套袋結構，其中，該果實套袋體係以單層或多層設置。
如請求項2所述之具鏡面強化膜衣層之反光防鳥水果套袋結構，其中，該果實套袋體係以雪地長纖維針葉木漿牛皮紙製成。
如請求項3所述之具鏡面強化膜衣層之反光防鳥水果套袋結構，其中，該鏡面強化連續性膜衣層體係為聚合物或樹脂構成，該聚合物或樹脂中進一步添加有珠光劑。
如請求項3或4所述之具鏡面強化膜衣層之反光防鳥水果套袋結構，其中，該鏡面強化連續性膜衣層體構成之樹脂係為UV光固化樹脂、油性樹脂、塑化聚合物或熱溶性膠質等製成。
如請求項5所述之具鏡面強化膜衣層之反光防鳥水果套袋結構，其中，該鏡面強化連續性膜衣層體之外光澤反光面部表面，係以高鏡面高亮光輪熱壓，該鏡面強化連續性膜衣層體經加熱與加壓後，與果實套袋體係完全緊密結合，並使外光澤反光面部產生連續性平整高度平滑如鏡面之表層。
如請求項6所述之具鏡面強化膜衣層之反光防鳥水果套袋結構，其中，該鏡面強化連續性膜衣層體之外光澤反光面部，其反光度係介於25ﾟ~50ﾟ之間。
一種斗笠式果袋結構，其係包括： <br/> 一遮罩基紙體，所述遮罩基紙體設有一基紙身部及一縱向折邊部，該基紙身部一側之橫向邊緣向內設有一切割線，而該切割線設有一開口端及一封閉端，而該封閉端設有一防撕裂孔，且該切割線將基紙身部分為第一基紙側及一第二基紙側，該第一基紙側之邊角設有一折角部，而該縱向折邊部設於第二基紙側之縱向邊緣，該縱向折邊部內折後邊緣貼合於第二基紙側上，經由將第一基紙側與第二基紙側相對切割線折合呈對合狀態，並以第一基紙側之折角部之折線，相對於縱向折邊部邊緣，向下折合壓制固定於第二基紙側，再將縱向折邊部內折或外折壓制第一基紙側或第二基紙側進行固定。
如請求項1所述之斗笠式果袋結構，其中，該遮罩基紙體係呈類矩形狀設置。
如請求項1或2所述之斗笠式果袋結構，其中，該遮罩基紙體之縱向折邊部長度較長於基紙身部，使該縱向折邊部相對遮罩基紙體之橫向邊緣呈延伸凸出狀設置。
如請求項3所述之斗笠式果袋結構，其中，進一步設有一撓性固定件，所述撓性固定件呈長條狀設置，該遮罩基紙體之縱向折邊部內折後邊緣貼合於第二基紙側上，使縱向折邊部形成一縱向穿制槽，該撓性固定件穿制固定設於遮罩基紙體之縱向折邊部所設縱向穿制槽中。
如請求項4所述之斗笠式果袋結構，其中，該撓性固定件係為金屬線構成。
如請求項5所述之斗笠式果袋結構，其中，該基紙身部一側之橫向邊緣向內所設切割線，係設於橫向邊緣之中央位置。
如請求項5所述之斗笠式果袋結構，其中，該基紙身部一側之橫向邊緣向內所設切割線，係設於橫向邊緣縱向折邊部相對側之邊角向內斜切位置。
如請求項5所述之斗笠式果袋結構，其中，該縱向折邊部內折或外折壓制第一基紙側或第二基紙側進行固定後，能夠在進一步內折或外折，使第一基紙側相對第二基紙側折合更為穩定。
一種單指向麥克風，包括：<br/> 一收容機構、一聲音感測組件，該收容機構內設有一收容空間、一傳播空間、一第一孔、一第二孔及一第三孔，所述收容空間與所述傳播空間間隔設置，所述第一孔與所述收容空間連通，所述第二孔與所述傳播空間連通，所述第三孔連通所述收容空間與所述傳播空間；該聲音感測組件位於所述收容空間內，具有一振膜；所述第一孔和所述第二孔外側分別通過一背膠貼固定有相同目數的聲學網，所述背膠貼分別具有用於調整聲學網透氣量的一通孔，且所述第一孔上的所述背膠貼的所述通孔小於所述第二孔上的所述背膠貼的所述通孔，以使所述第二孔透氣量大於所述第一孔的透氣量。
如請求項1所述之單指向麥克風，其中所述第一孔大於所述第二孔，所述第一孔上的所述背膠貼的所述通孔小於所述第一孔，所述第二孔上的所述背膠貼的所述通孔大於所述第二孔。
如請求項1所述之單指向麥克風，其中所述收容機構包括一第一收容件和一第二收容件；所述第一收容件在一第一方向上位於所述第二收容件的第一側，所述第一收容件與所述第二收容件配合形成所述收容空間，所述第一孔開設於所述第一收容件在所述第一方向上的第一側處；所述第二孔、所述第三孔及所述傳播空間開設於所述第二收容件，所述第三孔在所述第一方向上位於所述第二收容件的第一側，所述傳播空間在所述第一方向上位於所述第三孔的第二側，所述第二孔與所述第三孔在一第二方向上存在間隔；所述第一方向與所述第二方向相交。
如請求項3所述之單指向麥克風，其中所述第二收容件包括從上至下依次疊放的一第一電路板、一第二電路板和一第三電路板，所述第二孔和所述第三孔分別位於所述第三電路板和所述第一電路板上，所述第二電路板開設有一傳播通孔，所述傳播通孔連通所述第二孔和所述第三孔形成所述傳播空間。
如請求項4所述之單指向麥克風，其中所述聲音感測組件與所述第一電路板電性連接，所述第一電路板與所述第二電路板電性連接，所述第二電路板與所述第三電路板電性連接。
如請求項4所述之單指向麥克風，其中所述第一電路板和/或所述第三電路板與焊盤連接。
如請求項1或2所述之單指向麥克風，其中所述收容機構包括從上至下依次疊放的一第一基板、一第二基板、一第三基板、一第四基板和一第五基板；所述第一孔和所述第二孔開設於所述第一基板，所述第二孔在一第二方向上位於所述第一孔的第三側；所述收容空間開設於第二基板，所述第二基板在所述第二方向上位於所述收容空間的第三側處還開設有一第一傳播空間；所述第三孔開設於第三基板，所述第三基板在所述第二方向上位於所述第三孔的第三側處還開設有一調音孔；所述第四基板開設有一第二傳播空間，所述第二傳播空間在一第一方向上位於所述第三孔和所述調音孔的第二側；所述第一方向與所述第二方向相交。
如請求項7所述之單指向麥克風，其中所述第二孔與所述第一傳播空間連通，所述調音孔連通所述第一傳播空間和所述第二傳播空間，所述第三孔連通所述收容空間和所述第二傳播空間。
如請求項7所述之單指向麥克風，其中所述第五基板與焊盤連接。
一種電子設備，包括：<br/> 如請求項1至9中任一項所述之單指向麥克風；<br/> 一處理器，與所述單指向麥克風連接。
一種依裝置指紋與SIM卡更換記錄選擇執行被選功能之系統，係應用於一應用程式，該應用程式安裝於一裝置上，該裝置中設置有一用戶身分模組（Subscriber Identity Module, SIM），該系統至少包含：<br/> 一客戶登入模組，用以提供一使用者登入；<br/> 一資訊收集模組，與該客戶登入模組連接，用以於該使用者登入後收集該裝置之一當前裝置指紋，該當前裝置指紋包含該裝置之一裝置訊息與該用戶身分模組之一身分訊息或該裝置訊息與該裝置上之一硬體元件之一硬體訊息；<br/> 一資訊處理模組，與該資訊收集模組連接，用以判斷該當前裝置指紋與預先儲存之一基準裝置指紋不相符時，取得該裝置所使用之一手機門號，並依據該手機門號查詢該用戶身分模組之一更換記錄；<br/> 一功能管控模組，與資訊處理模組連接，用以依據該更換記錄判斷該用戶身分模組在最近一定時間內被更換時，設定該應用程式之至少一特定功能項目被限制或禁止操作；<br/> 一訊息產生模組，與該功能管控模組連接，用以於該至少一特定功能項目被該使用者選擇時，產生表示該至少一特定功能項目被限制或禁止操作及對應風險狀態之提示訊息；<br/> 一身分識別模組，與該功能管控模組連接，用以於該至少一特定功能項目被該使用者確認執行時，進行一身分驗證作業；及<br/> 一功能執行模組，與該功能管控模組及該身分識別模組連接，用以於該應用程式之一通常功能項目被該使用者選擇執行時執行該通常功能項目，及用以在該身分驗證作業成功完成後執行被確認執行之該至少一特定功能項目。
如請求項1所述之依裝置指紋與SIM卡更換記錄選擇執行被選功能之系統，其中該資訊處理模組更用以於該裝置之一使用者首次透過該應用程式使用一行動銀行帳號登入一行動銀行伺服器時，傳送該當前裝置指紋至該行動銀行伺服器，使該行動銀行伺服器儲存該當前裝置指紋為該基準裝置指紋。
如請求項1所述之依裝置指紋與SIM卡更換記錄選擇執行被選功能之系統，其中該資訊處理模組是傳送該當前裝置指紋至一行動銀行伺服器以使該行動銀行伺服器判斷該基準裝置指紋是否與該當前裝置指紋相符，或是由該行動銀行伺服器下載依據該基準裝置指紋產生之一運算值並對該當前裝置指紋進行相同運算以產生另一運算值後，比對該兩運算值是否相同。
如請求項1所述之依裝置指紋與SIM卡更換記錄選擇執行被選功能之系統，其中該資訊處理模組是連線至一行動銀行伺服器或透過一應用程式介面連線至一電信伺服器查詢該用戶身分模組之該更換記錄。
如請求項1所述之依裝置指紋與SIM卡更換記錄選擇執行被選功能之系統，其中該系統更包含與該裝置連接之一行動銀行伺服器，用以提供該裝置綁定該使用者登入之行動銀行帳號與該當前裝置指紋。
如請求項1所述之依裝置指紋與SIM卡更換記錄選擇執行被選功能之系統，其中該系統更包含與該裝置連接之一行動銀行伺服器，用以於該身分驗證作業成功完成後，依據該身分驗證作業之身分驗證方式與該身分驗證作業之驗證操作過程調整一信任分數，並於該信任分數大於預定風險值時，儲存該當前裝置指紋為具有有效期限之另一基準裝置指紋。
如請求項1所述之依裝置指紋與SIM卡更換記錄選擇執行被選功能之系統，其中該功能執行模組更用以收集該使用者操作該至少一特定功能項目之一操作指令，並依據該操作指令延遲執行該至少一特定功能項目。
如請求項1所述之依裝置指紋與SIM卡更換記錄選擇執行被選功能之系統，其中該身分識別模組更用以依據該至少一特定功能項目之風險等級及該使用者之一操作情境決定該身分驗證作業之一驗證強度。
如請求項8所述之依裝置指紋與SIM卡更換記錄選擇執行被選功能之系統，其中該身分識別模組是將該操作情境之各情境資料轉換為各情境風險值，並依據各該情境風險值與各該情境資料之權重計算該操作情境之一加權風險值，及依據該至少一特定功能項目之風險等級及該加權風險值計算一驗證分數，且依據該驗證分數決定該驗證強度。
如請求項1所述之依裝置指紋與SIM卡更換記錄選擇執行被選功能之系統，其中該身分驗證作業為使用者帳號密碼、一次性密碼（OTP）、圖形鎖、人臉識別、指紋識別、及跨裝置授權至少其中之一。
一種刮條組件，所述刮條組件被配置為安裝於清潔主機，<br/> 所述刮條組件包括：距離感測器，所述距離感測器被配置為檢測所述清潔主機與障礙物之間的距離；刮條，所述刮條被配置為根據所述清潔主機的運動狀態和所述清潔主機與所述障礙物之間的距離在第一狀態和第二狀態之間進行切換；<br/> 和/或，所述刮條組件包括：刮條和觸發件，所述刮條被配置為當所述觸發件被觸發時在所述第一狀態和所述第二狀態之間進行切換；<br/> 其中，在所述第一狀態時，所述刮條的底部與待清潔表面之間具有第一距離；在所述第二狀態時，所述刮條的底部與所述待清潔表面之間具有第二距離；所述第一距離大於所述第二距離。
如請求項1所述的刮條組件，所述刮條安裝於所述清潔主機的前端。
如請求項2所述的刮條組件，所述刮條被配置為當所述清潔主機沿第一方向運動時，所述刮條切換為所述第一狀態；<br/> 所述刮條被配置為當所述清潔主機的前端與所述障礙物之間的距離小於或等於預設距離，且所述清潔主機沿與所述第一方向相反的方向運動時，所述刮條切換為所述第二狀態；和/或，所述刮條被配置為當所述清潔主機停止運動時，所述刮條切換為所述第二狀態；<br/> 其中，所述第一方向為所述清潔主機的後端指向所述清潔主機的前端的方向。
如請求項3所述的刮條組件，所述清潔主機包括：<br/> 清潔工作部，所述刮條安裝於所述清潔工作部的前端。
如請求項4所述的刮條組件，<br/> 當所述清潔工作部沿所述第一方向運動時，所述刮條切換為所述第一狀態；<br/> 當所述清潔工作部的前端與所述障礙物之間的距離小於或等於預設距離，且所述清潔工作部沿與所述第一方向相反的方向運動時，所述刮條切換為所述第二狀態；和/或，當所述清潔工作部停止運動時，所述刮條切換為所述第二狀態。
如請求項3所述的刮條組件，所述刮條組件包括：至少兩個所述刮條，至少兩個所述刮條包括：第一刮條和第二刮條，所述第一刮條被配置為安裝於所述清潔主機的前端，所述第二刮條被配置為安裝於所述清潔主機的後端；<br/> 當所述清潔主機沿第一方向或與所述第一方向相反的方向運動時，所述第一刮條和所述第二刮條均切換為所述第一狀態；<br/> 當所述清潔主機的前端與所述障礙物之間的距離小於或等於預設距離，且所述清潔主機沿與所述第一方向相反的方向運動時，所述第一刮條切換為所述第二狀態，所述第二刮條切換為所述第一狀態；<br/> 當所述清潔主機的後端與所述障礙物之間的距離小於或等於預設距離，且所述清潔主機沿所述第一方向運動時，所述第二刮條切換為所述第二狀態，所述第一刮條切換為所述第一狀態；<br/> 當所述清潔主機停止運動時，所述第一刮條和/或所述第二刮條切換為所述第二狀態。
如請求項2所述的刮條組件，所述刮條被配置為當所述觸發件被主動觸發時在所述第一狀態和所述第二狀態之間進行切換；和/或，所述刮條被配置為當所述觸發件被動觸發時在所述第一狀態和所述第二狀態之間進行切換。
如請求項7所述的刮條組件，所述刮條組件包括：至少兩個所述刮條，至少兩個所述刮條包括：第一刮條和第二刮條，所述第一刮條被配置為安裝於所述清潔主機的前端，所述第二刮條被配置為安裝於所述清潔主機的後端；<br/> 當所述觸發件被主動觸發時，所述第一刮條和/或所述第二刮條在所述第一狀態和所述第二狀態之間進行切換；<br/> 和/或，當所述觸發件被被動觸發時，所述第一刮條和/或所述第二刮條在所述第一狀態和所述第二狀態之間進行切換。
如請求項4所述的刮條組件，所述刮條還被配置為具有第三狀態，當所述刮條切換為所述第三狀態時，所述刮條的底部向靠近所述清潔工作部的方向旋轉。
如請求項9所述的刮條組件，當所述刮條切換為所述第三狀態時，所述刮條的底部與所述清潔工作部接觸。
如請求項1所述的刮條組件，所述第二距離為0 mm。
如請求項1至11中任意一項所述的刮條組件，所述刮條組件還包括：<br/> 驅動裝置，與所述刮條接觸或連接，以驅動所述刮條在所述第一狀態和所述第二狀態之間進行切換。
如請求項12所述的刮條組件，所述驅動裝置包括：<br/> 驅動件；<br/> 狀態切換件，與所述驅動件連接，並且所述狀態切換件被配置將所述刮條在所述第一狀態和所述第二狀態之間切換。
如請求項13所述的刮條組件，所述刮條組件還包括：支撐殼，所述驅動件安裝於所述支撐殼。
如請求項14所述的刮條組件，所述刮條包括轉動軸，所述刮條通過所述轉動軸與所述支撐殼轉動連接；<br/> 所述狀態切換件能夠轉動所述刮條，以使所述刮條在所述第一狀態和所述第二狀態之間切換。
如請求項15所述的刮條組件，所述狀態切換件包括：<br/> 第一狀態切換件，所述第一狀態切換件被配置為使所述刮條恢復至所述第一狀態；<br/> 第二狀態切換件，與所述驅動件連接，所述第二狀態切換件被配置為使所述刮條切換至所述第二狀態。
如請求項16所述的刮條組件，所述第二狀態切換件包括：<br/> 驅動擺臂，所述驅動擺臂的一端與所述驅動件連接，並且所述驅動擺臂能夠在所述驅動件的驅動下推動所述刮條轉動，以將所述刮條切換為所述第二狀態。
如請求項17所述的刮條組件，所述刮條包括：<br/> 凸輪，所述驅動擺臂推動所述凸輪，以將所述刮條切換為所述第二狀態。
如請求項18所述的刮條組件，所述驅動擺臂與所述凸輪始終保持接觸。
如請求項17所述的刮條組件，所述第一狀態切換件包括：<br/> 彈性元件，所述彈性元件與所述支撐殼和所述刮條均連接；當所述刮條處於所述第二狀態時，所述彈性元件內部具有恢復力。
如請求項20所述的刮條組件，所述彈性元件包括：<br/> 拉簧，所述拉簧的一端與所述支撐殼連接，另一端與所述刮條連接。
如請求項20所述的刮條組件，所述彈性元件包括：<br/> 扭簧，套設於所述轉動軸，並與所述刮條連接。
如請求項15所述的刮條組件，所述狀態切換件包括：<br/> 驅動輪，與所述驅動件轉動連接；<br/> 從動輪，安裝於所述轉動軸，並且所述從動輪與所述驅動輪接觸，以在所述驅動輪的驅動下旋轉。
如請求項23所述的刮條組件，所述驅動輪和所述從動輪均為齒輪，並且所述驅動輪和所述從動輪嚙合。
如請求項15所述的刮條組件，所述狀態切換件包括：<br/> 拉杆，所述拉杆的一端與所述驅動件連接，另一端與所述刮條連接，以拉動所述刮條在所述第一狀態和所述第二狀態之間切換。
如請求項12所述的刮條組件，所述驅動裝置為升降裝置，以帶動所述刮條沿遠離或靠近所述待清潔表面的方向運動，以使得所述刮條在所述第一狀態和所述第二狀態之間切換。
如請求項15所述的刮條組件，所述支撐殼包括：<br/> 第一殼體；<br/> 第二殼體，與所述第一殼體連接，並向遠離所述第一殼體的方向延伸；<br/> 其中，所述驅動件設置於所述第一殼體靠近所述第二殼體的一面，所述刮條轉動安裝於所述第一殼體背離所述第二殼體的一面。
如請求項27所述的刮條組件，所述第一殼體設置有第一通孔；至少部分所述驅動裝置穿過所述第一通孔與所述刮條接觸或連接；或者，至少部分所述刮條穿過所述第一通孔與所述驅動裝置接觸或連接。
如請求項12所述的刮條組件，所述刮條還被配置為具有第三狀態；所述驅動裝置能夠驅動所述刮條在所述第一狀態、所述第二狀態和所述第三狀態之間進行切換。
如請求項1至11中任意一項所述的刮條組件，所述刮條組件還包括：<br/> 距離感測器，所述距離感測器被配置為檢測所述清潔主機與所述障礙物之間的距離。
如請求項30所述的刮條組件，所述距離感測器安裝於所述清潔主機的最前端。
如請求項5所述的刮條組件，所述預設距離大於等於0 mm，且小於等於2 mm。
一種清潔設備，包括：<br/> 清潔主機；<br/> 刮條組件，所述刮條組件為請求項1至32中任意一項所述的刮條組件，所述刮條組件安裝於所述清潔主機。
一種清潔系統，包括：<br/> 基站；<br/> 清潔設備，所述清潔設備為請求項33所述的清潔設備，所述清潔設備能夠與所述基站對接。
如請求項34所述的清潔系統，當所述清潔設備與所述基站對接時，所述刮條切換為第三狀態。
一種具本體安裝區與貫通插接區之母端連接器，包括：<br/> 一母端殼體，其內設有一容納空間，該容納空間沿橫軸方向依序形成一本體安裝區與一貫通插接區；<br/> 一母端絕緣本體，係安裝至該本體安裝區中，該母端絕緣本體之一後側面設有一母端對接口，其內設有一母端對接空間，且該母端對接口與該母端對接空間相連通；該母端絕緣本體朝向該貫通插接區之一外側面，與該母端殼體相對應之一內側面相隔一距離，以在該貫通插接區沿縱軸方向形成一開放區域；及<br/> 複數個母端端子，分別安裝至該母端絕緣本體中，且至少局部暴露於該母端對接空間內。
如請求項1所述之母端連接器，其中，該母端殼體內設有至少一限位臂，該母端絕緣本體之後側面設有一限位凹槽，在該母端絕緣本體安裝至該殼體內的情況下，該限位臂能容納至該限位凹槽中。
如請求項1所述之母端連接器，還包含一電路板，其中，該電路板係組裝至該母端殼體之前側，且其設有一開孔，該開孔對應於該貫通插接區。
如請求項1所述之母端連接器，其中，該母端殼體之前側設有至少一定位腳，該定位腳之末端係朝該母端殼體前方延伸，並會朝遠離該母端殼體之中軸線方向外擴。
如請求項1所述之母端連接器，其中，該母端絕緣本體之後側設有一凹陷部，該凹陷部係連通該母端對接空間，並沿橫軸方向延伸。
一種具本體安裝區與貫通插接區之連接器組，包括：<br/> 一母端連接器，其包含：<br/> 一母端殼體，其內設有一容納空間，該容納空間沿橫軸方向依序形成一本體安裝區與一貫通插接區；<br/> 一母端絕緣本體，係安裝至該本體安裝區中，該母端絕緣本體之一後側面設有一母端對接口，其內設有一母端對接空間，且該母端對接口與該母端對接空間相連通；該母端絕緣本體朝向該貫通插接區之一外側面，與該母端殼體相對應之一內側面相隔一距離，以在該貫通插接區沿縱軸方向形成一開放區域；及<br/> 複數個母端端子，分別安裝至該母端絕緣本體中，且至少局部暴露於該母端對接空間內；及<br/> 一公端連接器，其包含：<br/> 一公端絕緣本體，係沿橫軸方向依序形成一內藏插接區與一外露插接區，且該內藏插接區於縱軸方向的長度，小於該外露插接區於縱軸方向的長度；及<br/> 複數個第一公端端子，係設置於該內藏插接區；<br/> 在該公端連接器插接至該母端連接器的情況下，該內藏插接區係經由該母端對接口而插接至該母端對接空間中，且各該第一公端端子與各該母端端子相電氣連接；該外露插接區係通過該貫通插接區，使得其前端區域暴露於該母端連接器的前方。
如請求項6所述之連接器組，其中，該公端連接器還包含複數個第二公端端子，且各該第二公端端子係設置於該外露插接區。
如請求項6所述之連接器組，其中，該母端殼體內設有至少一限位臂，該母端絕緣本體之後側面設有一限位凹槽，在該母端絕緣本體安裝至該殼體內的情況下，該限位臂能容納至該限位凹槽中。
如請求項6所述之連接器組，其中，該母端連接器還包含一電路板，該電路板係組裝至該母端殼體之前側，且其設有一開孔，該開孔對應於該貫通插接區。
如請求項6所述之連接器組，其中，該母端殼體之前側設有至少一定位腳，該定位腳之末端係朝該母端殼體前方延伸，並會朝遠離該母端殼體中軸線方向外擴。
如請求項6所述之連接器組，其中，該母端絕緣本體之後側設有一凹陷部，該凹陷部係連通該母端對接空間，並沿橫軸方向延伸；該公端絕緣本體對應該凹陷部的位置設有一定位塊，在該公端連接器插接至該母端連接器的情況下，該定位塊係嵌入該凹陷部，並抵靠至該凹陷部內之壁面。
一種具突出部之母端連接器，包括：<br/> 一母端殼體，其內設有一容納空間，其頂側與底側的至少其中之一設有一外突部，該外突部係朝遠離該母端殼體之中軸線方向外擴；<br/> 一母端絕緣本體，係安裝至該母端殼體內，其一後側面設有一母端對接口，其內設有一母端對接空間，且該母端對接口與該母端對接空間相連通；及<br/> 複數個母端端子，分別安裝至該母端絕緣本體中，且至少局部暴露於該母端對接空間內。
如請求項1所述之母端連接器，其中，該母端殼體之該容納空間沿橫軸方向依序形成一本體安裝區與一貫通插接區，且該外突部對應於該貫通插接區；該母端絕緣本體係安裝至該本體安裝區中，其朝向該貫通插接區之一外側面，與該母端殼體相對應之一內側面相隔一距離，以在該貫通插接區沿縱軸方向形成一開放區域。
如請求項2所述之母端連接器，還包含一電路板，其中，該電路板係組裝至該母端殼體之前側，且其設有一開孔，該開孔對應於該貫通插接區。
如請求項1所述之母端連接器，其中，該母端殼體之前側設有至少一定位腳，該定位腳之末端係朝該母端殼體前方延伸，並會朝遠離該母端殼體之中軸線方向外擴。
如請求項1所述之母端連接器，其中，該母端絕緣本體之後側設有一凹陷部，該凹陷部係連通該母端對接空間，並沿橫軸方向延伸。
如請求項1所述之母端連接器，其中，該母端殼體內設有至少一限位臂，該母端絕緣本體之後側面設有一限位凹槽，在該母端絕緣本體安裝至該殼體內的情況下，該限位臂能容納至該限位凹槽中。
一種具突出部之連接器組，包括：<br/> 一母端連接器，其包含：<br/> 一母端殼體，其內設有一容納空間，其頂側與底側的至少其中之一設有一外突部與一母端鎖扣部，該外突部係朝遠離該母端殼體之中軸線方向外擴，以形成一外擴空間，且該外突部係位於該母端鎖扣部的後方位置；<br/> 一母端絕緣本體，係安裝至該母端殼體內，其一後側面設有一母端對接口，其內設有一母端對接空間，且該母端對接口與該母端對接空間相連通；及<br/> 複數個母端端子，分別安裝至該母端絕緣本體中，且至少局部暴露於該母端對接空間內；及<br/> 一公端連接器，其包含：<br/> 一公端絕緣本體；<br/> 複數個第一公端端子，係設置於該公端絕緣本體；及<br/> 一公端鎖扣件，係活動地組裝至該公端絕緣本體頂側與底側的至少其中之一，該公端鎖扣件至少包含一操作部與一鎖扣部，且該操作部位於該鎖扣部的後方位置；<br/> 在該公端連接器插接至該母端連接器的情況下，該公端絕緣本體係插接至該母端對接空間中，且各該第一公端端子與各該母端端子相電氣連接；該公端鎖扣件之該鎖扣部能與該母端鎖扣部相結合鎖定，且該公端鎖扣件之該操作部能位於該外擴空間中，並對應於該外突部。
如請求項7所述之連接器組，其中，該操作部係與該外突部相隔一間距。
如請求項7所述之連接器組，其中，該母端殼體之該容納空間沿橫軸方向依序形成一本體安裝區與一貫通插接區，且該外突部對應於該貫通插接區；該母端絕緣本體係安裝至該本體安裝區中，其朝向該貫通插接區之一外側面，與該母端殼體相對應之一內側面相隔一距離，以在該貫通插接區沿縱軸方向形成一開放區域；該公端絕緣本體沿橫軸方向依序形成一內藏插接區與一外露插接區，且該內藏插接區於縱軸方向的長度，小於該外露插接區於縱軸方向的長度；各該第一公端端子係設置於該內藏插接區；在該公端連接器插接至該母端連接器的情況下，該內藏插接區係經由該母端對接口而插接至該母端對接空間中，且各該第一公端端子與各該母端端子相電氣連接；該外露插接區係通過該貫通插接區，使得其前端區域暴露於該母端連接器的前方。
如請求項9所述之連接器組，其中，該公端連接器還包含複數個第二公端端子，各該第二公端端子係設置於該外露插接區。
如請求項9所述之連接器組，其中，該母端連接器還包含一電路板，該電路板係組裝至該母端殼體之前側，且其設有一開孔，該開孔對應於該貫通插接區。
如請求項9所述之連接器組，其中，該母端殼體之前側設有至少一定位腳，該定位腳之末端係朝該母端殼體前方延伸，並會朝遠離該母端殼體之中軸線方向外擴。
如請求項9所述之連接器組，其中，該母端絕緣本體之後側設有一凹陷部，該凹陷部係連通該母端對接空間，並沿橫軸方向延伸；該公端絕緣本體對應該凹陷部的位置設有一定位塊，在該公端連接器插接至該母端連接器的情況下，該定位塊係嵌入該凹陷部，並抵靠至該凹陷部內之壁面。
如請求項9所述之連接器組，其中，該母端殼體內設有至少一限位臂，該母端絕緣本體之後側面設有一限位凹槽，在該母端絕緣本體安裝至該殼體內的情況下，該限位臂能容納至該限位凹槽中。
一種整合平台系統，其包含：<br/> 一能源管理系統，其包含多個電力偵測器；多個所述電力偵測器用以連接一生產廠房中的至少一部份的生產設備；各個所述電力偵測器用以偵測其所連接的所述生產設備的能源消耗，並據以產生一能源消耗資訊；<br/> 一製造執行系統，其用以產生一工單資訊；所述工單資訊至少包含一料件資料、一時限資料及一生產數量；所述製造執行系統能依據所述工單資訊，指定至少一個所述生產設備開始生產相對應的多個工單產品；<br/> 一碳管理系統，其連接所述能源管理系統及所述製造執行系統，所述碳管理系統能於所述工單產品生成完成時，通過相對應的所述生產設備所連接的所述電力偵測器，以取得所述生產設備於生產過程，對應的所述能源消耗資訊；<br/> 一處理裝置，其設置於所述能源管理系統、所述製造執行系統及所述碳管理系統的其中一個，所述處理裝置能依據所述用以依據所述工單資訊及所述能源消耗資訊，及一預設碳排係數，以計算出單一個所述工單產品的一製程碳排量。
如請求項1所述的整合平台系統，其中，所述處理裝置每間隔一預設時間，將執行一時間校准程序：對所有的所述電力偵測器的時間、所有所述生產設備的時間、所述碳管理系統的時間、所述能源管理系統及所述製造執行系統的時間，進行同步。
如請求項1所述的整合平台系統，其中，所述處理裝置能於所述工單資訊的所有工單產品，都被所述生產設備生產完成時，產生一整合資訊，所述整合資訊中，包含所述工單資訊及單一個所述工單產品的所述碳排量，且所述處理裝置將儲存所述整合資訊；其中，所述處理裝置能依據各個所述工單產品對應的歷史所述整合資訊，建立一碳排趨勢；所述處理裝置產生所述整合資訊後，能執行一警示判斷步驟：依據所述整合資訊及相對應的所述碳排趨勢，判斷所述整合資訊中的單一個所述工單產品的所述碳排量，是否落在所述碳排趨勢的一預設合理範圍中；若沒有落在所述預設合理範圍中，則發出一警示資訊。
如請求項1所述的整合平台系統，其中，連接有所述電力偵測器的所述生產設備定義為一已監控生產設備，未與所述電力偵測器連接的所述生產設備定義為一未監控生產設備；所述處理裝置依據所述工單資訊，指派所述生產設備時，能執行一工單排程程序，於所述工單排程程序中包含以下步驟：<br/> 一資訊收集步驟：取得各個所述生產設備一設備狀態資訊及各個生產設備的一生產排程資訊；<br/> 一第一優先判斷步驟：依據各個所述設備狀態資訊及各個生產排程資訊，判斷任一個或多個處於閒置狀態的所述已監控生產設備，是否能夠依據當前的所述工單資訊，於所述工單資訊的時限內，生產符合所述生產數量的所有所述工單產品；若是，則執行一第一排程步驟：將當前的所述工單資訊，排入所述已監控生產設備的生產排程中。
如請求項4所述的整合平台系統，其中，於所述第一優先判斷步驟，若沒有單一個或多個所述已監控生產設備，能生產當前的所述工單資訊的所有所述工單產品，則執行以下步驟：<br/> 一第二優先判斷步驟：判斷任一個處於閒置狀態的所述已監控生產設備，是否能夠依據當前的所述工單資訊，於所述工單資訊的時限內，生產所述工單資訊的所述生產數量的至少一預設百分比的所述工單產品；所述預設百分比大於35%；若是，則執行以下步驟：<br/> 一第二排程步驟：將所述工單資訊排入所述已監控生產設備的生產排程，並將所述工單資訊中所述已監控生產設備無法生產的剩餘部份，排入其他所述生產設備的生產排程中；其中，所述處理裝置於計算單一個所述工單產品的所述碳排量時，是利用所述已監控生產設備生產的所述工單產品的數量、相對應的所述能源消耗資訊及所述預設碳排係數進行計算。
如請求項5所述的整合平台系統，其中，於所述第二排程步驟中，是將所述工單資訊排入所述已監控生產設備的生產排程中，並將所述工單資訊中所述已監控生產設備無法生產的剩餘的部份，排入至少一台所述未監控生產設備的生產排程中。
如請求項4所述的整合平台系統，其中，共同連接同一個所述電力偵測器的至少兩台所述生產設備，定義為一共同生產群組；所述共同生產群組中的所有所述生產設備，連接同一個所述電力偵測器；於所述第一優先判斷步驟中，若判定沒有任一個或多個處於閒置狀態的所述已監控生產設備能於所述工單資訊的時限內，生產符合所述生產數量的所有所述工單產品，則執行以下步驟：<br/> 一第三優先判斷步驟：判斷於所述工單資訊的時限內，是否有任一個或多個處於閒置狀態的所述共同生產群組的所有所述生產設備，能於同一個時間區段，生產符合所述生產數量的所有所述工單產品；若有，則執行以下步驟：<br/> 一第四排程步驟：將所述工單資訊排入所述共同生產群組中的所有所述生產設備的生產排程中；其中，所述處理裝置於計算單一個所述工單產品的所述碳排量時，是利用所述共同生產群組所生產的所述工單產品的數量、所述共同生產群組所連接的所述電力偵測器的所述能源消耗資訊及所述預設碳排係數進行計算。
如請求項7所述的整合平台系統，其中，於所述第三優先判斷步驟，若沒有單一個或多個所述共同生產群組，能於所述工單資訊的時限內，生產當前的所述工單資訊的所有所述工單產品，則執行以下步驟：<br/> 一第二優先判斷步驟：判斷任一個或多個處於閒置狀態的所述已監控生產設備，是否能夠依據當前的所述工單資訊，於所述工單資訊的時限內，生產所述工單資訊的所述生產數量的至少一預設百分比的所述工單產品；所述預設百分比大於35%；若是，則執行以下步驟：<br/> 一第二排程步驟：將所述工單資訊排入所述已監控生產設備的生產排程，並將所述工單資訊中所述已監控生產設備無法生產的剩餘部份，排入其他所述生產設備的生產排程中；其中，所述處理裝置於計算單一個所述工單產品的所述碳排量時，是利用所述已監控生產設備生產的所述工單產品的數量、相對應的所述能源消耗資訊及所述預設碳排係數進行計算。
如請求項8所述的整合平台系統，其中，於所述第二優先判斷步驟中，若判定沒有任一個或多個處於閒置狀態的所述已監控生產設備，能夠依據當前的所述工單資訊，於所述工單資訊的時限內，生產所述工單資訊的所述生產數量的至少一預設百分比的所述工單產品，則執行以下步驟：<br/> 一第四優先判斷步驟：判斷於所述工單資訊的時限內，是否有任一個或多個處於閒置狀態的所述共同生產群組的所有所述生產設備，能於同一個時間區段，生產所述生產數量的至少一預設百分比的所述工單產品；所述預設百分比大於35%；若是，則執行以下步驟； <br/> 一第五排程步驟：將所述工單資訊排入所述共同生產群組中的所有所述生產設備的生產排程中，並將所述工單資訊的剩餘部份，排入其他的所述生產設備的生產排程中；其中，所述處理裝置於計算單一個所述工單產品的所述碳排量時，是利用所述共同生產群組所生產的所述工單產品的數量、所述共同生產群組所連接的所述電力偵測器的所述能源消耗資訊及所述預設碳排係數進行計算。
如請求項9所述的整合平台系統，其中，於所述第五排程步驟中，所述工單資訊的剩餘部份，是被排入至少一台所述未監控生產設備的生產排程中。
一種自動裝填包裝機，包含：<br/> 一吸袋裝置，包含一置袋盒與一取袋單元，該置袋盒可容納一包裝袋，該取袋單元用以將該包裝袋從該置袋盒中位移至一第一預定位置；<br/> 一裝填裝置，包含一入料斗、一抓袋單元與一吹吸單元，該抓袋單元用以將該包裝袋於該第一預定位置中展開袋口並與該入料斗相對，使該吹吸單元能以吹氣的方式將該包裝袋充分展開；以及<br/> 一包裝裝置，包含一真空單元與一熱封單元，該真空單元用以將該包裝袋的空氣抽除並透過該熱封單元將該包裝袋熱壓密封。
如請求項1所述之自動裝填包裝機，更包含一置袋位移載具，能用以將該包裝袋於該第一預定位置與一第二預定位置之間位移。
如請求項2所述之自動裝填包裝機，其中，該第一預定位置為裝填位置，該第二預定位置為包裝位置。
如請求項2所述之自動裝填包裝機，其中，該取袋單元包含一第一吸袋盤與一第一氣壓缸，該第一氣壓缸能驅動該第一吸袋盤在該置袋盒與一入袋口之間的路徑上位移。
如請求項3所述之自動裝填包裝機，其中，該裝填裝置的入料斗包含一檔版與一秤重單元，該秤重單元用以監測一預定的投料重量。
如請求項5所述之自動裝填包裝機，其中，該裝填裝置的抓袋單元包含一第二吸袋盤與一第二氣壓缸，該第二氣壓缸能驅動該第二吸袋盤展開該包裝袋的袋口。
如請求項6所述之自動裝填包裝機，其中，該裝填裝置的吹吸單元包含一吸吹氣棒與一第三氣壓缸，該第三氣壓缸能驅動該吸吹氣棒於一第三預定位置與一第四預定位置之間位移。
如請求項7所述之自動裝填包裝機，其中，該吸吹氣棒於該第三預定位置時，可朝該包裝袋吹氣，該吸吹氣棒於該第四預定位置時，可吸取一乾燥劑或脫氧劑。
如請求項8所述之自動裝填包裝機，其中，該包裝裝置的真空單元包含一吸真空棒、一拉袋撐開片與一第四氣壓缸，該第四氣壓缸能驅動該吸真空棒伸入該包裝袋內以執行吸真空動作，該拉袋撐開片能拉撐該包裝袋的袋口。
如請求項9所述之自動裝填包裝機，其中，該包裝裝置的熱封單元包含一電熱封壓條與一第五氣壓缸，該第五氣壓缸能驅動該電熱封壓條朝該包裝袋的袋口壓合以執行熱封動作。
一種用於連接第一匯流排與第二匯流排的轉接導座，包含： <br/>一殼體，具有一穿孔面； <br/>一電連接部，設置於該殼體內且經配置以電性連接該第一匯流排及該第二匯流排； <br/>一蓋板部，設置於該穿孔面之上且具有經配置以適於一外部裝置的一插槽組；以及 <br/>一導體片，該導體片的一第一端設置於該插槽組內，該導體片的一第二端與該電連接部電性連接。
如請求項1的轉接導座，其中該蓋板部由一絕緣材料所形成。
如請求項1的轉接導座，其中該插槽組與該第一匯流排的一匯流排插槽同側。
如請求項1的轉接導座，其中該第一端的寬度較該第二端寬。
如請求項1的轉接導座，進一步包含： <br/>一導座部，連接於該蓋板部與該殼體之間。
如請求項5的轉接導座，其中該導座部具有一第一結合結構，該蓋板部具有對應該第一結合結構的一第二結合結構。
如請求項5的轉接導座，其中該導體片的至少一部分設置於該導座部內。
如請求項5的轉接導座，其中該導座部使用至少一螺絲鎖附到該殼體上。
如請求項5的轉接導座，其中該導座部中至少一部分以固化材料填充。
一種匯流排系統，包含： <br/>一第一匯流排 <br/>一第二匯流排；以及 <br/>一轉接導座，連接該第一匯流排與該第二匯流排，該轉接導座包含： <br/>一殼體，具有一穿孔面； <br/>一電連接部，設置於該殼體內且經配置以電性連接該第一匯流排及該第二匯流排； <br/>一蓋板部，設置於該穿孔面之上且具有經配置以適於一外部裝置的一插槽組；以及 <br/>一導體片，該導體片的一第一端設置於該插槽組內，該導體片的一第二端與該電連接部電性連接。
一種電源連接器，其包括基座及固定於前述基座內之冠簧端子，其中前述基座具有上下相連之安裝部和筒體，前述冠簧端子收容於前述筒體內，前述安裝部具有在上下方向上相對設置之第一表面和第二表面，前述筒體自前述第一表面向上突伸形成，前述安裝部還具有自前述第一表面向下凹陷形成之定位槽，前述電源連接器還具有固定於前述定位槽內之複數固定件，前述固定件環繞設置於前述筒體之外圍以將電源連接器固定於外部電路板上。
如申請專利範圍第1項所述之電源連接器，其中每一前述固定件具有連接體、位於前述連接體上側之複數第一固定腳及位於前述連接體下側之複數第二固定腳，前述第二固定腳插入並固定於前述定位槽內，前述第一固定腳用以固定於外部電路板。
如申請專利範圍第2項所述之電源連接器，其中每一前述固定件和與其相鄰之兩個固定件均成角度地設置，前述第一固定腳和第二固定腳均呈魚眼狀。
如申請專利範圍第1項所述之電源連接器，其中前述定位槽圍設成矩形之環狀槽，前述筒體在水平面上之投影位於前述定位槽在該水平面上之投影內部。
如申請專利範圍第1項所述之電源連接器，其中前述冠簧端子包括在上下方向上相對設置之一對端部及將前述一對端部相連之複數簧片，前述複數簧片沿週向方向均勻排佈，每一前述簧片之延伸方向與前述冠簧端子之軸向方向不平行地設置以使其呈傾斜狀。
如申請專利範圍第5項所述之電源連接器，其中每一前述簧片具有在其延伸方向上相對設置之第一端和第二端，前述第一端和第二端在上下方向上完全錯開設置，每一前述簧片之第一端至少部分地位於和其間隔一個簧片設置另一個簧片之第二端之週向延伸範圍內。
如申請專利範圍第2項所述之電源連接器，其中前述電源連接器還具有套設於前述筒體外之絕緣蓋體，前述絕緣蓋體具有朝向其軸心方向突出形成之至少一對卡扣凸部，前述筒體設有凹設於其外壁面上之卡扣槽，前述卡扣槽沿前述筒體之週向方向連續地延伸，前述卡扣凸部與前述卡扣槽相配合以將前述絕緣蓋體固定於前述筒體外。
如申請專利範圍第7項所述之電源連接器，其中前述絕緣蓋體包括端蓋及垂直於前述端蓋設置之週向蓋，前述週向蓋具有凸設於其內壁面上之複數凸條，相鄰之兩個卡扣凸部之間設有至少一個前述凸條，每一前述凸條在其遠離前述端蓋之一側具有傾斜設置之導向面。
如申請專利範圍第7項所述之電源連接器，其中前述絕緣蓋體之底端和前述安裝部之第一表面之間形成有間隔空間，前述第一固定腳在上下方向上位於前述間隔空間內。
如申請專利範圍第7項所述之電源連接器，其中前述絕緣蓋體包括端蓋及垂直於前述端蓋設置之週向蓋，前述端蓋設有沿上下方向將其貫穿形成之複數通孔，前述通孔和前述卡扣凸部一一對應地設置，且沿上下方向對齊設置。
一種電連接器，其包括絕緣本體、固持於前述絕緣本體之導電端子及絕緣後塞，前述絕緣本體具有呈縱長狀之主體部，前述主體部包括基部、相對設置於前述基部在高度方向上之兩側之頂壁和底壁，前述導電端子包括安裝於前述頂壁之上排導電端子和安裝於前述底壁之下排導電端子，前述上排導電端子之焊接段沿縱長方向排成一排，前述下排導電端子之焊接段沿縱長方向排成另一排，其中前述基部具有自其後表面向前凹陷形成之限位槽，前述絕緣後塞具有向前突伸之前凸部，前述前凸部自後向前插入前述限位槽內，前述絕緣後塞向上抵接於前述上排導電端子之傾斜段、向下抵接於前述下排導電端子之焊接段。
如申請專利範圍第1項所述之電連接器，其中前述下排導電端子包括在縱長方向上排列之第一端子、第二端子和第三端子，前述第一端子和第二端子設置於前述第三端子在縱長方向上之兩側，前述前凸部在縱長方向上位於前述第三端子之對應設置位置。
如申請專利範圍第2項所述之電連接器，其中每一前述導電端子包括固定於前述絕緣本體內之固持段、位於前述固持段前側且具有彈性之接觸段、位於前述固持段後側之焊接段，前述上排導電端子還具有將前述固持段和焊接段相連之前述傾斜段。
如申請專利範圍第2項所述之電連接器，其中前述限位槽向前凹陷之深度大於前述前凸部在前後方向上之突伸長度之兩倍。
如申請專利範圍第2項所述之電連接器，其中前述絕緣後塞具有向上突出形成之複數第一凸出部，前述複數第一凸出部排列於前述絕緣後塞之前部，前述第一凸出部向前抵接於前述基部之後端面。
如申請專利範圍第5項所述之電連接器，其中前述絕緣後塞還具有向上突出之複數第二凸出部，前述複數第二凸出部排列於前述絕緣後塞之後部，前述上排導電端子相鄰的傾斜段之間設置有一個前述第二凸出部。
如申請專利範圍第3項所述之電連接器，其中前述第一端子和第二端子之焊接段在高度方向上之厚度大於前述第三端子在高度方向上之厚度，前述絕緣後塞具有向下突出形成之第一抵接部和第二抵接部，前述第一抵接部向下抵接於前述第一端子和第二端子，前述第二抵接部向下抵接於前述第三端子。
如申請專利範圍第7項所述之電連接器，其中前述第一抵接部和第二抵接部在前後方向上錯開設置，前述第二抵接部在前後方向上位於前述第一抵接部之前側。
如申請專利範圍第8項所述之電連接器，其中前述下排導電端子還具有將前述固持段和焊接段相連之連接段，前述連接段包括自前述固持段朝向靠近前述傾斜段之方向延伸形成之第一連接部、自前述第一連接部向後延伸形成之水平部及前述水平部之後端向下傾斜延伸形成之第二連接部，前述第三端子之接觸段排列於前述第一、第二端子之接觸段之上側。
如申請專利範圍第1項所述之電連接器，其中前述絕緣本體還具有自前述主體部向後延伸形成之一對安裝部，前述一對安裝部相對設置於前述主體部在前述縱長方向上之兩側，每一前述安裝部設有沿前後方向延伸之導引槽及與前述導引槽交叉連通之卡扣槽，前述絕緣後塞還具有位於前述前凸部兩側之一對導軌及突設於前述導軌外側之卡扣部，前述導軌插入前述導引槽內並在其內滑動直至前述卡扣部與前述卡扣槽相卡扣。
一種晶圓真空吸盤，包括：<br/> 一內載台，具有一內環形溝槽，該內環形溝槽沿該內載台的一邊緣區設置；<br/> 一外載台，圍繞該內載台，且具有一外環形溝槽，其中該內環形溝槽與該外環形溝槽為同心圓設置；以及<br/> 一真空源，連通該內載台的該內環形溝槽與該外載台的該外環形溝槽。
如請求項1所述之晶圓真空吸盤，其中該內載台的一中央區由該邊緣區圍繞，且該中央區的頂面低於該邊緣區的頂面。
如請求項2所述之晶圓真空吸盤，其中該內載台的該中央區無抽氣孔。
如請求項2所述之晶圓真空吸盤，其中該內載台的該中央區具有複數個穿孔，配置以分別供複數個支撐柱穿過。
如請求項4所述之晶圓真空吸盤，其中該內載台的該中央區的底面具有複數個螺絲孔，該些螺絲孔較該些穿孔靠近該內載台的該邊緣區。
如請求項5所述之晶圓真空吸盤，其中該些螺絲孔排列為正多邊形。
如請求項1所述之晶圓真空吸盤，其中該內載台的該邊緣區具有兩承載面，且該內環形溝槽位於該兩承載面之間。
如請求項7所述之晶圓真空吸盤，其中該內載台的該邊緣區的該兩承載面與該外載台的頂面齊平。
如請求項1所述之晶圓真空吸盤，其中該內載台與該外載台之間有間隙。
如請求項1所述之晶圓真空吸盤，其中該真空源配置以對該內環形溝槽與該外環形溝槽提供1.5 kgf至2.5 kgf範圍中的真空吸力。
一種噴射式水輪發電裝置，係至少包含：<br/>一殼體；<br/>一軸體，該軸體係穿設於該殼體；<br/>複數葉片，該等葉片係排列環設於該軸體上並且設於該殼體中；<br/>至少一入水口，該入水口係相對設於該殼體的頂部之一側並與該殼體連通，該入水口可供水流注入該殼體中，且該入水口的端部至少設有一噴嘴，該噴嘴使該入水口的水流以噴射方式進行注入，該水流在注入時可推動該等葉片使該軸體轉動；<br/>一出水口，該出水口係相對穿設於該殼體的底部並與該殼體連通，該出水口可供該殼體中的水流排出；<br/>至少一發電機，該發電機係與該軸體連接，該軸體轉動時可帶動該發電機進行發電。
如請求項1所述之噴射式水輪發電裝置，其中該複數葉片的數量係為三個。
如請求項1所述之噴射式水輪發電裝置，其中該噴嘴係為可調式結構，該可調式結構可調整該噴嘴的孔徑大小，以對應調節該水流在注入時的噴射壓力。
如請求項1所述之噴射式水輪發電裝置，其中該發電機與該軸體係為同軸連接設置。
如請求項1所述之噴射式水輪發電裝置，其中該發電機與該軸體係通過皮帶連接設置。
一種半導體系統，包括：<br/> 一第一黏貼模組，被配置為將一高耐熱膠帶黏貼於一工件的一第一面；<br/> 一薄化模組，被配置為依序執行一薄化製程於該工件的一第二面，其中該第二面相反於該第一面；<br/> 一金屬化模組，被配置為依序執行一金屬化製程於該工件的該第二面，其中於該金屬化製程時，該高耐熱膠帶附著於該工件的該第一面；<br/> 一第二黏貼模組，被配置為依序將一切割膠帶黏貼於該工件的該第二面；以及<br/> 一傳輸模組，被配置於該第一黏貼模組、該薄化模組、該金屬化模組及該第二黏貼模組之間，用於在該第一黏貼模組、該薄化模組、該金屬化模組及該第二黏貼模組之間傳輸該工件。
如請求項1所述之半導體系統，更包括一去膠模組，被配置為將該高耐熱膠帶自該第一面去除，該傳輸模組被配置於該去膠模組及該第二黏貼模組之間以傳輸該工件。
如請求項2所述之半導體系統，更包括一切割模組，被配置為依序對該工件執行一切割製程，該傳輸模組被配置於該去膠模組及該切割模組之間以傳輸該工件。
如請求項3所述之半導體系統，其中該去膠模組被配置為在該第二黏貼模組將該切割膠帶黏貼於該工件後，且在該工件進入該切割模組之前，將該高耐熱膠帶自該工件的第一面去除。
如請求項1所述之半導體系統，更包括一中央控制單元，其電性連接至該第一黏貼模組、該薄化模組、該金屬化模組、該第二黏貼模組及該傳輸模組，用於傳送控制訊號以協調各模組之運作。
如請求項1所述之半導體系統，其中於該切割膠帶黏貼於該工件的該第二面時，該高耐熱膠帶附著於該工件的該第一面。
如請求項1所述之半導體系統，其中該高耐熱膠帶包含依序排列的一底膜、一中間層及一黏合層，該黏合層朝向該第一面。
如請求項7所述之半導體系統，其中該高耐熱膠帶更包含一靜電層，設置於該底膜及該中間層之間。
如請求項1所述之半導體系統，其中在該薄化製程及該金屬化製程依序執行期間，該高耐熱膠帶持續附著於該工件的該第一面。
一種半導體系統，其係用於利用單一膠帶，依序執行一工件的薄化製程及金屬化製程，該半導體系統包括：<br/> 一黏貼模組，被配置為將該膠帶黏貼於一工件的第一面；<br/> 一製程模組，包括一薄化單元及一金屬化單元，該薄化單元及該金屬化單元被配置為在該膠帶持續附著於該工件的該第一面的情況下，依序執行該薄化製程及該金屬化製程；以及<br/> 一傳輸模組，被配置於在該黏貼模組與該製程單元之間以傳輸該工件。
如請求項10所述之半導體系統，更包括一去膠模組，被配置為將該膠帶自該第一面去除，該傳輸模組被配置於該去膠模組及該製程模組之間以傳輸該工件。
如請求項11所述之半導體系統，更包括一切割模組，被配置為依序對該工件執行一切割製程，該傳輸模組被配置於該去膠模組及該切割模組之間以傳輸該工件。
一種磁吸掛繩，包括繩體（10），其特徵在於，所述繩體（10）上連接有第一磁扣（40），所述第一磁扣（40）包括第一公扣（41）和第一母扣（42），所述第一公扣（41）和所述第一母扣（42）可以鎖合在一起並可分離，所述第一公扣（41）設有第一磁性件（413），所述第一母扣（42）設有第二磁性件（424），所述第一磁性件（413）和所述第二磁性件（424）在閉鎖方向上彼此吸引以使得所述第一公扣（41）和所述第一母扣（42）能夠快速鎖合；所述第一公扣（41）和所述第一母扣（42）中的一者與所述繩體（10）連接，另一者用於連接懸掛物；使用時，可通過所述第一公扣（41）和第一母扣（42）的快速鎖合而將懸掛物連接至所述繩體（10），並可通過所述第一公扣（41）和第一母扣（42）的分離而將懸掛物從所述繩體（10）上分離。
如請求項1所說的磁吸掛繩，其特徵在於，在所述繩體（10）與所述第一磁扣（40）之間連接有第一環圈（20），所述繩體（10）的第一端和第二端連接於所述第一環圈（20）上，所述繩體（10）和所述第一環圈（20）形成閉合；所述第一公扣（41）和所述第一母扣（42）其中一者與所述第一環圈（20）相連接。
如請求項2所述的磁吸掛繩，其特徵在於，其還包括第二環圈（30），所述第一公扣（41）和第一母扣（42）中的未與所述第一環圈（20）相連接的一者與所述第二環圈（30）相連接。
如請求項3所述的，其特徵在於，其還包括固定件（50），所述固定件（50）與所述第二環圈（30）連接，所述固定件（50）呈薄狀而可夾持在手機與手機殼之間並從手機殼的通孔中部分穿出以將手機懸掛在所述繩體（10）上。
如請求項3所述的一種磁吸掛繩，其特徵在於，所述第一公扣（41）設有第一連接部（411），所述第一母扣（42）設有第二連接部（421），所述第一環圈（20）和所述第二環圈（30）其中一者與所述第一連接部（411）相連接，另一者與所述第二連接部（421）相連接。
如請求項1所述的一種磁吸掛繩，其特徵在於，所述第一母扣（42）上設有第一釋鎖部（426），用於進行解鎖操作，通過所述第一釋鎖部（426）可使所述第一公扣（41）與第一母扣（42）脫離鎖合而進行分離。
如請求項1所述的一種磁吸掛繩，其特徵在於，所述第一公扣（41）設有凸出的鎖舌（412），所述第一母扣（42）設有可供所述鎖舌（412）插入的鎖孔（422），在所述第一母扣（42）內設有可卡止所述鎖舌（412）的卡鎖件（423），所述鎖舌（412）呈圓柱狀，其上設有沿周向設置的鎖槽（4121），當所述鎖舌（412）插入所述鎖孔（422）中時，所述卡鎖件（423）與所述鎖槽（4121）建立接合而使得第一母扣（42）與第一公扣（41）鎖合連接在一起，且所述第一母扣（42）可相對所述鎖舌（412）進行轉動。
如請求項1所述的一種磁吸掛繩，其特徵在於，所述繩體（10）上還設有第二磁扣（60），所述第二磁扣（60）包括第二公扣和第二母扣，所述第二公扣和所述第二母扣可以鎖合在一起並可分離，所述第二公扣和所述繩體（10）的第三端相連接，所述第二母扣與所述繩體（10）的第四端相連接。
如請求項8所述的一種磁吸掛繩，其特徵在於，所述第二公扣設有第三磁性件，所述第二母扣上設有第四磁性件，所述第三磁性件和所述第四磁性件在所述第二公扣和所述第二母扣的閉鎖方向上彼此吸引，使得所述第二公扣和第二母扣能夠快速鎖合。
如請求項9所述的一種磁吸掛繩，其特徵在於，所述第二母扣上設有第二釋鎖部，用於進行解鎖操作，通過所述第二釋鎖部可使所述第二公扣與第二母扣脫離鎖合而進行分離。
一種擋水板，包括：<br/> 一板體，由ABS或類似之高強度熱塑性材料、金屬材料或高強度複合材料構成；<br/> 至少一橫肋條，設置於該板體之上，且該橫肋條與該板體呈垂直方向延伸，用以強化該板體之受力；以及<br/> 至少一縱肋條，設置於該板體上，且該縱肋條具有弧形或梯形之突出結構，用以消減水流之正向衝擊力並導引水流分散；<br/> 其中，該板體之兩側分別設有對應之燕尾形或倒勾形之溝槽，用以與相鄰之擋水板緊密扣接，以增加整體結構抵抗水壓之強度並防止滲漏。
如請求項1的所述之擋水板，其中該板體之底部設有防滑結構，以增加其在濕滑表面上之穩定性。
如請求項1所述之擋水板，其中該橫肋條之數量及間距係根據預期之水壓強度進行設計。
如請求項1所述之擋水板，其中該縱肋條之數量及突出高度係根據預期之水流衝擊力進行設計。
如請求項1所述之擋水板，其中該溝槽之扣接方式可為卡扣式、滑入式或螺栓固定式。
如請求項1所述之擋水板，其中該擋水板之表面可塗覆有抗腐蝕或抗紫外線之塗層。
如請求項1所述之擋水板，其中該擋水板之材料可為可回收或環保材料。
如請求項1所述之擋水板，進一步包括一防水墊片，設置於該溝槽內，用以增強相鄰擋水板之密封效果。
如請求項1所述之擋水板，其中該板體厚度介於5毫米至20毫米之間。
如請求項1所述之擋水板，進一步包括一加強框架，設置於該板體外周，用以強化擋水板整體之結構剛性。
如請求項1所述之擋水板，其中該板體之內部可中空，並填充發泡材或輕質強化材料，以減輕重量並維持結構強度。
如請求項1所述之擋水板，其中該板體之外表面設有防滑紋路或微細凹凸結構，以防止物體滑倒。
如請求項1所述之擋水板，其中該板體之設計利用水位升高時產生之水壓，將板體向下壓實，並藉由其底部之橡膠貼條或類似之高摩擦力材質，增加與地面之抓地力，從而達到水位越高越穩固之效果。
一種具過載保護機制之插座分接器，包括：<br/> 一插頭組，包含一插頭本體、一第一插頭片與一第二插頭片，其中，該插頭本體係由絕緣材料製成，該第一插頭片與第二插頭片則由導電材料製成，且組裝至該插頭本體上；<br/> 一插座殼體，係由絕緣材料製成，其頂側設有一貫穿孔，其內設有一容納空間，該插座殼體之第一側用以組裝該插頭組，且該第一插頭片與第二插頭片係外露於該插座殼體外，該插座殼體不同於該第一側的至少兩個不同側，分別設有至少一插孔組，其中，該插孔組包含一第一插孔與一第二插孔；<br/> 一第一導電匯流件，係位於該容納空間中，其包含一第一接觸部與複數個第一插座片，其中，該第一接觸部係電氣連接至該第一插頭片，各該第一插座片分別位於各該第一插孔中；<br/> 一第二導電匯流件，係位於該容納空間中，其包含一第二接觸部與複數個第二插座片，其中，各該第二插座片分別位於各該第二插孔中；<br/> 一記憶合金部，係位於該容納空間中，其一端固定至該第二插頭片，且其上設有一活動孔，該記憶合金部對應該貫穿孔且鄰近另一端的內緣延伸設有一延伸片體，該延伸片體朝該記憶合金部的一端方向延伸，且該延伸片體的末端設有一活動接點，該活動接點能通過該活動孔而上下位移；<br/> 一金屬彈片，係位於該容納空間中，其一端連接至該記憶合金部，其另一端則連接至該延伸片體；及<br/> 一按鍵部，係活動地設置於該插座殼體的該貫穿孔中，其頂端外露出該插頭本體外，其底端位於該容納空間中，並對應於該延伸片體的末端位置，以直接或間接壓迫該延伸片體的末端；<br/> 在該插座分接器處於正常工作情況下，該活動接點會位於該記憶合金部的底面外，並電氣連接至該第二接觸部；在該記憶合金部因電流過載而升溫至超過一預定溫度的情況下，該延伸片體本身的變形回復力會迫使該活動接點脫離該第二接觸部，並形成斷路狀態。
如請求項1所述之插座分接器，還包括一復位件，該復位件係位於該容納空間中，其能接觸至該按鍵部，在該按鍵部被按壓而壓迫該復位件的情況下，該復位件會對該按鍵部施加一回復力，使得該按鍵部解除外力的情況下，該復位件能令該按鍵部回復至原始位置。
如請求項2所述之插座分接器，其中，該金屬彈片的截面構型呈C形。
如請求項3所述之插座分接器，其中，該金屬彈片係採用記憶合金材料製成。
如請求項1所述之插座分接器，其中，該插座殼體係由一第一殼體與一第二殼體結合而成。
如請求項1所述之插座分接器，其中，該插座殼體設有至少一樞槽，該插頭本體設有至少一樞軸，且該樞軸能伸入至該樞槽中，使得該插頭組能相對於該插座殼體旋轉。
如請求項1至6任一項所述之插座分接器，其中，該第一導電匯流件與該第二導電匯流件兩者沿垂直軸方向下上排列，且彼此相隔一距離。
一種具有橡皮擦結構之免削鉛筆，包括：<br/> 一筆桿，該筆桿設有一容槽，該容槽具有一第一開口及一第二開口，其中該第一開口及該第二開口之內壁分別具有一第一凸肋與一第二凸肋；<br/> 複數個筆芯單體，該些筆芯單體包含一筆管、一筆芯、一金屬管及一橡皮擦，該橡皮擦內具有一套接部，該些筆芯單體互相串接裝設於該容槽中，並藉由該第一開口裝入及由該第二開口取出，並透過該第一凸肋或該第二凸肋固定於該容槽內；以及<br/> 一套筒部，可套設於該免削鉛筆之該筆桿外周形成一握持結構，以便於握持該免削鉛筆。
如申請專利範圍第1項所述的具有橡皮擦結構之免削鉛筆，其中該筆桿為但不限於透明塑膠、金屬、木材、橡膠、以及複合材料製成。
如申請專利範圍第1項所述的具有橡皮擦結構之免削鉛筆，其中該第二開口具有一弧形缺口用以便於取出最下端該筆芯單體。
如申請專利範圍第1項所述的具有橡皮擦結構之免削鉛筆，其中該筆芯單體藉由該第一開口裝入該容槽或藉由該第二開口自該容槽取出。
如申請專利範圍第1項所述的具有橡皮擦結構之免削鉛筆，其中該金屬管之下部係套接於該筆管。
如申請專利範圍第1項所述的具有橡皮擦結構之免削鉛筆，其中該金屬管上環設有一限位凹槽用以與該第一凸肋或該第二凸肋固定該筆芯單體於該容槽內。
如申請專利範圍第1項所述的具有橡皮擦結構之免削鉛筆，其中該套接部為一管型結構，設置於該橡皮擦中。
如申請專利範圍第1項所述的具有橡皮擦結構之免削鉛筆，其中該套接部之尾端套接另一筆芯單體之該筆芯前端以使該些筆芯單體互相串接。
如申請專利範圍第1項所述的具有橡皮擦結構之免削鉛筆，其中該套筒部具有止滑之功效以便於握筆。
如申請專利範圍第1項所述的具有橡皮擦結構之免削鉛筆，其中該套筒部可下拉遮蔽該筆芯以避免該筆芯受損。
一種氣態二氧化碳供應系統，用於將一液態二氧化碳儲槽中的液態二氧化碳轉化為高純度氣態二氧化碳，包括：<br/> 至少一主動式汽化器，用於提供熱能予所述液態二氧化碳而使其轉化為氣態二氧化碳；<br/> 一第一管路系統，連接於所述液態二氧化碳儲槽與所述主動式汽化器之間；<br/> 一氣體分配系統，連接於所述主動式汽化器的一下游側並用於控制所述氣態二氧化碳的流量；<br/> 至少一純化器，用於對所述氣態二氧化碳進行純化；以及<br/> 一第二管路系統，連接於所述氣體分配系統與所述純化器之間。
如請求項1所述的氣態二氧化碳供應系統，其中所述主動式汽化器的數量為兩個且併聯設置。
如請求項1所述的氣態二氧化碳供應系統，其中該第一管路系統包括一液體輸送管路及至少一設於該液體輸送管路的進料泵。
如請求項3所述的氣態二氧化碳供應系統，其中該液體輸送管路是絕熱的（heat-insulated）。
如請求項1所述的氣態二氧化碳供應系統，其中所述純化器的數量為兩個且併聯設置。
如請求項1所述的氣態二氧化碳供應系統，其中該第二管路系統包括一氣體輸送管路，該氣體輸送管路是熱追蹤的（heat-tracing）。
一種電連接器，包括：<br/> 絕緣本體，前述絕緣本體具有收納空間，前述絕緣本體設有位於前述收納空間的第一卡合部；以及<br/> 第一端子模組，前述第一端子模組至少部分設於前述收納空間，前述第一端子模組設有第二卡合部，前述第二卡合部沿第一方向位於前述第一端子模組的兩個第一側部之間，前述第二卡合部與前述第一卡合部卡接並沿第二方向相互支撐。
如請求項1所述的電連接器，其中，前述第一卡合部包括第一卡槽，前述第二卡合部為自前述第一端子模組沿第三方向延伸的凸起結構。
如請求項2所述的電連接器，其中，前述第一卡槽包括沿前述第二方向相對設置的兩個第一槽面，兩個前述第一槽面用於支撐前述第二卡合部。
如請求項2所述的電連接器，其中，前述第二卡合部設有相對前述第三方向傾斜的第一導引面，前述第一卡槽的開口處設有相對前述第三方向傾斜的第二導引面。
如請求項1所述的電連接器，其中，前述第一端子模組包括第一絕緣塊和設置於前述第一絕緣塊的複數第一端子，前述第一絕緣塊包括兩個前述第一側部和連接兩個前述第一側部一端的第一端部，前述第二卡合部設於前述第一端部的第一抵持台，前述第一抵持台位於前述第一端部的中間區域。
如請求項5所述的電連接器，其中，沿前述第一方向，前述第二卡合部的長度不超過前述第一抵持台的長度。
如請求項5所述的電連接器，其中，前述第一絕緣塊包括連接兩個前述第一側部另一端的第二端部以及位於兩個前述第一側部之間且連接前述第一端部和前述第二端部的第一塊體，前述第一塊體設有第三卡合部，前述絕緣本體設有第一卡口，前述第三卡合部凸伸入前述第一卡口。
如請求項7所述的電連接器，其中，前述第一側部設有第四卡合部，前述絕緣本體設有第一安裝槽，前述第一安裝槽與前述收納空間連通，前述第四卡合部設於前述第一安裝槽。
如請求項7所述的電連接器，其中，前述第一端子模組包括兩個第一屏蔽片，兩個前述第一屏蔽片蓋設於前述第一塊體兩側的前述第一端子。
如請求項9所述的電連接器，其中，前述電連接器包括第二端子模組，前述第二端子模組至少部分設於前述收納空間，前述絕緣本體設有第五卡合部，前述第二端子模組設有第六卡合部，前述第六卡合部沿前述第一方向位於前述第二端子模組的兩個第二側部之間，前述第六卡合部與前述第五卡合部卡接並沿前述第二方向相互支撐。
一種電源連接器，包括：<br/> 一絕緣本體，其內部形成有一對接空間及複數端子槽；以及<br/> 至少一端子組，包括容置於該些端子槽中及具有對接部及焊接部的複數導電端子，該些導電端子包括複數成對的第一端子及第二端子，成對的該第一端子及該第二端子之該對接部容置於同一端子槽中，且成對的該第一端子及該第二端子之該焊接部呈錯位排列。
如請求項1所述之電源連接器，其中成對的該第一端子及該第二端子皆具有位於中央處且固定於該端子槽中的定位部，該定位部朝第一方向延伸有該對接部及朝第二方向延伸有焊接部，且成對的該第一端子及該第二端子由該定位部朝該對接部方向之延伸構造，係為呈大致平行延伸且於末段向內折彎後，再朝外漸擴延伸且於懸空末端朝相對內側形成折彎，而該第一方向及該第二方向約呈垂直角度；成對的該些第一端子及該些第二端子由該些定位部所轉折延伸的該些焊接部係呈等間距排列。
如請求項1所述之電源連接器，其中成對的該第一端子及該第二端子的間距大於相鄰該第一端子或該第二端子的間距。
如請求項3所述之電源連接器，其中該第一端子及該第二端子的該間距及相鄰該第一端子或該第二端子的該間距係以定位部相對內側為基準。
如請求項1所述之電源連接器，其中該至少一端子組係包括具有該第一端子及該第二端子的第一端子組與具有複數成對的第三端子及第四端子的第二端子組，成對的該第三端子及該第四端子之對接部容置於同一端子槽中，且成對的該第三端子及該第四端子之焊接部呈錯位排列，且該第一端子組與該第二端子組係呈上、下排列。
如請求項5所述之電源連接器，其中該第一端子、該第二端子、該第三端子及該第四端子之焊接部形成四個不同位置的錯位排列。
如請求項5所述之電源連接器，其中成對的該第三端子及該第四端子皆具有位於中央處且固定於該端子槽中的定位部，該定位部朝第一方向延伸有該對接部及朝第二方向延伸有焊接部，且成對的該第三端子及該第四端子之該對接部朝外轉折後再朝相對內側形成折彎，且成對的該第三端子及該第四端子由定位部朝該對接部方向之延伸構造，係為呈大致平行延伸且於末段向內折彎後，再朝外漸擴延伸且於懸空末端朝相對內側形成折彎，而該第一方向及該第二方向約呈垂直角度；成對的該些第三端子及該些第四端子由該些定位部所轉折延伸的該些焊接部係呈等間距排列。
如請求項5所述之電源連接器，其中成對的該第三端子及該第四端子的間距大於相鄰該第三端子或該第四端子的間距。
如請求項8所述之電源連接器，其中該第三端子及該第四端子的該間距及相鄰該第三端子或該第四端子的該間距係以定位部相對內側為基準。
如請求項8所述之電源連接器，其中成對的該第三端子及該第四端子於該定位部皆向同一側斜伸有具彈性抵持的一干涉部。
如請求項5所述之電源連接器，其中該第一端子及該第二端子之定位部及該焊接部長度大於該第三端子及該第四端子。
一種浮風式烘豆裝置，包括：<br/> 一底座，其包括有一風機與一通道；<br/> 一加熱裝置，其設置於該通道的內部，且該風機產生一氣流經過該加熱裝置後變為一熱風；<br/> 一筒體，其連接於該通道，該筒體包括有一氣流管路以及一導流板，該導流板設置於該氣流管路的上方，並且該熱風將複數豆子吹進於該氣流管路之一端，接著該些豆子從該氣流管路之另一端吹出，而該導流板限制該些豆子於該筒體內的移動方向，並限制該熱風流動在該導流板之下方的空間；以及<br/> 一出風口，其設置於該筒體的頂部。
如請求項1所述之浮風式烘豆裝置，其中該氣流管路的結構為文丘里管，以便藉由文丘里效應以產生負壓。
如請求項1所述之浮風式烘豆裝置，其中該導流板設置有複數導流葉片，其可根據該熱風的流動方向而自動調整該些導流葉片的傾斜方向。
如請求項1所述之浮風式烘豆裝置，其中該筒體為圓柱體結構，且該筒體的下半部為漸縮式的錐面。
如請求項1所述之浮風式烘豆裝置，其中該導流板之形狀為弧形狀。
如請求項1所述之浮風式烘豆裝置，其中該氣流管路為可拆卸式。
如請求項1所述之浮風式烘豆裝置，其中該些豆子可為咖啡豆、黃豆、紅豆、花生或其他豆類的其中一者。
一種淨水加熱設備，包括：<br/> 一儲熱桶，具有一儲熱入水端及一儲熱出水端；<br/> 一瞬熱管，具有一瞬熱入水端及一瞬熱出水端；<br/> 一水路部，包括一第一水路、一第二水路、一第三水路、一第四水路及一第五水路，所述第一水路連通於一常溫入水口與所述儲熱入水端，所述第二水路連通於所述儲熱出水端與一混水端，所述第三水路連通於所述常溫入水口及所述混水端，所述第四水路連通所述混水端與所述瞬熱入水端，所述第五水路連接於所述瞬熱出水端與一出水口；<br/> 一水路切換部，控制所述水路部的水流方向；以及<br/> 一控制部，電性連接所述水路切換部，所述控制部根據一加熱模式控制所述水路切換部。
如請求項1所述之淨水加熱設備，其中所述水路切換部包括：<br/> 一第一電磁閥，設置於所述第一水路中，並受控於所述控制部用來控制所述常溫入水口與所述儲熱入水端之間的水流；<br/> 一第二電磁閥，設置於所述第三水路中，並受控於所述控制部用來控制所述常溫入水口與所述混水端之間的水流；<br/> 一第三電磁閥，設置於所述第五水路中，並受控於所述控制部用來控制所述瞬熱出水端的水流流經所述出水口或一循環水路；<br/> 其中所述循環水路連通於所述第三電磁閥與所述儲熱入水端。
如請求項2所述之淨水加熱設備，更包括：<br/> 一溫度偵測部，電性連接所述控制部，所述控制部透過所述溫度偵測部取得所述常溫入水口的一常溫溫度、所述儲熱桶的一儲熱水溫、所述瞬熱管的一加熱前溫度及一加熱後溫度及所述出水口的一出水溫度；<br/> 其中所述控制部根據所述溫度偵測部的偵測結果及一出水設定溫度，控制所述淨水加熱設備執行於相對應的加熱模式。
如請求項3所述之淨水加熱設備，其中所述溫度偵測部包括：<br/> 一入口溫度偵測器，設置於所述常溫入水口，並取得所述常溫溫度；<br/> 一第一溫度偵測器，設置於所述儲熱桶，並取得所述儲熱水溫；<br/> 一第二溫度偵測器，設置於所述第四水路，並取得所述加熱前溫度；<br/> 一第三溫度偵測器，設置於所述第五水路，並取得所述加熱後溫度；<br/> 一第四溫度偵測器，設置於所述出水口，並取得所述出水溫度。
如請求項4所述之淨水加熱設備，更包括：<br/> 一馬達部，電性連接所述控制部，並根據所述控制部的控制對所述水流部的水流量進行控制。
如請求項5所述之淨水加熱設備，其中所述馬達部包括：<br/> 一第一馬達，設置於所述常溫入水口，並用來控制所述常溫入水口的一入水流量；<br/> 一第二馬達，設置於所述第二水路，並用來控制所述儲熱桶的一出水流量。
如請求項5所述之淨水加熱設備，更包括：<br/> 一流量計，設置於所述第四水路，所述流量計電性連接所述控制部，所述控制部透過所述流量計的偵測結果取得流經所述第四水路的一水流量。
如請求項1所述之淨水加熱設備，其中所述控制部更包括：<br/> 當一出水設定溫度大於所述儲熱桶的一儲熱水溫時，所述控制部使用的所述加熱模式為一瞬儲熱模式，所述瞬儲熱模式為所述控制部控制根據所述儲熱桶的水位變化選擇性地透過所述常溫入水口取得一常溫水及控制所述第四水路與所述第二水路連通，並控制所述瞬熱管對所述第四水路的水加熱後輸出至所述出水口；<br/> 當所述出水設定溫度等於所述儲熱水溫時，所述控制部使用的所述加熱模式為一儲熱模式，所述儲熱模式為所述控制部控制所述儲熱桶停止透過所述常溫入水口取得所述常溫水及控制所述第四水路僅與所述第二水路連通，並控制所述瞬熱管停止對所述第四水路的水加熱後直接將所述儲熱桶的水輸出至所述出水口；以及<br/> 當所述出水設定溫度小於所述儲熱水溫時，所述控制部使用的所述加熱模式為一混水模式，所述混水模式為所述控制部控制所述儲熱桶停止透過所述常溫入水口取得所述常溫水、控制所述第四水路同時與所述第二水路及所述第三水路連通及控制所述第三水路透過所述常溫入水口取得所述常溫水，使得所述儲熱桶的水與所述常溫水混水後透過所述第四水路後輸出至所述出水口。
如請求項1所述之淨水加熱設備，其中所述控制部更包括：<br/> 當所述儲熱桶的一儲熱水溫與所述常溫入水口的一常溫溫度的溫差小於一預設溫差時，所述控制部使用的所述加熱模式為一瞬熱模式，所述瞬熱模式為所述控制部控制所述第三水路與所述常溫入水口取得連通以取得所述常溫水，且控制所述第四水路僅與所述第三水路連通，並控制所述瞬熱管對所述第四水路的水加熱後輸出至所述出水口；<br/> 當所述儲熱桶的水位低於一預設水位時，所述控制部控制所述儲熱桶透過所述常溫入水口取得一常溫水；<br/> 當所述儲熱桶的所述儲熱水溫低於一預設儲熱溫度時，所述控制部控制所述第四水路僅與所述第二水路連通，並控制所述瞬熱管對所述第四水路的水加熱後，再將所述瞬熱管加熱後的水透過所述循環水路回流至所述儲熱桶。
一種供水系統，包括：<br/> 一具有如請求項1-9中任一項所述的淨水加熱設備；以及<br/> 一濾水設備；<br/> 其中所述濾水設備的一出水口連通所述淨水加熱設備的所述常溫入水口。
一種掛鉤，包括：<br/> 一本體，具有相反之一前側及一後側，該本體具有一主體部、二間隔排列<br/> 的彈臂及一連接部，該二彈臂位於該主體部及該連接部之間，該主體部連接一第一卡扣，該第一卡扣連接該後側，該二彈臂分別連接一個第二卡扣，該二第二卡扣連接該後側；<br/> 一固定單元，連接於該主體部；以及<br/> 該主體部另具有一擋止凸肋，該擋止凸肋位於該後側。
如請求項1所述之掛鉤，其中，該主體部、該二彈臂及該連接部係沿著一縱向排列，該二彈臂係沿著該縱向延伸。
如請求項1所述之掛鉤，其中，該主體部具有相反之一頂端及一連接端，該第一卡扣連接於該頂端，該二彈臂之其中一端係連接於該連接端，該二彈臂之另一端連接於該連接部，該擋止凸肋較該第一卡扣靠近該連接端。
如請求項1所述之掛鉤，其中該擋止凸肋與該第一卡扣間隔一距離。
如請求項1所述之掛鉤，其中，該連接部呈弧形。
如請求項1所述之掛鉤，其中，該連接部與該二彈臂為一體成形。
如請求項1所述之掛鉤，其中，該本體及該固定單元為一體成形。
如請求項1所述之掛鉤，其中，該主體部另具有一連接凸肋，該連接凸肋自該後側凸出，該連接凸肋之其中一端連接於該第一卡扣，該連接凸肋之另一端連接該擋止凸肋。
如請求項1所述之掛鉤，其中，該二彈臂之其中一側具有一按壓部，該二按壓部具有一曲線側緣，該曲線側緣係圓滑且呈弧狀。
如請求項8所述之掛鉤，其中，該連接凸肋之延伸方向與該擋止凸肋之延伸方向相互垂直。
一種汽車防泡水結構，其主要係包括有固定導引座及防水袋；其中：<br/> 該固定導引座，其呈兩相對應設置於地面，於兩該固定導引座之間可供汽車行駛進入，於兩該固定導引座內側則皆設置有下定位件；<br/> 該防水袋，令其開口朝向一端而鋪設於兩該固定導引座之間，於該防水袋上端兩側設有扣設件，該扣設件在該防水袋平鋪時供與該下定位件扣設定位，而當將該防水袋向上抬起後，該扣設件則供與高處之上定位件進行扣設定位，以讓該汽車由該開口處行駛進入該防水袋內，再將該防水袋之該開口進行封閉，防止該汽車在淹水時有泡水情況發生。
如請求項1所述汽車防泡水結構，其中，該固定導引座上端設有至少一發光源。
如請求項2所述汽車防泡水結構，其中，該發光源為LED燈。
如請求項1所述汽車防泡水結構，其中，該防水袋於至少三面設置有充氣夾層，且對應該充氣夾層設置有充氣孔，以能透過該充氣孔對該充氣夾層進行充氣。
如請求項1或4所述汽車防泡水結構，其中，該防水袋外周緣設有反光條。
如請求項1或4所述汽車防泡水結構，其中，該扣設件設置於天花板。
如請求項1或4所述汽車防泡水結構，其中，該扣設件設置於支撐桿上，該支撐桿插掣於該固定導引座側邊地面上所開設之插掣孔內。
一種氣動工具的降噪結構，包含有：<br/> 一本體，以鑄造一體成型，具有一容室以及一進氣流道，該容室與該進氣流道相連通；<br/> 一消音管，內部形成有一排氣流道，該本體鑄造成型時，該消音管係被埋設於該本體內，且該消音管的排氣流道一端與該容室相連通，另一端與該本體外側相連通；<br/> 一氣動組件，係設置於該本體的容室內，氣體由該進氣流道流經該容室的氣動組件後，再由該消音管的排氣流道流出。
如請求項1所述之氣動工具的降噪結構，其中：該消音管係為一銅管或銅合金管所構成。
如請求項1所述之氣動工具的降噪結構，其中：該本體係形成有一頭部以及一握把，該容室係設置於該頭部內，該進氣流道與該消音管係設置於該握把內。
如請求項3所述之氣動工具的降噪結構，其中：該握把上更設置有一扳機，該扳機可啟閉該進氣流道與該容室之間。
如請求項4所述之氣動工具的降噪結構，其中：於該握把之頂部側邊設置有一第一結合部，該本體於該握把底部設置有一第二結合部；該消音管之兩端外側系分別與該第一結合部以及該第二結合部相結合。
如請求項1或5所述之氣動工具的降噪結構，其中：該消音管外環周設置有一環凸肋，該環凸肋受該本體所包覆。
如請求項1所述之氣動工具的降噪結構，其中：該容室後端設置有一排氣口，該排氣口外側並蓋設有一廢氣蓋，該廢氣蓋可連通該排氣口以及該消音管之排氣流道。
如請求項1所述之氣動工具的降噪結構，其中：更包含有一消音器，該消音器係與該消音管相連接。
一種自動升降旋轉拖把結構，係包括： <br/> 一拖把，所述拖把設有一拖把頭和一拖把桿，該拖把頭設有一固定盤及一升降盤，而該固定盤連接於該拖把桿且能夠旋轉，且該升降盤相對於該固定盤能夠上、下移動，該升降盤可隨該固定盤轉動，而該升降盤與所述固定盤之間具有間隙，且該間隙自該升降盤的中心向外周逐漸減小，該間隙內設有驅動件，而該驅動件位於間隙較大的一端時，則該升降盤位於低位，而該拖把頭旋轉時，該驅動件在離心力的作用下朝外周運動，並驅使間隙增大，使該升降盤上升至高位；以及 <br/> 一拖把桶，所述拖把桶內設有一支撐柱，該支撐柱用於支撐該拖把，使該拖把頭在支撐柱支撐下進行清洗和/或脫水。
如請求項1所述的自動升降旋轉拖把結構，其中，該間隙內設有用於引導該驅動件運動方向的導向槽，而該導向槽設於該升降盤或固定盤，且該導向槽為傾斜設置以構成該間隙與該升降盤的中心向外周逐漸減小的結構。
如請求項1所述的自動升降旋轉拖把結構，其中，該驅動件為球體或塊狀，而該驅動件設有驅動其朝所述間隙較大的一端運動的彈性驅動件，且該固定盤與該升降盤之間設有彈性件，該彈性件驅使間隙保持較小的狀態，以使該升降盤位於低位。
如請求項1所述的自動升降旋轉拖把結構，其中，該拖把桿為手壓旋轉拖把桿，通過手壓桿驅動該固定盤旋轉，或者通過電機驅動所述拖把頭旋轉。
如請求項1至4中任一項所述的自動升降旋轉拖把結構，其中，該升降盤具有空腔，而該固定盤位於該空腔內，且該固定盤具有自該空腔內伸出的凸台，該升降盤設有供該凸台穿出的通孔，而該凸台與該拖把桿活動連接，且該通孔沿軸向延伸有孔壁，該孔壁與所述凸台的側壁貼合，而該孔壁與該側壁皆設有穿口，且該驅動件設有可插入該穿口的定位柱，該驅動件位於該間隙較大的一端時，該定位柱同時插入兩個該穿口內以鎖定所述升降盤。
如請求項1所述的自動升降旋轉拖把結構，其中，該拖把桶設有清水區，而該清水區的上方為工作區，且該清水區內設有可將清水抽至工作區的一抽水泵，經由驅動抽水泵工作的驅動部自清水區內穿出至工作區，該驅動部的上端為該支撐柱；而該拖把能夠支撐於驅動部旋轉工作，且升降盤與驅動部之間設有能夠使兩者周向止轉的一卡合部，於該升降盤位於低位時，該卡合部卡合以驅動抽水泵工作，且該抽水泵將清水抽出並噴灑在拖把上；該升降盤位於高位時，該卡合部脫離卡合，使抽水泵停止工作，而該拖把繼續旋轉以脫水；另該拖把桶還設有一污水區，該污水區與清水區不相通且與工作區連通，於該拖把在工作區操作產生的污水能夠流至該污水區內。
如請求項6所述的自動升降旋轉拖把結構，其中，該抽水泵包括一泵殼及一葉輪，而該葉輪穿套於固設於拖把桶的轉軸且能夠旋轉，且該葉輪具有與其同軸設置的驅動軸，該驅動軸自清水區內穿出構成該驅動部，而該拖把頭具有可供驅動軸插入的一定位孔，且該抽水泵包括活塞泵，該活塞泵連接驅動部，並通過驅動部驅動，而該活塞泵的活塞桿通過連桿與偏心輪樞接，且該偏心輪通過齒輪機構與驅動部連接，該卡合部為設於驅動部外周的凸棱以及設於定位孔內側壁的凹槽，而該凸棱與該凹槽能夠相互咬合以限制驅動軸和升降盤的周向轉動。
如請求項7所述的自動升降旋轉拖把結構，其中，該拖把桶包括上下疊構的一第一桶體及一第二桶體，該位於下方的第一桶體為一清水區，而該位於上方的第二桶體為一工作區，且該第二桶體的外周向下延伸有容納腔，該容納腔為污水區。
如請求項8所述的自動升降旋轉拖把結構，其中，該拖把桶設有一桶體，該桶體內設有一分隔板，而該分隔板將桶體內腔分隔成一清水區及一污水區的，且該清水區上方設有一蓋板，該蓋板上方為工作區。
如請求項1所述的自動升降旋轉拖把結構，其中，該拖把桶內設有用於清洗該拖把的清洗件，而該拖把位於低位清洗時，該清洗件與該拖把的擦拭物接觸以對其進行清洗，且該清洗件包括清洗刮板、清洗刷或可沿其軸線旋轉的輥筒。
一種氣壓錶裝置，包括：<br/> 一筒體，包括一氣口；<br/> 一活塞，沿一第一軸線可移動地設置於該筒體內，該活塞包括相對的一第一端、一第二端及位於該第一端與該第二端之間且沿著該第一軸線延伸的一齒條，該第一端位於該氣口旁；<br/> 一彈性件，設置於該筒體內且抵接於該活塞的該第二端；<br/> 一轉軸，沿一第二軸線可轉動地穿設於該筒體，該轉軸包括位於該筒體內的一環狀齒部及伸出於該筒體的一端部，其中該環狀齒部嚙合於該齒條；<br/> 一刻度盤，位於該筒體外，且該轉軸的該端部穿出於該刻度盤的中心；以及<br/> 一指針，連接於該轉軸的該端部且位於該刻度盤上方，<br/> 其中當氣體從該氣口進入該筒體時，該活塞被推動而沿著該第一軸線移動，而使該彈性件被壓縮，該活塞的該齒條帶動該轉軸沿該第二軸線轉動，以使該指針相對於該刻度盤轉動，而指示出對應的氣壓值。
如請求項1所述的氣壓錶裝置，其中該活塞包括位於該第一端與該第二端之間的一限位件，該齒條朝向該限位件且與該限位件之間存在一穿槽，該轉軸穿設於該穿槽，該限位件抵接於該轉軸，以使該轉軸的該環狀齒部在該活塞移動的過程中持續嚙合於該齒條。
如請求項2所述的氣壓錶裝置，其中該筒體包括一第一穿孔及一第二穿孔，該轉軸包括依序排列的一帽部、一第一段部、該環狀齒部、一第二段部及該端部，該帽部位於該筒體外，該帽部的尺寸大於該第一穿孔的尺寸，該第一段部穿設於該第一穿孔，該限位件抵接於該轉軸的該第一段部，該第二段部穿設於該第二穿孔，該端部的尺寸小於該第二穿孔的尺寸。
如請求項1所述的氣壓錶裝置，其中該活塞的該第二端呈現圓弧形與割線組合的形狀，而存在一平台，該筒體內具有對應該平台的一平面，而使該活塞僅在該筒體內沿該第一軸線移動。
如請求項1所述的氣壓錶裝置，更包括一蓋體，該蓋體設有一三角形的調校孔，其中該筒體包括遠離該氣口的一開口，該蓋體螺接於該筒體而封閉該開口，該彈性件抵接於該蓋體與該活塞的該第二端之間，調整該蓋體螺接於該筒體的深度，以調整該彈性件的壓縮量。
如請求項1所述的氣壓錶裝置，更包括一底盤，連接於該筒體且位於該筒體與該刻度盤之間，其中該轉軸穿過該底盤，該刻度盤可拆卸地設置於該底盤。
如請求項6所述的氣壓錶裝置，其中該底盤包括一正多邊形的中心卡榫，該刻度盤包括對應於該卡榫的一正多邊形的中心孔。
如請求項6所述的氣壓錶裝置，其中該底盤與該筒體為一體。
如請求項1所述的氣壓錶裝置，更包括一密封圈，套設於該活塞的第一端且抵接於該筒體的內壁面，其中該密封圈的剖面呈圓形。
如請求項1所述的氣壓錶裝置，更包括一氣嘴及一卡扣，其中該氣嘴凸出地設置於該筒體且連通該氣口，該卡扣設置於該氣嘴旁，用於與一待測氣壓設備連接。
一種環形的間接式氛圍燈，包括：<br/>支架，形成為環形狀，該環形狀的內側周圍形成有光導安裝槽，該支架的一側形成有光源安裝座，並且從該支架的環形切線方向形成延伸槽；<br/>光導，形成為具有對應該光導安裝槽的環形部，該環形部為封閉的環形狀，並且從該環形部的彎曲處沿著切線方向一體成型地形成延伸部，該延伸部的端部形成為入光端面；以及<br/>光源模組，設於該光源安裝座，使該光源模組的LED的出光方向對應該入光端面；<br/>其特徵在於：<br/>該環形部包括：<br/>外環光導，其徑向的外側表面形成為不規則形狀的反射面，該延伸部沿著該外環光導的切線方向延伸；以及<br/>內環光導，一體成型地結合於該外環光導的徑向內側，該內環光導相對於該反射面的一面形成為出光面；<br/>其中，光線通過該入光端面進入該外環光導傳導時，該光線的一部分通過該外環光導的該反射面進入該內環光導，從而間接地使該內環光導發光。
如請求項1所述之環形的間接式氛圍燈，其中，該支架形成為圓形狀，並且該光導的該環形部也形成為對應的圓形狀。
如請求項2所述之環形的間接式氛圍燈，其中，該反射面由複數個大小不等的矩形平面所構成。
如請求項3所述之環形的間接式氛圍燈，其中，以該延伸部和該外環光導的連接處的投射光線方向為起點，越接近該連接處的該複數矩形平面的密度越小，反之密度越大。
一種環形的直接式氛圍燈，包括：<br/>透光面罩，形成為環形狀，該環形狀的內側周圍形成有光導安裝槽，該透光面罩的一側形成有光源安裝座；<br/>光導，形成為具有對應該光導安裝槽的環形部，該環形部為封閉的環形狀，並且從該環形部的彎曲處沿著切線方向一體成型地形成延伸部，該延伸部的端部形成為入光端面；以及<br/>光源模組，設於該光源安裝座，使該光源模組的LED的出光方向對應該入光端面。
如請求項1所述之環形的直接式氛圍燈，其中，該透光面罩形成為矩形的環形狀或圓形的環形狀，並且該光導的該環形部也形成為對應的矩形的環形狀或圓形的環形狀。
一種環形的導光板式氛圍燈，包括：<br/>底座，具有環形盤座，該環形盤座形成有環形槽；<br/>導光板，具有對應該環形槽的導光板體，沿著該導光板體側邊的切線方向一體延伸有導光條，該導光條的端面作為供光線進入該導光條的入光端面，該導光板設於該環形槽內；<br/>透光罩，具有環形罩體，該透光罩與該底座相互組合，使該導光板位於該底座與該透光罩之間；以及<br/>光源模組，連接至該導光條，使該光源模組的LED的出光方向對應該入光端面；<br/>其中，該LED產生的光線通過該入光端面進入該導光條及該導光板傳導而發光。
如請求項1所述之環形的導光板式氛圍燈，其中，<br/>該底座包含二個一體成型地連接在一起的該環形盤座；<br/>該透光罩包含二個一體成型地連接在一起的該環形罩體，以和該底座相互組合；以及<br/>二個分別獨立的該導光板分別設置於該二環形盤座內。
如請求項2所述之環形的導光板式氛圍燈，其中，該底座及該透光罩均形成為「8」字形。
如請求項3所述之環形的導光板式氛圍燈，其中，每一個該環形盤座的側邊均形成有開口，該導光條通過該開口延伸出該底座外。
如請求項4所述之環形的導光板式氛圍燈，其中，該入光端面的徑向端面形狀為梅花形狀。
如請求項5所述之環形的導光板式氛圍燈，其中，該光源模組包括有：<br/>燈座，形成有燈筒，該燈筒的端部形成有燈孔；<br/>電路板，電連接地設有LED及接頭端子，該電路板設於該燈座內，使該LED的出光方向對應該燈孔；<br/>燈蓋，組合於該燈座，使該電路板及該LED容納於該燈座與該燈蓋之間，並且該接頭端子延伸出該燈座。
一種零陳水模組，其特徵在於，採用獨立的模組式結構，零陳水模組的主體為純水箱，所述純水箱採用不規則結構，即所述純水箱通過向內凹陷形成若干個安裝槽，通過所述安裝槽集成安裝有與所述純水箱連通的零陳水管路附件，所述零陳水模組通過零陳水管路附件與外部水路插接。
根據請求項1所述的零陳水模組，其中所述零陳水管路附件包括電磁閥、隔膜泵和單向閥，所述純水箱上設置有純水箱入水口和純水箱出水口，電磁閥出水口與純水箱入水口相連，純水箱出水口與隔膜泵入水口相連，隔膜泵出水口與單向閥入水口相連，所述零陳水模組通過電磁閥入水口和單向閥出水口與外部水路插接。
根據請求項2所述的零陳水模組，其中所述電磁閥設置於純水箱的一角處，其入水口朝外，其出水口朝內，電磁閥出水口與設置於其安裝槽側壁的純水箱入水口對接，所述隔膜泵設置於與電磁閥對角的位置，其入水口和出水口均朝內，隔膜泵入水口與設置於其安裝槽側壁的純水箱出水口對接，所述單向閥設置於與電磁閥軸對稱的一角處，其入水口朝內，其出水口朝外，單向閥入水口與隔膜泵出水口對接，單向閥出水口和電磁閥入水口朝向同側。
根據請求項1所述的零陳水模組，其中所述外部水路通過水路板進行設置，所述水路板上設有零陳水模組入水口和零陳水模組出水口，電磁閥入水口插接於所述零陳水模組入水口，單向閥出水口插接於所述零陳水模組出水口。
根據請求項1所述的零陳水模組，其中所述純水箱的底部側邊設置有連接板。
根據請求項5所述的零陳水模組，其中所述零陳水模組通過所述連接板與濾芯模組相連。
根據請求項1所述的零陳水模組，其中所述純水箱的頂部設置有溢流/排氣口和液位感測器安裝位，液位感測器通過所述液位感測器安裝位安裝於純水箱中。
根據請求項1所述的零陳水模組，其中所述純水箱由純水箱箱體和純水箱蓋板組成，純水箱箱體和純水箱蓋板之間設有密封圈。
根據請求項8所述的零陳水模組，其中所述純水箱箱體的上開口設置有箱體凸耳，所述純水箱蓋板的邊緣設置有與所述箱體凸耳配合安裝的蓋板凸耳。
一種淨水機，其特徵在於，包括請求項1至9中任意一項所述的零陳水模組，所述零陳水模組連接該淨水機。
一種攝像模組，其包括：<br/> 一殼體（100），該殼體（100）開設有一鏡頭孔（110）；<br/> 一攝像頭（200），該攝像頭（200）的一端設於該殼體（100）內，另一端由該鏡頭孔（110）伸出該殼體（100）；<br/> 一防抖驅動機構（300），包括在一第一方向（Z）上相對設置的一磁鐵組件（310）和一線圈組件（320），該攝像頭（200）連接於該磁鐵組件（310）和該線圈組件（320）兩者中的其中一者，該磁鐵組件（310）和該線圈組件（320）兩者中的另一者連接於該殼體（100）；該磁鐵組件（310）包括一呈環狀的海爾貝克陣列，該海爾貝克陣列套設於該攝像頭（200）；該線圈組件（320）設於該海爾貝克陣列的磁場增強側，且該線圈組件（320）包括多個防抖線圈（321），多個該防抖線圈（321）沿該攝像頭（200）的圓周方向間隔設置在該攝像頭（200）的外圍；每個該防抖線圈（321）均被配置為與該海爾貝克陣列相互配合，以驅動該磁鐵組件（310）與該線圈組件（320）在該攝像頭（200）的防抖方向發生相對運動；其中，該第一方向（Z）為該殼體（100）的厚度方向。
如請求項1所述的攝像模組，其中，該海爾貝克陣列包括同層設置的多個第一主磁鐵（311）、多個第二主磁鐵（312）及多個副磁鐵（313），該第一主磁鐵（311）與該第二主磁鐵（312）的極性相反，且多個該第一主磁鐵（311）與多個該第二主磁鐵（312）沿該海爾貝克陣列的環向交替設置，在該海爾貝克陣列的環向上任意相鄰的該第一主磁鐵（311）和該第二主磁鐵（312）之間設有該副磁鐵（313），該第一主磁鐵（311）、該第二主磁鐵（312）及該副磁鐵（313）相互配合形成該海爾貝克陣列。
如請求項2所述的攝像模組，其中，該第一主磁鐵（311）的磁化方向與該第二主磁鐵（312）的磁化方向相反，位於該第一主磁鐵（311）和該第二主磁鐵（312）之間的該副磁鐵（313）的磁化方向為朝向該第一主磁鐵（311）的方向。
如請求項3所述的攝像模組，其中，該殼體（100）設有一第一殼壁（120），該第一殼壁（120）設有該鏡頭孔（110），該第一主磁鐵（311）的磁化方向為該第一主磁鐵（311）指向該第一殼壁（120）的方向，該防抖線圈（321）設於該副磁鐵（313）朝向該第一殼壁（120）的一側。
如請求項2所述的攝像模組，其中，該副磁鐵（313）與相鄰的該第一主磁鐵（311）接觸；和/或，該副磁鐵（313）與相鄰的該第二主磁鐵（312）接觸。
如請求項2所述的攝像模組，其中，該第一主磁鐵（311）具有呈夾角設置的一第一端面（3111）和一第二端面（3112），與該第一主磁鐵（311）相鄰的該副磁鐵（313）具有一第三端面（3131）和一第一側面（3132），該第一端面（3111）與該第三端面（3131）平行且接觸，該第二端面（3112）與該第一側面（3132）共面；<br/> 和/或，<br/> 該第二主磁鐵（312）具有呈夾角設置的一第四端面（3121）和一第五端面（3122），與該第二主磁鐵（312）相鄰的該副磁鐵（313）具有一第六端面（3133）和一第一側面（3132），該第四端面（3121）與該第六端面（3133）平行且接觸，該第五端面（3122）與該第一側面（3132）共面。
如請求項2所述的攝像模組，其中，該防抖線圈（321）與該副磁鐵（313）數量相同且一一對應；該防抖線圈（321）沿該第一方向（Z）在一特徵平面上的投影為一第一投影，與該防抖線圈（321）對應的該副磁鐵（313）相鄰的該第一主磁鐵（311）沿該第一方向（Z）在該特徵平面上的投影為一第二投影，該第一投影與該第二投影至少部分重合；其中，該特徵平面為垂直於該第一方向（Z）的平面。
如請求項2所述的攝像模組，其中，該防抖線圈（321）與該副磁鐵（313）數量相同且一一對應；該防抖線圈（321）沿該第一方向（Z）在一特徵平面上的投影為一第一投影，與該防抖線圈（321）對應的該副磁鐵（313）相鄰的該第二主磁鐵（312）沿該第一方向（Z）在該特徵平面上的投影為一第三投影，該第一投影與該第三投影至少部分重合；其中，該特徵平面為垂直於該第一方向（Z）的平面。
如請求項2所述的攝像模組，其中，該防抖線圈（321）與該副磁鐵（313）數量相同且一一對應；該防抖線圈（321）沿該第一方向（Z）在一特徵平面上的投影為一第一投影，與該防抖線圈（321）對應的該副磁鐵（313）沿該第一方向（Z）在該特徵平面上的投影為一第四投影，該第一投影與該第四投影至少部分重合；其中，該特徵平面為垂直於該第一方向（Z）的平面。
如請求項2所述的攝像模組，其中，該第一主磁鐵（311）在該海爾貝克陣列的環向上的長度大於該副磁鐵（313）在該海爾貝克陣列的環向上的長度；和/或，該第二主磁鐵（312）在該海爾貝克陣列的環向上的長度大於該副磁鐵（313）在該海爾貝克陣列的環向上的長度；和/或，該第一主磁鐵（311）在該海爾貝克陣列的環向上的長度等於該第二主磁鐵（312）在該海爾貝克陣列的環向上的長度。
如請求項1所述的攝像模組，其中，該線圈組件（320）包括在一第二方向（X）上相對設置的一第一防抖線圈（322）、一第二防抖線圈（323）以及在一第三方向（Y）上相對設置的一第三防抖線圈（324）、一第四防抖線圈（325）；<br/> 該第一防抖線圈（322）與該第二防抖線圈（323）被配置為提供該線圈組件（320）與該磁鐵組件（310）在該第三方向（Y）上相對運動的驅動力；該第三防抖線圈（324）與該第四防抖線圈（325）被配置為提供該線圈組件（320）與該磁鐵組件（310）在該第二方向（X）上相對運動的驅動力；該第一防抖線圈（322）、該第二防抖線圈（323）、該第三防抖線圈（324）以及該第四防抖線圈（325）相互配合以驅動該線圈組件（320）與該磁鐵組件（310）相對轉動。
如請求項2所述的攝像模組，其中，該攝像模組還包括懸置於該殼體（100）內的一支撐結構（400），該磁鐵組件（310）或該線圈組件（320）連接於該支撐結構（400）；該支撐結構（400）設置有一延伸部（410），該延伸部（410）設有一安裝孔（411），該攝像頭（200）安裝於該安裝孔（411）；該磁鐵組件（310）套設於該延伸部（410）的外周。
如請求項12所述的攝像模組，其中，該延伸部（410）朝向該磁鐵組件（310）的表面為一傾斜面；和/或，該延伸部（410）包括與該第一主磁鐵（311）相對設置的一第一側面（412）、與該第二主磁鐵（312）相對設置的一第二側面（413）以及與該副磁鐵（313）相對設置的一第三側面（414），該第一側面（412）、該第二側面（413）及該第三側面（414）均為一平面。
如請求項1所述的攝像模組，其中，該防抖線圈（321）與該攝像頭（200）間隔設置，且該防抖線圈（321）朝向該攝像頭（200）的表面為一呈內凹狀的避讓曲面（3211）。
一種電子設備，其包括一如請求項1至14中任一項所述的攝像模組。
一種包含獐牙菜苦苷、北極海藻與海紫菀油萃取物形成之複合植物萃取物的微脂粒護膚包埋結構，其包含：<br/> 一外層，該外層形成一中空球狀結構；<br/> 一內層，該內層係由該中空球狀結構的內部空間所界定而成，其中<br/> 該外層係由一微脂體所構成，而該內層包含有獐牙菜苦苷、北極海藻與海紫菀油萃取物形成之該複合植物萃取物。
如請求項1所述之微脂粒護膚包埋結構，其中該微脂體係由卵磷脂與膽固醇形成之雙層膜結構，且磷脂：膽固醇莫耳比為1:0.3～1:0.5。
如請求項1或請求項2所述之微脂粒護膚包埋結構，其中該微脂粒護膚包埋結構的粒徑為80～150 nm，PDI≤0.30，且ζ電位絕對值≥25 mV。
如請求項1所述之微脂粒護膚包埋結構，其中該微脂粒護膚包埋結構的包封效率為EE%≥70%。
如請求項1所述之微脂粒護膚包埋結構，其進一步包含甘油、防腐劑、乳化劑與抗氧化劑包埋於該內層中。
如請求項1所述之微脂粒護膚包埋結構，其中該微脂粒護膚包埋結構係以薄膜水合與高壓均質法製得。
如請求項1所述之微脂粒護膚包埋結構，其中該微脂粒護膚包埋結構可用於微脂粒分散液、凝膠、乳霜或精華液等劑型中。
如請求項1所述之微脂粒護膚包埋結構，其中該微脂粒護膚包埋結構分散於化妝品可接受之載體中以形成一皮膚外用品。
如請求項8所述之微脂粒護膚包埋結構，其中該皮膚外用品可為化妝品、保養品或防曬品。
一種具有閥門的扁刷，其係包含有：<br/>一扁形的塗抹頭，該塗抹頭係軸向設置一通孔；<br/>一頸套，該頸套為中空狀且一端形成一套束段，該套束段係供該塗抹頭套入，而另一端形成一套合段，且該套合段之端緣係外擴為一外周部；<br/>一活塞桿，該活塞桿係軸向貫設一貫槽，該貫槽係與該通孔相連通，該活塞桿係由一凸緣盤朝向一端延伸設置一固定段及另一端延伸設置一桿身而成，該頸套之該外周部的內壁面係貼抵於該凸緣盤，該固定段係供該塗抹頭一端卡設；<br/>一軸套，該軸套一端係軸向開設一容置槽，該桿身係套合於該容置槽，該軸套具有一軸身，該軸身一端漸縮形成一環底部，另一端外緣擴增為一環周部，該環底部之周緣開設至少一入料口，該入料口係與該容置槽相通。
如請求項1所述之具有閥門的扁刷，其中，該塗抹頭係為扁形海綿頭。
如請求項1所述之具有閥門的扁刷，其中，該塗抹頭係為扁形毛刷。
如請求項3所述之具有閥門的扁刷，其中，該塗抹頭具有一塗抹段與一熔固段，該塗抹段之部分係外露於該頸套，該熔固段設有該通孔。
如請求項1所述之具有閥門的扁刷，其中，該活塞桿之該固定段內部沿該貫槽方向係延伸一中空柱體，該中空柱體設置一貫孔，該貫孔係與該貫槽及該通孔相連通。
如請求項1所述之具有閥門的扁刷，其中，該套合段之內壁面設置一環凸緣，且該固定段之外緣係間隔擴增有一第一定位部及一第二定位部，該環凸緣係卡抵於該第一定位部之下緣。
如請求項6所述之具有閥門的扁刷，其中，該套合段之內壁面設置至少一凸條，該第一定位部與該第二定位部之周圍係分別凹設至少一第一定位槽與一第二定位槽，該第一定位槽與該第二定位槽係供限制並定位該凸條。
如請求項1所述之具有閥門的扁刷，其中，該桿身之外表面鄰近該凸緣盤係環設有一擋止環，該軸身之內壁面於靠近該入料口位置係環設有一限位部，該限位部係卡抵於該桿身之外壁面。
如請求項8所述之具有閥門的扁刷，其中，還包含一彈性件，該彈性件係套設於該活塞桿之該桿身，且位於該擋止環與該限位部之間。
如請求項1所述之具有閥門的扁刷，其中，還包含一外蓋及一裝有化妝液之瓶體，該外蓋一端內壁面設有一螺合部，並形成有一迫壓緣，該瓶體一端軸向設有一開口，該軸套係套設於該開口內緣，使該環周部抵止於該開口端面，而該開口外緣設有一螺紋部，該螺紋部係與該外蓋之該螺合部對應螺合，使該外蓋蓋設於該塗抹頭及該頸套。
一種液冷板，其中，包括： <br/> 液冷板體，所述液冷板體設置有封閉腔，所述封閉腔內具有互不相通的導熱內腔和導流通道，所述導流通道環繞設置於所述導熱內腔的外周，所述導熱內腔設置有第一進液口和第一出液口，且所述導熱內腔用於儲存第一冷卻液； <br/> 所述導流通道包括有第一導流段、分佈在所述第一導流段兩側且與所述第一導流段連通的第二導流段，與兩個所述第二導流段另一端相連通的第三導流段和與所述第三導流段連通的且設置於所述導熱內腔下方的導流面，所述第一導流段設置有第二進液口，所述導流面遠離所述第三導流段的一側設置有第二出液口； <br/> 所述導熱內腔和所述導流通道內均設置有若干導流翅片，每個所述導流翅片沿著所述導熱內腔內的冷卻液流動方向設置，相鄰兩個所述導流翅片之間形成擾流通道； <br/> 所述第一導流段和/或所述第三導流段內設置有若干導熱件，所述導熱件橫穿設置於所述第一導流段和/或所述第三導流段內，且所述導熱件的一端穿過所述導熱內腔的側壁至所述導熱內腔內。
如請求項1所述的液冷板，其中，所述導熱內腔包括導熱側壁和導熱底壁，所述導熱內腔通過所述導熱側壁與所述第一導流段、所述第二導流段和所述第三導流段實現導熱和隔離，所述導熱內腔通過所述導熱底壁與所述導流面實現導熱和隔離。
如請求項1所述的液冷板，其中，所述導流面的面積不小於導熱內腔的導熱底壁。
如請求項1所述的液冷板，其中，所述第一導流段、所述第二導流段與所述導熱內腔均位於所述導流面上方，所述第一導流段和第二導流段底部與所述導流面隔離不互通。
如請求項1所述的液冷板，其中，所述導流翅片包括依次連接的第一弧形擾流段和第二弧形擾流段，若干個所述第一弧形擾流段和所述第二弧形擾流段依次且重複連接形成若干彎折擾流部。
如請求項5所述的液冷板，其中，每個所述導流翅片上均設置有導流孔，且所述導流孔均設置在所述第一弧形擾流段或者所述第二弧形擾流段上，且所有導流翅片上的所述導流孔在橫向方向上均處於同一直線上，並將各所述擾流通道相互導通。
如請求項5所述的液冷板，其中，所述第三導流段設有若干個所述導流翅片，且所述導流翅片的高度小於所述第三導流段的高度。
如請求項1所述的液冷板，其中，所述導熱件設置有至少兩個導熱分支，每個所述導熱分支的一端均連接且與所述導熱件延伸至所述導流通道內的一端連接，每個所述導熱分支的另一端為自由端分佈在所述導流通道內。
如請求項1所述的液冷板，其中，所述導熱件在所述液冷板體的高度方向上至少具有兩層，並在高度方向上相互對齊或相互錯位設置，所述第一導流段或所述第三導流段內相互交錯設置形成交叉的網格結構填充設有若干導熱分支。
如請求項1所述的液冷板，其中，所述導熱內腔內的所述導流翅片一端延伸設置有導熱插翅，所述導熱插翅貫穿所述導熱內腔的側壁延伸至所述第一導流段內，且延伸至所述導熱內腔的所述導熱件位於相鄰的兩所述導熱插翅之間，且所述導熱插翅與所述導熱件緊貼設置。
一種液冷板高導熱結構，其中，包括： <br/> 液冷板體，所述液冷板體內具有互不相通的導熱內腔和導熱外腔，所述導熱外腔環繞於所述導熱內腔，且所述導熱內腔用於儲存第一冷卻液； <br/> 所述導熱外腔包括有進液通道，所述進液通道設置有進液口，所述進液通道與所述導熱內腔的一側連接且互不連通； <br/> 若干導熱件，所述導熱件橫穿設置於進液通道內，且所述導熱件的一端穿過所述導熱內腔的側壁至所述導熱內腔內。
如請求項1所述的液冷板高導熱結構，其中，相鄰的所述導熱件之間相互傾斜並交叉設置。
如請求項1所述的液冷板高導熱結構，其中，所述導熱件設置有至少兩個導熱分支，每個所述導熱分支的一端均連接且與所述導熱件延伸至所述進液通道內的一端連接，每個所述導熱分支的另一端為自由端分佈在所述進液通道內。
如請求項3所述的液冷板高導熱結構，其中，所述導熱件在所述液冷板體的高度方向上至少具有兩層，並在高度方向上相互對齊或相互錯位設置，若干所述導熱分支相互交錯設置形成交叉的網格結構填充在所述進液通道內。
如請求項1所述的液冷板高導熱結構，其中，所述液冷板體包括外周壁和內周壁，所述內周壁圍合形成所述導熱內腔，所述外周壁和所述內周壁共同圍合形成所述導熱外腔。
如請求項3所述的液冷板高導熱結構，其中，所述導熱件還包括導熱主管，所述導熱主管與至少兩個所述導熱分支相連，且所述導熱主管貫穿於所述內周壁並凸出於所述導熱內腔，至少兩個所述導熱分支連接於所述外周壁。
如請求項1所述的液冷板高導熱結構，其中，所述導熱內腔具有輸入通道和輸出通道，所述輸入通道和所述輸出通道的第一端共同連通至所述導熱內腔內，第二端共同伸出至所述液冷板外。
如請求項7所述的液冷板高導熱結構，其中，所述輸入通道和所述輸出通道的第一端高於所述導熱內腔的內底面。
如請求項1所述的液冷板高導熱結構，其中，所述導熱外腔還包括出液口，所述出液口與所述導熱外腔相連通，且位於所述液冷板體側面。
如請求項3或4所述的液冷板高導熱結構，其中，至少兩個所述導熱分支之間的夾角為10°-45°。
一種液冷板的導流結構，其中，包括： <br/> 設置在所述液冷板內的冷卻液通道，所述冷卻液通道內設置有若干個導流翅片，每個所述導流翅片沿著所述冷卻液通道的冷卻液流動方向設置，所述導流翅片的上、下端分別抵接於所述液冷板的上、下兩個內壁，相鄰兩個所述導流翅片之間設置有所述冷卻液通道，所述導流翅片上設置有導流孔連通兩側的所述冷卻液通道，所述導流翅片設置有依次連接的第一弧形擾流段和第二弧形擾流段，若干個所述第一弧形擾流段和所述第二弧形擾流段依次且重複連接形成若干彎折擾流部。
如請求項1所述的液冷板的導流結構，其中，相鄰兩個所述導流翅片之間的間距為1mm-5.5mm。
如請求項1所述的液冷板的導流結構，其中，所述導流翅片的厚度為0.2mm-2mm。
如請求項1所述的液冷板的導流結構，其中，每個所述導流翅片上均設置有所述導流孔，且所述導流孔均設置在所述第一弧形擾流段或者所述第二弧形擾流段上，且所有導流翅片上的所述導流孔在橫向方向上均處於同一直線上，並將各所述冷卻液通道相互導通。
如請求項4所述的液冷板的導流結構，其中，每個所述導流翅片上具有多個導流孔，多個所述導流孔沿所述導流翅片的長度方向間隔設置。
如請求項1所述的液冷板的導流結構，其中，若干個所述導流翅片的兩端均被構造為封閉結構或敞開結構。
如請求項1所述的液冷板的導流結構，其中，若干個所述第一弧形擾流段和所述第二弧形擾流段依次且重複連接形成波浪形，所述彎折擾流部為波浪的波峰和波穀的連接處。
一種液冷板，其中，包括： <br/> 如請求項1至7中任一項所述的導流結構； <br/> 所述液冷板內具有沿高度方向分隔的第一導熱倉和第二導熱倉，所述第一導熱倉和所述第二導熱倉相互連通且所述第一導熱倉位於所述第二導熱倉上方，若干個所述導流翅片分別設於所述第一導熱倉和所述第二導熱倉內。
如請求項8所述的液冷板，其中，所述第一導熱倉和所述第二導熱倉的連通處形成有導通空間，所述導通空間內設有若干個所述第一弧形擾流段或若干個所述第二弧形擾流段，且所述第一弧形擾流段或所述第二弧形擾流段的高度小於所述導通空間的高度。
如請求項8所述的液冷板，其中，若干個所述導流翅片被所述第一導熱倉和所述第二導熱倉分隔形成為至少兩個導流部，每個所述導流翅片的至少兩個所述導流部在高度方向上一一對應。
一種濾網結構，包括： <br/>一濾網支架，該濾網支架具有一濾網安裝區，該濾網安裝區至少包括一濾網第一安裝區和一濾網第二安裝區，該濾網第一安裝區位於該濾網第二安裝區沿一第一方向的一側；沿一第二方向，該濾網第一安裝區的一延伸長度大於該濾網第二安裝區的一延伸長度；其中，該第一方向和該第二方向垂直；及 <br/>一濾網，其中，該濾網設置在該濾網支架上並具有與該濾網安裝區相適配的形狀。
如請求項1所述的濾網結構，其中，所述濾網至少包括一第一濾網和一第二濾網；該第一濾網設置在該濾網第一安裝區內；該第二濾網設置在該濾網第二安裝區內；沿該第二方向，該第一濾網的長度大於該第二濾網的長度。
如請求項1或2所述的濾網結構，其中，該濾網安裝區還至少包括一濾網第三安裝區。
如請求項3所述的濾網結構，其中，該濾網包括一第三濾網，該第三濾網設置在該濾網第三安裝區內。
如請求項1或2所述的濾網結構，其中，該濾網第一安裝區和該濾網第二安裝區位於同一平面內。
如請求項1或2所述的濾網結構，其中，沿該第二方向的至少一側，該濾網第一安裝區包括一第一側壁，該濾網第二安裝區包括一第二側壁； <br/>沿該第二方向，該第一側壁相對該第二側壁伸出，以共同形成一過渡臺階。
如請求項6所述的濾網結構，其中，該濾網支架還包括一連接壁，該連接壁的相對兩端分別與該第一側壁和該第二側壁對應連接，以與該第一側壁和該第二側壁圍合形成一加強腔。
如請求項7所述的濾網結構，其中，該連接壁為一弧形壁；和/或， <br/>沿一第三方向，該加強腔的至少一側封閉，其中，該第三方向分別和該第一方向和該第二方向垂直。
一種塵盒組件，包括： <br/>一盒體，該盒體具有一第一進風口、一第一出風口和一容納腔，該第一進風口和該第一出風口分別與該容納腔連通，以形成依次流經該第一進風口、該容納腔和該第一出風口的一氣流流動路徑；和 <br/>如請求項1-8中任意一項所述的濾網結構，該濾網結構設置在該容納腔內，且位於該氣流流動路徑上。
如請求項9所述的塵盒組件，其中，該濾網結構設置在該容納腔內，以分隔出位於該濾網結構靠近該第一進風口的一側的一集塵腔；和/或， <br/>該第一出風口位於該濾網第二安裝區背離該濾網第一安裝區的一側，且該第一出風口分別與該濾網第一安裝區和該濾網第二安裝區背離該第一進風口的一側連通。
如請求項9或10所述的塵盒組件，其中，該容納腔具有相互連通的一第一容納區和一第二容納區，該濾網第一安裝區位於該第一容納區內，該濾網第二安裝區位於該第二容納區內； <br/>沿該第二方向，該第一容納區的一延伸長度大於該第二容納區的一延伸長度。
一種清潔設備，包括： <br/>如請求項9至11中任意一項所述的塵盒組件；和 <br/>一風機支架，該風機支架設置在該盒體具有該第一出風口的一側，該風機支架具有一第二進風口和一第二出風口，該第二進風口與該第一出風口連通。
如請求項12所述的清潔設備，其中，該第二進風口至少一側的側壁為一擴容壁體，該擴容壁體朝背離該第二進風口的方向凹陷，以形成一擴容區。
如請求項13所述的清潔設備，其中，該擴容壁體為一弧面和一彎折面的其中之一；和/或 <br/>該第二進風口的側壁面的數量大於或等於4；和/或 <br/>在與該第一出風口平行的一投影面內，該第二進風口的一投影位於該第一出風口的一投影範圍內。
如請求項12-14中任意一項所述的清潔設備，其中，該風機支架具有一第一風道和一第二風道，該第一風道的一側敞開以形成該第二進風口，該第二風道的一側敞開以形成該第二出風口； <br/>該第一風道沿一第四方向延伸，該第二風道沿一第五方向延伸，該第四方向和該第五方向形成第一夾角； <br/>該風機支架包括位於該第一夾角處的一導流面，以引導沿該第一風道流動的至少部分氣流流動至該第二風道中。
如請求項15所述的清潔設備，其中，該導流面為一導流斜面和一導流弧面的其中之一；和/或 <br/>該第一夾角的角度小於或等於90°。
如請求項15所述的清潔設備，其中，該風機支架還包括位於該導流面對側的一側壁面，該導流面和該側壁面間隔形成一第三風道，該第三風道的相對兩端分別與該第一風道和該第二風道連通。
如請求項17所述的清潔設備，其中，該第三風道與該第一風道形成一第二夾角，該第三風道與該第二風道形成一第三夾角，該第二夾角和該第三夾角的角度均大於該第一夾角的角度；和/或 <br/>該風機支架包括一支架底座和一支架上殼，該支架底座具有該導流面，該支架上殼具有該側壁面，該支架底座可拆卸地設置在該支架上殼上，以共同圍合形成該第三風道。
一種液體浸沒式電腦冷卻裝置，其特徵在於，包括：一槽體，以容納冷卻液與散熱鰭片；進行雙向式相變之熱交換；一後蓋板，設置於所述槽體之背面；一氣密結構，設置於所述槽體之上方，以確保缸體內部之氣密與水密性；一I/O總成，配置於所述後蓋板之矩形I/O開孔內。
如請求項1所述之液體浸沒式電腦冷卻裝置，其特徵在於，所述槽體表面設有若干固定孔，相容於市售360mm散熱鰭片，後蓋板及氣密結構固定。
如請求項1所述之液體浸沒式電腦冷卻裝置，其特徵在於，所述氣密結構由以下五個氣密結構件組成：一上PMMA蓋板、一不鏽鋼氣密間隔板、一防水密封圈與二階梯式壓克力框架，其中：所述階梯式壓克力框架與槽體上方框架黏合；所述不鏽鋼氣密間隔板套置於ㄇ型橡膠密封條內，並配置於所述框架之上；藉由法蘭面內六角螺絲與框架之螺紋孔進行壓合固定，以達成氣密效果。
如請求項1所述之液體浸沒式電腦冷卻裝置，其特徵在於，所述後蓋板表面設有：六組水泵，用以循環內外槽體之冷卻器內之蒸餾水；帶走槽體內產生的熱量一矩形I/O開孔，以連結槽體內部主機板I O延伸至槽體外；六個內冷排水管線開孔，以連接外部水泵與冷卻器；鎖固孔洞，內埋螺母，並配合水泵間隔柱及水泵固定螺絲，以架高並固定所述六組水泵。
如請求項1所述之液體浸沒式電腦冷卻裝置，其特徵在於，該裝置進一步結合雙相浸沒式液體冷卻技術，藉由冷卻液之蒸發與冷凝過程吸收機器運作所產生之熱能，以提升散熱效率，並配置：一洩壓控制單元，以調節槽體內部壓力並確保運轉安全；一液位監測單元，以目視並維持冷卻液之液位高度；一外部換熱器介面，以利冷卻液熱能與外部換熱器進行熱循環交換。
一種天線結構，包括：<br/> 一第一輻射部，具有一饋入點；<br/> 一第二輻射部，耦接至一接地電位，並鄰近於該第一輻射部，其中該第二輻射部係大致沿著該第一輻射部作延伸；<br/> 一第三輻射部，耦接至該第一輻射部；以及<br/> 一載體元件，其中該第一輻射部、該第二輻射部，以及該第三輻射部皆設置於該載體元件上。
如請求項1所述之天線結構，其中該第一輻射部係呈現一第一折線形，該第二輻射部係呈現一第二折線形，而該第二輻射部之長度係大於該第一輻射部之長度。
如請求項1所述之天線結構，其中該第一輻射部包括一第一區段、一第二區段、一第三區段、一第四區段，以及一第五區段，該第一區段和該第二區段之間具有一第一夾角，該第二區段和該第三區段之間具有一第二夾角，該第三區段和該第四區段之間具有一第三夾角，而該第四區段和該第五區段之間具有一第四夾角。
如請求項3所述之天線結構，其中該第一夾角為一直角，而該第二夾角、該第三夾角，以及該第四夾角之每一者各自為一鈍角。
如請求項3所述之天線結構，其中該第二輻射部包括一第六區段、一第七區段、一第八區段、一第九區段、一第十區段，以及一第十一區段，該第六區段和該第七區段之間具有一第五夾角，該第七區段和該第八區段之間具有一第六夾角，該第八區段和該第九區段之間具有一第七夾角，該第九區段和該第十區段之間具有一第八夾角，而該第十區段和該第十一區段之間具有一第九夾角。
如請求項5所述之天線結構，其中該第五夾角為一直角，而該第六夾角、該第七夾角、該第八夾角，以及該第九夾角之每一者各自為一鈍角。
如請求項5所述之天線結構，其中該第一區段與該第六區段之間形成一第一耦合間隙，該第三區段與該第八區段之間形成一第二耦合間隙，而該第五區段與該第十一區段之間形成一第三耦合間隙。
如請求項1所述之天線結構，其中該天線結構涵蓋一第一頻帶和一第二頻帶，該第一頻帶係介於700MHz至960MHz之間，而該第二頻帶係介於1900MHz至2170MHz之間。
如請求項8所述之天線結構，其中該第一輻射部之長度係大致等於該第一頻帶之最高頻率之0.25倍波長。
如請求項8所述之天線結構，其中該第二輻射部之長度係大致等於該第一頻帶之最低頻率之0.25倍波長。
一種長條柔性構件的連接器，包括：<br/> 一環形組件，具有一中心軸且包括一第一連接環與一第二連接環，該第一連接環與該第二連接環係沿該中心軸同軸設置；該第一連接環係由數量相同的複數個第一部與複數個第二部交錯地環繞該中心軸相連而成；該第二連接環係由數量相同的複數個第三部與複數個第四部交錯地環繞該中心軸相連而成；各該第二部與對應的各該第四部可拆卸地結合，於各該第一部與對應的各該第三部之間形成一穿置口；以及<br/> 複數個連接件，各該連接件包括一頸部、一頭部與一套環；各該頸部係桿體且分別穿過對應的各該穿置口，各該頭部連接於各該頸部靠近該中心軸的內端，各該頭部擋止於各該穿置口內端的周緣，各該套環連接於各該頸部背離該中心軸的外端。
如請求項1所述之長條柔性構件的連接器，其中將沿該中心軸的兩方向定義為一第一方向與一第二方向，於該第一連接環定義一第一基準面，該第一基準面垂直於該中心軸，且該第一基準面將該第一連接環分為兩半；各該第一部超過50％的部分沿該第一方向凸出於該第一基準面；各該第二部超過50％的部分沿該第二方向凸出於該第一基準面；<br/> 於該第二連接環定義一第二基準面，該第二基準面垂直於該中心軸，且該第二基準面將該第二連接環分為兩半；各該第三部超過50％的部分沿該第二方向凸出於該第二基準面；各該第四部超過50％的部分沿該第一方向凸出於該第二基準面。
如請求項2所述之長條柔性構件的連接器，其中各該第一部的中間部分形成一第一圓弧板，各該第一圓弧板具有二第一端部；各該第二部的中間部分形成一第二圓弧板，各該第二圓弧板具有二第二端部，各該第二端部分別連接於與其對應的各該第一端部，並且各該第一圓弧板的弧長大於各該第二圓弧板的弧長；<br/> 各該第三部的中間部分形成一第三圓弧板，各該第三圓弧板具有二第三端部；各該第四部的中間部分形成一第四圓弧板，各該第四圓弧板具有二第四端部，各該第四端部分別連接於與其對應的各該第三端部，並且各該第三圓弧板的弧長大於各該第四圓弧板的弧長；各該第一圓弧板的弧長與各該第三圓弧板的弧長相等，並且各該第一圓弧板與各該第三圓弧板係平行地設置。
如請求項3所述之長條柔性構件的連接器，其中各該第二圓弧板具有一第一固定孔，各該第四圓弧板具有一第二固定孔；於各該第一固定孔與對應的各該第二固定孔穿設一第一固定件，以各該第一固定件將各該第二部與各該第四部結合。
如請求項3所述之長條柔性構件的連接器，其中於各該第二圓弧板向內凸出形成一第一凸部，於各該第四圓弧板向內凸出形成一第二凸部；各該第二凸部與對應的各該第一凸部沿該中心軸方向交疊；相鄰的二個第一凸部及與其對應的二個第二凸部擋止於各該頭部的兩側。
如請求項1所述之長條柔性構件的連接器，其中各該頭部係圓盤或圓球。
如請求項2所述之長條柔性構件的連接器，其中配合該第一連接環設有一第一蓋，該第一蓋設有一第一蓋板，該第一蓋板的周緣抵靠於該些第一部，且配合各該第二部於該第一蓋板的周緣分別連接一第一嵌塊，各該第一嵌塊嵌入與其對應的各該第二部相鄰的二個第一部之間，於該第一蓋板的中央形成一第一中間孔；配合該第二連接環設有一第二蓋，該環形組件夾合於該第一蓋與該第二蓋之間，該第二蓋設有一第二蓋板，該第二蓋板的周緣抵靠於該些第三部，且配合各該第四部於該第二蓋板的周緣分別連接一第二嵌塊，各該第二嵌塊嵌入與其對應的各該第四部相鄰的二個第三部之間，於該第二蓋板的中央形成一第二中間孔，於該第一中間孔與該第二中間孔穿設一第二固定件，以該第二固定件將該第一蓋與該第二蓋結合於該環形組件沿該中心軸的兩側。
如請求項7所述之長條柔性構件的連接器，其中於該第一蓋板對應各該頭部形成一第一球面凹槽；於該第二蓋板對應各該頭部形成一第二球面凹槽，各該頭部的相對兩側分別容納於各該第一球面凹槽與各該第二球面凹槽，並且各該頭部可沿各該第一球面凹槽的內壁與各該第二球面凹槽的內壁滑動。
如請求項8所述之長條柔性構件的連接器，其中該第一連接環包括三個第一部與三個第二部；該環形組件具有三個所述的穿置口；該第二連接環包括三個第三部與三個第四部；該些連接件包括三個連接件。
如請求項1所述之長條柔性構件的連接器，其中該第一連接環包括四個第一部與四個第二部；該第二連接環包括四個第三部與四個第四部；該環形組件具有四個所述的穿置口；該些連接件包括二個連接件，且該二連接件分別以各該頸部穿過位於該環形組件相反兩側的二個穿置口。
如請求項1所述之長條柔性構件的連接器，其中該第一連接環包括四個第一部與四個第二部；該第二連接環包括四個第三部與四個第四部；該環形組件具有四個所述的穿置口；該些連接件包括四個連接件。
一種折邊管路之密封墊件結構，包括：複數管路，該等管路的端部具有一折邊，且均固定套接有一法蘭環，該法蘭環具有一環緣部，其特徵在於：該兩管路之間設置有一密封墊件，該密封墊件具有一外緣部及一內緣部，該外緣部一側設有向外延伸一延伸部，該延伸部與該密封墊件之間，形成與該法蘭環之環緣部密封套合之一套合部，藉此，該套合部對該法蘭環形成束縛力向該管路靠攏，以使該密封墊件緊密套合於該法蘭環上，並以此增加該法蘭環與該密封墊件之間的貼合力，且該密封墊件因束縛力能準確地維持緊貼於該管路上，以使該內緣部更密合貼平於該折邊上形成防漏，並在作業時不易掉落。
如請求項1所述之折邊管路之密封墊件結構，其中該密封墊件的形狀與該法蘭環的形狀相匹配呈一環形。
如請求項1所述之折邊管路之密封墊件結構，其中該內緣部二側設置有一防漏部，該防漏部設有一凸抵部，該凸抵部上具有一導斜角，該導斜角能增加與該折邊接觸面積，並使該防漏部更貼合該折邊，以防止該管路之折邊因公差產生凹陷而發生洩漏。
如請求項1所述之折邊管路之密封墊件結構，其中該密封墊件上均勻設有多數個穿孔，該等法蘭環上設有相對應之多數個鎖孔，使該等管路透由該等穿孔與該等鎖孔係以螺絲鎖固方式固定連結。
如請求項1所述之折邊管路之密封墊件結構，其中該套合部係為與該法蘭環相匹配之一環形槽，該環形槽係位於該密封墊件與該法蘭環之環緣部相鄰側上。
如請求項5所述之折邊管路之密封墊件結構，其中該環形槽上設有一導引部，以便於該環形槽套設於該法蘭環之環緣部上。
如請求項3所述之折邊管路之密封墊件結構，其中該防漏部的形狀係為與該折邊的形狀相匹配呈一環形。
一種折邊管路之密封墊件構造，包括：複數管路，該等管路的端部具有一折邊，且均固定套接有一法蘭環，該法蘭環具有一環緣部，其特徵在於：該兩管路之間設置有一密封墊件，該密封墊件具有一外緣部及一內緣部，該外緣部一側設有向外延伸一凸緣部，該凸緣部與該密封墊件之間，形成與該法蘭環之環緣部密封卡合之一抵靠部，藉此，該抵靠部對該法蘭環形成卡合力向該管路靠攏，並使該密封墊件緊密卡合於該法蘭環上，以此增加該法蘭環與該密封墊件之間的貼合力，且該密封墊件能準確地維持緊貼於該管路上，以使該內緣部更密合貼平於該折邊上形成防漏，並在作業時不易掉落。
如請求項1所述之折邊管路之密封墊件構造，其中該密封墊件的形狀與該法蘭環的形狀相匹配呈一環形。
如請求項1所述之折邊管路之密封墊件構造，其中該內緣部設置有一防漏部，該防漏部二側設有一凸抵部，該凸抵部上具有一導斜角，該導斜角能增加與該折邊接觸面積，並使該防漏部更貼合該折邊，以防止該管路之折邊因公差產生凹陷而發生洩漏。
如請求項1所述之折邊管路之密封墊件構造，其中該密封墊件上均勻設有多數個穿孔，該等法蘭環上設有相對應之多數個鎖孔，使該等管路透由該等穿孔與該等鎖孔係以螺絲鎖固方式固定連結。
如請求項1所述之折邊管路之密封墊件構造，其中該凸緣部係為與該法蘭環相匹配之一環形，該環形係位於該密封墊件與該法蘭環之環緣部相鄰側上。
如請求項3所述之折邊管路之密封墊件構造，其中該防漏部的形狀係為與該折邊的形狀相匹配呈一環形。
一種隨身驅蚊儀結構，其特徵在於，包括︰<br/> 一主體，包括一外殼、一底座、一充電電路板、一霧化控制板、至少一電池及至少一導電彈片；其中，該外殼前端設有一噴孔，該底座係設於該外殼底部且於中央呈向上凹陷形狀並對應該噴孔，該外殼內部設有相互電性連接之該充電電路板及該霧化控制板及該電池，該外殼外側設有與該霧化控制板電性連接之一開關，該充電電路板連接設有一USB口，該底座中央呈向上凹陷形狀且至少一側設有與該霧化控制板電性連接之該導電彈片；<br/> 一儲液罐，係設於該主體下端並對應呈向上內凹形狀之該底座，該儲液罐包括一罐殼、一罐蓋、一罐頂封板、至少一側導電彈片、至少一棉棒及一霧化震盪片；其中，該罐殼上端周圍設有對應該主體之該外殼下端之一內縮嵌緣且於內部具有一容液空間，該罐殼上端設有呈凸形狀之該罐蓋，該罐蓋前端設有一內噴孔且於其上端具有該罐頂封板，該罐蓋至少一側設有該側導電彈片且對應該主體設於該底座之該導電彈片；該儲液罐之該罐殼及該罐蓋設有該棉棒，該棉棒包括呈相交錯結合之一第一棉棒及一第二棉棒，該第一棉棒係橫置設於該罐蓋且前端對應該內噴孔，該二棉棒設於該罐殼之該容液空間，該罐蓋位於該內噴孔內部設有一螺絲板且於中央具有對應該內噴孔之一中孔，該螺絲板與該棉棒之該第一棉棒前端設有該霧化震盪片；該儲液罐之該罐蓋一側設有多個微孔，該微孔下端內部設有一內座，該內座內部設有一固定環，該固定環與該微孔間設有一微孔片或是由絲線編織成的細網，該罐殼上端位於該罐蓋另側設有一注液孔且具有內螺牙，該注液孔內部設有一封閉螺絲。
如申請專利範圍第1項所述之隨身驅蚊儀結構，其中，所述主體之該底座中央設有一磁性材料片。
如申請專利範圍第1項所述之隨身驅蚊儀結構，其中，所述主體之該外殼中央設有一凹陷槽，該凹陷槽中央設有一中板且具有至少一穿繩孔。
如申請專利範圍第1項所述之隨身驅蚊儀結構，其中，所述外殼所設之該噴孔設有一導風罩。
如申請專利範圍第1項所述之隨身驅蚊儀結構，其中，所述主體之該外殼內部設有一至多個微麥克風，該外殼相對該微麥克風設有貫通之至少一穿孔。
如申請專利範圍第2項所述之隨身驅蚊儀結構，其中，所述儲液罐之該罐蓋頂部設有一磁性材且對應該主體設於呈向上內凹形狀之該底座之該磁性材料片。
如申請專利範圍第1項所述之隨身驅蚊儀結構，其中，所述固定環外側與該內座內側相對應分別有外螺牙及內螺牙。
如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述之隨身驅蚊儀結構，其中，所述螺絲板與該霧化震盪片間設有一隔離膜。
一種三角斜籬網組件，其包含： <br/>一內斜籬網板，其為三角形片體，該內斜籬網板具有二內側邊及一內底邊； <br/>二內側架，其分別設置於該內斜籬網板的該二內側邊； <br/>一內底架，其設置於該內斜籬網板的該內底邊； <br/>複數內固定件，其分別設置於該二內側架及該內底架。
如請求項1所述之三角斜籬網組件，其中該內斜籬網板貫穿有複數內孔。
如請求項1所述之三角斜籬網組件，其中該內斜籬網板的一側面設置有複數內強化架，各該內強化架的一端連接其中一該內側架，各該內強化架的另一端連接該內底架。
如請求項1所述之三角斜籬網組件，其中各該內固定件為掛勾。
如請求項1至4中任一項所述之三角斜籬網組件，其進一步包含一外斜籬網板、二外側架、二端架及複數外固定件，該外斜籬網板為梯形片體，其具有二外側邊、一外頂邊及一外底邊，該二外側架分別設置於該外斜籬網板的該二外側邊，該二端架分別設置於該外斜籬網板的該外頂邊及該外底邊，各該外固定件設置於該二端架。
如請求項5所述之三角斜籬網組件，其中該外斜籬網板貫穿有複數外孔。
如請求項5所述之三角斜籬網組件，其中該外斜籬網板的一側面設置有複數外強化架，各該外強化架的二端分別連接該二端架。
如請求項5所述之三角斜籬網組件，其中各該外固定件為掛勾。
一種溝槽角度漸變式大流道動壓軸承，包括軸承本體，所述軸承本體內開設有沿其中心軸線延伸貫穿的軸孔；<br/> 所述軸孔的內壁面上環繞所述中心軸線均勻間距地佈置有N個向內凸起的V形凸條，N為大於或等於2的自然數；所述V形凸條具有兩個交匯成V形的凸條，相鄰兩個所述V形凸條之間形成溝槽流道，所述溝槽流道的寬度大於或等於所述凸條的寬度；兩個所述凸條的內側邊均具有朝向所述V形凸條的尖端方向延伸的導流面，所述導流面均由若干級子導流面依次連接構成，且兩個所述凸條上對應位置的同級所述子導流面之間，構成具有設定夾角的導流槽段；沿朝向所述V形凸條的尖端方向，各級所述導流槽段的夾角依次減小。
如請求項1之溝槽角度漸變式大流道動壓軸承，其中，朝向所述V形凸條的尖端方向上，下一級所述子導流面的起始點比上一級所述子導流面的末尾點更靠近所述V形凸條的尖端夾角中線。
如請求項1或2之溝槽角度漸變式大流道動壓軸承，其中，相鄰的所述子導流面之間藉由過渡弧面銜接。
如請求項1之溝槽角度漸變式大流道動壓軸承，其中，所述V形凸條的兩個所述凸條對稱設置。
如請求項1之溝槽角度漸變式大流道動壓軸承，其中，兩個所述凸條的外側邊為斜邊，所述V形凸條的尖端外側邊為遠離內側邊拱起的第一弧形邊，兩個所述凸條的外側邊連接於所述第一弧形邊的兩端。
如請求項5之溝槽角度漸變式大流道動壓軸承，其中，所述V形凸條的尖端內側邊為與所述第一弧形邊同心設置的第二弧形邊，所述第二弧形邊所圍構區域超出靠近所述V形凸條的尖端的一級所述子導流面的同向延伸面，以形成建壓擴充槽。
如請求項1之溝槽角度漸變式大流道動壓軸承，其中，所述軸孔的內壁面上具有兩個沿所述中心軸線延伸方向間距設置的動壓溝槽區，每個所述動壓溝槽區具有N個向內凸起的所述V形凸條。
如請求項7之溝槽角度漸變式大流道動壓軸承，其中，所述軸孔的內壁面上，對應兩個所述動壓溝槽區的靠近端均設置有儲油槽。
如請求項8之溝槽角度漸變式大流道動壓軸承，其中，兩個所述儲油槽間距設置。
一種軸芯軸承組件，包括有軸承本體和軸芯，所述軸承本體為請求項1至9中任一項所述的溝槽角度漸變式大流道動壓軸承，所述軸芯位於所述軸孔內。
一種剎車碟盤，包括：<br/> 一主體，包含有一安裝部與一夾剎部，該安裝部供連接於車體，該夾剎部環設於該安裝部之外側，該夾剎部供剎車機構夾掣；及<br/> 至少一第一散熱鰭部，自該夾剎部一體延伸而出。
如請求項1所述的剎車碟盤，其中該至少一第一散熱鰭部之數量為複數個，該主體定義有一軸向與一徑向，該安裝部與該夾剎部共同界定出沿該軸向延伸之複數貫孔，複數該第一散熱鰭部分別橫設於複數該貫孔，各該第一散熱鰭部係沿該徑向延伸。
如請求項2所述的剎車碟盤，其中於該軸向上，各該第一散熱鰭部未超出該安裝部。
如請求項1所述的剎車碟盤，其中該主體定義有一中心點、一徑向與一周向，該至少一第一散熱鰭部包含有遠離該夾剎部之一側的一第一周緣，該第一周緣沿該徑向至該中心點的距離係隨該周向變化。
如請求項4所述的剎車碟盤，其中該第一周緣沿該徑向至該中心點的距離係隨該周向連續漸縮。
如請求項1所述的剎車碟盤，其中該主體與該至少一第一散熱鰭部係透過電化學加工方式一體成型。
如請求項1至6其中任一項所述的剎車碟盤，另包含有複數第二散熱鰭部，於該夾剎部貫設有複數散熱孔，複數該第二散熱鰭部分別橫設於複數該散熱孔。
如請求項7所述的剎車碟盤，其中於各該散熱孔之開口方向上，各該第二散熱鰭部未超出該夾剎部。
如請求項7所述的剎車碟盤，其中各該第二散熱鰭部之面積小於一該第一散熱鰭部之面積。
如請求項3所述的剎車碟盤，其中該主體另定義有一中心點與一周向，該至少一第一散熱鰭部包含有遠離該夾剎部之一側的一第一周緣，該第一周緣沿該徑向至該中心點的距離係隨該周向變化；該第一周緣沿該徑向至該中心點的距離係隨該周向連續漸縮；該主體與該至少一第一散熱鰭部係透過電化學加工方式一體成型；該剎車碟盤另包含有複數第二散熱鰭部，於該夾剎部貫設有複數散熱孔，複數該第二散熱鰭部分別橫設於複數該散熱孔；於各該散熱孔之開口方向上，各該第二散熱鰭部未超出該夾剎部；各該第二散熱鰭部之面積小於一該第一散熱鰭部之面積；沿該徑向之切面觀之，該第一散熱鰭部與該第二散熱鰭部呈同軸配置；各該第一散熱鰭部之厚度與各該第二散熱鰭部之厚度相等；各該第二散熱鰭部係位於各該散熱孔靠近該安裝部之一側；各該第一散熱鰭部之厚度與該夾剎部之厚度的比值小於0.5；各該第二散熱鰭部包含有遠離該安裝部之一側的一第二周緣，該第二周緣沿該徑向至該中心點的距離係隨該周向連續漸縮，各該第二散熱鰭部之漸縮方向與各該第一散熱鰭部之漸縮方向相同。
一種浸沒式散熱裝置，適於對一電子元件進行散熱，該浸沒式散熱裝置包括：<br/> 一槽體，容納一冷卻液；以及<br/> 一散熱結構，該散熱結構及該電子元件設置於該槽體內且浸沒於該冷卻液中，該散熱結構包括：<br/> 一下殼體，耦接於該電子元件，該下殼體具有彼此連通的一進液口及一第一腔體，該槽體透過一歧管連接於該進液口；以及<br/> 一上殼體，設置於該下殼體之上，該上殼體具有彼此連通的一出液口及一第二腔體，該第二腔體連通於該第一腔體，其中<br/> 該下殼體位於該電子元件及該上殼體之間，且該冷卻液適於自該歧管依序流經該進液口、該第一腔體、該第二腔體及該出液口而流至該槽體中。
如請求項1所述的浸沒式散熱裝置，其中該上殼體對該下殼體的投影完全重疊於該電子元件對該下殼體的投影。
如請求項1所述的浸沒式散熱裝置，其中該散熱結構還包括設置於該第二腔體內的多個散熱鰭片。
如請求項3所述的浸沒式散熱裝置，其中該些散熱鰭片設置的方向平行於該冷卻液流出該出液口的一出液方向。
如請求項1所述的浸沒式散熱裝置，其中該冷卻液流入該進液口的一入液方向平行於該冷卻液流出該出液口的一出液方向。
如請求項5所述的浸沒式散熱裝置，其中該入液方向與該出液方向平行於一重力方向。
如請求項6所述的浸沒式散熱裝置，其中該入液方向相反於該出液方向。
如請求項1所述的浸沒式散熱裝置，其中該下殼體在該進液口的一入液方向上的長度大於該上殼體在該入液方向上的長度。
如請求項1所述的浸沒式散熱裝置，還包括一泵，連接於該槽體及該歧管，該泵適於將自該槽體流出的該冷卻液再導入該槽體中或導向該歧管。
如請求項9所述的浸沒式散熱裝置，還包括一熱交換器，該熱交換器連接於該槽體及該泵，該槽體內的該冷卻液適於流過該熱交換器後，再通過該泵而直接流回該槽體或流向該歧管。
一種光學雷達與影像檢測技術之行車危險偵測系統，包含：<br/> 一攝像鏡頭，安裝於騎行工具前方，用以取得前方道路之即時影像；<br/> 一光學雷達，安裝於騎行工具後方，用以偵測後方環境之距離資訊；<br/> 一運算處理及控制裝置，連接所述攝像鏡頭與光學雷達，用以執行影像檢測與周遭距離資料判斷；<br/> 一警示裝置，當偵測結果為前方道路或周遭存在危險時，以聲響方式提醒使用者狀況。
如請求項1所述之系統，其中該運算處理及控制裝置內含影像辨識功能，用以分析攝像鏡頭影像並檢測路面坑洞、碎石等道路異常。
如請求項1所述之系統，其中該光學雷達可偵測騎行工具周圍一定範圍內之大型車輛距離，並透過運算處理及控制裝置判斷危險。
如請求項1所述之系統，其中該警示裝置能在危險時發出聲響提醒使用者。
一種導電膠帶，包括：<br/> 支撐層；<br/> 黏著層，位於所述支撐層上；以及<br/> 導電層，位於所述黏著層上，其中所述導電層具有第一表面及第二表面，所述第一表面接觸所述黏著層，且所述導電層更包括貫穿所述第一表面與所述第二表面的多個空隙，所述多個空隙允許所述黏著層之一部分穿過所述導電層。
如請求項1所述之導電膠帶，其中當所述導電膠帶被按壓於被黏著物時，部分的所述黏著層穿過所述多個空隙以與所述被黏著物接觸。
如請求項1所述之導電膠帶，其中所述導電層的等效厚度介於10奈米至100奈米。
如請求項1所述之導電膠帶，其中所述導電層之材質包括選自於由金、銀、銅、鉻、鋁、鎳、鐵、鉛及其合金所組成群組中之至少一者。
如請求項1所述之導電膠帶，其中所述導電層包括多個相互合併之核種所形成的導電網絡。
如請求項1所述之導電膠帶，其中所述黏著層之厚度介於10微米至300微米。
如請求項1所述之導電膠帶，其中所述黏著層之材質包括壓克力樹脂、聚氨酯樹脂、環氧樹脂或聚矽氧烷樹脂。
如請求項1所述之導電膠帶，其中所述支撐層之厚度介於12微米至200微米。
如請求項1所述之導電膠帶，其中所述支撐層之材質包括聚對苯二甲酸乙二酯、聚醯亞胺、聚醚醚酮、聚乙烯亞胺、聚醯胺、聚醚碸或聚萘二甲酸乙二醇酯。
如請求項1所述之導電膠帶，更包括離型層，位於所述導電層的所述第二表面上。
一種電子總成，包括：<br/> 一封裝基板，具有一第一面、相對於該第一面的一第二面、位於該第一面的一晶片區及位在該第二面的一基板球墊排列，該基板球墊排列包括：<br/> 一對第一差動訊號基板球墊，包括一第一基板球墊及一第二基板球墊；<br/> 一對第二差動訊號基板球墊，包括一第三基板球墊及一第四基板球墊；<br/> 一對第三差動訊號基板球墊，包括一第五基板球墊及一第六基板球墊；<br/> 一對第四差動訊號基板球墊，包括一第七基板球墊及一第八基板球墊；<br/> 一第一接地基板球墊；<br/> 一第二接地基板球墊，其中<br/> 該第一基板球墊、該第三基板球墊、該第一接地基板球墊、該第五基板球墊及該第七基板球墊沿著該封裝基板的一側緣依序排成一第一基板球墊排，<br/> 該第二基板球墊、該第四基板球墊、該第二接地基板球墊、該第六基板球墊及該第八基板球墊沿著該封裝基板的一側緣依序排成一第二基板球墊排，<br/> 該第一基板球墊位於該封裝基板的該側緣與該第二基板球墊之間，<br/> 該第三基板球墊位於該封裝基板的該側緣與該第四基板球墊之間，<br/> 該第五基板球墊位於該封裝基板的該側緣與該第六基板球墊之間，<br/> 該第七基板球墊位於該封裝基板的該側緣與該第八基板球墊之間，<br/> 該第一接地基板球墊位在該封裝基板的該側緣與該第二接地基板球墊之間，<br/> 該第一基板球墊的極性與該第四基板球墊的極性相同，該第二基板球墊的極性與該第三基板球墊的極性相同，<br/> 該第五基板球墊的極性與該第八基板球墊的極性相同，該第六基板球墊的極性與該第七基板球墊的極性相同；以及<br/> 一積體電路晶片，安裝在該封裝基板的該晶片區，其中該基板球墊排列經由多個導電凸塊與該積體電路晶片電連接。
如請求項1所述的電子總成，其中<br/> 該對第二差動訊號基板球墊作為一對第一傳送差動訊號基板球墊及一對第一接收差動訊號基板球墊其中的一對，<br/> 該對第四差動訊號基板球墊作為該對第一傳送差動訊號基板球墊及該對第一接收差動訊號基板球墊其中的另一對，<br/> 該對第一差動訊號基板球墊作為一對第二傳送差動訊號基板球墊及一對第二接收差動訊號基板球墊其中的一對，<br/> 該對第三差動訊號基板球墊作為該對第二傳送差動訊號基板球墊及該對第二接收差動訊號基板球墊其中的另一對。
如請求項1所述的電子總成，其中<br/> 該對第二差動訊號基板球墊作為一對第一傳送差動訊號基板球墊及一對第二接收差動訊號基板球墊其中的一對，<br/> 該對第四差動訊號基板球墊作為該對第一傳送差動訊號基板球墊及該對第二接收差動訊號基板球墊其中的另一對，<br/> 該對第一差動訊號基板球墊作為一對第二傳送差動訊號基板球墊及一對第一接收差動訊號基板球墊其中的一對，<br/> 該對第三差動訊號基板球墊作為該對第二傳送差動訊號基板球墊及該對第一接收差動訊號基板球墊其中的另一對。
如請求項1所述的電子總成，其中該封裝基板更具有位在該晶片區的一基板凸塊墊排列，該基板凸塊墊排列經由多個導電凸塊與該積體電路晶片電連接，該基板凸塊墊排列包括：<br/> 一對第一差動訊號基板凸塊墊，包括一第一基板凸塊墊及一第二基板凸塊墊；<br/> 一對第二差動訊號基板凸塊墊，包括一第三基板凸塊墊及一第四基板凸塊墊；<br/> 一對第三差動訊號基板凸塊墊，包括一第五基板凸塊墊及一第六基板凸塊墊；<br/> 一對第四差動訊號基板凸塊墊，包括一第七基板凸塊墊及一第八基板凸塊墊，其中<br/> 該第一基板凸塊墊、該第二基板凸塊墊、該第三基板凸塊墊及該第四基板凸塊墊沿著該封裝基板的該晶片區的一側緣依序排成一第一基板凸塊墊排，<br/> 該第五基板凸塊墊、該第六基板凸塊墊、該第七基板凸塊墊及該第八基板凸塊墊沿著該封裝基板的該晶片區的的該側緣依序排成一第二基板凸塊墊排，<br/> 該第一基板凸塊墊位於該封裝基板的該晶片區的該側緣與該第五基板凸塊墊之間，<br/> 該第二基板凸塊墊位於該封裝基板的該晶片區的該側緣與該第六基板凸塊墊之間，<br/> 該第三基板凸塊墊位於該封裝基板的該晶片區的該側緣與該第七基板凸塊墊之間，<br/> 該第四基板凸塊墊位於該封裝基板的該晶片區的該側緣與該第八基板凸塊墊之間，<br/> 該對第一差動訊號基板凸塊墊作為一對第一傳送差動訊號基板凸塊墊及一對第一接收差動訊號基板凸塊墊其中的一對，<br/> 該對第四差動訊號基板凸塊墊作為該對第一傳送差動訊號基板凸塊墊及該對第一接收差動訊號基板凸塊墊其中的另一對，<br/> 該對第二差動訊號基板凸塊墊作為一對第二傳送差動訊號基板凸塊墊及一對第二接收差動訊號基板凸塊墊其中的一對，<br/> 該對第三差動訊號基板凸塊墊作為該對第二傳送差動訊號基板凸塊墊及該對第二接收差動訊號基板凸塊墊其中的另一對。
如請求項4所述的電子總成，其中該封裝基板更包括：<br/> 多個圖案化導電層，彼此間隔並包括一第一表面圖案化導電層、一第二表面圖案化導電層及一第一內部圖案化導電層，其中該第一表面圖案化導電層最靠近該封裝基板的該第一面，該第二表面圖案化導電層最靠近該第二面，該第一內部圖案化導電層位於該第一表面圖案化導電層及該第二表面圖案化導電層之間，該基板凸塊墊排列構成自該第一表面圖案化導電層，且該基板球墊排列構成自該第二表面圖案化導電層；<br/> 多個導電通孔，連接該些圖案化導電層；<br/> 一對第一差動訊號走線，構成自該第一表面圖案化導電層，其中該對第一差動訊號走線在該第一面的正投影將該對第一差動訊號基板凸塊墊在該第一面的正投影分別連接至該對第二差動訊號基板球墊在該第一面的正投影；<br/> 一對第三差動訊號走線，構成自該第一內部圖案化導電層，其中該對第三差動訊號走線在該第一面的正投影將該對第三差動訊號基板凸塊墊在該第一面的正投影分別連接至該對第一差動訊號基板球墊在該第一面的正投影；<br/> 一對第二差動訊號走線，構成自該第一表面圖案化導電層，其中該對第二差動訊號走線在該第一面的正投影將該對第二差動訊號基板凸塊墊在該第一面的正投影分別連接至該對第三差動訊號基板球墊在該第一面的正投影及該對第四差動訊號基板球墊在該第一面的正投影其中的一個；<br/> 一對第四差動訊號走線，構成自該第一內部圖案化導電層，其中該對第四差動訊號走線在該第一面的正投影將該對第四差動訊號基板凸塊墊在該第一面的正投影分別連接至該對第三差動訊號基板球墊在該第一面的正投影及該對第四差動訊號基板球墊在該第一面的正投影其中的另一個。
如請求項5所述的電子總成，其中該封裝基板更包括：<br/> 一第二內部圖案化導電層，位於該第一表面圖案化導電層及該第一內部圖案化導電層之間；<br/> 一第一表面接地平面，構成自該第一表面圖案化導電層，並具有多個第一表面開口；<br/> 一第二表面接地平面，構成自該第二表面圖案化導電層，並具有多個第二表面開口；<br/> 一第一內部接地平面，構成自該第一內部圖案化導電層，並具有多個第一內部開口；以及<br/> 一第二內部接地平面，構成自該第二內部圖案化導電層，並具有多個第二內部開口，其中<br/> 該對第一差動訊號基板球墊在該第二面的正投影位在對應的該第一表面開口、對應的該第二表面開口、對應的該第一內部開口及對應的該第二內部開口在該第二面的正投影內，<br/> 該對第二差動訊號基板球墊在該第二面的正投影位在對應的該第一表面開口、對應的該第二表面開口、對應的該第一內部開口及對應的該第二內部開口在該第二面的正投影內，<br/> 該對第三差動訊號基板球墊在該第二面的正投影位在對應的該第一表面開口、對應的該第二表面開口、對應的該第一內部開口及對應的該第二內部開口在該第二面的正投影內，<br/> 該對第四差動訊號基板球墊在該第二面的正投影位在對應的該第一表面開口、對應的該第二表面開口、對應的該第一內部開口及對應的該第二內部開口在該第二面的正投影內。
如請求項5所述的電子總成，其中該封裝基板更包括：<br/> 一第二內部圖案化導電層，位於該第一表面圖案化導電層及該第一內部圖案化導電層之間；<br/> 一第一表面接地平面，構成自該第一表面圖案化導電層，並具有多個第一表面開口；<br/> 一第二表面接地平面，構成自該第二表面圖案化導電層，並具有多個第二表面開口；<br/> 一第一內部接地平面，構成自該第一內部圖案化導電層，並具有多個第一內部開口；以及<br/> 一第二內部接地平面，構成自該第二內部圖案化導電層，並具有多個第二內部開口，其中<br/> 該對第一差動訊號基板球墊在該第二面的正投影及該對第二差動訊號基板球墊在該第二面的正投影位在對應的該第一表面開口、對應的該第二表面開口、對應的該第一內部開口及對應的該第二內部開口在該第二面的正投影內，<br/> 該對第三差動訊號基板球墊在該第二面的正投影及該對第四差動訊號基板球墊在該第二面的正投影位在對應的該第一表面開口、對應的該第二表面開口、對應的該第一內部開口及對應的該第二內部開口在該第二面的正投影內。
如請求項1所述的電子總成，更包括：<br/> 一印刷電路板，具有一安裝面、位於該安裝面的一基板區及位於該基板區的一電路板球墊排列，該電路板球墊排列經由多個導電球與該封裝基板電連接，該電路板球墊排列包括：<br/> 一對第一差動訊號電路板球墊，包括一第一電路板球墊及一第二電路板球墊；<br/> 一對第二差動訊號電路板球墊，包括一第三電路板球墊及一第四電路板球墊；<br/> 一對第三差動訊號電路板球墊，包括一第五電路板球墊及一第六電路板球墊；<br/> 一對第四差動訊號電路板球墊，包括一第七電路板球墊及一第八電路板球墊；<br/> 一第一接地電路板球墊；<br/> 一第二接地電路板球墊，其中<br/> 該第一電路板球墊、該第三電路板球墊、該第一接地電路板球墊、該第五電路板球墊及該第七電路板球墊沿著該封裝基板的一側緣依序排成一第一電路板球墊排，<br/> 該第二電路板球墊、該第四電路板球墊、該第二接地電路板球墊、該第六電路板球墊及該第八電路板球墊沿著該封裝基板的一側緣依序排成一第二電路板球墊排，<br/> 該第一電路板球墊位於該封裝基板的該側緣與該第二電路板球墊之間，<br/> 該第三電路板球墊位於該封裝基板的該側緣與該第四電路板球墊之間，<br/> 該第五電路板球墊位於該封裝基板的該側緣與該第六電路板球墊之間，<br/> 該第七電路板球墊位於該封裝基板的該側緣與該第八電路板球墊之間，<br/> 該第一接地電路板球墊位在該封裝基板的該側緣與該第二接地電路板球墊之間，<br/> 該第一電路板球墊的極性與該第四電路板球墊的極性相同，該第二電路板球墊的極性與該第三電路板球墊的極性相同，<br/> 該第五電路板球墊的極性與該第八電路板球墊的極性相同，該第六電路板球墊的極性與該第七電路板球墊的極性相同。
如請求項8所述的電子總成，其中<br/> 該對第二差動訊號電路板球墊作為一對第一傳送差動訊號電路板球墊及一對第一接收差動訊號電路板球墊其中的一對，<br/> 該對第四差動訊號電路板球墊作為該對第一傳送差動訊號電路板球墊及該對第一接收差動訊號電路板球墊其中的另一對，<br/> 該對第一差動訊號電路板球墊作為一對第二傳送差動訊號電路板球墊及一對第二接收差動訊號電路板球墊其中的一對，<br/> 該對第三差動訊號電路板球墊作為該對第二傳送差動訊號電路板球墊及該對第二接收差動訊號電路板球墊其中的另一對。
如請求項8所述的電子總成，其中<br/> 該對第二差動訊號電路板球墊作為一對第一傳送差動訊號電路板球墊及一對第二接收差動訊號電路板球墊其中的一對，<br/> 該對第四差動訊號電路板球墊作為該對第一傳送差動訊號電路板球墊及該對第二接收差動訊號電路板球墊其中的另一對，<br/> 該對第一差動訊號電路板球墊作為一對第二傳送差動訊號電路板球墊及一對第一接收差動訊號電路板球墊其中的一對，<br/> 該對第三差動訊號電路板球墊作為該對第二傳送差動訊號電路板球墊及該對第一接收差動訊號電路板球墊其中的另一對。
一種封裝基板，具有一第一面、相對於該第一面的一第二面、位於該第一面且適於安裝一積體電路晶片的一晶片區及位在該第二面的一基板球墊排列，該基板球墊排列包括：<br/> 一對第一差動訊號基板球墊，包括一第一基板球墊及一第二基板球墊；<br/> 一對第二差動訊號基板球墊，包括一第三基板球墊及一第四基板球墊；<br/> 一對第三差動訊號基板球墊，包括一第五基板球墊及一第六基板球墊；<br/> 一對第四差動訊號基板球墊，包括一第七基板球墊及一第八基板球墊；<br/> 一第一接地基板球墊；<br/> 一第二接地基板球墊，其中<br/> 該第一基板球墊、該第三基板球墊、該第一接地基板球墊、該第五基板球墊及該第七基板球墊沿著該封裝基板的一側緣依序排成一第一基板球墊排，<br/> 該第二基板球墊、該第四基板球墊、該第二接地基板球墊、該第六基板球墊及該第八基板球墊沿著該封裝基板的一側緣依序排成一第二基板球墊排，<br/> 該第一基板球墊位於該封裝基板的該側緣與該第二基板球墊之間，<br/> 該第三基板球墊位於該封裝基板的該側緣與該第四基板球墊之間，<br/> 該第五基板球墊位於該封裝基板的該側緣與該第六基板球墊之間，<br/> 該第七基板球墊位於該封裝基板的該側緣與該第八基板球墊之間，<br/> 該第一接地基板球墊位在該封裝基板的該側緣與該第二接地基板球墊之間，<br/> 該第一基板球墊的極性與該第四基板球墊的極性相同，該第二基板球墊的極性與該第三基板球墊的極性相同，<br/> 該第五基板球墊的極性與該第八基板球墊的極性相同，該第六基板球墊的極性與該第七基板球墊的極性相同。
如請求項11所述的封裝基板，其中<br/> 該對第二差動訊號基板球墊作為一對第一傳送差動訊號基板球墊及一對第一接收差動訊號基板球墊其中的一對，<br/> 該對第四差動訊號基板球墊作為該對第一傳送差動訊號基板球墊及該對第一接收差動訊號基板球墊其中的另一對，<br/> 該對第一差動訊號基板球墊作為一對第二傳送差動訊號基板球墊及一對第二接收差動訊號基板球墊其中的一對，<br/> 該對第三差動訊號基板球墊作為該對第二傳送差動訊號基板球墊及該對第二接收差動訊號基板球墊其中的另一對。
如請求項12所述的封裝基板，其中<br/> 該對第二差動訊號基板球墊作為一對第一傳送差動訊號基板球墊及一對第二接收差動訊號基板球墊其中的一對，<br/> 該對第四差動訊號基板球墊作為該對第一傳送差動訊號基板球墊及該對第二接收差動訊號基板球墊其中的另一對，<br/> 該對第一差動訊號基板球墊作為一對第二傳送差動訊號基板球墊及一對第一接收差動訊號基板球墊其中的一對，<br/> 該對第三差動訊號基板球墊作為該對第二傳送差動訊號基板球墊及該對第一接收差動訊號基板球墊其中的另一對。
如請求項12所述的封裝基板，其中該封裝基板更具有位在該晶片區的一基板凸塊墊排列，該基板凸塊墊排列經由多個導電凸塊與該積體電路晶片電連接，該基板凸塊墊排列包括：<br/> 一對第一差動訊號基板凸塊墊，包括一第一基板凸塊墊及一第二基板凸塊墊；<br/> 一對第二差動訊號基板凸塊墊，包括一第三基板凸塊墊及一第四基板凸塊墊；<br/> 一對第三差動訊號基板凸塊墊，包括一第五基板凸塊墊及一第六基板凸塊墊；<br/> 一對第四差動訊號基板凸塊墊，包括一第七基板凸塊墊及一第八基板凸塊墊，其中<br/> 該第一基板凸塊墊、該第二基板凸塊墊、該第三基板凸塊墊及該第四基板凸塊墊沿著該封裝基板的該晶片區的一側緣依序排成一第一基板凸塊墊排，<br/> 該第五基板凸塊墊、該第六基板凸塊墊、該第七基板凸塊墊及該第八基板凸塊墊沿著該封裝基板的該晶片區的該側緣依序排成一第二基板凸塊墊排，<br/> 該第一基板凸塊墊位於該封裝基板的該晶片區的該側緣與該第五基板凸塊墊之間，<br/> 該第二基板凸塊墊位於該封裝基板的該晶片區的該側緣與該第六基板凸塊墊之間，<br/> 該第三基板凸塊墊位於該封裝基板的該晶片區的該側緣與該第七基板凸塊墊之間，<br/> 該第四基板凸塊墊位於該封裝基板的該晶片區的該側緣與該第八基板凸塊墊之間，<br/> 該對第一差動訊號基板凸塊墊作為一對第一傳送差動訊號基板凸塊墊及一對第一接收差動訊號基板凸塊墊其中的一對，<br/> 該對第四差動訊號基板凸塊墊作為該對第一傳送差動訊號基板凸塊墊及該對第一接收差動訊號基板凸塊墊其中的另一對，<br/> 該對第二差動訊號基板凸塊墊作為一對第二傳送差動訊號基板凸塊墊及一對第二接收差動訊號基板凸塊墊其中的一對，<br/> 該對第三差動訊號基板凸塊墊作為該對第二傳送差動訊號基板凸塊墊及該對第二接收差動訊號基板凸塊墊其中的另一對。
如請求項14所述的封裝基板，其中該封裝基板更包括：<br/> 多個圖案化導電層，彼此間隔並包括一第一表面圖案化導電層、一第二表面圖案化導電層及一第一內部圖案化導電層，其中該第一表面圖案化導電層最靠近該封裝基板的該第一面，該第二表面圖案化導電層最靠近該第二面，該第一內部圖案化導電層位於該第一表面圖案化導電層及該第二表面圖案化導電層之間，該基板凸塊墊排列構成自該第一表面圖案化導電層，且該基板球墊排列構成自該第二表面圖案化導電層；<br/> 多個導電通孔，連接該些圖案化導電層；<br/> 一對第一差動訊號走線，構成自該第一表面圖案化導電層，其中該對第一差動訊號走線在該第一面的正投影將該對第一差動訊號基板凸塊墊在該第一面的正投影分別連接至該對第二差動訊號基板球墊在該第一面的正投影；<br/> 一對第三差動訊號走線，構成自該第一內部圖案化導電層，其中該對第三差動訊號走線在該第一面的正投影將該對第三差動訊號基板凸塊墊在該第一面的正投影分別連接至該對第一差動訊號基板球墊在該第一面的正投影；<br/> 一對第二差動訊號走線，構成自該第一表面圖案化導電層，其中該對第二差動訊號走線在該第一面的正投影將該對第二差動訊號基板凸塊墊在該第一面的正投影分別連接至該對第三差動訊號基板球墊在該第一面的正投影及該對第四差動訊號基板球墊在該第一面的正投影其中的一個；<br/> 一對第四差動訊號走線，構成自該第一內部圖案化導電層，其中該對第四差動訊號走線在該第一面的正投影將該對第四差動訊號基板凸塊墊在該第一面的正投影分別連接至該對第三差動訊號基板球墊在該第一面的正投影及該對第四差動訊號基板球墊在該第一面的正投影其中的另一個。
如請求項15所述的封裝基板，其中該封裝基板更包括：<br/> 一第二內部圖案化導電層，位於該第一表面圖案化導電層及該第一內部圖案化導電層之間；<br/> 一第一表面接地平面，構成自該第一表面圖案化導電層，並具有多個第一表面開口；<br/> 一第二表面接地平面，構成自該第二表面圖案化導電層，並具有多個第二表面開口；<br/> 一第一內部接地平面，構成自該第一內部圖案化導電層，並具有多個第一內部開口；以及<br/> 一第二內部接地平面，構成自該第二內部圖案化導電層，並具有多個第二內部開口，其中<br/> 該對第一差動訊號基板球墊在該第二面的正投影位在對應的該第一表面開口、對應的該第二表面開口、對應的該第一內部開口及對應的該第二內部開口在該第二面的正投影內，<br/> 該對第二差動訊號基板球墊在該第二面的正投影位在對應的該第一表面開口、對應的該第二表面開口、對應的該第一內部開口及對應的該第二內部開口在該第二面的正投影內，<br/> 該對第三差動訊號基板球墊在該第二面的正投影位在對應的該第一表面開口、對應的該第二表面開口、對應的該第一內部開口及對應的該第二內部開口在該第二面的正投影內，<br/> 該對第四差動訊號基板球墊在該第二面的正投影位在對應的該第一表面開口、對應的該第二表面開口、對應的該第一內部開口及對應的該第二內部開口在該第二面的正投影內。
如請求項15所述的封裝基板，其中該封裝基板更包括：<br/> 一第二內部圖案化導電層，位於該第一表面圖案化導電層及該第一內部圖案化導電層之間；<br/> 一第一表面接地平面，構成自該第一表面圖案化導電層，並具有多個第一表面開口；<br/> 一第二表面接地平面，構成自該第二表面圖案化導電層，並具有多個第二表面開口；<br/> 一第一內部接地平面，構成自該第一內部圖案化導電層，並具有多個第一內部開口；以及<br/> 一第二內部接地平面，構成自該第二內部圖案化導電層，並具有多個第二內部開口，其中<br/> 該對第一差動訊號基板球墊在該第二面的正投影及該對第二差動訊號基板球墊在該第二面的正投影位在對應的該第一表面開口、對應的該第二表面開口、對應的該第一內部開口及對應的該第二內部開口在該第二面的正投影內，<br/> 該對第三差動訊號基板球墊在該第二面的正投影及該對第四差動訊號基板球墊在該第二面的正投影位在對應的該第一表面開口、對應的該第二表面開口、對應的該第一內部開口及對應的該第二內部開口在該第二面的正投影內。
一種印刷電路板，具有一安裝面、位於該安裝面且適於安裝一封裝基板的一基板區及位於該基板區的一電路板球墊排列，該電路板球墊排列經由多個導電球與該封裝基板電連接，該電路板球墊排列包括：<br/> 一對第一差動訊號電路板球墊，包括一第一電路板球墊及一第二電路板球墊；<br/> 一對第二差動訊號電路板球墊，包括一第三電路板球墊及一第四電路板球墊；<br/> 一對第三差動訊號電路板球墊，包括一第五電路板球墊及一第六電路板球墊；<br/> 一對第四差動訊號電路板球墊，包括一第七電路板球墊及一第八電路板球墊；<br/> 一第一接地電路板球墊；<br/> 一第二接地電路板球墊，其中<br/> 該第一電路板球墊、該第三電路板球墊、該第一接地電路板球墊、該第五電路板球墊及該第七電路板球墊沿著該封裝基板的一側緣依序排成一第一電路板球墊排，<br/> 該第二電路板球墊、該第四電路板球墊、該第二接地電路板球墊、該第六電路板球墊及該第八電路板球墊沿著該封裝基板的一側緣依序排成一第二電路板球墊排，<br/> 該第一電路板球墊位於該封裝基板的該側緣與該第二電路板球墊之間，<br/> 該第三電路板球墊位於該封裝基板的該側緣與該第四電路板球墊之間，<br/> 該第五電路板球墊位於該封裝基板的該側緣與該第六電路板球墊之間，<br/> 該第七電路板球墊位於該封裝基板的該側緣與該第八電路板球墊之間，<br/> 該第一接地電路板球墊位在該封裝基板的該側緣與該第二接地電路板球墊之間，<br/> 該第一電路板球墊的極性與該第四電路板球墊的極性相同，該第二電路板球墊的極性與該第三電路板球墊的極性相同，<br/> 該第五電路板球墊的極性與該第八電路板球墊的極性相同，該第六電路板球墊的極性與該第七電路板球墊的極性相同。
如請求項18所述的印刷電路板，其中<br/> 該對第二差動訊號電路板球墊作為一對第一傳送差動訊號電路板球墊及一對第一接收差動訊號電路板球墊其中的一對，<br/> 該對第四差動訊號電路板球墊作為該對第一傳送差動訊號電路板球墊及該對第一接收差動訊號電路板球墊其中的另一對，<br/> 該對第一差動訊號電路板球墊作為一對第二傳送差動訊號電路板球墊及一對第二接收差動訊號電路板球墊其中的一對，<br/> 該對第三差動訊號電路板球墊作為該對第二傳送差動訊號電路板球墊及該對第二接收差動訊號電路板球墊其中的另一對。
如請求項18所述的印刷電路板，其中<br/> 該對第二差動訊號電路板球墊作為一對第一傳送差動訊號電路板球墊及一對第二接收差動訊號電路板球墊其中的一對，<br/> 該對第四差動訊號電路板球墊作為該對第一傳送差動訊號電路板球墊及該對第二接收差動訊號電路板球墊其中的另一對，<br/> 該對第一差動訊號電路板球墊作為一對第二傳送差動訊號電路板球墊及一對第一接收差動訊號電路板球墊其中的一對，<br/> 該對第三差動訊號電路板球墊作為該對第二傳送差動訊號電路板球墊及該對第一接收差動訊號電路板球墊其中的另一對。
一種帶定位功能的小體積存儲器（10），其特徵在于，包括：<br/> 一殼體（11），該殼體（11）具設有一容置腔；<br/> 設置於該殼體（11）內的一存儲主板、一數據公頭設於該存儲主板正面的數據公頭（15），該數據公頭用於將該存儲主板與外部設備電連接；<br/> 貼合在該存儲主板背面的一定位主板；<br/> 以及均設置於該定位主板另一面的一指紋模組（14）和一電池（17）；該指紋模組（14）至少部分露出該殼體（11），用於接收外部的指紋信號，且該指紋模組（14）與該存儲主板電連接；該電池（17）用於為該指紋模組（14）供電。
如請求項1所述的帶定位功能的小體積存儲器，其中，該殼體（11）包括一前殼（111）與一後殼（112），該前殼（111）與該後殼（112）連接形成該容置腔；該數據公頭（15）從該前殼（111）伸出，用於與外部設備連接；該指紋模組（14）至少部分露出於該後殼（112）。
如請求項2所述的帶定位功能的小體積存儲器（10），其中，該指紋模組（14）包括：一指紋識別主板（141）、一指紋識別按鍵（142）和一信號觸發板（143）；該指紋識別按鍵（142）設置於該指紋識別主板（141）上，且露出於該殼體，用於接收外部的指紋信號；該指紋識別按鍵（142）靠近該定位主板的一側設置一信號觸發板（143）；按壓該指紋識別按鍵（142）時，該指紋識別按鍵（142）發生移動，且該指紋識別按鍵（142）移動後產生控制該定位主板工作或者中止的控制信號。
如請求項3所述的帶定位功能的小體積存儲器（10），其中，該信號觸發板（143）靠近該定位主板的一側更設有一彈性件（16），按壓該指紋識別按鍵（142）時，該彈性件（16）產生使該指紋識別按鍵（142）復位的力。
如請求項4所述的帶定位功能的小體積存儲器（10），其中，更包括一協議轉換開關（18）；該指紋模組（14）與該定位主板之間設置一蓋板（19）；該協議轉換開關（18）設置於該後殼（112），按壓該協議轉換開關（18）時，按壓力通過該蓋板（19）傳遞至該定位主板，用於產生協議切換信號。
如請求項5所述的帶定位功能的小體積存儲器（10），其中，該彈性件（16）設置於該蓋板（19）與該指紋模組（14）之間。
如請求項1或2所述的帶定位功能的小體積存儲器（10），其中，該定位主板沿長度方向的第一端短於對應的該存儲主板的第一端，以在該存儲主板的第一端形成一延長區；該電池（17）設置於該延長區。
如請求項7所述的帶定位功能的小體積存儲器（10），其中，該指紋模組（14）、該定位主板和該存儲主板遠離該電池（17）的一側設有軟排線（20）；且該指紋模組（14）、該定位主板和該存儲主板通過該軟排線（20）電連接。
如請求項2所述的帶定位功能的小體積存儲器（10），其中，更包括一顯示螢幕（25）；該顯示螢幕（25）設置於該後殼（112）。
如請求項1或2所述的帶定位功能的小體積存儲器（10），其中，該定位主板設有蜂鳴器（21），該蜂鳴器（21）用於在該定位主板開啓定位功能時發出蜂鳴聲，外殼對應該蜂鳴器（21）的位置設置出聲口（22）。
一種升降式窗簾拉繩的離合構造，該升降式窗簾在上軌的其中一側設有一中軌拉繩、以及一可接受該中軌拉繩帶動的捲線控制組件，該捲線控制組件可帶動一轉桿旋轉，且該轉桿上設有供中軌之線繩捲繞的複數線輪、以及一迴力彈簧組件，其中：<br/> 該捲線控制組件與該轉桿之間設有一離合齒輪組，該離合齒輪組包含一與該轉桿連動的第一齒輪、一可分離地與該第一齒輪嚙合並與該捲線控制組件連動的第二齒輪、以及一設置在該第一齒輪和第二齒輪之間的彈簧；<br/> 該彈簧彈性頂持該第二齒輪使之遠離該第一齒輪而保持分離，當手動推拉該中軌時，該迴力彈簧組件能夠彈性帶動該轉桿及複數線輪收放線繩，並且使旋轉中的轉桿及第一齒輪不會反向帶動捲線控制組件及拉繩；以及<br/> 該中軌拉繩向下拉動時，該捲線控制組件推動該第二齒輪使之嚙合該第一齒輪，令該捲線控制組件通過該第二齒輪帶動該第一齒輪、轉桿及複數線輪同步旋轉收放線繩來帶動中軌升降。
如請求項1所述之升降式窗簾拉繩的離合構造，其中，該上軌側邊設有一外殼，該外殼由外而內設置該捲線控制組件和該離合齒輪組；<br/> 該捲線控制組件包含一樞設在該外殼內的偏轉座、一設置在該偏轉座外側的拉繩滑輪、一設置在該偏轉座內側並受該拉繩滑輪驅動旋轉的行星齒輪組，該行星齒輪組具有一能帶動該離合齒輪組之第二齒輪旋轉的驅動軸，該驅動軸上分別套設有一能與該偏轉座連動的按壓件、以及一能被該按壓件推動位移的推板；以及<br/> 該拉繩滑輪繞設該中軌拉繩並可被帶動旋轉，且使用者向下拉動中軌拉繩時，可讓該偏轉座偏轉並帶動該按壓件偏轉，進而推動該推板朝向該離合齒輪組位移，使該推板推動該第二齒輪壓縮該彈簧，同時嚙合該第一齒輪。
如請求項2所述之升降式窗簾拉繩的離合構造，其中，該外殼與偏轉座之間設有一彈性頂持該偏轉座的彈性元件，該彈性元件能讓該偏轉座偏轉後復位。
如請求項2所述之升降式窗簾拉繩的離合構造，其中，該偏轉座的內側設置一連動部，該按壓件與該連動部連動。
如請求項4所述之升降式窗簾拉繩的離合構造，其中，該按壓件其中一端與該偏轉座連動，另一端具有一能套設在該驅動軸的軸套，該軸套與該推板分別設置相互抵靠的導引斜面，使該按壓件偏轉時能通過該相互抵靠的導引斜面，令該推板在該驅動軸上朝向該離合齒輪組移動。
如請求項5所述之升降式窗簾拉繩的離合構造，其中，該推板的表面設置至少一限位凸部，該外殼設置至少一供該限位凸部嵌入的限位槽，使該推板透過該限位槽對限位凸部限位而相對該驅動軸軸向移動。
如請求項2所述之升降式窗簾拉繩的離合構造，其中，該拉繩滑輪設有一驅動齒輪與該行星齒輪組嚙合，該偏轉座設有一供該驅動齒輪穿設的穿孔。
如請求項2所述之升降式窗簾拉繩的離合構造，其中，該外殼在該偏轉座的外側進一步設有一遮蔽該偏轉座和拉繩滑輪的邊蓋。
如請求項2所述之升降式窗簾拉繩的離合構造，其中，該外殼設有一供該中軌拉繩穿設至外部的開口。
如請求項1所述之升降式窗簾拉繩的離合構造，其中，該第一齒輪與該轉桿之間設有一銜接套。
一種牙刷頭之結構，其係包含：<br/> 一非直線型本體，其一側設置一非直線型凹槽，該非直線型凹槽係包含一第一凹槽、一第二凹槽以及一第三凹槽，該第一凹槽、該第二凹槽以及該第三凹槽係依序相鄰並連通設置；<br/> 複數個第一矽膠刷毛，其係分別設置於該第一凹槽及該第三凹槽之一底面；<br/> 複數個第一尼龍刷毛，其係設置於該第一凹槽、該第二凹槽及該第三凹槽之一第一內側面，並相鄰於該些個第一矽膠刷毛；<br/> 複數個第二尼龍刷毛，其係鏡設於該些個第一尼龍刷毛並分別設置於該第一凹槽、該第二凹槽及該第三凹槽之一第二內側面；<br/> 複數個第二矽膠刷毛，其係鄰設於該些個第二尼龍刷毛之一外側，並設置於該非直線型本體之一內邊緣，該內邊緣係相鄰該非直線型凹槽；以及<br/> 複數個第三矽膠刷毛，其係鏡設於該些個第二矽膠刷毛，並相鄰該些個第一尼龍刷毛設置於該非直線型本體之該內邊緣；<br/> 其中，該些個第一矽膠刷毛係垂直設置於該底面，該些個第一尼龍刷毛與該底面之間具有一第一角度，該些個第三矽膠刷毛與該底面之間具有一第二角度，且該第二角度係大於該第一角度。
如請求項1所述之牙刷頭之結構，其中該些個第一矽膠刷毛具有一第一長度，該些個第一尼龍刷毛具有一第二長度，該些個第三矽膠刷毛具有一第三長度，且該第三長度係大於該第二長度，該第二長度係大於等於該第一長度。
如請求項2所述之牙刷頭之結構，其中該第一長度、該第二長度及該第三長度係介於10mm至100mm之間。
如請求項1所述之牙刷頭之結構，其中該些個第一矽膠刷毛、該些個第一尼龍刷毛、該些個第二尼龍刷毛、該些個第二矽膠刷毛及該些個第三矽膠刷毛之一直徑係介於0.01mm至0.25mm之間。
如請求項1所述之牙刷頭之結構，其中該第一角度及該第二角度係介於30度至60度之間。
如請求項1所述之牙刷頭之結構，其中該些個第三矽膠刷毛之一端與該非直線型本體之該側之間具有一高度，該高度係介於50mm至200mm之間。
如請求項1所述之牙刷頭之結構，其更包含一連接件，該連接件係設置於該非直線型本體之一底部，且該連接件之一底部設置一連接孔。
如請求項7所述之牙刷頭之結構，其中該牙刷頭係用以連接一震動單元，該震動單元之一側具有一震動端，且該震動端係對應於該連接孔。
如請求項1所述之牙刷頭之結構，其中該些個第一矽膠刷毛、該些個第一尼龍刷毛、該些個第二尼龍刷毛、該些個第二矽膠刷毛及該些個第三矽膠刷毛係一圓柱體、一三角柱體、一矩形柱體或一多邊形柱體。
如請求項1所述之牙刷頭之結構，其中該非直線型本體及該非直線型凹槽係包含馬蹄形或牙弓形。
一種移動式量子遠紅外線共振賦能裝置，係至少包含：<br/>一殼體，該殼體可供移動攜帶；<br/>一供電模組，該供電模組設於該殼體中；<br/>一控制模組，該控制模組設於該殼體中並與該供電模組電性連接；<br/>一量子共振模組，該量子共振模組設於該殼體中並與該控制模組相連接，該量子共振模組可被該控制模組控制並發出一量子光波；<br/>一遠紅外線模組，該遠紅外線模組設於該殼體中並與該控制模組相連接，該遠紅外線模組可被該控制模組控制並發出一遠紅外線；<br/>一藍光LED模組，該藍光LED模組設於該殼體中並與該控制模組相連接，該藍光LED模組可被該控制模組控制並發出一藍光；<br/>一蓋體，該蓋體可封閉蓋設於該殼體上。
如請求項1所述之移動式量子遠紅外線共振賦能裝置，其中該量子共振模組至少包含一量子共振晶片與一特斯拉線圈，該量子共振晶片可發出該量子光波，該特斯拉線圈可產生一電場，該電場可增幅放大該量子光波。
如請求項1或2所述之移動式量子遠紅外線共振賦能裝置，其中該量子共振模組更包含一藍寶石導光層、一碧璽鍍膜層與一水晶陣列層，該藍寶石導光層係可導引聚焦該量子光波，該碧璽鍍膜層與該水晶陣列層彼此間具有壓電效應可產生一諧振，該諧振可共振放大該量子光波。
如請求項1所述之移動式量子遠紅外線共振賦能裝置，其中該殼體係具有至少一隔離保護層，該隔離保護層係設於該殼體的內側面或外側面之至少其一者。
如請求項1所述之移動式量子遠紅外線共振賦能裝置，其中該殼體係設有一接地端子。
如請求項1所述之移動式量子遠紅外線共振賦能裝置，其中該蓋體係為陶瓷層。
如請求項1所述之移動式量子遠紅外線共振賦能裝置，其中該供電模組係包含至少一內嵌電源或一外接電源之至少其一者。
如請求項1所述之移動式量子遠紅外線共振賦能裝置，其中該殼體係為正八角形結構。
如請求項1所述之移動式量子遠紅外線共振賦能裝置，其中該蓋體之表面係刻有生命之花之幾何結構。
如請求項1或9所述之移動式量子遠紅外線共振賦能裝置，其中該蓋體之表面更刻有藥師咒音紋。
一種充電盒，其包括：<br/> 一盒體，該盒體內設置有一充電槽；<br/> 一連接模組，該連接模組設置於該盒體內且與該充電槽的底部連接，該連接模組包括一支撐件、一電連接件以及一磁吸組件，該電連接件穿設並固定於該支撐件，且該電連接件的一端位於該充電槽內；該磁吸組件設置於該支撐件；<br/> 一充電模組，設置於該盒體內，該電連接件與該充電模組電連接。
如請求項1所述的充電盒，其中，該支撐件設置有一安裝槽，該磁吸組件設置於該安裝槽內。
如請求項2所述的充電盒，其中，該磁吸組件包括多個磁組，該支撐件設有多個安裝槽，該磁組一一對應設置於該安裝槽內；多個該磁組設置於該電連接件的周側。
如請求項1所述的充電盒，其中，該盒體包括一殼體及連接於該殼體的一內襯；該內襯設置有該充電槽，該殼體與該內襯圍合形成一容置腔，該連接模組及該充電模組均設置於該容置腔內；<br/> 該內襯對應該磁吸組件的位置設置有一淺槽，該磁吸組件的至少部分設置於該淺槽。
如請求項4所述的充電盒，其中，該內襯設置有一限位件，該限位件設置於該淺槽內，該限位件配置為與該磁吸組件抵接。
如請求項1至5中任一項所述的充電盒，其中，該充電盒還包括一定位件，該定位件的一端連接於該充電槽的底部，該定位件背離該充電槽的一端抵接於該支撐件。
如請求項1至5中任一項所述的充電盒，其中，該磁吸組件設置有一配合斜面，該配合斜面朝向該充電槽傾斜。
如請求項1至5中任一項所述的充電盒，其中，該盒體和該支撐件兩者中，其中一者設置有多個固定件，另外一者設置有與該固定件相配合的多個固定孔，該固定件一一對應穿設於該固定孔。
如請求項1至3中任一項所述的充電盒，其中，該充電盒還包括一密封件，該盒體包括一殼體及連接於該殼體的一內襯，該密封件設於該支撐件與該內襯之間。
一種電子設備，其包括如請求項1至9中任一項所述的充電盒。
一種電風扇裝置，包含：<br/> 一支撐單元；<br/> 一風扇單元，設置於該支撐單元，並包括一前風罩；及<br/> 一遙控單元，可分離地設置於該前風罩。
如請求項1所述的電風扇裝置，還包含一磁吸件及一與該磁吸件相吸的被磁吸件，該磁吸件設置於該前風罩和該遙控單元其中一者，該被磁吸件設置於該前風罩和該遙控單元其中另一者。
如請求項1所述的電風扇裝置，還包含一磁吸件及一與該磁吸件相吸的被磁吸件，該磁吸件設置於該前風罩，且該被磁吸件設置於該遙控單元。
如請求項1至3中任一項所述的電風扇裝置，其中，該前風罩具有一中心板，及一環繞於該中心板周緣且與該中心板連接的前網狀結構；該遙控單元的形狀與該中心板的形狀相同，且面積相等。
一種由廢棄鋰系列電池回收負極材料轉做碳黑之製備系統，包含有：<br/> 一物理粉碎機，該物理粉碎機將鋰電池物理分解，並取得負極極捲(片)；<br/> 一水流清洗機，設置於該物理粉碎機後，將負極極捲(片)的銅箔分離出碳粉；<br/> 一離心式脫水機，設置於該水流清洗機後，將碳粉脫水；<br/> 一乾燥機，設置於該離心式脫水機後，將脫水後的碳粉加以乾燥；<br/> 一篩選機，設置於該乾燥機後，將乾燥後的碳粉過篩去除雜質，留下48um至75um的高純度碳粉；<br/> 一燃燒釜，設置於該篩選機後，該燃燒釜將前述的高純度碳粉進行物理性燃燒；<br/> 一濕式研磨機，設置於該燃燒釜後，將該燃燒釜內燃燒過之炭粉放入該濕式研磨機進行濕式研磨，研磨時間須滿足30分鐘以上，研磨後可得到粒徑為1nm至5nm的液態碳黑粒子；<br/> 一噴霧乾燥機，設置於該濕式研磨機後，將該濕式研磨機所獲得之液態碳黑粒子進行噴霧乾燥，即可獲得碳黑粒子。
如請求項1所述之由廢棄鋰系列電池回收負極材料轉做碳黑之製備系統，其中，該物理粉碎機的分解方式能採用一般切割、或者雷射切割、或者是機械破碎方式、或是水刀切割，藉以獲得負極極捲(片)。
如請求項1所述之由廢棄鋰系列電池回收負極材料轉做碳黑之製備系統，其中，該離心式脫水機對碳粉脫水，前述的離心式脫水機脫水的轉速介於3000轉(rpm)至10000轉(rpm) ，且當轉速為3000轉，其脫水時間需達到60分鐘以上，當轉速為10000轉時，其脫水時間須達到30分鐘。
如請求項1所述之由廢棄鋰系列電池回收負極材料轉做碳黑之製備系統，其中，該乾燥機以45℃至55℃低溫烘乾，其烘乾時間需滿足12小時以上、或者該乾燥機以90℃至120℃高溫烘乾，其烘乾時間需滿足3小時以上。
如請求項1所述之由廢棄鋰系列電池回收負極材料轉做碳黑之製備系統，其中，該篩選機的篩網選用40目的篩網進行過篩，取得的高純度碳粉。
如請求項1所述之由廢棄鋰系列電池回收負極材料轉做碳黑之製備系統，其中，該燃燒釜之燃燒溫度需在3000℃以上，並且燃燒時間須達到5小時以上。
一種補胎條錨固裝置，包含：<br/> 一補胎本體包含：<br/> 一導引結構凹設於該補胎本體的表面上，該導引結構的至少一部份沿該補胎本體的一軸向延伸；以及<br/> 一容置空間界定於該導引結構內。
如請求項1所述之補胎條錨固裝置，其中，該補胎本體於該軸向的其中一端為一導引端，該導引結構的二個引導末端於該導引端沿該補胎本體於一徑向的一相對兩側延伸分布。
如請求項2所述之補胎條錨固裝置，二個該導引結構相互交錯於該導引端，且各該導引結構的二個引導末端分別於該導引端沿該補胎本體於一徑向的一相對兩側延伸分布，其中，各該引導末端於該補胎本體相對該導引端的一接合端間隔分布。
如請求項3所述之補胎條錨固裝置，包含該導引端包含一弧形表面。
如請求項4所述之補胎條錨固裝置，該弧形表面為一片體，環繞包覆該導引端並且與各該導引結構間隔設置。
如請求項5所述之補胎條錨固裝置，該弧形表面於該導引端未包覆之範圍形成一開口，該開口與該容置空間連通。
如請求項3所述之補胎條錨固裝置，該弧形表面設置於相鄰的二個導引末端之間，該補胎本體於該導引端呈現一彈頭型結構。
如請求項7所述之補胎條錨固裝置，相鄰的二個該弧形表面之間所構成的一第一距離小於該容置空間內沿該徑向所形成之一第二距離。
如請求項3至8任一項所述之補胎條錨固裝置，該接合端包含一接合結構，用於與一工具件結合。
如請求項9所述之補胎條錨固裝置，包含一頸縮結構設置於該接合端與該導引端之間，該接合端的一最大外徑小於該導引端之一最大直徑，其中該頸縮結構與該接合端表面之間所界定的一第一深度小於該導引結構與該接合端表面之間所界定的一第二深度。
如請求項10所述之補胎條錨固裝置，包含一接合結構界定於該頸縮結構與該接合端之間。
如請求項10所述之補胎條錨固裝置，包含一接合結構於該接合端之一端面朝該軸向的凹設成型。
一種資料關聯性分析及建立系統，包含有：一資料搜集單元，用以搜集複數個資料檔案，其中該等資料檔案分別包含一資料來源，並且每一個資料檔案包含複數個資料欄位；一資料分類單元，連接該資料搜集單元並且預存一資料類別清單，該資料分類單元用以該資料類別清單分析該等資料欄位並且將每一個資料欄位歸類至一資料類別；一檔案建立單元，連接該資料搜集單元以及該資料分類單元，該檔案建立單元用以根據所有該資料類別建立複數個資料總檔，其中每一個資料總檔包含對應該資料類別的至少一資料檔案；以及一資料關聯單元，連接該檔案建立單元，該資料關聯單元用以將包含相同的該資料檔案的該等資料總檔進行關聯。
如請求項1所述之資料關聯性分析及建立系統，其中該檔案建立單元預存一資料使用閾值，該檔案建立單元用以分別統計該等資料欄位的一資料使用次數，並且用以將該資料使用次數大於該資料使用閾值的該等資料欄位所對應的該等資料類別建立該等資料總檔。
如請求項1所述之資料關聯性分析及建立系統，其中每一個該資料總檔包含一主鍵檔案，並且該主鍵檔案為與該資料類別相關性最高且唯一的該資料檔案。
如請求項1所述之資料關聯性分析及建立系統，其中該檔案建立單元預存一業務類型清單，該檔案建立單元用以該業務類型清單分別將每一該資料類別分類至一業務類型。
如請求項1所述之資料關聯性分析及建立系統，進一步包含一資料查詢單元連接該資料關聯單元，該資料查詢單元用以輸入一目標資料類別，並且該資料關聯單元用以擷取並輸出對應該目標資料類別的該等資料總檔。
如請求項5所述之資料關聯性分析及建立系統，其中該資料查詢單元用以輸入一目標資料欄位，並且該資料關聯單元用以擷取並輸出對應該目標資料欄位的該等資料檔案。
如請求項1所述之資料關聯性分析及建立系統，其中該資料關聯單元用以將關聯後的該等資料總檔建立一實體關聯圖(Entity-Relationship Diagram,ERD)。
如請求項1所述之資料關聯性分析及建立系統，進一步包含一資料分析單元連接該檔案建立單元，該資料分析單元預存一資料規則清單，該資料規則清單包含複數個資料類別以及分別對應該等資料類別的至少一規則內容，該資料分析單元用以根據該資料規則清單比對該等資料總檔。
如請求項1所述之資料關聯性分析及建立系統，進一步包含一檢核單元連接該資料關聯單元，該檢核單元用以核對該等資料總檔中相同的該資料檔案的資料一致性。
如請求項1所述之資料關聯性分析及建立系統，進一步包含一資料更新單元連接該資料搜集單元，該資料更新單元用以接收一更新資料檔案並且將該更新資料檔案以疊加及替換之其中一者的方式更新該等資料檔案。
一種污泥脫水機，其用以處理污泥，且具有： <br/>一基座； <br/>複數濾板，其沿一壓縮方向間隔設置於該基座； <br/>複數過濾組，其分別設置於該等濾板，且各該過濾組具有： <br/> 一濾布； <br/> 一濾布移動組件，其連接其中一該濾布； <br/> 一馬達，其連接於該濾布移動組件，並透過該濾布移動組件驅使該濾布移動至該等濾板之間，以使該濾布可用以容置污泥； <br/>其中，該等濾板可沿該壓縮方向移動而夾持該等過濾組的該等濾布以分離出污泥中的水分。
如請求項1所述之污泥脫水機，其中各該過濾組的該濾布移動組件具有： <br/>一第一鍊輪，其連接相對應的該馬達； <br/>一第一鍊條，其連接該第一鍊輪，並且該第一鍊條的其中一端連接該濾布以移動該濾布。
如請求項2所述之污泥脫水機，其中各該過濾組的該濾布移動組件具有： <br/>一第二鍊輪，其連接相對應的該馬達；該第一鍊輪及該第二鍊輪分別設置於該濾板的相對兩側邊； <br/>一第二鍊條，其連接該第二鍊輪； <br/>一濾布連接桿，其連接該濾布的一側邊以移動該濾布； <br/>其中，該第一鍊條及該第二鍊條分別連接該濾布連接桿的兩端以透過該濾布連接桿移動該濾布。
如請求項2或3所述之污泥脫水機，其中，該濾布移動組件具有一第一鍊條導輪，其被該第一鍊條可滑動地抵靠，並且與該第一鍊輪於該壓縮方向上的位置錯開。
如請求項1至3中任一項所述之污泥脫水機，其具有： <br/>至少一線束，其一端連接其中一該過濾組的該馬達，另一端連接另一該過濾組的該馬達； <br/>至少一線束保護件，其一端連接其中一該過濾組的該馬達，另一端連接另一過濾組的該馬達，並且包覆該至少一線束；該至少一線束保護件可彎折。
如請求項1或2所述之污泥脫水機，其中，各該濾板的相對兩側邊分別為一第一側邊及一第二側邊；在任二相鄰的該過濾組中，其中一該過濾組的該馬達設置於相對應的該濾板的該第一側邊，另一該過濾組的該馬達設置於相對應的該濾板的該第二側邊。
一種水冷板裝置，包括： <br/>一殼體，具有一入水口、一出水口及一通口；及 <br/>一均溫板組件，包含一平板腔體及一立管腔體，該平板腔體內部與該立管腔體內部互相連通，該平板腔體具有一散熱面以及與該散熱面相對的一吸熱面，該平板腔體閉合該通口而使該散熱面位於該殼體之內且該吸熱面外露，該立管腔體立設在該散熱面上； <br/>一隔間板，設置在該殼體內且位於該入水口與該出水口之間，用以將該殼體內分隔成一出水區域及一入水區域，該出水口位於該出水區域且該入水口位於該入水區域，在該入水區域中定義有連通該入水口的一第一流路，在該出水區域中定義有連通該出水口的一第二流路；以及 <br/>一熱交換板堆，設置在該出水區域內，且該熱交換板堆對應連接於該立管腔體。
如請求項1所述之水冷板裝置，其更包括一鰭片組，設置於該散熱面。
如請求項2所述之水冷板裝置，其中該鰭片組之至少部分伸入該第一流路內。
如請求項2所述之水冷板裝置，其中該鰭片組係以組裝、焊接、自該散熱面後加工或與該散熱面一同模製成型等形成方式中至少一種方式設置於該散熱面。
如請求項2所述之水冷板裝置，其中該鰭片組具有平行排列、規則形狀排列或不規則形狀排列的複數個鰭片。
如請求項1所述之水冷板裝置，其中該熱交換板堆之至少部分伸入該第二流路內。
如請求項1所述之水冷板裝置，其更包括一連通道，用以連通該第一流路與該第二流路。
如請求項7所述之水冷板裝置，其中該連通道設置於該隔間板、該殼體或該隔間板與該殼體之間。
如請求項1所述之水冷板裝置，其更包括一毛細結構，設於該平板腔體內、該立管腔體內或同時位於該平板腔體及該立管腔體內。
如請求項1所述之水冷板裝置，其中該熱交換板堆具有平行排列、規則形狀排列或不規則形狀排列的複數個熱交換板。
一種具有拉筋功能的凳子，包含凳子本體以及拉筋踏板，其中：該凳子本體包括座板、底板以及兩相對側板，兩側板立置連接於座板與底板兩側，且座板、底板與兩側板之間構成前後相通之拉筋空間；該拉筋踏板係橫向設置於凳子本體之拉筋空間內，拉筋踏板設為前低後高之傾斜狀態，拉筋踏板底端靠近底板前端，且拉筋踏板頂端朝向座板後端，讓使用者之腳部底面傾斜踩踏於拉筋踏板前側表面上，且腳部由腳尖至腳跟形成往上扳轉的斜度拉張狀態，以達到足背拉筋作用。
如申請專利範圍第1項所述之具有拉筋功能的凳子，其中該凳子本體之底板頂面橫向前後間隔設置有複數個定位槽，拉筋踏板底端樞接於底板上，拉筋踏板後側上段樞接有下垂之定位板，且定位板底端可選擇插抵於任一個定位槽內，以調整設定拉筋踏板之傾斜角度。
如申請專利範圍第2項所述之具有拉筋功能的凳子，其中該拉筋踏板底端與底板之間連接有鉸鏈形成樞接狀態。
如申請專利範圍第2項所述之具有拉筋功能的凳子，其中該拉筋踏板後側與定位板頂端之間連接有鉸鏈形成樞接狀態。
如申請專利範圍第2項所述之具有拉筋功能的凳子，其中該定位板後側設置有握把。
如申請專利範圍第1項所述之具有拉筋功能的凳子，其中該底板底面設置有止滑粒。
如申請專利範圍第1項所述之具有拉筋功能的凳子，其中該拉筋踏板前側表面設置有按摩粒。
一種新式直結調整結構，其包含有一主軸總成、一打刀總成與一油壓總成，其中：所述主軸總成具有一主軸本體，該主軸本體內側承靠有一中噴拉桿與一中噴連結軸，所述中噴拉桿具有一第一中噴接頭口與一第二中噴接頭口，該中噴連結軸軸心貫通有一通道，所述通道兩端與該第一中噴接頭口及一迴轉接頭組接，所述中噴拉桿與一推塊螺固；所述打刀總成具有一直結銷設置於該第二中噴接頭口外，所述直結銷位於該中噴拉桿與該推塊之間，所述直結銷外側凹設有一凹槽，該凹槽內設有一打刀環並以至少一固定螺絲將所述打刀環與該直結銷鎖固；所述油壓總成具有一油壓供給部與一活塞部，該油壓供給部開設有一油壓供給口連通所述油壓供給部內外側，所述油壓供給部軸向螺設有一行程螺母，所述行程螺母頂部具有一螺母頭，該活塞部設有一行程調整部，以所述螺母頭防止限制該行程調整部旋轉，藉由旋轉調整該行程螺母可調整所述活塞部的行程；所述中噴連結軸承靠於該主軸本體內側，透過所述中噴連結軸的公差配合達到該中噴拉桿的同心度值，當所述油壓供給口供給油進入所述油壓供給部與該活塞部間提高油壓時，所述活塞部移動抵推該打刀環，進而推動所述直結銷與該推塊移動所述中噴拉桿而鬆開該迴轉接頭完成直結式的調整。
如請求項1所述之新式直結調整結構，其中，所述主軸總成、打刀總成及該油壓總成皆設有數密封圈用以增加各部件的密封性。
如請求項1所述之新式直結調整結構，其中，所述中噴連結軸的徑向與該主軸本體螺鎖有一固定螺絲用以公差固定所述中噴連結軸防止偏擺。
如請求項1所述之新式直結調整結構，其中，所述打刀環與該主軸總成間以接觸面積減少減少動作時的磨耗。
一種3D全包覆針織鞋面免車縫中底材之自動化全工藝鞋體，係包含：<br/>一鞋面，係以紗線材料通過自動化編織設備及預先輸入的織造工藝程式進行編織，而獲得3D全包覆一體成形之針織鞋面，使該鞋面上方一體成形有一鞋面身，該鞋面身之前方具有一鞋面頭，後方則具有一鞋面口，另該鞋面下方則一體成形而有一鞋面底，使該鞋面內部形成一可完全包覆足部之空腔；<br/>一鞋底，係對應該鞋面底之形狀並直接貼合於該鞋面底之下方。
依據申請專利範圍第1項所述之3D全包覆針織鞋面免車縫中底材之自動化全工藝鞋體，其中，該鞋面之鞋面身上設有至少一裝飾物，該裝飾物係通過自動化印刷、貼膜、刺繡設備及預先輸入的工藝程式，而印刷、貼膜、刺繡於該鞋面身上。
依據申請專利範圍第1項所述之3D全包覆針織鞋面免車縫中底材之自動化全工藝鞋體，其中，該紗線材料可以是天然纖維、化學纖維、有機纖維、無機纖維、生質纖維、Mono紗線、彈力紗線、導熱紗線、TPU紗線、回收纖維，熱熔紗線或金屬紗線之至少其中一種。
依據申請專利範圍第1項所述之3D全包覆針織鞋面免車縫中底材之自動化全工藝鞋體，其中，該鞋面可以是單層、雙層或多層之針織布面。
依據申請專利範圍第1項所述之3D全包覆針織鞋面免車縫中底材之自動化全工藝鞋體，其中，該鞋面身上方一體編織形成有數穿帶孔，另於該鞋面身後方亦一體編織形成有一提帶。
依據申請專利範圍第1項所述之3D全包覆針織鞋面免車縫中底材之自動化全工藝鞋體，其中，該鞋底係以膠合方式固定於該鞋面之鞋面底上。
依據申請專利範圍第1項所述之3D全包覆針織鞋面免車縫中底材之自動化全工藝鞋體，更包含有：<br/>一支撐材，係包覆於該鞋面之外表面上，其係為具有支撐性之材質所製成，俾用以支撐該鞋面。
一種顯示器，包含：<br/> 一卡扣結構，適於安裝在二背板之間，包含：<br/> 一第一本體，包含：<br/> 一滑槽，位於該第一本體遠離該背板的一側；及<br/> 一固定槽，位於該第一本體靠近該背板的另一側，該滑槽與該固定槽相連通；<br/> 一彈簧，位於該固定槽；<br/> 一固定球體，位於該固定槽與該滑槽之間並抵持該彈簧；及<br/> 一第二本體，包含：<br/> 一滑塊，位於該第二本體遠離該另一背板的一側，該滑塊包含供該固定球體抵持之一凹槽。
如請求項1所述之顯示器，其中當以該第二本體為中心向靠近該第一本體旋轉時，該滑塊滑入該滑槽，該凹槽內形成一應力集中區，當以該第二本體為中心向遠離該第一本體旋轉時，施加一相對於該背板垂直的壓力使該固定球體位於該應力集中區的面積減少，使該滑塊滑出該滑槽，該第一本體遠離該第二本體。
如請求項1所述之顯示器，更包含一固定件，該固定件位於該第一本體與該背板之間及該第二本體與該另一背板之間。
如請求項1所述之顯示器，其中該第一本體的數量為複數，該第二本體的數量為複數，每一該第一本體對應於每一該第二本體形成複數卡扣組。
如請求項4所述之顯示器，其中該些卡扣組向圓心方向對稱並平均分散於該些背板。
如請求項4所述之顯示器，其中，該些第一本體與該些第二本體呈弧形，並以該些背板之圓心為基準沿圓周方向對稱且平均分散於該些背板。
如請求項1所述之顯示器，更包含：<br/> 一懸掛件；<br/> 一外框件，連接該懸掛件，該外框件包含複數側邊；<br/> 一第一顯示器裝置，包含一第一背板，連接該側邊；<br/> 一第二顯示器裝置，包含一第二背板，連接另一該側邊；及<br/> 一電路板，連接該第一顯示器裝置與該第二顯示器裝置；<br/> 其中，該第一本體位於該第一背板，該第二本體位於該第二背板，當以該第二本體為中心向遠離該第一本體旋轉時，施加一相對於該背板垂直的壓力使該固定球體位於一應力集中區的面積減少，使該滑塊滑出該滑槽，該第一本體遠離該第二本體與該顯示器裝置。
一種顯示器，包含：<br/> 一卡扣結構，適於安裝在二背板之間，包含：<br/> 一第一本體，位於一背板，包含：<br/> 一滑槽，位於該第一本體遠離該背板的一側；及<br/> 一固定槽，位於該第一本體靠近該背板的另一側，該滑槽與該固定槽相連通；<br/> 一彈簧，位於該固定槽；<br/> 一固定球體，位於該固定槽與該滑槽並抵持該彈簧；<br/> 一支架，及<br/> 一第二本體，位於該支架，包含：<br/> 一滑塊，位於該第二本體遠離該另一背板的一側，該滑塊包含供該固定球體抵持之一凹槽；<br/> 其中，當以該第二本體為中心向靠近該第一本體旋轉時，該滑塊滑入該滑槽，該凹槽內形成一應力集中區。
如請求項8所述之顯示器，其中當以該第二本體為中心向遠離該第一本體旋轉時，施加一相對於該背板垂直的壓力使該固定球體位於該應力集中區的面積減少，使該滑塊滑出該滑槽，該第一本體遠離該第二本體。
如請求項8所述之顯示器，其中該卡扣結構包含複數的該第一本體，每一該第一本體對應於一該第二本體形成複數卡扣組，其中該些卡扣組向圓心方向對稱並平均分散於該背板與該支架。
一種電流轉換裝置，包括：<br/> 一第一轉換單元；<br/> 一第二轉換單元，電性耦接於該第一轉換單元；<br/> 一第一被動元件組，電性耦接於該第一轉換單元與該第二轉換單元之間；以及<br/> 一第二被動元件組，電性耦接於該第一轉換單元與該第二轉換單元之間；<br/> 其中，該第二被動元件組與該第一被動元件組電性耦接及/或磁性耦接。
如請求項1所示之電流轉換裝置，更包括：<br/> 一控制器，電性連接於該第一轉換單元及該第二轉換單元，且用以：<br/> 以一脈波寬度調變(Pulse-width modulation, PWM)訊號或一頻率調制訊號，控制該第一轉換單元及該第二轉換單元。
如請求項1所示之電流轉換裝置，其中該第一轉換單元包括一第一開關、一第二開關、一第三開關及一第四開關，該第一開關、該第二開關、該第三開關及該第四開關各具有一第一端及一第二端，該第一開關之該第一端與該第三開關之該第一端電性耦接，該第一開關之該第二端電性耦接於該第二開關之該第一端及該第一被動元件組，而該第三開關之該第二端電性耦接於該第四開關之該第一端及該第一被動元件組；該第二開關之該第二端電性耦接於該第二被動元件組，而該第四開關之該第二端電性耦接於該第二被動元件組。
如請求項1所示之電流轉換裝置，其中該第二轉換單元包括一第五開關、一第六開關、一第七開關及一第八開關，該第五開關、該第六開關、該第七開關及該第八開關各具有一第一端及一第二端，該第五開關之該第一端與該第七開關之該第一端電性耦接，該第五開關之該第二端電性耦接於該第六開關之該第一端，該第七開關之該第二端電性耦接於該第八開關之該第一端，而該第六開關之該第二端電性耦接於該第八開關之該第二端；該第五開關之該第二端及該第六開關之該第一端電性耦接於該第一轉換單元，而該第七開關之該第二端及該第八開關之該第一端電性耦接於該第一轉換單元。
如請求項1所示之電流轉換裝置，其中該第二轉換單元包括一第五開關及一第六開關，該第五開關及該第六開關各具有一第一端及一第二端，該第五開關之該第二端與該第六開關之該第二端電性耦接，該第五開關之該第一端電性耦接於該第一轉換單元及該第二被動元件組，而該第六開關之該第一端電性耦接於該第一轉換單元及該第二被動元件組。
如請求項1所示之電流轉換裝置，其中該第二轉換單元包括一第五開關、一第六開關、一第七開關及一第八開關，該第五開關、該第六開關、該第七開關及該第八開關各具有一第一端及一第二端；該第五開關之該第二端電性耦接於該第六開關之該第一端，該第七開關之該第二端電性耦接於該第八開關之該第一端，而該第六開關之該第二端電性耦接於該第八開關之該第二端。
如請求項1所示之電流轉換裝置，其中該第一被動元件組包括：<br/> 一電容，具有一第一端及一第二端，其中該電容之該第一端電性耦接於該第一轉換單元；以及<br/> 一第一繞組線圈，具有一第一端及一第二端，該第一繞組線圈之該第一端電性耦接於該電容之該第二端，而該第一繞組線圈之該第二端電性耦接於該第二被動元件組及該第二轉換單元。
如請求項1所示之電流轉換裝置，其中該第二被動元件組具有一第一端及一第二端；該第一被動元件組包括一第一協振腔及一第二協振腔，該第一協振腔電性耦接該第一轉換單元與該第二被動元件組之該第二端，而該第二協振腔電性耦接該第一轉換單元與該第二被動元件組之該第一端。
如請求項8所示之電流轉換裝置，其中該第一轉換單元包括一第一開關、一第二開關、一第三開關及一第四開關，該第一開關、該第二開關、該第三開關及該第四開關各具有一第一端及一第二端，該第一開關之該第一端與該第三開關之該第一端電性耦接，該第一開關之該第二端電性耦接於該第二開關之該第一端及該第一被動元件組之該第一協振腔，而該第三開關之該第二端電性耦接於該第四開關之該第一端及該第一被動元件組之該第二協振腔。
如請求項8所示之電流轉換裝置，其中該第一轉換單元包括一第一開關及一第三開關；該第一開關及該第三開關各具有一第二端；該第一協振腔包括電性耦接之一第一電容與一第一繞組線圈，該第二協振腔包括電性耦接之一第二電容與一第二繞組線圈，該第一開關之該第二端電性耦接於該第一被動元件組之該第一協振腔之該第一電容，而該第三開關之該第二端電性耦接於該第一被動元件組之該第二協振腔之該第二電容。
一種充電站，包含：<br/> 一充電樁，包含一充電槍；以及<br/> 一電腦，與該充電樁電性連接，且用以：<br/> 判斷該充電樁是否在該充電槍插入一電動載具後的一識別期間內主動地傳送該電動載具之識別資料；以及<br/> 當判斷該充電樁沒有在該識別期間內主動地傳送該電動載具之該識別資料時，重啟該充電樁。
如請求項1所述的充電站，其中，該電腦還用以：<br/> 判斷該充電樁是否在一心跳期間內主動地傳送一心跳訊息；以及<br/> 當判斷該充電樁沒有在該心跳期間內主動地傳送該心跳訊息時，重啟該充電樁。
如請求項1所述的充電站，其中，該電腦還用以：<br/> 記錄該充電樁在該充電槍插入該電動載具後主動地傳送的第一充電狀態資料的一時間點；<br/> 判斷該充電樁是否在該時間點後的一狀態間隔期間內主動地傳送第二充電狀態資料；以及<br/> 當判斷該充電樁沒有在該狀態間隔期間內主動地傳送該第二充電狀態資料時，重啟該充電樁。
如請求項1所述的充電站，其中，該電腦還用以：<br/> 向該充電樁傳送一檢查指令；<br/> 判斷該充電樁是否在一檢查期間內根據該檢查指令傳送檢查資料；以及<br/> 當判斷該充電樁沒有在該檢查期間內傳送該檢查資料時，重啟該充電樁。
如請求項1所述的充電站，還包含與該電腦電性連接的一攝影機，其中，該攝影機用以監控一車位，以產生一車位狀態資料，且該電腦還用以：<br/> 自該充電樁接收一充電狀態資料；<br/> 向該攝影機傳送一查詢指令，以取得該車位狀態資料；<br/> 判斷該車位狀態資料是否與該充電狀態資料一致；以及<br/> 當判斷該車位狀態資料與該充電狀態資料不一致時，重啟該充電樁。
如請求項5所述的充電站，還包含與該攝影機電性連接的一揚聲器，其中，該揚聲器用以根據該攝影機所攝取的畫面提示充電樁操作流程。
如請求項5所述的充電站，還包含與該攝影機電性連接的一燈具，其中，該燈具用以根據該攝影機所攝取的畫面提示充電樁操作流程。
如請求項5所述的充電站，還包含與該攝影機電性連接的一顯示器，其中，該顯示器用以根據該攝影機所攝取的畫面提示充電樁操作流程。
如請求項1-8其中任一項所述的充電站，其中，該電腦係基於開放充電點協議來重啟該充電樁。
如請求項1-8其中任一項所述的充電站，其中，該電腦係透過該充電樁的一應用程式介面來重啟該充電樁。
如請求項1-8其中任一項所述的充電站，還包含與該電腦和該充電樁電性連接的一電力開關控制器，其中，該電腦係透過該電力開關控制器對該充電樁強制斷電，並於一中斷期間後恢復供電，以重啟該充電樁。
一種肌少症防治桌遊教具，其包括:<br/> 複數食物圖卡，各該食物圖卡形成有相對的正面及反面，且外圍設置的輪廓結構相同可彼此重疊設置，其中該反面設有一食物圖像區，用以顯示代表食物之圖像、一食物名稱區，用以顯示該食物名稱、一營養資訊區，其內含一顯示該食物之蛋白質單位及一顯示該食物之熱量單位及一圖卡積分區，用以記錄該食物圖卡對應之積分值；<br/> 複數肌能補給圖卡，各該肌能補給圖卡形成有相對的正面及反面，且外圍設置的輪廓結構相同可與各該食物圖卡彼此重疊設置，其中該反面設有一補給目的標題區、一標題圖像顯示區及一標題內容區，用以顯示該肌能補給圖卡之題目及指示條件；<br/> 複數餐桌日常圖卡，各該餐桌日常圖卡形成有相對的正面及反面，且外圍設置的輪廓結構相同可與各該食物圖卡或該肌能補給圖卡彼此重疊設置，其中該反面設有一人物角色區、一人物角色圖像顯示區、一人物生活狀態內容區、一用以顯示該角色之飲食條件之飲食條件區及一標註加分數之加分項目區；及<br/> 一餐盤食物圖紙，其表面區分設置有複數餐盤分區，用以對應放置該食物圖卡、該肌能補給圖卡及該餐桌日常圖卡。
如請求項1所述之肌少症防治桌遊教具，其中該食物圖像區為一全榖雜糧類區、一綜合類區、一水果類餐盤區、一奶製品類餐盤區、一豆魚蛋肉類餐盤區、一堅果類餐盤區及或一蔬菜類餐盤區。
如請求項1所述之肌少症防治桌遊教具，其中各該食物圖卡之該圖卡積分區內設有可掃描之識別碼或QR碼，並可透過行動應用程式進行積分記錄、圖卡內容辨識及肌少症飲食建議分析。
一種封裝卡殼改良結構，係包含有：<br/> 一第一外殼體，係在其內側面設有一第一容置槽，另緊鄰該第一外殼體的外側面的二端設有互為相對的二第一榫槽；<br/> 一第二外殼體，係在其外側面的二端設有互為相對的二第二榫槽，又該二第二榫槽與該二第一榫槽互為相對；及<br/> 二端部嵌件，係嵌合於當該第二外殼體疊合於該第一外殼體後的二端，且二該端部嵌件係設有一嵌槽，且在各該嵌槽內部上下設有二卡榫，而各該二卡榫則定位嵌入於各該第一榫槽與各該第二榫槽。
如請求項1所述封裝卡殼改良結構，其中該第一外殼體的內側面設有一定位凹槽，而該第一容置槽設於該定位凹槽內，而該第二外殼體的內側面設有一定位凸面以對應該第一外殼體所設該定位凹槽。
如請求項2所述封裝卡殼改良結構，其中該第一外殼體的外側面的四周圍設有一第一圍邊，且該第一圍邊對應於該二端部嵌件的上方處設有二缺口；又其中該第二外殼體的外側面的四周圍設有一第二圍邊，且該第二圍邊對應於該二端部嵌件的下方處設有另二缺口。
如請求項3所述封裝卡殼改良結構，其中該二第一榫槽與該二第二榫槽均設於該四個缺口上，以利該二端部嵌件緊密貼合於該第一外殼體及該第二外殼體的二端，並填補該四個缺口。
如請求項4所述封裝卡殼改良結構，其中各該缺口的兩側各設有二第一斜邊，而各該端部嵌件的上方處及下方處的兩側對應配合各該二第一斜邊則設有二第二斜邊，且各該二第二斜邊緊密貼合於該二第一斜邊。
如請求項5所述封裝卡殼改良結構，其中各該端部嵌件設為一ㄈ型狀體。
如請求項2所述封裝卡殼改良結構，其中該第一外殼體所設該定位凹槽內另設有一第二容置槽，且該第一容置槽的面積(A1)大於該第二容置槽的面積(A2)，而該第二容置槽的深度(H)大於該第一容置槽的深度(h)。
如請求項2所述封裝卡殼改良結構，其中該第一外殼體所設該定位凹槽的四周設有數個定位卡槽，而該第二外殼體所設該定位凸面的四周圍設有數個定位卡凸，又其中該數個定位卡槽與該數個定位卡凸的位置及數量互為對應配合。
如請求項3所述封裝卡殼改良結構，其中該第一外殼體所設該第一圍邊與該第二外殼體所設該第二圍邊的對應處分別設有互為相對的二外凹槽與二內凹槽。
如請求項1至9任一項所述封裝卡殼改良結構，其中該第一外殼體與該第二外殼體均設為透明狀的壓克力或塑料材質所製作而成，而該二端部嵌件則設為具金屬光澤的金屬或複合材料所製作而成。
一種用於刷膠設備的角度可調浮動機構，包含：<br/> 一主體板；<br/> 一毛刷主軸，安裝於該主體板；<br/> 一毛刷，安裝於該毛刷主軸的一端；及<br/> 一浮動組件，安裝在該主體板的底部，並包括一具有一輸出軸的氣缸、一安裝於該輸出軸的安裝定位塊，及一傾斜設置於該安裝定位塊的擋塊，該氣缸能驅動該擋塊沿一前後方向運動。
如請求項1所述的用於刷膠設備的角度可調浮動機構，還包含一安裝於該主體板的上部的馬達，及一設置於該馬達與該毛刷主軸之間的傳動結構，該馬達具有一能藉由該傳動結構帶動該毛刷主軸轉動的輸出軸。
如請求項1所述的用於刷膠設備的角度可調浮動機構，還包含一連接於該毛刷主軸遠離該毛刷的一端的旋轉接頭、一點膠閥，及一連接於該旋轉接頭與該點膠閥之間的膠管，該點膠閥藉由一管路連接一膠桶。
如請求項1所述的用於刷膠設備的角度可調浮動機構，其中，該浮動組件還包括一固定在主體板與該氣缸的頂部之間的軸承蓋，該毛刷主軸相反該毛刷的一端穿過該軸承蓋，該軸承蓋護蓋該毛刷主軸的軸承處。
如請求項1所述的用於刷膠設備的角度可調浮動機構，其中，該浮動組件還包括一連接於該擋塊的一端的調節板，該調節板上開設有一條形孔，藉由一螺栓穿過該安裝定位塊與該條形孔並與一螺母鎖緊固定後，該安裝定位塊與該調節板連接，該調節板能藉由該條形孔與該螺栓的滑動配合調節位置。
如請求項1所述的用於刷膠設備的角度可調浮動機構，其中，該擋塊採用如彈性塑膠或丁腈橡膠的柔性材料製成。
如請求項1所述的用於刷膠設備的角度可調浮動機構，其中，該浮動組件還包括安裝於該擋塊的兩側且用於該毛刷的側面外部防護的側擋板。
一種基於馬達驅動的毛刷轉動控制裝置，包含：<br/> 一主體板；及<br/> 一動力傳動組件，包括一固定於該主體板的馬達、一毛刷主軸，及一設置於該馬達與該毛刷主軸之間的傳動結構，該傳動結構具有一連接於該馬達的一輸出軸的主動同步帶輪、一連接於該毛刷主軸的從動同步帶輪，及一套設於該主動同步帶輪與該從動同步帶輪之間的皮帶，該毛刷主軸藉由銷和卡簧能拆卸地周向固定於該從動同步帶輪，該馬達驅動該主動同步帶輪轉動，經該皮帶帶動該從動同步帶輪及該毛刷主軸同步旋轉。
如請求項1所述的基於馬達驅動的毛刷轉動控制裝置，還包含一點膠組件，該點膠組件包括一膠桶、一點膠閥、一旋轉接頭，及一膠管，該膠桶藉由氣壓控制將一膠水輸送至該點膠閥，該旋轉接頭為能調節角度的管狀接頭，該旋轉接頭的一端與該毛刷主軸的末端同軸設置且轉動連接，另一端藉由該膠管與該點膠閥出口連通，當該膠管與該旋轉接頭的連接處產生阻力時，該膠管與該旋轉接頭共同處於靜止狀態以避免該膠管纏繞，該膠水依序該經點膠閥、該膠管、該旋轉接頭流入該毛刷主軸。
如請求項1所述的基於馬達驅動的毛刷轉動控制裝置，其中，該毛刷主軸的一端安裝有一毛刷，該毛刷上能拆卸地安裝有一防護蓋。
如請求項1所述的基於馬達驅動的毛刷轉動控制裝置，其中，該主動同步帶輪與該馬達的該輸出軸鍵連接，該從動同步帶輪的一內孔藉由銷和卡簧與該毛刷主軸的一端周向限位固定。
如請求項2所述的基於馬達驅動的毛刷轉動控制裝置，其中，該旋轉接頭包括相互配合的一固定端和一旋轉端，該固定端和該旋轉端均為內部中空的筒狀結構，該旋轉端與該毛刷主軸的末端一體成型或焊接固定，該固定端藉由螺紋與該膠管能拆卸地連接，該固定端和該旋轉端之間藉由軸承轉動連接，當該旋轉端隨該毛刷主軸轉動時，該固定端與該膠管保持靜止。
如請求項5所述的基於馬達驅動的毛刷轉動控制裝置，其中，該毛刷主軸的內部開設有一沿其軸向延伸的膠液通道，該毛刷主軸相反該旋轉接頭的一端安裝有一毛刷，該旋轉端連通該膠液通道，膠水經該旋轉端流入該膠液通道後，從該膠液通道靠近該毛刷的出口流向該毛刷。
如請求項1所述的基於馬達驅動的毛刷轉動控制裝置，其中，該毛刷主軸的一端安裝有一毛刷，該主體板的下端安裝有一浮動機構，該浮動機構包括一具有一輸出軸的伸縮氣缸，及一安裝於該伸縮氣缸的該輸出軸的擋板，該擋板用以阻擋該毛刷上的膠水流向一鞋面。
一種高度調整裝置，適用於一螺絲割尾機的一料桶，並包含：<br/> 一支撐座，適用於設置於該螺絲割尾機的該料桶下方；<br/> 一驅動機構，設置於該支撐座上；及<br/> 一調整機構，適用於連接於該料桶，並可沿一移動方向移動地連接於該驅動機構，該調整機構可在受到該驅動機構的驅動時移動。
如請求項1所述的高度調整裝置，其中，該支撐座包括一座體，及一設置於該座體上的限位組，該調整機構在被該驅動機構驅動時限位於限位組，而在該移動方向移動。
如請求項2所述的高度調整裝置，其中，該驅動機構包括一固定設置於該支撐座的馬達，及一可被該馬達驅轉地連接於該馬達的轉軸，該轉軸沿該移動方向延伸。
如請求項3所述的高度調整裝置，其中，該調整機構包括一可在該移動方向移動地限位於該限位組的移動組，及一連接於該移動組頂側的底板，該底板適用於供該料桶設置於其上。
如請求項4所述的高度調整裝置，其中，該調整機構還包括一固定連接於該移動組的傳動件，該轉軸可轉動地穿設於該傳動件，用以帶動該傳動件相對該支撐座在該移動方向直線移動。
如請求項5所述的高度調整裝置，其中，該驅動機構的該轉軸具有一外螺紋，該傳動件具有一與該外螺紋互相匹配的內螺紋。
如請求項5所述的高度調整裝置，其中，該支撐座具有一在該移動方向延伸的設置面，該限位組包括一設置於該設置面上的限位件，及一形成於該限位件的限位導槽，該移動組包括一可在該移動方向移動地限位於該限位導槽的移動件、一連接於該移動件頂側與該底板底側之間的連接板，及二互相間隔的支撐件，該連接板與該移動件夾設一小於90度的預定角度，該等支撐件在一相交於該移動方向的相交方向互相間隔，並撐抵於該移動件與該連接板之間。
如請求項4所述的高度調整裝置，還包含一訊號連接於該驅動機構的處理單元，該處理單元用以在被觸發時控制該驅動機構停止作動。
如請求項8所述的高度調整裝置，還包含一訊號連接於該處理單元的感測單元，該感測單元包括設置於該支撐座的一第一感測器及一第二感測器，該第一感測器的設置高度不同於該第二感測器的設置高度，該第一感測器在感測到該調整機構時產生一第一感測訊號，該第二感測器在感測到該調整機構時產生一第二感測訊號，該處理單元在接收到該第一感測訊號及該第二感測訊號的其中一者時被觸發，而控制該驅動機構停止驅動該調整機構移動。
如請求項9所述的高度調整裝置，其中，該感測單元的該第一感測器的高度高於該第一感測器的高度，該調整機構還包括一從該移動組突伸而出的感測件，該感測件接觸到該第一感測器時，該第一感測器產生該第一感測訊號，該底板接觸到該第二感測器時，該第二感測器產生該第二感測訊號。
一種濕熱滅菌支架，其包含：<br/> 一底座，包含複數個溝槽，以容置一鋁質包裝軟管之一封口端；<br/> 一蓋板，與該底座相對，且該蓋板包含沿所對應之該些溝槽排列之複數個開孔，以容納該鋁質包裝軟管相對該封口端之一開口端；以及<br/> 複數個支撐架，設置於該底座與該蓋板間；<br/> 其中，該些溝槽中設置具有一夾縫之一彈性膠條，以夾固該鋁質包裝軟管之該封口端。
如請求項1所述之濕熱滅菌支架，其中該些支撐架包含螺絲與螺帽組合，該底座與該蓋板係藉由該些螺絲支撐，並藉由該些螺帽螺接固定。
如請求項1所述之濕熱滅菌支架，其中該彈性膠條係為橡膠膠條或矽膠膠條。
如請求項1所述之濕熱滅菌支架，其中該蓋板之該些開孔之孔徑係介於10 mm至40 mm。
如請求項1所述之濕熱滅菌支架，其中該蓋板之該些開孔之間距係介於10 mm至50 mm。
如請求項1所述之濕熱滅菌支架，其中該底座進一步包含複數個導流孔，且該蓋板進一步包含複數個導流孔。
如請求項6所述之濕熱滅菌支架，其中該些導流孔之孔徑係介於5 mm至20 mm。
一種傳輸線結構，其包括：<br/> 一導線本體（1）；<br/> 一箔片（2），該箔片（2）具有一導電面和一絕緣面，至少兩根該導線本體（1）由該箔片（2）包覆形成一併線組，該絕緣面貼靠於該併線組中的該導線本體（1）；以及<br/> 一導電布組件（3），該導電布組件（3）包覆於該箔片（2），且至少部分該導電面貼靠於該導電布組件（3）。
如請求項1所述的傳輸線結構，其中，該導電布組件（3）包括一第一導電布（31），各個該併線組的該箔片（2）外側分別包覆有該第一導電布（31），且該第一導電布（31）貼靠於該導電面。
如請求項2所述的傳輸線結構，其中，該導電布組件（3）還包括一第二導電布（32），該第二導電布（32）捆扎於多個該併線組的該第一導電布（31）的外側。
如請求項3所述的傳輸線結構，其中，沿該導線本體（1）的長度方向，該第二導電布（32）間隔設置有多個。
如請求項4所述的傳輸線結構，其中，該導電布組件（3）還包括一第三導電布（33），該第三導電布（33）包覆於該第一導電布（31）和該第二導電布（32）的外部，該導線本體（1）的兩端分別連接於一連接頭（200）和一電路板（100），該第三導電布（33）的一端連接於該電路板（100），另一端連接於該連接頭（200）。
如請求項1至5中任一項所述的傳輸線結構，其中，該導線本體（1）包括一導體（11）和包裹於該導體（11）外部的一絕緣外皮（12），該導體（11）具有一第一端頭和一第二端頭，且該第一端頭和該第二端頭分別伸出於該絕緣外皮（12），該箔片（2）包覆於該絕緣外皮（12）。
如請求項6所述的傳輸線結構，其中，沿該導線本體（1）的長度方向，該箔片（2）靠近該第一端頭的一端和該絕緣外皮（12）靠近該第一端頭的一端之間的距離不大於5毫米，該箔片（2）靠近該第二端頭的一端和該絕緣外皮（12）靠近該第二端頭的一端之間的距離不大於5毫米。
如請求項1所述的傳輸線結構，其中，該箔片（2）為一鋁箔或一銅箔。
一種數據傳輸模組，其包括一電路板（100）、一連接頭（200）以及一如請求項1至8中任一項所述的傳輸線結構，該導線本體（1）的兩端分別連接於該電路板（100）的焊盤和該連接頭（200）的焊盤。
如請求項9所述的數據傳輸模組，其中，該數據傳輸模組還包括一接地外殼（300），該接地外殼（300）罩設於該連接頭（200）的焊盤，且該接地外殼（300）與該連接頭（200）可拆卸連接。
如請求項10所述的數據傳輸模組，其中，該數據傳輸模組還包括一地線（400），該地線（400）的一端連接於該電路板（100），另一端連接於該接地外殼（300），該地線（400）的外部包覆有一地線導電布（500）。
一種人員調派認證系統，包括：<br/> 一總行伺服器，位於一根網域，且該根網域包括一根網域控制站，用以儲存一活動目錄資料庫；<br/> 一第一分行伺服器，位於一第一子網域且電性連接該總行伺服器，該第一分行伺服器包括一第一人員物件； <br/> 一第二分行伺服器，位於一第二子網域且電性連接該總行伺服器，該第二分行伺服器包括一第二人員物件，其中該第二人員物件的多個屬性中的至少一個不同於該第一人員物件的多個屬性中的至少一個；以及<br/> 一群組原則物件，電性連接該根網域、該第一子網域和該第二子網域，並儲存該第二人員物件的該些屬性和該第一人員物件的該些屬性。
如請求項1所述之人員調派認證系統，其中該根網域的一權限高於該第一子網域的一權限和該第二子網域的一權限，且該第一子網域的該權限與該第二子網域的該權限互不干涉。
如請求項1所述之人員調派認證系統，其中該總行伺服器包括一人事組織單位、一部門組織單位以及一人員物件，該部門組織單位電性連接該人事組織單位，且該人員物件電性連接該部門組織單位。
如請求項3所述之人員調派認證系統，其中該人員物件具有多個屬性，且該些屬性包括一基本屬性、一使用者命名屬性、一安全性屬性、一通訊錄屬性及一應用程式屬性。
如請求項1所述之人員調派認證系統，其中該第一分行伺服器更包括一部門組織單位，且該第一人員物件電性連接該部門組織單位。
如請求項1所述之人員調派認證系統，其中該第一人員物件的該些屬性包括一基本屬性、一使用者命名屬性、一安全性屬性、一通訊錄屬性及一應用程式屬性。
如請求項1所述之人員調派認證系統，其中該第二分行伺服器更包括一部門組織單位，且該第二人員物件電性連接該部門組織單位。
如請求項1所述之人員調派認證系統，其中該第二人員物件的該些屬性包括一基本屬性、一使用者命名屬性、一安全性屬性、一通訊錄屬性及一應用程式屬性。
如請求項1所述之人員調派認證系統，其中該群組原則物件包括該第二人員物件的該些屬性的一變更和該第一人員物件的該些屬性的一變更。
如請求項9所述之人員調派認證系統，其中該第二人員物件的該些屬性的該變更和該第一人員物件的該些屬性的該變更於一特定時間生效。
一種刀具結構，係一刀體及一手柄組合而成；該手柄，由兩支對稱之中空狀之左、右手柄及一配重塊焊接拋磨組合而成，而後將刀體與手柄之前端焊接拋磨後，再將刀體下半部之刀刃拋磨刀利，即完成一把刀具，利用手柄內之配重塊之大小重量的不同，可使刀具的重心位置得到改善，可讓不同刀體大小之刀具其重心皆可於使用者手掌持握手柄之虎口處或者是使用者習慣之處，以達到對握持刀具更加輕鬆方便且符合人體工學之功效。
如申請專利範圍第1項所述之刀具結構，其中，該刀體，可依需求，製作成不同功能及形狀之刀體。
如申請專利範圍第1項或第2項所述之刀具結構，其中，該刀體，其兩側刀面及刀刃上半部佈滿不規則之圓弧形凹槽，當切開肉類、魚類等綿密之食物時，食物與刀面接觸面不會形成真空狀，可避免其吸附在刀具之刀面上，達到食物與刀具可快速分離之功效。
如申請專利範圍第1項或第2項所述之刀具結構，其中，該手柄中空狀之左、右手柄，其表面設有數排止滑凹槽。
如申請專利範圍第1項或第2項所述之刀具結構，其中，其配重塊可延伸出一至數個焊接腳。
如申請專利範圍第1項或第2項所述之刀具結構，其中，當刀具之刀體較小重量較輕時，該手柄可由兩支對稱之中空狀之左、右手柄焊接拋磨組合而成即可。
一種含氣冷高爐爐碴之低碳混凝土組成物結構，包含有：<br/> 一水泥基底層，該水泥基底層於成形時呈預定形狀，其內部界定出一第一嵌合區；<br/> 一氣冷高爐爐碴粒料模組，其設置於該第一嵌合區內，並使該第一嵌合區內部形成一第二嵌合區；<br/> 一外加劑模組，其位於該第一嵌合區與該第二嵌合區之間；一水淬爐石粉模組，其配置於該第二嵌合區之內，並在該第二嵌合區中與該氣冷高爐爐碴粒料模組形成相鄰結構；以及<br/> 一電廠飛灰模組，其設置於該第二嵌合區中，並分別與該氣冷高爐爐碴粒料模組及該水淬爐石粉模組形成相鄰配置關係。
如請求項1所述之含氣冷高爐爐碴之低碳混凝土組成物結構，其中，該氣冷高爐爐碴粒料之粗粒料粒徑範圍為5至25公釐，細粒料之粒徑範圍為0.1至5公釐。
如請求項2所述之含氣冷高爐爐碴之低碳混凝土組成物結構，其中，該粗粒料與細粒料之重量比為(60~80):(40~20)。
如請求項1或2所述之含氣冷高爐爐碴之低碳混凝土組成物結構，其中，該氣冷高爐爐碴粒料模組未經研磨或球磨處理。
如請求項1或2所述之含氣冷高爐爐碴之低碳混凝土組成物結構，其中，該氣冷高爐爐碴粒料取代天然粒料之總比例為20%至100%（重量比）。
如請求項1所述之含氣冷高爐爐碴之低碳混凝土組成物結構，其中，該外加劑模組為高性能之減水緩凝劑。
一種學區與社區房市資訊整合查詢系統，適用於一終端裝置，並包含：<br/> 一通訊模組，通訊連接該終端裝置；<br/> 一儲存模組，儲存一社區資料庫、一學區資料庫及一電子地圖，該社區資料庫包含分別對應多個社區的多筆社區房市資料，每一該社區房市資料包括一縣市和一行政區，該學區資料庫包含分別對應多個學校的多筆學區資料，每一該學區資料包括一學區，該電子地圖包含分別對應該等學區的多個學區區塊；及<br/> 一處理模組，電連接該通訊模組和該儲存模組，並透過該通訊模組提供一查詢介面給該終端裝置；<br/> 其中，該處理模組收到該終端裝置透過該查詢介面傳來的一包含一指定縣市、一指定行政區和一指定學校的查詢指令時，對該社區資料庫和該學區資料庫進行查詢，並產生一查詢結果；<br/> 該處理模組將該查詢結果以一資料視覺化呈現方式顯示於該電子地圖其中與該指定學校相符之該學校所對應的該學區所對應的該學區區塊，並提供該電子地圖給該終端裝置。
如請求項1所述的學區與社區房市資訊整合查詢系統，其中，該資料視覺化呈現方式是一泡泡圖呈現方式；每一該學區包含至少一社區；該處理模組將該查詢結果以該泡泡圖呈現方式顯示至少一泡泡圖於該電子地圖其中與該指定學校相符之該學校所對應的該學區所對應的該學區區塊，每一該泡泡圖對應該學區所包含的該至少一社區其中之一者。
如請求項2所述的學區與社區房市資訊整合查詢系統，其中，每一該社區房市資料還包括一社區區間價格和一屋齡；該處理模組還將該查詢結果另以一清單列表提供給該終端裝置，該清單列表包含與該指定縣市相符之該縣市、與該指定行政區相符之該行政區、與該指定學校相符之該學校所對應的該學區所包含的該至少一社區、該至少一社區所對應的該社區區間價格和該屋齡。
一種加強隔音氣密效果的門邊框結構，用以安裝於一牆體(91)側邊壁上的門扇框架(92)，並抵頂一可活動的門板(93)，該門邊框結構(10)包括：<br/>一固位單元(30)，包括有一第一板件(11)及一第二板件(12)，該第一板件(11)鎖合或固定於該門扇框架(92)，該第二板件(12)與該第一板件(11)相連接；<br/>一適配單元(40)，包括有一第三板件(13)及一第四板件(14)，該第三板件(13)可活動地與該第二板件(12)相結合或分離，該第三板件(13)與該第四板件(14)相連接，使該第四板件(14)與該固位單元(30)的第一板件(11)或該第二板件(12)合圍形成一第一容置槽(71)；及<br/>一第一氣密條(81)；<br/>其中，該第一氣密條(81)可活動地設置於該第一容置槽(71)內，使該門板(93)可移動地抵頂該第一氣密條(81)。
如請求項1所述的加強隔音氣密效果的門邊框結構，其中，該第一板件(11)及該第二板件(12)以彎折構型相連接。
如請求項1所述的加強隔音氣密效果的門邊框結構，其中，該第三板件(13)與該第四板件(14)以彎折構型相連接。
如請求項1所述的加強隔音氣密效果的門邊框結構，其中，該第一氣密條(81)位於該第一容置槽(71)時，該第一氣密條(81)的部份體積突出於該第一容置槽(71)外。
如請求項1所述的加強隔音氣密效果的門邊框結構，其中，該第一氣密條(81)延伸而出一第一凸出部位(83)，該第一凸出部位(83)設置於朝向該門扇框架(92)的方向。
如請求項1所述的加強隔音氣密效果的門邊框結構，其中，該第二板件(12)包括有一螺釘孔(18)，該螺釘孔(18)可允許一螺釘(86)穿入而與該第三板件(13)相結合。
如請求項1所述的加強隔音氣密效果的門邊框結構，其中，該第三板件(13)包括有一螺釘孔(18)，該螺釘孔(18)可允許一螺釘(86)穿入而與該第二板件(12)相結合。
如請求項1所述的加強隔音氣密效果的門邊框結構，其中，該第三板件(13)包括有一凹入槽(17)，該凹入槽(17)的輪廓與該第二板件(12)的輪廓相吻合或配合，使該第二板件(12)可插拔至該凹入槽(17)內。
如請求項1所述的加強隔音氣密效果的門邊框結構，其中，該第四板件(14)凹入構成一第二容置槽(72)，該第二容置槽(72)設置於指向該門板(93)的一側，且該第二容置槽(72)內可活動地設置有一第二氣密條(82)。
如請求項9所述的加強隔音氣密效果的門邊框結構，其中，該第二氣密條(82)延伸而出一第二凸出部位(84)，該第二凸出部位(84)設置於朝向該門扇框架(92)的相反方向。
如請求項9所述的加強隔音氣密效果的門邊框結構，其中，該第二氣密條(82)位於該第二容置槽(72)時，該第二氣密條(82)的部份體積突出於該第二容置槽(72)外。
如請求項1所述的加強隔音氣密效果的門邊框結構，其中，該第一板件(11)包括有一螺釘孔(18)，該螺釘孔(18)可允許一螺釘(86)穿入而與該門扇框架(92)相鎖合。
一種免拆包覆式的門邊框結構，用以包覆一牆體(91)側邊壁上的門扇框架(92)，並抵頂一可活動的門板(93)，該門邊框結構(10)包括：<br/>一第一板件(131)，包括有一第一端部(141)及一第二端部(142)，該第一端部(141)及該第二端部(142)分別位於該第一板件(131)的相異兩端，該第一端部(141)黏接至該牆體(91)，該第二端部(142)黏接至該門扇框架(92)；<br/>一第二板件(132)，包括有一第三端部(143)及一第四端部(144)，該第三端部(143)及該第四端部(144)分別位於該第二板件(132)的相異兩端，該第三端部(143)鎖合或扣合至該第二端部(142)，該第四端部(144)黏接至該牆體(91)的另一側邊；及<br/>一第一氣密條(81)；<br/>其中，該第二端部(142)及該第三端部(143)在連接處周邊合圍形成一第一容置槽(151)，該第一氣密條(81)可活動地設置於該第一容置槽(151)內，使該門板(93)可移動地抵頂該第一氣密條(81)。
如請求項1所述的免拆包覆式的門邊框結構，其中，該第二端部(142)呈彎折構型，該第三端部(143)更延伸出一鎖合板(1435)，該第三端部(143)透過該鎖合板(1435)而鎖合至該第二端部(142)的彎折處。
如請求項1所述的免拆包覆式的門邊框結構，其中，該第一氣密條(81)位於該第一容置槽(151)時，該第一氣密條(81)的部份體積突出於該第一容置槽(151)外。
如請求項1所述的免拆包覆式的門邊框結構，其中，該第一氣密條(81)延伸而出一凸出部位(84)，該凸出部位(84)設置於朝向該門板(93)的方向。
如請求項1所述的免拆包覆式的門邊框結構，其中，該第一端部(141)透過一第一黏接點(71)而黏接至該牆體(91)，該第二端部(142)透過一第二黏接點(72)而黏接至該門扇框架(92)，該第四端部(144)透過一第三黏接點(73)而黏接至該牆體(91)的另一側邊，且該第二黏接點(72)黏接或接抵該第三端部(143)。
如請求項1所述的免拆包覆式的門邊框結構，其中，該第一板件(131)包括有一螺釘孔(161)，該螺釘孔(161)可允許一螺釘(86)穿入並鎖至該門扇框架(92)。
如請求項6所述的免拆包覆式的門邊框結構，其中，該第一板件(131)凹入構成一第二容置槽(152)，該螺釘孔(161)位於該第二容置槽(152)的槽底。
如請求項7所述的免拆包覆式的門邊框結構，其中，該第二容置槽(152)內可活動地設置有一第二氣密條(82)，或蓋上一覆蓋該第二容置槽(152)的凹槽蓋板(85)。
如請求項1所述的免拆包覆式的門邊框結構，其中，該第二板件(132)包括有一螺釘孔(161)，該螺釘孔(161)可允許一螺釘(86)穿入並鎖至該門扇框架(92)。
如請求項9所述的免拆包覆式的門邊框結構，其中，該第二板件(132)凹入構成一第三容置槽(153)，該螺釘孔(161)位於該第三容置槽(153)的槽底。
如請求項10所述的免拆包覆式的門邊框結構，其中，該第三容置槽(153)內可活動地設置有一第三氣密條，或蓋上一覆蓋該第三容置槽(153)的凹槽蓋板(85)。
一種複合式污水處理槽設備，包括：<br/> 承接槽，具有承接槽槽底板、與該承接槽槽底板相對連接的二承接槽長側板、二承接槽短側板及該二承接槽長側板與該二承接槽短側板之間圍成的承接槽長型槽，且該承接槽還具有連接該承接槽槽底板與該二承接槽長側板的承接槽隔板，以將該承接槽長型槽分隔出承接槽前槽、承接槽後槽，且該承接槽隔板具有連通該承接槽前槽、該承接槽後槽的承接槽上導孔及二承接槽下導孔，該二承接槽下導孔的孔徑大於該承接槽上導孔的孔徑，又該承接槽還具有蓋組於該承接槽長型槽上方的承接槽蓋板，及藉由導入管貫穿該二承接槽長側板或該二承接槽短側板之一以連通該承接槽前槽至外部；<br/> 轉接槽，具有轉接槽槽底板、與該轉接槽槽底板相對連接的二轉接槽長側板、二轉接槽短側板及該二轉接槽長側板與該二轉接槽短側板之間圍成的轉接槽長型槽，且該轉接槽還具有連接該轉接槽槽底板與該二轉接槽長側板的轉接槽隔板，以將該轉接槽長型槽分隔出轉接槽前槽、轉接槽後槽，且該轉接槽隔板具有連通該轉接槽前槽、該轉接槽後槽的轉接槽上導孔，又該轉接槽還具有蓋組於該轉接槽長型槽上方的轉接槽蓋板；<br/> 排水槽，具有排水槽槽底板、與該排水槽槽底板相對連接的二排水槽長側板、二排水槽短側板及該二排水槽長側板與該二排水槽短側板之間圍成的排水槽長型槽，且該排水槽還具有連接該排水槽槽底板與該二排水槽長側板的排水槽隔板，以將該排水槽長型槽分隔出排水槽前槽、排水槽後槽，且該排水槽隔板具有連通該排水槽前槽、該排水槽後槽的排水槽上導孔，又該排水槽還具有蓋組於該排水槽長型槽上方的排水槽蓋板，及藉由導出管貫穿該二排水槽長側板或該二排水槽短側板之一以連通該排水槽後槽至外部；<br/> 第一接管，連接該承接槽後槽與該轉接槽前槽；<br/> 第二接管，連接該轉接槽後槽與該排水槽前槽；<br/> 其中，藉由該第一接管貫穿該承接槽長側板、該轉接槽長側板連接該承接槽與該轉接槽，以及該第二接管貫穿該轉接槽長側板、該排水槽長側板連接該轉接槽與該排水槽，構成並聯排列態樣，且該承接槽長型槽之內槽壁、該轉接槽長型槽之內槽壁及該排水槽長型槽之內槽壁的披覆結合有防滲漏層。
如請求項1所述之複合式污水處理槽設備，其中進一步具有穿組結合於該承接槽蓋板、該轉接槽蓋板及該排水槽蓋板的抽吸管。
如請求項1所述之複合式污水處理槽設備，其中該二承接槽長側板與該二承接槽短側板、該二轉接槽長側板與該二轉接槽短側板、該二排水槽長側板與該二排水槽短側板分別設有預留孔槽，該預留孔槽為削減結構厚度。
如請求項1所述之複合式污水處理槽設備，其中該承接槽隔板、該轉接槽隔板及該排水槽隔板分別設有朝向該承接槽蓋板、該轉接槽蓋板及該排水槽蓋板的透氣槽。
一種複合式污水處理槽設備，包括：<br/> 承接槽，具有承接槽槽底板、與該承接槽槽底板相對連接的二承接槽長側板、二承接槽短側板及該二承接槽長側板與該二承接槽短側板之間圍成的承接槽長型槽，且該承接槽還具有連接該承接槽槽底板與該二承接槽長側板的承接槽隔板，以將該承接槽長型槽分隔出承接槽前槽、承接槽後槽，又該承接槽還具有蓋組於該承接槽長型槽上方的承接槽蓋板，該承接槽隔板具有連通該承接槽前槽、該承接槽後槽的承接槽上導孔及二承接槽下導孔，該二承接槽下導孔的孔徑大於該承接槽上導孔的孔徑，另，藉由導入管貫穿該二承接槽長側板或該二承接槽短側板之一以連通該承接槽前槽至外部；<br/> 轉接槽，具有轉接槽槽底板、與該轉接槽槽底板相對連接的二轉接槽長側板、二轉接槽短側板及該二轉接槽長側板與該二轉接槽短側板之間圍成的轉接槽長型槽，且該轉接槽還具有連接該轉接槽槽底板與該二轉接槽長側板的轉接槽隔板，以將該轉接槽長型槽分隔出轉接槽前槽、轉接槽後槽，又該轉接槽還具有蓋組於該轉接槽長型槽上方的轉接槽蓋板，該轉接槽隔板具有連通該轉接槽前槽、該轉接槽後槽的轉接槽上導孔；<br/> 排水槽，具有排水槽槽底板、與該排水槽槽底板相對連接的二排水槽長側板、二排水槽短側板及該二排水槽長側板與該二排水槽短側板之間圍成的排水槽長型槽，且該排水槽還具有連接該排水槽槽底板與該二排水槽長側板的排水槽隔板，以將該排水槽長型槽分隔出排水槽前槽、排水槽後槽，又該排水槽還具有蓋組於該排水槽長型槽上方的排水槽蓋板，該排水槽隔板具有排水槽上導孔，另，藉由導出管貫穿該二排水槽長側板或該二排水槽短側板之一以連通該排水槽後槽至外部；<br/> 第一接管，連接該承接槽後槽與該轉接槽後槽；<br/> 第二接管，連接該轉接槽前槽與該排水槽前槽；<br/> 其中，藉由該第一接管貫穿該承接槽短側板、該轉接槽短側板連接該承接槽與該轉接槽，以及該第二接管貫穿該轉接槽短側板、該排水槽短側板連接該轉接槽與該排水槽，構成串聯排列態樣，且該承接槽長型槽之內槽壁、該轉接槽長型槽之內槽壁及該排水槽長型槽之內槽壁的披覆結合有防滲漏層。
如請求項5所述之複合式污水處理槽設備，其中進一步具有穿組結合於該承接槽蓋板、該轉接槽蓋板及該排水槽蓋板的抽吸管。
如請求項5所述之複合式污水處理槽設備，其中該二承接槽長側板與該二承接槽短側板、該二轉接槽長側板與該二轉接槽短側板、該二排水槽長側板與該二排水槽短側板分別設有預留孔槽，該預留孔槽為削減結構厚度。
如請求項5所述之複合式污水處理槽設備，其中該承接槽隔板、該轉接槽隔板及該排水槽隔板分別設有朝向該承接槽蓋板、該轉接槽蓋板及該排水槽蓋板的透氣槽。
如請求項5所述之複合式污水處理槽設備，其中該二承接槽下導孔的孔徑大於該承接槽上導孔的孔徑，且該二承接槽下導孔位於該承接槽上導孔的下方並靠近該承接槽槽底板位置。
一種複合清潔劑補充站，其包含：<br/> 一箱體，該箱體設有一門板及一容置空間，該門板提供啟閉該容置空間之開口；<br/> 一計算機主機，該計算機主機連接外部電源，該計算機主機中設置控制軟體並運算控制參數傳送接收於各連接元件，該計算機主機設置於該門板內側；<br/> 一流量計，該流量計連接該計算機主機接收其控制參數，並控制清潔劑體積之數量，該流量計設置於該門板內側；<br/> 複數電磁閥，該電磁閥連接該計算機主機接收其控制參數，並控制清潔劑通過之開啟與關閉，該電磁閥設置於該門板內側；<br/> 複數隔膜幫浦，該隔膜幫浦連接該計算機主機接收其控制參數，並施加壓力將清潔劑抽出，該隔膜幫浦設置於該容置空間內；<br/> 複數桶槽，該桶槽設置於該容置空間內，提供清潔劑存放，更進一步，該清潔劑包含人體清潔劑、動物用清潔劑及非人體清潔劑；<br/> 複數管線，該管線設置於箱體中，且該管線連接該桶槽、該隔膜幫浦、該流量計及該電磁閥，並疏導清潔劑通往上述各元件；<br/> 一極限開關，該極限開關連接該電磁閥或該隔膜幫浦，該極限開關設置於該門板上，於該門板打開及關閉時短路及通路該電磁閥或該隔膜幫浦之線路；<br/> 一螢幕，該螢幕為觸控液晶面板連接該計算機主機傳送接收其控制參數，並提供使用者操作及閱讀該計算機主機之作動訊息，該作動訊息包含清潔劑種類、清潔劑數量、清潔劑輸送開始及清潔劑輸送結束，該螢幕設置於該門板之外側；<br/> 一揚聲器，該揚聲器連接該計算機主機接收其控制參數，並提供使用者寧聽該計算機主機之作動提示狀態，該作動提示狀態包含清潔劑種類、清潔劑數量、清潔劑輸送開始及清潔劑輸送結束，該揚聲器設置於門板中；<br/> 一收費裝置，該收費裝置連接該計算機主機傳送接收其控制參數，並提供使用者支付交易，該收費裝置設置於該門板之外側；<br/> 一出液管，該出液管匯集該複數管線之一端口，且該複數管線之另一端連接該電磁閥：<br/> 一置物口，該置物口為一置物空間，該置物空間提供使用者放置自行攜帶之外部空桶，該置物口設置於該門板之外側，並於該置物空間上方設置該出液管；<br/> 一置物面板，該置物面板連接計算機主機，並顯示作動提示狀態，該置物面板設置於置物口後方；<br/> 一營運燈，該營運燈連接該計算機主機接收其控制參數，並發出燈光提供使用者判斷計算機主機開放使用與否之狀態，該營運燈設置於該門板之外側；<br/> 一招牌燈，該招牌燈連接外部電源，並發出燈光提供使用者知悉廠家商品名稱及標示，該招牌燈設置於該門板之外側；及<br/> 一環形燈，該環形燈連接該計算機主機接收其控制參數，並發出燈光提供使用者判斷該計算機主機之作動提示狀態，該作動提示狀態包含清潔劑輸送開始及清潔劑輸送結束，該環形燈設置於該置物口之外圍。
如請求項1所述之複合清潔劑補充站，其中，該箱體為板金所構成，該板金邊框縫隙控制僅 6 mm，以降低外界灰塵及水氣侵入的風險，其防護等級達到 IP24 標準，具的戶外使用耐受性。
如請求項1所述之複合清潔劑補充站，其中，該門板之周圍設置高密合防水膠條，以阻擋雨水滲入。
如請求項1所述之複合清潔劑補充站，其中，該螢幕顯示使用者使用本補充站後對環境減碳效益統計，依據用戶的累積購買量，自動計算出對地球所產生的環境減碳效益，該環境減碳效益包括累積減碳量及幫地球省下塑膠瓶數。
如請求項1所述之複合清潔劑補充站，其中，該收費裝置提供使用者進行電子支付及現金支付。
如請求項1所述之複合清潔劑補充站，其中，該複數管線皆為獨立輸送架構，該複數管線之中的清潔劑不互相混合污染。
如請求項1所述之複合清潔劑補充站，其中，該置物口之底部設置一排水口，該排水口提供外部雨水或過量清潔劑流出。
如請求項1所述之複合清潔劑補充站，其中，該置物面板為至少一顯示器或壓克力雕刻燈箱，該面板顯示主視覺之圖案，該主視覺之圖案包括水滴圖或清潔劑種類圖。
如請求項1所述之複合清潔劑補充站，其中，該營運燈及該招牌燈於全天時段皆維持恆亮狀態，以展現裝置的高辨識度與穩定運行感。
如請求項1所述之複合清潔劑補充站，其中，該環形燈當使用者進行清潔劑補充作業時，該環形燈會轉換為柔和的呼吸式燈光效果，燈光明暗緩緩律動，提供操作指引，並營造出沉浸且具科技氛圍的互動體驗。
一種普利盤散熱結構，該普利盤具有一呈錐形之皮帶頂掣面以及一與該皮帶頂掣面相對之作動凹面，該作動凹面中間設一軸座，且設一軸孔軸向貫穿該軸座，該軸座外緣設至少一散熱槽。
如請求項1所述之普利盤散熱結構，其中該散熱槽的數量為複數，其呈間隔設置。
如請求項2所述之普利盤散熱結構，其中該複數散熱槽係沿該軸座之軸向設置。
如請求項2所述之普利盤散熱結構，其中該複數散熱槽係沿該軸座之徑向設置。
如請求項1所述之普利盤散熱結構，其中該散熱槽係呈螺旋狀繞設於該軸座外緣。
一種醫療互助暨緊急救援永續信用卡系統，包括：<br/> 一輸入輸出裝置，配置以接收複數個信用卡帳務資料；以及<br/> 一處理器，與該輸入輸出裝置耦接，並與一客戶資料系統及一信用卡帳務系統串接，該客戶資料系統包括複數個客戶的對應的複數個客戶資料，且該信用卡帳務系統包括該些客戶對應的該些信用卡帳務資料，其中該處理器包括：<br/> 一緊急救護註記模組，配置以自該客戶資料系統匯入該些客戶的對應的該些客戶資料，並比對各該客戶是否擁有一緊急救護員證照或一職業是否為一醫師或一護理師，其中當該緊急救護註記模組判斷各該客戶擁有該緊急救護員證照或該職業為該醫師或該護理師時，將各該客戶標記為一得進行緊急救護之人；<br/> 一信用卡消費匯入模組，訊號連接該緊急救護註記模組，配置以自該信用卡帳務系統匯入該些客戶對應的該些信用卡帳務資料；以及<br/> 一消費優惠模組，訊號連接該信用卡消費匯入模組及該緊急救護註記模組，其中當各該信用卡帳務資料所對應的各該客戶為該得進行緊急救護之人時，該消費優惠模組配置以為各該客戶提供一信用卡優惠。
如請求項1所述之醫療互助暨緊急救援永續信用卡系統，其中該處理器進一步包括：<br/> 一救護地圖模組，訊號連接該緊急救護註記模組，配置以定位該得進行緊急救護之人的該輸入輸出裝置，並對該得進行緊急救護之人的該輸入輸出裝置進行地圖化，以形成一緊急救護地圖。
如請求項2所述之醫療互助暨緊急救援永續信用卡系統，其中該救護地圖模組更配置以標註並顯示位於一範圍內設置自動體外心臟電擊去顫器的一位置。
如請求項2所述之醫療互助暨緊急救援永續信用卡系統，其中該處理器進一步包括：<br/> 一緊急救護呼叫模組，訊號連接該救護地圖模組，配置以接收一緊急救護訊號，並於該緊急救護地圖中查詢位於一範圍內的該得進行緊急救護之人的該輸入輸出裝置，<br/> 其中當該緊急救護呼叫模組查詢到位於該範圍內的該得進行緊急救護之人的該輸入輸出裝置時，該緊急救護呼叫模組更配置以產生一緊急救護訊息，以請求該得進行緊急救護之人至需救護位置提供救護，<br/> 其中當該得進行緊急救護之人提供救護時，該消費優惠模組更配置以為提供救護的各該客戶提供該信用卡優惠、一救護獎金或其組合。
如請求項1所述之醫療互助暨緊急救援永續信用卡系統，其中該處理器更與一環境友善店家特約系統串接，且該環境友善店家特約系統包括複數個環境友善特約店家資料，<br/> 其中該處理器進一步包括：<br/> 一友善店家匯入模組，訊號連接該消費優惠模組，配置以自該環境友善店家特約系統匯入該些環境友善特約店家資料，其中當各該客戶於一環境友善特約店家進行消費時，該消費優惠模組更配置以根據該些信用卡帳務資料及該些環境友善特約店家資料為各該客戶提供該信用卡優惠。
如請求項5所述之醫療互助暨緊急救援永續信用卡系統，其中當各該客戶的各該信用卡帳務資料中顯示各該客戶有一環境友善行為時，該消費優惠模組更配置以根據該環境友善行為提供該信用卡優惠給各該客戶。
如請求項1所述之醫療互助暨緊急救援永續信用卡系統，其中該處理器更與一行內人事資料系統串接，且該行內人事資料系統複數個員工及對應的複數個員工資料，<br/> 其中該處理器進一步包括：<br/> 一人事資料匯入模組，訊號連接該消費優惠模組，配置以自該行內人事資料系統匯入該些員工及對應的該些員工資料，<br/> 其中當該消費優惠模組判斷各該員工的各該員工資料中顯示各該員工有一治理建議行為時，該消費優惠模組更配置以根據該治理建議行為提供一激勵獎金、該信用卡優惠或其組合給各該員工。
如請求項7所述之醫療互助暨緊急救援永續信用卡系統，其中該處理器進一步包括：<br/> 一人事獎勵提供模組，訊號連接該人事資料匯入模組，配置以為各該員工提供該激勵獎金、該信用卡優惠或其組合。
如請求項1所述之醫療互助暨緊急救援永續信用卡系統，其中當該消費優惠模組判斷有一客訴案件且查證屬本行疏失時，該消費優惠模組更配置以為對應於該客訴案件的各該客戶提供該信用卡優惠。
如請求項1所述之醫療互助暨緊急救援永續信用卡系統，其中當該消費優惠模組判斷本行採納各該客戶的一金融專利提案，該消費優惠模組更配置以為對應於該金融專利提案的各該客戶提供該信用卡優惠、一專利獎金或組合。
一種開閉盤的彈簧座結構，其中，彈簧座包括一筒狀部，所述筒狀部包括有設置在相對位置的第一端與第二端，在所述第一端處設沿徑向向外延伸的環狀端面，所述環狀端面的外緣設沿軸向向所述筒狀部的所述第二端延伸的環狀豎壁，所述筒狀部、所述環狀端面與所述環狀豎壁共同界定一環槽，供一彈簧的一端容置定位，所述環狀豎壁與所述環狀端面的壁面厚度大於所述筒狀部的壁面厚度。
如請求項1所述之開閉盤的彈簧座結構，其中，所述環狀端面的表面上沿著所述環狀端面的環形形狀設凹陷槽，所述凹陷槽內安裝與所述凹陷槽適配的墊片，所述墊片的斷面厚度大於所述凹陷槽的槽深度，使所述墊片安裝在所述凹陷槽內時有部分結構凸出所述環狀端面的表面。
一種淋浴間之鉸鏈結構改良，其包含有：一第一鉸鏈本體、一第二鉸鏈本體、一L形連接架、一調整座與一接合單元，其中：<br/>所述第一鉸鏈本體是固定在一第一浴門上，所述第二鉸鏈本體是固定在一第二浴門上，所述第一鉸鏈本體與所述第二鉸鏈本體的一端中央係分別伸出有一管狀的第一樞耳與一管狀的第二樞耳，所述第二樞耳上並設有一鎖孔；<br/>所述L形連接架的一端相隔設有二管狀的第一樞座，另一端相隔設有二管狀的第二樞座，且其中一所述第一樞座與其中一所述第二樞座的內管部設有螺紋段，讓所述第一鉸鏈本體的所述第一樞耳能容納在二所述第一樞座間；<br/>所述調整座的一端中央伸出有一管狀的第三樞耳，另一端相隔設有二管狀的第三樞座，讓所述第二鉸鏈本體的所述第二樞耳能容納在二所述第三樞座間，而所述第三樞耳則容納在二所述第二樞座間；<br/>所述接合單元具有一樞軸、一第一螺栓與一第二螺栓，所述樞軸上設有一環溝，該樞軸是穿置在所述第三樞座與所述第二樞耳中，俾再透過一螺絲從所述鎖孔鎖入，並伸入所述環溝，來令所述第二鉸鏈本體與所述調整座能順利完成樞組，所述第一螺栓是穿入所述第一樞座與所述第一樞耳，再與所述第一樞座的所述螺紋段做鎖結，而所述第二螺栓則穿入所述第二樞座與所述第三樞耳，再與所述第二樞座的所述螺紋段做鎖結，通過所述第二螺栓的旋鬆再重新鎖緊，將令所述調整座能在所述L形連接架上被調整至任一角度，以配合所述第一浴門與所述第二浴門的安裝。
如請求項1所述之淋浴間之鉸鏈結構改良，其中，所述第一鉸鏈本體是夾固在所述第一浴門上。
如請求項1所述之淋浴間之鉸鏈結構改良，其中，所述第一鉸鏈本體是鎖固在所述第一浴門上。
如請求項1所述之淋浴間之鉸鏈結構改良，其中，所述第二鉸鏈本體是夾固在所述第二浴門上。
如請求項1所述之淋浴間之鉸鏈結構改良，其中，所述第二鉸鏈本體是鎖固在所述第二浴門上。
如請求項1所述之淋浴間之鉸鏈結構改良，其中，所述樞軸與二所述第三樞座間均套組有一軸套。
如請求項1所述之淋浴間之鉸鏈結構改良，其中，所述第一浴門係固定，俾透過所述第二浴門來做啟閉。
如請求項1所述之淋浴間之鉸鏈結構改良，其中，所述第一浴門上套組有一防水條。
一種高腳椅，結構包括：椅背、椅面及椅腳，椅背及椅面為一體成型，椅背帶有釋壓背靠及椅面帶有釋壓坐墊，椅面下連接四支支撐椅腳，相鄰的椅腳之間以橫桿連接，作為強化結構之用。
如請求項1所述之高腳椅，其特徵在於可透過擺動腳部達到運動效果，其中，椅面採用加寬設計，其改良目的為增加支撐腳之間的距離，讓腳部擺動過程不會撞到椅腳。
如請求項1所述之高腳椅，正前方之橫桿，下移至接近地面處，其改良目的為擺動雙腳，不被橫桿所阻擋。
一種手工皂模構造，包含：<br/> 一第一模具；以及<br/> 至少一第二模具，該第二模具可移動的設置於該第一模具的內部。
如請求項1所述之手工皂模構造，其中該第一模具的形狀為圓盒體、矩形盒體，多邊形盒體、球狀盒體、島嶼造型盒體、商標造型盒體、動物外觀盒體、人物造型盒體或橢圓盒體。
如請求項1所述之手工皂模構造，其中該第二模具的形狀為球員的依序動作、擊球的依序動作、商標、人物造型、動物的動作、球的紋路、運動員於運動時的依序動作或景觀圖樣。
如請求項1至3中任一項所述之手工皂模構造，該第一模具和該第二模具係為壓克力或矽膠。
一種利用請求項1所述之手工皂模構造製造的手工皂，包含：<br/> 一第一皂塊，具有一層單一圖樣或一多層且各層具有不同圖樣的空間；以及<br/> 一第二皂塊，設於該空間中。
如請求項5所述之手工皂，其中該第一皂塊具有複數個第一皂片，各該些第一皂片具有該空間。
如請求項5所述之手工皂，其中該第二皂塊具有複數個第二皂片，各該些第二皂片位於該空間中。
一種利用請求項1所述之手工皂模構造製造的手工皂，包含：<br/> 一第一皂塊，具有一以雷射切割一層單一圖像或多層且各層具有不同圖樣的空間；以及<br/> 一第二皂塊，設於該空間中。
一種利用請求項1所述之手工皂模構造製造的手工皂，包含：<br/> 一第一皂塊；以及<br/> 一第二皂塊，為一層單一圖樣或多層且各層具有不同圖像，該第二皂塊設於該第一皂塊的內部。
一種利用請求項1所述之手工皂模構造製造的手工皂，包含：<br/> 一第一皂塊；以及<br/> 複數個相同圖樣或不同圖樣的第二皂片，該些第二皂片係呈堆疊狀，以形成一第二皂塊，該第二皂塊設於該第一皂塊的內部。
一種專利報支管理系統，其包含：<br/> 一影像識別模組，配置成用以識別一單據、擷取該單據上的複數個數據，並且依據該些數據產生一輸入表單；<br/> 一自動輸入模組，電連接該影像識別模組，該自動輸入模組配置成用以接收該輸入表單並且輸出該些數據；<br/> 一申請費用資料模組，電連接該自動輸入模組，該申請費用資料模組配置成用以根據該些數據產生一申請費用表單；<br/> 一報支單據生成模組，電連接該申請費用資料模組，該報支單據生成模組配置成用以根據該申請費用表單及一幣別來產生一報支表單；<br/> 一會計模組，電連接該報支單據生成模組，該會計模組配置成用以根據該報支表單產生一報支單號；<br/> 一資料庫，電連接該申請費用資料模組、該報支單據生成模組及該會計模組，該資料庫配置成用以儲存該申請費用表單、該報支表單、該報支單號及複數個專利案件資料；<br/> 一案件編號檢索模組，電連接該資料庫，該案件編號檢索模組配置成用以根據一案件編號從該些專利案件資料中取得一特定案件資料；以及<br/> 一歷史資料查詢模組，電連接該資料庫，該歷史資料查詢模組配置成用以根據該案件編號從該些專利案件資料中取得一特定案件繳費資料。
如請求項1所述之專利報支管理系統，其中該些數據包含：一提案編號、一事務所案號、一申請號、一公開號、一公告號、一申請日、一公開日、一申請國別、一費用類型及一費用中的至少一者。
如請求項2所述之專利報支管理系統，其中該申請費用表單包含：該提案編號、該事務所案號、該申請號、該公開號、該申請日、該公開日、該申請國別、該費用類型及該費用。
如請求項3所述之專利報支管理系統，其中該報支表單包含：該提案編號、該事務所案號、該申請號、該公開號、該申請日、該公開日、該申請國別、該費用類型、該費用及該幣別。
如請求項4所述之專利報支管理系統，其中該特定案件資料包含：該申請國別、該事務所案號、該申請號、該公開號、該公告號、該申請日及該公開日。
如請求項4所述之專利報支管理系統，其中該特定案件繳費資料包含：該申請國別、該事務所案號、該申請號、該公開號、該公告號、該申請日、該公開日、該費用類型、該費用、該報支單號及一報支日期。
如請求項2所述之專利報支管理系統，其中該費用類型包含：一事務所服務費及一行政費。
如請求項1所述之專利報支管理系統，其中該自動輸入模組是一機器人流程自動化(Robotic Process Automation，RPA)模組。
一種自動復歸之板材剪切及彎折器具，其用於剪切及彎折一板材，其包括:<br/> 一基座，其上面設有兩樞接座；<br/> 兩剪刀，其設置在該基座前端的二側，各該剪刀具有樞接在一起的一固定刀片及一活動刀片；<br/> 一施力機構，其具有一轉軸、一搖桿、兩搖臂及一施力桿；該轉軸可轉動地樞設在該兩樞接座之間；該搖桿前端樞設在該轉軸，用於搖動該轉軸轉動；該兩搖臂結合在該轉軸的二端，被該轉軸帶動致其一端上下搖擺；該施力桿橋接在該兩搖臂之間，並頂抵在該活動刀片的受力邊；<br/> 一彎折機構，其設置在該基座的前端，其具有能被該轉軸連帶驅動的一折板構件，以及帶動該折板構件收回原位的一第二彈性元件；<br/> 一復歸機構，其設置在該搖桿上，用於該搖桿往前翻轉到一第一角度時能卡住該轉軸，使該搖桿往後翻轉時能帶動該轉軸以驅動的該折板構件伸出；並且該搖桿在往後翻轉到一第二角度時能放開該轉軸，使該折板構件透過該第二彈性元件收回到原位。
如請求項1所述之自動復歸之板材剪切及彎折器具，其中該復歸機構包括一卡榫、一鎖舌、一第三彈性元件及一扳機；<br/> 該卡榫一端徑向結合在該轉軸的軸身，另一端凸伸到該施力機構上；<br/> 該鎖舌可前後活動地設置在該搖桿上，用於該搖桿往前翻轉到該第一角度時該鎖舌能卡住該卡榫；<br/> 該第三彈性元件設置在該鎖舌與該搖桿之間；<br/> 該扳機設置在該基座上，用於該搖桿往後翻轉到該第二角度時該扳機推動該鎖舌放開該卡榫。
如請求項2所述之自動復歸之板材剪切及彎折器具，其中該卡榫具有一第一弧面，該鎖舌具有一第二弧面，該鎖舌的第二弧面抵靠到該卡榫的第一弧面時能往後收縮移動。
如請求項2所述之自動復歸之板材剪切及彎折器具，其中該扳機樞設在該基座上，該扳機具有一撥片及一按壓片，該搖桿在該第二角度時下壓該按壓片，使該撥片推動該鎖舌往後收縮移動。
如請求項4所述之自動復歸之板材剪切及彎折器具，其中該復歸機構包括一第四彈性元件，該第四彈性元件施力於該扳機。
如請求項2所述之自動復歸之板材剪切及彎折器具，其中該搖桿為一Ｙ字形桿，其前端兩力臂可轉動地樞接在該轉軸，該鎖舌設置在該兩力臂之間。
如請求項2所述之自動復歸之板材剪切及彎折器具，其中該彎折機構包括一套筒，該套筒可轉動地套設在該轉軸；一第一連桿，該第一連桿一端固定在該套筒上；一第二連桿，該第二連桿一端樞接在該第一連桿，該第二連桿另一端接樞在該折板構件的第一樞接位置；一第三連桿，該第三連桿一端樞接在該折板構件的第二樞接位置，另一端樞接在該基座上的一樞接部，該第三連桿的後邊抵靠在該施力桿的桿身上。
如請求項7所述之自動復歸之板材剪切及彎折器具，其中該套筒具有一連通到內部的條形溝，該條形溝沿著該套筒的圓周延伸一周長，該卡榫的一端穿過該條形溝固定在該轉軸上。
如請求項7所述之自動復歸之板材剪切及彎折器具，其中該折板構件為一條桿，該折板構件的一端分別具有該第一樞接位置與該第二樞接位置，該折板構件的另一端能夠向上翻轉用以彎折該板材。
一種文蛤養殖之飼料投餵系統，其包含飼料儲存桶、混合槽、輸送裝置、噴灑裝置、中央控制器、感測模組及遠距監控器；該飼料儲存桶，係用於儲存文蛤之飼料；該混合槽，係為一有攪拌功能之混合槽，且連接於飼料儲存桶之下方，將飼料與水混合成飼料漿；該輸送裝置，包含有輸送泵、輸送管，輸送泵連設於混合槽下方，並以輸送管連接至養殖池，藉輸送泵將飼料漿沿輸送管輸送至養殖池；該噴灑裝置，係接設於輸送管之末端，藉由噴灑裝置將輸送裝置輸送來之飼料漿噴灑於養殖池中；該中央控制器，分別電連接控制飼料儲存桶、混合槽及輸送裝置動作；該感測模組，係設置於養殖池內，並電連接中央控制器，提供偵測數據給中央控制器；該遠距監控器，係以無線傳輸連結中央控制器，分享監控數據，並可遠距操控者。
一種人工智慧異構三維堆疊類比記憶體內運算突觸陣列單晶片系統，包括：<br/>一單晶片系統原型晶片以電氣電路和單晶片系統原型晶片球柵陣列(BGA)相連結，整合奈米層間導孔(ILVs)線、上層記憶體層、中層運算層、底層控制邏輯層，其上層記憶體層包含了類比記憶體內運算突觸陣列與突觸陣列節點權重，中層運算層包含了類比數位轉換器(ADC)、轉阻放大器(TIA)、數位輸入向量、位線(BL)、緩衝驅動數位類比轉換器(BD-DAC)、字線(WL)、行解碼器(Column Decoder)、編程高壓產生電路、選擇控制訊號、列解碼器(Row Decoder)與源線(SL)，底層控制邏輯層包含了網路單晶片(NoC)、異構多核嵌入式系統晶片與數位累積單元陣列控制器，單晶片系統原型晶片，功能在於採用異質三維堆疊整合流程製造而成，藉由高密度、超短距離的奈米層間導孔(ILVs)線垂直互連而構成三維整合堆疊架構，三維整合堆疊架構包含有底層控制邏輯層，係於矽基底上利用標準CMOS製程，製造所有數位和類比控制邏輯電路，負責管理與控制晶片整體的時序、資料流與外部介面，中層運算層垂直堆疊於該底層控制邏輯層之上，並經由該奈米層間導孔(ILVs)線連接，該中層運算層包含多顆類比數位轉換器(ADC)、多顆轉阻放大器(TIA)、多顆緩衝驅動數位類比轉換器(BD-DAC)、以及啟動函數電路，負責將來自上層類比記憶體內運算突觸陣列運算結果，執行類比數位轉換與啟動函數等相關功能，以及上層記憶體層垂直堆疊於該中層運算層之上，上層記憶體層係以三維類比記憶體內運算突觸陣列為基礎，利用化學氣相沉積(CVD)或原子層沉積(ALD)技術，配合微細加工光刻技術構建而成，上層記憶體層將人工智慧模型的突觸陣列節點權重直接儲存於記憶體單元中，並利用電學原理在數據所在位置並行執行核心向量矩陣乘法(VMM)，以突破系統中處理器與記憶體之間數據傳輸的記憶體牆瓶頸，以實現運算效率與節省能源功耗；<br/>一單晶片系統原型晶片球柵陣列(BGA)以訊號路由和奈米層間導孔(ILVs)線相連結，單晶片系統原型晶片球柵陣列(BGA)封裝結構及其製造方法，應用封裝以覆晶(Flip Chip)技術將單晶片系統原型晶粒接合至一高密度多層載板，並利用晶片底部排列緊密的錫球陣列作為輸入與輸出端點，以滿足極高引腳數需求、降低寄生電感並確保訊號完整性，該高密度多層載板之製程核心為半加成法(SAP)技術，在雙馬來醯亞胺三嗪(BT)樹脂介電基材上，經由濺鍍沉積一層極薄的銅晶種層，再將感光光阻層貼附並經光罩曝光與顯影，於光阻層中精確開出微米寬度的線路溝槽後，應用圖案化電鍍，將銅選擇性地電鍍堆積於裸露的銅晶種層上，以加厚形成銅線路，然後執行光阻剝除以移除光阻層，再應用閃蝕(Flash Etching)迅速移除線路間未被光阻覆蓋的極薄銅晶種層，以達成高精度、無顯著側蝕的微米寬度微細線路結構，形成多層電氣互連結構，並將該晶粒透過微小導電凸塊倒裝接合至該載板，進行模塑封裝提供保護，在載板底部植入規則排列的錫球以回流焊固定，以完成高輸入與輸出密度、優異散熱性及訊號完整性的球柵陣列(BGA)封裝體；<br/>一奈米層間導孔(ILVs)線以垂直高密度金屬線與上層記憶體層相連結，奈米層間導孔(ILVs)線垂直互連結構與製造方法，在於該結構係作為垂直電氣互連，用於連接垂直堆疊在不同層次之電路，包含底層控制邏輯層的高性能CMOS控制邏輯電路、中層運算層的類比數位轉換器(ADC)、轉阻放大器(TIA)、與緩衝驅動數位類比轉換器(BD-DAC)等運算和其他電路、以及上層記憶體層的多層類比記憶體內運算突觸陣列，奈米層間導孔(ILVs)線具有小於100奈米的直徑，提供相較於矽穿孔(TSV)技術更短、更高密度的垂直訊號路徑，具超低寄生電容與超短延遲，奈米層間導孔(ILVs)線結構之製造方法係在低溫下執行，以保護底層CMOS電路，並利用高解析度的微影技術決定位置和尺寸，使用包含反應性離子蝕刻(RIE)等各向異性蝕刻技術，以極高的深寬比精確穿透層間電介質層直達下方接觸點，並沉積擴散阻擋層和黏附層，使用電鍍銅或鎢等金屬材料進行間隙填充(Gap Filling)，以確保導孔內部完全無空隙，並透過化學機械平坦化(CMP)移除多餘金屬，以形成低電阻、高可靠性的垂直電氣通路；<br/>一上層記憶體層以奈米層間導孔(ILVs)線與中層運算層相連結，係由單片或多片類比記憶體內運算突觸陣列、突觸陣列節點權重，以及相關的混合訊號多核心架構所構成，目的在處理大規模神經網路的向量矩陣乘法(VMM)運算，類比記憶體內運算突觸陣列以矩陣結構儲存，並以類比電導值形式儲存節點權重於非揮發性記憶體中，透過接收來自數位累積單元陣列控制器的數位輸入向量，經由緩衝驅動數位類比轉換器(BD-DAC)將其轉換為輸入電壓施加至字線(WL)，使輸入電壓與單元電導相乘，產生的電流沿位線(BL)匯集為向量矩陣乘法(VMM)的類比運算結果，類比運算結果隨後被傳輸至轉阻放大器(TIA)放大並轉換為電壓，再由類比數位轉換器(ADC)轉換為數位數據，並經由數位累積單元陣列控制器彙整成最終結果，上層記憶體層採用網路單晶片(NoC)通訊互連以整合多片如2<sup>N</sup>片類比記憶體內運算突觸陣列核心，並應用空間分割和權重分塊邏輯來提高吞吐量和處理大規模權重矩陣，上層記憶體層的製造方法係採用與下層相容的低溫後段製程(BEOL)技術，利用原子層沉積(ALD)、化學氣相沉積(CVD)與微細加工光刻等薄膜技術，循序沉積構成突觸單元所需的多層材料堆疊，並利用奈米微影與反應式離子蝕刻(RIE)技術形成獨立單元和交叉陣列節點，且透過奈米層間導孔(ILVs)線精確對準並垂直電性連接至下方的中層運算電路，以完成具備高效能類比運算能力的上層記憶體層之製造程序；<br/>一中層運算層以奈米層間導孔(ILVs)線與底層控制邏輯層相連結，為訊號處理和驅動的核心層，整合了用於數據輸入流程的緩衝驅動數位類比轉換器(BD-DAC)，以接收來自底層邏輯的數位輸入向量並將其轉換為類比電壓，以驅動上層的類比記憶體內運算突觸陣列，以及應用於結果輸出流程的轉阻放大器(TIA)和類比數位轉換器(ADC)，轉阻放大器(TIA)負責接收並放大來自上層陣列位線(BL)的類比電流訊號並轉換為電壓，隨後由類比數位轉換器(ADC)將該類比電壓轉換為最終的數位數據，以供底層的數位累積單元陣列控制器處理，中層運算層的製造過程應用低溫製程，包含化學氣相沉積(CVD)或原子層沉積(ALD)技術與類似方法，在底層介電層上沉積並低溫活化非晶矽或多晶矽，以形成薄膜電晶體(TFT)通道，並利用微影與蝕刻技術依序製作構成轉阻放大器(TIA)、類比數位轉換器(ADC)及緩衝驅動數位類比轉換器(BD-DAC)等類比與混合訊號電路所需的電晶體結構、介電層和金屬連線，以完成系統中訊號放大、緩衝與格式轉換的關鍵功能；<br/>一底層控制邏輯層以金屬導線與異構多核嵌入式系統晶片相連結，係在單個矽基底上利用標準CMOS製程製造而成，提供所有系統管理、數據控制與外部通訊功能，包含異構多核嵌入式系統晶片與數位累積單元陣列控制器，多核嵌入式系統晶片負責處理外部指令、數據運算與交換，並完成人工智慧深度學習模型中變換器(Transformer)或卷積神經網路(CNN)所需的複雜非乘加運算包含Softmax歸一化啟動函數與層正規化(Layer Normalization)，底層控制邏輯層之數位累積單元陣列控制器，負責解析異構多核嵌入式系統晶片傳送的請求，發出選擇控制訊號，管理晶片內部時序，並整合用於精確選通上層突觸陣列的列解碼器和行解碼器，以及用於提供必要高壓脈衝的編程高壓產生電路，底層控制邏輯層所有元件透過高密度的奈米層間導孔(ILVs)線與中層運算層和上層記憶體層的運算結構進行緊密垂直電氣連接，以實現人工智慧模型在邊緣設備上的低延遲混合訊號應用；<br/>一異構多核嵌入式系統晶片以網路單晶片(NoC)金屬線與數位累積單元陣列控制器相連結，異構多核嵌入式系統晶片為系統的控制核心，透過互連骨幹網路單晶片(NoC)執行高頻寬的數據與指令交換，包含核心運算與控制模組、人工智慧推論加速模組介面、記憶體與數據管理邏輯模組、高速輸入輸出介面模組、低速周邊與基本控制模組，其中核心運算與控制模組，內含嵌入式處理器與控制系統，負責執行高階控制指令、作業系統功能、非加速型通用運算，以及管理整體系統的任務調度與時脈與重置訊號，人工智慧推論加速模組介面，經由網路單晶片(NoC)提供多核類比記憶體內運算突觸陣列整合介面，以執行向量矩陣乘法(VMM)運算，記憶體與數據管理邏輯模組，包含低功耗雙倍資料速率記憶體(LPDDR)控制器及嵌入式多媒體卡(eMMC)和快閃記憶體控制器，負責外部主記憶體與非揮發性數據的高效率讀寫與錯誤控制，所有數據管理邏輯皆直接連接到網路單晶片(NoC)，高速輸入輸出介面模組，透過先進可擴展介面(AXI)總線橋接到網路單晶片(NoC)，包含區域網路媒體存取控制(LAN MAC)、通用串列匯流排(USB)控制器，以及高畫質多媒體介面(HDMI)控制器，負責與系統外部的高速設備進行數據交換，低速周邊與基本控制模組，透過共用的進階周邊匯流排(APB)或先進可擴展介面(AXI)總線橋接至該網路單晶片(NoC)，包含計時器、通用非同步收發傳輸器(UART)、串列資料通訊RS-232與RS-485，以及專門管理系統時脈、電壓和重置訊號的電源管理控制器(PMC)，經由上述整合架構確保系統控制的穩定性與高效能的人工智慧推理；<br/>一數位累積單元陣列控制器以先進可擴展介面串流匯流排(AXI-Stream)與類比數位轉換器(ADC)相連結，數位累積單元陣列控制器位於類比數位轉換器(ADC)的輸出端之後，作為數位累積單元核心，負責接收來自類比數位轉換器(ADC)輸出的分批數位化結果，並使用高速數位加法器或累加器對這些分塊結果進行精確的數位加總和處理，同時負責處理溢位或捨入邏輯，以確保最終運算結果的精度，數位累積單元陣列控制器亦包含陣列控制器功能，負責將片上網路單晶片(NoC)傳送的向量矩陣乘法(VMM)運算指令，轉換為時序控制脈衝序列，並實現以下控制功能，時序生成與校準，產生帶有精確延遲和抖動控制的時脈訊號，以同步控制緩衝驅動數位類比轉換器(BD-DAC)對數位輸入向量的驅動、字線(WL)脈衝，以及對轉阻放大器(TIA)和類比數位轉換器(ADC)採樣電路的精準控制，地址映射解碼，通過行解碼器和列解碼器精確選擇突觸陣列中的特定單元，數據路徑管理，控制從類比數位轉換器(ADC)輸出至數位累積單元的路徑，並管理中間結果的暫存和循環回讀，確保向量矩陣乘法(VMM)運算結果的準確性，該控制器亦整合非線性啟動函數的線性整流函式(ReLU)與S型函數(Sigmoid)運算邏輯，並將最終處理好的層輸出數據傳輸到網路單晶片(NoC)應用；<br/>一類比數位轉換器(ADC)以差分金屬電壓訊號線與轉阻放大器(TIA)相連結，採用柱狀分佈式架構，緊密集成在每個運算核心的位線(BL)末端，類比數位轉換器(ADC)負責接收由轉阻放大器(TIA)將類比記憶體內運算突觸陣列位線(BL)上累積的類比電流放大並轉換為電壓訊號，並將該電壓轉換為數位數據，以供後續的數位累積單元陣列控制器執行與控制，類比數位轉換器(ADC)分佈式設計目的在實現最大並行度，並有效避免長距離類比訊號傳輸造成的衰減和串擾，並在面積效率、每瓦兆次運算(TOPS/W)能效比、模型容錯性及單元電流累積範圍三者間取得平衡，因為類比運算結果是突觸單元的電流累積，累積值與陣列大小N成正比，為取得高度分佈式集成且最大化核心數，其解析度通常在4到16位元之間，透過分塊運算限制陣列累積值N的大小，從而以最低的位元數換取最高的面積效率、每瓦兆次運算(TOPS/W)能效比和採樣速度；<br/>一轉阻放大器(TIA)以奈米層間導孔(ILVs)線與類比記憶體內運算突觸陣列相連結，負責電流到電壓的轉換，功能是接收來自類比記憶體內運算突觸陣列輸出的累積類比位線(BL)電流，並將其低雜訊地轉換成可被類比數位轉換器(ADC)進行數位化的電壓訊號，轉阻放大器(TIA)結構核心是基於一個運算放大器或高增益放大器，並配置反饋電阻或電容形成負反饋組態，以提供極低的輸入阻抗，從而快速吸收位線上的累積電流，抑制電容充放電延遲，實現高增益頻寬積和低功耗，並採用分佈式或柱狀並行架構，緊鄰陣列的列邊緣，以最大限度地減少寄生電容和訊號衰減，確保類比運算結果的即時讀取；<br/>一類比記憶體內運算突觸陣列以輸出節點與位線(BL)相連結，其技術功能是透過歐姆定律和克希荷夫電流定律(KCL)執行神經網路推理階段中主要的向量矩陣乘法(VMM)和乘加運算(MAC)，從而克服傳統馮諾依曼架構中處理器和記憶體之間頻繁資料移動造成的記憶體牆瓶頸，突觸陣列由垂直堆疊的多層非揮發性記憶體(NVM)交叉點結構構成，其中每一記憶體單元充當一個突觸陣列節點權重的類比突觸，其電導值精確編碼神經網路的突觸陣列節點權重，而建構神經網路計算中的突觸陣列記憶體單元結構種類，突觸陣列記憶體單元種類結構包含有，一個電阻式元件(1R)記憶體單元是最基礎的突觸權重儲存結構，其利用憶阻器電阻值來表示權重，一個電晶體與一個電阻式元件(1T1R)，其引入電晶體與憶阻器電阻作為開關來有效抑制漏電流並精確選址，二個電晶體與二個電阻式元件(2T2R)，其使用二個電晶體與二個憶阻器進行差分讀取，藉由比較阻值差異來代表權重，以達到更高的讀取精度和抗噪性，一個選取器與一個電阻式元件(1S1R)，其是用非電晶體選擇器取代電晶體，是為了在高密度三維堆疊時，依然能抑制未選中單元的路徑電流，而在4至16位元的多級電導狀態，採用差分單元二個電晶體與二個電阻式元件(2T2R)來表示正負突觸陣列節點權重，於運算時，數位輸入向量以類比電壓形式施加於字線(WL)上，此施加之輸入電壓(V<sub>in,i</sub>)，而神經網路的突觸陣列節點權重電導(G<sub>ij</sub>)，當輸入電壓(V<sub>in,i</sub>)施加到權重電導(G<sub>ij</sub>)的記憶體單元，依據歐姆定律，流經該單元的輸出電流(I<sub>ij</sub>)為輸入電壓(V<sub>in,i</sub>)與權重電導(G<sub>ij</sub>)的乘積即I<sub>ij</sub>=V<sub>in,i</sub>‧G<sub>ij</sub>實現向量矩陣乘法(VMM)運算，並利用克希荷夫電流定律(KCL)在位線(BL)上同時進行類比加總，一次性完成大規模向量矩陣乘法(VMM)運算，以提升運算密度和效能比，類比記憶體內運算突觸陣列之製造關鍵在後段製程(BEOL)低溫環境，通常要求低於400攝氏度中順序沉積，沉積並圖案化金屬電極層作為交叉陣列的第一組字線(WL)，然後使用精確的原子層沉積(ALD)、化學氣相沉積(CVD)與微細加工光刻技術以沉積非揮發性記憶體(NVM)活性材料，例如氧化鉿(HfOx)或氧化鉭(TaOx)用於電阻式隨機存取記憶體(RRAM)與相變記憶體(PCM)，接著沉積並圖案化第二組與字線(WL)垂直相交的延伸金屬導線的位線(BL)，從而在兩組線的交叉點處形成功能性突觸元件，此種沉積、圖案化、蝕刻的循環步驟會重複多次，以實現多層非揮發性記憶體(NVM)陣列的垂直堆疊，並利用高深寬比蝕刻和金屬填充技術製造奈米級層間導孔(ILVs)，以作為高密度、超短的垂直互連各非揮發性記憶體(NVM)陣列層，以及底層的CMOS異構多核嵌入式系統晶片邏輯電路，從而實現極高密度、低延遲和高效能的類比記憶體內運算突觸陣列突觸層的製造程序；<br/>一位線(BL)以金屬電氣線與轉阻放大器(TIA)相連結，是作為陣列中的垂直金屬導線，核心技術功能是擔任電流累積通道，每條位線(BL)負責收集所有與之交叉的被選中突觸陣列節點權重電導產生的類比輸出電流，並根據克希荷夫電流定律將其自然地同步加總，產生總輸出電流，由於位線(BL)具有固有的電阻(R)和電容(C)寄生效應，尤其在堆疊和大規模陣列中，其RC延遲會影響訊號傳輸速度和精度，因此位線(BL)的設計必須採用低電阻材料和最佳化佈局來最小化這些影響，最後每條位線(BL)的末端都連接到轉阻放大器(TIA)，來讀取並將其總電流轉換為電壓，進入數位處理程序；<br/>一數位輸入向量以網路單晶片(NoC)金屬線與數位累積單元陣列控制器相連結，數位輸入向量的傳輸與轉換機制，是作為神經網路乘加運算(MAC)中的輸入乘數，透過系統的高速互連總線網路單晶片(NoC)傳輸到數位累積單元陣列控制器後，被傳輸至緩衝驅動數位類比轉換器(BD-DAC)進行轉換，緩衝驅動數位類比轉換器(BD-DAC)具備高速度和足夠的位元解析度，以精確編碼輸入數值並匹配推理時脈，轉換後的類比電壓隨後被傳輸到字線(WL)驅動器以施加到特定字線(WL)上，作為向量矩陣乘法(VMM)運算中的電壓項，進而驅動類比記憶體內運算突觸陣列進行大規模並行運算；<br/>一緩衝驅動數位類比轉換器(BD-DAC)以低電阻金屬線與字線(WL)相連結，緩衝驅動數位類比轉換器(BD-DAC)，其核心技術功能是將數位化的輸入啟動向量高效率地轉換為高精確度的類比電壓或電流訊號，利用其內建的緩衝器提供足夠的驅動能力和低輸出阻抗，穩定且快速地驅動大型突觸陣列的位元線(BL)或字線(WL)以執行精確的向量矩陣乘法(VMM)運算，為確保輸入電壓能夠被快速、準確且穩定地施加到被選中的字線(WL)上，緩衝驅動數位類比轉換器(BD-DAC)負責接收並緩衝輸出的類比電壓，同時確保訊號電壓擺幅滿足類比記憶體內運算突觸陣列的操作電壓要求，而驅動器則承擔最主要的功率輸出職責，由於字線(WL)是一條極長、高電容負載的金屬線，連接了數千個單元，驅動器必須提供高電流驅動能力，以克服RC延遲並在奈秒時間內將整條字線(WL)充飽電，確保輸入電壓在運算期間保持高度穩定和運算的精度；<br/>一字線(WL)以突觸單元訊號與類比記憶體內運算突觸陣列相連結，字線(WL)是陣列中水平延伸的關鍵導線，其核心功能是作為單元選取訊號和輸入電壓(V<sub>in,i</sub>)的承載者，字線(WL)由列解碼器(Row Decoder)選中，並經由緩衝驅動數位類比轉換器(BD-DAC)施加電壓，此施加之輸入電壓(V<sub>in,i</sub>)代表了數位輸入向量經轉換後的類比形式，輸出電流(I<sub>ij</sub>)為輸入電壓(V<sub>in,i</sub>)與權重電導(G<sub>ij</sub>)的乘積即I<sub>ij</sub>=V<sub>in,i</sub>‧G<sub>ij</sub>中的乘數，由於字線(WL)負載極重且運作於奈秒時序，其驅動器必須具備極高的驅動能力，以克服RC延遲和電阻壓降，以確保在整條線上保持高精度和穩定性，並保證與其交叉的數千個突觸陣列節點權重能夠同時精確地執行乘加運算(MAC)；<br/>一行解碼器(Column Decoder)以數位控制線與數位累積單元陣列控制器相連結，行解碼器(Column Decoder)是位於陣列邊緣的數位控制電路，其技術功能是根據數位累積單元陣列控制器提供的列地址來執行選址和數據路由，因類比記憶體內運算突觸陣列的輸出是並行累積在多條位線(BL)上，行解碼器(Column Decoder)並不直接產生位線(BL)上的運算電流，而是負責在讀取階段選取與啟動一組特定的位線(BL)，在讀取時序中，行解碼器(Column Decoder)內多工器從數百組並行的位線(BL)輸出中選取一組，並經由數位累積單元陣列控制器將選定的位線(BL)訊號導向類比數位轉換器(ADC)和一組共享的轉阻放大器(TIA)，以實現時間與空間上的多工共享，達到節省晶片面積和功耗；<br/>一編程高壓產生電路以高壓金屬連線與行解碼器(Column Decoder)相連結，是專門為非揮發性記憶體(NVM)突觸元件的電導值編程而設計的類比電路，其核心技術是產生瞬時且精確的高電壓脈衝，用於執行非揮發性記憶體(NVM)元件的可逆電阻切換操作，編程高壓產生電路包含一個或多個電壓倍增器(Charge Pump)，能夠將標準電源電壓升壓至高於邏輯電位所需的電壓，以達到電阻式隨機存取記憶體(RRAM)的成形(Forming)、設置(SET)低電阻狀態和重置(RESET)高電阻狀態所需的電壓閾值，該電路輸出的是脈衝訊號，需要極精確的脈衝寬度和振幅控制，以確保非揮發性記憶體(NVM)突觸陣列節點權重能夠被編程到所需的多級類比電導狀態，是執行硬體權重更新的關鍵；<br/>一選擇控制訊號以數位控制線與數位累積單元陣列控制器相連結，用於協調和管理類比記憶體內運算突觸陣列周邊電路和核心操作的數位邏輯訊號，選擇控制訊號是整個系統時序與狀態控制的基礎，主要功能包含有將陣列切換到讀取與推理模式、編程與訓練模式或閒置模式等模式選擇，而電壓控制決定啟用偏壓產生器輸出的低讀取電壓，或是啟用編程高壓產生電路輸出編程高壓，所有控制訊號以精確的時序傳輸到列解碼器(Row Decoder)與行解碼器(Column Decoder)以確保系統的每個部分都在正確的執行操作；<br/>一列解碼器(Row Decoder)以控制訊號線與數位累積單元陣列控制器相連結，核心技術是執行地址選取，其接收來自數位累積單元陣列控制器的數位行地址，並將具N位元的地址即時解碼，產生2<sup>N</sup>條輸出線中唯一的一條啟動高電位訊號，此啟動訊號經由數位累積單元陣列控制器，傳送給緩衝驅動數位類比轉換器(BD-DAC)，以選中陣列中唯一的字線(WL)，從而將輸入電壓施加到該行上的所有突觸陣列節點權重，列解碼器(Row Decoder)的速度和穩定性決定了類比記憶體內運算突觸陣列的存取延遲和運算時序，且必須提供足夠的驅動訊號強度來有效地啟動字線(WL)驅動器，確保整個陣列的選址精確無誤；<br/>一源線(SL)以高壓傳輸線與編程高壓產生電路相連結，係作為陣列中一條通常與字線(WL)平行延伸的水平金屬導線，其核心技術功能是作為穩定的電壓參考點和電流回流路徑，源線(SL)連接到如1T1R或2T2R結構中選取電晶體的汲極端，並接收來自偏壓產生器的穩定直流參考電壓，在讀取與運算模式下，源線(SL)上的穩定電壓與字線(WL)上的輸入電壓共同決定了突觸元件兩端的操作電壓，以確保乘加運算(MAC)的精確度和線性度，在編程模式下，源線會被精確偏壓，以控制流經電阻式非揮發性記憶體(NVM)元件的電流，作為確保權重編程可靠性和單元隔離的輔助電路功能；一突觸陣列節點權重以電導值與類比記憶體內運算突觸陣列相連結，突觸陣列節點權重係作為整個類比記憶體內運算突觸陣列的核心執行實際運算的最小功能單元，實體位於字線(WL)和位線(BL)的交叉點，並包含一組非揮發性記憶體(NVM)單元，突觸陣列節點權重結構類型包括基礎的電阻式元件(1R)、引入電晶體抑制漏電流的電晶體與電阻式元件(1T1R)、用於差分讀取以提高精度和抗噪性的二個電晶體與二個電阻式元件(2T2R)、以及在高密度堆疊中取代電晶體的選取器與電阻式元件(1S1R)，該節點精確儲存了神經網路的突觸權重電導(G<sub>ij</sub>)，在讀取與運算時，該節點接收來自字線(WL)的輸入電壓(V<sub>in,i</sub>)，並根據歐姆定律輸出電流(I<sub>ij</sub>)，即I<sub>ij</sub>=V<sub>in,i</sub>‧G<sub>ij</sub>實現向量矩陣乘法(VMM)運算，其輸出電流應用克希荷夫電流定律(KCL)在垂直的位線(BL)上同時進行類比加總，突觸陣列節點權重結構被垂直堆疊在底層CMOS電路上，並透過高密度奈米層間導孔(ILVs)線與上下層的字線、位線和選取電晶體相連，是實現大規模、高效能類比向量矩陣乘法(VMM)運算的核心物理實體；<br/>一網路單晶片(NoC)以金屬線與數位累積單元陣列控制器相連結，是作為異構多核嵌入式系統晶片內部數據傳輸與協調的基礎，目的在解決傳統匯流排在多核心、高並行環境下的頻寬擴展性與服務品質(QoS)的挑戰，網路單晶片(NoC)架構由一系列路由器節點、鏈路(Link)以及網路介面構成，以分散式二維網格(Mesh)或環網(Torus)路由演算法之二維規則拓撲分佈於晶片內部，其操作基於封包交換(Packet Switching)機制，數據被分割成流量控制單元(Flit)並在節點間多跳(Multi-Hop)路由傳輸，路由決策基於分散式路由演算法，網路單晶片(NoC)架構提供的高頻寬通道，專門用於承載類比記憶體內運算突觸陣列核心所需的高吞吐量數據流，包括低延遲數位輸入向量的傳輸，以及多路類比數位轉換器(ADC)輸出結果的時分多工(TDM)，與空間多工匯聚回數位累積單元陣列控制器，網路單晶片(NoC)架構利用奈米層間導孔(ILVs)線實現高密度、低寄生電容的垂直鏈路(Link)，以縮短傳輸距離並將頻寬擴展至垂直維度，顯著降低了平均數據包延遲，是消除通訊瓶頸實現類比記憶體內運算突觸陣列數千每瓦兆次運算面積效率、每瓦兆次運算(TOPS/W)能效比的關鍵通訊功能；以及<br/>一晶圓流片(Tape out)，是經過異構三維電子自動化設計(EDA)流程嚴格驗證的最終設計，以多組GDSII檔案和低溫製程說明，交付給晶圓廠製造的階段，標誌著設計完成，並銜接覆晶(Flip Chip)球柵陣列(BGA)封裝，以生產出晶圓流片(Tape out)，晶圓設計製造流程，包含異構設計建模與模擬、邏輯佈局與物理實現、簽核與交付驗證與交付晶圓廠(Tape Out)製造等流程，並全面融合異構三維整合的先進封裝技術，在異構設計建模與模擬階段，始於硬體描述語言(HDL)設計輸入，以模組化方式定義系統的CMOS、混合訊號、與非揮發性記憶體(NVM)單元，三個異構層次的功能與介面，其中數位電路部分使用Verilog硬體描述語言，而類比電路包含類比數位轉換器(ADC)、與轉阻放大器(TIA)單元則使用Verilog-A/AMS類比與混合訊號擴展，進行精確描述並進入暫存器傳輸語言(RTL)功能模擬設計，目的在通過跨層功能驗證模擬底層控制邏輯層、中層運算層、與上層記憶體層，模擬數位輸入經緩衝驅動數位類比轉換器(BD-DAC)轉換，在類比記憶體內運算突觸陣列執行乘加運算(MAC)，再數位化回傳的端到端運作以確保功能正確性，而邏輯佈局與物理實現階段，其將抽象的暫存器傳輸語言(RTL)功能模擬設計，轉換為由邏輯閘(Logic Gate)標準單元互連而成的閘極網表(Gate netlist)，主要是針對底層CMOS邏輯進行閘極網表(Gate netlist)的產生，而可測設計功能(DFT)與測試結構階段，將閘極網表(Gate netlist)中插入掃描鏈(Scan Chain)和內建自我測試(BIST)等結構，以確保製造後的晶片可被測試，特別是在異構三維晶片中，需設計跨層測試方案，並進入佈局與繞線，使用三維協同佈局工具確定這些邏輯閘的物理位置，並完成所有連線，同時確保奈米層間導孔(ILVs)線精確對準，並最佳化輸出輸入焊盤(Pad)位置，以符合覆晶(Flip Chip)球柵陣列(BGA)封裝要求，在簽核與交付驗證中，是確保晶片設計準備好投產的關鍵階段，首先進行最佳化時序簽核，執行跨層靜態時序分析(STA)，將奈米層間導孔(ILVs)線的寄生效應納入模型，以確保所有電路在設計時脈下能穩定運行，並進行物理實體驗證，其核心是執行三維版圖(3D Layout)對應電路圖和異構設計規則檢查，以驗證跨層的垂直互連是否正確無誤，確保所有異構層的版圖(Layout)皆符合製程規則，在完成所有驗證與簽核後，設計即被視為黃金版圖，最終以多組GDSII檔案三維低溫製程步驟說明，以正式投片(Tape Out)製造的形式，交付晶圓廠製造，在交付晶圓廠(Tape Out)製造過程，晶圓製造廠進行光罩製作和實際晶圓製造，此交付需包含多組GDSII檔案，分別對應底層控制邏輯層CMOS、中層運算層混合訊號、與上層記憶體層非揮發性記憶體(NVM)陣列，這三個異構層的版圖(Layout)，同時附帶詳細的單片三維低溫製程步驟說明，以指導晶圓廠進行精確的分層製造，在晶圓製造完成後，則銜接後續的覆晶(Flip Chip)球柵陣列(BGA)封裝技術，提供三維堆疊的晶粒連接介面，以生產製造出晶圓流片(Tape out)。
如請求項1所述之人工智慧異構三維堆疊類比記憶體內運算突觸陣列單晶片系統，其中單晶片系統原型晶片整合奈米層間導孔(ILVs)線、上層記憶體層、中層運算層、底層控制邏輯層，其中上層記憶體層包含了類比記憶體內運算突觸陣列與突觸陣列節點權重，中層運算層包含了類比數位轉換器(ADC)、轉阻放大器(TIA)、數位輸入向量、位線(BL)、緩衝驅動數位類比轉換器(BD-DAC)、字線(WL)、行解碼器(Column Decoder)、編程高壓產生電路、選擇控制訊號、列解碼器(Row Decoder)與源線(SL)，底層控制邏輯層包含了網路單晶片(NoC)、異構多核嵌入式系統晶片與數位累積單元陣列控制器，單晶片系統原型晶片，功能在於採用異質三維堆疊整合流程製造而成，藉由高密度、超短距離的奈米層間導孔(ILVs)線垂直互連而構成三維整合堆疊架構，三維整合堆疊架構包含有底層控制邏輯層，係於矽基底上利用標準CMOS製程，製造所有數位和類比控制邏輯電路，負責管理與控制晶片整體的時序、資料流與外部介面，中層運算層垂直堆疊於該底層控制邏輯層之上，並經由該奈米層間導孔(ILVs)線連接，該中層運算層包含多顆類比數位轉換器(ADC)、多顆轉阻放大器(TIA)、多顆緩衝驅動數位類比轉換器(BD-DAC)、以及啟動函數電路，負責將來自上層記憶體層的類比記憶體內運算突觸陣列運算結果，執行類比數位轉換與啟動函數等相關功能，以及上層記憶體層垂直堆疊於該中層運算層之上，上層記憶體層係以三維類比記憶體內運算突觸陣列為基礎，利用化學氣相沉積(CVD)或原子層沉積(ALD)技術，配合微細加工光刻技術構建而成，上層記憶體層將人工智慧模型的突觸陣列節點權重直接儲存於記憶體單元中，並利用電學原理在數據所在位置並行執行核心向量矩陣乘法(VMM)，以突破系統中處理器與記憶體之間數據傳輸的記憶體牆瓶頸，以實現運算效率與節省能源功耗。
如請求項1所述之人工智慧異構三維堆疊類比記憶體內運算突觸陣列單晶片系統，其中單晶片系統原型晶片球柵陣列(BGA)之封裝結構及製造方法，應用封裝以覆晶(Flip Chip)技術將單晶片系統原型晶粒接合至一高密度多層載板，並利用晶片底部排列緊密的錫球陣列作為輸入與輸出端點，以滿足極高引腳數需求、降低寄生電感並確保訊號完整性，該高密度多層載板之製程核心為半加成法(SAP)技術，在雙馬來醯亞胺三嗪(BT)樹脂介電基材上，經由濺鍍沉積一層極薄的銅晶種層，再將感光光阻層貼附並經光罩曝光與顯影，於光阻層中精確開出微米寬度的線路溝槽後，應用圖案化電鍍，將銅選擇性地電鍍堆積於裸露的銅晶種層上，以加厚形成銅線路，然後執行光阻剝除以移除光阻層，再應用閃蝕(Flash Etching)迅速移除線路間未被光阻覆蓋的極薄銅晶種層，以達成高精度、無顯著側蝕的微米寬度微細線路結構，形成多層電氣互連結構，並將該晶粒透過微小導電凸塊倒裝接合至該載板，進行模塑封裝提供保護，在載板底部植入規則排列的錫球以回流焊固定，以完成高輸入與輸出密度、優異散熱性及訊號完整性的球柵陣列(BGA)封裝體。
如請求項1所述之人工智慧異構三維堆疊類比記憶體內運算突觸陣列單晶片系統，其中奈米層間導孔(ILVs)線垂直互連結構與製造方法，在於該結構係作為垂直電氣互連，用於連接垂直堆疊在不同層次之電路，包含底層控制邏輯層的高性能CMOS控制邏輯電路、中層運算層的類比數位轉換器(ADC)、轉阻放大器(TIA)、與緩衝驅動數位類比轉換器(BD-DAC)等運算和其他電路、以及上層記憶體層的多層類比記憶體內運算突觸陣列，奈米層間導孔(ILVs)線具有小於100奈米的直徑，提供相較於矽穿孔(TSV)技術更短、更高密度的垂直訊號路徑，具超低寄生電容與超短延遲，ILVs結構之製造方法係在低溫下執行，以保護底層CMOS電路，並利用高解析度的微影技術決定位置和尺寸，使用包含反應性離子蝕刻(RIE)等各向異性蝕刻技術，以極高的深寬比精確穿透層間電介質層直達下方接觸點，並沉積擴散阻擋層和黏附層，使用電鍍銅或鎢等金屬材料進行間隙填充(Gap Filling)，以確保導孔內部完全無空隙，並透過化學機械平坦化(CMP)移除多餘金屬，以形成低電阻、高可靠性的垂直電氣通路。
如請求項1所述之人工智慧異構三維堆疊類比記憶體內運算突觸陣列單晶片系統，其中上層記憶體層是由單片或多片類比記憶體內運突觸陣列、突觸陣列節點權重，以及相關的混合訊號多核心架構所構成，目的在處理大規模神經網路的向量矩陣乘法(VMM)運算，類比記憶體內運算突觸陣列以矩陣結構儲存，並以類比電導值形式儲存節點權重於非揮發性記憶體中，透過接收來自數位累積單元陣列控制器的數位輸入向量，經由緩衝驅動數位類比轉換器(BD-DAC)將其轉換為施加至字線(WL)，輸入電壓使輸入電壓與單元電導相乘，而產生的電流沿位線(BL)匯集為矩陣向量乘法(MVM)的類比運算結果，類比運算結果隨後被傳輸至轉阻放大(TIA)放大並轉換為電壓，再透過類比數位轉換器(ADC)轉換為數位數據，並經由數位累積單元陣列控制器彙整成最終結果，上層記憶體層採用網路單晶(NoC)通訊互連以整合多片如2<sup>N</sup>片類比記憶體內運算突觸陣列核心，並應用空間分割和權重分塊邏輯來提高吞吐量和處理大規模權重矩陣，上層記憶體層的製造方法係採用與下層相容的低溫後段製程(BEOL)技術，利用原子層沉積(ALD)、化學氣相沉積(CVD)與微細加工光刻等薄膜技術，循序沉積構成突觸單元所需的多層材料堆疊，並利用奈米微影與反應式離子蝕刻(RIE)技術形成獨立單元和交叉陣列節點，且透過奈米層間導孔(ILVs)線精確對準並垂直電性連接至下方的中層運算電路，以完成具備高效能類比運算能力的上層記憶體層之製造程序。
如請求項1所述之人工智慧異構三維堆疊類比記憶體內運算突觸陣列單晶片系統，其中中層運算層為訊號處理和驅動的核心層，整合了用於數據輸入流程的緩衝驅動數位類比轉換器(BD-DAC)，以接收來自底層邏輯的數位輸入向量並將其轉換為類比電壓，以驅動上層的類比記憶體內運算突觸陣列，以及應用於結果輸出流程的轉阻放大器(TIA)和類比數位轉換器(ADC)，轉阻放大器(TIA)負責接收並放大來自上層陣列位線(BL)的類比電流訊號並轉換為電壓，隨後由類比數位轉換器(ADC)將該類比電壓轉換為最終的數位數據，以供底層的數位累積單元陣列控制器處理，中層運算層的製造過程應用低溫製程，包含化學氣相沉積(CVD)或原子層沉積(ALD)技術與類似方法，在底層介電層上沉積並低溫活化非晶矽或多晶矽，以形成薄膜電晶體(TFT)通道，並利用微影與蝕刻技術依序製作構成轉阻放大器(TIA)、類比數位轉換器(ADC)及緩衝驅動數位類比轉換器(BD-DAC)等類比與混合訊號電路所需的電晶體結構、介電層和金屬連線，以完成系統中訊號放大、緩衝與格式轉換的關鍵功能。
如請求項1所述之人工智慧異構三維堆疊類比記憶體內運算突觸陣列單晶片系統，其中底層控制邏輯層是在單一矽基底上，利用標準CMOS製程製造而成，提供所有系統管理、數據控制與外部通訊功能，包含異構多核嵌入式系統晶片與數位累積單元陣列控制器，多核嵌入式系統晶片負責處理外部指令、數據運算與交換，並完成人工智慧深度學習模型中變換器(Transformer)或卷積神經網路(CNN)所需的複雜非乘加運算(Non-MAC Operations)如Softmax歸一化啟動函數與層正規化(Layer Normalization)，底層控制邏輯層之數位累積單元陣列控制器，負責解析異構多核嵌入式系統晶片傳送的請求，發出選擇控制訊號，管理晶片內部時序，並整合用於精確選通上層突觸陣列的列解碼器和行解碼器，以及用於提供必要高壓脈衝的編程高壓產生電路，底層控制邏輯層所有元件透過高密度的奈米層間導孔(ILVs)線，與中層運算層和上層記憶體層的運算結構進行緊密垂直電氣連接，以實現人工智慧模型在邊緣設備上的低延遲混合訊號應用。
如請求項1所述之人工智慧異構三維堆疊類比記憶體內運算突觸陣列單晶片系統，其中異構多核嵌入式系統晶片為系統的控制核心，透過互連骨幹網路單晶片(NoC)執行高頻寬的數據與指令交換，包含核心運算與控制模組、人工智慧推論加速模組介面、記憶體與數據管理邏輯模組、高速輸入輸出介面模組、低速周邊與基本控制模組，其中核心運算與控制模組，內含嵌入式處理器與控制系統，負責執行高階控制指令、作業系統功能、非加速型通用運算，以及管理整體系統的任務調度與時脈與重置訊號，人工智慧推論加速模組介面，經由網路單晶片(NoC)提供多核類比記憶體內運算突觸陣列整合介面，以執行向量矩陣乘法(VMM)運算，記憶體與數據管理邏輯模組，包含低功耗雙倍資料速率記憶體(LPDDR)控制器及嵌入式多媒體卡(eMMC)和快閃記憶體控制器，負責外部主記憶體與非揮發性數據的高效率讀寫與錯誤控制，所有數據管理邏輯皆直接連接到網路單晶片(NoC)，高速輸入輸出介面模組，透過先進可擴展介面(AXI)總線橋接到網路單晶片(NoC)，包含區域網路媒體存取控制(LAN MAC)、通用串列匯流排(USB)控制器，以及高畫質多媒體介面(HDMI)控制器，負責與系統外部的高速設備進行數據交換，低速周邊與基本控制模組，透過共用的進階周邊匯流排(APB)或先進可擴展介面(AXI)總線橋接至該網路單晶片(NoC)，包含計時器、通用非同步收發傳輸器(UART)、串列資料通訊RS-232與RS-485，以及專門管理系統時脈、電壓和重置訊號的電源管理控制器(PMC)，經由上述整合架構確保系統控制的穩定性與高效能的人工智慧推理。
如請求項1所述之人工智慧異構三維堆疊類比記憶體內運算突觸陣列單晶片系統，其中數位累積單元陣列控制器位於類比數位轉換器(ADC)的輸出端之後，作為數位累積單元核心，負責接收來自類比數位轉換器(ADC)輸出的分批數位化結果，並使用高速數位加法器或累加器對這些分塊結果進行精確的數位加總和處理，同時負責處理溢位或捨入邏輯，以確保最終運算結果的精度，數位累積單元陣列控制器亦包含陣列控制器功能，負責將片上網路單晶片(NoC)傳送的向量矩陣乘法(VMM)運算指令，轉換為時序控制脈衝序列，並實現以下控制功能，時序生成與校準，產生帶有精確延遲和抖動控制的時脈訊號，以同步控制緩衝驅動數位類比轉換器(BD-DAC)對數位輸入向量的驅動、字線(WL)脈衝，以及對轉阻放大器(TIA)和類比數位轉換器(ADC)採樣電路的精準控制，地址映射解碼，通過行解碼器和列解碼器精確選擇突觸陣列中的特定單元，數據路徑管理，控制從類比數位轉換器(ADC)輸出至數位累積單元的路徑，並管理中間結果的暫存和循環回讀，確保向量矩陣乘法(VMM)運算結果的準確性，該控制器亦整合非線性啟動函數的線性整流函式(ReLU)與S型函數(Sigmoid)運算邏輯，並將最終處理好的層輸出數據傳輸到網路單晶片(NoC)應用。
如請求項1所述之人工智慧異構三維堆疊類比記憶體內運算突觸陣列單晶片系統，其中類比數位轉換器(ADC)採用柱狀分佈式架構，緊密集成在每個運算核心的位線(BL)末端，類比數位轉換器(ADC)負責接收由轉阻放大器(TIA)將類比記憶體內運算突觸陣列位線(BL)上累積的類比電流放大並轉換為電壓訊號，並將該電壓轉換為數位數據，以供後續的數位累積單元陣列控制器執行與控制，類比數位轉換器(ADC)分佈式設計目的在實現最大並行度，並有效避免長距離類比訊號傳輸造成的衰減和串擾，並在面積效率、每瓦兆次運算(TOPS/W)能效比、模型容錯性及單元電流累積範圍三者間取得平衡，因為類比運算結果是突觸單元的電流累積，累積值與陣列大小N成正比，為取得高度分佈式集成且最大化核心數，其解析度通常在4到16位元之間，透過分塊運算限制陣列累積值N的大小，從而以最低的位元數換取最高的面積效率、每瓦兆次運算(TOPS/W)能效比和採樣速度。
如請求項1所述之人工智慧異構三維堆疊類比記憶體內運算突觸陣列單晶片系統，其中轉阻放大器(TIA)負責電流到電壓的轉換，功能是接收來自類比記憶體內運算突觸陣列輸出的累積類比位線(BL)電流，並將其低雜訊地轉換成可被類比數位轉換器(ADC)進行數位化的電壓訊號，轉阻放大器(TIA)結構核心是基於一個運算放大器或高增益放大器，並配置反饋電阻或電容形成負反饋組態，以提供極低的輸入阻抗，從而快速吸收位線上的累積電流，抑制電容充放電延遲，實現高增益頻寬積和低功耗，並採用分佈式或柱狀並行架構，緊鄰陣列的列邊緣，以最大限度地減少寄生電容和訊號衰減，確保類比運算結果的即時讀取。
如請求項1所述之人工智慧異構三維堆疊類比記憶體內運算突觸陣列單晶片系統，其中類比記憶體內運算突觸陣列技術功能是透過歐姆定律和克希荷夫電流定律(KCL)，執行神經網路推理階段中主要的向量矩陣乘法(VMM)和乘加運算(MAC)，從而克服傳統馮諾依曼架構中處理器和記憶體之間頻繁資料移動造成的記憶體牆瓶頸，突觸陣列由垂直堆疊的多層非揮發性記憶體(NVM)交叉點結構構成，其中每一記憶體單元充當一個突觸陣列節點權重的類比突觸，其電導值精確編碼神經網路的突觸陣列節點權重，而建構神經網路計算中的突觸陣列記憶體單元結構種類，突觸陣列記憶體單元種類結構包含有，一個電阻式元件(1R)記憶體單元是最基礎的突觸權重儲存結構，其利用憶阻器電阻值來表示權重，一個電晶體與一個電阻式元件(1T1R)，其引入電晶體與憶阻器電阻作為開關來有效抑制漏電流並精確選址，二個電晶體與二個電阻式元件(2T2R)，其使用二個電晶體與二個憶阻器進行差分讀取，藉由比較阻值差異來代表權重，以達到更高的讀取精度和抗噪性，一個選取器與一個電阻式元件(1S1R)，其是用非電晶體選擇器取代電晶體，是為了在高密度三維堆疊時，依然能抑制未選中單元的路徑電流，而在4至16位元的多級電導狀態，採用差分單元二個電晶體與二個電阻式元件(2T2R)來表示正負突觸陣列節點權重，於運算時，數位輸入向量以類比電壓形式施加於字線(WL)上，此施加之輸入電壓(V<sub>in,i</sub>)，而神經網路的突觸陣列節點權重電導(G<sub>ij</sub>)，當輸入電壓(V<sub>in,i</sub>)施加到權重電導(G<sub>ij</sub>)的記憶體單元，依據歐姆定律，流經該單元的輸出電流(I<sub>ij</sub>)為輸入電壓(V<sub>in,i</sub>)與權重電導(G<sub>ij</sub>)的乘積即I<sub>ij</sub>=V<sub>in,i</sub>‧G<sub>ij</sub>實現向量矩陣乘法(VMM)運算，並利用克希荷夫電流定律(KCL)在位線(BL)上同時進行類比加總，一次性完成大規模向量矩陣乘法(VMM)運算，以提升運算密度和效能比。
如請求項1所述之人工智慧異構三維堆疊類比記憶體內運算突觸陣列單晶片系統，其中類比記憶體內運算突觸陣列之製造關鍵在後段製程(BEOL)低溫環境，通常要求低於400攝氏度中順序沉積，而沉積並圖案化金屬電極層作為交叉陣列的第一組字線(WL)，然後使用精確的原子層沉積(ALD)、化學氣相沉積(CVD)與微細加工光刻技術以沉積非揮發性記憶體(NVM)活性材料，例如氧化鉿(HfOx)或氧化鉭(TaOx)用於電阻式隨機存取記憶體(RRAM)與相變記憶體(PCM)，接著沉積並圖案化第二組與字線(WL)垂直相交的延伸金屬導線的位線(BL)，從而在兩組線的交叉點處形成功能性突觸元件，此種沉積、圖案化、蝕刻的循環步驟會重複多次，以實現多層非揮發性記憶體(NVM)陣列的垂直堆疊，並利用高深寬比蝕刻和金屬填充技術製造奈米級層間導孔(ILVs)線，以作為高密度、超短的垂直互連各非揮發性記憶體(NVM)陣列層，以及底層的CMOS異構多核嵌入式系統晶片邏輯電路，從而實現極高密度、低延遲和高效能的類比記憶體內運算突觸陣列突觸層的製造程序。
如請求項1所述之人工智慧異構三維堆疊類比記憶體內運算突觸陣列單晶片系統，其中位線(BL)是作為陣列中的垂直金屬導線，核心技術功能是擔任電流累積通道，每條位線(BL)負責收集所有與之交叉的被選中突觸陣列節點權重電導產生的類比輸出電流，並根據克希荷夫電流定律將其自然地同步加總，產生總輸出電流，由於位線(BL)具有固有的電阻(R)和電容(C)寄生效應，尤其在堆疊和大規模陣列中，其RC延遲會影響訊號傳輸速度和精度，因此位線(BL)的設計必須採用低電阻材料和最佳化佈局來最小化這些影響，最後每條位線(BL)的末端都連接到轉阻放大器(TIA)，來讀取並將其總電流轉換為電壓，進入數位處理程序。
如請求項1所述之人工智慧異構三維堆疊類比記憶體內運算突觸陣列單晶片系統，其中數位輸入向量的傳輸與轉換機制，是作為神經網路乘加運算(MAC)中的輸入乘數，透過系統的高速互連總線網路單晶片(NoC)傳輸到數位累積單元陣列控制器後，被傳輸至緩衝驅動數位類比轉換器(BD-DAC)進行轉換，緩衝驅動數位類比轉換器(BD-DAC)具備高速度和足夠的位元解析度，以精確編碼輸入數值並匹配推理時脈，轉換後的類比電壓隨後被傳輸到字線(WL)驅動器，以施加到特定字線(WL)上，作為向量矩陣乘法(VMM)運算中的電壓項，進而驅動類比記憶體內運算突觸陣列進行大規模並行運算。
如請求項1所述之人工智慧異構三維堆疊類比記憶體內運算突觸陣列單晶片系統，其中緩衝驅動數位類比轉換器(BD-DAC)核心技術功能，是將數位化的輸入啟動向量高效率地轉換為高精確度的類比電壓或電流訊號，利用其內建的緩衝器提供足夠的驅動能力和低輸出阻抗，穩定且快速地驅動大型突觸陣列的位元線(BL)或字線(WL)，以執行精確的向量矩陣乘法(VMM)運算，為確保輸入電壓能夠被快速、準確且穩定地施加到被選中的字線(WL)上，緩衝驅動數位類比轉換器(BD-DAC)負責接收並緩衝輸出的類比電壓，同時確保訊號電壓擺幅滿足類比記憶體內運算突觸陣列的操作電壓要求，而驅動器則承擔最主要的功率輸出職責，由於字線(WL)是一條極長、高電容負載的金屬線，連接了數千個單元，驅動器必須提供高電流驅動能力，以克服RC延遲並在奈秒時間內將整條字線(WL)充飽電，確保輸入電壓在運算期間保持高度穩定和運算的精度。
如請求項1所述之人工智慧異構三維堆疊類比記憶體內運算突觸陣列單晶片系統，其中字線(WL)是陣列中水平延伸的關鍵導線，其核心功能是作為單元選取訊號和輸入電壓的承載者，字線(WL)由列解碼器(Row Decoder)選中，並經由緩衝驅動數位類比轉換器(BD-DAC)施加電壓，輸入電壓代表了數位輸入向量經轉換後的類比形式，並作為乘加運算(MAC)輸出電流中的乘數，由於字線(WL)負載極重且運作於奈秒時序，其驅動器必須具備極高的驅動能力，以克服RC延遲和電阻壓降，以確保在整條線上保持高精度和穩定性，並保證與其交叉的數千個突觸陣列節點權重能夠同時精確地執行乘加運算(MAC)。
如請求項1所述之人工智慧異構三維堆疊類比記憶體內運算突觸陣列單晶片系統，其中行解碼器(Column Decoder)是位於陣列邊緣的數位控制電路，其技術功能是根據數位累積單元陣列控制器，提供的列地址來執行選址和數據路由，因類比記憶體內運算突觸陣列的輸出是並行累積在多條位線(BL)上，行解碼器(Column Decoder)並不直接產生位線(BL)上的運算電流，而是負責在讀取階段選取與啟動一組特定的位線(BL)，在讀取時序中，行解碼器(Column Decoder)內多工器從數百組並行的位線(BL)輸出中選取一組，並經由數位累積單元陣列控制器將選定的位線(BL)訊號，導向類比數位轉換器(ADC)和一組共享的轉阻放大器(TIA)，以實現時間與空間上的多工共享，達到節省晶片面積和功耗。
如請求項1所述之人工智慧異構三維堆疊類比記憶體內運算突觸陣列單晶片系統，其中編程高壓產生電路是專門為非揮發性記憶體(NVM)突觸元件的電導值編程而設計的類比電路，其核心技術是產生瞬時且精確的高電壓脈衝，用於執行非揮發性記憶體(NVM)元件的可逆電阻切換操作，編程高壓產生電路包含一個或多個電壓倍增器(Charge Pump)，能夠將標準電源電壓升壓至高於邏輯電位所需的電壓，以達到電阻式隨機存取記憶體(RRAM)的成形(Forming)、設置(SET)低電阻狀態和重置(RESET)高電阻狀態所需的電壓閾值，該電路輸出的是脈衝訊號，需要極精確的脈衝寬度和振幅控制，以確保非揮發性記憶體(NVM)突觸陣列節點權重能夠被編程到所需的多級類比電導狀態，是執行硬體權重更新的關鍵。
如請求項1所述之人工智慧異構三維堆疊類比記憶體內運算突觸陣列單晶片系統，其中選擇控制訊號用於協調和管理類比記憶體內運算突觸陣列周邊電路和核心操作的數位邏輯訊號，選擇控制訊號是整個系統時序與狀態控制的基礎，主要功能包含有將陣列切換到讀取與推理模式、編程與訓練模式或閒置模式等模式選擇，而電壓控制決定啟用偏壓產生器輸出的低讀取電壓，或是啟用編程高壓產生電路輸出的編程高壓，所有控制訊號以精確的時序傳輸到列解碼器(Row Decoder)與行解碼器(Column Decoder)以確保系統的每部分都在正確的執行操作。
如請求項1所述之人工智慧異構三維堆疊類比記憶體內運算突觸陣列單晶片系統，其中列解碼器(Row Decoder)核心技術是執行地址選取，接收來自數位累積單元陣列控制器的數位行地址，並將具N位元的地址即時解碼，產生2<sup>N</sup>條輸出線中唯一的一條啟動高電位訊號，此啟動訊號經由數位累積單元陣列控制器，傳送給緩衝驅動數位類比轉換器(BD-DAC)，以選中陣列中唯一的字線(WL)，從而將輸入電壓施加到該行上的所有突觸陣列節點權重，列解碼器(Row Decoder)的速度和穩定性決定了類比記憶體內運算突觸陣列的存取延遲和運算時序，且必須提供足夠的驅動訊號強度來有效地啟動字線(WL)驅動器，確保整個陣列的選址精確無誤。
如請求項1所述之人工智慧異構三維堆疊類比記憶體內運算突觸陣列單晶片系統，其中源線(SL)是作為陣列中一條通常與字線(WL)平行延伸的水平金屬導線，其核心技術功能是作為穩定的電壓參考點和電流回流路徑，源線(SL)連接到如1T1R或2T2R結構中選取電晶體的汲極端，並接收來自偏壓產生器的穩定直流參考電壓，在讀取與運算模式下，源線(SL)上的穩定電壓與字線(WL)上的輸入電壓共同決定了突觸元件兩端的操作電壓，以確保乘加運算(MAC)的精確度和線性度，在編程模式下，源線會被精確偏壓，以控制流經電阻式非揮發性記憶體(NVM)元件的電流，作為確保權重編程可靠性和單元隔離的輔助電路功能。
如請求項1所述之人工智慧異構三維堆疊類比記憶體內運算突觸陣列單晶片系統，其中突觸陣列節點權重是作為整個類比記憶體內運算突觸陣列的核心，執行實際運算的最小功能單元，實體位於字線(WL)和位線(BL)的交叉點，並包含一組非揮發性記憶體(NVM)單元，突觸陣列節點權重結構類型包括基礎的一個電阻式元件(1R)記憶體單元是最基礎的突觸權重儲存結構，其利用憶阻器電阻值來表示權重，一個電晶體與一個電阻式元件(1T1R)，其引入電晶體與憶阻器電阻作為開關來有效抑制漏電流並精確選址，二個電晶體與二個電阻式元件(2T2R)，其使用二個電晶體與二個憶阻器進行差分讀取，藉由比較阻值差異來代表權重，以達到更高的讀取精度和抗噪性，一個選取器與一個電阻式元件(1S1R)，其是用非電晶體選擇器取代電晶體，是為了在高密度三維堆疊時，依然能抑制未選中單元的路徑電流，該節點的電導精確儲存了神經網路的突觸權重，在讀取與運算時，該節點接收來自字線(WL)的輸入電壓，並根據歐姆定律實現向量矩陣乘法(VMM)運算，其輸出電流應用克希荷夫電流定律(KCL)在垂直的位線(BL)上同時進行類比加總，突觸陣列節點權重結構被垂直堆疊在底層CMOS電路上，並透過高密度奈米層間導孔(ILVs)線與上下層的字線、位線和選取電晶體相連，是實現大規模、高效能類比向量矩陣乘法(VMM)運算的核心物理實體。
如請求項1所述之人工智慧異構三維堆疊類比記憶體內運算突觸陣列單晶片系統，其中網路單晶片(NoC)是作為異構多核嵌入式系統晶片內部數據傳輸與協調的基礎，目的在解決傳統匯流排在多核心、高並行環境下的頻寬擴展性與服務品質(QoS)的挑戰，網路單晶片(NoC)架構由一系列路由器節點、鏈路(Link)以及網路介面構成，以分散式二維網格(Mesh)或環網(Torus)路由演算法之二維規則拓撲分佈於晶片內部，其操作基於封包交換(Packet Switching)機制，數據被分割成流量控制單元(Flit)並在節點間多跳(Multi-Hop)路由傳輸，路由決策基於分散式路由演算法，網路單晶片(NoC)架構提供的高頻寬通道，專門用於承載類比記憶體內運算突觸陣列核心所需的高吞吐量數據流，包括低延遲數位輸入向量的傳輸，以及多路類比數位轉換器(ADC)輸出結果的時分多工(TDM)，與空間多工匯聚回數位累積單元陣列控制器，網路單晶片(NoC)架構利用奈米層間導孔(ILVs)線實現高密度、低寄生電容的垂直鏈路(Link)，以縮短傳輸距離並將頻寬擴展至垂直維度，顯著降低了平均數據包延遲，是消除通訊瓶頸實現類比記憶體內運算突觸陣列數千每瓦兆次運算面積效率、每瓦兆次運算(TOPS/W)能效比的關鍵通訊功能。
如請求項1所述之人工智慧異構三維堆疊類比記憶體內運算突觸陣列單晶片系統，其中晶圓流片(Tape out)，是經過異構三維電子自動化設計(EDA)流程嚴格驗證的最終設計，以多組GDSII檔案和低溫製程說明，交付給晶圓廠製造的階段，標誌著設計完成，並銜接覆晶(Flip Chip)球柵陣列(BGA)封裝，以生產出晶圓流片(Tape out)，晶圓設計製造流程，包含異構設計建模與模擬、邏輯佈局與物理實現、簽核與交付驗證與交付晶圓廠(Tape Out)製造等流程，並全面融合異構三維整合的先進封裝技術，在異構設計建模與模擬階段，始於硬體描述語言(HDL)設計輸入，以模組化方式定義系統的CMOS、混合訊號、與非揮發性記憶體(NVM)單元，三個異構層次的功能與介面，其中數位電路部分使用Verilog硬體描述語言，而類比電路包含類比數位轉換器(ADC)、與轉阻放大器(TIA)單元，則使用Verilog-A/AMS類比與混合訊號擴展，進行精確描述並進入暫存器傳輸語言(RTL)功能模擬設計，目的在通過跨層功能驗證模擬底層控制邏輯層、中層運算層、與上層記憶體層，模擬數位輸入經緩衝驅動數位類比轉換器(BD-DAC)轉換，在類比記憶體內運算突觸陣列執行乘加運算(MAC)，再數位化回傳的端到端運作以確保功能正確性，而邏輯佈局與物理實現階段，其將抽象的暫存器傳輸語言(RTL)功能模擬設計，轉換為由邏輯閘(Logic Gate)標準單元互連而成的閘極網表(Gate netlist)，主要是針對底層CMOS邏輯進行閘極網表(Gate netlist)的產生，而可測設計功能(DFT)與測試結構階段，將閘極網表(Gate netlist)中插入掃描鏈(Scan Chain)和內建自我測試(BIST)等結構，以確保製造後的晶片可被測試，特別是在異構三維晶片中，需設計跨層測試方案，並進入佈局與繞線，使用三維協同佈局工具確定這些邏輯閘的物理位置，並完成所有連線，同時確保奈米層間導孔(ILVs)線精確對準，並最佳化輸出輸入焊盤(Pad)位置，以符合覆晶(Flip Chip)球柵陣列(BGA)封裝要求，在簽核與交付驗證中，是確保晶片設計準備好投產的關鍵階段，首先進行最佳化時序簽核，執行跨層靜態時序分析(STA)，將奈米層間導孔(ILVs)線的寄生效應納入模型，以確保所有電路在設計時脈下能穩定運行，並進行物理實體驗證，其核心是執行三維版圖(3D Layout)對應電路圖和異構設計規則檢查，以驗證跨層的垂直互連是否正確無誤，確保所有異構層的版圖(Layout)皆符合製程規則，在完成所有驗證與簽核後，設計即被視為黃金版圖，最終以多組GDSII檔案三維低溫製程步驟說明，以正式投片(Tape Out)製造的形式，交付晶圓廠製造，在交付晶圓廠(Tape Out)製造過程，晶圓製造廠進行光罩製作和實際晶圓製造，此交付需包含多組GDSII檔案，分別對應底層控制邏輯層CMOS、中層運算層混合訊號、與上層記憶體層非揮發性記憶體(NVM)陣列，這三個異構層的版圖(Layout)，同時附帶詳細的單片三維低溫製程步驟說明，以指導晶圓廠進行精確的分層製造，在晶圓製造完成後，則銜接後續的覆晶(Flip Chip)球柵陣列(BGA)封裝技術，提供三維堆疊的晶粒連接介面，以生產製造出晶圓流片(Tape out)。
一種多用途玩具組合結構，係包含有:<br/> 數個第一本體，係該數個第一本體設有至少一第一卡槽，且該數個第一本體內部埋設有數個磁塊組；及<br/> 數個第二本體，係該數個第二本體設有至少一第二卡槽，又該第二卡槽卡合於該數個第一本體的該第一卡槽，而該數個第二本體設有至少一吸磁面及至少一被吸磁面，且該吸磁面可磁吸於該數個第一本體的該數個磁塊組。
如請求項1所述多用途玩具組合結構，其中該數個第一本體的形狀設為一方型，且該第一本體在四個方向分別設有該第一卡槽。
如請求項2所述多用途玩具組合結構，其中該數個第一本體的該第一卡槽可以互相卡設。
如請求項1所述多用途玩具組合結構，其中該數個第二本體的第二卡槽可卡設於另一該數個第二本體。
如請求項4所述多用途玩具組合結構，其中該數個第二本體可設為太陽、月亮、星星、雲朵、三角形、草或/及花朵。
如請求項1所述多用途玩具組合結構，其中該數個第一本體埋設有該四磁塊組，又該數個第一本體的該四磁塊組之相鄰的極性相反。
如請求項1至6任一項所述多用途玩具組合結構，其中該數個第一本體及該數個第二本體的材質設為ABS、PP或PE。
一種可調整鞋跟高度之鞋子，包含：<br/> 一鞋體(1)；<br/> 一鞋跟(2)，具有一鞋跟基座(20)與至少二個調整鞋跟(21)；所述鞋跟基座(20)固定於該鞋體(1)的底面外側的後方；該等調整鞋跟(21)中之一者與該鞋跟基座(20)結合，該等調整鞋跟(21)中其餘者與另一者不重複地結合，使該鞋跟(2)的高度是可透過伸縮式或透過組裝拆卸式的配置進行調整。
如請求項1所述之可調整鞋跟高度之鞋子，其中，該等調整鞋跟(21)具有不同寬度，且該等調整鞋跟(21)中具有最大寬度者與該鞋跟基座(20)結合，該等調整鞋跟(21)中其餘者依寬度由大至小依序與前一較大寬度者為結合。
如請求項1或2所述之可調整鞋跟高度之鞋子，其中，在伸縮式的配置中，相互結合之二調整鞋跟(21)為可相對運動地結合；相互結合之二調整鞋跟(21)中為較大寬度者，在軸向方向的至少二位置的各具有至少一卡合孔(210)；相互結合之二調整鞋跟(21)中為較小寬度者，具有對應的至少一彈性銷(211)，以當該等彈性銷(211)對位對應的卡合孔(210)時伸入對應的卡合孔(210)，而可以固定該等調整鞋跟(21)之間的位置關係。
如請求項3所述之所述之可調整鞋跟高度之鞋子，其中，相互結合之二調整鞋跟(21)中為較大寬度者的剖面形成類似倒U型的中空結構，以容置相互結合之二調整鞋跟(21)中為較小寬度者。
如請求項1或2所述之可調整鞋跟高度之鞋子，其中，在組裝拆卸式的配置中，該鞋跟基座(20)的底部具有一第一結合部(C1)，各該調整鞋跟(21)的底部與頂部分別具有一第一結合部(C1)與一第二結合部(C2)，透過一調整鞋跟(21)的該第二結合部(C2)結合至或拆卸自該鞋跟基座(20)的底部或另一調整鞋跟(21)的一第一結合部(C1)，使鞋跟(2)的高度分別變高或變短。
如請求項5所述之可調整鞋跟高度之鞋子，其中，該第一結合部(C1)與該第二結合部(C2)中之一者是螺孔，另一者是螺柱。
一種聲紋特徵管理系統，包含：<br/> 一客服系統儲存裝置，儲存每一天的一客戶進線記錄；<br/> 一客服系統，電連接該客服系統儲存裝置，並提供一智能工作平台；<br/> 一聲紋系統儲存裝置，儲存對應一客戶識別資料的多個聲紋特徵值，及分別對應該等聲紋特徵值的多個比對分數，該等聲紋特徵值的數量等於一註冊次數；<br/> 一聲紋系統，電連接該聲紋系統儲存裝置；<br/> 一通訊裝置，用於提供連網功能；及<br/> 一處理裝置，電連接該通訊裝置，以經由該通訊裝置與該客服系統及該聲紋系統建立連線而形成電連接，並執行該智能工作平台，該智能工作平台取得在前一日的該客戶進線記錄，並根據該客戶進線記錄的該客戶識別資料，在判斷對應的該註冊次數等於一預定數量時，執行一更新程序，<br/> 在該更新程序中，該智能工作平台呼叫一取檔應用程式介面(API)以取得對應該客戶識別資料且在前一日的一客服通話音檔，並根據該客服通話音檔計算出對應的該聲紋特徵值及該比對分數，且呼叫一辨識分數應用程式介面以取得該聲紋系統且對應該客戶識別資料與該等聲紋特徵值的該等比對分數，並在判斷出對應該客服通話音檔的該比對分數大於對應該等聲紋特徵值的該等比對分數之其中最小者時，呼叫一刪除應用程式介面以刪除其中最小者在該聲紋系統中所對應的該聲紋特徵值與該比對分數，且呼叫一註冊應用程式介面以將該客服通話音檔所對應的該聲紋特徵值及該比對分數註冊至該聲紋系統中。
如請求項1所述的聲紋特徵管理系統，其中，當該智能工作平台根據該客戶進線記錄的該客戶識別資料，判斷對應的該註冊次數小於該預定數量時，執行一註冊程序，<br/> 在該註冊程序中，該智能工作平台呼叫該取檔應用程式介面以取得對應該客戶識別資料且在前一日的該客服通話音檔，並根據該客服通話音檔計算出對應的該聲紋特徵值及該比對分數，且呼叫該註冊應用程式介面以將該客服通話音檔所對應的該聲紋特徵值及該比對分數註冊至該聲紋系統中。
如請求項2所述的聲紋特徵管理系統，其中，該客服通話音檔包括多個片段音檔，且每一該片段音檔的音訊總時間是一第一時間長度，<br/> 在該更新程序及該註冊程序中，在該智能工作平台呼叫該取檔應用程式介面而取得對應該客戶識別資料且在前一日的該客服通話音檔之後，先呼叫一語者分離應用程式介面，依序將該等片段音檔之其中一者中客戶的部分分離出來而獲得分離後的該片段音檔，並再呼叫一去靜音應用程式介面，以將分離後的該片段音檔中靜音的部分刪除而獲得去靜音後的該片段音檔，直到去靜音後的該片段音檔的音訊總時間大於一第二時間長度，而作為一待辨識音檔，或直到去靜音後的該等片段音檔被合併為該待辨識音檔且該待辨識音檔的音訊總時間大於該第二時間長度， <br/> 該智能工作平台再呼叫一辨識應用程式介面，以計算出對應該待辨識音檔的該聲紋特徵值及該比對分數。
如請求項3所述的聲紋特徵管理系統，其中，該預定數量等於3。
如請求項4所述的聲紋特徵管理系統，其中，該第一時間長度等於20秒，該第二時間長度等於10秒。
如請求項4所述的聲紋特徵管理系統，其中，該第一時間長度等於20秒，該第二時間長度等於40秒。
一種冷軋產品製程診斷系統，包含：<br/> 一資料庫模組，配置為儲存多種產品指標及多種製程指標；<br/> 一品質評分模組，耦接該資料庫模組，該品質評分模組配置為依據所述多種產品指標及所述多種製程指標建立建立對應的多個品質水準評價；<br/> 一健康度統計模組，耦接該品質評分模組，該健康度統計模組配置為由所述多個品質水準評價施加對應的權重再進行平均而獲得一健康度；及<br/> 一異常預警模組，耦接該健康度統計模組，該異常預警模組配置為依據該健康度產生一評分結果，該評分結果包含一良好狀態及一異常狀態。
如請求項1所述冷軋產品製程診斷系統，另包含一顯示模組，該顯示模組耦接該異常預警模組，該顯示模組配置為依據該評分結果進行一顯示作業。
如請求項2所述冷軋產品製程診斷系統，其中該異常預警模組的該評分結果另包含一警示狀態，該顯示模組的該顯示作業包含對應該良好狀態的一第一顯示模式、對應該警示狀態的一第二顯示模式及對應該異常狀態的一第三顯示模式。
如請求項1所述冷軋產品製程診斷系統，其中該資料庫模組包含一試驗資料庫，該試驗資料庫耦接該品質評分模組，且該試驗資料庫配置為儲存對應產品試驗的所述多種產品指標。
如請求項1所述冷軋產品製程診斷系統，其中該資料庫模組包含一製程資料庫，該製程資料庫耦接該品質評分模組，且該製程資料庫配置為儲存所述多種製程指標。
如請求項1所述冷軋產品製程診斷系統，其中該資料庫模組包含一數據資料庫，該數據資料庫耦接該品質評分模組，且該數據資料庫配置為收集、儲存、管理及分析關於冷軋生產線的數據。
如請求項1所述冷軋產品製程診斷系統，其中該品質評分模組配置為對所述多種產品指標及所述多種製程指標進行Z分數標準化，以獲得Z值，再根據Z值運算所述多個品質水準評價，如下列公式：<br/><img align="absmiddle" height="20px" width="41px" file="ed10012.jpg" alt="ed10012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/><img align="absmiddle" height="13px" width="87px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> 其中<img align="absmiddle" height="14px" width="7px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是Z值參數；<br/><img align="absmiddle" height="14px" width="7px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是指標的實際值；<br/><img align="absmiddle" height="14px" width="7px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是指標的過去水準的平均值；<br/> σ是指標的過去水準的標準差；<br/><img align="absmiddle" height="13px" width="20px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為品質水準評價。
如請求項1所述冷軋產品製程診斷系統，其中該健康度統計模組配置為基於多個權重及所述多個品質水準評價計算該健康度，如下列公式：<br/><img align="absmiddle" height="29px" width="130px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； 其中PHI為所述健康度；<br/><img align="absmiddle" height="14px" width="26px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為第<img align="absmiddle" height="14px" width="4px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>個指標的品質水準評價；<br/><img align="absmiddle" height="14px" width="14px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為第<img align="absmiddle" height="14px" width="4px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>個指標的權重；<br/><img align="absmiddle" height="14px" width="7px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為指標的總數量。
如請求項1所述冷軋產品製程診斷系統，其中該系統另包含一診斷模組，耦接該異常預警模組，該診斷模組配置為執行一診斷作業以依據該評分結果產生一判斷結果。
如請求項9所述冷軋產品製程診斷系統，其中該診斷模組的該診斷作業依據該評分結果進行一比對而產生該判斷結果，該比對：包含磁性與機性比對、退火溫度比對、線速比對、成分比對及熱軋比對。
一種發聲裝置，其特徵在於，該發聲裝置包括：<br/> 殼體；<br/> 磁路系統，該磁路系統設置於殼體中並且形成有磁間隙；以及<br/> 振動系統，該振動系統包括驅動線圈、支架、音膜和定心支片，該驅動線圈懸置於該磁間隙中，該支架圍繞該驅動線圈設置並且包括第一連接結構和第二連接結構，該第一連接結構與該驅動線圈連接，該第二連接結構與該音膜連接，該音膜位於該驅動線圈的上方，該音膜的上方設有第一補強件，該第一連接結構下沉形成有避讓槽，該定心支片位於該驅動線圈的下方並分別與該殼體和該驅動線圈連接。
如請求項1所述的發聲裝置，其中，該支架還包括：<br/> 支撐結構，該支撐結構分別連接該第一連接結構和該第二連接結構。
如請求項2所述的發聲裝置，其中，該第一連接結構包括：<br/> 貼合部，該貼合部連接於該驅動線圈的外側面；<br/> 槽底部，該槽底部連接至該貼合部的底部並且背離該驅動線圈設置；以及<br/> 延伸部，該延伸部連接至該槽底部並朝向該支撐結構延伸以與該支撐結構連接；<br/> 其中，該貼合部、該槽底部和該延伸部配合形成該避讓槽。
如請求項3所述的發聲裝置，其中，該貼合部沿豎直方向設置並且高度小於該驅動線圈，該貼合部位於該驅動線圈的外側面的中間位置。
如請求項3所述的發聲裝置，其中，該貼合部沿豎直方向設置並且高度小於該驅動線圈，該貼合部與該驅動線圈的頂部的距離大於或小於該貼合部與該驅動線圈的底部的距離。
如請求項2所述的發聲裝置，其中，該第一連接結構與該支撐結構的連接處下沉形成臺階。
如請求項1至6中任一項所述的發聲裝置，其中，該第二連接結構設置為框型並且設有圓弧邊。
如請求項1至6中任一項所述的發聲裝置，其中，該第二連接結構的外邊緣向下延伸形成有彎折部。
如請求項1至6中任一項所述的發聲裝置，其中，該音膜包括：<br/> 第一環部，該第一環部的中間形成鏤空；<br/> 第一折環，該第一折環朝向上方拱起並且環繞該第一環部設置；<br/> 第二環部，該第二環部環繞該第一折環設置，該第二環部的底部與該第二連接結構連接；<br/> 第二折環，該第二折環朝向上方拱起並且環繞該第二環部設置；以及<br/> 第三環部，該第三環部環繞該第二折環設置，該第三環部與該殼體連接。
如請求項9所述的發聲裝置，其中，該第二折環和該第三環部之間下沉形成有環形槽。
如請求項9所述的發聲裝置，其中，該第三環部的底部凹陷形成有安裝槽，該第三環部透過該安裝槽與該殼體連接。
如請求項1至6中任一項所述的發聲裝置，其中，該定心支片包括：<br/> 第一連接部，該第一連接部設置為框型並與該殼體連接；<br/> 支撐部，該支撐部由該第一連接部向內延伸；以及<br/> 第二連接部，該第二連接部連接至該支撐部並與該驅動線圈連接。
如請求項12所述的發聲裝置，其中，該第二連接部朝向該驅動線圈的一側設有容納槽。
如請求項12所述的發聲裝置，其中，該第二連接部與該第一連接結構連接。
如請求項1至6中任一項所述的發聲裝置，其中，該磁路系統包括：<br/> 第一導磁板，該第一導磁板與該殼體連接；<br/> 中心磁組件，該中心磁組件設置於該第一導磁板上；<br/> 側邊磁組件，該側邊磁組件設置於該第一導磁板上並且圍繞該中心磁組件設置，該側邊磁組件與該中心磁組件之間具有間隔；以及<br/> 第二導磁板，該第二導磁板連接至該中心磁組件的頂部。
如請求項15所述的發聲裝置，其中，該中心磁組件包括：<br/> 第一中心磁鐵，該第一中心磁鐵連接至該第一導磁板；<br/> 中心導磁件，該中心導磁件連接至該第一中心磁鐵；以及<br/> 第二中心磁鐵，該第二中心磁鐵分別連接該中心導磁件和該第二導磁板。
如請求項15所述的發聲裝置，其中，該側邊磁組件包括：<br/> 第一側邊磁鐵，該第一側邊磁鐵連接至該第一導磁板；<br/> 側邊導磁件，該側邊導磁件連接至該第一側邊磁鐵；以及<br/> 第二側邊磁鐵，該第二側邊磁鐵連接至該側邊導磁件。
如請求項17所述的發聲裝置，其中，該第二側邊磁鐵與該音膜連接。
如請求項15所述的發聲裝置，其中，該第一導磁板包括：<br/> 中心部，該中心部上設置有該中心磁組件；以及<br/> 側邊部，該側邊部由該中心部的邊緣向外延伸，該側邊部上設置有該側邊磁組件，該側邊部與該殼體連接。
如請求項1至6中任一項所述的發聲裝置，其中，該殼體包括：<br/> 主體部，該主體部設置為框型並且與該定心支片連接；<br/> 側壁部，該側壁部由該主體部的外邊緣向上延伸並與該音膜連接；以及<br/> 下伸部，該下伸部由該主體部的內邊緣向下延伸並連接至該磁路系統。
一種蜂箱小甲蟲專用誘殺盒，其包括相互蓋合且分別呈多邊形的一第一盒殼及一第二盒殼；該第一盒殼與該第二盒殼的相對應面鄰近各自的周邊保持一間隔距離地分別突設有相對應的複數個第一壁緣及複數個第二壁緣；該第一盒殼與該第二盒殼的相對應面位於該複數個第一壁緣及該複數個第二壁緣的內圍分別設有至少一隔板；該複數個第一壁緣自其頂部設有一嵌合結構，該複數個第二壁緣自其頂部設有與該嵌合結構相對應的一配嵌結構；該第一盒殼與該第二盒殼相對蓋合時，該嵌合結構則嵌入相對應的該配嵌結構，用以使該第一盒殼與該第二盒殼組合固定為呈盒體狀的誘殺盒；至少一該複數個第一壁緣及至少一該複數個第二壁緣分別設有一缺口，以各該缺口而使該誘殺盒周邊形成至少一開口，以供小甲蟲進入；該複數個第一壁緣及該複數個第二壁緣的內圍的該至少一隔板用以圍成供容置毒餌的一容置空間；該第一盒殼與該第二盒殼的相對應面的周邊與該複數個第一壁緣及該複數個第二壁緣所保持的該間隔距離的面部上用以供作為小甲蟲的走道。
如請求項1所述之蜂箱小甲蟲專用誘殺盒，其中，該嵌合結構包含凹設的複數第一嵌槽及凸設的複數第一嵌緣，該配嵌結構包含凸設而與對應之該複數第一嵌槽嵌合的複數第二嵌緣及凹設而與該複數第一嵌緣嵌合的複數第二嵌槽。
如請求項1所述之蜂箱小甲蟲專用誘殺盒，其中，該第一盒殼與該第二盒殼皆呈四邊形。
如請求項1所述之蜂箱小甲蟲專用誘殺盒，其中，該誘殺盒係呈四邊形，該誘殺盒四個邊角則呈封閉邊角。
如請求項4所述之蜂箱小甲蟲專用誘殺盒，其中，該誘殺盒由該複數個第一壁緣與該複數個第二壁緣組成的四個邊面之中段處或近中段處皆各自開設有一個該開口。
如請求項5所述之蜂箱小甲蟲專用誘殺盒，其中，每一該開口的長寬尺寸介於18×2.5mm~22×3.5mm之間。
如請求項1所述之蜂箱小甲蟲專用誘殺盒，其中，該第一盒殼與該第二盒殼係為不透明材質製成。
如請求項1或7所述之蜂箱小甲蟲專用誘殺盒，其中，該第一盒殼與該第二盒殼對應的其中一個邊角各自形成對應的一切邊。
如請求項1所述之蜂箱小甲蟲專用誘殺盒，其中，該至少一隔板的數量為四，每一相鄰之該二隔板之間具有一供該小甲蟲進入至該容置空間的第二缺口。
如請求項1所述之蜂箱小甲蟲專用誘殺盒，其中，該間隔距離介於2.5~3.5mm之間。
如請求項1所述之蜂箱小甲蟲專用誘殺盒，其中，該誘殺盒係放置於一蜂箱內。
一種投信指示檢核系統，包括：<br/> 一掃描系統，配置以掃描複數個投信指示文件；<br/> 一光學字元辨識(Optical Character Recognition, OCR)系統，耦接至該掃描系統，配置以辨識該些投信指示文件之每一者的複數個重要內容；<br/> 一資料庫，配置於一電腦裝置中，配置以儲存人工登打之複數個投信指示資料紀錄，該些投信指示資料紀錄一對一地對應至該些投信指示文件；<br/> 一檢核伺服器，耦接於該OCR系統及該資料庫，且包含：<br/> 一記憶體，用以儲存複數個指令；以及<br/> 一處理器，電性連接至該記憶體，且配置以載入該些指令，而進行：<br/> 判斷一目標投信指示資料紀錄與相應之一目標投信指示文件是否相符，而產生一檢核結果，其中該目標投信指示資料紀錄為該些投信指示資料紀錄之一者，該目標投信指示文件為該些投信指示文件之一者。
如請求項1所述之投信指示檢核系統，其中該些投信指示文件之每一者的該些重要內容包含客戶帳號、交易標的與內容、交易幣別、交易時間。
如請求項1所述之投信指示檢核系統，其中該掃描系統係一平台式掃描器或一多功能事務機，直接將客戶傳真之該複數個投信指示文件內容掃描成電子文件。
如請求項1所述之投信指示檢核系統，其中當該OCR系統辨識該些投信指示文件之每一者的該些重要內容時，該OCR系統辨識代表該些重要內容之圖形及文字。
如請求項1所述之投信指示檢核系統，其中當該處理器判斷該目標投信指示資料紀錄與相應之該目標投信指示文件是否相符時，該處理器進行：<br/> 根據該目標投信指示文件之該些重要內容來檢核目標投信指示資料紀錄之複數個檢核內容，該些檢核內容包含:客戶帳號、交易標的與內容、交易幣別、交易時間。
如請求項1所述之投信指示檢核系統，其中當該目標投信指示資料紀錄與相應之該目標投信指示文件相符時，該處理器更配置以：<br/> 將該目標投信指示資料紀錄與該檢核結果上傳至該資料庫。
如請求項1所述之投信指示檢核系統，其中當該目標投信指示資料紀錄與相應之該目標投信指示文件不相符時，該處理器更配置以：<br/> 將該目標投信指示文件退回至一投信系統。
如請求項1所述之投信指示檢核系統，其中該處理器更配置以：將該檢核結果以報表的形式輸出。
如請求項1所述之投信指示檢核系統，其中該處理器更配置以：將該檢核結果儲存於該資料庫。
如請求項1所述之投信指示檢核系統，其中該資料庫與一使用者電腦裝置耦接，該資料庫更配置以根據該使用者電腦裝置所傳頌之至少一關鍵字來對該資料庫中之該些投信指示資料紀錄進行一搜尋步驟。
一種線性導引裝置，其包括：<br/> 一線性導引機構，包含：<br/> 一導引件；<br/> 一滑動件，可移動地設置於所述導引件上；及<br/> 一遮蔽件，包圍所述滑動件；所述遮蔽件與所述導引件之間相隔有一間隙而未接觸於彼此；<br/> 一機件，形成有至少一個抽氣孔，所述機件設置於所述線性導引機構的一側；所述機件分別與所述滑動件及所述遮蔽件固定，所述機件能通過所述滑動件而相對於所述導引件移動、並同步帶動所述遮蔽件相對於導引件移動遮蔽件；其中，所述機件、所述遮蔽件、及所述滑動件共同定義有一腔室，其僅連通於至少一個所述抽氣孔及所述間隙；以及<br/> 一負壓單元及至少一個排氣管路，所述負壓單元通過至少一個所述排氣管路連接於至少一個所述抽氣孔；其中，所述負壓單元用以使所述腔室產生一吸附力，以在所述間隙、所述腔室、及至少一個所述抽氣孔之間形成有一負壓氣流，並且所述負壓氣流用以使落於所述腔室內的污染物經由所述排氣管路排出所述腔室。
如請求項1所述的線性導引裝置，其中，所述間隙是介於0.4毫米（mm）至0.6毫米之間。
如請求項1所述的線性導引裝置，其中，所述導引件定義有一移動方向，並且所述滑動件能沿著所述移動方向移動；所述遮蔽件於所述移動方向上的相對兩側分別形成有對應於所述導引件的兩個安裝槽，所述遮蔽件的一底面形成有一通道，並且兩個所述安裝槽通過所述通道彼此連通。
如請求項3所述的線性導引裝置，其中，所述間隙包含一第一間隙及一第二間隙，所述第一間隙形成於各個所述安裝槽的內緣與所述導引件之間，並且所述第二間隙形成於所述通道的內緣與所述導引件之間。
如請求項3所述的線性導引裝置，其中，兩個所述安裝槽的形狀及所述通道的形狀分別對應於所述導引件的外輪廓，以使所述遮蔽件包覆於所述滑動件、並使所述導引件穿設於兩個所述安裝槽及所述通道中。
如請求項3所述的線性導引裝置，其中，所述滑動件沿著所述移動方向形成有一安裝部，並且所述滑動件是以所述安裝部可滑動地設置於所述導引件上。
如請求項1所述的線性導引裝置，其中，所述遮蔽件的一頂面形成有一開口，所述滑動件的一側暴露於所述遮蔽件的所述頂面，並且所述滑動件的所述一側及所述遮蔽件的所述頂面分別固定於所述機件。
如請求項1所述的線性導引裝置，其中，所述導引件是選自一線性導軌、一線性導桿、及一螺桿的其中之一。
一種線性導引裝置，其包括：<br/> 一線性導引機構，包含：<br/> 一導引件；<br/> 一滑動件，可移動地設置於所述導引件上；及<br/> 一遮蔽件，包圍所述滑動件，所述遮蔽件的一側形成有至少一個抽氣孔；其中，所述遮蔽件與所述導引件之間相隔有一間隙而未接觸於彼此；<br/> 一機件，設置於所述線性導引機構的一側，所述機件分別與所述滑動件及所述遮蔽件固定，所述機件能通過所述滑動件而相對於所述導引件移動、並同步帶動所述遮蔽件相對於導引件移動遮蔽件；其中，所述機件、所述遮蔽件、及所述滑動件共同定義有一腔室，其僅連通於至少一個所述抽氣孔及所述間隙；以及<br/> 一負壓單元及至少一個排氣管路，所述負壓單元通過至少一個所述排氣管路連接於至少一個所述抽氣孔；其中，所述負壓單元用以使所述腔室產生一吸附力，以在所述間隙、所述腔室、及至少一個所述抽氣孔之間形成有一負壓氣流，並且所述負壓氣流能用以使落於所述腔室內的污染物經由所述排氣管路排出所述腔室。
一種線性導引機構，其包括：<br/> 一導引件；<br/> 一滑動件，可移動地設置於所述導引件上；以及<br/> 一遮蔽件，固定於所述滑動件的一側，所述遮蔽件的一側形成有至少一個抽氣孔；所述遮蔽件與所述導引件之間相隔有一間隙而未接觸於彼此，並且所述遮蔽件能通過所述滑動件而相對於所述導引件移動；其中，所述遮蔽件包圍所述滑動件而形成有一腔室，其僅連通於至少一個所述抽氣孔及所述間隙。
一種團體認知訓練的健身系統，係包括：<br/> 訓練設備，係包含顯示器及複數個運動器材；<br/> 主機，係與該訓練設備通訊連接；<br/> 資料庫模組，係配載於該主機中，用以儲存複數個使用者的使用者資訊；<br/> 遊戲模組，係配載於該主機中並與該資料庫模組通訊連接，其中，該遊戲模組內建對應各該運動器材的遊戲項目，並藉由該資料庫模組的該使用者資訊啟動該遊戲模組，以及其中，該遊戲模組係包括人工智慧單元，且該遊戲項目係由該複數個使用者參與的團體模式；<br/> 處理模組，係配載於該主機中並與該資料庫模組和該遊戲模組通訊連接，用以判斷該複數個使用者參與該遊戲項目的結果，以作為處理結果資訊；<br/> 評估模組，係配載於該主機中並與該處理模組通訊連接，用以依據該處理結果資訊評估該複數個使用者分別對於該遊戲項目的適合度，以作為評估資訊；以及<br/> 顯示模組，係配載於該主機中並與該遊戲模組通訊連接，用以顯示該遊戲項目於該顯示器上。
如請求項1所述的健身系統，其中，該遊戲模組係包含通過該遊戲項目的複數個合格標準資訊，用以供該處理模組製作該處理結果資訊。
如請求項1所述的健身系統，其中，該處理模組係收集該複數個使用者對於該遊戲項目的回饋資訊，以製作該處理結果資訊。
如請求項3所述的健身系統，其中，該處理模組係透過感測器及影像擷取裝置的至少其中一取得該複數個使用者操作該運動器材的該回饋資訊。
如請求項1所述的健身系統，其中，該使用者資訊係包含登入資料、遊戲實力等級及訓練程度的至少其中一者。
如請求項5所述的健身系統，其中，該評估模組與該遊戲模組通訊連接，以使該評估模組將該評估資訊傳輸至該遊戲模組，使該遊戲模組的該人工智慧單元依據該評估資訊動態調整該遊戲實力等級及該訓練程度的至少其中一者。
如請求項1所述的健身系統，其中，該訓練設備還包括座體，用以設置該顯示器及該主機，且該複數個運動器材係相對於該座體間隔配置。
如請求項1所述的健身系統，其中，該運動器材係用於訓練肌力及肌耐力的至少其中一種的型式。
如請求項1所述的健身系統，其中，該訓練設備還包括複數個人機介面，且各該運動器材係配載各該人機介面，以及其中，該人機介面係與該主機通訊連接，且該顯示模組係與該資料庫模組通訊連接，以使該使用者資訊顯示於該人機介面上。
如請求項1所述的健身系統，其中，該遊戲項目係設定有輪流使用該運動器材的條件。
一種嘔吐袋之組合，包含：<br/> 一嘔吐袋，該嘔吐袋係為一袋體，該袋體之一側邊設有一袋口，且該袋體內部設有一第一空間，能夠盛裝嘔吐物；<br/> 一清潔用品組，係為清潔用；<br/> 一包裝盒，其中該包裝盒內設有一第二空間，該嘔吐袋與該清潔用品組容置於該第二空間中。
如請求項1所述之嘔吐袋之組合，該袋體設有一可視刻度，係用於量測嘔吐量。
如請求項1所述之嘔吐袋之組合，該袋體外觀係為透明狀，係用於觀察嘔吐物之顏色。
如請求項1所述之嘔吐袋之組合，該袋體材質係為可回收塑膠，係為HDPE、LDPE或PP其中之一。
如請求項1所述之嘔吐袋之組合，該袋體內側底部設有一吸附異味材料，係為咖啡渣、活性碳或回收紙質其中之一或多者組成。
如請求項1所述之嘔吐袋之組合，該袋口內側設有一多瓣狀單向瓣膜，該多瓣狀單向瓣膜係防止嘔吐物濺出或回流，造成沾汙或交叉感染。
如請求項6所述之嘔吐袋之組合，該袋口外側設有一卡榫，係為閉合該袋口用。
如請求項7所述之嘔吐袋之組合，該多瓣狀單向瓣膜之一端係為與該袋口設有一第一距離，該第一距離處設置該卡榫，該卡榫與該多瓣狀單向瓣膜之另一端設有一第二距離，該第二距離係為該多瓣狀單向瓣膜之入口。
如請求項7所述之嘔吐袋之組合，該卡榫材質係為尼龍、棉紗、橡膠絲、PE或PP其中之一或多者之組合。
如請求項1所述之嘔吐袋之組合，該清潔用品組包含：一衛生紙、一濕紙巾、一杯子或一漱口水隨身瓶其中之一或多者之組合，係為清潔使用。
一種麻將機的上牌機構，係適用於將複數個麻將牌於一麻將桌之一桌面上形成複數個麻將牌墩，該麻將機的上牌機構至少包括： <br/> 一底座(1)，該底座(1)上沿該複數個麻將牌的一推送方向依序設置有一送牌裝置及一升牌板(7)，其中該送牌裝置包括一送牌軌道(2)及一推牌桿，該推牌桿在該送牌軌道(2)中推送該麻將牌並將該麻將牌推送至該升牌板(7)，該升牌板(7)將該麻將牌送至該桌面，該升牌板(7)上設置有用於感應該升牌板(7)上該麻將牌的至少兩個第一感應裝置(3)且沿著該升牌板(7)長度方向依序設置，且當將該麻將牌升至該桌面時，至少一個該第一感應裝置(3)與相鄰的兩個該麻將牌墩之相鄰面錯開。
如請求項1所述的一種麻將機的上牌機構，其中該送牌軌道(2)中設置用於感應該送牌軌道(2)中該麻將牌的一第二感應裝置(4)，該送牌軌道(2)的兩端分別設置有一進牌口(5)和一出牌口(6)，該第二感應裝置(4)設置在該出牌口(6)處。
如請求項1所述的一種麻將機的上牌機構，其中至少兩個該第一感應裝置(3)並聯設置。
如請求項2所述的一種麻將機的上牌機構，其中該第一感應裝置(3)及該第二感應裝置(4)分別均採用一磁感應裝置。
如請求項1所述的一種麻將機的上牌機構，其中該送牌軌道(2)呈弧形，該推牌桿沿旋轉軸心作圓周運動，該底座(1)上設置有供該推牌桿通過的一避讓槽(1-1)。
如請求項1所述的一種麻將機的上牌機構，其中該升牌板(7)兩端分別為一鉸接端(7-1)及一活動端(7-2)，該鉸接端(7-1)與該底座(1)鉸接，該活動端(7-2)圍繞該鉸接端(7-1)上下擺動，該活動端(7-2)擺動到最高點時，該升牌板(7)與該桌面齊平，該活動端(7-2)擺盪到最低點時，該升牌板(7)續接該送牌軌道(2)。
如請求項1所述的一種麻將機的上牌機構，其中該送牌軌道(2)中設置有一軌道貼片(8)，該軌道貼片(8)採用表面耐磨且光滑的材料製成。
如請求項7所述的一種麻將機的上牌機構，其中該軌道貼片(8)與該底座(1)卡接。
如請求項7所述的一種麻將機的上牌機構，其中該軌道貼片(8)包括一底部貼片(8-1)和一側部貼片(8-2)，該底部貼片(8-1)設置在該送牌軌道的一底部，該側部貼片(8-2)設置在該送牌軌道的一側壁上。
一種快速接頭，包括：<br/> 一主體，定義有一軸向、一徑向與一周向，包含有可選擇性導通之一第一通道與一第二通道，該第一通道供一管插頭插接，該第二通道供連通氣壓源；<br/> 一閥芯組件，常態處於關閉狀態地容設於該第一通道，並將該第一通道阻隔成一第一空間與一第二空間，該第二空間供該管插頭插接連通，當該管插頭插入該第二空間至預定位置時可迫使該閥芯組件切換至開啟狀態，進而令該第一空間連通該第二空間；<br/> 一控制滑套，可沿該軸向移動於一第一位置與一第二位置且可沿該周向旋轉地套接於該主體，當該控制滑套位於該第一位置時，該第一空間與該第二通道相互導通，當該控制滑套位於該第二位置時，該第一空間與該第二通道未導通；及<br/> 一鎖定機構，設於該主體，包含有至少一第一擋止件與一鎖定滑套，該至少一第一擋止件可沿該徑向活動地設於該主體，該鎖定滑套可沿該軸向移動於一鎖定位置與一釋放位置地套接於該主體，當該鎖定滑套位於該鎖定位置時，該至少一第一擋止件可沿該徑向伸入該第二空間以卡抵定位該管插頭，當該鎖定滑套位於該釋放位置時，該至少一第一擋止件可沿該徑向退縮以釋放該管插頭。
如請求項1所述的快速接頭，另包含有一定位機構，該定位機構包含有一第一定位部與一第二定位部，該第一定位部設於該主體，該第二定位部設於該控制滑套，當該控制滑套位於該第一位置時，透過旋動該控制滑套可令該第一定位部與該第二定位部於該軸向上相互擋止，進而限制該控制滑套保持在該第一位置。
如請求項1所述的快速接頭，其中該控制滑套與該主體之間共同界定出一插接空間，該鎖定滑套之部分係保持容設於該插接空間，且該鎖定滑套之另一部分係保持凸出於該控制滑套。
如請求項1所述的快速接頭，其中當該控制滑套位於該第一位置時，該控制滑套之部分於該軸向上係位於該鎖定滑套之移動路徑上，進而該控制滑套可限制該鎖定滑套保持在該鎖定位置。
如請求項2所述的快速接頭，其中該主體包含有一第一構件與一第二構件，該第二構件組接於該第一構件進而共同圍構出該第一通道，該第一定位部設於該第一構件，該鎖定機構設於該第二構件。
如請求項5所述的快速接頭，其中該閥芯組件包含有一閥座、一閥體與一第一彈性件，該第一構件與該第二構件共同夾掣定位住該閥座，該閥座圍構有一閥口，該閥口連通該第一空間與該第二空間，該閥體可沿該軸向移動地容設於該第一通道以選擇性地封堵住該閥口，且該閥體可受該管插頭驅動而未封堵住該閥口，該第一彈性件夾設於該閥體與該閥座之間，以令該閥體常態地封堵住該閥口。
如請求項6所述的快速接頭，其中該鎖定機構另包含有一抵靠件，該抵靠件供該管插頭抵靠且可移動地容設於該第二空間，該閥體之部分係介於該抵靠件與該閥座之間；其中，當該閥體封堵住該閥口時，該抵靠件於該徑向上擋止該至少一第一擋止件，令該至少一第一擋止件無法伸入該第二空間；當該閥體未封堵住該閥口時，該抵靠件於該徑向上未擋止該至少一第一擋止件，該至少一第一擋止件得以伸入該第二空間。
如請求項1所述的快速接頭，另包含有一定位機構，該定位機構包含有一定位螺接部與一定位件，該定位螺接部設於該主體，該定位件可沿該軸向移動於一第三位置與一第四位置且可沿該周向旋轉地套接於該主體，當該定位件位於該第三位置時，該定位件與該定位螺接部相互螺接定位，進而該定位件於該軸向上擋止該控制滑套，使得該控制滑套無法移動至該第二位置；當該定位件位於該第四位置時，該定位件與該定位螺接部未螺接定位，該定位件可於該軸向上移動，使得該控制滑套可移動至該第二位置。
如請求項5至7其中任一項所述的快速接頭，其中該第一定位部係為外螺紋段，該第二定位部係為內螺紋段，該控制滑套係透過螺旋活動方式令該第一定位部與該第二定位部相互螺接。
如請求項7所述的快速接頭，其中該控制滑套與該主體之間共同界定出一插接空間，該鎖定滑套之部分係保持容設於該插接空間，且該鎖定滑套之另一部分係保持凸出於該控制滑套；當該控制滑套位於該第一位置時，該控制滑套之部分於該軸向上係位於該鎖定滑套之移動路徑上，進而該控制滑套可限制該鎖定滑套保持在該鎖定位置；該定位機構另包含有一定位螺接部與一定位件，該定位螺接部設於該主體，該定位件可沿該軸向移動於一第三位置與一第四位置且可沿該周向旋轉地套接於該主體，當該定位件位於該第三位置時，該定位件與該定位螺接部相互螺接定位，進而該定位件於該軸向上擋止該控制滑套，使得該控制滑套無法移動至該第二位置；當該定位件位於該第四位置時，該定位件與該定位螺接部未螺接定位，該定位件可於該軸向上移動，使得該控制滑套可移動至該第二位置；該第一定位部係為外螺紋段，該第二定位部係為內螺紋段，該控制滑套係透過螺旋活動方式令該第一定位部與該第二定位部相互螺接；該第一通道與該第二通道於該軸向上不直接連通，該主體另包含有至少一第一通孔與至少一第二通孔，該至少一第一通孔沿該徑向貫通該主體地連通該第一通道，該至少一第二通孔沿該徑向貫通該主體地連通該第二通道，該控制滑套與該主體共同圍構出一連通空間，當該控制滑套位於該第一位置時，該連通空間同時連通該至少一第一通孔與該至少一第二通孔，當該控制滑套位於該第二位置時，該連通空間未同時連通該至少一第一通孔與該至少一第二通孔；該定位機構係設於該連通空間之外；一第一防滑結構設於該控制滑套，一第二防滑結構設於該鎖定滑套，該第一防滑結構異於該第二防滑結構；該插接空間與該第一通道位於該主體之同一側；該第一構件與該第二構件係相互螺接呈一構件；於該軸向上，該第一構件與該第二構件係相互螺接處與該第一定位部係呈錯位配置；該閥體包含有依序相連接之一底部、一身部與一頭部，該第一彈性件套接該閥體且彈抵於該底部與該閥座之間，該頭部位於該第二空間；該頭部朝向遠離該底部之方向件縮呈錐狀體；一第二彈性件套接於該第二構件且彈抵於該第一構件與該鎖定滑套之間，以令該鎖定滑套常態具有朝向該鎖定位置移動之趨勢；該定位機構另包含有一第一端面齒與一第二端面齒，該第一端面齒設於該控制滑套之端面，該第二端面齒設於該定位件之端面，當該定位件位於該第三位置時，該第一端面齒與該第二端面齒相互抵靠。
一種快速接頭，包括：<br/> 一主體，定義有一軸向、一徑向與一周向，圍構有於該軸向上不相導通之一第一通道與一第二通道，且貫設有至少一第一通孔與至少一第二通孔，該第一通道供一管插頭插接，該第二通道供連通氣壓源，該至少一第一通孔沿該徑向連通該第一通道，該至少一第二通孔沿該徑向連通該第二通道；<br/> 一控制滑套，可沿該軸向移動於一第一位置與一第二位置且可沿該周向旋轉地套接於該主體，該控制滑套與該主體共同圍構出一連通空間，當該控制滑套位於該第一位置時，該連通空間同時連通該至少一第一通孔與該至少一第二通孔，當該控制滑套位於該第二位置時，該連通空間未同時連通該至少一第一通孔與該至少一第二通孔；及<br/> 一鎖定機構，設於該主體，包含有至少一第一擋止件、一鎖定滑套、一抵靠件、一第一彈性件與至少一第二擋止件，該至少一第一擋止件可沿該徑向活動地設於該主體，該鎖定滑套可沿該軸向移動於一鎖定位置與一釋放位置地套接於該主體，當該鎖定滑套位於該鎖定位置時，該至少一第一擋止件可沿該徑向伸入該第一通道以卡抵定位該管插頭，當該鎖定滑套位於該釋放位置時，該至少一第一擋止件可沿該徑向退縮以釋放該管插頭，該抵靠件可移動地容設於該第一通道，該第一彈性件彈抵於該主體與該抵靠件之間，以令該抵靠件常態地於該徑向上擋止該至少一第一擋止件伸入該第一通道，使得該鎖定滑套無法移動至該鎖定位置，當插入該第一通道的該管插頭推抵該抵靠件移動而未擋止該至少一第一擋止件時，此時該鎖定滑套可移動至該鎖定位置，該至少一第二擋止件可沿該徑向活動地設於該鎖定滑套，當該鎖定滑套位於該釋放位置時，該至少一第二擋止件於該軸向上擋止該控制滑套，該控制滑套無法移動至該第一位置，當該鎖定滑套位於該鎖定位置時，該至少一第二擋止件於該軸向上未擋止該控制滑套，該控制滑套可移動至該第一位置。
如請求項11所述的快速接頭，另包含一定位機構，該定位機構包含有一第一定位部與一第二定位部，該第一定位部設於該主體，該第二定位部設於該控制滑套，當該控制滑套位於該第一位置時，透過旋動該控制滑套可令該第一定位部與該第二定位部於該軸向上相互擋止，進而限制該控制滑套保持在該第一位置。
如請求項11所述的快速接頭，另包含一定位機構，該定位機構包含有一定位螺接部與一定位件，該定位螺接部設於該主體，該定位件可沿該軸向移動於一第三位置與一第四位置且可沿該周向旋轉地套接於該主體，驅使該定位件位於該第三位置時，該定位件與該定位螺接部相互螺接定位，進而該定位件於該軸向上擋止該控制滑套，使得該控制滑套無法移動至該第二位置，當該定位件位於該第四位置時，該定位件與該定位螺接部未螺接定位，該定位件可於該軸向上移動，使得該控制滑套可移動至該第二位置。
一種內抽式低含氧真空包裝機，其包含： <br/>一機台，其包含一容置箱、一蓋體及一噴嘴，該容置箱具有一開口，該蓋體設置於該容置箱且可開閉該開口，該噴嘴設置於該容置箱內； <br/>一感測器，其設置於該容置箱內且鄰近於該噴嘴； <br/>一控制器，其電性連接該機台及該感測器，且該控制器依據該感測器的訊號控制該機台啟動或關閉該噴嘴進行抽真空的動作。
如請求項1所述之內抽式低含氧真空包裝機，其中該感測器包含一支架及一感測部，該支架設置於該容置箱，該感測部設置於該支架且鄰近於該噴嘴。
如請求項2所述之內抽式低含氧真空包裝機，其中該感測部包含一上槽、一下槽及一感測件，該上槽及該下槽內凹於該感測部且呈上下間隔排列，該感測件用以偵測該上槽及該下槽中是否有物體。
如請求項3所述之內抽式低含氧真空包裝機，其中該上槽的前端上下兩側分別形成有一上斜面。
如請求項3所述之內抽式低含氧真空包裝機，其中該下槽的前端上下兩側分別形成有一下斜面。
如請求項3所述之內抽式低含氧真空包裝機，其中該噴嘴位於該上槽及該下槽之間。
一種生物辨識行動投保裝置，其能與一系統主機通訊，並包括：<br/> 一通訊單元，其與該系統主機連線以建立通訊管道；<br/> 一顯示單元；<br/> 一輸入單元；<br/> 一影像擷取單元；及<br/> 一處理單元，其與該通訊單元、該顯示單元、該影像擷取單元及該輸入單元電連接，且透過該通訊單元與該系統主機通訊；其中<br/> 該處理單元根據該輸入單元輸入之一客戶的一識別資訊，從該系統主機取得與該識別資訊相關的一投保資料，並令該顯示單元顯示該投保資料及一簽名框，供透過該輸入單元於該簽名框輸入該客戶的一電子簽名樣式；<br/> 該處理單元根據該電子簽名樣式，令該影像擷取單元擷取該客戶的一第一臉部影像，並將該第一臉部影像提供給該系統主機；<br/> 該處理單元收到該系統主機傳來關於該第一臉部影像的一第一驗證成功訊息後，判斷該顯示單元顯示的該投保資料已被逐一瀏覽並收到該輸入單元傳來一同意套用簽名指令時，令該影像擷取單元擷取該客戶的一第二臉部影像，並將該第二臉部影像提供給該系統主機；<br/> 該處理單元收到該系統主機傳來關於該第二臉部影像的一第二驗證成功訊息後，自動將該電子簽名樣式填入該投保資料的所有應簽署欄位，並將已填入該電子簽名樣式的該投保資料上傳至該系統主機。
如請求項1所述的生物辨識行動投保裝置，其中，該系統主機儲存該客戶於註冊時留存的一識別資訊，並儲存與該識別資訊相關的該投保資料，且該處理單元傳送一包含該識別資訊的讀取指令給該系統主機，使該系統主機根據該讀取指令包含的該識別資訊取得該投保資料並回傳該投保資料給該處理單元。
如請求項2所述的生物辨識行動投保裝置，其中，該系統主機還儲存該客戶於註冊時留存之與該識別資訊相關的一臉部特徵資訊，且該處理單元將一包含該識別資訊及該第一臉部影像的一第一驗證指令傳送至該系統主機，使該系統主機從該第一臉部影像取得一第一臉部特徵資訊，並根據該識別資訊取得該臉部特徵資訊，且判斷該第一臉部特徵資訊與該臉部特徵資訊相符時，回傳該第一驗證成功訊息給該處理單元；且該處理單元將一包含該識別資訊及該第二臉部影像的一第二驗證指令傳送至該系統主機，使該系統主機從該第二臉部影像取得一第二臉部特徵資訊，並根據該識別資訊取得該臉部特徵資訊，且判斷該第二臉部特徵資訊與該臉部特徵資訊相符時，回傳該第二驗證成功訊息給該處理單元。
如請求項1所述的生物辨識行動投保裝置，其中，該處理單元將已填入該電子簽名樣式的該投保資料上傳至該系統主機的同時，還透過該通訊單元將已填入該電子簽名樣式的該投保資料上傳至區塊鏈。
一種停電照明燈具，其包含：<br/> 一發光裝置；<br/> 一燈具驅動電路，係連接於該發光裝置，該燈具驅動電路驅動該發光裝置以提供照明；<br/> 一燈具控制電路，係連接於該燈具驅動電路，該燈具控制電路設置一供電照明模式及一斷電照明模式；<br/> 一電源控制電路，係連接於該發光裝置及該燈具控制電路，該電源控制電路提供一驅動電能至該燈具控制電路及該發光裝置；<br/> 一電源供應器，係連接於該電源控制電路及該燈具控制電路，該電源供應器連接於一市電輸入以接收一市電電能，在該供電照明模式時，該電源供應器傳送該市電電能至該電源控制電路；<br/> 一充電電路，係連接於該電源供應器，該充電電路接收該市電電能；以及<br/> 一充電電池，係連接於該充電電路及該電源控制電路，該充電電池藉由該市電電能進行充電以儲存一充電電能，在該斷電照明模式時，該充電電池提供該充電電能至該電源控制電路，並藉由該燈具控制電路控制該燈具驅動電路開啟該發光裝置以提供照明。
如請求項1所述之停電照明燈具，其中該發光裝置包含發光二極體、螢光燈或鎢絲燈。
如請求項1所述之停電照明燈具，進一步設置一被動紅外線感測器，連接於該燈具控制電路，該被動紅外線感測器偵測該發光裝置的周圍環境具有一感測熱源時，由該燈具驅動電路驅動該發光裝置提供照明。
如請求項1所述之停電照明燈具，進一步設置一雷達波感測器，連接於該燈具控制電路，該雷達波感測器偵測該發光裝置的感測範圍內具有一感測物件時，由該燈具驅動電路驅動該發光裝置提供照明。
如請求項1所述之停電照明燈具，進一步設置一聲波感測器，連接於該燈具控制電路，該聲波感測器偵測該發光裝置的感測範圍具有一感測物件時，由該燈具驅動電路驅動該發光裝置提供照明。
如請求項1所述之停電照明燈具，進一步設置一訊號接收裝置，連接於該燈具控制電路，該訊號接收裝置包含一網路接收器、一無線射頻接收器或一紅外線接收器，該訊號接收裝置接收一遙控訊號，由該燈具驅動電路驅動該發光裝置提供照明。
如請求項1所述之停電照明燈具，進一步設置一燈具開關，連接於該燈具控制電路，該燈具開關傳送開關訊號至該燈具驅動電路，開啟或關閉該發光裝置。
如請求項1所述之停電照明燈具，進一步設置一開關電路，該開關電路設置於該電源供應器與該市電輸入之間，該開關電路包含一導通狀態及一斷開狀態，該電源供應器測量該導通狀態切換為該斷開狀態再切換回該導通狀態的一維持時間，當該維持時間小於一預設時間，該燈具控制電路設置為該供電照明模式；當該維持時間超過該預設時間，該燈具控制電路設置為該斷電照明模式，該電源控制電路接收該充電電能，藉由該燈具控制電路控制該燈具驅動電路開啟該發光裝置以提供照明。
如請求項8所述之停電照明燈具，其中該開關電路包含一自動回彈裝置，於該導通狀態切換為該斷開狀態後，自動切換回該導通狀態。
如請求項8所述之停電照明燈具，其中該預設時間設置為0.2~5秒。
一種光動力能量貼布，係包含有依序疊合之一基材層、一黏膠層、一中介層及一光動力能量層。
如請求項1所述之光動力能量貼布，其中，該光動力能量貼布係進一步包含有一離型紙，該光動力能量層係貼附於該離型紙上。
如請求項1所述之光動力能量貼布，其中，該光動力能量層係包含有光動力能量材及非傷口醫療用黏膠。
如請求項1所述之光動力能量貼布，其中，該基材層係為膚色不織布。
如請求項1所述之光動力能量貼布，其中，該黏膠層係為醫療用黏膠。
如請求項1所述之光動力能量貼布，其中，該中介層係為不織布。
一種管道內襯材的樹脂壓料系統，其包括：<br/> 一控制模組；<br/> 一降溫輸送模組，其耦接於該控制模組，該降溫輸送模組包括一輸送機、一動力源及一降溫槽，該輸送機上方形成一輸送路徑，該動力源連接於該輸送機，該降溫槽內具有一降溫空間，該輸送機位於該降溫槽內且使該輸送路徑保持在該降溫空間內；<br/> 一抽真空模組，其設於該降溫輸送模組的一端；<br/> 一樹脂充填模組，其設於該降溫輸送模組的一端；以及<br/> 一厚度調整模組，其設於該降溫輸送模組的一端，用以控制內襯材含浸樹脂之後的厚度。
如請求項1所述之管道內襯材的樹脂壓料系統，其中，該降溫輸送模組包括一設於該降溫槽的溫度感測器，該降溫空間內注入一降溫介質，該降溫介質淹沒位於該輸送路徑上的內襯材，且該降溫介質的溫度小於攝氏25度。
如請求項2所述之管道內襯材的樹脂壓料系統，其中，該降溫槽具有彼此相反的一接收端及一送出端，該降溫輸送模組於該接收端設一接收滾筒組，該降溫輸送模組於該送出端設一送出輸送帶。
如請求項2所述之管道內襯材的樹脂壓料系統，其中，該厚度調整模組包括一主動輪及一厚度控制輪，該主動輪接觸內襯材的下側，該厚度控制輪設於該主動輪的上方且施加一朝向該主動輪的壓力，該厚度控制輪滾壓於內襯材的上側。
如請求項4所述之管道內襯材的樹脂壓料系統，其中，該厚度調整模組包括一揚升輸送帶及一輔助滾輪，該揚升輸送帶設呈傾斜狀，該輔助滾輪位於該揚升輸送帶的較低處。
如請求項4所述之管道內襯材的樹脂壓料系統，其中，該壓料系統包括一樹脂趕料模組，該樹脂趕料模組設於該輸送機上方。
如請求項6所述之管道內襯材的樹脂壓料系統，其中，該樹脂趕料模組包括一移動架及一升降滾筒，該移動架於該輸送機上移動，該升降滾筒能夠下降並對已充填樹脂的內襯材施加壓力。
如請求項4所述之管道內襯材的樹脂壓料系統，其中，該控制模組包括一控制台及一顯示器，該控制台係供操作者依現場壓料情況進行操作及調整，該顯示器能夠提供警告訊息或所偵測之資訊結果，該降溫介質採用冷水、冷卻液、冰塊或其組合，該厚度控制輪與該主動輪之間的距離採用不同高度的墊塊予以控制。
一種管道內襯材的折疊設備，其包括：<br/> 一架體，其包括一第一立架、一第二立架及一軌道，該第二立架與該第一立架平行，該第二立架以內襯材的長度方向與該第一立架保持間隔分離狀，該軌道設於該第一立架及該第二立架之間，且該軌道靠近該第一立架及該第二立架的頂端，使該軌道的下方形成一收納空間；以及<br/> 一移動式台車，其設於該架體且能夠沿該架體的長度方向往復移動，該移動式台車包括一底盤、一第一驅動器、一輸送輪組及一第二驅動器，該底盤能夠移動的設於該軌道並選擇性靠近該第一立架或該第二立架，該第一驅動器設於該底盤且帶動該底盤於該軌道上移動，該輸送輪組設於該底盤上方，該輸送輪組將內襯材朝著其長度方向輸送至該收納空間，該第二驅動器設於該底盤且帶動輸送輪組轉動。
如請求項1所述之管道內襯材的折疊設備，其中，該輸送輪組包括一第一滾筒、一第二滾筒及一第三滾筒，該第一滾筒及該第二滾筒接觸內襯材的底面，該第三滾筒位於該第一滾筒及該第二滾筒之間，且該第三滾筒接觸內襯材的頂面。
如請求項2所述之管道內襯材的折疊設備，其中，該第一滾筒與該第二滾筒彼此平行且保持於同一個水平高度，該第三滾筒與該第一滾筒及該第二滾筒彼此平行，且該第三滾筒高度低於該第一滾筒及該第二滾筒的高度，使內襯材構成倒W字形的張力狀態。
如請求項3所述之管道內襯材的折疊設備，其中，該第二驅動器透過一第二馬達驅動一第二傳動機構而帶動該輸送輪組轉動以輸送內襯材。
如請求項4所述之管道內襯材的折疊設備，其中，該移動式台車還包括一第一導引筒及一第二導引筒，該第一導引筒及該第二導引筒皆設於該底盤下方。
如請求項5所述之管道內襯材的折疊設備，其中，該第一驅動器透過一第一馬達驅動一第一傳動機構而帶動該底盤於該軌道移動。
如請求項6所述之管道內襯材的折疊設備，其中，該折疊設備還包括一無線通信單元及一無線遙控器，該無線通信單元設於該移動式台車且耦接於該第一驅動器及該第二驅動器，該無線遙控器能夠發送一控制訊號給該無線通信單元，用以分別控制該第一驅動器或該第二驅動器。
如請求項7所述之管道內襯材的折疊設備，其中，該折疊設備設置於廠房的地面，該第一立架及該第二立架皆垂直於地面，該架體還包括複數支撐架，該支撐架設於該軌道下方且垂直於地面。
如請求項7所述之管道內襯材的折疊設備，其中，該折疊設備設置於貨櫃箱內，且該折疊設備能夠用以搬移已充填含浸有樹脂的內襯材，並可將已充填含浸有樹脂的內襯材持續送入該收納空間內予以層層折疊。
如請求項9所述之管道內襯材的折疊設備，其中，該貨櫃箱採用冷凍貨櫃。
一種複合式吸音裝置，包含有箱體、蓋板以及吸音材，其中：<br/>該箱體具有矩形基板，並在基板四周直立連接有兩相對端板與兩相對側板，基板、兩端板與兩側板共同構成含有開口之吸音室；<br/>該蓋板係覆蓋連接於箱體之吸音室對應開口，蓋板朝外彎折形成兩間隔併排凸出之圓弧板面，兩圓弧板面內側沿著長度方向對應形成圓弧通道，蓋板與兩圓弧板面分佈設有複數吸音孔，且兩圓弧通道與吸音室相通構成吸音空間；<br/>該吸音材平行設置於吸音空間內，且吸音材與基板之間相隔形成吸音腔，讓外界噪音從蓋板與兩圓弧板面之各吸音孔進入吸音空間，再利用吸音材進行吸收噪音，並且吸音腔可反射聲波，讓吸音材更有效吸收噪音。
如申請專利範圍第1項所述之複合式吸音裝置，其中該箱體之兩端板連接封閉蓋板之兩圓弧通道兩端。
如申請專利範圍第1項所述之複合式吸音裝置，其中該吸音材包括兩圓柱形吸音體，兩吸音體分別貫穿配合蓋板之兩圓弧通道。
如申請專利範圍第3項所述之複合式吸音裝置，其中該吸音材進一步包括吸音層，吸音層設置於箱體之吸音室內，吸音層遠離於基板，且吸音層靠近於兩吸音體。
如申請專利範圍第1項所述之複合式吸音裝置，其中該吸音材包括吸音層，吸音層設置於箱體之吸音室內，吸音層靠近吸音室之開口，且吸音層遠離於基板。
如申請專利範圍第1項所述之複合式吸音裝置，其中該箱體之基板外側設置有定位件。
如申請專利範圍第1項所述之複合式吸音裝置，其中該箱體兩端相對設置有定位槽。
一種包裝盒，其能於一包裝狀態與一收折狀態之間切換，所述包裝盒包含： <br/>一盒體，其係能展收且包含一底板，該底板之相對兩側分別連接有一第一側板以及一第二側板，該底板之相對兩端分別連接有二第三側板，每一所述第三側板之相對兩側分別連接該第一側板以及該第二側板； <br/>一蓋板，其係連接該第二側板之上緣；以及 <br/>一定位板，其係連接該蓋板之上緣； <br/>其中，於包裝狀態下，該盒體能展開並使該底板與該第一側板、該第二側板以及該二第三側板呈垂直，且能圈圍形成一置物空間，該蓋板能蓋合於該盒體並封閉該置物空間，該定位板能對折並形成一定位凸部，該定位凸部能伸入該置物空間；於收折狀態下，該盒體能收折並使該底板與該第一側板、該第二側板以及該二第三側板呈平行，該定位板能向內翻折並疊合於該蓋板，該蓋板能連同該定位板貼合於該盒體之第一側板。
如請求項1所述之包裝盒，其中，該第一側板之上緣凸伸形成一扣合部，該蓋板之上緣凸伸形成一扣接片，於包裝狀態下，該扣接片能扣入該扣合部。
如請求項1所述之包裝盒，其中，該定位板於鄰近上緣處形成有縱向間隔排列的複數卡合槽，該蓋板於鄰近該第二側板之上緣處形成有縱向間隔排列的複數卡接片，於包裝狀態下，其一所述卡接片能選擇性地扣入任一所述卡合槽中，以形成該定位凸部。
如請求項2所述之包裝盒，其中，該定位板於鄰近上緣處形成有縱向間隔排列的複數卡合槽，該蓋板於鄰近該第二側板之上緣處形成有縱向間隔排列的複數卡接片，於包裝狀態下，其一所述卡接片能選擇性地扣入任一所述卡合槽中，以形成該定位凸部。
如請求項1至4中任一項所述之包裝盒，其中，所述包裝盒包含一貼附件以及一黏合件，該貼附件以及該黏合件係相互對應，該貼附件係設於該蓋板之外側面，該黏合件係設於該第一側板之外側面，於收折狀態下，該蓋板能連同該定位板對折疊合並能透過該貼附件貼附於該第一側板之黏合件。
如請求項1所述之包裝盒，其中，該定位板之上緣形成有朝該蓋板方向延伸的一配合口，該配合口能將該定位板區隔成一第一定位部以及一第二定位部，該第一定位部包含一組接片，該第二定位部包含間隔排列的複數接合槽，於包裝狀態下，該第一定位部能透過該組接片選擇性地扣入該第二定位部之任一所述接合槽中，以形成該定位凸部。
如請求項2所述之包裝盒，其中，該定位板之上緣形成有朝該蓋板方向延伸的一配合口，該配合口能將該定位板區隔成一第一定位部以及一第二定位部，該第一定位部包含一組接片，該第二定位部包含間隔排列的複數接合槽，於包裝狀態下，該第一定位部能透過該組接片選擇性地扣入該第二定位部之任一所述接合槽中。
如請求項2或7所述之包裝盒，其中，所述包裝盒包含二貼附件以及二黏合件，所述貼附件以及所述黏合件係相互對應，該底板之中間形成有一橫向折線，該橫向折線能將該底板區隔成一第一收合部以及一第二收合部，其一所述貼附件以及其一所述黏合件係分別設於該第一收合部之外側面以及該第二收合部之外側面，另一所述貼附件係設於該扣接片之內側面，另一所述黏合件係設於該第一側板之外側面，於收折狀態下，該第一收合部與該第二收合部能疊合，並使於該第一收合部之貼附件貼附於該第二收合部之黏合件，且於該扣接片之貼附件能貼附於該第一側板之黏合件。
一種客戶臨櫃通知系統，包括：<br/> 一銀行大廳伺服器裝置，用以通訊連接複數個銀行大廳電腦裝置；<br/> 一臨櫃預約伺服器裝置，用以供客戶申請線上臨櫃預約；以及<br/> 一客戶臨櫃通知伺服器裝置，通訊連接該臨櫃預約伺服器裝置及該銀行大廳伺服器裝置，用以提供客戶臨櫃的資訊。
如請求項1所述之客戶臨櫃通知系統，其中該臨櫃預約伺服器裝置包含一處理器用以處理客戶臨櫃預約之申請。
如請求項1所述之客戶臨櫃通知系統，其中該臨櫃預約伺服器裝置包含一儲存單元用以暫存客戶臨櫃預約申請的相關資訊。
如請求項1所述之客戶臨櫃通知系統，其中該臨櫃預約伺服器裝置包含一網路介面單元，用以通訊連接該客戶臨櫃通知伺服器裝置。
如請求項1所述之客戶臨櫃通知系統，其中該客戶臨櫃通知伺服器裝置包含一處理器，用以決定客戶臨櫃資訊的接收者。
如請求項1所述之客戶臨櫃通知系統，其中該客戶臨櫃通知伺服器裝置包含一網路介面單元，用以通訊連接該臨櫃預約伺服器裝置及該銀行大廳伺服器裝置。
如請求項1所述之客戶臨櫃通知系統，其中該銀行大廳伺服器裝置包含一網路介面單元用以通訊連接該客戶臨櫃通知伺服器裝置及該些個銀行大廳電腦裝置。
如請求項1所述之客戶臨櫃通知系統，其中該銀行大廳伺服器裝置包含一處理器，用以接收來自該些個銀行大廳電腦裝置關於客戶臨櫃的資訊。
如請求項1所述之客戶臨櫃通知系統，其中該銀行大廳伺服器裝置包含一儲存單元，用以暫存來自該些個銀行大廳電腦裝置關於客戶臨櫃的資訊。
如請求項1所述之客戶臨櫃通知系統，其中該客戶臨櫃通知伺服器裝置包含一儲存單元用以暫存客戶臨櫃的相關資訊。
一種多功能刮痧板結構，至少包括有： <br/>一主體(11)，包括有複數個第一功能部(111)，其中每一該第一功能部(111)為該主體(11)之表面所形成的圓弧狀；以及 <br/>複數個第二功能部(12)，形成於該主體(11)之表面，其中每一該第二功能部(12)包括有一凸部(121)，以及一分別連接該凸部(121)與該主體(11)之表面的圓柱體(122)。
如請求項1所述之多功能刮痧板結構，其中該主體(11)之外觀呈現一心型之態樣。
如請求項1所述之多功能刮痧板結構，其中該主體(11)由不鏽鋼、鋁合金、合金、陶瓷或矽膠其中之一材質所製造而成。
如請求項1所述之多功能刮痧板結構，其中該主體(11)之表面經過拋光或防滑其中之一製程處理。
如請求項1所述之多功能刮痧板結構，其中該凸部(121)與該圓柱體(122)為一體成型之態樣。
如請求項1所述之多功能刮痧板結構，其中該凸部(121)之表面為圓弧之態樣。
如請求項1所述之多功能刮痧板結構，其中該第一功能部(111)之表面與該第二功能部(12)之凸部(121)的表面可接觸人體之皮膚，以進行刮痧或按摩之功用。
一種山羊知識問答系統，包括：<br/> 一電子裝置，用以產生一輸入提示；以及<br/> 一問答裝置，耦接該電子裝置，該問答裝置包括：<br/> 一資料庫模組，用以儲存多個知識向量，該些知識向量分別對應於山羊領域中的知識資訊；<br/> 一輸入模組，用以接收該輸入提示；<br/> 一分詞模組，用以對該輸入提示分詞，以產生多個問題文本字詞；<br/> 一向量轉換模組，用以將該些問題文本字詞轉換為相對應的多個問題文本向量；<br/> 一檢索模組，用以確定該些問題文本向量與該資料庫模組中的該些知識向量之間的相似度，並取得與該些問題文本向量最接近的知識向量；<br/> 一生成式模組，用以根據該輸入提示及相對應的知識向量產生一回答結果；以及<br/> 一處理模組，電性連接並控制該資料庫模組、該輸入模組、該分詞模組、該向量轉換模組、該檢索模組及該生成式模組的運作，該處理模組用以將該回答結果發送至該電子裝置。
如請求項1所述之山羊知識問答系統，其中，該知識資訊包括一飼養條件、一健康監測、一疾病預防及一疾病治療的山羊相關資料。
如請求項1所述之山羊知識問答系統，其中，該向量轉換模組及該檢索模組為採用FAISS工具和檢索增強生成技術共同實作而成。
如請求項1所述之山羊知識問答系統，其中，該生成式模組為採用大型語言模型來產生該回答結果。
如請求項1所述之山羊知識問答系統，其中，該電子裝置設有一使用者介面，該資料庫模組還儲存有多個山羊履歷資料，該些山羊履歷資料呈現於該使用者介面上。
如請求項5所述之山羊知識問答系統，其中，該些山羊履歷資料包括編號、品種、性別、出生日、父羊、母羊、餵食紀錄、秤重紀錄、疾紀記錄及分娩紀錄等資料。
如請求項5所述之山羊知識問答系統，還包括一溫溼度感測器，耦接該問答裝置，並用以監測取得飼養山羊之場域的一環境溫度及一環境濕度，該環境溫度及該環境濕度分別儲存於該資料庫模組，並呈現於該使用者介面上。
如請求項7所述之山羊知識問答系統，還包括一視覺化數位儀表板，耦接該問答裝置，並設置在飼養山羊之場域中，該視覺化數位儀表板用以顯示該環境溫度及該環境濕度。
一種移動式環保燒化車，其包括：<br/> 一車體，其具有一貨架；<br/> 一燒化爐，設置在該車體的貨架上，其內部具有一燒化室，其後側或一側設有至少一連通該燒化室的投入口；<br/> 一煙塵過濾裝置，設置在該車體的貨架上並相鄰於該燒化爐，其具有一淨化箱、一水箱、一抽風機、一第一水泵及一第一冷卻水管；該淨化箱內具有一冷卻室；該水箱設置在該淨化箱的下方或一側，用於儲存一冷卻水；該抽風機設置在該淨化箱上，用於將該冷卻室的空氣抽放到該淨化箱外；該第一水泵連接該水箱及該第一冷卻水管，將該水箱中的冷卻水抽送到該第一冷卻水管；該第一冷卻水管的出水端延伸到該冷卻室中，將該冷卻水噴灑至該冷卻室；<br/> 一排煙管，其第一端經由該燒化爐的頂部連通該燒化室，其第二端連通到該淨化箱的冷卻室，用於該抽風機對該冷卻室抽風時，使該燒化室的煙塵經由該排煙管進入該冷卻室。
如請求項1所述移動式環保燒化車，其中該燒化爐的燒化室下方設有一集灰室，該燒化室與該集灰室之間設有一隔網；該燒化爐的後側樞設有可開啟與關閉該燒化室的一或二扇爐門，該投入口設置在該爐門；該投入口另樞設有可開啟與關閉該燒化室的一第一小門。
如請求項2所述移動式環保燒化車，其中該燒化爐的後側或一側設有連通該集灰室的一清理口，及樞設在該清理口的一第二小門。
如請求項2所述移動式環保燒化車，其中該燒化爐及該爐門內層設有一防火耐熱層。
如請求項1所述移動式環保燒化車，更包括至少一第二水泵及一第二冷卻水管；該第二水泵連接該水箱及該第二冷卻水管，將該水箱中的冷卻水抽送到該第二冷卻水管；該第二冷卻水管的出水端延伸到該排煙管中，將該冷卻水噴灑至該排煙管。
如請求項5所述移動式環保燒化車，其中該第一冷卻水管及第二冷卻水管的出水端設有多個灑水器。
如請求項1所述移動式環保燒化車，其中該淨化箱內分隔出另一淨化室，該淨化室相鄰於該冷卻室，該淨化箱頂面設有連通該淨化室的的一淨化空氣排出管；及該抽風機將該冷卻室的空氣抽送到該淨化室，再從該淨化空氣排出管排放到該淨化箱外。
如請求項2所述移動式環保燒化車，更包含一包圍該燒化爐與該煙塵過濾設備的外殼，該外殼設有一對應該爐門的鏤空部，選定側設有一維修門。
如請求項1所述移動式環保燒化車，其中該車體為貨車或拖板車。
一種鋼板邊緣預留寬度確認系統，包含：第一雷射發射模組，用以發射出第一雷射線，以對準切邊機圓形切刀刀口位置；以及第二雷射發射模組，設置於所述第一雷射發射模組上方，且用以發射出第二雷射線，所述第二雷射線的照射位置係位於所述第一雷射線右側一固定距離處，用以標示鋼板預留剪切寬度。
如請求項1所述之鋼板邊緣預留寬度確認系統，更包含：承載座；平行導軌，設置於所述承載座上，且沿一直線方向延伸；活動平台，設置於所述平行導軌上，且能夠沿著所述平行導軌移動；以及雷射固定座，固定在所述活動平台上，其中所述第一雷射發射模組與所述第二雷射發射模組係固定在所述雷射固定座上。
如請求項2所述之鋼板邊緣預留寬度確認系統，更包含：螺桿，設置在所述承載座上，且與所述活動平台螺接；滑輪，設置在所述承載座上，並固定在所述螺桿一端；以及馬達，設置在所述承載座上，用以帶動所述滑輪轉動，且因此通過所述螺桿帶動所述活動平台沿著所述平行導軌移動。
如請求項2所述之鋼板邊緣預留寬度確認系統，其中，所述第一雷射發射模組與所述第二雷射發射模組係通過萬象調整座與水平校正機構固定在所述雷射固定座上。
如請求項1所述之鋼板邊緣預留寬度確認系統，其中，所述固定距離係為40mm。
如請求項2所述之鋼板邊緣預留寬度確認系統，其中，所述承載座係由鋼架構成。
一種水路系統，其包括： <br/>濾芯； <br/>冷水組件，包括冷水管、冷水出水管路和儲能倉，所述冷水管穿設於所述儲能倉內；所述濾芯的出水口和所述冷水管的進水口相連通，所述冷水管的出水口和所述冷水出水管路的進水口相連通；所述儲能倉內設置有換熱介質； <br/>製冷組件，包括製冷管路和蒸發器，所述蒸發器設置於所述製冷管路；所述製冷管路穿設於所述儲能倉，所述蒸發器位於所述儲能倉內，所述製冷管路內設置有可流動的冷卻介質。
根據請求項1所述的水路系統，其中所述冷水組件還包括第一測溫件，所述第一測溫件設置於所述冷水出水管路並位於所述儲能倉的下游。
根據請求項2所述的水路系統，其還包括抽水泵，所述抽水泵設置於所述濾芯和所述冷水管的連通管路並位於所述第一測溫件的上游，所述抽水泵能夠根據所述第一測溫件的檢測資料調節所述冷水管中的流量，以調節所述冷水出水管路的出水口的溫度。
根據請求項3所述的水路系統，其還包括負壓開關，所述負壓開關設置於所述濾芯和所述冷水管的連通管路並位於所述抽水泵的上游，所述負壓開關能夠根據所述抽水泵的輸出功率調節開度。
根據請求項1所述的水路系統，其還包括常溫出水管路，所述濾芯的出水口與所述常溫出水管路的進水口相連通。
根據請求項1所述的水路系統，其還包括分配件、增壓泵以及進水閥，所述濾芯的出水口與所述分配件的第一分配進口相連通，所述分配件的第一分配出口和所述冷水管的進水口相連通； <br/>所述濾芯包括前置濾芯和精細濾芯，所述前置濾芯的進水口與原水連通，所述前置濾芯的出水口與所述分配件的第二分配進口連通，所述進水閥設置於所述前置濾芯和所述分配件的連通管路，所述分配件的第二分配出口與所述精細濾芯的進水口連通，所述增壓泵設置於所述分配件和所述精細濾芯的連通管路，所述精細濾芯的出水口與所述冷水管的進水口連通；和/或， <br/>所述濾芯還包括後置濾芯，所述精細濾芯的出水口與所述後置濾芯的進水口連通，所述後置濾芯的出水口與所述冷水管的進水口連通。
根據請求項1至6中任一項所述的水路系統，其還包括分水管路、換向閥、加熱出水管路以及加熱件，所述加熱件設置於所述加熱出水管路；所述分水管路的進水口和所述濾芯的出水口連通，所述分水管路的出水口和所述換向閥的進水口連通，所述換向閥的第一換向出口和所述冷水管的進水口連通，所述換向閥的第二換向出口和所述加熱出水管路的進水口連通。
根據請求項2至4中任一項所述的水路系統，其中所述冷水組件還包括第一單向閥，所述第一單向閥設置於所述冷水出水管路並位於所述第一測溫件的下游。
根據請求項1至6中任一項所述的水路系統，其中所述製冷組件還包括循環泵和循環管路，所述循環泵設置於所述循環管路；所述循環管路的兩端分別與所述儲能倉相連通，所述循環管路的兩端沿所述儲能倉的高度方向間隔設置。
根據請求項1至6中任一項所述的水路系統，其中所述冷水管包括螺旋管。
一種網路連接器結構改良，係包括有座體、一端子組、一彈性件及一定位結構，其中：<br/> 該座體之主體二側各形成有一側壁，並於該二側壁之間形成有對接空間，而該對接空間內部設有複數對接槽，且該主體頂部向後延伸之後板中央形成有橫向延伸之定位槽，並於該定位槽二側向前端各形成有一限位槽，而前述該二側壁底部向後延伸形成有一組裝空間；<br/> 該端子組為設有收納於該些對接槽內的複數端子，以及各別收納於該二組裝空間內之發光組件；<br/> 該彈性件係設有位於該後板之該定位槽內之第一抵持部，且該第一抵持部二側末端為設有延伸至各該限位槽內呈捲曲狀定位之變形部，且該變形部係朝外彎折有一向後斜伸之第二抵持部；<br/> 該定位結構之外殼體為設有組裝於該主體之該對接空間內並貼合該二側壁內側的二側臂，並且該二側臂之間連接有收納於該定位槽內限制該第一抵持部彈性空間之連接部，而該二側臂上方鄰近該連接部處各設有具一軸部，且該二軸部係供一旋動體後端二側的凸柱進行活動樞接，並且該旋動體係向後延伸有一均壓定位板，再於該旋動體前端與該外殼體之間形成有一對接口，而該旋動體二側之壁面頂部之間係連接有向下傾斜延伸之前板。
如請求項1所述之網路連接器結構改良，其中該後板二側相鄰該二側壁一處為設有一限位塊，而該二側壁底部向後延伸形成之該組裝空間前端底部為進一步設有一定位槽，且該定位槽前端連接有穿設於該側壁表面之定位口，再於該主體後端係設有連接至該後板底部之複數焊接槽，而該端子組的該些端子為各設有一基部，並於該基部向後經一折彎部延伸有向上彎折後向下穿出該後板之該焊接槽處的焊接端，且該折彎部之表面設有呈傾斜狀之傾斜面，再於該些端子向前端各延伸有向後返折延伸之折彎段，並於該折彎段繼續向後延伸有呈懸空狀之接觸端，而該二發光組件係設有組裝於各該組裝空間之該定位槽內的一發光件，並於該發光件前端設有凸伸於該定位口內之發光凸塊，再於該發光件後端設有沿著該二側壁向上延伸之至少二端子主體，並於該至少二端子主體之間設有供該限位塊穿置之限位空間，再於該至少二端子主體向後至該後板二側後向下延伸有一電性接觸端。
如請求項2所述之網路連接器結構改良，其中該後板後端二側各設有一扣槽，係以該後板上為進一步設有一後蓋，且該後蓋為設有對應該後板底部的該些焊接槽處的複數第一對位槽，並於該些第一對位槽二側各設有供該至少二端子主體的該些電性接觸端穿出之複數第二對位槽，並且該後蓋上凸設有扣入於該後板的該些扣槽處的一扣塊。
如請求項1所述之網路連接器結構改良，其中該外殼體的該連接部上設有各別對應抵持於該彈性件之該第一抵持部二側末端處周圍的抵持槽。
如請求項1所述之網路連接器結構改良，其中該外殼體的該二側臂前端各設有縱向延伸之滑移限位槽，且該滑移限位槽頂部為設有一第一限位凹槽，並且該第一限位凹槽向內係凸設有一第一定位扣部，而該旋動體二側之該壁面係設有對應各該滑移限位槽的滑動槽，且各該滑動槽之底部為設有對應扣入該滑移限位槽內之第二定位扣部，並且於該第二定位扣部另側向內凹設形成有一第二限位凹槽。
如請求項1所述之網路連接器結構改良，其中該後板後端的該均壓定位板二側形成有向下彎折之均壓部。
如請求項1所述之網路連接器結構改良，其中該彈性件的該第一抵持部係呈一ㄇ字形狀。
如請求項1所述之網路連接器結構改良，其中該主體之底部為進一步設有供一屏蔽殼體組裝之複數扣孔，且該屏蔽殼體之底部為設有對應嵌入各該扣孔內的複數定位片，再於該底部二側各向上延伸有貼合於該主體之該二側壁表面之一屏蔽側板，且該屏蔽側板之表面為設有對應扣入該側壁上凸設之定位凸塊內之定位口。
如請求項8所述之網路連接器結構改良，其中該定位結構之該外殼體二側的該側臂底部為進一步設有對應該屏蔽殼體之該些定位片位置的複數勾槽，且該些定位片上係凸設有對應扣入該些勾槽內之定位卡勾。
一種自動彙整作業系統，適用於與一使用者終端裝置通訊，並包含：<br/> 一通訊單元，其能與該使用者終端裝置通訊以建立通訊管道；<br/> 一儲存單元，其中儲存一商品要保書資料、一業務規則檔及內建一商品資料夾，該商品要保書資料包括一商品名稱及一檔案名稱資料，該業務規則檔包括一執行方式及該使用者終端裝置的一聯絡資料，該商品資料夾具有該商品名稱並包括一異動歷史資料檔案，該異動歷史資料檔案包括多筆異動歷史資訊；及<br/> 一處理單元，電連接該通訊單元與該儲存單元，以透過該通訊單元與該使用者終端裝置通訊，並存取該儲存單元；<br/> 其中，該處理單元根據一預定排程執行一機器人流程自動化程序，在該機器人流程自動化程序中，該處理單元從該儲存單元讀取該業務規則檔，並判斷該業務規則檔所包括的該執行方式為製作檔案時，該處理單元執行一製作檔案程序；<br/> 在該製作檔案程序中，該處理單元根據該商品要保書資料所包括的該商品名稱從該儲存單元讀取具有該商品名稱的該商品資料夾，且複製並另存該商品資料夾所包括的該異動歷史資料檔案於該商品資料夾而在該商品資料夾中產生一異動資料檔案，並將該商品要保書資料所包括的該檔案名稱資料新增至該異動資料檔案中的最後一筆異動歷史資訊；<br/> 該處理單元根據該異動資料檔案包括的該等異動歷史資訊其中包含該檔案名稱資料的該最後一筆異動歷史資訊產生一輔助彙整資料檔案，並將該輔助彙整資料檔案儲存至該儲存單元後，傳送一作業完成通知至該使用者終端裝置。
如請求項1所述的自動彙整作業系統，其中，該儲存單元還包括一範例檔案資料，該商品要保書資料還包括一開辦日期，該業務規則檔還包括一簽署人員資料，當該處理單元判斷該業務規則檔所包括的該執行方式為產生送件資料時，該處理單元執行一產生送件資料程序，在該產生送件資料程序中，該處理單元根據一預設名稱格式及該開辦日期命名該異動資料檔案的一檔案資料名稱；該處理單元讀取該業務規則檔所包括的該簽署人員資料，且將該簽署人員資料新增至該範例檔案資料而產生一簽署人員送件資料後，傳送該作業完成通知至該使用者終端裝置。
如請求項1所述的自動彙整作業系統，其中，當該處理單元無法讀取該業務規則檔時，該處理單元傳送一初始化異常通知至該使用者終端裝置。
如請求項1所述的自動彙整作業系統，其中，當該處理單元無法產生該輔助彙整資料檔案時，該處理單元傳送一執行異常通知至該使用者終端裝置。
一種夾層式光模塊水冷散熱裝置，包括：<br/> 一進水頭；<br/> 一出水頭；<br/> 一主水冷板，所述主水冷板內設有一進水空間及一出水空間，所述進水空間與所述進水頭相連通，冷卻液能通過所述進水頭輸送至所述主水冷板的所述進水空間，所述出水空間與所述出水頭相連通，熱交換後的冷卻液能通過所述主水冷板的所述出水空間輸送至所述出水頭；<br/> 多個可浮動的子水冷板，所述多個可浮動的子水冷板分別設置於所述主水冷板的上方及下方，所述多個可浮動的子水冷板內各設有流道，所述多個可浮動的子水冷板與所述主水冷板之間分別設有多個彈性件，使所述多個可浮動的子水冷板分別與所述主水冷板之間形成浮動設置；以及<br/> 兩金屬殼體，所述多個可浮動的子水冷板設置於所述兩金屬殼體之間，所述兩金屬殼體內各設有多個容置空間，能供光模塊插置，所述多個可浮動的子水冷板分別伸入所述兩金屬殼體中，能彈性接觸所述光模塊；<br/> 其中所述多個可浮動的子水冷板各以兩轉接頭連接於所述主水冷板，所述轉接頭內形成有一通孔，所述可浮動的子水冷板及所述主水冷板之間能通過所述通孔相連通，冷卻液能輸送至所述主水冷板，再通過所述轉接頭將冷卻液輸送至所述可浮動的子水冷板中，熱交換後的冷卻液再通過另一所述轉接頭輸送至所述主水冷板向外輸出。
如請求項1所述的夾層式光模塊水冷散熱裝置，其中所述轉接頭具有一插接部，所述通孔設於所述插接部內，所述主水冷板上設有與所述插接部相對應的穿孔，所述插接部插置於相對應所述穿孔中，使所述轉接頭連接於所述可浮動的子水冷板及所述主水冷板之間。
如請求項2所述的夾層式光模塊水冷散熱裝置，其中所述轉接頭的所述插接部及所述主水冷板之間設置一密封圈。
如請求項1所述的夾層式光模塊水冷散熱裝置，其中所述主水冷板的上方及下方的所述多個可浮動的子水冷板各排成一列，而將所述主水冷板夾置於中間。
如請求項1所述的夾層式光模塊水冷散熱裝置，其中每一所述可浮動的子水冷板連接的所述兩轉接頭靠近所述可浮動的子水冷板的兩端處，且每一所述可浮動的子水冷板對應設置四個所述彈性件，四個所述彈性件設置於所述可浮動的子水冷板的四角處。
一種夾層式光模塊水冷散熱裝置，包括：<br/> 一主水冷板，所述主水冷板內設有一進水空間及一出水空間，冷卻液能輸送至所述主水冷板的所述進水空間，熱交換後的冷卻液能通過所述主水冷板的所述出水空間輸出；以及<br/> 多個可浮動的子水冷板，所述多個可浮動的子水冷板分別設置於所述主水冷板的上方及下方至少其中之一，所述多個可浮動的子水冷板內各設有流道，所述多個可浮動的子水冷板與所述主水冷板之間分別設有多個彈性件，使所述多個可浮動的子水冷板分別與所述主水冷板之間形成浮動設置；<br/> 其中所述多個可浮動的子水冷板各以兩轉接頭連接於所述主水冷板，所述轉接頭內形成有一通孔，所述可浮動的子水冷板及所述主水冷板之間能通過所述通孔相連通，冷卻液能輸送至所述主水冷板，再通過所述轉接頭將冷卻液輸送至所述可浮動的子水冷板中，熱交換後的冷卻液再通過另一所述轉接頭輸送至所述主水冷板向外輸出。
如請求項6所述的夾層式光模塊水冷散熱裝置，其中所述轉接頭具有一插接部，所述通孔設於所述插接部內，所述主水冷板上設有與所述插接部相對應的穿孔，所述插接部插置於相對應所述穿孔中，使所述轉接頭連接於所述可浮動的子水冷板及所述主水冷板之間。
如請求項7所述的夾層式光模塊水冷散熱裝置，其中所述轉接頭的所述插接部及所述主水冷板之間設置一密封圈。
如請求項6所述的夾層式光模塊水冷散熱裝置，其中所述主水冷板的上方及下方的所述多個可浮動的子水冷板各排成一列，而將所述主水冷板夾置於中間。
如請求項6所述的夾層式光模塊水冷散熱裝置，其中每一所述可浮動的子水冷板連接的所述兩轉接頭靠近所述可浮動的子水冷板的兩端處，且每一所述可浮動的子水冷板對應設置四個所述彈性件，四個所述彈性件設置於所述可浮動的子水冷板的四角處。
一種鐵皮屋結構，主要係由牆面及屋頂所組成，該屋頂係設有屋頂骨架及裝飾瓦板所組成，該屋頂骨架係等距排列設有數支底鋼梁，該底鋼梁之上方垂直方向等距設有數組兩兩相對設置之支撐鋼架，該支撐鋼架之上方鋪設有樓承板，該樓承板之上方等距設有數支固定支架，該屋頂骨架上鋪設有該裝飾瓦板，於該屋頂上設有至少一通風口，該通風口上設有通風扇，該屋頂係固設於該牆面之上方；<br/> 其特徵係在：該牆面係由牆面骨架、隔熱層及引流板所組成，該隔熱層係固設於該牆面骨架之外側面上，該隔熱層係由外板體、隔熱體及內板體所組成，該引流板係固設於該牆面骨架之內側面上，該引流板係由數片板體相互搭接而成，該引流板之板體係彎折形成有數條引導溝槽，該板體之一端邊係彎折形成有一嵌緣，該板體之另一端邊上彎折形成有一嵌槽，一該板體與另一該板體之搭接係由該嵌緣嵌設於該嵌槽內予以相互扣接連結成大面積之引流板。
如請求項1所述之鐵皮屋結構，其中，該隔熱層之該外板體係為浪板。
如請求項1所述之鐵皮屋結構，其中，該隔熱層之該隔熱體係由隔熱泡棉或隔熱材所製成。
如請求項1所述之鐵皮屋結構，其中，該隔熱層之該內板體係為平面板。
一種活動式車把總成，包含：<br/> 一固定基座；<br/> 一第一轉軸；<br/> 一支撐部，係透過該第一轉軸，可樞轉地連接至該固定基座之一側，用以提供一第一活動方向；<br/> 一第二轉軸；以及<br/> 一車把，係透過該第二轉軸，可樞轉地連接於該支撐部的頂端上，用以提供一第二活動方向。
如請求項1所述的活動式車把總成，還包含一第一馬達，設置於該固定基座，並透過該第一轉軸向該支撐部提供一第一活動方向的力回饋。
如請求項1所述的活動式車把總成，還包含一第一馬達，設置於該支撐部的一下端部，並透過該第一轉軸向該支撐部提供一第一活動方向的力回饋。
如請求項1所述的活動式車把總成，還包含一第二馬達，設置於該車把及該第二轉軸之間，並透過該第二轉軸向該車把提供一第二活動方向的力回饋。
如請求項1所述的活動式車把總成，還包含一第二馬達，設置於該支撐部的一上端部，並透過該第二轉軸向該車把提供一第二活動方向的力回饋。
如請求項2或3所述的活動式車把總成，其中，該第一馬達係為伺服馬達、無刷直流馬達或永磁同步馬達。
如請求項4或5所述的活動式車把總成，其中，該第二馬達係為伺服馬達、無刷直流馬達或永磁同步馬達。
如請求項1所述的活動式車把總成，還包含一龍頭座，設置於該支撐部及該車把之間，該車把則安裝於該龍頭座上。
如請求項8所述的活動式車把總成，還包含一三角台，設置於該支撐部及該龍頭座之間。
如請求項1所述的活動式車把總成，還包含一第一感測器，設置於該固定基座中，用以感測該第一轉軸的轉動角度。
如請求項1所述的活動式車把總成，還包含一第二感測器，設置於該支撐部中，用以感測該第二轉軸的轉動角度。
如請求項10所述的活動式車把總成，其中，該第一感測器係為碳膜電位器、旋轉編碼器或慣性感測器。
如請求項11所述的活動式車把總成，其中，該第二感測器係為碳膜電位器、旋轉編碼器或慣性感測器。
一種銀耳多醣體製備裝置，其係包括有： <br/>一輸送模組，其係用以輸送複數銀耳； <br/>一粉碎模組，其係連接該輸送模組，該粉碎模組用以對該等銀耳進行粉碎，並形成有複數銀耳粉； <br/>一浸泡腔，其係連接該粉碎模組與該輸送模組，該浸泡腔用以供將粉碎後該等銀耳粉與複數液體相溶，以形成銀耳混合液； <br/>一冷凍模組，其係連接該該浸泡腔與該輸送模組，該冷凍模組用以該銀耳混合液進行冷凍處理，並形成複數冷凍銀耳混合塊，該等冷凍銀耳混合塊係供該粉碎模組與該浸泡腔進行粉碎與浸泡至少三次循環，以形成至少三倍的銀耳混合液； <br/>一過濾模組，其係連接該輸送模組，該過濾模組用以對該至少三倍的銀耳混合液進行過濾； <br/>一抽濾模組，其係連接該輸送模組與該過濾模組，其係對該耳混合液進行反復抽濾，以取得至少三倍的銀耳多醣濃縮液；及 <br/>一沉澱腔，其係連接該輸送模組，該沉澱腔用以對銀耳多醣濃縮液進行沉澱。
如請求項1所述之銀耳多醣體製備裝置，其中，該浸泡腔中的液體為純水。
如請求項2所述之銀耳多醣體製備裝置，其中，該浸泡腔中的該等銀耳粉與該液體的體積比為1比50至70。
如請求項1所述之銀耳多醣體製備裝置，其中，該冷凍模組的冷凍溫度為-70至-120度。
如請求項1所述之銀耳多醣體製備裝置，其中，該冷凍模組通過液態氮對該銀耳混合液進行冷凍處理。
如請求項1所述之銀耳多醣體製備裝置，其中，該輸送模組包括有複數輸送帶、複數輸送管與至少一驅動單元。
如請求項1-6項中任一項所述之銀耳多醣體製備裝置，其中，更包含有一離心模組，其係連接該過濾模組與該抽濾模組，該離心模組用以對該三倍的銀耳混合液進行離心混合。
如請求項7所述之銀耳多醣體製備裝置，其中，更包含有一電源模組，其係電性連接該輸送模組、該粉碎模組、該冷凍模組、該過濾模組、該抽濾模組與該離心模組。
如請求項8所述之銀耳多醣體製備裝置，其中，該浸泡腔更包含有至少一電控攪拌單元，該電控攪拌單元電性連接該電源模組。
如請求項9所述之銀耳多醣體製備裝置，其中，更包含有一乾燥模組，其係連接該輸送模組與該沉澱腔，該乾燥模組對沉澱後的銀耳多醣濃縮液進行乾燥作業，以取得至少三倍的銀耳多醣塊。
一種可快速插拔的射頻連接器組件，包括公連接器和與所述公連接器可插拔對接的母連接器，其特徵在於：<br/> 所述公連接器包括公連接主體、一體嵌設在所述公連接主體外側的塑膠公套，所述公連接主體內部設有用於射頻訊號傳導的公導電芯，所述公連接主體內壁與公導電芯外表面之間設有相互卡接抱緊的公絕緣筒；<br/> 所述母連接器包括母連接主體、一體嵌設在所述母連接主體外側且與所述塑膠公套適配卡接的塑膠母套，所述母連接主體內部設有與公導電芯對接導通的母導電芯，所述母連接主體內壁與母導電芯外表面之間設有相互卡接抱緊的母絕緣筒；<br/> 所述塑膠公套的前端一體連接設有圓錐體，所述塑膠公套位於圓錐體末端設有環形凹槽，所述塑膠母套的前端一體連接設有由若干弧形片構成的圓環體，所述圓環體前端內側設有弧形掛鉤，所述圓環體在公連接器與母連接器對接時，可彈性形變後將弧形掛鉤卡扣連接於環形凹槽；<br/> 所述公導電芯與母導電芯對應設置且在公連接器、母連接器對接時形成射頻訊號傳導通路。
如請求項1所述的可快速插拔的射頻連接器組件，其中，所述公導電芯中部設有第一環形公凸錐，所述公連接主體內壁設有第二環形公凸錐，所述公絕緣筒內外壁分別用於與第一環形公凸錐、第二環形公凸錐抱緊卡接，所述母導電芯中部設有第一環形母凸錐，所述母連接主體內壁設有第二環形母凸錐，所述母絕緣筒內外壁分別用於與第一環形母凸錐、第二環形母凸錐抱緊卡接。
如請求項1所述的可快速插拔的射頻連接器組件，其中，所述公導電芯前端設有圓錐導向柱，所述母導電芯前端設有圓錐導向孔，所述圓錐導向柱與圓錐導向孔對應拔插連接。
如請求項1所述的可快速插拔的射頻連接器組件，其中，所述公導電芯後端設有公接線盲孔，所述母導電芯後端設有母接線盲孔，所述公接線盲孔和母接線盲孔均用於射頻線纜的固定連接。
如請求項1所述的可快速插拔的射頻連接器組件，其中，所述公導電芯前端面與公連接主體前端面對齊，所述母導電芯前端面位於母連接主體前端面朝內收縮，以使所述公連接主體與母連接主體對接導向後，所述公導電芯前繼續插入母導電芯。
如請求項1所述的可快速插拔的射頻連接器組件，其中，所述公導電芯和母導電芯的表面及內壁均鍍金。
如請求項1所述的可快速插拔的射頻連接器組件，其中，所述母連接主體中部一體連接設有握環部，所述握環部表面設有防滑條紋。
如請求項7所述的可快速插拔的射頻連接器組件，其中，所述母連接主體位於握環部後側緊密連接設有套環，所述套環前部向握環部內側延伸卡緊設置。
一種跨語言採購文件審閱校正裝置，包含：<br/> 一輸入裝置，配置以輸入一草稿文件以及一原文文件；<br/> 一跨語言語意理解模組，電性連接該輸入裝置，配置以比對該原文文件的語意與該草稿文件的翻譯是否語意對等而產生一比對結果；<br/> 一儲存模組，具有一歷史採購招標文件資料庫與一辦法規定資料庫；<br/> 一人工智慧文件錯誤偵測模組，電性連接該輸入裝置與該儲存模組，配置以將該草稿文件比對該歷史採購招標文件資料庫的複數個歷史採購招標文件與該辦法規定資料庫的複數個辦法規定，並偵測該草稿文件是否具有複數個問題，而產生一檢查偵測結果；以及<br/> 一合規修正模組，電性連接該跨語言語意理解模組與該人工智慧文件錯誤偵測模組，配置以根據該比對結果與該檢查偵測結果將該草稿文件轉換成一正確文件。
如請求項1所述之跨語言採購文件審閱校正裝置，其中該人工智慧文件錯誤偵測模組配置以在將該草稿文件比對該些歷史採購招標文件與該些辦法規定時檢查是否缺漏異常。
如請求項1所述之跨語言採購文件審閱校正裝置，其中該人工智慧文件錯誤偵測模組所偵測該草稿文件是否具有的該些問題包含遺漏用印、遺漏簽名、金額錯誤與漏勾漏填。
如請求項1所述之跨語言採購文件審閱校正裝置，更包含：<br/> 一招標文件產出模組，電性連接該儲存模組，配置以依據該歷史採購招標文件資料庫的該些歷史採購招標文件生成一招標文件範本。
如請求項4所述之跨語言採購文件審閱校正裝置，其中該招標文件產出模組配置以依據該辦法規定資料庫的該些辦法規定生成該招標文件範本。
如請求項5所述之跨語言採購文件審閱校正裝置，更包含：<br/> 一持續學習模組，電性連接該儲存模組與該人工智慧文件錯誤偵測模組，其中當該儲存模組導入新資料後，該持續學習模組配置以再訓練該人工智慧文件錯誤偵測模組。
如請求項6所述之跨語言採購文件審閱校正裝置，其中該持續學習模組電性連接該招標文件產出模組，配置以隨公司規定的變動與法規的變動優化該招標文件範本。
如請求項1所述之跨語言採購文件審閱校正裝置，其中該儲存模組電性連接該跨語言語意理解模組，且更包含一公司專用語資料庫，該公司專用語資料庫具有複數個多國語言的公司專用語。
如請求項8所述之跨語言採購文件審閱校正裝置，其中該跨語言語意理解模組配置以使用該些多國語言的公司專用語以解析與比對該草稿文件以及該原文文件。
如請求項1所述之跨語言採購文件審閱校正裝置，其中該輸入裝置包含鍵盤、觸控螢幕或麥克風。
一種人工智能合約自動審核及法律風險辨識系統，包括：<br/> 一制式合約資料庫伺服器裝置，用以蒐集並分析制式合約的相關資料；<br/> 一法律條文資料伺服器裝置，用以蒐集並分析各法律條文的相關資料；以及<br/> 一人工智慧伺服器裝置，通訊連接該法律條文資料伺服器裝置及該制式合約資料庫伺服器裝置，用以比對新合約與制式合約而產出一審約意見。
如請求項1所述之人工智能合約自動審核及法律風險辨識系統，其中該法律條文資料伺服器裝置包含一處理器用以蒐集並分析各法律條文的相關資料。
如請求項1所述之人工智能合約自動審核及法律風險辨識系統，其中該法律條文資料伺服器裝置包含一儲存單元用以暫存各法律條文的相關資料。
如請求項1所述之人工智能合約自動審核及法律風險辨識系統，其中該法律條文資料伺服器裝置包含一網路介面單元，用以通訊連接該人工智慧伺服器裝置。
如請求項1所述之人工智能合約自動審核及法律風險辨識系統，其中該人工智慧伺服器裝置包含一處理器，用以比對新合約與制式合約。
如請求項1所述之人工智能合約自動審核及法律風險辨識系統，其中該人工智慧伺服器裝置包含一網路介面單元，用以通訊連接該法律條文資料伺服器裝置及該制式合約資料庫伺服器裝置。
如請求項1所述之人工智能合約自動審核及法律風險辨識系統，其中該制式合約資料庫伺服器裝置包含一網路介面單元用以通訊連接該人工智慧伺服器裝置。
如請求項1所述之人工智能合約自動審核及法律風險辨識系統，其中該制式合約資料庫伺服器裝置包含一處理器，用以蒐集並分析各法律條文的相關資料。
如請求項1所述之人工智能合約自動審核及法律風險辨識系統，其中該制式合約資料庫伺服器裝置包含一儲存單元，用以暫存各法律條文的相關資料。
如請求項1所述之人工智能合約自動審核及法律風險辨識系統，其中該人工智慧伺服器裝置包含一儲存單元用以暫存該審約意見。
一種物聯網設備申請系統，適用於與一對應於一部門及一總務人員的使用者端電子裝置通訊，包含：<br/> 一資訊平台主機，電連接該使用者端電子裝置，並儲存多個非特定物聯網設備資料；及<br/> 一物聯網設備管理主機，電連接該使用者端電子裝置及該資訊平台主機，並儲存多個對應於多個特定物聯網設備資料的已認證設備廠牌型號資料；<br/> 該資訊平台主機自該使用者端電子裝置接收一對應於該部門的待申請物聯網設備資料；<br/> 該資訊平台主機判斷該待申請物聯網設備資料是否符合該等非特定物聯網設備資料的其中一者；<br/> 當該資訊平台主機判斷出該待申請物聯網設備資料不符合該等非特定物聯網設備資料的任一者時，傳送一查詢請求至該物聯網設備管理主機；<br/> 該物聯網設備管理主機根據該查詢請求將對應於該等特定物聯網設備資料的該等已認證設備廠牌型號資料傳送至該資訊平台主機；<br/> 該資訊平台主機自該使用者端電子裝置接收一包含對應於該部門的該等已認證設備廠牌型號資料的其中一者的指定請求；<br/> 該資訊平台主機判斷一當前時間點是否於該已認證設備廠牌型號資料包括的一評估有效期間內；<br/> 當該資訊平台主機判斷出該當前時間點於該評估有效期間內時，將一包含一對應於該已認證設備廠牌型號資料的網際網路協定位址連結及該已認證設備廠牌型號資料的申請完成通知傳送至該使用者端電子裝置，其中，該使用者端電子裝置透過該網際網路協定位址連結自該資訊平台主機接收對應於該已認證設備廠牌型號資料的一網際網路協定位址；<br/> 該資訊平台主機將對應於該已認證設備廠牌型號資料的該網際網路協定位址及該已認證設備廠牌型號資料傳送至該物聯網設備管理主機；<br/> 該物聯網設備管理主機自該使用者端電子裝置接收一對應於該已認證設備廠牌型號資料的設備序號；<br/> 該物聯網設備管理主機將對應於該部門的該已認證設備廠牌型號資料、對應於該已認證設備廠牌型號資料的該網際網路協定位址及對應於該已認證設備廠牌型號資料的該設備序號作為一對應於該部門的部門設備資料並儲存。
如請求項1所述的物聯網設備申請系統，其中， <br/> 當該資訊平台主機判斷出該待申請物聯網設備資料符合該等非特定物聯網設備資料的其中一者時，將一包含對應於該待申請物聯網設備資料的該網際網路協定位址連結及該待申請物聯網設備資料的申請完成通知傳送至該使用者端電子裝置，其中，該使用者端電子裝置透過該網際網路協定位址連結自該資訊平台主機接收對應於該待申請物聯網設備資料的該網際網路協定位址。
如請求項1所述的物聯網設備申請系統，其中， <br/> 該物聯網設備管理主機還儲存多個對應於多個部門的部門設備資料及多個指定詳細資料類別，每一部門設備資料包括多個分別對應於多個詳細資料類別的詳細資料；<br/> 當該資訊平台主機自該使用者端電子裝置接收一包含該等部門設備資料的其中一者的刪除指令時，該物聯網設備管理主機傳送一對應於該刪除指令的刪除確認通知至該使用者端電子裝置；<br/> 當該物聯網設備管理主機接收到自該使用者端電子裝置傳送的一對應於該刪除確認通知的刪除確認指令時，根據該刪除指令刪除該部門設備資料；<br/> 當該資訊平台主機自該使用者端電子裝置接收一包含一對應於一待修改詳細資料類別的待修改詳細資料的修改指令時，判斷該待修改詳細資料類別是否符合該等指定詳細資料類別的其中一者，其中，該待修改詳細資料對應於該等部門設備資料的其中一者所包括的該等詳細資料的其中一者；<br/> 當該資訊平台主機判斷出該待修改詳細資料類別符合該等指定詳細資料類別的其中一者時，該物聯網設備管理主機傳送一對應於該修改指令且包括該待修改詳細資料的修改確認通知至該使用者端電子裝置；<br/> 當該資訊平台主機判斷出該待修改詳細資料類別不符合該等指定詳細資料類別的任一者時，該物聯網設備管理主機傳送對應於該修改指令的該修改確認通知至該使用者端電子裝置；<br/> 當該物聯網設備管理主機接收到自該使用者端電子裝置傳送的一對應於該修改確認通知的修改確認指令時，根據該修改指令修改該部門設備資料的該詳細資料。
如請求項3所述的物聯網設備申請系統，其中，還適用於與一總行端電子裝置通訊，該總行端電子裝置與該物聯網設備管理主機電連接；<br/> 當該物聯網設備管理主機自該總行端電子裝置接收一查看指令時，該物聯網設備管理主機傳送該等部門設備資料至該總行端電子裝置。
如請求項4所述的物聯網設備申請系統，其中，還適用於與多個分別對應於該等部門及多個總務人員的使用者端電子裝置通訊；<br/> 該等使用者端電子裝置與該物聯網設備管理主機及該資訊平台主機電連接；<br/> 該物聯網設備管理主機自該總行端電子裝置接收一盤點專案發起時間；<br/> 該物聯網設備管理主機根據該盤點專案發起時間傳送一包含一盤點連結的盤點通知至各該使用者端電子裝置，使各該使用者端電子裝置透過該盤點連結以接收自該物聯網設備管理主機傳送的對應於該部門的該等部門設備資料。
一種折疊椅結構，包括： <br/>一椅腳模組，包含縱向地間隔並列的二前椅腳與二後椅腳、分別橫向地樞接在各該前椅腳與各該後椅腳之間的二第一橫桿、橫向地固接在該二前椅腳之間的一第二橫桿、及橫向地固接在該二後椅腳之間的一第三橫桿； <br/>一椅墊，在其前側具有橫向地樞接在該二前椅腳之間且配置在該第二橫桿上方的一前樞接桿、及在其後側設有至少一橫向長槽；以及 <br/>一後樞接桿，橫向地固接在該二後椅腳之間、配置在該第三橫桿上方且可滑移地穿置於該至少一橫向長槽中，以令該椅墊可透過該後樞接桿滑移於該至少一橫向長槽的位置去調整和該二後椅腳的樞接位置。
如請求項1所述之折疊椅結構，其中該二前椅腳設有相對設置的二縱向長槽，該前樞接桿可滑移地穿置於該二縱向長槽中，以令該椅墊可透過該前樞接桿滑移於該二縱向長槽的位置去調整和該二前椅腳的樞接位置。
如請求項2所述之折疊椅結構，其更包括一支撐桿，各該縱向長槽具有形成在兩端的一內頂緣及一內底緣，該支撐桿橫向地固接在該二前椅腳之間且與二該內底緣相對設置，以令該前樞接桿滑移至二該內底緣時能抵靠在該支撐桿上。
如請求項3所述之折疊椅結構，其中該支撐桿的頂部設有一條形凹槽，該前樞接桿能夠嵌合於該條形凹槽。
如請求項3所述之折疊椅結構，其中該前樞接桿與該支撐桿分別由一金屬桿構成。
如請求項1所述之折疊椅結構，其中該橫向長槽具有形成在兩端的一內前緣與一內後緣及形成在一側且與該內後緣相連的一傾斜段，該傾斜段朝接近該內後緣方向逐漸接近該椅墊的底部。
如請求項6所述之折疊椅結構，其中該傾斜段具有形成在上、下側的二U弧形內緣。
如請求項6所述之折疊椅結構，其中橫向長槽的數量為二，該椅墊包含一椅墊本體及夾固在該椅墊本體中的二金屬片，各該橫向長槽自各該金屬片上開設，該前樞接桿固接在該椅墊本體下方，該後樞接桿由一金屬桿構成。
如請求項8所述之折疊椅結構，其中該椅墊本體包含左、右配置的二支架桿、橫向地固接在該二支架桿之間的一連接桿及套固於該二支架桿與該連接桿且被展開在該二支架桿與該連接桿中的一椅墊布套。
如請求項9所述之折疊椅結構，其中各該金屬片的下段夾固在各該支架桿後段及上段裸露在各該支架桿的後段頂部，各該支架桿的後段頂部設有一弧形凹口。
如請求項8所述之折疊椅結構，其更包括一椅背，該椅背包含一ㄇ型背架及套固於該ㄇ型背架且被展開在該ㄇ型背架中的一椅背布套，各該金屬片的上段裸露於該椅墊本體、與該ㄇ型背架的兩端樞接且可擺動地夾置在該ㄇ型背架的兩端中。
如請求項1所述之折疊椅結構，其中各該第一橫桿為一扶手，各該扶手的前段樞接在各該前椅腳的頂端及後段樞接在各該後椅腳的頂端。
如請求項12所述之折疊椅結構，其中相樞接的各該扶手、各該前椅腳與各該後椅腳能夠展開成一ㄇ型腳架。
一種用於真空系統的手動控制閥，係設有一安裝在真空系統上的手動控制閥，該手動控制閥設有一調整螺桿，以能手動控制調整真空系統之真空流量值者，其特徵在於：<br/> 該調整螺桿上套設一鎖定件，該鎖定件設有一內螺孔，以對應螺設在該調整螺桿上，該鎖定件用以螺設定位在該調整螺桿調壓後的位置上，以防止該調整螺桿鬆動者。
如請求項1所述用於真空系統的手動控制閥，其中該手動控制閥係包含有一閥座體，該閥座體具有數通道，且該閥座體內置入一伸縮機構閥件，該伸縮機構閥件連結該調整螺桿，該調整螺桿帶動該伸縮機構閥件活動位移，以控制遮蔽該些通道流通的範圍大小，以完成手動控制調整真空流量值者。
一種貨車車頂帳，其包含：<br/> 一中空的底座，其包括有互相結合的一第一壁體、一第二壁體、一第三壁體及一第四壁體，該第一壁體、該第二壁體、該第三壁體及該第四壁體的頂面及底面分別具有一上開口及一下開口，該上開口樞設有一封閉單元，以該封閉單元開啟或封閉該上開口，該第一壁體、該第二壁體、該第三壁體及該第四壁體的底部可拆式的與一貨車的貨斗結合，使該下開口與該貨斗連通，且該第一壁體係朝向該貨車之車頭方向；<br/> 一上殼體，其係樞設於該底座頂面的邊緣，該上殼體的兩側樞設有一油壓桿，該上殼體開啟時，該上殼體與該底座頂面的夾角小於90度；<br/> 一支架，其兩端係平行樞設於該底座的頂面的邊緣，該支架朝向該上殼體並具有一預定距離，該支架與該底座的頂面之間的夾角大於90度，樞轉後，該支架疊靠於底座及該封閉單元的頂面；<br/> 一板體．其一端樞設於該底座頂面，樞轉該板體後，該板體延伸至該底座的外側；及<br/> 一遮蔽單元，其一側及底部分別結合在該上殼體內側、該底座頂面、該支架的頂面及該板體的邊緣，使該遮蔽單元形成一中空的立體多邊體。
如請求項1所述之貨車車頂帳，其中該支架朝向該上殼體的方向樞轉而疊靠在該底座的頂面，形成摺疊收納狀態；該板體朝向該支架的方向樞轉，並疊靠於該支架上，形成摺疊收納狀態。
如請求項1所述之貨車車頂帳，其中該遮蔽單元的前側及後側分別設有一窗孔，該遮蔽單元的左側設有一門孔，該門孔的邊緣更設有一門片；該上殼體的中心處更設有一窗戶。
如請求項3所述之貨車車頂帳，其中各該窗孔呈三角形；該窗戶呈長方形。
如請求項1所述之貨車車頂帳，其中該遮蔽單元的左側呈斜面狀；該遮蔽單元的頂面的長度大於該遮蔽單元的底部，該遮蔽單元的底部與該遮蔽單元頂部之間間隔設有複數支柱，藉由各該支柱支撐該遮蔽單元的頂部。
如請求項1所述之貨車車頂帳，其中該板體的底部設有一第一連接件，該第二壁體設有一第二連接件，該板體樞轉展開後，該第一連接件與該第二連接件之間設有至少一支撐件。
如請求項1所述之貨車車頂帳，其中該第一壁體、該第二壁體、該第三壁體及該第四壁體分別設有至少一窗戶或至少一門板。
如請求項1所述之貨車車頂帳，其中該封閉單元包括有一長板及複數短板，該長板及各該短板的一側分別樞設於該上開口的邊緣。
一種理財行銷擬人化系統，包括：<br/> 一輸入輸出裝置，配置以接收複數個操作內容並輸出複數個資料，其中該些操作內容包括複數個財務資料及一互動內容，且該些資料包括一理財人格；以及<br/> 一處理器，通訊連接該輸入輸出裝置，其中該處理器包括：<br/> 一理財人格設定模組，配置以根據複數個理財人格偏好設定生成該理財人格，其中該理財人格具有一擬人化特徵；<br/> 一財務劇情模擬模組，訊號連接該理財人格設定模組，配置以根據該些財務資料模擬未來一段期間的一財務劇情，或者根據選擇的一財務模擬情境來模擬未來該段期間的該財務劇情；以及<br/> 一理財人格互動模組，訊號連接該財務劇情模擬模組，配置以將該財務劇情輸出至該輸入輸出裝置，並由該理財人格提供該財務劇情。
如請求項1所述之理財行銷擬人化系統，其中在互動過程中，當該輸入輸出裝置輸出該財務劇情中的不同的一分歧路徑時，該理財人格互動模組更配置以接收該分歧路徑，並提供給該財務劇情模擬模組，以透過該財務劇情模擬模組更配置以依據該分歧路徑重新模擬未來的該財務劇情。
如請求項2所述之理財行銷擬人化系統，其中模擬該財務劇情後，該財務劇情模擬模組更配置以根據該財務模擬情境、該分歧路徑或其組合自動生成一理財報告書。
如請求項3所述之理財行銷擬人化系統，其中該處理器進一步包括：<br/> 一理財報告輸出模組，訊號連接該財務劇情模擬模組，配置以將該理財報告書輸出至該輸入輸出裝置。
如請求項4所述之理財行銷擬人化系統，其中該理財報告書包括一資金流變化圖、一現實與理想差距分析或其組合。
如請求項1所述之理財行銷擬人化系統，其中該理財人格互動模組更配置以與該輸入輸出裝置進行一純對話式互動。
如請求項6所述之理財行銷擬人化系統，其中該理財人格互動模組更配置以根據與該輸入輸出裝置的該純對話式互動生成一理財報告書。
如請求項7所述之理財行銷擬人化系統，其中該處理器進一步包括：<br/> 一理財報告輸出模組，訊號連接該理財人格互動模組，配置以將該理財報告書輸出至該輸入輸出裝置。
如請求項8所述之理財行銷擬人化系統，其中該理財報告書包括一理財觀念解說、一市場趨勢評論、一投資心理建議、一生活理財建議或其組合。
如請求項1所述之理財行銷擬人化系統，其中該些理財人格偏好設定包括該些財務資料、一風險偏好、一投資習慣、一語氣風格偏好或其組合。
一種散熱組件，其用以設置於一電子裝置上，並且所述電子裝置用以發出一熱能；其中，所述散熱組件包括：<br/> 一支架，用以傳導所述熱能，所述支架具有用於設置在所述電子裝置上的一基部、及設置於所述基部的一承載部，並且所述基部與所述承載部共同形成有一腔室；以及<br/> 至少一個聲波單元，設置於所述承載部且位於所述腔室之內，並且至少一個所述聲波單元用以朝向所述基部發出一聲波；<br/> 其中，所述基部能用以反射至少一個所述聲波單元所發出的所述聲波而使所述腔室內產生遠離所述基部的一氣流，所述氣流引導所述熱能至所述腔室之外。
如請求項1所述的散熱組件，其中，所述基部與所述電子裝置彼此平行設置，並且至少一個所述聲波單元定義有一中心軸線，其相對於所述基部具有介於30°至90°之間的一夾角。
如請求項1所述的散熱組件，其中，至少一個所述聲波單元定義有所述聲波所行進的一入射線，其相對於所述基部的法線之間具有介於0°至45°之間的一入射角。
如請求項1所述的散熱組件，其中，所述支架呈一中空框體；所述承載部包含連接於所述基部的兩個支撐段，並且所述基部及兩個所述支撐段能共同呈一個三角形而形成所述腔室；至少一個所述聲波單元設置於任一個所述支撐段上。
如請求項4所述的散熱組件，其中，兩個所述支撐段呈鏡像對稱設置。
如請求項5所述的散熱組件，其中，至少一個所述聲波單元的數量進一步限定為兩個，兩個所述聲波單元分別設置於兩個所述支撐段，並且兩個所述聲波單元呈鏡像對稱設置。
如請求項4所述的散熱組件，其中，其中一個所述支撐段與所述基部之間具有介於30°至45°之間的一第一夾角，其中另一個所述支撐段與所述基部之間具有30°至45°之間<b>一</b>第二夾角。
如請求項7所述的散熱組件，其中，所述第一夾角相等於所述第二夾角。
如請求項1所述的散熱組件，其中，當至少一個所述聲波單元發出所述聲波時，所述腔室具有介於10 W/m<sup>2</sup>·k至25 W/m<sup>2</sup>·k之間的熱對流係數。
如請求項1所述的散熱組件，其中，至少一個所述聲波單元能用以發出介於20赫茲（Hz）至50赫茲的所述聲波。
一種製鞋成型生產線的噴膠機構，所述噴膠機構設有一可跨設於輸送帶上方之支撐架，該支撐架上設有一大底掃描辨識裝置和一噴膠機；所述大底掃描辨識裝置可對被輸送帶輸送的鞋底進行掃描及辨識，掃描及辨識後的資料可連線至所述噴膠機，所述噴膠機可根據大底掃描辨識裝置掃描及辨識後之資料，對鞋底進行上膠。
如申請專利範圍第1項所述之製鞋成型生產線的噴膠機構，其中所述噴膠機係設有一多軸連動機構，該多軸連動機構包括有X軸移動組、Y軸移動組及Z軸移動組，所述Z軸移動組的下方連接一轉頭，轉頭的一側為噴槍，噴槍的下端設置噴嘴。
如申請專利範圍第2項所述之製鞋成型生產線的噴膠機構，其中所述支撐架上復設有一墊高輸送機構，該墊高輸送機構可用於使所述輸送帶所輸送之鞋底爬升至一高度後，提供所述大底掃描辨識裝置就近對鞋底進行掃描及辨識，以及提供所述噴膠機就近對鞋底進行噴膠。
如申請專利範圍第3項所述之製鞋成型生產線的噴膠機構，其中所述墊高輸送機構包括有一爬升輸送帶，該爬升輸送帶經由一第一馬達驅動，爬升輸送帶的另一端連接一平送輸送帶，平送輸送帶的後端連接一坡降輸送帶，該平送輸送帶和坡降輸送帶的連動經由一第二馬達驅動。
如申請專利範圍第4項所述之製鞋成型生產線的噴膠機構，其中所述輸送帶為用於輸送鞋底之鞋底輸送帶，該鞋底輸送帶的一端設有一預熱烘箱，其另一端設有一正烘箱，所述預熱烘箱和正烘箱之間為設置所述大底掃描辨識裝置和噴膠機之上膠噴塗區，而所述墊高輸送機構之爬升輸送帶可用於使鞋底輸送帶所輸送之鞋底爬升，所述墊高輸送機構之坡降輸送帶可用於將完成上膠之鞋底送入所述鞋底輸送帶。
一種防駝雕塑挺胸美體衣，包括有彈性材質後背布、左胸布以及右胸布，後背布兩側分別對接左胸布、右胸布，且左胸布與右胸布頂緣分別對接後背布，左胸布與右胸布相鄰側可活動對接或分開，以組合對應於女性身體之前胸、肩部與背部，其中：<br/>該後背布外表面貼合縫設固定有V形加強帶與直向加強帶，V形加強帶之底端固定於後背布中段處，且對應於身體脊椎，而V形加強帶之兩相對斜頂端對應於身體兩側腋部，直向加強帶上下延伸固定於後背布中間與V形加強帶底端，且分別連接後背布之頂端與底端。
如申請專利範圍第1項所述之防駝雕塑挺胸美體衣，其中該直向加強帶覆蓋縫設於V形加強帶外表面。
如申請專利範圍第1項所述之防駝雕塑挺胸美體衣，其中該直向加強帶與V形加強帶分別設成長形布條片。
如申請專利範圍第1項所述之防駝雕塑挺胸美體衣，其中該後背布、左胸布以及右胸布內表面各覆蓋縫設有石墨烯布體。
如申請專利範圍第1項所述之防駝雕塑挺胸美體衣，其中該後背布、左胸布以及右胸布內表面各覆蓋縫設有遠紅外線布體。
如申請專利範圍第1項所述之防駝雕塑挺胸美體衣，其中該後背布之左右段、左胸布中段以及右胸布中段內側各直向設置有加強條。
一種束帶鉗結構，其包含二相對樞設之鉗體，二該鉗體間利用一樞軸樞接結合，使二該鉗體自該樞軸兩端分別形成一夾顎段及一握柄段，二該鉗體之夾顎段係隨二該握柄段的相對樞擺而相對靠合及遠離，二該夾顎段皆具有一刀刃，二該刀刃端緣係對稱皆設一剪切部以及一夾持部，該夾持部係於該刀刃的端緣內側設一夾合塊，二該夾合塊具有相面對靠合之一夾靠平面，從而透過所述夾靠平面達到靠合而非剪切之夾持效果，又二該刀刃端緣於該剪切部以及該夾持部間設一缺口，並利用二該缺口靠合後形成之透孔用以進行剝線作業。
如請求項1所述之束帶鉗結構，其中，二該夾顎段之刀刃端緣上半部形成該剪切部，其刀刃端緣下半部則於內側設有該夾合塊構成該夾持部。
一種具落地支架之寵物運動滾輪結構，包含有：<br/>一滾輪體，該滾輪體呈環狀結構，其內側形成供寵物行走之踏面；<br/>該滾輪體的前後兩側分別設有一沿徑向延伸之支撐桿，各該支撐桿的中央形成一軸孔；<br/>一落地支架，設置於該滾輪體之外側，該落地支架具有一對相對配置之軸接部及一底座，該底座用以支撐該落地支架於平面上，該軸接部分別安裝一軸承組件並與各該支撐桿的軸孔相連接，使該滾輪體得以相對轉動；<br/>其中，該滾輪體的踏面具有防滑的菱形網面，且該滾輪體的兩端設有強化環，藉以提升結構剛性與穩定性，並在寵物運動時降低噪音。
如請求項1所述之具落地支架之寵物運動滾輪結構，其中，該強化環係以嵌入或套接方式設置於該滾輪體兩端，用以防止滾輪體因受力變形而影響轉動平衡。
如請求項1所述之具落地支架之寵物運動滾輪結構，其中，該軸承組件為靜音軸承。
如請求項1所述之具落地支架之寵物運動滾輪結構，其中，該落地支架之底座是透過鐵線彎折出四個對角的支撐腳。
如請求項4所述之具落地支架之寵物運動滾輪結構，其中，該支撐腳具有倒鉤形狀。
一種可調角度之風扇固定裝置，包含有：<br/>一固定桿，其透過固定螺柱與螺固件安裝於一主機板；<br/>一底板，其以螺絲連接於該固定桿；<br/>一轉軸座，其裝設於該底板上；<br/>一轉動軸，其可轉動地設於該轉軸座；<br/>一風扇基座，其裝設於該轉動軸上，以承載一風扇；以及<br/>一轉動組件，其安裝於該轉軸座上，用於驅動該轉動軸；其特徵在於：<br/>該轉動組件包含一轉動蓋、一轉動體、一轉動螺栓、一彈簧及一驅動齒盤，其中，該轉動體之一端崁合於該轉動蓋內部，該轉動體之另一端與該轉動螺栓以螺旋結合方式連接，該彈簧設於該轉動體與該驅動齒盤之間，以對該驅動齒盤提供軸向推力，該驅動齒盤設於該轉動螺栓前端，該轉動軸上設有一轉動軸齒盤；<br/>藉由旋轉該轉動蓋，帶動該轉動體旋轉，使該轉動螺栓產生軸向位移以迫緊該驅動齒盤之活動狀態，從而迫緊或釋放該驅動齒盤與該轉動軸齒盤，以選擇性形成緊固狀態或放鬆狀態，使該風扇基座可隨該轉動軸轉動以調整角度，並可經該驅動齒盤與該轉動軸齒盤之貼合而固定於所選角度位置。
如請求項1所述之可調角度之風扇固定裝置，其中，該轉動蓋設有一六角形之外露操作面，以供使用者旋轉操作該轉動蓋，以控制該轉動組件之緊固或放鬆。
如請求項1所述之可調角度之風扇固定裝置，其中，該固定桿上設有一第一調整槽，以供螺固件沿該第一調整槽滑移，藉以調整該底板相對於該主機板之位置。
如請求項1所述之可調角度之風扇固定裝置，其中，該底板上設有一第二調整槽，以供該轉軸座沿該第二調整槽滑移，藉以調整該轉軸座相對於該底板之前後位置。
如請求項1所述之可調角度之風扇固定裝置，其中，該風扇基座透過多個磁鐵螺絲進行磁力吸附，利用該等磁鐵螺絲裝配於不同尺寸的風扇上，並依照該等磁鐵螺絲裝配的點位以該等磁鐵螺絲的磁力吸附於風扇基座上。
如請求項1所述之可調角度之風扇固定裝置，其中，該固定桿與該底板可依安裝方向進行直向或橫向配置，以對應不同主機板佈局或散熱環境。
如請求項1所述之可調角度之風扇固定裝置，其中，該彈簧於該驅動齒盤與該轉動體間之彈性變形，可於放鬆操作過程中產生回彈觸覺提示效果，以利使用者確認該轉動組件之操作狀態。
一種紗線染色系統，係適用於將一紗線(21)纏繞於一紙管(22)之外表面所形成的一紗捲(2)進行染色，該紗線染色系統(1)包含： <br/>一紙管拆除區(11)，用於拆除該紗捲(2)上的該紙管(22)，以產生一已抽出紙管之紗捲(2a)； <br/>一加熱前加工區(12)，連接於該紙管拆除區(11)，用於接收自該紙管拆除區(11)所輸送的該已抽出紙管之紗捲(2a)，並利用一包覆件(23)對該已抽出紙管之紗捲(2a)進行一包覆動作，以產生一已包覆之紗捲(2b)； <br/>一加熱區(13)，連接於該加熱前加工區(12)，用於接收自該加熱前加工區(12)所輸送的該已包覆之紗捲(2b)，並對該已包覆之紗捲(2b)進行一預加熱動作，讓該已包覆之紗捲(2b)上的該紗線(21)產生一預加熱收縮狀態，並形成一已預加熱之紗捲(2c)； <br/>一染色前加工區(14)，連接於該加熱區(13)，用於接收自該加熱區(13)所輸送的該已預加熱之紗捲(2c)，並將該已預加熱之紗捲(2c)上的該包覆件(23)拆除，再將該已預加熱之紗捲(2c)上的該紗線(21)重新纏繞至一染色用軟管(24)上，以產生一待染色之紗捲(2d)；以及 <br/>一染色區(15)，連接於該染色前加工區(14)，用於接收自該染色前加工區(14)所輸送的該待染色之紗捲(2d)，並對該待染色之紗捲(2d)進行一染色加熱動作，讓該待染色之紗捲(2d)上的該紗線(21)產生一染色加熱收縮狀態，並形成一已染色之紗捲(2e)。
如請求項1所述之紗線染色系統，其中該紙管(22)拆除區(11)、該加熱前加工區(12)、該加熱區(13)、該染色前加工區(14)與該染色區(15)之間係藉由一輸送系統(16)進行輸送動作。
如請求項1所述之紗線染色系統，其中該加熱區(13)具有一預熱裝置(131)，以用於對該紗線(21)進行該預加熱動作。
如請求項1所述之紗線染色系統，其中該染色區(15)具有一染缸(151)與一染色加熱裝置(1511)，該染缸(151)用於容置複數個該待染色之紗捲(2d)，再藉由該染色加熱裝置(1511)以用於對該待染色之紗捲(2d)上的該紗線(21)進行該染色加熱動作。
如請求項1所述之紗線染色系統，其中該染色用軟管(24)為具有複數個孔洞的塑膠管。
如請求項1所述之紗線染色系統，其中該加熱區(13)執行該預加熱動作的溫度範圍為攝氏85度至攝氏125度。
如請求項1所述之紗線染色系統，其中該預加熱收縮狀態為該紗線(21)的一體積收縮至未加熱體積的4%至30%。
一種鏡頭保護結構，其用以裝設於一手機殼的鏡頭窗上，並用以圍繞一手機的鏡頭；該鏡頭保護結構具有： <br/>一保護片，其用以可拆卸地設置於該手機殼的該鏡頭窗；該保護片具有： <br/> 至少一鏡頭孔，其貫穿形成於該保護片，且該至少一鏡頭孔用以位置上對應於該手機的鏡頭； <br/>複數第一卡合部，其形成於該保護片的周緣，並可拆卸地設置於該鏡頭窗； <br/>一保護環，其用以可拆卸地設置於該手機殼的該鏡頭窗，且該保護片位於該保護環及該手機殼之間；該保護環具有： <br/> 複數第二卡合部，其形成於該保護環朝向該手機殼的一側面；各該第一卡合部可拆卸地卡合於各該第二卡合部。
如請求項1所述之鏡頭保護結構，其中，該等第一卡合部自該保護片的周緣向外突出，該等第二卡合部內凹形成於該保護環朝向該手機殼的一側面。
如請求項1所述之鏡頭保護結構，其中，該保護片具有： <br/>複數嵌合孔，其貫穿形成於該保護片或該等第一卡合部。
如請求項1至3中任一項所述之鏡頭保護結構，其中： <br/>該保護環具有： <br/> 複數鎖固孔，其內凹形成於該保護環朝向該手機殼的一側面； <br/>該鏡頭保護結構具有： <br/> 複數鎖固件，其能穿設於該等鎖固孔，並用以將該保護環可拆卸地設置於該手機殼的該鏡頭窗。
一種手機殼結構，其用以裝設於一手機上；該手機殼結構具有： <br/>一手機殼，其用以裝設於該手機上；該手機殼具有： <br/> 一邊框，其圍繞形成一圈；當該手機殼裝設於該手機上時，該邊框圍繞並貼合該手機的四邊； <br/> 一背板，其連接於該邊框的一側；當該手機殼裝設於該手機上時，該背板位於該手機的背面； <br/> 一鏡頭窗，其貫穿形成於該背板；當該手機殼裝設於該手機上時，該鏡頭窗的位置對應於該手機的鏡頭； <br/>一鏡頭保護結構，其可拆卸地設置於該鏡頭窗，並具有： <br/> 一保護片，其可拆卸地設置於該手機殼的該鏡頭窗的外側面；該保護片具有： <br/> 至少一鏡頭孔，其貫穿形成於該保護片，且該至少一鏡頭孔用以位置上對應於該手機的鏡頭； <br/> 複數第一卡合部，其形成於該保護片的周緣，並可拆卸地設置於該鏡頭窗； <br/> 一保護環，其可拆卸地設置於該手機殼的該鏡頭窗的外側面，且該手機殼及該保護環夾設該保護片；該保護環具有： <br/> 複數第二卡合部，其形成於該保護環朝向該手機殼的一側面；各該第一卡合部可拆卸地卡合於各該第二卡合部。
如請求項5所述之手機殼結構，其中，該等第一卡合部自該保護片的周緣向外突出，該等第二卡合部內凹形成於該保護環朝向該手機殼的一側面。
如請求項5所述之手機殼結構，其中： <br/>該保護環具有： <br/> 複數鎖固孔，其內凹形成於該保護環朝向該手機殼的一側面； <br/>該手機殼具有： <br/> 複數穿孔，其貫穿形成於該背板，並位於該鏡頭窗的周緣； <br/>該手機殼結構具有： <br/> 複數鎖固件，各該鎖固件能同時穿設於各該鎖固孔及各該穿孔，並將該保護環可拆卸地設置於該手機殼的該鏡頭窗。
如請求項7所述之手機殼結構，其中，該手機殼具有： <br/>複數鎖固凹洞，其內凹形成於該背板的內側面，並位於該鏡頭窗的周緣；各該穿孔形成於各該鎖固凹洞中。
如請求項5所述之手機殼結構，其中： <br/>該保護片具有： <br/> 複數嵌合孔，其貫穿形成於該保護片或該等第一卡合部； <br/>該手機殼具有： <br/> 複數嵌合部，其突出形成於該背板的外側面，並能分別穿設於該等嵌合孔。
如請求項5所述之手機殼結構，其中，該手機殼具有： <br/>一環部，其突出形成於該背板的外側面，並圍繞該鏡頭窗；該保護片及該保護環可拆卸地位於該環部中。
如請求項5至10中任一項所述之手機殼結構，其中，該手機殼具有： <br/>一軟質層，其位於該手機殼接近該手機的一面； <br/>一硬質層，其位於該手機殼遠離該手機的一面，並相對於該軟質層。
一種漏水保護系統，適於偵測漏水，包括：<br/> 一光學式漏水感應器，包括：<br/> 一控制器；<br/> 一光發射器，電性連接於該控制器；<br/> 一光接收器，電性連接於該控制器；以及<br/> 一殼體，包括一第一透光斜壁及一第二透光斜壁，其中該第一透光斜壁位於該光發射器所發射出的光線的路徑上，該第二透光斜壁朝向該第一透光斜壁與該光接收器，其中<br/> 當該光發射器所發出的該光線射至該第一透光斜壁，於該第一透光斜壁全反射，而射向該第二透光斜壁，再被該第二透光斜壁全反射而射向該光接收器時，該光接收器接收到一第一光訊號，該控制器判定為一無漏水狀態，<br/> 當該第一透光斜壁的外表面被水覆蓋時，該光發射器所發出的該光線射至該第一透光斜壁，且至少部分的該光線在該第一透光斜壁產生折射，而射出於該第一透光斜壁的外表面，該光接收器接收到相異於該第一光訊號的一第二光訊號，該控制器判定為一漏水狀態。
如請求項1所述的漏水保護系統，其中該光學式漏水感應器的該殼體還包括一底壁，位於該第一透光斜壁及該第二透光斜壁之間，該第一透光斜壁相對於該底壁的夾角介於125度至140度之間，該第二透光斜壁相對於該底壁的夾角介於125度至140度之間。
如請求項1所述的漏水保護系統，其中該光學式漏水感應器還包括一光隔離元件，位於該光發射器與該光接收器之間。
如請求項3所述的漏水保護系統，其中該光隔離元件為一負重塊。
如請求項1所述的漏水保護系統，更包括：<br/> 一三通電磁閥，包括一入口、連通該入口的一第一出口與一第二出口、及一電控開關，其中該入口適於連接至該進水管，該電控開關用以開啟或關閉該第一出口與該第二出口的至少一者，該電控開關訊號連接於該控制器，當該控制器判定為該漏水狀態時，該電控開關關閉該第一出口與該第二出口的該至少一者。
如請求項5所述的漏水保護系統，其中該三通電磁閥的該第二出口設有一快接接頭，該快接接頭包括一套管組件及一旋轉迫緊件，該套管組件包括一出口端緣及朝向該出口端緣的方向口徑漸縮的一內表面，該出口端緣包括一斜坡、被該斜坡隔開且位於不同平面的一第一邊緣及一第二邊緣，該旋轉迫緊件包括一轉鈕及分離的多個爪部，該些爪部伸入該套管組件的內部，該轉鈕位於於該出口端緣旁，且沿著該出口端緣在該第一邊緣與該第二邊緣之間轉動，而使該些爪部遠離該內表面而呈一鬆弛狀態，或是受到該內表面的壓迫而成一內聚狀態。
如請求項6所述的漏水保護系統，其中該套管組件包括一外管及一內管，該外管包括位於管壁上的多個卡孔，該內管包括多個卡勾，該些卡勾分別卡合於該些卡孔，以將該內管固定於該外管，該外管包括該出口端緣，該內管包括朝向該出口端緣且口徑漸縮的該內表面，該內管不超出該第一邊緣。
如請求項7所述的漏水保護系統，其中該第二邊緣比該第一邊緣更遠離該些卡孔，而更凸出於該三通電磁閥的一本體，當該轉鈕位於該第一邊緣旁時，該些爪部離開該內表面，而呈該鬆弛狀態，在該轉鈕沿著該斜坡轉動至該第二邊緣旁的過程中，該旋轉迫緊件往遠離該本體的方向移動，該些爪部逐漸接觸到該內表面，且受到該內表面的壓迫而成該內聚狀態。
如請求項6所述的漏水保護系統，其中該些爪部的每一者包括位於末端的一倒勾，當該轉鈕位於該第二邊緣旁時，該倒勾接觸該內表面，而使該旋轉迫緊件不脫出於該套管組件。
如請求項6所述的漏水保護系統，其中該旋轉迫緊件的該些爪部的每一者的內側設有凸出的一硬質凸出件。
一種校正設備，適用以一標準儀器校正一量測儀器，並包含：<br/> 一升降機構，包括一支上下延伸並能沿自身軸線旋轉的螺桿、至少一支上下延伸的導桿，以及一個上下延伸且圍繞在該螺桿及至少一該導桿外的殼柱；<br/> 一支撐結構，包括一個設置在該升降機構上而可被該升降機構升高或降低的支撐單元，以及兩個設置在該支撐單元上且適用於分別支撐該標準儀器與該量測儀器的定位單元，該等定位單元可供該標準儀器及該量測儀器調整前後位置或上下高度；及<br/> 一限位單元，包括一支上下延伸且位於該殼柱外的導柱、一個設置在該支撐結構上並穿套在該導柱上的穿套件，以及兩個分別位於該導柱頂底兩端的限位件。
如請求項1所述的校正設備，其中，該支撐單元包括一個穿套在該螺桿上的穿套座，該穿套座可被旋轉的該螺桿帶動而能相對該螺桿上下移動。
如請求項2所述的校正設備，其中，該至少一導桿與該螺桿相間隔，該穿套座還穿套在該導桿上。
如請求項2所述的校正設備，其中，該殼柱界定出一上下延伸並供該螺桿設置的內部空間，以及一個上下延伸並連通該內部空間的開口，該穿套座包括一個穿套在該螺桿上並位於該內部空間中的穿套部、一個位於該殼柱外並與該穿套部相間隔的支撐部，以及一個連接於該穿套部及該支撐部間的連接部。
如請求項4所述的校正設備，該支撐單元還包括兩個設置在該支撐部上的支撐座，每一該支撐座供各別的一個該定位單元設置，每一該定位單元可相對各別的一個該支撐座調整前後位置。
如請求項1所述的校正設備，其中，每一該定位單元包括一個設置在該支撐單元上的調整座，以及一個可上下調整高度位置地設置在該調整座上的夾具組。
如請求項6所述的校正設備，其中，每一該調整座形成有一個上下延伸的長形孔，每一該夾具組透過一個插設在各別的一個該長形孔中的組合件設置在各別的一個該調整座上。
如請求項1所述的校正設備，還包含一能控制該升降機構升高或降低該支撐單元的控制系統。
一種可精準微調的油門裝置，包含：<br/> 一外管單元，沿一軸向延伸，並包括一圍繞界定出一外管內孔的外管，該外管具有一主管體，及一螺旋構件，該主管體具有一內管面，該螺旋構件設置於該內管面，該螺旋構件與該內管面配合界定出一與該外管內孔連通的調整螺溝；及<br/> 一調整單元，包括一設置於該外管單元的操作模組，及一設置於該操作模組的切換模組，該操作模組具有一穿入該外管內孔並圍繞界定出一軸孔的軸管部，及一與該軸管部連接的操作鈕部，該軸管部並形成有一連通該軸孔與該外管內孔的卡珠孔，該操作鈕部形成有一與該軸孔連通的容槽，該切換模組具有一切換軸、一彈性件，及一卡珠，該切換軸具有一通過該容槽並穿入該軸孔的軸桿部，及一與該軸桿部連接並與該操作鈕部銜接的壓鈕部，該軸桿部形成有一對應於該卡珠孔的珠槽，該珠槽具有一淺槽部，及一徑向深度深於該淺槽部的深槽部，該彈性件抵接於該操作鈕部與該壓鈕部之間，該卡珠設置於該珠槽，並嵌入該卡珠孔，該切換軸沿著該軸向可相對於該操作模組在一迫壓位置與一釋放位置之間移動，當該切換軸在該迫壓位置時，該卡珠位於該淺槽部，並從該卡珠孔凸出至與該調整螺溝銜接，當該切換軸在該釋放位置時，該卡珠位於該深槽部，並脫出該調整螺溝，該彈性件具有驅使該切換軸朝該迫壓位置移動的勢能。
如請求項1所述的可精準微調的油門裝置，其中，當該切換軸在該迫壓位置且該調整單元相對於該外管單元繞該軸向轉動時，該卡珠沿著該調整螺溝移動，該調整單元可相對於該外管單元螺進或螺退，當該切換軸在該釋放位置時，該調整單元可相對於該外管單元沿著該軸向移動。
如請求項1所述的可精準微調的油門裝置，其中，該主管體的內管面形成有一內螺溝，該螺旋構件螺設於該內螺溝。
如請求項3所述的可精準微調的油門裝置，其中，該螺旋構件是一種螺旋彈簧。
如請求項3所述的可精準微調的油門裝置，其中，該外管單元還包括一螺鎖於該主管體的後端的管頭，及一抵接件，該管頭形成有一與該外管的外管內孔連通的管頭內孔，該抵接件設置於該管頭內孔內，並形成有一與該外管內孔連通的穿孔，該抵接件與該管頭抵接，並擋止該螺旋構件，該操作模組的軸管部通過該管頭內孔與該穿孔，以穿入該外管內孔。
如請求項1所述的可精準微調的油門裝置，其中，該外管還具有一與該主管體的前端連接的前管體。
如請求項1所述的可精準微調的油門裝置，其中，該操作模組還具有一設置於該軸管部的前端的球頭部，該調整單元還包括一設置於該外管的外管內孔內的連繩件，該連繩件形成有一銜接槽，該球頭部與該銜接槽嵌卡。
如請求項1所述的可精準微調的油門裝置，其中，該彈性件是一種壓縮彈簧。
一種保障資訊整合系統，適用於一第一使用者端裝置，並包含：<br/> 一通訊裝置，用於提供連網功能；<br/> 一儲存裝置，儲存有一保障資訊整合平台，該保障資訊整合平台提供對應多個銷售通路的多個保障資訊，該等保障資訊包括對應多個保險商品的多個保障細項與多個計算公式，及多個保障分類，及每一該保障分類所包括的多個保障細項與多個特殊條件，及對應該等銷售通路的多個操作畫面與多個報表；及<br/> 一處理裝置，電連接該通訊裝置及該儲存裝置，並經由該通訊裝置與該第一使用者端裝置建立連線而形成電連接，使得該第一使用者端裝置藉由對應每一該銷售通路的一使用者操作該保障資訊整合平台而選擇該等保障資訊，進而產生對應該保險商品的該操作畫面及該報表。
如請求項1所述的保障資訊整合系統，其中，該保障資訊整合平台是藉由一應用程式介面(Application Pro- gramming Interface，API)提供該第一使用者端裝置呼叫與回傳結果。
如請求項2所述的保障資訊整合系統，其中，當該銷售通路是一客戶通路時，該使用者是一客戶，而當該銷售通路是一業務員通路時，該使用者是一業務人員，而當該銷售通路是一保代通路時，該使用者是一理專人員，而當該銷售通路是一團險通路時，該使用者是一學校人員或一公司人員。
如請求項2所述的保障資訊整合系統，還適用於一第二使用者端裝置，藉由一商品企劃單位使用，並經由該通訊裝置與該處理裝置建立連線而形成電連接，以在該保障資訊整合平台建立對應該等保險商品的該等保障細項與該等計算公式。
如請求項3所述的保障資訊整合系統，還適用於一第三使用者端裝置，藉由一業務企劃單位使用，並經由該通訊裝置與該處理裝置建立連線而形成電連接，以在該保障資訊整合平台制定該等保障分類，及每一該保障分類所包括的該等保障細項與該等特殊條件，及對應該等銷售通路的該等操作畫面與該等報表。
一種護欄結構，包含有：<br/> 一對分別設置於兩側的側支架；<br/> 一第一主擋臂，其為橫向設置，一端藉由一樞軸部樞接於該相應側支架；<br/> 一第二主擋臂，其為橫向設置，一端聯結於該相應側支架；<br/> 一鎖固機構，其設有一按壓開關並藉此切換解鎖狀態與卡掣狀態，且其可樞轉地設置於該第一主擋臂與該第二主擋臂之間，以使該第一、第二主擋臂形成可摺收結構；<br/> 當該鎖固機構之按壓開關為卡掣狀態時，護欄為展開態樣；其進行解鎖狀態操作時，可樞轉地帶動該第一主擋臂與第二主擋臂朝同一方向傾斜，以預定角度進行摺收，同時該對側支架藉由其樞軸部之連動與相應的聯結，使側支架及第一、第二主擋臂得以協同傾斜靠攏以預定角度進行摺收，從而縮短護欄之收納距離。
如請求項1所述之護欄結構，其中，該鎖固機構包括：一外殼，其內形成一滑槽及一止擋壁；一轉動設於該滑槽內之卡鉤，且該滑槽提供該卡鉤轉動之範圍；一掣動桿，其一端受彈簧彈力作用並插入該卡鉤之一缺口中；以及一連動體，其與一按壓開關相連接，且能於按壓時帶動所述掣動桿脫離該缺口，以使第二連桿得以相對第一連桿轉動，從而解除鎖固狀態。
如請求項2所述之護欄結構，其中，該卡鉤具有上止擋部與下止擋部，當護欄處於展開狀態時，上止擋部抵頂於所述止擋壁之一側以限制轉動；當護欄處於收折狀態時，下止擋部抵頂於所述止擋壁之另一側以定位收折終點。
如請求項2或3所述之護欄結構，其中，該連動體為T形結構，其橫桿端之一端與所述按壓開關連接，另一端則樞接於所述掣動桿，直桿端為固定軸設置於所述外殼。
如請求項1所述之護欄結構，其中，該側支架之下端分別設有樞接機構，以樞設連接於平台或床體，使得該護欄結構可沿傾角方向摺收。
如請求項1所述之護欄結構，其中，該對側支架朝向該第一、第二主擋臂方向設有一轉折部，以縮短摺收的動作行程。
如請求項1所述之護欄結構，其中，該第一、第二主擋臂下方依序且間隔地設有至少一副橫向擋桿，該副橫向擋桿其兩端分別藉由該樞軸部樞接於所述側支架之相應位置，以使該副橫向擋桿在收摺時得以相對轉動。
如請求項7所述之護欄結構，其中，該樞軸部與該側支架之間設有一延伸段，該延伸段一端聯結於側支架，另一端樞設於該樞軸部，且於展開態樣時該延伸段與該副橫向擋桿位於同一水平位置，在收摺時該延伸段與該副橫向擋桿得以相對轉動。
一種電子裝置接線部位的防水結構，該電子裝置接線部位設於一電子裝置殼體，該電子裝置接線部位具有一出線口，該防水結構包含：<br/> 一第一軟質件及一第二軟質件，該第一軟質件與該第二軟質件配合，該第一軟質件組接該電子裝置殼體，並具有一第一穿線結構，該第一穿線結構位於該出線口，該第二軟質件具有一第二穿線結構，該第一穿線結構與該第二穿線結構分別成形一容置空間及一穿線基座，該穿線基座設於該容置空間並具有一穿線部，該穿線部提供一線材由該出線口穿出時設置其上，該第一穿線結構與該第二穿線結構中設有該容置空間者成形一阻水壓條，該阻水壓條位在該容置空間內；以及<br/> 一頂板，位在該第二軟質件上方並組接該電子裝置殼體，該頂板設有一壓制部；<br/> 其中，該頂板組接該電子裝置殼體後，該壓制部壓迫該第二軟質件，該阻水壓條抵於該穿線基座上以實現防水。
如請求項1所述的電子裝置接線部位的防水結構，其中，該第一穿線結構與該第二穿線結構其中之一成形二定位凸台，該二定位凸台界定出該容置空間。
如請求項2所述的電子裝置接線部位的防水結構，其中，該二定位凸台的每一成形至少一輔助穿線部，該輔助穿線部提供該線材設於該穿線部時設置其上。
如請求項3所述的電子裝置接線部位的防水結構，其中，該輔助穿線部與該穿線部共同形成至少一穿線通道，該穿線通道為直線。
如請求項4所述的電子裝置接線部位的防水結構，其中，該穿線通道為複數，複數該穿線通道的截面積不同。
如請求項1至4任一項所述的電子裝置接線部位的防水結構，其中，該第一穿線結構與該第二穿線結構其中之一成形一可拆式塞件，該可拆式塞件與該穿線部配合。
如請求項6所述的電子裝置接線部位的防水結構，其中，該可拆式塞件具有一本體及一接線，該本體選擇性自該穿線部拆卸，該接線連接該本體與該穿線基座。
如請求項1至4任一項所述的電子裝置接線部位的防水結構，其中，該第二軟質件與該頂板分別設有至少一開孔及至少一定位塊，該定位塊設於該開孔內。
如請求項8所述的電子裝置接線部位的防水結構，其中，該第二軟質件覆蓋該出線口，且面積大於等於該出線口。
如請求項1至4任一項所述的電子裝置接線部位的防水結構，其中，該第一軟質件具有一安裝結構，該安裝結構與該第一穿線結構一體成形，該安裝結構成形至少一安裝腳，該安裝腳與該電子裝置殼體組接。
如請求項10所述的電子裝置接線部位的防水結構，其中，該電子裝置殼體與該安裝腳分別成形至少一定位柱及至少一安裝口，該定位柱組裝於該安裝口。
一種適用於車輛的減振後軸裝置，該車輛具有一車架，該減振後軸裝置包含：<br/> 一外管單元，沿一左右方向延伸，並適用於設置於該車架；<br/> 一傳動軸單元，可轉動地設置於該外管單元；<br/> 一驅動單元，包括一設置於該外管單元並與該傳動軸單元連接的傳動模組，及一設置於該傳動模組並平行於該外管單元的電動馬達，該電動馬達用於經由該傳動模組驅動該傳動軸單元；及<br/> 一減振單元，適用於連接於該車架與該電動馬達之間。
如請求項1所述的適用於車輛的減振後軸裝置，其中，該電動馬達在一前後方向上位於該外管單元之前，該電動馬達具有一馬達主體，該減振單元適用於連接於該車架與該馬達主體之間，該馬達主體在該左右方向上具有一主體寬度，該減振單元與該馬達主體的連接處鄰近於該主體寬度的二分之一處。
如請求項2所述的適用於車輛的減振後軸裝置，其中，該減振單元包括一適用於設置於該車架的第一樞接件、一設置於該馬達主體的第二樞接件，及一樞接於該第一樞接件與該第二樞接件之間的避震器。
如請求項3所述的適用於車輛的減振後軸裝置，其中，該第二樞接件鄰近於該主體寬度的二分之一處。
如請求項3所述的適用於車輛的減振後軸裝置，其中，該避震器從該第二樞接件朝前延伸出。
如請求項3所述的適用於車輛的減振後軸裝置，其中，該避震器具有一與該第一樞接件樞接的缸體、一可伸縮地設置於該缸體並與該第二樞接件樞接的活塞桿，及一抵接於該缸體與該活塞桿之間的彈簧。
如請求項6所述的適用於車輛的減振後軸裝置，其中，該避震器是一種氣壓式避震器。
一種具外露金屬結構之插接部，係應用至一連接器，包括：<br/> 一插接本體，係由絕緣材料形成，其呈板狀結構，且沿垂直軸方向延伸；<br/> 一金屬隔板，係設置於該插接本體中，且其頂端的水平位置會超出該插接本體之頂端的水平位置，以形成一第一外露區域；及<br/> 一端子組件，係設置於該插接本體中，且位於該金屬隔板的一側，其包含：<br/> 一金屬波浪件，其沿橫軸方向交錯形成複數個波谷部與複數個波峰部，且各該波谷部之內側直接貼靠至該金屬隔板的一側，用以形成導通接地路徑，其中，該金屬波浪件頂端的水平位置會超出該插接本體之頂端的水平位置，以形成一第二外露區域；<br/> 複數支訊號端子，係對應於各該波谷部的位置；及<br/> 複數支接地端子，係對應於各該波峰部的位置。
如請求項1所述之插接部，其中，該插接本體之一側沿橫軸方向設有複數個訊號端子槽與複數個接地端子槽，各該訊號端子槽用以容納各該訊號端子，各該接地端子槽用以容納各該接地端子。
如請求項2所述之插接部，其中，該插接本體對應於該接地端子槽的位置，設有至少一貫穿孔，該接地端子係透過該貫穿孔而直接接觸該波峰部。
如請求項3所述之插接部，其中，該接地端子與該金屬隔板之底端區域，均超出該插接本體之底面。
如請求項4所述之插接部，還包含一底座，該底座係設置於該插接本體之底部，且至少覆蓋住該金屬隔板超出該插接本體的底端區域。
如請求項5所述之插接部，該底座之一側設有複數個凹穴，各該凹穴分別與各該接地端子槽相連通，且各該接地端子之底端係延伸至各該凹穴。
如請求項1至6任一項所述之插接部，其中，該波谷部之頂端的水平位置，高於該訊號端子之頂端的水平位置。
如請求項1至6任一項所述之插接部，其中，該接地端子沿垂直軸方向之整體長度，大於該訊號端子沿垂直軸方向之整體長度。
如請求項1至6任一項所述之插接部，還包含與該端子組件具有相同元件配置之另一端子組件，且該另一端子組件設置於該金屬隔板的另一側，並貼靠於該金屬隔板的另一側。
如請求項1至6任一項所述之插接部，其中，該金屬隔板之頂端的最高水平位置，高於該金屬波浪件之頂端的最高水平位置。
如請求項1至6任一項所述之插接部，其中，該訊號端子與該接地端子背對該金屬隔板的外表面，實質上保持齊平。
如請求項1至6任一項所述之插接部，其中，該訊號端子與該接地端子之局部係分別嵌設於該插接本體中。
如請求項1至6任一項所述之插接部，其中，該插接本體包含一上構件與一下構件，該上構件組裝至該下構件的頂側，且該接地端子之上部區域能外露出該上構件，該接地端子之下部區域能外露出該下構件。
如請求項13所述之插接部，其中，該訊號端子之上部區域能外露出該上構件，該訊號端子之下部區域能外露出該下構件。
一種具外露金屬結構之連接器，包括：<br/> 一本體部，其設有一容納空間；及<br/> 如請求項1至14任一項之插接部，係組裝至該本體部，且位於該容納空間中。
一種具雙側金屬接地件之端子組件，係應用至一連接器，包括：<br/> 一絕緣座；<br/> 複數支訊號端子，係組裝至該絕緣座，並沿一第一方向排列；<br/> 複數支接地端子，係組裝至該絕緣座，並沿該第一方向排列，各該接地端子之外側設有至少一外突出部，各該接地端子之內側設有至少一內突出部，且各該外突出部與各該內突出部之至少部分區域，分別延伸超出各該訊號端子於相對位置上的外輪廓；<br/> 一外側接地件，係設置於各該接地端子之外側，並沿該第一方向延伸，且該外側接地件僅電氣連接至各該外突出部，而不接觸各該訊號端子；及<br/> 一內側接地件，係設置於各該接地端子之內側，並沿該第一方向延伸，且該內側接地件僅電氣連接至各該內突出部，而不接觸各該訊號端子。
如請求項1所述之端子組件，其中，該接地端子係區分為：<br/> 一接地接觸段，用以接觸一對接連接器之對接接地介面；<br/> 一接地固定段，用以電氣連接至一傳輸載體之載體接地介面；及<br/> 一接地中繼段，分別銜接該接地接觸段與該接地固定段；<br/> 其中，該接地固定段與該接地中繼段的至少其中之一設有該外突出部；該接地中繼段設有該內突出部。
如請求項2所述之端子組件，其中，該接地中繼段之至少部分係嵌設於該絕緣座中。
如請求項3所述之端子組件，其中，各該外突出部位於該絕緣座中，且至少局部暴露出該絕緣座之外，並與該外側接地件相電氣連接。
如請求項4所述之端子組件，其中，該接地端子之立體構形實質上呈L狀。
如請求項5所述之端子組件，其中，該接地固定段與該接地中繼段均分別設有各該外突出部，該外側接地件之立體構形實質上呈L狀，並組裝於該絕緣座之外，且與各該外突出部相電氣連接。
如請求項5所述之端子組件，其中，該內側接地件係嵌設於該絕緣座中，並與各該內突出部相電氣連接。
如請求項2至7任一項所述之端子組件，其中，該訊號端子係區分為：<br/> 一訊號接觸段，係位於與該接地接觸段相對的位置，用以接觸一對接連接器之對接訊號介面；<br/> 一訊號固定段，係位於與該接地固定段相對的位置，用以電氣連接至一傳輸載體之載體訊號介面；及<br/> 一訊號中繼段，係位於與該接地中繼段相對的位置，分別銜接該訊號接觸段與該訊號固定段。
如請求項8所述之端子組件，其中，該訊號中繼段之至少部分係嵌設於該絕緣座中。
一種具雙側金屬接地件之連接器，包括：<br/> 一本體部，係設有一容納空間；及<br/> 如請求項1至9任一項所述之至少一端子組件，係組裝至該本體部，且位於該容納空間中。
一種員工持股信託管理系統，適用於一使用者端裝置，並包含： 一處理單元，電連接該使用者端裝置；及 一儲存單元，電連接該處理單元，並儲存一對應於一員工的員工持股資料及多個對應於多個提撥次數的違約比例，該員工持股資料包括一對應於一公提類別的公提持股股數及一對應於該公提類別的員工提撥次數； 在該處理單元接收到來自該使用者端裝置的一領回請求後，該處理單元根據與該員工提撥次數相符的該提撥次數所對應的該違約比例作為一指定違約比例； 該處理單元根據對應於該公提類別的該公提持股股數及該指定違約比例以分別產生一員工公提領回股數及一公司領回違約股數。
如請求項1所述的員工持股信託管理系統，其中，該儲存單元還儲存一對應於一自提類別的自提持股股數，其中，該領回請求包含對應該公提類別的該公提持股股數及對應該自提類別的一自提欲領回股數； 該處理單元根據對應於該公提類別的該公提持股股數及該指定違約比例分別產生該員工公提領回股數及該公司領回違約股數，其中，該處理單元將該公提持股股數乘上該指定違約比例以計算出該公司領回違約股數，並將該公提持股股數扣除該公司領回違約股數以計算出該員工公提領回股數； 該處理單元根據對應於該自提類別的該自提欲領回股數產生一對應於該自提類別的員工自提領回股數。
如請求項1所述的員工持股信託管理系統，其中，該儲存單元還儲存一對應於該員工的員工帳戶資料，該員工帳戶資料包括一帳上現金金額； 在該處理單元接收到來自該使用者端裝置的該領回請求後，該處理單元判斷該帳上現金金額是否小於一手續費金額； 當該處理單元判斷出該帳上現金金額小於該手續費金額時，產生一對應於該員工的應付金額。
如請求項1所述的員工持股信託管理系統，其中，該儲存單元還儲存一委託人無法領回清冊及一對應於該員工的員工基本資料，該委託人無法領回清冊包括多個委託人基本資料； 當該處理單元判斷該員工基本資料與該等委託人基本資料的每一者皆不相符時，該處理單元提供一包含一領回元件的交易指示介面至該使用者端裝置，其中，該領回元件處於一可執行狀態； 當該領回元件處於該可執行狀態時，該處理單元可提供一包含對應於該公提類別的該公提持股股數的持股介面至該使用者端裝置，以從該使用者端裝置接收該領回請求。
如請求項1所述的員工持股信託管理系統，其中，在該處理單元計算出該指定違約比例後； 該處理單元傳送一包含該指定違約比例的提醒訊息至該使用者端裝置； 在該處理單元接收到一來自該使用者端裝置並對應於該提醒訊息的再確認指令後，該處理單元根據對應於該公提類別的該公提持股股數及該指定違約比例分別產生該員工公提領回股數及該公司領回違約股數。
一種收折式床架，適用於承載一床墊，並包含：<br/> 一第一床架單元，包括一第一床板、兩個側壁結構及一樞軸，該第一床板沿一寬度方向與一長度方向延伸，該等側壁結構分別連接於該第一床板在該寬度方向上的兩側，各該側壁結構的表面向內凹陷形成一收納空間，該樞軸的兩端分別連接於該等側壁結構；及<br/> 一第二床架單元，可轉動地銜接於該樞軸，並包括一第二床板及兩個收納擋板，該第二床板與該第一床板在該長度方向上排列設置並共同承載該床墊，該等收納擋板分別連接於該第二床板在該寬度方向上的兩側，<br/> 其中，該第二床架單元能夠以該樞軸為軸心轉動而在一使用狀態及一收納狀態之間變換；當該第二床架單元處於該使用狀態時，該等收納擋板位於該等收納空間外，且該第二床板沿該寬度方向與該長度方向延伸，使該床墊平鋪；當該第二床架單元處於該收納狀態時，該等收納擋板的一部分分別插入該等收納空間中，且該第二床板沿該寬度方向與一高度方向延伸，使該床墊彎折。
如請求項1所述的收折式床架，其中，各該側壁結構具有一內擋板及一外擋板，該等內擋板分別連接於該第一床板在該寬度方向上的兩側，該等外擋板分別位於該等內擋板遠離該第一床板的一側外，各該側壁結構的該內擋板與該外擋板在該寬度方向上相互間隔並界定出該收納空間，該樞軸在該長度方向上位於該第一床板與該第二床板之間。
如請求項2所述的收折式床架，其中，該第二床架單元還包括一設置於該第二床板鄰近該第一床板的一側的活動套管，該活動套管可活動地套設於該樞軸，使該第二床架單元能夠以該樞軸為軸心轉動。
如請求項3所述的收折式床架，其中，該第一床架單元還包括二設置於該第一床板鄰近該第二床板的一側且套設於該樞軸的固定套管，該等固定套管分別位於該活動套管在該寬度方向上的兩側外，且該等固定套管在該寬度方向上的尺寸小於該活動套管在該寬度方向上的尺寸。
如請求項3所述的收折式床架，還包含一保護件，其中，該保護件貼合於該第一床板與該第二床板鄰近該床墊的一面且遮蔽該活動套管與該第一床板之間的空隙。
如請求項2所述的收折式床架，包含兩個該第二床架單元，其中，該第一床架單元包括兩個該樞軸，該等樞軸分別位於該第一床板在該長度方向上的兩側外；各該側壁結構還具有一位於該內擋板與該外擋板之間的分隔塊，該分隔塊與該內擋板、該外擋板共同界定出在該長度方向上排列的兩個該收納空間；該等第二床架單元分別可轉動地銜接於該等樞軸，該等第二床架單元的該第二床板分別位於該第一床板在該長度方向上的兩側外，並與該第一床板共同承載該床墊；各該第二床架單元能夠以該樞軸為軸心轉動而在一使用狀態及一收納狀態之間變換；當該等第二床架單元處於該使用狀態時，該等第二床架單元的該等收納擋板位於相鄰的該等收納空間外，且該等第二床架單元的該第二床板沿該寬度方向與該長度方向延伸，使該床墊平鋪；當該等第二床架單元處於該收納狀態時，該等第二床架單元的該等收納擋板的一部分分別插入相鄰的該等收納空間中，且該等第二床架單元的該第二床板沿該寬度方向與該高度方向延伸，使該床墊的兩側彎折。
如請求項1所述的收折式床架，其中，該收納空間具有一形成於該側壁結構的頂面的上開口，及一形成於該側壁結構在該長度方向上鄰近該第二床架單元的一側面的側開口，該側開口與該上開口相鄰的一側相互連通；各該收納擋板具有一與該第二床板的表面平行且間隔的上表面，及一自該上表面朝該第二床板延伸的側表面；當該第二床架單元處於該使用狀態時，該等上表面朝上，且該等側表面分別對準該等側開口；在該第二床架單元由該使用狀態變換成該收納狀態的過程中，該第二床板遠離該樞軸的一側以該樞軸為軸心朝上且朝靠近該第一床架單元的方向轉動，使該等側表面分別經由該等側開口插入該等收納空間並移動至面朝下，且該等上表面的一部分分別經由該等上開口插入該等收納空間並移動至面朝該長度方向。
一種發光結構，包括：平面光源組件，提供一平面光源；擴散件，罩覆於所述平面光源組件上，所述擴散件具有擴散腔體，所述擴散腔體接收所述平面光源的光線並將其轉換為立體光源；以及頂蓋，套設於所述擴散件的外側，所述頂蓋上開設有至少一窗口，所述立體光源的光線通過所述窗口向外射出以形成立體光效。
如請求項1所述的發光結構，其中所述平面光源組件包括：電路板組件板；以及多個發光二極體，陣列設置於所述電路板組件板上，透過所述發光二極體提供所述平面光源。
如請求項2所述的發光結構，更包括底座，環繞所述電路板組件板設置，所述底座的頂面高於所述電路板組件板的頂面，所述擴散件裝設於所述底座的所述頂面上。
如請求項3所述的發光結構，其中所述擴散件包括頂板及側板，所述側板的一端圍設連接於所述頂板以形成所述擴散腔體，所述側板的另一端裝設於所述底座的所述頂面上。
如請求項4所述的發光結構，其中所述頂蓋的頂部開設有對位於所述頂板的第一窗口，所述第一窗口連通所述擴散腔體，所述發光結構還包括導光件，設置於所述頂板上且對位於所述第一窗口，所述導光件引導所述立體光源的部分光線射向所述第一窗口。
如請求項5所述的發光結構，更包括第一銘牌，設置於所述導光件上，所述頂蓋的所述頂部具有一環台部，所述環台部抵壓所述第一銘牌，以將所述第一銘牌及所述導光件固定於所述頂板上，所述導光件引導所述立體光源的部分光線射向所述第一銘牌。
如請求項4所述的發光結構，其中所述頂蓋的至少一側部上開設有至少一第二窗口，所述第二窗口連通所述擴散腔體，所述立體光源的部分光線射向所述第二窗口。
如請求項7所述的發光結構，更包括至少一第二銘牌，設置於所述第二窗口上，所述立體光源的部分光線射向所述第二銘牌。
如請求項1所述的發光結構，其中所述擴散件為透明壓克力材質、透明聚碳酸酯(PC)材料摻有有機擴散粉材質、無機擴散粉材質中的一者。
如請求項5所述的發光結構，其中所述導光件的頂面的部分向所述導光件的底面凹陷延伸形成一立體造型。
一種散熱裝置，包括：散熱泵；以及如請求項1-10中任一項所述的發光結構，所述發光結構裝設於所述散熱泵上。
一種具有多波段之LED裝置，包含：<br/> 一支架，其具有一凹杯形狀；<br/> 一發光元件，其設置於該支架的一底面；及<br/> 一光轉換元件，其係填充於該支架的內部形成一層體並覆蓋該發光元件，該光轉換元件係由第一螢光粉、第二螢光粉、第三螢光粉及膠體所組成；其中，該第一螢光粉為β-型SiAlON螢光粉及／或矽酸鹽螢光粉，該第二螢光粉為KSF螢光粉，KSF螢光粉的通式為K<sub>2</sub>（XI<sub>i</sub>Mn<sub>j</sub>）F<sub>6</sub>，XI選自以下群組：Ge、Si、Sn及Ti，且i+j=1，該第三螢光粉為氮化物紅色螢光粉； <br/> 其中，該第三螢光粉與該第一螢光粉的重量比為0.008：1至0.4：1。
如請求項1所述之LED裝置，其中該光轉換元件的厚度為0.33毫米至0.45毫米。
如請求項2所述之LED裝置，其中該光轉換元件的厚度為0.38毫米至0.4毫米。
如請求項2所述之LED裝置，其中該發光元件係為一藍光二極體晶片，該發光元件的一頂面至該光轉換元件的一頂面之間的垂直距離為0.13毫米至0.37毫米。
如請求項2所述之LED裝置，其中該支架的內部深度為0.33毫米至0.45毫米。
如請求項2所述之LED裝置，其中該支架的一頂部開口的面積為3.512平方毫米至9.568平方毫米。
如請求項1所述之LED裝置，其中該發光元件係為一藍光二極體晶片，該發光元件的一頂面至該光轉換元件的一頂面之間的垂直距離為0.13毫米至0.37毫米。
如請求項1所述之LED裝置，其中該支架的內部深度為0.33 毫米至0.45毫米。
如請求項1所述之LED裝置，其中該支架的一頂部開口的面積為3.512平方毫米至9.568平方毫米。
一種直流無刷馬達的斷電煞車電路，包含：<br/>一驅動單元，用於輸出複數個驅動訊號；<br/>複數個第一開關元件，接收該些驅動訊號以控制一馬達的運作，且包含複數個上橋臂開關元件與複數個下橋臂開關元件；以及<br/>一煞車控制模組，電性連接該些第一開關元件，且包含：<br/>複數個第二開關元件，電性連接該些下橋臂開關元件；<br/>複數個釋能單元，每個該些釋能單元電性連接每個該些第二開關元件；以及<br/>至少一儲能單元，電性連接該些釋能單元；<br/>其中，當一輸入電源斷開時，該些第二開關元件截止，使該些下橋臂開關元件斷開，該至少一儲能單元所儲存之電荷通過該釋能單元釋放，以導通該些下橋臂開關元件，使該馬達之相線形成短路迴圈，以達到該馬達的斷電煞車。
如請求項1所述之斷電煞車電路，其中，該些第一開關元件為功率金屬氧化物半導體場校電晶體(Power MOSFET)，該些第二開關元件為小功率MOSFET或三極體所構成。
如請求項1所述之斷電煞車電路，其中，該些釋能單元為電阻，該至少一儲能單元為電容。
如請求項1所述之斷電煞車電路，更包含一電源管理單元，電性連接該輸入電源與該驅動單元，其用於將該輸入電源轉換並穩壓為該驅動單元所需之不同電壓，且可隔離雜訊。
如請求項1所述之斷電煞車電路，更包含一齊納二極體，電性連接於該輸入電源的供電路徑上，當該輸入電源超過一安全閥值，該齊納二極體可提供該些第二開關元件的偏壓電壓在該安全閥值內。
如請求項1所述之斷電煞車電路，其中，該馬達為一單相電機。
如請求項1所述之斷電煞車電路，其中，該些第二開關元件的數量為至少兩個。
如請求項1所述之斷電煞車電路，其中，該煞車控制模組設置在一晶片上。
一種充電用電連接器母座，包括：<br/> 一金屬外殼，係包含一前開口；<br/> 一絕緣座體，係設置在該金屬外殼內，其一前側向該金屬外殼的該前開口延伸一舌片；<br/> 一金屬中隔板，係橫向嵌入該舌片，該金屬中隔板的一本體位在該舌片內且靠近該舌片的一前側係形成一增強部，該增強部的高度較該本體的厚度大；以及<br/> 一第一充電端子組，係設置於該舌片的第一表面。
如請求項1所述之充電用電連接器母座，其中該增強部係呈一鉤部，或分別向上、向下交錯延伸而形成多個凸包。
如請求項1或2所述之充電用電連接器母座，係進一步包含一第二充電端子組，該第二充電端子組係設置於該舌片的第二表面，該第二表面係與該第一表面相對。
如請求項3所述之充電用電連接器母座，其中各該第一及第二充電端子組係包含：<br/> 一正電極端子；<br/> 二負電極端子，係分別位在該正電極端子二側；以及<br/> 一訊號端子，係位在該正電極端子及其中一負電極端子之間。
如請求項4所述之充電用電連接器母座，其中該訊號端子的一前端係較該正電極端子的一前端遠離該舌片的該前側。
如請求項5所述之充電用電連接器母座，其中各該負電極端子之一前端較該正電極端子之一前端更靠近該舌片的一前側。
如請求項6所述之充電用電連接器母座，其中該正電極端子係較各該負電極端子寬。
如請求項7所述之充電用電連接器母座，其中該正電極端子的一後端、該二負電極端子之二後端及該訊號端子的一後端係向後穿出該絕緣座體，且該些後端之間保持一第一間距，該第一間距係大於該正電極端子、該二負電極端子及該訊號端子位在該第一表面及該第二表面上的第二間距。
如請求項4所述之充電用電連接器母座，其中並排於該訊號端子的二側的該正電極端子及該負電極端子，其朝向該訊號端子的一側於遠離該舌片的前端的非接觸段分別向內縮一凹部。
如請求項8所述之充電用電連接器母座，其中並排於該訊號端子二側的該正電極端子及該負電極端子，其朝向該訊號端子的一側於遠離該舌片的前端的一非接觸區分別向內縮一凹部。
一種彈片結構，其包括：<br/> 一環形本體，定義有貫穿所述環形本體的中心的一中心軸線；<br/> 多個接地腳，形成於所述環形本體的側部；以及<br/> 多個彈片，形成於所述環形本體且向中心軸線延伸； <br/> 其中，多個所述彈片能受一定位銷釘擠壓向所述環形本體遠離多個所述接地腳的方向產生形變，並且產生形變的多個所述彈片能共同夾持所述定位銷釘。
如請求項1所述的彈片結構，其中，各個所述彈片向所述環形本體的中心延伸的一延伸距離大於所述環形本體的一半徑的四分之一。
如請求項1所述的彈片結構，其中，各個所述彈片具有至少一夾持邊緣，並且至少一所述夾持邊緣位於所述環形本體的內側。
如請求項3所述的彈片結構，其中，所述夾持邊緣的數量為一個，並且所述夾持邊緣呈弧狀。
如請求項3所述的彈片結構，其中，所述夾持邊緣的數量為兩個，並且兩個所述夾持邊緣之間形成的一夾角不大於150度。
如請求項3所述的彈片結構，其中，所述夾持邊緣的數量為三個，並且任兩個相鄰的所述夾持邊緣之間形成的一夾角為90度。
如請求項1所述的彈片結構，進一步包含多個翼板，各個所述翼板位於對應的其中一個所述接地腳的一端且向遠離所述中心軸線的方向延伸。
如請求項1所述的彈片結構，其中，多個所述彈片與多個所述接地腳在所述環形本體上呈交錯設置。
一種電路板組件，其包括：<br/> 一底殼，其包含：<br/> 一底壁；<br/> 多個第一側壁，連接於所述底壁；其中，所述底壁與多個所述第一側壁圍繞形成有一容置空間；及<br/> 一定位銷釘，凸出於所述底壁；<br/> 一電路板，設置於所述容置空間；其中，所述電路板具有位置上對應於所述定位銷釘的一定位孔；以及<br/> 一彈片結構，部分地設置於所述定位孔中且安裝於所述定位銷釘；其中，所述彈片結構包含：<br/> 一環形本體，定義有貫穿所述環形本體的中心的一中心軸線；<br/> 多個接地腳，形成於所述環形本體的側部；及<br/> 多個彈片，形成於所述環形本體且向中心軸線延伸；<br/> 其中，多個所述彈片受所述定位銷釘擠壓向所述環形本體遠離多個所述接地腳的方向產生形變，並且產生形變的多個所述彈片共同夾持所述定位銷釘。
如請求項9所述的電路板組件，進一步包含一頂蓋；其中，所述頂蓋包含一頂壁及連接於所述頂壁的多個第二側壁；其中，所述頂蓋的多個所述第二側壁能與所述底殼的多個所述第一側壁卡合。
如請求項10所述的電路板組件，其中，所述底殼的各個所述第一側壁具有多個凸塊，所述頂蓋的各個所述第二側壁具有多個穿孔，並且各個所述穿孔能卡合於對應的其中一個所述凸塊。
如請求項11所述的電路板組件，其中，各個所述凸塊突出於所述第一側壁的一最大距離是介於0.8毫米至1.2毫米之間，並且各個所述穿孔的一深度是介於1.3毫米至1.7毫米之間。
如請求項9所述的電路板組件，其中，各個所述彈片向所述環形本體的中心延伸的一延伸距離大於所述環形本體的一半徑的四分之一。
如請求項9所述的電路板組件，其中，各個所述彈片具有至少一夾持邊緣，並且至少一所述夾持邊緣位於所述環形本體的內側。
如請求項14所述的電路板組件，其中，所述夾持邊緣的數量為一個，並且所述夾持邊緣呈弧狀。
如請求項14所述的電路板組件，其中，所述夾持邊緣的數量為兩個，並且兩個所述夾持邊緣之間形成的一夾角不大於150度。
如請求項14所述的電路板組件，其中，所述夾持邊緣的數量為三個，並且任兩個相鄰的所述夾持邊緣之間形成的一夾角為90度。
如請求項9所述的電路板組件，其中，所述彈片結構進一步包含多個翼板，並且各個所述翼板位於對應的其中一個所述接地腳的一端且向遠離所述中心軸線的方向延伸；其中，各個所述翼板的一頂面抵頂於所述所述電路板面向所述底殼的表面。
如請求項9所述的電路板組件，其中，多個所述彈片與多個所述接地腳在所述環形本體上呈交錯設置。
如請求項9所述的電路板組件，其中，所述電路板包含一接地層及部分覆蓋於所述接地層的一訊號層；其中，所述定位孔是位於所述接地層。
一種雷射美容雙用鏡，其包括：<br/> 一本體，所述本體為中空體，所述本體具有一第一面及一第二面，所述第一面及所述第二面位於所述本體相對的兩面；<br/> 一鏡面，所述鏡面設置於所述本體的所述第一面；<br/> 一電路板，所述電路板設置於所述本體內；以及<br/> 多個雷射模組，所述多個雷射模組設置於所述本體內，所述多個雷射模組電連接於所述電路板，所述多個雷射模組曝露於所述本體的所述第二面，所述多個雷射模組產生的雷射光線能透過所述本體的所述第二面向外射出。
如請求項1所述的雷射美容雙用鏡，其中，所述本體的所述第二面設有多個出光孔，所述多個雷射模組分別對應於所述多個出光孔，所述多個雷射模組產生的光線能通過所述多個出光孔向外射出。
如請求項1所述的雷射美容雙用鏡，其中，所述本體內設置一可充電電池，所述可充電電池電連接於所述電路板，所述可充電電池能用以供應所述雷射美容雙用鏡所需的電力。
如請求項3所述的雷射美容雙用鏡，其中，所述本體上設置一電連接器，所述電連接器電連接於所述電路板，所述電連接器能用於輸入所述雷射美容雙用鏡所需電力或對所述可充電電池進行充電。
如請求項1所述的雷射美容雙用鏡，其中，所述本體的所述第二面形成兩出光區域，所述兩出光區域分設於上方及下方處，所述兩出光區域之間形成一無光區域，所述多個雷射模組分布於所述兩出光區域，所述無光區域無設置所述雷射模組。
如請求項1所述的雷射美容雙用鏡，其中，所述多個雷射模組具有多種波長，部分或全部的所述多個雷射模組為多波段雷射器，能用於發射多種波長的雷射光線。
如請求項1所述的雷射美容雙用鏡，其中，所述本體能樞設於一支架上，使所述本體能轉動的設置於所述支架上。
如請求項7所述的雷射美容雙用鏡，其中，所述支架為一U型架體，所述本體的兩側各以一樞接機構樞設於所述支架。
如請求項1所述的雷射美容雙用鏡，其中，所述本體上設置一開關，所述開關電連接於所述電路板，能用於控制所述雷射美容雙用鏡的開啟及關閉。
如請求項1所述的雷射美容雙用鏡，其中，所述鏡面以不銹鋼材質製成，通過拋光及研磨加工至表面光滑，能用於反射光線。
一種用於整合醫療資訊的智慧行動系統，包括：<br/> 顯示器，包括：<br/> 使用者介面；以及<br/> 處理器，耦接該顯示器，且包括：<br/> 腫瘤分期模組，用於接收有其需要之個體的腫瘤之相關資料，且自動計算及輸出該腫瘤的分期組；<br/> 臨床評分模組，用於接收該腫瘤之臨床參數，且自動計算及輸出該個體的臨床評分結果；<br/> 臨床治療指引模組，用於提供該腫瘤的醫護人員用臨床治療指引；<br/> 醫病共享資料整合模組，用於提供該腫瘤的醫病共享決策用臨床治療指引；以及<br/> 醫療團隊會議討論模組，用於提供醫護人員用臨床協作資訊，<br/> 其中，該使用者介面耦接該腫瘤分期模組、該臨床評分模組、該臨床治療指引模組、該醫病共享資料整合模組及該醫療團隊會議討論模組，且用於顯示該分期組、該臨床評分結果、該醫護人員用臨床治療指引、該醫病共享決策用臨床治療指引及/或該醫護人員用臨床協作資訊。
如請求項1所述之系統，復包括頭頸癌分期模組、食道癌分期模組及甲狀腺癌分期模組，<br/> 其中，該腫瘤分期模組耦接該頭頸癌分期模組、該食道癌分期模組及該甲狀腺癌分期模組。
如請求項2所述之系統，復包括口腔癌分期模組、鼻咽癌分期模組、大唾液腺分期模組、喉癌分期模組、下咽癌分期模組、口咽癌p16陰性分期模組、口咽癌p16陽性分期模組及鼻腔與副鼻竇分期模組，<br/> 其中，該頭頸癌分期模組耦接該口腔癌分期模組、該鼻咽癌分期模組、該大唾液腺分期模組、該喉癌分期模組、該下咽癌分期模組、該口咽癌p16陰性分期模組、該口咽癌p16陽性分期模組及該鼻腔與副鼻竇分期模組。
如請求項3所述之系統，復包括臨床分期模組及病理分期模組，<br/> 其中，該口咽癌p16陽性分期模組耦接該臨床分期模組及該病理分期模組。
如請求項1所述之系統，復包括：<br/> Child分級試算模組，用於自動計算並輸出該個體的肝硬化程度；<br/> 淋巴結指標試算模組，用於自動計算並輸出該個體的淋巴系統指標；<br/> 聽覺功能障礙試算模組，用於自動計算並輸出該個體的聽力損失程度，並根據健保給付資料提供對應的補助項目說明；以及<br/> 心血管疾病風險評估模組，用於自動計算並輸出該個體的心血管疾病風險程度，<br/> 其中，該臨床評分模組耦接該Child分級試算模組、該淋巴結指標試算模組、該聽覺功能障礙試算模組及該心血管疾病風險評估模組。
如請求項1所述之系統，復包括：<br/> 電腦輔助超音波即時診斷模組，用於自動計算並輸出該個體的淋巴系統、內分泌腺及/或外分泌腺的變化，<br/> 其中，該臨床評分模組耦接該電腦輔助超音波即時診斷模組。
如請求項6所述之系統，其中，該腫瘤為頭頸部癌症，該淋巴系統為頸部淋巴結，該內分泌腺為甲狀腺，且該外分泌腺為唾液腺。
如請求項1所述之系統，其中，該醫護人員用臨床協作資訊復包括：醫療團隊的聯絡方式、病例的提報討論相關資料及/或會議排程。
如請求項1所述之系統，復包括：記憶體模組，耦接該醫療團隊會議討論模組，且用於儲存該醫護人員用臨床協作資訊。
如請求項1所述之系統，其中，該顯示器復包括螢幕，用於透過網頁、應用程式或軟體的形式呈現該使用者介面。
一種簡易型的喇叭裝置，其包含：<br/>一底座，其內部設置有電路板；其外壁設置有電源開關、訊號線插口；<br/>一套圈罩，其內部固設有一喇叭單體；<br/>一套筒，其為兩端開口的中空管體；該套筒設置在該底座與該套圈罩之間，令該套筒位於該底座的上方；該套圈罩位於該套筒的上方；其間，憑藉至少二個螺釘貫穿該套圈罩上預設的穿孔、該套筒的內部，而螺固在該底座上預設的螺孔內，令該套圈罩、套筒、底座固接成一體；<br/>以及，<br/>一紙製杯體，其以杯口罩封在該套圈罩的上端，形成一共鳴箱。
如請求項1所述之簡易型的喇叭裝置，其中，該紙製杯體為喝水用的紙杯。
如請求項1所述之簡易型的喇叭裝置，其中，該套圈罩的底部設置有一圈第一外凸緣；該底座的頂端設置有一圈第二外凸緣；該套筒的上端吻合地插入該套圈罩的第一外凸緣內；該套筒的下端吻合地插入該底座的第二外凸緣內。
一種雙功率LED燈具，包含有：<br/> 一基座，概呈長條形，兩端分別設有一電連接器；<br/> 一主基板，具有一裝設面；該裝設面具有一長軸向與一短軸向，該長軸向概垂直於該短軸向且該長軸向的長度大於該短軸向的長度；該主基板設於該基座並電性連接於該等電連接器；<br/> 一高功率LED燈組，具有複數個第一LED晶粒及一第一電路；該等第一LED晶粒設置於該主基板之該裝設面，並沿該長軸向排列；該等第一LED晶粒電性連接於該第一電路；以及<br/> 一低功率LED燈組，具有一第二LED晶粒及一第二電路；該第二LED晶粒設置於該主基板之該裝設面，該等第二LED晶粒電性連接於該電路；<br/> 其中該低功率LED燈組產生之光強度小於該高功率LED燈組產生的光強度。
如請求項1所述之雙功率LED燈具，其中該基座具有二擋牆，由該基座之外側面向外延伸；該二擋牆概呈平行，使該二擋牆與該基座之外側面間圈圍出一容置空間，該高功率LED燈組與該低功率LED燈組設置於該容置空間中。
如請求項2所述之雙功率LED燈具，其中該二擋牆分別具有一內側面，該二內側面呈相對之狀態，且該二內側面呈傾斜狀，使該二擋牆之內側面間之距離由內向外逐漸增加。
如請求項1所述之雙功率LED燈具，其中該基座為一長條形中空管體，內部具有一通道；該通道的側面上設有一第一連接件，該二電連接器分別具有一第二連接件；該二電連接器分別具有一部分由該基板的二端插入該通道中，使該二第二連接件與該第一連接件結合。
如請求項4所述之雙功率LED燈具，其中該第一連接件為設置於該基座之通道之內側面上之二凹槽；該二電連接器分別具有一板片，該板片之二側端形成該第二連接件；當該電連接器結合該基座時，該板片插入該通道且該板片之二側端進入該二凹槽中。
如請求項1所述之雙功率LED燈具，其中該等第一LED晶粒之頂面與該第二LED晶粒之頂面位於同一高度。
如請求項6所述之雙功率LED燈具，其中該第二LED晶粒呈長形，其長軸向平行於該主基板之該長軸向。
如請求項1所述之雙功率LED燈具，其中該主基板包含有一第一基板及一第二基板；該第一基板具有一第一長軸向與一第一短軸向，該第一長軸向概垂直於該第一短軸向且該第一長軸向的長度大於該第一短軸向；該第一基板在沿該第一長軸向之兩端分別具有一第一端；該第二基板設有一第二電路；該第二基板具有一第二長軸向與一第二短軸向，該第二長軸向概垂直於該第二短軸向且該第二長軸向的長度大於該第二短軸向；該第二基板在沿該第二長軸向之兩端分別具有一第二端；且該第二基板之第二端的其中一者與該第一基板之第一端的其中一者呈對接的狀態。
如請求項1所述之雙功率LED燈具，其中該第一電路電性連接於每一該第一LED晶粒之一第一電極及至少一該電連接器；該第二電路電性連接於該第二LED晶粒之一第一電極及至少一該電連接器；更包含有一控制開關，一端電性連接於至少一該電連接器，另一端電性連接於一電源，用以供操作而控制該第一電路與該第二電路是否導通。
如請求項9所述之雙功率LED燈具，更包含有一第三電路，電性連接於每一該第一LED晶粒之一第二電極、該第二LED晶粒之一第二電極及至少一該電連接器。
一種家族共享回饋管理系統，包括：<br/> 一資料儲存裝置，用以儲存一家族群組索引表、複數個個人帳戶資料區及至少一虛擬回饋池資料區，其中該家族群組索引表記錄有複數個用戶識別碼與一家族群組識別碼之對應關係；以及<br/> 一處理伺服器，與該資料儲存裝置電性連接，並配置以透過一網路接收一交易觸發訊號，其中該處理伺服器包括：<br/> 一處理器；以及<br/> 一記憶體，存有複數個程式模組供該處理器執行，其中該些程式模組包括：<br/> 一身分驗證模組，用以接收該交易觸發訊號，並根據該交易觸發訊號內含之一來源用戶識別碼，比對儲存於該資料儲存裝置中的該家族群組索引表，以確認該來源用戶識別碼是否屬於該些用戶識別碼其中之一並關聯至該家族群組識別碼；以及<br/> 一回饋整合運算模組，當該身分驗證模組確認該來源用戶識別碼關聯至該家族群組識別碼時，該回饋整合運算模組依據該交易觸發訊號計算出一回饋數值，並將該回饋數值寫入至該虛擬回饋池資料區進行累加儲存，<br/> 其中該虛擬回饋池資料區係關聯於該家族群組識別碼，用以集中匯總來自該些用戶識別碼之該回饋數值，以供該些用戶識別碼共享使用。
如請求項1所述之家族共享回饋管理系統，其中該些程式模組，更包括：<br/> 一消費分攤模組，<br/> 其中當該處理伺服器透過該網路接收到來自一用戶終端裝置之一分攤支付請求訊號時，該消費分攤模組係先存取該虛擬回饋池資料區以扣除一預設額度或該虛擬回饋池資料區之全額後，計算出一剩餘應付金額，並依據一預設分攤比例將該剩餘應付金額分配至該家族群組識別碼所對應之該些個人帳戶資料區進行扣款。
如請求項1所述之家族共享回饋管理系統，其中該資料儲存裝置內更儲存有一權限設定表，該權限設定表將該些用戶識別碼區分為一管理者權限及一一般成員權限，<br/> 其中該處理伺服器限制僅有具備該管理者權限之一第一用戶終端裝置能傳送指令以修改該家族群組索引表或設定該虛擬回饋池資料區之使用額度。
如請求項3所述之家族共享回饋管理系統，其中該些程式模組，更包括：<br/> 一授權確認模組，<br/> 其中當具備該一般成員權限之一第二用戶終端裝置欲使用該虛擬回饋池資料區之數值進行折抵且該數值超過一預設門檻值時，該授權確認模組係發送一確認訊號至具備該管理者權限之該第一用戶終端裝置，並於接收到一允許回傳訊號後，始執行該虛擬回饋池資料區之扣除動作。
如請求項1所述之家族共享回饋管理系統，其中該些程式模組，更包括：<br/> 一貢獻度記錄模組，<br/> 其中該貢獻度記錄模組係於該回饋數值寫入該虛擬回饋池資料區時，同步於該資料儲存裝置中建立一來源歷程記錄，該來源歷程記錄包括該回饋數值之該來源用戶識別碼及產生時間，以供後續查詢各家族成員對該虛擬回饋池資料區之貢獻比例。
如請求項1所述之家族共享回饋管理系統，其中該些程式模組，更包括：<br/> 一等級運算模組，<br/> 該等級運算模組係定期加總該家族群組識別碼下所有該些用戶識別碼之一交易金額總和，並依據該交易金額總和來調整該回饋整合運算模組所計算之該回饋數值之一比例參數。
如請求項1所述之家族共享回饋管理系統，其中該交易觸發訊號係來自於一第三方支付終端機、一網路銀行伺服器或一用戶終端裝置。
如請求項1所述之家族共享回饋管理系統，其中該些程式模組，更包括：<br/> 一通知推播模組，<br/> 其中當該虛擬回饋池資料區之數值發生變動時，該通知推播模組係產生一推播訊息並傳送至該家族群組識別碼所對應之該些用戶識別碼當中至少一者所綁定的一用戶終端裝置。
如請求項1所述之家族共享回饋管理系統，更包括：<br/> 複數個用戶終端裝置，分別對應於該些用戶識別碼，其中該用戶終端裝置包括：<br/> 一生物特徵擷取單元，<br/> 其中該生物特徵擷取單元係用以擷取一指紋資訊或一臉部資訊，並將其轉換為一身分驗證訊號傳送至該處理伺服器，以作為綁定該家族群組索引表時之安全認證。
如請求項1所述之家族共享回饋管理系統，其中該回饋數值係包括現金回饋、紅利點數、飛行哩程或虛擬貨幣其中之一或其組合，且該虛擬回饋池資料區係設定有一存續期限，該存續期限係長於將該回饋數值儲存於該個人帳戶資料區中之一原始存續期限。
一種雕塑提托美胸衣，包括有彈性材質前胸布、左背布以及右背布，前胸布兩側分別對接左背布、右背布，左背布與右背布頂緣分別對接前胸布，前胸布對應女性胸部設為托胸布，左背布與右背布相鄰側可活動對接或分開，以組合對應於女性肩部與背部，其中：<br/>該左背布內表面覆蓋縫設有兩X形交叉之左彈性布帶，且右背布內表面覆蓋縫設有兩X形交叉之右彈性布帶。
如申請專利範圍第1項所述之雕塑提托美胸衣，其中該左背布內表面與兩左彈性布帶覆蓋縫設有左背裡布，且右背布內表面與兩右彈性布帶覆蓋縫設有右背裡布。
如申請專利範圍第2項所述之雕塑提托美胸衣，其中該左背裡布與右背裡布為遠紅外線布料。
如申請專利範圍第1項所述之雕塑提托美胸衣，其中該托胸布內部左右各設有胸墊。
如申請專利範圍第4項所述之雕塑提托美胸衣，其中該托胸布兩側各設有胸墊取置口。
如申請專利範圍第1項所述之雕塑提托美胸衣，其中該托胸布外表面覆蓋縫設有紗布。
如申請專利範圍第1項所述之雕塑提托美胸衣，其中該托胸布為抗菌除臭布料。
一種便攜式床上核心肌群鍛練器，至少包含：<br/> 一夾持裝置，係包含一C型鉗體及一鎖固元件，該C型鉗體具有一夾持空間，該鎖固元件係螺合於該C型鉗體並可旋轉調整該夾持空間之大小，用以將該C型鉗體夾持固定於一床體之一側緣； <br/> 一阻力調節單元，係結合於該夾持裝置，該阻力調節單元具有至少一調節掛勾； <br/> 一彈性阻力單元，係具有彈性伸縮性質，其一端係可拆卸地連接於該阻力調節單元之該調節掛勾；以及 <br/> 一握持單元，係連接於該彈性阻力單元之另一端。
如請求項1所述之便攜式床上核心肌群鍛練器，其中該C型鉗體係鋁合金結構。
如請求項1所述之便攜式床上核心肌群鍛練器，其中該夾持空間之內壁面及該鎖固元件之端部設有防滑橡膠墊。
如請求項1所述之便攜式床上核心肌群鍛練器，其中該夾持裝置之可調整夾持寬度範圍介於50 mm至100 mm。
如請求項1所述之便攜式床上核心肌群鍛練器，其中該阻力調節單元係設置於該C型鉗體上，且該調節掛勾為複數個，該複數個調節掛勾係沿一高度方向間隔排列。
如請求項5所述之便攜式床上核心肌群鍛練器，其中該複數個調節掛勾之數量為五，且相鄰之該複數個調節掛勾之垂直間距為2公分。
如請求項1所述之便攜式床上核心肌群鍛練器，其中該彈性阻力單元係包含天然乳膠管，且該彈性阻力單元之兩端分別設有一第一扣環及一第二扣環。
如請求項1所述之便攜式床上核心肌群鍛練器，其中該握持單元包含一手把，該手把之直徑為30 mm。
一種鍵帽，包括：<br/> 一鍵帽本體，可透光，包括一外表面及一內表面，該外表面包括一透光區域及一待覆區域，該外表面的該透光區域以外的部分定義為該待覆區域，該透光區域允許光線穿過該鍵帽本體，該外表面包括一頂面及一自該頂面朝下延伸的周面，該透光區域設於該頂面；及<br/> 一遮光層，以熱昇華方式覆設於該待覆區域的全部區域，不允許光線穿過該鍵帽本體。
如請求項1所述的鍵帽，其中該鍵帽本體由聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)樹脂構件形成。
如請求項1所述的鍵帽，其中該周面包括多個側面。
如請求項1所述的鍵帽，其中該透光區域包括字母、數字、符號、文字及圖案至少其中一者。
如請求項4所述的鍵帽，其中該透光區域所呈現的圖形可維持結構連續。
如請求項3所述的鍵帽，其中該鍵帽本體另包括一連接部，該連接部包括一中空軸結構或一十字軸結構，該連接部供可折卸地裝設於一鍵盤之軸心。
如請求項1所述的鍵帽，其中該遮光層的平均厚度為0.8公釐至2.0公釐。
如請求項1所述的鍵帽，其中該透光區域包括一表面均光結構。
如請求項1所述的鍵帽，其中該遮光層包括至少一層一體連續且無接縫的覆層。
一種鍵盤，包括多個如請求項1至9任一項所述的鍵帽，另包括：<br/> 一鍵盤本體；<br/> 多個鍵盤開關，設於該鍵盤本體上，該多個鍵帽分別裝設於各該鍵盤開關上；及<br/> 一背光光源模組，設於該鍵盤本體，供將光線投射至該鍵帽本體的內表面。
一種具有多波段之LED裝置，包含：<br/> 一支架，其具有一凹杯形狀；<br/> 一發光元件，其設置於該支架的一底面；及<br/> 一光轉換元件，其係填充於該支架的內部形成一層體並覆蓋該發光元件，該光轉換元件係由第一螢光粉、第二螢光粉、第三螢光粉及膠體所組成；其中，該第一螢光粉為β-型SiAlON螢光粉及／或矽酸鹽螢光粉，該第二螢光粉為KSF螢光粉，KSF螢光粉的通式為K<sub>2</sub>（XI<sub>i</sub>Mn<sub>j</sub>）F<sub>6</sub>，XI選自以下群組：Ge、Si、Sn及Ti，且i+j=1，該第三螢光粉為YAG螢光粉，YAG螢光粉的通式為（Y<sub>k</sub>Lu<sub>l</sub>Gd<sub>m</sub>Ce<sub>n</sub>）<sub>3</sub>（Ga<sub>o</sub>Al<sub>p</sub>）<sub>5</sub>O<sub>12</sub>，k+l+m+n=1，o+p=1； <br/> 其中，該第三螢光粉與該第一螢光粉的重量比為0.008：1至0.4：1。
如請求項1所述之LED裝置，其中該光轉換元件的厚度為0.33毫米至0.45毫米。
如請求項2所述之LED裝置，其中該光轉換元件的厚度為0.38毫米至0.4毫米。
如請求項2所述之LED裝置，其中該發光元件係為一藍光二極體晶片，該發光元件的一頂面至該光轉換元件的一頂面之間的垂直距離為0.13毫米至0.37毫米。
如請求項2所述之LED裝置，其中該支架的內部深度為0.33毫米至0.45毫米。
如請求項2所述之LED裝置，其中該支架的一頂部開口的面積為3.512平方毫米至9.568平方毫米。
如請求項1所述之LED裝置，其中該發光元件係為一藍光二極體晶片，該發光元件的一頂面至該光轉換元件的一頂面之間的垂直距離為0.13毫米至0.37毫米。
如請求項1所述之LED裝置，其中該支架的內部深度為0.33毫米至0.45毫米。
如請求項1所述之LED裝置，其中該支架的一頂部開口的面積為3.512平方毫米至9.568平方毫米。
一種載盤，用以承載至少一載板並包含：一盤體，具有一外表面及至少一承載凹槽，該至少一承載凹槽沿一凹陷方向從該外表面凹陷並用以容納該至少一載板；以及至少一止擋件，可活動地設置於該盤體並鄰近於該至少一承載凹槽；其中，該至少一止擋件包含一止擋位置及一讓位位置，當該至少一止擋件位於該止擋位置時，該至少一止擋件沿該凹陷方向重疊於該至少一承載凹槽之至少部分，當該至少一止擋件位於該讓位位置時，該至少一止擋件沿該凹陷方向與該至少一承載凹槽彼此錯位。
如請求項1所述之載盤，其中該至少一止擋件沿一滑動方向可滑動地設置於該盤體，該滑動方向垂直於該凹陷方向。
如請求項2所述之載盤，其中該至少一止擋件包含一滑動件及二復位凸板，該二復位凸板分別從該滑動件的相對兩側凸出並由可撓材料製成，該滑動件沿該滑動方向可滑動地設置於該盤體，當該至少一止擋件位於該讓位位置時，該二復位凸板分別受該盤體上的二推抵凸部之推抵而變形。
如請求項3所述之載盤，更包含至少一釋放凸塊，該至少一止擋件的該滑動件具有一插孔，該至少一釋放凸塊設置於該盤體並鄰近於該至少一承載凹槽，該至少一止擋件及該至少一釋放凸塊呈線對稱。
如請求項4所述之載盤，其中該至少一止擋件的數量為二，該至少一釋放凸塊的數量為二，該二止擋件呈點對稱，且該二釋放凸塊呈點對稱。
如請求項4所述之載盤，其中該至少一止擋件的該滑動件更具有一受推斜面，該受推斜面位於該插孔中。
如請求項1所述之載盤，更包含多個限位凸塊，該些限位凸塊分別從該至少一承載凹槽的多個側表面凸出，並用以沿該凹陷方向對該至少一載板進行限位。
如請求項1所述之載盤，其中該至少一承載凹槽的數量為多個，該盤體包含一外框及多個連接肋，該外表面由該外框及該些連接肋共同界定，該些連接肋的相對兩端分別連接於該外框，而使得該外框與該些連接肋共同界定出該些承載凹槽。
如請求項8所述之載盤，更包含至少一定位柱，該外框具有至少一定位孔，該至少一定位孔位於該外表面，該至少一定位柱設置於該外表面，該至少一定位柱及該至少一定位孔呈線對稱。
如請求項8所述之載盤，其中該外框更具有一缺口，該缺口位於該外框的角落。
一種紙容器，包含：<br/> 一底板；<br/> 一圍板，沿一上下方向自該底板朝上延伸，且與該底板圍繞界定一開口朝上的盛裝空間，該圍板具有一頂緣，並包括一第一圍部、一與該第一圍部相間隔的第二圍部、二間隔設置的側圍部，及至少一形成於該第一圍部且鄰近於該頂緣的嵌入口，該嵌入口連通該盛裝空間與外界；及<br/> 一蓋板，包括一用於遮蔽該盛裝空間且其中一端連接於該第二圍部的本體部、數個朝遠離該本體部的方向延伸且相間隔的延伸部，及至少一形成於該本體部且位置對應該嵌入口的插接部，每一該延伸部具有一外緣，該插接部具有相反設置的一內插接面及一外插接面，<br/> 當該蓋板蓋設於該圍板時，該蓋板的該本體部遮蔽該盛裝空間，該等外緣凸出於該圍板的該頂緣，該插接部嵌入該嵌入口而凸出於該圍板，該外插接面部分抵接於該頂緣。
如請求項1所述的紙容器，其中，該圍板還包括至少一嵌入槽，該嵌入槽形成於其中一該側圍部且連通該盛裝空間與外界。
如請求項1所述的紙容器，其中，該圍板還包括至少一嵌入槽，該蓋板包括數個插接部，該嵌入槽形成於其中一該側圍部，該嵌入口與該嵌入槽的總數量與該等插接部的數量相同，當該蓋板蓋設於該圍板時，該等插接部分別嵌入該嵌入口與對應的該嵌入槽而凸出於該圍板。
如請求項1所述的紙容器，其中，該圍板還包括數個嵌入槽，該蓋板包括數個插接部，該等嵌入槽分別形成於該等側圍部且連通該盛裝空間與外界，該嵌入口與該等嵌入槽的總數量與該等插接部的數量相同，當該蓋板蓋設於該圍板時，該等插接部分別嵌入該嵌入口與對應的該等嵌入槽而凸出於該圍板。
如請求項3或4任一項所述的紙容器，其中，每一該側圍部具有一連接於該第一圍部的第一端，及一連接於該第二圍部的第二端，該第一端與該第二端沿一前後方向的垂直距離相隔一第一長度，每一該嵌入槽具有一側端，該側端與該第一端沿該前後方向的垂直距離相隔一第二長度，該第二長度與該第一長度的比值介於1:1.5~1:50間。
如請求項1所述的紙容器，其中，該嵌入口被配置為矩形開口。
如請求項1所述的紙容器，其中，該圍板還包括數個與該第一圍部相對設置且相間隔的凹折部，該蓋板還包括一連接於該本體部與該第二圍部的頂端的連接部，當該蓋板蓋設於該圍板時，該等凹折部朝該盛裝空間的方向凹折，且分別與該本體部、該連接部相配合界定數個連通該盛裝空間與外界的透氣口。
如請求項1所述的紙容器，還包含至少一連接於該圍板的該頂緣的延伸板，該延伸板自該第一圍部的頂端朝遠離該盛裝空間的方向延伸，並具有沿一上下方向相反設置的一上延伸面及一下延伸面，當該蓋板蓋設於該圍板時，該上延伸面面對該蓋板，該插接部的該外插接面面對該下延伸面。
如請求項1所述的紙容器，還包含數個連接於該圍板的該頂緣的延伸板，該等延伸板分別自該第一圍部與該等側圍部的頂端朝遠離該盛裝空間的方向延伸。
如請求項9所述的紙容器，其中，該圍板還包括數個連通該盛裝空間與外界的嵌入槽，該蓋板包括數個插接部，該等嵌入槽分別形成於該等側圍部且鄰近於對應的該等延伸板，該嵌入口與該等嵌入槽的總數量與該等插接部的數量相同，當該蓋板蓋設於該圍板時，該等插接部分別嵌入該嵌入口與對應的該等嵌入槽。
如請求項1所述的紙容器，其中，該蓋板整體呈一平面。
如請求項1所述的紙容器，其中，該插接部還具有一連接於該本體部的固定端，及一相反於該固定端的插接端，該插接端不凸出於該延伸部的該等外緣。
如請求項1所述的紙容器，其中，該插接部還具有一連接於該本體部的固定端、一相反於該固定端的插接端，及二分別由該插接端朝該固定端的方向漸擴延伸的側邊段。
如請求項1所述的紙容器，其中，該插接部介於相鄰的二該延伸部之間。
如請求項1所述的紙容器，其中，該圍板包括數個嵌入口，該蓋板包括數個插接部，該等插接部的數量與該等嵌入口的數量相同，當該蓋板蓋設於該圍板時，該等插接部分別嵌入於該等嵌入口。
一種水果包裝構造，包括：<br/> 至少一隔間板，設有至少一切槽，該隔間板對折後界定出兩個立板，並依循該切槽將相鄰之立板向外翻折，使該隔間板形成立體Y字形狀；<br/> 一箱體，內部容置該隔間板，該隔間板之立體Y字形狀界定出水果容置空間，供在該箱體內放置、隔開、保護水果。
如請求項1所述之水果包裝構造，其中，該箱體之內底板與該隔間板之間設置一襯墊，該襯墊選自彈性、軟性材料。
如請求項2所述之水果包裝構造，其中，該隔間板設有三個切槽，可於該立板之底部再對折後界定出兩個水平狀底板，該襯墊設有一穿槽，可供該隔間板穿設後形成可活動狀結合該襯墊，使立體Y字形狀配置於該襯墊上方，該水平狀底板配置於該襯墊下方。
一種棘輪扳手，其包含： <br/> 一扳手本體； <br/> 一棘輪件，其能相對轉動地設於該扳手本體，且設有並排的複數個環齒部，該複數個環齒部呈錯位設置； <br/> 複數個棘爪，各該棘爪容納於該扳手本體內，且可復位地與對應的其中一所述環齒部咬合，使該棘輪件相對該扳手本體單向轉動；以及 <br/> 其中，該棘輪件相對該扳手本體轉動時，推動其中一所述棘爪脫離對應之所述環齒部，同時另外一所述棘爪復位而與對應的所述環齒部咬合。
如請求項1所述之棘輪扳手，其中所述扳手本體設有複數個限位槽，該複數個棘爪分別容納於該複數個限位槽內而相間隔，各所述棘爪被推動及復位時係貼著對應之所述限位槽的內壁活動。
如請求項2所述之棘輪扳手，其中各所述棘爪脫離對應之所述環齒部時，所述棘爪的兩端同時抵靠於對應之所述限位槽的內壁。
如請求項1所述之棘輪扳手，其中各所述棘爪脫離對應之所述環齒部時，所述棘爪的相對兩端同時抵靠於該扳手本體。
如請求項1至4中任一項所述之棘輪扳手，其中各所述棘爪與該扳手本體之間設有一彈性件，所述棘爪能受該彈性件的彈性恢復力推動而復位並與對應的所述環齒部咬合。
如請求項5所述之棘輪扳手，其中各所述棘爪與對應的該彈性件係沿著該棘輪件的一徑方向排列。
如請求項6所述之棘輪扳手，其中各所述棘爪設有一齒部設置面及一棘齒部，該齒部設置面面向對應的所述環齒部，該棘齒部形成於該齒部設置面的一部分。
一種接觸探針組件，組配電連接一晶片，該接觸探針組件包括：<br/> 一針軸元件，包括一抵頂部以及一套合部，其中該抵頂部包括彼此相反的一第一端以及一第二端，且該套合部自該抵頂部之該第二端沿一軸向凸伸；<br/> 一第一導電撓性體，設置於該抵頂部之該第一端；以及<br/> 一彈性件，沿該軸向套設於該套合部，且抵頂於該抵頂部之該第二端，其中該彈性件組配提供一恢復力驅動該針軸元件以及該第一導電撓性體抵接該晶片。
如請求項1所述之接觸探針組件，其中該接觸探針組件還包括一針軸底座，該彈性件部分套設於該針軸底座，且該彈性件抵頂於該抵頂部以及該針軸底座之間。
如請求項2所述之接觸探針組件，其中該針軸底座包括一套合孔以及彼此相反的一第三端以及一第四端，該套合孔凹設於該針軸底座之該第三端，其中該針軸元件之該套合部至少部分容置於該套合孔。
如請求項3所述之接觸探針組件，其中該針軸底座包括一凸部，自該針軸底座之該第四端向外凸伸。
如請求項3所述之接觸探針組件，其中該接觸探針組件包括一第二導電撓性體，設置於該針軸底座之該第四端。
如請求項3所述之接觸探針組件，其中該針軸底座為一導電矽膠針軸底座。
如請求項1所述之接觸探針組件，其中該抵頂部包括一凹部，自該抵頂部之該第一端向內凹陷，其中該第一導電撓性體至少部分容置於該凹部。
如請求項1所述之接觸探針組件，其中該彈性件包括一主體部、一漸縮部以及彼此相反的一第五端以及一第六端，該主體部鄰設於該第五端且抵頂該抵頂部，該漸縮部連接於該主體部且自該主體部朝向該第六端漸縮。
一種測試裝置，組配電連接一晶片，其中該測試裝置包括：<br/> 一測試基座，包括複數個穿孔以及彼此相反的一第一面以及一第二面，其中該複數個穿孔沿一軸向連通於該第一面以及該第二面之間，且該測試基座之該第一面組配承載該晶片；<br/> 一電路板，設置於該測試基座之該第二面；以及<br/> 複數個接觸探針組件，沿該軸向分別對應設置於該複數個穿孔，且組配電連接該晶片以及該電路板，其中該複數個接觸探針組件之每一個該接觸探針組件包括：<br/> 一針軸元件，鄰設於該測試基座之該第一面，且包括一抵頂部以及一套合部，其中該抵頂部包括彼此相反的一第一端以及一第二端，且該套合部自該抵頂部之該第二端沿該軸向凸伸；<br/> 一第一導電撓性體，設置於該抵頂部之該第一端；以及<br/> 一彈性件，沿該軸向套設於該套合部，且抵頂於該抵頂部之該第二端，其中該彈性件組配提供一恢復力驅動該針軸元件以及該第一導電撓性體抵接該晶片。
如請求項9所述之測試裝置，其中該接觸探針組件還包括一針軸底座，鄰設於該測試基座之該第二面，且抵接該電路板，其中該彈性件部分套設於該針軸底座，且抵頂於該抵頂部以及該針軸底座之間。
如請求項10所述之測試裝置，其中該針軸底座包括一套合孔以及彼此相反的一第三端以及一第四端，該套合孔凹設於該針軸底座之該第三端，其中該針軸元件之該套合部至少部分容置於該套合孔。
如請求項11所述之測試裝置，其中該針軸底座包括一凸部，自該針軸底座之該第四端向外凸伸。
如請求項11所述之測試裝置，其中該接觸探針組件包括一第二導電撓性體，設置於該針軸底座之該第四端。
如請求項11所述之測試裝置，其中該針軸底座為一導電矽膠針軸底座。
如請求項9所述之測試裝置，其中該抵頂部包括一凹部，自該抵頂部之該第一端向內凹陷，其中該第一導電撓性體設置於該凹部。
如請求項9所述之測試裝置，其中該彈性件包括一主體部、一漸縮部以及彼此相反的一第五端以及一第六端，該主體部鄰設於該第五端且抵頂該抵頂部，該漸縮部連接於該主體部且自該主體部朝向該第六端漸縮。
如請求項9所述之測試裝置，其中該針軸元件還包括一限位部，環繞於該抵頂部且鄰設於該抵頂部之該第二端，其中每一個該穿孔包括一第一穿孔段以及一第二穿孔段，該第一穿孔段容置該抵頂部，該第二穿孔段容置該限位部，其中該第一穿孔段具有一第一直徑，該第二穿孔段具有一第二直徑，該抵頂部具有一第三直徑，該限位部具有一第四直徑，其中該第二直徑大於或等於該第四直徑，該第四直徑大於該第一直徑，該第一直徑大於或等於該第三直徑。
如請求項9所述之測試裝置，其中該測試裝置包括一第一定位板以及一第二定位板，分別設置於該測試基座之該第一面以及該第二面，且第二定位板位於該測試基座與該電路板之間，其中該第一定位板以及該第二定位板分別包括複數個定位孔，且各該複數個定位孔分別對應於該複數個穿孔。
一種可拆裝組件，包括：<br/> 一第一部件，具有一定位溝槽；以及<br/> 一第二部件，可拆卸地與該第一部件接合，該第二部件包含：<br/> 一主體；<br/> 一軸件，其一端固定設於該主體；<br/> 一蓋體，可動地連接於該軸件的另一端；及<br/> 一彈性件，套設於該軸件，並設於該蓋體與該軸件之間，以對該蓋體提供一推力；<br/> 其中，當該第一部件與該第二部件接合時，該主體位於該第一部件的一第一側，該軸件嵌設於該定位溝槽內，該蓋體抵壓於該第一部件的第一表面，且該彈性件位於該第一部件之與該第一側相對的一第二側。
如請求項1所述之可拆裝組件，其中當對該蓋體施加一外力時，該彈性件被壓縮，使該蓋體相對於該軸件沿軸向活動而遠離該第一部件，藉此使該軸件脫離該定位溝槽，以致該第一部件與該第二部件解除接合。
如請求項1所述之可拆裝組件，其中該軸件的一端係鉚接、螺接、焊接或卡接於該主體。
如請求項1所述之可拆裝組件，其中該蓋體具有複數開槽部，且當該第一部件與該第二部件接合時，該些開槽部面對該第一部件的第一表面。
如請求項1所述之可拆裝組件，其中該第一部件具有一定位凹槽，該蓋體具有對應於該定位凹槽的一凸出部，當該第一部件與該第二部件接合時，該凸出部插入定位凹槽內。
如請求項1所述之可拆裝組件，其中第一部件的第二側形成一凹陷區，該定位溝槽位於該凹陷區，且當該第一部件與該第二部件接合時，該蓋體在該凹陷區中抵壓於該第一部件的第一表面。
如請求項6所述之可拆裝組件，其中當該第一部件與該第二部件接合時，該蓋體凸出於該凹陷區。
如請求項6所述之可拆裝組件，其中當該第一部件與該第二部件接合時，該蓋體未凸出於該凹陷區。
如請求項1所述之可拆裝組件，其中該軸件與該蓋體為由相同材料製成。
如請求項1所述之可拆裝組件，其中該軸件與該蓋體為由相異材料製成。
一種鋼帶張力拉伸設備，包含：夾持裝置，用以夾持鋼帶；螺桿，連接到所述夾持裝置；以及伺服馬達，連接到所述螺桿，其中所述伺服馬達通過所述螺桿帶動所述夾持裝置將所述鋼帶向外拉伸。
如請求項1所述之鋼帶張力拉伸設備，更包含：鋼帶邊緣偵測器，設置在所述夾持裝置旁，用以偵測所述鋼帶的邊緣。
如請求項1所述之鋼帶張力拉伸設備，其中，所述夾持裝置係由油壓驅動。
一種鉸鍊的樞接結構，包含有一固定板、一可動板，及將該固定板與該可動板樞接的樞接單元；其特徵係在: <br/> 該樞接單元係由一樞接軸與一心軸二者所組成；該樞接軸為一中空管，一端具有一頭部，該中空管係通至該頭部位置，該頭部的中間具有一開放口；該心軸的一端具有一固定頭，該心軸係穿入該樞接軸的中空管內，該心軸的末端為中空狀，該末端穿入該樞接軸的該中空管內且近該頭部位置；該中空管的管壁對應於該末端位置係設置有一孔徑大於該末端外徑的外擴區間；該樞接軸串聯該固定板、該可動板後，透過一沖壓工具的沖壓桿由該開放口伸入該末端內部，施力使該末端管壁外翻形成一外翻唇而位在該外擴區間內定位。
如請求項1所述之鉸鍊的樞接結構，其中該外擴區間的內壁為推拔壁。
如請求項1所述之鉸鍊的樞接結構，其中該外擴區間的內壁為垂直壁。
一種鉸鍊的樞接結構，包含有一固定板、一可動板，及將該固定板與該可動板樞接的樞接單元；其特徵係在: <br/> 該樞接單元係由一樞接軸與一心軸二者所組成；該樞接軸為一中空管，一端具有一頭部，另一端為納口端，該中空管的內徑由該納口端往該頭部端呈漸縮設計；該心軸為實心狀，一端具有一固定頭，另一端為末端，該心軸的長度與該樞接軸的長度相當或較短；該末端可由該納口端穿入該樞接軸的中空管內；該心軸的外徑由該固定頭端往該末端呈漸大設置；該心軸與該樞接軸結合前，該樞接軸係先穿套該固定板及該可動板，之後，以該末端由該納口端伸入該樞接軸的中空管內，將該樞接軸與該心軸二者其中之一固定，另一透過一沖壓工具施力沖壓，將該末端強力推至該樞接軸近該頭部位置，使該心軸與該樞接軸迫緊結合。
如請求項1至4任一項所述之鉸鍊的樞接結構，其中該固定板與該可動板之間係設置有一墊片，該墊片係被該樞接軸貫穿。
一種外匯文件電子簽署系統，包含：<br/> 一通訊裝置；<br/> 一處理器，與該通訊裝置電性連接；以及<br/> 一儲存裝置，與該處理器電性連接，其中該儲存裝置包含：<br/> 一文件控制模組，配置以控制一外匯交易請求的一外匯文件的處理流程；<br/> 一文件自動解析模組，配置以自動解析該外匯文件，以生成分別對應於複數個索引欄位的複數個交易資訊；<br/> 一內部資料比對模組，配置以通訊連接至一銀行的一內部交易資料庫並且判斷該外匯交易請求是否有一異常狀況；<br/> 一反洗錢查核模組，配置以通訊連接至一反洗錢系統並且判斷該外匯交易請求是否有一洗錢可疑狀況；<br/> 一電子簽署模組，配置以當無該異常狀況和無該洗錢可疑狀況時，進行電子簽署該外匯交易請求，產生一電子簽章；<br/> 一修正審核模組，配置以當有該異常狀況或該洗錢可疑狀況時，對該外匯交易請求進行修正和審核；<br/> 一交易資料儲存模組，配置以儲存該外匯交易請求的一交易紀錄檔案其包含該電子簽章；和<br/> 一交易資料調閱模組，配置以調閱在該交易資料儲存模組中的該交易紀錄檔案。
如請求項1所述之外匯文件電子簽署系統，還包含：一使用者介面裝置，與該處理器電性連接，並且配置以在所述進行電子簽署該外匯交易請求時，傳送一簽名軌跡，以產生該電子簽章。
如請求項2所述之外匯文件電子簽署系統，其中該使用者介面裝置是觸控屏幕、數位筆輸入設備、鍵盤、或滑鼠。
如請求項1所述之外匯文件電子簽署系統，其中所述複數個索引欄位包含：匯款者名稱、交易對手、交易銀行、國家、金額、和日期。
如請求項1所述之外匯文件電子簽署系統，其中該文件控制模組還配置以將該外匯交易請求和該電子簽章傳送至一外匯交易伺服器以進行一外匯交易，並且生成該交易紀錄檔案。
如請求項1所述之外匯文件電子簽署系統，其中該內部資料比對模組還配置以當有該異常狀況時，發出一第一風險警示。
如請求項1所述之外匯文件電子簽署系統，其中該反洗錢查核模組還配置以當有該洗錢可疑狀況時，發出一第二風險警示。
如請求項1所述之外匯文件電子簽署系統，其中該交易資料調閱模組還配置為當一內部稽核伺服器、一法遵系統伺服器、或一跨銀行系統伺服器與該通訊裝置通訊連接時，經由該交易資料調閱模組調閱在該交易資料儲存模組中的該交易紀錄檔案。
如請求項1所述之外匯文件電子簽署系統，其中所述自動解析包含：經由一語義分析技術，對該外匯文件進行重點擷取和結構化處理。
如請求項1所述之外匯文件電子簽署系統，其中該修正審核模組還配置以生成一處理紀綠，並且該處理紀錄儲存在該交易資料儲存模組中。
一種一體式導風卡座，係由一底座上設置兩個鎖固孔，側邊設有兩個定位孔，並於底座邊上往外延伸一段距離而後往內度之彎弧段，再延伸出一漸擴之喇叭型管，型成一中空導管，與底座形成一U型缺口，前端為開口較大之進風口，底座處為開口較小之出風口；<br/>首先，將底座利用鎖固孔置於機車前叉內側之定位孔上，利用螺絲鎖固定位於機車前叉與煞車分泵之間隱藏，其U型缺口繞過機車前叉，使中空導管位於機車前叉之外側，其出風口對準於煞車分泵中之來令片與煞車碟盤夾持處；騎乘機車時，前方空氣經由中空導管之進風口導入，利用漸縮之喇叭型管將大量進氣導入集中於出風口，吹向煞車分泵中之來令片與煞車碟盤夾持處，以達到快速降低來令片及煞車碟盤因磨擦力而產生高溫之目的。
如申請專利範圍第1項所述一體式導風卡座，可於出風口內壁設一斜面，用來改變出風口之風向角度，且其斜面角度可依車型及煞車分泵型號而改變。
如申請專利範圍第1項所述一體式導風卡座，亦可於底座周邊延伸設置一個或數個固定感應器之定位塊及定位孔。
如申請專利範圍第1項所述一體式導風卡座，亦可於中空導管前端內側壁設有鎖固定位用之兩柱體及鎖固孔，並將鎖固孔置於機車前叉定位孔上，利用螺絲鎖固定位，使其更加穩固。
一種智能防塵蓋，包括： 一外殼，具有一底部、一內孔和一外孔，該底部和該內孔之間具有一內部空間； <br/>一內防塵蓋，可拆卸的設置於該內孔和該外孔之間；其中，當一管線的一管線開口進入該外殼的該外孔後，該內防塵蓋係氣密夾壓於該內孔和該管線開口之間； <br/>一防火繩，連接該外殼的該底部和該內防塵蓋； <br/>一固體發氣劑，設置於該內部空間中； <br/>一無線控制點火裝置，連接該外殼，且電性連接該固體發氣劑；其中，該無線控制點火裝置加上該外殼的總質量大於該內防塵蓋的質量； <br/>其中，當該無線控制點火裝置接收一點火指令時，該無線控制點火裝置根據該點火指令輸出一點火訊號至該固體發氣劑，使該內部空間中的該固體發氣劑受到該點火訊號點火產生一推進氣體；而當該推進氣體將該外殼推離該內防塵蓋時，該外殼將透過該防火繩將該內防塵蓋拉離該管線開口； <br/>其中，該點火指令為一無線電訊號。
如請求項1所述之智能防塵蓋，其中，該無線控制點火裝置包括： <br/>一無線充電接收線圈； <br/>一電子開關，電性連接於該無線充電接收線圈； <br/>一近場通訊(NFC)接收線圈； <br/>一控制器，電性連接該NFC接收線圈、該電子開關和該固體發氣劑； <br/>其中，當該控制器透過該NFC接收線圈接收該點火指令時，該控制器控制該電子開關導通； <br/>其中，當該電子開關導通且該無線充電接收線圈接收一無線充電訊號時，該控制器透過該電子開關自該無線充電接收線圈接收該無線充電訊號，且該控制器利用該無線充電訊號所提供的電力輸出該點火訊號至該固體發氣劑。
如請求項2所述之智能防塵蓋，其中，該無線控制點火裝置進一步包括： <br/>一升壓電路，電性連接於該控制器和該固體發氣劑之間，將該控制器所輸出的該點火訊號升壓，且將升壓後的該點火訊號輸出至該固體發氣劑。
如請求項1所述之智能防塵蓋，其中，該無線控制點火裝置係設置於該外殼的該底部和該固體發氣劑之間； <br/>其中，該無線控制點火裝置加上該外殼的該總質量大於或是等於10倍的該內防塵蓋的該質量。
如請求項4所述之智能防塵蓋，其中，該無線控制點火裝置和該固體發氣劑共設有相連的通孔，該防火繩係穿過該通孔連接該外殼的該底部和該內防塵蓋。
如請求項1所述之智能防塵蓋，其中，該固體發氣劑為可受電能觸發的一火藥柱。
一種智能防塵系統，包括： <br/>如請求項1至6中任一項所述之一智能防塵蓋； <br/>一防塵蓋拆除器，包括： <br/>一無線電天線模組，對準該智能防塵蓋的一無線控制點火裝置； <br/>一處理器，電性連接該無線電天線模組，且透過該無線電天線模組傳送該點火訊號至該無線控制點火裝置。
如請求項7所述之智能防塵系統，其中，該無線電天線模組包括一近場通訊(NFC)發送線圈和一無線充電發送線圈； <br/>其中，該處理器係透過該NFC發送線圈傳送該點火訊號至該無線控制點火裝置，並且該處理器透過該無線充電發送線圈傳送一無線充電訊號至該無線控制點火裝置。
如請求項8所述之智能防塵系統，其中，該處理器、該NFC發送線圈和該無線充電發送線圈係設置於一基板的一平面上，且該NFC發送線圈和該無線充電發送線圈於該平面上呈同心圓設置。
如請求項9所述之智能防塵系統，其中，該基板具有一基板洞口，該基板洞口位於該NFC發送線圈和該無線充電發送線圈所形成的該同心圓的中央； <br/>其中，該基板洞口的直徑大於該智能防塵蓋的一外孔的直徑。
如請求項7所述之智能防塵系統，進一步包括： <br/>一發電機，設有一加油口、一機器手臂、一機器手臂控制器和該防塵蓋拆除器； <br/>一自主飛行油桶，設有一螺旋槳、一螺旋槳控制器、一輸油管線；其中，該輸油管線的外露末端設有該智能防塵蓋； <br/>其中，該螺旋槳控制器透過天線通訊該機器手臂控制器而控制該螺旋槳將該自主飛行油桶飛行至該發電機旁； <br/>其中，該機器手臂控制器透過天線通訊該螺旋槳控制器而且執行：控制該機器手臂抓取該自主飛行油桶的該輸油管線、控制該機器手臂將該輸油管線的該智能防塵蓋移動至該發電機的該防塵蓋拆除器上、控制該防塵蓋拆除器傳送該點火訊號至該智能防塵蓋使該智能防塵蓋脫落、再控制該機器手臂將該輸油管線移動至該發電機的該加油口以利加油。
一種具有油氣通道的工具機刀塔，其包含： <br/> 一刀塔本體，其呈中空； <br/> 一主軸，其能旋轉地設於該刀塔本體內，且貫設有相間隔的複數個第一通道、一第二通道及一第三通道，該複數個第一通道環繞該主軸的中心線排列； <br/> 一刀盤，其固定於該主軸的一端，且包含有複數個安裝部，該複數個安裝部環繞該主軸的中心線排列，且各該安裝部設有 <br/> 一進油道，該進油道與對應的其中一所述第一通道相連通； <br/> 一回油道，該回油道與該第二通道相連通； <br/> 一氣流道，該氣流道與該第三通道相連通；以及 <br/> 一油氣轉接座，其結合於該刀塔本體，且貫設有一入油道、一出油道、一入氣道，該油氣轉接座能抵靠該主軸，使該入油道、該出油道及該入氣道分別連通其中一該第一通道，該第二通道及該第三通道。
如請求項1所述之具有油氣通道的工具機刀塔，其包含有一結合於該主軸的活塞，該刀塔本體內形成有環形的兩內腔室，該兩內腔室於一軸方向上位於該活塞的兩側，且與該刀塔本體的外部相連通，使液體能分別進入、離開該兩內腔室而推動該活塞及該主軸，讓該主軸與該油氣轉接座相抵靠或分離。
如請求項2所述之具有油氣通道的工具機刀塔，其包含有兩咬合座，該兩咬合座分別固定於該主軸及該刀塔本體，該主軸與該油氣轉接座相抵靠時，該兩咬合座相咬合，使該主軸不能相對該刀塔本體轉動；該主軸與該油氣轉接座分離時，該兩咬合座相脫離。
如請求項1所述之具有油氣通道的工具機刀塔，其包含有一外蓋，該外蓋結合於該刀塔本體，且貫設有一工作通道，該油氣轉接座位於該外蓋與該刀塔本體之間，且與該外蓋之間形成一環形腔室，該腔室連通該工作通道，使液體能自該工作通道進入該腔室，推動該油氣轉接座抵靠於該主軸。
如請求項4所述之具有油氣通道的工具機刀塔，其包含有複數個復位彈性件，該複數個復位彈性件設於該油氣轉接座及該刀塔本體之間，且能於液體離開該腔室時推動該油氣轉接座，使該油氣轉接座與該主軸分離。
如請求項1所述之具有油氣通道的工具機刀塔，其中所述油氣轉接座透過複數個結合件結合於該刀塔本體，該工具機刀塔包含複數個限位彈性件，各該限位彈性件設於對應的其中一所述結合件及該油氣轉接座之間，且能帶動該油氣轉接座抵靠於該主軸。
如請求項1至6中任一項所述之具有油氣通道的工具機刀塔，其中所述油氣轉接座設有兩O環，其中一該O環係環繞另一該O環，形成一環狀的回油空間，該回油空間連通該出油道，該主軸旋轉時，該第二通道靠近該油氣轉接座的一端係於該回油空間的範圍內作圓周運動。
如請求項1至6中任一項所述之具有油氣通道的工具機刀塔，其中所述刀盤包含有一環座及一端蓋，該環座結合於該主軸，該複數個安裝部形成於該環座上，該端蓋結合於該環座，且抵靠於該主軸。
如請求項8所述之具有油氣通道的工具機刀塔，其中所述端蓋設有複數個進油銜接道，各該進油銜接道銜接且連通對應的其中一所述安裝部的進油道與對應的其中一所述第一通道。
如請求項8所述之具有油氣通道的工具機刀塔，其中所述端蓋設有一回油銜接道，該回油銜接道銜接且連通該第二通道，該環座及該端蓋之間形成一環狀的回油銜接空間，該回油銜接空間連通該複數個安裝部的回油道及該回油銜接道。
一種膠囊結構，其係包括有： <br/>一膠囊體，具有一結合區域與一光滑保護區域，該結合區域呈現粗糙面的設置； <br/>一膠囊帽，其係套設於該膠囊體的結合區域，該膠囊帽對該結合區域的內側壁面設置為粗糙面；及 <br/>複數粉狀的顆粒體，其係容納於該膠囊體與該膠囊帽內部； <br/>其中，該膠囊體和該膠囊帽在厚度方向上由外而內，皆設有至少一光線吸收層，該膠囊體嵌入在該膠囊帽內，且該光滑保護區域外露該囊體的外側面。
如請求項1所述之膠囊結構，其中，該結合區域具有複數凸點，該等凸點呈均勻分佈設置。
如請求項1所述之膠囊結構，其中，該結合區域具有複數長條狀的切溝，該等切溝呈間隔設置。
如請求項1所述之膠囊結構，其中，該結合區域的表面呈粗糙與波浪形狀設置。
如請求項1所述之膠囊結構，其中，該等粉狀的顆粒體係由咸豐草萃取物、茯苓萃取物、肉桂葉萃取物、桑葉萃取物、芭樂葉萃取物或車前草萃取物的其中之一或其組合所構成。
如請求項1或5所述之膠囊結構，其中，該等粉狀的顆粒體中更包含有由山苦瓜萃取物構成的顆粒體。
如請求項1-5中任一項所述之膠囊結構，其中，該膠囊體係由羥丙基甲基纖維素、純水、鹿角菜膠、二氧化鈦、氯化鉀、紅色氧化鐵與黑色氧化鐵所構成。
如請求項1所述之膠囊結構，其中，該膠囊帽由羥丙基甲基纖維素、純水、鹿角菜膠、二氧化鈦、氯化鉀、紅色氧化鐵與黑色氧化鐵所構成。
如請求項1-5中任一項所述之膠囊結構，其中，該光線吸收層為厚度0.5-5μm的茶多酚層。
如請求項1-5中任一項所述之膠囊結構，其中，該膠囊體與該膠囊帽相結合並構成一體成型設置。
一種車輛派借管理系統，包含：<br/> 一伺服器，配置以提供一數位平台，且該伺服器具有一資料庫，該資料庫包含複數個車輛資訊與複數個司機資訊；<br/> 一申請裝置，通訊連接該伺服器，配置以於該數位平台上即時查詢該些車輛資訊，並提出一派車申請；<br/> 複數個車機裝置，通訊連接該伺服器，配置以於該數位平台填寫該些車輛資訊，並儲存於該資料庫；以及<br/> 一管理裝置，通訊連接該伺服器，配置以於該數位平台調整該派車申請、根據該些車輛資訊與該些司機資訊統計複數個司機的複數個行駛里程數、平準該些司機間的勞務、產生複數個報表、查詢該些報表及匯出該些報表。
如請求項1所述的車輛派借管理系統，其中該伺服器的該資料庫的該些車輛資訊包含車種、車牌以及停放位置，且該伺服器的該資料庫的該些司機資訊包含每日車輛檢點紀錄表、車輛行駛情形日報表、車輛保養維修紀錄表以及車輛事故紀錄表。
如請求項1所述的車輛派借管理系統，其中該申請裝置提出的該派車申請包含申請人姓名、申請單位、派車用途、用車時間、用車人數、車輛種類、目的地以及借還車。
如請求項1所述的車輛派借管理系統，更包含：<br/> 一核准裝置， 通訊連接該申請裝置以及該管理裝置，配置以核准來自該申請裝置提出的該派車申請。
如請求項1所述的車輛派借管理系統，其中該管理裝置配置以指派該些司機以及追蹤複數個未歸還車輛之申請人。
如請求項1所述的車輛派借管理系統，其中該些車機裝置每一者包含一定位模組，配置以記錄對應的該車輛的一全球定位系統軌跡，且該伺服器更包含：<br/> 一計算模組，通訊連接該些車機裝置，配置以接收來自該些車機裝置之該全球定位系統軌跡，並換算油耗量以供該數位平台使用。
如請求項1所述的車輛派借管理系統，其中該伺服器更包含：<br/> 一處理模組，通訊連接該申請裝置，配置以依據該派車申請產生一派車結果。
如請求項7所述的車輛派借管理系統，其中該伺服器更包含：<br/> 一網際網路地圖存取模組，電性連接該處理模組，配置以存取網際網路地圖服務供該處理模組使用以產生該派車結果。
如請求項1所述的車輛派借管理系統，其中該管理裝置產生的該些報表包含彙整報表、該些車輛每一者的該派車申請、繞行計畫、地圖、油耗碳排、季度公務車統計表、月度公務車統計表以及借用紀錄清冊。
如請求項1所述的車輛派借管理系統，其中該伺服器更包含：<br/> 一人工智慧模組，通訊連接該管理裝置，配置以提供油耗預測、駕駛風險預測以及保修保養週期預測。
一種具雲端集中管理的票務系統，適用於提供至少一使用者操作，並與一主電腦裝置、一與該主電腦裝置資訊連接之車站電腦裝置，及一訂位服務裝置傳輸資料，其包含：<br/> 至少一售票地端裝置，提供該使用者操作並取得一票務處理資料，該售票地端裝置透過網路與該車站電腦裝置資訊連接；及<br/> 一售票雲端裝置，設置於網路上並與該售票地端裝置資訊連接，該售票雲端裝置分別與該主電腦裝置，及該訂位服務裝置資訊連接，該售票地端裝置將該票務處理資料傳輸給該售票雲端裝置，該售票雲端裝置依據該票務處理資料與該主電腦裝置，及該訂位服務裝置傳輸資料，該訂位服務裝置提供對號座位的訂位服務，該主電腦裝置提供資料運算及儲存，該車站電腦裝置提供設備參數與交易資料的傳輸。
如請求項1所述具雲端集中管理的票務系統，其中，該雲端集中管理的票務系統還與一外部介面裝置傳輸資料，該外部介面裝置分別與該主電腦裝置、該訂位服務裝置，及該售票雲端裝置資訊連接，該外部介面裝置提供該主電腦裝置與該售票雲端裝置與外部系統傳輸資料。
如請求項1所述具雲端集中管理的票務系統，其中，該雲端集中管理的票務系統還與一資訊發佈裝置傳輸資料，該售票雲端裝置與該資訊發佈裝置資訊連接，以使該售票雲端裝置透過該資訊發佈裝置對外輸出一系統告警資料。
如請求項1所述具雲端集中管理的票務系統，其中，該雲端集中管理的票務系統還與一網域服務裝置傳輸資料，該售票雲端裝置與該網域服務裝置資訊連接，以使該網域服務裝置向該售票雲端裝置輸出一認證資料。
如請求項1所述具雲端集中管理的票務系統，其中，該售票地端裝置是一種人工售票機，該售票雲端裝置中設置有一訂位模組、一付款模組、一取票模組、一退票模組、一變更模組，及一補票模組，該售票地端裝置分別連接該訂位模組、該付款模組、該取票模組、該退票模組、該變更模組，及該補票模組。
如請求項1所述具雲端集中管理的票務系統，其中，該售票地端裝置是一種自動售票機，該售票雲端裝置中設置有一訂位模組、一付款模組，及一取票模組，該售票地端裝置分別連接該訂位模組、該付款模組，及該取票模組。
如請求項1所述具雲端集中管理的票務系統，其中，該售票地端裝置中設置有一離線售票模組，該售票雲端裝置中設置有一離線售票資料，該離線售票模組自該售票雲端裝置中下載離線售票資料，當網路斷線時，該售票地端裝置執行該離線售票模組提供該使用者操作。
如請求項1所述具雲端集中管理的票務系統，其中，該售票雲端裝置中設置有一交易儲存模組，該交易儲存模組用於儲存該票務處理資料。
如請求項1所述具雲端集中管理的票務系統，其中，該售票地端裝置中設置一地端操作介面，以提供該使用者操作該售票地端裝置。
如請求項1所述具雲端集中管理的票務系統，其中，該雲端集中管理的票務系統還適合提供一維運人員操作，該售票雲端裝置中設置一雲端操作介面，以提供該維運人員操作該售票雲端裝置。
一種防誤報結構，其包括： <br/>蓋體（11）；以及 <br/>安裝座（12），所述安裝座（12）設有至少兩個，至少兩個所述安裝座（12）設置在所述蓋體（11）上，且相鄰兩個所述安裝座（12）之間間隔設置，至少兩個所述安裝座（12）均具有用於設置檢測件（22）的接入口（121），且相鄰兩個所述接入口（121）位於不同的水平面上，以限制相鄰兩個所述檢測件（22）之間導通。
根據請求項1所述的防誤報結構，其中所述安裝座（12）包括基底（122），所述接入口（121）開設於所述基底（122）上。
根據請求項2所述的防誤報結構，其中所述安裝座（12）還包括安裝凸起（123），所述安裝凸起（123）設於所述基底（122）上，所述接入口（121）開設於所述安裝凸起（123）上並延伸至所述基底（122）。
根據請求項3所述的防誤報結構，其中在相鄰兩個所述安裝座（12）中，至少一個所述安裝座（12）的所述基底（122）與所述安裝凸起（123）形成階梯狀結構。
根據請求項1所述的防誤報結構，其中所述安裝座（12）凸出所述蓋體（11）的表面。
根據請求項1所述的防誤報結構，其中所述安裝座（12）的延伸方向均垂直於所述蓋體（11）。
根據請求項1所述的防誤報結構，其中所述蓋體（11）上設有進水口（23）和擋板（26），所述進水口（23）用於向設有所述檢測件（22）的一側輸水，所述擋板（26）設於所述檢測件（22）與所述進水口（23）之間，以阻擋自所述進水口（23）輸入的水濺射至所述檢測件（22）上。
根據請求項7所述的防誤報結構，其中所述擋板（26）環繞所述進水口（23）的周側設置以形成為環形擋板。
一種熱膽組件，所述熱膽組件（20）用於對輸入的水加熱，其特徵在於，包括： <br/>熱膽本體（21），所述熱膽本體（21）設有儲水腔（211）以及安裝口（212），所述儲水腔（211）與所述安裝口（212）連通； <br/>如請求項1至8中任一項所述的防誤報結構（10），所述蓋體（11）設於所述安裝口（212），各所述安裝座（12）設於所述蓋體（11）朝向所述儲水腔（211）的一側；以及 <br/>檢測件（22），所述檢測件（22）設有至少兩個，至少兩個所述檢測件（22）對應設於所述安裝座（12）上並延伸至所述儲水腔（211）內。
一種淨飲設備，所述淨飲設備（30）設置如請求項9所述的熱膽組件（20）。
一種隔水件，其包括管件（11），所述管件（11）的外周壁設有導流通道（13），所述管件（11）的外周壁設有導流件（12），所述導流件（12）沿所述管件（11）的軸向設置以形成所述導流通道（13），所述導流通道（13）用於引導濾芯（20）內的水和/或空氣排出。
根據請求項1所述的隔水件，其中所述導流通道（13）沿所述管件（11）的軸向設置。
根據請求項1所述的隔水件，其中所述管件（11）包括第一管體（111）和第二管體（112），所述第一管體（111）與所述第二管體（112）同軸設置，所述第一管體（111）與所述第二管體（112）相連，且所述第一管體（111）的管徑大於所述第二管體（112）的管徑。
根據請求項3所述的隔水件，其中所述導流件（12）包括第一導流件（121）以及第二導流件（122），所述第一導流件（121）設於所述第一管體（111）的外周壁並沿所述第一管體（111）的軸向設置，所述第二導流件（122）設於所述第二管體（112）的外周壁並沿所述第二管體（112）的軸向設置。
根據請求項3所述的隔水件，其中所述第二管體（112）的內周壁設有加強筋（14），所述加強筋（14）沿所述第二管體（112）的軸向延伸。
根據請求項5所述的隔水件，其中所述加強筋（14）設有至少兩個，至少兩個所述加強筋（14）均沿所述第二管體（112）的軸向延伸，至少兩個所述加強筋（14）沿所述第二管體（112）的周向間隔設置，且所述第二管體（112）的內周壁與相鄰兩個所述加強筋（14）圍設形成廢水流道（18），所述廢水流道（18）用於引導所述濾芯（20）內的廢水流出。
根據請求項3所述的隔水件，其中所述第一管體（111）包括主體部（1111）以及安裝部（1112），所述主體部（1111）與所述第二管體（112）相連，所述安裝部（1112）設於所述主體部（1111）背離所述第二管體（112）的一端並沿所述第一管體（111）的徑向延伸。
根據請求項7所述的隔水件，其中所述安裝部（1112）的外周壁設有第一密封槽（15），所述第一密封槽（15）用於嵌入密封件； <br/>和/或，所述主體部（1111）的外周壁背離所述第二管體（112）的一端設有第二密封槽（16），所述第二密封槽（16）用於嵌入密封件； <br/>和/或，所述第二管體（112）的外周壁的兩端均設有第三密封槽（17），所述第三密封槽（17）用於嵌入密封件。
一種濾芯，其包括： <br/>殼體（21）；以及 <br/>如請求項1至8中任一項所述的隔水件（10），所述隔水件（10）設置在所述殼體（21）內，所述隔水件將所述殼體（21）的內部腔室分隔為第一腔室（211）和第二腔室（212），所述第一腔室（211）與所述第二腔室（212）內均設有過濾件（22）。
一種淨飲設備，所述淨飲設備（30）設置有如請求項9中所述的濾芯（20）。
一種股東紀念品領取系統，適用於一供一使用者操作的使用者端裝置及一集保結算伺服器，並包含：<br/> 一登記伺服器，電連接於該使用者端裝置；<br/> 一股務伺服器，電連接於該登記伺服器，並儲存一對應一指定公司的股東名單，該股東名單包含多個分別對應多位股東的股東資料；<br/> 一代理部伺服器，電連接於該集保結算伺服器及股務伺服器；及<br/> 一優惠平台伺服器，電連接於該使用者端裝置及該股務伺服器，並儲存一對應該使用者的券夾資料；<br/> 該登記伺服器接收一來自該使用者端裝置的登記資料，該登記資料指示出該指定公司並包含一身分識別資料；<br/> 該登記伺服器傳送該登記資料至該股務伺服器；<br/> 該股務伺服器透過該代理部伺服器接收一來自該集保結算伺服器並對應該指定公司的已投票股東名單，該已投票股東名單包含多個分別對應多位已投票股東的已投票股東資料；<br/> 該股務伺服器根據該登記資料、該股東名單及該已投票股東名單產生一待發送紀念品名單；<br/> 該股務伺服器傳送該待發送紀念品名單至該優惠平台伺服器；<br/> 該優惠平台伺服器根據該待發送紀念品名單產生一紀念品資料，並將該紀念品資料儲存於對應該使用者的該券夾資料。
如請求項1所述的股東紀念品領取系統，其中，當該股務伺服器判斷該登記資料符合該已投票股東名單包含的該等股東資料其中一者，且判斷該登記資料符合該股東名單包含的該等已投票股東資料其中一者，則該股務伺服器將該登記資料紀錄於該待發送紀念品名單。
如請求項1所述的股東紀念品領取系統，其中，在該登記伺服器接收來自該使用者端裝置並指示出該指定公司的該登記資料前，<br/> 該登記伺服器接收來自該使用者端裝置的登入資料；<br/> 該登記伺服器判定該登入資料通過驗證後，該登記伺服器才會接收來自該使用者端裝置該登記資料。
如請求項3所述的股東紀念品領取系統，其中，該股務伺服器還儲存一對應該使用者的持股資料，該登記伺服器判定該登入資料通過驗證後，<br/> 該登記伺服器傳送對應該使用者的該持股資料至該使用者端裝置；<br/> 該登記伺服器接收來自該使用者端裝置並對應該持股資料的該登記資料。
如請求項3所述的股東紀念品領取系統，其中，該登入資料包含該身分識別資料、一生日及一聯絡資料。
如請求項5所述的股東紀念品領取系統，其中，該登記伺服器根據該聯絡資料執行一一次性密碼驗證程序以判斷該登入資料是否通過驗證。
如請求項1所述的股東紀念品領取系統，還適用於一電連接該使用者端裝置及該優惠平台伺服器的通訊伺服器，其中，在該優惠平台伺服器將該紀念品資料儲存於對應該使用者的該券夾資料後，該優惠平台伺服器透過該通訊伺服器傳送一對應該紀念品資料的已發放紀念品通知至該使用者端裝置。
如請求項1所述的股東紀念品領取系統，其中，該紀念品資料屬於電子票券。
一種逃生滑道機構，適用於安裝在一個安裝機構，並包含：<br/> 一個滑道單元，具有一個用以安裝在該安裝機構的入口端部，及一個相反於該入口端部的出口端部，該滑道單元界定出一個沿一長向方向延伸的逃生滑道；及<br/> 數個彈性布單元，沿該長向方向間隔設置在該滑道單元，每一個該彈性布單元環繞地設置在該滑道單元外側且能收束該滑道單元。
如請求項1所述的逃生滑道機構，其中，每一個該彈性布單元包括一個環繞在該滑道單元外側的彈性布體，及至少一個將該彈性布體固定在該滑道單元的縫線，該彈性布體具有一個靠近該入口端部的第一端部，及一個靠近該出口端部的第二端部，該至少一個縫線設置在該第一端部。
如請求項2所述的逃生滑道機構，其中，每一個該彈性布單元包括數個該縫線，該等縫線呈環狀間隔排列。
如請求項1所述的逃生滑道機構，其中，該滑道單元包括一個延伸布體，及兩個沿該延伸布體的周緣方向間隔設置在該延伸布體頂側的連接模組，該延伸布體具有一個呈管狀的管部，及一個自該管部背離該安裝機構延伸的撐托部，該撐托部界定出一個沿該長向方向延伸的出口，該等連接模組的延伸末端分別位在該出口的長向兩側，每一個該連接模組具有一個沿該長向方向延伸且設置在該延伸布體的延伸條，及一個設置在該撐托部且供該延伸條穿過的穿設件。
如請求項4所述的逃生滑道機構，其中，每一個該延伸條具有一個固定在該管部的條固定部，及一個自該條固定部背離該安裝機構延伸的條活動部，該條活動部可活動地穿過同側之該穿設件。
如請求項4所述的逃生滑道機構，其中，每一個該穿設件呈彎折條狀且具有相反的兩個固定端，該等固定端是沿該長向方向間隔地固定在該撐托部。
如請求項4所述的逃生滑道機構，其中，該滑道單元還包括兩個固定在該延伸布體底側且沿該延伸布體的周緣方向間隔設置的長向強化條，每一個該長向強化條具有一個沿該長向方向延伸的強化部，及一個自該強化部延伸且反折固定在該撐托部延伸末端的穿環部，該穿環部供同側之該延伸條穿過。
如請求項4所述的逃生滑道機構，其中，該滑道單元還包括兩個固定在該延伸布體底側且沿該延伸布體的周緣方向間隔設置的長向強化條，每一個該長向強化條具有一個沿該長向方向延伸的強化部，及一個自該強化部延伸且反折以固定在該撐托部延伸末端的穿環部，該滑道單元還包括兩個分別扣住該等穿環部的扣環，該等扣環分別供該等延伸條穿過。
如請求項7所述的逃生滑道機構，其中，該滑道單元還包括數個沿該長向方向間隔設置在該延伸布體周向外側的周向強化條組，每一個該周向強化條組具有兩個分別設置在該長向方向兩側的周向強化條，每一個該周向強化條固定在同側的該連接模組的該延伸條與同側的該長向強化條間。
一種逃生裝置，適用於安裝在建築物的一個牆壁上，並包含：<br/> 一個安裝機構，用以固定在該牆壁上；及<br/> 一個如請求項1至9任一項所述的逃生滑道機構。
一種用於貨架的告示牌固定座，適用於安裝在一個前後延伸的貨架桿，並供一個牌座設置，該告示牌固定座包含：<br/> 一個承載座體，可用以承載設置該牌座；及<br/> 一個固定夾，連接於該承載座體，該固定夾具有兩個左右間隔相向，且用以可拆離地夾設在該貨架桿的夾片，每一該夾片具有一個由下往上朝另一該夾片傾斜延伸靠近的擴撐段、一個自該擴撐段往上延伸並左右弧彎的夾抵段，及一個自該夾抵段往上並左右弧彎延伸而連接於該承載座體的擺動段，該夾抵段具有一個朝向另一該夾片的弧凹內側面，該固定夾能以該等夾抵段之該等弧凹內側面左右相向夾固於該貨架桿。
如請求項1所述的用於貨架的告示牌固定座，其中，該承載座體具有一個連接於該等夾片的底邊部，及兩個自該底邊部往上延伸且前後間隔相向的承載部，該底邊部與該等承載部相配合界定出一個用以供該牌座往下插置的插置空間。
如請求項2所述的用於貨架的告示牌固定座，其中，該等承載部自該底邊部往上延伸並前後傾斜靠近。
如請求項2或3所述的用於貨架的告示牌固定座，其中，該等承載部是呈左右延伸之片狀。
如請求項2或3所述的用於貨架的告示牌固定座，其中，該等承載部之頂邊不等高。
如請求項4所述的用於貨架的告示牌固定座，其中，該等承載部之頂邊不等高。
一種洗脫烘一體機結構，其中，包括一滾筒組，所述滾筒組設有一滾筒殼體，該滾筒殼體上端設置有至少一入風口及至少一出風口，而該滾筒組上端連接一通風組，且該通風組兩端分別設有一入風護板及一貫流風機，該入風護板下端設有一的灌風入口，而該灌風入口與該出風口連接，且該貫流風機設有一灌風出口，該灌風出口與該入風口連接，而該通風組內部另設有一棉絮阻隔元件、一冷凝器及一加熱器； <br/> 其中，該滾筒組內部的空氣，經過出風口流出到通風組處，再經入風口回流到滾筒組內部。
如請求項1所述的洗脫烘一體機結構，其中，所述棉絮阻隔元件設有一阻隔網，該阻隔網活動插接於該棉絮阻隔元件中，而該阻隔網的一端設置有抽取把手，且該冷凝器連接一冷凝水水箱。
如請求項1所述的洗脫烘一體機結構，其中，所述入風口及出風口上端均設置有一緩衝管道。
如請求項1所述的洗脫烘一體機結構，其中，所述滾筒殼體內部連接一轉動筒體，該轉動筒體遠離開口的一端設有一中轉軸，而該中轉軸插制連接一轉動連接盤，且該轉動連接盤的圓周外側延伸出數盤爪，該盤爪的端部與該轉動筒體的外周處扣接。
如請求項4所述的洗脫烘一體機結構，其中，所述轉動連接盤遠離轉動筒體的一端設置有一皮帶連接輪，該皮帶連接輪連接一動力組，而該動力組設有一皮帶及一電機，且該皮帶連接該皮帶連接輪及該電機。
如請求項5所述的洗脫烘一體機結構，其中，所述滾筒殼體下端部設置有加熱器，該轉動筒體遠離轉動連接盤的一側設置有一門框，而該門框的中心處鉸接設有一開合門體。
如請求項1所述的洗脫烘一體機結構，其中，所述通風組的一端設置有一散熱抽風機及一壓縮機。
如請求項1至7中任一項所述的洗脫烘一體機結構，其中，所述滾筒組連接一滾筒估計元件，該滾筒組及滾筒估計元件設於殼體內，而該滾筒估計元件設有一固定基礎架體，且該固定基礎架體底部設有一電磁排水閥，其中該滾筒殼體設於該固定基礎架體之上，而該固定基礎架體的兩側分別延伸出一防護環，該防護環向上包裹該滾筒殼體外側。
如請求項8所述的洗脫烘一體機結構，其中，所述殼體內設有一蒸汽鍋爐，該殼體外部連接有一電箱，而該電箱的一側設有一臭氧發生器。
如請求項9所述的洗脫烘一體機結構，其中，所述殼體內設有一內部架體，該內部架體兩側分設有一側板，而該內部架體前後端分設有一前面板及一背板，且該前面板中部設有一洗烘入口，該前面板上端部設有一顯示器、一投幣器、一存幣器及一加料口。
一種具有整體式遮光翻蓋的氛圍燈支架，包括：<br/>支架本體，形成有用以容納光導的一部分的第一凹陷空間，該支架本體的一側形成有公扣；以及<br/>翻蓋，一體成型為通過鉸鍊連接至該支架本體的相對於該公扣的另一側，該翻蓋形成有用以容納該光導的另一部分的第二凹陷空間，在該翻蓋的對應該支架本體的一側表面設置遮光塗層，並且在該翻蓋的一側形成有母扣。
如請求項1所述之具有整體式遮光翻蓋的氛圍燈支架，其中，<br/>該第一凹陷空間內形成有相互隔開的二個第一光導限位肋；<br/>該第二凹陷空間內形成有相互隔開的第二光導限位肋；以及<br/>當該光導的第一側置於該第一凹陷空間內，並且該翻蓋覆蓋於該光導支架本體相對的第二側，以及該公扣該母扣相互扣合後，該第一光導限位肋與該第二光導限位肋壓掣於該光導的該第一側與該第二側以將該光導限位。
如請求項2所述的具有整體式遮光翻蓋的氛圍燈支架，其中，<br/>鄰接該公扣的該第一凹陷空間一側形成有限位壁；<br/>鄰接該母扣的該第二凹陷空間一側形成有限位塊，<br/>當該翻蓋與該支架本體藉由該母扣與該公扣相互固定時，該限位壁與該限位塊抵掣該光導的其它側以將該光導限位。
如請求項3所述的具有整體式遮光翻蓋的氛圍燈支架，其中，該支架本體、該翻蓋與該鉸鍊是以塑料成型為一體。
如請求項4所述的具有整體式遮光翻蓋的氛圍燈支架，其中，該支架本體為延伸成弧形的長條狀，該鉸鍊的兩端之間形成有鏤空孔。
一種具有攝影鏡頭隱私蓋的汽車閱讀燈，包括：<br/>閱讀燈本體，設置有燈具模組及攝影機，以及<br/>隱私蓋，可滑動地設於該閱讀燈本體，當該隱私蓋往第一方向移動至第一位置後遮蔽該攝影機，當該隱私蓋往第二方向移動至第二位置後露出該攝影機，其中，該第一方向與該第二方向相反。
如請求項1所述之具有攝影鏡頭隱私蓋的汽車閱讀燈，其中，該閱讀燈本體包括：<br/>支架，具有用以安裝該攝影機的第一鏤空孔，該第一鏤空孔的相對兩側對稱地形成有軌道，以及<br/>面板，具有鏡頭孔，該面板設於該支架，使該鏡頭孔對應該第一鏤空孔及該攝影機；<br/>其中，該隱私蓋的相對兩側對稱地形成有軌槽，該軌槽與該軌道相互滑動配合，使該隱私蓋相對於該支架滑動。
如請求項2所述的具有攝影鏡頭隱私蓋的汽車閱讀燈，其中，<br/>該第一鏤空孔的相對兩側的相對兩端設有定位槽；<br/>該隱私蓋的相對兩側設有安裝孔，該安裝孔內設有彈簧及定位珠，並且該定位珠的一部分突出該安裝孔；以及<br/>當該隱私蓋移動到該第一位置時，該定位珠嵌入其中一端的該定位槽，當該隱私蓋移動到該第二位置時，該定位珠嵌入另一端的該定位槽。
如請求項3所述的具有攝影鏡頭隱私蓋的汽車閱讀燈，其中，該安裝孔設於該隱私蓋的相對兩側的其中一端。
如請求項3所述的具有攝影鏡頭隱私蓋的汽車閱讀燈，其中，該隱私蓋的外側表面形有撥鈕。
一種正反面雙吸附式的裝飾燈，包括：<br/>燈蓋，形成有內空間及連通該內空間的開口，該內空間的底部設有磁鐵；<br/>透光罩，設置於該開口，該透光罩形成有透光部及不透光部；<br/>光源總成，包括有電路板、電連接至該電路板的發光元件及按鍵裝置，該光源總成設於該不透光部面向該內空間的內側；以及<br/>吸盤，設於該不透光部離開該內空間的外側；<br/>其中，通過該不透光部按壓該按鍵裝置時，控制該發光元件發光或不發光。
如請求項1所述的正反面雙吸附式的裝飾燈，其中，該透光部圍繞在該不透光部的周圍。
如請求項2所述的正反面雙吸附式的裝飾燈，其中，該不透光部為軟質的矽膠、橡膠或塑膠材料製成。
如請求項3所述的正反面雙吸附式的裝飾燈，其中，包括有二個該光源總成，其中一個光源總成用以控制該發光元件發光或不發光，另一個光源總成用以控制該發光元件的發光模式。
如請求項4所述的正反面雙吸附式的裝飾燈，其中，該按鍵裝置包括：<br/>矽膠鍵帽，設於該電路板；<br/>微動開關，設於該矽膠鍵帽；以及<br/>按鍵，設於該微動開關；<br/>其中，該按鍵用以控制該微動開關作動，進而控制該發光元件發光或不發光以及發光模式。
如請求項5所述的正反面雙吸附式的裝飾燈，其中，該燈蓋由上燈蓋及下燈蓋組構而成，該上燈蓋和該下燈蓋之間以矽膠材料密封。
一種具局部加厚之腳踏墊結構，其係包括： <br/> 一踏墊體，所述踏墊體設有一表層部、中層部及一底層部，該中層部為具厚度之彈性材質構成，而該中層部夾制固定設於表層部與底層部間； <br/> 一毛氈體，所述毛氈體設有一抗摩擦面及一貼合面，其中該毛氈體之貼合面局部固設於踏墊體所表層部；以及 <br/> 一立體圖紋附著體，該立體圖紋附著體以電繡方式，採浮凸車縫於毛氈體及踏墊體之表層部、中層部與底層部上。
如請求項1所述之具局部加厚之腳踏墊結構，其中，進一步設有一縫線體，該踏墊體之表層部、中層部與底層部係以縫線體車縫結合，而該毛氈體係以縫線體車縫結合於踏墊體之表層部、中層部與底層部上。
如請求項1或2所述之具局部加厚之腳踏墊結構，其中，該踏墊體之表層部、中層部與底層部之整體表面間，以縫線體交叉車縫。
如請求項1或2所述之具局部加厚之腳踏墊結構，其中，該踏墊體層疊之表層部、中層部與底層部邊緣，以高週波或熱壓加工形成一封邊部，而該毛氈體係以高週波或熱壓結合於踏墊體之表層部上。
如請求項1或2所述之具局部加厚之腳踏墊結構，其中，該踏墊體之表層部、中層部與底層部間係以黏著劑黏著結合，而該毛氈體與該踏墊體之表層部亦以黏著劑黏著結合。
如請求項1或2所述之具局部加厚之腳踏墊結構，其中，該踏墊體之表層部、中層部與底層部係以全面積設置黏著劑方式整面黏合，而該毛氈體與該踏墊體之表層部亦以全面積設置黏著劑方式整面黏合。
如請求項1或2所述之具局部加厚之腳踏墊結構，其中，該踏墊體之表層部、中層部與底層部係以邊緣及中央局部區域設置黏著劑方式局部黏合，而該毛氈體與該踏墊體之表層部亦以邊緣及中央局部區域設置黏著劑方式局部黏合。
一種電話管理系統，其能與一第一通話裝置及一第二通話裝置通訊，並包含：<br/> 一通訊單元，其能與該第一通話裝置及該第二通話裝置建立通訊管道；<br/> 一儲存單元，其中儲存一通訊錄，該通訊錄記載對應該第一通話裝置的一第一電話號碼及一第一部門名稱，及對應該第二通話裝置的一第二電話號碼；及<br/> 一處理單元，其電連接該通訊單元及該儲存單元，以藉由該通訊單元與該第一通話裝置及該第二通話裝置通訊；<br/> 其中，當該處理單元接收到來自該第一通話裝置之包含該第二電話號碼的一撥打電話指令時，該處理單元從該通訊錄中取得對應該第一通話裝置的該第一電話號碼及該第一部門名稱，並透過網際網路撥打網路電話至該第二電話號碼所對應的該第二通話裝置，且令該第二通話裝置顯示一包含該第一電話號碼及該第一部門名稱的來電顯示訊息，並判斷該第二通話裝置接聽電話時，該處理單元使該第一通話裝置及該第二通話裝置藉由該通訊單元進行通話。
如請求項1所述的電話管理系統，其中，當該處理單元判斷該第一通話裝置及該第二通話裝置結束通話時，該處理單元根據通話產生包含一通話時間、一通話時長、該第一電話號碼及該第一部門名稱的一第一通話紀錄，並根據通話產生包含該通話時間、該通話時長及該第二電話號碼的一第二通話紀錄，並儲存該第一通話紀錄及該第二通話紀錄至該儲存單元，且於該第二通話裝置的一電話管理介面顯示該第一通話紀錄，並於該第一通話裝置的該電話管理介面顯示該第二通話紀錄。
如請求項2所述的電話管理系統，其中，該處理單元根據該第一通話紀錄產生一對應該第一電話號碼的快速撥號按鍵，並在該電話管理介面顯示該快速撥號按鍵。
如請求項3所述的電話管理系統，其中，當該處理單元判斷該第二通話裝置點選該電話管理介面顯示的該快速撥號按鍵時，該處理單元撥打電話至該第一電話號碼所對應的該第一通話裝置，並判斷該第一通話裝置接通電話時，該處理單元使該第一通話裝置及該第二通話裝置藉由該通訊單元進行通話。
如請求項1或4所述的電話管理系統，其中，當該處理單元使該第一通話裝置及該第二通話裝置藉由該通訊單元進行通話時，該處理單元持續對通話進行錄音；當該處理單元判斷該第一通話裝置及該第二通話裝置結束通話時，該處理單元產生一錄音檔，且將該錄音檔儲存至該儲存單元。
如請求項2所述的電話管理系統，其中，該處理單元將該第一通話紀錄新增至一聯繫統計表中，並將該聯繫統計表儲存至該儲存單元。
如請求項1所述的電話管理系統，其中，當該處理單元判斷無法撥打網路電話至該第二通話裝置時，該處理單元改為透過電話線路撥打該第二電話號碼至該第二通話裝置。
一種試紙檢測裝置，所述該檢測裝置其包括有：<br/>一第一殼體，所述該第一殼體於內側處形成有一第一容置部，該第一容置部於各側邊處具有複數組接部，且該第一容置部於一端處上具有一定位槽另一端處上則具有一凹槽，該定位槽朝該凹槽位置處上依序排列具有：一第一支撐部、一第二支撐部以及一第三支撐部，該第三支撐部朝該凹槽位置處上逐漸傾斜形成有一斜部；<br/>一試紙，所述該試紙於底層處有一作為承載之基底部，該基底部朝上於一端處上設置有一吸附部另一端處上則設置有一引入部，該吸附部設置於該定位槽上且該引入部設置於該凹槽上；<br/>一第二殼體，所述該第二殼體於內側處形成有一第二容置部，該第二容置部於各側邊處具有複數對接部，該等複數組接部以及該等複數對接部互相對接組設結合所述該第一殼體以及所述該第二殼體，且該第二容置部於一端處朝另一端處上依序排列具有：一第一貼合部、一第二貼合部以及一第三貼合部，且所述該第二殼體於外側表面一端處上形成有一注入孔，該注入孔於外圍處凸出隆起形成有一止流部，並所述該第二殼體於外側表面另一端處上形成有一觀測孔。
如申請專利範圍第1項所述之試紙檢測裝置，其中，該第一支撐部、該第二支撐部以及該第三支撐部位於同一軸線上。
如申請專利範圍第1項所述之試紙檢測裝置，其中，在該吸附部設置於該定位槽上且該引入部設置於該凹槽上時，該第一支撐部、該第二支撐部以及該第三支撐部係可以托高所述該試紙之高度位置。
如申請專利範圍第1項所述之試紙檢測裝置，其中，該第一貼合部、該第二貼合部以及該第三貼合部位於同一軸線上。
如申請專利範圍第1項所述之試紙檢測裝置，其中，在所述該第一殼體以及所述該第二殼體互相對接組設結合後，該第一貼合部、該第二貼合部以及該第三貼合部係緊密壓合於所述該試紙上，以將所述該試紙確實地設置於該定位槽以及該凹槽上。
如申請專利範圍第1項所述之試紙檢測裝置，其中，該注入孔可穿透所述該第二殼體相對之二面且位於該第二貼合部以及該第三貼合部之間。
如申請專利範圍第1項所述之試紙檢測裝置，其中，該注入孔朝下且逐漸集中形成有一導流部。
如申請專利範圍第1項所述之試紙檢測裝置，其中，該注入孔緊密貼齊於該引入部上，且利用該斜部逐漸傾斜之關係增加該引入部緩衝之空間。
如申請專利範圍第1項所述之試紙檢測裝置，其中，該觀測孔可穿透所述該第二殼體相對之二面且位於該第一貼合部以及該第二貼合部之間。
如申請專利範圍第1項所述之試紙檢測裝置，其中，該觀測孔朝下且逐漸集中形成有一導視部。
一種出勤自動化輔助系統，包括：<br/> 一行動裝置介面，包括:<br/> 一處理通知模組，包括一地理圍欄組件，該地理圍欄組件配置以生成一地理圍欄資料；<br/> 一定位模組，連接該處理通知模組，並配置以提供一定位資料；<br/> 一無線網路模組，連接該處理通知模組，並配置以提供一無線網路連線資料；<br/> 一藍芽接收模組，連接該處理通知模組，並配置以提供一藍芽接收資料；以及<br/> 一近場通訊模組，連接該處理通知模組，並配置以提供一近場通訊資料；<br/> 一無線網路基地台，連接該無線網路模組； <br/> 一藍芽信標，連接該藍芽接收模組，並配置以向該藍芽接收模組發送複數個藍芽信號；以及<br/> 一近場通訊標籤，連接該近場通訊模組；<br/> 其中該處理通知模組將該定位資料、該無線網路連線資料、該藍芽接收資料之中的一或多者以及該近場通訊資料，與該地理圍欄資料比對，並發送複數個通知。
如請求項1所述之出勤自動化輔助系統，其中該行動裝置介面更包括一資料儲存模組，該資料儲存模組連接該定位模組、該無線網路模組以及該藍芽接收模組，並配置以儲存該定位資料、該無線網路連線資料以及該藍芽接收資料。
如請求項2所述之出勤自動化輔助系統，其中該行動裝置介面更包括一出勤模式計算模組，連接該資料儲存模組，並配置以根據該定位資料、該無線網路連線資料以及該藍芽接收資料計算一出勤模式資料。
如請求項2所述之出勤自動化輔助系統，其中該資料儲存模組包括一應用程式介面接口，該應用程式介面接口配置以輸出該定位資料、該無線網路連線資料以及該藍芽接收資料。
如請求項1所述之出勤自動化輔助系統，<br/> 其中該地理圍欄資料包括一第一地理圍欄資料以及一第二地理圍欄資料，<br/> 其中該定位模組提供一第一定位資料以及一第二定位資料，<br/> 其中該無線網路基地台包括一第一無線網路基地台以及一第二無線網路基地台，該無線網路模組分別連接該第一無線網路基地台與該第二無線網路基地台，並提供一第一無線網路連線資料以及一第二無線網路連線資料，<br/> 其中該藍芽信標包括一第一藍芽信標以及一第二藍芽信標，該藍芽接收模組分別連接該第一藍芽信標與該第二藍芽信標，並提供一第一藍芽接收資料以及一第二藍芽接收資料，<br/> 其中該近場通訊標籤包括一第一近場通訊標籤以及一第二近場通訊標籤，該近場通訊模組分別連接該第一近場通訊標籤與該第二近場通訊標籤，並提供一第一近場通訊資料以及一第二近場通訊資料，<br/> 其中該第一無線網路基地台、該第一藍芽信標以及該第一近場通訊標籤位於該第一地理圍欄資料的一地理範圍內，該第二無線網路基地台、該第二藍芽信標以及該第二近場通訊標籤位於該第二地理圍欄資料的一地理範圍內，<br/> 其中該行動裝置介面更包括一地理圍欄切換模組，連接該定位模組、該無線網路模組、該藍芽接收模組以及該處理通知模組，<br/> 其中，當該地理圍欄切換模組配置以將該第一地理圍欄資料切換至該第二地理圍欄資料時，該處理通知模組配置以將該第二定位資料、該第二無線網路連線資料與該第二藍芽接收資料之中的一或多者以及該第二近場通訊資料，與該第二地理圍欄資料比對，並發送該些通知。
如請求項5所述之出勤自動化輔助系統，其中該地理圍欄切換模組根據複數個時點於該第一地理圍欄資料與該第二地理圍欄資料中多次切換。
如請求項1所述之出勤自動化輔助系統，其中該處理通知模組更包括:<br/> 一處理組件，連接該地理圍欄組件，並配置以將該定位資料、該無線網路連線資料及該藍芽接收資料之中的該一或多者以及該近場通訊資料，與該地理圍欄資料處理比對，取得一比對結果；以及<br/> 一通知組件，連接該處理組件，並配置以發送該些通知。
如請求項7所述之出勤自動化輔助系統，其中該通知組件包括:<br/> 一打卡通知元件，配置以根據該比對結果，發送該些通知的複數個打卡提醒通知；以及<br/> 一異常通知元件，連接該打卡通知元件，並配置以根據該比對結果發送該些通知的複數個異常提醒通知。
如請求項8所述之出勤自動化輔助系統，其中發送該些異常提醒通知包括發送該些異常提醒通知至一其他行動裝置介面。
如請求項9所述之出勤自動化輔助系統，其中該些異常提醒通知為超時未打卡通知、無比對資料通知或其組合。
一種光學鏡頭裝置，用以與一影像感測器模組對接，包含： 一第一透鏡，該第一透鏡的一側設有一第一螺紋結構；以及<br/> 一第二透鏡，該第二透鏡的一側設有一第二螺紋結構；其中，該第二螺紋結構與該第一螺紋結構彼此對應螺接結合。
如請求項1所述的光學鏡頭裝置，其中，該第一透鏡另一側與該第二透鏡另一側皆不是螺紋結構。
一種光學鏡頭裝置，用以與一影像感測器模組對接，包含：<br/> 一第一透鏡，該第一透鏡的一側設有一第一螺紋結構；<br/> 一第二透鏡，該第二透鏡的一側設有一第二螺紋結構，該第二透鏡另一側設有一第三螺紋結構；其中，該第二螺紋結構與該第一螺紋結構彼此對應螺接結合；以及<br/> 一第三透鏡，該第三透鏡的一側設有一第四螺紋結構，該第四螺紋結構與該第三螺紋結構彼此對應螺接結合。
如請求項3所述的光學鏡頭裝置，其中，該第一透鏡另一側與該第三透鏡另一側皆不是螺紋結構。
如請求項3所述的光學鏡頭裝置，其中，所述各螺紋結構的螺紋型態是三角螺紋、方形螺紋、梯形螺紋或波形螺紋。
一種光學鏡頭裝置，用以與一影像感測器模組對接，包含：<br/> 複數片透鏡元件，每片透鏡元件對應的軸向相鄰兩側分別設有公牙螺紋結構或母牙螺紋結構，相鄰的透鏡元件是以螺紋結構彼此對接組合，該相鄰的透鏡元件是以彼此對應的公牙螺紋結構或母牙螺紋結構螺接結合。
如請求項6所述的光學鏡頭裝置，其中，所述各透鏡元件未與另一片透鏡元件螺接結合的一側不是螺紋結構；所述各透鏡元件的中間區域是透光區，該透光區中光所經過的表面是平面、凸面或凹面；且該凸面與凹面可為球面或非球面；該光學鏡頭裝置是可重複拆解與組裝結構，用以使得該光學鏡頭裝置可由使用者手工直接旋轉組裝，無需額外治具輔助。
如請求項6所述的光學鏡頭裝置，其中，所述各透鏡元件的直徑小於 20 mm 時，其螺距小於 0.25 mm，且螺紋型態是三角螺紋或梯形螺紋。
如請求項6所述的光學鏡頭裝置，其中，所述各透鏡元件的直徑介於 20 mm 至 50 mm 之間時，其螺距介於 0.25 mm 至 8 mm 之間，且螺紋型態是三角螺紋、梯形螺紋或波形螺紋。
如請求項6所述的光學鏡頭裝置，其中，所述各透鏡元件的直徑大於 50 mm 時，其螺距大於 8 mm，且螺紋型態是方形螺紋或梯形螺紋。
一種球棒型容器，其包含有：<br/> 一球棒本體，其具有一棒頭部及一棒頸部，該棒頭部與該棒頸部分別位於該球棒本體之兩端，該球棒本體的表面由該棒頭部朝該棒頸部方向漸縮，進而形成一打擊面，該棒頸部具有一開口，該開口與該球棒本體內部的一置物空間連通；以及<br/> 一握持本體，其可拆卸地與該球棒本體結合，使該球棒本體的該置物空間與該球棒本體外部呈連通或不連通。
如請求項1所述之球棒型容器，其中，該球棒本體具有一第一結合部，該第一結合部與該棒頸部的該開口連接，該握持本體具有一第二結合部，該第二結合部凸設於該握持本體之一端，該第二結合部的外螺紋可拆卸地與該第一結合部的內螺紋結合。
如請求項2所述之球棒型容器，其中，該握持本體具有一握把部及一握柄部，該握把部連接於該第二結合部與該握柄部之間，且該握把部與該握柄部之間凹陷形成有一凹弧面。
如請求項1所述之球棒型容器，其中，該球棒型容器沿一軸線方向具有一第一長度，該握持本體沿該軸線方向具有一第二長度，該第二長度與該第一長度之比值介於0.6至0.7之間。
如請求項1至4中任一項所述之球棒型容器，其中，該球棒本體係以透明或半透明材質製成。
如請求項1至4中任一項所述之球棒型容器，其中，該握持本體之顏色為紅色、橙色、黃色、綠色、藍色、紫色、粉紅色、棕色、白色、黑色、灰色或金色。
如請求項1至4中任一項所述之球棒型容器，其中，該球棒本體的該打擊面設置有一裝飾圖案，該裝飾圖案相鄰於該棒頭部。
一種可遠端遙控的無人載具槍架裝置，包括：主支架，內側形成有架槍空間，並具有：支撐腳架，設置於該主支架下方；以及主電控裝置，設置於該主支架上方，並包含：處理單元、遙控單元以及供電單元；槍身固定模組，設置於該架槍空間，並具有：固定架，設置於槍枝的上機匣與下機匣外側，並且為管狀，該固定架上方的截面為直線型，下方的截面為L型，該截面為沿著該固定架的中心對稱線剖出，該固定架包含：槍管端，位於該固定架靠近該槍枝的槍口的一端；以及握把端，位於該固定架的另一端；以及擺動架，設置於該槍管端，並藉由橫向旋轉軸連接該固定架，並具有連接部，位於該擺動架遠離該固定架的一側；以及緩衝模組，連接該槍身固定模組與該主支架，並具有：緩衝滑塊，藉由俯仰旋轉軸連接該主支架；緩衝滑軌組，包含：設置於該連接部的內軌，以及設置於該緩衝滑塊的外軌；以及彈簧，設置於該固定架，並連接該緩衝滑塊。
如請求項1所述之可遠端遙控的無人載具槍架裝置，其中，該緩衝模組還具有：緩衝驅動單元，設置於該固定架，並電性連接該主電控裝置；彈力調整螺桿，設置於該彈簧連接該固定架的一端，用以調整該彈簧的彈力：以及調整齒輪組，連接該緩衝驅動單元與該彈力調整螺桿；其中，藉由該緩衝驅動單元轉動該調整齒輪組，使該彈力調整螺桿靠近或遠離該彈簧，從而改變該彈簧的初始彈力。
如請求項1所述之可遠端遙控的無人載具槍架裝置，其中，該槍身固定模組還具有俯仰微調機構，包含：第一驅動單元，設置於該主支架，並電性連接該主電控裝置；俯仰微調齒輪，設置於該緩衝滑塊的外側；以及第一驅動齒輪，連接該第一驅動單元與該俯仰微調齒輪；其中，該第一驅動單元藉由該第一驅動齒輪嚙合該俯仰微調齒輪，從而帶動該槍身固定膜組以調整該槍枝的槍口方向之俯仰角度。
如請求項3所述之可遠端遙控的無人載具槍架裝置，其中，該槍身固定模組還具有橫向微調機構，包含：第二驅動單元，設置於該擺動架；以及橫向微調齒輪，設置於該固定架；其中，該第二驅動單元藉由第二驅動齒輪嚙合該橫向微調齒輪，從而藉由該固定架帶動該槍枝以調整該槍口方向之橫向。
如請求項1至4中任一項所述之可遠端遙控的無人載具槍架裝置，還包括飛行模組，該飛行模組具有：飛行底座，設置有複數固定螺孔；複數升力電機組，設置於該飛行底座的上方，並包含：螺旋槳以及連接該螺旋槳的升力驅動單元；以及飛行電控裝置，設置於該飛行底座，電性連接該等升力電機組；其中，該飛行模組藉由固定件固定於該主支架，並且電性連接該主電控裝置與該飛行電控裝置，藉由該遙控單元操控該飛行模組。
如請求項1至4中任一項所述之可遠端遙控的無人載具槍架裝置，還包括陸行模組，該陸行模組具有：陸行底座，設置有複數固定螺孔；複數移動電機組，設置於該陸行底座，並包含：移動單元以及連接該移動單元的移動驅動單元；陸行電控裝置，設置於該陸行底座，電性連接該等移動電機組；其中，該支撐腳架藉由固定件與該等固定螺孔固定於該陸行底座，並且電性連接該主電控裝置與該陸行電控裝置，藉由該遙控單元操控該陸行模組。
如請求項6所述之可遠端遙控的無人載具槍架裝置，其中，該陸行模組還具有橫向旋轉機構，包含：旋轉台，設置於該陸行底座；旋轉驅動單元，設置於該陸行底座；以及旋轉齒輪組，連接該旋轉台與該旋轉驅動單元，包含：從動齒輪與旋轉齒輪；其中，該從動齒輪設置於該旋轉台，以及該旋轉齒輪設置於該旋轉驅動單元，藉由該旋轉驅動單元經由該旋轉齒輪嚙合該從動齒輪使該旋轉台轉動。
一種具有切割與辨識盜開功能的瓶蓋，包含有蓋體以及安全環，其中：<br/>該蓋體包括蓋頂壁及從蓋頂壁外圓周朝下延伸之環壁，沿著環壁內圓周設有內螺牙，環壁底端緣凹設有凹槽，凹槽中間設置有朝下延伸之切割部，且切割部之底端伸出環壁底端緣，讓凹槽於切割部兩側各形成凹口；<br/>該安全環頂端緣設有多數環列分佈之連接點，以對應連結於環壁底端緣，安全環頂端緣設有朝上伸入配合兩凹口之對應凸部，且兩凸部之間形成配合切割部之對應凹部。
如申請專利範圍第1項所述之具有切割與辨識盜開功能的瓶蓋，其中該蓋體之切割部底端伸入於安全環頂端緣與凹部內。
如申請專利範圍第1項所述之具有切割與辨識盜開功能的瓶蓋，其中該凹部朝下伸入於安全環內部。
如申請專利範圍第1項所述之具有切割與辨識盜開功能的瓶蓋，其中該切割部設為由上朝下漸縮之三角形。
如申請專利範圍第4項所述之具有切割與辨識盜開功能的瓶蓋，其中該切割部一側設為直邊，且切割部另一側設為斜邊。
一種用於固定板材的C型固定條，形成為橫向斷面呈C型的條狀體，包括：<br/> 二個彼此平行的第一側壁；<br/> 一個第二側壁，連接在該二個第一側壁的一端部；<br/> 間隔板，連接在該二個第一側壁的內側之間，該間隔板與該第二外側壁之間形成有間隔空間，該間隔板與該二個第一側壁的另一端部之間形成插接空間；以及<br/> 肋板，形成在該間隔空間並且連接該間隔板與該第二側壁。
如請求項1所述之用於固定板材的C型固定條，其中，該間隔板與該第二側壁彼此平行。
如請求項2所述之用於固定板材的C型固定條，其中，該肋板具有複數個。
如請求項3所述之用於固定板材的C型固定條，其中，該複數個肋板彼此平行。
一種具有布面板的電腦機殼，其特徵在於，所述的電腦機殼包括具有開口的機殼，所述的開口安裝可拆卸布面板，所述的布面板包括面板主體和布套，所述的布套的邊緣設置彈性帶，通過所述的彈性帶，所述的布套的主體部分覆蓋所述的面板主體的外側，所述的布套的邊緣自動收緊在所述的面板主體的內側。
根據請求項1所述的具有布面板的電腦機殼，其中所述的布套的邊緣和所述的面板主體的內側之間設置連接組件。
根據請求項2所述的具有布面板的電腦機殼，其中所述的連接組件包括銷釘和與所述的銷釘相配合的圈狀扣，所述的銷釘設置在所述的布套的邊緣和所述的面板主體的內側中的一個上，所述的圈狀扣設置在所述的布套的邊緣和所述的面板主體的內側中的另一個上。
根據請求項2所述的具有布面板的電腦機殼，其中所述的連接組件爲磁吸配合組件或魔鬼氈貼合組件。
根據請求項1所述的具有布面板的電腦機殼，其中所述的布套爲透氣布套。
根據請求項1所述的具有布面板的電腦機殼，其中所述的面板主體的內側通過卡扣組件安裝在所述的機殼上。
根據請求項6所述的具有布面板的電腦機殼，其中所述的卡扣組件包括蘑菇頭和與所述的蘑菇頭相匹配的卡扣，所述的蘑菇頭設置在所述的面板主體的內側，所述的卡扣設置在所述的機殼上。
根據請求項6所述的具有布面板的電腦機殼，其中所述的卡扣組件包括定位銷，所述的定位銷設置在所述的面板主體的內側。
根據請求項1所述的具有布面板的電腦機殼，其中所述的面板主體爲網面板主體。
根據請求項1所述的具有布面板的電腦機殼，其中所述的彈性帶沿所述的布套的邊緣的一周設置。
一種水箱護蓋之防震結構，係包含：<br/> 一水箱護蓋，係形成有相對的內端面及外端面，且於該水箱護蓋上成型有數通氣孔，另於該水箱護蓋適位處設有數鎖孔；<br/> 數襯墊，係分別對應套設於該水箱護蓋之數該鎖孔，且於該襯墊成型有一止擋緣，以與該水箱護蓋的內端面相抵定位，另於該襯墊中心設有一穿孔。
如請求項1所述之水箱護蓋之防震結構，其中，該水箱護蓋之防震結構係進一步包含有數螺絲，該螺絲係設有一螺絲桿及一與該螺絲桿一端相連接之螺絲頭，數該螺絲之該螺絲桿係分別穿設於數該襯墊之該穿孔中。
如請求項2所述之水箱護蓋之防震結構，其中，該水箱護蓋之防震結構係進一步包含有數襯套，該襯套係形成有相對的內端面及外端面，且於該襯套的外端面設有一凹槽，並於該凹槽的槽底設有一透孔，數該螺絲之該螺絲桿係分別穿設於數該襯套之該透孔，另數該螺絲之該螺絲頭係分別對應埋設於數該襯套之該凹槽中。
如請求項3所述之水箱護蓋之防震結構，其中，該襯套的內端面係與該水箱護蓋的外端面相抵接觸。
如請求項1所述之水箱護蓋之防震結構，其中，該水箱護蓋之防震結構係進一步包含有數護蓋環，數該護蓋環係分別對應嵌設於該水箱護蓋之數該鎖孔，該護蓋環二端係分別設有一第一凸緣及一第二凸緣，該第一凸緣及該第二凸緣係分別與該水箱護蓋的內端面及外端面相抵定位，又於該護蓋環中心設有一通孔，數該襯墊係分別對應套設於數該護蓋環之該通孔，數該襯墊之該止擋緣係與數該護蓋環之該第一凸緣相抵定位。
如請求項5所述之水箱護蓋之防震結構，其中，該水箱護蓋之防震結構係進一步包含有數螺絲，該螺絲係設有一螺絲桿及一與該螺絲桿一端相連接之螺絲頭，數該螺絲之該螺絲桿係分別穿設於數該襯墊之該穿孔中。
如請求項6所述之水箱護蓋之防震結構，其中，該水箱護蓋之防震結構係進一步包含有數襯套，該襯套係形成有相對的內端面及外端面，且於該襯套的外端面設有一凹槽，並於該凹槽的槽底設有一透孔，數該螺絲之該螺絲桿係分別穿設於數該襯套之該透孔，另數該螺絲之該螺絲頭係分別對應埋設於數該襯套之該凹槽中。
如請求項7所述之水箱護蓋之防震結構，其中，該襯套的內端面係與該護蓋環的第二凸緣相抵接觸。
如請求項3或7所述之水箱護蓋之防震結構，其中，該襯套係為彈性材。
如請求項1所述之水箱護蓋之防震結構，其中，該襯墊係為彈性材。
一種集線器，包含： <br/>一集線器本體，包含相對的兩主表面及一擴充端面，該擴充端面連接該兩主表面，該擴充端面設置有一第一輸入/輸出介面，其中，該集線器本體上形成有兩第一容置淺槽，分別位於該兩主表面且鄰近該擴充端面； <br/>一第一周邊擴充套件，包含： <br/>一第一套件本體，包含相對的兩第一表面、一第一對接端面及一第一待接端面，該第一對接端面及該第一待接端面相對設置，且連接該兩第一表面，該第一對接端面設置有一第二輸入/輸出介面，該第一待接端面設置有一第三輸入/輸出介面，該第一套件本體上形成有兩第二容置淺槽，分別位於該兩第一表面且鄰近該第一待接端面；以及 <br/>兩第一延伸片，分別由該兩第一表面鄰近該第一對接端面的一端延伸而出；以及 <br/>一側邊飾蓋，包含一側板及兩側片，該兩側片分別連接於該側板的相對兩側， <br/>其中，該第一套件本體的該第一對接端面與該集線器本體的該擴充端面相互對接，且該兩第一延伸片分別固接於該集線器本體的該兩第一容置淺槽，該第二輸入/輸出介面並與該第一輸入/輸出介面對接且電性連接， <br/>其中，該側邊飾蓋的該側板適於覆蓋該第一待接端面，且該兩側片適於分別固接於該第一套件本體的該兩第二容置淺槽。
如請求項1所述的集線器，其中，該集線器本體設置有一或多種I/O介面，包括電源介面、資料通訊介面、網路介面、視訊介面及/或序列通訊介面。
如請求項1所述的集線器，其中，該第一周邊擴充套件選自USB介面擴充模組、USB電源擴充模組、及序列通訊介面擴充模組其中之一。
如請求項1所述的集線器，其中，該兩主表面分別與該兩第一表面齊平。
如請求項1所述的集線器，其中，每一該兩第一容置淺槽及每一該兩第二容置淺槽上分別形成有至少一卡孔，每一該兩第一延伸片及每一該兩側片上分別形成有至少一卡勾，經由該至少一卡勾與所對應之該至少一卡孔的相互卡設，該兩第一延伸片分別固接於該兩第一容置淺槽，該兩側片分別固接於該兩第二容置淺槽。
如請求項1所述的集線器，更包含多個鎖固元件，相互固接的每一該兩第一延伸片及每一該兩第一容置淺槽更經由每一該些鎖固元件鎖固在一起。
如請求項1所述的集線器，其中，該第一輸入/輸出介面為一PCIe母端插座，該第二輸入/輸出介面為一PCIe公端插接件，該第三輸入/輸出介面為一PCIe母端插座。
如請求項1所述的集線器，其中，該第一輸入/輸出介面為一USB Type C母端插座，該第二輸入/輸出介面為一USB Type C公端插接件，該第三輸入/輸出介面為一USB Type C母端插座。
如請求項7或8所述的集線器，其中，該側邊飾蓋更包含一插設部，設置於該側板且位於該兩側片之間。
如請求項1所述的集線器，其中，經由該第一輸入/輸出介面與該第二輸入/輸出介面之對接，該集線器本體與該第一周邊擴充套件之間進行訊號傳輸，且電力由該集線器本體供應至該第一周邊擴充套件。
如請求項1所述的集線器，更包含一第二周邊擴充套件，該第二周邊擴充套件包含： <br/>一第二套件本體，包含相對的兩第二表面、一第二對接端面及一第二待接端面，該第二對接端面及該第二待接端面相對設置，且連接該兩第二表面，該第二對接端面設置有一第四輸入/輸出介面，該第二待接端面設置有一第五輸入/輸出介面，該第二套件本體上形成有兩第三容置淺槽，分別位於該兩第二表面且鄰近該第二待接端面；以及 <br/>兩第二延伸片，分別由該兩第二表面鄰近該第二對接端面的一端延伸而出， <br/>其中，該第二套件本體的該第二對接端面與該第一套件本體的該第一待接端面相互對接，且該兩第二延伸片分別固接於該第一套件本體的該兩第二容置淺槽，該第四輸入/輸出介面並與該第三輸入/輸出介面對接且電性連接， <br/>其中，該側板適於覆蓋該第二待接端面，且該兩側片適於分別固接於該第二套件本體的該兩第三容置淺槽。
如請求項11所述的集線器，其中，該第一周邊擴充套件及該第二周邊擴充套件分別選自USB介面擴充模組、USB電源擴充模組、及序列通訊介面擴充模組其中之一，且該第一周邊擴充套件及該第二周邊擴充套件相同或相異。
如請求項11所述的集線器，其中，該兩主表面、該兩第一表面及該兩第二表面齊平。
如請求項11所述的集線器，其中，每一該兩第一容置淺槽、每一該兩第二容置淺槽及每一該兩第三容置淺槽上分別形成有至少一卡孔，每一該兩第一延伸片、每一該兩第二延伸片及每一該兩側片上分別形成有至少一卡勾，經由該至少一卡勾與所對應之該至少一卡孔的相互卡設，該兩第一延伸片分別固接於該兩第一容置淺槽，該兩第二延伸片分別固接於該兩第二容置淺槽，該兩側片分別固接於該兩第三容置淺槽。
如請求項11所述的集線器，更包含多個鎖固元件，相互固接的每一該兩第一延伸片及每一該兩第一容置淺槽、以及相互固接的每一該兩第二延伸片及每一該兩第二容置淺槽經由每一該些鎖固元件鎖固在一起。
如請求項11所述的集線器，其中，該第一輸入/輸出介面為一PCIe母端插座，該第二輸入/輸出介面為一PCIe公端插接件，該第三輸入/輸出介面為一PCIe母端插座，該第四輸入/輸出介面為一PCIe公端插接件，該第五輸入/輸出介面為一PCIe母端插座。
如請求項11所述的集線器，其中，該第一輸入/輸出介面為一USB Type C母端插座，該第二輸入/輸出介面為一USB Type C公端插接件，該第三輸入/輸出介面為一USB Type C母端插座，該第四輸入/輸出介面為一USB Type C公端插接件，該第五輸入/輸出介面為一USB Type C母端插座。
如請求項16或17所述的集線器，其中，該側邊飾蓋更包含一插設部，設置於該側板且位於該兩側片之間。
如請求項11所述的集線器，其中，經由該第一輸入/輸出介面與該第二輸入/輸出介面之對接、以及該第三輸入/輸出介面與該第四輸入/輸出介面之對接，該集線器本體、該第一周邊擴充套件、及該第二周邊擴充套件之間進行訊號傳輸，且電力由該集線器本體供應至該第一周邊擴充套件及該第二周邊擴充套件。
一種雲端印刷服務系統，其安裝於一電子裝置中，並與一雲端伺服器通訊連接，並包括有：<br/> 一註冊登入頁面，其係提供複數使用者連線並註冊為會員並登入；<br/> 一第一頁面，其係包括有複數下游商資訊，各該下游商資訊由各該會員建立，並儲存於該雲端伺服器，並提供各該會員瀏覽各該下游商資訊；<br/> 一第二頁面，其係包括有複數上游商資訊及一字串欄位，各該上游商資訊由另一各該會員建立，並儲存於該雲端伺服器，並提供各該會員瀏覽各該上游商資訊；該字串欄位提供至少一會員輸入一印刷需求並上傳到該雲端伺服器，由該雲端伺服器識別該印刷需求，並由各該上游商資訊中檢索至少一與該印刷需求匹配的該上游商資訊；及<br/> 一第三頁面，其係包括有至少一上傳欄位及一報價欄位，該上傳欄位提供至少一建立該上游商資訊之會員上傳至少一印刷品相片或該印刷需求至該雲端伺服器，由該雲端伺服器識別該印刷品相片及該印刷需求，生成一報價單，並顯示於該報價欄位。
如請求項1所述之雲端印刷服務系統，其中各該下游商資訊包括至少一接單承包商資訊、至少一加工廠資訊、至少一代工廠資訊、至少一原物料供應商資訊及至少一直通合版廠資訊；該上游廠商資訊包括有至少一印刷公司資訊。
如請求項1所述之雲端印刷服務系統，其中該接單承包商資訊、該加工廠資訊、該代工廠資訊、該原物料供應商資訊、該直通合版廠資訊及該印刷公司資訊分別包括有至少一通訊資料、至少一用於展示或介紹之圖文或影片、至少一服務項目、至少一評價區、一人才招募區及一設備交易區。
如請求項1所述之雲端印刷服務系統，其中該第一頁面及該第二頁面分別包括有一付費機制及至少一置頂區，至少一建立該下游商資訊之會員及至少一建立該上游商資訊之會員透過該付費機制支付一預定費用，使付費後的該下游商資訊及該上游商資訊分別進入該置頂區。
如請求項1所述之雲端印刷服務系統，其中該雲端伺服器中包括有一人工智慧模型，由該人工智慧模型接收與識別該印刷品相片，並推理判斷該印刷品相片之所需的複數原物料及其成本與複數工藝技術及其成本，而生成該報價單，該報價單包括各該原物料之成本金額、各該工藝技術之成本金額及各該原物料之成本金額與各該工藝技術之成本金額的總和金額；該工藝技術包括印前、製版、紙品，印刷、上光、裱紙、軋工、糊工、裁摺、裝訂、刀模、燙金、包裝及運費。
如請求項5所述之雲端印刷服務系統，其中至少一建立該上游商資訊之會員，在該上游商資訊中發布該印刷品相片及該印刷需求之至少一該工藝技術；至少一建立該下游商資訊之會員，在該上游商資訊中承接該工藝技術。
一種自動展開及收合的移動式會場車，其包括：<br/> 一貨車車體，其後方具有一車架；<br/> 一平台與一頂板，該平台用於水平固定在該車架上，該頂板水平設置在該平台的上方；<br/> 兩前升降機構與兩後升降機構，其下端分別垂直固定在該平台的前端與後端的兩側，其上端分別固定在該頂板的前端與後端的兩側，且該兩後升降機構之間行成一人員出入口；<br/> 多數支撐桿，該些支撐桿的一固定端樞接在該平台的兩側，該些支撐桿的一自由端能向該平台的兩側方向伸展並抵靠在地面上，該些支撐桿也能收合到該平台中；<br/> 兩折疊式牆板組，其設置在該平台與該頂板之間的兩側；各該折疊式牆板組具有多片相互樞接的板體，可向該平台兩側展開成相連接的至少一屋頂板、一側牆板及至少一地板，且該地板放置在該支撐桿上；<br/> 兩前牆板組及兩後牆板組，兩前牆板組一端樞接在該平台與該頂板前端的兩側之間，能展開成連接在該屋頂板、側牆板及地板前端的前牆板；兩後牆板組一端樞接在該平台與該頂板後端的兩側之間，能展開成連接在該屋頂板、側牆板及地板後端的後牆板；以及<br/> 一樓梯板，其樞接在該平台的後端，用於收合時封閉住該人員出入口，並能向後翻轉並斜靠在地面上，用以開放該人員出入口。
如請求項1所述自動展開及收合的移動式會場車，其中該兩前升降機構與該兩後升降機構分別為油壓升降柱體，用於展開該頂板及兩側的兩折疊式牆板組。
如請求項1所述自動展開及收合的移動式會場車，其中該些支撐桿可水平轉動地使其固定端樞接在該平台的兩側。
如請求項3所述自動展開及收合的移動式會場車，其中該些支撐桿的自由端設有一油壓桿，該油壓桿的作動端能伸長抵靠在地面上。
如請求項1所述自動展開及收合的移動式會場車，其中該折疊式牆板組包括相樞接的一第一屋頂板、一第二屋頂板、一側牆板及兩地板；該第一屋頂板的上邊樞接在該頂板的側邊，該第二屋頂板的下邊樞接在該側牆板的上邊；該側牆板的下邊樞接在該兩地板其中之一的外邊；該兩地板其中另一的內邊樞接在該平台的側邊。
如請求項5所述自動展開及收合的移動式會場車，其中該折疊式牆板組中設有若干伸展油壓桿，用於展開及後合該折疊式牆板組。
如請求項1所述自動展開及收合的移動式會場車，其中該樓梯板設有兩油壓桿，用於收合及翻轉該樓梯板。
如請求項1所述自動展開及收合的移動式會場車，其中該兩前牆板組分別具有相樞接的一下前牆板及一上前牆板，並設有油壓桿用於彼此展開及收折。
如請求項1所述自動展開及收合的移動式會場車，其中該兩後牆板組分別具有相樞接的一下後牆板及一上後牆板，並設有油壓桿用於彼此展開及收折。
如請求項1所述自動展開及收合的移動式會場車，其中該兩前升降機構之間設有一伸縮前牆板，並與該兩前升降機構一起升降，用於封閉該兩前升降機構之間的空間。
一種線性馬達，包括：<br/> 一殼體；<br/> 一動子組件，該動子組件包括一振子和一永磁鐵，該永磁鐵固定設置於該振子；<br/> 一定子組件，該定子組件包括一繞線塊和一繞組，該繞線塊固定設置於該殼體，一導線繞設於該繞線塊上形成該繞組，該導線的徑向截面為矩形，該繞組通入交變電流以驅動該動子組件沿一振動方向往復運動，該動子組件帶動該殼體產生振動。
如請求項1所述的線性馬達，其中，該振子開設有一容納孔，該定子組件和該永磁鐵均設置於該容納孔內，且該永磁鐵位於該定子組件垂直於該動子組件振動方向上的兩側。
如請求項2所述的線性馬達，其中，該動子組件還包括一導磁板，該導磁板貼設於該容納孔的內壁，該些永磁鐵沿該動子組件的振動方向排列並磁吸固定於該導磁板上。
如請求項2所述的線性馬達，其中，該動子組件還包括一緩衝塊，該緩衝塊固定設置於該容納孔在該動子組件振動方向上的內壁。
如請求項1所述的線性馬達，其中，該線性馬達還包括一彈性組件，該彈性組件設置於該振子與該殼體之間，且該振子在該振動方向上的兩側均設置有該彈性組件。
如請求項5所述的線性馬達，其中，該彈性組件包括一彈性件和一阻尼塊，該彈性件包括相連接的一第一彈性部和一第二彈性部，該第一彈性部和該第二彈性部能夠靠近或遠離以儲存或釋放彈性勢能，該第一彈性部抵接於該殼體，該第二彈性部抵接於該振子，該阻尼塊提升該彈性件形變時的阻尼。
如請求項6所述的線性馬達，其中，該第一彈性部朝向該第二彈性部的一側設置有一限位塊；和/或，<br/> 該第二彈性部朝向該第一彈性部的一側設置有該限位塊。
如請求項1所述的線性馬達，其中，該繞線塊包括一鐵芯和至少兩個極靴，至少兩個該極靴間隔設置於該鐵芯，該繞組繞設於該鐵芯，且每兩個該極靴之間均設置有一組該繞組。
如請求項1所述的線性馬達，其中，該殼體開設有一散熱孔。
如請求項1所述的線性馬達，其中，該線性馬達還包括一散熱組件，該殼體包括一底板和一上蓋，該散熱組件貼設於該上蓋的外表面。
一種近紅外線光生物調節裝置，其包含：<br/> 一基板；<br/> 一控制單元，位於該基板中；<br/> 多個發光二極體晶片，其位於該基板中，該等發光二極體晶片係耦接至該控制單元且發出峰值波長為770 nm的近紅外線；及<br/> 一使用者介面，其係耦接至該控制單元。
如請求項1所述之近紅外線光生物調節裝置，該近紅外線光生物調節裝置為一頭罩或一面罩的形式。
如請求項1所述之近紅外線光生物調節裝置，該近紅外線光生物調節裝置為一光療機的形式。
如請求項1所述之近紅外線光生物調節裝置，該近紅外線光生物調節裝置為一燈板的形式。
如請求項1所述之近紅外線光生物調節裝置，該近紅外線光生物調節裝置為一軟墊的形式。
如請求項1所述之近紅外線光生物調節裝置，該基板為柔性基板。
如請求項1所述之近紅外線光生物調節裝置，該基板為曲面形狀。
如請求項1所述之近紅外線光生物調節裝置，該等發光二極體晶片由單一種或多種發光二極體晶片組成。
如請求項1所述之近紅外線光生物調節裝置，該等發光二極體晶片為次毫米（mini）發光二極體結構或微米（micro）發光二極體結構。
如請求項1所述之近紅外線光生物調節裝置，該使用者介面包含控制面板或觸發按鍵。
一種改良式水管接頭，包括：<br/> 水管本體；以及<br/> 穿孔部，凸出於該水管本體的側邊，並與該水管本體為一體成形。
如請求項1所述之改良式水管接頭，其中，該穿孔部設置有穿孔。
如請求項2所述之改良式水管接頭，其中，該穿孔部為複數。
如請求項1或2任一項所述之改良式水管接頭，其中，該水管本體的管口形成有擴孔部，以供其他水管插入接合。
如請求項1或2任一項所述之改良式水管接頭，其中 ，該穿孔部的穿孔深度大於該水管本體的管壁厚度。
如請求項1或2任一項所述之改良式水管接頭，其中 ，該穿孔部接觸該水管本體一側的厚度大於遠離該水管本體一側的厚度。
如請求項1或2任一項所述之改良式水管接頭，其中 ，該穿孔部接觸外界的一面，與該水管本體接觸外界的一側外表面切平。
如請求項1或2任一項所述之改良式水管接頭，其中，該水管本體與該穿孔部由鑄造或射出成型製作。
如請求項2所述之改良式水管接頭，其中，該穿孔部為二個，設置於該水管本體的相對兩側。
如請求項4所述之改良式水管接頭，其中，該等穿孔部設置於該等管口的側邊。
一種自動化輪圈料架結構，其包括：<br/>兩傳動組，係對稱且間隔配置，各該傳動組包括：<br/>兩立柱，係對稱間隔配置並共同界定出一傳動區；<br/>複數惰輪，係樞設於各該立柱上、下兩端，並配置於該傳動區；<br/>複數鍊條，係別繞銜匹配各該立柱上、下兩端之各該惰輪；<br/>一傳動軸，一端串接匹配於各該立柱下端之各該惰輪，另端貫穿各該立柱其中之一，凸伸至該傳動區外側；<br/>一傳動輪，係組設於該傳動軸外周側，並配置於該傳動區外側；及<br/>複數載片，係對應各該鍊條預設之鍊目組設，且各該傳動組中之各該載片採水平對稱配置，並共同形成複數倉位；<br/>一動力組，係包括一依一馬達訊號作動之馬達、及一與該馬達串接並與該傳動輪嚙合之蝸桿；<br/>至少一感測器，係組設於各該立柱其中之一，用以感測各該倉位其中之一，而選擇性輸出一感測訊號；以及<br/>一控制器，係分別與該感測器與該馬達電氣連接，依接收之該感測訊號而輸出該馬達訊號。
如請求項1所述自動化輪圈料架結構，其中該載片略呈一L型輪廓，具有彼此以一邊端連接之一垂直段與一水平段。
如請求項2所述自動化輪圈料架結構，其中該水平段外周側套設有一防護套。
如請求項1所述自動化輪圈料架結構，其中各該傳動組間組接有一倍力臂，該倍力臂兩端分別與各該傳動組中匹配之各該立柱組接。
一種浮動接頭置中結構，係包括：<br/> 一座體，具有一容置空間及形成有一內面；<br/> 一快速接頭，穿設於該座體的容置空間，該快速接頭具有一展部且穿套有一襯套，於該展部及襯套的相對側之間具有一軸向彈性件，且該展部與該襯套的相反側分別具有一主曲面及一副曲面；<br/> 一第一套件設於該容置空間內對應該展部，其具有一第一對應曲面與該展部的主曲面形成可轉動接觸界面，該第一套件外周具有至少一第一徑向彈性件徑向接觸於該座體之內面，以支撐該第一套件設於該容置空間內；<br/> 一第二套件，設於該容置空間內對應該襯套，並具有一第二對應曲面與該副曲面形成可轉動接觸界面，該第二套件外周具有至少一第二徑向彈性件徑向接觸該座體之內面，以支撐該第二套件設於該容置空間內；<br/> 其中，該快速接頭產生偏轉位移時，透過該第一、二徑向彈性件抵觸該容置空間的內面產生彈性變形，提供徑向彈性推力，並透過該第一、第二對應曲面分別與該主曲面及該副曲面配合產生回正力矩，以多向導引該快速接頭自動回復至該座體之中心位置，達成自動置中復位效果並確保對接精度與穩定性者。
如請求項1所述之浮動接頭置中結構，其中所述座體一側具有一延伸壁，該延伸壁形成有一第一開口，該快速接頭穿設於該第一開口，且該第一套件相對該第一對應曲面的另一側係貼附於該延伸壁。
如請求項2所述之浮動接頭置中結構，其中所述快速接頭與該第一開口之間形成有一第一間隙，藉由該第一間隙提供該快速接頭偏轉與位移之空間。
如請求項1所述之浮動接頭置中結構，其中所述主曲面係形成於該展部的一側，該襯套從該快速接頭另一端朝該展部方向穿套該襯套。
如請求項4所述之浮動接頭置中結構，其中所述襯套往該展部方向延伸有一延伸部，該軸向彈性件環設於該延伸部外周，且一端接觸該展部之一第一平面，另一端接觸該襯套之一第二平面，藉由該軸向彈性件提供該展部與該襯套之軸向支撐力，使該主曲面與該第一對應曲面及該副曲面與該第二對應曲面保持貼合接觸。
如請求項3所述之浮動接頭置中結構，其中所述座體之另一側設置有一組接件，該組接件形成有一第二開口供該快速接頭穿過，該第二套件相對該第二對應曲面的另一側係貼附於該組接件，該快速接頭與該第二開口之間形成有一第二間隙，藉由該第二間隙提供該快速接頭偏轉與位移之空間。
如請求項6所述之浮動接頭置中結構，其中所述第一、二套件分別形成有一第一套孔及第二套孔以套設該快速接頭，該第一套孔相對該第一開口一側形成有一第一外擴部，該第二套孔相對該第二開口一側形成有一第二外擴部。
如請求項6所述之浮動接頭置中結構，其中所述座體之內面形成有一卡槽，該卡槽內設置有一緊固件，由該緊固件限位該組接件，進而限位該第二套件於該座體內。
如請求項1所述之浮動接頭置中結構，其中所述第一、第二徑向彈性件係分別為一波形彈簧。
如請求項1所述之浮動接頭置中結構，其中所述第一套件具有一第一組槽，該第二套件具有一第二組槽，該第一、第二組槽係分別供該第一、第二徑向彈性件設置。
一種容器開關貼片的自動對齊結構，包含：<br/> 一底座外框，設於一包裝容器之表面，該底座外框具有一中心開口部，且該中心開口部之內周緣設有至少一組內凸引導部；以及<br/> 一貼片，其一端與該底座外框連接，且該貼片具有一封閉區及一撥片；<br/> 其特徵在於：當該貼片由掀開狀態欲貼回至該底座外框時，該貼片之邊緣係先與該內凸引導部接觸以進行第一階段定位，隨後該封閉區才與該底座外框完全貼合以完成第二階段密封。
如請求項 1 所述之容器開關貼片的自動對齊結構，其中該內凸引導部係設置於該中心開口部之相對兩側緣。
如請求項 1 所述之容器開關貼片的自動對齊結構，其中該內凸引導部係呈弧形凸起狀。
如請求項 1 所述之容器開關貼片的自動對齊結構，其中該內凸引導部係呈三角形凸起狀。
如請求項 1 所述之容器開關貼片的自動對齊結構，其中該內凸引導部係與該底座外框為一體成型設計。
如請求項 1 所述之容器開關貼片的自動對齊結構，其中該撥片上設有一識別記號，用以指引使用者之操作方向。
如請求項 6 所述之容器開關貼片的自動對齊結構，其中該識別記號係為一英文字母「A」之凸顯標記。
如請求項 1 所述之容器開關貼片的自動對齊結構，其中該底座外框與該貼片之材質係由 PET、PE 及背膠層構成之複層複合膜結構。
如請求項 1 所述之容器開關貼片的自動對齊結構，其中該底座外框與該貼片係具有一背膠層。
如請求項 1 所述之容器開關貼片的自動對齊結構，其中該內凸引導部與該貼片側緣之間形成一物理導向公差範圍，用以修正手動貼合之位移偏差。